【事件の表示】
　特願２０１１−　　８３２２「薄膜トランジスタおよびスパッタリングターゲット」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　６月２８日出願公開，特開２０１２−１２４４４６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は，特許法第４１条に基づく優先権主張（優先権主張：平成２２年４月７日及び同年１１月１５日，優先権主張の基礎となる出願：特願２０１０−８８７２５号及び特願２０１０−２５５２４９号）を伴い，平成２３年１月１８日を出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２５年　９月　２日　審査請求
　平成２６年　５月１５日　拒絶理由通知
　平成２６年　７月２２日　意見書・手続補正書　　
　平成２６年１１月１２日　拒絶理由通知（最後）
　平成２７年　１月１９日　意見書・手続補正書
　平成２７年　６月　３日　補正の却下の決定
（平成２７年１月１９日付け手続補正書でした補正を却下する。）
　平成２７年　６月　３日　拒絶査定
（平成２６年１１月１２日付け拒絶理由通知書に記載した理由１（特許法第２９条第１項第３号）によって拒絶する。）
　平成２７年　９月　９日　審判請求・手続補正書
　平成２７年１０月２９日　手続補正書（審判請求書の「請求の理由」を補正。）
　平成２８年　９月　８日　上申書
　平成２８年１０月１３日　上申書
　
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］ 
　平成２７年９月９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
　
［理由］ 
１　本件補正の内容 
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであって，特許請求の範囲は，本件補正の前後で以下のとおりである。 
　・補正前
　「【請求項１】
　薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって，
　前記酸化物は，Ｉｎ，Ｇａ，およびＺｎと；Ａｌ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と，を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの半導体層用酸化物。
　【請求項２】
　前記Ｘ群の元素としてＡｌを含むとき，Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ａｌ）×１００＝０．１〜１０原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｉを含むとき，Ｓｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｉ）×１００＝０．１〜１５原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＮｉを含むとき，Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｎｉ）×１００＝０．１〜５原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＧｅを含むとき，Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｇｅ）×１００＝０．１〜１０原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｎを含むとき，Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）×１００＝０．１〜１５原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＨｆを含むとき，Ｈｆ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｈｆ）×１００＝０．１〜１０原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＴａを含むとき，Ｔａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｔａ）×１００＝０．１〜１０原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＷを含むとき，Ｗ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｗ）×１００＝０．１〜１０原子％である請求項１に記載の酸化物。
　【請求項３】
　請求項１または２に記載の酸化物を薄膜トランジスタの半導体層として備えた薄膜トランジスタ。
　【請求項４】
　前記半導体層の密度は５．８ｇ／ｃｍ３以上である請求項３に記載の薄膜トランジスタ。
　【請求項５】
　請求項１または２に記載の酸化物を形成するためのスパッタリングターゲットであって，Ｉｎ，Ｇａ，およびＺｎと；Ａｌ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と，を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。
　【請求項６】
　前記Ｘ群の元素としてＡｌを含むとき，Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ａｌ）×１００＝０．１〜１０原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｉを含むとき，Ｓｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｉ）×１００＝０．１〜１５原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＮｉを含むとき，Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｎｉ）×１００＝０．１〜５原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＧｅを含むとき，Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｇｅ）×１００＝０．１〜１０原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｎを含むとき，Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）×１００＝０．１〜１５原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＨｆを含むとき，Ｈｆ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｈｆ）×１００＝０．１〜１０原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＴａを含むとき，Ｔａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｔａ）×１００＝０．１〜１０原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＷを含むとき，Ｗ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｗ）×１００＝０．１〜１０原子％である請求項５に記載のスパッタリングターゲット。」
　・補正後
　「【請求項１】
　酸化物半導体層と，ソース・ドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタであって，
　前記半導体層に用いられる酸化物は，Ｉｎ，Ｇａ，およびＺｎと；Ａｌ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と，を含み，
