(57)【要約】【課題】液晶表示装置等の電気光学装置の製造方法において、高精度で平坦化を行うことによって好適なラビング処理を行えるようにし、高品質な画像を表示可能な電気光学装置を製造する。【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）上に、構造物（９ａ）を形成する構造物形成工程と、構成物上に絶縁膜（１５）を形成する絶縁膜形成工程と、構造物に重なる領域の少なくとも一部において絶縁膜の表面に凹部（１８）を形成する凹部形成工程と、凹部形成工程の後に、絶縁膜の表面に平坦化処理を行う平坦化工程とを備える。【選択図】図６
2011221116.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
構造物を形成する構造物形成工程と、
前記構成物上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記基板上で平面的に見て、前記構造物に重なる領域の少なくとも一部において前記絶
縁膜の表面に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部形成工程の後に、前記絶縁膜の表面に平坦化処理を行う平坦化工程と
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記凹部形成工程において、前記凹部は、該凹部の深さが、前記絶縁膜形成工程時にお
いて形成された前記絶縁膜の表面に存在する段差に等しく又は該段差に比べて大きくなる
ように形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記構造物は、画素毎に島状に形成された画素電極であることを特徴とする請求項１又
は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記凹部形成工程において、前記凹部は、前記画素が配列されてなる画素領域の中央部
における前記凹部の深さが、前記画素領域のうち前記中央部の周辺に位置する周辺部にお
ける前記凹部の深さに比べて大きくなるように形成されることを特徴とする請求項３に記
載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記凹部形成工程において、前記凹部は、前記基板上で平面的に見て、前記画素が配列
されてなる画素領域の中央部における前記凹部の広さが、前記画素領域のうち前記中央部
の周辺に位置する周辺部における前記凹部の広さに比べて大きくなるように形成されるこ
とを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記平坦化処理はＣＭＰ処理であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に
記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置の製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置として、例えば一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置が
ある。このような液晶装置では、一対の基板の液晶層に接する面に、電圧無印加時におけ
る液晶分子の配列を揃えるためのラビング処理が施された配向膜が設けられる。
【０００３】
ラビング処理は、例えばラビングクロスを表面に備えるラビングローラーで、基板上に
配置された配向膜の表面を擦ることによって施される。この際、配向膜の下地層の表面に
段差が生じていると、配向膜に意図しないスジが発生したり、削りカスが発生したりする
おそれがある。このため、基板の表面付近に（特に配向膜の下地層として）積層される絶
縁膜は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等の平坦化処理が施されること
によってその表面が平坦化される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３５４５０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＣＭＰ処理では、平坦化処理の対象である絶縁膜が形成された基板を、回転軸を中心に
回転しながら、絶縁膜の表面を研磨する。本願発明者の研究によれば、基板のうち回転軸
付近の領域（以下、適宜「中央部」と称する）に比べて、回転軸から離れた領域（即ち、
中央部の周囲に位置する領域。以下、適宜「周辺部」と称する）では、研磨量が相対的に
多くなり、基板全体に亘って絶縁膜の表面を精度よく平坦化することが困難であるという
技術的問題点が指摘されている。即ち、回転軸からの距離が相異なる領域においては、平
坦化処理後の絶縁膜の表面高さに少なからずバラツキが生じてしまう。
【０００６】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、高精度で平坦化を行うこ
とによって好適なラビング処理を行えるようにし、高品質な画像を表示可能な電気光学装
置を製造可能な電気光学装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、構造物を形
成する構造物形成工程と、前記構成物上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記基板
上で平面的に見て、前記構造物に重なる領域の少なくとも一部において前記絶縁膜の表面
に凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部形成工程の後に、前記絶縁膜の表面に平坦化
処理を行う平坦化工程とを備える。
【０００８】
本発明の電気光学装置の製造方法によって製造可能な電気光学装置は、基板上に、例え
ば、データ線、走査線、データ線及び走査線の交差に対応して画素毎に設けられた画素電
極、並びに画素スイッチング用のトランジスター等が、構造物として形成されてなる。こ
の種の電気光学装置では、例えば、データ線から画素電極へ画像信号が制御され、所謂ア
クティブマトリックス方式による画像表示が可能となる。
【０００９】
