【事件の表示】
　特願２０１５−　８５６０６「エピタキシャルウェーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年１２月　８日出願公開、特開２０１６−２０４１８７、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は平成２７年４月２０日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２８年　３月　４日　上申書・手続補正書
　平成２９年　１月２０日　出願審査請求
　平成２９年　１月２４日　手続補正書
　平成２９年　２月　６日　拒絶理由通知
　平成２９年　４月　３日　意見書・手続補正書
　平成２９年　４月１９日　拒絶査定
　平成２９年　５月１８日　審判請求・手続補正書
　平成２９年　７月　５日　拒絶理由通知（当審）
　平成２９年　８月２２日　意見書・手続補正書
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし３に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明３」という。）は、平成２９年８月２２日付け手続補正書による補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載される事項により特定される、次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】
　エピタキシャルウェーハの製造方法であって、
　研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、第１の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する１次研磨を行う工程と、
　前記両面研磨装置を用い、前記第１の砥粒より平均粒径の小さい第２の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記１次研磨を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨する２次研磨を行う工程と、
　前記２次研磨を行った後のシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させる工程と
を有し、
　前記１次研磨と前記２次研磨を同一の両面研磨装置の同じ研磨布を用いてスラリーを変更して引き続いて行い、更に引き続いて洗浄後にエピタキシャル成長を行い、
　前記１次研磨を行う工程において、前記第１の砥粒を含むスラリーとして、平均粒径７４ｎｍ〜１００ｎｍのシリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用い、
　前記２次研磨を行う工程において、前記第２の砥粒を含むスラリーとして、平均粒径２０ｎｍ〜４０ｎｍのシリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用いることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
　前記２次研磨を行う工程において、前記２次研磨の取り代を１μｍ以下とすることを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
　前記研磨布をショアＡ硬度８５〜９５の発泡ポリウレタンからなる研磨布とし、前記キャリアを表面のビッカース硬さが３００以上のキャリアとすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。」
第３　原査定の理由の概要
　原査定の理由は、「この出願については、平成２９年　２月　６日付け拒絶理由通知書に記載した理由１によって、拒絶をすべきものです。」というものであり、平成２９年２月６日付け拒絶理由通知の概要は、次のとおりである。
　「１．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
●理由１（進歩性）について
・請求項　１
・引用文献等　１−２
・備考
　引用文献１には、エピタキシャルウェーハの製造方法において，半導体ウェーハを収容するキャリアと，キャリアを挟み研磨布を貼設された上定盤および下定盤を備えた両面研磨装置を用いて，被研磨面に平均粒径３０〜１００ｎｍの遊離砥粒を含む研磨スラリーを供給しながらシリコンウェーハの両面を平坦に鏡面研磨し（本願請求項１における『１次研磨を行う工程』に相当），その後，エピタキシャル膜を形成する工程の前に，アルカリ性水溶液に遊離砥粒の平均砥粒を１０〜５０ｎｍとした研磨スラリーを供給しながら仕上げ研磨を行う（本願請求項１における『２次研磨を行う工程』）こと，および，仕上げ研磨は両面研磨でもよいことが記載されている（特に段落[0001],[0023]-[0024],[0027]-[0028]を参照されたい。）。
　そして，引用文献２（特に段落[0007]を参照されたい。）に記載されているように，同一の両面研磨装置を用いて砥粒のサイズを変更することにより粗研磨から仕上げ研磨までの研磨工程を行う技術が開示されている。
　引用文献１に記載された構成において，引用文献２に記載された技術を適用して，本願請求項１に係る発明とすることは，当業者であれば容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
・請求項　２
・引用文献等　１−２
・備考
　引用文献１に記載された平均粒径の範囲は請求項２に記載された平均粒径の範囲を含むものである。研磨スラリーの平均粒径をどのくらいとするかは，当業者が実施に当たり適宜設定する設計事項であるから，請求項２に記載された平均砥粒の範囲とすることは当業者であれば容易に想到し得たものである。
・請求項　３
・引用文献等　１−３
・備考
　引用文献３（段落[0032],[0036],[0038]）には素材ウェーハの片面仕上げ研磨量が５０ｎｍ〜０．５μｍとするのが好ましいことが記載されており，文献１に記載された両面研磨の仕上げ研磨量に適用すると１μｍ以下となり，請求項３に記載された範囲と同じとなる。
・請求項　４
・引用文献等　１−５
・備考
　引用文献４（段落[0035],[0052]）には，研磨パッドとして発泡ポリウレタンを用いること，および，研磨パッドが８０〜９５のショアＡ硬度を有することが開示されており，研磨パッドとしてどのような素材を用いるか，どのくらいの硬さとするかは，当業者が実施に当たり適宜設定する設計事項と認められる。
　また，引用文献５（段落[0023]-[0024]）には，キャリアの耐摩耗性を重視し骨材としてビッカース硬さで１０００以上とすることが開示されており，キャリアの硬さをどのくらいとするかは，当業者が実施に当たり適宜設定する設計事項と認められる。
　したがって，請求項４に係る発明は，文献１−５に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものと認められる。
・請求項　５
・引用文献等　１−６
・備考
　微小欠陥（ＬＰＤ）の個数を面品質の基準として示すことは引用文献６の段落[0042]に記載されているように当業者にとって周知技術であり，研磨後の面品質をどのくらいとするかは当業者が実施に当たり適宜設定する設計事項である。
＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１２−１０９３１０号公報
２．特開２０１０−０２１４８７号公報
３．特開２０１０−０４０６４３号公報
４．特開２０１３−０２５８４４号公報
５．特開２００４−１９５５７１号公報
６．国際公開第２０１３／０７３０２５号(周知技術を示す文献)」
　また、拒絶査定の概要は、次のとおりである。
「●理由１（特許法第２９条第２項）について
・請求項　１
・引用文献等　１−２
　出願人が、意見書において主張している以下の各点についてそれぞれ検討する。
（１）『引用文献１は、ロールオフ加工（半導体ウェーハの片面の外周部の研磨加工）を必須要件とする発明です。引用文献１の請求項１、４、５、７、図１等には、粗研磨、ロールオフ加工、仕上げ研磨、エピタキシャル成長という順番で各工程を実施する旨が記載されております。従って、引用文献１には、粗研磨と仕上げ研磨を引き続いて行うことは不可能です。』と主張する点について。
　引用文献１では，ロールオフ加工について記載されているものの，これは，エピタキシャル膜を形成する反応ガスが裏面に回り込むことによって半導体ウェーハ裏面の外周部にエピタキシャル膜が付着することを考慮し，予め半導体ウェーハの外周部を研磨加工するものであり，エピタキシャル成長させる面について述べているものではない。このことから，エピタキシャル膜を形成する反応ガスが裏面に回り込むことによって半導体ウェーハ裏面の外周部にエピタキシャル膜が付着することを考慮しない場合は，ロールオフ加工は必要無いことは当業者にとって明らかであり，粗研磨、仕上げ研磨、エピタキシャル成長という順番で各工程を実施する技術が開示されているものと認められる。
　なお，引用文献１の段落［0027］には、『仕上げ研磨処理は、使用する研磨布や研磨スラリー組成などを変えて複数段に分けて実施するようにしてもよい。』と記載されており，研磨布を変えずに研磨スラリー組成を変えて複数段に分けて実施する技術が開示されているものと認められる。
（２）『引用文献１の段落［００２４］、［００２７］には、粗研磨を両面研磨装置で行い、仕上げ研磨として片面研磨又は両面研磨を行う旨、並びに、別々の研磨布（別々の研磨装置）を用いて粗研磨、仕上げ研磨を行う旨が記載されております。従って、引用文献１には、同一の両面研磨装置を用いて粗研磨と仕上げ研磨を行うことは不可能です。』と主張する点について。
　引用文献１の段落[0024],［0027］には、別々の研磨布（別々の研磨装置）を用いて粗研磨、仕上げ研磨を行う明確な記載は無く，引用文献１に記載された構成で，同一の両面研磨装置を用いて粗研磨と仕上げ研磨を行うことは不可能とはいえない。また，本願請求項１に係る発明では，同じ研磨布を用いて粗研磨、仕上げ研磨を行う構成は記載されていない。そして，先の拒絶理由通知で『引用文献２（特に段落[0007]を参照されたい。）に記載されているように，同一の両面研磨装置を用いて砥粒のサイズを変更することにより粗研磨から仕上げ研磨までの研磨工程を行う技術が開示されている。』と示しており，当該技術を引用文献１に記載された構成に適用して本願請求項１に係る発明とすることは容易になしえたものである。
（３）『引用文献２には『エピタキシャル成長』については記載も示唆もされておりません。従って、そもそもエピタキシャル成長について触れられていない引用文献２を、エピタキシャル成長に関する引用文献１と組み合わせる動機がありません。』と主張する点について。
　引用文献２には，粗研磨および仕上げ研磨の両面研磨の技術について開示されており，引用文献１に記載された両面研磨の粗研磨および仕上げ研磨を優れた平坦度とするために引用文献２に記載された両面研磨の技術を適用することに何ら阻害要因は認められない。
（なお，引用文献１の段落［0027］には、『仕上げ研磨処理は、使用する研磨布や研磨スラリー組成などを変えて複数段に分けて実施するようにしてもよい。』と記載されており，研磨布を変えずに研磨スラリー組成を変えて複数段に分けて実施する技術が開示されているものと認められる。）
（４）『引用文献１、２には本発明の『２次研磨を行った後のシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させる工程』も明確には記載されておりません。むしろ引用文献１の段落［００２７］には、第１エピタキシャル膜を形成する工程の前に、仕上げ研磨として、遊離砥粒を含むアルカリ性水溶液を用いた片面研磨（片面ＣＭＰ研磨）を行っても良い旨が記載されております。』と主張する点について。
　引用文献１には，２次研磨を行った後にシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことは記載されていない。引用文献１の段落［００２７］には、仕上げ研磨として片面研磨を行うことが開示されているものであり，仕上げ研磨の両面研磨後に片面研磨を行うことが開示されているものではない。
　以上のように，出願人の主張する点は採用できず，請求項１に係る発明は、引用文献１−２に記載された発明に基づいて、当業者であれば容易になし得たものであるから、依然として、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
・請求項　２
・引用文献等　１−２
　引用文献１に記載された平均粒径の範囲は請求項２に記載された平均粒径の範囲を含むものである。研磨スラリーの平均粒径をどのくらいとするかは，当業者が実施に当たり適宜設定する設計事項であるから，請求項２に記載された平均砥粒の範囲とすることは当業者であれば容易に想到し得たものである。
・請求項　３
・引用文献等　１−３
　引用文献３（段落[0032],[0036],[0038]）には素材ウェーハの片面仕上げ研磨量が５０ｎｍ〜０．５μｍとするのが好ましいことが記載されており，文献１に記載された両面研磨の仕上げ研磨量に適用すると１μｍ以下となり，請求項３に記載された範囲と同じとなる。
・請求項　４
・引用文献等　１−５
　引用文献４（段落[0035],[0052]）には，研磨パッドとして発泡ポリウレタンを用いること，および，研磨パッドが８０〜９５のショアＡ硬度を有することが開示されており，研磨パッドとしてどのような素材を用いるか，どのくらいの硬さとするかは，当業者が実施に当たり適宜設定する設計事項と認められる。
　また，引用文献５（段落[0023]-[0024]）には，キャリアの耐摩耗性を重視し骨材としてビッカース硬さで１０００以上とすることが開示されており，キャリアの硬さをどのくらいとするかは，当業者が実施に当たり適宜設定する設計事項と認められる。
　したがって，請求項４に係る発明は，文献１−５に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものと認められる。
・請求項　５
・引用文献等　１−６
　微小欠陥（ＬＰＤ）の個数を面品質の基準として示すことは引用文献６の段落[0042]に記載されているように当業者にとって周知技術であり，研磨後の面品質をどのくらいとするかは当業者が実施に当たり適宜設定する設計事項である。」
第４　当審拒絶理由の概要
　平成２９年７月５日付けで当審より通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は、次のとおりである。
　「１．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
２．（明確性）この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　記（引用文献等については引用文献等一覧参照）
（当審注．以下では、本願の請求項１ないし５に係る発明を、それぞれ、『本願発明１』ないし『本願発明５』という。）
１．理由１（進歩性）について
（１）本願発明１について
　ア　引用文献１を主引例とする拒絶の理由（その１）
　引用文献１の段落［００２７］等には、『仕上げ研磨』の工程において半導体ウェーハの両面を研磨してもよいこと、及び、『仕上げ研磨』の工程を研磨布や研磨スラリー組成などを変えて複数段に分けて実施するようにしてもよいことが記載されており、当該複数段に分けられた『仕上げ研磨』の工程のうち、前段のものが、本願発明１における『第１研磨を行う工程』に対応し、後段のものが、本願発明１における『第２研磨を行う工程』に対応する。
　また、引用文献１の段落［００２８］等には、『仕上げ研磨』の工程のあと、片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させることが記載されており、本願発明１における『前記２次研磨を行った後のシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させる工程』に対応する。
　本願発明１と引用文献１に記載された発明とを比較すると、下記の点において相違する。
　・相違点１　本願発明１では、『第１研磨を行う工程』と『第２研磨を行う工程』において、同一の『研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置』を用いるのに対し、引用文献１に記載された発明では、複数段に分けられた『仕上げ研磨』の工程において、同一の『研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置』を用いるとは特定しない点。
　・相違点２　本願発明１では、『第１研磨を行う工程』と『第２研磨を行う工程』において、同じ研磨布を用いるのに対し、引用文献１に記載された発明では、複数段に分けられた『仕上げ研磨』の工程において、同じ研磨布を用いるとは特定しない点。
　・相違点３　本願発明１では、『第２研磨を行う工程』において、第１研磨を行う工程において供給されたスラリーに含まれる砥粒（第１の砥粒）より平均粒径の小さい第２の砥粒を含むスラリーを供給するのに対し、引用文献１に記載された発明では、複数段に分けられた『仕上げ研磨』のうち、後段の工程において、前段の工程において供給されたスラリーに含まれる砥粒より平均粒径の小さい砥粒を含むスラリーを供給するとは特定しない点。
