【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３９３３５９２号発明「窒化物系半導体素子」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　平成２８年９月８日付け訂正請求において、特許第３９３３５９２号の明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおり、訂正後の請求項〔１ないし８〕、９について訂正することを認める。
　特許第３９３３５９２号の請求項１ないし請求項９に係る発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
第１　本件の概要及び経緯
１　本件の概要
　本件は、請求人（日亜化学工業株式会社）が、被請求人（三洋電機株式会社）が特許権者である特許第３９３３５９２号（以下、「本件特許」という。特許登録時の請求項の数は８である。）の請求項１ないし８に係る発明についての特許を無効とすることを求める事案である。
　
２　本件特許に係る出願及び訂正の経緯概要
　本件特許に係る出願及び訂正の経緯概要は、次のとおりである。
　
　平成１４年　３月２６日　特願２００２−８５０８５号（以下「先の出願」という。）
　平成１５年　３月１９日　本件特許に係る出願（特願２００３−７４９６６号。先の出願に基づく優先権主張を伴う出願。以下「本願」という。）
　平成１９年　１月３０日　特許査定
　平成１９年　３月３０日　設定登録（特許第３９３３５９２号）
　平成１９年　６月２０日　特許公報発行
　平成２３年１２月２６日　訂正請求（明細書（特許請求の範囲を含む））
　平成２６年　９月３０日　上記訂正請求によりなされた訂正が確定
　
　なお、本件特許については、本件請求人により、平成２３年１０月７日に、別件特許無効審判が請求され（無効２０１１−８００２０２号、以下「別件無効審判事件」ともいう。）、当該別件無効審判事件において平成２３年１２月２６日に明細書（特許請求の範囲を含む）の訂正が請求され、平成２４年７月２０日に訂正を認め、請求が成り立たない旨の審決がなされ、当該審決について審決取消訴訟が提起された（知的財産高等裁判所平成２４年（行ケ）第１０３０２号）が、平成２５年１１月１４日に請求棄却判決が言い渡され、当該請求棄却判決について、上告がなされるとともに上告受理が申し立てられたが、平成２６年９月３０日に上告が棄却される（最高裁判所平成２６年（行ツ）第４４号）とともに本件を上告審として受理しない旨の決定がなされた（最高裁判所平成２６年（行ヒ）第５５号）。これにより、別件無効審判事件において平成２３年１２月２６日になされた訂正請求により訂正された明細書（特許請求の範囲を含む）が確定した。
　
３　本件特許無効審判事件の経緯
　本件特許無効審判事件の経緯は、次のとおりである。
　
　平成２５年　５月３１日　特許無効審判請求書
　平成２５年　８月１６日　審判事件答弁書
　平成２５年　９月２５日　審理事項通知書（合議体）
　平成２５年１１月１３日　口頭審理陳述要領書（請求人）
　平成２５年１１月１３日　口頭審理陳述要領書（被請求人）
　平成２５年１１月２７日　口頭審理（無効理由通知）
　平成２５年１２月２７日　意見書・上申書（請求人）
　平成２５年１２月２７日　意見書（被請求人）
　平成２５年１２月２７日　訂正請求書（その１）
　平成２６年　１月２７日　手続補正書（訂正請求書の全文を補正）
　平成２６年　２月　５日　手続中止通知書（合議体）
　平成２６年１１月１０日　手続中止解除通知書（合議体）
　平成２６年１１月２１日　手続補正書（訂正請求書の全文を補正）
　平成２７年　４月１３日　審判事件弁駁書
　平成２７年　７月２８日　審決の予告
　平成２７年　９月２８日　訂正請求書（その２）・上申書（被請求人）
　平成２７年１０月２６日　上申書（請求人）
　平成２７年１２月２５日　訂正拒絶理由通知書、職権審理結果通知書
　平成２８年　２月　３日　意見書（被請求人）
　平成２８年　７月　５日　審決の予告
　平成２８年　９月　８日　訂正請求書（その３）・上申書（被請求人）
　
　平成２５年１２月２７日付けの訂正請求書（その１）は、平成２７年９月２８日付けの訂正請求書（その２）が提出されたことにより、また、平成２７年９月２８日付けの訂正請求項（その２）は、平成２８年９月８日付けの訂正請求書（その３）が提出されたことにより、それぞれ、取り下げられたものとみなされる（特許法第１３４条の２第６項）から、審理の対象となる訂正請求は、平成２８年９月８日付け訂正請求書（その３）の訂正請求である。
　また、上記２のなお書きに記載した最高裁判所の決定により別件無効審判事件における訂正請求を容認する審決が確定したことを受けて、本件における訂正請求の基準となる明細書が確定した。当該確定した明細書の特許請求の範囲は次のとおりである。
「【請求項１】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。
【請求項２】
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度が、１×１０６ｃｍ−２以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項３】
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における電子キャリア濃度は、１×１０１７ｃｍ−３以上である、請求項１または２に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項４】
　前記第１半導体層の裏面は、前記第１半導体層の窒素面を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が加工され、該加工により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項６】
　前記第１半導体層のｎ型ドーパントが酸素であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項７】
　前記第１半導体層の上面上に、Ｓｉ、Ｓｅ及びＧｅのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項８】
　前記第１半導体層は、ＨＶＰＥ法を用いて形成されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。」
　
第２　請求人の主張の概要
　請求人は、「特許第３９３３５９２号の請求項１乃至８に係る発明についての特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする。」との審決を求め、本件特許は無効とすべきものであると主張している。
　
１　証拠方法
　請求人が提出した甲第１号証ないし甲第２３号証（以下、それぞれ「甲１」〜「甲２３」という。）は次のとおりである。
　
審判請求書に添付したもの
　甲１：特許第３９３３５９２号公報（本件特許）
　甲２：特開２０００−３４９３３８号公報
　甲３の１：報告書（平成２５年５月１４日付け、日亜化学工業株式会社　総合部門　法知本部　主幹技師　丸谷幸利（請求人従業者）作成）
　甲３の２：陳述書（４）（平成２３年６月１３日付け、三洋電機株式会社　電子デバイスカンパニー　光エレクトロニクス事業部　フォトニクス技術部　レーザ技術課　畑雅幸（被請求人従業者：本件特許発明者）作成、本件審判の被請求人（三洋電機株式会社）を原告とし本件審判の請求人（日亜化学工業株式会社）を被告とする特許権侵害行為差止損害賠償等請求事件（東京地裁平成２３年（ワ）第２６６７６号）における甲１４）
　甲３の３：技術説明資料（平成２５年４月１６日付け、別件無効審判事件（無効２０１１−８００２０２号）の審決取消訴訟（知的財産高等裁判所平成２４年（行ケ）第１０３０２号）の技術説明会において被告（本件審判の被請求人）が使用したもの）
　甲４：特開２０００−２２３７９０号公報
　甲５：特開２０００−３４０５１１号公報
　甲６：特開２００１−１９２３００号公報
　甲７：特開２００１−１４８３５７号公報
　甲８：特開２００１−２８４７３６号公報
　甲９：特開２００２−４３６９５号公報
　甲１０：特開２０００−４４４００号公報
　甲１１：別件無効審判事件（無効２０１１−８００２０２号）の平成２３年１２月２６日付け訂正請求書
　
口頭審理陳述要領書（請求人）に添付したもの
　甲１２：安永暢男著、「はじめての研磨加工」、東京電機大学出版局、２０１１年４月２０日第１版１刷発行、７頁〜２１頁
　甲１３：特開２００２−７６５０２号公報
　甲１４：特開２００２−７６５１９号公報
　甲１５：特開２０００−２１６４９８号公報
　甲１６：特開２００１−１６０５３９号公報
　甲１７：Ｍａｓａｒｕ　Ｋｕｒａｍｏｔｏ外９名，“Ｒｏｏｍ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ−Ｗａｖｅ　Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＩｎＧａＮ　Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｏｄｅｓ　Ｇｒｏｗｎ　ｏｎ　ａｎ　ｎ−ＧａＮ　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｗｉｔｈ　ａ　Ｂａｃｋｓｉｄｅ　ｎ−Ｃｏｎｔａｃｔ”，Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，１５　Ｆｅｂｒｕａｒｙ　１９９９，Ｖｏｌ．３８，Ｐａｒｔ　２，Ｎｏ．２Ｂ，ｐｐ．Ｌ１８４−Ｌ１８６
　甲１８：特開２００２−２６４３８号公報
　甲１９：Ｅ．Ｔ．Ｙｕ　ａｎｄ　Ｍ．Ｏ．Ｍａｎａｓｒｅｈ，“ＩＩＩ−Ｖ　Ｎｉｔｒｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ：Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　＆　Ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ｔａｙｌｏｒ　＆　Ｆｒａｎｃｉｓ，２００３，ｐ．４６−４９，ｐ．６４−６７
　甲２０：Ａ．Ｐ．Ｚｈａｎｇ外７名，“Ｖｅｒｔｉｃａｌ　ａｎｄ　ｌａｔｅｒａｌ　ＧａＮ　ｒｅｃｔｉｆｉｅｒｓ　ｏｎ　ｆｒｅｅ−ｓｔａｎｄｉｎｇ　ＧａＮ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”，ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ，３　ＳＥＰＴＥＭＢＥＲ　２００１，Ｖｏｌｕｍｅ　７９，Ｎｕｍｂｅｒ　１０，ｐｐ．１５５５−１５５７
　甲２１：Ｊｏｏｎ　Ｓｅｏｐ　Ｋｗａｋ外６名，“Ｃｒｙｓｔａｌ−ｐｏｌａｒｉｔｙ　ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ　ｏｆ　Ｔｉ／Ａｌ　ｃｏｎｔａｃｔｓ　ｔｏ　ｆｒｅｅｓｔａｎｄｉｎｇ　ｎ−ＧａＮ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ”，ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ，１２　ＮＯＶＥＭＢＥＲ　２００１，Ｖｏｌｕｍｅ　７９，Ｎｕｍｂｅｒ　２０，ｐｐ．３２５４−３２５６
　
平成２５年１２月２７日提出の上申書に添付したもの
　甲２２：技術説明資料（平成２５年１１月２７日の口頭審理において請求人が使用したもの）
　
審判事件弁駁書に添付したもの
　甲２３：知的財産高等裁判所平成２６年（行ケ）第１０２０４号審決取消請求事件の判決（平成２７年３月１１日言渡）
　
２　審判請求書における主張の概要
　請求人は、審判請求書８頁１４行〜２０行の「III　無効審判請求の根拠」において、本件特許の請求項１ないし８に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」ないし「本件発明８」といい、本件発明１ないし本件発明８を総称して「本件発明」という。）は、甲２に記載された発明に基づいて当業者が特許出願前に容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許は、特許法第１２３条第１項第２号に該当し無効とすべきものである旨を主張し、審判請求書８頁２１行〜２２頁下から４行の「IV　本件特許を無効にすべき理由」において、本件特許を無効にすべき具体的理由について述べており、そのうち、本件発明１についての主張は概ね次のとおりである（審決注：丸付き数字は「マル○」のように表記する。以下同じ。）。
「（１）本件特許発明
　本件特許の各請求項に係る発明（以下、『本件特許発明１』などといい、総称して『本件特許発明』という。）は、本件特許第３９３３５９２号公報の各請求項に記載されたとおり、次の構成を有している（Ａ，Ｂ等の符号は請求人が付した）。
　
【請求項１】
Ａ．ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層と、
Ｂ．前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
Ｃ．前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
Ｄ．前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、
Ｅ．窒化物系半導体素子。
・・・（中略）・・・
　
　本件特許発明は、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度を『１×１０９ｃｍ−２以下』とすることにより、窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減する発明である（甲１の段落００１３、段落００２４、段落００２５）。
　
（２）先行技術発明が存在する事実及び証拠の説明
　本件特許の出願前に頒布された甲２には、次の記載がある。なお、下線部は、本件審判請求人による。
・・・（中略）・・・
　以上の記載に基づき、甲２に記載された発明（甲２発明）を本件特許発明の構成要件に合わせて分説すると、次のとおりになる（ａ，ｂ等の符号は請求人が付した）。
　
（甲２発明）
ａ．ウルツ鉱構造を有するｎ型のＧａＮ結晶膜６５と、
ｂ．前記ＧａＮ結晶膜６５の裏面上に形成されたｎ型電極７４とを備え、
ｃ．ＧａＮ結晶膜６５は、全断面にわたって転位密度が２×１０８／ｃｍ２以下となる低転位層である、
ｅ．ＧａＮ系半導体発光素子。
　
（３）本件特許発明と先行技術発明との対比
　ア　本件特許発明１（請求項１）について
（ア）一致点及び相違点
　甲２発明の『ＧａＮ結晶膜６５』は、本件特許発明１の『窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層』に該当し、甲２発明の『ｎ型電極７４』は、本件特許発明１の『ｎ側電極』に該当する。
　また、甲２発明ではＧａＮ結晶膜が全断面にわたって転位密度が『２×１０８／ｃｍ２以下』となる低転位層とされ、本件特許発明１では第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度が『１×１０９ｃｍ−２以下』とされるが、『２×１０８／ｃｍ２以下』に含まれる値は、『１×１０９ｃｍ−２以下』にも含まれる。
　また、甲２発明の『ＧａＮ系半導体発行素子』は、本件特許発明１の『窒化物系半導体素子』に該当する。
　したがって、両者は、
『ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の転位密度が１×１０９ｃｍ−２以下である、
　窒化物系半導体素子。』
である点で一致し、次の点で相違する。
・相違点
　本件特許発明１では、ｎ側電極と第１半導体層との界面におけるコンタクト抵抗が『０．０５Ωｃｍ２以下』であるのに対し、甲２発明では、ｎ側電極７４とＧａＮ結晶膜６５との界面におけるコンタクト抵抗が『０．０５Ωｃｍ２以下』であるとは明記されていない点。
　
（イ）相違点についての判断
　甲２には、ＧａＮ結晶膜６５のキャリア濃度が『１×１０１８ｃｍ−３』であると開示されているところ（甲２の段落０２１２）、キャリア濃度が『１×１０１８ｃｍ−３』であるＧａＮ結晶膜６５のコンタクト抵抗が『０．０５Ωｃｍ２以下』であることは、キャリア濃度が『１×１０１８ｃｍ−３』よりも低いＧａＮ基板において『０．０５Ωｃｍ２以下』よりも遥かに小さいコンタクト抵抗が得られている本件特許明細書の記載を正しいとする限り（甲１の段落００５４における表１の試料４の欄を参照。）、甲２発明においても当然に達成されている。
　また、本件特許明細書には、『０．０５Ωｃｍ２以下』のコンタクト抵抗を得るにあたり、転位密度を『１×１０９ｃｍ−２以下』とする以外に特別な設計条件が必要であるとの記載がないから、転位密度を『２×１０８／ｃｍ２以下』とする以外に特別の設計条件を用いていない甲２発明においても、事実として、当然に『０．０５Ωｃｍ２以下』のコンタクト抵抗が得られている。
　さらに、甲３の１として提出するとおり、甲２発明のコンタクト抵抗が『０．０５Ωｃｍ２以下』であると仮定すると、レーザ素子の発振閾値電圧は２４９Ｖ程度になってしまうが、常識的に考えて、このような電圧でレーザ素子を発振させることはできないから（このような高電圧を引加すれば熱によりレーザ素子が破壊される。）、甲２発明のＧａＮ結晶膜６５においては、コンタクト抵抗が『０．０５Ωｃｍ２以下』より遥かに低い値になっていると考えるのが当然である。
　してみると、甲２発明において、ｎ型電極７４とＧａＮ結晶膜６５との界面におけるコンタクト抵抗が『０．０５Ωｃｍ２以下』であることは、甲２に明記こそされていないものの、甲２発明に開示されたＧａＮ結晶膜６５の転位密度の値やキャリア濃度の値からして当然に達成されていることは明らかであり、少なくとも、常識的な駆動電圧を得るにあたり当業者が容易に想到し得ることである。
　したがって、本件特許発明１は、甲２発明に基づいて当業者が特許出願前に容易に発明をすることができたものに過ぎない。
・・・（中略）・・・
　
（４）小括
　以上のとおり、本件特許発明１〜８は、甲２発明に基づいて当業者が特許出願前に容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件特許は、特許法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。
　
（５）平成２３年１２月２６日付け訂正請求書による訂正について
　ア　経緯
　本件特許権者は、特許無効審判事件（無効２０１１−８００２０２号）にて訂正請求書（平成２３年１２月２６日付け提出）を提出し、本件特許発明１（請求項１）と本件特許発明５（請求項５）とを訂正した（甲１１）。
・・・（中略）・・・
　しかしながら、たとえ本件訂正が認められたとしても、以下で述べるとおり、本件特許は、特許法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。
　
　イ　訂正の内容
　本件訂正は、本件特許発明１（請求項１）及び本件特許発明５（請求項５）とをそれぞれ次のとおり訂正するものである（下線部は、訂正した箇所を示す。）。
　
【請求項１】
Ａ．ウルツ鉱構造を有するｎ型
の窒
板か
Ｂ．前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
Ｃ．前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
Ｄ．前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、
Ｅ．窒化物系半導体素子。
　
【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が加工さ
れ、該加工により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された
　
　以下、訂正された本件特許発明１、５をそれぞれ本件訂正発明１、５という。
　
　ウ　本件訂正発明１、５と先行技術との対比
（ア）本件訂正発明１について
　本件訂正発明１は、本件特許発明１（訂正前）において『窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層』とされていた構成が、『窒化物系半導体基板からなる第１半導体層』へと変更されたものであるところ、甲２発明の『ＧａＮ結晶膜６５』は、本件訂正発明１の『窒化物系半導体基板からなる第１半導体層』に該当する。
　よって、本件特許発明１は、甲２発明に基づいて当業者が特許出願前に容易に発明をすることができたものに過ぎない。
・・・（中略）・・・
　
（６）結語
　以上のとおり、本件特許発明１〜８並びに本件訂正発明１、５は、甲２発明に基づいて当業者が特許出願前に容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件特許は、特許法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。」
　
３　口頭審理における請求人の主張の概要
　平成２５年１１月１３日付け口頭審理陳述要領書（請求人）における請求人の本件発明１についての主張は概ね次のとおりである。
　
「（１）平成２５年９月１７日付け審理事項通知書・・・で示された合議体の暫定的な認定および見解について
　
　標記通知書において合議体が示されました暫定的認定および見解には、次の（マル１）〜（マル５）の旨が含まれています。
（マル１）本件特許発明は、構成Ｃ（前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下である）が、課題解決手段の枢要部である（通知書７頁４行ないし１２行）
（マル２）本件甲第２号証（以下『甲２』ということがある。）には、『
甲２第一発明
甲２第二発明
（マル３）『甲２第一発明』におけるＧａＮ系半導体素子の作製法として『
サファイア基板法
（マル４）『『
甲２第二発明』を引用発明とする場合
研磨
低転位密度層の転位密度（好ましくは２×１０
８
／ｃｍ
２
以下、より好ましくは１×１０
７
／ｃｍ
２
以下）と同じかまたは同程度である
（マル５）しかしながら、『
『甲２第一発明』を引用発明とする場合
研磨する工程
研磨工程により
ＧａＮ結晶膜又はＧａＮ基板の裏面の転位密度
エピタキシャル成長したＧａＮ結品膜の低転位密度層の転位密度
よりも増大していることは明らか
　請求人は、上記（マル１）ないし（マル４）の暫定的認定および見解につきましては、異存ございません。しかし、
上記（マル５）につきましては、承服できません
『甲２第一発明』を引用発明とする場合
甲２発明』と『本件発明』における『ｎ側電極との界面近傍における転位密度』は
相違せず、この点は、『本件特許発明』と『甲２第一発明』における『一致点』であります
・・・（表省略）・・・
　以下、この争点を中心にして、合議体の暫定的見解に対する請求人の見解を述べます。
　
（２）甲２第一発明においても、構成Ｃが一致点であること
　ア　本件特許発明１の構成Ｃに関する請求人の主張の概略
　以下で詳述するとおり、合議体による『ＧａＮ基板法』及び『サファイア基板法』の認定自体から、また、甲２の記載自体から、本件特許発明１の構成Ｃは甲２第一発明との関係で一致点であることが明らかです。
　また、このようになる理由は、甲２発明における『研磨』との用語が、本件明細書における『機械研磨』と『転位の除去』を含めた意味で使用されているためですが、この点についても、甲２に明記されています。
　以下にこの２点について説明しますが、甲２における『研磨』の意味を明らかにすることは、以下の議論における先決問題といえるため、最初にこの点を説明し、続いて、この点も踏まえつつ、本件特許発明の構成Ｃが甲２第一発明との一致点であることを説明します。
　
　イ　甲２発明における『研磨』の意味
（ア）『研磨』という用語が多義的であり、当該用語が使用されている文脈でその意味内容を判断しなければならないことについて
　『研磨』という用語は、多義的な用語であり、それが使用される場面に応じて、様々な意味に使用されています。
　この点は、例えば、２０１１年に発行された、研磨分野における教科書的な文献である永暢男著『はじめての研磨加工』（学校法人東京電機大学出版局発行、甲第１２号証）に次のように記載されているとおりです。
『『研磨加工』は・・実はその定義はあいまいで、明確な規定はなされて
いないというのが実情といえる。
利用分野や時代により、また人により
異なった捉え方がされている場合も多い
　このように『研磨』との用語は、その定義があいまい（＝多義的）であって、一義的な定義は存在しません。半導体レーザの分野における特許公報に限定しても、たとえば、次の（ａ）ないし（ｄ）のようにそれぞれの文脈に応じた意味に使用されています（なお、これらの公報は、いずれも、
本件出願前に公知
披請求人の出願
（ａ）
エッチングの意味で使用されている例
『【００５８】その後、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面を
エッチングにより研磨
（ｂ）ＣＭＰ（化学機械研磨）の意味で使用されている例（甲１４：特開２００２−７６５１９号公報、出願人は富士通）
『【００４１】（２）−２
化学機械研磨（ｃｈｅｍｉｃａ１　ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｐｏ１ｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）法を適用することに依り、基板１１の裏面を研磨
　ここでは、「研磨」という用語が、化学的要素と機械的要素を含む処理法であるＣＭＰの意味で使用されています。
（ｃ）
ラッピングの意味で使用されている例（
『【００１８】窒化物基板（６）の裏面を所定角度θだけ傾斜させる方法としては、例えば、先ず基板裏面をＣ面に形成した後、
ラッピング装置などを用いてＣ面に対して斜め方向に研磨を施す方法
　ここでは、『研磨』という用語が、ラッピング（ｌａｐｐｉｎｇ）、すなわち、本件明細書における『機械研磨』の意味で使用されています。
（ｄ）
表面を原子レベル（オングストローム（Å）のオーダ）で制御する処理の意味で使用されている例
『【００８１】上記のように第１ＧａＮ層４を成長させた後、図中のＡ−Ａ線上の第１ＧａＮ層４を
研磨して除去
『【００８２】以上のようにして、図１（ｃ）に示すように、第１ＧａＮ層４にオフ面が形成されたＧａＮオフ基板２５を作製する。この場合、ＧａＮオフ基板２５の表面、すなわち第１ＧａＮ層４のオフ面は、
原子オーダの段差
原子オーダの段差
　ここでは、『研磨』という用語が、表面を原子レベル（オングストローム（Å）のオーダ）で制御する処理の意味で使用されています。
　このように、『研磨』という用語は、多義的な用語ですので、その技術的意義は、それぞれの文献における記載（文脈）に基づいて解釈することが必要となります（例えば、技術的範囲に関する判例ですが、東京高判平成１３年４月２５日（平成１２年（ネ）第１２６６号（最高裁判所ＨＰ））を参照。）。
　そこで、以下では、甲２における『研磨』の意味内容をその記載に基づいて説明します。
（イ）甲２の『研磨』の意味内容
　ａ　甲２には、次の記載があります（下線部及び強調は、請求人によります。）。
・・・（中略）・・・
　以上の記載のとおり、甲２では、『研磨』という用語を使用して、『サンドブラスト法』（段落【０１８２】）と、その後に行われるサファイア基板、下地結晶層、選択成長用マスク、ＧａＮエピクキシャル層に至るまでを除去する『常法による研磨除去』（段落【０１８３】）の２つを開示しています。しかるところ、前者の『サンドブラスト法』は、基板を粗く削るという意味において、いわば本件明細書にいう『機械研磨』に相当するものであり、また、後者の『常法による研磨除去』については、『サファイア基板』や『下地結晶層』等を削るという意味において、本件明細書における『機械研磨』に該当したうえで、これに加えて、段落【０１８５】において『この領域を含む層領域（以下
［高転位密度層］という。）を上記研磨の際に除去する
　このように、甲２における『研磨』との用語は、
本件明細書の用語でいうところの、『機械研磨』とその後の転位の『除去』の２つの工程に対応
　なお、上記における『高転位密度層』は結晶成長によって発生した『転位』ですが、このことは、『甲２の研磨が転位を除去する手段である』とする上記の結論にはまったく影響を与えません。また、甲２に記載されているのは、素子の性能に影響が生じないように、その原因となる『転位』が残ることを課題としている発明ですから、その発生原因にかかわらず、最終的に『転位』を残さないようにしていることも明らかです。現に、段落【０１９５】では裏面付近における高転位層の有無を比較しており（ここでは転位の発生原因を区別していません。）、その結果、Ａ群ウェーハではＧａＮ基板ウェーハ全断面にわたって低転位層となっていることを確認し、裏面付近に転位が無い方がよいと結論付けていますし、後述のとおり、甲２では、合議体が認定されている『ＧａＮ基板法』や『サファイア基板法』で用いられている『研磨』によって基板裏面に発生した『転位』の除去が行われています。
　ｂ　また、甲２の段落【０２００】には、次の記載があります。
・・・（中略）・・・
　ここで、仮に、研磨したＧａＮ基板の表面に『転位』が残っていれば、その上に形成した『ＤＨ構造』にも転位は引き継がれますので、得られたレーザの閾値電流は高くなっているはずです（甲２では転位密度が高くなると閾値電流が上がることが記載されています（甲２段落【０１９１】【０１９２】を参照）。）。しかしながら、上記段落【０２００】では、『作製されたストライプレーザの閾値はバラツキが小さく良好なレーザ特性が得られた』と記載されていますので、甲２においては、研磨したＧａＮ基板の表面に転位が生じていないことが明らかです。同様の例が段落【０２０１】にも記載されており、繰り返し甲２の『研磨』を行った面にＤＨ構造を形成すれば良好なレーザ特性が得られることが記載されています。
　この点からも、
甲２の『研磨』が、本件明細書の用語でいうところの、『機械研磨』とその後の転位の『除去』の２つの工程に対応
　
（ウ）小括
　以上のとおり
、甲２における『研磨』というのは、本件明細書の用語でいえば、『機械研磨』とその後の『除去』の２つの工程に対応します
　
　ウ　本件特許発明１の構成Ｃが甲２第一発明との関係で一致点であること
（ア）はじめに
　合議体は、甲２第一発明に関して、これを『サファイア基板法』と『ＧａＮ基板法』とに大別したうえで、いずれにおいても、『ＧａＮ基板またはＧａＮ結晶膜の裏面近傍は、ｎ型電極の形成前までは低転位密度であるが、
n型電極の形成時に研磨されるため
　しかしながら、合議体の認定自体から、また、甲２の開示自体から、甲２第一発明では、『サファイア基板法』においてはもちろん、『ＧａＮ基板法』においても、ｎ型電極の形成後においてＧａＮ基板またはＧａＮ結晶膜の裏面近傍が低転位密度になることが明らかです。
　以下では、前述した甲２における『研磨』の意味も踏まえつつ、この点を説明いたします。
　
（イ）『サファイア基板法』と『ＧａＮ基板法』について
　まず、議論の前提として、合議体が認定されている『サファイア基板法』と『ＧａＮ基板法』の工程を表にしてまとめますと、概略、以下のとおりになります。
　この点は、通知書に記載された合議体の認定においても認められているものと思料いたしますが、念のために、このような認定が正しいことを示すために、甲２の記載に基づいて以下の工程を説明したものを本陳述要領書の別紙『甲２における『サファイア基板法』及び『ＧａＮ基板法』』として添付しますので、必要に応じご参照ください。
・・・（表省略）・・・
　ここで、甲２第一発明が本件発明の構成Ｃと一致しているというためには、サファイア基板法の第３工程、あるいは、ＧａＮ基板法の第５工程における『研磨』によって、基板裏面の『転位』の除去がされていることが明らかにされる必要があります。
　しかるところ、以下で説明するとおり、上記３つのいずれの『研磨』工程においても、基板裏面の『転位』が除去されているのですが、そのうちのＧａＮ基板法の『第３工程』における『研磨』によって基板裏面の『転位』が除去されていることは、合議体の認定自体から異論のないところであると思われますので、最初にこの点を説明したうえで、争点であるサファイア基板法の第３工程、及びＧａＮ基板法の第５工程における『研磨』もこれと同じ意味あること（すなわち、転位の除去をしていること）を説明します。
　
（ウ）ＧａＮ基板法の第３工程における『研磨』
　まず、ＧａＮ基板法の第３工程における『研磨』については、合議体の認定自体から、これが本件発明の構成Ｃとの一致点てあることが明らかです。すなわち、合議体は、ＧａＮ基板法で用いられるＧａＮ基板ウェーハについて、
『
前記ＧａＮ基板法は、例えば、全断面にわたって低転位密度層となっているＧａＮ基板ウェーハを用い
　と認定されていますが、この認定は甲２の記載に照らして正当な認定です。しかるところ、前記表から明らかなとおり、当該通知書で認定されているＧａＮ基板法における『ＧａＮ基板ウェーハ』は、ＧａＮ基板法の第３工程後の状態にあり、第３工程で『研磨』されています（このことは、当該認定における『・・発光素子構造を形成し』がこれに続く第４工程に該当することからも明らかです。）。
　このように、『研磨』されたＧａＮ基板ウェーハが『全断面にわたって低転位密度層となっている』のですから、ＧａＮ基板法の第３工程における『研磨』を行うことで、ＧａＮ基板は、その裏面近傍を含む全断面にわたって低転位密度層［（好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下）と同じか又は同程度：甲２の段落【０１３６】］になることは明らかです。通知書の前記認定も、このことを認める内容になっており、請求人としては、前述のとおり、甲２発明における『研磨』は本件明細書における『転位の除去』を含めたものであることから、当該通知書の認定はきわめて正当なものであると考えます。
　以上のとおり、ＧａＮ基板法の第３工程における『研磨』を経たＧａＮ基板が『転位』が除去された基板であることは、合議体におかれても異論のないところであると思料致します。
　なおご参考までに申し添えると、甲２の発明者により、本件特許の出願前に発表された論文（甲１７）は、ＧａＮ基板法に基づいて作製されたものですが、ＧａＮ基板の膜厚はＬＤ構造成長前もｎ型電極形成後も同じ１００μｍと記載されていることから、第５工程の研磨は行われず、第３工程の研磨のみが行われていると理解されます。そして、ここには閾値電圧が１０．５Ｖで閥値電流が１４４ｍＡで発振するレーザ素子が記載されていますが、仮に、このレーザ素子の転位密度が高く、コンタクト抵抗が高いのであれば、このような電圧・電流ではレーザ発振をしません。このことからしても、ＧａＮ基板法において、研磨の際に、機械研磨により生じた転位を含む高転位密度層が除去されていることが裏付けられているといえます。
　
（エ）サファイア基板法の第３工程における『研磨』
　次に、サファイア基板法の第３工程における『研磨』について説明します。前述のとおり、この点が構成Ｃとの一致点てあるかどうかは、本件の進歩性を検討するうえで、極めて重要な事実となります。
　この点、サファイア基板法の第３工程における『研磨』は、ＧａＮ基板法の第３工程における『研磨』と同様に、『サファイア基板、下地結晶膜、マスク及びＧａＮ結晶膜の一部』を加工対象とし、この加工対象を、共に、『研磨』という用語で表現される加工方法にて加工するものです。したがって、サファイア基板法の第３工程は、ＧａＮ基板法の第３工程における『研磨』と同じものです。この点け甲２の記載から明らかであり、本要領書に添付した別紙でも説明しておりますが、そもそも、ＧａＮ基板法におけるＧａＮ基板は、サファイア基板法で得られたＧａＮ結晶ですので、両者の『研磨』が同じ意味であることは当然です。
　また、前述のとおり、甲２発明における『研磨』は『転位の除去』を含めたものですから、このように理解することは当然といえます。
　したがって、サファイア基板法の第３工程における『研磨』は、ＧａＮ基板法の第３工程における『研磨』と同じ加工結果を有することになり、ＧａＮ基板は、その裏面近傍を含む全断面にわたって低転位密度層［（好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下）と同じか又は同程度：甲２の段落【０１３６】］になります。
　この点に関連してさらに付言しておくと、甲２の段落【０１３７】には、次の記載があります（下線部は、請求人によります。）。
　『【０１３７】また、サファイア基板とマスクを含む下層領域を除去して好適なＧａＮ結晶膜を得るためには、サファイア基板上へ形成するＧａＮ結晶膜の膜厚は、２０μｍ〜１ｍｍが好ましく、８０μｍ〜５００μｍがより好ましい。また、基板とともに除去する下部領域のＧａＮ結晶膜の厚さは３００μｍ以下が好ましく、５〜１５０μｍがより望ましい。
　下地結晶層を形成している場合はサファイア基板等の除去とともに下地結晶層も除去することが好ましい。』
　このように、甲２には、ＴＥＭ等により転位の分布を測定したうえで（甲２段落【０１１９】〜【０１２１】参照）、サファイア基板等を除去する際にはＧａＮ結晶膜の裏面側を高転位密度層の厚み（せいぜい数十μｍ程度です。甲２の図１０参照。）以上に除去（研磨）することが望ましいことが開示されています。つまり、甲２には、高転位密度層を十分に（完全に）除去すべきであることが明記されているといえます。そして、現に、甲２では、実際の作製例についてサファイア基板等を除去した後のサンプルを調査し、裏面付近に転位が残存していない方が良好な特性であったことを確認しています（甲２の段落【０１９３】〜【０１９７】参照）。
　このことからも、サファイア基板法の第３工程における『研磨』は、ＧａＮ基板裏面付近に転位を残さない加工方法であることが理解できます（ＧａＮ基板法の第３工程における『研磨』も同じです。）。
　
（オ）ＧａＮ基板法の第５工程における『研磨』
　最後に、ＧａＮ基板法の第５工程における『研磨』について説明します。前述のとおり、この点が構成Ｃとの一致点であるかどうかも、本件の進歩性を検討するうえで、極めて重要な事実となります。
　ここで、甲２第一発明は、ＧａＮ基板法の第５工程に関して、ＧａＮ基板法の第３工程やサファイア基板法の第３工程の場合と同様に、『研磨』という用語を使用しているところ、一つの明細書において同じ用語は同じ意味で使用されていると考えることが当然です（特許法施行規則様式２９〔備考〕８項）。
　また、ＧａＮ基板法の第５工程は、サファイア基板法の第３工程と同様に、ｎ型電極を形成する直前の工程ですので、ここで求められる技術事項は等価といえます。さらに、前述のとおり、甲２における『研磨』は、転位を除去する加工方法であることが甲２に明記されています。
　したがって、ＧａＮ基板法の第５工程における『研磨』によっても、ＧａＮ基板は、その裏面近傍を含む全断面にわたって低転位密度層［（好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下）と同じか又は同程度：甲２の段落【０１３６】］になることが、甲２の記載自体に明らかに示されています。
　
（カ）補足
　なお、上記の説明は、合議体が、甲２の段落【０１９５】で全断面の転位密度を調べたウェーハについて、ＧａＮ基板法の第４工程直後のもの（すなわち、第５工程の研磨や第６工程による電極が形成される前のもの）と理解されていると思われますので、その理解にしたがい記載しました。
　この理解は、段落【０１９３】で検討されているレーザ素子は、１インチ（約２．５ｃｍ）直径のウェーハ（段落【０１８７】参照）をまずウェーハの中央部１ｃｍ直径を含む（段落【０１９３】参照）素子形成用の小片とその他の小片に分割してから、素子形成用の小片にのみＧａＮ基板法の第５工程および第６工程を行うことで作製されたものであって、その他の小片は第４工程直後の状態にあることを前提にしていると思われます（１インチウェーハ全体について研磨及び電極形成がされているとすれば、段落【０１９５】のウェーハ（２）は第５、第６工程を経たウェーハになるはずです。）。しかし、この発光素子の作製プロセスを記載した段落【０１８９】にはそのような記載はなく、むしろ、１インチウェーハ全体を研磨し、電極を形成した後で、その一部をレーザ素子へ個片化していると理解する方が自然なように思われます。そして、そうであるとすれば、段落【０１９５】で全断面の転位が調べられたウェーハは、ＧａＮ基板法の第５工程および第６工程が行われた後に個片化されずに残された部分であると理解されます。
　仮に、このように理解するのであれば、段落【０１９５】に記載されている『全断面にわたって低転位層』となっているのは、ＧａＮ基板法の第５工程における『研磨』後のＧａＮ基板ということになりますので、この場合には、段落【０１９５】に記載されているのは、『第５工程』を経たＧａＮ基板が、その裏面近傍を含む全断面にわたって低転位密度層［（好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下）と同じか又は同程度：甲２の段落【０１３６】］になっていることとなり、本件の争点であるＧａＮ基板法の第５工程の『研磨』が構成Ｃとの一致点となることが、甲２に明記されていることになります。
　ただし、ウエーハ分割がいずれの工程後に行われたと理解しようとも、前記した内容に大きな差異は生じないものと考えます。
　
（キ）小括
　以上のとおり、甲２第一発明では、サファイア基板法の第３工程における『研磨』、ＧａＮ基板法の第３工程における『研磨』、及びＧａＮ基板法の第５工程における『研磨』のいずれによっても、ＧａＮ基板は、その裏面近傍を含む全断面にわたって低転位密度層［（好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下）と同じか又は同程度：甲２の段落【０１３６】］になります（次表参照）。
・・・（表省略）・・・
　したがって、合議体が通知書において相違点として挙げている本件特許発明１の構成Ｃ『前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり』は、甲２第二発明のみならず、甲２第一発明（サファイア基板法及びＧａＮ基板法）についても一致点となります。
　
　エ　その他の主張の補足
（ア）本件特許発明１の構成Ｃの容易想到性
　なお、本件特許発明１の構成Ｃは、たとえこれが相違点であると仮定しても（甲２における『研磨』が本件発明でいう『機械研磨等の粗い加工』の意味であると仮定しても）、当業者が容易に想到できた程度のものに過ぎません。
　すなわち、甲２には、合議体が認定されたとおり、甲２第二発明として、『ドライエッチング』によりＧａＮ基板の裏面を低転位密度にしたままこれにｎ型電極を形成する発明が記載されています。しかるに、甲２第二発明は甲２第一発明と同じ文献に記載されている発明であること、また、甲２は全断面にわたって低い転位密度の基板を得る発明であるところ、甲２第二発明における『ドライエッチング』は、『研磨（ここでは『機械研磨等の粗い加工』の意味として使用しています。）』と比較して、削るスピードでは劣るが、これよりもダメージを与えない方法（つまり、転位密度を増大させない方法）であることが周知であること、からすれば、甲２第一発明における『研磨（甲２でいえば『サンドブラスト法』等がこれに相当します。）』をしたうえで、その最終的な仕上げとして甲２第二発明に記載された『ドライエッチング』を適用することで、『裏面近傍を含む全断面にわたって低転位密度層［（好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下）と同じか又は同程度：甲２の段落【０１３６】］』とすることは、極めて容易に想到されます（前述のとおり、甲２では『サンドブラスト法』と『常法による研磨除去』という２つの研磨工程を有することを記載していますので、当該『常法による研磨除去（の一部）』に代えて、よりダメージが少ないドライエッチングを適用するというだけのことです。）。そうであるとすれば、甲２第一発明に甲２第二発明の『ドライエッチング』を適用するなどして本件特許発明１の構成Ｃを想到することは、当業者が容易にできたことです。
　また、ＧａＮ基板は、例えば段落【０１８６】では厚みとしては２００μｍ程度ですから、必ずしもこれ以上に薄くして使用しなければならないというものではありません。そうであるとすれば、甲２第一発明において、前記したＧａＮ基板法の第５工程（ＧａＮ基板ウェーハの裏面を『研磨』し、劈開可能な厚さに仕上げる工程）を省略して、２００μｍ程度のままのＧａＮ基板ウェーハに電極を付けることも可能です。そして、この場合のＧａＮ基板ウェーハ裏面近傍の転位密度が『全断面にわたって低転位密度層となっている』ことは通知書に記載されているとおりです（通知書の３頁６〜７行）。したがって、この点からも本件特許発明１の構成Ｃを想到することは容易です。
　なお、基板を必ずしも薄くする必要がないことについては、例えば、被請求人の出願においても、１２０〜２００μｍの基板を用いてエピタキシャル成長後に研磨を行わない態様の記載がありますし（甲１８の段落【００７７】〜【００７８】）、前述した甲２の発明者によって本件特許の出願前に発表された論文（甲１７）では、１００μｍ厚のＧａＮ基板ウェーハを研磨することなく（前述した本件でいうＧａＮ基板法の第５工程に相当するような工程を経ることなく）、厚膜のＧａＮ基板ウェーハに直にｎ電極を付ける構成を開示しています。
　
（イ）本件特許発明１の構成Ｄの容易想到性
　ここで、念のため、本件特許発明１の構成Ｄの容易想到性について付言しておくと、本件特許発明１の課題解決手段の枢要部は、本件特許発明１の構成Ｃであり、本件特許発明１の構成Ｄは、この構成Ｃにより必然的に導かれる構成です。したがって、ＧａＮ基板の裏面近傍における転位密度が本件特許発明１が規定する転位密度以下になっている甲２第一発明及び甲２第二発明においては、当然、コンタクト抵抗も本件特許発明１が規定する値以下になっていることがいえます。
　事実、前述した甲２の発明者によって本件特許の出願前に発表された論文（甲１７）には、閥値電圧が１０．５Ｖで閥値電流が１４４ｍＡで発振するレーザ素子が記載されており、このようなレーザ素子においては、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗が当然に実現されています。したがって、本件特許発明１の構成Ｄは、当業者が容易に想到できたものであることが明らかです。
　なお、甲２第一発明に関して、合議体は、研磨されていないｐ型電極のコンタクト抵抗と研磨されたｎ型電極のコンタクト抵抗とを同じ値と仮定することについて疑問を持たれているようです（通知書６頁の『（２）甲３について』）。しかし、上記のとおり、甲２第一発明では、『研磨』に際して『除去』が行われ、この『研磨』に際して行われる『除去』によって機械研磨で生じた転位が除去されますから、『研磨』により転位密度が増大しません。したがって、甲２第一発明においては、本件特許発明１とは異なり、『研磨』の有無によって転位密度に違いは生じませんので、『研磨』の有無は上記仮定の成立に影響を与えません。
　ちなみに、ｐ型電極のコンタクト抵抗が０．０５Ωｃｍ２程度というのは、半導体分野の総説（甲１９）にも記載されている範囲の数値であり、それ自体、技術的に不合理なものではありません。
　
（ウ）小括
　以上のとおり、本件特許発明１の構成Ｃは、甲２発明との関係において一致点であり、たとえ相違点であるとしても当業者が容易に想到できたものに過ぎません。また、本件特許発明１の構成Ｄは、当業者が容易に想到できる程度のものです。
　
（３）被請求人の平成２５年８月１６日付けの答弁書（以下、単に『答弁書』といいます。）について
　被請求人は、答弁書において、『請求人の主張は全く理由がないものであり、本件特許は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものではないから、本件特許は無効にされるべきものではない』と主張しています（答弁書３頁『７．１　請求人の主たる主張』）。しかしながら、以下で述べるとおり、被請求人の主張がまったくの誤りであることは明らかです。以下、被請求人の答弁書に対する請求人の見解を述べます。
　
　ア　本件特許発明について
　被請求人は、答弁書において、本件特許発明は、『研磨』により『転位密度加増大した領域を除去するごとにより、低い転位密度と低いコンタクト抵抗とを併せ持った素子を実現したものである』と主張しています（答弁書３頁ないし４頁の『７．２　本件特許を無効にすべき理由に対して　（１）本件特許発明について』）。
　しかしながら、上記のとおり、本件特許発明１の構成Ｃは、甲２第一発明との関係において一致点であり、本件特許発明１の構成Ｄは、当業者が容易に想到された構成に過ぎません。また、本件特許発明が特定する程度の転位密度とコンタクト抵抗とを併せ持った素子は、甲２に開示されているもののほか、本件特許の出願前から広く実現されていたものに過ぎず（甲１７、甲２０、甲２１）、本件特許の出願時において、すでに周知の技術でした。
