【事件の表示】
　特願２０１４−１６８３２１「マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１１月　５日出願公開、特開２０１５−１９４６７３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２６年８月２１日（特許法第４１条に基づく国内優先権主張　平成２５年８月２１日、平成２６年３月２８日）を出願日とする出願であって、平成２６年１０月３０日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年１月１３日付けで意見書が提出されたが、同年２月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月３日に拒絶査定不服審判が請求がなされ、その後、当審において、平成２８年６月２２日付けで拒絶理由が通知され、同年６月２０日に面接審理を行い、同年８月２９日付けで意見書が提出されるとともに同時に手続補正がなされ、同年９月２１日付けで最後拒絶理由が通知され、同年１１月２２日付けで意見書が提出されるとともに同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２８年１１月２２日になされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定
１　［結論］
　本件補正を却下する。
　
２　［補正の内容］
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１につき、本件補正前（平成２８年８月２９日付けの手続補正後）の
「ＡｒＦエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスクを製造するために用いられるマスクブランクスであって、
　透明基板と、前記透明基板上に形成され、ＳｉおよびＮのみからなる光半透過膜と、を有し、
　前記光半透過膜は、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が０．２〜０．４５の範囲内であり、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が２．３〜２．７の範囲内であり、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が１５％〜３８％の範囲内であり、さらに、膜厚が５７ｎｍ〜６７ｎｍの範囲内であることを特徴とするマスクブランクス。」
を
「ＡｒＦエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスクを製造するために用いられるマスクブランクスであって、
　透明基板と、前記透明基板上に形成され、ＳｉおよびＮのみからなる光半透過膜
（但し、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、およびＳｂを含有するもの除く）
　前記光半透過膜は、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が０．２〜０．４５の範囲内であり、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が２．３〜２．７の範囲内であり、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が１５％〜３８％の範囲内であり、さらに、膜厚が５７ｎｍ〜６７ｎｍの範囲内であることを特徴とするマスクブランクス。」
に補正する内容、及び、明細書の段落【００７９】につき、
「上記ＳｉおよびＮのみからなる光半透過膜とは、ＳｉおよびＮ以外の元素を実質的に含有しないものであるが、上記光半透過膜の機能および特性に影響を与えない不純物であれば含有していてもよい。ここで、上記光半透過膜の機能および特性は、上記光半透過膜のＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数および屈折率を含むものである。上記光半透過膜の機能および特性に影響を与えない不純物としては、炭素、酸素、ホウ素、ヘリウム、水素、アルゴン、キセノン等が挙げられる。そして、上記光半透過膜の機能および特性に影響を与えない不純物の割合は、５％以下であることが好ましく、中でも、２％以下であることが好ましく、特に、１％以下であることが好ましい。」
を
