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　特願２０１５−５１１９６８「熱調整ユニット、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１１月２１日国際公開、ＷＯ２０１３／１７１０１３、平成２７年　８月２０日国内公表、特表２０１５−５２４１６３、請求項の数（１４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の概要
　本願は、２０１３年４月１６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１２年５月１７日、米国、２０１２年１２月１３日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２７年８月１１日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月９日に意見書が提出されるとともに手続補正書が提出されたが、平成２８年２月４日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされた。
　本件は、これに対して、平成２８年６月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。その後、平成２８年７月１２日付けで前置報告がなされた。
　さらに、その後、当審において、平成２９年２月１６日付けで拒絶理由（以下、「当審拒理１」という。）が通知され、同年５月１６日に意見書及び手続補正書が提出され、同年８月１８日付けで拒絶理由（以下、「当審拒理２」という。）が通知され、同年９月１日に意見書及び手続補正書が提出された。
第２　本願発明
　本願の請求項１〜１４に係る発明（以下、それぞれ、「本願発明１」〜「本願発明１４」、といい、「本願発明１」〜「本願発明１４」をまとめて「本願発明」という。）は、平成２９年９月１日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願発明１〜１４は、次のとおりのものである。
「　【請求項１】
リソグラフィ装置内の基板を熱調整する熱調整ユニットであって、
使用時に、基板に面し、熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上の材料からなる第１の層と、第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に位置する熱伝達部品とを備える熱調整要素と、
前記熱調整要素よりも剛性が高く、前記熱調整要素を支持してその機械的変形を低減する補剛部材であって、前記第２層が前記熱伝達部品と前記補剛部材との間に位置するように配置される、補剛部材と、を備え、
前記熱伝達部品は、熱伝達流体が通過する流路を備え、前記熱調整要素が前記補剛部材から熱的に分離され、
前記熱調整ユニットが別の流路を備え、前記流路と前記別の流路とに、熱伝達流体が並行して供給される、熱調整ユニット。
　　【請求項２】
前記第１の層が、アルミニウム、セラミック、マグネシウム、ＳｉＳｉＣ、又は熱分解グラファイトから選択される少なくとも１つの材料製である、及び／又は、前記第１の層が、熱容量が３．０Ｊｃｍ−３Ｋ−１未満の材料製である、及び／又は、前記第１の層の厚さが、５ｍｍ以下である、請求項１に記載の熱調整ユニット。
　　【請求項３】
前記第２の層が、アルミニウム、セラミック、マグネシウム、エアロゲル、ガラスセラミック、又はステンレス鋼から選択される少なくとも１つの材料製である、及び／又は、前記第２の層が、熱容量が３．０Ｊｃｍ−３Ｋ−１未満の材料製である、及び／又は、前記第２の層の厚さが、５ｍｍ以下である、請求項１又は２に記載の熱調整ユニット。
　　【請求項４】
前記第１の層と第２の層とが異なる材料製である、請求項１〜３のいずれかに記載の熱調整ユニット。
　　【請求項５】
前記第１の層の材料が、前記第２の層の材料より高い熱伝導率を有する、請求項１〜４のいずれかに記載の熱調整ユニット。
　　【請求項６】
前記第２の層が、前記熱調整要素を前記補剛部材上に支持する、請求項１〜５のいずれかに記載の熱調整ユニット。
　　【請求項７】
前記熱調整要素が、前記基板を前記熱調整要素上に少なくとも部分的に支持するように、
記基板の下側の部分を通って流れるガスフローをガスベアリングとして提供する複数の出口及び／又は入口を備える、請求項１〜６のいずれかに記載の熱調整ユニット。
　　【請求項８】
前記熱調整要素が、その上に基板を配置するために突起部を備える、請求項１〜６のいずれかに記載の熱調整ユニット。
　　【請求項９】
前記熱調整要素を前記補剛部材上に支持し、複数の別個の位置で前記熱調整要素に接触する支持構造をさらに備える、請求項１〜７のいずれかに記載の熱調整ユニット。
　　【請求項１０】
前記複数の別個の位置の少なくとも１つが、前記熱調整要素の縁部から離間している、請求項９に記載の熱調整ユニット。
　　【請求項１１】
前記支持構造は、前記熱調整要素を前記補剛部材上に支持する複数の板バネを備える、請求項９又は１０に記載の熱調整ユニット。
　　【請求項１２】
前記熱調整要素を前記補剛部材上に支持するガスベアリングをさらに備える、請求項１〜６及び８のいずれかに記載の熱調整ユニット。
　　【請求項１３】
前記熱調整要素と連結されるヒータをさらに備える、請求項１〜１２のいずれかに記載の熱調整ユニット。
