【事件の表示】
　特願２０１３−５３１７２９「化学気相成長法による低温での誘電体膜の作製」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　４月　５日国際公開，ＷＯ２０１２／０４４６２２，平成２５年１２月１９日国内公表，特表２０１３−５４５２７５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
　１　手続の経緯 
　本願は，２０１１年９月２７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年９月３０日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって，平成２７年９月３０日付けの拒絶理由の通知に対して，同年１１月２７日に意見書と手続補正書が提出され，平成２８年６月３０日付けで拒絶査定され，同年１０月３日に拒絶査定不服審判が請求されると共に手続補正書が提出されたものである。
　２　補正の適否
（１）補正の内容
　平成２８年１０月３日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−１８を補正して，補正後の請求項１−１７とするものであって，補正前後の請求項は各々次のとおりである。
　
＜補正前＞
「【請求項１】
　基板上に誘電体膜を堆積する方法であって：
　プロセスチャンバ内に複数の基板を設置する工程；
　前記プロセスチャンバを400℃乃至650℃未満の堆積温度にまで加熱する工程；
　前記プロセスチャンバへ水蒸気を含む第1プロセスガスを流入させる工程；
　前記プロセスチャンバへジクロロシラン(DCS)を含む第2プロセスガスを流入させる工程；
　ガス圧力を2Torr未満に設定する工程；及び，
　前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスとを反応させて，非プラズマ化学気相成長によって前記複数の基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する工程；
　を有する方法。
【請求項２】
　前記水蒸気を水素ガス(H2)と酸素ガス(O2)との燃焼によって前記プロセスチャンバの外部で生成する工程をさらに有する，請求項1に記載の方法。
【請求項３】
　前記シリコン酸化膜の生成後，窒素(N2)，一酸化窒素(NO)，亜酸化窒素(N2O)，酸素(O2)，及び/又は水(H2O)のうちの少なくとも1つを有する熱処理ガス内において上に前記シリコン酸化膜を有する前記基板を熱処理する工程をさらに有する，請求項1に記載の方法。
【請求項４】
　前記熱処理が，前記堆積温度よりも高い温度で実行される，請求項3に記載の方法。
【請求項５】
　前記シリコン酸化膜の成長速度を制御するように前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスを流しながら，第1希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程をさらに有する，請求項1に記載の方法。
【請求項６】
　前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスを流しながら，一酸化窒素(NO)を含む第3プロセスガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程；及び
　前記シリコン酸化膜と前記第3プロセスガスとを反応させることで，前記基板上にシリコン酸窒化膜を生成する工程；
　をさらに有する，請求項1に記載の方法。
【請求項７】
　NOを含む前記第3プロセスガスが，前記プロセスチャンバの外部で前記第1プロセスガスに加えられる，請求項6に記載の方法。
【請求項８】
　前記シリコン酸化膜の成長速度を制御するように前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスを流しながら，第1希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程；及び
　前記シリコン酸化膜へのNの導入を制御するように前記第3プロセスガスを流しながら，第2希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程；
　をさらに有する，請求項6に記載の方法。
【請求項９】
　前記シリコン酸窒化膜の生成後，窒素(N2)，一酸化窒素(NO)，亜酸化窒素(N2O)，酸素(O2)，及び/又は水(H2O)のうちの少なくとも1つを有する熱処理ガス内において上に前記シリコン酸窒化膜を有する前記基板を熱処理する工程をさらに有する，請求項6に記載の方法。
【請求項１０】
　前記熱処理が，前記堆積温度よりも高い温度で実行される，請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
　前記シリコン酸窒化膜は，前記シリコン酸化膜よりも低い界面トラップ密度(Dit)を有する，請求項6に記載の方法。
【請求項１２】
　基板上に誘電体膜を堆積する方法であって：
　プロセスチャンバ内に複数の基板を設置する工程；
　前記プロセスチャンバを400℃乃至650℃未満の堆積温度にまで加熱する工程；
　前記プロセスチャンバへ水蒸気を含む第1プロセスガスを流入させる工程であって，前記水蒸気は水素ガス(H2)と酸素ガス(O2)との燃焼によって前記プロセスチャンバの外部で生成される，工程；
　前記プロセスチャンバへジクロロシラン(DCS)を含む第2プロセスガスを流入させる工程；
　前記プロセスチャンバ内でのガス圧力を2Torr未満に設定する工程；　
　前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスとを反応させて，非プラズマ化学気相成長によって前記複数の基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する工程；並びに，
　前記シリコン酸化膜の生成後，窒素(N2)，一酸化窒素(NO)，亜酸化窒素(N2O)，酸素(O2)，及び/又は水(H2O)のうちの少なくとも1つを有する熱処理ガス内において上に前記シリコン酸化膜を有する前記基板を熱処理する工程であって，前記熱処理は前記堆積温度よりも高い温度で実行される，工程；
　を有する方法。
【請求項１３】
　前記シリコン酸化膜の成長速度を制御するように前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスを流しながら，第1希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程をさらに有する，請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
　基板上に誘電体膜を堆積する方法であって：
　プロセスチャンバ内に複数の基板を設置する工程；
　前記プロセスチャンバを400℃乃至650℃未満の堆積温度にまで加熱する工程；
　前記プロセスチャンバへ水蒸気を含む第1プロセスガスを流入させる工程であって，前記水蒸気は水素ガス(H2)と酸素ガス(O2)との燃焼によって前記プロセスチャンバの外部で生成される，工程；
　前記プロセスチャンバへジクロロシラン(DCS)を含む第2プロセスガスを流入させる工程；
　前記プロセスチャンバへ一酸化窒素(NO)を含む第3プロセスガスを流入させる工程；
　前記プロセスチャンバ内でのガス圧力を2Torr未満に設定する工程；
　前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスとを反応させて前記複数の基板上にシリコン酸窒化膜を熱的に堆積する工程；並びに，
