(57)【要約】【課題】良好な特性の保護層を実現し、もって、すぐれた画像表示性能が可能なプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）を提供することを目的とする。【解決手段】前面基板２１と背面基板３１とを、間に隔壁３４を挟んで互いの内側主面が対向するように重ね合わせた状態で周囲を封着した構造のＰＤＰ１０であって、前面基板２１は、保護層２６を備え、その材料として、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯの中から選ばれる少なくとも一つの材料と、Ｓｉ、Ｗの中から選ばれる少なくとも一つの材料とを含み、前面基板２１と背面基板３１との封着が、非酸化性ガス雰囲気下で行われたことを特徴とする。【選択図】図１０
2011023122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面基板と背面基板とを、間に隔壁を挟んで互いの内側主面が対向するように重ね合わせた状態で周囲を封着した構造のプラズマディスプレイパネルであって、
前面基板は、保護層を備え、その材料として、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯの中から選ばれる少なくとも一つの材料と、Ｓｉ、Ｗの中から選ばれる少なくとも一つの材料とを含み、
前面基板と背面基板との封着が、非酸化性ガス雰囲気下で行われた、
プラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記保護層は、
組成式がＳｒ１−ｘＳｉｘＯで表され、０．００２５≦ｘ＜０．１２２５の関係が成立する
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記非酸化性ガスが、
Ｎ２ガスあるいはＡｒガスあるいはＸｅガスである
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示デバイスとして用いられるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰともいう）に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰの種類は、駆動形式と放電形式で大別される。駆動的にはＡＣ型とＤＣ型の２種類があり、放電形式では面放電型と対向放電型の２種類がある。高精細化に適した構造と大画面化および製造の簡便性から、現状、ＰＤＰの主流は、３電極構造のＡＣ型の面放電型になっている。
面放電型のＰＤＰの代表的な構造は、ガラスを主材料とする一対の基板（前面基板と背面基板）を、放電空間を挟んで対向配置させ、両基板の周囲に配設した封着材により内部封止し、放電空間に放電ガスを封入してなる。
【０００３】
前面基板は、基板ガラスの一方の主面に複数対の表示電極対からなる電極群を配設するとともに、これを被覆する誘電体層と保護層を順次形成する。一方、背面基板は基板ガラスの一方の主面に複数のデータ電極を配設するとともに、放電空間を放電セル毎に区画するための井桁状等の形状を持つ隔壁を形成する。隔壁に囲まれ、一対の表示電極対と一本のデータ電極とが放電空間を挟んで対向配置する位置に合わせて放電セルが形成される。隔壁に囲まれた背面基板の表面には、さらに、放電時に発生する紫外線を受けて赤色、緑色、青色のいずれかに蛍光発光する蛍光体層が配設される。
【０００４】
このような構成を持つＰＤＰでは、駆動時に放電空間で発生する放電で波長の短い真空紫外光を発生させ、これにより蛍光体を励起する。赤色、緑色、青色の各々の色に対応する放電セルか所定の可視光を発することで、ＰＤＰ全体でカラー表示が行われる。
上述したＰＤＰは、アルミニウムなどの金属製のシャーシ部材の前面側に保持され、また、シャーシ部材の背面側には、ＰＤＰを発光させるための駆動回路を構成する回路基板が、ＰＤＰと電気接続されて搭載されることでプラズマディスプレイ装置が構成される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１３１５８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
最近になって、ディスプレイの高精細化または超高精細化、画面サイズの大型化等のさらなる要求が急速に高まっている。
ここで、ＰＤＰの前記保護層は、製造過程において、前記封着材を含むペースト等に起因する樹脂成分などの有機性不純物や、この有機性不純物が仮焼成工程や封着工程で焼失する際に生じる水や炭素ガス（ＣＯ２）の影響を受けて炭酸化物に変質するおそれがある性質を有している。セル構造が微細な場合には製造工程時でのＰＤＰ内部からの炭酸ガスの排出がされにくくなるので、水や炭酸ガスによる影響はさらに顕著となる。
【０００７】
不純物により変質してしまった保護層は、例えば当該層の二次電子放出特性が低下し、発光効率に悪影響を与えてしまうため、このような保護層の変質は確実に抑制する必要がある。また、保護層の変質は、駆動電圧の上昇も招くため、ＰＤＰの消費電力を低減する点でも問題となる。このように、保護層の変質に起因する問題は、良好な画像表示を行うため、特に高速駆動を行う必要がある高精細・超高精細セルを有するＰＤＰに対して良好な画像表示を行うために解決が切望されている。
【０００８】
本発明は以上のような状況に鑑みなされたものであって、高精細セルを有するＰＤＰであっても、保護層への不純物の吸着を効果的に防止することにより、すぐれた画像表示性能を消費電力の低減を図りつつ発揮することが期待できるＰＤＰの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために本発明のＰＤＰは、前面基板と背面基板とを、間に隔壁を挟んで互いの内側主面が対向するように重ね合わせた状態で周囲を封着した構造のＰＤＰであって、前面基板は、保護層を備え、その材料として、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯの中から選ばれる少なくとも一つの材料と、Ｓｉ、Ｗの中から選ばれる少なくとも一つの材料とを含み、前面基板と背面基板との封着が、非酸化性ガス雰囲気下で行われたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、良好な特性の保護層が実現でき、もって、すぐれた画像表示性能が可能なＰＤＰを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施の形態によるＰＤＰの概略構成を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の一実施の形態によるＰＤＰの電極配列を模式的に示す図である。
【図３】本発明の一実施の形態によるＰＤＰを駆動する際のサブフィールド構成の設定方法を説明するための図である。
【図４】本発明の一実施の形態によるＰＤＰの各電極に印加する駆動電圧波形を示す図である。
【図５】本発明の一実施の形態によるＰＤＰを用いたプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。
【図６】本発明の一実施の形態によるＰＤＰを駆動するための走査電極駆動回路の回路図である。
【図７】本発明の一実施の形態によるＰＤＰを駆動するための維持電極駆動回路の回路図である。
【図８】本発明の他の実施の形態によるＰＤＰの電極配列を模式的に示す図である。
【図９】図８に示すＰＤＰを駆動するための走査電極駆動回路の回路図である。
【図１０】本発明の一実施の形態によるＰＤＰを製造する際の流れを概略的に示す図である。
【図１１】本発明の一実施の形態によるＰＤＰを製造する際の、封着とガス導入を行う装置の配管構造を示す図である。
【図１２】本発明の一実施の形態によるＰＤＰを製造する際の、封着工程、排気工程、ガス導入工程の温度プロファイル例を示す図である。
【図１３】本発明の一実施の形態によるＰＤＰを製造する際の、仮焼成工程の温度プロファイルの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施の形態によるＰＤＰについて、図面を用いて説明する。まず、ＰＤＰの構造の一例として高精細セル構造を有するＰＤＰとその駆動方法について説明し、続いて保護層についての説明を行う。
（実施の形態１）
＜プラズマディスプレイ装置の構成＞
図１は、本発明の一実施の形態によるＰＤＰの概略構成を示す分解斜視図である。例えばガラスのような、透明且つ絶縁性の前面基板２１上に走査電極２２と維持電極２３とで構成された表示電極対２４が複数形成されている。そして表示電極対２４を覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。走査電極２２は透明電極２２ａを有し、維持電極２３も透明電極２３ａを有している。そして透明電極２２ａ、２３ａ上にバス電極２２ｂ、２３ｂが積層されている。
【００１３】
一方、背面基板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色、緑色および青色の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
これら前面基板２１と背面基板３１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして放電空間には、例えばネオン、アルゴン、キセノンあるいはそれらのいずれかを混合した希ガスが放電ガスとして封入されている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する位置のそれぞれに放電セルが構成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。なお、ＰＤＰ１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。
【００１４】
図２は、本発明の一実施の形態によるＰＤＰ１０の電極配列を模式的に示す図である。ＰＤＰ１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。表示電極対の数について特に制限はないが、本実施の形態においては一例として、ｎ＝２１６０として説明する。
【００１５】
走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０からなる２１６０対の表示電極対は、複数の表示電極対グループに分けられている。表示電極対グループの数の決め方については後述することとして、本実施の形態においては、ＰＤＰ１０を上下に２分割して２つの表示電極対グループに分けたとして説明する。
図２に示したように、ＰＤＰ１０の上半分に位置する表示電極対を第１の表示電極対グループとし、ＰＤＰ１０の下半分に位置する表示電極対を第２の表示電極対グループとする。すなわち１０８０本の走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および１０８０本の維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０が第１の表示電極対グループに属し、１０８０本の走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０および１０８０本の維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０が第２の表示電極対グループに属している。
【００１６】
次に、ＰＤＰ１０を駆動するための駆動方法について説明する。本実施の形態においては、初期化期間を除き、書込み動作が連続して行われるように走査パルスおよび書込みパルスのタイミングを設定している。その結果、１フィールド期間内に最大限の数のサブフィールドを設定することができる。以下に、その詳細について、例をあげて説明する。
図３は、本発明の一実施の形態によるＰＤＰ１０を駆動する際のサブフィールド構成の設定方法を説明するための図である。図３（ａ）〜図３（ｄ）の縦軸は走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０を示し、横軸は時間を示している。また、書込み動作を行うタイミングを実線で示し、維持期間および後述する消去期間のタイミングはハッチングで示している。なお以下の説明では、１フィールド期間の時間を１６．７ｍｓとした。
