【事件の表示】
　特願２０１５−５１４３９８「オプトエレクトロニクス半導体チップのための活性領域を製造するための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１２月　５日国際公開、ＷＯ２０１３／１７８４２５、平成２７年　７月　９日国内公表、特表２０１５−５１９７５４、請求項の数（１４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１３年（平成２５年）５月３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１２年５月３０日、ドイツ（ＤＥ））を国際出願日とする出願であって、平成２７年７月９日付け（同年同月２１日発送）で拒絶理由が通知され、同年１０月２１日付けで手続補正がされ、同年１２月１日付け（同年同月１４日送達）で拒絶査定（以下、「原査定」という）がされ、これに対し、平成２８年４月１４日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされ、同年６月１日に前置報告がされ、同年８月１６日に審判請求人から前置報告に対する上申がされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（平成２７年１２月１日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　本願請求項１〜１４に係る発明は、以下の引用文献１〜４に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
　１．特開平１０−８４１３２号公報
　２．特開平１１−２６８１２号公報
　３．特開２０１１−１７１４４５号公報
　４．特開２０１０−２５１６１２号公報
第３　審判請求時の補正について
１　審判請求時の補正によって請求項１の「前記第２のバリア層（２２）と前記第３のバリア層（２３）との間に」を「前記第
１
２１
２
２２
　本願図２の記載から、バンドギャップ（Ｅ）の経過に段階を形成するところが、「第２のバリア層（２２）と第３のバリア層（２３）との間」ではなく、「第
１
２１
２
２２
２　審判請求時の補正によって請求項１に「前記第１〜前記第４のバリア層（２１，２２，２３，２４）の成長時の成長温度は、前記量子井戸層（２０）に関する成長温度よりも少なくとも１０℃、最大で６０℃高く、前記第１〜前記第４のバリア層（２１，２２，２３，２４）の前記成長温度はそれぞれ７３０℃以上且つ８５０℃以下である、」という発明特定事項を追加して限定する補正について（以下、「補正事項２」という。）
　補正事項２は、請求項１の「オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）のための活性領域（２）を製造するための方法」において、製造過程における温度条件を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、補正前の請求項に記載された発明と産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である。
　また、補正事項２は、当初明細書の段落【００３０】及び【００３１】に記載されているから、新規事項を追加するものではないといえる。
３　審判請求時の補正によって請求項１２を削除し、請求項１３〜１５を新たな請求項１２〜１４とし、新たな請求項１２〜１４が引用する請求項を整合させる補正について（以下、「補正事項３」という。）
　
　補正事項３は、請求項の削除を目的とするものである。
４　独立特許要件について
　以下の「第４　本願発明」から「第６　対比・判断」までに示すように、補正後の請求項１〜１４に係る発明は、独立特許要件を満たすものである。
５　審判請求時の補正についてのまとめ
　以上のとおりであるから、審判請求時の補正は、特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。
第４　本願発明
　本願請求項１〜１４に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明１４」という。）は、平成２８年４月１４日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定される発明であり、以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）のための活性領域（２）を製造するための方法において、
　Ａｌx4Ｉｎy4Ｇａ1-x4-y4Ｎ、但し０≦ｘ４≦０．４０、且つ平均して０＜ｙ４≦０．４、からなる第４のバリア層（２４）を、成長方向（ｚ）に沿ってＩｎ含有量が増大するように成長させるステップと、
