【事件の表示】
　特願２０１４−　３５４８７「プラズマエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　５月２９日出願公開、特開２０１４−　９９６５９、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２１年１０月２７日の出願である特願２００９−２４６０９６号の一部を、平成２３年１２月１４日に新たな出願とした特願２０１１−２７３０７６号の一部を、平成２６年２月２６日に新たな出願としたものであって、同年３月４日付で審査請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、同年１２月３日付で拒絶理由が通知され、平成２７年２月６日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたが、同年７月７日付で拒絶査定がなされたものである。
　これに対して、平成２７年１０月８日付で審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、当審において平成２８年８月２９日付で拒絶理由が通知され、同年１１月２８日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成２８年１１月２８日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲１ないし４に記載される事項により特定されるとおりであって、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものと認める。
「閉塞空間を有する処理チャンバと、炭化珪素基板が載置される基台と、前記処理チャンバ内を減圧する排気装置と、前記処理チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、コイルを有し、このコイルに高周波電力を供給して、前記処理チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成装置と、前記基台に高周波電力を供給する高周波電源とを備えたエッチング装置を用いて、前記基台上の炭化珪素基板をプラズマエッチングする方法であって、
　前記基台上に、エッチングマスクである二酸化珪素が形成された前記炭化珪素基板を載置した後、
　前記排気装置によって減圧された前記処理チャンバ内に、前記ガス供給装置によってＳＦ6ガスとＯ2ガスとの混合ガスを供給し、供給した前記混合ガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与えて前記炭化珪素基板をエッチングするとともに、
　前記炭化珪素基板を２００℃〜４００℃（ただし、２００℃を除く）に加熱した状態でエッチングするようにしたことを特徴とする、前記エッチングにより形成された穴及び溝の底面の側壁側の溝が全く形成されないか、形成されたとしても非常に小さく、前記穴及び溝の前記側壁についても、全くエッチングされないか、エッチングされてもごく僅かである、炭化珪素基板を高精度にエッチングすることが可能なプラズマエッチング方法。」
第３　査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　原査定の理由の概要は、次のとおりである。
「この出願については、平成２６年１２月３日付け拒絶理由通知書に記載した理由１によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
●理由１（特許法第２９条第２項）について
・請求項　１
・引用文献等　１−５，７−８
　請求項１に係る発明は、平成２７年２月６日付け手続補正書において、「前記ガス供給装置によって」供給するガスに「Ｏ2ガス」を付加して「ＳＦ6ガスとＯ2ガスとの混合ガス」とし、「供給した前記混合ガス」を「前記プラズマ生成装置によってプラズマ化」することを、特定したものである。
　先に通知した引用文献１には、プラズマエッチングに供給するガスがＳＦ6ガスとＯ2ガスの混合ガスであることが記載されている（特に段落［００２６］，［００３０］を参照されたい。）。
　平成２７年２月６日付け手続補正書による補正後の請求項１に係る発明と、引用文献１に記載された発明とを対比すると、両者の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
［一致点］
　誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ドライエッチング装置を用いて、炭化珪素基板をプラズマエッチングする方法であって、エッチングマスクである二酸化珪素が形成された前記炭化珪素基板に、減圧化でＳＦ6ガスとＯ2ガスとの混合ガスを供給し、供給した前記混合ガスをプラズマ化し、且つ、前記炭化珪素基板側にバイアス電位を与えて前記炭化珪素基板をエッチングするプラズマエッチング方法。
［相違点］
（１）本願請求項１に係る発明においては、炭化珪素基板のエッチング装置における構成要素（部品及び組込まれた個別機能の装置）および当該構成要素の機能・作用が記載されているのに対し、引用文献１に記載された発明においては、ＩＣＰドライエッチング装置の記載のみで、当該装置の構成要素及び該構成要素の機能・作用に係る記載がない点で相違する（以下、「相違点１」という。）。
（２）本願請求項１に係る発明においては、「前記炭化珪素基板を２００℃〜４００℃に加熱した状態でエッチングする」のに対し、引用文献１に記載された発明においては、当該温度範囲に基板を加熱した状態でエッチングすることが記載されていない点（以下、「相違点２」という。）。
　上記相違点について検討すると、相違点１に係る本願請求項１の発明特定事項については、平成２６年１２月３日付け拒絶理由で通知したとおり、先に通知した引用文献３−５より、周知技術にすぎない。
　また、相違点２について、先に通知した引用文献２に記載された発明には、「ＩＣＰドライエッチング装置を用いて、炭化珪素基板を２５０℃以上に加熱した状態でエッチングするプラズマエッチング方法」が記載されている。そして、エッチング速度を速めるためには、「２５０℃以上」の温度が好ましいことが記載されている（特に段落［００２４］を参照されたい。）。エッチング速度の向上は、スループットの向上の観点からエッチング装置において自明な課題である。
　してみると、引用文献１に記載された発明において、引用文献２に記載された発明を適用して、炭化珪素基板を２５０℃以上に加熱した状態でエッチングするようにすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。
　出願人は、平成２７年２月６日付け意見書において、「引用文献１のエッチング温度を、特殊なエッチング温度である２５０℃以上にする動機付けが引用文献１及び２にはない」旨、及び、「一般的には炭化珪素基板のエッチング温度の上限は１００℃と考えられており、引用文献１に記載されたエッチング温度を２５０℃以上にすることはあり得ない」旨、主張している。
　当該出願人の主張について検討すると、炭化珪素基板を１００℃よりも高い温度でエッチングすることは周知技術である（例えば、引用文献２の段落［００２４］等の記載、引用文献７の段落［００２２］等の記載、引用文献８の第２ページ、右上欄、第１０−１８行等の記載を参照されたい。）。また、引用文献１では二酸化珪素をエッチングマスクとしており、当該二酸化珪素の耐熱温度は少なくとも１０００℃はあるので（引用文献８の第２ページ、右上欄、第１０−１８行等の記載を参照されたい。）、引用文献２の段落［００２４］の「エッチング速度を速くするためには２５０℃以上の温度でエッチングすることが好ましい。」との記載は、引用文献１のエッチング温度を２５０℃以上にする動機付けになると認める。
　したがって、出願人の主張は、採用できない。
　また、出願人は、平成２７年２月６日付け意見書において、「本願発明特有の特徴」として、「炭化珪素基板の加熱温度の下限を２００℃として、化学エッチングを物理エッチングよりも強めることで溝Ｈ’の形成を抑制しつつ、加熱温度の上限を４００℃として、化学エッチングが過度に進行するのを抑制すると共に、Ｏ２ガスにより穴Ｈ及び溝Ｈの側壁に形成される保護膜が過剰に削られるのを抑制して、穴Ｈ及び溝Ｈの側壁が全くエッチングされないか、エッチングされたとしてもごく僅かなものとする（段落［００１４］参照）。」旨、主張している。
　当該出願人の主張について検討すると、上記段落［００１４］にはＯ２ガスにより形成される保護膜の記載はなく、段落［００４２］にはエッチングガスにＳＦ６ガスのみの場合、すなわちＯ２ガスがなく保護膜が形成されない場合でも、図２（ｃ）に示すような「精度の良いエッチング形状が得られる」ことが記載されていることから、出願人が主張するＯ２ガスにより形成される保護膜に係る特徴を認めることはできない。
　したがって、出願人の主張は、採用できない。
　よって、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１−２に記載された発明、及び、引用文献３−５，７−８の周知技術に基づいて、当業者であれば容易になし得たものであるから、依然として、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
・請求項　２−４
・引用文献等　１−８
　平成２６年１２月３日付け拒絶理由で通知したとおりである。
　よって、請求項２−４に係る発明は、引用文献１−８に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
＜参考＞
　審判請求を行う際には、以下の点にも留意されたい。
（１）請求項１に係る発明について
　引用文献７には、「ＩＣＰドライエッチング装置を用いて、炭化珪素基板をプラズマエッチングする方法であって、エッチングマスクであるＮｉ層が形成された前記炭化珪素基板に、減圧化でＳＦ6ガスとＯ2ガスとの混合ガスを供給し、供給した前記混合ガスをプラズマ化し、且つ、前記炭化珪素基板側にバイアス電位を与えて前記炭化珪素基板をエッチングするとともに、前記炭化珪素基板を５０℃〜２００℃に加熱した状態でエッチングするプラズマエッチング方法。」の発明が記載されている（特に段落［００１２］，［００２２］を参照されたい。）。当該炭化珪素基板の加熱温度範囲が、本願請求項１に係る発明の炭化珪素基板の加熱温度範囲と一部が重複している。
