【事件の表示】
　特願２０１１−　３８９２３「半導体装置及び半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　９月１０日出願公開、特開２０１２−１７５０８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　平成２３年２月２４日の出願（以下、「本願」という。）であって、平成２５年１１月６日付けで審査請求がなされ、平成２６年１１月２７日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年１月２９日付けで意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたが、同年９月７日付けで拒絶査定がなされたものである。
　これに対して、平成２７年１２月１４日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
第２　平成２７年１２月１４日付けの手続補正についての却下の決定
［補正却下の結論］
　平成２７年１２月１４日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　平成２７年１２月１４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により補正された特許請求の範囲の請求項１に係る記載は次のとおりである。（なお、下線は、補正の箇所を示すものとして審判請求人が付加したものである。）
「基板の上方に形成された窒化物半導体からなる半導体層と、
　前記半導体層の上方に、金を含む材料により形成された電極と、
　前記電極の上方に形成された金属膜と、
　前記金属膜の上方に形成されたバリア膜と、
　前記半導体層の上方に、シリコンの酸化膜、窒化膜、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成された保護膜と、
　を有し、
　前記保護膜は前記バリア膜上に形成されるものであって、
　前記バリア膜は前記金属膜
の窒
または
物を
（２）補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に係る記載は次のとおりである。
「基板の上方に形成された窒化物半導体からなる半導体層と、
　前記半導体層の上方に、金を含む材料により形成された電極と、
　前記電極の上方に形成された金属膜と、
　前記金属膜の上方に形成されたバリア膜と、
　前記半導体層の上方に、シリコンの酸化膜、窒化膜、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成された保護膜と、
　を有し、
　前記保護膜は前記バリア膜上に形成されるものであって、
　前記バリア膜は前記金属膜の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成されているものであることを特徴とする半導体装置。」
２　補正の適否について
（１）補正の目的について
　補正後の請求項１に係る発明は、補正前の請求項１に係る発明に対応し、補正後の請求項１に係る発明は、補正前の請求項１に係る発明に次の補正がなされたものである。
（ａ）補正前の請求項１の「前記バリア膜は前記金属膜の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成されているもの」を「前記バリア膜は前記金属膜
の窒
または
物を
　補正事項（ａ）について検討すると、補正事項（ａ）により加えられた部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項（ａ）は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項（ａ）は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項（ａ）は、補正前の「前記バリア膜は前記金属膜の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成されているもの」を、「前記バリア膜は前記金属膜
の窒
または
物を
（ｂ）小括
　したがって、上記補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし、特許法第１７条の２第４項の規定に適合するとともに、特許法第１７条の２第５項第２号に規定された「特許請求の範囲の減縮（第三十六条第五項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであって、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）」を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後の請求項に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
