【事件の表示】
　特願２０１２−　４８８１０「基板温度制御方法及びプラズマ処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１０月１８日出願公開，特開２０１２−１９９５３５，請求項の数（９）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年３月６日（国内優先権主張平成２３年３月８日）の出願であって，平成２７年９月１１日付けで拒絶理由通知がされ，同年１１月６日に意見書と手続補正書が提出され，平成２８年５月２３日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，同年８月８日に拒絶査定不服審判の請求がされ，平成２９年３月３０日付けで拒絶理由通知（以下「当審拒絶理由通知」という。）がされ，同年４月２８日に意見書と手続補正書が提出されたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（平成２８年５月２３日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　この出願については，平成２７年　９月１１日付け拒絶理由通知書に記載した理由２によって，拒絶をすべきものです。
　なお，意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが，拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
●理由２（特許法第２９条第２項）について
・請求項　１〜１０
・引用文献等　１，２
　引用文献１には，図８，図１０とともに以下の記載がある。
「本実施の形態に係るプラズマ処理装置は，ウエーハ３の温度を調節するための温度調節機構５０を備えている。この温度調節機構５０は，静電チャック３０’に，Ｈｅなどの不活性ガス（温度調節ガス）を供給する。具体的には，温度調節機構５０は，Ｈｅ流量を調整するためのマスフローコントローラ１３，Ｈｅの供給圧力をモニターするための圧力計１４を有している。Ｈｅの圧力は，マスフローコントローラ１３と圧力計１４によって調整される。この温度調節機構５０は，試料台１に設けられたＨｅ供給口１２に，Ｈｅを供給する。この機構によって，ウエーハ３と誘電体２の間にはＨｅが充填され，ウエーハ３と試料台１や誘電体２との熱伝導が高くなる。これにより，ウエーハ３の温度が調節される。」（段落６０）
「そこで，本実施の形態によれば，図１０に示される制御が行われる。・・・温度調節機構５０は，各ステップにおいて，Ｈｅ圧力を第１の圧力に設定し，また，ステップとステップの間（ステップ間）において，Ｈｅ圧力を第１の圧力より小さい第２の圧力に設定する。あるいは，温度調節機構５０は，各ステップの終了時にＨｅの供給を停止し，また，各ステップの開始時にＨｅの供給を開始する。」（段落６３）
　引用文献１に記載の「試料台１」，「ウエーハ３」，「Ｈｅなどの不活性ガス（温度調節ガス）」が，請求項１に係る発明の「載置台」，「基板」，「伝熱ガス」に相当する。
　引用文献１の図８において，試料台１は，プラズマ反応させるための密閉容器に入れられており，この密閉容器が，請求項１に係る発明の「真空処理チャンバー」に相当する。
　引用文献１の発明は，温度調節機構５０として，Ｈｅの圧力を，マスフローコントローラ１３と圧力計１４によって調整し，ウエーハ３の温度を調節しているので，伝熱ガスの圧力を検出し，検出された圧力検出値と圧力設定値とを比較して，前記圧力検出値が前記圧力設定値となるように前記伝熱ガスの供給を制御し，前記基板の温度を制御している。
　また，引用文献１，第２の実施の形態（段落５９〜段落６４）において，図１０に記載されている様に，温度調節機構５０は，各ステップの終了時にＨｅの供給を停止し，また，各ステップの開始時に，８Ｔｏｒｒ（１０６４Ｐａ）の圧力でＨｅの供給を開始する動作を繰り返すことが記載されており，Ｈｅの供給を開始したときの圧力が請求項１に係る発明の第１圧力設定値に相当し，Ｈｅの供給を停止したときの圧力が，請求項１に係る発明の第２圧力設定値に相当する。
　　　
相違点
　請求項１に係る発明と，引用文献１に記載された発明とを比較すると，第１圧力設定値の値が，請求項１に係る発明では，１３３０Ｐａであるのに対し，引用文献１の発明では，８Ｔｏｒｒ（１０６４Ｐａ）である点で相違する。
相違点についての検討
　しかしながら，本願発明の第１圧力設定値の値は，低い圧力設定値では，安定した圧力制御を行うことが困難となる（段落４１）ので，安定した圧力制御を行える圧力値を適宜選定したものであって，引用文献１の発明において，装置の性能等に合わせて適宜設定し，１３３０Ｐａとすることは当業者が容易になし得ることである。
　出願人は意見書にて，引例１は，伝熱ガス（Ｈｅガス）の圧力を，プラズマ（高周波電力）をオフしている間，低くすることでウエハの離脱を防止するようにしたものでありるのに対し，本願発明は，伝熱ガスの圧力が低い領域では伝熱ガスの圧力を精度良く制御することが困難となり，基板の温度制御を精度良く行うことができず，実質的に温度制御範囲が限定される，という問題を解決することを目的としておりますから，本願発明と引例１は，その目的が全く相違しておりますと主張している。
　しかしながら，引用文献１の発明においても，ウエーハ３の温度を調節するためＨｅなどの不活性ガス（温度調節ガス）を供給している。このＨｅなどの不活性ガス（温度調節ガス）は，図１０に記載されている様に，Ｈｅの供給を開始したとき（第１圧力設定値）と，Ｈｅの供給を停止したとき（第２圧力設定値）とを交互に繰り返してウエーハ３の温度を調節する目的を果たしており，圧力設定範囲もほぼ同じ範囲であるので，出願人の主張は採用できない。
　よって，請求項１に係る発明は，引用文献１に記載の発明に基づいて容易になし得たものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また，請求項２〜１０に係る発明について，ガス供給時間を設定することは適宜なし得ることである。ヘリウムガスを供給することは引用文献１に記載（段落６０）されている。ガスの圧力で変形する隔膜を用いることは引用文献２に記載（段落３３，ダイアフラムが，本願の隔膜に相当する。）されている。
