【事件の表示】
　特願２０１３−２４２１１７「チップサーミスタ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　２月２０日出願公開、特開２０１４−　３３２４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１  手続の経緯
　本願は、２０１１年（平成２３年）６月２１日（パリ条約による優先権主張２０１０年６月２４日　日本（ＪＰ））を国際出願日とする特願２０１２−５２１４８２号の一部を平成２５年１１月２２日に新たな特許出願としたものであって、平成２６年８月７日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月１４日付けで手続補正がされたが、平成２７年４月１７日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１０日付けで意見書のみが提出されたが、平成２８年１月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年４月６日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
第２  本願発明
　本願の請求項１ないし９に係る発明は、平成２６年１０月１４日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
「　　【請求項１】
　金属酸化物を主成分とするセラミックスからなるサーミスタ部と、
　金属及び金属酸化物を含む複合材料からなり且つ前記サーミスタ部を挟み込むように配置される一対のコンポジット部と、
　前記サーミスタ部と前記一対のコンポジット部とを含んで構成される略直方体形状の素体の長手方向の両端に形成されて、前記一対のコンポジット部それぞれに接続される外部電極と、を備え、
　前記外部電極は、前記素体の一部を構成する前記コンポジット部に直接めっきされることにより形成されており、
　前記素体の長手方向における前記サーミスタ部の厚みは、前記素体の長手方向における長さの５０％以下であることを特徴とするチップサーミスタ。」
１．引用例
（１）引用例１
　原査定の拒絶理由に引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である米国特許出願公開第２００４／００９０７３３号明細書（以下、「引用例１」という。）には、「ＳＩＮＧＬＥ　ＬＡＹＥＲ　ＣＡＰＡＣＩＴＯＲ」について、図面とともに以下の記載がある。なお、当審で作成した日本語仮訳を併記した。また、下線は当審で付与した。
ア．「[0010]　
There is thus a need to provide a surface mountable single layer ceramic capacitor that may be easily assembled and inexpensively manufactured, and that has high capacitance and good structural strength. 
（当審訳：「[0010]　したがって、
容易に組み立てられ、安価に製造することができ、かつ、高い静電容量及び良好な構造的強度を有する表面実装型単層セラミックコンデンサを提供する必要がある。
イ．「［0033］　With reference to the drawings, in which like reference numerals are used to refer to like parts,  FIG. 3A  depicts in cross-sectional view a vertically-oriented, surface mountable, single layer capacitor  30  of the present invention. 
The standing or vertical capacitor  30  is provided having a vertically-oriented ceramic dielectric layer  32  with a metallization  34 ,  36  on each of substantially opposed coplanar surfaces  32a,  32b  of the dielectric layer  32 . 
the metallizations  34 ,  36  do not cover the entire area of coplanar surfaces  32a,  32b.  Metal/ceramic composite end blocks  38 ,  40  are adjacent respective metallizations  34 ,  36 . Thereby, an internal face  38a,  40a  of each end block  38 ,  40  is in contacting relation with a respective metallization  34 ,  36 . The remaining faces  38b,  40b  of the end blocks  38 ,  40 , referred to as the external faces, are coated with a conductive metal  42 . The coating  42  is provided by a plating technique, for example electroless plating, whereby the conductive metal preferentially plates to the composite end blocks due to the presence of the metal in the composite, which acts as seed points for the plating metal. 
