【事件の表示】
　特願２０１４−　１９７８４「マイクロメカニカルマイクロフォン構造体を有する素子、および、マイクロメカニカルマイクロフォン構造体を有する素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　５月１５日出願公開、特開２０１４−　９０５１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２２年４月７日（パリ条約に基づく優先権主張外国庁受理　平成２１年６月３日　ドイツ（ＤＥ））に国際出願した特願２０１２−５１３５１９号の一部を平成２６年２月４日に新たな特許出願として出願したものであって、平成２６年９月１２日付け拒絶理由通知に対して、同年１０月２８日付けで意見書が提出されたが、同年１１月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２７年１月６日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
２．本願発明
　本願の請求項１ないし１４に係る発明のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２６年２月４日に新たな特許出願として出願された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「マイクロフォンコンデンサの変位可能な電極として機能し音響的に動作するダイヤフラム（１１）と、
　前記マイクロフォンコンデンサの対向電極として機能し固定された、音響透過性の対向エレメント（１２）と、
　前記マイクロフォンコンデンサの容量変化を検出および評価するための手段と、
を備えた、マイクロメカニカルマイクロフォン構造体を有する素子であって、
　前記ダイヤフラム（１１）は、前記素子の半導体基板（１）の上方のダイヤフラム層（３）で実現されており、前記ダイヤフラム（１１）は、前記半導体基板（１）の裏面に設けられた音響空洞（１３）の上方に架かるように設けられており、
　前記対向エレメント（１２）は、前記ダイヤフラム（１１）の上方の別の層（５）に形成されており、
　前記別の層（５）は実質的に素子面全体にわたって延在しており、前記別の層（５）に応じて素子表面全体が平坦になるように前記別の層（５）は高低差を補償し、
　前記ダイヤフラム層（３）に、前記ダイヤフラム（１１）に対するばね懸架部（１４）が形成されており、
　前記ばね懸架部（１４）は少なくとも３つのばね要素を有し、
　前記少なくとも３つのばね要素は、第１の絶縁層（２）および／または第２の絶縁層（４）を介して、前記半導体基板（１）および／または前記対向エレメント（１２）に結合されており、
　前記対向エレメント（１２）は、前記ダイヤフラム層（３）より厚い多結晶シリコンエピタキシャル層（５）に形成されている、
ことを特徴とする素子。」
３．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００７−２０８５４８号公報（以下、「引用例１」という。）には、「音響センサ」について、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【技術分野】【０００１】本発明は、空気等を媒体として伝わる可聴音や超音波などの音響を検知する静電容量型の音響センサに関する。
【背景技術】【０００２】従来から、対向電極型のコンデンサ、例えば、平行平板コンデンサの一方の電極を音響によって振動させ、音響圧力の変化をコンデンサの静電容量の電気的変化に変換して音響検出を行う音響センサが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】このような
静電容量型の音響センサは、例えば、シリコン半導体などの基板、基板の一部を薄膜化して形成した振動板、基板上に形成した１つ以上の接続部、接続部を用いて振動板と一定の狭い隙間を設けて相対するように形成され複数の微小な貫通孔（音響孔、アコースティックホール）を有するバックプレート、及び、コンデンサを形成する振動板とバックプレートのそれぞれに接続して電気信号を取り出す接続パッドを構成要素としている
【０００４】
振動板とバックプレートは、それぞれの少なくとも一部は導体であって、平行平板コンデンサを形成する対向電極を構成する
イ．「【００２４】（第１の実施形態）
  
図１（ａ）（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る静電容量型の音響センサ１を示し、図２（ａ）（ｂ）はバックプレート４を除いた状態の音響センサ１を示し、図３、図４は音響センサ１の外観を示す。本実施形態の音響センサ１は、シリコン基板２に形成され音響によって振動する振動板３と、振動板３に対向するバックプレート４とを有し、両者間の静電容量の変化を検出することによって音響を検出するセンサであって
