【事件の表示】
　特願２０１３−５４７１８１「透明導電性フィルムの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　６月　６日国際公開、ＷＯ２０１３／０８０９９５、請求項の数（１３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１２年１１月２８日（優先権主張　２０１１年１１月２８日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２８年９月１６日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月２５日付けで意見書が提出されたが、同年１２月１３日付けで拒絶査定（原査定）がなされ、これに対し、平成２９年３月２１日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がされたものである。
　
　
第２　原査定の理由の概要
　原査定（平成２８年１２月１３日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
１．本願請求項１−１４に係る発明は、以下の引用文献１−４に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　＜引　用　文　献　等　一　覧＞
１.特開２０１１−０３７６７９号公報
２.特開２００４−３４９１１２号公報
３.特開２００４−１９７１７８号公報
４.特開２００９−２３８４１６号公報
第３　本願発明
　本願請求項１−１３に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明１３」という。）は、平成２９年３月２１日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１３に記載された事項により特定される発明であり、以下のとおりの発明である。
　　
「【請求項１】
　フィルム基材と、前記フィルム基材上に形成された結晶化したインジウムスズ酸化物層とを備える透明導電性フィルムの製造方法であって、
　インジウムスズ酸化物をターゲット材として用いるスパッタ装置内に、前記フィルム基材を入れ、前記ターゲット材上の水平方向磁場が５０ｍＴ以上であるマグネトロンスパッタリング法により、前記フィルム基材上に非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を堆積させる工程と、
　前記非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を堆積する工程の後に、前記非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を加熱処理することによって、前記非晶質部分を含む前記インジウムスズ酸化物を結晶化させて、平均の結晶粒径が、１７５ｎｍから２５０ｎｍである前記結晶化したインジウムスズ酸化物層を形成する工程と、
　を有する透明導電性フィルムの製造方法。
　【請求項２】
　前記非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を堆積させる工程は、大気圧よりも低い気圧下で実施され、
　前記結晶化したインジウムスズ酸化物層を形成する工程は、大気圧下で実施されることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
　【請求項３】
　前記水平方向磁場が、８０ｍＴから２００ｍＴであることを特徴とする請求項１又は２に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
　【請求項４】
　前記水平方向磁場が、１００ｍＴから２００ｍＴであることを特徴とする請求項１又は２に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
　【請求項５】
　前記非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を堆積させる工程は、４０℃から２００℃の温度で実施されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
　【請求項６】
　前記非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を堆積させる工程は、４０℃から１５０℃の温度で実施されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
　【請求項７】
　前記結晶化したインジウムスズ酸化物層を形成する工程は、１２０℃から２００℃の温度で実施されることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
　【請求項８】
　前記フィルム基材は、ポリエチレンテレフタレート、ポリシクロオレフィン又はポリカーボネートのいずれかによって構成されることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
　【請求項９】
　前記フィルム基材は、前記インジウムスズ酸化物の堆積側の表面に易接着層を備えることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
　【請求項１０】
　前記フィルム基材は、前記インジウムスズ酸化物の堆積側の表面に屈折率調整層を備えることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
　【請求項１１】
　前記フィルム基材は、前記インジウムスズ酸化物の堆積側の表面にハードコート層を備えることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
　【請求項１２】
　前記結晶化したインジウムスズ酸化物層は、厚みが２０ｎｍから５０ｎｍであることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
　【請求項１３】