（当審訳：「[0033]　図面を参照すると、同じ参照番号が同様の部分を指すために使用されており、図3Aは、本発明の垂直方向に配向され、表面実装可能な、単層コンデンサ30の断面図を示している。
スタンディングまたは垂直コンデンサ30は、誘電体層32の実質的に対向する同一面32a、32bの各々上にメタライゼーション34、36を有する垂直方向に配向されたセラミック誘電体層32を有している。
メタライゼーション34、36は、同一面32a、32bの全領域は覆わない。金属／セラミックコンポジットエンドブロック38、40は、それぞれメタライゼーション34、36に隣接する。コンポジットエンドブロック38、40は、それぞれメタライゼーション34、36と接する。これにより、各エンドブロック38、40の内側面38a、40aは、メタライゼーション34、36とそれぞれ接する関係にある。エンドブロック38、40の残りの面38b、40bは、外側面と呼ばれ、導電性金属42で被覆されている。コーティング42は、例えば無電解メッキ法のようなメッキ技術により設けられていることにより、導電性金属は、メッキ金属のためのシード点として機能するコンポジットの金属の存在に起因してコンポジットエンドブロックに優先的にメッキされる。
ウ．「［0035］　In the embodiment depicted in  FIGS. 3A and 3B , 
the end blocks  38 ,  40  comprise a composite metal/ceramic material in which particles of conductive metal are dispersed in a ceramic matrix.
（当審訳：「［0035］　図3Aおよび図3Bに示されている実施形態では、
エンドブロック38、40は、導電性金属の粒子をセラミックマトリックス中に分散させたコンポジット金属/セラミック材料から構成される。
エ、「［0036］　In the embodiment depicted in  FIGS. 4A and 4B , 
the end blocks  38’,  40’ comprise a composite metal/ceramic material in which the particles of conductive metal are present in an amount sufficient to render the composite matrix conductive.
Electroplating is optional because end blocks  38’,  40’ are already conductive. The internal metallizations  34 ,  36  are also optional because the conductive end blocks  38’,  40’ are capable of serving as the electrodes for the capacitor.
（当審訳：「［0036］　図4Aおよび図4Bに示される実施形態において、
エンドブロック38'、40'は、コンポジットマトリックスを導電性にするのに十分な量の導電性金属の粒子を含むコンポジット金属/セラミック材料から構成される。
エンドブロック38'、40'は、既に導電性であるため電気メッキは任意である。導電性エンドブロック38'、40'は、コンデンサのための電極として機能することができるから、内部メタライゼーション34、36も任意である。
オ．「［0038］　The conductive metal may be Ag, AgNO3 or AgCO3, for example. Alternatively, Cu and Ni and alloys thereof may be used, but these metal systems will generally require a reducing atmosphere. Pd, Pt, Au and alloys thereof may also be used, but these metal systems are generally more expensive than Ag-based systems. Advantageously, the ceramic material is an ultra-low firing ceramic, for example, one that fires around 900℃. 
An exemplary ceramic is a BaTiO
3
 based ceramic. 
Advantageously, the ceramic material in the composite is the same as the ceramic material used for dielectric layer 32.
（当審訳：「［0038］　導電性金属は、例えば、Ag、AgNO3またはAgCO3である。あるいは、Cu、Niおよびこれらの合金を用いることができるが、これらの金属系は、一般に、還元性雰囲気を必要とする。Pd、Pt、Auおよびこれらの合金も使用することができるが、これらの金属系は、Ag系よりも一般的に高価である。有利なことに、セラミック材料は、超低温焼成セラミック、例えば、温度が約900℃で焼成するものである。
典型的なセラミックはBaTiO
3
ベースのセラミックである。
有利なことに、コンポジットのセラミック材料は、誘電体層32に使用されるセラミック材料と同じである。
カ．「［0044］　The method of the present invention provides an accurate, easy and inexpensive means for assembling a capacitor of the present invention. The method begins with all portions of the capacitor in the green state, i.e., the unfired state. One exemplary embodiment of the method of the present invention may be further understood with reference to the flowchart of  FIG. 11 A and the perspective views of  FIGS. 12A and 12B .  FIG. 12A  depicts the assembly of green sheets of material from which a plurality of capacitors may be formed by dicing and firing the sheets. 
The exemplary method is described with reference to the manufacture of capacitor  30  of  FIGS. 3A and 3B . A green-state (unfired) ceramic sheet or tape  100  is provided to form the dielectric layer  32 . By way of example and not limitation, the ceramic tape  100  may be on the order of 2-5 mil thick. The top and bottom opposing faces  101 a,  101 b  of the ceramic sheet  100  are metallized with a conductive metal capable of functioning as the electrodes for the capacitor chip.