　よって，請求項２〜１０に係る発明についても同様の理由により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.特開２００６−２６９５５６号公報（先の拒絶理由通知書における引用文献１）
２.特開２００５−０３９１２０号公報（先の拒絶理由通知書における引用文献２）
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は次のとおりである。
　第１　この出願は，明細書，特許請求の範囲及び図面の記載が下記の点で不備のため，特許法第３６条第６項第１号，第２号，及び，第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　記 
　１　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について（その１） 
（１）特許請求の範囲の記載が，明細書のサポート要件に適合するか否かは，特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し，特許請求の範囲に記載された発明が，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か，また，その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものであり，明細書のサポート要件の存在は，特許権者が証明責任を負うと解するのが相当である（知財高判平成１７年１１月１１日(平成１７年(行ケ)１００４２号)「偏光フィルムの製造法」大合議判決を参照。) 。
　以下，上記の観点に立って，本願のサポート要件について検討する。
 　 
（２）前提となる事実関係等 
　ア　本願の特許請求の範囲の記載 
　本願の請求項１ないし１０に記載された発明（以下「本願発明１」ないし「本願発明１０」という。また，これらを併せて「本願発明」ということがある。）は，以下のとおりのものである。
「【請求項１】 
　真空処理チャンバー内に設置され，冷却又は加温される載置台の基板載置面に基板を載置し，当該基板の裏面と前記載置台の前記基板載置面との間に伝熱ガスを供給し，かつ，前記伝熱ガスの圧力を検出し，検出された圧力検出値と圧力設定値とを比較して，前記圧力検出値が前記圧力設定値となるように前記伝熱ガスの供給を制御し，前記基板の温度を制御する基板温度制御方法であって，
　前記伝熱ガスの圧力を１３３０Ｐａ未満の低圧力値とし，前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う際に，
　プラズマ処理の最中に，前記圧力設定値を，１３３０Ｐａ以上の第１圧力設定値とする第１期間と，前記低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す 
 　ことを特徴とする基板温度制御方法。
【請求項２】 
　請求項１記載の基板温度制御方法であって，
　前記第１圧力設定値が１３３０Ｐａから１３３００Ｐａの範囲であり，前記第２圧力設定値が０Ｐａから６６５Ｐａの範囲である
　ことを特徴とする基板温度制御方法。
【請求項３】 
　請求項１又は２記載の基板温度制御方法であって， 
　前記第１期間及び前記第２期間は，０．０１秒から１０秒の範囲である
　ことを特徴とする基板温度制御方法。
【請求項４】 
　請求項１〜３いずれか１項記載の基板温度制御方法であって，
　前記伝熱ガスが，ヘリウムガス，アルゴンガス，窒素ガス，酸素ガスのいずれかである
　ことを特徴とする基板温度制御方法。 
【請求項５】 
　請求項１〜３いずれか１項記載の基板温度制御方法であって， 
　前記伝熱ガスが，ヘリウムガス，アルゴンガス，窒素ガス，酸素ガスのうちのいずれか２種のガスであり，前記第１期間と前記第２期間では，当該２種のガスを交互に供給する
　ことを特徴とする基板温度制御方法。 
【請求項６】 
　請求項１〜５いずれか１項記載の基板温度制御方法であって，
　前記載置台に設けられ前記伝熱ガスの圧力に応じて変形する隔膜と，当該隔膜の変形量を検出する検出機構とを具備した圧力計で前記伝熱ガスの圧力を検出する
　ことを特徴とする基板温度制御方法。 
【請求項７】 
　請求項１〜６いずれか１項記載の基板温度制御方法であって， 
　前記伝熱ガスの圧力を予め定めた下限圧力値未満の低圧力値とし，前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う際に，
　前記第１期間と，前記第２期間と，前記第１圧力設定値より低く前記第２圧力設定値より高い第３圧力設定値とする第３期間とを順次繰り返す
　ことを特徴とする基板温度制御方法。 
【請求項８】 
　請求項７記載の基板温度制御方法であって， 
　前記伝熱ガスが，ヘリウムガス，アルゴンガス，窒素ガス，酸素ガスのうちのいずれか３種のガスであり，前記第１期間と前記第２期間と前記第３期間では，当該３種のガスを順次供給する
　ことを特徴とする基板温度制御方法。
【請求項９】 
　真空処理チャンバー内に設置され，冷却又は加温される載置台の基板載置面に基板を載置し，当該基板の裏面と前記載置台の前記基板載置面との間に伝熱ガスを供給して前記基板の温度を制御しつつ，前記基板にプラズマを作用させてプラズマ処理するプラズマ処理装置であって，
　前記伝熱ガスの圧力を検出する圧力検出機構と，
　前記圧力検出機構で検出された圧力検出値と圧力設定値とを比較し，前記圧力検出値が前記圧力設定値となるように前記伝熱ガスの供給を制御する伝熱ガス供給制御機構と
　を具備し，前記伝熱ガス供給制御機構は，
　前記伝熱ガスの圧力を１３３０Ｐａ未満の低圧力値とし，前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う際に，
　プラズマ処理の最中に，前記圧力設定値を，１３３０Ｐａ以上の第１圧力設定値とする第１期間と，前記低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す
　ことを特徴とするプラズマ処理装置。 
【請求項１０】 
　請求項９記載のプラズマ処理装置であって，
　前記圧力検出機構は， 
　前記載置台に設けられ前記伝熱ガスの圧力に応じて変形する隔膜と，
　当該隔膜の変形量を検出する検出機構と 
　を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。」
  