　炭化珪素基板のプラズマエッチングにおいて、二酸化珪素をエッチングマスクとして用いることは、周知技術にすぎない（例えば、引用文献１の段落［００１９］等の記載、引用文献８の第２ページ、右上欄、第２−１８行等の記載を参照されたい。）。
　引用文献７にも、上記した引用文献１における相違点１と同様の相違点があるが、当該相違点の判断は引用文献１での相違点１の判断と同様に、先に通知した引用文献３−５より、周知技術にすぎない。
　よって、本願の請求項１に係る発明は、引用文献７に記載された発明、及び、引用文献１，３−５，８の周知技術に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　更に、引用文献７には、高温でエッチングすることで、エッチング速度の高速化、及び、バイアホールの側壁の垂直性を改善できること、エッチング温度は特に限定されないこと、エッチング温度は１００℃以上が好ましいが上限は接着剤の軟化温度で制限されることが記載されている（特に、段落［００１６］−［００１７］，［００２２］を参照されたい。）。
　引用文献２に記載された発明には、「ＩＣＰドライエッチング装置を用いて、炭化珪素基板を２５０℃以上に加熱した状態でエッチングするプラズマエッチング方法」が記載されている。そして、エッチング速度を速めるためには、「２５０℃以上」の温度が好ましいことが記載されている（段落［００２４］を参照）。エッチング速度の向上は、スループットの向上の観点からエッチング装置において自明な課題である。
　してみると、引用文献７に記載された発明において、引用文献２に記載された発明を適用して、炭化珪素基板を２５０℃以上に加熱した状態でエッチングするようにすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。
　よって、本願の請求項１に係る発明は、引用文献２，７に記載された発明、及び、引用文献１，３−５，８の周知技術に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（２）請求項２−４に係る発明について
　平成２６年１２月３日付け拒絶理由で通知したとおりである。
　よって、請求項２−４に係る発明は、引用文献１−８に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２００７−３２４５０３号公報
２．特開２００７−２３４９１２号公報
３．特表２００７−５０２５４７号公報（周知技術を示す文献）
４．特開平１０−３０３１８５号公報（周知技術を示す文献）
５．特開平０６−１６９０１８号公報（周知技術を示す文献）
６．特開平０８−００８２３２号公報（周知技術を示す文献）
７．特開２００７−１０９７５８号公報（周知技術を示す文献；新たに引用された文献）
８．特開昭６３−１５２１２５号公報（周知技術を示す文献；新たに引用された文献）」
２　拒絶理由通知の概要
　平成２６年１２月３日付拒絶理由通知の概要は、次のとおりである。
「１．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項：１
・理由：１
・引用文献等：１〜５
・備考：
　引用文献１には、「誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ドライエッチング装置を用いて、炭化珪素基板をプラズマエッチングする方法であって、エッチングマスクであるＳｉＯ２が形成された前記炭化珪素基板を、減圧化でＳＦ６ガスを供給してプラズマ化し、且つ前記炭化珪素基板側にバイアス電力を与えて前記炭化珪素基板をエッチングするとともに、前記炭化珪素基板を８０℃に加熱した状態でエッチングするようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。」の発明が記載されている（段落【００２２】，【００２６】等の記載を参照）。
　一方、引用文献２には、「誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ドライエッチング装置を用いて、炭化シリコン基板をプラズマエッチングする方法であって、前記炭化シリコン基板を、減圧化でＳＦ６ガスを供給してプラズマ化し、前記炭化シリコン基板を２５０℃以上に加熱した状態でエッチングするようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。」の発明が記載されている（段落【００２０】，【００２４】等の記載を参照）。
（対比）
　本願の請求項１に係る発明と、引用文献１に記載された発明とを対比する。
（１）本願の請求項１に係る発明においては、炭化珪素基板のエッチング装置における構成要素（部品及び組込まれた個別機能の装置）および当該構成要素の機能・作用等が記載されているのに対し、引用文献１に記載された発明においては、「誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ドライエッチング装置」の記載のみで、当該装置の構成要素に係る記載がない点で相違する（以下、「相違点１」という。）。
（２）本願請求項１に係る発明においては、「前記炭化珪素基板を２００℃〜４００℃に加熱した状態でエッチングする」のに対し、引用文献１に記載された発明においては、当該温度範囲に基板を加熱した状態でエッチングすることが記載されていない点（以下、「相違点２」という。）。
　なお、上記以外の点では一致している。
（相違点の判断）
　上記相違点１，２について検討する。
（１）まず、相違点１について検討する。
　引用文献１に記載された発明における「誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ドライエッチング装置」は、本願の請求項１に係る発明の「閉塞空間を有する処理チャンバ」、「基板が載置される基台」、「前記処理チャンバ内を減圧する排気装置」、「前記処理チャンバ内にガスを供給するガス供給装置」、「コイル」を有し、「このコイルに高周波電力を供給して、前記処理チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成装置」と「前記基台に高周波電力を供給する高周波電源」を備えたエッチング装置とすることは周知技術である（例えば、引用文献３の段落【００１２】，【００１４】，【００２３】，【図５】等の記載、引用文献４の段落【０００３】，【０００４】，【０００６】，【図４】等の記載、引用文献５の段落【００２２】〜【００２４】，【図４】等の記載を参照の事。）。
　引用文献１に記載された発明における「減圧下」、「ＳＦ６ガスを供給」、「プラズマ化」、「バイアス電力を与えて」を、上記周知技術である各装置により実現して、それぞれ本願の請求項１に係る発明の「排気装置によって減圧された前記処理チャンバ内」、「ガス供給装置によってＳＦ6ガスを供給」、「プラズマ生成装置によってプラズマ化」、「高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与えて」とした構成とすることに、格別な困難性は認められない。
（２）次に、相違点２について検討する。
　引用文献２に記載された発明には、「誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ドライエッチング装置を用いて、炭化珪素基板を２５０℃以上に加熱した状態でエッチングするプラズマエッチング方法」が開示されている。そして、エッチング速度を速めるためには、「２５０℃以上」の温度が好ましいことが記載されている（段落【００２４】を参照）。エッチング速度の向上は、スループットの向上の観点からエッチング装置において自明な課題である。
　してみると、引用文献１に記載された発明において、炭化珪素基板を２５０℃以上に加熱した状態でエッチングするようにすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。
　また、本願の請求項１に係る発明の効果は、引用文献１及び引用文献２に記載された発明から当業者が予測し得る程度のものである。
（結論）
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１〜５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
・請求項：２，３
・理由：１
・引用文献等：１〜６
・備考：
　本願の請求項２に係る発明は、本願の請求項１に記載の発明のプラズマエッチング方法において、「前記炭化珪素基板を２００℃〜４００℃の温度に予め加熱した後、この温度を維持しながら前記炭化珪素基板をエッチングするようにしたこと」を特定したものである。
　また、本願の請求項３に係る発明は、本願の請求項２に記載の発明のプラズマエッチング方法において、「前記炭化珪素基板を予め加熱する際に、前記ガス供給装置により不活性ガスを前記処理チャンバ内に供給し、供給した不活性ガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与え、前記不活性ガスのプラズマ化により生成されたイオンを前記炭化珪素基板に入射させて該炭化珪素基板を加熱するようにしたこと」を特定したものである。
　しかしながら、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ドライエッチング装置等のプラズマエッチング方法において、基台にバイアス電位を与え、不活性ガスのプラズマ化により生成されたイオンを前記基板に入射させて該基板を予め加熱する方法は周知技術である（例えば、引用文献３の段落【００３０】〜【００３３】，【図８】等の記載、引用文献６の段落【０００６】，【００１９】，【００２０】，【００３８】，【００３９】，【図１】等の記載を参照のこと。）。
　よって、本願の請求項２，３に係る発明は、引用文献１〜６に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものである。
・請求項：４
・理由：１
・引用文献等：１〜６
・備考：
　本願の請求項４に係る発明は、本願の請求項１〜３に記載の発明のプラズマエッチング方法において、「前記炭化珪素基板の加熱温度を、３００℃〜４００℃の範囲内に設定したこと」を特定したものである。
　しかしながら、上記「請求項１」の備考で示したとおり、引用文献２には、炭化珪素基板の加熱温度を「２５０℃以上」に設定して、プラズマエッチングする方法が開示されている。また、本願請求項４に係る発明の加熱温度の数値限定には臨界的な意義は認められない。
