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　特願２０１４−５０６０７７「セラミック電子部品」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年９月２６日国際公開、ＷＯ２０１３／１４０９０３、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１３年（平成２５年）２月１５日（優先権主張２０１２年３月１９日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２７年８月６日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月１６日付けで手続補正がなされたが、同年１１月１３日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされ、これに対し、平成２８年２月９日付けで拒絶査定不服の審判が請求され、同時に手続補正がなされ、その後、当審において同年９月２９日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年１１月２９日付けで意見書が提出されたものである。
第２　当審拒絶理由について
１．当審拒絶理由の概要
（１）本件出願の請求項１ないし３に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 
（２）本件出願の請求項１ないし３に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の引用文献１に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
　引用文献１：特開２００２−２０８５３５号公報
２．当審拒絶理由の判断
（１）本願発明
　本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成２８年２月９日付け手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
「【請求項１】
　端面部と側面折返部とを有する外部電極がセラミック素体の両端部に被覆形成されたセラミック電子部品であって、
　前記外部電極は、卑金属材料を含有すると共に、前記側面折返部の被覆端部から前記端面部方向への直線距離が少なくとも５μｍ内の領域に、前記セラミック素体と接する形態で少なくともＳｉ及び卑金属材料を含有したガラス層が形成され、
　前記ガラス層の平均厚みは、３〜１０μｍであり、
　かつ、前記ガラス層中の前記Ｓｉ成分の含有量が、１１重量％以上４０重量％以下であることを特徴とするセラミック電子部品。」
（２）引用発明
　引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
積層セラミックコンデンサなどの電子部品
イ．「【０００２】
【従来の技術】
代表的な積層セラミック電子部品の一つである積層セラミックコンデンサは、誘電体層と内部電極層とが交互に積層されたコンデンサ素子本体を有し、このコンデンサ素子本体の両端部には、前記内部電極層と導通する外部端子電極が形成してある。外部端子電極は、通常、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、それらの合金などの金属粉末（導電成分）に、ガラスフリット、有機ビヒクル（バインダーおよび溶剤など）を配合してなる外部端子電極用ペーストを、コンデンサ素子本体の両端部に塗布し、焼き付けることにより固着されて形成される
ウ．「【０００７】本発明の目的は、複雑な製造工程によらず、低コストで製造でき、
素子本体に対する外部端子電極の固着強度が大きく
エ．「【００３４】
積層セラミックコンデンサ
図１に示すように、電子部品の一例としての本実施形態に係る
積層セラミックコンデンサ２は、誘電体層４と内部電極層６，８とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体１０を有する。
【００３５】
コンデンサ素子本体１０のＸ方向両端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層６，８と各々導通する一対の外部端子電極１２，１４が形成してある。
コンデンサ素子本体１０のサイズがたとえば縦３．２ｍｍ×横１．６ｍｍ×厚み１．２ｍｍである場合
【００３６】
外部端子電極
図２および図３に示すように、
外部端子電極１２は、内部電極層６側から順に、ガラス−素体反応層１２２、ガラス層１２４および導電層１２６が積層される３層構造で構成してある。導電層１２６の外面には、メッキ層（図示省略）が形成してあってもよい。
【００３７】
