(57)【要約】【課題】  近隣チップへの余剰インプリント材料の漏出を抑制し、かつ隣接ショット間の寸法を小さくすることが可能なパターン転写方法を提供する。【解決手段】  テンプレートの凹凸パターンにレジスト材料を充填するパターン転写方法であって、前記テンプレートは所定の領域に貫通溝を有し、前記テンプレートを基板上に塗布された前記レジスト材料に接触させる工程と、前記レジスト材料に前記テンプレートを接触させた状態で余剰な前記レジスト材料を前記貫通溝から吸引する工程と、前記レジスト材料を吸引後、前記レジスト材料に前記テンプレートを接触させた状態で前記レジスト材料を硬化させる工程と、前記レジスト材料から前記テンプレートを離す工程とを有することを特徴とするパターン転写方法。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
テンプレートの凹凸パターンにレジスト材料を充填するパターン転写方法であって、
前記テンプレートは所定の領域に貫通溝を有し、
前記テンプレートを基板上に塗布された前記レジスト材料に接触させる工程と、
前記レジスト材料に前記テンプレートを接触させた状態で余剰な前記レジスト材料を前記貫通溝から吸引する工程と、
前記レジスト材料を吸引後、前記レジスト材料に前記テンプレートを接触させた状態で前記レジスト材料を硬化させる工程と、
前記レジスト材料から前記テンプレートを離す工程とを有することを特徴とするパターン転写方法。
【請求項２】
テンプレートの凹凸パターンにレジスト材料を充填するパターン転写方法であって、
前記テンプレートは所定の領域に貫通溝を有し、
前記テンプレートを基板上に塗布された前記レジスト材料に接触させる工程と、
前記レジスト材料に前記テンプレートを接触させた状態で前記レジスト材料を硬化させる工程と、
前記レジスト材料を硬化後、前記レジスト材料に前記テンプレートを接触させた状態で余剰な前記レジスト材料を前記貫通溝から吸引する工程と、
前記レジスト材料から前記テンプレートを離す工程とを有することを特徴とするパターン転写方法。
【請求項３】
余剰な前記レジスト材料に光が照射されないように前記レジスト材料を硬化させることを特徴とする請求項２記載のパターン転写方法。
【請求項４】
前記貫通溝は、転写パターンが形成された転写パターン領域の周囲に、少なくとも前記転写パターン領域の各辺と同じ長さの吸引溝９が前記転写パターン領域に対向して形成されていることを特徴とする請求項１乃至３記載のいずれか１項記載のパターン転写方法。
【請求項５】
転写パターン及び非パターン領域を有するテンプレートを、ショット毎に被加工基板上のレジスト材料に接触させ、前記パターンを順次転写していくパターン転写方法であって、
前記ショットのうち、隣接する二つのショットにおいて前記非パターン領域の少なくとも一部が重複するように配置されることを特徴とするパターン転写方法。
【請求項６】
前記重複した非パターン領域に形成される前記レジスト材料の膜厚は、前記重複した非パターン領域外の非パターン領域に形成される前記レジスト材料の膜厚と等しいことを特徴とする請求項５記載のパターン転写方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン転写方法、特に微細なパターンを転写するためのインプリントリソグラフィ技術を用いたパターン転写方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造プロセスにおいて、微細パターンの形成と、量産性とを両立させる技術として、被転写基板に原版の型を転写するナノインプリント技術が注目されている。ナノインプリント方法は、転写すべきパターンを形成した原版の型（テンプレート）を、被処理基板上に塗布されているレジストに押し当て、その後レジストを硬化させることにより、レジストに原版に形成されたパターンを転写する方法である。
【０００３】
インプリント剤の種類（硬化方法）によって、インプリントリソグラフィは、光（ＵＶ）インプリントや、熱インプリントなどに分類される。光インプリントリソグラフィは、被処理基板上に光硬化性インプリント剤を塗布する工程と、この被処理基板と透光性のテンプレートとを位置合わせする工程（アライメント）と、光硬化性インプリント剤にテンプレートを接触させる工程と、この状態で光照射により光硬化性インプリント剤を硬化する工程と、硬化した光硬化性インプリント剤（レジストパターン）からテンプレートを離す工程（離型）とを含む。
【０００４】
