【事件の表示】
　特願２０１２−２００３０５「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　３月２７日出願公開、特開２０１４−　５６９２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年９月１２日の出願であって、平成２７年１２月２１日付けで拒絶理由通知がなされたのに対して、平成２８年１月２９日付けで手続補正がなされたが、同年２月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年５月１１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がなされたものである。
第２　平成２８年５月１１日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２８年５月１１日付の手続補正を却下する。
［理由］
１．補正後の本願発明
　平成２８年５月１１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲について補正するものであって、本件補正前（すなわち、平成２８年１月２９日付け手続補正による補正後）に、
「【請求項１】
上アームにおける複数の第１パワー素子及び複数の第１整流素子と、
前記第１パワー素子及び前記第１整流素子が配置された正極側導体パターンと、
下アームにおける複数の第２パワー素子及び複数の第２整流素子と、
前記第２パワー素子及び前記第２整流素子が配置された出力極側導体パターンと、
負極側導体パターンと、
隣り合う前記第１パワー素子と前記第１整流素子のペアごとに前記出力極側導体パターンに接続した複数の第１ビームリードと、
隣り合う前記第２パワー素子と前記第２整流素子のペアごとに前記負極側導体パターンに接続した複数の第２ビームリードと、備えた
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１ビームリード及び前記第２ビームリードは、平面視において略Ｔ字に形成されていることを特徴とする半導体装置。 」
とあったところを、
 「【請求項１】
上アームにおける複数の第１パワー素子及び複数の第１整流素子と、
前記第１パワー素子と前記第１整流素子が
交互一列に
下アームにおける複数の第２パワー素子及び複数の第２整流素子と、
前記第２パワー素子と前記第２整流素子が
交互一列に
負極側導体パターンと、
隣り合う前記第１パワー素子と前記第１整流素子のペアごとに前記出力極側導体パターンに接続した複数の第１ビームリードと、
隣り合う前記第２パワー素子と前記第２整流素子のペアごとに前記負極側導体パターンに接続した複数の第２ビームリードと、備えた、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１ビームリード及び前記第２ビームリードは、平面視において略Ｔ字に形成されて
おり、
前記正極側導体パターン、前記出力極側導体パターン及び前記負極側導体パターンは同一平面上に配置され、
前記出力極側導体パターンにおいて前記第１ビームリードと接合される箇所と、前記負極側導体パターンにおいて前記第２ビームリードと接合される箇所と、は隣り合って配置されて
とするものである。なお、下線は請求人が補正箇所を明示するために付したものである。
２．新規事項の有無、特別な技術的特徴の変更の有無及び補正の目的要件について
　本件補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものと認められ、特許法第１７条の２第３項（新規事項）の規定に適合している。
　また、特許法１７条の２第４項（シフト補正）の規定に違反するものでもない。