ガラス−素体反応層
ガラス−素体反応層１２２は、後述する外部端子電極用ペースト中に含まれるガラスフリット（ガラス）と、素子本体１０の誘電体層４とが化学反応を起こし、互いに混じり合って存在する層であり、主としてガラスと誘電体酸化物とで構成される。反応層１２２の厚みは、特に限定されないが、通常０．１〜１０μｍ程度である。
【００３８】
ガラス層
ガラス層１２４には、ガラス中に金属粒子１２４ａが含有して構成される。金属粒子１２４ａは、たとえばＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも一種（合金含む）が挙げられるが、好ましくはＣｕ、Ｎｉあるいはそれらの合金、より好ましくはＣｕである。
ガラス層１２４の厚みは、特に限定されないが、通常、０．１〜５μｍ程度である。
【００３９】
導電層
導電層１２６は、上述した金属粒子１２４ａと同一成分の金属で構成される。
オ．「【００４２】本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２では、誘電体層４と内部電極層６，８とが交互に積層してある素子本体１０の外面に外部端子電極１２，１４が形成してある。
外部端子電極１２，１４は、素子本体１０の外面に直接に形成され、前記素子本体１０の一部とガラスとが反応しているガラス−素体反応層１２２と、反応層１２２の外面に形成され、内部に金属１２４ａを含むガラス層１２４と、ガラス層１２４の外面に形成された金属で構成してある導電層１２６とを有する。ここで、素子本体１０とガラス層１２４とはガラス−素体反応層１２２を介して化学的に強固に接続してあり、ガラス層１２４と導電層１２６とはこのガラス層１２４に含まれる金属粒子１２４ａが導電層１２６を構成する金属成分と結合して化学的に強固に接続してある。その結果、高い固着強度が得られる
カ．「【００５３】
外部端子電極用ペースト
外部端子電極用ペーストは、導電材と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを少なくとも含有して調整される。
【００５４】外部端子電極用ペーストに含まれる導電材には、少なくとも金属酸化物が含まれる。金属酸化物としては、特に限定されないが、Ｃｕの酸化物（たとえばＣｕＯまたはＣｕ２　Ｏ）、またはＮｉの酸化物（たとえばＮｉＯ）が好ましく、より好ましくはＣｕの酸化物である。
【００５５】
外部端子電極用ペーストに含まれる導電材には、さらに金属単体またはその合金が含有してあってもよい。金属としては、たとえばＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも一種などが挙げられる。
【００５６】導電材の平均粒径は、特に限定されないが、たとえば０．０１〜３０μｍ程度である。０．０１μｍよりも平均粒径が小さい場合、粒子の凝集が激しくなり、外部端子電極用ペーストの塗布や乾燥時に、あるいは焼き付け時に、外部端子電極４にクラックが生じやすくなる傾向がある。３０μｍよりも平均粒径が大きい場合、ペースト化が困難になる傾向がある。
【００５７】外部端子電極用ペーストに含まれるガラスフリットは、主として素子本体１０に対する外部端子電極１２，１４の接着を確保する機能を司る。
【００５８】
ガラスフリットの組成は、特に限定されないが、後述するように本発明では外部端子電極１２，１４の焼き付け処理を還元性雰囲気で行うことから、その雰囲気下でもガラスとしての機能を果たすものであることが必要である。このようなものとしては、たとえば、ケイ酸塩ガラス｛（ＳｉＯ
２
　：２０〜８０重量％
）や（ＳｉＯ
２
　：７〜６３重量％
）｝、ホウケイ酸塩ガラス（
ＳｉＯ
２
　：５〜７０重量％
）、アルミナケイ酸塩ガラス（
ＳｉＯ
２
　：１０〜６０重量％
）等が挙げられる。これらの各種ガラスは、それぞれ単独で用いてもよいし、あるいは二種以上組み合わせて用いてもよい。
【００５９】このようなガラスには、必要に応じて、ＣｕＯ：０．０１〜５０重量％、Ｃｕ２　Ｏ：０．０１〜５０重量％、ＣａＯ：０．０１〜５０重量％、ＢａＯ：０．０１〜５０重量％、ＭｇＯ：０．０１〜５重量％、ＺｎＯ：０．０１〜７０重量％、ＰｂＯ：０．０１〜５重量％、Ｎａ２　Ｏ：０．０１〜１０重量％、Ｋ２　Ｏ：０．０１〜１０重量％、ＭｎＯ２　：０．０１〜４０重量％等の添加物を所定の組成になるように混合しても良い。ガラスフリットの平均粒径は、特に限定されないが、たとえば０．０１〜３０μｍ程度である。０．０１μｍよりも平均粒径が小さいと導電材の焼結が不均一となり、外部端子電極１２，１４にクラックを発生させる原因となる傾向があり、３０μｍよりも平均粒径が大きいと、ガラスの分散が悪くなり、外部端子電極１２，１４と素子本体１０との接着性が低下する傾向にある。
【００６０】
外部端子電極用ペーストにおける
