(57)【要約】【課題】表示装置の製造の歩留まりを良好なものとしつつ、高発光効率化および長寿命化を図ることができる表示装置、および、この表示装置を備え、信頼性に優れる電子機器を提供すること。【解決手段】表示装置１００は、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと、フィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂとを備えるカラーフィルタ１０２とを有し、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、それぞれ、陰極１２と、陽極３と、陰極１２と陽極３との間に設けられた複数の発光層を備える発光部と、陽極３と発光部との間に陽極３に接するように設けられ、正孔注入性を有する正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂとを有し、発光素子１Ｒの正孔注入層４Ｒと発光素子１Ｇ、１Ｂの正孔注入層４Ｇ、４Ｂとの正孔注入性の程度を互いに異ならせ、それによって、発光素子１Ｒの発光部と発光素子１Ｇ、１Ｂの発光部との発光特性を互いに異ならせる。【選択図】図１
2011108531.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面側に設けられた第１の発光素子および第２の発光素子と、
前記第１の発光素子からの光のうち第１の色の光を透過させる第１のフィルタ部と、前記第２の発光素子からの光のうち前記第１の色とは異なる第２の色の光を透過させる第２のフィルタ部とを備えるカラーフィルタとを有する表示装置であって、
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子は、それぞれ、
陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、これらの両極間の通電により互いに異なる色に発光する複数の発光層を備える発光部と、
前記陽極と前記発光部との間に前記陽極に接するように設けられ、正孔注入性を有する正孔注入層とを有し、
前記第１の発光素子の正孔注入層と前記第２の発光素子の正孔注入層との正孔注入性の程度を互いに異ならせ、それによって、前記第１の発光素子の発光部と前記第２の発光素子の発光部との発光特性を互いに異ならせることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１の発光素子の正孔注入層は、前記第２の発光素子の正孔注入層と異なる材料で構成されている請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の発光素子の正孔注入層を構成する材料の正孔移動度は、前記第２の発光素子の正孔注入層を構成する材料の正孔移動度よりも小さい請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１の発光素子の正孔注入層を構成する材料の正孔移動度と、前記第２の発光素子の正孔注入層を構成する材料の正孔移動度との差が、１０２ｃｍ２／Ｖｓ以上である請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子うちの少なくとも一方の発光素子の正孔注入層は、ベンジジン誘導体を含んで構成されている請求項２ないし４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記ベンジジン誘導体は、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラアリールベンジジン骨格を有する材料である請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２の発光素子の正孔注入層は、イオン性材料を含んで構成されている請求項２ないし６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項８】
前記イオン性材料は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳである請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１の発光素子の正孔注入層の平均厚さは、前記第２の発光素子の正孔注入層の平均厚さと等しい請求項１ないし８のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１の発光素子の正孔注入層の平均厚さは、前記第２の発光素子の正孔注入層の平均厚さと異なる請求項１ないし８のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子は、それぞれ、トップエミッション構造をなしている請求項１ないし１０のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子は、正孔注入層以外の各層を構成する材料が互いに同じである請求項１ないし１１のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１３】
前記基板の一方の面側に配置された第３の発光素子を有し、
前記カラーフィルタは、前記第３の発光素子からの光を前記第１の色および前記第２の色とは異なる第３の色に変換する第３のフィルタ部を備え、
前記第３の発光素子は、
陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、これらの間に通電することにより発光する複数の発光層を備える発光部と、
前記陽極と前記発光部との間に前記陽極に接するように設けられ、正孔注入性材料を含んで構成された正孔注入層とを有し、
前記第３の発光素子の正孔注入層に含まれる正孔注入性材料は、前記第１の発光素子の正孔注入層に含まれる正孔注入性材料と異なる請求項１ないし１２のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第３の発光素子の正孔注入層を構成する材料は、前記第２の発光素子の正孔注入層を構成する材料と同じである請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第３の発光素子の正孔注入層を構成する材料は、前記第２の発光素子の正孔注入層を構成する材料と異なる請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１の色は、赤色であり、前記第２の色は、青色であり、前記第３の色は、緑色であり、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子および前記第３の発光素子の発光部は、それぞれ、陽極側から陰極側に、赤色発光層、青色発光層、緑色発光層がこの順で積層されている請求項１２ないし１５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１７】
請求項１ないし１６のいずれかに記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層（発光層）を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。
【０００３】
このような発光素子としては、例えば、陰極と陽極との間に、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３色に対応する３層の発光層を積層した構造を有し、この３層の発光層全体で白色発光させるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このような白色発光する発光素子は、Ｒ（赤色）画素、Ｇ（緑色）画素、Ｂ（青色）画素の３色のフィルタ部を有するカラーフィルタと組み合わせて用いることで、フルカラー画像を表示することができる。
このような白色発光の発光素子とカラーフィルタとを組み合わせた表示装置では、各発光素子が複数の発光層を有するので、発光素子の長寿命化、ひいては、表示装置の長寿命化を図ることができる。
【０００４】
また、このような表示装置では、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素にそれぞれ対応して発光素子が設けられているが、複数の発光素子を互いに同じ構成とすることができるので、画素毎に成膜材料を塗り分ける必要がなく、製造が容易となる。その結果、表示装置の製造の歩留まりを良好なものとすることができる。
しかし、従来の表示装置では、複数の発光素子の陽極と陰極との間の層構成が互いに全く同じであるため、各画素において、発光素子からの光のうちフィルタ部で遮断される光の量が多くなっていた。そのため、表示装置の発光効率が低くなり、その結果、表示装置の消費電力が大きくなると言う問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−７７６８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、表示装置の製造の歩留まりを良好なものとしつつ、高発光効率化および長寿命化を図ることができる表示装置、および、この表示装置を備え、信頼性に優れる電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の表示装置は、基板の一方の面側に設けられた第１の発光素子および第２の発光素子と、
前記第１の発光素子からの光のうち第１の色の光を透過させる第１のフィルタ部と、前記第２の発光素子からの光のうち前記第１の色とは異なる第２の色の光を透過させる第２のフィルタ部とを備えるカラーフィルタとを有する表示装置であって、
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子は、それぞれ、
陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、これらの両極間の通電により互いに異なる色に発光する複数の発光層を備える発光部と、
前記陽極と前記発光部との間に前記陽極に接するように設けられ、正孔注入性を有する正孔注入層とを有し、
前記第１の発光素子の正孔注入層と前記第２の発光素子の正孔注入層との正孔注入性の程度を互いに異ならせ、それによって、前記第１の発光素子の発光部と前記第２の発光素子の発光部との発光特性を互いに異ならせることを特徴とする。
【０００８】
これにより、正孔注入層以外の層において第１の発光素子および第２の発光素子の層構成を互いに同じ構成としても、第１の発光素子の発光部の発光スペクトルと第２の発光素子の発光部の発光スペクトルとを異ならせることができる。そのため、第１の発光素子および第２の発光素子の製造をそれぞれ容易なものとしつつ、第１の発光素子の発光部の発光スペクトルを第１のフィルタ部の透過に適したものとするとともに、第２の発光素子の発光部の発光スペクトルを第２のフィルタ部の透過に適したものとすることができる。
【０００９】
また、第１の発光素子および第２の発光素子は、それぞれ、発光部が複数の発光層を備えるので、発光部の発光に寄与する部位（具体的には発光層間および発光層とその隣接する層との間の界面付近）の数を正孔注入材の種類により調節することができる。そのため、発光効率が向上し、必要電流を抑えることができ、第１の発光素子および第２の発光素子の発光部の負荷をそれぞれ抑えることができる。その結果、第１の発光素子および第２の発光素子の劣化を防止または抑制して、第１の発光素子および第２の発光素子の長寿命化を図ることができる。
