(57)【要約】【課題】地震等による振動が加わった際にも構造体の被害を低減する。【解決手段】構造体１１０をそれぞれ所定圧力に設定された複数の気体バネ装置９０で支持する。複数の気体バネ装置のそれぞれの位置情報を検出する検出装置６０と、複数の気体バネ装置のそれぞれに設けられて対応する気体バネ装置の排気量を、検出装置の検出結果に基づいて調整する複数の排気量調整装置８５と、複数の排気量調整装置をそれぞれ独立して制御する制御装置と、を有する。【選択図】図２
2011100947.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造体をそれぞれ所定圧力に設定された複数の気体バネ装置で支持する防振装置であって、
前記複数の気体バネ装置のそれぞれの位置情報を検出する検出装置と、
前記複数の気体バネ装置のそれぞれに設けられて対応する前記気体バネ装置の排気量を、前記検出装置の検出結果に基づいて調整する複数の排気量調整装置と、
前記複数の排気量調整装置をそれぞれ独立して制御する制御装置と、
を有する防振装置。
【請求項２】
第１の状態において前記気体バネ装置に対して気体を給排する給排装置と、第２の状態において前記気体バネ装置から気体を排出する排出装置とを有し、
前記制御装置は、異常信号に応じて前記第１の状態と前記第２の状態とを切り替える請求項１記載の防振装置。
【請求項３】
前記制御装置は、さらに前記構造体の重心位置に関する情報に基づいて、前記複数の気体バネ装置からの排気量をそれぞれ独立して制御する請求項１または２記載の防振装置。
【請求項４】
前記複数の気体バネ装置のそれぞれに対応して設けられ、前記構造体を着座させる複数の着座部を有し、
前記検出装置は、前記複数の気体バネ装置の基準位置からのそれぞれの位置情報を検出し、
前記制御装置は、前記検出装置で得られた前記複数の気体バネ装置の位置情報が所定の関係を満たすように、前記構造体を前記複数の着座部に着座させる請求項１から３のいずれか一項に記載の防振装置。
【請求項５】
前記検出装置は、前記複数の気体バネ装置のそれぞれに対応して複数が設けられている請求項１から４のいずれか一項に記載の防振装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の防振装置を備えるステージ装置。
【請求項７】
請求項６記載のステージ装置を備える露光装置。
【請求項８】
構造体をそれぞれ所定圧力に設定された複数の気体バネ装置で支持する防振装置の制御方法であって、
前記複数の気体バネ装置のそれぞれの位置情報を検出する検出工程と、
前記検出工程での検出結果に基づいて、前記複数の気体バネ装置の排気量をそれぞれ独立して調整する排気量調整工程とを有する防振装置の制御方法。
【請求項９】
第１の状態において前記気体バネ装置に対して気体を給排する工程と、
第２の状態において前記複数の気体バネ装置からの排気量をそれぞれ独立して可変に制御して気体を排出する工程と、
異常信号に応じて前記第１の状態と前記第２の状態とを切り替える工程とを有する請求項８記載の防振装置の制御方法。
【請求項１０】
さらに前記構造体の重心位置に関する情報に基づいて、前記複数の気体バネ装置からの排気量をそれぞれ独立して調整する請求項８または９に記載の防振装置の制御方法。
【請求項１１】
前記複数の気体バネ装置のそれぞれに対応して、前記構造体を着座させる複数の着座部を設け、
前記検出工程で得られた前記複数の気体バネ装置の位置情報が所定の関係を満たすように、前記構造体を前記複数の着座部に着座させる請求項８から１０のいずれか一項に記載の防振装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、防振装置とその制御方法及びステージ装置並びに露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、所謂フォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィの露光工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。
【０００３】
このような露光装置は、外部からの振動の影響を遮断するため、土台となる部分が床部に固定して据え付けられるようになっており、当該土台となる部分の上に、例えば空気バネ装置等のエアマウントなどを含む防振装置を介して投影光学系やレチクルステージ等を含む構造体が非接触に支持される構成になっている。
【０００４】