　したがって、上記被請求人の主張には理由がありません。
　
　イ　甲２発明について
　被請求人は、甲２発明では、ｎ型電極を形成する際の『研磨』により転位密度が増大しているはずであるとして、本件特許発明１の構成Ｃが甲２に開示も示唆もされてないと主張しています（答弁書４頁ないし７頁の『７．２　本件特許を無効にすべき理由に対して　（２）甲２発明について』）。
　しかしながら、本件特許発明１の構成Ｃが甲２において開示ないし示唆されていることは上記のとおりですから、被請求人の主張には理由がありません。
　
　ウ　本件特許発明１と先行技術発明との対比（一致点及び相違点の認定）について
　被請求人は、本件特許発明１の構成Ｃが、甲２発明との相違点であり、この相違点について、本件特許出願時に公知であったという証拠は何ら示されていない、と主張しています（答弁書７頁ないし８頁の『（３）本件特許発明と先行技術発明との対比について　ア　本件特許発明１について　（マル１）一致点及び相違点の認定について』）。
　しかしながら、本件特許発明１の構成Ｃが、甲２において開示ないし示唆されており、甲２第一発明及び甲２第二発明との関係で一致点であることは上記のとおりです。
　したがって、被請求人の主張には理由がありません。
　
　エ　本件特許発明１と先行技術発明との対比（相違点の判断）について
（ア）キャリア濃度に関する被請求人の主張について
　被請求人は、『甲２には本件特許明細書で開示されたキャリア濃度が開示されているから、甲２発明では本件特許発明のコンタクト抵抗が当然に達成されている』という趣旨の請求人の主張に関し、『請求人が主張の根拠とする甲１の資料のコンタクト抵抗は、試料４では機械研磨により発生した転位を含打領域が除去され、転位密度が１×１０６ｃｍ−２以下と非常に小さい値であるからこそ達成された値である』（答弁書８頁１３行ないし８頁下５行）と主張しています。
　これは、『研磨』により転位密度が増大すれば、キャリア濃度が低くなり、したがってコンタクト抵抗が高くなる、という趣旨の主張であると思いますが、上記のとおり、甲２第一発明では、『研磨』に際して『除去』が行われ、この『研磨』に際して行われる『除去』によって機械研磨で生じた転位が除去されますから、『研磨』により転位密度が増大しません。
　したがって、被請求人の主張には理由がありません。
　
（イ）転位密度に関する被請求人の主張について
　被請求人は、『甲２に、電極形成面であるＧａＮ基板の研磨裏面近傍の転位密度が記載されていないことは、前述（２）のとおりであるから、請求人の主張は、その前提において誤りである』と主張しています（答弁書８頁下４行ないし９頁５行）。
　しかしながら、上記のとおり、甲２には、電極形成面であるＧａＮ基板の研磨裏面近傍の転位密度が開示ないし示唆されています（甲２の段落【０１９５】）。
　したがって、被請求人の主張には理由がありません。
　
（ウ）ｐ型電極のコンタクト抵抗に関する仮定
　被請求人は、『披請求人が、甲３の２において、ｐ型電極のコンタクト抵抗とｎ型電極のコンタクト抵抗が同じであると仮定したのは、請求人が販売している製品では、ｐ型電極のコンタクト抵抗及びｎ型電極のコンタクト抵抗がともに販売製品として問題がない低い値になっているからである』として、請求人が、審判請求書において、ｐ型電極のコンタクト抵抗とｎ型電極のコンタクト抵抗が同じであると仮定としたのは技術的に全く正当ではない、と主張しています（答弁書９頁６行ないし９頁最終行）。
　しかしながら、上記のとおり、甲２第一発明では、『研磨』に際して『除去』が行われ、この『研磨』に際して行われる『除去』によって機械研磨で生じた転位が除去されますから、『研磨』により転位密度が増大しません。
　したがって、甲２第一発明においては、本件特許発明１とは異なり、『研磨』の有無によって転位密度に違いは生じず、『研磨』の有無は上記仮定の成立に影響を与えませんので、被請求人の主張は誤りです。
　なお、被請求人は、０．０５Ωｃｍ２というコンタクト抵抗が販売製品として問題がある高い値であると主張しているようですが、これは、本件特許発明１が、０．０５Ωｃｍ２というコンタクト抵抗を含んだ発明であることを失念した主張であると考えます。
・・・（中略）・・・
　
　オ　本件特許発明２について
・・・（中略）・・・
　
　カ　本件特許発明３ないし８について
・・・（中略）・・・
　
　キ　本件訂正発明１、５と先行技術発明との対比について
　被請求人は、本件訂正発明１が本件特許発明１を限定したものであるため当業者が容易に発明することができたものではない、と主張します（答弁書１２頁（４）本件訂正発明１、５と先行技術発明との対比について）。
　しかしながら、請求人は、被請求人が答弁書提出に際して、別件無効審判（無効２０１１−８００２０２）との整合を図るべく本件特許発明１、５を本件訂正発明１、５のように訂正するものと考えていましたが、結局、被請求人は当該訂正を行いませんでしたので、本件訂正発明１、５を議論する実益はもはやなくなったものと思いますが、この点を措くとしても、上述のとおり、本件特許発明１は、甲２発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、また、本件訂正発明１は、本件特許発明１における『窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層』を『窒化物系半導体基板からなる第1半導体層』に限定したものに過ぎません。
　したがって、被請求人の主張には理由がありません。
　また、被請求人は、サファイア基板の除去とＧａＮ基板の厚み加工とは全く別の加工であり、サファイア基板の除去の際に行った研磨をＧａＮ基板の厚み加工に転用することは通常考えられず、容易に想到し得るものではない、と主張します（答弁書１２頁７行ないし１３頁下７行）。
　しかしながら、これまで述べてきたとおり、甲２においてサファイア基板の除去の際に行った『研磨』（サファイア基板法の第３工程）とＧａＮ基板の厚み加工に用いる『研磨』（ＧａＮ基板法の第５工程）とは、少なくとも本件明細書における『機械研磨』と『除去』とを含む点において共通していますから、被請求人の主張には理由がありません。
　さらに、披請求人は、『研磨は、粗さを変えて段階的に行うのが普通であり、先の研磨により生じた転位を含む裏面近傍の領域が後の研磨により除去されるとしても、本件訂正発明５の知見を知らなければ、当然に後の研磨により新たな転位が生じることになり、転位密度が１×１０９ｃｍ−２以下にはならないから、請求人の主張は成り立たない』と主張します（答弁書１３頁下６行ないし１４頁８行）。
　しかしながら、繰り返しになりますが、甲２においてサファイア基板の除去の際に行った『研磨』（サファイア基板法の第3工程）とＧａＮ基板の厚み加工に用いる『研磨』（ＧａＮ基板法の第５工程）とは、少なくとも本件明細書における『機械研磨』と『除去』とを含む点において共通しています（なお、甲２が『サンドブラスト法』と『常法による研磨除去』という二段階の『研磨』を開示していることも前述のとおりです。）。したがって、この点でも、披請求人の主張には理由がありません。
　なお、被請求人も認めるとおり、研磨により転位が生じることは、本件特許の出願時において公知ですから（甲３の３の１６頁：『研磨により『転位』が生じることは知られている。』）、当業者であれば、先の研磨に続く後の研磨により新たな転位が生じ得ることは十分に理解しているのであり、かかる理解の下に、後の研磨により生じた新たな転位を含む転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下にすることは、極めて容易に想到されます。
　
（４）結語
　以上のとおり、被請求人の主張には理由がなく、本件特許発明１の構成Ｃは、甲２発明との関係において一致点であり、たとえ相違点であるとしても当業者が容易に想到できたものに過ぎません。また、本件特許発明１の構成Ｄは、当業者が容易に想到できる程度のものです。
　したがって、本件特許発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件特許は、無効にされるべきものです。」
　
４　意見書における請求人の主張の概要
　平成２５年１２月２７日付け意見書（請求人）における請求人の本件発明１についての主張は概ね次のとおりである。
　
「（１）職権審理事項１、２の内容
　第１回口頭審理（平成２５月１１月２７日期日）にて通知された職権審理事項１、２は、次のとおりである。
・・・（中略）・・・
　本件特許発明は、職権審理事項１、２が通知するとおり、特許法第２９条第１項第３号及び同法同条第２項の規定により特許を受けることができないものである。以下では、本件特許発明の位置付けを確認したうえで、本件特許発明が、職権審理事項１、２が通知するとおり特許を受けることができないものであることを説明する。
　
（２）本件特許発明の位置付け
　被請求人は、（１）転位密度の増大によってコンタクト抵抗が増大するという知見が本件特許発明により初めて見出されたものであり、（２）この知見を有していない公知技術では、研磨により生じた転位を含む領域を転位密度が１×１０９ｃｍ-２以下になるまで除去することは困難であると主張しているので（答弁書の４頁など）、この点について最初に述べておく。
　本件特許にかかる別件審決（無効２０１１−８００２０２号及び無効２０１１−８００２０３号）及びその審決取消訴訟判決（平成２４年（行ケ）第１００３０２号及び同１００３０３号）からも明らかなとおり、本件特許出願前から機械研磨によって発生した結晶欠陥層を除去するために基板裏面をエッチング処理すること自体は広く行われていたことであって、この点については多くの公知例（周知例）が存在する。ただ、上記審決や判決によると、それらの公知例においては「転位」に着目した記載がないから、それらの公知例に記載されている「ダメージ層等の除去」と本件発明の「転位を含む領域の除去」とが同一とはいえないとのことであった。
　この点の当否は措くとしても、本件特許発明の進歩性を検討する際には、以下の点については十分にご留意いただきたい。
　すなわち、前述のとおり、本件特許出願前から機械研磨によって発生した結晶欠陥層を除去するために基板裏面をエッチング処理すること自体は広く知られていた。また、本件特許発明ではエッチング量を増やせば「転位を含む領域」は除去され、その結果、（多少の設計事項はあるとしても）コンタクト抵抗が低減するとの発明とされている。そうであるとすれば、本件発明とこれらの周知技術との差は、そこで行われる「エッチング」が転位密度が１×１０９ｃｍ-２以下になるまで行われる除去かどうか、言い換えると、エッチング量が多いか少ないかというだけのことに過ぎない。しかも、本件特許明細書によれば、その実施例では、百数十μｍの厚みを有する研磨済み基板の裏面を０．５μｍや１μｍ程度除去するとされているのであり、この例に基づけば、転位密度が１×１０９ｃｍ-２以下になるまで行われる除去とは、せいぜい、その除去量が基板の厚みに対して２、３％程度の除去に過ぎないのであって、エッチングとして通常行われることのないような量をいっているのではなく、仮に新しい点があるとすれば、「転位密度」という基準があるかどうかというだけである。
　しかるところ、そのような公知例においても、エッチング量を数μｍ程度多くしてはならないなどということはなく、むしろ、百μｍ以上ある基板の裏面に発生した結晶欠陥層を除去するために、エッチング量を厳密に制御しなければならない理由はなく、また、製造過程において、逐一、機械研磨によってどの程度の厚みの結晶欠陥層が発生したのかを確認する術はないことからすれば、当該エッチングとしてはある程度余裕をもって行うことの方が常識的である。そして、そうであるとすれば、従来から行われていたエッチングによっても、事実としては、本件特許発明が実施されていた蓋然性は極めて高いと考えられるし、少なくとも、被請求人であっても、従来技術において、エッチング量を数μｍ程度増やすことが技術として難しいかといえば、これが容易であること（むしろ、設計的事項といってよいこと）は否定しないであろう。
　このような状況において、公知例には「転位」を除去した記載がなく、本件特許発明が「転位密度」という新たな基準に基づいてエッチング量を調整するとの思想を提供したとして、本件特許発明に進歩性を認めるとすれば、これは、従来から行われていた蓋然性が高い技術について、突然、特許権侵害になることを認めることと同義といってよい。
　この点、特許法は新しい「技術思想（発明）」に独占権を付与する制度であることは事実であるが、その一方で、そのような思想が意識されていたか否かとはかかわりなく、事実として行われていたことが立証された行為を含む発明に独占権が付与されることはない（新規性の欠如）。問題は本件のような進歩性の場合に、これを明示した証拠はないが事実としては行われていた蓋然性が極めて高い行為を含む発明について、技術思想を明示した証拠がないという理由のみで独占権を付与できるかであるが、新しい技術に独占権を付与するという特許制度の趣旨からすれば、これは否定されるべきは当然であって、少なくとも、そのような発明に進歩性が認められるためには、当該発明が従来行われた技術を含まないことについて、出願人（特許権者）がその主張立証責任を負担するというべきである。この点は、パラメータ特許に関して特許庁の審査基準が明記しているところであるが、その理は本件のような場合にも同様に当てはまる。
　本件において、被請求人は、（１）転位密度の増大によってコンタクト抵抗が増大するという知見が本件特許発明により初めて見出されたものであり、（２）この知見を有していない公知技術では、研磨により生じた転位を含む領域を転位密度が１×１０９ｃｍ-２以下になるまで除去することは困難であると主張し、本件特許発明の「転位」ないし「転位密度」との基準が新しいこと（公知例に明示されていないこと）を強調するが、要するに、本件発明の実体は、従来から広く行われていた機械研磨によって発生した「結晶欠陥層」（これは、前記審決や判決によっても、本件発明における「転位を含む領域」を含むかもしれないし含まないかもしれない。）を除去するためのエッチング量を多少増やした（あるいは、エッチング量についての基準を転位に求めた）というだけのことに過ぎない。
　繰り返しになるが、本件特許発明に進歩性を認め独占権を付与するということは、従来から広く行われていた機械研磨によって発生した結晶欠陥層を除去するためのエッチング量を、せいぜい数μｍ増やすこと（正確には、従来技術でも行われていた蓋然性が極めて高い行為である）に独占権を付与するということであり、本件の結論の当否は、このことを是とするか否とするかにかかっている。
　本件審理にあたっては、是非、この意味をご理解いただきたい。
（３）職権審理事項１について
　甲２発明を甲２第一発明と甲２第二発明とに分けて意見を述べる。
　ア　甲２第一発明について
　甲２第一発明においては、ＧａＮ結晶膜がｎ型電極の形成前に研磨される（平成２５年９月２５日付け審理事項通知書１頁下から８行〜３頁２０行）。しかしながら、甲２の文脈上、甲２の「研磨」には本件特許発明でいうところの機械研磨と除去が含まれているから（請求人の口頭審理陳述要領書）、甲２第一発明においては、研磨によって転位密度は増大せず、ｎ型電極が形成されるＧａＮ結晶膜の転位密度は、２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下とされる。また、甲２第一発明において０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗が達成されていることは、ＧａＮ結晶膜のキャリア濃度に鑑みても明らかである（審判請求書１５頁１４〜２１行）。したがって、本件特許の請求項１、３ないし８に係る発明は甲２第一発明と同一の発明である。
　
　イ　甲２第二発明について
　甲２第二発明においては、ＧａＮ結晶膜がｎ型電極の形成前にドライエッチングされる（平成２５年９月２５日付け審理事項通知書３頁２３行?４頁３４行）。したがって、甲２第二発明においては、研磨によって転位密度は増大せず、ｎ型電極が形成されるＧａＮ結晶膜の転位密度は、２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下とされる。また、甲２第二発明において０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗が達成されていることは、ＧａＮ結晶膜のキャリア濃度に鑑みても明らかである（審判請求書１５頁１４〜２１行）。したがって、本件特許の請求項１、３ないし８に係る発明は甲２第二発明と同一の発明である。
　
　ウ　小括
　以上のとおり、本件特許の請求項１、３ないし８に係る発明は、甲２第一発明と同一の発明であるとともに、甲２第二発明と同一の発明でもある。したがって、請求項１、３ないし８に係る発明は、甲２第一発明と甲２第二発明のいずれに基づいたとしても、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。よって、本件特許の請求項１、３ないし８に係る発明について新規性が認められないとした職権審理事項１は正当である。
　
（４）職権審理事項２について
　甲２発明を甲２第一発明と甲２第二発明とに分けて意見を述べる。
　ア　甲２第一発明について
　甲２１には、ＧａＮの機械研磨面がドライエッチ処理され、これによりその転位密度が１０７ｃｍ-２より低くなることが明記されている（甲第２１号証の訳文第２頁２行〜３行、及び同頁６〜７行を参照）。しかるに、甲２第一発明と甲２１に記載された技術事項とは、ともに低い転位密度を達成する発明であるから（甲２の【０１３６】）、甲２第一発明に甲２１に記載された技術事項を適用することには動機がある。また、ｎ型電極の形成面を平滑にすることは甲２第一発明において好ましいことであるから、この点でも甲２第一発明に「平滑」な面を得る甲２１に記載された技術事項を適用することには動機がある。したがって、甲２第一発明に甲２１に記載された技術事項を適用して、研磨されたＧａＮ結晶膜をドライエッチ処理し、その転位密度を研磨前の状態に戻し１０９ｃｍ-２以下とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、甲２第一発明において、ｎ型電極の形成面の転位密度を１０９ｃｍ-２以下としたときに０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗が達成されることは、ＧａＮ結晶膜のキャリア濃度に鑑みても明らかである（審判請求書１５頁１４〜２１行） 。
　さらに、平成２４年（行ケ）１０３０２号の判決３４頁６〜１０行にも判示されているとおり、本件出願に係る優先権主張日当時、研磨前のＧａＮ基板の転位密度は、１×１０４〜１０８ｃｍ-２程度であったことは、周知の技術である 。
　よって、請求項１ないし８に係る発明は、甲２第一発明、甲２１に記載された技術事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　イ　甲２第二発明について
　前述のとおり、甲２１には、ＧａＮの機械研磨面がドライエッチ処理され、これによりその転位密度が１０７ｃｍ-２より低くなることが明記されている（甲第２１号証の訳文第２頁２行〜３行、及び同頁６〜７行を参照）。しかるに、甲２第二発明と甲２１に記載された技術事項とは、ともに低い転位密度を達成する発明であるから（甲２の【０１３６】）、甲２第二発明に甲２１に記載された技術事項を適用することには動機がある。また、ｎ型電極の形成面を平滑にすることは甲２第二発明において好ましいことであるから、この点でも甲２第二発明に「平滑」な面を得る甲２１に記載された技術事項を適用することには動機がある。したがって、甲２第二発明において、ＧａＮ結晶膜を直ちにドライエッチ処理することに代えて、まずはＧａＮ結晶膜を機械研磨し、その後、研磨面をドライエッチ処理して、その転位密度を研磨前の状態に戻し１０９ｃｍ-２以下とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、甲２第二発明において、ｎ型電極の形成面の転位密度を１０９ｃｍ-２以下としたときに０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗が達成されることは、ＧａＮ結晶膜のキャリア濃度に鑑みても明らかである（審判請求書１５頁１４〜２１行） 。
　さらに、平成２４年（行ケ）１０３０２号の判決３４頁６〜１０行にも判示されているとおり、本件出願に係る優先権主張日当時、研磨前のＧａＮ基板の転位密度は、１×１０４〜１０８ｃｍ-２程度であったことは、周知の技術である 。
　よって、請求項１ないし８に係る発明は、甲２第二発明、甲２１に記載された技術事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　ウ　小括
　以上のとおり、請求項１ないし８に係る発明は、甲２第一発明、甲２１に記載された技術事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとともに、甲２第二発明、甲２１に記載された技術事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。したがって、請求項１ないし８に係る発明は、甲２第一発明と甲２第二発明のいずれに基づいたとしても、職権審理事項２が通知するとおり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。よって、本件特許の請求項１ないし８に係る発明について進歩性が認められないとした職権審理事項２は正当である。
　
（５）訂正について
　前述のとおり、甲第２１号証には、
ＧａＮの機械研磨面
ドライエッチ処理
　したがって、たとえ請求項１ないし８に係る発明が訂正され、本件特許発明が「機械研磨」や「研磨により生じた転位を含む領域の除去」などという発明特定事項で限定されたとしても、職権審理事項１、２の結論に変わりはない。
　
（６）結語
　以上のとおり、本件特許発明は、職権審理事項１、２が述べるとおり、特許法第２９条第１項第３号及び同法同条第２項の規定により特許を受けることができないものである 。したがって、本件特許は、特許法第１２３条第１項第２号に該当するものとして、速やかに無効にされるべきである。」
　
５　審判事件弁駁書における請求人の主張の概要
　平成２７年４月１３日付け審判事件弁駁書における請求人の主張の概要は概ね次のとおりである。
「（１）はじめに
　被請求人は、平成２６年１１月２１日付手続補正書により補正された平成２５年１２月２７日付訂正請求書（以下、単に『訂正請求書』という。）により、請求項１、５の訂正を請求している。
　しかしながら、これらの訂正（以下、『本件訂正』という。）は、訂正要件に違反するから認められない。また、仮に本件訂正が有効であったとしても、本件訂正は平成２５年１１月２７日付第１回口頭審理調書（以下、単に『第１回口頭審理調書』という。）にて通知された無効理由を解消させるものではないから、本件特許には依然として無効理由がある。
　そこで、弁駁の趣旨で述べたとおりの審決を求める次第である。
　以下、詳述する。
　
（２）本件訂正が訂正要件に違反していることについて
・・・（中略）・・・
　
（３）仮に本件訂正が有効であったとしても、本件特許には依然として無効理由があることについて
　以上のとおり、本件訂正は訂正要件違反であり認められるものではない。しかしながら、仮に本件訂正が有効であったとしても、本件訂正は第１回口頭審理調書にて通知された無効理由を解消させるものではないから、本件特許には依然として無効理由がある。
　以下、説明する。
　
　ア　第１回口頭審理調書にて通知された無効理由
・無効理由１
『請求項１、３ないし８に係る発明は、審判請求書に提示された甲第２号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。』
・無効理由２
『請求項１ないし８に係る発明は、審判請求書に提示された甲第２号証に記載された発明、甲第２１号証に記載された技術事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。』
　
　イ　最終的に得られた生産物自体として本件訂正発明を認定する場合（上記（２）のイ参照）
　本件において、『機械研磨』は製造方法中の一工程に過ぎず、機械研磨を経た後にエッチングで第１半導体層の一部を除去しようと、機械研磨を経ずにエッチングのみで第１半導体層の一部を除去しようと、最終的に得られる生産物自体に変わりはない。
　したがって、最終的に得られた生産物自体として本件訂正発明を認定する場合、本件訂正発明は本件訂正の請求項１から８に係る発明と同一発明ということになる。
　したがって、本件特許は無効理由１、２によって無効にされるべきである。
　
　ウ　『機械研磨』を経てエッチングされた窒化物系半導体素子に限定して本件訂正発明を認定する場合（上記（２）のウ参照）
（ア）甲２第一発明に基づく新規性・進歩性の欠如
　『機械研磨』を経てエッチングされた窒化物系半導体素子は、甲２第一発明に基づき新規性・進歩性が欠如するから、本件特許は無効理由１、２によって無効にされるべきである。
　この点については、請求人が提出した平成２５年１２月２７日付け意見書（以下、「請求人意見書」という。）の７頁、及び８頁から１１頁を参照。
　
（イ）甲２第二発明に基づく進歩性の欠如
　『機械研磨』を経てエッチングされた窒化物系半導体素子は、甲２第二発明に基づき進歩性が欠如するから、本件特許は無効理由２によって無効にされるべきである。
　すなわち、甲２第二発明は、ドライエッチングされたＧａＮ結晶膜にｎ型電極を形成する発明であるところ、甲２１には『機械研磨→ドライエッチング』という工程が開示されているから、甲２第二発明の『ドライエッチング』を甲２１に開示される『機械研磨→ドライエッチング』に替えて本件訂正発明となすことは、当業者が容易に想到し得たことである。また、機械研磨とエッチングを併用して厚み加工することは本件特許の優先日当時における技術常識であるから（例えば甲６、甲２０）、甲２第二発明の『ドライエッチング』を『機械研磨→ドライエッチング』に替えて本件訂正発明を想到することは設計事項に過ぎない（請求人意見書の９頁から１０頁も参照）。
　したがって、『機械研磨』を経てエッチングされた窒化物系半導体素子は、甲２第二発明に基づき進歩性が欠如しており、本件特許は無効理由２によって無効にされるべきである。
　
（ウ）被請求人が提出した平成２５年１２月２７日付け意見書（以下、「被請求人意見書」という。）について
　被請求人は、甲２１にショットキー接触と開示されていることをもって、甲第２号証に記載された発明に甲２１の技術事項を適用することには阻害事由があると主張している（被請求人意見書の１１頁４行以下など）。
　しかしながら、甲２１には、ショットキー接触という結果だけでなく、ショットキー接触にある原因（ＡｌＮ界面層の形成）も開示されているのであるから、当業者であれば、甲２に記載された発明に甲２１の技術事項を適用するにあたり、当該原因に対処してＡｌＮ界面層を形成させない方法（電極材料やアニーリング条件を変えるなど）を適宜採用し、オーミック接触を得ることができる。
　したがって、ショットキー接触は阻害事由にならない。
　被請求人の主張によれば、当業者として、甲２１に開示されたショットキー接触という結果は理解できるが、同じ文献に開示されたその原因や当該原因への対処方法は理解できない者を想定することになるが、当業者とは、
『本願の属する技術分野の出願時の技術常識を有し、研究、開発のための通常の技術的手段を用いることができ、材料の選択や設計変更などの通常の創作能力を発揮でき、かつ、本願発明の属する技術分野の出願時の技術水準にあるもの全てを自らの知識とすることができる者、を想定したものである』（御庁の『特許・実用新案審査基準　第II部　第２章　新規性・進歩性　２　進歩性』参照）
であるから、被請求人の主張はまったくの失当である。
　
（５）結語
　以上のとおりであるから、弁駁の趣旨で述べたとおりの審決を求める。」
　
第３　被請求人の主張の概要
　被請求人は、「本件審判の請求は成り立たない」、「審判費用は請求人の負担とする」との審決を求め（審判事件答弁書３頁１行〜４行）、請求人の主張は、全く理由がないものであり、本件特許は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものでもないから、本件特許は無効にされるべきものではないと主張している（審判事件答弁書３頁１２行〜１５行）。
　
１　証拠方法
　被請求人が提出した乙第１号証（以下「乙１」という。）は次のとおりである。
　
審判事件答弁書に添付したもの
　乙１：別件無効審判事件の平成２４年７月２０日付け審決
　
２　審判事件答弁書における主張の概要
　審判事件答弁書における被請求人の本件発明１についての主張は概ね次のとおりである。
　
「（１）本件特許発明について
　本件特許発明は窒化物系半導体素子を対象とし、第１半導体層はｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなるのであり、ｎ型の窒化物系半導体基板の裏面にｎ側電極が設けられている。このような構成の窒化物系半導体素子において、所定の転位密度及びコンタクト抵抗が本件特許発明の規定する数値を同時に満たすものは、本件特許出願以前に全く知られていなかった。本件特許発明は、ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層を用い、第１半導体層の裏面上にｎ側電極を備えた窒化物系半導体素子において、初めて、ｎ側電極との界面近傍における転位密度を低く抑え、かつ、コンタクト抵抗が低い素子を実現したのである。本件特許出願以前に低い転位密度と低いコンタクト抵抗を併せ持った上記素子が存在しなかったのは、ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかを用いた窒化物系半導体素子を作製するためには、一定の厚さを有する基板の上に素子機能を有する半導体層を積層し、その後で、基板裏面を機械研磨して、基板裏面にｎ側電極を設けるが、実際には、機械研磨によって、ｎ側電極との界面近傍における転位密度が増大し、また、転位密度の増大に起因してコンタクト抵抗が増大してしまうからである。本件特許発明は、このことを見出し、転位密度が増大した領域を除去することにより、低い転位密度と低いコンタクト抵抗を併せ持った素子を実現したものである。本件特許発明の知見を有していない公知技術では、低い転位密度と低いコンタクト抵抗とを併せ持った素子は実現できないのである。
　そこで、本件特許発明では、上記素子の具体的な構成を、ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、ｎ側電極と第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有するとして特定したのである。
　
（２）甲２発明について
　請求人は、甲２発明を
『ａ．ウルツ鉱構造を有するｎ型のＧａＮ結晶膜６５と、
ｂ．前記ＧａＮ結晶膜６５の裏面上に形成されたｎ型電極７４とを備え、
ｃ．ＧａＮ結晶膜６５は、全断面にわたって転位密度が２×１０
８
／ｃｍ
２
以下となる低転位層である
ｅ．ＧａＮ系半導体発光素子。』
と認定している。
　審判請求書の『Ｉ　請求の理由の要約』（３頁、４頁）によれば、甲２の図１１の製造方法により製造されたＧａＮ系半導体装置の実施形態を引用発明とし、甲２発明の構成ｃは、甲２の段落【０１３６】の『このＧａＮ結晶膜中の全転位の転位密度は２×１０８／ｃｍ２以下であることが好ましく、１×１０７／ｃｍ２以下であることがより好ましい。』との記載に基づくものとしている。しかしながら、段落【０１３６】の記載は、『
ＧａＮ結晶膜中の全転位の転位密度
結晶成長の際に発生した
　また、甲２において、『全断面』の記載があるのは、段落【０１９５】であるが、この段落は、段落【０１８７】〜【０１９０】に記載された図１１とは異なる製造方法いより作製された、半導体レーザの結晶成長用のＧａＮ基板ウエーハの評価に関する記載である。そして、この段落【０１９５】には、『Ａ群ウエーハでは
ＧａＮ基板ウエーハ全断面にわたって低転位層
ＧａＮ基板ウエーハ全断面にわたって低転位層
　さらに、審判請求書の４頁において甲２発明として摘記された段落【０１２８】には、次の記載がある。
・＜ＧａＮ系半導体装置の製造＞として、
『【０１２８】次に、
発光素子構造を形成した基板を研磨器にセットし、基板１、下地結晶膜２、マスク４及びＧａＮ結晶膜の一部を研磨してｎ型ＧａＮ結晶膜６５を露出
露出したＧａＮ結晶膜の面、すなわちＧａＮ系半導体発光素子裏面側にｎ型電極７４を形成
　この記載によれば、甲２発明では、基板、下地結晶層、マスク、及びＧａＮ結晶膜の一部を研磨することでＧａＮ基板を作成し、露出したＧａＮ基板の裏面にｎ型電極を形成している。そうすると、甲２発明では、研磨によって、ＧａＮ基板のｎ側電極との界面近傍における転位密度が増大しているはずである。
　また、甲２の段落【０１８３】及び【０１８９】には、図１１とは別の製造方法の説明として、次の記載がある。
・＜異種基板の除去方法＞として、
『【０１８３】以上のようにして反りが解除されたウエーハは、ＧａＮ成長面（ウェーハ表面）にて通常の研磨用重しに平らに張り付けることができ、
サファイア基板、下地結晶層、選択成長用マスクを常法により研磨除去
選択成長用マスクが露出した時点からウエーハ全体の厚さをモニターしながらＧａＮエピタキシャル層に至るまで研磨
・＜青色半導体レーザの作製＞として、
『【０１８９】図１６に、ＧａＮ基板上に形成したＤＨ構造を有する半導体レーザの共振器断面より見た構造断面図を示す。・・・次に、ｐ型電極面で研磨用重しに貼りつけ、
ＧａＮ基板を研磨し、劈開可能な厚さ（通常、６０μｍ〜１００μｍ）に仕上げた後、チタンとアルミニウムからなるｎ型電極２１１を裏面に形成
　これらの記載においても、甲２発明では、サファイア基板、下地結晶層、選択成長用マスク、及びＧａＮエピタキシャル層の一部を研磨することで異種基板を除去したり、研磨により厚さ加工されたＧａＮ基板の裏面にｎ型電極を形成している。すなわち、この場合においても、研磨によって、ＧａＮ基板のｎ側電極との界面近傍における転位密度が増大しているはずである。
　また、甲２の実施例においては、『厚膜成長を行ったＧａＮ結晶膜には、欠陥が非常に少なく、転位密度は１０７／ｃｍ２程度であった。なお、
転位密度は
膜表面付近の平面観察によって計測
転位密度は
膜表面付近の平面観察によって計測
　以上のとおりであるから、請求人が認定する甲２発明の構成ｃは、甲２には開示も示唆もされていない。
　
（３）本件特許発明と先行技術発明との対比について
　ア　本件特許発明１について
　（マル１）一致点及び相違点の認定について
　請求人は、・・・（中略）・・・と認定している。
　しかしながら、そもそも、本件特許発明１は、
『ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　
前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０
９
ｃｍ
−２
以下
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。』
であり、請求人は、本件特許発明１において、転位密度を特定している箇所が『前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍』であるということを看過している。そして、甲２では、電極が形成されるＧａＮ基板の研磨裏面近傍の転位密度が増加しており、甲２には機械研磨により発生した転位を含めて『前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下』が記載されていないことは前示（２）のとおりであるから、本件特許発明１の「前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下」であることは甲２発明との相違点である。
　そして、この相違点について、本件特許出願時に公知であったという証拠は何ら示されていない。本件特許発明１は、ＧａＮ基板の裏面を研磨すると転位密度が高くなり、コンタクト抵抗が高くなることを初めて見出し、コンタクト抵抗を低くするために研磨裏面近傍を除去して、ｎ側電極との界面近傍の転位密度を上記所定の値にしたものであるから、当然に進歩性を有するものである。
　
　（マル２）相違点の判断について
　請求人は、・・・（中略）・・・と主張している。
　しかしながら、請求人が主張の根拠とする甲１の試料４のコンタクト抵抗は、試料４では機械研磨により発生した転位を含む領域が除去され、転位密度が１×１０６ｃｍ−２と非常に小さい値であるからこそ達成された値である。一方、甲２発明では、前示（２）のとおり、ＧａＮ基板裏面の研磨によって
発生した転位が残っており、転位密度が大きいのであるから、甲２発明においてコンタクト抵抗が『０．０５Ωｃｍ２以下』であるということは言えず、請求人の主張は誤りである。
　
　次に、請求人は、・・・（中略）・・・と主張している。
　しかしながら、甲２に、電極形成面であるＧａＮ基板の研磨裏面近傍の転位密度が記載されていないことは、前示（２）のとおりであるから、請求人の主張は、その前提において誤りである。
　
　さらに、請求人は、・・・（中略）・・・と主張している。そして、請求人が２４９Ｖ程度の発振閾値電圧を計算した甲３の１では、ｎ側コンタクト抵抗を本件特許発明１の上限値である０．０５Ωｃｍ２と仮定し、ｐ側コンタクト抵抗についても、被請求人が侵害訴訟において算出した甲３の２（平成２３年の陳述書）と同じ手法という理由で、ｎ側コンタクト抵抗と同じ０．０５Ωｃｍ２と仮定して計算している。
　しかしながら、被請求人が、甲３の２において、ｐ側コンタクト抵抗とｎ側コンタクト抵抗が同じであると仮定したのは、請求人が販売している製品では、ｐ側コンタクト抵抗及びｎ側コンタクト抵抗がともに販売製品としては問題がない低い値になっているからである。請求人は、甲３の１において、ｐ側コンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２としているが、この０．０５Ωｃｍ２という値は、機械研磨により発生した転位が完全には除去されていない時のｎ側コンタクト抵抗と同じ値である（甲１の段落００５４の表１の試料３を参照）。一方、甲２発明では、ｐ型ＧａＮコンタクト層７３のｐ型電極７５と接触する部分は機械研磨されておらず、機械研磨による転位は全く存在していないのであり、ｐ側コンタクト抵抗が０．０５Ωｃｍ２ というような高い値にはならない。すなわち、甲３の１において、発振閾値電圧が２４９Ｖ程度という非常に高い値になったのは、ｐ側コンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２という甲２発明のｐ側コンタクト抵抗としてはあり得ない高い値に仮定したからであり、請求人の主張は技術的に全く正当でない。
　以上のとおり、ｎ側電極との界面近傍における転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とするとともに、ｎ側電極との界面において０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する窒化物系半導体素子は公知ではないし、容易に想到できるものであるはずがない。」
　
３　口頭審理における被請求人の主張の概要
　平成２５年１１月１３日付け口頭審理陳述要領書（被請求人）における被請求人の本件発明１についての主張は概ね次のとおりである。
　
「（１）被請求人に対する審理事項１への回答
　ア　審理事項通知書では、『甲２について』の〔甲２第二発明を引用発明とする場合〕において、『引用発明においては、ＧａＮ結晶膜の裏面を研磨する工程がありませんので、ドライエッチングにより露出したＧａＮ結晶膜の裏面の転位密度は、エピタキシャル成長したＧａＮ結晶膜の低転位密度層の転位密度（好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下）と同じか又は同程度である可能性があります。そうだとすると、本件特許発明１と引用発明との一致点は、『ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層と、前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、前記第１半導体層の前記ｎ側電板との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下である、窒化物系半導体素子。』となり、相違点は請求人が審判請求書で主張する相違点と同じということになります。そして、被請求人は、答弁書において、甲２第二発明を引用発明とする場合の本件特許発明１と引用発明との対比及び判断を記載していませんので、引用発明が本件特許発明１の構成Ｃを備えていないということについての主張、立証が足りていないということになります。』と指摘されている。
　しかしながら、審理事項通知書では、『ドライエッチングにより露出したＧａＮ結晶膜の裏面の転位密度は、エピタキシャル成長したＧａＮ結晶膜の低転位密度層の転位密度（好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下）と同じか又は同程度である可能性があります。』と認定しているが、甲２には、ドライエッチングによる除去で残されたＧａＮ結晶膜の裏面が低転位密度層であるとは記載されていない。このドライエッチングによる除去の一態様が記載された実施例２のＧａＮ結晶膜６５は、実施例１と同様の成長過程により形成されたものである（甲２の段落【０２１２】参照）。甲２の実施例１では、『厚膜成長を行ったＧａＮ結晶膜には、欠陥が非常に少なく、転位密度は１０７／ｃｍ２程度であった。なお、転位密度は、透過電子顕微鏡を用い、膜表面付近の平面観察によって計測した。』（段落【０２０８】）と記載されているように、ＧａＮ結晶膜のエピタキシャル成長の際に生成される転位が最も少ない膜表面付近の転位密度は１０７／ｃｍ２程度であるが、それ以外の転位密度については記載されておらず不明である。したがって、実施例１と同様の成長過程で形成された実施例２についても、ＧａＮ結晶膜６５の転位密度は実施例１の場合と同様に、膜表面付近では１０７／ｃｍ２程度であるが、それ以外については不明である。通知書では、甲２第二発明について、『・・・研磨を行わずにドライエッチングにより前記サファイア基板、前記下地結晶膜、前記マスク及び前記ｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して・・・』と認定しているが、甲２の段落【０２１７】には、ＧａＮ結晶膜６５がどの程度除去されるかは記載されておらず、甲２第二発明におけるドライエッチングにより露出したＧａＮ結晶膜の裏面の転位密度は不明である。そして、そもそも甲２発明の目的は、歪みや欠陥、転位が少なく、また厚い膜であってもクラックが入りにくいＧａＮ結晶膜上に半導体素子構造を形成することであるから、甲２発明の技術的意義は、半導体素子構造を形成するＧａＮ基板の表面の転位密度を低減することにある。したがって、甲２では、ｎ型電極の形成面であるＧａＮ基板の裏面近傍の転位密度は全く考慮されておらず、また、記載もされていないのである。
　以上のとおりであるから、甲２第二発明を引用発明とした場合についても、『前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であ』る本件特許発明１の構成Ｃは、本件特許発明１と甲２第二発明との相違点である。
　
　イ　審理事項通知書では、『甲３について』の〔甲２第二発明を引用発明とする場合〕において、『この場合、ＧａＮ結晶膜の裏面は研磨されませんので、ｐ型ＧａＮコンタクト層上に形成されたｐ型電極のコンタクト抵抗がＧａＮ結晶膜の裏面に形成されたｎ型電極のコンタクト抵抗と同じであるという仮定を置くことは妥当であるのかも知れません』と指摘されている。
　しかしながら、前示（１）のとおり、甲２第二発明におけるドライエッチングにより露出したＧａＮ結晶膜の裏面の転位密度は不明であるから、ｐ型電極のコンタクト抵抗がＧａＮ結晶膜の裏面に形成されたｎ型電極のコンタクト抵抗と同じであるという仮定を置くことはできない。また、そもそも甲３の１で用いられている甲２の段落【０１９１】の＜レーザ特性＞は、甲２の段落【０１８７】〜【０１８９】に記載された方法により作製された半導体レーザの特性であり、甲２第二発明の半導体レーザは、上記の甲２の段落【０１８７】〜【０１８９】に記載された方法により作製された半導体レーザとは全く別のものであるから、甲２には、甲２第二発明の半導体レーザの＜レーザ特性＞については全く記載がない。したがって、甲２第二発明の半導体レーザは発振したかどうか不明であり、また、発振したとしても、どのような発振をしたか全く不明である甲２第二発明の半導体レーザのコンタクト抵抗を、計算により求めることなどできる筈がない。
　以上のとおりであるから、甲２第二発明を引用発明とした場合についても、『前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、』との本件特許発明１の構成Ｄは、甲２第二発明との相違点である。
　
　ウ　審理事項通知書では、本件特許発明２ないし８について、『本件特許発明１が当業者が甲２発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとすれば、本件特許発明２ないし８の構成は、甲４ないし甲１０も考慮すれば、当業者が容易になすことができた程度のものではないか、と合議体は考えます。』と指摘されている。
　しかしながら、本件特許発明２は、第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度を１×１０６ｃｍ−２以下と特定するものである。一方、甲２第二発明を甲２発明とした場合においても、前示（１）のとおり、ＧａＮ結晶膜６５の膜表面付近の転位密度は１０７／ｃｍ２程度であるから、ＧａＮ結晶膜６５の裏面の転位密度は『１×１０６ｃｍ−２以下』にはならない。したがって、本件特許発明２は、甲４ないし甲１０を考慮したとしても、甲２発明に基づいて当業者が容易になすことができたものではない。
　
（２）被請求人に対する審理事項２への回答
　ア　口頭審理において、甲２第二発明を引用発明とする無効理由が口頭で通知された場合には、本件特許発明と甲２第二発明との相違をより明確にするために、請求項１及び請求項５を以下のとおり訂正する用意がある。
　
（ア）訂正事項１
　本件明細書の特許請求の範囲の請求項１を次のとおり訂正する。訂正箇所に下線を付す（以下同様）。
（本件訂正前）
「【請求項１】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。」
（本件訂正後）
「【請求項１】
　
裏面側が研磨された、
の窒
板か
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。」（以下、「訂正発明１」という。）
（イ）訂正事項２
　本件明細書の特許請求の範囲の請求項５を次のとおり訂正する。
（本件訂正前）
「【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が加工された層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。」
（本件訂正後）
「【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が
研磨
れ、該研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された
　
　イ　訂正発明について
（ア）訂正発明１及び訂正発明５について
　訂正発明１は、上記の訂正により、ｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層の裏面側が研磨されたものであることがより明確となる。すなわち、訂正発明１は窒化物系半導体素子を対象とし、第１半導体層は、その裏面側が研磨されたｎ型の窒化物系半導体基板からなるのであり、ｎ型の窒化物系半導体基板の裏面上にｎ側電極が設けられている。このような構成の窒化物系半導体素子において、所定の転位密度及びコンタクト抵抗が訂正発明１の規定する数値を同時に満たすものは、本件特許出願以前に全く知られていなかった。訂正発明１は、裏面側が研磨された、ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層を用い、第１半導体層の裏面上にｎ側電極を備えた窒化物系半導体素子において、初めて、ｎ側電極との界面近傍における転位密度を低く抑え、かつ、コンタクト抵抗が低い素子を実現したのである。本件特許出願以前に低い転位密度と低いコンタクト抵抗を併せ持った上記素子が存在しなかったのは、裏面側が研磨された、ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板を用いた窒化物系半導体素子を作製するためには、一定の厚さを有する基板の上に素子機能を有する半導体層を積層し、その後で、基板の裏面側を研磨して、基板の裏面上にｎ側電極を設けるが、実際には、研磨によって、ｎ側電極との界面近傍における転位密度が増大し、また、転位密度の増大に起因してコンタクト抵抗が増大してしまうからである。訂正発明１は、このことを見出し、研磨によって転位密度が増大した領域を除去することにより、低い転位密度と低いコンタクト抵抗とを併せ持った素子を実現したのである。訂正発明１の知見を有していない公知技術では、裏面側が研磨されたｎ型の窒化物系半導体基板からなる素子において、低い転位密度と低いコンタクト抵抗とを併せ持ったものは実現できないのである。
