【事件の表示】
　特願２０１２−５１６１４０「極紫外線マスクブランクの欠陥検出のための検査システム及び方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１２月２３日国際公開、ＷＯ２０１０／１４７８４６、平成２４年１２月　６日国内公表、特表２０１２−５３１０４２、請求項の数（３６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１０年（平成２２年）６月１０日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００９年６月１９日、２００９年１０月８日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２６年１月２８日付けで拒絶理由が通知され（発送日同年２月４日）、同年５月２日に意見書が提出されるとともに手続補正がされ、同年１１月４日付けで最後の拒絶理由が通知され（発送日同年同月１１日）、平成２７年５月８日に意見書が提出されたが、同年１０月３０日付けで拒絶査定がされ（謄本送達日　同年１１月１０日、以下「原査定」という。）、これに対し、平成２８年３月９日に拒絶査定不服審判請求がされ、当審より同年１２月２７日付けで拒絶理由通知がされ（発送日平成２９年１月１０日。以下「当審拒絶理由」という。）、平成２９年７月１０日に意見書が提出されるとともに手続補正がされたものである。
　
第２　原査定の概要
　原査定は、
　「平成２６年５月２日付けでした手続補正の請求項２２ないし３３、３６は、『隆起欠陥と窪み欠陥とを区別するための少なくとも１つのプロセッサ』を備えるコンピュータシステムを備えたシステムに関するものとする補正を含む。
　これに対して、本願の発明の詳細な説明の段落【００１３】には、『システムは物体の表面を検査するための照明光線に対する無地の物体を動かすためのステージ、照明光線に応答して表面から反射された光線を捕捉するための時間遅延積分（ＴＤＩ）検出器及び少なくとも１つのメモリー及び、反射された光線に基づき、結果画像を生成し表面凸凹欠陥を特定するために結果画像を分析するための少なくとも１つのプロセッサとを備えるコンピューターシステムもまた含んで良い。』と記載される。
　そうすると、『表面凸凹欠陥を特定するために結果画像を分析する』との記載では、隆起か窪みかは区別せずに一括して『表面凸凹欠陥』として認識して欠陥か否かを特定するものも想定でき、当該記載が、『隆起欠陥と窪み欠陥とを区別する』ことを指していることは、発明の詳細な説明の他の記載を参酌しても、当業者に自明とはいえない。
　したがって、『隆起欠陥と窪み欠陥とを区別する』プロセッサを搭載することは、当初明細書等の記載から自明な事項ではないから、当該補正は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない（同法第１８４条の１２第２項）から、特許を受けることができない。」
というものである。
　
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は次のとおりである。
１　特許法第３６条第６項第２号について
（１）本願請求項１及び２２における、「部分干渉シグマ」及び「結果画像」との発明特定事項について、「所定の脱焦点範囲で・・・照明光線を合焦させ」るだけで、「物体の表面を検査し、・・・前記所定の脱焦点範囲で前記反射光線に基づき、隆起欠陥と窪み欠陥とを区別するために前記位相欠陥を特定するための結果画像を生成」することができ、かつ、「結果画像」の何をどのように「分析すること」で、「隆起欠陥と窪み欠陥とを区別するために前記位相欠陥を特定する」ことができるのか不明である。
　
（２）また、「干渉」を利用することなく、「所定の脱焦点範囲で・・・照明光線を合焦させ」るだけで、どのようにして「物体の表面を検査し、・・・前記所定の脱焦点範囲で前記反射光線に基づき、隆起欠陥と窪み欠陥とを区別するために前記位相欠陥を特定するための結果画像を生成し、分析する」ことができるのか不明である。
　
（３）そして、得られた「結果画像」は、「隆起欠陥と窪み欠陥とを区別するために前記位相欠陥を特定するための」のであると特定されるにとどまり、どのような画像で、画像の何に関してどのような「分析」をすることで、「隆起欠陥と窪み欠陥とを区別」できるのか不明である。
　
（４）請求項２２も同様である。また、請求項１及び２２を引用する各項も同様である。
　
２　特許法第２９条第２項について
　本願発明１ないし３６は、その最先の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記引用文献１、２に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となつた発明に基づいて、その最先の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
・引用文献１　特開２００９−９２４０７号公報
・引用文献２　特表２００５−５１４６７０号公報
　
第４　本願発明