地震等に伴う大きな振動が露光装置に加わった場合、空気バネ上の主要部が脱落したり外部あるいは装置内の他部材と衝突したりして、装置内外に重大な損傷を与えることが予測される。このため、露光装置を構成する構造体の位置の変化や加速度の変化を検出し、検出結果に基づいて地震等の振動を検知することで、構造体の被害の低減を図るための構成が開示されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２３８８５号公報
【特許文献２】特開２００６−１３８７６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
上述したような大きな振動が検出された場合、空気バネ装置から空気を抜いて（排出して）構造体を着座させて安定させることが考えられるが、各空気バネ装置が有する空気量や各空気バネ装置からの排気量に差がある場合には、各空気バネ装置が支持する構造体が同時に着座しない可能性がある。この場合、最初に着座した位置を起点とするモーメントが生じて、構造体に悪影響を及ぼす虞がある。
【０００７】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、地震等による振動が加わった際にも構造体の被害を低減することができる防振装置とその制御方法及びステージ装置並びに露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図６に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の防振装置は、構造体（１１０）をそれぞれ所定圧力に設定された複数の気体バネ装置（９０）で支持する防振装置（３００）であって、複数の気体バネ装置のそれぞれの位置情報を検出する検出装置（６０）と、複数の気体バネ装置のそれぞれに設けられて対応する気体バネ装置の排気量を、検出装置の検出結果に基づいて調整する複数の排気量調整装置（８５）と、複数の排気量調整装置をそれぞれ独立して制御する制御装置（ＣＯＮＴ）と、を有するものである。
【０００９】
また、本発明の防振装置の制御方法は、構造体をそれぞれ所定圧力に設定された複数の気体バネ装置で支持する防振装置の制御方法であって、前記複数の気体バネ装置のそれぞれの位置情報を検出する検出工程と、前記検出工程での検出結果に基づいて、前記複数の気体バネ装置の排気量をそれぞれ独立して調整する排気量調整工程とを有するものである。
【００１０】
従って、本発明の防振装置では、複数の気体バネ装置のそれぞれの位置情報を検出した結果に応じて気体バネ装置の排気量を独立して調整することにより、構造体のうち、特定の気体バネ装置に支持された構造体の箇所のみが着座して、他の気体バネ装置に支持された構造体の箇所にモーメントが生じることを回避でき、構造体の被害を低減することが可能になる。
【００１１】
また、本発明のステージ装置は、先に記載の防振装置を備えるものである。
そして、本発明の露光装置は、先に記載のステージ装置を備えるものである。
従って、本発明のステージ装置及び露光装置では、大きな振動が加わった場合でも、複数の気体バネ装置で支持された構造体に被害が及びことを抑制することが可能になる。
なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、地震等による振動が加わった際にも構造体の被害を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態に係る露光装置の構成を示す模式図である。
【図２】露光装置のエアマウントの構成を示す図である。
【図３】露光装置の制御装置の構成を示すブロック図である。
【図４】露光時の支持状態を示す図である。
【図５】振動発生時の支持状態を示す図である。
【図６】本発明のマイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図７】図６におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の防振装置とその制御方法及びステージ装置並びに露光装置の実施の形態を、図１ないし図７を参照して説明する。
図１は、露光装置ＥＸの構成を示す模式図である。露光装置ＥＸは、レチクル（マスク）Ｒとウエハ（基板）Ｗとを一次元方向に同期移動しつつ、レチクルＲに形成された回路パターンを投影光学系３０を介してウエハＷ上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、すなわちいわゆるスキャニング・ステッパである。
【００１５】