　そこで、訂正発明１では、上記素子の具体的な構成を、裏面側が研磨された、ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、ｎ側電極と第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有するとして特定したのである。
　また、本件明細書には実施例として、第１半導体層を所定の厚さになるまで裏面側が加工された後、研磨により発生した転位を含む第１半導体層の裏面近傍の領域を除去し、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とし、ｎ側電極と第１半導体層との界面において０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗とする製造方法が具体的に開示されており、訂正発明５においては、窒化物系半導体素子がそのような第１半導体層を用いて作成されていることを表現するために、第１半導体層を所定の厚さになるまで裏面側が研磨され、研磨により発生した転位を含む第１半導体層の裏面近傍の領域が除去されたことを特定したのである。
　
（イ）訂正発明１と甲２第二発明との対比判断
　訂正発明１では、ｎ側電極を形成する基板の裏面側が研磨されているのに対し、甲２第二発明では、研磨は行わずにドライエッチングによりＧａＮ結晶膜の裏面側を除去しており、ＧａＮ結晶膜の裏面側を研磨する工程は存在しないから、ｎ側電極を形成する基板の裏面側が研磨されていることも、訂正発明１と甲２第二発明との相違点である。そして、甲２第二発明では、研磨を行わずにドライエッチングによりＧａＮ結晶膜の裏面側を除去することに技術的意義があるから、ドライエッチングに代えて、ｎ側電極を形成する基板の裏面側を研磨することを適用できるはずがない。また、仮に甲２第二発明において、ドライエッチングに代えて、ｎ側電極を形成する基板の裏面側を研磨するようにしたとしても、訂正発明１の知見を知らなければ、当然に研磨によってｎ側電極との界面近傍における転位密度が増大し、また、転位密度の増大に起因してコンタクト抵抗が増大してしまうことになるから、訂正発明１の低い転位密度と低いコンタクト抵抗とを併せ持った素子は容易に想到できるものではない。したがって、訂正発明１は、甲２第二発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものではない。
　
（ウ）訂正後の請求項２ないし８に係る発明について
　訂正後の請求項２ないし８は請求項１を引用するものであり、訂正発明１が、甲２第二発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものではないから、訂正後の請求項２ないし８に係る発明についても、甲２第二発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものではない。」
　
４　意見書における被請求人の主張の概要
　平成２５年１２月２７日付け意見書（被請求人）における被請求人の本件発明１についての主張は概ね次のとおりである。
　
「（１）本件特許発明について
　ア　本意見書と同時に提出した訂正請求書において訂正された本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された発明は、以下のとおりである。（訂正箇所に下線を付す。）
【請求項１】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型
の窒
板か
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子
（ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く）
【請求項２】
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度が、１×１０６ｃｍ−２以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項３】
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における電子キャリア濃度は、１×１０１７ｃｍ−３以上である、請求項１または２に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項４】
　前記第１半導体層の裏面は、前記第１半導体層の窒素面を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が
機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された
【請求項６】
　前記第１半導体層のｎ型ドーパントが酸素であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項７】
　前記第１半導体層の上面上に、Ｓｉ、Ｓｅ及びＧｅのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項８】
　前記第１半導体層は、ＨＶＰＥ法を用いて形成されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
　
　イ　本件特許発明１について
　本件特許発明１は、上記の訂正により、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子が除かれたため、ｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層の、ｎ側電極が形成される裏面側が機械研磨されたものであることが明確となった。すなわち、本件特許発明１は窒化物系半導体素子を対象とし、第１半導体層は、その裏面側が機械研磨されたｎ型の窒化物系半導体基板からなるのであり、ｎ型の窒化物系半導体基板の裏面上にｎ側電極が設けられている。このような構成の窒化物系半導体素子において、所定の転位密度及びコンタクト抵抗が本件特許発明１の規定する数値を同時に満たすものは、本件特許出願以前に全く知られていなかった。本件特許発明１は、裏面側が機械研磨された、ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層を用い、第１半導体層の裏面上にｎ側電極を備えた窒化物系半導体素子において、初めて、ｎ側電極との界面近傍における転位密度を低く抑え、かつ、コンタクト抵抗が低い素子を実現したのである。本件特許出願以前に低い転位密度と低いコンタクト抵抗を併せ持った上記素子が存在しなかったのは、裏面側が機械研磨された、ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板を用いた窒化物系半導体素子を作製するためには、一定の厚さを有する基板の上に素子機能を有する半導体層を積層し、その後で、基板の裏面側を機械研磨して、基板の裏面上にｎ側電極を設けるが、実際には、機械研磨によって、ｎ側電極との界面近傍における転位密度が増大し、また、転位密度の増大に起因してコンタクト抵抗が増大してしまうからである。本件特許発明１は、このことを見出し、機械研磨によって転位密度が増大した領域を除去することにより、低い転位密度と低いコンタクト抵抗とを併せ持った素子を実現したのである。本件特許発明１の知見を有していない公知技術では、裏面側が機械研磨されたｎ型の窒化物系半導体基板からなる素子において、低い転位密度と低いコンタクト抵抗とを併せ持ったものは実現できないのである。
　そこで、本件特許発明１では、上記素子の具体的な構成を、ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、ｎ側電極と第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有するとして特定し、さらに、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除いたのである。
　また、本件明細書には実施例として、第１半導体層を所定の厚さになるまで裏面側が加工された後、機械研磨により発生した転位を含む第１半導体層の裏面近傍の領域を除去し、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とし、ｎ側電極と第１半導体層との界面において０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗とする製造方法が具体的に開示されており、本件特許発明５においては、窒化物系半導体素子がそのような第１半導体層を用いて作成されていることを表現するために、第１半導体層を所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、機械研磨により発生した転位を含む第１半導体層の裏面近傍の領域が除去されたことを特定したのである。
　
（２）甲第２号証について
　ア　甲第２号証では、サファイア基板上に形成されたＧａＮ結晶膜５、６５は、段落【０２０５】及び【０２１１】に記載されているように、サファイア基板の（０００１）面上に成長した膜である。サファイア等の種基板の（０００１）面上にＧａＮ膜を成長した場合、たとえば、甲第７号証の段落【００１４】、【００３５】〜【００３９】、図２３に記載されているように、種基板を除去したＧａＮ膜は、上面がＧａ終端面となり、下面がＮ終端面となる。すなわち、甲２第一発明、甲２第二発明における、サファイア基板の（０００１）面上に成長したＧａＮ結晶膜５、６５は、上面がＧａ面（Ｇａ終端面）であり、サファイア基板を除去することにより露出した下面がＮ面（Ｎ終端面）である。
　甲２第一発明のサファイア基板法では、サファイア基板、マスク等を研磨により除去し、ＧａＮ結晶膜を露出させ、その露出したＧａＮ結晶膜の面にｎ型電極を形成している。また、ＧａＮ基板法では、サファイア基板が除去された側の裏面を研磨してＧａＮ基板を劈開可能な厚さに仕上げ、その研磨された面にｎ型電極を形成している。したがって、甲２第一発明では、サファイア基板法、ＧａＮ基板法のいずれにおいても、ＧａＮ結晶膜５、６５の露出した下面（Ｎ面）にｎ型電極を形成しており、ＧａＮ基板の裏面であるＮ面にｎ型電極が形成された素子である。
　また、甲２第二発明においても、研磨を行わずにドライエッチングによりサファイア基板、マスク等を除去して露出したＧａＮ結晶膜６５の下面（Ｎ面）にｎ型電極を形成しており、甲２第一発明と同様、ＧａＮ基板の裏面であるＮ面にｎ型電極が形成された素子である。
　
　イ　甲２第一発明では、ＧａＮ結晶膜又はＧａＮ基板にｎ型電極を形成する前に、該ＧａＮ結晶膜又はＧａＮ基板の裏面を機械研磨する工程があり、該機械研磨により転位が発生して転位密度が増大しているが、甲第２号証のどこにもｎ型電極を形成するために機械研磨して露出したＧａＮ結晶膜又はＧａＮ基板の裏面近傍における転位密度が記載されていないことは、審理事項通知書４頁３５行〜５頁６行に記載のとおりである。また、甲２第一発明は、機械研磨で発生したＧａＮ基板の裏面側の『転位』を除去した後に、ｎ型電極を形成するものではない。
　甲２第二発明では、研磨を行わずにドライエッチングによりサファイア基板、マスク等を除去しており、本件特許発明の課題であるコンタクト抵抗の増大の原因となる『転位』は発生していない。
　また、甲第２号証の段落【０１７５】には、マスクを選択エッチングで除いた場合、ウエーハ裏面にマスクの跡であるストライプ状の溝ができ、このような溝等があればゴミや汚れがつきやすく、かつ取りにくくなる場合もあるため、マスクを除去した後、裏面が平坦になるように研磨あるいは研削を行うことが好ましいと記載されている。この段落【０１７５】の記載は、機械研磨で発生する『転位』を除去するどころか、サファイア基板やマスクを除去する工程の最後に、『転位』が発生する機械研磨を行うことが好ましいという内容であり、むしろ、本件特許発明と逆の技術思想である。
　したがって、甲第２号証には、機械研磨で発生した『転位』を電極形成前に除去し、低いコンタクト抵抗のｎ型電極を形成するという技術は全く開示も示唆もない。
　
（３）甲第２１号証について
　ア　甲第２１号証には、以下のことが記載されている。
・ＧａＮ基板を使用する利点は、裏面ｎ電極のデバイスを作製できることであり、活性層を含む素子構造は、通常、ＧａＮ基板のＧａ極性側に成長させるため、裏面オーミック電極はＧａＮのＮ極性側に形成する必要がある。本研究では、ｎ型ＧａＮ基板へのＴｉ／Ａｌ電極の電気特性に対する結晶極性（Ｇａ極性、Ｎ極性）の影響を検討する。（３２５４頁左欄４行〜６行、同欄２３行〜２６行、同欄２９行〜３１行参照）
・サファイア基板上に成長されたＧａＮ層をサファイア基板から剥離して得たＧａＮウエハについて、Ｇａ面とＮ面の両方を、機械研磨とドライエッチ処理し、Ｇａ面及びＮ面ともに、代表的な転位密度を１０７ｃｍ−２よりも低くしたあと、Ｇａ面、Ｎ面のそれぞれに電極を形成した。（３２５４頁右欄３行〜８行、同欄１３行〜１５行、同欄２４行〜２６行参照）
・それぞれの電極に対して高温でアニールを行い、Ｉ−Ｖ特性を測定したところ、Ｇａ面上の電極では接触抵抗率は２×１０−５Ωｃｍ２のオーミックとなったが、Ｎ面上の電極ではショットキーダイオード特性が測定された。（３２５５頁左欄１４行〜２５行、同頁右欄１行〜５行、３２５６頁左欄５行〜９行参照）
・まとめると、異なる極性を有する試料上に作製された電極の電気特性は大きく異なっており、ｎ型ＧａＮのＧａ面上の電極は高温でアニールするとオーミックとなったが、ｎ型ＧａＮのＮ面上の電極は同一のアニール条件でショットキーコンタクトを形成する。（３２５６頁右欄２２〜３０行参照）
　すなわち、甲第２１号証には、裏面ｎ電極が形成されるＧａＮ基板のＮ面については、機械研磨とドライエッチングを行った後、電極を形成してもオーミック電極を形成することはできず、ショットキーコンタクトとなることが記載されているのであり、むしろ、ＧａＮ基板のＮ面に機械研磨とドライエッチングを行った後に電極を形成することを否定している文献である。
　したがって、甲第２１号証には、ＧａＮ基板のＮ面からなる裏面への電極形成前に、機械研磨とドライエッチを行い、低いコンタクト抵抗のｎ電極を形成する技術は全く記載されていない。
　なお、甲第２１号証の３２５５頁の図３には、５００℃で３０秒アニールした後のＮ面のＩ−Ｖ特性について記載されているが、０．１Ｖでの電流は１×１０−５Ａであるから、抵抗Ｒは約１００００Ωである。ここで、Ｇａ面の接触抵抗率とｎ−ＧａＮウエハの抵抗は十分小さいから、試料全体の抵抗Ｒは、ほとんどＮ面のコンタクト抵抗によるものである。甲第２１号証では、Ｎ面に直径１８０μｍの電極を形成（３２５６頁左欄３行参照）しているから、Ｎ面での接触抵抗率は約２．５Ωｃｍ２と計算される。すなわち、図３の５００℃で３０秒アニールした後の試料のＮ面では、０．０５Ωｃｍ２以下の接触抵抗率は得られていないことは明らかである。また、甲第２１号証の図２の５００℃でアニールした場合についても、図３の５００℃で３０秒アニールした試料と同じ試料であるから、０．０５Ωｃｍ２以下の接触抵抗率は得られていない。
　
　イ　甲第２１号証は無効審判事件（無効２０１１−８００２０２）の甲１７であり、この無効審判事件の審決取消訴訟である３０２号判決では、甲１７（本件の甲第２１号証）について、『原告は，・・・甲１７には，エッチング除去した後の基板の表面の転位密度が１０７ｃｍ−２よりも低かったこと，コンタクト抵抗が２×１０−５Ωｃｍ２であったことが記載されており，これらの内容は本件発明１と同内容であると主張する。しかし，甲１７に記載された接触抵抗率は、Ｇａ面（表面）についてのものであって、Ｎ面（裏面）に関するものではない。また、これらの文献には、結晶欠陥である転位についての記載はあるものの、研磨によって転位が生ずること、研磨によって生じた転位をエッチングによって除去することに関する記載はなく、そのような過程を経ることによってコンタクト抵抗が低下することに関する記載もない。したがって、これらの記載から、機械研磨で生じた『転位』を電極形成前にエッチングで除去することが記載されていると認めることはできない。』（３６頁９行〜２０行）と判示している。
　すなわち、甲第２１号証に、機械研磨で生じた『転位』を電極形成前にエッチングで除去することが記載されていないことは、３０２号判決でも判示されており、これは上記アの記載とも一致している。
　
（４）無効理由１に対して
　ア　本件特許発明１と甲２第二発明との対比判断
　本件特許発明１では、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子が除かれているのに対し、甲２第二発明は、前記（１）エのとおり、「研磨を行わずにドライエッチングにより前記サファイア基板、前記下地結晶膜、前記マスク及び前記ｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して、露出したＧａＮ結晶膜の面、すなわち素子裏面側にチタンとアルミニウムからなるｎ型電極を形成し、ｐ型ＧａＮコンタクト層上にニッケルと金からなるｐ型電極を形成する工程を含む、ＧａＮ系半導体発光素子。」である。すなわち、甲２第二発明では、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造されているから、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子が除かれていることは、本件特許発明１と甲２第二発明との相違点である。また、甲２第二発明では、研磨を行わずにドライエッチングによりＧａＮ結晶膜の裏面側を除去することに技術的意義があるから、ドライエッチングに代えて、ｎ側電極を形成する基板の裏面側を研磨することを適用できるはずもない。
　したがって、本件特許発明１は、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く点で甲２第二発明と相違するから、甲２第二発明と同一ではない。
　
　イ　本件特許発明３ないし本件特許発明８について
　請求項３ないし８は請求項１を引用するものであり、本件特許発明１が甲２第二発明と同一ではないから、本件特許発明３ないし本件特許発明８についても、甲２第二発明と同一ではない。
　
（５）無効理由２に対して
　ア　本件特許発明１について
　甲第２号証に記載された甲２第一発明及び甲２第二発明はいずれも、ＧａＮ基板の裏面であるＮ面にｎ電極が形成された素子である。一方、甲第２１号証は、裏面ｎ電極が形成されるｎ型ＧａＮ基板のＮ面に対して、機械研磨とドライエッチングを行っても低いコンタクト抵抗の電極を形成することはできず、ショットキーコンタクトとなってしまうことが記載されており、ＧａＮ基板のＮ面に機械研磨とドライエッチングを行った後に電極を形成するということを否定している。したがって、甲２第一発明や甲２第二発明のＧａＮ基板の裏面（Ｎ面）に対して、甲第２１号証の機械研磨とドライエッチングの技術を適用するための動機付けがない上に、大きな阻害要因が存在する。
　また、甲第２号証には、電極形成前に機械研磨により発生した『転位』を除去して、コンタクト抵抗を低減するという技術思想（知見）は全くない。甲第２１号証にも、ＧａＮ基板のＮ面（裏面）への電極形成前に、機械研磨とドライエッチを行い、低いコンタクト抵抗の電極を形成する技術は記載されておらず、機械研磨で生じた『転位』を電極形成前にエッチングで除去することが記載されていないことは、３０２号判決でも判示されている。したがって、本件特許発明の技術思想の根幹であるＧａＮ基板の裏面への電極形成前に、機械研磨で発生した『転位』を除去して、低いコンタクト抵抗の電極を形成するという技術は、甲第２号証及び甲第２１号証のいずれにも全く開示も示唆もない。
　そして、３０２号判決では、『技術事項１』（研磨前のＧａＮ基板の転位密度は，１×１０６ｃｍ−２程度であったこと）、『技術事項２』（ＧａＮ基板を機械研磨すると，ＧａＮ基板内部に当業者が「ダメージ」等と呼称し，また，本件発明では『転位』と呼称されている，透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察される結晶欠陥が生じること）、及び『技術事項３』（電極形成前に，『転位』（当業者がいう『ダメージ』等）の全て（少なくとも『大部分』。）をエッチングなどで除去すること（その結果，エッチング後の基板の転位密度が，元の転位密度に戻っていること））について、甲１７（本件の甲第２１号証）を含む証拠に対し、『以上によれば，原告の主張する技術事項２及び３については，周知の技術であったと認めることができない。』とし、かつ、以下のように判示している。
『また，仮に技術事項１ないし３がいずれも周知の技術であったとしても，引用発明において，ＧａＮ基板のｎ型電極との界面近傍における転位密度が１×１０９ｃｍ−２以下になっているものとは認められない。
　すなわち，前記第４の１（２）のとおり，本件発明の課題は，ｎ型ＧａＮ基板の裏面を機械研磨することにより基板裏面近傍に発生した転位によって，基板裏面上に形成したｎ型電極とのコンタクト抵抗が増加することであって，その解決手段は，ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層（ＧａＮ基板）のｎ側電極との界面近傍における転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とすることである。
　・・・
　また，技術事項１ないし３に関して原告が提出した各証拠にも，本件発明の上記課題やその解決手段については何ら記載も示唆もされていない。
　以上のとおり，引用例や原告が提出した上記各証拠には，ＧａＮ基板を機械研磨することにより発生する『転位』によって，ｎ電極とのコンタクト抵抗が増加するという課題の認識はなく，その転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下にするという技術思想もないのであるから，転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下にするような転位の除去を行う動機付けは開示されておらず，仮に，技術事項１ないし３が周知技術であったとしても，引用発明に技術事項１ないし３を適用することにより，ＧａＮ基板のｎ型電極との界面近傍における転位密度が１×１０９ｃｍ−２以下になっているということはできない。』（３７頁１５行〜３８頁１５行）
　すなわち、甲第２号証や甲第２１号証においても、ＧａＮ基板を機械研磨することにより発生する『転位』によって、ｎ電極とのコンタクト抵抗が増加するという課題の認識はなく、その転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下にするという技術思想もないのであるから、転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下にするような転位の除去を行う動機付けは開示されておらず、仮に、技術事項１ないし３が周知技術であったとしても、甲２第一発明や甲２第二発明に技術事項１ないし３を適用することにより、ＧａＮ基板のｎ型電極との界面近傍における転位密度が１×１０９ｃｍ−２以下になっているということはできないのである。
　
　以上のとおりであるから、本件特許発明は、甲第２号証、甲第２１号証及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができものではない。
　イ　本件特許発明２ないし本件特許発明８について
　請求項２ないし８は請求項１を引用するものであり、本件特許発明１が、甲第２号証、甲第２１号証及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件特許発明２ないし本件特許発明８についても、甲第２号証、甲第２１号証及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（６）むすび
　以上述べたとおり、平成２５年１１月２７日付け無効理由通知の無効理由に理由はなく、本件特許に無効理由は存在しないから、本件審判請求は成り立たないとの審決を求めるものである。」
　
５　上申書における被請求人の主張の概要
　平成２７年９月２８日付け上申書（被請求人）における被請求人の主張は概ね次のとおりである。
　
「５　上申の内容
　被請求人は、平成２７年７月２８日付け審決の予告を受けて、以下のとおり上申する。
　
５．１　審決の予告について
　平成２７年７月２８日付け審決の予告の内容は、概ね以下の（１）及び（２）のとおりである。
（１）『第５　訂正請求についての当審の判断』の『２　訂正の可否に対する判断』について
・・・（省略）・・・
（２）『第６　本件発明に対する当審の判断』について
　審決の予告では、本件訂正の請求は認められなかったので、本件発明１ないし本件発明８は、本件訂正前の特許請求の範囲に記載されたものと認定した上で、本件発明１と甲２第二発明とは、
『ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下である、
窒化物系半導体素子。』
で一致し、
相違点：『前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面』における『コンタクト抵抗』が、本件発明１では、『０．０５Ωｃｍ２以下』であるのに対し、甲３第一発明（被請求人注：『甲２第二発明』の誤記と認められる。）では、０．０５Ωｃｍ２以下であるかどうか不明である点
で相違すると認定している。そして、甲２第二発明において第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下となすことは、発明を実施する際に当業者が適宜なし得る程度の、いわゆる設計的事項であるから、甲２第二発明において、第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下となすこと、すなわち、相違点に係る本件発明１の構成となすことは、当業者が容易になし得たことであると判断している。
（３）手続違背について
　特許無効審判における訂正の請求を規定する特許法第１３４条の２第５項では、『審判官は、第一項の訂正の請求が同項ただし書各号に掲げる事項を目的とせず、又は第九項において読み替えて準用する第百二十六条第五項から第七項までの規定に適合しないことについて、当事者又は参加人が申し立てない理由についても、審理することができる。この場合において、当該理由により訂正の請求を認めないときは、
審判長は、審理の結果を当事者及び参加人に通知し、相当の期間を指定して、意見を申し立てる機会を与えなければならない
『訂正拒絶理由通知に関する一六五条は、従来から特許無効審判における訂正請求に準用されていたが、本来査定系審判である訂正審判に関する規定であるため、訂正請求が不適法である理由が職権で発見されたものであるか、或いは審判請求人が申し立てたものであるか否かに拘わらず、常に審判長が訂正請求をした特許権者にその旨通知し、相当期間を定めて意見書を提出する機会を与えることとしていた。
　しかし、
当事者系の特許無効審判においては、審判請求人が、訂正請求における訂正が不適法であることを主張することがある。その場合においては、その主張に対して被請求人に答弁機会が与えられるから、審判長がさらに同一の訂正拒絶理由について通知をし、答弁機会を付与すると、同一の論争を再度繰り返すこととなり、不必要に審理を長期化させる原因となっていた
　この記載によれば、職権審理の結果とは関係なく、請求人が、訂正請求における訂正が不適法であることを主張した場合には、その主張に対して被請求人に答弁の機会が与えられるとされている。
　本件では、審決の予告における訂正請求に対する審判合議体の判断は、請求人が平成２７年４月１３日付け弁駁書で主張した、訂正請求における訂正が不適法であるとした訂正拒絶の理由に基づくものである。そして、審決の予告に記載された訂正拒絶の理由は、審決の予告が届くまで被請求人に提示されていないから、特許法第１３４条の２第５項に基づいて訂正拒絶理由が通知されるべきものであった。また、審判合議体においても、審決の予告の『エ　ＰＢＰクレームとしてみた場合の明確性について』（イ）において、『被請求人は、本件の審理において、本件特許について、不可能・非実際的事情が存在する旨の主張をしておらず、非請求人のすべての主張に鑑みても、そのような事情の存在を認めるべき根拠を見出すことはできない。』と説示しているとおり、被請求人が審決の予告に記載された訂正拒絶理由に対する意見を述べていないことは認識していたと解される。しかるに、本件では、訂正拒絶理由が通知されることなく審決の予告がなされたため、被請求人は、審決の予告に記載された訂正拒絶理由に対する意見を述べることができなかったのである。訂正拒絶理由が通知されていれば、被請求人は本上申書と同様な内容の意見を述べることができたのであり、その後たとえ審決の予告がなされたとしても、その審決の予告には被請求人の意見に対する判断が記載されたいたはずであるから、被請求人は、その審判合議体の判断を参酌した上で、訂正を行うことができたのである。したがって、今後、仮に審決の予告と同様な内容の審決がなされるとしたも、審決の前に被請求人には再度訂正の機会が与えられるべきであると思料する。
　
５．２　本件訂正発明について
（１）本上申書と同時に提出した訂正請求書において訂正された本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された発明は、以下のとおりである。（訂正箇所に下線を付す。）
【請求項１】 
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子
 （ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く）
【請求項２】
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度が、１×１０６ｃｍ−２以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項３】
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における電子キャリア濃度は、１×１０１７ｃｍ−３以上である、請求項１または２に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項４】
　前記第１半導体層の裏面は、前記第１半導体層の窒素面を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が
機械研磨
機械研磨
２
【請求項６】
　前記第１半導体層のｎ型ドーパントが酸素であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。 
【請求項７】
　前記第１半導体層の上面上に、Ｓｉ、Ｓｅ及びＧｅのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の窒化物系半導体素子。 
【請求項８】
　前記第１半導体層は、ＨＶＰＥ法を用いて形成されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項９】
　
ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０
９
ｃｍ
−２
以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ
２
以下のコンタクト抵抗を有し、
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする、窒化物系半導体素子
　なお、本件訂正は、本件訂正前の請求項１〜４の記載を引用する請求項５を、請求項２〜４の記載を引用する新たな請求項５と、請求項１の記載を引用しない独立形式の新たな請求項９とにすること以外は、平成２５年１２月２５日付け訂正請求書による訂正（以下、「前訂正」という。）と同じ内容のものである。
　
（２）本件訂正発明について
　本件訂正発明１は、本件訂正により、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子が除かれたため、ｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層の、ｎ側電極が形成される裏面側が機械研磨されたものであることが明確となった。すなわち、本件訂正発明１は窒化物系半導体素子を対象とし、第１半導体層は、その裏面側が機械研磨されたｎ型の窒化物系半導体基板からなるのであり、ｎ型の窒化物系半導体基板の裏面上にｎ側電極が設けられている。このような構成の窒化物系半導体素子において、所定の転位密度及びコンタクト抵抗が本件訂正発明１の規定する数値を同時に満たすものは、本件特許出願以前に全く知られていなかった。本件訂正発明１は、裏面側が機械研磨された、ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層を用い、第１半導体層の裏面上にｎ側電極を備えた窒化物系半導体素子において、初めて、ｎ側電極との界面近傍における転位密度を低く抑え、かつ、コンタクト抵抗が低い素子を実現したのである。本件特許出願以前に低い転位密度と低いコンタクト抵抗を併せ持った上記素子が存在しなかったのは、裏面側が機械研磨された、ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板を用いた窒化物系半導体素子を作製するためには、一定の厚さを有する基板の上に素子機能を有する半導体層を積層し、その後で、素子の劈開、分離のために所定の厚さになるまで基板の裏面側を機械研磨して、基板の裏面上にｎ側電極を設けるが、実際には、機械研磨によって、ｎ側電極との界面近傍における転位密度が増大し、また、転位密度の増大に起因してコンタクト抵抗が増大してしまうからである。本件訂正発明１は、このことを見出し、機械研磨によって転位密度が増大した領域を除去することにより、低い転位密度と低いコンタクト抵抗とを併せ持った素子を実現したのである。本件訂正発明１の知見を有していない公知技術では、裏面側が機械研磨されたｎ型の窒化物系半導体基板からなる素子において、低い転位密度と低いコンタクト抵抗とを併せ持ったものは実現できないのである。
　そこで、本件訂正発明１では、上記素子の具体的な構成を、ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、ｎ側電極と第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有するとして特定し、さらに、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除いたのである。
　また、本件明細書には実施例として、第１半導体層を所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨された後、機械研磨により発生した転位を含む第１半導体層の裏面近傍の領域を除去し、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とし、ｎ側電極と第１半導体層との界面において０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗とする製造方法が具体的に開示されており、本件訂正発明５及び９においては、窒化物系半導体素子がそのような第１半導体層を用いて作成されていることを表現するために、第１半導体層を所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、機械研磨により発生した転位を含む第１半導体層の裏面近傍の領域が除去されたことを特定したのである。
　
５．３　訂正請求について
（１）本上申書と同時に提出した訂正請求書では、以下の訂正事項１ないし訂正事項３からなる訂正を請求した。
　ア　訂正事項１
　本件明細書の特許請求の範囲の請求項１を次のとおり訂正する。
（本件訂正前）
『【請求項１】 
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。』
（本件訂正後）
『【請求項１】 
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子
 （ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く）
　イ　訂正事項２
　本件明細書の特許請求の範囲の請求項５を次のとおり訂正する。
（本件訂正前）
『【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が加工され、該加工により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。』
（本件訂正後）
『【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が
機械研磨
機械研磨
２
　ウ　訂正事項３
　本件明細書の特許請求の範囲の請求項１の記載を引用する請求項５を新たな請求項９とするとともに、請求項５の『加工』を『機械研磨』として、次のとおり訂正する。
（本件訂正後）
『
【請求項９】
　
ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０
９
ｃｍ
−２
以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ
２
以下のコンタクト抵抗を有し、
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする、窒化物系半導体素子
　
（２）訂正事項１について
　ア　訂正請求書において述べたとおり、訂正事項１は、本件発明が、ｎ側電極が形成されるｎ型ＧａＮ基板の裏面にコンタクト抵抗増加の原因である機械研磨が行われていることを前提とするものであることを明確にするために、本件訂正前の請求項１に、新たな発明特定事項である『ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く』を付加して、ｎ型ＧａＮ基板の裏面に機械研磨を行わずに製造された素子を除外するものである。発明は、技術的思想の創作であり、特許請求の範囲は技術的思想を記述するものであるから、訂正事項１のように新たな発明特定事項を追加した本件訂正後の請求項１は、機械研磨を行わずにエッチングによりコンタクト抵抗増加の技術課題を生じずに製造された素子を含んでいる本件訂正前の請求項１よりも、技術的範囲が減縮されていることは明らかである。したがって、本件訂正後の請求項１記載の第１半導体層は、ｎ側電極が形成される裏面側が機械研磨されたものであることが明確となるように減縮されることになるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　イ　また、仮に、機械研磨を行った後にエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子と、機械研磨を行わずにエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子とが、物（窒化物系半導体素子）として差異がないとの理由で、訂正事項１が特許請求の範囲を減縮するものではないとしても、訂正事項１は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当するものである。
　すなわち、窒化物系半導体基板からなる素子は、製造中の強度を得るために、ある程度の厚さが必要であるが、分割するためには、所定の厚さになるまで薄くする必要があるため、機械研磨により厚み加工をしている。厚み加工をすることは、エッチングのみでも可能であるが、所定の厚さになるまで薄くするためには膨大な時間を必要とする。このため、窒化物系半導体素子は、機械研磨を行うことなく、エッチングのみで厚み加工して製造することは現実的でなく、実際に行われていない。したがって、甲第２号証の段落【０２１７】の『研磨を行わずにドライエッチングによりｎ型ＧａＮ層６６または６５まで除去してｎ型電極を形成』との記載は、単に理論的には可能であることを示すにすぎず、現実の製造方法として実現されることを記載したのではないから、上記記載から甲２第二発明を認定することは妥当でない。これに対し、本件発明では、通常の製造方法による機械研磨が行われており、その結果転位が生じていることを前提として、『第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下』と限定しているのであるが、本件では、審判合議体から上記段落に基づいて認定した甲２第二発明に基づく無効理由が通知されたため、被請求人は、本件発明と甲２第二発明との区別を明確にするために『除くクレーム』とする訂正を行ったのである。
　訂正事項１は、形式的には特許請求の範囲の減縮に相当するが、現実の製造方法としては、エッチングのみで厚み加工して製造することは行われていないから、本件発明が、エッチングのみで厚み加工するという非効率で工業的生産としては現実には行われない製造方法により製造された甲２第二発明とは異なるものであることを明確にするために行ったものであり、不明瞭な記載の釈明に相当する。すなわち、本件発明は実施可能な発明であるから、『除くクレーム』とする訂正を行わなくても、機械研磨が行われ、その結果転位が生じていることを前提とするものであることは明らかであるが、審判合議体は、本件発明が、エッチングのみで膜厚を薄くするという工業的生産としては現実には行われない製造方法により製造された窒化物系半導体素子である甲２第二発明と対比できるものと判断しているため、訂正事項１により、あえて本件発明を明確化したのである。
　ウ　さらに、仮に本件訂正発明１がＰＢＰクレームであるとしても、ＰＢＰクレームでなければならない不可能・非実際的事項が存在する。以下に、その理由を述べる。
　本件発明は、窒化物系半導体基板を機械研磨することによって生じる転位がコンタクト抵抗を増大させるという技術課題を初めて見出し、その技術課題を初めて解決した新しい窒化物系半導体素子であることに技術的特徴がある。そして、このような技術的特徴を備えた窒化物系半導体素子であることを特定するためには、『電極が形成される第１半導体層の裏面側が機械研磨されていること』、あるいは『機械研磨を行わずに第１半導体層の一部を除去して露出した裏面に電極を形成する工程を含む製造方法により製造されたものを除くこと』により、本件発明を特定するしかなく、物の構造又は特性により直接特定することは不可能である。すなわち、本件訂正発明１がＰＢＰクレームであるとしても、そこには、ＰＢＰクレームでなければならない不可能・非実際的事情が存在する。
　
（３）訂正事項２について
　本件訂正の訂正事項２は、本件訂正前の請求項１の記載を引用する請求項５を、請求項１の記載を引用しないものとした以外は、前訂正の訂正事項２と同じである。そして、審決の予告において、審判合議体は、『本件訂正前の本件特許の明細書等には、「機械研磨を行った後にエッチングする方法」で製造された窒化物系半導体素子が記載されているから、「加工」を「機械研磨」に訂正しようとする訂正事項２を含む本件発明が、特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでないともいえない。』（６８頁２０行〜２４行）、『訂正事項２については、「加工」をその下位概念である「機械研磨」に変更するものであり、請求項５の記載事項を限定することによって特許請求の範囲を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。』（同頁３３行〜３６行）と判断しているから、本件訂正の訂正事項２についても、同様にすべての訂正要件を満たすものである。
　
（４）訂正事項３について
　本件訂正の訂正事項３は、本件訂正前の請求項１の記載を引用する請求項５を、請求項１の記載を引用しない独立形式の新たな請求項９としたものであるから、上記（３）と同様に、すべての訂正要件を満たすものである。
　
５．４　審決の予告の『第６　本件発明に対する当審の判断』に対して
　本上申書と同時に提出した訂正請求書で訂正した本件訂正発明１ないし本件訂正発明９について、『第６　本件発明に対する当審の判断』に対する意見を述べる。
（１）本件訂正発明１について
　本件訂正発明１は、前訂正発明１と同じ内容のものであり、平成２５年１２月２７日付け意見書において詳細に述べたとおり、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子が除かれていることが、甲２第二発明との相違点である。また、甲２第二発明では、研磨を行わずにドライエッチングによりＧａＮ結晶膜の裏面側を除去することに技術的意義があるから、ドライエッチングに代えて、ｎ側電極を形成する基板の裏面側を研磨することが適用されるはずもない。
　したがって、本件訂正発明１は、甲２第二発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　
（２）本件訂正発明２ないし本件訂正発明８について
　本件訂正発明２ないし本件訂正発明８は、請求項２ないし請求項８が請求項１を引用するものであるから、本件訂正特許発明１と同様の理由により、甲２第二発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　
（３）本件訂正発明９について
　
本件訂正発明９は、第１半導体層が、所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層である。すなわち、
第１半導体層が、所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であること
　したがって、本件訂正発明９は、甲２第二発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　
５．５　平成２５年１１月２７日付け無効理由通知の無効理由に対して
　平成２５年１１月２７日付け無効理由通知の無効理由についても、上記５．４で述べたことと同様の理由により、本件訂正発明１ないし本件訂正発明９は、甲第２号証、甲第２１号証及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。したがって、無効理由通知の無効理由に理由はない。
　
５．６　むすび
　以上述べたとおり、審決の予告における訂正拒絶理由及び無効理由、並びに、平成２５年１１月２７日付け無効理由通知の無効理由に理由はなく、本件特許に無効理由は存在しないから、本件審判請求は成り立たないとの審決を求めるものである。」
　
６　意見書における被請求人の主張の概要
　平成２８年２月３日付け意見書（被請求人）における被請求人の主張は概ね次のとおりである。
　
「（１）訂正拒絶理由通知の内容
・・・（略）・・・
　
（２）訂正事項１について
　ア　物としての同一性に対して
　訂正拒絶理由では、機械研磨を行った後にエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子と、機械研磨を行わずにエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子とは、少なくとも、前者の窒化物系半導体素子がエッチングにより窒化物系半導体素子の裏面（窒素面）から機械研磨により生じた転位を含む層が完全に除去された場合に、ｎ側電極形成前の裏面（窒素面）の転位の存在状態の点において、物（窒化物系半導体素子）としてどのように異なるのかが不明であり、ｎ側電極形成前の裏面（窒素面）の状態以外の点において、両者の間に、物の構造、特性等に何らかの差異があると考えるべき根拠も見出せないと判断している。