【００２５】次に、音響センサ１の各構成要素を説明する。なお、音響センサ１の製造工程については後述する（図５）。
シリコン基板２（基板２と略す）は、平面視において略四角形状の枠体（フレーム）に凹部２１と振動板とが形成されたものであり、枠体が音響センサ１の形を保持し、凹部２１が音響を振動板３に導く。凹部２１の底面が振動板３となっている。すなわち、振動板３の一面を凹部２１に臨ませて振動板３の周囲を基板２が保持した構造になっている。凹部２１に臨む振動板３が凹部２１の開口側から伝播する音響によって振動する
【００２６】
凹部２１は、例えば、シリコンウエハを半導体プロセスによりエッチング加工して形成される
【００２７】振動板３は、外部から到達する音響の有する微小な音圧変化によって振動する部材であり、かつ、バックプレート４と共に平行板コンデンサを形成する部材である。振動板３は、平面視において一辺が約１．０ｍｍ程度の略四角形状をなし、断面視において基板２の枠体に比べ厚さが十分薄く、外部から到達する音響の有する微小な音圧変化によって振動するように、例えば、１〜２μｍ程度に形成されている。振動板３を形成する基板２は、例えば、抵抗率が１×１０＋３（Ω・ｃｍ）以上の高抵抗のシリコン基板である。このような高抵抗材から形成した振動板３は、その中央部を導体化され、平行板コンデンサの対向電極となる導体部３１が形成される。
【００２８】上述の導体部３１は、振動板３の中央部約０．５ｍｍ程度の略四角形の領域を、例えばリン等の不純物元素を半導体拡散プロセスによりドーピングすることで導体化されている。導体部３１の抵抗率は、１×１０−３（Ω・ｃｍ）以下が望ましい。これにより高抵抗の半導体基板との抵抗率の違いが１０６倍以上となり、効果的に導体部３１の領域を限定できる。
【００２９】また、上述の導体部３１は、その特徴的寸法ｄが、バックプレート４の特徴的寸法Ｄ１や振動板３の特徴的寸法Ｄ２よりも小さい寸法（ｄ＜Ｄ１，ｄ＜Ｄ２）となるように、形成されている。
【００３０】振動板３側のコンデンサ電極、すなわち導体部３１、から電気信号を外部に出力するため、導体部３１から延設したドーピング部による回路３２と、回路３２の終端部に配置した接続パッド３３が形成されている。接続パッド３３は、例えば、音響センサを実装基板ＰＣＢに実装する際に、ワイヤＷによるボンディング用パッドとして用いられる。
【００３１】
バックプレート４は、その主要部分が平面視において略四角形状であり、導電性を有する材料によって形成され、音響によって振動する振動板３、すなわち振動電極、に対する固定電極となっており、振動板３と共に平行板コンデンサを形成して音響による音圧変化を容量の変化として検出可能とする
【００３２】また、
バックプレート４は、空気圧を受けて振動しないように、さらに、振動板３が音響に応じて遅滞なく自在に振動するように、振動板３とバックプレート４の間の空気を逃がして空気抵抗を減らす空気流通用の貫通孔、いわゆるアコースティックホール４１を複数備えている
【００３３】バックプレート４の材料は、例えばＣＶＤ等の方法で成膜したポリシリコンであり、高抵抗のポリシリコンに導電性を付与するために不純物のドーピングが行われる。また、バックプレート４から電気信号を取り出すために、ワイヤーボンディングなどに用いる接続パッド４２が設けられている。
【００３４】また、
バックプレート４は、１つ以上の絶縁性のある接続部５を介して基板２上に構成されている。この接続部５は、振動板３とバックプレート４の間にあって、両者を電気絶縁した状態で一定の距離に保つものである。接続部５の材料は、例えば、半導体プロセスでは、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などを用いることができる。バックプレート４と振動板３とは、接続部５の高さによって隙間が調整される
【００３５】上述の、
基板２に形成した、振動板３、導体部３１、接続部５、及びバックプレート４などの構造は、半導体プロセスによって、薄膜の積層、高抵抗体の低抵抗体化（導体化）、エッチングによる形状形成などの工程を経て形成され、最終の３次元形状の音響センサ１とされる
【００３６】次に、図５（ａ）〜（ｇ）を参照して、第１の実施形態の音響センサ１の製造工程を説明する。この第１の実施形態の音響センサ１は、図５（ａ）〜（ｄ）に示す成膜工程と、その後の、図５（ｅ）〜（ｇ）に示すエッチング工程の、大略２段階で製造される。なお、
音響センサ１は、一枚の広いシリコン基板に多数個が一括して製造され、最後にシリコン基板のダイシングによって個片化されて多数の音響センサ１が得られる、いわゆる多数個取りの製造方法によって製造される
【００３７】まず、図５（ａ）（ｂ）に示すように、シリコン基板２の導体部３１となる領域に、不純物をドーピングして、その領域が導体化される。上述のように、シリコンからなる基板２は、抵抗率が１×１０＋３（Ω・ｃｍ）以上の高抵抗であり、ドーピングによって導体化された導体部３１は、抵抗率が１×１０−３（Ω・ｃｍ）以下となる。ドーピングには、例えば、ボロン（元素記号Ｂ）やリン（元素記号Ｐ）を不純物として用いることができる。