なお、以下の説明において、投影光学系３０の光軸と一致する方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に垂直な平面内でレチクルＲとウエハＷとの同期移動方向（走査方向）をＹ軸方向、Ｚ軸方向及びＹ軸方向に垂直な方向（非走査方向）をＸ軸方向とする。更に、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわり方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１６】
露光装置ＥＸは、光源５からの照明光によりレチクルを照明する照明光学系１０、レチクルＲを保持するレチクルステージ２０、レチクルから射出される照明光をウエハＷ上に投射する投影光学系３０、ウエハＷを保持するウエハステージ４０、レチクルステージ２０と投影光学系３０等を保持する本体フレーム１００、本体フレーム１００及びウエハステージ４０を支持する基礎フレーム２００等を備えている。
【００１７】
照明光学系１０は、ハウジング１１と、その内部に所定の位置関係で配置されたリレーレンズ系、光路折り曲げ用ミラー、コンデンサレンズ系等から成る光学部品を備えている。光源５から射出されるレーザビームは、照明光学系１０に入射され、レーザビームの断面形状が整形されるとともに照度分布がほぼ均一な照明光（露光光）となってレチクル上に照射されるようになっている。
【００１８】
照明光学系１０は、照明系支持部材１２によって支持されている。この照明系支持部材１２は、本体フレーム１００を構成する第２架台１２０の上面に固定されており、Ｚ軸方向に伸びるように設けられている。
【００１９】
レチクルステージ２０は、レチクルＲを保持するレチクル微動ステージと、レチクル微動ステージと一体に走査方向であるＹ軸方向に所定ストロークで移動するレチクル粗動ステージと、これらを移動させるリニアモータ等（いずれも不図示）を備えている。レチクル微動ステージには、矩形開口が形成されており、開口周辺部に設けられたレチクル吸着機構によりレチクルＲが真空吸着等により保持されるようになっている。レチクル微動ステージの２次元的な位置及び回転角、並びにレチクル粗動ステージのＹ軸方向の位置は、不図示のレーザ干渉計により高精度に計測され、この計測結果に基づいてレチクルＲの位置及び速度が制御されるようになっている。レチクルステージ２０は、上記第２架台１２０の上面に不図示の非接触ベアリング（例えば気体静圧軸受け）を介して浮上支持されている。
【００２０】
投影光学系３０は、物体面側（レチクル側）と像面側（ウエハ側）の両方がテレセントリックであり、所定の投影倍率β（βは、例えば１／５）で縮小する縮小系が用いられている。このため、レチクルに照明光学系１０から照明光（紫外パルス光）が照射されると、レチクルＲ上に形成された回路パターン領域のうちの紫外パルス光によって照明された部分からの結像光束が投影光学系３０に入射し、その回路パターンの部分倒立像が紫外パルス光の各パルス照射の度に投影光学系３０の像面側の視野中央にＸ軸方向に細長いスリット状又は矩形状（多角形）に制限されて結像される。これにより、投影された回路パターンの部分倒立像は、投影光学系３０の結像面に配置されたウエハＷ上の複数のショット領域のうちの１つのレジスト層に縮小転写される。
【００２１】
この投影光学系３０は、下部が本体フレーム１００を構成する第１架台１１０に設けられた穴部１１１に挿入されている。投影光学系３０の外壁にはフランジ３１が設けられている。投影光学系３０は穴部１１１に挿入された状態において、当該フランジ３１を介して支持されている。
【００２２】
ウエハステージ４０は、ウエハＷを保持するウエハホルダと、ウエハホルダと一体にリニアモータ等によりＹ軸方向に連続移動するとともにＸ軸方向にステップ移動し、更にθＺ方向に微少移動可能なＸＹテーブル４１、及び当該ＸＹテーブル４１を支持する定盤４２を備える。ＸＹテーブル４１は、ウエハＷのレベリング及びフォーカシングを行うためにＺ軸方向、θＸ方向（Ｘ軸回りの回転方向）、及びθＹ方向（Ｙ軸回りの回転方向）の３方向の微少運動が可能であり、全体として、６自由度を有する。ウエハステージ４０には、ＸＹテーブル４１の駆動時に発生する反力をキャンセルするため、ＸＹテーブル４１の駆動方向とは反対方向に移動するカウンタマスを備えている。ＸＹテーブル４１のＸＹ方向位置及びθＸ方向、θＹ方向、θＺ方向の回転角は、不図示のレーザ干渉計により高精度に計測され、この計測結果に基づいてＸＹテーブル４１、ひいてはウエハＷの位置及び速度が制御される。
【００２３】