　補正された請求項１に係る発明は、補正前の請求項１の「パワー素子」と「整流素子」の「配置」について限定を付加したものであり、また、補正された請求項２に係る発明は、補正前の請求項２に記載された「正極側導体パターン」、「出力極側導体パターン」、「負極側導体パターン」、「第１ビームリード」、「第２ビームリード」の「配置」について限定を付加して、特許請求の範囲を減縮するものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項および第４項の規定に適合するものであり、また、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて以下検討する。
３．引用例
（１）引用例１
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願日前に頒布された文献である特開２００６−１０９５７６号公報（平成１８年４月２０日公開。以下、「引用例１」という。）には、「インバータ装置およびそれを用いた車両駆動装置」に関して図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【００２５】
　
図２は、図１に示すインバータ装置２００の回路図である。インバータ装置２００のパワーモジュール１００は６つのアームから構成され
パワーモジュールの上記６つのアームは、Ｕ相の上アーム１００ＵＨ、Ｕ相の下アーム１００ＵＬ、Ｖ相の上アーム１００ＶＨ、Ｖ相の下アーム１００ＶＬ、Ｗ相の上アーム１００ＷＨ、Ｗ相の下アーム１００ＷＬである。
図２に示す実施の形態では上記各相の各アームは半導体のスイッチング素子としてＩＧＢＴ（Insulated  Gate  Bipolar  Transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）を使用している。
【００２６】
　ＩＧＢＴは動作速度が速いメリットがある。昔は、電力用ＭＯＳ‐ＦＥＴが使用できる電圧が低かったので、高電圧用のインバータはＩＧＢＴで作られていた。しかし最近は電力用ＭＯＳ‐ＦＥＴの使用できる電圧が高くなり、車両用インバータではどちらも半導体スイッチング素子として使用可能である。電力用ＭＯＳ‐ＦＥＴの場合は半導体の構造がＩＧＢＴに比べてシンプルであり、半導体の製造工程がＩＧＢＴに比べ少なくなるメリットがある。
【００２７】
　
図２において相ＵＶＷの各相の上アームと下アームとはそれぞれ直列に接続されている。Ｕ相とＶ相とＷ相の各上アーム１００ＵＨ、１００ＶＨ、１００ＷＨのそれぞれのコレクタ端子（電力用ＭＯＳ‐ＦＥＴ使用の場合はドレーン端子）は直流電源の正極側の配線ＬＨに接続される。一方Ｕ相とＶ相とＷ相の各下アーム１００ＵＬ、１００ＶＬ、１００ＷＬのそれぞれのエミッタ端子（電力用ＭＯＳ‐ＦＥＴの場合はソース端子）は、直流電源の負極側の配線ＬＬに接続される。
イ．「【００３１】
　
インバータの各アーム１００ＵＨ、１００ＵＬ、１００ＶＨ、１００ＶＬ、１００ＷＨ、１００ＷＬを構成する半導体のスイッチング素子はそれぞれ複数のスイッチング素子の並列接続で構成される。
図３はアーム１００ＵＨとアーム１００ＵＬの詳細を示す。それぞれのアームは、アーム１００ＵＨで代表して示すように、ＩＧＢＴの如きスイッチング素子ＳＷＵＨ１とこれに並列接続されたダイオードＤＵＨ１とから構成された回路が複数個、この実施の形態では４組並列に接続されている。
スイッチング素子ＳＷＵＨ１とダイオードＤＵＨ１からなるスイッチング回路、スイッチング素子ＳＷＵＨ２とダイオードＤＵＨ２からなるスイッチング回路、スイッチング素子ＳＷＵＨ３とダイオードＤＵＨ３からなるスイッチング回路、スイッチング素子ＳＷＵＨ４とダイオードＤＵＨ４からなるスイッチング回路で示される４組のスイッチング回路がさらに並列接続されている。
ウ．「【００３４】
　図２や図３に示すパワーモジュール１００の実装構造を図４と図５に示す。図４はパワーモジュール１００の外観を示す斜視図、図５はアーム部の拡大図である。図４と図５で、樹脂製の枠体１９０の内部には
インバータのパワーモジュール１００を構成する各アームが配置されており、、Ｕ相，Ｖ相，Ｗ相の各相の上アームのコレクタ端子ＴUHC、ＴVHC、ＴWHCと、各相の下アームコレクタ端子ＴULC、ＴVLC、ＴWLCと、各相の上アームのエミッタ端子ＴUHE、ＴVHE、ＴWHEと、各相の下アームエミッタ端子ＴULE、ＴVLE、ＴWLEと、各相の上アームゲート端子ＴUHG、ＴVHG、ＴWHGと、各相の下アームゲート端子ＴULG、ＴVLG、ＴWLGとが、枠体１９０の側壁に設けられている。
