【事件の表示】
　特願２０１３−５５３７６４「薄膜により封止された有機発光ダイオード及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　８月３０日国際公開，ＷＯ２０１２／１１３１７７，平成２６年　４月１０日国内公表，特表２０１４−５０９０５０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件拒絶査定不服審判事件に係る出願（以下，「本願」という。）は，２０１１年４月２９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１１年２月２５日，中国）を国際出願日とする出願であって，平成２５年８月２０日に国際出願日における明細書，特許請求の範囲及び図面の翻訳文が提出され，平成２６年７月１１日付けで拒絶理由が通知され，同年９月２４日に意見書及び手続補正書が提出されたが，同年１１月２１日付けで拒絶査定がなされたものである。
　本件拒絶査定不服審判は，これを不服として，平成２７年３月３０日に請求されたものであって，本件審判の請求と同時に手続補正書が提出され，当審において，平成２８年３月８日付けで拒絶理由が通知され，同年６月７日に意見書及び手続補正書が提出された。
第２　本願の請求項１に係る発明
　本願の請求項１ないし３に係る発明は，平成２８年６月７日提出の手続補正書によって補正された特許請求の範囲の翻訳文（特許法１８４条の６第２項の規定により，国際出願日における明細書，特許請求の範囲及び図面の翻訳文は，それぞれ願書に添付して提出した明細書，特許請求の範囲及び図面とみなされる。以下，国際出願日における明細書，特許請求の範囲及び図面の翻訳文を，それぞれ，単に「明細書」，「特許請求の範囲」及び「図面」という。）の請求項１ないし３によって特定されるとおりのものと認められるところ，請求項１の記載は，次のとおりである。
「基板を提供する工程と，
　基板上に順次に透明電極層，有機発光材料層および陰極金属層を形成する工程と，
　さらに陰極金属層上に，室温で，高い幾何学的密度（緻密度）を有し，かつ，前記透明電極層，前記有機発光材料層および前記陰極金属層表面を覆うような低いスパッタ電力と酸素含有プロセスガスのマグネトロンスパッタリングコーティングプロセスを採用して，厚さが５０ｎｍ〜５００ｎｍである五酸化二タンタルの単一層の薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする，薄膜により封止された有機発光ダイオードの製造方法。」（以下，当該発明を「本願発明」という。）
第３　当審において通知した拒絶理由について
　当審において平成２８年３月８日付けで通知された拒絶理由のうち本願発明に対応する部分について，拒絶理由通知書の記載を抜粋すると，次のとおりである。（なお，本願発明は，当審において通知された拒絶理由が対象とする平成２７年３月３０日提出の手続補正書による補正後の各請求項においては，請求項１に係る発明に概ね対応する。）
「理由１：この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていない。
・・・（中略）・・・
理由３：この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
１　理由１（明確性要件違反）・・・（中略）・・・について
（１）『低いスパッタパワー』の明確性要件違反 
 　請求項１には，『低いスパッタパワー・・・のマグネトロンスパッタリングコーティングプロセスを採用して』と記載されているが，・・・（中略）・・・
　さらに，前記記載中の「低い」という表現では，たとえ明細書の記載及び技術常識等を参酌しても，当該表現が如何なる値を含み，如何なる値を含まないのか，その境界を明確に特定することができない。
　したがって，請求項１に係る発明，及び当該請求項１の記載を引用する形式で記載された請求項２，３に係る発明は，明確でない。
（２）『高い幾何学的密度及び光学密度』の明確性要件違反
　請求項１には，『高い幾何学的密度及び光学密度を有し，・・・五酸化二タンタル薄膜』と記載されている。
・・・（中略）・・・
　さらに，請求項１の前記記載中の「高い」という表現では，例え明細書の記載及び技術常識等を参酌しても，当該表現が如何なる値を含み，如何なる値を含まないのか，その境界を明確に特定することができない。
　したがって，請求項１に係る発明，及び当該請求項１の記載を引用する形式で記載された請求項２，３に係る発明は，明確でない。
・・・（中略）・・・
２　理由３（進歩性欠如）について
（１）引用例
引用文献１：特開２００１−３４５１７４号公報
引用文献２：特開平５−２３４６７９号公報（原査定の拒絶の理由で「引用文献６」として引用された文献）
引用文献３：特開２００７−３０５３３２号公報
引用文献４：国際公開第２００９／１３４２１１号（日本語訳については，特表２０１１−５２３９７７号公報を参照。）
（２）請求項１について
・・・（中略）・・・
　したがって，請求項１に係る発明は，引用文献１に記載された発明及び周知の技術に基づいて（少なくとも，引用文献１ないし引用文献４の適宜組み合わせによって），当業者が容易に発明をすることができたものである。 」（以下，当該抜粋中の「理由１（明確性要件違反）」に示した理由を「当審拒絶理由１」といい，当該抜粋中の「理由３（進歩性欠如）」に示した理由を「当審拒絶理由２」という。）
第４　当審拒絶理由１についての判断
　当審拒絶理由１において明確でないと指摘された「低いスパッタパワー」及び「高い幾何学的密度」という記載は，平成２８年６月７日提出の手続補正書によって，それぞれ「低いスパッタ電力」及び「高い幾何学的密度（緻密度）」という記載に補正されているところ，当該「低いスパッタ電力」及び「高い幾何学的密度（緻密度）」という記載を含む本願発明の発明特定事項は，
「陰極金属層上に，室温で，
高い幾何学的密度（緻密度）
低いスパッタ電力
である。
　当該発明特定事項が指し示す内容は，その文言からは明確には特定し難いものの，前記手続補正書とともに平成２８年６月７日に提出された意見書において，請求人が，
