(57)【要約】【課題】  従来材料以上に高い効率を発現する有機ＥＬ用材料、特に燐光材料を用いた有機ＥＬ素子において非常に有用である材料を提供する。【解決手段】  一般式（１）で表されるアミド誘導体を用いる。【化１】2011136910.tif 000011（式中、Ｘ１及びＸ２は各々独立して２価のアリーレン基を表す。また、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４は各々独立して炭素数６〜４０の置換基を有していても良いアリール基、または炭素数５〜４０の置換基を有していても良いヘテロアリール基を表す。Ｒは水素原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数６〜２４のアリール基、又は炭素数６〜２４のアリールオキシ基を表す。なお、任意のＲ同士がお互いに結合して架橋構造を形成しても良い。）【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるアミド誘導体。
【化１】
2011136910.tif 000009
（式中、Ｘ１及びＸ２は各々独立して２価のアリーレン基を表す。また、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４は各々独立して炭素数６〜４０の置換基を有していても良いアリール基、または炭素数５〜４０の置換基を有していても良いヘテロアリール基を表す。Ｒは水素原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数６〜２４のアリール基、又は炭素数６〜２４のアリールオキシ基を表す。なお、任意のＲ同士がお互いに結合して架橋構造を形成しても良い。）
【請求項２】
一対のＲ同士が結合して架橋構造を形成してなる下記一般式（２）で表されるアミド誘導体。
【化２】
2011136910.tif 000010
（式中、Ｘ１及びＸ２は各々独立して２価のアリーレン基を表す。また、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４は各々独立して炭素数６〜４０の置換基を有していても良いアリール基、または炭素数５〜４０の置換基を有していても良いヘテロアリール基を表す。Ｒは水素原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数６〜２４のアリール基、又は炭素数６〜２４のアリールオキシ基を表す。また、ｎは１〜３の整数を表す。）
【請求項３】
上記一般式（１）又は（２）で表されるアミド誘導体を、有機ＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層、及び発光層から選ばれる少なくとも一層に使用することを特徴とする有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規なアミド誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関するものである。本発明におけるアミド誘導体は、感光材料、有機光導電材料として使用でき、具体的には、平面光源や表示に使用される有機ＥＬ素子若しくは電子写真感光体等の正孔輸送材料、正孔注入材料及び発光材料として有用である。特に、本発明のアミド誘導体は、燐光材料を用いた有機ＥＬ素子において非常に有用である。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、次世代の薄型平面ディスプレイとして現在盛んに研究されており、既に携帯電話のディスプレイやテレビ等への実用化も始まっている。しかし、有機ＥＬ素子をさらに広く普及させるために、素子の発光効率を一層向上させることが求められている。
【０００３】
有機ＥＬ素子の一般的な発光メカニズムは、両電極から電子及びホールが注入されると、それらが対電極に向かい、発光層で再結合して励起子を生成し、その励起子の励起状態が基底状態に戻るときに発光が生じるものである。この励起状態には、電子スピンの向きが反平行である一重項励起状態と、電子スピンの向きが平行となる三重項励起状態とがあるが、現在普及している有機ＥＬ素子は、一重項励起状態のみが関与する蛍光発光が主流となっている。しかし、単純な量子力学的推論から、電子と正孔の再結合により生成する一重項励起状態と三重項励起状態の比率は１：３であるので、蛍光を利用した有機ＥＬ素子の場合には内部量子効率の最大値は２５％となる。つまり、励起状態の７５％は発光に使用されないことになる。また、有機ＥＬ素子外部への光取り出し効率は、高々２０％程度であるため、蛍光を利用した有機ＥＬ素子においては、その外部量子効率は２５％×２０％となり、最大５％程度と見積もられる。
【０００４】
このため、外部量子効率をさらに向上させるためには、励起状態のうちの７５％を占める三重項励起状態からの発光、すなわち燐光も利用する必要がある。この利用が可能となれば、外部量子効率を最大２０％まで向上させることができる。このような背景から、近年では燐光材料を用いた素子の開発が活発化している。
【０００５】
