【事件の表示】
　特願２０１２−５３９７４０「パターン形成方法及び感放射線性組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　４月２６日国際公開、ＷＯ２０１２／０５３５２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１１年１０月１８日（優先権主張平成２２年１０月２２日）を国際出願日とする出願であって、平成２７年２月２４日付けで拒絶の理由が通知され、同年４月２１日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年８月１７日付けで拒絶の理由が通知され、同年１０月２３日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２８年３月１５日付けで平成２７年１０月２３日付け手続補正書でした補正が却下されるとともに拒絶査定（以下「原査定」という。）がなされ、これに対して、同年６月２１日付けで拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２８年６月２１日付け手続補正についての補正の却下の決定
〔補正の却下の決定の結論〕
　平成２８年６月２１日付け手続補正を却下する。
　
〔理由〕
１　本件補正の内容
（１）平成２８年６月２１日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするものであって、願書に最初に添付された特許請求の範囲（以下「当初特許請求の範囲」といい、同じく、願書に最初に添付された明細書を「当初明細書」という。）における本件補正前の請求項７に、
「（１）感放射線性組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、
　（２）上記レジスト膜を露光する工程、及び
　（３）上記露光されたレジスト膜を現像する工程
を含むパターン形成方法に用いられる感放射線性組成物であって、
　［Ａ］酸解離性基を有する構造単位を含む重合
体、
　［Ｂ］感放射線性酸発生体、及び
　［Ｃ］下記式（２）で表される化合物であって、露光により発生する酸が、露光により［Ｂ］感放射線性酸発生体から発生する酸より相対的に弱い化合物（但し、重合体を除く。）
を含有することを特徴とする感放射線性組成
物。
　【化３】
（式（２）中、Ｒ１は、水素原子又は１価の有機基である。
　Ａ−は、−ＣＯＯ−、−Ｏ−又は−ＳＯ３−である。但し、Ａ−が、−ＳＯ３−の場合、−ＳＯ３−がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合する場合はな
い。
　Ｘ＋は、オニウムカチオンである。
）
　
「（１）感放射線性組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、
　（２）上記レジスト膜を露光する工程、及び
　（３）上記露光されたレジスト膜を現像する工程
を含むパターン形成方法に用いられる感放射線性組成物であって、
　［Ａ］酸解離性基を有する構造単位を含む重合
体（但し、酸の作用により親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、−ＳＯ
２
−含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位とを有する樹脂成分、及び酸の作用によりアルコール性水酸基を生じて親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する樹脂成分を除く）、
　［Ｂ］感放射線性酸発生体、及び
　［Ｃ］下記式（２）で表される化合物であって、露光により発生する酸が、露光により［Ｂ］感放射線性酸発生体から発生する酸より相対的に弱い化合物（但し、重合体を除く。）
を含有することを特徴とする感放射線性組成
物（但し、下記（ｉ）〜（ｖ）を除く）。
　【化５】
（式（２）中、Ｒ１は、水素原子又は１価の有機基である。
　Ａ−は、−ＣＯＯ−、−Ｏ−又は−ＳＯ３−である。但し、Ａ−が、−ＳＯ３−の場合、−ＳＯ３−がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合する場合はな
く、かつＲ
１
は、水素原子の一部若しくは全部が置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である。
　Ｘ＋は、オニウムカチオンである。
）
　
（ｉ）酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含んだ樹脂と、活性光線又は放射線の作用によりｐＫａ≧−１．５の酸を発生する化合物とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　（ｉｉ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸を発生する少なくとも１種の化合物と、溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物。
　
【化６】
（上記一般式（Ｉ）中、Ｘ
１
、Ｘ
２
は、それぞれ独立して、フッ素原子、又はフルオロアルキル基を表す。
　Ｒ
１
、Ｒ
２
は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、又は、環状構造を有する基を表す。Ｒ
１
とＲ
２
は互いに結合して環を形成していてもよい。但し、Ｒ
１
とＲ
２
は同時に水素原子を表さない。
　Ｌは、２価の連結基を表す。Ｌが複数存在する場合、複数のＬは同じであっても異なっていてもよい。ｍは、０以上の整数を表す。）
　
（ｉｉｉ）酸の作用により、有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物、及び活性光線又は放射線の作用により塩基性が低下する、塩基性官能基と活性光線若しくは放射線の作用により酸性官能基を発生する基とを有する塩基性化合物を含有するレジスト組成物。
　
（ｉｖ）実質的にアルカリ不溶性である樹脂、活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物、架橋剤、及び溶剤を含有するレジスト組成物。
　（ｖ）下記構造式（Ａ）−２０’で表される共重合体と、下記構造式（Ｂ）−２で表される化合物と、下記構造式（Ｂ）−３で表される化合物とを含有するレジスト組成物。
　
【化７】
」とする補正を含むものである（下線は当審で付した。以下同様。）。
　
（２）本件補正後の請求項７に係る上記（１）の補正は、次のアないしウの補正からなるものである。
　ア　本件補正前の請求項７に係る発明を特定するために必要な事項である「［Ａ］酸解離性基を有する構造単位を含む重合体」を「［Ａ］酸解離性基を有する構造単位を含む重合体（但し、酸の作用により親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、−ＳＯ２−含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位とを有する樹脂成分、及び酸の作用によりアルコール性水酸基を生じて親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する樹脂成分を除く）」とする補正。
