【事件の表示】
　特願２０１１−１６４５２２「半導体装置製造用の接着シート、ダイシングフィルム一体型半導体装置製造用の接着シート、及び、当該半導体装置製造用の接着シートを有する半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　２月　７日出願公開、特開２０１３−　２８６７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２３年７月２７日の出願であって、平成２６年１２月１９日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年２月２５日付けで、意見書及び手続補正書が提出され、同年３月１１日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年６月９日付けで拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、同時に、手続補正書が提出され、平成２８年９月５日付けで当審より拒絶理由が通知され、同年１０月２６日付けで意見書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜１５に記載された発明は、平成２７年６月９日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載された発明特定事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものと認められる。
「樹脂成分およびイオン捕捉剤（ただし、樹脂を除く）を含み、
α線放出量が０．００２ｃ／ｃｍ２・ｈ以下であることを特徴とする半導体装置製造用の接着シート。」
　
３．当審の拒絶理由の概要
　当審の拒絶理由の概要は、本願発明は、本願出願前に頒布された刊行物である特開２０１１−１３７０５７号公報（以下、「引用例」という。）に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
４．引用例の記載 
　引用例には、「チップ保持用テープ、チップ状ワークの保持方法、チップ保持用テープを用いた半導体装置の製造方法、及び、チップ保持用テープの製造方法」（発明の名称）について、次の記載がある（下線は、当審が付与した。）。 
（ａ）「【０００１】
　本発明は、チップ保持用テープ、チップ状ワークの保持方法、チップ保持用テープを用いた半導体装置の製造方法、及び、チップ保持用テープの製造方法に関する。」
（ｂ）「【００６６】
　また、チップ保持用テープ１０は、例えば、ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて個片化されたダイボンドフィルム付の半導体チップを引き剥がし可能な状態で保持するために使用することもできる。そこで、次に、
チップ保持用テープに貼り付けられるダイシング・ダイボンドフィルムについて説明することとする
【００６７】
（ダイシング・ダイボンドフィルム）
　図２は、本発明の第１実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図２に示すにように、
ダイシング・ダイボンドフィルム３０は、ダイシングフィルム３２上にダイボンドフィルム３４が積層された構成を有する。
【００６８】
　
ダイボンドフィルム３４を構成する接着剤組成物としては、例えば、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用したものが挙げられる。
【００６９】〜【００７１】（略）
【００７２】
　前記
熱硬化性樹脂としては、
シリコーン樹脂
が挙げられる
【００７３】〜【００７７】（略）」
（ｃ）「【００７８】
　また、ダイボンドフィルム３４には、その用途に応じて無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
【００７９】
　尚、
ダイボンドフィルム３４には、
必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。
前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。
（ｄ）「【００８９】
（半導体装置の製造）
　次に、
半導体装置の製造方法について説明する。
　先ず、ダイシング・ダイボンドフィルム３０上に半導体ウェハ４０を圧着して固定する（図２参照）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されず、例えば２０〜８０℃の範囲内であることが好ましい。
【００９０】〜【００９３】（略）
【００９４】
　チップ保持用テープ１０を用いて集められた半導体チップ４２は、別途、半導体装置の製造に用いられることとなる。そこで、
半導体チップ４２を用いた半導体装置の製造方法について、図３を参照しながら説明することとする。
【００９５】
　図３は、本発明の一実施形態に係る半導体装置を示す断面模式図である。まず、チップ保持用テープ１０に貼り付けられている、ダイボンドフィルム３６付きの半導体チップ４２を、チップ貼付領域１８の粘着力を低下させることなく剥離する。ここで、「粘着力を低下させることなく剥離する」とは、放射線硬化型の粘着剤層に放射線を照射して硬化させ、粘着力を低下させるといったような化学的変化を起こさせたり、後述する熱発泡性を有する粘着剤層に熱を加えて、粘着力を低下させるといったような物理的変化を起こさせることなく、チップ状ワーク（半導体チップ）を剥離することをいう。剥離は、通常のダイシングした半導体チップをダイボンディング工程でピックアップするのと同様に、ピックアップにて行うことができる。
【００９６】
　ピックアップした
半導体チップ４２は、図３に示すように、ダイボンドフィルム３４を介して被着体４４に接着固定される（ダイボンド）。被着体４４としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。
（ｅ）【図２】
（ｆ）【図３】
　
５．引用発明の認定 
（１）上記４（ｂ）及び（ｅ）から、「ダイシング・ダイボンドフィルム３０」は、「ダイシングフィルム３２」と「ダイボンドフィルム３４」とからなり、「ダイボンドフィルム３４」は、「ダイシングフィルム３２」上に積層されていることがわかる。