各アーム１００ＵＨ、１００ＵＬ、１００ＶＨ、１００ＶＬ、１００ＷＨ、１００ＷＬは、並列接続された４個のＩＧＢＴである半導体スイッチング素子ＳＷと、これらの各半導体スイッチング素子にそれぞれ並列接続されるダイオードから構成されている。
エ．「【００３６】
　
各アーム１００ＵＨ、１００ＶＨ、１００ＷＨ、１００ＵＬ、１００ＶＬ、１００ＷＬはそれぞれ並列接続された４個の半導体のスイッチング素子を有しており、上記４個のスイッチング素子ＳＷの上側電極（この例では、ＩＧＢＴのエミッタ電極）は、リード状導体ＬＣによって接続される。
オ．「【００４１】
　
上アーム１００ＵＨは、４個の半導体スイッチング素子ＳＷUH1，ＳＷUH2，ＳＷUH3，ＳＷUH4を有している。
スイッチング素子ＳＷUHの一方の電極は、スズおよび鉛からなる融点約３３０℃のハンダ１８４によって、銅配線１８２に固定されている。この動配線は端子ＴUHCに電気的につながっている。この実施の形態では、スイッチング素子ＳＷUH１〜ＳＷUH４のチップの下面側はコレクタ電極、上面側がエミッタ電極である。
【００４２】
　図４と図５の例では
スイッチング素子のシリコンチップの下側にコレクタを配置しているため、４個のスイッチング素子のコレクタ電極が共通に使用される銅配線１８２である配線層に並列に配置、接続されている。前記銅配線１８２は、Ｕ相上アームコレクタ端子ＴUHCに樹脂製の枠体１９０の内部で電気的につながっている。
前記銅配線１８２には、上アーム１００ＵＨを構成する４個のダイオードＤUH1，ＤUH2，ＤUH3，ＤUH4が並列に配置され,接続されている。
カ．「【００４４】
　絶縁基板１８０の上には、板状（層であれば良い）の導体１８６が固定されている。
この板状導体１８６は、Ｕ相上アームエミッタ端子ＴUHEと樹脂製の枠体１９０の内部で電気的に接続されている。並列接続されたスイッチング素子ＳＷUH１〜ＳＷUH４の上面にそれぞれ設けられたエミッタ電極ＥE及びダイオードＤUH１〜ＤUH４のアノード極（陽極）と、導体１８６とは、リード状導体ＬＣによって接続されている。
リード状導体ＬＣは、導体１８６との接続部側は一体的に形成され、４個のスイッチング素子ＳＷUHとの接続部側は、スイッチング素子ＳＷUHのそれぞれに対応して先端が分割され、分割された先端部毎に個別にスイッチング素子ＳＷUH1、ＳＷUH2、ＳＷUH3、ＳＷUH4と接続されている。
ハンダの溶融により、スイッチング素子ＳＷUHの上面に設けられたエミッタ電極及びダイオードＤUHの上側電極と、導体１８６とは、板形状のリード状導体ＬＣによって接続される。
キ．「【００４６】
　
アーム１００ＵＬの共通電極１８２（図示せず）には４個の半導体スイッチング素子のコレクタ側が固定されており、この共通電極１８２（図示せず）は２個の端子ＴＵＬＣ１とＴＵＬＣ２とにそれぞれ電気的に接続されている。またアームモジュール１００ＵＬの共通電極１８６は、板状導体であるリード状導体ＬＣによりアームモジュール１００ＵＬの半導体スイッチング素子のエミッタ側に電気的に接続されるとともに、端子ＴＵＬＥに接続されている。
ク．「【００５２】
　図６を用いてパワーモジュール１００の配線状態を説明する。
図６は配線盤であり、図４および図５に示す枠体の上面を覆うように配置することにより、図４と５に示すアームの端子ＴＵＨＣ、ＴＶＨＣ、ＴＷＨＣはそれぞれ銅板からなる配線ＬＨに設けられた穴を突き抜ける構造となり、配線ＬＨと上記各端子は溶接により接続される。
【００５３】
　
前記配線ＨＬはコネクタである正端子につながっている。また銅版からなる配線ＬＬに上記配線ＬＨと同様、穴があけられている。図６の配線盤を図４のモジュールの上に配置することにより、前記穴から３個の端子ＴＵＬＥ、ＴＶＬＥ、ＴＷＬＥの先端がそれぞれ突き出るようになる。前記突き出した端子と前記配線ＬＬとを溶接で接続することで電気的に接続される。
