(57)【要約】      （修正有）【課題】加工性の優れ、水の少ない状況でも効率的に水を保有することができプロトン伝導を確保できる、炭化水素系高分子電解質であり、微細電子回路を安価かつ簡便に作製する高精細な回路描画を提供する。【解決手段】高分子電解質は、スルホン酸基導入率の高いユニット、およびスルホン酸基導入率の低いユニットを含むブロック共重合体であり、スルホン酸基導入率の高いユニットが下記式（１）：2011084728.tif 000027（式（１）中、Ｘ１はＯ、Ｓ、ＮＨまたは直接結合を示す。）および／または下記式（２）：2011084728.tif 000028（式（２）中、Ｘ１はＯ、Ｓ、ＮＨまたは直接結合を示す。）で示される構造を含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルホン酸基導入率の高いユニット、およびスルホン酸基導入率の低いユニットを含むブロック共重合体であり、スルホン酸基導入率の高いユニットが下記式（１）：
【化１】
2011084728.tif 000021
（式（１）中、Ｘ１はＯ、Ｓ、ＮＨまたは直接結合を示す。）
および／または下記式（２）：
【化２】
2011084728.tif 000022
（式（２）中、Ｘ１は上記と同様。）
で示される構造を含む、高分子電解質。
【請求項２】
スルホン酸基導入率の高いユニットは、下記式（３）：
【化３】
2011084728.tif 000023
（式（３）中、Ｘ１は上記と同様。Ｘ２はＯ、Ｓ、ＮＨ、ＣＯ、ＳＯ２、Ｃ（ＣＦ３）２、イソプロピリデン、フルオレニリデンまたは直接結合を示し、Ｒ１はフッ素、塩素、臭素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜９で窒素を含むヘテロ芳香環、または炭素数１〜１０のアルコキシ基を示し、Ｒ１が複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていても良い。ａ、ｂ、ｃおよびｄは０または１を示し、ｅは０〜４のうちのいずれかを示し、ｆは０〜６のうちのいずれかを示す。Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１、ｅ、およびｆは、それぞれ複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていても良い。Ｙは下記式（４）：  
【化４】
2011084728.tif 000024
または下記式（５）：
【化５】
2011084728.tif 000025
を示す。）で示される構造にスルホン酸基が導入されている構造を含む、請求項１に記載の高分子電解質。
【請求項３】
スルホン酸基導入率の高いユニットは、上記式（３）において、ａおよびｄが１、ｂおよびｃが０、Ｘ１がＯである構造、および／または上記式（３）において、ａおよびｄが０、ｂおよびｃが１、Ｘ１がＯである構造にスルホン酸基が導入されている構造を含む請求項２に記載の高分子電解質。
【請求項４】
スルホン酸基導入率の高いユニットに含まれる芳香環のうち４５〜８０％がスルホン酸基を有する、請求項１〜３のいずれかに記載の高分子電解質。
【請求項５】
スルホン酸基導入率の低いユニットが下記式（８）：
【化６】
2011084728.tif 000026
（式（８）中、Ｘ３はＣＯ、またはＳＯ２を示す。Ｚ１は水素、金属イオン、またはアンモニウムイオンを示す。ｉは０〜２を示し、Ｒ３はフッ素で置換されていても良い炭素数１〜１０のアルキル基、ＣＮ、ＣＯＺ２、またはＳＯ２Ｚ２を示し、Ｚ２は置換基が付いていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基を示す。いくつかある場合はそれぞれ同一でも異なっていても良い。ｅはそれぞれ０〜４の値を示し、ｊはそれぞれ０〜１の値を示す。ただしｉ＝１の場合、ｊの合計は２未満の値である。）
で示される構造を含む、請求項１〜４のいずれかに記載の高分子電解質。
【請求項６】
スルホン酸基導入率の低いユニットは、上記式（８）において、ｅが０、ｉが１、ｊが０である構造を含む請求項５に記載の高分子電解質。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の高分子電解質を含む、高分子電解質膜。
【請求項８】
請求項７に記載の高分子電解質膜を含む、膜電極接合体。
【請求項９】
請求項７に記載の高分子電解質膜を含む、固体高分子形燃料電池。
【請求項１０】
請求項８に記載の膜電極接合体を含む、固体高分子形燃料電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体高分子形燃料電池に好適な高分子電解質、それを用いた高分子電解質膜、膜／電極接合体、これらを含む燃料電池に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、地球温暖化等の環境問題等の観点から、高効率でクリーンなエネルギー源の開発が求められている。それに対する一つの候補として燃料電池が注目されている。燃料電池は、水素ガスやメタノール等の燃料と酸素等の酸化剤をそれぞれ電解質で隔てられた電極に供給し、一方で燃料の酸化を、他方で酸化剤の還元を行い、直接発電するものである。上述した燃料電池の材料のなかで、最も重要な部材の一つが電解質である。その電解質からなる燃料と酸化剤とを隔てる電解質膜としてはこれまで様々なものが開発されているが、近年、特にスルホン酸基などのプロトン伝導性官能基を含有する高分子化合物から構成される高分子電解質の開発が盛んである。こうした高分子電解質は、固体高分子形燃料電池の他にも、例えば、湿度センサー、ガスセンサー、エレクトロクロミック表示素子などの電気化学素子の原料としても使用される。これら高分子電解質の利用法の中でも、特に、固体高分子形燃料電池は、新エネルギー技術の柱の一つとして期待されている。例えば、プロトン伝導性官能基を有する高分子化合物からなる電解質膜を使用した固体高分子形燃料電池は、低温における作動、小型軽量化が可能などの特徴を有し、自動車などの移動体、家庭用コージェネレーションシステム、および民生用小型携帯機器などへの適用が検討されている。
【０００３】
固体高分子形燃料電池に使用される電解質膜としては、１９５０年代に開発されたスチレン系の陽イオン交換膜があるが、燃料電池動作環境下における安定性に乏しく、充分な寿命を有する燃料電池を製造するには至っていない。一方、実用的な安定性を有する電解質膜としては、ナフィオン（Ｎａｆｉｏｎ）（登録商標）に代表されるパーフルオロカーボンスルホン酸膜が広く検討されている。パーフルオロカーボンスルホン酸膜は、高いプロトン伝導性を有し、耐酸性、耐酸化性などの化学的安定性に優れているとされている。しかしながらナフィオン（登録商標）は、使用原料が高く、複雑な製造工程を経るため、非常に高価であるという欠点がある。また、電極反応で生じる過酸化水素やその副生物であるヒドロキシラジカルで劣化すると指摘されている。さらに、その構造上、プロトン伝導基であるスルホン酸基の導入には限界がある。
【０００４】
このような背景から、再び炭化水素系電解質膜の開発が期待されるようになっている。その理由としては、炭化水素系電解質膜は化学構造の多様性を持たせやすく、スルホン酸基などのプロトン伝導基の導入の範囲が広く調整できる、他の材料との複合化、架橋の導入などが比較的容易であるという特徴があるからである。
【０００５】
例えば、非特許文献１では、スルホン化の容易なフェニル基を分子内に多く含む構造を有し、高温安定性を有するポリ（２，６−ジフェニル−４−フェニレンオキシド）（以下ＰＰＰＯと略す）を用い、これをスルホン化処理することで得られる、イオン交換容量（以下ＩＥＣと略す）が０．７〜２．８ｍｅｑ／ｇの高分子電解質（スルホン化ポリ（２，６−ジフェニル−４−フェニレンオキシド））が例示されている。しかしこの文献においては、ＩＥＣが２．６ｍｅｑ／ｇ以上では水に溶解してしまうことが示されており、燃料電池用電解質膜には不適である。
【０００６】
特許文献１ではベンゾニトリル構造を含むホモポリマーおよびランダム共重合体が例示されているが、ランダム共重合体やホモポリマーを用いた電解質膜では低湿度でのプロトン伝導度に有効なミクロ相分離状態になりにくいことが知られている。
【０００７】
特許文献２ではスルホン酸基が導入されたブロックおよびスルホン酸基が実質的に導入されていないブロックを有するブロック共重合体が例示されている。しかし、用いられる親水部、疎水部とも別の合成法により合成しなくてはならず、また用いられているポリパラフェニレン系のユニットの重合において副反応を抑えるために用いることのできるモノマーが限られるため、例示されているもの以外の合成は難しい。そのため、ナフィオン（登録商標）と同様に、複雑な製造工程を経るため、非常に高価であるという欠点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−２４４４３７号公報
