【事件の表示】
　特願２０１４−２４６１６４「試料観察方法及び試料検査方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　４月　２日出願公開、特開２０１５−　６２２００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年３月１１日（優先権主張平成２１年３月１２日）に特許出願された特願２０１０−５４４３６号（以下「原出願」という。）の一部を分割して、平成２６年１２月４日に新たな特許出願として出願したものであって、その後の経緯は以下のとおりである。
　平成２７年　１月　９日　上申書 
　平成２７年　９月１４日　拒絶理由通知（同年９月２９日発送） 
　平成２７年１１月３０日　意見書・手続補正書 
　平成２８年　３月２２日　拒絶査定（同年３月２９日送達） 
　平成２８年　６月　９日　本件審判請求・手続補正書 
　平成２８年　９月１３日　上申書 
　 
 第２　平成２８年６月９日付け手続補正についての補正却下の決定 
　 
 ［補正却下の決定の結論］ 
　平成２８年６月９日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
　 
 ［理由］ 
１　補正の概略 
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１に、 
　 
「写像投影型観察装置と該写像投影型観察装置とは別のＳＥＭ型観察装置と光学顕微鏡により同一のステージ上に載置された試料を観察するための複合型の試料観察方法であって、
　前記写像投影型観察装置は、両側にエッジを有する凹パターンに電子ビームが照射されたときに照射電子が前記凹パターンにてＵターンしてミラー電子になるようにランディングエネルギーが調整された電子ビームを前記試料に照射し、該電子ビームの照射により生じるミラー電子を検出し、
　前記写像投影型観察装置、前記ＳＥＭ型観察装置、及び前記光学顕微鏡の３つの観察装置それぞれの光学中心の位置関係を座標データとして記憶し、該座標データに基づいて前記ステージを前記３つの光学中心間で移動させて前記試料上の特定の箇所を前記３つの観察装置で個別に観察を行うことを特徴とする複合型の試料観察方法。」　 
　 
 とあったものを、 
　 
「写像投影型観察装置と該写像投影型観察装置とは別のＳＥＭ型観察装置と光学顕微鏡により同一のステージ上に載置された試料を観察するための複合型の試料観察方法であって、
　前記写像投影型観察装置は、
電子ビームを生成する１次光学系と、試料からの２次放出電子及びミラー電子の像を生成する２次光学系を備え、前記１次光学系により、
、前記２次光学系に設けられたアパーチャの中心位置を調整して最大強度で
　前記写像投影型観察装置、前記ＳＥＭ型観察装置、及び前記光学顕微鏡の３つの観察装置それぞれの光学中心の位置関係を座標データとして記憶し、該座標データに基づいて前記ステージを前記３つの光学中心間で移動させて前記試料上の特定の箇所を前記３つの観察装置で個別に観察を行うことを特徴とする複合型の試料観察方法。」（当審注：下線は、請求人が補正箇所に付した下線である。）　 
　 
 と補正するものである。
　上記補正は、
（１）写像投影型観察装置が、「電子ビームを生成する１次光学系と、試料からの２次放出電子及びミラー電子の像を生成する２次光学系を備え」、電子ビームの試料への照射が「前記１次光学系によ」るものであることを限定する補正事項、
（２）ミラー電子の検出が、「前記２次光学系に設けられたアパーチャの中心位置を調整して最大強度で」検出するものであることを限定する補正事項、
からなる。そして、上記補正事項は、何れも、特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とする補正である。そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定する要件を満たすか）否かについて検討する。 
　
２　引用する刊行物と引用発明 
（１）刊行物１ 
ア　刊行物１の記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用され、原出願の優先日前に日本国内又は外国において頒布された特開２００６−２９４４８１号公報（以下「刊行物１」という。）には、図面と共に以下の事項が記載されている。 
　 
（ア）特許請求の範囲の記載
「【請求項１５】
ミラー電子を検出する第１の電子光学系カラムと、二次電子ないし反射電子を検出する第２の電子光学系カラムと、被検査試料を載置する試料ステージと、当該試料ステージを内部に格納し、前記第１の電子光学系カラム及び第２の電子光学系カラムが固定された真空試料室と、前記第１の電子光学系カラムないし第２の電子光学系カラムで取得された検出信号を処理する信号処理手段とを備え、
前記第１の電子光学系カラムでの取得画像と前記第２の電子光学系カラムでの取得画像とを対比することが可能である
ミラー電子式試料検査装置
　 
（イ）実施例６の記載
「【実施例６】
【００６３】
　本実施例においては，ミラー電子顕微鏡（ミラープロジェクション方式）の試料検査装置に適用した例について説明する。
観察試料としては、半導体ウェハ
ミラープロジェクション方式の特長は，電子ビームの一筆書きではなく，１００〜４００μｍ角程度の領域を電子により一括照明することにより，光学式顕微鏡のような画像が得られるため，画像取得時間が飛躍的に短時間化できるという点にある。
【００６４】