　前記シリコン酸窒化膜の生成後，窒素(N2)，一酸化窒素(NO)，亜酸化窒素(N2O)，酸素(O2)，及び/又は水(H2O)のうちの少なくとも1つを有する熱処理ガス内において上に前記シリコン酸窒化膜を有する前記基板を熱処理する工程；
　を有する方法。
【請求項１５】
　前記熱処理が，前記堆積温度よりも高い温度で実行される，請求項14に記載の方法。
【請求項１６】
　前記水蒸気を水素ガス(H2)と酸素ガス(O2)との燃焼によって前記プロセスチャンバの外部で生成する工程をさらに有する，請求項14に記載の方法。
【請求項１７】
　前記シリコン酸化膜の成長速度を制御するように前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスを流しながら，第1希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程；及び
　前記シリコン酸化膜への窒素の導入を制御するように前記第3プロセスガスを流しながら，第2希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程；
　をさらに有する，請求項14に記載の方法。
【請求項１８】
　NOを含む前記第3プロセスガスが，前記プロセスチャンバの外部で前記第1プロセスガスに加えられる，請求項14に記載の方法。」
　
＜補正後＞
「【請求項１】
　基板上に誘電体膜を堆積する方法であって：
　プロセスチャンバ内に複数の基板を設置する工程；
　前記プロセスチャンバを４００℃乃至６５０℃未満の堆積温度にまで加熱する工程；
　前記プロセスチャンバへ水蒸気を含む第１プロセスガスを流入させる工程；
　前記プロセスチャンバへジクロロシラン（ＤＣＳ）を含む第２プロセスガスを流入させる工程；
　前記プロセスチャンバ内でのガス圧力を２Ｔｏｒｒ未満に設定する工程；及び，
　前記第１プロセスガスと前記第２プロセスガスとを反応させて，非プラズマ化学気相成長によって前記複数の基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する工程；
　を有する方法。
【請求項２】
　前記水蒸気を水素ガス（Ｈ２）と酸素ガス（Ｏ２）との燃焼によって前記プロセスチャンバの外部で生成する工程をさらに有する，請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　前記シリコン酸化膜の生成後，窒素（Ｎ２），一酸化窒素（ＮＯ），亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ），酸素（Ｏ２），及び／又は水（Ｈ２Ｏ）のうちの少なくとも１つを有する熱処理ガス内において上に前記シリコン酸化膜を有する前記基板を熱処理する工程をさらに有する，請求項１に記載の方法。
【請求項４】
　前記熱処理が，前記堆積温度よりも高い温度で実行される，請求項３に記載の方法。
【請求項５】
　前記シリコン酸化膜の成長速度を制御するように前記第１プロセスガスと前記第２プロセスガスを流しながら，第１希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程をさらに有する，請求項１に記載の方法。
【請求項６】
　前記第１プロセスガスと前記第２プロセスガスを流しながら，一酸化窒素（ＮＯ）ガスを含む第３プロセスガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程；及び
　前記シリコン酸化膜と前記第３プロセスガスとを反応させることで，前記基板上にシリコン酸窒化膜を生成する工程；
　をさらに有する，請求項１に記載の方法。
【請求項７】
　ＮＯガスを含む前記第３プロセスガスが，前記プロセスチャンバの外部で前記第１プロセスガスに加えられる，請求項６に記載の方法。
【請求項８】
　前記シリコン酸化膜の成長速度を制御するように前記第１プロセスガスと前記第２プロセスガスを流しながら，第１希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程；及び
　前記シリコン酸化膜への窒素の導入を制御するように前記第３プロセスガスを流しながら，第２希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程；
　をさらに有する，請求項６に記載の方法。
【請求項９】
　前記シリコン酸窒化膜の生成後，窒素（Ｎ２），一酸化窒素（ＮＯ），亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ），酸素（Ｏ２），及び／又は水（Ｈ２Ｏ）のうちの少なくとも１つを有する熱処理ガス内において上に前記シリコン酸窒化膜を有する前記基板を熱処理する工程をさらに有する，請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
　前記熱処理が，前記堆積温度よりも高い温度で実行される，請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
　前記シリコン酸窒化膜は，前記シリコン酸化膜よりも低い界面トラップ密度（Ｄｉｔ）を有する，請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
　基板上に誘電体膜を堆積する方法であって：
　プロセスチャンバ内に複数の基板を設置する工程；
　前記プロセスチャンバを４００℃乃至６５０℃未満の堆積温度にまで加熱する工程；
　前記プロセスチャンバへ水蒸気を含む第１プロセスガスを流入させる工程であって，前記水蒸気は水素ガス（Ｈ２）と酸素ガス（Ｏ２）との燃焼によって前記プロセスチャンバの外部で生成される，工程；
　前記プロセスチャンバへジクロロシラン（ＤＣＳ）を含む第２プロセスガスを流入させる工程；
　前記プロセスチャンバ内でのガス圧力を２Ｔｏｒｒ未満に設定する工程；
　前記第１プロセスガスと前記第２プロセスガスとを反応させて，非プラズマ化学気相成長によって前記複数の基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する工程；並びに，
　前記シリコン酸化膜の生成後，窒素（Ｎ２），一酸化窒素（ＮＯ），亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ），酸素（Ｏ２），及び／又は水（Ｈ２Ｏ）のうちの少なくとも１つを有する熱処理ガス内において上に前記シリコン酸化膜を有する前記基板を熱処理する工程であって，前記熱処理は前記堆積温度よりも高い温度で実行される，工程；
　を有する方法。
【請求項１３】
　前記シリコン酸化膜の成長速度を制御するように前記第１プロセスガスと前記第２プロセスガスを流しながら，第１希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程をさらに有する，請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
　基板上に誘電体膜を堆積する方法であって：
　プロセスチャンバ内に複数の基板を設置する工程；
　前記プロセスチャンバを４００℃乃至６５０℃未満の堆積温度にまで加熱する工程；
　前記プロセスチャンバへ水蒸気を含む第１プロセスガスを流入させる工程であって，前記水蒸気は水素ガス（Ｈ２）と酸素ガス（Ｏ２）との燃焼によって前記プロセスチャンバの外部で生成される，工程；
　前記プロセスチャンバへジクロロシラン（ＤＣＳ）を含む第２プロセスガスを流入させる工程；
　前記プロセスチャンバへ一酸化窒素（ＮＯ）を含む第３プロセスガスを流入させる工程；
　前記プロセスチャンバ内でのガス圧力を２Ｔｏｒｒ未満に設定する工程；
　前記第１プロセスガスと前記第２プロセスガスと前記第３プロセスガスとを反応させて前記複数の基板上にシリコン酸窒化膜を熱的に堆積する工程；並びに，