　よって、本願の請求項４に係る発明は、引用文献１〜６に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１．特開２００７−３２４５０３号公報
２．特開２００７−２３４９１２号公報
３．特表２００７−５０２５４７号公報
４．特開平１０−３０３１８５号公報
５．特開平０６−１６９０１８号公報
６．特開平０８−００８２３２号公報」
第４　原査定の理由についての当審の判断
１　引用文献
（１）引用例１について
ア　引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００７−３２４５０３号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。（なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。）
（ア）「【０００５】
　一方、エッチングレートを稼ぐためには、
ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：誘導結合プラズマ）方式などによる高密度プラズマを用いたドライエッチング
エッチング選択性を有するアルミニウム（Ａｌ）膜またはニッケル膜をマスクとしてＣＦ
４
およびＯ
２
との混合ガスを用いたＩＣＰ方式によるエッチングレートは１００ｎｍ／分以上にすることができるが、マスク金属による汚染やエッチング表面に付着したマイクロマスクによるエッチング面の非平滑性が問題となる。
【０００６】
　
前述のＩＣＰドライエッチングでは、エッチングマスクとしてＳｉＯ
２
膜を用いれば、金属マスクの場合のような問題は生じない
ＳｉＣ基板に対するＩＣＰドライエッチング
（イ）「【００２０】
　本発明にかかるトレンチゲート構造を備えるＭＯＳ半導体装置の製造方法では、特にトレンチエッチングに特徴があるので、この点について以下特に詳しく説明する。図１は、ＳｉＣ積層基板１０にＳｉＯ２膜４４とフォトレジスト１４が積層されたＳｉＣ積層基板１０の断面を示す。
　まず、ＳｉＣ積層基板１０上に２．２μｍ厚のＳｉＯ２膜４４をＣＶＤ法などにより堆積形成した後、フォトレジスト１４をＳｉＯ２膜４４上にスピンコート法により全面塗布する。その後、クリーンオーブンに８５℃で３０分投入し、フォトレジスト１４をベークする。ベーク後、紫外線を用いた露光装置で所定のパターンを有するフォトマスクを用いて初期露光を行う。初期露光後、１１５℃で１５分のベークを行い、その後、マスクを用いないで基板全体を全面露光する。全面露光後、現像処理により、所望のトレンチマスクパターン以外の不要なフォトレジストを除去し、図１のような断面を有するフォトレジスト１４のパターンを形成する。
【００２１】
　フォトレジスト１４のパターン形成後、図示しないＩＣＰ−ドライエッチング装置でフォトレジスト１４をマスクとしてＳｉＯ２膜４４をドライエッチングする。エッチングの条件はＣＨＦ３ガスを１５ｓｃｃｍ導入し、１Ｐａの圧力でＩＣＰ電力１３５Ｗ、ＳｉＣ基板側へのバイアス電力１５Ｗでエッチングする。パターニングされた線幅は本実施例では２μｍ幅である。図２に、以上のフォトプロセスで得られたＳｉＯ２膜マスク４の構成を示す。図２のＳｉＯ２膜のドライエッチング後に、７０℃のレジスト剥離液に浸し、残ったフォトレジスト１４を剥離して図３のように
ＳｉＣ基板上にＳｉＯ
２
膜４がパターニングされたＳｉＣ積層基板１０を作成
【００２２】
　次に
ＳｉＣ基板（またはＳｉＣ膜）１の表面からＩＣＰドライエッチングを行う。
ＳｉＯ
２
膜マスク
（ウ）「【００２６】
　前記図４に示す結果を踏まえ、本実施例では
第一ドライエッチングのエッチング条件はＳＦ
６
ガスとＯ
２
ガスとＡｒガスの混合ガスでＳＦ
６
流量５ｓｃｃｍ、Ｏ
２
流量８ｓｃｃｍ、Ａｒ流量３０ｓｃｃｍを導入して１Ｐａの圧力でＩＣＰ電力５００Ｗ、ＳｉＣ基板側に印加するバイアス電力を１５Ｗ、さらにＳｉＣ基板をヒーターで８０℃に加熱した条件で目標深さの４／５程度まで（約１０μｍ）エッチングを行った。
第二のエッチング条件はＳＦ
６
、Ｏ
２
、Ａｒの混合ガスを用い、ＳＦ
６
流量２ｓｃｃｍ、Ｏ
２
流量２ｓｃｃｍ、Ａｒ流量８ｓｃｃｍを導入して１Ｐａの圧力でＩＣＰ電力２００Ｗ、ＳｉＣ基板側に印加するバイアス電力を２０Ｗ、さらにＳｉＣ基板をヒーターで８０℃に加熱した条件で、先に形成したトレンチ５深さ１０μｍにさらに深さ２．５μｍエッチングを加えた（第一のエッチング条件と合わせた深さ１２．５μｍエッチング）。
【００２７】
　以上の結果、実施例１によれば、
ＳｉＣ半導体基板に３μｍを超える深いトレンチエッチング、さらには１０μｍ以上の深いトレンチが実用性の高いプロセスで可能になるだけでなく、トレンチ底部を、電界集中を引き起こして耐圧特性に影響を及ぼす程度の鋭角を有する凹凸形状を形成することなく、平坦にエッチングできることが分かった。
イ　引用例１発明および引用例１記載事項について
　上記アの記載から、引用例１には、実質的に次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ＳｉＣ基板１上にＳｉＯ２膜４がパターニングされ、ＳｉＯ２膜マスクとされたＳｉＣ積層基板１０を作成し、
　ＳｉＣ基板（またはＳｉＣ膜）１の表面からＩＣＰドライエッチングを行う際に、
　第一ドライエッチングのエッチング条件として、ＳＦ６ガスとＯ２ガスとＡｒガスの混合ガスでＳＦ６流量５ｓｃｃｍ、Ｏ２流量８ｓｃｃｍ、Ａｒ流量３０ｓｃｃｍを導入して１Ｐａの圧力でＩＣＰ電力５００Ｗ、ＳｉＣ基板側に印加するバイアス電力を１５Ｗ、さらにＳｉＣ基板をヒーターで８０℃に加熱した条件で目標深さの４／５程度まで（約１０μｍ）エッチングを行い、
　第二のエッチング条件として、ＳＦ６、Ｏ２、Ａｒの混合ガスでＳＦ６流量２ｓｃｃｍ、Ｏ２流量２ｓｃｃｍ、Ａｒ流量８ｓｃｃｍを導入して１Ｐａの圧力でＩＣＰ電力２００Ｗ、ＳｉＣ基板側に印加するバイアス電力を２０Ｗ、さらにＳｉＣ基板をヒーターで８０℃に加熱した条件で、先に形成したトレンチ５深さ１０μｍにさらに深さ２．５μｍエッチングを加え（第一のエッチング条件と合わせた深さ１２．５μｍエッチング）、
　トレンチ底部を、電界集中を引き起こして耐圧特性に影響を及ぼす程度の鋭角を有する凹凸形状を形成することなく、平坦にエッチングできる
　エッチング方法。」
　また、上記アの記載から、引用例１には、実質的に次の事項（以下、「引用例１記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「ＳｉＣ基板にＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：誘導結合プラズマ）方式などによる高密度プラズマを用いたドライエッチングを行う際に、マスク金属による汚染やエッチング表面に付着したマイクロマスクによるエッチング面の非平滑性の問題を解決するために、エッチングマスクとしてＳｉＯ２膜をもちいること。」
（２）引用例２について
ア　引用例２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００７−２３４９１２号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【００１９】
　図２（ａ）を参照に、フォトレジスト２０を除去する。これにより、Ｎｉ膜に開口部２２が形成される。図２（ｂ）を参照に、Ｎｉ膜１６ａをマスクにＡｕ膜１４およびＮｉＣｒ膜１２を例えばドライエッチング法を用いエッチングする。これにより、開口部２２を有し、
基板１０側からＮｉＣｒ膜１２、Ａｕ膜１４およびＮｉ膜１６aからなるマスク層１８が形成される。
【００２０】
　
図２（ｃ）における基板１０のエッチングは、ＳｉＣ
からなる被エッチング層をエッチングする場合は、例えばＳＦ
６
またはＮＦ
３
などの弗素系ガスを用いる。
これらの被エッチング層のエッチングとしては、
ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）型エッチング装置
を用い実行することができる。
（イ）「【００２４】
　通常、プラズマエッチングは１００℃以下の温度で行うが、特に、
炭化シリコン
を含む被エッチング層のエッチング速度を速くするためには２５０℃以上の温度でエッチングすることが好ましい。
イ　引用例２の記載事項
　上記アの記載から、引用例２には、実質的に次の事項（以下、「引用例２記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）型エッチング装置を用いて、ＳｉＣからなる被エッチング層をエッチングする場合、基板１０側からＮｉＣｒ膜１２、Ａｕ膜１４およびＮｉ膜１６aからなるマスク層１８を形成し、ＳＦ６またはＮＦ３などの弗素系ガスを用いて、被エッチング層のエッチング速度を速くするために２５０℃以上の温度でエッチングすること。」
（３）引用例３について
ア　引用例３の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特表２００７−５０２５４７号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【００１２】
　図２において記載された実施形態によれば、プラズマ処理システム１ａは、
プラズマ処理チャンバ１０
被処理基板２５が固定される基板ホルダ２０
真空排気システム３０
基板２５は、
半導体基板
イオン化可能ガスまたはガスの混合物は、ガスインジェクションシステム（図示せず）を介して導入され、そして処理圧力は、調整される。
（イ）「【００１４】
　図２で示された実施形態において、
基板ホルダ２０は、電極を含むことができ、この電極を通してＲＦ電力が処理空間１５の処理プラズマに結合される。例えば、基板ホルダ２０は、ＲＦ発振器４０からインピーダンスマッチングネットワーク５０を通過し、基板ホルダ２０へのＲＦ電力の伝送によるＲＦ電圧で電気的にバイアスをかけられることができる。
（ウ）「【００２３】
　図５に示された実施形態において、
プラズマ処理システム１ｄは、
ＲＦ電力がインピーダンスマッチングネットワーク８４を通ってＲＦ発振器８２により接続される誘導コイル８０を更に備えることができる。
誘導結合型プラズマ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　ｃｏｕｐｌｅｄ　ｐｌａｓｍａ：ＩＣＰ）ソース
（エ）「【００３０】
