【事件の表示】
　特願２０１４−　７５３１２「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　８月　７日出願公開、特開２０１４−１４３４３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年１０月２１日を出願日とする出願である特願２０１０−２３６３８９号（以下、「原出願」という。）の一部を、平成２６年４月１日に新たな出願としたものであって、同日付で審査請求がなされ、平成２７年１月２３日付で拒絶理由が通知され、同年３月２６日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされ、同年１２月１６日付で拒絶査定がなされたものである。
　これに対して、平成２８年３月１４日付で拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
第２　平成２８年３月１４日付の手続補正についての却下の決定
［補正却下の結論］
　平成２８年３月１４日付の手続補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　平成２８年３月１４日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）により補正された特許請求の範囲の請求項１に係る記載は次のとおりである。（なお、下線は、補正の箇所を示すものとして審判請求人が付加したものである。）
「第１導電型半導体基板の一方の主面に、格子状の平面パターンの第２導電型拡散層を備え、他方の主面に、前記格子状の平面パターンと同ピッチの格子状の平面パターンを備え、該他方の主面に平行であって前記第２導電型拡散層が露出する底面と該底面から立ち上がるテーパー状の側辺面とで構成されるＶ字溝を有し、該テーパー状の側辺面に囲まれる前記他方の主面に第２導電型半導体層を備え、前記側辺面に沿って、前記一方の主面の前記第２導電型拡散層と前記他方の主面の前記第２導電型半導体層とを導電接続する第２導電型分離層を備え、前記Ｖ字溝の、
半田で接合される
（２）補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に係る記載は次のとおりである。
「第１導電型半導体基板の一方の主面に、格子状の平面パターンの第２導電型拡散層を備え、他方の主面に、前記格子状の平面パターンと同ピッチの格子状の平面パターンを備え、該他方の主面に平行であって前記第２導電型拡散層が露出する底面と該底面から立ち上がるテーパー状の側辺面とで構成されるＶ字溝を有し、該テーパー状の側辺面に囲まれる前記他方の主面に第２導電型半導体層を備え、前記側辺面に沿って、前記一方の主面の前記第２導電型拡散層と前記他方の主面の前記第２導電型半導体層とを導電接続する第２導電型分離層を備え、前記Ｖ字溝の、テーパー状の前記側辺面と前記底面との交差部およびテーパー状の前記側辺面同士が交差するコーナー部の４隅が面取り形状を有していることを特徴とする半導体装置。」
２　補正の適否について
（１）補正の目的について
　補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）は、補正前の請求項１に係る発明に対応し、本件補正発明は、補正前の請求項１に係る発明に次の補正がなされたものである。
（ａ）補正前の請求項１の「テーパー状の前記側辺面と前記底面との交差部およびテーパー状の前記側辺面同士が交差するコーナー部の４隅」を「
半田で接合される
　補正事項（ａ）について検討すると、補正事項（ａ）により加えられた部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項（ａ）は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項（ａ）は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項（ａ）は、補正前の「テーパー状の前記側辺面」について、「
半田で接合される
　そこで、本件補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
