(57)【要約】【目的】面積密度計算と近接効果補正計算とを効率的に行なう。【構成】描画装置１００は、ショット数が略同一になる不均一サイズで第１のブロック領域に分割するブロック領域分割部１２２と、さらに小さい各小領域のパターン面積密度を計算する面積密度計算部１２６と、第１のブロック領域毎に、記憶されたサイズ情報が示すサイズが当該第１のブロック領域のサイズより大きいか判定するサイズ判定部１２７と、大きい場合に当該第１のブロック領域のサイズで、その他の領域はサイズ情報のサイズで、改めて第２のブロック領域に分割するブロック領域分割部１３２と、第２のブロック領域毎に、近接効果補正照射量をパターン面積密度を用いて計算する近接効果補正計算部１３０と、ビーム照射量を近接効果補正照射量を用いて計算する照射量計算部１３４と、計算されたビーム照射量で描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
2011100818.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで描画領域を複数の第１のブロック領域に分割する第１のブロック領域分割部と、
前記描画領域を前記第１のブロック領域のいずれよりも小さい所定のサイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域を用いて、前記第１のブロック領域毎に、内部に位置する各小領域のパターン面積密度を計算する面積密度計算部と、
前記小領域より大きなサイズを示すサイズ情報を記憶する記憶部と、
前記第１のブロック領域毎に、前記サイズ情報が示すサイズが当該第１のブロック領域のサイズより大きいかどうかを判定する判定部と、
大きいと判定された場合に当該第１のブロック領域と重なる領域については当該第１のブロック領域のサイズで、その他の領域については前記サイズ情報が示すサイズで、前記描画領域を改めて複数の第２のブロック領域に分割する第２のブロック領域分割部と、
前記第２のブロック領域毎に、前記第２のブロック領域内部に位置する各小領域における近接効果補正照射量を対応する前記小領域のパターン面積密度を用いて計算する補正照射量計算部と、
各小領域における荷電粒子ビームのビーム照射量を対応する前記小領域の近接効果補正照射量を用いて計算するビーム照射量計算部と、
前記小領域毎に計算されたビーム照射量で前記荷電粒子ビームを照射して、試料に所定のパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで描画領域を複数の第１のブロック領域に分割する第１のブロック領域分割部と、
前記描画領域を前記第１のブロック領域のいずれよりも小さい所定のサイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域を用いて、２以上の第１のブロック領域の組毎に並列的に当該組の第１のブロック領域内部に位置する各小領域のパターン面積密度を計算する面積密度計算部と、
前記小領域より大きなサイズを示すサイズ情報を記憶する記憶部と、
並列的に計算がおこなわれる前記第１のブロック領域の組毎に、前記サイズ情報が示すサイズが当該組の合計領域のサイズより大きいかどうかを判定する判定部と、
大きいと判定された場合に当該組と重なる領域については当該組の合計領域のサイズで、その他の領域については前記サイズ情報が示すサイズで、前記描画領域を改めて複数の第２のブロック領域に分割する第２のブロック領域分割部と、
前記第２のブロック領域毎に、前記第２のブロック領域内部に位置する各小領域における近接効果補正照射量を対応する前記小領域のパターン面積密度を用いて計算する補正照射量計算部と、
各小領域における荷電粒子ビームのビーム照射量を対応する前記小領域の近接効果補正照射量を用いて計算するビーム照射量計算部と、
前記小領域毎に計算されたビーム照射量で前記荷電粒子ビームを照射して、試料に所定のパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記複数の第２のブロック領域に分割された前記描画領域を改めて前記複数の第１のブロック領域に分割し直す第３のブロック領域分割部をさらに備え、
前記ビーム照射量計算部は、前記第１のブロック領域内部に位置する各小領域の近接効果補正照射量を用いて前記ビーム照射量を計算することを特徴とする請求項１又は２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで描画領域を複数の第１のブロック領域に分割する工程と、
前記描画領域を前記第１のブロック領域のいずれよりも小さい所定のサイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域を用いて、前記第１のブロック領域毎に、内部に位置する各小領域のパターン面積密度を計算する工程と、
前記小領域より大きなサイズを示すサイズ情報を記憶装置に記憶する工程と、
前記第１のブロック領域毎に、前記サイズ情報が示すサイズが当該第１のブロック領域のサイズより大きいかどうかを判定する工程と、
大きいと判定された場合に当該第１のブロック領域と重なる領域については当該第１のブロック領域のサイズで、その他の領域については前記サイズ情報が示すサイズで、前記描画領域を改めて複数の第２のブロック領域に分割する工程と、
前記第２のブロック領域毎に、前記第２のブロック領域内部に位置する各小領域における近接効果補正照射量を対応する前記小領域のパターン面積密度を用いて計算する工程と、
各小領域における荷電粒子ビームのビーム照射量を対応する前記小領域の近接効果補正照射量を用いて計算する工程と、
前記小領域毎に計算されたビーム照射量で前記荷電粒子ビームを照射して、試料に所定のパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項５】
描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで描画領域を複数の第１のブロック領域に分割する工程と、
前記描画領域を前記第１のブロック領域のいずれよりも小さい所定のサイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域を用いて、２以上の第１のブロック領域数単位毎に並列的に前記単位の当該第１のブロック領域内部に位置する各小領域のパターン面積密度を計算する工程と、
前記小領域より大きなサイズを示すサイズ情報を記憶装置に記憶する工程と、
並列的に計算がおこなわれる前記第１のブロック領域の組毎に、前記サイズ情報が示すサイズが当該組の合計領域のサイズより大きいかどうかを判定する工程と、
大きいと判定された場合に当該組と重なる領域については当該組の合計領域のサイズで、その他の領域については前記サイズ情報が示すサイズで、前記描画領域を改めて複数の第２のブロック領域に分割する工程と、
前記第２のブロック領域毎に、前記第２のブロック領域内部に位置する各小領域における近接効果補正照射量を対応する前記小領域のパターン面積密度を用いて計算する工程と、
各小領域における荷電粒子ビームのビーム照射量を対応する前記小領域の近接効果補正照射量を用いて計算する工程と、
