【事件の表示】
　特願２０１２−５３１１０１「３軸磁場センサー」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　３月３１日国際公開、ＷＯ２０１１／０３８３４３、平成２５年　２月２１日国内公表、特表２０１３−５０６１４１、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年９月２７日（優先権主張　２００９年９月２５日（以下、「優先日」という。）　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２６年４月２８日付けの拒絶理由通知に対して、平成２６年７月３１日付けで手続補正がなされ、平成２７年１月２９日付けの最後の拒絶理由通知に対して、平成２７年４月２７日付けで手続補正がなされたが、平成２７年７月３１日付けで、平成２７年４月２７日付け手続補正書でした補正の却下の決定がなされるとともに、同日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２７年１１月３０日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に手続補正がなされたものである。
第２　平成２７年１１月３０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の適否
１　補正の内容
（１）請求項１について
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、本件補正前に、
「【請求項１】
　強磁性薄膜ベースの磁場センサーであって、
　前記センサーの平面に直交する磁場を検知するホイートストンブリッジとして結合された第１、第２、第３、および第４の磁気トンネル接合センサーを備える第１のブリッジ回路を備え、
　前記第１の磁気トンネル接合センサーは、
　　第１の基準層と、
　　前記第１の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第１の検知素子と、
　　前記第１の検知素子の第１の端部から離間して配置された第１の磁束ガイドであって、第１の面と直交する平面内に配置された前記第１の磁束ガイドとを含み、
　前記第２の磁気トンネル接合センサーは、
　　第２の基準層と、
　　前記第２の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第２の検知素子と、
　　前記第２の検知素子の第１の端部から離間して配置された第２の磁束ガイドであって、第１の面と直交する平面内に配置された前記第２の磁束ガイドとを含み、
　前記第３の磁気トンネル接合センサーは、
　　第３の基準層と、
　　前記第３の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第３の検知素子と、
　　前記第３の検知素子の第１の端部から離間して配置された第３の磁束ガイドであって、第１の面と直交する平面内に配置された前記第３の磁束ガイドとを含み、
　前記第４の磁気トンネル接合センサーは、
　　第４の基準層と、
　　前記第４の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第４の検知素子と、
　　前記第４の検知素子の第１の端部から離間して配置された第４の磁束ガイドであって、第１の面と直交する平面内に配置された前記第４の磁束ガイドとを含む、強磁性薄膜ベースの磁場センサー。」
とあったところを、
「【請求項１】
　強磁性薄膜ベースの磁場センサーであって、
　前記センサーの平面に直交する磁場を検知するホイートストンブリッジとして結合された第１、第２、第３、および第４の磁気トンネル接合センサーを備える第１のブリッジ回路を備え、
　前記第１の磁気トンネル接合センサーは、
　　第１の基準層と、
　　前記第１の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第１の検知素子と、
　　前記第１の検知素子の第１の端部から離間して配置された第１の磁束ガイドであって、第１の面と直交する平面内に配置された前記第１の磁束ガイドとを含み、
　前記第２の磁気トンネル接合センサーは、
　　第２の基準層と、
　　前記第２の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第２の検知素子と、
　　前記第２の検知素子の第１の端部から離間して配置された第２の磁束ガイドであって、第１の面と直交する平面内に配置された前記第２の磁束ガイドとを含み、
　前記第３の磁気トンネル接合センサーは、
　　第３の基準層と、
　　前記第３の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第３の検知素子と、
　　前記第３の検知素子の第１の端部から離間して配置された第３の磁束ガイドであって、第１の面と直交する平面内に配置された前記第３の磁束ガイドとを含み、
