【事件の表示】
　特願２００９−５２３９８４「メモリ素子およびクロスポイントスイッチと不揮発性ナノチューブブロックとを使用したそのアレイ」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　２月２１日国際公開、ＷＯ２００８／０２１９１１、平成２２年　５月　６日国内公表、特表２０１０−５１５２４１、請求項の数（２１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００７年８月８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００６年８月８日　米国、２００６年８月８日　米国、２００６年８月２８日　米国、２００６年１０月２７日　米国、２００７年３月１６日　米国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２１年　４月　６日　　翻訳文の提出
　平成２２年　７月２３日　　審査請求
　平成２４年１０月２５日　　拒絶理由通知（起案日）
　平成２５年　４月３０日　　意見書及び手続補正書の提出
　平成２５年　９月１２日　　最後の拒絶理由通知（起案日）
　平成２６年　３月１７日　　意見書の提出
　平成２６年１０月３０日　　拒絶査定（起案日）
　平成２７年　３月１１日　　審判請求及び手続補正書の提出
　平成２８年　６月１６日　　当審拒絶理由通知（起案日）
　平成２８年１２月２０日　　意見書及び手続補正書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし２１に係る発明は、平成２８年１２月２０日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２１に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願の請求項１ないし２１に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明２１」という。）のうち、独立請求項に係る発明である本願発明１、本願発明１１及び本願発明１９は以下のとおりである。
１　本願発明１
「ナノチューブスイッチであって、
（ａ）複数のカーボンナノチューブのみからなるナノファブリックで形成され、上面、下面、および複数の側面を有するナノチューブ素子と、
（ｂ）前記ナノチューブ素子と接触する第１および第２の導電端子であって、前記第１の導電端子は前記ナノチューブ素子の上面全体に配置されてこれを実質的に覆い、前記第２の導電端子は前記ナノチューブ素子の前記下面の少なくとも一部分と接触する、第１および第２の導電端子と、
（ｃ）前記第１および第２の導電端子と電気的に連通してこれに電気的刺激を印加することができる制御回路と、を備え、
　前記ナノチューブ素子は前記制御回路によって前記第１および第２の導電端子に印加される、対応する複数の電気的刺激に応じて複数の抵抗状態を切り替えることができ、
　前記複数の抵抗状態のそれぞれ異なる抵抗状態のために、前記ナノチューブ素子は前記第１および第２の導電端子間に対応する、異なる抵抗の電気経路を提供することを特徴とするナノチューブスイッチ。」
２　本願発明１１
「ナノチューブスイッチであって、
（ａ）複数のカーボンナノチューブのみからなるナノファブリックで形成され、上面と下面を有するナノチューブ素子と、
（ｂ）前記ナノチューブ素子と接触して互いに対して隔離した第１および第２の導電端子と、
（ｃ）前記ナノチューブ素子の前記上面と接触する第１の絶縁体層と、
（ｄ）前記ナノチューブ素子の前記下面と接触する第２の絶縁体層であって、前記第１および第２の導電端子と前記第１および第２の絶縁体層は一緒に前記ナノチューブ素子を実質的に包囲する、第２の絶縁体層と、
（ｅ）前記第１および第２の導電端子と電気的に連通してこれに電気的刺激を印加することができる制御回路と、を備え、
　前記ナノチューブ素子は前記制御回路によって前記第１および第２の導電端子に印加される、対応する複数の電気的刺激に応じて複数の抵抗状態を切り替えることができ、
　前記複数の抵抗状態のそれぞれ異なる抵抗状態のために、前記ナノチューブ素子は前記第１および第２の導電端子間に対応する、異なる抵抗の電気経路を提供することを特徴とするナノチューブスイッチ。」
３　本願発明１９
「ナノチューブスイッチであって、
（ａ）複数のカーボンナノチューブのみからなるナノファブリックで形成され、上面と下面を有するナノチューブ素子と、
（ｂ）前記ナノチューブ素子と接触して互いに対して隔離した第１および第２の導電端子と、
（ｃ）前記ナノチューブ素子の前記上面の上に配置され前記上面に対して隔離した第１の絶縁体層と、
（ｄ）前記ナノチューブ素子の前記下面の下に配置されてこの下面に対して隔離した第２の絶縁体層であって、前記第１および第２の導電端子と前記第１および第２の絶縁体層は一緒に前記ナノチューブ素子を実質的に包囲する、第２の絶縁体層と、
（ｅ）前記第１および第２の導電端子と電気的に連通してこれに電気的刺激を印加することができる制御回路と、を備え、
　前記ナノチューブ素子は前記第１および第２の導電端子に前記制御回路によって印加される、対応する複数の電気的刺激に応じて複数の抵抗状態に切り替わることができ、
　前記複数の抵抗状態のそれぞれ異なる抵抗状態のために、前記ナノチューブ素子は前記第１および第２の導電端子間に対応する、異なる抵抗の電気経路を提供することを特徴とするナノチューブスイッチ。」
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
（１）拒絶理由通知の概要
　原査定の根拠となった平成２５年９月１２日付けの最後の拒絶理由通知の概要は以下のとおりである。
「理由２　この出願は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号及び第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　……（中略）……
第２　理由２について
１．特許請求の範囲における「ナノチューブファブリック」という文言では、どの様な技術的事項を指し示しているのか明確でない。
　【０００７】、【０００８】、【００４０】、【００４１】、【００４９】、【００５４】、【００９３】〜【００９５】及び【０１９１】を中心に明細書の記載を斟酌しても、本願における「ナノチューブファブリック」という文言がどの様な技術的事項を指すのか明確でない。