　しかし，このミラープロジェクション方式は，従来のＳＥＭとは異なり，試料表面の電位分布に依存した画像が得られるため，試料表面の形状をそのまま画像化するものではない。そこで，ミラープロジェクションにて検出された領域の表面形状を、画像として検出できると、ミラープロジェクションの検出画像に対する参照画像として利用できるので、欠陥検出上便利である。そのためには、異状と思われる部位の
拡大ＳＥＭ画像を、別の電子光学系により観察可能とするようなアプリケーション
【００６５】
　本実施例においては，図１２に示すように
小型のＳＥＭカラム１１４
ミラープロジェクションカラム１２０
両カラム間の距離は予め正確に測定され
ウェハ
を載せた試料ステージ
は
両カラム間を必要に応じて移動できる
【００６６】
　次に，
本装置
ウェハ
表面を検査する際の手順
電子線照明光学系カラム
電子源１００より放出された電子線
磁界重畳コイル１２１により絞られ
【００６７】
　この磁界重畳型電子銃は，実施例２で述べたものと同等のものでよい。すなわち，開口を隔てた差動排気構造をしており，最上位流の真空室に電子源１００があり，非蒸発ゲッターポンプ１２３により排気されている。下流側の真空室にはコンデンサレンズ１０２があり，イオンポンプ１２２により排気されている。この構造により，電子源１００のある真空室は，１０−８Ｐａ台の極高真空に維持される。また，大気側には，磁界重畳用コイル１２１が電子線照明光学系カラム１０１から着脱可能な構造で取り付けられている。このような構造をとることにより，電子線照明光学系カラム１０１に設置するイオンポンプが１台まで削減できるため，軽量化を図ることもでき，装置全体の振動特性が向上する効果が生じる。さらにイオンポンプをスパッタイオンポンプとすれば，非蒸発ゲッターポンプが排気しにくい希ガスの排気効率が上がるため，さらに小型化できて望ましい。
【００６８】
　
磁界重畳型電子銃から放出された電子ビームは，コンデンサレンズ１０２により集束され試料上をほぼ平行に照射
セパレータとしてＥ×Ｂ偏向器１０３を結像電子線３０２の結像面３０４近傍に配置させる。
この配置では，照射電子線３０１に対して
Ｅ×Ｂ偏向器で収差が発生
この収差を補正する
収差補正用のＥ×Ｂ偏向器
【００６９】
　
電子線は，Ｅ×Ｂ偏向器１０３によりウェハ１０５に垂直な光軸に偏向される
対物レンズ１０７により試料（ウェハ）表面に垂直な方向に面状の電子線が形成
【００７０】
　真空試料室１０８内の試料ステージ１０６に搭載された試料（ウェハ）１０５には，電子線の加速電圧とほぼ等しいか，わずかに高い負の電位が図示していない試料印加電源によって印加されており，
ウェハ
の表面には形成された半導体パターン形状や帯電の状態を反映した電界が形成されている
面状電子線の大部分がウェハ１０５に衝突する直前で引き戻され
ウェハ１０５のパターン情報を反映した方向や強度を持って上がってくる
【００７１】
　
引き戻された電子線は，対物レンズ
により集束作用を受け
偏向器
そのまま垂直に上昇し
対物レンズ１０７，中間レンズ１０９，投影レンズ１１０により投影拡大
シンチレータ１１１，光学レンズ１１２，ＣＣＤ１１３よりなる画像検出部上にウェハ１０５表面の画像を結像させる
【００７２】
　一方，上記ミラープロジェクションカラム１２０の横には，
小型ＳＥＭカラム１１４があり，ウェハ１０５上のパターン形状を観察
【００７３】
　ＳＥＭカラム１１４の真空は，静電光学系１１７部を排気速度１０リットル／秒程度の小型イオンポンプ１１８で排気すると共に，上流側は非蒸発ゲッターポンプ１１６により差動排気している。この構成により，最上流の電子源１１５近傍の真空度は，１０−８Ｐａ台が得られた。なお，試料室１０８は，ターボ分子ポンプ１１９により排気され，１０−３Ｐａの真空度が得られている。
【００７４】
　図１３に小型ＳＥＭカラム１１４の詳細構成を示した。試料室１０８と小型ＳＥＭカラム１１４は，ベローズ２０１を介して接続されており，ＳＥＭの光軸方向に沿って駆動手段２０２を用いることにより，位置決めができるようになっている。こうすることにより，ＳＥＭ光学系１１７のフォーカス調整が可能となる他，ＳＥＭ観察視野の拡大縮小，あるいは，分解能の選択が可能となる。すなわち，試料１０５表面の観察面からの距離（作動距離）を広く取れば，視野は広がるが分解能は低下し，作動距離を狭めれば視野は縮小するが，分解能は向上する。観察する対象により，自由に調整ができるので，非常に有効な機能となる。作動距離の測定は図示していない位置検出器を用いて行う。小型ＳＥＭの光学性能と作動距離の関係は，予めデータベース化されており，自動的に調整は行われる。また，ＳＥＭ像を見ながら微調整も可能である。
【００７５】
　上述の各要素は，信号線を介して制御手段５０８と接続される。制御手段５０８は、装置全体の動作を管理する制御ユニットであり、制御信号や画像データを送受信する信号インターフェイス、検出された画像信号を解析して欠陥を検出する画像処理部、ミラープロジェクションカラム１２０と小型ＳＥＭカラム１１４との距離の情報や前述のデータベース等を格納するデータ記憶部、データ記憶部に格納された情報を処理するデータ処理プロセッサ、装置全体の動作を制御する制御用コンピュータなどを備える。本実施例では、制御手段５０８内に、全ての制御手段を配置した構成を示したが、各々の構成要素を別々の制御ユニットとして配置しても良い。ディスプレイ５０９には検出画像が表示されるが、ＧＵＩ（Graphical User Interface）を用いる場合のユーザインターフェイスとしても用いられる。
【００７６】