（２）進歩性について
ａ．引用例１について
ア．引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、国際公開第２００９／１３９４１７号（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。（なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。）
（ア）「[0052]　
図１は、この発明の第１実施例の半導体装置の断面図であり、同図（ａ）はｐ分離層近傍の要部断面図
この半導体装置は逆阻止ＩＧＢＴを例として挙げた。
ｎ半導体基板１と、ｎ半導体基板１の第１主面２の表面の外周部に形成されるｐ拡散層４
第２主面３の表面層に形成されるｐコレクタ層８
ｐ拡散層４とｐコレクタ層８に接して半導体基板１の第２側壁７の表面層に形成されるｐ分離層９で構成される。
[0053]　半導体基板１の側壁は第１主面２に垂直にダイシング切断された第１側壁１０とこの第１側壁１０と接し第２主面３と接する第２側壁７で構成される。第２側壁７は第１側壁１０と接続する第１箇所ａとこの第１箇所ａと第２主面３と接続しｐ分離層９が形成される第２箇所ｂで構成される。
[0054]　第１主面２と第１側壁１０の角度は９０°であり、第１側壁１０と第２側壁７の第１箇所ａとの角度θ１は９０°である。第２箇所７の第１箇所ａと第２箇所ｂとの角度θ２は９０°超であり、第２箇所ｂと第２主面３との角度θ３は第１主面２と第１箇所ａが平行であるためθ２と等しい。
[0055]　なお、第１側壁１０はダイシング面であり凹凸が存在するため角度を表す場合は、凹凸を平均化した平面（図では上下の直線）を第１側壁１０の面とした。図示するように、θ１、θ３は半導体基板１が存在する側、θ２は半導体基板１が存在しない側での角度である。また、θ１は第１側壁１０を基準とした角度であり、θ２は第１箇所ａを基準とした角度であり、θ３は第２主面３を基準とした角度である。
[0056]　前記のｐ拡散層４の深さは、耐圧クラスが１２００Ｖの逆阻止ＩＧＢＴの場合、３０μｍ〜１７０μｍ（好ましくは７０μｍ程度）であり、第１側壁１０の厚さはこのｐ拡散層４が露出するように形成されるため、ｐ拡散層４の深さより小さくなる。つまり、第１側壁１０の厚みは１０μｍ〜１５０μｍ（好ましくは５０μｍ程度）である。また、第１側壁１０は、ダイシング刃もしくはレーザー光で切断された後述の残膜４３の側壁であり、その表面はダイシング面もしくはレーザー面である。レーザー面とは、レーザーダイシングによるダイシング面をいう。一方、第２側壁７は、後述の溝４１の内壁でありエッチング面である。
[0057]　活性領域５に形成されるデバイス表面構造６は、図１に示すように、ｎ半導体基板１の表面層に形成されたｐウエル領域１１と、ｐウエル領域１１の表面層に形成されるｎエミッタ領域１２と、ｎエミッタ領域１２とｎ半導体基板１に挟まれるｐウエル領域１１上にゲート絶縁膜１３を介して形成されるゲート電極１４とを備えている。
[0058]　なお、ここではゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４はｎエミッタ領域１２の一部上、ｐウエル領域１１上およびｎ半導体基板１上に形成されている。また、ゲート絶縁膜１３とゲート電極１４を合わせたゲート構造の集合体を以後便宜的にＭＯＳゲート構造１９と称す。この例では、ゲート絶縁膜１３を図１（ｂ）に示すように、平坦に形成したが、ｎ半導体基板１の表面に溝を形成し、この溝の表面にゲート絶縁膜１３を形成して、所謂、トレンチゲート構造としてもよい。
[0059]　また、ゲート電極１４が被覆される層間絶縁膜１５と、ｎエミッタ領域１２とｐウエル領域１１に接して前記層間絶縁膜１５上に形成されるエミッタ電極１６と、エミッタ電極１６上とｐ拡散層４上などの表面全域に形成されるパッシベーション膜１７とを備えている。
[0060]　
図２は、形状の異なるダイシング刃とそれで加工された半導体基板の要部断面図であり、同図（ａ）〜同図（ｃ）はダイシング刃の断面図であり、同図（ａ）はＶ字状の場合、同図（ｂ）は逆台形状の場合、同図（ｃ）はＵ字状の場合であり、同図（ｄ）〜同図（ｆ）は半導体基板の断面図であり、同図（ｄ）はＶ字状の場合、同図（ｅ）は逆台形状の場合、同図（ｆ）はＵ字状の場合である。