　上記相違点１について検討する。『研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置』は、引用文献１の段落［００２４］、引用文献２の［００１８］等に記載されているように周知であり、引用文献１に記載された発明の『仕上げ研磨』の工程において上記周知の両面研磨装置を用いることは、当業者であれば適宜なし得たことである。また、引用文献１に記載された発明における、複数段に分けられた『仕上げ研磨』の工程において、同一の研磨装置が用いられることは明らかである。
　次に、相違点２及び３について検討する。引用文献１の段落［００２７］には、『また、仕上げ研磨処理は、使用する研磨布や研磨スラリー組成などを変えて複数段に分けて実施するようにしてもよい。』と記載されており、研磨布と研磨スラリー組成のうちいずれか一方のみを変更してもよいことは明らかであるから、複数段に分けられた『仕上げ研磨』において同じ研磨布を用い、研磨スラリー組成のみを変更することは、当業者であれば容易になし得たことである。また、その際に、後段の『仕上げ研磨』において前段よりも粒径の小さい砥粒を含むスラリーを用いることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　したがって、本願発明１は、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　イ　引用文献１を主引例とする拒絶の理由（その２）
　引用文献１の段落［００２４］ないし［００２８］等には、『粗研磨』、『ロールオフ加工』、『仕上げ研磨』、『エピタキシャル成長』という順番で各工程を行うことが記載されている。
　また、引用文献１の段落［００３８］等には、先に『仕上げ研磨』を行い、その後に『ロールオフ加工』を行ってもよい旨が記載されている。
　以上より、引用文献１には、『粗研磨』、『仕上げ研磨』、『ロールオフ加工』、『エピタキシャル成長』という順番で各工程を行うことが記載されていると認められ、上記『粗研磨』及び『仕上げ研磨』の工程はそれぞれ、本願発明１の『第１研磨を行う工程』及び『第２研磨を行う工程』に対応する。
　また、引用文献２の段落［００２４］及び［００２７］等には、『粗研磨』の工程において用いる研磨スラリーに含まれる砥粒の粒径よりも『仕上げ研磨』の工程において用いる研磨スラリーに含まれる砥粒の粒径の方が小さいこと、及び、『粗研磨』と『仕上げ研磨』の工程においてウェーハの両面を研磨することが記載されている。
　さらに、引用文献１の段落［００２８］等には、『仕上げ研磨』の工程のあと、片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させることが記載されており、本願発明１における『前記２次研磨を行った後のシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させる工程』に対応する。
　本願発明１と引用文献１に記載された発明とを比較すると、下記の点において相違する。
　・相違点１　本願発明１では、『第１研磨を行う工程』と『第２研磨を行う工程』において、同一の『研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置』を用いるのに対し、引用文献１に記載された発明では、『粗研磨』の工程と『仕上げ研磨』の工程において、同一の『研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置』を用いるとは特定しない点。
　・相違点２　本願発明１では、『第１研磨を行う工程』と『第２研磨を行う工程』において同じ研磨布を用いるのに対し、引用文献１に記載された発明では、『粗研磨』の工程と『仕上げ研磨』の工程において同じ研磨布を用いるとは特定しない点。
　相違点１及び２についてまとめて検討する。引用文献１に記載された発明において、『粗研磨』の工程と『仕上げ研磨』の工程を続けて行う際に、同一の『研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置』を用いること、及び、同じ研磨布を用いることは、引用文献２（要約及び段落［００１８］ないし［００２６］等）の記載事項に基づいて、当業者が容易に想到し得たことである。
　したがって、本願発明１は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　ウ　引用文献２を主引例とする拒絶の理由
　引用文献２の段落［００１８］等には、本願発明１の『研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置』に相当する構成が記載されている。
　引用文献２の段落［００２１］、［００２３］、［００２４］等に記載される『粗研磨』の工程は、本願発明１の『１次研磨を行う工程』に相当する。
　引用文献２の段落［００２１］、［００２５］、［００２６］等に記載される『仕上げ研磨』の工程は、本願発明１の『２次研磨を行う工程』に相当する。
　本願発明１と引用文献２に記載された発明とを比較すると、本願発明１は、『前記２次研磨を行った後のシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させる工程』を有するのに対し、引用文献２に記載された発明は当該工程を有しない点において相違する。
　上記の相違について検討する。引用文献１の段落［００２４］ないし［００２８］等には、『粗研磨』と『仕上げ研磨』を行ったあと、片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させることが記載されている。引用文献２に記載された発明に対して引用文献１に記載された発明を適用し、上記相違に係る構成とすることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　したがって、本願発明１は、引用文献２及び１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（２）本願発明２について
　ア　引用文献１を主引例とする拒絶の理由（その１）
　引用文献１の段落［００２７］には、『仕上げ研磨』において、平均粒径が１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカ（砥粒）を含むアルカリ性水溶液を用いることが記載されており、『仕上げ研磨』の工程を複数段に分けて実施する際に、１０〜５０ｎｍの範囲内で粒径を徐々に小さくすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　また、本願発明２の数値限定には臨界的意義が認められないから、粒径の範囲を５０ｎｍ〜１００ｎｍ又は２０ｎｍ〜４０ｎｍとすることも、当業者であれば適宜なし得たことである。
　その他の点については、上記（１）アと同様である。
　したがって、本願発明２は、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　イ　引用文献１を主引例とする拒絶の理由（その２）
　引用文献１の段落［００２４］には、『粗研磨』の工程において、平均粒径３０〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含む研磨スラリーを供給することが記載されている。
　また、引用文献１の段落［００２７］には、『仕上げ研磨』の工程において、平均粒径が１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカ（砥粒）を含むアルカリ性水溶液を用いることが記載されている。
　『粗研磨』の工程において用いるスラリーを『アルカリ性水溶液』とすることは、引用文献２の段落［００２７］等の記載に基づいて当業者が容易になし得たことである。
　また、本願発明２の数値限定には臨界的意義が認められないから、粒径の範囲を５０ｎｍ〜１００ｎｍ又は２０ｎｍ〜４０ｎｍとすることも、当業者であれば適宜なし得たことである。
　その他の点については、上記（１）イと同様である。
　したがって、本願発明２は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　ウ　引用文献２を主引例とする拒絶の理由
　引用文献１の段落［００２４］には、『粗研磨』において、平均粒径３０〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含む研磨スラリーを供給することが記載されている。
　また、引用文献１の段落［００２７］には、『仕上げ研磨』において、平均粒径が１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカ（砥粒）を含むアルカリ性水溶液を用いることが記載されている。
　引用文献２に記載された発明に対して引用文献１に記載された発明を適用することにより、『粗研磨』及び『仕上げ研磨』の工程において用いるスラリーに含まれる砥粒の平均粒径を上記数値範囲のものとすることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　また、本願発明２の数値限定には臨界的意義が認められないから、粒径の範囲を５０ｎｍ〜１００ｎｍ又は２０ｎｍ〜４０ｎｍとすることも、当業者であれば適宜なし得たことである。
　その他の点については、上記（１）ウと同様である。
　したがって、本願発明２は、引用文献２及び１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（３）本願発明３について
　ア　引用文献１を主引例とする拒絶の理由（その１）
　引用文献１に記載された発明における、複数段に分けられた『仕上げ研磨』の工程のうち、後段の工程における取り代を１μｍ以下とすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　その他の点については、上記（１）ア及び（２）アと同様である。
　したがって、本願発明３は、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　イ　引用文献１を主引例とする拒絶の理由（その２）
　引用文献１に記載された発明における『仕上げ研磨』の工程における取り代を１μｍ以下とすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　その他の点については、上記（１）イ及び（２）イと同様である。
　したがって、本願発明３は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　ウ　引用文献２を主引例とする拒絶の理由
　引用文献２に記載された発明における『仕上げ研磨』の工程における取り代を１μｍ以下とすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　その他の点については、上記（１）ウ及び（２）ウと同様である。
　したがって、本願発明３は、引用文献２及び１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（４）本願発明４について
　ア　引用文献１を主引例とする拒絶の理由（その１）
　引用文献４の段落［００３５］、［００５２］等には、研磨パッドとして発泡ポリウレタンを用いること、及び研磨パッドが８０〜９５のショアＡ硬度を有することが記載されており、引用文献１に記載された発明の『仕上げ研磨』の工程において、ショアＡ硬度８０〜９５の発泡ポリウレタンからなる研磨布を用いることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　そして、本願発明４の数値限定には臨界的意義が認められないから、発泡ウレタンのショアＡ硬度を８５〜９５の範囲とすることも、当業者であれば適宜なし得たことである。
　また、引用文献５の段落［００２３］及び［００２４］等には、キャリアのビッカース硬さを１０００以上とすることが記載されており、引用文献１に記載された発明において、研磨装置のキャリアの表面のビッカース硬さを１０００以上とすることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　そして、本願発明４の数値限定には臨界的意義が認められないから、キャリアの表面のビッカース硬さを３００以上とすることも、当業者であれば容易になし得たことである。
　その他の点については、上記（１）ア、（２）ア及び（３）アと同様である。
　したがって、本願発明４は、引用文献１、４及び５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　イ　引用文献１を主引例とする拒絶の理由（その２）
　引用文献４の段落［００３５］、［００５２］等には、研磨パッドとして発泡ポリウレタンを用いること、及び研磨パッドが８０〜９５のショアＡ硬度を有することが記載されており、引用文献１に記載された発明に対して引用文献２に記載された発明を適用する際に、ショアＡ硬度８０〜９５の発泡ポリウレタンからなる研磨布を用いることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　そして、本願発明４の数値限定には臨界的意義が認められないから、発泡ウレタンのショアＡ硬度を８５〜９５の範囲とすることも、当業者であれば適宜なし得たことである。
　また、引用文献５の段落［００２３］及び［００２４］等には、キャリアのビッカース硬さを１０００以上とすることが記載されており、引用文献１に記載された発明に対して引用文献２に記載された発明を適用する際に、研磨装置のキャリアの表面のビッカース硬さを１０００以上とすることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　そして、本願発明４の数値限定には臨界的意義が認められないから、キャリアの表面のビッカース硬さを３００以上とすることも、当業者であれば容易になし得たことである。
　その他の点については、上記（１）イ、（２）イ及び（３）イと同様である。
　したがって、本願発明４は、引用文献１、２、４及び５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　ウ　引用文献２を主引例とする拒絶の理由
　引用文献４の段落［００３５］、［００５２］等には、研磨パッドとして発泡ポリウレタンを用いること、及び研磨パッドが８０〜９５のショアＡ硬度を有することが記載されており、引用文献２に記載された発明に対して引用文献１に記載された発明を適用する際に、ショアＡ硬度８０〜９５の発泡ポリウレタンからなる研磨布を用いることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　そして、本願発明４の数値限定には臨界的意義が認められないから、発泡ウレタンのショアＡ硬度を８５〜９５の範囲とすることも、当業者であれば適宜なし得たことである。
　また、引用文献５の段落［００２３］及び［００２４］等には、キャリアのビッカース硬さを１０００以上とすることが記載されており、引用文献２に記載された発明に対して引用文献１に記載された発明を適用する際に、研磨装置のキャリアの表面のビッカース硬さを１０００以上とすることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　そして、本願発明４の数値限定には臨界的意義が認められないから、キャリアの表面のビッカース硬さを３００以上とすることも、当業者であれば容易になし得たことである。
　その他の点については、上記（１）ウ、（２）ウ及び（３）ウと同様である。
　したがって、本願発明４は、引用文献２に記載された発明と、引用文献１、４及び５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（５）本願発明５について
　ア　引用文献１を主引例とする拒絶の理由（その１）
　研磨後の面品質をどの程度とするのかは、当業者が発明の実施に際して適宜決定し得た事項である。
　その他の点については、上記（１）ア、（２）ア、（３）ア及び（４）アと同様である。
　したがって、本願発明５は、引用文献１、４及び５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　イ　引用文献１を主引例とする拒絶の理由（その２）
　研磨後の面品質をどの程度とするのかは、当業者が発明の実施に際して適宜決定し得た事項である。
　その他の点については、上記（１）イ、（２）イ、（３）イ及び（４）イと同様である。
　したがって、本願発明５は、引用文献１、２、４及び５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　ウ　引用文献２を主引例とする拒絶の理由
　研磨後の面品質をどの程度とするのかは、当業者が発明の実施に際して適宜決定し得た事項である。
　その他の点については、上記（１）ウ、（２）ウ、（３）ウ及び（４）ウと同様である。
　したがって、本願発明５は、引用文献２に記載された発明と、引用文献１、４及び５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
２．理由２（明確性）について
　本願の請求項５に『前記２次研磨後のシリコンウェーハの面品質を、１００ｎｍ以下のＬＰＤの個数が測定可能な面品質とする』と記載されている。
　ここで、『１００ｎｍ以下のＬＰＤの個数が測定可能』か否かは、シリコンウェーハの面品質だけでなく、測定方法や測定装置にも依存するものと認められるところ、請求項５においては測定方法や測定装置が特定されていないから、上記記載に含まれる技術事項の範囲を明確に特定することができない。
　よって、本願の請求項５に係る発明は明確でない。
＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１２−１０９３１０号公報
２．特開２０１０−０２１４８７号公報
４．特開２０１３−０２５８４４号公報
５．特開２００４−１９５５７１号公報」
第５　引用文献の記載事項及び引用発明
　１　引用文献１の記載事項及び引用発明１−１ないし１−３
（１）引用文献１の記載事項
　原査定の理由及び当審拒絶理由において引用され、本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１２−１０９３１０号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（当審注．下線は参考のために当審において付したものである。以下において同じ。）
　ア「【０００１】
　
本発明は、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハに関し、特に、エピタキシャル膜形成後にエピタキシャルウェーハの表裏面などを研磨することなく、高い裏面の平坦度を得ることが可能なエピタキシャルウェーハの製造方法およびこれにより得られるエピタキシャルウェーハに関する。
【背景技術】
【０００２】
　エピタキシャルウェーハは、例えばシリコン基板上に、厚さ数μｍの単結晶シリコン層（エピタキシャル膜）を、主として気相成長させることによって形成させた高品質ウェーハである。エピタキシャルシリコンウェーハは、デバイスメーカーの要請等に応じて、高濃度のボロン（Ｂ）やリン（Ｐ）といったドーパントを添加したウェーハを製造できる点で有効である。
【０００３】
　従来の一般的なエピタキシャルウェーハの製造方法を、図８を用いて説明する。図８（ａ）は、端部に面取り部４１が形成された半導体ウェーハ４０の端部付近を示す。この半導体ウェーハ４０の表面４２ａ上に、エピタキシャル膜５０を形成させ（図８（ｂ））、エピタキシャルウェーハ２００とする。近年のエピタキシャル成長技術により、半導体ウェーハ４０の表面４２ａに関しては、その全面に厚みが均一なエピタキシャル膜５０を形成することが可能になってきた。
【０００４】
　
ところが、半導体ウェーハ４０の裏面４２ｂに関しては、エピタキシャル成長を行う際、エピタキシャル膜を形成するために用いられる反応ガスが、裏面４２ｂに回り込むことによって、半導体ウェーハ裏面４２ｂの外周部４４にもエピタキシャル膜６０が付着してしまう。このため、エピタキシャル膜５０自体の厚みは均一であっても、半導体ウェーハ４０までも含めたエピタキシャルウェーハ２００のウェーハ径方向の厚み分布は、外周部４４に付着したエピタキシャル膜６０の厚みが加算された厚み分布となり、その結果、エピタキシャルウェーハ全体の平坦度が悪化するという問題があった。
【０００５】
　近年の半導体デバイスの高集積化に伴うデザイン・ルールの縮小に伴い、かかるエピタキシャルシリコンウェーハに要求される平坦度もますます厳しくなっている。また、１枚のウェーハから極力多くのデバイスを得ることが望まれ、ウェーハの大口径化と共に、ウェーハの全面、特にエッジ部（ウェーハ端部）まで平坦な形状が要求されるようになってきている。ウェーハ面のフラットネス（平坦度）の測定除外範囲（Edge　Exclusion）は、従来、ウェーハエッジから３ｍｍであったものが、現状では、２ｍｍへと進んでおり、さらには１ｍｍまでの縮小化も要求されつつある。
【０００６】
　このような状況下、
エピタキシャルウェーハの平坦度を向上させるべく、特許文献１には、エピタキシャル膜の形成後のエピタキシャルウェーハの表面または両面を鏡面研磨する製造方法が記載されている。また、特許文献２，３にも、エピタキシャル膜の形成後に、エピタキシャル膜表面を鏡面研磨する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平４−１２２０２３号公報
【特許文献２】特開２００５−２０９８６２号公報
【特許文献３】特開２００６−１９０７０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　確かに、特許文献１〜３に記載された発明は、エピタキシャルウェーハの表面または表裏面を機械的に研磨加工するものであるため、エピタキシャルウェーハの平坦度を向上させることができる。特に、特許文献１に記載されているように、エピタキシャル膜の形成後のエピタキシャルウェーハの両面を鏡面研磨すれば、図８（ｂ）に示したエピタキシャル膜６０を除去することができ、表面および裏面において高い平坦度を有するエピタキシャルウェーハを得ることができる。
【０００９】
　しかしながら、
エピタキシャル膜表面は非常に活性であるため、エピタキシャル膜表面を研磨処理すると、エピタキシャル膜表面に加工起因の欠陥であるＰＩＤ（Polishing　Induced　Defect）やスクラッチ等が発生するおそれがある。また、エピタキシャルウェーハを研磨する処理工程により、生産コストの上昇を招く。また、エピタキシャルウェーハの裏面を鏡面研磨するには、真空吸着部材などを用いてエピタキシャル膜表面を吸着保持してエピタキシャルウェーハ裏面側を研磨処理する必要がある。このため、エピタキシャル膜表面に傷や接触痕を発生させてしまい、エピタキシャル膜の品質低下を招くおそれがある。そのため、エピタキシャル膜形成後にエピタキシャルウェーハの両面、特に裏面を研磨せずとも、裏面において外周部まで含めて高い平坦度を実現する方法が望まれていた。
【００１０】
　そこで本発明は、上記課題に鑑み、
エピタキシャル膜形成後にエピタキシャルエピタキシャルウェーハの表裏面を研磨することなく、高い裏面の平坦度を得ることが可能なエピタキシャルウェーハの製造方法およびこれにより得られるエピタキシャルウェーハを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
　本発明者らが鋭意検討した結果、
エピタキシャル膜形成後に、半導体ウェーハ裏面の外周部に付着したエピタキシャル膜を除去するのではなく、発想を正反対に転換して、エピタキシャル膜形成前に予め半導体ウェーハ裏面の外周部を意図的にロールオフさせておき、その後エピタキシャル膜を形成すれば、所期の目的を達成することができることに思い至り、本発明を完成するに至った。
・・・
【発明の効果】
【００２０】
　
本発明によれば、エピタキシャル膜形成前に予め半導体ウェーハ裏面の外周部を意図的にロールオフ加工して、その後エピタキシャル膜を形成したため、エピタキシャル膜形成後にウェーハの表裏面を研磨することなく、高い裏面の平坦度を有するエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供することができた。
　イ「【００２３】
　（エピタキシャルウェーハの製造方法）
　図１は、本発明に従う代表的な
エピタキシャルウェーハの製造方法
半導体ウェーハ１０としては、例えば、シリコン単結晶インゴットを、ワイヤーソー等を用いてスライスし、ラッピングや研削などの平坦化加工処理を経たシリコンウェーハが挙げられる。
【００２４】
　
粗研磨は、半導体ウェーハの両面１２ａ，１２ｂの少なくとも一方、好ましくは両面に対して行うことができる。粗研磨は、ラッピングや研削処理により導入された加工歪層の除去や、表面形状（平坦度）を調整することを目的に実施する鏡面研磨処理である。
半導体ウェーハを収容するキャリアと、該キャリアを挟みポリウレタンなどの硬質の研磨布を貼設された上定盤および下定盤を備えた両面研磨装置を用いて、被研磨面に平均粒径３０〜１００ｎｍの遊離砥粒（コロイダルシリカ、ダイヤモンド砥粒、アルミナ砥粒など）を含む研磨スラリーを供給しながらウェーハの両面を平坦に鏡面研磨する。
【００２５】
　その後、面取り部１１の鏡面研磨を行うことができる。なお、面取り部１１の鏡面研磨は、粗研磨工程の前でもよい。エッチング工程を経たウェーハは、ウェーハを回転させるとともに研磨液を供給しながら、ウェーハ端部を研磨布に押し付けて鏡面に研磨する。研磨布の種類は限定されない。例えば、単層式の研磨布でもよいし、研磨布層の裏面にスポンジ層が形成された２層式の研磨布でもよい。単層式における研磨布および２層式における研磨布層としては、例えば、ウレタンフォームなどの合成樹脂発泡体からなる研磨布、ポリエステル繊維製の不織布にウレタン樹脂を含浸させた硬質なベロアタイプの研磨布、不織布の基布の上にウレタン樹脂を発泡させたスエードパッドなどを採用することができる。研磨布に供給される砥液（研磨剤）としては、例えばアルカリ溶液中に焼成シリカまたはコロイダルシリカなどの遊離砥粒を分散させたものを採用することができる。
【００２６】
　
次に、半導体ウェーハ１０の片面である裏面１２ｂの外周部１４をロールオフ加工して、この外周部１４をロールオフ領域とする（図１（ｂ））。
【００２７】
　
その後、第１エピタキシャル膜２０を形成する工程の前に、このロールオフ加工された半導体ウェーハ１０の表面側の面粗さを改善することを目的に、仕上げ研磨を実施する。仕上げ研磨は、粗研磨のようなシリコンウェーハの平坦度を調整する研磨とは異なり、ウェーハ表面の微小なうねりやヘイズレベルの改善を目的として実施するものである。仕上げ研磨は、被研磨面に対して研磨スラリーを供給しながら、回転する軟質の研磨布に半導体ウェーハ１０の被研磨面を押し当てることにより鏡面研磨処理を行うものである。
半導体ウェーハ表面１２ａのみに対する片面研磨でも、表面１２ａおよび裏面１２ｂを同時に研磨する両面研磨でもよい。また、仕上げ研磨処理は、使用する研磨布や研磨スラリー組成などを変えて複数段に分けて実施するようにしてもよい。仕上げ研磨において、遊離砥粒を含むアルカリ性水溶液を仕上げ研磨液とすることができる。例えば、アルカリ性水溶液中に、コロイダルシリカ（砥粒）、ダイヤモンド砥粒、アルミナ砥粒などの遊離砥粒が混入されたものを採用することができる。
仕上げ研磨液用のアルカリ性水溶液に添加される遊離砥粒の平均粒径は、砥粒が凝集しない粒径範囲で選定すればよく、平均粒径が１０〜５０ｎｍのものを使用することが望ましい。
【００２８】
　
そして、裏面１２ｂとは反対の他面である表面１２ａ上に、第１エピタキシャル膜２０を形成する（図１（ｃ））。
【００２９】
　
このとき、第１エピタキシャル膜２０を形成するために用いられる反応ガスが、半導体ウェーハ１０の裏面１２ｂに回り込むことによって、ロールオフ領域とした半導体ウェーハ裏面１２ｂの外周部１４に、第２エピタキシャル膜３０が付着する。ここで従来は、図８（ｂ）に示すように、裏面外周部４４にエピタキシャル膜６０が形成されると、エピタキシャルウェーハ２００の裏面平坦度が悪化していた。しかし、本発明の製造方法では、第１エピタキシャル膜２０の形成前に予め半導体ウェーハ裏面１２ｂの外周部１４のみを意図的にロールオフ加工して、その後第１エピタキシャル膜２０を形成した。このため、第２エピタキシャル膜３０がロールオフ領域である外周部１４に付着することで、第１エピタキシャル膜２０形成後にウェーハの裏面１２ｂを研磨することなく、エピタキシャルウェーハ１００の裏面に高い平坦度をもたらすことができる。
　ウ「【００３７】
　本発明では、すでに説明した工程順のとおり、
半導体ウェーハ１０の両面１２ａ，１２ｂの少なくとも一方、好ましくは両面に対して行う粗研磨工程の後に、ロールオフ加工である外周部１４の研磨加工を行うことが好ましい。ロールオフ量が約５０〜５００ｎｍ程度であるのに対し、粗研磨の削り量は５〜３０μｍ程度と非常に多いため、上記順序とすることにより、ロールオフ領域が粗研磨により除去されることがないからである。」
　エ「【００３８】
　また、すでに説明した工程順のとおり、第１エピタキシャル膜２０を形成する工程（図１（ｃ））の前に、半導体ウェーハ１０の少なくとも表面１２ａ、あるいは表面１２ａおよび裏面１２ｂに対して行う最終の仕上げ研磨工程の前に、ロールオフ加工である外周部１４の研磨加工を行うことが好ましい。上記順序とすれば、ロールオフ加工する際に、研磨スラリーが最終仕上げ研磨されたウェーハ表面(エピタキシャル成長処理される側の面)に飛散して品質低下を招くおそれがないからである。ただし、スラリー飛散防止板を取り付けるなどの工夫を施して、
半導体ウェーハ表面を最終仕上げ研磨した後、裏面外周部をロールオフ加工するようにしてもよい。
（２）引用発明１−１ないし１−３
　ア　引用発明１−１
　上記（１）イの引用文献１の記載、引用文献１の【図１】の記載、及び当該技術分野における技術常識より、引用文献１には下記の発明（以下「引用発明１−１」という。）が記載されていると認められる。（当審注．「引用発明１−１」は、原査定の理由における主引用発明に対応するものである。）
　「エピタキシャルウェーハの製造方法であって、
　研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、平均粒径３０〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含む研磨スラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する粗研磨工程と、
　前記粗研磨工程に続いて、前記シリコンウェーハの裏面の外周部をロールオフ加工するロールオフ加工工程と、
　前記ロールオフ加工工程に続いて、平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液を供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する仕上げ研磨工程と、
　前記仕上げ研磨工程に続いて、前記シリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を形成する工程と
を有するエピタキシャルウェーハの製造方法。」
　イ　引用発明１−２
　上記（１）イの引用文献１の記載、引用文献１の【図１】の記載、及び当該技術分野における技術常識より、引用文献１には下記の発明（以下「引用発明１−２」という。）が記載されていると認められる。（当審注．「引用発明１−２」は、当審拒絶理由の「１．（１）ア　引用文献１を主引例とする拒絶の理由（その１）」における主引用発明に対応するものである。）
　「エピタキシャルウェーハの製造方法であって、
　研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、平均粒径３０〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含む研磨スラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する粗研磨工程と、
　前記粗研磨工程に続いて、前記シリコンウェーハの裏面の外周部をロールオフ加工するロールオフ加工工程と、
　前記ロールオフ加工工程に続いて、平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液を供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する仕上げ研磨工程を、使用する研磨布や研磨スラリー組成などを変えて複数段に分けて実施する工程と、
　前記仕上げ研磨工程に続いて、前記シリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を形成する工程と
を有するエピタキシャルウェーハの製造方法。」
　ウ　引用発明１−３
　上記（１）イ及びエの引用文献１の記載、引用文献１の【図１】の記載、及び当該技術分野における技術常識より、引用文献１には下記の発明（以下「引用発明１−３」という。）が記載されていると認められる。（当審注．「引用発明１−３」は、当審拒絶理由の「１．（１）イ　引用文献１を主引例とする拒絶の理由（その２）」における主引用発明に対応するものである。）
　「エピタキシャルウェーハの製造方法であって、
　研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、平均粒径３０〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含む研磨スラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する粗研磨工程と、
　前記粗研磨工程に続いて、平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液を供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する仕上げ研磨工程と、
　前記仕上げ研磨工程に続いて、前記シリコンウェーハの裏面の外周部をロールオフ加工するロールオフ加工工程と、
　前記ロールオフ加工工程に続いて、前記シリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を形成する工程と
を有するエピタキシャルウェーハの製造方法。」
　２　引用文献２の記載事項及び引用発明２
（１）引用文献２の記載事項
　原査定の理由及び当審拒絶理由において引用され、本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１０−０２１４８７号公報（以下「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【０００１】
　
本発明は、半導体ウェーハおよびその製造方法に関するものであり、詳しくは、素材ウェーハを両面鏡面研磨する半導体ウェーハの製造方法に関する。
・・・
【０００６】
　本発明は、上記の実情を鑑みなされたもので、
素材ウェーハの両面を同時に、粗研磨から仕上げ研磨までの研磨工程を同一の研磨布で行う
