【事件の表示】
　特願２０１０−　６２２０６「複数の集積半導体構成素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１０月１４日出願公開、特開２０１０−２３２６５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年３月１８日（パリ条約による優先権主張２００９年３月２６日、ドイツ）の外国語書面出願であって、平成２６年４月１５日付けの拒絶理由通知に対して、同年７月１８日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年９月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２７年１月７日に拒絶査定を不服とする審判の請求がなされるとともに手続補正書が提出されたものである。　
　
　
第２　平成２７年１月７日に提出された手続補正書でなされた手続補正について
　１　補正の内容
　前記平成２７年１月７日に提出された手続補正書でなされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲を補正するものであり、補正前後の特許請求の範囲の記載は以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　複数の集積される半導体構成素子（８）を担体（２）に製造するための方法であって、
　−　能動基礎構造部（４）が、担体（２）へ製造されるべき半導体構成素子（８）の境界（１０）の少なくとも一部を越えて連続して導入され、
　−　半導体構成素子（８）の領域が、担体（２）に画定され、
　−　夫々の半導体構成素子（８）の領域にのみマスク（１２）を用いて構造化された被覆層（１４）が担体（２）に塗布され、
　−　担体（２）が、半導体構成素子（８）を形成するためにこれらの境界（１０）で切断される方法。
【請求項２】
　面上に並んで配されている同じ構造部素子（１８、２０、２２）が、基礎構造部（４）として担体（２）へ導入される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　孔構造部或いは溝構造部が、構造部素子（１８、２０、２２）として担体（２）へ導入される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
　担体（２）の切断前に、少なくとも基礎構造部（４）の一部が境界（１０）の領域で取り除かれる、請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
　基礎構造部（４）が補助最上層（２２）を有し、この補助層（２２）が基礎構造部（４）の部分として境界（１０）の領域で取り除かれる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
　補助層（２２）としてポリシリコンが用いられる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
　補助層（２２）が、ＴＭＡＨ（２４）を用いて取り除かれる、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
　被覆層（１４）が、マスク（１２）として遮蔽マスクを用いて製造される、請求項１〜７のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
　被覆層（１４）として金属化層が塗布される、請求項１〜８のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
　担体（２）としてシリコンウェハが用いられる、請求項１〜９のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
　半導体構成素子（８）として回路構成素子が半導体をベースにして製造される、請求項１〜１０のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
　半導体構成素子（８）として３Ｄスナバ回路が製造される、請求項１１に記載の方法。」
　
（補正後）
「　【請求項１】
　複数の集積される半導体構成素子（８）を担体（２）に製造するための方法であって、
　−　能動基礎構造部（４）が、担体（２）へ製造されるべき半導体構成素子（８）の境界（１０）の少なくとも一部を越えて連続して導入され、
　−　半導体構成素子（８）の領域が、担体（２）に画定され、
　−　夫々の半導体構成素子（８）の領域にのみマスク（１２）を用いて構造化された被覆層（１４）が担体（２）に塗布され、
　−　担体（２）が、半導体構成素子（８）を形成するためにこれらの境界（１０）で切断される方法であって、
　面上に並んで配されている同じ構造部素子（１８、２０、２２）が、基礎構造部（４）として担体（２）へ導入され、
　孔構造部或いは溝構造部が、構造部素子（１８、２０、２２）として担体（２）へ導入される方法。
　　【請求項２】
　担体（２）の切断前に、少なくとも基礎構造部（４）の一部が境界（１０）の領域で取り除かれる、請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】
　基礎構造部（４）が補助最上層（２２）を有し、この補助層（２２）が基礎構造部（４）の部分として境界（１０）の領域で取り除かれる、請求項２に記載の方法。
　　【請求項４】
　補助層（２２）としてポリシリコンが用いられる、請求項３に記載の方法。
　　【請求項５】
　補助層（２２）が、ＴＭＡＨ（２４）を用いて取り除かれる、請求項３又は４に記載の方法。
　　【請求項６】
　被覆層（１４）が、マスク（１２）として遮蔽マスクを用いて製造される、請求項１〜５のうちのいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項７】
　被覆層（１４）として金属化層が塗布される、請求項１〜６のうちのいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項８】
　担体（２）としてシリコンウェハが用いられる、請求項１〜７のうちのいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項９】
　半導体構成素子（８）として回路構成素子が半導体をベースにして製造される、請求項１〜８のうちのいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項１０】
