(57)【要約】【課題】ＦＩＢを利用し、しかも内周から外周にわたり均一でしかも効率よく配列することが可能なＡＮＨを用いた磁気記録媒体の作製方法を提供する。【解決手段】円板状の非磁性体基板上に少なくとも中間層を形成し、中間層の上にアルミニウム層を形成する工程と、収束イオンビームを照射してアルミニウム層表面に同心円状の複数の微小溝を設ける工程と、前記アルミニウム層を陽極酸化することによりアルミニウム層をアルミナ層に変換させると同時にアルミナ層に複数のナノホールを形成し、中間層を露出させる工程と、ナノホール内の露出した中間層の上に磁性体金属を選択的に堆積し、複数の磁性体記録要素を有する磁気記録層を形成する工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状の非磁性体基板上に少なくとも中間層を形成し、中間層の上にアルミニウム層を形成する工程と、
収束イオンビームを照射してアルミニウム層表面に同心円状の複数の微小溝を設ける工程と、
前記アルミニウム層を陽極酸化することによりアルミニウム層をアルミナ層に変換させると同時にアルミナ層に複数のナノホールを形成し、中間層を露出させる工程と、
ナノホール内の露出した中間層の上に磁性体金属を選択的に堆積し、複数の磁性体記録要素を有する磁気記録層を形成する工程と
を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記収束イオンビーム照射により形成される微小溝は、非磁性体基板がＲ−θ駆動により制御されている状態で形成されることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記磁性体金属がコバルト、鉄、あるいは鉄／白金、コバルト／白金、鉄／パラジウム、コバルト／パラジウムからなる合金群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法で製造されてなる磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体及びその製造方法に関する。この磁気記録媒体の磁気記録層は複数の磁性体記録要素を有する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクドライブは用途の拡大が図られるとともに、小型化が進められており、ドライブに搭載される磁気記録媒体においては、ますます磁気記録の高密度化が求められている。この磁気記録の高密度化に伴い、近年、磁気記録方式は従来の面内記録方式から垂直磁気記録方式に移行している。
【０００３】
磁気記録密度を高めるためには磁気記録のビットサイズをより小さくしなくてはならない。しかし、ビットサイズを小さくしてゆくと、熱揺らぎにより、磁化のランダムな反転が生じやすくなり、このため、記録された信号が劣化するという問題が顕在化してきた。
【０００４】
一方、熱揺らぎを防止するため、磁気記録媒体用材料として結晶磁気異方性エネルギー定数（Ｋｕ）の大きい材料を用いると、保磁力が大きくなり、このため、磁化の反転に要する磁界も大きくなるため、情報の書き込みが困難になる。
【０００５】
そこで、記録された信号の熱揺らぎによる劣化を回避する方法として熱アシスト記録方式が提案されている（特許文献１，２及び非特許文献１参照）。熱アシスト記録方式は、レーザー光照射などにより磁気記録媒体をキュリー温度付近まで加熱して、その保磁力を小さくしたところで磁気記録の書き込みを行い、次いで急冷却して保磁力を大きくし、磁気記録の保存を行なうものである。このような方式を用いることにより、低い磁場でも書き込みができ、しかも熱揺らぎによる信号の劣化を防止し、長期安定性を確保することができる。
【０００６】
しかし、上記熱アシスト記録方式を用いた場合、従来の連続的な磁気記録媒体では、昇温時に隣接する磁性体記録要素も昇温してしまうという問題がある。
【０００７】
さらに、磁気記録媒体の高記録密度化に伴い、磁気ヘッドの記録磁界の拡がりに起因する隣接トラックなど記録対象トラック以外への書き込み（クロスライト）、および／または対象トラック以外の信号の読み出し（クロスリード）などの問題が生じている。