　前記第４の磁気トンネル接合センサーは、
　　第４の基準層と、
　　前記第４の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第４の検知素子と、
　　前記第４の検知素子の第１の端部から離間して配置された第４の磁束ガイドであって、第１の面と直交する平面内に配置された前記第４の磁束ガイドとを含
み
　
前記第１の磁束ガイドおよび前記第３の磁束ガイドは、前記第１、第２、第３、及び第４の磁気トンネル接合センサーの平面に磁場を案内して、前記第１の検知素子および前記第３の検知素子の磁化をより高い抵抗に向かう第１の磁化方向に回転させるように設置され、
　前記第２の磁束ガイドおよび前記第４の磁束ガイドは、前記第１、第２、第３、及び第４の磁気トンネル接合センサーの平面に磁場を案内して、前記第２の検知素子および前記第４の検知素子の磁化をより低い抵抗に向かう前記第１の磁化方向とは反対の第２の磁化方向に回転させるように設置されている、
とする補正（以下、「補正事項１」という。）を含むものである（下線は、補正箇所を示す。）。
（２）請求項２について
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項２について、本件補正前に、
「【請求項２】
　第１の方向に直交する第２の方向の磁場を検知する第２のホイートストンブリッジとして結合された第５、第６、第７、および第８の磁気トンネル接合センサーを含む第２のブリッジ回路と、
　前記第１の方向および前記第２の方向に直交する第３の方向の磁場を検知する第３のホイートストンブリッジとして結合された第９、第１０、第１１、および第１２の磁気トンネル接合センサーを含む第３のブリッジ回路と、
をさらに備える、請求項１に記載の強磁性薄膜ベースの磁場センサー。」
とあったところを、
「【請求項２】
　
前記第１のブリッジ回路は、第１の成分方向の磁場を検知するものであり、
　
前記強磁性薄膜ベースの磁場センサーは、
　
前記
成分
成分
　前記第１の
成分
成分
成分
をさらに備える、請求項１に記載の強磁性薄膜ベースの磁場センサー。」
とする補正（以下、「補正事項２」という。）を含むものである。
２　補正の適否
（１）補正事項１について
　本件補正の補正事項１は、
　本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「第１の磁束ガイド」、「第２の磁束ガイド」、「第３の磁束ガイド」および「第４の磁束ガイド」の設置について、「
前記第１の磁束ガイドおよび前記第３の磁束ガイドは、前記第１、第２、第３、及び第４の磁気トンネル接合センサーの平面に磁場を案内して、前記第１の検知素子および前記第３の検知素子の磁化をより高い抵抗に向かう第１の磁化方向に回転させるように設置され、前記第２の磁束ガイドおよび前記第４の磁束ガイドは、前記第１、第２、第３、及び第４の磁気トンネル接合センサーの平面に磁場を案内して、前記第２の検知素子および前記第４の検知素子の磁化をより低い抵抗に向かう前記第１の磁化方向とは反対の第２の磁化方向に回転させるように設置されている
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）について以下に検討する。 
ア　引用文献の記載事項
（ア）原査定の拒絶の理由で引用され、本願の優先日前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、国際公開第２００９／０４８０１８号（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。）。
（ａ）「[００２５]　図１及び図２に示すように、本実施形態の
磁気検出装置１０は、基板１１と、前記基板１１に設置された磁気センサ１２と、第１の磁性体１３と、第２の磁性体１４とを有して構成される。
[００２６]　
前記磁気センサ１２は、磁気抵抗効果素子、固定抵抗素子、及び集積回路等が組み込まれてパッケージ化された構造である。
[００２７]　
前記第１の磁性体１３は、前記磁気センサ１２に対して＋Ｘ方向に離れた位置
設けられ、前記第２の磁性体１４は、前記磁気センサ１２に対して−Ｘ方向に離れた位置に
設けられている。
[００２８]　前記第１の磁性体１３及び第２の磁性体１４はＮｉＦｅ等の軟磁性材料で形成されることが好適である。
[００２９]　図１及び図２に示すように、
第１の磁性体１３及び第２の磁性体１４には夫々、Ｚ方向と略平行な方向に延出するＺ方向延出部１３ａ，１４ａが設けられ、
（ｂ）「[００３３]　図９に示すように、前記磁気センサ１２内に組み込まれる
磁気抵抗効果素子２０は、
、固定磁性層６２、非磁性材料層６３、フリー磁性層６４
の順に積層されて成る。
固定磁性層６２は例えばＣｏＦｅ、非磁性材料層６３は
酸化マグネシウムや酸化アルミニウム等、フリー磁性層６４は例えばＮｉＦｅ、
（ｃ）「[００４３]　図１０の回路構成に示すように
前記磁気抵抗効果素子２０を含めたブリッジ回路が構成されている。
磁気抵抗効果素子２０は２個設けられているが
