【事件の表示】
　特願２０１１−２８３８７３「太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　７月　８日出願公開、特開２０１３−１３５０６３、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成２３年１２月２６日の出願であって、平成２７年４月１４日付け（同年同月２１日発送）で拒絶理由が通知され、同年６月１９日付けで意見書が提出され、同日付けで手続補正がなされたが、同年１０月１６日付け（同年同月２０日送達）で拒絶査定（以下、「原査定」という）がなされ、これに対して、平成２８年１月１９日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、当審より同年１０月１８日付け（同年同月２５日発送）で拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）を通知したところ、同年１２月１６日付けで意見書が提出され、同日付けで手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、本件補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。（以下、「本願発明」という。）
「一の導電型を有する半導体材料からなる結晶性基板と、前記結晶性基板の一主面の上に配され、前記一の導電型を有する第１のアモルファス半導体層と、前記結晶性基板の前記一主面の上に配されており、他の導電型を有する第２のアモルファス半導体層とを有する光電変換部と、
　前記第１のアモルファス半導体層の上に配され、前記第１のアモルファス半導体層と同じ幅に形成された多数キャリアを収集する第１の電極と、
　前記第２のアモルファス半導体層の上に配され、前記第２のアモルファス半導体層と同じ幅に形成された少数キャリアを収集する第２の電極と、を備え、
　前記第１の電極は、線状の第１のフィンガー部を含み、
　前記第２の電極は、線状の第２のフィンガー部を含み、
　前記第１のフィンガー部の幅をＷ１とし、前記第２のフィンガー部の幅をＷ２としたときに、０．３≦Ｗ２／Ｗ１＜１となる、太陽電池。」
　
第３　原査定の拒絶理由について
１　原査定の拒絶理由の概要
（新規性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
（１）引用例１には、ｎ型シリコン基板５０１、ｐ型拡散領域５０２、ｎ型拡散領域５０３、ｐ型拡散領域５０２上の金属グリッド５０５（本願の「第２の電極」）、ｎ型拡散領域５０３上の金属グリッド５０６（同「第１の電極」）、を有する太陽電池５００が開示されている（図５、図６など）。そして、図６などによれば、金属グリッド５０６（第１の電極）の面積は金属グリッド５０５（第２の電極）の面積の２倍前後となることは明らかである。
　してみれば、請求項１−７は引用例１に対して新規性ないし進歩性はない。
　なお、請求項２について、線状のフィンガー部に関して引用例２も参酌されたい。また、請求項３について、引用例１では半導体層が拡散領域から構成されているが、アモルファス層として構成すること（いわゆる、ヘテロ構造）も太陽電池としては周知の事項である点に留意されたい。
（２）なお、意見書では、引用例１には各電極の幅を異ならせることについて開示等がないことを指摘し、本願発明の特許性を主張しているが、請求項１ではそもそも電極の幅自体に言及していないものであるから、前記主張は失当である。
（３）また、引用例２には、ｐ型シリコン基板上に第１の主電極１５（本願の「第１の電極」）や第２の電極５１（同「第２の電極」）が形成されたものが開示されている（各図面）。
　してみれば、請求項１−７は引用例２に対しても新規性ないし進歩性はない。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
　　１．特表２００９−５４５１５８号公報
　　２．特開平５−２５９４８８号公報
２　原査定の拒絶理由の判断
（１）引用例の記載事項、引用発明
ア　引用例１について
（ア）引用例１の記載事項
　引用例１には次の事項が記載されている。（下線は当審において付したものである。以下、同様。）
ａ「【０００４】 
 一態様では、太陽電池は、背面に形成されたベース拡散領域及びエミッタ拡散領域を有する。
エミッタ拡散領域は、太陽電池において小数電荷キャリアを収集するように構成されており、ベース拡散領域は、多数電荷キャリアを収集するように構成され
  