【００３８】次に、図５（ｃ）（ｄ）に示すように、導体部３１の領域を含む
基板２の全面に、シリコン酸化膜５０をＣＶＤ等の方法で形成し、その上に、バックプレート４形成用のポリシリコン層４０を形成し、ポリシリコン層４０をドーピングにより導体化する。シリコン酸化膜５０は、一部は接続部５として残されるが、大部分は、上層のポリシリコン層４０（バックプレート４）を立体的に形成するためにエッチングによって除去される、いわゆる犠牲層である
【００３９】上述の
導体化されたポリシリコン層４０は、図５（ｅ）に示すように、不要なポリシリコン部をエッチングによって除去され、貫通孔であるアコースティックホール４１の形成と外形形状の形成とがなされて、バックプレート４が形成される。このバックプレート４は、全体が導電体であり、音響を検出するコンデンサの一方の電極となる
【００４０】次に、図５（ｆ）に示すように、
基板２の下側面にエッチングによって凹部２１が形成される。このエッチングによって、基板２の上面である凹部２１の底面が、振動板３として形成される
【００４１】次に、図５（ｇ）に示すように、フッ酸等の水溶液を用いてシリコン酸化膜５０を等方的にエッチングすることにより、バックプレート４と振動板３との間に所定の隙間を確保する共に、接続部５を残す３次元構造が形成される（いわゆる犠牲層エッチング）。等方性エッチングでは、水溶液に接している被エッチング部のエッチングが略一様に進行する。そこで、アコースティックホール４１の貫通孔は、バックプレート４の下層のシリコン酸化膜５０（犠牲層）をエッチング除去する際のエッチング液供給孔として機能する。この犠牲層エッチングの後、接続パッド４２等の形成やダイシングによる個片化などの後処理が行われて、音響センサ１が完成する。」
ウ．「【００４４】（第２の実施形態）
  図６（ａ）〜（ｇ）は第２の実施形態の音響センサ１の製造工程を主要工程順に示す。この音響センサ１は、図６（ａ）に示すように、下層から、シリコン基板２０／シリコン酸化膜２２／シリコン層２３の構成を有する、いわゆるＳＯＩ基板２を用いて形成されたものである。この
音響センサ１は、図６（ｇ）に示すように、振動板３を形成するシリコン層２３が、音響センサ１の枠体を形成するシリコン基板２０との間に、シリコン酸化膜２２を介在させている点が、上述の図１（ｂ）に示した第１の実施形態の音響センサ１とは異なり、他の点は図１（ｂ）の音響センサと同様である
【００４５】
図６（ａ）から図６（ｅ）のバックプレート４のエッチングによる形成までは、図５（ａ）から図５（ｅ）のバックプレート４のエッチングによる形成と同様である
図６（ｆ）に示す凹部２１の形成では、ＳＯＩ基板２のシリコン基板２０がエッチングされ、シリコン酸化膜２２はエッチングされずに残っている。すなわち、ＯＳＩ基板２のシリコン酸化膜２２は、エッチングストップとして機能している
【００４６】また、図６（ｇ）の犠牲層エッチングでは、図５（ｇ）の犠牲層エッチングと同様にシリコン酸化膜５０のエッチングが進行すると共に、上述のエッチングストッパとして機能したシリコン酸化膜２２のエッチングも同時に進行する。従って、この犠牲層エッチングによって、所定の膜厚を有する振動板３が精度良く形成される。すなわち、振動板３の膜厚は、ＳＯＩ基板２に形成されているシリコン層２３の厚さとなる。
【００４７】このように、シリコン基板２０／シリコン酸化膜２２／シリコン層２３という構造のＳＯＩ基板２を用いることにより、酸化膜上の厚さ精度の良いシリコンによって、所定厚さの振動板３を容易に形成でき、音響センサの低コスト化を実現できる。また、シリコン酸化膜をエッチングストッパとして用いることができるので、振動板３の膜厚バラツキが抑えられ、特性の揃った音響センサ１が容易に得られる。
【００４８】なお、上述のＳＯＩ基板２に変えて、
シリコン基板上に熱酸化プロセスやＣＶＤ等によりシリコン酸化膜２２を形成した後、シリコン層２３の代わりにポリシリコン層をＣＶＤ等によって形成し、ポリシリコン層によって、振動板３を形成してもよい。また、シリコン基板上に直接ポリシリコン層を形成して、このポリシリコン層によって、振動板３を形成してもよい
【００４９】ポリシリコン層は、シリコン基板の上や、シリコン基板上に形成したシリコン酸化膜の上に、化学蒸着（ＣＶＤ）などの成膜方法を用いて所望の膜厚に容易に形成できるので、振動板３の厚さを精度良く制御でき、製品特性を安定化して低コスト化が図れる。」
エ．「【００５０】（第３の実施形態）
  図７（ａ）（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係る静電容量型の音響センサ１を示し、図８、図９は音響センサ１の外観を示す。
