(57)【要約】【課題】液晶層が適正に交流駆動され、明るい表示が得られる液晶装置および電子機器を提供すること。【解決手段】本適用例の液晶装置１００は、ＦＦＳ方式の第１電極１９と第２電極９とを備え、第１データ線６ａおよび第２データ線６ｂの延在方向に配置された複数の画素７における前段走査線３Ｆが、後段画素の第１保持容量１３および第２保持容量１４における一方の電極を兼ねており、前段走査線３Ｆに対向配置された第１保持容量１３の他方の電極１３ａは、後段画素のＴＦＴ１１に繋がる第１引き回し配線部１３ｂを有し、前段走査線３Ｆに対向配置された第２保持容量１４の他方の電極１４ａは、後段画素のＴＦＴ１２に繋がる第２引き回し配線部１４ｂを有し、第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂは、帯状電極部９ａのエッジ部と平面的に重ならないように、後段画素の第２電極９におけるスリット９ｂ内を通過して設けられている。【選択図】図４
2011128335.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持する一対の基板のうちの一方の基板において画素ごとに設けられた、第１電極および第２電極と、前記第１電極を駆動制御する第１スイッチング素子と、前記第１電極に接続された第１保持容量と、前記第１スイッチング素子を介して前記第１電極と接続された第１データ線と、前記第２電極を駆動制御する第２スイッチング素子と、前記第２電極に接続された第２保持容量と、前記第２スイッチング素子を介して前記第２電極と接続された第２データ線と、前記第１データ線および前記第２データ線と交差するように配置され、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子に接続された走査線とを備え、前記第１電極と前記第２電極とに与えられた電位によって前記液晶層が交流駆動される液晶装置であって、
前記第２電極は、前記第１電極に対して前記液晶層側に配置され、前記第１データ線または前記第２データ線と交差する方向に間隔を置いて配置された複数の帯状電極部を有し、
前記第１データ線および前記第２データ線の延在方向に配置された複数の前記画素における前段の前記走査線が、後段画素の前記第１保持容量および前記第２保持容量における一方の電極を兼ねており、
前段の前記走査線に対向配置された前記第１保持容量の他方の電極は、後段画素の前記第１スイッチング素子に繋がる第１引き回し配線部を有し、
前段の前記走査線に対向配置された前記第２保持容量の他方の電極は、後段画素の前記第２スイッチング素子に繋がる第２引き回し配線部を有し、
前記第１引き回し配線部および前記第２引き回し配線部は、前記帯状電極部のエッジ部と平面的に重ならないように、後段画素の前記第１電極および前記第２電極が設けられた画素領域を通過して設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第１引き回し配線部および前記第２引き回し配線部は、それぞれ平面的に前記帯状電極部間の隙間を通過するように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第１引き回し配線部および前記第２引き回し配線部は、それぞれ平面的に前記帯状電極部と重なるように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第１引き回し配線部は、平面的に前記第１データ線に最も近い前記帯状電極部間の隙間と前記第１データ線との間の領域を通過し、
前記第２引き回し配線部は、平面的に前記第２データ線に最も近い前記帯状電極部間の隙間と前記第２データ線との間の領域を通過していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記走査線の延在方向において、前記第１引き回し配線部と前記第１データ線との間の距離と、前記第２引き回し配線部と前記第２データ線との間の距離とが等しいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１引き回し配線部は、前記一方の基板上において別層に設けられた第１接続部を介して前記第１スイッチング素子に繋がっており、
前記第２引き回し配線部は、前記別層に設けられた第２接続部を介して前記第２スイッチング素子に繋がっていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記走査線は、互いに並行する第１走査線と第２走査線とからなり、
前記第１走査線および前記第２走査線の延在方向に配置された隣り合う前記画素は、前記第１データ線と前記第２データ線のいずれか一方を共有すると共に、前記第１走査線と前記第２走査線とが交互に後段画素の前記第１保持容量および前記第２保持容量における一方の電極を兼ねていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記第１保持容量および前記第２保持容量における他方の電極と前記走査線とが平面的に重なった相互の面積がほぼ等しいことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置として、複数の走査線３と、第１データ線６ａと第２データ線６ｂの組からなる複数のデータ線と、複数の画素回路Ｐ１０とを有し、それぞれの画素回路Ｐ１０が、第１電極１９および第２電極９と、第１データ線６ａと第１電極１９との間に設けられた第１スイッチング素子１１と、第２データ線６ｂと第２電極９との間に設けられた第２スイッチング素子１２とを具備した電気光学装置が知られている（特許文献１；図１９参照）。
【０００３】
上記電気光学装置は、第１スイッチング素子１１および第２スイッチング素子１２を駆動制御することにより、第１電極１９と第２電極９とに異なる電位の駆動信号を印加して、電気光学素子である液晶層の交流駆動を実現したものである。このような液晶層の交流駆動によれば、所謂画像の焼き付きやフリッカーを改善できると共に消費電力を低減できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−６５３０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記電気光学装置では、図１９に示すように、走査線３と平行して配置された定電位線３５と、第１スイッチング素子１１および第２スイッチング素子１２を構成する半導体層１１ａ，１２ａを利用した一方の電極とを有している。そして、ゲート絶縁膜（誘電体層）を挟んで定電位線３５と該一方の電極とが平面的に対向配置され、第１電極１９に繋がる第１保持容量Ｃａと第２電極９に繋がる第２保持容量Ｃｂとが構成されている。したがって、互いに交差するデータ線６ａ，６ｂと走査線３とにより区分される画素領域内に第１保持容量Ｃａと第２保持容量Ｃｂとを設けているので、スイッチング素子と保持容量とを１つずつ設ける場合に比べて、所謂画素の開口率の低下（透過率の低下）を招き、電気光学装置の見栄えが低下するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例の液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基板のうちの一方の基板において画素ごとに設けられた、第１電極および第２電極と、前記第１電極を駆動制御する第１スイッチング素子と、前記第１電極に接続された第１保持容量と、前記第１スイッチング素子を介して前記第１電極と接続された第１データ線と、前記第２電極を駆動制御する第２スイッチング素子と、前記第２電極に接続された第２保持容量と、前記第２スイッチング素子を介して前記第２電極と接続された第２データ線と、前記第１データ線および前記第２データ線と交差するように配置され、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子に接続された走査線とを備え、前記第１電極と前記第２電極とに与えられた電位によって前記液晶層が交流駆動される液晶装置であって、前記第２電極は、前記第１電極に対して前記液晶層側に配置され、前記第１データ線または前記第２データ線と交差する方向に間隔を置いて配置された複数の帯状電極部を有し、前記第１データ線および前記第２データ線の延在方向に配置された複数の前記画素における前段の前記走査線が、後段画素の前記第１保持容量および前記第２保持容量における一方の電極を兼ねており、前段の前記走査線に対向配置された前記第１保持容量の他方の電極は、後段画素の前記第１スイッチング素子に繋がる第１引き回し配線部を有し、前段の前記走査線に対向配置された前記第２保持容量の他方の電極は、後段画素の前記第２スイッチング素子に繋がる第２引き回し配線部を有し、前記第１引き回し配線部および前記第２引き回し配線部は、前記帯状電極部のエッジ部と平面的に重ならないように、後段画素の前記第１電極および前記第２電極が設けられた画素領域を通過して設けられていることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、本適用例の液晶装置は、第１電極に対して液晶層側に配置された第２電極が複数の帯状電極部を有し、第１電極と複数の帯状電極部との間に発生させた電界によって液晶層を駆動するＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式である。このようなＦＦＳ方式の液晶装置を交流駆動すると、帯状電極部のエッジ部近傍における透過率が帯状電極部の直上における透過率に比べて高くなる傾向を有している。したがって、第１スイッチング素子に繋がる第１引き回し配線部と第２スイッチング素子に繋がる第２引き回し配線部とを、平面的に帯状電極部のエッジ部と重ならないように画素領域内に配置すれば、たとえ第１引き回し配線部および第２引き回し配線部が遮光性の配線部材で構成されていても画素における透過率の低下を抑制することができる。すなわち、適正な交流駆動がなされると共に明るい表示を可能とした液晶装置を提供できる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例の液晶装置において、前記第１引き回し配線部および前記第２引き回し配線部は、それぞれ平面的に前記帯状電極部間の隙間を通過するように設けられていることが好ましい。