　前記シリコン酸窒化膜の生成後，窒素（Ｎ２），一酸化窒素（ＮＯ），亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ），酸素（Ｏ２），及び／又は水（Ｈ２Ｏ）のうちの少なくとも１つを有する熱処理ガス内において上に前記シリコン酸窒化膜を有する前記基板を熱処理する工程；
　を有する方法。
【請求項１５】
　前記熱処理が，前記堆積温度よりも高い温度で実行される，請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
　前記シリコン酸化膜の成長速度を制御するように前記第１プロセスガスと前記第２プロセスガスを流しながら，第１希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程；及び
　前記シリコン酸化膜への窒素の導入を制御するように前記第３プロセスガスを流しながら，第２希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程；
　をさらに有する，請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
　ＮＯガスを含む前記第３プロセスガスが，前記プロセスチャンバの外部で前記第１プロセスガスに加えられる，請求項１４に記載の方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　ア　補正事項１
　補正前の請求項１の「ガス圧力を2Torr未満に設定する工程」を補正して，補正後の請求項１の「前記プロセスチャンバ内でのガス圧力を２Ｔｏｒｒ未満に設定する工程」とすること。
　
　イ　補正事項２
　補正前の請求項６の「一酸化窒素(NO)を含む第3プロセスガス」を補正して，補正後の請求項６の「一酸化窒素（ＮＯ）ガスを含む第３プロセスガス」とすること。
　ウ　補正事項３
　補正前の請求項７，１８の「NOを含む前記第3プロセスガス」を補正して，補正後の請求項７，１７の「ＮＯガスを含む前記第３プロセスガス」とすること。
　エ　補正事項４
　補正前の請求項８の「前記シリコン酸化膜へのNの導入を制御する」を補正して，補正後の請求項８の「前記シリコン酸化膜への窒素の導入を制御する」とすること。
　オ　補正事項５
　補正前の請求項１４の「前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスとを反応させて前記複数の基板上にシリコン酸窒化膜を熱的に堆積する工程」を補正して，補正後の請求項１４の「前記第１プロセスガスと前記第２プロセスガスと前記第３プロセスガスとを反応させて前記複数の基板上にシリコン酸窒化膜を熱的に堆積する工程」とすること。
　カ　補正事項６
　補正前の請求項１６を削除して，補正前の請求項１７，１８の請求項の番号を繰り上げルこと。
（３）補正の目的の適否，新規事項追加の有無，及び，発明の特別な技術的特徴の変更の有無についての検討
　ア　補正前の請求項１の記載では，「ガス圧力」が，どこの圧力であるのかが特定されておらず，発明が明りょうでなかったところ，補正事項１によって，「前記プロセスチャンバ内でのガス圧力」であることが明確となった。
　したがって，補正事項１は，特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる，明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　イ　補正事項２は，特許法第１７条の２第５項第３号に掲げる，誤記の訂正を目的とするものに該当し，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　ウ　補正事項３は，特許法第１７条の２第５項第３号に掲げる，誤記の訂正を目的とするものに該当し，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　エ　補正事項４は，特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる，明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　オ　補正前の請求項１４には，「前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスとを反応させて前記複数の基板上にシリコン酸窒化膜を熱的に堆積する工程」と記載されている。
　一方，補正前の請求項１４によれば，前記「前記複数の基板上にシリコン酸窒化膜を熱的に堆積する工程」の前に，「複数の基板」が設置された「プロセスチャンバ」内へ，「水蒸気を含む第1プロセスガス」，「ジクロロシラン(DCS)を含む第2プロセスガス」，及び，「一酸化窒素(NO)を含む第3プロセスガス」を流入させる工程を有することが特定されている。
　そして，このように，プロセスチャンバ内に，「水蒸気を含む第1プロセスガス」，「ジクロロシラン(DCS)を含む第2プロセスガス」，及び，「一酸化窒素(NO)を含む第3プロセスガス」が存在する状態で，前記複数の基板上にシリコン酸窒化膜を熱的に堆積する工程を実施した場合において，窒素を含有するガスである「一酸化窒素(NO)を含む第3プロセスガス」が，前記「シリコン酸窒化膜」を熱的に堆積する反応に全く関与せず，「水蒸気を含む第1プロセスガス」と「ジクロロシラン(DCS)を含む第2プロセスガス」のみが反応をして，窒素を含有する物質である「シリコン酸窒化膜」が堆積されるとすることは技術常識に照らして不合理といえる。
　他方，本願の図３には，基板上に酸化膜を堆積する方法の一実施例に係るプロセスフローダイアグラムが表されているところ，前記表には，
「プロセスチャンバ内に複数の基板を設置する工程」；
「前記プロセスチャンバを４００℃乃至６５０℃未満の堆積温度にまで加熱する工程」；
「前記プロセスチャンバへ水蒸気を含む第１プロセスガスを流入させる工程」；
「前記プロセスチャンバへジクロロシランを含む第２プロセスガスを流入させる工程」；
「前記プロセスチャンバへ一酸化窒素を含む第３プロセスガスを流入させる工程」；
「ガス圧力を２Ｔｏｒｒ未満に設定する工程」；
「前記第１プロセスガスと前記第２プロセスガスと前記第３プロセスガスとを反応させて前記複数の基板上にシリコン酸窒化膜を熱的に堆積する工程」が明記されている。
　そうすると，補正前の請求項１４に係る発明において，プロセスチャンバ内に，「水蒸気を含む第1プロセスガス」，「ジクロロシラン(DCS)を含む第2プロセスガス」，及び，「一酸化窒素(NO)を含む第3プロセスガス」を流入させた後の，「前記複数の基板上にシリコン酸窒化膜を熱的に堆積する工程」においては，本願の図３に記載された「前記第１プロセスガスと前記第２プロセスガスと前記第３プロセスガスとを反応させて前記複数の基板上にシリコン酸窒化膜を熱的に堆積する工程」に記載された反応が生じると理解することが技術常識に照らして妥当であるから，補正前の請求項１４の「前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスとを反応させて前記複数の基板上にシリコン酸窒化膜を熱的に堆積する工程」との記載は，「前記第３プロセスガスと」の記載を欠いた誤記であったと認められる。