前記正端子および前記負端子は直流電源の正端子および負端子につながる。
【００５４】
　図６に示す
配線盤には銅板からなる配線６１２Ｕ、６１２Ｖ、６１２Ｗが設けられており、前記板状の配線６１２Ｕは２つの穴から端子ＴＵＨＥとＴＵＬＣ１との先端がそれぞれ突き出し、これら先端と上記配線６１２Ｕとが溶接により固定される。
端子ＴＵＬＣ１とＴＵＬＣ２、ＴＶＬＣ１とＴＶＬＣ２、ＴＷＬＣ１とＴＷＬＣ２とはそれぞれ図５で説明した共通電極１８２で電気的に互いに接続されており、ＴＵＬＣ２とＴＶＬＣ２とＴＷＬＣ２が端子ＴＵ、ＴＶ、ＴＷに電気的につながっている。端子ＴＵ、ＴＶ、ＴＷは配線盤に固定されており、これら端子からインバータの出力である三相交流電力がモータ３００に供給される。
ケ．「【００６４】
　
上記導体ＬＣは素子側が素子に対応して分割され、導体１８６側は分割されていないが、素子毎に分割されていてもよい。素子毎に分割されていると素子毎に位置合わせが可能である。ただし部品数が増えるので作業工数が増える。素子２個毎に分けることにより位置ずれを調整しやすくまた部品数もあまり増えないようにすることも可能である。
コ．「【００６９】
　
以上説明したようにリード状導体ＬＣを使用すると、一つのアームモジュールで考えると、４対のスイッチング素子とダイオードのペアを、一度に接続することができ、作業性を向上することができる。
　上記アないしコの記載から、引用例１には以下の事項が記載されている。
・上記アによれば、インバータ装置のパワーモジュールは、上アームと下アームから構成され、上アームと下アームは直列に接続され、上アームのコレクタ端子は直流電源の正極側の配線ＬＨに接続され、下アームのエミッタ端子は、直流電源の負極側の配線ＬＬに接続されるものである。
・上記イによれば、インバータの各アームは、ＩＧＢＴの如きスイッチング素子ＳＷＵＨ１とこれに並列接続されたダイオードＤＵＨ１とから構成された回路が４組並列に接続されたものである。
・上記ウによれば、樹脂製の枠体１９０の内部にインバータのパワーモジュール１００を構成する各アームが配置され、上アームのコレクタ端子ＴUHCと、下アームコレクタ端子ＴULCと、上アームのエミッタ端子ＴUHEと、下アームエミッタ端子ＴULEと、上アームゲート端子ＴUHGと、下アームゲート端子ＴULGが、枠体１９０の側壁に設けられているものである。
・上記エによれば、各アームは、並列接続された４個の半導体スイッチング素子を有しており、スイッチング素子のエミッタ電極は、リード状導体ＬＣに接続されるものである。
・上記オによれば、上アーム１００ＵＨは、４個の半導体スイッチング素子ＳＷUH1，ＳＷUH2，ＳＷUH3，ＳＷUH4を有しており、４個のスイッチング素子のコレクタ電極が銅配線１８２である配線層に並列に配置、接続され、銅配線１８２は、アームコレクタ端子ＴUHCに樹脂製の枠体１９０の内部で電気的につながっており、銅配線１８２には、上アーム１００ＵＨを構成する４個のダイオードＤUH1，ＤUH2，ＤUH3，ＤUH4が並列に配置、接続されるものである。
・上記カによれば、板状導体１８６は、アームエミッタ端子ＴUHEと樹脂製の枠体１９０の内部で電気的に接続されており、並列接続されたスイッチング素子ＳＷUH１〜ＳＷUH４の上面にそれぞれ設けられたエミッタ電極ＥE及びダイオードＤUH１〜ＤUH４のアノード極（陽極）と、板状導体１８６とは、リード状導体ＬＣによって接続されており、リード状導体ＬＣは、板状導体１８６との接続部側は一体的に形成され、４個のスイッチング素子ＳＷUHとの接続部側は、スイッチング素子ＳＷUHのそれぞれに対応して先端が分割され、分割された先端部毎に個別にスイッチング素子ＳＷUH1、ＳＷUH2、ＳＷUH3、ＳＷUH4と接続されているものである。また、ハンダの溶融により、スイッチング素子ＳＷUHの上面に設けられたエミッタ電極及びダイオードＤUHの上側電極と、導体１８６とは、板形状のリード状導体ＬＣによって接続されるものである。