[0061]　ダイシング刃３１、３２、３３の断面形状は、それぞれＶ字状、逆台形状およびＵ字状をしている。また、図２（ｄ）〜（ｆ）の半導体基板１の断面図は、図示の都合上第１主面２を下に第２主面３を上に示し上下が逆転している。
[0062]同図（ｄ）において、第２側壁７は直線であり、第１側壁１０と第２側壁７の接続部での角度θ１１は９０°超である（好ましくは１４０°〜１６０°程度がよい）。また、第２主面２と第２側壁７の接続部での角度θ３１は９０°超である（好ましくは１１０°〜１３０°程度がよい）。
[0063]同図（ｅ）において、前記したように第２側壁７は折れ線であり、第１側壁１０との接続部での角度θ１２は９０°である。また、第２主面３との接続部での角度θ３２は９０°超（好ましくは１１０°〜１３０°程度がよい）である。
[0064]　同図（ｆ）において、第２側壁７は曲線であり、第１側壁１０と第２側壁７の接触部での角度θ１３はほぼ９０°である。また、第２主面３と第２側壁７の接触部の角度θ３３はほぼ９０°である。
[0065]　前記の第２主面３と第２側壁７の接続部での角度θ３１〜θ３３が９０°に近くなると、ｐ分離層９を形成するためのイオン注入において、第２側壁７に打ち込まれるボロンのドーズ量が低下して高濃度のｐ分離層９を得ることが困難になる。そのため、第２主面３と第２側壁７の接続部での角度θ３１〜θ３３は１１０°〜１３０°程度が望ましい。
[0066]　また、この角度θ３１〜θ３３が１４０°以上に大きくなると溝の開口部の幅が半導体基板１の厚さ程度に広がり、チップサイズが小さい場合は、第２主面３に形成されるｐコレクタ層８の面積が減少するので好ましくない。なお、
この第１実施例で使用したダイシング刃の形状は逆台形の場合（図２（ｂ））である。
[0067]　さらに、前述の内容を製造方法も交えて詳しく図３を用いて説明する。
図３は、ウェハの裏面から未貫通の逆台形溝を形成した裏面の溝形状であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＸ１〜Ｘ１線で切断した要部断面図、同図（ｃ）は同図（ａ）のＸ２〜Ｘ２線で切断した要部断面図である。
図１で用いた符号の２および３をウェハ４０の第１主面（おもて面）および第２主面（裏面）としても用いた。
[0068]　実施例１において、ウェハ４０に形成された溝４１の深さは、図３（ｂ）、（ｃ）に示すようにチップ形成領域４２（多数のチップが形成される領域）とウェハ４０の外周部４４（チップが形成されない領域）で同じ深さであり、すべての溝４１はウェハ４０の外周端４５まで達している。
[0069]　ここでは、
ウェハ４０とは、ダイシング領域（溝４１の箇所と重なる）に沿って切断する前の状態の半導体基板をいう。
[0070]　
予めダイシング領域表面（溝４１が形成される側と反対側の面で第１主面２）から深さ３０μｍ〜１７０μｍの範囲の図１で示すｐ拡散層４を熱拡散により形成しておき、
裏面（第２主面３）よりダイシング刃（ブレード）によるハーフカット（ダイサーによるハーフカット、あるいは切削ブレードによるハーフカット：ハーフカットとは完全にウェハ４０を切断しないこと）により、図３（ｂ）、（ｃ）に示すように、ウェハ４０を貫通しないように溝４１を形成する。
[0071]　つまり、溝４１でウェハ４０が分断されずに一体として保持できる程度に残膜４３としてウェハ４０の一部を残す。この残膜４３の厚さは、前記したように、ｐ拡散層４の深さに合わせて１０μｍ〜１５０μｍとし、
ｐ拡散層４に溝４１の先端が達するように溝４１を形成する。
[0072]　このとき、図３（ｂ）、（ｃ）で示すように、ウェハ４０の外周部４４の溝４１の深さは同じにする。
形成された溝４１の側壁（第２側壁７）にハーフカットに伴って形成されるダメージ層４７（図７参照）は、１μｍ〜２０μｍ（好ましくは、１μｍ〜１５μｍ）である。このダメージ層４７を、酸エッチングあるいはドライエッチングによって除去する。
[0073]　
ダメージ層４７が除去された溝４１の第２側壁７とウェハ４０の裏面（第２主面３）に、イオン注入とレーザーアニールによりｐ分離層９とｐコレクタ層８をそれぞれ形成し、