この構成によれば、ＦＦＳ方式において帯状電極部間の隙間の透過率は、帯状電極部のエッジ部周辺に比べて低くなる傾向を有しているので、第１引き回し配線部および第２引き回し配線部を平面的に帯状電極部のエッジ部と重ならないように且つ帯状電極部間の隙間を通過するように配置すれば透過率の低下を抑制できる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例の液晶装置において、前記第１引き回し配線部および前記第２引き回し配線部は、それぞれ平面的に前記帯状電極部と重なるように設けられているとしてもよい。
この構成によれば、第１引き回し配線部および第２引き回し配線部を平面的に帯状電極部に対してエッジ部に掛からないように重ねれば透過率の低下を抑制できる。
【００１１】
［適用例４］上記適用例の液晶装置において、前記第１引き回し配線部は、平面的に前記第１データ線に最も近い前記帯状電極部間の隙間と前記第１データ線との間の領域を通過し、前記第２引き回し配線部は、平面的に前記第２データ線に最も近い前記帯状電極部間の隙間と前記第２データ線との間の領域を通過していることが好ましい。
走査線の延在方向における隣り合う画素において異なる色の表示を行う場合、隣り合う画素が近づいて配置されるほど、一方の画素における電界が他方の画素に回りこんで、結果的に異色の表示が交じり合う混色が生じ易くなる。
この構成によれば、隣り合う画素の境界側の第１データ線および第２データ線に最も近づいた状態で、第１および第２引き回し配線部が設けられているので、隣り合う画素が近づいても混色が発生し難くなる。
【００１２】
［適用例５］上記適用例の液晶装置において、前記走査線の延在方向において、前記第１引き回し配線部と前記第１データ線との間の距離と、前記第２引き回し配線部と前記第２データ線との間の距離とが等しいことが好ましい。
この構成によれば、第１および第２データ線の電位変動が第１および第２引き回し配線部に与える影響を均等化できる。
【００１３】
［適用例６］上記適用例の液晶装置において、前記第１引き回し配線部は、前記一方の基板上において別層に設けられた第１接続部を介して前記第１スイッチング素子に繋がっており、前記第２引き回し配線部は、前記別層に設けられた第２接続部を介して前記第２スイッチング素子に繋がっていることが好ましい。
この構成によれば、画素領域内に引き回される第１および第２引き回し配線部が静電気を呼び込むアンテナの機能を有していたとしても、侵入した静電気は第１および第２引き回し配線部が直接接続している第１保持容量および第２保持容量側に放電される。第１および第２スイッチング素子は、別層に設けられた第１および第２接続部を介して第１および第２引き回し配線部と繋がっているので、静電気による第１および第２スイッチング素子の破壊を防ぐことができる。
【００１４】
［適用例７］上記適用例の液晶装置において、前記走査線は、互いに並行する第１走査線と第２走査線とからなり、前記第１走査線および前記第２走査線の延在方向に配置された隣り合う前記画素は、前記第１データ線と前記第２データ線のいずれか一方を共有すると共に、前記第１走査線と前記第２走査線とが交互に後段画素の前記第１保持容量および前記第２保持容量における一方の電極を兼ねているとしてもよい。
この構成によれば、第１および第２データ線のいずれか一方を共有することによって、第１および第２データ線に交差する方向における画素領域の長さを大きくすることができ、その分画素の開口率を向上させることができる。
また、第１走査線と第２走査線とが交互に後段画素の第１保持容量および第２保持容量における一方の電極を兼ねているので、走査線に纏わる寄生容量が第１走査線または第２走査線のいずれか一方に集中することが避けられ、バランスよく配分される。それゆえに、寄生容量に起因したクロストークなどの表示不具合を低減できる。
【００１５】
［適用例８］上記適用例の液晶装置において、前記第１保持容量および前記第２保持容量における他方の電極と前記走査線とが平面的に重なった相互の面積がほぼ等しいことが好ましい。
この構成によれば、第１保持容量および第２保持容量の電気容量をほぼ同等とすることができ、電気容量が異なることに起因する第１電極および第２電極における電位の変動を抑制することができる。より詳しくは、第１電極および第２電極には、それぞれ独立してスイッチング素子と保持容量とが接続されており、スイッチング素子をオン・オフしたときに生ずるスイッチング素子と保持容量との間の電荷再配分による第１電極および第２電極への書き込み電圧シフトの影響を確実に相殺できる。それゆえに、書き込み電圧シフトの影響で発生するフリッカーやクロストークを低減して、優れた表示品位を確保できる。
【００１６】
［適用例９］本適用例の電子機器は、上記適用例の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、画素における高い透過率と表示品位とが確保された液晶装置を備えているので、見栄えのよい電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】（ａ）は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略正面図、（ｂ）は液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図２】第１実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】第１実施形態の液晶装置の画素回路の等価回路図。
【図４】（ａ）は第１実施形態の液晶装置における画素の構成を示す概略平面図、（ｂ）は画素の要部拡大図。
【図５】図４（ｂ）のＡ−Ａ’線で切った素子基板の概略断面図。
【図６】図４（ｂ）のＢ−Ｂ’線で切った素子基板の概略断面図。
【図７】ＦＦＳ方式の電極構成における画素の透過率を示すグラフ。
【図８】（ａ）は第２実施形態の液晶装置における画素の構成を示す概略平面図、（ｂ）は画素の要部拡大図。
【図９】図８（ｂ）のＤ−Ｄ’線で切った素子基板の構造を示す概略断面図。
【図１０】図８（ｂ）のＥ−Ｅ’線で切った素子基板の構造を示す概略断面図。
【図１１】（ａ）は第３実施形態の液晶装置における画素の構成を示す概略平面図、（ｂ）は画素の要部拡大図。
【図１２】図１１（ｂ）のＦ−Ｆ’線で切った素子基板の構造を示す概略断面図。
【図１３】（ａ）は第４実施形態の液晶装置における画素の構成を示す概略平面図、（ｂ）は画素の要部拡大図。
【図１４】図１３（ｂ）のＨ−Ｈ’線で切った素子基板の構造を示す概略断面図。
【図１５】第５実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図１６】第５実施形態の液晶装置の画素回路の等価回路図。
【図１７】（ａ）は第５実施形態の液晶装置における画素の構成を示す概略平面図、（ｂ）は画素の要部拡大図。
【図１８】電子機器としての携帯型情報端末を示す概略斜視図。
【図１９】従来の電気光学装置の画素の構成を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１９】
（第１実施形態）
＜液晶装置＞
本実施形態の液晶装置について、図１〜図７を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略正面図、同図（ｂ）は液晶装置の構造を示す概略断面図、図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図、図３は画素回路の等価回路図、図４（ａ）は画素の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は画素の要部拡大図、図５は図４（ｂ）のＡ−Ａ’線で切った素子基板の概略断面図、図６は図４（ｂ）のＢ−Ｂ’線で切った素子基板の概略断面図、図７はＦＦＳ方式の電極構成における画素の透過率を示すグラフである。
【００２０】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、互いに対向して配置された素子基板１０と対向基板２０とを備えている。対向基板２０は素子基板１０よりも平面的に一回り小さいサイズとなっている。
【００２１】
シール材４０により接合された素子基板１０と対向基板２０との隙間（ギャップ）に、正の誘電異方性を有する液晶が充填され液晶層５０を構成している。すなわち、素子基板１０と対向基板２０とにより液晶層５０を挟持している。
【００２２】
シール材４０の外側は、周辺回路領域であり、素子基板１０の長手方向（Ｘ方向）の一辺に沿ってデータ線駆動回路７０および外部回路と接続するための複数の実装端子８０とが設けられている。また、素子基板１０の短手方向（Ｙ方向）の他の二辺に沿って、それぞれ走査線駆動回路９０が設けられている。素子基板１０の残る一辺に沿って、２つの走査線駆動回路９０を接続する複数の配線３０が設けられている。
【００２３】
シール材４０の内側には、第１の方向としてのＸ方向およびＸ方向に直交する第２の方向としてのＹ方向にマトリックス状に配列した複数の画素７を有している。画素７は、３色のカラーフィルター２２Ｒ（赤），２２Ｇ（緑），２２Ｂ（青）のいずれかに対応して設けられている。