　前記第４のバリア層（２４）に、ＩｎyＧａ1-yＮ、但し０．０８≦ｙ≦０．３５、からなる量子井戸層（２０）を成長させるステップと、
　前記量子井戸層（２０）に、Ａｌx1Ｉｎy1Ｇａ1-x1-y1Ｎ、但し０≦ｘ１≦０．４０、且つ平均して０＜ｙ１≦０．４、からなる第１のバリア層（２１）を、前記成長方向（ｚ）に沿ってＩｎ含有量が減少するように成長させるステップと、
　前記第１のバリア層（２１）に、ＧａＮからなる第２のバリア層（２２）を成長させるステップと、
　前記第２のバリア層（２２）に、ＧａＮからなる第３のバリア層（２３）を成長させるステップと、
を備えており、
　前記第３のバリア層（２３）だけをＨ２ガスの供給下で成長させ、
　前記量子井戸層（２０）と、隣接する前記第１のバリア層（２１）及び前記第４のバリア層（２４）との間に、ならびに、前記第１のバリア層（２１）と前記第２のバリア層（２２）との間に、および、前記第３のバリア層（２３）と前記第４のバリア層（２４）との間に、前記活性領域（２）の成長方向（ｚ）に沿って、バンドギャップ（Ｅ）の経過に段階を形成し、
　前記量子井戸層（２０）及び前記第１〜前記第４のバリア層（２１，２２，２３，２４）が成す総厚は、５．５ｎｍ以上且つ８．５ｎｍ以下であり、
　前記第１〜前記第４のバリア層（２１，２２，２３，２４）の成長時の成長温度は、前記量子井戸層（２０）に関する成長温度よりも少なくとも１０℃、最大で６０℃高く、
　前記第１〜前記第４のバリア層（２１，２２，２３，２４）の前記成長温度はそれぞれ７３０℃以上且つ８５０℃以下である、
ことを特徴とする、方法。
　　【請求項２】
　前記各層（２０，２１，２２，２３，２４）を請求項１において記載した順序で直接的に重ねて成長させ、前記順序での成長を前記活性領域（２）において３回以上且つ１０回以下繰り返す、請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】
　前記第３のバリア層（２３）の成長中のＨ2の流量は、Ｎについての反応ガスの流量の１５％以上且つ５５％以下である、請求項１又は２に記載の方法。
　　【請求項４】
　前記第１のバリア層（２１）及び前記第４のバリア層（２４）をそれぞれ、０．６ｎｍ以上且つ１．８ｎｍ以下の平均厚さで成長させる、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項５】
　前記第２のバリア層（２２）及び前記第３のバリア層（２３）をそれぞれ、０．６ｎｍ以上且つ１．８ｎｍ以下の平均厚さで成長させる、但し、前記第３のバリア層（２３）を前記第２のバリア層（２２）よりも大きい平均厚さを有するように成長させる、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項６】
　前記量子井戸層（２０）を２．５ｎｍ以上且つ４．０ｎｍ以下の平均厚さで成長させる、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項７】
　ｘ４≦０．０２、
　平均して、０．０４＜ｙ４≦０．１１、
　０．１２≦ｙ≦０．１８、
　ｘ１≦０．０２、且つ、
　平均して、０．０４＜ｙ１≦０．１１、
である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項８】
　前記成長方向（ｚ）に沿って、前記第１のバリア層（２１）及び前記第４のバリア層（２４）にわたり、ｙ１及びｙ４はそれぞれ、少なくとも０．０３、最大で０．０７変化する、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項９】
　ｙ１は前記成長方向（ｚ）に沿って単調に減少し、ｙ４は前記成長方向（ｚ）に沿って単調に増大する、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項１０】
　少なくとも前記量子井戸層（２０）の成長時に、
　成長速度は最大で０．０３ｎｍ／秒であり、
　Ｎについての反応ガスの流量と、周期表の第１３族元素についての反応ガスの流量の比の値は少なくとも３０．０００である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項１１】
　周期表の第１３族元素は少なくともＩｎ及びＧａである、請求項１０に記載の方法。
　　【請求項１２】
　ｘ１＞０且つｘ４＞０であり、
　前記第１のバリア層（２１）及び前記第４のバリア層（２４）の成長時に、
　Ａｌについての反応ガスの供給と、Ｉｎ及びＧａについての反応ガスの供給との間に少なくとも１秒の時間を空け、
　Ｏ2又は酸素化合物を供給する、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項１３】