【０００８】
このクロスライト、クロスリードの問題は磁性体記録要素を磁気的に分離するのと同時に、熱的にも磁性体記録要素を分離できれば解決できる。そこで、全ての磁性体記録要素を磁気的、及び熱的に分離することを目的としたビット・パターンド・メディア(ＢＰＭ)方式が提案されている（非特許文献２参照）。
【０００９】
現在、ＢＰＭ方式についてはいくつかの方式が提案されているが、その中の一つにアルミニウムの陽極酸化により形成したアルミナナノホール（以下ＡＮＨと呼ぶ）を利用したＢＰＭがある。ＡＮＨはアルミニウム膜やアルミニウム板の表面に対して垂直に電圧を加えると、表面に対してほぼ垂直に形成される。ＡＮＨの二次元的な配列はランダムであるが、平均的なホールピッチは陽極酸化電圧に比例する性質がある。
【００１０】
アルミニウム膜表面をなんらかの方法で微小窪みを形成しておくと、この微小窪みが起点となって選択的に陽極酸化が進み、微小窪みの二次元的なピッチに整合するように陽極酸化電圧を制御すれば、微小窪みに対応した場所にＡＮＨができる。したがって、微小窪みの配列を三角配列または正方配列に形成しておくと、得られるＡＮＨを三角配列または正方配列に並ぶように制御できることが知られている（特許文献３、非特許文献３参照）。
【００１１】
また、ＡＮＨを形成しているアルミナは非磁性材料であり、熱伝導率も非常に小さな材料である。そのため、配列制御されたＡＮＨに、電気メッキ法などで磁性体を埋め込むことにより、各磁性体記録要素が、磁気的にも、熱的にも分離され、ホール一つが１ビットに相当する磁気記録媒体が形成できる（特許文献４および非特許文献２、３参照）。
【００１２】
微小窪みを作成する方法として、ダイレクトインプリント法、レジストを用いた微細加工法、およびＦＩＢ(収束イオンビーム)加工法が知られている。
【００１３】
しかしながら、上述のアルミニウム表面に直接モールドを押し当てるダイレクトインプリント法では、繰り返しモールドをアルミニウム表面に押し当てるため、モールドが劣化しやすく、モールドの寿命が短いという問題がある。また、レジストを用いた微細加工法では、アルミニウム表面へのレジスト塗布、インプリント、インプリント後の溝底部に残るレジスト残膜除去、微細加工後のレジスト除去という多くの工程を行わなくてはならない。これに対して、ＦＩＢ加工法では、アルミニウム表面に直接イオンビームを照射することにより溝を形成するために、モールドも使用せず，またインプリント法のような多数の工程を経る必要がない。
【００１４】
上記３つの方法のうち、ＦＩＢ加工を利用したＡＮＨの制御法により最も微細でかつ均一な配列が得られている（非特許文献４）。ＦＩＢ加工によれば、２本の溝を交差することにより交差部を深く加工することが可能である。例えば、ＦＩＢ加工によりｘ方向に２ｎｍの深さの溝を複数作製し、次いでｙ方向に同様に２ｎｍの深さの溝を複数作製すると、ｘ方向の溝とｙ方向の溝がクロスした部分の深さが他の部分に比べ２倍程度深くなるため、この部分を起点として陽極酸化によりＡＮＨを配列制御することができる。非特許文献４によるとこの方法でＡＮＨのピッチが２０ｎｍの三角配列や正方配列が得られている。即ち、この方法ではｘ−ｙ方向では確かに等間隔なクロスポイントを得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００６-０１２２４９号公報
【特許文献２】特開２００３-０４５００４号公報
【特許文献３】特公昭５１-２１５６２号公報
【特許文献４】特開２００５-１２０４２１号公報
【非特許文献】
【００１６】
【非特許文献１】FUJITSU、 Vol. 58、 No.1、ｐ.85-89（2007）
【非特許文献２】FUJITSU、 Vol. 58、 No.1、ｐ.90-98（2007）
【非特許文献３】益田秀樹他、表面化学、Vol.25、 No.5、 pp.260-264(2004)
【非特許文献４】安居伸浩他、日本磁気学会第１５８回研究会資料、pp.31(2008