　前記Ｘ群の元素としてＡｌを含むとき，Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ａｌ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｉを含むとき，Ｓｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｉ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＮｉを含むとき，Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｎｉ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＧｅを含むとき，Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｇｅ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｎを含むとき，Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＨｆを含むとき，Ｈｆ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｈｆ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＴａを含むとき，Ｔａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｔａ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＷを含むとき，Ｗ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｗ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記ソース・ドレイン電極は，ＡｌもしくはＣｕまたはこれらの合金，またはＴｉからなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
　【請求項２】
　前記Ｘ群の元素としてＡｌを含むとき，Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ａｌ）×１００＝０．１〜１０原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｉを含むとき，Ｓｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｉ）×１００＝０．１〜１５原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＮｉを含むとき，Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｎｉ）×１００＝０．１〜５原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＧｅを含むとき，Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｇｅ）×１００＝２．０〜１０原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｎを含むとき，Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）×１００＝２．０〜１５原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＨｆを含むとき，Ｈｆ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｈｆ）×１００＝０．１〜１０原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＴａを含むとき，Ｔａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｔａ）×１００＝２．０〜１０原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＷを含むとき，Ｗ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｗ）×１００＝２．０〜１０原子％である請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
　【請求項３】
　前記半導体層の密度は５．８ｇ／ｃｍ３以上である請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ。
　【請求項４】
　請求項１または２に記載の酸化物を形成するためのスパッタリングターゲットであって，Ｉｎ，Ｇａ，およびＺｎと；Ａｌ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と，を含み，
　前記Ｘ群の元素としてＡｌを含むとき，Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ａｌ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｉを含むとき，Ｓｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｉ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＮｉを含むとき，Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｎｉ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＧｅを含むとき，Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｇｅ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｎを含むとき，Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＨｆを含むとき，Ｈｆ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｈｆ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＴａを含むとき，Ｔａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｔａ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＷを含むとき，Ｗ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｗ）×１００＝２．０原子％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
　【請求項５】
　前記Ｘ群の元素としてＡｌを含むとき，Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ａｌ）×１００＝０．１〜１０原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｉを含むとき，Ｓｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｉ）×１００＝０．１〜１５原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＮｉを含むとき，Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｎｉ）×１００＝０．１〜５原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＧｅを含むとき，Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｇｅ）×１００＝２．０〜１０原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｎを含むとき，Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）×１００＝２．０〜１５原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＨｆを含むとき，Ｈｆ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｈｆ）×１００＝０．１〜１０原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＴａを含むとき，Ｔａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｔａ）×１００＝２．０〜１０原子％であり，