ウエハステージ４０に設けられる定盤４２は、エアマウント４００を介して基礎フレーム２００のベース部２０１上に支持されている。エアマウント４００により、ウエハステージ４０は基礎フレーム２００から振動的に分離され、能動的に防振支持される。
【００２４】
本体フレーム１００は、投影光学系３０等を支持する第１架台１１０と、投影光学系３０の上方に配置されるレチクルステージ２０等を支持する第２架台１２０とから構成される。第１架台１１０は、板形の部材からなり、円筒状の投影光学系３０の外径よりもやや大きく形成された穴部１１１を備え、この穴部１１１に投影光学系３０が挿入され、投影光学系３０を支持する。
【００２５】
第１架台１１０には、加速度センサ５０及び位置センサ（検出装置）６０が取り付けられている。加速度センサ５０は、例えば第１架台１１０の上面１１０ａに取り付けられており、第１架台１１０の加速度を測定する。位置センサ６０は、例えば第１架台１１０の側面１１０ｂに取り付けられており、床部Ｆを基準位置として、第１架台１１０と床部Ｆとの間の距離を測定することで第１架台１１０の位置（すなわち、第１架台１１０を支持する気体バネ装置９０の位置）を測定する。加速度センサ５０及び位置センサ６０の取り付け位置は、上記位置に限定されることは無く、第１架台１１０の他の位置に取り付ける構成であっても構わない。加速度センサ５０及び位置センサ６０は制御装置ＣＯＮＴに接続されており、加速度センサ５０及び位置センサ６０の測定値は制御装置ＣＯＮＴに送信されるようになっている。
【００２６】
第２架台１２０は、レチクルステージ２０を戴置する支持盤１２１と、支持盤１２１の外周部の下面から下方に伸びて、第１架台１１０と連結する複数の支柱１２２とから構成される。支柱１２２は、第２架台１２０の安定性を考慮すると３本であることが望ましいが、これに限るものではない。また、支持盤１２１と複数の支柱１２２とは、ボルト等の締結手段等で連結される構造であっても、一体に形成される構造であってもよい。支柱１２２がボルト等の締結手段により第１架台１１０と締結されることにより、第１架台１１０と第２架台１２０とが一体に構成される。支柱１２２と第１架台１１０とは、第１架台１１０に支持される投影光学系３０と第２架台１２０に支持されるレチクルステージ２０とが所定の位置関係となるように調整されて締結される。
【００２７】
基礎フレーム２００は、クリーンルームの床部Ｆ上に例えば３つの足部２１１を介して略水平に載置される。基礎フレーム２００は、ウエハステージ４０を戴置するベース部２０１と、ベース部２０１の上面から上方向に所定の長さで伸びる複数の支柱２０２とを備えている。この基礎フレーム２００は、支柱２０２上に、複数（例えば３つ）のエアマウント（防振装置）３００を介して、本体フレーム（構造体）１００を浮上支持する。支柱２０２は、本体フレーム１００の安定性を考慮すると３本であることが望ましいが、これに限るものではない。ベース部２０１と複数の支柱２０２とは、締結手段等で連結される構造であっても、一体に形成される構造であってもよい。
【００２８】
図２は、エアマウント３００及びその近傍の構成を示す図である。
エアマウント３００は、構造体である本体フレーム１００を基礎フレーム２００上に床部Ｆから振動的に分離して支持するものであって、気体バネ装置９０と圧力調整装置（排気量調整装置）８５とを備えている。気体バネ装置９０は、内部空間８１を有する筐体８０と、ダイアフラム８３を介して筐体８０に接続されたピストン８２とを有している。筺体８０には、第１架台１１０と対向する位置に、第１架台１１０を着座させる突部（着座部）９５が突設されている。
【００２９】
圧力調整装置８５は、内部空間８１の気体の圧力を調整するものであって、常態（第１の状態）において配管８６を介して筐体８０の内部空間８１に気体を供給し、又は、内部空間８１の気体を吸引してする第１調整系（給排装置）８５Ａと、異常時（第２の状態）に内部空間８１の気体を排気する第２調整系（排出装置）８５Ｂとを有している。第１調整系８５Ａは、配管８６に接続されたサーボバルブ８７を有している。サーブバルブ８７は、制御装置ＣＯＮＴの制御の下、供給管８８Ａを介して内部空間８１に供給される気体の供給量を調整するともに、排気管８８Ｂを介して内部空間８１から排出される気体の排出量を調整することにより、内部空間８１の圧力を調整する。
【００３０】