本発明の電気光学装置の製造方法は、構造物形成工程と、絶縁膜形成工程と、凹部形成
工程と、平坦化工程とを含んでなる。
【００１０】
まず、構造物形成行程では、基板上に構造物を形成する。ここで、構造物とは電気光学
動作に供する構造である積層構造であって、この範囲においてその形態を問わない。例え
ば、構造体は電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する
導電層又は絶縁層である。具体的には、データ線や走査線、画素電極、導電層間に生じる
電界を遮断するためのシールド配線、画素の保持特性を向上させるために設けられた蓄積
容量を構成する容量配線、所定の電位を供給するための電源線、並びにこれらのダミー配
線などを含む各種配線及び素子であってもよい。
【００１１】
続いて、絶縁膜形成行程では、基板上に形成された構成物上に絶縁膜を形成する。ここ
で、当該絶縁膜は後の工程において平坦化処理が施される対象である。尚、本工程の段階
では、表面に凹凸（即ち段差）が存在していてもよい。典型的には、上述のように基板上
に構造物が形成された後に絶縁膜を成膜するため、基板上で平面的に見て、構造物に重な
る領域では、その他の領域（即ち、下層側に構造物が存在しない領域）に比べて絶縁膜の
表面が盛り上がるように凹凸が生じる。尚、当該凹凸は後に施される平坦化処理によって
、好適に平坦化される。
【００１２】
続いて、凹部形成行程では、絶縁膜の表面に凹部を形成する。凹部の形成は、例えば、
マスクを介してエッチング等により絶縁膜の表面を部分的に除去することにより行われる
。本発明では特に、凹部は、基板上で平面的に見て、構造物に重なる領域の少なくとも一
部に形成される。上述のように、基板上に形成された絶縁膜の表面は、下層側に構造物が
形成された領域において盛り上がるように形成されている。本工程では、このように絶縁
膜の表面のうち盛り上がった領域において、絶縁膜の表面を部分的に除去することにより
、凹部を形成する。
【００１３】
続いて、平坦化工程では、凹部の形成された絶縁膜の表面に対して平坦化処理が実行さ
れる。ここで、平坦化処理は、例えばＣＭＰ処理等を含む各種処理である。平坦化処理は
基板上に形成された絶縁膜の全面に対して行われる。本発明では特に、絶縁膜の表面に凹
部が形成されているため、基板上で平面的に見て、構造物に重なる領域とその他の領域に
おける研磨量のバラツキを抑制することができる。仮に、絶縁膜の表面に凹部を形成しな
いと、上述のように、構造物の有無によって領域毎に絶縁膜の表面に凹凸が生じてしまい
、場所によって研磨量にバラツキが生じてしまう。すると、平坦化処理を実行しても、処
理後の絶縁膜の表面に凹凸が残存するおそれがある。本発明では絶縁膜の表面に凹部を形
成した後に、平坦化処理を行うことによって、このようなおそれを排除し、精度よく絶縁
膜の表面を平坦化することができる。
【００１４】
以上説明したように、本発明に係る製造方法によって製造された電気光学装置では、精
度よく平坦化された表面を有する絶縁膜を形成することができるので、絶縁膜状に設けた
配向膜に対し、好適なラビング処理を施すことができる。その結果、高品位な画像表示が
可能な電気光学装置を製造することができる。
【００１５】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の一態様では、前記凹部形成工程において、前記
凹部は、該凹部の深さが、前記絶縁膜形成工程時において形成された前記絶縁膜の表面に
存在する段差に等しく又は該段差に比べて大きくなるように形成される。
【００１６】
この態様によれば、凹部の深さが、凹部を形成する前段階において絶縁膜の表面に存在
する段差より大きくなるように凹部を形成することによって、平坦化工程において平坦化
処理を実行した後に絶縁膜の表面に凹凸が残ることを効果的に抑制することができる。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、構造物は、画素毎に島状に形成
された画素電極である。
【００１８】
この態様によれば、画素電極上に形成される絶縁膜の表面に対して、精度よく平坦化す
ることができるため、上層側に形成された配向膜に対して好適なラビング処理を施すこと
ができる。この場合、絶縁膜は例えば下地膜上に画素電極が形成された際に、下地膜の表
面と画素電極の表面との間に生じた段差を軽減するためのパッシベーション膜として形成
されていてもよい。
【００１９】
この場合、前記凹部形成工程において、前記凹部は、前記画素が配列されてなる画素領
域の中央部における前記凹部の深さが、前記画素領域のうち前記中央部の周辺に位置する
周辺部における前記凹部の深さに比べて大きくなるように形成されるとよい。
【００２０】
上述のように、ＣＭＰ処理のような平坦化処理では、研磨対象である絶縁膜が形成され
た基板を回転する。このとき、回転軸付近に位置する中央部に比べて、その周囲に位置す
る周辺部の方が研磨量が大きくなる傾向がある。本態様では、中央部と周辺部との研磨量
の差を軽減するために、研磨量が相対的に少ない中央部において予め深く凹部を形成する
。つまり、中央部において凹部を大きく形成することによって、中央部における研磨量を
少なくし、周辺部における研磨量とのバランスをとることができる。その結果、平坦化工
程において平坦化処理を施した際に、中央部と周辺部における研磨量のバラツキが抑えら
れ、より精度よく絶縁膜の表面を平坦化することができる。
【００２１】
また、前記凹部形成工程において、前記凹部は、前記基板上で平面的に見て、前記画素
が配列されてなる画素領域の中央部における前記凹部の広さが、前記画素領域のうち前記
中央部の周辺に位置する周辺部における前記凹部の広さに比べて大きくなるように形成さ
れてもよい。
【００２２】
この場合も、中央部と周辺部との研磨量の差を軽減することにより、中央部と周辺部に
おける研磨量のバラツキを抑え、より精度よく絶縁膜の表面を平坦化することができる。
但し、本態様では、研磨量のバラツキを抑制するための手段として、凹部の深さではなく
、基板上で平面的に見た場合の凹部の面積を用いている。即ち、研磨量が相対的に少ない
中央部において予め広く凹部を形成し、中央部と周辺部における研磨量のバランスをとる