この第３の実施形態の音響センサ１は、上述の第２の実施形態の音響センサ１において、振動板３を形成したシリコン層２３とその下層のシリコン酸化膜２２を、それぞれ内側領域と外側領域に分離した構造としたものであり、その他の点は、第２の実施形態の音響センサ１と同様である
シリコン層２３は、導体部３１から接続パッド３３に至る回路３２の部分以外の部分に形成した、凹部２１を囲むように略一周している分離溝３４によって、内側領域の振動板３の部分と、外側領域の外周層３０の部分とに、大略分離されている
【００５１】また、シリコン酸化膜２２は、分離溝１１によって、振動板３をその外周部分で支持する支持部であるリング状酸化膜１０の部分と、外側領域の外周層１２の部分とに、分離されている。振動板３を支持するリング状酸化膜１０は、図７（ｂ）に示すように、その幅ｗがその厚さｈと同程度まで狭く形成されている。このようなリング状酸化膜１０からなる支持部は、弾性ヒンジ的支持構造を形成するので、振動板３の周囲の支持部剛性を低減でき、振動板３が、より自由かつ大きな変位で振動できる。従って、この第３の実施形態の音響センサ１は、上述の第２の実施形態の音響センサ１よりも、さらに高感度化を実現できる。
【００５２】次に、図１０（ａ）〜（ｇ）を参照して、この第３の実施形態の音響センサ１の製造工程を説明する。この音響センサ１は、図１０（ａ）に示すように、下層から、シリコン基板２０／シリコン酸化膜２２／シリコン層２３の構成を有するＳＯＩ基板２を用いて形成される。この点は、第２の実施形態の音響センサと同様である。本実施形態の音響センサ１では、まず、
図１０（ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板２のシリコン層２３にエッチングを行い、回路３２となる部分以外の部分に分離溝３４を形成し、シリコン層２３を、振動板３の部分と、外周層３０の部分とに分離する
【００５３】上述の分離の後に、
図１０（ｃ）〜（ｆ）に示すように、上述の第２の実施形態の図６（ｂ）〜（ｆ）に示した工程と同様の工程により、ドーピングによる導体部３１の形成（図１０（ｃ））、犠牲層となるシリコン酸化膜５０の形成、及びバックプレート４用のポリシリコン層４０の形成とドーピングによる導体化（図１０（ｄ））、ポリシリコン層４０のエッチングによるバックプレート４の形成（図１０（ｅ））、シリコン基板２０のエッチングによる凹部２１の形成（図１０（ｆ））が順番に行われる
【００５４】そして、図１０（ｇ）に示すように、犠牲層のシリコン酸化膜５０と、エッチングストッパとして機能していたシリコン酸化膜２２のエッチングが行われる。この犠牲層エッチング工程によって、振動板３とバックプレート４の隙間の形成、接続部５の形成、振動板３の背面のシリコン酸化膜２２の除去、さらに、シリコン酸化膜２２における分離溝１１の形成が行われる。この分離溝１１の形成は、振動板３を分離するためにシリコン層２３に形成した分離溝３４からエッチング液が進入することによって形成される。
【００５５】以上に述べたように、空気等を媒体として伝わる可聴音や超音波などの音響を検知する本発明の静電容量型の音響センサ１は、シリコンなどの半導体材料をベースとすると共に、ＩＣ（集積回路）などと同様の半導体プロセスを用いて非常に小型に製作され、携帯機器用のマイクロホンや超音波センサ、補聴器等に利用可能である。なお、本発明は、上記構成に限られることなく種々の変形が可能である。」
　上記の記載事項から以下のことがいえる。
・上記アの記載によれば、音響を検知する静電容量型の音響センサとして、従来から、平行平板コンデンサの一方の電極を音響によって振動させ、音響圧力の変化をコンデンサの静電容量の電気的変化に変換して音響検出を行うものが知られており、そのような静電容量型の音響センサは、例えば、シリコン半導体などの基板、基板の一部を薄膜化して形成した振動板、基板上に形成した１つ以上の接続部、接続部を用いて振動板と一定の狭い隙間を設けて相対するように形成され複数の微小な貫通孔（音響孔、アコースティックホール）を有するバックプレート、及び、コンデンサを形成する振動板とバックプレートのそれぞれに接続して電気信号を取り出す接続パッドを構成要素とし、振動板とバックプレートは、それぞれの少なくとも一部は導体であって、平行平板コンデンサを形成する対向電極を構成することが記載されている。
・上記イの記載によれば、静電容量型の音響センサの第１の実施形態として、音響センサ１は、シリコン基板２に形成され音響によって振動する振動板３と、振動板３に対向するバックプレート４とを有し、両者間の静電容量の変化を検出することによって音響を検出するセンサであり、その構成要素であるシリコン基板２（基板２と略す）は、平面視において略四角形状の枠体（フレーム）に凹部２１と振動板とが形成されたものであり、枠体が音響センサ１の形を保持し、凹部２１が音響を振動板３に導くもので、凹部２１の底面が振動板３となっている。
  凹部２１は、エッチングで形成され、振動板３は、外部から到達する音響の有する微小な音圧変化によって振動する部材であり、かつ、バックプレート４と共に平行板コンデンサを形成する部材である。