前記小領域毎に計算されたビーム照射量で前記荷電粒子ビームを照射して、試料に所定のパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、近接効果による寸法変動を補正する荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図１３は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。まず、第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向される。そして、可変成形開口４２１の一部を通過して、ステージ上に搭載された試料に照射される。ステージは、描画中、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動している。このように、開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、試料３４０の描画領域に描画される。開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
【０００４】
上述した電子ビーム描画では、より高精度な試料面内、例えばマスク面内の線幅均一性が求められている。ここで、かかる電子ビーム描画では、電子ビームをレジストが塗布されたマスクに照射して回路パターンを描画する場合、電子ビームがレジスト層を透過してその下の層に達し、再度レジスト層に再入射する後方散乱による近接効果と呼ばれる現象が生じてしまう。これにより、描画の際、所望する寸法からずれた寸法に描画されてしまう寸法変動が生じてしまう。
【０００５】
描画するための照射量は、かかる近接効果を補正する量となっている。近接効果補正計算には、メッシュ状の小領域毎のパターンの面積密度が必要となる。ここで、かかる計算を行なうにあたって、本願発明者は以前に次のような手法を提案した。具体的には、一方で、チップ領域をショット数が同程度となるように大きさの異なる複数の計算領域（ブロック）に分割して、この不均一なブロック毎に面積密度計算を行ない、他方で、チップ領域を予め設定されたサイズで均等に複数のブロックに分割して、この均等サイズのブロック毎に近接効果補正計算を行なうものである（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−０６４８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１記載の手法では、チップの最初の部分を演算する際や、疎なパターンで構成される領域から密なパターンで構成される領域へと近接効果補正計算の計算領域が移った際等に、必要領域の面積密度計算が追いつかない場合が発生し得ることを本願発明者は見出した。かかる状況では、必要領域の面積密度計算が完了するまで近接効果補正計算が停滞してしまうといった問題が発生し得る。よって、かかる問題を解決すべくさらなる改良が必要となった。
【０００８】
そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、パターン面積密度計算と近接効果補正計算とを効率的に行なうことが可能な描画装置及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで描画領域を複数の第１のブロック領域に分割する第１のブロック領域分割部と、
描画領域を第１のブロック領域のいずれよりも小さい所定のサイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域を用いて、第１のブロック領域毎に、内部に位置する各小領域のパターン面積密度を計算する面積密度計算部と、
小領域より大きなサイズを示すサイズ情報を記憶する記憶部と、
第１のブロック領域毎に、サイズ情報が示すサイズが当該第１のブロック領域のサイズより大きいかどうかを判定する判定部と、
大きいと判定された場合に当該第１のブロック領域と重なる領域については当該第１のブロック領域のサイズで、その他の領域についてはサイズ情報が示すサイズで、描画領域を改めて複数の第２のブロック領域に分割する第２のブロック領域分割部と、
第２のブロック領域毎に、第２のブロック領域内部に位置する各小領域における近接効果補正照射量を対応する小領域のパターン面積密度を用いて計算する補正照射量計算部と、
各小領域における荷電粒子ビームのビーム照射量を対応する小領域の近接効果補正照射量を用いて計算するビーム照射量計算部と、
小領域毎に計算されたビーム照射量で荷電粒子ビームを照射して、試料に所定のパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
かかる構成によれば、第２のブロック領域は、当該領域に対応する第１のブロック領域よりも領域サイズが大きくならない。そのため、当該第１のブロック領域でのパターン面積密度の計算さえ終了すれば、当該第２のブロック領域で近接効果補正照射量を計算する際に他の領域の計算結果は不要である。よって、他の領域の計算終了を待つための時間が不要となるので、第２のブロック領域で近接効果補正照射量を計算する際の待ち時間を無くすことができる。さらに、第２のブロック領域のサイズが、サイズ情報が示すサイズなら当初予定された計算時間で近接効果補正照射量を計算できる。
【００１１】
本発明の他の態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで描画領域を複数の第１のブロック領域に分割する第１のブロック領域分割部と、
描画領域を第１のブロック領域のいずれよりも小さい所定のサイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域を用いて、２以上の第１のブロック領域の組毎に並列的に当該組の第１のブロック領域内部に位置する各小領域のパターン面積密度を計算する面積密度計算部と、
小領域より大きなサイズを示すサイズ情報を記憶する記憶部と、
並列的に計算がおこなわれる第１のブロック領域の組毎に、サイズ情報が示すサイズが当該組の合計領域のサイズより大きいかどうかを判定する判定部と、
大きいと判定された場合に当該組と重なる領域については当該組の合計領域のサイズで、その他の領域についてはサイズ情報が示すサイズで、描画領域を改めて複数の第２のブロック領域に分割する第２のブロック領域分割部と、
第２のブロック領域毎に、第２のブロック領域内部に位置する各小領域における近接効果補正照射量を対応する小領域のパターン面積密度を用いて計算する補正照射量計算部と、
各小領域における荷電粒子ビームのビーム照射量を対応する小領域の近接効果補正照射量を用いて計算するビーム照射量計算部と、
小領域毎に計算されたビーム照射量で荷電粒子ビームを照射して、試料に所定のパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
かかる構成によれば、第２のブロック領域は、当該領域に対応する並列的に計算がおこなわれる第１のブロック領域の組の合計領域よりもサイズが大きくならない。そのため、当該組でのパターン面積密度の計算さえ終了すれば、当該第２のブロック領域で近接効果補正照射量を計算する際に他の組の計算結果は不要である。よって、他の組の計算終了を待つための時間が不要となるので、第２のブロック領域で近接効果補正照射量を計算する際の待ち時間を無くすことができる。さらに、第２のブロック領域のサイズが、サイズ情報が示すサイズなら当初予定された計算時間で近接効果補正照射量を計算できる。