「・項目（１）「低いスパッタパワー」の明確性要件違反について
・・・（中略）・・・
　また，前記記載中の「低い」という表現については，「高い幾何学的密度（緻密度）を有し，かつ，前記透明電極層，前記有機発光材料層および前記陰極金属層表面を覆うような低いスパッタ電力」と，作用的な表現で記載させて頂きました。審判官殿もご存じの通り，ターゲットに印加するスパッタ電力を具体的に数値で特定しても，装置の規模や仕様に依存してしまいます。そこで，上記の記載により，「低い」という状態（用語）を作用的な記載によって明確にさせて頂きました。
・項目（２）「高い幾何学的密度及び光学密度」の明確性要件違反について
　高い幾何学的密度とは，この分野で用いることがある緻密度（明細書にも記載があります）或いは高充填密度のことです。」
と説明していることを参酌すると，本願発明の前記発明特定事項は，
「『陰極金属層上』に，『厚さが５０ｎｍ〜５００ｎｍである五酸化二タンタルの単一層の薄膜』を，『マグネトロンスパッタリングコーティングプロセス』により形成する工程であって，
(1)『室温』で行うこと，
(2)『酸素含有プロセスガス』を用いること，及び，
(3)『スパッタ電力』として『高い幾何学的密度（緻密度）を有し，かつ，前記透明電極層，前記有機発光材料層および前記陰極金属層表面を覆う』ような薄膜が形成される『低い』値を設定すること
を，前記マグネトロンスパッタリングコーティングプロセスの成膜条件としている工程」
を意味していると解するのが相当である。
　そうすると，「低いスパッタ電力」及び「高い幾何学的密度（緻密度）」という記載については，「高い幾何学的密度（緻密度）」が不明確な概念であるのであれば，当該「高い幾何学的密度（緻密度）」を用いて作用的に表現された「低いスパッタ電力」についても不明確な概念ということになり，これらの概念を用いて特定される本願発明は，明確性要件に違反するというべきである。
　そこで，「高い幾何学的密度（緻密度）」が明確な概念であるのか否かについて検討すると，請求項１を含め特許請求の範囲の記載からは，如何なる値の幾何学的密度（緻密度）が「高い幾何学的密度（緻密度）」に含まれ，如何なる値の幾何学的密度（緻密度）が「高い幾何学的密度（緻密度）」に含まれないのか，その境界を明確に特定することができない。
　また，本願発明が属する技術分野において，「高い幾何学的密度（緻密度）」なる文言が如何なる値の幾何学的密度を指すのかが技術常識であったことを示す証拠は見当たらない。
　さらに，本願明細書の発明の詳細な説明等の記載を参酌してみると，「高い幾何学的密度（緻密度）」に関しては，
「【００２３】
　本発明の実施例に提供された技術案は，有機発光ダイオードの陰極金属層上に，
高い幾何学密度
「【００３９】
　五酸化二タンタル薄膜は，
高い幾何学的密度
「【００４４】
　本実施例が提供する有機発光ダイオードは，陰極金属層上に
高い幾何学的密度
「【００５６】
　本実施例が提供する有機発光ダイオードの製造方法では，陰極金属層上に，
高い幾何学的密度
との記載が存在するのみであって，「高い幾何学的密度（緻密度）」の定義は記載されていない。
　前述した本願明細書の発明の詳細な説明の各記載から理解できるのは，「高い幾何学的密度（緻密度）」を有する五酸化二タンタル薄膜が，水蒸気及び酸素ガスに対する封止隔絶効果に優れたものであるといった程度の事項であって，どの程度の封止隔絶効果を有していれば「高い幾何学的密度（緻密度）」といえるのかは不明である。
　その上，本願明細書の発明の詳細な説明には，どのような値のスパッタ電力のマグネトロンスパッタリングによって成膜することによって，どの程度の幾何学的密度の五酸化二タンタル薄膜が形成され，当該五酸化二タンタル薄膜によってどの程度の封止隔絶効果が得られるのかといったような具体的な実施例が記載されているわけでもないから，本願明細書の発明の詳細な説明の記載には，「高い幾何学的密度（緻密度）」という概念の外延を特定もしくは推測するための手がかりすらないというほかない。
　以上によれば，請求項１に記載された「高い幾何学的密度（緻密度）」なる発明特定事項は，たとえ技術常識や本願明細書の記載を参酌したとしても，如何なるものが当該発明特定事項に含まれ，如何なるものが当該発明特定事項に含まれないのか，その境界が明確に特定できない概念であるといわざるを得ず，当該「高い幾何学的密度（緻密度）」を用いて作用的に表現される「低いスパッタ電力」についても不明確な概念であるといわざるを得ない。
　したがって，これらの不明確な概念により特定される本願発明は，明確でない。
　よって，本願は，特許請求の範囲の記載が，特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていない。
第５　当審拒絶理由２についての判断
１　引用例
（１）引用文献１
　ア　引用文献１の記載
　当審拒絶理由２で引用された引用文献１は，本願の優先権主張の日（以下，「本願優先日」という。）より前に頒布された刊行物であるところ，当該引用文献１には次の記載がある。（下線部は，後述する引用発明の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）　「【請求項１４】陽極，ＥＬ層及び陰極からなるＥＬ素子を有する自発光装置の作製方法であって，前記ＥＬ素子を覆う無機材料からなる膜をＣＶＤ法または蒸着法により成膜し，前記無機材料からなる膜を覆う有機材料からなる膜をインクジェット法により成膜することを特徴とする自発光装置の作製方法。」
（イ）　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，陽極，陰極及びそれらの間にＥＬ（Electro Luminescence）が得られる
発光性有機材料（以下，有機ＥＬ材料という）
ＥＬ素子を絶縁体上に形成した自発光装置
の作製方法
自発光装置はＯＬＥＤ
ともいう
【０００２】
