【事件の表示】
　特願２０１１−２３８４３１「はんだ上での酸化物の生成を抑制する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　５月３１日出願公開、特開２０１２−１０４８１７、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年１０月３１日（パリ条約による優先権主張　２０１０年１１月５日　米国、２０１１年９月１３日　米国）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２５年　７月１８日　審査請求
　平成２６年　２月　７日　拒絶理由通知
　平成２６年　８月１８日　意見書・手続補正書
　平成２７年　１月１５日　拒絶理由通知（最後）
　平成２７年　４月１７日　意見書・手続補正書
　平成２７年　８月　４日　補正の却下の決定・拒絶査定
　平成２７年１２月　８日　審判請求・手続補正書
　平成２８年１２月１３日　拒絶理由通知（当審）
　平成２９年　３月２１日　意見書・手続補正書
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし９に係る発明は、平成２９年３月２１日付け手続補正書による補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載される事項により特定される、次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】
　複数のウエハのうちの少なくとも第1ウエハの表面にはんだを堆積する堆積システム；
　内部が実質的に真空で、少なくとも前記第1ウエハがプラズマ洗浄され、かつ、前記複数のウエハのうちの第2ウエハが前記第1ウエハに結合される、真空チャンバを有するプラズマ/ボンディングシステム；
　を有するシステムであって、
　前記プラズマ/ボンディングシステムは：
　　はんだが前記第1ウエハ上に堆積された後に前記第1ウエハをプラズマ洗浄して前記第1ウエハから金属酸化物を除去し、かつ、プラズマ洗浄後に、酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層を前記第1ウエハ上に堆積する、ように構成されるプラズマ洗浄システム；及び、
　　前記キャップ層が堆積された後であって前記第1ウエハが大気曝露される前に前記第1ウエハを前記第2ウエハへ結合させるように構成される、ボンディングシステム；
　を有し、
　前記キャップ層は、前記第1ウエハの表面に堆積されることで、金属酸化物の再生成を少なくとも抑制する、
　システム。
【請求項２】
　前記真空チャンバは、前記少なくとも第1ウエハがプラズマ洗浄され、かつ前記複数のウエハがボンディングされる、単一のチャンバを有する、請求項1に記載のシステム。
【請求項３】
　前記プラズマ/ボンディングシステムが：
　前記少なくとも第1ウエハがプラズマ洗浄される、前記真空チャンバ内部に設けられたプラズマチャンバ；及び、
　前記複数のウエハがボンディングされる、前記真空チャンバ内部に設けられたボンディングチャンバ；
　を有する、請求項1に記載のシステム。
【請求項４】
　複数のウエハのうち少なくとも1つのウエハの表面にはんだを堆積する工程；
　チャンバ内に前記複数のウエハを供する工程；
　前記チャンバ内で前記少なくとも1つのウエハをプラズマ洗浄することで、前記少なくとも1つのウエハから金属酸化物を除去する工程；
　前記はんだの堆積及びプラズマ洗浄後に、前記チャンバ内で、酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層を前記少なくとも1つのウエハ上に堆積する工程；及び、
　前記チャンバ内で前記複数のウエハのボンディングを行う工程；
　を有する方法。
【請求項５】
　前記複数のウエハのボンディングを行う工程が：
　前記複数のウエハのボンディングを、前記チャンバ内のプラズマチャンバと結合された、前記チャンバ内のボンディングチャンバ内で行う工程；
　を有する、
　請求項4に記載の方法。
【請求項６】
　前記チャンバは真空チャンバを有し、
　前記複数のウエハのボンディングを行う工程が：
　前記真空チャンバ内に設けられたボンディングチャンバ内で前記複数のウエハのボンディングを行う工程；
　を有する、
　請求項4に記載の方法。
【請求項７】
　前記チャンバは、窒素気体を用いて酸素気体を当該チャンバの外部へ押し出すように構成された窒素チャンバであり、
　前記チャンバ内で前記少なくとも1つのウエハをプラズマ洗浄する工程が、前記窒素チャンバ内部に設けられたプラズマチャンバ内で前記少なくとも1つのウエハをプラズマ洗浄する工程を有し、
　前記チャンバ内で前記複数のウエハのボンディングを行う工程が、前記窒素チャンバ内に設けられたボンディングチャンバ内で前記複数のウエハのボンディングを行う工程を有する、
　請求項4に記載の方法。
【請求項８】
　前記キャップ層が金を有する、請求項4に記載の方法。
【請求項９】
　第1ウエハの表面にはんだを堆積する堆積システム；及び、
　プラズマ/ボンディングシステム；
　を有するシステムであって、
　前記プラズマ/ボンディングシステムは、
　　チャンバ内で、前記第1ウエハをプラズマ洗浄して、前記第1ウエハからの金属酸化物を除去し、
　　前記チャンバ内で、前記第1ウエハの表面にキャップ層を堆積することで、前記はんだの再酸化を少なくとも抑制し、かつ、
　　前記チャンバ内で、前記第1ウエハと第2ウエハとをボンディングする、
　ように構成されている、
　システム。」
第３　原査定の理由について
　１　原査定の理由の概要
　原査定の理由の概要は、次のとおりである。
　「１．平成２６年　８月１８日付けでした手続補正は、下記の点で願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
２．この出願は、下記の点で特許法第３７条に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
・請求項　１−７
・理由　１
　補正後の請求項１には、『内部が実質的に真空で、少なくとも第1基板がプラズマ洗浄され、かつ、複数の基板のうちの第2基板が前記第1基板に結合される、真空チャンバ；前記真空チャンバ内部に設けられ、少なくとも前記第1基板の表面にはんだを堆積する堆積システム』と、プラズマ洗浄及び基板結合のための真空チャンバ内部に、はんだ堆積システムが設けられるという旨の記載がある。一方、出願当初明細書等（段落【0013】〜【0017】のうち、特に、段落【0017】を参照）には、『プリントシステム20及びプラズマ/ボンディングシステム24は、・・（中略）・・、両システムの1つ以上の動作を実行するように、一のシステム内で結合しても良い。』という記載があるものの、当該記載は、両システムを単に結合可能であることを意味するものであって、プラズマ/ボンディングシステムの真空チャンバ内部にプリントシステムを設けることを意味するものでないことは文脈上明かである。また、出願時の技術常識を考慮しても、出願当初明細書等の記載から、プラズマ/ボンディングシステムの真空チャンバ内部にプリントシステムを設けることが自明な事項であると認めることもできない。
・請求項　８−１８
・理由　２
（特別な技術的特徴に基づく審査対象の決定）
　請求項８−１８に係る発明は、請求項１に係る発明と、『第1基板の表面にはんだを堆積し』、『第1基板からの金属酸化物を除去し、前記第1基板の表面にキャップ層を堆積することで、前記はんだの再酸化を少なくとも抑制し』、及び『前記第1基板と第2基板とをボンディングする』という共通の技術的特徴を有している。しかしながら、当該技術的特徴は、特開２００１−３０８１４４号公報（特に、請求項８−１１を参照）の開示内容に照らして、先行技術に対する貢献をもたらすものではないから、特別な技術的特徴であるとはいえない。また、請求項１に係る発明と、請求項８−１８に係る発明との間に、他に同一の又は対応する特別な技術的特徴は存在しない。」
　２　原査定の理由についての当審の判断
（１）理由１（特許法第１７条の２第３項）について
　原査定の「理由１」において、平成２６年８月１８日付けでした手続補正後の請求項１には、プラズマ洗浄及び基板結合のための真空チャンバ内部にはんだ堆積システムが設けられるという旨の記載があるところ、願書に最初に添付した特許請求の範囲、明細書又は図面には、プラズマ洗浄及び基板結合のための真空チャンバ内部にはんだ堆積システムが設けられることが記載されていないから、平成２６年８月１８日付けでした手続補正は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない旨が指摘された。
　しかしながら、平成２９年３月２１日付け手続補正書による補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし９には、プラズマ洗浄及び基板結合のための真空チャンバ内部にはんだ堆積システムが設けられることは記載されていない。
　したがって、原査定の「理由１」によっては、本願を拒絶することはできない。
（２）理由２（特許法第３７条）について
　原査定の「理由２」において、請求項８−１８に係る発明と、請求項１に係る発明とは、「第1基板の表面にはんだを堆積し」、「第1基板からの金属酸化物を除去し、前記第1基板の表面にキャップ層を堆積することで、前記はんだの再酸化を少なくとも抑制し」、及び「前記第1基板と第2基板とをボンディングする」という共通の技術的特徴を有しているものの、当該技術的特徴は、特開２００１−３０８１４４号公報（特に、請求項８−１１を参照）の開示内容に照らして、先行技術に対する貢献をもたらすものではないから、特別な技術的特徴であるとはいえず、また、請求項１に係る発明と、請求項８−１８に係る発明との間に、他に同一の又は対応する特別な技術的特徴は存在しないから、本願は特許法第３７条に規定する要件を満たしていない旨が指摘された。