【００１３】
また、複数の第２のブロック領域に分割された描画領域を改めて複数の第１のブロック領域に分割し直す第３のブロック領域分割部をさらに備え、
ビーム照射量計算部は、第１のブロック領域内部に位置する各小領域の近接効果補正照射量を用いてビーム照射量を計算すると好適である。
【００１４】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで描画領域を複数の第１のブロック領域に分割する工程と、
描画領域を第１のブロック領域のいずれよりも小さい所定のサイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域を用いて、第１のブロック領域毎に、内部に位置する各小領域のパターン面積密度を計算する工程と、
小領域より大きなサイズを示すサイズ情報を記憶装置に記憶する工程と、
第１のブロック領域毎に、サイズ情報が示すサイズが当該第１のブロック領域のサイズより大きいかどうかを判定する工程と、
大きいと判定された場合に当該第１のブロック領域と重なる領域については当該第１のブロック領域のサイズで、その他の領域についてはサイズ情報が示すサイズで、描画領域を改めて複数の第２のブロック領域に分割する工程と、
第２のブロック領域毎に、第２のブロック領域内部に位置する各小領域における近接効果補正照射量を対応する小領域のパターン面積密度を用いて計算する工程と、
各小領域における荷電粒子ビームのビーム照射量を対応する小領域の近接効果補正照射量を用いて計算する工程と、
小領域毎に計算されたビーム照射量で荷電粒子ビームを照射して、試料に所定のパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１５】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで描画領域を複数の第１のブロック領域に分割する工程と、
描画領域を第１のブロック領域のいずれよりも小さい所定のサイズでメッシュ状に仮想分割された複数の小領域を用いて、２以上の第１のブロック領域数単位毎に並列的に単位の当該第１のブロック領域内部に位置する各小領域のパターン面積密度を計算する工程と、
小領域より大きなサイズを示すサイズ情報を記憶装置に記憶する工程と、
並列的に計算がおこなわれる第１のブロック領域の組毎に、サイズ情報が示すサイズが当該組の合計領域のサイズより大きいかどうかを判定する工程と、
大きいと判定された場合に当該組と重なる領域については当該組の合計領域のサイズで、その他の領域についてはサイズ情報が示すサイズで、描画領域を改めて複数の第２のブロック領域に分割する工程と、
第２のブロック領域毎に、第２のブロック領域内部に位置する各小領域における近接効果補正照射量を対応する小領域のパターン面積密度を用いて計算する工程と、
各小領域における荷電粒子ビームのビーム照射量を対応する小領域の近接効果補正照射量を用いて計算する工程と、
小領域毎に計算されたビーム照射量で荷電粒子ビームを照射して、試料に所定のパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、パターン面積密度計算と近接効果補正計算とについて、どちらもブロック領域毎の計算時間のばらつきを回避すると共に、近接効果補正計算の待ち時間を無くすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図３】実施の形態１におけるショット数が互いに略同一なブロック領域の一例を示す図である。
【図４】実施の形態１におけるショット数が互いに略同一なあるブロック領域がメッシュ分割された一例を示す図である。
【図５】均一なサイズのブロック領域の一例を示す図である。
【図６】実施の形態１における近接効果補正計算用のブロック領域サイズの決定方法を示す概念図である。
【図７】実施の形態１における近接効果補正計算用のブロック領域サイズの決定方法を示す他の概念図である。
【図８】実施の形態１における近接効果補正計算用のブロック領域の一例を示す概念図である。
【図９】実施の形態１における近接効果補正計算用のブロック領域がメッシュ分割された一例を示す図である。
【図１０】実施の形態２におけるショット数が互いに略同一なブロック領域の一例を示す図である。
【図１１】実施の形態２における近接効果補正計算用のブロック領域サイズの決定方法を示す概念図である。
【図１２】実施の形態２における近接効果補正計算用のブロック領域サイズの決定方法を示す他の概念図である。
【図１３】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子を用いたビームでも構わない。
【００１９】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例となる。そして、描画装置１００は、試料１０１に所望するパターンを描画する。描画部１５０は、電子鏡筒１０２、描画室１０３を有している。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、ブランキング（ＢＬＫ）偏向器２１２、ブランキング（ＢＬＫ）アパーチャ２１４、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８が配置されている。また、描画室１０３内には、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５が配置されている。また、ＸＹステージ１０５上には、試料１０１が配置されている。試料１０１として、例えば、ウェハにパターンを転写する露光用のマスク基板が含まれる。マスク基板としては、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。制御部１６０は、駆動回路１０８、磁気ディスク装置１０９，１４０、偏向制御回路１１０、デジタルアナログ変換機（ＤＡＣ）１１２，１１４，１１６、制御計算機１２０、及びメモリ１２１を有している。制御計算機１２０内では、ブロック領域分割部１２２，１２８，１３２、メッシュ分割部１２４、面積密度計算部１２６、サイズ判定部１２７、近接効果補正計算部１３０、照射量計算部１３４、照射時間計算部１３６、及び描画データ処理部１３８といった各機能を有している。制御計算機１２０には、磁気ディスク装置１０９に記憶された描画データが入力される。制御計算機１２０に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ１２１に記憶される。
【００２０】
制御計算機１２０には、メモリ１２１、偏向制御回路１１０、記憶装置の一例となる磁気ディスク装置１０９，１４０が図示していないバスを介して接続されている。偏向制御回路１１０は、ＤＡＣ１１２，１１４，１１６に接続される。ＤＡＣ１１２は、ＢＬＫ偏向器２１２に接続されている。ＤＡＣ１１４は、偏向器２０５に接続されている。ＤＡＣ１１６は、偏向器２０８に接続されている。
【００２１】
