【事件の表示】
　特願２０１６−８５４７１「研削・研磨装置及び研削・研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年９月８日出願公開，特開２０１６−１６５００７，請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年１１月１６日を出願日とする出願である特願２０１０−２５６２１７号の一部を，平成２８年４月２１日に新たな特許出願としたものであって，平成２８年５月１１日付けで拒絶理由通知がなされ，同年６月６日付けで手続補正がなされ，同年６月２２日付けで最後の拒絶理由通知がなされ，同年７月２５日付けで手続補正がなされ，同年８月９日付けで同年７月２５日付けでなされた手続補正についての補正の却下の決定がなされると共に同日付で拒絶査定がなされ，これに対し，平成２８年１１月１４日に拒絶査定不服の審判が請求されたものである。
第２　補正の却下の決定の当否について
　請求人は，審判請求書の請求の趣旨において「特願２０１６−８５４７１について、平成２８年８月９日付けでなされた補正の却下の決定ならびに査定を取り消す。本願発明は特許すべきものとする、との審決を求める。」としており，審判請求書の請求の理由「３．補正の却下の決定に対する不服の理由」の項でも，「平成２８年８月９日付け補正の却下の決定については不適法なものであるので取り消されるべきものである。」と主張しているので，平成２８年８月９日付けの補正の却下の決定の当否について検討する。
［補正の却下の決定の当否の結論］
　平成２８年８月９日付けの補正の却下の決定を取り消す。
［理由］
１　補正の内容
（１）本件補正後の特許請求の範囲
　平成２８年７月２５日付けの手続補正（以下，「本件補正」という。）により，特許請求の範囲は次のとおり補正された（下線部は，補正箇所である。）
　「【請求項１】
　ウェハの内部にレーザ改質領域を有するウェハを研削・研磨して前記レーザ改質領域から伸びる微小亀裂を進展させる研削・研磨装置において、
　前記ウェハを真空吸着するウェハチャックを有する回転テーブルを備え、
　前記回転テーブルを回転させて、前記ウェハチャックを、
　前記ウェハの表面を真空吸着する位置と、
　前記ウェハの裏面を一様に研削砥石を用いて研削処理して、前記レーザ改質領域を除去し、且つ前記レーザ改質領域から伸びる微小亀裂を前記ウェハの内部で進展させる位置と、
　前記微小亀裂の進展後、前記ウェハの裏面を研磨布を用いて加工変質層を除去する研磨処理を行う位置と、に順に移動させ、
　前記研削処理と、前記研磨処理を含む一連の処理を一つの前記ウェハチャックに
前記ウェハの表面を真空
【請求項２】
　ウェハの内部にレーザ改質領域を有するウェハを研削・研磨して前記レーザ改質領域から伸びる微小亀裂を進展させる研削・研磨方法において、
　前記ウェハを真空吸着するウェハチャックを有する回転テーブルを回転させて、前記ウェハチャックを、
　前記ウェハの表面を真空吸着する位置と、
　前記ウェハの裏面を一様に研削砥石を用いて研削処理して、前記レーザ改質領域を除去し、且つ前記レーザ改質領域から伸びる微小亀裂を前記ウェハの内部で進展させる位置と、
　前記微小亀裂の進展後、前記ウェハの裏面を、研磨布を用いて加工変質層を除去する研磨処理を行う位置と、に順に移動させ、
　前記研削処理と、前記研磨処理を含む一連の処理を一つの前記ウェハチャックに
前記ウェハの表面を真空
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，平成２８年６月６日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の記載は次のとおりである。
　「【請求項１】
　ウェハの内部にレーザ改質領域を有するウェハを研削・研磨して前記レーザ改質領域から伸びる微小亀裂を進展させる研削・研磨装置において、
　前記ウェハを真空吸着するウェハチャックを有する回転テーブルを備え、
　前記回転テーブルを回転させて、前記ウェハチャックを、
　前記ウェハの表面を真空吸着する位置と、
　前記ウェハの裏面を一様に研削砥石を用いて研削処理して、前記レーザ改質領域を除去し、且つ前記レーザ改質領域から伸びる微小亀裂を前記ウェハの内部で進展させる位置と、
　前記微小亀裂の進展後、前記ウェハの裏面を研磨布を用いて加工変質層を除去する研磨処理を行う位置と、に順に移動させ、
　前記研削処理と、前記研磨処理を含む一連の処理を一つの前記ウェハチャックに吸着した状態で行う研削・研磨装置。
【請求項２】
　ウェハの内部にレーザ改質領域を有するウェハを研削・研磨して前記レーザ改質領域から伸びる微小亀裂を進展させる研削・研磨方法において、
　前記ウェハを真空吸着するウェハチャックを有する回転テーブルを回転させて、前記ウェハチャックを、
　前記ウェハの表面を真空吸着する位置と、
　前記ウェハの裏面を一様に研削砥石を用いて研削処理して、前記レーザ改質領域を除去し、且つ前記レーザ改質領域から伸びる微小亀裂を前記ウェハの内部で進展させる位置と、
　前記微小亀裂の進展後、前記ウェハの裏面を、研磨布を用いて加工変質層を除去する研磨処理を行う位置と、に順に移動させ、
　前記研削処理と、前記研磨処理を含む一連の処理を一つの前記ウェハチャックに吸着した状態で行う研削・研磨方法。」
２　本件補正の適否
　上記補正は，補正前の請求項１及び２に記載した発明を特定するために必要な事項である「前記研削処理と、前記研磨処理を含む一連の処理を一つの前記ウェハチャックに吸着した状態で行う」とした事項について，上記１（１）のとおり「一つの前記ウェハチャックに
前記ウェハの表面を真空