被加工基板に塗布されたインプリント剤を、一度テンプレートと接触させることを１ショットという。上記一連の工程により、１ショットで形成されたレジストパターンが得られる。この一連の工程をステップアンドリピートすることにより、被加工基板上に規則的に並んだインプリントレジストパターンが形成される。その後、光硬化性レジストの残膜を除去する残膜除去工程を行った後、このレジストパターンをマスクにして被加工基板をエッチングする。この方法では、インプリント剤はショットごとに被加工基板上に塗布される。
【０００５】
インプリントレジストの塗布方法には、スピンコート方式とインクジェット方式とがある。インクジェット方式の場合、液滴状のインプリント剤が被加工基板上に塗布される。この際、インプリントするパターンの密度なども考慮して、被加工基板と対向するテンプレートの表面に形成された所定のパターン（以下、インプリント用パターンという。）の内部にインプリント剤が行き渡るように、塗布量が制御される。
【０００６】
しかしインクジェット方式の場合、ピコリットルオーダーの塗布量制御が求められるため、塗布量にばらつきを生じることがあった。そのため近隣のショットとの境界部に所定の領域（以下、隙間領域という。）を設け、余剰分のインプリント材料がはみ出して隣接したパターン領域への漏出を抑制している。
【０００７】
一方で、隙間領域を大きくとると、インプリント剤の残膜除去時に、隙間領域にダメージを与えてしまうことが問題となる。また、１枚のウェハ上に形成できるチップの数が減少してしまうため隙間領域をなるべく小さくすることが望ましい。特許文献１には、パターンとは別に余剰なインプリント剤を吸収するためのダミー溝を形成し、近隣チップへの余剰インプリント剤の漏出を防ぐことが出来るパターン形成用テンプレートが開示されている。
【０００８】
しかし、上記の技術を用いてもダミー溝内に余剰なインプリント剤のみを充填させることは困難であり、余剰インプリント剤の量を正確に制御することが難しいため塗布量にばらつきが生じた場合には、パターンの加工等に支障をきたし、歩留まりの低下を招くという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００８−９１７８２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
近隣チップへの余剰インプリント材料の漏出を抑制し、かつ隣接ショット間の寸法を小さくすることが可能なパターン転写方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様によるパターン転写方法は、テンプレートの凹凸パターンにレジスト材料を充填するパターン転写方法であって、前記テンプレートは所定の領域に貫通溝を有し、前記テンプレートを基板上に塗布された前記レジスト材料に接触させる工程と、前記レジスト材料に前記テンプレートを接触させた状態で余剰な前記レジスト材料を前記貫通溝から吸引する工程と、前記レジスト材料を吸引後、前記レジスト材料に前記テンプレートを接触させた状態で前記レジスト材料を硬化させる工程と、前記レジスト材料から前記テンプレートを離す工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の別態様によるパターン転写方法は、テンプレートの凹凸パターンにレジスト材料を充填するパターン転写方法であって、前記テンプレートは所定の領域に貫通溝を有し、前記テンプレートを基板上に塗布された前記レジスト材料に接触させる工程と、前記レジスト材料に前記テンプレートを接触させた状態で前記レジスト材料を硬化させる工程と、前記レジスト材料を硬化後、前記レジスト材料に前記テンプレートを接触させた状態で余剰な前記レジスト材料を前記貫通溝から吸引する工程と、前記レジスト材料から前記テンプレートを離す工程とを有することを特徴とする。
【００１３】
さらに、本発明の別態様によるパターン転写方法は、転写パターン及び非パターン領域を有するテンプレートを、ショット毎に被加工基板上のレジスト材料に接触させ、前記パターンを順次転写していくパターン転写方法であって、前記ショットのうち、隣接する二つのショットにおいて前記非パターン領域の少なくとも一部が重複するように配置されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
近隣チップへの余剰インプリント材料の漏出を抑制し、かつ隣接ショット間の寸法を小さくすることが可能なパターン転写方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】インプリントリソグラフィによるパターン転写方法を模式的に示した工程図である。
【図２】インプリントリソグラフィによるパターン転写方法を模式的に示した工程図である。