ところで、燐光材料を用いた有機ＥＬ素子では、発光層と隣接する層に用いる材料には、蛍光材料に比べて高い三重項準位（Ｔ１）を有することが求められる。一方、蛍光を利用した有機ＥＬ素子において従来使用されてきた周知の材料の三重項準位は十分とは言い難い。例えば、正孔輸送材料として良く知られている、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）の三重項準位は２．３ｅＶ程度と低いため、２．３ｅＶ以上の三重項準位を有する燐光材料と組み合わせた場合には、励起エネルギーが十分に閉じ込められず、効率の低下を招いてしまう。
【０００６】
さらに、三重項準位を向上させるために、材料中にカルバゾール基などの骨格を導入する方法も試みられている。例えば、カルバゾール骨格を有する化合物として、４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（ＣＢＰ）が挙げられる（例えば、非特許文献１参照）が、その三重項準位は２．６ｅＶ程度であり、十分なレベルとは言い難いものである。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ｒ．Ｈｏｌｍｓ  ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，２００３，８２，２４２２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、従来材料以上に高い効率を発現する有機ＥＬ用材料、特に燐光材料を用いた有機ＥＬ素子において非常に有用である材料を提供することにある。さらに詳しくは、有機ＥＬ素子等の正孔注入材料、正孔輸送材料及び発光材料に適した新規な材料を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは鋭意検討した結果、一般式（１）で表される特定のアミド誘導体が、従来周知の材料に比べて高い三重項準位を有することを見出した。即ち本発明は、一般式（１）で表されるアミド誘導体及びその用途に関するものである。
【００１０】
【化１】
2011136910.tif 000002
【００１１】
（式中、Ｘ１及びＸ２は各々独立して２価のアリーレン基を表す。また、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４は各々独立して炭素数６〜４０の置換基を有していても良いアリール基、または炭素数５〜４０の置換基を有していても良いヘテロアリール基を表す。Ｒは水素原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数６〜２４のアリール基、又は炭素数６〜２４のアリールオキシ基を表す。なお、任意のＲ同士がお互いに結合して架橋構造を形成しても良い。）
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】
本発明の一般式（１）で表されるアミド誘導体において、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４は各々独立して炭素数６〜４０の置換基を有していても良いアリール基、又は炭素数５〜４０の置換基を有していても良いヘテロアリール基を表す。炭素数６〜４０の置換基を有していても良いアリール基としては、以下に限定されるものではないが、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−アントリル基、９−アントリル基、２−フルオレニル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ピセニル基、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、２−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−イソブチルフェニル基、４−ｓｅｃ−ブチルフェニル基、２−ｓｅｃ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ｎ−ペンチルフェニル基、４−イソペンチルフェニル基、２−ネオペンチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−（２’−エチルブチル）フェニル基、４−ｎ−ヘプチルフェニル基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−（２’−エチルヘキシル）フェニル基、４−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル基、４−ｎ−デシルフェニル基、４−ｎ−ドデシルフェニル基、４−ｎ−テトラデシルフェニル基、４−シクロペンチルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−（４’−メチルシクロヘキシル）フェニル基、４−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル）フェニル基、３−シクロヘキシルフェニル基、２−シクロヘキシルフェニル基、４−エチル−１−ナフチル基、６−ｎ−ブチル−２−ナフチル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４−ジエチルフェニル基、２，３，５−トリメチルフェニル基、２，３，６−トリメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２，５−ジイソプロピルフェニル基、２，６−ジイソブチルフェニル基、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルフェニル基、５−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル基、９−メチル−２−フルオレニル基、９−エチル−２−フルオレニル基、９−ｎ−ヘキシル−２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、９，９−ジエチル−２−フルオレニル基、９，９−ジ−ｎ−プロピル−２−フルオレニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、２−エトキシフェニル基、４−ｎ−プロポキシフェニル基、３−ｎ−プロポキシフェニル基、４−イソプロポキシフェニル基、２−イソプロポキシフェニル基、４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−イソブトキシフェニル基、２−ｓｅｃ−ブトキシフェニル基、４−ｎ−ペンチルオキシフェニル基、４−イソペンチルオキシフェニル基、２−イソペンチルオキシフェニル基、４−ネオペンチルオキシフェニル基、２−ネオペンチルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、２−（２’−エチルブチル）オキシフェニル基、４−ｎ−オクチルオキシフェニル基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、４−ｎ−ドデシルオキシフェニル基、４−ｎ−テトラデシルオキシフェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、２−シクロヘキシルオキシフェニル基、２−メトキシ−１−ナフチル基、４−メトキシ−１−ナフチル基、４−ｎ−ブトキシ−１−ナフチル基、５−エトキシ−１−ナフチル基、６−メトキシ−２−ナフチル基、６−エトキシ−２−ナフチル基、６−ｎ−ブトキシ−２−ナフチル基、６−ｎ−ヘキシルオキシ−２−ナフチル基、７−メトキシ−２−ナフチル基、７−ｎ−ブトキシ−２−ナフチル基、２−メチル−４−メトキシフェニル基、２−メチル−５−メトキシフェニル基、３−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−５−メトキシフェニル基、３−エチル−５−メトキシフェニル基、２−メトキシ−４−メチルフェニル基、３−メトキシ−４−メチルフェニル基、２，４−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、３，５−ジエトキシフェニル基、３，５−ジ−ｎ−ブトキシフェニル基、２−メトキシ−４−エトキシフェニル基、２−メトキシ−６−エトキシフェニル基、３，４，５−トリメトキシフェニル基、４−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、２−ビフェニリル基、４−（４’−メチルフェニル）フェニル基、４−（３’−メチルフェニル）フェニル基、４−（４’−メトキシフェニル）フェニル基、４−（４’−ｎ−ブトキシフェニル）フェニル基、２−（２’−メトキシフェニル）フェニル基、４−（４’−クロロフェニル）フェニル基、３−メチル−４−フェニルフェニル基、３−メトキシ−４−フェニルフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、１０−フェニルアントリル基、１０−（３，５−ジフェニルフェニル）−９−アントリル基、９−フェニル−２−フルオレニル基、４−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、２−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−クロロ−１−ナフチル基、４−クロロ−２−ナフチル基、６−ブロモ−２−ナフチル基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、３，４−ジフルオロフェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基、２，３−ジクロロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、２，５−ジクロロフェニル基、３，４−ジクロロフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、２，５−ジブロモフェニル基、２，４，６−トリクロロフェニル基、２，４−ジクロロ−１−ナフチル基、１，６−ジクロロ−２−ナフチル基、２−フルオロ−４−メチルフェニル基、２−フルオロ−５−メチルフェニル基、３−フルオロ−２−メチルフェニル基、３−フルオロ−４−メチルフェニル基、２−メチル−４−フルオロフェニル基、２−メチル−５−フルオロフェニル基、３−メチル−４−フルオロフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、２−クロロ−５−メチルフェニル基、２−クロロ−６−メチルフェニル基、２−メチル−３−クロロフェニル基、２−メチル−４−クロロフェニル基、３−クロロ−４−メチルフェニル基、３−メチル−４−クロロフェニル基、２−クロロ−４，６−ジメチルフェニル基、２−メトキシ−４−フルオロフェニル基、２−フルオロ−４−メトキシフェニル基、２−フルオロ−４−エトキシフェニル基、２−フルオロ−６−メトキシフェニル基、３−フルオロ−４−エトキシフェニル基、３−クロロ−４−メトキシフェニル基、２−メトキシ−５−クロロフェニル基、３−メトキシ−６−クロロフェニル基、５−クロロ−２，４−ジメトキシフェニル基などを挙げることができる。