ガラスフリットの含有量は、好ましくは１〜２０重量％、より好ましくは３〜１５重量％である。
【００６１】有機ビヒクルとしては、上述のものを用いれば良い。」
キ．【図１】
ク．【図２】
　上記図１の記載からみて、外部端子電極１２、１４は、Ｘ方向両端部の外面だけでなくＸ方向に平行な外面の一部にも形成されている。
　また、上記図２の記載からみて、コンデンサ素子本体１０と接する形態でガラス層１２４が形成されている。
　したがって、上記アないしカの記載事項と図１及び２の記載とを総合勘案すると、引用文献１には、積層セラミックコンデンサについて、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
  
 「コンデンサ素子本体のＸ方向両端部に外部端子電極が形成された積層セラミックコンデンサであって、前記外部端子電極は前記Ｘ方向両端部の外面だけでなくＸ方向に平行な外面の一部にも形成されており、かつ、前記外部端子電極は、Ｃｕ，Ｎｉなどから選ばれる金属を含有するとともに、前記コンデンサ素子本体と接する形態でガラス層が形成され、前記ガラス層の厚みは０．１〜５μｍ程度であり、前記ガラス層はＣｕ，Ｎｉなどから選ばれる金属を含有し、かつ、そのガラス組成は、ケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、アルミナケイ酸塩ガラスなどで構成される積層セラミックコンデンサ。」 
（３）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。 
ア．引用発明における「外部端子電極」及び「コンデンサ素子本体」は、本願発明における「外部電極」及び「セラミック素体」にそれぞれ相当する。また、引用発明における「外部端子電極」は、Ｘ方向両端部の外面だけでなくＸ方向に平行な外面の一部にも形成されているから、本願発明と同様に「端面部」と「側面折返部」とを有している。 
イ．引用発明における「外部端子電極」は、「Ｃｕ，Ｎｉなどから選ばれる金属」を含有するものであるから、「卑金属材料」を含有している。 
ウ．引用発明における「ガラス層」も、「Ｃｕ，Ｎｉなどから選ばれる金属」を含有するものであるから、「卑金属材料」を含有している。さらに、当該「ガラス層」のガラス組成は、ケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、アルミナケイ酸塩ガラスなどであるから、Ｓｉも含有している。 
エ．引用文献１には、「コンデンサ素子本体」は、縦３．２ｍｍ×横１．６ｍｍ×厚み１．２ｍｍ程度の大きさであることが記載されている（段落【００３５】参照）。また、引用文献１においては、「ガラス層」が形成される領域について特段の制限がなされておらず、素子本体に対する外部端子電極の固着強度を大きくするという目的も勘案すると、当該「ガラス層」は外部端子電極がコンデンサ素子本体と接する全ての領域で形成されていると解される。そうすると、引用発明も本願発明と同様に、「前記側面折返部の被覆端部から前記端面部方向への直線距離が少なくとも５μｍ内の領域に」はガラス層が形成されていると認められる。 
オ．引用発明における「ガラス層」の厚みは「０．１〜５μｍ程度」であり、その一部の範囲は本願発明における「ガラス層」の平均厚みの範囲（「３〜１０μｍ」）に含まれる。 
カ．引用発明における「積層セラミックコンデンサ」は、本願発明における「セラミック電子部品」に相当する。 
  
　そうすると、本願発明と引用発明は次の点で相違し、その余の点で一致する。
 ＜相違点＞ 
　本願発明においては「前記ガラス層中の前記Ｓｉ成分の含有量が、１１重量％以上４０重量％以下である」のに対し、引用発明においてはそのような特定がなされていない点。
（４）判断
　平成２８年１１月２９日付け意見書における審判請求人の主張の概要は以下のとおりである。
「しかしながら、本願請求項１に係る発明は、ガラス層中のＳｉ含有量が１１〜４０重量％であるのに対し、引例１は、ＣｕＯ粉末に対し、例えば亜鉛系マンガン含有ガラスフリットを５重量％添加した実施例しか記載されておらず、本願請求項１に係る発明は、引例１に記載された発明とはいえない。
　引例１は、ＳｉＯ２：２０〜８０重量％、７〜６３重量％又は５〜７０重量％のガラスフリットが記載されているが（同引例、段落［００５８］）、これらはケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、アルミナケイ酸塩ガラス等の一般的なガラスフリットの組成を記載したに過ぎず、実施例でどのような組成のガラスフリットを使用したかは不明である。
　すなわち、引例１にガラス層中のＳｉ成分の組成範囲が形式的に重複するガラスフリットが記載されているとしても、実施例で使用したガラスフリットの組成が不明であり、したがって本願請求項１記載のガラス層中のＳｉ含有量が本願発明を実施できる程度に引例１に記載されているとはいえず、本願請求項１係る発明の新規性が引例１を根拠に否定されるものではないと思料する。」
