【事件の表示】
　特願２０１１−　７０９４７「パターン形成方法、処理容器内の部材の温度制御方法、及び基板処理システム」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１０月２２日出願公開、特開２０１２−２０４８０６、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年３月２８日の出願であって、平成２６年３月２６日付けで審査請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、同年１１月１２日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年１月１５日付けで意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたが、同年７月１日付けで拒絶査定がなされたものである。
　これに対して、平成２７年１０月２日付けで審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、平成２８年７月２９日付けで当審から拒絶理由を通知し、同年９月２７日付けで意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成２８年９月２７日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲１ないし４に記載される事項により特定されるとおりであって、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）、請求項３に係る発明（以下、「本願発明２」という。）、および、請求項４に係る発明（以下、「本願発明３」という。）は、次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　処理容器内の部材の温度を制御し、前記処理容器内で基板上の膜をエッチングしてパターンを形成するパターン形成方法において、
　基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する工程と、
　前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定する工程と、
　前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する工程と
　を備える
　ことを特徴とするパターン形成方法。」
「【請求項３】
　基板上の膜をエッチングして所定のパターンを形成する際に、該パターンの面内均一性を高めるために該基板の周辺に配置される処理容器内の部材の温度制御方法において、
　前記処理容器内の部材の温度を設定する工程と、
　前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定する測定工程と、
　前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する工程と
　を備える
　ことを特徴とする処理容器内の部材の温度制御方法。」
「【請求項４】
　処理容器内で基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する形成手段と、
　前記パターンの面内均一性を高めるために前記処理容器内に配置される前記処理容器内の部材と、
　前記処理容器内の部材の温度を制御する制御手段と、
　前記処理容器に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
　前記処理容器内を所定の真空度までに減圧する排気手段と
　を備え、
　前記処理容器内の部材の温度を制御する制御手段は、
　前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定し、
　前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する　ことを特徴とする基板処理システム。」
第３　査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　原査定の理由の概要は、次のとおりである。
「この出願については、平成２６年１１月１２日付け拒絶理由通知書に記載した理由２によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書並びに手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
●理由２（特許法第２９条第２項）について
・請求項　１，５
・引用文献等　１−３
　先に通知した引用文献１には，スキャトロメトリ装置によりエッチング形状を求めること，および，マスク形状や被エッチング材料の形状に変動があった場合にエッチング条件を変更すること，一例として電極温度をコントロールすることが記載されている（特に段落[0052]-[0056],［図10］を参照されたい。）。
　平成２７年１月１５日付け手続補正書による補正後の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）と、引用文献１に記載された発明とを対比すると、両者の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
［一致点］
　処理容器内の部材の温度を制御し、前記処理容器内で基板上の膜をエッチングしてパターンを形成するパターン形成方法において、
　基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する工程と、
　測定する工程と、
　前記測定した結果に基づいて、前記処理容器内の部材の温度へフィードバックして前記処理容器内の部材の温度を制御する工程と
　を備える
　ことを特徴とするパターン形成方法。
［相違点］
　温度制御を行う観点として，本願発明が，パターンの形状又は寸法を測定し，測定した前記パターンの形状又は寸法のばらつきに基づいているのに対して，引用文献１には，エッチング形状を求めマスク形状や被エッチング材料の形状に変動があった場合に基づいている点。
　上記相違点について検討するに，引用文献１には，エッチング形状を求めマスク形状や被エッチング材料の形状に変動があった場合に温度制御を行うことが記載されており，この記載から，パターンの形状を測定し，測定したパターンの形状に基づいて温度制御を行うことは当業者が容易に想到し得るものと認められる。また，引用文献２（特に段落[0035]-[0046],[0095],[0120],[0132],[0214]-[0218],[0224]，[図１３]を参照されたい。）には，エッチング処理後のパターン構造の寸法などウェハの表面構造を測定し，サセプタの温度などエッチング条件を補正することが開示されており，引用文献３の段落[0009]には，寸法データから寸法ばらつきの少ない温度分布を実現するエッチング条件を求め，この条件によりエッチング処理を行うことが開示されている。このことから，これらの文献には[相違点]の寸法のばらつきに基づいて温度制御を行う技術が開示されているものと認められる。
　出願人は、平成２７年１月１５日付け意見書において，本願の請求項１に係る発明にて特定した「測定したパターンの形状又は寸法のばらつきに基づいて、処理容器内の部材の温度へフィードバックして該処理容器内の部材の温度を制御する」ことについては、何れの引例にも開示も示唆もなされていない旨、主張しているが，引用文献１にはエッチング形状を求めマスク形状や被エッチング材料の形状に変動があった場合に電極温度をコントロールすることが記載されており，この記載から測定したパターンの形状に基づいて処理容器内の部材の温度へフィードバックして該処理容器内の部材の温度を制御する構成とすることは，当業者が容易に想到し得るものと認められる。
　したがって、出願人の主張は、採用できない。
　よって、請求項１に係る発明は、引用文献１−３に記載された発明に基づいて、当業者であれば容易になし得たものであるから、依然として、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また，請求項１と同じ構成要素を持ちカテゴリーの異なる請求項５においても同様に、引用文献１−３に記載された発明に基づいて、当業者であれば容易になし得たものであるから、依然として、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
・請求項　２，６，８，９
・引用文献等　１−４
　引用文献４（第[0034]-[0036]，[0043]段落の記載および図３を参照。）に記載されているように，エッチングされたウエハについて複数の位置で測定し，それによりエッチングレシピを調整することはすでに知られた技術である
　よって、請求項２，６，８，９に係る発明は、引用文献１−４に記載された発明に基づいて、当業者であれば容易になし得たものであるから、依然として、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
・請求項　３
・引用文献等　１−５
　引用文献５（第[0002]-[0005]段落の記載を参照。）には，パターンウエハ上のエッチング構造体のプロファイルを測定するにあたり，幅や段の高さ，側壁の角度を構造体のパラメータとすることが開示されている。
　よって、請求項３に係る発明は、引用文献１−５に記載された発明に基づいて、当業者であれば容易になし得たものであるから、依然として、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
・請求項　４，７，１０
・引用文献等　１−３
　引用文献２の段落[0217]には，エッチング条件のパラメータとしてサセプタの温度を制御することが開示されている。
