【事件の表示】
　特願２０１１−１２９４６９「クラスレート化合物および熱電変換材料ならびに熱電変換材料の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月２７日出願公開，特開２０１２−２５６７５９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明 
　本願は，平成２３年６月９日の出願であって，平成２６年１２月１２日付けの拒絶理由の通知に対して，平成２７年２月１２日に意見書と手続補正書が提出されたが，同年３月２４日付けで拒絶査定され，同年５月７日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　そして，その請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものと認める。 
 　 
「【請求項１】
　化学式ＢａａＧａｂＡｌｃＳｉｄＰｄｅ（７≦ａ≦８，９≦ｂ≦１２，０＜ｃ≦２，３３≦ｄ≦３５，０＜ｅ≦２，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝５４）で表されるクラスレート化合物。」 
 　 
２　引用例の記載と引用発明 
（１）引用例１：特開２００５−２１７３１０号公報 
　原査定の拒絶理由で引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００５−２１７３１０号公報（以下「引用例１」という。）には，「クラスレート化合物，熱電変換素子及びその製造方法」（発明の名称）に関して，図１ないし図１１とともに以下の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。） 
（１ａ）「【請求項８】
　下記組成式（８）で表されるクラスレート化合物。
　Ｂａ8ＡkＧａlＳｉ46-k-l　　（０≦ｋ≦４，ｌ＝１６−４ｋ）　　（８）
（組成式（８）において，ＡはＰｄ又はＰｔを表す。）」
（１ｂ）「【請求項１９】
　下記組成式（８）で表されるクラスレート化合物の焼結体である熱電変換素子。
　Ｂａ8ＡkＧａlＳｉ46-k-l　　（０≦ｋ≦４，ｌ＝１６−４ｋ）　　（８）
（組成式（８）において，ＡはＰｄ又はＰｔを表す。）」
（１ｃ）「【技術分野】
　【０００１】
　本発明は，クラスレート化合物，熱電変換素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
　【０００２】
　　ゼーベック効果を利用した熱電変換素子は，熱エネルギーを電気エネルギーに変換することを可能とする。その性質を利用し，産業・民生用プロセスや移動体から排出される排熱を有効な電力に変換することができるため，熱電変換素子は，環境問題に配慮した省エネルギー技術として注目されている。
　【０００３】
　ゼーベック効果を利用した熱電変換素子に用いられる熱電変換材料の性能指数ＺＴは，下記式（Ａ）で表すことができる。
　【０００４】
ＺＴ＝α2σＴ／κ　　　（Ａ）
　【０００５】
　ここで，α，σ，κ及びＴは，それぞれ，ゼーベック係数，電気伝導度，熱伝導度及び測定温度を表す。
　【０００６】
　上記式（Ａ）から明らかなように，熱電変換素子の性能を向上させるためには，素子に用いられる材料のゼーベック係数，電気伝導度を大きくすること，及び，熱伝導度を小さくすることが重要である。」
（１ｄ）「【００４８】
　本発明のクラスレート化合物８は，下記組成式（８）で表される。
　Ｂａ8ＡkＧａlＳｉ46-k-l　　（０≦ｋ≦４，ｌ＝１６−４ｋ）　　（８）
（組成式（８）において，ＡはＰｄ又はＰｔを表す。）
　
本発明のクラスレート化合物８は，Ｐｄ又はＰｔを＋４価のアクセプタとして元素置換したものであり，ＢａＡＧａＳｉ（Ａ：Ｐｄ又はＰｔ）系クラスレート化合物で熱電特性を発現することができる
本発明のクラスレート化合物８におけるＢａＰｄＧａＳｉ系クラスレート化合物は，その電気伝導度が室温から９００℃までの間においてほぼ一定の値（約１０００ｓ／ｃｍ）を示す
【００４９】
　クラスレート化合物８において，ｋの好ましい範囲は，１＜ｋ＜４であり，さらに好ましくは１＜ｋ＜３である。」
（１ｅ）「【００７３】
　パワーファクター（α2σ）は，上述の方法により測定されたゼーベック係数（α）及び電気伝導度（σ）を用いて計算した。その結果を図５に示す。」
（１ｆ）「【００８５】
［実施例８］
＜熱電変換素子８（Ｂａ8Ｐｄ2Ｇａ8Ｓｉ36）の製造＞