[0074]　また、
イオン注入による不純物量やアニールによるドーパント量や、ダイシングおよびダイシング後のプロセス工程におけるウェハの割れ・欠けを抑制することを目的として、ダイシング刃の形状を
Ｕ字状（図２の符号３３）と変える。
（イ）図２
（ウ）図３
　上記（ア）ないし（ウ）の記載から次のことが言える。
（あ）上記（ア）[0052]の記載から、引用例１に記載された発明は、逆阻止ＩＧＢＴに関する発明であることがわかる。
　また、逆阻止ＩＧＢＴは、ｎ半導体基板１と、ｎ半導体基板１の第１主面２の表面の外周部に形成されるｐ拡散層４と、第２主面３の表面層に形成されるｐコレクタ層８と、ｐ拡散層４とｐコレクタ層８に接して半導体基板１の第２側壁７の表面層に形成されるｐ分離層９を有していることがわかる。
（い）上記（ア）[0060]，[0066]および（イ）の記載から、引用例１に記載された発明では、ダイシングに使われるダイシング刃の形状は逆台形状が使われており、ダイシングされた基板の断面は逆台形となることがわかる。
（う）上記（ア）[0067]，[0069]および（ウ）の記載から、引用例１に記載された発明である、ダイシング領域（溝４１の箇所と重なる）に沿って切断される前の半導体であるウェハ４０は、格子状の溝４１を有し、第１主面（おもて面）２および第２主面（裏面）３を有していることがわかる。
（え）上記（ア）[0070]の記載から、引用例１に記載された発明は、予めダイシング領域表面（溝４１が形成される側と反対側の面で第１主面２）からｐ拡散層４を形成していることがわかる。
　そして、上記（う）から、このウェハ４０に形成されたｐ拡散層４は、格子状に形成されていることがわかる。
（お）上記（ア）[0070]，[0071]の記載から、引用例１に記載された発明であるウェハ４０は、裏面（第２主面３）よりダイシング刃（ブレード）によるハーフカットにより、ウェハ４０のｐ拡散層４に溝４１の先端が達するように溝４１を形成されていることがわかる。
（か）上記（ア）[0072]の記載から、引用例１に記載された発明は、ハーフカットに伴って形成されるダメージ層を酸エッチングあるいはドライエッチングによって除去することがわかる。
（き）上記（ア）[0073]の記載から、引用例１に記載された発明は、ダメージ層が除去された溝４１の第２側壁７とウェハ４０の裏面（第２主面３）にｐ分離層９とｐコレクタ層８をそれぞれ形成していることがわかる。
（く）上記（ア）[0074]の記載から、引用例１では、イオン注入による不純物量やアニールによるドーパント量や、ダイシングおよびダイシング後のプロセス工程におけるウェハの割れ・欠けを抑制することを目的として、ダイシング刃の形状をＵ字状とすることがわかる。
イ．引用例１発明および引用例１記載事項について
（ア）引用例１発明
　上記ア．（あ）ないし（き）の事項を踏まえると、引用例１には、実質的に次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ｎ半導体基板１の第１主面（おもて面）２に、格子状のｐ拡散層４を形成し、
　裏面（第２主面３）より逆台形状のダイシング刃（ブレード）によりウェハ４０をハーフカットし、ウェハ４０のｐ拡散層４に逆台形の溝４１の先端が達するように格子状の逆台形の溝４１を形成し、
　ハーフカットに伴って形成されるダメージ層を酸エッチングあるいはドライエッチングによって除去し、
　ダメージ層が除去された溝４１の第２側壁７とウェハ４０の裏面（第２主面３）にｐ分離層９とｐコレクタ層８をそれぞれ形成する、
　逆阻止ＩＧＢＴを作製する為のウェハ。」
（イ）引用例１記載事項
　上記ア．（く）の事項を踏まえると、引用例１には、実質的に次の事項（以下、「引用例１記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「イオン注入による不純物量やアニールによるドーパント量や、ダイシングおよびダイシング後のプロセス工程におけるウェハの割れ・欠けを抑制することを目的として、ダイシング刃の形状をＵ字状とすること。」
ｂ．対比・判断
ｂ−１．本件補正発明と引用例１発明とを対比する。