　　【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載の熱調整ユニットを備える、リソグラフィ装置。」
第３　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２０００−３４９００５号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【０００２】
【従来の技術】現在、ＤＲＡＭやＭＣＰ等の半導体デバイスの製造においては最小線幅をより狭くする開発研究が盛んに行われており、デザインルール０．１μm以下の線幅を有するデバイスの実現に向けて種々の技術が開発されている。この最小線幅の問題と切っても切れない関係を有するのが、露光時に生じる光の回折現象であり、これに起因する像や集光点のボケが必要な最小線幅を実現する時の最大の問題点である。この問題の解決策として、より回折現象の少ない荷電粒子線、真空紫外線、Ｘ線を用いた露光装置の開発がなされている。このような露光装置を設計する際に留意すべき事項としては、
(1) 露光処理を行う室は常に真空状態に保つ；これは処理のスループットを確保するために絶対に必要な事項である。
(2) 大気雰囲気の中空容器内にウェハを置き、容器を短時間に真空状態にすると断熱膨張のためにウェハの温度が低下する。そこで、これによって生じるウェハの収縮の影響を除去する；具体的には、容積数十リットルの中空容器の大気雰囲気を排気して真空にすると、断熱膨張現象の影響によって内部にあるウェハの温度は約１℃低下する。この温度変化はウェハサイズが８インチの場合、０．５ミクロンの寸法変化をきたし、露光位置の精度が全く保証できなくなる。
(3) 露光後、化学増感型のレジストの場合には感度を高めるために加熱処理（post exposure baking、ＰＥＢ）を行う；こと等である。この様な点を考慮した装置の例として、荷電粒子線露光装置の装置構成図を図７に示す。ウェハを露光装置内に搬入する場合、先ず大気状態にされたロードロック室１２内にウェハを搬入する。次いで、この室を真空排気して真空状態にし、露光処理室と連結出来るようにする。この真空排気時に断熱膨張によってウェハの温度低下が生じる。しかしながら、次にウェハを常に真空状態が保たれている熱処理室１３に搬入し、例えば２３℃に設定されたホットプレート１９上に載置し、加熱処理を行うとウェハの温度変化は無くなる。ウェハへの露光が終了するとウェハは搬入時とは反対の順序で露光装置より取り出される。露光装置外に取り出されたウェハは別に設置された熱処理室２１中で、百数十℃に設定されたホットプレート１９’上に載置されて加熱処理され化学的に増感がなされる。なお、上記の例とは違って、ロードロック室内に加熱手段（ホットプレート１９）を設置し、直接露光処理室とロードロック室を接続する場合もあり、また加熱手段にしても、ＰＥＢのための加熱手段１９を前述の熱処理室１３内に設けてる場合もある。」
（２）「【００１０】次にこの様な技術的思想を取り込んだ半導体露光装置の説明をする。図３は装置の全体図である。ゲートバルブ５２が閉の状態でゲートバルブ５１を開いてウェハ１を図示しないロボットアームによって大気室１１よりロードロック室１２に搬送し、搬入後ゲートバルブ５１を閉じてロードロック室を真空ポンプ１７によって排気する。ロードロック室１２が所定の圧力になるとゲートバルブ５２を開いて図１に示したロボットアーム２によってウェハ１が熱処理室に移され、同時にゲートバルブ５２は閉じられる。ウェハ１がホットプレート１９上に１秒間載置されると、ゲートバルブ５３が開いてウェハ１は露光処理室に移され、ゲートバルブ５３が閉じられて露光される。なお、ここでは一旦ウェハをホットプレートから離した状態で待機させることもある。露光が終了すると、ゲートバルブ５３が開き、図示しないロボットアームによってウェハ１はロボットアーム２に渡され、ゲートバルブ５３は閉じられる。（勿論、この時次に露光されるべきウェハが露光処理室に搬入される。）ロボットアーム２はウェハ１を３０秒間ホットプレートに接触させる。以後、順次真空系から大気系にウェハは搬送されて、取り出される。この工程でのウェハの温度の変化を見ると図４のようになる。この様に露光装置に本発明を取り入れるとコスト高を招かず、装置の設置面積を増加させずに所定の処理を終えることが出来る。」
                                                
（３）「【図３】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（４）「【図７】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　上記段落【０００２】及び図７に記載された露光装置と、段落【００１０】及び図３に記載された露光装置は、基本的な構成は同一である。
　すると、上記引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
　
「露光光学装置２４に直接接続され、載置テーブル２３を内側に備える露光処理室１４に、ゲートバルブ５３を介して接続されたウェハの熱処理室１３の内側に備えられたホットプレート１９。」
２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開２０１２−３２８０５号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【００１１】
  以下、本発明に係る露光ユニットの一実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。