　バックプレート４は、空気圧を受けて振動しないように、さらに、振動板３が音響に応じて遅滞なく自在に振動するように、振動板３とバックプレート４の間の空気を逃がして空気抵抗を減らす空気流通用の貫通孔、いわゆるアコースティックホール４１を複数備えており、バックプレート４の材料は、例えばＣＶＤ等の方法で成膜したポリシリコンであり、高抵抗のポリシリコンに導電性を付与するために不純物のドーピングが行われる。
　また、バックプレート４は、１つ以上の絶縁性のある接続部５を介して基板２上に構成されている。この接続部５は、振動板３とバックプレート４の間にあって、両者を電気絶縁した状態で一定の距離に保つものである。接続部５の材料は、例えば、半導体プロセスでは、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などを用いることができる。バックプレート４と振動板３とは、接続部５の高さによって隙間が調整されることが記載されている。
　上述の、基板２に形成した、振動板３、導体部３１、接続部５、及びバックプレート４などの構造は、半導体プロセスによって、薄膜の積層、高抵抗体の低抵抗体化（導体化）、エッチングによる形状形成などの工程を経て形成され、最終の３次元形状の音響センサ１とされるもので、図５（ａ）〜（ｇ）を参照して、第１の実施形態の音響センサ１の製造工程が説明されており、音響センサ１は、一枚の広いシリコン基板に多数個が一括して製造され、最後にシリコン基板のダイシングによって個片化されて多数の音響センサ１が得られる、いわゆる多数個取りの製造方法によって製造されることが記載されている。
　そして具体的な製造工程として、まず、シリコン基板２の導体部３１となる領域に、不純物をドーピングして、その領域が導体化され（図５（ａ）（ｂ））、次に、導体部３１の領域を含む基板２の全面に、犠牲層であるシリコン酸化膜５０をＣＶＤ等の方法で形成し、その上に、バックプレート４形成用のポリシリコン層４０を形成し、ポリシリコン層４０をドーピングにより導体化し（図５（ｃ）（ｄ））、導体化されたポリシリコン層４０は、不要なポリシリコン部をエッチングによって除去され、貫通孔であるアコースティックホール４１の形成と外形形状の形成とがなされて、全体が導電体であり、音響を検出するコンデンサの一方の電極となるバックプレート４が形成され（図５（ｅ））、基板２の下側面にエッチングによって凹部２１が形成され、基板２の上面である凹部２１の底面が、振動板３として形成される（図５（ｆ））ことが記載されている。
　ここで、図５（ｃ）（ｄ）に示されているように、製造工程において、導体部３１の領域を含む基板２の全面に、犠牲層であるシリコン酸化膜５０をＣＶＤ等の方法で形成し、その上（すなわちシリコン酸化膜５０の全面）に、バックプレート４形成用のポリシリコン層４０を形成しているものであるから、ポリシリコン層４０は実質的に素子面全体にわたって延在しており、ポリシリコン層４０に応じて素子表面全体が平坦になるようにポリシリコン層４０は高低差を補償しているものと解される。
・上記ウの記載によれば、静電容量型の音響センサ１の第２の実施形態として、音響センサ１は、図６（ａ）に示すように、下層から、シリコン基板２０／シリコン酸化膜２２／シリコン層２３の構成を有する、いわゆるＳＯＩ基板２を用いて形成されたものであり、この音響センサ１は、図６（ｇ）に示すように、振動板３を形成するシリコン層２３が、音響センサ１の枠体を形成するシリコン基板２０との間に、シリコン酸化膜２２を介在させている点が、上述の図１（ｂ）に示した第１の実施形態の音響センサ１とは異なり、他の点は図１（ｂ）の音響センサと同様であることが記載されている。
　また、その製造工程は、 図６（ａ）から図６（ｅ）のバックプレート４のエッチングによる形成までは、第１の実施形態の製造工程である図５（ａ）から図５（ｅ）のバックプレート４のエッチングによる形成と同様であり、図６（ｆ）に示す凹部２１の形成では、ＳＯＩ基板２のシリコン基板２０がエッチングされる際、シリコン酸化膜２２はエッチングストップとして機能していることが記載されている。
・上記エの記載によれば、静電容量型の音響センサ１の第３の実施形態の製造工程として、図１０（ａ）に示すように、下層から、シリコン基板２０／シリコン酸化膜２２／シリコン層２３の構成を有するＳＯＩ基板２を用いて形成されたもので、この点は、第２の実施形態の音響センサと同様であり、本実施形態の音響センサ１では、まず、図１０（ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板２のシリコン層２３にエッチングを行い、回路３２となる部分以外の部分に分離溝３４を形成し、シリコン層２３を、振動板３の部分と、外周層３０の部分とに分離することが記載されている。