【図３】本発明の第一の実施形態に係るパターン転写方法に用いるテンプレートを模式的に示した上面図及び断面図である。
【図４】本発明の第一の実施形態に係るパターン転写方法に用いるテンプレートを模式的に示した上面図である。
【図５】本発明の第一の実施形態に係るパターン転写方法に用いるテンプレートを模式的に示した上面図及び断面図である。
【図６】本発明の第一の実施形態に係るパターン転写方法を模式的に示した断面図である。
【図７】本発明の第一の実施形態に係るパターン転写方法を模式的に示した断面図である。
【図８】本発明の第一の実施形態に係るパターン転写方法を模式的に示した断面図である。
【図９】本発明の第一の実施形態に係るインプリント装置を模式的に示した断面図である。
【図１０】本発明の第二の実施形態に係るパターン転写方法に用いるテンプレートを模式的に示した上面図及び断面図である。
【図１１】本発明の第二の実施形態に係るパターン転写方法を模式的に示した断面図である。
【図１２】本発明の第二の実施形態に係るパターン転写方法を模式的に示した断面図である。
【図１３】本発明の第二の実施形態に係るパターン転写方法に用いるテンプレートを模式的に示した上面図及び断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１７】
以下に、インプリントリソグラフィによるパターン転写方法について説明する。
【００１８】
まず、図１（ａ）に示すように、基板１上のパターン被転写膜２上に光硬化性の有機材料（レジスト）３が塗布される。なお、有機材料３の塗布はインクジェット方式の有機材料液滴の塗布による。
【００１９】
次に、図１（ｂ）に示すように、１ショット分のパターンが形成されたテンプレート４を有機材料３に接触させる。この後、図１（ｃ）に示すように、テンプレート４をウェハに接触させる。この状態で、テンプレート４の微細パターンに有機材料３が浸透するまでテンプレート４を保持する。
【００２０】
テンプレート４を接触させた直後は有機材料３の充填が不十分で、パターンの隅に充填欠陥が生じる。しかし、有機材料３は流動性を有しているため保持時間を長くすることで、毛細管現象によって有機材料３がパターンの隅々まで行き渡る。この状態で、図１（ｄ）に示すように、光（ＵＶ）５を照射し、有機材料３を硬化させる。
【００２１】
テンプレート４を有機材料３から離した後、図２（ａ）に示すように、隣接するレジストパターン領域に有機材料３を塗布する。続いて、図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、隣接するレジストパターン領域に対しても同様にパターンを形成する。図２（ｄ）はテンプレート４を有機材料３から離した後の状態を示している。図２（ｄ）に示すように隣接したショット間に隙間領域が形成されることにより隣接したショット領域へのインプリント剤の漏出を抑制している。
【００２２】
本発明の一実施形態では、上記の隙間領域を小さく、より好ましくは無くすことが可能となるパターン転写方法を提案する。本発明の第１の実施形態に係るパターン転写方法について以下に説明する。
【００２３】
まず、本実施形態で用いるテンプレート６の上面図及び断面図を図３に示す。図３に示すようにテンプレート６の中心部には、例えば、ラインアンドスペースのデバイスパターンである転写パターンの凹凸が形成された転写パターン領域７と、非パターン領域８とからなる。なお、転写パターン領域７の周囲には通常位置合わせのためのアライメントマーク等が形成されているが、それらは省略して図示している。非パターン領域８には、転写パターン領域７を取り囲むように吸引溝９が設けられている。この転写パターン領域７によりウェハ上に転写された領域がチップ領域となる。
【００２４】
図３では吸引溝９は転写パターン領域７の角部を除き転写パターン７を取り囲むように連続的に形成されているが、吸引溝９の形状はこれに限定されず様々な形状が考えられる。少なくとも図４に示すように、転写パターン領域７の周囲に転写パターン領域の転写パターン領域の各辺と同じ長さの吸引溝９が対向して形成されることが望ましい。
【００２５】
なお、吸引溝９は必ずしもテンプレート６の上面と底面とに開口を有している貫通溝である必要はなく、図５に示すように、テンプレート６の底面と側面とに開口を有している貫通溝であっても構わない。
【００２６】
続いて、本発明の実施例１に係るナノインプリント法によるパターン転写方法を図６乃至図８を用いて以下に説明する。
【００２７】