　したがって、請求項１〜２１に係る発明は明確でないので、特許請求の範囲の記載は特許法第３６条第６項第２号に違反している。また、発明の詳細な説明の記載は当業者が特許請求の範囲に記載された発明を実施可能な程度に明確かつ十分であるものとは言えないので、発明の詳細な説明の記載は特許法第３６条第４項第１号に違反している。
２．発明の詳細な説明の記載によっては、特許請求の範囲におけるナノチューブファブリック層の形成について、当業者が実施可能な程度に明確かつ十分に記載したものではない。
　【００９３】においては、「好ましい方法を用いて蒸着される……ナノチューブファブリック層」及び「しかし、全体的なナノチューブファブリック層は、複数の個別のナノチューブファブリック層をスピンコーティングすることによって形成されてもよい。」と記載されているが、上述のとおりナノチューブファブリックなるものが明確でなく、当該ナノチューブファブリック層が蒸着やスピンコーティングにより形成可能なものであるのか明確でない。そのため、具体的な蒸着方法を示していない上記記載によっては、ナノチューブファブリック層をどのようにして形成するのかを実施可能な程度に明確かつ十分に記載したものではない。
　【０１８４】に記載されている様に他の書面を参照することを要求する記載では、本願明細書が実施可能な程度に明確かつ十分に記載されているものとは言えない。」
（２）拒絶査定の概要
　原査定の理由の概要は以下のとおりである。
「・理由２［（実施可能要件，明確性）特許法第３６条第４項第１号及び第６項第２号］について
　出願人は意見書において，証拠１（「ナノチューブ」，大辞泉）及び証拠２（「ファブリック」，大辞泉）を用いて，「ナノチューブファブリック」がカーボンナノチューブが繊維の様に織られて形成された布地であることを指し示すものであることは，本願明細書に定義が無くとも明確である旨主張している。
　しかしながら，上記主張は，「ナノチューブファブリック」という言葉が，本願において新たに定義することなく使用可能な程度に本願出願前に使用されていたことを示すために出願人が示した証拠３（特表２００５−５０２２０１号公報），証拠４（米国特許第６９１９５９２号明細書）及び証拠５（特表２００５−５２４０００号公報）の記載内容と対応していない。
　出願人が示した証拠３には，「ファブリック」という言葉自体が使われていないので，証拠３の記載からでは出願人の主張通りの意味で「ナノチューブファブリック」という言葉が使用されていたことの裏付けにはならない。
　出願人が示した証拠４は，英語の文献であって日本語の文献ではないので，出願人の主張通りの意味で「ナノチューブファブリック」なる言葉が使用されていたことの裏付けにはならない。なお，証拠４には，「nanotube fabric」を含む文として，図面の説明（第３段）における図１２の説明に「FIG. 12  illustrates the non-woven nanotube fabric, or matted nanotube layer, used to make certain embodiments of the invention;」との記載があり，第６段第１８〜２１行目に「The photoresist is removed to leave ribbons 101 of non-woven nanotube fabric lying on planar surface 306 to form fourth intermediate structure 318.」との記載があり，第９段第４４〜４７行目に「As explained above, once the matted nanotube layer 312 is provided over the surface 306
, the layer 312 is patterned and etched to define ribbons 101 of nanotube fabric that cross the supports 102.」との記載がある。これらの記載を中心に証拠４の記載を参照すると，第９段第４４〜４７行目における「nanotube fabric」は，第６段第１８〜２１行目に記載された「non-woven nanotube fabric」と同じ概念を指し示しているものと認められ，第６段第１８〜２１行目の記載通り不織布であるものを指し示すものと認められる。不織布は「織られて形成された布地」ではないので，証拠４の記載は，出願人が意見書で主張する「カーボンナノチューブが繊維の様に織られて形成された布地」という意味で「nanotube fabric」という言葉が使われていたことを裏付けるものではない。
　出願人が示した証拠５の【００４７】には，「好ましいナノファブリックは、不織布を形成するために、接触している複数のナノチューブを有する。」と記載されており，ナノチューブにより不織布を形成したものがナノファブリックの概念に含まれるものと認められる。そして，証拠５の【００５３】における「発明者は、前記技法が作成プロセスにおいて制御できる重要な特性を有するナノファブリックを作成するために拡張されてよいことを発見した。さらに、発明者はナノファブリックを作成する新しい技法を発見した。ファブリックは（例えばウェハ表面全体で）組み立てるあるいは生長させることができ、次にファブリックは、例えばリトグラフィックパターン化を使用して選択的に除去されてよい。つまり、ナノチューブファブリックは、所望される場所で生長し、生長後に削除される必要があるものは何もない。」との記載からみて，証拠５における「ナノチューブファブリック」は「ナノファブリック」と同じ概念を指し示しているものと認められる。証拠５におけるこれらの記載からみて，証拠５における「ナノチューブファブリック」には，ナノチューブにより形成された不織布を含むものと認められる。不織布は上記主張における「織られて形成された布地」ではないので，証拠５の記載は，出願人が意見書で主張する「カーボンナノチューブが繊維の様に織られて形成された布地」という意味で「ナノチューブファブリック」という言葉が使われていたことを裏付けるものではない。
　してみると，出願人の主張によっては，本願における「ナノチューブファブリック」との記載が十分に明確であるということができない。意見書の他の記載を斟酌しても，記載不備に係る拒絶の理由を覆す根拠を見いだすことができない。
　したがって，発明の詳細な説明の記載は当業者が請求項１〜２１に係る発明を当業者が実施可能な程度に明確かつ十分に記載したものではなく，特許法第３６条第４項第１号に違反するものである。また，請求項１〜２１に係る発明は明確でないから，特許請求の範囲の記載は特許法第３６条第６項第２号に違反するものである。よって，本願は拒絶すべきものである。」