　本願請求項１ないし３６に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明３６」という。）は、平成２９年７月１０日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３６に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１は以下のとおりである。
「【請求項１】無地の物体の表面上における位相欠陥及び／又は粒子を検査するための方法であって、
　約２５０ナノメートル未満の波長を有する深紫外の照明光線を生成し、
　約０．１５から０．５の間の部分干渉シグマを有する光学素子の一群を経由する照明光線を通過させ、
　所定の脱焦点範囲で、前記無地の物体の前記表面上に照明光線を合焦させ、
　反射光線が前記表面から反射するように前記所定の脱焦点範囲で照明光線を用いて前記無地の物体の表面を検査し、
　前記所定の脱焦点範囲で前記反射光線に基づき、隆起欠陥と窪み欠陥とを区別するために前記位相欠陥を特定するための結果画像を生成し、分析すること、を備え、
　前記位相欠陥は、高さ約１０ナノメートル未満で半値全幅（ＦＷＨＭ）約２００ナノメートル未満である、方法。
【請求項２】
　前記位相欠陥は、高さ約２ナノメートル未満及びＦＷＨＭ約１００ナノメートル未満である請求項１の方法。
【請求項３】
　前記所定の脱焦点範囲は約＋１から＋３の間の被写界深度（ＤＯＦ）の第１の副範囲と、約−１から−３ＤＯＦの間の第２の副範囲とを含む、請求項１の方法。
【請求項４】
　前記結果画像の生成は、前記結果画像又は前記反射光線から生成される検出信号内の信号対雑音（ＳＮＲ）比を最大化するために前記結果画像又は前記検出信号に対するフィルターを適用することを備える請求項１の方法。
【請求項５】
　ＴＤＩ較正効果を備える系統的雑音を前記結果画像から除去するために補正係数を適用することを更に備える請求項１の方法。
【請求項６】
　前記補正係数は検査中に前記反射光線の初期捕捉から特定され、適用される請求項５の方法。
【請求項７】
　前記補正係数は前記反射光の強度変化から特定される請求項５の方法。
【請求項８】
　前記結果画像の分析は前記位相欠陥を検出するための少なくとも約７の限界信号閾値を適用することを備える請求項１の方法。
【請求項９】
　前記無地の物体は極紫外線マスク（ＥＵＶ）ブランクを備える請求項１の方法。
【請求項１０】
　前記無地の物体は透過性の物体である請求項１の方法。
【請求項１１】
　前記無地の物体の表面は、石英又は反射防止膜（ＡＲＣ）を備える請求項１の方法。
【請求項１２】
　前記結果画像の作成および分析は、前記無地の物体の表面の２つの初期画像を作成するように構成されている二次視野（ＴＤＩ）検出器を用いて反射光線を捕捉することを備える請求項１の方法。
【請求項１３】
　前記２つの初期画像は２つの異なる脱焦点値について構成される請求項１２の方法。
【請求項１４】
　前記２つの異なる脱焦点値は、符号が逆である請求項１３の方法。
【請求項１５】
　前記２つの初期画像は、約０のＤＯＦのために構成されている焦点画像を備える請求項１３の方法。
【請求項１６】
　前記焦点画像は、前記無地の物体の表面上の汚染を検出するために用いられる請求項１５の方法。
【請求項１７】
　前記２つの初期画像の比較に基づいて欠陥を位相欠陥及び表面汚染欠陥に分類することを更に備える請求項１５の方法。
【請求項１８】
　前記結果画像の生成は、２つの初期画像を合わせることを備える請求項１２の方法。
【請求項１９】
　前記無地の物体の表面に対する追加の検査パスを実行すること、および信号対雑音比を増大させるために前記結果画像に結合された追加の結果画像を作成することを更に備える請求項１の方法。
【請求項２０】
　前記照明光線は実質的に法線角度で前記無地の物体の表面上に合焦され、前記照明光線及び反射光線は経路を共有する請求項１の方法。
【請求項２１】
　前記照明光線は斜角で前記無地の物体の表面上に合焦され、前記照明光線及び反射光線は経路を共有せず、前記方法はさらに、前記反射光線の０次成分を減衰させること、前記コントラスト及び信号対雑音比を向上させるために、結像開口を用いて前記反射光線の０次成分の位相をシフトさせること、を備える請求項１の方法。
【請求項２２】
　無地の物体の表面上における深さ約１０ナノメートル未満の表面凸凹欠陥を検出するためのシステムであって、
　約２５０ナノメートル未満の波長を有する深紫外の照明光線を生成するためのレーザーと、
　脱焦点値を含む約−３から＋３の間の被写界深度（ＤＯＦ）のフォーカス範囲内で前記無地の物体の表面上に照明光線を合焦するための部分干渉シグマが約０．１５から０．５の間の光学素子のセットと、
　前記無地の物体の表面を検査するために前記無地の物体を前記照明光線に対して移動させるためのステージと、
　照明ビームに応答して表面から反射された反射光線を捕捉するための時間遅延積分（ＴＤＩ）検出器と、
　少なくとも１つのメモリー及び、前記光学素子に所定の脱焦点範囲で前記照明光線を前記無地の物体の前記表面上に合焦させ、前記所定の脱焦点範囲で反射された光線に基づき、結果画像を生成し表面凸凹欠陥を特定するために結果画像を分析して、隆起欠陥と窪み欠陥とを区別するための少なくとも１つのプロセッサと、を備えるコンピューターシステムとを備え、