ことによって、平坦化の精度を高めることができる。
【００２３】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、平坦化処理はＣＭＰである。
【００２４】
ＣＭＰ処理では、被研磨物の回転軸付近に位置する中央部に比べて、その周囲に位置す
る周辺部の方が研磨量が大きくなる傾向がある。このような場合であっても、被研磨物で
ある絶縁膜の表面に凹部を適宜設けることにより、精度よく平坦化を行うことができる。
【００２５】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴアレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域における平面構造を示す平面図である。
【図５】図４のＩ−Ｉ´線断面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置の製造方法の工程を順に追って示す工程断面図である。
【図７】変形例に係る液晶装置の製造方法の一部の工程を示す工程断面図である。
【図８】変形例に係る液晶装置の製造方法の一部の工程を示す工程断面図の他の例である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
＜電気光学装置＞
先ず、本発明に係る電気光学装置の実施形態について、図１及び図２を参照して説明す
る。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のアクティブマト
リックス駆動方式の液晶装置を挙げる。
【００２８】
本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図
１は、本発明の実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉ
ｓｔｏｒ）アレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であ
り、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００２９】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対
向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、例えば、
石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板からなる。尚、ＴＦＴアレイ基板は、本発
明に係る「基板」の一例である。
【００３０】
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、液晶層５０が設けられている。ＴＦＴ
アレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に
設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３１】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外光硬化樹脂等からなり、製
造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外光照射により硬化させ
られたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔
（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャッ
プ材が散布されていてもよい。この場合、ギャップ材は、シール材５２に混入されるもの
に加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する
周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００３２】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、デ
ータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿っ
て設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側には、サンプリング回路７が
設けられている。この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側の額縁領域には、走
査線駆動回路１０４が設けられている。
【００３３】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両
基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これ
らにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができ
る。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４
、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００３４】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のト
ランジスターや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。こ
の積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に
、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明材料からなる画素電極９ａが、
画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００３５】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の
画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面す