「上記ＳｉおよびＮのみからなる光半透過膜とは、ＳｉおよびＮ以外の元素を実質的に含有しないものであるが、上記光半透過膜の機能および特性に影響を与えない不純物であれば含有していてもよい。ここで、上記光半透過膜の機能および特性は、上記光半透過膜のＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数および屈折率を含むものである。上記光半透過膜の機能および特性に影響を与えない不純物としては、炭素、酸素、ヘリウム、水素、アルゴン、キセノン等が挙げられる。そして、上記光半透過膜の機能および特性に影響を与えない不純物の割合は、５％以下であることが好ましく、中でも、２％以下であることが好ましく、特に、１％以下であることが好ましい。」
に補正する内容を含むものである（下線は請求人が付したとおりである）。
　
３　［理由１］
　特許法第１７条の２第３項について
（１）本件補正は、補正前の請求項１の「ＳｉおよびＮのみからなる光半透過膜」に関して、「但し、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、およびＳｂを含有するもの除く」と記載される構成を付加する内容、及び、
　補正前の段落【００７９】から「ホウ素、」を削除する内容を含むものである。
　
（２）本願出願当初の明細書及び図面の記載内容
　本願の出願当初の明細書及び図面（以下、「本願当初明細書等」という。）には、以下の記載がある（下線は当審で付した。以下同じ。）。
「【００７９】
　上記ＳｉおよびＮのみからなる光半透過膜とは、ＳｉおよびＮ以外の元素を実質的に含有しないものであるが、上記光半透過膜の機能および特性に影響を与えない不純物であれば含有していてもよい。ここで、上記光半透過膜の機能および特性は、上記光半透過膜のＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数および屈折率を含むものである。上記光半透過膜の機能および特性に影響を与えない不純物としては、炭素、酸素、
ホウ素、
【００８０】
　また、上記Ｓｉ、Ｎ、およびＯのみからなる光半透過膜とは、Ｓｉ、Ｎ、およびＯ以外の元素を実質的に含有しないものであるが、上記光半透過膜の機能および特性に影響を与えない不純物であれば含有していてもよい。ここで、上記光半透過膜の機能および特性は、上記ＳｉおよびＮのみからなる光半透過膜の機能および特性と同様のものである。上記Ｓｉ、Ｎ、およびＯのみからなる光半透過膜における上記光半透過膜の機能および特性に影響を与えない不純物の種類および割合は、上記ＳｉおよびＮのみからなる光半透過膜におけるものと同様である。」
　
（３）判断
　本願当初明細書等には、記載されていないが、特開２００３−３２２９５５号公報（以下、「引用文献」という。）を参酌すると、光半透過膜にＢ、Ｐ、Ａｓ及びＳｂから選ばれる少なくとも一種の元素が不純物として含まれるのは、Ｓｉターゲットに導電性を付与するためにＢ、Ｐ、Ａｓ及びＳｂから選ばれる少なくとも一種の元素を含有させたことによることが考えられる。
　しかし、本願当初明細書等（特に、段落【０１４２】及び【０１４３】参照）には、導電性付与のためのＢ、Ｐ、Ａｓ、およびＳｂを含有する／しないを含めて、どのようなＳｉターゲットを使用するのかの記載はない。
　すると、本願当初明細書等には、光半透過膜がＢ、Ｐ、Ａｓ、およびＳｂを含有する／しないについての記載はないから、「但し、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、およびＳｂを含有するもの除く」という技術的事項は、本願当初明細書等に記載したものということはできない。
　
（４）小括
　以上によれば、上記「２　補正の内容」の内容を含む本件補正は、本願当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものであって、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえないから、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである。
　
４　［理由２］
　特許法第１７条の２第６項について
（１）補正の内容
　本件補正は、上記「２　［補正の内容］」に示したとおりのもので、上記「３　［理由１］」で検討したとおり、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるが、仮に、違反するものでないとしても、下記の理由で特許法第１７条の２第６項の規定に違反するものである。
　
（２）補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項１において、「ＳｉおよびＮのみからなる光半透過膜」に関して、「ＳｉおよびＮのみからなる光半透過膜（但し、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、およびＳｂを含有するもの除く）」との限定を付加するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に規定にする請求項の限定的減縮を目的とするものである。