　前記Ｘ群の元素としてＷを含むとき，Ｗ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｗ）×１００＝２．０〜１０原子％である請求項４に記載のスパッタリングターゲット。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正による特許請求の範囲についての補正のうち，補正前の請求項３についての補正を整理すると次のとおりとなる。
　・補正事項
　本件補正により補正前の請求項１及び２が削除されたことに伴い，補正前の請求項３を請求項１とするとともに，補正前の請求項３の「請求項１または２に記載の酸化物を薄膜トランジスタの半導体層として備えた薄膜トランジスタ。」を，下記のとおり補正すること。
　「酸化物半導体層と，ソース・ドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタであって，
　前記半導体層に用いられる酸化物は，Ｉｎ，Ｇａ，およびＺｎと；Ａｌ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と，を含み，
　前記Ｘ群の元素としてＡｌを含むとき，Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ａｌ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｉを含むとき，Ｓｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｉ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＮｉを含むとき，Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｎｉ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＧｅを含むとき，Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｇｅ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｎを含むとき，Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＨｆを含むとき，Ｈｆ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｈｆ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＴａを含むとき，Ｔａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｔａ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＷを含むとき，Ｗ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｗ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記ソース・ドレイン電極は，ＡｌもしくはＣｕまたはこれらの合金，またはＴｉからなることを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　
３　補正の適否について
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００２６】及び【００３８】ないし【００４２】の記載から，上記補正事項は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，上記補正事項は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，上記補正事項は，補正前の請求項１を引用する請求項３に記載された「薄膜トランジスタ」の構成を限定的に減縮するから，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。また，同法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかである。
　
４　独立特許要件についての検討 
（１）検討の前提
　上記３で検討したとおり，本件補正による補正前の請求項３についての補正事項は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから，本件補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき，更に検討する。
　
（２）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は，次のとおりのものと認める。（再掲）
　「【請求項１】
　酸化物半導体層と，ソース・ドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタであって，
　前記半導体層に用いられる酸化物は，Ｉｎ，Ｇａ，およびＺｎと；Ａｌ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と，を含み，
　前記Ｘ群の元素としてＡｌを含むとき，Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ａｌ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｉを含むとき，Ｓｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｉ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＮｉを含むとき，Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｎｉ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＧｅを含むとき，Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｇｅ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｎを含むとき，Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＨｆを含むとき，Ｈｆ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｈｆ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＴａを含むとき，Ｔａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｔａ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＷを含むとき，Ｗ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｗ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記ソース・ドレイン電極は，ＡｌもしくはＣｕまたはこれらの合金，またはＴｉからなることを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　
