【事件の表示】
　特願２０１３−１５０７８９「バルクヘテロ接合を有する光電子装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１０月１７日出願公開、特開２０１３−２１４７７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００５年４月１３日（優先権主張２００４年４月１３日、米国、２００４年１１月３０日、米国）を国際出願日とする出願である特願２００７−５０８５８５号の一部を、平成２５年７月１９日に新たな特許出願としたものであって、平成２６年５月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月９日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、平成２７年３月３１日付けで拒絶理由が通知され、同年９月２５日付けで意見書が提出されたが、同年１０月２７日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これに対して、平成２８年３月１日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。その後、平成２８年５月３０日付けで前置報告がなされた。
第２　平成２８年３月１日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２８年３月１日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容
　平成２８年３月１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、本件補正前の（平成２６年１２月９日付けの手続補正により補正された）特許請求の範囲の請求項１である、
「　【請求項１】
　有機蒸気相堆積又は真空熱蒸着プロセスによって第１層を堆積すること；
　第２層が前記第１層に物理的に接触するように、前記第１層上に前記第２層を堆積すること；
　光電子装置を形成するために前記第２層上に第２電極を堆積すること；の処理を含み、
　前記第１層は、基板上に形成された第１電極上に突出部を有しており、
　前記第１層は第１有機小分子材料を含み、
　前記第１層と前記第２層との間の物理的な接触による界面は、前記第１電極と前記第２電極との間に位置すると共に前記第１電極及び前記第２電極に対して離間しているバルクヘテロ接合を形成しており、
　前記基板の平面に平行な方向における前記突出部の最小の寸法は、前記第１有機小分子材料の励起子拡散長の１倍から５倍の間である、
光電子装置の製造方法。」
から、次のように補正されたものと認める。
「　【請求項１】
　有機蒸気相堆積又は真空熱蒸着プロセスによって第１層を堆積すること；
　第２層が前記第１層に物理的に接触するように、前記第１層上に前記第２層を堆積すること；
　光電子装置を形成するために前記第２層上に第２電極を堆積すること；の処理を含み、
　前記第１層は、基板上に形成された第１電極上に突出部を有しており、
　前記第１層は第１有機小分子材料を含み、
　前記第１層と前記第２層との間の物理的な接触による界面は、前記第１電極と前記第２電極との間に位置すると共に前記第１電極及び前記第２電極に対して離間しているバルクヘテロ接合を形成しており、
　前記基板の平面に平行な方向における前記突出部の最小の寸法は、前記第１有機小分子材料の励起子拡散長の１倍から５倍の間であ
り、
　
前記突出部間の間隔は、前記第２層の励起子拡散長の１倍から５倍の間である
（下線は、請求人が付したものである。）
２　補正の目的
　本件補正後の請求項１は、本件補正前の請求項１に、「前記突出部間の間隔は、前記第２層の励起子拡散長の１倍から５倍の間である」構成を限定する記載が追加されたものであるから、本件補正の請求項１についての補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するか否か）について、以下に検討する。
３　本願補正発明
　本願補正発明は、本件補正後の請求項１に記載された事項（上記「１」で、本件補正後の請求項１として記載した事項）により特定されるものと認められる。