図１では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。また、ブロック領域分割部１２２，１２８，１３２、メッシュ分割部１２４、面積密度計算部１２６、サイズ判定部１２７、近接効果補正計算部１３０、照射量計算部１３４、照射時間計算部１３６、及び描画データ処理部１３８といった各機能はソフトウェアにより構成され、その処理をコンピュータに実行させるようにしてもよい。或いは、電気的な回路によるハードウェアにより実施させても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。なお、ソフトウェアにより実施する場合でもハードウェアにより実施させる場合でも、面積密度計算部１２６が行なう動作内容は、複数のＣＰＵ３０（ａ，ｂ，・・・ｎ）によって並列的に実行される。同様に、近接効果補正計算部１３０が行なう動作内容は、複数のＣＰＵ３２（ａ，ｂ，・・・ｋ）によって並列的に実行される。
【００２２】
照射部の一例となる電子銃２０１から電子ビーム２００が照射される。電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。その結果、電子ビーム２００は成形される。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向器２０８により偏向される。その結果、連続移動するＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。ＸＹステージ１０５は、パターンの粗密に応じて可変速で移動すると効率的である。ＸＹステージ１０５の移動は、駆動回路１０８によって駆動される。偏向器２０５の偏向電圧は、偏向制御回路１１０及びＤＡＣ１１４によって制御される。偏向器２０８の偏向電圧は、偏向制御回路１１０及びＤＡＣ１１６によって制御される。
【００２３】
ここで、試料１０１上の電子ビーム２００が、所望する照射量を試料１０１に入射させる照射時間ｔに達した場合、以下のようにブランキングする。すなわち、試料１０１上に必要以上に電子ビーム２００が照射されないようにするため、例えば静電型のＢＬＫ偏向器２１２で電子ビーム２００を偏向すると共にＢＬＫアパーチャ２１４で電子ビーム２００をカットする。これにより、電子ビーム２００が試料１０１面上に到達しないようにする。ＢＬＫ偏向器２１２の偏向電圧は、偏向制御回路１１０及びＤＡＣ１１２によって制御される。
【００２４】
ビームＯＮ（ブランキングＯＦＦ）の場合、電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、図１における実線で示す軌道を進むことになる。一方、ビームＯＦＦ（ブランキングＯＮ）の場合、電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、図１における点線で示す軌道を進むことになる。また、電子鏡筒１０２内および描画室１０３内は、図示していない真空ポンプにより真空引きされ、大気圧よりも低い圧力となる真空雰囲気となっている。
【００２５】
ここで、パターン面積密度計算及び近接効果補正計算では、チップ領域をそれぞれ所定の大きさの計算領域（ブロック）に分割して、このブロック毎に計算を行なう。計算を行なうには、ブロックをさらに小さくメッシュ状の小領域に分割して計算される。また、この小領域によって切り取られる内部の図形の面積を累積加算したパターン面積密度を小領域の位置で定義したパターン面積密度マップがブロック毎に作成される。そして、近接効果補正計算では、このパターン面積密度マップが用いられる。
【００２６】
まず、パターン面積密度計算の計算時間は、ショット数に比例する。そのため、同じ大きさのブロックでは、ショット数にばらつきが生じるためブロック毎の計算時間がばらばらとなり効率的に計算できない。そこで、各ブロックに含まれるショット数が同程度になるようにブロックの大きさを変えることにより各ブロック間での計算時間を同程度にすることができる。
【００２７】
一方、近接効果補正計算の計算時間は、メッシュ状の小領域数に比例する。そのため、ブロックのサイズが大きい領域では計算時間が長くなり、ブロックのサイズが小さい領域では計算時間が逆に短くなる。よって、パターン面積密度の計算のためにブロックサイズを不均一にすると近接効果補正計算では、ブロック毎の計算時間がばらばらとなり効率的に計算することが困難となる。そのため、近接効果補正計算では、従来、予め、所定のサイズを装置に設定し、設定されたサイズで均一にチップ領域を複数のブロックに分割していた。しかし、上述したように、チップの最初の部分を演算する際や、疎なパターンで構成される領域から密なパターンで構成される領域へと近接効果補正計算の計算領域が移った際等に、必要領域の面積密度計算が追いつかない場合が発生し得る。かかる状況では、必要領域の面積密度計算が完了するまで近接効果補正計算が停滞してしまう。そこで、実施の形態１では、必要に応じて、近接効果補正計算用のブロックサイズを変更する。
【００２８】
図２は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
まず、制御計算機１２０は、磁気ディスク装置１０９から描画データを読み込む。そして、その描画データを使って以下のような演算が各ステップで行なわれる。
【００２９】
Ｓ（ステップ）１０２において、ブロック分割工程として、ブロック領域分割部１２２（第１のブロック領域分割部）は、描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで描画領域を複数のブロック領域（第１のブロック領域）に分割する。ここでは完全に同一でなくてもよく、実質的に同程度であればよい。例えば、ブロック領域間での計算時間の違いが５％程度以内となるように分割されると好適である。また、各サイズは、該当するブロック領域での面積密度計算が、後述する近接効果補正計算が停滞しなければ描画動作を停滞させないようなサイズであると好適である。
【００３０】
図３は、実施の形態１におけるショット数が互いに略同一なブロック領域の一例を示す図である。
図３において、描画領域となるチップ領域１０は、まず、短冊状のフレーム領域１２（或いはストライプ領域ともいう）に仮想分割される。各フレーム領域１２は、偏向器２０８で偏向可能な幅で分割される。そして、各フレーム領域１２は、描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで分割される。この不均一なサイズで分割された各領域がブロック領域１４となる。ここで、図３では、ブロック領域１４に分割する際に各フレーム領域１２を長手方向に分割しただけであるが、これに限るものではなく、各フレーム領域１２を短手方向にさらに分割してもよい。図３では、描画開始位置となるフレーム１２端の基準位置１９から順に例えばＡ〜Ｓで示すサイズの複数のブロック領域１４に分割される。
【００３１】
Ｓ１０４において、ショットデータ生成工程として、描画データ処理部１３８は、描画データを装置内フォーマットのショットデータへと変換する。その際、ブロック領域１４毎に変換する。
【００３２】
また、チップ領域１０は、メッシュ分割部１２４によって、複数のブロック領域１４のいずれよりも小さい所定のサイズでメッシュ状の複数の小領域に仮想分割される。
【００３３】
図４は、実施の形態１におけるショット数が互いに略同一なあるブロック領域がメッシュ分割された一例を示す図である。チップ領域１０は、メッシュ状の複数の小領域２０に振り分けられる。図４では、チップ領域１０のうち、任意のブロック領域１４について示している。メッシュサイズは、近接効果の影響範囲σの１／１０以下が望ましい。例えば、縦横１μｍ幅以下のグリッド寸法でメッシュ分割されると好適である。