・上記キによれば、アームモジュール１００ＵＬの共通電極１８２には４個の半導体スイッチング素子のコレクタ側が固定されており、この共通電極１８２は２個の端子ＴＵＬＣ１とＴＵＬＣ２とにそれぞれ電気的に接続されており、アームモジュール１００ＵＬの共通電極１８６は、板状導体であるリード状導体ＬＣによりアームモジュール１００ＵＬの半導体スイッチング素子のエミッタ側に電気的に接続されるとともに、端子ＴＵＬＥに接続されているものである。
・上記クによれば、パワーモジュールの配線盤が枠体１９０の上面を覆うように配置され、配線ＬＨとアームの端子ＴＵＨＣが溶接で接続され、また、アームの端子ＴＵＬＥと配線ＬＬが溶接で接続され、さらに、配線６１２Ｕが端子ＴＵＨＥとＴＵＬＣ１と溶接により固定され、端子ＴＵＬＣ１とＴＵＬＣ２とは共通電極１８２で電気的に互いに接続され、ＴＵＬＣ２が端子ＴＵに電気的につながっており、端子ＴＵは配線盤に固定され、インバータの出力である電力がモータ３００に供給されるものである。
・上記カ、ケ、コによれば、リード状導体ＬＣは素子側が素子に対応して分割され、導体１８６側も素子毎に分割されてもよく、リード状導体ＬＣによって、スイッチング素子とダイオードのペアを接続するものである。
　以上の点を踏まえて、上記記載事項及び図面を総合的に勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「樹脂製の枠体１９０の内部に、上アームと下アームが配置され、上アームのコレクタ端子ＴUHCと、下アームコレクタ端子ＴULCと、上アームのエミッタ端子ＴUHEと、下アームエミッタ端子ＴULEが、枠体１９０の側壁に設けられ、
　上アーム１００ＵＨは、４個の半導体スイッチング素子ＳＷUH1，ＳＷUH2，ＳＷUH3，ＳＷUH4を有しており、４個のスイッチング素子のコレクタ電極が銅配線１８２である配線層に並列に配置、接続され、銅配線１８２は、コレクタ端子ＴUHCに電気的につながっており、銅配線１８２には、上アーム１００ＵＨを構成する４個のダイオードＤUH1，ＤUH2，ＤUH3，ＤUH4が並列に配置、接続され、上アームのコレクタ端子ＴUHCは、直流電源の正極側の配線ＬＨに接続され、
　アームモジュール１００ＵＬの共通電極１８２には４個の半導体スイッチング素子のコレクタ側が固定され、４個のダイオードが並列に配置、接続され、共通電極１８２は２個の端子ＴＵＬＣ１とＴＵＬＣ２とにそれぞれ電気的に接続され、配線６１２Ｕが端子ＴＵＨＥとＴＵＬＣ１と溶接により固定され、板状導体１８６は、アームエミッタ端子ＴUHEと電気的に接続され、端子ＴＵＬＣ１とＴＵＬＣ２とは共通電極１８２で電気的に互いに接続され、ＴＵＬＣ２が端子ＴＵに電気的につながっており、端子ＴＵはインバータの出力であるモータ３００に供給され、
　アームモジュール１００ＵＬの共通電極１８６は、端子ＴＵＬＥに接続され、下アームのエミッタ端子ＴULEは、直流電源の負極側の配線ＬＬに接続され、
　並列接続されたスイッチング素子ＳＷUH１〜ＳＷUH４の上面にそれぞれ設けられたエミッタ電極ＥE及びダイオードＤUH１〜ＤUH４のアノード極と、板状導体１８６とは、リード状導体ＬＣによって接続されており、
　アームモジュール１００ＵＬの共通電極１８６は、板状導体であるリード状導体ＬＣによりアームモジュール１００ＵＬの半導体スイッチング素子のエミッタ側に電気的に接続され、また、ダイオードのアノード極と接続され、
　リード状導体ＬＣは素子側が素子に対応して分割され、導体１８６側も素子毎に分割されるものであり、リード状導体ＬＣによって、スイッチング素子とダイオードのペアを接続する
インバータ装置。」
４．対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明の「スイッチング素子」は、ＩＧＢＴであることから、本願補正発明の「パワー素子」に相当する。また、引用発明の「ダイオード」は、本願補正発明の「整流素子」に相当する。
ｂ．引用発明の「上アーム１００ＵＨ」は、本願補正発明の「上アーム」に相当する。引用発明の「銅配線１８２」に「４個のスイッチング素子」および「４個のダイオード」が並列に配置接続されていること、および、引用発明の「銅配線１８２」が「コレクタ端子ＴUHC」に電気的に接続され、「コレクタ端子ＴUHC」は直流電源の正極側の「配線ＬＨ」に接続されていることを鑑みれば、引用発明の「銅配線１８２」、「コレクタ端子ＴUHC」および「配線ＬＨ」が、第１パワー素子と第１整流素子が配置される本願補正発明の「正極側導体パターン」に相当する。