　前記量子井戸層（２０）は４３５ｎｍ以上且つ５４５ｎｍ以下の波長で放射を行うように構成されている、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
　　【請求項１４】
　前記量子井戸層（２０）中ならびに前記第２のバリア層（２２）及び前記第３のバリア層（２３）中の前記バンドギャップ（Ｅ）はそれぞれ一定であり、前記第１のバリア層（２１）及び前記第４のバリア層（２４）中の前記バンドギャップ（Ｅ）は隣接する前記量子井戸層（２０）から離れる方向においてそれぞれ線形に増大し、前記第１のバリア層（２１）及び前記第４のバリア層（２４）中のインジウム含有量は、隣接する前記量子井戸層（２０）から離れる方向においてそれぞれ１０％から５％に低下する、
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の方法。」
第５　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審において付与したものである。以下、同様。
ア「【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の特徴となる発光層の構成を図面を参照しながら更に詳しく説明する。図１は
発光層を構成する
１つのユニット
【０００８】量子井戸層１はＩｎXＧａ1-XＮからなる。ここにおいて、Ｘは０．１（格子定数：０．３２２３２ｎｍ）〜０．３（格子定数：０．３２９３６ｎｍ）とすることが好ましい。なお、この明細書において格子定数は理論上の、即ち何ら歪みのない結晶におけるa軸方向の単位格子の長さである。量子井戸層の厚さは特に限定されないが２〜４ｎｍとすることが好ましい。
【０００９】バッファ層２はＩｎYＧａ1-YＮからなる。ここにおいて、
  後述するバリア層３のＺがＺ＝０の場合、即ち、バリア層３がＧａＮからなる場合、Ｙは０．０５（格子定数：０．３２０５６ｎｍ）〜０．１（格子定数：０．３２２３２ｎｍ）とすることが好ましい。Ｙの配合量が０．０５に満たないとバッファ層２の格子定数がバリア層３の格子定数に近づき、また０．１を超えると量子井戸層１の格子定数に近づき、それぞれ量子井戸層１−バッファ層２−バリア層３の格子定数の変化が滑らかでなくなるので好ましくない。
【００１０】また、量子井戸層１におけるＩｎの組成比Ｘに対し、バッファ層２の組成比ＹはＸ＞Ｙの関係にある。」
イ「【００２２】
【実施例】以下に、この発明の実施例を説明する。
【００２３】実施例１
図３に実施例１の
発光ダイオード１０の
発光層
・・・
【００２５】量子井戸層１５１の格子定数は０．３２５８４ｎｍである。バッファ層１５２の格子定数は０．３２２３２ｎｍである。バリア層１５３の格子定数は０．３１８８ｎｍである。
量子井戸層１５１とバッファ層１５２とのコンダクションバンド側のオフセットΔＥcは３００ｍｅＶである。量子井戸層１５１とバリア層１５３とのコンダクションバンド側のオフセットΔＥcは６００ｍｅＶである
・・・
【００３０】続いて、
（ステップ１）基板１１の温度を８５０℃に保持し、Ｈ
2
又はＮ
2
を１０ liter/min、ＮＨ
3
を２０ liter/min、ＴＭＧを１．５ X １０
ー5
 mol/min 導入して、膜厚約３．５ｎｍのノンドープトＧａＮからなるバリア層１５３を形成し
【００３１】更に、
（ステップ２）温度を８５０℃に保持し、Ｈ
2
又はＮ
2
を１０ liter/min、ＮＨ
3
を２０ liter/min、ＴＭＧを１．５ X １０
ー5
 mol/min、ＴＭＩを１．０X １０
ー4
 mol/min導入し、膜厚約１．０ｎｍのノンドープトＩｎ
0.05
Ｇａ
0.95
Ｎからなるバッファ層１５２を形成し
【００３２】引き続き、
（ステップ３）温度を６５０℃に保持し、Ｈ
2
又はＮ
2
を１０ liter/min、ＮＨ
3
を２０ liter/min、ＴＭＧを４．０ X １０
ー6
 mol/min、ＴＭＩを１．０ X １０
ー5
 mol/min導入し、膜厚約３．５ｎｍのノンドープトＩｎ
0.2
Ｇａ
0.8
Ｎからなる量子井戸層１５１を形成し
【００３３】
更に、ステップ２及びステップ１を実行し
１のユニットを形成
ウ「 【図３】　　　　　　　　　　　【図４】 　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（２）したがって、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「量子井戸層１５１とバッファ層１５２とのコンダクションバンド側のオフセットΔＥcは３００ｍｅＶであり、量子井戸層１５１とバリア層１５３とのコンダクションバンド側のオフセットΔＥcは６００ｍｅＶである発光ダイオード１０の発光層の製造方法であって、以下のステップを含む。