【００３４】
Ｓ１０６において、面積密度計算工程として、面積密度計算部１２６は、上述した複数の小領域２０を用いて、ブロック領域１４毎に、内部に位置する各小領域２０のパターン面積密度ρ（ｘ，ｙ）を計算する。ここでは、面積密度計算部１２６内で、ブロック領域１４毎に分散処理を行なう。言い換えれば、面積密度計算に割当てられた複数のＣＰＵ３０ａ〜３０ｎを用いて、並列的に計算される。例えば、１つのＣＰＵ３０で１つのブロック領域１４分について計算される。よって、例えば、３つのＣＰＵ３０が面積密度計算用に配置されていれば、３つのブロック領域１４が同時期に並列的に計算が実行される。例えば、図３のＡ〜Ｃで示す３つのブロック領域１４が同時期に並列的に計算が実行される。そして、かかる計算終了後、次に、図３のＤ〜Ｆで示す３つのブロック領域１４が同時期に並列的に計算が実行される。かかる動作を全てのブロック領域１４について面積密度計算が終了するまで繰り返される。
【００３５】
座標（ｘ，ｙ）は、例えば、ブロック領域１４の基準位置からの小領域２０の位置で定義する。但し、これに限るものではなく、チップ領域１０の基準位置１９からの小領域２０の位置で定義しても構わない。或いは、その他の位置を基準しても構わない。パターン面積密度ρ（ｘ，ｙ）は、小領域２０内部に位置する図形の面積を累積加算した値を該当する小領域２０の面積で割った値で示すことができる。ショット数が互いに略同一になるようなブロック領域１４を使うため、ブロック領域１４間の計算時間を同程度にすることができる。そして、面積密度計算部１２６は、計算されたパターン面積密度ρ（ｘ，ｙ）を用いて、小領域２０の位置で定義されたパターン面積密度マップ１４２を作成する。そして、パターン面積密度マップ１４２は、磁気ディスク装置１４０に格納される。しかし、このまま近接効果補正計算を行なったのではブロック領域１４間の計算時間を同程度にすることができないので以下のように対応する。
【００３６】
Ｓ１０７において、サイズ判定工程として、サイズ判定部１２７は、磁気ディスク装置１４０からサイズ情報を読み出し、ブロック領域１４毎に、サイズ情報１４６が示すサイズが当該ブロック領域１４のサイズより大きいかどうかを判定する。サイズ情報１４６は、予め、描画装置１００に設定され、磁気ディスク装置１４０に格納される。サイズ情報１４６は、例えば、描画装置１００の外部から入力され、磁気ディスク装置１４０に格納される。或いは、描画装置１００内で計算されたサイズがサイズ情報１４６として磁気ディスク装置１４０に格納されてもよい。サイズ情報１４６が示すサイズは、小領域２０より大きなサイズを示す。サイズ情報１４６が示すサイズは、例えば、描画速度が最大速度となるステージ速度でＸＹステージ１０５が移動した場合でも、必要領域のパターン面積密度が計算済みであれば、該当するブロック領域での近接効果補正計算が描画動作を停滞させないようなサイズであると好適である。かかるサイズは、例えば、フレーム幅よりも大きなサイズとなる。
【００３７】
図５は、均一なサイズのブロック領域の一例を示す図である。
図５において、描画領域となるチップ領域１０は、上述したように、短冊状のフレーム領域１２に仮想分割されている。そして、各フレーム領域１２が、サイズ情報１４６で示されたサイズｍで均一に分割された場合、この均一なサイズで分割された各領域が近接効果補正計算用のブロック領域１６となる。しかし、これでは、上述したように近接効果補正計算の停滞が生じ得る。そこで、実施の形態１では、サイズ判定工程（Ｓ１０７）の結果に応じて、以下のように分割し直す。
【００３８】
Ｓ１０８において、ブロック領域再分割工程として、ブロック領域分割部１２８（第２のブロック領域分割部）は、サイズ判定工程（Ｓ１０７）において、大きいと判定された場合に当該ブロック領域１４と重なる領域については当該ブロック領域１４のサイズで、その他の領域についてはサイズ情報１４６が示すサイズｍで、チップ領域１０（描画領域）を改めて複数のブロック領域１８（第２のブロック領域）に分割し直す。
【００３９】
図６は、実施の形態１における近接効果補正計算用のブロック領域サイズの決定方法を示す概念図である。サイズ判定工程（Ｓ１０７）において、サイズ情報１４６が示すサイズｍのブロック領域１６が面積密度計算用の当該ブロック領域１４より大きい場合、近接効果補正計算用のブロック領域１８のサイズを面積密度計算用の当該ブロック領域１４のサイズとする。
【００４０】
図７は、実施の形態１における近接効果補正計算用のブロック領域サイズの決定方法を示す他の概念図である。サイズ判定工程（Ｓ１０７）において、サイズ情報１４６が示すサイズｍのブロック領域１６が面積密度計算用の当該ブロック領域１４より大きくない場合、近接効果補正計算用のブロック領域１８のサイズをサイズｍとする。
【００４１】
近接効果補正計算用のブロック領域１８が面積密度計算用の当該ブロック領域１４より大きい場合、近接効果補正計算を行なう際に必要な複数のブロック領域１４の面積密度計算が終了していないことも起こりえる。しかし、近接効果補正計算用のブロック領域１８が面積密度計算用の当該ブロック領域１４と同じ領域であれば当該１つのブロック領域１４の面積密度計算が終了しさえすれば他の領域の結果を待たずに済むので近接効果補正計算の停滞はない。特に、上述したように、面積密度計算を並列計算する場合に、必要なすべてのブロック領域１４が同時期に計算されるようにＣＰＵ３０が割り当てられない場合に近接効果補正計算の停滞が生じ得る。もちろん、面積密度計算を並列計算しない場合には、必要なすべてのブロック領域１４が同時期に計算されないので近接効果補正計算の停滞が生じ得る。かかる停滞は、チップの最初の部分を演算する際や、疎なパターン領域から密なパターン領域へとブロック領域が移った際に、顕著に発生し得る。
【００４２】
そこで、実施の形態１では、サイズ情報１４６が示すサイズｍのブロック領域１６が面積密度計算用の当該ブロック領域１４より大きい場合、近接効果補正計算用のブロック領域１８のサイズを当該ブロック領域１４より大きくしないようにする。これにより、近接効果補正計算用の１つのブロック領域１８を計算するにあたって、必要な面積密度計算用のブロック領域１４が複数にならずに済む。よって、並列計算する場合でも、しない場合でも必要なブロック領域１４の面積密度計算を同時期に終了させることができる。よって、近接効果補正計算を停滞させないようにできる。
【００４３】
図８は、実施の形態１における近接効果補正計算用のブロック領域の一例を示す概念図である。かかるブロック領域再分割工程（Ｓ１０８）は、各フレーム領域１２の先頭側から順にサイズ判定工程（Ｓ１０７）を含めて行なっていく。まず、チップ領域１０の基準位置１９のフレーム領域１２ａの端部にあたる図３においてサイズＡで示されたブロック領域１４とサイズ情報１４６のサイズｍとを比較し、ここでは、Ａ＞ｍなのでサイズｍのブロック領域１８に分割する。かかるサイズｍのブロック領域１８の右下の角が次のブロック領域１８の基準位置となる。かかる基準位置から始まる領域は、まだ、サイズＡで示されたブロック領域１４の一部が重なった領域であるので、やはりＡ＞ｍなのでサイズｍとなりそうであるが、サイズＢで示されたブロック領域１４とも一部が重なる。そのため、サイズＢで示されたブロック領域１４とサイズ情報１４６のサイズｍとが比較され、ここでは、Ｂ＜ｍなので、より小さいサイズＢのブロック領域１８に分割する。