　そうすると，補正事項５は，特許法第１７条の２第５項第３号に掲げる，誤記の訂正を目的とするものに該当し，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　カ　補正事項６は，特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる，請求項の削除，及び，特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる，明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　キ　さらに，補正事項１ないし６による補正は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」という。）に記載されているものと認められるから，補正事項１ないし６は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって，補正事項１ないし６は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　ク　そして，補正事項１ないし６は，発明の特別な技術的特徴を変更するものではないと認められるから，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものといえる。
　ケ　以上検討したとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第３項，第４項，及び，第５項に規定する要件を満たす。
　３　本願発明
　上記２のとおり，審判請求時の補正は適法なものであるから，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，平成２８年１０月３日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものと認める。（以下，再掲する。） 
 　 
「【請求項１】
　基板上に誘電体膜を堆積する方法であって：
　プロセスチャンバ内に複数の基板を設置する工程；
　前記プロセスチャンバを４００℃乃至６５０℃未満の堆積温度にまで加熱する工程；
　前記プロセスチャンバへ水蒸気を含む第１プロセスガスを流入させる工程；
　前記プロセスチャンバへジクロロシラン（ＤＣＳ）を含む第２プロセスガスを流入させる工程；
　前記プロセスチャンバ内でのガス圧力を２Ｔｏｒｒ未満に設定する工程；及び，
　前記第１プロセスガスと前記第２プロセスガスとを反応させて，非プラズマ化学気相成長によって前記複数の基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する工程；
　を有する方法。」 
　４　引用例の記載と引用発明 
（１）原査定の拒絶理由で引用した，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００５−２０３７３０号公報（以下「引用例１」という。）には，「絶縁膜，半導体素子，電子デバイスおよび電子機器」（発明の名称）に関して，図１ないし図１３と共に以下の記載がある。（下線は当審において付した。以下同じ。）
（引１ａ）「【００４９】
　＜３＞　次に，図５（ｂ）に示すように，
半導体基板２上に，ゲート絶縁膜３を形成する
　Ｉ：シリコン酸化膜
　
ゲート絶縁膜３として，シリコン酸化（ＳｉＯ
２
）膜を形成する場合には，例えば熱酸化法，ＣＶＤ法（化学蒸着法）等を用いることができる
【００５０】
　Ｉ−１：熱酸化法
　熱酸化法は，加熱したシリコン基板（半導体基板２）に，酸素原子を含むガスを供給することにより，シリコン基板の表面に，シリコン酸化膜を形成する方法である。
　加熱の温度（加熱温度）は，３００〜１０００℃程度であるのが好ましく，５００〜８００℃程度であるのがより好ましい。
【００５１】
　加熱の時間（加熱時間）は，目的とするシリコン酸化膜の厚さに応じて適宜設定すればよく，特に限定されないが，例えば，加熱温度を前記範囲とする場合には，１０〜９０分程度であるのが好ましく，２０〜６０分程度であるのがより好ましい。
　また，酸素原子を含むガスとしては，例えば，酸素（純酸素），オゾン，過酸化水素，水蒸気，一酸化窒素，二酸化窒素，酸化二窒素等が挙げられ，これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５２】
　Ｉ−２：ＣＶＤ法
　
ＣＶＤ法は，所定圧力のチャンバ内に，シリコン酸化物前駆体と酸素原子を含むガスとを導入し，シリコン基板（半導体基板２）を加熱することにより，シリコン基板の表面に，シリコン酸化膜を形成する方法である
　
シリコン酸化物前駆体としては，例えば，ジクロロシラン，ヘキサクロロジシラン，テトラキス（ヒドロカルビルアミノ）シラン，トリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン等が挙げられ，これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる
【００５３】
　
酸素原子を含むガスとしては，例えば，酸素（純酸素），オゾン，過酸化水素，水蒸気，一酸化窒素，二酸化窒素，酸化二窒素等が挙げられ，これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる
　
加熱の温度（加熱温度）は
３００〜１０００℃程度であるのが好ましく
５００〜８００℃程度であるのがより好ましい
【００５４】
　
加熱の時間（加熱時間）は，目的とするシリコン酸化膜の厚さに応じて適宜設定すればよく，特に限定されないが，例えば，加熱温度を前記範囲とする場合には，１０〜９０分程度であるのが好ましく，２０〜６０分程度であるのがより好ましい
　
チャンバ内の圧力（真空度）は
０．０５Ｔｏｒｒ〜大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく
０．１〜５００Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい
　
また，シリコン酸化物前駆体と酸素原子を含むガスとの混合比は，モル比で１０：１〜１：１００程度であるのが好ましく，１：２〜１：１０程度であるのがより好ましい
（引１ｂ）「【実施例】
【００８１】
　次に，本発明の具体的実施例について説明する。
　１．絶縁膜の作製および評価
　１−１．絶縁膜の作製
　以下に示す各実施例および各比較例において，それぞれ，２つの絶縁膜を形成した。
　（実施例１）
　−１Ａ−　面方位（１００）のｐ型シリコン結晶基板を用意し，熱酸化処理によりシリコン酸化膜を形成した。
　
熱酸化処理は，相対湿度３３％ＲＨの水蒸気（Ｈ
２
Ｏ）雰囲気中，７５０℃で行った
　得られたシリコン酸化膜は，４．２ｎｍであった。」
（引１ｃ）「（実施例３）
　−１Ｂ−　まず，面方位（１００）のｐ型シリコン結晶基板を用意し，熱酸化処理を施した後，ＣＶＤ法によりシリコン酸窒化膜を形成した。
　
熱酸化処理は，相対湿度３３％ＲＨの水蒸気（Ｈ
２
Ｏ）雰囲気中，７５０℃で行った
　また，ＣＶＤ法は，チャンバ内の圧力を０．０２Ｐａとし，ジクロロシランアンモニアのガスを供給しつつ，６５０℃×４０分で行った。
　得られたシリコン酸窒化膜の平均厚さは，３．７ｎｍであった。」
・引用発明
　上記記載に照らして，引用例１には以下の発明（以下「引用発明」という。）が開示されていると認められる。
「半導体基板上に，ＣＶＤ法（化学蒸着法）を用いて，ゲート絶縁膜として，シリコン酸化（ＳｉＯ２）膜を形成する方法であって，
　前記ＣＶＤ法は，所定圧力のチャンバ内に，シリコン酸化物前駆体と酸素原子を含むガスとを導入し，シリコン基板（半導体基板）を加熱することにより，シリコン基板の表面に，シリコン酸化膜を形成するものであり，
　前記シリコン酸化物前駆体としては，例えば，ジクロロシラン，ヘキサクロロジシラン，テトラキス（ヒドロカルビルアミノ）シラン，トリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン等が挙げられ，これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができ，
