【事件の表示】
　特願２０１１−２１３１１５「化合物半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　４月２２日出願公開、特開２０１３−　７４１８８、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２３年９月２８日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２６年　６月　３日　審査請求
平成２７年　３月２４日　拒絶理由通知
平成２７年　５月２７日　意見書・補正書
平成２８年　３月　７日　拒絶査定（以下、「原査定」という。）
平成２８年　５月１３日　審判請求・補正書
平成２８年　９月　１日　上申書
平成２９年　６月２２日　拒絶理由通知（以下、「当審拒絶理由通知」という。）
平成２９年　８月　９日　意見書・補正書
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
１．（新規性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
２．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
●理由１（特許法第２９条第１項第３号）及び●理由２（特許法第２９条第２項）について
・請求項１，４，７
・引用文献等２
　引用文献２（特に段落００２２〜００２５、図１〜２参照）には、「基板１１」と、「基板１１」上方に形成された「ＧａＮからなるバッファ層１３」と、「バッファ層１３」上に形成された「Ｉｎ組成が０．２５のＩｎＡｌＮからなる第１の層１４」と「Ｉｎ組成が０．１５のＩｎＡｌＮからなる第２の層１５」とで構成される「バリア層１６」と、「バリア層１６」の「第２の層１５」上に形成された「ソース電極１７」及び「ドレイン電極１８」と、「第２の層１５」が除去された部分の「第１の層１４」上に形成された「ゲート電極１９」とを有する「ヘテロ接合型電界効果トランジスタ」が記載されている。
　引用文献２に記載された「ヘテロ接合型電界効果トランジスタ」は、「第１の層１４」と「第２の層１５」とで構成される「バリア層１６」（本願発明の「電子供給層として機能するＩｎ含有層を含む窒化物半導体層」に相当）の表面のＩｎ組成が、「ゲート電極１９」の下方では「０．２５」であり、「ゲート電極１９」と「ソース電極１７」の間に位置する領域及び「ゲート電極１９」と「ドレイン電極１８」の間に位置する領域において「０．１５」である。
　したがって、引用文献２に記載された「ヘテロ接合型電界効果トランジスタ」においても、本願発明のように「前記窒化物半導体層の表面のＩｎ組成は、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間に位置する領域及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に位置する領域において、前記ゲート電極の下方よりも低くなっている」と言える。
　したがって、本願請求項１，４，７に係る発明と引用文献２に記載された発明との間に差異はなく、本願請求項１，４，７に係る発明と引用文献２に記載された発明は同一である。仮に、本願請求項１，４，７に係る発明と引用文献２に記載された発明が同一でないとしても、本願請求項１，４，７に係る発明は、引用文献２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　なお、出願人は意見書において、引用文献１に記載された発明との差異を主張しているが、上記拒絶理由通知書では、補正後の請求項１に対応する補正前の請求項３に対して、引用文献１を用いておらず、引用文献２を用いているから、出願人の主張は当を得ていない。
●理由２（特許法第２９条第２項）について
・請求項５〜６
・引用文献等２〜３
　引用文献２に記載されたトランジスタを用いて、引用文献３の図７に記載されたような電源装置や、図８に記載されたような増幅器を構成することは、当業者が容易になし得たことである。
＜拒絶の理由を発見しない請求項＞
　平成２７年５月２７日付け手続補正書による補正後の請求項２〜３，８〜９に係る発明については、現時点では、拒絶の理由を発見しない。
＜引用文献等一覧＞
１.特開２０１０−０７４０４７号公報
（平成２７年３月２４日付け拒絶理由通知における提示のみ）
２.特開２００７−１５８１４３号公報
３.特開２０１１−１７１５９５号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は次のとおりである。
（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　　 
 　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） 
・請求項　１，４〜７ 
・引用文献　１，２ 
・備考 
　引用文献１の，特に図４には，「第２の化合物半導体層２２」のＡｌの組成比が，「ゲート電極５」に対応する領域において低く設定され，「第２の主電極４」及び「第１の主電極３」側において高く設定された「ＨＥＭＴ１」が第３の実施の形態として記載されている。また，【００５７】には，図４に対応する「第３の実施の形態に係るＨＥＭＴ１は，前述の第１の実施の形態の第１の変形例及び第２の変形例に係るＨＥＭＴ１と同様に化合物半導体機能層２の積層構造の材料を変えることができる。」と記載され，【００３７】には，「第２の化合物半導体層２２」として，「ＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２」（請求項４において，ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０＜ｘ≦１，０≦ｙ＜１，ｘ＋ｙ≦１）のｘ＋ｙ＝１の場合に相当）を採用し得ることが記載されている。 