これらのようなことから、表示装置の製造の歩留まりを良好なものとしつつ、表示装置の高発光効率化および長寿命化を図ることができる。
【００１０】
本発明の表示装置では、前記第１の発光素子の正孔注入層は、前記第２の発光素子の正孔注入層と異なる材料で構成されていることが好ましい。
これにより、第１の発光素子の正孔注入層と第２の発光素子の正孔注入層との正孔注入性の程度を互いに異ならせることができる。
本発明の表示装置では、前記第１の発光素子の正孔注入層を構成する材料の正孔移動度は、前記第２の発光素子の正孔注入層を構成する材料の正孔移動度よりも小さいことが好ましい。
これにより、第１の発光素子の発光部における発光領域（正孔および電子が再結合する領域）の分布を、第２の発光素子の発光部における発光領域（正孔および電子が再結合する領域）の分布よりも陽極側にシフトさせることができる。その結果、第１の発光素子の発光部と第２の発光素子の発光部との発光特性（発光スペクトル）を互いに異ならせることができる。
【００１１】
本発明の表示装置では、前記第１の発光素子の正孔注入層を構成する材料の正孔移動度と、前記第２の発光素子の正孔注入層を構成する材料の正孔移動度との差が、１０２ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好ましい。
これにより、第１の発光素子の発光部における発光領域（正孔および電子が再結合する領域）の分布を、第２の発光素子の発光部における発光領域（正孔および電子が再結合する領域）の分布よりも陽極側に適度にシフトさせることができる。その結果、第１の発光素子の発光部と第２の発光素子の発光部との発光特性（発光スペクトル）を互いに明確に異ならせることができる。
【００１２】
本発明の表示装置では、前記第１の発光素子および前記第２の発光素子うちの少なくとも一方の発光素子の正孔注入層は、ベンジジン誘導体を含んで構成されていることが好ましい。
ベンジジン誘導体は、優れた正孔注入性を有する。また、ベンジジン誘導体は、正孔注入性を良好なものとすることができる範囲内において、様々な正孔移動度のものが存在する。そのため、第１の発光素子および第２の発光素子のうちの少なくとも一方の発光素子の正孔注入層は、ベンジジン誘導体を含んで構成されることにより、比較的簡単に、所望の正孔移動度を有するものとすることができる。
本発明の表示装置では、前記ベンジジン誘導体は、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラアリールベンジジン骨格を有する材料であることが好ましい。
このようなベンジジン誘導体は、極めて優れた正孔注入性を有する。
【００１３】
本発明の表示装置では、前記第２の発光素子の正孔注入層は、イオン性材料を含んで構成されていることが好ましい。
イオン性材料は、優れた正孔注入性を有するとともに、導電性に優れ、極めて正孔移動度の高い材料である。そのため、第２の発光素子において、イオン性材料を含んで構成された正孔注入層は、陰極側に正孔を良好に注入しつつ、発光部における発光領域（正孔および電子が再結合する領域）の分布を陰極側にシフトさせることができる。
【００１４】
本発明の表示装置では、前記イオン性材料は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳであることが好ましい。
これにより、第２の発光素子において、正孔注入層は、陰極側に正孔を良好に注入しつつ、発光部における発光領域（正孔および電子が再結合する領域）の分布を陰極側により確実にシフトさせることができる。
【００１５】
本発明の表示装置では、前記第１の発光素子の正孔注入層の平均厚さは、前記第２の発光素子の正孔注入層の平均厚さと等しいことが好ましい。
これにより、第１の発光素子の正孔注入層と第２の発光素子の正孔注入層とを互いに同一成膜条件またはそれに近い条件で形成することができる。その結果、表示装置の製造を簡単化することができる。
【００１６】
本発明の表示装置では、前記第１の発光素子の正孔注入層の平均厚さは、前記第２の発光素子の正孔注入層の平均厚さと異なることが好ましい。
これにより、前記第１の発光素子の正孔注入層と前記第２の発光素子の正孔注入層との正孔注入性の程度を互いに異ならせることができる。
本発明の表示装置では、前記第１の発光素子および前記第２の発光素子は、それぞれ、トップエミッション構造をなしていることが好ましい。
これにより、第１の発光素子および第２の発光素子では、それぞれ、発光部で生じた光が共振により増幅される。そのため、表示装置の輝度を高めることができる。また、トップエミッション構造の発光素子では、陰極側（基板と反対側）から光を取り出すので、正孔注入層の材料の違いによって光学的な不具合等が生じるのを防止することができる。
本発明の表示装置では、前記第１の発光素子および前記第２の発光素子は、正孔注入層以外の各層を構成する材料が互いに同じであることが好ましい。
これにより、表示装置の製造の簡単化を図ることができる。
【００１７】
本発明の表示装置では、前記基板の一方の面側に配置された第３の発光素子を有し、
前記カラーフィルタは、前記第３の発光素子からの光を前記第１の色および前記第２の色とは異なる第３の色に変換する第３のフィルタ部を備え、
前記第３の発光素子は、
陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、これらの間に通電することにより発光する複数の発光層を備える発光部と、
前記陽極と前記発光部との間に前記陽極に接するように設けられ、正孔注入性材料を含んで構成された正孔注入層とを有し、
前記第３の発光素子の正孔注入層に含まれる正孔注入性材料は、前記第１の発光素子の正孔注入層に含まれる正孔注入性材料と異なることが好ましい。
これにより、例えば、Ｒ画素、Ｇ画素およびＢ画素を有しフルカラー表示可能な表示装置において、表示装置の製造の歩留まりを良好なものとしつつ、表示装置の高発光効率化および長寿命化を図ることができる。
【００１８】
本発明の表示装置では、前記第３の発光素子の正孔注入層を構成する材料は、前記第２の発光素子の正孔注入層を構成する材料と同じであることが好ましい。
これにより、表示装置の製造の簡単化を図ることができる。
本発明の表示装置では、前記第３の発光素子の正孔注入層を構成する材料は、前記第２の発光素子の正孔注入層を構成する材料と異なることが好ましい。
これにより、第３の発光素子の発光部の発光スペクトルを第３のフィルタ部の透過に適したものとし、表示装置の発光効率を高めることができる。
【００１９】
本発明の表示装置では、前記第１の色は、赤色であり、前記第２の色は、青色であり、前記第３の色は、緑色であり、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子および前記第３の発光素子の発光部は、それぞれ、陽極側から陰極側に、赤色発光層、青色発光層、緑色発光層がこの順で積層されていることが好ましい。
これにより、フルカラー表示可能な表示装置を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の表示装置を備えることを特徴とする。
このような電子機器は、優れた信頼性を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態にかかる表示装置（ディスプレイ装置）を示す模式的断面図である。
【図２】図１に示す表示装置に備えられた発光素子（第１の発光素子）の縦断面を模式的に示す図である。
【図３】図１に示す表示装置の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図４】図１に示す表示装置の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。
【図５】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図８】（ａ）は、本発明の実施例の第１の発光素子の発光スペクトルを示す図、（ｂ）は、第２の発光素子の発光スペクトルを示す図、（ｃ）は、比較例の発光素子の発光スペクトルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の表示装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
図１は、本発明の実施形態にかかる表示装置（ディスプレイ装置）を示す模式的断面図、図２は、図１に示す表示装置に備えられた発光素子の縦断面を模式的に示す図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１中および図２中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
【００２２】
（表示装置）
図１に示すディスプレイ装置１００は、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ（第１の発光素子１Ｒ、第２の発光素子１Ｇおよび第３の発光素子１Ｂ）を備える発光装置１０１と、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられたフィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂを備えるカラーフィルタ１０２とを有している。
そして、発光装置１０１とカラーフィルタ１０２とは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成された樹脂層４５を介して接合されている。
【００２３】
このような表示装置１００は、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂおよび複数のフィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂがサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応して設けられ、トップエミッション構造のディスプレイパネルを構成している。
なお、本実施形態ではディスプレイ装置の駆動方式としてアクティブマトリックス方式を採用した例に説明するが、パッシブマトリックス方式を採用したものであってもよい。
【００２４】
発光装置１０１は、基板２１と、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと、複数のスイッチング素子２４とを有している。
基板２１は、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂおよび複数のスイッチング素子２４を支持するものである。本実施形態の各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、基板２１とは反対側から光を取り出す構成（トップエミッション型）である。したがって、基板２１には、透明基板および不透明基板のいずれも用いることができる。なお、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが基板２１側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）である場合には、基板２１は、実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされる。なお、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂについては、後に詳述する。
【００２５】
