【事件の表示】
　特願２０１２−　４７０１８「半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　１月　７日出願公開、特開２０１３−　　４９６１、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年（２０１２年）３月２日（パリ優先権主張２０１１年６月１０日　台湾）を出願日とする出願であって、平成２４年５月２３日付で審査請求がなされ、平成２５年１２月２０日付で拒絶理由が通知され、平成２６年５月２６日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされ、同年１１月２８日付で拒絶理由が通知され、平成２７年６月１日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたが、平成２８年３月１０日付で補正却下の決定がなされるとともに、同日付で拒絶査定がなされたものである。
　これに対して、平成２８年７月１２日付で審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
第２　補正の適否について
１　補正の内容
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　平成２８年７月１２日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）により補正された特許請求の範囲の記載は次のとおりである。（なお、下線は、補正の箇所を示すものとして審判請求人が付加したものである。）
「【請求項１】
　ＧａＮ系の半導体材料でできている本体（２１）
と
　外部回路に接続されるように構成され、
前記
とを有する半導体素子
　
前記電極構造物（２３）は、
　
チタン、アルミニウム、ニッケルを含む合金でできており、
と
　
チタンでできており、
記オ
、後述する回路層（２３３）からの銅の拡散を防止するとともに該回路層（２３３）と前記オーミック接触層（２３１）との間のオーミック接触を確保す
ための
と、
　銅系の材料でできており
、
上にこれと
ように形成される
と
　　【請求項２】
　前記電極構造物（２３）
を
つ含むとともに
　
導
、前
に、２つの
互いに
るように形成され
　　【請求項３】
　前記オーミック接触層（２３１）は、１６５ｎｍから３３０ｎｍの厚みを有し、前記バッファ層（２３２）は、１０ｎｍから３０ｎｍの厚みを有する
とともに
、５
　　【請求項４】
　前記本体（２１）は、
　主に窒化ガリウムでできている第１のフィルム層（２１２）と、
　
主にアルミニウム窒化ガリウムでできており、
記第
れる
（２）補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の特許請求の範囲の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　ＧａＮ系の半導体材料でできている本体（２１）、および、
　外部回路に接続されるように構成され、本体（２１）上にこれとオーミック接触するように配置された少なくとも１つの電極構造物（２３）であって、前記本体（２１）上に形成されるオーミック接触層（２３１）、前記本体（２１）の反対側の前記オーミック接触層（２３１）上に形成されるバッファ層（２３２）、および、銅系の材料でできており、前記オーミック接触層（２３１）の反対側の前記バッファ層（２３２）と直接接触する回路層（２３３）を含み、前記オーミック接触層（２３１）は、チタン、アルミニウム、ニッケルを含む合金でできており、前記バッファ層（２３２）は、チタンでできている、電極構造物を含むこと、を特徴とする、半導体素子。
　　【請求項２】
　前記電極構造物（２３）のうちの２つを含み、そして、導体材料でできており、かつ、前記本体（２１）上に形成されて、前記電極構造物（２３）から分離されているゲート電極層（２２１）を更に含むこと、を特徴とする、請求項１に記載の半導体素子。
　　【請求項３】
　前記オーミック接触層（２３１）は、１６５ｎｍから３３０ｎｍの厚みを有し、前記バッファ層（２３２）は、１０ｎｍから３０ｎｍの厚みを有し、そして、前記回路層（２３３）は、銅でできており、かつ、５０ｎｍから１５０ｎｍの厚みを有すること、を特徴とする、請求項２に記載の半導体素子。
　　【請求項４】
　前記本体（２１）は、主に窒化ガリウムでできている第１のフィルム層（２１２）と、前記オーミック接触層（２３１）によるオーミック接触を作るために前記 第１のフィルム層（２１２）上に形成され、かつ、主にアルミニウム窒化ガリウムでできている第２フィルム層（２１３）とを含むこと、を特徴とする、請求項 ３に記載の半導体素子。」
