【事件の表示】
　特願２０１１−１５８０６７「積層型熱電変換モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　２月　４日出願公開、特開２０１３−　２６３３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２３年７月１９日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２７年　２月２６日　　拒絶理由通知（起案日）
　平成２７年　５月　１日　　意見書・手続補正書の提出
　平成２７年　６月３０日　　拒絶査定（起案日）
　平成２７年１０月　７日　　審判請求・手続補正書の提出
　平成２８年　４月２７日　　上申書の提出
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年１０月７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の段落【００９０】を補正するものであって、特許請求の範囲についての本件補正の内容は、特許請求の範囲の請求項１を補正するものである。
　そして、本件補正前の請求項１、及び、本件補正後の請求項１の記載は以下のとおりである。
＜本件補正前＞
「【請求項１】
金属酸化物を熱電変換材料とする熱電変換モジュール又はシリコン系合金を熱電変換材料とする熱電変換モジュールからなる高温部用モジュールと、ビスマス・テルル系合金を熱電変換材料とする熱電変換モジュールからなる低温部用モジュールとを積層した構造であって、該高温部用モジュールと該低温部用モジュールとの間に、柔軟性を有する伝熱材料及び金属板が配置されていることを特徴とする、積層型熱電変換モジュール。」
＜本件補正後＞
「【請求項１】
金属酸化物を熱電変換材料とする熱電変換モジュール又はシリコン系合金を熱電変換材料とする熱電変換モジュールからなる高温部用モジュールと、ビスマス・テルル系合金を熱電変換材料とする熱電変換モジュールからなり、該高温部用モジュールとは接触面のサイズが異なる低温部用モジュールとを積層した構造であって、該高温部用モジュールと該低温部用モジュールとの間に、柔軟性を有する伝熱材料及び金属板が配置されていることを特徴とする、積層型熱電変換モジュール。」
２　本件補正の適否
（１）補正事項
　本件補正は、本件補正前の「高温部用モジュールと、ビスマス・テルル系合金を熱電変換材料とする熱電変換モジュールからなる低温部用モジュールとを積層した構造」という記載を、本件補正後は「高温部用モジュールと、ビスマス・テルル系合金を熱電変換材料とする熱電変換モジュールからなり、該高温部用モジュールとは接触面のサイズが異なる低温部用モジュールとを積層した構造」に補正するものである。
　すなわち、本件補正は、「低温部用モジュール」は「該高温部用モジュールとは接触面のサイズが異なる」と補正するものである。
（２）補正要件の検討
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００４２】、段落【００５５】、段落【００８０】〜【００８７】、及び、本願の願書に最初に添付した図面の図９（ｂ）〜（ｃ）の記載から、上記（１）の補正事項は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかである。
　したがって、上記（１）の補正事項は特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして、上記（１）の補正事項１は、本件補正前の「低温部用モジュール」が「該高温部用モジュールとは接触面のサイズが異なる」ことを限定するもので、本件補正前の請求項１に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから、特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり、また、同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
３　独立特許要件についての検討 
（１）検討の前提
　上記２で検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的としているから、本件補正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき、更に検討する。
（２）補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、本件補正後の請求項１に記載された、次のとおりのものと認める。（再掲）
「【請求項１】
金属酸化物を熱電変換材料とする熱電変換モジュール又はシリコン系合金を熱電変換材料とする熱電変換モジュールからなる高温部用モジュールと、ビスマス・テルル系合金を熱電変換材料とする熱電変換モジュールからなり、該高温部用モジュールとは接触面のサイズが異なる低温部用モジュールとを積層した構造であって、該高温部用モジュールと該低温部用モジュールとの間に、柔軟性を有する伝熱材料及び金属板が配置されていることを特徴とする、積層型熱電変換モジュール。」