　しかしながら、本願の請求項１ないし９に係る発明は、ウエハの表面にはんだを堆積し、チャンバ内でウエハをプラズマ洗浄して金属酸化物を除去し、ウエハにキャップ層を堆積し、上記チャンバ内でウエハを結合するという、共通の技術的特徴を有しており、当該技術的特徴が特開２００１−３０８１４４号公報に記載されているとは認められない。
　したがって、原査定の「理由２」によっては、本願を拒絶することはできない。
　３　原査定の理由についてのまとめ
　以上のとおり、原査定の「理由１」及び「理由２」によっては、本願を拒絶することはできない。
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
　１　当審拒絶理由の概要
　平成２８年１２月１３日付けで当審より通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は、次のとおりである。
「１．（サポート要件）この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
２．（新規事項）平成２７年１２月８日付け手続補正書でした補正は、下記の点で願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
３．（明確性）この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
４．（新規性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
５．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
１　理由１（サポート要件）について
（１）請求項１ないし７に係る発明について
　本願の請求項１に係る発明は、
『【請求項１】
　内部が実質的に真空で、少なくとも第1基板がプラズマ洗浄され、かつ、複数の基板のうちの第2基板が前記第1基板に結合される、真空チャンバ；
　
前記真空チャンバ内部に設けられ、少なくとも前記第1基板の表面にはんだを堆積する堆積システム
　前記堆積システムとやり取りするように動作可能で、前記真空チャンバ内部に設けられ、かつ内部では前記第1基板がプラズマ洗浄される、プラズマチャンバ；及び、
　前記プラズマチャンバ内部に設けられ、かつ実質的に真空状態であるプラズマ/ボンディングシステム；
　を有するシステムであって、
　前記プラズマ/ボンディングシステムは：
　はんだが前記第1基板上に堆積された後に前記第1基板をプラズマ洗浄し、前記第1基板から金属酸化物を除去し、かつ、プラズマ洗浄後に酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層を前記第1基板上に堆積するプラズマ洗浄システム；及び、
　前記プラズマ洗浄システムとやり取りするように動作可能で、前記キャップ層が堆積された後であって前記第1基板が大気曝露される前に前記第1基板を前記第2基板へ結合させるように構成される、ボンディングシステム；
　を有し、
　前記キャップ層は、前記第1基板の表面に堆積されることで、金属酸化物の再生成を少なくとも抑制し、
　
前記キャップ層は、はんだの堆積及びプラズマ洗浄後であって前記第1基板が大気曝露される前に堆積される、
　システム。』
　というものである。（当審注．下線は参考のため当審において付したもの。以下において同じ。）
　請求項１の記載を総合すると、請求項１に係る発明においては、『堆積システム』によって第1基板の表面にはんだを堆積した後、『プラズマ/ボンディングシステム』による処理が行われるまでの間、第1基板が大気曝露されないものと解される。
　他方、本願明細書の段落［０００３］ないし［０００８］の記載によれば、本願に係る発明が解決しようとする課題は『プラズマ/ボンディングシステム』におけるはんだの再酸化を抑止することであると認められ、そのための具体的な手段として、本願明細書の段落［００１１］ないし［００３５］及び［図１］ないし［図５］には、『プラズマ/ボンディングシステム』を真空チャンバ（あるいは窒素チャンバ）内に配置することによりプラズマ洗浄後に基板を酸素に曝露しないこと、及び、プラズマ洗浄後に基板上にキャップ層を堆積することが記載されている。しかしながら、本願の『発明の詳細な説明』には、はんだを堆積した後、『プラズマ/ボンディングシステム』による処理が行われるまでの間における酸化物の生成を抑止するという技術課題については記載されておらず、『堆積システム』によってはんだを堆積した後、『プラズマ/ボンディングシステム』による処理が行われるまでの間、基板を大気に曝露しないことについても記載されていない。
　したがって、請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえない。
　請求項１を引用する請求項２ないし請求項７に係る発明についても、上記と同様である。
　よって、請求項１ないし７に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
　なお、本願明細書の段落［００１７］には『プリントシステム20及びプラズマ/ボンディングシステム24は、各々が独自の動作を実行するように、区分けされた複数のシステム内で各独立しても良いし又は、両システムの1つ以上の動作を実行するように、一のシステム内で結合しても良い。』と記載されているが、当該記載は『プリントシステム20』による処理と『プラズマ/ボンディングシステム24』による処理を単一のシステムにおいて実行してもよい旨を述べているに過ぎず、はんだを堆積した後、『プラズマ/ボンディングシステム』による処理が行われるまでの間、基板を大気に曝露しないことについて記載したものとは認められない。
（２）請求項８ないし１３に係る発明について
　本願の請求項８に係る発明は、
『【請求項８】
　真空チャンバ内に複数の基板を供する工程；
　前記複数の基板のうち少なくとも1つの基板の表面にはんだを堆積する工程；
　前記真空チャンバ内で前記少なくとも1つの基板をプラズマ洗浄する工程；
　前記少なくとも1つの基板から金属酸化物を除去する工程；
　
前記はんだの堆積及びプラズマ洗浄後であって前記少なくとも1つの基板が大気曝露される前にプラズマ洗浄後に酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層を前記少なくとも1つの基板上に堆積する工程
　前記複数の基板のボンディングを行う工程；
　を有する方法。』
　というものである。
　請求項８の記載を総合すると、請求項８に係る発明においては、『前記複数の基板のうち少なくとも1つの基板の表面にはんだを堆積する工程』の後、『プラズマ洗浄後に酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層を前記少なくとも1つの基板上に堆積する工程』までの間、『少なくとも1つの基板』が大気曝露されないものと解される。
　しかしながら、上記（１）のとおり、本願の『発明の詳細な説明』には、はんだを堆積した後、基板を大気に曝露しないことについては記載されていない。
　したがって、請求項８に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえない。
　請求項８を引用する請求項９ないし１３に係る発明についても、上記と同様である。
　よって、請求項８ないし１３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
２　理由２（新規事項）について
（１）請求項１に係る補正について
　平成２７年１２月８日付け手続補正書による補正後の請求項１には、
『【請求項１】
　内部が実質的に真空で、少なくとも第1基板がプラズマ洗浄され、かつ、複数の基板のうちの第2基板が前記第1基板に結合される、真空チャンバ；
　
前記真空チャンバ内部に設けられ、少なくとも前記第1基板の表面にはんだを堆積する堆積システム
　前記堆積システムとやり取りするように動作可能で、前記真空チャンバ内部に設けられ、かつ内部では前記第1基板がプラズマ洗浄される、プラズマチャンバ；及び、
　前記プラズマチャンバ内部に設けられ、かつ実質的に真空状態であるプラズマ/ボンディングシステム；
　を有するシステムであって、
　前記プラズマ/ボンディングシステムは：
　はんだが前記第1基板上に堆積された後に前記第1基板をプラズマ洗浄し、前記第1基板から金属酸化物を除去し、かつ、プラズマ洗浄後に酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層を前記第1基板上に堆積するプラズマ洗浄システム；及び、
　前記プラズマ洗浄システムとやり取りするように動作可能で、前記キャップ層が堆積された後であって前記第1基板が大気曝露される前に前記第1基板を前記第2基板へ結合させるように構成される、ボンディングシステム；
　を有し、
　前記キャップ層は、前記第1基板の表面に堆積されることで、金属酸化物の再生成を少なくとも抑制し、
　
前記キャップ層は、はんだの堆積及びプラズマ洗浄後であって前記第1基板が大気曝露される前に堆積される、
　システム。』
　と記載されている。
　補正後の請求項１の記載を総合すると、補正後の請求項１に係る発明においては、『堆積システム』によって第1基板の表面にはんだを堆積した後、『プラズマ/ボンディングシステム』による処理が行われるまでの間、第1基板が大気曝露されないものと解される。
　しかしながら、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面には、はんだを堆積した後、『プラズマ/ボンディングシステム』による処理が行われるまでの間、基板を大気に曝露しないことについて記載されていない。
　よって、平成２７年１２月８日付け手続補正書による請求項１についての補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
（２）請求項８に係る補正について
　平成２７年１２月８日付け手続補正書による補正後の請求項８には、
『【請求項８】
