【事件の表示】
　特願２０１１−１３４０４９「テラヘルツ検出器」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　１月　７日出願公開、特開２０１３−　　４７１７、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２３年６月１６日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２６年　６月　３日　審査請求
平成２７年　３月１６日　拒絶理由通知
平成２７年　５月１９日　意見書・手続補正
平成２７年　９月１４日　拒絶理由通知（最後）
平成２７年１１月２７日　意見書・手続補正
平成２８年　４月２６日　補正却下決定・拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２８年　８月　８日　審判請求・手続補正
　
第２　審判請求時の補正の適否
１　補正の内容
　平成２８年８月８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，特許請求の範囲及び明細書を補正するものであって，下記補正事項１及び２を含むものである。（下線部は補正個所を示し，当審で付加した。） 
（１）補正事項１
　特許請求の範囲の請求項１を次のように補正する。
　ア　補正前
「【請求項１】
　基板上に形成され，テラヘルツ帯における周波数を共振周波数として有するアンテナ部と，
　前記基板上に前記アンテナ部に対応して設けられた超伝導トンネル接合素子と，
　を備え，
　前記アンテナ部は，複数のアンテナで構成され，
　前記基板の裏面からテラヘルツ光が入射されることを特徴とするテラヘルツ検出器。」
　イ　補正後
「【請求項１】
　基板上に形成され，テラヘルツ帯における周波数を共振周波数として有するアンテナ部と，
　前記基板上
の
の中心に配置さ
　を備え，
　前記アンテナ部は，
リーク電流の増大を防止しつつ前記超伝導トンネル接合素子の電磁波吸収量を増大させるように，それぞれが同一の共振周波数を有した同形状の
　前記基板の裏面からテラヘルツ光が入射されることを特徴とするテラヘルツ検出器。」
（２）補正事項２
　明細書の段落０００７を次のように補正する。
「【０００７】
　本発明の一側面によるテラヘルツ検出器は，基板上に形成され，テラヘルツ帯における周波数を共振周波数として有するアンテナ部と，前記基板上
の
の中心に配置さ
リーク電流の増大を防止しつつ前記超伝導トンネル接合素子の電磁波吸収量を増大させるように，それぞれが同一の共振周波数を有した同形状の
　２　補正の適否
　補正事項１及び２は，当初明細書の段落０００５，００１３ないし００１５，００２１，００３２並びに図１及び図６より，当初明細書等に記載した事項の範囲内においてされたものであるから，補正事項１及び２は，特許法１７条の２第３項の規定に適合する。
　また，補正事項１は，特許請求の範囲の減縮を目的とするから，特許法１７条の２第４項の規定に適合し，同条５項２号に掲げるものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項）につき，更に検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は，本件補正後の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「基板上に形成され，テラヘルツ帯における周波数を共振周波数として有するアンテナ部と，
　前記基板上の前記アンテナ部の中心に配置された超伝導トンネル接合素子と，
　を備え，
　前記アンテナ部は，リーク電流の増大を防止しつつ前記超伝導トンネル接合素子の電磁波吸収量を増大させるように，それぞれが同一の共振周波数を有した同形状の複数のアンテナで構成され，
　前記基板の裏面からテラヘルツ光が入射されることを特徴とするテラヘルツ検出器。」
（２）引用文献１の記載
　ア　引用文献１
　原査定の拒絶の理由で引用された，本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１１−１１２６０２号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，光伝導アンテナを用いた電磁波形状検出方法及び装置に関する。」
