(57)【要約】【課題】メンテナンス中にプロセス時のスリップ発生の有無を予測し、メンテナンス後の炉内開放ではなく、メンテナンス中にスリップ発生に対する対応を行う。【解決手段】エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの中心位置に対応する位置に配置した主熱電対１３ａと、該主熱電対１３ａとは異なる位置でかつウェーハの半径方向の所定位置に少なくとも１つの補助熱電対１３ｂとを備えた校正用の第１サセプタ１１を用い、前記エピタキシャル成長装置１の反応炉２を昇温しながら前記主熱電対１３ａおよび前記補助熱電対１３ｂで前記第１サセプタ１１の面内温度分布を経時的に測定し、前記主熱電対１３ａで測定した温度データから前記パイロメータ９を校正し、前記主熱電対１３ａの測定値と前記補助熱電対の測定値との差から、エピタキシャル成長プロセス用の第２サセプタ上１５に載置したウェーハ表面にエピタキシャル層を成長させて形成したときのスリップ発生の有無の予測を行う。【選択図】図４
2011108766.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャル成長装置のパイロメータを校正する方法であって、
エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの中心位置に対応する位置に配置した主熱電対と、該主熱電対とは異なる位置でかつウェーハの半径方向の所定位置に少なくとも１つの補助熱電対とを備えたパイロメータ校正用の第１サセプタを用い、
前記エピタキシャル成長装置の反応炉を昇温しながら前記主熱電対および前記補助熱電対で前記第１サセプタの面内温度分布を経時的に測定し、
前記主熱電対で測定した温度データから前記パイロメータを校正し、
前記主熱電対の測定値と前記補助熱電対の測定値との差から、エピタキシャル成長プロセス用の第２サセプタ上に載置したウェーハ表面にエピタキシャル層を成長させて形成したときのスリップ発生の有無の予測を行うことを特徴とするエピタキシャル成長装置のパイロメータを校正する方法。
【請求項２】
前記補助熱電対は、少なくともエピタキシャル成長プロセス中のウェーハの半径の１／２点位置に対応する位置に配置する、請求項１に記載のエピタキシャル成長装置のパイロメータを校正する方法。
【請求項３】
前記補助熱電対は、エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの半径の１／２点位置に対応する位置に配置した第１補助熱電対と、ウェーハのエッジ部に対応する位置に配置した第２補助熱電対からなり、
前記スリップ発生の有無の予測は、前記主熱電対の測定値と前記第１補助熱電対の測定値との差、または前記第１補助熱電対の測定値と前記第２補助熱電対の測定値との差、もしくは、前記主熱電対の測定値と前記第２補助熱電対の測定値との差から行う、請求項１または請求項２に記載のエピタキシャル成長装置のパイロメータを校正する方法。
【請求項４】
エピタキシャル成長装置のメンテナンス方法であって、
エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの半径方向の所定位置に少なくとも第１熱電対と第２熱電対とを備えたメンテナンス用サセプタを用い、
前記エピタキシャル成長装置の反応炉を昇温しながら前記第１熱電対および前記第２熱電対で前記メンテナンス用サセプタの面内温度分布を経時的に測定し、
前記第１熱電対および前記第２熱電対の測定値が所定の温度範囲にあるときの、前記第１熱電対の測定値と前記第２熱電対の測定値との差に基づいて、前記エピタキシャル成長装置内の温度分布の調整を行うか否かを判定するエピタキシャル成長装置のメンテナンス方法。
【請求項５】
前記第１熱電対は、エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの中心位置に対応する位置に配置され、
前記第２熱電対は、エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの半径の１／２点位置に対応する位置に配置される、請求項４に記載のエピタキシャル成長装置のメンテナンス方法。
【請求項６】