このように発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがそれぞれトップエミッション構造をなしていることにより、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂでは、それぞれ、後述する発光部１６で生じた光が共振により増幅される。そのため、表示装置１００の輝度を高めることができる。また、トップエミッション構造の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂでは、基板２１と反対側（後述する陰極１２側）から光を取り出すので、後述するような正孔注入層４の材料等の違いによって光学的な不具合（発光スペクトルの変化以外の不本意な現象）等が生じるのを防止することができる。
【００２６】
基板２１が透明基板である場合、基板２１の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２７】
不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
このような基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００２８】
このような基板２１上には、複数のスイッチング素子２４がマトリクス状に配列されている。
各スイッチング素子２４は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられ、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを駆動するための駆動用トランジスタである。
このような各スイッチング素子２４は、シリコンからなる半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
【００２９】
このような複数のスイッチング素子２４を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層２２が形成されている。
平坦化層２２上には、各スイッチング素子２４に対応して発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが設けられている。
発光素子１Ｒは、平坦化層２２上に、反射膜４２、腐食防止膜４３、陽極３、積層体（有機ＥＬ発光部）１５、陰極１２、陰極カバー４４がこの順に積層されて構成されている。本実施形態では、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陽極３は、画素電極を構成し、各スイッチング素子２４のドレイン電極２４５に導電部（配線）２７により電気的に接続されている。また、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陰極１２は、共通電極とされている。
隣接する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士の間には、隔壁４１が設けられている。
このように構成された発光装置１０１には、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成された樹脂層４５を介して、カラーフィルタ１０２が接合されている。
【００３０】
カラーフィルタ１０２は、基板２０と、複数のフィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂと、遮光層３６とを有している。
基板（封止基板）２０は、各フィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂおよび遮光層３６を支持機能を有する。
フィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂは、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられている。
【００３１】
フィルタ部１９Ｒは、発光素子１Ｒからの光ＷＲを赤色（第１の色）に変換する（光ＷＲのうち赤色の光を透過する）ものである。また、フィルタ部１９Ｇは、発光素子１ＧからのＷＧを緑色（第２の色）に変換する（光ＷＧのうち緑色の光を透過する）ものである。また、フィルタ部１９Ｂは、発光素子１Ｂからの光ＷＢを青色（第３の色）に変換する（光ＷＢのうち青色の光を透過する）ものである。このようなフィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂを発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと組み合わせて用いることで、フルカラー画像を表示することができる。
隣接するフィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂ同士の間には、遮光層３６が形成されている。
この遮光層３６は、意図しないサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが発光するのを防止する機能を有する。
【００３２】
基板（封止基板）２０および樹脂層４５は、それぞれ、前述した各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを封止する機能を有する。
基板２０には、透明基板が用いられ、このような基板２０の構成材料としては、基板２０が光透過性を有するものであれば、特に限定されず、前述した基板２１の構成材料と同様のものを用いることができる。
【００３３】
（発光素子）
ここで、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを詳細に説明する。
図１に示すように、発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、それぞれ、２つの電極間（陽極３と陰極１２との間）に、互いに発光スペクトル（発光色）の異なるＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３層の発光層を含む積層体１５が介挿されている。この積層体１５（１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ）は、図２に示すように、陽極３側から陰極１２側へ、正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）と正孔輸送層５と発光部１６と電子輸送層１０と電子注入層１１とがこの順に積層されている。また、発光部１６は、陽極３側から陰極１２側へ、第１の発光層（赤色発光層）６と中間層７と第２の発光層（青色発光層）８と第３の発光層（緑色発光層）９とがこの順に積層されている。
【００３４】
言い換えすれば、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、それぞれ、陽極３と正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）と正孔輸送層５と第１の発光層６と中間層７と第２の発光層８と第３の発光層９と電子輸送層１０と電子注入層１１と陰極１２とがこの順に積層されてなるものである。
また、本実施形態では、陽極３と平坦化層２２との間に、反射膜４２および腐食防止膜４３が設けられ、また、陰極１２の積層体１５と反対側には、陰極カバー（封止層）４４が設けられている。
【００３５】
このような各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂにあっては、第１の発光層６、第２の発光層８、および第３の発光層９の各発光層に対し、陰極１２側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
【００３６】
特に、表示装置１００では、発光素子１Ｒの正孔注入層４（４Ｒ）と発光素子１Ｇ、１Ｂの正孔注入層４（４Ｇ、４Ｂ）との正孔注入性の程度を互いに異ならせ、それによって、発光素子１Ｒの発光部１６と発光素子１Ｇ、１Ｂの発光部１６との発光特性を互いに異ならせている。
これにより、正孔注入層４以外の層において発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの層構成を互いに同じ構成としても、発光素子１Ｒの発光部１６の発光スペクトルと発光素子１Ｇ、１Ｂの発光部１６の発光スペクトルとを異ならせることができる。そのため、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの製造をそれぞれ容易なものとしつつ、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの発光部１６の発光スペクトルをフィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂの透過に適したものとすることができる。
発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの正孔注入層４以外の各層を構成する材料が互いに同じであるのが好ましい。これにより、表示装置１００の製造の簡単化を図ることができる。
【００３７】
以下、発光素子１Ｒを構成する各部を順次説明する。なお、以下では、発光素子１Ｒについて代表的に説明する。発光素子１Ｇ、１Ｂについては、発光素子１Ｒと相違する事項を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。また、以下の説明では、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）の構成以外、互いに同じ構成を有するものとして説明する。
【００３８】
（陽極）
陽極３は、後述する正孔注入層４を介して正孔輸送層５に正孔を注入する電極（第１の電極）である。
また、陽極３の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
【００３９】
陽極３の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、本実施形態では、陽極３は、光透過性を有する。これにより、各発光層からの光を反射膜４２が反射することができる。
【００４０】
このような陽極３の厚さは、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの各出射光の波長に応じて互いに異なるものであるのが好ましい。
より具体的に説明すると、発光素子１Ｒの陽極３については、後述する陰極１２と反射膜４２との間の距離Ｌが発光素子１Ｒから出射する光の波長（赤色の波長）に応じたものとなるように厚さが調整されているのが好ましい。また、発光素子１Ｇの陽極３ついては、陰極１２と反射膜４２との間の距離Ｌが発光素子１Ｇから出射する光の波長（緑色の波長）に応じたものとなるように厚さが調整されているのが好ましく、また、発光素子１Ｂの陽極３ついては、陰極１２と反射膜４２との間の距離Ｌが発光素子１Ｂから出射する光の波長（青色の波長）に応じたものとなるように厚さが調整されているのが好ましい。
【００４１】
これにより、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの各出射光の所望の色度の輝度を高めることができる。