 ｂ「【００２１】 
 図５に、本発明の一態様による太陽電池５００を概略的に示す。太陽電池５００は、ワンサン（つまり非集中型）の用途で使用されるように構成されている。この太陽電池５００は、
ドット状の
ベース拡散領域５０３はＮ型拡散領域からなっており、連続するエミッタ拡散領域５０２はＰ型拡散領域からなっており、両拡散領域は、Ｎ型シリコンウェハ５０１上に形成され
金属グリッド５０６は、ベース拡散領域５０３
に電気的に結合され
金属グリッド５０５は、連続するエミッタ拡散領域５０２に電気的に結合され
金属グリッド５０５及び５０６は、掌状に互いに入り組んでいて
背面電極型太陽電池
 
ｃ「【図５】 
 　
  　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」 
 （イ）引用発明１
　上記記載から、引用例１には、以下の発明が記載されていると認められる（以下、「引用発明１」という。）。 
  
「ドット状のベース拡散領域５０３はＮ型拡散領域からなっており、連続するエミッタ拡散領域５０２はＰ型拡散領域からなっており、両拡散領域は、Ｎ型シリコンウェハ５０１上に形成され、 
　エミッタ拡散領域５０２は、太陽電池において小数電荷キャリアを収集するように構成されており、ベース拡散領域５０３は、多数電荷キャリアを収集するように構成され、
　金属グリッド５０６は、ベース拡散領域５０３に電気的に結合され、金属グリッド５０５は、連続するエミッタ拡散領域５０２に電気的に結合され、
　金属グリッド５０５及び５０６は、掌状に互いに入り組んでいる 
　背面電極型太陽電池。」 
イ　引用例２について
（ア）引用例２の記載事項
　引用例２には次の事項が記載されている。（下線は当審において付したものである。以下、同様。）
ａ「【００１８】本図において、１は本実施例の
シリコン太陽電池素子であり、ｐ型導電性のシリコン基板の受光面となる一方の主表面１１、一方の主表面１１と反対側に位置する他方の主表面１２に形成されたｐ＋型導電性の第１の層１３、第１の層１３に隣接する第１の層１３と反対側の導電性のｎ＋型
の第２の層１４、第１の層１３に隣接するｐ型不純物源及びアルミニウムシリコン合金層からなる第１の主電極１５とを有する
第１の電極１５は、他方の主表面１２上にあってｐ＋層１３と共に、ｎ＋層１４に対して櫛の歯を噛み合わせた形状となっており、第１の層１３を介してｎ＋層１４とｐｎ接合で接触し、ｐ型シリコン基板とはオーミック接触し、酸化膜３によりｐ＋層１３と、ｎ＋層１４とは絶縁されている。５１は第２の電極であり、他方の主表面上にあってｎ＋層１４に接触し、酸化膜３によりｎ＋層１４とは絶縁されている
ｂ「【図１】
　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（イ）引用発明２
　上記ｂ（【図１】）には、第１の電極１５は櫛の歯形状であり、第２の電極５１は直線状であり、第１の電極１５と第２の電極５１は、交互に並んで配置されることが見て取れるから、引用例２には、以下の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「シリコン太陽電池素子であって、
　ｐ型導電性のシリコン基板の受光面となる一方の主表面１１、一方の主表面１１と反対側に位置する他方の主表面１２に形成されたｐ＋型導電性の第１の層１３、第１の層１３に隣接する第１の層１３と反対側の導電性のｎ＋型の第２の層１４、第１の層１３に隣接するｐ型不純物源及びアルミニウムシリコン合金層からなる第１の主電極１５とを有し、
　第１の電極１５は、他方の主表面１２上にあってｐ＋層１３と共に、ｎ＋層１４に対して櫛の歯を噛み合わせた形状となっており、第１の層１３を介してｎ＋層１４とｐｎ接合で接触し、ｐ型シリコン基板とはオーミック接触し、酸化膜３によりｐ＋層１３と、ｎ＋層１４とは絶縁され、第２の電極５１は、直線状であり、他方の主表面上にあってｎ＋層１４に接触し、酸化膜３によりｎ＋層１４とは絶縁されており、
　第１の電極１５と第２の電極５１は、交互に並んで配置される、
シリコン太陽電池素子。」
（２）対比、判断
ア　本願発明と引用発明１との対比、判断について
（ア）本願発明と引用発明１とを対比する。 
　引用発明１の「Ｎ型シリコンウェハ５０１」は、本願発明の「一の導電型を有する半導体材料からなる結晶性基板」に相当する。 
  