　以上の記載事項から，引用文献１には，「第１の化合物半導体層２１」上方の「ＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２」のＡｌの組成比が，「ゲート電極５」に対応する領域において低く設定され，「第２の主電極４」及び「第１の主電極３」側において高く設定された「ＨＥＭＴ１」が記載されており，これをＩｎ含有という視点からみると，「第１の化合物半導体層２１」（請求項１，７において「電子走行層」に相当）上方に膜厚が一定で形成された「ＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２」（請求項１，７において「電子供給層として機能するＩｎ含有層を含む窒化物半導体層」に相当）のＩｎの組成比が，「ゲート電極５」に対応する領域において高く設定され，「第２の主電極４」（請求項１，７において「ドレイン電極」に相当）及び「第１の主電極３」（請求項１，７において「ソース電極」に相当）側において低く設定された「ＨＥＭＴ１」（請求項１において，「化合物半導体装置」に対応）およびその製造方法（請求項７において，「化合物半導体装置の製造方法」に相当）が記載されている。 
　また，ＨＥＭＴを形成する際，一般に半導体基板を用いることは慣用手段である。 
　したがって，請求項１，４，７に係る発明は，引用文献１に記載された発明及び前記慣用手段に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。 
  
　また，引用文献２の，特に，図７には，ＨＥＭＴを用いた電源装置（請求項５において「電源装置」に相当），図８には高周波増幅器（請求項６において「高出力増幅器」に対応）が開示されており，引用文献１に記載されたＨＥＭＴを引用文献２に開示された電源装置や増幅器として用いる事に格別な困難性は認められない。 
　したがって，請求項５，６に係る発明は，引用文献１及び引用文献２に記載された発明及び前記慣用手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。 
  
 ＜拒絶の理由を発見しない請求項＞ 
　請求項２，３，８，９に係る発明については，現時点では，拒絶の理由を発見しない。拒絶の理由が新たに発見された場合には拒絶の理由が通知される。 
  
 ＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１０−５６１３７号公報 
２．特開２０１１−１７１５９５号公報 （原審の引用文献３と同じ）
第４　本願発明
　本願請求項１ないし７に係る発明（以下、「本願発明１」ないし「本願発明７という。）は、平成２９年８月９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１ないし本願発明７は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　基板と、
　前記基板上方に形成された化合物半導体積層構造と、
　前記化合物半導体積層構造上方に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、
を有し、
　前記化合物半導体積層構造は、
　電子走行層と、
　前記電子走行層上方に形成された電子供給層、及び前記電子供給層上方に形成されたＩｎ含有層を含む窒化物半導体層と、
を有し、
　前記窒化物半導体層の表面のＩｎ組成は、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間に位置する領域及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に位置する領域において、前記ゲート電極の下方よりも低くなっており、
　前記Ｉｎ含有層は、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に、表面に近づくほどＩｎ組成が小さくなるＩｎ脱離領域を有することを特徴とする化合物半導体装置。
【請求項２】
　基板と、
　前記基板上方に形成された化合物半導体積層構造と、
　前記化合物半導体積層構造上方に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、
を有し、
　前記化合物半導体積層構造は、
　電子走行層と、
　前記電子走行層上方に形成された電子供給層として機能するＩｎ含有層を含む窒化物半導体層と、を有し、
　前記窒化物半導体層の表面のＩｎ組成は、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間に位置する領域及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に位置する領域において、前記ゲート電極の下方よりも低くなっており、
　前記Ｉｎ含有層は、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に、表面に近づくほどＩｎ組成が小さくなるＩｎ脱離領域を有することを特徴とする化合物半導体装置。
【請求項３】
　前記窒化物半導体層の組成がＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦１）で表わされることを特徴とする請求項１又は２に記載の化合物半導体装置。
【請求項４】
　請求項１乃至３のいずれか１項に記載の化合物半導体装置を有することを特徴とする電源装置。
【請求項５】
　請求項１乃至３のいずれか１項に記載の化合物半導体装置を有することを特徴とする高出力増幅器。
【請求項６】