４　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特表平６−５１１６０３号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（引用文献１中で付されているもの以外の下線は、当審で付したものである。）
（１）「
発明の目的
　従って本発明の主目的は上記の従来技術の欠点を、単位面積当たりの入射光のエネルギの電気エネルギへの変換効率が高く、さらに製造である光電池を提供することによって克服することにある。
発明の簡単な要約
　従って本発明の目的は、第１の電極がその上に形成される支持表面を有する基板と、その接続面において能動接合面を有する半導体性材料の少なくとも第１の層を有する複数の層によって第１の電極から絶縁された第２の電極とを具備する光電池であって、前記能動接合面が投射面積よりも大である展開面積を有する光電池である。
発明の簡単な説明
　この性質は従来技術の光電池に関して入射する光子の捕獲効率を大きく増加する。この増加は大きな能動接合面に付随する半導電性層中で光が多重拡散することに本質的に起因している。従って、本発明にかかる電池の構造は単位表面積当たりの改善された出力を提供する。
　本発明の有利な特徴によれば、前記の能動接合面は２０以上の粗さ係数を有している。
　この接合において粗さ係数は実際の面積と投射面積との間の比によって定義される。
　本発明の最初の実施例によれば、前記支持表面は投射面積よりも大である展開面積を有し、前記他の層は前記支持表面上に連続的に配置される。この実施例は、この実施例が単に基板に対する１回の機械的あるいは化学的な処理を必要とするために簡単であるという顕著な利点を有してる。
　本発明の第２の実施例によれば、第１の電極はその平面投射面積よりも大である展開面積を有しており、前記他の層は前記電極上に連続的に配置されている。
　本発明の第３の実施例によれば、半導電性の第１の層はその投射面積よりも大である展開面積を有し、他の全ての層は前記半導電性の第１の層上に連続的に配置されている。
　第２および第３の実施例と共通である本発明の他の有利な特徴によれば、前記電極あるいはそれぞれの半導電性材料の第１の層はコロイド粒子で形成される層を有している。
　この特徴は非常に高効率の表面を具備する能動接合面を付与し、そして２０００程度にまで到達する非常に大きな効果面積と投射面積との比を付与する。
　この層は、これらのキャリアのいかなる再結合が発生し、従って入射光から光子によって供給されるエネルギの最良の使用を作り出す光電池を生み出す。」（公報第３頁右下欄第４行〜第４頁左上欄第１８行）
（２）「
本発明の望ましい実施例の詳細な説明
　本発明は、図１から６にショットキ型金属−半導体接合光電池（ＭＳ）、または
半導体−半導体の異種接合
の光電池
　光電池のこれらの大きな区分の動作の原理は当該技術分野において通常の知識を有する者にとって公知であり、従って参照文献はこの原理と本発明との間に関係のある以下の記述においてのみなされる。参照文献は、光電池において使用される物理現象の説明に対してエドワード　エス　ヤング（Edward S Yang ）著「マイクロエレクトロニック素子」が特に参照される。
　まず図１を参照すると、一般的な参照番号１によって示される本発明にかかる第１の形式の光電池が示されている。
　
この光電池ｌは、その大きな表面４の一方の全表面上に、術語化された支持面、第１の導体８に接続される第１の電極６を有する基板２から構成される。電池１は、半導電性材料の第１の層１４と異なる材料の層１６とによって、第１の電極６から絶縁された第２の導体１２に接続される第２の電極１０を有する。
　電気的導電層という術語は有機的電気的導電材料で形成された層を表し、半導電性材料という術語は有機的でない半導電性材料および有機的な半導電性材料の両方を表す。
　
半導電性材料の第１の層１４は、第１の電極６に直接接触し、層１６とともに図２から５、および図８から１０においてＪで示される能動接合面を構成する。
　第１の電極６は厚さが１０から５００ナノメートル程度の薄層で形成されることが望ましい。電極６は、フッ素、アンチモンあるいはヒ素によりドープされた酸化スズ、酸化スズによってドープされた酸化インジウム、アルミニュームスズ酸塩およびアルミニウムによってドープされた酸化亜鉛から構成されるグループから選択された材料で製造されることが望ましい。