　
（３）独立特許要件について
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか否か）について検討する。
ア　本願補正発明の認定
　本願補正発明は、上記「２　［補正の内容］」において、本件補正後のものとして記載したとおりのものと認める。
　
イ　当審の拒絶理由
　当審において平成２８年９月２１日付けで通知した拒絶の理由（最後拒絶理由）は、本願発明は、本願の最先の優先権主張日前に頒布された刊行物である、引用文献に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
ウ　刊行物の記載及び引用発明
（ア）引用文献には、以下の記載がある。
ａ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体等のパターン転写に用いるためのリソグラフィーマスク及びその素材となるリソグラフィーマスクブランク並びにその製造方法に関し、特に位相シフターによる光の干渉作用を利用して転写パターンの解像度を向上できるようにした
ハーフトーン型の位相シフトマスクの素材となるハーフトーン型位相シフトマスクブランク
　
ｂ　「【０００３】そのような問題に対処するため、位相シフト法が用いられるようになった。位相シフト法では、微細パターンを転写するためのマスクとして位相シフトマスクが使用される。位相シフトマスクは、例えば、マスク上のパターン部分を形成する位相シフター部と、位相シフター部の存在しない非パターン部からなり、両者を透過してくる光の位相を１８０°ずらすことで、パターン境界部分において光の相互干渉を起こさせることにより、転写像のコントラストを向上させる。位相シフター部を通る光の位相シフト量φ（ｒａｄ）は位相シフター部の複素屈折率実部ｎと膜厚ｄに依存し、下記数式（１）の関係が成り立つことが知られている。
φ＝２πｄ（ｎ−１）／λ　　…（１）
ここでλは露光光の波長である。したがって、位相を１８０°ずらすためには、膜厚ｄを
ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝　　…（２）
とすればよい。この位相シフトマスクにより、必要な解像度を得るための焦点深度の増大が達成され、露光波長を変えずに解像度の改善とプロセスの適用性を同時に向上させることが可能となる。」
ｃ　「【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。本発明のリソグラフィーマスクブランクの製造方法においては、Ｓｉターゲットの比抵抗を０．１Ω・ｃｍ以下にする事で、パーティクル発生の原因となるアーク放電の抑制や、成膜速度向上といった効果が得られるというものである。ＤＣ放電可能なＳｉターゲットの比抵抗は５Ω・ｃｍ以下であるが、酸素、アーク放電の発生回数を測定した結果、Ｓｉターゲットの比抵抗を０．１Ω・ｃｍ以下にするとアーク放電発生回数が減少することがわかった。また、Ｓｉターゲットの比抵抗が小さくなるほど、同じＤＣ投入電力における成膜速度が大きくなった。Ｓｉターゲットに投入できる電力は冷却性能やバッキングプレートの強度、ボンディング材（通常はＩｎ）の融点により制限されるため、Ｓｉターゲットの比抵抗を下げることは、生産性の向上において有効である。Ｓｉターゲットに、導電性を付与するには、ＳｉターゲットにＢ、Ｐ、Ａｓ及びＳｂから選ばれる少なくとも一種の元素を含有することにより可能となり、ドープされる元素の濃度を調整することにより所望の比抵抗を有する導電性を付与することができる。Ｓｉターゲットの比抵抗とドープする原子の濃度には、おおむね式１、式２のような関係がある。
ρＮ＝５×１０１５／原子濃度　（式１）
式１において、ρＮ：Ｎ型のドープ物質（Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）をドープする場合のシリコンターゲットの比抵抗、原子濃度：１ｃｃのＳｉに含まれるドープ物質の原子数、である。
ρＰ＝１．３×１０１６／原子濃度　（式２）
式２において、ρＰ：Ｐ型のドープ物質（Ｂ）をドープする場合のシリコンターゲットの比抵抗、原子濃度＝１ｃｃのＳｉに含まれるドープ物質の原子数である。なお、スパッタされるＳｉターゲットは多結晶であっても単結晶であってもかまわない。また、本発明において用いられるスパッタリングガスとしては、Ａｒ、Ｘｅ等の不活性ガスを用いることができる。本発明において、シリコンを含有する薄膜は、例えばフォトマスクブランクにおける遮光膜、反射防止膜、位相シフトマスクブランクにおける位相シフト膜等、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）マスクブランク上の薄膜等、リソグラフィーマスクブランクにおけるあらゆる薄膜を指すものである。そして、このリソグラフィーマスクブランクにおける所望の薄膜を所望のパターンにパターニングすることによってリソグラフィーマスクを得ることができる。・・・
