(57)【要約】【課題】さらなる特性の向上を達成することができる太陽電池セルを提供する。【解決手段】第１導電型の半導体基板と、半導体基板の一方の表面側に形成された第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とを備えており、第２導電型不純物拡散領域を複数有し、隣り合う第２導電型不純物拡散領域の間隔が４００μｍ以下である太陽電池セルである。【選択図】図３
2011023648.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一方の表面側に形成された第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とを備えており、
前記第２導電型不純物拡散領域を複数有し、
隣り合う前記第２導電型不純物拡散領域の間隔が４００μｍ以下である、太陽電池セル。
【請求項２】
前記間隔は、隣り合う前記第２導電型不純物拡散領域の間において発生したキャリアの、最も近い前記第２導電型不純物拡散領域までの直線距離により定まる、請求項１に記載の太陽電池セル。
【請求項３】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一方の表面側に形成された第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とを備えており、
前記第２導電型不純物拡散領域を複数有し、
隣り合う前記第２導電型不純物拡散領域の間において発生したキャリアの、最も近い前記第２導電型不純物拡散領域までの直線距離が２００μｍ以下である、太陽電池セル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池セルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、特に地球環境の保護の観点から、太陽光エネルギを電気エネルギに変換する太陽電池セルは次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。太陽電池セルの種類には、化合物半導体を用いたものや有機材料を用いたものなどの様々なものがあるが、現在、シリコン結晶を用いた太陽電池セルが主流となっている。
【０００３】
現在、最も多く製造および販売されている太陽電池セルは、太陽光が入射する側の面（受光面）にｎ電極が形成されており、受光面と反対側の面（裏面）にｐ電極が形成された両面電極型太陽電池セルである。
【０００４】
また、たとえば特許文献１には、太陽電池セルの受光面には電極を形成せず、太陽電池セルの受光面とは反対側の裏面のみにｎ電極およびｐ電極を形成した裏面電極型太陽電池セルが開示されている。
【０００５】
図１４に、特許文献１に記載の裏面電極型太陽電池セルのｎ型シリコン基板の裏面における不純物拡散領域のパターンの模式的な平面図を示す。
【０００６】
特許文献１に記載の裏面電極型太陽電池セルのｎ型シリコン基板１６１の裏面においては、１本の帯状のｎ型ドーピング領域１６２と１本の帯状のｐ型ドーピング領域１６３とから不純物拡散領域のパターンが構成されている。そして、ｎ型ドーピング領域１６２上にｎ電極が形成され、ｐ型ドーピング領域１６３上にｐ電極が形成される。
【０００７】
なお、図１４においては、説明の便宜上、ｎ型ドーピング領域１６２およびｐ型ドーピング領域１６３はそれぞれ１つずつしか示していないが、実際には、ｎ型ドーピング領域１６２およびｐ型ドーピング領域１６３はそれぞれ複数存在しており、ｎ型ドーピング領域１６２とｐ型ドーピング領域１６３とは所定の間隔を空けて１本ずつ交互に配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−３３２２７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１においては、ｐ型ドーピング領域１６３の面積率を６０％以上８０％以下とすることによって高い変換効率を有する裏面電極型太陽電池セルが得られることが記載されているが、裏面電極型太陽電池セルのさらなる特性の向上が要望されている。