前記第１熱電対は、エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの半径の１／２点位置に対応する位置に配置され、
前記第２熱電対は、エピタキシャル成長プロセス中のウェーハのエッジ部に対応する位置に配置される、請求項４に記載のエピタキシャル成長装置のメンテナンス方法。
【請求項７】
前記判定は、前記第１熱電対の測定値と前記第２熱電対の測定値との差の最大値が第１の閾値よりも大きい場合は温度分布の調整を行い、該差の最大値が第１の境界値と等しいか第１の閾値よりも小さい場合は温度分布の調整を行わない、請求項４から請求項６の何れかに記載のエピタキシャル成長装置のメンテナンス方法。
【請求項８】
前記メンテナンス用サセプタは、エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの半径方向の所定位置に第３熱電対をさらに備え、
前記第３熱電対の測定値と前記第１熱電対、および／または、前記第２熱電対の測定値との差に基づいて、前記エピタキシャル成長装置の再調整を行うか否かを判定する、請求項４から請求項７の何れかに記載のエピタキシャル成長装置のメンテナンス方法。
【請求項９】
エピタキシャル成長装置のパイロメータを校正するための校正用サセプタであって、
エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの中心位置に対応する位置に配置した主熱電対と、該主熱電対とは異なる位置でかつウェーハの半径方向の所定位置に少なくとも１つの補助熱電対とを備えたパイロメータ校正用サセプタ。
【請求項１０】
前記補助熱電対は、エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの半径の１／２点位置に対応する位置に配置した第１補助熱電対と、ウェーハのエッジ部に対応する位置に配置した第２補助熱電対からなる、請求項９に記載のパイロメータ校正用サセプタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャル成長装置のメンテナンス方法、特にパイロメータの校正方法に関する。さらに、パイロメータ校正用サセプタに関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェーハ上にエピタキシャル膜を有するエピタキシャルウェーハは、エピタキシャル成長装置（気相成長装置）の反応炉内で、気相成長法によりエピタキシャル膜をシリコンウェーハ上に成長させて製造する。このとき、エピタキシャル膜は反応温度によってその特性が大きく変動するので、エピタキシャル成長装置の温度を厳密に管理する必要がある。従来、このエピタキシャル成長装置の温度管理には、装置の上部または下部に備えられたパイロメータ（放射温度計）により反応炉内の温度監視を行っている（例えば、特許文献２を参照）。したがって、厳密な反応炉内の温度管理を実現するためには、パイロメータの校正が極めて重要である。
【０００３】
例えば、従来のパイロメータの校正は、ウェーハの中心に対応した位置に熱電対を組み込んだ校正用サセプタを取り付け、熱電対による反応炉内の温度測定値にパイロメータの読み値を合わせるように調整することによって行っている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
しかしながら、校正用サセプタを反応炉内に取り付けおよび取り外しする際には、反応炉を大気中に暴露させる必要があり、この時に、大気中の不純物によって反応炉内が汚染してしまう。よってエピタキシャル成長処理を再開するためには、反応炉内の洗浄や焼き慣らし等の作業を行わなければならず、汚染レベルを下げるために膨大な時間を要するという問題があった。よって、パイロメータの校正作業は可能な限り少なくしたいという要求が存在し、通常は１〜２年に１回程度の定期メンテナンスを実施し、反応炉内に配置される部品の解体・組付け時に、パイロメータの校正作業を行っている。
【０００５】