　イ　本願明細書の発明の詳細な説明の記載 
　本願明細書の発明の詳細な説明には，以下の事項が記載されている。 
（ア）「【技術分野】 
【０００１】 
　本発明は，基板温度制御方法及びプラズマ処理装置に関する。」 
  
（イ）「【背景技術】 
【０００２】 
　従来から，半導体装置の製造工程においては，真空処理チャンバー内に配置した基板（例えば，半導体ウエハ）にプラズマを作用させてエッチング処理や成膜処理を行うプラズマ処理が用いられている。
【０００３】 
　このようなプラズマ処理装置では，基板を載置する載置台に温調機構を設けて加熱又は冷却するとともに，載置台の基板載置面と，基板の裏面との間にヘリウム（Ｈｅ）ガス等の熱媒体となる伝熱ガス（所謂バックサイドガス）を供給して，載置台と基板との熱交換を促進する構成となっているものが知られている。 
【０００４】 
　また，このようなプラズマ処理装置において，バックサイドガスとして熱伝導率の異なるガス，例えば，ヘリウム（Ｈｅ）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスの流量を個別に制御して供給する技術が知られている（例えば，特許文献１）。 
【０００５】 
　また，伝熱ガスの流量を間欠的に調整して，伝熱ガスの圧力を制御する技術が知られている（例えば，特許文献２参照。）。」 
  
（ウ）「【発明が解決しようとする課題】 
【０００７】 
　上記のプラズマ処理装置のうち，載置台に高周波電力を印加する構造のプラズマ処理装置では，ヘリウム（Ｈｅ）ガス等の伝熱ガスの供給ライン内で放電が発生する虞がある。このため，伝熱ガスの供給ラインを絶縁体で覆うとともに，伝熱ガスの供給ラインの距離を長く細くし，あるいは邪魔板を挿入する等してコンダクタンスや電界強度を下げることが行われている。このようにコンダクタンスを低下させた結果，ヘリウム（Ｈｅ）ガス等の伝熱ガスを供給し難くなり，特に伝熱ガスの圧力が低い領域，例えば１３３０Ｐａ（１０Torr）以下の領域では，伝熱ガスの圧力を精度良く制御することが困難になり，このような伝熱ガスの低い圧力領域における基板の温度制御を精度良く行うことができず，実質的に温度制御範囲が限定されるという問題がある。 
【０００８】 
　本発明は，かかる従来の事情に対処してなされたもので，伝熱ガスの低い圧力領域における基板の温度制御を精度良く行うことができ，温度制御範囲を拡張してプロセスマージンの拡大を図ることのできる基板温度制御方法及びプラズマ処理装置を提供することを目的とする。」 
  
（エ）「【発明の効果】 
【００１１】 
　本発明によれば，伝熱ガスの低い圧力領域における基板の温度制御を精度良く行うことができ，温度制御範囲を拡張してプロセスマージンの拡大を図ることができる。」 
  
　ウ　本願発明の課題 
　本願明細書の記載（前記イ）によれば，次のとおりである。 
（ア）本願発明は，基板温度制御方法及びプラズマ処理装置に関するものである。（【０００１】） 
  
（イ）プラズマ処理装置のうち，載置台に高周波電力を印加する構造のプラズマ処理装置では，ヘリウム（Ｈｅ）ガス等の伝熱ガスの供給ライン内で放電が発生する虞があるため，伝熱ガスの供給ラインを絶縁体で覆うとともに，伝熱ガスの供給ラインの距離を長く細くし，あるいは邪魔板を挿入する等してコンダクタンスや電界強度を下げることが行われているが，このようにコンダクタンスを低下させた結果，ヘリウム（Ｈｅ）ガス等の伝熱ガスを供給し難くなり，特に伝熱ガスの圧力が低い領域，例えば１３３０Ｐａ（１０Torr）以下の領域では，伝熱ガスの圧力を精度良く制御することが困難になり，このような伝熱ガスの低い圧力領域における基板の温度制御を精度良く行うことができず，実質的に温度制御範囲が限定されるという問題がある。（【０００７】） 
  
（ウ）本願発明の課題は，伝熱ガスの低い圧力領域における基板の温度制御を精度良く行うことができ，温度制御範囲を拡張してプロセスマージンの拡大を図ることのできる基板温度制御方法及びプラズマ処理装置を提供することを目的とする。（【０００８】） 
  
