(57)【要約】【課題】テープキャリア基板の撓みにより発生する応力を分散させ、テープキャリア基板の導体配線の破断を防止することができるテープキャリア基板を提供する。【解決手段】テープキャリア基材と、その幅方向に直線状に形成された第１及び第２の端子部と、テープキャリア基材の一方の辺に、第１及び第２の端子部と平行に形成された第１の切り欠き部と、その他方の辺に形成された第２の切り欠き部と、第１及び第２の端子部間に形成されたデバイスホールと、第１の端子部とデバイスホールとを接続する第１の導体配線と、第２の端子部とデバイスホールとを接続する第２の導体配線とを備え、第１の切り欠き部と第２の切り欠き部とは、互いに平行に形成されており、第１の切り欠き部の長さは、一方の辺から第２の切り欠き部の先端までの長さより長く、かつ、第２の切り欠き部の長さは、他方の辺から第１の切り欠き部の先端までの長さより長い。【選択図】図１
2011100801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープキャリア基材と、
前記テープキャリア基材上に、当該テープキャリア基材の幅方向に直線状に配列された端子群からなる第１の端子部と、
前記テープキャリア基材上に、前記第１の端子部と前記テープキャリア基材の長手方向で対向し、かつ、当該テープキャリア基材の幅方向に直線状に配列された端子群からなる第２の端子部と、
前記テープキャリア基材の長手方向の一方の辺から、前記幅方向に前記テープキャリア基材の一部を切り欠いて形成された第１の切り欠き部と、
前記一方の辺と対向する前記テープキャリア基材の長手方向の他方の辺から、前記幅方向に前記テープキャリア基材の一部を切り欠いて形成された第２の切り欠き部と、
前記テープキャリア基材の前記第１および第２の端子部の間に形成されたデバイスホールと、
前記テープキャリア基材上で前記第１の端子部から前記デバイスホールに向かって形成され、前記第１の端子部の端子群のうち少なくとも１つの端子と前記デバイスホールとを接続する第１の導体配線と、
前記テープキャリア基材上で前記第２の端子部から前記デバイスホールに向かって形成され、前記第２の端子部の端子群のうち少なくとも１つの端子と前記デバイスホールとを接続する第２の導体配線とを備え、
前記第１の切り欠き部と前記第２の切り欠き部とは、互いに平行に形成されており、
前記一方の辺から前記第１の切り欠き部の先端までの長さは、前記一方の辺から前記第２の切り欠き部の先端までの長さより長く、かつ、前記他方の辺から前記第２の切り欠き部の先端までの長さは、前記他方の辺から前記第１の切り欠き部の先端までの長さより長い
テープキャリア基板。
【請求項２】
前記テープキャリア基板は、
前記第１の切り欠き部と前記第２の切り欠き部とが、前記テープキャリア基材の長手方向に交互に複数個形成されている
請求項１に記載のテープキャリア基板。
【請求項３】
前記テープキャリア基板は、さらに、
前記第１の切り欠き部の先端から前記他方の辺まで、または、前記第２の切り欠き部の先端から前記一方の辺までの間の前記テープキャリア基材に形成されたスリットを有する
請求項１に記載のテープキャリア基板。
【請求項４】
前記テープキャリア基板は、さらに、
前記テープキャリア基材における前記第１の切り欠き部の先端と前記第２の切り欠き部の先端との間の領域が、前記テープキャリア基材の幅方向にＲ形状となるよう曲げられる
請求項３に記載のテープキャリア基板。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のテープキャリア基板と、
前記テープキャリア基板のデバイスホールに実装された半導体素子とを備え、
前記半導体素子は、前記テープキャリア基板の第１および第２の端子部と、前記テープキャリア基板の第１および第２の導体配線を介して電気的に接続されている
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テープキャリア基板およびそれを備えた半導体装置に関し、特に、テープキャリア基板とそのテープキャリア基板に半導体素子を実装した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージの１つとして、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術が知られている。ＴＡＢ技術とは、テープ状の柔軟な基板であるテープキャリア基板上に形成された導体配線（リード）と半導体素子上のボンディングパッドの対応する部分とを重ね合わせ、導体配線（リード）と半導体素子の端子とをバンプ（突起電極）を介して電気的に接続する技術である。このＴＡＢ技術により製造された半導体装置（ＴＣＰ：Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）は、主に、フラットパネルディスプレイのパネルに実装される駆動用ドライバとして使用される。
【０００３】
図１５は、従来のテープキャリア基板の構成を示す平面図である。図１６は、従来のテープキャリア基板に半導体素子が実装された半導体装置の断面図である。
【０００４】
図１５に示すようにテープキャリア基材１０２は、その一方の面上の中央部にテープキャリア基板１０１が、その幅方向Ｗの両端部にスプロケットホール１１０が設けられている。ここで、テープキャリア基材１０２は、材料として、ポリイミドがよく使用される。また、テープキャリア基材１０２の幅は、一般に、３５ｍｍ、４８ｍｍ、７０ｍｍである。
【０００５】
テープキャリア基板１０１は、例えば３８４出力のプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称す。）仕様のものであって、１個の半導体素子を実装可能である。このテープキャリア基板１０１は、テープキャリア基材１０２に設けられる。また、テープキャリア基板１０１は、一対の入力端子部１０３および出力端子部１０４と、デバイスホール１０５と、有機絶縁材料１０９と、引き回し配線１１６ａおよび１１６ｂをそれぞれ複数本と、スリット２９とを備える。
【０００６】
一対の入力端子部１０３および出力端子部１０４は、テープキャリア基板１０１を構成する。この一対の入力端子部１０３および出力端子部１０４は、テープキャリア基材１０２の一方の面上に、テープキャリア基材１０２の長手方向Ｌで対向するように設けられている。また、入力端子部１０３および出力端子部１０４はそれぞれ、対応する引き回し配線１１６ａおよび引き回し配線１１６ｂと接続される端子群からなり、それら端子群はテープキャリア基材１０２の幅方向Ｗに直線状となるよう形成されている。
【０００７】
デバイスホール５は、テープキャリア基板１０１を構成し、電子部品（半導体素子）を実装するための開口部である。このデバイスホール１０５は、デバイスホール１０５に実装される矩形状の半導体素子１１２の外形と相似形で、かつ、その外形より若干広い面積を有するように矩形状に設けられている。デバイスホール１０５は、その長手方向がテープキャリア基材１０２の幅方向Ｗと略平行となるように形成されている。
【０００８】
引き回し配線１１６ａおよび１１６ｂは、テープキャリア基板１０１を構成し、それぞれ複数設けられている。引き回し配線１１６ａおよび１１６ｂは、テープキャリア基材１０２を下支えとして、テープキャリア基材１０２の一方の面上に設けられており、例えば銅からなる。また、引き回し配線１１６ａおよび１１６ｂは、デバイスホール１０５内に突出して形成されているインナーリードと接続されており、インナーリードを介してデバイスホール１０５に実装される半導体素子１１２と入力端子部１０３または出力端子部１０４と電気的に接続する。
【０００９】
具体的には、引き回し配線１１６ａは、インナーリード１１５ａを介して、デバイスホール１０５に実装される半導体素子１１２と入力端子部１０３の端子群のうち少なくとも１つの対応する端子とを電気的に接続する。一方、引き回し配線１１６ｂは、インナーリード１１５ｂを介して、デバイスホール１０５に実装される半導体素子１１２と出力端子部１０４の端子群のうち少なくとも１つの対応する端子とを電気的に接続する。
【００１０】
有機絶縁材料１０９は、テープキャリア基板１０１を構成し、テープキャリア基材１０２の一方の面上に設けられた引き回し配線１１６ａおよび１１６ｂを覆うように形成されている。この有機絶縁材料１０９は、例えばポリイミドやエポキシ等からなる。
【００１１】
スリット１２９は、テープキャリア基板１０１を構成し、ＰＤＰのパネルに実装された場合に発生する応力を緩和する。具体的には、スリット１２９は、その長手方向がテープキャリア基材１０２と平行に形成されている。すなわち、スリット１２９は、テープキャリア基材１０２の長手方向Ｌに細長い形状となるように形成されている。
【００１２】
ところで、テープキャリア基板１０１に半導体素子１１２を実装した半導体装置１１１は、ＰＤＰのパネルに、テープキャリア基材１０２の長手方向Ｌに沿ってＲ形状に曲げられた状態で実装される。その場合、テープキャリア基板１０１では、Ｒ形状の曲げ方向に対して発生する応力に加えて、パネルの幅方向（テープキャリア基材１０２の幅方向Ｗ）に対して発生する応力が加わる。そして、これらの応力を緩和するために、テープキャリア基板１０１には、スリット２９が形成されている。
【００１３】
以上のように、従来のテープキャリア基板１０１は形成されている。
【００１４】
図１６では、以上のように構成されたテープキャリア基板１０１に半導体素子１１２が実装されて最終形状に打ち抜かれた半導体装置１１１の断面図を示している。
【００１５】
半導体素子１１２は、矩形状に形成され、その長辺がテープキャリア基材１０２の幅方向Ｗに略平行となるようデバイスホール１０５に実装される。また、半導体素子１１２の裏面には、端子（図示せず）が形成され、その端子と導体配線１０６ａおよび１０６ｂのインナーリード１１５ａおよび１１５ｂとが突起電極１１３を介して接続される。
【００１６】
また、半導体素子１１２の裏面側すなわちデバイスホール１０５の突起電極１１３が配置される側は、封止樹脂１１４によりモールドされている。具体的には、半導体素子１１２の裏面、突起電極１１３並びにインナーリード１１５ａおよび１１５ｂが封止樹脂１１４により覆われている。
【００１７】
導体配線１０６ａは、デバイスホール１０５上に突出するインナーリード１１５ａと、そのインナーリード１１５ａを介して半導体素子１１２および入力端子部１０３を接続する引き回し配線１１６ａとで構成されている。同様に、導体配線１０６ｂは、デバイスホール１０５上に突出するインナーリード１１５ｂと、そのインナーリード１１５ｂを介して出力端子部１０４とを接続する引き回し配線１１６ｂとで構成されている。インナーリード１１５ａおよびインナーリード１１５ｂは、デバイスホール１０５内に突出して形成されており、デバイスホール１０５に実装されている半導体素子１１２の端子と突起電極１１３を介して接続される。
【００１８】
有機絶縁材料は、テープキャリア基材１０２の一方の面上に設けられた引き回し配線１１６ａおよび１１６ｂを覆うように形成されている。
【００１９】
以上のように、従来の半導体装置１１１は形成される。
【００２０】
ここで、この従来の半導体装置１１１の製造方法の一例について説明する。具体的には、半導体素子１１２が実装されて、半導体装置１１１が製造されるまでを説明する。
【００２１】
まず、半導体素子１１２上の突起電極１１３と、テープキャリア基材１０２のデバイスホール１０５内に形成されたインナーリード１１５ａおよび１１５ｂとをボンディングツールによって熱圧着して、金属接合を形成する。
【００２２】
次に、半導体素子１１２並びにインナーリード１１５ａおよび１１５ｂを外力、湿気および汚染物などの悪い環境から電気的および物理的に保護する。すなわち、半導体素子１１２の裏面、突起電極１１３並びにインナーリード１１５ａおよび１１５ｂに封止樹脂１１４をポッティングする。
【００２３】
そして、ポッティング後、封止樹脂１４を加熱して硬化する。
【００２４】
以上のように、従来の半導体装置１１１を製造する。
【００２５】
なお、半導体素子１１２の端子とインナーリード１１５ａおよび１１５ｂとの間に配置される突起電極１１３は、半導体素子１１２の端子上に設ける場合と、インナーリード１１５ａおよび１１５ｂ上に設ける場合がある。いずれの場合でも上記のように製造できる。
【００２６】
次に、以上のように構成された半導体装置１１１が実装されたＰＤＰのパネルについて説明する。
【００２７】
図１７は、半導体装置が実装されたＰＤＰのパネルの外観を示す図である。図１８は、図１７のＫで示す部分の拡大図である。図１９は、図１８の詳細断面図である。
【００２８】
ガラスパネル１１８は、ガラス板であり、ＰＤＰのパネルを構成する。ＰＤＰのガラスパネル１１８は、その後面に、放熱シート１１９を介して、ガラスパネル１１８と略同サイズのアルミシャーシ１２０が貼り付けられている。このような放熱構造とするのは、近年、ＰＤＰでは、高電圧駆動のため、パネルおよび電源等の周辺部品の発熱量が非常に大きくなってきているからである。また、ガラスパネル１１８の前面には、半導体装置１１１の一方の面の一部が実装されている。
【００２９】
アルミシャーシ１２０は、ガラスパネル１１８の後面方向の面に半導体装置１１１の一方の面の一部が実装されている。アルミシャーシ１２０は、ＰＤＰのパネルに映像を出力するための中心的な役割を担っており、電源回路や信号制御の回路基板が取り付けられている。また、アルミシャーシ１２０は、半導体装置１１１を実装するための突出部１２３を有している。ここで、突出部１２３は、予めねじ孔１２４が設けられている。アルミシャーシ１２０は、突出部１２３のねじ孔１２４に螺着されるねじ１２５により、半導体装置１１１を固定する。
【００３０】
半導体装置１１１は、駆動用ドライバであり、図１７〜図１９に示すように、柔軟なテープキャリア基板１０１が曲げられて、ＰＤＰのパネルを構成するガラスパネル１１８とアルミシャーシ１２０とに実装される。すなわち、半導体装置１１１は、一方の面である引き回し配線１１６ａおよび１１６ｂが形成されている面とガラスパネル１１８の前面とを対向させて、その出力端子部１０４がガラスパネル１１８の前面に実装される。また、半導体装置１１１は、その柔軟なテープキャリア基板１０１が曲げられて、一方の面にある入力端子部１０３がアルミシャーシ１２０に実装される。このようにして実装された半導体装置１１１は、ＰＤＰのパネルとパネルを覆う筐体との間の狭い隙間に収納される。
【００３１】
具体的には、半導体装置１１１は、出力端子部１０４がガラスパネル１１８の前面にＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）により熱圧着される。これにより、テープキャリア基板１の引き回し配線１１６ｂが出力端子部４を介してガラスパネル１１８に接続される。また、半導体装置１１１は、柔軟なテープキャリア基板１０１がＲ形状に曲げられた上で、入力端子部１０３と半導体素子１１２とが、アルミシャーシ１２０に実装される。ここで、半導体装置１１１は、金属板１２１を介してアルミシャーシ１２０に固定されている。これは、半導体装置１１１における半導体素子１１２の放熱のためであり、例えばアルミニウムにより形成された金属板１２１をアルミシャーシ２０に接触させることで、半導体素子１１２からの熱をアルミシャーシ１２０へ放熱させることができる。
【００３２】
金属板１２１は、ねじ孔１２２と、凹部（不図示）とを有し、例えばアルミニウムから形成されている。金属板１２１の凹部には、テープキャリア基板１０１に実装された半導体素子１１２が嵌め込まれる。ここで、その凹部の底部には、半導体素子１１２の上面（半導体素子１１２の端子形成面（裏面）とは反対側の面）との間にシリコン樹脂や導電性ペーストからなるグリース（不図示）が充填されている。金属板１２１は、充填されているグリースを介して、半導体素子１１２の上面に接触する。また、金属板１２１は、半導体装置１１１のテープキャリア基板１０１と対向する面が少なくとも平坦であり、その平坦な面とテープキャリア基板１０１との間に配置された両面テープ等の接着剤を介して、テープキャリア基板１０１を接着する。さらに、金属板１２１は、ねじ孔１２２に通されたねじ１２５により、アルミシャーシ１２０に螺着されるのとともに、テープキャリア基板１０１を固定する。
【００３３】
以上のように、半導体装置１１１はＰＤＰのパネルに実装される。
【００３４】
続いて、この半導体装置１１１をＰＤＰのパネルへ取り付ける方法について説明する。ここで、図２０は、半導体装置のＰＤＰのパネルへの取り付け方法を説明するための図である。
【００３５】
まず、図２０に示すにように封止樹脂１１４によりモールドされている半導体装置１１１をＰＤＰのパネルに実装する前に、半導体装置１１１に金属板１２１を接着する。
【００３６】
次に、半導体装置１１１の出力端子部１０４側をガラスパネル１１８に実装し、半導体装置１１１のテープキャリア基板１０１をＲ形状に曲げる。
【００３７】
次に、金属板１２１のねじ孔１２２およびアルミシャーシ１２０の突出部１２３に予め設けられているねじ孔１２４にねじ１２５を螺着する。
【００３８】
次に、このように半導体装置１１１をテープキャリア基板１０１の長手方向ＬでＲ形状に曲げた状態でＰＤＰに実装する。その後、半導体装置１１１が実装されたＰＤＰのパネルを筐体内に収納する。
【００３９】
以上のように、半導体装置１１１はＰＤＰのパネルへ取り付けられる。
【００４０】
上記説明したように、従来のテープキャリア基板は、Ｒ形状の曲げ方向に対して発生する応力に加えて、パネルの幅方向に対して発生する応力を緩和するために、Ｒ形状部分にスリットが形成されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００４１】
【特許文献１】特開２００８−２９８８２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００４２】
しかしながら、従来のテープキャリア基板では以下のような問題がある。すなわち、ＰＤＰでは、電源のＯＮ／ＯＦＦにより、筐体内において非常に大きな温度変化が起こり、ガラスパネル１１８とアルミシャーシ１２０は図２１に示す方向に熱膨張する。ガラスパネル１１８とアルミシャーシ１２０とは異種材料であるので、図２２に示すように、ガラスパネル１１８とアルミシャーシ１２０との間に熱膨張差が発生する。例えば、画面サイズが６５インチクラスのＰＤＰでは、アルミシャーシ１２０とガラスパネル１１８との熱膨張差は約０．６ｍｍも発生する。
【００４３】
具体的には、ガラスパネル１１８とアルミシャーシ１２０にまたがった状態で固定されている半導体装置１１１のテープキャリア基板１０１には、パネルの幅方向に大きなストレスが加わり、テープキャリア基板１０１はそのストレスにより撓む。そして、その撓みにより発生した応力は、テープキャリア基板１０１でＲ形状部分となっているスリット１２９周辺の引き回し配線１６ｂに集中する。そのため、ＰＤＰの電源のＯＮ／ＯＦＦが繰り返されることにより、つまり、先の温度変化が繰り返されることにより、スリット１２９周辺の引き回し配線１６ｂの断線が起こりやすくなる。
【００４４】
特に、現在、フラットパネルディスプレイ市場では、大画面化が急速に進んでいる。これに伴いガラスパネル１１８とアルミシャーシ１２０とが大型化され、熱膨張差がさらに大きくなってきている。したがって、上記のストレスがより大きくなってきている。すなわち、スリット１２９周辺の引き回し配線１６ｂの断線がより起こりやすくなってしまっている。
【００４５】
そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、テープキャリア基板の撓みにより発生する応力を分散させ、テープキャリア基板の導体配線の破断を防止することができるテープキャリア基板およびそれを備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００４６】
上記目的を達成するために、本発明に係るテープキャリア基板は、テープキャリア基材と、前記テープキャリア基材上に、当該テープキャリア基材の幅方向に直線状に配列された端子群からなる第１の端子部と、前記テープキャリア基材上に、前記第１の端子部と前記テープキャリア基材の長手方向で対向し、かつ、当該テープキャリア基材の幅方向に直線状に配列された端子群からなる第２の端子部と、前記テープキャリア基材の長手方向の一方の辺から、前記幅方向に前記テープキャリア基材の一部を切り欠いて形成された第１の切り欠き部と、前記一方の辺と対向する前記テープキャリア基材の長手方向の他方の辺から、前記幅方向に前記テープキャリア基材の一部を切り欠いて形成された第２の切り欠き部と、前記テープキャリア基材の前記第１および第２の端子部の間に形成されたデバイスホールと、前記テープキャリア基材上で前記第１の端子部から前記デバイスホールに向かって形成され、前記第１の端子部の端子群のうち少なくとも１つの端子と前記デバイスホールとを接続する第１の導体配線と、前記テープキャリア基材上で前記第２の端子部から前記デバイスホールに向かって形成され、前記第２の端子部の端子群のうち少なくとも１つの端子と前記デバイスホールとを接続する第２の導体配線とを備え、前記第１の切り欠き部と前記第２の切り欠き部とは、互いに平行に形成されており、前記一方の辺から前記第１の切り欠き部の先端までの長さは、前記一方の辺から前記第２の切り欠き部の先端までの長さより長く、かつ、前記他方の辺から前記第２の切り欠き部の先端までの長さは、前記他方の辺から前記第１の切り欠き部の先端までの長さより長い。
【００４７】
また、前記テープキャリア基板は、前記第１の切り欠き部と前記第２の切り欠き部とが、前記テープキャリア基材の長手方向に交互に複数個形成されていてもよい。
【００４８】
また、前記テープキャリア基板は、さらに、前記第１の切り欠き部の先端から前記他方の辺まで、または、前記第２の切り欠き部の先端から前記一方の辺までの間の前記テープキャリア基材に形成されたスリットを有するとしてもよい。
【００４９】
また、前記テープキャリア基板は、さらに、前記テープキャリア基材における前記第１の切り欠き部の先端と前記第２の切り欠き部の先端との間の領域が、前記テープキャリア基材の幅方向にＲ形状となるよう曲げられてもよい。
【００５０】
また、上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、上記のテープキャリア基板と、前記テープキャリア基板のデバイスホールに実装された半導体素子とを備え、前記半導体素子は、前記テープキャリア基板の第１および第２の端子部と、前記テープキャリア基板の第１および第２の導体配線を介して電気的に接続されている。
【発明の効果】
【００５１】
本発明によれば、テープキャリア基板の撓みにより発生する応力を分散させ、テープキャリア基板の導体配線の破断を防止することができるテープキャリア基板およびそれを備えた半導体装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施の形態１におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態１におけるテープキャリア基板に半導体素子が実装された半導体装置の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１における半導体装置をＰＤＰのパネルに実装した状態の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１における半導体装置をＰＤＰのパネルへ取り付ける方法を説明するための図である。
【図５】従来の半導体装置がＰＤＰのパネルに実装された状態を示す図である。
【図６】ＰＤＰのパネルに実装された従来の半導体装置に対して、パネルの幅方向のストレスが加えられて、撓みが発生した状態を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態１における半導体装置がＰＤＰのパネルに実装された状態を示す図である。
【図８】ＰＤＰのパネルに実装された本発明の実施の形態１における半導体装置に対して、パネルの幅方向のストレスが加えられて、応力を吸収している状態を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態１におけるテープキャリア基板が複数の切り欠きを有する構成例を示す平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１の変形例におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図である。
【図１２】図１１に示すテープキャリア基板が有するスリット部分の透視拡大図である。
【図１３】本発明の実施の形態２における半導体装置をＰＤＰのパネルに実装した状態の断面図である。
【図１４】ＰＤＰのパネルに実装された本発明の実施の形態２における半導体装置に対して、パネルの幅方向のストレスが加えられた場合の応力について説明するための図である。
【図１５】従来のテープキャリア基板の構成を示す平面図である。
【図１６】従来のテープキャリア基板に半導体素子が実装された半導体装置の断面図である。
【図１７】従来の半導体装置が実装されたＰＤＰのパネルの外観を示す図である。
【図１８】図７のＫで示す部分の拡大図である。
【図１９】図１８の詳細断面図である。
【図２０】従来の半導体装置のＰＤＰのパネルへの取り付け方法を説明するための図である。
【図２１】ＰＤＰのガラスパネルとアルミシャーシとの間に熱膨張差が発生した状態を示す図である。
【図２２】ＰＤＰのガラスパネルとアルミシャーシとの間に熱膨張差が発生した状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００５３】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図である。図２は、本発明の実施の形態１におけるテープキャリア基板に半導体素子が実装された半導体装置の断面図である。図３は、本発明の実施の形態１における半導体装置をＰＤＰのパネルに実装した状態の断面図である。
【００５４】
図２に示すようにテープキャリア基材２は、その一方の面上の中央部にテープキャリア基板１が、その幅方向Ｗの両端部にスプロケットホール１０が設けられている。ここで、テープキャリア基材２は、材料として、ポリイミドがよく使用される。また、テープキャリア基材２の幅は、一般に、３５ｍｍ、４８ｍｍ、７０ｍｍである。
【００５５】
テープキャリア基板１は、例えば３８４出力のＰＤＰ仕様のものであって、１個の半導体素子を実装可能である。このテープキャリア基板１は、テープキャリア基材２に設けられる。テープキャリア基板１は、一対の入力端子部３および出力端子部４と、デバイスホール５と、有機絶縁材料９と、引き回し配線１６ａおよび１６ｂをそれぞれ複数本と、第１の切り欠き部７と、第２の切り欠き部８とを備える。
【００５６】
一対の入力端子部３および出力端子部４は、テープキャリア基板１を構成する。この入力端子部３および出力端子部４はそれぞれ、テープキャリア基材２の一方の面上に、テープキャリア基材２の幅方向Ｗに直線状に配列された端子群から構成されており、テープキャリア基材２の長手方向Ｌで互いに平行に対向するように設けられている。また、入力端子部３および出力端子部４はそれぞれ、対応する引き回し配線１６ａおよび引き回し配線１６ｂと接続される端子群からなり、それら端子群はテープキャリア基材２の幅方向Ｗに直線状となるよう形成されている。
【００５７】
デバイスホール５は、テープキャリア基板１を構成し、電子部品（半導体素子１２）を実装するための開口部である。また、デバイスホール５は、テープキャリア基材２の入力端子部３と出力端子部４との間に形成されている。このデバイスホール５は、デバイスホール５に実装される矩形状の半導体素子１２の外形と相似形で、かつ、その外形より若干広い面積を有するように矩形状に形成されている。また、デバイスホール５は、その長手方向がテープキャリア基材２の幅方向Ｗと略平行となるように形成されている。
【００５８】
引き回し配線１６ａおよび１６ｂは、テープキャリア基板１を構成し、それぞれ複数設けられている。また、引き回し配線１６ａおよび１６ｂは、テープキャリア基材２を下支えとして、テープキャリア基材２の一方の面上に形成されており、例えば銅からなる。また、引き回し配線１６ａおよび１６ｂは、デバイスホール５内に突出して形成されているインナーリードと接続されており、インナーリードを介してデバイスホール５に実装される半導体素子１２と入力端子部３または出力端子部４と接続する。
【００５９】
具体的には、引き回し配線１６ａは、入力端子部３からデバイスホール５へ向かって形成されており、インナーリード１５ａを介して、デバイスホール５に実装される半導体素子１２と入力端子部３とを電気的に接続する。一方、引き回し配線１６ｂは、出力端子部４からデバイスホール５へ向かって形成されており、インナーリード１５ｂを介して、デバイスホール５に実装される半導体素子１２と出力端子部４とを電気的に接続する。
【００６０】
有機絶縁材料９は、テープキャリア基板１を構成し、テープキャリア基材２の一方の面上に設けられた引き回し配線１６ａおよび１６ｂを覆うように形成されている。この有機絶縁材料９は、例えばポリイミドやエポキシ等からなる。さらに、有機絶縁材料９は、図示しないが、テープキャリア基板１の裏面上、すなわちテープキャリア基材２の他方の面上にも設けられている。
【００６１】
第１の切り欠き部７および第２の切り欠き部８は、テープキャリア基板１を構成し、テープキャリア基板１の一部を切り欠いて形成される。第１の切り欠き部７および第２の切り欠き部８は、入力端子部３および出力端子部４の端子群の配列方向と平行すなわち幅方向Ｗに形成されることにより、ＰＤＰのパネルに実装された場合に発生する応力を緩和する。
【００６２】
具体的には、第１の切り欠き部７は、入力端子部３および出力端子部４の端子群の配列方向と直行するテープキャリア基板１の一方（図１では左側の辺）の辺２６を基点として、入力端子部３および出力端子部４の端子群の配列方向と平行にテープキャリア基板１の一部を切り欠いて形成されている。第２の切り欠き部８は、テープキャリア基板１の辺２６と対向する他方の辺２７（図１では右側の辺）を基点として、入力端子部３および出力端子部４の端子群の配列方向と平行にテープキャリア基板１の一部を切り欠いて形成されている。また、辺２６から第１の切り欠き部７の先端までの長さは、辺２６から第２の切り欠き部８の先端までの長さより長い。同様に、辺２７から第２の切り欠き部８の先端までの長さは、辺２７から第１の切り欠き部７の先端までの長さより長くなるよう形成されている。
【００６３】
以上のように、テープキャリア基板１は形成されている。
【００６４】
図２では、以上のように構成されたテープキャリア基板１に半導体素子１２が実装されて最終形状に打ち抜かれた半導体装置１１の断面図を示している。なお、半導体装置１１は、第１の切り欠き部７と第２の切り欠き部８とを備える点において、上記従来の半導体装置１１１と異なる。その他の構成については同じである。
【００６５】
半導体装置１１は、矩形状に形成され、その長辺がテープキャリア基材２の幅方向Ｗに略平行となるようデバイスホール５に実装される。また、半導体素子１２の裏面には、端子（図示せず）が形成され、その端子と導体配線６ａおよび６ｂのインナーリード１５ａおよび１５ｂとが突起電極１３を介して接続される。
【００６６】
また、半導体素子１１２の裏面側すなわちデバイスホール５の突起電極１３が配置される側は、封止樹脂１４によりモールドされている。具体的には、半導体素子１２の裏面、突起電極１３並びにインナーリード１５ａおよび１５ｂが封止樹脂１４により覆われている。
【００６７】
導体配線６ａは、デバイスホール５上に突出するインナーリード１５ａと、そのインナーリード１５ａに接続され、インナーリード１５ａを介して半導体素子１２および入力端子部３を接続する引き回し配線１６ａとで構成される。同様に、導体配線６ｂは、デバイスホール５上に突出するインナーリード１５ｂと、そのインナーリード１５ｂに接続され、インナーリード１５ｂを介して半導体素子１２および出力端子部４を接続する引き回し配線１６ｂとで構成される。インナーリード１５ａおよびインナーリード１５ｂは、デバイスホール５内に突出して形成されており、デバイスホール５に実装されている半導体素子１２の端子と突起電極１３を介して接続される。
【００６８】
有機絶縁材料は、テープキャリア基材２の一方の面上に設けられた引き回し配線１６ａおよび１６ｂを覆うように形成されている。
【００６９】
以上のようにして、半導体装置１１は形成されている。
【００７０】
ここで、この半導体装置１１の製造方法の一例について説明する。具体的には、半導体素子１２が実装されて、半導体装置１１が製造されるまでを説明する。
【００７１】
まず、半導体素子１２上の突起電極１３と、テープキャリア基材２のデバイスホール５内に形成されたインナーリード１５ａおよび１５ｂとをボンディングツールによって熱圧着して、金属接合を形成する。
【００７２】
次に、半導体素子１２並びにインナーリード１５ａおよび１５ｂを外力、湿気および汚染物などの悪い環境から電気的および物理的に保護する。すなわち、半導体素子１２の裏面、突起電極１３並びにインナーリード１５ａおよび１５ｂに封止樹脂１４をポッティングする。
【００７３】
そして、ポッティング後、封止樹脂１４を加熱して硬化される。
【００７４】
以上のように、半導体装置１１は、テープキャリア基板１に半導体素子１２を実装して製造される。
【００７５】
なお、半導体素子１２の端子とインナーリード１５ａおよび１５ｂとの間に配置される突起電極１３は、半導体素子１２の端子上に設ける場合と、インナーリード１５ａおよび１５ｂ上に設ける場合がある。いずれの場合でも上記のように製造できる。
【００７６】
ところで、以上のように構成されている半導体装置１１は、ＰＤＰのパネルに、テープキャリア基材２の長手方向Ｌに沿ってＲ形状に曲げられた状態で実装される。その場合、テープキャリア基板１では、Ｒ形状の曲げ方向に対して発生する応力に加えて、パネルの幅方向（テープキャリア基材２の幅方向Ｗ）に対して発生する応力が加わる。そして、これらの応力を緩和するために、テープキャリア基板１は、スリットではなく上述したような形状の第１の切り欠き部７と第２の切り欠き部８とを備える。
【００７７】
また、半導体装置１１は、テープキャリア基板１を用いて構成されるＰＤＰの駆動用ドライバである。そのため、半導体装置１１は、図３に示すようにＰＤＰのガラスパネル１８とアルミシャーシ２０とにまたがった状態で固定されるが、テープキャリア基板１に撓みが発生した場合でも、第１の切り欠き部７および第２の切り欠き部８への応力集中を防ぐことができる。すなわち、このテープキャリア基板１の撓みにより発生する応力を、辺２６から延びた第１の切り欠き部７の先端と、辺２７から延びた第２の切り欠き部８の先端同士が交わる領域（図１のｓで示した領域）により、十分に吸収させることができる。したがって、テープキャリア基板１に撓みが発生した場合でも引き回し配線１６ａ、１６ｂの断線を防ぐことができる。
【００７８】
なお、辺２６から延びた第１の切り欠き部７の先端と、辺２７から延びた第２の切り欠き部８の先端とが交わる領域が第１の切り欠き部７（または第２の切り欠き部８）の長手方向に広い方が、より応力を吸収することができ、好ましい。
【００７９】
ここで、以上のように構成された半導体装置１１が実装されたＰＤＰのパネルについて図３を用いて説明する。
【００８０】
ガラスパネル１８は、ガラス板であり、ＰＤＰのパネルを構成する。ＰＤＰのガラスパネル１８は、その後面に、放熱シート１９を介して、ガラスパネル１８と略同サイズのアルミシャーシ２０が貼り付けられている。このように放熱構造とするのは、近年、ＰＤＰでは、高電圧駆動のため、パネルおよび電源等の周辺部品の発熱量が非常に大きくなってきているからである。また、ガラスパネル１８の前面には、半導体装置１１の一方の面の一部が実装されている。
【００８１】
アルミシャーシ２０は、ガラスパネル１８の後面方向の面に半導体装置１１の一方の面の一部が実装されている。アルミシャーシ２０は、ＰＤＰのパネルに映像を出力するための中心的な役割を担っており、半導体装置１１、並びに電源回路および信号制御の回路基板が取り付けられている。このアルミシャーシ２０は、半導体装置１１を実装するための突出部２３を有しており、突出部２３には、ねじ孔２４が予め設けられている。アルミシャーシ２０は、突出部２３のねじ孔２４に螺着されるねじ２５により、半導体装置１１を固定する。
【００８２】
半導体装置１１は、駆動用ドライバであり、図３に示すように、柔軟なテープキャリア基板１が曲げられて、ＰＤＰのパネルを構成するガラスパネル１８とアルミシャーシ２０とに実装される。すなわち、半導体装置１１は、一方の面である引き回し配線１６ａおよび１６ｂが形成されている面とガラスパネル１８の前面とを対向させて、その出力端子部４側がガラスパネル１８の前面に実装される。また、半導体装置１１は、そのテープキャリア基板１がＲ形状に曲げられて、一方の面にある入力端子部３がアルミシャーシ２０に実装（固定）される。このようにして実装された半導体装置１１は、ＰＤＰのパネルとパネルを覆う筐体との間の狭い隙間に収納される。
【００８３】
具体的には、半導体装置１１は、出力端子部４がガラスパネル１８の前面にＡＣＦにより熱圧着される。これにより、引き回し配線１６ｂが出力端子部４を介して導体配線６ｂがガラスパネル１８に接続される。そして、半導体装置１１は、そのテープキャリア基板１がＲ形状に曲げられた上で、入力端子部３および半導体素子１２が、アルミシャーシ２０に実装される。ここで、半導体装置１１は、金属板２１を介してアルミシャーシ２０に固定（実装）されている。これは、半導体装置１１における半導体素子１２の放熱のためであり、例えばアルミニウムにより形成された金属板２１をアルミシャーシ２０に接触させることで、半導体素子からの熱をアルミシャーシ２０側へ放熱させることができる。
【００８４】
金属板２１は、ねじ孔２２と、凹部（不図示）とを有し、例えばアルミニウムから形成されている。金属板２１の凹部には、テープキャリア基板１に実装された半導体素子１２が嵌め込まれる。ここで、その凹部の底部には、半導体素子１２の上面（半導体素子１２の端子形成面（裏面）とは反対側の面）との間にシリコン樹脂や導電性ペーストからなるグリース（図示せず）が充填されている。金属板２１は、充填されているグリースを介して、半導体素子１２の上面に接触する。また、金属板２１は、半導体装置１１のテープキャリア基板１と対向する面が少なくとも平坦であり、その平坦な面とテープキャリア基板１との間に配置された両面テープ等の接着剤を介して、テープキャリア基板１と接着する。
【００８５】
さらに、金属板２１は、ねじ孔２２に通されたねじ２５により、アルミシャーシ２０に螺着されるのとともに、テープキャリア基板１を固定する。
【００８６】
以上のように、半導体装置１１はＰＤＰのパネルに実装される。
【００８７】
続いて、この半導体装置１１をＰＤＰのパネルへ取り付ける方法について説明する。ここで、図４は、本発明の実施の形態１における半導体装置をＰＤＰのパネルへ取り付ける方法を説明するための図であり、半導体装置に金属板を接着した状態の平面図を示している。
【００８８】
まず、図４に示すように、封止樹脂１４によりモールドされている半導体装置１１をＰＤＰのパネルに実装する前に、半導体装置１１に金属板２１を接着する。
【００８９】
次に、半導体装置１１の出力端子部４側をガラスパネル１８に実装し、半導体装置１１のテープキャリア基板１をＲ形状に曲げる。
【００９０】
次に、金属板２１のねじ孔２２およびアルミシャーシ２０の突出部２３に予め設けられているねじ孔２４にねじ２５を螺着する。
【００９１】
次に、このように半導体装置１１をテープキャリア基板１の長手方向ＬでＲ形状に曲げてＰＤＰに実装する。その後、半導体装置１１が実装されたＰＤＰのパネルを筐体内に収納する。
【００９２】
以上のように、半導体装置１１はＰＤＰのパネルへ取り付けられる。
【００９３】
次に、ＰＤＰのパネルに実装された半導体装置１１にパネルの幅方向のストレスが加えられた場合の応力について説明する。具体的には、半導体装置１１にパネルの幅方向のストレスが加えられ、テープキャリア基板１が撓んだ状態において、テープキャリア基板１の第１の切り欠き部および第２の切り欠き部の間に発生する応力について説明する。
【００９４】
図５は、従来の半導体装置がＰＤＰのパネルに実装された状態を示す図である。図５（ａ）は、従来の半導体装置１１１の断面図を示しており、図５（ｂ）は、図５（ａ）においてＡ方向からみた場合の図を示している。図６は、ＰＤＰのパネルに実装された従来の半導体装置１１１に対して、パネルの幅方向のストレスが加えられて、撓みが発生した状態を示す図である。図６（ａ）は、パネルの幅方向のストレスが従来の半導体装置１１１に加えられていない変位前の状態を示しており、図６（ｂ）は、パネルの幅方向のストレスが従来の半導体装置１１１に加えられ、撓みが発生した変位後の状態を示している。図５および図６に示すように、従来の半導体装置１１のスリット１２９のエッジ周辺には応力集中が起こっているのがわかる。
【００９５】
それに対して、図７は、本発明の実施の形態１における半導体装置がＰＤＰのパネルに実装された状態を示す図である。図７（ａ）は、半導体装置１１の断面図を示しており、図７（ｂ）は、図７（ａ）においてＡ方向からみた場合の図を示している。図８は、ＰＤＰのパネルに実装された本実施の形態１の半導体装置に対して、パネルの幅方向のストレスが加えられて、応力を吸収している状態を示す図である。図８（ａ）、図８（ｂ）はそれぞれ、パネルの幅方向における右または左方向にストレスが半導体装置１１に加えられ、撓みが発生した状態ではあるが領域ｓの伸びまたは縮みにより応力を吸収している状態を示している。
【００９６】
図７に示すように、本発明の半導体装置１１は、第１の切り欠き部７と第２の切り欠き部８の先端部が交わる領域ｓ（図１に示す領域ｓと同じ）を有する。それにより、パネルの幅方向のストレスが加えられた場合でも、領域ｓが、図８（ａ）のように延びたり、また、図８（ｂ）のように縮んだりすることにより、発生した応力を吸収することができる。
【００９７】
したがって、テープキャリア基板１に撓みが発生した場合でも引き回し配線１６ａ、１６ｂの断線を防ぐことができる。
【００９８】
以上、実施の形態１によれば、テープキャリア基板の撓みにより発生する応力を分散させ、テープキャリア基板の導体配線の破断を防止することができるテープキャリア基板およびそれを備えた半導体装置を実現することができる。
【００９９】
実施の形態１のテープキャリア基板およびそれを備えた半導体装置は、スリットではなくテープキャリア基板１の一部を切り欠いて形成される第１の切り欠き部７と第２の切り欠き部８とを備える。具体的には、テープキャリア基板１の入力端子部３および出力端子部４の端子群の配列方向と直行するテープキャリア基板１の一方の辺２６を基点として、入力端子部３および出力端子部４の端子群の配列方向と平行に形成された第１の切り欠き部７と、テープキャリア基板１の辺２６と対向する辺２７を基点として、入力端子部３および出力端子部４の端子群の配列方向と平行に形成された第２の切り欠き部８とを備える。また、辺２６からの第１の切り欠き部７の長さは、辺２６から第２の切り欠き部８の先端までの長さより長い。同様に、辺２７から延びた第２の切り欠き部８の長さは、辺２７から第１の切り欠き部７の先端までの長さより長くなるよう形成されている。
【０１００】
それにより、パネルの幅方向のストレスが加えられても、第１の切り欠き部７および第２の切り欠き部８の先端部が交わる領域ｓで吸収させることができ、テープキャリア基板１に撓みが発生した場合でも引き回し配線１６ａおよび１６ｂの断線を防止することができる。したがって、ＰＤＰとその駆動用ドライバとして用いられる半導体装置１１の接続信頼性を向上させることができる。
【０１０１】
なお、図９に示すように、テープキャリア基板４１における第１の切り欠き部７および第２の切り欠き部８の先端部（図中ｃの領域内にある先端部）が交わる領域ｓが、第１の切り欠き部７（または第２の切り欠き部８）の長手方向に広いほど、より応力を分散させることができる。ここで、図９は、本発明の実施の形態１におけるテープキャリア基板が複数の切り欠き部を有する構成例を示す平面図である。
【０１０２】
また、上記実施の形態１では、テープキャリア基板１に、一対の第１の切り欠き部７と第２の切り欠き部８とを形成しているが、それに限らない。これらを図１０に示すように、テープキャリア基板５１に、複数本形成してもよい。すなわち、第１の切り欠き部７と第２の切り欠き部８とが、テープキャリア基材２の長手方向に交互に複数個形成されているとしてもよい。この場合、より引き回し配線１６ａおよび１６ｂへの応力を分散させることができるという効果を奏する。ここで、図１０は、本発明の実施の形態１の変形例におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図である。
【０１０３】
（実施の形態２）
図１１は、本発明の実施の形態２におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図である。図１２は、図１１に示すテープキャリア基板が有するスリットの部分の透視拡大図である。なお、図１と同様の要素には同一符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【０１０４】
図１１に示すテープキャリア基板６１は、実施の形態１に係るテープキャリア基板１に対して、テープキャリア基板６１の第２の切り欠き部７の延長線上すなわち第２の切り欠き部７の先端と辺２６の間にスリット２９を有する点で構成が異なる。その他の構成は同じである。
【０１０５】
スリット２９は、テープキャリア基板６１を構成し、第１の切り欠き部７の先端から辺２７までの間のテープキャリア基材２に、その長手方向がテープキャリア基材２と平行になるよう形成されている。すなわち、スリット２９は、テープキャリア基材２の長手方向Ｌに細長い形状となるように形成されている。また、スリット２９内部には、図１２に示すように引き回し配線１６ｂが通っている。スリット２９は、スリットにより引き回し配線１６ｂを含め露出する部分を覆うように有機絶縁材料９が設けられている。
【０１０６】
以上のように、テープキャリア基板６１は構成される。
【０１０７】
このように、スリット２９を形成することにより、スリット２９および切り欠き部８の長手方向を折り目とするように、テープキャリア基板６１をそれら長手方向のテープキャリア基板６１の基板部分である折り曲げ部で容易に折り曲げることが可能となる。
【０１０８】
次に、テープキャリア基板６１を実装した半導体装置７１がＰＤＰ用の駆動ドライバとして実装されたＰＤＰのパネルについて図を用いて説明する。
【０１０９】
図１３は、本発明の実施の形態２における半導体装置をＰＤＰのパネルに実装した状態の断面図である。図１３（ａ）は、半導体装置７１の断面図を示しており、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）において半導体装置７１をＢ方向からみた場合の図を示している。
【０１１０】
図１３に示される半導体装置７１は、柔軟なテープキャリア基板６１が曲げられて、実施の形態１とは別の態様でＰＤＰのパネルを構成するガラスパネル１８とアルミシャーシ２０とに実装される。
【０１１１】
具体的には、半導体装置７１は、その一方の面にある出力端子部４がガラスパネル１８の前面にＡＣＦにより実装される。そして、テープキャリア基板６１を曲げて入力端子部３の左右を反転させることによりテープキャリア基板６１の長手方向Ｌにおける第１の切り欠き部７と第２の切り欠き部８との間の領域にＲ形状を形成する。すなわち、第１の切り欠き部７と第２の切り欠き部８との間のその領域が曲げられてＲ形状が形成される。このとき、入力端子部３は左右が反転され、ガラスパネル１８の前面の方向に向いている（入力端子部３の上下が反転している）。続いて、テープキャリア基板６１をスリット２９と第２の切り欠き部８とで曲げて入力端子部３をガラスパネル１８の裏面の方向に向ける（再度、入力端子部３の上下が反転される）。これは、第２の切り欠き８の長手方向の延長線上に形成されたスリット２９で容易に曲げることができるからである。そして、スリット２９と第２の切り欠き部８とで曲げられ、再度上下が反転した入力端子部３（および図示しない半導体素子１２）が、アルミシャーシ２０側に回り込んで実装（固定）される。
【０１１２】
そして、このようにして実装された半導体装置７１は、ＰＤＰのパネルとパネルを覆う筐体との間の狭い隙間に収納される。
【０１１３】
次に、ＰＤＰのパネルに実装された半導体装置７１にパネルの幅方向のストレスが加えられた場合の応力について説明する。
【０１１４】
図１４は、ＰＤＰのパネルに実装された本発明の実施の形態２における半導体装置に対して、パネルの幅方向のストレスが加えられた場合の応力について説明するための図である。図１４（ａ）は、パネルの幅方向のストレスが半導体装置７１に加えられていない状態を示しており、図１４（ｂ）、図１４（ｃ）は、パネルの幅方向のストレスが半導体装置７１に加えられ、撓みが発生した状態を示している。
【０１１５】
図１４（ａ）に示すように、半導体装置７１は、第１の切り欠き部７と第２の切り欠き部８との間の領域に対してＲ形状が形成されている。すなわち、テープキャリア基材２における第１の切り欠き部７の先端と第２の切り欠き部８の先端との間の領域が、テープキャリア基材２の幅方向にＲ形状となるよう曲げられている。それにより、パネルの幅方向のストレスが加えられてもＲ形状部分が図１４（ａ）に示すように延びたり、また、図１４（ｂ）のように縮んだりすることにより、Ｒ形状部分で応力を吸収することができる。
【０１１６】
したがって、引き回し配線１６ａおよび１６ｂの断線を防止することが可能となり、ＰＤＰと半導体装置７１の接続信頼性を向上させることができる。
【０１１７】
以上、実施の形態２によれば、テープキャリア基板の撓みにより発生する応力を分散させ、テープキャリア基板の導体配線の破断を防止することができるテープキャリア基板およびそれを備えた半導体装置を実現することができる。
【０１１８】
また、上記で説明した構成により、半導体装置７１がより省スペースで収納することができるため、今後のセットの薄型化に対応するためには非常に有用となる。
【０１１９】
なお、実施の形態２では、スリット２９がテープキャリア基板６１における第１の切り欠き部７の先端から辺２７までの間に形成されるとして説明したが、これに限らない。スリット２９をテープキャリア基板６１における第２の切り欠き部８の先端から辺２６までの間に形成されるとしてもよい。その場合でも同様の効果を奏するのは言うまでもない。
【０１２０】
また、実施の形態１および実施の形態２に示したように、第１または第２の切り欠き部の根元をＲ形状とすることにより、応力を分散させることができため、テープキャリア基材２の破れや引き回し配線１６ａおよび１６ｂの断線に対して、より強度を向上させることが可能である。
【０１２１】
以上、本発明によれば、テープキャリア基板の撓みにより発生する応力を分散させ、テープキャリア基板の導体配線の破断を防止することができるテープキャリア基板およびそれを備えた半導体装置を実現することができる。
【０１２２】
具体的には、ＰＤＰのガラスパネルとアルミシャーシとにまたがった状態で固定されている駆動用ドライバのテープキャリア基板の撓みにより発生する応力を分散させることができる。したがって、ＰＤＰの電源のＯＮ／ＯＦＦが繰り返されて、ＰＤＰの筐体内に非常に大きな温度変化が繰り返し起こったとしても、テープキャリア基板の導体配線が断線することを防止でき、高品質なテープキャリア基板および半導体装置を提供することが可能となる。
【０１２３】
以上、本発明のテープキャリア基板およびそれを備えた半導体装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１２４】
本発明は、テープキャリア基板およびそれを備えた半導体装置に利用でき、特にテープキャリア基板の撓みにより発生する応力を分散させ、テープキャリア基板の導体配線の破断を防止することを必要とするテープキャリア基板を曲げた状態で実装する半導体装置に利用できる。
【符号の説明】
【０１２５】
１、４１、５１、６１、１０１    テープキャリア基板
２、１０２    テープキャリア基材
３、１０３    入力端子部
４、１０４    出力端子部
５、１０５    デバイスホール
６ａ、６ｂ、１０６ａ、１０６ｂ    導体配線
７    第１の切り欠き部
８    第２の切り欠き部
９、１０９    有機絶縁材料
１０、１１０    スプロケットホール
１１、７１、１１１    半導体装置
１２、１１２    半導体素子
１３、１１３    突起電極
１４、１１４    封止樹脂
１５ａ、１５ｂ、１１５ａ、１１５ｂ    インナーリード
１６ａ、１６ｂ、１１６ａ、１１６ｂ    引き回し配線
１８、１１８    ガラスパネル
１９、１１９    放熱シート
２０、１２０    アルミシャーシ
２１、１２１    金属板
２２、２４、１２２、１２４    ねじ孔
２３、１２３    突出部
２５、１２５    ねじ
２６、２７    辺
２９、１２９    スリット
【図１】
2011100801.tif 000003
【図２】
2011100801.tif 000004
【図３】
2011100801.tif 000005
【図４】
2011100801.tif 000006
【図５】
2011100801.tif 000007
【図６】
2011100801.tif 000008
【図７】
2011100801.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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