　基板上方に化合物半導体積層構造を形成する工程と、
　前記化合物半導体積層構造上方にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を有し、
　前記化合物半導体積層構造を形成する工程は、
　電子走行層を形成する工程と、
　前記電子走行層上方に電子供給層を含む窒化物半導体層を形成する工程と、
を有し、
　前記窒化物半導体層を形成する工程は、
　前記電子供給層上方にＩｎ含有層を形成する工程と、
　前記Ｉｎ含有層の、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間に位置する領域及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に位置する領域から、Ｉｎを脱離させる工程と、
を有し、
　前記窒化物半導体層の表面のＩｎ組成は、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間に位置する領域及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に位置する領域において、前記ゲート電極の下方よりも低くなっていることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
【請求項７】
　基板上方に化合物半導体積層構造を形成する工程と、
　前記化合物半導体積層構造上方にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を有し、
　前記化合物半導体積層構造を形成する工程は、
　電子走行層を形成する工程と、
　前記電子走行層上方に電子供給層を含む窒化物半導体層を形成する工程と、
を有し、
　前記窒化物半導体層を形成する工程は、前記電子供給層として機能するＩｎ含有層を形成する工程と、
　前記Ｉｎ含有層の、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間に位置する領域及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に位置する領域から、Ｉｎを脱離させる工程と、
　を有し、
　前記窒化物半導体層の表面のＩｎ組成は、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間に位置する領域及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に位置する領域において、前記ゲート電極の下方よりも低くなっていることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。」
第５　引用文献、引用発明等
１．原査定における引用文献２について
（１）原審引用文献２の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００７−１５８１４３号公報（以下、「原審引用文献２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線部は、当審で追加した。以下、同じ。）
　ア「【技術分野】
【０００１】
  本発明は
窒化物半導体からなるヘテロ接合型電界効果トランジスタ
　イ「【００２３】
　図１は本発明に係る
ヘテロ接合型電界効果トランジスタ
サファイアからなる基板１１上
バッファ層１３が形成され
バッファ層１３上に膜厚が２０ｎｍでありかつＩｎ組成が０．２５のＩｎＡｌＮからなる第１の層１４が形成され、第１の層１４上に膜厚が２０ｎｍでありかつＩｎ組成が０．１５のＩｎＡｌＮからなる第２の層１５が形成され、第１の層１４と第２の層１５とでバリア層１６が構成されている。また、バリア層１６の第２の層１５上にＡｌ／ＴｉまたはＴｉ／Ａｕからなるソース電極１７、ドレイン電極１８がオーミック接合により形成され、第２の層１５が除去され部分すなわち第１の層１４上にＮｉ／Ａｕからなるゲート電極１９が形成されている
　ウ「【００２５】
　図１に示した
ヘテロ接合型電界効果トランジスタにおいては、バッファ層１３上にＩｎ組成が０．２５のＩｎＡｌＮからなる第１の層１４が形成され、第１の層１４上にＩｎ組成が０．１５のＩｎＡｌＮからなる第２の層１５が形成され、さらにゲート電極１９が第１の層１４上に形成されたリセスゲート構造が形成されている
ゲート電極１９の直下では二次元電子ガス２０が低減され、他の部分には十分な二次元電子ガス２０が存在する理想的なノーマリーオフの電子状態を形成することができる
　エ　また、図１には、以下の事項が記載されている。
　「基板１１と基板１１の上方に形成されたＧａＮからなる核形成層１２と核形成層１２上に形成されたＧａＮからなるバッファ層１３と、バッファ層１３上に形成されたＩｎ組成が０．２５のＩｎＡｌＮからなる第１の層１４とＩｎ組成が０．１５のＩｎＡｌＮからなる第２の層１５と、で構成されるバリア層１６と、バリア層１６の第２の層１５上に形成されたソース電極１７およびドレイン電極１８と第２の層１５が除去された部分の第１の層１４上に形成されたゲート電極１９とを備えたヘテロ接合型電界効果トランジスタ。」
（２）原審引用発明２
　前記（１）の記載事項から、原審引用文献２には、次の発明（以下、「原審引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「基板と基板の上方に形成されたＧａＮからなる核形成層と核形成層上に形成されたＧａＮからなるバッファ層、バッファ層上に形成されたＩｎ組成が０．２５のＩｎＡｌＮからなる第１の層とＩｎ組成が０．１５のＩｎＡｌＮからなる第２の層と、で構成されるバリア層と、バリア層の第２の層１５に形成されたソース電極およびドレイン電極と第２の層が除去された部分の第１の層上に形成されたゲート電極とを備えたヘテロ接合型電界効果トランジスタ。」