　しかしながら、特許請求の範囲は技術的思想を表すものであるから（特許法第３６条第５項、同法第２条第１項参照）、特許請求の範囲が実際の窒化物系半導体素子を表現しているものとして比較するのではなく、本件訂正の前後における請求項１に係る発明の技術的思想について比較検討する必要がある。すなわち、本件訂正前の請求項１に係る発明は、窒化物系半導体基板を機械研磨することにより発生する『転位』によって、ｎ電極とのコンタクト抵抗が増加するという課題を認識し、その『転位』の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下にするために転位を除去して、１×１０９ｃｍ−２以下の転位密度と、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を共に有する窒化物系半導体素子の技術的思想であるが、機械研磨を行わずにエッチングのみで製造されたことにより、上記転位密度とコンタクト抵抗の条件を満たす素子の技術的思想をも含むものである。これに対し、訂正事項１は、『機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く』ことで、本件訂正前の請求項１に係る発明から、機械研磨を行わずにエッチングのみで製造された素子の技術的思想を排除するものであるから、本件訂正の前後で、請求項１に係る発明の技術的思想は異なるものである。一方、特許法第１３４条の２第１項第１号の『特許請求の範囲の減縮』も、技術的思想の範囲における減縮である。したがって、訂正後の請求項１の技術的思想は、訂正前の請求項１の技術的思想から一部排除することで減縮されているから、訂正事項１は、『特許請求の範囲の減縮』を目的とするものに該当する。
　次に、上記の訂正拒絶理由の『物（窒化物系半導体素子）としてどのように異なるのか』に対して意見を述べると、機械研磨を行わずにエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子は、基板の厚み加工（例えば、４００ミクロンから１００ミクロン）が行われていない素子であるから、本件訂正により除かれた後の、機械研磨により厚み加工が行われている素子とは物としても異なる。機械研磨による厚み加工の代わりにエッチングにより厚み加工を行うことは現実的でないから、技術的思想としてはそのような素子を考えることができるが、実際の物としては考えられない。したがって、特許請求の範囲の記載が現実のものを表現しているとの考え方によっても、両者は、物の構造、特性等に差異があるというべきである。つまり、訂正事項１における『ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く』という事項は、現実の物（窒化物系半導体素子）の構造、特性等として、機械研磨による厚み加工を行わないで製造された物(窒化物系半導体素子)を排除しているから、『訂正事項１により被請求人が除こうとしている物と、除かれた後に残った物のうちの一部との間に物（窒化物系半導体素子）としての差異がな』いということはない。いずれにしても、訂正事項１は、特許請求の範囲を減縮するものであり、訂正目的要件を充足する。
　
　イ　ＰＢＰクレームとしてみた場合の明確性に対して
（ア）まず、訂正拒絶理由では、最高裁判決を引用し、不可能・非実際的事情が存在するか否かを検討している。
　しかしながら、最高裁判決は、『物の発明についての特許に係る特許請求の範囲の記載において、その製造方法が記載されていると、一般的には、当該製造方法が当該物のどのような構造若しくは特性を表しているのか、又は物の発明であってもその特許発明の技術的範囲を当該製造方法により製造された物に限定しているのかが不明であり、特許請求の範囲等の記載を読む者において、当該発明の内容を明確に理解することができず、権利者がどの範囲において独占権を有するのかについて予測可能性を奪うことになり、適当ではない。』ということを前提としている。 これに対し、本件訂正発明についてみると、厚み加工をすることはエッチングのみでも可能であるが、所定の厚さになるまで薄くするためには膨大な時間を必要とするから、窒化物系半導体素子は、機械研磨を行うことなく、エッチングのみで厚み加工して製造することは現実的でなく、工業的生産としては実際に行われていない。そうすると、当業者であれば、請求項１に、『ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く』という事項が記載されていたとしても、非効率で現実的でなく工業的生産としては実際に行われていない事項を除いているにすぎないものと、発明の内容を明確に理解することができ、権利者がどの範囲において独占権を有するのかについて予測可能性を奪うということはない。したがって、訂正後の請求項１は、最高裁判決に基づいて、不可能・非実際的事情が存在するか否かを検討する必要がなく、特許請求の範囲の記載が特許法３６条６項２号にいう『発明が明確であること』という要件に適合するといえるものである。
　
（イ）次に、不可能・非実際的事情が存在するか否かについても検討する。
　本件訂正発明は、窒化物系半導体基板を機械研磨した場合の技術課題を解決しようとするものであって、機械研磨された半導体基板を前提とするものであるが、『機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く』という本件訂正発明の特徴を、物の構造又は特性により直接特定することは、不可能である。すなわち、本件訂正発明と『機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子』との差は、窒化物系半導体素子中に機械研磨による転位が存在する可能性がある場合と、全く存在しない場合という窒化物系半導体素子の結晶性の違いによるものであり、製造方法以外の文言により特定することは、不可能である。そして、他に、上記特徴を構造上又は特性上、明確に特定する文言も存在しない。
　仮に、機械研磨による転位が窒化物系半導体素子のどの位置まで発生しているのかを明確にするために、窒化物系半導体素子の内部における転位密度を測定したとしても、その特定の試料の転位の状態が判明するだけのことにすぎない。そのような測定を多数回繰り返し、統計的処理を行い、上記の特徴を特定する指標を見いだすには、著しく多くの試行錯誤を重ねることが必要であり、およそ実際的ではない。
　したがって、訂正後の請求項１は、不可能・非実際的事情が存在するから、『発明が明確であること』という要件に適合するものである。
　
（ウ）以上のとおり、ＰＢＰクレームとしてみた場合においても、訂正後の請求項１は、不可能・非実際的事情が存在するから、『発明が明確であること』という要件に適合し、本件訂正前の請求項１に、新たな発明特定事項である『ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く』を付加して、ｎ型ＧａＮ基板の裏面に機械研磨を行わずに製造された素子を除外するものであり、訂正事項１は、『特許請求の範囲の減縮』を目的とするものに該当する。
　
　ウ　明瞭でない記載の釈明に当たるか否かに対して
（ア）訂正拒絶理由では、本件訂正前の請求項１が機械研磨を行わずにエッチングする方法で製造したものを包含することは明確なのであって、そもそも本件訂正前の請求項１の記載が『明瞭でない記載』であるとは認められないと判断している。
　しかしながら、本件訂正発明は、窒化物系半導体基板を機械研磨した場合の技術課題を解決しようとするものであって、機械研磨された半導体基板を前提とするものであるから、訂正拒絶理由で指摘されている本件訂正前の請求項１が、機械研磨を行わずにエッチングする方法で製造したものを包含することが明確であるということは、技術課題を解決する必要のない方法で製造したものを包含することを意味する。すなわち、本件訂正前の請求項１は、発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載されていないから、明確ではない。したがって、訂正事項１は、請求項１に係る発明を、機械研磨を行わずにエッチングする方法で製造したものを排除することで明確にしているから、『明瞭でない記載の釈明』を目的とするものに該当する。
　
（イ）訂正拒絶理由では、訂正事項１によりｎ側電極が形成される裏面側が機械研磨を行わずにエッチングにより除去されたものを含まないことが明確となったとしても、請求項１に係る発明が物として明確になったとはいえず、むしろ、訂正事項１によって除こうとしている物と除かれた後に残った物のうちの一部との間に物として差異がないということは、何が除かれたのかが不明ということでもあるから、物としては不明確になったとみることもできると判断している。
　しかしながら、上記アで述べたとおり、訂正事項１は、物(窒化物系半導体素子)の構造、特性等として、機械研磨による転位が全く発生することのない物(窒化物系半導体素子)を排除しているから、物として明確にするものである。
　
　エ　審決の予告において、審判合議体は、『本件訂正前の本件特許の明細書等には、上記（１）ウで述べたとおり、本発明の一実施形態である、「機械研磨を行った後にエッチングする方法」で製造された窒化物系半導体素子が記載されており、他方、「機械研磨を行わずにエッチングする方法」で製造された窒化物系半導体素子については本件特許の明細書の【００６８】に記載されているから、請求項１の記載から後者の物を除く訂正事項１を含む本件訂正が、特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでないとはいえない。』(６８頁１３行〜１９行)と判断しているから、本件訂正の訂正事項１についても同様に、新規事項の追加禁止の要件を満たすものである。また、訂正事項１は、特許請求の範囲の減縮又は明瞭でない記載の釈明を目的とするものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。したがって、訂正事項１は、すべての訂正要件を満たすものである。
　
（３）訂正事項２について
　ア　まず、下記の裁判例（東京高裁平成１７年３月２８日(平成１６年(行ケ)第４２７号））において判示されているように、訂正が特許法１２６条１項ただし書の要件を満たすか否かの判断においては、請求項の訂正が、請求項の記載全体として同項ただし書に適合するかを検討する必要がある。
　
○　東京高裁平成１７年３月２８日（平成１６年（行ケ）第４２７号）
『（４）本件審決の取消事由
　本件審決は、本件訂正が特許法１２６条１項ただし書の要件に適合するか否かの判断を誤り、かつ、本件訂正発明が独立特許要件を満たすか否かの判断を誤ったものであり、その誤りが本件審決の結論に影響を及ぼすことは明らかである。
　ア　訂正事項についての判断の誤り(取消事由１)
　訂正が特許法１２６条１項ただし書の要件を満たすか否かについては、訂正前の特許請求の範囲の記載と、訂正後の特許請求の範囲の記載を全体として比較し、「特許請求の範囲の減縮」に当たるか否かを判断すべきである。
　本件訂正のうち、本件訂正前（設定登録時）の請求項１の「ステアリルアミン」を「艶消し効果及び表面汚れ防止効果付与物質としてのステアリルアミン」とする訂正が、ステアリルアミンという化合物自体の減縮を意味しないとしても、本件訂正は、本件訂正前の請求項１につき、ステアリルアミンについての上記訂正に加えて、「シラノール縮合触媒」を含むものとする限定を付しているから、本件訂正後の請求項１に記載された発明である本件訂正発明は、本件訂正前の請求項１に記載された発明と対比して、全体として減縮したものとなっている。
　したがって、本件訂正は「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものというべきでり、本件訂正は、特許法１２６条１項ただし書の要件を満たしている。
・・・
３　被告の反論
　審判請求人たる原告がした本件訂正が特許法１２６条１項ただし書、同条４項の規定に適合しないとした本件審決の判断に、誤りはない。
（１）訂正の目的についての判断の誤り（取消事由１）について
　本件訂正が特許法１２６条１項ただし書の規定する訂正の要件を充足するか否かについては、本件訂正の各箇所のすべてについて、それぞれ、その訂正が同項ただし書の規定のいずれに該当する訂正であるかどうかを判断すべきものであって、特定の請求項に係る特許請求の範囲の全体につき訂正前と訂正後の記載内容を比較して「特許請求の範囲の減縮」に該当するか否かを判断すべきものではない。
　例えば、特許請求の範囲において、訂正が一つで、その訂正が特許請求の範囲の減縮にも、明りょうでない記載の釈明にも、誤記・誤訳の訂正にも該当しない場合、その訂正は認められないはずであり、訂正が２箇所で、一つの箇所が「特許請求の範囲の減縮」に該当する場合には、他の箇所が同項ただし書各号のいずれにも該当しないときでも、全体として「特許請求の範囲の減縮」に該当するとして、訂正が認められるとすると、訂正が一つの場合と二つの場合とでその結果の判断が違ってくることになり、整合性がとれなくなるからである。
　本件審決は、上記の観点に立って、本件訂正は、特許法１２６条１項ただし書の規定に適合しないと判断したものであり、正当である。
・・・
第４　当裁判所の判断
・・・
２　取消事由１（訂正事項についての判断の誤り）について
（１）本件訂正審判の請求は、前記のように本件訂正前の請求項２を削除することを求めるとともに、本件訂正前の請求項１につき、（マル１）「ステアリルアミン」を「艶消し効果及び表面汚れ防止効果付与物質としてのステアリルアミン」とする訂正と、（マル２）「シラノール縮合触媒」を含むものと限定する訂正との２つの訂正を求めるものである。そして、上記（マル２）の訂正は「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものと認められる。また、上記（マル１）の訂正は、単にステアルアミンの添加効果あるいは添加目的を示す記載を付加するものにすぎず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでないことは明らかである。したがって、本件訂正前の請求項１についての上記（マル１）（マル２）の訂正は、全体として「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものと解するのが相当であるから、請求項２の削除を含む本件訂正は、同項ただし書に適合するというべきである。してみると、本件訂正が特許法１２６条１項ただし書の規定に適合しないとした本件審決は、その判断を誤ったものということになる。』
　
　本件訂正事項２についてみると、訂正拒絶理由通知においても、訂正事項２のうち『請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子』を『請求項２〜４のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子』とした点は、訂正前に含まれていた請求項１の記載のみを引用する請求項５が訂正後は含まれなくなるから特許請求の範囲の減縮を目的とすると認められている。そうすると、訂正事項２における『加工』を『機械研磨』とした点が特許請求の範囲を減縮するものであるか否かにかかわらず、訂正事項２は、全体として『特許請求の範囲の減縮』を目的とするから、訂正目的要件を充足するものである。
　
　イ　また、本件訂正発明は、窒化物系半導体基板を機械研磨した場合の技術課題を解決しようとするものであり、機械研磨された半導体基板を前提とするものであるから、本件訂正前の請求項５が、『機械研磨』以外の『加工』を包含するということは、技術課題を解決する必要のない方法で製造したものを包含することを意味する。すなわち、本件訂正前の請求項５は、発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載されていないから、明確ではない。したがって、訂正事項２は、請求項５に係る発明を、機械研磨に特定することで明確にしているから、『明瞭でない記載の釈明』を目的とするものに該当する。
　
　ウ　そして、審決の予告において、審判合議体は、『本件訂正前の本件特許の明細書等には、「機械研磨を行った後にエッチングする方法」で製造された窒化物系半導体素子が記載されているから、「加工」を「機械研磨」に訂正しようとする訂正事項２を含む本件訂正が、特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでないともいえない。』（６８頁２０行〜２４行）、『訂正事項２については、「加工」をその下位概念である「機械研磨」に変更するものであり、請求項５の記載事項を限定することによって特許請求の範囲を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。』（同頁３３行〜３６行）と判断しているから、本件訂正の訂正事項２についても、同様にすべての訂正要件を満たすものである。
　
（４）訂正事項３について
　本件訂正の訂正事項３は、本件訂正前の請求項１の記載を引用する請求項５を、請求項１の記載を引用しない独立形式の新たな請求項９としたものであり、この訂正事項が、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項を引用しないものとすることを訂正の目的とするものであることは、訂正拒絶理由通知においても認められている。また、請求項５の『加工』を『機械研磨』とする訂正についても、審決の予告（６８頁３３行〜３６行）で判断されているとおり、『加工』をその下位概念である『機械研磨』に変更するものであり、特許請求の範囲を減縮するものであるから、訂正目的要件を充足する。また仮に、この訂正が特許請求の範囲を減縮するものではないとしても、上記（３）アと同様に、訂正事項３における『加工』を『機械研磨』とした点が特許請求の範囲を減縮するものであるか否かにかかわらず、訂正事項３は、全体として『他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項を引用しないものとすること』を目的とするから、訂正目的要件を充足するものである。したがって、上記（３）と同様の理由により、訂正事項３は、すべての訂正要件を満たすものである。
　
（５）むすび
　以上述べたとおり、請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正（訂正事項１及び２）、並びに、請求項９に係る訂正（訂正事項３）は、すべての訂正要件に適合し、本件訂正に訂正拒絶理由は存在しないから、本件訂正は認められるべきものである。
　また、訂正後の請求項９については、引用関係の解消を目的とする訂正であるから、この訂正が認められる場合には、請求項１〜８とは別の請求単位として扱われることを求める。
　
（６）訂正の機会について
　平成２７年９月２８日付け上申書で述べたとおり、本件では、訂正拒絶理由が通知されることなく審決の予告がなされたため、被請求人は、審決の予告に記載された訂正拒絶理由に対する意見を述べることができなかった。訂正拒絶理由が通知されていれば、被請求人は上申書と同様な内容の意見を述べることができたのであり、その後たとえ審決の予告がなされたとしても、その審決の予告には被請求人の意見に対する判断が記載されていたはずであるから、被請求人は、その審判合議体の判断を参酌した上で、訂正を行うことができたのである。そして、この点は、今回、訂正拒絶理由が通知されたからといって解消されるものではないから、今後、仮に審決の予告と同様な内容の審決がなされるとしても、審決の前に被請求人には再度訂正の機会が与えられるべきであると思料する。」
　
７　上申書における被請求人の主張の概要
　平成２８年９月８日付け上申書（被請求人）における被請求人の主張は概ね次のとおりである。
　
「５　上申の内容
　被請求人は、平成２８年７月５日付け審決の予告を受けて、以下のとおり上申する。
５．１　審決の予告について
　平成２８年７月５日付け審決の予告の内容は、概ね以下の（１）及び（２）のとおりである。
（１）『第５　訂正請求（その２）についての当審の判断』について
　審決の予告では、請求項１に『ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く』という事項を付加する訂正事項１は、これによって特定される発明の範囲自体が実質的には本件訂正（その２）の前と後で何ら変わっていないものであり、特許法第１３４条の２第１項ただし書に規定する要件を充足しないから、請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正は、これを認めることができないと判断している。
　
（２）『第６　本件発明に対する当審の判断』の『３　対比・判断』について
　ア　審決の予告では、本件訂正の請求は認められなかったので、本件発明１ないし本件発明８は、本件訂正前の特許請求の範囲に記載されたものと認定した上で、本件発明１と甲２第二発明とは、
　『ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極を備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下である、
　窒化物系半導体素子。』
で一致し、
相違点：『前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面』における『コンタクト抵抗』が、本件発明１では、『０．０５Ωｃｍ２以下』であるのに対し、甲２第二発明では、０．０５Ωｃｍ２以下であるかどうか不明である点
で相違すると認定している。そして、甲２第二発明において第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下となすことは、発明を実施する際に当業者が適宜なし得る程度の、いわゆる設計的事項であるから、甲２第二発明において、第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下となすこと、すなわち、相違点に係る本件発明１の構成となすことは、当業者が容易になし得たことであると判断している。
　
　イ　審決の予告では、本件発明９の要旨は、最高裁判決の判示に従えば、製造方法により製造された物と構造、特性等が同一である物として認定されるべきものであり、本件発明９は本件発明１と何ら変わらないから、本件発明９と甲２第二発明との対比により導出される両者の相違点は、結局、本件発明１と甲２第二発明との相違点に帰結するのであって、同様に、甲２第二発明において、当該相違点に係る本件発明９の構成となすことは、当業者が容易になし得たことであると判断している。
　
　ウ　審決の予告では、『（５）付言』として、仮に、本件訂正（その２）の請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正を認めたとしても、本件訂正発明１において、『ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く』としたことによっても、甲２第二発明と何ら差異のない物（窒化物系半導体素子）が依然として含まれているのだから、『物同一説』によれば、結局、本件訂正発明１は、甲２第二発明を除いたことになっていないといわざるを得ないから、本件訂正発明１と甲２第二発明との対比により導出される両者の相違点は、結局、本件発明１と甲２第二発明との相違点に帰結するのであって、同様に、甲２第二発明において、当該相違点に係る本件訂正発明１の構成となすことは、当業者が容易になし得たことであると判断している。
　
５．２　本件訂正発明について
（１）本上申書と同時に提出した訂正請求書において訂正された本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された発明は、以下のとおりである。（訂正箇所に下線を付す。）
【請求項１】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の
ＧａＮ
り、裏面側が機械研磨された
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。
【請求項２】
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度が、１×１０６ｃｍ−２以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項３】
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における電子キャリア濃度は、１×１０１７ｃｍ−３以上である、請求項１または２に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項４】
　前記第１半導体層の裏面は、前記第１半導体層の窒素面を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が
機械研磨
機械研磨
２
【請求項６】
　前記第１半導体層のｎ型ドーパントが酸素であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項７】
　前記第１半導体層の上面上に、Ｓｉ、Ｓｅ及びＧｅのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項８】
　前記第１半導体層は、ＨＶＰＥ法を用いて形成されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項９】
　
ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０
９
ｃｍ
−２
以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ
２
以下のコンタクト抵抗を有し、
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする、窒化物系半導体素子
　
　なお、本件訂正は、請求項１について以外は、平成２７年９月２８日付け訂正請求書による訂正（以下、『前訂正』という。）と同じ内容である。
　
（２）本件訂正発明について
　本件訂正発明１は、本件訂正により、『窒化物半導体基板』をその下位概念である『
ＧａＮ
裏面側が機械研磨された
　そこで、本件訂正発明１では、上記素子の具体的な構成を、ウルツ鉱構造を有するｎ型のＧａＮ基板からなり、裏面側が機械研磨された第１半導体層と、第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、ｎ側電極と第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有するとして特定したのである。
　また、本件明細書には実施例として、第１半導体層を所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨された後、機械研磨により発生した転位を含む第１半導体層の裏面近傍の領域を除去し、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とし、ｎ側電極と第１半導体層との界面において０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗とする製造方法が具体的に開示されており、本件訂正発明５及び９においては、窒化物系半導体素子がそのような第１半導体層を用いて作成されていることを表現するために、第１半導体層を所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、機械研磨により発生した転位を含む第１半導体層の裏面近傍の領域が除去されたことを特定したのである。
　
５．３　訂正請求について
（１）本上申書と同時に提出した訂正請求書では、以下の訂正事項１ないし訂正事項３からなる訂正を請求した。
　ア　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１を次のとおり訂正する。
（本件訂正前）
『【請求項１】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。』
（本件訂正後）
『【請求項１】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の
ＧａＮ
り、裏面側が機械研磨された
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。』
　
　イ　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項５を次のとおり訂正する。
（本件訂正前）
『【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が加工され、該加工により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。』
導体素子。」
（本件訂正後）
『【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が
機械研磨
機械研磨
２
　
　ウ　訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項１の記載を引用する請求項５を新たな請求項９とするとともに、請求項５の『加工』を『機械研磨』として、次のとおり訂正する。
（本件訂正後）
『
【請求項９】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０
９
ｃｍ
−２
以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ
２
以下のコンタクト抵抗を有し、
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする、窒化物系半導体素子
　
（２）訂正事項１について
　まず、訂正請求書において述べたとおり、訂正事項１は、本件訂正前の請求項１について、『窒化物半導体基板』をその下位概念である『
ＧａＮ
　また、『第１半導体層』を『
裏面側が機械研磨された
　よって、本件訂正の訂正事項１は、訂正請求書で述べたとおり、すべての訂正要件を充足するものである。
　
（３）訂正事項２について
　本件訂正の訂正事項２は、本件訂正前の請求項１の記載を引用する請求項５を、請求項１の記載を引用しないものとしたこと以外は、前訂正の訂正事項３と同じ訂正事項である。そして、審決の予告において、訂正事項３がすべての訂正要件を充足すると判断されているから、本件訂正の訂正事項２についても、同様にすべての訂正要件を充足するものである。
　
（４）訂正事項３について
　本件訂正の訂正事項３がすべての訂正要件を充足することは、審決の予告においても認められている。
　
５．４　審決の予告の『第６　本件発明に対する当審の判断』に対して
　本上申書と同時に提出した訂正請求書で訂正した本件訂正発明１ないし本件訂正発明９について、職権無効理由に関する『第６　本件発明に対する当審の判断』に対して意見を述べる。
　
（１）本件訂正発明１について
　ア　本件訂正発明１と甲２第二発明との相違点の認定
　本件訂正発明１と甲２第二発明とを対比すると、以下の点で相違する。
相違点：
本件訂正発明１は、『ｎ側電極』が形成される『第１半導体層』の『裏面側』が、『機械研磨された』ものであり、『第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度は１×１０９ｃｍ−２以下であり、ｎ側電極と第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する』のに対して、甲２第二発明では、転位密度は１×１０９ｃｍ−２以下であるが、『ｎ側電極を形成するＧａＮ結晶膜の裏面側が、機械研磨されることなく、ドライエッチングされたもの』であり、『コンタクト抵抗が０．０５Ωｃｍ２以下であるかどうか不明』である点。
　
　イ　本件訂正発明１と甲２第二発明との相違点の判断
　甲２第二発明では、研磨を行わずにドライエッチングによりＧａＮ結晶膜の裏面側を除去することを記載するが、その場合厚み加工のために膨大な時間を要する。ドライエッチングに代えて、ｎ側電極を形成するＧａＮ結晶膜の裏面側を研磨することは加工時間を短縮する慣用技術であるが、その場合は機械研磨によって転位が生じて、コンタクト抵抗が増大し、動作可能な窒化物系半導体素子とならない。甲２第二発明には研磨を行った後にドライエッチングをして転位を除去することの示唆はない。したがって、たとえ甲２第二発明でのコンタクト抵抗が、機械研磨を行わないことによって、０．０５Ωｃｍ２以下であったとしても、本件訂正発明１は、短い加工時間と低いコンタクト抵抗が両立し、甲２第二発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（２）本件訂正発明２ないし本件訂正発明８について
　本件訂正発明２ないし本件訂正発明８は、請求項２ないし請求項８が請求項１を引用するものであるから、本件訂正特許発明１と同様の理由により、甲２第二発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　
（３）本件訂正発明９について
　ア　本件訂正発明９は、第１半導体層が、所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であるが、上記５．３（２）で述べたのと同様の理由により、この構成は、特許・実用新案審査ハンドブックの『２２０４　『物の発明についての請求項にその物の製造方法が記載されている場合』に該当するか否かについての判断』における、『単に状態を示すことにより構造又は特性を特定しているにすぎない場合』に該当するから、『物の発明についての請求項にその物の製造方法が記載されている場合』に該当しない。
　イ　この点につき、審決の予告では、
『本件発明９は、『窒化物系半導体素子』という物の発明であるが、『第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層である』との記載は、製造に関して技術的な特徴や条件が付された記載がある場合に該当するため、当該請求項９にはその物の製造方法が記載されているといえ、請求項９はＰＢＰクレームである。』（１４１〜２頁）
と説示している。しかしながら、本件訂正発明９のどの構成もって、製造に関して技術的な特徴や条件が付された記載がある場合に該当すると判断したのかは明確ではないが、特許・実用新案審査ハンドブックの『類型（１−２）：製造に関して、技術的な特徴や条件が付された記載がある場合』に具体例として例示されているのは、『モノマーＡとモノマーＢを
５０℃で反応させて得られる
粒子状の物質を衝突させた粗化処理が施された
　ウ　一方、甲２第二発明では、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去しており、機械研磨により発生した転位は存在しないから、本件訂正発明９の『前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であること』は、本件訂正発明９と甲２第二発明との相違点である。そして、本件訂正発明９は、上記相違点の構成により、短縮された加工時間で製造され、かつ、低いコンタクト抵抗を有する素子であるのに対し、甲２第二発明では、研磨を行わずにドライエッチングによりＧａＮ結晶膜の裏面側を除去するので、低いコンタクト抵抗であっても、膨大な加工時間を要する素子であるという顕著な技術的相違が存在する。
　よって、本件訂正発明９は、甲２第二発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
５．５　むすび
　以上述べたとおり、審決の予告における訂正拒絶理由及び職権無効理由に理由はなく、本件特許に無効理由は存在しないから、本件審判請求は成り立たないとの審決を求めるものである。」
　
第４　審判合議体の無効理由通知及び平成２８年７月５日付け審決の予告の概要
１　平成２５年１１月２７日に開催した口頭審理において審判合議体が通知した無効理由（以下「職権無効理由」という。）の概要は次のとおりである。
　
（１）「本件の次の請求項に係る特許は、合議の結果、以下の理由によって無効とすべきものと認められる。これについて意見があれば、平成２５年１２月２７日までに意見書の正本１通及びその副本２通を特許庁に提出すると同時にファクシミリにより請求人に送付してください。
 　　　　　　　　　　　　　　理　　由
　ア　請求項１、３ないし８に係る発明は、審判請求書に提示された甲第２号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　イ　請求項１ないし８に係る発明は、審判請求書に提示された甲第２号証に記載された発明、甲第２１号証に記載された技術事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　詳細は、平成２５年９月２５日付け審理事項通知書１頁下から８行〜３頁２０行、同３頁２３行〜４頁３４行、同５頁３５行〜６頁５行、同７頁２０〜２９行、審判請求書１５頁８〜１２行、同１５頁１４〜２１行、甲第２１号証、平成２４年（行ケ）１０３０２号の判決３４頁６〜１０行のとおりである。」
　
（２）平成２５年９月２５日付け審理事項通知書の各参照箇所の内容は次のとおりである。
・１頁下から８行〜３頁２０行
「『ウルツ鉱型結晶構造を有するＩＩＩ族元素窒化物半導体、例えば、ＧａＮ系半導体発光素子において、
　格子定数や熱膨張係数が異なるサファイア基板上にＧａＮ結晶膜のエピタキシャル成長を行うと、基板やエピタキシャル層に歪みや欠陥、転位が発生し、また、厚い膜を成長した場合にはクラックが発生し、デバイスとしての性能が極端に悪くなるという問題があったので、
　サファイア基板上にエピタキシャル成長を行って形成されたものであっても、歪みや欠陥、転位が少なく、また厚い膜であってもクラックが入りにくい、ＧａＮ結晶膜を提供するために、
　サファイア基板上にＭＯＣＶＤ法で膜厚１μｍの下地結晶膜としてのＧａＮ膜を形成し、該ＧａＮ膜上にＳｉＯ２膜を形成し、該ＳｉＯ２膜をフォトリソグラフィー法とウエットエッチングでストライプ状に成形してマスクを形成し、該ストライプ状のマスク間の領域である成長領域上に、塩化ガリウム（ＧａＣｌ）をＧａ原料とし、アンモニア（ＮＨ３）ガスをＮ原料として、ハイドライドＶＰＥ法によりＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させると、ＧａＮ結晶は、初期段階ではマスク上に成長せず前記成長領域のみで成長するため、前記成長領域上のＧａＮ結晶には基板の面方位とは異なる面方位を有するファセットが出現し、エピタキシャル成長を続けると、ＧａＮ結晶はファセット面に対して垂直な方向に成長が進むため、前記成長領域だけでなくマスク上にも成長し、やがてマスクを覆うようになって隣接する成長領域のＧａＮ結晶のファセットと接触し、さらにエピタキシャル成長を続けると、ファセットが埋め込まれ、平坦な表面を有するＧａＮ結晶膜を得て、
　得られたＧａＮ結晶膜上に発光素子構造を形成した後にサファイア基板とマスクと前記ＧａＮ結晶膜の一部を除去する方法（以下「サファイア基板法」という。）、あるいは、ＧａＮ結晶膜を形成後、サファイア基板とマスクと該ＧａＮ結晶膜の一部を除去して得たＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハを基板として、該基板上に発光素子構造を形成する方法（以下「ＧａＮ基板法」という。）により作製されたＧａＮ系半導体発光素子であって、
　前記ＧａＮ結晶膜において、転位は、ファセットに向かって進み基板と垂直に伸びていたものが垂直な方向へ伸びることができなくなるためファセットの成長とともに横方向に曲げられ、そのほとんどは結晶の端に出てしまうか閉ループを形成するので、エピタキシャル膜の膜厚増加に伴い上部の成長領域では転位が減少していき、その結果、上層領域において、下地結晶中の刃状転位を引継ぎｃ面に対して平行な変位ベクトルを持つＡ転位と下地結晶中の混合転位を引継ぎｃ面に対して斜めに傾いた変位ベクトルを持つＢ転位を合わせた全転位の転位密度が好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下の低転位密度層を有するｎ型ＧａＮ結晶膜となり、
　前記サファイア基板法は、例えば、キャリア濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上の前記ｎ型ＧａＮ結晶膜が形成された基板をＭＯＣＶＤ装置にセットし、所定の温度、ガス流量、Ｖ族元素／ＩＩＩ族元素比で、厚さ１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ層、厚さ０．４μｍのＳｉ添加ｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層、厚さ０．１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ２．５ｎｍの無添加Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍの無添加Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる１０周期の多重量子井戸構造活性層、厚さ２０ｎｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層、厚さ０．１μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ０．４μｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層、及び厚さ０．５μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮコンタクト層を順次形成して発光素子構造を形成し、次に、該発光素子構造を形成したサファイア基板を研磨器にセットし、前記サファイア基板、前記下地結晶膜、前記マスク及び前記ＧａＮ結晶膜の一部を研磨してｎ型ＧａＮ結晶膜を露出させ、露出したＧａＮ結晶膜の面、すなわち素子裏面側にチタンとアルミニウムからなるｎ型電極を形成し、ｐ型ＧａＮコンタクト層上にニッケルと金からなるｐ型電極を形成する工程を含み、
　前記ＧａＮ基板法は、例えば、全断面にわたって低転位密度層となっているＧａＮ基板ウエーハを用い、ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ基板側から厚さ０．５μｍのＳｉ添加ｎ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層、厚さ０．１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ３ｎｍの無添加Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と無添加Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層、厚さ２０ｎｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎインジウム解離防止層、厚さ０．１μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ０．５μｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層、及び厚さ０．２μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮコンタクト層を順次形成して発光素子構造を形成し、該発光素子構造の最上層にはＳｉＯ２膜を形成し、幅１０μｍのストライプ状の電流注入用窓を形成し、この上にニッケルと金からなるｐ型電極を形成し、ｐ型電極面で研磨用重しに貼りつけ、ＧａＮ基板の裏面を研磨し、通常、６０μｍ〜１００μｍの劈開可能な厚さに仕上げ、チタンとアルミニウムからなるｎ型電極を前記裏面に形成する工程を含む、
　ＧａＮ系半導体発光素子。』（以下「甲２第一発明」といいます。）」
　
・３頁２３行〜４頁３４行
「『ウルツ鉱型結晶構造を有するＩＩＩ族元素窒化物半導体、例えば、ＧａＮ系半導体発光素子において、
　格子定数や熱膨張係数が異なるサファイア基板上にＧａＮ結晶膜のエピタキシャル成長を行うと、基板やエピタキシャル層に歪みや欠陥、転位が発生し、また、厚い膜を成長した場合にはクラックが発生し、デバイスとしての性能が極端に悪くなるという問題があったので、
　サファイア基板上にエピタキシャル成長を行って形成されたものであっても、歪みや欠陥、転位が少なく、また厚い膜であってもクラックが入りにくい、ＧａＮ結晶膜を提供するために、
　サファイア基板上にＭＯＣＶＤ法で膜厚１μｍの下地結晶膜としてのＧａＮ膜を形成し、該ＧａＮ膜上にＳｉＯ２膜を形成し、該ＳｉＯ２膜をフォトリソグラフィー法とウエットエッチングでストライプ状に成形してマスクを形成し、該ストライプ状のマスク間の領域である成長領域上に、塩化ガリウム（ＧａＣｌ）をＧａ原料とし、アンモニア（ＮＨ３）ガスをＮ原料として、ハイドライドＶＰＥ法によりＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させると、ＧａＮ結晶は、初期段階ではマスク上に成長せず前記成長領域のみで成長するため、前記成長領域上のＧａＮ結晶には基板の面方位とは異なる面方位を有するファセットが出現し、エピタキシャル成長を続けると、ＧａＮ結晶はファセット面に対して垂直な方向に成長が進むため、前記成長領域だけでなくマスク上にも成長し、やがてマスクを覆うようになって隣接する成長領域のＧａＮ結晶のファセットと接触し、さらにエピタキシャル成長を続けると、ファセットが埋め込まれ、平坦な表面を有するＧａＮ結晶膜を得て、
　得られたＧａＮ結晶膜上に発光素子構造を形成した後にサファイア基板とマスクと前記ＧａＮ結晶膜の一部を除去して作製されたＧａＮ系半導体発光素子であって、
　前記ＧａＮ結晶膜において、転位は、ファセットに向かって進み基板と垂直に伸びていたものが垂直な方向へ伸びることができなくなるためファセットの成長とともに横方向に曲げられ、そのほとんどは結晶の端に出てしまうか閉ループを形成するので、エピタキシャル膜の膜厚増加に伴い上部の成長領域では転位が減少していき、その結果、上層領域において、下地結晶中の刃状転位を引継ぎｃ面に対して平行な変位ベクトルを持つＡ転位と下地結晶中の混合転位を引継ぎｃ面に対して斜めに傾いた変位ベクトルを持つＢ転位を合わせた全転位の転位密度が好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下の低転位密度層を有するｎ型ＧａＮ結晶膜となり、
　例えば、キャリア濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上の前記ｎ型ＧａＮ結晶膜が形成された基板をＭＯＣＶＤ装置にセットし、所定の温度、ガス流量、Ｖ族元素／ＩＩＩ族元素比で、厚さ１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ層、厚さ０．４μｍのＳｉ添加ｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層、厚さ０．１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ２．５ｎｍの無添加Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍの無添加Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる１０周期の多重量子井戸構造活性層、厚さ２０ｎｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層、厚さ０．１μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ０．４μｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層、及び厚さ０．５μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮコンタクト層を順次形成して発光素子構造を形成し、次に、研磨を行わずにドライエッチングにより前記サファイア基板、前記下地結晶膜、前記マスク及び前記ｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して、露出したＧａＮ結晶膜の面、すなわち素子裏面側にチタンとアルミニウムからなるｎ型電極を形成し、ｐ型ＧａＮコンタクト層上にニッケルと金からなるｐ型電極を形成する工程を含む、
　ＧａＮ系半導体発光素子。』（以下「甲２第二発明」といいます。）」 
　
・５頁３５行〜６頁５行
「そうだとすると、本件特許発明１と引用発明との一致点は、
『ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０9ｃｍ-2以下である、
　窒化物系半導体素子。』
　となり、相違点は請求人が審判請求書で主張する相違点と同じということになります。 」
　
・７頁２０〜２９行
「〔甲２第二発明を引用発明とする場合〕
　この場合、引用発明において、ドライエッチングにより露出したＧａＮ結晶膜の裏面の転位密度が、エピタキシャル成長したＧａＮ結晶膜の低転位密度層の転位密度（好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下）と同じ又は同程度であるか否かが問題になると考えます。
