(57)【要約】【課題】透光性に優れると共に、導電性にも優れ、ＬＥＤ基板や半導体基板として好適に用いることができる透光性セラミックス基板とその製造方法を提供する。【解決手段】内部に、厚み方向に延びる導電体が、局所的に設けられていることを特徴とする透光性セラミックス基板であって、セラミックス粉末を準備する工程と、内部に線状の導電体が設けられたセラミックス成形体を作製する工程と、セラミックス成形体を焼結して焼結体を作製する工程と、焼結体を導電体に対して直角方向に所定の幅で切断して板状体を作製する工程とを有する製造方法を用いて製造される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に、厚み方向に延びる導電体が、局所的に設けられていることを特徴とする透光性セラミックス基板。
【請求項２】
前記導電体が、厚み方向に貫通する線状の導電体であることを特徴とする請求項１に記載の透光性セラミックス基板。
【請求項３】
前記線状の導電体の断面直径が、３〜２００μｍであることを特徴とする請求項２に記載の透光性セラミックス基板。
【請求項４】
前記導電体が、格子点状に配列されて、厚み方向に貫通していることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の透光性セラミックス基板。
【請求項５】
厚み方向に貫通穴が設けられ、前記貫通穴の内部に導電性材料が充填されて前記導電体が形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の透光性セラミックス基板。
【請求項６】
前記導電体が、金属または炭素よりなることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の透光性セラミックス基板。
【請求項７】
前記金属が、タングステン、モリブデン、ニオブ、タンタル、白金、金、銀、銅のいずれかまたはこれらの合金であることを特徴とする請求項６に記載の透光性セラミックス基板。
【請求項８】
前記透光性セラミックス基板が、スピネル、サファイア、アルミナ、窒化アルミニウム、酸化マグネシウムのいずれかよりなるセラミックス基板であることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の透光性セラミックス基板。
【請求項９】
４００〜８００ｎｍの波長域の光の透過率が、６０％以上であることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の透光性セラミックス基板。
【請求項１０】
少なくとも厚み方向の電気伝導率が１×１０４Ω−１・ｍ−１以上であることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の透光性セラミックス基板。
【請求項１１】
４００〜８００ｎｍの波長域の光の透過率が６０％以上であると共に、厚み方向の電気伝導率が１×１０４Ω−１・ｍ−１以上であることを特徴とする透光性セラミックス基板。
【請求項１２】
セラミックス粉末を準備する工程と、
内部に線状の導電体が設けられたセラミックス成形体を作製する工程と、
前記セラミックス成形体を焼結して焼結体を作製する工程と、
前記焼結体を導電体に対して直角方向に所定の幅で切断して板状体を作製する工程と
を有していることを特徴とする透光性セラミックス基板の製造方法。
【請求項１３】
前記線状の導電体の断面直径が、３〜５０μｍであることを特徴とする請求項１２に記載の透光性セラミックス基板の製造方法。
【請求項１４】
前記焼結体を作製する工程が、熱間静水圧成形を用いる工程であることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の透光性セラミックス基板の製造方法。
【請求項１５】
透光性セラミックス基板を準備する工程と、
前記透光性セラミックス基板の厚み方向に貫通穴を穿孔する工程と、
前記貫通穴に導電性材料を充填して導電体を設ける工程と
を有していることを特徴とする透光性セラミックス基板の製造方法。
【請求項１６】
前記導電体を設ける工程が、メッキ法を用いて導電性材料を充填する工程であることを特徴とする請求項１５に記載の透光性セラミックス基板の製造方法。
【請求項１７】
前記導電体を設ける工程が、線状の導電体を貫通穴に挿入した後、接着剤を用いて固定する工程であることを特徴とする請求項１５に記載の透光性セラミックス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透光性セラミックス基板とその製造方法に関し、詳しくは、透光性セラミックス基板でありながら、導電性にも優れたセラミックス基板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録装置に組込まれる静電気除去用のスペーサ、シム、ハブ等や半導体製造装置のシリコンウエハ上に発生する静電気を除去する部材等、主として静電気を除去する部材や、セラミックヒータやセラミックセンサ用材料として、優れた耐熱性を有する導電性セラミックス基板が使用されている。