３色のカラーフィルター２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、同色のカラーフィルター２２がＹ方向に連続するように対向基板２０側に形成されている。また、対向基板２０には、実際に表示に寄与する複数の画素７の領域を表示領域ＡＲとし、各画素７を区画すると共に、表示領域ＡＲを額縁状に遮光する遮光膜６１が設けられている。
素子基板１０には、画素７ごとに、第１電極１９および第２電極９と、これらの電極を駆動制御するスイッチング素子とを含む画素回路Ｐ１が設けられている。
【００２４】
また、素子基板１０と対向基板２０の外側の表面（液晶層５０に対して反対側の表面）にそれぞれ偏光素子としての偏光板２４，２５が貼り付けられている。なお、視角特性などの表示品位を高めるために位相差板などの光学補償板を偏光板２４，２５と組み合わせて用いてもよい。
このような液晶装置１００は、ストライプ方式のカラーフィルター２２を備え、カラー表示を可能としたアクティブ駆動方式の透過型表示装置である。なお、透過型に限らず反射型や半透過反射型としてもよい。
【００２５】
図２に示すように、液晶装置１００は、表示領域ＡＲにおいて、複数（ｍ＋１本）の走査線３と、第１データ線６ａおよび第２データ線６ｂを１組とする複数（ｎ組）のデータ線６とを有している。複数の走査線３と複数のデータ線６とは互いに絶縁された状態で交差しており、これらの走査線３とデータ線６によって囲まれた領域に、これらに繋がる画素回路Ｐ１が設けられている。すなわち、画素回路Ｐ１はｍ行×ｎ列に亘って設けられている。以降、第１データ線６ａと第２データ線６ｂとの組を指してデータ線６と呼ぶこともある。
【００２６】
複数のデータ線６はデータ線駆動回路７０に接続されており、データ線駆動回路７０からｎ本の第１データ線６ａには第１電位Ｘ１ａ，Ｘ２ａ，…，Ｘｎａが各々供給され、ｎ本の第２データ線６ｂには第２電位Ｘ１ｂ，Ｘ２ｂ，…，Ｘｎｂが各々供給される。
【００２７】
複数の走査線３は走査線駆動回路９０に接続されており、走査線駆動回路９０からｍ＋１本の走査線３には走査信号Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｍ，Ｙｍ＋１が、パルス的に線順次で印加される。ｉ（ｉは１≦ｉ≦ｍの自然数）行、ｊ（ｊは１≦ｊ≦ｎの自然数）列の画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）は、ｉ行の走査線３の走査信号Ｙｉがアクティブになると、第１データ線６ａを介して供給される第１電位Ｘｊａおよび第２データ線６ｂを介して供給される第２電位Ｘｊｂを取り込む。
【００２８】
本実施形態では、１行目の画素回路Ｐ１において走査信号Ｙ１に対応する前段の走査線３を設け、ｍ行目の画素回路Ｐ１において走査信号Ｙｍ＋１に対応する走査線３を設けたが、これに限定されない。例えば、１行目の画素回路Ｐ１の前段にダミー画素に相当する画素回路Ｐ１を設けてもよい。
【００２９】
図３に示すように、画素回路Ｐ１は、第１電極１９および第２電極９と、第１電極１９を駆動制御する第１スイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ）１１と、第１電極１９に接続された第１保持容量１３とを有している。また、第２電極９を駆動制御する第２スイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ）１２と、第２電極９に接続された第２保持容量１４とを有している。
【００３０】
第１電極１９と第２電極９との間およびＴＦＴ１１とＴＦＴ１２との間に設けられた第３保持容量１５は、液晶層５０における電気容量や第１電極１９と第２電極９とに纏わる寄生容量をも含むものである。
【００３１】
ＴＦＴ１１は、走査線３と第１データ線６ａとの交差点付近に設けられており、その３端子のうちのゲートは走査線３に接続され、ソースは第１データ線６ａに接続され、ドレインは第１電極１９に接続されている。
【００３２】
ＴＦＴ１２は、走査線３と第２データ線６ｂとの交差点付近に設けられており、その３端子のうちのゲートは走査線３に接続され、ソースは第２データ線６ｂに接続され、ドレインは第２電極９に接続されている。
【００３３】
以降の説明上、第１データ線６ａおよび第２データ線６ｂの延在方向に配置された複数の画素７において、図面上の上方に位置する画素７を前段画素７Ｆと呼び、その下方に位置する画素７を後段画素７Ｌと呼ぶ。また、前段画素７Ｆ側の走査線３を前段走査線３Ｆと呼び、後段画素７Ｌ側の走査線３を後段走査線３Ｌと呼んで区別する。
【００３４】
第１保持容量１３および第２保持容量１４の一方の電極はそれぞれ前段走査線３Ｆに接続している。実際には、前段走査線３Ｆを上記一方の電極として利用している。
第１保持容量１３の他方の電極１３ａは、第１電極１９およびＴＦＴ１１のドレインに繋がる第１引き回し配線部１３ｂを有している。また、第２保持容量１４の他方の電極１４ａは、第２電極９およびＴＦＴ１２のドレインに繋がる第２引き回し配線部１４ｂを有している。
【００３５】
このような液晶装置１００の等価回路（図２および図３）によれば、走査信号Ｙｉがハイレベル（アクティブ）になると、ＴＦＴ１１およびＴＦＴ１２は共にオン状態となる。すると、第１データ線６ａからＴＦＴ１１を介して取り込まれた第１電位Ｘｊａが第１電極１９に印加されると共に第１保持容量１３によって保持される。また、第２データ線６ｂからＴＦＴ１２を介して取り込まれた第２電位Ｘｊｂが第２電極９に印加されると共に第２保持容量１４によって保持される。これによって、液晶層５０に電圧が印加され、第１電極１９と第２電極９との間に生じた電界によって液晶分子の配向方向が制御され、その結果、液晶層５０を透過する光の透過率が制御される。すなわち、画像データに基づいた第１電位Ｘｊａおよび第２電位Ｘｊｂが画素回路Ｐ１に取り込まれることで画素７における表示が行われる。
【００３６】
本実施形態の液晶装置１００では、例えば、第１電位Ｘｊａおよび第２電位Ｘｊｂのうち一方を定電位とし他方を画像データの階調に応じた電位とする。そして、このような電位の選択を第１電極１９と第２電極９の間で交互に繰り返すことにより、液晶層５０を交流駆動している。このような交流駆動によれば、駆動制御用の薄膜トランジスター（ＴＦＴ）１１，１２が走査信号Ｙｉによってオン状態からオフ状態に切り替わった瞬間に、液晶層５０に書き込まれた電荷が走査線３に逃げて液晶層５０における印加電圧が低下するプッシュダウン現象が生じても、直流成分が液晶層５０に印加されないので、所謂画像の焼き付きやフリッカーを低減することができる。
【００３７】
次に図４を参照して、液晶装置１００における画素７の構成について説明する。図４（ａ）に示すように、画素７は、長手方向がデータ線６に沿った略矩形状の第１電極１９と、第１電極１９に重ねて配置された同じく略矩形状の第２電極９とを有する。第２電極９は、データ線６と平行な方向に延在すると共に、走査線３の延在方向に略等間隔で配置された複数の帯状電極部９ａを有する。帯状電極部９ａ間の隙間をスリット９ｂと呼ぶ。この場合、第２電極９は、７本のスリット９ｂを有している。つまり６本の帯状電極部９ａを有している。
第１電極１９および第２電極９は、短手方向においてデータ線６と重なるように配置され、複数のデータ線６と複数の走査線３とにより平面的に区分された領域にマトリックス状に配置されている。
【００３８】
前述したように第１電極１９および第２電極９は、液晶層５０を挟持する一対の基板のうちの素子基板１０に設けられており、第１電極１９と第２電極９との間に生ずる電界によって液晶層５０における液晶分子の配向制御を行うものであって、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードと呼ばれている。
【００３９】
図４（ｂ）に示すように、ＴＦＴ１１は、第１データ線６ａと走査線３との交差点付近に設けられ、走査線３と交わるように設けられた例えばポリシリコンなどからなる半導体層１１ａを有する。この場合、半導体層１１ａは平面視で画素７の内側に折れ曲がった形状となっており、一方の端であるソース側は第１データ線６ａと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ５を介して第１データ線６ａと接続している。他方の端であるドレイン側は第１電極１９およびその拡張部１９ｄと重なっており、該拡張部１９ｄに設けられた２つのコンタクトホールＣｎ１，Ｃｎ３を介して第１電極１９と接続している。
【００４０】
ＴＦＴ１２も同様であって、第２データ線６ｂと走査線３との交差点付近に設けられ、走査線３と交わるように設けられた例えばポリシリコンなどからなり、平面視で画素７の内側に折れ曲がった形状の半導体層１２ａを有する。半導体層１２ａの一方の端であるソース側は第２データ線６ｂと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ６を介して第２データ線６ｂと接続している。他方の端であるドレイン側は第２電極９およびその拡張部９ｄと重なっており、該拡張部９ｄに設けられた２つのコンタクトホールＣｎ２，Ｃｎ４を介して第２電極９と接続している。
【００４１】
データ線６と交差する走査線３は、第１データ線６ａと第２データ線６ｂとの間においてその幅が広くなった拡幅部を有する。該拡幅部に重なるようにして第１保持容量１３の他方の電極１３ａと第２保持容量１４の他方の電極１４ａとが設けられている。他方の電極１３ａおよび他方の電極１４ａは、同じ平面積を有する四角形であって線対称に配置されている。つまり、走査線３の該拡幅部が第１保持容量１３および第２保持容量１４の一方の電極となっている。
【００４２】