（ステップ１）基板１１の温度を８５０℃に保持し、Ｈ2又はＮ2を１０ liter/min、ＮＨ3を２０ liter/min、ＴＭＧを１．５ X １０ー5 mol/min 導入して、膜厚約３．５ｎｍのノンドープトＧａＮからなるバリア層１５３を形成し、
（ステップ２）温度を８５０℃に保持し、Ｈ2又はＮ2を１０ liter/min、ＮＨ3を２０ liter/min、ＴＭＧを１．５ X １０ー5 mol/min、ＴＭＩを１．０X １０ー4 mol/min導入し、膜厚約１．０ｎｍのノンドープトＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎからなるバッファ層１５２を形成し、
（ステップ３）温度を６５０℃に保持し、Ｈ2又はＮ2を１０ liter/min、ＮＨ3を２０ liter/min、ＴＭＧを４．０ X １０ー6 mol/min、ＴＭＩを１．０ X １０ー5 mol/min導入し、膜厚約３．５ｎｍのノンドープトＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎからなる量子井戸層１５１を形成し、
　更に、ステップ２及びステップ１を実行し、発光層を構成する１のユニットを形成する。」
２　引用文献２について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア「【請求項５】  ３族窒化物半導体から成る井戸層と、該井戸層よりも禁制帯幅の広いバリア層とが交互に少なくとも１周期積層された量子井戸構造を有した半導体素子の有機金属化合物気相成長法を用いた製造方法であって、
前記井戸層の形成温度を所定温度に保持し、インジウム(In)を含んだガスの供給量を変化させることにより、
前記井戸層における前記インジウム(In)の組成比が、その厚さ方向に沿って連続的に変化するように形成することを特徴とする３族窒化物半導体素子の製造方法
イ「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従来技術では井戸層とバリア層との界面近傍において、格子定数の差、即ち格子不整合によりミスフィット転位が発生したり、熱膨張係数の差に伴って生じる熱歪により転位が増殖し、それによって刃状転位が発生する。これにより井戸層の結晶性が悪化し、発光効率が低下するという問題がある。
【０００４】従って、本発明の目的は、上記課題に鑑み、ＭＱＷを構成する井戸層とバリア層との界面近傍におけるミスフィット転位の発生を抑制し、ミスフィット転位に起因する刃状転位の発生を防止し、結晶性を高め、素子特性が向上した半導体素子及びその製造方法を実現することである。」
ウ「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（２）したがって、当該引用文献２には、「井戸層におけるインジウム(In)の組成比が、その厚さ方向に沿って連続的に変化するように形成する３族窒化物半導体素子の製造方法」という技術的事項が記載されていると認められる。
３　引用文献３について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献３には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア「【００１２】
  本発明者らは、ピットの拡大を防ぎかつクラスターの発生を抑制するために、多重量子井戸（ＭＱＷ）の結晶成長方法について鋭意検討を行った。その結果、障壁層としての、Ｉｎを含まないかもしくは少量含む、Ｇａを主体とする元素の窒化物半導体層（以下、ＧａＮ層とする）と、井戸層としての、前記ＧａＮ層よりも高いＩｎを含有する、ＩｎとＧａを主体とする元素の窒化物半導体層（以下、ＩｎＧａＮ層とする）の成長方法について以下の知見を得た。
１．ＧａＮ層の形成の初期にのみＨ２を添加することで
クラスターが除去される
２．その後、キャリアガスにＨ２を添加せずＧａＮ層をＩｎＧａＮ層より高温で成長し、再び降温してＩｎＧａＮ層を成長することにより平坦な結晶表面が得られる。」
イ「【００２１】
　まず、サセプタの温度を８５０℃として、原料としてＴＭＧａおよびＮＨ３を反応炉に供給し、下地となる、Ｓｉがドープされたｎ型ＧａＮ層５を成長する。その後、結晶成長を中断し、サセプタの温度を７３０℃まで降温し、膜厚が３ｎｍのＧａＮ層１１を成長する。このとき、反応炉への原料ガスＴＭＧａ，ＮＨ３、およびキャリアガスＮ２の供給は停止することなく維持する。引き続き、図３の
ステップＳ１
量子井戸層となる
Ｉｎ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ｎ（０＜ｘ≦１）層１２を成長する
【００２２】
　次に、図３の
ステップＳ２
ＧａＮ層１３を成長する
後