【０００３】
近年、このような導電性セラミックス基板を、ＬＥＤ基板や半導体基板として使用することが検討されているが、ＬＥＤ基板や半導体基板には導電性に加えて透光性も要求されるため、前記した従来の導電性セラミックス基板をそのまま使用することができない。
【０００４】
そこで、スピネル等の透光性に優れたセラミックス材料（特許文献１、２）を用いて、透光性と導電性に優れたセラミックス基板を作製することが検討されている。しかし、透光性に優れたセラミックス材料は、一般的に、耐熱性や耐薬品性には優れているが絶縁性材料である。
【０００５】
このため、透光性に優れたセラミックス材料を用いて導電性を付与するための技術が試みられており、透光性に優れたセラミックス材料に導電性材料を添加、混合した導電性セラミックス基板についての技術が、特許文献３に開示されている。
【０００６】
ここでは、透光性に優れたセラミックス材料としてスピネルを用い、導電性材料として酸化鉄Ｆｅ２Ｏ３を用いることにより、セラミックス基板の体積抵抗を低下させて導電性セラミックス基板としている。しかし、特許文献１に示された技術は、高耐熱性のスピネル基板に導電性を付与することだけを目的とした技術であり、透光性に対する配慮はなされていない。即ち、酸化鉄をスピネルに単に添加、混合して、セラミックス基板としているだけであるため、充分な導電性を得ようとすれば透光性が低下する。逆に充分な透光性を維持しようとすれば導電性を充分に上昇させることができない。
【０００７】
このように、従来の技術では、透光性と導電性が共に満足できる透光性セラミックス基板が提供されておらず、透光性に優れたセラミックス基板でありながら、導電性にも優れ、ＬＥＤ基板や半導体基板として好適に用いることができる透光性セラミックス基板が強く求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−２７３６７９号公報
【特許文献２】特開２００９−１２６７４９号公報
【特許文献３】特開２００４−２０３７０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明は、透光性に優れたセラミックス基板でありながら、導電性にも優れ、ＬＥＤ基板や半導体基板として好適に用いることができる透光性セラミックス基板とその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は鋭意検討を行った結果、以下の各請求項に示す発明により、上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】
請求項１に記載の発明は、
内部に、厚み方向に延びる導電体が、局所的に設けられていることを特徴とする透光性セラミックス基板である。
【００１２】
本請求項の発明は、従来の透光性セラミックス材料に導電性材料を単に添加、混合して得られたセラミックス基板と異なり、厚み方向に延びる導電体が局所的に設けられた透光性セラミックス基板であるため、入射してきた光は、導電体が設けられた箇所以外では、遮られることなく、セラミックス基板を透過していくことができ、透光性の低下が抑制される。一方、局所的に配置された導電体は、厚み方向に延びているため、厚み方向に充分な導電性を確保することができる。
【００１３】
このように、本請求項の発明においては、従来の導電性セラミックス基板のように、基板全体で透光性と導電性を担当するのではなく、一つの基板内で、透光性に影響するセラミックス部分と導電性に影響する導電体部分とを区分けしているため、透光性の低下を抑制しつつ充分な導電性を確保することができ、ＬＥＤ基板や半導体基板として好適な導電性に優れた透光性セラミックス基板を提供することができる。
【００１４】
なお、導電体の本数は、１本でも複数本でもよい。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、
前記導電体が、厚み方向に貫通する線状の導電体であることを特徴とする請求項１に記載の透光性セラミックス基板である。
【００１６】
本請求項の発明においては、金属細線等の線状の導電体を基板の厚み方向に貫通させているため、余分な抵抗が発生することがなく、スムーズに電気を通すことができる。即ち、導電性に優れた透光性セラミックス基板を提供することができる。
【００１７】
また、このような線状の導電体は、基板に埋め込むだけで基板内に導電体を設けることができるため、効率的に透光性セラミックス基板を提供することができる。