　真空チャンバ内に複数の基板を供する工程；
　前記複数の基板のうち少なくとも1つの基板の表面にはんだを堆積する工程；
　前記真空チャンバ内で前記少なくとも1つの基板をプラズマ洗浄する工程；
　前記少なくとも1つの基板から金属酸化物を除去する工程；
　
前記はんだの堆積及びプラズマ洗浄後であって前記少なくとも1つの基板が大気曝露される前にプラズマ洗浄後に酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層を前記少なくとも1つの基板上に堆積する工程
　前記複数の基板のボンディングを行う工程；
　を有する方法。』
　と記載されている。
　補正後の請求項８の記載を総合すると、補正後の請求項８に係る発明においては、『前記複数の基板のうち少なくとも1つの基板の表面にはんだを堆積する工程』の後、『プラズマ洗浄後に酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層を前記少なくとも1つの基板上に堆積する工程』までの間、『少なくとも1つの基板』が大気曝露されないものと解される。
　しかしながら、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面には、はんだを堆積した後、基板を大気に曝露しないことについて記載されていない。
　よって、平成２７年１２月８日付け手続補正書による請求項８についての補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
３　理由３（明確性）について
（１）請求項１ないし７について
　ア　本願の請求項１に、『前記堆積システムと
やり取りする
　請求項１を引用する請求項２ないし７についても上記と同様のことが言える。
　よって、請求項１ないし７に係る発明は明確でない。
　イ　本願の請求項１に、『前記プラズマ洗浄システムと
やり取りする
　請求項１を引用する請求項２ないし７についても上記と同様のことが言える。
　よって、請求項１ないし７に係る発明は明確でない。
（２）請求項６について
　本願の請求項６が引用する請求項１には、『前記プラズマチャンバ内部に設けられ、かつ
実質的に真空状態であるプラズマ/ボンディングシステム
　他方、本願の請求項６の記載からは、請求項６に係る発明における『プラズマ/ボンディングシステム』は、窒素を含むものであると解される。
　このように、請求項６が引用する請求項１の記載と、請求項６の記載が齟齬しているために、請求項６に係る発明における『プラズマ/ボンディングシステム』が『実質的に真空状態である』のか、窒素を含むものであるのかが不明である。
　よって、請求項６に係る発明は明確でない。
（３）請求項１３について
　ア　本願の請求項１３に『
前記前記
　よって、請求項１３に係る発明は明確でない。
　イ　本願の請求項１３に『前記前記
真空チャンバ内で前記少なくとも1つの基板をプラズマ洗浄する工程が、窒素チャンバ内部に設けられたプラズマチャンバ内で前記少なくとも1つの基板をプラズマ洗浄する工程であって、
　よって、請求項１３に係る発明は明確でない。
　ウ　本願の請求項１３には、『
前記前記真空チャンバ内で前記少なくとも1つの基板をプラズマ洗浄する工程が、
前記複数の基板のボンディングを行う工程が、
を有する、
　よって、請求項１３に係る発明は明確でない。
　なお、『前記前記真空チャンバ内で前記少なくとも1つの基板をプラズマ洗浄する工程が、窒素チャンバ内部に設けられたプラズマチャンバ内で前記少なくとも1つの基板をプラズマ洗浄する工程であって、前記窒素チャンバは、窒素気体を用いて、酸素気体を前記窒素チャンバ外部へ押し出す、工程
を有し、
（４）請求項１５及び請求項１８について
　本願の請求項１５には『前記の第1基板と第2基板とをボンディングする工程の前に、
前記第1基板を大気曝露することを可能にする
　請求項１８の『前記プラズマ/ボンディングシステムが、前記第1基板と第2基板とをボンディングする前に、
前記第1基板を大気曝露することを可能にする
　よって、請求項１５及び１８に係る発明は明確でない。
４　理由４（新規性）について
（１）請求項１４及び１５について
　引用文献１の段落【００１８】等には、ＨＥＭＳ基板に半田バンプを形成することが記載されており、本願の上記請求項に係る発明の『第1基板の表面にはんだを堆積する工程』に相当する。引用文献１の段落【００１９】ないし【００２１】等には、真空チャンバー内にＨＥＭＳ基板を載置し、プラズマにより半田バンプ表面に付着した酸化膜を除去した後に、真空チャンバー内に窒素ガスを充填し、フッ素系不活性液体によってＨＥＭＳ基板の表面を被覆することが記載されており、本願の上記請求項に係る発明の『前記第1基板から金属酸化物を除去する工程；前記第1基板の表面にキャップ層を堆積することで、前記はんだの再酸化を少なくとも抑制する工程；』に相当する。引用文献１の段落【００２３】ないし【００２４】等には、ＭＥＭＳ基板と回路基板を接合することが記載されており、本願の上記請求項に係る発明の『前記第1基板と第2基板とをボンディングする工程』に相当する。引用文献１の段落【００２５】には、接合を大気中で行うことが記載されており、本願の請求項１５に係る発明の『前記第1基板を大気曝露することを可能にする工程』に相当する。
　してみれば、請求項１４及び１５に係る発明と引用文献１に記載された発明との間に相違はない。
（２）請求項１７及び１８について
　引用文献１の段落【００１８】等には、ＨＥＭＳ基板に半田バンプを形成することが記載されており、本願の上記請求項に係る発明の『第1基板の表面にはんだを堆積する堆積システム』の動作に相当する。引用文献１の段落【００１９】ないし【００２１】等には、真空チャンバー内にＨＥＭＳ基板を載置し、プラズマにより半田バンプ表面に付着した酸化膜を除去した後に、真空チャンバー内に窒素ガスを充填し、フッ素系不活性液体によってＨＥＭＳ基板の表面を被覆することが記載されており、また、引用文献１の段落【００２３】ないし【００２４】等には、ＭＥＭＳ基板と回路基板を接合することが記載されており、本願の上記請求項に係る発明の『プラズマ/ボンディングシステム』の動作に相当する。引用文献１の段落【００２５】には、接合を大気中で行うことが記載されており、本願の請求項１８に係る発明の『前記第1基板を大気曝露することを可能にする』ことに相当する。
　してみれば、請求項１７及び１８に係る発明と引用文献１に記載された発明との間に相違はない。
５　理由５（進歩性）について
（１）請求項１ないし７について
　引用文献１の段落【００１８】等には、ＨＥＭＳ基板に半田バンプを形成することが記載されており、本願の上記請求項に係る発明の『堆積システム』の動作に相当する。引用文献１の段落【００１９】ないし【００２１】等には、真空チャンバー内にＨＥＭＳ基板を載置し、プラズマにより半田バンプ表面に付着した酸化膜を除去した後に、真空チャンバー内に窒素ガスを充填し、フッ素系不活性液体によってＨＥＭＳ基板の表面を被覆することが記載されており、本願の上記請求項に係る発明の『プラズマ洗浄システム』の動作に相当する。引用文献１の段落【００２３】ないし【００２４】等には、ＭＥＭＳ基板と回路基板を接合することが記載されており、本願の上記請求項に係る発明の『ボンディングシステム』の動作に相当する。
　引用文献１に記載された発明において、半田バンプの形成及び基板の接合を真空チャンバ内のチャンバで行うこと、及び、各チャンバをロードロックモジュールで結合することは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　したがって、請求項１ないし７に係る発明は、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（２）請求項８ないし１３について
　引用文献１の段落【００１８】等には、ＨＥＭＳ基板に半田バンプを形成することが記載されており、本願の上記請求項に係る発明の『前記複数の基板のうち少なくとも1つの基板の表面にはんだを堆積する工程』に相当する。引用文献１の段落【００１９】ないし【００２１】等には、真空チャンバー内にＨＥＭＳ基板を載置し、プラズマにより半田バンプ表面に付着した酸化膜を除去した後に、真空チャンバー内に窒素ガスを充填し、フッ素系不活性液体によってＨＥＭＳ基板の表面を被覆することが記載されており、本願の上記請求項に係る発明の『前記真空チャンバ内で前記少なくとも1つの基板をプラズマ洗浄する工程；前記少なくとも1つの基板から金属酸化物を除去する工程；前記はんだの堆積及びプラズマ洗浄後であって前記少なくとも1つの基板が大気曝露される前にプラズマ洗浄後に酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層を前記少なくとも1つの基板上に堆積する工程；』に相当する。引用文献１の段落【００２３】ないし【００２４】等には、ＭＥＭＳ基板と回路基板を接合することが記載されており、本願の上記請求項に係る発明の『前記複数の基板のボンディングを行う工程』に相当する。
　引用文献１に記載された発明において、半田バンプの形成及び基板の接合を真空チャンバ内のチャンバで行うこと、及び、各チャンバをロードロックモジュールで結合することは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　したがって、請求項８ないし１３に係る発明は、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３）請求項１４及び１５について