（２）進歩性について
　補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）は、手続補正書によって補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、上記［理由］１の「（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載」の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
（ａ）各引用例について
（ａ−１）引用例１の記載について
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平２−８４７２５号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。（なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。）
（ア）「［実施例］
　第１図には、
本発明を高周波用ＧａＡｓ　ＦＥＴに適用した場合の一実施例が製造工程順に示されている。
　
この実施例では、先ずＧａＡｓ半絶縁性基板１上に、気相成長法等により能動層となるｎ型ＧａＡｓ半導体層２を形成する。
　次に、メサエッチングにより不必要な能動層２を除去し、ＡｕＧｅのオーミック金属層１１をパターニングし、しかる後、
Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕのようなショットキ障壁となるゲート金属層１２を形成する。
　そして、この実施例では、
上記ゲート金属層１２の上に例えばＴｉ（チタン）のような比較的酸化され易い金属層１３を２００Å程度の厚みに形成した後、ゲート金属層１２と酸化され易い金属層１３を同時にパターニングし、ソース電極３とドレイン電極４およびゲート電極５を形成する（第１図（Ａ））。
　次に、基板１上にフォトレジスト膜を全面的に被着して、パッシベーション膜を残したい部分のフォトレジストを除去した後、
ＳｉｘＯｙまたはＳｉＮｙＯｚ，ＳｉｘＮｙのような絶縁膜を全面的に被着してから、リフトオフ法によって不要部分の絶縁膜を除去して、第１図（Ｂ）のように、ゲート電極５の上方からソース、ドレイン電極３，４の一部にかけてパッシベーション膜１４を形成する。
（イ）「［発明の効果］
以上説明したようにこの発明は、
パッシベーション膜が被着される電極（配線を含む）の最上層の貴金属層の表面に、Ｔｉのような比較的酸化され易い金属層を形成するようにしたので、貴金属とパッシベーション膜の両方に対して密着性の良い金属層が電極とパッシベーション膜との間に介在されるため、電極の表面に貴金属層が形成されていてもその上のパッシベーション膜の剥れを防止することができる。
イ．引用例１の記載事項
　上記（ア）（イ）の記載を参照すると、次のことがいえる。
（あ）上記（ア）の記載から、引用例１に記載された発明は、ＧａＡｓ　ＦＥＴであることがわかる。
　そして、ＧａＡｓ半絶縁性基板上に形成されたｎ型ＧａＡｓ半導体層を有していることがわかる。
　また、Ａｕから成るゲート金属層を有していることがわかる。
　さらに、ゲート金属層の上にＴｉのような酸化されやすい金属層を形成し、ゲート金属層と酸化されやすい金属層を同時にパターニングし、ソース電極とドレイン電極およびゲート電極を形成していることがわかる。
　そして、ＳｉｘＯｙまたはＳｉｘＮｙのような絶縁膜を全面的に被着してから、リフトオフ法によって不要部分の絶縁膜を除去し、ゲート電極の上方からソース、ドレイン電極の一部にかけてパッシベーション膜を形成することがわかる。
（い）上記（イ）の記載から、引用例１に記載された発明は、貴金属層の表面にＴｉのような比較的酸化された易い金属層を形成することにより、貴金属とパッシベーション膜の両方に対して密着生が良くなり、パッシベーション膜の剥がれ防止となることがわかる。
　上記（あ）（い）の事項を踏まえると、引用例１には、実質的に次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ＧａＡｓ半絶縁性基板上に形成されたｎ型ＧａＡｓ半導体層と、
　Ａｕから成るゲート金属層とゲート金属層の上にＴｉのような酸化されやすい金属層を形成し、ゲート金属層と酸化されやすい金属層を同時にパターニングすることにより形成された、ソース電極とドレイン電極およびゲート電極と、
　ＳｉｘＯｙまたはＳｉｘＮｙのような絶縁膜を全面的に被着し、不要部分の絶縁膜を除去し、ゲート電極の上方からソース、ドレイン電極の一部にかけて形成されたパッシベーション膜と有することにより、