　前記隆起欠陥および窪み欠陥は、高さ約１０ナノメートル未満で半値全幅（ＦＷＨＭ）約２００ナノメートル未満の位相欠陥を含む、システム。
【請求項２３】
　前記所定の脱焦点範囲は、約＋１から＋３の間の被写界深度（ＤＯＦ）の第１の副範囲と、約−１から−３ＤＯＦの間の第２の副範囲とを含む、請求項２２のシステム。
【請求項２４】
　前記所定の脱焦点範囲は、２つの符号が異なる脱焦点値を含む、請求項２２のシステム。
【請求項２５】
　前記所定の脱焦点範囲は、脱焦点値および約０の合焦点値を含む、請求項２２のシステム。
【請求項２６】
　前記コンピューターシステムは、更に、２つの初期画像を生成し、分析するために構成されている、請求項２２のシステム。
【請求項２７】
　前記２つの初期画像は、２つの異なる脱焦点値で合焦された照明光線から生成される、請求項２６のシステム。
【請求項２８】
　前記２つの異なる脱焦点値は、符号が逆である、請求項２７のシステム。
【請求項２９】
　前記２つの初期画像は、脱焦点値および約０の被写界深度を有する合焦値で合焦された照明光線から生成される、請求項２６のシステム。
【請求項３０】
　前記２つの初期画像の比較に基づいて、欠陥を位相欠陥または表面異物欠陥に分類することを更に備える、請求項２９のシステム。
【請求項３１】
　前記照明光線は、深紫外線領域または極紫外線領域の波長を有する、請求項２２のシステム。
【請求項３２】
　前記結果画像の生成は、前記結果画像又は前記反射光線から生成される検出信号内の信号対雑音（ＳＮＲ）比を最大化するために前記結果画像又は前記検出信号に対するフィルターを適用することを備える請求項２２のシステム。
【請求項３３】
　前記フィルターを適用することは、整合フィルターを適用することを含む、請求項３２のシステム。
【請求項３４】
　前記照明光線は、深紫外線領域または極紫外線領域の波長を有する、請求項１の方法。
【請求項３５】
　前記フィルターを適用することは、整合フィルターを適用することを含む、請求項４の方法。
【請求項３６】
　前記位相欠陥は、高さ約２ナノメートル未満及びＦＷＨＭ約１００ナノメートル未満である請求項２２のシステム。」
　
　なお、本願発明２２は、本願発明１に対応する物（システム）の発明であり、本願発明１とカテゴリ表現が異なる発明である。
　また、本願発明２ないし２１及び本願発明３４、３５は、本願発明１を減縮した発明であり、本願発明２３ないし３３及び本願発明３６は、本願発明２２を減縮した発明である。
　
第５　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
（１）当審拒絶理由に引用された、本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開２００９−９２４０７号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は当審が付した。以下同じ。）。
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、例えば、波長が１３．５ｎｍ付近の極端紫外線を用いたＥＵＶＬ(Extreme Ultra Violet Lithography:極端紫外線リソグラフィ)などに好適であるマスクブランク検査装置および方法に関する。また本発明は、反射型露光マスクの製造方法、反射型露光方法、および半導体集積回路の製造方法に関する。」
　
イ　「【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
　しかしながら、特許文献１のように、ＥＵＶ光を用いた暗視野検出法では、検出感度が高く、多層膜の異常による位相欠陥の検出性能に優れるものの、欠陥の凹凸の区別を同時に行なうことはできない。」
　
ウ　「【課題を解決するための手段】
【００２０】
　本発明の一実施例によれば、検査対象となる反射型マスクブランクに向けて検査光を照射し、被検査領域を照明する。そして、暗視野結像光学系を用いて、被検査領域から反射した光のうち鏡面反射光を除く散乱光を捕集する。捕集した光は、光分岐素子によって第１光束および第２光束に分岐される。
【００２１】
　第１画像センサは、第１光束の結像面から光進行方向に沿って所定距離だけ変位した位置に配置される。第２画像センサは、第２光束の結像面から光進行方向とは反対方向に所定距離だけ変位した位置に配置される。これらの第１画像センサおよび第２画像センサは、第１光束および第２光束が形成する各検査画像の強度分布を計測する。第１画像センサおよび第２画像センサからの各信号は、画像処理部に供給され、マスクブランクの欠陥の有無を判定する。
【００２２】
　光分岐素子は、多層膜、透過型回折格子、または反射型回折格子で構成することが好ましい。
【００２３】
　また、第１画像センサおよび第２画像センサは、ステージの連続移動と同期して時間遅延積分（ＴＤＩ：Time Delayed Integration）動作が可能なイメージセンサであることが好ましい。
【００２４】
　また、検査光は、マスクパターン露光に用いる波長と同じ波長であることが好ましく、例えば、波長１０ｎｍ〜１５ｎｍの極端紫外線であることが好ましい。
【００２５】