（３）引用例１の記載と引用発明
　ア　引用例１の記載
　原査定の根拠となった拒絶理由通知において引用文献２として引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００４−６４０１５号公報（以下「引用例１」という。）には、「熱電変換装置の製造方法ならびに熱電変換装置」（発明の名称）について、図１〜図１２とともに、次の記載がある。（当審注：下線は当審において付加した。以下同じ。）
　（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、産業用あるいは民生用の電子冷却装置や熱電発電装置として用いられる熱電変換装置の製造方法ならびに熱電変換装置に関するものである。」
　（イ）「【０００９】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施形態を図とともに説明する。図１ないし図３は第１実施形態に係る熱電変換モジュールを説明するための図で、図１は熱電変換モジュールの組み立て途中での断面図、図２は熱電変換モジュールの組み立てが完了した状態の断面図、図３はその熱電変換モジュールに用いる中間基板ユニットの斜視図である。
【００１０】
本実施形態の場合は図１に示すように、下段側チップユニット２０と、上段側チップユニット２１と、基板ユニット２２とから構成される
【００１１】
前記
下段側チップユニット２０は、放熱側絶縁基板１の上に多数の下段側放熱電極２が設けられ、その上に半田層３を介して多数の下段側Ｐ形半導体チップ４と下段側Ｎ形半導体チップ５が並設され
【００１２】
前記
上段側チップユニット２１は、多数の上段側放熱電極９の上に半田層１０を介して多数の上段側Ｐ形半導体チップ１１と上段側Ｎ形半導体チップ１２が並設されている
【００１３】
前記基板ユニット２２は、中間絶縁基板８の両面に弾性被膜２３が形成されている
弾性被膜２３は中間絶縁基板８のほぼ全面に一様に塗布形成されている
【００１４】
下段側チップユニット２０と上段側チップユニット２１と基板ユニット２２は個別に作られ、図１に示すように
下段側チップユニット２０の上に基板ユニット２２を介して上段側チップユニット２１を載置することにより、図２に示すような２層のカスケード構造を有する熱電変換モジュール
【００１５】
基板ユニット２２を間にして下段側チップユニット２０と上段側チップユニット２１を圧着することにより、
下段側チップユニット２０の各下段側吸熱電極７が基板ユニット２２の下側弾性被膜２３に密着し、上段側チップユニット２１の各上段側放熱電極９が基板ユニット２２の上側弾性被膜２３に密着する
【００１６】
前述の説明では、放熱側絶縁基板１の上に下段側放熱電極２、半田層３、下段側半導体チップ４，５、半田層６、下段側吸熱電極７を順次組付けて下段側チップユニット２０とし、上段側放熱電極９の上に半田層１０、上段側半導体チップ１１，１２、半田層１３、上段側吸熱電極１４、吸熱側絶縁基板１５を順次組付けて上段側チップユニット２１としたが、放熱電極と半田層とＰ形，Ｎ形半導体チップと半田層と吸熱電極を順次組付けて同じ集合体を製作し、その集合体に放熱側絶縁基板１を半田などにより接合したものを下段側チップユニット２０とし、集合体に吸熱側絶縁基板１５を半田などにより接合したものを上段側チップユニット２１とすることもできる。」
　（ウ）「【００３０】
前記
各実施形態において前記絶縁基板１，８，１５には、例えばアルミナセラミック、窒化アルミニウム、表面に酸化物などの絶縁層を形成した銅やアルミニウム等の金属などが用いられる
【００３１】
前記半田層３，６，１０，１３，２７，３０には、例えば錫と鉛の共晶半田などが用いられる。
【００３２】
前記
半導体チップ４，５，１１，１２，２８，２９には、Ｂｉ−Ｔｅ系、Ｐｂ−Ｔｅ系、Ｚｎ−Ｓｂ系、Ｆｅ−Ｓｉ系、Ｍｎ−Ｓｉ系、Ｓｉ−Ｇｅ系、Ｃｏ−Ｓｂ系などが用いられ、カスケード構造の場合上下段の材料は
異なってもよい
【００３３】
前記電極２，７，９，１４，２６，３１には、例えばニッケルメッキした銅薄板などが用いられる。
【００３４】
前記
弾性被膜２３には、シリコーン系接着剤、エポキシ系接着剤、ポリアミド系接着剤、ジエン系ゴム接着剤、ジエン系ゴム接着剤などの接着剤、あるいはシリコーンゲルなどのゲル剤が基材として用いられ、熱伝導性を高めるために基材よりも熱伝導率の高いフィラーが適量混合されている
【００３５】
フィラーを含有したシリコーン系接着剤からなる弾性被膜２３の硬さ（ＪＩＳＡ）は６５〜１００、引張強さは４０〜８０〔ｋｇｆ／ｃｍ２　〕、伸び率は４５〜１３０〔％〕、熱伝導率は２×１０−３〜５×１０−３〔ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃〕である。」
　（エ）「【００４４】
図１１は、前記
第１〜５実施形態にいずれかの熱電変換モジュールを用いた発電用熱電変換装置