【００１７】
まず、図３（ａ）に示すように、１フィールド期間の最初に、すべての放電セルで一斉に初期化放電を発生させる初期化期間を設ける。本実施の形態においては、初期化期間に要する時間を５００μｓと設定した。
次に、図３（ｂ）に示すように、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に走査パルスを順次印加するために要する時間Ｔｗを見積もる。このとき、書込み動作が連続して行われるように走査パルスを可能な限り短くかつ可能な限り連続して印加することが望ましい。本実施の形態においては、走査電極１本あたりの書込み動作に要する時間を０．７μｓとした。走査電極の数が２１６０本であるため、すべての走査電極で書込み動作を１回行うために必要な時間Ｔｗは、０．７×２１６０＝１５１２μｓである。
【００１８】
次に、サブフィールド数を見積もる。さしあたり消去期間に要する時間を無視するものとして、１フィールド期間の時間から初期化期間の時間を引いて、すべての走査電極で書込み動作を１回行うために必要な時間で割ると、（１６．７−０．５）／１．５＝１０．８となり、図３（ｃ）に示すように、最大で１０のサブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ２、・・・、ＳＦ１０）を確保できることがわかる。
【００１９】
次に、必要な維持パルス数にもとづき、表示電極対グループの数を決める。本実施の形態においては、各サブフィールドにおいてそれぞれ「６０」、「４４」、「３０」、「１８」、「１１」、「６」、「３」、「２」、「１」、「１」の維持パルスを印加するものと仮定する。維持パルス周期を１０μｓとすると、維持パルスを印加するために要する最大の時間Ｔｓは、１０×６０＝６００μｓである。
【００２０】
表示電極対グループの数Ｎは、すべての走査電極で書込み動作を１回行うために必要な時間Ｔｗと維持パルスを印加するために要する最大の時間Ｔｓを用いて、以下の数式にもとづき求める。
Ｎ≧Ｔｗ／（Ｔｗ−Ｔｓ）
この不等式を言い換えると、
Ｔｓ≦Ｔｗ×（Ｎ−１）／Ｎ
を満たすように設定している。
【００２１】
書き込み動作を連続的に行う場合、各グループにおいて、１回の書込み動作を行う時間はＴｗ／Ｎであり、１つのサブフィールドの時間長さは一定時間Ｔｗであるから、１つのサブフィールで維持期間として割り当てることのできる最大時間は（Ｔｗ−Ｔｗ／Ｎ）＝Ｔｗ（１−１／Ｎ）である。このように設定することで、ＰＤＰ１０では、１フィールド全体の時間内において、初期化期間を除き、Ｎ個のグループにわたって連続して書込み動作が行われるように、各表示電極対グループに対して書き込み期間を割り当てることができる。
【００２２】
ところで、本実施の形態においては、Ｔｗ＝１５１２μｓ、Ｔｓ＝６００μｓであるので、１５１２／（１５１２−６００）＝１．６６となり、表示電極対グループの数Ｎ＝２となる
以上の考察にもとづき、図２に示したように表示電極対を２つの表示電極対グループに分ける。そして図３（ｄ）に示すように、それぞれのグループに属する走査電極の書込みの後に、維持パルスを印加する維持期間を設ける。なお、各サブフィールドの維持期間の終了後に続いて消去期間を設ける必要があるが、図３（ｄ）では維持期間と消去期間の両方とも右上から左下への斜線のハッチングで示している。
【００２３】
なお、以上の計算では、消去期間については無視して計算したが、いずれかの表示電極対グループが消去期間であるときには、書込み動作を行わないように設定することが望ましい。これは、消去期間は壁電圧を消去するだけでなく、次の書込み期間の書込み動作に備えてデータ電極上の壁電圧を調整する期間でもあるため、消去期間においてはデータ電極の電圧を固定しておくことが望ましいからである。
【００２４】
次に、駆動電圧波形の詳細とその動作について説明する。図４は、本発明の一実施の形態によるＰＤＰ１０の各電極に印加する駆動電圧波形を示す図である。本実施の形態においては、１フィールドの最初にそれぞれの放電セルで初期化放電を発生させる初期化期間を設けている。さらにそれぞれの表示電極対グループのそれぞれのサブフィールドの維持期間の後に、その維持期間で放電した放電セルに対して消去放電を発生させる消去期間を設けている。図４には、初期化期間と、第１の表示電極対グループに対するＳＦ１〜ＳＦ２およびＳＦ３の書込み期間、第２の表示電極対グループに対するＳＦ１〜ＳＦ２を示している。
【００２５】
まず初期化期間について説明する。初期化期間では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０にそれぞれ電圧０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０には電圧Ｖｉ１から電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する傾斜波形電圧を印加する。この傾斜波形電圧が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０と維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０上に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０上には正の壁電圧が蓄積される。ここで、電極上の壁電圧とは電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。なお、この期間はデータ電極Ｄ１〜ＤｍにＶｄを印加してもよい。
【００２６】
次に、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０に正の一定電圧Ｖｅ１を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０には電圧Ｖｉ３から電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する傾斜波形電圧を印加する。この間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０と維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０上の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０上の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。その後、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に電圧Ｖｃを印加する。以上により、すべての放電セルに対して初期化放電を行う初期化動作が終了する。
【００２７】
次に第１の表示電極対グループに対するＳＦ１の書込み期間について説明する。
維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に正の一定電圧Ｖｅ２を印加する。そして走査電極ＳＣ１に負の電圧Ｖａを持つ走査パルスを印加するとともに、１行目に発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の電圧Ｖｄを持つ書込みパルスを印加する。するとデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（Ｖｄ−Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧の差とが加算されたものとなり放電開始電圧を超える。そして、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間で放電が開始し、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間の放電に進展して書込み放電が発生する。その結果、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を発生して各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルスを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。
【００２８】
次に、２行目の走査電極ＳＣ２に走査パルスを印加するとともに、２行目に発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋに書込みパルスを印加する。すると走査パルスと書込みパルスとが同時に印加された２行目の放電セルでは書込み放電が発生し、書込み動作が行われる。
以上の書込み動作を１０８０行目の放電セルに至るまで繰り返し、発光させるべき放電セルに対して選択的に書込み放電を発生させて壁電荷を形成する。
【００２９】
この間、第２の表示電極対グループに対してはＳＦ１の休止期間である。第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に電圧Ｖｉ１を印加する。また、維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０には一定電圧Ｖｅ２を印加する。このように休止期間においては、放電が発生しない範囲で走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０をできるだけ高電位に保持することで壁電荷の減少を抑制することができ、続く書込み期間において安定した書込み動作を行うことができる。ただし、第２の表示電極対グループに属する各電極に印加する電圧は上記に限定されるものではなく、放電を発生しない範囲の他の電圧を印加してもよい。
【００３０】
次に第２の表示電極対グループに対するＳＦ１の書込み期間について説明する。
維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に正の一定電圧Ｖｅ２を継続して印加する。そして走査電極ＳＣ１０８１に走査パルスを印加するとともに、発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋに書込みパルスを印加する。するとデータ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１０８１との間、維持電極ＳＵ１０８１と走査電極ＳＣ１０８１との間で書込み放電が発生する。次に、走査電極ＳＣ１０８２に走査パルスを印加するとともに、発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋに書込みパルスを印加する。すると走査パルスと書込みパルスとが同時に印加された１０８２行目の放電セルで書込み放電が発生する。
【００３１】
以上の書込み動作を２１６０行目の放電セルに至るまで繰り返し、発光させるべき放電セルに対して選択的に書込み放電を発生させて壁電荷を形成する。
この間、第１の表示電極対グループに対してはＳＦ１の維持期間であり、第１の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に「６０」の維持パルスを交互に印加して、書込み放電を行った放電セルを発光させる。
【００３２】
具体的には、まず走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に正の電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を発生させた放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差に維持パルス電圧Ｖｓが加算されて放電開始電圧を超える。そして走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間で維持放電が発生し、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電を発生させなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