一方、従来のエピタキシャル成長装置のメンテナンス作業において、メンテナンス終了後の製品（シリコンウェーハ）投入の可否判断は、実際にシリコンウェーハを投入してエピタキシャル成長を行い、成長させたエピタキシャル膜の品質確認（膜厚分布、抵抗率分布、顕微鏡スリップ検査など）をするまで判定できない。その結果、長時間かけて汚染レベルを枯らす焼き慣らし作業を行っても、品質確認でスリップ発生が発見された場合には、再度、反応炉内を開放して、炉内部品の配置調整や交換などを行って、反応炉内の温度分布の調整を行わなければならないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１１６０９４号公報
【特許文献２】特開平５−２５９０８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、エピタキシャル成長装置のメンテナンス中に、パイロメータの校正を行うとともに、メンテナンス中にエピタキシャル成長処理することなく、エピタキシャルプロセス時のスリップ発生の有無を予測し、予測結果をメンテナンス作業に反映させることができるパイロメータの校正方法を提供するものである。また、このパイロメータの校正方法に用いる校正用サセプタを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の上記課題は、エピタキシャル成長装置のパイロメータを校正する方法であって、エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの中心位置に対応する位置に配置した主熱電対と、該主熱電対とは異なる位置でかつウェーハの半径方向の所定位置に少なくとも１つの補助熱電対とを備えた校正用の第１サセプタを用い、前記エピタキシャル成長装置の反応炉を昇温しながら前記主熱電対および前記補助熱電対で前記第１サセプタの面内温度分布を経時的に測定し、前記主熱電対で測定した温度データから前記パイロメータを校正し、前記主熱電対の測定値と前記補助熱電対の測定値との差から、エピタキシャル成長プロセス用の第２サセプタ上に載置したウェーハ表面にエピタキシャル層を成長させて形成したときのスリップ発生の有無の予測を行うことによって達成される。
【０００９】
また、前記補助熱電対は、少なくともエピタキシャル成長プロセス中のウェーハの半径の１／２点位置に対応する位置に配置することが好ましい。さらに、前記補助熱電対は、エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの半径の１／２点位置に対応する位置に配置した第１補助熱電対と、ウェーハのエッジ部に対応する位置に配置した第２補助熱電対からなり、前記スリップ発生の有無の予測は、前記主熱電対の測定値と前記第１補助熱電対の測定値との差、または前記第１補助熱電対の測定値と前記第２補助熱電対の測定値との差、もしくは、前記主熱電対の測定値と前記第２補助熱電対の測定値との差から行うこのが好ましい。
【００１０】
本発明の別態様によれば、エピタキシャル成長装置のメンテナンス方法であって、エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの半径方向の所定位置に少なくとも第１熱電対と第２熱電対とを備えたメンテナンス用サセプタを用い、前記エピタキシャル成長装置の反応炉を昇温しながら前記第１熱電対および前記第２熱電対で前記メンテナンス用サセプタの面内温度分布を経時的に測定し、前記第１熱電対および前記第２熱電対の測定値が所定の温度範囲にあるときの、前記第１熱電対の測定値と前記第２熱電対の測定値との差に基づいて、前記エピタキシャル成長装置内の温度分布の調整を行うか否かを判定することも好ましい。
【００１１】
また、前記第１熱電対は、エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの中心位置に対応する位置に配置され、前記第２熱電対は、エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの半径の１／２点位置に対応する位置に配置されることが好ましい。あるいは、前記第１熱電対は、エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの半径の１／２点位置に対応する位置に配置され、前記第２熱電対は、エピタキシャル成長プロセス中のウェーハのエッジ部に対応する位置に配置されることも好ましい。
【００１２】