【特許文献２】特開２００１−２５０５６７号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｎｅｗ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｆｏｒ  Ｆｕｅｌ  Ｃｅｌｌ  Ａｎｄ  Ｍｏｄｅｒｎ  Ｂａｔｔｅｒｙ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  ＩＩ  ７９６−７８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、加工性の優れ、水の少ない状況でも効率的に水を保有することができプロトン伝導を確保できる、炭化水素系高分子電解質を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、プロトン伝導度に有利なスルホン酸基を高分子電解質全体に有させながら、スルホン酸基導入率の高い部位に特定構造を含ませて部分的なスルホン酸基密度を高めると、水分の少ない状況におけるプロトン伝導度が優れることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１２】
すなわち、本発明は、スルホン酸基導入率の高いユニット、およびスルホン酸基導入率の低いユニットを含むブロック共重合体であり、スルホン酸基導入率の高いユニットが下記式（１）：
【００１３】
【化１】
2011084728.tif 000002
【００１４】
（式（１）中、Ｘ１はＯ、Ｓ、ＮＨまたは直接結合を示す。）
および／または下記式（２）：
【００１５】
【化２】
2011084728.tif 000003
【００１６】
（式（２）中、Ｘ１は上記と同様。）
で示される構造を含む、高分子電解質である。
【００１７】
上記スルホン酸基導入率の高いユニットは、下記式（３）：
【００１８】
【化３】
2011084728.tif 000004
【００１９】
（式（３）中、Ｘ１は上記と同様。Ｘ２はＯ、Ｓ、ＮＨ、ＣＯ、ＳＯ２、Ｃ（ＣＦ３）２、イソプロピリデン、フルオレニリデンまたは直接結合を示し、Ｒ１はフッ素、塩素、臭素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜９で窒素を含むヘテロ芳香環、または炭素数１〜１０のアルコキシ基を示し、Ｒ１が複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていても良い。ａ、ｂ、ｃおよびｄは０または１を示し、ｅは０〜４のうちのいずれかを示し、ｆは０〜６のうちのいずれかを示す。Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１、ｅ、およびｆは、それぞれ複数存在する場合はそれぞれ同一でも異なっていても良い。Ｙは下記式（４）：
【００２０】
【化４】
2011084728.tif 000005
【００２１】
または下記式（５）：
【００２２】
【化５】
2011084728.tif 000006
【００２３】
を示す。）で示される構造にスルホン酸基が導入されている構造を含むことが好ましい。
【００２４】
上記スルホン酸基導入率の高いユニットは、上記式（３）において、ａおよびｄが１、ｂおよびｃが０、Ｘ１がＯである構造、および／または上記式（３）において、ａおよびｄが０、ｂおよびｃが１、Ｘ１がＯである構造にスルホン酸基が導入されている構造を含むことが好ましく、具体的には、下記式（６）：
【００２５】
【化６】
2011084728.tif 000007
【００２６】
（式（６）中、Ｘ２は上記と同様。Ｒ２はフッ素、塩素、臭素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を示し、いくつかある場合はそれぞれ同一でも異なっていても良い。ｇは０〜４を示し、ｅは上記と同様。）
および／または下記式（７）：
【００２７】
【化７】
2011084728.tif 000008
【００２８】
（式（７）中、Ｘ２は上記と同様。Ｒ２は上記と同様。ｈは０〜４を示し、ｆは上記と同様。）
で示される構造にスルホン酸基が導入されている構造を含むことが好ましい。
【００２９】
上記スルホン酸基導入率の高いユニットに含まれる芳香環のうち４５〜８０％がスルホン酸基を有することが好ましい。
【００３０】
上記スルホン酸基導入率の低いユニットが下記式（８）：
【００３１】
【化８】
2011084728.tif 000009
【００３２】
（式（８）中、Ｘ３はＣＯ、またはＳＯ２を示す。Ｚ１は水素、金属イオン、またはアンモニウムイオンを示す。ｉは０〜２を示し、Ｒ３はフッ素で置換されていても良い炭素数１〜１０のアルキル基、ＣＮ、ＣＯＺ２、またはＳＯ２Ｚ２を示し、Ｚ２は置換基が付いていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基を示す。いくつかある場合はそれぞれ同一でも異なっていても良い。ｅはそれぞれ０〜４の値を示し、ｊはそれぞれ０〜１の値を示す。ただしｉ＝１の場合、ｊの合計は２未満の値である。）
で示される構造を含むことが好ましい。
【００３３】
上記スルホン酸基導入率の低いユニットは、上記式（８）において、ｅが０、ｉが１、ｊが０である構造を含むことが好ましく、具体的には下記式（９）：
【００３４】
【化９】
2011084728.tif 000010
【００３５】
（式（９）中、Ｘ３は上記と同様。）
で示される構造を含むことが好ましい。
【００３６】
本発明の高分子電解質は、上記高分子電解質を含む。
【００３７】
本発明の膜電極接合体は、上記高分子電解質膜を含む。
【００３８】
本発明の固体高分子形燃料電池は、上記高分子電解質膜および／または上記膜電極接合体を含む。
【発明の効果】
【００３９】
本発明の高分子電解質は、加工性に優れ、特に水分の少ない状況で優れたプロトン伝導度を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の高分子電解質膜を使用した固体高分子形燃料電池の要部断面の構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
本発明の一実施形態について説明すれば以下の通りである。なお、本発明は以下の説明に限定されるものではない。
【００４２】
＜高分子電解質＞
本発明の高分子電解質であるブロック共重合体は、スルホン酸基導入率の高いユニット、およびスルホン酸基導入率の低いユニットを含有し、スルホン酸基導入率の高いユニットが下記式（１）または（２）で示される構造を含み、スルホン酸基導入率の高いユニットに含まれるスルホン酸基の導入しにくい芳香環の割合を減らすことを特徴とする。この特徴により、優れたプロトン伝導度を示すことができる。
【００４３】
【化１０】
2011084728.tif 000011
【００４４】
（式（１）中、Ｘ1はＯ、Ｓ、ＮＨまたは直接結合を示す。）
【００４５】
【化１１】
2011084728.tif 000012
【００４６】
（式（２）中、Ｘ1は上記と同様。）
ブロック共重合体とは性質の異なるユニット同士が結合し、もとのユニットからなるホモポリマーとは異なる性質を有するものを指す。本発明のブロック共重合体は各ユニットを共に主鎖に有する形態であってもよいし、一方のユニットを主鎖とし、もう一方のユニットを側鎖ブロックという形で有する形態であってもよいし、各ユニットを共に主鎖にも側鎖にも有する形態であってもよい。ここで、ユニットとは基本的にある一定の成分を繰り返し単位とし、その成分の繰り返しとして表現可能な集合体、あるいはその集合体を変性したものを指す。
【００４７】
ここで、スルホン酸基導入率とは、各ユニットを形成している繰り返し単位に含まれる芳香環のうち、スルホン酸基が導入されている芳香環の割合を指す。また、ここでナフタレン環は芳香環の１つと数えるものとする。
【００４８】
【数１】
2011084728.tif 000013
【００４９】
ここで、ユニットに含まれる芳香環の数とは、ポリマーの構造により決まる。また、ポリマー構造は合成に用いる原料により決まる。合成に用いる原料が例えば、芳香族ジハライド化合物と芳香族ジオール化合物である場合、芳香族ジハライド化合物のフッ素と芳香族ジオール化合物の水酸基の水素が失われ、それぞれの部位が結合する。そのため、これらから合成されるポリマーのユニットに含まれる芳香環の数はこれらの原料成分の芳香環数の合計と等しい。