　もし、ドライエッチングにより露出したＧａＮ結晶膜の裏面の転位密度が、エピタキシャル成長したＧａＮ結晶膜の低転位密度層の転位密度と同じ又は同程度であれば、上記１（１）のとおり、本件特許発明１と引用発明との相違点は請求人が審判請求書で主張する相違点と同じとなりますので、該相違点についての判断をすることになります。」
　
（３）審判請求書の各参照箇所の内容は次のとおりである。
・１５頁８〜１２行
「・相違点
　本件特許発明１では、ｎ側電極と第１半導体層との界面におけるコンタクト抵抗が『０．０５Ωｃｍ２以下』であるのに対し、甲２発明では、ｎ型電極７４とＧａＮ結晶膜６５との界面におけるコンタクト抵抗が『０．０５Ωｃｍ２以下』であるとは明記されていない点。」
　
・１５頁１４〜２１行
「甲２には、ＧａＮ結晶膜６５のキャリア濃度が『１×１０１８ｃｍ−３』であると開示されているところ（甲２の段落０２１２）、キャリア濃度が『１×１０１８ｃｍ−３』であるＧａＮ結晶膜６５のコンタクト抵抗が『０．０５Ωｃｍ２以下』であることは、キャリア濃度が『１×１０１８ｃｍ−３』よりも低いＧａＮ基板において『０．０５Ωｃｍ２』よりも遥かに小さいコンタクト抵抗が得られている本件特許明細書の記載を正しいとする限り（甲１の段落００５４における表１の試料４の欄を参照。）、甲２発明においても当然に達成されている。」
　
（４）甲２１
　甲２１には、次のアないしウの事項（請求人作成の全訳による）が記載されている。
　
　ア「自立ｎ型ＧａＮ基板へのＴｉ／Ａｌ電極の結晶極性の依存性」（タイトル）
　
　イ「ｎ型ＧａＮ基板へのＴｉ／Ａｌ電極の電気特性上の結晶極性の影響が研究されてきた。ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面上に形成されたＴｉ／Ａｌ電極は、３０秒間６００℃よりも高温でアニールすることで、接触抵抗値２×１０-5Ωｃｍ2のオーミックとなった。一方、ｎ型ＧａＮ基板のＮ面上の電極は、非線形の電流-電圧曲線を示し、１ｅＶを超える高いショットキー障壁が同じアニール条件で測定された。これらの結果は、ＧａＮ基板の異なる極性によるＧａＮ／ＡｌＮヘテロ構造における逆向きのピエゾ電界により説明できる。」（要約）
　
　ウ「自立ＧａＮは、転位密度が低く、熱伝導率が高く、劈開が容易であることから、電子デバイスならびに光電子デバイスの基板として注目されている。ＧａＮ基板を使用するもう一つの利点は、裏面ｎ電極のデバイスを作製できることである。これにより、製造工程を簡単で確実なものにし、デバイスのサイズを小さくすることができ、このことは、量産収率を向上させる。
　ＧａＮ基板は結晶極性が異なる二つの面、Ｇａ極性面とＮ極性面を有するが、それらは金属／ＧａＮ界面のほかＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ構造における界面の電気特性にも大きな影響を与える。Ｋａｒｒｅｒらは、プラズマ誘起分子線エピタキシャル成長法（ＰＩＭＢＥ）で成長させたＰｔ／ＧａＮショットキーダイオードの特性に対する結晶極性の影響を調査検討し、二つの異なる面に接しているＰｔの異なった障壁高さは、ＧａＮのＧａ面とＮ面でそれぞれ１．１ｅＶと０．９ｅＶであったと報告した。彼は、この挙動は、異なる極性をもったエピタキシャル層内の自発分極が異なることが原因で、伝導帯および価電子帯のバンド曲がりが異なることによるものとできるとした。Ｆａｎｇらも、Ｎｉ／Ａｕ電極が、ＧａＮのＮ面上（０．７５ｅＶ）よりも高い１．２７ｅＶの障壁高さであることを自立ＧａＮのＧａ面上で示したことを報告した。活性層を含む素子構造は、通常、ＧａＮ基板のＧａ極性側に成長させるため、裏面オーミック電極はＧａＮのＮ極性側に形成する必要がある。しかし、Ｇａ極性およびＮ極性のＧａＮ基板上のオーミック電極間の電気特性の比較はほとんど行われてこなかった。
　Ｔｉ／Ａｌ電極はｎ型ＧａＮ上のオーミック電極に広く使用されていることから、本研究では、ｎ型ＧａＮ基板へのＴｉ／Ａｌ電極の電気特性に対する結晶極性の影響を検討する。このために、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）で成長させた自立ｎ型ＧａＮ基板を使用し、なぜならそれらは一方の表面にＧａ極性面を有しもう一方の表面にＮ極性面を有するからであるが、そして、ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面上とＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極を比較する。異なる極性を有する試料に形成した電極の電気特性は大きく異なることが示されるが、それは、極性に依存する逆向きのピエゾ電界によって説明することができる。
　試料は、ＨＶＰＥ法により、サファイア基板上に３００μｍの膜厚に成長させた。自立ＧａＮ基板を得るため、レーザー誘起リフトオフにより、厚いＧａＮ層をサファイア基板から剥離した。ＧａＮウェハは、平滑なエピレディ表面を得るため、Ｇａ面とＮ面の両方を、機械研磨とドライエッチ処理した。二結晶Ｘ線回析（ＤＸＲＤ）を用いて構造特性を調査検討した。Ｇａ面とＮ面に対する（０００２）ピークの半値全幅（ＦＷＨＭ）を測定したところ、それぞれ１２６ａｒｃｓｅｃと１５３ａｒｃｓｅｃであった。それらの非対称（１０１２）ピークは、９６ａｒｃｓｅｃおよび１０４ａｒｃｓｅｃであった。Ｇａ面およびＮ面ともに、代表的な転位密度は１０7ｃｍ-2よりも低かった。試料は、Ｓｉがドープされていた。室温におけるホール測定により得られた電子濃度および移動度は、それぞれ１．５×１０17ｃｍ-3および ８２５ｃｍ2／Ｖｓであった。
　Ｇａ面とＮ面はともにアセトンおよびメタノール中で脱脂し、脱イオン（ＤＩ）水中で洗浄し、フォトリソグラフィーによりパターンを施した。その後、それらを緩衝酸化物エッチング液中でエッチングし、ＤＩ水中で洗浄し、窒素ガスで乾燥した後、金属蒸着するために真空システムに装填した。厚さ５０ｎｍのＴｉ層及び厚さ５００ｎｍのＡｌ層のＴｉ／Ａｌ層を電子ビーム蒸着により形成した。Ｉ−Ｖ特性を、幅２００μｍギャップ間隔３０μｍの２枚の金属パッドを使用し、測定した。伝送長法（ＴＬＭ）を用いて接触抵抗を測定するため、適宜、環状の電極構造を形成した。試料はＮ2雰囲気の高速熱アニールシステム中でアニールした。
　ＧａＮ基板の両側の極性を判定するため、原子間力顕微鏡法（ＡＦＭ）を伴う化学エッチング技術およびオージェ電子分光法（ＡＥＳ）を適用し、そしてその結果を表Ｉにまとめた。化学エッチング実験は、室温で０．１ＭＫＯＨ溶液を用いて、あるいは、２２０℃で８５％Ｈ3ＰＯ4溶液を用いて行なわれた。表Ｉに示すように、測定されたエッチング速度は上面でゼロに近く、それは、ＨＶＰＥ法による成長面と同等であった。上面の表面粗さはエッチング後も変わらなかった。
　しかし、表Ｉに示すように、底面では、１μｍ／分という高いエッチング速度が得られ、その表面はエッチング後に非常に粗くなった。我々はまた、オージェ電子の脱出率により評価された上面１ｎｍの膜のＮ／Ｇａ比率も測定した。上面および底面のＮ／Ｇａ比率を計算すると、それぞれ０．７４と０．９７であった。これらの結果は、上面はＧａ面極性を有し、底面はＮ面極性を有することを示している。さらに、Ｊａｓｉｎｓｋｉらは、本研究で使用したシステムと全く等しいＨＶＰＥシステムで成長させた自立ＧａＮ基板の極性を収束電子線回析により検討し、成長面（上面）および底面はＧａおよびＮ面極性をそれぞれ有したことを報告した。
　図１は、ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面とＮ面の両方に堆積されたＴｉ／Ａｌ電極のＩ−Ｖ特性を示す。Ｔｉ／Ａｌ電極は、ｎ型ＧａＮのＧａおよびＮ面上の両方の電極を３０秒間５００℃でアニールした後では、図１に示した様に、非線形なＩ−Ｖ曲線を示した。ｎ型ＧａＮのＧａ面上のＴｉ／Ａｌ電極では、３０秒間７００℃および９００℃でアニールした後では、Ｉ−Ｖ曲線は線形になった。これらは、Ｔｉ／Ａｌ電極は６００℃より高温でアニールすることでオーミック性が得られたこれまでの結果と、よく一致している。しかし、図１に示されるように、ｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極は、７００℃でのアニール後に依然として非線形のＩ−Ｖ関係を示し、Ｉ−Ｖ曲線の傾きは減少した。
　図２は、バイアス電圧０．１Ｖで測定された二個のＴｉ／Ａｌ電極パッド間の電流変化をアニール温度の関数として示す。図２に示すように、ｎ型ＧａＮ基板のＮ面上のそれらと比較し、ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面上のＴｉ／Ａｌ電極についての測定電流値のアニール温度依存性は、非常に異なっている。ｎ型ＧａＮのＧａ面上の電極の場合、アニール温度が５００℃から６００℃に上昇するにつれて電流が大幅に増加し、６００℃〜８００℃で３０秒アニールした後、ＴＬＭから測定された接触抵抗率は２×１０-5Ωｃｍ2であった。これより高い温度でアニールすると、電流測定値が低下した。ｎ型ＧａＮ基板のＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極の場合、３０秒間５００℃でアニールした後の０．１Ｖでの電流は、図２に示すように、ｎ型ＧａＮのＧａ面上の電極で得られたものと同様であった。しかし、図２に示したように、６００℃での３０秒アニール後の測定電流値は、一桁減少していた。図２に示したように、７００℃で３０秒間のアニール後では、０．１Ｖで３００ｎＡの最小電流が得られたが、これは、ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面上の電極より４桁低いものであった。
　ｎ型ＧａＮのＮ面におけるＴｉ／Ａｌ電極の電気特性の更なる調査研究として、ショットキー障壁高さを、電流−電圧測定を使用して測定し、その結果を図３に示した。障壁高さを測定するため、Ｔｉ／Ａｌ電極をｎ型ＧａＮのＧａ面に堆積し、３０秒間７００℃でアニールし、これにより低い接触抵抗率のオーミックが得られ、また、直径１８０μｍのＴｉ／Ａｌ電極がｎ型ＧａＮのＮ面に形成された。概略図を図３に挿入した。ｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極は、３０秒間５００℃でのアニール後では、図３に示すように、Ｉ−Ｖグラフに線形領域が無いが、一方、３０秒間７００℃でアニールされたＴｉ／Ａｌ電極は線形領域を示しており、これはショットキーダイオード特性である。３０秒間７００℃でアニールしたｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極の障壁高さ及び理想係数を算出したところ、それぞれ１．０９ｅＶと１．２９となった。また、９０分間５００℃でアニールしたｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極の障壁高さも測定したところ、図３に示すように、障壁高さは１．０１ｅＶとなり、理想係数１．６７を得た。さらに、図３に示すように、Ｔｉの役割を解明するために、ｎ型ＧａＮ基板のＮ面上のＰｄ／Ａｌ電極の障壁高さを調べた。Ｐｄ／Ａｌ電極の障壁高さと理想係数は、それぞれ１．１０と１．４４ｅＶであったが、それらは、ｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極と同様であった。Ｋａｒｒｅｒらの報告では、ＰＩＭＢＥで成長させたｎ型ＧａＮのＮ面上のＰｔ電極の障壁高さは０．９ｅＶであり、Ｆａｎｇらの報告では、ＨＶＰＥｎ型ＧａＮ基板のＮ面上のＮｉ／Ａｕ電極の障壁高さは０．７５ｅＶであった。ＴｉとＡｌ（それぞれ４．３３ｅＶおよび４．２８ｅＶ）の仕事関数がＰｔとＮｉ（それぞれ５．６５ｅＶおよび５．１５ｅＶ）のそれらよりかなり低いことを考慮すると、ｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極とＰｄ／Ａｌ電極の障壁高さが１ｅＶより高いということは、アニールで高仕事関数を有する界面層が形成されたことを示唆するようにみえる。さらに、ｎ型ＧａＮのＧａ面上の電極はオーミックとなることから、図１および図２に示すように、界面層は、ｎ型ＧａＮのＧａ面上のＴｉ／Ａｌにオーミック接触になる。
　Ｌｕｔｈｅｒらは、ＧａＮ上のＴｉ／Ａｌ電極およびＰｄ／Ａｌ電極の界面の特性について述べ、Ｔｉ／Ａｌ電極の界面だけでなく６００℃でアニールしたＰｄ／Ａｌ電極の界面で、非常に薄いＡｌＮ層を観測した。我々も、電界放出型オージェ電子分光法を用いてｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌを分析したところ、６００℃で３０秒のアニール後、ＧａＮの表面にＡｌのピークが検出された。Ｔｉ／ＡｌあるいはＰｄ／Ａｌ電極とＧａＮの界面の薄いＡｌＮ層の役割については、Ｌｕｔｈｅｒらは、他の金属絶縁体-半導体構造の場合のように、薄いＡｌＮ層（２−３ｎｍ）の形成は、金属／ＧａＮ界面におけるフェルミレベルのピン留めを除去することにより金属電極とｎ型ＧａＮの間のバンド並びに影響を及ぼす可能性があるか、あるいは、障壁高さを下げる可能性があると示唆した。この示唆は、ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面上のＴｉ／Ａｌにはオーミック接触が形成されることを説明できるが、その一方、本研究で観察されたｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌにはショットキー接触が形成されることについては説明することができない。結晶極性に依存するＴｉ／Ａｌのオーミックあるいはショットキー接触の形成におけるＡｌＮの薄層の役割について、別な説明としては、ＧａＮの異なる極性に起因してＡｌＮ／ＧａＮ界面で逆向きのピエゾ電界が生成することが挙げられる。Ａｓｂｅｃｋらは、Ｇａ極性を有するＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ構造は、ピエゾ電界的に誘起されたドナーを加えることにより二次元電子ガス（２ＤＥＧ）の密度を増加させることを報告した。圧電的に誘起されたドナーの付加は、Ｇａ極性の歪みヘテロ構造でのみ起こる。事実、Ｌｕｔｈｅｒらは、ＧａＮ上のＴｉ／Ａｌ間あるいはＰｄ／Ａｌ間の反応により生成した薄いＡｌＮは、歪み下にあることを報告した。２ＤＥＧにおけるシートキャリア密度の増加は、ショットキー障壁幅を減少させ、障壁通過するキャリアのトンネリングを高め、それに続いてオーミック接触が形成される。しかし、逆向きの極性を有するＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ構造は、２ＤＥＧを相殺してショットキー障壁を高くすることがある。ＧａｓｋａらはＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ／ＧａＮヘテロ構造における逆方向のピエゾ電界が、障壁高さを０．７ｅＶ以上増加させたことを示唆した。また、Ｙｕらは、ピエゾ電界効果を用いて、ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ構造におけるＮｉの障壁高さを０．３７ｅＶ増加させた。本研究では、我々は、ｎ型ＧａＮ基板のＮ面上のＴｉ／ＡｌまたはＰｄ／Ａｌ電極について、１ｅＶという高い障壁高さを観察した。このように、本研究では、Ｔｉ／Ａｌ電極の反対の電気特性が結晶極性に依存することが観察され、それは自立ｎ型ＧａＮ基板の結晶極性に依存しているＡｌＮ／ＧａＮヘテロ構造における逆向きのピエゾ電界により説明できる。
　まとめると、我々は、ｎ型ＧａＮ基板へのＴｉ／Ａｌ電極の電気特性における結晶極性の影響を調査研究した。異なる極性を有する試料上に作製された電極の電気特性は、大きく異なっていた。ｎ型ＧａＮのＧａ面上のＴｉ／Ａｌ電極は３０秒間６００℃より高温でアニールするとオーミックとなったが、一方、ｎ型ＧａＮのＮ面上の電極は同一のアニール条件で１ｅＶを超える障壁高さを有するショットキーコンタクトを形成した。これらの結果は、ＡｌＮ界面層の形成によるものと説明することができる。ＧａＮのＧａ面上のＡｌＮ層は、ピエゾ電界により誘導されたドーピングにより２ＤＥＧの密度を増加させ、結果としてオーミック接触を形成したが、一方、ＧａＮのＮ面上のＡｌＮは２ＤＥＧを相殺してＴｉ／ＡｌとＧａＮの間の障壁を増加させ、より高い障壁高さを有するショットキー接触を形成する結果となった。」（本文）
　
（５）平成２４年（行ケ）１０３０２号の判決３４頁６〜１０行の記載は次のとおりである。
「甲３ないし９によれば，本件出願に係る優先権主張日当時、研磨前のＧａＮ基板の転位密度は，１×１０４〜１０８ｃｍ−２程度であったことは，周知の技術であったものと認められる。そうすると，原告の主張する技術事項１（研磨前のＧａＮ基板の転位密度は，１×１０６ｃｍ−２程度であったこと）はおおむね認めることができる。」
　
２　平成２８年７月５日付け審決の予告の概要は次のとおりである。
「第１ないし第４
・・・（省略）・・・
　
第５　本件訂正（その２）についての当審の判断
１　本件訂正（その２）の内容
　被請求人は、平成２７年９月２８日に訂正請求書（その２）を提出して訂正を求めた（以下、『本件訂正（その２）』という。）。本件訂正（その２）の内容は、本件発明の明細書を訂正請求書（その２）に添付した訂正明細書のとおりに訂正しようとするものであって、次の（１）及び（２）の事項をその訂正内容とするものである（・・・）。
・・・（省略）・・・
　
（１）請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正
　ア　訂正事項１
・・・（省略）・・・
　
　イ　訂正事項２
・・・（省略）・・・
　
（２）請求項９に係る訂正
　訂正事項３
・・・（省略）・・・
　
２　訂正要件の充足性についての判断
（１）請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正
　訂正事項１が特許法第１３４条の２第１項ただし書に規定する要件（以下『訂正目的要件』という。）を充足するか否かについて検討する。
　ア　特許請求の範囲の減縮に当たるか否かについて
（ア）訂正事項１は、・・・本件訂正（その２）前の請求項１に係る発明から、『機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子』を除こうとするものであって、本件訂正（その２）前の請求項１に係る発明を、『機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法』以外の製造方法で製造されたものに形式的に限定して特定しようとするものである。
　
（イ）そこで、『機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法』以外の製造方法で製造された窒化物系半導体素子、及び、『機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法』で製造された窒化物系半導体素子が、それぞれどのような構造、特性等を有するものであるかについて、訂正明細書の発明の詳細な説明の記載（当審注：本件訂正（その２）の前後で発明の詳細な説明の記載に変更はない。）に基づいて、以下検討する。
　
　イ　物としての同一性について
（ア）訂正明細書の発明の詳細な説明には、ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）の機械研磨による厚み加工（ｎ型ＧａＮ基板の厚みが約１２０μｍ〜約１８０μｍになるまで研磨する）を行った後に、当該ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）を、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法によりエッチングし、その後、当該ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）上にｎ側電極を形成する工程で製造された『本発明の一実施形態』が記載されており（【００４３】〜【００４９】）、上記『本発明の一実施形態』は、本件訂正（その２）前の請求項１に係る発明の実施形態であるとともに、平成２７年９月２８日付け訂正請求書（訂正請求書（その２））の５頁２３行〜６頁１９行に、『（ｂ）願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　本件訂正前の明細書の段落【００４３】には『この後、図３および図４に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１の（０００−１）面である裏面（窒素面）を機械研磨する。』（・・・（略）・・・）と記載され、段落【００４４】には『図３に示した機械研磨装置３０を用いて、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をｎ型ＧａＮ基板１の厚みが約１２０μｍ〜約１８０μｍになるまで研磨する。具体的には、ホルダ１２の下面に取り付けられた窒化物系半導体レーザ素子構造２０のｎ型ＧａＮ基板１の裏面（図４参照）を、研磨剤が配置されているバフ１３の上面に、一定の負荷で押圧する。そして、バフ１３（図３参照）に水またはオイルを流しながら、ホルダ１２をＲ方向に回転する。このようにして、ｎ型ＧａＮ基板１の厚みが約１２０μｍ〜約１８０μｍになるまで機械研磨を行う。』と記載されている。・・・
　よって、訂正事項１は、新規事項の追加ではない（・・・（略）・・・）。』との記載があり、段落【００４３】、【００４４】の記載が訂正事項１が新規事項の追加ではないことの根拠であるとされていることからみて、上記『本発明の一実施形態』は、本件訂正（その２）後の請求項１に係る発明の実施形態でもあると認められる。
　したがって、訂正事項１は、本件特許の請求項１に係る発明が、上記『本発明の一実施形態』のような、機械研磨を行った後にエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法（以下、便宜上、『機械研磨を行った後にエッチングする方法』という。）で製造された窒化物系半導体素子を含むものであることについては変更せず、ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法（以下、便宜上、『機械研磨を行わずにエッチングする方法』という。）で製造された窒化物系半導体素子を含まないものとしようとするものであると認められる。
　
（イ）そこで、機械研磨を行った後にエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子と、機械研磨を行わずにエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子とを対比する。
　機械研磨を行った後にエッチングする方法において、エッチングは機械研磨により生じた転位を除去することを目的としているから、エッチングにより窒化物半導体素子の裏面（窒素面）から機械研磨により生じた転位を含む層が完全に除去された場合、当該ｎ側電極形成前の窒化物系半導体素子の裏面（窒素面）には、エッチングにより加工された表面のみが露出していると認められる。そうすると、この場合、窒化物系半導体素子の裏面（窒素面）の状態は、機械研磨を行わずにエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子におけるエッチング後（ｎ側電極形成前）の裏面（窒素面）の状態（当然、エッチングにより加工された表面のみが露出している）と何ら区別できないものと認められる。
　
（ウ）上記（イ）からみて、機械研磨を行った後にエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子と、機械研磨を行わずにエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子とは、少なくとも、前者の窒化物系半導体素子がエッチングにより窒化物半導体素子の裏面（窒素面）から機械研磨により生じた転位を含む層が完全に除去された場合に、ｎ側電極形成前の裏面（窒素面）の転位の存在状態の点において、物（窒化物系半導体素子）としてどのように異なるのかが不明であるといわざるを得ない。また、ｎ側電極形成前の裏面（窒素面）の状態以外の点において、両者の間に、物の構造、特性等に何らかの差異があると考えるべき根拠も見出せない。
　
（エ）そうすると、訂正事項１により被請求人が除こうとしている物と、除かれた後に残った物のうちの一部との間に物（窒化物系半導体素子）としての差異がなく、結局、除かれた物と同一の物が本件訂正（その２）後の請求項１に包含されることになるのであるから、当該請求項１の記載事項によって特定される発明の範囲自体は、実質的には本件訂正（その２）の前と後で何ら変わっていないといわざるを得ない。
　したがって、訂正事項１における『ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く』という事項が、物（窒化物系半導体素子）の構造、特性等を限定していると認めることはできず、したがって、訂正事項１は請求項１の記載事項を限定すること等によって特許請求の範囲を減縮するものであるということはできない。
　
　ウ　ＰＢＰクレームとしてみた場合の明確性について
（ア）ところで、『ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法を除く』とは、請求項１に係る発明が『機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法』以外の製造方法で製造されたものであることを特定するものであり、そうすると、『ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法を除く』との記載を含む本件訂正（その２）後の請求項１を含む特許請求の範囲は、物（窒化物系半導体素子）の発明についての特許に係る特許請求の範囲にその物の製造方法が記載されている場合に該当するから、当該特許請求の範囲は、いわゆるプロダクト・バイ・プロセス・クレーム（以下『ＰＢＰクレーム』という。）である。ＰＢＰクレームにおける発明の要旨の認定に関し、『平成２４年（受）第２６５８号　特許権侵害差止請求事件　平成２７年６月５日　最高裁判所第二小法廷判決』（以下『最高裁判決』という。）は、『物の発明についての特許に係る特許請求の範囲にその物の製造方法が記載されている場合であっても、その発明の要旨は、当該製造方法により製造された物と構造、特性等が同一である物として認定されるものと解するのが相当である。』と判示している（４頁１１行〜１４行）。また、上記最高裁判決は、『・・・（略）・・・特許法３６条６項２号によれば、特許請求の範囲の記載は、『発明が明確であること』という要件に適合するものでなければならない。・・・（中略）・・・物の発明についての特許に係る特許請求の範囲の記載において、その製造方法が記載されていると、一般的には、当該製造方法が当該物のどのような構造若しくは特性を表しているのか、又は物の発明であってもその特許発明の技術的範囲を当該製造方法により製造された物に限定しているのかが不明であり、特許請求の範囲等の記載を読む者において、当該発明の内容を明確に理解することができず、権利者がどの範囲において独占権を有するのかについて予測可能性を奪うことになり、適当ではない。他方、物の発明についての特許に係る特許請求の範囲においては、通常、当該物についてその構造又は特性を明記して直接特定することになるが、その具体的内容、性質等によっては、出願時において当該物の構造又は特性を解析することが技術的に不可能であったり、特許出願の性質上、迅速性等を必要とすることに鑑みて、特定する作業を行うことに著しく課題な経済的支出や時間を要するなど、出願人にこのような特定を要求することがおよそ実際的でない場合もあり得るところである。そうすると、物の発明についての特許に係る特許請求の範囲にその物の製造方法を記載することを一切認めないとすべきではなく、上記のような事情がある場合には、当該製造方法により製造された物と構造、特性等が同一である物として特許発明の技術的範囲を確定しても、第三者の利益を不当に害することがないというべきである。以上によれば、物の発明についての特許に係る特許請求の範囲にその物の製造方法が記載されている場合において、当該特許請求の範囲の記載が特許法３６条６項２号にいう『発明が明確であること』という要件に適合するといえるのは、
出願時において当該物をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか、又はおよそ実際的でないという事情
　
（イ）そこで、本件特許について、出願日において当該物（窒化物系半導体素子）をその構造、特性等により直接特定することが不可能であるか、又はおよそ実際的でないという事情（以下『不可能・非実際的事情』という。）が存在するか否かを検討する。
　本件訂正（その２）後の請求項１に係る発明において、製造方法を、『機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法』以外の方法に限定することによって特定される『窒化物系半導体素子』という物の構造又は特性は、本件特許明細書の記載によれば、『ｎ側電極と第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する』という特性であると認められる。
　そうすると、製造方法を限定することによって特定される『窒化物系半導体素子』という物の構造又は特性は、本件特許の出願時において『ｎ側電極と第１半導体素子との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する』として直接特定することが不可能であったとはいえず、また、およそ実際的でなかったということもできない。
　そもそも、製造方法を限定することによって特定される『ｎ側電極と第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する』という『窒化物系半導体素子』という物の特性は、本件訂正（その２）前後の請求項１に発明特定事項として明記されているのであるから、当該物の特性を製造方法を限定することにより二重に特定する必要がないことは明らかである。
　したがって、本件特許において、不可能・非実際的事情は存在しないから、訂正事項１を含む本件訂正（その２）後の請求項１に係る発明は明確でないというべきである。
　
（ウ）被請求人は、平成２７年９月２８日付け上申書（１０頁３２行〜１１頁８行）において、次のように主張している。
『本件発明は、窒化物系半導体基板を機械研磨することによって生じる転位がコンタクト抵抗を増大させるという技術課題を初めて見出し、その技術課題を初めて解決した新しい窒化物系半導体素子であることに技術的特徴がある。そして、このような技術的特徴を備えた窒化物系半導体素子であることを特定するためには、『電極が形成される第１半導体層の裏面側が機械研磨されていること』、あるいは『機械研磨を行わずに第１半導体層の一部を除去して露出した裏面に電極を形成する工程を含む製造方法により製造されたものを除くこと』により、本件発明を特定するしかなく、物の構造又は特性により直接特定することは不可能である。すなわち、本件訂正発明１がＰＢＰクレームであるとしても、そこには、ＰＢＰクレームでなければならない不可能・非実際的事情が存在する。』
　しかし、本件発明が、窒化物系半導体基板を機械研磨した場合の技術課題を解決しようとするものであり、機械研磨された半導体基板を前提とするものであるとしても、その機械研磨により生じた転位を含む領域が完全に除去された場合には、本件発明に係る窒化物系半導体素子には、もはや機械研磨の影響を受けた領域は残存しないから、『電極が形成される第１半導体層の裏面側が機械研磨されていること』や『機械研磨を行わずに第１半導体層の一部を除去して露出した裏面に電極を形成する工程を含む製造方法により製造されたものを除くこと』は、本件発明に係る窒化物系半導体素子を物として何ら特定するものとはいえない。
　したがって、本件発明に係る窒化物系半導体素子は、『電極が形成される第１半導体層の裏面側が機械研磨されていること』、あるいは、『機械研磨を行わずに第１半導体層の一部を除去して露出した裏面に電極を形成する工程を含む製造方法により製造されたものを除くこと』により特定せざるを得ないものとはいえない。そして、本件特許に不可能・非実際的事情が存在しないことは、上記ｂで述べたとおりである。よって、被請求人の主張は採用できない。
　
（エ）上記（イ）及び（ウ）からみて、訂正事項１における『ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く』という事項は、除こうとする対象が、物（窒化物系半導体素子）として明確でないといわざるを得ず、したがって、本件訂正（その２）後の請求項１に係る発明は明確でないといわざるを得ない。そうすると、訂正後の特許請求の範囲の記載が技術的に明確であるとはいえないから、訂正前後の特許請求の範囲の広狭を論じることができず、本件訂正（その２）は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものということができるための前提を欠くというべきである（参考判決：平成２６年（行ケ）第１０２０４号　審決取消請求事件　平成２７年３月１１日　知的財産高等裁判所第３部）。よって、訂正事項１は、請求項１の記載事項を限定すること等によって特許請求の範囲を減縮するものであるということはできない。 
　
　エ　アないしウのまとめ
　上記イ及びウのいずれからみても、訂正事項１の目的が、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる『特許請求の範囲の減縮』であるということはできない。
　
　オ　誤記又は誤訳の訂正、明瞭でない記載の釈明又は他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることに当たるか否かについて
（ア）訂正事項１の目的が、特許法第１３４条の２第１項ただし書第２号に掲げる『誤記又は誤訳の訂正』であるとも、同条同項ただし書第４号に掲げる『他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること。』であるともいえないことは明らかである。
　
（イ）被請求人は、本件訂正請求書（５頁１７〜２２行）で『また、仮に、訂正事項１が特許請求の範囲の減縮を目的とするものではないとしても、訂正事項１により、本件訂正（その２）後の請求項１記載の第１半導体層は、ｎ側電極が形成される裏面側が機械研磨を行わずにエッチングにより除去されたものを含まないことが明確となるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する（特許法第１３４条の２第１項ただし書第３号）。』と述べるとともに、平成２７年９月２８日付け上申書（９頁２８行〜１０頁２８行）において、次のとおり主張している。
『イ　また、仮に、機械研磨を行った後にエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子と、機械研磨を行わずにエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子とが、物（窒化物系半導体素子）として差異がないとの理由で、訂正事項１が特許請求の範囲を減縮するものではないとしても、訂正事項１は明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　すなわち、窒化物系半導体基板からなる素子は、製造中の強度を得るために、ある程度の厚さが必要であるが、分割するためには、所定の厚さになるまで薄くする必要があるため、機械研磨により厚み加工している。厚み加工をすることは、エッチングのみでも可能であるが、所定の厚さになるまで加工するには膨大な時間を必要とする。このため、窒化物系半導体素子は、機械研磨を行うことなく、エッチングのみで厚み加工して製造することは現実的でなく、実際に行われていない。したがって、甲第２号証の段落【０２１７】の『研磨を行わずにドライエッチングによりｎ型ＧａＮ層６６または６５まで除去してｎ型電極を形成』との記載は、単に理論的には可能であることを示すにすぎず、現実の製造方法として実現されることを記載したものではないから、上記記載から甲２第二発明を認定することは妥当ではない。これに対し、本件発明では、通常の製造方法による機械研磨が行われており、その結果転位が生じていることを前提として、『第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下』と限定しているのであるが、本件では、審判合議体から上記段落に基づいて認定した甲２第二発明に基づく無効理由が通知されたため、被請求人は、本件発明と甲２第二発明との区別を明確にするために『除くクレーム』とする訂正を行ったのである。
　訂正事項１は、形式的には特許請求の範囲の減縮に相当するが、現実の製造方法としては、エッチングのみで厚み加工して製造することは行われないから、本件発明が、エッチングのみで厚み加工するという非効率的で工業的生産としては現実には行われない製造方法により製造された甲２第二発明とは異なるものであることを明確にするために行ったものであり、不明瞭な記載の釈明に該当する。すなわち、本件発明は実施可能な発明であるから、『除くクレーム』とする訂正を行わなくても、機械研磨が行われ、その結果転位が生じていることを前提とするものであることは明らかであるが、審判合議体は、本件発明が、エッチングのみで膜厚を薄くするという工業的生産としては現実には行われない製造方法により製造された窒化物系半導体素子である甲２第二発明と対比できるものと判断しているため、訂正事項１により、あえて本件発明を明確化したのである。』
　しかしながら、まず、本件訂正（その２）前の請求項１が機械研磨を行わずにエッチングする方法で製造したものを包含することは明確なのであって、そもそも本件訂正（その２）前の請求項１の記載が『明瞭でない記載』であるとは認められない。次に、上記イ（イ）及び（ウ）で述べたとおり、ｎ側電極が形成される裏面側が機械研磨を行わずにエッチングにより除去された窒化物系半導体素子と機械研磨を行った後にエッチングにより除去された窒化物系半導体素子とは物として区別することができないのであるから、訂正事項１によりｎ側電極が形成される裏面側が機械研磨を行わずにエッチングにより除去されたものを除くと規定しても、請求項１に係る発明が物として明確になったとはいえず、むしろ、訂正事項１によって除こうとしている物と除かれた後に残った物のうちの一部との間に物として差異がない（上記イ（エ））ということは、一体全体何が除かれたのかが不明ということでもあるから、物としては不明確になったとみることもできる。また、訂正事項１では、『除くクレーム』がＰＢＰクレームであることにより、除こうとする対象が物として明確でない（上記ウ（エ））。そうすると、訂正事項１は、『明瞭でない記載の釈明』どころか、むしろ、元来明瞭であった記載を明瞭でない記載にしようとするものである。
　したがって、訂正事項１は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第３号に掲げる『明瞭でない記載の釈明』を目的とするものに当たるともいえない。
　
　カ　訂正事項１についての小括
　よって、訂正事項１は、訂正目的要件を充足しないから、特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件（以下『新規事項の追加禁止の要件』という。）の充足性及び特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第６項に規定する要件（以下『特許請求の範囲の実質拡張・変更禁止の要件』という。）の充足性について判断するまでもなく、訂正要件を充足しない。
　
（２）請求項９に係る訂正
　ア　訂正目的要件の充足性について
　訂正事項３は上記１（２）のとおりであり、請求項１の記載を引用する請求項５を新たな請求項９とする訂正と、本件訂正（その２）前の請求項５の『加工』を『機械研磨』とする訂正との２つの訂正を求めるものである。そして、前者の訂正は、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項を引用しないものとすること（引用関係の解消）を目的とするものと認められる。また、後者の『加工』を『機械研磨』とする訂正が、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでないことは明らかである。したがって、請求項９に係る訂正は、全体として引用関係の解消を目的とするものと解される。
　訂正事項３は、全体として他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項を引用しないものとすること（引用関係の解消）を訂正の目的とするものであるから、訂正目的要件を充足する。
　
　イ　新規事項の追加禁止の要件の充足性及び特許請求の範囲の実質拡張・変更禁止の要件の充足性について
　本件明細書の段落【００４３】〜【００４９】には、ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）の機械研磨による厚み加工（ｎ型ＧａＮ基板の厚みが約１２０μｍ〜約１８０μｍになるまで研磨する）を行った後に、当該ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）を、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法によりエッチングして約１μｍの厚み分だけ除去し、その後、当該ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）上にｎ側電極を形成する工程で製造された『本発明の一実施形態』が記載されており、エッチング後のｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）の結晶欠陥（転位）密度が１×１０６ｃｍ−２以下にまで減少したとされており（【００４６】）、また、上記『本発明の一実施形態』と同様の方法により作製された『試料４』のコンタクト抵抗が７．０×１０−４Ωｃｍ２であったことが記載されており（【００５４】【表１】、【００５６】）、訂正事項３は、本件明細書の記載から導き出すことができる事項であるから、新規事項を追加するものでない。
　また、訂正事項３のうち『加工』を『機械研磨』とする訂正が、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでないことは明らかであり、請求項１の記載を引用する請求項５を新たな請求項９とする訂正は請求項間の引用関係の解消を目的とするものである（上記ア参照。）から、訂正事項３は、特許請求の範囲を実質的に拡張・変更するものでない。
　
３　意見書における被請求人の主張について
　平成２８年２月３日付け意見書（被請求人）における被請求人の主張（・・・）についての当審の見解は次のとおりである。
　
（１）訂正拒絶理由通知（・・・）の『（１）請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正　ア　訂正事項１　（イ）物としての同一性について』に対する被請求人の主張について
　上記最高裁判決は、『物の発明についての特許に係る特許請求の範囲にその物の製造方法が記載されている場合であっても、その特許発明の技術的範囲は、当該製造方法により製造された物と構造、特性等が同一である物として確定されるものと解するのが相当である』と判示している（物同一説）。そして物同一説に基づけば、審決予告（その１）及び訂正拒絶理由通知で説示したとおり、訂正事項１により被請求人が除こうとしている物と、除かれた後に残った物のうちの一部との間に物としての差異がなく、結局、除かれた物と同一の物が本件訂正後の請求項１に包含されることになるのであるから、当該請求項１の記載事項によって特定される発明の範囲自体は、実質的には本件訂正の前と後で何ら変わっていないといわざるを得ないのであって、被請求人の『訂正事項１は、『機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く』ことで、本件訂正前の請求項１に係る発明から、機械研磨を行わずにエッチングのみで製造された素子の技術的思想を排除するものである』という見解には同意できない。したがって、被請求人の主張は、その前提を誤っており、採用できない。
　また、十分な時間をかけてエッチングすれば、被請求人がいう『厚み加工』ができることは明らかであり、エッチングのみで製造された素子は機械研磨後にエッチング加工して製造された素子と物の構造、特性等に差異がない。また、エッチングのみで製造する方法がコスト等において現実的なのか否かは、両製造方法で製造した物における物の構造、特性等に差異があるのか否かとは関係がない。したがって、被請求人の主張は採用できない。
　
（２）訂正拒絶理由通知の『（１）請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正　ア　訂正事項１　（ウ）ＰＢＰクレームとしてみた場合の明確性について』に対する被請求人の主張について
　訂正後の請求項１に記載された『ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く』という事項を見た当業者は、訂正事項１により被請求人が除こうとしている物と、除かれた後に残った物のうち一部との間に物としての差異がないので、被請求人が何を除こうとしているのかを明確に理解することができない。そうすると、訂正事項１は、権利者（被請求人）がどの範囲について独占権を有するのかについて当業者が予測することをかえって困難にするものであるから、被請求人の主張は採用できない。
　物同一説では、物の構造、特性等が同一の物であれば、例え、製造方法が異なっても、技術的範囲に包含されることとなるのだから、本件についてみると、物の構造、特性等に差異がないのであれば、例え『ただし、・・・製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く』という発明特定事項が存在していても、除かれたはずの当該製造方法で製造した物は、訂正後クレームの技術的範囲に包含されることになる。したがって、物同一説に立てば、『・・・を除く』によって、どのような物の構造、特性等を有するものを除外しているのかが明確でない限りは、当該『・・・を除く』は明確でないとされるのが相当である。被請求人の主張は、除かれた製造方法で製造された物は、どのような物でもクレームの技術的範囲外にあることを前提としていると理解できるが、当該前提はいわゆる製法限定説に立脚しているので、最高裁判決に反する主張である。
　平成２７年１２月２５日付け訂正拒絶理由通知の２（１）ア（ウ）ｂに記載したとおり、本件訂正後の請求項１に係る発明において、製造方法を、『機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法』以外の方法に限定することによって特定される『窒化物系半導体素子』という物の構造又は特性は、『ｎ側電極と第１半導体層の界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する』という特性であり、そうすると、製造方法を限定することによって特定される『窒化物系半導体素子』という物の構造又は特性は、本件特許の出願時において『ｎ側電極と第１半導体層の界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する』として直接特定することが不可能であったとはいえないから、出願日において当該物（窒化物系半導体素子）をその構造、特性等により直接特定することが不可能であるか、又はおよそ実際的でないという事情が存在するとは認められない。
　なお、本件発明を機械研磨による転位が残っている物に限定するのであれば、被請求人の主張は採用できなくもないが、訂正後の発明特定事項は、そのような物に限定したものとは認められない（『転位が存在する可能性がある場合』ということは、まったく存在しない場合も含むと解される。）。
　以上のとおり、訂正事項１について、不可能・非実際的事情が存在するとは認められず、訂正事項１に係る訂正が訂正目的要件を充足するとは認められない。
　
（３）訂正拒絶理由通知の『（１）請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正　ア　訂正事項１　（オ）誤記又は誤訳の訂正、明瞭でない記載の釈明又は他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることに当たるか否かについて』に対する被請求人の主張について
　本件訂正前の請求項１に係る発明は、物の発明として明確であるから、訂正事項１が『明瞭でない記載の釈明』を目的とするものであるとする被請求人の主張は採用できない。