By way of example and not limitation, the composite sheets  110 ,  112  may have a thickness on the order of 10-20 mil. 
（当審訳：「［0044］　本発明の方法は、本発明のコンデンサを組み立てるための正確で容易かつ安価な手段を提供する。この方法は未焼結状態、すなわち、未焼成の状態でコンデンサのすべての部分で始まる。本発明の方法の１つの例示的な実施形態は、図11Aのフローチャート及び図12A及び図12Bの斜視図を参照して更に理解することができる。 図12Aは、シートをダイシングして焼成することにより複数のコンデンサを形成することができる材料の未焼結シートの組み立てを示す図である。
図3Aおよび図3Bのコンデンサ30の製造を参照して、例示的な方法を説明する。未焼結状態(未焼成）セラミックシートまたはテープ100は、誘電体層32を形成する。例示であって限定するものではないが、セラミックテープ100は厚さ2-5 milのオーダーであってよい。セラミックシート100の上部および下部の対向面101a、101bは、コンデンサチップ用電極として機能することができる導電性金属で金属化される。
例示であって限定するものではないが、コンポジットシート110、112は、10-20 milの厚さを有することができる。
・上記アによれば、容易に組み立てられ、安価に製造することができ、かつ、高い静電容量及び良好な構造的強度を有する表面実装型単層セラミックコンデンサに関するものである。
・上記イによれば、コンデンサ30は、誘電体層32の実質的に対向する同一面32a、32bの各々上にメタライゼーション34、36を有する垂直方向に配向されたセラミック誘電体層32を有し、金属/セラミックコンポジットエンドブロック38、40は、それぞれメタライゼーション34、36に隣接し、エンドブロック38、40の残りの面38b、40bは、導電性金属42により被覆されており、コーティング42は、メッキ技術により設けられるものである。
・上記ウによれば、エンドブロック38、40は、導電性金属の粒子をセラミックマトリックス中に分散させたコンポジット金属/セラミック材料から構成されるものである。
・上記エによれば、エンドブロック38'、40'は、コンポジット材料を導電性にするのに十分な量の導電性金属の粒子を含むコンポジット金属/セラミック材料から構成され、既に導電性であるため電気メッキは任意であり、また、コンデンサのための電極として機能することができるから、内部メタライゼーション34、36も任意である。
・上記オによれば、典型的なセラミックは、BaTiO3ベースのセラミックであり、コンポジットのセラミック材料は、誘電体層32に使用されるセラミック材料と同じである。
・上記カによれば、未焼結状態(未焼成）セラミックシートまたはテープ100は、誘電体層32を形成し、セラミックテープ100は厚さ2-5 milのオーダーとするものである。また、コンポジットシート110、112は、10-20 milの厚さである。
　以上の点を踏まえて、上記記載事項および図面を総合的に勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「コンデンサ30は、誘電体層32の実質的に対向する同一面32a、32bの各々上にメタライゼーション34、36を有する垂直方向に配向されたセラミック誘電体層32を有し、金属／セラミックコンポジットエンドブロック38、40は、それぞれメタライゼーション34、36に隣接し、誘電体層32に使用されるセラミック材料は、BaTiO3ベースのセラミックであり、
エンドブロック38、40は、導電性金属の粒子をセラミックマトリックス中に分散させたコンポジット金属／セラミック材料から構成され、コンポジットのセラミック材料は、BaTiO3ベースのセラミックであり、
エンドブロック38、40の残りの面38b、40bは、導電性金属42により被覆されており、コーティング42は、メッキ技術により設けられ、
セラミックシートテープ100は、誘電体層32を形成し、セラミックテープ100は厚さ2-5 milのオーダーであり、コンポジットシート110、112は、10-20 milの厚さであるコンデンサ。」