２　原査定の拒絶の理由についての判断
（１）平成２５年９月１２日付けの最後の拒絶理由通知は、「「ナノチューブファブリック」という文言では、どの様な技術的事項を指し示しているのか明確でない」及び「上述のとおりナノチューブファブリックなるものが明確でなく、当該ナノチューブファブリック層が蒸着やスピンコーティングにより形成可能なものであるのか明確でない。そのため、具体的な蒸着方法を示していない上記記載によっては、ナノチューブファブリック層をどのようにして形成するのかを実施可能な程度に明確かつ十分に記載したものではない。」と指摘したところ、本願発明１、本願発明１１及び本願発明１９は、いずれも、「複数のカーボンナノチューブのみからなるナノファブリックで形成され、上面、下面」を有する「ナノチューブ素子」を発明特定事項として有する。
　そこで、「複数のカーボンナノチューブのみからなるナノファブリック」という記載が明確であるか、前記「複数のカーボンナノチューブのみからなるナノファブリック」の形成方法が、本願明細書の発明の詳細な説明に当業者が実施可能な程度に明確かつ十分に記載されているかについて検討する。
（２）本願明細書及び図面には、前記「ナノファブリック」に関して、以下の記載がある（下線は当審において付した。）。
　ア　「【００１３】
　本出願は、以下の出願の一部継続出願であり、米国特許法第１２０条に基づいて優先権を主張し、その全容が参考として組み入れられる。
　２００５年１１月１５日に出願された「Ｔｗｏ−Ｔｅｒｍｉｎａｌ　Ｎａｎｏｔｕｂｅ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　Ａｎｄ　Ｓｙｓｔｅｍｓ　Ａｎｄ　Ｍｅｔｈｏｄｓ　Ｏｆ　Ｍａｋｉｎｇ　Ｓａｍｅ」と題する米国特許出願第１１／２８０，７８６号明細書」
　イ　「【００２４】
　一部の実施形態は、２端子不揮発性ナノチューブ記憶ノードを含む高密度の不揮発性メモリアレイを可能にする２−Ｄセル構造体および強化型（ｅｎｈａｎｃｅｄ）３−Ｄセル構造体を提供する。
ノードは、不揮発性ナノチューブスイッチ（ＮＶ　ＮＴスイッチ）と呼ばれる
を含む
ノードは、
ＮＭＯＳ　ＦＥＴ（ＮＦＥＴ）などの対応する選択トランジスタを含む
ＮＭＯＳ　ＦＥＴとカーボンナノチューブと組み合わせる
　ウ　「【００４０】
　米国特許出願第１１／２８０，７８６号明細書にさらに詳しく記載される図２Ａは、絶縁体２０３０上のパターン化ナノチューブ素子２０３５を含むＮＶ  ＮＴスイッチ２０００を示しており、絶縁体２０３０は絶縁体と配線層２０２０との結合される表面にあり、配線層２０２０は基板２０２５によって支持される。
パターン化ナノチューブ素子２０３５は、平面上のナノファブリックであり
【００４１】
　米国特許出願第１１／２８０，７８６号明細書にさらに詳しく記載された図２Ｂは、不動態化前の不揮発性ナノチューブスイッチ２０００’のＳＥＭ画像を示しており、図２Ａの断面図における不揮発性ナノチューブスイッチ２０００に対応する。
不揮発性ナノチューブスイッチ２０００’は、ナノファブリック素子２０３５’
を含む
　エ　図２Ｂには、「ナノファブリック２０３５’」は、方向が不規則な複数のナノチューブが互いに交差し、あるいは、絡まり合うことで形成されていることが、記載されている。
　オ　「【００９３】
　図１０Ａに示されるＳＥＭ画像１００００は、図４に示されるＮＶ　ＮＴブロックスイッチ４０００に対応するＮＶ  ＮＴブロックスイッチの形成の直前に部分的に製作されたメモリセルの平面図を示しており、ＮＶ  ＮＴブロックスイッチはメモリセルのレイアウト９２００に対応する下層セルの選択トランジスタおよびアレイの配線の上方に形成される。
好ましい方法を用いて蒸着されるおよそ４０ｎｍの厚さの全体的な（多孔質の）ナノチューブファブリック層
（多孔質の）パターン化ナノチューブブロックが
ナノチューブファブリック層は、スプレーコーティングを用いて被覆された
ナノチューブファブリック層は、複数の個別のナノチューブファブリック層をスピンコーティングすることによって形成されてもよい
　前記アには、「米国特許出願第１１／２８０，７８６号明細書」の内容は「本出願」に「組み入れられる」と記載されている。
　前記イには、本願明細書の「一部の実施形態」においては、「不揮発性ナノチューブスイッチ（ＮＶ　ＮＴスイッチ）」を、「ＮＭＯＳ　ＦＥＴ（ＮＦＥＴ）などの対応する選択トランジスタ」と「カーボンナノチューブ」とを「組み合わせる」ことで形成することが記載されていると認められる。
　そして、前記ウ〜エに記載されるように、前記「米国特許出願第１１／２８０，７８６号明細書」には、「不揮発性ナノチューブスイッチ２０００’は、ナノファブリック素子２０３５’」を含み、当該「ナノファブリック素子２０３５’」は、方向が不規則な複数のナノチューブが互いに交差し、あるいは、絡まり合うことで形成される「平面上のナノファブリック」であることが記載されていると認められる。
　以上から、本願明細書において、「複数のカーボンナノチューブのみからなるナノファブリック」とは、方向が不規則な複数のカーボンナノチューブのみが、互いに交差し、あるいは、絡まり合うことで形成されるものを指すと認められる。
（３）さて、一般に「ファブリック【fabric】」とは「織物。布地。」を意味する。[株式会社岩波書店 広辞苑第六版]
　これに対して、方向が不規則な複数の繊維が、互いに交差し、あるいは、絡まり合うことで形成されるものは、いわゆる不織布であることは当業者の技術常識である。
　しかし、不織布の英語表記は“non-woven fabric”であるから、方向が不規則な複数の繊維状のカーボンナノチューブのみが、互いに交差し、あるいは、絡まり合うことで形成されるものを「ナノファブリック」と称することは、前記技術常識とも整合する。
（４）そうすると、本願発明１、本願発明１１及び本願発明１９の「複数のカーボンナノチューブのみからなるナノファブリック」という記載は、本願明細書の記載を参酌すれば、方向が不規則な複数のカーボンナノチューブのみが、互いに交差し、あるいは、絡まり合うことで形成されるものを、少なくとも包含すると認められ、したがって、明確である。
（５）そして、本願発明１、本願発明１１及び本願発明１９の前記「ナノファブリック」の記載が明確であるから、前記（２）オで摘記した、「（多孔質の）ナノチューブファブリック」を、「好ましい方法」を用いる「蒸着」、「スプレーコーティング」あるいは「スピンコーティング」によって形成するという本願明細書の段落【００９３】に記載に接した当業者であれば、複数のカーボンナノチューブのみが、互いに交差し、あるいは、絡まり合うことで「多孔質」になる前記「ナノファブリック」を、特段の試行錯誤を要することなく形成できるものと認められる。