他方の電極１３ａの角部から引き出された第１引き回し配線部１３ｂは、平面的に後段画素７Ｌの第１データ線６ａに最も近いスリット９ｂ内を通過するように設けられている。第１引き回し配線部１３ｂは、後段画素７ＬのＴＦＴ１１に向かって引き回され、該ＴＦＴ１１の半導体層１１ａにおけるドレイン側に接続している。そして、ドレイン側に設けられたコンタクトホールＣｎ１，Ｃｎ３を介して第１電極１９と接続している。
【００４３】
他方の電極１４ａの角部から引き出された第２引き回し配線部１４ｂも同様であって、平面的に後段画素７Ｌの第２データ線６ｂに最も近いスリット９ｂ内を通過するように設けられている。第２引き回し配線部１４ｂは、後段画素７ＬのＴＦＴ１２に向かって引き回され、ＴＦＴ１２の半導体層１２ａにおけるドレイン側に接続している。そして、ドレイン側に設けられたコンタクトホールＣｎ２，Ｃｎ４を介して第２電極９と接続している。
【００４４】
第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂは、他方の電極１３ａ，１４ａからの引き出し位置によって、一部がスリット９ｂを外れて後段画素７Ｌの第２電極９と重なるように配置されてもよいが、その大部分が、スリット９ｂ内に延在していることが画素７における透過率を確保する点において望ましい。画素７の透過率の詳細については、後述する。
【００４５】
画素７は、素子基板１０に対向配置される対向基板２０に設けられた遮光膜６１により実質的に区画されている。より具体的には、走査線３やデータ線６が設けられた領域に平面的に重なるように遮光膜６１が配置されている。本実施形態では、走査線３に重なるように設けられたコンタクトホールＣｎ３，Ｃｎ４は遮光膜６１とも重なっている。また、コンタクトホールＣｎ１〜コンタクトホールＣｎ６の平面的な形状は四角形であるが、これに限定されず多角形や円形であってもよく、大きさがほぼ同じであることが後述する寄生容量の観点から望ましい。
【００４６】
第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂが設けられた画素７の構造について、図５を参照して、より具体的に説明する。
【００４７】
図５に示すように、第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂは、素子基板１０の表面を覆う例えば酸化シリコンなどからなる絶縁膜１０ａ上に設けられている。より具体的には、絶縁膜１０ａ上に設けられるＴＦＴ１１，１２の形成工程において、例えばポリシリコンなどの半導体層をパターニングすることにより形成される。そして、第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂを覆って例えば酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜１０ｂが設けられ、さらにゲート絶縁膜１０ｂを覆うように第１層間絶縁膜１０ｃが設けられている。
【００４８】
第１層間絶縁膜１０ｃ上には、例えばアルミニウム、クロム、タングステン等の金属又はこれらを含む合金等の低抵抗配線層が形成され、該低抵抗配線層をパターニングすることにより、ＴＦＴ１１のソースに接続するコンタクトホールＣｎ５およびソース電極を兼ねた第１データ線６ａが形成される。同様に、ＴＦＴ１２のソースに接続するコンタクトホールＣｎ６およびソース電極を兼ねた第２データ線６ｂが形成される。
【００４９】
第１データ線６ａおよび第２データ線６ｂを覆って例えば酸化シリコンなどからなる保護絶縁膜１０ｄが設けられている。保護絶縁膜１０ｄの表面は、下層に設けられた第１引き回し配線部１３ｂや第２引き回し配線部１４ｂなどにより凹凸を有しているため、この凹凸の影響を低減する平坦化機能を持たせた第２層間絶縁膜１０ｅが設けられている。第２層間絶縁膜１０ｅは、酸化シリコンなどの無機材料を用いて形成してもよいし、アクリル系の有機樹脂材料を用いて形成してもよい。
【００５０】
そして、第２層間絶縁膜１０ｅの表面を覆う例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜が成膜される。この透明導電膜をパターニングして画素７ごとの第１電極１９が形成されている。
【００５１】
第１電極１９を覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第３層間絶縁膜１０ｆが設けられている。第３層間絶縁膜１０ｆの表面を覆うように例えばＩＴＯなどの透明導電膜が成膜され、これをパターニングして画素７ごとの第２電極９が形成される。
【００５２】
前述したように第２電極９は、複数の帯状電極部９ａおよびスリット９ｂを有するように形成される。第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂは、上記スリット９ｂの形成位置を考慮して、帯状電極部９ａのエッジ部と重ならずスリット９ｂ内を通過するようにパターニングされている。
【００５３】
なお、第２電極９が設けられた素子基板１０の表面を覆うようにして例えばポリイミド樹脂などからなる配向膜（図示省略）が設けられ、光学設計に基づいて液晶分子を所定の方向に初期配向させるラビングなどの配向処理が施される。
【００５４】
コンタクトホールＣｎ１，Ｃｎ２，Ｃｎ３，Ｃｎ４を用いた電気的な接続構造について、図６を参照して、さらに詳しく説明する。
【００５５】
図６に示すように、第１保持容量１３の他方の電極１３ａと第２保持容量１４の他方の電極１４ａとは、それぞれ半導体層１１ａ，１２ａの形成工程で絶縁膜１０ａ上に同時に形成される。２つの他方の電極１３ａ，１４ａを覆ってゲート絶縁膜１０ｂが形成され、ゲート絶縁膜１０ｂを介して２つの他方の電極１３ａ，１４ａに跨って対向する位置に走査線３（前段走査線３Ｆ）が形成されている。
【００５６】
走査線３を覆うように第１層間絶縁膜１０ｃが形成され、平面的（断面的）に走査線３から外れた半導体層１１ａ，１２ａのドレイン部分に対応してゲート絶縁膜１０ｂと第１層間絶縁膜１０ｃとを貫通する２つの孔が形成される。そして、これらの孔を埋めるように成膜された前述の低抵抗配線層をパターニングして、半導体層１１ａ（半導体層１１ａは第１保持容量１３の他方の電極１３ａに繋がる第１引き回し配線部１３ｂと接続している）に繋がるコンタクトホールＣｎ１を含む接続部１１ｂが形成される。同様にして、半導体層１２ａ（半導体層１２ａは第２保持容量１４の他方の電極１４ａに繋がる第２引き回し配線部１４ｂと接続している）に繋がるコンタクトホールＣｎ２を含む接続部１２ｂが形成される。２つの接続部１１ｂ，１２ｂはそれぞれ少なくとも一部が平面的（断面的）に走査線３と重なるように形成される。
【００５７】
接続部１１ｂ，１２ｂとを覆って保護絶縁膜１０ｄが設けられている。さらに平坦化機能を持たせた第２層間絶縁膜１０ｅが形成される。そして、接続部１１ｂ，１２ｂの走査線３と重なった部分に対応して保護絶縁膜１０ｄおよび第２層間絶縁膜１０ｅを貫通する孔が形成される。接続部１２ｂに通ずる孔を予め保護してから、接続部１１ｂに通ずる孔を埋めるように透明導電膜を成膜して、パターニングすることにより画素７ごとの第１電極１９とコンタクトホールＣｎ３とが形成される。
【００５８】
続いて、第１電極１９と第２層間絶縁膜１０ｅとを覆って第３層間絶縁膜１０ｆが形成され、さらにその表面に再び透明導電膜を成膜してパターニングすることにより第２電極９とコンタクトホールＣｎ４とが形成される。
【００５９】
コンタクトホールＣｎ３においてパターニングされた透明導電膜の部分が第１電極１９の拡張部１９ｄであり、コンタクトホールＣｎ４においてパターニングされた透明導電膜の部分が第２電極９の拡張部９ｄである。
【００６０】
なお、これらのコンタクトホールＣｎ３，Ｃｎ４および第２電極９を覆う配向処理が施された配向膜（図示省略）を有する。
【００６１】
次に画素７における照明光の透過率の分布について、図７を参照して説明する。液晶装置１００の光学設計を例えばノーマリーブラックとし、第１電極１９と第２電極９（帯状電極部９ａ）との間に駆動電圧を印加して液晶層５０を駆動すると、画素７における透過率は、図７のようになる。図７は、走査線３に沿った方向（Ｘ方向）における画素７の透過率の分布を示したグラフである。なお、液晶装置１００は、透過型のため素子基板１０の背面側に照明装置（バックライト）を有して用いられる。
【００６２】
図７に示すように、画素７における透過率の分布は、帯状電極部９ａのエッジ部の近傍の透過率が他に比べて高くなり、帯状電極部９ａおよびスリット９ｂの直上（Ｘ方向における各部の中間点）の透過率がエッジ部に比べて低くなる傾向を有している。これは、本実施形態において液晶分子が初期状態（オフ状態）では第２電極９が形成された素子基板１０の表面に対して略平行な状態で初期的に配向しており、オン状態では第１電極１９と帯状電極部９ａとの間に生じた電界方向（図中に矢印で表示）に配列することに起因している。
【００６３】
帯状電極部９ａやスリット９ｂの直上において配向する液晶分子は、第１電極１９と、その上層に設けられた帯状電極部９ａの両方のエッジ部との間に発生した双方の電界の影響を受けるため、該エッジ部付近に配向する液晶分子に比べて電界方向に素直に向き難い。よって、ノーマリーブラックの黒表示から白表示へ変化し難いので、帯状電極部９ａやスリット９ｂの直上における透過率がエッジ部近傍における透過率に比べて低下する。
【００６４】
したがって、半導体層をパターニングすることによって得られた遮光性を有する第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂを透過率が高い帯状電極部９ａのエッジ部と重ねずに、エッジ部よりも透過率が低いスリット９ｂ内を通過するように配置すれば、全体としての画素７のさらなる透過率の低下を抑制できる。