　また、欠陥の有無を判定する際、第１画像センサおよび第２画像センサの各信号および予め設定した第１閾値および第２閾値を相互に比較することによって、表面形状の凸型欠陥と凹型欠陥を識別することが好ましい。・・・
【００３５】
　２次元アレイセンサＳａは、正のデフォーカス像を検知するように、光束１４ａの結像面ＩＰａから光進行方向に沿って所定距離ｄ１だけ変位した位置に配置される。一方、２次元アレイセンサＳｂは、負のデフォーカス像を検知するように、光束１４ｂの結像面ＩＰｂから光進行方向とは反対方向に所定距離ｄ２だけ変位した位置に配置される。
【００３６】
　２次元アレイセンサＳａ，Ｓｂは、複数の検出画素を有する、例えば、ＣＣＤ（電荷結合素子）として構成され、各受光面における光強度分布を電気信号Ｖａ，Ｖｂにそれぞれ変換する。代替として、２次元アレイセンサＳａ，Ｓｂは、主制御部９からの同期信号ＳＹに従って、ステージ２の連続移動と同期して時間遅延積分（ＴＤＩ：Time Delayed Integration）動作が可能なイメージセンサで構成してもよく、信号積分によりノイズの低減および感度の向上を図ることができる。
【００３７】
　信号蓄積部６，７は、２次元アレイセンサＳａ，Ｓｂからの電気信号Ｖａ，Ｖｂを一時的に保存して、ノイズ除去処理を施したり、検出信号の位置を定義する画素番号の初期化処理を行う。画像処理部８は、信号蓄積部６，７で処理された信号を診断して、マスクブランクＭでの欠陥の存在およびその種類を判定する。画像処理部８の判定結果は、主制御部９を経由してディスプレイ等の表示部ＤＳに送られて、欠陥の有無、個数、サイズ、位置などの欠陥情報を表示する。・・・
【００４３】
　図２（ａ）は、反射型マスクブランクＭの全体を示す平面図であり、図２（ｂ）は、欠陥１５を含む拡大図である。図２（ｃ）と図２（ｄ）は、Ａ−Ａ’線に沿った断面図であり、図２（ｃ）は凸状欠陥の様子を示し、図２（ｄ）は凹状欠陥の様子を示す。
【００４４】
　マスクブランクＭは、マスク基板ＭＳ上に、波長（例えば、１３．５ｎｍ）の露光光に対して反射率が十分に得られるように、Ｓｉ（シリコン）とＭｏ（モリブデン）を交互に積層した多層膜ＭＬを形成したものである。
【００４５】
　多層膜ＭＬを成膜する際、マスク基板ＭＳ上に、異物などの微細粒子が存在すると、多層膜ＭＬはその影響を受けて、図２（ｃ）に示すように、多層膜ＭＬの表面が凸形状になって、凸状の位相欠陥１６が発生する。逆に、マスク基板ＭＳの表面に、微小な窪み、ピットが存在すると、図２（ｄ）に示すように、多層膜ＭＬの表面が凹形状になって、凹状の位相欠陥１７が発生する。
【００４６】
　図３（ａ）は、凸状欠陥１６を含むマスクブランクＭの欠陥検出信号強度が最大となる検出状態を示す説明図である。図３（ｂ）は、無欠陥のマスクブランクＭを検出光学系の合焦位置に配置した状態を示す説明図である。図３（ｃ）は、凹状欠陥１７を含むマスクブランクＭの欠陥検出信号強度が最大となる検出状態を示す説明図である。ここでは、理解容易のため、ビームスプリッタＢＳを省いて、結像光学系Ｌの結像面ＩＰにアレイセンサを配置して光強度を検出する例について説明する。
【００４７】
　凸状欠陥１６は、僅か６ｎｍ程度の小さな高さを有する。凹状欠陥１７は、僅か６ｎｍ程度の小さな深さを有する。いずれの場合も、検査光ＢＭをマスクブランクＭに対して垂直に照射した状態で、結像面ＩＰでの光強度が最大となるようにマスクブランクＭの高さを調整する合焦制御を行い、その高さを最適フォーカス位置とみなす。
【００４８】
　図３（ｂ）に示す無欠陥のマスクブランクＭについて合焦制御を行ったフォーカス位置を基準として、図３（ａ）に示すような凸状欠陥１６が存在する場合、凸状欠陥１６は凸面ミラーのように作用して、フォーカス位置は距離ｄｆ１だけ光路長が短くなる向きにシフトする。一方、図３（ｃ）に示すような凹状欠陥１７が存在する場合、凹状欠陥１７は凹面ミラーのように作用して、フォーカス位置は距離ｄｆ２だけ光路長が長くなる向きにシフトする。
【００４９】
　図４は、結像面ＩＰでの信号強度とフォーカス位置の関係を示すグラフである。縦軸は暗視野検出像の信号強度を示し、横軸はフォーカス位置（フォーカスレベル）を示す。フォーカス位置の値が大きいほど、マスクブランクＭの位置は結像光学系Ｌから離れることを意味する。なお、無欠陥のマスクブランクＭのフォーカス位置は０である。ここで、直径Ｗ＝１４０ｎｍ、高さＨ＝６ｎｍの凸状欠陥と、直径Ｗ＝１４０ｎｍ、深さＨ＝６ｎｍの凹状欠陥が存在する場合を例示している。
【００５０】
　図４を参照すると、凸状欠陥が存在する場合、合焦制御によるフォーカス位置は結像光学系Ｌに近づく方向にシフトし、一方、凹状欠陥が存在する場合、合焦制御によるフォーカス位置は結像光学系Ｌから離れる方向にシフトすることが判る。」
　
（２）引用発明１