　引用文献１の段落【００１８】等には、ＨＥＭＳ基板に半田バンプを形成することが記載されており、本願の上記請求項に係る発明の『第1基板の表面にはんだを堆積する工程』に相当する。引用文献１の段落【００１９】ないし【００２１】等には、真空チャンバー内にＨＥＭＳ基板を載置し、プラズマにより半田バンプ表面に付着した酸化膜を除去した後に、真空チャンバー内に窒素ガスを充填し、フッ素系不活性液体によってＨＥＭＳ基板の表面を被覆することが記載されており、本願の上記請求項に係る発明の『前記第1基板から金属酸化物を除去する工程；前記第1基板の表面にキャップ層を堆積することで、前記はんだの再酸化を少なくとも抑制する工程；』に相当する。引用文献１の段落【００２３】ないし【００２４】等には、ＭＥＭＳ基板と回路基板を接合することが記載されており、本願の上記請求項に係る発明の『前記第1基板と第2基板とをボンディングする工程』に相当する。引用文献１の段落【００２５】には、接合を大気中で行うことが記載されており、本願の請求項１５に係る発明の『前記第1基板を大気曝露することを可能にする工程』に相当する。
　したがって、請求項１４及び１５に係る発明は、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（４）請求項１６について
　はんだの酸化を防止するためにはんだの表面に金層を設けることは、引用文献２の段落【００１６】等に記載されているように、本願の優先日前に周知の技術であった。
　また、引用文献１の段落【００２５】に記載されているように、引用文献１に記載された発明における『フッ素系不活性液体』は『半田バンプ』への酸化膜の付着を防止するためのものであり、引用文献２に記載された周知技術における『金層』と同様の機能を有するものであるといえる。
　そうすると、引用文献１に記載された発明において、『半田バンプ』への酸化膜の付着を防止するために、ＭＥＭＳ基板を『フッ素系不活性液体』で被覆する構成に代えて、半田バンプを金層で被覆する構成を採用することは、当業者であれば容易になし得たことである。
　その他の点については、請求項１４と同様である。
　したがって、請求項１６に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（５）請求項１７及び１８について
　引用文献１の段落【００１８】等には、ＨＥＭＳ基板に半田バンプを形成することが記載されており、本願の上記請求項に係る発明の『第1基板の表面にはんだを堆積する堆積システム』の動作に相当する。引用文献１の段落【００１９】ないし【００２１】等には、真空チャンバー内にＨＥＭＳ基板を載置し、プラズマにより半田バンプ表面に付着した酸化膜を除去した後に、真空チャンバー内に窒素ガスを充填し、フッ素系不活性液体によってＨＥＭＳ基板の表面を被覆することが記載されており、また、引用文献１の段落【００２３】ないし【００２４】等には、ＭＥＭＳ基板と回路基板を接合することが記載されており、本願の上記請求項に係る発明の『プラズマ/ボンディングシステム』の動作に相当する。引用文献１の段落【００２５】には、接合を大気中で行うことが記載されており、本願の請求項１８に係る発明の『前記第1基板を大気曝露することを可能にする』ことに相当する。
　したがって、請求項１７及び１８に係る発明は、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２００６−２２２３８１号公報
２．特開２００６−２７９０６２号公報」
　２　当審拒絶理由についての判断
（１）理由１（サポート要件）について
　ア　当審拒絶理由の「１　理由１（サポート要件）について」の（１）において、請求項１ないし７に係る発明では、「堆積システム」によって第1基板の表面にはんだを堆積した後、「プラズマ/ボンディングシステム」による処理が行われるまでの間、第1基板が大気曝露されないものと解されるところ、発明の詳細な説明には、「堆積システム」によってはんだを堆積した後、「プラズマ/ボンディングシステム」による処理が行われるまでの間、基板を大気に曝露しないことについて記載されていないから、請求項１ないし７に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではない旨が指摘された。
　これに対し、平成２９年３月２１日付けで手続補正書が提出され、当該手続補正書による補正後の請求項１ないし９に係る発明は、「『堆積システム』によってはんだを堆積した後、『プラズマ/ボンディングシステム』による処理が行われるまでの間、基板を大気に曝露しない」という構成を含まないものとなった。
　イ　当審拒絶理由の「１　理由１（サポート要件）について」の（２）において、請求項８ないし１３に係る発明では、「前記複数の基板のうち少なくとも1つの基板の表面にはんだを堆積する工程」の後、「プラズマ洗浄後に酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層を前記少なくとも1つの基板上に堆積する工程」までの間、「少なくとも1つの基板」が大気曝露されないものと解されるところ、発明の詳細な説明には、はんだを堆積した後、基板を大気に曝露しないことについて記載されていないから、請求項８ないし１３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではない旨が指摘された。
　これに対し、平成２９年３月２１日付けで手続補正書が提出され、当該手続補正書による補正後の請求項１ないし９に係る発明は、「はんだを堆積した後、基板を大気に曝露しない」という構成を含まないものとなった。
　ウ　以上より、当審拒絶理由の「１　理由１（サポート要件）について」に示した理由によっては、もはや、本願を拒絶することはできない。
（２）理由２（新規事項）について
　ア　当審拒絶理由の「２　理由２（新規事項）について」の（１）において、平成２７年１２月８日付け手続補正書による補正後の請求項１に係る発明では、「堆積システム」によって第1基板の表面にはんだを堆積した後、「プラズマ/ボンディングシステム」による処理が行われるまでの間、第1基板が大気曝露されないものと解されるところ、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）には、「堆積システム」によってはんだを堆積した後、「プラズマ/ボンディングシステム」による処理が行われるまでの間、基板を大気に曝露しないことについて記載されていないから、平成２７年１２月８日付け手続補正書による請求項１についての補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでない旨が指摘された。
　これに対し、平成２９年３月２１日付けで手続補正書が提出され、当該手続補正書による補正後の請求項１ないし９に係る発明は、「『堆積システム』によってはんだを堆積した後、『プラズマ/ボンディングシステム』による処理が行われるまでの間、基板を大気に曝露しない」という構成を含まないものとなった。
　イ　当審拒絶理由の「２　理由２（新規事項）について」の（２）において、平成２７年１２月８日付け手続補正書による補正後の請求項８に係る発明では、「前記複数の基板のうち少なくとも1つの基板の表面にはんだを堆積する工程」の後、「プラズマ洗浄後に酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層を前記少なくとも1つの基板上に堆積する工程」までの間、「少なくとも1つの基板」が大気曝露されないものと解されるところ、当初明細書等には、はんだを堆積した後、基板を大気に曝露しないことについて記載されていないから、平成２７年１２月８日付け手続補正書による請求項８についての補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでない旨が指摘された。
　これに対し、平成２９年３月２１日付けで手続補正書が提出され、当該手続補正書による補正後の請求項１ないし９に係る発明は、「はんだを堆積した後、基板を大気に曝露しない」という構成を含まないものとなった。
　ウ　以上より、当審拒絶理由の「２　理由２（新規事項）について」に示した理由によっては、もはや、本願を拒絶することはできない。
（３）理由３（明確性）について
　ア　当審拒絶理由の「３　理由３（明確性）について」の（１）アにおいて、本願の請求項１に「前記堆積システムと
やり取りする
　これに対し，平成２９年３月２１日付けで手続補正書が提出され、当該手続補正書による補正後の請求項１ないし９は、「やり取りする」との記載を含まないものとなった。
　イ　当審拒絶理由の「３　理由３（明確性）について」の（１）イにおいて、本願の請求項１に「前記プラズマ洗浄システムと
やり取りする
　これに対し，平成２９年３月２１日付けで手続補正書が提出され、当該手続補正書による補正後の請求項１ないし９は、「やり取りする」との記載を含まないものとなった。
　ウ　当審拒絶理由の「３　理由３（明確性）について」の（２）において、請求項６が引用する請求項１には、「前記プラズマチャンバ内部に設けられ、かつ
実質的に真空状態であるプラズマ/ボンディングシステム
　これに対し、平成２９年３月２１日付けで手続補正書が提出され、当該手続補正書による補正後の請求項１ないし９は、「実質的に真空状態であるプラズマ/ボンディングシステム」との記載を含まないものとなった。
　エ　当審拒絶理由の「３　理由３（明確性）について」の（３）アにおいて、本願の請求項１３に「
前記前記
　これに対し、平成２９年３月２１日付けで手続補正書が提出され、当該手続補正書による補正後の請求項１ないし９は、「前記前記」との記載を含まないものとなった。
　オ　当審拒絶理由の「３　理由３（明確性）について」の（３）イにおいて、本願の請求項１３に「前記前記
真空チャンバ内で前記少なくとも1つの基板をプラズマ洗浄する工程が、窒素チャンバ内部に設けられたプラズマチャンバ内で前記少なくとも1つの基板をプラズマ洗浄する工程であって、
　これに対し、平成２９年３月２１日付けで手続補正書が提出され、当該手続補正書による補正後の請求項７に係る発明においては、窒素チャンバ内部に設けられたプラズマチャンバ内でプラズマ洗浄を行うことが明確となった。また、上記手続補正書による補正後の請求項１ないし６、並びに８及び９に係る発明は、「窒素チャンバ」との記載を含んでいない。
　カ　当審拒絶理由の「３　理由３（明確性）について」の（３）ウにおいて、本願の請求項１３には、「
前記前記真空チャンバ内で前記少なくとも1つの基板をプラズマ洗浄する工程が、