【従来の技術】近年，発光性有機材料のＥＬ現象を利用した自発光素子としてＥＬ素子を用いた表示装置（自発光装置）の開発が進んでいる。自発光装置は自発光型であるため，液晶表示装置のようなバックライトが不要であり，さらに視野角が広いことから電気器具の表示部として有望視されている。
【０００３】なお，ＥＬ素子は，エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：電場を加えることで発生するルミネッセンス）が得られる有機化合物を含む層（以下，ＥＬ層と記す）と，陽極層と，陰極層とを有する。・・・（中略）・・・
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はＥＬ層，及びＥＬ素子上にＥＬ素子を覆って形成される有機材料（有機樹脂）からなる膜（以下，カバー層とよぶ）を同一の方法を用いて形成するというものである。なお，カバー層とは，陽極，ＥＬ層及び陰極からなるＥＬ素子の陰極上に形成される有機材料からなるものであり，このカバー層を設けることでＴＦＴまたは，ＥＬ素子の応力緩和に効果的である。さらに水分や酸素のＥＬ層への進入を防ぐことができ，これによりＥＬ層の劣化を防ぐことができる。さらに，カバー層の上に
無機材料からなる膜（以下，バリア層とよぶ）を形成することにより，水分や酸素がカバー層，またはＥＬ層へ進入するのを防ぐことができる
・・・（中略）・・・
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するために用いるマルチチャンバーとは，ＥＬ層及び有機材料からなるカバー層を電界塗布法又は，インクジェット法で塗布形成するための塗布室と陰極を蒸着法で形成するための蒸着室と窒化珪素や酸化タンタルからなるバリア層を形成するためのスパッタリング室を有する成膜装置である。
・・・（中略）・・・
【００１２】なお，本発明に於いては，ＥＬ素子の陰極上にカバー層を形成した後でバリア層を形成しても良いし，
ＥＬ素子の陰極上にバリア層を形成した後でカバー層を形成する
（ウ）　「【００１３】
【発明の実施の形態】ここで本発明の実施の形態について図１を用いて説明する。図１（Ａ）に示すように，
ＥＬ層，陰極，バリア層及びカバー層を連続的に同一のマルチチャンバーで形成する
【００１４】なお，
バリア層とは水分や酸素のＥＬ層への進入を防ぐために設ける無機材料で形成されるパッシベーション膜のことをいう
【００１５】まず，塗布室で電界塗布法又は，インクジェット方式を用いてＥＬ層を形成する。次に蒸着室で陰極を蒸着法により形成させ，さらにこの陰極上にバリア層として窒化珪素，酸化タンタル，窒化アルミニウムもしくは炭素からなるダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）といった無機材料からなる無機膜をスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法を用いて形成する。最後に，バリア層の上にＥＬ層を形成したときと同様に塗布室でインクジェット法によりカバー層を形成することで自発光装置の封止構造を完成することができる。
【００１６】以上説明したように，ＥＬ層及びカバー層を形成するときに同じ方法を用いているために所望の位置のみに選択的に膜を形成することができ，同一チャンバー内で処理することが可能である。
【００１７】本発明において形成する積層膜の断面構造を図１（Ｂ）に示す。図１（Ｂ）において１０１はガラス基板であり，１０２は電流制御用ＴＦＴである。さらに，１０３は，電流制御用ＴＦＴに電気的に接続された透明性の導電膜からなる画素電極である。画素電極１０３上には，ＥＬ層１０４を前に述べたような方法で形成する。さらに，ＥＬ層１０４上に，陰極１０５を蒸着法で形成する。
【００１８】さらに，陰極１０５上に窒化珪素，酸化タンタルまたは，炭素からなるＤＬＣ膜といった無機膜からなるバリア層１０６を形成した後，有機樹脂膜からなるカバー層１０７をＥＬ層と同様の塗布方法で形成する。
【００１９】図１（Ｃ）には，ＥＬ層及びカバー層１０７を形成する際に電界で塗布液を制御して塗布する電界塗布法を示す。図１（Ｃ）において，１１０は，図１（Ｂ）に示す積層構造のうちバリア層まで形成した基板である。また，１１１は，カバー層を形成するための有機樹脂液が備えられている材料室である。材料室１１１には，超音波振動子１１２を設け，有機樹脂液が放出される材料室１１１の先端のノズル１１３には，電極１１４を設ける。
【００２０】本発明の場合，有機樹脂液は材料室１１１で超音波振動子１１２に与えられる超音波振動により霧状になる。ここで霧状になった有機樹脂液は材料室１１１のノズル１１３に設けた電極１１４により帯電して帯電粒子となり，アクティブマトリクス基板１１０上の所望の位置に成膜される。
【００２１】帯電粒子となった有機樹脂を，引き出し電極１１５がノズル１１３から引き出し，加速電極１１６が飛翔方向に加速し，さらに制御電極１１７が塗布位置を制御して基板１１０の所望の位置に塗布する。
【００２２】これにより，図１（Ｂ）に示すような積層構造を同一のマルチチャンバー内で形成することができ自発光装置の封止構造が完成する。」
（エ）　「【００２４】
【実施例】〔実施例１〕・・・（中略）・・・
【００６８】なお，
上述のようにＥＬ層は熱に弱いので，陰極４３はなるべく低温（好ましくは室温から１２０℃までの温度範囲）で成膜するのが望ましい。従って，プラズマＣＶＤ法，スパッタリング法が望ましい成膜方法といえる。
（オ）　「【００７２】〔実施例２〕本発明の実施例における画素部とその周辺に設けられる駆動回路部のＴＦＴを同時に作製する方法について図４〜図６を用いて説明する。但し，説明を簡単にするために，駆動回路に関しては基本回路であるＣＭＯＳ回路を図示することとする。
【００７３】まず，図４（Ａ）に示すように，
ガラス基板３００上に下地膜３０１を
形成する
【００７４】次に
下地膜３０１の上に
【００７５】そして，公知の技術により非晶質珪素膜を結晶化し，結晶質珪素膜（多結晶シリコン膜若しくはポリシリコン膜ともいう）３０２を形成する。・・・（中略）・・・