昇温の際にＩｎ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ｎ層１２の分解を抑える
【００２３】
　次に、図３の
ステップＳ３
【００２４】
　次に、図３の
ステップＳ４
キャリアガス
に
Ｈ
２
ガスを加えて、反応炉に供給した状態で、
ＧａＮ層１４を成長する
クラスターを除去
【００２５】
　その後、図３の
ステップＳ５
サセプタの温度は８５０℃のまま、Ｈ
２
ガスの供給を停止、キャリアガスを完全にＮ
２
にした状態で、
ＧａＮ層１５を成長する
障壁層となるＧａＮ層１５の成長温度
井戸層の成長温度より５０℃以上高い
【００２６】
　次に、図３の
ステップＳ６
サセプタの温度を再び７３０℃まで降温す
ウ「【図２】　　　　　　　　　　　　【図３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（２）したがって、当該引用文献３には、
「（ステップＳ１）量子井戸層となるＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）層１２を成長する
（ステップＳ２）後の昇温の際にＩｎｘＧａ１−ｘＮ層１２の分解を抑えるためにＧａＮ層１３を成長する
（ステップＳ３）ＧａＮ層１３の結晶成長は中断し、サセプタの温度を８５０℃まで昇温する
（ステップＳ４）キャリアガスにＨ２ガスを加えて、反応炉に供給した状態で、ＧａＮ層１４を成長することで、クラスターを除去する
（ステップ５）サセプタの温度は８５０℃のまま、Ｈ２ガスの供給を停止、キャリアガスを完全にＮ２にした状態で、ＧａＮ層１５を成長する
（ステップＳ６）サセプタの温度を再び７３０℃まで降温する」こと、
　つまり、「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）層１２を成長させ、
　（キャリアガスにＨ２ガスを加えずに）ＧａＮ層１３を成長させ、
　　キャリアガスにＨ２ガスを加えてＧａＮ層１４を成長させることで、
昇温の際のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層１２の分解を抑え、クラスターを除去する」という技術的事項が記載されていると認められる。
　また、「障壁層となるＧａＮ層１５の成長温度は、井戸層の成長温度より５０℃以上高いこと。」という技術的事項が記載されていると認められる。
４　引用文献４について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献４には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア「【００８３】
  （障壁層形成工程）
  図５は、第１の成長中断工程後の障壁層形成工程を示している。障壁層形成工程は、Ｇａを含むＩＩＩ族元素原料１３１、アンモニアガス１３２、および、窒素と
水素
キャリアガス１３３を供給して窒化物半導体からなる障壁層１３ｃを形成する工程
【００８４】
  
障壁層１３ｃとしては、
単一のＧａＮ層
単一の層が複数積層された多重層
【００８５】
  他方、
障壁層１３ｃの保護層１３ｂと反対側の面に位置する窒化物半導体層
ＩｎＧａＮ層、
井戸層の格子定数とできるだけ近い半導体層の上に井戸層を成長させた方が長波長化させやすいため
イ「【図５】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（２）したがって、当該引用文献４には、
「水素を含むキャリアガス１３３を供給して窒化物半導体からなる障壁層１３ｃを形成する工程において、障壁層１３ｃとして、単一のＧａＮ層が複数積層された多重層とすること、
　井戸層の格子定数とできるだけ近い半導体層の上に井戸層を成長させた方が長波長化させやすいため、障壁層１３ｃの保護層１３ｂと反対側の面に位置する窒化物半導体層としてＩｎＧａＮ層とすること。」
という技術的事項が記載されていると認められる。
５　その他の文献について
（１）また、前置報告書において引用された特開平１０−２４２５１２号公報（以下、「引用文献５」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア「【００５３】
図６は図４に示す構造のＧａＮ系ＬＤのＭＱＷ活性層及びその近傍における井戸層のＩｎ組成、障壁層のＩｎ組成、活性層の平均Ｉｎ組成、及びバンドギャップを模式的に示したものである。
【００５４】井戸層のＩｎ組成２０％、厚さ２ｎｍ、障壁層のＩｎ組成５％、厚さ４ｎｍとすれば、このときのＩｎの平均組成は約１０％になる。このようにＩｎの平均組成が１０％に近いか又はそれ以上であれば、ＩｎＧａＮ・ＭＱＷ活性層とＧａＮガイド層との間に生じる歪みが過大になり、高品質のＧａＮ系ＬＤを得ることが困難であった。