　この技術分野において通常の知識を有する者はもちろん他の等価な透明な電気的導電性層を選択するかもしれない。
　第２の電極１０の性質は層１６の性質に依存し、後者が電気的導体であれば省略することが可能である。もし層１６が導電体でなければ、第２の電極は金あるいはアルミニュームのような材料あるいは同様の電気的導電的性質を有する材料の薄層で形成されることが望ましい。
　基板２および第１の電極あるいは第２の電極１０のいずれかは、もちろん適当なスペクトル領域に光子に対して透明である。
　図はこの方法で形成された電池の正確な寸法を反映してはおらず、寸法は明瞭とするために非常に誇張されている。
　本発明によれば、能動接合Ｊはその投影面積より大である展開面積を有している。
　本発明における第１の実施例において、基板２の支持面４はその投影面積より大である展開面積を有している。基板に近接して連続的に展開する以下の層は、基板２の表面４の木目が投影面積より大である展開面積を有する能動接合面Ｊとなるように支持面４の除去の中に構造を包含している。
　第１の層１４はもちろん電極６を構成する層は、能動接合面Ｊの展開面積が本質的に基板の支持表面４のそれと同じとなるような厚さが確保されるべきことに注意する必要がある。
　支持表面４は２０以上の、典型的には１００程度の粗さ係数を有することが望ましく、これは従来技術の電池に対して光の多重拡散によって比較的高い光捕獲率を有する電池を得ることを可能とする。
　この支持面４の適当な粗さ係数は単に、例えば削磨あるいは化学的な腐食によって得ることが可能である。もし基板２が有機的な材質によって作られているならば、支持面の粗さ係数は、例えば成形によって得ることができる。
　
他の層は連続的に従来の方法、例えば蒸気相化学的蒸着あるいは真空中の物理的蒸着によって蒸着される。
　図３に示される本発明の第２の実施例および第１の実施例との対比によれば、支持面４は滑らかであり、この面４に対向する第１の電極６は粗い表面を有している。他の層、特に半導体材料の第１の層１４は第１の電極６上に連続的に配置され、その凸凹を近接して取り囲んでいる。ここも粗さ係数は２０以上であることが有利であり、１００程度であることが望ましい。
　この粗さ係数を得るために、例えば第１の電極６は真空中における接線蒸着（基板が蒸着方向に対して３°から２０°傾けられる）によって蒸着されることができ、
他の層はすでに上記したように連続的に蒸着される。
　図４に示される第３の実施例によれば、基板２の支持面４および第１の電極は特定の粗さ係数を有していないが、
能動接合面Ｊである層１６に接触する半導体材料の第１の層１４の表面は粗く、粗さ係数は２０以上である
　この実施例によれば、
半導体材料の第１の層１４は、例えば真空中における接線蒸着によって蒸着される。
（３）「図６に示される第５の実施例によれば、基板２の支持面４および第１の電極６は特別の粗さを有していないが、半導体材質の第１の層１４はコロイド状粒子２０が形成された層であり、その上に引き続く層が蒸着される。
　この場合には粒子２０の寸法および粒子によって形成される層の厚さは入射光による励起に対する電池の応答に無視できない影響を与える。
　この層の粒子は光子を吸収するが、このエネルギは粒子の材質の伝導帯と価電子帯の間のエネルギの相違と等しいあるいはそれを越える。この光の吸収は粒子中に電子−正孔対の生成をもたらす。例えば二酸化チタンのようなｎ型半導体材質で形成された層１４によって、電子は多数キャリアであり、正孔は少数キャリアとなる。このようにこの種の半導体／金属接合電池あるいは半導体／半導体接合が吸収された光からの電力の発生に使用されたときには、正孔が電子と結合する前に、正孔がこの接合面に拡散可能であることが必要である。換言すれば、ｌｐｍによって定義される少数キャリアの拡散長は接合面に到達する前に、これらのキャリアが被われなければならない距離より長でなければならない。
　この拡散長は次式で定義される。
　ｌｐｍ＝（２Ｄτ）０．５
　ここでτは正孔の寿命期間であり、Ｄは少数キャリアの拡散係数である。例えばｌｐｍの値は二酸化チタンに対しては１００ナノメートルである。