（３）検討 
　ア　前記（２）アのとおり，本願発明１ないし１０は，「伝熱ガスの圧力を１３３０Ｐａ未満の低圧力値とし，前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う際に，プラズマ処理の最中に，前記圧力設定値を，１３３０Ｐａ以上の第１圧力設定値とする第１期間と，前記低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す」ことを発明特定事項とする発明である。 
　すなわち，本願発明１ないし１０は，伝熱ガスの圧力を低圧力値とし，前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う際の，前記低圧力値の値として，「１３３０Ｐａ未満」の圧力の全てを，また，第１圧力設定値としては，「１３３０Ｐａ以上」の圧力の全てを包含しているといえる。 
  
　イ　そこで，本願発明１ないし１０について，低圧力値の値が，「１３３０Ｐａ未満」であり，第１圧力設定値が，「１３３０Ｐａ以上」であれば，常に，本願発明の課題を解決できると当業者が認識できるか否かについて検討する。 
  
　ウ　本願明細書には次の記載が認められる。 
・「伝熱ガスの供給ラインを絶縁体で覆うとともに，伝熱ガスの供給ラインの距離を長く細くし，あるいは邪魔板を挿入する等してコンダクタンスや電界強度を下げることが行われている。このようにコンダクタンスを低下させた結果，ヘリウム（Ｈｅ）ガス等の伝熱ガスを供給し難くなり，特に伝熱ガスの圧力が低い領域，例えば１３３０Ｐａ（１０Torr）以下の領域では，伝熱ガスの圧力を精度良く制御することが困難になり，このような伝熱ガスの低い圧力領域における基板の温度制御を精度良く行うことができず，実質的に温度制御範囲が限定されるという問題がある。」（【０００７】） 
  
　エ　上記記載からみて，本願明細書の記載から，当業者は，ガスが，ヘリウムであって，伝熱ガスの供給ラインを絶縁体で覆うとともに，伝熱ガスの供給ラインの距離を長く細くし，あるいは邪魔板を挿入する等してコンダクタンスや電界強度を下げることが行われた特定の構造を備えたプラズマ処理装置において，「例えば」１３３０Ｐａ（１０Torr）以下の領域では，伝熱ガスの圧力を精度良く制御することが困難になり，このような伝熱ガスの低い圧力領域における基板の温度制御を精度良く行うことができず，実質的に温度制御範囲が限定されるという問題が生じることがあること，及び，１３３０Ｐａ（１０Torr）以下の領域で，伝熱ガスであるヘリウムの圧力を精度良く制御することが困難となる前記特定の構造を備えたプラズマ処理装置において，プラズマ処理の最中に，前記圧力設定値を，１３３０Ｐａ以上の第１圧力設定値とする第１期間と，前記低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返すことによって，基板の温度制御を精度良く行うことができないという，本願発明の課題を解決することができると認識するものと認められる。 
  
　オ　一方，上記記載における「例えば」との説明，及び，技術常識に照らして，プラズマ処理装置の伝熱ガスの供給ラインの距離を長さ，細さ，伝熱ガスの種類，あるいは，圧力制御系の具体的な構造等の違いによって，ガスの圧力を精度良く制御することが困難となる臨界的な圧力の値が異なることは明らかといえる。 
 　 
　カ　すなわち，全てのプラズマ処理装置において，伝熱ガスの圧力が，１３３０Ｐａ（１０Torr）を境として，この値以下となると，圧力を精度良く制御することが困難となることが，本願の発明の詳細な説明には記載されておらず，また，技術常識であるとも認められない。 
  
　キ　してみれば，例えば，１５００Ｐａを境として，この値以下となると，圧力を精度良く制御することが困難となるプラズマ処理装置も存在するものと解されるところ，当該プラズマ処理装置においては，当業者は，圧力を１３３０Ｐａ以上の圧力に含まれる１３３０Ｐａの第１圧力設定値とする第１期間と，前記低圧力値である１５００Ｐａより低い１３２０Ｐａを第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返すことによっては，本願発明の課題を解決することができないと予測するといえる。 
  
　ク　したがって，本願明細書の記載（ないし示唆）はもとより，本願出願当時の技術常識に照らしても，本願発明１ないし１０について，当業者が，「伝熱ガスの圧力を１３３０Ｐａ未満の低圧力値とし，前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う際に，プラズマ処理の最中に，前記圧力設定値を，１３３０Ｐａ以上の第１圧力設定値とする第１期間と，前記低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す」ことによっては，本願発明の課題を解決できると認識することはできないというべきである。 
　そうすると，本願の特許請求の範囲の記載は，本願明細書の発明の詳細な説明の記載及び本願の出願当時の技術常識に照らして，当業者が本願明細書に記載された本願発明の課題を解決できると認識できる範囲を超えており，サポート要件に適合しないものというべきである。 
  
　３　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について（その２） 
　請求項２に「前記第１圧力設定値が１３３０Ｐａから１３３００Ｐａの範囲」とあるが，発明の詳細な説明には，第１圧力設定値の範囲の上限が，「１３３００Ｐａ」であることについて，記載も示唆もされていない。 
　したがって，請求項２に記載された発明は，発明の詳細な説明に記載された発明ではない。 
  