　したがって、引用発明の「上アーム１００ＵＨは、４個の半導体スイッチング素子ＳＷUH1，ＳＷUH2，ＳＷUH3，ＳＷUH4を有しており、４個のスイッチング素子のコレクタ電極が銅配線１８２である配線層に並列に配置、接続され、銅配線１８２は、コレクタ端子ＴUHCに電気的につながっており、銅配線１８２には、上アーム１００ＵＨを構成する４個のダイオードＤUH1，ＤUH2，ＤUH3，ＤUH4が並列に配置、接続され、上アームのコレクタ端子ＴUHCは、直流電源の正極側の配線ＬＨに接続され」ることは、本願補正発明の「上アームにおける複数の第１パワー素子及び複数の第１整流素子と、前記第１パワー素子と前記第１整流素子が配置された正極側導体パターン」を有することに相当する。
　ただし、本願補正発明が、第１パワー素子と第１整流素子が「交互一列」に配置されたものであるのに対して、引用発明は、スイッチング素子とダイオードが「交互一列」に配置されたものであることについて特定されていない点で相違する。
ｃ．引用発明の「アームモジュール１００ＵＬ」は、本願補正発明の「下アーム」に相当する。引用発明の「共通電極１８２」には、「４個のスイッチング素子」および「４個のダイオード」が並列に配置接続されており、また、「共通電極１８２」は「ＴＵＬＣ１」、「ＴＵＬＣ２」に電気的に接続され、「配線６１２Ｕ」が「ＴＵＨＥ」と「ＴＵＬＣ１」と溶接により固定され、「板状導体１８６」と「ＴＵＨＥ」が接続され、「ＴＵＬＣ２」が「端子ＴＵ」に電気的につながっており、「端子ＴＵ」がインバータの出力であるモータに供給されることを鑑みれば、引用発明の「共通電極１８２」、「ＴＵＬＣ１」、「ＴＵＬＣ２」、「板状導体１８６」、「ＴＵＨＥ」および「端子ＴＵ」が、本願の「出力極側導体パターン」に相当する。
　したがって、引用発明の「アームモジュール１００ＵＬの共通電極１８２には４個の半導体スイッチング素子のコレクタ側が固定され、４個のダイオードが並列に配置、接続され、共通電極１８２は２個の端子ＴＵＬＣ１とＴＵＬＣ２とにそれぞれ電気的に接続され、配線６１２Ｕが端子ＴＵＨＥとＴＵＬＣ１と溶接により固定され、板状導体１８６は、アームエミッタ端子ＴUHEと電気的に接続され、端子ＴＵＬＣ１とＴＵＬＣ２とは共通電極１８２で電気的に互いに接続され、ＴＵＬＣ２が端子ＴＵに電気的につながっており、端子ＴＵはインバータの出力であるモータ３００に供給され」ることは、本願補正発明の「下アームにおける複数の第２パワー素子及び複数の第２整流素子と、前記第２パワー素子と前記第２整流素子が配置された出力極側導体パターン」を有することに相当する。
　ただし、本願補正発明が、第２パワー素子と第２整流素子が「交互一列」に配置されたものであるのに対して、引用発明は、スイッチング素子とダイオードが「交互一列」に配置されたものであることについて特定されていない点で相違する。
ｄ．引用発明の「共通電極１８６」には、エミッタ端子「ＴＵＬＥ」が接続され、「ＴＵＬＥ」は、直流電源の負極側の「配線ＬＬ」が接続されることを鑑みれば、引用発明の「共通電極１８６」、「ＴＵＬＥ」及び「配線ＬＬ」が、本願補正発明の「負極側導体パターン」に相当する。
　したがって、引用発明の「アームモジュール１００ＵＬの共通電極１８６は、端子ＴＵＬＥに接続され、下アームのエミッタ端子ＴULEは、直流電源の負極側の配線ＬＬに接続され」ることは、本願補正発明の「負極側導体パターン」を有することに相当する。
ｅ．引用発明の「リード状導体ＬＣ」は、「素子側が素子に対応して分割され、導体１８６側も素子毎に分割されるものであり、リード状導体ＬＣによって、スイッチング素子とダイオードのペアを接続する」ものであることを勘案すると、引用発明の「リード状導体ＬＣ」は、本願補正発明のパワー素子と整流素子のペアごとに導体パターンに接続した「ビームリード」といえる。