　半導体構成素子（８）として３Ｄスナバ回路が製造される、請求項９に記載の方法。」
　
　２　補正の適否
（１）本件補正の目的について
　ア　本件補正後の請求項１についてする補正は、補正前の請求項１及び２を削除することで、補正前の請求項２を引用して間接的に補正前の請求項１を引用していた補正前の請求項３を、補正後の請求項１に繰り上げるものである。
　そして、本件補正後の請求項２ないし１０についてする補正は、前記補正前の請求項１及び２の削除に伴って、請求項の項番と引用する請求項を補正するものである。
　イ　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第１号で掲げる請求項の削除を目的とする補正であると認められる。
（２）新規事項追加の有無及び発明の特別な技術的特徴の変更の有無
　ア　上記のように、本件補正は、請求項の削除を目的とする補正であるから、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲または図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、また、発明の特別な技術的特徴を変更しないことは明らかである。
　
　イ　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項の規定に適合すると認められる。
　３　小括
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項、第４項及び第５項の規定に適合する。
　
　
第３　本願発明に対する判断
　１　本願発明
　したがって、本願の請求項１ないし請求項１０に係る発明は、平成２７年１月７日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１０に記載されている事項によって特定されるものであって、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、再掲すると以下のとおりのものである。
　
「複数の集積される半導体構成素子（８）を担体（２）に製造するための方法であって、
　−　能動基礎構造部（４）が、担体（２）へ製造されるべき半導体構成素子（８）の境界（１０）の少なくとも一部を越えて連続して導入され、
　−　半導体構成素子（８）の領域が、担体（２）に画定され、
　−　夫々の半導体構成素子（８）の領域にのみマスク（１２）を用いて構造化された被覆層（１４）が担体（２）に塗布され、
　−　担体（２）が、半導体構成素子（８）を形成するためにこれらの境界（１０）で切断される方法であって、
　面上に並んで配されている同じ構造部素子（１８、２０、２２）が、基礎構造部（４）として担体（２）へ導入され、
　孔構造部或いは溝構造部が、構造部素子（１８、２０、２２）として担体（２）へ導入される方法。」
　
　２　引用例の記載事項と引用発明
（１）引用例１
　ア　引用例１の記載事項
　本願の優先権主張の日の前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶理由通知において「引用文献１」として引用された刊行物である、特開平０５−１９８７４１号公報（以下「引用例１」という。）には、「コンデンサを備えた回路パターンおよびその製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜図３とともに、以下の事項が記載されている（下線は、参考のため、当審において付したものである。以下同じ。）。
　
ａ　「【特許請求の範囲】
　……（中略）……
【請求項１３】　
ｎドーピングされた単結晶シリコンから成る基板（１）内
多数の穴（３）が基板（１）を電解セルのアノードとして接続したフッ化物含有の酸性電解液内での電気化学的エッチングによってエッチングされ
穴（３）の表面には誘電体膜（４）が設けられ、この誘電体膜（４）は穴（３）の表面の形状と同一形状に析出され
穴（３）の直径の半分よりも小さい厚みであり、気相成長法によって誘電体膜（４）上に導電膜（５）が形成される
コンデンサを備えた回路パターンの製造方法
ｂ　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも１つのコンデンサを備えた回路パターンおよびその製造方法に関する。」
ｃ　「【０００２】
【従来の技術】
　……（中略）……
【０００６】半導体メモリ回路においてはトレンチコンデンサが知られている。トレンチコンデンサは、シリコン基板内に作られた溝の表面に配置された導電膜と、この導電膜上に配置された誘電体膜と、対向電極とから形成される。シリコン内の溝はプラズマエッチングによって作られるので、溝穴に対する溝深さの比は１０に制限される。従って、溝エッチングによる表面拡大は１５倍に制限される。
【０００７】ドイツ連邦共和国特許第２３２８０９０号明細書によれば、単結晶シリコンから成る基板表面に結晶方位に依存するエッチングによって条溝が設けられるようにした半導体コンデンサの製造方法が知られている。エッチングは５０％の水酸化カリウム・水混合液を用いて８５゜Ｃで行われる。５００μｍの深さと５μｍの幅とを有する条溝が形成され、これらの条溝は１０μｍの間隔で配置されている。このようにして表面は１００倍まで拡大され得る。従って、得ることのできる最大比容量はこのようにして製造されたコンデンサの場合には２．３μＦＶ／ｍｍ３に制限される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、比容量が電解コンデンサの比容量に匹敵するが、電解コンデンサの欠点が回避されているような少なくとも１つのコンデンサを備えた回路パターンを提供することを課題とする。
【０００９】さらに、本発明はこのような回路パターンの製造方法を提供することを課題とする」
ｄ　「【００１０】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決するために、本発明の回路パターンにおいては、ドーピングされた単結晶シリコンから成る基板に第１の表面が設けられ、第１の表面の少なくとも一部分には、基板がアノードとして接続されたフッ化物含有の酸性電解液内での電気化学的エッチングによって深さが直径よりも大きい穴が設けられ、第１の表面上には誘電体膜が配置され、この誘電体膜は少なくとも穴の領域の第１の表面をこの第１の表面の形状と同じ形状にて被覆し、その膜厚は穴の直径の半分よりも小さく、誘電体膜上には導電膜が配置され、基板と導電膜とにはそれぞれコンタクトが設けられる。
　……（中略）……
【００２０】