　２　特許法第３６条第６項第２号（発明の明確性）について 
（１）請求項１の「プラズマ処理」が，どのようなものであるか，請求項１の記載からは，明確に把握することができない。 
　請求項１の前半を，請求項９の記載にならって，以下のように補正することを検討されたい。 
「真空処理チャンバー内に設置され，冷却又は加温される載置台の基板載置面に基板を載置し，当該基板の裏面と前記載置台の前記基板載置面との間に伝熱ガスを供給し，かつ，前記伝熱ガスの圧力を検出し，検出された圧力検出値と圧力設定値とを比較して，前記圧力検出値が前記圧力設定値となるように前記伝熱ガスの供給を制御し，前記基板の温度を制御しつつ，前記基板にプラズマを作用させてプラズマ処理するプラズマ処理装置における基板温度制御方法であって， 
　・・・ 
　前記プラズマ処理の最中に・・・」 
  
（３）第３６条第４項第１号（実施可能要件）について 
　請求項７に「前記伝熱ガスの圧力を予め定めた下限圧力値未満の低圧力値とし」とあるが，当該「予め定めた下限圧力値」を，どのようにして「予め定める」のか，発明の詳細な説明には記載も示唆もされておらず，また，技術常識から明らかであるとも認められない。 
　すなわち，伝熱ガスの圧力を精度よく制御することが困難となる「下限圧力値」は，装置が備える制御系の特性，供給ラインの長さ及び細さ，ガスの種類によって異なる物性値等によって，装置毎に異なるものと認められる。しかしながら，本願の発明の詳細な説明には，当該「下限圧力値」を，どのようにして特定の一つの値に決定することができるのか，その方法（判断基準）が示されていない。 
　したがって，本願の発明の詳細な説明の記載は，当業者が，本願発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとは認められない。 
 　  
　第２　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
　　　　　　　　　　　　　　　　記 
・請求項　　１−４，６，９，１０ 
・引用文献　１．特開２０００−２３２０９８号公報 
　　　　　　２．特開平７−８６３８２号公報 
　　　　　　３．特開２００５−３９１２０号公報 
  
・備考 
・引例１の図９，及び，【００３４】−【００３５】の記載を参照されたい。伝熱ガスの圧力制御において，伝熱ガスの圧力を，目標値（例えばＰ１）に制御する際に，目標値よりも大きい上限値と，目標値よりも小さい下限値を設定し，圧力値を，前記上限値とする期間と，前記下限値とする期間とを交互に繰り返して制御することで試料の温度を制御する方法は周知である。 
　一方，引例２の【００２３】には，冷却ガス（本願発明の，伝熱ガスに相当）の圧力は，２Ｔｏｒｒ以上必要で，例えば１０Ｔｏｒｒ前後の制御となることが記載されている。 
　そうすると，引例１に記載された発明において，圧力の目標値として，引例２に記載された圧力の範囲のうちから，１０Ｔｏｒｒ（約１３３０Ｐａ）よりも少し小さい圧力を選択し，かつ，上限値として，１３３０Ｐａ以上の値を設定することは，当業者が適宜なし得たことである。 
　そして，圧力の制御が困難となる値は，装置の構造等によって異なり，１３３０Ｐａという値に臨界的な意義を見いだすことはできないから，引例１に記載された発明において，圧力の目標値として，１３３０Ｐａ未満の値を選択し，かつ，上限値として，１３３０Ｐａ以上の値を設定したことによる効果として，格別のものを認めることはできない。
  
・圧力の検出については，引例３の【００３３】，図６等の記載を参照されたい。 
 
第４　当審拒絶理由についての判断
　１　記載要件について
（１）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について （その１）
　当審では，補正前の請求項１ないし１０に係る発明について，当業者が，「伝熱ガスの圧力を１３３０Ｐａ未満の低圧力値とし，前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う際に，プラズマ処理の最中に，前記圧力設定値を，１３３０Ｐａ以上の第１圧力設定値とする第１期間と，前記低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す」ことによっては，本願発明の課題を解決できると認識することはできないから，本願の特許請求の範囲の記載は，本願明細書の発明の詳細な説明の記載及び本願の出願当時の技術常識に照らして，当業者が本願明細書に記載された本願発明の課題を解決できると認識できる範囲を超えており，サポート要件に適合しない，との拒絶の理由を通知しているが，平成２９年４月２８日付けの補正において，「伝熱ガスの圧力を前記プラズマ処理装置において安定した圧力制御ができる下限圧力値未満の低圧力値とし，前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う際に，前記プラズマ処理の最中に，前記圧力設定値を，前記下限圧力値以上の第１圧力設定値とする第１期間と，前記低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す」ことに補正された結果，この拒絶の理由は解消した。
  