（イ）「【背景技術】
【０００２】
　近年，遠赤外線やサブミリ波の領域において新しい発生及び検出方式の研究が急速に進展しつつあり，
テラヘルツ波が注目されている。
・・・
【０００８】
　
テラヘルツ波を検出する従来の方式には，次のようなものがある。
光伝導アンテナ
を用いた時間領域検出器
STJ検出器，
を用いた超伝導検出器が挙げられる。
（ウ）「【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
　そこで，
本発明は，簡便な手段によって有効に，テラヘルツ波帯を中心とする検出帯域を拡張すると共に，高感度で検出できる電磁波形状検出
装置
【課題を解決するための手段】
【００１５】
　上記課題を解決するために，本発明の電磁波形状検出装置は，次の構成を備える。
　すなわち，
光伝導アンテナを用いた電磁波形状検出装置であって，基板と，その表面に形成された金属膜から成る光伝導アンテナ電極と，
検出対象の電磁波を電極間の間隙に照射する被検出波照射手段とを備えた構成において，光伝導アンテナ電極が，複数組設けられ，それら複数組の光伝導アンテナ電極が，電極間の間隙を共有する位置に配置され，被検出波照射手段による検出対象の電磁波の偏波方位が，各電極組が向き合う方位とずらして設定され，
【００１６】
　ここで，
光伝導アンテナ電極を，２組設け，その各電極組が向き合う方位のなす角を９０°にし，被検出波照射手段による検出対象の電磁波の偏波方位を，各電極組が向き合う方位に対して４５°をなすように配向してもよい。
（エ）「【００２９】
　図１は，本発明装置の一実施例を示す要部説明図である。
　
低温成長ＧａＡｓなどで構成される基板（１１）の表面に，パターニング形成された金属膜から成る光伝導アンテナ（１２）（１３）を有する。
【００３０】
　ここで，
ダイポール型光伝導アンテナ（１２）とボウタイ型光伝導アンテナ（１３）とは，それぞれの電極間の間隙（１８）を共有する位置に配置する。
　また，各電極組が向き合う方位のなす角を９０°に設定する。すなわち，ダイポール型光伝導アンテナ（１２）の２つの端子電極（１２ａ）（１２ｂ）を結ぶ線と，ボウタイ型光伝導アンテナ（１３）の２つの端子電極（１３ａ）（１３ｂ）を結ぶ線とを直交させる。
【００３１】
　被検出波照射手段による検出対象の電磁波（２１）の偏波方位は，各端子電極組（１２ａ）（１２ｂ）（１３ａ）（１３ｂ）が向き合う方位とずらして設定する。図示の例では，４５°をなすように配向されている。すなわち，検出対象の電磁波の偏波面と，ダイポール型光伝導アンテナ（１２）の２つの端子電極（１２ａ）（１２ｂ）を結ぶ線とのなす角も，ボウタイ型光伝導アンテナ（１３）の２つの端子電極（１３ａ）（１３ｂ）を結ぶ線とのなす角も，等しく４５°である。
【００３２】
　テラヘルツ波検出装置としては，約0.01〜100×1012Hzの帯域のパルス光を試料に照射して，試料からの透過光または反射光を検出することにより，試料の電気的特性や成分濃度などを測定する装置として利用できる。
　
試料を透過または反射したテラヘルツ波（２１）は，半球状等のレンズやミラーを介して入射し，電極間の間隙（１８）に照射される。
【００３３】
　
サンプリング光としてのパルス光（２２）が照射されると，光キャリアが生じて各アンテナ（１２）（１３）は導通し，光キャリアはテラヘルツ波（２１）の電場によって加速されるので，その電流を電流測定手段（１６）（１７）で計測する
　サンプリング光としてのパルス光（２２）が各アンテナ（１２）（１３）に到達するタイミングを光学遅延によって細かく変えながら電流測定を行うと，それぞれ向き合う２つの端子電極組（１２ａ）（１２ｂ）（１３ａ）（１３ｂ）の方向と平行な偏波方向のテラヘルツ波の電場波形が得られる。
　得られた電磁波の電場波形をＰＣ等によりフーリエ変換することで，テラヘルツ波（２１）のスペクトルを得られ，その振幅と位相の情報を同時かつ独立に求められる。
【００３４】
　ここで，
ダイポール型光伝導アンテナ（１２）とボウタイ型光伝導アンテナ（１３）との双方によって検出されるので，各アンテナに応じた検出帯域を得られることによって，広帯域化と高感度化が行える。
【００３５】