　また、上述の分離の後に、図１０（ｃ）〜（ｆ）に示すように、第２の実施形態の図６（ｂ）〜（ｆ）に示した工程と同様の工程により、ドーピングによる導体部３１の形成（図１０（ｃ））、犠牲層となるシリコン酸化膜５０の形成、及びバックプレート４用のポリシリコン層４０の形成とドーピングによる導体化（図１０（ｄ））、ポリシリコン層４０のエッチングによるバックプレート４の形成（図１０（ｅ））、シリコン基板２０のエッチングによる凹部２１の形成（図１０（ｆ））が順番に行われ、図１０（ｇ）に示すように、犠牲層のシリコン酸化膜５０と、エッチングストッパとして機能していたシリコン酸化膜２２のエッチングが行われ、この犠牲層エッチング工程によって、振動板３とバックプレート４の隙間の形成、接続部５の形成、振動板３の背面のシリコン酸化膜２２の除去、さらに、シリコン酸化膜２２における分離溝１１の形成が行われ、この分離溝１１の形成は、振動板３を分離するためにシリコン層２３に形成した分離溝３４からエッチング液が進入することによって形成されることが記載されている。
・ここで上記イ〜エの記載から明らかなように、引用例１の静電容量型の音響センサの実施形態は、第２の実施形態は第１の実施形態を、第３の実施形態は第２の実施形態を、それぞれ発展変形させたものであり、その実施形態は相互に独立したものではなく、第３の実施形態は、第２の実施形態や第１の実施形態を包含する共通の技術思想に基づくものである。
　したがって、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「静電容量型の音響センサの変位可能な電極として機能し音響的に動作する導体部を備えた振動板（３）と、
　前記静電容量型の音響センサの対向電極として機能し固定された、音響透過性のバックプレート（４）と、
　前記静電容量型の音響センサの容量変化を検出および調整するための手段と、
を備えた、音響センサであって、
　前記振動板（３）は、前記音響センサのシリコン基板（２０）の上方のシリコン層（２３）で実現されており、前記振動板（３）は、前記シリコン基板（２０）の裏面に設けられた凹部（２１）の上方に架かるように設けられており、
　前記バックプレート（４）は、前記振動板（３）の上方のポリシリコン層（４０）に形成されており、
　前記ポリシリコン層（４０）は実質的に素子面全体にわたって延在しており、前記ポリシリコン層４０に応じて素子表面全体が平坦になるように前記ポリシリコン層４０は高低差を補償し、
　前記シリコン層（２３）に、前記振動板（３）に対する外周層（３０）が形成されており、
　前記外周層（３０）は、シリコン酸化膜（２２）および／またはシリコン酸化膜（５０）を介して、前記シリコン基板（２０）および／または前記バックプレート（４）に結合されており、
　前記バックプレート（４）は、前記シリコン層（２３）より厚いポリシリコン層（４０）に形成されている、
ことを特徴とする音響センサ。」
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、
ア．引用発明の「音響センサ」、「振動板（３）」、「バックプレート（４）」、「（音響センサの）シリコン基板（２０）」、「シリコン層（２３）」は、本願発明の「（マイクロメカニカル）マイクロフォン構造体を有する素子」、「ダイヤフラム（１１）」、「対向エレメント（１２）」、「（素子の）半導体基板（１）」、「ダイヤフラム層（３）」に、それぞれ相当する。
　引用発明の「静電容量型の音響センサ」は、平行平板コンデンサの一方の電極を音響によって振動させ、音響圧力の変化をコンデンサの静電容量の電気的変化に変換して音響検出を行う、対向電極型のコンデンサの構成を備えており、その「対向電極型のコンデンサ」は、本願発明の「マイクロフォンコンデンサ」に相当するから、引用発明の「静電容量型の音響センサ」は、本願発明の「マイクロフォンコンデンサ」の構成を備えるものである。
　引用発明の「静電容量型の音響センサの容量変化を検出するための手段」は、本願発明の「マイクロフォンコンデンサの容量変化を検出するための手段」に相当する。
　ただし、マイクロフォンコンデンサの容量変化について、本願発明は、「容量変化を検出および評価するための手段」を備えるのに対し、引用発明は「容量変化を検出および調整するための手段」は備えるものの、「評価するための手段」を備えているか否か特定されていない点で相違している。
　また、引用発明の「（音響センサの）シリコン基板（２０）の裏面に設けられた凹部（２１）」は、凹部が音響を振動板３に導くものであるから、本願発明の「半導体基板（１）の裏面に設けられた音響空洞（１３）」に相当する。
　ただし、対向エレメント（１２）について、本願発明は、「多結晶シリコンエピタキシャル層（５）に形成されている」のに対し、引用発明は、ポリシリコン層に形成されている点で相違している。