【００５０】
またユニットに含まれるスルホン酸基が導入されている芳香環の数はスルホン酸基の導入方法によって変わることが一般的に知られている。例えば、ポリマーを合成しスルホン化する一般的な方法として、濃度８０％以上の硫酸、またはクロロスルホン酸溶液でスルホン化する場合を挙げると、スルホン酸基が導入されている芳香環の数は次のようになる。
【００５１】
濃度８０％以上の硫酸、またはクロロスルホン酸溶液でスルホン化する場合、置換基を二つ以上有する芳香環、および電子吸引基と結合した芳香環を除く芳香環がスルホン化される。よって、ユニットの繰り返し単位構造において、置換基を二つ以上有する芳香環、および電子吸引基と結合した芳香環以外の芳香環の数が、スルホン酸基が導入される芳香環の数として扱える。
【００５２】
なお、スルホン酸基誘導体を有する芳香族系化合物を用いてユニットが合成される場合などのように、スルホン化する前にすでにスルホン酸基（スルホン酸基誘導体）が導入されている芳香環が含まれる場合は、ユニットを形成している繰り返し単位に含まれる芳香環として扱う。
【００５３】
スルホン酸基が導入されている芳香環の数は各ユニットのイオン交換容量を求めることで計算により求めることができる。
【００５４】
スルホン酸基導入率の高いユニットは、具体的には、ユニットを形成している繰り返し単位に含まれる全芳香環のうちスルホン酸基を有するものが３５％以上であることが好ましく、４０％以上がより好ましく４５％以上がさらに好ましい。
【００５５】
一方、スルホン酸基導入率の低いユニットは、具体的には、ユニットを形成している繰り返し単位に含まれる全芳香環のうちスルホン酸基を有するものが３５％未満であることが好ましく、３０％以下がより好ましく、２０％以下がさらに好ましい。
【００５６】
スルホン酸基導入率の高いユニットの主鎖骨格は、電子供与性官能基と結合した芳香環を多く有することが好ましく、例えば、下記式（３）で示される構造にスルホン酸基が導入されている主鎖骨格が挙げられる。
【００５７】
【化１２】
2011084728.tif 000014
【００５８】
（式（３）中、Ｘ１は上記と同様。Ｘ２はＯ、Ｓ、ＮＨ、ＣＯ、ＳＯ２、Ｃ（ＣＦ３）２、イソプロピリデン、フルオレニリデンまたは直接結合を示し、Ｒ１はフッ素、塩素、臭素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜９で窒素を含むヘテロ芳香環、または炭素数１〜１０のアルコキシ基を示し、いくつかある場合はそれぞれ同一でも異なっていても良い。ａ、ｂ、ｃおよびｄは０または１を示し、ｅは０〜４のうちのいずれかを示し、ｆは０〜６のうちのいずれかを示す。Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１、ｅ、およびｆはそれぞれいくつかある場合はそれぞれ同一でも異なっていても良い。Ｙは下記式（４）または（５）を示す。）
【００５９】
【化１３】
2011084728.tif 000015
【００６０】
【化１４】
2011084728.tif 000016
【００６１】
スルホン酸基導入率の高いユニットの主鎖骨格は、スルホン酸基密度を高める観点から、上記式（３）において、ｂおよびｃが０、ａおよびｄが１、Ｘ１がＯである構造、および／または上記式（３）において、ｂおよびｃが１、ａおよびｄが０、Ｘ１がＯである構造を含むことが好ましく、具体的には、下記式（６）および／または式（７）で示される構造にスルホン酸基が導入されている構造を有することが好ましい。
【００６２】
【化１５】
2011084728.tif 000017
【００６３】
（式（６）中、Ｘ2は上記と同様。Ｒ2はフッ素、塩素、臭素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を示し、いくつかある場合はそれぞれ同一でも異なっていても良い。ｇは０〜４を示し、ｅは上記と同様。）
【００６４】
【化１６】
2011084728.tif 000018
【００６５】
（式（７）中、Ｘ２は上記と同様。Ｒ２は上記と同様。ｈは０〜４を示し、ｆは上記と同様。）
なかでも芳香環が互いにエーテル結合した構造により主鎖が形成されているか、または芳香環同士が互いに直接結合およびエーテル結合した構造により主鎖が形成されていることがより好ましい。一般的に、電子吸引基と結合した芳香環は電子吸引基が結合していない芳香環に比べ、スルホン化によりスルホン酸基が導入されにくい。よって、電子吸引基と結合した芳香環を含有させる場合、スルホン酸基誘導体を除く電子吸引基と結合した芳香環は、ユニットに含まれる全芳香環のうち６５％未満であることが好ましく、５０％以下がより好ましく、４０％以下がさらに好ましい。
【００６６】
ここで、スルホン酸基誘導体は、スルホン酸基のスルホン酸をスルホン酸エステルなどに変換するというように、スルホン酸を保護（酸でないものに一時的に変換）している（誘導している）ものを指す。
【００６７】
本発明においてスルホン酸基導入率の低いユニットの主鎖骨格は、電子吸引性官能基と結合した芳香環を多く有するか、或いは置換基を有する芳香環を多く有することが好ましい。なかでも、スルホン酸基導入率の低いユニットに含まれる芳香環がいずれも一つ以上の電子吸引性官能基と結合しているか、或いは置換基を１個以上有することが好ましい。
【００６８】
スルホン酸基導入率の低いユニットの主鎖骨格は、電子吸引基と結合した芳香環を有していても良い。
【００６９】
スルホン酸基導入率の低いユニットの主鎖骨格としては、例えば、下記式（８）に示される主鎖骨格を有するものが好ましい。
【００７０】
【化１７】
2011084728.tif 000019
【００７１】
（式（８）中、Ｘ3はＣＯ、またはＳＯ2を示す。Ｚ1は水素、金属イオン、またはアンモニウムイオンを示す。ｉは０〜２を示し、Ｒ3はフッ素で置換されていても良い炭素数１〜１０のアルキル基、ＣＮ、ＣＯＺ2、またはＳＯ2Ｚ2を示し、Ｚ2は置換基が付いていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基を示す。いくつかある場合はそれぞれ同一でも異なっていても良い。ｅはそれぞれ０〜４の値を示し、ｊはそれぞれ０〜１の値を示す。ただしｉ＝１の場合、ｊの合計は２未満の値である。）
中でも、加工しやすさの観点から、上記式（８）において、ｅが０、ｉが１、ｊが０である構造を含むことが好ましく、具体的には下記式（９）で示される構造を有する主鎖骨格であることが好ましい。
【００７２】
【化１８】
2011084728.tif 000020
【００７３】
（式（９）中、Ｘ3は上記と同様。）
スルホン酸基導入率の高いユニットおよびスルホン酸基導入率の低いユニットの数平均分子量は、各々、２００以上が好ましく、１０００以上がより好ましく２０００以上がさらに好ましい。数平均分子量の上限は、特に設定されるわけではなく、１０００００であってもよいが、好ましくは６００００である。
【００７４】
本発明の高分子電解質は、スルホン酸基導入率の高いユニットと、スルホン酸基導入率の低いユニットを含むブロック共重合体であればよく、特に限定されるわけではないが、膜にしたときのプロトン伝導及び、形状安定性の観点から、スルホン酸基導入率の高いユニットを１０〜９０重量％の割合で含有していることが好ましい。
【００７５】
＜高分子電解質の製造＞
本発明の高分子電解質の製造法として、主に２通りの方法がありいずれの方法で行うこともできる。
【００７６】
第一の製法は、ユニット前駆体またはブロック共重合体を製造してからスルホン酸基へと変換する方法である。ただし、ここでのユニット前駆体またはブロック共重合体は、スルホン酸基、または酸化処理などによりスルホン酸基へと変換可能なスルフィド結合、スルホキシド結合、スルホン結合などの硫黄含有部位を有するモノマー、オリゴマー、またはポリマー、およびこれらのスルホン酸基誘導体のいずれかを使用して合成されるものである。
【００７７】
第二の製法は、電子吸引基を有さない芳香環を多く有するユニット前駆体またはブロック共重合体を製造してからスルホン化反応によりスルホン酸基を導入する方法である。なかでも、製造工程の簡便化の観点から、ブロック共重合体を製造してから、スルホン化反応によりスルホン酸基導入率の高いユニットを形成することが好ましい。
【００７８】
ここでは、第二の製法による高分子電解質の製造方法を説明する。
【００７９】
（ユニット前駆体の合成法）
各ユニット前駆体の合成法としては様々な方法が可能であり、一般的な重合方法（例えば、「新高分子実験学３  高分子の合成法・反応（２）縮合系高分子の合成」ｐ．７−５７、ｐ．３９９−４０１、（１９９６）共立出版株式会社、など）を適用することができる。