　上記（１）によれば、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「検査対象となる反射型マスクブランクに向けて検査光を照射し、被検査領域を照明し、暗視野結像光学系を用いて、被検査領域から反射した光のうち鏡面反射光を除く散乱光を捕集し、捕集した光は、光分岐素子によって第１光束および第２光束に分岐され、第１画像センサは、正のデフォーカス像を検知するように第１光束の結像面から光進行方向に沿って所定距離だけ変位した位置に配置され、第２画像センサは、負のデフォーカス像を検知するように第２光束の結像面から光進行方向とは反対方向に所定距離だけ変位した位置に配置され、前記第１画像センサおよび第２画像センサは、第１光束および第２光束が形成する各検査画像の強度分布を計測し、前記第１画像センサおよび第２画像センサからの各信号は、画像処理部に供給され、マスクブランクの欠陥の有無を判定するマスクブランク検査方法であって、
　前記検査光は、波長１０ｎｍ〜１５ｎｍの極端紫外線であり、
　前記欠陥の有無を判定する際、第１画像センサおよび第２画像センサの各信号および予め設定した第１閾値および第２閾値を相互に比較することによって、表面形状の凸型欠陥と凹型欠陥を識別し、
　信号蓄積部は、第１画像センサおよび第２画像センサからの電気信号を一時的に保存して、ノイズ除去処理を施したり、検出信号の位置を定義する画素番号の初期化処理を行い、
　画像処理部は、信号蓄積部で処理された信号を診断して、マスクブランクでの欠陥の存在およびその種類を判定し
　マスク基板上に、異物などの微細粒子が存在すると、多層膜はその影響を受けて、多層膜の表面が凸形状になって、凸状の位相欠陥が発生し、逆に、マスク基板の表面に、微小な窪み、ピットが存在すると、多層膜の表面が凹形状になって、凹状の位相欠陥が発生し、
　前記凸状欠陥は、僅か６ｎｍ程度の小さな高さを有する直径Ｗ＝１４０ｎｍ、高さＨ＝６ｎｍの凸状欠陥であり、また、凹状欠陥は、僅か６ｎｍ程度の小さな深さを有する直径Ｗ＝１４０ｎｍ、深さＨ＝６ｎｍの凹状欠陥である、
　マスクブランクの欠陥の有無を判定するマスクブランク検査方法。」
　
２　引用文献２について
（１）当審拒絶理由に引用された、本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特表２００５−５１４６７０号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【技術分野】・・・
【０００２】
　本発明は、半導体プロセスにおいて用いられるマスク中の欠陥を検出する方法および装置に関する。より具体的には本発明は、位相シフトマスク中の欠陥を検出する装置および方法に関する。・・・
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　上述の理由で、弱い位相シフトおよび強い位相シフトの両方が存在する中で位相シフトマスク欠陥を検出できる改良された方法および装置の要求が存在する。」
　
イ　「【００２１】
　本発明の検出方法を採用する光学スキャニング顕微鏡システムの図が図３に示される。しかし本発明の手法は、任意の適切に構成された検出システムで実現されえ、図３のシステムは本発明の範囲を狭くするよう意図はされていない。これら手法は、全てのタイプの位相シフトマスクに応用されえる。例えば説明されるこの手法は、交互の位相シフトマスク、減衰（トライトーン）マスク、およびバイナリマスクに応用されえる。入射光検査ビーム３０２は、対物レンズ３０４を透過した後に焦点３０６へ収束する。焦点の位置は、コントローラ３０８の利用によって選択されえる。当業者なら、ここで開示された本発明の概念から逸脱することなく焦点の位置を制御するようにさまざまな手段が用いられえることが認識されよう。例えば、焦点３０６をマスク３１０に対して所望の位置に位置付けるために対物レンズ３０４を移動させるのにステッパモータが利用されえる。さらに本発明の原理は、焦点３０６を選択する手動のメカニズム（自動メカニズムとともに）を含むように拡張されえることが理解されよう。例えば焦点３０６の位置を制御するそのような手動メカニズムは、検査の前に、対物レンズをマスク３１０から所望の距離において強固に固定することを含む。
【００２２】
　検査光ビーム３０２は、マスク３１０を透過してコレクタ３１２に達するように示されている。コレクタ３１２は、ある角度の範囲にわたって光を検出器３１４上に集める。従来のシステムにおいて、光検出器３１４は、検出器の全ての領域にわたって受け取られた光波の全ての強度の和をとる。対物レンズ角θおよび集光角φは、検出器において発生する信号を部分的に決定する。一般に集光角φおよび対物レンズ角θの関係は、σ（シグマ）によって表され、媒体が空気の場合は以下のように定義される。
【００２３】
　σ＝ｓｉｎφ／ｓｉｎθ
【００２４】
　従来の光学検査システムは、比較的広い対物レンズ角および集光角を採用し、共に典型的にはほぼ４５°であり、シグマ値はほぼ１になる。しかし大きなシグマ値は、位相欠陥に関する信号をなくしてしまうことが示されてきた。本発明はいくつかの実施形態において、領域群またはゾーン群（例えば半径方向に対称な、つまり同心円状の領域群）に分けられた検出器３１４上に光波を集めることによって位相欠陥に関する信号への感度を高くする。実際に、シグマが低いときは、位相欠陥に関するより高い強度の信号が作られる。０．２から０．７の範囲のシグマ値が適切な結果を生む。・・・
【００２９】