第２調整系８５Ｂは、配管８６から分岐して設けられサーブバルブ８７を迂回して排気管８８Ｂに接続される排気管８９と、排気管８９の中途に介装された電磁弁９１と、電磁弁９１よりも排気下流側に介装された可変絞り９２とを有している。電磁弁９１は制御装置ＣＯＮＴの制御により排気管８９を開閉するものである。可変絞り９２は、排気管８９を介して排気される気体の流量を制御装置ＣＯＮＴの制御により調整するものである。
【００３１】
上記内部空間８１は筐体８０の内壁、ピストン８２及びダイアフラム８３によって密閉された状態になっており、圧力調整装置８５により所定の圧力の気体が封入されるようになっている。第１架台１１０は、ピストン８２の支持面８２ａに当接して、ピストン８２を介して内部空間８１内の気体に支持されるようになっている。圧力調整装置８５によって内部空間８１の気体の圧力を調節することにより、ピストン８２をＺ軸方向に移動させることが可能になっている。なお、上記のエアマウント４００についても、当該エアマウント３００と同一の構成になっている。
【００３２】
露光時には、ピストン８２の支持面８２ａが例えば高さＨ１に位置するように圧力調節装置８５によって内部空間８１の気体の圧力を調節する。位置Ｈ２は、内部空間８１の気体の圧力を露光時の７０％程度とした場合のピストン８２の支持面８２ａの位置である。内部空間８１の気体の圧力を減少させると、ピストン８２の支持面８２ａが下方に移動し、第１架台１１０の支持位置が下方に移動する。位置Ｈ３は、内部空間８１の支持圧力をゼロにした場合の突部９５の上端の位置である。内部空間８１の気体の圧力をゼロにした場合、ピストン８２の支持面８２ａの高さは突部９５の上端面の高さに一致し、第１架台１１０は突部９５（筐体８０）によって支持されることになる。
【００３３】
制御装置ＣＯＮＴは、露光装置ＥＸを統括的に制御する。この他、制御装置ＣＯＮＴは、レチクルステージ２０及びウエハステージ４０に設けられたレーザ干渉計の検出結果に基づいてレチクルＲ及びウエハＷの位置を制御し、レチクルＲに形成された回路パターンの像をウエハＷ上のショット領域に転写する露光動作を繰り返し行わせる。また、制御装置ＣＯＮＴは、加速度センサ５０及び位置センサ６０の測定値に基づいて、サーブバルブ８７、電磁弁９１、可変絞り９２の作動を制御することにより、エアマウント３００の内部空間８１の気体の圧力を調節するようになっている。
【００３４】
図３は、制御装置ＣＯＮＴの構成を示すブロック図である。  
図３に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、入力部７１、演算部７２、判断部７３、圧力調整部７４、ＣＰＵ７５及び記憶部７６を有し、これら各部がバスライン７７を介して接続されている。
【００３５】
入力部７１は、各種情報を入力する部位であり、例えば加速度センサ５０の測定値及び位置センサ６０の測定値が入力されるようになっている。演算部７２は、各種演算及び制御を行う部位である。判断部７３は、各種測定値が閾値を超えているか否かの判断を行う部位である。圧力調整部７４は、エアマウント３００の圧力調整機構８５の動作を制御する。記憶部７６は、各種情報を記録する部位であり、例えば判断部の判断に用いられる閾値が記憶されている。この閾値については、例えば気象庁震度階級における震度６に対応する加速度などに設定することができる。この加速度の値は一例であり、閾値を他の加速度に設定しても勿論構わない。
【００３６】
次に、上記のように構成された露光装置ＥＸの動作を説明する。  
露光装置ＥＸでは、照明光のもとで、レチクルＲの照明領域内の回路パターンの像が、投影光学系３０を介して投影倍率βで表面にレジストが塗布されたウエハＷ上のスリット状の露光領域（照明領域に共役な領域）に投影される。この状態でレチクルＲとウエハＷとを同期して所定の走査方向（Ｘ軸方向）に移動することで、ウエハＷ上の一つのショット領域にレチクルＲの回路パターンが転写される。
【００３７】
常態、すなわちエラー情報が発せられない通常の露光時である第１の状態においては、図２に示すように、電磁弁９１により排気管８９が閉塞された状態で圧力調整装置８５における第１調整系８５Ａによって、ピストン８２の上端が位置Ｈ１に位置するようにエアマウント３００の内部空間８１の気体の圧力を調節する。図４は、露光時における第１架台１１０の支持状態を示す図である。図４に示すように、露光時においては、第１架台１１０のＺ軸方向の位置が変化しないように内部空間８１の圧力を調整しながら露光が行われる。
【００３８】