  図１に示すように、一実施形態の露光ユニット１は、コーター８１、ホットプレート８２、及びコールドプレート８３を備えた処理ユニット８４と、露光装置ＰＥと、搬出装置としてのコンベア８６と、処理ユニット８４、露光装置ＰＥ、及びコンベア８６間で基板Ｗの受け渡しを行うロボット８７と、露光ユニット１の各部を制御する制御部８８と、を有する。なお、処理ユニット８４及びコンベア８６は、公知のものが適用される。」
（２）「【図１】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記引用文献２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている。
「露光装置ＰＥとの間で基板Ｗの受け渡しを行うロボット８７により基板Ｗが受け渡しされる処理ユニット８４に備えられたホットプレート８２及びコールドプレート８３。」
３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（米国特許出願公開第２００７／００２３３２０号明細書）には、
　ウェハの電気的特性を検査するためのウェハプローバに使用される「ウェハ保持体１」であって、「ウェハ保持体１」は、「チャックトップ導体層３」（本願発明１の「第１の層」に相当）、[チャックトップ２」（本願発明１の「熱伝達部品」に相当）、「発熱体６」（本願発明１の「第２の層」に相当）及び「台座部４１」（本願の「補剛部材」に相当）が、この順に配置されたものであり、「チャックトップ２」の１７０Ｗ／ｍＫ以上の高い伝導率がウェハの均熱化の向上には好ましいという技術事項が記載されている。
４　引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（特開２００４−１０３７９９号公報）には、
　半導体露光装置等に使用されるウェハ等の基板を保持する基板保持装置（ウェハチャック）において、ウェハを静電吸着する「プレート２」が「ベース部材１」上に磁力により固定された状態で、「プレート２」と「ベース部材１」との間に形成された「密閉空間１８ａ」に流体が供給されて、この流体によりウェハが温調されるように構成されるという技術事項が記載されている。
５　引用文献５について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（特開２００７−１９４６１８号公報）には、
　リソグラフィ装置に使用される「基板テーブルＷＴ」において、「基板Ｗ」を保持する「基板ホルダ２」内に、熱交換流体を導くための複数の流路である「基板加熱装置４」を設けるという技術事項が記載されている。
第４　対比・判断
１　本願発明１と引用発明１を対比する。
　本願発明１の「リソグラフィ装置」は、明細書段落【０００３】の「リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、連続してパターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。」との記載及び図１の記載を参照すれば、基板上のレジストにパターン露光する装置を示し、本願発明１の「リソグラフィ装置内の基板を熱調整する熱調整ユニット」は、前記基板上のレジストにパターン露光する装置内に設置された「熱調整ユニット」を示すと解するのが相当である。
　そして、引用発明１において、前記基板上のレジストにパターン露光する装置は、「露光光学装置２４」及び「載置テーブル２３」を内側に備える「露光処理室１４」からなる装置であって、「露光処理室１４に、ゲートバルブ５３を介して接続されたウェハの熱処理室１３の内側に備えられたホットプレート１９」は、前記基板上のレジストにパターン露光する装置内に設置されたものではない。
　すると、本願発明１と引用発明１は、
「基板を熱調整する熱調整ユニット。」
で一致し、次の点で相違する。
・本願発明１は、「リソグラフィ装置内の基板」を熱調整する熱調整ユニットであるのに対して、引用発明１は、「露光処理室１４に、ゲートバルブ５３を介して接続されたウェハの熱処理室１３」内の「ウェハ」を加熱する「ホットプレート１９」である点。（相違点１）
・本願発明１は、「使用時に、基板に面し、熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上の材料からなる第１の層と、第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に位置する熱伝達部品とを備える熱調整要素と、
前記熱調整要素よりも剛性が高く、前記熱調整要素を支持してその機械的変形を低減する補剛部材であって、前記第２層が前記熱伝達部品と前記補剛部材との間に位置するように配置される、補剛部材と、を備え、
前記熱伝達部品は、熱伝達流体が通過する流路を備え、前記熱調整要素が前記補剛部材から熱的に分離され、
前記熱調整ユニットが別の流路を備え、前記流路と前記別の流路とに、熱伝達流体が並行して供給される、熱調整ユニット」であるのに対して、引用発明１は、「ホットプレート１９」とのみ特定される点。（相違点２）
２　本願発明１と引用発明２を対比する。
　引用発明２において、前記基板上のレジストにパターン露光する装置は、「露光装置ＰＥ」であって、「露光装置ＰＥとの間で基板Ｗの受け渡しを行うロボット８７により基板Ｗが受け渡しされる処理ユニット８４に備えられたホットプレート８２及びコールドプレート８３」は、前記基板上のレジストにパターン露光する装置内に設置されたものではない。