２．原査定における引用文献３について
（１）原審引用文献３の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１１−１７１５９５号公報（以下、「原審引用文献３」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。なお、本文献は、当審の引用文献２と同じ文献である。
　ア「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、
窒化物半導体等の化合物半導体層を備えた化合物半導体装置
　イ「【００３２】
（第２の実施形態）
　本実施形態では、第１の実施形態による
ＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴを備えた電源装置
  図７は、第２の実施形態による電源装置の概略構成を示す結線図である。 」
　ウ「【００３６】
（第３の実施形態）
　本実施形態では、第１の実施形態による
ＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴを備えた高周波増幅器
　図８は、第３の実施形態による高周波増幅器の概略構成を示す結線図である。」
　エ　また、図７，８には、以下の事項が記載されている。
　「ＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴを備えた電源装置及び高周波増幅器。」
（２）原審引用発明３
　前記(１）の記載事項から、原審引用文献３には次の発明（以下、「原審引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
  
「ＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴを備えた電源装置及び高周波増幅器。」 
３．当審における引用文献１について
（１）当審引用文献１の記載事項
　当審拒絶理由通知の拒絶の理由に引用された特開２０１０−５６１３７号公報（以下、「当審引用文献１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　ア「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体装置に関し、特に
化合物半導体機能層を有する半導体装置に関する
　イ「【００３３】
［ＨＥＭＴの製造方法］
　特に図面を用いてその製造方法を説明しないが、前述の
ＨＥＭＴ１の第２の化合物半導体層２２はＭＯＣＶＤ法を用いて形成される。例えば、ＭＯＣＶＤ装置において、第１の化合物半導体層２１を形成した基板（ウェーハ）上でトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）の流量比を傾斜して供給する方法や、基板温度を傾斜させる制御を行う方法を用い、Ａｌの組成比が異なる第２の化合物半導体層２２を形成することができる
【００３４】
　また、
第２の化合物半導体層２２は、グレースケールマスク法やマスク後退法を利用し、二次元キャリアガスチャネル２３方向に組成比ｘ２が異なるようにＡｌを導入することにより形成できる。Ａｌの導入には例えばイオン注入法や固相拡散法を実用的に使用することができる
　ウ「【００３５】
［第１の実施の形態の特徴］
　以上説明したように、第１の実施の形態に係るＨＥＭＴ１においては、
化合物半導体機能層２に生成される二次元キャリアガスチャネル２３のキャリア密度及び電界強度Ｅをキャリア走行方向に変調することができる。この結果、ＨＥＭＴ１においては、第２の主電極４の近傍におけるホットエレクトロンの発生を減少することができ、電流コラプスの発生を抑制することができる。
【００３６】
［第１の変形例］
　第１の実施の形態の第１の変形例に係るＨＥＭＴ１は、化合物半導体機能層２の窒化物系半導体材料を代えた例を説明するものである。
【００３７】
　
第１の変形例に係るＨＥＭＴ１の化合物半導体機能層２は、ＩｎＧａＮからなる第１の化合物半導体層２１とＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２との積層構造、又はＧａＮからなる第１の化合物半導体層２１とＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２との積層構造により構成される。
　エ「【００５４】
［ＨＥＭＴの動作原理］
 
 図４に示すように、前述の第３の実施の形態に係るＨＥＭＴ１においては、第２の化合物半導体層２２の組成元素であるＡｌの組成比ｘ２が第１の主電極３側で高く、第１の主電極３側からゲート電極５側に向かう二次元キャリアガスチャネル２３方向に連続的に減少し、ゲート電極５に対応する領域において低く設定されている。そして、第２の化合物半導体層２２のＡｌの組成比ｘ２は、ゲート電極５側から第２の主電極４側に向かう二次元キャリアガスチャネル２３方向に連続的に増加し、第２の主電極４側で高く設定されている。つまり、第２の化合物半導体層２２のＡｌの組成比ｘ２は、第１の主電極３側及び第２の主電極４側とゲート電極５に対応する領域とでは異なり、ゲート電極５を中心として第１の主電極３側と第２の主電極４側とでほぼ対称となる。従って、ＨＥＭＴ１においては、第２の化合物半導体層２２の歪み、自発分極とピエゾ分極によって生じる電界強度Ｅ、二次元キャリアガスチャネル２３のキャリア密度が異なる。第２の化合物半導体層２２の第２の主電極４側において二次元キャリアガスチャネル２３のキャリア密度は、ゲート電極５に対応する領域の二次元キャリアガスチャネル２３のキャリア密度よりも高くなる。