　プラズマプレヒート（ｐｌａｓｍａ  ｐｒｅ−ｈｅａｔｉｎｇ：ＰＰＨ）の間、基板温度は、ポリシリコンのエッチングに適している温度（例えば８０℃）から、ＨｆＯ２の選択エッチングにより適している温度（例えば４００℃）に上昇される。基板が単に基板ホルダ上に載置されるとき（すなわち、（ＥＳＣを介した）クランピングおよび裏面ガスなしで）、基板は、基板ホルダおよび周囲の処理チャンバから実質的に熱的に分離される。例えば、図６は、より低い温度に維持された基板ホルダの上に載置されるときの、３つの異なる条件に対する基板温度の典型的な反応を示す。基板が基板ホルダに固定されず、従って裏面ガス圧を受けられない場合、時間内の基板温度の変化は非常に遅い（図６の１００として記載される実線）。他方、基板が基板ホルダに固定されるが、裏面ガス圧を受けられない場合、時間内の温度変化のわずかに増加した速度は観察される（図６の１０２として記載される長い破線）。さらに、基板が基板ホルダに固定され、かつ裏面ガス圧を受けられる場合、基板温度が基板ホルダの温度に近づくように、基板温度は、まず最初に速く、その後段階的に低下する（図６の１０４として記載される短い破線）。
【００３１】
　基板が熱的に分離されるときに（すなわちクランプ力が取り除かれ、裏面ガス圧が取り除かれる）、基板のプラズマプレヒート（ＰＰＨ）が行われる。一般に、イオン衝撃および伝達性の熱中和（ｃｏｎｖｅｃｔｉｖｅ　ｈｏｔ−ｎｅｕｔｒａｌｓ）は基板の加熱に貢献し、より少ない度合いで、電子（熱および衝撃（ｂａｌｌｉｓｔｉｃ）の両方で）加熱は、加熱プロセスに貢献する。非常にイオン化されたプラズマ（誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）、ｗａｖｅ加熱される（ｗａｖｅ−ｈｅａｔｅｄ）など）において、イオン衝撃加熱は、伝達性の熱中和に対して優位になり得る。
【００３２】
　容量結合型プラズマ（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ　ｃｏｕｐｌｅｄ　ｐｌａｓｍａｓ：ＣＣＰ）において、伝達性の熱中和は、イオン衝撃加熱と同様に重要となり得て、場合によっては、熱中和は、優位な加熱プロセスとなり得る。１つの実施形態において、プラズマプレヒートプロセスは、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、およびＸｅのような不活性ガスを導入することと、この不活性ガスからプラズマを点火することと、基板からクランプ力を取り除き、基板から裏面ガス圧を取り除くこととを具備する。例えば、図７は、下部電極に供給されるＲＦ電力、不活性ガスのチャンバ圧力、不活性ガスの流量、および不活性ガスの原子質量の変化する影響が、基板加熱パワーにかかることを示す。（ａ）加熱パワーは、下部電極に供給されたＲＦ電力の増加とともに増加し（１１０の線）、（ｂ）加熱パワーは、不活性ガス流量の増加とともにわずかに増加し（１１４の線）、（ｃ）加熱パワーは、不活性ガス圧力の増加とともにわずかに増加し（１１２の線）、（ｄ）加熱パワーは、不活性ガスの原子質量の増加によって減少する（１１６の線）ことが（すなわち、ヘリウムの使用は、アルゴンより効果的である）観察された。
【００３３】
　実施例において、図８は、プラズマプレヒート（ＰＰＨ）法を使用して選択的なＨｆＯ２／Ｓｉゲート誘電体エッチングの説明を示す。大部分のデバイスは、厚さ２０〜５０オングストロームの範囲のＨｆＯ２ゲート誘電層を有する。従って、エッチング時間は、一般的に非常に短い（例えば、ほぼ５秒）。特定のＰＰＨプロセス下でのピークの基板温度は、ＰＰＨ時間に依存する。一旦所望のピークの基板温度が到達されると（例えば４００℃）（期間１２０の間）、選択的なＨｆＯ２エッチングプロセスレシピは、始められる。一般的に、ＨｆＯ２エッチングプラズマは、ＰＰＨより低いパワーであり；従って、基板加熱速度は、大幅に減少する。理想的な熱のアイソレーションのために、基板温度は、ＨｆＯ２エッチングの間（期間１２２の間）、ほとんど一定のままであり得る。クールダウンは、期間１２４の間に起こる。」
イ　引用例３の記載事項
　上記アの記載から、引用例３には、実質的に次の事項（以下、「引用例３記載事項−１」という。）が記載されているものと認められる。
「誘導結合型プラズマ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　ｃｏｕｐｌｅｄ　ｐｌａｓｍａ：ＩＣＰ）ソースのプラズマ処理システム１ｄであって、
　プラズマ処理チャンバ１０、半導体基板である被処理基板２５が固定される基板ホルダ２０、真空排気システム３０、ＲＦ発振器８２により接続される誘導コイル８０を備え、
　イオン化可能ガスまたはガスの混合物をガスインジェクションシステムを介して導入し、
　さらに、基板ホルダ２０へのＲＦ電力の伝送によるＲＦ電圧で電気的にバイアスをかけること。」
　また、同じく上記アの記載から、引用例３には、実質的に次の事項（以下、「引用例３記載事項−２」という。）が記載されているものと認められる。
「プラズマプレヒートプロセスは、基板が単に基板ホルダ上に載置され、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、およびＸｅのような不活性ガスを導入し、この不活性ガスからプラズマを点火し、基板からクランプ力を取り除き、基板から裏面ガス圧を取り除き、下部電極にＲＦ電力供給することによりおこなわれること。」
（４）引用例４について
ア　引用例４の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開平１０−３０３１８５号公報（以下、「引用例４」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【０００３】図４は、従来のエッチング装置の構成について説明する正面概略図である。
図４に示すエッチング装置は、基板１０が内部に配置される処理容器１
プラズマによって生成された所定の化学種が到達する位置に基板１０を配置する基板ホルダー３
【０００４】
処理容器１は、排気系１１を備えた気密な容器であり
図４の装置には、高周波コイル２２を使用した誘導結合方式のものが採用されている
誘電体容器２３内にプラズマ形成用のガスを導入するガス導入系２４とから主に構成されている。
（イ）「【０００６】図４に示す従来のエッチング装置において、プラズマ中のイオンを積極的に利用するため、プラズマと基板１０との間に電界を印加し、電界によって多くのイオンを引き出して基板１０に到達させる場合がある。この場合は、
図４に示すように、基板ホルダー３に基板バイアス用電源３１を接続する。
イ　引用例４の記載事項
　上記アの記載から、引用例４には、実質的に次の事項（以下、「引用例４記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「エッチング装置において、基板１０が内部に配置される処理容器１と、プラズマによって生成された所定の化学種が到達する位置に基板１０を配置する基板ホルダー３と、排気系１１と、を備え、基板ホルダー３に基板バイアス用電源３１を接続し、高周波コイル２２を使用した誘導結合方式であること。」
（５）引用例５について
ア　引用例５の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開平６−１６９０１８号公報（以下、「引用例５」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【００２２】低エネルギー、高密度イオンを発生させる為には、例えば
リフローチャンバー
【００２３】リフローチャンバー１３Ｂには、
高温加熱機構付き支持台１５Ｂとガス導入管１７Ｂと排気管１８Ｃの他、周囲にプラズマ発生用ＲＦコイル２１を備えている。
【００２４】このリフローチャンバー１３Ｂを用いる場合、圧力を１ｍＴｏｒｒとし、チャンバー周囲のプラズマ発生用ＲＦコイル２１に４００ｋＶの高周波を与えてプラズマを発生させ、
これとは別に高温加熱機構付支持台１５Ｂにバイアス用１３．５６ＭＨｚの高周波を与え
イ　引用例５の記載事項
　上記アの記載から、引用例５には、実質的に次の事項（以下、「引用例５記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「リフローチャンバーにおいて、高温加熱機構付き支持台１５Ｂとガス導入管１７Ｂと排気管１８Ｃと周囲にプラズマ発生用ＲＦコイル２１とを備え、高温加熱機構付支持台１５Ｂにバイアス用１３．５６ＭＨｚの高周波を与えること。」
（６）引用例６について
ア　引用例６の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開平８−８２３２号公報（以下、「引用例６」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【００１４】
【作用】本発明のポイントは、
プラズマエッチングやプラズマＣＶＤ等の実際のプラズマ処理を施す前段階として、ｉｎ−ｓｉｔｕで予備プラズマ処理を行う点にある。
予備プラズマ処理を例えば３０秒行うことにより、この場合は被処理基板温度Ｔ２は約５０℃上昇し、平衡温度に達する。この時点でプロセスガスを切り替え、実際のプラズマ処理を施す
【００１５】この
予備プラズマ処理は、
不活性ガスにより行う
プラズマ生成用電力や基板バイアス、ガス圧力等、ガス種以外ののプロセス条件を同一とすることが好ましい。予備プラズマ処理の採用により、所望のプロセス温度に正確に制御され、均一性と再現性に優れたプラズマエッチングやプラズマＣＶＤ等のプラズマ処理が可能となるのである。
（イ）「【００３８】例えば、プラズマ処理としてプラズマエッチングおよびプラズマＣＶＤを例示したが、スパッタリングによるデポジションやエッチングに適用してもい
。プラズマ処理装置として、
ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  ｐｌａｓｍａ）装置
に適用して安定な被処理基板温度制御を達成することができる。
イ　引用例６の記載事項
　上記アの記載から、引用例６には、実質的に次の事項（以下、「引用例６記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  ｐｌａｓｍａ）装置をもちいたプラズマエッチングにおいて、
プラズマ処理を施す前に、プラズマ生成用電力や基板バイアス、ガス圧力等、ガス種以外のプロセス条件を同一とし、不活性ガスによる予備プラズマ処理をｉｎ−ｓｉｔｅで行い、
所望のプロセス温度に正確に制御すること。」
（７）引用例７について