　これらのキャリアが半導体／金属接合あるいは半導体／半導体接合面に到達する大きな可能性があり、電荷のキャリアの効率的な分離を達成し、変換高出力を増加するために、このようにコロイド粒子２０の直径は、好ましくは少数キャリアの拡散長よりも小であるべきである。」（公報第５頁左上欄第２５行〜同頁右上欄第２５行）
（４）「本発明の特別な実施例によれば、
層１４
は有機半導体材料から製造することが可能である。
　層１４および／または１６を構成する半導体材料はフタロシアニン（phthalocyanines ）（以下Ｐｃと記す）、２，９−ジメチルキナクリドン（2,9-dimethyl quinacridone ）、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−ポリルアミノフェニール（1,1-bis（4-di-p-polylaminophenyl））　シクロヘキサン（cycrohexane ）、フタロシアニン（phtalocyanine）　ビスナフトハロシアニン（bisnaphthalocyanine ）、・・・ポリフィリン（porphyrines ）、ペリレン（perylene）およびその誘導体、・・・およびジアセチレン（diacetylenes）からなるグループの半導体材料から選択することができる。
　
この半導体材料は、Ｈ
２
Ｐｃ、酸素によりドープされたＭｇＰｃ、ＣｕＰｃ、ＺｎＰｃ、ＦｅＰｃ、ＳｉＰｃ、ＮｉＰｃ、Ａｌ（Ｃｌ）Ｐｃ、Ａｌ（ＯＨ）Ｐｃ、ジクロロシアンキノン（dichlorocyanoquinone）によってドープされたＬｕＰｃ
２
、テトラ−４−ターブチルフタリシアニン（tetra-4-terbutylphthalocyanino）　シリコン　ジクロライド（silicon dichloride）、ＬｕＰｃ２：２，２’　６，６’−テトラフェニル−４−４’（（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（LuPc2:2,2'6,6'-tetraphenyl-4-4'((p-dimethylaminostyryl)-4H-pyrane ）、および５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジル）　ポルフィリン（5,10,15,20-tetra(3-piridyl）porphyrine）、ＬｕＰｃおよびＮｉＰｃ：Ｉ
２
からなる半導体材料から選択されることが望ましい。
　この半導体材料は、提案された電池の形式に応じてｎ型あるいははｐ型であることはいうまでもない。」（公報第５頁右下欄第１８行〜第６頁左上欄第２６行）
 　 
（５）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　上記記載事項の、「この光電池ｌは、その大きな表面４の一方の全表面上に、術語化された支持面、第１の導体８に接続される第１の電極６を有する基板２から構成される。電池１は、半導電性材料の第１の層１４と異なる材料の層１６とによって、第１の電極６から絶縁された第２の導体１２に接続される第２の電極１０を有する。」（上記記載事項（２）：引用文献１第４頁右上欄第２０〜２４行）、「半導電性材料の第１の層１４は、第１の電極６に直接接触し、層１６とともに図２から５、および図８から１０においてＪで示される能動接合面を構成する。」（上記記載事項（２）：引用文献１第４頁左下欄第５〜７行）、「他の層は連続的に従来の方法、例えば蒸気相化学的蒸着あるいは真空中の物理的蒸着によって蒸着される。」（上記記載事項（２）：引用文献１第４頁右下欄第１６〜１７行）、「他の層はすでに上記したように連続的に蒸着される。」（上記記載事項（２）：引用文献１第４頁右下欄第２６〜２７行）、「能動接合面Ｊである層１６に接触する半導体材料の第１の層１４の表面」（上記記載事項（２）：引用文献１第５頁左上欄第２〜３行）、「半導体材料の第１の層１４は、例えば真空中における接線蒸着によって蒸着される」（上記記載事項（２）：引用文献１第５頁左上欄第６〜７行）、Ｆｉｇ．１〜５を参照すれば、Ｆｉｇ．４に示される第３の実施例では、「光電池１」は、「基板２」上に「第１の電極６」を蒸着し、「第１の電極６」上に「半導体材料の第１の層１４」を真空中における接線蒸着によって蒸着し、「第１の層１４」上に「能動接合面Ｊ」で接触するように「層１６」を蒸着し、「層１６」上に「第２の電極１０」を蒸着することにより製造されることは明らかである。