　以上述べた装置構成を用いることにより，ウェハ１０５表面の局部的な帯電電位の変化や凹凸等の構造の違いが画像として形成される。収差を補正することにより，平行性の良い照射電子線３０１を照射でき，
高分解能なミラー像を形成することができるので，１００ｎｍ以下の帯電電位の変化や凹凸等の構造の違いを検出することが可能
【００７７】
　
検出された画像データは，画像処理部により処理され，欠陥として判定された場合には，その座標データ記憶部に格納され
欠陥画像位置の表面形状を観察したい場合、
データ記憶部を参照し、ＳＥＭ観察可能な位置の座標を取得する。その後、取得座標へ移動するための制御信号を位置を試料ステージ１０６へ送信する。所望の位置へ移動した後は、ミラー像から得られた欠陥位置のＳＥＭ画像を取得
【００７８】
　その後，試料ステージを駆動して，元のミラープロジェクション観察可能な座標位置に戻り，検査を継続し，ウェハ全面を検査するまで繰り返すことにより，検査が終了する。ここまでの手順は，
ミラープロジェクションによる検査が先で，見つけた欠陥を後からＳＥＭ画像で確認する方法
逆にＳＥＭ観察から得られた欠陥座標を蓄え，後からミラー像を観察してもよい
【００７９】
　以上説明したように、本実施例のミラープロジェクション電子顕微鏡装置は、ミラー電子カラムと通常のＳＥＭないし反射電子カラムの２種を備えており、ミラー電子画像とＳＥＭ画像または反射画像の２種を検出可能である。従って、ＳＥＭ画像または反射電子画像を、ミラー電子画像に対する参照画像として利用でき、装置ユーザの利便性が顕著に向上する。この効果は、各電子光学系カラムに差動排気構造を適用せずとも実現可能である。
更に、ミラー電子カラムと通常のＳＥＭないし反射電子カラムのいずれかに対して差動排気構造を適用すると、装置サイズを小型化できる。従って，装置全体を大型化せずに、欠陥部位のＳＥＭ画像を容易に観察可能なミラープロジェクション方式の試料検査装置を実現できる。」
　
（ウ）図１２は以下のとおりである。
　 
　 
イ　引用発明 
（ア）上記ア（イ）【００６６】の記載によれば、「本装置の構成と，ウェハ１０５表面を検査する際の手順」が説明されているところ、「本装置」は「ミラープロジェクション電子顕微鏡装置」のことである。してみると、刊行物１には、ミラープロジェクション電子顕微鏡装置を用いたウェハ表面を検査する際の手順、すなわち、ミラープロジェクション電子顕微鏡装置を用いたウェハ表面を検査する方法が開示されている。
（イ）上記ア（ア）の特許請求の範囲の記載と、上記ア（イ）の実施例６の記載によれば、上記ア（ア）の「第１の電子光学系カラム」は上記ア（イ）の「ミラープロジェクションカラム」であり、以下同様に、「第２の電子光学系カラム」は「小型ＳＥＭカラム」、「被検査試料」は「ウェハ」、「信号処理手段」は「制御手段」、「ミラー電子式試料検査装置」は「ミラープロジェクション電子顕微鏡装置」である。
（ウ）上記（イ）を踏まえると、上記ア（ア）の特許請求の範囲の請求項１５には、
「ミラー電子を検出するミラープロジェクションカラムと、二次電子ないし反射電子を検出する小型ＳＥＭカラムと、ウェハを載置する試料ステージと、当該試料ステージを内部に格納し、前記ミラープロジェクションカラム及び小型ＳＥＭカラムが固定された真空試料室と、前記ミラープロジェクションカラムないし小型ＳＥＭカラムで取得された検出信号を処理する制御手段とを備え、
　前記ミラープロジェクションカラムでの取得画像と前記小型ＳＥＭカラムでの取得画像とを対比することが可能であるミラープロジェクション電子顕微鏡装置。」
が開示されている。
（エ）上記ア（イ）【００７０】の記載によれば、ウェハの表面には形成された半導体パターン形状や帯電の状態を反映した電界が形成されることが開示されている。
　
（オ）上記ア（イ）【００６６】、【００６８】〜【００７１】を踏まえて図１２を見ると、
　ミラープロジェクションカラムは、電子源、磁界重畳コイル、コンデンサレンズ、収差補正用のＥ×Ｂ偏向器、Ｅ×Ｂ偏向器、対物レンズ、中間レンズ、投影レンズ、シンチレータ、光学レンズ、ＣＣＤを備え、
　前記電子源は、電子線を放出し、
　前記磁界重畳コイルは、前記電子線を絞り、
　前記コンデンサレンズは、前記電子線を集束し、ウェハ上にほぼ平行に照射し、
　収差補正用のＥ×Ｂ偏向器は、後段のＥ×Ｂ偏向器が発生する収差を補正し、
　Ｅ×Ｂ偏向器は、前記電子線をウェハに垂直な光軸に偏向し、
　対物レンズは、ウェハ表面に垂直な方向に面状の電子線を形成し、
　前記面上の電子線の大部分はウェハに衝突する直前で引き戻され，ウェハのパターン情報を反映した方向や強度を持って上がり、
　対物レンズは、引き戻された電子線を集束し、
　Ｅ×Ｂ偏向器は、前記電子線をそのまま垂直に上昇させ、
　対物レンズ，中間レンズ，投影レンズは、投影拡大し、シンチレータ，光学レンズ，ＣＣＤよりなる画像検出部上にウェハ表面の画像を結像させることが理解できる。
（カ）上記ア（イ）【００７６】の記載によれば、
　高分解能なミラー像を形成することができるので，１００ｎｍ以下の帯電電位の変化や凹凸等の構造の違いを検出することが可能であることが理解できる。
　
（キ）上記ア（イ）【００６５】の記載によれば、小型ＳＥＭカラムとミラープロジェクションカラムの間の距離は予め正確に測定されており、ウェハを載せた試料ステージは両カラム間を必要に応じて移動できることが開示されている。
（ク）上記ア（イ）【００７６】、【００７７】の記載によれば、
　ミラー像の画像データは，画像処理部により処理され，欠陥として判定さ
れた場合には，その座標データ記憶部に格納し、