前記磁気抵抗効果素子２０と直列接続される固定抵抗素子２５
前記固定抵抗素子２５に代えて、固定磁性層の磁化方向が、磁気抵抗効果素子２０と反対方向である−Ｘ方向を向いた磁気抵抗効果素子を使用してもよい。
（ｄ）「[００４５]　図４、図５で説明したように、
磁石３０が磁気抵抗効果素子２０に対して＋Ｘ方向あるいは−Ｘ方向に位置すると、磁気抵抗効果素子２０の電気抵抗値の変動が大きくなり、
（ｅ）「[００５８]　以上により従来、死角領域となっていた
磁気抵抗効果素子２０の真上あるいは真下領域、及び磁気抵抗効果素子２０から見て＋Ｙ方向領域及び−Ｙ方向領域を全て検知可能な領域にできる。
（ｆ）図９には、フリー磁性層６４が、第１および第２の端部と第１および第２の面を有し、第１の面がＺ方向と直交することが示されている。
（ｇ）図１０には、２個の磁気抵抗効果素子２０と、２個の固定抵抗素子２５からなるブリッジ回路が示されている。
ａ　段落[００２５]及び[００２６]の記載から、引用文献１には、「磁気検出装置１０は、基板１１と、前記基板１１に設置された磁気センサ１２と、第１の磁性体１３と、第２の磁性体１４とを有して構成され、磁気センサ１２は、磁気抵抗効果素子、固定抵抗素子、及び集積回路等が組み込まれてパッケージ化された構造である」ことが記載されている。
ｂ　段落[００４３]の記載から、引用文献１には、「磁気抵抗効果素子２０を含めたブリッジ回路が構成され、磁気抵抗効果素子２０は２個設けられているが、磁気抵抗効果素子２０と直列接続される固定抵抗素子２５に代えて、固定磁性層の磁化方向が、磁気抵抗効果素子２０と反対方向である−Ｘ方向を向いた磁気抵抗効果素子を使用してもよい」ことが記載されているので、
　段落[００４３]及び図１０の記載から、引用文献１には、「４個の磁気抵抗効果素子２０からなるブリッジ回路」が記載されているといえる。
ｃ　段落[００４５]及び[００５８]の記載から、引用文献１には、「磁気抵抗効果素子２０の真上あるいは真下領域、及び磁気抵抗効果素子２０から見て＋Ｘ方向領域及び−Ｘ方向領域、＋Ｙ方向領域及び−Ｙ方向領域を全て検知可能な領域にできる」ことが記載されている。
ｄ　段落[００３３]及び図９の記載から、引用文献１には、「磁気抵抗効果素子２０は、固定磁性層６２、非磁性材料層６３、第１および第２の端部と第１および第２の面を有するフリー磁性層６４の順に積層されて成り、固定磁性層６２は例えばＣｏＦｅ、非磁性材料層６３は酸化マグネシウムや酸化アルミニウム等、フリー磁性層６４は例えばＮｉＦｅで形成され、第１の面がＺ方向と直交すること」が記載されている。
ｅ　段落[００２７]及び[００２９]の記載から、引用文献１には、「第１の磁性体１３は、磁気センサ１２に対して＋Ｘ方向に離れた位置に設けられ、第２の磁性体１４は、磁気センサ１２に対して−Ｘ方向に離れた位置に設けられ、第１の磁性体１３及び第２の磁性体１４には夫々、Ｚ方向と略平行な方向に延出するＺ方向延出部１３ａ，１４ａが設けられている」ことが記載されている。
　上記ａ〜ｅより、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
「磁気検出装置１０は、基板１１と、前記基板１１に設置された磁気センサ１２と、第１の磁性体１３と、第２の磁性体１４とを有して構成され、
　磁気センサ１２は、磁気抵抗効果素子、及び集積回路等が組み込まれてパッケージ化された構造で、４個の磁気抵抗効果素子２０からなるブリッジ回路を備え、
　磁気抵抗効果素子２０の真上あるいは真下領域、及び磁気抵抗効果素子２０から見て＋Ｘ方向領域及び−Ｘ方向領域、＋Ｙ方向領域及び−Ｙ方向領域を全て検知可能な領域にでき、
　磁気抵抗効果素子２０は、固定磁性層６２、非磁性材料層６３、第１および第２の端部と第１および第２の面を有するフリー磁性層６４の順に積層されて成り、固定磁性層６２は例えばＣｏＦｅ、非磁性材料層６３は酸化マグネシウムや酸化アルミニウム等、フリー磁性層６４は例えばＮｉＦｅで形成され、第１の面がＺ方向と直交し、
　第１の磁性体１３は、磁気センサ１２に対して＋Ｘ方向に離れた位置に設けられ、第２の磁性体１４は、磁気センサ１２に対して−Ｘ方向に離れた位置に設けられ、第１の磁性体１３及び第２の磁性体１４には夫々、Ｚ方向と略平行な方向に延出するＺ方向延出部１３ａ，１４ａが設けられている磁気検出装置１０。」
（イ）原査定の拒絶の理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００９−２１６３９０号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。）。
「【００１９】
  また、図１からわかるように、Ｘ軸薄膜磁気センサー５とＹ軸薄膜磁気センサー７は、９０度ずれた位置関係となるように形成されており、Ｘ軸薄膜磁気センサー５とＹ軸薄膜磁気センサー７とはすべての構成要素が基板１上の平坦部１ａに形成されている。
  図１および図２（ｂ）に示すように、
Ｚ軸薄膜磁気センサー１１は、