　前記フィルム基材は、厚みが１５μｍから５０μｍであることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。」
　
第４　引用文献、引用発明等
１．引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は、当審において付加した。以下、同じ。）
ア．「【００３９】
（複合酸化物結晶質膜）
　本実施形態に係る複合酸化物結晶質膜は、上記スパッタリングターゲットを用いたスパッタリングにより成膜されることを特徴とし、このような複合酸化物結晶質膜は、抵抗率が低く、可視光領域だけでなく赤外領域においても光透過性に優れる。
【００４０】
　複合酸化物結晶質膜は、スパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により成膜されことが好ましい。スパッタリング法としては、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、ＤＣマグネトロンスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法等を適宜選択することができ、これらのうち、大面積に均一に、且つ高速成膜することが可能であるため、ＤＣマグネトロンスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法が好ましい。
【００４１】
　
複合酸化物結晶質膜は、上記スパッタリングターゲットを用いたスパッタリングにより成膜された複合酸化物非晶質膜を、加熱して製造することができる
【００４２】
　複合酸化物非晶質膜は、可視光領域及び赤外領域における光透過性に優れ、エッチング等により容易に加工できる。そのため、スパッタリングターゲットを用いたスパッタリングにより成膜され、さらにエッチング等によりパターニングされた複合酸化物非晶質膜を、加熱することにより、所定の形状を有する複合酸化物結晶質膜を製造することができる。
【００４３】
　
複合酸化物非晶質膜の成膜は、膜の結晶化が起こらない成膜温度、例えば、室温（約２５℃）〜１５０℃以下で行う
【００４４】
　
複合酸化物非晶質膜は、２００℃以上に加熱することにより結晶化し、複合酸化物結晶質膜となる
【００４５】
　また、複合酸化物結晶質膜は、スパッタリングターゲットを用いたスパッタリングにより、加熱された基板上に成膜することでも製造することができる。このようにして製造された複合酸化物結晶質膜は、膜全体が結晶質であり、抵抗率が均一に低くなり、可視光領域及び赤外領域における光透過性に一層優れる。基板の加熱温度は、２００℃以上であることが好ましく、これにより上記の効果が一層有効に得られる。
【００４６】
　ここで、複合酸化物結晶質膜とは、膜を構成する複合酸化物が実質的に結晶構造を有している膜を示す。また、複合酸化物非晶質膜とは、膜を構成する複合酸化物が実質的に結晶構造を有していない膜を示す。なお、本実施形態において、実質的に結晶構造を有するとは、Ｘ線回折測定において結晶構造由来の回折パターンが観測されることを表し、実質的に結晶構造を有していないとは、Ｘ線回折測定において結晶構造由来の回折パターンが観測されないことを表す。」（７頁４６行−８頁４３行）
イ．「【実施例】
【００５０】
　本発明を、実施例と比較例により具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００５１】
（実施例１〜８、比較例１〜６）
　
インジウム、錫及びストロンチウムの原子数の比が表１に記載の値となるように、
乾式ボールミルで混合した。次いで、大気中、１０００℃で２時間仮焼した後、乾式ボールミルで解砕した。得られた粉末を３．０ｔｏｎ／ｃｍ
２
でＣＩＰ成形し、純酸素雰囲気焼結炉内に設置して、以下の条件で焼結して複合酸化物焼結体を得た
【００５２】
［焼結条件］
・昇温速度  ：５０℃／時間
・焼結温度  ：１６００℃
・保持時間  ：５時間
・焼結雰囲気：昇温時の室温から降温時の１００℃まで純酸素ガスを炉内に導入
・酸素流量  ：仕込重量（ｋｇ）／酸素流量（Ｌ／ｍｉｎ）＝０．８
・降温速度  ：１００℃／時間
【００５３】
　得られた複合酸化物焼結体の特性を、以下のように評価した。評価結果を表１に示す。
【００５４】
［複合酸化物焼結体の焼結密度の測定方法］
　複合酸化物焼結体の焼結密度は、ＪＩＳ−Ｒ１６３４−１９９８に準拠してアルキメデス法で測定した。この焼結密度から、上述の方法により相対密度を求めた。
【００５５】
［複合酸化物焼結体の平均粒径の測定方法］
　複合酸化物焼結体を適当な大きさに切断した後、観察面を鏡面研磨し、次に塩酸溶液でケミカルエッチングを行った。この観察面を、走査型電子顕微鏡等を用いて観察し、観察写真から平均粒径を求めた。
【００５６】
　次に、
複合酸化物焼結体を４インチφサイズに加工し、ダイヤモンド砥石を用いた平面研削盤による機械加工によりスパッタ面を作製して、スパッタリングターゲットを得た
【００５７】
［スパッタリングターゲットの中心線平均粗さの測定方法］
　スパッタリングターゲットのスパッタ面を測定面とし、当該測定面を表面性状測定装置（ミツトヨ社製、ＳＶ−３１００）で評価し、中心線平均粗さを求めた。
【００５８】
［スパッタリングターゲットの放電特性の評価］
　下記スパッタリング条件下で、１時間当りに発生した異常放電の回数を観測した。
＜スパッタリング条件＞
・装置                ：ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アルバック社製）
・磁界強度            ：１０００Ｇａｕｓｓ（ターゲット直上、水平成分）
・基板温度            ：室温（約２５℃）
・到達真空度          ：５×１０−５Ｐａ
・スパッタリングガス  ：アルゴン＋酸素（酸素の占める体積割合が０．５％）
・スパッタリングガス圧：０．５Ｐａ
・ＤＣパワー          ：３００Ｗ
・スパッタリング時間  ：３０時間
【００５９】
　次に、