　そこで，補正後の請求項１に記載された発明（以下，「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（同法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否か）について以下に検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は，上記１（１）に記載したとおりのものである。
（２）引用例の記載事項
ア　引用例１
（ア）平成２８年８月９日付けの補正の却下の決定及び原査定の拒絶の理由で引用された，本願の遡及日前に頒布された刊行物である，特開２００７−２３５０６９号公報（平成１９年９月１３日出願公開。以下，「引用例１」という。）には，図１ないし１９とともに，次の記載がある。
　「【技術分野】【０００１】本発明は、ウェーハ加工方法に係り、特に、半導体ウェーハの平面加工からチップサイズに切断されたウェーハのマウントまでを欠陥なく行うのに好適なウェーハ加工方法に関する。」
　「【００１２】レーザーダイシング装置では、高速回転するダイヤモンドブレードに代えて、レーザー光によりウェーハがチップに分割されるため、ウェーハに大きな力がかからず、チッピングや割れが発生しない。また、ウェーハに直接接触する部分がなく、熱や切削屑が発生しないため、切削水を必要としない。更に、内部に改質領域を形成してウェーハの割段を行いチップに分割するため、チップの間隔がダイヤモンドブレードによる切断よりも非常に狭く、一枚のウェーハからより多くのチップを得られる。」
　「【００１３】しかしながら、レーザーダイシング装置では、ダイシング後に各工程に使用される装置間を搬送される際、衝撃や振動により内部の改質領域を起点として割段されてしまう場合がある。そして、一旦割段された場合、ウェーハとしてのハンドリングができず、以降の工程の進行が大幅に妨げられるという問題があった。
　【００１４】この問題に対し、本発明者は、ウェーハの裏面を研削・研磨加工（第１の機械加工）し、ウェーハの最終加工厚さより厚い状態までウェーハを加工し、次いで、ウェーハにレーザー光を照射して内部へ改質領域を形成し、その後、ウェーハの裏面を再度研削・研磨加工（第２の機械加工）し、ウェーハの最終加工厚さまでウェーハの裏面を加工する方法を検討しており、顕著な効果を得ている。
【００１５】ところが、このプロセスにおいて、第２の機械加工の際に、改質領域によりウェーハの機械的強度が低下していることに起因して、ウェーハの外周部より割れ欠け（チッピング）を生じ、このチッピングが研削砥石とウェーハとの間に巻き込まれてスクラッチを生じたり、このチッピングが研磨パッドとウェーハとの間に巻き込まれて傷欠陥を生じたりする現象が認められた。
　【００１６】また、チッピングが大きい場合に、ウェーハのノッチ部が損傷したり、ウェーハのオリフラ部が損傷したりして、ウェーハのアライメントに不具合を生じることもある。
　【００１７】本発明は、このような問題に対してなされたものであり、レーザーダイシング装置によりダイシングされたウェーハを、欠陥なく加工できるウェーハ加工方法を提供することを目的とする。」
　「【００１８】本発明は、前記目的を達成するために、ウェーハの裏面を研削加工し、研削後の前記ウェーハの裏面を研磨加工し、ウェーハの最終加工厚さＴ１より厚い厚さＴ２まで前記ウェーハの裏面を加工する第１の機械加工ステップと、第１の機械加工後の前記ウェーハの外周より０．１〜１０ｍｍの非改質ゾーンの内側にレーザー光を照射して前記ウェーハの内部へ改質領域を形成する改質領域形成ステップと、改質領域形成後の前記ウェーハの裏面を研削加工し、研削後の前記ウェーハの裏面を研磨加工し、ウェーハの最終加工厚さＴ１まで前記ウェーハの裏面を加工する第２の機械加工ステップと、を備えることを特徴とするウェーハ加工方法を提供する。
【００１９】本発明によれば、第１の機械加工により厚さＴ２までウェーハを加工し、レーザー光を照射してウェーハの内部へ改質領域を形成し、第２の機械加工によりウェーハの最終加工厚さＴ１まで加工するウェーハ加工方法において、ウェーハの外周より０．１〜１０ｍｍの非改質ゾーンにレーザー光を照射しない。
【００２０】したがって、非改質ゾーンに改質領域が形成されることはなく、非改質ゾーンのウェーハの機械的強度が低下することもない。これにより、ウェーハの外周部より割れ欠け（チッピング）を生じる不具合は解消できる。
【００２１】その結果、チッピングが研削砥石とウェーハとの間に巻き込まれてスクラッチを生じたり、チッピングが研磨パッドとウェーハとの間に巻き込まれて傷欠陥を生じたりする現象もなく、また、ウェーハのノッチ部が損傷したり、ウェーハのオリフラ部が損傷したりする不具合も生じない。
【００２２】以上のように、本発明によれば、レーザーダイシング装置によりダイシングされたウェーハを、ダメージを与えることなくチップに分割することができる。」
　「【００３１】平面加工装置１０Ａは、第１の機械加工ステップに使用され、平面加工装置１０Ｃは、第２の機械加工ステップに使用される。
【００３２】なお、平面加工装置を図１のように２台設けず、１台の平面加工装置１０Ａ（又は１０Ｃ）で第１及び第２の機械加工ステップに対応させてもよい。
【００３３】図２は、平面加工装置１０Ａ（１０Ｃ）の斜視図であり、図３は平面図である。図２に示されるように平面加工装置１０Ａ（１０Ｃ）の本体１１２には、カセット収納ステージ１１４、アライメントステージ１１６、粗研削ステージ１１８、精研削ステージ１２０、研磨ステージ１２２、研磨布洗浄ステージ１２３、研磨布ドレッシングステージ１２７、及びウェーハ洗浄ステージ１２４が設けられている。」
　「【００４３】アライメントステージ１１６は、カセット１２６から搬送されたウェーハＷを所定の位置に位置合わせするステージである。このアライメントステージ１１６で位置合わせされたウェーハＷは、搬送用ロボット１３０のハンド１３１に再度吸着保持された後、空のチャック１３２に向けて搬送され、このチャック１３２の吸着面に吸着保持される。