磁気検知素子が、基板１の平坦部１ａに形成されており、さらに磁気誘導部材１１ｄが、この磁気検知素子に磁気的に結合するように形成されており、磁気誘導部材１１ｄが基板に形成された凹部９を形成する傾斜面９ａにまで形成されている構造となっている。
磁気誘導部材１１ｄがフリー層１１ｂとしても機能する
  Ｚ軸薄膜磁気センサー１１をこのように構成することにより、磁気検知素子そのものは平坦部に形成してあってもＺ軸方向の磁気を検知可能となる。
  また、Ｘ軸薄膜磁気センサー５およびＹ軸薄膜磁気センサー７のＴＭＲピンド層＋下部層５ａ、７ａおよびＺ軸薄膜磁気センサー１１のＴＭＲピンド層＋下部層１１ａは、基板１上に形成された絶縁膜１３によって保護されるようになっている。」
（ウ）本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００５−１９７３６４号公報（以下、「引用文献３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。）。
（ａ）「【００２３】
  （実施の形態１）
  図１は、本発明の実施の形態１における磁界検出器を示す斜視図である。ここに示す
磁界検出素子は１つの自由層７と２つの固着層５ａ，５ｂとからなり、
自由層７は、その形状磁気異方性によりその磁化容易軸は、形状の長手方向となる。これに対し２つの固着層の磁化３ａ，３ｂは、自由層の磁化容易軸２に対し垂直方向となるように形成され、かつ互いに逆の方向（反平行方向）を向いている。
（ｂ）「【００４０】
  （実施の形態３）
  図４は、本発明の実施の形態３における磁界検出器を示す図である。ここに示す磁界検出器は、
実施の形態１で示した磁界検出素子を２つ並列に配線で接続した形態となっており、ブリッジ回路を形成している。４つの固着層の磁化３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄは、それぞれ隣接する素子同士では逆向きとなっており、対角線に位置する素子同士では同一の方向を向いている。
（エ）本願の優先日前に頒布された刊行物である、米国特許第７５０５２３３号明細書（以下、「引用文献４」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。）。
（ａ）「However, dedicated GMR systems, denoted as spin-valves also provide determination of a direction of the magnetic field. 
GMR spin-valve elements
the free layer, is adjacently positioned to the pinned layer.
（当審訳：しかし、専用のGMRシステム、スピンバルブとも磁場の方向の決定を提供する。
GMRスピンバルブ素子は、
自由層、
はピン層に隣接して位置する。
（ｂ）「The magnetic sensor further includes a third soft-magnetic structure 104 and fourth soft-magnetic structure 106. Also, the magnetic sensor has at least one magnetoresistive layered structure that is positioned inside or in the vicinity of the gap 108 formed by first and second soft-magnetic structures 100, 102. Here, 
the magnetoresistive layered structure, 
implemented as
GMR spin-valve element
（当審訳：磁気センサは、さらに、第3軟磁性構造体104および第4軟磁性構造体106を含む。また、磁気センサは、内側または第1及び第2軟磁性構造体100、102によって形成されたギャップ108の近傍に配置される少なくとも1つの磁気抵抗効果積層構造を有している。ここで、
磁気抵抗効果膜は、
GMRスピンバルブ素子として実装され、
（ｃ）「For example, 
a magnetoresistive element may have a planar structure in the x-y plane
（当審訳：例えば、
磁気抵抗効果素子は、x-y平面において平面構造を有しており
（ｄ）「
The first sensor of the sensor device 730 comprises two bulk soft-magnetic structures 704 and 706 and a magnetoresistive element 702. The second sensor comprises
namely bulk soft-magnetic structures 714, 716 as well as magnetoresistive element 712.