（２）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について（その２） 
　当審では，補正前の請求項２に「前記第１圧力設定値が１３３０Ｐａから１３３００Ｐａの範囲」とあるが，発明の詳細な説明には，第１圧力設定値の範囲の上限が，「１３３００Ｐａ」であることについて，記載も示唆もされていないから，当該請求項２に記載された発明は，発明の詳細な説明に記載された発明ではない，との拒絶の理由を通知しているが，平成２９年４月２８日付けの補正において，補正前の請求項２が削除された結果，この拒絶の理由は解消した。
（３）特許法第３６条第６項第２号（発明の明確性）について
　当審では，補正前の請求項１の「プラズマ処理」が，どのようなものであるか，当該請求項１の記載からは，明確に把握することができない，との拒絶の理由を通知しているが，平成２９年４月２８日付けの補正において，「前記基板にプラズマを作用させてプラズマ処理する」と補正された結果，この拒絶の理由は解消した。
（４）第３６条第４項第１号（実施可能要件）について 
　当審では，補正前の請求項７に「前記伝熱ガスの圧力を予め定めた下限圧力値未満の低圧力値とし」とあるが，当該「予め定めた下限圧力値」を，どのようにして「予め定める」のか，発明の詳細な説明には記載も示唆もされておらず，また，技術常識から明らかであるとも認められないから，本願の発明の詳細な説明の記載は，当業者が，本願発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとは認められない，との拒絶の理由を通知しているが，平成２９年４月２８日付けの補正において，補正前の「予め定めた下限圧力値」を，補正後の「前記下限圧力値」と補正することによって，請求項７の「下限圧力値」が，請求項７が引用する請求項１ないし５のいずれか１項記載の「下限圧力値」を引用するものであることが明確となった結果，この拒絶の理由は解消した。
　２　進歩性について
（１）本願発明
　本願請求項１ないし９に係る発明（以下，「本願発明１」ないし「本願発明９」という。）は，平成２９年４月２８日に提出された手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１ないし９は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　真空処理チャンバー内に設置され，冷却又は加温される載置台の基板載置面に基板を載置し，当該基板の裏面と前記載置台の前記基板載置面との間に伝熱ガスを供給し，かつ，前記伝熱ガスの圧力を検出し，検出された圧力検出値と圧力設定値とを比較して，前記圧力検出値が前記圧力設定値となるように前記伝熱ガスの供給を制御しつつ，前記基板にプラズマを作用させてプラズマ処理するプラズマ処理装置における基板温度制御方法であって，
　前記伝熱ガスの圧力を前記プラズマ処理装置において安定した圧力制御ができる下限圧力値未満の低圧力値とし，前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う際に，
　前記プラズマ処理の最中に，前記圧力設定値を，前記下限圧力値以上の第１圧力設定値とする第１期間と，前記低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す
　ことを特徴とする基板温度制御方法。
【請求項２】
　請求項１記載の基板温度制御方法であって，
　前記第１期間及び前記第２期間は，０．０１秒から１０秒の範囲である
　ことを特徴とする基板温度制御方法。
【請求項３】
　請求項１又は２記載の基板温度制御方法であって，
　前記伝熱ガスが，ヘリウムガス，アルゴンガス，窒素ガス，酸素ガスのいずれかである　ことを特徴とする基板温度制御方法。
【請求項４】
　請求項１又は２記載の基板温度制御方法であって，
　前記伝熱ガスが，ヘリウムガス，アルゴンガス，窒素ガス，酸素ガスのうちのいずれか２種のガスであり，前記第１期間と前記第２期間では，当該２種のガスを交互に供給する　ことを特徴とする基板温度制御方法。
【請求項５】
　請求項１〜４いずれか１項記載の基板温度制御方法であって，
　前記載置台に設けられ前記伝熱ガスの圧力に応じて変形する隔膜と，当該隔膜の変形量を検出する検出機構とを具備した圧力計で前記伝熱ガスの圧力を検出する
　ことを特徴とする基板温度制御方法。
【請求項６】
　請求項１〜５いずれか１項記載の基板温度制御方法であって，
　前記伝熱ガスの圧力を前記下限圧力値未満の低圧力値とし，前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う際に，
　前記第１期間と，前記第２期間と，前記第１圧力設定値より低く前記第２圧力設定値より高い第３圧力設定値とする第３期間とを順次繰り返す
　ことを特徴とする基板温度制御方法。
【請求項７】
　請求項６記載の基板温度制御方法であって，
　前記伝熱ガスが，ヘリウムガス，アルゴンガス，窒素ガス，酸素ガスのうちのいずれか３種のガスであり，前記第１期間と前記第２期間と前記第３期間では，当該３種のガスを順次供給する
　ことを特徴とする基板温度制御方法。
【請求項８】
　真空処理チャンバー内に設置され，冷却又は加温される載置台の基板載置面に基板を載置し，当該基板の裏面と前記載置台の前記基板載置面との間に伝熱ガスを供給して前記基板の温度を制御しつつ，前記基板にプラズマを作用させてプラズマ処理するプラズマ処理装置であって，
　前記伝熱ガスの圧力を検出する圧力検出機構と，
　前記圧力検出機構で検出された圧力検出値と圧力設定値とを比較し，前記圧力検出値が前記圧力設定値となるように前記伝熱ガスの供給を制御する伝熱ガス供給制御機構と
　を具備し，前記伝熱ガス供給制御機構は，
　前記伝熱ガスの圧力を前記プラズマ処理装置において安定した圧力制御ができる下限圧力値未満の低圧力値とし，前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う際に，
　前記プラズマ処理の最中に，前記圧力設定値を，前記下限圧力値以上の第１圧力設定値とする第１期間と，前記低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す
　ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
　請求項８記載のプラズマ処理装置であって，
　前記圧力検出機構は，
　前記載置台に設けられ前記伝熱ガスの圧力に応じて変形する隔膜と，
　当該隔膜の変形量を検出する検出機構と