本発明による製造方法は
基板上に同時に多数のコンデンサを製造することができ、
　……（中略）……
【００２４】本発明の枠内で、ＳｉＯ２の誘電体膜を陽極酸化、特に酢酸含有の電解液内で形成することができる。陽極酸化の酸化シリコンは熱的酸化の酸化シリコンに比較して室温で作成し得るという利点を有している。それゆえ、機械的応力が回避される。さらに、陽極酸化における酸化物形成は自己回復プロセスである。というのは、酸化物の希薄個所では電界強度を高めることによって酸化が強められるからである。それによって希薄個所が厚くされて、欠陥が治される。
【００２５】酸化チタンの気相成長によって誘電体膜を作成すると、コンデンサができあがったとき誘電体膜の膜厚が等しいときより大きい容量が得られる。」
　……（中略）……
【００３０】
多数のコンデンサを作るために、ウエハ状基板には全面に亘って穴が設けられる
誘電体膜
を全面に亘って設けた
個々のコンデンサは従来のホトリトグラフィーを用いて区画される。
コンデンサはチップ製造において知られているような切断および折りによってばらばらにされる
ｅ　「【００３１】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
【００３２】ｎドーピングされた単結晶シリコンから成る基板１は５Ω×ｃｍの抵抗率を有しており、第１の表面２に多数の穴３が設けられている。穴３は例えば２μｍの直径と例えば２００μｍの深さとを有している（図１参照。但し、図１においては穴深さ方向には穴直径方向とは異なった尺度が使用されている。）。この第１の表面２はこの第１の表面２の形状と同じ形状を持つ誘電体膜４によって被覆されている。誘電体膜４は例えばＳｉＯ２から構成され、例えば６０ｎｍの厚みを有している。
誘電体膜４上には導電膜５が配置されている。導電膜５は例えばｎドーピングされたポリシリコンから構成されている。導電膜５は誘電体膜４を完全に被覆している
【００３３】
導電膜５は第１のコンタクト６によって電気的に接触される。第１のコンタクト６は例えばアルミニウムから成る。アルミニウムの表面張力に基づいて第１のコンタクト６は連続膜から構成されており
導電膜５の上側部分だけと電気的に接触している。
ｆ　「【００３７】図１に示されたコンデンサを製造するために、シリコン基板には表面トポロジーが施される。このことは例えば従来ではホトリトグラフィーを用いて行われるかまたは同様に基板表面が電解液と接触しかつ電流密度が図２の特性曲線のハッチング部分の下側範囲に保持される間この基板表面の照射によって行われる。
【００３８】その後、
電気化学的エッチングを用いて穴３の形成が行われる。電解液として例えば６％のフッ化水素酸（ＨＦ）が使用される。ｎドーピングされた基板はアノードとして３ボルトの電位を与えられる。基板は背面側から照射される。１０ｍＡ／ｃｍ
２
の電流密度に調節される。約１５０分のエッチング時間の後、穴は２μｍの直径と２００μｍの深さとを有する
【００３９】その後、基板は例えば５０％のエチレンジアミンを含むアルカリ溶液内で５分間例えば１０ボルトの正電位を与えられながら洗浄される。その際、電気化学的エッチングの際に基板の表面に形成された多孔性シリコンが除去される。
【００４０】水を用いた基本的な洗浄後、
基板１上には誘電体膜４が陽極酸化によって形成される
【００４１】このために基板１は例えば２％の酢酸を含む電解液内で例えば１０μＡ／ｃｍ２の電流密度にて酸化される。この際に形成されたＳｉＯ２の誘電体膜４の厚みは酸化時間によって制御される。６０ｎｍの厚みは例えば１６時間で得られる。
【００４２】誘電体膜４を製造するための別の製造方法としては穴３の表面の熱的酸化がある。しかしながらその場合には基板１内に大きな機械的応力が作用するのを覚悟しなければならない。というのは、熱的ＳｉＯ２は室温では作ることができないからである。導電膜５は標準ＣＶＤ法によって誘電体膜４上にｎドーピングされたポリシリコンから析出される。
【００４３】
電気的接触を良好にするために第１のコンタクト６と第２のコンタクト７とは例えばアルミニウムを用いた蒸着によって形成される
【００４４】
従来のホトリトグラフィーを用いてウエハ表面上に個々のコンデンサが画成される
アルミニウムから成る第１のコンタクトとポリシリコンから成る導電膜５とはその際誘電体膜４上までエッチングされる
切断および折曲げによってその後コンデンサがばらばらにされる
ｇ　「【００４５】ｎドーピングされた単結晶シリコンから成る基板１１は５Ω×ｃｍの抵抗率を有しており、第１の表面１２に多数の穴１３が設けられている。穴１３は例えば１μｍの直径と例えば４００μｍの深さとを有している（図３参照。但し、尺度通りに示されていない。）。穴１３はフッ化物含有の酸性電解液内で電気化学的エッチングによって基板１１に図１および図２と同様にして製造される。なお、フッ化物含有の酸性電解液内では基板１１はアノードとして接続される。
【００４６】第１の表面１２はこの第１の表面１２の形状と同じ形状を持つ誘電体膜１４によって被覆されている。誘電体膜１４は例えばＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉＯ２の組合わせ堆積によって製造され、６０ｎｍの厚みを有している。誘電体膜１４上には導電膜１５が配置されている。導電膜１５は例えばｎドーピングされたポリシリコンから構成されている。
【００４７】誘電体膜１４と導電膜１５とは側方が制限されている。誘電体膜１４は導電膜１５よりも突出している。導電膜１５は第１のコンタクト１６によって電気的に接触される。第１のコンタクト１６は例えばアルミニウムから成る。アルミニウムの表面張力に基づいて第１のコンタクト１６は連続膜から構成されており、この連続膜は穴１３の領域において導電膜１５の上側部分だけと電気的に接触している。
第１のコンタクト１６は側方を制限された導電膜１５上にのみ配置されるようにパターン化される
　……（中略）……
【００４９】誘電体膜１４と導電膜１５との側方では露出した第１の表面１２上に第２のコンタクト１７が配置されている。第２のコンタクト１７は高ドーピング領域１８に直接電気的に接触している。第１の表面１２上に第２のコンタクト１７を配置することによって装置の直列抵抗ＥＳＲが低減し、それゆえコンデンサは１ＭＨｚの限界周波数まで使用可能である。さらに、
図３に基づいて示されているコンデンサは第１の表面１２上に第１のコンタクト１６および第２のコンタクト１７が配置されるためにシリコンチップ内への集積に適している
　イ　引用例１に記載された発明