　特に、本発明は、半導体ウェーハの直径が４５０ｍｍ以上の大口径
シリコンウェーハ
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　発明者は、上記の目的を達成するため、研削を終了した素材ウェーハの両面を研磨して両面鏡面半導体ウェーハとするに際し、従来法に比べて素材ウェーハの研磨量を低減して、半導体ウェーハの平坦度を向上させることができる半導体ウェーハの製造方法について鋭意検討を行った。
　その結果、研削工程を終了した
素材ウェーハの両面を、砥粒を含まない研磨布に、含有する砥粒の平均粒径で種別する少なくとも２種類の研磨液を、大きなサイズの砥粒を含有する研磨液から、小さなサイズの砥粒を含有する研磨液に段階的に変更しながら供給して、素材ウェーハの両面を同時に、粗研磨から仕上げ研磨までを1回の研磨工程で、同一の研磨布で行う
【０００８】
　本発明は、上記の知見に基づくもので、その要旨構成は次のとおりである。
・・・
【００１０】
３．
素材ウェーハの両面を、砥粒を含有する研磨液を研磨布に供給しながら研磨して、前記両面を仕上げ研磨する研磨工程を有する半導体ウェーハの製造方法において、
　
前記研磨布に、含有する砥粒の平均粒径で種別する少なくとも２種類の研磨液を、大きなサイズの砥粒を含有する研磨液から、小さなサイズの砥粒を含有する研磨液に段階的に変更しながら供給して、前記素材ウェーハの両面を同時に、粗研磨から仕上げ研磨までの研磨工程を同一の研磨布で行うことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
【００１１】
４．
前記少なくとも２種類の研磨液が、粗研磨用砥粒を含有する研磨液と仕上げ研磨用砥粒を含有する研磨液であることを特徴とする上記３に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【００１２】
５．
前記粗研磨用砥粒のサイズが、平均粒径で、０．５μｍを超え２．０μｍ以下であることを特徴とする上記４に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【００１３】
６．
前記仕上げ研磨用砥粒のサイズが、平均粒径で、０〜０．５μｍ（０μｍを含まず）であることを特徴とする上記４または５に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【００１４】
７．
前記粗研磨用砥粒が、コロイダルシリカであることを特徴とする上記４乃至６のいずれか１項記載の半導体ウェーハの製造方法。
【００１５】
８．
前記仕上げ研磨用砥粒が、コロイダルシリカであることを特徴とする上記４乃至７のいずれか１項記載の半導体ウェーハの製造方法。
【００１６】
９．
前記半導体ウェーハは、
シリコンウェーハである
【発明の効果】
【００１７】
　本発明の半導体ウェーハの製造方法によれば、
粗研磨から仕上げ研磨までの研磨工程を同一の研磨布で行う
　また、粗研磨工程から仕上げ研磨工程までの研磨工程全体を1つの工程に集約することにより、研磨工数を低減することができる。
　特に、本発明の半導体ウェーハの製造方法は、直径が４５０ｍｍ以上の大口径半導体ウェーハ、とりわけ
シリコンウェーハ
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
　本発明の半導体ウェーハの製造方法について、図面を参照しながら説明する。
　
図１は、本発明の製造方法で使用する両面研磨装置の一例を示す斜視図である。両面研磨装置１００は、一対の上定盤１および下定盤２と、上定盤１および下定盤２に固定された上研磨布３および下研磨布４と、小穴５および側面ギア６ａを有するキャリア６と、キャリア６の側面ギア６ａと噛み合う中心ギア７と、研磨液供給管８とからなる。
【００１９】
　図２は、図１の両面研磨装置１００を、上定盤１を外した状態で真上から眺めた平面図である。この両面研磨装置１００は、５個のキャリア６を有する場合の例であるが、本発明では、少なくとも１個のキャリア６を有していればよく、必要に応じてキャリアの配設個数を増減することができる。
【００２０】
　図３は、素材ウェーハ９を研磨している状態の両面研磨装置１００の図２に示すＩ−Ｉ線上の断面図である。
　
キャリア６の小穴５ａに嵌め込んだ素材ウェーハ９を、上研磨布３を固定した上定盤１と、下研磨布４を固定した下定盤２で挟み込み、研磨液供給管８から上研磨布３および下研磨布４に研磨液を供給しながら、図２に示すように、上定盤１および下定盤２を逆向きの方向に回転させ、中心ギア７を用いてキャリア６を矢印の方向に回転させて、素材ウェーハ９の両面を同時に研磨する。
【００２１】
　本発明では、＃２０００程度の砥粒で研削された素材ウェーハ９をキャリア６の小穴５ａに嵌めこみ研磨に供される。
研磨は、上定盤１と下定盤２で素材ウェーハ９を挟み込んだまま、含有する砥粒の平均粒径で種別する少なくとも２種類の研磨液を、大きなサイズの砥粒を含有する研磨液から、小さなサイズの砥粒を含有する研磨液に段階的に変更しながら供給することによって、素材ウェーハの両面を同時に、粗研磨から仕上げ研磨までの研磨工程全体を、同一の研磨布を用いて１回の工程で行うことができる。従って、従来法のように、粗研磨工程と仕上げ研磨工程との間で、含有する砥粒のサイズが異なる研磨液に変更するために、研磨布を交換したり、別の両面研磨装置に研磨途中の素材ウェーハを載せかえたりする際に、素材ウェーハをハンドリングすることがないことから、研磨途中の素材ウェーハにキズをつけたり、汚れを付着させたりすることがない。
【００２２】
　次に本発明の製造方法で用いる研磨布および砥粒について説明する。
　上研磨布３および下研磨布４は、砥粒を含まず、素材ウェーハ９を上定盤１と下定盤２で挟み込んで回転させたときに破損することがなければ特に制限されることはないが、ウレタン系が好ましい。なお、上研磨布３および下研磨布４は、同一材質、あるいは異なる材質のいずれでも良い。
【００２３】
　
粗研磨用砥粒のサイズは、平均粒径で、０．５μｍを超え２．０μｍ以下の範囲が好ましい。
【００２４】
　なお、粗研磨用砥粒は、上記したサイズの範囲内で２種類以上の粗研磨用砥粒を準備し、それぞれの粗研磨用砥粒を含有した研磨液を生成して、大きなサイズの砥粒を含有する研磨液から、小さなサイズの砥粒を含有する研磨液に段階的に変更しながら研磨してもよい。例えば、平均粒径を１．５μｍとする第１粗研磨用砥粒を含有する研磨液を研磨布に供給しながら行う第１粗研磨と、平均粒径を１．０μｍとする第２粗研磨用砥粒を含有する研磨液を研磨布に供給しながら行う第２粗研磨を、第１粗研磨→第２粗研磨の順番で同一の研磨布を用いて研磨を行っても良い。素材ウェーハの研磨は、大きいサイズの砥粒を含有する研磨液から小さいサイズの砥粒を含有する研磨液への変更回数を多くした方が、研磨が進むにつれて変化する素材ウェーハの表面状態に対して、常に最適なサイズの砥粒を含有する研磨液で研磨することができるが、
従来法では、含有する砥粒のサイズが異なる研磨液に変更する毎に、研磨布の交換等をする必要があるのに対して、本発明の製造方法では、同一の研磨布で研磨することができる
【００２５】
　
仕上げ研磨用砥粒のサイズは、平均粒径で、０〜０．５μｍ（０μｍは含まず）の範囲が好ましい。
【００２６】
　なお、仕上げ研磨用砥粒についても、粗研磨用砥粒の場合と同様に、上記した仕上げ研磨用砥粒のサイズの範囲内で２種類以上の仕上げ研磨用砥粒を準備し、それぞれのサイズの仕上げ研磨用砥粒について研磨液を生成し、研磨してもよい。
【００２７】
　次に本発明の製造方法における研磨条件について説明する。
　
研磨液は、上記した砥粒とアルカリ溶液を混合して生成し、研磨液供給管８を通じて上研磨布３および下研磨布４に供給される。
研磨液の供給量：０〜２０００ｍｌ/分（０ｍｌ／分を含まず）
（好ましくは、５００〜１０００ｍｌ/分）
上定盤１の回転数：０〜８０ｒｐｍ（０ｒｐｍを含まず）
（好ましくは、１０〜５０ｒｐｍ）
下定盤２の回転数：０〜８０ｒｐｍ（０ｒｐｍを含まず）
（好ましくは、１０〜５０ｒｐｍ）
キャリア６の回転数：０〜８０ｒｐｍ（０ｒｐｍを含まず）
（好ましくは、５〜５０ｒｐｍ）
【００２８】
　上記した条件で、粗研磨される素材ウェーハの研磨量（両面の合計研磨量）は、０〜２０μｍ（０μｍを含まず）が好ましい。より好ましくは、５〜１２μｍの範囲である。また、仕上げ研磨される素材ウェーハの研磨量（両面の合計研磨量）は、０〜１μｍ（０μｍを含まず）が好ましい。より好ましくは、０．１〜０．８μｍの範囲である。
【００２９】
　上記した本発明の製造方法により、直径が４５０ｍｍ以上で、両面が仕上げ研磨されている半導体ウェーハを製造することができる。
　特に、本発明の製造方法により得られた、直径が４５０ｍｍ以上で、両面が仕上げ研磨されている半導体ウェーハは、優れた平坦度（ＧＢＩＲ）：０．１μｍ以下を有する。
【００３０】
　なお、上述したところは、この発明の実施形態の一例を示したにすぎず、請求の範囲において種々変更を加えることができる。」
（２）引用発明２
　上記（１）の引用文献２の記載及び当該技術分野における技術常識より、引用文献２には下記の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。（当審注．「引用発明２」は、当審拒絶理由の「１．（１）ウ　引用文献２を主引例とする拒絶の理由」における主引用発明に対応するものである。）
　「半導体ウェーハの製造方法であって、
　研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、平均粒径が０．５μｍを超え２．０μｍ以下のコロイダルシリカとアルカリ溶液を混合して生成した研磨液を供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する粗研磨工程と、
　前記両面研磨装置を用い、平均粒径が０〜０．５μｍ（０μｍを含まず）のコロイダルシリカとアルカリ溶液を混合して生成した研磨液を供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する仕上げ研磨工程と
を有し、
　前記粗研磨工程と仕上げ研磨工程を同一の両面研磨装置の同じ研磨布を用いて研磨液を変更して引き続き行う
ことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。」
　３　引用文献３の記載事項
　原査定の理由において引用され、本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１０−０４０６４３号公報（以下「引用文献３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００３０】
（片面仕上げ研磨工程）
　本発明では、片面仕上げ研磨工程においても、図１に示した両面研磨装置１００を使用する。両面研磨装置１００は、両面研磨工程と片面仕上げ研磨工程とで別個に設けてもよいし、１台を共用としてもよい。
【００３１】
　図４は、保護膜形成工程により、両面研磨された素材ウェーハの一方の面に保護膜１０を形成した素材ウェーハ９を研磨している状態の両面研磨装置１００についての図２に示すＩ−Ｉ線上での断面図である。
【００３２】
　キャリア６の小穴５に、保護膜形成工程により、両面研磨された素材ウェーハの一方の面に保護膜１０を形成した素材ウェーハ９を嵌めこみ、上研磨布３を固定した上定盤１と、下研磨布４を固定した下定盤２で挟み込んで、図２に示すように、上定盤１および下定盤２を逆向きの方向に回転させ、中心ギア７を用いてキャリア６を矢印の方向に回転させ
て、素材ウェーハ９の他方の面を片面仕上げ研磨する。
【００３３】
　片面仕上げ研磨は、図４（ａ）に示すように保護膜１０を上にする、あるいは図４（ｂ）に示すように保護膜１０を下にするいずれの実施形態でも構わないが、図４（ｂ）に示す、保護膜１０を下にする実施形態の方が好ましい。これは、ウェーハの裏面に保護膜を形成した場合に、研磨後にウェーハを反転することなく、研磨以降の工程に流動することが可能であるためである。
【００３４】
　上研磨布３および下研磨布４は、砥粒を含まない研磨布、砥粒を固定した研磨布のいずれも使用することができる。以下、砥粒を含まない研磨布を使用する場合と、砥粒を固定した研磨布を使用する場合とに分けて説明する。
【００３５】
・砥粒を含まない研磨布の場合
　研磨布３および下研磨布４の材質は、研磨後のウェーハ研磨面の表面粗さを十分に小さくする必要があるためスウェードタイプの人工皮革パッドなどを用いることが好ましい。なお、上研磨布３および下研磨布４は、同一の材質としてもよいが、保護膜１０側、すなわち図４（ａ）の実施形態では上研磨布３を、図４（ｂ）の実施形態では下研磨布４を、より軟らかく、メカニカルな作用を及ぼさないもの、望ましくは摩擦係数が小さくなる表面処理を行った材質にすることが好ましい。これは、保護膜を維持するためである。
【００３６】
　研磨中は、図１に示した研磨液供給管８から、砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨を行う。砥粒を含む研磨液は、アルカリ系の水溶液に、クッション効果を持たせるための水溶性高分子を加えたものに砥粒を混合して生成する。砥粒の材質は、メカノケミカル効果を持ち、高純度化が比較的容易で、粒径分布を制御することが比較的容易であることからシリカ粒子を用いることが好ましい。砥粒のサイズは、平均粒径で、１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲が好ましい。砥粒の平均粒径が１０ｎｍ未満の場合、砥粒同士の凝集や研磨速度が十分でない懸念があり、一方、１００ｎｍを超えると、研磨表面にスクラッチを発生させる懸念があるためである。
【００３７】
　研磨条件は、片面仕上げ研磨中に、上研磨布３および下研磨布４と素材ウェーハ９の表面との間に、一定厚さ以上の研磨液膜が形成され、保護膜１０が剥れたり、破損したりしたりせず、円滑に研磨することができるように各条件を次のように設定することが好ましい。なお、括弧内は、より好ましい条件の範囲である。
上定盤１および下定盤２で素材ウェーハ９を挟み込む力：５０〜３００ｇｆ／ｃｍ２
（好ましくは、５０〜２００ｇｆ／ｃｍ２）
上定盤１の回転数：１０〜１００ｒｐｍ
（好ましくは、２０〜５０ｒｐｍ）
下定盤２の回転数：１０〜１００ｒｐｍ
（好ましくは、２０〜５０ｒｐｍ）
キャリア６の回転数：１〜３０ｒｐｍ
（好ましくは、２〜１０ｒｐｍ）
研磨液の供給量：５０〜５０００ｍｌ/分
（好ましくは、１００〜１０００ｍｌ/分）
【００３８】
　
上記した条件で研磨される素材ウェーハの片面仕上げ研磨量は、１０ｎｍ〜１μｍの範囲とすることが好ましい。
より好ましい片面仕上げ研磨量は、５０ｎｍ〜０．５μｍの範囲である。
　４　引用文献４の記載事項
　原査定の理由及び当審拒絶理由において引用され、本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１３−０２５８４４号公報（以下「引用文献４」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００３５】
　
本発明の実施形態の主平面粗研磨工程（４Ａ）においては、前記一対の研磨パッドのうちの少なくとも下側の研磨パッド５０、好ましくは上下両側の研磨パッド４０、５０が、発泡ウレタン樹脂のような気泡を含有する発泡樹脂からなり、
・・・
【００５２】
　さらに、
この研磨パッドは、８０〜９５のショアＡ硬度を有することが好ましい。また、２５〜６０のショアＤ硬度を有することが好ましい。
　５　引用文献５の記載事項
　原査定の理由及び当審拒絶理由において引用され、本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００４−１９５５７１号公報（以下「引用文献５」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００２２】
図１は、本発明の一実施例である両面研磨機用ワークキャリア（以下、単にキャリアと称す）１０を示す平面図である。
【００２３】
図２は、上記キャリア１０の組織の一部を拡大して示す模式図である。この図２に示すように、
上記キャリア１０の組織は、例えば炭化ケイ素質、酸化アルミニウム質、窒化ケイ素質、ホウ酸アルミニウム質、ダイヤモンド質、又は炭素質（ダイヤモンドライクカーボン、グラッシーカーボン、グラファイト等）をはじめとするセラミック材料、或いは炭酸カルシウム又はＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等の有機樹脂材料から成り球形状又は繊維（ウィスカ）状を成す多数の骨材１８が、例えばニッケル或いはニッケル合金等の金属組織２０により相互に結合して形成されたものである。
【００２４】
上記骨材１８としては、例えば、前記キャリア１０の耐摩耗性を重視するのであれば、ＪＩＳ　Ｚ２２４４に規定するビッカース硬さでＨＶ１０００以上である材料が好適に用いられ
　６　引用文献６の記載事項
　原査定の理由において引用され、本願の出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である国際公開第２０１３／０７３０２５号（以下「引用文献６」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「[0042]　［５］
半導体ウェーハに対する研磨特性の評価方法