the magnetoresistive layered structure 702 is adapted to measure a z-component 710 of an external magnetic field whereas magnetoresistive element 712 is adapted to measure a z-component 720 of an external magnetic field.
magnetic sensor device 730 effectively serves to measure z-components of external magnetic fields 710, 720
（当審訳：
センサ装置730の第1のセンサは、2個のバルク軟磁性構造体704及び706と磁気抵抗素子702とを備えている。第2のセンサは、
バルク軟磁性構造体714、716および磁気抵抗素子712を備えている。
磁気抵抗効果膜702は、外部磁界のz成分710を測定するように構成される、磁気抵抗素子712は、外部磁場のz成分720を測定するように構成される。
磁気センサ装置730は、
外部磁場710、720のz成分を測定する
（ｅ）　上記（ｃ）には、磁気抵抗効果素子は、x-y平面において平面構造を有していることが記載されているので、
　図１０には、磁気抵抗素子702の第１の端部から離間して配置され、x-y平面と直交する平面内に配置されたバルク軟磁気構造体704、磁気抵抗素子712の第１の端部から離間して配置され、x-y平面と直交する平面内に配置されたバルク軟磁性構造体714が記載されている。
ａ　上記（ａ）〜（ｅ）の記載から、引用文献４には、次の発明（以下、「引用発明４」という。）が記載されている。
「磁気センサ装置730は、外部磁場710、720のz成分を測定し、
　センサ装置730の第1のセンサは、バルク軟磁性構造体704及び706と磁気抵抗素子702とを備え、
　第2のセンサは、バルク軟磁性構造体714及び716と磁気抵抗素子712を備え、
　磁気抵抗素子702は、外部磁界のz成分710を測定するように構成され、
　磁気抵抗素子712は、外部磁場のz成分720を測定するように構成され、
　磁気抵抗効果膜は、GMRスピンバルブ素子として実装され、
　GMRスピンバルブ素子は、ピン層に隣接して位置する自由層とを含み、
　バルク軟磁気構造体704は、磁気抵抗素子702の第１の端部から離間して配置され、x-y平面と直交する平面内に配置され、
　バルク軟磁性構造体714は、磁気抵抗素子712の第１の端部から離間して配置され、x-y平面と直交する平面内に配置された磁気センサ装置730。」
ｂ　上記（ｄ）の記載から、引用文献４には、次の技術が記載されている。
　「磁気抵抗素子702に、バルク軟磁気構造体704及び706を設け、磁気抵抗素子712に、バルク軟磁性構造714及び716を設け、外部磁界のz成分710、720を測定する技術。」
イ　対比
　本願補正発明１と引用発明１を対比する。
（ア）引用発明１の「磁気検出装置１０」、「固定磁性層６２」及び「フリー磁性層６４」は、それぞれ、本願補正発明１の「強磁性薄膜ベースの磁場センサー」、「基準層」及び「検知素子」に相当する。
（イ）引用発明１の「磁気抵抗効果素子２０」は、「固定磁性層６２は例えばＣｏＦｅ、非磁性材料層６３は酸化マグネシウムや酸化アルミニウム、フリー磁性層６４は例えばＮｉＦｅで形成され」ているので、本願補正発明１の「磁気トンネル接合センサー」に相当する。
（ウ）引用発明１の「磁気抵抗効果素子２０」は、「真上あるいは真下領域、及び磁気抵抗効果素子２０から見て＋Ｚ方向領域及び−Ｚ方向領域、＋Ｙ方向領域及び−Ｙ方向領域を全て検知可能」であり、「磁気センサ１２」は、「４個の磁気抵抗効果素子２０からなるブリッジ回路」を備えるので、
　引用発明１の「磁気検出装置１０は」「４個の磁気抵抗効果素子２０からなるブリッジ回路を備え、磁気抵抗効果素子２０の真上あるいは真下領域、及び磁気抵抗効果素子２０から見て＋Ｘ方向領域及び−Ｘ方向領域、＋Ｙ方向領域及び−Ｙ方向領域を全て検知可能な領域にでき」ることと、本願補正発明１の「強磁性薄膜ベースの磁場センサーであって、前記センサーの平面に直交する磁場を検知するホイートストンブリッジとして結合された第１、第２、第３、および第４の磁気トンネル接合センサーを備える第１のブリッジ回路を備え」ることとは、「強磁性薄膜ベースの磁場センサーであって、磁場を検知するホイートストンブリッジとして結合された第１、第２、第３、および第４の磁気トンネル接合センサーを備える第１のブリッジ回路」である点で共通する。