【００８０】
重合反応は酸素があまり存在しない雰囲気で行うことが好ましく、不活性ガス雰囲気、たとえば窒素ガス雰囲気下やアルゴンガス雰囲気下で行うのが好ましい。
【００８１】
好ましい重合反応としては、ジハライドと、フェノール性水酸基を有するジオールとの重縮合反応が例示される。
【００８２】
スルホン酸基導入率の高いユニット前駆体に式（１）および／または式（２）の構造を含有させるため、ジハライドとして、例えば、２，３−ジフルオロベンゾニトリル、２，４−ジフルオロベンゾニトリル、２，５−ジフルオロベンゾニトリル、２，６−ジフルオロベンゾニトリル、２，３−ジクロロベンゾニトリル、２，４−ジクロロベンゾニトリル、２，５−ジクロロベンゾニトリル、２，６−ジクロロベンゾニトリル、２，３−ジフルオロピリジン、２，４−ジフルオロピリジン、２，５−ジフルオロピリジン、２，６−ジフルオロピリジン、２，３−ジクロロピリジン、２，４−ジクロロピリジン、２，５−ジクロロピリジン又は２，６−ジクロロピリジンなどを使用するのが好ましい。中でも原料入手の観点から、２，６−ジフルオロピリジン、２，６−ジクロロピリジン、２，６−ジフルオロベンゾニトリル、２，６−ジクロロベンゾニトリルが好ましい。これらは１種のみを使用してもよいが、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００８３】
スルホン酸基導入率の高いユニット前駆体の合成には、フェノール性水酸基を有するジオールとしては、芳香環を少なくとも一つ有し、フェノール性水酸基を少なくとも二つ有するものを使用できる。例えば、ヒドロキノン、レソルシノール、カテコール、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−ヒドロキシ−５−ビフェニルイル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，３−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，５−ジヒドロキシベンゾフェノン、３，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、３，５−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２´−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３´−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，４´−ジヒドロキシベンゾフェノン、３，３´−ジヒドロキシベンゾフェノン、３，４´−ジヒドロキシベンゾフェノン、４，４´−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３−ジヒドロキシジフェニルスルホン、２，４−ジヒドロキシジフェニルスルホン、２，５−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，４−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，５−ジヒドロキシジフェニルスルホン、２，２´−ジヒドロキシジフェニルスルホン、２，３´−ジヒドロキシジフェニルスルホン、２，４´−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，３´−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，４´−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４´−ジヒドロキシジフェニルスルホン、２，３−ジヒドロキシビフェニル、２，４−ジヒドロキシビフェニル、２，５−ジヒドロキシビフェニル、３，４−ジヒドロキシビフェニル、３，５−ジヒドロキシビフェニル、２，２´−ジヒドロキシビフェニル、２，３´−ジヒドロキシビフェニル、２，４´−ジヒドロキシビフェニル、３，３´−ジヒドロキシビフェニル、３，４´−ジヒドロキシビフェニル、４，４´−ジヒドロキシビフェニル、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフェニルフェニル）フルオレン、１，２−ジヒドロキシナフタレン、１，３−ジヒドロキシナフタレン、１，４−ジヒドロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、１，７−ジヒドロキシナフタレン、１，８−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン、１，１´−ビ−２−ナフトール、１，１´−ビ−３−ナフトール、１，１´−ビ−４−ナフトール、１，１´−ビ−５−ナフトール、１，１´−ビ−６−ナフトール、１，１´−ビ−７−ナフトール、１，１´−ビ−８−ナフトール、２，２´−ビ−１−ナフトール、２，２´−ビ−３−ナフトール、２，２´−ビ−４−ナフトール、２，２´−ビ−５−ナフトール、２，２´−ビ−６−ナフトール、２，２´−ビ−７−ナフトール、２，２´−ビ−８−ナフトールおよびこれらの誘導体などが挙げられる。中でも、スルホン酸基導入率を高める観点から、電子吸引基を含まないものが好ましい。これらは１種のみを使��してもよいが、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００８４】
スルホン酸基導入率の低いユニット前駆体の合成には、ジハライドとして、上記スルホン酸基導入率の高いユニットの製造に使用できるジハライドを同様に使用でき、その他、４，４´−ジフルオロベンゾフェノン、４，４´−ジクロロベンゾフェノン、４，４´−ジフルオロジフェニルスルホン、４，４´−ジクロロジフェニルスルホン、またはこれらの構造異性体を用いることが出来る。また、ハロゲン置換基を２つ以上芳香環に有する芳香族化合物、芳香族カルボニル化合物、または芳香族スルホニル化合物、芳香族ニトリル化合物、芳香族ニトロ化合物、芳香族フルオロアルキル化合物も用いることが出来る。
【００８５】
ジオールとしては、スルホン酸基導入率の高いユニット前駆体の合成に使用できるジオールが同様に使用できる。中でも、スルホン酸基導入率の調整の観点から、ヒドロキノン、レソルシノール、カテコール、あるいは電子吸引基を含むものが好ましい。
【００８６】
重縮合反応には炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カルシウムなどの金属炭酸塩、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどの金属水酸化物などの塩基を一種以上用いることができる。
【００８７】
溶媒としては、重合を禁止するものでなければ特に制限は無く、例えば、複素環化合物（３−メチル−２−オキサゾリジノン、１−メチル−２−ピロリドン（以下ＮＭＰと略す）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（以下ＤＭＩと略す））、環状エーテル類（ジオキサン、テトラヒドロフラン等）、鎖状エーテル類（ジエチルエーテル、エチレングリコールジアルキルエーテル等）、二トリル化合物類（アセトニトリル、グルタロジニトリル、メトキシアセトニトリル等）、非プロトン性極性物質（ジメチルスルホキシド（以下ＤＭＳＯと略す）、スルホラン、ジメチルホルムアミド（以下ＤＭＦと略す）、ジメチルアセトアミド（以下ＤＭＡｃと略す）等）、非極性溶媒（ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等）、ハロゲン系溶媒（クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン等）、水等が列挙できる。溶解度の点から、ＤＭＩやＮＭＰなどの複素環化合物やＤＭＳＯやＤＭＦ、ＤＭＡｃなどの非プロトン性極性物質がポリマーの溶解性が高く好ましい。なかでもＤＭＩやＤＭＳＯ、ＤＭＦ、ＤＭＡｃが特にポリマーの溶解性が高く好ましい。これらは単独で用いても２種以上を併用してもよい。またシクロヘキサンやトルエンなどの溶媒を共に用い、重合により生じる水を系中から除いてもよい。
【００８８】
反応温度は重合反応に用いるモノマーの反応性、安定性に応じて適宜設定でき、好ましくは２０℃〜３００℃に設定すればよく、より好ましくは４０℃〜２５０℃であり、さらに好ましくは７０℃〜２４０℃である。この範囲よりも低温であれば反応速度が著しく低下する傾向があり、一方、高温であればモノマーおよびポリマーの分解が進行する恐れがある。