【００１０】
上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、さらなる特性の向上を達成することができる太陽電池セルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、第１導電型の半導体基板と、半導体基板の一方の表面側に形成された第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とを備えており、第２導電型不純物拡散領域を複数有し、隣り合う第２導電型不純物拡散領域の間隔が４００μｍ以下である太陽電池セルである。
【００１２】
ここで、本発明の太陽電池セルにおいては、上記間隔は、隣り合う第２導電型不純物拡散領域の間において発生したキャリアの、最も近い第２導電型不純物拡散領域までの直線距離により定めることができる。
【００１３】
また、本発明は、第１導電型の半導体基板と、半導体基板の一方の表面側に形成された第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とを備えており、第２導電型不純物拡散領域を複数有し、隣り合う第２導電型不純物拡散領域の間において発生したキャリアの、最も近い第２導電型不純物拡散領域までの直線距離が２００μｍ以下である太陽電池セルである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、さらなる特性の向上を達成することができる太陽電池セルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の太陽電池セルの一例である裏面電極型太陽電池セルの一例の模式的な断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｇ）は、図１に示す裏面電極型太陽電池セルの製造方法の一例を図解する模式的な断面図である。
【図３】２Ｄデバイスシミュレータを用いたシミュレーションにより特性が評価された裏面電極型太陽電池セルの幅方向の断面構造を模式的に示す図である。
【図４】図３に示す裏面電極型太陽電池セルの短絡電流密度（Ｊsc）とベース幅との関係を示す図である。
【図５】図１に示す裏面電極型太陽電池セルのｎ型シリコン基板の裏面におけるｎ+領域とｐ+領域との不純物拡散パターンの模式的な平面図である。
【図６】図１に示す裏面電極型太陽電池セルの半導体基板の裏面における不純物拡散パターンの一例の模式的な平面図である。
【図７】図１に示す裏面電極型太陽電池セルの半導体基板の裏面における不純物拡散パターンの他の一例の模式的な平面図である。
【図８】本発明における第２導電型不純物拡散領域の配置パターンの一例の模式的な平面図である。
【図９】本発明における第２導電型不純物拡散領域の配置パターンの一例の模式的な平面図である。
【図１０】本発明における第２導電型不純物拡散領域の配置パターンの一例の模式的な平面図である。
【図１１】本発明における第２導電型不純物拡散領域の配置パターンの一例の模式的な平面図である。
【図１２】本発明における第２導電型不純物拡散領域の配置パターンの一例の模式的な平面図である。
【図１３】本発明における第２導電型不純物拡散領域の配置パターンの一例の模式的な平面図である。
【図１４】特許文献１に記載の裏面電極型太陽電池セルのｎ型シリコン基板の裏面における不純物拡散領域のパターンの模式的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００１７】
図１に、本発明の太陽電池セルの一例である裏面電極型太陽電池セルの一例の模式的な断面図を示す。
【００１８】
ここで、裏面電極型太陽電池セル８は、第１導電型の半導体基板１と、半導体基板１の裏面に形成された第１導電型不純物拡散領域２および第２導電型不純物拡散領域３と、第１導電型不純物拡散領域２に接するようにして形成された第１導電型用電極６と、第２導電型不純物拡散領域３に接するようにして形成された第２導電型用電極７とを含んでいる。