を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。」
（２）引用文献記載事項，及び，引用発明
　平成２９年３月３０日付けの当審拒絶理由通知に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は，当審で付与した。以下同じ。）
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】
　本発明は，試料温度制御方法及び真空処理装置に係り，
特に半導体素子基板等の試料を真空下で温度制御して処理するのに好適な試料温度制御方法
・「【００１２】
【発明の実施の形態】
　
試料台は，その試料設置面を減圧排気される処理室内に有している。試料台は，冷却もしくは加温される。試料が，このような試料台の試料設置面に設置される。伝熱用ガスが，試料台の試料設置面と該試料設置面に設置された試料の試料設置面を対向する裏面との間に導入される。試料台の試料設置面と試料の裏面との間のガス圧力が検出される。該検出ガス圧力値は制御目標ガス圧力値と比較され，導入される伝熱用ガスの供給を間歇的に供給・制御して，該制御目標ガス圧力に調節される。例えば，試料の裏面と試料台の試料設置面との間の距離の変化等の何等かの原因により試料の温度が変化しようとした場合，該変化は，試料台の試料設置面と試料の裏面との間のガス圧力の変化として現われる。該ガス圧力の変化は検知され，そして，制御目標ガス圧力に調節される。これにより，試料の温度は，所定温度に制御されて維持される
【００１３】
　以下，本発明の一実施例を図１〜図７により説明する。
【００１４】
　
図１は，本発明を適用した有磁場型のマイクロ波プラズマエッチング装置の装置構成図
図２〜図７は，図１の装置での試料裏面と試料台試料設置面との間の伝熱ガスの圧力（以下，裏面圧力と略）の制御例の模式図である
【００１５】
　
図１で，真空容器１０の頂壁１１には，開口１２が形成されている
放電管２０の開放端の形状，寸法は，開口１２に略一致している
放電管２０は，その開放端を開口１２に略一致させて真空容器１０の頂壁１１に気密を保持し設けられている
試料台６１の上面は，試料設置面となっている。この場合，試料台６１の試料設置面は，開口１２の下方に位置させられている
・「【００３４】
　本発明の第２の実施例を図８〜図１０により説明する。
　図８で，上記一実施例を説明する図１と異なる点は，排気管１４７に流量制御器１４９が設けられ，該流量制御器１４９が制御装置１４５に電気的に接続された点である。なお，図８で，その他図１と同一装置，部品等は同一符号で示し説明を省略する。
【００３５】
　図８〜図１０で，この場合の試料７０の温度制御について説明する。なお，この場合，試料７０の被エッチング面は，２段エッチング処理され，１段目のエッチング処理時の試料７０の温度と２段目のエッチング処理時の試料７０の温度とは異なり，２段目のエッチング処理時の試料７０の温度が低い温度である。この場合，
１段目のエッチング処理時の試料７０の温度に対応する裏面圧力をＰ
1
とすれば
試料７０の温度制御における制御目標圧力は，１段目のエッチング処理時においてはＰ
1
となる
制御装置１４５には，目標値Ｐ
1
が入力されると共に，それらの上限値，下限値がそれぞれ入力される
該裏面圧力は，圧力計１４６により検出され，該検出値は信号化されて制御装置１４５に入力される
圧力計１４６での検出値が目標値Ｐ
1
の上限値に達する（図９ではａ点）と
試料７０の裏面
への伝熱ガスの供給は停止され
これにより，裏面圧力は目標値Ｐ
1
の上限値からその下限値に向って降下する
圧力計１４６での検出値が目標値Ｐ
1
の下限値に達する（図９ではｂ点）と
試料７０の裏面
には，伝熱ガスが流量Ｑ
7
で供給されるようになり
このようにして１段目のエッチング処理時の試料７０の温度は，所定処理温度に制御されて維持される
なお，図９でＣ点に達した時点でプラズマは一旦消滅させられる
・図９は，図８の装置での裏面圧力の制御例の模式図であって，同図から，プラズマが一旦消滅させられるｃ点よりも前の時間，すなわち，プラズマ処理の最中に，「裏面圧力」が，「目標値Ｐ1」以上の「目標値Ｐ1の上限値」に達する「ａ点」と，「目標値Ｐ1」以下の「目標値Ｐ1の下限値」に達する「ｂ点」との間で，交互に繰り返されることが理解される。
　したがって，上記引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「有磁場型のマイクロ波プラズマエッチング装置に適用される，半導体素子基板等の試料の温度を所定温度に制御して維持する方法であって，
　前記マイクロ波プラズマエッチング装置の真空容器の頂壁には，開口が形成され，放電管の開放端が前記開口に気密を保持し設けられており，
　前記開口の下方には，試料設置面となっている試料台の上面が位置するように，試料台が設けられており，
　前記試料台は，冷却もしくは加温されるものであって，伝熱用ガスが，試料台の試料設置面と該試料設置面に設置された試料の試料設置面を対向する裏面との間に導入され，試料台の試料設置面と試料の裏面との間のガス圧力が検出され，該検出ガス圧力値は制御目標ガス圧力値と比較され，導入される伝熱用ガスの供給を間歇的に供給・制御して，該制御目標ガス圧力に調節され，これにより，試料の温度は，所定温度に制御されて維持されるものであり，
　１段目のエッチング処理時の試料の温度に対応する裏面圧力をＰ1とすれば，試料の温度制御における制御目標圧力は，１段目のエッチング処理時においてはＰ1となるから，制御装置には，目標値Ｐ1を入力すると共に，それらの上限値，下限値をそれぞれ入力する工程と，
　裏面圧力は，圧力計により検出され，該検出値は信号化されて制御装置に入力されるものであり，圧力計での検出値が目標値Ｐ1の上限値に達する（図９ではａ点）と，試料の裏面への伝熱ガスの供給は停止され，これにより，裏面圧力は目標値Ｐ1の上限値からその下限値に向って降下し，圧力計での検出値が目標値Ｐ1の下限値に達する（図９ではｂ点）と試料の裏面には，伝熱ガスが流量Ｑ7で供給されるようになり，
　このようにして，プラズマ処理の最中に，「裏面圧力」が，「目標値Ｐ1」以上の「目標値Ｐ1の上限値」に達する「ａ点」と，「目標値Ｐ1」以下の「目標値Ｐ1の下限値」に達する「ｂ点」との間で，交互に繰り返されることで，１段目のエッチング処理時の試料の温度は，所定処理温度に制御されて維持される工程と，
　を含む，半導体素子基板等の試料の温度を所定温度に制御して維持する方法。」
（３）本願発明１について
　ア　対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