（２）引用例２
　原査定の拒絶理由に引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平６−３１４６０２号公報（以下、「引用例２」という。）には、「セラミック電子部品」について、図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
カ．「【０００２】
　【従来の技術】従来よりよく知られたこの種のセラミック電子部品は、セラミック基体の相対する両端部に外部端子電極を設け、外部端子電極間にあるセラミック素体を利用して必要な電気的特性を得る単板型であった。
単板型のセラミック電子部品は、外部端子電極間のセラミック素体を利用して必要な電気的特性を得るので、外部端子電極形成工程において、外部端子電極間の距離が変動した場合、得られる電気特性、例えば抵抗値が変動する。
キ．「【０００７】
　本発明のもう一つの課題は、
外部端子電極間の距離が変動しても、安定した電気的特性を確保し得るセラミック電子部品を提供することである。
ク．「【０００９】
　【作用】
セラミック基体は所要の電気的特性を有するセラミック層を有しており、少なくとも一対備えられる内部電極のそれぞれは、セラミック層内において長さ方向に互いに間隔を隔てて対向しており、外部端子電極はセラミック基体の長さ方向の両側端面に互いに独立して付着されており、リード導体は内部電極の一つと外部端子電極の一つとを電気的に接続しているから、内部電極間のセラミック層の電気的特性が、リード導体及び外部端子電極を介してそのまま引出される。
ケ．「【００１１】
　【実施例】
図１は本発明に係るセラミック電子部品の正面断面図である。セラミック電子部品には、ＮＴＣサーミスタ、ＰＴＣサーミスタ、コンデンサまたはバリスタ等が含まれる。図において、１はセラミック基体、２１、２２は内部電極、３１、３２は外部端子電極、４１、４２はリード導体である。
【００１２】
　
セラミック基体１は、所要の電気的特性を有するセラミック層１１を有している。セラミック層１１は当該セラミック電子部品の種類に応じた電気的特性を有する。例えばＮＴＣサーミスタを得る場合は負の抵抗温度特性を有するセラミック材料で構成され、ＰＴＣサーミスタを得る場合には正の抵抗温度特性を有するセラミック材料で構成され、コンデンサを得る場合はセラミック誘電体材料で構成され、バリスタを得る場合は電圧非直線性を有するセラミック材料によって構成される。
・上記カによれば、単板型のセラミック電子部品は、外部端子電極間のセラミック素体を利用して必要な電気的特性を得るので、外部端子電極形成工程において、外部端子電極間の距離が変動した場合、得られる電気特性、例えば抵抗値が変動するものである。
・上記キによれば、外部端子電極間の距離が変動しても、安定した電気的特性を確保し得るセラミック電子部品を提供するものである。
・上記クによれば、セラミック基体は所要の電気的特性を有するセラミック層を有しており、一対備えられる内部電極のそれぞれは、セラミック層内において長さ方向に互いに間隔を隔てて対向しており、外部端子電極はセラミック基体の長さ方向の両側端面に互いに独立して付着されており、リード導体は内部電極の一つと外部端子電極の一つとを電気的に接続しているから、内部電極間のセラミック層の電気的特性が、リード導体及び外部端子電極を介してそのまま引出されるものである。
・上記ケによれば、セラミック電子部品には、ＮＴＣサーミスタ、ＰＴＣサーミスタ、コンデンサが含まれ、セラミック基体１は、セラミック電子部品の種類に応じた電気特性を有するセラミック材料によって構成されるものである。
　以上の点を踏まえて、上記記載事項および図面を総合的に勘案すると、引用例２には、次の技術事項が記載されている。
「外部端子電極間の距離が変動しても、安定した電気的特性を確保し得るセラミック電子部品を提供するために、セラミック基体は所要の電気的特性を有するセラミック層を有しており、一対備えられる内部電極のそれぞれは、セラミック層内において長さ方向に互いに間隔を隔てて対向しており、外部端子電極はセラミック基体の長さ方向の両側端面に互いに独立して付着されており、リード導体は内部電極の一つと外部端子電極の一つとを電気的に接続しているから、内部電極間のセラミック層の電気的特性が、リード導体及び外部端子電極を介してそのまま引出されるものであって、