　引用発明１において、「ベース拡散領域５０３はＮ型拡散領域からなっており、連続するエミッタ拡散領域５０２はＰ型拡散領域からなっており、両拡散領域は、Ｎ型シリコンウェハ５０１上に形成され」ているから、引用発明１の「ベース拡散領域５０３」及び「エミッタ拡散領域５０２」と、本願発明の「前記結晶性基板の一主面の上に配され、前記一の導電型を有する第１のアモルファス半導体層」及び「他の導電型を有する第２のアモルファス半導体層」とは、共に、「前記結晶性基板の一主面の上に配され、前記一の導電型を有する第１の半導体層」及び「他の導電型を有する第２の半導体層」の点で共通する。  
　
　引用発明１は、「ベース拡散領域５０３はＮ型拡散領域からなっており、連続するエミッタ拡散領域５０２はＰ型拡散領域からなっており、両拡散領域は、Ｎ型シリコンウェハ５０１上に形成され」る「背面電極型太陽電池」であるから、引用発明１の、ベース拡散領域５０３、エミッタ拡散領域５０２及び両拡散領域が形成されたＮ型シリコンウェハ５０１は、本願発明の「光電変換部」に相当する。 
  
　引用発明１において、「エミッタ拡散領域５０２は、太陽電池において小数電荷キャリアを収集するように構成されており、ベース拡散領域５０３は、多数電荷キャリアを収集するように構成され、金属グリッド５０６は、ベース拡散領域５０３に電気的に結合され、金属グリッド５０５は、連続するエミッタ拡散領域５０２に電気的に結合され」ているから、引用発明１の「金属グリッド５０６」及び「金属グリッド５０５」と、本願発明の「前記第１のアモルファス半導体層の上に配され、前記第１のアモルファス半導体層と同じ幅に形成された多数キャリアを収集する第１の電極」及び「前記第２のアモルファス半導体層の上に配され、前記第２のアモルファス半導体層と同じ幅に形成された少数キャリアを収集する第２の電極」とは、共に、「前記第１の半導体層の上に配されており、多数キャリアを収集する第１の電極」及び「前記第２の半導体層の上に配されており、少数キャリアを収集する第２の電極」である点で共通する。 
　引用発明１において、「金属グリッド５０５及び５０６は、掌状に互いに入り組んでいる」ことは、本願発明の「前記第１の電極は、線状の第１のフィンガー部を含み、前記第２の電極は、線状の第２のフィンガー部を含」むとする構成に相当する。
  
　引用発明１の「背面電極型太陽電池」は、本願発明の「太陽電池」に相当する。 
  
（イ）してみると、本願発明と引用発明１は、以下の点で一致する。 
「一の導電型を有する半導体材料からなる結晶性基板と、前記結晶性基板の一主面の上に配され、前記一の導電型を有する第１の半導体層と、前記結晶性基板の前記一主面の上に配されており、他の導電型を有する第２の半導体層とを有する光電変換部と、 
　前記第１の半導体層の上に配されており、多数キャリアを収集する第１の電極と、 
　前記第２の半導体層の上に配されており、少数キャリアを収集する第２の電極と、を備え、
　前記第１の電極は、線状の第１のフィンガー部を含み、
　前記第２の電極は、線状の第２のフィンガー部を含む、 
　太陽電池。」 
  