【００３３】
続いて、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０には電圧０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０には電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を発生した放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので再び維持放電が発生し、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０と維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０とに交互に維持パルスを印加し、表示電極対の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を発生した放電セルで維持放電が継続して発生し、放電セルが発光する。
【００３４】
ここで表示電極対に交互に印加する維持パルスは、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０が同時に高電位となるタイミングを有する維持パルスである。すなわち、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に正の電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加する場合には、まず走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０の電圧を電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｓに向かって上昇させ、その後に維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の電圧を電圧Ｖｓから電圧０（Ｖ）に向かって降下させる。また走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に正の電圧Ｖｓを印加する場合には、まず維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の電圧を電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｓに向かって上昇させ、その後に走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０の電圧を電圧Ｖｓから電圧０（Ｖ）に向かって降下させる。
【００３５】
このように、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０が同時に高電位となるタイミングが存在するように維持パルスを印加することにより、データ電極に印加される書込みパルスの影響を受けることなく安定した維持放電を継続することができる。以下にその理由について説明する。
走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧Ｖｓを印加する際に、仮に、まず走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０の電圧を電圧Ｖｓから電圧０（Ｖ）に向かって降下させ、その後に維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の電圧を電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｓに向かって上昇させたと仮定する。すると、データ電極に書込みパルスが印加されている場合、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０の電圧が降下した時点で、走査電極とデータ電極との間で放電が発生し、維持放電の継続に必要な壁電荷が減少する可能性がある。また走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加する際に、仮に、まず維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の電圧を電圧Ｖｓから電圧０（Ｖ）に向かって降下させ、その後に走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０の電圧を電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｓに向かって上昇させたと仮定する。すると、データ電極に書込みパルスが印加されている場合、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の電圧が降下した時点で、維持電極とデータ電極との間で放電が発生し、維持放電の継続に必要な壁電荷が減少する可能性がある。
【００３６】
このように、表示電極対の一方の電極の電圧を降下した時点で放電が発生し壁電荷が減少すると、その後に他方の電極の電圧を上昇させて維持パルスを印加しても維持放電が発生しない、あるいは弱い維持放電となり、十分な壁電荷が蓄積されないため、継続して維持放電を発生させることができなくなる恐れがあった。
しかしながら本実施の形態においては、表示電極対の一方の電極の電圧を上昇させた後に他方の電極の電圧を降下させて維持パルスを印加するので、データ電極に書込みパルスが印加されていても表示電極対の一方とデータ電極との間で先行して放電が発生する恐れがない。そのため、書込みパルスの有無にかかわらず維持放電を安定して継続することができる。
【００３７】
そして、維持期間の後には２つの消去期間と休止期間が設けられている。前半の消去期間では、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧Ｖｒに向かって上昇する傾斜波形電圧を印加し、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧を消去している。このように消去動作を行うためにはある程度の時間が必要である。そして消去期間は壁電圧を消去するだけでなく、次の書込み期間の書込み動作に備えてデータ電極上の壁電圧を調整する期間でもあるため、データ電極の電圧を固定しておくことが望ましい。そのため本実施の形態における駆動電圧波形では、第１の表示電極対グループの消去期間において第２の表示電極対グループの書込み動作を停止している。
【００３８】
その後、第１の表示電極対グループに対しては放電が発生しない休止期間であり、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加した後、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧Ｖｅ２を印加する。そして、第２の表示電極対グループは書込み動作を再開し、走査電極ＳＣ２１６０の書込みが終了するまで第１の表示電極対グループは休止期間の動作を継続する。
【００３９】
その後、第１の表示電極対グループは後半の消去期間であり、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に一定電圧Ｖｅ１を印加した後、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧Ｖｉ４に向かって降下する傾斜波形電圧を印加し、次の書込み期間の書込み動作に備えてデータ電極上の壁電圧を調整する。その後直ちに書込み期間になり走査電極ＳＣ１から書込み動作を始める。このように電圧Ｖｉ４に向かって降下する傾斜電圧波形を印加した直後に書込み動作を開始することによって、壁電荷の減少を抑制することができ、続く書込み期間において安定した書込み動作を行うことができる。
【００４０】
次に第１の表示電極対グループに対するＳＦ２の書込み期間について説明する。
維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に一定電圧Ｖｅ２を継続して印加する。そして走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０には、ＳＦ１の書込み期間と同様に走査パルスを順次印加するとともに、データ電極Ｄｋに書込みパルスを印加して、１〜１０８０行目の放電セルで書込み動作を行う。
【００４１】
第１の表示電極対グループが書込み期間となる間、第２の表示電極対グループは維持期間である。すなわち、走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０には「６０」の維持パルスを交互に印加して、書込み放電を行った放電セルを発光させる。
ここでも表示電極対に交互に印加される維持パルスは、走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０が同時に高電位となるタイミングを有する維持パルスである。
【００４２】
そして、維持期間の後は２つの消去期間と休止期間である。前半の消去期間では、走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に電圧Ｖｒに向かって上昇する傾斜波形電圧を印加し、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧を消去している。ここでも、前述したように第２の表示電極対グループの消去期間において第１の表示電極対グループの書込み動作を停止している。
その後、第２の表示電極対グループに対しては放電が発生しない休止期間であり、走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に電圧０（Ｖ）を印加した後、維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に電圧Ｖｅ２を印加する。そして、第１の表示電極対グループは書込み動作を再開し、走査電極ＳＣ１０８０の書込みが終了するまで第２の表示電極対グループは休止期間の動作を継続する。
【００４３】
その後、第２の表示電極対グループは後半の消去期間であり、維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に一定電圧Ｖｅ１を印加した後、走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に電圧Ｖｉ４に向かって降下する傾斜波形電圧を印加し、次の書込み期間の書込み動作に備えてデータ電極上の壁電圧を調整する。その後直ちに書込み期間になり走査電極ＳＣ１から書込み動作を始める。このように電圧Ｖｉ４に向かって降下する傾斜電圧波形を印加した直後に書込み動作を開始することによって、壁電荷の減少を抑制することができ、続く書込み期間において安定した書込み動作を行うことができる。
【００４４】
以降同様に、第２の表示電極対グループに対するＳＦ２の書込み期間、第１の表示電極対グループに対するＳＦ３の書込み期間、・・・、第２の表示電極対グループに対するＳＦ１０の書込み期間と続き、最後に第２の表示電極対グループに対するＳＦ１０の維持期間および消去期間と続いて１フィールドを終える。
このように本実施の形態においては、初期化期間の後に、いずれかの表示電極対グループで書込み動作が連続して行われるように走査パルスおよび書込みパルスのタイミングを設定している。その結果、１フィールド期間内に１０のサブフィールドを設定することができる。そしてこのサブフィールドの数は、本実施の形態において１フィールド期間内に設定できる最大の数である。
【００４５】
また本実施の形態においては、最後に第２の表示電極対グループに対する維持期間および消去期間で１フィールドを終える。そのために、最後のサブフィールドは輝度重みの最も小さいサブフィールドを配置することで、駆動時間を短縮することができる。