この状態において、例えば地震の発生等により床部Ｆが所定値以上の大きさで振動する第２の状態となった場合、床部Ｆの振動が露光装置１の第１架台１１０に伝達されると、第１架台１１０には当該振動による力が加えられる。また、振動によって第１架台１１０と床部Ｆとの距離が変化する。第１架台１１０が他の部材に衝突したり接触したりすると、第１架台１１０に支持された投影光学系３０に衝撃が加えられ、投影光学系３０が損傷を受けることになる。また、第１架台１１０に衝突された他の部材についても損傷を受ける虞がある。そこで、本実施形態では、当該振動を検出し、第１架台１１０を適切な支持状態（所定状態）で支持させるようにする。以下、本発明に係る露光装置の防振方法を具体的に説明する。
【００３９】
まず、第１架台１１０に振動が伝達されると、加速度センサ５０によって、第１架台に加えられる力に基づく振動の加速度が測定される。また、位置センサ６０によって、第１架台１１０と床部Ｆとの距離の変化に基づく第１架台１１０の位置が測定される。
判断部７３は、加速度センサ５０、位置センサ６０の測定値が記憶部７６に記憶されている閾値を超えているか否かの判断を行う。そして、２つの測定値がいずれも閾値を超えていない場合には、内部空間８１の気体の圧力の変更は行わず、上述した第１の状態を維持する。
【００４０】
一方、２つの測定値のうち少なくとも一方が閾値を超えた異常信号である場合には、制御装置ＣＯＮＴは、内部空間８１の気体の圧力調整を第１調整系８５Ａから第２調整系８５Ｂに切り替える。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、サーボバルブ８７を介しての気体の給排を停止させるとともに、電磁弁９１を駆動して排気管８９を開放させる。これにより、内部空間８１の気体は、ピストン８２を介して伝わる第１架台１１０の支持荷重により、排気管８９から可変絞り９２で設定された排気量に応じて排出される。そして、ピストン８２及び第１架台１１０は、内部空間８１の気体が排出されて圧力が低下するのに伴って下降する。
【００４１】
このとき、制御装置ＣＯＮＴは、位置センサ６０によって測定される第１架台１１０と床部Ｆとの距離の変化に基づくピストン８２の支持面８２ａの位置（第１架台１１０の位置及び気体バネ装置９０の位置）に応じて、複数のエアマウント３００における可変絞り９２の絞り量を調整して、複数のエアマウント３００においてピストン８２の支持面８２ａが同時に突部９５の上端面の高さとなるように制御する。
【００４２】
例えば、複数のエアマウント３００における突部９５の上端面が略同一高さで、これらの上端面で形成される平面が略水平面である場合には、複数のピストン８２の支持面８２ａで形成される平面も略水平面となるように各内部空間８１からの気体の排気量を調整する。また、複数の突部９５の上端面で形成される平面が水平面に対して傾いた傾斜面である場合には、複数のピストン８２の支持面８２ａで形成される平面が上記傾斜面と平行面となるように各内部空間８１からの気体の排気量を調整する。
【００４３】
このように、複数の突部９５の上端面で形成される平面と、複数のピストン８２の支持面８２ａで形成される平面とが平行を保った状態で内部空間８１の気体を排出して圧力を低下させながらピストン８２（及び第１架台１１０）を下降させることにより、複数のエアマウント３００においてピストン８２の支持面８２ａが同時に突部９５の上端面の高さとなる。その結果、支持面８２ａで支持されている第１架台１１０は、複数設けられた突部９５に同時に着座することになる。
【００４４】
図５は、ピストン８２の支持面８２ａの位置を図２における位置Ｈ３に移動させたときの様子を示す模式図である（図５では突部９５の図示を省略している）。  
制御装置ＣＯＮＴによってピストン８２の支持面８２ａを図２における位置Ｈ１から位置Ｈ３へ移動させると、図５に示すように、第１架台１１０は露光時の支持位置１１０Ｐから当該支持位置１１０Ｐよりも床部Ｆに近い位置（所定の支持位置）１１０Ｑへ移動し、当該支持位置１１０Ｑにおいて支持されることになる。このように第１架台１１０がエアマウント３００によって露光時の支持位置１１０Ｐよりも床部Ｆに近い所定の支持位置１１０Ｑにおいて支持された状態が所定状態である。
【００４５】
上記所定状態においては、支持位置が床部Ｆに近くなった分、床部Ｆに対する重心位置が低くなり、支持状態が安定するため、第１架台１１０への振動の影響は緩和されることになる。なお、内部空間８１の気体の圧力を減少させる際には、例えばウエハステージ４０を投影光学系３０の直下から外れた位置に移動させておき、投影光学系３０とウエハステージ４０とが接触するのを回避させることが好ましい。
【００４６】