【００７８】次に，図４（Ｂ）に示すように，結晶質珪素膜３０２上に酸化珪素膜でなる保護膜３０３を１３０ｎｍの厚さに形成する。・・・（中略）・・・
【００７９】そして，その上にレジストマスク３０４ａ，３０４ｂを形成し，保護膜３０３を介してｎ型を付与する不純物元素（以下，ｎ型不純物元素という）を添加する。・・・（中略）・・・
【００８１】次に，図４（Ｃ）に示すように，保護膜３０３およびレジスト３０４ａ，３０４ｂを除去し，添加した１５族に属する元素の活性化を行う。・・・（中略）・・・
【００８４】次に，図４（Ｄ）に示すように，結晶質珪素膜の不要な部分を除去して，
島状の半導体膜
活性層
３０６〜３０９を形成する
【００８５】次に，図４（Ｅ）に示すように，活性層３０６〜３０９を覆って
ゲート絶縁膜３１０を形成する
【００８６】次に，２００〜４００ｎｍ厚の導電膜を形成し，パターニングして
ゲート電極３１１〜３１５を形成する
【００９１】次に，図５（Ａ）に示すように，ゲート電極３１１〜３１５をマスクとして自己整合的にｎ型不純物元素（本実施例ではリン）を添加する。・・・（中略）・・・
【００９２】次に，図５（Ｂ）に示すように，ゲート電極等を覆う形でレジストマスク３２４ａ〜３２４ｄを形成し，ｎ型不純物元素（本実施例ではリン）を添加して
高濃度にリンを含む不純物領域３２５〜３２９を形成する
【００９４】次に，図５（Ｃ）に示すように，レジストマスク３２４ａ〜３２４ｄを除去し，新たにレジストマスク３３２を形成する。そして，ｐ型不純物元素（本実施例ではボロン）を添加し，
高濃度にボロンを含む不純物領域３３３〜３３６を形成する
【００９６】次に，レジストマスク３３２を除去した後，それぞれの濃度で添加されたｎ型またはｐ型不純物元素を活性化する。・・・（中略）・・・
【００９８】次に，活性化工程が終了したら図５（Ｄ）に示すように３００ｎｍ厚の
ゲート配線３３７を形成する
【０１００】次に，図６（Ａ）に示すように，
第１層間絶縁膜３３８を形成する
【０１０１】さらに，３〜１００％の水素を含む雰囲気中で，３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い，水素化処理をする。・・・（中略）・・・
【０１０３】次に，第１層間絶縁膜３３８及びゲート絶縁膜３１０に対してコンタクトホールを形成し，
ソース配線３３９〜３４２と，ドレイン配線３４３〜３４５を形成する
【０１０４】次に，５０〜５００ｎｍ（代表的には２００〜３００ｎｍ）の厚さで
第１パッシベーション膜３４６を形成する
【０１０６】次に，図６（Ｂ）に示すように有機樹脂からなる
第２層間絶縁膜３４７を形成する
【０１０７】次に，第２層間絶縁膜３４７及び第１パッシベーション膜３４６に対してコンタクトホールを形成し，
ドレイン配線３４５と電気的に接続する画素電極３４８を形成する
酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜を１１０ｎｍの厚さに形成し，パターニングを行って画素電極とする
透明電極
【０１０８】次に，図６（Ｃ）に示すように，樹脂材料からなるバンク３４９を形成する。バンク３４９は合計で１〜２μｍの膜厚のアクリル樹脂膜またはポリイミド膜といった膜をパターニングして形成すれば良い。このバンク３４９は図６に示したように，画素と画素との間にストライプ状に形成する。本実施例ではソース配線３４１に沿って形成するがゲート配線３３７に沿って形成しても良い。
【０１０９】次に，
ＥＬ層３５０を，図１（Ｃ）で説明した電界塗布法により形成する
・・・（中略）・・・
【０１１４】ＥＬ層３５０としては公知の材料を用いることができる。公知の材料としては，駆動電圧を考慮すると
有機材料を用いる
ＥＬ層３５０は，上記ＥＬ材料から形成される，いわゆる発光層のみの単層構造
・・・（中略）・・・
【０１１７】ＥＬ層３５０を形成した後，
陰極
ＭｇＡｇ電極
３５１を真空蒸着法により形成する
【０１１８】さらに，
陰極３５１上には，保護電極３５２を設ける
真空蒸着法で形成する
【０１１９】保護電極３５２まで完成したアクティブマトリクス基板上には，さらに外気に曝されないようにして，
バリア層３５３を形成する
バリア層３５３を形成する材料として酸化タンタルを用いる
また，本実施例においてバリア層３５３は，スパッタリング法を用いて形成するが，プラズマＣＶＤ法といった室温で成膜できる方法を用いることもできる。
【０１２０】バリア層３５３を形成したら，
バリア層３５３の上に有機樹脂からなるカバー層３５４を形成する
電界塗布法により
【０１２１】また，この時カバー層を形成する有機樹脂液の内部に酸化バリウムといった吸湿剤や酸化防止剤を加えるとＥＬ素子の劣化原因である水分や酸素の進入を防ぐのに効果的である。」
（カ）　「【０１６２】〔実施例４〕本実施例では本発明をパッシブ型（単純マトリクス型）の自発光装置に用いた場合について説明する。・・・（中略）・・・
【０１７７】保護電極１３０６を形成した後で，無機材料からなるバリア層１３０７を形成する。ここでは，窒化珪素，酸化タンタル，窒化アルミニウム，炭素（具体的にはＤＬＣ膜）といった無機材料を用いると良く，プラズマＣＶＤ法，スパッタリング法または蒸着法により形成することができるが，本実施例では，窒化珪素膜をスパッタリング法により形成する。なお，このときバリア層１３０７の膜厚は，１０ｎｍ〜１００ｎｍが好ましい。」
（キ）　「【０２１０】
【発明の効果】本発明を実施することで，ＥＬ層及びカバー層を同一の塗布方法で形成することができる。これにより，大気解放することなく効率的にＥＬ層，陰極，バリア層及びカバー層を同一のマルチチャンバーで連続的に形成することが可能である。また，バリア層及びカバー層を形成させることでＥＬ層への水分や酸素の進入を防ぎ，ＥＬ層の劣化対策に効果的である。また，バリア層及びカバー層を形成することで封止構造が完成するので，通常の封止構造に比べると小型化，軽量化が可能となる。」
（ク）　「【図面の簡単な説明】
【図１】　　本発明の薄膜形成方法を示す図。
・・・（中略）・・・
【図４】　　自発光装置の作製工程を示す図。
【図５】　　自発光装置の作製工程を示す図。