 （ウ）そして、以下の点で相違する。 
ａ　相違点１ 
　第１の半導体層及び第２の半導体層について、本願発明は、アモルファスであるのに対し、引用発明１は、拡散領域で構成されている点。 
  
ｂ　相違点２ 
　本願発明では、
・第１のアモルファス半導体層の幅＝第１の電極（線状の第１フィンガー部）の幅（Ｗ１）
・第２のアモルファス半導体層の幅＝第２の電極（線状の第２フィンガー部）の幅（Ｗ２）
・０．３≦Ｗ２／Ｗ１＜１
となる「幅の関係」を有するのに対し、引用発明１では、「ドット状のベース拡散領域５０３」と「金属グリッド５０６」の幅の関係、「連続するエミッタ拡散領域５０２」と「金属グリッド５０５」の幅の関係及び「金属グリッド５０５及び５０６」の幅の関係が不明である点。 
（エ）判断
　事案に鑑み、相違点２について検討する。
　上記相違点２の「幅の関係」について、引用例１の図５を見るに、「ドット状のベース拡散領域５０３」と「金属グリッド５０６」は、異なる形状をしており、「連続するエミッタ拡散領域５０２」と「金属グリッド５０５」も異なる形状をしているから、「ドット状のベース拡散領域５０３」と「金属グリッド５０６」の幅を同じ幅に形成し、「連続するエミッタ拡散領域５０２」と「金属グリッド５０５」の幅を同じ幅に形成する形状の関係とはなっていない。
　さらに、引用発明１において、「ドット状のベース拡散領域５０３」と「金属グリッド５０６」の幅を同じ幅にし、「連続するエミッタ拡散領域５０２」と「金属グリッド５０５」を同じ幅とした上で、「金属グリッド５０５及び５０６」の幅の関係を「０．３≦Ｗ２／Ｗ１＜１」とすることは、引用例１に開示も示唆もされておらず、本願出願日における周知技術でもない。
　これに対して、本願発明は、上記相違点２の「幅の関係」の構成により、「太陽電池の出力特性が改善される」という効果を奏するものであるから（本願明細書段落【００２２】参照。）、相違点１について検討するまでもなく、本願発明は、引用発明１であるとはいえず、また引用発明１に基づいて当業者が容易に想到することができたとはいえなくなった。
イ　本願発明と引用発明２との対比、判断について
（ア）本願発明と引用発明２とを対比する。 
 　引用発明２の「ｐ型導電性のシリコン基板」は、本願発明の「一の導電型を有する半導体材料からなる結晶性基板」に相当する。 
  
 　引用発明２において、「他方の主表面１２に形成されたｐ＋型導電性の第１の層１３」、「第１の層１３に隣接する第１の層１３と反対側の導電性のｎ＋型の第２の層１４」と、本願発明の「前記結晶性基板の一主面の上に配され、前記一の導電型を有する第１のアモルファス半導体層」及び「他の導電型を有する第２のアモルファス半導体層」とは、共に、「前記結晶性基板の一主面の上に配され、前記一の導電型を有する第１の半導体層」及び「他の導電型を有する第２の半導体層」の点で共通する。  
　引用発明２は、「ｐ型導電性のシリコン基板の受光面となる一方の主表面１１、一方の主表面１１と反対側に位置する他方の主表面１２に形成されたｐ＋型導電性の第１の層１３、第１の層１３に隣接する第１の層１３と反対側の導電性のｎ＋型の第２の層１４、第１の層１３に隣接するｐ型不純物源及びアルミニウムシリコン合金層からなる第１の主電極１５とを有」する「シリコン太陽電池素子」であるから、引用発明２の、ｐ＋型導電性の第１の層１３及びｎ＋型の第２の層１４を他方の主表面１２に形成されたｐ型導電性のシリコン基板は、本願発明の「光電変換部」に相当する。 
  