【００６５】
Ｘ方向（走査線３の延在方向）における第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂの幅は、スリット９ｂの幅よりもわずかに狭く、平面的（断面的）に帯状電極部９ａのエッジ部と重なっていない。どの程度幅を狭くするかは、スリット９ｂの幅にもよるがおよそ１〜２μｍ狭くすれば、画素７における透過率の低下を抑制可能である。
【００６６】
上記第１実施形態の効果は、以下の通りである。
（１）上記第１実施形態の液晶装置１００によれば、一方の電極としての前段走査線３Ｆに重なるようにして設けられた第１保持容量１３の他方の電極１３ａを有している。他方の電極１３ａから引き出された第１引き回し配線部１３ｂは、平面的に第１データ線６ａに最も近い第２電極９のスリット９ｂ内を通過して後段画素７Ｌの半導体層１１ａ（ＴＦＴ１１）のドレイン側に接続されている。同じく、一方の電極としての前段走査線３Ｆに重なるようにして設けられた第２保持容量１４の他方の電極１４ａを有している。他方の電極１４ａから引き出された第２引き回し配線部１４ｂは、平面的に第２データ線６ｂに最も近い第２電極９のスリット９ｂ内を通過して後段画素７Ｌの半導体層１２ａ（ＴＦＴ１２）のドレイン側に接続されている。
したがって、図１９に示した従来の電気光学装置における画素の構成に対して、定電位線３５が削除され、第１保持容量１３と第２保持容量１４とが前段画素７Ｆと後段画素７Ｌとの間の走査線３が設けられた遮光領域に位置し、第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂがそれぞれスリット９ｂ内を通過しているので、画素７の実質的な透過率の低下が抑制される。すなわち、明るい表示が可能な液晶装置１００を提供できる。
【００６７】
（２）第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂは、平面的にデータ線６に平行な方向に延在するスリット９ｂ内に配置されている。したがって、データ線６と直交する走査線３の延在方向において、第１引き回し配線部１３ｂと第１データ線６ａとの間の距離と、第２引き回し配線部１４ｂと第２データ線６ｂとの間の距離とが等しくなる。ゆえに、第１データ線６ａおよび第２データ線６ｂの電位変動が第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂに与える影響を均等化できる。
【００６８】
（３）一方の電極としての走査線３に対して互いに同じ平面積の他方の電極１３ａ，１４ａがゲート絶縁膜１０ｂを介して対向配置されており、走査線３と重なった部分の面積が等しいので、第１保持容量１３と第２保持容量１４とが同じ電気容量を有する。また、走査線３と第１層間絶縁膜１０ｃを介して対向配置された接続部１１ｂ，１２ｂも平面的に同じ平面積を有しており、走査線３との間の寄生容量が互いに等しくなる。つまり、ＴＦＴ１１によって駆動制御される第１電極１９に纏わる保持容量や寄生容量と、ＴＦＴ１２によって駆動制御される第２電極９に纏わる保持容量や寄生容量とが互いに等しくなる。よって、第１電極１９と第２電極９とにおいてこれらの保持容量や寄生容量が異なる場合に比べて、ＴＦＴ１１，１２をオン・オフしたときに生ずるＴＦＴ１１，１２と保持容量との間の電荷再配分による第１電極１９および第２電極９への書き込み電圧シフトの影響を確実に相殺できる。それゆえに、液晶層５０が適正に交流駆動され、焼き付きや書き込み電圧シフトの影響で発生するフリッカー、クロストークなどの表示不具合が低減され、見栄えのよい液晶装置１００を提供することができる。
【００６９】
（４）第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂは、第２電極９の帯状電極部９ａ（スリット９ｂ）の延在方向に平行して配置され、且つ平面的（断面的）に帯状電極部９ａが無いスリット９ｂ内を通過するように、スリット９ｂの直下に設けられている。したがって、第２電極９を覆う配向膜の表面において、素子基板１０上に第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂを設けること、さらにその上層に帯状電極部９ａを設けることによる凹凸の延在方向が揃うと共に、スリット９ｂ内における凹凸が緩和されるので、凹凸に起因するラビングなどの配向処理のむらが低減される。ゆえに、安定した初期配向状態が得られ、高いコントラストを有する液晶装置１００を提供できる。
【００７０】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶装置について、図８〜図１０を参照して説明する。図８（ａ）は第２実施形態の液晶装置における画素の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は画素の要部拡大図、図９は図８（ｂ）のＤ−Ｄ’線で切った素子基板の構造を示す概略断面図、図１０は図８（ｂ）のＥ−Ｅ’線で切った素子基板の構造を示す概略断面図である。
第２実施形態の液晶装置は、上記第１実施形態の液晶装置１００に対して、第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂのＴＦＴ１１，１２に対する接続方法を変えたものである。したがって、液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して、詳細の説明は省略する。
【００７１】
図８（ａ）に示すように、本実施形態の液晶装置２００は、第１データ線６ａと第２データ線６ｂとを１組とする複数のデータ線６と、データ線６に交差する複数の走査線３と、データ線６と走査線３とによって区分された画素７ＡにＦＦＳ方式の第１電極１９および第２電極９とを有する。第２電極９は、６本の帯状電極部９ａと７本のスリット９ｂとを有する。
【００７２】
走査線３に重なるように配置された第１保持容量１３の他方の電極から引き出された第１引き回し配線部１３ｂは、平面的に第１データ線６ａに最も近いスリット９ｂ内を通過するように設けられている。同じく、走査線３に重なるように配置された第２保持容量１４の他方の電極から引き出された第２引き回し配線部１４ｂは、平面的に第２データ線６ｂに最も近いスリット９ｂ内を通過するように設けられている。このような主要部の構成は、上記第１実施形態の液晶装置１００と同じである。
【００７３】
図８（ｂ）に示すように、第１保持容量１３の第１引き回し配線部１３ｂは、３つのコンタクトホールＣｎ１，Ｃｎ３，Ｃｎ７に係わる接続部１１ｂを経由してＴＦＴ１１（ドレイン）および第１電極１９に接続している。同じく、第２保持容量１４の第２引き回し配線部１４ｂは、３つのコンタクトホールＣｎ２，Ｃｎ４，Ｃｎ８に係わる接続部１２ｂを経由してＴＦＴ１２（ドレイン）および第２電極９に接続している。
つまり、第１引き回し配線部１３ｂの一方の端は、直接に、ＴＦＴ１１の半導体層１１ａに接続していない。第２引き回し配線部１４ｂの一方の端も、直接に、ＴＦＴ１２の半導体層１２ａに接続していない。
【００７４】
より具体的な第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂの接続構造について、図９および図１０を参照して説明する。
図９に示すように、素子基板１０の絶縁膜１０ａ上において第１引き回し配線部１３ｂと半導体層１１ａとは、それぞれ独立して設けられており、ゲート絶縁膜１０ｂと第１層間絶縁膜１０ｃとを貫通して設けられた２つの孔を低抵抗配線層により埋めて形成されたコンタクトホールＣｎ１，Ｃｎ７を含む接続部１１ｂを経由して接続（ブリッジ接続）している。接続部１１ｂの一方の端部に第２層間絶縁膜１０ｅを貫通するコンタクトホールＣｎ３が設けられており、第２層間絶縁膜１０ｅ上に設けられた第１電極１９と接続している。
【００７５】
図１０に示すように、素子基板１０の絶縁膜１０ａ上において第２引き回し配線部１４ｂと半導体層１２ａとは、それぞれ独立して設けられており、ゲート絶縁膜１０ｂと第１層間絶縁膜１０ｃとを貫通して設けられた２つの孔を低抵抗配線層により埋めて形成されたコンタクトホールＣｎ２，Ｃｎ８を含む接続部１２ｂを経由して接続（ブリッジ接続）している。接続部１２ｂの一方の端部に第２層間絶縁膜１０ｅと第３層間絶縁膜１０ｆとを貫通するコンタクトホールＣｎ４が設けられており、第３層間絶縁膜１０ｆ上に設けられた第２電極９と接続している。
【００７６】
なお、図８（ｂ）におけるＣ−Ｃ’線で切った素子基板１０の概略断面図は、上記第１実施形態で用いた図５と同じである。
【００７７】
上記第２実施形態の効果は、上記第１実施形態の効果（１）〜（４）に加えて以下の効果を奏する。
（５）第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂが、それぞれ接続されるべきＴＦＴ１１とＴＦＴ１２とに直接に接続せず、別層に設けられた接続部１１ｂ，１２ｂを介して間接的にブリッジ接続している。したがって、画素領域内を引き回された第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂが外部からの静電気を誘引する避雷針となっても、ＴＦＴ１１，１２のゲート容量よりも第１保持容量１３や第２保持容量１４の電気容量の方が大きいので、侵入した静電気は第１保持容量１３や第２保持容量１４を介して走査線３に放電される。つまり、静電気の侵入によるＴＦＴ１１，１２の半導体層１１ａ，１２ａの損傷を防ぐことができる。