　欠陥画像位置の表面形状を観察したい場合、データ記憶部を参照し、ＳＥＭ観察可能な位置の座標を取得し、その後、取得座標へ移動するための制御信号を位置を試料ステージへ送信し、所望の位置へ移動した後、ミラー像から得られた欠陥位置のＳＥＭ画像を取得し、
　また、逆に、ＳＥＭ観察から得られた欠陥座標を蓄え，後からミラー像を観察することもできることが開示されている。
（ケ）上記ア（イ）【００７７】、【００７８】の記載によれば、ミラー像を観察してからＳＥＭ画像を観察する方法、あるいはＳＥＭ画像を観察してからミラー像を観察する方法による、ウェハ表面の検査方法が開示されている。
（コ）以上によれば、刊行物１には以下の発明が記載されている。
「ミラープロジェクション電子顕微鏡装置を用いたウェハ表面を検査する方法であって、
　前記ミラープロジェクション電子顕微鏡装置は、ミラー電子を検出するミラープロジェクションカラムと、二次電子ないし反射電子を検出する小型ＳＥＭカラムと、ウェハを載置する試料ステージと、当該試料ステージを内部に格納し、前記ミラープロジェクションカラム及び小型ＳＥＭカラムが固定された真空試料室と、前記ミラープロジェクションカラムないし小型ＳＥＭカラムで取得された検出信号を処理する制御手段とを備え、
　前記ミラープロジェクションカラムでの取得画像と前記小型ＳＥＭカラムでの取得画像とを対比することが可能であるミラープロジェクション電子顕微鏡装置であり、
　前記ウェハの表面には形成された半導体パターン形状や帯電の状態を反映した電界が形成されており、
　前記ミラープロジェクションカラムは、電子源、磁界重畳コイル、コンデンサレンズ、収差補正用のＥ×Ｂ偏向器、Ｅ×Ｂ偏向器、対物レンズ、中間レンズ、投影レンズ、シンチレータ、光学レンズ、ＣＣＤを備え、
　前記電子源は、電子線を放出し、
　前記磁界重畳コイルは、前記電子線を絞り、
　前記コンデンサレンズは、前記電子線を集束し、ウェハ上にほぼ平行に照射し、
　収差補正用のＥ×Ｂ偏向器は、後段のＥ×Ｂ偏向器が発生する収差を補正し、
　Ｅ×Ｂ偏向器は、前記電子線をウェハに垂直な光軸に偏向し、
　対物レンズは、ウェハ表面に垂直な方向に面状の電子線を形成し、
　前記面上の電子線の大部分はウェハに衝突する直前で引き戻され，ウェハのパターン情報を反映した方向や強度を持って上がり、
　対物レンズは、引き戻された電子線を集束し、
　Ｅ×Ｂ偏向器は、前記電子線をそのまま垂直に上昇させ、
　対物レンズ，中間レンズ，投影レンズは、投影拡大し、シンチレータ，光学レンズ，ＣＣＤよりなる画像検出部上にウェハ表面の画像を結像させ、
　高分解能なミラー像を形成することができるので，１００ｎｍ以下の帯電電位の変化や凹凸等の構造の違いを検出することが可能であり、
　小型ＳＥＭカラムとミラープロジェクションカラムの間の距離は予め正確に測定されており、ウェハを載せた試料ステージは両カラム間を必要に応じて移動でき、
　ミラー像の画像データは，画像処理部により処理され，欠陥として判定さ
れた場合には，その座標データ記憶部に格納し、
　欠陥画像位置の表面形状を観察したい場合、データ記憶部を参照し、ＳＥＭ観察可能な位置の座標を取得し、その後、取得座標へ移動するための制御信号を位置を試料ステージへ送信し、所望の位置へ移動した後、ミラー像から得られた欠陥位置のＳＥＭ画像を取得し、
　また、逆に、ＳＥＭ観察から得られた欠陥座標を蓄え，後からミラー像を観察することもでき、
　ミラー像を観察してからＳＥＭ画像を観察する方法、あるいはＳＥＭ画像を観察してからミラー像を観察する方法により、ウェハ表面を検査する方法。」（以下「引用発明」という。）
（２）刊行物２
ア　刊行物２の記載事項
　原査定の拒絶理由に引用され、原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−１７３７５６号公報（以下「刊行物２」という。）には、図面とともに、以下の記載がある。
「【０１２７】アライメント制御装置８７は、ステージ装置５０を用いてウェーハＷを電子光学装置７０に対して位置決めさせる装置であって、ウェーハを光学顕微鏡８７１を用いた
広視野観察
光学系を用いて低倍率でウェーハを検査する
【０１２８】…
ウェーハ上の被観察点を低倍率で観察するには、ステージ装置５０のＸステージ５３をＸ方向に動かすことによってウェーハの被観察点を光学顕微鏡の視野内に移動させる
観察位置をおおよそ決定する
【０１２９】次に、ステージ装置５０を電子光学装置７０の光軸と光学顕微鏡８７１の光軸との間隔δｘに相当する距離だけ移動させて光学顕微鏡で予め決めたウェーハ上の被観察点を電子光学装置の視野位置に移動させる。この場合、電子光学装置の軸線Ｏ３−Ｏ３と光学顕微鏡８７１の光軸Ｏ４−Ｏ４との間の距離δｘ（この実施形態ではＸ軸線に沿った方向にのみ両者は位置ずれしているものとするが、Ｙ軸方向に位置ずれしていてもよい）は予めわかっているのでその値δｘだけ移動させれば被観察点を視認位置に移動させることができる。電子光学装置の視認位置への被観察点の移動が完了した後、
電子光学系により高倍率で被観察点をＳＥＭ撮像
【０１３０】このようにして電子光学系により高倍率でウェーハの観察点をモニタに表示させた後、公知の方法によりステージ装置５０の回転テーブル５４の回転中心に関するウェーハの回転方向の位置ずれ、即ち電子光学系の光軸Ｏ３−Ｏ３に対するウェーハの回転方向のずれδθを検出し、また電子光学装置に関する所定のパターのＸ軸及びＹ軸方向の位置ずれを検出する。そしてその検出値並びに別途得られたウェーハに設けられた検査マークのデータ或いはウェーハのパターンの形状等に関するデータに基づいてステージ装置５０の動作を制御してウェーハのアライメントを行う。」