【００１１】特に、近年における露光波長の短波長化（特に、特に１４０ｎｍ〜２００ｎｍの露光波長領域）に対応し、
ハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜として、ＳｉＯ
Ｘ
Ｎ
Ｙ
単層膜、又はＳｉＯ
Ｘ
Ｎ
Ｙ
膜と、該ＳｉＯ
Ｘ
Ｎ
Ｙ
膜と基板との間のエッチングストッパー膜との２層構造からなるもの
複素屈折率実部ｎ
複素屈折率虚部ｋ
ＡｒＦエキシマレーザ用では、０．１０≦ｋ≦０．４５の範囲が好ましい。
ＡｒＦエキシマレーザ用では、
ｎ≧２．５の範囲がさらに好ましい。
【００１３】また、上記したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの例において、考えられるエッチングストッパーとしては、クロム、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン、ハフニウム、ジルコニウム等の一種又は二種以上の合金からなる金属膜、又はこれらの金属又は合金の酸化物、窒化物、酸窒化物、シリサイド等を用いたものが好ましい。このようなハーフトーン型位相シフトマスクを用いる際の露光光としては、特に１４０ｎｍ〜２００ｎｍの露光波長領域、具体的には、Ｆ２エキシマレーザの波長である１５７ｎｍ付近、及び
ＡｒＦエキシマレーザの波長である１９３ｎｍ付近を用いることができる。ハーフトーン位相シフター部を高透過率に設定（透過率８〜３０％）した高透過率品も作製することができる。
透明基板としては、合成石英基板等を用いる
【００１４】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
（実施例１）本実施例では、図１の様な
ＤＣスパッタリング装置を用い、薄膜形成を行
石英基板
上にＳｉＯＮ膜を作製し
　
ｄ　「【００１９】尚、上記実施例では、ＳｉＯＸＮＹ膜の形成のみを説明したが、例えば、金属等の薄膜上にＳｉＯＸＮＹ膜を形成することによって２層構造の光半透過膜を有するハーフトーン位相シフトマスクブランクを製造することができることは言うまでもない。また、ＳｉＯＸＮＹ膜に関らず、例えば、シリコン薄膜、又はＳｉの酸化膜、窒化膜、酸窒化膜であっても、同様の効果が得られる。さらに、Ｓｉの酸化膜、窒化膜、酸窒化膜を反射防止膜として遮光膜上に形成したマスクブランクの欠陥を減少させ、生産性を向上させることもできる。」
　
ｅ　上記「ｃ」「段落【００１４】」には、ＤＣスパッタリング装置を用い、石英基板上にＳｉＯＮ膜を作製して薄膜形成を行う点が記載されているから、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、合成石英基板上に光半透過膜が形成される点が記載されているといえる。
　また、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、上記「ｃ」「段落【００１１】」の光半透過膜が、上記「ｂ」「段落【０００３】」の位相シフター部、上記「ｃ」「段落【００１３】」のハーフトーン位相シフター部であることは、自明のことである。
　さらに、上記「ｂ」「段落【０００３】」の式「ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝…（２）」に、上記「ｃ」「段落【００１３】」のＡｒＦエキシマレーザの波長である１９３ｎｍと、上記「ｃ」「段落【００１１】」のＡｒＦエキシマレーザ用の複素屈折率実部ｎであるｎ＝２．５を代入すると、光透過膜の膜厚ｄ＝６４．３ｎｍが求められる。
　そして、上記「ｃ」「段落【００１１】」のＡｒＦエキシマレーザ用の複素屈折率実部ｎは、ｎ≧２．５の範囲がさらに好ましいのであるから、光透過膜の膜厚ｄは６４．３ｎｍ以下であるといえる。
　
（イ）上記（ア）より、引用文献には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ＡｒＦエキシマレーザの波長である１９３ｎｍ付近を用いるハーフトーン型の位相シフトマスクの素材となるハーフトーン型位相シフトマスクブランクであって、
　合成石英基板と、前記合成石英基板上に形成され、ＳｉＯＸＮＹ膜からなる光半透過膜と、