まず、図６（ａ）に示すように、液体の光硬化性樹脂材料であるインプリント剤１３をインクジェット方式によって１ショット分塗布した被加工基板１１を用意する。被加工基板は、シリコン基板そのものであってもよいし、シリコン基板上にシリコン酸化膜、ｌｏｗ−ｋ（低誘電率）膜等の絶縁膜、或いは有機膜からなるマスク、等が形成されたものであってもかまわない。本実施形態では、被処理対象を絶縁膜１２とする。
【００２８】
次に、上記に記載した本実施形態で用いるテンプレート６を用意する。テンプレート６は、例えば、一般のフォトマスクに用いる全透明な石英基板にプラズマエッチングで凹凸のパターンを形成したものである。
【００２９】
続いて、被加工基板１１と図３に示したテンプレート６を用いて、図６（ｂ）に示すようにアライメント及びテンプレートと接触させる。図６（ｂ）において、図３に示したテンプレート６のパターンを形成した面は下を向いていて、インプリント剤１３と接触している。
【００３０】
図６（ｂ）に示すように、インプリント剤１３はテンプレート６に形成されたパターンの溝を満たすが、余剰なインプリント剤１３はチップ領域よりも外側に漏出する。本実施形態ではこの不要な余剰インプリント剤１３をテンプレート６に形成された吸引溝９より吸引して取り除く。それゆえ、絶縁膜１２上の近隣のショット領域には余剰なインプリント剤１３は漏出しない（図６（ｃ））。
【００３１】
ダミー溝により余剰インプリント剤１３を取り除く場合にはダミー溝の形状も考慮し、インプリント剤１３の塗布量を決定する必要があるが、本実施形態では吸引溝９により不要な部分のみを選択的に取り除くことが可能であるため、塗布量の詳細な制御を行う必要がない。
【００３２】
テンプレートと接触させた後、図６（ｄ）に示すように、ｉ線等のＵＶ光を照射してインプリント剤１３を光硬化させる。その後離型を行い、残膜除去の工程（図示せず）へと進み第一のレジストパターンが完成する。
【００３３】
離型した後、図７（ａ）に示すように、第一のレジストパターンに隣接するショット領域にインプリント剤１３を塗布する。続いて、図７（ｂ）及び図７（ｃ）に示すように、隣接するレジストパターン領域に対しても同様に第二のレジストパターンを形成する。隣接したショット間の距離を短くした場合には、図７（ｃ）に示すように余剰インプリント剤１３が隣接したショット領域の第一のレジストパターン上に漏出する可能性がある。従来この余剰インプリント剤１３により二重に覆われた領域が存在する場合、レジストパターンを除去する工程（アッシング）の後も、レジストが残存するおそれがあった。
【００３４】
しかし、本実施形態では、図７（ｄ）に示すように、隣接したショット領域のレジストパターン上に漏出した余剰インプリント剤１３を吸引溝９により選択的に取り除くことが可能であるため、隣接したショット間の距離を小さくすることができる。加えて、ショット外に漏れた余剰インプリント剤１３がテンプレート６の側壁（ショット境界の段差部の側壁）に付着することを抑制することが可能となる。テンプレート６の側壁に付着した余剰インプリント剤１３はテンプレート６の汚染の原因となり、欠陥の原因となる。本実施形態では、テンプレート６の側壁に付着した余剰インプリント剤１３を除去することが可能であるため、欠陥の発生を抑制することができる。
【００３５】
この後の工程は、第一のレジストパターンの形成工程と同様にＵＶ光を照射してインプリント剤１３を光硬化させ、離型を行う工程であるため詳細な説明は省略する。
【００３６】
続いて吸引方法について説明する。例えば、図８に示すように、駆動可能な吸引ヘッド１４を吸引溝９の開口に接続して余剰インプリント剤１３を吸引したり、テンプレート６の上面と底面とに圧力差を設けることにより余剰インプリント剤１３を吸引したりする方法が考えられる。
【００３７】
テンプレート６の上面と底面とに圧力差を設けることにより余剰インプリント剤１３を吸引するインプリント装置の構成の一例を図９に示す。ステージ定盤１５上の試料ステージ１６に設けられたウェハチャック１７上に被加工基板１１であるウェハが載置されている。また、試料ステージ１６には位置合わせのための基準マーク１８が設けられている。被加工基板１１上に設けられた原版ステージ２０の下部には、被加工基板１１と対向するようにテンプレート６がチャック１９によって保持されている。
【００３８】
チャック１９には、テンプレート６の吸引溝９に接続される貫通溝が形成されており、この貫通溝は吸引溝９と原版ステージ２０に形成された吸引溝とを接続している。原版ステージ２０に形成された吸引溝は吸引された余剰インプリント剤１３排気可能な構成となっている。原版ステージ２０はインプリント装置のベース２１に接続されている。本実施形態では、原版ステージ２０が余剰インプリント剤１３の排気口を有する構成としたが、この構成に限らず、例えば、原版ステージ２０に貫通溝を設け、ベース２１に排気口が形成されていても構わない。