【図６】　　自発光装置の作製工程を示す図。
・・・（中略）・・・
【図１】
・・・（中略）・・・
【図４】
【図５】
【図６】
」
　イ　引用文献１に記載された発明
　前記ア（オ）の【０１１４】に記載された「有機材料」である「ＥＬ材料」とは，前記ア（イ）の【０００１】に記載された「発光性有機材料（以下，有機ＥＬ材料という）」のことであることが明らかである。
　また，前記ア（ク）の図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）から，画素電極３４８が第２層間絶縁膜３４７上に形成され，ＥＬ層３５０が画素電極３４８上に形成され，陰極３５１がＥＬ層３５０上に形成され，バリア層３５３が保護電極３５２上に形成されていることを看取できる。
　そして，前記ア（エ）の【００６８】の「上述のようにＥＬ層は熱に弱いので，陰極４３はなるべく低温（好ましくは室温から１２０℃までの温度範囲）で成膜するのが望ましい。従って，プラズマＣＶＤ法，スパッタリング法が望ましい成膜方法といえる。」という記載，及び前記ア（オ）の【０１１９】の「また，本実施例においてバリア層３５３は，スパッタリング法を用いて形成するが，プラズマＣＶＤ法といった室温で成膜できる方法を用いることもできる。」という実施例２に関する記載から，当該実施例２に関する記載中の「スパッタリング法」によるバリア層３５３の形成を室温で行う態様の実施例２を把握できる。
　したがって，前記ア（ア）ないし（ク）の記載から，引用文献１に，前記室温のスパッタリング法でバリア層３５３を形成する実施例２に対応するＯＬＥＤの作製方法として，次の発明が記載されていると認められる。
「ガラス基板３００上に，下地膜３０１，島状の半導体膜である活性層３０６〜３０９，ゲート絶縁膜３１０，ゲート電極３１１〜３１５，前記活性層３０６〜３０９中の高濃度にリンを含む不純物領域３２５〜３２９及び高濃度にボロンを含む不純物領域３３３〜３３６，ゲート配線３３７，第１層間絶縁膜３３８，ソース配線３３９〜３４２，ドレイン配線３４３〜３４５，第１パッシベーション膜３４６及び第２層間絶縁膜３４７を順次形成する工程と，
　前記第２層間絶縁膜３４７上にＩＴＯ膜を形成し，当該ＩＴＯ膜にパターニングを行って，前記ドレイン配線３４５と電気的に接続する透明電極である画素電極３４８を形成する工程と，
　前記画素電極３４８上に，電界塗布法により，発光性有機材料からなる発光層のみの単層構造のＥＬ層３５０を形成する工程と，
　前記ＥＬ層３５０上に，真空蒸着法により，ＭｇＡｇ電極である陰極３５１を形成する工程と，
　前記陰極３５１上に，真空蒸着法により，保護電極３５２を形成する工程と，
　前記保護電極３５２上に，室温でのスパッタリング法により，水分や酸素の前記ＥＬ層３５０への進入を防ぐための，酸化タンタルからなるバリア層３５３を形成する工程と，
　前記バリア層３５３上に，電界塗布法により，有機樹脂からなるカバー層３５４を形成する工程と，
を有するＯＬＥＤの作製方法。」（以下，当該発明を「引用発明」という。）
（２）周知の技術的事項
　ア　引用文献２の記載
　当審拒絶理由２で引用された引用文献２は，本願優先日より前に頒布された刊行物であるところ，当該引用文献２には次の記載がある。（下線部は，後述する周知技術の認定に特に関係する箇所を示す。）
「【００１２】
【実施例】以下添付図面を参照し実施例により本発明を詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施例を示す交流薄膜ＥＬ素子の構成図である。ガラス基板１上に錫添加酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ）の透明電極２（膜厚２００ｎｍ），さらにその上にＴａ２Ｏ５の第１誘電体層３（膜厚２００ｎｍ）が形成されている。
Ｔａ
２
Ｏ
５
薄膜の製作は高周波マグネトロンスパッタリング法を用い，Ｔａ
２
Ｏ
５
焼結ターゲットを酸素とアルゴンの混合ガスプラズマでスパッタリングした。
　イ　引用文献３の記載
　当審拒絶理由２で引用された引用文献３は，本願優先日より前に頒布された刊行物であるところ，当該引用文献３には次の記載がある。（下線部は，後述する周知技術の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）　「【００２９】
　次に，有機ＥＬ素子１０を覆う保護膜１５について，以下に説明する。
【００３０】
　本発明において，保護膜１５は，スパッタリング法により成膜されるが，スパッタリング法とは，以下の過程で薄膜を形成する成膜法である。
【００３１】
　先ず，スパッタ装置内にＡｒ，Ｈｅ，Ｎ２，Ｘｅ，Ｋｒ等の不活性なスパッタガスを導入し，ターゲットに百Ｖ〜数ｋＶの電圧を印加して，グロー放電を起こさせ，スパッタガスによるプラズマを発生させる。このプラズマ内の高エネルギーをもった電子，イオンや中性粒子がターゲット表面に衝突して，運動量の交換によりターゲット表面を構成している原子や分子が，外部に放出される。この現象をスパッタと呼び，スパッタにより放出されたターゲット材料の表面原子や分子を，有機ＥＬ素子が形成された基板上に堆積させて，外気と遮断する保護膜として，これを有機ＥＬ素子上に形成する。
【００３２】
　
有機ＥＬ素子１０を覆う保護膜１５として
シリコンのターゲットに，
酸素ガス等の反応性ガスを導入して，例えば，ＤＣ放電スパッタによって
酸化膜
を成膜する
【００３３】
　本発明のスパッタ装置においては，ターゲットから発生するプラズマの発光強度を，センサにより，リアルタイムでモニタして，これにより，反応性ガスの導入量を制御して，スパッタ中のプラズマの発光強度が所定の値となるように，制御しつつ行うものである。
【００３４】
　本発明のスパッタリング法に用いられるスパッタ装置としては，シリコンのターゲットに対向して基板を配置して，ターゲットのスパッタを行う近傍にマグネットを配置して磁界を印加し，ターゲット表面のイオンや中性粒子の衝突を増加させて，成膜速度を大きくした
マグネトロン方式
【００３５】
　従来の