【００４４】チャック１３２は、インデックステーブル１３４に設置され、また、同機能を備えたチャック１３６、１３８、１４０が、インデックステーブル１３４の図３の破線で示される回転軸１３５を中心とする円周上に９０度の間隔をもって設置されている。
【００４５】また、回転軸１３５には、図３に破線で示されるモータ（移動手段に相当）１３７のスピンドル（不図示）が連結されている。チャック１３６は、粗研削ステージ１１８に位置されており、吸着したウェーハＷがここで粗研削される。
【００４６】また、チャック１３８は、精研削ステージ１２０に位置され、吸着したウェーハＷがここで仕上げ研削（精研削、スパークアウト）される。更に、チャック１４０は、研磨ステージ１２２に位置され、吸着したウェーハＷがここで研磨され、研削で生じた加工変質層、及びウェーハＷの厚さのバラツキ分が除去される。
【００４７】チャック１３２、１３６、１３８、１４０は、図４の如くその下面にスピンドル１９４と回転用モータ１９２が各々連結され、これらのモータ１９２の駆動力によって回転される。モータ１９２は、支持部材１９３を介してインデックステーブル１３４に支持されている。
【００４８】したがって、本実施の形態の平面加工装置１０Ａ（１０Ｃ）は、モータ１９２とスピンドル１９４がチャック１３２、１３６、１３８、１４０に連結された状態で、チャック１３２、１３６、１３８、１４０がモータ１３７によって移動される装置である。
【００４９】これにより、チャック１３２、１３６、１３８、１４０をモータ１３７で移動させる毎に、スピンドル１９４をチャック１３２、１３６、１３８、１４０から切り離したり、次の移動位置に設置されたスピンドル１９４にチャック１３２、１３６、１３８、１４０を連結したりする手間を省くことができる。
【００５０】本実施の形態のチャック１３２、１３６、１３８、１４０は、その吸着面がセラミックス等の焼結体からなるポーラス材で形成されている。これによってウェーハＷがポーラス材の表面にしっかりと吸着保持される。」
　「【００５３】チャック３２に吸着保持されたウェーハＷは、たとえば一対の測定ゲージ１３６、１３８によってその厚さを測定することもできる。これらの測定ゲージ１３６、１３８は、それぞれ図示しない接触子を有し、一方の接触子はウェーハＷの上面（裏面）に、他方の接触子はチャック１３２の上面に接触されている。これらの測定ゲージ１３６、１３８は、チャック１３２の上面を基準点としてウェーハＷの厚さをインプロセスゲージ読取値の差として検出することができる。
【００５４】厚さが測定されたウェーハＷは、インデックステーブル３４の図２、図３の矢印Ａ方向の９０度の回動で粗研削ステージ１１８に位置され、粗研削ステージ１１８のカップ型砥石１４６によってウェーハＷの裏面が粗研削される。
【００５５】このカップ型砥石１４６は図２に示されるように、モータ１４８の図示しない出力軸に連結され、また、モータ１４８のサポート用ケーシング１５０を介して砥石送り装置１５２に取り付けられている。砥石送り装置１５２は、カップ型砥石１４６をモータ１４８とともに昇降移動させるもので、この下降移動によりカップ型砥石１４６がウェーハＷの裏面に押し付けられる。
【００５６】これにより、ウェーハ１２６の裏面粗研削が行われる。カップ型砥石１４６の下降移動量は、即ち、カップ型砥石１４６による研削量は、予め登録されているカップ型砥石１４６の基準位置と、測定ゲージ２３６、２３８で検出されたウェーハＷの厚さとに基づいて設定される。
【００５７】粗研削ステージ１１８で裏面が粗研削されたウェーハＷは、ウェーハＷからカップ型砥石１４６が退避移動した後、図示しない厚さ測定ゲージによってその厚さが測定される。厚さが測定されたウェーハＷは、インデックステーブル１３４の同方向の９０度の回動で精研削ステージ１２０に位置され、精研削ステージ１２０のカップ型砥石１５４によって精研削、スパークアウトされる。
【００５８】この精研削ステージ１２０の構造は、粗研削ステージ１１８の構造と同一なので、ここではその説明を省略する。なお、本実施の形態では、研削ステージを２か所設けたが、研削ステージは１か所でもよい。また、測定ゲージによる厚さ測定は、インラインで実施してもよい。
【００５９】精研削ステージ１２０で裏面が精研削されたウェーハＷは、ウェーハＷからカップ型砥石１５４が退避移動した後、図示しない厚さ測定ゲージによってその厚さが測定される。厚さが測定されたウェーハＷは、インデックステーブル１３４の同方向の９０度の回動で研磨ステージ１２２に位置され、研磨ステージ１２２の図４に示される研磨布１５６と、研磨布１５６から供給されるスラリとによって研磨され、その裏面に生じている加工変質層が除去される。なお、測定ゲージによる厚さ測定は、インラインで実施してもよい。」
　「【０１０７】図１３は、表面（下面）に既述の保護用シート２１が貼着されたウェーハＷの断面図である。同図において、ウェーハＷは、裏面が加工された後に最終加工厚さＴ１より厚い厚さＴ２になっている。
【０１０８】次いで、レーザーダイシング装置１０Ｂ使用して、ウェーハＷの裏面（上面）よりレーザー光Ｌを照射して、ウェーハＷの内部へ改質領域Ｋ、Ｋ…を形成する（ステップＳ２０）。この改質領域Ｋ、Ｋ…のウェーハＷの厚さ方向の位置は、ウェーハの表面（下面）より厚さ方向にＴ１までの距離の位置であることが好ましい。このような厚さ方向に改質領域が形成されれば、ウェーハの割断が容易となる。
【０１０９】この改質領域Ｋ、Ｋ…のウェーハＷの平面方向の位置は、図１４に示されるように、ウェーハの外周より０．１〜１０ｍｍの非改質ゾーンＺの内側の割断予定線上に形成する必要がある。