　よって、請求項４，７，１０に係る発明は、引用文献１−３に記載された発明に基づいて、当業者であれば容易になし得たものであるから、依然として、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
＜引用文献等一覧＞
１.特開２０１０−２７２７５８号公報
２.特開２００５−０３３１８７号公報
３.特開２００６−２１６８２２号公報（新たに引用された文献）
４.特表２００６−５０６８１２号公報
５.特表２００４−５１０１５２号公報」
　また、平成２６年１１月１２日付け拒絶理由通知の概要は、次のとおりである。
「２．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・理由　１，２
・請求項　１，４，５，７
・引用文献等　１または２
・備考
　引用文献１（第【0052】-【0056】段落の記載および図10を参照。）には，スキャトロメトリによりエッチング形状を求め，温調装置に制御信号が送られ形状変動を抑制すること，例として電極温度をコントロールすることが記載されている。
　引用文献２（第【0095】，【0120】，【0132】，【0214】-【0218】，【0224】段落の記載および図13を参照。）には，エッチングパターンを測定した結果により，サセプタの温度などエッチング条件を変更することが記載されている。
　引用文献１または２に記載された構成と本願発明とに格別の差異が認められない。
・理由　２
・請求項　２，６，８〜１０
・引用文献等　１〜３
・備考
　引用文献３（第【0034】-【0036】，【0043】段落の記載および図３を参照。）に記載されているように，エッチングされたウエハについて複数の位置で測定し，それによりエッチングレシピを調整することはすでに知られた技術である。
・理由　２
・請求項　３
・引用文献等　１〜４
・備考
　引用文献４（第【0002】-【0005】段落の記載を参照。）には，パターンウエハ上のエッチング構造体のプロファイルを測定するにあたり，幅や段の高さ，側壁の角度を構造体のパラメータとすることが開示されている。
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１.特開２０１０−２７２７５８号公報
２.特開２００５−０３３１８７号公報
３.特表２００６−５０６８１２号公報
４.特表２００４−５１０１５２号公報」
２　原査定の理由についての当審の判断
（１）引用例１の記載事項及び引用例１発明
　原査定の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１０−２７２７５８号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（下線は、当審において付与したものである。以下同じ。）
（ア）「【実施例３】
【００５２】
　実施例１および実施例２に示す
被エッチング材のエッチング方法
長期間安定にエッチング形状を制御するエッチング方法について説明する。
【００５３】
　まず、本発明によるプラズマエッチング方法を実施するプラズマエッチング装置構成の概要を図１０に示す。図１０の実施の形態は本発明を実施するプラズマエッチング装置の基本的構成である。
プラズマエッチング装置は、ガス導入手段１０８と真空排気手段１１７を有する真空容器１０１
処理室内には被エッチング材（被処理体）１０２を戴置するためのステージ１１２が設置されている。該ステージ（戴置台）１１２には被処理体１０２を吸着するための試料設置電極１１４と被処理体を上に持ち上げるためのプッシャーピン（図示せず）が設置されている。また、試料設置電極１１４には温調装置１１５が接続されており、電極温度を制御することができる。
【００５４】
　さらに、
処理室内にはスキャトロメトリ装置を具備している。スキャトロメトリとは、非特許文献１に示すように、外部光を被処理体に照射した際の反射光の偏光状態を測定し、そこで得られるスペクトル分布から、データベースを基に解析し、被処理体の形状を計算により求める手法
【００５５】
　実施例１および実施例２に示す本発明では、マスク形状を制御することが、ボーイングを抑制する上で重要である。スキャトロメトリにより、エッチング形状を求めることができる点を利用し、
エッチング終了後、
スキャトロメトリ装置により、エッチング形状を求めることができる。もし、マスク形状または被エッチング材の形状に変動があった場合は、通信線を介してフィードバック手段１２１に制御信号が送られ、さらに通信線を介して
温調装置１１５に制御信号が送られ、形状変動を抑制することができる。
電極温度をコントロールすることにより、形状を安定化させることができる
【００５６】
　なお、上記プラズマエッチング装置では、エッチング終了後にスキャトロメトリ装置により形状を求めたが、エッチングをしながらスキャトロメトリにより形状を求め（in-situ観測）、フィードバックすることでエッチングしても良い。また、このプラズマエッチング装置では、スキャトロメトリ装置を、処理室に取り付けて計測しているが、ロードロック室やアンロードロック室に設置しても良い。さらに、エッチング装置とは別に、独立してスキャトロメトリ装置を追加しても良い（ex-situ観測）。この様に、スキャトロメトリ装置により求めた形状結果を基にフィードバックをかけることにより、長期安定して形状制御することが可能になる。また、スキャトロメトリ装置と同等あるいはそれを上回る形状測定結果が得られる手法であれば、スキャトロメトリ装置以外の形状測定手段であっても同様の効果が得られることは言うまでも無い。」
（イ）「上記（ア）より、引用例１には、以下の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
「プラズマエッチング装置であって、
　真空容器１０１にガス導入手段１０８と真空排気手段１１７を有し、
　被エッチング材（被処理体）１０２を戴置するためのステージ１１２が設置され、該ステージ（戴置台）１１２には被処理体１０２を吸着するための試料設置電極１１４が設置され、また、試料設置電極１１４には温調装置１１５が接続され、電極温度を制御することができ、
　外部光を被処理体に照射した際の反射光の偏光状態を測定し、そこで得られるスペクトル分布から、データベースを基に解析し、被処理体の形状を計算により求める、スキャトロメトリ装置を備える、
　プラズマエッチング装置であって、
　長期間安定的にエッチング形状を制御するために、
　非エッチング材のエッチング終了後、スキャトロメトリ装置により、エッチング形状を求め、
　被エッチング材の形状に変動があった場合、通信線を介してフィードバック手段１２１に制御信号が送られ、さらに通信線を介して温調装置１１５に制御信号が送られ、試料設置電極の電極温度をコントロールすることにより、形状を安定させる、
　エッチング方法。」
（２）引用例２の記載事項
　原査定の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００５−０３３１８７号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
（ア）「【００３５】
　上記目的を達成するために，別の観点による本発明の処理システムは，
被処理体にエッチング処理を施すエッチング処理装置
エッチング処理された被処理体の表面構造の寸法を，スキャトロメトリ法を用いて測定する表面構造測定装置（構造測定装置）と，前記表面構造の測定寸法を予め設定されている許容値と比較し，
（イ）「【００９４】
（第２の実施の形態）
  本発明の第２の実施の形態に係る処理システム２について、以下図面を参照して説明する。なお、上記第１の実施の形態に係る処理システム１と同様の構成については、その説明を省略する。
【００９５】
  処理システム２は、図１１に示すように、減圧処理装置１０と、レシピ格納部１４と、構造判別装置８０と、システム制御装置４０と、ロードポート５０と、搬送機構６０と、アライメント部７０と、から構成され、
処理基体であるウェハＷにエッチング処理を施し、該エッチング処理後のウェハＷの表面構造を反射率測定法（Reflectmetry）により判別する。
・・・　中　略　・・・
【０１２１】
  減圧処理装置１０は、
エッチング処理が終了すると、
・・・　中　略　・・・
【０１２３】
　減圧処理装置１０は、インサイチュアッシング処理が終了すると、サセプタ１２及び上部電極１３への高周波電圧の印加を停止するとともに、ガス導入管１３４のバルブ１３５を閉鎖する。また、減圧処理装置１０は、サセプタ１２への直流電圧の印加を停止するとともに、チャンバ１１内を常圧雰囲気に戻す。さらに、減圧処理装置１０は、昇降機構１２３を駆動することにより、サセプタ支持台１２１とともにウェハＷを載置したサセプタ１２を所定位置まで下降させる。システム制御装置４０は、ゲートバルブ１１４を開放し、変質硬化層９とダメージ層Ａとが除去されたウェハＷを減圧処理装置１０から搬出し、搬出した後、ゲートバルブ１１４を閉鎖する。システム制御装置４０は、減圧処理装置１０から搬出したウェハＷを構造判別装置８０に搬入し、搬入したウェハＷを載置台８１１に載置する。
【０１２４】
　光学部８１は、発光器８１２から地面に対して白色光を水平に放出し、反射鏡８１３において白色光を垂直下方向に反射させ、反射させた白色光をレンズ８１４を介してウェハＷに照射する（ステップＳ２０４）。光学部８１は、ウェハＷからの反射光を受光し、受光した反射光を電気信号に変換して、変換した電気信号を構造判別部８２に供給する。
【０１２５】
　構造判別部８２は、光学部８１から供給される電気信号に基づいて反射光の各波長λにおける強度Ｉ反射光を解析する。また、構造判別部８２は、ウェハＷに照射した光の各波長λにおける強度Ｉ入射光と、解析した反射光の各波長λにおける強度Ｉ反射光と、から反射率（＝Ｉ反射光／Ｉ入射光）を算出する（ステップＳ２０５）。