【００５５】
　
また、図４に示すように、自発分極とピエゾ分極によって生じる電界強度Ｅは、第２の化合物半導体層２２の第２の主電極４側においてゲート電極５に対応する領域よりも高くなる。すなわち、第２の主電極４から第１の主電極３に向かう電界方向とは逆方向（キャリアの走行方向）に、自発分極とピエゾ分極に基づき電界強度Ｅを高くする（変調する）ことができる。従って、ＨＥＭＴ１においては、第２の主電極（ドレイン電極）４の近傍の二次元キャリアガスチャネル２３のキャリアを加速することができるので、スイッチングスピードの高速化を実現することができる。
【００５６】
　また、
ＨＥＭＴ１においては、ゲート電極５の第２の主電極４側端に発生する電界強度Ｅを第２の主電極４側端に発生する電界強度Ｅに比べて減少することができるので、破壊耐圧を向上することができる。
【００５７】
　なお、第３の実施の形態に係るＨＥＭＴ１の製造方法は前述の第１の実施の形態に係るＨＥＭＴ１の製造方法と同様であるので、ここでの説明は重複するので省略する。また、
第３の実施の形態に係るＨＥＭＴ１は、前述の第１の実施の形態の第１の変形例及び第２の変形例に係るＨＥＭＴ１と同様に化合物半導体機能層２の積層構造の材料を変えることができる。
　オ　また、図４には、以下の事項が記載されている。
　   
　「第１の化合物半導体層２１上方に第２の化合物半導体層２２の形成された化合物半導体機能層２を有し、第２の化合物半導体層２２のＡｌ組成比が，ゲート電極５に対応する領域において低く設定され，第２の主電極４及び第１の主電極３側において高く設定されたＨＥＭＴ１。」
　当審引用文献１には、前記（１）ウないしオの記載から以下の＜装置に関する事項＞、及び前記（１）イないしオの記載から以下の＜製造方法に関する事項＞が各々記載されているものと認められる。
＜装置に関する事項＞
　「基板（ウェーハ）上に第１の化合物半導体層２１、その上方に第２の化合物半導体層２２の形成された化合物半導体機能層２を有し、第２の化合物半導体層２２のＡｌ組成比が，ゲート電極５に対応する領域において低く設定され，第２の主電極４及び第１の主電極３側において高く設定されたＨＥＭＴ１。」
＜製造方法に関する事項＞
　「基板（ウェーハ）上に第１の化合物半導体層２１、その上方に第２の化合物半導体層２２を形成して、化合物半導体機能層２を形成する工程を有し、
　前記第２の化合物半導体層２２を形成する際には、第１の化合物半導体層２１を形成した基板（ウェーハ）上でトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）の流量比を傾斜して供給する方法や、基板温度を傾斜させる制御を行う方法を用い、Ａｌ組成比がゲート電極５に対応する領域において低く設定され，第２の主電極４及び第１の主電極３側において高く設定された第２の化合物半導体層２２を形成する工程を有し、
　前記化合物半導体機能層２上に、ゲート電極５、第１の主電極３，第２の主電極４側を形成する工程を有するＨＥＭＴ１の製造方法。」
（２）当審引用装置発明１
　前記（１）の＜装置に関する事項＞ついて、ＡｌＩｎＮにおけるＩｎ含有という基準で表記すると、当審引用文献１には、次の発明（以下、「当審引用装置発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　「基板（ウェーハ）上に第１の化合物半導体層、さらにその上方に第２の化合物半導体層の形成された化合物半導体機能層を有し、第２の化合物半導体層のＩｎ組成比が，ゲート電極に対応する領域において高く設定され，第
１の主電極及び第２の主電極側において低く設定されたＨＥＭＴ。」
（３）当審引用製造方法発明１
  前記（１）の＜製造方法に関する事項＞について、ＡｌＩｎＮにおけるＩｎ含有という基準で表記すると、当審引用文献１には、次の発明（以下、「当審引用製造方法発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　「基板（ウェーハ）上に第１の化合物半導体層、さらにその上方に第２の化合物半導体層を形成して、化合物半導体機能層を形成する工程を有し、
　前記第２の化合物半導体層を形成する際には、第１の化合物半導体層を形成した基板（ウェーハ）上でトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）の流量比を傾斜して供給する方法や、基板温度を傾斜させる制御を行う方法を用い、Ｉｎ組成比がゲート電極に対応する領域において高く設定され，第１の主電極及び第２の主電極側において低く設定された第２の化合物半導体層を形成する工程を有し、
　前記化合物半導体機能層上に、ゲート電極、第１の主電極３，第２の主電極側を形成する工程を有するＨＥＭＴの製造方法。」
４．当審における引用文献２について
　当審拒絶理由通知の拒絶の理由に引用された特開２０１１−１７１５９５号公報（以下、「当審引用文献２」という。）は、原審引用文献３と同じ文献であるから、前記「２．原審における引用文献３について」を参照し、当審引用文献２に記載された発明（以下、「当審引用発明２」という。）は、「原審引用発明３」と同じ内容とする。
第６　対比・判断
１．本願発明１について
（１）本願発明１と当審引用装置発明１の対比
　ア　当審引用装置発明１の「第１の化合物半導体層２１」は、キャリアである電子が移動する半導体層であるから、本願発明１の「電子走行層」に相当する。
　イ　当審引用装置発明１の「基板（ウェーハ）」，「第１の主電極３」，「第２の主電極４」、「ゲート電極５」は、ＨＥＭＴの基体及び各電極を意味するから、本願発明１の、「基板］，「ソース電極」、「ドレイン電極」、「ゲート電極」に相当する。
　ウ　当審引用装置発明１のＨＥＭＴは、ＧａＮを含むトランジスタであるから、本願発明１の「化合物半導体装置」に相当する。