イ　刊行物２に記載された技術事項
　上記アの記載によれば、刊行物２には、
「（ア）ウェーハの被観察点を光学顕微鏡の視野内に移動させ、ウェーハの被観察点を低倍率で観察（広視野観察）し、
（イ）光学顕微鏡で広視野でウェーハを視認して観察すべき位置をおおよそ決定し、
（ウ）ステージ装置を電子光学装置の光軸と光学顕微鏡の光軸との間隔に相当する距離だけ移動させて、電子光学装置の視認位置へ被観察点を移動させ、
（エ）電子光学系により高倍率で被観察点をＳＥＭ撮像する
ことにより、光学系を用いた低倍率でのウェーハ観察（広視野観察）とともに、電子光学系により高倍率でＳＥＭ画像を撮像する技術事項」（以下「刊行物２に記載された技術事項」という。）、
が開示されている。
３　対比
　本願補正発明と、引用発明の「ウェハ表面を検査する方法」のうち「ミラー像を観察してからＳＥＭ画像を観察する方法、あるいはＳＥＭ画像を観察してからミラー像を観察する方法」を対比する。
 （１）本願補正発明の
「写像投影型観察装置と該写像投影型観察装置とは別のＳＥＭ型観察装置と光学顕微鏡により同一のステージ上に載置された試料を観察するための複合型の試料観察方法」
と、引用発明の
「前記ミラープロジェクション電子顕微鏡装置は、…ミラープロジェクションカラムと、…小型ＳＥＭカラムと、ウェハを載置する試料ステージと、…を備え」、「小型ＳＥＭカラムとミラープロジェクションカラムの間の距離は予め正確に測定されており、ウェハを載せた試料ステージは両カラム間を必要に応じて移動でき」、「ミラー像を観察してからＳＥＭ画像を観察する方法、あるいはＳＥＭ画像を観察してからミラー像を観察する方法」
を対比する。
ア　引用発明の「ミラープロジェクションカラム」は本願補正発明の「写像投影型観察装置」に相当し、以下同様に、「小型ＳＥＭカラム」は「ＳＥＭ型観察装置」に、「試料ステージ」は「ステージ」に、「ウェハ」は「試料」に、それぞれ相当する。　
イ　引用発明の「小型ＳＥＭカラムとミラープロジェクションカラムの間の距離は予め正確に測定されており、ウェハを載せた試料ステージは両カラム間を必要に応じて移動でき」、「ミラー像を観察してからＳＥＭ画像を観察する」「、あるいはＳＥＭ画像を観察してからミラー像を観察する」ことは、本願補正発明の「写像投影型観察装置と該写像投影型観察装置とは別のＳＥＭ型観察装置」「により同一のステージ上に載置された試料を観察する」ことに相当する。
ウ　引用発明の「ミラー像を観察してからＳＥＭ画像を観察する方法、あるいはＳＥＭ画像を観察してからミラー像を観察する方法」は、本願補正発明の「複合型の試料観察方法」に相当する。
エ　してみると、両者は、
「写像投影型観察装置と該写像投影型観察装置とは別のＳＥＭ型観察装置により同一のステージ上に載置された試料を観察するための複合型の試料観察方法」
の点で一致する。
（２）本願補正発明の
「前記写像投影型観察装置は、電子ビームを生成する１次光学系と、試料からの２次放出電子及びミラー電子の像を生成する２次光学系を備え、前記１次光学系により、両側にエッジを有する凹パターンに電子ビームが照射されたときに照射電子が前記凹パターンにてＵターンしてミラー電子になるようにランディングエネルギーが調整された電子ビームを前記試料に照射し、該電子ビームの照射により生じるミラー電子を、前記２次光学系に設けられたアパーチャの中心位置を調整して最大強度で検出」すること
と、引用発明の
「前記ミラープロジェクションカラムは、電子源、磁界重畳コイル、コンデンサレンズ、収差補正用のＥ×Ｂ偏向器、Ｅ×Ｂ偏向器、対物レンズ、中間レンズ、投影レンズ、シンチレータ、光学レンズ、ＣＣＤを備え、
　前記電子源は、電子線を放出し、
　前記磁界重畳コイルは、前記電子線を絞り、
　前記コンデンサレンズは、前記電子線を集束し、ウェハ上にほぼ平行に照射し、
　収差補正用のＥ×Ｂ偏向器は、後段のＥ×Ｂ偏向器が発生する収差を補正し、
　Ｅ×Ｂ偏向器は、前記電子線をウェハに垂直な光軸に偏向し、
　対物レンズは、ウェハ表面に垂直な方向に面状の電子線を形成し、
　前記面上の電子線の大部分はウェハに衝突する直前で引き戻され，ウェハのパターン情報を反映した方向や強度を持って上がり、
　対物レンズは、引き戻された電子線を集束し、
　Ｅ×Ｂ偏向器は、前記電子線をそのまま垂直に上昇させ、
　対物レンズ，中間レンズ，投影レンズは、投影拡大し、シンチレータ，光学レンズ，ＣＣＤよりなる画像検出部上にウェハ表面の画像を結像させ、
　高分解能なミラー像を形成することができるので，１００ｎｍ以下の帯電電位の変化や凹凸等の構造の違いを検出することが可能であ」ること
を対比する。
　
ア　引用発明の「電子源」、「磁界重畳コイル」、「コンデンサレンズ」、「収差補正用のＥ×Ｂ偏向器」、「Ｅ×Ｂ偏向器」、「対物レンズ」は、電子線を放出してウェハに垂直な光軸に偏向するものである。してみると、引用発明の「電子源」、「磁界重畳コイル」、「コンデンサレンズ」、「収差補正用のＥ×Ｂ偏向器」、「Ｅ×Ｂ偏向器」、「対物レンズ」は、一体として、本願補正発明の「電子ビームを生成する１次光学系」に相当する。
　
イ　引用発明の「対物レンズ」、「中間レンズ」、「投影レンズ」は、ウェハに衝突する直前で引き戻された電子線を画像として結像させている。してみると、本願補正発明の「試料からの２次放出電子及びミラー電子の像を生成する２次光学系」と引用発明の「引用発明の対物レンズ，中間レンズ，投影レンズ」は、「試料からの」「ミラー電子の像を生成する２次光学系」の点で一致する。
　