　また、引用発明の「並列接続されたスイッチング素子ＳＷUH１〜ＳＷUH」のエミッタ電極ＥEおよび「ダイオードＤUH１〜ＤUH４」のアノード極が「リード状導体ＬＣ」によって「板状導体１８６」に接続されている。ここで、上記ｃ．に記載したとおり、「板状導体１８６」が「出力極側導体パターン」の一部を構成することを鑑みれば、引用発明の「並列接続されたスイッチング素子ＳＷUH１〜ＳＷUH４の上面にそれぞれ設けられたエミッタ電極ＥE及びダイオードＤUH１〜ＤUH４のアノード極と、板状導体１８６とは、リード状導体ＬＣによって接続され」ることは、「前記第１パワー素子と前記第１整流素子のペアごとに前記出力極側導体パターンに接続した複数の第１ビームリード」を有することに相当する。
　さらに、引用発明の「半導体スイッチング素子」のエミッタ側及び「ダイオード」のアノード側が板状導体である「リード状導体ＬＣ」によりアームモジュール１００ＵＬの「共通電極１８６」に接続されている。ここで、上記ｄ．に記載したとおり、「共通電極１８６」が、「負極側導体パターン」の一部を構成することを鑑みれば、引用発明の「アームモジュール１００ＵＬの共通電極１８６は、板状導体であるリード状導体ＬＣによりアームモジュール１００ＵＬの半導体スイッチング素子のエミッタ側に電気的に接続され、また、ダイオードのアノード極と接続され」ることは、本願補正発明の「前記第２パワー素子と前記第２整流素子のペアごとに前記負極側導体パターンに接続した複数の第２ビームリード」を有することに相当する。
　ただし、本願補正発明は、パワー素子と整流素子が隣り合う配置であるのに対して、引用発明は、スイッチング素子とダイオードが隣り合う配置であることについて特定されていない点で相違する。
ｆ．引用発明の「インバータ装置」は、上記ａ．ないしｅ．を鑑みれば、本願補正発明の「半導体装置」に相当する。
　そうすると、本願補正発明と引用発明とは以下の点で一致ないし相違する。
＜一致点＞
「上アームにおける複数の第１パワー素子及び複数の第１整流素子と、
前記第１パワー素子と前記第１整流素子が交互一列に配置された正極側導体パターンと、
下アームにおける複数の第２パワー素子及び複数の第２整流素子と、
前記第２パワー素子と前記第２整流素子が交互一列に配置された出力極側導体パターンと、
負極側導体パターンと、
前記第１パワー素子と前記第１整流素子のペアごとに前記出力極側導体パターンに接続した複数の第１ビームリードと、
前記第２パワー素子と前記第２整流素子のペアごとに前記負極側導体パターンに接続した複数の第２ビームリードと、備えた、
ことを特徴とする半導体装置。」
＜相違点１＞
　本願補正発明は、「第１パワー素子と第１整流素子が
交互一列
＜相違点２＞
　本願補正発明は、「第２パワー素子と第２整流素子が
交互一列
＜相違点３＞
　本願補正発明は、「第１パワー素子と第１整流素子が隣り合う」ものであるのに対して、引用発明は、当該構成について特定されていない点。
＜相違点４＞
　本願補正発明は、「第２パワー素子と第２整流素子が隣り合う」ものであるのに対して、引用発明は、当該構成について特定されていない点。
５．判断
　以下、上記相違点１ないし４について検討する。
　発熱の影響を緩和して温度上昇を抑えるために、導体パターン上のパワー素子と整流素子を交互一列に配置することは、例えば、特開平１１−１０３０１２号公報（特に、図２、段落【０００７】ないし【０００９】、【００１２】、【００２６】　参照）、特開２００８−３０６８７２号公報（特に、図４、段落【００１０】、【００６３】ないし【００７３】　参照）に記載のように周知であり、引用発明において、発熱の影響を緩和するために、半導体スイッチング素子とダイオードを交互一列に配置させることは当業者であれば容易に想到し得ることである。半導体スイッチング素子とダイオードを交互一列に配置した際には、半導体スイッチング素子とダイオードが隣接することになることは明らかである。
　したがって、引用発明に周知の技術事項を採用することで相違点１ないし４の構成とすることは当業者であれば容易に想到し得たことである。