特に、陽極３の厚さは、陰極１２と反射膜４２との間で光反射を繰り返し、干渉を生じさせて（共振させて）、陰極１２と反射膜４２との間の距離Ｌに応じた波長の光を外部に出射し得るように設定されているのが好ましい。これにより、発光素子１Ｒから出射される光の強度および色純度を高めることができる。この場合、陰極１２と反射膜４２との間の距離Ｌを所望値（赤色の波長に応じた値）に設定することにより、陰極１２と反射膜４２との間で所望の波長の光を共振させることができる。より具体的には、輝度を高めたい色度の波長をλとしたとき、ｎλ／２に、陰極１２や反射膜４２での光反射時の位相のシフト量等を考慮した値を加算または減算した値を距離Ｌとする（ここで、ｎは自然数である）。
このような陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００４２】
（正孔注入層）
正孔注入層４は、陽極３からの正孔注入効率を向上させる機能（すなわち正孔注入性）を有するものである。
この正孔注入層４の構成材料（正孔注入材料）としては、正孔注入層４が前述したような正孔注入性を発揮するものであれば、特に限定されず、中性材料であっても、イオン性材料であってもよい。
【００４３】
中性材料としては、例えば、ジアミノベンゼン誘導体、ＭＴＤＡＴＡ、ベンジジン誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体等が代表的に挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
具体的には、中性材料として、例えば、下記式（４−１）で表わされる化合物（ＭＴＤＡＴＡ）、下記式（４−２）で表わされる化合物（ｍ−ＴＰＤ１）、下記式（４−３）で表わされる化合物（ｍ−ＴＰＤ２）、下記式（４−４）で表わされる化合物（ＨＩＭ）、下記式（４−５）で表わされる化合物（ＴＰＡＣ）、下記式（４−６）で表わされる化合物（ＴＰＤ−２）、下記式（４−７）で表わされる化合物（ＴＰＤ−３）等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４４】
【化１】
2011108531.tif 000003
【００４５】
【化２】
2011108531.tif 000004
【００４６】
【化３】
2011108531.tif 000005
【００４７】
【化４】
2011108531.tif 000006
【００４８】
【化５】
2011108531.tif 000007
【００４９】
【化６】
2011108531.tif 000008
【００５０】
【化７】
2011108531.tif 000009
【００５１】
また、イオン性材料としては、例えば、下記式（４−８）で表わされるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリエチレンジオキチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸）、ポリチオフェン／ＰＳＳ等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５２】
【化８】
2011108531.tif 000010
【００５３】
前述したように、発光素子１Ｒの正孔注入層４（４Ｒ）は、発光素子１Ｇ、１Ｂの正孔注入層４（４Ｇ、４Ｂ）と正孔注入性の程度が互いに異なっている。これにより、発光素子１Ｒの発光部１６と発光素子１Ｇ、１Ｂの発光部１６との発光特性を互いに異ならせている。
発光素子１Ｒの正孔注入層４（４Ｒ）と発光素子１Ｇ、１Ｂの正孔注入層４（４Ｇ、４Ｂ）との正孔注入性の程度を互いに異ならせる方法としては、特に限定されないが、正孔注入層４の材料、膜質、濃度、厚さ、有無等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５４】
特に、発光素子１Ｒの正孔注入層４（すなわち正孔注入層４Ｒ）は、発光素子１Ｇの正孔注入層４（すなわち正孔注入層４Ｇ）と異なる材料で構成されているのが好ましい。これにより、発光素子１Ｒの正孔注入層４Ｒと発光素子１Ｇの正孔注入層４Ｇとの正孔注入性の程度を互いに異ならせることができる。
この場合、発光素子１Ｒの正孔注入層４Ｒを構成する材料の正孔移動度は、発光素子１Ｇの正孔注入層４Ｇを構成する材料の正孔移動度よりも小さいのが好ましい。
【００５５】
これにより、発光素子１Ｒの発光部１６における発光領域（正孔および電子が再結合する領域）の分布を、発光素子１Ｇの発光部１６における発光領域（正孔および電子が再結合する領域）の分布よりも陽極３側にシフトさせることができる。その結果、発光素子１Ｒの発光部１６と発光素子１Ｇの発光部１６との発光特性（発光スペクトル）を互いに異ならせることができる。
【００５６】
具体的には、本実施形態のような積層順で赤、緑および青の発光層が積層されている場合、上述したように発光素子１Ｒの発光部１６における発光領域をシフトさせることにより、発光素子１Ｒの発光部１６では、赤色の光の発光を強めることができる。
また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇの構成材料が前述したような正孔移動度の関係を有する場合、発光素子１Ｒの正孔注入層４Ｒを構成する材料の正孔移動度と、発光素子１Ｇの正孔注入層４Ｇを構成する材料の正孔移動度との差が、１０２ｃｍ２／Ｖｓ以上であるのが好ましい。
【００５７】
これにより、発光素子１Ｒの発光部１６における発光領域（正孔および電子が再結合する領域）の分布を、発光素子１Ｇの発光部１６における発光領域（正孔および電子が再結合する領域）の分布よりも陽極３側に適度にシフトさせることができる。その結果、発光素子１Ｒの発光部１６と発光素子１Ｇの発光部１６との発光特性（発光スペクトル）を互いに明確に異ならせることができる。
【００５８】
具体的には、本実施形態のような積層順で赤、緑および青の発光層が積層されている場合、発光素子１Ｒの発光部１６における発光領域を陽極３側にシフトさせたような状態とするとともに、発光素子１Ｇの発光部１６における発光領域を陰極１２側へシフトさせたような状態とすることができる。これにより、発光素子１Ｒの発光部１６の赤色の光の発光を強めるとともに、発光素子１Ｇの発光部１６の緑色の光の発光を強めることができる。
【００５９】
ここで、上述した正孔注入材料のうちいくつかの材料について、正孔移動度を挙げると、例えば、上記式（４−５）で表わされる化合物の正孔移動度は、７×１０−３［ｃｍ２／Ｖｓ］程度であり、上記式（４−４）で表わされる化合物の正孔移動度は、２．７×１０−３［ｃｍ２／Ｖｓ］程度であり、上記式（４−１）で表わされる化合物の正孔移動度は、３×１０−５［ｃｍ２／Ｖｓ］程度である。
【００６０】
発光素子１Ｒおよび発光素子１Ｇのうちの少なくとも一方の発光素子の正孔注入層４は、前述したようなベンジジン誘導体を含んで構成されているのが好ましい。
ベンジジン誘導体は、優れた正孔注入性を有する。また、ベンジジン誘導体は、正孔注入性を良好なものとすることができる範囲内において、様々な正孔移動度のものが存在する。そのため、発光素子１Ｒおよび発光素子１Ｇのうちの少なくとも一方の発光素子の正孔注入層４は、ベンジジン誘導体を含んで構成されることにより、比較的簡単に、前述したような所望の正孔移動度を有するものとすることができる。
【００６１】
また、前記ベンジジン誘導体は、前記式（４−２）〜（４−４）、（４−６）、（４−７）で表わされるようなＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラアリールベンジジン骨格を有する材料であるのが好ましい。このようなベンジジン誘導体は、極めて優れた正孔注入性を有する。
また、発光素子１Ｇの正孔注入層４Ｇは、前述したようなイオン性材料を含んで構成されているのが好ましい。
【００６２】
イオン性材料は、優れた正孔注入性を有するとともに、導電性に優れ、極めて正孔移動度の高い材料である。そのため、発光素子１Ｇにおいて、イオン性材料を含んで構成された正孔注入層４Ｇは、陰極１２側に正孔を良好に注入しつつ、発光部１６における発光領域（正孔および電子が再結合する領域）の分布を陰極１２側にシフトさせることができる。
【００６３】
また、前記イオン性材料は、前記式（４−８）で表わされるようなＰＥＤＯＴ／ＰＳＳであるのが好ましい。
これにより、発光素子１Ｇにおいて、正孔注入層４Ｇは、陰極１２側に正孔を良好に注入しつつ、発光部１６における発光領域（正孔および電子が再結合する領域）の分布を陰極１２側により確実にシフトさせることができる。
【００６４】
また、発光素子１Ｒの正孔注入層４Ｒの平均厚さは、発光素子１Ｇの正孔注入層４Ｇの平均厚さと等しくても異なっていてもよい。
発光素子１Ｒの正孔注入層４Ｒの平均厚さが発光素子１Ｇの正孔注入層４Ｇの平均厚さと等しい場合、発光素子１Ｒの正孔注入層４Ｒと発光素子１Ｇの正孔注入層４Ｇとを互いに同一成膜条件またはそれに近い条件で形成することができる。その結果、表示装置１００の製造を簡単化することができる。
【００６５】
一方、発光素子１Ｒの正孔注入層４Ｒの平均厚さが発光素子１Ｇの正孔注入層４Ｇの平均厚さと異なる場合、発光素子１Ｒの正孔注入層４Ｒと発光素子１Ｇの正孔注入層４Ｇとの正孔注入性の程度を互いに異ならせることができる。
また、発光素子１Ｂの正孔注入層４Ｂに含まれる正孔注入性材料は、発光素子１Ｒの正孔注入層４Ｒに含まれる正孔注入性材料と異なる。
【００６６】
これにより、前述したようなＲ画素とＧ画素との間の発光スペクトルの最適化と同様に、Ｒ画素とＢ画素との間の発光スペクトルを最適化することができる。そのため、Ｒ画素、Ｇ画素およびＢ画素を有しフルカラー表示可能な表示装置１００において、表示装置１００の製造の歩留まりを良好なものとしつつ、表示装置１００の高発光効率化および長寿命化を図ることができる。
【００６７】
また、発光素子１Ｂの正孔注入層４Ｂを構成する材料は、発光素子１Ｇの正孔注入層４Ｇを構成する材料と同じであっても異なっていてもよい。
発光素子１Ｂの正孔注入層４Ｂを構成する材料が発光素子１Ｇの正孔注入層４Ｇを構成する材料と同じである場合、後述するように表示装置１００の製造の簡単化を図ることができる。
【００６８】
一方、発光素子１Ｂの正孔注入層４Ｂを構成する材料が発光素子１Ｇの正孔注入層４Ｇを構成する材料と異なる場合、発光素子１Ｂの発光部１６の発光スペクトルをフィルタ部１９Ｂの透過に適したものとし、表示装置１００の発光効率を高めることができる。
このような正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）の平均厚さは、特に限定されないが、５〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００６９】
（正孔輸送層）
正孔輸送層５は、陽極３から正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）を介して注入された正孔を第１の発光層６まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層５の構成材料には、各種ｐ型の高分子材料や、各種ｐ型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができ、例えば、下記式（５−１）で表わされるＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）等のテトラアリールベンジジン誘導体、テトラアリールジアミノフルオレン化合物またはその誘導体（アミン系化合物）などが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７０】
【化９】
2011108531.tif 000011