【００１９】
また、裏面電極型太陽電池セル８の半導体基板１の受光面にはテクスチャ構造などの凹凸構造が形成されており、その凹凸構造を覆うようにして反射防止膜５が形成されている。また、裏面電極型太陽電池セル８の半導体基板１の裏面にはパッシベーション膜４が形成されている。
【００２０】
なお、図１においては、説明の便宜上、第１導電型不純物拡散領域２および第２導電型不純物拡散領域３はそれぞれ１つずつしか示していないが、実際には、第１導電型不純物拡散領域２および第２導電型不純物拡散領域３はそれぞれ複数存在しており、第１導電型不純物拡散領域２と第２導電型不純物拡散領域３とは所定の間隔を空けて１本ずつ交互に配置されている。
【００２１】
以下、図２（ａ）〜図２（ｇ）の模式的断面図を参照して、図１に示す裏面電極型太陽電池セル８の製造方法の一例について説明する。
【００２２】
まず、図２（ａ）に示すように、たとえばインゴットからスライスすることなどによって、半導体基板１の表面にスライスダメージ１ａが形成された半導体基板１を用意する。ここで、半導体基板１としては、たとえば、ｎ型またはｐ型のいずれかの導電型を有する多結晶シリコンまたは単結晶シリコンなどからなるシリコン基板を用いることができる。
【００２３】
次に、図２（ｂ）に示すように、半導体基板１の表面のスライスダメージ１ａを除去する。ここで、スライスダメージ１ａの除去は、たとえば半導体基板１が上記のシリコン基板からなる場合には、上記のスライス後のシリコン基板の表面をフッ化水素水溶液と硝酸との混酸または水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液などでエッチングすることなどによって行なうことができる。
【００２４】
ここで、スライスダメージ１ａの除去後の半導体基板１の大きさおよび形状も特に限定されないが、半導体基板１の厚さをたとえば１００μｍ以上５００μｍ以下とすることができ、特に２００μｍ程度とすることが好ましい。
【００２５】
次に、図２（ｃ）に示すように、半導体基板１の裏面に、第１導電型不純物拡散領域２および第２導電型不純物拡散領域３をそれぞれ形成する。ここで、第１導電型不純物拡散領域２は、たとえば、第１導電型不純物を含む不純物拡散剤を用いた塗布拡散または第１導電型不純物を含むガスを用いた気相拡散などの方法により形成することができる。また、第２導電型不純物拡散領域３は、たとえば、第２導電型不純物を含む不純物拡散剤を用いた塗布拡散または第２導電型不純物を含むガスを用いた気相拡散などの方法により形成することができる。
【００２６】
ここで、第１導電型不純物拡散領域２は、第１導電型不純物を含み、ｎ型またはｐ型の導電型を示す領域であれば特に限定されない。なお、第１導電型不純物としては、第１導電型がｎ型である場合にはたとえばリンなどのｎ型不純物を用いることができ、第１導電型がｐ型である場合にはたとえばボロンまたはアルミニウムなどのｐ型不純物を用いることができる。
【００２７】
また、第２導電型不純物拡散領域３は、第２導電型不純物を含み、第１導電型不純物拡散領域２とは逆の導電型を示す領域であれば特に限定されない。なお、第２導電型不純物としては、第２導電型がｎ型である場合にはたとえばリンなどのｎ型不純物を用いることができ、第２導電型がｐ型である場合にはたとえばボロンまたはアルミニウムなどのｐ型不純物を用いることができる。
【００２８】
なお、第１導電型はｎ型またはｐ型のいずれの導電型であってもよく、第２導電型は第１導電型と反対の導電型であればよい。すなわち、第１導電型がｎ型のときは第２導電型がｐ型となり、第１導電型がｐ型のときは第２導電型がｎ型となる。
【００２９】
次に、図２（ｄ）に示すように、半導体基板１の裏面にパッシベーション膜４を形成する。ここで、パッシベーション膜４は、たとえば、熱酸化法またはプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの方法により形成することができる。