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「基板２上に第１の電極６を蒸着し、第１の電極６上に半導体材料の第１の層１４を真空中における接線蒸着によって蒸着し、第１の層１４上に能動接合面Ｊで接触するように層１６を蒸着し、層１６上に第２の電極１０を蒸着する、半導体−半導体異種接合光電池の製造方法であって、
　第１の層１４を構成する半導体材料として、Ｈ２Ｐｃ、酸素によりドープされたＭｇＰｃ、ＣｕＰｃ、ＺｎＰｃ、ＦｅＰｃ、ＳｉＰｃ、ＮｉＰｃ、Ａｌ（Ｃｌ）Ｐｃ、Ａｌ（ＯＨ）Ｐｃ、ジクロロシアンキノン（dichlorocyanoquinone）によってドープされたＬｕＰｃ２、テトラ−４−ターブチルフタリシアニン（tetra-4-terbutylphthalocyanino）　シリコン　ジクロライド（silicon dichloride）、ＬｕＰｃ２：２，２’　６，６’−テトラフェニル−４−４’（（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（LuPc2:2,2'6,6'-tetraphenyl-4-4'((p-dimethylaminostyryl)-4H-pyrane ）、および５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジル）　ポルフィリン（5,10,15,20-tetra(3-piridyl）porphyrine）、ＬｕＰｃおよびＮｉＰｃ：Ｉ２からなる半導体材料から選択され、
　第１の層１４の表面は粗く、粗さ係数は２０以上である、半導体−半導体異種接合光電池の製造方法。」
５　対比
（１）本願補正発明と引用発明との対比
ア　引用発明の「基板２」、「第１の電極６」、「第１の層１４」、「層１６」、「第２の電極１０」、「能動接合面Ｊ」、「光電池」が、それぞれ、本願補正発明の「基板」、「第１電極」、「第１層」、「第２層」、「第２電極」、「前記第１層と前記第２層との間の物理的な接触による界面」、「光電子装置」に相当する。
イ　引用発明では、「基板２上に第１の電極６を蒸着し、第１の電極６上に半導体材料の第１の層１４を真空中における接線蒸着によって蒸着」することにより、「第１の層１４の表面は粗く、粗さ係数は２０以上である」構成となるから、引用発明の「第１の層１４の表面」は突出部を有することが明らかである。 
 　すると、引用発明の「基板２上に第１の電極６を蒸着し、第１の電極６上に半導体材料の第１の層１４を真空中における接線蒸着によって蒸着」することは、本願補正発明の「有機蒸気相堆積又は真空熱蒸着プロセスによって第１層を堆積すること；」「の処理を含み、」「前記第１層は、基板上に形成された第１電極上に突出部を有して」いることに相当する。 
ウ　引用発明の「第１の層１４上に能動接合面Ｊで接触するように層１６を蒸着し、層１６上に第２の電極１０を蒸着する」ことは、本願補正発明の「第２層が前記第１層に物理的に接触するように、前記第１層上に前記第２層を堆積すること；光電子装置を形成するために前記第２層上に第２電極を堆積すること；の処理を含」むことに相当する。
エ　引用発明の「Ｈ２Ｐｃ、酸素によりドープされたＭｇＰｃ、ＣｕＰｃ、ＺｎＰｃ、ＦｅＰｃ、ＳｉＰｃ、ＮｉＰｃ、Ａｌ（Ｃｌ）Ｐｃ、Ａｌ（ＯＨ）Ｐｃ、ジクロロシアンキノン（dichlorocyanoquinone）によってドープされたＬｕＰｃ２、テトラ−４−ターブチルフタリシアニン（tetra-4-terbutylphthalocyanino）　シリコン　ジクロライド（silicon dichloride）、ＬｕＰｃ２：２，２’　６，６’−テトラフェニル−４−４’（（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（LuPc2:2,2'6,6'-tetraphenyl-4-4'((p-dimethylaminostyryl)-4H-pyrane ）、および５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジル）　