　イ　本件補正前の請求項７に係る発明を特定するために必要な事項である「感放射線性組成物」を「感放射線性組成物（但し、下記（ｉ）〜（ｖ）を除く）」「（ｉ）酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含んだ樹脂と、活性光線又は放射線の作用によりｐＫａ≧−１．５の酸を発生する化合物とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　（ｉｉ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸を発生する少なくとも１種の化合物と、溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物。
　【化６】　
（上記一般式（Ｉ）中、Ｘ１、Ｘ２は、それぞれ独立して、フッ素原子、又はフルオロアルキル基を表す。
　Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、又は、環状構造を有する基を表す。Ｒ１とＲ２は互いに結合して環を形成していてもよい。但し、Ｒ１とＲ２は同時に水素原子を表さない。
　Ｌは、２価の連結基を表す。Ｌが複数存在する場合、複数のＬは同じであっても異なっていてもよい。ｍは、０以上の整数を表す。）
　（ｉｉｉ）酸の作用により、有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物、及び活性光線又は放射線の作用により塩基性が低下する、塩基性官能基と活性光線若しくは放射線の作用により酸性官能基を発生する基とを有する塩基性化合物を含有するレジスト組成物。
　（ｉｖ）実質的にアルカリ不溶性である樹脂、活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物、架橋剤、及び溶剤を含有するレジスト組成物。
　（ｖ）下記構造式（Ａ）−２０’で表される共重合体と、下記構造式（Ｂ）−２で表される化合物と、下記構造式（Ｂ）−３で表される化合物とを含有するレジスト組成物。
　【化７】　
」とする補正。
　ウ　本件補正前の請求項７に係る発明を特定するために必要な事項である「【化３】
（式（２）中、Ｒ１は、水素原子又は１価の有機基である。
　Ａ−は、−ＣＯＯ−、−Ｏ−又は−ＳＯ３−である。但し、Ａ−が、−ＳＯ３−の場合、−ＳＯ３−がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合する場合はない。
　Ｘ＋は、オニウムカチオンである。）」を
「【化５】
（式（２）中、Ｒ１は、水素原子又は１価の有機基である。
　Ａ−は、−ＣＯＯ−、−Ｏ−又は−ＳＯ３−である。但し、Ａ−が、−ＳＯ３−の場合、−ＳＯ３−がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合する場合はなく、かつＲ１は、水素原子の一部若しくは全部が置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である。
　Ｘ＋は、オニウムカチオンである。）」とする補正。
２　本件補正の目的
（１）上記１（２）アの補正は、本件補正前の請求項７に係る発明を特定するために必要な事項である「［Ａ］酸解離性基を有する構造単位を含む重合体」を、平成２８年３月１５日付け補正の却下の決定で引用された出願１４（特願２０１０−１４６２８４号）及び出願１７（特願２０１０−１９６０５２号）の明細書に記載の特定の重合体を除いたものに限定するものである。
　
（２）上記１（２）イの補正は、本件補正前の請求項７に係る発明を特定するために必要な事項である「感放射線性組成物」を、原査定の拒絶の理由で引用された出願７（特願２０１０−７２８４０号）及び出願８（特願２０１０−６７０７６号）、平成２８年３月１５日付け補正の却下の決定で引用された出願１５（特願２００９−１４４７１１号）、出願１６（特願２００９−２３２７０６号）及び出願１７（特願２０１０−１９６０５２号）の明細書に記載の特定の感放射線性組成物を除いたものに限定するものである。
　
（３）上記１（２）ウの補正は、本件補正前の請求項７に係る発明を特定するために必要な事項である「［Ｃ］下記式（２）で表される化合物」の「式（２）」について、願書に最初に添付された明細書の【００９９】の記載に基づいて、「Ｒ１は、水素原子の一部若しくは全部が置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である」と限定するものである。
（４）上記（１）ないし（３）からみて、本件補正後の請求項７は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。また、本件補正は、本件補正前の請求項７に係る発明を特定するために必要な事項を限定するものであって、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が補正の前後において同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そうすると、本件補正後の請求項７は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。また、本件補正は、本件補正前の請求項７に係る発明を特定するために必要な事項を限定するものであって、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が補正の前後において同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項７に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか。以下「独立特許要件」という。）について以下検討する。
　
３　先願
　平成２８年３月１５日付け補正の却下の決定で出願１３として引用され、本件の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前の優先日（平成２２年７月８日）を有する特許出願であって、本件の出願後に出願公開がされた特願２０１１−１４５５４４号（特開２０１２−３２８０７号公報）（出願日：平成２３年６月３０日、出願人：信越化学工業株式会社、発明者：畠山潤）（以下「先願」という。）の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「先願明細書等」という。）には、次の事項が図とともに記載されている。
（１）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、露光後、酸と熱によって脱保護反応を行い、特定の有機溶剤による現像によって未露光部分を溶解させ、露光部が溶解しないネガティブパターンを得るためのパターン形成方法に関する。
　・・・略・・・