　パッシベーション膜の剥がれを防止するＧａＡｓ　ＦＥＴ。」
（ａ−２）引用例２の記載について
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に日本国内で頒布された刊行物である国際公開第２００８／０３５４０３号（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「[0001]　本発明は一般に半導体装置に係り、特に窒化物半導体を用いた高出力
電界効果トランジスタ
背景技術 
[0002]　
ＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＮ、あるいはそれらの混晶を代表とする窒化物半導体は、バンドギャップが大きく、このため短波長発光素子として使われている。一方、このようなバンドギャップの大きな窒化物半導体は高電界下でも降伏を生じないため、高出力電子素子への応用も注目されている。このような高出力電子素子としては、高出力電界効果トランジスタ、特に高出力ＨＥＭＴが挙げられる。
（イ）「[0017]　［第１の実施形態］　
　図２は、本発明の第１の実施形態による高出力電界効果トランジスタ２０の構成を示　す。
[0018]　
図２を参照するに、高出力電界効果トランジスタ２０は半絶縁性ＳｉＣ基板２１上に形成されたＨＥＭＴであり、前記ＳｉＣ基板２１上には非ドープＧａＮよりなる電子走行層２２が、例えば３μｍの厚さでエピタキシャルに形成されている。
[0019]　
前記電子走行層２２上には、厚さが例えば５ｎｍの非ドープＡｌＧａＮスぺーサ２３を介して、ｎ型ＡｌＧａＮよりなりＳｉにより５×１０
１８
ｃｍ
−３
の電子濃度にドープされた厚さが例えば３０ｎｍの電子供給層２４がエピタキシャルに形成され、前記電子供給層２４上にはｎ型ＧａＮ層２５が、エピタキシャルに形成される。
[0020]　
さらに前記ｎ型ＧａＮ層２５上には、ショットキー接合を形成するＮｉ電極膜２６Ａとその上の低抵抗Ａｕ膜２６を積層したゲート電極２６が形成され、
　上記（ア）（イ）の記載によれば、引用例２には、次の事項が記載されているといえる。
＜引用例２の記載事項＞
　電界効果トランジスタを構成するために、ＳｉＣ基板上にＧａＮおよびＡｌＧａＮ等から成る窒化物半導体層を設け、Ｎｉ電極膜およびＡｕ膜から構成されるゲート電極を有する窒化物半導体を設けること。
（ａ−３）引用例３の記載について
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００９−５４８０７号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【０００１】
  
本発明は、ノーマリオフ型のＨＥＭＴ( High Electron Mobility Transistor)又はこれに類似のヘテロ接合型電界効果半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　
典型的な従来のＨＥＭＴは、シリコン、サファイア等の基板の上にバッファ層を介して形成されたアンドープＧａＮ等の窒化物半導体から成る電子走行層と、ｎ型不純物がドープされた又はアンドープのＡｌＧａＮ等の窒化物半導体から成る電子供給層又はバリア層と、電子供給層の上に形成されたソース電極とドレイン電極とゲート電極（ショットキー電極）とを有している。
　上記（ア）の記載によれば、引用例３には、次の事項が記載されているといえる。
＜引用例３の記載事項＞
　電界効果トランジスタを構成するために、シリコン、サファイア等の基板の上にバッファ層を介してＧａＮやＡｌＧａＮ等からなる窒化物半導体を設けること。
（ａ−４）引用例４の記載について
　本願出願日前に日本国内で頒布された刊行物である特開平５−２１１２４２号公報（以下、「引用例４」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法は、まず、図４（ａ）に示すように、Ｐ型（又はＮ型）のシリコン基板１の一主面に、Ｎ型（又はＰ型）の拡散層２及び酸化シリコン膜あるいは酸化シリコン膜にリンやホウ素が添加されているＰＳＧ膜やＢＳＰＧ膜より構成される厚さ０．５〜１．０μｍの層間絶縁膜３を形成する。
【０００３】次に、所望の位置にバイアホール（図示せず）を形成した後、バイアホールを含む表面にタングステンにチタンが５〜１０％添加されたチタンタングステン合金膜あるいはチタン膜と窒化チタン膜の２層より構成される厚さ０．０５〜０．２μｍの第１の金属膜４及び金、白金、パラジウム等より構成される厚さ０．０１〜０．１μｍの第２の金属膜５を順次堆積して形成する。
【０００４】次に、図４（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いてポジタイプのフォトレジスト膜１０を１．０〜２．０μｍの厚さに第２の金属膜５の上に選択的に形成し、フォトレジスト膜１０をマスクとして第２の金属膜５の上に電解金めっきを行い、金膜６を０．５〜２．０μｍの厚さに形成する。