【００８９】
重合反応工程では停止操作を行うことが好ましく、これは冷却、希釈、重合禁止剤の添加によって行うことができる。重合反応工程の後に生成した高分子を取り出してもよい。さらに精製工程を追加してもよい。
【００９０】
ジハライドと、フェノール性水酸基を有するジオールとのモル比を変えることで、両末端にハロゲンの付いたハロゲン末端のポリマー、または両末端にフェノール性水酸基のついたフェノール性水酸基末端のポリマーを作ることができる。
【００９１】
（ブロック共重合体の製造）
スルホン酸基導入率の高いユニット前駆体と、スルホン酸基導入率の低いユニット前駆体とを重縮合反応で合成することができ、重合条件等は上述と同様の条件で行うことができる。いずれかのユニット前駆体をフェノール性水酸基末端に、もう一方のユニット前駆体をハロゲン末端にしておき、これらの重縮合反応によりブロック共重合体を得ることができる。いずれのユニット前駆体もフェノール性水酸基末端にしておき、連結剤を用いて、これらユニット前駆体を連結させてブロック共重合体を得ることもできる。連結基としては、２価や３価の連結基、またはデカフルオロビフェニルなどの多価の連結基を用いることができる。いずれのユニット前駆体もハロゲン末端にしておき、ジオールを用いて、これらユニット前駆体を連結させてブロック共重合体を得ることもできる。ジオールには、前述のジオールが同様に適用されうる。
【００９２】
合成工程の簡略化のために、いずれかのユニット前駆体をあらかじめ合成しておき、その反応容器にモノマーを追加し、もう一方のユニットを合成すると共にブロック共重合体を合成しても良い。
【００９３】
（スルホン酸基導入）
スルホン酸基の導入は、ブロック共重合体の合成前でもよく、ブロック共重合体の合成後でもよい。
【００９４】
スルホン化剤としては、例えば硫酸、クロロスルホン酸、発煙硫酸などが挙げられる。中でも、硫酸やクロロスルホン酸が適度な反応性を有しているため好ましい。
【００９５】
溶媒としては反応を阻害するものでなければ特に制限は無く、環状エーテル類（ジオキサン、テトラヒドロフラン等）、鎖状エーテル類（ジエチルエーテル、エチレングリコールジアルキルエーテル等）、非極性溶媒（トルエン、キシレン等）塩素系溶媒（メチレンクロリド、１，２−ジクロロエタン、エチレンクロリド等）、スルホン酸類（メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸など）、硫酸、水が列挙できる。中でも、溶解度の点からメチレンクロリドや１，２−ジクロロエタンなどの塩素系溶媒が好ましい。これらは単独で用いても２種以上を併用してもよい。
【００９６】
反応温度は反応に応じて適宜設定すればよく、具体的にはスルホン化剤の最適使用範囲である−８０℃〜２００℃に設定するのが好ましく、−５０℃〜１６０℃がより好ましく、−２０℃〜１４０℃がさらに好ましい。この範囲よりも低温であれば反応が遅くなる傾向があり、高温であれば急激な反応が起こり目的とする部位以外にもスルホン化が進行してしまう恐れがある。
【００９７】
＜高分子電解質膜＞
本発明の高分子電解質は、それ単独で、またはその他成分を含有した複合体の形態で、膜状に成型して高分子電解質膜に使用することができる。
【００９８】
製膜方法としては、公知の方法が適宜使用され得る。例えば、ホットプレス法、インフレーション法、Ｔダイ法などの溶融押出成形、キャスト法、エマルション法などの溶液からの製膜方法が例示され得る。例えば、高分子電解質を、Ｔダイがセットされた押出機に投入し、溶融混練しながら製膜を行なう方法が挙げられる。製膜工程で前記複合化を行うことも可能である。キャスト法の場合、粘度を調整した高分子電解質、または高分子電解質複合体の溶液を、ガラス板などの平板上に、バーコーター、ブレードコーターなどを用いて塗布し、溶媒を気化させて膜を得ることができる。工業的には溶液を連続的にコートダイからベルト上に塗布し、溶媒を気化させて長尺物を得る方法も一般的である。
【００９９】
高分子電解質膜の分子配向などを制御するために、得られた高分子電解質膜に対して二軸延伸などの処理を施したり、結晶化度を制御するための熱処理を施したりしてもよい。高分子電解質膜の機械的強度を向上させるために各種フィラーを添加したり、ガラス不織布などの補強剤と高分子電解質膜とをプレスにより複合化させてもよい。
【０１００】
高分子電解質膜の厚さは、用途に応じて任意の厚さを選択することができる。例えば、得られる高分子電解質膜の内部抵抗を低減することを考慮した場合、高分子フィルムの厚みは薄い程よい。一方、得られた高分子電解質膜のガス、メタノール遮断性やハンドリング性を考慮すると、高分子電解質膜の厚みは薄すぎると好ましくない場合がある。これらを考慮すると、高分子電解質膜の厚みは、１．２μｍ以上３５０μｍ以下であることが好ましい。高分子電解質膜の厚さが上記数値の範囲内であれば、取り扱いが容易であり、破損が生じ難いなどハンドリング性が向上する。高分子電解質膜のプロトン伝導性も所望の範囲で発現させることができる。
【０１０１】
高分子電解質膜は、製膜してからスルホン酸基を導入することも可能である。その場合、高分子電解質膜の製膜方法は、高分子電解質膜前駆体フィルムの製膜方法と読み替えることができる。つまり、スルホン酸基を導入する高分子、あるいはスルホン酸基を導入する高分子を含んだ複合体からフィルムを作製する方法を例示したことになる。この場合、フィルムをスルホン化することによって、最終的に高分子電解質膜を得ることになる。
【０１０２】
本発明の高分子電解質膜の特性をさらに向上させるために、電子線、γ線、イオンビーム等の放射線を照射させることも可能である。これらにより、高分子電解質膜中に架橋構造などが導入でき、さらに性能が向上する場合がある。またプラズマ処理やコロナ処理などの各種表面処理により、高分子電解質膜表面の触媒層との接着性を上げるなどの特性向上を図ることもできる。
【０１０３】
＜膜／電極接合体、燃料電池＞
本発明にかかる高分子電解質は、様々な産業上の利用が考えられる。その利用（用途）については、特に制限されるものではないが、例えば、高分子電解質膜に加えて、膜／電極接合体（以下ＭＥＡと表記する）を挙げることができる。ＭＥＡは、例えば、燃料電池、特に、固体高分子形燃料電池、および直接メタノール形燃料電池等の燃料電池に用いることができる。
【０１０４】
本発明の高分子電解質は、安価で化学構造の多様性を持つ炭化水素系材料であって、プロトン伝導度、特に水分の少ない状況でのプロトン伝導度に有利な高イオン交換容量部位を有する。よって、本発明の膜／電極接合体や燃料電地は、本発明の高分子電解質を用いた高分子電解質膜、触媒層バインダーを備えているため、高い発電特性を奏することができる。
【０１０５】
本発明の高分子電解質膜を使用した固体高分子形燃料電池の一実施形態について、図面を用いて説明する。
【０１０６】
図１は、本実施の形態にかかる高分子電解質膜を使用した固体高分子形燃料電池の要部断面の構造を模式的に示す図である。同図に示すように、本実施の形態にかかる固体高分子形燃料電池１０は、高分子電解質膜１、触媒層２・２、拡散層３・３、セパレーター４・４を備えている。
【０１０７】
高分子電解質膜１は、固体高分子形燃料電池１０のセルの略中心部に位置している。触媒層２は、高分子電解質膜１に接触するように設けられている。拡散層３は、触媒層２に隣接して設けられており、さらにその外側にセパレーター４が配置されている。セパレーター４には、燃料ガスまたは液体（メタノール水溶液など）、並びに、酸化剤を送り込むための流路５が形成されている。これらの部材は、固体高分子形燃料電池１０のセルとして構成されていると換言できる。
【０１０８】
一般的に、高分子電解質膜１に触媒層２を接合したものや、高分子電解質膜１に触媒層２と拡散層３を接合したものは、膜／電極接合体（本明細中ではＭＥＡとも表記）といわれ、固体高分子形燃料電池の基本部材として使用される。
【０１０９】
ＭＥＡを作製する方法は、従来検討されている、パーフルオロカーボンスルホン酸からなる高分子電解質膜やその他の炭化水素系高分子電解質膜（例えば、スルホン化ポリエーテルエーテルケトン、スルホン化ポリエーテルスルホン、スルホン化ポリスルホン、スルホン化ポリイミド、スルホン化ポリフェニレンサルファイドなど）で行われる公知の方法が適用可能である。
【０１１０】
ＭＥＡの具体的作製方法の一例を下記に示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１１１】