　なお、平成２８年５月１１日付けの審判請求書において、審判請求人は、「補正後の特許請求の範囲における “パワー素子と整流素子が交互一列に配置されている”点については、拒絶査定において指摘された特開2006-109576において開示されておりません。 
 すなわち、引用文献に記載された発明では、同文献の図５に示されているように、スイッチング素子が一列に、それに隣接してダイオードが一列に配置されております。このような構成では、同じタイミングで通電し発熱する、同一アームにおけるスイッチング素子が隣接して配置されるため、隣接したスイッチング素子同士が互いに熱の影響を受ける可能があることに加えて、冷却効率も十分に向上させることができません。
　これに対し、本願発明のように、同一アームにおけるパワー素子と整流素子を交互一列に配置させると、同じタイミングで通電し発熱するパワー素子同士の間に整流素子が介在することになるため、上述した問題点を緩和することを可能とします。 
 さらに、このように配置したパワー素子と整流素子をペアとしてビームリードに接続させることで、ビームリードの過熱防止、ひいては、半導体装置の温度上昇を抑制するものです。 
　以上のように、拒絶査定において提示された引用文献では、本願発明の一部構成が記載されておりません。これに対し、本願発明は、この相違点に基づいた優位な効果もございます。従いまして、本願発明の進歩性違反は解消したものと思料致します。 」と主張している。
　しかしながら、上記判断において検討したとおり、引用発明において、発熱の影響を緩和するために、半導体スイッチング素子とダイオードを交互一列に配置する周知の技術事項を採用することは当業者であれば容易に想到し得たことであり、また、温度上昇を抑制する効果についても引用発明に周知の技術事項を適用した際に当業者が予測できる範囲の事項であり、審判請求人の主張を採用することはできない。
　したがって、本願補正発明は、引用発明および周知の技術事項に基づいて当業者が容易になし得たものである。
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明および周知の技術事項から当業者が予測できる範囲のものである。
６．むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用例１に記載された発明および周知の技術事項に基づいて当業者が容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２８年５月１１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２に係る発明は、平成２８年１月２９日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載された事項により特定されたものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２　１．補正後の本願発明」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例およびその記載事項は、上記「第２　３．引用例」に記載したとおりである。
３．対比・判断
　本願発明は、本願補正発明におけるパワー素子と整流素子の配置について「交互一列」であるという限定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　４．対比」および「第２　５．判断」に記載したとおり、引用例１に記載された発明および周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明および周知の技術事項により当業者が容易に発明をすることができたものである。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明および周知の技術事項により当業者が容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について言及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。