【００４４】
そして、かかるサイズＢのブロック領域１８の右下の角が次のブロック領域１８の基準位置となる。かかる基準位置から始まる領域は、まだ、サイズＢで示されたブロック領域１４の一部が重なった領域であるので、やはりＢ＜ｍなのでサイズＢとなりそうであるが、サイズＣで示されたブロック領域１４とも一部が重なる。そのため、サイズＣで示されたブロック領域１４とサイズ情報１４６のサイズｍとが比較され、ここでは、Ｃ＞ｍなので、より小さいサイズＢのブロック領域１８に分割する。
【００４５】
そして、かかる２つのサイズＢのブロック領域１８の右下の角が次のブロック領域１８の基準位置となる。かかる基準位置から始まる領域は、まだ、サイズＣで示されたブロック領域１４の一部が重なった領域であるので、やはりＣ＞ｍなのでサイズｍのブロック領域１８に分割する。
【００４６】
そして、かかるサイズｍのブロック領域１８の右下の角が次のブロック領域１８の基準位置となる。かかる基準位置から始まる領域は、まだ、サイズＣで示されたブロック領域１４の一部が重なった領域であるので、まずはＣ＞ｍなのでサイズｍとなりそうであるが、サイズＤで示されたブロック領域１４とも一部が重なる。そのため、サイズＤで示されたブロック領域１４とサイズ情報１４６のサイズｍとが比較され、ここでは、Ｄ＞ｍなので、いずれにしてもサイズｍのブロック領域１８に分割する。
【００４７】
そして、かかる２つ目のサイズｍのブロック領域１８の右下の角が次のブロック領域１８の基準位置となる。かかる基準位置から始まる領域は、まだ、サイズＤで示されたブロック領域１４の一部が重なった領域であるので、まずはＤ＞ｍなのでサイズｍとなりそうであるが、フレーム領域１２ａの最終端部までの領域がサイズｍに満たないので、残りのサイズＺ１のブロック領域１８に分割する。
【００４８】
以上のようにして、図８の例では、ブロック領域分割部１２８が、１番目のフレーム領域１２ａを、サイズｍ，Ｂ，Ｂ，ｍ，ｍ，Ｚ１と続く複数のブロック領域１８に分割する。同様に、２番目のフレーム領域１２ｂを、サイズＥ，ｍ，ｍ，ｍ，ｍ，Ｚ２と続く複数のブロック領域１８に分割する。同様に、３番目のフレーム領域１２ｃを、サイズＩ，ｍ，Ｋ，ｍ，ｍ，Ｚ３と続く複数のブロック領域１８に分割する。同様に、４番目のフレーム領域１２ｄを、サイズｍ，Ｏ，ｍ，Ｑ，Ｑ，Ｒ，Ｚ４と続く複数のブロック領域１８に分割する。
【００４９】
図９は、実施の形態１における近接効果補正計算用のブロック領域がメッシュ分割された一例を示す図である。チップ領域１０は、メッシュ状の複数の小領域２０に振り分けられているのでその複数の小領域２０がここでも当てはめられる。図９では、チップ領域１０のうち、任意のブロック領域１８について示している。
【００５０】
Ｓ１１０において、近接効果補正計算工程として、近接効果補正計算部１３０（補正照射量計算部）は、ブロック領域１８毎に、ブロック領域１８内部に位置する各小領域２０における近接効果補正照射量Ｄｐ（ｘ，ｙ）を、対応する小領域２０のパターン面積密度ρ（ｘ，ｙ）を用いて計算する。ここでは、近接効果補正計算部１３０内で、ブロック領域１８毎に、分散処理を行なう。言い換えれば、近接効果補正計算に割当てられた複数のＣＰＵ３２ａ〜３２ｋを用いて、並列的に計算される。例えば、１つのＣＰＵ３２で１つのブロック領域１８分について計算される。よって、例えば、３つのＣＰＵ３２が近接効果補正計算用に配置されていれば、３つのブロック領域１８が同時期に並列的に計算が実行される。例えば、図８の１番目のフレーム領域１２ａの先頭側からｍ，Ｂ，Ｂで示す３つのブロック領域１８が同時期に並列的に計算が実行される。そして、かかる計算終了後、次に、図８のｍ，ｍ，Ｚ１で示す３つのブロック領域１８が同時期に並列的に計算が実行される。かかる動作を全てのブロック領域１８について近接効果補正計算が終了するまで繰り返される。
【００５１】
ここでの（ｘ，ｙ）は、例えば、ブロック領域１８の基準位置からの小領域２０の位置で定義する。但し、これに限るものではなく、チップ領域１０の基準位置からの小領域２０の位置で定義しても構わない。或いは、その他の位置を基準しても構わない。近接効果補正計算部１３０は、磁気ディスク装置１４０からパターン面積密度マップ１４２を読み出す。そして、パターン面積密度マップ１４２から対応する小領域２０のパターン面積密度ρ（ｘ，ｙ）を参照すればよい。座標近接効果補正照射量Ｄｐは、以下の式（１）により求めることができる。
【００５２】
【数１】
2011100818.tif 000003
【００５３】
ここで、ｇ（ｘ，ｙ）は、近接効果に起因する変動量のカーネル関数を示す。式（１）で示すように、パターン面積密度ρ関数とカーネル関数との畳み込み積分（コンボリューション）計算を行い、近接効果補正係数ηを用いた係数を掛け合わせたものが近接効果補正照射量Ｄｐとして定義することができる。ここでいうカーネル関数とは、近接効果量の広がりを表す関数で、例えばガウス関数を用いると好適である。面積密度計算用のブロック領域１４のサイズの方が小さくならない限りは、サイズｍの均一なサイズのブロック領域１８を使うため、最大サイズとなるサイズｍのブロック領域１８間の計算時間を同程度にすることができる。さらに、面積密度計算用のブロック領域１４のサイズの方が小さい場合には、当該ブロック領域１４のサイズで計算されるので面積密度計算の遅れによる近接効果補正計算の待機を無くすことができる。
【００５４】
そして、近接効果補正計算部１３０は、計算された近接効果補正照射量Ｄｐ（ｘ，ｙ）を用いて、小領域２０の位置で定義された近接効果補正照射量マップ１４４を作成する。そして、近接効果補正照射量マップ１４４は、磁気ディスク装置１４０に格納される。
【００５５】
Ｓ１１２において、ブロック領域再分割工程として、ブロック領域分割部１３２（第３のブロック領域分割部）は、複数のブロック領域１８に分割されたチップ領域１０を改めて元の複数のブロック領域１４に分割し直す。近接効果補正照射量マップ１４４の座標がブロック領域１８の基準位置から定義されているのに対して、ショットデータは、ブロック領域１４で定義されるので、近接効果補正照射量Ｄｐ（ｘ，ｙ）とショットデータとの整合性をとるのに不便である。元の複数のブロック領域１４に分割し直すことで座標系を統一することで整合性をとりやすくすることができる。但し、ここでは利便性を向上させるために分割し直したが、これに限るものではなく、ブロック領域１８のままでも構わない。
【００５６】
Ｓ１１４において、ビーム照射量（Ｄｏｓｅ）計算工程として、照射量計算部１３４（ビーム照射量計算部）は、各小領域２０における電子ビーム２００のビーム照射量Ｄ（ｘ，ｙ）を対応する小領域２０の近接効果補正照射量Ｄｐ（ｘ，ｙ）を用いて計算する。照射量計算部１３４は、磁気ディスク装置１４０から近接効果補正照射量マップ１４４を読み出す。そして、近接効果補正照射量マップ１４４から対応する小領域２０の近接効果補正照射量Ｄｐ（ｘ，ｙ）を参照すればよい。このようにして、ブロック領域１４内部に位置する各小領域２０の近接効果補正照射量Ｄｐ（ｘ，ｙ）を用いてビーム照射量Ｄ（ｘ，ｙ）を計算する。ビーム照射量Ｄ（ｘ，ｙ）は、基準照射量Ｄ０を用いて以下の式（２）により求めることができる。
【００５７】
（２）  Ｄ（ｘ，ｙ）＝Ｄｐ（ｘ，ｙ）×Ｄ０