【００１８】
請求項３に記載の発明は、
前記線状の導電体の断面直径が、３〜２００μｍであることを特徴とする請求項２に記載の透光性セラミックス基板である。
【００１９】
断面直径が大きな導電体を用いた場合、導電性は良いものの、透光性が大きく低下する恐れがある。一方、断面直径が小さな導電体を用いた場合、充分な導電性が確保できない恐れがある。また、断面直径が小さな導電体は切れやすく、製造も困難である。断面直径が３〜２００μｍの導電体であれば、透光性と導電性の双方をバランスよく確保することができると共に、製造の面からも好ましい。
【００２０】
請求項４に記載の発明は、
前記導電体が、格子点状に配列されて、厚み方向に貫通していることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の透光性セラミックス基板である。
【００２１】
本請求項の発明においては、線状の導電体が、格子点状に配列されているため、基板全体に亘って、光の透過にバラツキが生じにくい。
【００２２】
請求項５に記載の発明は、
厚み方向に貫通穴が設けられ、前記貫通穴の内部に導電性材料が充填されて前記導電体が形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の透光性セラミックス基板である。
【００２３】
本請求項の発明においては、基板の厚み方向に貫通穴を設け、この貫通穴に導電性材料を充填することにより導電体としているため、適切な導電性材料を選択することにより、所望する導電性の透光性セラミックス基板を容易に提供することができる。また、貫通穴の径を調整することによっても、導電性を容易に制御することができる。
【００２４】
なお、導電性材料を充填する手段としては、例えば、メッキ法を挙げることができる。
【００２５】
請求項６に記載の発明は、
前記導電体が、金属または炭素よりなることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の透光性セラミックス基板である。
【００２６】
これらの材料は、導電性に優れた材料であるため好ましい。なお、本請求項の発明における「炭素」には炭素繊維や炭素チューブも含まれる。
【００２７】
請求項７に記載の発明は、
前記金属が、タングステン、モリブデン、ニオブ、タンタル、白金、金、銀、銅のいずれかまたはこれらの合金であることを特徴とする請求項６に記載の透光性セラミックス基板である。
【００２８】
これらの金属は、より導電性に優れているため、導電体を形成する導電性材料の使用量を低減しても、充分な導電性を確保することができる。また、より径の小さな細い導電体で済むため、透光性の低下をより抑制することができる。
【００２９】
請求項８に記載の発明は、
前記透光性セラミックス基板が、スピネル、サファイア、アルミナ、窒化アルミニウム、酸化マグネシウムのいずれかよりなるセラミックス基板であることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の透光性セラミックス基板である。
【００３０】
これらの材料を用いて作製されたセラミックス基板は、優れた透光性を有しているため、内部に導電体を設けても、充分な透光性を維持することができる。
【００３１】
請求項９に記載の発明は、
４００〜８００ｎｍの波長域の光の透過率が、６０％以上であることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の透光性セラミックス基板である。
【００３２】
４００〜８００ｎｍの波長域の光の透過率が６０％以上である透光性セラミックス基板であると、ＬＥＤ等に使用する場合、基板側から光源を取り出すことができる。
【００３３】
請求項１０に記載の発明は、
少なくとも厚み方向の電気伝導率が１×１０４Ω−１・ｍ−１以上であることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の透光性セラミックス基板である。
【００３４】
厚み方向の電気伝導率が１×１０４Ω−１・ｍ−１以上である透光性セラミックス基板であると、従来困難であった基板側から電極形成が可能になる等好ましい。
【００３５】
請求項１１に記載の発明は、
４００〜８００ｎｍの波長域の光の透過率が６０％以上であると共に、厚み方向の電気伝導率が１×１０４Ω−１・ｍ−１以上であることを特徴とする透光性セラミックス基板である。
【００３６】
前記したように、従来の技術では、透光性と導電性の双方が優れたセラミックス基板を提供することができなかったが、本発明によれば、４００〜８００ｎｍの波長域の光の透過率が６０％以上であり、厚み方向の電気伝導率が１×１０４Ω−１・ｍ−１以上という透光性と導電性の双方が優れたセラミックス基板を提供することができる。このように透光性と導電性の双方が優れたセラミックス基板は、ＬＥＤ基板や半導体基板として好適に用いることができる。