また、炭素数５〜４０の置換基を有していても良いヘテロアリール基としては、以下に限定されるものではないが、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子から選ばれる少なくとも一つのヘテロ原子を含有する芳香環基であり、例えば、４−キノリル基、４−ピリジル基、３−ピリジル基、２−ピリジル基、３−フリル基、２−フリル基、３−チエニル基、２−チエニル基、２−オキサゾリル基、２−チアゾリル基、２−ベンゾオキサゾリル基、２−ベンゾチアゾリル基、２−ベンゾイミダゾリル基等の複素環基を挙げることができる。なお、Ａｒ１とＡｒ２、及びＡｒ３とＡｒ４は互いに結合して環を形成しても良い。Ａｒ１とＡｒ２、及びＡｒ３とＡｒ４が形成する環としては、例えば、カルバゾール環、フェノチアジン環、フェノキサジン環等を挙げることができる。
【００１３】
式中、Ｘ１及びＸ２は各々独立して２価のアリーレン基を表す。以下に限定されるものではないが、例えば、置換基を有していても良いフェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アントラニル基、フルオレニル基等を挙げることができる。
【００１４】
式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数６〜２４の置換基を有していても良いアリール基、又は炭素数６〜２４の置換基を有していても良いアリールオキシ基を表す。
【００１５】
炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、１，３−シクロヘキサジエニル基、２−シクロペンテン−１−イル基等を挙げることができる。また、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基としては、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等を挙げることができる。また、炭素数６〜２４の置換基を有していても良いアリール基としては、具体的には、フェニル基、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、２−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−イソブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−シクロペンチルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、１−ビフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、９，９−ジアルキル−フルオレン−２−イル基、９，９−ジ−トリフルオロメチル−フルオレン−２−イル基等を例示することができる。また、炭素数６〜２４の置換基を有していても良いアリールオキシ基としては、具体的には、フェノキシ基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−フルオロフェノキシ基、４−フルオロフェノキシ基等を例示することができる。なお、任意のＲ同士がお互いに結合して架橋構造を形成しても良い。
【００１６】
さらに、上記一般式（１）の好ましい具体例として、下記一般式（２）を挙げることができる。
【００１７】
【化２】
2011136910.tif 000003
【００１８】
（式中、Ｘ１及びＸ２は各々独立して２価のアリーレン基を表す。また、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４は各々独立して炭素数６〜４０の置換基を有していても良いアリール基、または炭素数５〜４０の置換基を有していても良いヘテロアリール基を表す。Ｒは水素原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数６〜２４のアリール基、又は炭素数６〜２４のアリールオキシ基を表す。また、ｎは１〜３の整数を表す。）
【００１９】
以下に、一般式（１）の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【００２０】
【化３】
2011136910.tif 000004
【００２１】
【化４】
2011136910.tif 000005
【００２２】
本発明の一般式（１）で表されるアミド誘導体は、公知の方法によって合成することができる（例えば、非特許文献２及び３参照）。
【００２３】