２　補正の適否について
（１）補正の内容
　補正後の請求項１ないし４に係る発明は、それぞれ補正前の請求項１ないし４に係る発明に対応し、補正前の請求項に係る発明に次の補正がなされたものである。
ア　補正前の請求項１の「前記本体（２１）上に形成されるオーミック接触層（２３１）、前記本体（２１）の反対側の前記オーミック接触層（２３１）上に形成されるバッファ層（２３２）、および、銅系の材料でできており、前記オーミック接触層（２３１）の反対側の前記バッファ層（２３２）と直接接触する回路層（２３３）を含み、前記オーミック接触層（２３１）は、チタン、アルミニウム、ニッケルを含む合金でできており、前記バッファ層（２３２）は、チタンでできている、電極構造物を含むこと」を、「
チタン、アルミニウム、ニッケルを含む合金でできており、
と
チタンでできており、
記オ
、後述する回路層（２３３）からの銅の拡散を防止するとともに該回路層（２３３）と前記オーミック接触層（２３１）との間のオーミック接触を確保す
ための
と、
、
上にこれと
ように形成される
と
イ　補正前の請求項２の「前記電極構造物（２３）のうちの２つを含み、そして、導体材料でできており、かつ、前記本体（２１）上に形成されて、前記電極構造物（２３）から分離されているゲート電極層（２２１）を更に含むこと」を「前記電極構造物（２３）
を
つ含むとともに
導
、前
に、２つの
互いに
るように形成され
ウ　補正前の請求項３の「前記オーミック接触層（２３１）は、１６５ｎｍから３３０ｎｍの厚みを有し、前記バッファ層（２３２）は、１０ｎｍから３０ｎｍの厚みを有し、そして、前記回路層（２３３）は、銅でできており、かつ、５０ｎｍから１５０ｎｍの厚みを有すること」を、「前記オーミック接触層（２３１）は、１６５ｎｍから３３０ｎｍの厚みを有し、前記バッファ層（２３２）は、１０ｎｍから３０ｎｍの厚みを有する
とともに
、５
エ　補正前の請求項４の「主に窒化ガリウムでできている第１のフィルム層（２１２）と、前記オーミック接触層（２３１）によるオーミック接触を作るために前記 第１のフィルム層（２１２）上に形成され、かつ、主にアルミニウム窒化ガリウムでできている第２フィルム層（２１３）とを含むこと」を、「主に窒化ガリウムでできている第１のフィルム層（２１２）と、
主にアルミニウム窒化ガリウムでできており、
記第
れる
（２）補正の適否
ア　補正事項アについて検討すると、補正事項アにより補正された部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項アは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項アは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項アは、補正前の「前記本体（２１）の反対側の前記オーミック接触層（２３１）上に形成されるバッファ層（２３２）」について、「前
記オ
、後述する回路層（２３３）からの銅の拡散を防止するとともに該回路層（２３３）と前記オーミック接触層（２３１）との間のオーミック接触を確保す
ための
　そして、補正後の請求項１に係る発明は、下記「第５」のとおり、独立特許要件を満たすから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
イ　補正事項イについて検討すると、補正事項イにより補正された部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項イは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項イは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項イは、補正前の「前記電極構造物（２３）から分離されているゲート電極層（２２１）」について、「
２つの
互いに
るように形成され
　そして、補正後の請求項２に係る発明は、下記「第５」のとおり、独立特許要件を満たすから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