【００７１】
このような正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、この正孔輸送層５は、正孔注入層４の構成によっては、省略することができる。正孔輸送層５を省略することにより、表示装置１００の正孔工程を簡略化することができる。この場合、正孔注入層４が陽極３および第１の発光層６の両層に接することとなる。
【００７２】
（第１の発光層）
この第１の発光層６は、第１の色に発光する第１の発光材料と、この第１の発光材料をゲスト材料とする第１のホスト材料とを含んで構成されている。このような第１の発光層６は、例えば、ゲスト材料である第１の発光材料をドーパントとして第１のホスト材料にドープすることにより形成することができる。なお、第１のホスト材料は省略することができる。
【００７３】
第１の発光材料は、赤色に発光する赤色発光材料である。
このような赤色発光材料としては、特に限定されず、各種赤色蛍光材料、赤色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることが、赤色蛍光材料を好適に用いることができる。
赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、ペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）等を挙げられる。
【００７４】
赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものも挙げられる。より具体的には、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−１２Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（ＩＩ）、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム、ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。
【００７５】
上述した中でも、赤色発光材料は、ペリレン誘導体を含むことが好ましい。ペリレン誘導体は、特に発光効率の高い発光材料である。また、ペリレン誘導体は、電子を捕獲する機能が特に優れたものである。このため、陰極１２側から注入された電子を第１の発光層６で確実に捕獲し、正孔輸送層５に電子が注入されるのを防止することができる。その結果、正孔注入層４や正孔輸送層５の構成材料が電子により還元されて劣化するのを防止することができる。
特に、赤色発光材料に用いるペリレン誘導体としては、例えば下記式（６−１）で表わされる化合物等のテトラフェニルジインデノペリレン誘導体を用いるのが好ましい。
【００７６】
【化１０】
2011108531.tif 000012
【００７７】
このような赤色発光材料をゲスト材料とする第１のホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを赤色発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、赤色発光材料を励起する機能を有する。
このような第１のホスト材料としては、用いる赤色発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、赤色発光材料が赤色蛍光材料を含む場合、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、下記式（６ａ−１）で表わされる化合物等のテトラセン誘導体（ナフタセン誘導体）、下記式（６ａ−２）で表わされる化合物等のアントラセン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等のキノリノラト系金属錯体、トリフェニルアミンの４量体等のトリアリールアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、シロール誘導体、ジカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００７８】
【化１１】
2011108531.tif 000013
【００７９】
【化１２】
2011108531.tif 000014
【００８０】
また、赤色発光材料が赤色燐光材料を含む場合、第１のホスト材料としては、例えば、３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニルカルバゾール、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
前述したような赤色発光材料（ゲスト材料）および第１のホスト材料を用いる場合、第１の発光層６中における赤色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．１〜１０ｗｔ％であるのが好ましく、１〜５ｗｔ％であるのがより好ましい。赤色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、後述する第２の発光層８や第３の発光層９の発光量とのバランスをとりつつ第１の発光層６を発光させることができる。
【００８１】
また、前述したような赤色の発光材料はバンドギャップが比較的小さいため、発光しやすい。したがって、最も陽極３側に赤色発光層を設けることで、バンドギャップが比較的大きく発光し難い青色発光層や緑色発光層を陰極１２側とし、各発光層をバランスよく発光させることができる。
また、第１の発光層６の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、３〜５０ｎｍであるのがより好ましく、５〜３０ｎｍであるのがさらに好ましい。
【００８２】
（中間層）
この中間層７は、前述した第１の発光層６と後述する第２の発光層８との層間にこれらに接するように設けられている。そして、中間層７は、第１の発光層６と第２の発光層８との間で励起子のエネルギーが移動するのを阻止する機能を有する。この機能により、第１の発光層６および第２の発光層８をそれぞれ効率よく発光させることができる。
【００８３】
このような中間層７の構成材料としては、中間層７が前述したような機能を発揮することができるものであれば、特に限定されないが、アミン系材料等を用いることができ、特に、アミン系材料とアセン系材料との混合材料を好適に用いることができる。
このような中間層７に用いられるアミン系材料としては、アミン骨格を有し、かつ、中間層７が前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、前述した正孔輸送材料のうちのアミン骨格を有する材料を用いることができるが、ベンジジン系アミン誘導体を用いるのが好ましい。
【００８４】
特に、ベンジジン系アミン誘導体のなかでも、中間層７に用いられるアミン系材料としては、２つ以上のナフチル基を導入したものが好ましい。このようなベンジジン系アミン誘導体としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）や、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラナフチル−ベンジジン（ＴＮＢ）などが挙げられる。
【００８５】
このようなアミン系材料は、一般に、正孔輸送性に優れており、アミン系材料の正孔移動度は、後述するアセン系材料の正孔移動度よりも高い。したがって、第１の発光層６から中間層７を介して第２の発光層８へ正孔を円滑に受け渡すことができる。
このような中間層７中におけるアミン系材料の含有量は、特に限定されないが、１０〜９０ｗｔ％であるのが好ましく、３０〜７０ｗｔ％であるのがより好ましく、４０〜６０ｗｔ％であるのがさらに好ましい。
【００８６】
一方、中間層７に用いられるアセン系材料としては、アセン骨格を有し、かつ、中間層７が前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体、ヘキサセン誘導体、ヘプタセン誘導体等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体を用いるのが好ましい。
【００８７】
このような中間層７中におけるアセン系材料の含有量は、特に限定されないが、１０〜９０ｗｔ％であるのが好ましく、３０〜７０ｗｔ％であるのがより好ましく、４０〜６０ｗｔ％であるのがさらに好ましい。
また、中間層７中におけるアセン系材料の含有量をＡ［ｗｔ％］とし、中間層７中におけるアミン系材料の含有量をＢ［ｗｔ％］としたときに、Ｂ／（Ａ＋Ｂ）は、０．１〜０．９であるのが好ましく、０．３〜０．７であるのがより好ましく、０．４〜０．６であるのがさらに好ましい。これにより、より確実に、キャリアや励起子に対する中間層７の耐性を優れたものとしつつ、第１の発光層６および第２の発光層８にそれぞれ電子および正孔を注入して発光させることができる。
【００８８】
また、中間層７の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、３〜５０ｎｍであるのがより好ましく、５〜３０ｎｍであるのがさらに好ましい。これにより、駆動電圧を抑えつつ、中間層７が第１の発光層６と第２の発光層８との間での励起子のエネルギー移動をより確実に阻止することができる。
これに対し、中間層７の平均厚さが前記上限値を超えると、中間層７の構成材料等によっては、駆動電圧が著しく高くなったり、発光素子１Ｒの発光（特に白色発光）が難しくなったりする場合がある。一方、中間層７の平均厚さが前記下限値未満であると、中間層７の構成材料や駆動電圧等によっては、中間層７が第１の発光層６と第２の発光層８との間での励起子によるエネルギー移動を防止または抑制するのが難しく、また、キャリアや励起子に対する中間層７の耐性が低下する傾向を示す。
なお、この中間層７は、省略することができる。
【００８９】
（第２の発光層）
この第２の発光層８は、第２の色に発光する第２の発光材料と、この第２の発光材料をゲスト材料とする第２のホスト材料とを含んで構成されている。このような第２の発光層８は、前述した第１の発光層６と同様、例えば、ゲスト材料である第２の発光材料をドーパントとして第２のホスト材料にドープすることにより形成することができる。なお、第２のホスト材料は省略することができる。
【００９０】
第２の発光材料は、青色に発光する青色発光材料である。
このような青色発光材料としては、特に限定されず、各種青色蛍光材料、青色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることが、青色蛍光材料を好適に用いることができる。
青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、下記式（８−１）で表わされる化合物、ジスチリルジアミン誘導体、ジスチリル誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００９１】
【化１３】
2011108531.tif 000015
【００９２】
青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。より具体的には、ビス［４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、トリス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム、ビス［２−（３，５−トリフルオロメチル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。