（６）したがって、原査定の理由によっては、もはや、本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
　当審より平成２８年６月１６日付けで通知した拒絶理由の概要は以下のとおりである。
「１．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 　 
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１．Basudev Pradhan , Sudip K. Batabyal , and Amlan J. Pal，“Electrical Bistability and Memory Phenomenon in Carbon Nanotube-Conjugated Polymer Matrixes”，J. Phys. Chem. Ｂ，米国，2006.04.01発行，Vol.110，No.16，pp 8274〜8277
２．国際公開第２００６／０２７８８７号
３．特開２００６−２０３１７８号公報
４．特公昭５３−１５７８２号公報
５．特開昭５４−８８７３９号公報
６．特開２００６−１２０７０１号公報
７．特表２００２−５４０６０５号公報
８．特開２００５−２１７４０８号公報
９．国際公開第２００５／０４８２９６号
  
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
  
・請求項　　：１
・引用文献等：１〜３
・備考
　文献１の第８２７４頁右欄第２２〜３６行、第８２７５頁右欄第５〜１７行には、酸化インジウムスズ(ＩＴＯ)で被覆したガラス基板上に、所定量のカーボンナノチューブ粉末を混合したポリ(３−ヘキシルチオフェン)溶液をスピンコーティングして形成した薄膜をアニールし、その上にアルミニウムを真空蒸着することで、デバイスを製造することが記載されている。
　文献１の第８２７４頁右欄第３９行〜第８２７５頁左欄第６行、第８２７５頁右欄第１８行〜第８２７６頁左欄第５行には、前記アルミニウムに対して印加する電圧を０Ｖから＋ＶＭＡＸ、及び、０Ｖから−ＶＭＡＸへスキャンさせて前記デバイスのＩ−Ｖ特性を測定すると、適切な正のバイアスで前記デバイスは、高電導状態から低電導状態にスイッチングすることが記載されている。
　文献１の第８２７７頁左欄第１行〜第８２７７頁右欄第１３行には、前記デバイスの高電導状態と低電導状態は、メモリの書込、消去状態にそれぞれ対応付けられること、前記デバイスを、電気的に双安定で書き換え可能なランダムアクセスメモリに適用できることが記載されている。
　そして、文献１のFigure３(ａ)及び(ｂ)には、各カーボンナノチューブがランダムな向きで互いに絡み合ってポリマー中に分散していることが示されている。
　……（中略）……
　以上から、本願の請求項１に係る発明と、文献１に記載された発明とは、
（相違点１）本願の請求項１に係る発明の「カーボンナノチューブ層状のナノチューブ素子」は「複数の側面を有する」のに対して、文献１の所定量のカーボンナノチューブ粉末を混合したポリ(３−ヘキシルチオフェン)溶液をスピンコーティングして形成し、アニールした薄膜が「複数の側面」を有するかどうかは不明である点。
（相違点２）本願の請求項１に係る発明の「第１の導電端子は前記ナノチューブ素子の上面全体に配置されてこれを実質的に覆」うのに対して、文献１のアニールした薄膜上に真空蒸着するアルミニウムは、前記薄膜の「上面全体に配置されてこれを実質的に覆」っているのか不明である点。
で相違し、その余の点では一致している。
  
　印加する電気的刺激に応じて複数の抵抗状態に切り換えることができる材料層を情報の記憶層とする不揮発メモリにおいて、前記材料層を上面及び下面に加えて複数の側面を有する形状とし、前記材料層に接触する上部電極を、前記材料層の上面全体を覆うように設けることは、文献２の段落[0003]及び図１、または、段落[0009]〜[0010]及び図５〜６、あるいは、段落[0015]及び図１３に、文献３の段落【００１８】及び図１、または、段落【００４４】及び図７にそれぞれ記載されるように、周知技術である。
　したがって、文献１において、スピンコーティングして形成しアニールした薄膜を、複数の側面を有する形状に加工するとともに、その薄膜の上面全体を覆うように真空蒸着したアルミニウム電極を設けることは、当業者が適宜になし得たものと認められる。
　……（中略）……
・請求項　　：１１、１７
・引用文献等：１、７〜９
・備考 
　印加する電気的刺激に応じて複数の抵抗状態に切り換えることができる材料層の上面及び下面とそれぞれ接触する絶縁体層を設け、前記材料層を複数の抵抗状態に切り換えるための２つの導電端子と前記各絶縁体層とで、前記材料層を包囲することは、文献７の段落【００１４】及び図１、文献８の段落【００１４】〜【００１５】及び図１、文献９の段落[0042]及びFigure１Ａ〜１Ｄに記載されるように、周知技術である。
・請求項　　：１２、１３、１９、２０
・引用文献等：１、７〜９
・備考
　文献９の段落[0042]及びFigure１Ａ〜１Ｄには、印加する電気的刺激に応じて複数の抵抗状態に切り換えることができる材料層の上面側及び下面側に設けた絶縁体層と前記材料層との間に、それぞれ、ギャップを設けたことが記載されている。
　……（中略）……
 
 ２．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。
 　　 
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
  
（１）請求項１〜２１には、「被覆ナノチューブスイッチ」と記載されている。
　しかしながら、前記記載では、「ナノチューブ」が「被覆」された「スイッチ」を意味するのか、「ナノチューブスイッチ」が「被覆」されたものを意味するのか、不明である。
 　さらに、上記のいずれであっても、「ナノチューブ」ないし「ナノチューブスイッチ」が何によって「被覆」されるのか、不明である。
  
　そして、前記記載について、本願明細書の記載を参酌すると、