　なお、本件訂正前の請求項１が、技術課題を解決する必要のない方法で製造したものを包含するということは、発明の明確性の問題ではなく、請求項１が、解決しようとする課題を超えて拡張ないし一般化されているといういわゆるサポート要件違反の問題である。
　上述のとおり、本件訂正前の請求項１に係る発明は、物の発明として明確である。他方、訂正事項１により被請求人が除こうとしている物と、除かれた後に残った物のうち一部との間に物としての差異がないので、被請求人が何を除こうとしているのかを明確に理解することができないため、当該訂正事項１は明確でない発明を明確にするというよりも、むしろ明確である発明を明確でない発明にする訂正であるといえる。よって、被請求人の主張は採用できない。
　
４　小括
　上記２（１）のとおり、請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正における訂正事項１は、特許法第１３４条の２第１項ただし書に規定する要件を充足しない。したがって、訂正事項２について判断するまでもなく、請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正は、これを認めることができない。
　また、上記２（２）のとおり、請求項９に係る訂正（訂正事項３）は特許法第１３４条の２第１項ただし書に規定する要件、同法同条第９項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件及び同法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第６項に規定する要件を充足する。したがって、請求項９に係る訂正は、これを認める。
　
第６　本件発明に対する当審の判断
１　本件発明
　上記第５のとおり、本件訂正の請求（その２）のうち、請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正は認められず、請求項９に係る訂正は認められたので、本件の請求項１ないし８に係る発明は、本件訂正（その２）前の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認め、また、本件の請求項９に係る発明は、本件訂正（その２）後の特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
　
『【請求項１】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。
【請求項２】
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度が、１×１０６ｃｍ−２以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項３】
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における電子キャリア濃度は、１×１０１７ｃｍ−３以上である、請求項１または２に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項４】
　前記第１半導体層の裏面は、前記第１半導体層の窒素面を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が加工され、該加工により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項６】
　前記第１半導体層のｎ型ドーパントが酸素であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項７】
　前記第１半導体層の上面上に、Ｓｉ、Ｓｅ及びＧｅのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項８】
　前記第１半導体層は、ＨＶＰＥ法を用いて形成されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項９】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有し、
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする、窒化物系半導体素子。』（以下、請求項１ないし請求項９に係る発明を、それぞれ『本件発明１』ないし『本件発明９』という。）
　
２　甲各号証に記載された事項
（１）甲２に記載された発明（以下『甲２発明』という。）
　ア　甲２の記載事項
・・・（省略）・・・
　
　イ　甲２発明
　上記アの摘記事項（ア）ないし（ケ）を含む甲２の全記載（特に、【０２１７】の『研磨を行わずにドライエッチングによりｎ型ＧａＮ層６６または６５まで除去してｎ型電極を形成する』方法についての記載を含む）からみて、甲２には、次の発明が記載されていると認められる。
　
　ウルツ鉱型結晶構造を有するＩＩＩ族元素窒化物半導体、例えば、ＧａＮ系半導体発光素子において、格子定数や熱膨張係数が異なるサファイア基板上にＧａＮ結晶膜のエピタキシャル成長を行うと、基板やエピタキシャル層に歪みや欠陥、転位が発生し、また、厚い膜を成長した場合にはクラックが発生し、デバイスとしての性能が極端に悪くなるという問題があったので、サファイア基板上にエピタキシャル成長を行って形成されたものであっても、歪みや欠陥、転位が少なく、また厚い膜であってもクラックが入りにくい、ＧａＮ結晶膜を提供することを目的とした発明であって、
『サファイア基板上にＭＯＣＶＤ法で膜厚１μｍの下地結晶膜としてのＧａＮ膜を形成し、該ＧａＮ膜上にＳｉＯ２膜を形成し、該ＳｉＯ２膜をフォトリソグラフィー法とウエットエッチングでストライプ状に成形してマスクを形成し、該ストライプ状のマスク間の領域である成長領域上に、塩化ガリウム（ＧａＣｌ）をＧａ原料とし、アンモニア（ＮＨ３）ガスをＮ原料として、ハイドライドＶＰＥ法によりＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させると、ＧａＮ結晶は、初期段階ではマスク上に成長せず前記成長領域のみで成長するため、前記成長領域上のＧａＮ結晶には基板の面方位とは異なる面方位を有するファセットが出現し、エピタキシャル成長を続けると、ＧａＮ結晶はファセット面に対して垂直な方向に成長が進むため、前記成長領域だけでなくマスク上にも成長し、やがてマスクを覆うようになって隣接する成長領域のＧａＮ結晶のファセットと接触し、さらにエピタキシャル成長を続けると、ファセットが埋め込まれ、これにより平坦な表面を有するＧａＮ結晶膜を得て、
　ＧａＮ結晶膜を形成後、サファイア基板とマスクとＧａＮ結晶膜の一部を除去して得たＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハを基板として、該基板上に発光素子構造を形成する方法（以下『ＧａＮ基板法』という。）により作製されたＧａＮ系半導体発光素子であって、
　前記ＧａＮ結晶膜において、転位は、ファセットに向かって進み基板と垂直に伸びていたものが垂直な方向へ伸びることができなくなるためファセットの成長とともに横方向に曲げられ、そのほとんどは結晶の端に出てしまうか閉ループを形成するので、エピタキシャル膜の膜厚増加に伴い上部の成長領域では転位が減少していき、その結果、マスク近傍の比較的転位密度が大きい層領域である高転位密度層と、上層領域において、下地結晶中の刃状転位を引継ぎｃ面に対して平行な変位ベクトルを持つＡ転位と下地結晶中の混合転位を引継ぎｃ面に対して斜めに傾いた変位ベクトルを持つＢ転位を合わせた全転位の転位密度が好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下の低転位密度層とを有するｎ型ＧａＮ結晶膜となり、
　前記ＧａＮ基板法は、例えば、キャリア濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上の前記ｎ型ＧａＮ結晶膜が形成された基板をＭＯＣＶＤ装置にセットし、所定の温度、ガス流量、Ｖ族元素／ＩＩＩ族元素比で、厚さ１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ層、厚さ０．４μｍのＳｉ添加ｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層、厚さ０．１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ２．５ｎｍの無添加Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍの無添加Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる１０周期の多重量子井戸構造活性層、厚さ２０ｎｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層、厚さ０．１μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ０．４μｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層、及び厚さ０．５μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮコンタクト層を順次形成して発光素子構造を形成し、次に、
研磨を行わずにドライエッチングにより前記サファイア基板、前記下地結晶膜、前記マスク及び前記ｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去し
　ＧａＮ系半導体発光素子。』（審理事項通知書での呼称に合わせて、以下、『甲２第二発明』という。）
　
（２）その外の甲各号証（ただし、甲１、甲３の３、甲１１、甲２２、甲２３を除く）に記載された事項の概要
・・・（省略）・・・
　
３　対比・判断
　職権無効理由について判断する。
（１）本件発明１について
　本件発明１と甲２第二発明とを対比する。
　ア　甲２第二発明の『『サファイア基板上』に『ＧａＮ結晶膜を形成後、サファイア基板とマスクとＧａＮ結晶膜の一部を除去して得』た『ＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハ』からなる『基板』』、『『研磨を行わずにドライエッチングによりサファイア基板、下地結晶膜、マスク及びｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して、露出したＧａＮ結晶膜の面』、『素子裏面』』、『ｎ型電極』及び『ＧａＮ系半導体発光素子』は、それぞれ、本件発明１の『ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層』、『第１半導体層の裏面』、『ｎ側電極』及び『窒化物系半導体素子』に相当する。
　
　イ　甲２第二発明は、『第１半導体層の裏面（研磨を行わずにドライエッチングにより前記サファイア基板、前記下地結晶膜、前記マスク及び前記ｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して、露出したＧａＮ結晶膜の面、すなわち素子裏面）』側にチタンとアルミニウムからなる『ｎ側電極（ｎ型電極）』を形成し、ｐ型ＧａＮコンタクト層上にニッケルと金からなるｐ型電極を形成する工程を含み、『ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層（ＧａＮ結晶膜を形成後、サファイア基板とマスクとＧａＮ結晶膜の一部を除去して得たＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハ）』を基板として、該基板上に発光素子構造を形成する方法（ＧａＮ基板法）により作製された『窒化物系半導体素子（ＧａＮ系半導体発光素子）』であるから、甲２第二発明の『窒化物系半導体素子（ＧａＮ系半導体発光素子）』と本件発明１の『窒化物系半導体素子』とは、少なくとも、『ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極を備え』ている点で一致する。
　
　ウ　甲２第二発明では、研磨を行わずにドライエッチングにより前記サファイア基板、前記下地結晶膜、前記マスク及び前記ｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して、露出したＧａＮ結晶膜の面、すなわち素子裏面側にチタンとアルミニウムからなるｎ型電極を形成しているから、『第１半導体層の裏面（研磨を行わずにドライエッチングによりサファイア基板、下地結晶膜、マスク及びｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して、露出したＧａＮ結晶膜の面）』には、機械研磨により発生する転位は存在しない。そして、前記ドライエッチングにより、甲２第二発明の『第１半導体層の裏面』には、下地結晶中の刃状転位を引継ぎｃ面に対して平行な変位ベクトルを持つＡ転位と下地結晶中の混合転位を引継ぎｃ面に対して斜めに傾いた変位ベクトルを持つＢ転位を合わせた全転位の転位密度が好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下の低転位密度層が露出することになるから、甲２第二発明の『窒化物系半導体素子（ＧａＮ系半導体発光素子）』と本件発明１の『窒化物系半導体素子』とは、少なくとも、『前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下』である点で一致する。
　
　エ　上記ア〜ウからみて、本件発明１と甲２第二発明とは、
『ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極を備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下である、
　窒化物系半導体素子。』で一致し、次の点において相違する。
　
相違点：
　『前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面』における『コンタクト抵抗』が、
　本件発明１では、『０．０５Ωｃｍ２以下』であるのに対し、
　甲２第二発明では、０．０５Ωｃｍ２以下であるかどうか不明である点
　
　オ　相違点について
　ａ　本件発明１における転位密度の上限値である『１×１０９ｃｍ−２』及びコンタクト抵抗の上限値である『０．０５Ωｃｍ２』については、機械研磨したＧａＮ基板の裏面をＲＩＥ法（Ｃｌ２ガス）によりエッチングして０．５μｍの厚み分だけ除去した後にｎ側電極形成した試料３の裏面の結晶欠陥密度（転位密度）が『１×１０９ｃｍ−２』であり（本件特許明細書の【００５８】）、コンタクト抵抗が『０．０５Ωｃｍ２』であった（同【００５４】【表１】）ことに基づいている。
　また、【００３９】〜【００６１】を含む本件特許明細書全体の記載から、本件発明１における転位密度の上限値『１×１０９ｃｍ−２』及びコンタクト抵抗の上限値『０．０５Ωｃｍ２』の持つ技術上の意義は、ＧａＮ基板の裏面を機械研磨した後にＲＩＥ法によるエッチングを行わずに（そのまま、あるいは塩酸処理しただけで）電極形成した試料（試料１及び試料２）における裏面の転位密度やコンタクト抵抗の値と比べてこれらの値が１桁以上小さいことであると理解できる（試料１及び試料２の裏面の転位密度は明記されていないが、【００４６】の『エッチング前には、結晶欠陥密度は、１×１０１０ｃｍ−２以上であった』との記載から、１×１０１０ｃｍ−２かそれよりも少し高い程度であると考えられる。）。
　ｂ　本件発明１におけるコンタクト抵抗の上限値『０．０５Ωｃｍ２』の持つ技術上の意義は、ＧａＮ基板の裏面を機械研磨した後にＲＩＥ法によるエッチングを行わずに（そのまま、あるいは塩酸処理しただけで）電極形成した試料（試料１及び試料２）における裏面のコンタクト抵抗の値と比べて１桁以上小さいことであると理解できる。しかしながら、試料３（エッチングあり）を試料２（エッチングなし）と比較すると、コンタクト抵抗は２分の１に（０．１Ωｃｍ２から０．０５Ωｃｍ２に）なっているに過ぎないのに対し、試料４（エッチングで１μｍの厚み分だけ除去）を試料３（エッチングで０．５μｍの厚み分だけ除去）と比較すると、コンタクト抵抗は２桁下がって（０．０５Ωｃｍ２から７．０×１０−４Ωｃｍ２になって）いることを考慮すると、本件発明１におけるコンタクト抵抗の上限値である『０．０５Ωｃｍ２』は、機械研磨により発生した転位の一部のみを除去することにより達成できた値であり、ＲＩＥ法によるエッチングを行わない試料２の転位密度に比べて格別に低い値というわけではないといわざるを得ない。
　さらに、甲７に、ＧａＮ基板中の不純物濃度が１×１０17ｃｍ-3を超えると接触比抵抗が１×１０-5Ω・ｃｍ2以下となることが記載されており（上記２（２）カ参照。）、このことに照らしても、『０．０５Ωｃｍ２』は格別の値ではないといわざるを得ない。
　ｃ　甲２第二発明においては、機械研磨を行わずに（甲２の【０２１７】参照。）ドライエッチングにより前記サファイア基板、前記下地結晶膜、前記マスク及び前記ｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して、露出したＧａＮ結晶膜の面にｎ型電極を形成しているところ、機械研磨を行っていないため、そのときの第１半導体層の裏面には機械研磨により発生する転位は存在しないのであるから、上記ａ及びｂからみて、そのときの第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗は、機械研磨により発生した転位の一部のみを除去することにより達成できた値であり、裏面近傍の領域を除去しない（ＲＩＥ法によるエッチングを行わない）試料の転位密度と比べて２分の１程度に過ぎず、かつ、本件特許の優先日前に知られていた値と比べて３桁も高い『０．０５Ωｃｍ２以下』の範囲に入っている蓋然性が高く、仮にそうとまではいえないとしても、甲２第二発明において第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下となすことは、発明を実施する際に当業者が適宜なし得る程度の、いわゆる設計的事項であるといわざるを得ない。
　ｄ　上記ａないしｃからみて、甲２第二発明において、第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下となすこと、すなわち、相違点に係る本件発明１の構成となすことは、当業者が容易になし得たことである。
　
　カ　効果について
　本件発明１の奏する効果は、甲２第二発明の奏する効果から当業者が予測することができた程度のものである。
　
　キ　本件発明１についてのまとめ
　以上のとおり、本件発明１は、当業者が甲２に記載された発明（甲２第二発明）に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
（２）本件発明９について
・・・（省略）・・・
　
（３）本件発明２ないし８について
　ア　本件発明２について
・・・（省略）・・・
　
　イ　本件発明３について
・・・（省略）・・・
　
　ウ　本件発明４について
・・・（省略）・・・
　
　エ　本件発明５について
・・・（省略）・・・
　
　オ　本件発明６について
・・・（省略）・・・
　
　カ　本件発明７について
・・・（省略）・・・
　
　キ　本件発明８について
・・・（省略）・・・
　
　ク　本件発明２ないし本件発明８についてのまとめ
　以上のとおり、本件発明２ないし本件発明５は、当業者が甲２に記載された発明（甲２第二発明）及び周知技術１に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　また、本件発明６ないし本件発明８は、当業者が甲２に記載された発明（甲２第二発明）、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
（４）まとめ
　上記（１）ないし（３）のとおり、本件発明１ないし本件発明９は、いずれも、当業者が甲２に記載された発明（甲２第二発明）、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（５）付言
・・・（省略）・・・
　
第７　むすび
・・・（省略）・・・」
　
第５　本件訂正（その３）についての当審の判断
１　本件訂正（その３）の内容
　被請求人は、平成２８年９月８日に訂正請求書（その３）を提出して訂正（以下、「本件訂正（その３）」という。）を求めた。本件訂正（その３）の内容は、本件発明の明細書を訂正請求書（その３）に添付した訂正明細書のとおりに訂正しようとするものであって、次の（１）及び（２）の事項をその訂正内容とするものである（訂正による変更部分に当審で下線を付した。）。
　なお、上記第１の３に記載したとおり、本件特許無効審判事件において先にした訂正の請求（訂正請求書（その１）、訂正請求書（その２））は、特許法第１３４条の２第６項の規定により、取り下げられたものとみなされた。これにより、別件無効審判事件（その審決は平成２６年９月３０日に確定した。）においてなされた訂正請求により訂正された請求項１及び請求項５が、本件訂正（その３）の前の請求項１及び請求項５となる。
　
（１）請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正
　ア　訂正事項１
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１を次のとおり訂正する。
　
（本件訂正（その３）前）
「【請求項１】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の
窒化物系半導体
る
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。」
　
（本件訂正（その３）後）
「【請求項１】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の
ＧａＮ
り、裏面側が機械研磨された
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。」
　
　イ　訂正事項２
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項５を次のとおり訂正する。
　
（本件訂正（その３）前）
「【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が
加工
加工
１
　
（本件訂正後）
「【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が
機械研磨
機械研磨
２
　
（２）請求項９に係る訂正
　訂正事項３
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の記載を引用する請求項５を引用関係を解消して新たな請求項９とするとともに、請求項５の「加工」を「機械研磨」として、次のとおり訂正する。
　
（本件訂正（その３）前）
「【請求項１】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。」
「【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が加工され、該加工により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。」
　
（本件訂正（その３）後）
「
【請求項９】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０
９
ｃｍ
−２
以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ
２
以下のコンタクト抵抗を有し、
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする、窒化物系半導体素子
　
２　訂正要件の充足性についての判断
（１）請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正
　ア　訂正事項１
（ア）特許法第１３４条の２第１項ただし書に規定する要件（以下「訂正目的要件」という。）の充足性について
　訂正事項１は、上記１（１）アのとおりであり、本件訂正（その３）前の請求項１の「窒化物半導体基板」を「ＧａＮ基板」にする訂正と、本件訂正（その３）前の請求項１の「第１半導体層」について、その「裏面側が機械研磨された」ものであることを特定する訂正とからなる。前者の訂正は、「窒化物系半導体基板」をその下位概念である「ＧａＮ基板」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。また、後者の訂正の「裏面側が機械研磨された」は、単に「第１半導体層」の裏面側が機械研磨されているということを示す記載を付加するものに過ぎず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでないことは明らかである。したがって、訂正事項１は、全体として特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（イ）特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件（以下「新規事項の追加禁止の要件」という。）の充足性について
　願書に添付した明細書の段落【００４３】には「この後、図３および図４に示すように、
ｎ型ＧａＮ基板１の（０００−１）面である裏面（窒素面）を機械研磨
機械研磨装置３０を用いて、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）を
研磨する
ｎ型ＧａＮ基板１の裏面
を、研磨剤が配置されているバフ１３の上面に、一定の負荷で押圧する
そして、バフ１３
に水またはオイルを流しながら、ホルダ１２をＲ方向に回転する
このようにして、ｎ型ＧａＮ基盤１の厚みが約１２０μｍ〜約１８０μｍになるまで機械研磨を行う
　
（ウ）特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第６項に規定する要件（以下「特許請求の範囲の実質拡張・変更禁止の要件」という。）の充足性について
　上記ア（ア）のとおり、訂正事項１は、全体として特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、本件訂正（その３）前の請求項１に包含されていなかったものを、本件訂正（その３）後の請求項１が包含していることはないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。また、訂正事項１は、本件訂正（その３）前の請求項１の記載以外に、本件訂正（その３）前の請求項２〜８の記載について何ら訂正するものではなく、本件訂正（その３）前の請求項２〜８に包含されていなかったものを、本件訂正（その３）後の請求項２〜８が包含していることはない。したがって、訂正事項１は、特許請求の範囲の実質拡張・変更禁止の要件を充足する。
　
（エ）（ア）ないし（ウ）のまとめ
　上記（ア）ないし（ウ）のとおりであるから、訂正事項１は、訂正要件を充足する。
　
　イ　訂正事項２
（ア）訂正目的要件の充足性について
　訂正事項２は、上記１（１）イのとおりであり、本件訂正（その３）前の請求項５の「加工」を「機械研磨」とする訂正と、請求項５の引用請求項を本件訂正（その３）前の請求項１〜４から請求項２〜４にする訂正との２つの訂正を求めるものである。そして、後者の訂正は、訂正事項３において、請求項１の記載を直接引用する請求項５を請求項１を引用しない書き下した形にして新たな請求項９としたこと（下記（２）参照。）に伴い、従属請求項である請求項５から請求項１の記載を直接引用する請求項５を削除するものであるから、事実上、請求項９に係る訂正（訂正事項３）と一体となる訂正であって、訂正事項３とともに、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること（以下「請求項間の引用関係の解消」という。）を目的とするものである。また、前者の「加工」を「機械研磨」とする訂正が、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでないことは明らかである。したがって、訂正事項２は、全体として請求項間の引用関係の解消を目的とするものであるから、訂正目的要件を充足する。
　
（イ）新規事項の追加禁止の要件の充足性について
　願書に添付した明細書の段落【００４５】には「これにより、
ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）を約１μｍの厚み分だけ除去する
その結果、上記機械研磨に起因して発生
ｎ型ＧａＮ基板１の裏面の結晶欠陥（転位）密度を
結晶欠陥密度は、１×１０
１０
ｃｍ
−２
以上
結晶欠陥密度は、１×１０
６
ｃｍ
−２
以下
研磨工程に起因して発生したｎ型ＧａＮ基板１の裏面近傍の結晶欠陥を含む領域を除去
機械研磨により発生した結晶欠陥を含む領域
ｎ型ＧａＮ基板の裏面を約１μｍの厚み分だけ除去
ｎ型ＧａＮ基板の裏面を約０．５μｍの厚み分だけ除去
機械研磨により発生した結晶欠陥を含むｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍の領域を十分に除去
ｎ型ＧａＮ基板の裏面の結晶欠陥（転位）密度
結晶欠陥密度は１×１０
９
ｃｍ
−２
観察した視野中に結晶欠陥は観察されず、結晶欠陥密度は１×１０
６
ｃｍ
−２
以下
機械研磨
機械研磨
　よって、訂正事項２は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加禁止の要件を充足するものである。
　
（ウ）特許請求の範囲の実質拡張・変更禁止の要件の充足性について
　訂正事項２は、上記したように、特許請求の範囲の減縮及び請求項間の引用関係の解消を目的とするものであって、本件訂正（その３）前の請求項５に包含されていなかったものを、本件訂正（その３）後の請求項５が包含していることはないから、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものには該当せず、特許請求の範囲の実質拡張・変更禁止の要件に適合するものである。
　訂正事項２は、訂正前の請求項５の記載を引用する訂正前の請求項６〜８の記載についても実質的に訂正するものであるが、上記のとおり、本件訂正（その３）後の請求項５の記載は、本件訂正（その３）前の請求項５との関係で特許請求の範囲を実質的に拡張し、又は変更するものではない。また、訂正事項２は、本件訂正（その３）前の請求項５の記載以外に、本件訂正（その３）前の請求項６〜８の記載について何ら訂正するものではなく、本件訂正（その３）前の請求項６〜８に包含されていなかったものを、本件訂正（その３）後の請求項６〜８が包含していることはない。
　したがって、訂正事項２は、本件訂正（その３）前の請求項６〜８との関係で、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許請求の範囲の実質拡張・変更禁止の要件を充足するものである。
　
　ウ　請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正
　請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正は、訂正事項１と訂正事項２とからなるところ、上記ア及びイからみて、請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正は、訂正目的要件、新規事項の追加禁止の要件及び特許請求の範囲の実質拡張・変更禁止の要件を充足する 。
　
（２）請求項９に係る訂正
　ア　訂正目的要件の充足性について
　訂正事項３は上記１（２）のとおりであり、請求項１の記載を引用する請求項５を新たな請求項９とする訂正と、本件訂正（その３）前の請求項５の「加工」を「機械研磨」とする訂正との２つの訂正を求めるものである。そして、前者の訂正は、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項を引用しないものとすること（請求項間の引用関係の解消）を目的とするものと認められる。また、後者の「加工」を「機械研磨」とする訂正が、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでないことは明らかである。したがって、請求項９に係る訂正は、全体として請求項間の引用関係の解消を目的とするものと解される。
　訂正事項３は、全体として他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項を引用しないものとすること（請求項間の引用関係の解消）を訂正の目的とするものであるから、訂正目的要件を充足する。
　
　イ　新規事項の追加禁止の要件の充足性及び特許請求の範囲の実質拡張・変更禁止の要件の充足性について
　願書に添付した明細書の段落【００４３】〜【００４９】には、ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）の機械研磨による厚み加工（ｎ型ＧａＮ基板の厚みが約１２０μｍ〜約１８０μｍになるまで研磨する）を行った後に、当該ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）を、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法によりエッチングして約１μｍの厚み分だけ除去し、その後、当該ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）上にｎ側電極を形成する工程で製造された「本発明の一実施形態」が記載されており、エッチング後のｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）の結晶欠陥（転位）密度が１×１０６ｃｍ−２以下にまで減少したとされており（【００４６】）、また、上記「本発明の一実施形態」と同様の方法により作製された「試料４」のコンタクト抵抗が７．０×１０−４Ωｃｍ２であったことが記載されており（【００５４】【表１】、【００５６】）、訂正事項３は、願書に添付した明細書の記載から導き出すことができる事項であるから、新規事項を追加するものでない。
　また、訂正事項３のうち「加工」を「機械研磨」とする訂正が、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでないことは明らかであり、請求項１の記載を引用する請求項５を新たな請求項９とする訂正は請求項間の引用関係の解消を目的とするものである（上記ア参照。）から、訂正事項３は、特許請求の範囲を実質的に拡張・変更するものでない。
　
３　小括
　上記２（１）のとおり、請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正は、特許法第１３４条の２第１項ただし書に規定する要件、同法同条第９項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件及び同法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第６項に規定する要件を充足する。したがって、請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正は、これを認める。
　また、上記２（２）のとおり、請求項９に係る訂正（訂正事項３）は特許法第１３４条の２第１項ただし書に規定する要件、同法同条第９項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件及び同法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第６項に規定する要件を充足する。したがって、請求項９に係る訂正は、これを認める。
　
第６　本件発明に対する当審の判断
１　本件発明
　上記第５のとおり、本件訂正の請求（その３）のうち、請求項１〜８からなる一群の請求項に係る訂正は認められ、また、請求項９に係る訂正も認められたので、本件の請求項１ないし９に係る発明は、本件訂正（その３）後の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型のＧａＮ基板からなり、裏面側が機械研磨された第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子。
【請求項２】
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度が、１×１０６ｃｍ−２以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項３】
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における電子キャリア濃度は、１×１０１７ｃｍ−３以上である、請求項１または２に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項４】
　前記第１半導体層の裏面は、前記第１半導体層の窒素面を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項５】
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項６】
　前記第１半導体層のｎ型ドーパントが酸素であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項７】
　前記第１半導体層の上面上に、Ｓｉ、Ｓｅ及びＧｅのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項８】
　前記第１半導体層は、ＨＶＰＥ法を用いて形成されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項９】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有し、
　前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であることを特徴とする、窒化物系半導体素子。」（以下、請求項１ないし請求項９に係る発明を、それぞれ「本件訂正発明１」ないし「本件訂正発明９」という。）
　
２　甲各号証に記載された事項
（１）甲２に記載された発明（以下「甲２発明」という。）
　ア　甲２の記載事項
　甲２には、次の（ア）ないし（ケ）の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
（ア）「【請求項４１】  成長させる結晶とは異なる材料からなる異種基板上に複数の成長領域を形成するようにストライプ状にパターニングされたマスクを形成する工程、該マスクの表面の清浄化処理を行う工程、該成長領域からファセット構造を形成しながら結晶成長させ、該マスクを介して隣り合う成長領域から成長した結晶と合体して該マスクを覆い、さらに該ファセット構造を埋め込んで表面を平坦化するようにエピタキシャル成長する工程を有することを特徴とするＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。
【請求項４２】  気相成長法によりエピタキシャル成長する請求項４１記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。
【請求項４３】  マスク表面の清浄化処理をマスク表面をエッチングすることにより行う請求項４１又は４２記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。
【請求項４４】  マスク表面の清浄化処理をオゾン又は紫外光照射により行う請求項４１又は４２記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。
【請求項４５】  マスク表面の清浄化処理を、還元性雰囲気下で熱処理を行うことにより行う請求項４１又は４２記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。
【請求項４６】  前記マスクのストライプ方向が＜１１−２０＞又は＜１−１００＞方向である請求項４１〜４５のいずれか１項に記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。
【請求項４７】  前記異種基板上に下地結晶層を設け、該下地結晶層上にエピタキシャル成長する請求項４１〜４６のいずれか１項に記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。
【請求項４８】  前記エピタキシャル成長後、前記異種基板を研磨あるいは研削して薄くする工程を有する請求項４１〜４７のいずれか１項に記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。
【請求項４９】  前記異種基板を、エピタキシャル成長層の厚さの半分以下になるまで薄くする請求項４８記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。
【請求項５０】  前記異種基板として、エピタキシャル成長層の所定の厚さの半分以下の厚さを有する異種基板を用いる請求項４１〜４７のいずれか１項に記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。
　・・・（略）・・・
【請求項５３】  前記異種基板の厚さがエピタキシャル結晶層の半分以下の厚さの状態で該異種基板にクラックを発生させた後、該異種基板を研磨あるいは研削により除去する請求項４９又は５０記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。
【請求項５４】  前記異種基板上に下地結晶膜を形成し、該下地結晶膜上にストライプ状マスクを形成する工程を有するＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法であって、研磨あるいは研削によって該異種基板とともに該下地結晶膜も除去する請求項５３記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項５５】  クラック形成後、前記異種基板を研磨あるいは研削によって除去した後、前記ストライプ状マスクを除去する工程を有する請求項５３又は５４記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項５６】  クラック形成後、前記異種基板を研磨あるいは研削によって除去するとともに前記ストライプ状マスクを除去する工程を有する請求項５３又は５４記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項５７】  前記ストライプ状マスクが除去された側の結晶面を研磨により平坦化する工程を有する請求項５５又は５６記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。」
　
（イ）「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような
異種基板上にエピタキシャル成長を行うと、基板やエピタキシャル層に歪みや欠陥が発生し、また、厚い膜を成長した場合にはクラックが発生する
デバイスとしての性能が極端に悪くなる
　・・・（略）・・・
【００１３】さて、
ウルツ鉱型結晶構造を有するＩＩＩ族元素窒化物半導体の応用の一つには
青色系の光デバイスがある
　・・・（略）・・・
【００１７】そこで
本発明の目的は、格子定数や熱膨張係数が異なる異種基板上にエピタキシャル成長を行って形成されたものであっても、歪みや欠陥、転位が少なく、また厚い膜であってもクラックが入りにくい、ＧａＮ結晶膜、ＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法を提供すること
　
（ウ）「【００３８】
【発明の実施の形態】＜ＧａＮ結晶膜の成長方法＞本発明のＧａＮ結晶膜の成長方法の一実施形態について図面を参照して説明する。
【００３９】初めに、サファイア基板１上にＧａＮを含む下地結晶膜２を成長し、その表面上にフォトリソグラフィー法とウェットエッチング法を用いてストライプ状のマスク４を形成し、成長領域３を形成する（図１（ａ））。
【００４０】マスク４は基板１上に直接形成してもよいが、下地結晶膜２の形成により予め転位密度をある程度低減することができ、後に形成するＧａＮ結晶膜５の転位構造をより効果的に制御できるため、この下地結晶膜２は形成することが好ましい。このような下地結晶膜の材料としては、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜Ｘ＜１）、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜Ｘ＜１）などのＩＩＩ族元素窒化物が好ましい。なお、前記下地結晶膜の組成は必ずしも後にその上に形成するエピタキシャル層の組成と同じである必要はなく、場合によってはＩＩＩ族元素窒化物に限る必要もないが、上記エピタキシャル層と同じ結晶系でウルツ鉱型結晶構造を有する材料が好ましい。このような下地結晶膜の厚さは０．５μｍ〜２０μｍが好ましい。薄すぎると十分な効果が得られず、厚すぎるとクラックが発生しやすくなる。
　・・・（略）・・・
【００５１】マスクの形状はストライプ形状が好ましく、このときマスク１４の厚さは０．０１〜５μｍが好ましい。マスクの材料としては、ＳｉＯ２を用いることが好ましいがこれに限られるものではなく、ＳｉＮｘ等の絶縁体膜でもよい。
　・・・（略）・・・
【００５５】次に、成長領域３に対しＧａＮ結晶のエピタキシャル成長を行う。マスク４の付いた基板をエピタキシャル装置の反応管に挿入して、水素ガス、窒素ガス、または、水素と窒素の混合ガスとＮ原料ガスを供給しながら基板を所定の成長温度まで昇温する。温度が安定してからＧａ原料を供給して、成長領域３にＧａＮ結晶層を成長する。結晶成長方法は、Ｇａ原料に塩化ガリウム（ＧａＣｌ）を用い、Ｎ原料にアンモニア（ＮＨ３）ガスを用いる塩化物輸送法による気相成長（ＶＰＥ：Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）であるハイドライドＶＰＥ法が好ましいが、Ｇａ原料に有機金属化合物を用いる有機金属化合物気相成長（ＭＯＶＰＥ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いてもよい。
【００５６】
ＧａＮ結晶は、初期段階ではマスク４上に成長せず、成長領域３のみで結晶成長が起こり、成長領域上のＧａＮ結晶には基板の面方位とは異なる面方位を有するファセット６が形成される
【００５７】さらに
エピタキシャル成長を続けると、ＧａＮ結晶はファセット面に対して垂直な方向に成長が進むため、成長領域だけでなくマスク４を覆うようになる。そして隣接する成長領域のＧａＮ結晶のファセットと接触する
【００５８】
さらにエピタキシャル成長を続けると、ファセットが埋め込まれ
平坦な表面を有するＧａＮ結晶膜５を得ることができる
【００５９】通常、サファイア基板上にＧａＮ結晶の結晶成長を行うと、基板との界面で発生した結晶欠陥にともなう転位は、界面と垂直方向に伸びるために、たとえエピタキシャル膜を厚くしても、転位の低減は見られない。
【００６０】本発明における成長方法では、選択成長により成長領域にファセット構造を形成している。このファセットは成長速度が他の面より遅いために現れる。
ファセットの出現により転位がファセットに向かって進み、基板と垂直に伸びていた転位が垂直な方向へ伸びることができなくなる。転位はファセットの成長とともに横方向に曲げられ、そのほとんどの転位は、結晶の端に出てしまうか、閉ループを形成する
その結果、エピタキシャル膜の膜厚増加に伴い、上部の成長領域では結晶欠陥が減少していく。これにより、エピタキシャル膜内の欠陥の低減を図ることができる
【００６１】特に、Ｇａ原料に塩化物を用いる塩化物輸送法による気相成長では、ＧａＮ結晶の成長が速いため、ファセット構造のうち基板面と同じ面が消えるのがはやい。したがって基板と垂直に伸びる転位は、はやくからファセット構造のうち基板面と異なる面の方向に伸びることになりＧａＮ結晶における垂直に伸びる転位（貫通転位）を大幅に減らすことができる。
【００６２】なお、Ｇａ原料に有機金属化合物を用いる有機金属化合物気相成長では塩化物輸送法による気相成長と比べて成長速度が遅くなるが、上述のようにのＧａＮ結晶のファセット構造のうち基板面と同じ面が速く消えるようにすればよい。例えば成長領域に対するマスクの面積を大きくすればマスク上からの成長種の供給量が増えるため成長領域におけるＧａＮ結晶の成長を速めることができる。