　前記酸素原子を含むガスとしては，例えば，酸素（純酸素），オゾン，過酸化水素，水蒸気，一酸化窒素，二酸化窒素，酸化二窒素等が挙げられ，これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができ，
　前記加熱の温度（加熱温度）は，３００〜１０００℃程度であるのが好ましく，５００〜８００℃程度であるのがより好ましく，
　前記加熱の時間（加熱時間）は，目的とするシリコン酸化膜の厚さに応じて適宜設定すればよく，特に限定されないが，例えば，加熱温度を前記範囲とする場合には，１０〜９０分程度であるのが好ましく，２０〜６０分程度であるのがより好ましく，
　前記チャンバ内の圧力（真空度）は，０．０５Ｔｏｒｒ〜大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく，０．１〜５００Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましく，
　また，前記シリコン酸化物前駆体と前記酸素原子を含むガスとの混合比は，モル比で１０：１〜１：１００程度であるのが好ましく，１：２〜１：１０程度であるのがより好ましい，
　シリコン酸化（ＳｉＯ２）膜を形成する方法。」
　５　当審の判断
（１）対比 
　本願発明１と引用発明とを対比する。 
　ア　引用発明の「半導体基板」，「シリコン酸化（ＳｉＯ２）膜」，「チャンバ」，及び，「『ＣＶＤ法（化学蒸着法）を用いて』『シリコン基板（半導体基板）を加熱することにより，シリコン基板の表面に，シリコン酸化膜を形成する』」は，それぞれ，本願発明１の「基板」，「誘電体膜」，「プロセスチャンバ」，及び，「『非プラズマ化学気相成長によって』『基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する』」に相当する。
　イ　シリコン酸化物前駆体と酸素原子を含むガスは，シリコン基板の表面にシリコン酸化膜を形成するものであるから，引用発明の，「『例えば，ジクロロシラン，ヘキサクロロジシラン，テトラキス（ヒドロカルビルアミノ）シラン，トリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン等が挙げられ，これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができ』る『シリコン酸化物前駆体』」，及び，「『例えば，酸素（純酸素），オゾン，過酸化水素，水蒸気，一酸化窒素，二酸化窒素，酸化二窒素等が挙げられ，これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができ』る『酸素原子を含むガス』」は，いずれも，シリコン酸化膜の形成における「プロセスガス」であるといえる。
　そうすると，引用発明の「前記ＣＶＤ法は，所定圧力のチャンバ内に，シリコン酸化物前駆体と酸素原子を含むガスとを導入し，シリコン基板（半導体基板）を加熱することにより，シリコン基板の表面に，シリコン酸化膜を形成するものであり，前記シリコン酸化物前駆体としては，例えば，ジクロロシラン，ヘキサクロロジシラン，テトラキス（ヒドロカルビルアミノ）シラン，トリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン等が挙げられ，これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができ，前記酸素原子を含むガスとしては，例えば，酸素（純酸素），オゾン，過酸化水素，水蒸気，一酸化窒素，二酸化窒素，酸化二窒素等が挙げられ，これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができ」と，本願発明１の「『前記プロセスチャンバへ水蒸気を含む第１プロセスガスを流入させる工程；前記プロセスチャンバへジクロロシラン（ＤＣＳ）を含む第２プロセスガスを流入させる工程；』『前記第１プロセスガスと前記第２プロセスガスとを反応させて，非プラズマ化学気相成長によって前記複数の基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する工程』」とは，プロセスチャンバへ第１プロセスガスを流入させる工程，及び，プロセスチャンバへ第２プロセスガスを流入させる工程を含む，前記第１プロセスガスと前記第２プロセスガスとを反応させて，非プラズマ化学気相成長によって基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する方法である点で一致する。
　ウ　引用発明の「『前記ＣＶＤ法は，所定圧力のチャンバ内に，シリコン酸化物前駆体と酸素原子を含むガスとを導入し，シリコン基板（半導体基板）を加熱することにより，シリコン基板の表面に，シリコン酸化膜を形成するものであり』『前記加熱の温度（加熱温度）は，３００〜１０００℃程度であるのが好ましく，５００〜８００℃程度であるのがより好ましく』『前記チャンバ内の圧力（真空度）は，０．０５Ｔｏｒｒ〜大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく，０．１〜５００Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましく』」と，本願発明１の「『前記プロセスチャンバを４００℃乃至６５０℃未満の堆積温度にまで加熱する工程』『前記プロセスチャンバ内でのガス圧力を２Ｔｏｒｒ未満に設定する工程』『前記第１プロセスガスと前記第２プロセスガスとを反応させて，非プラズマ化学気相成長によって前記複数の基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する工程』」とは，所定の堆積温度にまで加熱する工程，及び，前記プロセスチャンバ内でのガス圧力を所定の圧力に設定する工程を含む，第１プロセスガスと第２プロセスガスとを反応させて，非プラズマ化学気相成長によって基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する方法である点で一致する。
　エ　そうすると，本願発明１と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。
 ＜一致点＞ 
「基板上に誘電体膜を堆積する方法であって：
　プロセスチャンバ内に基板を設置する工程；
　所定の堆積温度にまで加熱する工程；
　前記プロセスチャンバへ第１プロセスガスを流入させる工程；
　前記プロセスチャンバへ第２プロセスガスを流入させる工程；
　前記プロセスチャンバ内でのガス圧力を所定の圧力に設定する工程；及び，
　前記第１プロセスガスと前記第２プロセスガスとを反応させて，非プラズマ化学気相成長によって前記基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する工程；
　を有する方法。」 
 　 
＜相違点＞ 
・相違点１：本願発明１では，プロセスチャンバ内に「複数」の基板を設置して，前記「複数」の基板上にシリコン酸化膜を堆積するのに対して，引用発明では，基板が「単数」であるか「複数」であるかについて特定されていない点。
・相違点２：本願発明１が，「プロセスチャンバ」を堆積温度にまで加熱するのに対して，引用発明では，チャンバを加熱することが特定されていない点。