　すると、本願発明１と引用発明２は、上記本願発明１と引用発明１の一致点と同じ点で一致し、次の点で相違する。
・本願発明１は、「リソグラフィ装置内の基板」を熱調整する熱調整ユニットであるのに対して、引用発明２は、「露光装置ＰＥとの間で基板Ｗの受け渡しを行うロボット８７により基板Ｗが受け渡しされる処理ユニット８４」内の「基板Ｗ」を加熱・冷却する「ホットプレート８２及びコールドプレート８３」である点。（相違点３）
・本願発明１は、「使用時に、基板に面し、熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上の材料からなる第１の層と、第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に位置する熱伝達部品とを備える熱調整要素と、
前記熱調整要素よりも剛性が高く、前記熱調整要素を支持してその機械的変形を低減する補剛部材であって、前記第２層が前記熱伝達部品と前記補剛部材との間に位置するように配置される、補剛部材と、を備え、
前記熱伝達部品は、熱伝達流体が通過する流路を備え、前記熱調整要素が前記補剛部材から熱的に分離され、
前記熱調整ユニットが別の流路を備え、前記流路と前記別の流路とに、熱伝達流体が並行して供給される、熱調整ユニット」であるのに対して、引用発明２は、「ホットプレート８２及びコールドプレート８３」とのみ特定される点。（相違点４）
３　判断
　以上の対比において、相違点１と相違点３は、実質的に、熱調整ユニットが前記基板上のレジストにパターン露光する装置内に設置されたものではない点で本願発明１と相違することで共通し、また、相違点２と相違点４は、実質的に、熱調整ユニットの詳細が特定されない点で本願発明１と相違することで共通する。
　してみると、本願発明１と引用発明１、本願発明１と引用発明２は、ともに、同じ一致点を有するとともに、実質的に共通する相違点を有するから、以下、両者を併せて、判断する。
　上記相違点１及び３について検討する。
　引用文献３〜５には、リソグラフィ装置（基板上のレジストにパターン露光する装置）内に熱調整ユニットを設けるという技術事項は記載も示唆もされていない。（引用文献４の基板保持装置（ウェハチャック）、引用文献５の基板テーブルＷＴは、いずれも、露光時のウェハを保持するものであり、本願発明１の「熱調整ユニット」に相当するものとはいえない。）
　また、該技術事項が当業者には周知あるいは技術常識であるという事情もない。
　すると、引用発明１又は２に、引用文献３〜５に記載された技術事項を参照しても、上記相違点１及び３に係る本願発明１の発明特定事項を、当業者が容易に想到し得るとはいえない。
　よって、本願発明１は、少なくとも上記相違点１及び３により、引用発明１又は２に、引用文献３〜５に記載された技術事項を参照しても、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえない。
４　小括
　したがって、本願発明１は、当業者が引用発明１又は２及び引用文献３〜５に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　また、本願発明２〜１４は本願発明１をさらに限定したものであるから、本願発明１と同様に、当業者が引用発明１又は２及び引用文献３〜５に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　原査定は、本願発明は、引用文献１、３〜５又は２、３〜５に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　しかし、上記のとおり、本願発明１〜１４は、当業者が引用発明１又は２及び引用文献３〜５に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　したがって、原査定を維持することはできない。
第６　当審拒理について
１　当審拒理１の概要
（１）請求項１、１０、１１、１２、１４に係る発明及びこれらの請求項を引用する請求項２〜９、１３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでないから、本願は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
（２）請求項２、３、１４に係る発明及びこれらの請求項を引用する請求項３〜１３に係る発明は、明確ではないから、本願は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
２　当審拒理２の概要
（１）請求項１４に係る発明及び請求項１４を引用する請求項１５に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでないから、本願は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
（２）請求項１３、１５に係る発明及び請求項１３を引用する請求項１４に係る発明は、明確ではないから、本願は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
３　当審拒理１及び２の判断
　平成２９年５月１６日及び平成２９年９月１日の手続補正により、当審拒理１及び２はすべて解消した。
４　小括
　そうすると、もはや、当審拒理１及び２で通知した拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。