（２）上記４（ｂ）から、「ダイボンドフィルム３４」は、「接着剤組成物」から構成され、該「接着剤組成物」は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用したものであることがわかる。また、熱硬化性樹脂として、シリコーン樹脂が例示されている。
（３）上記４（ｃ）から、「ダイボンドフィルム３４」は、難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤のいずれかの添加剤を含み、「イオントラップ剤」は、「ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等」であることがわかる。
（４）上記４（ａ）、（ｄ）及び（ｆ）から、「ダイボンドフィルム３４」は、半導体装置の製造に用いられるものであって、「ダイボンドフィルム３４」によって、半導体チップ４２が被着体４４に接着固定されることがわかる。
（５）そうすると、引用例には、「熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用した接着剤組成物から構成され、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等のイオントラップ剤を含む、ダイシングフィルム３２上に積層され、半導体チップ４２を被着体４４に接着固定するために用いられる、半導体装置製造用のダイボンドフィルム３４。」（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　
６．対比・判断　
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用した接着剤組成物」は、本願発明の「樹脂成分」に相当し、引用発明の「ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等のイオントラップ剤」は、本願発明の「イオン捕捉剤（ただし、樹脂を除く）」に相当する。
　また、引用発明の「ダイシングフィルム３２上に積層され、半導体チップ４２を被着体４４に接着固定するために用いられる、半導体装置製造用のダイボンドフィルム３４」は、本願発明の「半導体装置製造用の接着シート」に相当する。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、「樹脂成分およびイオン捕捉剤（ただし、樹脂を除く）を含む、半導体装置製造用の接着シート。」である点で一致し、次の点で相違する。
（相違点）
　α線放出量について、本願発明は「０．００２ｃ／ｃｍ２・ｈ以下である」のに対し、引用発明のα線放出量は不明な点。
　
　ここで、相違点について検討する。
　α線が半導体装置に照射されることで、半導体装置のシリコン酸化膜やシリコン基板にイオンが発生し、半導体装置の誤動作を引き起こすことは周知である（必要であれば、特開平１１−１１１８５８号公報の【００１２】の「ところで、上記従来の半導体メモリ装置においては、半導体装置中のシリコン酸化膜やシリコン基板にα線等の放射線が照射すると、イオン化したシリコンや電子が発生する。このイオン化したシリコンや電子がゲート酸化膜等に注入されることにより、記憶保持状態で電位が反転するなどのソフトエラーが引き起こされる。」という記載を参照されたい。）。
　そして、一般に、半導体装置を構成する部材からの、イオン発生の原因となるα線放出が望ましくないことは技術常識である（必要であれば、原査定で引用された引用文献２（特開平１１−２１５３７号公報）の「【００２７】フィラー中のウラン含有量を１．０ｐｐｂ以下とすることにより、フィラーからのα線の放出が抑制される。この接着剤を半導体装置に適用した場合、
α線による半導体装置の誤動作を抑制することができる
α粒子は、
″ソフト・エラー″と呼ばれるエらー（当審注：「エラー」の誤記と認める。）を生じることになる。
即ち、放射線は、例えば、０を１に変えるようにして、情報ビットを変え得る。
ＩＣ６に例えば接着剤１１によって固着されている。
接着剤１１は、例えば不純物としてウランやトリウムの放射性元素が少ないシリコーン樹脂（α線量が０．００１カウント／ｃｍ
２
・ｈｒｓ以下に選別されたものであり、例えば「トーレシリコーン（株）のＪＣＲ６１１０」）によって形成されている。
　なお、上記特開平３−２３５３５４号公報の「接着剤１１」に用いられた「シリコーン樹脂」は、引用発明の「熱硬化性樹脂」として、引用例に例示されている。
　
　そうすると、引用発明の「半導体装置製造用のダイボンドフィルム３４」について、上記周知技術に照らせば、「ダイボンドフィルム３４」として、できる限り、イオン発生の原因となるα線の放出が少ない材料を選択することは、当業者が容易に想到し得ることであって、その際に、どの程度のα線放出量を許容範囲とするかは、半導体チップの用途等によって適宜決定する事項にすぎず、しかも、上記特開平３−２３５３５４号公報に，フィルムシート及び接着剤のα線放出量を、それぞれ、０．００１カウント／ｃｍ２・ｈｒｓ（ｃ／ｃｍ２・ｈと等価である。）以下とすることが記載されるように、「ダイボンドフィルム３４」のα線放出量を「０．００２ｃ／ｃｍ２・ｈ以下」とすることは格別なことではないことから、引用発明の「α線放出量」を「０．００２ｃ／ｃｍ２・ｈ以下」とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである
　
（請求人の平成２９年１月５日付けの意見書における主張について）
　請求人は、上記意見書において、引用例のダイボンドフィルム３４において、α線放出が望ましくないことが認定されるべきであり、引用例のダイボンドフィルム３４において、α線放出が望ましくないことは、周知技術ではない旨主張している。
　しかしながら、上記の特開平１１−２１５３７号公報、特開昭５９−２８３６２号公報、特開平３−２３５３５４号公報等に示されるように、半導体装置にα線が照射されることによって、半導体装置に誤作動を生じることは周知であって、引用発明のダイボンドフィルム３４は、半導体チップ４２を接着固定するものである以上、上記ダイボンドフィルム３４は、当然、α線放出を低い値とするものであるというべきである。
　したがって、請求人の上記主張は、採用できない。
　
７．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　
　よって結論のとおり審決する。