セラミック基体は、セラミック電子部品の種類に応じた電気特性を有するセラミック材料によって構成され、セラミック電子部品には、ＮＴＣサーミスタ、ＰＴＣサーミスタ、コンデンサが含まれる」こと。
（３）引用例３
　原査定の拒絶理由に引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平９−２６０１０６号公報（以下、「引用例３」という。）には、「電子部品の製造方法」について、図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
サ．「【００１３】
　【発明の実施の形態】本発明による一つの実施の形態について、図１、図２にもとづいて詳細に説明する。セラミック電子部品素体として大きさが１．７×１．２×１．０ｍｍのサーミスタ素体１１を準備し、図１に示すように、
サーミスタ素体１１の一方の外部電極に相当する所定部分を電解めっき液中に浸漬して、Ｎｉめっきを行ってＮｉ膜１２を形成した。次に、Ｎｉめっきと同様にして、Ｎｉ膜１２の表面にＳｎめっきを行って、Ｓｎ膜１３を形成し、２層からなる一方の外部電極１４を形成した。サーミスタ素体１１の他方についても同様にサーミスタ素体１１の所定部分を部分的に電解めっき液中に浸漬して、２層からなる他方の外部電極１５を形成して電子部品１０を得た。
シ．「【００２０】
　さらに、
セラミック電子部品素体として、サーミスタ素体を例にして説明をしたが、ＮＴＣサーミスタおよびＰＴＣサーミスタを含み、これ以外にもコンデンサ、圧電体、磁性体、バリスタ、抵抗体等のセラミック電子部品素体に適用することができる
・上記サによれば、サーミスタ素子のＮｉめっきを行ってＮｉ膜を形成し、Ｎｉ膜の表面にＳｎめっきを行って、Ｓｎ膜を形成し、外部電極を形成するものである。
・上記シによれば、セラミック電子部品素体として、ＮＴＣサーミスタ、ＰＴＣサーミスタ、コンデンサを含むものである。
・図１ないし４によれば、サーミスタ素体１１の両端部に外部電極１４、１５を形成し、外部電極１４、１５が形成されている箇所以外はめっき膜を有しない電子部品である。
　以上の点を踏まえて、上記記載事項および図面を総合的に勘案すると、引用例３には、次の技術事項が記載されている。
「セラミック電子部品素体の両端部に外部電極を形成した電子部品において、セラミック電子素体として、ＮＴＣサーミスタ、ＰＴＣサーミスタ、コンデンサを含む」こと。
４．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明の「コンデンサ」は、セラミック誘電体層を有していることから、誘電体層32がセラミックスからなることは明らかであり、本願発明のセラミックスからなる「構成部」を有していることに相当する。さらに、引用発明の「セラミックス」は、誘電体層32に使用されるセラミック材料が、BaTiO3ベースのセラミックであることを鑑みれば、本願発明の「金属酸化物を主成分とするセラミックス」であるといえる。
　ただし、金属酸化物を主成分とするセラミックスからなる「構成部」が、本願発明は「サーミスタ部」であるのに対して、引用発明はコンデンサの「誘電体層」である点で相違する。
ｂ．引用発明の「コンポジットエンドブロック38、40」は、導電性金属の粒子をセラミック基材中に分散させたコンポジット金属／セラミック材料から構成され、コンポジットのセラミック材料は、BaTiO3ベースのセラミックであることを鑑みれば、本願発明の「金属及び金属酸化物を含む複合材料からな」る「一対のコンポジット部」に相当するといえる。また、引用発明の「コンポジットエンドブロック38、40」は、誘電体層32の実質的に対向する同一面32a、32bの各々上にあるメタライゼーション34、36に隣接することから、本願の「金属酸化物を主成分とするセラミックスからなる」構成部を「挟み込むように配置」されているといえる。
　ただし、金属酸化物を主成分とするセラミックスからなる「構成部」が、本願発明は「サーミスタ部」であるのに対して、引用発明はコンデンサの「誘電体層」である点で相違する。