アルミニウムブロックからなる第１熱導体７０と、アルミニウムからなり多数のフィン７１を有する第２熱導体７２との間に、熱電変換モジュール７３が介在されている。
【００４５】
図１０ならびに図１１に示す熱電変換装置において、熱電変換モジュール４２，７３が機械的に圧着されることにより、基板ユニット２２側の弾性被膜２３にそれと対向する各電極７，９，２６，３１が食い込むように密着して、各電極７，９，２６，３１の位置決めがなされるとともに、熱的に導通する。」
　（オ）「【００４６】
【発明の効果】
　……（中略）……
【００４８】
さらにまた、
基板ユニットの弾性被膜上に電極が良好に圧着され、その圧着状態が弾性被膜の弾力性によって常に維持されているから、熱抵抗を低く抑えて、優れた熱電変換特性を発揮することができる
　イ　引用発明
　上記アの（ア）〜（オ）より、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「多数の下段側放熱電極２の上に半田層３を介して多数の下段側Ｐ形半導体チップ４と下段側Ｎ形半導体チップ５が並設されている下段側チップユニット２０と、
　多数の上段側放熱電極９の上に半田層１０を介して多数の上段側Ｐ形半導体チップ１１と上段側Ｎ形半導体チップ１２が並設されている上段側チップユニット２１と、
　表面に酸化物などの絶縁層を形成した銅やアルミニウム等の金属からなる中間絶縁基板８と、熱伝導性を高めるために熱伝導率の高いフィラーを適量混合した基材を前記中間絶縁基板８の両面のほぼ全面に一様に塗布して形成した弾性被膜２３とからなる基板ユニット２２と、から構成され、
　前記下段側チップユニット２０の上に前記基板ユニット２２を介して前記上段側チップユニット２１を載置して、前記下段側チップユニット２０を前記基板ユニット２２の下側弾性被膜２３に密着させ、前記上段側チップユニット２１を前記基板ユニット２２の上側弾性被膜２３に密着させた圧着状態を常に維持する、２層のカスケード構造を有する熱電変換モジュール。」
（４）引用例２の記載と周知技術１
　ア　引用例２の記載
　原査定の根拠となった拒絶理由通知において引用文献１として引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００６−２３７１４６号公報（以下「引用例２」という。）には、「熱電変換用カスケードモジュール」（発明の名称）について、図１〜図８とともに、次の記載がある。
　（ア）「【背景技術】
　……（中略）……
【０００９】
　ところで、上記したように、
熱電変換用モジュールを用いて熱電発電や熱電冷却、熱電加熱を行わせる場合には、
よく知られているビスマス（Ｂｉ）・テルル（Ｔｅ）系の材料組成を有する熱電材料素子は、上限が２５０〜３００℃程度までの温度範囲であれば比較的良好な熱電性能を示すが、３００℃以上となるようなより高温の温度条件の下では、鉛テルル系や、シリコン・ゲルマニウム系、コバルト・アンチモン系、シリサイド系等、別の組成の熱電材料による素子を用いる方が、より良好な熱電性能を得ることができること
　（イ）「【００１０】
　そこで、たとえば、５００〜６００℃あるいは更に高温の熱源により得られる広い温度領域を利用して
熱電発電を行う場合や、熱電冷却
に用いるための熱電変換用のモジュールとして、モジュール全体に形成させることが所望される温度勾配の領域を、低温域から高温域までの複数の温度域に分け、分けられた各温度域ごとに、該各温度域にてそれぞれ良好な熱電性能を得ることができるような材料組成のＰ型及びＮ型の熱電材料素子を用いた熱電変換用モジュールを形成し、これら低温域から高温域の異なる温度域でそれぞれ優れた熱電性能が得られるようにしてある熱電変換用モジュールを、上記モジュール全体に所望される温度勾配に合せて積層することにより、熱電変換の高効率化を図ることができるようにしたカスケード型の熱電変換用モジュール
【００１１】
　図８は上記
熱電変換用カスケードモジュール
これらの熱電材料素子１，２を直列に導通させるよう一端部同士及び他端部同士を順次接続するモジュール電極３，４と、上記各モジュール電極３，４の外側に固定した絶縁基板５，６とからなる熱電変換用モジュール
　……（中略）……
【００１３】
【特許文献１】特開２００２−３５３５２５号公報
【特許文献２】特開２００４−２８１４５１号公報
【特許文献３】特開平９−３２１３４９号公報」
　（ウ）図８には、下側の熱電変換用モジュール８ａと上側の熱電変換用モジュール８ｂとを積層して熱電変換用カスケードモジュールを形成すること、積層する際の接触面である前記熱電変換用モジュール８ａの上面のサイズは、前記接触面である前記熱電変換用モジュール８ｂの下面のサイズより大きいことが、それぞれ記載されていると認められる。
　（エ）「【００５４】
　次いで、図５は本発明の実施の更に別の形態を示すもので、図１に示した実施の形態において、積層する高温域用と低温域用のスケルトン型熱電変換用モジュール９ｘと９ｙとの間に、モジュール広がり方向の面内にてスリット１１が存在するよう小面積の領域に分けられた接合用絶縁基板１０を介在させるよう配置すると共に、該接合用絶縁基板１０の上下面に、上側のスケルトン型熱電変換用モジュール９ｘ下端部のモジュール電極４と、下側のスケルトン型熱電変換用モジュール９ｙ上端部のモジュール電極３とを接合、固定するようにした構成に代えて、