　前記光半透過膜は、ＡｒＦエキシマレーザ用では、複素屈折率虚部ｋについては、０．１０≦ｋ≦０．４５の範囲が好ましく、ＡｒＦエキシマレーザ用では、複素屈折率実部ｎについては、ｎ≧２．５の範囲が好ましく、ＡｒＦエキシマレーザの波長で透過率８〜３０％であり、膜厚が６４．３ｎｍ以下である、ハーフトーン型位相シフトマスクブランク。」
　
エ　対比・判断
（ア）本願補正発明と引用発明とを対比する。
ａ　引用発明の「ＡｒＦエキシマレーザ」、「ハーフトーン型位相シフトマスクブランク」、「合成石英基板」、「複素屈折率虚部ｋ」及び「複素屈折率実部ｎ」は、本願補正発明の「ＡｒＦエキシマレーザ露光光」、「マスクブランクス」、「透明基板」、「消衰係数」及び「屈折率」に、それぞれ相当する。
　
ｂ　引用発明の「ＡｒＦエキシマレーザの波長である１９３ｎｍ付近を用いるハーフトーン型の位相シフトマスクの素材となるハーフトーン型位相シフトマスクブランク」は、本願補正発明の「ＡｒＦエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスクを製造するために用いられるマスクブランクス」に相当する。
　
ｃ　引用発明の「ＡｒＦエキシマレーザ用では、複素屈折率虚部ｋについては、０．１０≦ｋ≦０．４５の範囲が好まし」いことは、本願補正発明の「ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が０．２〜０．４５の範囲内であ」ることと、「ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が０．２〜０．４５の範囲内であ」る点で一致する。
　
ｄ　引用発明の「ＡｒＦエキシマレーザ用では、複素屈折率実部ｎについては、ｎ≧２．５の範囲が好まし」いことは、本願補正発明の「ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が２．３〜２．７の範囲内であ」ることと、「ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が２．５〜２．７の範囲内であ」る点で一致する。
　
ｅ　引用発明の「ＡｒＦエキシマレーザの波長で透過率８〜３０％であ」ることは、本願補正発明の「ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が１５％〜３８％の範囲内であ」ることと、「ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が１５％〜３０％の範囲内であ」る点で一致する。
　
ｆ　引用発明の「膜厚は６４．３ｎｍ以下である」ことは、本願補正発明の「膜厚が５７ｎｍ〜６７ｎｍの範囲内であること」と、「膜厚が５７ｎｍ〜６４．３ｎｍの範囲内であること」の点で一致する。
　
（イ）一致点・相違点
　上記（ア）より、本願補正発明と引用発明とは、
「ＡｒＦエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスクを製造するために用いられるマスクブランクスであって、
　透明基板と、前記透明基板上に形成される光半透過膜と、を有し、
　前記光半透過膜は、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が０．２〜０．４５の範囲内であり、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が２．５〜２．７の範囲内であり、ＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が１５％〜３０％の範囲内であり、さらに、膜厚が５７ｎｍ〜６４．３ｎｍの範囲内であるマスクブランクス。」
の点で一致し、以下の相違点で相違する。
　
＜相違点＞「光半透過膜」が、本願補正発明では「ＳｉおよびＮのみからなる（但し、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、およびＳｂを含有するもの除く）」のに対して、引用発明では「ＳｉＯＸＮＹ膜からなる」点。
　
（ウ）判断
　上記相違点について検討する。
ａ　引用文献には、「上記実施例では、ＳｉＯＸＮＹ膜の形成のみを説明したが・・・ＳｉＯＸＮＹ膜に関らず、例えば、シリコン薄膜、又はＳｉの酸化膜、窒化膜、酸窒化膜であっても、同様の効果が得られる。」（上記「ウ」「（ア）」「ｄ」「段落【００１９】」）と記載されていて、引用文献には、Ｓｉの窒化膜からなる半透過膜であっても同様の効果が得られることが記載されているので、引用発明の「ＳｉＯＸＮＹ膜」をＳｉの窒化膜にすることに、何ら格別の困難性はない。
　