　フォーカスされたイメージにおいては、検出器が光電界の複素振幅Ａを電気強度ＡＡに変換するとき、直接位相情報は失われる。フォーカスにおける光学的伝達関数は実数であり、全ての位相シフト物体について位相欠陥の部位におけるイメージ強度は、位相欠陥が存在しない場合とほぼ同じである。デフォーカスされたイメージにおいては伝達関数は虚数部を有する。この位相がずれているフォーカスされたビームの虚数部のために、位相欠陥のコントラストは、デフォーカスが低いシグマと結合されるときに大きく高くなる。・・・
【００３５】
　図５の左には、低コントラスト位相欠陥５０３を有する物体５０２が照射され、右にはこの物体の位相コントラストイメージ５０４が作られる。・・・
【００３７】
　典型的には分析器から生成された信号は、検査されたマスクの表示を作るためにディスプレイ発生器３１８（図３を参照）に接続される。ディスプレイ発生器は、光ビームがマスクをスキャンするときに受け取られた、結果として生じた電圧信号を、ディスプレイ発生器３１８の表示スクリーン上のイメージに変換するための適切な処理回路と結合されたＣＲＴ、ＬＣＤスクリーン、または他の適切な表示デバイスを備えうる。一般に、検査されたマスクから導かれた位相欠陥イメージは、位相欠陥に加えてレイヤのエッジを示す。例えば、差分画像は、位相欠陥によって生成された画像群を分離するために、マスクの２つの同一のエリア群から得られる。もし差分イメージがあるスレッショルドより上のピクセル値を含むなら、欠陥だと認識される。このスレッショルドは、ある特定のサイズより大きい欠陥が信頼性高く見つけられ、一方で、疑似および／またはニュイサンス欠陥の個数が許容されえるくらい低く抑えられるように設定される。」
　
（２）引用発明２
　上記（１）によれば、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
「入射光検査ビームは、対物レンズを透過した後に焦点へ収束し、
　前記検査光ビームは、位相シフトマスクを透過してコレクタに達し、
　前記コレクタは、ある角度の範囲にわたって光を検出器上に集め、
　前記光検出器は、検出器の全ての領域にわたって受け取られた光波の全ての強度の和をとり、
　集光角φおよび対物レンズ角θの関係は、σ（シグマ）によって表され、
　シグマが低いときは、位相欠陥に関するより高い強度の信号が作られ、０．２から０．７の範囲のシグマ値が適切な結果を生み、
　デフォーカスされたイメージにおいては伝達関数は虚数部を有し、この位相がずれているフォーカスされたビームの虚数部のために、位相欠陥のコントラストは、デフォーカスが低いシグマと結合されるときに大きく高くなり、
　低コントラスト位相欠陥を有する物体が照射され、この物体の位相コントラストイメージが作られ、
　検査されたマスクから導かれた位相欠陥イメージは、位相欠陥に加えてレイヤのエッジを示し、差分画像は、位相欠陥によって生成された画像群を分離するために、マスクの２つの同一のエリア群から得られ、差分イメージがあるスレッショルドより上のピクセル値を含むなら、欠陥だと認識される、
　位相シフトマスク中の欠陥を検出する方法。」
　
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
ア　引用発明１の「反射型マスクブランク」、「検査光」、「結像」、「結像光学系」、「デフォーカス」、「異物などの微細粒子」、「凸状の位相欠陥」、「凹状の位相欠陥」及び「マスクブランク検査方法」は、本願発明１の「無地の物体」、「照明光線」、「合焦」、「光学素子の一群」、「脱焦点」、「粒子」、「隆起欠陥」、「窪み欠陥」及び「無地の物体の表面上における（位相欠陥及び／又は粒子を）検査するための方法」にそれぞれ相当する。
　
イ　引用発明１は、「検査対象となる反射型マスクブランクに向けて検査光を照射し、・・・被検査領域から反射した光・・・を捕集し、・・・第１画像センサは、正のデフォーカス像を検知するように第１光束の結像面から光進行方向に沿って所定距離だけ変位した位置に配置され、第２画像センサは、負のデフォーカス像を検知するように第２光束の結像面から光進行方向とは反対方向に所定距離だけ変位した位置に配置され、前記第１画像センサおよび第２画像センサは、第１光束および第２光束が形成する各検査画像の強度分布を計測し、前記第１画像センサおよび第２画像センサからの各信号は、画像処理部に供給され、マスクブランクの欠陥の有無を判定する」ものであるから、正または負のデフォーカス像を検知するするように反射型マスクブランクに向けて検査光を照射し、光束を結像させ、被検査領域から反射した光の正または負のデフォーカス像を検知してマスクブランクの欠陥の有無を判定するものであるといえる。