【非特許文献２】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９９８年，第３９巻，２３６７頁
【非特許文献３】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９７１年，第３６巻，５０１頁
【発明の効果】
【００２４】
本発明による一般式（１）で表されるアミド誘導体は、従来の材料以上に高い三重項準位を有するため、有機ＥＬ素子、特に燐光材料を用いたＥＬ素子において高い効率を発現させることが可能となる。
【実施例】
【００２５】
以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
【００２６】
なお、本実施例で用いた分析機器及び測定方法を以下に列記する。
【００２７】
［ＨＰＬＣ分析］
測定装置：東ソー製  マルチステーションＬＣ−８０２０
測定方法：カラム  Ｉｎｅｒｔｓｉｌ  ＯＤＳ−３Ｖ（４．６ｍｍΦ×２５０ｍｍ）
検出器  ＵＶ検出（波長  ２５４ｎｍ）
溶離液  メタノール／テトラヒドロフラン＝９／１（ｖ／ｖ比）
［燐光スペクトル測定］
測定装置：日本分光株式会社製  分光蛍光光度計ＦＰ−６５００
［ＮＭＲ測定］
測定装置：バリアン社製  Ｇｅｍｉｎｉ２００
［有機ＥＬ素子の発光特性］
測定装置：ＴＯＰＣＯＮ社製  輝度計ＬＵＭＩＮＡＮＣＥ  ＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）
合成例１  化合物（Ａ−６）の前駆体（Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヨードフェニル）−２，５−ジアザ−３，６−ジオキソビシクロ［２．２．２］オクタン）の合成
α，α’−ジブロモアジポイルクロライドを下記に示すルートで、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，第３６巻，Ｎｏ．４，５０１〜５０４（１９７１）に記載の方法に従って合成し、原料として用いた。
【００２８】
【化５】
2011136910.tif 000006
【００２９】
窒素気流下、攪拌装置を備えた５００ｍｌの三つ口フラスコに、α，α’−ジブロモアジポイルクロライド  １７．７ｇ（５１．９ｍｍｏｌ）、脱水トルエン５０ｍｌを添加して、反応器を０℃まで冷却した。この反応器に、ｐ−ヨードベンゼン  ２５．０ｇ（１１４ｍｍｏｌ）を脱水トルエン２００ｍｌに溶解させた溶液を１時間かけて滴下した。滴下終了後、０℃を保ったままさらに３０分間攪拌し、その後反応器を室温に戻してさらに５時間攪拌した。反応終了後、０℃に冷却した１０％塩酸水溶液  ５０ｍｌを３０分かけて滴下した。反応液をろ過し、薄い紫色の沈殿物を得た。この沈殿物をトルエン５０ｍｌ、水／メタノール＝１：１溶液  ２００ｍｌ、メタノール１００ｍｌ、ヘキサン１５０ｍｌで順次洗浄した。室温、真空条件で５時間乾燥し、微紫色粉末２２．３ｇを得た。次に、窒素気流下、攪拌装置を備えた２００ｍｌの三口フラスコに、先の反応で得た微紫色粉末２２．１ｇ、フッ化カリウム１０．９ｇ（１８８ｍｍｏｌ）、ジエチレングリコール１００ｍｌを添加し、１２５℃で２．５時間反応させた。反応終了後、室温まで放冷した。この反応液を０℃に冷却した水６００ｍｌに添加し、３０分間攪拌した。この水溶液をろ過し、肌色の沈殿物を得た。この肌色沈殿物をジクロロメタン８００ｍｌへ添加し、室温で１時間攪拌した。ジクロロメタンに溶解しない灰色粉末をろ過して除去し、ろ液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に濃縮した。得られた濃縮残渣をアルミナカラムクロマトグラフィー（溶離液＝トルエンとアセトンの混合溶媒）で精製し、さらにトルエンで再結晶を行うことによって、目的のＮ，Ｎ’−ビス（４−ヨードフェニル）−２，５−ジアザ−３，６−ジオキソビシクロ［２．２．２］オクタンの白色粉末３．５ｇを得た（収率２１％、ＨＰＬＣ純度９９．７％）。
【００３０】
化合物の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ及び１３Ｃ−ＮＭＲ測定により行った。
【００３１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）＝２．２１〜２．４１（ｍ，４Ｈ）、  ４．６２（ｓ，２Ｈ）、  ７．１０〜７．１８（ｍ，４Ｈ）、  ７．６９〜７．７６（ｍ，４Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）＝２４．２７、  ６２．９１、  ９１．０９、  １２５．２７、  １３８．０９、  １３８．２８、  １６７．２１
実施例１  化合物（Ａ−６）の合成
【００３２】
【化６】
2011136910.tif 000007
【００３３】