ア　引用例７の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００７−１０９７５８号公報（以下、「引用例７」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【０００１】
　この発明は、特に化合物半導体による高周波用トランジスタまたはＩＣ（ＭＭＩＣ；Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）などの製造に好ましく用いることができる化合物半導体素子の製造方法に関し、さらに詳細には放熱特性を大きく左右する
バイアホール形成方法
（イ）「【００１２】
　次に、
ＳｉＣウエハ１の裏面に
所定の形状にパターニングされた３〜４μｍ厚のＮｉ層５を形成する。次に、このＮｉ層５をマスクとし、公知の例えばＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）方式のプラズマエッチング装置（図示省略）によって弗素を含むエッチングガスを用いてドライエッチングによりバイアホール加工を行う。
【００１３】
　具体的には、この実施の形態１では
エッチングガスとしてＳＦ６／Ｏ２を用い、
加工された各バイアホール６の断面は何れも図１（ｃ）に示すように側壁６ａが垂直な断面矩形状に形成されたものであった。
（ウ）「【００２１】
　また、上記実施の形態１では
ＥＣＲ方式のプラズマエッチング装置を用いたが、例えばＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）方式のエッチング装置など他のドライエッチング装置を用いても良い。
【００２２】
　さらに、
ドライエッチング時におけるプラズマエッチング装置のステージ温度は特に限定されるものではないが、２００℃の高温でも軟化しない接着材３を用いたことにより、軟化温度の制限をほとんど考慮する必要がなくなるため、従来よりも高温の例えば５０〜２００℃の任意の温度とすることができる。
イ　引用例７発明および引用例７の記載事項について
　上記アの記載から、引用例７には、実質的に次の発明（以下、「引用例７発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ＳｉＣウエハ１の裏面に所定の形状にパターニングされた３〜４μｍ厚のＮｉ層５を形成し、
　Ｎｉ層５をマスクとし、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）方式のエッチング装置によって、エッチングガスとしてＳＦ６／Ｏ２を用い、プラズマエッチング装置のステージ温度を５０〜２００℃の任意の温度とするドライエッチングによりバイアホール加工を行う
バイアホール形成方法。」
　また、上記アの記載から、引用例７には、実質的に次の事項（以下、「引用例７記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「プラズマエッチング装置のステージ温度を５０〜２００℃の任意の温度とするドライエッチングによりバイアホール加工を行うこと。」
（８）引用例８について
ア　引用例８の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開昭６３−１５２１２５号公報（以下、「引用例８」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「第１図は第１工程を示し、
ｐ型Ｓｉ基板（１）上
ｐ型ＳｉＣ単結晶層（以下、単にｐ層と称す）（２）と、層厚３μｍのｎ型ＳｉＣ単結晶層（以下、単にｎ層と称す）（３）とを順次積層してなるウェハ（４）を準備
　第２図は第２工程を示し、
基板（１）、ｐ層〈２）及びｎ層（３）の露出表面に熱酸化膜（５）を形成する。
　斯る熱処理により得られる
熱酸化膜（５）はＳｉＯ
２
からなり
　第３図は第３工程を示し、
ｎ層（３）上の熱酸化膜（５ａ）に紙面垂直方向に延在する開口（６）を所定間隔毎に形成する。
　第４図は第４工程を示し、上記開口（６）により露出したｎ層（３）表面より基板（１〉に達する深さの溝（７）をエッチングにより形成する。具体的には、ウェハ（４）を１０００℃に保持し、Ａｒガス、Ｃｌ２ガス及びＯ２ガスを夫々９４５ｃｃ／ｍｉｎ，５０ｃｃ／ｍｉｎ及び５ｃｃ／ｍｉｎの割合で上記ウェハ（４〉上に１２分間流すことにより約１２μｍ深さの溝（７）が形成できる。尚、上記Ａｒ−Ｃ１２−Ｏ２エッチングガスはＳｉＯ２に対しては非エツチング性である。」（第２頁左上欄９行乃至右上欄１８行）」
イ　引用例８の記載事項
　上記アの記載から、引用例８には、実質的に次の事項（以下、「引用例８記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「ｐ型Ｓｉ基板（１）上に、ｐ型ＳｉＣ単結晶層（２）と、ｎ型ＳｉＣ単結晶層（３）とを順次積層してなるウェハ（４）を準備し、基板（１）、ｐ層〈２）及びｎ層（３）の露出表面にＳｉＯ２からなり熱酸化膜（５）を形成し、熱酸化膜（５ａ）に開口（６）を所定間隔毎に形成し、ウェハ（４）を１０００℃に保持し、Ａｒガス、Ｃｌ２ガス及びＯ２ガスを夫々９４５ｃｃ／ｍｉｎ，５０ｃｃ／ｍｉｎ及び５ｃｃ／ｍｉｎの割合で上記ウェハ（４〉上に流し、上記開口（６）により露出したｎ層（３）表面より基板（１〉に達する深さの溝（７）をエッチングにより形成すること。」
２　対比・判断
（１）本願発明と引用例１発明とを対比する。
ア　引用例１発明の「ＳｉＣ基板」、「ＳｉＯ２膜４」および「ＳｉＣ基板上にＳｉＯ２膜４がパターニングされ、ＳｉＯ２膜マスクとされたＳｉＣ積層基板１０」は、それぞれ本願発明の「炭化珪素基板」、「二酸化珪素」および「エッチングマスクである二酸化珪素が形成された前記炭化珪素基板」に相当する。
イ　引用例１発明の「ＩＣＰドライエッチング」は、高密度プラズマを用いたドライエッチング方式であるから、本願発明の「プラズマエッチングする方法」に相当する。
　そして、引用例１発明の「エッチング方法」は、「ＳｉＣ基板」をエッチングしているから、引用例１発明の「エッチング方法」は、本願発明の「炭化珪素基板をプラズマエッチングする方法」に相当する。
ウ　引用例１発明は「第一ドライエッチングのエッチング条件として、ＳＦ６ガスとＯ２ガスとＡｒガスの混合ガスでＳＦ６流量５ｓｃｃｍ、Ｏ２流量８ｓｃｃｍ、Ａｒ流量３０ｓｃｃｍを導入して１Ｐａの圧力でＩＣＰ電力５００Ｗ、ＳｉＣ基板側に印加するバイアス電力を１５Ｗ、さらにＳｉＣ基板をヒーターで８０℃に加熱した条件で目標深さの４／５程度まで（約１０μｍ）エッチングを行い、
　第二のエッチング条件として、ＳＦ６、Ｏ２、Ａｒの混合ガスでＳＦ６流量２ｓｃｃｍ、Ｏ２流量２ｓｃｃｍ、Ａｒ流量８ｓｃｃｍを導入して１Ｐａの圧力でＩＣＰ電力２００Ｗ、ＳｉＣ基板側に印加するバイアス電力を２０Ｗ、さらにＳｉＣ基板をヒーターで８０℃に加熱した条件で、先に形成したトレンチ５深さ１０μｍにさらに深さ２．５μｍエッチングを加え（第一のエッチング条件と合わせた深さ１２．５μｍエッチング）、」ているから、本願発明の「前記排気装置によって減圧された前記処理チャンバ内に、前記ガス供給装置によってＳＦ6ガスとＯ2ガスとの混合ガスを供給し、供給した前記混合ガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与えて前記炭化珪素基板をエッチングするとともに、
　前記炭化珪素基板を２００℃〜４００℃（ただし、２００℃を除く）に加熱した状態でエッチングするようにしたこと」と、「ＳＦ6ガスとＯ2ガスとの混合ガスを供給し、供給した前記混合ガスをプラズマ化し、且つ、バイアス電位を与えて前記炭化珪素基板をエッチングするとともに、
　前記炭化珪素基板を加熱した状態でエッチングするようにした」点で共通する。
エ　引用例１発明は「トレンチ底部を、電界集中を引き起こして耐圧特性に影響を及ぼす程度の鋭角を有する凹凸形状を形成することなく、平坦にエッチングできる」ことと、本願発明の「前記エッチングにより形成された穴及び溝の底面の側壁側の溝が全く形成されないか、形成されたとしても非常に小さく、前記穴及び溝の前記側壁についても、全くエッチングされないか、エッチングされてもごく僅かである、炭化珪素基板を高精度にエッチングすること」は、「前記エッチングにより形成された穴及び溝の底面の側壁側の溝が全く形成されないか、形成されたとしても非常に小さく、炭化珪素基板を高精度にエッチングする」点で共通する。
　そうすると、本願発明１と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
　
［一致点］
「炭化珪素基板をプラズマエッチングする方法であって、
　エッチングマスクである二酸化珪素が形成された前記炭化珪素基板を、
　ＳＦ6ガスとＯ2ガスとの混合ガスを供給し、供給した前記混合ガスをプラズマ化し、且つ、バイアス電位を与えて前記炭化珪素基板をエッチングするとともに、
　前記炭化珪素基板を加熱した状態でエッチングするようにしたことを特徴とする、前記エッチングにより形成された穴及び溝の底面の側壁側の溝が全く形成されないか、形成されたとしても非常に小さく、炭化珪素基板を高精度にエッチングすることが可能なプラズマエッチング方法。」
［相違点１］
　本願発明は「閉塞空間を有する処理チャンバと、炭化珪素基板が載置される基台と、前記処理チャンバ内を減圧する排気装置と、前記処理チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、コイルを有し、このコイルに高周波電力を供給して、前記処理チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成装置と、前記基台に高周波電力を供給する高周波電源とを備えたエッチング装置を用いて、前記基台上の炭化珪素基板をプラズマエッチングする」のに対して、引用例１発明は、エッチング装置装置の具体的な構成について記載されていない点。
　そのため、本願発明は「前記基台上に、エッチングマスクである二酸化珪素が形成された前記炭化珪素基板を載置し」、「前記排気装置によって減圧された前記処理チャンバ内に、前記ガス供給装置によってＳＦ6ガスとＯ2ガスとの混合ガスを供給し」、「供給した前記混合ガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し」、また、「前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与えて」いるのに対して、引用例１発明は、その点について記載されていない点。
[相違点２]                　