「引例１は、単に素子本体と外部端子電極の固着強度を向上させようとしたに過ぎず、外部電極にめっき処理を施す場合に生じる課題を何ら予測させる記載はない。
　すなわち、引例１は素子本体の外面に、金属酸化物およびガラスフリットを含む外部端子電極用ペーストを塗布し、還元雰囲気で焼き付け処理し、外部端子電極を形成することにより、金属酸化物を還元させて金属粒子を析出させると共に、素子本体とガラス層と間にガラス−素体反応層を形成し、これにより素子本体と外部端子電極の固着強度を向上させようとしたものである。
　これに対し本願発明は、外部電極にめっき処理を施した場合にセラミック素体の溶出を抑制しようとしたものであり、斯かる課題を解決するために、セラミック素体と接する形態でガラス層を形成すると共に、ガラス層の厚み及びガラス層中のＳｉ成分の含有量を規定している。そしてこれらガラス層の厚み及びガラス層中のＳｉ成分の含有量の数値限定については、その臨界的意義を本願明細書中に明記している（本願明細書、段落［００３１］〜［００３７］、表１）。
　このように本願請求項１に係る発明は、引例１には何らの開示・示唆もない新規で独創的な技術的事項を発明特定事項としたものである。すなわち、本願請求項１に係る発明は、上記発明特定事項（ａ）〜（ｅ）を具備することにより、外部電極の形成後にめっき処理を行い、めっき皮膜を形成した場合であっても、外部電極表面へのガラス浮きが生じることもなくめっき付き性を確保でき、かつセラミック素体を形成するセラミック材料がめっき液中に溶出するのを抑制できることから、外部電極が良好な機械的強度を有するセラミック電子部品を得ることができるという引例１からは予測困難で異質かつ顕著な効果を奏することができる。」
　そこで、審判請求人の上記主張も参酌して、上記相違点について検討する。
　引用文献１の実施例１には、外部端子電極の材料としてＣｕＯ粉末に対して亜鉛系マンガン含有ガラスフリット（平均粒径：２．０μｍ）を５重量％添加すること、及び、得られたガラス層の厚みは４μｍ程度で、固着強度は１２０Ｎであることが記載されており（段落【００８８】ないし【００９５】参照）、実施例２には、外部端子電極の材料としてＣｕＯ粉末に対してバリウム系ガラスフリット（平均粒径：２．０μｍ）を５重量％添加すること、及び、得られたガラス層の厚みは１．２μｍ程度で、固着強度は１５５Ｎであることが記載されており（段落【００９９】ないし【０１０１】参照）、実施例３には、外部端子電極の材料としてＣｕＯ粉末に対してカリウム系ガラスフリット（平均粒径：２．０μｍ）を５重量％添加すること、及び、得られたガラス層の厚みは４μｍ程度で、かつ、固着強度は１０６Ｎであることが記載されている（段落【０１０５】ないし【０１０７】参照）。
　しかしながら、上記実施例１ないし３のいずれにも、使用したガラスフリット中のＳｉＯ２の含有量は記載されていない。また、引用文献１には、ガラスフリットとして、ケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、アルミナケイ酸塩ガラスを単独であるいは二種以上組合わせて用いてもよいことや、これらのガラス中のＳｉＯ２の含有量の範囲が記載されている（段落【００５８】参照）が、それらを参酌しても、上記実施例１ないし３で使用したガラスフリット中のＳｉＯ２の含有量を特定することはできない。そして、使用したガラスフリット中のＳｉＯ２の含有量を特定することができないから、得られたガラス層中の前記Ｓｉ成分の含有量も特定できない。
　以上のとおり、ガラス層中のＳｉ成分の含有量を、当該ガラス層を形成する際に用いたガラスフリットの組成から特定することもできないから、本願発明は、引用文献１に記載された発明（引用発明）であるということはできない。
　また、本願発明は、セラミック素体の溶出を抑制するのに十分な厚さ（３μｍ以上）を確保するために、ガラス層中のＳｉ成分の含有量を１１重量％以上とするとともに、外部電極表面へのガラス浮きが生じないようにするために、ガラス層中のＳｉ成分の含有量を４０重量％以下とするものである。
　これに対して、引用文献１には、外部端子電極１２の外面にメッキ層を形成することも記載されている（段落【００３６】、【００４０】ないし【００４１】参照）が、そのためのめっき処理によってセラミック素体が溶出して機械的強度が低下するという課題やセラミック素体の溶出を抑制することができるという効果については記載も示唆も無い。加えて、引用文献１には、外部電極表面へのガラス浮きについても何ら言及されていない。