　上記実施例は，ダイポール型とボウタイ型の光伝導アンテナを１つずつ用いた例であるが，アンテナパターンとしては，ダイポール型，ボウタイ型，ストリップライン型，スパイラル型，フレア型の中から異なる２つを組み合わせても同様に利用可能である。
　また，上記実施例では，ダイポール型とボウタイ型の光伝導アンテナの配向を，両者を直交配置させたが，平行以外の配向にしても同様に利用可能である。
　また，上記実施例では，２つの光伝導アンテナを用いたが，３以上の光伝導アンテナを用いても同様に利用可能である。
【００３６】
　更に，上記実施例では，異なるアンテナパターンの光伝導アンテナを組み合わせたが，
同じアンテナパターンの光伝導アンテナを用い，それら光伝導アンテナの形状など異らせて特性を変えても同様に利用可能である。
　イ　引用発明１
　前記アより，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「光伝導アンテナを用いた電磁波形状検出装置であって，基板と，その表面に形成された金属膜から成る光伝導アンテナ電極と，テラヘルツ波を電極間の間隙に照射する被検出波照射手段とを備えた構成において，光伝導アンテナ電極が，複数組設けられ，それら複数組の光伝導アンテナ電極が，電極間の間隙を共有する位置に配置され，被検出波照射手段による検出対象のテラヘルツ波の偏波方位が，各電極組が向き合う方位とずらして設定される。」
　なお，引用文献１には「テラヘルツ波を検出する従来の方式」として「STJ検出器を用いた超伝導検出器」が記載されている（前記ア（イ）【０００８】）が，「従来の方式」として他に「光伝導アンテナを用いた時間領域検出器」が並列的に記載されて（同所）おり，検出原理が異なる「時間領域検出器」に用いられる「光伝導アンテナ」と「STJ検出器」を組み合わせたものが記載されているあるいは記載されているに等しいと認めることはできない。
（３）引用文献２の記載
　ア　引用文献２
　本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１０−２６１９３５号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明はアンテナベースのボロメータ検出器の分野に関し，詳細には赤外（特には3〜５μｍおよび８〜１４μｍ帯域）から
テラヘルツ周波数帯域の電磁放射を検出するように設計された２個の交差ボウタイアンテナを有する検出器
（イ）「【００１２】
　
テラヘルツ領域において波長は１ｍｍ程度にまでなる
【００１３】
　このために，かかる周波数帯域に関し放射受信機能はその他の機能から分離されるのである。受信機能はこのように平面アンテナによって満たされ，電磁力を熱量に変換する機能はアンテナの抵抗負荷によって満たされる。負荷の寸法は，最適な変換を得るために，アンテナの形状とアンテナを支える層の性質に依存した，インピーダンス整合の必要条件に見合ったものとなる。抵抗負荷は，生成される熱量の測定に用いられる熱測定素子と熱的に接触する。このアセンブリは，このようにしてアンテナを有するボロメータを構成する。
【００１４】
　かかる構成において熱測定素子はアンテナとそのサイズから独立しており，もはや入射波長には依存せず，検出器の本来的な動作を決定する（感度やS/N比のような）要素に依存し，例えばアクティブイメージングに使用するのかパッシブイメージングに使用するのかによって異なる必要事項に依存することになる。
【００１５】
　さらに，
ほとんどの場合，入射電磁放射は偏波しないので，アンテナを１つだけ使っただけでは入手可能な電磁力の全てを収集することは不可能である。非偏波電磁放射は，直交して重ね合わされるとともに直線的に偏波された２つの成分であって，各成分が波のエネルギーの半分を伝播するものだとみなすことができる。よく知られているように，入射した電磁放射を収集するための効率的方法の１つに２個の交差ボウタイアンテナの使用が挙げられる。
【００１６】
ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｕｎｉｌｉｍ．ｆｒ／ｔｈｅｓｅｓ／２００５／ｓｃｉｅｎｃｅｓ／２００５１ｉｍｏ００５３／ｐｅｒｅｚ＿ｒ．ｐｄｆ．
　米国特許文献第6,329,655号には，