ｃ．引用発明の「導電性金属42」により、エンドブロック38、40の残りの面38b、40bが被覆され、金属／セラミックコンポジットエンドブロック38、40は、それぞれメタライゼーション34、36に隣接し、誘電体層32の実質的に対向する同一面32a、32bの各々上にメタライゼーション34、36を有する垂直方向に配向されたセラミック誘電体層32を有すること、および、引用例１の図3A、図3Bに示されているようにコンデンサの素体の形状が略直方体であることを鑑みれば、引用発明の「導電性金属42」は、本願発明の「セラミックからなる」構成部と「前記一対のコンポジット部とを含んで構成される略直方体形状の素体の長手方向の両端に形成されて、前記一対のコンポジット部それぞれに接続される外部電極」を有しているといえる。
　ただし、金属酸化物を主成分とするセラミックスからなる「構成部」が、本願発明は「サーミスタ部」であるのに対して、引用発明はコンデンサの「誘電体層」である点で相違する。
ｄ．引用発明の「コーティング42」、すなわち、「導電性金属42」は、エンドブロック38、40の他面38b、40bは、導電性金属42により被覆されており、コーティング42は、メッキ技術により設けられることを鑑みれば、本願発明の「素体の一部を構成する前記コンポジット部に直接めっきされることにより形成され」ているといえる。
ｅ．引用発明の誘電体層32の厚さが2-5 milのオーダーであり、コンポジットシート110、112の厚さが10-20 milであることを勘案すると、誘電体層32が素体の長手方向における厚みは、（誘電体層／（コンポジットシート+誘電体層+コンポジットシート）の比率を勘案すると、概ね４．８〜２０％であることから、金属酸化物を主成分とするセラミックスからなる「構成部」の「厚みは、素体の長手方向における長さの５０％以下である」であるといえる。
　ただし、金属酸化物を主成分とするセラミックスからなる「構成部」が、本願発明は「サーミスタ部」であるのに対して、引用発明はコンデンサの「誘電体層」である点で相違する。
　本願発明と引用発明とを対比すると、以下の点で一致している。
＜一致点＞
「金属酸化物を主成分とするセラミックスからなる構成部と、
　金属及び金属酸化物を含む複合材料からなり且つ前記構成部を挟み込むように配置される一対のコンポジット部と、
　前記構成部と前記一対のコンポジット部とを含んで構成される略直方体形状の素体の長手方向の両端に形成されて、前記一対のコンポジット部それぞれに接続される外部電極と、を備え、
　前記外部電極は、前記素体の一部を構成する前記コンポジット部に直接めっきされることにより形成され、
　前記素体の長手方向における前記構成部の厚みは、前記素体の長手方向における長さの５０％以下であることを特徴とするセラミック電子部品。」
　他方、本願発明と引用発明は、以下の点で相違する。
＜相違点＞
　金属酸化物を主成分とするセラミックスからなる「構成部」が、本願発明は、「サーミスタ部」であるのに対して、引用発明は「誘電体層」である点。
５．判断
　上記相違点について検討する。
　所要の電気的特性を有するセラミック層を一対の対向する電極で接続するセラミック電子部品において、セラミック電子部品の種類に応じた電気特性を有するセラミック材料によって構成することで、セラミック電子部品として、ＮＴＣサーミスタ、ＰＴＣサーミスタ、コンデンサ等を構成することは、例えば、引用例２（上記「１．（２）」　参照）、引用例３（上記「１．（３）　参照」）に記載されているように周知の技術事項であり、また、引用例１の[0036]、［0044］の記載を参酌すると、引用発明のコンデンサ構造において、コンデンサとして機能しているセラミック材料は誘電体層の部分であることを勘案すれば、セラミック電子部品の種類に応じた材料で構成することでコンデンサ、サーミスタ等に適用できるという周知の技術事項を引用発明のセラミック電子部品に適用し、誘電体層に代えてサーミスタとして機能するセラミック材料によりサーミスタ部を構成する相違点に係る構成とすることは当業者であれば容易に想到し得たことである。
　なお、審判請求書において、審判請求人は、
「本願発明１では、 
 ・一対のコンポジット部に挟み込まれるようにサーミスタ部が配置されている 
 という技術的事項が特徴となっています。 