【００３０】
ここで、パッシベーション膜４としては、たとえば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層体などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。
【００３１】
また、パッシベーション膜４の厚みは、たとえば０．０５μｍ以上１μｍ以下とすることができ、特に０．２μｍ程度とすることが好ましい。
【００３２】
次に、図２（ｅ）に示すように、半導体基板１の受光面の全面にテクスチャ構造などの凹凸構造を形成した後に、その凹凸構造上に反射防止膜５を形成する。
【００３３】
ここで、テクスチャ構造は、たとえば、半導体基板１の受光面をエッチングすることにより形成することができる。たとえば、半導体基板１がシリコン基板である場合には、たとえば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加した液をたとえば７０℃以上８０℃以下に加熱したエッチング液を用いて半導体基板１の受光面をエッチングすることによって形成することができる。
【００３４】
また、反射防止膜５は、たとえばプラズマＣＶＤ法などにより形成することができる。なお、反射防止膜５としては、たとえば、窒化シリコン膜などを用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００３５】
次に、図２（ｆ）に示すように、半導体基板１の裏面のパッシベーション膜４の一部を除去することによってコンタクトホール４ａおよびコンタクトホール４ｂを形成する。ここで、コンタクトホール４ａは、第１導電型不純物拡散領域２の表面の少なくとも一部を露出させるようにして形成され、コンタクトホール４ｂは、第２導電型不純物拡散領域３の表面の少なくとも一部を露出させるようにして形成される。
【００３６】
なお、コンタクトホール４ａおよびコンタクトホール４ｂはそれぞれ、たとえば、フォトリソグラフィ技術を用いてコンタクトホール４ａおよびコンタクトホール４ｂの形成箇所に対応する部分に開口を有するレジストパターンをパッシベーション膜４上に形成した後にレジストパターンの開口からパッシベーション膜４をエッチングする方法、またはコンタクトホール４ａおよびコンタクトホール４ｂの形成箇所に対応するパッシベーション膜４の部分にエッチングペーストを塗布した後に加熱することによってパッシベーション膜４をエッチングする方法などにより形成することができる。
【００３７】
次に、図２（ｇ）に示すように、コンタクトホール４ａを通して第１導電型不純物拡散領域２に接する第１導電型用電極６を形成するとともに、コンタクトホール４ｂを通して第２導電型不純物拡散領域３に接する第２導電型用電極７を形成することによって、裏面電極型太陽電池セル８が完成する。
【００３８】
２Ｄデバイスシミュレータを用いたシミュレーションにより、図３に示す幅方向の断面構造を有する裏面電極型太陽電池セルの特性について検討を行なった。
【００３９】
ここで、図３に示す裏面電極型太陽電池セルは、ｎ型シリコン基板１２１（厚さ：２００μｍ、ｎ型不純物濃度：２×１０15ｃｍ-3）と、ｎ型シリコン基板１２１の裏面に形成されたｎ型不純物拡散領域であるｎ+領域１２２（ｎ型不純物濃度：１×１０20ｃｍ-3）と、ｎ+領域１２２と所定の間隔をあけて形成されたｐ型不純物拡散領域であるｐ+領域１２３（ｐ型不純物濃度：１×１０19ｃｍ-3）と、ｎ+領域１２２に接するようにして形成されたｎ型用電極１２６と、ｐ+領域１２３に接するようにして形成されたｐ型用電極１２７と、を有する構成とした。ここで、ｎ+領域１２２とｐ+領域１２３とはｎ型シリコン基板１２１の幅方向に交互に配列されている。
【００４０】
また、図３に示す裏面電極型太陽電池セルのｎ型シリコン基板１２１の受光面には反射防止膜１２５を形成するとともに、ｎ型シリコン基板１２１の裏面のｎ型用電極１２６およびｐ型用電極１２７以外の領域にはパッシベーション膜１２４を形成する構成とした。