ミリメートル周波数帯で動作し２個の交差ボウタイアンテナ３２，３４を有するアンテナベースボロメータ３０が記載されている。このボロメータの概略上面図を図２に
【００１７】
　ボロメータ３０の原理は，基板サポート３６上に位置するアンテナ３２，３４と，被支持膜４０に位置し上には熱測定素子４２が設けられる抵抗負荷３８との間の容量性結合に基づく（図３）。
【００１８】
　アンテナ３２，３４の中央上に位置し四角い層の形をした抵抗負荷３８は，実際はアンテナに向く表面を有しており，それ故に，アンテナと共にキャパシタンスを形成する。このように，アンテナ３２，３４によって収集される放射は容量性結合によって負荷３８に伝達される。」
（ウ）図２には，
同一形状の２個の交差ボウタイアンテナ３２及び３４
　イ　引用発明２
　前記アより，引用文献２には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「テラヘルツ領域で動作し同一形状の２個の交差ボウタイアンテナを有するアンテナベースボロメータ。」
（４）引用文献３の記載
　ア　引用文献３
　原査定の拒絶の理由で引用された，本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００３−０６９０９７号公報（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【００２１】図３は本発明にかかる固有ジョセフソン接合装置をアンテナやｒｆチョーク回路と共に集積化された
ミリ波・サブミリ波受信機
【００２２】この図において，２１は本発明にかかる両面加工した多数の接合を有するＩｊｊ装置（高さｈは概ね２５．５ｍｍ），
３０は基板，３１はボータイアンテナ
【００２３】図１及び図２に示された本発明にかかるＩＪＪ装置２１を，図３に示すように，アンテナ３１やｒｆチョーク回路３２が形成された基板（集積回路基板）３０に集積化する。
【００２４】そこで，この
ＩＪＪ装置２１の接合にサブミリ波３３を基板３０側から照射する
【００２５】図４において，照射周波数ｆFIR ＝１．６ＴＨｚに対応するジョセフソン電圧ｖ＝φ0 ｆFIR Ｎ＝３．４×Ｎ（ｍＶ）が発生している。ここでＮは接合数であり，Ｘ軸は１０ｍＶ／目盛（ｄｉｖ），Ｙ軸は２μＡ／目盛（ｄｉｖ），温度は６Ｋである。
【００２６】図４から明らかなように，明確なゼロクロス電圧が見られる。これはＩＪＪ装置２１とＴＨｚ波の結合が極めて良好であることを示しており，ＴＨｚ波検出器として実現できることを示している。」
（イ）図３（ｂ）には，
基板３０の裏面からサブミリ波３３を照射すること
　イ　引用発明３
　前記アより，引用文献３には次の発明（以下，「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「ミリ波・サブミリ波受信機において，基板の裏面からサブミリ波を照射すること。」
（５）引用文献４の記載
　ア　引用文献４
　原査定の拒絶の理由で引用された，本願出願前に外国において頒布された刊行物である，米国特許出願公開第２０１１／０１２７４３１号明細書（以下，「引用文献４」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（訳は，対応する日本出願の公開公報である特開２０１１−１１９６４２号公報による。）
「[0059] A GaAs thin film which was grown on 
a sapphire substrate
Since sapphire is transparent to the THz wave
（訳：【００５９】また，
サファイア基板
相対的に低価のサファイア基板を使用することができることを示している。サファイアは，テラヘルツ波に対して透明なので
　イ　引用発明４
　前記アより，引用文献４には次の発明（以下，「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。
「サファイヤ基板は，テラヘルツ波に対して透明であること。」
（６）本願補正発明と引用発明１との対比
　ア　引用発明１の「基板と，その表面に形成された金属膜から成る光伝導アンテナ電極」は，「テラヘルツ波」を照射されるから，テラヘルツ帯における周波数を共振周波数として有することは明らかであり，これは，「基板上に形成され，テラヘルツ帯における周波数を共振周波数として有するアンテナ部」に相当すると認められる。