【０００５】次に、図４（ｃ）に示すように、有機溶剤を用いフォトレジスト膜１０を除去し、続いてアルゴンガスをソースとするミリング法やＣＦ4，ＳＦ6をエッチングガスとした反応性イオンエッチング法により、金膜６をエッチングマスクとして下層の第１の金属膜４および第２の金属膜５の不要部分のみを除去して、
第１の金属膜４，第２の金属膜５，金膜６の積層構造により構成される金属配線を形成する。
【０００６】次に、図４（ｄ）に示すように、ＳｉＨ4，Ｎ2Ｏ，ＮＨ4，Ｎ2等を原料ガスとするプラズマＣＶＤ法により
金膜６の上に酸化シリコン膜９又は窒化シリコン膜を形成していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した
従来の半導体装置は、配線を構成する金膜の上に設ける層間絶縁膜として酸化シリコン膜あるいは酸化シリコン膜を用いるのが通例となっているが、金は化学的に安定な元素であり酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜との密着性に乏しいため、層間絶縁膜の機械的な強度が得にくい。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、半導体基板上に設けた絶縁膜の上に形成した金属配線と、前記金属配線を含む表面に設けた金属酸化物膜もしくは金属窒化物膜からなる第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に設けた酸化シリコン又は窒化シリコン膜からなる第２の層間絶縁膜とを有する。
【０００９】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に設けた絶縁膜の上に金属配線を選択的に設ける工程と、前記金属配線を含む表面にアルミニウム膜又はチタン膜を形成して酸化処理又は窒化処理を行い酸化アルミニウム膜，酸化チタン膜又は窒化チタン膜のいずれかよりなる第１の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第１の層間絶縁膜の上に酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜からなる第２の層間絶縁膜を形成する工程とを含んで構成される。
（イ）「【００１３】次に、図１（ｂ）に示すように、第２の金属膜５の上にフォトレジスト膜１０を０．５〜２．０μｍの厚さに塗布してパターニングし配線形成用マスクを形成する。次に、フォトレジスト膜１０をマスクとし、第２の金属膜５を陰極とし、メッシュ状のチタン板の表面部に白金を被覆した金属電極板を陽極として、３０〜６０℃程度に恒温保持された例えば亜硫酸金塩溶液などで構成される電解金めっき液中で陰陽両極間に電圧を印加し、通電することにより、金膜６を第２の金属膜５の上に０．５〜１．０μｍの厚さに形成する。
【００１４】次に図１（ｃ）に示すように、有機溶剤を用いた剥離法あるいは酸素プラズマを用いたアッシング法等によりフォトレジスト膜１０を除去した後、金膜６をマスクとしてＳＦ6，ＣＦ4，ＣＣｌ4，ＢＣｌ3等をエッチングガスとするドライエッチングによりエッチバックし、第１の金属膜４および第２の金属膜５を除去して、
第１の金属膜４，第２の金属膜５及び金膜６より構成される金属配線を形成する。
【００１５】次に、図２（ａ）に示すように、
金属配線を含む表面にアルミニウム膜７をＤ．Ｃ．マグネトロンスパッタ法を用い成膜パワー０．５〜１．０ｋＷ、成膜圧力２〜１０ｍＴｏｒｒの条件で０．０１〜０．０５μｍの厚さに形成する。
【００１６】次に、図２（ｂ）に示すように、
ＮＨ
4
，Ｎ
2
等を原料ガスとするプラズマ窒化法によるＲＦパワー０．５〜１．０ｋＷ、成膜圧力０．１〜１０Ｔｏｒｒの条件で、アルミニウム膜７にプラズマ窒化処理を施し窒化アルミニウム膜８を形成する。
【００１７】次に、図２（ｃ）に示すように、
ＳｉＨ
4
，Ｎ
2
Ｏ，ＮＨ
4
，Ｎ
2
等を原料ガスとするプラズマＣＶＤ法を用い、ＲＦパワー０．５〜１．０ｋＷ、成膜圧力０．１〜１０Ｔｏｒｒの条件で、窒化アルミニウム膜８の上に酸化シリコン膜９を０．１〜０．５μｍの厚さに形成する。
【００１８】
このようにして得られた配線構造は、配線金属膜である金膜６と層間絶縁膜である酸化シリコン膜９との間に窒化アルミニウム膜８が存在しており、両者の密着性を向上させている。
【００１９】
また、このような層間絶縁膜の形成方法においては、アルミニウム膜７をスパッタ法により形成したのち窒化処理を施しているので、金膜６の金原子がスパッタ法により形成されたアルミニウム原子と密着しており、窒化アルミニウム膜８を直接スパッタ法により形成した場合にくらべてさらに密着性を向上させることが可能となる。