ウ　刊行物１の【００６３】に記載されるように、ミラープロジェクションとは，電子線を試料表面上の電位分布により試料面に到達する前に反射する電子（ミラー電子）を結像させて画像を検出する方式のことである。引用発明は、「前記面上の電子線の大部分はウェハに衝突する直前で引き戻され，ウェハのパターン情報を反映した方向や強度を持って上が」るものであり、「高分解能なミラー像を形成することができるので，１００ｎｍ以下の帯電電位の変化や凹凸等の構造の違いを検出することが可能であ」ることを踏まえると、引用発明の対物レンズが形成する「ウェハ表面に垂直な方向に面状の電子線」の電子線のランディングエネルギーは、凹凸構造を有するウェハ表面に衝突する直前で引き戻される程度のエネルギー、すなわち、本願補正発明の「電子ビームが照射されたときに照射電子が前記凹パターンにてＵターンしてミラー電子になる」「ランディングエネルギー」に相当する構成を有すると言える。そして、凹部がその両側にエッジを有することは、ウェハの表面構造として一般的な構造である。
　
エ　引用発明は、ウェハ表面のミラー像を画像検出部上に結像させているから、「ウェハのパターン情報を反映した方向や強度を持って上が」る電子線を検出するものであり、本願補正発明の「電子ビームの照射により生じるミラー電子を」「検出」することに相当する構成を有する。
　
オ　してみると、両者は、
「前記写像投影型観察装置は、電子ビームを生成する１次光学系と、試料からのミラー電子の像を生成する２次光学系を備え、前記１次光学系により、両側にエッジを有する凹パターンに電子ビームが照射されたときに照射電子が前記凹パターンにてＵターンしてミラー電子になるようにランディングエネルギーが調整された電子ビームを前記試料に照射し、該電子ビームの照射により生じるミラー電子を」「検出」する点
で一致する。
（３）本願補正発明の
「前記写像投影型観察装置、前記ＳＥＭ型観察装置、及び前記光学顕微鏡の３つの観察装置それぞれの光学中心の位置関係を座標データとして記憶し、該座標データに基づいて前記ステージを前記３つの光学中心間で移動させて前記試料上の特定の箇所を前記３つの観察装置で個別に観察を行うこと」
と、引用発明の
「小型ＳＥＭカラムとミラープロジェクションカラムの間の距離は予め正確に測定されており、ウェハを載せた試料ステージは両カラム間を必要に応じて移動でき、
　ミラー像の画像データは，画像処理部により処理され，欠陥として判定さ
れた場合には，その座標データ記憶部に格納し、
　欠陥画像位置の表面形状を観察したい場合、データ記憶部を参照し、ＳＥＭ観察可能な位置の座標を取得し、その後、取得座標へ移動するための制御信号を位置を試料ステージへ送信し、所望の位置へ移動した後、ミラー像から得られた欠陥位置のＳＥＭ画像を取得し、
　また、逆に、ＳＥＭ観察から得られた欠陥座標を蓄え，後からミラー像を観察することもでき、
　ミラー像を観察してからＳＥＭ画像を観察する」、「あるいはＳＥＭ画像を観察してからミラー像を観察する」こと
を対比する。
　
ア　引用発明の「ミラープロジェクションカラム」は本願補正発明の「写像投影型観察装置」に相当し、以下同様に、「小型ＳＥＭカラム」は、「ＳＥＭ型観察装置」に、「試料ステージ」は「ステージ」に、それぞれ相当する。
イ　引用発明において、「小型ＳＥＭカラムとミラープロジェクションカラムの間の距離は予め正確に測定されており、ウェハを載せた試料ステージは両カラム間を必要に応じて移動でき」るところ、引用発明は、予め正確に測定された両カラム間の距離を、データとして記憶しているものと認められるから、引用発明の上記構成は、本願補正発明の「観察装置それぞれの光学中心の位置関係を」「データとして記憶」することに相当する。
ウ　本願補正発明の「該座標データに基づいて前記ステージを前記３つの光学中心間で移動させて前記試料上の特定の箇所を前記３つの観察装置で個別に観察を行う」ことと、引用発明の「ウェハを載せた試料ステージは両カラム間を必要に応じて移動でき」、「ミラー像の画像データ」に基づき「欠陥として判定された」「欠陥画像位置の表面形状を観察したい場合、データ記憶部を参照し、ＳＥＭ観察可能な位置の座標を取得し、その後、取得座標へ移動するための制御信号を位置を試料ステージへ送信し、所望の位置へ移動した後、ミラー像から得られた欠陥位置のＳＥＭ画像を取得」していることは、「該座標データに基づいて前記ステージを光学中心間で移動させて前記試料上の特定の箇所を」「観察装置で個別に観察を行う」点で一致する。
エ　してみると、両者は、
「前記写像投影型観察装置、前記ＳＥＭ型観察装置の観察装置それぞれの光学中心の位置関係をデータとして記憶し、該データに基づいて前記ステージを前記光学中心間で移動させて前記試料上の特定の箇所を」「観察装置で個別に観察を行う」
点で一致する。
（４）以上によれば、両者は、
「写像投影型観察装置と該写像投影型観察装置とは別のＳＥＭ型観察装置により同一のステージ上に載置された試料を観察するための複合型の試料観察方法であって、
　前記写像投影型観察装置は、電子ビームを生成する１次光学系と、試料からのミラー電子の像を生成する２次光学系を備え、前記１次光学系により、両側にエッジを有する凹パターンに電子ビームが照射されたときに照射電子が前記凹パターンにてＵターンしてミラー電子になるようにランディングエネルギーが調整された電子ビームを前記試料に照射し、該電子ビームの照射により生じるミラー電子を、検出し、