【００３９】
ベース２１にはインプリント位置を合わせるための合わせズレ検査機構２２及びアライメントセンサ２３が設けられており、ベース２１及びテンプレート６の上方にＵＶ光源２４が設けられている。図９に記載したインプリント装置では、テンプレート６の吸引溝９側の圧力よりも排気口側の圧力を低くすることにより、余剰インプリント剤１３を吸引することが出来る。
【００４０】
以上示したように、本発明の実施例１に係るパターン転写方法を用いることによって、近隣チップへの余剰インプリント材料の漏出を防ぐことが出来るようになり、チップの不良率を低減することが可能となる。また、ショット間の隙間領域を小さく、より好ましくは無くすことが可能となる。加えて、吸引溝９により不要な部分のみを選択的に取り除くことが可能であるため、余剰なインプリント剤の量について詳細な制御を行う必要がなく、処理を簡便に行うことができる。
【実施例２】
【００４１】
続いて、本発明の実施例２に係るナノインプリント法によるパターン転写方法について説明する。実施例２はテンプレートの所定の領域に遮光膜が形成されている点が実施例１と異なる。
【００４２】
本実施形態で用いるテンプレート２５の上面図及び断面図を図１０に示す。図１０に示すようにテンプレート２５の中心部には、例えば、ラインアンドスペースのデバイスパターンである転写パターンの凹凸が形成された転写パターン領域２６と、非パターン領域２７とからなる。なお、転写パターン領域２６の周囲には通常位置合わせのためのアライメントマーク等が形成されているが、それらは省略して図示している。非パターン領域２７には、転写パターン領域２６を取り囲むように吸引溝２８が設けられている。この転写パターン領域２６によりウェハ上に転写された領域がチップ領域となる。
【００４３】
さらに、テンプレート２５上面の少なくとも吸引溝２８の開口部よりも外側の領域には、クロム（Ｃｒ）等からなる遮光膜又は半透明膜２９が形成されている。この遮光膜又は半透明膜２９は、不要なインプリント剤に光が照射されて硬化してしまうことを抑制する効果を有する。
【００４４】
なお、遮光膜又は半透明膜２９は、転写パターン領域２６のレジスト硬化を阻害しない大きさであれば吸引溝２８の開口部よりも内側にも形成されている方が好ましい。吸引溝２８の開口部よりも内側に形成されていることにより、斜め方向から入射してくる光も防止することができるため、より遮光効率を向上させることができる。
【００４５】
図１０では吸引溝２８は転写パターン領域２６の角部を除き転写パターン１６を取り囲むように連続的に形成されているが、吸引溝２８の形状はこれに限定されず様々な形状が考えられるが、少なくとも転写パターン領域２６の周囲に各辺と同じ長さの吸引溝２８が対向して形成されることが望ましい。
【００４６】
なお、吸引溝２８は必ずしもテンプレート２５の上面と底面とに開口を有している貫通溝である必要はなく、テンプレート２５の底面と側面とに開口を有している貫通溝であっても構わない。
【００４７】
続いて、本発明の実施例２に係るナノインプリント法によるパターン転写方法を図１１及び図１２を用いて以下に説明する。
【００４８】
まず、図１１（ａ）に示すように、液体の光硬化性樹脂材料であるインプリント剤３０をインクジェット方式によって１ショット分塗布した被加工基板３１を用意する。被加工基板は、シリコン基板そのものであってもよいし、シリコン基板上にシリコン酸化膜、ｌｏｗ−ｋ（低誘電率）膜等の絶縁膜、或いは有機膜からなるマスク、等が形成されたものであってもかまわない。本実施形態では、被処理対象を絶縁膜３２とする。
【００４９】
次に、上記に記載した本実施形態で用いるテンプレート２５を用意する。テンプレート２５は、例えば、一般のフォトマスクに用いる全透明な石英基板にプラズマエッチングで凹凸のパターンを形成したものである。
【００５０】
続いて、被加工基板３１と図１０に示したテンプレート２５を用いて、図１１（ｂ）に示すようにアライメント及びテンプレートと接触させる。図１１（ｂ）において、図１０に示したテンプレート２５のパターンを形成した面は下を向いていて、インプリント剤３０と接触している。図１１（ｂ）に示すように、インプリント剤３０はテンプレート２５に形成されたパターンの溝を満たすが、余剰なインプリント剤３０はチップ領域よりも外側に漏出する。
【００５１】
次に、図１１（ｃ）に示すように、ｉ線等のＵＶ光を照射してインプリント剤３０を光硬化させる。ここで、テンプレート２５には遮光膜２９が形成されているためチップ領域よりも外側に漏出した余剰なインプリント剤３０には光が照射されず硬化しない。
【００５２】