【００３７】
請求項１２に記載の発明は、
セラミックス粉末を準備する工程と、
内部に線状の導電体が設けられたセラミックス成形体を作製する工程と、
前記セラミックス成形体を焼結して焼結体を作製する工程と、
前記焼結体を導電体に対して直角方向に所定の幅で切断して板状体を作製する工程と
を有していることを特徴とする透光性セラミックス基板の製造方法である。
【００３８】
本請求項の発明においては、導電体を設ける以外は、従来からのセラミックス基板の製造方法と基本的に同一であり、製造コストの上昇を招くことなく、優れた透光性と導電性を有する透光性セラミックス基板を製造することができる。
【００３９】
なお、導電体が設けられたセラミックス成形体は、例えば、まず、表面に導電体が所定の間隔で配列された薄板状のセラミックス成形体を作製し、その後、この薄板状のセラミックス成形体を所定数積層し、プレスにて一体に加圧成形することにより得られる。このように、セラミックス成形体の作製においても、新たな設備を必要としない。
【００４０】
請求項１３に記載の発明は、
前記線状の導電体の断面直径が、３〜５０μｍであることを特徴とする請求項１２に記載の透光性セラミックス基板の製造方法である。
【００４１】
断面直径が５０μｍを超える導電体を使用した場合、透光性が影響を受け低下する恐れがある。一方、３μｍ未満の導電体を使用した場合、充分な導電性が確保できない恐れがあると共に、細くて切れやすいため取扱いに注意を要する。３〜５０μｍの導電体であれば、これらの問題がなく好ましい。
【００４２】
請求項１４に記載の発明は、
前記焼結体を作製する工程が、熱間静水圧成形を用いる工程であることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の透光性セラミックス基板の製造方法である。
【００４３】
本請求項の発明においては、焼結体を作製する工程に熱間静水圧（ＨＩＰ）成形を用いているため、空隙のない緻密な焼結体を作製することができ、より透光性に優れた透光性セラミックス基板を得ることができる。
【００４４】
請求項１５に記載の発明は、
透光性セラミックス基板を準備する工程と、
前記透光性セラミックス基板の厚み方向に貫通穴を穿孔する工程と、
前記貫通穴に導電性材料を充填して導電体を設ける工程と
を有していることを特徴とする透光性セラミックス基板の製造方法である。
【００４５】
本請求項の発明においては、予め準備された透光性セラミックス基板を用いて、後加工により導電体を設けているため、設計通りの特性を有する透光性と導電性に優れた透光性セラミックス基板を確実に得ることができる。また、必要に応じて、必要な量だけ製造することができるため、余分な在庫を持つ必要がない。
【００４６】
また、焼結工程を伴わない製造方法であるため、焼結温度に耐えることができない導電性材料の使用が可能となる。
【００４７】
なお、貫通穴の形成方法としては、例えば、超硬ドリルやレーザによる穿孔を挙げることができる。
【００４８】
請求項１６に記載の発明は、
前記導電体を設ける工程が、メッキ法を用いて導電性材料を充填する工程であることを特徴とする請求項１５に記載の透光性セラミックス基板の製造方法である。
【００４９】
本請求項の発明においては、メッキ法を用いているため、径の小さな貫通穴であっても、確実に、導電性材料を充填することができる。また、メッキ法は、特別な設備を必要としないため、コストの大幅な上昇を招くことがない。
【００５０】
請求項１７に記載の発明は、
前記導電体を設ける工程が、線状の導電体を貫通穴に挿入した後、接着剤を用いて固定する工程であることを特徴とする請求項１５に記載の透光性セラミックス基板の製造方法である。
【００５１】
本請求項の発明においては、線状の導電体を接着剤により固定するという極めて簡便な方法を用いて導電体を設けているため、コストの大幅な上昇を招くことなく、確実に導電体を設けることができる。
【発明の効果】
【００５２】
本発明によれば、透光性に優れたセラミックス基板でありながら、導電性にも優れ、ＬＥＤ基板や半導体基板として好適に用いることができる透光性セラミックス基板とその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明に係る透光性セラミックス基板の製造方法の一実施例を説明する図である。
【図２】本発明に係る透光性セラミックス基板の製造方法の他の実施例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００５４】