なお、本実施の形態においては、電圧Ｖｉ１は１５０（Ｖ）、電圧Ｖｉ２は４００（Ｖ）、電圧Ｖｉ３は２００（Ｖ）、電圧Ｖｉ４は−１５０（Ｖ）、電圧Ｖｃは−１０（Ｖ）、電圧Ｖｂは１５０（Ｖ）電圧Ｖａは−１６０（Ｖ）、電圧Ｖｓは２００（Ｖ）、電圧Ｖｒは２００（Ｖ）、電圧Ｖｅ１は１４０（Ｖ）、電圧Ｖｅ２は１５０（Ｖ）、電圧Ｖｄは６０（Ｖ）である。また走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に印加する上り傾斜波形電圧の勾配は１０（Ｖ／μｓ）、下り傾斜波形電圧の勾配は−２（Ｖ／μｓ）である。しかしこれらの電圧値、勾配は上述した値に限定されるものではなく、ＰＤＰの放電特性やプラズマディスプレイ装置の仕様にもとづき最適に設定することが望ましい。
【００４６】
次に、本発明の一実施の形態によるＰＤＰ１０を駆動するための駆動回路について説明する。
図５は、本発明の一実施の形態によるＰＤＰ１０を用いたプラズマディスプレイ装置４０の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置４０は、ＰＤＰ（図中、「パネル」と表記）１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【００４７】
画像信号処理回路４１は、画像信号を、サブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。データ電極駆動回路４２は、ｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍのそれぞれに電圧Ｖｄまたは電圧０（Ｖ）を印加するためのｍ個のスイッチを備えている。そして画像信号処理回路４１から出力された画像データを各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに対応する書込みパルスに変換し、各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに印加する。
【００４８】
タイミング発生回路４５は、水平同期信号、垂直同期信号をもとにして各回路の動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路へ供給する。走査電極駆動回路４３はタイミング信号にもとづいて第１の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０を駆動する。また維持電極駆動回路４４はタイミング信号にもとづいて第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０および第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０を駆動する。
【００４９】
図６は、本発明の一実施の形態によるＰＤＰ１０を駆動するための走査電極駆動回路４３の回路図である。走査電極駆動回路４３は、走査電極側維持パルス発生回路５０（以下、単に「維持パルス発生回路５０」と略称する）、傾斜波形発生回路６０、走査パルス発生回路７０ａ、走査パルス発生回路７０ｂ、走査電極側スイッチ回路７５ａ（以下、単に「スイッチ回路７５ａ」と略称する）、走査電極側スイッチ回路７５ｂ（以下、単に「スイッチ回路７５ｂ」と略称する）を備えている。
【００５０】
維持パルス発生回路５０は、電力回収部５１と電圧クランプ部５５とを有し、第１の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０または第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に印加する維持パルスを発生する。
電力回収部５１は、電力回収用のコンデンサＣ５１、スイッチング素子Ｑ５１、Ｑ５２、逆流防止用のダイオードＤ５１、Ｄ５２、共振用のインダクタＬ５１、Ｌ５２を有し、表示電極対間の電極間容量とインダクタＬ５１またはインダクタＬ５２とをＬＣ共振させて維持パルスの立上りおよび立下りを行う。維持パルスの立上り時には、電力回収用のコンデンサＣ５１に蓄えられている電荷をスイッチング素子Ｑ５１、ダイオードＤ５１およびインダクタＬ５１を介して電極間容量に移動する。維持パルスの立下り時には、電極間容量に蓄えられた電荷を、インダクタＬ５２、ダイオードＤ５２およびスイッチング素子Ｑ５２を介して電力回収用のコンデンサＣ５１に戻す。このように、電力回収部５１は電源から電力を供給されることなくＬＣ共振によって維持パルスの立上りおよび立下りを行うため、理想的には消費電力が「０」となる。なお、電力回収用のコンデンサＣ５１は電極間容量に比べて十分に大きい容量を持ち、電力回収部５１の電源として働くように、電圧Ｖｓの半分の約Ｖｓ／２に充電されている。
【００５１】
電圧クランプ部５５は、スイッチング素子Ｑ５５、Ｑ５６を有する。そしてスイッチング素子Ｑ５５をオンにすることにより、維持パルス発生回路５０の出力電圧（図６の節点Ｃの電圧）を電圧Ｖｓにクランプする。また、スイッチング素子Ｑ５６をオンにすることにより、維持パルス発生回路５０の出力電圧を電圧０（Ｖ）にクランプする。したがって、電圧クランプ部５５による電圧印加時のインピーダンスは小さく、維持放電による大きな放電電流を安定して流すことができる。
【００５２】
こうして維持パルス発生回路５０は、スイッチング素子Ｑ５１、Ｑ５２、Ｑ５５、Ｑ５６を制御することによって維持パルスを発生する。なお、これらのスイッチング素子は、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の一般に知られた素子を用いて構成することができる。ただし、図６にはスイッチング素子としてＩＧＢＴを用いた回路構成を示した。スイッチング素子Ｑ５５、Ｑ５６としてＩＧＢＴを用いる場合には制御する電流の方向と逆の方向の電流経路を確保する必要がある。そのため図６に示したように、スイッチング素子Ｑ５５に並列にダイオードＤ５５を接続し、スイッチング素子Ｑ５６に並列にダイオードＤ５６を接続している。また図６には示していないが、ＩＧＢＴを保護するためにスイッチング素子Ｑ５１およびスイッチング素子Ｑ５２のそれぞれに並列にダイオードを接続してもよい。
【００５３】
またスイッチング素子Ｑ５９は分離スイッチであり、初期化期間に節点Ｃの電圧がＶｉ２のようにＶｓよりも上昇する際にダイオードＤ５５を介して電流が後述する傾斜波形発生回路６０から電圧Ｖｓに向かって逆流するのを防止するために設けられている。
傾斜波形発生回路６０は、２つのミラー積分回路６１、６２を備えている。ミラー積分回路６１は、傾斜波形発生回路６０の出力電圧（図６の節点Ｃの電圧）を電圧Ｖｔに向かって緩やかに上昇させる。またミラー積分回路６２は、傾斜波形発生回路６０の出力電圧を電圧Ｖｒに向かって緩やかに上昇させる。
【００５４】
走査パルス発生回路７０ａは、電圧Ｖｐの電源Ｅ７１ａと、ミラー積分回路７１ａと、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜Ｑ７１Ｈ１０８０と、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜Ｑ７１Ｌ１０８０とを有する。ミラー積分回路７１ａは、電源Ｅ７１ａの低圧側の電圧（図６の節点Ａの電圧）を電圧Ｖａに向かって緩やかに降下させる。また電源Ｅ７１ａの低圧側の電圧を電圧Ｖａにクランプする。スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜Ｑ７１Ｌ１０８０のそれぞれは、対応する走査電極に電源Ｅ７１ａの低圧側の電圧を印加し、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜Ｑ７１Ｈ１０８０のそれぞれは、対応する走査電極に電源Ｅ７１ａの高圧側の電圧を印加する。
【００５５】
走査パルス発生回路７０ｂは走査パルス発生回路７０ａと同様の構成であり、電圧Ｖｐの電源Ｅ７１ｂと、ミラー積分回路７１ｂと、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１０８１〜Ｑ７１Ｈ２１６０と、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１０８１〜Ｑ７１Ｌ２１６０とを有する。そして第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０のそれぞれに電源Ｅ７１ｂの高圧側の電圧または低圧側の電圧を印加する。
【００５６】
スイッチ回路７５ａはスイッチング素子Ｑ７６ａを有し、維持パルス発生回路５０および傾斜波形発生回路６０と走査パルス発生回路７０ａとを電気的に接続または分離する。スイッチ回路７５ｂはスイッチング素子Ｑ７６ｂを有し、維持パルス発生回路５０および傾斜波形発生回路６０と走査パルス発生回路７０ｂとを電気的に接続または分離する。
上記の走査電極駆動回路４３を用いることで、図４に示した駆動波形を第１の表示電極対グループである走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および第２の表示電極対グループである走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に印加することができる。以下、具体的に動作を説明する。
【００５７】
初期化期間においては、スイッチ回路７５ａ、７５ｂのそれぞれのスイッチング素子Ｑ７６ａ、Ｑ７６ｂをオンし、走査パルス発生回路７０ａ、７０ｂのスイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜Ｑ７１Ｈ２１６０をオン、Ｑ７１Ｌ１〜Ｑ７１Ｌ２１６０をオフすることにより、傾斜波形発生回路６０からの出力に電圧Ｖｐを上乗せした電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に一斉に印加することができる。続いて、スイッチ回路７５ａ、７５ｂのそれぞれのスイッチング素子Ｑ７６ａ、Ｑ７６ｂをオフし、走査パルス発生回路７０ａ、７０ｂのスイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜Ｑ７１Ｈ２１６０をオフ、Ｑ７１Ｌ１〜Ｑ７１Ｌ２１６０をオンした後、ミラー積分回路７１ａ、７１ｂをオンすることで、電圧Ｖｉ４までの下り傾斜電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に一斉に印加することができる。その後、Ｑ７１Ｌ１〜Ｑ７１Ｌ２１６０をオフ、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜Ｑ７１Ｈ２１６０をオンすることで電圧Ｖｃを走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に一斉に印加することができる。
【００５８】
第１の表示電極対グループの書込み期間においては、スイッチ回路７５ａのスイッチング素子Ｑ７６ａをオフ、ミラー積分回路７１ａをオンした状態で、各スイッチング素子Ｑ７１ＨｎおよびＱ７１Ｌｎをオンオフすることで、対応する走査電極ＳＣｎに走査パルスを印加することができる。これは、第２の表示電極対グループの書込み期間も同様の方法で対応する走査電極ＳＣｎに走査パルスを印加することができる。
【００５９】
第１の表示電極対グループの維持期間においては、スイッチ回路７５ａのスイッチング素子Ｑ７６ａをオン、走査パルス発生回路７０ａのスイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜Ｑ７１Ｈ１０８０をオフ、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜Ｑ７１Ｌ１０８０をオンすることで、維持パルス発生回路５０の出力を第１の表示電極対グループＳＣ１〜ＳＣ１０８０に印加することができる。この時、第２の表示電極対グループは書込み期間であるため、スイッチ回路７５ｂのスイッチング素子Ｑ７６ｂはオフされており、維持パルス発生回路５０の出力は第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に何ら影響しない。したがって、第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に対しては維持パルス発生回路５０の出力に依存せずに、上述する書込み動作を行うことができる。第２の表示電極対グループが維持期間、第１の表示電極対グループが書込み期間の場合も同様に、スイッチ回路７５ａのスイッチング素子Ｑ７６ａがオフされているので、維持パルス発生回路５０の出力は第１の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０には何ら影響しない。
【００６０】
続く第１の表示電極対グループの前半の消去期間においては、スイッチ回路７５ａのスイッチング素子Ｑ７６ａをオンし、走査パルス発生回路７０ａのスイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜Ｑ７１Ｈ１０８０をオフ、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜Ｑ７１Ｌ１０８０をオンすることで、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に傾斜波形発生回路６０からの出力を印加する。この時第２の表示電極対グループは書込み期間（より正確には書込み動作を中断している期間）であり、スイッチ回路７５ｂのスイッチング素子Ｑ７６ｂはオフされているため、傾斜波形発生回路６０の出力電圧は第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に何ら影響しない。続く休止期間および後半の消去期間についても同様であり、スイッチング素子Ｑ７６ｂがオフされているため、第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０には傾斜波形発生回路６０の出力電圧は何ら影響しない。
【００６１】
以上説明したように、走査電極駆動回路４３はスイッチ回路７５ａ、７５ｂは下り傾斜電圧を印加する期間と書込み期間においてオフすることで、もう一方の表示電極対グループの印加電圧に影響を受けずに所望の電圧を印加することができる。
図７は、本発明の一実施の形態によるＰＤＰ１０を駆動するための維持電極駆動回路４４の回路図である。維持電極駆動回路４４は、維持電極側維持パルス発生回路８０（以下、単に「維持パルス発生回路８０」と略称する）、一定電圧発生回路９０ａ、一定電圧発生回路９０ｂ、維持電極側スイッチ回路１００ａ（以下、単に「スイッチ回路１００ａ」と略称する）、維持電極側スイッチ回路１００ｂ（以下、単に「スイッチ回路１００ｂ」と略称する）を備えている。
【００６２】
維持パルス発生回路８０は、電力回収部８１と電圧クランプ部８５とを有し、第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０または第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に印加する維持パルスを発生する。
電力回収部８１は、電力回収用のコンデンサＣ８１、スイッチング素子Ｑ８１、Ｑ８２、逆流防止用のダイオードＤ８１、Ｄ８２、共振用のインダクタＬ８１、Ｌ８２を有し、電力回収部５１と同様にして、表示電極対間の電極間容量とインダクタＬ８１またはインダクタＬ８２とをＬＣ共振させて維持パルスの立上りおよび立下りを行う。
【００６３】
電圧クランプ部８５は、スイッチング素子Ｑ８５、Ｑ８６を有し、電圧クランプ部５５と同様にして、維持パルス発生回路８０の出力電圧（図７の節点Ｄの電圧）を電圧Ｖｓまたは電圧０（Ｖ）にクランプする。
一定電圧発生回路９０ａは、スイッチング素子Ｑ９１ａ、Ｑ９２ａ、Ｑ９３ａ、Ｑ９４ａを有する。スイッチング素子Ｑ９３ａとスイッチング素子Ｑ９４ａとは制御する電流の方向が互いに逆になるように直列接続された双方向のスイッチを形成している。そしてスイッチング素子Ｑ９１ａ、Ｑ９３ａ、Ｑ９４ａを介して第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に一定電圧Ｖｅ１を印加し、スイッチング素子Ｑ９２ａ、Ｑ９３ａ、Ｑ９４ａを介して維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に一定電圧Ｖｅ２を印加する。
【００６４】
一定電圧発生回路９０ｂは、一定電圧発生回路９０ａと同様の構成であり、スイッチング素子Ｑ９１ｂ、Ｑ９２ｂ、Ｑ９３ｂ、Ｑ９４ｂを有する。そして第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に一定電圧Ｖｅ１または一定電圧Ｖｅ２を印加する。
なお、これらのスイッチング素子も、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の一般に知られた素子を用いて構成することができる。ただし、図７にはＭＯＳＦＥＴおよびＩＧＢＴを用いた回路構成を示した。スイッチング素子Ｑ９４ａ、Ｑ９４ｂにはＩＧＢＴを用いており、制御する電流の方向と逆の方向の電流経路を確保するためにスイッチング素子Ｑ９４ａに並列にダイオードＤ９４ａを接続し、スイッチング素子Ｑ９４ｂに並列にダイオードＤ９４ｂを接続している。
【００６５】
また、スイッチング素子Ｑ９４ａは維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０から電圧Ｖｅ１、Ｖｅ２の電源に向かって電流を流すために設けられているが、電圧Ｖｅ１、Ｖｅ２の電源から維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に向かってのみ電流を流す場合にはスイッチング素子Ｑ９４ａを省略してもよい。スイッチング素子Ｑ９４ｂについても同様である。
また、スイッチング素子Ｑ９３ａのゲート・ドレイン間にコンデンサＣ９３ａを、スイッチング素子Ｑ９３ｂのゲート・ドレイン間にコンデンサＣ９３ｂをそれぞれ接続している。これらのコンデンサＣ９３ａ、Ｃ９３ｂは電圧Ｖｅ１、Ｖｅ２印加時の立上りを緩やかにするために設けているが、必ずしも必要なものではない。特に、電圧Ｖｅ１、電圧Ｖｅ２をステップ状に変化させる場合はこれらのコンデンサＣ９３ａ、Ｃ９３ｂは不要である。
【００６６】
スイッチ回路１００ａはスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０２ａを有し、スイッチング素子Ｑ１０１ａとスイッチング素子Ｑ１０２ａとは制御する電流の方向が互いに逆になるように直列接続された双方向のスイッチを形成している。そして維持パルス発生回路８０と第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０とを電気的に接続または分離する。
【００６７】
スイッチ回路１００ｂはスイッチング素子Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ｂを有し、スイッチング素子Ｑ１０１ｂとスイッチング素子Ｑ１０２ｂとも制御する電流の方向が互いに逆になるように直列接続された双方向のスイッチを形成している。そして維持パルス発生回路８０と第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０とを電気的に接続または分離する。
【００６８】
上記の維持電極駆動回路４４を用いることで、図４に示した駆動波形を第１の表示電極対グループである維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０および第２の表示電極対グループである走査電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に印加することができる。以下、具体的に動作を説明する。
初期化期間においては、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に上り傾斜波形を印加する期間はスイッチ回路１００ａ、１００ｂのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ａ、Ｑ１０２ｂをオンし、維持パルス発生回路８０の出力を０（Ｖ）にすることで、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０に一斉に０（Ｖ）を印加することができる。続く初期化期間の後半である走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に下り傾斜波形を印加する期間は、スイッチ回路１００ａ、１００ｂのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ａ、Ｑ１０２ｂをオフし、一定電圧発生回路９０ａ、９０ｂのスイッチング素子Ｑ９１ａ、Ｑ９１ｂ、Ｑ９３ａ、Ｑ９３ｂ、Ｑ９４ａ、Ｑ９４ｂをオンすることで、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０に一斉に電圧Ｖｅ１を印加することができる。
【００６９】
書込み期間においては、スイッチング素子Ｑ９１ａ、Ｑ９１ｂをオフ、Ｑ９２ａ、Ｑ９２ｂをオンすることで電圧Ｖｅ２を出力する。
第１の表示電極対グループが維持期間においては、スイッチ回路１００ａのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０２ａをオン、一定電圧発生回路９０ａのスイッチング素子Ｑ９３ａ、Ｑ９４ａをオフして、維持パルス発生回路８０が出力する維持パルスを維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に印加することができる。この時第２の表示電極対グループは書込み期間であるが、スイッチ回路１００ｂのスイッチング素子Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ｂはオフされているので、維持パルス発生回路８０が出力する電圧は維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に何ら影響しない。第２の表示電極対グループが維持期間で第１の表示電極対グループが書込み期間の場合も同様である。すなわち、スイッチ回路１００ｂのスイッチング素子Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ｂをオン、一定電圧発生回路９０ｂのスイッチング素子Ｑ９３ｂ、Ｑ９４ｂをオフして、維持パルス発生回路８０が出力する維持パルスを維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に印加することができる。この時第１の表示電極対グループは書込み期間であるが、スイッチ回路１００ａのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０２ａはオフされているので、維持パルス発生回路８０が出力する電圧は維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に何ら影響しない。
【００７０】
続く第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０が消去期間においては、維持パルス発生回路８０から電位０（Ｖ）を出力し、続く休止期間においては、スイッチ回路１００ａのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０２ａをオフ、一定電圧発生回路９０ａのスイッチング素子Ｑ９１ａ、Ｑ９３ａ、Ｑ９４ａをオンすることで維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧Ｖｅ１を印加することができる。続く後半の消去期間においては、一定電圧発生回路９０ａのスイッチング素子Ｑ９１ａをオフ、Ｑ９２ａをオンすることで電圧Ｖｅ２を維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に印加することができる。これら前半の消去期間、休止期間、後半の消去期間においても、第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０には何ら影響しない。第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０が消去期間および休止期間であり、第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０が書込み期間である場合も同様に、維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に印加する電圧は維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に何ら影響しない。