　上記（ア）（イ）の記載によれば、引用例４には、次の事項が記載されているといえる。
＜引用例４の記載事項＞
　配線金属膜である金膜の上に、アルミニウム膜をＤ．Ｃ．マグネトロンスパッタ法を用いて成膜し、アルミニウム膜をプラズマ窒化処理して窒化アルミニウム膜を形成し、窒化アルミニウム膜の上に、プラズマＣＶＤ法を用いて層間絶縁膜である酸化シリコン膜を形成することにより、金膜と酸化シリコン膜との密着性を向上させるとともに、このように層間絶縁膜を形成することにより、金膜の金原子とスパッタ法により形成されたアルミニウム原子が密着しており、窒化アルミニウム膜を直接スパッタ法により形成した場合にくらべて更に密着性を向上させていること。
（ａ−５）引用例５の記載について
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００８−１７１９９７号公報（以下、「引用例５」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【００１３】
  また、２番目の
透明絶縁膜が剥がれやすいという問題は、
透明金属電極Ｎｉ／ＡｕのＡｕが絶縁膜に拡散してＳｉＯ
２
と共晶化してしまい、ＳｉＯ
２
が剥離しやすくなるためである。
（イ）「【００２０】
  透明電極を構成している金属多層膜において、ｐ型ＧａＮ系半導体層と接触する層についてはＮｉ膜を用いて、オーミック接触を取ることができるようにし、
Ｎｉ膜の上層には化学的安定性が高く、酸化雰囲気に強いＡｕ膜を用いて電極のコアとし、さらにＡｕ膜の直上には、透明電極を作製する場合や透明電極上に絶縁膜を形成する場合等、高温処理が行われるときに、Ａｕ膜の直下に形成されているＮｉ膜や上層の絶縁膜にＡｕが拡散して共晶化しないように、Ａｕ拡散防止金属膜を設けている
（ウ）「【００３９】
　図６は、本発明の第２のＧａＮ系半導体発光素子の断面構造の一例を示し、基本的に図１の構成に絶縁膜９を形成した構造となっている。図１と同じ符号を付している部分は、同じ構成を示す。ｐ側パッド電極７の上にはｐ側ボンディング用電極が、ｎ側パッド電極８上にはｎ側ボンディング用電極が形成されている。また、金属多層膜透明電極６１は図７のように最大６層の金属層で構成されている。ＭＱＷ活性層４で発生した光は、金属多層膜透明電極６１を透過して、ｐ電極側から取り出されるので、
絶縁膜９は、透明性のあるものでなくてはならない。したがって、可視光領域でも透光性のある酸化絶縁膜が用いられ、例えば、ＳｉＯＮやＳｉＯ
２
等が挙げられる。
【００４０】
　
絶縁膜９にＡｕが拡散して絶縁膜９が剥離しやすくなるのを防ぐために、
Ａｕ膜６１ｂ、Ａｕ拡散防止金属膜６１ｃ、
Ａｕ拡散防止金属膜６１ｃにはＴｉ（チタン）又はＰｔ（白金）が用いられる。
　上記（ア）〜（ウ）の記載によれば、引用例５には、次の事項が記載されているといえる。
＜引用例５の記載事項＞
　電極ＡｕがＳｉＯ２からなる絶縁膜と共晶化しＳｉＯ２が剥離しやすくなること防止する為に、Ａｕが拡散して共晶化しないように、ＴｉからなるＡｕ拡散防止金属膜をＡｕ上に設けること。
（ｂ）対比・判断
（ｂ−１）本件補正発明と引用例１発明とを対比する。
（ア）引用例１発明の「ＧａＡｓ　ＦＥＴ」は、本件補正発明の「半導体装置」に相当する。
（イ）引用例１発明の「ＧａＡｓ半絶縁性基板上に形成されたｎ型ＧａＡｓ半導体層」と、本件補正発明の「基板の上方に形成された窒化物半導体からなる半導体層」とは、「基板の上方に形成された」「半導体層」である点で共通する。
（ウ）引用例１発明の「ソース電極とドレイン電極およびゲート電極」の「Ａｕから成るゲート金属層」は、本件補正発明の「前記半導体層の上方に、金を含む材料により形成された電極」に相当する。
（エ）引用例１発明の「ソース電極とドレイン電極およびゲート電極」の「ゲート金属層の上にＴｉのような酸化されやすい金属層」は、本件補正発明の「前記電極の上方に形成された金属膜」に相当する。
（オ）引用例１発明の「Ｔｉのような酸化されやすい金属層」は「ゲート金属層」の上に形成された後、「パターニング」され、「ＳｉｘＯｙまたはＳｉｘＮｙのような絶縁膜」が被着されているから、この工程の間に「Ｔｉのような酸化されやすい金属層」の表面は酸化されると認められる。
　そして、「Ｔｉのような酸化されやすい金属層」の表面の酸化された部分は、本件補正発明の「前記金属膜の上方に形成されたバリア膜」に相当する。
（カ）引用例１発明の「ＳｉｘＯｙまたはＳｉｘＮｙのような絶縁膜」で構成された「パッシベーション膜」は、本件補正発明の「前記半導体層の上方に、シリコンの酸化膜、窒化膜、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成された保護膜」に相当する。