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかし、磁気記録媒体のように円板状の形状を持ち、円板を回転させながら情報の読み書きをする方法では、同心円状のライン上にビットを配列する必要がある。このため、ＦＩＢ加工を利用したＡＮＨの制御法は効率の面、あるいは精度の面で必ずしも十分な方法ではないことが明らかになりつつある。
【００１８】
すなわち、径方向（Ｒ方向）には等間隔に溝を形成することができるものの、Ｒ方向に垂直に溝を形成しようとして周方向（θ方向）に複数個の直線を形成すると、角度は等間隔にできる。しかし、内周側と外周側では直線間の距離が異なるため、Ｒ方向とθ方向のラインがクロスした点の距離が内周と外周では異なる。
【００１９】
例えば、２．５インチ媒体の場合には、内径１１ｍｍの部分と中周２２ｍｍ、外周３１．５ｍｍの部分では同じ角度で形成された２本のライン間の距離は、各々２．００倍、２．８６倍もの開きがある。前述したようにＡＮＨのピッチは電圧に比例するため、この場合には全周にわたりクロス点に整合する陽極酸化電圧を設定することができず、Ｒ方向の特定のバンド巾でだけ配列制御がなされ、それ以外の部分は配列が乱れてしまう。
【００２０】
したがって、ＡＮＨを用いたＢＰＭ方式の磁気記録媒体の製造方法において、ＡＮＨが均一でかつ効率よく配列させる方法が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、ＦＩＢを利用し、しかも内周から外周にわたり均一でしかも効率よく配列することが可能なＡＮＨを用いた磁気記録媒体の作製方法を提供するものである。
【００２２】
即ち、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、円板状の非磁性体基板上に少なくとも中間層を形成し、中間層の上にアルミニウム層を形成する工程と、収束イオンビームを照射してアルミニウム層表面に同心円状の複数の微小溝を設ける工程と、前記アルミニウム層を陽極酸化することによりアルミニウム層をアルミナ層に変換させると同時にアルミナ層に複数のナノホールを形成し、中間層を露出させる工程と、ナノホール内の露出した中間層の上に磁性体金属を選択的に堆積し、複数の磁性体記録要素を有する磁気記録層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００２３】
また、本発明の磁気記録媒体は、上述の方法により製造されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の製造方法を用いることにより、ＡＮＨを用いたＢＰＭ方式の磁気記録媒体において、微細なＡＮＨを正方配列でしかも効率よく作製することができる。これにより、高記録密度を達成しながら、安価で、安定供給が可能なＢＰＭ方式の磁気記録媒体の製造ができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の磁気記録媒体の製造方法を示した図である。
【図２】ＦＩＢを直線的に照射したアルミニウム薄膜を陽極酸化したものの表面ＳＥＭ写真である。
【図３】、実施例１におけるＦＩＢ加工、陽極酸化、孔拡処理の一連の処理で得られた磁気記録媒体の表面ＳＥＭ写真である。
【図４】ビーム巾が２０ｎｍで、ナノホール径も２０ｎｍになる条件のＦＩＢ加工で得られた１列に配列したＡＮＨ配列を示す表面ＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、Ｒ方向とθ方向の溝をクロスさせそこを陽極酸化の起点とせずとも、単に同心円状にθ方向に適当な深さの溝を形成すれば、これに沿って自己組織的にＡＮＨが配列することを見出した。
【００２７】
図２はＦＩＢを直線的に照射したアルミニウム薄膜を陽極酸化したものの表面ＳＥＭ写真で、ＦＩＢを照射し深さ１０ｎｍの溝を形成した部分だけにＡＮＨが正方配列し、他の部分はランダム配列していることを示している。
【００２８】
ナノインプリント法で溝を形成した場合や、あるいは先端が尖ったもので溝を形成した場合には正方配列とはならず、三角配列（細密充填配列）になる。また、全面にＦＩＢ加工で，例えば１０μｍ角の孔を１０ｎｍの深さに掘っても正方配列はできない。
【００２９】