積層配置したスケルトン型熱電変換用モジュール９ｘと９ｙとの間に、モジュール広がり方向の全面に亘る接合用絶縁基板１２を介在させるよう配置する
該接合用絶縁基板１２の上下面に
それぞれ高熱伝導性を有する弾性接着剤１３により接合してなる構成とした
【００５５】
　
上記弾性接着剤１３は、本発明の熱電変換用カスケードモジュールの使用時に接合用絶縁基板１２部分に作用することとなる温度条件に対する耐熱性と、高熱伝導性を有し
硬化後にも素材自体は柔軟性（弾性）を有するような樹脂系等の接着剤を用いる
【００５６】
　その他、図１（イ）（ロ）に示したものと同一のものには同一符号が付してある。
【００５７】
　
本実施の形態の熱電変換用カスケードモジュールの使用時に、所要の温度条件が作用することによって上記接合用絶縁基板１２に熱膨張による変形が生じると、該変形は、上記接合用絶縁基板１２とスケルトン型熱電変換用モジュール９ｘのモジュール電極４との間、及び、接合用絶縁基板１２とスケルトン型熱電変換用モジュール９ｙのモジュール電極３との間をそれぞれ柔軟性を備えた状態で接着している弾性接着剤１３自体が変形することで変位量が緩和された
　イ　引用例２に記載された周知技術１
　上記ア（ア）から、引用例２には、
「熱電変換用モジュールを用いて熱電発電や熱電冷却、熱電加熱を行わせる場合には、よく知られているビスマス（Ｂｉ）・テルル（Ｔｅ）系の材料組成を有する熱電材料素子は、上限が２５０〜３００℃程度までの温度範囲であれば比較的良好な熱電性能を示すが、３００℃以上となるようなより高温の温度条件の下では、鉛テルル系や、シリコン・ゲルマニウム系、コバルト・アンチモン系、シリサイド系等、別の組成の熱電材料による素子を用いる方が、より良好な熱電性能を得ることができること。」
という技術が記載されている。
　上記の技術は、引用例２に【背景技術】として記載されており、本願の出願時に既に周知の技術（以下、上記の技術を「周知技術１」という。）であったと認められる。
（５）補正発明と引用発明の対比
　ア　各「モジュール」について
　引用発明の「多数の下段側放熱電極２の上に半田層３を介して多数の下段側Ｐ形半導体チップ４と下段側Ｎ形半導体チップ５が並設されている下段側チップユニット２０」と「多数の上段側放熱電極９の上に半田層１０を介して多数の上段側Ｐ形半導体チップ１１と上段側Ｎ形半導体チップ１２が並設されている上段側チップユニット２１」は、いずれも、「Ｐ形半導体チップ」と「Ｎ形半導体チップ」が「並設されている」チップユニットであるとともに、両者によって「２層のカスケード構造を有する熱電変換モジュール」を構成していることから、それぞれ自体が「熱電変換モジュール」であることは、自明である。
　そして、前記「下段側チップユニット２０」及び「上段側チップユニット２１」における、前記「Ｐ形半導体チップ」と「Ｎ形半導体チップ」は、いずれも、「熱電変換材料」で形成されていることも、当業者には自明な事項であると認められる。
　したがって、引用発明の「多数の下段側放熱電極２の上に半田層３を介して多数の下段側Ｐ形半導体チップ４と下段側Ｎ形半導体チップ５が並設されている下段側チップユニット２０」及び「多数の上段側放熱電極９の上に半田層１０を介して多数の上段側Ｐ形半導体チップ１１と上段側Ｎ形半導体チップ１２が並設されている上段側チップユニット２１」と、補正発明の「金属酸化物を熱電変換材料とする熱電変換モジュール又はシリコン系合金を熱電変換材料とする熱電変換モジュールからなる高温部用モジュール」及び「ビスマス・テルル系合金を熱電変換材料とする熱電変換モジュールからなり、該高温部用モジュールとは接触面のサイズが異なる低温部用モジュール」とは、それぞれ、「熱電変換材料」で形成された「熱電変換モジュールからなる」第１の「モジュール」及び「熱電変換材料」で形成された「熱電変換モジュールから」なる第２の「モジュール」である点で共通する。
　イ　各「モジュール」の間の部材について
　（ア）引用発明の「表面に酸化物などの絶縁層を形成した銅やアルミニウム等の金属からなる中間絶縁基板８と、熱伝導性を高めるために熱伝導率の高いフィラーを適量混合した基材を前記中間絶縁基板８の両面のほぼ全面に一様に塗布して形成した弾性被膜２３とからなる基板ユニット２２」において、「前記中間絶縁基板８の両面のほぼ全面に一様に塗布して形成した弾性被膜２３」は、「弾性」を有するのであるから、柔軟性を有する材料で形成されていると認められる。
　そして、引用発明の「前記中間絶縁基板８の両面のほぼ全面に一様に塗布して形成した弾性被膜２３」は、「基材」に「熱伝導性を高めるために熱伝導率の高いフィラーを適量混合した」材料で形成されているから、「熱伝導率の高い」伝熱材料で形成されているものである。