【００６３】またＧａＮのエピタキシャル成長について述べたが、ＩｎＧａＮ膜、ＡｌＧａＮ膜あるいはＩｎＮ膜をエピタキシャル成長しても同様な効果が得られる。さらに成長するこれらの結晶膜に不純物を添加しても同様な効果が得られる。
【００６４】上述のように、本実施の形態で得られるＧａＮ結晶膜は、結晶欠陥が大幅に減少しており、このＧａＮ結晶膜上に形成する半導体レーザ等の素子構造（ＧａＮ結晶膜を含む積層構造）における結晶欠陥も大幅に減少させることができる。このため、異種基板（例えばサファイア基板）上に作製する積層構造の結晶性を改善することができ、優れた特性を有する半導体レーザ等の半導体装置を提供することができる。
【００６５】また、このようなＧａＮの結晶膜の膜厚を所望の厚さに成長した後、少なくともサファイア基板等の異種基板を除去することで、好ましくは異種基板とマスクとＧａＮ結晶膜の一部を除去することで、結晶欠陥の少ないＧａＮ結晶膜が得られ、これを基板として用いることで半導体レーザ等の素子を形成する上でさらに様々な利点が得られる。
【００６６】例えば、半導体発光素子の製造にＧａＮ結晶膜の基板を用いた場合は、サファイア基板等の絶縁性の異種基板を用いた場合に問題となっていた半導体発光素子における基板裏面への電極形成が可能になる。
【００６７】さらに、ＧａＮ結晶膜からなる基板（ＧａＮ結晶膜基板）上に形成する半導体発光素子がＧａＮ結晶膜を含む半導体レーザの場合は、ＧａＮ結晶膜基板と半導体レーザの積層構造との劈開面が同じであるため、劈開による共振器ミラーの作製が可能となる。
【００６８】なお、上記では、ＧａＮ結晶膜基板を用いて素子を作製した場合の利点について説明したが、サファイア基板等の異種基板上に、前述の選択成長方法により所望の厚さのＧａＮ結晶膜を形成した後に半導体素子構造を順次作製し、その後、この異種基板を除去することによっても、基板裏面への電極形成と、劈開による共振器ミラーの形成が可能であることは言うまでもない。
【００６９】サファイア基板等の異種基板上へのＧａＮ結晶膜形成時の膜厚としては、２０μｍ〜１ｍｍが好ましく、８０μｍ〜５００μｍがより好ましい。
【００７０】また、ＧａＮ結晶膜上に素子構造を形成する場合には、結晶成長する側のＧａＮ結晶膜の面だけでなく、異種基板付きＧａＮ結晶膜から異種基板やマスク等を削除した側、すなわちＧａＮ結晶膜の異種基板側の面を利用して素子構造を形成してもよい。この場合に、異種基板とともに除去するＧａＮ結晶膜の厚さは３００μｍ以下が好ましく、５〜１５０μｍがより望ましい。
【００７１】このようなＧａＮ結晶膜を素子基板として用いることにより、形成される半導体素子の積層構造の結晶性を改善することができ、その結果、優れた特性を有する半導体素子を提供することができる。
【００７２】また半導体発光素子に適用した場合は、サファイア基板で問題となっていた半導体発光素子における基板裏面への電極形成が可能になる。
【００７３】さらに半導体発光素子が半導体レーザの場合は、ＧａＮ結晶膜と劈開面が異なる異種基板上にレーザ構造を形成しても、劈開による共振器ミラーの作製が可能になる。」
　
（エ）「【０１１７】以下、転位構造に起因する、膜厚に依存する膜表面の転位密度の推移を述べる。
【０１１８】まず、各転位の全転位密度に対する割合の推移については、本発明によるＧａＮ結晶膜中では、図１７に示すような上記転位構造によって、上層領域（低転位密度層）において、
Ａ転位（ｃ面に対して平行な変位ベクトルを持つ転位）すなわち下地結晶中の刃状転位であった転位が減少し、Ｂ転位（ｃ面に対して斜めに傾いた変位ベクトルを持つ転位）すなわち下地結晶２中の混合転位であった転位はそのまま上部層へ引き継がれるため、全転位数に対するＡ転位の割合は少なくなり、反してＢ転位の割合が多くなる
【０１１９】ここでは、上記ＴＥＭ観察によってＧａＮ結晶膜中の転位のキャラクタを判別した結果、従来の一般的な方法でサファイア基板上に直接成長したＧａＮ結晶膜中では、Ｂ転位の割合が３０％以下であったのに対して、マスク幅、開口部幅、マスク周期に対する開口部幅の割合、マスクのストライプ方向を変化させることで全転位数に対して少なくとも５０％以上がＢ転位となる領域が存在することを確認した。」
　
（オ）「【０１２６】まず、
上記のＧａＮ結晶膜の成長方法に従って、基板１上にｎ型ＧａＮ結晶膜６５を形成する
 【０１２７】
次に、このｎ型ＧａＮ結晶膜６５上にＧａＮ系半導体発光素子の素子構造を作製する
発光素子構造を作製する
【０１２８】次に、
発光素子構造を形成した基板を研磨器にセットし、基板１、下地結晶膜２、マスク４及びＧａＮ結晶膜の一部を研磨してｎ型ＧａＮ結晶膜６５を露出させる
【０１２９】本実施の形態により以下の効果が得られる。
【０１３０】本発明のＧａＮ結晶膜上にＧａＮ系半導体素子構造を成長することにより、従来のサファイア基板を用いた成長で問題となっていたＧａＮ系半導体素子構造におけるエピタキシャル成長膜の結晶性が改善でき、素子特性を向上させることができる。
【０１３１】特にＧａＮ系半導体発光素子の場合においては、裏面に電極を形成することができるため、従来のようにドライエッチング等の複雑な作製工程で電極をＧａＮ結晶膜の表面に形成することなく素子を作製でき電極作製工程が簡略化できる。
【０１３２】またＧａＮ系半導体発光素子がＧａＮ系半導体レーザの場合は、結晶欠陥が少ないＧａＮ結晶厚膜を形成した後に、基板、マスク等を除去することで、劈開によりＧａＮ系半導体レーザ構造の共振器ミラー面を形成できる。サファイアとＧａＮ結晶とは結晶の劈開面が異なるため、従来、サファイア基板上に作製したレーザ構造の共振器ミラーは劈開により形成することが困難であった。これに対し、本発明では結晶欠陥が少ないＧａＮ結晶膜６５を厚く成長することができるため、サファイア基板やマスクを除去してもＧａＮ結晶膜上に形成したＧａＮ系半導体レーザ構造には影響はなく、またＧａＮ結晶膜６５上のレーザ構造は劈開により共振器ミラー面を形成できる利点を持っているため、従来のドライエッチング等による複雑な工程で共振器ミラー面を形成したものに比べ大幅に簡略化でき歩留まりも大幅に向上できる。
【０１３３】なお、上記の説明では、ＧａＮ結晶膜上にＧａＮ系半導体素子の積層構造を作製した後に基板１とマスク２とＧａＮ結晶膜６５の一部を除去したが、
ＧａＮ結晶膜を形成し基板１とマスク２とＧａＮ結晶膜６５の一部を除去した後にＧａＮ系半導体素子の積層構造を作製してもよい
【０１３４】またＧａＮ系半導体素子としては、ＧａＮ系半導体レーザやＧａＮ系ＬＥＤ等のＧａＮ系半導体発光素子の他にＦＥＴやＨＢＴなどのデバイスにも適用可能である。」
　
（カ）「【０１３５】＜ＧａＮ結晶膜の転位のキャラクタ組成＞前記のＧａＮ結晶膜の成長方法に従ってサファイア基板上に成長したＧａＮ結晶膜において、サファイア基板とマスクを含む下層領域が除去されたＧａＮ結晶膜は、含有される転位の過半数がＧａＮ結晶のｃ面に対して斜めに傾いた変位ベクトルを持つ転位（Ｂ転位）であることが、前記のＴＥＭによる解析で確認された。これに対して従来の一般的な方法でサファイア基板上に直接成長したＧａＮ結晶膜（サファイア基板を除く結晶層領域）中では、Ｂ転位の割合が３０％以下であった。また、本発明のＧａＮ結晶膜の上層領域（サファイア基板とマスクを含む下層領域が除去された結晶領域）中のＡ転位（ＧａＮ結晶のｃ面に平行な変位スベクトルを持つ転位）の全転位数に対する割合は、従来のＧａＮ結晶膜中のそれに対して少なくなっており、本発明の結晶膜の上層領域中に含有される転位は、ほぼＢ転位とＡ転位のみであった。
【０１３６】本発明のＧａＮ結晶膜は上記の特徴的な転位構造を有するため、ＧａＮ結晶膜中のＢ転位の割合が増大していることはＡ転位が低減、すなわち全転位の密度が低減していることを意味する。よって、半導体レーザ等の半導体装置の用途に好適なＧａＮ結晶膜は、Ｂ転位がＧａＮ結晶膜に含有される転位中の５０％以上であることが好ましい。また、このＧａＮ結晶膜中のＡ転位の全転位数に対する割合は５０％未満であることが好ましい。さらにＡ転位の転位密度は１×１０８／ｃｍ２未満であることが好ましい。このＧａＮ結晶膜中の
全転位の転位密度は２×１０
８
／ｃｍ
２
以下であることが好ましく、１×１０
７
／ｃｍ
２
以下であることがより好ましい
【０１３７】また、サファイア基板とマスクを含む下層領域を除去して好適なＧａＮ結晶膜を得るためには、サファイア基板上へ形成するＧａＮ結晶膜の膜厚は、２０μｍ〜１ｍｍが好ましく、８０μｍ〜５００μｍがより好ましい。また、基板とともに除去する下部領域のＧａＮ結晶膜の厚さは３００μｍ以下が好ましく、５〜１５０μｍがより望ましい。下地結晶層を形成している場合はサファイア基板等の除去とともに下地結晶層も除去することが好ましい。
【０１３８】以上は、ＧａＮからなる結晶膜について説明したが、本発明はウルツ鉱型結晶構造を有するＩＩＩ族元素窒化物半導体であれば適用可能である。ＧａＮ以外のＩＩＩ族元素窒化物半導体としては、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＮ等が挙げられる。なお、ボロンと窒素からなるＩＩＩ族元素窒化物半導体の結晶構造は立方晶であるが、ＩＩＩ族元素窒化物半導体にボロンが含有されていても、ウルツ鉱型結晶構造を保てる含有量の範囲であれば本発明に包含される。」
　
（キ）「【０１７６】＜異種基板の除去方法＞次に、異種基板を取り除く方法について具体例を挙げて説明する。ここでは約２５０μｍ厚のＧａＮ結晶をサファイア基板上に成長して得られた
ウエーハを研磨してサファイア基板を除去
【０１７７】まず、ＧａＮ結晶側の表面（ウェーハ表面）を粘土状のいわゆるコンパウンドで保護する。次に露出したサファイア表面（ウェーハ裏面）をサンドブラスト法によって研磨する。サンドブラスト法は良く知られているように研磨面にジルコニア、アルミナ、炭化珪素などの粒子をノズルから高速で衝突させるものであるため、曲面をもった素材の高速の研磨に適した方法である。高速で研磨しようとすれば粒径の尺度として５００番程度のものを用い、低速で研磨する場合は３０００番程度の粒径の小さなものを用いることが好ましい。また、粒子の材料としてはジルコニアが好ましく、サファイア以外の炭化珪素、ＭｇＡｌ２Ｏ４などからなる異種基板についても良好な研磨性が得られた。
【０１７８】このサンドブラストによる研磨はサファイア基板の厚さが５０μｍ厚程度になるまで行った。この後、コンパウンドを取り去ると反りは著しく軽減されていた。同時にサファイア基板にはクラックが多数発生しており、サファイア基板が薄くなった以上に反りの軽減が加速されていた。
【０１７９】クラックの発生はサファイア基板の厚さが１００μｍでも発生し、実質的に反りが解除される。
【０１８０】サンドブラスト法による研磨、コンパウンド除去後においてクラックの発生がない場合には反りはかなり残存している。しかし、この場合においてもドライアイスや液体窒素などの寒剤に曝することによってウエーハ温度を下げるとサファイア基板にクラックが発生し、反りを低減できる。
【０１８１】クラックを発生させて実質的に反りを解除するための条件は、ＩＩＩ族元素窒化物半導体エピタキシャル層の厚さ１００〜５００μｍにおいては、異種基板の厚さがそのエピタキシャル層の厚さの２分の１以下であることが好ましい。厚めの異種基板を用いて結晶成長し、エピタキシャル層の厚さの２分の１以下になるまで異種基板を研磨してもよいし、所定のエピタキシャル層の厚さの２分の１以下の厚さの異種基板を用いてエピタキシャル成長を行ってもよい。例えば、厚さ２００μｍのサファイア基板上に厚さ５００μｍのＧａＮ層をエピタキシャル成長させた場合、成長温度から室温に降温する段階でサファイア基板にクラックが発生し、反りが軽減される。たとえクラックが発生しなくても寒剤に浸して温度を下げれば、容易にクラックが発生して反りが軽減される。
【０１８２】なお、サファイア基板のサンドブラスト研磨はサファイア基板を完全に取り除くまで行ってもよいが、サンドブラスト法によるＧａＮ層への損傷をなるべく避けるために１０μｍ厚程度のサファイア基板を残しておくとよい。
【０１８３】以上のようにして反りが解除されたウエーハは、ＧａＮ成長面（ウェーハ表面）にて通常の研磨用重しに平らに張り付けることができ、サファイア基板、下地結晶層、選択成長用マスクを常法により研磨除去することができる。その結果、ＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハが得られる。実際には、選択成長用マスクが露出した時点からウエーハ全体の厚さをモニターしながらＧａＮエピタキシャル層に至るまで研磨を行った。
【０１８４】なお、このような研磨の際、選択成長マスクまで研磨せず、マスクが露出した時点で研磨を停止し、マスクをエッチングで取り除いてもよい。マスク材がＳｉＯ２ならば希フッ酸ですぐに除去することができる。
【０１８５】また、後述するが、半導体レーザ等のデバイスの作製のためには、
マスク近傍の領域は比較的転位密度が大きいため、この領域を含む層領域（以下「高転位密度層」という。）を上記研磨の際に除去することが好ましい
【０１８６】また、ＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハの厚みとしては、２００μｍ程度以上あれば、後に述べるその上へのＤＨ構造の形成や各種デバイス作製プロセスに必要な十分な強度が得られる。
【０１８７】＜青色半導体レーザの作製＞次に、
上記のようにして得られた１インチ直径のＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハを基板（以下「ＧａＮ基板」という。）として、半導体レーザ用ＤＨ構造形成のためのエピタキシャル成長を行い、青色半導体レーザを作製した
【０１８８】ＤＨ構造は種々のプロセスで形成可能であるが、ここではＧａＡｓ基板やＩｎＰ基板等の導電性基板の上に形成された半導体レーザの製造プロセスとほぼ同様のプロセスを用いることができる。
【０１８９】図１６に、ＧａＮ基板上に形成したＤＨ構造を有する半導体レーザの共振器断面より見た構造断面図を示す。
ＧａＮ基板２０１側よりケイ素添加ｎ型Ａｌ
０．０５
Ｇａ
０．９５
Ｎクラッド層２０２（厚さ０．５μｍ）、ケイ素添加ｎ型ＧａＮ光ガイド層２０３（厚さ０．１μｍ）、無添加Ｉｎ
０．２
Ｇａ
０．８
Ｎ量子井戸層（厚さ３０Ａ）と無添加Ｉｎ
０．０５
Ｇａ
０．９５
Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層２０４、マグネシウム添加ｐ型Ａｌ
０．２
Ｇａ
０．８
Ｎインジウム解離防止層２０５（厚さ２００Ａ）、マグネシウム添加ｐ型ＧａＮ光ガイド層２０６（厚さ０．１μｍ）、マグネシウム添加ｐ型Ａｌ
０．０５
Ｇａ
０．９５
Ｎクラッド層２０７（厚さ０．５μｍ）、及びマグネシウム添加ｐ型ＧａＮコンタクト層２０８（厚さ０．２μｍ）を連続してＭＯＣＶＤ法によって形成した
ＤＨ構造の最上層には酸化珪素膜２０９を形成し、幅１０μｍのストライプ状の電流注入用窓を形成し、この上にニッケルと金からなるｐ型電極２１０を形成した
ｐ型電極面で研磨用重しに貼りつけ、ＧａＮ基板を研磨し、劈開可能な厚さ（通常、６０μｍ〜１００μｍ）に仕上げた後、チタンとアルミニウムからなるｎ型電極２１１を裏面に形成する
【０１９０】このような上記プロセスの利点は、裏面に電極を形成する直前に、劈開可能な厚さまでウエーハを研磨すればよく、上部電流狭窄用ストライプ構造の形成や表面への電極の形成が厚いウエーハ状態で実施できるメリットがある。
【０１９１】＜レーザ特性＞以上のようにして作製した半導体レーザを室温（約２５℃）でパルス動作させ、閾値を測定した。得られたレーザの閾値電流は１２０ｍＡ（電流密度〜４ｋＡ／ｃｍ２）前後の良好な値を示した。これに対して、選択成長用マスクなしにサファイア基板上に成長したＧａＮウエーハを基板として作製したレーザは、５０ｍＡ程度高い値を示した。
【０１９２】この理由については、転位密度が減ったこと、とりわけＡ転位密度が大幅に減少したためと考えられる。ＧａＮ系では転位密度の高い結晶においても高い輝度の発光ダイオードが容易に得られることから、転位は少数キャリアの再結合センターとしての機能は小さいようである。しかし、半導体レーザでは閾値電流は十分に下がらない。半導体レーザはよく知られているように活性層中での導波光に対して光学的利得を得る条件が達成されなくてはならない。しかし、前記のようにＡ転位は結晶中の小傾角粒界の発生原因であり、この小傾角粒界においては光散乱が起こりやすい。すなわち、Ａ転位密度の大きな結晶においては小傾角粒界での光散乱が原因で導波光に対する光学的利得が上がらないために閾値を下げることができなかったと解釈される。逆に言えば、本発明によればＡ転位密度を大幅に減少できたことで、本発明のウェーハ上に成長したＤＨ構造活性層中での導波光の散乱が減少し、高い光学的利得を得たことにより閾値の減少が達成されたと考えられる。
【０１９３】さて、閾値測定を行ったレーザはいずれもウエーハの中央部１ｃｍ直径内から劈開したもので共振器となる劈開面に傷等のないものを選別したものである。しかし、ウエーハ間で閾値のバラツキに特徴があり、これが２つに分類できることが判明した。閾値のバラツキの少ないものをＡ群のウエーハ、閾値にややバラツキがあるものをＢ群のウエーハとして以下説明する。
【０１９４】Ａ群のウエーハでは各ウエーハにおいて閾値のバラツキは１０パーセント内外であり、かつ最も大きい閾値のものでもウエーハ内平均値の１２０パーセントを超えるものは見つからなかった。Ｂ群のウエーハにおいても閾値のバラツキはやはり１０パーセント内外であることには変わりがないが、特徴はウエーハ内平均値の１．５倍以上のものが１０ないし２０個に１つ程度の割合で生じることである。
【０１９５】Ａ群ウエーハとＢ群ウエーハの差違について詳しく調べたが出来上がったレーザに関して特別な差違は見られなかった。そこで、ＤＨ構造エピタキシャル成長後のウエーハについて断面構造を調べてみた。この結果、Ａ群ウエーハでは
ＧａＮ基板ウエーハ全断面にわたって低転位層となっている
【０１９６】高転位層がどのようにＤＨエピタキシャル層に影響し、さらにレーザ閾値に影響するかについては現状ではよく解らない。しかし、以下に述べる理由がその原因だと考えられる。すなわち、前記したようにＧａＮ基板ウエーハに高転位層が存在した場合には、ＤＨ構造エピタキシャル成長や後のプロセスにおける高温加熱時に高転位層で転位が反応したり、高転位層でウエーハ面と水平に折れ曲がった刃状転位が再び、層厚に方向に折れ曲がってＤＨ構造エピタキシャルに到達するためと考える。１０ないし２０個に１つの割合で閾値の大きなものがでる理由は図９からも予想されることであるがストライプ選択成長マスクの周期で転位密度の変化がＧａＮ基板エピタキシャル層の高転位密度層を含む初期成長層には存在し、この周期変化に応じた特に高密度の領域から延びた転位群が電流狭窄用ストライプ活性層領域に到達した場合に生じると考えられる。
【０１９７】従って、製造歩留まりや特性検査工数を考えた場合には高転位密度層を完全に除去したＧａＮ基板を用意してＤＨ構造エピタキシャル成長を行うことが好ましい。すなわち、半導体レーザの作製に用いるＧａＮ基板としては、サファイア基板、下地結晶層、マスク、マスク近傍の高転位密度層までをすべて取り除いたものが好ましい。ただし、レーザ構造の形成のためのエピタキシャル成長の際には、ＧａＮ基板に適度の厚みが要求されることを考慮することが必要である。
【０１９８】以上、サファイア基板上に成長したＧａＮウェーハを基板に用いて作製したレーザの特性について述べたが、サファイア基板上に成長する際にＡｌを添加したＧａＮ、すなわちＡｌＧａＮウェーハを基板として作製したレーザについてもレーザ特性を調べた。この場合、レーザの閾値電流は２０ｍＡ程度低減するものが得られた。この場合のＡｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層２０２の厚みは１．５μｍとした。閾値電流の低減は、クラッド層２０２の厚膜化による光閉じ込め効果が原因と思われ、上部クラッド層２０７についても厚膜化すればさらに閾値電流や微分量子効率の改善が可能であると考えられる。
【０１９９】＜成長表面の平坦化による閾値の再現性向上＞半導体レーザのＤＨ構造をエピタキシャル成長する場合にはＧａＮ基板の表面状態について注意が必要である。注意する点はＧａＮ基板の成長表面の平坦性で、成長表面が平坦でないとＤＨ構造エピタキシャル層、特に活性層の平坦性が保持できない。活性層の平坦性の確保が重要なことは導波の点から考えれば明らかであるが、特に結晶学的に決まる劈開によって形成される共振器面と活性層面のなす角度が直角からズレることの方を危惧すべきである。この角度のズレがあると導波してきた光が共振器面で反射されてもどる場合に大きく損失し、しきい値を増大させるからである。この角度のズレの許容限界は１度を大きく下回ると考えられる。
【０２００】一般に、ＧａＮ基板の成長表面は１００μｍ以上の厚いエピタキシャル成長後の表面であり、多くは成長縞やうねりがみられる。そこで、サファイア基板を除去し、マスクと共にマスク近傍の高転位密度層を取り除いたＧａＮ基板を研磨用重りからはがして裏表を張り替え、ＧａＮ基板の成長最上層を研磨して成長縞やうねりを取り除いてから、ＤＨ構造形成のためのエピタキシャル成長を行った。すなわち、ここでは、ＧａＮ基板の成長終了面を研磨して平滑化した表面を主面としてＤＨ構造形成のためのエピタキシャル成長を行った。このようにして作製されたＧａＮ基板をウエーハに用いて作製されたストライプレーザの閾値はバラツキが小さく良好なレーザ特性が得られた。
【０２０１】別の形態として、ＤＨ構造形成のためのエピタキシャル成長を、サファイア基板、下地結晶層、マスク、及びマスク近傍の高転位密度層を取り除いて形成されたＧａＮ基板の裏面（サファイア基板が存在していた側の面）に行って半導体レーザを作製した。すなわち、ＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの表裏の２つの主面のうち転位密度の比較的高い方の主面上に素子構造が形成された場合においても、得られた半導体レーザの閾値等のレーザ特性は同様に良好であった。この場合、成長面の成長縞やうねりを除去するための研磨工程が不要となる。なお、ＧａＮ基板の表面に成長した場合に較べて転位密度は若干高くなることが考えられるが、マスク近傍の高転位密度層を十分に除去すれば、閾値等のレーザ特性が良好な半導体レーザを作製することができる。
【０２０２】以上、半導体レーザのＤＨ構造が平坦である場合について説明した。しかし、ＤＨ構造を有する半導体レーザの製造方法には、水平横モードの制御を行うために、ＤＨ構造の形成ためのエピタキシャル成長前に基板表面を加工して予め電流注入領域となる部分に溝を彫り込む等の技術がある。このような技術においても本発明のＧａＮ基板等のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハは問題なく適用可能である。
【０２０３】本発明のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハは、電界効果トランジスタ等の電子輸送デバイスに適用しても、電子の移動度が改善されたり、電極等の製造歩留まりや信頼性が向上する等の効果が得られる。この電子の移動度の改善は、Ａ転位がもたらす小傾角粒界での散乱が減ったためと考えられる。また、電極の信頼性の改善は、半導体レーザにもいえるが、転位が減少した結果、電極金属の転位線（特にＡ転位）に沿っての異常拡散が減少したためと考えられる。このように、本発明のウェーハは、高集積化された各種半導体装置に適用可能であり、ＩＩＩ族元素窒化物半導体の応用分野の一つとして期待されている、自動車エンジン等の発熱装置の近くに搭載しても動作可能な高温動作−高性能半導体装置の実現にも大きく寄与するものである。
【０２０４】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【０２０５】（実施例１）本発明の実施例について図１を参照して説明する。本実施例では、基板として、（０００１）面
サファイア（Ａｌ
２
Ｏ
３
）基板１上に膜厚１μｍのＧａＮ膜（下地結晶膜）２をあらかじめ形成した基板を用いた
この下地結晶膜の成長にはＭＯＣＶＤ装置を用いた
このＧａＮ膜２表面にＳｉＯ
２
膜を形成し、フォトリソグラフィー法とウエットエッチングでストライプ状のマスク４を形成し、成長領域３を分離・形成した
【０２０６】
成長領域３に成長するＧａＮ結晶は、Ｇａ原料にガリウム（Ｇａ）と塩化水素（ＨＣｌ）の反応生成物である塩化ガリウム（ＧａＣｌ）とＮ原料にアンモニア（ＮＨ
３
）ガスを用いるハイドライドＶＰＥ法により成長させた
【０２０７】エピタキシャル成長を続けることによりファセット構造を埋め込み（図１（ｄ））、最終的には、５時間の成長で２００μｍ程度の平坦な表面を有するＧａＮ膜を形成させた（図１（ｅ））。ＧａＮ結晶膜５を形成後、アンモニアガスを供給しながら、常温まで冷却し成長装置より取り出した。
【０２０８】本実施例によって形成されたＧａＮ膜５には、サファイア基板１と格子定数や熱膨張係数が違うにもかかわらずクラックが入っていないことが確認された。しかも、厚膜成長を行ったＧａＮ結晶膜には、欠陥が非常に少なく、転位密度は１０７／ｃｍ２程度であった。なお、転位密度は、透過電子顕微鏡を用い、膜表面付近の平面観察によって計測した。
【０２０９】本実施例で成長したＧａＮ結晶膜は欠陥が非常に少なく、この上にレーザ、ＦＥＴ、ＨＢＴなどの高品質なデバイス構造を成長することで、デバイス特性を向上させることが可能となる。
【０２１０】（実施例２）本実施例について図１１を参照して説明する。図１１は、本発明のＧａＮ結晶膜上にＧａＮ系半導体レーザを製造する方法を説明するための概略工程断面図である。
【０２１１】（０００１）面の
サファイア基板１上に、実施例１と同様にＭＯＣＶＤ法で膜厚１μｍのＧａＮ膜２を形成した
このＧａＮ膜２上にＳｉＯ
２
膜を形成し
フォトリソグラフィー法とウエットエッチングでストライプ状のマスク４を形成し、成長領域３を分離・形成した
【０２１２】成長領域３に成長するＧａＮ結晶は、上記の実施例１と同様にＧａ原料にガリウム（Ｇａ）と塩化水素（ＨＣｌ）の反応生成物である塩化ガリウム（ＧａＣｌ）とＮ原料にアンモニア（ＮＨ３）ガスを用いるハイドライドＶＰＥ法を用いた。基板を成長装置にセットし、水素雰囲気で成長温度１０００℃に昇温する。６５０℃の温度から基板をＮＨ３ガス雰囲気にする。成長温度が安定してから、ＨＣｌ流量を４０ｃｃ／毎分で供給し、ＮＨ３流量１０００ｃｃ／毎分、およびシラン（ＳｉＨ４）流量０．０１ｃｃ／毎分で１５０分間の成長で、実施例１で説明した図１の（ａ）から（ｅ）の成長過程を経て、マスク４を埋め込んだ膜厚２００μｍのｎ型ＧａＮ結晶膜６５を形成する（図１１（ｂ））。ｎ型ＧａＮ結晶膜６５を形成後、ＮＨ３ガス雰囲気で常温まで冷却し、成長装置より取り出す。
ＧａＮ結晶膜６５は、１×１０
１８
ｃｍ
−３
以上のキャリア濃度であった
【０２１３】次に、ＧａＮ系半導体レーザ構造の作製には、有機金属化学気相成長法（ＭＯＶＰＥ）を用いて作製した。
【０２１４】
ＧａＮ膜６５を形成後、ＭＯＣＶＤ装置にセットし、水素雰囲気で成長温度１０５０℃に昇温する
６５０℃の温度からＮＨ
３
ガス雰囲気にする
Ｓｉを添加した１μｍの厚さのｎ型ＧａＮ層６６、Ｓｉを添加した０．４μｍの厚さのｎ型Ａｌ
０．１５
Ｇａ
０．８５
Ｎクラッド層６７、Ｓｉを添加した０．１μｍの厚さのｎ型ＧａＮ光ガイド層６８、２．５ｎｍの厚さのアンドープＩｎ
０．２
Ｇａ
０．８
Ｎ量子井戸層と５ｎｍの厚さのアンドープＩｎ
０．０５
Ｇａ
０．９５
Ｎ障壁層からなる１０周期の多重量子井戸構造活性層６９、マグネシウム（Ｍｇ）を添加した２０ｎｍの厚さのｐ型Ａｌ
０．２
Ｇａ
０．８
Ｎ層７０、Ｍｇを添加した０．１μｍの厚さのｐ型ＧａＮ光ガイド層７１、Ｍｇを添加した０．４μｍの厚さのｐ型Ａｌ
０．１５
Ｇａ
０．８５
Ｎクラッド層７２、Ｍｇを添加した０．５μｍの厚さのｐ型ＧａＮコンタクト層７３を順次形成しレーザー構造を作製し
ｐ型のＧａＮコンタクト層７３を形成した後
【０２１５】
次に、レーザー構造が形成されたサファイア基板を研磨器にセットし、サファイア基板１、ＧａＮ膜２、ＳｉＯ
２
マスク４、及びＧａＮ結晶膜６５の５０μｍを研磨してＧａＮ結晶膜６５を露出させた
【０２１６】
露出したＧａＮ結晶膜６５面には、チタン（Ｔｉ）−アルミ（Ａｌ）のｎ型電極７４を形成し、ｐ型のＧａＮ層７３上にはニッケル（Ｎｉ）一金（Ａｕ）のｐ型電極７５を形成した
【０２１７】なお、
本実施例では、サファイア基板１、ＧａＮ下地結晶膜２、ＳｉＯ
２
マスク４及びＧａＮ結晶膜６５の一部を研磨により除去してｎ型の電極を形成したが、研磨を行わずにドライエッチングによりｎ型ＧａＮ層６６または６５まで除去してｎ型電極を形成し、共振器ミラー面を形成してもよい
　
（ク）図５は、ＧａＮ結晶膜のマスク上領域の欠陥構造を表す膜断面のＴＥＭ写真であり、当該図５から、ＧａＮ結晶膜５中のマスク上領域の欠陥構造がみてとれる。
（ケ）図１０は、ＧａＮ結晶膜表面で検出された全エッチピット密度を膜厚に対してプロットした図であり、当該図１０から、甲２のエッチピット密度が１×１０８／ｃｍ２以下であることがみてとれる。
　
　イ　甲２発明
　上記アの摘記事項（ア）ないし（ケ）を含む甲２の全記載（特に、【０２１７】の「研磨を行わずにドライエッチングによりｎ型ＧａＮ層６６または６５まで除去してｎ型電極を形成する」方法についての記載を含む）からみて、甲２には、次の発明が記載されていると認められる。
　
　ウルツ鉱型結晶構造を有するＩＩＩ族元素窒化物半導体、例えば、ＧａＮ系半導体発光素子において、格子定数や熱膨張係数が異なるサファイア基板上にＧａＮ結晶膜のエピタキシャル成長を行うと、基板やエピタキシャル層に歪みや欠陥、転位が発生し、また、厚い膜を成長した場合にはクラックが発生し、デバイスとしての性能が極端に悪くなるという問題があったので、サファイア基板上にエピタキシャル成長を行って形成されたものであっても、歪みや欠陥、転位が少なく、また厚い膜であってもクラックが入りにくい、ＧａＮ結晶膜を提供することを目的とした発明であって、
「サファイア基板上にＭＯＣＶＤ法で膜厚１μｍの下地結晶膜としてのＧａＮ膜を形成し、該ＧａＮ膜上にＳｉＯ２膜を形成し、該ＳｉＯ２膜をフォトリソグラフィー法とウエットエッチングでストライプ状に成形してマスクを形成し、該ストライプ状のマスク間の領域である成長領域上に、塩化ガリウム（ＧａＣｌ）をＧａ原料とし、アンモニア（ＮＨ３）ガスをＮ原料として、ハイドライドＶＰＥ法によりＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させると、ＧａＮ結晶は、初期段階ではマスク上に成長せず前記成長領域のみで成長するため、前記成長領域上のＧａＮ結晶には基板の面方位とは異なる面方位を有するファセットが出現し、エピタキシャル成長を続けると、ＧａＮ結晶はファセット面に対して垂直な方向に成長が進むため、前記成長領域だけでなくマスク上にも成長し、やがてマスクを覆うようになって隣接する成長領域のＧａＮ結晶のファセットと接触し、さらにエピタキシャル成長を続けると、ファセットが埋め込まれ、これにより平坦な表面を有するＧａＮ結晶膜を得て、
　ＧａＮ結晶膜を形成後、サファイア基板とマスクとＧａＮ結晶膜の一部を除去して得たＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハを基板として、該基板上に発光素子構造を形成する方法（以下「ＧａＮ基板法」という。）により作製されたＧａＮ系半導体発光素子であって、
　前記ＧａＮ結晶膜において、転位は、ファセットに向かって進み基板と垂直に伸びていたものが垂直な方向へ伸びることができなくなるためファセットの成長とともに横方向に曲げられ、そのほとんどは結晶の端に出てしまうか閉ループを形成するので、エピタキシャル膜の膜厚増加に伴い上部の成長領域では転位が減少していき、その結果、マスク近傍の比較的転位密度が大きい層領域である高転位密度層と、上層領域において、下地結晶中の刃状転位を引継ぎｃ面に対して平行な変位ベクトルを持つＡ転位と下地結晶中の混合転位を引継ぎｃ面に対して斜めに傾いた変位ベクトルを持つＢ転位を合わせた全転位の転位密度が好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下の低転位密度層とを有するｎ型ＧａＮ結晶膜となり、
　前記ＧａＮ基板法は、例えば、キャリア濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上の前記ｎ型ＧａＮ結晶膜が形成された基板をＭＯＣＶＤ装置にセットし、所定の温度、ガス流量、Ｖ族元素／ＩＩＩ族元素比で、厚さ１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ層、厚さ０．４μｍのＳｉ添加ｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層、厚さ０．１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ２．５ｎｍの無添加Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍの無添加Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる１０周期の多重量子井戸構造活性層、厚さ２０ｎｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層、厚さ０．１μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ０．４μｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層、及び厚さ０．５μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮコンタクト層を順次形成して発光素子構造を形成し、次に、
研磨を行わずにドライエッチングにより前記サファイア基板、前記下地結晶膜、前記マスク及び前記ｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去し
　ＧａＮ系半導体発光素子。」（審理事項通知書での呼称に合わせて、以下、「甲２第二発明」という。）
　
（２）その外の甲各号証（ただし、甲１、甲３の３、甲１１、甲２２、甲２３を除く）に記載された事項の概要
　ア　甲３の１
　請求人日亜化学工業株式会社総合部門法知本部主幹技師丸谷幸利作成の報告書であり、甲２に開示されている半導体レーザ（甲２の図１６に構造断面図が示されている半導体レーザ）について、ｎ電極（裏面電極）のコンタクト抵抗が本件発明１の上限値と同じ「０．０５Ωｃｍ２」であったと仮定した場合における発振閾値電圧を甲２の記載（段落【０１８９】、【０１９１】）から算出したところ、２４９Ｖになった、としている（１頁「１．結論」参照。）。
　
　　イ　甲３の２
　被請求人三洋電機株式会社電子デバイスカンパニー光エレクトロニクス事業部フォトニクス技術部レーザ技術課畑雅幸作成の陳述書であり、日亜化学工業株式会社の波長４０５ｎｍのレーザ光を発する半導体レーザ代オード製品（型番ＮＤＶ４２１２）を入手して、その基板裏面とｎ電極との界面のコンタクト抵抗を測定したところ、その結果、２つのサンプルについて、それぞれ「９．８０×１０−５Ωｃｍ２」及び「１．２４×１０−４Ωｃｍ２」という測定値（本件特許１のコンタクト抵抗の規定「０．０５Ωｃｍ2以下」の０．０５Ωｃｍ２より十分小さな値である）が得られた、としている（１頁下から６行〜末行参照。）。
　
　ウ　甲４
　第２の実施例において、青色窒化物半導体レーザ装置のｎ−ＧａＮ層より上部に位置する各窒化物層はすべてＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）により成長を行い、成長条件は、圧力は常圧、バッファー層以外のＧａＮ、ＡｌＧａＮ層は基本的には窒素、水素、アンモニアを混合した雰囲気で１０００℃から１１００℃の範囲とし、活性層を含む成長は窒素とアンモニア雰囲気で、７００℃から８５０℃の範囲としたこと（【００１９】、【００２０】、【００２６】）、基板としてハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）により成長したｎ型ＧａＮ基板を用い、ＧａＮ基板成長時にもラテラル成長技術を取り込んでおり、転位密度を１０4ｃｍ-2以下に抑制したこと（【００２６】）等が記載されている。
　
　エ　甲５
　近年、ハライド気相エピタキシャル法（ＨＶＰＥ）等を使って高品質のＧａＮ基板が得られるようになってきてはいるが、それでも１０５〜１０７ｃｍ−２の転位密度の基板であり、デバイスの高性能化には更に転位密度を下げることが要求され、また不可欠でもあること（【０００５】）、本発明は、ＧａＮ系化合物半導体結晶のエピタキシャル成長において、従来の選択成長に用いられるＳｉＯ２などのマスク材料を用いることなしに転位密度を低減させた、高品質なエピタキシャル膜を備える半導体基材及び成長方法を提供することを目的とし、特に、比較的高品質なＧａＮ基板を、更に転位密度を低減させ、より高品質なエピタキシャル膜を得るための成長方法を提供することを目的とすること（【０００６】）、「実施例２」として、実施例１で得られたＧａＮ半導体結晶を基板として用い、実施例１と同様にしてアンチサーファクタント材料の供給源としてのテトラエチルシランを供給し、その後結晶成長させる工程を繰り返し、アンチサーファクタント材料が固定化された界面を５つ多重化したＧａＮ半導体結晶を作成し、５つ目の界面上に成長したＧａＮ半導体結晶層の転位密度を測定したところ、１０2ｃｍ-2まで低下したこと（【００２８】）、「実施例３」として、基板として、転位密度が１０5cm-2のＧａＮ基板を使用し、この基板をＭＯＣＶＤ装置内にセットし、水素雰囲気下で１１００℃（７００℃以上はアンモニアも同時に流した）まで昇温し、サーマルエッチングを行ない、その後、１０５０℃まで温度を下げ、Ｇａ原料であるＴＭＧ、Ｎ原料であるアンモニアを流し、ＧａＮを２μｍ成長し、次に原材料ガスの供給を止め、成長温度をそのままにし、Ｈ2をキャリアガスとして、アンチサーファクタント材料としてのシラン（ＳＨ4）を供給し、ＧａＮ表面に１５秒間接触させ、シランの供給を止め、再びＴＭＧ、アンモニアを供給し、ＧａＮを２μｍ成長し、その上に、ＩｎＮの混晶比が２０％のＩｎＧａＮを１００ｎｍ続けて成長し、得られた前記ＩｎＧａＮ層の表面に現れるピットの数で転位密度を評価したところ、１０2cm-2の転位密度であったこと（【００２９】）等が記載されている。
　
　オ　甲６
　窒化物系化合物半導体の結晶をエピタキシャル成長させることができる結晶基材上に、不純物を添加した窒化物系化合物半導体からなる下地層を第１の温度において堆積させる工程、前記下地層上に、第２の温度において窒化物系化合物半導体の結晶を形成する工程、および前記下地層をエッチングにより除去して、前記窒化物系化合物半導体の結晶を基板として分離する工程を含み、前記第２の温度は、前記窒化物系化合物半導体の結晶が十分に成長する温度である一方、前記第１の温度は、前記第２の温度より低い温度である、窒化物系化合物半導体基板の製造方法（【請求項２】）であって、本発明により得られた窒化物半導体基板を用いることにより、例えば、発光素子においては、素子を貫通する転位が減少し、また、劈開面を利用した光共振器を作成できるため、発光特性や駆動電圧、電流および素子寿命が格段に向上すること（【００２５】）、実施例３においては、（０００１）面サファイア上に、Ｓｉ添加されたＧａＮ層を低温で成長させ下地層として用い、該下地層上にＧａＮ厚膜を成長させた後、下地層をエッチングすることによりＧａＮ厚膜を剥離して窒化物半導体基板（ＧａＮ基板）とし（【００３０】）、作製したＧａＮ基板上に下地層として低温でＧａＮを堆積し、再度その上にＨＶＰＥ法を使ってＧａＮ結晶を成長させ、次いで、燐酸と硫酸を３対１の体積比で混合した溶液を２２０℃に加熱し、下地層のみ選択的にエッチング除去することによりＧａＮ結晶を剥離させてＧａＮ基板を得て（【００４１】、【００４３】）、得られたＧａＮ基板の表面及び裏面を研磨してエピタキシャル成長用の基板に加工し、断面ＴＥＭ観察したところ、貫通転位密度は１０4ｃｍ-2と見積もられたこと（【００４３】）等が記載されている。
　
　カ　甲７
　ＧａＮ系化合物半導体膜を製造する際にＳｉＣを基板として使用する場合、エピタキシャル成長を行う成長温度で薄いＡｌＮ膜をバッファー層として使用すると良いことが知られているが、ＧａＮ系化合物半導体以外の基板を使用すると、成長させるＧａＮ系化合物半導体膜と基板との熱膨張係数の違いや、格子定数の違いにより、製造されるＧａＮ系化合物半導体中には多数の欠陥が発生し、その欠陥は刃状転位と螺旋転位に分類され、その密度は合計で約１×１０9ｃｍ-2〜１×１０10ｃｍ-2程度にもなり、これらの欠陥は、キャリアをトラップして、調製した膜の電気的特性を損ねることが知られている他、大電流を流すようなレーザーに対しては、寿命の低下を招くことが知られていること（【０００５】）、ＩＩＩ−Ｎ系化合物半導体装置のＩＩＩ−Ｎ系化合物半導体基板の窒素終端面上に電極を有すること、及び、種基板の（０００１）面上に成長したＧａＮがＧａ終端面とＮ終端面を有すること（【００１３】、【００１４】、図２３）、ＩＩＩ−Ｎ系化合物半導体基板、特にＧａＮ基板、及びレーザ等の素子構造へのドーパントとして、ｎ型の場合は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ、ｐ型の場合は、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ又はＣｄを使用することができること（【００３２】）、ＧａＮ基板中の不純物濃度が１×１０17ｃｍ-3を超えると接触比抵抗が１×１０-5Ω・ｃｍ2以下となり、その後は不純物濃度の増加とともに接触比抵抗は下がっていくこと（【００５３】、図１０）等が記載されている。
　
　キ　甲８
　厚さ４００μｍのサファイア基板２１上にアンドープのＡｌ0.5Ｇａ0.5Ｎからなる低温バッファ層２２を例えば６００℃で成長させ、その上に例えば１０５０℃でアンドープの第１ＧａＮ層２３を成長させ、更にその上にストライプ状のＳｉＯ2膜２４を形成すること（【００２６】）、次に、ストライプ状のＳｉＯ2膜２４間に露出したＧａＮ層２３上にアンドープの第２ＧａＮ層２５を選択成長させること（【００２７】）、次に、塩化ガリウム（ＧａＣｌ）、ＮＨ3、ＳｉＨ4を原料とするハイドライドＶＰＥ法により、Ｓｉドープの第４ＧａＮ層２７を成長させること（【００３１】）、次に、サファイア基板２１側から研磨またはエッチングを行うことにより、サファイア基板２１、Ａｌ0.5Ｇａ0.5バッファ層２２、第１ＧａＮ層２３、ＳｉＯ2膜２４、第２ＧａＮ層２５、第３ＧａＮ層２６の全部、および第４ＧａＮ層２７の一部を除去し、この除去により残った第４ＧａＮ層がｎ型のＧａＮ基板１となること（【００３４】）、ｎ型のＧａＮ基板１は上面が（０００１）面であり、この（０００１）面から［２−１−１０］方向に所定角度（本実施例では０．５°）傾斜させて研磨することにより、微傾斜基板を作製することができること（【００３５】）等が記載されている。
　
　ク　甲９
　まず、ＨＶＰＥ法で種基板（例えば、サファイア基板）上に厚膜のＧａＮを積層し、その後、研磨でサファイア基板を剥き取り、厚さ４００μｍ、大きさ２インチφのＣ面（０００１）のｎ型ＧａＮ基板１００を作製し、該ｎ型ＧａＮ基板のｎ型極性は、Ｓｉをドーピングすることによって得られ、該Ｓｉの濃度は、２×１０18ｃｍ-3であり、さらに、前記ｎ型ＧａＮ基板中に約８×１０16ｃｍ-3の塩素（Ｃｌ）をドービングし、次に、ＭＯＣＶＤ装置に、前記ｎ型ＧａＮ基板１００をセットし、１０５０℃の成長温度でｎ型ＧａＮバッファ層１０１を１μｍ形成（このｎ型ＧａＮバッファ層は、種基板からｎ型ＧａＮ基板を剥き取るときに生じたｎ型ＧａＮ基板の表面歪みの緩和、表面モフォロジや表面凹凸の改善（平坦化）を目的に設けた層であり、無くても構わない）し、ｎ型ＧａＮバッファ層１０１を形成後、続けて１．０μｍ厚のｎ型Ａｌx1Ｇａ1-x1Ｎ層１０２を形成したところ、このときｘ１＝０．１であったこと（【００１１】）等が記載されている。
　
　ケ　甲１０
　ｎ型の電子伝導を示すドーパントとして酸素を添加してあり他材料の基板部分を持たない窒化ガリウム単結晶基板（【請求項１】）において、ｎ型をＧａＮ結晶に与えているのは酸素であるところ、酸素をドープしなくてもガス中に不純物として酸素が含まれ、この酸素がＧａＮ結晶の中で電子を供出するｎ型ドーパントとして機能することを本発明者は突き止めたこと（【００３２】）等が記載されている。
　
　コ　甲１２
　「研磨加工」は、古くから多用されている技術・技能であるためか、実はその定義はあいまいで、明確に規定されていないのが実情といえ、利用分野や時代により、また人により異なった捉え方がされている場合も多いこと（１２頁１４〜１８行）等が記載されている。
　
　サ　甲１３
　ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面を「エッチングにより研磨」し、ｎ−ＧａＡｓ基板１の厚さを１００μｍ程度とし、次いで、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面に蒸着法によりｎ電極１２を形成すること（【００５８】）等が記載されている。
　
　シ　甲１４
　「化学機械研磨（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）法」を適用することにより、基板１１の裏面を「研磨」して厚さを１００〔μｍ〕にすること（【００４１】）、真空蒸着法を適用することにより、厚さが０．２〔μｍ〕のＮｉからなるｎ側電極１９を蒸着形成すること（【００４２】）等が記載されている。
　
　ス　甲１５
　窒化物基板の裏面を所定角度θだけ傾斜させる方法としては、例えば、先ず基板裏面をＣ面に形成した後、ラッピング装置などを用いてＣ面に対して斜め方向に「研磨」を施す方法が採用可能であること（【００１８】）等が記載されている。
　
　セ　甲１６
　第１の窒化物系半導体層の表面を「研磨」することによりＣ面から所定の方向に所定の角度傾斜した面を露出させてもよく、この場合、「研磨」により露出させた第１の窒化物系半導体層の傾斜した面においては、所定の方向にストライプ状に延びる微小な階段状の段差が形成されること（【００２４】）、第１ＧａＮ層４を成長させた後、当該第１ＧａＮ層４の一部を「研磨」して除去し、それにより、第１ＧａＮ層４において、サファイア基板１のＣ面から所定の方向（以下、オフ方向と呼ぶ）に所定の角度（以下、オフ角度と呼ぶ）Ｂだけ傾斜した面（以下、オフ面と呼ぶ）を露出させること（【００８１】）等が記載されている。
　
　ソ　甲１７
　裏面ｎ電極をもった低転位ｎ−ＧａＮ基板上に成長されたＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）レーザダイオード（ＬＤ）が室温連続発振動作を示したことが記載されており、より具体的には、低圧（１００ｔｏｒｒ）有機金属気相成長法（ＬＰ−ＭＯＶＰＥ）により１００μｍ厚ＦＩＥＬＯ基板の上にＬＤ構造を成長したこと、ＬＤの概略構造は、１００μｍ厚ｎ型ＧａＮ層、１μｍ厚ｎ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層、０．１μｍ厚ｎ型ＧａＮ光導波層、ＩｎＧａＮ・ＭＱＷ層、２０ｎｍ厚ｐ型Ａｌ0.19Ｇａ0.81Ｎキャップ層、０．１μｍ厚ｐ型ＧａＮ光導波層、０．５μｍ厚ｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層と０．０５μｍ厚ｐ型ＧａＮコンタクト層から成り、上記ＩｎＧａＮ・ＭＱＷ層が５ｎｍ厚ＳｉドープＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層により区切られた３ｎｍ厚アンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ井戸層３ペアから構成されたこと、上記ｐ型ＧａＮコンタクト層の上にＰｄ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ型電極が蒸着され、ｎ型ＧａＮ基板の裏面にＴｉ／Ａｌからなるｎ型電極が蒸着されたこと、通常の劈開手法でミラー端面を形成し、共振器長が４４０μｍとなったこと、上記のように作成したＩｎＧａＮ・ＭＱＷ・ＬＤのレーザ特性を室温（２０℃）でパルスとＣＷ電流注入条件下で測定したこと、室温でＣＷとパルス電流注入条件下のコート端面あたりの注入電流の関数としての光出力（Ｌ−Ｉ）特性と電圧−電流（Ｖ−Ｉ）特性をＦｉｇ．２とＦｉｇ．３に示すこと、等が記載されている。
　なお、甲４３の２では、甲５のＬＤ構造の記載及びＦｉｇ．２のＶ−Ｉ特性に基づいてｎ電極のコンタクト抵抗を見積もったところ、約０．０２１Ωｃｍ2未満になった、としている。
　
　タ　甲１８