現時点では、ＦＩＢ加工した部分が配列制御、しかも正方配列するメカニズムは判っていないが、上述した現象を踏まえると、単に溝を形成するだけではなく、局所的な溝が形成されるのと同時に、ＦＩＢで高エネルギーのイオンを表面に照射することがＦＩＢ加工で正方配列が形成されることの本質的な効果であると考えている。
【００３０】
以下、本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は、本発明の単なる一例であって、当業者であれば、適宜設計変更可能である。
【００３１】
図１は、本発明の製造方法により、磁気的かつ熱的に分離された複数の磁性体記録要素を有する磁気記録媒体を製造する工程を示したものである。本発明により製造される磁気記録媒体は、基板１０２上に、少なくとも中間層１０５が形成され、中間層１０５の上にアルミナ層１１１が形成されている。アルミナ層１１１には、アルミナ層を貫通して底面に中間層１０５表面を露出させた複数のＡＮＨ１１３が形成されており、このＡＮＨ１１３内には磁性体金属１１４が堆積している。図１に示す例では、基板１０２上に、下地層１０３、ＳＵＬ層１０４、中間層１０５、アルミナ層１１１がこの順に設けられている。以下、本発明の製造方法を工程ごとに説明する。
【００３２】
（金属層形成工程）
まず、下地層１０３、ＳＵＬ層１０４、中間層１０５を基板１０２上にこの順に形成する。中間層１０５は、その後に設けられるアルミナ層１１１の下地層となる。
【００３３】
本発明において用いる基板１０２は、非磁性体であり、かつ、後述するアルミニウム層１０６の形成およびその陽極酸化に用いられる条件（溶媒、温度など）に耐えるものが用いられる。さらに寸法安定性に優れていることが好ましい。このような非磁性基板１０２はガラス、およびシリコン単結晶基板などを含む。
【００３４】
下地層１０３は、ＣｒＴｉ合金のような非磁性材料を用いて形成することができる。
【００３５】
ＳＵＬ層１０４は、磁気記録層に垂直方向磁界を集中させるための層であり、下地層１０３の上にＳＵＬ層１０４を設けることが好ましい。ＳＵＬ層１０４に用いることのできる軟磁性材料は、ＦｅＴａＣ、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金などの結晶性材料；ＦｅＴａＣ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＮｉＰなどの微結晶性材料；またはＣｏＺｒＮｄ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどのＣｏ合金を含む非晶質材料を含む。ＳＵＬ層１０４の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、おおむね１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下程度であることが、生産性の観点から望ましい。
【００３６】
中間層１０５は導電性を有することが好ましい。また、中間層１０５は、陽極酸化処理による中間層１０５、さらには中間層１０５の下に好ましく設けられるＳＵＬ層１０４の酸化を抑制できることが好ましい。そのため、中間層１０５としては、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓなどの貴金属を用いることが好ましい。また、これらの貴金属を用いることにより、中間層１０５は、磁性体金属１１４とＳＵＬ層１０４との結晶配向性を調整することもできる。
【００３７】
下地層１０３、ＳＵＬ層１０４、および中間層１０５の形成は、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法など当該技術において知られている任意の方法を用いて実施することができる。下地層１０３、および中間層１０５は、０．１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の膜厚を有することが好ましい。このような範囲内の膜厚とすることによって、磁気記録層の磁気特性および電磁変換特性を劣化させることなしに、高密度記録に必要な特性を磁気記録層に付与することが可能となる。