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
　有機溶剤によるネガティブ現像を行うためには、溶解コントラストが高く、安全性が高い最適な現像液を開発することが要求される。
　本発明は、かかる要求に応えたもので、有機溶剤によるネガティブトーン現像を行うための最適な現像液とレジスト組成物を組み合わせたパターン形成方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
　前述の有機溶剤現像液として、溶解コントラストの観点からは酢酸ブチルが好ましい。しかしながら酢酸ブチルの引火点は２８℃と低いために、これをコーターデベロッパーで安全に使用するためには防爆装置が必要となり、装置のコストアップにつながる。引火点が４０℃以上で酢酸ブチルと同等あるいはそれ以上の溶解コントラストを供することができる有機溶剤現像液が求められている。
【００２１】
　酢酸ブチルよりも炭素数が多い酢酸アミルでは引火点が４５℃であり、安全性の観点から好ましいが、未露光部の溶解速度が低下する。酢酸ブチルと同じ炭素数の蟻酸アミルは同程度の溶解コントラストを得ることができるが引火点が２５℃であり、酢酸ブチルより
も更に引火性が増す。エステル系溶剤で酢酸ブチルよりも炭素数が少ない溶剤では引火点が更に下がり、また溶解性が高すぎて現像後のレジストパターンの露光部分の残膜が低下する。
【００２２】
　また、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテル等のエチレングリコール、プロピレングリコールのヒドロキシ基置換体及び乳酸エチル、シクロヘキサノン等は単独でレジスト溶剤として用いられるぐらいに溶解性が高いために現像後のレジストパターンが残らない。アルコール系溶剤はトップコート用の溶剤に用いられるぐらいレジスト膜の溶解性が低く、現像後の未露光部のスペースパターンが溶解しない。
　引火点が４０℃以上で溶解コントラストが高い現像液の開発が望まれている。
【００２３】
　本発明者は、鋭意検討を行った結果、ベース樹脂として酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位と、ラクトン環を有する繰り返し単位の両方を含有する（メタ）アクリレート共重合体を用いると共に、現像液として安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、３−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸２−フェニルエチルから選ばれる溶剤１種以上を４０質量％以上含有する溶液を用いることにより、ネガティブトーンのパターンを安全性を持って形成でき、また特に溶解コントラストの高いパターン形成が可能で、微細なホールパターンを有利に形成し得ることを知見した。
　・・・略・・・
【００２９】
　本発明のパターン形成方法に用いるフォトレジスト組成物のベースポリマーに用いられるラクトンを有する密着性基としては、単環構造のものを用いることができるが、酸拡散制御の観点からは有橋環式構造を有していることが好ましい。
【００３０】
　
酸不安定基を有する（メタ）アクリレートと特定の有橋環式のラクトンを密着性基として有する（メタ）アクリレートの共重合体の繰り返し単位としては、下記一般式（１）中の繰り返し単位ａ及びｂが示される
【化１】
（式中、Ｒ1、Ｒ3は水素原子又はメチル基を示すが、互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ2は酸不安定基である。Ｘ、Ｙは単結合又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ9−であり、Ｒ9は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、該アルキレン基はエーテル基、エステル基、ラクトン環又はヒドロキシ基を有していてもよく、あるいはナフチレン基である。Ｒ4、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8は水素原子、又は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、トリフルオロメチル基、又はシアノ基、Ｒ5は水素原子、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、カルボキシル基、フッ素原子等で置換された又は非置換の炭素数１〜１２のアルコキシカルボニル基、又はシアノ基であり、Ｚはメチレン基、酸素原子又は硫黄原子である。ａ、ｂは０＜ａ＜１．０、０＜ｂ＜１．０、０＜ａ＋ｂ≦１．０の範囲である。）
　・・・略・・・
【００５７】
　特に、Ｒ2で示される酸不安定基として、下記式（ＡＬ−１２）−１９に示されるエキソ体構造を有するものが好ましい。
【化１４】
（式中、Ｒ69は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数６〜２０の置換されていてもよいアリール基を示す。Ｒ70〜Ｒ75及びＲ78、Ｒ79はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜１５のヘテロ原子を含んでもよいアルキル基等の１価炭化水素基を示し、Ｒ76、Ｒ77は水素原子を示す。あるいは、Ｒ70とＲ71、Ｒ72とＲ74、Ｒ72とＲ75、Ｒ73とＲ75、Ｒ73とＲ79、Ｒ74とＲ78、Ｒ76とＲ77、又はＲ77とＲ78は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環（特に脂環）を形成してもよく、その場合には環の形成に関与するものは炭素数１〜１５のヘテロ原子を含んでもよいアルキレン基等の２価炭化水素基を示す。またＲ70とＲ79、Ｒ76とＲ79、又はＲ72とＲ74は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい。また、本式により、鏡像体も表す。）
【００５８】
　ここで、一般式（ＡＬ−１２）−１９に示すエキソ体構造を有する下記繰り返し単位
【化１５】
を得るためのエステル体のモノマーとしては、特開２０００−３２７６３３号公報に示されている。具体的には下記に示すものを挙げることができるが、これらに限定されることはない。なお、Ｒ1は上記の通りである。
【００５９】
【化１６】・・・
・・・」
（２）「【実施例】
【０１１５】
　以下、合成例、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例等に制限されるものではない。なお、重量平均分子量（Ｍｗ）はＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量を示す。
【０１１６】
　［合成例］
　レジスト組成物に用いる高分子化合物として、各々のモノマーを組み合わせてテトラヒドロフラン溶剤下で共重合反応を行い、メタノールに晶出し、更にヘキサンで洗浄を繰り返した後に単離、乾燥して、以下に示す組成の高分子化合物（ポリマー１〜１６及び比較ポリマー１，２）を得た。得られた高分子化合物の組成は1Ｈ−ＮＭＲ、分子量及び分散度はゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより確認した。」