ウ　補正事項ウについて検討すると、補正事項ウにより補正された部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項ウは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項ウは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項ウは、補正前の「前記オーミック接触層（２３１）は、１６５ｎｍから３３０ｎｍの厚みを有し、前記バッファ層（２３２）は、１０ｎｍから３０ｎｍの厚みを有し、そして、前記回路層（２３３）は、銅でできており、かつ、５０ｎｍから１５０ｎｍの厚みを有すること」について、「前記オーミック接触層（２３１）は、１６５ｎｍから３３０ｎｍの厚みを有し、前記バッファ層（２３２）は、１０ｎｍから３０ｎｍの厚みを有する
とともに
、５
　そして、補正後の請求項３に係る発明は、下記「第５」のとおり、独立特許要件を満たすから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
エ　補正事項エについて検討すると、補正事項エにより補正された部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項エは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項エは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項エは、補正前の「前記オーミック接触層（２３１）によるオーミック接触を作るために前記 第１のフィルム層（２１２）上に形成され、かつ、主にアルミニウム窒化ガリウムでできている第２フィルム層（２１３）」について、「
主にアルミニウム窒化ガリウムでできており、
記第
れる
　そして、補正後の請求項４に係る発明は、下記「第５」のとおり、独立特許要件を満たすから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
（３）小括
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、同法第１７条の２第３項、第４項及び第６項のそれぞれの規定に適合するから、適法にされたものである。
第３　本願発明
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成２８年７月１２日付の手続補正書により補正された特許請求の範囲１ないし４に記載される事項により特定されるとおりであって、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものと認める。
「ＧａＮ系の半導体材料でできている本体（２１）と、
　外部回路に接続されるように構成され、前記本体（２１）上にこれとオーミック接触するように配置された少なくとも１つの電極構造物（２３）とを有する半導体素子であって、
　前記電極構造物（２３）は、
　チタン、アルミニウム、ニッケルを含む合金でできており、前記本体（２１）上に形成されるオーミック接触層（２３１）と、
　チタンでできており、前記オーミック接触層（２３１）上に形成され、後述する回路層（２３３）からの銅の拡散を防止するとともに該回路層（２３３）と前記オーミック接触層（２３１）との間のオーミック接触を確保するためのバッファ層（２３２）と、
　銅系の材料でできており、前記バッファ層（２３２）上にこれと直接接触するように形成される回路層（２３３）とを含むこと、を特徴とする、半導体素子。」
第４　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　原査定の理由の概要は、次のとおりである。
「１．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項１〜４
・理由１
・引用文献等１〜５
・備考
＜請求項１〜２，４について＞
　引用文献１（特に実施の形態１、図１〜３参照）には、ＧａＮからなる電子走行層３と、ＡｌＧａＮからなる電子供給層４と、電子供給層４上に形成されたソース電極５、ドレイン電極６、ゲート電極７を備えた電界効果トランジスタが記載されており、ソース電極５、ドレイン電極６は、電子供給層４とオーミック接触させるためのＴｉ／ＡｌＳｉ／Ｍｏからなる接触部５ｂ，６ｂと、Ｃｕからなる積層部５ｃ，６ｃとで構成されることが記載されている。
　ここで、例えば、引用文献２（特に段落【００１９】参照）、引用文献３（特に段落【００１６】参照）に記載されているように、ＭｏがＣｕの拡散を防止する機能を有することは、当業者に周知の事項であり、また、Ｃｕの拡散を防止する材料として、Ｍｏ以外にＴｉがあることも周知の事項である。