　引用発明における「マイクロ波プラズマエッチング装置の真空容器」および「放電管」からなる気密を保持する部材は，本願発明１における「真空処理チャンバー」に相当する。
　したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「真空処理チャンバー内に設置され，冷却又は加温される載置台の基板載置面に基板を載置し，当該基板の裏面と前記載置台の前記基板載置面との間に伝熱ガスを供給し，かつ，前記伝熱ガスの圧力を検出し，検出された圧力検出値と圧力設定値とを比較して，前記圧力検出値が前記圧力設定値となるように前記伝熱ガスの供給を制御しつつ，前記基板にプラズマを作用させてプラズマ処理するプラズマ処理装置における基板温度制御方法。」
（相違点）
（相違点１）本願発明１は，「伝熱ガスの圧力を前記プラズマ処理装置において安定した圧力制御ができる下限圧力値未満の低圧力値とし，前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う」ものであるのに対して，引用発明は，「１段目のエッチング処理時の試料の温度に対応する裏面圧力をＰ1とすれば，試料の温度制御における制御目標圧力は，１段目のエッチング処理時においてはＰ1となるから，制御装置には，目標値Ｐ1を入力」して制御する点。
（相違点２）本願発明１は，「プラズマ処理の最中に，前記圧力設定値を，前記下限圧力値以上の第１圧力設定値とする第１期間と，前記低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す」ものであるのに対して，引用発明は，プラズマ処理の最中に，「『裏面圧力』が，『目標値Ｐ1』以上の『目標値Ｐ1の上限値』に達する『ａ点』と，『目標値Ｐ1』以下の『目標値Ｐ1の下限値』に達する『ｂ点』との間で，交互に繰り返されることで，１段目のエッチング処理時の試料の温度は，所定処理温度に制御されて維持される」点。
　イ　相違点についての判断
　相違点１に係る本願発明１の「伝熱ガスの圧力を前記プラズマ処理装置において安定した圧力制御ができる下限圧力値未満の低圧力値とし，前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う」，及び，相違点２に係る本願発明１の「プラズマ処理の最中に，前記圧力設定値を，前記下限圧力値以上の第１圧力設定値とする第１期間と，前記低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す」という構成は，いずれも上記引用文献２，３には記載されておらず，本願の優先権主張の日前において周知技術であるともいえない。
　そして，本願発明１は，これらの構成を備えることによって，伝熱ガスの圧力を，プラズマ処理装置において安定した圧力制御ができる下限圧力値未満の低圧力値において制御して，基板と載置台との熱交換を抑制した温度制御を行うことができるという格別の効果を奏するものと認められる。
　したがって，本願発明１は，引用発明，引用文献２，３に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（４）本願発明２，３，５について
　本願発明２，３，５も，本願発明１の「伝熱ガスの圧力を前記プラズマ処理装置において安定した圧力制御ができる下限圧力値未満の低圧力値とし，前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う」，及び，「プラズマ処理の最中に，前記圧力設定値を，前記下限圧力値以上の第１圧力設定値とする第１期間と，前記低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す」と同一の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明，引用文献２，３に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（５）請求項８，９について
　本願発明８，９は，本願発明１，５に対応する装置の発明であり，本願発明１の「伝熱ガスの圧力を前記プラズマ処理装置において安定した圧力制御ができる下限圧力値未満の低圧力値とし，前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う」，及び，「プラズマ処理の最中に，前記圧力設定値を，前記下限圧力値以上の第１圧力設定値とする第１期間と，前記低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す」に対応する構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明，引用文献２，３に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
第５　原査定についての判断
　平成２９年４月２８日付けの補正により，補正後の請求項１ないし９は，「伝熱ガスの圧力を前記プラズマ処理装置において安定した圧力制御ができる下限圧力値未満の低圧力値とし，前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う」，及び，「プラズマ処理の最中に，前記圧力設定値を，前記下限圧力値以上の第１圧力設定値とする第１期間と，前記低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す」という技術的事項を有することとなった。
　当該「伝熱ガスの圧力を前記プラズマ処理装置において安定した圧力制御ができる下限圧力値未満の低圧力値とし，前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う」，及び，「プラズマ処理の最中に，前記圧力設定値を，前記下限圧力値以上の第１圧力設定値とする第１期間と，前記低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す」は，原査定における引用文献１，２には記載されておらず，本願優先日前における周知技術でもないので，本願発明１ないし９は当業者であっても，原査定における引用文献１，２に基づいて容易に発明をすることはできない。したがって。原査定を維持することはできない。
第６　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によって，本願を拒絶することはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。