　・・・略・・・
【０１１８】
レジストポリマー２
　分子量（Ｍｗ）＝８，３００
　分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．７５
【化３６】
　・・・略・・・
【０１３５】
ポジ型レジスト組成物の調製
　高分子化合物（レジストポリマー）を用いて、下記表１に示す組成で溶剤に対して住友スリーエム（株）製フッ素系界面活性剤ＦＣ−４４３０が１００ｐｐｍ溶解した溶液を０．２μｍのテフロン（登録商標）フィルターで濾過した溶液を調製した。
【０１３６】
　下記表中の各組成は次の通りである。
酸発生剤：ＰＡＧ
２
【化５３】
・・・
撥水性ポリマー１
　分子量（Ｍｗ）＝９，１００
　分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．８３
【化５４】
　・・・略・・・
【０１３８】
塩基性化合物：Ｑｕｅｎｃｈｅｒ
【化５６】・・・
・・・
有機溶剤：ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）
　
ＣｙＨ（シクロヘキサノン）
　
（３）「【０１４３】
ＡｒＦ露光パターニング評価（２）
　
下記表３に示す組成で調製したレジスト組成物を
基板上にスピンコーティングし、
レジスト膜の厚みを１００ｎｍにし
露光を行い、露光後、表４に示される温度で６０秒間ベーク（ＰＥＢ）し、現像ノズルから表４に示す現像液を３秒間３０ｒｐｍで回転させながら吐出させ、その後、静止パドル現像を２７秒間行い
【０１４４】
　溶剤現像のイメージ反転されたホールパターン５０箇所の寸法を（株）日立ハイテクノロジーズ製ＴＤＳＥＭ（Ｓ−９３８０）で測定し、３σの寸法バラツキを求めた。結果を表４に示す。
【０１４５】
【表３】
【０１４６】
【表４】
」
（４）表４（上記（３））の記載から、実施例２−２７のＡｒＦ露光パターニングにおいて、レジスト組成物としてレジスト２−１５を用いていることが読み取れる。また、表３（上記（３））の記載からみて、レジスト２−１５は、ポリマーとして
ポリマー２
酸発生剤としてＰＡＧ２及び塩基性化合物としてQuencher4を含有
（５）上記（１）ないし（４）からみて、先願明細書等には、実施例２−２７として、以下の発明が記載されている。
　「レジスト組成物を基板上にスピンコーティングし、レジスト膜の厚みを１００ｎｍにし、露光を行い、露光後、現像ノズルから現像液として安息香酸メチルを３秒間３０ｒｐｍで回転させながら吐出させ、その後、静止パドル現像を２７秒間行う、ＡｒＦ露光パターニングをするために用いられる、レジスト組成物であって、
　ポリマー２
、
　酸発生剤
、
　及び
　塩基性化合物
　を含有する、
　レジスト組成物。」（以下「先願発明」という。）
（６）なお、上記（５）で先願発明として認定した事項は、先願の優先権主張の基礎となる特願２０１０−１５５６８２号（出願日：平成２２年７月８日）の【０１１７】（レジストポリマー２）、【０１３０】（酸発生剤ＰＡＧ２）、【０１３２】（塩基性化合物であるＱｕｅｎｃｈｅｒ４）、【０１３７】（ＡｒＦ露光パターニングの工程）、【０１３９】（レジスト２−１５）及び【０１４０】（実施例２−２７）にも記載されている。
　
４　対比
　本願補正発明と先願発明とを対比する。
（１）先願発明の「ポリマー２」は、左端の構成単位が酸不安定基を有する（メタ）アクリレートを由来とするものであり、該酸不安定基は「酸解離性基」であることが技術常識である。また、先願発明の「ポリマー２」は、−ＳＯ２−含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を含むものではないから、「酸の作用により親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、−ＳＯ２−含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位とを有する樹脂成分、及び酸の作用によりアルコール性水酸基を生じて親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する樹脂成分」ではない。そうすると、先願発明の「ポリマー２」は、本願補正発明の「［Ａ］酸解離性基を有する構造単位を含む重合体（但し、酸の作用により親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、−ＳＯ２−含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位とを有する樹脂成分、及び酸の作用によりアルコール性水酸基を生じて親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する樹脂成分を除く）」に相当する。
（２）先願発明の「酸発生剤」は、技術常識からみて、本願補正発明の「［Ｂ］感放射線性酸発生体」に相当することは明らかである。
（３）先願発明の「塩基性化合物」は、本願補正発明の式（２）で表される化合物の要件を満たす。そして、先願発明において、「塩基性化合物」と「酸発生剤」とを比較すると、露光により発生する酸が相対的に弱い化合物が前者であることは、技術的にみて明らかである。すなわち、先願発明において、「酸発生剤」は、アニオンについて「−ＣＦ２ＳＯ３−」で表される構造を含むのに対し、「塩基性化合物」は、アニオンについて「−ＣＨ２ＳＯ３−」で表される構造を含むものである。してみると、先願発明の「塩基性化合物」は、本願補正発明の式（２）で表される化合物における、「露光により発生する酸が、露光により［Ｂ］感放射線性酸発生体から発生する酸より相対的に弱い化合物」の要件を満たす。そして、「塩基性化合物」の「Quencher4」は、右方のアニオンが水素原子の一部若しくは全部が置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基と−ＳＯ３−とが結合されており、該−ＳＯ３−がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合していないものであり、左方のカチオンがオニウムカチオンである。してみると、先願発明の「塩基性化合物」は、本願補正発明の「［Ｃ］下記式（２）で表される化合物であって、露光により発生する酸が、露光により［Ｂ］感放射線性酸発生体から発生する酸より相対的に弱い化合物（但し、重合体を除く。）」
「【化５】
（式（２）中、Ｒ１は、水素原子又は１価の有機基である。
　Ａ−は、−ＣＯＯ−、−Ｏ−又は−ＳＯ３−である。但し、Ａ−が、−ＳＯ３−の場合、−ＳＯ３−がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合する場合はなく、かつＲ１は、水素原子の一部若しくは全部が置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である。
　Ｘ＋は、オニウムカチオンである。）」に相当する。