以下、本発明を実施の形態に基づいて説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、以下の実施の形態に対して種々の変更を加えることが可能である。
【実施例】
【００５５】
１．実施例１
本実施例は、セラミックス材料として高純度スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）を用い、内部に線状の導電体が設けられたセラミックス成形体を作製し、焼結して焼結体とした後、所定の厚みの板状体となるように切断して得られた透光性セラミックス基板に関する。
【００５６】
（１）透光性セラミックス基板の製造
表１に示す材質およびワイヤー径の金属細線２１を用いて、１０種類（試料１〜１０）の透光性セラミックス基板１０を作製した。以下、図１を参照しつつ、本実施例における透光性セラミックス基板の製造方法を説明する。
【００５７】
図１は、本実施例における透光性セラミックス基板の製造方法を説明する図であり、（１）〜（４）の順に工程が進む。図１において、１０は完成品としての透光性セラミックス基板であり、１１は高純度（９９．９ｗｔ％以上）、平均粒径０．３μｍのスピネル粉末を加圧成形して得られた薄板状のセラミックス材料であり、１２は薄板状のセラミックス材料１１を積層し、さらに加圧成形して得られたセラミックス成形体を加熱焼結して得られた直方体状のセラミックス焼結体であり、１３は直方体状のセラミックス焼結体１２を所定の厚みに切断して得られた基板状のセラミックス焼結体である。また、２１は薄板状のセラミックス材料１１の上面に等間隔に配置された導電体としてのワイヤー（金属細線）である。
【００５８】
イ．セラミックス成形体の作製
図１の（１）に示す様に、上面にワイヤー２１が２ｍｍ間隔で設けられた薄板状のセラミックス材料１１の７枚と、最上層としてワイヤー２１が設けられておらず厚みも若干薄い薄板状のセラミックス材料１１の１枚、合計８枚の薄板状のセラミックス材料１１を積層し、１５×１５×２０ｍｍの大きさのセラミックス成形体となるように、プレスにて加圧成形した。
【００５９】
ロ．セラミックス焼結体の作製
得られたセラミックス成形体をグラファイト製の容器に入れ、真空中（５Ｐａ以下）、１６５０℃で４時間保持して１次焼結を行った後、Ａｒ雰囲気下（雰囲気圧力：１９６ＭＰａ）、１７５０℃で２時間、熱間静水圧成形（ＨＩＰ）による加熱、加圧焼結（２次焼結）を行い、図１の（２）に示す様な直方体状のセラミックス焼結体１２を得た。
【００６０】
ハ．セラミックス焼結体の切断
図１の（３）に示すように、得られた直方体状のセラミックス焼結体１２を、ワイヤー方向と垂直な方向で、所定の厚みで切断し、基板状のセラミックス焼結体１３を得た。
【００６１】
ニ．透光性セラミックス基板の作製
得られた基板状のセラミックス焼結体１３の切断面を鏡面研磨して、図１の（４）に示す透光性セラミックス基板１０（厚み０．５ｍｍ）を得た。
【００６２】
（２）特性の評価
得られた各試料につき、透光性の指標として光透過率を、また導電性の指標として電気伝導率を測定し評価した。具体的な測定方法および評価につき、以下に述べる。なお、試料５については、焼結時に割れが生じたため、測定は行わなかった。割れの原因は、ワイヤーとセラミックスの熱膨張差に伴う割れと推測される。
【００６３】
イ．評価方法
ａ．光透過率の測定
各試料にφ３ｍｍの範囲内で波長４００〜８００ｎｍの光を照射し、その光透過率（％）を分光計（日立ハイテク社製Ｕ−４１００）により測定した。評価は、３回の測定値を平均して光透過率とした。
【００６４】
ｂ．電気伝導率の測定
各試料にφ３ｍｍの範囲内でＡｇにて電極を形成し、その電気伝導率（Ω−１・ｍ−１）を４端子法（アルバック社製ＴＥＲ２０００ＲＨ）により測定した。評価は、電気伝導率が１×１０４Ω−１・ｍ−１以上であれば良好と評価し、「○」とした。
【００６５】
ロ．評価結果
前記測定に基づく評価結果を、表１に示す。
【００６６】
【表１】
2011084417.tif 000003
【００６７】
表１に示す結果より、本実施例における各透光性セラミックス基板は、測定を行わなかった試料５を除くいずれにおいても、優れた光の光透過率と導電性を有していることが分かる。
【００６８】
２．実施例２
本実施例は、セラミックス材料を替えて透光性セラミックス基板を作製した例である。
【００６９】
（１）透光性セラミックス基板の製造
セラミックス材料として、ＡｌＮ、ＭｇＯおよびＡｌ２Ｏ３を用い、実施例１における方法と同様にして試料１１〜１３の各試料を作製した。なお、本実施例におけるワイヤーとしては、径５０μｍのＭｏワイヤーを用いた。
【００７０】