（ア）第３の２（１）アａで摘記した【請求項１３】の「ｎドーピングされた単結晶シリコンから成る基板（１）内に……コンデンサを備えた回路パターンの製造方法。」、同ｄで摘記した段落【００２０】の「本発明による製造方法は……基板上に同時に多数のコンデンサを製造することができ」、同ｇで摘記した段落【００４９】の「図３に基づいて示されているコンデンサは第１の表面１２上に第１のコンタクト１６および第２のコンタクト１７が配置されるためにシリコンチップ内への集積に適している。」という記載から、引用例１には、多数の集積に適しているコンデンサを、ｎドーピングされた単結晶シリコンから成る基板内に製造するための方法が記載されている。
（イ）第３の２（１）アａで摘記した【請求項１３】の「基板（１）内に多数の穴（３）が基板（１）を電解セルのアノードとして接続したフッ化物含有の酸性電解液内での電気化学的エッチングによってエッチングされ」、同ｄで摘記した段落【００３０】の「多数のコンデンサを作るために、ウエハ状基板には全面に亘って穴が設けられる。」、同ｆで摘記した段落【００３８】の「電気化学的エッチングを用いて穴３の形成が行われる。電解液として例えば６％のフッ化水素酸（ＨＦ）が使用される。ｎドーピングされた基板はアノードとして３ボルトの電位を与えられる。基板は背面側から照射される。１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度に調節される。約１５０分のエッチング時間の後、穴は２μｍの直径と２００μｍの深さとを有する」という記載から、引用例１には、電気化学的エッチングを用いて、２μｍの直径と２００μｍの深さとを有する多数の穴を基板の全面に亘って設けることが記載されている。
　そして、第３の２（１）アａで摘記した【請求項１３】の「穴（３）の表面には誘電体膜（４）が設けられ、この誘電体膜（４）は穴（３）の表面の形状と同一形状に析出され」、同ｄで摘記した段落【００３０】の「ウエハ状基板には全面に亘って穴が設けられる。誘電体膜と、導電膜と、コンタクトとを全面に亘って設けた」、同ｆで摘記した段落【００４０】の「基板１上には誘電体膜４が陽極酸化によって形成される。」という記載から、引用例１には、陽極酸化によって、前記多数の穴を設けた基板表面の全面に亘って誘電体膜を形成することが記載されている。
　したがって、引用例１には、電気化学的エッチングを用いて、２μｍの直径と２００μｍの深さとを有する多数の穴を基板の全面に亘って設け、陽極酸化によって、前記多数の穴を設けた基板表面の全面に亘って誘電体膜を形成することが記載されている。
（ウ）第３の２（１）アａで摘記した【請求項１３】の「穴（３）の直径の半分よりも小さい厚みであり、気相成長法によって誘電体膜（４）上に導電膜（５）が形成される」、同ｅで摘記した段落【００３２】の「誘電体膜４上には導電膜５が配置されている。導電膜５は例えばｎドーピングされたポリシリコンから構成されている。導電膜５は誘電体膜４を完全に被覆している。」という記載から、引用例１には、前記誘電体膜上に、ｎドーピングされたポリシリコンから構成されて前記誘電体膜を完全に被覆している導電膜を形成することが記載されている。
（エ）第３の２（１）アｅで摘記した段落【００３３】の「導電膜５は第１のコンタクト６によって電気的に接触される。第１のコンタクト６は例えばアルミニウムから成る。アルミニウムの表面張力に基づいて第１のコンタクト６は連続膜から構成されており……導電膜５の上側部分だけと電気的に接触している。」、同ｆで摘記した段落【００４３】の「電気的接触を良好にするために第１のコンタクト６と第２のコンタクト７とは例えばアルミニウムを用いた蒸着によって形成される。」という記載から、引用例１には、前記導電膜の上側に、アルミニウムから成る連続膜から構成されて、電気的接触を良好にするための第１のコンタクトを蒸着によって形成することが記載されている。
（オ）第３の２（１）アｄで摘記した段落【００３０】の「個々のコンデンサは従来のホトリトグラフィーを用いて区画される。」、同ｅで摘記した段落【００４４】の「従来のホトリトグラフィーを用いてウエハ表面上に個々のコンデンサが画成される。アルミニウムから成る第１のコンタクトとポリシリコンから成る導電膜５とはその際誘電体膜４上までエッチングされる。」、同ｆで摘記した段落【００４７】の「第１のコンタクト１６は側方を制限された導電膜１５上にのみ配置されるようにパターン化される。」という記載から、引用例１には、ホトリトグラフィーを用いてアルミニウムから成る第１のコンタクトとポリシリコンから成る導電膜とを誘電体膜上までエッチングして、前記第１のコンタクトをパターン化して個々のコンデンサを区画することによって、前記基板表面上に個々のコンデンサを画成することが記載されている。
（カ）第３の２（１）アｄで摘記した段落【００３０】の「個々のコンデンサがパターン化される。その後、コンデンサはチップ製造において知られているような切断および折りによってばらばらにされる。」、同ｆで摘記した段落【００４４】の「切断および折曲げによってその後コンデンサがばらばらにされる。」という記載から、引用例１には、前記パターン化された個々のコンデンサを、前記基板の切断および折曲げによってばらばらにすることが記載されている。
（キ）以上の（ア）〜（カ）から、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
「多数の集積に適しているコンデンサを、ｎドーピングされた単結晶シリコンから成る基板内に製造するための方法であって、
　電気化学的エッチングを用いて、２μｍの直径と２００μｍの深さとを有する多数の穴を前記基板の全面に亘って設け、陽極酸化によって、前記多数の穴を設けた基板表面の全面に亘って誘電体膜を形成し、
　前記誘電体膜上に、ｎドーピングされたポリシリコンから構成されて前記誘電体膜を完全に被覆している導電膜を形成し、
　前記導電膜の上側に、アルミニウムから成る連続膜から構成されて、電気的接触を良好にするための第１のコンタクトを蒸着によって形成し、
　ホトリトグラフィーを用いて前記アルミニウムから成る第１のコンタクトと前記ポリシリコンから成る導電膜とを前記誘電体膜上までエッチングして、前記第１のコンタクトをパターン化して個々のコンデンサを区画することによって、前記基板表面上に個々のコンデンサを画成し、
　前記パターン化された個々のコンデンサを、前記基板の切断および折曲げによってばらばらにする、
ことを特徴とするコンデンサの製造方法。」
（２）引用例２
　ア　引用例２の記載事項