（４）上記（１）ないし（３）からみて、先願発明の「レジスト組成物」は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含んだ樹脂、下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸を発生する少なくとも１種の化合物、塩基性官能基を有する塩基性化合物又は架橋剤を含むレジスト組成物、若しくは、下記構造式（Ａ）−２０’で表される共重合体と、下記構造式（Ｂ）−２で表される化合物と、下記構造式（Ｂ）−３で表される化合物を含むレジスト組成物ではないから、本願補正発明の「（ｉ）〜（ｖ）」のいずれにも該当しない。
　してみると、先願発明の「レジスト組成物」は、本願補正発明の「下記（ｉ）〜（ｖ）を除」いたものである。
　「（ｉ）酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含んだ樹脂と、活性光線又は放射線の作用によりｐＫａ≧−１．５の酸を発生する化合物とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　（ｉｉ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸を発生する少なくとも１種の化合物と、溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物。
　【化６】　
（上記一般式（Ｉ）中、Ｘ１、Ｘ２は、それぞれ独立して、フッ素原子、又はフルオロアルキル基を表す。
　Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、又は、環状構造を有する基を表す。Ｒ１とＲ２は互いに結合して環を形成していてもよい。但し、Ｒ１とＲ２は同時に水素原子を表さない。
　Ｌは、２価の連結基を表す。Ｌが複数存在する場合、複数のＬは同じであっても異なっていてもよい。ｍは、０以上の整数を表す。）
　（ｉｉｉ）酸の作用により、有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物、及び活性光線又は放射線の作用により塩基性が低下する、塩基性官能基と活性光線若しくは放射線の作用により酸性官能基を発生する基とを有する塩基性化合物を含有するレジスト組成物。
　（ｉｖ）実質的にアルカリ不溶性である樹脂、活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物、架橋剤、及び溶剤を含有するレジスト組成物。
　（ｖ）下記構造式（Ａ）−２０’で表される共重合体と、下記構造式（Ｂ）−２で表される化合物と、下記構造式（Ｂ）−３で表される化合物とを含有するレジスト組成物。
　【化７】　
」
（５）先願発明の「レジスト組成物」、「基板」、「レジスト膜」、「露光」、「静止パドル現像」及び「ＡｒＦ露光パターニング」は、それぞれ本願補正発明の「感放射線性組成物」、「基板」、「レジスト膜」、「露光」、「現像」及び「パターン形成」に相当する。
（６）先願発明は、「レジスト組成物」（本願補正発明の「感放射線性組成物」に相当。以下「」に続く（）内の用語は対応する本願補正発明の用語を表す。）を「基板」（基板）上にスピンコーティングし、「レジスト膜」（レジスト膜）の厚みを１００ｎｍになるようにしているから、先願発明は、本願補正発明の「（１）感放射線性組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程」を含む。
（７）先願発明は、「レジスト膜」（レジスト膜）を形成後、「露光」を行っているから、本願補正発明の「（２）上記レジスト膜を露光する工程」を含む。
（８）先願発明は、「レジスト膜」（レジスト膜）を「露光」（露光）後、「静止パドル現像」（現像）を行っているから、本願補正発明の「（３）上記露光されたレジスト膜を現像する工程」を含む。
（９）先願発明は、「ＡｒＦ露光パターニング」（パターン形成）をするのであるから、「ＡｒＦ露光パターニング」の方法であり、「レジスト組成物」（レジスト組成物）は前記方法に用いられるものであることは明らかである。してみると、上記（５）ないし（８）からみて、先願発明は、本願補正発明の「（１）感放射線性組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程」「（２）上記レジスト膜を露光する工程」及び「（３）上記露光されたレジスト膜を現像する工程」「を含むパターン形成方法に用いられる感放射線性組成物」との構成を具備する。
（１０）上記（１）ないし（９）からみて、本願補正発明と先願発明とは、
「（１）感放射線性組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、
　（２）上記レジスト膜を露光する工程、及び
　（３）上記露光されたレジスト膜を現像する工程
を含むパターン形成方法に用いられる感放射線性組成物であって、
　［Ａ］酸解離性基を有する構造単位を含む重合体（但し、酸の作用により親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、−ＳＯ２−含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位とを有する樹脂成分、及び酸の作用によりアルコール性水酸基を生じて親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する樹脂成分を除く）、
　［Ｂ］感放射線性酸発生体、及び
　［Ｃ］下記式（２）で表される化合物であって、露光により発生する酸が、露光により［Ｂ］感放射線性酸発生体から発生する酸より相対的に弱い化合物（但し、重合体を除く。）
を含有する感放射線性組成物（但し、下記（ｉ）〜（ｖ）を除く）。
　【化５】
（式（２）中、Ｒ１は、水素原子又は１価の有機基である。
　Ａ−は、−ＣＯＯ−、−Ｏ−又は−ＳＯ３−である。但し、Ａ−が、−ＳＯ３−の場合、−ＳＯ３−がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合する場合はなく、かつＲ１は、水素原子の一部若しくは全部が置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である。
　Ｘ＋は、オニウムカチオンである。）
　（ｉ）酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含んだ樹脂と、活性光線又は放射線の作用によりｐＫａ≧−１．５の酸を発生する化合物とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
　（ｉｉ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸を発生する少なくとも１種の化合物と、溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物。
　【化６】　
（上記一般式（Ｉ）中、Ｘ１、Ｘ２は、それぞれ独立して、フッ素原子、又はフルオロアルキル基を表す。
　Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、又は、環状構造を有する基を表す。Ｒ１とＲ２は互いに結合して環を形成していてもよい。但し、Ｒ１とＲ２は同時に水素原子を表さない。
　Ｌは、２価の連結基を表す。Ｌが複数存在する場合、複数のＬは同じであっても異なっていてもよい。ｍは、０以上の整数を表す。）
　（ｉｉｉ）酸の作用により、有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物、及び活性光線又は放射線の作用により塩基性が低下する、塩基性官能基と活性光線若しくは放射線の作用により酸性官能基を発生する基とを有する塩基性化合物を含有するレジスト組成物。
　（ｉｖ）実質的にアルカリ不溶性である樹脂、活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物、架橋剤、及び溶剤を含有するレジスト組成物。
　（ｖ）下記構造式（Ａ）−２０’で表される共重合体と、下記構造式（Ｂ）−２で表される化合物と、下記構造式（Ｂ）−３で表される化合物とを含有するレジスト組成物。
　【化７】　
」である点で一致し、相違するところはない。
　したがって、本願補正発明は先願発明と同一の発明であり、本願補正発明は、先願明細書等に記載された発明である。
　また、本件出願の発明者が先願の発明者と同一ではなく、また本件の出願の時において、本件の出願人が先願の出願人とも同一でもない。
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、当業者が先願明細書等に記載された発明であり、本願補正発明は、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
４　小括
　以上のとおり、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものである。
　したがって、本件補正は、同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項７に係る発明は、平成２７年４月２１日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項７に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項７に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２〔理由〕１（１）に本件補正前の請求項７として記載したとおりのものである。
　
２　原査定の理由の概略
（新規性）この出願の平成２７年４月２１日付け手続補正書により補正された請求項１〜３、５〜７に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　引用文献６．特開２０１０−１３９９９６号公報
　
３　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用文献６として引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０１０−１３９９９６号公報（以下「引用例」という。）には、次の事項が図とともに記載されている。
　
（１）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにはその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程に使用される、ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法に関するものである。特に、波長が３００ｎｍ以下の遠紫外線光を光源とするＡｒＦ露光装置及び液浸式投影露光装置で露光するために好適な、ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）用レジスト以降、光吸収による感度低下を補うためにレジストの画像形成方法として化学増幅という画像形成方法が用いられている。ポジ型の化学増幅の画像形成方法を例に挙げ説明すると、露光で露光部の酸発生剤が分解し酸を生成させ、露光後のベーク（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）でその発生酸を反応触媒として利用してアルカリ不溶の基をアルカリ可溶基に変化させ、アルカリ現像により露光部を除去する画像形成方法である。
【０００３】
　半導体素子の微細化に伴い露光光源の短波長化と投影レンズの高開口数（高ＮＡ）化が進み、現在では１９３ｎｍ波長を有するＡｒＦエキシマレーザーを光源とする露光機が開発されている。これらは一般によく知れている様に次式で表すことができる。
　（解像力）＝ｋ1・（λ／ＮＡ）
　（焦点深度）＝±ｋ2・λ／ＮＡ2
　ここでλは露光光源の波長、ＮＡは投影レンズの開口数、ｋ1及びｋ2はプロセスに関係する係数である。
【０００４】
　解像力を高める技術として、従来から投影レンズと試料の間に高屈折率の液体（以下、「液浸液」ともいう）で満たす、所謂、液浸法が提唱されている。
　この「液浸の効果」はλ0を露光光の空気中での波長とし、ｎを空気に対する液浸液の屈折率、θを光線の収束半角としＮＡ0＝sinθとすると、液浸した場合、前述の解像力及び焦点深度は次式で表すことができる。
　（解像力）＝ｋ1・（λ0／ｎ）／ＮＡ0
　（焦点深度）＝±ｋ2・（λ0／ｎ）／ＮＡ02
　すなわち、液浸の効果は波長が１／ｎの露光波長を使用するのと等価である。言い換えれば、同じＮＡの投影光学系の場合、液浸により、焦点深度をｎ倍にすることができる。これは、あらゆるパターン形状に対して有効であり、更に、現在検討されている位相シフト法、変形照明法などの超解像技術と組み合わせることが可能である。
【０００５】
　更に解像力を高める技術として、２重露光技術（ＤｏｕｂｌｅＥｘｐｏｓｕｒｅＴｅｃｈｎｏｇｙ）や２重パターニング技術（ＤｏｕｂｌｅＰａｔｔｅｒｎｉｎｇＴｅｃｈｎｏｇｙ）が提唱されている。これは、前述の解像力の式において、ｋ1を小さくすることであり、解像力を高める技術として位置付けられている。
【０００６】
　従来、半導体素子等の電子デバイスのパターン形成は、形成したいパターンサイズを４−５倍に拡大したマスク又はレチクルのパターンを、縮小投影露光装置を用いて、ウェハ等の被露光物体に縮小転写していた。
　ところが、寸法の微細化に伴い、従来の露光方式では、近接するパターンに照射された光が相互に干渉し光学コントラストが減じてしまう、という問題点が生じるので、これらの技術では、露光マスクのデザインを２つ以上に分割し、それぞれのマスクを独立に露光し、イメージを合成する、という工夫を行っている。これらの２重露光方式では、露光マスクのデザインを分割し、そのデザインを被露光物体（ウエハー）上、再度イメージの合成をする必要があり、レチクル上のパターンが、被露光物体上に忠実に再現するようにマスクのデザインの分割を工夫する必要がある。
　これらの２重露光方式の効果を半導体素子の微細画像パターンの転写に検討した例が、特許文献１等にて紹介されている。
【０００７】