ＡｌＮをセラミックス材料とした試料１１は、平均粒径０．２μｍのＡｌＮに２ｗｔ％のＹ２Ｏ３と１ｗｔ％のＣａＯを添加して薄板状のセラミックス材料１１を作製し、１８５０℃での１次焼結と１９００℃での２次焼結を行うことにより作製した。
た。
【００７１】
ＭｇＯ（平均粒径０．１μｍ）をセラミックス材料とした試料１２、Ａｌ２Ｏ３（平均粒径０．３μｍ）をセラミックス材料とした試料１３については、実施例１と同様に行うことにより作製した。
【００７２】
（２）特性の評価
得られた各試料につき、光透過率と電気伝導率を測定し評価した。具体的な測定方法および評価は、実施例１と同様に行った。結果を、表２に示す。
【００７３】
【表２】
2011084417.tif 000004
【００７４】
表２に示す結果より、本実施例における各透光性セラミックス基板は、スピネルをセラミックス材料とした場合（試料２）と比べ、光透過率は及ばないものの、充分優れた光透過率と導電性を有していることが分かる。
【００７５】
３．実施例３
本実施例は、導電体が設けられていないセラミックス基板に厚み方向の貫通穴を設け、その内部にメッキにより導電性材料を充填して導電体を形成した透光性セラミックス基板に関する。
【００７６】
（１）透光性セラミックス基板の製造
図２を参照しつつ、本実施例における透光性セラミックス基板の製造方法を説明する。図２は、本実施例における透光性セラミックス基板の製造方法を説明する図であり、（１）〜（３）の順に工程が進む。図２において、１５は焼結、研磨して成形された１５×１５ｍｍのスピネル製のセラミックス薄板（厚み：０．５ｍｍ）である。また、２９は、超硬ドリル３０を用いてセラミックス薄板１５に設けられた貫通穴である。そして、４０は貫通穴２９に充填される導電性材料からなるメッキ用電極であり、２２はメッキ法によりメッキ浴中より析出して貫通穴２９に充填された導電性材料である。以下、本実施例を具体的に説明する。
【００７７】
イ．貫通穴の形成
図２の（１）に示す様に、スピネル製のセラミックス薄板１５（大きさ：１５×１５×０．５ｍｍ）に、超硬ドリル３０を用いて、直径１ｍｍの貫通穴２９を７×７の合計４９個設けた。
【００７８】
ロ．貫通穴への導電性材料の充填
次いで、図２の（２）に示す様に、貫通穴２９を設けたセラミックス薄板１５を２枚、同じサイズのメッキ用電極４０の表裏両面に貼付けた。
【００７９】
次いで、硫酸銅２１１ｇ／Ｌ、硫酸６０ｇ／Ｌ、塩酸５０ｍｇ／Ｌを含むメッキ液を満たしたメッキ浴を準備した。前記メッキ用電極４０の表裏両面に貼付けたセラミックス薄板１５を前記メッキ浴（図示せず）に入れ、さらに対向電極（図示せず）も入れた後、メッキを行い、貫通穴２９内に銅からなる導電性材料２２を充填させた。
【００８０】
メッキ完了後、メッキ浴より取り出し、メッキ用電極４０とセラミックス薄板１５を分離した。その後、セラミックス薄板１５に研磨加工を施して、不要なメッキを取り除くことにより、図２の（３）に示す透光性セラッミック基板１０を得た。
（２）特性の評価
得られた各試料につき、光透過率と電気伝導率を測定し評価した。具体的な測定方法および評価は、実施例１と同様に行った。
【００８１】
測定の結果、光透過率は７９％以上、電気伝導率は１×１０４／Ω・ｍ以上であり、導電性と透光性を兼ね備えた透光性セラッミック基板が得られていることが確認できた。
【００８２】
４．実施例４
本実施例は、導電体が設けられていないセラミックス基板に厚み方向の貫通穴を設け、この貫通穴に線状の導電体を挿入し周辺を接着剤を用いて固定することにより、導電体を形成した透光性セラミックス基板に関する。
【００８３】
（１）透光性セラミックス基板の製造
イ．貫通穴の形成
実施例３と同様のスピネル製のセラミックス薄板（大きさ：１５×１５×０．５ｍｍ）に、超硬ドリルを用いて、直径２００μｍの貫通穴を７×７の合計４９個設けた。
【００８４】
ロ．導電体の形成
各貫通穴へ直径１００μｍのワイヤー（材質：Ｍｏ）を１本ずつ挿入し、その後、残った隙間にエポキシ系接着剤を充填して、ワイヤーを固定し、導電体を形成した。
【００８５】
（２）特性の評価
得られた各試料につき、実施例１と同様の方法により、光透過率と電気伝導率を測定し評価したところ、実施例３と同様に、光透過率は７９％以上、電気伝導率は１×１０４／Ω・ｍ以上であり、導電性と透光性を兼ね備えた透光性セラッミックス基板が得られていることが確認できた。
【符号の説明】
【００８６】
１０    透光性セラミックス基板
１１    薄板状のセラミックス材料
１２    直方体状のセラミックス焼結体
１３    基板状のセラミックス焼結体
１５    セラミックス薄板
２１    金属細線
２２    導電性材料
２９    貫通穴
３０    超硬ドリル
４０    メッキ用電極
【図１】
2011084417.tif 000005
【図２】
2011084417.tif 000006