【００９３】
第２のホスト材料としては、前述した第１の発光層６の第１のホスト材料と同様のものを用いることができる。
前述したような青色発光材料（ゲスト材料）および第２のホスト材料を用いる場合、第２の発光層８中における青色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．１〜２０ｗｔ％であるのが好ましく、５〜２０ｗｔ％であるのがより好ましい。青色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、前述した第１の発光層６や後述する第３の発光層９の発光量とのバランスをとりつつ第２の発光層８を発光させることができる。
また、第２の発光層８の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、５〜６０ｎｍであるのがより好ましく、１０〜４０ｎｍであるのがさらに好ましい。
【００９４】
（第３の発光層）
この第３の発光層９は、第３の色に発光する第３の発光材料と、この第３の発光材料をゲスト材料とする第３のホスト材料とを含んで構成されている。このような第３の発光層９は、前述した第１の発光層６と同様、例えば、ゲスト材料である第３の発光材料をドーパントとして第３のホスト材料にドープすることにより形成することができる。なお、第３のホスト材料は省略することができる。
【００９５】
第３の発光材料は、緑色に発光する緑色発光材料である。
このような緑色発光材料としては、特に限定されず、各種緑色蛍光材料、緑色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることが、緑色蛍光材料を好適に用いることができる。
緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、下記式（９−１）で表わされる化合物等のキナクリドン誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００９６】
【化１４】
2011108531.tif 000016
【００９７】
緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。中でも、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つが、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものが好ましい。より具体的には、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）、ファク−トリス［５−フルオロ−２−（５−トリフルオロメチル−２−ピリジン）フェニル−Ｃ，Ｎ］イリジウムが挙げられる。
【００９８】
第３のホスト材料としては、前述した第１の発光層６の第１のホスト材料と同様のものを用いることができる。
前述したような緑色発光材料（ゲスト材料）および第３のホスト材料を用いる場合、第３の発光層９中における緑色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．１〜２０ｗｔ％であるのが好ましく、１〜２０ｗｔ％であるのがより好ましい。緑色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、前述した第１の発光層６や第２の発光層８の発光量とのバランスをとりつつ第３の発光層９を発光させることができる。
また、第３の発光層９の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、５〜６０ｎｍであるのがより好ましく、１０〜４０ｎｍであるのがさらに好ましい。
【００９９】
（電子輸送層）
電子輸送層１０は、陰極１２から電子注入層１１を介して注入された電子を第３の発光層９に輸送する機能を有するものである。
電子輸送層１０の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、下記式（１０−１）で表わされる化合物（ＢＰｈｅｎ）等のアミン系材料（フェナントロリン誘導体）、下記式（１０−２）で表わされる化合物（トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３））等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１００】
【化１５】
2011108531.tif 000017
【０１０１】
【化１６】
2011108531.tif 000018
【０１０２】
電子輸送層１０の平均厚さは、特に限定されないが、０．５〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、電子輸送層１０は、２種以上の材料を用いて形成する場合、これらの材料を混合した材料で構成された１つの層として形成してもよいし、各材料で構成された複数の層を積層して形成してもよい。
なお、電子輸送層１０は、省略することができる。
【０１０３】
（電子注入層）
電子注入層１１は、陰極１２からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
この電子注入層１１の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。
【０１０４】
このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層１１を構成することにより、発光素子１Ｒは、高い輝度が得られるものとなる。
【０１０５】
アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。
アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２等が挙げられる。
【０１０６】
また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
電子注入層１１の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、０．２〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましく、０．２〜５０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
なお、電子注入層１１は、省略することができる。
【０１０７】
（陰極）
陰極１２は、前述した電子注入層１１を介して電子輸送層１０に電子を注入する電極（第２の電極）である。
また、陰極１２は、前述した第１の発光層６、第２の発光層８および第３の発光層９のうちの少なくとも１つの発光層からの光の一部を透過し残部を反射する機能をも有する。これにより、発光素子１Ｒが陰極１２側から光を出射させることができる。また、陰極１２で反射した光を有効利用して発光素子１Ｒの発光効率を向上させることができる。
【０１０８】
このような陰極１２の構成材料としては、仕事関数の小さい材料が用いられ、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
特に、陰極１２の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極１２の構成材料として用いることにより、陰極の電子注入効率および安定性を優れたものとすることができる。
【０１０９】
また、陰極１２の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜１００００ｎｍ程度であるのが好ましく、２００〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、発光層からの光（発光素子１Ｒから出射する目的とする波長）に対する陰極１２の反射率は、２０〜８０％であるのが好ましく、３０〜７０％であるのがより好ましい。これにより、発光素子１Ｒから出射する光の輝度（電流効率）を効果的に高めることができる。
【０１１０】
（反射膜）
反射膜（反射層）４２は、前述した第１の発光層６、第２の発光層８および第３の発光層９に対して陰極１２と反対側に設けられている。すなわち、反射膜４２と陰極１２との間に、第１の発光層６、第２の発光層８および第３の発光層９が設けられている。
このような反射膜４２は、第１の発光層６、第２の発光層８および第３の発光層９のうちの少なくとも１つの発光層からの光を反射する機能を有する。これにより、少なくとも１層の発光層からの光および陰極１２からの反射光を反射膜４２で反射して、発光素子１Ｒから出射する光の輝度を高めることができる。その結果、発光素子１Ｒの発光効率を向上させることができる。
【０１１１】
このような反射膜４２の構成材料としては、反射膜４２が前述したような機能を発揮することができるものであれば、特に限定されず、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇまたはこれらを含む合金等を用いることができる。
また、反射膜４２は、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層してなる誘電体多層膜（光学多層薄膜）で構成することもできる。
【０１１２】
高屈折率層を構成する材料としては、例えば、Ｔｉ２Ｏ、Ｔａ２Ｏ５、酸化ニオブ、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＴｈＯ２などが挙げられるが、特に、Ｔｉ２Ｏ、Ｔａ２Ｏ５、酸化ニオブなどが好適に用いられる。
低屈折率層を構成する材料としては、例えば、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２などが挙げられるが、特に、ＳｉＯ２が好適に用いられる。
【０１１３】
反射膜４２を構成する高屈折率層および低屈折率層の層数、厚さは、必要とする光学特性に応じて設定される。一般に、誘電体多層膜により反射膜を構成する場合、その光学特性を得るために必要な層数は１２層以上である。
なお、本実施形態では、発光素子１Ｒがトップエミッション型であるため、反射膜４２に光透過性は要求されない。
また、反射膜４２の厚さは、前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましい。
【０１１４】
（腐食防止膜）
腐食防止膜４３は、反射膜４２の腐食を防止する機能（反射膜４２を保護する保護層としての機能）を有するものである。
このような腐食防止膜４３の構成材料としては、腐食防止膜４３が前述した機能を発揮するとともに前述した反射膜４２の機能を阻害しないものであれば、特に限定されず、各種有機材料、各種無機材料を用いることができる。
なお、この腐食防止膜４３は、省略してもよい。
【０１１５】
（陰極カバー）
陰極カバー４４は、陽極３、積層体１５、および陰極１２を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。陰極カバー４４を設けることにより、発光素子１Ｒの信頼性の向上や、変質・劣化の防止（耐久性向上）等の効果が得られる。
【０１１６】
陰極カバー４４の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、陰極カバー４４の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、陰極カバー４４と陽極３、積層体１５、および陰極１２との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