前記複数の基板のボンディングを行う工程が、
を有する、
　これに対し、平成２９年３月２１日付けで手続補正書が提出され、当該手続補正書による補正後の請求項１ないし９の記載では、主部と述部との対応関係が明確となった。
　キ　当審拒絶理由の「３　理由３（明確性）について」の（４）において、本願の請求項１５には「前記の第1基板と第2基板とをボンディングする工程の前に、
前記第1基板を大気曝露することを可能にする
　これに対し、平成２９年３月２１日付けで手続補正書が提出され、当該手続補正書による補正後の請求項１ないし９は、「大気曝露することを可能にする」との記載を含まないものとなった。
　ク　以上より、当審拒絶理由の「３　理由３（明確性）について」に示した理由によっては、もはや、本願を拒絶することはできない。
（４）理由４（新規性）及び理由５（進歩性）について
　ア　引用文献の記載事項と引用発明
（ア）引用文献１の記載事項並びに引用発明１及び２
　ａ　当審拒絶理由に引用され、本願の優先権の主張の基礎とされた出願の日（以下「本願の優先日」という。）の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００６−２２２３８１号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（当審注．下線は、参考のために、当審において付したものである。以下において同じ。）。
「【請求項１】
　被接合物の金属接合部同士を接合する実装方法において、
　金属接合部表面の接合阻害物を除去する工程と、
　非酸素雰囲気中で半田の融解温度以下の融解温度を有する仮被覆部材を用いて前記金属接合部表面を被覆する工程と、
　前記金属接合部同士を位置合せする工程と、
　前記仮被覆部材を除去し固相拡散接合する工程と、
からなる電子部品の実装方法。
【請求項２】
　被接合物の金属接合部同士を接合する電子部品の実装装置において、
　金属接合部表面の接合阻害物を除去する除去手段と、
　非酸素雰囲気中で半田の融解温度以下の融解温度を有する仮被覆部材を用いて前記金属接合部表面を被覆する手段と、
　前記金属接合部同士を位置合せする手段と、
　前記仮被覆部材を除去し固相拡散接合する手段と、
を具備することを特徴とする電子部品の実装装置。
・・・
【００１５】
　図１に示すように本実施形態において、
半田バンプがＭＥＭＳ基板の電極上に予め形成する工程（ステップＳ１）と、ＭＥＭＳ基板上の半田バンプ表面及び回路基板に配置した電極表面に発生又は付着している接合阻害物となる酸化膜と図示しない有機物をＡｒガス雰囲気中のプラズマによるドライエッチングによって除去する工程（ステップＳ２）と、窒素ガスによる不活性雰囲気において、接合阻害物を除去したＭＥＭＳ基板上の半田バンプ及び回路基板に配置した電極の表面上に、半田の融解温度以下の融解温度有するフッ素系不活性液体が塗布される接合面を被覆する工程（ステップＳ３）と、フッ素系不活性液体で表面を被覆されたＭＥＭＳ基板の半田バンプと、回路基板の電極表面を対向する位置に位置合せする工程（ステップＳ４）と、半田バンプと電極を接触させた後に、接触部に荷重をかけつつフッ素系不活性液体の沸点以上且つ半田の融解温度以下の温度で加熱して、半田バンプと電極を固相拡散接合する工程（ステップＳ５）と、から構成される。
・・・
【００１８】
　
図２に示したステップＳ１の工程において、ＭＥＭＳ基板５に配置された電極６上に半田バンプ７が予め形成されている。半田バンプ７が大気に触れた際には、図４に示した回路基板９に対して接合阻害物となる酸化膜８ａが半田バンプ７の表面に発生する。
【００１９】
　
図３に示すステップＳ２の工程においてＭＥＭＳ基板５は、図３（ａ）に示すように真空チャンバー１１内に配置された下部電極１２ｂに載置される。真空チャンバー１１内を真空状態にした後にアルゴン（Ａｒ）ガスが導入される。次に、高周波電源１３が駆動して上部電極１２ａ、下部電極１２ｂに高周波電圧を印加させることで、Ａｒガス雰囲気中にプラズマ１４を発生させる。このＡｒガス雰囲気中のプラズマ１４は、ＭＥＭＳ基板５に載置されている電極６上の半田バンプ７表面に付着した接合阻害物となる酸化膜８ａや図示しない有機物に衝突する。衝突することにより図３（ｂ）に示すように半田バンプ７表面から接合阻害物となる酸化膜８ａや図示しない有機物を除去する。
【００２０】
　
図４に示すステップＳ２の工程において図４（ａ）は、図３（ａ）に示した工程と同様に回路基板９を真空チャンバー１１内の下部電極１２ｂに載置させる。
【００２１】
　次に
図５に示すステップＳ３の仮被覆工程において、酸化膜８ａや図示しない有機物を表面から除去した半田バンプ７を形成する電極６を載置するＭＥＭＳ基板５は、低酸素濃度雰囲気に管理された窒素パージＢｏｘ１６内の基台１７上に固定される。次に、フッ素系不活性液体１８を充填したシリンジ１９は、半田バンプ７と対向配置する位置に移動する。移動したシリンジ１９は、半田バンプ７全表面を含む電極６全表面上にフッ素系不活性液体１８ａを塗布して仮被覆する。
【００２２】
　図６に示すステップＳ３の工程においても、図５に示したステップＳ３の工程と同様に、酸化膜８ｂや図示しない有機物を表面から除去した電極１０を配置している回路基板９は、低酸素濃度雰囲気に管理された窒素パージＢｏｘ１６内の基台２０に固定される。回路基板９に配置された電極１０表面は、フッ素系不活性液体１８ｂによって塗布され仮被覆される。全電極表面を被覆した回路基板９は、接合装置に搬出する。フッ素系不活性液体１８によって仮被覆された電極１０表面は、接合阻害物となる酸化膜や有機物の再付着が防止できる。
【００２３】
　
図７に示すステップＳ４の工程において、接合装置に搬入された回路基板９は、基台２０に固定される。一方、接合装置に搬入されたＭＥＭＳ基板５は接合面（半田バンプ７が形成されている面）が回路基板９の接合面（電極１０が形成されている面）と対向するように接合ハンド２１に装着されて保持される。
【００２４】
　
図８（ａ）に示すステップＳ５の工程において、接合ハンド２１が下降して、半田バンプ７表面を覆うフッ素系不活性液体１８ａは、電極１０を覆うフッ素系不活性液体１８ｂと当接する。
　
この当接した後にさらに荷重を加えつつ、フッ素系不活性液体１８の沸点（１００℃）以上の温度で接触部分を加熱するとフッ素系不活性液体１８ａ，ｂは気化する。図８（ｂ）に示すように荷重により半田バンプ７の先端は、潰れて半田バンプ７の表面と回路基板９に配置された電極１０表面が密着し固相拡散接合する。
【００２５】
　このように本実施形態によれば、接合部材として半田バンプのみを用いるために、例えば電子部品と回路基板とを接合する際の製造工程が短い。
半田バンプ７は、フッ素系不活性液体１８によって仮被覆されることで接合阻害物となる酸化膜８ａや有機物の再付着が防止できる。
さらに仮被覆部材の供給手段がシリンジによるフッ素系不活性液体による塗布のため、部品や基板ごとの治工具が不要であり大気中での接合が可能であるため、接合装置のコストを押えることができる。
【００２６】
　
本実施形態では、接合阻害物となる酸化膜８ａ及び酸化膜８ｂの除去はＭＥＭＳ基板５と回路基板９とを別々に除去をしたが、同時に実施しても構わない。
【００２７】
本実施形態は、基板の大部分に可動部１を有するＭＥＭＳ基板５と、可動部１に対応する駆動電極１５を有する回路基板９をフリップチップ実装した静電駆動型デバイスを例に適用した例である。
　ｂ　上記ａの引用文献１の記載と当該技術分野における技術常識より、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「ＭＥＭＳ基板５の電極６上に半田バンプ７を形成する手段と、
　真空チャンバ内にＭＥＭＳ基板５及び回路基板９を配置する手段と、
　前記真空チャンバ内でＭＥＭＳ基板５の半田バンプ７の表面に発生している酸化膜をＡｒガス雰囲気中のプラズマによるドライエッチングによって除去する手段と、
　ＭＥＭＳ基板５上の半田バンプ７の表面上に、フッ素系不活性液体を塗布する手段と、
　ＭＥＭＳ基板５と回路基板９とを接合する手段と、
　を有する、電子部品を実装するためのシステム。」
　ｃ　また、上記ａの引用文献１の記載と当該技術分野における技術常識より、引用文献１には、上記引用発明１を方法の発明として記載した次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「ＭＥＭＳ基板５の電極６上に半田バンプ７を形成する工程と、
　真空チャンバ内にＭＥＭＳ基板５及び回路基板９を配置する工程と、
　前記真空チャンバ内でＭＥＭＳ基板５の半田バンプ７の表面に発生している酸化膜をＡｒガス雰囲気中のプラズマによるドライエッチングによって除去する工程と、
　ＭＥＭＳ基板５上の半田バンプ７の表面上に、フッ素系不活性液体を塗布する工程と、
　ＭＥＭＳ基板５と回路基板９とを接合する工程と、
　を有する、電子部品の実装方法。」
（イ）引用文献２の記載事項
　当審拒絶理由に引用され、本願の優先日の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００６−２７９０６２号公報（以下「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００１６】
　図３０（ａ）〜（ｃ）は、本発明の半導体装置の製造方法の第１２の実施の形態を示す工程順の断面図である。本実施の形態は、図７に示した半導体素子の実装方法に係る。本実施の形態においては、
柱状突起６の上部に設けられたはんだメッキ層９の表面に金層１０が設けられると共にパッド１４上にも金層１０が設けられる〔図３０（ａ）〕。これら金層が形成されていることにより、はんだメッキ層９およびパッド１４の表面は酸化されることなく清浄な状態に保持される。
　本実施の形態においては、はんだメッキ層９およびパッド１４上の双方に金層１０が形成されていたが、いずれか一方のみであってもよい。その場合には、保管、搬送、実装の一連の過程は、真空、還元性雰囲気などの非酸化性雰囲気中にて行い、接合部表面が汚染されることのないようにすることが肝要である。