る側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成され
ている。
【００３６】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、ＩＴＯ等の透明材料か
らなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。尚、対向基
板２０上には、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、カラーフィルタが
形成されていてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜
２２が形成されている。
【００３７】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１
０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電
圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造
途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されてい
てもよい。
【００３８】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける電気的な構成について
、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１
０ａを構成するマトリックス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価
回路図である。
【００３９】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリックス状に形成された複数の画素
の夫々には、画素電極９ａ、及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極
９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御す
る。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されてい
る。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給し
ても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するよ
うにしてもよい。
【００４０】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されており、液晶装置は、所定のタイ
ミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で
印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続
されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じるこ
とにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミン
グで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１
、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００４１】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配
向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイ
トモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少
し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光
に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストを
もつ光が出射される。
【００４２】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２
１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄
積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容
量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列し
てＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容
量線３００に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特
性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００４３】
次に、本実施形態に係る液晶装置において、図４及び図５を参照して画像表示領域１０
ａにおける、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を説明する
。図４は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける平面構成を示す平面
図である。図５は図４におけるＩ−Ｉ´線断面図である。尚、図４及び図５では、各層・
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異な
らしめてある。
【００４４】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線６ａ及び走査線１１が、夫々Ｘ方向及びＹ方向
に沿って配置されている。データ線６ａ及び走査線１１は、例えば、遮光性の導電材料、
Ａｌ（アルミニウム）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）等
から形成されている。