　ＳＦ１、ＣＶ値の異なるシリカ粒子に、水、アンモニア、ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレングリコールを添加して研磨液組成物を調製し、絶対ろ過精度１．０μｍのフィルターで濾過処理した。その研磨液組成物を４０倍に希釈した研磨スラリーを用いて、同一条件で一次研磨されたシリコンウェーハを以下に示す条件で仕上げ研磨した。
　研磨機：９００φ片面加工機
　荷重：１２０ｇ／ｃｍ２
　定盤回転数：４０ｒｐｍ
　ヘッド回転数：４０ｒｐｍ
　研磨組成物の希釈液：３５０ｍｌ／分
　研磨時間：５分
　ウェーハ：シリコンウェーハＰ−（１００）
　仕上げ研磨後のシリコンウェーハに公知のＳＣ１洗浄（アンモニア：過酸化水素：水の混合比＝１：１〜２：５〜７の洗浄液（ＳＣ１液）に７５〜８５℃、１０〜２０分浸漬処理）及びＳＣ２洗浄（塩酸：過酸化水素：水＝１：１〜２：５〜７の洗浄液（ＳＣ２液）に７５〜８５℃、１０〜２０分浸漬処理）を施し、ウェーハ表面の不純物を除去した。
仕上げ研磨後のシリコンウェーハ表面のＬＰＤは、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｓｕｒｆ　Ｓｃａｎ　ＳＰ−２を用いて測定した。
第６　対比・判断
（１）本願発明１について
　ア　本願発明１と引用発明１−１との対比及び判断
（ア）本願発明１と引用発明１−１との対比
　ａ　本願発明１と引用発明１−１は、「エピタキシャルウェーハの製造方法」である点において共通するといえる。
　ｂ　本願発明１における「研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、第１の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する１次研磨を行う工程」と、引用発明１−１における「研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、平均粒径３０〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含む研磨スラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する粗研磨工程」を対比する。
　引用発明１−１における「平均粒径３０〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含む研磨スラリー」は、「第１の砥粒を含むスラリー」であるといえる。
　また、引用発明１−１における「粗研磨工程」は、「１次研磨を行う工程」であるといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−１は、「研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、第１の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する１次研磨を行う工程」を有する点において共通するといえる。
　ｃ　本願発明１における「前記両面研磨装置を用い、前記第１の砥粒より平均粒径の小さい第２の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記１次研磨を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨する２次研磨を行う工程」と、引用発明１−１における「前記ロールオフ加工工程に続いて、平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液を供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する仕上げ研磨工程」を対比する。
　引用発明１−１における「平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液」は、「第２の砥粒を含むスラリー」であるといえる。
　また、引用発明１−１では、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）の後で「仕上げ研磨」を行っているから、引用発明１−１における「仕上げ研磨工程」は、「前記１次研磨を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨」する、「２次研磨を行う工程」であるとえいる。
　他方、引用発明１−１は、「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）において、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）において用いたものと同じ両面研磨装置を用いるとは特定しない。
　また、引用発明１−１は、「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）において用いられるスラリーに含まれるコロイダルシリカ（「第２の砥粒」に対応）の平均粒径が、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）において用いられるスラリーに含まれるコロイダルシリカ（「第１の砥粒」に対応）の平均粒径よりも小さいとは特定しない。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−１は、「第２の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記１次研磨を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨する２次研磨を行う工程」を有する点において共通し、後述する相違点１−１−１及び１−１−２において相違するといえる。
　ｄ　本願発明１における「前記２次研磨を行った後のシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させる工程」と、引用発明１−１における「前記仕上げ研磨工程に続いて、前記シリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を形成する工程」とを対比する。
　引用発明１−１では、「仕上げ研磨」（「２次研磨」）のあと、片面ＣＭＰ研磨を行うことなく、エピタキシャル膜を形成しているといえる。
　また、引用発明１−１における「エピタキシャル膜を形成する工程」は「エピタキシャル層を成長させる工程」であるといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−１は、「前記２次研磨を行った後のシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させる工程」を有する点において共通するといえる。
　ｅ　本願発明１の「前記１次研磨と前記２次研磨を同一の両面研磨装置の同じ研磨布を用いてスラリーを変更して引き続いて行い、更に引き続いて洗浄後にエピタキシャル成長を行い」との発明特定事項と、引用発明１−１を対比する。
　引用発明１−１は、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）と「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）を、「同一の両面研磨装置」の「同じ研磨布」を用いて行うとは特定しない。
　また、引用発明１−１は、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）と「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）の間に「ロールオフ加工」を実行するものであり、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）と「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）を「引き続いて行」うものではない。
　さらに、引用発明１−１は、「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）に引き続いて、「洗浄後」にエピタキシャル成長を行うとは特定しない。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−１は、後述する相違点１−１−１及び１−１−３ないし１−１−５において相違するといえる。
　ｆ　本願発明１の「前記１次研磨を行う工程において、前記第１の砥粒を含むスラリーとして、平均粒径７４ｎｍ〜１００ｎｍのシリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用い」との発明特定事項と、引用発明１−１を対比する。
　引用発明１−１では、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）において「平均粒径３０〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含む研磨スラリーを供給」しており、該「平均粒径３０〜１００ｎｍのコロイダルシリカ」は「シリカ砥粒」であるといえる。
　他方、引用発明１−１は、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）において用いる研磨スラリーに含まれるコロイダルシリカの平均粒径が「７４ｎｍ〜１００ｎｍ」であるとは特定しない。
　また、引用発明１−１は、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）において用いる研磨スラリーが「アルカリ性水溶液」であるとは特定しない。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−１は、「前記１次研磨を行う工程において、前記第１の砥粒を含むスラリーとして、シリカ砥粒を含むスラリーを用い」る点において共通し、後述する相違点１−１−６において相違するといえる。
　ｇ　本願発明１の「前記２次研磨を行う工程において、前記第２の砥粒を含むスラリーとして、平均粒径２０ｎｍ〜４０ｎｍのシリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用いる」との発明特定事項と、引用発明１−１を対比する。
　引用発明１−１では、「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）において「平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液を供給」しており、該「平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液」は「シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液」であるといえる。
　他方、引用発明１−１は、「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）において用いる研磨スラリーに含まれるコロイダルシリカの平均粒径が「２０ｎｍ〜４０ｎｍ」であるとは特定しない。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−１は、「前記２次研磨を行う工程において、前記第２の砥粒を含むスラリーとして、シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用い」る点において共通し、後述する相違点１−１−７において相違するといえる。
　ｈ　以上から、本願発明１と引用発明１−１は、下記（ａ）の点で一致し、下記（ｂ）の点で相違すると認める。
（ａ）一致点
　「エピタキシャルウェーハの製造方法であって、
　研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、第１の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する１次研磨を行う工程と、
　第２の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記１次研磨を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨する２次研磨を行う工程と、
　前記２次研磨を行った後のシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させる工程と
を有し、
　前記１次研磨を行う工程において、前記第１の砥粒を含むスラリーとして、シリカ砥粒を含むスラリーを用い、
　前記２次研磨を行う工程において、前記第２の砥粒を含むスラリーとして、シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用いることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。」
（ｂ）相違点
　・相違点１−１−１
　本願発明１では、「１次研磨」と「２次研磨」を、同一の両面研磨装置を用いて行うのに対し、引用発明１−１は、「１次研磨」（粗研磨）と「２次研磨」（仕上げ研磨）を、同一の両面研磨装置を用いて行うとは特定しない点。
　・相違点１−１−２
　本願発明１では、「２次研磨」において用いられるスラリーに含まれる「第２の砥粒」の平均粒径が、「１次研磨」において用いられるスラリーに含まれる「第１の砥粒」の平均粒径よりも小さいのに対し、引用発明１−１は、「２次研磨」（仕上げ研磨）において用いられるスラリーに含まれる「第２の砥粒」（コロイダルシリカ）の平均粒径が、「１次研磨」（粗研磨）において用いられるスラリーに含まれる「第１の砥粒」（コロイダルシリカ）の平均粒径よりも小さいとは特定しない点。
　・相違点１−１−３
　本願発明１では、「１次研磨」と「２次研磨」を、同じ研磨布を用いて行うのに対し、引用発明１−１は、「１次研磨」（粗研磨）と「２次研磨」（仕上げ研磨）を、同じ研磨布を用いて行うとは特定しない点。
　・相違点１−１−４
　本願発明１では、「１次研磨」と「２次研磨」を引き続いて行うのに対し、引用発明１−１では、「１次研磨」（粗研磨工程）と「２次研磨」（仕上げ研磨）の間に「ロールオフ加工工程」を実行しており、「１次研磨」（粗研磨）と「２次研磨」（仕上げ研磨）を引き続いて行わない点。
　・相違点１−１−５
　本願発明１では、「２次研磨」に引き続いて「洗浄後」にエピタキシャル成長を行うのに対し、引用発明１−１は、「２次研磨」（仕上げ研磨）に引き続いて「洗浄後」にエピタキシャル成長を行うとは特定しない点。
　・相違点１−１−６
　本願発明１では、「１次研磨」を行う工程において、第１の砥粒を含むスラリーとして、平均粒径７４ｎｍ〜１００ｎｍのシリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用いるのに対し、引用発明１−１では、「１次研磨」（粗研磨）を行う工程において、平均粒径３０〜１００ｎｍの第１の砥粒（コロイダルシリカ）を含む研磨スラリーを用いる点。すなわち、本願発明１と引用発明１−１では、「１次研磨」（粗研磨）において用いるスラリーに含まれる砥粒の平均粒径の範囲が異なり、また、引用発明１−１では、「１次研磨」（粗研磨）において用いるスラリーが「アルカリ性水溶液」であるとは特定しない点。
　・相違点１−１−７
　本願発明１では、「２次研磨」を行う工程において、第２の砥粒を含むスラリーとして、平均粒径２０ｎｍ〜４０ｎｍのシリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用いるのに対し、引用発明１−１では、「２次研磨」（仕上げ研磨）を行う工程において、平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液を用いる点。すなわち、本願発明１と引用発明１−１では、「２次研磨」（仕上げ研磨）において用いるスラリーに含まれる砥粒の平均粒径の範囲が異なる点。
（イ）判断
　ａ　まず、相違点１−１−４について、検討する。
（ａ）引用発明１−１において相違点１−１−４に係る構成を採用するためには、「ロールオフ加工工程」を省略するか、あるいは、「ロールオフ加工工程」の実行順序を変更し、「１次研磨」（粗研磨）よりも前、又は「エピタキシャル層を成長させる工程」（エピタキシャル膜を形成する工程）よりも後に実行する必要があることは明らかである。
（ｂ）そこで、まず、引用発明１−１において、「ロールオフ加工工程」を省略することを、当業者が容易に想到することができたかについて、検討する。
　上記第５の１（１）アの引用文献１の記載より、引用発明１−１は、エピタキシャル成長を行う際、エピタキシャル膜を形成するために用いられる反応ガスが裏面に回り込むことによって、半導体ウェーハ裏面の外周部にもエピタキシャル膜が付着してエピタキシャルウェーハ全体の平坦度が悪化するという課題、及び、エピタキシャル膜形成後にエピタキシャル膜表面を研磨処理した場合には生産コストの上昇や品質低下を招くという課題を解決するために、エピタキシャル膜形成前にあらかじめ半導体ウェーハ裏面の外周部をロールオフ加工することによって、エピタキシャル膜形成後にエピタキシャルウェーハの表裏面などを研磨することなく、高い裏面の平坦度を得ることを目的としたものであると認められる。
　そして、引用発明１−１において、「ロールオフ加工工程」を省略した場合に、上記課題を解決できなくなることは明らかである。
　したがって、引用発明１−１において、「ロールオフ加工工程」を省略することには、阻害要因があり、かつ、動機付けがないから、当業者が容易に想到することができたとはいえない。