触媒層２の形成は、高分子電解質である触媒層バインダーの溶液または分散液に、金属担持触媒を分散させて、触媒層形成用の分散溶液を調合する。この分散溶液をＰＴＦＥなどの離型フィルム上にスプレーで塗布して分散溶液中の溶媒を乾燥・除去し、離型フィルム上に所定の触媒層２を形成させる。この離型フィルム上に形成した触媒層２を高分子電解質膜１の両面に配置し、所定の加熱・加圧条件下でホットプレスし、高分子電解質膜１と触媒層２を接合し、離型フィルムをはがすことによって、高分子電解質膜１の両面に触媒層２が形成されたＭＥＡが作製できる。
【０１１２】
また、上記分散溶液を、コーターなどを用いて拡散層３上に塗工して、分散溶液中の溶媒を乾燥・除去し、拡散層３上に触媒層２が形成された触媒担持ガス拡散電極を作製し、高分子電解質膜１の両側にその触媒担持ガス拡散電極の触媒層２側を配置し、所定の加熱・加圧条件下でホットプレスすることによって、高分子電解質膜１の両面に触媒層２と拡散層３とが形成されたＭＥＡが製造できる。なお、上記触媒担持ガス拡散電極には、市販のガス拡散電極（米国Ｅ−ＴＥＫ社製、など）を使用しても構わない。
【０１１３】
上記高分子電解質の溶液としては、パーフルオロカーボンスルホン酸高分子化合物のアルコール溶液（アルドリッチ社製ナフィオン（登録商標）溶液など）や、スルホン化された芳香族高分子化合物（例えば、スルホン化ポリエーテルエーテルケトン、スルホン化ポリエーテルスルホン、スルホン化ポリスルホン、スルホン化ポリイミド、スルホン化ポリフェニレンサルファイドなど）の有機溶媒溶液などが使用できる。上記金属担持触媒としては、高比表面積の導電性粒子が担体として使用可能であり、例えば、活性炭、カーボンブラック、ケッチェンブラック、バルカン、カーボンナノホーン、フラーレン、カーボンナノチューブなどの炭素材料が例示できる。
【０１１４】
金属触媒としては、燃料の酸化反応および酸素の還元反応を促進するものであれば使用可能であり、燃料極と酸化剤極で同じであっても異なっていても構わない。例えば、白金、ルテニウムなどの貴金属あるいはそれらの合金などが例示でき、それらの触媒活性の促進や、反応副生物による被毒を抑制するための助触媒を添加しても構わない。
【０１１５】
上記触媒層形成用の分散溶液は、スプレーで塗布したり、コーターで塗工したりしやすい粘度に調整するため、水や有機溶媒で適宜希釈しても構わない。また、必要に応じて触媒層２に撥水性を付与するため、テトラフルオロエチレンなどのフッ素系化合物を混合してもよい。
【０１１６】
上記拡散層３としては、カーボンクロスやカーボンペーパーなどの多孔質の導電性材料が使用可能である。これらは燃料や酸化剤の拡散性や反応副生物や未反応物質の排出性を促進するため、テトラフルオロエチレンなどで被覆して撥水性を付与したものを使用するのが好ましい。また、高分子電解質膜１と触媒層２との間に必要に応じて前述したような高分子電解質からなる接着層を設けてもよい。
【０１１７】
高分子電解質膜１と触媒層２を加熱・加圧条件下でホットプレスする条件は、使用する高分子電解質膜１や触媒層２に含まれる高分子電解質の種類に応じて適宜設定する必要がある。上記条件としては、一般的に高分子電解質膜１や触媒層２に含まれる高分子電解質の熱劣化や熱分解温度以下であって、高分子電解質膜１あるいは触媒層２に含まれる高分子電解質のガラス転移点や軟化点以上の温度、さらには高分子電解質膜１および触媒層２に含まれる高分子電解質のガラス転移点や軟化点以上の温度条件下であることが好ましい。
【０１１８】
加圧条件としては、概ね０．１ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下の範囲であることが、高分子電解質膜１と触媒層２が充分に接触するとともに、使用材料の著しい変形にともなう特性低下がなく好ましい。特にＭＥＡが高分子電解質膜１と触媒層２とからのみ形成される場合は、拡散層３を触媒層２の外側に配置して特に接合することなく接触させるのみで使用しても構わない。
【０１１９】
上記のような方法で得られたＭＥＡを、燃料ガスまたは液体、並びに、酸化剤を送り込む流路５が形成された一対のセパレーター４などの間に挿入することにより、本実施の形態にかかる固体高分子形燃料電池１０が得られる。
【０１２０】
上記セパレーター４としてはカーボングラファイトやステンレス鋼の導電性材料のものが使用できる。特にステンレス鋼などの金属製材料を使用する場合は、耐腐食性の処理を施していることが好ましい。
【０１２１】
上記の固体高分子形燃料電池１０に対して、燃料ガスまたは液体として、水素を主たる成分とするガスや、メタノールを主たる成分とするガスまたは液体を、酸化剤として、酸素を含むガス（酸素あるいは空気）を、それぞれ別個の流路５より、拡散層３を経由して触媒層２に供給することにより、固体高分子形燃料電池は発電する。このとき燃料として、例えば、含水素液体を使用する場合には直接液体形燃料電池となるし、メタノールを使用する場合には直接メタノール形燃料電池となる。つまり、固体高分子形燃料電池１０について例示した上記実施形態は、そのまま直接液体形燃料電池、直接メタノール形燃料電池についても適用可能といえる。
【０１２２】
なお、本実施の形態にかかる固体高分子形燃料電池１０を単独で、あるいは複数積層して、スタックを形成し使用することや、それらを組み込んだ燃料電池システムとすることもできる。
【０１２３】
なお、上述した例以外にも、本発明にかかる高分子電解質膜は、特開２００１−３１３０４６号公報、特開２００１−３１３０４７号公報、特開２００１−９３５５１号公報、特開２００１−９３５５８号公報、特開２００１−９３５６１号公報、特開２００１−１０２０６９号公報、特開２００１−１０２０７０号公報、特開２００１−２８３８８８号公報、特開２０００−２６８８３５号公報、特開２０００−２６８８３６号公報、特開２００１−２８３８９２号公報等で公知になっている固体高分子形燃料電池や直接メタノール形燃料電池の電解質膜として、使用可能である。これらの公知の特許文献に基づけば、当業者であれば、本発明の高分子電解質膜を用いて容易に固体高分子形燃料電池や直接メタノール形燃料電池を構成することができる。
【実施例】
【０１２４】
以下実施例を示し、本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。もちろん、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１２５】
合成例で得られたポリマーの分子量、実施例で得られた高分子電解質のイオン交換容量および高分子電解質膜のプロトン伝導度は次にとおり測定した。
【０１２６】
〔分子量の測定方法〕
ＧＰＣ法により分子量を測定した。条件は以下の通り。
【０１２７】
ＧＰＣ測定装置  ＴＯＳＯＨ社製  ＨＬＣ−８２２０
カラム          ＳＨＯＷＡ  ＤＥＮＫＯ社製  ＳｕｐｅｒＡＷ４０００、Ｓ          ｕｐｅｒＡＷ２５００の２本を直列に接続
カラム温度      ４０℃
移動相溶媒      ＮＭＰ（ＬｉＢｒを１０ｍｍｏｌ／ｄｍ3になるように添加）
溶媒流量        ０．３ｍＬ／ｍｉｎ
〔イオン交換容量（以下ＩＥＣと略す）の測定方法〕
対象となる電解質膜（約１００ｍｇ：十分に乾燥）を２５℃での塩化ナトリウム飽和水溶液２０ｍＬに浸漬し、ウォーターバス中で６０℃、３時間イオン交換反応させた。２５℃まで冷却し、次いで膜をイオン交換水で充分に洗浄し、塩化ナトリウム飽和水溶液および洗浄水をすべて回収した。この回収した溶液に、指示薬としてフェノールフタレイン溶液を加え、０．０１Ｎの水酸化ナトリウム水溶液で中和滴定し、ＩＥＣを算出した。
【０１２８】
〔プロトン伝導度の測定方法〕
プロトン伝導度測定は恒温恒湿器（ＥＳＰＥＣ社製、ＳＨ−２２１）を用いて温度と湿度を一定に保ち（約３時間）、インピーダンスアナライザー（日置社製、３５３２−５０）を用いて、電解質の抵抗を測定した。具体的にはインピーダンスアナライザーにより５０ｋＨｚ〜５ＭＨｚまでの周波数応答性を測定し、次式からプロトン伝導性を算出した。
プロトン伝導度（Ｓ／ｃｍ）＝Ｄ／（Ｗ×Ｔ×Ｒ）
ここでＤは電極間距離（ｃｍ）、Ｗは膜幅（ｃｍ）、Ｔは膜厚（ｃｍ）、Ｒは測定した抵抗値（Ω）である。本測定においては、Ｄ＝１ｃｍ、Ｗ＝１ｃｍで行い、膜厚はそれぞれのサンプルについてマイクロメーターを用いて測定した値を用いた。温度と湿度はそれぞれ８５℃、３０％ＲＨとした。
【０１２９】
〔合成例１〕
４，４´−ジフルオロジフェニルスルホン１２．２ｇ、４，４´−ジヒドロキシベンゾフェノン１０．２ｇ、炭酸カリウム８．６ｇ、ＤＭＡｃ５０ｍｌおよびトルエン１５ｍｌを窒素雰囲気下混合し、１８０度に加熱した。８時間後室温まで冷却後反応溶液を水に加え、析出したポリマーをミキサーで細かく粉砕し濾過後乾燥し、ポリマー（以下Ｐ１と呼ぶ）を得た。得られたＰ１の分子量はＭｎ＝４４０００であった。