（キ）引用例１発明の「パッシベーション膜」は「ゲート電極の上方からソース、ドレイン電極の一部にかけて形成され」ていることから、「パッシベーション膜」は「ソース電極とドレイン電極およびゲート電極」の上に形成されており、また、「ソース電極とドレイン電極およびゲート電極」の上は、「Ａｕから成るゲート金属層とゲート金属層の上にＴｉのような酸化されやすい金属層」となっており、上記（オ）で検討したとおり、「Ｔｉのような酸化されやすい金属層」の表面は酸化されると認められるから、「パッシベーション膜」は「Ｔｉのような酸化されやすい金属層」の表面の酸化された部分の上に形成されていると認められる。
　そうすると、引用例１発明の「パッシベーション膜」は「Ｔｉのような酸化されやすい金属層」の表面の酸化された部分の上に形成されていることは、本件補正発明の「前記保護膜は前記バリア膜上に形成される」ことに相当する。
（ｂ−２）以上（ア）〜（キ）のことから、本件補正発明と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「基板の上方に形成された半導体層と、
　前記半導体層の上方に、金を含む材料により形成された電極と、
　前記電極の上方に形成された金属膜と、
　前記金属膜の上方に形成されたバリア膜と、
　前記半導体層の上方に、シリコンの酸化膜、窒化膜、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成された保護膜と、
　を有し、
　前記保護膜は前記バリア膜上に形成されることを特徴とする半導体装置。」
［相違点１］
　本件補正発明は「半導体層」が「窒化物半導体」であるのに対して、引用例１発明はそうではない点。
［相違点２］
　本件補正発明は「バリア膜」が「前記金属膜
の窒
または
物を
（ｂ−３）当審の判断
　上記各相違点について検討する。
　
（ｂ−３−１）［相違点１］について
　電界効果トランジスタを構成する際に、半導体層を窒化物半導体で構成することは、引用例２および３に記載されているように周知の構成である。
　そして、引用例１発明において、ｎ型ＧａＡｓ半導体層からなる半導体層を、窒化物半導体で構成するようにすることは、当業者が設計時に適宜選択する事項である。
（ｂ−３−２）［相違点２］について
　引用例４に記載されているように、配線金属である金膜と層間絶縁膜である酸化シリコン膜の密着性を向上させる（剥離防止）ために、金膜の上に成膜されたアルミニウム膜をプラズマ窒化処理して窒化アルミニウム膜を形成し、その上に酸化シリコン膜を形成することは、周知の技術である。
　そして、引用例１発明も、Ａｕから成るゲート金属層とＳｉｘＯｙから成るパッシベーション膜の剥離防止を目的としていることから、引用例１発明のＡｕから成るゲート金属層とゲート金属層の上にＴｉのような酸化されやすい金属層を形成し、バリア膜を酸化されやすい金属層の酸化物とすることに換えて、上記周知技術を採用し、引用例１発明のバリア膜を、電極の上方に成膜された金属膜を窒化することにより形成された窒化物により構成することに格別の困難性は認められない。
（ｂ−３−３）本件補正発明の作用効果について
　本願明細書の発明の詳細な説明には、以下の記載がある。
「【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　窒化物半導体からなるＨＥＭＴ等においては、通常、保護膜として、比較的に容易に形成することができ、絶縁性が高く、比誘電率の低い、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）等のシリコンの化合物が用いられている。また、ゲート電極としては、ゲート電極における抵抗を低くすることができ、エレクトロマイグレーションの耐性の高い金（Ａｕ）が用いられている。従って、金により形成されたゲート電極の上に保護膜であるシリコンの化合物が形成された構造となっている。
【０００７】
　
しかしながら、金とシリコンとが接している部分では、金とシリコンとの共晶が形成されやすく、絶縁特性が低下したり、ゲート電極における抵抗が高くなったりする等の問題点を有していた。
【０００８】
　このため、ＧａＮ系の半導体材料を用いたＨＥＭＴ等において、高い信頼性が得られる半導体装置及び半導体装置の製造方法が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
　本実施の形態の一観点によれば、基板の上方に形成された窒化物半導体からなる半導体層と、前記半導体層の上方に、金を含む材料により形成された電極と、前記電極の上方に形成されたバリア膜と、前記半導体層の上方に、シリコンの酸化膜、窒化膜、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成された保護膜と、を有し、前記保護膜は前記バリア膜上に形成されるものであって、前記バリア膜は金属の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成されているものであることを特徴とする。