・相違点３：一致点に係る構成である，第１プロセスガスと第２プロセスガスとを反応させて，非プラズマ化学気相成長によって基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する方法において，本願発明１では，第１プロセスガスと第２プロセスガスとが，それぞれ，「水蒸気を含む第１プロセスガス」，及び，「ジクロロシラン（ＤＣＳ）を含む第２プロセスガス」であるのに対して，引用発明では，「『例えば，酸素（純酸素），オゾン，過酸化水素，水蒸気，一酸化窒素，二酸化窒素，酸化二窒素等が挙げられ，これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができ』る『酸素原子を含むガス』」，及び，「『例えば，ジクロロシラン，ヘキサクロロジシラン，テトラキス（ヒドロカルビルアミノ）シラン，トリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン等が挙げられ，これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができ』る『シリコン酸化物前駆体』『を含むガス』」である点。
・相違点４：一致点に係る構成である，第１プロセスガスと第２プロセスガスとを反応させて，非プラズマ化学気相成長によって基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する方法において，本願発明１では，堆積温度が，「４００℃乃至６５０℃未満」であって，プロセスチャンバ内でのガス圧力を「２Ｔｏｒｒ未満」に設定するのに対して，引用発明では，「加熱の温度（加熱温度）は，３００〜１０００℃程度であるのが好ましく，５００〜８００℃程度であるのがより好ましく」，「前記チャンバ内の圧力（真空度）は，０．０５Ｔｏｒｒ〜大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく，０．１〜５００Ｔｏｒｒ程度であるのがより好まし」いとされている点。
（２）判断
・相違点１について
　ア　以下の周知例１，２の記載から，本願の優先権の主張の日前において，プロセスチャンバ内に「複数」の基板を設置して，前記「複数」の基板上に減圧ＣＶＤを行う，いわゆる，バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置が広く使用されていたことが認められる。
　イ　そして，引用発明を実施するにあたり，シリコン酸化（ＳｉＯ２）膜を形成する装置として，前記バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置を選択して用いること，すなわち，プロセスチャンバ内に「複数」の基板を設置して，前記「複数」の基板上にシリコン酸化膜を堆積することは，前記装置が広く使用されていたことに照らして，当業者が適宜なし得たことといえる。
　すなわち，引用発明において，上記相違点１について本願発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
・周知例１：特開２００６−１７３１５７号公報（本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物）
（周１ａ）「【背景技術】
【０００２】
　ＩＣの製造方法において，半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下，ウエハという。）に窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）や
酸化シリコン
ＣＶＤ膜を形成するのに
バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置が広く使用されている
　
バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置（以下，ＣＶＤ装置という。）は
プロセスチューブ外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニット
複数枚のウエハがボートによって垂直方向に整列されて保持された状態で処理室に下端の炉口から搬入（ボートローディング）され，シールキャップによって炉口が閉塞された状態で，処理室に成膜ガスがガス供給管から供給されるとともに，ヒータユニットによって処理室が加熱されることにより，ウエハの上にＣＶＤ膜が堆積するように構成されている
・周知例２：特開２００９−２６０２６２号公報（本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物）
（周２ａ）「【発明を実施するための形態】
【００１６】
　以下，本発明の熱処理装置，熱処理装置の温度調整方法，及び，プログラムを，図１に示すバッチ式の縦型の熱処理装置に適用した場合を例に本実施の形態を説明する。また，本実施の形態では，成膜用ガスとして，
ジクロロシラン（ＳｉＨ
２
Ｃｌ
２
）
半導体ウエハにＳｉＯ
２
膜を形成する
【００１７】
　図１に示すように，本実施の形態の熱処理装置１は，略円筒状で有天井の反応管２を備えている。反応管２は，その長手方向が垂直方向に向くように配置されている。反応管２は，耐熱及び耐腐食性に優れた材料，例えば，石英により形成されている。
【００１８】
　反応管２の下側には，略円筒状のマニホールド３が設けられている。マニホールド３は，その上端と反応管２の下端とが気密に接合されている。マニホールド３には，反応管２内のガスを排気するための排気管４が気密に接続されている。排気管４には，バルブ，真空ポンプなどからなる圧力調整部５が設けられており，反応管２内を所望の圧力（真空度）に調整する。
【００１９】
　マニホールド３（反応管２）の下方には，蓋体６が配置されている。蓋体６は，ボートエレベータ７により上下動可能に構成され，ボートエレベータ７により蓋体６が上昇するとマニホールド３（反応管２）の下方側（炉口部分）が閉鎖され，ボートエレベータ７により蓋体６が下降すると反応管２の下方側（炉口部分）が開口されるように配置されている。
【００２０】
　蓋体６の上部には，保温筒（断熱体）８を介して，ウエハボート９が設けられている。ウエハボート９は，被処理体，例えば，半導体ウエハＷを収容（保持）するウエハ保持具であり，本実施の形態では，
半導体ウエハＷが垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚，例えば，１５０枚収容可能に構成されている
【００２１】
　
反応管２の周囲には，反応管２を取り囲むように，例えば，抵抗発熱体からなるヒータ部１０が設けられている
このヒータ部１０により反応管２の内部が所定の温度に加熱され，この結果，半導体ウエハＷが所定の温度に加熱される
・相違点２について
　上記「相違点１について」で検討したように，引用発明を実施するにあたり，シリコン酸化（ＳｉＯ２）膜を形成する装置として，いわゆるバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置を選択して用いることは，当業者が適宜なし得たことといえる。
　そして，バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置は，ウエハと，当該ウエハを収容するプロセスチューブによって形成された処理室とを取り囲むように，その周囲に，ヒータユニットが敷設された構造を有し，前記ヒータユニットが，ウエハを所定の温度に加熱して，ウエハ上にＳｉＯ２膜を形成するものである。
　そうすると，前記ウエハを所定の温度に加熱する際に，当該ウエハを収容するプロセスチューブによって形成された処理室もまた，前記ヒータユニットによって加熱されることは明らかといえる。
　したがって，引用発明において，所定圧力のチャンバ内に，シリコン酸化物前駆体と酸素原子を含むガスとを導入し，シリコン基板（半導体基板）を加熱することにより，シリコン基板の表面に，シリコン酸化膜を堆積するにあたり，前記チャンバを堆積温度にまで加熱すること，すなわち，引用発明において，相違点２について本願発明１の構成を採用することは当業者が適宜なし得たことである。
・相違点３について
　引用例１の（引１ｂ）に記載された「実施例１」，及び，（引１ｃ）に記載された「実施例３」のいずれにおいても，「酸素原子を含むガス」として，水蒸気を含むガスが用いられていることに照らして，「酸素原子を含むガス」として，水蒸気を含むガスを用いることは格別のこととは認められない。