また、前記判定は、前記第１熱電対の測定値と前記第２熱電対の測定値との差の最大値が第１の閾値よりも大きい場合は温度分布の調整を行い、該差の最大値が第１の境界値と等しいか第１の閾値よりも小さい場合は温度分布の調整を行わないとすることが好ましい。
【００１３】
さらに、前記メンテナンス用サセプタは、エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの半径方向の所定位置に第３熱電対をさらに備え、前記第３熱電対の測定値と前記第１熱電対、および／または、前記第２熱電対の測定値との差に基づいて、前記エピタキシャル成長装置の調整を行うか否かを判定することが好ましい。
【００１４】
本発明の別態様によれば、エピタキシャル成長装置のパイロメータを校正するための校正用サセプタであって、エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの中心位置に対応する位置に配置した主熱電対と、該主熱電対とは異なる位置でかつウェーハの半径方向の所定位置に少なくとも１つの補助熱電対とを備えることもできる。
【００１５】
また、前記補助熱電対は、エピタキシャル成長プロセス中のウェーハの半径の１／２点位置に対応する位置に配置した第１補助熱電対と、ウェーハのエッジ部に対応する位置に配置した第２補助熱電対からなることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、エピタキシャル成長装置のメンテナンス中にパイロメータの校正を行うとともに、メンテナンス中にエピタキシャル成長処理することなく、エピタキシャル成長プロセス時のスリップ発生の有無を予測し、予測結果をメンテナンス作業に反映させることができるパイロメータの校正方法を提供できる。より詳しくは、パイロメータの校正時に、エピタキシャル成長プロセス時のスリップ発生の有無も予測することができるパイロメータの校正方法を提供できる。さらに、このパイロメータの校正方法に用いる校正用サセプタを提供できる。すなわち、本発明によれば、多大な時間を要する焼き慣らし作業の前にスリップ発生が生じない炉内温度条件に制御することができるので、メンテナンス作業時間が大幅に短縮される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態に係るエピタキシャル成長装置の反応炉内に校正用サセプタを収容した状態の概略断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るエピタキシャル成長装置の反応炉内にエピタキシャル成長プロセス用サセプタを収容した状態の概略断面図である。
【図３】スリップ発生の有無と熱電対の測定値との相関に関する試験結果を示す表である。
【図４】本発明を利用したメンテナンス作業の手順を説明するフローチャートである。
【図５】従来のメンテナンス作業の手順を説明するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１９】
図１および図２は、それぞれ本発明に係るエピタキシャル成長装置の反応炉内に校正用またはエピタキシャル成長プロセス用サセプタを収容した状態の概略断面図である。最初に両図に共通した構成について説明する。
【００２０】
図１および図２に示されるエピタキシャル成長装置１は、反応炉２の中にシリコンウェーハを格納し、反応炉外の上部および下部に配列されたハロゲンランプ（ヒータ）３によって、反応炉２を加熱する構成をとっている。反応炉の上部４および下部５は、石英などの熱線を透過する素材で形成され、側面部６には、エピタキシャル成長の原料ガスの供給口７と排出口８とが設けられている。上部および下部のハロゲンランプ３は、同図には概略的にのみ示されているが、円周方向に均等間隔で離間して複数配置され、この複数個のハロゲンランプのうち一部はウェーハを直接照射して加熱し、他の一部は反応炉２を加熱するように、リフレクタの角度が設定されている。また、反応炉内（とくにウェーハ中心位置）の温度は、炉外上部および下部に設けられたパイロメータ９によって監視され、コントローラ１０がパイロメータ９の測定結果を用いてハロゲンランプ３の制御を行う。
【００２１】