　さらに、引用発明の目的は外部端子電極の固着強度を大きくすることであり（上記第２　２．（２）ウ参照）、十分な固着強度が得られるのであれば、上記実施例２のように本願発明のガラス層の平均厚み（３〜１０μｍ）よりも小さい１．２μｍのガラス層であってもよく、また、上記実施例１ないし３におけるガラス層の厚みと固着強度を比較すると、ガラス層の厚みと固着強度は比例関係にはない（ガラス層の厚みが最も小さい実施例２の固着強度が最も大きい）から、単純にガラス層の厚みを大きくすればよいというものではない。
　以上を総合すると、セラミック素体の溶出を抑制するのに十分な厚さを確保するために、ガラス層中のＳｉ成分の含有量を１１重量％以上とすること、及び、外部電極表面へのガラス浮きが生じないようにするために、ガラス層中のＳｉ成分の含有量を４０重量％以下とすることは、当業者といえども引用発明から容易に想到することはできない。
　したがって、本願発明は、引用文献１に記載された発明（引用発明）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
（５）まとめ
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明であるとはいえず、かつ、引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
　また、本願の請求項２及び３に係る発明は、本願発明をさらに限定したものであるので、本願発明と同様に、引用文献１に記載された発明であるとはいえず、かつ、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
　よって、当審で通知した拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第３　原査定の理由について
１．原査定の理由の概要
　現査定の理由は、平成２７年１０月１６日付けの手続補正による補正後の請求項１ないし４に係る発明は、特開２０１１−２０４７７８号公報（以下、「引用文献２」という。）に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
２．当審の判断
（１）引用発明２
　引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
ア．「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、
積層セラミック電子部品
イ．「【００２４】
　（１）積層セラミック素体の作製
　
図１に示すように、積層セラミック素体１０は、対向する一対の端面３と端面３を連結する側面５とからなり、積層された複数のセラミック層２とセラミック層２の間に形成された複数の内部電極４とを有する。内部電極４は端面３のいずれか一方に露出するように形成されている。
ウ．「【００２７】
　（２）ガラス層の形成
　次に、
第１のガラス材料であるガラスフリット、バインダ、有機溶剤を含むガラスペーストを作製する。ガラスフリットの組成は、特に限定されないが、例えばＢ−Ｓｉ−Ｂｉ−Ｏ系ガラス、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系ガラス、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ｏ系ガラス、Ｂ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ系ガラスなど従来から外部電極ペーストに含まれているものを用いることができる。
　（中略）
【００３０】
　
このガラスペーストを、図２に示すように、積層セラミック素体１０の側面５のみにスクリーン印刷によって塗布することで、ガラス層６を形成する。ガラス層６を側面５のみに形成するのは、端面３にガラス層６が存在すると、内部電極と外部電極とが物理的に接触しなくなり、内部電極４と外部電極とが電気的に接続できなくなるからである。
　（中略）
【００３２】
　
図２に示すように、第１の実施形態では、積層セラミック素体１０の側面５の端面３に接する側端部１５に塗布される外部電極ペースト８の下に位置するようにガラス層６を形成する。言い換えると、ガラス層６は、積層セラミック素体１０の側面５の端面３に接する位置７から外部電極ペースト８の端９と同じ位置まで形成される。
　（中略）
【００３４】
　また、
ガラス層６の厚みは０．５μｍ以上５μｍ以下の範囲であることが好ましい。
エ．「【００３５】
　（３）外部電極ペーストの塗布
　
Ｃｕ粉末などの金属粉末と、第２のガラス材料としてのガラスフリットと、バインダと、有機溶剤とを含む外部電極ペーストを作製する。
【００３６】
　ここで、第２のガラス材料は第１のガラス材料と同じものを用いると、複数の種類のガラス材料を用意しなくてもよい点で好ましい。
【００３７】