得られたスパッタリングターゲットをターゲットとし、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、下記の条件で成膜して複合酸化物膜を得た。さらに、得られた複合酸化物膜を、大気中、２５０℃で１時間加熱した
【００６０】
［スパッタリング成膜条件］
・
装置                ：ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アルバック社製）
・
磁界強度            ：１０００Ｇａｕｓｓ（ターゲット直上、水平成分）
・基板温度            ：室温（約２５℃）
・到達真空度          ：５×１０−５Ｐａ
・スパッタリングガス  ：アルゴン＋酸素（酸素の占める体積割合（％）を、酸素量として表２に記載した。）
・スパッタリングガス圧：０．５Ｐａ
・ＤＣパワー          ：３００Ｗ
・膜厚                ：１５０ｎｍ
・
使用基板            ：無アルカリガラス（コーニング社製＃１７３７ガラス）
                        厚さ０．７ｍｍ
【００６１】
　加熱前後の複合酸化物膜の特性を、それぞれ以下のように測定した。測定結果を表２に示す。」（９頁１２行−１０頁３３行）
ウ．「【００６７】
【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（１１頁）
エ．「【００６８】
【表２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（１１頁）
・上記イ．の段落【００５１】には、インジウム、錫及びストロンチウムの原子数の比が、上記ウ．の表１の値となるように混合し、その後、焼結することで複合酸化物焼結体を得ることが、さらに、上記ウ．の表１には、比較例２、３として、ストロンチウムを含まず、インジウムと錫のみからなる複合酸化物焼結体が、記載されている。
　さらに、段落【００５６】には、該複合酸化物焼結体から、スパッタリングターゲットを得ることが、そして、段落【００５９】には、該スパッタリングターゲットを用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により複合酸化物膜を成膜し、成膜した複合酸化物膜を、大気中、２５０℃で１時間加熱する複合酸化物膜の製造方法が記載されている。
　また、段落【００６１】には、前記複合酸化物膜の加熱の前後での特性が、上記エ．の【表２】のようになること、そして、上記エ．の【表２】には、比較例２、３の特性として、加熱の前では複合酸化物膜は非晶質であり、加熱後では複合酸化物膜は結晶質になること、が記載されており、また、上記ア．の段落【００４１】、及び、上記エ．の【表２】の抵抗率、透過率を参照すると、比較例２、３の加熱後の複合酸化物膜においては、導電性、透明性を有していものと認められる。
　したがって、引用文献１には、インジウムと錫のみからなる複合酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により非晶質の複合酸化物膜を成膜し、成膜した非晶質の複合酸化物膜を、大気中、２５０℃で１時間加熱することで結晶質の複合酸化物膜を得る、結晶質の透明導電性の複合酸化物膜の製造方法、が記載されているといえる。
・上記イ．の段落【００６０】には、上記ＤＣマグネトロンスパッタリング法により複合酸化物膜の成膜条件として、磁界強度が１０００Ｇａｕｓｓ（ターゲット直上、水平成分）であり、使用基板が厚さ０．７ｍｍ無アルカリガラス（コーニング社製＃１７３７ガラス）であることが記載されている。
　したがって、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　
〈引用発明〉
「インジウムと錫のみからなる複合酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、磁界強度が１０００Ｇａｕｓｓ（ターゲット直上、水平成分）で、使用基板が厚さ０．７ｍｍ無アルカリガラス（コーニング社製＃１７３７ガラス）上に非晶質の複合酸化物膜を成膜し、
　前記成膜した非晶質の複合酸化物膜を、大気中、２５０℃で１時間加熱することで結晶質の複合酸化物膜を得る、
　結晶質の透明導電性の複合酸化物膜の製造方法。」
２．引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２３】
（透明プラスチックフィルム基材）
本発明で
透明導電性フィルムの基材として用いる透明プラスチックフィルムとは、有機高分子を溶融押出し又は溶液押出しをして、必要に応じ、長手方向及び／又は幅方向に延伸、冷却、熱固定を施したフィルムである
【００２４】
有機高分子としては
ポリエチレンテレフタレート
ポリカーボネート
３．引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００３１】
【発明の実施の形態】
（基材）
本発明において、
透明導電性フィルムの基材として用いる透明プラスチックフィルムは、有機高分子を溶融押出し又は溶液押出しをして、必要に応じ、長手方向及び／又は幅方向に延伸、冷却、熱固定を施したフィルムである
ポリエチレンテレフタレート
【００３２】
これらの有機高分子のなかで
ポリエチレンテレフタレート
ポリカーボネート
好適である
４．引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００４９】
　なお、本発明の
透明導電膜付き基板にあっては、基板としてはガラス材料、プラスチック材料を用いることができる。
第５　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
 
ア．引用発明の「無アルカリガラス」の「使用基板」と、本願発明１の「フィルム基材」とは、「基材」の点では共通する。