　本願発明は、「前記炭化珪素基板を２００℃〜４００℃（ただし、２００℃を除く）に加熱した状態でエッチングするようにしたことを特徴とする、前記エッチングにより形成された穴及び溝の底面の側壁側の溝が全く形成されないか、形成されたとしても非常に小さく、前記穴及び溝の前記側壁についても、全くエッチングされないか、エッチングされてもごく僅かである、炭化珪素基板を高精度にエッチングすることが可能」としているのに対して、引用例１発明は、炭化珪素基板を２００℃〜４００℃（ただし、２００℃を除く）に加熱していない点。
（２）当審の判断
［相違点２］について検討する。
　引用例１発明は、「ＳｉＣ基板をヒーターで８０℃に加熱した条件」でエッチングをしているから、引用例１の記載から、本願発明の「前記炭化珪素基板を２００℃〜４００℃（ただし、２００℃を除く）に加熱した状態でエッチング」することを、当業者が容易に想起することができたとは認められない。
　また、引用例２ないし８には、プラズマエッチング方法において「前記炭化珪素基板を２００℃〜４００℃（ただし、２００℃を除く）に加熱した状態でエッチングするようにしたことを特徴とする、前記エッチングにより形成された穴及び溝の底面の側壁側の溝が全く形成されないか、形成されたとしても非常に小さく、前記穴及び溝の前記側壁についても、全くエッチングされないか、エッチングされてもごく僅かである、炭化珪素基板を高精度にエッチングすることが可能」とすることについて記載されていない。
　そうすると、引用例２ないし８の記載から、引用例１発明において、上記［相違点２］について、本願発明と同様の方法を採用することが容易であるとも言えない。
　そして、本願発明は、特に［相違点２］を有することによって、
「【００１４】
　そして、このような点を踏まえ、炭化珪素基板の加熱温度とエッチング形状との関係について調べたところ、炭化珪素基板の加熱温度が２００℃〜４００℃であれば、プラズマエッチングを行った際に、穴Ｈや溝Ｈの底面に溝Ｈ’が全く形成されないか、形成されたとしても非常に小さなものであり、また、穴Ｈや溝Ｈの側壁についても、全くエッチングされないか、エッチングされたとしてもごく僅かであることが確認された。したがって、炭化珪素基板を２００℃〜４００℃に加熱すれば、炭化珪素基板を高精度にエッチングすることができる。尚、炭化珪素基板の加熱温度は３００℃〜４００℃の範囲であれば、更に好ましい。
【００１５】
　斯くして、本発明に係るプラズマエッチング方法によれば、炭化珪素基板をプラズマエッチングする際に、この炭化珪素基板を２００℃〜４００℃に加熱しているので、精度良く炭化珪素基板をエッチングすることができる。」
という格別の効果を有するものであるから、［相違点２］に係る方法は、引用例１ないし８に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
　したがって、本願発明は、引用例１ないし８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　そうすると、本願発明は、他の相違点については検討するまでもなく、引用例１ないし８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
３　本願の請求項２ないし４に係る発明の進歩性について
　本願の請求項２ないし４は、請求項１を引用しており、本願の請求項２ないし４に係る発明は本願発明の発明特定事項を全て有する発明である。
　してみれば、本願発明が引用例１ないし８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願の請求項２ないし４に係る発明も、引用例１ないし８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
４　原査定の理由についての当審の判断についてのまとめ
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第５　当審の拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
　平成２８年８月２９日付で当審より通知した拒絶理由の概要は、次のとおりである。
「Ａ．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記　
１．請求項１に記載された発明は、
「閉塞空間を有する処理チャンバと、炭化珪素基板が載置される基台と、前記処理チャンバ内を減圧する排気装置と、前記処理チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、コイルを有し、このコイルに高周波電力を供給して、前記処理チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成装置と、前記基台に高周波電力を供給する高周波電源とを備えたエッチング装置を用いて、前記基台上の炭化珪素基板をプラズマエッチングする方法であって、
　前記基台上に、エッチングマスクである二酸化珪素が形成された前記炭化珪素基板を載置した後、
　前記排気装置によって減圧された前記処理チャンバ内に、前記ガス供給装置によってＳＦ6ガスとＯ2ガスとの混合ガスを供給し、供給した前記混合ガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与えて前記炭化珪素基板をエッチングするとともに、
　前記炭化珪素基板を２００℃〜４００℃（ただし、２００℃を除く）に加熱した状態でエッチングするようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。」
であるが、発明の詳細な説明には、「前記排気装置によって減圧された前記処理チャンバ内に、前記ガス供給装置によってＳＦ6ガスとＯ2ガスとの混合ガスを供給し、供給した前記混合ガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与えて前記炭化珪素基板をエッチングする」際に、ＳＦ6ガスとＯ2ガスの供給量をいくらにするのか、処理チャンバ内の圧力や、コイルに供給する高周波電力および基台に供給する高周波電力をいくらにするのか記載されておらず、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確且つ十分に記載したものであるとは言えず、また、当該技術分野における技術常識を参酌しても、発明の詳細な説明の記載から自明であるとは言えない。
　つまり、炭化珪素基板の温度が同じであっても、エッチングガスの供給量や、処理チャンバ内の圧力やコイルに供給する高周波電力および基台に供給する高周波電力が異なる場合、エッチング形状は異なる形状となることは、当業者に知られていることである（特開２００７−１０９７５８号公報【００２６】【図５】【図６】参照。）から、発明の詳細な説明に、「前記排気装置によって減圧された前記処理チャンバ内に、前記ガス供給装置によってＳＦ6ガスとＯ2ガスとの混合ガスを供給し、供給した前記混合ガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与えて前記炭化珪素基板をエッチングする」際の、ＳＦ6ガスとＯ2ガスの供給量や、処理チャンバ内の圧力やコイルに供給する高周波電力および基台に供給する高周波電力について記載されていない、本願明細書は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしているとは言えない。
　なお、本願明細書【００４２】には、エッチングガスの供給量や、処理チャンバ内の圧力やコイルに供給する高周波電力および基台に供給する高周波電力について記載されているが、この記載は、エッチングガスとしてＳＦ6ガスをもちいた場合の記載であって、エッチングガスとしてＳＦ6ガスとＯ2ガスをもちいた場合のものではない。
　そして、請求項１に記載された発明を引用する、請求項２−４に記載された発明も、同様の理由により、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしているとは言えない。
Ｂ．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記　
１．発明の詳細な説明に
「【０００９】
  本発明は、本願発明者らが、精度の良いプラズマエッチングを実施可能な炭化珪素基板の加熱温度について実験を重ねた結果なされたものであり、炭化珪素基板を高精度にエッチングすることができるプラズマエッチング方法の提供をその目的とする。」
「【００１２】
  即ち、本願発明者らの研究によると、炭化珪素基板Ｋの加熱温度が低いときには、図２（ａ）に示すように、エッチングにより形成された穴Ｈや溝Ｈの底面の側壁側に溝Ｈ’が更に形成され、精度の良いエッチング形状を得ることができない。ところが、炭化珪素基板Ｋの加熱温度を徐々に高くしていくと、図２（ｂ）に示すように、形成される溝Ｈ’の大きさが徐々に小さくなり、最終的には、図２（ｃ）に示すように、溝Ｈ’が形成されなくなる。
【００１３】
  また、溝Ｈ’が形成されなくなった加熱温度から炭化珪素基板Ｋの加熱温度を徐々に高くしていくと、エッチングが等方的に進み易くなり、図２（ｄ）及び図２（ｅ）に示すように、穴Ｈや溝Ｈの側壁までエッチングされてしまう。炭化珪素基板Ｋを構成する原子は、その結合が切れてからでないと、エッチングガスのプラズマ化により生成されたラジカルやイオンと反応しないのであるが、当該炭化珪素基板Ｋの温度が高いほど、原子間の結合が切れ易く、エッチングガスのプラズマ化により生成されたラジカルやイオンと、炭化珪素基板Ｋを構成する原子とが反応し易いため、この反応によるエッチングが効率的に進む。尚、炭化珪素基板Ｋについては、シリコン（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）との結合が強固である一方、その温度が高くなることによって両者の結合が切れ易く、エッチングされ易い。したがって、炭化珪素基板Ｋの加熱温度が高いほど、炭化珪素基板Ｋのエッチングが等方的に進み、穴Ｈや溝Ｈの側壁がエッチングされ易くなる。尚、図２（ｄ）と図２（ｅ）では、図２（ｅ）の方が炭化珪素基板Ｋの加熱温度が高いときのエッチング形状を図示している。また、図２において、符号Ｍはマスクを示している。
【００１４】