　そうすると、「検査対象となる反射型マスクブランクに向けて検査光を照射し、・・・被検査領域から反射した光・・・を捕集し、・・・第１画像センサは、正のデフォーカス像を検知するように第１光束の結像面から光進行方向に沿って所定距離だけ変位した位置に配置され、第２画像センサは、負のデフォーカス像を検知するように第２光束の結像面から光進行方向とは反対方向に所定距離だけ変位した位置に配置され、前記第１画像センサおよび第２画像センサは、第１光束および第２光束が形成する各検査画像の強度分布を計測し、前記第１画像センサおよび第２画像センサからの各信号は、画像処理部に供給され、マスクブランクの欠陥の有無を判定する」ものである引用発明１は、「所定の脱焦点範囲で、前記無地の物体の前記表面上に照明光線を合焦させ、反射光線が前記表面から反射するように前記所定の脱焦点範囲で照明光線を用いて前記無地の物体の表面を検査し、前記所定の脱焦点範囲で前記反射光線に基づき、隆起欠陥と窪み欠陥とを区別するために前記位相欠陥を特定するための結果画像を生成し、分析する」本願発明１と、「所定の脱焦点範囲で、前記無地の物体の前記表面上に照明光線を合焦させ、反射光線が前記表面から反射するように前記所定の脱焦点範囲で照明光線を用いて前記無地の物体の表面を検査し、前記所定の脱焦点範囲で前記反射光線に基づき、・・・前記位相欠陥を特定する」点で一致する。
　
ウ　引用発明１は、「マスク基板上に、異物などの微細粒子が存在すると、多層膜はその影響を受けて、多層膜の表面が凸形状になって、凸状の位相欠陥が発生し、逆に、マスク基板の表面に、微小な窪み、ピットが存在すると、多層膜の表面が凹形状になって、凹状の位相欠陥が発生」し、「信号蓄積部は、第１画像センサおよび第２画像センサからの電気信号を一時的に保存して、ノイズ除去処理を施したり、検出信号の位置を定義する画素番号の初期化処理を行い、画像処理部は、信号蓄積部で処理された信号を診断して、マスクブランクでの欠陥の存在およびその種類を判定」し「表面形状の凸型欠陥と凹型欠陥を識別する」方法であるから、表面形状の凸型欠陥と凹型欠陥を識別するために、凸状の位相欠陥と凹状の位相欠陥を判定する第１画像センサおよび第２画像センサからの電気信号を生成して診断して判定する方法であるといえる。
　そうすると、引用発明１の、「マスク基板上に、異物などの微細粒子が存在すると、多層膜はその影響を受けて、多層膜の表面が凸形状になって、凸状の位相欠陥が発生し、逆に、マスク基板の表面に、微小な窪み、ピットが存在すると、多層膜の表面が凹形状になって、凹状の位相欠陥が発生」し、「信号蓄積部は、第１画像センサおよび第２画像センサからの電気信号を一時的に保存して、ノイズ除去処理を施したり、検出信号の位置を定義する画素番号の初期化処理を行い、画像処理部は、信号蓄積部で処理された信号を診断して、マスクブランクでの欠陥の存在およびその種類を判定」し「表面形状の凸型欠陥と凹型欠陥を識別する」方法は、本願発明１の「前記所定の脱焦点範囲で前記反射光線に基づき、隆起欠陥と窪み欠陥とを区別するために前記位相欠陥を特定するための結果画像を生成し、分析する」ことは、「反射光線に基づき、隆起欠陥と窪み欠陥とを区別するために前記位相欠陥を特定するための結果画像を生成し、分析する」点で一致する
　
エ　引用発明１が判定する「凸状欠陥」及び「凹状欠陥」は、「直径Ｗ＝１４０ｎｍ、深さＨ＝６ｎｍの凹状欠陥である」から、本願発明１の「高さ約１０ナノメートル未満で半値全幅（ＦＷＨＭ）約２００ナノメートル未満である」「位相欠陥（隆起欠陥と窪み欠陥）を、高さと幅ともに満たす。
　したがって、引用発明１が判定する「直径Ｗ＝１４０ｎｍ、深さＨ＝６ｎｍの凹状欠陥である」「凸状欠陥」及び「凹状欠陥」は、本願発明１が判定する「高さ約１０ナノメートル未満で半値全幅（ＦＷＨＭ）約２００ナノメートル未満である」「位相欠陥（隆起欠陥と窪み欠陥）」と相当関係にある。
　
オ　上記アないしエによれば、両者は、
「無地の物体の表面上における位相欠陥及び／又は粒子を検査するための方法であって、
　照明光線を生成し、
　光学素子の一群を経由する照明光線を通過させ、
　所定の脱焦点範囲で、前記無地の物体の前記表面上に照明光線を合焦させ、
　反射光線が前記表面から反射するように前記所定の脱焦点範囲で照明光線を用いて前記無地の物体の表面を検査し、
　前記所定の脱焦点範囲で前記反射光線に基づき、隆起欠陥と窪み欠陥とを区別するために前記位相欠陥を特定するための結果画像を生成し、分析すること、を備え、
　前記位相欠陥は、高さ約１０ナノメートルで半値全幅（ＦＷＨＭ）１４０ナノメートルである、方法。」
である点で一致し、以下各点で相違する。
　
（相違点１）「照明光線」が本願発明１では、「約２５０ナノメートル未満の波長を有する深紫外の」照明光線であるのに対して、引用発明１の「検査光」は、「波長１０ｎｍ〜１５ｎｍの極端紫外線であ」る点（以下「相違点１」という。）。
　
（相違点２）本願発明１の「光学素子」は、「約０．１５から０．５の間の部分干渉シグマを有する」のに対して、引用発明１の「結像光学系」は部分干渉シグマが特定されない点（以下「相違点２」という。）。
　
（２）判断
　上記相違点１について検討する。
　引用発明１の「検査光」に関して、引用文献１には、「【００２４】また、検査光は、マスクパターン露光に用いる波長と同じ波長であることが好ましく、例えば、波長１０ｎｍ〜１５ｎｍの極端紫外線であることが好ましい。」（上記「第３」「１」「（１）」「ウ」）と記載され、これをマスクパターン露光に用いる波長と異なる波長である「約２５０ナノメートル未満の波長を有する深紫外」（審決注：「深紫外」（の光線）は２００〜３００ナノメートルの波長の紫外線を意味する。）とすることは想起し得ない。
　また、このようなマスクパターン露光に用いる波長と異なる波長を用いることは引用文献１及び２に記載されておらず、示唆もされていない。