　前記写像投影型観察装置、前記ＳＥＭ型観察装置の観察装置それぞれの光学中心の位置関係をデータとして記憶し、該データに基づいて前記ステージを前記２つの光学中心間で移動させて前記試料上の特定の箇所を前記２つの観察装置で個別に観察を行う複合型の試料観察方法。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
相違点１：同一のステージ上に載置された試料を観察する観察装置であって、それぞれの光学中心の位置関係をデータとして記憶し、該データに基づいて前記ステージを前記光学中心間で移動させて前記試料上の特定の箇所を個別に観察を行う観察装置が、本願補正発明では、写像投影型観察装置、ＳＥＭ型観察装置、光学顕微鏡の３つの観察装置であり、それぞれの光学中心の位置関係を記憶するデータが「座標データ」であるのに対し、引用発明では、ミラープロジェクションカラムと小型ＳＥＭカラムの２つの観察装置であり、位置関係を記憶するデータが「座標データ」であるのか否か明らかでない点。
相違点２：写像投影型観察装置の２次光学系が生成する像が、本願補正発明では、「試料からの２次放出電子及びミラー電子の像」であるのに対し、引用発明では、「ウェハ表面に垂直な方向に」形成された「面状の電子線」の大部分であって、「ウェハに衝突する直前で引き戻され」た電子線が結像した像である点。
　
相違点３：ミラー電子を検出することに関し、本願補正発明では、２次光学系に設けられたアパーチャの中心位置を調整して最大強度で検出するのに対し、引用発明は、そのようなものなのか否か明らかでない点。
４　判断
（１）相違点１について
　引用発明は、ミラープロジェクションカラムと小型ＳＥＭカラムを備えるミラープロジェクション電子顕微鏡装置を用いたウェハ表面の検査方法であるところ、引用発明と刊行物２に記載された技術事項は、何れも、ＳＥＭ画像を取得（撮像）して観察する点で共通する。そして、ウェハ表面を検査する際に、種々の画像を取得することや、被観察位置の決定を容易にすることは、一般的な課題であるから、引用発明と刊行物２に記載された技術事項を組み合わせ、高倍率のＳＥＭ画像が撮像できる小型ＳＥＭカラムとともに、低倍率・広視野の観察ができる光学顕微鏡を組み合わせることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、引用発明は、ミラー画像から欠陥と判定した位置を座標データ記憶部に格納していること、試料ステージの移動先を「座標」で指示していることに照らせば、各観察装置の光学中心の位置関係を記憶するデータとして「座標データ」を用いることに困難性は無い。
　してみると、引用発明において、観察装置として光学顕微鏡をさらに設け、観察装置それぞれの光学中心の位置関係を記憶するデータを「座標データ」とし、該データに基づいて前記ステージを前記光学中心間で移動させて前記試料上の特定の箇所を、ミラープロジェクションカラム、小型ＳＥＭカラム、光学顕微鏡の３つの観察装置で個別に観察を行い、上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項となすことは、当業者が容易に想到し得たこととである。
　
（２）相違点２について
ア　はじめに、本願補正発明の発明特定事項である「２次光学系に設けられたアパーチャの中心位置を調整して最大強度で検出する」ことの技術的な意味について検討する。
　本願の発明の詳細な説明には、以下の記載がある。
「【０１４４】
「アパーチャ調整」
  次に、本実施の形態のもう一つの特徴であるアパーチャ調整について説明する。
【０１４５】
  まず、アパーチャ調整の概要を説明する。アパーチャ調整では、２次光学系６０のアパーチャ６２のサイズ、位置及び形状が、アパーチャ６２を通過するミラー電子に合うように調整される。この意味で、本実施の形態のアパーチャ６２は、可変アパーチャ（又は調整用アパーチャ等）と呼ぶことができる。調整目標は、
アパーチャ６２の高さでのミラー電子のスポット（プロファイル）と、アパーチャ６２の孔とを極力一致させることである
…
【０１５２】
（アパーチャ位置の調整）
　パターン観察では、パターンからのミラー信号を効率よく取得することが重要である。アパーチャ６２の位置は、信号の透過率と収差を規定するので、大変に重要である。２次電子は、試料表面から広い角度範囲で、コサイン則に従い放出され、アパーチャでは均一に広い領域に到達する。したがって、２次電子は、アパーチャ６２の位置に鈍感である。これに対し、ミラー電子の場合、試料表面での反射角度が、１次電子ビームの入射角度と同程度となる。そのため、ミラー電子は、小さな広がりを示し、小さなビーム径でアパーチャ６２に到達する。例えば、ミラー電子の広がり領域は、二次電子の広がり領域の１／２０以下となる。したがって、ミラー電子は、アパーチャ６２の位置に大変敏感である。アパーチャにおけるミラー電子の広がり領域は、通常、φ１０〜１００〔μｍ〕の領域となる。よって、ミラー電子強度の最も高い位置を求めて、その求められた位置にアパーチャ６２の中心位置を配置することが、大変有利であり、重要である。
【０１５３】
　
このような適切な位置へのアパーチャ６２の設置を実現するために
信号強度が最も高い位置が求められ、その求められた座標位置に、アパーチャ６２の中心が設置される。