【０１２６】
　構造判別部８２は、算出した反射率（＝Ｉ反射光／Ｉ入射光）とＲＯＭに格納する所定の重回帰式とを用いて重回帰分析して構造パラメータを算出する（ステップＳ２０６）。
【０１２７】
　構造判別部８２は、算出した構造パラメータから、複数のコンタクトホール７が形成されたウェハＷの表面構造を推定する（ステップＳ２０７）。構造判別部８２は、算出した構造パラメータをシステム制御装置４０に供給する。
【０１２８】
　システム制御装置４０は、
メモリに格納した構造パラメータと構造判別部８２から供給された構造パラメータとを比較することにより、減圧処理装置１０において指示されたコンタクトホールの深さ等と、実際に形成されたコンタクトホール６の深さ等と、を比較する
【０１２９】
　システム制御装置４０は、指示されたコンタクトホールの深さよりも、実際に形成されたコンタクトホール７の深さの方が浅い場合、チャンバ１１に供給するガス流量を増加させるべく、（初期）設定されたエッチング条件ＧｒをＧｒ＋ΔＧに補正する（ステップＳ２０９）。システム制御装置４０は、補正したエッチング条件（Ｇｒ＋ΔＧ）を減圧処理装置１０に供給することにより、エッチング条件を減圧処理装置１０にフィードバックする。
【０１３０】
　減圧処理装置１０は、システム制御装置４０からエッチング条件（Ｇｒ＋ΔＧ）が供給されると、メモリに格納しているエッチング条件を（Ｇｒ）から（Ｇｒ＋ΔＧ）に書き換えて、
エッチング条件を設定変更する
（ウ）「【０２１７】
　さらに、
上記第２及び第４の実施の形態において、エッチング条件のパラメータをエッチングガスの流量とした。しかし、本発明は、これに限定されず、
メータとして、
サセプタ１２の温度、
を用いてもよい。
（エ）上記（ア）−（ウ）より、引用例２には、以下の事項が記載されていると認められる。
「被処理体にエッチング処理を施すエッチング処理装置において、エッチング終了後、エッチング処理された被処理体の表面構造の寸法を、スキャトロメトリ法を用いて測定し、前記表面構造の測定寸法を予め設定されている許容値と比較し、当該比較結果に基づいて前記エッチング処理装置における、サセプタの温度を設定変更すること。」
（３）引用例３の記載事項
　原査定で周知技術を示すものとして引用された、本願の出願日前に日本国内において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００６−２１６８２２号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
（ア）「【０００９】
　本発明の第一の目的は、異なる温度条件により得られた
ウェハ面内の寸法データから、寸法ばらつきの少ないウェハ温度分布を実現するエッチング条件を求め、この条件により処理することによりウェハ面内の寸法ばらつきの少ないウェハ処理装置およびウェハ処理方法
（イ）「【００１５】
　図１および図２は、第一の実施例にかかる本発明を有磁場マイクロ波プラズマ処理装置）ウェハ処理装置）に適用した例を示す図である。図２は本発明の第一の実施例にかかる
プラズマ処理装置
【００１６】
　
真空チャンバ３上部に石英窓１４を設置し
石英窓１４の下には処理室内に処理ガスを導入するガス穴４３が設けられ
これら石英窓とシャワープレートの間に処理ガス１３を送り込むとガス穴から処理室に導入される。
エッチング処理
真空ポンプ１２は、バルブ１５の開度調節により処理室内の圧力を一定に保っている。
【００１７】
　引き続き、図１を用いて本実施例のウェハステージ８の構成を詳細に説明する。
ウェハステージ８の基材２
基材の外周の上面に段差２０が設けてあり、この段差には基材と電気的に絶縁する目的で、高抵抗アルミナ２１が溶射されている。この高抵抗アルミナの表面にはタングステンのヒータ２２が溶射されている。
ヒータ電源２８の出力は、制御用コンピュータ３７により制御されている。
ヒータに投入する電力を調節すれば基材の外周付近の温度を調節することができるので、半導体ウェハの温度分布とりわけ外周付近の温度分布を調節することができる。
【００１８】
　実際のエッチングでは、半導体ウェハにバイアス電圧を発生させてプラズマ中のイオンを引き込んでエッチングを行うが、このとき半導体ウェハには入熱がともなう。この入熱にともなうウェハ温度の上昇はエッチング形状に大きく影響する。したがって、半導体ウェハは冷却する必要があるが、
処理室の圧力は数Ｐａ程度に減圧されている
【００１９】
　プラズマからの入熱は、最終的には基材内を循環する冷媒により除熱される。本実施例では、半導体ウェハの半径方向に温度分布を持たせる目的で、冷媒溝３１，３２にはそれぞれ異なる温度の冷媒を循環させている。そのために、中心付近に配置された冷媒溝３１にはサーキュレータ４８が、外周付近に配置された冷媒溝３２にはサーキュレータ４９が独立に接続されており、これらサーキュレータの設定温度を変えることにより基材の半径方向に温度分布を持たせることができる。なお、本実施例では実施していないが、冷媒溝３１，３２の間に例えば１周にわたって空間を設け断熱層とすることにより、より温度差を明確に付けることも可能である。サーキュレータ４８，４９の冷媒の設定温度は、制御用コンピュータ３７により制御する。
【００２０】
　以上の構成により、サーキュレータの温度設定により基材の半径方向に温度分布を与えることができ、また半導体ウェハとウェハステージ間の熱伝達率に半径方向の分布を持たせることができ、またヒータに投入する電力を調節することにより基材外周への入熱量を調節することができるので、ウェハ面内の半径方向の温度分布を自在に変更することができる。
【００２１】
　処理中のウェハ温度は、たとえば半導体ウェハの裏面から、蛍光温度計を用いて直接測定することも可能であるが、本実施例ではウェハ温度分布と相関がとれることが事前に明らかになっている基材の温度を測定している。具体的には、基材にくぼみ３３を設け、シース熱電対３４をばね３５と固定冶具３６で基材下面に固定している。シース熱電対で測定する場合には、先端の接触状態が測定結果に大きく影響するが、本実施例ではばねにより常に一定の押し付け加重で接触しているので測定結果の信頼性は高い。温度の測定結果は制御用コンピュータ３７に送られる。
【００２２】
　以上のように、ヒータの出力、ヘリウムガスの圧力、サーキュレータの設定温度は、制御用コンピュータで管理している。次に、具体的にヒータの出力値、ヘリウムガスの圧力、必要なサーキュレータの設定温度を、どのような目的で、どのような方法で決定するかを説明する。
【００２３】
　通常、パターン付ウェハをエッチング処理すると、処理する前より後ではＣＤは細くなる。この線幅の変動量をＣＤシフト量とする。図３を用いて説明する。図３（１）はポリシリコン表面にハードマスクでパターンが付けられており、処理する前の状態である。このときの線幅をＣＤ１とする。これをエッチング処理した後の状態が図３（２）であり、このときの線幅をＣＤ２とする。このときＣＤシフト量はＣＤ２−ＣＤ１となる。本実施例ではＣＤ２の値はＣＤ１よりも小さい。したがって、マイナスの値となるが、この値が小さいほどＣＤは処理により細くなることを意味する。
【００２４】
　エッチング処理において問題となるのは、このＣＤシフト量が半導体ウェハの面内で不均一となる場合である。このＣＤシフト量の面内分布は主に、半導体ウェハ上のプラズマ分布、半導体ウェハ上の反応生成物の密度分布、半導体ウェハの温度分布の３つの要因により決まる。それぞれの分布に影響する装置パラメータは、プラズマ分布はソースパワー、電極間距離、磁場、圧力などが、反応生成物の密度分布はガス種、流量、圧力、ガス導入部構造、ソースパワー、バイアスパワーなどが、ウェハ温度分布は冷媒温度、冷却ガス圧力、ヒータ電力、バイアスパワーなど、が挙げられる。これらプラズマ分布、反応生成物分布、温度分布の３つの要因のうち、特に温度分布は、ＣＤシフト量に及ぼす影響度が大きく、かつ装置パラメータとして調節しやすいために、ウェハ面内のＣＤ分布の調節パラメータとして利用しやすい。そこで、本発明の実施例では
ウェハ温度分布を最適化することによりウェハ面内のＣＤ分布を均一化する
【００２５】
　図４のフローチャートを用いて、本発明の第一の実施例の特徴である、エッチング条件を決定する処理の流れを説明する。まず、半導体ウェハの温度条件を変えてＮ回エッチング処理を行い、それぞれのエッチングでのＣＤシフト量を測定する（１０１）。このとき、ウェハ温度とＣＤシフト量の関係を明らかにするためには温度以外の処理条件、例えばガス種、流量、圧力、ソースパワー、バイアスパワーなどは同一で処理するのが望ましい。これらの条件は、過去の経験や実績にもとづいて決定することができるが、最終的な条件とはことなる場合もある。この場合には、変更後の条件で同じ手順を実施することになる。
【００２６】
　この実験の結果得られたＣＤシフト量を制御用コンピュータに入力する（１０２）。制御用コンピュータは、このＣＤシフト量とウェハ温度の関係式を求める（１０３）。ウェハ温度は、実測するかシミュレーション、もしくは制御用コンピュータに蓄積された温度データを参照することにより得られる。シミュレーションの場合には、あらかじめ制御用コンピュータに用意された温度計算プログラムにより計算する。次に、
制御用コンピュータは、ウェハ温度とＣＤシフト量の関係式からウェハ面内でＣＤシフト量を均一にする温度分布を算出する（１０４）。次に、制御用コンピュータは、この温度分布を実現するための冷媒の設定温度、ヘリウム圧力、ヒータ電力といったパラメータを算出する（１０５）。
制御用コンピュータは、算出したパラメータにより温度を管理しプラズマ処理を実施する（１０８）。
【００２７】
　本実施例では、温度分布を調節する装置パラメータとして、冷媒温度、冷却ガス圧、ヒータ電力の３種類をすべて利用した。しかし、必ずしもすべてを利用する必要があるわけではなく、３種類のうちの１種類、もしくは２種類の組み合わせであってもよい。