　原材料として，Ｂａ（９９．９％），Ｐｄ（９９．９％），Ｇａ（９９．９９９９％）及びＳｉ（９９．９９９％）を用いて，Ｂａ，Ｐｄ，Ｇａ及びＳｉがモル比で８：２：８：３６となるようにＢａ：Ｐｄ：Ｇａ：Ｓｉ＝８．７７２７ｇ：１．６９９６ｇ：４．４５４０ｇ：８．０７３７ｇを秤量し，全体で２３ｇとした。これらをアーク溶解（アーク温度１３００℃，アーク溶解時間２０分）にて溶解，冷却させＢａ8Ｐｄ2Ｇａ8Ｓｉ36を合成した。その後，乳鉢を用いて，合成されたＢａ8Ｐｄ2Ｇａ8Ｓｉ36を粒径７５μｍ以下に粉砕して微粒子を得た。Ｂａ8Ｐｄ2Ｇａ8Ｓｉ36の微粒子を放電プラズマ焼結装置により，温度７４５℃，時間６０分，圧力３０ＭＰａの条件で焼成して熱電変換素子８を得た。熱電変換素子８は，Ｘ線回折によりクラスレート単相になっていることが確認された。
【００８６】
　
実施例２と同様にしてゼーベック係数，電気伝導度及びパワーファクターを得た。その結果をそれぞれ図３，４及び５に示す
この結果から，熱電変換素子８は高い熱電特性を示す材料であることが確認できる
（１ｇ）図３，図４，及び，図５には，それぞれ，Ｂａ8Ｐｄ2Ｇａ8Ｓｉ36の組成比を有する熱電変換素子８のゼーベック係数の値，電気伝導度の値，パワーファクターの値が示されている。
　そして，図５からは，
熱電変換素子８が，少なくとも，３００Ｋないし９００Ｋの温度範囲で，ゼーベック係数（α）及び電気伝導度（σ）を用いて計算されるパワーファクター（α
2
σ）を指標とした評価において，高い熱電特性を示す
・引用発明
　上記記載に照らして，引用例１の上記摘記（１ｆ）には，「実施例８」として，引用例１の特許請求の範囲の請求項８及び請求項１９に記載された発明の実施例である以下の発明（以下「引例発明」という。）が開示されているといえる。
　「Ｂａ8Ｐｄ2Ｇａ8Ｓｉ36で表される，Ｘ線回折によりクラスレート単相になっていることが確認された，熱電変換素子。」
３　対比・判断 
（１）対比 
　ア　上記摘記（１ａ）及び（１ｂ）によれば，引用例１の請求項８，及び，請求項１９に記載された発明は，以下のとおりである。
　「【請求項８】
　下記組成式（８）で表されるクラスレート化合物。
　Ｂａ8ＡkＧａlＳｉ46-k-l　　（０≦ｋ≦４，ｌ＝１６−４ｋ）　　（８）
（組成式（８）において，ＡはＰｄ又はＰｔを表す。）」
　「【請求項１９】
　下記組成式（８）で表されるクラスレート化合物の焼結体である熱電変換素子。
　Ｂａ8ＡkＧａlＳｉ46-k-l　　（０≦ｋ≦４，ｌ＝１６−４ｋ）　　（８）
（組成式（８）において，ＡはＰｄ又はＰｔを表す。）」
　また，引用例１の上記摘記（１ｃ）には，以下の記載がある。
　「本発明のクラスレート化合物８は，Ｐｄ又はＰｔを＋４価のアクセプタとして元素置換したものであり，ＢａＡＧａＳｉ（Ａ：Ｐｄ又はＰｔ）系クラスレート化合物で熱電特性を発現することができる。」
　そうすると，当業者であれば，上記記載と技術常識から，引用例１の請求項８及び請求項１９に記載された発明の組成式（８）で表されるクラスレート化合物が，基本的な格子がＳｉのクラスレート格子から構成され，Ｂａ原子がその内部に内包され，前記クラスレート格子を構成するＳｉ原子の一部がＧａ及びＰｄ（又はＰｔ）で置換された構造を有するクラスレート化合物であると理解することができる。
　そして，引用発明は，引用例１の特許請求の範囲の請求項８及び請求項１９に記載された発明の実施例（実施例８）であるといえる。
　してみれば，引用発明の熱電変換素子もまた，引用例１の特許請求の範囲の請求項８及び請求項１９に記載された発明と同様に，基本的な格子がＳｉのクラスレート格子から構成され，Ｂａ原子がその内部に内包され，前記クラスレート格子を構成するＳｉ原子の一部がＧａ及びＰｄで置換された構造を有するクラスレート化合物であるといえる。
　
　イ　他方，本願の発明の詳細な説明には，以下の記載がある。
　「【００１８】
　本実施形態にかかるクラスレート化合物は，主に，基本的な格子がＳｉのクラスレート格子から構成され，Ｂａ元素がその内部に内包され，クラスレート格子を構成する原子の一部がＧａ，ＡｌまたはＰｄで置換された構造を有している。」
　そうすると，本願発明１は，基本的な格子がＳｉのクラスレート格子から構成され，Ｂａ元素がその内部に内包され，クラスレート格子を構成する原子の一部がＧａ，Ａｌ及びＰｄで置換された構造を有しているクラスレート化合物であると理解される。