　段落【００６０】に「ＮＶ ＮＴブロックスイッチの一部の実施形態は、図８Ｃに関して以下にさらに示されるように被覆または密封（包囲）されたＮＶ ＮＴブロックスイッチを形成することによって下層の絶縁体と接触する下面ＮＶ ＮＴブロック領域のごく一部を残して、６面のうちの５面で導体のみ（絶縁体なし）と接触してもよい。」と、段落【００７２】に「被覆または密封（たとえば、導体接触によって密封）されたＮＶ ＮＴブロック構成では、図８Ｃに関して以下にさらに記載され」と、段落【０１３２】には「図８Ｃに示される密封型ＮＶ ＮＴブロックスイッチ８０５０に関して先に記載されたように上面／全側面コンタクトを形成するためのＮＶ ＮＴブロック１５６００を密封（包囲）している。被覆（包囲）している導体は、たとえば、５〜５０ｎｍと比較的薄くてもよく、密封型ＮＶ ＮＴブロック側面のコンタクトを形成し、絶縁体材料との側面接触を防止するために使用される。」と記載されている。
　すなわち、本願明細書には、「被覆」された「ＮＶ ＮＴブロックスイッチ」とは、図８Ｃに示される構造を意味することが記載されている。
　前記図８Ｃに示される構造では「ＮＶ ＮＴブロック８０７５」は上面に加えて側面も「側壁コンタクト８０８２−１」で覆われているが、そのような構成が特定されていない請求項１、５〜１０においては、「被覆ナノチューブスイッチ」の事項の意味するところが不明である。
　また、請求項１１〜１８では「ナノチューブ素子の前記上面と接触する第１の絶縁体層」を有しており、請求項１９〜２１では「ナノチューブ素子の前記上面の上に配置され前記上面に対して隔離した第１の絶縁体層」を有しており、いずれも、「ＮＶ ＮＴブロック８０７５」の上面が「上面コンタクト８０８３」によって直接に覆われている図８Ｃに示される構造を有していない。
　したがって、請求項１１〜２１においても、「被覆ナノチューブスイッチ」の事項の意味するところが不明である。
  
　以上から、「被覆ナノチューブスイッチ」は、それ自体が不明瞭な記載であるとともに、本願明細書を参酌しても、請求項１、５〜２１においては、如何なる構造を有する「ナノチューブスイッチ」を意味するのか、不明である。
　よって、請求項１〜２１に係る発明は、明確でない。
  
（２）請求項１、１１及び１９に「複数の非配向ナノチューブを備えるカーボンナノチューブ層状のナノチューブ素子」と記載されている。
　しかしながら、「ナノチューブ素子」が「非配向ナノチューブを備える」ことは、本願明細書のどの開示に基づくのか、不明である。
　すなわち、
　ア　本願明細書には、ナノチューブ素子は「ナノチューブファブリック層」で形成される旨の記載が多数見受けられる。
　しかしながら、本願明細書には、前記「ファブリック層」が、「ファブリック」の繊維要素である「ナノチューブ」が特定の方向に揃っていない不織布(non-woven fabric)状の層である旨の記載は、何ら存在しない。
　イ　本願明細書の図面の簡単な説明には、図２Ａ、図３、図６Ａ〜図７Ｂ及び図２１の「ＮＶ　ＮＴスイッチ」は「水平配向」であること、図４Ａ、図８Ａ〜図８Ｂの「ＮＶ　ＮＴスイッチ」は「垂直および水平配向」であること、図５Ａ、図８Ｃの「ＮＶ　ＮＴスイッチ」は「垂直配向」であること、がそれぞれ記載されている。
　また、段落【００６８】に「図７Ａは、絶縁体７０１０を図３に示されるＮＶ ＮＴスイッチ３０００に追加することによって形成される自己配向チャネル長ＬＳＷ−ＣＨを有するＮＶ ＮＴスイッチ７０００を示す。」と記載されており、段落【０１８１】〜【０２０５】には、「水平配向」ないし「垂直配向」の「ナノチューブ素子」についての記載はある。
　しかし、上記の、「ＮＶ　ＮＴスイッチ」あるいは「ナノチューブ素子」が、「水平配向」か「垂直および水平配向」ないし「垂直配向」であることの意味、「自己配向チャネル長」を有することの意味は、本願明細書の他の記載を参照しても不明である。
　そして、前記各請求項に記載の「ナノチューブ素子」が「非配向ナノチューブを備える」ことと、上記の、「ＮＶ　ＮＴスイッチ」あるいは「ナノチューブ素子」が、「水平配向」か「垂直および水平配向」ないし「垂直配向」であること、あるいは、「自己配向チャネル長」を有することとの間に技術的な関連がある旨の記載は本願明細書には存在しない。
　以上ア及びイから、「ナノチューブ素子」が「非配向ナノチューブを備える」ことは発明の詳細な説明に記載されているとは認められない。
　よって、請求項１、１１及び１９に係る発明、各請求項を引用する請求項に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
  
（３）請求項１、１１及び１９に「カーボンナノチューブ層状のナノチューブ素子」と記載されている。
　しかしながら、「カーボンナノチューブ層」状とは、「ナノチューブ素子」が如何なる状態にあることを意味するのか不明である。
　また、「カーボンナノチューブ層状」とは、「カーボンナノチューブ」が「層状」をなしていることを意味するとしても、この表現では、「カーボンナノチューブ」が如何なる態様で「層状」をなしているのか、不明である。
　よって、請求項１、１１及び１９に係る発明、各請求項を引用する請求項に係る発明は、明確でない。 
 　 
（４）請求項５には「前記ナノチューブ素子の前記下面の少なくとも１つ」と記載されている。 
　しかしながら、同項が引用する請求項１には、「上面、下面、および複数の側面を有するカーボンナノチューブ層状のナノチューブ素子」と記載され、「前記ナノチューブ素子」は「下面」を１つ有することが記載されている。
　したがって、「前記下面の少なくとも１つ」という記載は不明瞭である。
　よって、請求項５に係る発明は、明確でない。」
２　当審拒絶理由についての判断
（１）理由１について
　ア　引用例１の記載事項
　当審拒絶理由通知で「文献１」として引用した、Basudev Pradhan , Sudip K. Batabyal , and Amlan J. Pal，“Electrical Bistability and Memory Phenomenon in Carbon Nanotube-Conjugated Polymer Matrixes”，J. Phys. Chem. Ｂ，米国，2006.04.01発行，Vol.110，No.16，pp 8274〜8277（以下「引用例１」という。）には、当該当審拒絶理由通知で指摘した事項に加え、以下の記載がある。
　（ア）“Transport processes and work-function of the CNTs, in conjunction with suitable molecular orbitals of conjugated polymers, may provide interesting characterisics as devices; electrical bistability with associated memory phenomenon can be one application of interest.”（第８２７４頁左欄第１５〜２０行、訳：ＣＮＴの輸送プロセスと仕事関数は、共役ポリマの適切な分子軌道と連携して、興味ある用途の１つであるメモリの電気的双安定性という、デバイスとしての興味深い特性を提供する。）