【００２８】
　次に、本実施例の効果を説明する。図５に本発明を実施せずにエッチングを実施した時のウェハ面内のＣＤシフト量の分布を示す。この条件では、ウェハ外周の温度を下げすぎたために、外周付近の反応生成物の付着率が高すぎ、ウェハ外周付近のＣＤシフト量が小さく、すなわち中心付近に比べてＣＤが太くなる傾向となっている。
【００２９】
　このときの処理中のウェハ温度の実測とシミュレーションの結果を図６に示す。ウェハ温度の測定は市販の蛍光温度計埋め込み半導体ウェハを使用した。本例では実測と、シミュレーション両方を示したが、実際にはどちらか一方でよいし、前述したように予め制御用コンピュータに蓄積された温度情報を参照してもよい。図５と図６から温度とＣＤの関係を求めたのが図７である。この結果からＣＤシフト量は下記（１）式で表せることがわかる。本実施例では、（１）式は具体的には温度Ｔの２次関数で表現することができた。
【００３０】
 　　ＣＤシフト量＝ｆ（Ｔ）  …  （１）
【００３１】
　（１）式から、逆に図５のＣＤシフト量が半径方向で均一化するための温度分布が求められる。この温度分布を図８に示す。この温度分布を実現するためには、外周の冷媒溝に循環させる冷媒の温度を６℃高く設定すればよいことがわかった。
【００３２】
　図９は、本発明を適用して半導体ウェハをエッチングした場合のＣＤシフト量分布を示している。本実施例に従い、半導体ウェハの外周付近の温度を高く設定してエッチング処理したところ、外周での反応生物の付着率が低下し、結果的に外周付近のＣＤが細くなり、面内分布が均一化したことがわかる。
【００３３】
　本実施例では温度条件を変更しても反応生成物の面内分布が変化しないという仮定のもとにＣＤシフト量を算出した。実際には反応生成物の分布が変化する場合もあり、この場合は、ＣＤシフト量は温度だけの関数ではなく、反応生成物の分布も考慮した関数となる。例えば、下記（２）式の通りとなる。
【００３４】
　　ＣＤシフト量＝ｆ（Ｔ，ＲＰ（ｒ））  …  （２）
　ここで、ＲＰ（ｒ）は、半径ｒにおける反応生成物の密度となる。
【００３５】
　このように、本実施例ではウェハ面内で均一なＣＤ分布を得るための温度条件を一義的に決定することができ、この温度条件でプラズマ処理することができるので、短期間でプロセス条件を構築することができ、ウェハ面内のＣＤ分布が均一なプラズマ処理装置を提供することができる。
【００３６】
　また、本実施例ではエッチング対象が変更されたりするなどしてガス種や圧力などのエッチング条件が変更され、エッチングに伴うＣＤシフト量が変化した場合でも、温度条件を変更した処理した数個のＣＤデータから計算により均一なＣＤ分布を得るための温度条件を一義的に決定することができるので、プロセス開発期間の非常に短いプラズマ処理装置を提供することができる。」
（ウ）「【００５２】
　次に、本発明の実施例を実際の半導体製造ラインに適用する場合に、より製造歩留まりを向上させることができる処理方法である第四の実施例を、図１３を用いて説明する。本実施例は、実際の製造ラインでウェハ処理枚数が増加していくと、例えば真空チャンバの内壁に反応生成物のデポ物が付着して、このデポ物から反応生成物が供給されるような場合に有効な実施例である。すなわち、壁から供給される反応生成物により当初ＣＤ分布を測定して決めた処理条件で得られる面内ＣＤ分布が徐々に変化してくる場合、あらかじめ決めた累積処理枚数ごとに面内ＣＤ分布を測定し、この結果にもとづいて再度処理条件を決めていく。
【００５３】
　まず、
第一の実施例に従い処理条件を決める（４０１）。処理条件に従いエッチング処理を行う（４０２）。あらかじめ規定した累積枚数に達するまで処理条件に従い処理をおこなう（４０３）。累積枚数に到達した場合にはＣＤ面内分布を測定する（４０４）。面内ＣＤばらつきが規定内である場合、当初の処理条件に従いエッチング処理を行う（４０５）。面内ＣＤばらつきが規定外の場合、第一の実施例に従い再度処理条件を決定する（４０６）。
【００５４】
　本実施例では、大量のウェハを連続的に処理し、チャンバの内壁がデポにより汚染され、このデポ物により反応生成物が供給されてチャンバ内の反応生成物分布が変化する場合にも、ある一定の逸脱の範囲内で処理条件を見直しながら処理を行っていくので非常に歩留まりの良い処理方法を提供することができる。」
（エ）上記（ア）より、引用例３には、以下の事項が記載されていると認められる。
「ウェハ面内の寸法データから、寸法ばらつきの少ないウェハ温度分布を実現するエッチング条件を求め、この条件により処理することによりウェハ面内の寸法ばらつきの少ないウェハ処理方法とすること。」
（オ）上記（イ）（ウ）より、引用例３には、以下の発明（以下、「引用例３発明」という。）が記載されていると認められる。
「エッチングを行う、プラズマ処理装置であって、
半導体ウェハの温度分布を調整するために、ウェハステージの基材に設けられたヒータに投入する電力を調節し、基材の外周付近の温度を調節する、制御用コンピュータと、
真空チャンバ上部に石英窓を設置し、石英窓とシャワープレートの間に処理ガスを送り込むと石英窓の下に設けられたガス穴から処理室に導入される、ガス穴と、
バルブの開度調節により処理室内の圧力を数Ｐａ程度に減圧している、真空ポンプと、
を有し、
ウェハ温度分布を最適化することによりウェハ面内のＣＤ分布を均一化するために、
制御用コンピュータは、ウェハ面内でＣＤシフト量を均一にする温度分布を算出し、この温度分布を実現するための冷媒の設定温度、ヘリウム圧力、ヒータ電力といったパラメータを算出し、算出したパラメータにより温度を管理し、
制御用コンピュータは、処理条件に従いエッチング処理を行い、累積枚数に到達した場合にはＣＤ面内分布を測定し、面内ＣＤばらつきが規定内である場合、当初の処理条件に従いエッチング処理を行い、面内ＣＤばらつきが規定外の場合、再度処理条件を決定する、
プラズマ処理装置。」
（４）引用例４の記載事項
　原査定の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特表２００６−５０６８１２号公報（以下、「引用例４」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
（ア）「【００３４】
　再び、図３を参照すれば、
ステップ３３００において、ウェハＷは、実験で決定されたアルゴリズムを使用してプロセッサ３２０により決定されたエッチングレシピを用いてエッチングされる。
ステップ３５００において、測定ツール３１０へ戻される。トレンチＴのＣＤ及び深さが、ウェハＷ上の多数の位置、例えば、ホトレジスト層２５０のエッチング前測定がステップ３０００で行なわれた位置において測定される。
【００３５】
　収集されたＣＤ及び深さデータは、例えば、図４Ａ及び４Ｃに示されたものに匹敵し得る、
ステップ３６００で発生されるＣＤ及び深さマップの形態で、プロセッサ３２０へ供給される。目標とする結果からの偏差は、エッチングされるべき次のウェハに対するエッチングレシピを調整するように、アルゴリズムにより使用される。
次いで、エッチングレシピを次のウェハに対して調整し、エッチング結果を目標に近づけることができる。更に、測定された寸法変動が所定の境界の外側にあるか、又は処理結果が１つのウェハから次のウェハへ急激に変化する場合には、例えば、修理又は保守のためにエッチング装置を運転停止すべきであることを指示するアラームを発することができる。
（イ）上記（ア）より、引用例４には、以下の事項が記載されていると認められる。
「エッチングにおいて、
　エッチング後、測定ツールによりウェハＷ上の多数の位置のトレンチＴのＣＤ及び深さが測定され、
　測定されたトレンチＴのＣＤ及び深さから、目標とする結果との偏差を求め、その偏差を使い、次のウェハに対するエッチングレシピを調整し、エッチング結果を目標に近づけるとともに、
　測定された寸法変動が所定の境界の外側にあるか、又は処理結果が１つのウェハから次のウェハへ急激に変化する場合には、修理又は保守を行うこと。」
（５）引用例５の記載事項
　原査定の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特表２００４−５１０１５２号公報（以下、「引用例５」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
（ア）「【０００２】
【従来の技術】
マイクロ電子デバイスの集積化および高速化がすすむにつれ、回路構造体の寸法サイズの縮小、およびプロファイルのエッジをさらに鋭くするための改善が行われている。現時点の当該技術におけるこのような装置には相当数の処理工程が必要である。各処理工程においては、
サブミクロンの線幅の正確な測定やパターンウェーハ上のエッチング構造体のプロファイルを詳細にしたもの
【０００３】
特に、散乱測定法のような回折に基づいた分析技術はマイクロエレクトロニクス測定学の応用に極めて適している。なぜなら、これらの技術が限界寸法走査型電子顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）に比べ非破壊的であり、十分に正確であり、再現性があり、迅速、簡単、安価であるからである。
【０００４】
散乱測定法は、構造体から散乱した光を角度分解して測定し特性を決定するものである。断続的な構造体の場合、入射光は、散乱したり、異なる次数に回折したりする。入射角θｉ に対してｍ次の回折次数の角度位置θｒ は、次に示すグレーティングの式で求める。
ｓｉｎθｉ ＋ｓｉｎθｒ ＝ｍ（λ／ｄ）　　　　　　　　　　　（１）
ここで、λは入射光の波長であり、ｄは回折構造体の周期である。分光散乱測定法では、グレーティングパラメータの測定で使用可能な様々な透過光を用いて上記のような測定を行う。
【０００５】
構造体から回折した光のパターンまたはスペクトルは、