　したがって、引用文献１に記載された発明において、Ｍｏ層をＴｉ層に置き換えることは、当業者が容易になし得たことである。（なお、出願人は意見書において、Ｍｏ層を残したままＴｉ層を追加するものが得られるにすぎない旨主張しているが、ＭｏがＴｉと同様にＣｕの拡散を防止するものであるから、Ｍｏ層をＴｉ層に置き換えることは、当業者にとって容易である。）
　また、Ｔｉ，Ａｌ，Ｎｉからなる合金材料をＧａＮ系半導体材料にオーミック接触させる金属材料として用いることは、引用文献４（特に段落【００３７】、【００２４】参照）に記載されている。
　したがって、引用文献１に記載された発明において、Ｔｉ／ＡｌＳｉをＴｉ，Ａｌ，Ｎｉからなる合金材料に置き換えることは、当業者が容易になし得たことである。
＜請求項１〜２，４について＞
　以上では、引用文献１を主引例としているが、引用文献４を主引例としても、進歩性は否定される。
　すなわち、例えば引用文献１（特に実施の形態１、図１〜３参照）、引用文献５（特に段落【００４８】〜【００４９】参照）に記載されているように、オーミック電極上に配線等の目的でＣｕを積層することは通常おこなわれていることであり、例えば引用文献５（特に段落【００４９】参照）に記載されているように、層間の反応を防ぐためにバリア金属膜を挿入することも通常おこなわれていることであって、例えば、引用文献２（特に段落【００１９】参照）、引用文献３（特に段落【００１６】参照）に記載されているように、Ｃｕの拡散を防止する材料として、Ｔｉは周知の事項であるから、引用文献４に記載された発明において、Ｔｉ，Ａｌ，Ｎｉからなる合金材料からなるオーミック電極（オーム接点１５，１６）上に、Ｃｕの拡散を防止するＴｉを介してＣｕを積層することは、当業者が容易になし得たことである。
＜請求項３について＞
　電極を構成する各膜の厚さは、オーミック特性や拡散防止特性等を考慮して、当業者が適宜設定し得た事項にすぎない。本願の請求項３で特定される値に臨界的意義は認められない。
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１.特開２０１０−２７８３３３号公報
２.特開平１０−１９９８８１号公報
３.特開平０８−３０６６９４号公報
４.特表２０１０−５３７４４７号公報
５.特開２００９−０８１１７７号公報」
第５　原査定の理由についての当審の判断
１　引用文献
（１）引用例１について
ア　引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開２０１０−２７８３３３号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。（なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。）
（ア）「【００２０】
（実施の形態１）
　図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置１０００の模式的な平面図である。この半導体装置１０００は、複数の単位素子を含んで構成されている。図２は、図１に示す半導体装置１０００の単位素子１００を矢印Ａの方向から見た断面斜視図である。
【００２１】
　
この単位素子１００は、
アンドープのＧａＮからなる電子走行層３と、ＡｌＧａＮからなる電子供給層４
備えている。すなわち、この単位素子１００は、ＡｌＧａＮ／ＧａＮのヘテロ構造を有する電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）であり
【００２２】
　また、
ソース電極５、ドレイン電極６
は、電子供給層４と接触する接触部５ｂ〜７ｂと、接触部５ｂ〜７ｂ上に積層した積層部５ｃ〜７ｃを、それぞれ有している。接触部５ｂ、６ｂは、電子供給層４とオーミック接触させるためにＴｉ／ＡｌＳｉ／Ｍｏ構造を有している。
積層部５ｃ〜７ｃはいずれもＣｕからなる。
【００２３】
　また、
ソース電極５、ドレイン電極６はそれぞれ、外部と電気的に接続する共通のボンディングパッド５ａ、６ａから櫛歯状に電極が延伸した構造を有しており、
イ　引用例１発明について
　上記アの記載から、引用例１には、実質的に次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「アンドープのＧａＮからなる電子走行層３と、ＡｌＧａＮからなる電子供給層４を備え、
　ソース電極５、ドレイン電極６はそれぞれ、外部と電気的に接続する共通のボンディングパッド５ａ、６ａから櫛歯状に電極が延伸した構造を有しており、