　引用発明２において、「第１の電極１５は、他方の主表面１２上にあってｐ＋層１３と共に、ｎ＋層１４に対して櫛の歯を噛み合わせた形状となっており、第１の層１３を介してｎ＋層１４とｐｎ接合で接触し、ｐ型シリコン基板とはオーミック接触し、酸化膜３によりｐ＋層１３と、ｎ＋層１４とは絶縁され、第２の電極５１は、直線状であり、他方の主表面上にあってｎ＋層１４に接触し、酸化膜３によりｎ＋層１４とは絶縁されている」から、引用発明２の「第１の電極１５」及び「第２の電極５１」と、本願発明の「前記第１のアモルファス半導体層の上に配され、前記第１のアモルファス半導体層と同じ幅に形成された多数キャリアを収集する第１の電極」及び「前記第２のアモルファス半導体層の上に配され、前記第２のアモルファス半導体層と同じ幅に形成された少数キャリアを収集する第２の電極」とは、共に、「前記第１の半導体層の上に配されており、多数キャリアを収集する第１の電極」及び「前記第２の半導体層の上に配されており、少数キャリアを収集する第２の電極」である点で共通する。 
　引用発明２において、「第１の電極１５と第２の電極５１は、交互に並んで配置される」ことは、第１，２の電極がそれぞれフィンガー部を構成しているといえるから、引用発明２の「第１の電極１５は、」「櫛の歯を噛み合わせた形状となっており、」「第２の電極５１は、直線状であり、」ことと、本願発明の「前記第１の電極は、線状の第１のフィンガー部を含み、前記第２の電極は、線状の第２のフィンガー部を含」むこととは、共に「前記第１の電極は、第１のフィンガー部を含み、前記第２の電極は、線状の第２のフィンガー部を含」む点で共通する。
  
　引用発明２の「シリコン太陽電池素子」は、本願発明の「太陽電池」に相当する。 
  
（イ）してみると、本願発明と引用発明２は、以下の点で一致する。 
「一の導電型を有する半導体材料からなる結晶性基板と、前記結晶性基板の一主面の上に配され、前記一の導電型を有する第１の半導体層と、前記結晶性基板の前記一主面の上に配されており、他の導電型を有する第２の半導体層とを有する光電変換部と、 
　前記第１の半導体層の上に配されており、多数キャリアを収集する第１の電極と、 
　前記第２の半導体層の上に配されており、少数キャリアを収集する第２の電極と、を備え、 
　前記第１の電極は、第１のフィンガー部を含み、前記第２の電極は、線状の第２のフィンガー部を含む、
　太陽電池。」 
  
（ウ）そして、以下の点で相違する。 
ａ　相違点３ 
　第１の半導体層及び第２の半導体層について、本願発明は、アモルファスであるのに対し、引用発明２は、アモルファスであるとの特定がない点。 
  