【０１３０】
また、このＰ１を２ｇジクロロメタン１００ｍｌに溶解し、１０ｍｌのクロロスルホン酸を加えてスルホン化を行ったが、ＩＥＣは０．０５ｍｅｑ／ｇであった。スルホン酸基導入率は０．０１％であった。
【０１３１】
〔合成例２〕
合成例１において、４，４´−ジフルオロジフェニルスルホンおよび４，４´−ジヒドロキシベンゾフェノンの代わりに、２，６−ジフルオロベンゾニトリル３．０ｇおよび２，２´−ジヒドロキシビフェニル４．２ｇを使用したほかは、同様に合成を行い、白色ポリマー（以下、Ｐ２と呼ぶ。）を得た。得られたＰ２の分子量はＭｎ＝１００００であった。また、このＰ２をＰ１と同様にスルホン化したところＩＥＣは３．６２ｍｅｑ／ｇであった。スルホン酸基導入率は５２％であった。
【０１３２】
〔合成例３〕
合成例１において、４，４´−ジフルオロジフェニルスルホンおよび４，４´−ジヒドロキシベンゾフェノンの代わりに、２，６−ジフルオロベンゾニトリル３．０ｇおよび４，４´−ジヒドロキシビフェニル４．２ｇおよび２，２´−ジヒドロキシビフェニル４．２ｇを使用したほかは、同様に合成を行い、白色ポリマー（以下、Ｐ３と呼ぶ。）を得た。得られたＰ３の分子量はＭｎ＝１１０００であった。また、このＰ３をＰ１と同様にスルホン化したところＩＥＣは３．４８ｍｅｑ／ｇであった。スルホン酸基導入率は４６％であった。
【０１３３】
〔合成例４〕
合成例１において、４，４´−ジフルオロジフェニルスルホンおよび４，４´−ジヒドロキシベンゾフェノンの代わりに、２，６−ジフルオロベンゾニトリル２．６ｇおよび４，４´−（９−フルオレニリデン）ジフェノール６．０ｇを使用したほかは、同様に合成を行い、白色ポリマー（以下、Ｐ４と呼ぶ。）を得た。得られたＰ４の分子量はＭｎ＝８０００であった。また、このＰ４をＰ１と同様にスルホン化したところＩＥＣは４．０３ｍｅｑ／ｇであった。スルホン酸基導入率は５３％であった。
【０１３４】
〔合成例５〕
合成例１において、４，４´−ジフルオロジフェニルスルホンおよび４，４´−ジヒドロキシベンゾフェノンの代わりに、２，６−ジフルオロベンゾニトリル７．１ｇおよび１，１´−ビ−２−ナフトール１３．９ｇを使用したほかは、同様に合成を行い、白色ポリマー（以下、Ｐ５と呼ぶ。）を得た。得られたＰ５の分子量はＭｎ＝１３０００であった。また、このＰ５をＰ１と同様にスルホン化したところＩＥＣは２．８８ｍｅｑ／ｇであった。スルホン酸基導入率は４８％であった。
【０１３５】
〔合成例６〕
合成例１において、４，４´−ジヒドロキシベンゾフェノンの代わりにヒドロキノン４．５ｇを使用したほかは同様に合成を行い、白色ポリマーを得た（以下Ｐ６と呼ぶ）。Ｐ６の分子量はＭｎ＝４４００であった。また、このＰ６をＰ１と同様にスルホン化したところＩＥＣは２．０５ｍｅｑ／ｇであった。スルホン酸基導入率は２６％であった。
【０１３６】
〔合成例７〕
２，６−ジフルオロベンゾニトリル３．０ｇおよび２−フェニルヒドロキノン４．２ｇ、炭酸カリウム４．５ｇ、ＤＭＡｃ１０ｍｌおよびトルエン５ｍｌを窒素雰囲気下混合し、１８０度に加熱した。８時間後室温まで冷却後反応溶液を水に加え、析出したポリマーをミキサーで細かく粉砕し濾過後乾燥し、ポリマー（以下Ｐ７と呼ぶ）を得た。得られたＰ７の分子量はＭｎ＝１４０００であった。また、このＰ７をＰ１と同様にスルホン化したところＩＥＣは３．５８ｍｅｑ／ｇであった。スルホン酸基導入率は４８％であった。
【０１３７】
〔合成例８〕
２，６−ジフルオロベンゾニトリル３．０ｇおよび４，４´−ジヒドロキシビフェニル２．１ｇおよび２，２´−ジヒドロキシビフェニル２．１ｇ、炭酸カリウム４．５ｇ、ＤＭＡｃ１０ｍｌおよびトルエン５ｍｌを窒素雰囲気下混合し、１８０度に加熱した。８時間後室温まで冷却後反応溶液を水に加え、析出したポリマーをミキサーで細かく粉砕し濾過後乾燥し、ポリマー（以下Ｐ８と呼ぶ）を得た。得られたＰ８の分子量はＭｎ＝１１０００であった。また、このＰ８をＰ１と同様にスルホン化したところＩＥＣは３．５２ｍｅｑ／ｇであった。スルホン酸基導入率は４７％であった。
【０１３８】
〔実施例１〕
４，４´−ジフルオロジフェニルスルホン１．１４ｇ、４，４´−ジヒドロキシベンゾフェノン１．００ｇ、炭酸カリウム０．９ｇ、ＤＭＡｃ５ｍｌ、トルエン２ｍｌを窒素雰囲気下混合し、１８０度に加熱した。１．５時間後冷却し、Ｐ２を１．５ｇ加え、さらに１３５度で７時間反応させた。反応後室温まで冷却し、反応溶液を水に加え、白色固体を得た。ミキサーで粉砕、ろ過、メタノールで洗浄後８０度減圧乾燥を行い、ブロックポリマーを得た。得られたブロックポリマーの分子量はＭｎ５８０００であった。得られたブロックポリマー３ｇを１００ｍｌのジクロロメタンに溶解し、１０ｍｌのクロロスルホン酸を加え、スルホン化を行った。上澄み溶液を除き、沈殿物を多量の水中に加え、ミキサーで粉砕後ろ過をしながらｐＨが７になるまで多量の水で洗浄した。得られた個体を乾燥し高分子電解質を得た。
【０１３９】
得られた高分子電解質１ｇをＤＭＳＯに溶解した後、溶液をガラス基板上に流延塗布し、８０℃にて１５時間真空乾燥した後、更に１２０℃にて１８時間真空乾燥し、自己支持性のある高分子電解質膜を得た。
【０１４０】
得られた高分子電解質膜のイオン交換容量は１．７０ｍｅｑ／ｇであった。低加湿条件においてプロトン伝導度を測定したところ３．２×１０-4Ｓ／ｃｍであった。
【０１４１】
〔実施例２〕
４，４´−ジフルオロジフェニルスルホン３．０４ｇ、４，４´−ジヒドロキシベンゾフェノン２．６６ｇ、炭酸カリウム２．２ｇ、ＤＭＡｃ１０ｍｌ、トルエン４ｍｌを窒素雰囲気下混合し、１８０度に加熱した。１．５時間後冷却し、Ｐ３を３．９８ｇ加え、さらに１３５度で５時間反応させた。反応後室温まで冷却し、反応溶液を水に加え、白色固体を得た。ミキサーで粉砕、ろ過、メタノールで洗浄後８０度減圧乾燥を行い、ブロックポリマーを得た。得られたブロックポリマーの分子量はＭｎ７９０００であった。得られたブロックポリマー３ｇを６０ｍｌのジクロロメタンに溶解し、１０ｍｌのクロロスルホン酸を加え、スルホン化を行った。上澄み溶液を除き、沈殿物を多量の水中に加え、ミキサーで粉砕後ろ過をしながらｐＨが７になるまで多量の水で洗浄した。得られた個体を乾燥し高分子電解質を得た。
【０１４２】
得られた高分子電解質１ｇをＤＭＳＯに溶解した後、溶液をガラス基板上に流延塗布し、８０℃にて１５時間真空乾燥した後、更に１２０℃にて１８時間真空乾燥し、自己支持性のある高分子電解質膜を得た。
【０１４３】
得られた高分子電解質膜のイオン交換容量は１．６３ｍｅｑ／ｇであった。低加湿条件においてプロトン伝導度を測定したところ３．５×１０−４Ｓ／ｃｍであった。
【０１４４】
〔実施例３〕
４，４´−ジフルオロジフェニルスルホン２．２４ｇ、４，４´−ジヒドロキシベンゾフェノン１．９６ｇ、炭酸カリウム１．６ｇ、ＤＭＡｃ５ｍｌ、トルエン２ｍｌを窒素雰囲気下混合し、１８０度に加熱した。２時間後冷却し、Ｐ４を１．８５ｇ加え、さらに１３５度で３時間反応させた。反応後室温まで冷却し、反応溶液を水に加え、白色固体を得た。ミキサーで粉砕、ろ過、メタノールで洗浄後８０度減圧乾燥を行い、ブロックポリマーを得た。得られたブロックポリマーの分子量はＭｎ５６０００であった。得られたブロックポリマー５ｇを２００ｍｌのジクロロメタンに溶解し、１０ｍｌのクロロスルホン酸を加え、スルホン化を行った。上澄み溶液を除き、沈殿物を多量の水中に加え、ミキサーで粉砕後ろ過をしながらｐＨが７になるまで多量の水で洗浄した。得られた個体を乾燥し高分子電解質を得た。
【０１４５】
得られた高分子電解質１ｇをＤＭＳＯに溶解した後、溶液をガラス基板上に流延塗布し、８０℃にて１５時間真空乾燥した後、更に１２０℃にて１８時間真空乾燥し、自己支持性のある高分子電解質膜を得た。
【０１４６】
得られた高分子電解質膜のイオン交換容量は１．５５ｍｅｑ／ｇであった。低加湿条件においてプロトン伝導度を測定したところ３．０×１０−３Ｓ／ｃｍであった。
【０１４７】
〔実施例４〕
４，４´−ジフルオロジフェニルスルホン１．６８ｇ、４，４´−ジヒドロキシベンゾフェノン１．４７ｇ、炭酸カリウム１．２ｇ、ＤＭＡｃ５ｍｌ、トルエン２ｍｌを窒素雰囲気下混合し、１８０度に加熱した。２時間後冷却し、Ｐ５を３．００ｇ加え、さらに１３５度で３時間反応させた。反応後室温まで冷却し、反応溶液を水に加え、白色固体を得た。ミキサーで粉砕、ろ過、メタノールで洗浄後８０度減圧乾燥を行い、ブロックポリマーを得た。得られたブロックポリマーの分子量はＭｎ３９０００であった。得られたブロックポリマー３ｇを６０ｍｌのジクロロメタンに溶解し、１０ｍｌのクロロスルホン酸を加え、スルホン化を行った。上澄み溶液を除き、沈殿物を多量の水中に加え、ミキサーで粉砕後ろ過をしながらｐＨが７になるまで多量の水で洗浄した。得られた個体を乾燥し高分子電解質を得た。