ｂ　また、引用文献において、「Ｂ、Ｐ、Ａｓ及びＳｂから選ばれる少なくとも一種の元素」（上記「ウ」「（ア）」「ｃ」「段落【０００９】」）は、「Ｓｉターゲットに、導電性を付与する」（同「段落【０００９】」）ためにＳｉターゲットに含有された結果、「光半透過膜」に（不純物として）含有されたものであって、「光半透過膜のＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数および屈折率」という「光半透過膜の機能および特性」を調整するために含有された物質とはいえない不純物である。
　
ｃ　したがって、引用発明が実体的に不純物として「Ｂ、Ｐ、Ａｓ及びＳｂから選ばれる少なくとも一種の元素」を含むものであっても、「光半透過膜のＡｒＦエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数および屈折率」という「光半透過膜の機能および特性」を調整するために含有された物質を含むものではなく、また、スパッタリングターゲットとしてのＳｉターゲットにおいて、「Ｂ、Ｐ、Ａｓ及びＳｂから選ばれる少なくとも一種の元素」を含まないものは、例を挙げるまでもなく周知であるから、スパッタリングの具体的な条件などにより、「Ｂ、Ｐ、Ａｓ及びＳｂから選ばれる少なくとも一種の元素」を含まないＳｉターゲットを用いることは当業者が適宜選択し得ることである。
　よって、引用発明の「ＳｉＯＸＮＹ膜からなる光半透過膜」を「Ｓｉの窒化膜」として、さらに、「Ｂ、Ｐ、Ａｓ及びＳｂから選ばれる少なくとも一種の元素」を含まない「Ｓｉの窒化膜」となして、ＳｉおよびＮのみからなる光半透過膜（但し、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、およびＳｂを含有するもの除く）とすることも当業者が適宜なし得ることである。
　
ｄ　本「（３）」における独立特許要件の判断は、本件補正が、仮に、特許法第１７条の２第３項（新規事項）の規定に違反するものでないとした議論であるところ、「Ｂ、Ｐ、Ａｓ、およびＳｂを含有」する／しないによって、効果における違いが生じるものであれば、「Ｂ、Ｐ、Ａｓ、およびＳｂを含有」しないことによって新たな技術的事項を生ずることが明らかであるから、本願補正発明の「（但し、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、およびＳｂを含有するもの除く）」との限定は、顕著な効果を生ずるものではない。
　そして、本願補正発明が奏する作用効果も、引用文献のＳｉＯＸＮＹ膜、Ｓｉの窒化膜等がすでに奏し得ていたものにすぎない。
　
ｅ　よって、本願補正発明は、引用発明及び引用文献に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
オ　まとめ
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び引用文献に記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５　［補正の却下の決定についてのむすび］
　上記「３　［理由１］」での検討によれば、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　また、上記「４　［理由２］」での検討によれば、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の特許請求の範囲の各請求項に係る発明は、平成２８年８月２９日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１９に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、前記「第２」「２　［補正の内容］」において、本件補正前のものとして示したとおりのものである。
　
２　刊行物の記載及び引用発明
　上記「第２」「４」「（３）」「ウ」のとおりである。
　
３　対比・判断
　前記「第２」「２　［補正の内容］」のとおり、本件補正は、補正前の請求項１において、「ＳｉおよびＮのみからなる光半透過膜」に関して、「但し、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、およびＳｂを含有するもの除く」との限定を付加するものである。
　そうすると、本願発明は、本願補正発明から上記限定を省いたものと認められるところ、「第２」「４」「（３）」「エ」での検討に照らすと、本願発明は、引用発明及び引用文献に記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用文献に記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであるから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。