　ｎ−ＧａＮ基板１上に各層２〜６を成長させた後にｎ−ＧａＮ基板１の裏面を「研磨」することに替えて、あらかじめｎ−ＧａＮ基板１の一方の面（裏面）を「研磨」し、その後、ｎ−ＧａＮ基板１の他方の面に各層２〜６を成長させてもよく、この場合においても同様の効果が得られること（【００７７】）、この場合においては、「研磨」によりあらかじめｎ−ＧａＮ基板１の厚さを１２０〜２００μｍ、好ましくは１２０〜１５０μｍとすること（【００７８】）等が記載されている。
　
　チ　甲１９
　４７頁の表１．３に、ｐ−ＧａＮへの低抵抗オーミックコンタクトについて広範に研究されている種々の金属被覆法の代表的な一覧が記載されており、当該表１．３には、固有コンタクト抵抗値として、１．７、３．３１±１．２９、１．２、１、９．２（単位はいずれも×１０−２Ωｃｍ２）といった値が記載されている。
　
　ツ　甲２０
　擬似バルクＧａＮ基板の上で作られたエッジ終端のショットキー整流器は、接触電極面積に関して、そして、整流器の配置に解して逆方向降伏電圧が強く依存することを示し、小直径（７５μｍ）のショットキー電極に対して、３ｍΩｃｍ２のＯＮ状態抵抗（ＲＯＮ）で、縦配置で測られるＶＢは〜７００Ｖであること（１５５５頁上方の要約）等が記載されている。
　
　テ　甲２１
　甲２１の記載事項は、上記第４の１（４）のとおりである。
　
３　対比・判断
　職権無効理由について判断する。
（１）本件訂正発明１について
　本件訂正発明１と甲２第二発明とを対比する。
　ア　甲２第二発明の「『サファイア基板上』に『ＧａＮ結晶膜を形成後、サファイア基板とマスクとＧａＮ結晶膜の一部を除去して得』た『ＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハ』からなる『基板』」、「『研磨を行わずにドライエッチングによりサファイア基板、下地結晶膜、マスク及びｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して、露出したＧａＮ結晶膜の面』、『素子裏面』」、「ｎ型電極」及び「ＧａＮ系半導体発光素子」は、それぞれ、本件訂正発明１の「『ウルツ鉱構造を有するｎ型のＧａＮ基板からな』る『第１半導体層』」、「第１半導体層の裏面」、「ｎ側電極」及び「窒化物系半導体素子」に相当する。
　
　イ　甲２第二発明は、「第１半導体層の裏面（研磨を行わずにドライエッチングにより前記サファイア基板、前記下地結晶膜、前記マスク及び前記ｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して、露出したＧａＮ結晶膜の面、すなわち素子裏面）」側にチタンとアルミニウムからなる「ｎ側電極（ｎ型電極）」を形成し、ｐ型ＧａＮコンタクト層上にニッケルと金からなるｐ型電極を形成する工程を含み、「ウルツ鉱構造を有するｎ型のＧａＮ基板からなる第１半導体層（ＧａＮ結晶膜を形成後、サファイア基板とマスクとＧａＮ結晶膜の一部を除去して得たＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハ）」を基板として、該基板上に発光素子構造を形成する方法（ＧａＮ基板法）により作製された「窒化物系半導体素子（ＧａＮ系半導体発光素子）」であるから、甲２第二発明の「窒化物系半導体素子（ＧａＮ系半導体発光素子）」と本件訂正発明１の「窒化物系半導体素子」とは、少なくとも、「ウルツ鉱構造を有するｎ型のＧａＮ基板からな」る「第１半導体層と、前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極を備え」ている点で一致する。
　
　ウ　甲２第二発明では、研磨を行わずにドライエッチングにより前記サファイア基板、前記下地結晶膜、前記マスク及び前記ｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して、露出したＧａＮ結晶膜の面、すなわち素子裏面側にチタンとアルミニウムからなるｎ型電極を形成しているから、「第１半導体層の裏面（研磨を行わずにドライエッチングによりサファイア基板、下地結晶膜、マスク及びｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して、露出したＧａＮ結晶膜の面）」には、機械研磨により発生する転位は存在しない。そして、前記ドライエッチングにより、甲２第二発明の「第１半導体層の裏面」には、下地結晶中の刃状転位を引継ぎｃ面に対して平行な変位ベクトルを持つＡ転位と下地結晶中の混合転位を引継ぎｃ面に対して斜めに傾いた変位ベクトルを持つＢ転位を合わせた全転位の転位密度が好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下の低転位密度層が露出することになるから、甲２第二発明の「窒化物系半導体素子（ＧａＮ系半導体発光素子）」と本件訂正発明１の「窒化物系半導体素子」とは、少なくとも、「前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下」である点で一致する。
　
　エ　上記ア〜ウからみて、本件訂正発明１と甲２第二発明とは、
「ウルツ鉱構造を有するｎ型のＧａＮ基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極を備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下である、
　窒化物系半導体素子。」で一致し、次の点において一応相違する。
　
相違点１：
　前記「ＧａＮ基板からなる第１半導体層」が、
　本件訂正発明１では、「裏面側が機械研磨された」ものであるのに対し、
　甲２第二発明では、「裏面側が機械研磨された」とは特定されていない点。
　
　また、本件訂正発明１と甲２第二発明とは、次の点においても相違する。
　
相違点２：
　「前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面」における「コンタクト抵抗」が、
　本件訂正発明１では、「０．０５Ωｃｍ２以下」であるのに対し、
　甲２第二発明では、０．０５Ωｃｍ２以下であるかどうか不明である点。
　
　オ　相違点１について
（ア）　ａ　本件訂正発明１においては、「第１半導体層」について、「裏面側が機械研磨された」ものであることと「ｎ側電極との界面近傍における転位密度」が「１×１０９ｃｍ−２以下であ」ることとの少なくとも二つの特定がなされている。
　ここで、「第１半導体層」についての「裏面側が機械研磨された」という特定事項は、いわゆる「物同一説」に従えば、「第１半導体層」の「裏面側が機械研磨された状態であること」を意味するものと解するのが相当である。
　そして、「裏面側が機械研磨された状態であること」は、「裏面側が機械研磨された
直後の
直後の
　ｂ　そこで、本件訂正（その３）後の明細書（以下「本件訂正明細書」という。）の記載を参照すると、【０００９】に、「ｎ型ＧａＮ基板の裏面を機械研磨する際に、ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍に応力が加わる。このため、ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍にクラックなどの微細な結晶欠陥が発生するという不都合がある。その結果、ｎ型ＧａＮ基板と、ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）上に形成されたｎ側電極とのコンタクト抵抗が増加するという問題点があった。」との記載があり、当該記載から、少なくとも裏面側を機械研磨した
直後
　一方、本件訂正明細書の【００５４】の【表１】には、ＧａＮ基板の裏面を研磨後、ｎ側電極を形成した試料１や、ＧａＮ基板の裏面を研磨後、塩酸処理を施し、ｎ側電極を形成した試料２も記載されているが、当該試料１や試料２における「ＧａＮ基板からなる第一半導体層」の「ｎ側電極との界面近傍における転位密度」についての明示的な記載はない。しかしながら、【００４６】に、「・・・エッチングによる効果を確認するために、エッチング前後におけるｎ型ＧａＮ基板１の裏面の結晶欠陥（転位）密度を、ＴＥＭ（・・・）分析により測定した。その結果、エッチング前には、結晶欠陥密度は、１×１０１０ｃｍ−２以上であったのに対して、エッチング後には、結晶欠陥密度は、１×１０６ｃｍ−２以下にまで減少していることが判明した。」との記載があることや、試料１及び試料２におけるコンタクト抵抗値である２０Ωｃｍ２及び０．１Ωｃｍ２が、試料３の０．０５Ωｃｍ２や試料４の７．０×１０−４Ωｃｍ２に比べて高い（【００５４】の【表１】参照。）ことからみて、試料１や試料２における「ＧａＮ基板からなる第一半導体層」の「ｎ側電極との界面近傍における転位密度」が、少なくとも試料３の１×１０９ｃｍ−２を超えるものであることは明らかである。
　してみれば、本件訂正明細書には、「ＧａＮ基板からなる第一半導体層」の裏面側が、研磨された後に
エッチング処理された
直後の
　ｃ　上記ｂからみて、本件訂正発明１は、「裏面側が機械研磨された
直後の
エッチング処理された
エッチングされた
　ｄ　すなわち、本件訂正発明１の「裏面側が機械研磨された」という事項が、「窒化物系半導体素子」という物の発明の「第１半導体層」の如何なる構造・特性等を特定しているのかについて検討するに、「第１半導体層」の裏面上にはｎ側電極が形成され、「第１半導体層」の「ｎ側電極との界面近傍における転位密度」は、少なくとも「１×１０９ｃｍ−２以下」まで低下しているのであるから、上記ｃのとおり、「裏面側が機械研磨された」という事項が、裏面側が機械研磨された
直後の
直後の
　
（イ）　ａ　もっとも、「裏面側が機械研磨された」という事項が、「第１半導体層」の裏面側が機械研磨されていることを示すことによって、エッチング処理を経たとしても、ｎ側電極との界面近傍における転位密度が１×１０９ｃｍ−２以下となった「第１半導体層」の裏面側に機械研磨の影響（すなわち、機械研磨によって発生した転位）が多少なりとも残っていることを表している可能性もないとはいえないので、これについて、以下検討する。
　ｂ　当審の平成２８年７月５日付け審決の予告において、被請求人が、平成２７年９月２８日に訂正請求書を提出して求めた訂正（以下「本件訂正（その２）」という。）の訂正事項１（本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１を対象とする訂正）について、当審は、特許法第１３４条の２第１項ただし書に規定する要件、すなわち訂正目的要件を充たさないので訂正を認めないとした。
　ｃ　本件訂正（その２）後の請求項１は、次のとおりのものである（下線は訂正箇所を表す。）。
「【請求項１】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子
（ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く）
　ｄ　平成２８年７月５日付け審決の予告における、上記訂正事項１が訂正目的要件を充足するか否かについての当審の検討の内容は、上記第５の２に記載したとおりであるが、その一部を抜粋して下記に再掲する（ただし、下線は新たに追加したものである。）。
「訂正事項１は、・・・本件訂正（その２）前の請求項１に係る発明から、『機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子』を除こうとするものであって、本件訂正（その２）前の請求項１に係る発明を、『機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法』以外の製造方法で製造されたものに形式的に限定して特定しようとするものである。
　そこで、『機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法』以外の製造方法で製造された窒化物系半導体素子、及び、『機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法』で製造された窒化物系半導体素子が、それぞれどのような構造、特性等を有するものであるかについて、訂正明細書の発明の詳細な説明の記載・・・に基づいて、以下検討する。
　・・・訂正明細書の発明の詳細な説明には、ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）の機械研磨による厚み加工（ｎ型ＧａＮ基板の厚みが約１２０μｍ〜約１８０μｍになるまで研磨する）を行った後に、当該ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）を、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法によりエッチングし、その後、当該ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）上にｎ側電極を形成する工程で製造された『本発明の一実施形態』が記載されており（【００４３】〜【００４９】）、上記『本発明の一実施形態』は、本件訂正（その２）前の請求項１に係る発明の実施形態であるとともに、平成２７年９月２８日付け訂正請求書（訂正請求書（その２））の５頁２３行〜６頁１９行に、『（ｂ）願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　本件訂正前の明細書の段落【００４３】には『この後、図３および図４に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１の（０００−１）面である裏面（窒素面）を機械研磨する。』（・・・（略）・・・）と記載され、段落【００４４】には『図３に示した機械研磨装置３０を用いて、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をｎ型ＧａＮ基板１の厚みが約１２０μｍ〜約１８０μｍになるまで研磨する。具体的には、ホルダ１２の下面に取り付けられた窒化物系半導体レーザ素子構造２０のｎ型ＧａＮ基板１の裏面（図４参照）を、研磨剤が配置されているバフ１３の上面に、一定の負荷で押圧する。そして、バフ１３（図３参照）に水またはオイルを流しながら、ホルダ１２をＲ方向に回転する。このようにして、ｎ型ＧａＮ基板１の厚みが約１２０μｍ〜約１８０μｍになるまで機械研磨を行う。』と記載されている。・・・
　よって、訂正事項１は、新規事項の追加ではない（・・・（略）・・・）。』との記載があり、段落【００４３】、【００４４】の記載が訂正事項１が新規事項の追加ではないことの根拠であるとされていることからみて、上記『本発明の一実施形態』は、本件訂正（その２）後の請求項１に係る発明の実施形態でもあると認められる。
　したがって、訂正事項１は、本件特許の請求項１に係る発明が、上記『本発明の一実施形態』のような、機械研磨を行った後にエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法（以下、便宜上、『機械研磨を行った後にエッチングする方法』という。）で製造された窒化物系半導体素子を含むものであることについては変更せず、ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法（以下、便宜上、『機械研磨を行わずにエッチングする方法』という。）で製造された窒化物系半導体素子を含まないものとしようとするものであると認められる。
　・・・そこで、機械研磨を行った後にエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子と、機械研磨を行わずにエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子とを対比する。
　機械研磨を行った後にエッチングする方法において、エッチングは機械研磨により生じた転位を除去することを目的としているから、エッチングにより窒化物半導体素子の裏面（窒素面）から機械研磨により生じた転位を含む層が完全に除去された場合、当該ｎ側電極形成前の窒化物系半導体素子の裏面（窒素面）には、エッチングにより加工された表面のみが露出していると認められる。そうすると、この場合、窒化物系半導体素子の裏面（窒素面）の状態は、機械研磨を行わずにエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子におけるエッチング後（ｎ側電極形成前）の裏面（窒素面）の状態（当然、エッチングにより加工された表面のみが露出している）と何ら区別できないものと認められる。
　・・・上記・・・からみて、
機械研磨を行った後にエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子と、機械研磨を行わずにエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子とは、少なくとも、前者の窒化物系半導体素子がエッチングにより窒化物半導体素子の裏面（窒素面）から機械研磨により生じた転位を含む層が完全に除去された場合に、ｎ側電極形成前の裏面（窒素面）の転位の存在状態の点において、物（窒化物系半導体素子）としてどのように異なるのかが不明である
　・・・そうすると、
訂正事項１により被請求人が除こうとしている物と、除かれた後に残った物のうちの一部との間に物（窒化物系半導体素子）としての差異がなく、結局、除かれた物と同一の物が本件訂正（その２）後の請求項１に包含されることになるのであるから、当該請求項１の記載事項によって特定される発明の範囲自体は、実質的には本件訂正（その２）の前と後で何ら変わっていない
　したがって、訂正事項１における『ただし、機械研磨を行わずにエッチングにより第１半導体層の一部を除去して、露出した第１半導体層の裏面にｎ側電極を形成する工程を含む製造方法で製造された窒化物系半導体素子を除く』という事項が、物（窒化物系半導体素子）の構造、特性等を限定していると認めることはできず、したがって、訂正事項１は請求項１の記載事項を限定すること等によって特許請求の範囲を減縮するものであるということはできない。」
　ｅ　上記ｄに掲げた当審の説示に接した当業者であれば、当審が、機械研磨を行った後にエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子が、エッチングにより窒化物系半導体素子の裏面（窒素面）から機械研磨により生じた転位が完全に除去された場合に、機械研磨を行わずにエッチングする方法で製造された窒化物系半導体素子（甲２第二発明）と物として差異がないと判断しており、その結果、訂正が容認されないでいることを直ちに理解することができる。実際、被請求人が提出した平成２８年７月５日付け上申書の記載内容（上記第３の７参照。）に照らして、被請求人が上記当審の判断を正しく理解していることは明らかである。そして、上記の当審の判断を正しく理解した当業者であれば、訂正が容認されるようにするためには、請求項１に係る発明から、甲２第二発明と物として重複している部分を除けばよいことも直ちに理解できるはずである。そうすると、平成２８年７月５日付け審決の予告に対抗して、被請求人は、本件特許の請求項１に係る発明から、甲２第二発明と物として重複している部分を除くための新たな訂正を、本件特許の請求項１について請求することもできたはずである。
　ｆ　本件特許の請求項１に係る発明から、甲２第二発明と物として重複している部分を除く訂正をした後の請求項１は、例えば、次のようなものになる（下線は訂正箇所を表す。以下、これを「訂正案」という。なお、「訂正案」は、本件特許無効審判事件において被請求人がこれまでに行った訂正請求（訂正請求（その１）及び（その２））で用いた表現及びいわゆる「除くクレーム」の形式を踏襲したものとし、さらに、「窒化物系半導体」を「ＧａＮ」に限定する訂正を併せて行ったものとした。）。
「【請求項１】
　ウルツ鉱構造を有するｎ型の
ＧａＮ
り、裏面側が機械研磨された
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極とを備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下であり、
　前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面において、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗を有する、窒化物系半導体素子
（ただし、前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍に機械研磨により発生した転位が存在しない窒化物系半導体素子を除く）
　ところが、実際に被請求人が請求した本件訂正（その３）後の請求項１は、上記１に掲載したとおりのものであり、実際の本件訂正（その３）後の請求項１は、「訂正案」と比較すると、括弧内ただし書きの部分（いわゆる「除くクレーム」に係る記載）がないものとなっている。
　ｇ　上記ｂないしｆからみて、被請求人は、平成２８年７月５日付け審決の予告に対抗して、例えば、「訂正案」のような訂正をすることができたにも関わらず、あえて本件訂正（その３）のように訂正することを選択したものと解さざるを得ず、このことに鑑みると、本件訂正（その３）後の請求項１は、「第１半導体層のｎ側電極との界面近傍に機械研磨により発生した転位が存在しない窒化物系半導体素子」を除いてはいないと解する以外にない。
　そうすると、本件訂正発明１の「裏面側が機械研磨された」という事項は、「第１半導体層」の裏面側が機械研磨されていることを示すことによって、ｎ側電極との界面近傍における転位密度が１×１０９ｃｍ−２以下となった「第１半導体層」の裏面側に機械研磨の影響（すなわち、機械研磨によって発生した転位）が多少なりとも残っていることを表すものではないというべきである。
　
（ウ）上記（ア）及び（イ）の検討結果からみて、本件訂正発明１が、機械研磨後に該機械研磨により影響を受けた層が残らなくなるまで「第１半導体層」の裏面を厚く除去し、その結果、当該裏面近傍に機械研磨により発生した転位が存在しなくなった「窒化物系半導体素子」を含んでいることは明らかである。
　甲２第二発明は、研磨を行わずにドライエッチングによりサファイア基板、下地結晶膜、マスク及びｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して、露出したＧａＮ結晶膜の面、すなわち素子裏面側にチタンとアルミニウムからなるｎ型電極を形成しており、前記露出したＧａＮ結晶膜の面、すなわち、本件訂正発明１の「第１半導体層の裏面」に相当する面に、機械研磨により発生する転位が存在しないものであって、本件訂正発明１が包含する「窒化物系半導体素子」に該当するから、相違点１は、本件訂正発明１と甲２第二発明との実質的な相違点ではない。
　
　カ　相違点２について
（ア）本件訂正発明１における転位密度の上限値である「１×１０９ｃｍ−２」及びコンタクト抵抗の上限値である「０．０５Ωｃｍ２」については、機械研磨したＧａＮ基板の裏面をＲＩＥ法（Ｃｌ２ガス）によりエッチングして０．５μｍの厚み分だけ除去した後にｎ側電極形成した試料３の裏面の結晶欠陥密度（転位密度）が「１×１０９ｃｍ−２」であり（本件訂正（その３）後の特許明細書の【００５８】）、コンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２」であった（同【００５４】【表１】）ことに基づいている。
　また、【００３９】〜【００６１】を含む本件訂正（その３）後の特許明細書全体の記載から、本件発明１における転位密度の上限値「１×１０９ｃｍ−２」及びコンタクト抵抗の上限値「０．０５Ωｃｍ２」の持つ技術上の意義は、ＧａＮ基板の裏面を機械研磨した後にＲＩＥ法によるエッチングを行わずに（そのまま、あるいは塩酸処理しただけで）電極形成した試料（試料１及び試料２）における裏面の転位密度やコンタクト抵抗の値と比べてこれらの値が１桁以上小さいことであると理解できる（試料１及び試料２の裏面の転位密度は明記されていないが、【００４６】の「・・・エッチング前には、結晶欠陥密度は、１×１０１０ｃｍ−２以上であった・・・」との記載から、１×１０１０ｃｍ−２かそれよりも少し高い程度であると考えられる。）。
　
（イ）本件発明１におけるコンタクト抵抗の上限値「０．０５Ωｃｍ２」の持つ技術上の意義は、ＧａＮ基板の裏面を機械研磨した後にＲＩＥ法によるエッチングを行わずに（そのまま、あるいは塩酸処理しただけで）電極形成した試料（試料１及び試料２）における裏面のコンタクト抵抗の値と比べて１桁以上小さいことであると理解できる。しかしながら、試料３（エッチングあり）を試料２（エッチングなし）と比較すると、コンタクト抵抗は２分の１に（０．１Ωｃｍ２から０．０５Ωｃｍ２に）なっているに過ぎないのに対し、試料４（エッチングで１μｍの厚み分だけ除去）を試料３（エッチングで０．５μｍの厚み分だけ除去）と比較すると、コンタクト抵抗は２桁下がって（０．０５Ωｃｍ２から７．０×１０−４Ωｃｍ２になって）いることを考慮すると、本件発明１におけるコンタクト抵抗の上限値である「０．０５Ωｃｍ２」は、機械研磨により発生した転位の一部のみを除去することにより達成できた値であり、ＲＩＥ法によるエッチングを行わない試料２の転位密度に比べて格別に低い値というわけではないといわざるを得ない。
　さらに、甲７に、ＧａＮ基板中の不純物濃度が１×１０17ｃｍ-3を超えると接触比抵抗が１×１０-5Ω・ｃｍ2以下となることが記載されており（上記２（２）カ参照。）、このことに照らしても、「０．０５Ωｃｍ２」は格別の値ではないといわざるを得ない。
　
（ウ）甲２第二発明においては、機械研磨を行わずに（甲２の【０２１７】参照。）ドライエッチングにより前記サファイア基板、前記下地結晶膜、前記マスク及び前記ｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して、露出したＧａＮ結晶膜の面にｎ型電極を形成しているところ、機械研磨を行っていないため、そのときの第１半導体層の裏面には機械研磨により発生する転位は存在しないのであるから、上記ａ及びｂからみて、そのときの第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗は、機械研磨により発生した転位の一部のみを除去することにより達成できた値であり、裏面近傍の領域を除去しない（ＲＩＥ法によるエッチングを行わない）試料のコンタクト抵抗と比べて２分の１程度に過ぎず、かつ、本件特許の優先日前に知られていた値と比べて３桁も高い「０．０５Ωｃｍ２以下」の範囲に入っていないとはおよそ考え難い。
　仮にそうとまではいえないとしても、甲２第二発明において第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下となすことは、発明を実施する際に当業者が適宜なし得る程度の、いわゆる設計的事項であるといわざるを得ない。
　
（エ）上記（ア）ないし（ウ）からみて、相違点２は実質的な相違点ではない。仮に実質的な相違点だとしても、甲２第二発明において、第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下となすこと、すなわち、相違点２に係る本件訂正発明１の構成となすことは、当業者が容易になし得たことである。
　
　キ　効果について
　本件訂正発明１の奏する効果は、甲２第二発明の奏する効果から当業者が予測することができた程度のものである。
　
　ク　本件訂正発明１についてのまとめ
　以上のとおり、本件訂正発明１は、当業者が甲２に記載された発明（甲２第二発明）に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
（２）本件訂正発明２ないし４について
　ア　本件訂正発明２について
　本件特許に係る出願の優先日前に、ＧａＮ基板の転位密度を１０５ｃｍ−２以下にすることは周知である（以下「周知技術１」という。例えば、甲４の【００２６】（上記２（２）ウ参照。）、甲５の【０００５】、【０００６】、【００２８】及び【００２９】（上記２（２）エ参照。）、甲６の【００４３】（上記２（２）オ参照。））から、ドライエッチング後の「１×１０６ｃｍ−２」は格別の値ではないといわざるを得ない。
　したがって、本件訂正発明２は、当業者が甲２に記載された発明（甲２第二発明）及び周知技術１に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
　イ　本件訂正発明３について
　甲２第二発明では、ｎ型ＧａＮ結晶膜（甲２の【０２１２】のＧａＮ結晶膜６５）のキャリア濃度は、１×１０１８ｃｍ−３以上であるから、本件訂正発明３と甲２第二発明との対比において、上記相違点１及び２（上記（１）エ参照。）以外の新たな相違点は生じない。
　したがって、本件訂正発明３は、当業者が甲２に記載された発明（甲２第二発明）及び周知技術１に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
　ウ　本件訂正発明４について
　本件特許に係る出願の優先日前の技術常識（例えば、甲７の【００１３】、【００１４】（上記２（２）カ参照。）、甲８の【００３４】、【００３５】（上記２（２）キ参照。）、甲９の【００１１】（上記２（２）ク参照。））からみて、甲２第二発明において、ドライエッチングにより露出したＧａＮ結晶膜の面が窒素面であることは明らかである。
　したがって、本件訂正発明４は、当業者が甲２に記載された発明（甲２第二発明）及び周知技術１に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
　エ　本件訂正発明２ないし４についてのまとめ
　以上のとおり、本件訂正発明２ないし本件訂正発明４は、当業者が甲２に記載された発明（甲２第二発明）及び周知技術１に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
（３）本件訂正発明５について
　ア　本件訂正発明５のうち請求項１及び請求項３の記載を引用する請求項５に係る発明（以下、これを、単に「本件訂正発明５」という。）と甲２第二発明とを対比する。
（ア）本件訂正発明５における被引用請求項１に記載された構成と甲２第二発明の構成との対比については、上記（１）アないしウのとおりである。
　また、甲２第二発明では、ｎ型ＧａＮ結晶膜（甲２の【０２１２】のＧａＮ結晶膜６５）のキャリア濃度は、１×１０１８ｃｍ−３以上である（上記２（２）イ参照。）ことから、甲２第二発明は、本件訂正発明５の被引用請求項３に記載された構成、すなわち、「第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における電子キャリア濃度は、１×１０１７ｃｍ−３以上である」との構成を備えている。
　
（イ）そうすると、本件訂正発明５と甲２第二発明とを対比すると、両者は、次の相違点１において形式的に相違し、また、相違点２において相違するとともに、さらに、相違点３においても形式的に相違し、その余の点において一致する。
　
相違点１：
　前記「ＧａＮ基板からなる第１半導体層」が、
　本件訂正発明５では、「裏面側が機械研磨された」ものであるのに対し、
　甲２第二発明では、「裏面側が機械研磨された」とは特定されていない点。
　
相違点２：
　「前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面」における「コンタクト抵抗」が、
　本件訂正発明５では、「０．０５Ωｃｍ２以下」であるのに対し、
　甲２第二発明では、０．０５Ωｃｍ２以下であるかどうか不明である点。
　
相違点３：
　「第１半導体層」が、
　本件訂正発明５では、「所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層である」のに対し、
　甲２第二発明では、「裏面側が機械研磨された」とは特定されておらず、「機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層である」とも特定されていない点。
　イ　相違点１及び２は、上記（１）エに記載した本件訂正発明１と甲２第二発明との相違点１及び２であって、上記（１）オ及びカで述べたことと同様に、当該相違点１及び２は実質的な相違点でないか、少なくとも、甲２第二発明において、当該相違点１及び２に係る本件訂正発明５の構成となすことは、当業者が容易になし得たことである。
　
　ウ　相違点３について検討する。
（ア）本件訂正発明５は、「窒化物系半導体素子」という物の発明であるが、「第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層である」との記載は、製造に関して技術的な特徴や条件が付された記載がある場合に該当するため、当該請求項５にはその物の製造方法が記載されているといえる。そうすると、「第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層である」との記載を含む本件訂正（その３）後の請求項５を含む特許請求の範囲は、物（窒化物系半導体素子）の発明についての特許に係る特許請求の範囲にその物の製造方法が記載されている場合に該当するから、当該請求項５は、いわゆるプロダクト・バイ・プロセス・クレーム（以下「ＰＢＰクレーム」という。）である。
　
（イ）ＰＢＰクレームにおける発明の要旨の認定に関し、「平成２４年（受）第２６５８号　特許権侵害差止請求事件　平成２７年６月５日　最高裁判所第二小法廷判決」（以下「最高裁判決」という。）は、「
物の発明についての特許に係る特許請求の範囲にその物の製造方法が記載されている場合であっても、その発明の要旨は、当該製造方法により製造された物と構造、特性等が同一である物として認定されるものと解するのが相当である
　
（ウ）そうすると、本件訂正発明５の要旨は、上記最高裁判決の判示に従えば、引用請求項に記載された構成をすべて備え、かつ、「第１半導体層」が、「所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層である」物と構造、特性等が同一である物として認定されるべきものであるから、相違点３に係る本件訂正発明５のプロセスによる物（ＧａＮ基板からなる第１半導体層を備えた窒化物系半導体素子）と、甲２第二発明のプロセスによる物とで、物としての構造・特性等に、プロセスの違いに基づく差異があるか否かを検討する必要がある。
　
（エ）ところが、相違点３に係る本件訂正発明５のプロセスによる物は、機械研磨により発生した結晶欠陥（転位）を、「第１半導体層」と「ｎ側電極」との「界面」において、その「近傍における転位密度」が「１×１０９ｃｍ−２以下」となるまで除去したものであるのだから、前記結晶欠陥（転位）をすべて除去したものを包含している。そして、当該結晶欠陥（転位）をすべて除去したものと、甲２第二発明との間に差異はない。よって、相違点３は、実質的な相違点ではない。
　
　エ　以上のとおり、本件訂正発明５は、当業者が甲２に記載された発明（甲２第ニ発明）に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
（４）本件訂正発明６ないし８について
　ア　本件訂正発明６について
　本件特許に係る出願の優先日前に、窒化物系半導体において、ｎ型ドーパントとして酸素を用いることは周知である（以下「周知技術２」という。例えば、甲７の【００３２】（上記２（２）カ参照。）、甲１０の【請求項１】、【００３２】（上記２（２）ケ参照。））から、甲２第二発明において、第１半導体層のｎ型ドーパントを酸素となすことは容易であるといわざるを得ない。
　したがって、本件訂正発明６は、当業者が甲２に記載された発明（甲２第二発明）、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
　イ　本件訂正発明７について
　甲２第二発明では、ｎ型ＧａＮ結晶膜が形成された基板をＭＯＣＶＤ装置にセットし、所定の温度、ガス流量、Ｖ族元素／ＩＩＩ族元素比で、厚さ１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ層、厚さ０．４μｍのＳｉ添加ｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層、厚さ０．１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ２．５ｎｍの無添加Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍの無添加Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる１０周期の多重量子井戸構造活性層、厚さ２０ｎｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層、厚さ０．１μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ０．４μｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層、及び厚さ０．５μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮコンタクト層を順次形成して発光素子構造を形成しているのであるから、本件訂正発明７と甲２第二発明との対比において、上記相違点１及び２（上記（１）エ参照。）以外の新たな相違点は生じない。
　したがって、本件訂正発明７は、当業者が甲２に記載された発明（甲２第二発明）、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
　ウ　本件訂正発明８について
　甲２第二発明では、ストライプ状のマスク間の領域である成長領域上に、塩化ガリウム（ＧａＣｌ）をＧａ原料とし、アンモニア（ＮＨ３）ガスをＮ原料として、ハイドライドＶＰＥ法によりＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させてｎ型ＧａＮ結晶膜が形成された基板を得ており、「第１半導体層」はＨＶＰＥ法により形成されるといえるから、本件訂正発明８と甲２第二発明との対比において、上記相違点１及び２（上記（１）エ参照。）以外の新たな相違点は生じない。
　したがって、本件訂正発明８は、当業者が甲２に記載された発明（甲２第二発明）、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
　エ　本件訂正発明６ないし８についてのまとめ
　以上のとおり、本件訂正発明６ないし本件訂正発明８は、当業者が甲２に記載された発明（甲２第二発明）、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
（５）本件訂正発明９について
　ア　本件訂正発明９と甲２第二発明とを対比する。
（ア）甲２第二発明の「『サファイア基板上』に『ＧａＮ結晶膜を形成後、サファイア基板とマスクとＧａＮ結晶膜の一部を除去して得』た『ＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハ』からなる『基板』」、「『研磨を行わずにドライエッチングによりサファイア基板、下地結晶膜、マスク及びｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して、露出したＧａＮ結晶膜の面』、『素子裏面』」、「ｎ型電極」及び「ＧａＮ系半導体発光素子」は、それぞれ、本件訂正発明９の「『ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からな』る『第１半導体層』」、「第１半導体層の裏面」、「ｎ側電極」及び「窒化物系半導体素子」に相当する。
　
（イ）甲２第二発明は、「第１半導体層の裏面（研磨を行わずにドライエッチングにより前記サファイア基板、前記下地結晶膜、前記マスク及び前記ｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して、露出したＧａＮ結晶膜の面、すなわち素子裏面）」側にチタンとアルミニウムからなる「ｎ側電極（ｎ型電極）」を形成し、ｐ型ＧａＮコンタクト層上にニッケルと金からなるｐ型電極を形成する工程を含み、「ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層（ＧａＮ結晶膜を形成後、サファイア基板とマスクとＧａＮ結晶膜の一部を除去して得たＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハ）」を基板として、該基板上に発光素子構造を形成する方法（ＧａＮ基板法）により作製された「窒化物系半導体素子（ＧａＮ系半導体発光素子）」であるから、甲２第二発明の「窒化物系半導体素子（ＧａＮ系半導体発光素子）」と本件訂正発明９の「窒化物系半導体素子」とは、少なくとも、「ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からな」る「第１半導体層と、前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極を備え」ている点で一致する。
　
（ウ）甲２第二発明では、研磨を行わずにドライエッチングにより前記サファイア基板、前記下地結晶膜、前記マスク及び前記ｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して、露出したＧａＮ結晶膜の面、すなわち素子裏面側にチタンとアルミニウムからなるｎ型電極を形成しているから、「第１半導体層の裏面（研磨を行わずにドライエッチングによりサファイア基板、下地結晶膜、マスク及びｎ型ＧａＮ結晶膜の一部を除去して、露出したＧａＮ結晶膜の面）」には、機械研磨により発生する転位は存在しない。そして、前記ドライエッチングにより、甲２第二発明の「第１半導体層の裏面」には、下地結晶中の刃状転位を引継ぎｃ面に対して平行な変位ベクトルを持つＡ転位と下地結晶中の混合転位を引継ぎｃ面に対して斜めに傾いた変位ベクトルを持つＢ転位を合わせた全転位の転位密度が好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下の低転位密度層が露出することになるから、甲２第二発明の「窒化物系半導体素子（ＧａＮ系半導体発光素子）」と本件訂正発明９の「窒化物系半導体素子」とは、少なくとも、「前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下」である点で一致する。
　
（エ）上記（ア）ないし（ウ）からみて、本件訂正発明９と甲２第二発明とは、
「ウルツ鉱構造を有するｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層と、
　前記第１半導体層の裏面上に形成されたｎ側電極を備え、
　前記第１半導体層の前記ｎ側電極との界面近傍における転位密度は、１×１０９ｃｍ−２以下である、
　窒化物系半導体素子。」で一致し、次の相違点４において相違し、さらに、相違点５において形式的に相違する。
相違点４：
　「前記ｎ側電極と前記第１半導体層との界面」における「コンタクト抵抗」が、
　本件訂正発明９では、「０．０５Ωｃｍ２以下」であるのに対し、
　甲２第二発明では、０．０５Ωｃｍ２以下であるかどうか不明である点
　
相違点５：
　「第１半導体層」が、
　本件訂正発明９では、「所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層である」のに対し、
　甲２第二発明では、「裏面側が機械研磨された」とは特定されておらず、「機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層である」とも特定されていない点。
　
　イ　相違点４は、上記（１）エに記載した本件訂正発明１と甲２第二発明との相違点２と同じであり、上記（１）カで相違点２について述べたことと同様に、相違点４は実質的な相違点ではないか、仮に実質的な相違点だとしても、甲２第二発明において、上記相違点４に係る本件訂正発明９の構成となすことは、当業者が容易になし得たことである。
　
　ウ　相違点５について検討する。
（ア）本件訂正発明９は、「窒化物系半導体素子」という物の発明であるが、本件訂正（その３）後の請求項９の「第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層である」との記載は、製造に関して技術的な特徴や条件が付された記載がある場合に該当するため、当該請求項９にはその物の製造方法が記載されているといえ、請求項９はＰＢＰクレームである。
　
（イ）そうすると、本件訂正発明９の要旨は、上記最高裁判決の判示（上記（３）ウ参照。）に従えば、「第１半導体層」が、「所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層である」物と構造・特性等が同一である物として認定されるべきものであるから、相違点５に係る本件訂正発明９のプロセスによる物（窒化物系半導体基板からなる第１半導体層を備えた窒化物系半導体素子）と、甲２第二発明のプロセスによる物とで、物としての構造・特性等に、プロセスの違いに基づく差異があるか否かを検討する必要がある。
　
（ウ）ところが、相違点３について述べたことと同様に（上記（３）ウ（エ）を参照。）、相違点５に係る本件訂正発明９のプロセスによる物は、機械研磨により発生した結晶欠陥（転位）を、「第１半導体層」と「ｎ側電極」との「界面」において、その「近傍における転位密度」が「１×１０９ｃｍ−２以下」となるまで除去したものであるのだから、前記結晶欠陥（転位）をすべて除去したものを包含している。そして、当該結晶欠陥（転位）をすべて除去したものと、甲２第二発明との間に差異はない。よって、相違点５は、実質的な相違点ではない。
　
　エ　以上のとおり、本件訂正発明９は、当業者が甲２に記載された発明（甲２第二発明）に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
　オ　なお、被請求人は、平成２８年９月８日付け上申書において、本件訂正（その３）後の請求項９に係る発明（本件訂正発明９）において、「第１半導体層」は「所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層」であるが、この構成は、単に、転位の発生状態を示すことにより構造又は特性を特定しているに過ぎないから、特許・実用新案審査ハンドブック「２２０４」の「単に状態を示すことにより構造又は特性を特定しているにすぎない場合」に該当し、「物の発明についての請求項にその物の製造方法が記載されている場合」には該当しない（本件訂正（その３）後の請求項９はＰＢＰクレームではない）と主張している（上記第３の７に掲げた上記上申書の概要の５．４（３）イ参照。）。 その上で、被請求人は、本件訂正発明９の「前記第１半導体層は、所定の厚さになるまで裏面側が機械研磨され、該機械研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された層であること」は、本件訂正発明９と甲２第二発明との相違点であると主張している（上記第３の７に掲げた上記上申書の概要の５．４（３）ウ参照。）。
　仮に、被請求人が主張するとおり、本件訂正（その３）後の請求項９における上記構成が、単に、転位の発生状態を示すことにより構造又は特性を特定しているに過ぎないものであるとした場合、上記構成が特定している構造又は特性とは、「第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度は１×１０９ｃｍ−２以下である」ことである。
　また、機械研磨により発生した転位が最終的に残っているか否かについては請求項９に記載されておらず、前記転位が完全に除去されたものも本件訂正発明９に包含されるとしか解釈できないから、請求項９がＰＢＰクレームであろうがなかろうが、甲２第二発明と、物として（少なくとも裏面の状態（構造・特性等）に関し）差異はない。
　そうすると、結局、本件訂正発明９は、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度が１×１０９ｃｍ−２以下である甲２第二発明と、物として何ら差異はないのだから、請求人が相違点であると主張する上記の点は、相違点にはなり得ない。
　したがって、仮に、本件訂正（その３）後の請求項９がＰＢＰクレームでないとしても、本件訂正発明９が、当業者が甲２第二発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるという結論に変わりはない。
　
（６）まとめ
　上記（１）ないし（５）のとおり、本件訂正発明１ないし本件訂正発明９は、いずれも、当業者が甲２に記載された発明（甲２第二発明）、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第７　むすび
　本件特許第３９３３５９２号の請求項１ないし請求項９に係る発明の特許は、特許法第１２３条第１項第２号に該当し無効とすべきものである。
　
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、被請求人が負担すべきものとする。
　
　よって、結論のとおり審決する。