　（イ）“Figure 3. SEM image of (a) P3HT:CNT(33%) thin films and (b)CNTs surrounded by the polymers. The increase in diameter in the latter image as compared to the former one in due to polymer-corting of the nanotubes.”（図３の説明、訳：図３．）(a)はP3HT:CNT(33%)の薄膜の、(b)はポリマに囲まれたカーボンナノチューブの、それぞれSEM写真。前者の写真に比較しての後者の写真における直径の増加は、ナノチューブがポリマで被覆されたことによる。）
　（ウ）Figure ３(b)には、ポリマに囲まれたカーボンナノチューブを有する薄膜において、方向が不規則な複数のカーボンナノチューブが、互いに交差し、あるいは、絡まり合っていることが記載されている。
　（エ）“The swiching was proposed to be due to electir-field-induced charge transfer between the nanoparticle and their conjugated capping. In the present case with CNTs in conjugated environment, electron transfer may occur at a suitable bias from the CNTs to the lowest unoccupied molecular orbital(LUMO) of the polymer, leading to an increase in conductivity of the system.”（第８２７６頁左欄第２６〜３２行、訳：スイッチングは、ナノ粒子とその共役キャッピングとの間の電荷移動で誘導される電界に依存する。共役環境にあるカーボンナノチューブである本ケースにおいては、電子の移動は、カーボンナノチューブからポリマの最低空軌道(LUMO)までの適切なバイアスによって生じ、これは、系の電導度の増加をもたらす。）
　イ　引用発明
　以上の引用例１の記載事項、及び、平成２８年６月１６日付けの当審拒絶理由通知の理由１において指摘した引用例１の記載事項から、引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「酸化インジウムスズ(ＩＴＯ)で被覆したガラス基板上に、所定量のカーボンナノチューブ粉末を混合したポリ(３−ヘキシルチオフェン)溶液をスピンコーティングし、アニールすることで、(３−ヘキシルチオフェン)のポリマで被覆され方向が不規則な複数のカーボンナノチューブが、互いに交差し、あるいは、絡まり合うことで形成される薄膜と、
　前記薄膜の上に真空蒸着したアルミニウム層と、
を備えるデバイスであって、
　前記アルミニウム層に対して印加する電圧を０Ｖから＋ＶＭＡＸ、及び、０Ｖから−ＶＭＡＸへスキャンさせて前記デバイスのＩ−Ｖ特性を測定すると、適切な正のバイアスで前記デバイスは、高電導状態から低電導状態にスイッチングし、
　前記デバイスの高電導状態と低電導状態を、メモリの書込状態と消去状態にそれぞれ対応付けることで、電気的に双安定で書き換え可能なランダムアクセスメモリに適用できることを特徴とするデバイス。」
　ウ　本願発明１と引用発明との対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
　（ア）引用発明の「方向が不規則な複数のカーボンナノチューブが、互いに交差し、あるいは、絡まり合うことで形成される薄膜」は、「複数のカーボンナノチューブ」からなる不織布（non-woven fabric）状の薄膜であるから、「ナノファブリック」と言い得るものと認められる。
　したがって、引用発明の「酸化インジウムスズ(ＩＴＯ)で被覆したガラス基板上に、所定量のカーボンナノチューブ粉末を混合したポリ(３−ヘキシルチオフェン)溶液をスピンコーティングし、アニールすることで、(３−ヘキシルチオフェン)のポリマで被覆され方向が不規則な複数のカーボンナノチューブが、互いに交差し、あるいは、絡まり合うことで形成される薄膜」と、本願発明１の「複数のカーボンナノチューブのみからなるナノファブリックで形成され、上面、下面、および複数の側面を有するナノチューブ素子」とは、「複数のカーボンナノチューブ」からなる「ナノファブリックで形成され、上面、下面」を「有するナノチューブ素子」である点で共通する。
　（イ）引用発明において、前記「薄膜」の下に配置される「ガラス基板」の「上」を「被覆」する「酸化インジウムスズ(ＩＴＯ)」、「前記薄膜の上に真空蒸着したアルミニウム層」が、いずれも、引用発明の「デバイス」の導電端子として機能していることは明らかである。
　したがって、引用発明の「薄膜」の下に配置される「ガラス基板」の「上」を「被覆」する「酸化インジウムスズ(ＩＴＯ)」は、本願発明１の「前記ナノチューブ素子」と接触する「第２の導電端子」であって「前記第２の導電端子は前記ナノチューブ素子の前記下面の少なくとも一部分と接触」する「第２の導電端子」に相当する。
　また、引用発明の「前記薄膜の上に真空蒸着したアルミニウム層」と、本願発明１の「前記ナノチューブ素子と接触する第１」の「導電端子であって、前記第１の導電端子は前記ナノチューブ素子の上面全体に配置されてこれを実質的に覆」う「第１」の「導電端子」とは、「前記ナノチューブ素子と接触する第１」の「導電端子であって、前記第１の導電端子は前記ナノチューブ素子の上面」に「配置され」る「第１」の「導電端子」である点で共通する。
　（ウ）引用発明において、「前記アルミニウム層」に対して「電圧」を「印加する」手段を備えることが自明であることと同様に、「前記デバイス」に「適切な正のバイアス」を印加するために「酸化インジウムスズ(ＩＴＯ)」に対して「電圧」を「印加する」手段を備えることも自明である。
　そして、引用発明におけるこれら「酸化インジウムスズ(ＩＴＯ)」及び「前記アルミニウム層」に対して「電圧」を「印加する」手段は、本願発明１の「前記第１および第２の導電端子と電気的に連通してこれに電気的刺激を印加することができる制御回路」に相当する。