　エ　当審引用装置発明１の「ＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２」は、前記イを考慮すると、Ｉｎの組成比が，ゲート電極に対応する領域において高く設定され，ドレイン電極側及びソース電極側においては低く設定されていることから、後記キ相違点（１）の点を除き、本願発明１の「Ｉｎ含有層を含む窒化物半導体層」に相当する。
　オ　当審引用装置発明１の「第１の化合物半導体層２１」，「ＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２」からなる「化合物半導体機能層２」は、後記キ相違点（２）の点を除き、「化合物半導体積層構造」の点で本願発明１と一致する。
　そうすると、本願発明１と当審引用装置発明１は以下のカの点で一致し、以下のキの点で相違する。
　カ　一致点
　基板上方に形成された化合物半導体積層構造と、
　前記化合物半導体積層構造上方に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
　前記化合物半導体積層構造は、
　電子走行層とＩｎ含有層を含む窒化物半導体とを含む化合物半導体積層構造を、
　有する化合物半導体装置。
　キ　相違点
　相違点（１）
　本願発明１では、Ｉｎ含有層は、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に、表面に近づくほどＩｎ組成が小さくなるＩｎ脱離領域を有するのに対して、当審引用装置発明１では、「ＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２」は、Ｉｎ組成比が表面に近づくほどＩｎ組成が小さくなるＩｎ脱離領域を有しない点。
　相違点（２）
　本願発明１では、電子走行層、電子供給層、Ｉｎ含有層を含む窒化物半導体層からなる化合物半導体積層構造を有するのに対して、当審引用装置発明１では、「ＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２」が電子供給層としての機能を有し、「第１の化合物半導体層２１」，「ＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２」からなる電子供給層を有しない化合物半導体機能層２である点。
（２）相違点についての判断
　以下、相違点（１）について検討する。
　相違点（１）における「Ｉｎ含有層は、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に、表面に近づくほどＩｎ組成が小さくなるＩｎ脱離領域を有する構成」は、当審引用文献１，２には記載されておらず、示唆もされていない。
　また、本願発明１は、当該構成を有することにより、以下の様な格別な効果を奏する。
　すなわち、Ｉｎ含有層が存在しない場合、電子走行層のＧａＮと電子供給層のＡｌＧａＮとの格子定数の相違に起因して電子走行層の表面近傍に２ＤＥＧが発生するのに対して、電子供給層にＩｎ含有層が存在すると、その組成に応じて２ＤＥＧが打ち消されるというＩｎ含有層の特性を活かし、ゲート電極の下方の領域において２ＤＥＧがほとんど消失するようなＩｎ含有層を採用すると、ゲート電極の下方に２ＤＥＧがほとんど存在せず、ノーマリオフ動作が可能となり、一方で、平面視で、Ｉｎ脱離領域が存在する領域の下方となるアクセス部では、Ｉｎ脱離領域のＩｎ組成が、２ＤＥＧのほとんどを打ち消す程度のものより低くなっているため、２ＤＥＧが十分な濃度で存在し、オン抵抗を低く抑えることができるＨＥＭＴを提供する事が可能となる。
　また、Ｉｎ脱離領域の組成は、Ｉｎ含有層の他の領域の組成よりもＡｌＮに近いため、バンドギャップが大きい。このため、Ｉｎ脱離領域が存在しない場合と比較すると、ゲート電極に対して高いショットキーバリアが形成されて、横方向の表面への電子注入（リーク電流）が抑制され、電流コラプス等の動作不安定性の要因を抑制することができる。（明細書段落【００１７】〜【００１９】）
　したがって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者が当審引用文献１，２に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
２．本願発明２について
（１）本願発明２と当審引用装置発明１の対比　
　ア　当審引用装置発明１の「ＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２」は、Ｉｎ組成は、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間に位置する領域及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に位置する領域において、前記ゲート電極の下方よりも低くなっているので、後記相違点エの点を除き、本願発明２の「Ｉｎ含有層を含む窒化物半導体層」に一致する。
　イ　当審引用装置発明１では、「ＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２」が電子供給層としての機能を有するので、「第１の化合物半導体層２１」，「ＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２」からなる化合物半導体機能層２は、前記アを考慮すると、後記相違点エの点を除き、本願発明２の「化合物半導体積層構造」の点で一致する。
　前記ア、イに加えて前記１（１）ア、ウ、エを参照すれば、本願発明２と当審引用装置発明１は以下のウの点で一致し、以下のエの点で相違する。
　ウ　一致点
　基板上方に形成された化合物半導体積層構造と、