ポルフィリン（5,10,15,20-tetra(3-piridyl）porphyrine）、ＬｕＰｃおよびＮｉＰｃ：Ｉ２」が有機小分子材料であることは明らかであるから、引用発明の「第１の層１４を構成する半導体材料として、Ｈ２Ｐｃ、酸素によりドープされたＭｇＰｃ、ＣｕＰｃ、ＺｎＰｃ、ＦｅＰｃ、ＳｉＰｃ、ＮｉＰｃ、Ａｌ（Ｃｌ）Ｐｃ、Ａｌ（ＯＨ）Ｐｃ、ジクロロシアンキノン（dichlorocyanoquinone）によってドープされたＬｕＰｃ２、テトラ−４−ターブチルフタリシアニン（tetra-4-terbutylphthalocyanino）　シリコン　ジクロライド（silicon dichloride）、ＬｕＰｃ２：２，２’　６，６’−テトラフェニル−４−４’（（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（LuPc2:2,2'6,6'-tetraphenyl-4-4'((p-dimethylaminostyryl)-4H-pyrane ）、および５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジル）　ポルフィリン（5,10,15,20-tetra(3-piridyl）porphyrine）、ＬｕＰｃおよびＮｉＰｃ：Ｉ２からなる半導体材料から選択される」ことは、本願補正発明の「前記第１層は第１有機小分子材料を含」むことに相当する。
オ　引用発明では、「基板２上に第１の電極６を蒸着し、第１の電極６上に半導体材料の第１の層１４を真空中における接線蒸着によって蒸着し、第１の層１４上に能動接合面Ｊで接触するように層１６を蒸着し、層１６上に第２の電極１０を蒸着する」のであるから、「能動接合面Ｊ」は「第１の電極６」と「第２の電極１０」の間に位置することは明らかである。
　また、引用発明では、「第１の電極６上に半導体材料の第１の層１４を真空中における接線蒸着によって蒸着」することにより、「能動接合面Ｊ」は、Ｆｉｇ．４に示されるように、「第１の電極６」から離間して形成され、「第１の層１４上に能動接合面Ｊで接触するように層１６を蒸着」することにより、「能動接合面Ｊ」は、Ｆｉｇ．４に示されるように、「第２の電極１０」から離間していることは明らかである。 
　また、引用発明の「光電池」は「半導体−半導体異種接合光電池」であり、かつ、「第１の層１４の表面」、すなわち、「能動接合面Ｊ」は「粗く、粗さ係数は２０以上である」ことから、「能動接合面Ｊ」はバルクヘテロ接合であるといえる。
　よって、引用発明の「能動接合面Ｊ」は、本願補正発明の「前記第１層と前記第２層との間の物理的な接触による界面は、前記第１電極と前記第２電極との間に位置すると共に前記第１電極及び前記第２電極に対して離間しているバルクヘテロ接合を形成して」いる構成と同様の構成を備えると認められる。
（２）一致点 
　してみると、両者は、
「有機蒸気相堆積又は真空熱蒸着プロセスによって第１層を堆積すること；
　第２層が前記第１層に物理的に接触するように、前記第１層上に前記第２層を堆積すること；
　光電子装置を形成するために前記第２層上に第２電極を堆積すること；の処理を含み、
　前記第１層は、基板上に形成された第１電極上に突出部を有しており、
　前記第１層は第１有機小分子材料を含み、
　前記第１層と前記第２層との間の物理的な接触による界面は、前記第１電極と前記第２電極との間に位置すると共に前記第１電極及び前記第２電極に対して離間しているバルクヘテロ接合を形成している、光電子装置の製造方法。」
で一致し、次の点で相違する。 
（３）相違点
　本願補正発明は、「前記基板の平面に平行な方向における前記突出部の最小の寸法は、前記第１有機小分子材料の励起子拡散長の１倍から５倍の間であり、前記突出部間の間隔は、前記第２層の励起子拡散長の１倍から５倍の間である」のに対して、引用発明では、「第１の層１４の表面は粗く、粗さ係数は２０以上である」と特定されるのみで、突出部の最小の寸法及び突出部間の間隔が明らかでない点。 
６　判断
（１）相違点について
　まず、引用発明の「粗さ係数」について、引用文献１では、「粗さ係数」は能動接合面Ｊの面積と投射面積との比であると定義されている（上記「４」「（１）」参照）ことから、「粗さ係数」が大きいほど、突出部の基板の平面に平行な方向の寸法及び突出部間の間隔が小さくなることは明らかである。