（ア）引用例１発明の「ｎ半導体基板１」，「第１主面（おもて面）２」，格子状のダイシング領域表面に形成された「ｐ拡散層４」，「逆阻止ＩＧＢＴを作製する為のウェハ」は、本件補正発明の「第１導電型半導体基板」，「一方の主面」，「格子状の平面パターンの第２導電型拡散層」，「半導体装置」に相当する。
（イ）引用例１発明は、「裏面（第２主面３）より逆台形状のダイシング刃（ブレード）によりウェハ４０をハーフカットし、ウェハ４０のｐ拡散層４に溝４１の先端が達するように格子状の逆台形の溝４１を形成し」ているから、「逆台形の溝４１」の先端は、本件補正発明の「前記格子状の平面パターンと同ピッチの格子状の平面パターン」に相当する。
　また、「逆台形の溝４１」のウェハ４０のｐ拡散層４に溝４１の先端が達する部分は、本件補正発明の「該他方の主面に平行であって前記第２導電型拡散層が露出する底面」に相当し、さらに、引用例１発明の「逆台形の溝４１」のウェハ４０のｐ拡散層４に溝４１の先端が達する部分から立ち上がるテーパー状の側壁面が、本件補正発明の「該底面から立ち上がるテーパー状の側辺面」に相当すると認められるから、引用例１発明は、本件補正発明の「該他方の主面に平行であって前記第２導電型拡散層が露出する底面と該底面から立ち上がるテーパー状の側辺面とで構成されるＶ字溝」を有していると認められる。
（ウ）引用例１発明の「ｐコレクタ層８」は、裏面（第２主面３）の逆台形状のダイシング刃（ブレード）によりウェハ４０をハーフカットすることにより残った層であるから、本件補正発明の「該テーパー状の側辺面に囲まれる前記他方の主面」の「第２導電型半導体層」に相当すると認められる。
（エ）引用例１発明の「第２側壁７」は、逆台形状のダイシング刃（ブレード）によりウェハ４０をハーフカットすることにより形成された壁であるから、引用例１発明の「ｐ拡散層４」および「ｐコレクタ層８」と接続しており、また、「第２側壁７」には「ｐ分離層９」が形成されているから、「第２側壁７」に形成された「ｐ分離層９」は、「ｐ拡散層４」と「ｐコレクタ層８」を導通接続していると言える。
　そうすると、引用例１発明の「ｐ分離層９」は、本件補正発明の「前記側辺面に沿って、前記一方の主面の前記第２導電型拡散層と前記他方の主面の前記第２導電型半導体層とを導電接続する第２導電型分離層」に相当すると認められる。
ｂ−２．以上（ア）ないし（エ）のことから、本件補正発明と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
　
［一致点］
「第１導電型半導体基板の一方の主面に、格子状の平面パターンの第２導電型拡散層を備え、
他方の主面に、前記格子状の平面パターンと同ピッチの格子状の平面パターンを備え、
該他方の主面に平行であって前記第２導電型拡散層が露出する底面と該底面から立ち上がるテーパー状の側辺面とで構成されるＶ字溝を有し、
該テーパー状の側辺面に囲まれる前記他方の主面に第２導電型半導体層を備え、
前記側辺面に沿って、前記一方の主面の前記第２導電型拡散層と前記他方の主面の前記第２導電型半導体層とを導電接続する第２導電型分離層を備ることを特徴とする半導体装置。」
［相違点１］
　本件補正発明は、「前記Ｖ字溝の、」「テーパー状の前記側辺面と前記底面との交差部およびテーパー状の前記側辺面同士が交差するコーナー部の４隅が面取り形状を有している」のに対して、引用例１発明は対応する部分が面取り形状を有しているのか不明である点。
［相違点２］
　本件補正発明の「側辺面」は半田で接合されるのに対して、引用例１発明は対応する記載が無い点。
ｂ−３．以下、上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　引用例１発明では、「ハーフカットに伴って形成されるダメージ層を酸エッチングあるいはドライエッチングによって除去し」ているから、引用例１発明でも「前記Ｖ字溝の、」「テーパー状の前記側辺面と前記底面との交差部およびテーパー状の前記側辺面同士が交差するコーナー部の４隅が面取り」されると認められるので、相違点１は実質的相違点ではない。