イ．引用発明の「ポリシリコン層（４０）」は、上記３．に記載したように、図５（ｃ）（ｄ）に示すように、導体部３１の領域を含む基板２の全面に、シリコン酸化膜５０をＣＶＤ等の方法で形成し、その上に、バックプレート４形成用のポリシリコン層４０を形成しているものであるから、ポリシリコン層４０は実質的に素子面全体にわたって延在しており、ポリシリコン層４０に応じて素子表面全体が平坦になるようにポリシリコン層４０は高低差を補償しているものと解され、ポリシリコン層４０はドーピングにより導体化するもので、シリコン酸化膜５０は、一部は接続部５として残されるが、大部分は、上層のポリシリコン層４０（バックプレート４）を立体的に形成するためにエッチングによって除去され（いわゆる犠牲層）、導体化されたポリシリコン層４０は、貫通孔であるアコースティックホール４１の形成と外形形状の形成とがなされて、バックプレート４が形成され、このバックプレート４は、全体が導電体であり、音響を検出するコンデンサの一方の電極となるものであるから、引用発明の「ポリシリコン層（４０）」は、本願発明の「別の層（５）」に相当する。
ウ．引用発明の「外周層（３０）」は、振動板３を形成するシリコン層２３が、音響センサ１の枠体を形成するシリコン基板２０との間に、シリコン酸化膜２２を介在させ、シリコン層２３を凹部２１を囲むように略一周している分離溝３４によって、内側領域の振動板３の部分と、外側領域の外周層３０の部分とに、大略分離するものであるから、本願発明の「懸架部（１４）」に相当する。
　ただし、懸架部（１４）について、本願発明は、「少なくとも３つのばね要素を有したばね懸架部」であるのに対し、引用発明は、そのような構成を有していない点で相違している。
　そうすると、本願発明と引用発明とは以下の点で、一致ないし相違する。
（一致点）
「マイクロフォンコンデンサの変位可能な電極として機能し音響的に動作するダイヤフラム（１１）と、
　前記マイクロフォンコンデンサの対向電極として機能し固定された、音響透過性の対向エレメント（１２）と、
　前記マイクロフォンコンデンサの容量変化を検出するための手段と、
を備えた、マイクロメカニカルマイクロフォン構造体を有する素子であって、
　前記ダイヤフラム（１１）は、前記素子の半導体基板（１）の上方のダイヤフラム層（３）で実現されており、前記ダイヤフラム（１１）は、前記半導体基板（１）の裏面に設けられた音響空洞（１３）の上方に架かるように設けられており、
　前記対向エレメント（１２）は、前記ダイヤフラム（１１）の上方の別の層（５）に形成されており、
　前記別の層（５）は実質的に素子面全体にわたって延在しており、前記別の層（５）に応じて素子表面全体が平坦になるように前記別の層（５）は高低差を補償し、
　前記ダイヤフラム層（３）に、前記ダイヤフラム（１１）に対する懸架部（１４）が形成されており、
　前記懸架部（１４）は、第１の絶縁層（２）および／または第２の絶縁層（４）を介して、前記半導体基板（１）および／または前記対向エレメント（１２）に結合されており、
　前記対向エレメント（１２）は、前記ダイヤフラム層（３）より厚い多結晶シリコン層（５）に形成されている、
ことを特徴とする素子。」
（相違点１）
　マイクロフォンコンデンサの容量変化について、本願発明は、「容量変化を検出および評価するための手段」を備えるのに対し、引用発明は「容量変化を検出および調整するための手段」は備えるものの、「評価するための手段」を備えていることが特定されていない。
（相違点２）
　懸架部（１４）について、本願発明は、「少なくとも３つのばね要素を有したばね懸架部」であるのに対し、引用発明は、そのような構成を有していない。
（相違点３）
　対向エレメント（１２）について、本願発明は、「多結晶シリコンエピタキシャル層（５）に形成されている」のに対し、引用発明は、ポリシリコン層に形成されている。
５．判断
（１）相違点１について判断する。
　本願発明のマイクロフォンコンデンサの容量変化を検出および評価するための手段については、本願明細書の段落【００２３】に「ダイヤフラム１１および対向エレメント１２が、マイクロフォンコンデンサの電極となり、このマイクロフォンコンデンサの容量は、該ダイヤフラム１１と該対向エレメント１２との間の距離に応じて変化する。このマイクロフォンコンデンサの容量変化を検出するためには、前記ダイヤフラム１１と前記対向電極１２との間に蓄電電圧が印加される。この蓄電電圧はバイアス電圧とも称される。この図では、前記マイクロフォンコンデンサの容量変化を検出および評価するための手段は詳細に示されていない。」との記載、また段落【００３２】に「実施例では、マイクロフォン構造体を過負荷から保護する過負荷保護部として、簡単な電子回路機能が設けられている。評価電子回路が、ダイヤフラムが対向エレメントに当たったことを自動的に識別する。過負荷がかかった場合、たとえば音圧が非常に高い場合や衝撃の作用で、このようにダイヤフラムが対向エレメントに当たることがある。その際に発生する静電付着力を緩和させ、静電力に起因してダイヤフラムが対向エレメントに永続的に付着するのを避けるためには、バイアス電圧を一時的に中断する。電圧がない状態になると、ダイヤフラムは自然に対向エレメントから離れる。（略）」との記載があるのみであり、その手段の詳細は不明であるが、上記記載を総合勘案すると、本願発明の容量変化を「評価するための手段」とは、「マイクロフォン構造体を過負荷から保護する過負荷保護部として設けられた、簡単な電子回路機能」と解することができる。