　したがって、引用発明の「熱伝導性を高めるために熱伝導率の高いフィラーを適量混合した基材を前記中間絶縁基板８の両面のほぼ全面に一様に塗布して形成した弾性被膜２３」は、補正発明の「柔軟性を有する伝熱材料」に相当する。
　（イ）引用発明の「表面に酸化物などの絶縁層を形成した銅やアルミニウム等の金属からなる中間絶縁基板８」から、「表面」の「酸化物などの絶縁層」を除いた構成、すなわち、「銅やアルミニウム等の金属」からなる「基板」は、補正発明の「金属板」に相当する。
　（ウ）そして、引用発明においては、「前記下段側チップユニット２０の上に前記基板ユニット２２を介して前記上段側チップユニット２１を載置」される。
　したがって、前記「熱伝導性を高めるために熱伝導率の高いフィラーを適量混合した基材を前記中間絶縁基板８の両面のほぼ全面に一様に塗布して形成した弾性被膜２３」、及び、前記「銅やアルミニウム等の金属」からなる「基板」は、「前記下段側チップユニット２０」と「前記上段側チップユニット２１」の間に配置されている。
　これに対して、補正発明は「該高温部用モジュールと該低温部用モジュールとの間に、柔軟性を有する伝熱材料及び金属板が配置されている」という特定を有するところ、当該特定は、「該高温部用モジュールと該低温部用モジュールとの間」に「柔軟性を有する伝熱材料及び金属板」以外の他の部材が「配置されている」という構成を除外するものではない。
　そうすると、引用発明において、「前記下段側チップユニット２０」と「前記上段側チップユニット２１」の間に、前記「熱伝導性を高めるために熱伝導率の高いフィラーを適量混合した基材を前記中間絶縁基板８の両面のほぼ全面に一様に塗布して形成した弾性被膜２３」及び前記「銅やアルミニウム等の金属」からなる「基板」が配置されていることと、補正発明において、「該高温部用モジュールと該低温部用モジュールとの間に、柔軟性を有する伝熱材料及び金属板が配置されている」ことは、前記第１の「モジュール」と前記第２の「モジュール」との間に「柔軟性を有する伝熱材料及び金属板が配置されている」点で共通する。
　ウ　「積層型熱電変換モジュール」について
　引用発明の「前記下段側チップユニット２０の上に前記基板ユニット２２を介して前記上段側チップユニット２１を載置して、前記下段側チップユニット２０を前記基板ユニット２２の下側弾性被膜２３に密着させ、前記上段側チップユニット２１を前記基板ユニット２２の上側弾性被膜２３に密着させた」構造と、補正発明の「該高温部用モジュールと該低温部用モジュールとの間に、柔軟性を有する伝熱材料及び金属板」を「配置」させて「該高温部用モジュール」と「低温部用モジュールとを積層した構造」は、前記第１の「モジュール」と前記第２の「モジュール」との間に「柔軟性を有する伝熱材料及び金属板」を配置させて、前記第１の「モジュール」と前記第２の「モジュール」とを「積層した構造」である点で共通する。
　そうすると、引用発明の「２層のカスケード構造を有する熱電変換モジュール」は、以下に挙げる相違点を除き、補正発明の「積層型熱電変換モジュール」に相当する。
　エ　以上から、補正発明と引用発明とは、下記（ア）の点で一致し、下記（イ）の点で相違すると認められる。
　（ア）一致点
「熱電変換材料で形成された熱電変換モジュールからなる第１のモジュールと、熱電変換材料で形成された熱電変換モジュールからなる第２のモジュールとを積層した構造であって、該第１のモジュールと該第２のモジュールとの間に、柔軟性を有する伝熱材料及び金属板が配置されていることを特徴とする、積層型熱電変換モジュール。」
　（イ）相違点
　・相違点１
　補正発明は「金属酸化物を熱電変換材料とする熱電変換モジュール又はシリコン系合金を熱電変換材料とする熱電変換モジュールからなる高温部用モジュール」と、「ビスマス・テルル系合金を熱電変換材料とする熱電変換モジュール」からなる「低温部用モジュール」とを備えるのに対し、引用発明は「多数の下段側放熱電極２の上に半田層３を介して多数の下段側Ｐ形半導体チップ４と下段側Ｎ形半導体チップ５が並設されている下段側チップユニット２０」と「多数の上段側放熱電極９の上に半田層１０を介して多数の上段側Ｐ形半導体チップ１１と上段側Ｎ形半導体チップ１２が並設されている上段側チップユニット２１」とを備える点。
　・相違点２
　補正発明の「低温部用モジュール」は「該高温部用モジュールとは接触面のサイズが異なる」のに対し、引用発明は、そのような特定を有していない点。
（６）相違点についての検討
　ア　相違点１について
　（ア）第２の３（３）ア（エ）で摘記したように、引用例１には、「第１〜５実施形態にいずれかの熱電変換モジュールを用いた発電用熱電変換装置」では「アルミニウムブロックからなる第１熱導体７０と、アルミニウムからなり多数のフィン７１を有する第２熱導体７２との間に、熱電変換モジュール７３が介在されている。」と記載されている。
　ここで、「アルミニウムからなり多数のフィン７１」は空冷装置であると解されることから、前記「第２熱導体７２」は低温の環境で使われる「熱導体」であり、「熱電変換モジュール」が「発電用熱電変換装置」に用いられることを考慮すれば、前記「第１熱導体７０」は高温の環境で使われる「熱導体」であると認められる。