　したがって、上記相違点２について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても引用発明、引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　
２　本願発明２２について
　本願発明２２は、本願発明１に対応する物の発明であり、本願発明１の「約２５０ナノメートル未満の波長を有する深紫外の」照明光線である構成を備えるものであるから、本願発明１と同様の理由により、当業者であっても、引用発明、引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
　
３　本願発明２ないし２１及び本願発明２３ないし３６について
　本願発明２ないし２１及び本願発明２３ないし３６も、本願発明１の「約２５０ナノメートル未満の波長を有する深紫外の」照明光線である構成を備えるものであるから、本願発明１と同様の理由により、当業者であっても、引用発明、引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
　
第７　原査定についての判断
　本願の発明の詳細な説明の段落【００１３】には、「システムは物体の表面を検査するための照明光線に対する無地の物体を動かすためのステージ、照明光線に応答して表面から反射された光線を捕捉するための時間遅延積分（ＴＤＩ）検出器及び少なくとも１つのメモリー及び、反射された光線に基づき、結果画像を生成し表面凸凹欠陥を特定するために結果画像を分析するための少なくとも１つのプロセッサとを備えるコンピューターシステムもまた含んで良い。」と記載され、同段落【００２４】には、「窪み２０４が検査中のとき、反射光線は平坦部２０２からの反射光線と同じ振幅を有する。しかしながら、窪み２０４からの反射光線は平らな面（Ｘ）のものと比べると負の位相差（Ｙ）を有する。同様に、隆起２０６が検査されるとき、反射光線は同じ振幅を有するが、参照（Ｘ）に比べると、ここで正の位相差（Ｚ）を有する。特定の実施形態において、検査面の一部又は全面は位相シフトを特定するために位相値参照として使用可能である。」と記載されているから、段落【００１３】の「表面凸凹欠陥を特定する」は、隆起欠陥と窪み欠陥とを位相シフトを特定することで特定するものと理解でき、「隆起欠陥と窪み欠陥とを区別する」プロセッサを搭載することは、当初明細書等の記載から自明な事項であるから、当該補正は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていると認められる。
　したがって、原査定を維持することはできない。
　
第８　当審拒絶理由についての判断
１　特許法第３６条第６項第２号について
　平成２９年７月１０日付けの意見書において、
「Ｃ．特許法第３６条第６項第２号を理由とする拒絶理由（理由１）について：
　拒絶理由通知書によれば、本願請求項１および２２における『部分干渉シグマ』および『結果画像』との発明特定事項について種々指摘がなされている。
　しかしながら、平面度を測定する際に、干渉縞のコントラストを調整するために、空間コヒーレンスを調整することが行われている。すなわち、コントラストを変化させることは、光源の大きさを変化させること＝空間コヒーレンスを変化させることであることは当業者にとって良く知られた事項である。また、コヒーレンスσは、照明系のＮＡ／対物レンズのＮＡで表されることは当業者にとって周知であり、本願明細書の段落００３６にも明示されている。
　さらに、『部分干渉シグマ』の用語は、部分干渉をもたらすシグマを意味している。ここで、干渉縞のコントラストが最高になる場合には、合成波はコヒーレントであり、可視度は１．０となり、干渉縞のコントラストが最小になる場合には、合成波は非コヒーレントであり、干渉度は０となる。可視度が０より大きく１未満の場合に、合成波は部分的にコヒーレント、すなわち、部分干渉であると呼ばれる。本願請求項１および２２、並びに本願明細書においては、この部分干渉をもたらすシグマを、部分干渉シグマとして記載している。
　したがって、請求項１および２２の記載から、約０．１５から０．５の間の部分干渉シグマを有する光学素子の一群を経由する照明光線を通過させることによって、無地の物体の表面に部分的なコヒーレンスをもたらし、当該部分的なコヒーレンスに基づく結果画像を生成すること、は当業者にとって極めて明確である。
　また、結果画像は、反射光線が表面から反射するように所定の脱焦点範囲で照明光線を用いて無地の物体の表面を検査した結果得られており（本願明細書の段落００３１）、結果画像に現れるコントラストと脱焦点範囲とから隆起欠陥と窪み欠陥とを区別し得ることは、当業者にとって容易に理解され得る。」
との説明がなされた結果、この拒絶の理由は解消した。
　
２　特許法第２９条第２項について
　上記第６で検討したとおりであって、平成２９年７月１０日にされた手続補正により、この拒絶の理由は解消した。
　
第９　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によって、本願を拒絶することはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。