(57)【要約】【課題】第１に、処理液が、基板材上面を右端部側から左端部側に至るまで、新鮮で遅速，過不足，バラツキなく表面処理し、もって基板材上面の処理精度が向上し、第２に、しかもこれが、簡単な構成により容易に、コスト面にも優れて実現される、基板材の表面処理装置を提案する。【解決手段】  この基板材Ａの表面処理装置１は、搬送される基板材Ａに対し、スプレーノズル２から処理液Ｄを噴射して表面処理する。そして上側のスプレーノズル２１は、前後左右に多数配列され、もって基板材Ａ上面に対応位置すると共に、順次交互に右方向又は左方向に向け傾斜して配列されている。そして、右方向に向けられた列では、左端部側のスプレーノズル２１が、又、左方向に向けられた列では、右端部側のスプレーノズル２１が、それぞれ同列の他のスプレーノズル２１より、小流量に設定されている。【選択図】図１
2011023378.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路基板の製造工程で使用され、搬送される基板材に対し、スプレーノズルから処理液を噴射して表面処理する、基板材の表面処理装置において、
上側の該スプレーノズルは、前後の搬送方向および左右の幅方向に多数配列され、もって該基板材上面に対応位置すると共に、
右端部側又は左端部側の該スプレーノズルが、他の該スプレーノズルより小流量に設定されていること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載した表面処理装置において、上側の該スプレーノズルは、右方向又は左方向に向け傾斜して配列されており、
右方向に向けられた列では、左端部側の該スプレーノズルが、又、左方向に向けられた列では、右端部側の該スプレーノズルが、それぞれ同列の他の該スプレーノズルより、小流量に設定されていること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載した表面処理装置において、小流量に設定される該スプレーノズルは、列の左右端の１個、又は列の左右端から数えて複数個よりなること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載した表面処理装置において、上側の該スプレーノズルは、スプレーパターンが横長状となるフラットタイプよりなり、その長辺側を左右の幅方向に向けて配されていること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載した表面処理装置において、該基板材は、ホイール群を備えたコンベアにて水平搬送され、
上側の各該スプレーノズルから噴射された該処理液は、右端部側又は左端部側の該スプレーノズルが小流量に設定されていることに基づき、該基板材上面を、左端部又は右端部に至るまで、新鮮で遅速なく均一に表面処理すること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載した表面処理装置において、該表面処理装置は、現像工程，エッチング工程，剥離工程，又は洗浄工程で使用され、
該スプレーノズルは、現像液，エッチング液，剥離液，又は洗浄液を、該処理液として噴射すること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板材の表面処理装置に関する。すなわち、電子回路基板の製造工程、例えばエッチング工程で使用され、基板材を処理液にて表面処理する、表面処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
《技術的背景》
プリント配線基板，その他の電子回路基板の代表的な製造工程では、電解銅やメッキ銅製の銅張り積層板よりなる基板材の外表面に、→まず、液状やドライフィルム状の感光性レジストが、塗布又は張り付けられる。