　したがって、引用発明の「多数の下段側放熱電極２の上に半田層３を介して多数の下段側Ｐ形半導体チップ４と下段側Ｎ形半導体チップ５が並設されている下段側チップユニット２０」と「多数の上段側放熱電極９の上に半田層１０を介して多数の上段側Ｐ形半導体チップ１１と上段側Ｎ形半導体チップ１２が並設されている上段側チップユニット２１」のうち一方は常に低温の環境に接し、他方は常に高温の環境に接するという状態で、引用発明の「２層のカスケード構造を有する熱電変換モジュール」が使われることが、引用例１に記載されていると認められる。
　一方、第２の３（３）ア（ウ）で摘記したように、引用例１には、「前記半導体チップ４，５，１１，１２，２８，２９には、Ｂｉ−Ｔｅ系、Ｐｂ−Ｔｅ系、Ｚｎ−Ｓｂ系、Ｆｅ−Ｓｉ系、Ｍｎ−Ｓｉ系、Ｓｉ−Ｇｅ系、Ｃｏ−Ｓｂ系などが用いられ、カスケード構造の場合上下段の材料」は「異なってもよい。」と記載されている。
　（イ）そして、引用発明の「多数の下段側放熱電極２の上に半田層３を介して多数の下段側Ｐ形半導体チップ４と下段側Ｎ形半導体チップ５が並設されている下段側チップユニット２０」と「多数の上段側放熱電極９の上に半田層１０を介して多数の上段側Ｐ形半導体チップ１１と上段側Ｎ形半導体チップ１２が並設されている上段側チップユニット２１」のそれぞれに、より良好な熱電性能を要求することは、引用発明が当然に有する技術的課題であると認められる。
　（ウ）したがって、引用発明の「下段側チップユニット２０」を構成する「下段側Ｐ形半導体チップ４と下段側Ｎ形半導体チップ５」を形成する熱電変換材料と、「上段側チップユニット２１」を構成する「上段側Ｐ形半導体チップ１１と上段側Ｎ形半導体チップ１２」を形成する熱電変換材料を、周知技術１を勘案して、常に低温の環境に接して使われる「チップ」についてはＢｉ−Ｔｅ系の熱電変換材料を用いることで当該「チップ」を低音部用とし、常に高温の環境に接して使われる「チップ」についてはＳｉ−Ｇｅ系やＣｏ−Ｓｂ系の熱電変換材料を用いることで当該「チップ」を高音部用として、相違点１に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　イ　相違点２について
　（ア）補正発明は「該高温部用モジュールとは接触面のサイズが異なる低温部用モジュールとを積層した構造」を有するという発明特定事項を備える。
　この発明特定事項は、「接触面のサイズ」が大きいのはどちらの「モジュール」であるか、あるいは、各「モジュール」の「積層」においてどちらが下側とするかを、特定するものではなく、したがって、単に、大きい方の「モジュール」が「一部は宙に浮いた状態」（本願明細書の段落【００４２】の記載）になることを特定するものであると認められる。
　（イ）これに対して、熱電発電に用いる２つの熱電変換用モジュールを積層して積層型の熱電変換用カスケードモジュールを形成するとき、下側の熱電変換用モジュールの接触面のサイズを、上側の熱電変換用モジュールの接触面のサイズより大きくすること、すなわち、大きい方の「モジュール」の一部を「宙に浮いた状態」にすることは、以下に挙げる周知例１及び周知例２に記載され、本願の出願時に既に周知の技術（以下「周知技術２」という。）であったと認められる。
　ａ　周知例１
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平５−２９９７０４号公報には、「サーモモジュール」（発明の名称）について、図１〜図８とともに、次の記載がある。
　（ａ）「【０００２】
【従来の技術】熱電変換は、物質中のキャリアがランキン・サイクルやヒートポンプのように働くソリードステート・エネルギ変換の一つである。したがって、エネルギー変換部には、火力発電や冷暖房機のように機械的な可動要素をもたないので、騒音や振動がなく信頼性の高い熱−電気エネルギー変換ができる。熱電変換材料(熱電材料)は、一般に相互に電気伝導性の異なる半導体を組合わせた熱電対として利用し、該
半導体の対は熱電変換素子(又は熱電素子)と言われている。この熱電変換素子は、例えば図５
に示すように構成され、そのＰ−Ｎ接合部と両分岐端間に温度差を与えることによって電力を取り出したり(ゼーベック効果)
　……（中略）……
【０００４】しかし、図７のような単段構造のサーモモジュールの場合、冷温熱間の到達温度差(Ｔh−Ｔc)が約７０℃程度と比較的低く、用途が限定される欠点がある。
【０００５】そこで、最近では例えば図８に示すように、上記図７の構造の
サーモモジュールの上部に更に半導体３１,３２を組合せたもう一段目の熱電変換素子部を設け、リード線Ｌ1,Ｌ2および接合部３３,３４,３５を介してカスケード接続することによって多段構造体に形成し、それによって上記冷温熱間の温度差(Ｔh−Ｔc)を大きくする構成
　（ｂ）図５には、熱電変換素子の上側は加熱されて温度がＴｈであり、前記熱電変換素子の下側は放熱されて温度がＴｃであり、前記上側と前記下側の温度差は（Ｔｈ−Ｔｃ）で、前記上側は前記下側より高温であることが、記載されている。