  そして、このような点を踏まえ、炭化珪素基板の加熱温度とエッチング形状との関係について調べたところ、炭化珪素基板の加熱温度が２００℃〜４００℃であれば、プラズマエッチングを行った際に、穴Ｈや溝Ｈの底面に溝Ｈ’が全く形成されないか、形成されたとしても非常に小さなものであり、また、穴Ｈや溝Ｈの側壁についても、全くエッチングされないか、エッチングされたとしてもごく僅かであることが確認された。したがって、炭化珪素基板を２００℃〜４００℃に加熱すれば、炭化珪素基板を高精度にエッチングすることができる。尚、炭化珪素基板の加熱温度は３００℃〜４００℃の範囲であれば、更に好ましい。
【００１５】
  斯くして、本発明に係るプラズマエッチング方法によれば、炭化珪素基板をプラズマエッチングする際に、この炭化珪素基板を２００℃〜４００℃に加熱しているので、精度良く炭化珪素基板をエッチングすることができる。」
と記載されているように、本願発明は、炭化珪素基板の加熱温度が２００℃〜４００℃でプラズマエッチングを行った際に、穴Ｈや溝Ｈの底面に溝Ｈ’が全く形成されないか、形成されたとしても非常に小さなものであり、また、穴Ｈや溝Ｈの側壁についても、全くエッチングされないか、エッチングされたとしてもごく僅かである、炭化珪素基板を高精度にエッチングするプラズマエッチング方法であることを特徴としている。
　しかしながら、請求項１−４に記載された発明は、例えば、請求項１に、
「前記基台上に、エッチングマスクである二酸化珪素が形成された前記炭化珪素基板を載置した後、
　前記排気装置によって減圧された前記処理チャンバ内に、前記ガス供給装置によってＳＦ6ガスとＯ2ガスとの混合ガスを供給し、供給した前記混合ガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与えて前記炭化珪素基板をエッチングするとともに、
　前記炭化珪素基板を２００℃〜４００℃（ただし、２００℃を除く）に加熱した状態でエッチングするようにしたこと」
との記載しかないために、炭化珪素基板のエッチング速度を速めるために、エッチング中の炭化珪素基板の温度を２００℃〜４００℃（ただし、２００℃を除く）とするものを含んでおり、発明の詳細な説明に記載された発明以外を含むものとなっている。
　従って、請求項１−４に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されたものであるとは言えない。
　
Ｃ．この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記　
＜引用文献等一覧＞　
引用例１：特開２００７−１０９７５８号公報
引用例２：特表２００７−５０２５４７号公報
引用例３：特開平１０−３０３１８５号公報
引用例４：特開平６−１６９０１８号公報
引用例５：特開２００７−３２４５０３号公報
引用例６：特開平８−８２３２号公報
・請求項１
・引用例　１−５
・備考
　引用例１に記載された発明と請求項１に記載された発明は、以下の点で相違し、その余の点で一致する。
＜相違点１＞
　請求項１に記載された発明は、「エッチング装置」が、「閉塞空間を有する処理チャンバと、炭化珪素基板が載置される基台と、前記処理チャンバ内を減圧する排気装置と、前記処理チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、コイルを有し、このコイルに高周波電力を供給して、前記処理チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成装置と、前記基台に高周波電力を供給する高周波電源とを備え」ているのに対して、引用例１に記載された発明は、プラズマエッチング装置がＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式をもちいても良いとの記載(引用例１【００２１】)はあるものの、具体的なプラズマエッチング装置の構成が明示されていない点。
＜相違点２＞
　請求項１に記載された発明は、「エッチングマスク」として「二酸化珪素」がもちいられているのに対して、引用例１に記載された発明は、「エッチングマスク」として「Ｎｉ層」がもちいられている点。
＜相違点３＞
　請求項１に記載された発明が、「前記炭化珪素基板を２００℃〜４００℃（ただし、２００℃を除く）に加熱した状態でエッチング」しているのに対して、引用例１に記載された発明は５０〜２００℃の任意の温度でエッチングを行っている（引用例１【００２２】）点。
以下、各相違点について検討する。
＜相違点１＞について
　ＩＣＰ方式のプラズマエッチング装置が、「閉塞空間を有する処理チャンバと、」「基板が載置される基台と、前記処理チャンバ内を減圧する排気装置と、前記処理チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、コイルを有し、このコイルに高周波電力を供給して、前記処理チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成装置と、前記基台に高周波電力を供給する高周波電源とを備え」ることは、引用例２【００１２】，【００１４】，【００２３】，【図５】や、引用例３【０００３】，【０００４】，【０００６】，【図４】、及び引用例４【００２２】〜【００２４】，【図４】に記載されているように周知の構成であり、引用例１に記載された発明において、「エッチング装置」が、請求項１に記載された発明と同様の構成を有することは、当業者であれば適宜為し得る事項である。
＜相違点２＞について
　炭化珪素基板をエッチングする際に、Ｎｉ等の金属マスクを用いた際の金属汚染を避けるために、マスクとして二酸化珪素をもちいることは、引用例５【０００９】【００１８】に記載されているように公知の技術である。
　そして、引用例１に記載された発明において、マスク材料による金属汚染を避けるために、エッチングマスクを二酸化珪素で構成するようにすることは、当業者が適宜為し得る事項である。
＜相違点３＞について
　引用例１に記載された発明において、エッチング速度を速くするために、エッチングの際の基板の温度を高くすることは当業者が適宜考慮する事項であり、また、エッチングの温度を決めるのは、接着剤が軟化する温度より低い温度とすることであるから、２００℃より高い温度でエッチングを行うことは、接着剤の軟化する温度がより高い材料を選択することにより、当業者が適宜為し得る事項である。そして、その際に、２００℃〜４００℃（ただし、２００℃を除く）とすることに、格別の困難性認められない。
・請求項２，３
・引用例　１−６
・備考
　ＩＣＰ方式のプラズマエッチング装置において、「炭化珪素基板を予め加熱する際に、前記ガス供給装置により不活性ガスを前記処理チャンバ内に供給し、供給した不活性ガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与え、前記不活性ガスのプラズマ化により生成されたイオンを前記炭化珪素基板に入射させて該炭化珪素基板を加熱するよう」することは引用例２【００３０】〜【００３３】，【図８】や、引用例６【０００６】，【００１９】，【００２０】，【００３８】，【００３９】，【図１】に記載されているように公知の技術であるから、引用例１に記載された発明において、該公知技術を採用し、請求項２および３に記載された発明と同様の発明とすることに、格別の困難性は認められない。
・請求項４
・引用例　１−６
・備考
　請求項１で検討したように、引用例１に記載された発明において、エッチング速度を速くするために、エッチングの際の基板の温度を高くすることは当業者が適宜考慮する事項であり、また、エッチングの温度を決めるのは、接着剤が軟化する温度より低い温度とすることであるから、接着剤をエッチングの際の基板の温度を３００℃〜４００℃とした際に、それに耐えるものを選択することにより、適宜為し得る事項である。」
２　当審拒絶理由についての判断
（１）理由Ｂについて
　平成２８年１１月２８日付の手続補正書により、本願発明は
「閉塞空間を有する処理チャンバと、炭化珪素基板が載置される基台と、前記処理チャンバ内を減圧する排気装置と、前記処理チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、コイルを有し、このコイルに高周波電力を供給して、前記処理チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成装置と、前記基台に高周波電力を供給する高周波電源とを備えたエッチング装置を用いて、前記基台上の炭化珪素基板をプラズマエッチングする方法であって、
　前記基台上に、エッチングマスクである二酸化珪素が形成された前記炭化珪素基板を載置した後、
　前記排気装置によって減圧された前記処理チャンバ内に、前記ガス供給装置によってＳＦ6ガスとＯ2ガスとの混合ガスを供給し、供給した前記混合ガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与えて前記炭化珪素基板をエッチングするとともに、
　前記炭化珪素基板を２００℃〜４００℃（ただし、２００℃を除く）に加熱した状態でエッチングするようにしたことを特徴とする、前記エッチングにより形成された穴及び溝の底面の側壁側の溝が全く形成されないか、形成されたとしても非常に小さく、前記穴及び溝の前記側壁についても、全くエッチングされないか、エッチングされてもごく僅かである、炭化珪素基板を高精度にエッチングすることが可能なプラズマエッチング方法。」
となったから、炭化珪素基板のエッチング速度を速めるために、エッチング中の炭化珪素基板の温度を２００℃〜４００℃（ただし、２００℃を除く）とするものを含むものでなくなった。
　したがって、本願発明は、発明の詳細な説明に記載されたものである。
　また、補正後の請求項２ないし４に記載された発明は、請求項１に記載された発明を引用しているから、同様の理由により、発明の詳細な説明に記載されたものである。
　したがって、当審拒絶理由のＢに示した理由によっては、本願を拒絶することはできない。
（２）理由Ａについて
　本願は、上記理由Ｂを解消することにより、「前記エッチングにより形成された穴及び溝の底面の側壁側の溝が全く形成されないか、形成されたとしても非常に小さく、前記穴及び溝の前記側壁についても、全くエッチングされないか、エッチングされてもごく僅かである、炭化珪素基板を高精度にエッチングすることが可能なプラズマエッチング方法。」となり、炭化珪素基板の温度を２００℃〜４００℃の範囲内とすれば、他のエッチング条件が周知の範囲内で、種々のエッチング形状を形成した場合であっても、目的としたエッチング形状において、穴Ｈ及び溝Ｈの底面の側壁側での溝Ｈ’形成や側壁の過度のエッチング形成を抑制できる点が明確になったから、発明の詳細な説明が、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることが明確かつ十分に記載したものとなった。