（エ）引用発明１の「磁気抵抗効果素子２０」が「固定磁性層６２、非磁性材料層６３、第１および第２の端部と第１および第２の面を有するフリー磁性層６４の順に積層されて成」ることは、本願補正発明１の「磁気トンネル接合センサー」は、「基準層」と、「基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する」「検知素子と」を含むことに相当するので、
　引用発明１の「４個の磁気抵抗効果素子２０」を備えることは、本願補正発明１の「前記第１の磁気トンネル接合センサーは、第１の基準層と、前記第１の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第１の検知素子と」「を含み」、「前記第２の磁気トンネル接合センサーは、第２の基準層と、前記第２の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第２の検知素子と」「を含み」、「前記第３の磁気トンネル接合センサーは、第３の基準層と、前記第３の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第３の検知素子と」「を含み」及び「前記第４の磁気トンネル接合センサーは、第４の基準層と、前記第４の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第４の検知素子と」「を含」むことに相当する。
（カ）引用発明１の「磁気センサ１２に対して＋Ｘ方向に離れた位置に設けられ」「Ｚ方向と略平行な方向に延出するＺ方向延出部１３ａ」「が設けられている」「第１の磁性体１３」及び「磁気センサ１２に対して−Ｘ方向に離れた位置に設けられ」「Ｚ方向と略平行な方向に延出するＺ方向延出部１４ａ」「が設けられている」「第２の磁性体１４」と、本願補正発明１の「検知素子の第１の端部から離間して配置され」「第１の面と直交する平面内に配置された」「磁束ガイド」とは、「磁束ガイド」である点で共通するので、
　引用発明１の「磁気検出装置１０」が、「第１の磁性体１３」及び「第２の磁性体１４」を有していることと、本願補正発明１の「強磁性薄膜ベースの磁場センサー」が、「第１の磁束ガイド」、「第２の磁束ガイド」、「第３の磁束ガイド」及び「第４の磁束ガイド」を備えることとは、「磁束ガイドを備える強磁性薄膜ベースの磁場センサー」である点で共通する。
　すると、本願補正発明１と引用発明１とは、次の一致点及び相違点を有する。
（一致点）
「強磁性薄膜ベースの磁場センサーであって、
　磁場を検知するホイートストンブリッジとして結合された第１、第２、第３、および第４の磁気トンネル接合センサーを備える第１のブリッジ回路を備え、
　前記第１の磁気トンネル接合センサーは、
　第１の基準層と、
　前記第１の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第１の検知素子とを含み、
　前記第２の磁気トンネル接合センサーは、
　第２の基準層と、
　前記第２の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第２の検知素子とを含み、
　前記第３の磁気トンネル接合センサーは、
　第３の基準層と、
　前記第３の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第３の検知素子とを含み、
　前記第４の磁気トンネル接合センサーは、
　第４の基準層と、
　前記第４の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第４の検知素子とを含む、
　磁束ガイドを備える強磁性薄膜ベースの磁場センサー。」
（相違点１）
　検知する磁場が、本願補正発明１は、「前記センサーの平面に直交する磁場」であるのに対して、引用発明１は、「磁気抵抗効果素子２０の真上あるいは真下領域、及び磁気抵抗効果素子２０から見て＋Ｘ方向領域及び−Ｘ方向領域、＋Ｙ方向領域及び−Ｙ方向領域を全て検知可能な領域にでき」る点。
（相違点２）
　本願補正発明１は、第１、第２、第３、および第４の「磁気トンネル接合センサー」に、それぞれ第１、第２、第３、および第４の「磁束ガイド」を備え、それぞれの「磁束ガイド」が、「検知素子の第１の端部から離間して配置された」「磁束ガイドであって、第１の面と直交する平面内に配置された」「磁束ガイド」であり、「前記第１の磁束ガイドおよび前記第３の磁束ガイドは、前記第１、第２、第３、及び第４の磁気トンネル接合センサーの平面に磁場を案内して、前記第１の検知素子および前記第３の検知素子の磁化をより高い抵抗に向かう第１の磁化方向に回転させるように設置され、前記第２の磁束ガイドおよび前記第４の磁束ガイドは、前記第１、第２、第３、及び第４の磁気トンネル接合センサーの平面に磁場を案内して、前記第２の検知素子および前記第４の検知素子の磁化をより低い抵抗に向かう前記第１の磁化方向とは反対の第２の磁化方向に回転させるように設置されている」のに対して、引用発明１は、「第１の磁性体１３」及び「第２の磁性体１４」は、「磁気センサ１２」に対して設けられた点