　また、ソース電極５、ドレイン電極６は、
　電子供給層４と接触する接触部５ｂ，６ｂと、接触部５ｂ，６ｂ上に積層した積層部５ｃ，６ｂとを有し、
　接触部５ｂ、６ｂは、電子供給層４とオーミック接触させるためにＴｉ／ＡｌＳｉ／Ｍｏ構造を有し、
　積層部５ｃ，６ｃはＣｕからなる、
　ＡｌＧａＮ／ＧａＮのヘテロ構造を有する電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）。」
（２）引用例２について
ア　引用例２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開平１０−１９９８８１号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【００１９】ここで、前記金属膜としての
ＴｉＮ膜１０６ａと１０６ｂは配線の主導電層であるＣｕ膜１０７ａを構成するＣｕの酸化やＣｕの絶縁膜中への拡散の防止、およぴ下層に存在する絶縁膜との間の密着性を確保する事を自的として形成されるものであり、この実施形態のようなＴｉＮ膜に限らず、その他にチタン（Ｔｉ）、
モリブデン（Ｍｏ）、
を用いる事ができる。
イ　引用例２記載事項について
　上記アの記載から、引用例２には、実質的に次の事項（以下、「引用例２記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「配線の主導電層であるＣｕ膜１０７ａを構成するＣｕの酸化やＣｕの絶縁膜中への拡散の防止、およぴ下層に存在する絶縁膜との間の密着性を確保する事を自的として、チタン（Ｔｉ）膜もしくはモリブデン（Ｍｏ）膜を形成すること。」
（３）引用例３について
ア　引用例３の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開平０８−３０６６９４号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例に対し図面を用いて詳細に説明する。図１に示すように、本発明に係る
半導体配線構造
【００１６】そして、このように構成された本発明に係る半導体配線構造第１実施例の製造方法を説明すると次のようである。図２（Ａ）に示すように、まず、単結晶シリコン基板２１上面に絶縁層２３が積層され、該絶縁層２３上面に
銅原子の拡散障壁層２５が約５００Åの厚さに積層される。この場合、
Ｍｏ、Ｔｉ
イ　引用例３記載事項について
　上記アの記載から、引用例３には、実質的に次の事項（以下、「引用例３記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「半導体配線構造において、銅原子の拡散障壁層２５として、ＭｏもしくはＴｉが積層されること。」
（４）引用例４について
ア　引用例４の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特表２０１０−５３７４４７号公報（以下、「引用例４」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【００２１】
 　（詳細な説明）
　図1は、本発明の実施形態に従って構成されている
ＨＥＭＴ１０
ＨＥＭＴは、当該分野内で一般的によく理解されている材料（例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）またはサファイア（Ａｌ
２
Ｏ
３
））から形成された基板１１を含む。ＧａＮ層１２は、基板１１上に提供される。ＨＥＭＴ１０は、ＧａＮ層１２の上に提供されたＡｌＧａＮ層１３を含む。
【００２２】
　好適には、ＳｉＣは、基板１１を形成する。ＳｉＣの結晶格子構造は、サファイアよりも密にＩＩＩ族窒化物に適合し、高品質のＩＩＩ族窒化物薄膜をもたらす。さらには、ＳｉＣは、非常に高い熱伝導性を有し、非常に高い熱伝導性は、デバイスのより大きな総出力電力を可能にする。
【００２３】
　ＡｌＧａＮ層１３は、ＧａＮ層１２よりも広いバンドギャップを有し、そのことは、ＡｌＧａＮ層１３からＧａＮ層１２への自由電荷移動をもたらす。電荷は、ＡｌＧａＮ層１３とＧａＮ層１２との界面で蓄積し、二次元電子気体（２ＤＥＧ）（図示されていない）を形成する。２ＤＥＧは、非常に高い電子移動度を有し、高周波数で非常に高い相互コンダクタンスを有するＨＥＭＴ１０をもたらす。ゲート１４に印加される電圧は、ゲート１４の下で２ＤＥＧ内の電子の流れを制御し、電子の流れ全体に対する制御を可能にする。好適には、ゲート１４は、ショットキーゲートである。
【００２４】
　