　（エ）引用発明において、「前記アルミニウム層に対して印加する電圧を０Ｖから＋ＶＭＡＸ、及び、０Ｖから−ＶＭＡＸへスキャンさせて前記デバイスのＩ−Ｖ特性を測定すると、適切な正のバイアスで前記デバイスは、高電導状態から低電導状態にスイッチング」することは、本願発明１において、「前記ナノチューブ素子は前記制御回路によって前記第１および第２の導電端子に印加される、対応する複数の電気的刺激に応じて複数の抵抗状態を切り替えることができ」ることに相当する。
　（オ）引用発明の「前記デバイスの高電導状態と低電導状態を、メモリの書込状態と消去状態にそれぞれ対応付けることで、電気的に双安定で書き換え可能なランダムアクセスメモリに適用できることを特徴とするデバイス」は、本願発明１の「前記複数の抵抗状態のそれぞれ異なる抵抗状態のために、前記ナノチューブ素子は前記第１および第２の導電端子間に対応する、異なる抵抗の電気経路を提供することを特徴とするナノチューブスイッチ」に相当する。
　（カ）以上から、本願発明１と引用発明とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。
＜一致点＞
「ナノチューブスイッチであって、
（ａ）複数のカーボンナノチューブからなるナノファブリックで形成され、上面、下面を有するナノチューブ素子と、
（ｂ）前記ナノチューブ素子と接触する第１および第２の導電端子であって、前記第１の導電端子は前記ナノチューブ素子の上面に配置され、前記第２の導電端子は前記ナノチューブ素子の前記下面の少なくとも一部分と接触する、第１および第２の導電端子と、
（ｃ）前記第１および第２の導電端子と電気的に連通してこれに電気的刺激を印加することができる制御回路と、を備え、
　前記ナノチューブ素子は前記制御回路によって前記第１および第２の導電端子に印加される、対応する複数の電気的刺激に応じて複数の抵抗状態を切り替えることができ、
　前記複数の抵抗状態のそれぞれ異なる抵抗状態のために、前記ナノチューブ素子は前記第１および第２の導電端子間に対応する、異なる抵抗の電気経路を提供することを特徴とするナノチューブスイッチ。」
＜相違点＞
　相違点１本願発明１の「ナノファブリック」は「複数のカーボンナノチューブのみからなる」のに対して、引用発明の「薄膜」における「カーボンナノチューブ」は「(３−ヘキシルチオフェン)のポリマで被覆され」ている点。
　相違点２本願発明１の「ナノファブリック」は「複数の側面」を有するのに対して、引用発明の「薄膜」は「複数の側面」を有するかどうか明確でない点。
　相違点３本願発明１の「第１の導電端子」は「前記ナノチューブ素子の上面全体に配置されてこれを実質的に覆」うのに対して、引用発明の「前記薄膜の上に真空蒸着したアルミニウム層」は、「前記薄膜の上」面全体に「蒸着」されて当該「薄膜」を実質的に覆っているかどうか不明である点。
　エ　本願発明１についての判断
　（ア）相違点１について検討する。
　（イ）引用発明の「薄膜」における「カーボンナノチューブ」は「(３−ヘキシルチオフェン)のポリマで被覆され」ている。
　そして、第４の２（１）アの（ア）及び（エ）で摘記した引用例１の記載をみると、引用発明の「カーボンナノチューブ」が「(３−ヘキシルチオフェン)のポリマで被覆され」ていることは、「前記デバイス」を「高電導状態と低電導状態」とで「スイッチング」させて「電気的に双安定で書き換え可能なランダムアクセスメモリに適用できる」ための必須の構成であると認められる。
　（ウ）したがって、引用発明において、「薄膜」から前記「(３−ヘキシルチオフェン)のポリマ」を除去して、前記「薄膜」を「方向が不規則な複数のカーボンナノチューブ」のみで形成することには阻害要因がある。
　よって、他の相違点について検討するまでもなく、本願発明１は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　オ　本願発明２ないし１０についての判断
　本願発明２ないし１０は、本願発明１をさらに限定したものであるので、本願発明１と同様に、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　カ　本願発明１１と引用発明との対比
　本願発明１１と引用発明とを対比すると、第４の２（１）ウでの検討から、本願発明１１と引用発明とは、以下の点で一致するとともに以下の点で相違すると認められる。
＜一致点＞
「ナノチューブスイッチであって、
（ａ）複数のカーボンナノチューブからなるナノファブリックで形成され、上面と下面を有するナノチューブ素子と、
（ｂ）前記ナノチューブ素子と接触して互いに対して隔離した第１および第２の導電端子と、
（ｅ）前記第１および第２の導電端子と電気的に連通してこれに電気的刺激を印加することができる制御回路と、を備え、
　前記ナノチューブ素子は前記制御回路によって前記第１および第２の導電端子に印加される、対応する複数の電気的刺激に応じて複数の抵抗状態を切り替えることができ、
　前記複数の抵抗状態のそれぞれ異なる抵抗状態のために、前記ナノチューブ素子は前記第１および第２の導電端子間に対応する、異なる抵抗の電気経路を提供することを特徴とするナノチューブスイッチ。」
＜相違点＞
　相違点４本願発明１１の「ナノファブリック」は「複数のカーボンナノチューブのみからなる」のに対して、引用発明の「薄膜」における「カーボンナノチューブ」は「(３−ヘキシルチオフェン)のポリマで被覆され」ている点。
　相違点５本願発明１１の「ナノチューブスイッチ」は「前記ナノチューブ素子の前記上面と接触する第１の絶縁体層」を有するのに対して、引用発明の「デバイス」はそのような「第１の絶縁体層」を有していない点。
　相違点６本願発明１１の「ナノチューブスイッチ」は「前記ナノチューブ素子の前記下面と接触する第２の絶縁体層であって、前記第１および第２の導電端子と前記第１および第２の絶縁体層は一緒に前記ナノチューブ素子を実質的に包囲する、第２の絶縁体層」を有するのに対して、引用発明の「デバイス」はそのような「第２の絶縁体層」を有していない点。
　キ　本願発明１１ないし１８についての判断
　相違点４について検討すると、第４の２（１）エで検討したと同様の理由により、他の相違点について検討するまでもなく、本願発明１１は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　そして、本願発明１２ないし１８は、本願発明１１をさらに限定したものであるので、本願発明１１と同様に、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　ク　本願発明１９と引用発明との対比
　本願発明１９と引用発明とを対比すると、第４の２（１）ウでの検討から、本願発明１９と引用発明とは、以下の点で一致するとともに以下の点で相違すると認められる。