【００３８】
また、本発明では、任意選択的にＳＵＬ層１０４と中間層１０５との間にシード層（図示せず）を設けてもよい。シード層は磁気記録層の結晶構造を制御するための層である。シード層の形成に用いることのできる材料は、ＮｉＦｅＡｌ、ＮｉＦｅＳｉ、ＮｉＦｅＮｂ、ＮｉＦｅＢ、ＮｉＦｅＮｂＢ、ＮｉＦｅＭｏ、ＮｉＦｅＣｒなどのようなパーマロイ系材料；ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅＳｉ、ＣｏＮｉＦｅＢ、ＣｏＮｉＦｅＮｂなどのようなパーマロイ系材料にＣｏをさらに添加した材料；Ｃｏ；あるいはＣｏＢ、ＣｏＳｉ、ＣｏＮｉ、ＣｏＦｅなどのＣｏ基合金を含む。
【００３９】
シード層は磁気記録層の結晶構造を制御するのに充分な膜厚として、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の膜厚を有することが好ましい。シード層の形成は、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法など当該技術において知られている任意の方法を用いて実施することができる。
【００４０】
（アルミニウム層形成工程）
次いで、前記中間層１０５の上に、アルミニウム層１０６を形成する（図１（ａ）参照）。アルミニウム層１０６は後述する方法により陽極酸化され、ＡＮＨ１１３を有するアルミナ層１１１を形成する。アルミナ層１１１は、ＢＰＭにおいて磁性体記録要素を磁気的および熱的に分離する分離層となる。
【００４１】
アルミニウム層１０６の膜厚は、特に限定されるものではない。しかしながら、生産性および記録密度向上の観点から、アルミニウム層１０６は、１００ｎｍ以下の膜厚を有することが好ましい。アルミニウム層１０６の形成は、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法など当該技術において知られている任意の方法を用いて実施することができる。
【００４２】
（ホール形成工程）
次に、陽極酸化により、アルミニウム層１０６を酸化して、非導電性のアルミナ層１１１へと変換する。同時に、アルミナ層１１１に複数のＡＮＨ１１３を形成する。ＡＮＨ１１３はアルミナ層１１３を貫通して、ＡＮＨ１１３底部に中間層１０５を露出させる。また、以下、図１（ｂ）〜（ｄ）を参照しながら、さらに具体的に述べる。
【００４３】
（１）第１に、アルミニウム層１０６の、陽極酸化によりＡＮＨ１１３を形成させる起点となる位置に微小溝１１２を形成させる（図１（ｂ））。本発明においては、ＦＩＢを照射することにより、微小溝１１２を形成させる。微小溝１１２を所定の同心円に沿って形成させることにより、後に形成されるＡＮＨ１１３を所望の位置に形成することができる。
【００４４】
微小溝１１２を所定の同心円に形成する方法は、上記アルミニウム層１０６の上に直接ＦＩＢを照射しながら、被加工円板を回転することにより可能である。ＦＩＢビーム巾は形成するビットサイズ（ナノホール径）に依存する。ビットサイズとビーム巾が同じ場合、例えば、ビーム巾が２０ｎｍで、ナノホール径も２０ｎｍになる条件であれば、図４のように１列に配列したナノホール配列ができる。また、図２で示したようにビーム巾がナノホール径より広い場合にはホールが複数個整列した配列が得られる。ほぼビットサイズの２倍のビーム巾が好適ではあるが、必要に応じてビットサイズの２０倍程度までは広げることが可能である。ビーム巾が５００ｎｍ以上、あるいはビットサイズの２０倍を超えて広がると、ＡＮＨの正方配列が乱れてくる。ＦＩＢ加工による微小溝１１２の深さは、アルミニウムの表面粗さＲａおよび必要とするＡＮＨ深さに依存するが、アルミニウム膜厚の１〜１０％の範囲では正方配列が得られる。
【００４５】
（２）次いで、陽極酸化処理を行い、アルミニウム層１０６にＡＮＨ１１３を形成する（図２（ｃ））。当該処理によりアルミニウム層１０６はアルミナに変換され、非導電性のアルミナ層１１１が形成される。当該処理は、少なくともＡＮＨ１１３の底面に中間層１０５が露出するまで行う。陽極酸化時に印加する電圧を制御することでＡＮＨ１１３を所望のピッチで形成することができる。また、あらかじめ微小溝１１２を形成してあるので、ＡＮＨ１１３は微小溝１１２に沿って形成することができる。陽極酸化処理によりＡＮＨ１１３を形成する方法は、当該技術において知られている方法を用いることができる。