【００７１】
以上説明したように、維持電極駆動回路４４はスイッチ回路１００ａ、１００ｂが書込み期間においてオフすることで、もう一方の表示電極対グループの印加電圧に影響を受けずに所望の電圧を印加することができる。
なお、本実施の形態においては、図３に示したように、すべてのサブフィールドにおいて第１の表示電極対グループと第２の表示電極対グループとのサブフィールドの位相をずらしたサブフィールド構成を例に説明した。しかしながら本発明は上記サブフィールド構成に限定されるものではなく、例えば、すべての放電セルに対する維持期間の位相を揃えた書込み・維持分離方式のサブフィールドをいくつか含むサブフィールド構成であっても適用することができる。
【００７２】
また、以上の一実施の形態において示した維持パルス発生回路、傾斜波形発生回路等の具体的な回路構成は単に一例を示したに過ぎず、同様の駆動電圧波形を発生させることができれば他の回路構成であってもよい。例えば図６に示した電力回収部５１は、維持パルスの立上り時にはスイッチング素子Ｑ５１、ダイオードＤ５１、インダクタＬ５１およびスイッチング素子Ｑ５９を介してコンデンサＣ５１の電荷を電極間容量に移動し、維持パルスの立下り時にはインダクタＬ５２、ダイオードＤ５２およびスイッチング素子Ｑ５２を介して電極間容量の電荷をコンデンサＣ５１に戻す回路構成である。しかしインダクタＬ５１の一方の端子の接続をスイッチング素子Ｑ５９のソースから節点Ｃに変更して、維持パルスの立上り時にスイッチング素子Ｑ５１、ダイオードＤ５１およびインダクタＬ５１を介してコンデンサＣ５１の電荷を電極間容量に移動する回路構成としてもよい。また、インダクタＬ５１とインダクタＬ５２とを１つのインダクタで兼用する回路構成であってもよい。
【００７３】
また図６に示した傾斜波形発生回路６０は２つのミラー積分回路６１、６２を備えた回路構成を示したが、１つの電圧切換回路と１つのミラー積分回路とを備えた回路構成であってもよい。
また、図６に示した電力回収部５１のコンデンサＣ５１を削除し、図７に示した電力回収部８１をすべて削除し、図７の節点Ｄと図６のスイッチング素子Ｑ５１とＱ５２との接続点とを接続した回路構成であってもよい。あるいは、図６に示した電力回収部５１をすべて削除し、図７に示した電力回収部８１のコンデンサＣ８１を削除し、図７のスイッチング素子Ｑ８１とＱ８２の接続点と節点Ｃとを接続した回路構成であってもよい。
【００７４】
なお、本実施の形態においては表示電極対が２１６０本で表示電極対グループを２グループとした場合を例に説明したが、図８に示すようにＰＤＰとして表示電極対が４３２０本あって、データ電極Ｄ１〜Ｄｍが走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０と交差し、別のデータ電極Ｄｍ＋１〜Ｄ２ｍが走査電極ＳＣ２１６１〜ＳＣ４３２０および維持電極ＳＵ２１６１〜ＳＵ４３２０と交差するようなＰＤＰの場合であっても、本実施の形態と同様の動作をさせることが可能である。すなわち、第１の表示電極対グループを走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０と維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の一対の表示電極対および、走査電極ＳＣ２１６１〜ＳＣ３２４０と維持電極ＳＵ２１６１〜ＳＵ３２４０の一対の表示電極対とし、第２の表示電極対グループを走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０と維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０の一対の表示電極対および、走査電極ＳＣ３２４１〜ＳＣ４３２０と維持電極ＳＵ３２４１〜ＳＵ４３２０の一対の表示電極対とすればよい。データ電極Ｄ１〜Ｄｍは走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０の表示電極対としか交差していないため、走査電極ＳＣ２１６１〜ＳＣ４３２０および維持電極ＳＵ２１６１〜ＳＵ４３２０がどのような動作を行っても何ら影響されない。同様に、データ電極Ｄｍ＋１〜Ｄ２ｍが走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０にも何ら影響されない。したがって、図８のＰＤＰは上下で独立した動作と見なすことができるため、表示電極対が２倍の本数であっても、データ電極がＰＤＰの上下で２分割されていれば同様の動作が可能である。
【００７５】
図９は図８に示すＰＤＰを駆動するための走査電極駆動回路４３１の回路図である。走査電極駆動回路４３との相違点は、走査パルス発生回路７０ａと比較して、走査パルス発生回路７０ｅには走査電極ＳＣ２１６１〜ＳＣ３２４０を駆動するためのスイッチング素子Ｑ７１Ｈ２１６１〜Ｑ７１Ｈ３２４０およびＱ７１Ｌ２１６１〜Ｑ７１Ｌ３２４０が追加されている点、および、走査パルス発生回路７０ｂと比較して、走査パルス発生回路７０ｆには走査電極ＳＣ３２４１〜ＳＣ４３２０を駆動するためのスイッチング素子Ｑ７１Ｈ３２４１〜Ｑ７１Ｈ４３２０およびＱ７１Ｌ３２４１〜Ｑ７１Ｌ４３２０が追加されている点である。操作パルス発生回路５０および傾斜波形発生回路６０は同様である。このような走査電極駆動回路を用いることで、例えば第１の表示電極対グループの書込み期間において走査電極ＳＣ１に書込みパルスを印加するのと同時にＳＣ２１６１にも書込みパルスを印加することができる。第２の表示電極ついグループの書込み期間においても同様に、走査電極ＳＣ１０８１に書込みパルスを印加するのと同時にＳＣ３２４１にも書込みパルスを印加することができる。したがって、ＰＤＰ１０１の上部と下部の両方の表示部で同時に書込み動作が行えるので、上述したｎ＝２１６０本の時の動作と同じ駆動波形でＰＤＰを表示することができる。維持電極駆動回路も同様の構成とすればよい（図示しない）。すなわち、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に接続される維持電極駆動回路に、維持電極ＳＵ２１６１〜ＳＵ３２４０も追加で接続されればよく、同様に、維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に接続される回路に維持電極ＳＵ３２４１〜ＳＵ４３２０も追加で接続されればよい。
【００７６】
なお、以上の説明において用いた具体的な各数値は、単に一例を挙げたに過ぎず、ＰＤＰの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等にあわせて、適宜最適な値に設定することが望ましい。
以上説明した駆動方法によれば、高精細または超高精細のセル構造を有する構成でありながら、優れた画像表示性能が発揮されるＰＤＰが実現できる。また、近年の電化製品には消費電力の低減が望まれており、ＰＤＰについても同様の要求がある。特に高精細なＰＤＰにおいては、放電セルが微細化されて放電セル数も増大し、書込放電の確実性を上げるために動作電圧が高くなるので、この問題の解決が望まれている。
【００７７】
このような問題の解決のためには、ＰＤＰ１０の保護層として、放電開始電圧を低減し高輝度を実現するとともに雰囲気の影響を受けにくく安定しているという特性を備えていることが求められる。
そして、その具現化方法としては、本発明者らが行った検討の結果、材料としてはＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯにＳｉもしくはＷを添加したものとし、ＰＤＰの製造工程における封着工程を非酸化性ガス雰囲気で行うことが有効であるとの知見を得ることができた。以下、これについて詳細に説明する。
【００７８】
放電開始電圧を低減し高輝度を実現するという観点からは、保護層を構成する材料として、現行のＰＤＰにおいて使用されているＭｇＯに替えて、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯなどの材料が二次電子放出能という観点から有利である。しかしながらこれら材料は、ＭｇＯに比べ炭酸ガス（ＣＯ２）に対する反応性が高く、すなわち雰囲気の影響を受けてしまい不安定である、という欠点を有する。
【００７９】
ＰＤＰの製造工程においては保護層を成膜した前面板と蛍光体を塗布した背面板を重ね合わせて封着する封着工程が行われる。このとき、重ね合わせたＰＤＰ内部には、印刷プロセスで形成された隔壁や蛍光体表面に残ったバインダーの残渣が存在している。このような状態のＰＤＰをＯ２を含む雰囲気下で封着時に加熱焼成すると、ＰＤＰ内部において、背面板に残った有機残渣と大気中のＯ２とが酸化反応してＣＯ２が発生し、この発生したＣＯ２がＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯと反応することで特性を劣化させてしまうという事態となっていた。すなわち、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯは雰囲気に対して安定な高信頼性の保護層という観点では問題を有するものであった。
【００８０】
そこで前述したように本願発明者らは、検討を重ねた結果、保護膜の材料としては、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯに対してＳｉもしくはＷの元素を添加した材料とし、且つ、封着工程を非酸化性ガス雰囲気で行うことで、放電開始電圧が低減され、高輝度が実現でき、且つこれら特性が、雰囲気の影響を受けて劣化するということが低減でき高信頼性を確保できるということを見出した。
【００８１】
このような結果が得られたことについては、本願発明者らは以下のように考えている。すなわち、保護膜の材料として、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯに対してＳｉもしくはＷの元素を添加した材料とすることにより、保護層の結晶の性質がイオン結晶性から共有結晶性に変化する。これによりＣＯ２が吸着することで表面に炭酸化物が形成されてしまうといったことに対する表面安定性を向上させることができる。また、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの結晶構造中にＳｉのようなイオン半径や価数の異なる元素が添加されることで柱状構造を有する結晶性の保護層が非晶質の層に変化することにより、大気雰囲気に曝される表面積が低減したことでＰＤＰ内部への持込ガスが低減したという効果が得られたと考えられる。加えて、非酸化性ガス雰囲気中で封着を行うことによって、ＰＤＰ内に残留している有機成分の残渣を燃焼させることなく、すなわちＣＯ２の発生量を非常に少なくした状態で封着することを可能とすることができ、もって、これらの効果が相まって、保護層の変質を抑制することが可能となったと考えている。
【００８２】
以上の理由により本願発明によれば、保護層が本来の高い二次電子放出特性を発揮でき、且つ特性を安定的に得ることができることとなるので、もって放電維持電圧が低く消費電力を低減でき、且つこれらの特性が安定的に得られるＰＤＰが実現できる。
さらには、低い放電電圧で駆動させても放電の確実性が向上するため、超高精細ＰＤＰを用いて上記の駆動方法を用いた場合においても優れた画像表示性能が発揮できる。また、上記構成の保護層は、炭酸化反応が低減されることでＰＤＰ内部への不純ガスの持ち込みが少なくなるので、長期的に放電が安定化されてＰＤＰのライフ特性の向上を図ることもできる。
【００８３】
ここで、保護層として特にＳｒＯを主成分としＳｉ、Ｗを添加した材料としたとき、ＳｉＯ２、ＷＯ３は、ＳｒＯと蒸気圧が近いため、保護層形成の際の真空蒸着プロセスにおいて、ターゲットでの組成比と成膜後の保護層の組成比とをほぼ等しくでき実際の製造工程での安定性確保が比較的容易となるので、好ましい。
以下、本発明の一実施の形態によるＰＤＰを製造する方法について説明する。
＜ＰＤＰの製造方法＞