　しかしながら、従来のレジスト組成物を、単純に従来のレジストプロセスに適用しパターン形成を行うのでは、これらの２重露光方式においてはレジストの解像限界付近でパターン形成を行う必要があるため、十分な露光マージンや焦点深度が得られない、という点が問題になる。
【０００８】
　現在、g線、ｉ線、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＥＢ、ＥＵＶリソグラフィー用の現像液としては、種々のものが提案されているが、2.38質量%TMAH（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）の水系アルカリ現像液が汎用的に用いられている。
　しかしながら、性能が総合的に良好なパターンを形成することが望ましいのはもちろんであるが、そのために必要な、レジスト組成物、現像液、リンス液等の適切な組み合わせを見い出すことが極めて困難であるのが実情であり、改良が求められていた。特に、レジストの解像線幅が微細化するにつれて、ラインパターンのラインエッジラフネス性能の改良やパターン寸法の面内均一性の改良が求められていた。
【０００９】
　また、従来のレジスト組成物及び現像液の組み合わせでは、特定のレジスト組成物を、高極性のアルカリ現像液もしくは、低極性の有機溶剤を含む現像液と組み合わせ、パターンを形成するシステムを供しているにすぎない。即ち、図１に示すように、ポジ型システム（レジスト組成物とポジ型現像液の組み合わせ）においては、光学像の空間周波数のうち、光照射強度の強い領域を選択的に溶解・除去し、パターン形成を行う材料が提供されているにすぎない。反対に、ネガ型システム（レジスト組成物とネガ型現像液）の組み合わせにおいては、光照射強度の弱い領域を選択的に溶解・除去し、パターン形成を行う材料システムが提供されているにすぎない。
　ここで、ポジ型現像液とは、図１に実線で表した所定の閾値以上の露光部を選択的に溶解・除去させる現像液であり、ネガ型現像液とは、該所定の閾値以下の露光部を選択的に溶解・除去させる現像液のことである。ポジ型現像液を用いた現像工程のことをポジ型現像（ポジ型現像工程ともいう）と呼び、ネガ型現像液を用いた現像工程のことをネガ型現像（ネガ型現像工程ともいう）と呼ぶ。
【００１０】
　一方、解像力を高める２重パターニング技術としての２重現像技術が特許文献２に記載されている。この例では、一般的な化学増幅の画像形成方法を利用しており、露光によってレジスト組成物中の樹脂の極性が、光強度の高い領域では高極性に、光強度の低い領域では低極性になることを利用して、特定のレジスト膜の高露光領域を高極性の現像液に溶解させポジ型現像を行い、低露光領域を低極性の現像液に溶解させてネガ型現像を行っている。具体的には、図２に示すように照射光１の露光量Ｅ２以上の領域をアルカリ水溶液をポジ型現像液として用いて溶解させ、露光量Ｅ１以下の領域を特定の有機溶剤をネガ型現像液として用いて溶解させている。これにより、図２に示すように、中間露光量（Ｅ２−Ｅ１）の領域が現像されずに残り、露光用マスク２の半ピッチを有するＬ／Ｓのパターン３をウェハ４上に形成している。
　しかしながら、レジスト組成物とネガ型の現像液の最適な組み合わせを選択するのは非常に困難で、上述の例に於いては、ネガ型現像液を使用した際の現像性が悪化してしまうという問題があった。
　さらに、２重現像により微細パターンを形成する際には、単にネガ型現像液あるいはポジ型現像液を単独で用いた際の解像力が良いだけでは不十分で、ネガ型現像液及びポジ型現像液のいずれに対しても、良好なパターン解像性を示すことが求められていた。
【００１１】
　上記の問題点を鑑み、２重現像技術において、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少するポジ型レジスト組成物を使用するパターン形成方法が特許文献３で提案されている。この技術によれば、高精度な微細パターンが安定的に得られるとされている。
　しかしながら、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れることにより、より高精度な微細パターンが安定的に得られることが求められている。
　・・・略・・・
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
　本発明は、上記課題を解決し、高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的としている。」
（２）「【００９５】
　好ましい
酸分解性基を有する繰り返し単位
【００９６】
【化１５】・・・
・・・」
（３）「【実施例】
【０３７７】
　以下、実施例により本発明を説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。
　・・・略・・・
【０３８２】【化７４】・・・
　・・・略・・・
【０３９６】
　合成例２（化合物（ＰＡＧ−１）の合成）
　化合物（ＰＡＧ−１）は、特開２００７−１６１７０７号公報の［０１０８］〜［０１１０］に準じて合成した。
【０３９７】
　化合物（ＰＡＧ−２）〜（ＰＡＧ−６），（ＰＡＧ−８）〜（ＰＡＧ−９）も同様の手法に準じて合成した。なお、化合物（ＰＡＧ−７）は、ＣＧＩ＊１９０７（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製）を使用した。
【０３９８】
　以下、化合物（ＰＡＧ−１）〜（ＰＡＧ−９）の構造を示す。
【０３９９】
【化８６】
　・・・略・・・
　・・・略・・・
　・・・略・・・
【０４００】
　＜レジスト組成物の調製＞
　
下記表３及び表４に示す成分を表３及び表４に示す溶剤に溶解させ、固形分濃度４質量％の溶液を調製し、それぞれを０．０３μｍのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過してレジスト組成物Ａｒ−１〜Ａｒ−７４，Ａｒ−１Ｒ及びＡｒ−２Ｒを調製した
【０４０１】
【表３】
【０４０２】
　・・・略・・・
【０４０３】
　表３及び表４における略号は、次の通りである。
【０４０４】
　Ｂ−１〜Ｂ−８：各々下記化合物を示す。
【０４０５】
【化８７】・・・略・・・
【０４０６】
　Ｗ−１：　メガファックＦ１７６（大日本インキ化学工業（株）製）（フッ素系）
　Ｗ−２：　メガファックＲ０８（大日本インキ化学工業（株）製）（フッ素及びシリコン系）
　Ｗ−３：　ポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製）（シリコン系）
【０４０７】
　Ａ１：　プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
　Ａ２：　γ−ブチロラクトン
　Ａ３：　シクロヘキサノン
　Ｂ１：　プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
　Ｂ２：　乳酸エチル
【０４０８】
　調製したレジスト組成物を用い、下記の方法でレジストパターンを形成した。
【０４０９】
実施例１（１回露光→ネガ現像：略号E-B-N）
　