　したがって、当審拒絶理由のＡに示した理由によっては、本願を拒絶することはできない。
（３）理由Ｃについて
ア　引用例７（当審の拒絶理由において引用例１として引用した文献）について
（ア）当審の拒絶の理由に引用された、特開２００７−１０９７５８号公報（「引用例７」）には、図面とともに、上記「第４　１　（１）　ア」に記載されたことが記載されている。
（イ）　引用例７発明について
　上記「第４　１　（１）　ア」の記載から、引用例７には、実質的に上記「第４　１　（１）　イ」の「引用例７発明」が記載されているものと認められる。
イ　引用例３（当審の拒絶理由において引用例２として引用した文献）について
（ア）当審の拒絶の理由に引用され、特表２００７−５０２５４７号公報（「引用例２」）には、図面とともに、上記「第４　１　（３）　ア」に記載されたことが記載されている。
（イ）引用例３の記載事項について
　上記「第４　１　（３）　ア」の記載から、引用例３には、実質的に上記「第４　１　（３）　イ」の「引用例３記載事項−１」および「引用例３記載事項−２」が記載されているものと認められる。
ウ　引用例４（当審の拒絶理由において引用例３として引用した文献）について
（ア）当審の拒絶の理由に引用され、特開平１０−３０３１８５号公報（「引用例４」）には、図面とともに、上記「第４　１　（４）　ア」に記載されたことが記載されている。
（イ）引用例３の記載事項について
　上記「第４　１　（４）　ア」の記載から、引用例４には、実質的に上記「第４　１　（４）　イ」の「引用例４記載事項」が記載されているものと認められる。
エ　引用例５（当審の拒絶理由において引用例４として引用した文献）について
（ア）当審の拒絶の理由に引用され、特開平６−１６９０１８号公報（「引用例５」）には、図面とともに、上記「第４　１　（５）　ア」に記載されたことが記載されている。
（イ）引用例５の記載事項について
　上記「第４　１　（５）　ア」の記載から、引用例５には、実質的に上記「第４　１　（５）　イ」の「引用例５記載事項」が記載されているものと認められる。
オ　引用例１（当審の拒絶理由において引用例５として引用した文献）について
（ア）当審の拒絶の理由に引用され、特開２００７−３２４５０３号公報（「引用例１」）には、図面とともに、上記「第４　１　（１）　ア」に記載されたことが記載されている。
（イ）引用例１の記載事項について
　上記「第４　１　（１）　ア」の記載から、引用例１には、実質的に上記「第４　１　（１）　イ」の「引用例１記載事項」が記載されているものと認められる。
カ　引用例６（当審の拒絶理由において引用例６として引用した文献）について
（ア）当審の拒絶の理由に引用され、特開平８−８２３２号公報（「引用例６」）には、図面とともに、上記「第４　１　（６）　ア」に記載されたことが記載されている。
（イ）引用例６の記載事項について
　上記「第４　１　（６）　ア」の記載から、引用例６には、実質的に上記「第４　１　（６）　イ」の「引用例６記載事項」が記載されているものと認められる。
キ　対比
（ア）本願発明と引用例７発明とを対比する。
ａ　引用例７発明の「ＳｉＣウエハ１」、「プラズマエッチング装置のステージ」、ＳＦ６／Ｏ２を用いた「エッチングガス」、および、「エッチング装置」は、それぞれ本願発明の「炭化珪素基板」、「炭化珪素基板が載置される基台」、「ＳＦ6ガスとＯ2ガスとの混合ガス」、および、「エッチング装置」に相当する。
ｂ　引用例７発明の「バイアホール形成方法」は、「ＳｉＣウエハ１」をエッチングするものであり、また、「ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）方式のエッチング装置によって」エッチングする方法であるから、本願発明の「炭化珪素基板をプラズマエッチングする方法」に相当する。
ｃ　引用例７発明は「Ｎｉ層５をマスクとし」てエッチングを行っており、このことは、本願発明の「エッチングマスクである二酸化珪素」と、マスクを利用してエッチングする点で共通する。
ｄ　引用例７発明は「プラズマエッチング装置のステージ温度を５０〜２００℃の任意の温度と」し、「プラズマエッチング」しているから、「プラズマエッチング装置のステージ」の上の「ＳｉＣウエハ１」も「５０〜２００℃の任意の温度」となるから、このことは、本願発明の「前記炭化珪素基板を２００℃〜４００℃（ただし、２００℃を除く）に加熱した状態でエッチングする」ことと、「前記炭化珪素基板を加熱した状態でエッチングする」点で共通する。
　そうすると、本願発明と引用例７発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
　
［一致点］
「炭化珪素基板が載置される基台を備えたエッチング装置を用いて、前記基台上の炭化珪素基板をプラズマエッチングする方法であって、
　エッチングマスクが形成された前記炭化珪素基板と、
　ＳＦ6ガスとＯ2ガスとの混合ガスをもちいて、前記炭化珪素基板をエッチングするとともに、
　前記炭化珪素基板を加熱した状態でエッチングするようにしたことを特徴とする、
　プラズマエッチング方法。」
［相違点１］
　本願発明は「閉塞空間を有する処理チャンバと、炭化珪素基板が載置される基台と、前記処理チャンバ内を減圧する排気装置と、前記処理チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、コイルを有し、このコイルに高周波電力を供給して、前記処理チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成装置と、前記基台に高周波電力を供給する高周波電源とを備えたエッチング装置を用いて、前記基台上の炭化珪素基板をプラズマエッチングする」のに対して、引用例１発明は、エッチング装置装置の具体的な構成について「プラズマエッチング装置のステージ」しか記載されていない点。
　そのため、本願発明は「前記排気装置によって減圧された前記処理チャンバ内に、前記ガス供給装置によってＳＦ6ガスとＯ2ガスとの混合ガスを供給し」、「供給した前記混合ガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し」、また、「前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与えて」いるのに対して、引用例１発明は、その点について記載されていない点。
［相違点２］
　本願発明は「エッチングマスクである二酸化珪素が形成さ」ているのに対して、引用例７発明は、エッチングマスクとして「Ｎｉ層」が用いられている点。
［相違点３］
　本願発明は「前記炭化珪素基板を２００℃〜４００℃（ただし、２００℃を除く）に加熱した状態でエッチングするようにしたことを特徴とする、前記エッチングにより形成された穴及び溝の底面の側壁側の溝が全く形成されないか、形成されたとしても非常に小さく、前記穴及び溝の前記側壁についても、全くエッチングされないか、エッチングされてもごく僅かである、炭化珪素基板を高精度にエッチングすることが可能」としているのに対して、引用例７発明はそのようにしていない点。
ク　当審の判断
［相違点３］について検討する。
　引用例７発明は、「ドライエッチングによりバイアホール加工を行うバイアホール形成方法」であるから、形成された「バイアホール」は、「前記エッチングにより形成された穴及び溝の底面」を有しておらず、そのため形成された「バイアホール」は、「前記エッチングにより形成された穴及び溝の底面の側壁側の溝が全く形成されないか、形成されたとしても非常に小さく」する構成を備えることは出来ない。
　そうすると、引用例１および３ないし６に［相違点３］に関する事項が記載されていたとしても、引用例７発明において、上記［相違点３］について、本願発明と同様の方法を採用することが容易であるとは言えない。
　　そして、本願発明は、特に［相違点３］を有することによって、
「【００１４】
　そして、このような点を踏まえ、炭化珪素基板の加熱温度とエッチング形状との関係について調べたところ、炭化珪素基板の加熱温度が２００℃〜４００℃であれば、プラズマエッチングを行った際に、穴Ｈや溝Ｈの底面に溝Ｈ’が全く形成されないか、形成されたとしても非常に小さなものであり、また、穴Ｈや溝Ｈの側壁についても、全くエッチングされないか、エッチングされたとしてもごく僅かであることが確認された。したがって、炭化珪素基板を２００℃〜４００℃に加熱すれば、炭化珪素基板を高精度にエッチングすることができる。尚、炭化珪素基板の加熱温度は３００℃〜４００℃の範囲であれば、更に好ましい。
【００１５】
　斯くして、本発明に係るプラズマエッチング方法によれば、炭化珪素基板をプラズマエッチングする際に、この炭化珪素基板を２００℃〜４００℃に加熱しているので、精度良く炭化珪素基板をエッチングすることができる。」
という格別の効果を有するものであるから、［相違点３］に係る方法は、引用例７，１および３ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
　したがって、本願発明は、引用例７，１および３ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　そうすると、本願発明は、他の相違点については検討するまでもなく、引用例７，１および３ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
ケ　本願の請求項２ないし４に係る発明の進歩性について
　本願の請求項２ないし４は、請求項１を引用しており、本願の請求項２ないし４に係る発明は本願発明の発明特定事項を全て有する発明である。
　してみれば、本願発明が引用例７，１および３ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願の請求項２ないし４に係る発明も、引用例７，１および３ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（４）　当審拒絶理由についての当審の判断についてのまとめ
　以上のとおり、当審拒絶理由のＡないしＣに示した理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　そすると、もはや、当審の拒絶理由によっては本願を拒絶することはできない。
第６　結語
　以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。