マグネトロン方式は，基板がターゲットと対向しているため成膜速度の増加が容易である
【００３６】
　
図２は，本発明の第一の実施の形態である，マグネトロン方式によるマグネトロンスパッタ装置
【００３７】
　マグネトロンスパッタ装置１００は，真空槽２０，排気口２１，ターゲット３０，カソード３１，マグネット３２，成膜を行う基板１１，ＤＣ電源５０などからなる。
【００３８】
　真空槽２０は，外気と遮断された減圧空間を提供する槽で，排気口２１に接続された図示しない真空ポンプにより槽内が減圧に維持される。
【００３９】
　
ターゲット３０は，有機ＥＬ素子の保護膜を形成する場合，シリコン材料から構成されるターゲット
【００４０】
　
スパッタガス供給ボード３３は，Ａｒ等のスパッタガスの，真空槽２０への導入口，反応性ガス供給ポート３５は，
酸素
の反応性ガスの真空槽２０への導入口
【００４１】
　ターゲット３０は，カソード３１と接続されており，ＤＣ電源５０からカソード３１を介して電圧が印加されると，所定のガス圧の環境下において，ターゲット３０の近傍にプラズマが発生してスパッタリングが行われる。
【００４２】
　４０は，プラズマエミッションモニター（ＰＥＭ）であり，プラズマエミッションモニターは，センサ４１を介してプラズマの発光スペクトルをリアルタイムでモニタし，取り込んで，これにより，スパッタ中のプラズマの発光強度が所定の値となるように，プラズマエミッションモニター中の，コントロールユニットにより，マスフローコントローラを制御して，
反応性ガス導入流量を制御バルブ３６によって調整
【００４３】
　プラズマエミッションモニターには，例えば，アーステック製，スピードフロＴＭスパッタリング反応ガスコントローラ等を用いることができる。
【００４４】
　本発明においては，反応ガスによるプラズマの発光状態に合わせて，成膜を行うことで，成膜速度の劣化なく，高品質のガスバリア膜（保護膜）を，有機ＥＬ素子のダメージを低減させて，成膜することが可能である。」
（イ）　「【００５３】
　《好ましい実施の形態》
　先ず，有機ＥＬ素子を以下の様に作製した。
【００５４】
　有機ＥＬ素子の一例として，陽極／正孔輸送層／発光層／陰極からなる有機ＥＬ素子を作製した。
・・・（中略）・・・
【００５８】
　作製したボトムエミッションの有機ＥＬ素子の基板を真空環境を維持したまま，スパッタリングを行う前記
図２で示されるスパッタ装置
【００５９】
　ターゲットとしては，
円筒形状のシリコン材料のターゲット（８インチ径，厚み２０ｍｍ）を用いて
放電条件は，以下のように設定した。即ち，放電電圧５５０Ｖのパルス（１４．３ｋＨｚ，Ｏｎ−ｔｉｍｅ　５０μｓｅｃ，Ｏｆｆ−ｔｉｍｅ　２０μｓｅｃ），放電電力３Ｗ／ｃｍ２を用い，
スパッタガスとしてＡｒを流量５０ｓｃｃｍ，Ｎ
２
を流量３０ｓｃｃｍの条件
窒化珪素膜を成膜
【００６０】
　この条件で有機ＥＬ素子上に５００ｎｍの厚さのバリア膜を形成してサンプル１を作製した。
【００６１】
　また，別に，ターゲットへの印加電力を４．０Ｗ／ｃｍ２，３．０Ｗ／ｃｍ２，０．２Ｗ／ｃｍ２，０．１Ｗ／ｃｍ２，０．０９Ｗ／ｃｍ２，とした以外，同様の条件で，同じく前記で作製した有機ＥＬ素子上に５００ｎｍの厚さのバリア膜を形成する試験を行った。
【００６２】
　印加電力０．０９Ｗ／ｃｍ２ではプラズマが弱く，実質的に膜形成が行えなかったが，４．０Ｗ／ｃｍ２，３．０Ｗ／ｃｍ２，０．２Ｗ／ｃｍ２，０．１Ｗ／ｃｍ２では，それぞれサンプル１同様に，成膜時間を変えることで，５００ｎｍ厚のバリア膜（窒化珪素膜）を形成することができた。それぞれサンプル２（４．０Ｗ／ｃｍ２），３（３．０Ｗ／ｃｍ２），４（０．２Ｗ／ｃｍ２），５（０．１Ｗ／ｃｍ２）とした。
・・・（中略）・・・
【００６５】
　本発明に係わる，プラズマエミッションモニターによる制御を行ったマグネトロンスパッタ装置によって，保護膜を形成した，サンプル１，３，４，５は，量子収率が高く，良好な発光効率を示すことが示されたほか，プラズマエミッションモニタリング制御によりガス流量を制御しつつ，効率的な窒化珪素膜形成を行える本発明のスパッタリング法においても，ターゲットへの印加電力が，３．０Ｗ／ｃｍ２，を超えると，高エネルギーのプラズマにより，有機ＥＬ素子が，ダメージを被ることで，発光の量子効率が明らかに低下するのが認められる。
【００６６】
　従って，本発明のプラズマエミッションモニタリング制御を用いた有機ＥＬ素子の保護膜形成の好ましい態様においては，プラズマのエネルギー強度が余り強くならないよう，ターゲットへの印加電力を，０．１Ｗ／ｃｍ２〜３．０Ｗ／ｃｍ２の範囲に調整すべきである。」
　ウ　引用文献２及び引用文献３の記載から把握される周知の技術的事項
　前記ア及びイの記載からみて，
「酸素含有プロセスガスを用いたマグネトロンスパッタリング法により，無機酸化物の薄膜を形成する技術」
が，本願優先日前に周知であったと認められる（以下，当該技術を「周知技術」という。）。
２　対比
（１）　引用発明の「透明電極である画素電極３４８」，「発光性有機材料からなる発光層のみの単層構造のＥＬ層３５０」，「ＭｇＡｇ電極である陰極３５１」及び「ＯＬＥＤの作製方法」は，本願発明の「透明電極層」，「有機発光材料層」，「陰極金属層」及び「有機発光ダイオードの製造方法」に，それぞれ相当する。
（２）　引用発明では，「ガラス基板３００上に，下地膜３０１，島状の半導体膜である活性層３０６〜３０９，ゲート絶縁膜３１０，ゲート電極３１１〜３１５，前記活性層３０６〜３０９中の高濃度にリンを含む不純物領域３２５〜３２９及び高濃度にボロンを含む不純物領域３３３〜３３６，ゲート配線３３７，第１層間絶縁膜３３８，ソース配線３３９〜３４２，ドレイン配線３４３〜３４５，第１パッシベーション膜３４６及び第２層間絶縁膜３４７を順次形成する工程」によって，ガラス基板３００上にＴＦＴを形成しているところ，引用発明の当該工程を，「ＴＦＴが形成されたガラス基板３００」（以下，便宜上「ＴＦＴ基板」という。）を提供する工程ということができ，引用発明の当該工程が提供する「ＴＦＴ基板」が，本願発明の「基板」に相当する。