【００７８】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態の液晶装置について、図１１および図１２を参照して説明する。図１１（ａ）は第３実施形態の液晶装置における画素の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の要部拡大図、図１２は図１１（ｂ）のＦ−Ｆ’線で切った素子基板の構造を示す概略断面図である。
第３実施形態の液晶装置は、上記第１実施形態の液晶装置１００に対して、第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂの画素領域内における配置を変えたものである。したがって、液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して、詳細の説明は省略する。
【００７９】
図１１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置３００は、第１データ線６ａと第２データ線６ｂとを１組とする複数のデータ線６と、データ線６に交差する複数の走査線３と、データ線６と走査線３とによって区分された画素７ＢにＦＦＳ方式の第１電極１９および第２電極９とを有する。第２電極９は、６本の帯状電極部９ａと７本のスリット９ｂとを有する。このような主要部の構成は、上記第１実施形態の液晶装置１００と同じである。
【００８０】
一方の電極としての走査線３の拡幅部に重なるように配置された第１保持容量１３の他方の電極１３ａから引き出された第１引き回し配線部１３ｂは、平面的に帯状電極部９ａに重なるように設けられている。同じく、一方の電極としての走査線３の拡幅部に重なるように配置された第２保持容量１４の他方の電極１４ａから引き出された第２引き回し配線部１４ｂは、平面的に帯状電極部９ａに重なるように設けられている。
【００８１】
第１引き回し配線部１３ｂの一方の端は、ＴＦＴ１１の半導体層１１ａ（ドレイン側）に直接接続している。第２引き回し配線部１４ｂの一方の端も、ＴＦＴ１２の半導体層１２ａ（ドレイン側）に直接接続している。
【００８２】
詳しくは、図１２に示すように、第３層間絶縁膜１０ｆ上に設けられた第２電極９の複数の帯状電極部９ａのうち第１データ線６ａに最も近い帯状電極部９ａの下方に位置するように、第１引き回し配線部１３ｂが設けられている。同じく、第２電極９の複数の帯状電極部９ａのうち第２データ線６ｂに最も近い帯状電極部９ａの下方に位置するように、第２引き回し配線部１４ｂが設けられている。
【００８３】
上記第１実施形態の図７を用いて説明したように、画素７Ｂにおける透過率の分布も、帯状電極部９ａのエッジ部近傍の透過率がその直上に比べて高くなる。
Ｘ方向（走査線３の延在方向）における第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂの幅は、帯状電極部９ａの幅よりもわずかに狭く、平面的（断面的）に帯状電極部９ａのエッジ部と重なっていない。どの程度幅を狭くするかは、帯状電極部９ａの幅にもよるがおよそ１〜２μｍ狭くすれば、画素７Ｂにおける透過率の低下を抑制可能である。
【００８４】
なお、図１１（ｂ）におけるＧ−Ｇ’線で切った素子基板１０におけるコンタクトホールＣｎ１，Ｃｎ３に係る第１引き回し配線部１３ｂとＴＦＴ１１や第１電極１９との接続構造、並びにコンタクトホールＣｎ２，Ｃｎ４に係る第２引き回し配線部１４ｂとＴＦＴ１２や第２電極９との接続構造は、図６を用いて説明した上記第１実施形態と同じである。
【００８５】
上記第３実施形態の効果は、上記第１実施形態の効果（２）〜（３）に加えて、以下の効果を奏する。
（６）液晶装置３００によれば、前段走査線３Ｆに重なるようにして設けられた第１保持容量１３の他方の電極１３ａから引き出された第１引き回し配線部１３ｂは、平面的に第１データ線６ａに最も近い第２電極９の帯状電極部９ａと重なるように配置されて後段画素７Ｌの半導体層１１ａ（ＴＦＴ１１）のドレイン側に接続されている。同じく、前段走査線３Ｆに重なるようにして設けられた第２保持容量１４の他方の電極１４ａから引き出された第２引き回し配線部１４ｂは、平面的に第２データ線６ｂに最も近い第２電極９の帯状電極部９ａに重なるように配置されて後段画素７Ｌの半導体層１２ａ（ＴＦＴ１２）のドレイン側に接続されている。
したがって、図１９に示した従来の電気光学装置における画素の構成に対して、定電位線３５が削除され、第１保持容量１３と第２保持容量１４とがほぼ前段画素７Ｆと後段画素７Ｌとの間の走査線３が設けられた遮光領域に位置し、第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂがそれぞれ帯状電極部９ａと重なるように配置されているので、画素７Ｂの実質的な透過率の低下を抑制することができる。すなわち、明るい表示が可能な液晶装置３００を提供できる。
【００８６】
（７）第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂは、第２電極９の帯状電極部９ａ（スリット９ｂ）の延在方向に平行して配置されている。したがって、第２電極９を覆う配向膜の表面において、素子基板１０上に第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂを設けること、さらにその上層に帯状電極部９ａを設けることによる凹凸の延在方向が揃う。言い換えれば、延在方向が異なる凹凸の混在が低減されるので、凹凸に起因するラビングなどの配向処理のむらが低減される。ゆえに、安定した初期配向状態が得られ、高いコントラストを有する液晶装置３００を提供できる。
【００８７】
（第４実施形態）
次に、第４実施形態の液晶装置について、図１３および図１４を参照して説明する。図１３（ａ）は第４実施形態の液晶装置における画素の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の要部拡大図、図１４は図１３（ｂ）のＨ−Ｈ’線で切った素子基板の構造を示す概略断面図である。
第４実施形態の液晶装置は、上記第３実施形態の液晶装置３００に対して、第２電極９における帯状電極部９ａ（スリット９ｂ）の配置と、第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂの画素領域内における配置とを変えたものである。したがって、液晶装置３００と同じ構成には同じ符号を付して、詳細の説明は省略する。
【００８８】
図１３（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置４００は、第１データ線６ａと第２データ線６ｂとを１組とする複数のデータ線６と、データ線６に交差する複数の走査線３と、データ線６と走査線３とによって区分された画素７ＣにＦＦＳ方式の第１電極１９および第２電極９とを有する。このような主要部の構成は、上記第３実施形態の液晶装置３００と同じである。その一方で、本実施形態における第２電極９は、５本の帯状電極部９ａと６本のスリット９ｂとを有する。
【００８９】
一方の電極としての走査線３の拡幅部に重なるように配置された第１保持容量１３の他方の電極１３ａから引き出された第１引き回し配線部１３ｂは、画素領域内において平面的に第１データ線６ａに最も近いスリット９ｂとの間の領域を通過するように設けられている。同じく、一方の電極としての走査線３の拡幅部に重なるように配置された第２保持容量１４の他方の電極１４ａから引き出された第２引き回し配線部１４ｂは、画素領域内において平面的に第２データ線６ｂに最も近いスリット９ｂとの間の領域を通過するように設けられている。
言い換えれば、第１引き回し配線部１３ｂは、平面的に第１データ線６ａに沿ってわずかに隙間をおいてほぼ並行するように配置されている。また、第２引き回し配線部１４ｂは、平面的に第２データ線６ｂに沿ってわずかに隙間をおいてほぼ並行するように配置されている。
【００９０】
詳しくは、図１４に示すように、第３層間絶縁膜１０ｆ上に設けられた第２電極９のスリット９ｂのエッジ部と第１データ線６ａのエッジ部との間の第２電極９における領域９ｅに重なる位置に第１引き回し配線部１３ｂが設けられている。同じく、第２電極９のスリット９ｂのエッジ部と第２データ線６ｂのエッジ部との間の第２電極９における領域９ｆに重なる位置に第２引き回し配線部１４ｂが設けられている。
【００９１】
Ｘ方向（走査線３の延在方向）における第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂの幅は、第２電極９の領域９ｅ，９ｆの幅よりもわずかに狭く、平面的（断面的）に第２電極９のエッジ部と重なっていない。どの程度幅を狭くするかは、領域９ｅ，９ｆの幅にもよるがおよそ１〜２μｍ狭くすれば、画素７Ｃにおける透過率の低下を抑制可能である。
【００９２】
なお、図１３（ｂ）において、第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂの一部が、引き回しの都合上、平面的にスリット９ｂと部分的に重なるように配置されていても実質的な透過率にはほとんど影響しないので問題にならない。
また、図１３（ｂ）におけるＪ−Ｊ’線で切った素子基板１０におけるコンタクトホールＣｎ１，Ｃｎ３に係る第１引き回し配線部１３ｂとＴＦＴ１１や第１電極１９との接続構造、並びにコンタクトホールＣｎ２，Ｃｎ４に係る第２引き回し配線部１４ｂとＴＦＴ１２や第２電極９との接続構造は、図６を用いて説明した上記第１実施形態と同じである。
【００９３】
上記第４実施形態の効果は、上記第１実施形態の効果（２）および（３）と上記第３実施形態の効果（７）に加えて、以下の効果を奏する。
【００９４】