　また，以下の周知例３，４の記載から，縦型熱処理装置に水蒸気を供給することも周知といえる。
　さらに，「例えば，ジクロロシラン，ヘキサクロロジシラン，テトラキス（ヒドロカルビルアミノ）シラン，トリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン等が挙げられ，これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができ」るとされるシリコン酸化物前駆体の候補から，筆頭に例示されている材料を含むガスを選択することに困難は認められない。
　そうすると，シリコン酸化物前駆体と酸素原子を含むガスとを導入し，シリコン基板（半導体基板）を加熱することにより，シリコン基板の表面に，シリコン酸化膜を形成する引用発明において，「例えば，酸素（純酸素），オゾン，過酸化水素，水蒸気，一酸化窒素，二酸化窒素，酸化二窒素等が挙げられ，これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができ」ると例示される酸素原子を含むガスの候補から，水蒸気を含むガスを選択し，「例えば，ジクロロシラン，ヘキサクロロジシラン，テトラキス（ヒドロカルビルアミノ）シラン，トリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン等が挙げられ，これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができ」るとされるシリコン酸化物前駆体の候補から，ジクロロシランを含むガスを選択することは当業者が適宜なし得たことと認められる。
　すなわち，引用発明において，上記相違点３について本願発明１の構成を採用することは当業者が適宜なし得たことである。
・周知例３：特開平４−２０６６３１号公報（本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物）
（周３ａ）「
一般に，熱処理装置は
成膜工程で使用される
（周３ｂ）「また，上記
プロセスチューブ１の外側には，プロセスチューブ１を囲繞する如くヒータ５が配設されており，プロセスチューブ１内を所望の温度に加熱可能に構成されている
　また，プロセスチューブ１の下部には，図示しない駆動機構により上下動可能に構成されたボートエレベータ７が設けられている。
　上記構成のこの実施例の
縦型熱処理装置
多数枚（例えば１５０枚程度）の半導体ウェハ
　そして，ガス導入配管２からプロセスチューブ１内に処理ガス（例えば酸素と水素を燃焼させる図示しない燃焼装置からの
水蒸気
酸化処理
（周３ｃ）「なお，上記実施例では，本発明を縦型熱処理装置に適用した例について説明したが，本発明はかかる実施例に限定されるものではなく，例えば横型の熱処理装置等にも適用することができる。また，熱交換部４の構造は，二重管構造に限らず，処理ガスと排気ガスとの熱交換が効率良く行われる構造であれば拡散装置や
ＣＶＤ装置
各種の変形が実施可能である
・周知例４：特開平７−２９８４２号公報（本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物）
（周４ａ）「【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程には，ウエハを加熱する様々な熱処理工程がある。例えば，ウエハ表面に酸化膜を成膜する方法の一つに，
高温に保った反応炉中にウエハを収納しその反応炉に水蒸気を含むガスを供給することによって，ウエハ表面に酸化膜を成膜する
【０００３】以下，上記の酸化膜の成膜方法に用いる熱処理装置を，
図２
（周４ｂ）図２は，従来例の熱処理装置の構成図であって，上記（周４ａ）の記載を参照すれば，同図から，「従来例の熱処理装置」が，縦型熱処理装置であることを見て取ることができる。
・相違点４について
　ＣＶＤ法において，加熱温度，チャンバ内の圧力等の堆積条件の違いによって，薄膜の堆積速度や，薄膜の特性（膜質）が異なるものとなることは周知である。
　一方，薄膜において，その用途に応じて，必要とされる特性（膜質）が異なることは明らかである。
　そうすると，ＣＶＤ法によって，薄膜を堆積するにあたり，その薄膜が用いられる用途に応じて，必要とされる特性（膜質）が得られるように，当該ＣＶＤ法における，加熱温度，チャンバ内の圧力等の堆積条件を選択することは当業者が適宜なし得たことといえる。
　そして，その際に，引用発明において「前記加熱の温度（加熱温度）は，３００〜１０００℃程度であるのが好ましく，５００〜８００℃程度であるのがより好ましく」，「前記チャンバ内の圧力（真空度）は，０．０５Ｔｏｒｒ〜大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく，０．１〜５００Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましく」とされる堆積条件の中から，堆積温度が，「４００℃乃至６５０℃未満」であって，プロセスチャンバ内でのガス圧力を「２Ｔｏｒｒ未満」の範囲に含まれる値を選択することは，格別のこととは認められない。
　すなわち，引用発明において，上記相違点４について本願発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
・効果について
　引用発明において，相違点１ないし４を採用したことによる効果は，発明の詳細な説明の記載からは，格別のものとは認められない。
・審判請求人の審判請求の理由における主張について
　ア　審判請求人は，審判請求の理由において，以下のように主張する。
「引用文献１は段落［００５３］において『酸素原子を含むガスとしては，例えば，酸素（純酸素），オゾン，過酸化水素，水蒸気，一酸化窒素，二酸化窒素，酸化二窒素等が挙げられ』（下線は引用者による）と記載しております。一方，本願明細書の段落［０００８］等によると，本願発明の実施形態は，基板上でのジクロロシラン（ＤＣＳ）と亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）との反応に依拠した業界標準の高温酸化（ＨＴＯ）プロセスよりも低温を利用しながら，良好な材料及び電気特性を備える二酸化シリコン膜とシリコン酸窒化膜の高い堆積速度を実現しております。」
　
　イ　本願の発明の詳細な説明には，以下の記載がある。
「【００２３】
　図4は，本発明の実施例によるシリコン酸化物の堆積速度をDCS流の関数として表している。成膜条件は，発熱性トーチ18及び水蒸気発生装置を流れる100sccmのH2ガス流と100sccmのO2ガス流を含んでいた。その条件により水蒸気が生成される。200sccmのN2希釈ガス流が，水蒸気を含む第1プロセスガスの希釈に用いられた。0.2Torrの処理圧力がシリコン酸化膜の堆積中に設定された。堆積温度は450℃〜600℃まで変化した。シリコン酸化膜の厚さは約100Å未満だった。DCSのガス流速は10sccm〜20sccmまで変化した。図4は，DCS流速が増大する結果，450℃〜500℃の堆積温度でのシリコン酸化物の堆積速度は約3-4Å/min〜約9-10Å/minに増大し，600℃の堆積温度でのシリコン酸化物の堆積速度は約6Å/min〜約11Å/minに増大することを示している。さらに比較のため，図4は，シリコン酸化膜の堆積速度が，基板表面上でDCSとN2Oとを反応させる従来のHTOプロセスを用いることによって，810℃の堆積温度でわずか2Å/minであり，かつ，堆積速度はDCSの流速に対して実質的に独立していることを示している。」
　