ＡｌＧａＮ層１３に提供されたソース接点１５およびドレイン接点１６は、好適にはチタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）およびニッケル（Ｎｉ）で形成される。オーム接点１５およびオーム接点１６のために用いられる従来の合金
イ　引用例４発明および引用例４記載事項について
　上記アの記載から、引用例４には、実質的に次の発明（以下、「引用例４発明」という。）が記載されているものと認められる。
「炭化ケイ素（ＳｉＣ）またはサファイア（Ａｌ２Ｏ３）から形成された基板１１上に、ＧａＮ層１２が提供され、ＧａＮ層１２の上にＡｌＧａＮ層１３に提供され、
　ＡｌＧａＮ層１３に提供されるオーム接点である、ソース接点１５およびドレイン接点１６は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）およびニッケル（Ｎｉ）の合金で形成される、
　ＨＥＭＴ１０。」
　また、上記アの記載から、引用例４には、実質的に次の事項（以下、「引用例４記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「ＡｌＧａＮ層１３に提供されるオーム接点である、ソース接点１５およびドレイン接点１６は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）およびニッケル（Ｎｉ）の合金であること。」
（５）引用例５について
ア　引用例５の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００９−０８１１７７号公報（以下、「引用例５」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【００４８】
　図６に、エアブリッジ配線の概略断面図を示す。図４の上面図において、横方向に延びるソース配線２３を、ドレイン配線２４ｂが中空で持ち上げられてドレイン電極１０ａとドレイン電極パッド２５を接続する箇所の概略断面図である。
半絶縁性ＧａＡｓ基板２の上にオーム性配線（第１層配線）として、ドレイン電極１０ａ、ソース配線２３、広い方形のドレイン電極パッド２５が形成され、
オーム性配線１０ａ，２３，２５は主に金（Ａｕ）で、
【００４９】
　また、
各々の配線膜はＡｕに限定されず、
銅（Ｃｕ）
でもよい。
イ　引用例５記載事項について
　上記アの記載から、引用例５には、実質的に次の事項（以下、「引用例５記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「半絶縁性ＧａＡｓ基板２の上にオーム性配線（第１層配線）として、ドレイン電極１０ａ、ソース配線２３、広い方形のドレイン電極パッド２５を形成する際に、
　オーム性配線１０ａ，２３，２５として、銅（Ｃｕ）をもちい、
　配線層間の反応を防ぐため、窒化チタン（ＴｉＮ）や珪化チタン（ＴｉＳｉ）等のバリア金属膜４６を下地として厚さ数十〜数百ｎｍ程度挿入すること。」
２　対比・判断
（１）本願発明と引用例１発明とを対比する。
ア　引用例１発明の「アンドープのＧａＮからなる電子走行層３と、ＡｌＧａＮからなる電子供給層４」および「ＡｌＧａＮ／ＧａＮのヘテロ構造を有する電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）」は、それぞれ本願発明の「ＧａＮ系の半導体材料でできている本体（２１）」および「半導体素子」に相当する。
イ　引用例１発明の「ソース電極５」および「ドレイン電極６」は、「外部と電気的に接続」され、また、「電子供給層４と接触する接触部５ｂ，６ｂ」を有し、「接触部５ｂ，６ｂ」は、「Ｔｉ／ＡｌＳｉ／Ｍｏ構造」により「電子供給層４とオーミック接触」しているから、本願発明の「外部回路に接続されるように構成され、前記本体（２１）上にこれとオーミック接触するように配置された少なくとも１つの電極構造物（２３）」に相当する。
ウ　引用例１発明の「電子供給層４とオーミック接触させるためにＴｉ／ＡｌＳｉ／Ｍｏ構造」を有する「接触部５ｂ、６ｂ」は、本願発明の「チタン、アルミニウム、ニッケルを含む合金でできており、前記本体（２１）上に形成されるオーミック接触層（２３１）」と、「前記本体（２１）上に形成されるオーミック接触層（２３１）」である点で共通する。
エ　引用例１発明の「Ｃｕからなる」「積層部５ｃ，６ｃ」は、本願発明の「銅系の材料でできており、前記バッファ層（２３２）上にこれと直接接触するように形成される回路層（２３３）」と、「銅系の材料でできて」いる「回路層（２３３）」である点で共通する。