　図３１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の半導体装置の製造方法の第１３の実施の形態を示す工程順の断面図である。本実施の形態において用いられる半導体素子の柱状バンプ６の上面および側面の上部部分は、薄い金層１０によって被覆されている。また、パッド１４上のはんだ層１６上にも金層１０が形成されている〔図３１（ａ）〕。位置決め後、配線基板１２上に半導体素子を搭載し、はんだリフローを行うと、金層１０ははんだ内に溶け込み、柱状バンプ６はパッド１４にはんだフィレット１１を介して接合される〔図３１（ｂ）〕。その後、アンダーフィル樹脂１７を充填し、硬化させる〔図３１（ｃ）〕。
　本実施の形態においては、金層１０は、柱状バンプ６とはんだ層１６上の双方に形成されていたが、いずれか一方のみであってもよい。一方に金層が形成されない場合には、取り扱いは、真空、還元性雰囲気などの非酸化性雰囲気中にて行い、接合部表面が汚染されることのないようにすることが肝要である。」
　イ　本願発明と引用発明との対比
（ア）本願発明１と引用発明との対比
　ａ　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）と引用発明１とを対比する。
　ｂ　本願明細書の段落【００１６】には「ある実施例では、システム10は、
基板（たとえばウエハ）
　したがって、引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５」と、本願発明１における「第1ウエハ」とは、「第1基板」である点において共通し、下記相違点１において相違するといえる。
　また、引用発明１における「回路基板９」と、本願発明１における「第2ウエハ」とは、「第2基板」である点において共通し、下記相違点１において相違するといえる。
　さらに、引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５」及び「回路基板９」と、本願発明１における「複数のウエハ」とは、「複数の基板」である点において共通し、下記相違点１において相違するといえる。
　ｃ　引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５の電極６上に半田バンプ７を形成する手段」は、ＭＥＭＳ基板５の上にはんだを堆積する堆積システムであるといえる。
　また、上記ｂのとおり、引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５」と本願発明１における「第1ウエハ」とは、「第1基板」である点において共通するといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１とは、「複数の基板のうちの少なくとも第1基板の上にはんだを堆積する堆積システム」を有する点において共通し、下記相違点１及び２において相違するといえる。
　ｄ　引用発明１における「真空チャンバ」は、「内部が実質的に真空」であるといえる。
　また、引用発明１における「前記真空チャンバ内でＭＥＭＳ基板５の半田バンプ７の表面に発生している酸化膜をＡｒガス雰囲気中のプラズマによるドライエッチングによって除去する手段」は、「真空チャンバ内でＭＥＭＳ基板５をプラズマ洗浄するプラズマ洗浄システム」であるといえる。
　さらに、引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５と回路基板９とを接合する手段」は、「ボンディングシステム」であるといえ、引用発明１における「前記真空チャンバ内でＭＥＭＳ基板５の半田バンプ７の表面に発生している酸化膜をＡｒガス雰囲気中のプラズマによるドライエッチングによって除去する手段」、「ＭＥＭＳ基板５上の半田バンプ７の表面上に、フッ素系不活性液体を塗布する手段」及び「ＭＥＭＳ基板５と回路基板９とを接合する手段」を合わせたものは、「プラズマ／ボンディングシステム」であるといえる。
　そして、上記ｂのとおり、引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５」と本願発明１における「第1ウエハ」とは、「第1基板」である点において共通するといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１とは、「内部が実質的に真空で、少なくとも前記第1基板がプラズマ洗浄される、真空チャンバを有するプラズマ/ボンディングシステム」を有する点において共通し、下記相違点１及び３において相違するといえる。
　ｅ　引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５の半田バンプ７の表面に発生している酸化膜」は「金属酸化物」であるといえ、引用発明１における「前記真空チャンバ内でＭＥＭＳ基板５の半田バンプ７の表面に発生している酸化膜をＡｒガス雰囲気中のプラズマによるドライエッチングによって除去する手段」は、「はんだがＭＥＭＳ基板５上に堆積された後に前記ＭＥＭＳ基板５をプラズマ洗浄して前記ＭＥＭＳ基板５から金属酸化物を除去」するものであるといえる。
　また、引用発明１における「フッ素系不活性液体」は、「酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層」であるといえ、引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５上の半田バンプ７の表面上に、フッ素系不活性液体を塗布する手段」は、「プラズマ洗浄後に、ＭＥＭＳ基板５上に酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層を形成」するものであるといえる。
　そして、上記ｂのとおり、引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５」と本願発明１における「第1ウエハ」とは、「第1基板」である点において共通するといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１とは、「プラズマ/ボンディングシステム」が「はんだが前記第1基板上に堆積された後に前記第1基板をプラズマ洗浄して前記第1基板から金属酸化物を除去し、かつ、プラズマ洗浄後に、酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層を前記第1基板上に形成する、ように構成されるプラズマ洗浄システム」を有する点において共通し、下記相違点１及び４において相違するといえる。
　ｆ　引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５と回路基板９とを接合する手段」は、「前記キャップ層が形成された後にＭＥＭＳ基板５を回路基板９へ結合させるように構成されるボンディングシステム」であるといえる。
　そして、上記ｂのとおり、引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５」と本願発明１における「第1ウエハ」とは「第1基板」である点において共通し、引用発明１における「回路基板９」と本願発明１における「第2ウエハ」とは「第2基板」である点において共通するといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１とは、「プラズマ/ボンディングシステム」が「前記キャップ層が堆積された後に前記第1基板を前記第2基板へ結合させるように構成される、ボンディングシステム」を有する点において共通し、下記相違点１及び５において相違するといえる。
　ｇ　上記ア（ア）ａの引用文献１の記載（段落【００２５】）より、引用発明１における「フッ素系不活性液体」は、「金属酸化物の再生成を少なくとも抑制する」ものであるといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１とは、「前記キャップ層は、前記第1基板の表面に形成されることで、金属酸化物の再生成を少なくとも抑制する」点において共通するといえ、下記相違点４において相違するといえる。
　ｈ　以上から、本願発明１と引用発明１との一致点及び相違点は、以下のとおりであると認められる。
（ａ）一致点
　「複数の基板のうちの少なくとも第1基板の上にはんだを堆積する堆積システム；
　内部が実質的に真空で、少なくとも前記第1基板がプラズマ洗浄される、真空チャンバを有するプラズマ/ボンディングシステム；
　を有するシステムであって、
　前記プラズマ/ボンディングシステムは：
　はんだが前記第1基板上に堆積された後に前記第1基板をプラズマ洗浄して前記第1基板から金属酸化物を除去し、かつ、プラズマ洗浄後に、酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層を前記第1基板上に形成する、ように構成されるプラズマ洗浄システム；及び、
　前記キャップ層が形成された後に前記第1基板を第2基板へ結合させるように構成される、ボンディングシステム；
　を有し、
　前記キャップ層は、前記第1基板の表面に形成されることで、金属酸化物の再生成を少なくとも抑制する、
　システム。」
（ｂ）相違点
　・相違点１　本願発明１では、「第1ウエハ」（第1基板）及び「第2ウエハ」（第2基板）がいずれも「ウエハ」であるのに対し、引用発明１では、「ＭＥＭＳ基板５」（第1基板）及び「回路基板９」（第2基板）が「ウエハ」であるとは特定しない点。
　・相違点２　本願発明１では、「第1ウエハ」（第1基板）の「表面」にはんだを堆積するのに対し、引用発明１では、「ＭＥＭＳ基板５」（第1基板）の電極６上に半田バンプ７を形成しており、「ＭＥＭＳ基板５」（第1基板）の「表面」にはんだを堆積すると言い得るのか不明である点。
　・相違点３　本願発明１では、「第1ウエハ」（第1基板）と「第2ウエハ」（第2基板）との結合が真空チャンバ内で行われるのに対し、引用発明１では、「ＭＥＭＳ基板５」（第1基板）と「回路基板９」（第2基板）との結合が真空チャンバ内で行われるとは特定しない点。