　本願の優先権主張の日の前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶理由通知において「引用文献２」として引用された刊行物である、特開２００４−０６８００５号公報（以下「引用例２」という。）には、「銅の拡散に対するバリア効果を有する誘電体」（発明の名称）に関して、図１〜図２とともに、以下の事項が記載されている。
ａ　「【０１３７】
（実施例２８：ポリマー１の誘電率の測定）
誘電率を決定する
６００ｎｍ厚のＴｉ層２が既に存在する基板１
層３
チタン電極４が、図２に示されるシャドウマスクを介してスパッタリングすることによって、この層３に塗布される
シャドウマスクは、それらの寸法および配置において、チタン電極４に対応する開口部５を備え
ｂ　図１には、Ｔｉ層２を下部電極とし、層３を誘電体層とし、複数のチタン電極４をそれぞれ上部電極とする複数のコンデンサが、基板１上に形成されていることが、図示されている。
３　対比
（１）本願発明と引用発明との対比
　ア　担体における素子と構造部について
（ア）引用発明の「ｎドーピングされた単結晶シリコンから成る基板」は、本願発明の「担体（２）」に相当する。
（イ）本願発明の「半導体構成素子（８）」は、その字義とおりに解すれば、「半導体」を「構成」する「素子」である。また、本願発明によれば、前記「半導体構成素子（８）」は、「担体（２）に製造」されるものであり、前記「担体（２）」を「切断」することで「形成」される。
　これに対して、引用発明の「コンデンサ」も、前記「ｎドーピングされた単結晶シリコンから成る基板内に製造」されるから、「半導体」から構成されるものということができ、また、「集積に適している」ように、「前記基板の切断および折曲げによってばらばらにする」ことで「素子」としているものといえる。
　したがって、引用発明の「コンデンサ」は、本願発明の「半導体構成素子（８）」に相当する。
（ウ）ａ　まず、本願発明の「能動基礎構造部（４）」と「基礎構造部（４）」の関係について検討する。
　第３の１によれば、本願の特許請求の範囲の請求項１には、本願発明の発明特定事項として「能動基礎構造部（４）」と「基礎構造部（４）」とが記載されているが、本願の請求項１の記載のみからでは、両者の関係を一義的に理解することは困難である。そこで、両者の関係について、本願明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌して検討する。
　本願明細書には、段落【００１０】に「ここから、本発明は、最初に
能動基礎構造部が、実際に後から生じる構成部分の境界を考慮せずに連続して
境界がなく
担体全体に製造される
基礎構造部は、後から生じる構成素子の領域で個々のチップに応じて構造化されないため、所望する構成部分の大きさに限定されない。
　したがって、本願発明の「能動基礎構造部（４）」と「基礎構造部（４）」は、「担体（２）へ製造されるべき半導体構成素子（８）の境界（１０）の少なくとも一部を越えて連続して導入され」る点で同じである「基礎構造部」を指していると認められる。
ｂ　次に、前記「能動基礎構造部（４）」ないし前記「基礎構造部（４）」に関する、本願発明の構成と引用発明の構成とを対比する。
　本願発明の前記「基礎構造部（４）」について、本願明細書の段落【００３２】には、「基礎構造部４は構造部素子１８と誘電体層２０とから成っており、これらの
構造部素子１８は、上面６から担体２へ垂直にエッチングされ異方性の多孔構造部或いは溝構造部或いは孔構造部の形態をしており
誘電体層２０へ塗布される更なる層２２が更に基礎構造部４の一部となっている。この更なる層２２は、ドープされたポリシリコン層の形態で追加された上部電極として担体２に面上に被覆して堆積された
　一方、引用発明において「２μｍの直径と２００μｍの深さとを有する多数の穴を前記基板の全面に亘って設け」ることは、前記「多数の穴」を、「基板内に製造」する個々の「コンデンサ」の「製造」領域を超えて「形成」することである。
　そして、「前記基板の全面に亘って設け」られた「多数の穴」の「表面」には、「誘電体膜」が「基板表面の全面に亘って」形成されているとともに、「ｎドーピングされたポリシリコンから構成されて前記誘電体膜を完全に被覆している導電膜」が設けられている。
　そうすると、本願明細書の前記各記載を参酌すれば、引用発明の「前記基板の全面に亘って設け」られる「２μｍの直径と２００μｍの深さとを有する多数の穴」は、本願発明の「面上に並んで配されている同じ構造部素子（１８、２０、２２）」、及び、当該「構造部素子（１８、２０、２２）」として担体（２）へ導入される「孔構造部」に相当する。
　そして、引用発明の「前記基板の全面に亘って設け」られる前記「多数の穴」と、当該「多数の穴を設けた基板表面の全面に亘って」形成される「誘電体膜」及び「ｎドーピングされたポリシリコンから構成されて前記誘電体膜を完全に被覆している導電膜」を併せたものは、本願発明の「担体（２）へ製造されるべき半導体構成素子（８）の境界（１０）の少なくとも一部を越えて連続して導入され」る「能動基礎構造部（４）」及び「基礎構造部（４）」に相当する。
　イ　半導体構成素子を製造する手順について
（ア）引用発明の「多数の集積に適しているコンデンサを、ｎドーピングされた単結晶シリコンから成る基板内に製造するための方法」は、本願発明の「複数の集積される半導体構成素子（８）を担体（２）に製造するための方法」に相当する。
（イ）引用発明の「２μｍの直径と２００μｍの深さとを有する多数の穴を前記基板の全面に亘って設け」、「前記多数の穴を設けた基板表面の全面に亘って誘電体膜を形成」するとともに「前記誘電体膜上に、ｎドーピングされたポリシリコンから構成されて前記誘電体膜を完全に被覆している導電膜を形成」することは、本願発明の「能動基礎構造部（４）が、担体（２）へ製造されるべき半導体構成素子（８）の境界（１０）の少なくとも一部を越えて連続して導入され」ることに相当する。
（ウ）引用発明の「ホトリトグラフィーを用いて前記アルミニウムから成る第１のコンタクトと前記ポリシリコンから成る導電膜とを前記誘電体膜上までエッチングして、前記第１のコンタクトをパターン化して個々のコンデンサを区画することによって、前記基板表面上に個々のコンデンサを画成」する手順は、「前記基板表面上」に「前記個々のコンデンサ」の領域を「画成」する手順であるが、これは、「前記導電膜の上側に、アルミニウムから成る連続膜から構成されて、電気的接触を良好にするための第１のコンタクトを蒸着によって形成し」た後に行うものである。
　これに対して、本願発明は、「半導体構成素子（８）の領域が、担体（２）に画定され」ることに基づいて、「夫々の半導体構成素子（８）の領域にのみマスク（１２）を用いて構造化された被覆層（１４）が担体（２）に塗布され」るものである。