（３）引用文献１の記載と引用発明１
　ア　引用文献１
　平成２７年６月３日付け補正の却下の決定の理由に引用された，本願の優先権主張日（以下「本願優先日」という。）前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００８−１４１１１３号公報（以下「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（当審注．下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「【００１２】
　
本発明に用いることができるアモルファス酸化物半導体膜は，Ｇａ又はＺｎの少なくともいずれか一方とＩｎとを含む
【００１３】
　以下の説明では，記述を簡潔するため，
Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎを含む酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）は以降ＩＧＺＯで記す
【００１４】
　
本発明に用いられるアモルファス酸化物半導体膜は，Ｓｎ，Ａｌ
Ｇｅ
から選択される不純物の一種以上が
ＩＧＺＯ
などに添加されていてもよい。但し，この場合，半導体膜の特性に悪影響を与える場合があるので許容される上記不純物の含有量は１０原子％以下である
（イ）「【００３５】
　
図１はトップゲート型薄膜トランジスタの断面概略図である
５，６はそれぞれ，
アルミニウムなどの金属からなるドレイン電極及びソース電極である
７はＩＧＺＯ
などのアモルファル酸化物半導体膜
からなる半導体層（活性層またはチャネル層と呼ばれる）である
　イ　引用発明１ 
　上記アより，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「アモルファス酸化物半導体膜からなる半導体層と，ドレイン電極及びソース電極とを備えたトップゲート型薄膜トランジスタであって，
　上記アモルファス酸化物半導体膜は，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎを含む酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）に，Ｓｎ，Ａｌ，Ｇｅ，から選択される不純物の一種以上が添加され，上記不純物の含有量は１０原子％以下であり，
　上記ドレイン電極及びソース電極は，アルミニウムなどの金属からなる，トップゲート型薄膜トランジスタ。」
　
（４）本願補正発明と引用発明１との対比，及び新規性の判断
　ア　引用発明１における「アモルファル酸化物半導体膜からなる半導体層」，「ドレイン電極及びソース電極」，及び「トップゲート型薄膜トランジスタ」は，それぞれ，本願補正発明の「酸化物半導体層」，「ソース・ドレイン電極」，及び「薄膜トランジスタ」に相当するといえるから，引用発明１は，本願補正発明の「酸化物半導体層と，ソース・ドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタ」との構成を備えているといえる。
　イ　引用発明１において，「上記アモルファス酸化物半導体膜は，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎを含む酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）に，Ｓｎ，Ａｌ，Ｇｅ，から選択される不純物の一種以上が添加され」ることによって，「アモルファス酸化物半導体膜」が，Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎと，Ｓｎ，Ａｌ及びＧｅから選択される少なくとも一種の元素を含むことは明らかである。
　そして，引用発明１において「上記不純物の含有量は１０原子％以下であ」ることから，引用発明１の「アモルファス酸化物半導体膜」には，Ｓｎを含むとき，Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）×１００＝２．０原子％以上かつ１０原子％以下含む「アモルファス酸化物半導体膜」，Ａｌを含むとき，Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ａｌ）×１００＝０．１原子％以上かつ１０原子％以下含む「アモルファス酸化物半導体膜」，及びＧｅを含むとき，Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｇｅ）×１００＝２．０原子％以上かつ１０原子％以下含む「アモルファス酸化物半導体膜」が，それぞれ包含されると認められる。
　そうすると，引用発明１の「アモルファス酸化物半導体膜」に包含される上記の「アモルファス酸化物半導体膜」は，本願補正発明の「前記半導体層に用いられる酸化物は，Ｉｎ，Ｇａ，およびＺｎと；Ａｌ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と，を含み，
　前記Ｘ群の元素としてＡｌを含むとき，Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ａｌ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｉを含むとき，Ｓｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｉ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＮｉを含むとき，Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｎｉ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＧｅを含むとき，Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｇｅ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｎを含むとき，Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＨｆを含むとき，Ｈｆ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｈｆ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＴａを含むとき，Ｔａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｔａ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＷを含むとき，Ｗ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｗ）×１００＝２．０原子％以上であ」るとの構成において，「半導体層に用いられる酸化物」が，Ｉｎ，Ｇａ，及びＺｎと，Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素として，Ａｌ，Ｇｅ又はＳｎのいずれか一種とを含む場合の「酸化物半導体層」に相当すると認められるから，引用発明１は，本願補正発明の上記の構成を備えているといえる。
　ウ　引用発明１における「上記ドレイン電極及びソース電極は，アルミニウムなどの金属からなる」ことは，本願補正発明の「前記ソース・ドレイン電極は，ＡｌもしくはＣｕまたはこれらの合金，またはＴｉからなる」ことに相当するといえる。
　エ　上記アないしウより，本願補正発明と引用発明１とは，下記の点で一致すると認められる。
　「酸化物半導体層と，ソース・ドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタであって，
　前記半導体層に用いられる酸化物は，Ｉｎ，Ｇａ，およびＺｎと；Ａｌ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と，を含み，