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ＡＲＣ２９Ａ（日産化学社製）を塗布し、２０５℃で、６０秒間ベークを行い、膜厚８６ｎｍの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物Ａｒ−０１を塗布し、
膜厚１００ｎｍのレジスト膜を形成した
パターン露光を行った
ネガ型現像液で３０秒間現像(ネガ型現像)し
レジストパターンを得た
【０４１０】
実施例２〜７４及び比較例１〜２
　
表５及び表６に記載のレジスト及び条件を採用した以外は、実施例１の方法と同様にして、１００ｎｍ（１：１）のラインアンドスペースのレジストパターンを得た
（４）「【０４１９】【表５】
」
（５）表５（上記（４））の記載から、実施例５のレジストパターンを得る際に、
レジスト組成物Ａｒ−０５を用いている
樹脂として（５）、酸発生剤としてＰＡＧ−０５及び併用酸発生剤としてＰＡＧ−０８を含有
（６）上記（１）ないし（５）からみて、引用例には、実施例５として次の発明が記載されている。
「シリコンウエハー上に有機反射防止膜ＡＲＣ２９Ａ（日産化学社製）を塗布し、膜厚８６ｎｍの反射防止膜を形成し、その上にレジスト組成物Ａｒ−０５を塗布し、膜厚１００ｎｍのレジスト膜を形成し、パターン露光を行い、ネガ型現像液で現像し、レジストパターンを得るために用いられる、レジスト組成物であって、
　前記Ａｒ−０５は、樹脂として下記（５）、酸発生剤として下記ＰＡＧ−０５及び併用酸発生剤として下記ＰＡＧ−０８を含有する、
　レジスト組成物。
」（以下「引用発明」という。）
　
４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の樹脂である（５）の右方の繰り返し単位は、技術的にみて、酸解離性基を有する繰り返し単位である。そうすると、引用発明の「樹脂」である「（５）」は、酸解離性基を有する構造単位を含むといえるから、本願発明の「［Ａ］酸解離性基を有する構造単位を含む重合体」に相当する。なお、引用例の【００９５】及び【００９６】（上記３（１））には、酸分解性基を有する繰り返し単位の例として式１２が記載されており、（５）の繰り返し単位は、その式１２の例の１つである。
（２）引用発明の「酸発生剤」である「ＰＡＧ−０５」は、本願発明の式（２）で表される化合物の要件を満たす。そして、引用発明において、「酸発生剤」である「ＰＡＧ−０５」と「酸発生剤」と「併用酸発生剤」である「ＰＡＧ−０８」を比較すると、露光により発生する酸が相対的に弱い化合物が前者であることは、技術的にみて明らかである。すなわち、引用発明において、「併用酸発生剤」である「ＰＡＧ−０８」は、アニオンについて「−ＣＦ２ＳＯ３−」で表される構造を含むのに対し、「酸発生剤」である「ＰＡＧ−０５」は、アニオンについて「−ＣＦ２ＳＯ３−」で表される構造を含まないものである。そうすると、引用発明の「併用酸発生剤」である「ＰＡＧ−０８」は、本願発明の「［Ｂ］感放射線性酸発生体」に相当する。また、引用発明の「ＰＡＧ−０５」は、右方のアニオンが１価の有機基と−ＳＯ３−とが結合されており、該−ＳＯ３−がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合していないものであり、左方のカチオンがオニウムカチオンである。
　してみると、引用発明の「酸発生剤」である「ＰＡＧ−０５」は、本願発明の「［Ｃ］下記式（２）で表される化合物であって、露光により発生する酸が、露光により［Ｂ］感放射線性酸発生体から発生する酸より相対的に弱い化合物（但し、重合体を除く。）」
「【化３】
（式（２）中、Ｒ１は、水素原子又は１価の有機基である。
　Ａ−は、−ＣＯＯ−、−Ｏ−又は−ＳＯ３−である。但し、Ａ−が、−ＳＯ３−の場合、−ＳＯ３−がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合する場合はない。
　Ｘ＋は、オニウムカチオンである。）」に相当する。
（３）引用発明の「レジスト組成物」、「レジスト膜」、「露光」、「現像」及び「レジストパターン」は、それぞれ本願発明の「感放射線性組成物」、「レジスト膜」、「露光」、「現像」及び「パターン」に相当する。
（４）引用発明において、シリコンウエハー上に有機反射防止膜ＡＲＣ２９Ａ（日産化学社製）を塗布し、膜厚８６ｎｍの反射防止膜を形成されたものは、その上に、「レジスト組成物」（本願発明の「感放射線性組成物」に相当。以下「」に続く（）内の用語は対応する本願発明の用語を表す。）が塗布されるのであるから、本願発明の「基板」に相当することは明らかである。また、引用発明において、「レジスト組成物」（感放射線性組成物）が塗布された後、「レジスト膜」（レジスト膜）が形成されている。そうすると、引用発明は、本願発明の「（１）感放射線性組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程」を含む。
（５）引用発明は、「レジスト膜」（レジスト膜）を形成した後、パターン「露光」（露光）を行っているから、本願発明の「（２）上記レジスト膜を露光する工程」を含む。
（６）引用発明は、パターン「露光」（露光）を行った後、ネガ型現像液で「現像」（現像）しているのであるから、本願発明の「（３）上記露光されたレジスト膜を現像する工程」を含む。
（７）引用発明は、「レジストパターン」（パターン）を得るのであるから、「レジストパターン」を形成する方法であり、「レジスト組成物」（レジスト組成物）は前記方法に用いられるものであることは明らかである。してみると、上記（３）ないし（６）からみて、引用発明は、本願補正発明の「（１）感放射線性組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程」「（２）上記レジスト膜を露光する工程」及び「（３）上記露光されたレジスト膜を現像する工程」「を含むパターン形成方法に用いられる感放射線性組成物」との構成を具備する。
　
（８）上記（１）ないし（７）からみて、本願発明と引用発明とは、
　「（１）感放射線性組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、
　（２）上記レジスト膜を露光する工程、及び
　（３）上記露光されたレジスト膜を現像する工程
を含むパターン形成方法に用いられる感放射線性組成物であって、
　［Ａ］酸解離性基を有する構造単位を含む重合体、
　［Ｂ］感放射線性酸発生体、及び
　［Ｃ］下記式（２）で表される化合物であって、露光により発生する酸が、露光により［Ｂ］感放射線性酸発生体から発生する酸より相対的に弱い化合物（但し、重合体を除く。）
を含有する感放射線性組成物。
　【化３】
（式（２）中、Ｒ１は、水素原子又は１価の有機基である。
　Ａ−は、−ＣＯＯ−、−Ｏ−又は−ＳＯ３−である。但し、Ａ−が、−ＳＯ３−の場合、−ＳＯ３−がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合する場合はない。
　Ｘ＋は、オニウムカチオンである。）」である点で一致し、相違するところはない。
　したがって、本願発明は引用発明と同一の発明である。
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。