→それから、回路のネガフィルムを当てて露光した後、→回路形成部分以外のレジストを、現像により溶解除去し、→もって、露出した回路形状部分以外の銅箔を、エッチングにより溶解除去してから、→回路形成部分のレジストを、剥離により溶解除去する。
このようなプロセスを辿ることにより、図６の（１）図に示したように、基板材Ａの外表面に残った銅箔にて、電子回路Ｂが形成され、電子回路基板Ｃが製造されていた。
【０００３】
そして、図７に示したように、上述した現像工程，エッチング工程，剥離工程等では、それぞれ、現像装置，エッチング装置，剥離装置等の表面処理装置１において、基板材Ａに対し、スプレーノズル２から現像液，エッチング液，剥離液等の処理液Ｄが、噴射される。もって基板材Ａが、現像，エッチング，剥離等、表面処理されていた。
図７中、３は、基板材Ａを搬送するコンベア４のホイールである。５は処理液Ｄの液槽、６はポンプ、７はフィルター、８は配管、９はシャワー管である。１０は、チャンバー（処理室）を示す。
【０００４】
《従来技術》
ところで、この種の表面処理装置１にあっては、スプレーノズル２から基板材Ａに噴射される処理液Ｄが、順次新鮮な液へと更新されつつ、基板材Ａを表面処理（例えばエッチング処理）することが、重要である。
これに対し、基板材Ａ上に処理液Ｄの液溜まりや滞留が発生して、更新が滞ると、基板材Ａの表面処理に遅速，過不足，バラツキ（例えばエッチング不足やオーバーエッチング）が発生する。もって、表面処理が不均一化し、処理精度低下して、均一な回路Ｂ形成に支障が生じるようになる。
そこで、処理液Ｄの更新促進，液溜まり解消，滞留解消をめざし、従来例の表面処理装置１では、例えば、図１，図２に示した方式が、採用されていた。すなわち、上側の各スプレーノズル２１を、左右方向Ｅつまり左方向次いで右方向に順次傾斜させて配列する方式が、採用されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
このような表面処理装置１としては、例えば、次の特許文献１，２中に示されたものが挙げられる。
【特許文献１】特開２００４−１５８７６５号公報
【特許文献２】特開２００５−２３２４９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
《基板材Ａ上面の処理精度について》
上述したこの種従来例の表面処理装置１では、処理液Ｄは、左方向又は右方向に向け傾斜した上側の各スプレーノズル２１から噴射され、→基板材Ａ上面を、左方向又は右方向に規則的に流れつつ表面処理した後、→左右両サイドから流下，排出される。→もって、問題となっていた処理液Ｄの液溜まりや滞留は、解消される。
しかしながら、依然として基板材Ａ上面について、表面処理の遅速，過不足，バラツキが指摘されていた。
【０００７】
例えば、上側のスプレーノズル２１が右方向に向けられた列では、→左端部側のスプレーノズル２１から噴射された処理液Ｄは、→基板材Ａ上面を、左端部から中央部そして右端部へと流れる。→この間、基板材Ａ上面の左端部を新鮮な状態で表面処理するが、事後は劣化が進行し、右端部に至った時は極めて劣化している。
→そして、右端部に流れついた劣化した処理液Ｄは、→右端部側のスプレーノズル２１から噴射される新鮮な処理液Ｄが、基板材Ａ上面の右端部を表面処理するのを阻害していた。→基板材Ａ上面の右端部では、流れついた大量の劣化した処理液Ｄに干渉されて、上位から噴射されたばかりの処理液Ｄの新鮮さが損われ、処理能力が低下してしまい、→もって表面処理に遅れ，不足が生じていた。
なお上述した例は、スプレーノズル２１が右方向に向けられた列に関するが、スプレーノズル２１が左方向に向けられた列についても、勿論、同様の状況となっていた。
【０００８】
このようにして、基板材Ａ上面について、表面処理（例えばエッチング処理）の遅速，過不足，バラツキが発生していた。