【００４５】
ＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、データ線６ａ及び走査線１１
との交差に対応するように、画素毎に配置されている。ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａと
、ゲート絶縁膜３０ｃを介して上層側に形成されたゲート電極３０ｂとを有して構成され
ている。
【００４６】
半導体層３０ａは、ソース領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、ドレイン領域３０ａ
３含んで形成されている。ここで、 チャネル領域３０ａ２とソース領域３０ａ１、又は
、チャネル領域３０ａ２とドレイン領域３０ａ３との界面にはＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  
Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域が形成されていてもよい。
【００４７】
ゲート電極３０ｂは、ゲート絶縁膜３０ｃを介して、半導体層３０ａのチャネル領域３
０ａ２に対向するように形成されている。ゲート電極３０ｂは、下層側に設けられた走査
線１１にコンタクトホール３４を介して電気的に接続されており、走査線１１から供給さ
れる走査信号が印加されることによってＴＦＴ３０をオン／オフ制御する。
【００４８】
ソース領域３０ａ１は、コンタクトホール３１を介してデータ線６ａに電気的に接続さ
れている。データ線６ａは、ソース領域３０ａ１より上層側に設けられており、その一部
が層間絶縁膜１３及びゲート絶縁膜３０ｃに開孔されたコンタクトホール３１の内部に形
成されることにより、ソース領域３０ａ１に電気的に接続されている。
【００４９】
ドレイン領域３０ａ３は、コンタクトホール３２を介して中継層１７に電気的に接続さ
れている。中継層１７は、ドレイン領域３０ａ３より上層側に設けられており、その一部
が層間絶縁膜１３及びゲート絶縁膜３０ｃに開孔されたコンタクトホール３２の内部に形
成されることにより、ドレイン領域３０ａ３に電気的に接続されている。
【００５０】
中継層１７は、コンタクトホール３３を介して、本発明に係る「構造物」の一例である
画素電極９ａに電気的に接続されている。画素電極９ａは、中継層１７より上層側に設け
られており、その一部が層間絶縁膜１４に開孔されたコンタクトホール３３の内部に形成
されることにより、中継層１７に電気的に接続されている。このように画素電極９ａは、
中継層１７を経由してドレイン領域３０ａ３に電気的に接続されることによって、ドレイ
ン領域３０ａ３から画像信号に対応する電圧信号が供給される。
【００５１】
画素電極９ａは、データ線６ａ及び走査線１１によってマトリクス状に区分けされた画
素毎に島状に形成されている。図４では、画素電極９ａの外輪郭を点線９ａ´で図示して
いる。本実施形態では特に、画素電極９ａはアルミニウム等の光反射性を有する導電性材
料から形成されている。そのため、ＴＦＴアレイ基板１０の上層側（即ち対向基板２０側
）から入射する光源光は、画素電極９ａの表面で反射される。反射された光源光は、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０及び対向基板２０間に設けられた液晶５０によって偏光され、画像表示
を行う。
【００５２】
また、中継層１７の上層側には容量絶縁膜７２を介して容量電極７１が設けられている
。つまり、本実施形態に係る液晶装置は、中継層１７及び容量電極７１を一対の容量電極
とした蓄積容量７０を備えている。このように蓄積容量７０を設けることで、中継層１７
に電気的に接続されている画素電極９ａの電圧を、実際に画像信号が印加されている時間
よりも、例えば３桁も長い時間だけ保持することが可能となる。その結果、液晶素子の保
持特性が改善される結果、高コントラスト比を有する液晶装置を実現することができる。
尚、容量電極７１は容量配線４００に電気的に接続されることにより、電位が一定に保持
されている（図３参照）。
【００５３】
画素電極９ａ上には、画素電極９ａの表面と、画素電極９ａの下地膜である層間絶縁膜
１４の表面との段差を軽減するためにパッシベーション膜１５が形成されている。パッシ
ベーション膜１５は、本発明に係る「絶縁膜」の一例である。尚、パッシベーション膜１
５の表面は、ＣＭＰ処理によって平坦化されている。当該平坦化処理については、製造方
法の項目において、後に詳述する。
【００５４】
パッシベーション膜１５上には、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に挟持され
るように設けられた液晶５０の配向状態を規制するための配向膜１６が設けられている。
配向膜１６の表面はラビング処理が施されており、当該配向膜１６に接するように配置さ
れる液晶５０に含まれる液晶分子の配向状態を制御する。
【００５５】
＜製造方法＞
続いて、本実施形態に係る液晶装置が備えるＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造の製造
方法について、図６を参照して説明する。図６は、本実施形態に係る液晶装置が備えるＴ
ＦＴアレイ基板１０上の積層構造の製造方法の一例を、順を追って示す工程断面図である
。尚、図５において層間絶縁膜１４より下層側に示した積層構造は、スパッタリング等の
製膜法及びエッチング等のパターニング法など、一般的な製造方法によって形成可能であ
る。ここでは、説明の便宜上、その詳細な製造工程については説明並びに図示は省略する
こととする。
【００５６】
図６では、互いに隣り合う二つの画素における積層構造の製造工程を、工程順に図示し
ている。
（構造物形成工程）
まず、図６（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に層間絶縁膜１４を形成し、
その表面に画素電極９ａを形成する。画素電極９ａは、層間絶縁膜１４上に、導電性材料
から導電層を成膜し、パターニングすることにより画素毎に形成するとよい。ここで、導
電性材料としては、例えば透過型の液晶装置の場合はＩＴＯなどの透明な導電性材料を用