　そうすると、引用発明の「前記導電膜の上側に、アルミニウムから成る連続膜から構成されて、電気的接触を良好にするための第１のコンタクトを蒸着によって形成」することと、本願発明の「夫々の半導体構成素子（８）の領域にのみマスク（１２）を用いて構造化された被覆層（１４）が担体（２）に塗布され」ることとは、「被覆層（１４）が担体（２）に」形成される点で共通する。
（エ）引用発明の「前記パターン化された個々のコンデンサを、前記基板の切断および折曲げによってばらばらにする」ことは、本願発明の「担体（２）が、半導体構成素子（８）を形成するためにこれらの境界（１０）で切断される」ことに相当する。
（カ）第３の３（１）ア（ウ）で指摘したように、引用発明の「前記基板の全面に亘って設け」られる「２μｍの直径と２００μｍの深さとを有する多数の穴」は、本願発明の「面上に並んで配されている同じ構造部素子（１８、２０、２２）」、及び、当該「構造部素子（１８、２０、２２）」として担体（２）へ導入される「孔構造部」に相当し、そして、引用発明の「前記基板の全面に亘って設け」られる前記「多数の穴」と、当該「多数の穴を設けた基板表面の全面に亘って」に形成される「誘電体膜」及び「ｎドーピングされたポリシリコンから構成されて前記誘電体膜を完全に被覆している導電膜」を併せたものは、本願発明の「能動基礎構造部（４）」及び「基礎構造部（４）」に相当する。
　そうすると、引用発明の「電気化学的エッチングを用いて、２μｍの直径と２００μｍの深さとを有する多数の穴を前記基板の全面に亘って設け」ることは、本願発明の「面上に並んで配されている同じ構造部素子（１８、２０、２２）が、基礎構造部（４）として担体（２）へ導入され」ることに相当するとともに、本願発明の「孔構造部」が「構造部素子（１８、２０、２２）として担体（２）へ導入される」ことに相当する。
（２）一致点及び相違点
　以上から、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。一致点
「複数の集積される半導体構成素子（８）を担体（２）に製造するための方法であって、
　−　能動基礎構造部（４）が、担体（２）へ製造されるべき半導体構成素子（８）の境界（１０）の少なくとも一部を越えて連続して導入され、
　−　被覆層（１４）が担体（２）に形成され、
　−　担体（２）が、半導体構成素子（８）を形成するためにこれらの境界（１０）で切断される方法であって、
　面上に並んで配されている同じ構造部素子（１８、２０、２２）が、基礎構造部（４）として担体（２）へ導入され、
　孔構造部が、構造部素子（１８、２０、２２）として担体（２）へ導入される方法。」
　相違点
　一致点における「被覆層（１４）が担体（２）に形成され」るとの構成について、本願発明においては、「半導体構成素子（８）の領域が、担体（２）に画定され」てから「夫々の半導体構成素子（８）の領域にのみマスク（１２）を用いて構造化された被覆層（１４）が担体（２）に塗布され」るのに対して、引用発明においては、「アルミニウムから成る連続膜から構成されて、電気的接触を良好にするための第１のコンタクトを蒸着によって形成し」てから「ホトリトグラフィーを用いて前記アルミニウムから成る第１のコンタクトと前記ポリシリコンから成る導電膜とを前記誘電体膜上までエッチングして、前記第１のコンタクトをパターン化して個々のコンデンサを区画することによって、前記基板表面上に個々のコンデンサを画成」する点。
４　当審の判断
（１）相違点について
　ア　第３の２（２）アａ及びｂで指摘したように、引用例２には、チタン電極４に対応する開口部５を有することで前記チタン電極４の寸法および配置を画定するシャドウマスクを介して、コンデンサの上部電極となる前記チタン電極４を、複数個、基板１の表面に連続して設けられた下部電極となるＴｉ層２の上に形成された誘電体層３上に、スパッタリングにより塗布するという技術が記載されている。
　引用例２に記載の技術は、複数個の前記チタン電極４を塗布形成しているから、複数のコンデンサを形成していると認められる。ここで、個々のコンデンサは、基板１の表面に連続して設けられた下部電極となるＴｉ層２と、誘電体層３と、上部電極となる個々のチタン電極４とからなるものであることを考慮すれば、当該個々のチタン電極４の寸法および配置を画定するシャドウマスクは、前記個々のコンデンサの寸法および配置を画定していると認められる。
　イ　また、コンデンサの上部電極の寸法・形状・配置を画定する遮蔽マスクを用いて、前記上部電極を、誘電体層上にスパッタリングや蒸着により堆積することは、引用例２に加え、以下の周知例１〜４にも記載され、本願の優先権主張の時点において既に常套手段であった。
　そして、この常套手段において、コンデンサの上部電極の寸法・形状・配置を画定する遮蔽マスクを作成するためには、この遮蔽マスクの作成の前に、当該遮蔽マスクを用いて形成しようとする上部電極の寸法・形状・配置を決定しておくことが必要なことは明らかである。
　なお、周知例１には、以下で指摘するように、遮蔽マスクを使用して上部電極パターンを形成する方法として、移動可能なメタルマスクを使用してスパッタリングによりパターン化する方法や、エッチングレジストによりマスクを形成してエッチングによってパターン化する方法があることが記載されている。
（ア）周知例１
　本願の優先権主張の日の前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００６−１４０１３６号公報には、「誘電体薄膜、薄膜誘電体素子およびその製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜図４とともに、以下の事項が記載されている。
ａ　「【００５６】
　たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る薄膜誘電体素子として、図１に示す薄膜誘電体素子１を例示したが、本発明に係る薄膜誘電体素子は上記の形態に限定されず、上述した誘電体薄膜を有するものであれば何でも良い。なお、上述した
薄膜誘電体素子としては、具体的には、薄膜コンデンサなどが例示される
【００５７】
　また、上述した実施形態では、
上部電極６は
図２に示すように誘電体薄膜５ａの上面のうち一部に形成しても良い
図２のように誘電体薄膜５ａの上面にパターン状に上部電極を形成する方法としては、たとえば、遮蔽マスクを使用する方法が挙げられる。遮蔽マスクを使用する方法としては、移動可能なメタルマスクを使用し、パターン化する方法や、エッチングレジストによりマスクを形成し、エッチングによってパターン化する方法などが使用できる