すなわち、上述した例では、基板材Ａ上面の右端部が処理不足（例えばエッチング不足）となり、→これをカバーすべく、全体の処理量（例えばエッチング処理量）を増やすと、→今度は、左端部や中央部が過剰処理（例えばオーバーエッチング）となっていた。
例えば、エッチング処理の場合、形成される回路Ｂについて、すべてが図６の（３）図に示したような断面形状とはならず、オーバーエッチングにより、図６の（４）図に示したように、略富士山状・急傾斜台形状の断面形状箇所が発生してしまっていた。このように回路Ｂ幅が細く狭くなる箇所が発生すると、通電容量，抵抗値が変動し、信号伝達等にも支障が生じ、発熱の原因ともなる。
この種従来例の表面処理装置１については、このような表面処理の不均一、処理精度の低下、均一回路Ｂ形成への支障発生の問題が、指摘されていた。
【０００９】
《本発明について》
本発明の基板材の表面処理装置は、このような実情に鑑み、上記従来例の課題を解決すべくなされたものである。
そして本発明は、第１に、基板材上面の処理精度が向上し、第２に、しかもこれが簡単容易に実現される、基板材の表面処理装置を提案することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
《請求項について》
このような課題を解決する本発明の技術的手段は、次のとおりである。まず、請求項１については次のとおり。
請求項１の基板材の表面処理装置は、電子回路基板の製造工程で使用され、搬送される基板材に対し、スプレーノズルから処理液を噴射して表面処理する。
そして、上側の該スプレーノズルは、前後の搬送方向および左右の幅方向に多数配列され、もって該基板材上面に対応位置すると共に、右端部側又は左端部側の該スプレーノズルが、他の該スプレーノズルより、小流量に設定されていること、を特徴とする。
請求項２については、次のとおり。
請求項２の基板材の表面処理装置では、請求項１において、上側の該スプレーノズルは、右方向又は左方向に向け傾斜して配列されている。そして、右方向に向けられた列では、左端部側の該スプレーノズルが、又、左方向に向けられた列では、右端部側の該スプレーノズルが、それぞれ同列の他の該スプレーノズルより、小流量に設定されていること、を特徴とする。
請求項３については、次のとおり。
請求項３の基板材の表面処理装置では、請求項２において、小流量に設定される該スプレーノズルは、列の左右端の１個、又は列の左右端から数えて複数個よりなること、を特徴とする。
【００１１】
請求項４については、次のとおり。
請求項４の基板材の表面処理装置では、請求項３において、上側の該スプレーノズルは、スプレーパターンが横長状となるフラットタイプよりなり、その長辺側を左右の幅方向に向けて配されていること、を特徴とする。
請求項５については、次のとおり。
請求項５の基板材の表面処理装置では、請求項４において、該基板材は、ホイール群を備えたコンベアにて水平搬送される。
そして、上側の各該スプレーノズルから噴射された該処理液は、右端部側又は左端部側の該スプレーノズルが小流量に設定されていることに基づき、該基板材上面を、左端部又は右端部に至るまで、新鮮で遅速なく均一に表面処理すること、を特徴とする。
請求項６については、次のとおり。
請求項６の基板材の表面処理装置では、請求項５において、該表面処理装置は、現像工程，エッチング工程，剥離工程，又は洗浄工程で使用される。そして該スプレーノズルは、現像液，エッチング液，剥離液，又は洗浄液を、該処理液として噴射すること、を特徴とする。
【００１２】
《作用等について》
本発明は、このような手段よりなるので、次のようになる。
（１）この表面処理装置は、電子回路基板の製造工程で使用される。
（２）そして、スプレーノズルから処理液を噴射して、基板材を表面処理する。
（３）上側のスプレーノズルは順次、右方向又は左方向に傾斜配列されている。
（４）もって処理液は、基板材上面を右方向又は左方向に向け規則的な流れを形成した後、左右サイドから流下，排出される。