図１は、エピタキシャル成長装置１の反応炉内２に校正用サセプタ１１を収容した状態を示す。同図に示されるように、校正用サセプタ１１は、サセプタ支持アーム１２によって、反応炉内２の中心付近に保持されている。サセプタ支持アーム１２は、回転軸を有し回転可能な構成をとっている。校正用サセプタ１１は、内部に主熱電対１３ａと補助熱電対１３ｂ，１３ｃを備えている。本実施形態は、例えば２００ｍｍウェーハ用の校正用サセプタとして、ウェーハの中心位置１３ａ、半径の１／２点１３ｂ（ウェーハの中心位置からの距離：５０ｍｍ）、およびエッジ部分１３ｃ（ウェーハの中心位置からの距離：９５ｍｍ）の３箇所に熱電対１３ａ−１３ｃを配置している。これら３つの熱電対１３ａ−１３ｃは、ウェーハの同一半径方向に配列されていることが構成上好ましく、さらに、３つの熱電対１３ａ−１３ｃによる測定結果はコントローラ１０に送信され、パイロメータ９の校正にも活用できるように構成されている。なお、校正用サセプタ１１には、炉内の温度特性をプロセス中と同じにするために、ダミーウェーハ１４を載置することが好ましい。
【００２２】
図２は、エピタキシャル成長装置１の反応炉内２にエピタキシャル成長プロセス用サセプタ１５を収容した状態を示す。図２では、サセプタ支持アーム１２によってエピタキシャル成長プロセス用サセプタ１５が反応炉内２の中心付近に保持されている。エピタキシャル成長プロセス用サセプタ１５は校正用サセプタ１１と異なり熱電対を有さない。エピタキシャル成長プロセス用サセプタ１５の上にはウェーハ１６が載置され、パイロメータ９によって温度管理されながら、エピタキシャル成長が行われる。このとき、エピタキシャル成長プロセス用サセプタ１５は熱電対からの測定結果を取得するための配線等を持たないので、サセプタ支持アーム１２によってプロセス用サセプタ１５を回転させながらエピタキシャル成長を行うことができる。
【００２３】
なお、従来型の校正用サセプタにおいては、ダミーウェーハ１４の中心位置に対応させた主熱電対１３ａのみを有するものであった。よって、本発明の校正用サセプタ１１は、従来型の校正用サセプタに補助熱電対を追加することによって構成することができ、従来型の校正用サセプタが有する機能を損なうことなく、本発明の実施に用いることができる。
【００２４】
次に、上記のように構成されたエピタキシャル成長装置１および校正用サセプタ１１を用いて、スリップ発生の有無と熱電対の測定値との相関に関する試験結果を説明する。なお、スリップとは、熱応力に起因したシリコンウェーハ内に発生する結晶欠陥のことである。
【００２５】
本試験は、様々なレシピの温度状態にて、上記に説明した校正用サセプタを用いて反応炉内の温度分布を測定し、その後、そのレシピでのエピタキシャル成長でスリップが発生しているかを確認した。特に、各温度段階（ランプアップ時・ベーク時等）におけるサセプタの面内温度分布に着目してスリップの発生を試験している。図４はスリップ発生の有無と熱電対の測定値との相関に関する試験結果を示す表であり、本試験により得られた結果のうち、本発明の説明に必要な部分を抜粋して記載したものである。
【００２６】
図３において、(C-R/2)_Maxは中心位置と半径の１／２点（中心から50mm）との熱電対の測定差の最大値、(C-Edge)_Maxは中心位置とエッジ部（中心から95mm）との熱電対の測定差の最大値、(Edge-R/2)_Maxはエッジ部（中心から95mm）と半径の１／２点（中心から50mm）との熱電対の測定差の最大値、(Edge-Ave)_Maxはエッジ部（中心から95mm）との熱電対の測定値と３点の測定値（C, R/2, Edge）の平均値との差の最大値である。また、最大値とは各温度段階（昇温過程（Ｒａｍｐ  ｕｐ）：８５０℃〜９５０℃、９５０℃〜１０５０℃、１０５０℃〜１１５０℃、水素ベーク（ＢＡＫＥ開始から）：０から９秒、１０から１９秒、２０から２９秒）における最大値のことを意味する。図４は、縦の列で示される温度分布（(C-R/2)_Max, (C-Edge)_Max, (Edge-R/2)_Max, (Edge-Ave)_Max）と、横の列で示される各温度段階との交点に示される二重丸等で、スリップ発生の有無との相関を示している。
【００２７】