床部Ｆの振動が停止し露光装置１による露光動作を再度行うときには、内部空間８１の気体の圧力調整を第２調整系８５Ｂから第１調整系８５Ａに切り替えて、第１架台１１０の支持状態を露光時の第１の状態に復帰させる必要がある。内部空間８１の気体の圧力をゼロに設定した場合、内部空間８１の気体の圧力を露光時の圧力に戻すまでには、長時間を要することになる。このため、露光時の第１の状態から所定状態に移行する際には、ピストン８２の支持面８２ａが突部９５の上端面の高さ、またはこの高さよりも僅かに低くなるようにして、できるだけ内部空間８１の気体の圧力がゼロを超える圧力となるように設定することが好ましい。
【００４７】
以上のように、本実施形態によれば、床部Ｆの揺れに応じて第１架台１１０を着座させる際に、制御装置ＣＯＮＴが、位置センサ６０の検出結果に応じて複数の気体バネ装置９０の排気量を独立して制御するため、第１架台１１０を複数の突部９５に略同時に着座させることができる。そのため、本実施形態では、第１架台１１０が同時に着座しない場合に生じる悪影響を未然に回避することができ、突然の地震等の揺れにも迅速に対応して装置の被害を低減することが可能になる。
【００４８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００４９】
例えば、上記実施形態では、異常信号に応じて第１架台１１０を複数の突部９５に略同時に着座させるものとして説明したが、さらに着座時の下降速度も可変絞り９２の排気量を調整することにより制御する構成としてもよい。すなわち、着座時に第１架台１１０に加わる衝撃を緩和するために、着座時の下降速度が限りなくゼロとなるように、可変絞り９２の排気量を調整することが好ましい。
この場合、可変絞り９２を介した排気で下降が開始される速度から第１架台１１０が着座するまでに一定の加速度で下降速度が変化するように排気量を調整することにより、下降時に装置に加わる力を低減して装置への悪影響を減らすことが好ましい。
【００５０】
また、上記実施形態では、単に位置センサ６０の検出結果に応じて複数の気体バネ装置９０の排気量を独立して制御する構成として説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、複数の気体バネ装置９０に掛かる支持荷重に偏りが生じている場合には、当該支持荷重の大きさに応じて排気量を調整すればよい。
例えば、図１に示したレチクルステージ２０の位置に応じて、第１架台１１０を含む構造体の重心位置が装置中心（露光光の光軸上）からずれた場合には、当該重心位置に近い気体バネ装置９０に掛かる支持荷重が大きくなり、当該気体バネ装置９０における内部空間８１からの気体排気量が他と比較して大きくなる可能性がある。そのため、異常信号が発せられたときの、例えばレチクルステージ２０の位置から構造体の重心位置を求めることにより、各気体バネ装置９０に掛かる支持荷重を予め予測して排気量調整を行うことが可能になるため、応答速度の短いより高精度の排気量調整が可能になる。
さらに、例えば構造体の重心位置と、気体バネ装置９０の位置とに応じて、当該気体バネ装置９０への支持荷重の大きさに対応した一定の排気量で各第１調整系８５Ａ（サーボバルブ８７）から気体を排出するとともに、位置センサ６０の検出結果に応じた微量の排気量で第２調整系８５Ｂから気体を排出する構成としてもよい。
この場合、構造体の高速の着座と、高精度の排気量調整とを両立することが可能になる。
【００５１】
また、上記実施形態では、第１架台１１０上に加速度センサ５０及び位置センサ６０を設けた構成としたが、例えば速度センサを設けることで第１架台１１０の速度の変化を検出できるようにする構成であっても構わない。これらの加速度センサ、位置センサ、速度センサは、いずれか１種類のセンサを取り付ける構成であっても構わないし、複数種類のセンサを組み合わせて取り付ける構成であっても構わない。複数種類のセンサを組み合わせて取り付ける場合には、どのような組み合わせであっても構わない。
【００５２】
また、上記実施形態では、エアマウント３００について排気量調整を説明したが、エアマウント４００についても同様に適用可能であることは言うまでもない。
【００５３】
また、上記実施形態では、構造体が着座する突部９５を気体バネ装置９０に設ける構成としたが、これに限定されるものではなく、他の構造物に設ける構成としてもよい。
【００５４】
また、ウエハＷとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ等についても適用される。
【００５５】