　したがって，引用発明は，「基板を提供する工程」を含むという本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備している。
（３）　引用発明では，「ＴＦＴ基板」の第２層間絶縁膜３４７上にＩＴＯ膜を形成し，当該ＩＴＯ膜にパターニングを行って，前記ドレイン配線３４５と電気的に接続する透明電極である画素電極３４８を形成する工程と，前記画素電極３４８上に，電界塗布法により，発光性有機材料からなる発光層のみの単層構造のＥＬ層３５０を形成する工程と，前記ＥＬ層３５０上に，真空蒸着法により，ＭｇＡｇ電極である陰極３５１を形成する工程とを有しているところ，これらの工程では，「ＴＦＴ基板」（本願発明の「基板」に相当する。以下，「２　対比」の欄において，引用発明の構成に付したカッコ内の文言は，これに相当する本願発明の発明特定事項を表す。）に，「透明電極である画素電極３４８」（透明電極層），「発光性有機材料からなる発光層のみの単層構造のＥＬ層３５０」（有機発光材料層）及び「ＭｇＡｇ電極である陰極３５１」（陰極金属層）を順次形成している。
　したがって，引用発明は，「基板上に順次に透明電極層，有機発光材料層および陰極金属層を形成する工程」を含むという本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備している。
（４）ア　「五酸化二タンタル」とは酸化タンタルの一つであるから，引用発明の「バリア層３５３」の材料である「酸化タンタル」と，本願発明の「単一層の薄膜」の材料である「五酸化二タンタル」は，「酸化タンタル」である点で共通する。
　また，引用発明の「酸化タンタルからなるバリア層３５３」は，複数の層から構成されたものではなく，一つの層であるから，「単一層の薄膜」といえる。
　さらに，引用発明の「バリア層３５３」は，保護電極３５２上に形成されるところ，当該保護電極３５２は，「陰極３５１」（陰極金属層）上に形成されるのだから，「バリア層３５３」は，「ＭｇＡｇ電極である陰極３５１」（陰極金属層）上に保護電極３５２を介して形成されるものといえる。
　したがって，引用発明と本願発明は，「陰極金属層上に，酸化タンタルの単一層の薄膜を形成する」工程を有する点で共通する。
　イ　引用発明の「スパッタリング法」と，本願発明の「マグネトロンスパッタリングコーティングプロセス」は，「スパッタリングコーティングプロセス」である点で共通し，両者はともに室温で行われている。
　また，引用発明の「バリア層３５３」は，水分や酸素のＥＬ層３５０への進入を防ぐためのものであるから，「画素電極３４８」，「ＥＬ層３５０」及び「陰極３５１」表面を覆うことが自明であり（なお，この点は，引用文献１の図１（Ｂ）からも看取できることでもある。），当該「バリア層３５３」を形成する引用発明の「スパッタリング法」における「スパッタ電力」は，「『画素電極３４８』（透明電極層），『ＥＬ層３５０』（有機発光材料層）及び『陰極３５１』（陰極金属層）表面を覆うようなスパッタ電力」といえる。
　したがって，引用発明の「酸化タンタルからなるバリア層３５３」を形成する工程で用いる「スパッタリング法」と，本願発明の「五酸化二タンタルの単一層の薄膜」を形成する工程で用いる「マグネトロンスパッタリングコーティングプロセス」は，「室温で，透明電極層，有機発光材料層および陰極金属層表面を覆うようなスパッタ電力のスパッタリングコーティングプロセス」である点で共通する。
　ウ　前記ア及びイに照らせば，引用発明の「保護電極３５２上に，室温でのスパッタリング法により，水分や酸素のＥＬ層３５０への進入を防ぐための，酸化タンタルからなるバリア層３５３を形成する工程」と，本願発明の「陰極金属層上に，室温で，高い幾何学的密度（緻密度）を有し，かつ，前記透明電極層，前記有機発光材料層および前記陰極金属層表面を覆うような低いスパッタ電力と酸素含有プロセスガスのマグネトロンスパッタリングコーティングプロセスを採用して，厚さが５０ｎｍ〜５００ｎｍである五酸化二タンタルの単一層の薄膜を形成する工程」は，「陰極金属層上に，室温で，透明電極層，有機発光材料層および陰極金属層表面を覆うようなスパッタ電力のスパッタリングコーティングプロセスを採用して，酸化タンタルの単一層の薄膜を形成する工程」である点で共通する。
（５）　引用発明により作製された「ＯＬＥＤ」（有機発光ダイオード）は，「バリア層３５３」により，水分や酸素のＥＬ層３５０への進入が防がれるのだから，「バリア層３５３」（薄膜）により封止されたものといえる。
　したがって，引用発明と本願発明は，「薄膜により封止された有機発光ダイオードの製造方法」である点で一致する。
（６）　前記（１）ないし（５）によれば，本願発明と引用発明は，
「基板を提供する工程と，
　基板上に順次に透明電極層，有機発光材料層および陰極金属層を形成する工程と，
　さらに陰極金属層上に，室温で，前記透明電極層，前記有機発光材料層および前記陰極金属層表面を覆うようなスパッタ電力のスパッタリングコーティングプロセスを採用して，酸化タンタルの単一層の薄膜を形成する工程とを含む，薄膜により封止された有機発光ダイオードの製造方法。」
である点で一致し，次の点で一応相違する。
相違点１：
　本願発明では，「単一層の薄膜」を形成するスパッタリングコーティングプロセスとして，「高い幾何学的密度（緻密度）を有するような低いスパッタ電力と酸素含有プロセスガスのマグネトロンスパッタリングコーティングプロセス」を採用しているのに対して，
　引用発明では，「バリア層３５３」を形成する「スパッタリング法」が，このような成膜条件の「マグネトロンスパッタリングコーティングプロセス」であることは特定されていない点。
相違点２：
　本願発明では，「単一層の薄膜」の材料である酸化タンタルが，「五酸化二タンタル」であるのに対して，
　引用発明では，「バリア層３５３」の材料である酸化タンタルが，「五酸化二タンタル」であるのか否かは定かでない点。
相違点３：
　本願発明では，「単一層の薄膜」の厚さが５０ｎｍ〜５００ｎｍであるのに対して，
　引用発明では，「バリア層３５３」の厚さは定かでない点。
３　容易想到性の判断