　また、引用発明の「結晶質の透明導電性の複合酸化物膜の製造方法」の「複合酸化物膜」は、「無アルカリガラス」の「使用基板」上に、「インジウムと錫のみからなる複合酸化物焼結体をスパッタリングターゲット」として「非晶質」状態で成膜し、その後、加熱し結晶質としたものであり、結晶化したインジウムスズ酸化物層と認められることから、引用発明の「製造方法」と、本願発明１の「フィルム基材と、前記フィルム基材上に形成された結晶化したインジウムスズ酸化物層とを備える透明導電性フィルムの製造方法」とは、「基材と、前記基材上に形成された結晶化したインジウムスズ酸化物層とを備える透明導電性基材の製造方法」の点では共通する。
イ．引用発明の「ＤＣマグネトロンスパッタリング法」は、本願発明の「マグネトロンスパッタリング法」に相当する。
　また、引用発明の「基板」上に「非晶質の複合酸化物膜を成膜」することは、「インジウムと錫のみからなる複合酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして、磁界強度が１０００Ｇａｕｓｓ（ターゲット直上、水平成分）」で「ＤＣマグネトロンスパッタリング法」で行うものであり、ここで、「１０００Ｇａｕｓｓ」は１００ｍＴであることから、引用発明の「非晶質の複合酸化物膜を成膜」することと、本願発明１の「インジウムスズ酸化物をターゲット材として用いるスパッタ装置内に、前記フィルム基材を入れ、前記ターゲット材上の水平方向磁場が５０ｍＴ以上であるマグネトロンスパッタリング法により、前記フィルム基材上に非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を堆積させる工程」とは、「インジウムスズ酸化物をターゲット材として用いるスパッタ装置内に、前記基材を入れ、前記ターゲット材上の水平方向磁場が５０ｍＴ以上であるマグネトロンスパッタリング法により、前記基材上に非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を堆積させる工程」の点では共通する。
ウ．引用発明において「結晶質の複合酸化物膜を得る」ための手段は、「前記成膜した非晶質の複合酸化物膜を、大気中、２５０℃で１時間加熱すること」であるから、引用発明の「結晶質の複合酸化物膜を得る」ことと、本願発明１の「前記非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を堆積する工程の後に、前記非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を加熱処理することによって、前記非晶質部分を含む前記インジウムスズ酸化物を結晶化させて、平均の結晶粒径が、１７５ｎｍから２５０ｎｍである前記結晶化したインジウムスズ酸化物層を形成する工程」とは、「前記非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を堆積する工程の後に、前記非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を加熱処理することによって、前記非晶質部分を含む前記インジウムスズ酸化物を結晶化させて、前記結晶化したインジウムスズ酸化物層を形成する工程」の点では共通する。
　よって、本願発明１と引用発明は、以下の点で一致、ないし相違している。
　 
（一致点）
「基材と、前記基材上に形成された結晶化したインジウムスズ酸化物層とを備える透明導電性基材の製造方法であって、
　インジウムスズ酸化物をターゲット材として用いるスパッタ装置内に、前記基材を入れ、前記ターゲット材上の水平方向磁場が５０ｍＴ以上であるマグネトロンスパッタリング法により、前記基材上に非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を堆積させる工程と、
　前記非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を堆積する工程の後に、前記非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を加熱処理することによって、前記非晶質部分を含む前記インジウムスズ酸化物を結晶化させて、前記結晶化したインジウムスズ酸化物層を形成する工程と、
　を有する透明導電性基材の製造方法。」
　
（相違点１）
　一致点である「基材」が、本願発明１では、「フィルム基材」であり、「透明導電性フィルムの製造方法」であるのに対して、引用発明では、ガラス基材であり、該ガラス基材上の透明導電性の複合酸化物膜の製造方法である点。
　
（相違点２）
　本願発明１では、「結晶化したインジウムスズ酸化物層」の「平均の結晶粒径が、１７５ｎｍから２５０ｎｍである」のに対して、引用発明では、結晶質の複合酸化物膜の結晶粒径に関してそのような特定がされていない点。
　 　
（２）相違点についての判断
　事案に鑑みて、上記相違点２について先に検討すると、上記引用文献２−４には、透明導電性膜の基材として高分子のフィルム基材を用いることは記載されているが、結晶化されたインジウムスズ酸化物の平均の結晶粒径を、１７５ｎｍから２５０ｎｍとすることは記載されておらず、本願優先日前において周知技術であるともいえない。
　したがって、相違点１について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても引用発明、引用文献２−４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２．本願発明２−１３について
　本願発明２−１３は、請求項１をさらに限定するものであって、本願発明１の「平均の結晶粒径が、１７５ｎｍから２５０ｎｍである」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明、引用文献２−４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第６　原査定について
　審判請求時の補正により、本願発明１−１３は「平均の結晶粒径が、１７５ｎｍから２５０ｎｍである」という事項を有するものとなっており、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１−４に基づいて、容易に発明できたものとはいえない。したがって、原査定の理由を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。