露光装置ＥＸとしては、レチクルＲとウエハＷとを同期移動してレチクルＲのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、レチクルＲとウエハＷとを静止した状態でレチクルＲのパターンを一括露光し、ウエハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００５６】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンとウエハＷとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像をウエハＷ上に転写した後、第２パターンとウエハＷとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねてウエハＷ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、ウエハＷ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、ウエハＷを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００５７】
また、例えば米国特許第第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【００５８】
また、露光装置ＥＸとして、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６４００４４１号明細書、米国特許第６５４９２６９号明細書、米国特許第６５９０６３４号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、及び米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００５９】
更に、米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。
【００６０】
また、例えば国際公開第９９／４９５０４号パンフレット等に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置に適用することもできる。本発明を液浸露光装置に適用する場合、振動発生時のエアマウント３００の支持圧力を、ゼロを超える値に設定することで、振動停止後の復帰に要する時間を短縮することができる。
【００６１】
露光装置ＥＸの種類としては、ウエハに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００６２】
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００６３】
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図６は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００６４】
まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
【００６５】
次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００６６】
図７は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。  
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００６７】
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００６８】
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。
【符号の説明】
【００６９】
６０…位置センサ（検出装置）、  ８５…圧力調整装置（排気量調整装置）、  ８５Ａ…第１調整系（給排装置）、  ８５Ｂ…第２調整系（排出装置）、  ９０…気体バネ装置、  ９５…突部（着座部）、  １００…本体フレーム（構造体）、  ３００…エアマウント（防振装置）、  ＣＯＮＴ…制御装置、  ＥＸ…露光装置
【図１】
2011100947.tif 000003
【図２】
2011100947.tif 000004
【図３】
2011100947.tif 000005
【図４】
2011100947.tif 000006
【図５】
2011100947.tif 000007
【図６】
2011100947.tif 000008
【図７】
2011100947.tif 000009