【００４１】
そして、ｎ型シリコン基板１２１におけるキャリアの再結合速度を１０ｃｍ／ｓに設定するとともに、ｎ型シリコン基板１２１の裏面のｎ+領域１２２の表面におけるキャリアの再結合速度を１×１０4ｃｍ／ｓに設定し、ｐ+領域１２３の表面におけるキャリアの再結合速度を５×１０4ｃｍ／ｓに設定した。
【００４２】
以上の構成を有する裏面電極型太陽電池セルにおいて、裏面電極型太陽電池セルの短絡電流密度（Ｊsc）とベース幅（隣り合うｐ+領域１２３の間隔）との関係をシミュレーションにより評価した。その結果を図４に示す。
【００４３】
ここで、短絡電流密度（Ｊsc）の評価は、ｎ型シリコン基板１２１内部のキャリアライフタイムτが２．０ｍｓ、１．０ｍｓおよび０．５ｍｓであるときの隣り合うｎ型用電極１２６間のピッチを１ｍｍ、１．５ｍｍおよび２ｍｍとした場合のそれぞれについてベース幅を変化させて行なった。
【００４４】
なお、図４においては、縦軸が裏面電極型太陽電池セルの短絡電流密度（Ｊsc）を示し、横軸がベース幅（μｍ）を示している。また、図４における三角のマーク、正方形のマークおよび菱形のマークがそれぞれキャリアライフタイムτ２．０ｍｓ、１．０ｍｓおよび０．５ｍｓのときの短絡電流密度を示しており、それぞれのマークの斜線、白抜きおよび黒塗りがそれぞれの上記のピッチ１ｍｍ、１．５ｍｍおよび２ｍｍに相当している。
【００４５】
図４に示すように、キャリアライフタイムτ２．０ｍｓ、１．０ｍｓおよび０．５ｍｓの場合のいずれにおいても、裏面電極型太陽電池セルの短絡電流密度は、ベース幅の減少とともに上昇することがわかる。より具体的には、ベース幅が４００μｍ以下の場合には短絡電流密度が高くなる傾向が見られ、特に、ベース幅が２００μｍ以下の場合には短絡電流密度が高い状態で維持できることがわかった。
【００４６】
以上の結果から、裏面電極型太陽電池セルの短絡電流密度を高くして特性を向上させる観点からは、隣り合うｐ+領域１２３の間隔であるベース幅を４００μｍ以下、特に２００μｍ以下とすることが好ましいことがわかる。
【００４７】
図５の模式的平面図に、図１に示す裏面電極型太陽電池セル８の半導体基板１の裏面における第１導電型不純物拡散領域２と第２導電型不純物拡散領域３との不純物拡散パターンの一例を示す。
【００４８】
ここで、図５に示す１つの不純物拡散パターン（図５の実線部分）は、半導体基板１の裏面における帯状の第１導電型不純物拡散領域２と、第１導電型不純物拡散領域２とは所定の間隔をあけて配置された帯状の第２導電型不純物拡散領域３とから構成されており、その１つの不純物拡散パターンが図５の破線で示されているように半導体基板１の裏面の幅方向（図５の左右方向）に周期的に配列されている。なお、第１導電型不純物拡散領域２および第２導電型不純物拡散領域３はそれぞれ図５の上下方向に伸びる帯状に形成されている。
【００４９】
そして、半導体基板１の幅方向において隣り合う第２導電型不純物拡散領域３の間隔Ｐ１が４００μｍ以下に設定される。
【００５０】
これは、本発明者が、半導体基板１の裏面内において隣り合う第２導電型不純物拡散領域３の間隔を４００μｍ以下とすることによって、裏面電極型太陽電池セル８の短絡電流密度を大きくすることができることを見い出したことによるものである。
【００５１】
なお、図５に示す間隔Ｐ１は２００μｍ以下であることが好ましい。半導体基板１の裏面内において隣り合う第２導電型不純物拡散領域３の間隔を２００μｍ以下に設定することによって、裏面電極型太陽電池セル８の短絡電流密度をさらに大きくすることができる傾向にあるためである。
【００５２】
図６の模式的平面図に、図１に示す裏面電極型太陽電池セル８の半導体基板１の裏面における第１導電型不純物拡散領域２と第２導電型不純物拡散領域３との不純物拡散パターンの他の一例を示す。
【００５３】