＜一致点＞
「ナノチューブスイッチであって、
（ａ）複数のカーボンナノチューブからなるナノファブリックで形成され、上面と下面を有するナノチューブ素子と、
（ｂ）前記ナノチューブ素子と接触して互いに対して隔離した第１および第２の導電端子と、
（ｅ）前記第１および第２の導電端子と電気的に連通してこれに電気的刺激を印加することができる制御回路と、を備え、
　前記ナノチューブ素子は前記制御回路によって前記第１および第２の導電端子に印加される、対応する複数の電気的刺激に応じて複数の抵抗状態を切り替えることができ、
　前記複数の抵抗状態のそれぞれ異なる抵抗状態のために、前記ナノチューブ素子は前記第１および第２の導電端子間に対応する、異なる抵抗の電気経路を提供することを特徴とするナノチューブスイッチ。」
＜相違点＞
　相違点７本願発明１９の「ナノファブリック」は「複数のカーボンナノチューブのみからなる」のに対して、引用発明の「薄膜」における「カーボンナノチューブ」は「(３−ヘキシルチオフェン)のポリマで被覆され」ている点。
　相違点８本願発明１９の「ナノチューブスイッチ」は「前記ナノチューブ素子の前記上面の上に配置され前記上面に対して隔離した第１の絶縁体層」を有するのに対して、引用発明の「デバイス」はそのような「第１の絶縁体層」を有していない点。
　相違点９本願発明１９の「ナノチューブスイッチ」は「前記ナノチューブ素子の前記下面の下に配置されてこの下面に対して隔離した第２の絶縁体層であって、前記第１および第２の導電端子と前記第１および第２の絶縁体層は一緒に前記ナノチューブ素子を実質的に包囲する、第２の絶縁体層」を有するのに対して、引用発明の「デバイス」はそのような「第２の絶縁体層」を有していない点。
　ケ　本願発明１９ないし２１についての判断
　相違点７について検討すると、第４の２（１）エで検討したと同様の理由により、他の相違点について検討するまでもなく、本願発明１９は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　そして、本願発明２０ないし２１は、本願発明１９をさらに限定したものであるので、本願発明１９と同様に、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　コ　当審拒絶理由の理由１についてのまとめ
　以上のとおりであるから、当審拒絶理由の理由１によっては、もはや、本願を拒絶することはできない。
（２）理由２について
　ア　理由２（１）について
　当審拒絶理由通知の理由２（１）において、請求項１〜２１には「被覆ナノチューブスイッチ」と記載されているところ、前記「被覆ナノチューブスイッチ」は、それ自体が不明瞭な記載であるとともに、本願明細書を参酌しても、請求項１、５〜２１においては、如何なる構造を有する「ナノチューブスイッチ」を意味するのか、不明であると指摘した。
　これに対して、平成２８年１２月２０日付けの手続補正によって、請求項１〜２１において、補正前の「被覆ナノチューブスイッチ」の記載から前記「被覆」の語が削除された。
　したがって、補正後の請求項１〜２１に係る発明は明確になったので、当審拒絶理由の理由２（１）は解消した。
　イ　理由２（２）について
　当審拒絶理由通知の理由２（２）において、請求項１、１１及び１９に「複数の非配向ナノチューブを備えるカーボンナノチューブ層状のナノチューブ素子」と記載されているところ、「ナノチューブ素子」が「非配向ナノチューブを備える」ことは、本願明細書のどの開示に基づくのか、不明であると指摘した。
　これに対して、平成２８年１２月２０日付けの手続補正によって、請求項１、１１及び１９において、補正前の「非配向ナノチューブ」を備える「ナノチューブ素子」という記載が、「カーボンナノチューブ」からなる「ナノチューブ素子」という記載に補正された。そして、補正後の記載は、本願明細書の段落【００２４】における「不揮発性ナノチューブスイッチ（ＮＶ  ＮＴスイッチ）」を含む「ノード」は「一部の実施形態では、ＮＭＯＳ  ＦＥＴとカーボンナノチューブと組み合わせる」ことで形成する旨の記載と整合する。
　したがって、請求項１、１１及び１９に係る発明、各請求項を引用する請求項に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものとなったので、当審拒絶理由の理由２（２）は解消した。
　ウ　理由２（３）について
　当審拒絶理由通知の理由２（３）において、請求項１、１１及び１９に「カーボンナノチューブ層状のナノチューブ素子」と記載されているところ、この記載は明確でない旨を指摘した。
　これに対して、平成２８年１２月２０日付けの手続補正によって、請求項１〜２１において、補正前の「カーボンナノチューブ層状のナノチューブ素子」の記載が、「ナノファブリックで形成され」る「ナノチューブ素子」という記載に補正された。そして、「ナノファブリック」は、平成２６年３月１７日提出の意見書に添付の証拠３〜５に示されているとおり、当業者にとって一般的に知られた用語であり、明確である。
　したがって、請求項１、１１及び１９に係る発明、各請求項を引用する請求項に係る発明は明確になったので、当審拒絶理由の理由２（３）は解消した。
　エ　理由２（４）について
　当審拒絶理由通知の理由２（４）において、請求項５には「前記ナノチューブ素子の前記下面の少なくとも１つ」と記載されているところ、この記載は、同項が引用する請求項１に「上面、下面、および複数の側面を有するカーボンナノチューブ層状のナノチューブ素子」と記載され、「前記ナノチューブ素子」は１つの「下面」しか有しないことと反する旨を指摘した。
　これに対して、平成２８年１２月２０日付けの手続補正によって、請求項５における補正前の「前記ナノチューブ素子の前記下面の少なくとも１つと」の記載が、「前記ナノチューブ素子の前記下面と」に補正された。
　したがって、請求項５に係る発明は明確になったので、当審拒絶理由の理由２（４）は解消した。
　オ　当審拒絶理由の理由２についてのまとめ
　以上のとおりであるから、当審拒絶理由の理由２はすべて解消した。
（３）小括
　したがって、平成２８年１２月２０日付けの手続補正によって、当審拒絶理由の理由１及び理由２はすべて解消した。
　そうすると、もはや、当審で通知した拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
第５　むすび
　以上のとおりであるから、原査定の理由及び当審の拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。