【０１１０】このような方法によれば、非改質ゾーンＺに改質領域が形成されることはなく、非改質ゾーンＺのウェーハＷの機械的強度が低下することもない。これにより、ウェーハＷの外周部より割れ欠け（チッピング）を生じる不具合は解消できる。
【０１１１】その結果、次ステップ（ステップＳ３０）の平面加工装置１０Ｃによる加工の際に、チッピングが研削砥石とウェーハＷとの間に巻き込まれてスクラッチを生じたり、チッピングが研磨パッドとウェーハとの間に巻き込まれて傷欠陥を生じたりする現象もなく、また、ウェーハＷのノッチ部が損傷したり、ウェーハＷのオリフラ部が損傷したりする不具合も生じない。
【０１１２】次いで、平面加工装置１０Ｃを使用して、ウェーハＷの裏面を加工し（研削及び研磨）、最終加工厚さＴ１まで加工する（ステップＳ３０）。」
（イ）上記記載から，引用例１には，次の技術的事項が記載されている（なお、段落【００５３】における「チャック３２」及び段落【００５４】における「インデックステーブル３４」はそれぞれ「チャック１３２」及び「インデックステーブル１３４」の誤記と認められる。）。
　「ウェーハの内部へ改質領域を形成」し、「改質領域形成後の前記ウェーハの裏面を研削加工し、研削後の前記ウェーハの裏面を研磨加工」する「ウェーハ加工方法」（【００１８】）において，「レーザー光を照射してウェーハの内部へ改質領域を形成し」（【００１９】），「平面加工装置１０Ｃを使用して、ウェーハＷの裏面を加工」「（研削及び研磨）」（【０１１２】）するものであって，「平面加工装置１０Ａ（１０Ｃ）の本体１１２には、カセット収納ステージ１１４、アライメントステージ１１６、粗研削ステージ１１８、精研削ステージ１２０、研磨ステージ１２２、研磨布洗浄ステージ１２３、研磨布ドレッシングステージ１２７、及びウェーハ洗浄ステージ１２４が設けられて」（【００３３】），「ウェーハＷは」「チャック１３２の吸着面に吸着保持され」（【００４３】），「チャック１３２は、インデックステーブル１３４に設置され」（【００４４】），「チャック」「に吸着保持されたウェーハＷ」（【００５３】）を，「インデックステーブル」「の」「９０度の回動で粗研削ステージ１１８に位置され」，「ウェーハＷの裏面が粗研削され」（【００５４】），「粗研削ステージ１１８で裏面が粗研削されたウェーハＷは」，「インデックステーブル１３４の同方向の９０度の回動で精研削ステージ１２０に位置され］（【００５７】），「精研削ステージ１２０で裏面が精研削されたウェーハＷは」，「インデックステーブル１３４の同方向の９０度の回動で研磨ステージ１２２に位置され、研磨ステージ１２２の図４に示される研磨布１５６と、研磨布１５６から供給されるスラリとによって研磨され、その裏面に生じている加工変質層が除去される」（【００５９】）ウェーハ加工方法と当該方法に用いられる研削及び研磨装置。
（ウ）これらのことから，引用例１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「ウェハの内部にレーザー光を照射して形成された改質領域を有するウェハを研削・研磨する平面加工装置において，
　前記ウェハを吸着するチャックを有するインデックステーブルを備え，
　前記インデックステーブルを回転させて，前記チャックを，
　前記ウェハの表面を吸着する位置と，
　前記ウェハの裏面を一様に研削砥石を用いて研削処理する粗研削ステージと，
　前記ウェハの裏面を一様に研削砥石を用いて研削処理する精研削ステージと，
　前記ウェハの裏面を研磨布を用いて加工変質層を除去する研磨処理を行う研磨ステージと，に順に移動させ，
　前記研削処理と，前記研磨処理を含む一連の処理を一つの前記チャックに前記ウェハの表面を吸着した状態で行う研削・研磨装置。」
イ　引用例２
（ア）同じく引用された，本願の遡及日前に頒布された刊行物である，特許第４４４０５８２号公報（平成２２年３月２４日発行。以下，「引用例２」という。）には，図１ないし２１とともに，次の記載がある。
　「【請求項１】表面に機能素子が形成された半導体基板を切断予定ラインに沿って切断する半導体基板の切断方法であって、
　前記半導体基板の裏面を研磨して前記半導体基板を第１の厚さにする工程と、
　前記半導体基板を第１の厚さにした後に、前記半導体基板の裏面をレーザ光入射面として前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで改質領域を形成し、その改質領域によって、前記切断予定ラインに沿って前記レーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と、
　前記切断起点領域を形成した後に、前記半導体基板に前記改質領域が残存しないように、前記半導体基板の裏面を研磨して前記半導体基板を第２の厚さにする工程とを備えることを特徴とする半導体基板の切断方法。」
　「【技術分野】【０００１】本発明は、半導体デバイスの製造工程等において、表面に機能素子が形成された半導体基板を切断するために使用される半導体基板の切断方法に関する。」
　「【００１５】そして、レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って（すなわち、図１の矢印Ａ方向に）相対的に移動させることにより、集光点Ｐを切断予定ライン５に沿って移動させる。これにより、図３〜図５に示すように、改質領域７が切断予定ライン５に沿って半導体基板１の内部に形成され、この改質領域７が切断起点領域８となる。本実施形態のレーザ加工方法は、半導体基板１がレーザ光Ｌを吸収することにより半導体基板１を発熱させて改質領域７を形成するものではない。半導体基板１にレーザ光Ｌを透過させ半導体基板１の内部に多光子吸収を発生させて改質領域７を形成している。よって、半導体基板１の表面３ではレーザ光Ｌがほとんど吸収されないので、半導体基板１の表面３が溶融することはない。