【００４６】
（３）また、上記陽極酸化処理により形成されたＡＮＨ１１３に対し、さらに、リン酸などによりエッチング処理を行い、ＡＮＨ１１３の径を拡大する工程を任意選択的に設けてもよい（図１（ｄ））。
【００４７】
（磁性体金属の充填工程）
次いで、ＡＮＨ１１３を有する前記アルミナ層１１１に電気メッキを行い、ＡＮＨ１１３の底面に露出している中間層１０５の上に磁性金属を選択的に析出・還元させて、磁性体金属１１４を形成する（図１（ｅ））。
【００４８】
還元されて磁性体金属１１４を形成するメッキ液は、鉄、コバルトなどを中心金属とする硫酸塩を含む。また、鉄、コバルトと合金を作り高い磁性を示す白金、パラジウムなどをメッキするために塩化白金酸や塩化パラジウムも同時に添加してもよい。鉄、コバルト、白金、およびパラジウムのメッキ液原料はこれに限るものではなく、当該技術において知られている任意の原料を用いてもよく、必要に応じてキレート剤などを添加してもよい。
【００４９】
更に、このようにして得られた磁性体金属充填加工媒体５０００の表面を、研磨して、基板表面形状を整えてもよい。また、ドライエッチングによる表面平滑化処理を行うことも可能である。
【００５０】
また、この磁性体金属充填加工媒体５０００を真空中、あるいは水素をベースとする還元ガス中で２００〜６００℃でアニールしてもよい。この場合、０．５Ｔ以上の磁場を印加しながらアニールを行なうのが好ましい。
【００５１】
また、この磁性体金属充填加工媒体５０００のアルミナ層１１１および磁性体金属１１４を覆うように、保護層および／または潤滑剤層を形成してもよい。保護層は、その下にある磁気記録層以下の各構成層を保護するための層である。保護層は、カーボン（アモルファスカーボンなど）、あるいは磁気記録媒体保護膜用の材料として知られている種々の薄膜材料を用いて形成することができる。保護層は、一般的にスパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法、ＣＶＤ法などを用いて形成することができる。
【００５２】
また、潤滑剤層は、記録／読み出し用ヘッドが磁気記録媒体に接触している際の潤滑を付与するための層であり、たとえば、パーフルオロポリエーテル系の液体潤滑剤、または当該技術において知られている種々の液体潤滑剤を使用して形成することができる。この潤滑剤層は、ディップコート法、スピンコート法などの当該技術において知られている任意の塗布方法を用いて形成することができる。
【実施例】
【００５３】
以下、実施例によって本発明をより具体的に説明するが、これらは本発明を限定するものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において当業者により種々変更可能である。
【００５４】
＜実施例１＞
φ６５ｍｍで、厚さ０．６３５ｍｍの公称寸法２．５インチのシリコン基板１０２を洗浄・乾燥後、主平面上に、スパッタ法を用いて、膜厚２ｎｍのＣｒＴｉからなる下地層１０３、膜厚４０ｎｍのＣｏＺｒＮｄからなるＳＵＬ層１０４、膜厚１６ｎｍのＣｏＮｉＦｅＳｉからなるシード層、膜厚１２ｎｍのＲｕからなる中間層１０５をこの順に形成した。その後、中間層１０５の上に膜厚５０ｎｍのアルミニウム層１０６を形成して被加工出発媒体１０００とした。
【００５５】
この被加工出発媒体１０００表面に、本発明であるＦＩＢ加工により巾４０ｎｍ、深さ５ｎｍの同心円状の微小溝を複数形成して加工媒体２０００を得た。ＦＩＢ加工はＲ−θ駆動が可能なステージを有する装置にて、加工速度は、半径２２ｍｍの中周領域で、およそ２．５秒/ラインで行った。
【００５６】
この加工媒体２０００に対し陽極酸化処理を行うことで、アルミニウム層１０６をアルミナ層１１１に変化させるとともに、微小溝１１２の位置から主平面に垂直に、アルミナ層１１１を貫通するＡＮＨ１１３を形成して加工媒体３０００を得た。陽極酸化処理の処理条件は、５℃に冷却した３．５％蓚酸水溶液中、印加電圧は２．５Ｖで、印加時間は４５０秒であった。得られたＡＮＨ１１３の直径は６ｎｍであった。