（ｃ）次に、引用発明１−１において、「ロールオフ加工工程」を「１次研磨」（粗研磨）よりも前に実行することを、当業者が容易に想到することができたかについて、検討する。
　上記第５の１（１）ウの引用文献１の記載より、引用発明１−１において、「ロールオフ加工工程」を「１次研磨」（粗研磨）よりも前に実行した場合には、ロールオフ領域が粗研磨により除去され、上記課題の解決が困難となることは明らかである。
　そうすると、引用発明１−１において、「ロールオフ加工工程」を「１次研磨」（粗研磨）よりも前に実行することには、阻害要因があり、かつ、動機付けがないから、当業者が容易に想到することができたとはいえない。
（ｄ）次に、引用発明１−１において、「ロールオフ加工工程」を「エピタキシャル層を成長させる工程」（エピタキシャル膜を形成する工程）よりも後に実行することを、当業者が容易に想到することができたかについて、検討する。
　引用発明１−１において、「ロールオフ加工工程」を「エピタキシャル層を成長させる工程」（エピタキシャル膜を形成する工程）よりも後に実行した場合に、上記課題を解決できなくなることは明らかである。
　したがって、引用発明１−１において、「ロールオフ加工工程」を「エピタキシャル層を成長させる工程」（エピタキシャル膜を形成する工程）よりも後に実行することには阻害要因があり、かつ、動機付けがないから、当業者が容易に想到することができたとはいえない。
（ｅ）以上より、引用発明１−１において、「ロールオフ加工工程」を省略すること、「ロールオフ加工工程」を「１次研磨」（粗研磨）よりも前に実行すること、及び「ロールオフ加工工程」を「エピタキシャル層を成長させる工程」（エピタキシャル膜を形成する工程）よりも後に実行することには、いずれも阻害要因があり、かつ、動機付けがないから、引用発明１−１において相違点１−１−４に係る構成を採用することは、当業者が容易に想到しえたことであるとはいえない。
　ｂ　次に、相違点１−１−６及び１−１−７について検討する。
　引用文献１ないし６には、相違点１−１−６及び１−１−７に係る構成について、記載も示唆もされていない。
　そして、本願発明１は、相違点１−１−６及び１−１−７に係る構成を備えることにより、「フラットネスを維持しつつ、片面ＣＭＰ研磨を行った場合と同レベルまで欠陥数を低減させることができる」（本願明細書の段落【００７６】）という、引用文献１ないし６に記載された発明からは予測することのできない格別の効果を奏するものである。
　したがって、相違点１−１−６及び１−１−７に係る構成は、引用文献１ないし６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到することができたものとはいえない。
　ｃ　以上より、相違点１−１−１ないし１−１−３及び１−１−５について検討するまでもなく、本願発明１は、引用発明１−１及び引用文献２ないし６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　イ　本願発明１と引用発明１−２との対比及び判断
（ア）本願発明１と引用発明１−２との対比
　ａ　本願発明１と引用発明１−２は、「エピタキシャルウェーハの製造方法」である点において共通するといえる。
　ｂ　本願発明１における「研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、第１の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する１次研磨を行う工程」と、引用発明１−２における「前記ロールオフ加工工程に続いて、平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液を供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する仕上げ研磨工程を、使用する研磨布や研磨スラリー組成などを変えて複数段に分けて実施する工程」を対比する。
　引用発明１−２では、「仕上げ研磨工程」を、「使用する研磨布や研磨スラリー組成などを変えて複数段に分けて実施」しており、当該複数段に分けられた「仕上げ研磨工程」のうち、前段のものは、「平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液を供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する仕上げ研磨の前段工程」であるといえる。
　そして、上記「平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液」は、「第１の砥粒を含むスラリー」であるといえ、上記「仕上げ研磨の前段工程」は、「第１の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する」工程であるといえる。
　他方、引用発明１−２は、「仕上げ研磨の前段工程」において、「研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い」るとは特定しない。
　また、本願発明１における「１次研磨を行う工程」と、引用発明１−２における「仕上げ研磨の前段工程」は、「研磨を行う工程」（以下、当該「研磨」を「第１研磨」という。）である点においては共通するものの、引用発明１−２では、「粗研磨」を行ったのちに「第１研磨」（仕上げ研磨の前段）を行っているから、上記「第１研磨」（仕上げ研磨の前段）は「２次研磨」であって、「１次研磨」ではない。
　以上より、本願発明１と引用発明１−２は、「第１の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する第１研磨を行う工程」を有する点において共通し、後述する相違点１−２−１及び１−２−２において相違するといえる。
　ｃ　本願発明１における「前記両面研磨装置を用い、前記第１の砥粒より平均粒径の小さい第２の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記１次研磨を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨する２次研磨を行う工程」と、引用発明１−２における「前記ロールオフ加工工程に続いて、平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液を供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する仕上げ研磨工程を、使用する研磨布や研磨スラリー組成などを変えて複数段に分けて実施する工程」を対比する。
　引用発明１−２では、「仕上げ研磨工程」を、「使用する研磨布や研磨スラリー組成などを変えて複数段に分けて実施」しており、当該複数段に分けられた「仕上げ研磨工程」のうち、後段のものは、「平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液を供給しながら、第１研磨（仕上げ研磨の前段）を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨する仕上げ研磨の後段工程」であるといえる。
　そして、上記「平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液」は、「第２の砥粒を含むスラリー」であるといえ、上記「仕上げ研磨の後段工程」は、「第２の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記第１研磨（仕上げ研磨の前段）を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨する」工程であるといえる。
　他方、引用発明１−２は、「仕上げ研磨の後段工程」において、「第１研磨」（仕上げ研磨の前段）において用いられた両面研磨装置と同一の両面研磨装置を用いるとは特定しない。
　また、本願発明１における「２次研磨を行う工程」と、引用発明１−２における「仕上げ研磨の後段工程」は、「研磨を行う工程」（以下、当該「研磨」を「第２研磨」という。）である点においては共通するものの、引用発明１−２では、「粗研磨」及び「第１研磨」（仕上げ研磨の前段）を行ったのちに「第２研磨」（仕上げ研磨の後段）を行っているから、上記「第２研磨」（仕上げ研磨の後段）は、「３次研磨」であって、「２次研磨」ではない。
　以上より、本願発明１と引用発明１−２は、「第２の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記第１研磨を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨する第２研磨を行う工程」を有する点において共通し、後述する相違点１−２−１及び１−２−２において相違するといえる。
　ｄ　本願発明１における「前記２次研磨を行った後のシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させる工程」と、引用発明１−２における「前記仕上げ研磨工程に続いて、前記半導体ウェーハの表面にエピタキシャル膜を形成する工程」とを対比する。
　引用発明１−２では、「第２研磨」（仕上げ研磨の後段）のあと、「片面ＣＭＰ研磨」を行うことなくエピタキシャル膜を形成しているといえる。
　また、引用発明１−２における「エピタキシャル膜を形成する工程」は、「エピタキシャル層を成長させる工程」であるといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−２は、「前記第２研磨を行った後のシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させる工程」を有する点において共通するといえる。
　ｅ　本願発明１の「前記１次研磨と前記２次研磨を同一の両面研磨装置の同じ研磨布を用いてスラリーを変更して引き続いて行い、更に引き続いて洗浄後にエピタキシャル成長を行い」との発明特定事項と、引用発明１−２を対比する。
　引用発明１−２は、「第１研磨」（仕上げ研磨の前段）と「第２研磨」（仕上げ研磨の後段）を、「スラリーを変更して引き続いて行」うものであるといえる。
　他方、引用発明１−２は、「第１研磨」（仕上げ研磨の前段）と「第２研磨」（仕上げ研磨の後段）において「同一の両面研磨装置の同じ研磨布を用い」るとは特定しない。
　また、引用発明１−２は、「第２研磨」（仕上げ研磨の後段）に引き続いて、「洗浄後」にエピタキシャル成長を行うとは特定しない。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−２は、「前記第１研磨と前記第２研磨をスラリーを変更して引き続いて行」う点において共通し、後述する相違点１−２−１、１−２−４及び１−２−５において相違するといえる。
　ｆ　本願発明１の「前記１次研磨を行う工程において、前記第１の砥粒を含むスラリーとして、平均粒径７４ｎｍ〜１００ｎｍのシリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用い」との発明特定事項と、引用発明１−２を対比する。
　引用発明１−２では、「第１研磨」（仕上げ研磨の前段）において、「平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液を供給」しており、当該「平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液」は「シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液」であるといえる。
　他方、引用発明１−２は、「第１研磨」（仕上げ研磨の前段）において用いる研磨スラリーに含まれるコロイダルシリカの平均粒径が「７４ｎｍ〜１００ｎｍ」であるとは特定しない。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−２は、「前記第１研磨を行う工程において、前記第１の砥粒を含むスラリーとして、シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用い」る点において共通し、後述する相違点１−２−６において相違するといえる。
　ｇ　本願発明１の「前記２次研磨を行う工程において、前記第２の砥粒を含むスラリーとして、平均粒径２０ｎｍ〜４０ｎｍのシリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用い」との発明特定事項と、引用発明１−２を対比する。
　引用発明１−２では、「第２研磨」（仕上げ研磨の後段）において、「平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液を供給」しており、当該「平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液」は「シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液」であるといえる。
　他方、引用発明１−２は、「第２研磨」（仕上げ研磨の後段）において用いる研磨スラリーに含まれるコロイダルシリカの平均粒径が「２０ｎｍ〜４０ｎｍ」であるとは特定しない。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−２は、「前記第２研磨を行う工程において、前記第２の砥粒を含むスラリーとして、シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用い」る点において共通し、後述する相違点１−２−７において相違するといえる。
　ｈ　以上から、本願発明１と引用発明１−２は、下記（ａ）の点で一致し、下記（ｂ）の点で相違すると認める。
（ａ）一致点
　「エピタキシャルウェーハの製造方法であって、
　第１の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する第１研磨を行う工程と、
　第２の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記第１研磨を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨する第２研磨を行う工程と、
　前記第２研磨を行った後のシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させる工程と
を有し、
　前記第１研磨と前記第２研磨をスラリーを変更して引き続いて行い、
　前記第１研磨を行う工程において、前記第１の砥粒を含むスラリーとして、シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用い、
　前記第２研磨を行う工程において、前記第２の砥粒を含むスラリーとして、シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用いることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。」
（ｂ）相違点
　・相違点１−２−１
　本願発明１では、「第１研磨」（１次研磨）と「第２研磨」（２次研磨）において、同一の「研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置」を用いるのに対し、引用発明１−２は、「第１研磨」（仕上げ研磨の前段）と「第２研磨」（仕上げ研磨の後段）において、同一の「研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置」を用いるとは特定しない点。
　・相違点１−２−２
　本願発明１では、「第１研磨」が「１次研磨」であり、「第２研磨」が「２次研磨」であるのに対し、引用発明１−２では、「第１研磨」（仕上げ研磨の前段）が「２次研磨」であり、「第２研磨」（仕上げ研磨の後段）が「３次研磨」である点。
　・相違点１−２−３
　本願発明１では、「第２研磨」（２次研磨）において用いられるスラリーに含まれる「第２の砥粒」の平均粒径が、「第１研磨」（１次研磨）において用いられるスラリーに含まれる「第１の砥粒」の平均粒径よりも小さいのに対し、引用発明１−２は、「第２研磨」（仕上げ研磨の後段）において用いられるスラリーに含まれる「第２の砥粒」（コロイダルシリカ）の平均粒径が、「第１研磨」（仕上げ研磨の前段）において用いられるスラリーに含まれる「第１の砥粒」（コロイダルシリカ）の平均粒径よりも小さいとは特定しない点。
　・相違点１−２−４
　本願発明１では、「第１研磨」（１次研磨）と「第２研磨」（２次研磨）において同じ研磨布を用いるのに対し、引用発明１−２は、「第１研磨」（仕上げ研磨の前段）と「第２研磨」（仕上げ研磨の後段）において同じ研磨布を用いるとは特定しない点。
　・相違点１−２−５
　本願発明１では、「第２研磨」（２次研磨）に引き続いて、「洗浄後」にエピタキシャル成長を行うのに対し、引用発明１−２は、「第２研磨」（仕上げ研磨の後段）に引き続いて、「洗浄後」にエピタキシャル成長を行うとは特定しない点。
　・相違点１−２−６
　本願発明１では、「第１研磨」（１次研磨）において用いられる第１の砥粒の平均粒径が「７４ｎｍ〜１００ｎｍ」であるのに対し、引用発明１−２では、「第１研磨」（仕上げ研磨の前段）において用いられる第１の砥粒（コロイダルシリカ）の平均粒径が「１０ｎｍ〜５０ｎｍ」である点。
　・相違点１−２−７