なお、本実施形態では、図１に示す樹脂層４５（封止層）およびカラーフィルタ１０２（封止部材）も、陽極３、積層体１５、および陰極１２を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。
【０１１７】
（表示装置（発光素子）の製造方法）
以上のように構成された表示装置１００（発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ）は、例えば、次のようにして製造することができる。なお、以下の説明では、表示装置１００を製造する場合を例に説明する。なお、以下では、発光素子１Ｇの正孔注入層４Ｇの構成材料および厚さと発光素子１Ｂの正孔注入層４Ｂの構成材料および厚さとが互いに等しい場合を例に説明する。
【０１１８】
図３および図４は、それぞれ、図１に示す表示装置（発光素子）の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図３、図４中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
表示装置１００の製造方法は、＜Ａ＞基材を形成する工程と、＜Ｂ＞基材上に発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを形成して発光装置１０１を形成する工程と、＜Ｃ＞発光装置１０１と基板２０とを樹脂層４５を介して接合する工程とを有する。
ここで、工程＜Ｂ＞は、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを形成するに際し、＜Ｂ１＞陽極３を形成する工程と、＜Ｂ２＞各発光層６、８、９を形成する工程と、＜Ｂ３＞陰極１２を形成する工程とを含んでいる。
【０１１９】
以下、表示装置１００の製造方法における各工程を順次説明する。
＜Ａ＞基材を形成する工程
［１］  まず、基板２１を用意し、この基板２１上に、図３（ａ）に示すように、複数のスイッチング素子２４および平坦化層２２を形成する。
このスイッチング素子２４および平坦化層２２は、それぞれ、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、薄膜の接合等を用いて形成することができる。
【０１２０】
［２］  次に、図３（ｂ）に示すように、平坦化層２２上に、各スイッチング素子２４に対応して、反射膜４２と腐食防止膜４３とをこの順で積層して形成する。
反射膜４２および腐食防止膜４３は、それぞれ、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、薄膜の接合等を用いて形成することができる。
以上のようにして基材を形成することができる。
【０１２１】
＜Ｂ＞発光装置を形成する工程
＜Ｂ１＞陽極を形成する工程
［３］  次に、図３（ｃ）に示すように、各画素の腐食防止膜４３上に、陽極３を形成する。
陽極３は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相成膜法（気相プロセス）により形成することができる。
【０１２２】
＜Ｂ２＞各発光層を形成する工程
［４］  次に、図３（ｄ）に示すように、Ｂ、Ｇ画素に対応する陽極３上に、正孔注入層４（４Ｂ、４Ｇ）を形成する。
正孔注入層４Ｇ、４Ｂは、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相成膜法（気相プロセス）により形成することができる。
【０１２３】
例えば、図３（ｄ）に示すように、Ｂ、Ｇ画素に対応する領域に開口ＭＢ、ＭＧを有するマスクＭ１を介して気相成膜法により、正孔注入層４Ｇ、４Ｂを形成する。
また、正孔注入層４Ｇ、４Ｂは、例えば、正孔注入材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料を、陽極３上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
【０１２４】
正孔注入層形成用材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることもできる。かかる塗布法を用いることにより、正孔注入層４Ｇ、４Ｂを比較的容易に形成することができる。
正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０１２５】
なお、乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。
また、本工程に先立って、陽極３の上面には、酸素プラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、陽極３の上面を親液性を付与すること、陽極３の上面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３の上面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度、基板２の温度７０〜９０℃程度とするのが好ましい。
【０１２６】
［５］  次に、図３（ｅ）に示すように、Ｒ画素に対応する陽極３上に、正孔注入層４（４Ｒ）を形成する。このとき、前述した工程［４］で用いた材料とは異なる材料を用いて、正孔注入層４Ｒを形成する。
正孔注入層４Ｒは、前述した正孔注入層４Ｇ、４Ｂの形成方法と同様、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相成膜法（気相プロセス）により形成することができる。
【０１２７】
例えば、図３（ｅ）に示すように、Ｒ画素に対応する領域に開口ＭＲを有するマスクＭ２を介して気相成膜法により、正孔注入層４Ｇ、４Ｂを形成する。
また、正孔注入層４Ｒは、例えば、正孔注入材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料を、陽極３上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
【０１２８】
正孔注入層形成用材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることもできる。かかる塗布法を用いることにより、正孔注入層４Ｒを比較的容易に形成することができる。
正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。
【０１２９】
［６］  次に、図４（ａ）に示すように、陽極３同士の間に、隔壁４１を形成する。
隔壁４１は、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、薄膜の接合等を用いて形成することができる。
【０１３０】
［７］  次に、図４（ｂ）に示すように、正孔輸送層５と第１の発光層６と中間層７と第２の発光層８と第３の発光層９と電子輸送層１０と電子注入層１１と陰極１２と陰極カバー４４とをこの順で積層して形成する。すなわち、積層体１５のうち正孔注入層４を除いた層と陰極１２と陰極カバー４４とを形成する。これにより、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが得られる。このような複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、層構成がほぼ互いに同じであるため、比較的少なくかつ簡単な製造工程で済む。
【０１３１】
以下、本工程［７］をより具体的に説明する。
［７−１］  まず、正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）上に正孔輸送層５を形成する。
正孔輸送層５は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔輸送層形成用材料を、正孔注入層４上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
【０１３２】
［７−２］  次に、正孔輸送層５上に、第１の発光層６を形成する。
第１の発光層６は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
［７−３］  次に、第１の発光層６上に、中間層７を形成する。
中間層７は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
【０１３３】
［７−４］  次に、中間層７上に、第２の発光層８を形成する。
第２の発光層８は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
［７−５］  次に、第２の発光層８上に、第３の発光層９を形成する。
第３の発光層９は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
【０１３４】
［７−６］  次に、第３の発光層９上に電子輸送層１０を形成する。
電子輸送層１０は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、電子輸送層１０は、例えば、電子輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる電子輸送層形成用材料を、第３の発光層９上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
【０１３５】
［７−７］  次に、電子輸送層１０上に、電子注入層１１を形成する。
電子注入層１１の構成材料として無機材料を用いる場合、電子注入層１１は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセス、無機微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
［７−８］  次に、電子注入層１１上に、陰極１２を形成する。
陰極１２は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
【０１３６】
［７−９］  次に、陰極１２上に、陰極カバー４４を形成する。
陰極カバー４４は、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、薄膜の接合等を用いて形成することができる。
以上のような工程を経て、発光装置１０１が得られる。
【０１３７】
＜Ｃ＞発光装置と基板とを接合する工程
［８］  その後、図４（ｃ）に示すように、発光装置１０１とカラーフィルタ１０２とを樹脂層４５を介して接合する。これにより、表示装置１００が得られる。
以上のような工程を経て、表示装置１００が得られる。
このような表示装置１００によれば、発光素子１Ｒの正孔注入層４Ｒと発光素子１Ｇ、１Ｂの正孔注入層４Ｇ、４Ｂとの正孔注入性の程度を互いに異ならせ、それによって、発光素子１Ｒの発光部１６と発光素子１Ｇ、１Ｂの発光部１６との発光特性を互いに異ならせることにより、正孔注入層４以外の層において発光素子１Ｒおよび発光素子１Ｇ、１Ｂの層構成を互いに同じ構成としても、発光素子１Ｒの発光部１６の発光スペクトルと発光素子１Ｇ、１Ｂの発光部１６の発光スペクトルとを異ならせることができる。
【０１３８】
そのため、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの製造をそれぞれ容易なものとしつつ、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの発光部１６の発光スペクトルを、対応するフィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂの透過に適したものとすることができる。