図１０は、本発明の一実施の形態によるＰＤＰを製造する際の流れを概略的に示す図である。図１０に示すように、製造過程では前面基板２を作製するとともに（工程Ａ１〜Ａ４）、背面基板９を別途作製する（工程Ｂ１〜Ｂ６）。そして、作製した両基板２、９を所定の位置で重ね合わせる（重ね合わせ工程・位置決め工程）。その後、図１２に示す封着工程、排気工程、放電ガス導入工程を順次経て、ＰＤＰを完成する。
（前面基板作製工程）
前面基板ガラス３の一方の主面上に表示電極対６を作製する（工程Ａ２）。ここでは印刷法によって表示電極対６を形成する例を示すが、これ以外にもダイコート法、ブレードコート法等で形成することができる。
【００８４】
まず、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の透明電極材料を最終厚み約１００ｎｍで、ストライプ等所定のパターンで前面基板ガラス上に塗布し、乾燥させる。これにより透明電極４１、５１が作製される。
一方、Ａｇ粉末と有機ビヒクルに感光性樹脂（光分解性樹脂）を混合してなる感光性ペーストを調整し、これを前記透明電極４１、５１の上に重ねて塗布し、形成するバスラインのパターンに合わせた開口部を有するマスクで覆う。そして、当該マスク上から露光し、現像工程を経て、５９０〜６００℃程度の焼成温度で焼成する。これにより透明電極４１、５１上に最終厚みが数μｍのバスライン４２、５２が形成される。このフォトマスク法によれば、従来は１００μｍの線幅が限界とされていたスクリーン印刷法に比べ、３０μｍ程度の線幅までバスライン４２、５２を細線化することが可能であり、高精細なＰＤＰ構造への対応も可能となる。また、バスライン４２、５２の金属材料としては、Ａｇの他にＰｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、また酸化錫、酸化インジウム等を用いることができる。バスライン４２、５２は上記方法以外にも、蒸着法、スパッタリング法などで電極材料を成膜したのち、エッチング処理して形成することも可能である。
【００８５】
次に、表示電極対６の上から、軟化点が５５０℃〜６００℃の鉛系あるいは非鉛系の低融点ガラスやＳｉＯ２材料粉末とブチルカルビトールアセテート等からなる有機バインダーを混合したペーストをスクリーン印刷法で塗布する。そして５５０℃〜６５０℃程度で焼成し、最終厚みが膜厚数μｍ〜数十μｍの誘電体層７を形成する（工程Ａ３）。上記非鉛系低融点ガラスとしては例えば、酸化ビスマス系低融点ガラスが挙げられる。この場合のガラス材料は、一例として、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）６０重量％、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）１５重量％、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）１０重量％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）１５重量％の組成として調整できる。
【００８６】
次に、誘電体層７の表面に、真空蒸着法やスパッタリング法、ＥＢ蒸着法等により、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯを主成分とし、Ｓｉを添加した保護層を形成する（工程Ａ４）。
ここで前述したように、保護層の材料としてＳｒＯとした場合には、添加するＳｉ、Ｗと蒸気圧の値が近いことから、ターゲット材料としては、所定の比率に調整したＳｒＯとＳｉＯ２、ＷＯ３の混合粉末を用いることができる。すなわち、ＳｒＯとＳｉＯ２もしくはＷＯ３という、蒸気圧の値が近い材料により混合粉末としているので、ＥＢ蒸着法を用いることで、ターゲットの組成比とほぼ一致した組成比の保護膜を形成することができる。なお、粉末状のターゲット材料を用いると、蒸着レートが大きくなるので好適であるが本発明は粉末状のターゲット以外でも単結晶体、焼結体、圧粉体を使用してもよい。
【００８７】
以上で前面基板２の作製が完了する。
（背面基板作製工程）
背面基板ガラス１０の一方の主面上に、スクリーン印刷法によりＡｇを主成分とする導電体材料を一定間隔でストライプ状に塗布し、厚さ数μｍ（例えば約５μｍ）のデータ電極１１を形成する（工程Ｂ２）。データ電極１１の電極材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属や、各種金属の炭化物や窒化物等の導電性セラミックスなどの材料やこれらの組み合わせ、あるいはそれらを積層して形成される積層電極も必要に応じて使用できる。
【００８８】
ここで、作製予定のＰＤＰを４０インチクラスの高精細セル構造にするためには、セルピッチに合わせて上記間隔を０．１６ｍｍ以下、例えば０．１０ｍｍ〜０．１６ｍｍの範囲に設定する必要がある。
続いて、データ電極１１を形成した背面基板ガラス１０の面全体にわたって、鉛系あるいは非鉛系の低融点ガラスやＳｉＯ２材料からなるガラスペーストを厚さ約２０〜３０μｍでスクリーン印刷法により塗布して焼成し、誘電体層１２を形成する（工程Ｂ３）。
【００８９】
次に、誘電体層１２面上に所定のパターンで隔壁１３を形成する（工程Ｂ４）。この隔壁１３の形成方法としては、例えば、酸化ビスマスを主成分とするガラス粒子とフィラー、及び感光性樹脂を含むペーストをダイコート法に基づき塗布し、フォトリソグラフィ法で所定のパターンで感光させたのち、エッチング処理して形成する方法や、あるいはガラスを含むペーストを塗布したのち、乾燥させて、サンドブラスト法により所定のパターンの隔壁１３を形成する方法を挙げることができる。
【００９０】
隔壁１３が形成できたら、隔壁１３の壁面と、隣接隔壁１３間で露出している誘電体層１２の表面に、ＡＣ型ＰＤＰで通常使用される赤色（Ｒ）蛍光体、緑色（Ｇ）蛍光体、青色（Ｂ）蛍光体のいずれかを含む蛍光インクを塗布する。これを乾燥・焼成し、それぞれ蛍光体層１４とする（工程Ｂ５）。
ここで適用可能なＲＧＢ各色蛍光の化学組成例は以下の通りである。
【００９１】
・赤色蛍光体；（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ、Ｙ（Ｐ、Ｖ）Ｏ４：Ｅｕ
・緑色蛍光体；Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、ＭｇＯあるいはＡｌ２Ｏ３がコートされた、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｔｂ、（Ｙ、Ｇｄ）Ａｌ３（ＢＯ３）４：Ｔｂ
・青色蛍光体；ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ
本発明は当然ながら、これらの組成例に限定するものではなく、高精細セル構造のＰＤＰにおいて、安定した駆動を実現できる蛍光体を用いて構成することが必要である。
【００９２】
以上で背面基板９が完成する。
なお、背面基板９については後の封着工程のため、以下のように当該ＰＤＰの周囲に封着材ペースト１６を塗布するとともに、これを仮焼成する（工程Ｂ６）。
（封着材塗布、仮焼成工程）
まず、所定の封着材（低融点ガラス等）に樹脂バインダー、溶剤を混合して調整し、封着材ペーストを得る。
【００９３】
ここで、樹脂バインダーには例えばアクリル樹脂、ニトロセルロース、エチルセルロース等の各種公知材料が利用できる。また、溶剤も例えば酢酸イソアミル、テルピネオール等の各種公知材料が利用できる。また、樹脂バインダーの添加量としては、一例として、溶剤に対して約５重量％の比率となるように調整することができる。
封着材の軟化点（封着材が軟化し始める温度）は、４１０℃〜４５０℃の範囲が好適である。また、封着材の流動温度（封着材が流動する温度）としては、４５０℃〜５００℃の範囲が望ましい。低融点ガラスとしては、ガラス転移点（ガラス転移温度、Ｔｇ）は３３６℃以上３６５℃以下に設定するのが望ましい。
【００９４】
上記温度範囲に適した封着材としては、例えば酸化ビスマス系あるいは酸化鉛系等の低融点ガラス材料に対し、コージライト、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等のフィラーを混合して作製する。この場合、低融点ガラス材料を４５〜９５体積％、フィラーを５〜５５体積％の比率でそれぞれ混合させて作製するのが好適である。
上記低融点ガラス材料として、酸化ビスマス系ガラスを主成分とする場合、具体的な組成（ＰＤＰ完成後の組成として）は、Ｂｉ２Ｏ３を６７〜９０重量％、Ｂ２Ｏ３を２〜１２重量％、Ａｌ２Ｏ３を０〜５重量％、ＺｎＯを１〜２０重量％、ＳｉＯ２を０〜０．３重量％、ＢａＯを０〜１０重量％、ＣｕＯを０〜５重量％、Ｆｅ２Ｏ３を０〜２重量％、ＣｅＯ２を０〜５重量％、Ｓｂ２Ｏ３を０〜５重量％の範囲で含んでなる組成とすることができる。
【００９５】
あるいは上記低融点ガラス材料として、酸化鉛系ガラスを主成分とする場合、具体的な組成（ＰＤＰ完成後の組成として）は、ＰｂＯを６５〜８５重量％、Ｂ２Ｏ３を１０〜２０重量％、ＺｎＯを０〜２０重量％、ＳｉＯ２を０〜２．０重量％、ＣｕＯを０〜１０重量％、Ｆｅ２Ｏ３を０〜５重量％の範囲で含んでなる組成とすることができる。
このように調整して得た封着材ペーストを、背面基板の表示領域外の周囲を囲繞するように塗布する（封着材ペースト塗布工程）。
【００９６】
そしてその後、背面基板を焼成炉に導入して塗布した封着ペースト材の乾燥を行う（仮焼成工程）。
次に、上記のようにして作製した前面基板２と背面基板９とを、表示電極対６及びデータ電極１１が交差するように対向配置させて重ね合わせる。位置ずれをしないように、両基板をスプリング機構を備えるクリップ（不図示）で挟んで保持する。このとき、隔壁１３の頂部が保護層８と対向するように配設する。また、背面基板９側へのチップ管３１の固定も行う。
【００９７】
なお、図１０では封着工程前の封着部１６を図示しているが、次に述べる封着工程の後には封着部１６のガラスが溶融して高さが低くなり、隔壁１３の頂部が保護層８と当接する。
（封着、排気、ガス導入工程）
次に封着、排気、放電ガス導入の各工程を行う。図１１は、本発明の一実施の形態によるＰＤＰ１０を製造する際の、封着とガス導入を行う装置の配管構造を示す図である。具体的には、封排用加熱炉１２０と、排気装置６０、ガス導入装置４０（図１１では窒素またはＸｅを非酸化性ガスとして導入するものとする）がバルブ８０、９０、１００、１１０、１３０を介して所定の配管で接続されたガス流通システム例を示す。
【００９８】
クリップで固定した両基板を封着・排気用（封排用）加熱炉中に載置する。図１１のように、背面基板９に配されたガラス管３１に排気装置６０、ガス導入装置４０からの配管を接続する。両基板内部からの排気およびガス流通、ガス導入は、バルブ８０、９０、１００、１１０、１３０のいずれかを所定のタイミングで開閉することで調節される。
図１２は、封着、排気、並びに放電ガス導入の各工程の温度プロファイル例を示す図である。なお、これらの加熱温度および温度維持期間は一例に過ぎない。
【００９９】
封着工程では、まず封排用加熱炉１２０中の封着雰囲気を調整する。このため、バルブ９０、１１０を開放して、ガス導入装置４０から、両基板内部や封排用加熱炉１２０の内部に好ましくは露点が−４５℃以下の非酸化性ガス（例えばＮ２ガスやＡｒガスやＸｅガス）を流通・充填する。この状態で、さらにバルブ８０、９０、１１０を制御して両基板と炉内に非酸化性ガスを送りながら、ヒーター１６０を通電し、両基板を加熱する。ヒーター１６０を調節することにより、両基板の温度を室温から封着材の軟化点温度（４１０℃〜４５０℃）まで上昇させる。
両基板の温度が軟化点温度まで上昇したら、封着温度維持ステップとして、当該温度を一定期間維持する（ここまでステップ１）。なお、軟化点での温度維持は必須ではなく、封着材の流動点までの温度上昇を緩やかにしたい場合等は省略してもよい。
【０１００】
次に両基板を封着材の流動点（溶融温度、４５０℃〜５００℃）まで加熱する（封着温度上昇ステップ）。この温度を一定期間維持し（封着温度維持ステップ）、その後、封着温度下降ステップとして、排気温度（４００℃〜４２０℃）以下にまで冷却する（ここまでステップ２）。このステップ１、２により、封着材の低融点ガラスは溶けて緻密な構造となり、冷却することで再度固化し、完成状態の封着部１６が形成される。
【０１０１】