　前記Ｘ群の元素としてＡｌを含むとき，Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ａｌ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｉを含むとき，Ｓｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｉ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＮｉを含むとき，Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｎｉ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＧｅを含むとき，Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｇｅ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＳｎを含むとき，Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＨｆを含むとき，Ｈｆ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｈｆ）×１００＝０．１原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＴａを含むとき，Ｔａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｔａ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記Ｘ群の元素としてＷを含むとき，Ｗ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｗ）×１００＝２．０原子％以上であり，
　前記ソース・ドレイン電極は，ＡｌもしくはＣｕまたはこれらの合金，またはＴｉからなる，薄膜トランジスタ。」
　そうすると，本願補正発明と引用発明１との間に相違点があるとは認められない。
　以上から，本願補正発明は，引用文献１に記載された発明であるといえる。
　
（５）請求人の主張について
　請求人は，平成２７年９月９日に提出され，平成２７年１０月２９日付け手続補正書により補正された，審判請求書の請求の理由で，引用文献１においてＳｎ，Ａｌ，Ｇｅの元素は「半導体膜の特性に悪影響を与える」不純物元素として挙げられているに過ぎず，含有量の下限はゼロ（０原子％）であることが最も推奨されるものであって，換言すれば，引用文献１には，ＩＧＺＯにＳｎ，Ａｌ，Ｇｅの元素を，ゼロを超えて積極的に添加することは全く意図していないと言わざるを得ず，また，Ｓｎ，Ａｌ，Ｇｅの不純物を含む例も一切開示されていないから，本願補正発明は，引用文献１に記載された発明でないと主張する。
　しかし，請求人の上記の主張は採用できない。その理由は，以下のとおりである。
　上記（３）ア（ア）によれば，引用文献１には，アモルファス酸化物半導体膜は，Ｓｎ，Ａｌ，・・・Ｇｅ，・・・から選択される不純物の一種以上が・・・ＩＧＺＯ，・・・などに添加されていてもよいこと，及び半導体膜の特性に悪影響を与える場合があるので許容される上記不純物の含有量は１０原子％以下であることが記載されているから（【００１４】），当該記載より，引用文献１には，Ｓｎ，Ａｌ，Ｇｅから選択される不純物の一種以上が１０原子％以下，ＩＧＺＯに添加されたアモルファス酸化物半導体膜が記載されているといえる。
　そして，引用文献１の上記の記載には，半導体膜の特性に悪影響を与える場合があるので許容される上記不純物の含有量は１０原子％以下である旨記載されているが，この記載から直ちに，ＩＧＺＯにＳｎ，Ａｌ，Ｇｅから選択される不純物の一種以上が含まれたアモルファス酸化物半導体膜を排除することが記載されているということはできず，また，引用文献１におけるその他の記載を参酌しても，引用文献１に，ＩＧＺＯにＳｎ，Ａｌ，Ｇｅから選択される不純物の一種以上が含まれたアモルファス酸化物半導体膜を排除することが記載されているとは認められない。
　そうすると，引用文献１には，請求人が主張するような，Ｓｎ，Ａｌ，Ｇｅから選択される不純物含有量の下限はゼロ（０原子％）であることが最も推奨されることや，ＩＧＺＯにＳｎ，Ａｌ，Ｇｅの元素を，ゼロを超えて積極的に添加することは全く意図していないことが記載されているとは認められない。
　
（６）まとめ
　本件補正後の請求項１に係る発明（本願補正発明）は，引用文献１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
  
５　むすび 
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　
第３　本願発明の新規性について
　
１　本願発明について
　平成２７年９月９日に提出された手続補正書による手続補正は前記のとおり却下されたので，本願の請求項１ないし６に係る発明は，平成２６年７月２２日に提出された手続補正書に記載されたとおりのものであり，その請求項１の記載は，再掲すると次のとおりである。（以下，本願の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
「【請求項１】
　薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって，
　前記酸化物は，Ｉｎ，Ｇａ，およびＺｎと；Ａｌ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と，を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの半導体層用酸化物。」
　
２　引用文献の記載と引用発明
（１）引用文献２の記載と引用発明２
　ア　原査定の拒絶の理由で引用文献１として引用された，本願優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，国際公開第２００９／１４２２８９号（以下「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　「[0015]　(1-3)含有元素
　
本発明の酸化物は，インジウム元素（Ｉｎ），ガリウム元素（Ｇａ），及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含む。更に好ましくは，正四価以上の金属元素（Ｘ）を含む。正四価以上の金属元素（Ｘ）としては
スズ
ゲルマニウム
タンタル
タングステン
から選ばれた１種以上の元素が挙げられる
　
本発明の酸化物を利用したスパッタリングターゲットから得られる酸化物薄膜
当該酸化物皮膜を酸化物半導体膜として利用した場合，安定性が高く，バイアスストレスによるＶｔｈシフトが抑えられ
　ここで，Ｖｔｈとは，ゲート電圧（ドレイン電圧）をかけた場合にドレイン電流が立ち上がる際の電圧をいう。また，
Ｖｔｈシフトとは，ゲート電圧（ドレイン電圧）をかけた際に起きるＶｔｈの変動をいう
　イ　引用発明２
　上記アによれば，引用文献２には，インジウム元素（Ｉｎ），ガリウム元素（Ｇａ），及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み，さらに  スズ，ゲルマニウム，タンタル，及びタングステンの１種以上の元素を含む酸化物が記載され，また，当該酸化物を利用したスパッタリングターゲットから得られる酸化物薄膜を酸化物半導体膜として利用した場合，ゲート電圧（ドレイン電圧）をかけた際に起きるＶｔｈの変動が抑えられることが記載されており，これらの記載より，引用文献２に記載の酸化物は，薄膜トランジスタの酸化物半導体膜として利用される酸化物といえるから，引用文献２には，次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「薄膜トランジスタの酸化物半導体膜として利用される酸化物である，インジウム元素（Ｉｎ），ガリウム元素（Ｇａ），及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み，さらに  スズ，ゲルマニウム，タンタル，及びタングステンの１種以上の元素を含む酸化物。」