構造体自体の寸法を特定するための“指紋”または“署名”として利用できる。
幅や限界寸法（ＣＤ）、段の高さ（Ｈ）、
側壁の角度（ＳＷＡ）、
構造体のパラメータと呼ぶことにする
（イ）上記（ア）より、引用例５には、以下の事項が記載されていると認められる。
「サブミクロンの線幅の正確な測定やパターンウェーハ上のエッチング構造体のプロファイルとして、構造体自体の寸法を特定するために、幅や限界寸法（ＣＤ）、段の高さ（Ｈ）、側壁の角度（ＳＷＡ）等の構造体のパラメータを測定すること。」
（６）対比・判断
（ア）本願発明１と引用例１発明について
ア　本願発明１と引用例１発明を対比する。
ａ．引用例１発明の「エッチング方法」は、「試料設置電極の電極温度をコントロール」しているから、本願発明１の「処理容器内の部材の温度を制御し、前記処理容器内で基板上の膜をエッチングしてパターンを形成するエッチング形成方法」に相当する。
ｂ．引用例１発明は、「エッチング方法」であるから、本願発明１の「基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する工程」を備えていることは明らかであると認められる。
ｃ．引用例１発明の「エッチング形状を求め」ることは、本願発明１の「前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定する工程」と、「前記パターンの形状又は寸法を測定する工程」である点で共通する。
ｄ．引用例１発明の「被エッチング材の形状に変動があった場合、載置台の被処理体を吸着するための試料設置電極の電極温度をコントロールする」ことは、本願発明１の「前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する工程」と、「前記測定した前記パターンの形状又は寸法に関する数値に基づいて、処理容器内の部材の温度を制御する工程」である点で共通する。
ｅ．そうすると、本願発明１と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「処理容器内の部材の温度を制御し、前記処理容器内で基板上の膜をエッチングしてパターンを形成するパターン形成方法において、
　基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する工程と、
　前記パターンの形状又は寸法を測定する工程と、
　前記測定した前記パターンの形状又は寸法に関する数値に基づいて、処理容器内の部材の温度を制御する工程と
　を備える
　ことを特徴とするパターン形成方法。」
［相違点１］
　本願発明１は、「前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定する工程」を有しているが、引用例１発明は、「前記パターンの形状又は寸法を測定する工程」を備えているものの、その測定が「複数の位置」であるのか不明であり、また、本願発明１は、「前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する工程」を有しているが、引用例１発明は、そのような制御を行っていない点。
イ　判断
　［相違点１］について検討する。
　引用例１発明は、「処理容器内の部材の温度を制御する」際に、「試料設置電極」の温度を制御しているが、「フォーカスリング」の温度制御は行っていないから、引用例１発明において、「フォーカスリング」の温度制御を想起し、また、その際に、「前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する」こととし、本願発明１と同様の発明とすることができたとは認められない。
　また、フォーカスリングについて記載されていない、引用例２ないし５の記載から、引用例１発明において、上記［相違点１］について、本願発明１の工程を採用することが容易であるとも言えない。
　そして、本願発明１は、［相違点１］を有することによって、フォーカスリングの交換時期を的確かつ迅速に判定することができるという（本願明細書段落番号【０００５】）、引用例１発明に記載された発明にはない格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点１］は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
　したがって、本願発明１は引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（イ）本願発明２と引用例１発明について
ア　本願発明２と引用例１発明を対比する。
ａ．引用例１発明は、「長期間安定的にエッチング形状を制御する」ために、「載置台の被処理体を吸着するための試料設置電極の電極温度をコントロール」しているから、本願発明２の「基板上の膜をエッチングして所定のパターンを形成する際に、該パターンの面内均一性を高めるために該基板の周辺に配置される処理容器内の部材の温度制御方法」と、「基板上の膜をエッチングして所定のパターンを形成する際に、該基板の周辺に配置される処理容器内の部材の温度制御方法」である点で共通する。
ｂ．引用例１発明の「載置台の被処理体を吸着するための試料設置電極の電極温度をコントロールすること」は、本願発明２の「前記処理容器内の部材の温度を設定する工程」に相当する。
ｃ．引用例１発明の「エッチング形状を求め」ることと、本願発明２の「前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定する測定工程」は、「前記パターンの形状又は寸法を測定する測定工程」である点で共通する。
ｄ．引用例１発明の「被エッチング材の形状に変動があった場合、載置台の被処理体を吸着するための試料設置電極の電極温度をコントロールすることにより、形状を安定させる」ことは、本願発明２の「前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する工程」と、「前記測定した前記パターンの形状又は寸法に関する数値に基づいて、処理容器内の部材の温度を制御する工程」である点で共通する。
ｅ．そうすると、本願発明２と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「基板上の膜をエッチングして所定のパターンを形成する際に、該基板の周辺に配置される処理容器内の部材の温度制御方法において、
　前記処理容器内の部材の温度を設定する工程と、
　前記パターンの形状又は寸法を測定する測定工程と、
　前記測定した前記パターンの形状又は寸法に関する数値に基づいて、処理容器内の部材の温度を制御する工程と
　を備える
　ことを特徴とする処理容器内の部材の温度制御方法。
［相違点１］
　本願発明２は、「前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定する測定工程」を備え、「前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する工程」を備えることにより、「該パターンの面内均一性を高め」ているのに対して、引用例１発明は、そのようになっていない点。
イ　判断
　［相違点１］について検討する。
　引用例１発明は、「処理容器内の部材の温度を制御する」際に、「試料設置電極」の温度を制御しているが、「フォーカスリング」の温度制御は行っていないから、引用例１発明において、「フォーカスリング」の温度制御を想起し、また、その際に、「前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する」こととし、本願発明２と同様の発明とすることができたとは認められない。
　また、フォーカスリングについて記載されていない、引用例２ないし５の記載から、引用例１発明において、上記［相違点１］について、本願発明２の工程を採用することが容易であるとも言えない。
　そして、本願発明２は、［相違点１］を有することによって、フォーカスリングの交換時期を的確かつ迅速に判定することができるという（本願明細書段落番号【０００５】）、引用例１発明に記載された発明にはない格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点１］は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
　したがって、本願発明２は引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（ウ）本願発明３と引用例１発明について
ア　本願発明３と引用例１発明を対比する。
ａ．引用例１発明の「ガス導入手段」「真空排気手段」「プラズマエッチング装置」は、本願発明３の「処理ガス供給部」「排気手段」「基板処理システム」に相当する。
ｂ．引用例１発明は「プラズマエッチング装置」であるから、本願発明３の「処理容器内で基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する形成手段」と同様の手段を備えていることは自明である。
ｃ．引用例１発明は「被エッチング材の形状に変動があった場合、通信線を介してフィードバック手段１２１に制御信号が送られ、さらに通信線を介して温調装置１１５に制御信号が送られ、試料設置電極の電極温度をコントロールすることにより、形状を安定させ」ているから、引用例１発明の「試料設置電極」は、本願発明３の「前記パターンの面内均一性を高めるために前記処理容器内に配置される前記処理容器内の部材」と、前記パターンを所望のものとするために前記処理容器内に配置される前記処理容器内の部材という点で共通する。
ｄ．引用例１発明の「スキャトロメトリ装置により、エッチング形状を求め」ることは、本願発明３の「前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定」することと、前記パターンの形状又は寸法を測定する点で共通する。