　そうすると、本願発明と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
　
［一致点］
「ＧａＮ系の半導体材料でできている本体（２１）と、
　外部回路に接続されるように構成され、前記本体（２１）上にこれとオーミック接触するように配置された少なくとも１つの電極構造物（２３）とを有する半導体素子であって、
　前記電極構造物（２３）は、
　前記本体（２１）上に形成されるオーミック接触層（２３１）と、
　銅系の材料でできている回路層（２３３）とを含むこと、を特徴とする、半導体素子。」
［相違点］
　本願発明は、「チタン、アルミニウム、ニッケルを含む合金でできており、前記本体（２１）上に形成されるオーミック接触層（２３１）と、チタンでできており、前記オーミック接触層（２３１）上に形成され、後述する回路層（２３３）からの銅の拡散を防止するとともに該回路層（２３３）と前記オーミック接触層（２３１）との間のオーミック接触を確保するためのバッファ層（２３２）と、銅系の材料でできており、前記バッファ層（２３２）上にこれと直接接触するように形成される回路層（２３３）」を有しているのに対して、引用例１発明は、「チタン、アルミニウム、ニッケルを含む合金でできて」いる「オーミック接触層（２３１）」を有しておらず、また、「チタンでできており、前記オーミック接触層（２３１）上に形成され、後述する回路層（２３３）からの銅の拡散を防止するとともに該回路層（２３３）と前記オーミック接触層（２３１）との間のオーミック接触を確保するためのバッファ層（２３２）」を有さず、さらに「銅系の材料でできており、前記バッファ層（２３２）上にこれと直接接触するように形成される回路層（２３３）」を有していない点。
（２）本願発明と引用例１発明との対比についての当審の判断
［相違点］について検討する。
　引用例１には、「チタン、アルミニウム、ニッケルを含む合金でできており、前記本体（２１）上に形成されるオーミック接触層（２３１）と、チタンでできており、前記オーミック接触層（２３１）上に形成され、後述する回路層（２３３）からの銅の拡散を防止するとともに該回路層（２３３）と前記オーミック接触層（２３１）との間のオーミック接触を確保するためのバッファ層（２３２）と、銅系の材料でできており、前記バッファ層（２３２）上にこれと直接接触するように形成される回路層（２３３）」を備える「電極構造物（２３）」について記載されておらず、また、引用例１の記載から、当業者が容易に想起することができたとは認められない。
　また、引用例２ないし４には、「チタン、アルミニウム、ニッケルを含む合金でできており、前記本体（２１）上に形成されるオーミック接触層（２３１）と、チタンでできており、前記オーミック接触層（２３１）上に形成され、後述する回路層（２３３）からの銅の拡散を防止するとともに該回路層（２３３）と前記オーミック接触層（２３１）との間のオーミック接触を確保するためのバッファ層（２３２）と、銅系の材料でできており、前記バッファ層（２３２）上にこれと直接接触するように形成される回路層（２３３）」を備える「電極構造物（２３）」について記載されていない。
　そうすると、引用例２ないし４の記載から、引用例１発明において、上記［相違点］について、本願発明と同様の方法を採用することが容易であるとも言えない。
　そして、本願発明は、特に［相違点］に係る構成を有することによって、「高い信頼性を有する半導体素子を供給する」という（【００１２】）格別の効果を有するものであるから、［相違点］に係る構成は、引用例１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
　したがって、本願発明は、引用例１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（３）本願発明と引用例４発明とを対比する。
ア　引用例４発明の「ＧａＮ層１２」および「ＡｌＧａＮ層１３」は、本願発明の「ＧａＮ系の半導体材料でできている本体（２１）」に相当する。
イ　引用例４発明の「ソース接点１５およびドレイン接点１６」は、「ＡｌＧａＮ層１３に提供されるオーム接点」であり、「チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）およびニッケル（Ｎｉ）の合金で形成され」ているから、本願発明の「チタン、アルミニウム、ニッケルを含む合金でできており、前記本体（２１）上に形成されるオーミック接触層（２３１）」に相当する。