【００５５】この問題を解決するために、本第２の実施の形態において、図４に示す断面構造のＧａＮ系ＬＤを試作した。図１１の従来構造との違いはＩｎx Ｇａ1-x Ｎ／Ｉｎy Ｇａ1-y ＮからなるＭＱＷ活性層（以下ＩｎＧａＮ・ＭＱＷ活性層と略称）６と、ＧａＮガイド層５、７との間に、
ＩｎＧａＮ・ＭＱＷ活性層６の障壁層に比べて、障壁層のＩｎ組成が低いＩｎ
z
 Ｇａ
1-z
 Ｎ／Ｉｎ
w
 Ｇａ
1-w
 Ｎからなる組成変調層（以下ＩｎＧａＮ組成変調層と略称）１４、１５を設け、
【００５６】ＩｎＧａＮ・ＭＱＷ活性層とその両側のＧａＮ導波層との間に形成されたＩｎＧａＮ組成変調層等のバンド構造を図５に示す。このように本第２の実施の形態においては、ＩｎＧａＮ・ＭＱＷ活性層とその両側のＩｎＧａＮ組成変調層を含めて、基本的にはＭＱＷ活性層の周期性が保たれ、単に障壁層の組成を変化することにより、エネルギーバンドの振幅が変調されたようになるので、前記ＩｎＧａＮ・ＭＱＷ活性層とＧａＮ導波層との間に導入した層をＩｎＧａＮ組成変調層とよぶことにした。
【００５７】次に本第２の実施の形態のＧａＮ系ＬＤのしきい値電圧及びしきい値電流密度について、シミュレーションを行った結果について説明する。本シミュレーションにおいては、ＩｎＧａＮ組成変調層中の障壁層のＩｎ組成を０％、すなわちこの障壁層をＧａＮであるとした。
【００５８】しかし、井戸層と障壁層との材料物性に急激な変化を生じないことが高品質のＬＤの多層構造を得る上から望ましいので、前記障壁層をＧａＮとせず、Ｉｎを数％程度添加した障壁層とすることもできる。但しＩｎＧａＮ・ＭＱＷ活性層の中心付近における障壁層のＩｎ組成に比べれば、組成変調層中の障壁層のＩｎ組成は大幅に減少させるようにした。
【００５９】図５は、図４に示すＧａＮ系ＬＤの活性層６と組成変調層１４、１５とガイド層５、７及びクラッド層４、８のバンド構造を示す模式図である。図５からＩｎＧａＮ・ＭＱＷ活性層の両端部のＩｎＧａＮ組成変調層において、井戸層と障壁層のバンドギャップの差がＭＱＷ活性層中心付近に比べて広がる様子が示されている。
【００６０】
図６は図５の活性層６の近傍領域を取り出して、バンド構造と平均Ｉｎ組成との関連を示したものである。
イ「【図６】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（２）したがって、当該引用文献５には、「ＩｎＧａＮ・ＭＱＷ活性層６の障壁層に比べて、障壁層のＩｎ組成が低いＩｎz Ｇａ1-z Ｎ／Ｉｎw Ｇａ1-w Ｎからなる組成変調層（以下ＩｎＧａＮ組成変調層と略称）１４、１５を設けること。」という技術的事項が記載されていると認められる。
　また、図６には、「ＩｎＧａＮ組成変調層における
平均Ｉｎ組成
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
　引用発明における「発光ダイオード１０」、「発光層」は、本願発明１における「オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）」、「活性領域（２）」に相当し、引用発明の「発光ダイオード１０の発光層の製造方法」は、本願発明１の「オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）のための活性領域（２）を製造するための方法」に相当する。
　引用発明の「（ステップ２）・・・ノンドープトＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎからなるバッファ層１５２を形成し」と、本願発明１の「Ａｌx4Ｉｎy4Ｇａ1-x4-y4Ｎ、但し０≦ｘ４≦０．４０、且つ平均して０＜ｙ４≦０．４、からなる第４のバリア層（２４）を、成長方向（ｚ）に沿ってＩｎ含有量が増大するように成長させるステップ」とは、ともに「Ａｌx4Ｉｎy4Ｇａ1-x4-y4Ｎ、但し０≦ｘ４≦０．４０、且つ平均して０＜ｙ４≦０．４、からなる第４のバリア層（２４）を成長させるステップ」の点で共通する。
　引用発明の「（ステップ３）温度を６５０℃に保持し、Ｈ2又はＮ2を１０ liter/min、ＮＨ3を２０ liter/min、ＴＭＧを４．０ X １０ー6 mol/min、ＴＭＩを１．０ X １０ー5 mol/min導入し、膜厚約３．５ｎｍのノンドープトＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎからなる量子井戸層１５１を形成し」は、本願発明１の「前記第４のバリア層（２４）に、ＩｎyＧａ1-yＮ、但し０．０８≦ｙ≦０．３５、からなる量子井戸層（２０）を成長させるステップ」に相当する。