　これに対し、引用発明１では、金属／セラミック化合物３８，４０の間に配置されているのはコンデンサ部３２であって、サーミスタではありません。そもそも引用発明１は、あくまでも「コンデンサ」の発明に過ぎず、サーミスタを全く想定していない発明であって、本願発明１の上記技術的課題が全く導き出されないものです。 」
「本願発明１では、 
 ・一対のコンポジット部に挟み込まれるように配置されたサーミスタ部の厚みが、素体の長さの５０％以下である 
 という技術的事項が特徴となっています。 
 　これに対し、引用発明１では、コンデンサ部３２の厚みが、素体の長さの５０％以下となっているに過ぎません。そもそも、上述したように、引用発明１においては、一対のコンポジット部に挟み込まれるように配置されたサーミスタ部が開示も示唆もされていない以上、当該サーミスタ部の厚みについても何ら開示も示唆もされていません。 」
「引用文献２、４、５には、当該引用文献２、４、５に記載された材料の置き換えを引用発明１においても適用してよいことは何ら記載も示唆もされておらず、この置き換えを引用発明１においても直ちに適用する動機付けはありません。よって、引用発明１に引用発明２、４、５を組み合わせる動機となり得る事項は全く存在せず、引用発明１に引用発明２、４、５を組み合わせること自体、当業者にとりましても容易に想到し得る事項ではありません。 
 　また、仮に引用発明１における「コンデンサ部」を「サーミスタ部」に置き換えることが周知慣用技術であるとするならば、引用文献１においても当然その記載や示唆等があるはずと考えますが、引用文献１にはそのような記載も示唆も一切ありません。 
・・・（中略）・・・
　そうしますと、サーミスタを全く想定していない引用発明１に対して、サーミスタ特有の技術的事項を適用しようとすること自体が、事後分析的かつ非論理的思考に基づくものであり、引用発明１における「コンデンサ部」を「サーミスタ部」に置き換えることが当業者に容易になし得たとする審査官殿の論理付けは、いわゆる後知恵と言わざるを得ないと思料します。
・・・（中略）・・・
　さらに、引用文献２、４、５には、外部電極に直接接続された素体部をコンデンサやサーミスタ等に置き換えてもよいことが記載されているに過ぎません。よって、仮に当業者が引用文献２、４、５に記載された技術を引用発明１に適用することができたとしても、外部電極に直接接続された「金属／セラミック化合物３８，４０」を置き換える構成に留まり、」
との主張をしている。
　しかしながら、上記「５．判断」に記載したとおり、引用発明に周知技術を適用することで、引用発明のコンデンサの誘電体層をサーミスタを構成する材料にすることでサーミスタ部を構成することは当業者であれば容易に想到し得たことである。なお、引用発明と本願発明の技術的課題が異なる点を主張されているが、引用発明に周知技術を適用することで得られる構成は、技術的課題が異なっていたとしても、物の構成としてみれば結果的には本願発明と同じ構成となり、該構成による作用効果も当業者が予測できる範囲のものである。
　また、例えば、引用例２の段落【０００９】に、「内部電極間のセラミック層の電気的特性が、リード導体及び外部端子電極を介してそのまま引出される」と記載されているようにセラミック電子部品の電気的特性は内部電極間のセラミック層に起因するものである以上、コンデンサやサーミスタ等を構成する材料の置き換えは、セラミック電子部品の電気的特性を決める内部電極間のセラミック層の材料に適用されるものであると判断され、引用発明のコンデンサに引用例２に記載された技術事項を適用する場合には、コンデンサとして機能している誘電体層をサーミスタとして機能する材料に置き換えると考えるべきであり、審判請求人が主張しているような「金属／セラミック化合物３８，４０」を置き換える構成に留まるものとは考えられない。　したがって、審判請求人の主張は採用できない。
　したがって、本願発明は、引用発明および周知の技術事項により当業者が容易になし得たものである。
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明および周知の技術事項から当業者が容易に予測できる範囲のものである。
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願はその余の請求項に論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。