　前記化合物半導体積層構造上方に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
　前記化合物半導体積層構造は、
　電子走行層と、
　前記電子走行層上方に形成された電子供給層として機能するＩｎ含有層を含む窒化物半導体層と、を有し、
　前記窒化物半導体層の表面のＩｎ組成は、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間に位置する領域及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に位置する領域において、前記ゲート電極の下方よりも低くなっている化合物半導体装置。
　エ　相違点
　本願発明２では、Ｉｎ含有層は、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に、表面に近づくほどＩｎ組成が小さくなるＩｎ脱離領域を有するのに対して、当審引用装置発明１では、「ＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２」は、Ｉｎ組成比が表面に近づくほどＩｎ組成が小さくなるＩｎ脱離領域を有しない点
（２）相違点についての判断
　前記相違点については、前記１（２）と同様の判断となる。
　したがって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明２は、当業者が当審引用文献１，２に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
３．本願発明３ないし５について
　本願発明３ないし５は、本願発明１または２を引用する発明であり、「Ｉｎ含有層は、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に、表面に近づくほどＩｎ組成が小さくなるＩｎ脱離領域を有する」構成を含むことから、本願発明１または本願発明２と同様の相違点を含み、少なくとも当該相違点に対する判断は、前記１（２）、前記２（２）の相違点についての判断と同様となる。
　したがって、本願発明３ないし５は、当業者が、当審引用発明１，２に記載された事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
４．本願発明６について
（１）本願発明６と当審引用製造方法発明１の対比
　ア　当審引用製造方法発明１の「第１の化合物半導体層２１」は、キャリアである電子が移動する半導体層であるから、本願発明６の「電子走行層」に相当する。
　イ　当審引用製造方法発明１の「基板（ウェーハ）」，「第１の主電極３」，「第２の主電極４」、「ゲート電極５」は、ＨＥＭＴの基体及び各電極を意味するから、本願発明６の、「基板］，「ソース電極」、「ドレイン電極」、「ゲート電極」に相当する。
　ウ　当審引用製造方法発明１のＨＥＭＴは、ＧａＮを含むトランジスタであるから、本願発明６の「化合物半導体装置」に相当する。
　エ　当審引用製造方法発明１の「ＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２」は、前記イを考慮すると、Ｉｎの組成比が，ゲート電極に対応する領域において高く設定され，ドレイン電極側及びソース電極側においては低く設定されていることから、後記キ相違点（１）の点を除き、本願発明６の「Ｉｎ含有層」に相当する。
　オ　当審引用製造方法発明１の「第１の化合物半導体層２１」，「ＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２」からなる「化合物半導体機能層２」は、後記キ相違点（２）の点を除き、「化合物半導体積層構造」の点で本願発明６と一致する。
　そうすると、本願発明６と当審引用製造方法発明１は以下のカの点で一致し、以下のキの点で相違する。
　カ　一致点
　基板上方に化合物半導体積層構造を形成する工程と、
　前記化合物半導体積層構造上方にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を有し、
　前記化合物半導体積層構造を形成する工程は、
　電子走行層を形成する工程と、
　前記電子走行層上方に電子供給層を含む窒化物半導体層を形成する工程と、
を有し、
　前記窒化物半導体層を形成する工程は、
　Ｉｎ含有層を形成する工程と、
　前記窒化物半導体層の表面のＩｎ組成は、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間に位置する領域及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に位置する領域において、前記ゲート電極の下方よりも低くなっていることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
　キ　相違点
　相違点（１）
　本願発明６では、前記電子供給層上方にＩｎ含有層を形成する工程を有するのに対して、当審引用製造方法発明１では、電子供給層として機能する「ＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２」を形成する点。
　相違点（２）
　本願発明６では、Ｉｎ含有層の、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間に位置する領域及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に位置する領域から、Ｉｎを脱離させる工程を有するのに対して、当審引用製造法発明１では、第１の化合物半導体層２１を形成した基板（ウェーハ）上でトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）の流量比を傾斜して供給する方法や、基板温度を傾斜させる制御を行う方法を用いている点。