（８）液晶装置４００によれば、第１引き回し配線部１３ｂは、平面的に第１データ線６ａと第１データ線６ａに最も近いスリット９ｂとの間の領域９ｅを通過するように配置されて後段画素７Ｌの半導体層１１ａ（ＴＦＴ１１）のドレイン側に接続されている。同じく、第２引き回し配線部１４ｂは、平面的に第２データ線６ｂと第２データ線６ｂに最も近いスリット９ｂとの間の領域９ｆを通過するように配置されて後段画素７Ｌの半導体層１２ａ（ＴＦＴ１２）のドレイン側に接続されている。
したがって、図１９に示した従来の電気光学装置における画素の構成に対して、定電位線３５が削除され、第１保持容量１３と第２保持容量１４とがほぼ前段画素７Ｆと後段画素７Ｌとの間の走査線３が設けられた遮光領域に位置している。そして、第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂがそれぞれ第１データ線６ａ、第２データ線６ｂに沿ってわずかに隙間をおいて配置されているので、画素７Ｃの実質的な透過率の低下を抑制することができる。
【００９５】
（９）液晶装置４００は、上記第１実施形態の液晶装置１００に対して、平面的（断面的）に第１引き回し配線部１３ｂおよび第２引き回し配線部１４ｂ上にスリット９ｂが存在していない。それゆえに、走査線３の延在方向（Ｘ方向）において異なる色表示がされる隣り合う画素７Ｃの境界において照明光が透過し難い。したがって、例えば、画素７ＣのＸ方向における配置ピッチが小さくなり、一方の画素７Ｃの電界が他方の画素７Ｃの液晶層５０に影響を及ぼしても、境界部分における混色が発生し難い。
【００９６】
（第５実施形態）
次に、第５実施形態の液晶装置について、図１５〜図１７を参照して説明する。図１５は第５実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図、図１６は図１５における画素回路の構成を示す等価回路図、図１７（ａ）は第５実施形態の液晶装置における画素の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は画素の要部拡大図である。
第５実施形態の液晶装置は、上記第１実施形態の液晶装置１００に対してデータ線と走査線の構成を異ならせたものである。したがって、液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して、詳細の説明は省略する。
【００９７】
図１５に示すように、本実施形態の液晶装置５００は、第１走査線３ａと第２走査線３ｂとを１組とする複数の走査線３と、これに絶縁された状態で交差する複数のデータ線６ａｂとを有している。走査線３とデータ線６ａｂとにより囲まれた領域に、これらに繋がる画素回路Ｐ２が設けられている。画素回路Ｐ２は、ｍ行×ｎ列に亘って設けられている。
【００９８】
すなわち、上記第１実施形態に対して、走査線３の延在方向における隣り合う画素間において、第１データ線６ａと第２データ線６ｂのうちの一方が共有されてデータ線の数が減少し、走査線の数が増えた状態となっている。
【００９９】
図１６に示すように、画素回路Ｐ２は、第１電極１９および第２電極９と、第１電極１９を駆動制御するＴＦＴ１１と、第１電極１９に接続された第１保持容量１３とを有している。また、第２電極９を駆動制御するＴＦＴ１２と、第２電極９に接続された第２保持容量１４とを有している。つまり基本的に第１実施形態の画素回路Ｐ１と同じ構成を有する。
【０１００】
その一方で走査線３やデータ線６ａｂへの接続が異なっている。具体的には、ＴＦＴ１１，１２はそれぞれの近傍に設けられた共通のデータ線６ａｂに接続されている。走査線３の延在方向における隣り合う画素の一方の画素回路Ｐ２は、前段画素７Ｆ側の第１走査線３ａを後段画素７Ｌの第１保持容量１３と第２保持容量１４の一方の電極として利用している。同じ列の画素回路Ｐ２におけるＴＦＴ１１，１２はすべて同じ第１走査線３ａに接続している。これに対して、他方の画素回路Ｐ２は、前段画素７Ｆ側の第２走査線３ｂを後段画素７Ｌの第１保持容量１３と第２保持容量１４の一方の電極として利用している。同じ列の画素回路Ｐ２におけるＴＦＴ１１，１２はすべて同じ第２走査線３ｂに接続している。つまり、隣り合う画素回路Ｐ２間でデータ線６ａｂを共有しているものの、互いに異なる第１走査線３ａまたは第２走査線３ｂに接続して、各画素回路Ｐ２における画像データの選択（アドレッシング）を可能としている。
【０１０１】
複数（ｎ＋１本）のデータ線６ａｂはデータ線駆動回路（図示省略）に接続されており、データ線駆動回路から第１電位Ｘ１〜Ｘｎ＋１が各々供給される。
【０１０２】
複数（ｍ＋１）の第１走査線３ａおよび第２走査線３ｂは走査線駆動回路（図示省略）に接続されており、第１走査線３ａには走査線駆動回路から走査信号Ｙ１ａ，Ｙ２ａ，…，Ｙｍａ，Ｙｍ＋１ａが、パルス的に線順次で印加される。同じく第２走査線３ｂには走査線駆動回路から走査信号Ｙ１ｂ，Ｙ２ｂ，…，Ｙｍｂ，Ｙｍ＋１ｂが、パルス的に線順次で印加される（図１５参照）。ｉ（ｉは１≦ｉ≦ｍの自然数）行、ｊ（ｊは１≦ｊ≦ｎの自然数）列の画素回路Ｐ２（ｉ，ｊ）は、ｉ行の第１走査線３ａの走査信号Ｙｉａまたは第２走査線３ｂの走査信号Ｙｉｂがアクティブになると、データ線６ａｂを介して供給される第１電位Ｘｊを取り込む。このとき、例えば隣り合う画素７間で共有するデータ線６ａｂに固定電位が供給され、他のデータ線６ａｂに画像データの階調に応じた電位が供給されると、第１電極１９と第２電極９とに異なる電位が与えられて交流駆動が実現される。
【０１０３】
次に図１７を参照して、第５実施形態の液晶装置５００における画素７Ｄの構成について説明する。図１７（ａ）に示すように、本実施形態の画素７Ｄは、上記第１実施形態と同様に、長手方向がデータ線６ａｂに沿った略矩形状の第１電極１９と、第１電極１９に重ねて配置され、複数（７本）の帯状電極部９ａおよび複数（８本）のスリット９ｂを有する第２電極９とを備えている。
第１電極１９および第２電極９は、短手方向においてデータ線６ａｂと重なるように配置され、複数のデータ線６ａｂと複数の走査線３とにより平面的に区分された領域にマトリックス状に配置されている。
【０１０４】
第１走査線３ａと第２走査線３ｂは延在方向における隣り合う画素７Ｄにおいて交互に幅が広がった拡幅部を有する。言い換えると１つの画素７Ｄでは第１走査線３ａと第２走査線３ｂのいずれか一方が拡幅部を有する。同じ列の画素７Ｄは第１走査線３ａと第２走査線３ｂとのうち同じ方側に拡幅部を有する。
【０１０５】
例えば、図面上の左側の画素列では、第２走査線３ｂが拡幅部を有し、右側の画素列では第１走査線３ａが拡幅部を有する。
【０１０６】
図１７（ｂ）に示すように、左側の画素列のＴＦＴ１１の半導体層１１ａは、平面視で第２走査線３ｂと交わり画素７Ｄの内側に折れ曲がった形状となっている。一方の端であるソース側はデータ線６ａｂと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ１５を介してデータ線６ａｂと接続している。他方の端であるドレイン側は第１電極１９およびその拡張部１９ｄと重なっており、該拡張部１９ｄに設けられた２つのコンタクトホールＣｎ１１，Ｃｎ１３を介して第１電極１９と接続している。
【０１０７】
ＴＦＴ１２も同様であって、平面視で第２走査線３ｂと交わり画素７Ｄ側に折れ曲がった形状の半導体層１２ａを有する。半導体層１２ａの一方の端であるソース側はデータ線６ａｂと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ１６を介してデータ線６ａｂと接続している。他方の端であるドレイン側は第２電極９およびその拡張部９ｄと重なっており、該拡張部９ｄに設けられた２つのコンタクトホールＣｎ１２，Ｃｎ１４を介して第２電極９と接続している。
【０１０８】
一方の電極としての前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）の拡幅部に重なるようにして後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａと第２保持容量１４の他方の電極１４ａとが設けられている。他方の電極１３ａおよび他方の電極１４ａは、同じ平面積を有する四角形であって線対称に配置されている。
【０１０９】
他方の電極１３ａの角部付近から延出された第１引き回し配線部１３ｂは、平面的にデータ線６ａｂに最も近いスリット９ｂ内を通過するように引き回され、その端部は、ＴＦＴ１１の半導体層１１ａ（ドレイン側）に接続している。他方の電極１３ａと第１引き回し配線部１３ｂとは、半導体層１１ａの形成と同時にパターニング形成されている。
同じく、他方の電極１４ａの角部付近から延出された第２引き回し配線部１４ｂは、平面的にデータ線６ａｂに最も近いスリット９ｂ内を通過するように引き回され、その端部は、ＴＦＴ１２の半導体層１２ａ（ドレイン側）に接続している。他方の電極１４ａと第２引き回し配線部１４ｂとは、半導体層１２ａの形成と同時にパターニング形成されている。
【０１１０】
つまり、後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａと、同じく後段画素の第１電極１９およびＴＦＴ１１(ドレイン)とは、第１引き回し配線部１３ｂと、前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）の拡幅部に重なるように設けられたコンタクトホールＣｎ１３と、該拡幅部から第１走査線３ａ側に外れた位置に設けられたコンタクトホールＣｎ１１とを介して接続している。
後段画素の第２保持容量１４の他方の電極１４ａと、同じく後段画素の第２電極９およびＴＦＴ１２(ドレイン）とは、第２引き回し配線部１４ｂと、前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）の拡幅部に重なるように設けられたコンタクトホールＣｎ１４と、該拡幅部から第１走査線３ａ側に外れた位置に設けられたコンタクトホールＣｎ１２とを介して接続している。