【００５７】
更に、５％リン酸水溶液に、上記で得られた、加工媒体３０００を１００秒浸漬し、ＡＮＨ１１３の直径を２０ｎｍに拡げることにより加工媒体４０００を得た。ＦＩＢ加工、陽極酸化、孔拡処理の一連の処理にて、図３に示すように４０ｎｍの巾でＦＩＢ加工をした部分に２０ｎｍのＡＮＨが２列に正方配列し、ＦＩＢ加工をしていない場分はランダム配列となっていた。
【００５８】
次いで、超臨界流体による洗浄乾燥装置を用いて、上記で得られたＡＮＨ１１３が孔拡処理された加工媒体４０００を洗浄乾燥した。この時、加工媒体４０００は陽極酸化後、あるいは孔拡処理後、直ちに加工媒体４０００の表面を純水洗浄し、乾燥をすることなく素早く洗浄乾燥装置のチャンバー中に設置し、超臨界ＣＯ2流体に浸漬することが望ましい。これは、乾燥状態に放置しておくと、ＡＮＨに残ったシュウ酸やリン酸のほかに、これらの溶媒に溶け出したアルミニウム塩が、水や超臨界ＣＯ2流体に溶けにくい結晶性アルミナの一種であるベーマイトになるのを防ぐためである。
【００５９】
次いで、酸性硫酸塩系のコバルトメッキ液を用い、電流パルスメッキ法により、液温３５℃、電流密度３ｍＡ／ｃｍ2の条件で３００秒間メッキをすることでＡＮＨ１１３にコバルト金属を充填してコバルト充填加工媒体５０００を得た。
【００６０】
次いで、表面を平坦化するためにイオンミリングを行い、表面の算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１）を０．２ｎｍ以下にするように調整した。
【００６１】
さらに、取り出されたコバルト充填加工媒体５０００のコバルトの磁性特性を改善するために、３００℃で３０分間真空アニール処理を行った。さらに、この上にアモルファスカーボン（ａ−Ｃ）からなる膜厚３ｎｍの保護層を形成した。最後に、ディップ法を用いて、潤滑剤からなる膜厚２ｎｍの潤滑剤層を形成し、磁気記録媒体を得た。
【００６２】
現時点では、直径２０ｎｍの単独ビットサイズを読み書き可能な磁気ヘッドが存在しないため、真空対応磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）を用いて、得られた磁気記録媒体に形成された直径２０ｎｍの磁性体記録要素が均一で、しかもそれぞれ単独で磁気分離がされているかを調べた。その結果、各磁性体記録要素は均一な磁性を示しており、また磁気分離も十分になされ、当初の目的であるＢＰＭ構造になっていることを確認できた。
【００６３】
＜実施例２＞
実施例１で用いた硫酸コバルト系メッキ液の代わりに、硫酸鉄系メッキ液と塩化白金酸系のメッキ液を混合し、ＡＮＨ１１３にＦｅＰｔ合金を充填した。また真空アニールは５００℃で行った。他の条件は実施例１と同じとした。これにより得られた磁気記録媒体も、ＭＦＭで磁気特性を評価したところ、各磁性体記録要素が均一な磁気特性を示すことが確認された。なお、メッキ液はＦｅ−Ｐｔ系に限らず、高いＫｕ（結晶磁気異方性エネルギー定数）が得られる、Ｆｅ−Ｐｄ系、Ｃｏ−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｐｄ系を用いて磁性体金属をＡＮＨ１１３に充填した場合も、同様の特性が得られた。
【符号の説明】
【００６４】
１０２  基板
１０３  下地層
１０４  ＳＵＬ層
１０５  中間層
１０６  アルミニウム層
１１１  アルミナ層
１１２  微小溝
１１３  アルミナナノホール
１１４  磁性体金属
１０００  被加工出発媒体
２０００  微小溝が形成されたアルミニウム層を有する加工媒体
３０００  ナノホールが形成されたアルミナ層を有する加工媒体
４０００  ナノホールが孔拡処理された加工媒体
５０００  磁性体金属充填加工媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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