（１）相違点１について
　引用発明において，「バリア層３５３」を形成する「スパッタリング法」として，どのような方式のスパッタリング法を用いるのかは，成膜速度やＥＬ層等へのダメージ等を考慮して，当業者が適宜選択すれば足りる設計上の事項にすぎないところ，前記１（２）ウで認定したように，酸素含有プロセスガスを用いたマグネトロンスパッタリング法により，無機酸化物の薄膜を形成する技術は周知の技術であったのだから，引用発明において，「酸素含有プロセスガスを用いたマグネトロンスパッタリング法」によって，「酸化タンタルからなるバリア層３５３」を形成することは，当業者が適宜なし得たことである。
　しかるに，前記「第４　当審拒絶理由１についての判断」の欄で説示したように，「高い幾何学的密度（緻密度）」なる発明特定事項は，如何なるものが当該発明特定事項に含まれ，如何なるものが当該発明特定事項に含まれないのか，その境界が明確に特定できない概念であるところ，前述した構成の変更を行った引用発明によって製造される「バリア層３５３」が，本願発明と同様に「水分や酸素の進入を防ぐため」の構成である以上，当該「バリア層３５３」は「高い幾何学的密度（緻密度）」を有しているというほかない。
　そうすると，前述した構成の変更を行った引用発明において，「バリア層３５３」を形成する「酸素含有プロセスガスを用いたマグネトロンスパッタリング法」のスパッタ電力は，「高い幾何学的密度（緻密度）を有するような低いスパッタ電力」といえる。
　以上のとおりであるから，引用発明において，「酸化タンタルからなるバリア層３５３」を形成するスパッタリング法として，「高い幾何学的密度（緻密度）を有するような低いスパッタ電力」の「酸素含有プロセスガスを用いたマグネトロンスパッタリング法」を用いること，すなわち，引用発明を，相違点１に係る本願発明の発明特定事項を具備したものとすることは，周知技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たことである。
（２）相違点２について
　ガスバリア層に用いる「酸化タンタル」としては，「五酸化二タンタル」が一般的な材料であるから（例えば，特開２００６−２５３１０６号公報（請求項１５，【００８６】等），国際公開第２００７／０１０７３６号（［００２３］，［００２４］，［００５６］，［００５７］等），特開２０１０−７３５４８号公報（【００４２】等）を参照。），たとえ，引用文献１に，「バリア層３５３」の材料である「酸化タンタル」が「五酸化二タンタル」であることが明記されていなくとも，当業者は，引用文献１に記載された「酸化タンタル」を「五酸化二タンタル」のこととして理解するものと認められる。
　したがって，相違点２は実質的な相違点ではない。
　また，仮に，当業者が，引用文献１に記載された「酸化タンタル」を「五酸化二タンタル」のこととして理解するのが当然とまでいえないとしても，少なくとも，引用発明において，「バリア層３５３」の材料として周知の「五酸化二タンタル」を用いること（すなわち，引用発明を，相違点２に係る本願発明の発明特定事項を具備したものとすること）は，当業者が容易に想到し得たことである。
（３）相違点３について
　ア　引用文献１には，引用発明の「ガスバリア層３５３」の膜厚については明記されていないものの，実施例４の「窒化珪素」からなる「バリア層１３０７」の膜厚については，【０１７７】に「１０ｎｍ〜１００ｎｍが好ましい」と記載されている。
　イ　また，引用文献３の【００５４】ないし【００６２】には，有機ＥＬ素子上に，５００ｎｍの厚さのバリア膜を形成した実施例が，記載されている。
　ウ　さらに，例えば，特開２００４−１４６２４４号（【００３６】，【００３７】，【００３９】等を参照。）や特開２００５−２５１７６９号公報（【００３５】，【００３６】，【００３８】等を参照。）には，有機ＥＬ素子を封止するガスバリア層の厚さが，「１０ｎｍ以上，５００ｎｍ以下であるのが好ましい」ことが記載され，特開２００６−１６３２４１号公報（【００４３】ないし【００４５】等を参照。）には，バリア層の厚さが，「２０ｎｍから６００ｎｍの範囲内であることが好ましく，より好ましくは１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内である」ことが記載されている。
　エ　前記アないしウによれば，相違点３に係る本願発明の「５０ｎｍ〜５００ｎｍ」という範囲内の値が，ＯＬＥＤにおけるガスバリア層の膜厚として好適であることは，本願優先日前に周知であったと認められる。
　オ　引用発明において，「バリア層３５３」の膜厚をどのような値にするのかは，得られる封止性能や成膜コスト等を総合的に勘案して，当業者が適宜決定すれば足りる設計上の事項にすぎないところ，前記エで認定したとおり，相違点３に係る本願発明の「５０ｎｍ〜５００ｎｍ」という範囲内の値が，ＯＬＥＤにおけるガスバリア層の膜厚として好適であることは，本願優先日前に周知であったのだから，引用発明において，「バリア層３５３」の膜厚を，「５０ｎｍ〜５００ｎｍ」という範囲内の値とすること，すなわち，引用発明を，相違点３に係る本願発明の発明特定事項を具備したものとすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
（４）効果について
　本願発明が有する効果は，引用文献１の記載及び周知技術に基づいて，当業者が予測できた程度のものである。
４　小括
　以上のとおりであるから，本願発明は，引用発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
第６　むすび
　本願は，特許請求の範囲の記載が，特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていない。
　また，本願発明は，引用発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願は，同法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって，結論のとおり審決する。