　
（２）引用文献３の記載と引用発明３
　ア　原査定の拒絶の理由で引用文献２として引用された，本願優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００７−１２３６９９号公報（以下「引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　しかし，前記ＩｎＧａＺｎＯ４のキャリア密度を酸素空孔のみで制御しようとする場合は，成膜時にチャンバーへ導入する微量の酸素流量を精密に制御しなければならず，この制御が十分でないと，それぞれの成膜において，移動度にばらつきがある薄膜ができてしまう。また，成膜法にスパッタリング法を用いた場合には，ターゲット表面の形状の経時変化や表面の酸化状態によっても最適な酸素流量は変わってくるため再現性に乏しいという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
　本発明はかかる問題を鑑みてなされたもので，容易にアモルファス状態が得られるＩｎＧａＺｎＯ４を用い，成膜時に酸素流量の精密な制御をする必要がなく，再現性良く半導体薄膜を成膜することを可能とし，薄膜トランジスタの歩留りを向上させることを目的とする。
【００１０】
　上記の課題を達成するために，まず第１の発明は，
ＳｎをドープしたＩｎＧａＺｎＯ４薄膜からなる活性層を有することを特徴とする薄膜トランジスタである
　母体となるＩｎＧａＺｎＯ４にＳｎをドープすることで，キャリア源を酸素空孔以外にも求めることができ，酸素空孔への依存性を低減することができる。これにより半導体薄膜中のキャリア密度は，Ｓｎのドープ量で制御できることになり，薄膜形成時に微妙な酸素流量の制御が不要になる。
・・・
【発明の効果】
【００１６】
  以上の構成から，本発明には，以下の効果がある。
【００１７】
　
薄膜トランジスタの活性層の材料として，ＳｎドープＩｎＧａＺｎＯ４薄膜を用いる
（イ）「【００１９】
　
本発明の薄膜トランジスタの一例を，図１に示す
【００２０】
　まず，基板１を用意する（図２（ａ）参照）。
・・・
【００２１】
　次に，基板１上にゲート電極２を形成する（図２（ｂ）参照）。
・・・
【００２２】
　次に，ゲート絶縁膜３を作製する（図２（ｃ）参照）。
・・・
【００２３】
　次に，
活性層４を形成する
　
活性層は，ＳｎドープＩｎＧａＺｎＯ４薄膜からなる
　合金をターゲットとして活性層４を形成するには，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｎの単元素，または前記元素のうち，２〜４元素からなる合金ターゲットを１乃至４個使用して，逐次，または同時放電することにより形成する。具体的には，ＩｎＧａＺｎＯ４ターゲット及びＳｎＯ２ターゲットを用いて同時放電によりスパッタリング成膜してもよい。
またパルスレーザーデポジション（ＰＬＤ）など他の方法でも形成可能である。
　なお，ＳｎドープＩｎＧａＺｎＯ４ターゲットを用いる方法が，合金を用いて形成する方法と比較して，活性層を容易に形成することができる。
【００２４】
　次に，ソース・ドレイン電極５を形成する（図２（ｅ）参照）。・・・」
　イ　引用発明３
　上記アによれば，引用文献３には，ＳｎをドープしたＩｎＧａＺｎＯ４薄膜からなる活性層を有する薄膜トランジスタや，薄膜トランジスタの活性層の材料として，ＳｎドープＩｎＧａＺｎＯ４薄膜を用いることが記載され，ＳｎドープＩｎＧａＺｎＯ４は，酸化物といえるから，引用文献３には，次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
　「薄膜トランジスタの活性層の材料として用いられる酸化物である，ＳｎをドープしたＩｎＧａＺｎＯ４。」
　
３　本願発明と引用発明２及び３との対比，並びに新規性の判断
（１）本願発明と引用発明２との対比，及び新規性の判断
　ア　引用発明２における「薄膜トランジスタの酸化物半導体膜」及び「利用される」は，それぞれ，本願発明の「薄膜トランジスタの半導体層」及び「用いられる」に相当するといえるから，引用発明２における「薄膜トランジスタの酸化物半導体膜として利用される酸化物」は，本願発明の「薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物」及び「薄膜トランジスタの半導体層用酸化物」に相当するといえる。
　イ　引用発明２における「インジウム元素（Ｉｎ），ガリウム元素（Ｇａ），及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み，さらに  スズ，ゲルマニウム，タンタル，及びタングステンの１種以上の元素を含む酸化物」は，本願発明の「前記酸化物は，Ｉｎ，Ｇａ，およびＺｎと；Ａｌ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と，を含む」との構成において，Ｉｎ，Ｇａ，及びＺｎと，Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素として，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔａ，及びＷの一種以上を含む場合の「酸化物」に相当すると認められるから，引用発明２は，本願発明の上記の構成を備えているといえる。
（ウ）上記ア及びイより，本願発明と引用発明２とは，下記の点で一致すると認められる。
　「薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって，
　前記酸化物は，Ｉｎ，Ｇａ，およびＺｎと；Ａｌ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と，を含む，薄膜トランジスタの半導体層用酸化物。」
　そうすると，本願発明と引用発明２との間に相違点があるとは認められない。
　以上から，本願発明は，引用文献２に記載された発明であるといえる。
　
（２）本願発明と引用発明３との対比，及び新規性の判断
　ア　引用発明３における「薄膜トランジスタの活性層」は，本願発明の「薄膜トランジスタの半導体層」に相当するといえるから，引用発明３における「薄膜トランジスタの活性層の材料として用いられる酸化物」は，本願発明の「薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物」及び「薄膜トランジスタの半導体層用酸化物」に相当するといえる。
　イ　引用発明３における「ＳｎをドープしたＩｎＧａＺｎＯ４」は，本願発明の「前記酸化物は，Ｉｎ，Ｇａ，およびＺｎと；Ａｌ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と，を含む」との構成において，Ｉｎ，Ｇａ，及びＺｎと，Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素として，Ｓｎを含む場合の「酸化物」に相当すると認められるから，引用発明３は，本願発明の上記の構成を備えているといえる。
（ウ）上記ア及びイより，本願発明と引用発明３とは，下記の点で一致すると認められる。
　「薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって，
　前記酸化物は，Ｉｎ，Ｇａ，およびＺｎと；Ａｌ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と，を含む，薄膜トランジスタの半導体層用酸化物。」
　そうすると，本願発明と引用発明３との間に相違点があるとは認められない。
　以上から，本願発明は，引用文献３に記載された発明であるといえる。
　
４　まとめ
　以上のとおり，本願発明は，引用文献２に記載された発明であり，また，引用文献３に記載された発明でもあるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができないものである。
　
　
第４　結言
　以上検討したとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。