【０１１１】
画素７Ｄごとに設けられた、これら４個のコンタクトホールＣｎ１１〜Ｃｎ１４は、前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）に沿った位置に配置されている。また、第１電極１９に纏わるコンタクトホールＣｎ１１，Ｃｎ１３と、第２電極９に纏わるコンタクトホールＣｎ１２，Ｃｎ１４とがデータ線６ａｂと平行な軸に対して線対称に配置されている。
【０１１２】
もう一方の第１走査線３ａはコンタクトホールＣｎ１１，Ｃｎ１２を避けるようにして、前段画素の第１電極１９（第２電極９）における長手方向の端部に重なるように画素領域内において屈曲している。
【０１１３】
右側の画素列のＴＦＴ１１の半導体層１１ａは、平面視で第１走査線３ａと交わり画素７Ｄの内側に折れ曲がった形状となっている。一方の端であるソース側はデータ線６ａｂと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ２５を介してデータ線６ａｂと接続している。他方の端であるドレイン側は第１電極１９の拡張部１９ｄに設けられたコンタクトホールＣｎ２３と、これに繋がるコンタクトホールＣｎ２１とを介して第１電極１９と接続している。
【０１１４】
ＴＦＴ１２も同様であって、平面視で第１走査線３ａと交わり画素７Ｄの内側に折れ曲がった形状の半導体層１２ａを有する。半導体層１２ａの一方の端であるソース側はデータ線６ａｂと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ２６を介してデータ線６ａｂと接続している。他方の端であるドレイン側は第２電極９の拡張部９ｄに設けられたコンタクトホールＣｎ２４と、これに繋がるコンタクトホールＣｎ２２とを介して第２電極９と接続している。
【０１１５】
一方の電極としての前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）の拡幅部に重なるようにして後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａと第２保持容量１４の他方の電極１４ａとが設けられている。他方の電極１３ａおよび他方の電極１４ａは、同じ平面積を有する四角形であって線対称に配置されている。
【０１１６】
他方の電極１３ａの角部付近から延出された第１引き回し配線部１３ｂは、平面的にデータ線６ａｂに最も近いスリット９ｂ内を通過するように引き回されている。そして、その端部は、ＴＦＴ１１の半導体層１１ａ（ドレイン側）に接続している。他方の電極１３ａと第１引き回し配線部１３ｂとは、半導体層１１ａの形成と同時にパターニング形成されている。
同じく、他方の電極１４ａの角部付近から延出された第２引き回し配線部１４ｂは、平面的にデータ線６ａｂに最も近いスリット９ｂ内を通過するように引き回されている。そして、その端部は、ＴＦＴ１２の半導体層１２ａ（ドレイン側）に接続している。他方の電極１４ａと第２引き回し配線部１４ｂとは、半導体層１２ａの形成と同時にパターニング形成されている。
【０１１７】
つまり、後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａと、同じく後段画素の第１電極１９およびＴＦＴ１１(ドレイン）とは、第１引き回し配線部１３ｂと、前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）の拡幅部に重なるように設けられたコンタクトホールＣｎ２３と、後段画素の第１電極１９側に設けられたコンタクトホールＣｎ２１とを介して接続している。
後段画素の第２保持容量１４の他方の電極１４ａと、同じく後段画素の第２電極９およびＴＦＴ１２(ドレイン）とは、第２引き回し配線部１４ｂと、前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）の拡幅部に重なるように設けられたコンタクトホールＣｎ２４と、後段画素の第２電極９側に設けられたコンタクトホールＣｎ２２とを介して接続している。
【０１１８】
画素７Ｄごとに設けられた、これら４個のコンタクトホールＣｎ２１〜Ｃｎ２４は、前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）に沿った位置に配置されている。また、第１電極１９に纏わるコンタクトホールＣｎ２１，Ｃｎ２３と、第２電極９に纏わるコンタクトホールＣｎ２２，Ｃｎ２４とがデータ線６ａｂと平行な軸に対して線対称に配置されている。
【０１１９】
もう一方の第２走査線３ｂはコンタクトホールＣｎ２１，Ｃｎ２２を避けるようにして、後段画素の第１電極１９（第２電極９）における長手方向の端部に重なるように画素領域内において屈曲している。
【０１２０】
左側の画素列におけるＫ−Ｋ’線で切った接続構造は、図６に示した第１実施形態の接続構造と基本的に同じである。右側の画素列においても同様である。
【０１２１】
上記第５実施形態の効果は、上記第１実施形態の効果（２）〜（４）に加えて以下の効果を奏する。
【０１２２】
（１０）第５実施形態の液晶装置５００は、第１走査線３ａと第２走査線３ｂの延在方向に配置された隣り合う画素７Ｄ間において、データ線６ａｂを共有している。したがって、第１実施形態の液晶装置１００に比べて、表示領域ＡＲの面積が同じならば矩形状の画素７Ｄにおける短手方向に長さ（開口部の幅）をより長くすることができる。走査線の数が増えたとしても長手方向に比べて短手方向の長さを長くする方が、画素７Ｄの開口率（透過率）をさらに向上させることができる。
【０１２３】
（１１）第１走査線３ａと第２走査線３ｂの延在方向に配置された隣り合う画素７Ｄ間において、第１走査線３ａと第２走査線３ｂとが交互に拡幅部を有し、該拡幅部を一方の電極として利用して、後段画素の第１保持容量１３と第２保持容量１４とが構成されている。つまり、２つの保持容量が第１走査線３ａまたは第２走査線３ｂに偏ることなく均等に設けられている。したがって、２つの保持容量の配置に起因するクロストークなどの発生が低減されている。
【０１２４】
（第６実施形態）
次に、本実施形態の電子機器について、図１８を参照して説明する。図１８は電子機器としての携帯型情報端末を示す概略斜視図である。
【０１２５】
図１８に示すように、本実施形態の電子機器としての携帯型情報端末１０００は、各種の操作入力を行う複数のボタン（スイッチ）１００２，１００３や表示部１００４を有する本体１００１を備えている。本体１００１は、ほぼ手のひらに収まる外形サイズとなっている。これらのボタン(スイッチ)１００２，１００３を操作すると、例えば住所録やスケジュール帳あるいは画像といった各種の情報が表示部１００４に表示される。
【０１２６】
表示部１００４には、上記実施形態の液晶装置１００，２００，３００，４００，５００のいずれかと、これを照明する照明装置（バックライト)が組み込まれている。したがって、焼き付きやフリッカーおよびクロストークが低減され、明るく見栄えがよい携帯型情報端末１０００が実現されている。また、従来よりも画素の透過率の低下が抑制されているので、照明装置の輝度を抑えることができ、その結果、低消費電力となっている。
【０１２７】
なお、上記実施形態の液晶装置１００，２００，３００，４００，５００のいずれかを搭載可能な電子機器は、携帯型情報端末１０００に限定されない。例えば、パーソナルコンピューター、携帯型電話機、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型またはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として適用可能である。
【０１２８】
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１２９】
（変形例１）本発明が適用された液晶装置の実施形態は、上記第１〜第５実施形態に限定されない。例えば、第２実施形態のブリッジ接続構造を第３実施形態の液晶装置３００や第４実施形態の液晶装置４００に適用することもできる。つまり、相互の特徴部分を組み合わせた実施形態としてもよい。
【０１３０】
（変形例２）上記実施形態におけるＦＦＳモードの第１電極１９および第２電極９の構成は、これに限定されない。例えば、第２電極９における帯状電極部９ａ（スリット９ｂ）の数は、任意に設定可能である。また、第２電極９の複数の帯状電極部９ａ（スリット９ｂ）を途中で折り曲げることにより、視角特性を改善した２ドメイン方式としてもよい。
【符号の説明】
【０１３１】
３…走査線、３ａ…第１走査線、３ｂ…第２走査線、３Ｆ，３Ｆａ，３Ｆｂ…前段走査線、３Ｌ…後段走査線、６ａ…第１データ線、６ａｂ…データ線、６ｂ…第２データ線、７Ｆ…前段画素、７Ｌ…後段画素、９…第２電極、９ａ…帯状電極部、９ｂ…帯状電極部間の隙間としてのスリット、１０…一方の基板としての素子基板、１１…第１スイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、１２…第２スイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、１３…第１保持容量、１３ａ…他方の電極、１３ｂ…第１引き回し配線部、１４…第２保持容量、１４ａ…他方の電極、１４ｂ…第２引き回し配線部、１９…第１電極、５０…液晶層、１００，２００，３００，４００，５００…液晶装置、１０００…電子機器としての携帯型情報端末。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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