【００５８】
Ｓ１１６において、照射時間計算工程として、照射時間計算部１３６は、小領域２０毎に、得られた照射量Ｄ（ｘ，ｙ）と設定されている電流密度Ｊを用いて、照射時間ｔ（＝照射量Ｄ（ｘ，ｙ）／電流密度Ｊ）を計算する。
【００５９】
Ｓ１１８において、描画工程として、制御計算機１２０は、求めた照射時間ｔで試料１０１のへのビーム照射がＯＦＦになるように偏向制御回路１１０に信号を出力する。そして、偏向制御回路１１０では、かかる信号に沿って、求めた照射時間ｔに合わせて、電子ビーム２００を偏向するようにＢＬＫ偏向器２１２を制御する。そして、所望する照射量Ｄ（ｘ，ｙ）を試料１０１に照射した後、ＢＬＫ偏向器２１２により偏向された電子ビーム２００は、試料１０１に到達しないようにＢＬＫアパーチャ２１４によって遮蔽される。このようにして、描画部１５０は、小領域２０毎に計算されたビーム照射量で電子ビーム２００を照射する。これにより、試料１０１に所定のパターンを描画する。
【００６０】
以上のように、パターン面積密度計算と近接効果補正計算とで異なるブロック領域を用いる。そして、パターン面積密度計算では、ショット数が互いに略同一になるような第１のブロック領域を使う。他方、近接効果補正計算では、必要に応じてブロック領域１８のサイズを小さくしながら、残りの多くは予め設定された均一なサイズｍの第２のブロック領域を使う。これによりそれぞれ適したブロックで計算が可能となる。そのため、描画されるパターンに疎密があっても、パターン面積密度計算と近接効果補正計算とを効率よく実行することができる。さらに、チップの最初の部分を演算する際や、疎なパターンで構成される領域から密なパターンで構成される領域へと近接効果補正計算の計算領域が移った場合等でも近接効果補正計算処理の停滞を回避できる。その結果、データ量が膨大となっても描画装置１００で高速に処理することができる。
【００６１】
実施の形態２．
実施の形態１では、サイズ情報１４６が示すサイズｍが当該ブロック領域１４のサイズより大きい場合に当該ブロック領域１４のサイズで、その他の領域についてはサイズｍで、分割していたが、これに限るものではない。実施の形態２では、面積密度計算を並列的に行なう場合に、並列計算を行なうブロック領域同士を１つの組として判定に用いる構成について説明する。装置構成については図１と同様である。描画方法については図２と同様である。以下、特に説明の無い事項については実施の形態１と同様である。
【００６２】
まず、ブロック分割工程（Ｓ１０２）として、実施の形態１と同様、ブロック領域分割部１２２（第１のブロック領域分割部）は、描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで描画領域を複数のブロック領域（第１のブロック領域）に分割する。
【００６３】
図１０は、実施の形態２におけるショット数が互いに略同一なブロック領域の一例を示す図である。図１０において、描画領域となるチップ領域１０は、まず、短冊状のフレーム領域１２（或いはストライプ領域ともいう）に仮想分割される。各フレーム領域１２は、描画する際のショット数が互いに略同一になるように不均一なサイズで分割される。この不均一なサイズで分割された各領域がブロック領域１４となる。図１０では、点線で分割された各領域がブロック領域１４となる。そして、３つのブロック領域１４毎に実線で区別された様子を示している。かかる３つのブロック領域１４で１つの組２２を構成する。
【００６４】
そして、面積密度計算工程（Ｓ１０６）として、ブロック領域１４毎に、内部に位置する各小領域２０のパターン面積密度ρ（ｘ，ｙ）を計算する。その際、面積密度計算に割当てられた複数のＣＰＵ３０ａ〜３０ｎを用いて、各組２２を構成する複数のブロック領域１４が同時期に並列的に計算される。例えば、３つのＣＰＵ３０が面積密度計算用に配置されていれば、３つのブロック領域１４によって１つの組２２が構成され、かかる組２２内の３つのブロック領域１４が同時期に並列的に計算が実行される。例えば、図１０のＡで示す３つのブロック領域１４の組２２ａが同時期に並列的に計算が実行される。そして、かかる計算終了後、次に、図１０のＢで示す３つのブロック領域１４の組２２ｂが同時期に並列的に計算が実行される。かかる動作を全てのブロック領域１４の組について面積密度計算が終了するまで繰り返される。ここで、並列計算する組２２は、ＣＰＵの割り当て数に合わせて、２つ以上のブロック領域１４で構成される。
【００６５】
そして、サイズ判定工程（Ｓ１０７）として、サイズ判定部１２７は、磁気ディスク装置１４０からサイズ情報１４６を読み出し、並列的に計算がおこなわれるブロック領域１４の組２２毎に、サイズ情報１４６が示すサイズが当該組２２の合計領域のサイズより大きいかどうかを判定する。
【００６６】
そして、ブロック領域再分割工程（Ｓ１０８）として、ブロック領域分割部１２８（第２のブロック領域分割部）は、サイズ判定工程（Ｓ１０７）において、大きいと判定された場合に当該組２２と重なる領域については当該組２２の合計領域のサイズで、その他の領域についてはサイズ情報１４６が示すサイズで、チップ領域１０（描画領域）を改めて複数のブロック領域１８（第２のブロック領域）に分割し直す。
【００６７】
図１１は、実施の形態２における近接効果補正計算用のブロック領域サイズの決定方法を示す概念図である。サイズ判定工程（Ｓ１０７）において、サイズ情報１４６が示すサイズｍのブロック領域１６が面積密度計算用の当該ブロック領域１４の組２２の合計領域より大きい場合、近接効果補正計算用のブロック領域１８のサイズを面積密度計算用の当該ブロック領域１４の組２２の合計領域のサイズとする。
【００６８】
図１２は、実施の形態２における近接効果補正計算用のブロック領域サイズの決定方法を示す他の概念図である。サイズ判定工程（Ｓ１０７）において、サイズ情報１４６が示すサイズｍのブロック領域１６が面積密度計算用の当該ブロック領域１４の組２２の合計領域より大きくない場合、近接効果補正計算用のブロック領域１８のサイズをサイズｍとする。
【００６９】
近接効果補正計算用のブロック領域１８が面積密度計算用の当該ブロック領域１４の組２２の合計領域より大きい場合、近接効果補正計算を行なう際に必要な複数のブロック領域１４の面積密度計算が終了していないことも起こりえる。言い換えれば、次の組以降で面積密度計算が行なわれることもあり得る。このように、面積密度計算を並列計算する場合に、必要なすべてのブロック領域１４が同時期に計算されるようにＣＰＵ３０が割り当てられない場合に近接効果補正計算の停滞が生じ得る。必要なすべてのブロック領域１４が同時期に計算されれば、近接効果補正計算の停滞を回避できる。
【００７０】
そこで、実施の形態２では、サイズ情報１４６が示すサイズｍのブロック領域１６が同時期に並列計算される面積密度計算用の当該ブロック領域１４の組２２の合計領域より大きい場合、近接効果補正計算用のブロック領域１８のサイズを当該ブロック領域１４の組２２の合計領域より大きくしないようにする。これにより、近接効果補正計算用の１つのブロック領域１８を計算するにあたって、必要な面積密度計算用のブロック領域１４が複数であっても並列計算されるので同時期に計算結果が得られる。このように、必要なブロック領域１４の面積密度計算を同時期に終了させることができる。よって、近接効果補正計算を停滞させないようにできる。
【００７１】