　イ　引用発明１においては，基板の表面に形成された光伝導アンテナ電極間の間隙に，テラヘルツ波を照射する被検出波照射手段を有するから，下記相違点２を除いて，「基板にテラヘルツ光が入射されることを特徴とする」点で，本願補正発明の「前記基板の裏面からテラヘルツ光が入射されることを特徴とする」点と共通すると認められる。
　ウ　引用発明１の「電磁波形状検出装置」は，テラヘルツ波を照射してその電磁波の形状を検出するから，下記相違点１及び２を除いて，本願補正発明の「テラヘルツ検出器」を満たすものである。
　エ　すると，本願補正発明と引用発明１とは，下記オの点で一致し，下記カの点で相違すると認められる。
　オ　一致点
「基板上に形成され，テラヘルツ帯における周波数を共振周波数として有するアンテナ部と，
　を備え，
　前記基板にテラヘルツ光が入射されることを特徴とするテラヘルツ検出器。」
　カ　相違点
（ア）相違点１
　本願補正発明においては，「前記基板上の前記アンテナ部の中心に配置された超伝導トンネル接合素子」を備え，「前記アンテナ部は，リーク電流の増大を防止しつつ前記超伝導トンネル接合素子の電磁波吸収量を増大させるように，それぞれが同一の共振周波数を有した同形状の複数のアンテナで構成され」るのに対し，引用発明１においては，そうなっていない点。
（イ）相違点２
　本願補正発明においてはテラヘルツ光が入射されるのが「前記基板の裏面から」であるのに対し，引用発明１においては基板の表面に形成された光伝導アンテナ電極間の間隙に，テラヘルツ波を照射するもので，すなわちテラヘルツ光が入射されるのが「基板の表面から」である点。
（７）相違点についての検討
　相違点１について検討する。
　まず，「超伝導トンネル接合素子」については，「STJ検出器」として引用文献１に記載されているが，テラヘルツ波を検出する従来の方式として「光伝導アンテナを用いた時間領域検出器」と並列的に記載されており（前記（２）ア（イ）），テラヘルツ波を検出するものとして，「光伝導アンテナ」に代えて「超伝導トンネル接合素子」を用いることは示唆されうるが，両者を組み合わせることは示唆されない。
　機能的に見ても，「超伝導トンネル接合素子」はそれ自体が電磁波すなわちテラヘルツ波を吸収してトンネル電流を発生するもの（本願明細書段落【０００４】）であり，一方，引用発明１における光伝導アンテナはその電極の間隙に生じた光キャリアをテラヘルツ波の電場によって加速することにより電流を発生するもので（前記（２）ア（エ））あって，「超伝導トンネル接合素子」は外部電流を検出する機能はないから，引用発明１において「光伝導アンテナ」を残したままさらに「超伝導トンネル接合素子」を採用する動機付けがない。あえて，引用発明１に「超伝導トンネル接合素子」を採用しても，せいぜい引用文献３に記載されている（前記（４）ア（ア））ようなジョセフソン電流が生じることが当業者に予測できるだけで，これは「超伝導トンネル接合素子」にとっては雑音にしかならないから，「超伝導トンネル接合素子」を採用することには，阻害要因があるといえる。
　してみると，「リーク電流の増大を防止しつつ前記超伝導トンネル接合素子の電磁波吸収量を増大させるように，それぞれが同一の共振周波数を有した同形状の複数のアンテナで構成」するようにすることも，動機付けに欠けるというべきである。
　なお，引用発明２は「テラヘルツ領域で動作し同一形状の２個の交差ボウタイアンテナ」を開示するが，これは「非偏波電磁放射」が「直交して重ね合わされるとともに直線的に偏波された２つの成分である」ことから，各成分に対して２個の交差ボウタイアンテナが有効なのであって（前記（３）ア（イ）【００１５】），テラヘルツ波が偏波していることを前提にしている引用発明１に適用できるものではない。
　また，引用発明３及び４についても，相違点１に係る構成を開示ないし示唆するものではない。
　そして，本願補正発明は相違点１に係る構成を備えることにより，「ＳＴＪ素子の雑音の原因となるリーク電流の増大させずにＳＴＪ素子内で生成される準粒子の数を増加でき，テラヘルツ検出器（テラヘルツ検出素子）によるテラヘルツ波の検出効率を高めることができる」（本願明細書段落【００３２】）という，格別の有利な効果を奏するものである。
（８）まとめ