ｅ．引用例１発明は、「非エッチング材のエッチング終了後、スキャトロメトリ装置により、エッチング形状を求め、被エッチング材の形状に変動があった場合、通信線を介してフィードバック手段１２１に制御信号が送られ、さらに通信線を介して温調装置１１５に制御信号が送られ、試料設置電極の電極温度をコントロールすることにより、形状を安定させる」ことを行っており、そのための「制御手段」を有する事は明かである。
　そうすると、引用例１発明の「制御手段」と、本願発明３の「前記処理容器内の部材の温度を制御する制御手段は、前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定し、前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する」ことは、前記処理容器内の部材の温度を制御する制御手段は、前記パターンの形状又は寸法を測定し、前記測定した前記パターンの形状又は寸法に関する数値により、前記前記処理容器内の部材の温度へのフィードバックにより、前記パターンを所望のものとするために前記処理容器内の部材の温度を制御する点で一致する。
ｆ．そうすると、本願発明２と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「処理容器内で基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する形成手段と、
　前記パターンを所望のものとするために前記処理容器内に配置される前記処理容器内の部材と、
　前記処理容器内の部材の温度を制御する制御手段と、
　前記処理容器に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
　前記処理容器内を所定の真空度までに減圧する排気手段と
　を備え、
　前記処理容器内の部材の温度を制御する制御手段は、
　前記パターンの形状又は寸法を測定し、
　前記測定した前記パターンの形状又は寸法に関する数値により、前記処理容器内の部材の温度へのフィードバックにより、前記パターンを所望のものとするために前記処理容器内の部材の温度を制御する
　ことを特徴とする基板処理システム。」
［相違点１］
　本願発明３は、「前記パターンの面内均一性を高めるために前記処理容器内に配置される前記処理容器内の部材」を有し、その「前記処理容器内の部材の温度を制御する制御手段は、前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定し、前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する」ものであるのに対して、引用例１発明は、そのような制御は行っていない点。
イ　判断
　［相違点１］について検討する。
　引用例１発明は、「処理容器内の部材の温度を制御する」際に、「試料設置電極」の温度を制御しているが、「フォーカスリング」の温度制御は行っていないから、引用例１発明において、「フォーカスリング」の温度制御を想起し、また、その際に、「前記処理容器内の部材の温度を制御する制御手段は、前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定し、前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する」こととし、本願発明３と同様の発明とすることができたとは認められない。
　また、フォーカスリングについて記載されていない、引用例２ないし５の記載から、引用例１発明において、上記［相違点１］について、本願発明３の方法を採用することが容易であるとも言えない。
　そして、本願発明３は、［相違点１］を有することによって、フォーカスリングの交換時期を的確かつ迅速に判定することができるという（本願明細書段落番号【０００５】）、引用例１発明に記載された発明にはない格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点１］は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
　したがって、本願発明３は引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（エ）本願の請求項２に係る発明の進歩性について
　本願の請求項２は、請求項１を引用しており、本願の請求項２に係る発明は本願発明１の発明特定事項を全て有する発明である。
　してみれば、本願発明１が引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願の請求項２に係る発明も、引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
３　原査定の理由についてのまとめ
　以上のとおり、本願の請求項１ないし４に係る発明は、引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審の拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
　平成２８年７月２９日付けで当審より通知した拒絶理由の概要は、次のとおりである。
「Ａ．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　記　 
  
 　発明の詳細な説明には、エッチングパターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきに基づいて、フォーカスリングおよびサセプタの温度をフィードバック制御することによりエッチングパターンの面内均一性を高めることは記載されているが、フォーカスリング又はサセプタ以外の処理容器内の部材の温度を制御することは記載されていない。 
 　これに対して、請求項１，４，６に記載された発明は、 
 「前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが所定の閾値より大きい場合、前記処理容器内の部材の温度へフィードバックして前記処理容器内の部材の温度を制御する」 
 となっており、フォーカスリングおよびサセプタ以外の処理容器内の部材を制御することも含んでいるとともに、面内均一性を高めるための温度制御以外の温度制御を含んでおり、発明の詳細な説明に記載された発明以外を含むものとなっている。 
 　従って、請求項１，４，６および、請求項１を引用する請求項２に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されたものであるとは言えない。 
  
 　なお、上記拒絶理由は例えば、請求項１の 
 「処理容器内の部材の温度を制御し、前記処理容器内で基板上の膜をエッチングしてパターンを形成するパターン形成方法において、 
 　基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する工程と、 
 　前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定する工程と、 
 　前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが所定の閾値より大きい場合、前記処理容器内の部材の温度へフィードバックして前記処理容器内の部材の温度を制御する工程と 
 　を備える 
 　ことを特徴とするパターン形成方法。」 
 を、発明の詳細な説明【０１１８】の記載に基づいて、 
 「処理容器内の部材の温度を制御し、前記処理容器内で基板上の膜をエッチングしてパターンを形成するパターン形成方法において、 
 　基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する工程と、 
 　前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定する工程と、 
 　前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが所定の閾値より大きい場合、前記処理容器内のフォーカスリング及びサセプタの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリング及びサセプタの温度を制御する工程と 
 　を備える 
 　ことを特徴とするパターン形成方法。」 
 とすることにより解消される。 
  
  
 Ｂ．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　記　 
  
 ・請求項　１−７ 
 ・引用文献等　１ 
 ・備考　 
 　引用文献１「第四の実施例」（【００５２】−【００５４】、【図１３】）には、決定された処理条件に基づきエッチング処理を行い、累積枚数に到達した場合にＣＤ面内分布を測定し、面内ＣＤのばらつきが規定外の場合、再度処理条件を決定することが記載されている。 
 　また、上記処理条件は、引用例１【００１５】−【００３６】に記載されているように、ウェハ面内のＣＤ分布を均一化するために、ウエハステージ（本願発明の「サセプタ」に相当する。）の温度分布である旨記載されている。 
 　そうすると、引用文献１「第四の実施例」として記載された発明と、請求項１−７に記載された発明との格別の相違は認められない。 
  
  
 Ｃ．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　記　 
  
 ・請求項　１−７ 
 ・引用文献等　１−３ 
 ・備考　 
 　上記理由Ｂ．を参照されたい。 
 　なお、エッチングにおいて均一性の判断を行う際に、エッチングされたパターンの側壁角度や線の高さをもちいることは、引用例２【００７１】に記載されているように、当業者が適宜行っている。 