　ここで、例えば、特表２００８−５３６６９７号公報（段落【００３４】）には、容量型のマイクロフォンもしくは圧力センサの製作法における基本的な方法ステップとして、「−容量式の検出の事例におけるダイヤフラムもしくはダイヤフラム自体への適切な評価手段の形成および電気的なコンタクティング；−容量式の検出の事例における対向電極の形成および電気的なコンタクティング；」を備える点が、特表２００９−５１７９４０号公報（段落【０００５】）には、音響的な信号を受信および／または発生させるためのマイクロマシニング構造体において、「マイクロマシニング構造体を、電子回路とモノリシックに一体化して設けることも可能である。これによっていわゆるワンチップ化によって、音響的な信号と電気的な信号の間の変換のためのマイクロマシニング構造体と、電子信号を評価もしくは提供するための電子回路とを有する一式のユニットにまとめることが可能である」点が、記載されているように、マイクロフォンコンデンサにおいて、容量変化を評価するための手段を備えることは、周知の事項である。
　したがって、引用例１の「静電容量型の音響センサの容量変化を検出および調整するための手段」に、周知技術を適用して、「マイクロフォンコンデンサの容量変化を検出および評価するための手段」を備える構成とすることは、当業者が容易になし得た事項である。
（２）相違点２について判断する。
　原査定において提示された特開２００８−１４８２８３号公報（特に段落【００１０】，【００１７】，【００２０】〜【００２２】及び【図２ａ】を参照）には、多数のエアホールが形成された柔軟バネ型振動板を含むことによって、外部入力音圧により一層敏感に振動するコンデンサーマイクロホンが記載され、同じく原査定において提示された特開２００５−３２６３１０号公報（特に段落【００２４】〜【００２６】，【図６】及び【図７】を参照）には、振動板にスリットを形成することで、充分な振幅を得て感度を向上することができると共に、衝撃が加わった場合でも、破損や変形に強い構造とすることができるコンデンサマイクロホン型の振動センサが記載されているように、センサの感度を向上させるために、振動板（ダイヤフラム）の振動部（内側領域）と固定部（外側領域）とを連結する少なくとも３つのばね要素を有する弾性支持部（弾性変形可能なばね懸架部）を設けることは周知の事項であり、センサの感度を向上させるという課題も一般的なものである。したがって、引用発明のシリコン層２３の内側領域の振動板３の部分と、外側領域の外周層３０の部分との連結部に周知技術を適用して、少なくとも３つのばね要素を有するばね懸架部を設けることは、当業者が容易になし得た事項である。
　なお、請求人は、審判請求書において、「引例１では、特許文献３（特開平７−０５０８９９号公報）に示されるような、ばね懸架部を設けた音響センサの構造やその製造方法が複雑になるということを課題としているため、引例１には、ばね懸架部を設けることの阻害要因があるといえる」旨、主張している。
　しかしながら、特許文献３（特開平７−０５０８９９号公報）には、段落【００１９】に、図４を参照して、ばね懸架部を設けたダイヤフラムは、ばね懸架部を設けていないダイヤフラムと比べて製作手順が簡単であるという利点があるが、ばね懸架部を設けていないダイヤフラム程には垂直方向に拘束されていないため、ダイヤフラムを自由にする蝕刻工程中に壊れ易い旨の記載はあるものの、ばね懸架部を設けることで音響センサの構造やその製造方法が複雑になるとの記載はないから、上記請求人の主張は認められない。
（３）相違点３について判断する。
　半導体基板上の層構成体で実現されているマイクロフォン構造体において、所定の層厚さを有する層構成体を製造するために、多結晶シリコンエピタキシャル層に対向エレメントを形成することは、例えば、特表２００８−５３６６９７号公報（段落【００６９】，【図２Ｂ】）、特表２００９−５１７９４０号公報（段落【００１７】〜【００２０】，【図５】）、特表平７−５０４５０９号公報（第６頁左下欄１７行〜右下欄８行目，図９及び図１０）に記載されているように周知の事項であるから、引用発明の対向エレメントの形成に、周知技術を適用して、多結晶シリコンエピタキシャル層に形成することは、当業者が容易になし得た事項である。
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明が奏する効果は、引用発明及び周知の技術事項から当業者が予測できたものであって、格別顕著なものがあるとは認められない。
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。