ｂ　相違点４ 
　本願発明では、「前記第１の電極は、線状」の形状であるのに対し、引用発明２では、「第１の電極１５は、」「櫛の歯を噛み合わせた形状となって」いる点。
ｃ　相違点５
　　本願発明では、
・第１のアモルファス半導体層の幅＝第１の電極（線状の第１フィンガー部）の幅（Ｗ１）
・第２のアモルファス半導体層の幅＝第２の電極（線状の第２フィンガー部）の幅（Ｗ２）
・０．３≦Ｗ２／Ｗ１＜１
となる「幅の関係」を有するのに対し、引用発明２では、「ｐ＋型導電性の第１の層１３」と「第１の電極１５」の幅の関係、「ｎ＋型の第２の層１４」と「第２の電極５１」の幅の関係及び「第１の電極１５」と「第２の電極５１」の幅の関係が不明である点。
（エ）判断
　事案に鑑み、相違点５について検討する。
　上記相違点５の「幅の関係」について、引用例２の図１を見ても、「ｎ＋型の第２の層１４」と「第２の電極５１」は、異なる形状をしており、「ｎ＋型の第２の層１４」と「第２の電極５１」とが同じ幅に形成される形状の関係とはなっていない。
　さらに、引用発明２において、「ｐ＋型導電性の第１の層１３」と「第１の電極１５」の幅を同じ幅にし、「ｎ＋型の第２の層１４」と「第２の電極５１」を同じ幅とした上で、「第１の電極１５」と「第２の電極５１」の幅の関係を「０．３≦Ｗ２／Ｗ１＜１」とすることは、引用例２に開示も示唆もされておらず、本願出願日における周知技術でもない。
　これに対して、本願発明は、上記相違点５の「幅の関係」の構成により、「太陽電池の出力特性が改善される」という効果を奏するものであるから（本願明細書段落【００２２】参照。）、相違点３，４について検討するまでもなく、本願発明は、引用発明２であるとはいえず、また引用発明２に基づいて当業者が容易に想到することができたとはいえなくなった。
（３）原査定の拒絶の理由の判断のむすび
　上記のとおりであるから、原査定の拒絶の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
（１）（進歩性）この出願の請求項１ないし６に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
　引用例：特表２００９−５４５１５８号公報 
（２）（サポート要件）本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
　第１、第２の電極の面積比（Ｓ２／Ｓ１）に関する特定がなされた請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 
  
（３）（委任省令要件）（実施可能要件）本願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
ア（委任省令要件） 
　結晶性基板とアモルファス半導体層の界面の寸法関係とは無関係に、第１、第２の電極の面積比だけが、光電変換効率に寄与する指標になるのか、技術的に不明である。 
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、請求項１に係る発明について、経済産業省令で定めるところにより記載されたものではない。また、請求項１を引用する請求項２ないし６に係る発明についても、経済産業省令で定めるところにより記載されたものではない。 
イ（実施可能要件） 
　本願の発明の詳細な説明には、「Ωｃｍ２」を単位とする「直列抵抗の和」をどのようにして求めるのか、また、裏面接合型太陽電池の光電発電効率を２０％以上、または２１％以上とするための構成が記載されておらず、当業者が発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていない。 
２　当審拒絶理由の判断
（１）本件補正について
ア　補正前の請求項１を削除し、請求項２を独立請求項１とするとともに、第１の電極が「前記第１のアモルファス半導体層と同じ幅に形成され」、第２の電極が「前記第２のアモルファス半導体層と同じ幅に形成され」たことを規定する補正がなされた。
イ　補正前の請求項３〜６を削除する補正がなされた。
（２）当審拒絶理由（１）について
　当審拒絶理由（１）で引用した特表２００９−５４５１５８号公報は、原査定の拒絶理由で引用した引用例１と同じである。
　よって、引用例１の記載事項、引用発明１は、上記「第３」「２」「（１）」「ア」に記載のとおりであり、本願発明と引用発明１との対比、判断については、上記「第３」「２」「（２）」「ア」に記載のとおりである。
　したがって、本願発明は、引用発明１に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえなくなった。
（３）当審拒絶理由（２）、（３）アについて
　補正後の請求項１に係る発明は、第１、第２の電極の面積比についての特定は削除され、発明の詳細な説明に記載されている（補正前の請求項２に係る発明で特定されていた）第１、第２のフィンガー部の幅の比について特定された。
　したがって、補正後の請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでないとはいえなくなった。また、本願の発明の詳細な説明は、補正後の請求項１に係る発明について、経済産業省令で定めるところにより記載されたものではないとはいえなくなった。
（４）当審拒絶理由（３）イについて
　「Ωｃｍ２」を単位とする「直列抵抗の和」及び裏面接合型太陽電池の光電発電効率についての特定がされた請求項は、本件補正により削除された。
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、補正後の請求項１に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていないとはいえなくなった。
（５）小括
　以上のとおり、本件補正により、当審拒絶理由で指摘した理由は解消した。
第５　結論
　以上のとおりであり、原査定の拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。また、他に、本願を拒絶する理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。