　次に、上記「４」「（１）」を参酌すると、引用発明は、能動接合面Ｊの面積を投射面積より大きくすることにより、光エネルギーから電気エネルギーへの変換効率を高くするものであるから、「粗さ係数」は大きい方がよく、「粗さ係数は２０以上である」と特定されている。
　また、引用文献１に、「半導体／半導体接合が吸収された光からの電力の発生に使用されたときには、正孔が電子と結合する前に、正孔がこの接合面に拡散可能であることが必要である。換言すれば、ｌｐｍによって定義される少数キャリアの拡散長は接合面に到達する前に、これらのキャリアが被われなければならない距離より長でなければならない。」（上記「４」「（３）」参照）と記載されるように、電力を発生するには、光を吸収して励起子が発生した位置から能動接合面までの距離が励起子拡散長よりも短くなければならないことが当業者には周知である。（他にも、特開２００３−２９８１５２３号公報（特に、段落【００２１】）、特表２００３−５１５９３３号公報（特に、段落【００１９】）を参照）
　すると、引用発明において、「第１の層１４」の「粗さ係数」を設定する際に、「第１の層１４」の任意の位置から「能動接合面Ｊ」までの距離及び「層１６」の任意の位置から「能動接合面Ｊ」までの距離が、それぞれ、できる限り、「第１の層１４」を構成する半導体材料の励起子拡散長及び「層１６」を構成する半導体材料の励起子拡散長よりも短くなるように考慮することは、当業者には当然のことであって、本願補正発明の「前記基板の平面に平行な方向における前記突出部の最小の寸法は、前記第１有機小分子材料の励起子拡散長の１倍から５倍の間であり、前記突出部間の間隔は、前記第２層の励起子拡散長の１倍から５倍の間である」構成における「１倍」、「５倍」という上下限値に格別な技術的意味（特に、臨界的意味）がないことも勘案すると、引用発明において、「第１の層１４」の表面の「粗さ係数」を適宜設定して、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易になし得ることである。
（２）効果について
　本願補正発明が奏し得る効果は、引用発明及び周知の技術事項から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
（３）結論
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
７　小括
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定により読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２８年３月１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２６年１２月９日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記「第２」「［理由］」「１」の本件補正前の請求項１として記載した事項を参照。）
２　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された引用文献１、その記載内容及び引用発明は、上記「第２」「［理由］」「４」に記載したとおりである。
３　対比・判断
　本願発明は、前記「第２」「［理由］」「５」及び「６」で検討した本願補正発明から、
「前記突出部間の間隔は、前記第２層の励起子拡散長の１倍から５倍の間である」
という事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、更に限定したものに相当する本願補正発明は、前記「第２」「［理由］」「５」及び「６」に記載したとおり、引用発明及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同様に、本願発明も、引用発明及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　してみると、本願発明は、引用発明及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって結論のとおり審決する。