　引用発明の「更に、（ステップ２）」を「実行し」と、本願発明１の「前記量子井戸層（２０）に、Ａｌx1Ｉｎy1Ｇａ1-x1-y1Ｎ、但し０≦ｘ１≦０．４０、且つ平均して０＜ｙ１≦０．４、からなる第１のバリア層（２１）を、前記成長方向（ｚ）に沿ってＩｎ含有量が減少するように成長させるステップ」とは、ともに「前記量子井戸層（２０）に、Ａｌx4Ｉｎy4Ｇａ1-x4-y4Ｎ、但し０≦ｘ４≦０．４０、且つ平均して０＜ｙ４≦０．４、からなる第１のバリア層（２１）を成長させるステップ」の点で共通する。
　引用発明の「更に」「（ステップ１）」を「実行し」と、本願発明１の「前記第１のバリア層（２１）に、ＧａＮからなる第２のバリア層（２２）を成長させるステップと、前記第２のバリア層（２２）に、ＧａＮからなる第３のバリア層（２３）を成長させるステップと、を備えており、前記第３のバリア層（２３）だけをＨ２ガスの供給下で成長させ」ることとは、ともに「前記第１のバリア層（２１）に、ＧａＮからなるバリア層を成長させるステップ」の点で共通する。
　そして、引用発明の「バッファ層１５２」、「量子井戸層１５１」、「バッファ層１５２」及び「バリア層１５３」は、順に、本願発明１の「第４のバリア層（２４）」、「量子井戸層（２０）」、「第１のバリア層（２１）」及び「第２のバリア層（２２）と第３のバリア層（２３）」に対応する。
　引用発明の「量子井戸層１５１とバッファ層１５２とのコンダクションバンド側のオフセットΔＥcは３００ｍｅＶであり、量子井戸層１５１とバリア層１５３とのコンダクションバンド側のオフセットΔＥcは６００ｍｅＶである」ことは、本願発明１の「前記量子井戸層（２０）と、隣接する前記第１のバリア層（２１）及び前記第４のバリア層（２４）との間に、ならびに、前記第１のバリア層（２１）と前記第２のバリア層（２２）との間に、および、前記第３のバリア層（２３）と前記第４のバリア層（２４）との間に、前記活性領域（２）の成長方向（ｚ）に沿って、バンドギャップ（Ｅ）の経過に段階を形成」することに相当する。
　引用発明の「温度を６５０℃に保持し」「量子井戸層１５１を形成し」、「温度を８５０℃に保持し」「バッファ層１５２」及び「バリア層１５３」を形成することと、本願発明１の「前記第１〜前記第４のバリア層の成長時の成長温度は、前記量子井戸層（２０）に関する成長温度よりも少なくとも１０℃、最大で６０℃高く、前記第１〜前記第４のバリア層の前記成長温度はそれぞれ７３０℃以上且つ８５０℃以下である」こととは、ともに「前記第１〜前記第４のバリア層の成長時の成長温度は、前記量子井戸層（２０）に関する成長温度よりも高く、前記第１〜前記第４のバリア層の前記成長温度はそれぞれ７３０℃以上且つ８５０℃以下である」点で共通する。
　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
（一致点）
「オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）のための活性領域（２）を製造するための方法において、
　Ａｌx4Ｉｎy4Ｇａ1-x4-y4Ｎ、但し０≦ｘ４≦０．４０、且つ平均して０＜ｙ４≦０．４、からなる第４のバリア層（２４）を成長させるステップと、
　前記第４のバリア層（２４）に、ＩｎyＧａ1-yＮ、但し０．０８≦ｙ≦０．３５、からなる量子井戸層（２０）を成長させるステップと、
　前記量子井戸層（２０）に、Ａｌx1Ｉｎy1Ｇａ1-x1-y1Ｎ、但し０≦ｘ１≦０．４０、且つ平均して０＜ｙ１≦０．４、からなる第１のバリア層（２１）を成長させるステップと、
　前記第１のバリア層（２１）に、ＧａＮからなるバリア層を成長させるステップとを備えており、
　前記量子井戸層（２０）と、隣接する前記第１のバリア層（２１）及び前記第４のバリア層（２４）との間に、ならびに、前記第１のバリア層（２１）と前記第２のバリア層（２２）との間に、および、前記第３のバリア層（２３）と前記第４のバリア層（２４）との間に、前記活性領域（２）の成長方向（ｚ）に沿って、バンドギャップ（Ｅ）の経過に段階を形成し、
　前記第１〜前記第４のバリア層の成長時の成長温度は、前記量子井戸層（２０）に関する成長温度よりも高く、前記第１〜前記第４のバリア層の前記成長温度はそれぞれ７３０℃以上且つ８５０℃以下である、
　方法。」
（相違点１）
　本願発明１は、「第４のバリア層（２４）を、成長方向（ｚ）に沿ってＩｎ含有量が増大するように成長させ」、「第１のバリア層（２１）を、前記成長方向（ｚ）に沿ってＩｎ含有量が減少するように成長させる」のに対し、引用発明は、本願発明１の第４のバリア層（２４）と第１のバリア層（２１）に相当する「Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎからなるバッファ層１５２」の形成において、成長方向（ｚ）に沿ってＩｎ含有量を変化させていない点。
（相違点２）