　・相違点４　本願発明１では、「キャップ層」を「堆積」するのに対し、引用発明１では、「フッ素系不活性液体」（キャップ層）を「塗布」しており、「堆積」と言い得るのか不明である点。
　・相違点５　本願発明１では、キャップ層が堆積された後、第1ウエハ（第1基板）が大気曝露される前に前記第1ウエハ（第1基板）を第2ウエハ（第2基板）へ結合させるのに対し、引用発明１では、「フッ素系不活性液体」（キャップ層）を塗布した後、「ＭＥＭＳ基板５」（第1基板）が大気曝露される前に「ＭＥＭＳ基板５」（第1基板）を「回路基板９」（第2基板）へ結合させるとは特定しない点。
（イ）本願発明４と引用発明との対比
　ａ　本願の請求項４に係る発明（以下「本願発明４」という。）と引用発明２とを対比する。
　ｂ　本願明細書の段落【００１６】には「ある実施例では、システム10は、
基板（たとえばウエハ）
　したがって、引用発明２における「ＭＥＭＳ基板５」及び「回路基板９」と、本願発明４における「複数のウエハ」とは、「複数の基板」である点において共通し、下記相違点６において相違するといえる。
　また、引用発明２における「ＭＥＭＳ基板５」と、本願発明４における「複数のウエハのうち少なくとも一つのウエハ」とは、「複数の基板のうち少なくとも一つの基板」である点において共通し、下記相違点６において相違するといえる。
　ｃ　引用発明２における「ＭＥＭＳ基板５の電極６上に半田バンプ７を形成する工程」は、ＭＥＭＳ基板５の上にはんだを堆積する工程であるといえる。
　また、上記ｂのとおり、引用発明２における「ＭＥＭＳ基板５」と本願発明４における「複数のウエハのうち少なくとも一つのウエハ」とは、「複数の基板のうち少なくとも一つの基板」である点において共通するといえる。
　そうすると、本願発明４と引用発明２とは、「複数の基板のうち少なくとも1つの基板の上にはんだを堆積する工程」を有する点において共通し、下記相違点６及び７において相違するといえる。
　ｄ　引用発明２における「真空チャンバ」は「チャンバ」であるといえる。
　また、引用発明２における「真空チャンバ内にＭＥＭＳ基板５及び回路基板９を配置する工程」は、「真空チャンバ内にＭＥＭＳ基板５及び回路基板９を供する工程」であるといえる。
　そして、上記ｂのとおり、引用発明２における「ＭＥＭＳ基板５」及び「回路基板９」と、本願発明４における「複数のウエハ」とは、「複数の基板」である点において共通するといえる。
　そうすると、本願発明４と引用発明２とは、「チャンバ内に前記複数の基板を供する工程」を有する点において共通し、下記相違点６において相違するといえる。
　ｅ　引用発明２における「ＭＥＭＳ基板５の半田バンプ７の表面に発生している酸化膜」は「金属酸化物」であるといえる。
　また、引用発明２における「前記真空チャンバ内でＭＥＭＳ基板５の半田バンプ７の表面に発生している酸化膜をＡｒガス雰囲気中のプラズマによるドライエッチングによって除去する工程」は、「真空チャンバ内でＭＥＭＳ基板５をプラズマ洗浄することで、ＭＥＭＳ基板５から酸化膜を除去する工程」であるといえる。
　そして、上記ｂのとおり、引用発明２における「ＭＥＭＳ基板５」と本願発明４における「複数のウエハのうち少なくとも一つのウエハ」とは、「少なくとも一つの基板」である点において共通するといえる。
　そうすると、本願発明４と引用発明２とは、「前記チャンバ内で前記少なくとも1つの基板をプラズマ洗浄することで、前記少なくとも1つの基板から金属酸化物を除去する工程」を有する点において共通し、下記相違点６において相違するといえる。
　ｆ　引用発明２における「フッ素系不活性液体」は、「酸化に対する耐性を有する材料を含」む「キャップ層」であるといえ、引用発明２における「ＭＥＭＳ基板５上の半田バンプ７の表面上に、フッ素系不活性液体を塗布する工程」は、「ＭＥＭＳ基板５上に酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層を形成する工程」であるといえる。
　そして、上記ｂのとおり、引用発明２における「ＭＥＭＳ基板５」と本願発明４における「複数のウエハのうち少なくとも一つのウエハ」とは、「少なくとも一つの基板」である点において共通するといえる。　
　そうすると、本願発明４と引用発明２とは、「前記はんだの堆積及びプラズマ洗浄後に、酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層を前記少なくとも1つの基板上に形成する工程」を有する点において共通し、下記相違点６、８及び９において相違するといえる。
　ｇ　引用発明２における「ＭＥＭＳ基板５と回路基板９とを接合する工程」は、「ＭＥＭＳ基板５と回路基板９とのボンディングを行う工程」であるといえる。
　そして、上記ｂのとおり、引用発明２における「ＭＥＭＳ基板５」及び「回路基板９」と、本願発明４における「複数のウエハ」とは、「複数の基板」である点において共通するといえる。
　そうすると、本願発明４と引用発明２とは、「前記複数の基板のボンディングを行う工程」を有する点において共通し、下記相違点６及び１０において相違するといえる。
　ｈ　以上から、本願発明４と引用発明２との一致点及び相違点は、以下のとおりであると認められる。
（ａ）一致点
　「複数の基板のうち少なくとも1つの基板の上にはんだを堆積する工程；
　チャンバ内に前記複数の基板を供する工程；
　前記チャンバ内で前記少なくとも1つの基板をプラズマ洗浄することで、前記少なくとも1つの基板から金属酸化物を除去する工程；
　前記はんだの堆積及びプラズマ洗浄後に、酸化に対する耐性を有する材料を含むキャップ層を前記少なくとも1つの基板上に形成する工程；及び、
　前記複数の基板のボンディングを行う工程；
　を有する方法。」
（ｂ）相違点
　・相違点６　本願発明４では、「複数のウエハ」（複数の基板）が「ウエハ」であるのに対し、引用発明２では、「ＭＥＭＳ基板５」及び「回路基板９」（複数の基板）が「ウエハ」であるとは特定しない点。
　・相違点７　本願発明４では、「少なくとも1つのウエハ」（少なくとも1つの基板）の「表面」にはんだを堆積するのに対し、引用発明２では、「ＭＥＭＳ基板５」（少なくとも1つの基板）の電極６上に半田バンプ７を形成しており、「ＭＥＭＳ基板５」（少なくとも1つの基板）の「表面」にはんだを堆積すると言い得るのか不明である点。
　・相違点８　本願発明４では、キャップ層の堆積を「チャンバ内」で行うのに対し、引用発明２では、「フッ素系不活性液体」（キャップ層）の塗布を「真空チャンバ」（チャンバ）内で行うとは特定しない点。
　・相違点９　本願発明４では、「キャップ層」を「堆積」するのに対し、引用発明２では、「フッ素系不活性液体」（キャップ層）を「塗布」しており、「堆積」と言い得るのか不明である点。
　・相違点１０　本願発明４では、複数のウエハ（複数の基板）のボンディングをチャンバ内で行うのに対し、引用発明２では、「ＭＥＭＳ基板５」及び「回路基板９」（複数の基板）の接合を「真空チャンバ」（チャンバ）内で行うとは特定しない点。
（ウ）本願発明９と引用発明との対比
　ａ　本願の請求項９に係る発明（以下「本願発明９」という。）と引用発明１とを対比する。
　ｂ　本願明細書の段落【００１６】には「ある実施例では、システム10は、
基板（たとえばウエハ）
　したがって、引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５」と、本願発明９における「第1ウエハ」とは、「第1基板」である点において共通し、下記相違点１１において相違するといえる。
　また、引用発明１における「回路基板９」と、本願発明１における「第2ウエハ」とは、「第2基板」である点において共通し、下記相違点１１において相違するといえる。
　ｃ　引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５の電極６上に半田バンプ７を形成する手段」は、ＭＥＭＳ基板５の上にはんだを堆積する堆積システムであるといえる。
　また、上記ｂのとおり、引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５」と、本願発明９における「第1ウエハ」とは、「第1基板」である点において共通するといえる。
　そうすると、本願発明９と引用発明１とは、「第1基板の上にはんだを堆積する堆積システム」を有する点において共通し、下記相違点１１及び１２において相違するといえる。
　ｄ　引用発明１における「前記真空チャンバ内でＭＥＭＳ基板５の半田バンプ７の表面に発生している酸化膜をＡｒガス雰囲気中のプラズマによるドライエッチングによって除去する手段」、「ＭＥＭＳ基板５上の半田バンプ７の表面上に、フッ素系不活性液体を塗布する手段」及び「ＭＥＭＳ基板５と回路基板９とを接合する手段」を合わせたものは、「プラズマ／ボンディングシステム」であるといえる。
　そうすると、本願発明９と引用発明１とは、「プラズマ／ボンディングシステム」を有する点において共通するといえる。
　ｅ　引用発明１における「真空チャンバ」は「チャンバ」であるといえる。
　また、引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５の半田バンプ７の表面に発生している酸化膜」は「金属酸化物」であるといえる。
　さらに、引用発明１における「前記真空チャンバ内でＭＥＭＳ基板５の半田バンプ７の表面に発生している酸化膜をＡｒガス雰囲気中のプラズマによるドライエッチングによって除去する手段」は、「真空チャンバ内でＭＥＭＳ基板５をプラズマ洗浄して、ＭＥＭＳ基板５からの酸化膜を除去」するものであるといえる。
　そして、上記ｂのとおり、引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５」と本願発明９における「第1ウエハ」とは、「第1基板」である点において共通するといえる。