　そうすると，本願の発明の詳細な説明の記載からは，「発熱性トーチ18及び水蒸気発生装置を流れる100sccmのH2ガス流と100sccmのO2ガス流を含んでいた。その条件により水蒸気が生成される。200sccmのN2希釈ガス流が，水蒸気を含む第1プロセスガスの希釈に用いられた。0.2Torrの処理圧力がシリコン酸化膜の堆積中に設定された。堆積温度は450℃〜600℃まで変化した。」という成膜条件を満たす場合に，「DCSのガス流速」が「10sccm〜20sccm」で，「450℃〜500℃の堆積温度」，及び，「600℃の堆積温度」でのシリコン酸化物の堆積速度が，基板表面上でDCSとN2Oとを反応させる従来のHTOプロセスを用いた場合よりも高い堆積速度を実現することが理解される。
　しかしながら，本願の請求項１は，「プロセスチャンバ内でのガス圧力を２Ｔｏｒｒ未満に設定する」ことを発明特定事項とするから，本願発明１は，プロセスチャンバ内でのガス圧力が，発明の詳細な説明で用いられた堆積条件である，前記「0.2Torrの処理圧力」よりも遙かに小さい処理圧力である場合をも包含する発明といえる。
　また，本願の請求項１は，「プロセスチャンバ内でのガス圧力」を特定するだけであって，「DCSのガス流速」を何ら特定するものではないから，本願発明１は，「DCSのガス流速」が，「10sccm」よりも小さい場合を包含する発明であるともいえる。
　他方，プロセスチャンバ内でのガス圧力，及び，DCSのガス流速が小さくなると，シリコン酸化物の堆積速度が低くなることは明らかである。
　そうすると，「プロセスチャンバ内でのガス圧力」の下限，「DCSのガス流速」等の条件が特定されていない本願発明１において，基板表面上でDCSとN2Oとを反応させる従来のHTOプロセスを用いた場合よりも高い堆積速度が，常に実現するとは認めることはできない。
　したがって，「本願発明の実施形態は，基板上でのジクロロシラン（ＤＣＳ）と亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）との反応に依拠した業界標準の高温酸化（ＨＴＯ）プロセスよりも低温を利用しながら，・・・二酸化シリコン膜とシリコン酸窒化膜の高い堆積速度を実現しております。」との審判請求人の主張は，請求項の記載に基づかない主張であって採用することはできない。
　
　ウ　さらに，発明の詳細な説明には，以下の記載がある。
「【００２４】
　図5は，本発明の実施例による様々なシリコン酸化膜の湿式エッチング速度をN2堆積後温度の関数として表している。湿式エッチング速度はシリコン酸化膜の材料品質の指標である。高品質のシリコン酸化膜は，低品質のシリコン酸化膜よりも遅く湿式エッチングされる。続いて堆積されたシリコン酸化膜は，（堆積）プロセスチャンバ内で，0.5Torrの処理圧力かつN2ガスの存在する状態において様々な温度にて1時間熱処理された。熱処理に続いて，二酸化シリコン膜には，希釈HF(H2O:HF=200:1)で2.5分間の湿式エッチング処理が施される。エッチング速度は，50sccmの流速のDCSガスと100sccmの流速のN2Oガス流を用いることによって，800℃で堆積された基本となるHTOシリコン酸化膜のエッチング速度に規格化される。図5は，そのまま堆積されたシリコン酸化膜については，堆積温度又はDCSガス流速が大きくなる結果，湿式エッチング速度が増大することを示している。さらに堆積後熱処理温度が増大すればするほど，10sccmのDCSガス流束を用いて堆積されたシリコン酸化膜の湿式エッチング速度は低下する。」
　また，図５から，左端の「Ｎｏ　Ｈｅａｔｔｒｅａｔｉｎｇ」の条件の場合，規格化されたエッチング速度が，いずれも２．０以上を示していることが読み取れる。
　
　そうすると，本願の発明の詳細な説明の記載からは，堆積後に熱処理を行わない場合には，シリコン酸化膜の品質は，800℃で堆積された基本となるHTOシリコン酸化膜と比べて劣ることが理解される。
　してみれば，審判請求人の前記「本願発明の実施形態は，基板上でのジクロロシラン（ＤＣＳ）と亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）との反応に依拠した業界標準の高温酸化（ＨＴＯ）プロセスよりも低温を利用しながら，
良好な材料及び電気特性を備える
　エ　審判請求人は，審判請求の理由において，さらに以下のように主張する。
「また，本願明細書の段落［０００９］等によると，本願発明は，シリコン酸窒化膜を生成するため，Ｎ２Ｏ酸化剤を水蒸気酸化剤と任意でＮＯガスに置き換えることで，基本的なＨＴＯプロセスに匹敵する低い湿式エッチング速度を含む良好な材料特性をシリコン酸窒化膜に供しながら，堆積温度を１００℃以上，２００℃以上，またさらには３００℃以上（たとえば３５０℃まで）低下させることを可能にしております。上記の亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）は，引用文献１に記載の酸化二窒素（一酸化二窒素）の別名であると思料いたします。従って，拒絶理由通知において『引用文献１において，引用文献１に記載の範囲のガス圧力や堆積温度の条件を調整して，４００〜６５０℃かつ２Ｔｏｒｒ未満の条件で成膜しようとすることは，当業者にとって容易である』と記載されておりますが，本願発明によって達成される低下させられる堆積温度は，引用文献１が，シリコン酸化膜及びシリコン酸窒化膜を生成するために，酸素原子を含むガスとして酸化二窒素を使用した場合には達成することができません。従って，本願発明に想到するために，当業者が引用文献１を参考にすることはないと思料いたします。 
　従って，本願発明は，引用文献１及び２から容易に想到できるものではありません。」
　オ　しかしながら，上記「相違点３について」で検討したように，シリコン酸化物前駆体と酸素原子を含むガスとを導入し，シリコン基板（半導体基板）を加熱することにより，シリコン基板の表面に，シリコン酸化膜を形成する引用発明において，「例えば，酸素（純酸素），オゾン，過酸化水素，水蒸気，一酸化窒素，二酸化窒素，酸化二窒素等が挙げられ，これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができ」ると例示される
酸素原子を含むガスの候補から，水蒸気を含むガスを選択
　一方，審判請求人の「本願発明によって達成される低下させられる堆積温度は，引用文献１が，シリコン酸化膜及びシリコン酸窒化膜を生成するために，酸素原子を含むガスとして酸化二窒素を使用した場合には達成することができません。」との主張は，「シリコン酸化膜及びシリコン酸窒化膜を生成するために，
酸素原子を含むガスとして酸化二窒素を使用した場合
　そうすると，酸素原子を含むガスの候補から，水蒸気を含むガスを選択した場合においては，審判請求人の前記主張は前提を欠くものとなるから，審判請求人の前記主張は採用することがはできない。
　また，「本願発明は，シリコン酸窒化膜を生成するため，Ｎ２Ｏ酸化剤を水蒸気酸化剤と任意でＮＯガスに置き換えることで，基本的なＨＴＯプロセスに匹敵する低い湿式エッチング速度を含む良好な材料特性をシリコン酸窒化膜に供しながら，堆積温度を１００℃以上，２００℃以上，またさらには３００℃以上（たとえば３５０℃まで）低下させることを可能にしております。」との主張は，請求項１に記載された発明特定事項には基づかない主張であるから，採用することはできない。
　
（３）判断についてのまとめ 
　以上のとおりであるから，引用発明において，相違点１ないし４に係る本願発明１の構成を採用することは，当業者であれば容易になし得たことである。
　したがって，本願発明１は，引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　６　むすび 
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　よって，結論のとおり審決する。