かかるブロック領域再分割工程（Ｓ１０８）は、各フレーム領域１２の先頭側から順にサイズ判定工程（Ｓ１０７）を含めて行なっていく。まず、チップ領域１０の基準位置１９のフレーム領域１２ａの端部にあたる図１０においてサイズＡで示された３つのブロック領域１４の組２２ａの合計領域のサイズとサイズ情報１４６のサイズｍとを比較し、ここでは、Ａ＞ｍなのでサイズｍのブロック領域１８に分割する。かかるサイズｍのブロック領域１８の右下の角が次のブロック領域１８の基準位置となる。かかる基準位置から始まる領域は、まだ、サイズＡで示されたブロック領域１４の組２２ａの一部が重なった領域であるので、やはりＡ＞ｍなのでサイズｍとなりそうであるが、サイズＢで示されたブロック領域１４の組２２ｂとも一部が重なる。そのため、サイズＢで示されたブロック領域１４の組２２ｂとサイズ情報１４６のサイズｍとが比較され、ここでは、Ｂ＜ｍなので、より小さいサイズＢのブロック領域１８に分割する。
【００７２】
そして、かかるサイズＢのブロック領域１８の右下の角が次のブロック領域１８の基準位置となる。かかる基準位置から始まる領域は、まだ、サイズＢで示されたブロック領域１４の組２２ｂの一部が重なった領域であるので、やはりＢ＜ｍなのでサイズＢとなりそうであるが、サイズＣで示されたブロック領域１４の組２２ｃとも一部が重なる。そのため、サイズＣで示されたブロック領域１４の組２２ｃとサイズ情報１４６のサイズｍとが比較され、ここでは、Ｃ＞ｍなので、より小さいサイズＢのブロック領域１８に分割する。
【００７３】
そして、かかる２つのサイズＢのブロック領域１８の右下の角が次のブロック領域１８の基準位置となる。かかる基準位置から始まる領域は、まだ、サイズＣで示されたブロック領域１４の組２２ｃの一部が重なった領域であるので、やはりＣ＞ｍなのでサイズｍのブロック領域１８に分割する。
【００７４】
そして、かかるサイズｍのブロック領域１８の右下の角が次のブロック領域１８の基準位置となる。かかる基準位置から始まる領域は、まだ、サイズＣで示されたブロック領域１４の組２２ｃの一部が重なった領域であるので、まずはＣ＞ｍなのでサイズｍとなりそうであるが、サイズＤで示されたブロック領域１４の組２２とも一部が重なる。そのため、サイズＤで示されたブロック領域１４の組２２のサイズとサイズ情報１４６のサイズｍとが比較され、ここでは、Ｄ＞ｍなので、いずれにしてもサイズｍのブロック領域１８に分割する。
【００７５】
そして、かかる２つ目のサイズｍのブロック領域１８の右下の角が次のブロック領域１８の基準位置となる。かかる基準位置から始まる領域は、まだ、サイズＤで示されたブロック領域１４の組２２の一部が重なった領域であるので、まずはＤ＞ｍなのでサイズｍとなりそうであるが、フレーム領域１２ａの最終端部までの領域がサイズｍに満たないので、残りのサイズＺ１のブロック領域１８に分割する。
【００７６】
以上のようにして、図８の例と同様、ブロック領域分割部１２８が、１番目のフレーム領域１２ａを、サイズｍ，Ｂ，Ｂ，ｍ，ｍ，Ｚ１と続く複数のブロック領域１８に分割する。同様に、２番目のフレーム領域１２ｂを、サイズＥ，ｍ，ｍ，ｍ，ｍ，Ｚ２と続く複数のブロック領域１８に分割する。同様に、３番目のフレーム領域１２ｃを、サイズＩ，ｍ，Ｋ，ｍ，ｍ，Ｚ３と続く複数のブロック領域１８に分割する。同様に、４番目のフレーム領域１２ｄを、サイズｍ，Ｏ，ｍ，Ｑ，Ｑ，Ｒ，Ｚ４と続く複数のブロック領域１８に分割する。
【００７７】
以上のように、実施の形態２では、パターン面積密度計算用に、ショット数が互いに略同一になるような第１のブロック領域を使う。他方、近接効果補正計算用に、必要に応じてブロック領域１８のサイズを小さくしながら、残りの多くは予め設定された均一なサイズｍの第２のブロック領域を使う。これによりそれぞれ適したブロックで計算が可能となる。そのため、チップの最初の部分を演算する際や、疎なパターンで構成される領域から密なパターンで構成される領域へと近接効果補正計算の計算領域が移った場合等でも同時期に必要なすべてのブロック領域の面積密度計算が行なわれているので、同時期に結果が得られ、近接効果補正計算処理の停滞を回避できる。その結果、データ量が膨大となっても描画装置１００で高速に処理することができる。
【００７８】
以上の説明において、「〜部」或いは「〜工程」と記載したものの処理内容或いは動作内容は、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、ファームウェアとの組合せでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、或いはＲＯＭ（リードオンリメモリ）等の記録媒体に記録される。例えば、磁気ディスク装置１４０に記録される。
【００７９】
また、コンピュータとなる制御計算機１２０は、さらに、図示していないバスを介して、記憶装置の一例となるＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ、磁気ディスク（ＨＤ）装置、入力手段の一例となるキーボード（Ｋ／Ｂ）、マウス、出力手段の一例となるモニタ、プリンタ、或いは、入力出力手段の一例となる外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）、ＦＤ、ＤＶＤ、ＣＤ等に接続されていても構わない。
【００８０】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００８１】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００８２】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画方法及び装置は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００８３】
１０  チップ領域
１２  フレーム領域
１４，１６，１８  ブロック領域
１９  基準位置
２０  小領域
２２  組
３０，３２  ＣＰＵ
１００  描画装置
１０１，３４０  試料
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１０８  駆動回路
１０９，１４０  磁気ディスク装置
１１０  偏向制御回路
１１２，１１４，１１６  ＤＡＣ
１２０  制御計算機
１２１  メモリ
１２２，１２８，１３２  ブロック領域分割部
１２４  メッシュ分割部
１２６  面積密度計算部
１２７  サイズ判定部
１３０  近接効果補正計算部
１３４  照射量計算部
１３６  照射時間計算部
１３８  描画データ処理部
１４２，１４４  マップ
１５０  描画部
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３，４１０  第１のアパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５，２０８  偏向器
２０６，４２０  第２のアパーチャ
２０７  対物レンズ
２１２  ＢＬＫ偏向器
２１４  ＢＬＫアパーチャ
３３０  電子線
４１１  開口
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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