　仮に、そうでないとしても、引用例１記載事項にあるように、「イオン注入による不純物量やアニールによるドーパント量や、ダイシングおよびダイシング後のプロセス工程におけるウェハの割れ・欠けを抑制することを目的として、ダイシング刃の形状をＵ字状とすること。」は公知の技術である。
　引用例１発明において、ダイシング後のプロセス工程におけるウェハの割れ・欠けを抑制することは、自明の課題であるから、この課題を解決するために、上記公知技術を採用し、ダイシング刃の形状をＵ字状とすることは、当業者が容易に為し得たことであると認められる。
　そして、ダイシング刃の形状をＵ字状とした際に、引用例１発明において「前記Ｖ字溝の、」「テーパー状の前記側辺面と前記底面との交差部およびテーパー状の前記側辺面同士が交差するコーナー部の４隅が面取り形状」となることは、当業者に明らかであると認められる。
　そうすると、引用例１発明において、「前記Ｖ字溝の、」「テーパー状の前記側辺面と前記底面との交差部およびテーパー状の前記側辺面同士が交差するコーナー部の４隅が面取り形状」とすることは、当業者が適宜為し得た事項であると認められる。
［相違点２］について
　「逆阻止ＩＧＢＴ」の利用に際して、チップ裏面を基板に半田付けすることは、適宜行われている周知技術である。
　そうすると、引用例１発明の「逆阻止ＩＧＢＴを作製する為のウェハ」において、作製されたウェハを切断し個片化し逆阻止ＩＧＢＴチップとした際に、その利用の為に、チップ裏面、すなわち、本件補正発明の「側辺面」に相当する面に、半田を用いて基板に接合することは、当業者が普通に行い得る事項である。
ｃ．進歩性についての結論
　したがって、本件補正発明は、引用例１発明及び引用例１に記載された技術もしくは周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　むすび
　「２　補正の適否について」で検討したとおり、本件補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　補正却下の決定を踏まえた検討
（１）本願発明
　平成２８年３月１４日付の手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２７年３月２６日付の手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「第１導電型半導体基板の一方の主面に、格子状の平面パターンの第２導電型拡散層を備え、他方の主面に、前記格子状の平面パターンと同ピッチの格子状の平面パターンを備え、該他方の主面に平行であって前記第２導電型拡散層が露出する底面と該底面から立ち上がるテーパー状の側辺面とで構成されるＶ字溝を有し、該テーパー状の側辺面に囲まれる前記他方の主面に第２導電型半導体層を備え、前記側辺面に沿って、前記一方の主面の前記第２導電型拡散層と前記他方の主面の前記第２導電型半導体層とを導電接続する第２導電型分離層を備え、前記Ｖ字溝の、テーパー状の前記側辺面と前記底面との交差部およびテーパー状の前記側辺面同士が交差するコーナー部の４隅が面取り形状を有していることを特徴とする半導体装置。」
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１には、上記「第２　［理由］２（２）ａ．」に記載したとおりの事項が記載されている。
（３）対比・判断
　本願発明は、上記「第２　［理由］」で検討した本件補正発明から、上記「第２　［理由］２（１）」に記載した補正事項（ａ）に係る限定を省いたものである。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、更に他の要件を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「第２　［理由］２（２）」に記載したとおり、引用例１発明及び引用例１記載の公知技術もしくは周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１発明および引用例１記載の公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１発明および引用例１記載の公知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。