ここで、図６に示す１つの不純物拡散パターン（図６の実線部分）は、半導体基板１の長さ方向（図６の上下方向）に伸びる帯状の第１導電型不純物拡散領域２と、第１導電型不純物拡散領域２とは所定の間隔をあけて配置された矩形状の第２導電型不純物拡散領域３とから構成されており、その１つの不純物拡散パターンが図６の破線で示されているように半導体基板１の裏面の幅方向（図６の左右方向）および長さ方向に周期的に配列されている。
【００５４】
そして、半導体基板１の幅方向において隣り合う第２導電型不純物拡散領域３の間隔Ｐ１が４００μｍ以下に設定されるとともに、半導体基板１の長さ方向において隣り合う第２導電型不純物拡散領域３の間隔Ｐ２が４００μｍ以下に設定される。
【００５５】
なお、図６に示す間隔Ｐ１および間隔Ｐ２はそれぞれ２００μｍ以下であることが好ましい。半導体基板１の裏面内において隣り合う第２導電型不純物拡散領域３の間隔を２００μｍ以下に設定することによって、裏面電極型太陽電池セル８の短絡電流密度をさらに大きくすることができる傾向にあるためである。
【００５６】
図７の模式的平面図に、図１に示す裏面電極型太陽電池セル８の半導体基板１の裏面における第１導電型不純物拡散領域２と第２導電型不純物拡散領域３との不純物拡散パターンの他の一例を示す。
【００５７】
ここで、図７に示す１つの不純物拡散パターン（図７の実線部分）は、半導体基板１の長さ方向（図７の上下方向）に伸びる帯状の第１導電型不純物拡散領域２と、第１導電型不純物拡散領域２とは所定の間隔をあけて配置された矩形状の２つの第２導電型不純物拡散領域３とから構成されており、その１つの不純物拡散パターンが図７の破線で示されているように半導体基板１の裏面の幅方向（図７の左右方向）および長さ方向に周期的に配列されている。
【００５８】
そして、ここでも、半導体基板１の幅方向において隣り合う第２導電型不純物拡散領域３の間隔Ｐ１が４００μｍ以下に設定されるとともに、半導体基板１の長さ方向において隣り合う第２導電型不純物拡散領域３の間隔Ｐ２が４００μｍ以下に設定されている。さらに、１つの不純物拡散パターン内において隣り合う第２導電型不純物拡散領域３の間隔Ｐ３も４００μｍ以下に設定される。
【００５９】
したがって、図７に示す構成においても、半導体基板１の裏面内において隣り合う第２導電型不純物拡散領域３の間隔が４００μｍ以下に設定されているため、裏面電極型太陽電池セル８の短絡電流密度を大きくすることができる。
【００６０】
また、図７に示す間隔Ｐ１、間隔Ｐ２および間隔Ｐ３はそれぞれ２００μｍ以下であることが好ましい。この場合には、裏面電極型太陽電池セル８の短絡電流密度をさらに大きくすることができる傾向にある。
【００６１】
なお、たとえば図８の模式的平面図に示すように、半導体基板１の裏面内において、第２導電型不純物拡散領域３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄが配置されている場合には、「隣り合う第２導電型不純物拡散領域の間隔」は、領域３ａ−３ｂ間では距離ａｂとなり、領域３ａ−３ｃ間では距離ａｃとなり、領域３ａ−３ｄ間では距離ａｄとなり、領域３ｂ−３ｃ間では距離ｂｃとなり、領域３ｂ−３ｄ間では距離ｂｄとなり、領域３ｃ−３ｄ間では距離ｃｄとなる。
【００６２】
ここで、図８に示す構成においては、領域３ａ−３ｄ間の距離ａｄおよび領域３ｂ−３ｃ間の距離ｂｃがそれぞれ他の距離に比べて長くなる。そこで、裏面電極型太陽電池セル８の短絡電流密度をさらに大きくする観点からは、たとえば図９の模式的平面図に示すように、第２導電型不純物拡散領域が半導体基板１の長さ方向に互い違いに配置される構成、またはたとえば図１０の模式的平面図に示すように、第２導電型不純物拡散領域が半導体基板１の幅方向に互い違いに配置される構成であることが好ましい。
【００６３】
なお、上記の「隣り合う第２導電型不純物拡散領域の間隔」は、隣り合う第２導電型不純物拡散領域の間において発生したキャリアの最も近い第２導電型不純物拡散領域までの直線距離により定めることもできる。
【００６４】