　また、第２のガラス材料として第１のガラス材料よりも軟化温度が高いものを用いると、化学的安定性に優れたガラス材料を選択することができるため耐めっき液性を向上させることができる点で好ましい。また、外部電極ペーストを焼き付ける際に第２のガラス材料の流動性を抑えることができるため、外部電極の表面に第２のガラス材料が析出するのを抑制することができる。
【００３８】
　
図２に示すように、この外部電極ペースト８を、積層セラミック素体１０の端面３に塗布する。このとき、外部電極ペースト８は、端面３だけでなく、側面５の端面３に接する側端部１５にも塗布される。
オ．「【００３９】
　（４）外部電極ペーストの焼き付け
　次に、
外部電極ペースト８を焼き付けて外部電極を形成する。
　（中略）
【００４１】
　
外部電極を形成した後には、必要に応じて外部電極の表面にめっきを施す。
　したがって、上記アないしオの記載事項と図１及び２の記載とを総合勘案すると、引用文献２には、積層セラミックコンデンサについて、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。 
「外部電極が積層セラミック素体の両側の端面と側端部に形成された積層セラミックコンデンサであって、
　前記外部電極は、Ｃｕを含有し、
　前記積層セラミック素体の側面の前記端面に接する位置から外部電極ペーストの端と同じ位置まで、前記積層セラミック素体と接する形態で少なくともＳｉを含有したガラス層が形成され、
　前記ガラス層の厚みは、０．５μｍ以上５μｍ以下である積層セラミックコンデンサ。」
（２）対比
　本願発明と引用発明２とを対比する。
ア．引用発明２における「積層セラミック素体」及び「積層セラミックコンデンサ」は、本願発明における「セラミック素体」及び「セラミック電子部品」にそれぞれ相当する。
イ．引用発明２における「外部電極」は、端面だけでなく側端部にも形成されているから、本願発明と同様に「端面部」と「側面折返部」とを有している。
ウ．引用発明２における「外部電極」は、「Ｃｕ」を含有するものであるから、「卑金属材料」を含有している。 
エ．引用発明２において「ガラス層」が形成される領域、すなわち、「前記積層セラミック素体の側面の前記端面に接する位置から外部電極ペーストの端と同じ位置まで」は、本願発明における「前記側面折返部の被覆端部から前記端面部方向への直線距離が少なくとも５μｍ内の領域」を含んでいる。
オ．引用発明２における「ガラス層」の厚みは「０．５μｍ以上５μｍ以下」であり、その一部の範囲は本願発明における「ガラス層」の平均厚みの範囲（「３〜１０μｍ」）に含まれる。 
　そうすると、本願発明と引用発明２は次の点で相違し、その余の点で一致する。
＜相違点１＞ 
　本願発明においては「前記ガラス層中の前記Ｓｉ成分の含有量が、１１重量％以上４０重量％以下である」のに対し、引用発明においてはそのような特定がなされていない点。
＜相違点２＞
　本願発明おいては、外部電極に形成された「ガラス層」が「卑金属材料」を含有するのに対して、引用発明２においては、「ガラス層」は外部電極とは別の材料を用いて別の工程で形成されるため、「卑金属材料」を含有していない点。
（３）判断
　上記相違点１について検討する。
　引用文献２には、ガラス層を形成するために使用したガラスフリット中のＳｉＯ２の含有量は記載されておらずその量は不明であるから、ガラス層中のＳｉ成分の含有量を、当該ガラス層を形成する際に用いたガラスフリットの組成から特定することもできない。
　また、原査定で周知技術を示す文献として引用された特開２００６−２５３０９４号公報及び特開２００５−１７９１０５号公報には、ガラスフリットの組成について例示はあるものの、本願発明におけるガラス層と引用発明におけるガラス層は、形成する際の材料も工程も異なるものであるから、周知のガラスフリットの組成を参酌しても、引用発明におけるガラス層中の
Ｓｉ成分の含有量が、１１重量％以上４０重量％以下となるかは不明である。
　したがって、上記相違点２について検討するまでもなく、本願発明は、引用文献２に記載された発明（引用発明２）及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
（４）まとめ
　以上のとおり、本願発明は引用文献２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　また、本願の請求項２及び３に係る発明は、本願発明をさらに限定したものであるので、本願発明と同様に、引用文献２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　よって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　むすび
　以上のとおり、当審で通知した拒絶理由、及び、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。