　したがって，本願補正発明は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
３　むすび 
　よって，補正事項１は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合し，本件補正は，特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
　
第３　原査定の理由の概要
　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
請求項：１
引用文献等：Ａ，１，３
備考
　引用文献３の特に段落００２４，図３（ｂ）には，サブミリ波（ＴＨｚ波）を基板の裏面側から照射して良好な検出特性を得る手法が記載され，この手法を引用文献Ａに適用することにも格別の困難はない。
　
請求項：２−３
引用文献等：Ａ，１，３−５
備考
　テラヘルツ信号を基板側から照射する場合に基板の材質が該信号の波長を透過するものである必要があること，そして，テラヘルツ波に対してサファイア基板が透明であることは，それぞれ引用文献４（段落００５９），引用文献５（段落００４７）に記載のように当業者によく知られている。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
Ａ．特開２００２−２４６６６４号公報
１．特開２０１１−１１２６０２号公報
３．特開２００３−０６９０９７号公報
４．米国特許出願公開第２０１１／０１２７４３１号明細書
５．特開２００３−３０３９７８号公報
　
第４　本願発明
　本願の請求項１−３に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明３」という。）は，平成２８年８月８日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−３に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりである。
「【請求項１】
　基板上に形成され，テラヘルツ帯における周波数を共振周波数として有するアンテナ部と，
　前記基板上の前記アンテナ部の中心に配置された超伝導トンネル接合素子と，
　を備え，
　前記アンテナ部は，リーク電流の増大を防止しつつ前記超伝導トンネル接合素子の電磁波吸収量を増大させるように，それぞれが同一の共振周波数を有した同形状の複数のアンテナで構成され，
　前記基板の裏面からテラヘルツ光が入射されることを特徴とするテラヘルツ検出器。
【請求項２】
　前記基板は，サファイア基板又は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）基板である請求項１に記載のテラヘルツ検出器。
【請求項３】
　前記アンテナ部は，複数のボウタイアンテナで構成され，
　前記複数のボウタイアンテナの中心に前記超伝導トンネル接合素子が配置されている請求項１又は２に記載のテラヘルツ検出器。」
　
第５　原査定について
（１）引用文献Ａの記載
　ア　引用文献Ａ
　引用文献Ａには，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，アンテナを結合したＢｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8 単結晶固有ジョセフソン接合テラヘルツ検出器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的に高温超伝導固有ジョセフソン接合装置は，高いギャップ電圧により，テラヘルツ帯で動作可能であると目されており，有望なものである。」
（イ）「【０００８】図１は本発明の実施例を示す
アンテナとｒｆチョークフィルタとともに集積された固有ジョセフソン接合装置
【０００９】この図において，
１はシリコン基板，
３はそのシリコン基板１上に形成される平面ボータイアンテナ，４はそのシリコン基板１上に形成されるＢＳＣＣＯ単結晶（固有ジョセフソン接合装置）
ＢＳＣＣＯ単結晶（ジョセフソン接合装置）４は
上部電極４Ｂと下部電極４Ｃを有する。
（ウ）「【００１５】
シリコン基板１は固有ジョセフソン接合を保持するために使われ，それ故，テラヘルツ信号を自由空間側とシリコン基板１側から照射することができる。」