光照射後、不要な余剰インプリント剤３０をテンプレート２５に形成された吸引溝２８より吸引して取り除く。それゆえ、絶縁膜３２上の近隣のショット領域には余剰なインプリント剤３０は漏出しない（図１１（ｄ））。余剰なインプリント剤３０を吸引する前に必要なパターンを硬化させておくことにより、必要となるインプリント剤３０をも吸引してしまうことを抑制することができ、前記した実施例１と比較してより高精度にパターンを転写することができる。
【００５３】
吸引後離型を行い、残膜除去の工程（図示せず）へと進み第一のレジストパターンが完成する。ダミー溝により余剰インプリント剤３０を取り除く場合にはダミー溝の形状も考慮し、インプリント剤３０の塗布量を決定する必要があるが、本実施形態では吸引溝２８により不要な部分のみを選択的に取り除くことが可能であるため、塗布量の詳細な制御を行う必要がない。
【００５４】
離型した後、図１２（ａ）に示すように、第一のレジストパターンに隣接するショット領域にインプリント剤３０を塗布する。続いて、図１２（ｂ）に示すように、隣接するレジストパターン領域に対しても同様にパターンを形成する。隣接したショット間の距離を短くした場合には、図１２（ｂ）に示すように余剰インプリント剤３０が隣接したショット領域の第一のレジストパターン上に漏出する。
【００５５】
続いて、図１２（ｃ）に示すように、ｉ線等のＵＶ光を照射してインプリント剤３０を光硬化させる。ここで、テンプレート２５には遮光膜２９が形成されているためチップ領域よりも外側に漏出した余剰なインプリント剤３０には光が照射されず硬化しない。光照射後、第一のレジストパターン上に漏出した不要な余剰インプリント剤３０をテンプレート２５に形成された吸引溝２８より吸引して取り除く。
【００５６】
本実施形態では、図１２（ｄ）に示すように、隣接したショット領域のレジストパターン上に漏出した余剰インプリント剤３０を吸引溝２８により選択的に取り除くことが可能であるため、隣接したショット間の距離を小さくすることができる。この後の工程は、第一のレジストパターンの形成工程と同様に離型を行う工程であるため詳細な説明は省略する。吸引方法については前記した実施例１と同様の方法を用いることができる。
【００５７】
以上示したように、本発明の実施例２に係るパターン転写方法を用いることによって、近隣チップへの余剰インプリント材料の漏出を防ぐことが出来るようになり、チップの不良率を低減することが可能となる。また、ショット間の隙間領域を小さく、より好ましくは無くすことが可能となる。加えて、吸引溝２８により不要な部分のみを選択的に取り除くことが可能であるため、余剰なインプリント剤の量について詳細な制御を行う必要がなく、処理を簡便に行うことができる。さらに、テンプレート２５の所定の領域に遮光膜２９が形成されていることにより、不要なインプリント剤に光が照射されて硬化してしまうことを抑制する効果を有する。
【００５８】
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々に変形して実施することができる。例えば、図１３に示すように、テンプレート２５の下面にも遮光膜２９を形成しても構わない。テンプレート２５の下面にも遮光膜２９を形成することによって斜入射光に対して遮光効率が向上し、余剰インプリント剤の吸引を効率良く行うことが可能となる。
【符号の説明】
【００５９】
１    基板
２    被転写膜
３    有機材料
４、６、２５    テンプレート
５    光（ＵＶ）
７、２６    転写パターン領域
８、２７    非パターン領域
９、２８    吸引溝
１１、３１    被加工基板
１２、３２    絶縁膜
１３、３０    インプリント剤
１４    吸引ヘッド
１５    ステージ定盤
１６    試料ステージ
１７    ウェハチャック
１８    基準マーク
１９    チャック
２０    原版ステージ
２１    ベース
２２    合わせズレ検査機構
２３    アライメントセンサ
２４    ＵＶ光源
２９    遮光膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011023660.tif 000009
【図８】
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【図９】
2011023660.tif 000011
【図１０】
2011023660.tif 000012
【図１１】
2011023660.tif 000013
【図１２】
2011023660.tif 000014
【図１３】
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