以上のように、封着工程を非酸化性ガス雰囲気中で行わせることにより、両基板内に残留している有機成分の残渣を燃焼させることなく、すなわちＣＯ２の発生量を非常に少なくした状態での封着を実現している。これにより、保護層であるＳｒＯの変質を抑制することを可能としている。
以上で封着工程が終了する。次に排気工程に移る。
【０１０２】
バルブ８０を閉じ、バルブ９０、１００、１１０を開いて、両基板間のガスを排気装置６０で真空排気し、封排用加熱炉１２０を真空排気炉状態とする。この状態で、排気温度上昇ステップとして、両基板を所定の排気温度まで温度上昇させる。そして、排気温度維持ステップとして、当該温度で一定時間維持する。排気温度としては、封着材の軟化点未満（好ましくは軟化点より１０℃〜３０℃低い温度）に設定するのが好適である。その後は排気温度下降ステップとして、両基板温度を室温まで冷却させる（ステップ３）。
【０１０３】
この排気工程において、両基板内部において燃焼せずに低分子状態に保たれていた封着材ペースト由来の有機成分（ＣＨ系成分）は、燃焼温度にまでは加熱されずに気化し、流通ガスとともに両基板間から除去される。
このような排気工程を実施することにより、長期的なスパンで保護層に対して変質させるおそれのある有機成分を効率よく除去することができる。両基板の温度が室温まで低下すると、排気工程が終了する。
【０１０４】
続いて放電ガス導入工程に移る。バルブ９０、１００、１１０を閉じ、バルブ８０を開いて、ガス導入装置４０から両基板の間に、例えばＮｅ−Ｘｅ系の放電ガス（一例として７０％Ｎｅ−３０％Ｘｅガス）を所定圧力（例えば６６ＫＰａ）で導入する。
放電ガスを導入したのちは、ガラス管３１をチップオフして内部封止する（チップオフ工程）。以上でＰＤＰ１０の製造工程が完了する。
＜性能評価実験＞
本発明の性能効果を確認するため、実施例のＰＤＰ（サンプルＮｏ．１〜４）と比較例のＰＤＰ（サンプルＮｏ．５〜１０）を作製し、各々のＰＤＰの放電電圧を測定した。ＰＤＰの製造方法について、以下に明示した工程以外については上述した製造方法に基づくものとした。
（実施例の作製）
誘電体層を形成した前面基板にＥＢ蒸着法を用いて保護層を形成した。ターゲットにはＳｒＯ中にＳｉＯ２が０．１、１、１０、２０モル％含まれるように所定の比率で混合させたものを用いた。
【０１０５】
封着工程（図１２の温度プロファイル）では、まず、封着排気用加熱炉１２０に露点温度が−４５℃のＮ２ガスを充填させた。次に、両基板間にＮ２ガスを吹き込みながら、封排用加熱炉１２０内のヒーター１６０を用いて、炉内の温度を封着材の軟化点（４２０℃）まで上昇させた。そのままのＮ２ガスを流しながら封排用加熱炉１２０内の温度を封着材が十分に軟化する温度（４８８℃）まで上昇させ、この封着温度を維持し、その後、封着材の軟化点以下の温度（３００℃）まで炉内温度を降下させた。その後、排気工程、ガス導入工程を経て実施例のＰＤＰを得た。上述したＳｉ組成が異なる４つのターゲットによるＰＤＰを作製し、サンプルＮｏ．１〜４とした。すべてのＰＤＰにおいてセルサイズはＳＤディメンジョン、導入ガスはＸｅ／Ｎｅ混合ガスでＸｅ濃度は１５％、全圧は６０ｋＰａとした。
【０１０６】
次に比較例のＰＤＰとして、下記に示すように６つのサンプル（サンプルＮｏ．５〜１０）を作製した。
（比較例の作製）
実施例のＰＤＰと同様にターゲット中のＳｉ組成が異なるサンプルを作製し、封着工程を行った。封着工程では、まず、封着排気用加熱炉１２０内を大気あるいはＮ２雰囲気とし、実施例と同様の温度プロファイルで封着を行った。その後、排気工程、ガス導入工程を経て比較例のＰＤＰを得た。ターゲット中のＳｉ組成と封着時の雰囲気が異なる６つのＰＤＰを作製し、サンプルＮｏ．５〜１０とした。
【０１０７】
以上のように作製した実施例のサンプルＮｏ．１〜４、比較例のサンプルＮｏ．５〜１０について封着時のガス雰囲気、保護層作製に使用したターゲット中のＳｉ組成、得られた保護層中に含まれるＳｉ組成などのデータと放電維持電圧の値について表１にまとめて示す。放電維持電圧とは一度すべてのセルを点灯させた後に維持電圧を下げていったとき、最初にセルが消灯したときの電圧を表すものとする。
【０１０８】
【表１】
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【０１０９】
表1に示されるように、実施例のサンプルはすべて比較例のサンプルよりも放電維持電圧が低く抑えられていることがわかる。
これは前述したように、比較例のサンプルは、封着時に、背面基板あるいは封着材に残った有機残渣が封着工程での加熱処理中に雰囲気中の酸素と反応して燃焼し、表面から放出されたＣＯ２ガスが前面基板の保護層表面に吸着され保護層が炭酸化した表面を形成した状態でＰＤＰが製造されたため、放電維持電圧が上昇してしまったと考えられる。これに対し、実施例のサンプルは、封着工程時の雰囲気を非酸化性雰囲気に制御しているので、封着工程時の加熱処理中でも保護層が変質せず、比較例のサンプルと比べて維持電圧が低電圧となったものと考えられる。
【０１１０】
また、実施例のサンプル間での比較において、保護層にＳｉが含まれるとＳｉを含まないサンプルＮｏ．５よりも放電維持電圧は下がっていることがわかる。これは、Ｓｒを主成分とする保護層にＳｉを添加することで保護層自体の表面安定性が向上し、また、封着時において両基板内への持込ガスが低減されたことによると考えられる。
なお、Ｎｏ．６のように保護層中に含まれるＳｉ組成が２３．７８％になると放電維持電圧は１４８ＶとなりＳｉを含まないサンプルＮｏ．５と同等程度の放電維持電圧となってしまうことがわかった。これはＳｒに対してＳｉの占める割合が増加することで、材料自体の表面安定性は向上し、ＰＤＰ作製時における両基板内への不純ガスの持ち込みは低減されているが、それ以上にＳｒよりも二次電子放出係数が低いＳｉの占める割合が増加したことで材料自体の放電特性が悪くなったためであると考えられる。
【０１１１】
以上の結果より、本発明の保護層としては、組成式がＳｒ１−ｘＳｉｘＯで表され、０．００２５≦ｘ＜０．１２２５の関係が成立する構成で、かつ、封着時の雰囲気を非酸化性ガス雰囲気に制御することが好適であるといえる。
また、以上の説明においては、背面基板作製における封着材塗布工程の後の仮焼成工程が、次に述べる仮焼成工程の最高温度である、封着材の軟化点未満の温度で実施すると、上述した効果をさらに高めることができ、好ましい。
【０１１２】
すなわち、仮焼成での最高温度は、封着材ペーストのバインダーの消失温度以上（複数のバインダーを用いる場合には、用いるバインダー中の最低消失温度以上）で、かつ、封着材の軟化点未満の温度になるように低く調整することが好ましく、また、封着材成分として低融点ガラスを用いる場合には、さらに当該低融点ガラスのガラス転移点以上かつ当該低融点ガラスの軟化点よりも１０℃以上低い温度に調整することが好ましい、というものである。
【０１１３】
ここで言う「焼失温度」とは、バインダーがペーストからほぼ消える温度を指すものとする。具体的には前記軟化点より１０℃以下低い温度、さらに具体的には、１０℃〜５０℃程度に低い温度となるように設定する。
封着材の軟化点以上の加熱を行うと、封着材ペースト中の有機成分は、酸化されてＣＯ２ガスを発生すると共に、結果物として、揮発しにくい重合物を生成してしまう場合がある。ここで、ＣＯ２ガスは前述してきたように保護層に対して悪影響を及ぼし、また、重合物は、封着工程の後の排気工程でもＰＤＰ外に排出しにくく、排気工程後もＰＤＰ内部に残留してしまうこととなる。すなわち、完成後のＰＤＰ内部において、閉じ込められた重合物の成分が、徐々に少しずつ、放電空間内部に放出され、結果、保護層に付着して二次電子放出特性を低下させ、放電電圧を上昇させてしまうという問題を発生させてしまう場合がある。
【０１１４】
そこで、仮焼成工程は、所定の低温で加熱することで、有機成分を酸化させずに低分子状態のままで残留させ、後の排気工程で効果的に除去できるように調整することが好ましい。
図１３は、仮焼成工程の温度プロファイルの一例を示す図である。図１０のＢ６の状態にある背面基板９を焼成炉に導入する。このとき、焼成雰囲気は若干の酸素を含む雰囲気（一例として、１％以下の濃度で酸素を含有する雰囲気）に設定することができる。また、非酸化性雰囲気（一例として、露点が−４５℃以下の窒素を含む雰囲気）に設定することもできる。非酸化性雰囲気に設定する場合は、仮焼成工程ではＰＤＰの有機成分をあまり燃焼除去できないので、のちの排気工程でこれを十分に除去するように留意する必要がある。
【０１１５】
背面基板９を導入した後、焼成炉を室温から仮焼成温度（４００℃）まで上昇させる（ステップ１、仮焼成温度上昇ステップ）。この仮焼成温度は当該仮焼成工程における最高温度であって、前述したように封着材の低融点ガラスの軟化点未満として設定した値である。ここでは、この仮焼成の最高温度（４００℃）を一定期間（例えば１０分〜３０分）にわたり温度維持して仮焼成させる（ステップ２、仮焼成温度維持ステップ）。その後は、背面基板９の温度を室温まで下降させる（ステップ３、仮焼成温度下降ステップ）。ステップ３では、最高温度を４００℃とする場合は２００℃程度の温度下降まで２０分ほどかかり、その後、５０℃程度の温度下降までは、さらに２時間以上の経過が目安となる。
【０１１６】
このような温度プロファイルに基づく仮焼成工程を行うことで、封着材ペーストの過度の加熱を防止し、樹脂成分の酸化（重合化）を防ぐことができる。
なお、仮焼成工程は一般的には封着材ペースト中の溶剤やバインダー成分を燃焼させ、炭酸ガス（ＣＯ２）を生じさせて除去するが、仮焼成雰囲気中に酸素等の酸化性ガス成分が多く含まれていると、炭酸ガスが急激に発生して封着材のガラス成分が発泡し、封着が不完全になるおそれがある。不完全な封着の発生は、後に放電ガスのリークの原因となるため避けなければならない。
【０１１７】
このようなガラス成分の発泡を防ぐためには、酸化ガス成分を低減させた弱酸化性雰囲気（例えば主成分の窒素と、分圧が１％以下酸素を含む混合雰囲気）や、非酸化性雰囲気（窒素を含む雰囲気）で仮焼成を行うことが望ましい。封着材ペーストの樹脂成分にアクリル樹脂が含まれ、封着材にＢｉ２Ｏ３系ガラスやＰ２Ｏ５系ガラスが用いられる場合には、窒素等を用いた非酸化性雰囲気で仮焼成工程を実施することが好適である。
【０１１８】
以上説明してきたように、本発明のＰＤＰによれば、従来に比べて保護層への不純物の吸着を効果的に防止することで良好な二次電子放出特性が発揮され、且つそれら特性が安定的に得られるという良好な特性の保護層が実現でき、もって、すぐれた画像表示性能が可能なＰＤＰを提供することが可能となる。
また、本発明は、良好な高速応答性が得られるので、特に高精細・超高精細ＰＤＰ、あるいは大画面のＰＤＰに適用することによって、極めて有効な効果を発揮することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
以上のように本発明は、大画面、高精細のプラズマディスプレイ装置を提供する上で有用な発明である。
【符号の説明】
【０１２０】
１０  プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
２１  前面基板
２２  走査電極
２３  維持電極
２４  表示電極対
２５、３３  誘電体層
２６  保護層
３１  背面基板
３２  データ電極
３４  隔壁
３５  蛍光体層
４０  プラズマディスプレイ装置
４１  画像信号処理回路
４２  データ電極駆動回路
４３、４３１、４３２  走査電極駆動回路
４４、４４２  維持電極駆動回路
４５  タイミング発生回路
５０，８０  維持パルス発生回路
５１，８１  電力回収部
５５，８５  電圧クランプ部
６０  傾斜波形発生回路
７０ａ、７０ｂ、７０ｃ、７０ｄ、７０ｅ、７０ｆ  走査パルス発生回路
７５ａ、７５ｂ、７５ｃ、７５ｄ  （走査電極側）スイッチ回路
９０ａ、９０ｂ、９０ｃ、９０ｄ  一定電圧発生回路
１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ  （維持電極側）スイッチ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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