　（ｃ）図８には、一段目の熱電変換素子部の上に二段目の熱電変換素子部を接合部３４及び接合部３５を介して接合することで積層した構成において、前記一段目の熱電変換素子部の横幅は前記二段目の熱電変換素子部の横幅より大きく、大きい方の前記一段目の熱電変換素子部の上面のうち前記二段目の熱電変換素子部で覆われていない部分が露出して、前記覆われていない部分が宙に浮いた状態にあることが記載されている。
　ｂ　周知例２
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００６−２３７５４７号公報には、「熱電変換モジュール、これを用いた
発電装置
　（ａ）「【背景技術】
【０００２】
　熱電変換素子は、Ｐ型半導体とＮ型半導体とからなるＰＮ接合対の両端に温度差をつけると、電位差が発生する特徴を有しており、排熱回収発電などへの利用が期待されている。
　……（中略）……
【０００８】
　また、発電用途には、２００〜３００℃までは冷却用途と同様、Ｂｉ−Ｔｅ系が主に使用され、さらにそれ以上の温度域では、Ｍｎ−Ｓｉ系、Ｍｇ−Ｓｉ系、Ｓｉ−Ｇｅ系、Ｐｂ−Ｔｅ系、ＴＡＧＳ系（ＧｅＴｅ−ＡｇＳｂＴｅ）、Ｚｎ−Ｓｂ系、スクッテルダイト系などが熱電変換素子２に使用される。
【０００９】
　このようなＮ型熱電変換素子２ａ及びＰ型熱電変換素子２ｂを対にしたものを複数直列に電気的に接続する。」
　（ｂ）「【００４０】
　また図４に示すように、
より高温の熱源を利用して発電効率を高めたい場合
支持基板１ｃを介して２段以上熱電変換素子２を積層した
　（ｃ）「【００６３】
【図１】熱電変換モジュールを示す一部破断斜視図である。
【図２】２段熱電変換モジュールを示す斜視図である。
　……（中略）……
【符号の説明】
【００６４】
　１・・・支持基板
　　１ａ・・・（下部）支持基板
　　１ｂ・・・（上部）支持基板
　　１ｃ・・・（中間）支持基板
　２・・・熱電変換素子
　　
２ａ・・・低温用Ｎ型熱電変換素子
　　
２ｂ・・・低温用Ｐ型熱電変換素子
　　２ｃ・・・高温用Ｎ型熱電変換素子
　　２ｄ・・・高温用Ｐ型熱電変換素子
　３・・・金属層
　　３ａ・・・金属層
　　３ｂ・・・金属層」
　（ｄ）積層型の２段熱電変換モジュールを図示する図２には、下側の熱電変換モジュールの横幅は上側の熱電変換モジュールの横幅より大きいこと、両者の接触面である（中間）支持基板１ｃの前記上側の熱電変換モジュールで覆われていない部分が露出することで、大きい方の前記下側の熱電変換モジュールの一部が宙に浮いた状態になること、横幅がより大きい前記下側の熱電変換モジュールには低温用Ｎ型熱電変換素子２ａ及び低温用Ｐ型熱電変換素子２ｂが設けられていること、がそれぞれ記載されている。
　（ウ）したがって、引用発明において、「下段側チップユニット２０」と「上段側チップユニット２１」とを、「基板ユニット２２を介して」密着させるに際して、前記「下段側チップユニット２０」と前記「上段側チップユニット２１」とで前記「基板ユニット２２」に密着する面のサイズを異ならせることで、大きい方の「ユニット」の一部を宙に浮いた状態にするという相違点２に係る構成とすることは、周知技術２を参酌すれば、当業者が適宜なし得たものと認められる。
（７）補正発明の作用効果について
　ア　審判請求人は、審判請求書において、本願明細書の段落【００４２】を引用して、補正発明は、相違点２に係る構成を備えることで、「高温部用モジュールとは接触面の面積が異なる低温部用モジュールを使用し、温度ムラを発生しやすい条件を採用しているにもかかわらず、温度ムラを効率的に低減することができている」という効果を奏すると主張している。
　イ　しかしながら、前記段落【００４２】には、「本発明では、二種類のモジュールの接触面のサイズが異なる場合、大きい方のモジュールの素子の一部は宙に浮いた状態になり、同一モジュール内に温度ムラを発生する原因となって、発電効率が低下する。この問題を解消するためにモジュールの全面を覆うことができる金属板、例えば、アルミニウム板を伝熱材料と共にモジュール間に挿入することが好ましい。これにより温度ムラを解消して、発電効率を向上させることができる。」と記載されている。
　すなわち、審判請求人が主張する効果を奏するためには、「大きい方のモジュール」の「全面を覆うことができる金属板」を備えることが必要である。
　しかしながら、補正発明はそのような発明特定事項を有していない。
　ウ　したがって、審判請求人の当該主張は、本願の特許請求の範囲の記載に基づかないものであるから、採用することはできない。
　エ　なお、第２の３（４）ア（イ）で摘記したように、引用例２の段落【００１１】及び【００１３】には、段落【００１１】に記載の「熱電変換用カスケードモジュール」は「特許文献２」すなわち「特開２００４−２８１４５１号公報」に開示されたものである旨が記載されている。そこで、この「特開２００４−２８１４５１号公報」を参照すると、段落【００２８】に「また、下段の熱電変換素子を構成する第一の基板４、第二の基板３および上段の熱電変換素子２を構成する第一の基板６、第二の基板７の表面はメタライズ層１１、１０、１３、１２が形成されている。」と、図１（ａ）及び（ｂ）に、前記下段の熱電変換素子は前記上段の熱電変換素子より大きいこと、平板状のメタライズ層１０が絶縁基板３のほぼ全面に設けられていることが、記載されている。