【００１０】
　また、本実施の形態の他の一観点によれば、基板の上方に窒化物半導体からなる半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上方に金を含む材料により電極を形成する工程と、前記電極の上方にバリア膜を形成する工程と、前記半導体層の上方にシリコンの酸化膜、窒化膜、酸窒化物のうちいずれかを含む材料により保護膜を形成する工程と、を有し、前記保護膜は前記バリア膜上に形成されるものであって、前記バリア膜は金属の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成されているものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
　
開示の半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、高い信頼性の半導体装置を得ることができる。
　してみれば、本願明細書の上記の記載から、本件補正発明は、金とシリコンとが接することにより、金とシリコンとの共晶が形成され、半導体装置の信頼性を低下させるとの課題を解決し、高い信頼性の半導体装置を得るとの作用効果を奏するものと認められる。
　他方、金からなる電極において、ＳｉＯ２との間で共晶が発生し、ＳｉＯ２が剥離しやすくなることは、引用例５に記載されているように当該技術分野では周知の技術課題であり、また、Ａｕ上にＴｉ等からなる拡散防止金属膜を設けることで、上記の課題が解決できることも、引用例５に記載されているように当該技術分野では周知の事項である。
　そうすると、引用例１および４に記載されているように、Ａｕ上にＴｉやアルミニウムからなる金属膜を形成することで、Ａｕの拡散が防止され、ＡｕとＳｉＯ２との共晶を防止できることは、当業者には自明であると言える。
　したがって、本件補正発明が奏する作用効果は格別のものとは認められない。
（ｂ−３−４）小括
　よって、本件補正発明は、引用例１乃至５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（ｃ）進歩性についての結論
　したがって、本件補正発明は、引用例１乃至５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　「２　補正の適否について」で検討したとおり、本件補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　補正却下の決定を踏まえた検討
（１）本願発明
　平成２７年１２月１４日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２７年１月２９日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「基板の上方に形成された窒化物半導体からなる半導体層と、
　前記半導体層の上方に、金を含む材料により形成された電極と、
　前記電極の上方に形成された金属膜と、
　前記金属膜の上方に形成されたバリア膜と、
　前記半導体層の上方に、シリコンの酸化膜、窒化膜、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成された保護膜と、
　を有し、
　前記保護膜は前記バリア膜上に形成されるものであって、
　前記バリア膜は前記金属膜の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成されているものであることを特徴とする半導体装置。」
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１乃至３および５には、上記「第２　［理由］２（２）（ａ）」に記載したとおりの事項が記載されている。
　
（３）対比・判断
（ｂ−１）本願発明と引用例１発明とを対比する。
（ア）引用例１発明の「ＧａＡｓ　ＦＥＴ」は、本願発明の「半導体装置」に相当する。
（イ）引用例１発明の「ＧａＡｓ半絶縁性基板上に形成されたｎ型ＧａＡｓ半導体層」と、本願発明の「基板の上方に形成された窒化物半導体からなる半導体層」とは、「基板の上方に形成された」「半導体層」である点で共通する。
（ウ）引用例１発明の「ソース電極とドレイン電極およびゲート電極」の「Ａｕから成るゲート金属層」は、本願発明の「前記半導体層の上方に、金を含む材料により形成された電極」に相当する。
（エ）引用例１発明の「ソース電極とドレイン電極およびゲート電極」の「ゲート金属層の上にＴｉのような酸化されやすい金属層」は、本願発明の「前記電極の上方に形成された金属膜」に相当する。
（オ）引用例１発明の「Ｔｉのような酸化されやすい金属層」は「ゲート金属層」の上に形成された後、「パターニング」され、「ＳｉｘＯｙまたはