【事件の表示】
　特願２０１２−５３６４３５「ＧａＮベース半導体結晶成長用多結晶窒化アルミニウム基材およびそれを用いたＧａＮベース半導体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　４月　５日国際公開，ＷＯ２０１２／０４３４７４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
　１　手続の経緯・本願発明 
　本願は，２０１１年９月２６日（優先権主張２０１０年９月２７日，日本国）を国際出願日とする出願であって，平成２７年６月２６日付けで拒絶理由を通知し，同年８月３１日に意見書と手続補正書が提出され，平成２８年１月２８日付けで拒絶査定され，同年４月２８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，平成２９年３月２１日付けで，当審から拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）を通知し，同年５月２３日に意見書と手続補正書が提出されたものである。
　そして，その請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，平成２９年５月２３日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものと認める。 
 　 
「【請求項１】
　ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮベース半導体を結晶成長させるための基板材料としての多結晶窒化アルミニウム基材であって，
　前記多結晶窒化アルミニウム基材は，窒化アルミニウム粉末に焼結助剤として３〜５質量％のＹ２Ｏ３を添加して焼結したものであり，
　熱伝導率１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上，かつ，基板表面に最大径２００μｍを超える凹部がなく，
　前記凹部の最大径が３９μｍ以下であり，
　前記焼結助剤は前記焼結により，Ｙ，Ｙ２Ｏ３およびＹ−Ａｌ−Ｏ化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種以上を含む焼結助剤成分として，前記多結晶窒化アルミニウム基材中に含まれ，
　前記凹部が，ポア，ＡｌＮ結晶粒子の脱粒，および焼結助剤成分の脱粒からなる群から選択されるいずれか１種であり，
　前記多結晶窒化アルミニウム基材が，窒化アルミニウム結晶と粒界相とを含んでなり，前記窒化アルミニウム結晶粒子の平均粒径が７μｍ以下であり，
　前記多結晶窒化アルミニウム基材の表面粗さ（Ｒａ）が０．０１μｍ以下であり，
　前記基板の直径が５０ｍｍ以上であり，
　基板表面のスキューネス（Ｒｓｋ）が，＋０．１〜−０．２の範囲である，ことを特徴とする，ＧａＮベース半導体結晶成長用多結晶窒化アルミニウム基材。」
　２　当審の拒絶理由
　一方，当審において，平成２９年３月２１日付けで通知した拒絶理由の概要は以下のとおりである。
「この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） 
・請求項１−３ 
・引用文献等１，２ 
・備考 
・請求項１について 
　引例１の請求項１−２，請求項５−８，【００１７】，【００２０】，【００２１】−【００２３】，【００２４】−【００２６】，【００３４】，実施例等の記載を参照されたい。
　引例１の実施例１５−１７，１９は，【００７６】の記載によれば，引例１の実施例３と同様にして作製されたものである。 
　してみれば，表１ないし表８の記載に照らして，引例１には，平均粒子径が０．８μｍのＡｌＮ粉末と，焼結助剤として５質量％のＹ2Ｏ3粉末を原料として，ドクターブレード法により板状に成形し，焼成することで製造した，熱伝導率が２０９Ｗ／ｍ・Ｋかつ，基板表面のＡｌＮ結晶粒の脱粒痕の大きさの最大値が５〜１５μｍ，ＡｌＮ結晶粒の平均粒径が３〜５μｍ，粒径分布の標準偏差が１〜１．９μｍ，表面粗さ（Ｒａ）が，０．０５μｍ以下，Ｒｓｋが＋０．５〜０である窒化アルミニウム焼結体からなる，金属薄膜を形成する窒化アルミニウム基板に係る発明（引例発明）が記載されていると認められる。
 　 
　引用発明と本願発明１とを対比すると，引用発明には，「ＧａＮベース半導体結晶を成長させること」（相違点１），及び，「基板の直径が５０ｍｍ以上であ」ること（相違点２）が特定されていない点で，本願発明１と相違する。
  
　以下，相違点について検討する。 
・相違点１について 
　本願発明１は，「ＧａＮベース半導体を粒成長させるための基板材料としての多結晶窒化アルミニウム基材であって」・・・「ＧａＮベース半導体結晶成長用多結晶窒化アルミニウム基材。」というものである。
　そうすると，本願発明１は，「多結晶窒化アルミニウム基材」という「物」に，「ＧａＮベース半導体結晶成長用（ＧａＮベース半導体を粒成長させるための）」という用途限定を付した発明であると解される。
　しかしながら，明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識を考慮しても，本願発明１の「ＧａＮベース半導体結晶成長用」という用途限定が，その用途に特に適した構造等を意味すると解釈することはできない。
　したがって，「ＧａＮベース半導体結晶成長用」という特定は，「多結晶窒化アルミニウム基材」という「物」に係る発明を特定するための意味を有するとは認められないから，相違点１は実質的なものとはいえない。（要すれば，「特許・実用新案　審査基準第III部第２章第４節３．物の用途を用いてその物を特定しようとする記載（用途限定）がある場合」の説明を参照されたい。）
 　 
　なお，仮に，「ＧａＮベース半導体結晶成長用（ＧａＮベース半導体を粒成長させるための）」という用途限定が，実質的な相違点であったとしても，ＡｌＮ焼結体からなる基板上にＧａＮを成長させることは，引例２の２３ページにも記載されているように周知技術であるから，引用発明において，金属薄膜に換えてＧａＮ半導体結晶を粒成長させることは，当業者であれば容易に想到し得たものである。また，その効果も当業者が予測する範囲内のものである。
  
　審判請求書には，引例１（拒絶査定時の引用文献２である特開２００３−０８１６７６号公報）について，「実際，引用文献２の表７には，ＡＩＮ結晶粒子の脱粒痕の最大径が１５μｍである基板が記載され，また，単位面積１００μｍ×１００μｍあたり，直径１０μｍ以上の凝集体又はポアが２個存在することが記載されております。さらに，引用文献２の［００２６］には，焼結助剤の凝集体の大きさを２０μｍ以下に制御していることが記載されております。以上の記載から，引用文献２の窒化アルミニウム基板表面の凹部の大きさは５５μｍ（２０μｍ×２＋１５μｍ）と算出されます。」と主張するが，そのような計算式が成立する理由を，審判請求の理由の記載から理解することができない。 
　表７に，ＡＩＮ結晶粒子の脱粒痕の最大径が１５μｍと記載されている場合には，窒化アルミニウム基板表面の凹部の大きさは１５μｍ以下であると理解されるものと認められる。
　したがって，審判請求人の前記主張は採用することはできない。
  
・相違点２について 
　引用発明は，平均粒子径が０．８μｍのＡｌＮ粉末と，焼結助剤として５質量％のＹ2Ｏ3粉末を原料として，ドクターブレード法により板状に成形し，焼成することで製造した発明である。 
　一方，窒化アルミニウムを主成分とする焼結体を用いることで作製される基板として，外形が１０００ｍｍ程度までのものが容易に作製できることは引例２の第２３ページ第６−７行に記載されているように周知である。
　そして，引用発明のドクターブレード法による成形に際して，基板の直径が５０ｍｍ以上となるように成形することに格別の困難は認められない。 
　したがって，引用発明において，相違点２について，本願発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
 
　したがって，請求項１に係る発明は，引用文献１，２に記載されている発明に基づいて当業者であれば容易に想到し得たものである。
  
・請求項２，３について 
　薄膜を成膜する基板の表面が平滑であることが望ましいことは引例１の【０００７】等にも記載されているように周知の課題であって，引例１に記載された発明において，凹部及びマイクロポアの個数を，請求項２，３に記載された程度のものとすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
  
 　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞ 
 １.特開２００３−０８１６７６号公報 
 ２.国際公開第２００４／００５２１６号 」
　３　引用例の記載と引用発明 
（１）当審拒絶理由で，「引用文献１」として引用した，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００３−８１６７６号（以下「引用例１」という。）には，「窒化アルミニウム基板およびそれを用いた薄膜基板とその製造方法」（発明の名称）に関して，図面とともに以下の記載がある。（下線は当審において付した。以下同じ。）
・「【特許請求の範囲】
【請求項１】　焼結助剤成分として希土類酸化物を含む窒化アルミニウム焼結体を具備する窒化アルミニウム基板であって，
　前記窒化アルミニウム基板は算術平均粗さＲaが0.5μm以下となるように加工された表面を有し，かつ前記加工表面に存在する前記焼結助剤成分の凝集体の大きさが20μm以下であると共に，前記加工表面の単位面積当りに占める前記凝集体の面積の総和が5％以下であることを特徴する窒化アルミニウム基板。
【請求項２】　請求項１記載の窒化アルミニウム焼結体において，
　前記窒化アルミニウム焼結体は，平均粒径が3〜5μmの範囲で，かつ粒径分布の標準偏差が2μm以下の窒化アルミニウム結晶粒を有することを特徴とする窒化アルミニウム基板。
【請求項３】　請求項１または請求項２記載の窒化アルミニウム基板において，
　前記窒化アルミニウム基板を40℃に保温された20％希釈濃度の酸液に60分間浸漬した後の質量減少率が0.1％以下であることを特徴とする窒化アルミニウム基板。
【請求項４】　請求項１または請求項２記載の窒化アルミニウム基板において，
　前記窒化アルミニウム基板を40℃に保温された20％希釈濃度の酸液に60分間浸漬した後に3点曲げ強度を測定したとき，前記酸液に浸漬する前の3点曲げ強度値に対する前記酸液に浸漬した後の3点曲げ強度値の減少率が30％以下であることを特徴とする窒化アルミニウム基板。
【請求項５】　請求項１または請求項２記載の窒化アルミニウム基板において，
　前記加工表面は，算術平均粗さＲaが0.05μm以下であると共に，スキューネスＲskが0以上1以下の表面粗さを有することを特徴する窒化アルミニウム基板。
【請求項６】　請求項５記載の窒化アルミニウム基板において，
　前記加工表面の100×100μmの単位面積当りに存在する，大きさ10μm以上の前記焼結助剤成分の凝集体およびポアの数が，合計数で3個以下であることを特徴とする窒化アルミニウム基板。
【請求項７】　請求項１ないし請求項６のいずれか１項記載の窒化アルミニ
ウム基板において，
　前記窒化アルミニウム焼結体は，前記希土類酸化物として少なくとも酸化イットリウムを含むことを特徴とする窒化アルミニウム基板。
【請求項８】　請求項１ないし請求項６のいずれか１項記載の窒化アルミニウム基板において，
　常温での熱伝導率が160W/m K以上であることを特徴とする窒化アルミニウム基板。
【請求項９】　請求項１ないし請求項８のいずれか１項記載の窒化アルミニウム基板と，
　前記窒化アルミニウム基板の前記加工表面に形成された金属薄膜と
　を具備することを特徴とする薄膜基板。」
・「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで，
従来の窒化アルミニウム焼結体においては，鏡面加工時や酸洗い時に焼結体表面に存在する粒界相成分の脱落や溶解などが生じやすく，このために薄膜を精度よく形成することが難しいという問題がある
従来の窒化アルミニウム焼結体の表面を単に鏡面研磨しただけでは，表面に析出した粒界相成分や窒化アルミニウム結晶粒が脱落したり，また酸洗い時に粒界相成分の溶解などが生じやすい
これらは比較的大きな凹部の発生原因となる
このような凹部を有する基板表面に薄膜を形成すると，薄膜と基板との間に空隙が生じてしまう。窒化アルミニウム基板と薄膜との間の空隙は，その後の製造工程や回路使用時に印加される熱により膨れを生じさせ，回路精度の低下や薄膜の剥がれの原因となる
　・・・＜途中省略＞・・・
【００１０】
本発明はこのような課題に対処するためになされたもので
窒化アルミニウム基板の高放熱特性を活かした上で，各種回路の形成などに使用される金属薄膜との密着性や薄膜形成精度などを高めることを可能にした窒化アルミニウム基板を提供することを目的としており，さらにそのような窒化アルミニウム基板を用いることによって，信頼性や動作特性などの向上を図った薄膜基板とその製造方法を提供することを目的としている
・「【００１１】
【
課題を解決するための手段
窒化アルミニウム基板は算術平均粗さＲaが0.5μm以下となるように加工された表面を有し
加工表面に存在する前記焼結助剤成分の凝集体の大きさが20μm以下
であることを特徴している
【００１２】
本発明の窒化アルミニウム基板は，さらに
窒化アルミニウム焼結体が平均粒径が3〜5μmの範囲
【００１３】
本発明の窒化アルミニウム基板は
加工後の基板表面（加工表面）に存在する焼結助剤成分の凝集体の大きさ
所定の範囲内に制御して
【００１４】従って，窒化アルミニウム焼結体の表面に析出する焼結助剤成分の凝集体の大きさや面積の総和を低減することによって，鏡面加工工程や酸洗い工程における焼結助剤成分の凝集体の脱落や溶解に起因する
凹部（陥没部）の発生を抑制することができる
これによって，窒化アルミニウム基板の表面にスパッタ法や蒸着法などのＰＶＤ法で金属薄膜を形成した際に，金属薄膜の密着性や形成精度などを大幅に高めることができる
・「【００１９】上記した加工表面１ａ上には金属薄膜２が形成されており，これらにより薄膜基板３が構成されている。ここで，加工表面１ａの表面粗さはJIS B0601-1994で規定する算術平均粗さＲaで0.5μm以下とされている。算術平均粗さＲaが0.5μmを超えるような加工表面１ａは，金属薄膜２の形成面としての要求特性を満たすことができない。」
・「【００２８】ここで，ＡｌＮ基板１の加工表面１ａに存在する焼結助剤成分の凝集体４は，加工表面１ａを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したり，あるいは加工表面１ａの元素分布を電子線プローブマイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）で調べることにより確認することができる。焼結助剤成分の凝集体４は，ＡｌＮ結晶粒５間に存在する粒界相とは存在形態が明らかに異なるものであり，ＳＥＭやＥＰＭＡにより確認することができる。例えば，
焼結助剤としてＹ
2
Ｏ
3
を使用した場合，Ｙ
2
Ｏ
3
を含む化合物（例えばＹ−Ａｌ−Ｏ（−Ｎ）系の化合物）の凝集体４をＥＰＭＡで確認すると，Ｙの濃度比が粒界相より濃く検出される
・「【００３３】薄膜形成面となるＡｌＮ基板１の表面１ａは，上述したように表面粗さが少なくとも算術平均粗さＲaで0.5μm以下となるように加工される。基板表面１ａの薄膜形成面としての特性をより一層高める上で，ＡｌＮ基板１の表面１ａはＲaが0.05μm以下となるように鏡面加工することが好ましい。Ｒaを0.05μm以下とした鏡面加工面によれば，金属薄膜２の形成精度や密着性をさらに高めることができる。
【００３４】表面粗さＲaを0.05μm以下とした基板表面は，さらにJIS B0601-1994で規定するスキューネス（ゆがみ値）Ｒskの値が0以上1以下であることが好ましい。すなわち，ＡｌＮ基板１の鏡面加工面の表面粗さが，Ｒaで0.05μm以下であると共に，スキューネスＲskで0以上1以下である場合に，スパッタ法や蒸着法などにより形成する金属薄膜２の密着性や形成精度などを大幅に高めることが可能となる。
【００３５】ここで，スキューネスＲskは表面のゆがみを表した値であり，以下のようにして求められる。すなわち，振幅分布曲線と呼ばれる粗さ曲線の最も高い山頂と最も低い谷底との間を等間隔に分割し，2本の平行線内の領域に存在するデータの数と全データ数との比を横軸に，各データの粗さ曲線における高さ方向の値を縦軸にとってプロットする。このプロットの上下方向の偏りを表す。
【００３６】このようなスキューネスＲskが0未満（Ｒsk＜0），すなわちマイナスの値を示すということは，下方にへこみが多いことを表し，
主として焼結助剤成分の凝集体の脱落やＡｌＮ結晶粒の脱粒などにより基板表面に形成されるポアが多数発生していることを示す。なお，基板表面に形成されるポアは，研磨加工時に発生する脱粒痕のみではなく，基板表面に形成されたＡｌＮ結晶粒などの欠落した部分を含むものである
これらは金属薄膜２を用いて形成した回路の精度低下や剥がれの原因となる
【００３７】一方，鏡面加工面のスキューネスＲskが1を超える（Ｒsk＞1）と，全体的に上方への山が多くなりすぎ，このような場合にも金属薄膜２による回路の形成精度が低下することになる。言い換えると，ＡｌＮ基板１の鏡面加工面のＲaを0.05μm以下とすると共に，スキューネスＲskを0以上1以下に制御することことによって，薄膜回路などとして使用される金属薄膜２の密着性や形成精度などを大幅に高めることが可能となる。
【００３８】ＡｌＮ基板１の表面１ａをＲaが0.05μm以下となるように鏡面加工する場合には，当然ながらＲaを0.5μm以下とする場合に比べて，より厳しい条件下で研磨加工などを施す必要がある。具体的には，基板表面に遊離砥粒を用いたポリッシング加工を施す。このような場合においても，ＡｌＮ焼結体の表面に析出する焼結助剤成分の凝集体の大きさや総面積を低減することによって，Ｒaが0.05μm以下の鏡面加工面を再現性よく得ることが可能となる。」
・「【００５４】ＡｌＮ基板１の表面を算術平均粗さＲaが0.05μm以下となるように鏡面加工する場合には，スキューネスＲskを0以上1以下の範囲に制御する上で，表面加工条件を適切化することも重要である。具体的には，ＡｌＮ焼結体の表面を例えば325〜400メッシュのダイヤモンド砥石で中仕上げする際に，加工面のスキューネスＲskが-1以上（Ｒsk≧-1）となるように加工する。
【００５５】ＡｌＮ焼結体をダイヤモンド砥石で中仕上げする際の加工面の表面粗さを制御することによって，鏡面加工後の表面粗さを所望の値にすることができる。すなわち，ダイヤモンド砥石による中仕上げ後の加工面のスキューネスＲskが-1より小さい（Ｒsk＜-1）と，その後の鏡面加工条件を制御しても，鏡面加工面の表面粗さを所望の値とすることができないおそれが大きい。そして，中仕上げ後の加工面に対して，Ｒaが0.05μm以下となるように鏡面加工を施す。これによって，最終的な鏡面加工面のスキューネスＲskを0以上1以下の範囲とすることができる。」
・「【００５７】ＡｌＮ基板１の加工表面（薄膜形成面）１ａには金属薄膜２が形成され，これにより薄膜基板３が構成される。金属薄膜２は，例えばスパッタ法，真空蒸着法，分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法，イオンプレーティング法，レーザデポジション法，イオンビームデポジション法などのＰＶＤ法により形成される。また場合によっては，熱ＣＶＤ法，プラズマＣＶＤ法，光ＣＶＤ法などのＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学的気相成長）法を適用してもよい。金属薄膜２は回路構造を有するものに限らず，ベタ膜であってもよい。金属薄膜２は単一の金属膜および複数の金属膜の積層膜のいずれであってもよいが，膜の総厚は3μm以下とする。
【００５８】上述したように，焼結助剤成分の凝集体４の大きさや凝集体の面積の総和を低減したＡｌＮ基板１の加工表面１ａ上に金属薄膜２を形成することによって，その密着性並びに形成精度を大幅に高めることが可能となる。特に，
基板表面の凹部が原因となって生じる，金属薄膜２の膜厚の不均一化やＡｌＮ基板１と金属薄膜２との間の空隙などが抑制できることから，金属薄膜２による回路の精度や信頼性を大幅に高めることが可能となる
【００５９】このような金属薄膜（回路）２を有する薄膜基板３は，例えば光通信用ハイブリッドＩＣ，移動体通信用ハイブリッドＩＣ，レーザダイオード用ハイブリッドＩＣ，自動車用ハイブリッドＩＣなどのマイクロ波集積回路用の基板として好適に用いられるものである。さらに，金属薄膜２を有する薄膜基板３は，ＶＬＤ（Visible Laser Diode）などのレーザダイオードが搭載されるサブマウント基板としても有効である。特に，本発明のＡｌＮ基板は板厚を0.1〜1.5mmの間で調整可能であることから，マイクロ波集積回路用基板やサブマウント基板などの様々な分野に適用することができる。」
・「【００６０】
【実施例】次に，本発明の具体的な実施例およびその評価結果について述べる。
【００６１】実施例１
　まず，
焼結助剤として純度99％，平均粒子径が1.0μmのＹ
2
Ｏ
3
粉末を用意
このＹ
2
Ｏ
3
粉末を有機溶媒（エタノール）中に投入して撹拌
一方，平均粒子径が1.0μmで，不純物酸素量が0.8質量％のＡｌＮ粉末に，適量の有機バインダと溶媒などを加えて混合してスラリー状とした
上記したＹ
2
Ｏ
3
粉末の分散体をＡｌＮスラリーに，Ｙ
2
Ｏ
3
の配合量が5質量％となるように添加した。これをさらにボールミルで24時間混合
【００６２】次に，
上記した原料スラリーをドクターブレード法により板状に成形し，このＡｌＮ成形体を600〜800℃の温度で脱脂した。この脱脂後のＡｌＮ成形体を以下のようにして焼成
脱脂後の複数のＡｌＮ成形体を，高純度ＡｌＮ（純度99.9質量％以上）製の密閉型焼成容器中に配置
このような焼成容器をカーボン製円筒部材中に入れた状態で焼成炉内に配置
焼成は1750〜1900℃×1〜8時間の条件で実施
【００６３】このようにして得たＡｌＮ焼結体の平均結晶粒径と結晶粒径分布を調べた。ＡｌＮ結晶粒の粒径については，ＡｌＮ焼結体の破断面の任意の3箇所で単位面積50×50μm内の結晶粒径を測定し，これらの平均値に基づいて平均粒径および粒径分布を求めた。なお，結晶粒径を測定する単位面積のうち，少なくとも1箇所は加工面に隣接するＡｌＮ結晶粒を含む箇所とすることが望ましい。さらに，ＡｌＮ焼結体の熱伝導率を測定した。これらの測定結果を表３に示す。
【００６４】次に，
上記したＡｌＮ焼結体にダイヤモンド砥石による中仕上げ加工と鏡面加工（Ｒaで0.5μm以下に設定）を施してＡｌＮ基板（厚さ0.635mm）を作製
【００６５】
実施例２〜９
　
ＡｌＮ粉末と焼結助剤粉末に関する条件と焼成条件をそれぞれ表１および表２に示す条件に変更する以外は，上記した実施例１と同様にして，それぞれＡｌＮ焼結体を作製した
【００６６】さらに，各ＡｌＮ焼結体に実施例１と同様な加工を施して，それぞれＡｌＮ基板を作製した後，加工表面に存在する焼結助剤成分の凝集体の大きさおよび面積率を測定した。さらに実施例１と同様にして，ＡｌＮ基板の酸液浸漬後の質量減少率と3点曲げ強度の減少率を調べた。酸洗いに使用した酸液は表４に示す通りである。これらの測定結果を表４に示す。」
・【００６７】の【表１】から，
実施例３で用いる，ＡｌＮ粉末の平均粒子径が，０．８μｍ，不純物酸素量が，0.8質量％であり，焼結助剤の種類が，Ｙ
2
Ｏ
3
であって，配合量が5質量％であることが読み取れる
・「【００７６】
実施例１５
　
上述した実施例３と同様にして，複数のＡｌＮ焼結体を作製した
【００７７】次に，
上記した各ＡｌＮ焼結体に対して，表６に示す条件でそれぞれダイヤモンド砥石による中仕上げ加工（第１の加工工程）と鏡面加工（第２の加工工程）を施し，鏡面加工面の表面状態が異なる複数のＡｌＮ基板を作製
ポア（ＡｌＮ結晶粒および凝集体の脱粒痕）の最大径を測定した
【００７８】なお，スキューネスＲskは表面粗さ測定器・フォームタリサーフS4C（テーラーボブソン社製）を用いて測定した。焼結助剤成分の凝集体およびポアの存在形態については，鏡面加工面の任意の3箇所をＳＥＭおよびＥＰＭＡにて観察し，これらの観察結果から大きさ10μm以上の凝集体およびポアの単位面積（100×100μm）当りの存在数，さらに大きさ10μm未満の凝集体およびポアの単位面積（100×100μm）当りの存在比率（面積比）を，それぞれ平均値として求めた。ポアの最大径については，鏡面加工面の任意の3箇所について測定し，そのうちの最大径の大きさで示した。」
・【００７９】の【表６】から，
実施例１５によって得た，ＡｌＮ焼結体の平均結晶粒径が３μｍ，熱伝導率が，170W/m K，であり，砥石番数が＃325のダイヤモンド砥石による中仕上げ加工（第１の加工工程），及び，砥石番数が＃600の鏡面加工（第２の加工工程）後の表面のＲａが，0.05μｍ以下であることが読み取れる
・【００８０】の【表７】から，
実施例１５によって得た，ＡｌＮ基板の鏡面加工面に存在する，大きさ１０μｍ以上の単位面積当たりの焼結助剤成分の凝集体およびポアの数が２であり，鏡面加工面のスキューネスＲsk，が0であり，ＡｌＮ結晶粒の脱粒痕の大きさ（最大）が15μｍであることが読み取れる
・「【００８１】表６および表７に示したように，実施例１５〜１９による各ＡｌＮ基板は，いずれも160W/m K以上の熱伝導率を有すると共に，鏡面加工面のスキューネスＲskが0以上1以下という値を示している。このような表面状態に基づいて，ＡｌＮ結晶粒の脱粒痕の最大値が小さいことが分かる。このことはＡｌＮ結晶粒の脱粒が抑制されていることを示す。
【００８２】一方，比較例１０のＡｌＮ基板は，ＡｌＮ結晶粒の平均粒径が大きいことに加えて，表面に10μmを超える焼結助剤成分の凝集体やポアが多く存在していることから，鏡面加工面のスキューネスＲskがマイナスの値を示しており，さらにＡｌＮ結晶粒の脱粒痕も大きい。また，比較例１１においては，鏡面加工面のスキューネスＲskやＡｌＮ結晶粒の脱粒痕は比較的良好な値を示しているものの，ＡｌＮ結晶粒の平均粒径が小さすぎることから熱伝導率が小さい。」
・「【００８３】実施例２０〜２４，比較例１３〜１５
　上述した実施例１５〜１９および比較例１０〜１２による各ＡｌＮ基板を用いて，それぞれ鏡面加工面（比較例１２のＡｌＮ基板についてはダイヤモンド砥石による加工面）上に，Ｔｉ膜（厚さ100nm）／Ｐｔ膜（厚さ200nm）／Ａｕ膜（厚さ500nm）構造の金属薄膜をスパッタ法により成膜した。このようにしてそれぞれ薄膜基板を作製した。
【００８４】このようにして得た各薄膜基板について，金属薄膜（厚さ約800nmの多層膜）のピール強度を測定した。ピール強度はスコッチテープ法により測定した。具体的には，薄膜回路の面積より広いスコッチテープ（住友スリーエム社製）を貼り，テープを一気に剥がした際に残存する薄膜回路の面積比（残存面積率＝（試験後の残存面積／試験前の面積）×100％）を測定した。また，同様にして作製した各薄膜回路基板をホットプレート上にて450℃×10分の条件で加熱し，その際の金属薄膜の膨れの有無を調べた。これらの測定結果を表８に示す。」
・【００８５】の【表８】から，実施例１５のＡｌＮ基板を用いた実施例２０の，ピール試験結果が５０％であって，比較例１３ないし１５の５ないし２５％よりも優れた数値であり，また，加熱試験後の膨れがないことが読み取れる。
・「【００８６】表８から明らかなように，実施例２０〜２４の各薄膜基板は，いずれも薄膜回路の密着性に優れ，また加熱した際に膨れなどが生じることもなく，マイクロ波集積回路用基板やレーザダイオード用サブマウント基板に好適であることが分かる。さらに，実施例２０〜２４の各薄膜基板は，ＡｌＮ基板の薄膜形成面の表面粗さＲaが実施例１〜９のＡｌＮ基板に比べて小さいことから，金属薄膜による回路の形成精度がより一層優れるものであった。」
  
（２）そして，上記【００６０】ないし【００８６】に記載された各「実施例」は，引用例１の特許請求の範囲に記載された発明の実施例であるから，引用例１の「【特許請求の範囲】」の「【請求項１】　焼結助剤成分として希土類酸化物を含む窒化アルミニウム焼結体を具備する窒化アルミニウム基板であって，前記窒化アルミニウム基板は算術平均粗さＲaが0.5μm以下となるように加工された表面を有し，かつ前記
加工表面に存在する前記焼結助剤成分の凝集体の大きさが20μm以下である
窒化アルミニウム基板の前記加工表面に形成された金属薄膜とを具備する
　そうすると，上記の記載に照らして，引用例１には，引用例１の特許請求の範囲に記載された発明の実施例１５として，以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「加工表面に金属薄膜を形成させるための基板材料としてのＡｌＮ基材であって，
　焼結助剤として純度99％，平均粒子径が1.0μmのＹ2Ｏ3粉末を用意し，このＹ2Ｏ3粉末を有機溶媒（エタノール）中に投入して撹拌し，
　一方，平均粒子径が0.8μmで，不純物酸素量が0.8質量％のＡｌＮ粉末に，適量の有機バインダと溶媒などを加えて混合してスラリー状とし，
　上記したＹ2Ｏ3粉末の分散体をＡｌＮスラリーに，Ｙ2Ｏ3の配合量が5質量％となるように添加し，これをさらにボールミルで24時間混合した原料スラリーをドクターブレード法により板状に成形し，
　このＡｌＮ成形体を600〜800℃の温度で脱脂し，
　この脱脂後のＡｌＮ成形体を高純度ＡｌＮ（純度99.9質量％以上）製の密閉型焼成容器中に配置し，このような焼成容器をカーボン製円筒部材中に入れた状態で焼成炉内に配置し，焼成して得た，ＡｌＮ焼結体に，
　砥石番数が＃325のダイヤモンド砥石による中仕上げ加工と，砥石番数が＃600の鏡面加工を施して作製したＡｌＮ基板（厚さ0.635mm）であって，
　ＡｌＮ焼結体の平均結晶粒径が３μｍ，熱伝導率が，170W/m K，ＡｌＮ基板の鏡面加工面に存在する，大きさ１０μｍ以上であって２０μｍ以下の単位面積当たりの焼結助剤成分の凝集体およびポアの数が２であり，鏡面加工面のスキューネスＲsk，が0であり，ＡｌＮ結晶粒の脱粒痕の大きさ（最大）が15μｍであり，表面のＲａが，0.05μｍ以下である，金属薄膜形成用ＡｌＮ基材。」
（３）当審拒絶理由で，「引用文献２」として引用した，本願の優先権主張の日前に外国において頒布された刊行物である国際公開２００４／００５２１６号（以下「引用例２」という。）には，「薄膜形成用基板，薄膜基板，光導波路，発光素子，及び発光素子搭載用基板」（発明の名称）に関して，図面とともに以下の記載がある。
・「発明の開示
　本発明は上記に示したような課題を解決するためになされたものである。本発明者は
窒化ガリウム
を主成分とする単結晶薄膜を形成するための基板として
特に窒化アルミニウムを主成分とする焼結体からなる基板を用いることで窒化ガリウム
を主成分とするより結晶性に優れた単結晶薄膜が直接形成できることを見出し
今回
窒化アルミニウム
を主成分とする焼結体には無定形薄膜，多結晶薄膜，配向性多結晶薄膜など必ずしもエピタキシャル成長した単結晶薄膜ではない窒化ガリウム
を主成分とする薄膜であっても直接形成できることを見出した
　このように本発明において
窒化アルミニウムを主成分とする焼結体は窒化ガリウム
を主成分とする結晶性に優れた単結晶薄膜を形成できることが見出され
窒化アルミニウムを主成分とする焼結体を用いることで上記窒化ガリウム
を主成分とする結晶性に優れた単結晶薄膜を形成した薄膜基板が得られることが見出された
　上記の薄膜を形成していない窒化アルミニウムを主成分とする焼結体，及び
上記窒化アルミニウムを主成分とする焼結体に窒化ガリウム
を主成分とする薄膜が形成された薄膜基板を用いることで従来からのサファイア基板を用いて作製される発光素子と比較して少なくとも同等以上，最大４〜５倍以上の発光効率を有する発光素子が製造できる
・「・・・すなわち
焼結体の場合例えば外形０．０１ｍｍ〜１０００ｍｍ
程度のものは容易に作製できる
　また本発明において
窒化アルミニウムを主成分とする焼結体に形成された窒化ガリウム
を主成分とする単結晶，無定形，多結晶，配向性多結晶など各種結晶状態の薄膜と窒化アルミニウムを主成分とする焼結体とは強固に接合し
形成された薄膜内のクラックや該薄膜と窒化アルミニウムを主成分とする焼結体との接合界面での剥離などは見られない
・「実施例２
  次に，
窒化アルミニウムを主成分とする焼結体からなる基板上に直接形成される窒化ガリウム
　
このようにして得られた各種基板を用い
ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相分解）装置を用いた方法により窒化ガリウム
を主成分とする薄膜を基板表面に形成した
　４　当審の判断
（１）対比 
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
　ア　「結晶成長」は，「薄膜形成」の一態様といえる。また，引用発明１の「ＡｌＮ」は，「窒化アルミニウム」のことであり，さらに，引用発明１のＡｌＮ基板の「平均結晶粒径が３μｍ」であることから，引用発明１の「ＡｌＮ基板」は，多結晶基材といえる。
　そうすると，引用発明１の「加工表面に金属薄膜を形成させるための基板材料としてのＡｌＮ基材」と，本願発明１の「ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮベース半導体を結晶成長させるための基板材料としての多結晶窒化アルミニウム基材」とは，以下の相違点１ないし６を除いて，「薄膜を形成させるための基板材料としての多結晶窒化アルミニウム基材」である点で一致する。
　イ　引用発明１は，「ＡｌＮ焼結体の平均結晶粒径が３μｍ」というものであるから，「窒化アルミニウム結晶」を含むことは明らかである。そして，複数の「窒化アルミニウム結晶」がある場合に，引用例１の【０００７】に，「従来の窒化アルミニウム焼結体においては，鏡面加工時や酸洗い時に焼結体表面に存在する粒界相成分の脱落や溶解などが生じやすく」と記載されていることからも明らかなように，隣接する「窒化アルミニウム結晶」の間には「粒界相」が存在するといえる。したがって，引用発明１は，「窒化アルミニウム結晶と粒界相とを含んでな」るものといえる。
　したがって，上記の対応関係から，本願発明１と引用発明１との一致点及び相違点は，次のとおりといえる。
＜一致点＞
「薄膜を形成させるための基板材料としての多結晶窒化アルミニウム基材であって，
　前記多結晶窒化アルミニウム基材は，窒化アルミニウム粉末に焼結助剤として３〜５質量％のＹ２Ｏ３を添加して焼結したものであり，
　熱伝導率１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり，
　前記多結晶窒化アルミニウム基材が，窒化アルミニウム結晶と粒界相とを含んでなり，前記窒化アルミニウム結晶粒子の平均粒径が７μｍ以下であり，
　基板表面のスキューネス（Ｒｓｋ）が，＋０．１〜−０．２の範囲である薄膜形成用多結晶窒化アルミニウム基材。」
＜相違点＞
・相違点１：本願発明１の「多結晶窒化アルミニウム基材」が，「ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮベース半導体を結晶成長させるため」のものである，「ＧａＮベース半導体結晶成長用」多結晶窒化アルミニウム基材であるのに対して，引用発明１の「ＡｌＮ基材」が，「加工表面に金属薄膜を形成させるため」のものである，「金属薄膜形成用」ＡｌＮ基材である点。
・相違点２：本願発明１の多結晶窒化アルミニウム基材は，「基板表面に最大径２００μｍを超える凹部がなく，前記凹部の最大径が３９μｍ以下であ」るのに対して，引用発明１は，「『ＡｌＮ基板の鏡面加工面に存在する，大きさ１０μｍ以上であって２０μｍ以下の単位面積当たりの焼結助剤成分の凝集体およびポアの数が２であり』『ＡｌＮ結晶粒の脱粒痕の大きさ（最大）が15μｍであ』」る点。
・相違点３：本願発明１が，「前記焼結助剤は前記焼結により，Ｙ，Ｙ２Ｏ３およびＹ−Ａｌ−Ｏ化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種以上を含む焼結助剤成分として，前記多結晶窒化アルミニウム基材中に含まれ」るのに対して，引用発明１では特定されていない点。
・相違点４：本願発明１が，「前記凹部が，ポア，ＡｌＮ結晶粒子の脱粒，および焼結助剤成分の脱粒からなる群から選択されるいずれか１種であ」るのに対して，引用発明１では特定されていない点。
・相違点５：本願発明１が，「前記多結晶窒化アルミニウム基材の表面粗さ（Ｒａ）が０．０１μｍ以下であ」るのに対して，引用発明１では，「表面のＲａが，0.05μｍ以下」とされている点。
・相違点６：本願発明１が，「前記基板の直径が５０ｍｍ以上であ」るのに対して，引用発明１では特定されていない点。
（２）判断
・相違点１について
　本願発明１は，「ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮベース半導体を結晶成長させるための基板材料としての多結晶窒化アルミニウム基材であって」・・・「ＧａＮベース半導体結晶成長用多結晶窒化アルミニウム基材。」というものである。
　そうすると，本願発明１は，「多結晶窒化アルミニウム基材」という「物」に，「ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮベース半導体を結晶成長させるための基板材料としての」という用途限定を付した発明であると解される。
　しかしながら，明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識を考慮しても，本願発明１の「ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮベース半導体を結晶成長させるための基板材料としての」という用途限定が，その用途に特に適した，多結晶窒化アルミニウム基材の構造等を意味しているものとは理解することができない。
　したがって，「ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮベース半導体を結晶成長させるための基板材料としての」という特定は，「多結晶窒化アルミニウム基材」という「物」に係る発明を特定するための意味を有するとは認められないから，相違点１は実質的なものとはいえない。
　なお，仮に，「ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮベース半導体を結晶成長させるための基板材料としての」という用途限定が，実質的な相違点であったとしても，ＡｌＮ焼結体からなる基板上に，ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮベース半導体を結晶成長させることは，引用例２の上記摘記箇所にも記載されているように周知技術であるから，引用例２の上記記載に接した当業者であれば，引用発明１のＡｌＮ基材を，ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮベース半導体を結晶成長させるための基板材料として用いることは，当業者が容易に想到し得たことである。また，その効果も当業者が予測する範囲内のものである。
  
・相違点２について
　ア　引用発明１は，「ＡｌＮ基板の鏡面加工面に存在する，大きさ１０μｍ以上であって２０μｍ以下の単位面積当たりの焼結助剤成分の凝集体およびポアの数が２であり」「ＡｌＮ結晶粒の脱粒痕の大きさ（最大）が15μｍであり」というものである。
　そして，鏡面加工面に存在する，大きさ１０μｍ以上であって２０μｍ以下の単位面積当たりの焼結助剤成分の凝集体およびポアの数が２であり，ＡｌＮ結晶粒の脱粒痕の大きさ（最大）が15μｍであると文献に記載されている場合に，前記２つの凝集体およびポア，あるいは，ＡｌＮ結晶粒の脱粒痕は，互いに離隔して存在すると理解することが自然といえる。
　すなわち，仮に，ＡｌＮ基板の鏡面加工面に，大きさ「ａ」のポアと，大きさ「ｂ」のポアが，連続して存在することで，大きさ「ａ＋ｂ」のポアが観察される場合には，大きさ「ａ＋ｂ」のポアが１つ存在すると計上することが通常の集計方法であると認められる。
　そうすると，引用例１には，凹部の最大径が２０μｍ以下の凝集体およびポアと，凹部の最大径が１５μｍのＡｌＮ結晶粒の脱粒痕が存在するといえるから，上記相違点２は，実質的なものではない。
　
　イ　また，仮に，相違点２が実質的なものであったとしても，以下の理由から，引用発明１において，相違点２について，本願発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことと認められる。
　すなわち，引用例１には，「これらは比較的大きな凹部の発生原因となる。このような凹部を有する基板表面に薄膜を形成すると，薄膜と基板との間に空隙が生じてしまう。窒化アルミニウム基板と薄膜との間の空隙は，その後の製造工程や回路使用時に印加される熱により膨れを生じさせ，回路精度の低下や薄膜の剥がれの原因となる。」（【０００７】），「本発明はこのような課題に対処するためになされたもので，窒化アルミニウム基板の高放熱特性を活かした上で，各種回路の形成などに使用される金属薄膜との密着性や薄膜形成精度などを高めることを可能にした窒化アルミニウム基板を提供することを目的としており，さらにそのような窒化アルミニウム基板を用いることによって，信頼性や動作特性などの向上を図った薄膜基板とその製造方法を提供することを目的としている。」（【００１０】），「【課題を解決するための手段】本発明の窒化アルミニウム基板は，請求項１に記載したように，焼結助剤成分として希土類酸化物を含む窒化アルミニウム焼結体を具備する窒化アルミニウム基板であって，前記窒化アルミニウム基板は算術平均粗さＲaが0.5μm以下となるように加工された表面を有し，かつ前記加工表面に存在する前記焼結助剤成分の凝集体の大きさが20μm以下であると共に，前記加工表面の単位面積当りに占める前記凝集体の面積の総和が5％以下であることを特徴している。本発明の窒化アルミニウム基板は，さらに請求項２に記載したように，前記窒化アルミニウム焼結体が平均粒径が3〜5μmの範囲で，かつ粒径分布の標準偏差が2μm以下の窒化アルミニウム結晶粒を有することを特徴としている。本発明の窒化アルミニウム基板は，加工後の基板表面（加工表面）に存在する焼結助剤成分の凝集体の大きさ，並びに凝集体の面積の総和を所定の範囲内に制御している。ここで，窒化アルミニウム焼結体を薄膜形成用基板として使用する場合には，その表面（薄膜形成面）を鏡面加工する必要があり，さらに酸洗いを施すことが有効である。従って，窒化アルミニウム焼結体の表面に析出する焼結助剤成分の凝集体の大きさや面積の総和を低減することによって，鏡面加工工程や酸洗い工程における焼結助剤成分の凝集体の脱落や溶解に起因する凹部（陥没部）の発生を抑制することができる。特に，酸洗い工程時に焼結助剤成分の凝集体が溶解することで発生する凹部を大幅に抑制することが可能となる。これによって，窒化アルミニウム基板の表面にスパッタ法や蒸着法などのＰＶＤ法で金属薄膜を形成した際に，金属薄膜の密着性や形成精度などを大幅に高めることができる。」（【００１１】〜【００１４】），及び，「上述したように，焼結助剤成分の凝集体４の大きさや凝集体の面積の総和を低減したＡｌＮ基板１の加工表面１ａ上に金属薄膜２を形成することによって，その密着性並びに形成精度を大幅に高めることが可能となる。特に，基板表面の凹部が原因となって生じる，金属薄膜２の膜厚の不均一化やＡｌＮ基板１と金属薄膜２との間の空隙などが抑制できることから，金属薄膜２による回路の精度や信頼性を大幅に高めることが可能となる。なお，ＡｌＮ基板１は薄膜形成面が所定の構成を有していれば所期の効果を得ることができる。」（【００５８】）ことが記載��れている。
　そうすると，上記記載から，引用発明１は，比較的大きな凹部を有する基板表面に薄膜を形成すると，薄膜と基板との間に空隙が生じ，窒化アルミニウム基板と薄膜との間の当該空隙は，その後の製造工程や回路使用時に印加される熱により膨れを生じさせ，回路精度の低下や薄膜の剥がれの原因となるとの知見に基づく発明であって，窒化アルミニウム基板の薄膜形成面の，算術平均粗さＲa，加工表面に存在する前記焼結助剤成分の凝集体の大きさ，窒化アルミニウム焼結体の平均粒径等の構成を所定のものとすることで，凹部（陥没部）の発生を抑制して，薄膜の密着性や形成精度などを大幅に高めた発明であると認められる。
　ウ　一方，引用発明１は，「ＡｌＮ基板の鏡面加工面に存在する，大きさ１０μｍ以上であって２０μｍ以下の単位面積当たりの焼結助剤成分の凝集体およびポアの数が２であり」「ＡｌＮ結晶粒の脱粒痕の大きさ（最大）が15μｍであり」というものである。
　そして，引用発明１において，凝集体およびポア，ＡｌＮ結晶粒の脱粒痕によって形成される凹部の大きさが大きい場合には，上記イに照らして，当該凹部によって窒化アルミニウム基板と薄膜との間に空隙が形成され，当該空隙が，その後の製造工程や回路使用時に印加される熱により膨れを生じさせ，回路精度の低下や薄膜の剥がれの原因となることは，当業者であれば直ちに理解することである。
　
　エ　そうすると，引用発明１において，凹部の最大径が小さいことが望まれていることは明らかであるから，凝集体およびポア，ＡｌＮ結晶粒の脱粒痕が連続して存在することで，これらの凹部の大きさが合計されてより大きな値を示す場合に，当該凹部の最大径が小さいものとなるように，引用発明１で特定される製造条件等を修正して，例えば，「基板表面に最大径２００μｍを超える凹部がなく，前記凹部の最大径が３９μｍ以下であ」るものとすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
　オ　そして，本願明細書の【表１】，【表２】及び【表３】には，
・「基板表面粗さＲａ（μｍ）」が「０．０２」であり，「基板表面の凹部の最大径（μｍ）」が「４６」である，「参考例３（実施例３）」を用いた「実施例３Ａ」の「膜はがれの有無」が，「○」であり，
・「基板表面粗さＲａ（μｍ）」が「０．０５」であり，「基板表面の凹部の最大径（μｍ）」が「８６」である，「参考例２（実施例２）」を用いた「実施例２Ａ」の「膜はがれの有無」が「△」であることが示されている。
　そうすると，「凹部の最大径」が３９μｍを超えても，少なくとも，「凹部の最大径」が，４６μｍまでは，膜はがれが無いといえるから，凹部の最大径の「３９μｍ以下」という数値限定に臨界的な意義を認めることはできない。
　したがって，引用発明１において，相違点２について，本願発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
　なお，審判請求人は，平成２９年５月２３日に提出した意見書において，以下のように主張する。
・「引例１の例えば表７の実施例１５を見ますと，「焼結助剤成分の凝集体とポア」の欄の「大きさ１０μｍ以上の単位面積当たり数（個）」が２となっております。また，引例１の段落［００２６］には，焼結助剤成分の凝集体４の大きさを２０μｍ以下に制御することが記載されており，この記載から凝集体の最大サイズは２０μｍであると仮定できます。そうすると，ポアの大きさは２０μｍ×２＝４０μｍになります。また，表７の実施例１５には，「ＡＩＮ結晶粒の脱粒痕の大きさ（最大）」が１５μｍであることが記載されております。凝集体の脱落に起因するポアと脱粒痕の位置が近くにあると，両者に起因する凹部の大きさは４０μｍ＋１５μｍ＝５５μｍとなります。」