図３から明らかなように、スリップの発生は水素ベーク時の温度分布には相関が見られないが、昇温時における各測定点の温度差との相関が見られる。特に、(C-Edge)_Maxおよび(Edge-Ave)_Maxよりも、(C-R/2)_Maxおよび(Edge-R/2)_Maxの方が、スリップの発生との強い相関があることがわかる。
【００２８】
したがってこの試験結果から、中心位置に主熱電対１３ａを１つ備えた従来の校正用サセプタに、さらにもう１つの補助熱電対を追加してスリップの発生予測に利用する場合、エッジ部に補助熱伝対を設置することである程度スリップの発生を予測することができるが、エッジ部に設置するよりも、ウェーハ半径の１／２点１３ｂに設置する方が、スリップ発生の予測精度が高いことがわかる。さらにもう１つの補助熱電対を追加する場合、中心位置１３ａとウェーハ半径の１／２点１３ｂとウェーハエッジ部１３ｃとの３点に熱電対を配置することが好ましい。
【００２９】
中心位置１３ａとウェーハ半径の１／２点１３ｂとウェーハエッジ部１３ｃとの３点に熱電対を配置する場合には、中心位置１３ａとウェーハ半径の１／２点１３ｂとの温度差、もしくはエッジ部１３ｃとウェーハ半径の１／２点１３ｂとの温度差、もしくは中心位置１３ａとエッジ部１３ｃとの温度差を測定することが好ましい。
【００３０】
また、スリップ発生の有無を予測するため温度分布測定は、８５０℃から１１５０℃まで昇温する間で測定することが好ましく、特に、９５０℃から１０５０℃の温度区分を通過する時における温度差の最大値で予測することが好ましい。
【００３１】
以下に掲げる表１は、本発明の実施に係るスリップ予測の判定の閾値の例である。以下に挙げた閾値は本発明の実施に用いる閾値の１例であり、本発明を実施する者が必要に応じて適宜調節されるものである。また、例えば各閾値の１つでも条件を満たさない場合は、スリップ発生が予想されると判別することも可能であり、閾値の１つに着目してスリップ発生の有無を判別することも可能である。なお、閾値の１つに着目して判定する場合、スリップ発生の有無と相関が強いCenter − R/2に着目して判定することが好ましい。
【００３２】
【表１】
2011108766.tif 000003
【００３３】
次に、本発明の実施形態を利用した、エピタキシャル成長装置のメンテナンス作業の手順を図４により説明する。すなわち、本発明の実施により、メンテナンス中に（パイロメータの校正と実質的同時に）スリップ発生の有無の予想をして、その予想結果をメンテナンス作業に反映する手順について説明する。なお、以下で説明するメンテナンス作業は、上述したエピタキシャル成長装置を用いて行うものと仮定し、同一の符号を用いることによって各要素の構成の説明を省略する。
【００３４】
図４に示されるフローチャートは、本発明を利用したメンテナンス作業の開始から、生産プロセスの開始までの手順を説明するためのフローチャートである。メンテナンス作業は初めに、エピタキシャル成長装置１のメンテナンス解体や部品のクリーニング等、そして部品の組み上げを行う（ステップＳ１）。このとき、サセプタ支持アーム上１２には校正用サセプタ１１を反応炉内２に設置する（ステップＳ２）。
【００３５】
その後、ハロゲンランプ３を点燈することにより、反応炉２およびその内部の校正用サセプタ１１を加熱し、このときの熱電対１３ａ−１３ｃの測定値を取得する（ステップＳ３）。より詳しくは、３つの熱電対１３ａ−１３ｃから、ウェーハ中心に対応する主熱電対１３ａと半径の１／２点に対応する補助熱電対１３ｂとの測定値の差、ウェーハエッジ部に対応する補助熱電対１３ｃと半径の１／２点に対応する補助熱電対１３ｂとの測定値の差、およびウェーハ中心に対応する主熱電対１３ａとエッジ部に対応する補助熱電対１３ｃとの測定値の差の３つの値、並びに、ウェーハ中心に対応する主熱電対１３ａの測定値を算出する。そして、ウェーハ中心に対応する主熱電対１３ａの測定値は、パイロメータ９（より具体的には上部のパイロメータ）を校正することに用いる。
【００３６】
ウェーハ中心に対応する主熱電対１３ａと半径の１／２点に対応する補助熱電対１３ｂとの測定値の差、ウェーハエッジ部に対応する補助熱電対１３ｃと半径の１／２点に対応する補助熱電対１３ｂとの測定値の差、およびウェーハ中心に対応する補助熱電対１３ａとエッジ部に対応する補助熱電対１３ｃとの測定値の差の３つの値は、実際の生産プロセスでウェーハにスリップが発生するか否かの予測に用いる（ステップＳ４）。具体的には、上述のように９５０℃から１０５０℃の温度区分を通過する時における３つの取得値の最大値を用いて、例えば表１に記載の閾値を用いて判定を行う。