窒素雰囲気下、攪拌装置を備えた５０ｍｌの三つ口フラスコに、ジフェニルアミン［キシダ化学品］  １．００ｇ（５．９０ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヨードフェニル）−２，５−ジアザ−３，６−ジオキソビシクロ［２．２．２］オクタン  １．５３ｇ（２．８１ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム２．２０ｇ（６．７５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム［キシダ化学品］  ６．３ｍｇ（０．０２８ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン［アルドリッチ品］  ２２ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン［キシダ化学品］  １５ｍｌを加え、１４０℃で３０時間攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、純水３０ｍｌ、トルエン５０ｍｌを添加し、室温にて０．５時間攪拌して静置した後、水層を分離した。さらに、飽和食塩水で洗浄分液した後、有機層を減圧濃縮した。得られた濃縮残渣をアルミナカラムクロマトグラフィー（溶離液＝トルエンとアセトンの混合溶媒）で精製し、白色粉末０．９７ｇを得た（収率５５％、ＨＰＬＣ純度９８．９％）。１Ｈ−ＮＭＲ及び１３Ｃ−ＮＭＲ分析から、得られた白色粉末は目的化合物（Ａ−６）であることを確認した。
【００３４】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）＝２．１７〜２．４０（ｍ，４Ｈ）、  ４．６０（ｓ，２Ｈ）、  ６．９９〜７．１１（ｍ，１６Ｈ）、  ７．１８〜７．３０（ｍ，１２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）＝２４．４９、  ６３．５１、  １２３．１３、  １２３．９６、  １２４．４０、  １２４．６７、  １２９．２９、  １３２．７８、  １４６．３３、  １４７．３６、  １６７．７９
実施例２  三重項準位の測定（燐光スペクトルの測定）
ＮＭＲサンプルチューブ中で、化合物（Ａ−６）  １ｍｇと２−メチルテトラヒドロフラン  １ｍｌをよく混合し、均一な溶液を調製した。この溶液をアルゴンガスで１０分間バブリングすることによって脱気した後、このＮＭＲサンプルチューブを密栓することにより燐光スペクトル用サンプルを作製した。温度７７Ｋ（液体窒素冷却下）で燐光スペクトル測定を実施したところ、得られた燐光スペクトルから算出された化合物（Ａ−６）の三重項準位は２．８６ｅＶであった。
【００３５】
実施例３  化合物（Ａ−６）の素子評価
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極を積層したガラス基板を、アセトン及び純水による超音波洗浄、イソプロピルアルコールによる煮沸洗浄した後、乾燥した。さらに、ＵＶ／オゾン処理を行い、真空蒸着装置へ設置後、１×１０−４Ｐａになるまで真空ポンプにて排気した。まず、ＩＴＯ透明電極上にα−ＮＰＤを蒸着速度０．３ｎｍ／秒で蒸着し、２０ｎｍの正孔注入層とした。引き続き、化合物（Ａ−６）を蒸着速度０．３ｎｍ／秒で３０ｎｍ蒸着した後、燐光ドーパント材料であるトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）とホスト材料である４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（ＣＢＰ）を重量比が１：１１．５になるように蒸着速度０．２５ｎｍ／秒で共蒸着し、２０ｎｍの発光層とした。次に、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）を蒸着速度０．３ｎｍ／秒で蒸着し、１０ｎｍのエキシトシンブロック層とした後、さらにトリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体を０．３ｎｍ／秒で蒸着し、３０ｎｍの電子輸送層とした。引き続き、電子注入層としてフッ化リチウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で０．５ｎｍ蒸着し、さらにアルミニウムを蒸着速度０．２５ｎｍ／秒で１００ｎｍ蒸着して陰極を形成した。窒素雰囲気下、封止用のガラス板をＵＶ硬化樹脂で接着し、評価用の有機ＥＬ素子とした。このようにして得られた素子に、２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加し、駆動電圧及び外部量子効率を測定した。結果を表１に示す。
【００３６】
比較例１  α―ＮＰＤの素子評価
化合物（Ａ−６）をα−ＮＰＤに変更した以外は実施例３と同様に有機ＥＬ素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度条件下で駆動させた際の駆動電圧及び外部量子効率の結果を表１に示す。
【００３７】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明のアミド誘導体は、有機ＥＬ素子の正孔注入材料、正孔輸送材料又は発光層のホスト材料として利用可能であり、特に燐光材料を用いたＥＬ素子において極めて有用となることが期待できる。さらには、有機ＥＬ素子若しくは電子写真感光体等の正孔注入材料、正孔輸送材料又は発光材料としてのみならず、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の有機光導電材料への分野にも応用可能である。