　したがって、大きい方の下側の熱電変換用モジュールの一部を宙に浮いた状態にした積層型熱電変換用モジュールにおいて、前記大きい方の下側の熱電変換用モジュールを構成する絶縁基板の上面に、平板状のメタライズ層、すなわち、板状の金属層をほぼ全面に設けることは、本願の出願時に既に周知の事項であったと認められる。
（８）まとめ
　本件補正後の請求項１に係る発明（補正発明）は、引用発明と、周知技術１及び周知技術２とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
４　むすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
第３　本願発明の特許性の有無について
１　本願発明について
　平成２７年１０月７日に提出された手続補正書による手続補正は、前記の通り却下された。
　そして、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２７年　５月１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものと認める。（再掲）
「【請求項１】
金属酸化物を熱電変換材料とする熱電変換モジュール又はシリコン系合金を熱電変換材料とする熱電変換モジュールからなる高温部用モジュールと、ビスマス・テルル系合金を熱電変換材料とする熱電変換モジュールからなる低温部用モジュールとを積層した構造であって、該高温部用モジュールと該低温部用モジュールとの間に、柔軟性を有する伝熱材料及び金属板が配置されていることを特徴とする、積層型熱電変換モジュール。」
２　引用例１の記載と引用発明、及び、引用例２の記載と周知技術１
　原査定の根拠となった拒絶理由通知において引用文献２として引用された引用例１の記載は第２の３（３）アのとおりであり、引用発明は第２の３（３）イで認定したとおりである。
　また、原査定の根拠となった拒絶理由通知において引用文献１として引用された引用例２の記載は第２の３（４）アのとおりであり、周知技術１は第２の３（４）イに記載されるとおりである。
３　本願発明と引用発明との対比
（１）第２の１及び２から明らかなように、本件補正後の請求項１に係る発明（すなわち、補正発明）は、本件補正前の請求項１に係る発明（すなわち、本願発明）に対して、「該高温部用モジュールとは接触面のサイズが異なる」ことを限定したものである。
　したがって、本願発明は、補正発明から上記限定をなくしたものである。
（２）そうすると、本願発明と引用発明とを対比すると、第３の３（５）の検討から、両者は、下記アの点で一致し、下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「熱電変換材料で形成された熱電変換モジュールからなる第１のモジュールと、熱電変換材料で形成された熱電変換モジュールからなる第２のモジュールとを積層した構造であって、該第１のモジュールと該第２のモジュールとの間に、柔軟性を有する伝熱材料及び金属板が配置されていることを特徴とする、積層型熱電変換モジュール。」
　イ　相違点
　本願発明は「金属酸化物を熱電変換材料とする熱電変換モジュール又はシリコン系合金を熱電変換材料とする熱電変換モジュールからなる高温部用モジュール」と、「ビスマス・テルル系合金を熱電変換材料とする熱電変換モジュール」からなる「低温部用モジュール」とを備えるのに対し、引用発明は「多数の下段側放熱電極２の上に半田層３を介して多数の下段側Ｐ形半導体チップ４と下段側Ｎ形半導体チップ５が並設されている下段側チップユニット２０」と「多数の上段側放熱電極９の上に半田層１０を介して多数の上段側Ｐ形半導体チップ１１と上段側Ｎ形半導体チップ１２が並設されている上段側チップユニット２１」とを備える点。
４　相違点についての検討
　第３の３（５）で検討したとおり、前記相違点は、補正発明と引用発明との相違点の一つである相違点１と一致する。
　したがって、第３の３（６）アで検討したとおり、本願発明は、引用例２に記載された周知技術１を勘案すれば、引用発明から当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、本願発明が奏する作用効果は、引用例２の記載を参酌すれば、引用発明から当業者が容易に予測し得るものと認められ、格別のものとはいえない。
５　まとめ
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明（本願発明）は、引用例１に記載された発明、及び、引用例２の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
第４　結言
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。