【００１６】半導体基板１の内部に切断起点領域８を形成すると、この切断起点領域８を起点として割れが発生し易くなるため、図６に示すように、比較的小さな力で半導体基板１を切断することができる。よって、半導体基板１の表面３に不必要な割れを発生させることなく、半導体基板１を高精度に切断することが可能になる。
【００１７】この切断起点領域８を起点とした半導体基板１の切断には、次の２通りが考えられる。１つは、切断起点領域８の形成後、半導体基板１に人為的な力が印加されることにより、切断起点領域８を起点として半導体基板１が割れ、半導体基板１が切断される場合である。これは、例えば半導体基板１の厚さが大きい場合の切断である。人為的な力が印加されるとは、例えば、半導体基板１の切断起点領域８に沿って半導体基板１に曲げ応力やせん断応力を加えたり、半導体基板１に温度差を与えることにより熱応力を発生させたりすることである。他の１つは、切断起点領域８を形成することにより、切断起点領域８を起点として半導体基板１の断面方向（厚さ方向）に向かって自然に割れ、結果的に半導体基板１が切断される場合である。これは、例えば半導体基板１の厚さが小さい場合には、１列の改質領域７により切断起点領域８が形成されることで可能となり、半導体基板１の厚さが大きい場合には、厚さ方向に複数列形成された改質領域７により切断起点領域８が形成されることで可能となる。なお、この自然に割れる場合も、切断する箇所において、切断起点領域８が形成されていない部位に対応する部分の表面３上にまで割れが先走ることがなく、切断起点領域８を形成した部位に対応する部分のみを割断することができるので、割断を制御よくすることができる。近年、シリコンウェハ等の半導体基板１の厚さは薄くなる傾向にあるので、このような制御性のよい割断方法は大変有効である。」
　「【００４１】切断予定ライン５を設定した後、図１４（ｂ）に示すように、裏面１７をレーザ光入射面としてシリコンウェハ１１の内部に集光点Ｐを合わせて、上述した多光子吸収が生じる条件でレーザ光Ｌを照射し、載置台２０の移動により切断予定ライン５に沿って集光点Ｐを相対移動させる。これにより、図１４（ｃ）に示すように、シリコンウェハ１１の内部には、切断予定ライン５に沿って溶融処理領域１３により切断起点領域８が形成される。
【００４２】続いて、図１５（ａ）に示すように、シリコンウェハ１１及び保護フィルム１８が固定されたガラスプレート１９を載置台２０から取り外し、図１５（ｂ）に示すように、厚さ１５０μｍ（第１の厚さ）のシリコンウェハ１１の裏面１７を平面研削して、シリコンウェハ１１を厚さ１００μｍ（第２の厚さ）に薄型化する。この切断起点領域８形成後の裏面１７の平面研削においては、平面研削開始後に切断起点領域８を起点として発生した割れ２１がシリコンウェハ１１の表面３と裏面１７とに到達するため、割れ２１が裏面１７に到達した状態で裏面１７を更に平面研削していくことになる。そして、シリコンウェハ１１が厚さ１００μｍ（第２の厚さ）に薄型化された際には、シリコンウェハ１１が切断予定ライン５に沿って精度良く切断される。これにより、機能素子１５を１つ有した半導体チップ２２を複数得ることができる。」
　「【００４８】このようにシリコンウェハ１１の内部に切断起点領域８が形成されると、自然に或いは比較的小さな力を加えることで、切断起点領域８を起点として割れを発生させ、その割れをシリコンウェハ１１の表面３と裏面１７とに到達させることができる。従って、切断起点領域８形成後にシリコンウェハ１１の裏面１７を研磨してシリコンウェハ１１を厚さ１００μｍ（第２の厚さ）に薄型化する際に、切断起点領域８を起点として発生した割れ２１に研磨面が達しても、その割れ２１により切断されたシリコンウェハ１１の切断面２２ａは互いに密着しているため、研磨によってシリコンウェハ１１にチッピングやクラッキングが発生するのを防止することができる。よって、チッピングやクラッキングの発生を防止して、シリコンウェハ１１を薄型化し且つシリコンウェハ１１を切断することが可能になる。」
　「【００４９】ところで、シリコンウェハ１１を厚さ１００μｍ（第２の厚さ）に薄型化した後における半導体チップ２２と溶融処理領域１３との関係としては、図１９〜図２１に示すものがある。各図に示す半導体チップ２２には、後述するそれぞれの効果が存在するため、種々様々な目的に応じて使い分けることができる。ここで、図１９（ａ）、図２０（ａ）及び図２１（ａ）は、シリコンウェハ１１を厚さ１００μｍ（第２の厚さ）に薄型化する前に割れ２１がシリコンウェハ１１の表面３に達している場合であり、図１９（ｂ）、図２０（ｂ）及び図２１（ｂ）は、シリコンウェハ１１を厚さ１００μｍ（第２の厚さ）に薄型化する前に割れ２１がシリコンウェハ１１の表面３に達していない場合である。図１９（ｂ）、図２０（ｂ）及び図２１（ｂ）の場合にも、シリコンウェハ１１を厚さ１００μｍ（第２の厚さ）に薄型化した後には、割れ２１がシリコンウェハ１１の表面３に達する。
【００５０】図１９（ａ），（ｂ）に示すように、溶融処理領域１３が切断面内に残存する半導体チップ２２は、その切断面が溶融処理領域１３により保護されることとなり、半導体チップ２２の抗折強度が向上する。また、図２０（ａ），（ｂ）に示すように、溶融処理領域１３が切断面内に残存しない半導体チップ２２は、溶融処理領域１３が半導体デバイスに好影響を与えないような場合に有効である。更に、図２１（ａ），（ｂ）に示すように、溶融処理領域１３が切断面の裏面側のエッジ部に残存する半導体チップ２２は、当該エッジ部が溶融処理領域１３により保護されることとなり、半導体チップ２２のエッジ部を面取りした場合と同様に、エッジ部におけるチッピングやクラッキングの発生を防止することができる。