（５）さて本発明では、上側のスプレーノズルについて、右方向傾斜列では左端部側のものが、左方向傾斜列では右端部側のものが、それぞれ小流量に設定されている。
（６）そこで、右方向傾斜列については、次のようになる。まず、左端部側スプレーノズルから噴射された処理液は、新鮮な状態で基板材上面の左端部を表面処理する。
これに対し、右端部側スプレーノズルから噴射された処理液は、左端部から極めて劣化した処理液が流れつくものの、その量が少ないので、新鮮さが損なわれることなく、基板材上面の右端部を表面処理する。右端部について、表面処理の遅れ，不足が生じることはない。
（７）又、左方向傾斜列についても、上述と同様である。すなわち上述に準じ、基板材上面の右端部や左端部について、新鮮な処理液にて表面処理が実施される。
（８）本発明の表面処理装置では、このようにして、基板材上面の左端部，中央部，右端部の全てについて、遅速，過不足，バラツキのない均一した表面処理が実現される。
（９）例えばエッチング処理の場合は、エッチング不足やオーバーエッチングが発生することなく、理想に近い断面形状の回路が、均一に形成される。
（１０）さてそこで、本発明は、次の効果を発揮する。
【発明の効果】
【００１３】
《第１の効果》
第１に、基板材上面の処理精度が向上する。すなわち、本発明の表面処理装置では、左端部側又は右端部側のスプレーノズルを、小流量とした設定を採用してなる。
もって処理液が、基板材上面を、右端部から左端部に至るまで、新鮮で遅速，過不足，バラツキなく表面処理可能となる。もって、表面処理の均一化，処理精度の向上，均一な回路形成等が実現される。
例えば、エッチング装置でのエッチング処理に際しては、エッチング液により、前述したこの種従来例のように、エッチング不足やオーバーエッチングが発生することなく、回路幅が細く狭くなる箇所が形成されることもなく、均一で精度高いエッチングが実現される。
【００１４】
《第２の効果》
第２に、しかもこれは、簡単容易に実現される。すなわち、本発明の表面処理装置は、所定のスプレーノズルを小流量に設定するという、簡単な構成により、上述した第１の効果が容易に実現される。
すなわち、流量の設定変更という簡単な構成により、コスト面にも優れつつ、上述した処理精度の向上が実現される。又、既存のエッチング装置，その他の表面処理装置について、所定スプレーノズルを流量変更するだけで、容易に後付け採用可能である。
このように、この種従来例に存した課題がすべて解決される等、本発明の発揮する効果は、顕著にして大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る基板材の表面処理装置について、発明を実施するための形態の説明に供し、正面説明図である（コンベアは図示省略）。  そして（１）図は、右方向に向け傾斜した上側のスプレーノズル等を示し、（２）図は、左方向に向け傾斜した上側のスプレーノズル等を示す。
【図２】同発明を実施するための形態の説明に供し、平面説明図である（コンベアは図示省略）。
【図３】同発明を実施するための形態の説明に供し、スプレーノズルのスプレーパターンを示す。  そして（１）図，（２）図，（３）図は、フラットタイプの説明に供し、（１）図は側面説明図、（２）図は正面説明図、（３）図は平面説明図である。（４）図，（５）図は、フルコーンタイプの説明に供し、（４）図は側面（正面）説明図、（５）図は平面説明図である。
【図４】基板材の表面処理装置の説明に供し、要部の側面説明図である。
【図５】基板材の表面処理装置の説明に供し、ホイール群を備えたコンベアの平面説明図である。
【図６】基板材（電子回路基板）の説明に供する。そして（１）図は、その１例の平面説明図である。（２）図，（３）図，（４）図は、形成される回路の断面説明図であり、（２）図は理想例を、（３）図は良い例（本発明）を、（４）図は悪い例（従来例）を示す。
【図７】基板材の表面処理装置の説明に供し、（１）図は正面説明図（コンベアは図示省略）、（２）図は側面説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態について、詳細に説明する。
《表面処理装置１について》
まず、図１，図２，図４，図７等を参照して、本発明の適用対象である表面処理装置１について、一般的に説明する。
本発明の基板材Ａの表面処理装置１は、電子回路基板Ｃの製造工程で使用され、搬送される基板材Ａに対し、上側のスプレーノズル２１、更に図示例では下側のスプレーノズル２２から、処理液Ｄを噴射して、表面処理する（製造工程等については、前述した背景技術欄も参照）。
すなわち表面処理装置１は、代表的にはエッチング工程や現像工程、更には剥離工程や、これらの各工程に付随して設けられる洗浄工程等において、エッチング装置，現像装置，剥離装置，又は洗浄装置等として、使用される。
又、代表的には、前述したサブトラクティブ法（ウェットプロセス法）において、その（パターン）エッチング工程，現像工程，その他の工程に適用されるが、それ以外の電子回路基板Ｃの製造方法、例えばセミアディティブ法において、その現像工程や後処理の（クイック）エッチング工程にも適用される。
更に、これらの各種工程の前提となる表面粗化処理工程にも、適用可能である。すなわち、銅張り積層板よりなる基板材Ａについて、その銅箔表面を予め粗化処理しておく（ソフト）エッチング工程にも、適用可能である。
そして表面処理装置１では、そのチャンバー１０内において、コンベア４により、前後の搬送方向Ｆに水平搬送される基板材Ａに対し、エッチング液，現像液，剥離液等の薬液，又は洗浄液等の処理液Ｄが、噴射される。もって、処理液Ｄがスプレーされた基板材Ａが、所定の薬液処理や洗浄処理される等、表面処理される。
【００１７】
《コンベア４について》
表面処理装置１のコンベア４について、更に詳述する。図示のコンベア４は、上下のホイール３群を備えている。すなわち、図４，図５，図７の（２）図に示したように、ホイール３は、径が例えば３２ｍｍ程度で、左右肉厚薄の略コマ状・車輪状をなし、左右の幅方向Ｅに水平配設された上下のコンベアシャフト１１に、それぞれ左右ピッチ間隔を存しつつ、複数個取付けられている。
そして、このような上下のホイール３１，３２付のコンベアシャフト１１１，１１２が、前後の搬送方向Ｆに向け、前後ピッチ間隔を存しつつ多数列設されている。各コンベアシャフト１１１，１１２は、ギア１２や駆動軸１３を介し、モータ等の駆動機構に接続されている。前後の各ホイール３間は、前後で若干ラップし噛み合う位置関係で配設されている。
基板材Ａは、このようなコンベア４の上下で対応位置するホイール３１，３２群に挟み込まれ、その回転駆動により前後の搬送方向Ｆに水平搬送される。基板材Ａとしては、６００×５００ｍｍサイズや、５００×４００ｍｍサイズのものが、代表的である。
【００１８】
《スプレーノズル２について》
次に、表面処理装置１のスプレーノズル２について、更に詳述する。図１，図２，図４に示したように、搬送される基板材Ａに対し処理液Ｄを噴射して表面処理する上下のスプレーノズル２は、前後の搬送方向Ｆおよび左右の幅方向Ｅに多数配列され、もって基板材Ａ上面，下面にそれぞれ対応位置している。
すなわち、上側のスプレーノズル２１および下側のスプレーノズル２２は、左右の幅方向Ｅに水平配設された上下のシャワー管９１，９２に、それぞれ左右ピッチ間隔を存しつつ複数個、例えば１１個付設されている。そして、このようなスプレーノズル２１，２２付の上下のシャワー管９１，９２が、前後の搬送方向Ｆに向け、例えば８本〜１２本程度、１７５ｍｍ程度のピッチ間隔で列設されている。
【００１９】
そこで処理液Ｄは、上下のシャワー管９１，９２からスプレーノズル２１，２２へと圧送された後、→スプレーノズル２１，２２から、上下方向Ｇに例えば１１６ｍｍや８５ｍｍ程度の間隔を存して搬送される基板材Ａに対し、噴射される。→そして、基板材Ａを表面処理した後、基板材Ａの左右両サイドから流下，排出される。→処理液Ｄは、液槽５へと流下，回収，貯留された後、ポンプ６，フィルター７，配管８等を経由して（前述した図７も参照）、→再び上下のシャワー管９１，９２からスプレーノズル２１，２２へと、循環供給されて再使用される。
なお図４中、Ｈはスプレーゾーンである。処理液Ｄは、スプレーノズル２から、このスプレーゾーンＨを介して、基板材Ａに噴射される。そして、上側のスプレーゾーンＨと下側のスプレーゾーンＨとは、上下で対向位置せず搬送方向Ｆにずれて位置している。又、スプレーゾーンＨのエリアについては、ホイール３は配設されず、１本又は２本のコンベアシャフト１１が欠如せしめられている。
表面処理装置１は概略、このように構成されている。
【００２０】
《本発明の概要》
以下、本発明の表面処理装置１について、図１，図２を参照して説明する。まず、その概要について述べる。
この表面処理装置１では、右端部側又は左端部側のスプレーノズル２が、他のスプレーノズル２より、小流量に設定されている。
すなわち、上側のスプレーノズル２１は、右方向又は左方向に向け傾斜して配列されている。そして、右方向に向けられた列では、左端部側のスプレーノズル２１が、又、左方向に向けられた列では、右端部側のスプレーノズル２１が、それぞれ同列の他のスプレーノズル２１より、小流量に設定されている。
小流量に設定されるスプレーノズル２１は、列の左右端の１個、又は列の左右端から数えて複数個よりなる。又、上側のスプレーノズル２１は、スプレーパターンが横長状となるフラットタイプよりなり、その長辺側を左右の幅方向Ｅに向けて配設されている。
もって、上側の各スプレーノズル２１から基板材Ａ上面に噴射された処理液Ｄは、右端部側又は左端部側のスプレーノズル２１が小流量に設定されていることに基づき、基板材Ａ上面を、左端部又は右端部に至るまで、新鮮で遅速なく均一に表面処理する。
本発明の概要は、このようになっている。
【００２１】
《本発明の詳細》
このような表面処理装置１について、図１，図２を参照して更に詳述する。まず前提として、上側のスプレーノズル２１は、前後の搬送方向Ｆに多数列設されているが、各列毎に、幅方向Ｅの右方向又は左方向に向けられている。
そして、右方向に向けられた列（図１の（１）図等を参照）と、左方向に向けられた列（図１の（２）図等を参照）とが、同数列設けられると共に、搬送方向Ｆに向け順次交互に配列されている。
これと共にスプレーノズル２１は、斜めに傾斜した噴射角度Ｊで配設されている。すなわち、右方向に向けられた列のものは、上下方向（垂直センター）Ｇに対し、右方向に例えば１２度傾斜した噴射角度Ｊに設定されている（図１の（１）図等を参照）。左方向に向けられた列のものは、左方向に例えば１１度の噴射角度Ｊに設定されている（図１の（２）図等を参照）。
又、このスプレーノズル２１としては、図３の（１）図，（２）図，（３）図に示したように、基板材Ａに噴射される際のスプレーパターンが、横長の太膜状，略楕円状となるフラットタイプ（スリットタイプ）のものが、代表的に用いられる。
なお、本発明の適用対象となるスプレーノズル２１としては、フラットタイプ以外の各種タイプのものも可能であるが、フラットタイプの場合、基板材Ａ上面に噴射された処理液Ｄの左右方向Ｅへの流れが、一段とスムーズに促進される。
因に、下側のスプレーノズル２２は、図３の（４）図，（５）図に示したように、スプレーパターンが円状となるフルコーンタイプのものが用いられると共に、基板材Ａ下面に対し傾斜することなく真下から対峙している。
【００２２】
このような前提のもと、上側の各列のスプレーノズル２１は、その一方端部側のものが、小流量に設定されている。
すなわち、右方向に向けられた列（図１の（１）図等を参照）では、左端部側のスプレーノズル２１が、中央部側や右端部側のスプレーノズル２１に比し、小流量に設定されている。左方向に向けられた列（図１の（２）図等を参照）では、右端部側のスプレーノズル２１が、中央部側や左端部側のスプレーノズル２１に比し、小流量に設定されている。
このように小流量に設定されるスプレーノズル２１は、左端部側の場合は、左端の１個や、左端から数えて２個，３個，又は４個が、適宜選択されて対象となる。右端部側の場合は、右端の１個や、右端から数えて２個，３個，又は４個が、適宜選択されて対象となる。
【００２３】
小流量の設定については、次のとおり。すなわち、処理液Ｄの噴射圧を０．２ＭＰａとした場合、小流量の設定は、各列共通で例えば２．８Ｌ／ｍｉｎとされるのに対し、小流量とはされない他の設定は、各列共通で例えば３．２Ｌ／ｍｉｎとされる。
つまり、小流量に設定される左端部側又は右端部側のスプレーノズル２１は、他の中央部側や幅方向Ｅ反対側（左端部側が小流量とされる場合は右端部側、逆に右端部側が小流量とされる場合は左端部側）のスプレーノズル２１に比し、例えば１０〜２０％程度流量が少なく設定される。
本明細書や本発明において、小流量の用語はこの程度の流量として、つまり他の流量に比し若干少ない程度の流量として、定義，使用される。
そして、このような流量設定は、スプレーノズル２１について、その噴射口面積の広狹を選択，変更することによって実施される。
本発明は、このようになっている。
【００２４】
《作用等》
本発明の基板材Ａの表面処理装置１は、以上説明したように構成されている。そこで、以下のようになる。
（１）この表面処理装置１は、電子回路基板Ｃの製造工程で使用される。すなわち、その製造工程の中核をなすエッチング工程や現像工程を始め、剥離工程や洗浄工程、更にはその他の工程において、エッチング装置や現像装置を始め、剥離装置や洗浄装置、その他の装置として、使用される。
【００２５】
（２）そして表面処理装置１は、ワークである基板材Ａを、処理液Ｄにて回路Ｂ形成用に表面処理する。
すなわち、搬送方向Ｆに搬送される基板材Ａに対し、各スプレーノズル２から、エッチング液，現像液，剥離液，洗浄液等の処理液Ｄを噴射し、もって基板材Ａを、エッチング，現像，剥離，洗浄等、表面処理する（図４，図７を参照）。
【００２６】
（３）そして、この表面処理装置１では、上側のスプレーノズル２１が、幅方向Ｅの右方向又は左方向に向け傾斜した傾斜角度Ｊで、配列されている（図１を参照）。そして、右方向傾斜列と左方向傾斜列とが、搬送方向Ｆに交互に配されている（図２を参照）。
【００２７】
（４）もって右方向傾斜列では、処理液Ｄは、基板材Ａ上面を右方向に向け規則的な流れを形成した後、右サイドから流下，排出される。
左方向傾斜列では、処理液Ｄは、基板材Ａ上面を左方向に向け規則的な流れを形成した後、左サイドから流下，排出される。
【００２８】
（５）さて、本発明の表面処理装置１では、この上側のスプレーノズル２１について、次の特徴的な構成が採用されている。
まず、右方向傾斜列（図１の（１）図等を参照）では、左端部側のスプレーノズル２１が、同列の中央部側や幅方向Ｅ反対側（右端部側）のスプレーノズル２１に比し、小流量に設定されている。
左方向傾斜列（図１の（２）図等を参照）では、右端部側のスプレーノズル２１が、同列の中央部側や幅方向Ｅ反対側（左端部側）のスプレーノズル２１に比し、小流量に設定されている。
【００２９】
（６）そこで、基板材Ａ上面の表面処理は、次のように行われる。まず、右方向傾斜列では、次のようになる。
左端部側のスプレーノズル２１から噴射された処理液Ｄは、新鮮な状態で、その下位に位置する基板材Ａ上面の左端部を表面処理する。小流量で噴射されても、基板材Ａ上面の中央部や右端部から劣化した処理液Ｄが、逆流して流れつくことはなく、必要な表面処理が実施される。
これに対し、右端部側のスプレーノズル２１から噴射された処理液Ｄは、基板材Ａ上面の左端部から劣化した処理液Ｄが流れつくものの、その量が少ないので、悪影響を受けることはない。新鮮さが損なわれることなく、処理能力が維持される。このように、基板材Ａ上面の右端部についても、必要な表面処理が滞りなく実施され、表面処理の遅れ，不足が生じることはない。
勿論、基板材Ａ上面の中央部も、中央側から噴射される新鮮な処理液Ｄにより、必要な表面処理が滞りなく実施される。
【００３０】
（７）又、左方向傾斜列についても、上述と同様である。上述した所に準じ、基板材Ａ上面について必要な表面処理が、滞りなく実施される。
すなわち、基板材Ａ上面の右端部では、少量でも新鮮な処理液Ｄにて、必要な表面処理が実施される。基板材Ａ上面の左端部についても、劣化して流れつく処理液Ｄの量が少ないので、新鮮さを維持したままの処理液Ｄにて、必要な表面処理が実施される。左端部について、表面処理の遅れ，不足は生じない。
【００３１】
（８）本発明の表面処理装置１では、このようにして、基板材Ａ上面の左端部，中央部，右端部の全てについて、遅速，過不足，バラツキのない均一した表面処理が、実現される。
前述したこの種従来例のように、基板材Ａ上面の右端部又は左端部が、新鮮な処理液Ｄ不足，処理遅れ，処理不足となり、もってこれをカバーすべく、処理量を増加させると、残りの左端部又は右端部や中央部が過剰処理となるような事態発生は、回避される。
【００３２】
（９）例えば、エッチング処理の場合については、次のとおり。図６の（２）図は、形成される回路Ｂの理想例の断面形状であるが、図６の（３）図に示したように、これに近い断面形状の回路Ｂが、均一に形成されるようになる。
すなわち、発生したエッチング不足箇所（例えば基板材Ａの右端部）をカバーすべく、→全体的にエッチング処理量を増加させた結果、→図６の（４）図に示したように、残りの箇所（例えば基板材Ａの中央部や左端部）がオーバーエッチングとなり、→略富士山状・急傾斜台形状の断面形状の回路Ｂとなってしまうことは、回避される。
【００３３】
《その他》
ところで電子回路基板Ｃは、ａ．小型軽量化，極薄化，フレキシブル化の進展がめざましく、ｂ．形成される回路Ｂの微細化，高密度化の進展も顕著である。
そこでａ．表面処理装置１のコンベア４についても、極薄基板材Ａ（例えば肉厚４０μｍ）の搬送に対応すべく、搬送方向Ｆのコンベアシャフト１１のピッチや、幅方向Ｅのホイール３のピッチが、それぞれ、より狭くなる（例えばシャフトピッチ２５ｍｍ）傾向にある（図５等を参照）。
もってその分だけ、多数で密となったホイール３の陰となるエリアが増え、スプレーゾーンＨ（図４等を参照）が狭くなってきている。
又ｂ．形成される回路Ｂに関しては、図６の（２）図〜（４）図に示したように、回路幅Ｌや回路間スペースＳで１５μｍ〜４０μｍ程度まで、微細化，高密度化が進行している。
上記ａ，ｂの状況に鑑み、最近の電子回路基板Ｃの製造工程では、処理液Ｄによる極めて緻密かつ正確な表面処理が、一段と強く要求されている。従って、本発明の表面処理装置１により、遅速，過不足，バラツキのない表面処理が実現される意義は、特に大なるものがある。
【符号の説明】
【００３４】
１  表面処理装置
２１スプレーノズル（上側）
２２スプレーノズル（下側）
３１ホイール（上側）
３２ホイール（下側）
４  コンベア
５  液槽
６  ポンプ
７  フィルター
８  配管
９１シャワー管（上側）
９２シャワー管（下側）
１０  チャンバー
１１１コンベアシャフト（上側）
１１２コンベアシャフト（下側）
１２  ギア
１３  駆動軸
Ａ  基板材
Ｂ  回路
Ｃ  電子回路基板
Ｄ  処理液
Ｅ  左右方向（幅方向）
Ｆ  前後方向（搬送方向）
Ｇ  上下方向（垂直センター）
Ｈ  スプレーゾーン
Ｊ  噴射角度
Ｌ  回路幅
Ｓ  回路間スペース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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