　本願発明１では、「第２研磨」（２次研磨）において用いられる第２の砥粒の平均粒径が「２０ｎｍ〜４０ｎｍ」であるのに対し、引用発明１−２では、「第２研磨」（仕上げ研磨の後段）において用いられる第２の砥粒（コロイダルシリカ）の平均粒径が「１０ｎｍ〜５０ｎｍ」である点。
（イ）判断
　ａ　まず、相違点１−２−２について、検討する。
　引用発明１−２において相違点１−２−２の構成を採用するためには、「粗研磨」を省略する必要がある。
　そこで、引用発明１−２において、「粗研磨」を省略することを、当業者が容易に想到することができたかについて、検討する。
　上記第５の１（１）イの引用文献１の記載（段落【００２４】及び【００２７】）より、引用発明１−２における「粗研磨」は「ラッピングや研削処理により導入された加工歪層の除去や、表面形状（平坦度）を調整する」ことを目的とするものであるのに対し、「仕上げ研磨」は、「粗研磨のようなシリコンウェーハの平坦度を調整する研磨とは異なり、ウェーハ表面の微小なうねりやヘイズレベルの改善を目的」とするものと認められる。
　このように、引用発明１−２における「粗研磨」と「仕上げ研磨」は、その目的を異とするものであり、「粗研磨」を省略して「仕上げ研磨」のみを実施したのでは、「ラッピングや研削処理により導入された加工歪層の除去や、表面形状（平坦度）を調整する」という目的を達成できなくなり、質の高いエピタキシャルウェーハを得られなくなることは明らかである。
　そうすると、引用発明１−２において、「粗研磨」の工程を省略することには、阻害要因があり、かつ、動機付けがないから、当業者が容易に想到することができたとはいえない。
　ｂ　次に、相違点１−２−６及び１−２−７について検討する。
　引用文献１ないし６には、相違点１−２−６及び１−２−７に係る構成について、記載も示唆もされていない。
　そして、本願発明１は、相違点１−２−６及び１−２−７に係る構成を備えることにより、「フラットネスを維持しつつ、片面ＣＭＰ研磨を行った場合と同レベルまで欠陥数を低減させることができる」（本願明細書の段落【００７６】）という、引用文献１ないし６に記載された発明からは予測することのできない格別の効果を奏するものである。
　そうすると、相違点１−２−６及び１−２−７に係る構成は、引用文献１ないし６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到することができたものとはいえない。
　ｃ　以上のとおりであるから、相違点１−２−１及び１−２−３ないし１−２−５について検討するまでもなく、本願発明１は、引用発明１−２及び引用文献２ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　ウ　本願発明１と引用発明１−３との対比及び判断
（ア）本願発明１と引用発明１−３との対比
　ａ　本願発明１と引用発明１−３は、「エピタキシャルウェーハの製造方法」である点において共通するといえる。
　ｂ　本願発明１における「研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、第１の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する１次研磨を行う工程」と、引用発明１−３における「研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、平均粒径３０〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含む研磨スラリーを供給しながら、半導体ウェーハの両面を研磨する粗研磨工程」を対比する。
　引用発明１−３における「平均粒径３０〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含む研磨スラリー」は、「第１の砥粒を含むスラリー」であるといえる。
　また、引用発明１−３における「粗研磨工程」は、「１次研磨を行う工程」であるといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−３は、「研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、第１の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する１次研磨を行う工程」を有する点において共通するといえる。
　ｃ　本願発明１における「前記両面研磨装置を用い、前記第１の砥粒より平均粒径の小さい第２の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記１次研磨を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨する２次研磨を行う工程」と、引用発明１−３における「前記粗研磨工程に続いて、平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液を供給しながら、前記半導体ウェーハの両面を研磨する仕上げ研磨工程」を対比する。
　引用発明１−３における「平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液」は、「第２の砥粒を含むスラリー」であるといえる。
　また、引用発明１−３では、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）の後で「仕上げ研磨」を行っているから、引用発明１−３における「仕上げ研磨工程」は、「前記１次研磨を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨」する、「２次研磨を行う工程」であるといえる。
　他方、引用発明１−３は、「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）において、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）において用いたものと同じ両面研磨装置を用いるとは特定しない。
　また、引用発明１−３は、「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）において用いられるスラリーに含まれるコロイダルシリカ（「第２の砥粒」に対応）の平均粒径が、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）において用いられるスラリーに含まれるコロイダルシリカ（「第１の砥粒」に対応）の平均粒径よりも小さいとは特定しない。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−３は、「第２の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記１次研磨を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨する２次研磨を行う工程」を有する点において共通し、後述する相違点１−３−１及び１−３−２において相違するといえる。
　ｄ　本願発明１における「前記２次研磨を行った後のシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させる工程」と、引用発明１−３における「前記ロールオフ加工工程に続いて、前記半導体ウェーハの表面にエピタキシャル膜を形成する工程」とを対比する。
　引用発明１−３では、「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）のあと、片面ＣＭＰ研磨を行うことなく、エピタキシャル膜を形成しているといえる。
　また、引用発明１−３における「エピタキシャル膜を形成する工程」は「エピタキシャル層を成長させる工程」であるといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−３は、「前記２次研磨を行った後のシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させる工程」を有する点において共通するといえる。
　ｅ　本願発明１の「前記１次研磨と前記２次研磨を同一の両面研磨装置の同じ研磨布を用いてスラリーを変更して引き続いて行い、更に引き続いて洗浄後にエピタキシャル成長を行い」との発明特定事項と、引用発明１−３を対比する。
　引用発明１−３では、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）に続いて「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）を実行しており、また、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）において用いられるスラリーと「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）において用いられるスラリーとは異なるものであるから、「前記１次研磨と前記２次研磨をスラリーを変更して引き続いて行」っているといえる。
　他方、引用発明１−３は、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）と「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）を、「同一の両面研磨装置」の「同じ研磨布」を用いて行うとは特定しない。
　また、引用発明１−３は、「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）に引き続いて、洗浄後にエピタキシャル成長を行うとは特定しない。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−３は、「前記１次研磨と前記２次研磨をスラリーを変更して引き続いて行」う点において共通し、後述する相違点１−３−１、１−３−３及び１−３−４において相違するといえる。
　ｆ　本願発明１の「前記１次研磨を行う工程において、前記第１の砥粒を含むスラリーとして、平均粒径７４ｎｍ〜１００ｎｍのシリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用い」との発明特定事項と、引用発明１−３を対比する。
　引用発明１−３では、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）において「平均粒径３０〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含む研磨スラリーを供給」しており、当該「平均粒径３０〜１００ｎｍのコロイダルシリカ」は「シリカ砥粒」であるといえる。
　他方、引用発明１−３は、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）において用いる研磨スラリーに含まれるコロイダルシリカの平均粒径が「７４ｎｍ〜１００ｎｍ」であるとは特定しない。
　また、引用発明１−３は、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）において用いる研磨スラリーが「アルカリ性水溶液」であるとは特定しない。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−３は、「前記１次研磨を行う工程において、前記第１の砥粒を含むスラリーとして、シリカ砥粒を含むスラリーを用い」る点において共通し、後述する相違点１−３−５において相違するといえる。
　ｇ　本願発明１の「前記２次研磨を行う工程において、前記第２の砥粒を含むスラリーとして、平均粒径２０ｎｍ〜４０ｎｍのシリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用いる」との発明特定事項と、引用発明１−３を対比する。
　引用発明１−３では、「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）において「平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液を供給」しており、当該「平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液」は「シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液」であるといえる。
　他方、引用発明１−３は、「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）において用いる研磨スラリーに含まれるコロイダルシリカの平均粒径が「２０ｎｍ〜４０ｎｍ」であるとは特定しない。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−３は、「前記２次研磨を行う工程において、前記第２の砥粒を含むスラリーとして、シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用い」る点において共通し、後述する相違点１−３−６において相違するといえる。
　ｈ　以上から、本願発明１と引用発明１−３は、下記（ａ）の点で一致し、下記（ｂ）の点で相違すると認める。
（ａ）一致点
　「エピタキシャルウェーハの製造方法であって、
　研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、第１の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する１次研磨を行う工程と、
　第２の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記１次研磨を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨する２次研磨を行う工程と、
　前記２次研磨を行った後のシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させる工程と
を有し、
　前記１次研磨と前記２次研磨をスラリーを変更して引き続いて行い、
　前記１次研磨を行う工程において、前記第１の砥粒を含むスラリーとして、シリカ砥粒を含むスラリーを用い、
　前記２次研磨を行う工程において、前記第２の砥粒を含むスラリーとして、シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用いることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。」
（ｂ）相違点
　・相違点１−３−１
　本願発明１では、「１次研磨」と「２次研磨」を、同一の両面研磨装置を用いて行うのに対し、引用発明１−３は、「１次研磨」（粗研磨）と「２次研磨」（仕上げ研磨）を、同一の両面研磨装置を用いて行うとは特定しない点。
　・相違点１−３−２
　本願発明１では、「２次研磨」において用いられるスラリーに含まれる「第２の砥粒」の平均粒径が、「１次研磨」において用いられるスラリーに含まれる「第１の砥粒」の平均粒径よりも小さいのに対し、引用発明１−３は、「２次研磨」（仕上げ研磨）において用いられるスラリーに含まれる「第２の砥粒」（コロイダルシリカ）の平均粒径が、「１次研磨」（粗研磨）において用いられるスラリーに含まれる「第１の砥粒」（コロイダルシリカ）の平均粒径よりも小さいとは特定しない点。
　・相違点１−３−３
　本願発明１では、「１次研磨」と「２次研磨」を、同じ研磨布を用いて行うのに対し、引用発明１−３は、「１次研磨」（粗研磨）と「２次研磨」（仕上げ研磨）を、同じ研磨布を用いて行うとは特定しない点。
　・相違点１−３−４
　本願発明１では、「２次研磨」に引き続いて「洗浄後」にエピタキシャル成長を行うのに対し、引用発明１−３では、「２次研磨」（仕上げ研磨）の後に「ロールオフ加工工程」を実行しており、「２次研磨」（仕上げ研磨）に引き続いて「洗浄後」にエピタキシャル成長を行わない点。
　・相違点１−３−５
　本願発明１では、「１次研磨」を行う工程において、第１の砥粒を含むスラリーとして、平均粒径７４ｎｍ〜１００ｎｍのシリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用いるのに対し、引用発明１−３では、「１次研磨」（粗研磨）を行う工程において、平均粒径３０〜１００ｎｍの第１の砥粒（コロイダルシリカ）を含む研磨スラリーを用いる点。すなわち、本願発明１と引用発明１−３では、「１次研磨」（粗研磨）において用いるスラリーに含まれる砥粒の平均粒径の範囲が異なり、また、引用発明１−３は、「１次研磨」（粗研磨）において用いるスラリーが「アルカリ性水溶液」であるとは特定しない点。
　・相違点１−３−６
　本願発明１では、「２次研磨」を行う工程において、第２の砥粒を含むスラリーとして、平均粒径２０ｎｍ〜４０ｎｍのシリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用いるのに対し、引用発明１−３では、「２次研磨」（仕上げ研磨）を行う工程において、平均粒径１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカを含むアルカリ性水溶液を用いる点。すなわち、本願発明１と引用発明１−３では、「２次研磨」（仕上げ研磨）において用いるスラリーに含まれる砥粒の平均粒径の範囲が異なる点。
（イ）判断
　ａ　まず、相違点１−３−４について、検討する。