【００３７】
上記の判定によって、スリップ発生が予測される場合、反応炉内２の確認、ハロゲンランプ３およびそのリフレクタの調節、劣化部品の交換、サセプタの組み直しなどを行う（ステップＳ５）。このとき、従来では１つの主熱電対で１点の温度測定をしていたものを３つの熱電対で温度分布を測定しているので、リフレクタの調節等にこの測定結果を用いることができる。その後、再びステップＳ３へ戻り、反応炉２の加熱およびそのときの熱電対１３ａ―１３ｃの測定値の取得を行う。
【００３８】
一方、ステップＳ４にて、スリップ発生が起きないことが予想される場合、校正用サセプタ１１を取り外し、エピタキシャル成長プロセス用サセプタ１５を設置する（ステップＳ６）。その後、炉内開放による汚染レベルが減衰するまでダミーウェーハ１４を用いた焼き慣らし作業を行う（ステップＳ７）。この作業の後に、生産プロセスを開始する。
【００３９】
上記のように、本発明の利用によるメンテナンス方法では、ウェーハ中心に対応する主熱電対１３ａを、パイロメータの校正に用いると共にスリップ予測にも用いることにより効率良い温度測定となっている。
【００４０】
ここで、本発明の効果を説明するために、従来のメンテナンス作業の手順の一例を図５に示す。なお、本発明と従来方式との差を理解しやすくするために、図４と図５は符号を対応させて説明を行う。
【００４１】
図５に示されるように、従来のメンテナンス作業の手順も、解体・クリーニング・組み上げを行い（ステップＳ１’）、（主熱電対１３ａが中心部に１つのみ備えられた）従来型校正用サセプタを設置し（ステップＳ２’）、ランプアップ時の主熱電対１３ａの測定結果を取得し、パイロメータを校正する（ステップＳ３’）。その後、従来型校正用サセプタを取り外し、エピタキシャル成長プロセス用サセプタを設置し（ステップＳ６’）、ダミーウェーハ１４を用いた焼き慣らし作業を行う（ステップＳ７’）。
【００４２】
その後、顕微鏡を用いたスリップ検査などの一連の品質検査を行う（ステップＳ８’）。この検査により、スリップ発生が確認された場合は、反応炉内の確認、劣化部品の交換、サセプタの組み直しなどを行い（ステップＳ５’）、ステップＳ７’に戻り焼き慣らし作業を行う。なお、スリップ発生の原因がランプ等の反応炉外にある場合、焼き慣らし作業をしないで済むが、スリップ発生の原因が反応炉内にある場合、炉内開放をすることに伴い、焼き慣らし作業が必須である。そして、ステップＳ８’の検査で以上が発見されない場合には、生産プロセスを開始する。
【００４３】
図４と図５に示されるメンテナンス作業を比較すると解るように、本発明を利用したメンテナンス作業では、ステップＳ５’に関わるループバックに焼き慣らしの手順を含まないので、メンテナンス作業全体の作業時間が大幅に短縮される。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明によれば、本発明によれば、多大な時間を要する焼き慣らし作業後の前にスリップ発生に対処ができるので、メンテナンス作業時間が大幅に短縮されるので、エピタキシャル成長装置のメンテナンス作業に有益に利用可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１      エピタキシャル成長装置
２      反応炉
３      ハロゲンランプ
４      反応炉の上部
５      反応炉の下部
６      反応炉の側面部
７      供給口
８      排出口
９      パイロメータ
１０    コントローラ
１１    校正用サセプタ
１２    サセプタ支持アーム
１３ａ  主熱電対
１３ｂ  補助熱電対
１３ｃ  補助熱電対
１４    ダミーウェーハ
１５    プロセス用サセプタ
１６    ウェーハ
【図１】
2011108766.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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