　ウ　してみれば，上記ア，イに照らして，本願発明１と引用発明とは，クラスレート格子を構成する原子の一部を置換する材料として，Ａｌを含んでいるか，いないかの違いを除いて，基本的な格子がＳｉのクラスレート格子から構成され，Ｂａ元素がその内部に内包され，クラスレート格子を構成する原子の一部が少なくともＧａ及びＰｄで置換された構造を有しているクラスレート化合物に係る発明であることで共通するということができる。
　エ　以上から，本願発明１と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。
 ＜一致点＞ 
「基本的な格子がＳｉのクラスレート格子から構成され，Ｂａ元素がその内部に内包され，クラスレート格子を構成する原子の一部が少なくともＧａ及びＰｄで置換された構造を有しているクラスレート化合物。」 
 　 
＜相違点＞ 
・相違点１：クラスレート化合物を，化学式ＢａａＧａｂＡｌｃＳｉｄＰｄｅで表した場合において，本願発明１が，７≦ａ≦８，９≦ｂ≦１２，０＜ｃ≦２，３３≦ｄ≦３５，０＜ｅ≦２，（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝５４）であるのに対して，引用発明では，ａ＝８，ｂ＝８，ｃ＝０，ｄ＝３６，ｅ＝２，（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝５４）である点。
（２）判断
・相違点について
　ア　Ｂａ原子を内包するＳｉクラスレート化合物において，Ｓｉ原子の一部をＡｌ原子とＧａ原子のいずれかで置換したものは，以下の周知例１，２の記載からも明らかなように，本願の出願の日前において周知の事項であったといえる。
　してみれば，引用発明１において，Ｓｉ原子を置換するＧａ原子の一部をＡｌ原子とすることは当業者が適宜なし得たことといえる。
　
　イ　さらに，上記（１）アのとおり，引用発明は，引用例１の特許請求の範囲の請求項８等に記載された発明の実施例であることから，引用発明の各原子の組成比を，引用例１の特許請求の範囲の請求項８に記載された以下の範囲内で変更することは，引用例１の記載に接した当業者が普通に行い得るものといえる。
・「【請求項８】
　下記組成式（８）で表されるクラスレート化合物。
　Ｂａ8ＡkＧａlＳｉ46-k-l　　（０≦ｋ≦４，ｌ＝１６−４ｋ）　　（８）
（組成式（８）において，ＡはＰｄ又はＰｔを表す。）」
　ウ　そうすると，「化学式ＢａａＧａｂＳｉｄＰｄｅ（ａ＝８，ｂ＝８，ｄ＝３６，ｅ＝２，ａ＋ｂ＋ｄ＋ｅ＝５４）」で表された引用発明において，Ｓｉ原子の一部を置換するＧａ原子の一部を，上記アで検討したようにＡｌ原子とするとともに，熱電変換素子の具体的な使用条件等に適した性能を発揮するように，引用発明のクラスレート化合物を構成する各原子の組成比を，引用例１の請求項８等において特定される組成式を参酌しながら実験等によって好適化することで，例えば，引用発明において，ａ＝８，ｂ＝１１，ｃ＝１，ｄ＝３３，ｅ＝１のような，本願発明１で規定する範囲内に含まれる組成比とすること，すなわち，引用発明において，上記相違点１について，本願発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
・周知例１：特開２００４−６７４２５号公報 （拒絶査定において周知例として示した文献）
　原査定の拒絶査定で引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００４−６７４２５号公報（以下「周知例１」という。）には，「Ｓｉクラスレート単結晶とその製造方法」（発明の名称）に関して，図１ないし図５とともに以下の記載がある。
（周１ａ）「【請求項１】
Ｓｉ原子の５員環面の１２個で形成される１２面体のＳｉ20フラーレンが体心立方格子構造の各格子点に配置され，互いに近接する前記Ｓｉ20フラーレンに包囲された包囲空間領域が前記体心立方格子構造の単位格子あたりに６個形成されており，各前記包囲空間領域あたりに１個のＳｉ原子を追加することによって１２個の５員環面と２個の６員環面とからなる１４面体のＳｉ24フラーレンが前記単位格子あたりに６個形成されていて，各前記フラーレン内に
１個のＢａ原子が内包されるべきＳｉクラスレートの一部のＳｉ原子が他の原子で置換された化合物
　前記
単位格子あたりにｘ個（１０．８≦ｘ≦１２．２）のＳｉ原子がＡｌ原子とＧａ原子のいずれかで置換
（周１ｂ）「【発明の実施の形態】