い、反射型の液晶装置の場合はアルミニウムなどの光反射性に優れた導電性材料を用いる
とよい。尚、反射型の液晶装置であっても別途反射層を有する場合などには、導電層をＩ
ＴＯなどの透明な導電性材料から形成してもよいことは言うまでもない。また、パターニ
ングの手法としては、例えばエッチング等を用いるとよい。
（絶縁膜形成工程）
続いて、図６（ｂ）に示すように、画素電極９ａの上層側にパッシベーション膜１５を
形成する。ここで、パッシベーション膜１５の表面には、下層側に形成された画素電極９
ａに対応するように段差１５´が生じている。尚、段差１５´は、本発明に係る「段差」
の一例である。
（凹部形成工程）
続いて、図６（ｃ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極
９ａと重なる領域においてパッシベーション膜１５の表面を部分的に除去し、凹部１８を
形成する。本実施形態では特に、凹部１８の深さは、段差１５´に等しくなるように形成
されている。尚、このように凹部１８の深さを、段差１５´に正確に等しく形成すること
が困難である場合には、段差１５´より深く形成してもよい。
（平坦化工程）
続いて、図６（ｄ）に示すように、凹部１８が形成されたパッシベーション膜１５の表
面にＣＭＰ処理を施し、平坦化を行う。凹部形成工程において、パッシベーション膜１５
の表面に凹部１８を設けることにより、下層側に画素電極９ａが形成されている領域とそ
の他の領域において、研磨量の差を軽減することができる。その結果、図６（ｄ）に示す
ように、平坦化処理を行った後のパッシベーション膜１５の表面を精度よく平坦化するこ
とができる。
【００５７】
続いて図６（ｅ）に示すように、平坦化されたパッシベーション膜１５の表面に配向膜
１６を形成する。ここで、配向膜１６の表面にラビング処理を施すが、上述のように配向
膜１６の下地膜であるパッシベーション膜１５の表面が好適に平坦化されているため、ラ
ビング処理を施す際に、配向膜に意図しないスジが発生したり、削りカスが発生したりす
るおそれを効果的に排除することができる。このようにして、ＴＦＴアレイ基板１０上の
積層構造が完成する。
【００５８】
その後、積層構造が形成されたＴＦＴアレイ基板１０は、別途用意された対向基板２０
と貼り合わされる。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には垂直配向液晶が封入さ
れることにより液晶層５０が形成され、本実施形態に係る液晶装置が完成する。
【００５９】
＜変形例＞
ここで、図７及び図８を参照して、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の変形例につ
いて説明する。図７は、変形例に係る液晶装置の製造方法の凹部形成工程における工程断
面図であり、図８は、変形例に係る液晶装置の製造方法の凹部形成工程における工程断面
図の他の例である。尚、図７及び図８において、右側に示す画素は、左側に示す画素に比
べて画像表示領域１０ａの中心よりの領域（即ち、本発明における「中央部」）に配置さ
れている画素である。一方、図７及び図８において、左側に示す画素は、右側に示す画素
に比べて画像表示領域１０ａの外側の領域（即ち、本発明における「周辺部」）に配置さ
れている画素である。
【００６０】
まず図７に示すように、中央部における凹部１８ａは、その深さが、周辺部における凹
部１８ｂに比べて大きくなるように形成されている。ＣＭＰ処理では、ＴＦＴアレイ基板
１０上で平面的に見て、回転軸を中心に、研磨対象であるパッシベーション膜１５が形成
されたＴＦＴアレイ基板１０を回転させながら、パッシベーション膜１５の表面を研磨す
ることにより、平坦化を行う。この場合、周辺部における研磨量は、中央部に比べて大き
くなる傾向がある。本態様では、中央部と周辺部との研磨量の差を軽減するために、研磨
量が相対的に少ない中央部において予め深く凹部を形成している。
その結果、ＣＭＰ処理を実行した際に、中央部と周辺部における研磨量のバラツキが抑え
られ、より精度よく絶縁膜の表面を平坦化することができる。
【００６１】
また図８に示すように、中央部における凹部１８ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面
的に見て、周辺部における凹部１８ｂに比べて広く形成されている。この場合も、図７に
示す変形例と同様に、中央部と周辺部との研磨量の差を軽減することにより、中央部と周
辺部における研磨量のバラツキが抑えられ、より精度よく絶縁膜の表面を平坦化すること
ができる。但し、本態様では、研磨量のバラツキを抑制するための手段として、凹部１８
の深さではなく、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見た場合の凹部１８の面積を用いて
いる。即ち、研磨量が相対的に少ない中央部において予め広く凹部１８を形成している。
【００６２】
以上説明したように、本実施形態に係る製造方法によれば、配向膜１６の下地層である
パッシベーション膜１５の表面を精度よく平坦化することができるため、配向膜１６に退
位して好適にラビング処理を施すことが可能である。その結果、高品位な画像表示が可能
な電気光学装置を製造することができる。
【００６３】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から
読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更
を伴う電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６４】
６ａ  データ線、  ９ａ  画素電極、  １０  ＴＦＴアレイ基板、  １１  走査線、  
１５  パッシベーション膜、  １５´  段差、  １６  配向膜、  １７  中継層、  １８
凹部、  ３０  ＴＦＴ、  ３３  コンタクトホール、  ７０  蓄積容量、  ７１  容量
電極、  ７２  容量絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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