ウ　判断
（ア）上記相違点２について検討する。
　引用発明１の「第１の磁性体１３」及び「第２の磁性体１４」は、「磁気抵抗効果素子、固定抵抗素子、及び集積回路等が組み込まれてパッケージ化された」「磁気センサ１２」に対して設けられたものであり、第１、第２、第３、および第４の「磁気抵抗効果素子２０」のそれぞれに設けられたものではないので、第１、第２、第３、および第４の「磁気抵抗効果素子２０」に、それぞれ「磁束ガイド」を設けることは想定していない。
　ここで、引用文献４には、「磁気抵抗素子702に、バルク軟磁気構造体704及び706を設け、磁気抵抗素子712に、バルク軟磁性構造714及び716を設け、外部磁界のz成分710、720を測定する技術。」（上記ア　（エ）ｂ）が記載されているが、上記のように引用発明１においては、第１、第２、第３、および第４の「磁気抵抗効果素子２０」に、それぞれ「磁束ガイド」を設けることは想定していないので、引用発明１に引用文献４に記載された上記技術を適用する動機はない。仮に、適用できたとしても、「磁束ガイド」を、第１および第３の「磁気抵抗効果素子２０」の磁化をより高い抵抗に向かう第１の磁化方向に回転させるように設置し、第２のおよび第４の「磁気抵抗効果素子２０」の磁化をより低い抵抗に向かう前記第１の磁化方向とは反対の第２の磁化方向に回転させるように設置することは、引用文献２ないし４のいずれにも記載されていないから、引用発明１においてそのような構成とすることは、当業者といえども容易とはいえない。
　したがって、上記相違点２に係る本願補正発明１の構成は、引用発明１及び引用文献２ないし４に記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。
　また、引用発明４（上記ア　（エ）ａ）を主たる引用発明として、本願補正発明１と引用発明４を対比しても、両者は上記相違点２と同様の点で相違し、引用発明４において、上記相違点２に係る本願補正発明１の構成とすることは、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。
（イ）そして、本願補正発明１は、上記相違点１について検討するまでもなく、引用発明１及び引用文献２ないし４に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　よって、本願補正発明１は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
（２）補正事項２について
　本件補正の補正事項２についても、補正事項１と同様に、本件補正前の請求項２に記載された発明を特定するために必要な事項を限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号（特許請求の範囲の減縮）に掲げる事項を目的とするものである。 
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
　そして、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される請求項２に係る発明（以下「本願補正発明２」という。）は、本願補正発明１をさらに限定したものであるので、本願補正発明１と同様に、引用発明及び引用文献２ないし４に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　よって、本願補正発明２は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
３　むすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１及び２に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものである（以下、「本願補正発明１及び２」という。）。
　そして、本願補正発明１は、上記第２　２（１）のとおり、引用発明及び引用文献２ないし４に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　
　また、本願補正発明２は、本願補正発明１をさらに限定したものであるので、同様に、引用発明及び引用文献２ないし４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　したがって、本願については、原査定の拒絶の理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。