図１１に、本発明における第２導電型不純物拡散領域の配置パターンの一例の模式的な平面図を示す。ここで、たとえば、第２導電型不純物拡散領域３ａ−３ｂ間の距離ａｂがたとえば４００μｍ以下である場合には、領域３ａ−３ｂ間の距離ａｂの中点に対応する位置で発生したキャリア９の最も近い第２導電型不純物拡散領域３ａ（若しくは３ｂ）までの直線距離が２００μｍ以下となればよい。これは、領域３ａ−３ｃ間の距離ａｃの中点に対応する位置で発生したキャリア９、領域３ａ−３ｄ間の距離ａｄの中点に対応する位置で発生したキャリア９、領域３ｂ−３ｃ間では距離ｂｃの中点に対応する位置で発生したキャリア９、領域３ｂ−３ｄ間の距離ｂｄの中点に対応する位置で発生したキャリア９、または領域３ｃ−３ｄ間の距離ｃｄの中点に対応する位置で発生したキャリア９においても同様である。
【００６５】
したがって、以上のように、隣り合う第２導電型不純物拡散領域の間において発生したキャリアの最も近い第２導電型不純物拡散領域までの直線距離が２００μｍ以下となるように第２導電型不純物拡散領域を配置することによっても、裏面電極型太陽電池セルの短絡電流密度をさらに大きくすることができる。
【００６６】
また、上述したように、隣り合う第２導電型不純物拡散領域の間隔は２００μｍ以下であることが好ましいため、上記の「隣り合う第２導電型不純物拡散領域の間において発生したキャリアの最も近い第２導電型不純物拡散領域までの直線距離」は１００μｍ以下であることが好ましい。
【００６７】
また、裏面電極型太陽電池セル８の短絡電流密度をさらに大きくする観点からは、たとえば図１２の模式的平面図に示すように、第２導電型不純物拡散領域が半導体基板１の長さ方向に互い違いに配置される構成、またはたとえば図１３の模式的平面図に示すように、第２導電型不純物拡散領域が半導体基板１の幅方向に互い違いに配置される構成であることが好ましい。
【００６８】
図１２および図１３に示す構成においては、上記の「隣り合う第２導電型不純物拡散領域の間において発生したキャリアの最も近い第２導電型不純物拡散領域までの直線距離」は、第２導電型不純物拡散領域３ａ，３ｂ，３ｃから等間隔に離れた位置で発生したキャリア９の最も近い第２導電型不純物拡散領域３ａ（若しくは３ｂ若しくは３ｃ）までの直線距離、または第２導電型不純物拡散領域３ｂ，３ｃ，３ｄから等間隔に離れた位置で発生したキャリア９の最も近い第２導電型不純物拡散領域３ｂ（若しくは３ｃ若しくは３ｄ）までの直線距離となる。
【００６９】
また、本発明において、裏面電極型太陽電池セルの概念には、半導体基板の一方の表面（裏面）のみにｐ型用電極およびｎ型用電極の双方が形成された構成だけでなく、ＭＷＴ（Metal  Wrap  Through）セル（半導体基板に設けられた貫通孔に電極の一部を配置した構成の太陽電池セル）などのいわゆるバックコンタクト型太陽電池（半導体基板の受光面と反対側の裏面から電流を取り出す構造の太陽電池）も含まれる。
【００７０】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明は、太陽電池セルに利用することができる。
【符号の説明】
【００７２】
１  半導体基板、１ａ  スライスダメージ、２  第１導電型不純物拡散領域、３，３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ  第２導電型不純物拡散領域、４  パッシベーション膜、４ａ  コンタクトホール、４ｂ  コンタクトホール、５  反射防止膜、６  第１導電型用電極、７  第２導電型用電極、８  裏面電極型太陽電池セル、９  キャリア、１２１  ｎ型シリコン基板、１２２  ｎ+領域、１２３  ｐ+領域、１２４  パッシベーション膜、１２５  反射防止膜、１２６  ｎ型用電極、１２７  ｐ型用電極、１６１  ｎ型シリコン基板、１６２  ｎ型ドーピング領域、１６３  ｐ型ドーピング領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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