（ａ）引用発明１−３において相違点１−３−４に係る構成を採用するためには、「ロールオフ加工工程」を省略するか、あるいは、「ロールオフ加工工程」の実行順序を変更し、「１次研磨」（粗研磨）よりも前、又は「エピタキシャル層を成長させる工程」（エピタキシャル膜を形成する工程）よりも後に実行する必要があることは明らかである。
（ｂ）そこで、まず、引用発明１−３において、「ロールオフ加工工程」を省略することを、当業者が容易に想到することができたかについて、検討する。
　上記第５の１（１）アの引用文献１の記載より、引用発明１−１は、エピタキシャル成長を行う際、エピタキシャル膜を形成するために用いられる反応ガスが裏面に回り込むことによって、半導体ウェーハ裏面の外周部にもエピタキシャル膜が付着してエピタキシャルウェーハ全体の平坦度が悪化するという課題、及び、エピタキシャル膜形成後にエピタキシャル膜表面を研磨処理した場合には生産コストの上昇や品質低下を招くという課題を解決するために、エピタキシャル膜形成前にあらかじめ半導体ウェーハ裏面の外周部をロールオフ加工することによって、エピタキシャル膜形成後にエピタキシャルウェーハの表裏面などを研磨することなく、高い裏面の平坦度を得ることを目的としたものであると認められる。
　そして、引用発明１−３において、「ロールオフ加工工程」を省略した場合に、上記課題を解決できなくなることは明らかである。
　したがって、引用発明１−３において、「ロールオフ加工工程」を省略することには、阻害要因があり、かつ、動機付けがないから、当業者が容易に想到することができたとはいえない。
（ｃ）次に、引用発明１−３において、「ロールオフ加工工程」を「１次研磨」（粗研磨工程）よりも前に実行することを、当業者が容易に想到することができたかについて、検討する。
　上記第５の１（１）ウの引用文献１の記載より、引用発明１−３において、「ロールオフ加工工程」を「１次研磨」（粗研磨）よりも前に実行した場合には、ロールオフ領域が粗研磨により除去され、上記課題の解決が困難となることは明らかである。
　そうすると、引用発明１−３において、「ロールオフ加工工程」を「１次研磨」（粗研磨）よりも前に実行することには、阻害要因があり、かつ、動機付けがないから、当業者が容易に想到することができたとはいえない。
（ｄ）次に、引用発明１−３において、「ロールオフ加工工程」を「エピタキシャル層を成長させる工程」（エピタキシャル膜を形成する工程）よりも後に実行することを、当業者が容易に想到することができたかについて、検討する。
　引用発明１−３において、「ロールオフ加工工程」を「エピタキシャル層を成長させる工程」（エピタキシャル膜を形成する工程）よりも後に実行した場合に、上記課題を解決できなくなることは明らかである。
　したがって、引用発明１−３において、「ロールオフ加工工程」を「エピタキシャル層を成長させる工程」（エピタキシャル膜を形成する工程）よりも後に実行することには阻害要因があり、かつ、動機付けがないから、当業者が容易に想到することができたとはいえない。
（ｅ）以上より、引用発明１−３において、「ロールオフ加工工程」を省略すること、「ロールオフ加工工程」を「１次研磨」（粗研磨）よりも前に実行すること、及び「ロールオフ加工工程」を「エピタキシャル層を成長させる工程」（エピタキシャル膜を形成する工程）よりも後に実行することは、いずれも阻害要因があり、かつ、動機付けがないから、引用発明１−３において相違点１−３−４に係る構成を採用することは、当業者が容易に想到しえたことであるとはいえない。
　ｂ　次に、相違点１−３−５及び１−３−６について検討する。
　引用文献１ないし６には、相違点１−３−５及び１−３−６に係る構成について、記載も示唆もされていない。
　そして、本願発明１は、相違点１−３−５及び１−３−６に係る構成を備えることにより、「フラットネスを維持しつつ、片面ＣＭＰ研磨を行った場合と同レベルまで欠陥数を低減させることができる」（本願明細書の段落【００７６】）という、引用文献１ないし６に記載された発明からは予測することのできない効果を奏するものである。
　したがって、相違点１−３−５及び１−３−６に係る構成は、引用文献１ないし６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到することができたものとはいえない。
　ｃ　以上より、相違点１−３−１ないし１−３−３について検討するまでもなく、本願発明１は、引用発明１−３及び引用文献２ないし６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　エ　本願発明１と引用発明２との対比及び判断
（ア）本願発明１と引用発明２との対比
　ａ　本願発明１は「エピタキシャルウェーハの製造方法」であり、引用発明２は「半導体ウェーハの製造方法」であるから、両者は「ウェーハの製造方法」である点において共通し、後述する相違点２−１において相違するといえる。
　ｂ　本願発明１における「研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、第１の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する１次研磨を行う工程」と、引用発明２における「研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、平均粒径が０．５μｍを超え２．０μｍ以下のコロイダルシリカとアルカリ溶液を混合して生成した研磨液を供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する粗研磨工程」を対比する。
　引用発明２における「平均粒径が０．５μｍを超え２．０μｍ以下のコロイダルシリカとアルカリ溶液を混合して生成した研磨液」は「第１の砥粒を含むスラリー」であるといえ、引用発明２における「粗研磨工程」は「１次研磨を行う工程」であるといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明２は、「研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、第１の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する１次研磨を行う工程」を有する点において共通するといえる。
　ｃ　本願発明１における「前記両面研磨装置を用い、前記第１の砥粒より平均粒径の小さい第２の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記１次研磨を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨する２次研磨を行う工程」と、引用発明２における「記両面研磨装置を用い、平均粒径が０〜０．５μｍ（０μｍを含まず）のコロイダルシリカとアルカリ溶液を混合して生成した研磨液を供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する仕上げ研磨工程」とを対比する。
　上記ｂのとおり、引用発明２における「平均粒径が０．５μｍを超え２．０μｍ以下のコロイダルシリカとアルカリ溶液を混合して生成した研磨液」は「第１の砥粒を含むスラリー」であるといえ、引用発明２における「平均粒径が０〜０．５μｍ（０μｍを含まず）のコロイダルシリカとアルカリ溶液を混合して生成した研磨液」は、「前記第１の砥粒より平均粒径の小さい第２の砥粒を含むスラリー」であるといえる。
　また、引用発明２における「仕上げ研磨工程」は、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨する、「２次研磨を行う工程」であるといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明２は、「前記両面研磨装置を用い、前記第１の砥粒より平均粒径の小さい第２の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記１次研磨を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨する２次研磨を行う工程」を有する点において共通するといえる。
　ｄ　本願発明１における「前記２次研磨を行った後のシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させる工程」と、引用発明２を対比する。
　引用発明２は、本願発明の「前記２次研磨を行った後のシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させる工程」に相当する構成を有しない。
　そうすると、本願発明１と引用発明２は、後述する相違点２−１において相違するといえる。
　ｅ　本願発明１における「前記１次研磨と前記２次研磨を同一の両面研磨装置の同じ研磨布を用いてスラリーを変更して引き続いて行い、更に引き続いて洗浄後にエピタキシャル成長を行い」との発明特定事項と、引用発明２における「前記粗研磨工程と仕上げ研磨工程を同一の両面研磨装置の同じ研磨布を用いて研磨液を変更して引き続き行う」との発明特定事項を対比する。
　引用発明２における「粗研磨」、「仕上げ研磨」及び「研磨液」は、それぞれ、「１次研磨」、「２次研磨」及び「スラリー」であるといえ、引用発明２は「前記１次研磨と前記２次研磨を同一の両面研磨装置の同じ研磨布を用いてスラリーを変更して引き続いて行」うものであるといえる。
　他方、引用発明２は、「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）に引き続いて洗浄後にエピタキシャル成長を行うとは特定しない。
　そうすると、本願発明１と引用発明２は、「前記１次研磨と前記２次研磨を同一の両面研磨装置の同じ研磨布を用いてスラリーを変更して引き続いて行う」点において共通し、後述する相違点２−１において相違するといえる。
　ｆ　本願発明１の「前記１次研磨を行う工程において、前記第１の砥粒を含むスラリーとして、平均粒径７４ｎｍ〜１００ｎｍのシリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用い」との発明特定事項と、引用発明２を対比する。
　引用発明２では、「粗研磨」（「１次研磨」に対応）において「平均粒径が０．５μｍを超え２．０μｍ以下のコロイダルシリカとアルカリ溶液を混合して生成した研磨液」を用いており、当該「研磨液」は「シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液」であるといえる。
　他方、引用発明２は、当該「研磨液」に含まれるコロイダルシリカ（シリカ砥粒）の平均粒径が「７４ｎｍ〜１００ｎｍ」であるとは特定しない。
　そうすると、本願発明１と引用発明２は、「前記１次研磨を行う工程において、前記第１の砥粒を含むスラリーとして、シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用い」る点において共通し、後述する相違点２−２において相違するといえる。
　ｇ　本願発明１の「前記２次研磨を行う工程において、前記第２の砥粒を含むスラリーとして、平均粒径２０ｎｍ〜４０ｎｍのシリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用いる」との発明特定事項と、引用発明２を対比する。
　引用発明２では、「仕上げ研磨」（「２次研磨」に対応）において「平均粒径が０〜０．５μｍ（０μｍを含まず）のコロイダルシリカとアルカリ溶液を混合して生成した研磨液」を用いており、当該「研磨液」は「シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液」であるといえる。
　他方、引用発明２は、当該「研磨液」に含まれるコロイダルシリカ（シリカ砥粒）の平均粒径が「２０ｎｍ〜４０ｎｍ」であるとは特定しない。
　そうすると、本願発明１と引用発明２は、「前記２次研磨を行う工程において、前記第２の砥粒を含むスラリーとして、シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用い」る点において共通し、後述する相違点２−３において相違するといえる。
　ｈ　以上から、本願発明１と引用発明２は、下記（ａ）の点で一致し、下記（ｂ）の点で相違すると認める。
（ａ）一致点
　「ウェーハの製造方法であって、
　研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤間でシリコンウェーハを保持するキャリアとを具備する両面研磨装置を用い、第１の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記シリコンウェーハの両面を研磨する１次研磨を行う工程と、
　前記両面研磨装置を用い、前記第１の砥粒より平均粒径の小さい第２の砥粒を含むスラリーを供給しながら、前記１次研磨を行った後のシリコンウェーハの両面を研磨する２次研磨を行う工程と、
を有し、
　前記１次研磨と前記２次研磨を同一の両面研磨装置の同じ研磨布を用いてスラリーを変更して引き続いて行い、
　前記１次研磨を行う工程において、前記第１の砥粒を含むスラリーとして、シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用い、
　前記２次研磨を行う工程において、前記第２の砥粒を含むスラリーとして、シリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用いることを特徴とするウェーハの製造方法。」
（ｂ）相違点
　・相違点２−１
　本願発明１は、「前記２次研磨を行った後のシリコンウェーハ表面に片面ＣＭＰ研磨を行うことなくエピタキシャル層を成長させる工程」を有する「エピタキシャルウエーハの製造方法」であり、「２次研磨」のあと、「更に引き続いて洗浄後にエピタキシャル成長を行」うものであるのに対し、引用発明２はこれらの構成を特定しない点。
　・相違点２−２
　本願発明１では、「１次研磨」において用いられるスラリーに含まれるシリカ砥粒の平均粒径が「７４ｎｍ〜１００ｎｍ」であるのに対し、引用発明２では、「１次研磨」（粗研磨）において用いられるスラリー（研磨液）に含まれるシリカ砥粒（コロイダルシリカ）の平均粒径が「０．５μｍを超え２．０μｍ以下」である点。
　・相違点２−３
　本願発明１では、「２次研磨」において用いられるスラリーに含まれるシリカ砥粒の平均粒径が「２０ｎｍ〜４０ｎｍ」であるのに対し、引用発明２では、「２次研磨」（仕上げ研磨）において用いられるスラリー（研磨液）に含まれるシリカ砥粒（コロイダルシリカ）の平均粒径が「０〜０．５μｍ（０μｍを含まず）」である点。
（イ）判断
　相違点２−１ないし２−３について、併せて検討する。
　引用文献１ないし６には、相違点２−１ないし２−３に係る構成を併せ持った構成については、記載も示唆もされていない。
　そして、本願発明１は、相違点２−１ないし２−３に係る構成を併せ持つことにより、「フラットネスを維持しつつ、片面ＣＭＰ研磨を行った場合と同レベルまで欠陥数を低減させることができる」（本願明細書の段落【００７６】）という、引用文献１ないし６に記載された発明からは予測することのできない格別の効果を奏するものである。
　したがって、本願発明１は、引用発明２並びに引用文献１及び引用文献３ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　オ　本願発明１についてのまとめ
　以上より、本願発明１は、引用文献１に記載された発明（引用発明１−１ないし１−３）、引用文献２に記載された発明（引用発明２）、及び引用文献３ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（２）本願発明２及び３について
　本願発明２及び３は、本願発明１の発明特定事項を全て備えたものである。
　そうすると、本願発明１が、引用文献１に記載された発明（引用発明１−１ないし１−３）、引用文献２に記載された発明（引用発明２）、及び引用文献３ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願発明２及び３は、引用文献１に記載された発明（引用発明１−１ないし１−３）、引用文献２に記載された発明（引用発明２）、及び引用文献３ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
第７　原査定についての判断
　上記のとおり、本願発明１ないし３は、引用文献１ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第８　当審拒絶理由についての判断
　１　理由１（進歩性）について
　上記のとおり、本願発明１ないし３は、引用文献１、２、４及び５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、当審拒絶理由の「理由１」によっては、本願を拒絶することはできない。
　２　理由２（明確性）について
　当審拒絶理由の「２．理由２（明確性）について」において、本願の請求項５に係る発明は明確でない旨が指摘された。
　これに対し、平成２９年８月２２日付け手続補正により、請求項５が削除されたため、当審拒絶理由の「理由２」は解消した。
　３　当審拒絶理由についてのまとめ
　以上のとおり、当審拒絶理由の「理由１」及び「理由２」によっては、本願を拒絶することはできない。
　そうすると、もはや、当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第９　結言
　以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。