ｂ　「【００６２】
　次に、熱酸化処理を行ったシリコン単結晶基板上に、白金下部電極を形成した。白金下部電極は、白金（Ｐｔ）をターゲットとしてスパッタリング法により形成した。形成した白金下部電極の厚みを、ＳＥＭ観測により計測したところ、２００ｎｍであった。」
ｃ　「【００６５】
　最後に、上記にてアニール処理を行った
積層体の誘電体薄膜上に、白金上部電極を形成することにより、図２に示す薄膜コンデンサの試料１〜９を得た
白金上部電極の形成は、白金（Ｐｔ）をターゲットとし、スパッタリング法により行い、パターンの形成は、メタルマスクを使用する方法により行った
コンデンサ試料は、１０×１０ｍｍの範囲に複数の上部電極を作製して、複数の薄膜コンデンサ試料とし
ｄ　図２には、シリコン基板２ａの上方の全面にわたり形成した白金下部電極４ａと誘電体薄膜５ａの積層構造上に、複数の白金上部電極６ａを作製することが示されている。
（イ）周知例２
　本願の優先権主張の日の前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平８−３４００８４号公報には、「誘電体薄膜の製造方法および該製造方法によって作製された誘電体薄膜」（発明の名称）に関して、図１〜図２２とともに、以下の事項が記載されている。
ａ　「【００１３】よって、
キャパシタ全体の膜厚を薄くして高集積化を図る
【００１４】本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、従来よりも成膜温度の低温化及び短時間化、リーク電流の低減、製造プロセスの簡略化を実現するための製造方法、およびその製造方法によって製造された緻密な誘電体薄膜あるいは強誘電体薄膜を提供することを目的とする。」
ｂ「【００２８】その後、第１焼成としてＲＴＡ法を用いて、酸素雰囲気中の５００℃〜７５０℃で、３０秒〜１時間の熱処理を行い（ステップ１９）、
ＥＢ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｂｅａｍ）蒸着法により、膜厚２００ｎｍのＰｔ上部電極６をマスク蒸着した（ステップ２０）。電極の大きさはマスク径に依存し、強誘電体特性評価用の電極サイズとして１００μｍφの電極を作製した
（ウ）周知例３
　本願の優先権主張の日の前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平７−７３７３２号公報には、「誘電体薄膜素子及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜図１３ｂとともに、以下の事項が記載されている。
ａ　「【００１７】まず、図１に示した誘電体薄膜素子の製造方法について説明する。まず、
ｎ型シリコン基板１の表面
の上に、スパッタ法を用いて、膜厚が３００ÅのＴｉ膜３と、膜厚が２０００ÅのＰｔ下部電極４とを順次形成し
ＰＥＺＴ誘電体薄膜５を形成した後
真空蒸着法
により、膜厚が２０００Åで６０μｍ×６０μｍのサイズに分離した複数のＰｔ上部電極６を形成した。上記の真空蒸着法は、マスクを介して行うものである
（エ）周知例４
　本願の優先権主張の日の前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平７−４５４７５号公報には、「薄膜コンデンサ及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜図９とともに、以下の事項が記載されている。
ａ　「【００２８】熱処理後、炉管１１から取り出し、
マスクを用いて抵抗加熱蒸着法でＡｕを２００ｎｍ成膜しこれを上部電極とした（図２（ｅ））。これにより、図１（ａ）の薄膜コンデンサが得られる
ｂ　「【００３５】上記実施例では単純なプレーナ型のコンデンサ構造を示したが、この構造に限定されるものではなく、
基板１に溝を掘りその表面をコンデンサとするトレンチ型（図７）
にも適用できる
　ウ　第３の２（１）アｅによれば、引用発明における「第１のコンタクト」について、引用例１の段落【００３３】には、「導電膜５は第１のコンタクト６によって電気的に接触される。第１のコンタクト６は例えばアルミニウムから成る。アルミニウムの表面張力に基づいて第１のコンタクト６は連続膜から構成されており、この連続膜は穴３の領域においては導電膜５の上側部分だけと電気的に接触している。穴３の領域におけるパターンに基づいて構成された、導電膜５の隣接する表面間の隙間には、第１のコンタクトは充填されていない。コンデンサの機能のためにはこのことは同様に必要ではない。というのは、導電膜５は対向電極として作用するからである。」と記載されている。
　してみれば、引用発明において、「導電膜」が対向電極として作用できる構成をとることを妨げない限り、「第１のコンタクト」の構成として、「アルミニウムからなる連続膜」以外の構成を採用できることは、引用例１の上記記載に接した当業者には自明であるということができ、引用発明において、「導電膜」が対向電極として作用できる構成をとりながら「第１のコンタクト」の構成を変更することは、引用例１の上記の記載から、当業者が普通に行い得るものと認められる。
　そして、上記イ及びウのとおり、コンデンサの上部電極の寸法・形状・配置を画定する遮蔽マスクを用いて前記上部電極を誘電体層上にスパッタリングや蒸着により堆積することは、引用例２に記載されていると認められ、また、引用例２及び周知例１ないし３にみられるように常套手段とも認められる。
　そうすると、「多数の集積に適しているコンデンサを、ｎドーピングされた単結晶シリコンから成る基板内に製造するための方法」であって、「２μｍの直径と２００μｍの深さとを有する多数の穴を前記基板の全面に亘って設け」て「前記多数の穴を設けた基板表面の全面に亘って誘電体膜を形成し」、「前記誘電体膜上に、ｎドーピングされたポリシリコンから構成されて前記誘電体膜を完全に被覆している導電膜を形成し」てから、「コンデンサ」の上部電極として「前記導電膜の上側に、アルミニウムから成る連続膜から構成されて、電気的接触を良好にするための第１のコンタクトを蒸着によって形成」する引用発明において、前記「コンデンサ」の上部電極である前記「第１のコンタクト」を、「連続膜」として形成することに代えて、引用例２に記載の技術または前記常套手段を適用して、前記上部電極の寸法・形状・配置を画定する遮蔽マスクを用いて前記「コンデンサ」毎の「膜」として「前記誘電体層」上にスパッタリングや蒸着により堆積するとともに、前記「多数の穴」それぞれの内部に堆積して前記「導電膜」の隙間に充填するように形成することで、前記「第１のコンタクト」を前記「導電膜」に電気的に接触させるとともに、前記「導電膜」を対向電極として作用させることに、阻害要因があるとはいえず、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、引用発明における前記「第１のコンタクト」の形成に、引用例２に記載の技術または前記常套手段を適用することで、個々の「コンデンサ」が前記「基板」上に画定され、前記個々の「コンデンサ」が形成される領域にのみマスクを用いて構造化された前記「第１のコンタクト」が、スパッタリングや蒸着により堆積されると認められる。