【００５１】そして、図１９（ａ）、図２０（ａ）及び図２１（ａ）に示すように、シリコンウェハ１１を厚さ１００μｍ（第２の厚さ）に薄型化する前に割れ２１がシリコンウェハ１１の表面３に達している場合に比べ、図１９（ｂ）、図２０（ｂ）及び図２１（ｂ）に示すように、シリコンウェハ１１を厚さ１００μｍ（第２の厚さ）に薄型化する前に割れ２１がシリコンウェハ１１の表面３に達していない場合の方が、シリコンウェハ１１を厚さ１００μｍ（第２の厚さ）に薄型化した後に得られる半導体チップ２２の切断面の直進性がより一層向上する。
【００５２】なお、シリコンウェハ１１を厚さ１００μｍ（第２の厚さ）に薄型化する前に割れ２１がシリコンウェハ１１の表面３に到達するか否かは、溶融処理領域１３の表面３からの深さに関係するのは勿論であるが、溶融処理領域１３の大きさにも関係する。すなわち、溶融処理領域１３の大きさを小さくすれば、溶融処理領域１３の表面３からの深さが浅い場合でも、割れ１５は半導体基板１の表面３に到達しない。溶融処理領域１３の大きさは、例えば切断起点領域８を形成する際におけるパルスレーザ光の出力により制御することができる。つまり、パルスレーザ光の出力を上げれば大きくなり、パルスレーザ光の出力を下げれば小さくなる。」
（イ）上記記載から，引用例２には，次の技術が記載されている。
　「ウェハの内部にレーザ改質領域を有するウェハの裏面を一様に研削処理して，前記レーザ改質領域を除去し，且つ前記レーザ改質領域から伸びる微小亀裂を前記ウェハの内部で進展させる技術。」
ウ　引用例３
（ア）同じく引用された，本願の遡及日前に頒布された刊行物である，特開２００９−１３１９４２号公報（平成２１年６月１８日出願公開。以下，「引用例３」という。）には，図１ないし１９とともに，次の記載がある。
　「【技術分野】【０００１】本発明は、加工対象物を所定の厚さに研削するための加工対象物研削方法に関する。」
　「【０００６】この加工対象物研削方法では、加工対象物の外縁から所定の距離内側に外縁に沿って設定された改質領域形成ラインに沿って、加工対象物に改質領域を形成している。この改質領域又は改質領域から延びる割れによって、加工対象物の研削に起因して外縁部で生じた割れが内側に伸展するのを抑制することができる。その結果、加工対象物を確実に研削することができる。なお、「割れ」には、亀裂、切れ目及び裂け目等を含んでいる（以下、同じ）。
【０００７】また、加工対象物の主面を研削する工程は、改質領域を形成する工程を実施した後に実施されることが好ましい。この場合、加工対象物の研削中にその外縁部で割れが発生したとしても、改質領域又は改質領域から延びる割れによって、割れが内側に伸展するのを抑制することができる。
【０００８】このとき、改質領域を形成する工程においては、改質領域から延びる割れのみが研削後の加工対象物に残存するように、加工対象物に改質領域を形成することが好ましい。この場合、切削後の加工対象物には改質領域が残存しないことから、発塵を低減することができる。」
　「【００３５】本実施形態の加工対象物研削方法は、例えば厚さが１５μｍ〜２５μｍ（所定の厚さ：以下、「最終研削厚さ」という）の極薄の半導体基板を形成するために加工対象物を研削するものである。図１０に示すように、研削加工の対象となる加工対象物１は、例えばシリコンからなる円板状を呈している。ここでは、加工対象物１は、円筒状のシリコンインゴットを輪切り状に切断して形成されている。この加工対象物１は、その外縁Ｅから所定の距離内側に、改質領域形成ライン５が設定されている。なお、加工対象物１では、説明の便宜上オリエンテーションフラットを省略する。また、ここでの「研削」とは、砥石、刃物、エッチング液等で機械的、化学的、電気化学的に表面を削って滑らかにすることを意味し、また、研磨と同義である。」
　「【００３９】この状態で、加工対象物１の内部に集光点を合わせて加工対象物１の表面３側からレーザ光Ｌを照射しながら、レーザ光Ｌに対しステージをθ方向（図中の矢印Ｒ方向）に相対回転させる。これにより、図１１（ｂ）に示すように、外周縁の改質領域形成ライン５（図１０参照）に沿って、加工対象物１の内部に改質領域７を形成し、改質領域７の上端部及び下端部から、厚さ方向に沿って延びる亀裂（割れ）Ｃ１を生じさせる。なお、この改質領域７には、その内部に亀裂が含まれてもよい。
【００４０】続いて、図１２（ａ）に示すように、加工対象物１の表面３における有効領域２６に、複数の機能素子２２をマトリックス状に配設されるように形成した後、図１２（ｂ）に示すように、加工対象物１を上下反転して裏面２１を上方に位置させる。そして、図１２（ｃ）に示すように、研削砥石３２（グラインダー）で加工対象物１の裏面２１を研削し、加工対象物１を最終研削厚さに薄化する。ここで、研削後の加工対象物１ａでは、亀裂Ｃ１のみが残存しており、この亀裂Ｃ１が裏面２１に露出している。つまり、裏面２１にハーフカット亀裂Ｃ１が露出した状態となっている。
【００４１】加工対象物１を薄化した後には、隣り合う機能素子２２間を通るような格子状に設定された切断予定ラインに沿って、加工対象物１を切断するための切断起点領域が形成される。ここでは、切断起点領域として、加工対象物に集光点を合わせてレーザ光を照射し、改質領域７と同様な切断用改質領域を形成している。切断起点領域は、レーザアブレーション、スクライブ若しくはブレードダイシング等で形成された溝等でもよい。そして、加工対象物１がエキスパンドテープに張り替えられ、このエキスパンドテープが拡張されることで、切断起点領域を起点として加工対象物１が切断予定ラインに沿って分断（切断）される。ちなみに、加工対象物１の研削中、研削後又はエキスパンドテープ拡張時において、改質領域７を起点として改質領域形成ライン５（図１０参照）に沿って加工対象物１が切断されてもよい。」