　「ＧａＮからなるバリア層を成長させるステップ」が、本願発明１は、Ｈ２ガスの供給なしで第２のバリア層（２２）を成長させるステップと、Ｈ２ガスの供給下で第３のバリア層（２３）を成長させるステップからなるのに対し、引用発明は、「Ｈ2又はＮ2を」「導入して」形成する一つのステップからなる点。
（相違点３）
　本願発明１は「前記量子井戸層（２０）及び前記第１〜前記第４のバリア層（２１，２２，２３，２４）が成す総厚は、５．５ｎｍ以上且つ８．５ｎｍ以下であ」るのに対し、引用発明は、「膜厚約３．５ｎｍの」「量子井戸層１５１」、「膜厚約１．０ｎｍの」「バッファ層１５２」、「膜厚約３．５ｎｍのバリア層１５３」及び「膜厚約１．０ｎｍの」「バッファ層１５２」が「発光層を構成する１のユニットを形成」しており、総厚は、９ｎｍである点。
（相違点４）
　本願発明１は「前記第１〜前記第４のバリア層（２１，２２，２３，２４）の成長時の成長温度は、前記量子井戸層（２０）に関する成長温度よりも少なくとも１０℃、最大で６０℃高」いのに対し、引用発明は、「量子井戸層１５１を形成」する温度（６５０℃）よりも「バッファ層１５２」及び「バリア層１５３」を形成する温度（８５０℃）が２００℃高い点。
（２）相違点についての判断
　上記相違点１について検討する。
　引用文献２には、「井戸層におけるインジウム(In)の組成比が、その厚さ方向に沿って連続的に変化するように形成する３族窒化物半導体素子の製造方法」という技術的事項が記載されているが、インジウム(In)の組成比がその厚さ方向に沿って連続的に変化するところは、井戸層であり、バリア層ではない。
　引用文献５には、「ＩｎＧａＮ・ＭＱＷ活性層６の障壁層に比べて、障壁層のＩｎ組成が低いＩｎＧａＮ組成変調層１４、１５を設けること。」との技術事項が記載され、図６には、「ＩｎＧａＮ組成変調層において、
平均Ｉｎ組成
　引用文献３には、「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）層１２を成長させ、（キャリアガスにＨ２ガスを加えずに）ＧａＮ層１３を成長させ、キャリアガスにＨ２ガスを加えてＧａＮ層１４を成長させることで、昇温の際のＩｎｘＧａ１−ｘＮ層１２の分解を抑え、クラスターを除去する」こと、「障壁層となるＧａＮ層１５の成長温度は、井戸層の成長温度より５０℃以上高いこと。」という技術的事項が記載され、引用文献４には、「水素を含むキャリアガス１３３を供給して窒化物半導体からなる障壁層１３ｃを形成する工程において、障壁層１３ｃとして、単一のＧａＮ層が複数積層された多重層とすること、井戸層の格子定数とできるだけ近い半導体層の上に井戸層を成長させた方が長波長化させやすいため、障壁層１３ｃの保護層１３ｂと反対側の面に位置する窒化物半導体層としてＩｎＧａＮ層とすること。」という技術的事項が記載されているものの相違点１に係る構成についての記載はない。
　してみると、相違点１に係る本願発明１の「第４のバリア層（２４）を、成長方向（ｚ）に沿ってＩｎ含有量が増大するように成長させ」、「第１のバリア層（２１）を、前記成長方向（ｚ）に沿ってＩｎ含有量が減少するように成長させる」という構成は、上記引用文献１〜５には記載されておらず、本願出願前において周知技術であるともいえない。
　したがって、本願発明１は、相違点２〜４を検討するまでもなく、当業者であっても引用発明、拒絶査定において引用された引用文献２〜４に記載された技術的事項及び前置報告で引用された引用文献５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　
２　本願発明２〜１４について
　本願発明２〜１４も、相違点１に係る本願発明１の「第４のバリア層（２４）を、成長方向（ｚ）に沿ってＩｎ含有量が増大するように成長させ」、「第１のバリア層（２１）を、前記成長方向（ｚ）に沿ってＩｎ含有量が減少するように成長させる」という構成と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明、拒絶査定において引用された引用文献２〜４に記載された技術的事項及び前置報告で引用された引用文献５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第７　原査定について
　上記「第６　対比・判断」に記載のとおり、本願発明１〜１４は、「第４のバリア層（２４）を、成長方向（ｚ）に沿ってＩｎ含有量が増大するように成長させ」、「第１のバリア層（２１）を、前記成長方向（ｚ）に沿ってＩｎ含有量が減少するように成長させる」という構成を有するものとなっており、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１〜４に記載された発明に基づいて、容易に発明できたものとはいえない。したがって、原査定の理由を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。