　また、引用例４発明の「ソース接点１５およびドレイン接点１６」は、外部の回路に接続されるものであることは明らかであるから、引用例４発明の「ソース接点１５およびドレイン接点１６」は、本願発明の「外部回路に接続されるように構成され、前記本体（２１）上にこれとオーミック接触するように配置された少なくとも１つの電極構造物（２３）」に相当する。
ウ　引用例４発明の「ＨＥＭＴ１０」は、本願発明の「半導体素子」に相当する。
　そうすると、本願発明と引用例４発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
　
［一致点］
「ＧａＮ系の半導体材料でできている本体（２１）と、
　外部回路に接続されるように構成され、前記本体（２１）上にこれとオーミック接触するように配置された少なくとも１つの電極構造物（２３）とを有する半導体素子であって
　前記電極構造物（２３）は、
　チタン、アルミニウム、ニッケルを含む合金でできており、前記本体（２１）上に形成されるオーミック接触層（２３１）を含むこと、を特徴とする、半導体素子。」
［相違点］
　本願発明は「前記電極構造物（２３）」が、「チタンでできており、前記オーミック接触層（２３１）上に形成され、後述する回路層（２３３）からの銅の拡散を防止するとともに該回路層（２３３）と前記オーミック接触層（２３１）との間のオーミック接触を確保するためのバッファ層（２３２）と、銅系の材料でできており、前記バッファ層（２３２）上にこれと直接接触するように形成される回路層（２３３）とを含」んでいるのに対して、引用例４発明は対応する構成が明記されていない点。
（４）本願発明と引用例４発明との対比についての当審の判断
［相違点］について検討する。
　引用例４には、「前記電極構造物（２３）」が、「チタンでできており、前記オーミック接触層（２３１）上に形成され、後述する回路層（２３３）からの銅の拡散を防止するとともに該回路層（２３３）と前記オーミック接触層（２３１）との間のオーミック接触を確保するためのバッファ層（２３２）と、銅系の材料でできており、前記バッファ層（２３２）上にこれと直接接触するように形成される回路層（２３３）とを含」むことについて記載されておらず、また、引用例４の記載から、当業者が容易に想起することができたとは認められない。
　また、引用例２，３および５には、「前記電極構造物（２３）」が、「チタンでできており、前記オーミック接触層（２３１）上に形成され、後述する回路層（２３３）からの銅の拡散を防止するとともに該回路層（２３３）と前記オーミック接触層（２３１）との間のオーミック接触を確保するためのバッファ層（２３２）と、銅系の材料でできており、前記バッファ層（２３２）上にこれと直接接触するように形成される回路層（２３３）とを含」むことは、記載されていない。
　そうすると、引用例２，３および５の記載から、引用例４発明において、上記［相違点］について、本願発明と同様の方法を採用することが容易であるとも言えない。
　そして、本願発明は、特に［相違点］に係る構成を有することによって、「高い信頼性を有する半導体素子を供給する」という（【００１２】）格別の効果を有するものであるから、［相違点］に係る構成は、引用例２ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
　したがって、本願発明は、引用例２ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（５）以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
３　本願の請求項２ないし４に係る発明の進歩性について
　本願の請求項２ないし４は、請求項１を引用しており、本願の請求項２ないし４に係る発明は本願発明の発明特定事項を全て有する発明である。
　してみれば、本願発明が引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願の請求項２ないし４に係る発明も、引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
４　原査定の理由についての当審の判断についてのまとめ
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第６　結語
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶するべき理由は発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。