　「【００４６】また、本実施形態では、上述したように、研削後の加工対象物１ａに亀裂Ｃ１のみが残存している。すなわち、改質領域７から延びる亀裂Ｃ１のみが研削後の加工対象物１ａに残存するように、加工対象物１に改質領域７が形成されている。この場合、切削後の加工対象物１ａには改質領域７が残存しないことから、発塵を低減することができる。」
（イ）上記記載から，引用例３には，次の技術が記載されている。
「ウェハの内部にレーザ改質領域を有するウェハの裏面を一様に研削砥石を用いて研削処理して，前記レーザ改質領域を除去し，且つ前記レーザ改質領域から伸びる微小亀裂を前記ウェハの内部で進展させる技術。」
エ　引用例４
（ア）同じく引用された，本願の遡及日前に頒布された刊行物である，特開２００７−６７１７５号公報（平成１９年３月１５日出願公開。以下，「引用例４」という。）には，図１ないし２１とともに，次の記載がある。
　「【００１２】次に、図３に示すように、半導体ウェハ１の裏面１ｂを研削して半導体ウェハ１を薄膜化するＢＧ（バックグラインディング）を行う（ステップＳ２）。この研削によって半導体ウェハ１の裏面１ｂには、０．０５〜０．１μｍ程度の凹凸１ｃが形成される。
【００１３】次に、図４に示すように、ドライポリッシングによって、半導体ウェハ１の裏面１ｂを平坦化加工して鏡面仕上げする（ステップＳ３）。ここで、ドライポリッシングとは、例えば、シリカを含有させた繊維を押し固めて形成した研磨布を用いて表面を２μｍ程度削る（磨く）加工方法である。これにより、半導体ウェハ１の裏面１ｂの凹凸１ｃは０．００１５μｍ程度となる。また、半導体ウェハ１は薄膜化され、その厚さは例えば９０μｍ程度となる。ただし、ドライポリッシングは省略することもできる。
【００１４】なお、半導体ウェハ１の裏面１ｂのバックグラインディング後の平坦化加工は、ドライポリッシングに限らず、ウェットエッチングなどでもよい。この場合のウェットエッチングは、例えば、スピンナで半導体ウェハ１を回転させながらフッ硝酸を供給してエッチングを行うスピンエッチングであり、ドライポリッシングよりもさらに凹凸１ｃを小さく仕上げることができる。」
（イ）上記記載から，引用例４には，次の技術が記載されている。
　「ウェハの裏面を一様に研削砥石を用いて研削処理した後，前記ウェハの裏面を研磨布を用いて研磨処理を行う技術。」
オ　引用例５
（ア）平成２８年８月９日付けの補正の却下の決定で引用された，本願の遡及日前に頒布された刊行物である，特開２０１０−１３７３４９号公報（平成２２年６月２４日出願公開。以下，「引用例５」という。）には，図１ないし８とともに，次の記載がある。
　「【０００３】図８は、特許文献１に開示されるような従来技術におけるウェーハの裏面研削作用を示す断面図である。裏面研削する前には、粘着性フィルム１１がウェーハ２０の表面に貼付けられ、それにより、ウェーハ２０はマウントフレーム３６と予め一体化されている。
【０００４】図８から分かるように、そのようなウェーハ２０は、その裏面２２が上方を向いた状態で、チャックテーブル１２０の吸着パッド５１０に載置されて真空吸着される。図示されるように、マウントフレーム３６およびマウントフレーム３６とウェーハ２０との間に位置するフィルム１１も吸着パッドに吸着される。次いで、研削砥石４２０が回転して、ウェーハ２０の裏面２２を研削する。」
（イ）上記記載から，引用例５には，次の技術が記載されている。
　「ウェハの表面を真空吸着し，前記ウェハの裏面を一様に研削砥石を用いて研削する処理を一つのウェハチャックに前記ウェハの表面を真空吸着した状態で行う技術。」
カ　引用例６
（ア）平成２８年８月９日付けの補正の却下の決定で引用された，本願の遡及日前に頒布された刊行物である，特開２００９−２４６２４０号公報（平成２１年１０月２２日出願公開。以下，「引用例６」という。）には，図１ないし６とともに，次の記載がある。
　「【発明を実施するための最良の形態】【００１４】以下添付図面に従って本発明に係る半導体ウェーハ裏面の研削方法及びそれに用いる半導体ウェーハ裏面研削装置の好ましい実施形態について説明する。図１には、本発明に係る半導体ウェーハ裏面研削装置の代表的形態が示されているが、本発明はこれには限られない。本実施形態の裏面研削装置１は、装置本体１ａと、支持基材１３が貼り合わされたウェーハ積層体１０の表面側をチャック３で真空吸着することによりウェーハ積層体１０を保持するターンテーブル２と、研削砥石１５を回転可能に支持する主軸ヘッド４と、を備えている。主軸ヘッド４の一形態としては、研削砥石１５を鉛直方向（垂直方向）で上下動させる直動送り機構と、研削砥石１５を鉛直方向の軸線Ｒ２回りで回転させる回動機構と、を有することができる。この例において、直動送り機構にボールねじ送り機構を適用し、回動機構にサーボモータを適用することができる。」
（イ）上記記載から，引用例６には，次の技術が記載されている。
　「ウェハを真空吸着するウェハチャックを有する回転テーブルを備え，前記ウェハの表面を真空吸着し，前記ウェハの裏面を一様に研削砥石を用いて研削する処理を一つのウェハチャックに前記ウェハの表面を真空吸着した状態で行う技術。」
（３）引用発明との対比
ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明における「レーザー光を照射して形成された改質領域」，「平面加工装置」，「ウェハを吸着するチャック」及び「インデックステーブル」はそれぞれ，本件補正発明における「レーザ改質領域」，「研削・研磨装置」，「ウェハチャック」及び「回転テーブル」に相当する。
（イ）引用発明における「粗研削ステージ」と「精研削ステージ」とはどちらも，本件補正発明における「研削処理を行う位置」に相当する。
（ウ）引用発明における「研磨ステージ」は，本件補正発明における「研磨処理を行う位置」に相当する。