【０１４８】
得られた高分子電解質１ｇをＤＭＳＯに溶解した後、溶液をガラス基板上に流延塗布し、８０℃にて１５時間真空乾燥した後、更に１２０℃にて１８時間真空乾燥し、自己支持性のある高分子電解質膜を得た。
【０１４９】
得られた高分子電解質膜のイオン交換容量は１．８１ｍｅｑ／ｇであった。低加湿条件においてプロトン伝導度を測定したところ３．７×１０−４Ｓ／ｃｍであった。
【０１５０】
〔実施例５〕
４，４´−ジフルオロジフェニルスルホン１．２３ｇ、４，４´−ジヒドロキシベンゾフェノン１．００ｇ、炭酸カリウム１．０ｇ、ＤＭＡｃ１０ｍｌ、トルエン４ｍｌを窒素雰囲気下混合し、１８０度に加熱した。１．５時間後冷却し、Ｐ７を１．５０ｇ加え、さらに１５０度で５時間反応させた。反応後室温まで冷却し、反応溶液を水に加え、白色固体を得た。ミキサーで粉砕、ろ過、メタノールで洗浄後８０度減圧乾燥を行い、ブロックポリマーを得た。得られたブロックポリマーの分子量はＭｎ６２０００であった。得られたブロックポリマー３ｇを６０ｍｌのジクロロメタンに溶解し、１０ｍｌのクロロスルホン酸を加え、スルホン化を行った。上澄み溶液を除き、沈殿物を多量の水中に加え、ミキサーで粉砕後ろ過をしながらｐＨが７になるまで多量の水で洗浄した。得られた個体を乾燥し高分子電解質を得た。
【０１５１】
得られた高分子電解質１ｇをＤＭＳＯに溶解した後、溶液をガラス基板上に流延塗布し、８０℃にて１５時間真空乾燥した後、更に１２０℃にて１８時間真空乾燥し、自己支持性のある高分子電解質膜を得た。
【０１５２】
得られた高分子電解質膜のイオン交換容量は１．４８ｍｅｑ／ｇであった。低加湿条件においてプロトン伝導度を測定したところ２．８×１０−４Ｓ／ｃｍであった。
【０１５３】
〔実施例６〕
４，４´−ジフルオロジフェニルスルホン１．２３ｇ、４，４´−ジヒドロキシベンゾフェノン１．００ｇ、炭酸カリウム１．０ｇ、ＤＭＡｃ１０ｍｌ、トルエン４ｍｌを窒素雰囲気下混合し、１８０度に加熱した。１．５時間後冷却し、Ｐ２を１．５０ｇ加え、さらに１５０度で５時間反応させた。反応後室温まで冷却し、反応溶液を水に加え、白色固体を得た。ミキサーで粉砕、ろ過、メタノールで洗浄後８０度減圧乾燥を行い、ブロックポリマーを得た。得られたブロックポリマーの分子量はＭｎ７００００であった。得られたブロックポリマー３ｇを６０ｍｌのジクロロメタンに溶解し、１０ｍｌのクロロスルホン酸を加え、スルホン化を行った。上澄み溶液を除き、沈殿物を多量の水中に加え、ミキサーで粉砕後ろ過をしながらｐＨが７になるまで多量の水で洗浄した。得られた個体を乾燥し高分子電解質を得た。
【０１５４】
得られた高分子電解質１ｇをＤＭＳＯに溶解した後、溶液をガラス基板上に流延塗布し、８０℃にて１５時間真空乾燥した後、更に１２０℃にて１８時間真空乾燥し、自己支持性のある高分子電解質膜を得た。
【０１５５】
得られた高分子電解質膜のイオン交換容量は１．７０ｍｅｑ／ｇであった。低加湿条件においてプロトン伝導度を測定したところ３．２×１０−４Ｓ／ｃｍであった。
【０１５６】
〔実施例７〕
４，４´−ジフルオロジフェニルスルホン１．２３ｇ、４，４´−ジヒドロキシベンゾフェノン１．００ｇ、炭酸カリウム１．０ｇ、ＤＭＡｃ１０ｍｌ、トルエン４ｍｌを窒素雰囲気下混合し、１８０度に加熱した。１．５時間後冷却し、Ｐ８を１．５０ｇ加え、さらに１５０度で５時間反応させた。反応後室温まで冷却し、反応溶液を水に加え、白色固体を得た。ミキサーで粉砕、ろ過、メタノールで洗浄後８０度減圧乾燥を行い、ブロックポリマーを得た。得られたブロックポリマーの分子量はＭｎ７２０００であった。得られたブロックポリマー３ｇを６０ｍｌのジクロロメタンに溶解し、１０ｍｌのクロロスルホン酸を加え、スルホン化を行った。上澄み溶液を除き、沈殿物を多量の水中に加え、ミキサーで粉砕後ろ過をしながらｐＨが７になるまで多量の水で洗浄した。得られた個体を乾燥し高分子電解質を得た。
【０１５７】
得られた高分子電解質１ｇをＤＭＳＯに溶解した後、溶液をガラス基板上に流延塗布し、８０℃にて１５時間真空乾燥した後、更に１２０℃にて１８時間真空乾燥し、自己支持性のある高分子電解質膜を得た。
【０１５８】
得られた高分子電解質膜のイオン交換容量は１．６３ｍｅｑ／ｇであった。低加湿条件においてプロトン伝導度を測定したところ３．５×１０−４Ｓ／ｃｍであった。
【０１５９】
〔比較例１〕
合成例１において、４，４´−ジヒドロキシベンゾフェノンの代わりに４，４´−ジヒドロキシジフェニルスルホン４．５ｇを使用したほかは同様の方法で合成したポリマー（Ｍｎ＝４７２００）１０ｇを３０％発煙硫酸に加え、１００℃で２０時間かけてスルホン化し、高分子電解質を得た。得られた高分子電解質を多量の水に加え、濾過および水洗を行った。得られた高分子電解質は水に溶けやすく、１．２ｇしか得られなかった。
【０１６０】
水洗処理した高分子電解質１ｇをＤＭＳＯに溶解した後、溶液をガラス板上に流延塗布し、６０℃にて１５時間真空乾燥した後、更に１２０℃にて１８時間真空乾燥し、ガラス板から剥がすときに水をかけると溶けてしまった。
【０１６１】
〔比較例２〕
合成例２において、２，２´−ジヒドロキシビフェニルの代わりに４，４´−ジヒドロキシジフェニルエーテル４．５ｇを使用したほかは同様の方法で合成したポリマー（Ｍｎ＝４７２００）６ｇを実施例１と同様にスルホン化し、高分子電解質を得た。スルホン化後多量の水に加え、濾過および水洗を行った。高分子電解質は水を吸うことによる膨潤が激しいが、５ｇ得ることができた。
【０１６２】
得られた高分子電解質０．５ｇをＤＭＳＯに溶解した後、溶液をガラス板上に流延塗布し、６０℃にて１５時間真空乾燥した後、更に１２０℃にて１８時間真空乾燥し、ガラス板から剥がすときに水をかけると溶けてしまった。
【０１６３】
〔比較例３〕
実施例１において、Ｐ２の代わりにＰ６を１ｇ用いたほかは同様に合成を行い、高分子電解質を得た。
【０１６４】
得られた高分子電解質１ｇをＤＭＳＯに溶解した後、溶液をガラス板上に流延塗布し、６０℃にて１５時間真空乾燥した後、更に１２０℃にて１８時間真空乾燥し、ガラス板から剥がすときに水をかけ、膨潤させると簡単に剥がれた。再び１２０℃で１２時間真空乾燥し、自己支持性のある高分子電解質膜を得た。
【０１６５】
得られた高分子電解質膜のイオン交換容量は１．６３ｍｅｑ／ｇであった。低加湿条件においては膜の抵抗率が高くプロトン伝導度が測定不可であった。
【０１６６】
〔比較例４〕
４，４´−ジフルオロジフェニルスルホン３．７２ｇ、４，４´−ジヒドロキシジフェニルスルホン３．７８ｇ、２，６−ジフルオロベンゾニトリル１．２９ｇおよび４，４´−ジヒドロキシビフェニル１．７３ｇ、炭酸カリウム４．３ｇ、ＤＭＡｃ２４ｍｌおよびトルエン７ｍｌを窒素雰囲気下混合し、１８０度に加熱した。８時間後室温まで冷却後反応溶液を水に加え、析出したポリマーをミキサーで細かく粉砕し濾過後乾燥しポリマーを得た。得られたランダム共重合体のポリマーの分子量はＭｎ＝４８０００であった。得られたポリマー３ｇを６０ｍｌのジクロロメタンに溶解し、１０ｍｌのクロロスルホン酸を加え、スルホン化を行った。上澄み溶液を除き、沈殿物を多量の水中に加え、ミキサーで粉砕後ろ過をしながらｐＨが７になるまで多量の水で洗浄した。得られた個体を乾燥し高分子電解質を得た。
【０１６７】
得られた高分子電解質１ｇをＤＭＳＯに溶解した後、溶液をガラス基板上に流延塗布し、８０℃にて１５時間真空乾燥した後、更に１２０℃にて１８時間真空乾燥し、自己支持性のある高分子電解質膜を得た。
【０１６８】
得られた高分子電解質膜のイオン交換容量は１．４７ｍｅｑ／ｇであった。低加湿条件においてプロトン伝導度を測定したところ６．６×１０−５Ｓ／ｃｍであった。
【０１６９】
実施例１〜４と、比較例１及び２との比較から、本発明のブロック共重合体（高分子電解質）は、良好な耐水性を有することが分かる。
【０１７０】
実施例１〜７と、比較例３および４との比較から、本発明のブロック共重合体（高分子電解質）は、低加湿条件において優れたプロトン伝導度を示すことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０１７１】
本発明の高分子電解質は固体高分子形燃料電池の材料として有用であり、特に高分子電解質膜として有用であることは明らかである。
【符号の説明】
【０１７２】
１  高分子電解質膜
２  触媒層
３  拡散層
４  セパレーター
５  流路
１０  固体高分子形燃料電池
【図１】
2011084728.tif 000029