 　そして、引用例１「第四の実施例」において、均一性の判断を行う際に、エッチングされたパターンの側壁角度や線の高さをもちいることは当業者が適宜為し得たことと認められる。 
 　さらに、発明の詳細な説明を参酌すると、本願は「前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定する工程」を「基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する工程」の後に必ず行っているのに対して、引用文献１「第四の実施例」として記載された発明は、累積枚数に到達した場合に、本願の「前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定する工程」に相当するＣＤ面内分布の測定を行っている点で、一応相違する。 
 　しかしながら、引用例３【００５５】に記載されているように、エッチングの終了後、エッチング形状を測定することは、公知の技術であるから、引用文献１「第四の実施例」として記載された発明を同様の測定頻度とし、本願と同様の方法／システムとすることに格別の困難性は認められない。 
  
  
 　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧 
 引用文献１　特開２００６−２１６８２２号公報 
 引用文献２　特開２００８−２７０５４２号公報 
 引用文献３　特開２０１０−２７２７５８号公報 」
２　当審拒絶理由についての判断
（１）記載要件（理由Ａ）について
　請求項１ないし４は、補正により「処理容器内の部材」が「フォーカスリング」であることが明らかになったから、請求項１ないし４に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されたものである。
　したがって、当審拒絶理由のＡに示した理由によっては、本願を拒絶することはできない。
（２）新規性（理由Ｂ）および進歩性（理由Ｃ）について
ア　引用例３（当審の拒絶理由において引用例１として引用した文献）の記載事項及び引用例３発明
（ア）当審の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００６−２１６８２２号公報には、図面とともに、上記「第３　２（３）（ア）−（ウ）」で示したことが記載されている。
（イ）引用例３には、上記「第３　２（３）（オ）」で示した発明が記載されていると認められる。
イ　引用例６（当審の拒絶理由において引用例２として引用した文献）の記載事項
　当審の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００８−２７０５４２号公報には、図面とともに、次の事項が記載されている。
（ア）「【００７１】
　また、以上の実施の形態では、
エッチングパターンのウェハ面内の線幅が均一になるように熱板の温度設定を行っていたが、線幅以外の他の状態、例えばエッチングパターンの溝の側壁角度（サイドウォールアングル）やエッチングパターンの膜厚がウェハ面内で均一になるように熱処理板の温度設定を行うようにしてもよい。
当該光学式表面形状測定計により、エッチングパターンのウェハ面内のサイドウォールアングルや膜厚を測定し、それらがウェハ面内で均一になるようにプリベーク装置の熱板の温度設定を行うようにしてもよい。
（イ）上記（ア）より、引用例６には、以下の事項が記載されていると認められる。
「エッチングパターンの側壁角度（サイドウォールアングル）やエッチングパターンの膜厚がウェハ面内で均一になるように、ウェハ面内のサイドウォールアングルや膜厚を測定し、それらがウェハ面内で均一になるようにプリベーク装置の熱処理板の温度設定を行うこと。」
ウ　引用例１（当審の拒絶理由において引用例３として引用した文献）の記載事項
（ア）当審の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１０−２７２７５８号公報には、図面とともに、上記「第３　２（１）（ア）」で示したことが記載されている。
（イ）引用例１には、上記「第３　２（１）（イ）」で示した発明が記載されていると認められる。
エ　対比・判断
（ア）本願発明１と引用例３発明について
ａ．本願発明１と引用例３発明について対比する。
ａ−１．引用例３発明の「プラズマ装置」は、「エッチング」を行うものであり、また、「ウェハ温度分布を最適化することによりウェハ面内のＣＤ分布を均一化するために、」「ウェハステージの基材に設けられたヒータに投入する電力を調節し」ているから、このことは、本願発明１の「処理容器内の部材の温度を制御し、前記処理容器内で基板上の膜をエッチングしてパターンを形成するパターン形成方法」に相当する。
ａ−２．引用例３発明の「プラズマ装置」は、「エッチング」を行うものであるから、本願発明１の「基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する工程」を備えていることは明らかであると認められる。
ａ−３．引用例３発明の「ＣＤ面内分布を測定」することは、本願発明１の「前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定する工程」に相当する。
ａ−４．引用例３発明の「面内ＣＤばらつきが規定外の場合、再度処理条件を決定する」ことと、「前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する工程」とは、「前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつき」に基づいて、「前記パターンの面内均一性を高めるように」処理容器内の部材「の温度を制御する工程」である点で共通する。
ａ−５．そうすると、本願発明１と引用例３発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「処理容器内の部材の温度を制御し、前記処理容器内で基板上の膜をエッチングしてパターンを形成するパターン形成方法において、
　基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する工程と、
　前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定する工程と、
　前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきに基づいて、前記パターンの面内均一性を高めるように処理容器内の部材の温度を制御する工程と
　を備える
　ことを特徴とするパターン形成方法。」
［相違点１］
　本願発明１は、「前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する工程」を有しているのに対して、引用例３発明は、フォーカスリングに関する制御を行っていない点。
ｂ．判断
　［相違点１］について検討する。
　引用例３発明は、「処理容器内の部材の温度を制御する」際に、「ウェハステージの基材に設けられたヒータに投入する電力を調節」しているが、「フォーカスリング」の温度制御は行っていないから、引用例３発明において「フォーカスリング」の温度制御を想起し、また、その際に「前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する」こととし、本願発明１と同様の発明とすることができたとは認められない。
　また、フォーカスリングについて記載されていない、引用例１および６の記載から、引用例３発明において、上記［相違点１］について、本願発明１の工程を採用することが容易であるとも言えない。
　そして、本願発明１は、［相違点１］を有することによって、フォーカスリングの交換時期を的確かつ迅速に判定することができるという（本願明細書段落番号【０００５】）、引用例３発明に記載された発明にはない格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点１］は、引用例３に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
　したがって、本願発明１は引用例３に記載された発明ではなく、また、引用例３および引用例１もしくは６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（イ）本願発明２と引用例３発明について
ａ．本願発明２と引用例３発明について対比する。
ａ−１．引用例３発明は「エッチングを行う、プラズマ処理装置」において、「ウェハ温度分布を最適化することによりウェハ面内のＣＤ分布を均一化するために」、ウェハステージの基材に設けられたヒータの「ヒータ電力」を管理しているから、このことは、本願発明２の「基板上の膜をエッチングして所定のパターンを形成する際に、該パターンの面内均一性を高めるために該基板の周辺に配置される処理容器内の部材の温度制御方法」に相当する。
ａ−２．引用例３発明の「ウェハ面内でＣＤシフト量を均一にする温度分布を算出し、」「この温度分布を実現するための」「ヒータ電力といったパラメータを算出し、算出したパラメータにより温度を管理」することは、本願発明２の「前記処理容器内の部材の温度を設定する工程」に相当する。
ａ−３．引用例３発明の「ＣＤ面内分布を測定」することは、本願発明２の「前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定する測定工程」に相当する。
ａ−４．引用例３発明の「面内ＣＤばらつきが規定外の場合、再度処理条件を決定する」ことと、本願発明２の「前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する工程」とは、「前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつき」に基づき、「前記パターンの面内均一性を高めるように」該基板の周辺に配置される処理容器内の部材「の温度を制御する工程」である点で共通する。