イ　以上のことから，本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
＜一致点＞
　ウェハの内部にレーザ改質領域を有するウェハを研削・研磨する研削・研磨装置において、
　前記ウェハを吸着するウェハチャックを有する回転テーブルを備え、
　前記回転テーブルを回転させて、前記ウェハチャックを、
　前記ウェハの表面を吸着する位置と、
　前記ウェハの裏面を一様に研削砥石を用いて研削処理する位置と、
　前記ウェハの裏面を研磨布を用いて加工変質層を除去する研磨処理を行う位置と、に順に移動させ、
　前記研削処理と、前記研磨処理を含む一連の処理を一つの前記ウェハチャックに前記ウェハの表面を吸着した状態で行う研削・研磨装置。
＜相違点１＞
　本件補正発明は「レーザ改質領域から伸びる微小亀裂を進展させる研削・研磨装置」であって，「研削処理」において「前記レーザ改質領域を除去し、且つ前記レーザ改質領域から伸びる微小亀裂をウェハの内部で進展させる」ものであるのに対し，引用発明は，研削処理単体でレーザ改質領域を除去するとはされておらず，また「レーザ改質領域から伸びる微小亀裂をウェハの内部で進展させる」ものとはされていない点
＜相違点２＞
　本件補正発明は「ウェハチャック」で「ウェハを真空吸着する」「研削・研磨装置」であって，「研削処理」と，「研磨処理を含む一連の処理を一つの前記ウェハチャックに前記ウェハの表面を真空吸着した状態で行う」ものであるのに対し，引用発明は，チャックの吸着について「真空吸着」であるかどうか明記していない点
（４）判断
　以下，相違点１及び２について検討する。
ア　相違点１について
　引用例２には「ウェハの内部にレーザ改質領域を有するウェハの裏面を一様に研削処理して，前記レーザ改質領域を除去し，且つ前記レーザ改質領域から伸びる微小亀裂を前記ウェハの内部で進展させる技術。」が記載されている。しかしながら，引用例２は段落【００４２】に記載されているように，平面研削によってウェハを目的の厚さ（第２の厚さ）に薄型化するものであって，その後に研磨布を用いて研磨する事項を有していない。そして、引用発明は研削と研磨とによってウェハを目的の厚さに薄型化するものであるが，レーザ改質領域を除去するものではなく，微小亀裂が進展したウェハを研磨する事項も有していない。
　そうすると，「研削・研磨処理」によってウェハを薄型化する引用発明の「研削処理」部分のみを引用例２に記載された技術に置換する，という動機が存在しないことから，「研削処理」及び「研磨処理」を有し，その上で「研削処理」で「レーザ改質領域」を除去し，「研磨処理」で「加工変質層」を除去する，という構成を，引用発明及び引用例２から当業者が容易に想到し得るとまではいえない。
　また、引用例３には「ウェハの内部にレーザ改質領域を有するウェハの裏面を一様に研削砥石を用いて研削処理して，前記レーザ改質領域を除去し，且つ前記レーザ改質領域から伸びる微小亀裂を前記ウェハの内部で進展させる技術。」が記載されており，段落【０００８】には「切削後の加工対象物には改質領域が残存しないことから、発塵を低減することができる。」と記載されているが，引用発明は，ウェハ外周部は非改質領域としており，ウェハ内部の改質領域が外部に露出するものではないことから，改質領域による発塵という課題を内在しておらず，引用発明に引用例３に記載された技術を適用する必要性が生じない。
　したがって，引用発明に，仮に，引用例２又は３の技術思想を適用したとしても，本件補正発明が備える上記相違点１に係る構成には至らない。
　また，上記補正の却下の決定又は拒絶査定において引用された，引用例４ないし６のいずれにも，当業者が上記相違点１を容易想到とし得ることの根拠となる記載はない。
イ　よって，相違点２について検討するまでも無く，本件補正発明は，上記引用例１ないし６に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
ウ　補正後の請求項１とカテゴリが異なるにすぎない請求項２に係る発明についても同様に，上記引用例１ないし６に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
エ　また，補正後の請求項１及び２に係る発明について，他の拒絶すべき理由を発見しない。
オ　よって，本件補正後の請求項１及び２に係る発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるから，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項（独立特許要件）に適合する。
第３　本願の請求項１及び２に係る発明について
１　本願の請求項１及び２に係る発明
　上記のとおり，平成２８年８月９日付けの補正の却下の決定は取り消されたので，本願の請求項１及び２に係る発明は，「第２　補正の却下の決定の当否について」の「［理由］」の「１　補正の内容」の項の（１）に挙げた，補正後の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
２　判断
　そうすると，上記「第２」の「２　本件補正の適否」で挙げた理由と同様の理由により，本願の請求項１及び２に係る発明は，原査定の拒絶の理由において示された引用例１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
３　むすび
　以上のとおり，本願の請求項１及び２に係る発明は，いずれも引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできないから，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。