　エ　ところで、本願の請求項１には、「−　夫々の半導体構成素子（８）の領域にのみマスク（１２）を用いて構造化された被覆層（１４）が担体（２）に塗布され」と記載されているだけで、「塗布」方法の内容について特定されていない。
　そして、本願明細書の発明の詳細な説明にも、「夫々の領域には、後で半導体構成素子を配することになっており、次にマスク或いはマスキング方法を用いて被覆層が担体へ或いは能動基礎構造部へ塗布される。最後に、担体は半導体構成素子を形成するために境界で切断される。」（段落【００１３】）との記載、及び「 第２ステップでは、上面６或いは担体２に半導体構成素子８或いはこれらの境界１０が予定される或いは画定される或いは特定される。これに応じて、マスク１２が製造される、つまり、次に半導体構成素子８夫々の領域に例えば遮蔽マスクのようなマスク１２を用いて、例えば金属である被覆層１４が基礎構造部４へ塗布される。これは、境界１０を考慮して基礎構造部４の塗布とは対照的に行われる、即ち、被覆層１４は半導体構成素子８の領域にだけ選択的に塗布される。境界の領域では、担体は被覆層１４の無い状態で在り続ける。」（段落【００３０】）との記載があるだけで、「塗布」方法の具体的な内容は記載されておらず、また、「図２では、最上被覆層１４もまた金属化部として上部電極の形態で見られるが、この電極は半導体構成素子８に限定されて堆積された。」（段落【００３２】）との記載もある。
　そうすると、本願発明の「被覆層（１４）」の「塗布」には、慣用手段であるスパッタリングや蒸着により「被覆層（１４）」を「堆積」することも含まれ得ると解される。
　オ　なお、「被覆層」の形成手法について、本願の外国語書面には、項目“7. Preferred Embodiments of the Invention”の第３段落目に“In a second step, semiconductor components 8  or boundaries 10 thereof are then planned, identified or defined on the surface 6 or the carrier 2. A mask 12 is accordingly produced: in the region of each semiconductor component 8, a covering layer 14, 
metal in the example here, is then applied to the basic structure 4 with the aid of the mask 12, a shadow casting mask in the example
たとえば金属である被覆層１４が、たとえば遮蔽マスクのようなマスク１２を用いて基礎構造部４に適用される
the topmost covering layer 14 can also be seen as metallization in the form of a top electrode, which, however, was deposited in a manner delimited to the semiconductor component 8
最上層の被覆層１４もまた金属化部として上部電極の形態で見られるが、この上部電極は半導体構成素子８が決定されるように堆積された
　上記の記載より本願の外国語書面には、「被覆層１４」は「マスク１２」を用いて「基礎構造部４」に適用されるものであり、その一態様として、前記「被覆層１４」が堆積されることが記載されていると認められる。
　そうすると、本願発明の「被覆層（１４）」の「塗布」が上記エのように解されることは、本願の外国語書面に記載によっても裏付けられるといえる。
　カ　以上から、引用発明において、相違点に係る構成とすることは、引用例２に記載の技術、または、引用例２及び周知例１ないし３にみられるような常套手段に基づいて、当業者が容易に想到し得たものと認める。
　キ　さて、審判請求人は、審判請求書において、「本願発明に係る複数の集積される半導体構成素子を担体に製造するための方法よれば、被覆層或いはマスキング方法に基づいて、構成素子のサイズ或いは形状或いは位置を担体に画定できます。そのため、製造し集積される半導体構成素子は、この１つのステップに基づいて、簡潔に画定できます。」と主張している。
　しかし、引用例２に記載の技術、または、引用例２及び周知例１ないし３にみられるような常套手段においても、コンデンサの上部電極となる電極の寸法および配置を画定するシャドウマスクを介して、複数個の前記電極を誘電体層上に塗布堆積するという、基板に対する１回の処理ステップに基づいて、製造しようとするコンデンサの寸法および配置を画定するものである。
　したがって、審判請求人が主張する本願発明の効果は、引用例２に記載の技術、または、引用例２及び周知例１ないし３にみられるような常套手段が有する効果であると認められる。
　そうすると、本願発明の効果は、引用発明、及び、引用例２に記載の技術、または、引用例２及び周知例１ないし３にみられるような常套手段から、当業者が予期し得たものと認められる。
　
（２）判断のまとめ
　以上検討したとおり、相違点は、引用例２に記載の技術、または、引用例２及び周知例１ないし３にみられるような常套手段を参酌すれば、引用発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　そして、本願発明の効果も、引用発明、及び、引用例２に記載の技術、または、引用例２及び周知例１ないし３にみられるような常套手段から、当業者が予期し得たものである。
　
　
第４　結言
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明、及び、引用例２に記載の技術、または、引用例２及び周知例１ないし３にみられるような常套手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。