ａ−５．そうすると、本願発明２と引用例３発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「基板上の膜をエッチングして所定のパターンを形成する際に、該パターンの面内均一性を高めるために該基板の周辺に配置される処理容器内の部材の温度制御方法において、
　前記処理容器内の部材の温度を設定する工程と、
　前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定する測定工程と、
　前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきに基づき、前記パターンの面内均一性を高めるように該基板の周辺に配置される処理容器内の部材の温度を制御する工程と
　を備える
　ことを特徴とする処理容器内の部材の温度制御方法。」
［相違点１］
　本願発明２は、「前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する工程」を有しているのに対して、引用例３発明は、フォーカスリングに関する制御を行っていない点。
ｂ．判断
　［相違点１］について検討する。
　引用例３発明は、「処理容器内の部材の温度を制御する」際に、「ウェハステージの基材に設けられたヒータに投入する電力を調節」しているが、「フォーカスリング」の温度制御は行っていないから、引用例３発明において「フォーカスリング」の温度制御を想起し、また、その際に「前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する」こととし、本願発明２と同様の発明とすることができたとは認められない。
　また、フォーカスリングについて記載されていない、引用例１および６の記載から、引用例３発明において、上記［相違点１］について、本願発明２の工程を採用することが容易であるとも言えない。
　そして、本願発明２は、［相違点１］を有することによって、フォーカスリングの交換時期を的確かつ迅速に判定することができるという（本願明細書段落番号【０００５】）、引用例３発明に記載された発明にはない格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点１］は、引用例３に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
　したがって、本願発明２は引用例３に記載された発明ではなく、また、引用例３および引用例１もしくは６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（ウ）本願発明３と引用例３発明について
ａ．本願発明３と引用例３発明について対比する。
ａ−１．引用例３発明の「真空ポンプ」「エッチングを行う、プラズマ処理装置」は、本願発明３の「排気手段」「基板処理システム」に相当する。
ａ−２．引用例３発明は、「真空チャンバ上部に石英窓を設置し、石英窓とシャワープレートの間に処理ガスを送り込むと石英窓の下に設けられたガス穴から処理室に導入される、ガス穴」を有しているから、本願発明３の「前記処理容器に処理ガスを供給する処理ガス供給部」と同様の手段を備えていることは自明である。
ａ−３．引用例３発明は「エッチングを行う、プラズマ処理装置」であるから、本願発明３の「処理容器内で基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する形成手段」と同様の手段を備えていることは自明である。
ａ−４．引用例３発明は「半導体ウェハの温度分布を調整するために、ウェハステージの基材に設けられたヒータに投入する電力を調節し、基材の外周付近の温度を調節」しているから、引用例３発明の「基材」は、本願発明３の「前記処理容器内の部材」に相当する。
ａ−５．引用例３発明は「制御用コンピュータ」により「ウェハ面内でＣＤシフト量を均一にする温度分布を算出し、この温度分布を実現するための冷媒の設定温度、ヘリウム圧力、ヒータ電力といったパラメータを算出し、算出したパラメータにより温度を管理し」ているから、引用例３発明の「制御用コンピュータ」は、本願発明３の「前記処理容器内の部材の温度を制御する制御手段」に相当する。
ａ−６．引用例３発明の「制御用コンピュータ」は、「処理条件に従いエッチング処理を行い、累積枚数に到達した場合にはＣＤ面内分布を測定し、面内ＣＤばらつきが規定内である場合、当初の処理条件に従いエッチング処理を行い、面内ＣＤばらつきが規定外の場合、再度処理条件を決定」しているから、本願発明３の「前記処理容器内の部材の温度を制御する制御手段は、前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定し、前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する」ことと、「前記処理容器内の部材の温度を制御する制御手段は、前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定し、前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつき」に基づき「前記パターンの面内均一性を高めるように」前記処理容器内の部材「の温度を制御する」点で共通する。
ａ−７．そうすると、本願発明３と引用例３発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「処理容器内で基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する形成手段と、
　前記パターンの面内均一性を高めるために前記処理容器内に配置される前記処理容器内の部材と、
　前記処理容器内の部材の温度を制御する制御手段と、
　前記処理容器に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
　前記処理容器内を所定の真空度までに減圧する排気手段と
　を備え、
　前記処理容器内の部材の温度を制御する制御手段は、
　前記パターンの複数の位置における形状又は寸法を測定し、
　前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきに基づき前記パターンの面内均一性を高めるように前記処理容器内の部材の温度を制御する
　ことを特徴とする基板処理システム。」
［相違点１］
　本願発明３は、「前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御」しているのに対して、引用例３発明は、フォーカスリングに関する制御を行っていない点。
ｂ．判断
　［相違点１］について検討する。
　引用例３発明は、「処理容器内の部材の温度を制御する」際に、「ウェハステージの基材に設けられたヒータに投入する電力を調節」しているが、「フォーカスリング」の温度制御は行っていないから、引用例３発明において「フォーカスリング」の温度制御を想起し、また、その際に「前記測定した前記複数の位置における前記パターンの形状又は寸法に関する数値のばらつきが、前記処理容器内のフォーカスリングの交換の要否を決定するための第１の閾値より小さい第２の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へのフィードバックにより、前記パターンの面内均一性を高めるように前記フォーカスリングの温度を制御する」こととし、本願発明３と同様の発明とすることができたとは認められない。
　また、フォーカスリングについて記載されていない、引用例１および６の記載から、引用例３発明において、上記［相違点１］について、本願発明３の制御を採用することが容易であるとも言えない。
　そして、本願発明３は、［相違点１］を有することによって、フォーカスリングの交換時期を的確かつ迅速に判定することができるという（本願明細書段落番号【０００５】）、引用例３発明に記載された発明にはない格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点１］は、引用例３に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
　したがって、本願発明３は引用例３に記載された発明ではなく、また、引用例３および引用例１もしくは６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（エ）本願の請求項２に係る発明の新規性および進歩性について
　本願の請求項２は請求項１を引用しており、本願の請求項２係る発明は本願発明１の発明特定事項を全て有する発明である。
　してみれば、本願発明１が引用例３に記載された発明ではなく、また、引用例３および引用例１もしくは６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願の請求項２に係る発明も、引用例３に記載された発明ではなく、また、引用例３および引用例１もしくは６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（３）当審拒絶理由についてのまとめ
　以上のとおり、当審拒絶理由のＡ乃至Ｃに示した理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　そすると、もはや、当審の拒絶理由によっては本願を拒絶することはできない。
第５　結語
　以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶するべき理由は発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。