（エ）「【００２４】図３は本発明に係る４μｍ×４μｍのａ−ｂ面の寸法をもつ試料（ＢＳＣＣＯ単結晶）の
電流−電圧特性
【００２５】この図に示すように，約２０本の分岐構造が見られ，これらは，わずか３００Åの厚さの固有ジョセフソン接合スタックに依ることを意味する。
【００２６】以下，本発明の
テラヘルツ検出と実現可能な応用
【００２７】
テラヘルツ検出システム
平面ボータイアンテナ３，シリコン基板１
Ｎｈｆ
FIR
 ／２ｅの電圧で非常に明瞭なシャピロステップが観察された。
【００２８】図４は本発明に係る１．６ＴＨｚの照射下での
電流−電圧特性
【００２９】この図において，Ｎが１３までの電流−電圧特性を示している。動作温度は，４．２Ｋから液体窒素温度までの範囲を網羅する。また，１００ＧＨｚと２００ＧＨｚの電磁波を試料に照射したところ，両方の周波数で応答が非常に高感度であった。」
（オ）図１には，
平面ボータイアンテナ３の中心に固有ジョセフソン接合装置４が形成される
固有ジョセフソン接合装置４の上部電極４Ｂと下部電極４Ｃで平面ボータイアンテナ３が構成されること
　イ　引用発明Ａ
　前記アより，引用文献Ａには次の発明（以下，「引用発明Ａ」という。）が記載されていると認められる。
「シリコン基板上に形成される平面ボータイアンテナ，シリコン基板上に平面ボータイアンテナの中心に形成される固有ジョセフソン接合装置からなるテラヘルツ検出システムであって，テラヘルツ信号をシリコン基板側から照射することができる。」
（２）引用文献１，３及び４の記載
　前記第２の２（２），（４）及び（５）のとおり，引用文献１，３及び４には，それぞれ引用発明１，３及び４が記載されていると認められる。
（３）引用文献５の記載
　ア　引用文献５
　引用文献５には，図面とともに次の記載がある。
（ア）「【００４７】（基板）本発明において，必要に応じて
電極が形成される基板としては，
変換対象となる高速光パルス信号を基板側から照射する場合には，当該高速光パルス信号の波長の光を透過する材質であることが要求される。
・・・
【００５０】図１および図２の構成の光電変換素子を例に挙げて，好ましい基板の構成を説明する。
図１および図２に示されるように，基板１２は，少なくともカーボンナノチューブ２が配される部位に，分散除去層８が形成されてなる。
【００５１】ここで，「カーボンナノチューブ２が配される部位」とは，図１のようにカーボンナノチューブ２が電極６ａ，６ｂに橋渡しされている場合には，基板１２の表面において，電極６ａ，６ｂではなくカーボンナノチューブ２が，接触の有無は問わず上方（地球の重力に関係なく，基板１２の表面を基準として相対的に上方。以下同様。）に位置している部位をいう。図２のように電極を有しない場合にも，基板１２の表面において，カーボンナノチューブ２が，接触の有無は問わず上方に位置している部位をいう。以上の解釈においては，半導体微粒子４の存在は考慮しない。
【００５２】
支持板１０は，本例ではＳドープＩｎＰ基板を用いている
（イ）図１には，
基板１２が支持板１０と分散除去層８からなる
　イ　引用発明５
　前記アより，引用文献５には，次の発明（以下，「引用発明５」という。）が記載されていると認められる。
「電極が形成される基板は，高速光パルス信号を基板側から照射する場合には，当該高速光パルス信号の波長の光を透過する材質であることが要求される。」
（４）本願発明１と引用発明Ａとの対比
　ア　引用発明Ａの「シリコン基板上に形成される平面ボータイアンテナ」は，「テラヘルツ検出」のためのものであるから，本願発明１の「基板上に形成され，テラヘルツ帯における周波数を共振周波数として有するアンテナ部」に相当すると認められる。
　イ　引用発明Ａの「シリコン基板上に平面ボータイアンテナの中心に形成される固有ジョセフソン接合装置」は，本願発明１の「前記基板上の前記アンテナ部の中心に配置された超伝導トンネル接合素子」と，「前記基板上の前記アンテナ部の中心に配置された素子」である点で共通する。
　ウ　引用発明Ａの「テラヘルツ信号をシリコン基板側から照射することができる」は，本願発明１の「前記基板の裏面からテラヘルツ光が入射されること」に相当すると認められる。
　エ　引用発明Ａの「テラヘルツ検出システム」は，下記相違点を除いて，本願発明１の「テラヘルツ検出器」に相当すると認められる。
　オ　すると，本願発明１と引用発明Ａとは，下記カの点で一致し，下記キの点で相違すると認められる。
　カ　一致点
　「基板上に形成され，テラヘルツ帯における周波数を共振周波数として有するアンテナ部と，
　前記基板上の前記アンテナ部の中心に配置された素子と，
　を備え，
　前記基板の裏面からテラヘルツ光が入射されることを特徴とするテラヘルツ検出器。」
　キ　相違点
　本願発明１においては，「素子」が「超伝導トンネル接合素子」であり，「前記アンテナ部は，リーク電流の増大を防止しつつ前記超伝導トンネル接合素子の電磁波吸収量を増大させるように，それぞれが同一の共振周波数を有した同形状の複数のアンテナで構成」されるのに対し，引用発明Ａにおいては，「素子」が「固有ジョセフソン接合装置」であり，「前記アンテナ部は，リーク電流の増大を防止しつつ前記超伝導トンネル接合素子の電磁波吸収量を増大させるように，それぞれが同一の共振周波数を有した同形状の複数のアンテナで構成」されてはいない点。
（５）相違点についての判断
　引用文献Ａには「超伝導トンネル接合素子」を用いることの記載ないし示唆はない。引用文献１にはテラヘルツ波を検出する従来の方式として「超伝導トンネル接合素子（STJ検出器）」が記載されているが（前記第２の２（２）ア（イ）），他の方式と並列的に列挙されているだけで，しかも「固有ジョセフソン接合素子」は記載されておらず，「固有ジョセフソン接合素子」に代えて「超伝導トンネル接合素子」を採用することは示唆されない。
　機能的に見ても，「超伝導トンネル接合素子」はそれ自体が電磁波すなわちテラヘルツ波を吸収してトンネル電流を発生するもの（本願明細書段落【０００４】）であり，一方，引用発明Ａにおける「固有ジョセフソン接合装置」はその上部電極と下部電極が平面ボータイアンテナを構成するもの（前記（１）ア（オ））であるから，平面ボータイアンテナがテラヘルツ信号を受信することにより発生する電流が固有ジョセフソン接合装置に流れるものである。しかし，「超伝導トンネル接合素子」は外部電流を検出する機能はないから，引用発明Ａの「固有ジョセフソン接合素子」に代えて「超伝導トンネル接合素子」を採用する動機付けがない。あえて，引用発明Ａに「超伝導トンネル接合素子」を採用しても，せいぜい引用文献Ａに記載されている（前記（１）ア（エ））ようなジョセフソン電流が生じることが当業者に予測できるだけで，これは「超伝導トンネル接合素子」にとっては雑音にしかならないから，「超伝導トンネル接合素子」を採用することには，阻害要因があるといえる。
　してみると，「リーク電流の増大を防止しつつ前記超伝導トンネル接合素子の電磁波吸収量を増大させるように，それぞれが同一の共振周波数を有した同形状の複数のアンテナで構成」するようにすることも，動機付けに欠けるというべきである。
　また，引用発明３ないし５についても，相違点に係る構成を開示ないし示唆するものではない。
　そして，本願発明１は相違点に係る構成を備えることにより，「ＳＴＪ素子の雑音の原因となるリーク電流の増大させずにＳＴＪ素子内で生成される準粒子の数を増加でき，テラヘルツ検出器（テラヘルツ検出素子）によるテラヘルツ波の検出効率を高めることができる」（本願明細書段落【００３２】）という，格別の有利な効果を奏するものである。
（６）まとめ
　したがって，本願発明１は，引用文献Ａ，１，３ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（７）本願発明２及び３について
　本願の請求項２及び３に係る発明は，本願発明１の発明特定事項を全て含みさらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，前記（６）のとおり，本願発明１が引用文献Ａ，１，３ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない以上，請求項２及び３に係る発明についても引用文献Ａ，１，３ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
第６　結言
　以上のとおりであるから，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　
　よって，結論のとおり審決する。