（２）相違点についての判断
　以下、相違点（２）について検討する。
　相違点（２）における「Ｉｎ含有層の、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間に位置する領域及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に位置する領域から、Ｉｎを脱離させる工程」は、引用文献１，２には記載されておらず、また示唆もされていない。
　また、Ｉｎを脱離させる工程を備えることにより、Ｉｎの組成比を、熱処理等により実現でき、電流コラプスの発生を招きやすいドライエッチングによって加工する工程を必要とせず（本願明細書段落【００１８】等）、また、オーミック特性を確立するための熱処理と兼ねることができ、熱処理回数を低減するという効果も奏する。（本願明細書段落【００４３】等」）
　したがって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明６は、当業者が当審引用文献１，２に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
５．本願発明７について
（１）本願発明７と当審引用製造方法発明１の対比
　ア　当審引用製造方法発明１において「ＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２」は、電子供給層として機能するので、本願発明７の「Ｉｎ含有層」に相当する。
　イ　当審引用製造方法発明１の「第１の化合物半導体層２１」，「ＡｌＩｎＮからなる第２の化合物半導体層２２」からなる「化合物半導体機能層２」は、前記アを参照すると、本願発明７の「化合物半導体積層構造」に相当する。
　そうだとすると、前記ア、イに加えて前記４（１）アないしウを参照すると、本願発明７と当審引用製造法発明１は、以下のウの点で一致し、エの点で相違する。
　ウ　一致点
　基板上方に化合物半導体積層構造を形成する工程と、
　前記化合物半導体積層構造上方にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を有し、
　前記化合物半導体積層構造を形成する工程は、
　電子走行層を形成する工程と、
　前記電子走行層上方に電子供給層を含む窒化物半導体層を形成する工程と、
を有し、
　前記窒化物半導体層を形成する工程は、前記電子供給層として機能するＩｎ含有層を形成する工程と、
　前記窒化物半導体層の表面のＩｎ組成は、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間に位置する領域及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に位置する領域において、前記ゲート電極の下方よりも低くなっていることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
エ　相違点
　本願発明７では、Ｉｎ含有層の、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間に位置する領域及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に位置する領域から、Ｉｎを脱離させる工程を有するのに対して、当審引用製造法発明１では、第１の化合物半導体層２１を形成した基板（ウェーハ）上でトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）の流量比を傾斜して供給する方法や、基板温度を傾斜させる制御を行う方法を用いている点。
（２）相違点についての判断
　前記相違点については、前記１（２）と同様の判断となる。
　したがって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明７は、当業者が当審引用文献１，２に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
第７　原査定についての判断
　平成２９年８月９日付けの補正により、補正後の請求項１，２には、「Ｉｎ含有層は、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に、表面に近づくほどＩｎ組成が小さくなるＩｎ脱離領域を有する」という技術的事項、補正後の請求項６，７には、「Ｉｎ含有層の、平面視で前記ゲート電極と前記ソース電極との間に位置する領域及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に位置する領域から、Ｉｎを脱離させる工程を有する」という技術的事項を有するものとなった。
　当該各技術的事項は、原審引用文献２，３には記載されておらず、また示唆もされていない。さらに、本願優先日前における周知技術でもない。
　以上から、補正後の請求項１，２，６，７は、原審引用文献２に記載された発明では無く、また、当業者が、原審引用文献２，３に記載された事項に基づいて容易に発明できたものではない。
　また、補正後の請求項３は補正後の請求項１，２、補正後の請求項４，５は補正後の請求項１ないし３を引用しているので、補正後の請求項３ないし５は、当業者が、原審引用文献２，３に記載された事項に基づいて容易に発明できたものではない。
　したがって、原査定を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によって、本願を拒絶することはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。