　上記記載によれば、最大強度で検出するよう調整した「２次光学系に設けられたアパーチャの中心位置」は、ミラー電子のスポット（プロファイル）と、アパーチャの孔とが一致する位置意味するものと解される。ここで、ミラー電子のスポット（プロファイル）の中心は、２次光学系の光軸上にあるから、アパーチャの中心位置は、２次光学系の光軸上に位置するものと解される。なお、このような解釈は、合議体からの問い合わせに対して請求人が作成した、平成２９年３月３０日付けファクシミリの上申書の記載（「（Ｃ）アパーチャの調整について　『ミラー電子を…最大強度で検出』するに際し、アパーチャの『中心位置』を調整します。具体的には、アパーチャの『中心位置』を、ミラー電子のビーム中心に合わせます。…特許請求の範囲に記載の『調整』は上記の意味であります。（Ｄ）『調整』の意義について　例えば、アパーチャが真円形であり、ミラー電子の光軸が鏡筒中心に一致しているような理想的な場合には上記『調整』は必ずしも必要ではありませんが、現実の観察時においては、組立誤差等の機械的な誤差があること、及び、ミラー電子は必ず鏡筒中心を通るわけではないことから、上記『調整』が必要となります。…」）とも合致する。
イ　以下、上記解釈を踏まえて、検討する。
　一般に、ミラー像を形成する反射像結像型電子顕微鏡（写像投影型観察装置）は、例えば、特開２００７−２８０６１４号公報（以下「刊行物３」という。）に記載されるように、「【００２７】…
面状の照射電子線３０１の大部分が試料７に衝突する直前で引き戻されてミラー電子となり
反射電子線３０２にはミラー電子のほかに試料に衝突した電子が後方に散乱された後方散乱電子、試料から二次的に発生した二次電子なども含まれる場合がある
　
（３）相違点３について
　上記刊行物３には、「【００２９】…もし、画像に後方散乱電子や二次電子の割合が多く含まれる場合には、対物レンズ５の焦点面に形成される電子線回折像面、あるいは中間レンズ１３によりこの
電子線回折像が投影される面上に反射電子線の角度を制限する制限絞り挿入する
後方散乱電子や二次電子の割合を調整する
　引用発明は、上記（２）イで検討したとおり、ミラー像を形成する電子線には、少ないながらも後方散乱電子や二次電子が含まれているものと解される。ここで、ミラー像のコントラストやＳ／Ｎを改善することは、一般的な技術課題であるところ、該一般的な技術課題を解決する目的で、上記刊行物３に記載された技術事項を採用し、制限絞り（アパーチャ）を挿入してミラー像を形成する電子線に含まれる後方散乱電子や二次電子を制限することは、当業者が容易に想到し得ることである。そして、その際、制限絞り（アパーチャ）を通過するミラー電子が最大となるように、例えば制限絞り（アパーチャ）の中心を光軸上に位置させ、最大強度で検出するようになすことは、当業者が当然に考慮する事項である。してみると、引用発明において、刊行物３に記載された技術事項を採用し、制限絞り、すなわちアパーチャを挿入して、上記相違点３に係る本願補正発明の発明特定事項となすことに困難性は無い。
（４）本願補正発明の効果について 
　そして、本願補正発明が奏する作用効果は、引用発明、刊行物２、３に記載された技術事項及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に予測しうる程度のものである。 
　 
　したがって、本願補正発明は、引用発明、刊行物２、３に記載された技術事項及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　 
５　本件補正についてのむすび 
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　 
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２７年１１月３０日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。 
「写像投影型観察装置と該写像投影型観察装置とは別のＳＥＭ型観察装置と光学顕微鏡により同一のステージ上に載置された試料を観察するための複合型の試料観察方法であって、
　前記写像投影型観察装置は、両側にエッジを有する凹パターンに電子ビームが照射されたときに照射電子が前記凹パターンにてＵターンしてミラー電子になるようにランディングエネルギーが調整された電子ビームを前記試料に照射し、該電子ビームの照射により生じるミラー電子を検出し、
　前記写像投影型観察装置、前記ＳＥＭ型観察装置、及び前記光学顕微鏡の３つの観察装置それぞれの光学中心の位置関係を座標データとして記憶し、該座標データに基づいて前記ステージを前記３つの光学中心間で移動させて前記試料上の特定の箇所を前記３つの観察装置で個別に観察を行うことを特徴とする複合型の試料観察方法。」（以下「本願発明」という。） 
　 
２　引用する刊行物と引用発明 
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、その記載事項、及び引用発明は、前記「第２　２」に記載したとおりである。 
　 
３　対比・判断 
　本願発明は、前記「第２」で検討した本願補正発明から、上記「第２　１」の（１）と（２）の限定を省いたものである。 
　そうすると、本願発明と引用発明を対比すると、上記相違点１、２の点で相違する。そして、該相違点１及び２は、上記「第２　４（１）」及び「第２　４（２）」で検討したとおりであるから、本願発明は、引用発明、刊行物２に記載された技術事項及び周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得たものと認められる。 
　 
第４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、刊行物２に記載された技術事項及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。 
　よって、結論のとおり審決する。