　本発明者らは，主成分としてＳｉを含む種々の組成の融液から，Ｓｉクラスレート化合物の生成挙動を冶金学的に調査した。その結果，Ｂａ8ＡｌxＳｉ46-xとＢａ8ＧａxＳｉ46-xの２種のクラスレート化合物に関して，特定の手法で大きな単結晶が得られることが見出されたのである。」
（周１ｃ）「【００１７】
　Ｂａ8Ａｌ11.5Ｓｉ34.5クラスレートおよびＢａ8Ｇａ11.5Ｓｉ34.5クラスレートにおけるＡｌ原子またはＧａ原子はＢａ8Ｓｉ46クラスレート中のＳｉ原子と置換したものであるが，それらの置換はＳｉの格子位置中でランダムに起こり得る。そして，Ｂａ8Ｓｉ46クラスレートは約５ＧＰａの高圧下でしか生成されないが，そのＳｉ原子の一部がＡｌ原子またはＧａ原子に置換されることによって，常圧下においてもＳｉクラスレートが得られるようになるのである。」
（周１ｄ）「【００４７】
　また，
以上の実施例はＡｌとＧａの双方を含むものではないが，これらの結果から，Ｂａ，Ａｌ，Ｇａ，およびＳｉを原子比でＢａ：（Ａｌ，Ｇａ）：Ｓｉ＝８：ｘ：（４６−ｘ）（１０．５≦ｘ≦１３）になるように混合し，その溶融した融液にブリッジマン法を適用すれば，Ｂａ
8
（Ａｌ，Ｇａ）
x
Ｓｉ
46-x
（１１≦ｘ≦１２）のＳｉクラスレート単結晶を育成し得る
・周知例２：特開２００７−１０３５８０号公報 
　原査定の拒絶査定で引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００７−１０３５８０号公報（以下「周知例２」という。）には，「熱電変換素子及びその製造方法」（発明の名称）に関して，図１ないし図６とともに以下の記載がある。
（周２ａ）「【００２８】
　熱電半導体材料として使用可能なクラスレート化合物としては，例えば，一般式ＩＩ8（ＩＩＩ，ＩＶ）46：〔ＩＩ＝
Ｂａ
Ｇａ
Ａｌ
Ｓｉ
・効果について
　本願の発明の詳細な説明の【００５５】の表１には，ＢａａＧａｂＡｌｃＳｉｄＰｄｅ（ａ＝７．７３，ｂ＝１１．０６，ｃ＝１．０９，ｄ＝３３．０９，ｅ＝１．０３，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝５４）で表される，本願発明の実施例２であるクラスレート化合物の，４００℃ゼーベック係数Ｓが，−８０．３であることが記載されている。
　しかしながら，前記ゼーベック係数の値は，前記表１に，参考例１として記載される，Ａｌを含まないクラスレート化合物の，−８９．５というゼーベック係数Ｓに比べて劣ったものといえる。
　さらに，本願の図１においても，Ｂａ，Ｇａ，Ａｌ，Ｓｉ及びＰｄからなる本願発明の実施例であるクラスレート化合物の，無次元性能指数ＺＴは，室温〜６００℃の温度範囲の全てにおいて，Ａｌを含まない，Ｂａ，Ｇａ，Ｓｉ及びＰｄからなる参考例１として示されるクラスレート化合物の，無次元性能指数ＺＴの値に比べて，劣っており，特に，４００℃近傍においては，約半分程度の値しか示していないことが記載されている。
　そうすると，本願明細書及び図面の記載からは，Ａｌを含まない，Ｂａ，Ｇａ，Ｓｉ及びＰｄからなるクラスレート化合物に対して，Ａｌを含むように変更することで，熱電変換材料としての特性は劣化するものと理解され，また，本願明細書及び図面には，Ａｌを含まない，Ｂａ，Ｇａ，Ｓｉ及びＰｄからなるクラスレート化合物に対して，Ａｌを含むように変更することで，クラスレート化合物として，何らかの利点が生じることも記載されていない。
　以上から，Ａｌを含まない，Ｂａ，Ｇａ，Ｓｉ及びＰｄからなるクラスレート化合物である引用発明に対して，Ａｌを含むように変更すること，すなわち，引用発明において，上記相違点１について，本願発明１の構成を採用することによって，格別有利な効果を奏するとは，本願の発明の詳細な説明の記載からは理解することはできない。
　したがって，引用発明において，上記相違点１について本願発明１の構成を採用したことにより格別の効果を奏するとは認められないから，本願発明１の進歩性の判断において，本願発明１が，Ａｌを含むことによる効果を，肯定的なものとして参酌することはできない。
（３）判断についてのまとめ 
　以上のとおりであるから，引用発明において，上記相違点１に係る本願発明１の構成を採用することは，引用例１に接した当業者であれば周知技術に基づいて容易になし得たことである。
　したがって，本願発明１は，引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 　 
４　むすび 
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　よって，結論のとおり審決する。