　しかしながら，引用例１の記載，及び，技術常識に照らして，引用例１の実施例１５における，前記２つの，大きさ１０μｍ以上であって２０μｍ以下の焼結助剤成分の凝集体およびポアが，いずれも「大きさ１０μｍ以上であって２０μｍ以下」という数値範囲の上限である２０μｍであって，さらに，これら２つのポア等が当該ポア等の長軸方向に連続して一列に存在するものであり，その結果として，引用例１の実施例１５が，「２０μｍ×２＝４０μｍ」のポアを有するものであったとすることは不自然であるから，そのように理解することはできない。
　また，仮に，引用例１の実施例１５の凹部の最大径が，審判請求人の主張するように，４０μｍ，あるいは，５５μｍであったとしても，引用発明１は，「凹部（陥没部）の発生を抑制すること」によって，薄膜を形成した際の「密着性や形成精度などを大幅に高めること」を目的とした発明であるから，前記凹部の大きさをより小さく，例えば，「基板表面に最大径２００μｍを超える凹部がなく，前記凹部の最大径が３９μｍ以下であ」るものとすることは当業者が適宜なし得たことである。
　したがって，審判請求人の主張は採用することができない。
・相違点３について
　引用発明１のＡｌＮ基材は，焼結助剤として純度99％，平均粒子径が1.0μmのＹ2Ｏ3粉末を，配合量が5質量％となるように添加して，焼成して得たものである。
　そして，引用例１の上記【００２８】には「ここで，ＡｌＮ基板１の加工表面１ａに存在する焼結助剤成分の凝集体４は，加工表面１ａを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したり，あるいは加工表面１ａの元素分布を電子線プローブマイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）で調べることにより確認することができる。焼結助剤成分の凝集体４は，ＡｌＮ結晶粒５間に存在する粒界相とは存在形態が明らかに異なるものであり，ＳＥＭやＥＰＭＡにより確認することができる。例えば，焼結助剤としてＹ2Ｏ3を使用した場合，Ｙ2Ｏ3を含む化合物（例えばＹ−Ａｌ−Ｏ（−Ｎ）系の化合物）の凝集体４をＥＰＭＡで確認すると，Ｙの濃度比が粒界相より濃く検出される。ＳＥＭ像においても，Ｙ2Ｏ3を含む化合物の凝集体４はＡｌＮ結晶粒５間に存在する粒界相とは異なる濃度で写し出される。」と記載されている。
　してみれば，引用発明１は，「前記焼結助剤は前記焼結により，Ｙ，Ｙ２Ｏ３およびＹ−Ａｌ−Ｏ化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種以上を含む焼結助剤成分として，前記多結晶窒化アルミニウム基材中に含まれ」るものと理解されるから，相違点３は，実質的なものではない。
・相違点４について
　引用例１の，「表面に析出した粒界相成分や窒化アルミニウム結晶粒が脱落したり，また酸洗い時に粒界相成分の溶解などが生じやすい。これらは比較的大きな凹部の発生原因となる。」（【０００７】），「主として焼結助剤成分の凝集体の脱落やＡｌＮ結晶粒の脱粒などにより基板表面に形成されるポアが多数発生していることを示す。なお，基板表面に形成されるポアは，研磨加工時に発生する脱粒痕のみではなく，基板表面に形成されたＡｌＮ結晶粒などの欠落した部分を含むものである。」（【００３６】），及び，「ポア（ＡｌＮ結晶粒および凝集体の脱粒痕）の最大径を測定した。」（【００７７】）との記載から，引用例１において，凹部は，「ポア」，「ＡｌＮ結晶粒子の脱粒」，及び，「焼結助剤成分の（凝集体の）脱粒」からなる群から選択されるいずれか１種であることを想定しているものと理解される。したがって，相違点４は，実質的なものではない。
　
・相違点５について
　引用例１の上記「【００３３】薄膜形成面となるＡｌＮ基板１の表面１ａは，上述したように表面粗さが少なくとも算術平均粗さＲaで0.5μm以下となるように加工される。基板表面１ａの薄膜形成面としての特性をより一層高める上で，ＡｌＮ基板１の表面１ａはＲaが0.05μm以下となるように鏡面加工することが好ましい。Ｒaを0.05μm以下とした鏡面加工面によれば，金属薄膜２の形成精度や密着性をさらに高めることができる。」との記載に照らして，引用発明１のＲａは，小さいほど望ましいことが理解されるから，引用発明１において，薄膜の形成精度や密着性の必要度に応じて，基板表面の薄膜形成面としての特性をより一層高めるために，Ｒａの値をさらに小さく設定して，例えば，表面粗さ（Ｒａ）が０．０１μｍ以下となるようにすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　なお，本願明細書の【表１】，【表２】及び【表３】には，
・「基板表面粗さＲａ（μｍ）」が「０．０２」であり，「基板表面の凹部の最大径（μｍ）」が「４６」である，「参考例３（実施例３）」を用いた「実施例３Ａ」の「膜はがれの有無」が，「○」であり，
・「基板表面粗さＲａ（μｍ）」が「０．０５」であり，「基板表面の凹部の最大径（μｍ）」が「８６」である，「参考例２（実施例２）」を用いた「実施例２Ａ」の「膜はがれの有無」が「△」であることが示されている。
　そうすると，「表面粗さ（Ｒａ）」が０．０１μｍを超えても，少なくとも，「表面粗さ（Ｒａ）」が，０．０２μｍまでは，膜はがれが無いといえるから，表面粗さ（Ｒａ）の「０．０１μｍ以下」という数値限定に臨界的な意義を認めることはできない。
　したがって，引用発明１において，相違点５について，本願発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
・相違点６について
　引用発明１は，平均粒子径が０．８μｍのＡｌＮ粉末と，焼結助剤として５質量％のＹ2Ｏ3粉末を原料として，ドクターブレード法により板状に成形し，焼成するものである。
　一方，窒化アルミニウムを主成分とする焼結体を用いることで作製される基板として，外形が１０００ｍｍ程度までのものが容易に作製できることは引用例２の第２３ページ第６−７行に記載されているように周知である。
　そして，引用発明１の前記ドクターブレード法による成形に際して，基板の直径が５０ｍｍ以上となるように成形することに格別の困難は認められない。 
　したがって，引用発明１において，相違点６について，本願発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
・効果について
　引用発明１において，相違点１ないし６について，本願発明１の構成を採用したことによる効果は，当業者が予測する範囲内のものであり，格別のものとは認められない。
（３）判断についてのまとめ 
　以上のとおりであるから，本願発明１は，引用例１及び２に記載された発明から容易に発明をすることができたものである。
　したがって，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　５　むすび 
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　よって，結論のとおり審決する。