また、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの発光部１６がそれぞれ複数の発光層を備えるので、発光部１６の発光に寄与する部位（具体的には発光層間および発光層とその隣接する層との間の界面付近）の数を多くすることができる。そのため、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの発光部１６の負荷をそれぞれ抑えることができる。その結果、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの劣化を防止または抑制して、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの長寿命化を図ることができる。
これらのようなことから、表示装置１００の製造の歩留まりを良好なものとしつつ、表示装置１００の高発光効率化および長寿命化を図ることができる。
以上説明したような表示装置１００（本発明の表示装置）は、各種の電子機器に組み込むことができる。このような電子機器は、優れた信頼性を有する。
【０１３９】
図５は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【０１４０】
図６は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【０１４１】
図７は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１４２】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【０１４３】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１４４】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１４５】
なお、本発明の電子機器は、図５のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図６の携帯電話機、図７のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１４６】
以上、本発明の表示装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、前述した実施形態では、各発光素子が３層の発光層を有するものについて説明したが、発光層が１層、２層または４層以上であってもよい。また、発光層の発光色としては、前述した実施形態のＲ、Ｇ、Ｂに限定されない。発光層が２層または４層以上である場合でも、各発光層の発光スペクトルを適宜設定することで、白色発光させることができる。例えば、発光層が２層である場合、青色の発光層と黄色の発光層とを組み合わせることで、白色発光させることができる。
【実施例】
【０１４７】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．発光素子（発光装置）の製造
（実施例）
＜１＞  まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、反射層および腐食防止層をこの順で形成した。
ここで、反射膜の構成材料としてＡｌＮｄを用い、腐食防止層（保護層）の構成材料としてＳｉＮを用いた。また、反射層の平均厚さは７０ｎｍ、腐食防止層の平均厚さは７０ｎｍであった。
【０１４８】
＜２＞  次に、腐食防止層上に、スパッタ法による成膜とエッチングとの組み合わせにより、各画素毎に、陽極（ＩＴＯ膜）を形成した。
ここで、各画素のＩＴＯ膜の平均厚さを１００ｎｍとした。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１４９】
＜３＞  次に、Ｇ、Ｂ画素に対応する陽極上に、上記式（４−４）で表わされる化合物を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５０ｎｍの正孔注入層を形成した。
＜４＞  次に、Ｒ画素に対応する陽極上に、上記式（４−１）で表わされる化合物を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５０ｎｍの正孔注入層を形成した。
＜５＞  次に、Ｒ、Ｇ、Ｂ画素の各正孔注入層上に、赤色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ７ｎｍの赤色発光層（第１の発光層）を形成した。赤色発光層の構成材料としては、赤色発光材料（ゲスト材料）として上記式（６−１）で表わされる化合物を用い、ホスト材料として上記式（６ａ−１）で表わされる化合物を用いた。また、赤色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、３．０ｗｔ％とした。
【０１５０】
＜６＞  次に、赤色発光層上に、中間層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの中間層を形成した。中間層の構成材料としては、アミン系材料として上記式（５−１）で表されるＮＰＤを用いた。
＜７＞  次に、中間層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの青色発光層（第２の発光層）を形成した。青色発光層の構成材料としては、青色発光材料として上記式（８−１）で表わされる化合物を用い、ホスト材料として上記式（６ａ−２）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中の青色発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、３．０ｗｔ％とした。
【０１５１】
＜８＞  次に、青色発光層上に、緑色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの緑色発光層（第３の発光層）を形成した。緑色発光層の構成材料としては、緑色発光材料（ゲスト材料）として上記式（９−１）で表わされる化合物を用い、ホスト材料として上記式（６ａ−２）で表わされる化合物を用いた。また、緑色発光層中の緑色発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、３．０ｗｔ％とした。
【０１５２】
＜９＞  次に、緑色発光層上に、上記式（１０−２）で表わされるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）と、上記式（１０−１）で表わされる化合物（Ｂ−Ｐｈｅｎ）とをこの順で真空蒸着法により成膜し、平均厚さ２５ｎｍの電子輸送層を形成した。ここで、１５と、上記式（１０−２）で表わされるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で形成された層（第１の電子輸送層）の平均厚さは、１５ｎｍであり、上記式（１０−１）で表わされる化合物（Ｂ−Ｐｈｅｎ）で形成された層（第１の電子輸送層）の平均厚さは、１０ｎｍであった。
【０１５３】
＜１０＞  次に、電子輸送層上に、ＬｉＦを真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの陰極を形成した。
＜１１＞  次に、電子注入層上に、ＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１０ｎｍの陰極（半透過層）を形成した。
以上のようにしてＲ、Ｇ、Ｂの各画素毎の発光素子を基板上に形成した。これにより、発光装置が得られた。
【０１５４】
（比較例）
Ｒ、Ｇ、Ｂ画素の発光素子の全てにおいて、正孔注入層の構成材料として上記式（４−４）で表わされる化合物を用い、正孔注入層の平均厚さを４０ｎｍとするとともに、正孔注入層と第１の発光層との間に、上記式（５−１）で表わされる化合物（α−ＮＰＤ）を用いて平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層を形成した以外は、前述した実施例と同様にして発光素子（発光装置）を製造した。
【０１５５】
２．評価
実施例および比較例の発光装置について、それぞれ、Ｒ、Ｇ、Ｂの各画素に対応するＲ、Ｇ、Ｂのフィルタ部を備えるカラーフィルタと組み合わせた状態で、Ｒ、Ｇ、Ｂの各フィルタ部を透過した光の輝度を測定した。
その結果を表１に示す。なお、表１において、「効率改善度」とは、比較例の上記輝度の評価結果を基準（１）とし、上記輝度の評価結果を示したものである。
【０１５６】
【表１】
2011108531.tif 000019
【０１５７】
また、上記カラーフィルタと組み合わせない状態において、実施例および比較例の発光装置について、各画素の発光スペクトルを図８に示す。
表１から明らかなように、実施例の発光装置（表示装置）は、比較例の発光装置（表示装置）に比し、効率が改善されていることがわかる。
また、図８に示すように、実施例の発光装置では、Ｒ画素の発光素子がＲのフィルタ部に適した発光スペクトルを有するとともに、Ｇ、Ｂ画素の発光素子がＧ、Ｂのフィルタ部に適した発光スペクトルを有している。
【符号の説明】
【０１５８】
１、１Ｂ、１Ｇ、１Ｒ……発光素子  ３……陽極  ４、４Ｂ、４Ｇ、４Ｒ……正孔注入層  ５……正孔輸送層  ６……赤色発光層  ７……中間層  ８……青色発光層  ９……緑色発光層  １０……電子輸送層  １１……電子注入層  １２……陰極  １５、１５Ｂ、１５Ｇ、１５Ｒ……積層体  １６……発光部  １９Ｂ、１９Ｇ、１９Ｒ……フィルタ部  ２０……封止基板  ２１……基板  ２２……平坦化層  ２４……スイッチング素子  ２４１……半導体層  ２４２……ゲート絶縁層  ２４３……ゲート電極  ２４４……ソース電極  ２４５……ドレイン電極  ２７……配線  ４１……隔壁  ４２……反射膜  ４３……腐食防止膜  ４４……陰極カバー  ４５……樹脂層  ３６……遮光層  １００……表示装置  １００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ……サブ画素  １０１……発光装置  １０２……カラーフィルタ  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース（ボディー）  １３０４……受光ユニット  １３０６……シャッタボタン  １３０８……回路基板  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……データ通信用の入出力端子  １４３０……テレビモニタ  １４４０……パーソナルコンピュータ  Ｍ１、Ｍ２……マスク  ＭＢ、ＭＧ、ＭＲ……開口  ＷＢ、ＷＧ、ＷＲ……光
【図１】
2011108531.tif 000020
【図２】
2011108531.tif 000021
【図３】
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【図４】
2011108531.tif 000023
【図５】
2011108531.tif 000024
【図６】
2011108531.tif 000025
【図７】
2011108531.tif 000026
【図８】
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