　そうすると、本願発明９と引用発明１とは、「プラズマ/ボンディングシステム」が「チャンバ内で、前記第1基板をプラズマ洗浄して、前記第1基板からの金属酸化物を除去」するように構成されている点において共通し、下記相違点１１において相違するといえる。
　ｆ　引用発明１における「フッ素系不活性液体」は「キャップ層」であるといえる。
　また、上記ア（ア）ａの引用文献１の記載（段落【００２５】）より、引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５上の半田バンプ７の表面上に、フッ素系不活性液体を塗布する手段」は、「はんだの再酸化を少なくとも抑制」するものであるといえる。
　さらに、引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５上の半田バンプ７の表面上に、フッ素系不活性液体を塗布する手段」は、「ＭＥＭＳ基板５上にキャップ層を形成する」ものであるといえる。
　そして、上記ｂのとおり、引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５」と本願発明９における「第1ウエハ」とは、「第1基板」である点において共通するといえる。
　そうすると、本願発明９と引用発明１とは、「プラズマ/ボンディングシステム」が「前記第1基板の上にキャップ層を形成することで、前記はんだの再酸化を少なくとも抑制」するように構成されている点において共通し、下記相違点１１、１３及び１４において相違するといえる。
　ｇ　引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５と回路基板９とを接合する手段」は、「ＭＥＭＳ基板５と回路基板９とをボンディングする」ものであるといえる。
　そして、上記ｂのとおり、引用発明１における「ＭＥＭＳ基板５」と本願発明９における「第1ウエハ」とは「第1基板」である点において共通し、引用発明１における「回路基板９」と本願発明９における「第2ウエハ」とは「第2基板」である点において共通するといえる。
　そうすると、本願発明９と引用発明１とは、「プラズマ/ボンディングシステム」が「第1基板と第2基板とをボンディングする」ように構成されている点において共通し、下記相違点１１及び１５において相違するといえる。
　ｈ　以上から、本願発明９と引用発明１との一致点及び相違点は、以下のとおりであると認められる。
（ａ）一致点
　「第1基板の上にはんだを堆積する堆積システム；及び、
　プラズマ/ボンディングシステム；
　を有するシステムであって、
　前記プラズマ/ボンディングシステムは、
　　チャンバ内で、前記第1基板をプラズマ洗浄して、前記第1基板からの金属酸化物を除去し、
　　前記第1基板の表面にキャップ層を形成することで、前記はんだの再酸化を少なくとも抑制し、かつ、
　　前記第1基板と第2基板とをボンディングする、
　ように構成されている、
　システム。」
（ｂ）相違点
　・相違点１１　本願発明９では、「第1ウエハ」（第1基板）及び「第2ウエハ」（第2基板）がいずれも「ウエハ」であるのに対し、引用発明１では、「ＭＥＭＳ基板５」（第1基板）及び「回路基板９」（第2基板）が「ウエハ」であるとは特定しない点。
　・相違点１２　本願発明９では、「第1ウエハ」（第1基板）の「表面」にはんだを堆積するのに対し、引用発明１では、「ＭＥＭＳ基板５」（第1基板）の電極６上に半田バンプ７を形成しており、「ＭＥＭＳ基板５」（第1基板）の「表面」にはんだを堆積すると言い得るのか不明である点。
　・相違点１３　本願発明９では、キャップ層の堆積を「チャンバ内」で行うのに対し、引用発明１では、「フッ素系不活性液体」（キャップ層）の塗布を「真空チャンバ」（チャンバ）内で行うとは特定しない点。
　・相違点１４　本願発明９では、「キャップ層」を「堆積」するのに対し、引用発明１では、「フッ素系不活性液体」（キャップ層）を「塗布」しており、「堆積」と言い得るのか不明である点。
　・相違点１５　本願発明９では、「第1ウエハ」（第1基板）と「第2ウエハ」（第2基板）のボンディングをチャンバ内で行うのに対し、引用発明２では、「ＭＥＭＳ基板５」（第1基板）と「回路基板９」（第2基板）の接合を「真空チャンバ」（チャンバ）内で行うとは特定しない点。
　ウ　判断
（ア）本願発明１の新規性及び進歩性について
　ａ　本願発明１の新規性について
　本願発明１と引用発明１とは、上記イ（ア）ｈ（ｂ）の相違点１ないし５において相違する。したがって、本願発明１が引用発明１であるということはできない。
　ｂ　本願発明１の進歩性について
　引用文献１及び２には、相違点１、３及び５に係る構成について、記載も示唆もされていない。そして、本願発明１は、相違点１、３及び５に係る構成を備えることにより、ウエハレベルプロセスにおいて、プラズマ洗浄、キャップ層の堆積及びウエハの接合を大気曝露することなく行うことができるという、引用文献１及び２に記載された発明からは予測することのできない格別の効果を奏するものであるといえる。
　したがって、相違点２及び４について検討するまでもなく、本願発明１は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（イ）本願の請求項２及び３に係る発明の新規性及び進歩性について
　ａ　本願の請求項２及び３に係る発明の新規性について
　本願の請求項２及び３は、請求項１を引用しており、本願の請求項２及び３に係る発明は本願発明１の発明特定事項を全て有する発明である。
　してみれば、上記（ア）ａのとおり、本願発明１が引用発明１と同一であるとはいえない以上、本願の請求項２及び３に係る発明は、引用発明１と同一であるとはいえない。
　ｂ　本願の請求項２及び３に係る発明の進歩性について
　本願の請求項２及び３は、請求項１を引用しており、本願の請求項２及び３に係る発明は本願発明１の発明特定事項を全て有する発明である。
　してみれば、上記（ア）ｂのとおり、本願発明１が引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願の請求項２及び３に係る発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（ウ）本願発明４の新規性及び進歩性について
　ａ　本願発明４の新規性について
　本願発明４と引用発明２とは、上記イ（イ）ｈ（ｂ）の相違点６ないし１０において相違する。したがって、本願発明４が引用発明２であるということはできない。
　ｂ　本願発明４の進歩性について
　引用文献１及び２には、相違点６、８及び１０に係る構成について、記載も示唆もされていない。そして、本願発明４は、相違点６、８及び１０に係る構成を備えることにより、ウエハレベルプロセスにおいて、プラズマ洗浄、キャップ層の堆積及びウエハの接合を単一のチャンバ内で行うことができるという、引用文献１及び２に記載された発明からは予測することのできない格別の効果を奏するものであるといえる。
　したがって、相違点７及び９について検討するまでもなく、本願発明４は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（エ）本願の請求項５ないし８に係る発明の新規性及び進歩性について
　ａ　本願の請求項５ないし８に係る発明の新規性について
　本願の請求項５ないし８は請求項４を引用しており、本願の５ないし８に係る発明は本願発明４の発明特定事項を全て有する発明である。
　してみれば、上記（ウ）ａのとおり、本願発明４が引用発明２と同一であるとはいえない以上、本願の請求項５ないし８に係る発明は、引用発明２と同一であるとはいえない。
　ｂ　本願の請求項５ないし８に係る発明の進歩性について
　本願の請求項５ないし８は請求項４を引用しており、本願の５ないし８に係る発明は本願発明４の発明特定事項を全て有する発明である。
　してみれば、上記（ウ）ｂのとおり、本願発明４が引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願の請求項５ないし８に係る発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（オ）本願発明９の新規性及び進歩性について
　ａ　本願発明９の新規性について
　本願発明９と引用発明１とは、上記イ（ウ）ｈ（ｂ）の相違点１１ないし１５において相違する。したがって、本願発明９が引用発明１であるということはできない。
　ｂ　本願発明９の進歩性について
　引用文献１及び２には、相違点１１、１３及び１５に係る構成について、記載も示唆もされていない。そして、本願発明９は、相違点１１、１３及び１５に係る構成を備えることにより、ウエハレベルプロセスにおいて、プラズマ洗浄、キャップ層の堆積及びウエハの接合を単一のチャンバ内で行うことができるという、引用文献１及び２に記載された発明からは予測することのできない格別の効果を奏するものであるといえる。
　したがって、相違点１２及び１４について検討するまでもなく、本願発明９は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　エ　理由４（新規性）及び理由５（進歩性）についてのまとめ
　以上のとおり、本願の請求項１ないし９に係る発明は、引用発明１又は２ではないから、当審拒絶理由の「４　理由４（新規性）について」に示した理由によっては、もはや、本願を拒絶することはできない。
　また、以上のとおり、本願の請求項１ないし９に係る発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、当審拒絶理由の「５　理由５（進歩性）について」に示した理由によっては、もはや、本願を拒絶することはできない。
　３　当審拒絶理由についてのまとめ
　以上のとおり、当審拒絶理由の「理由１」ないし「理由５」によっては、もはや、本願を拒絶することはできない。
　そうすると、もはや、当審拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
第５　結言
　以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。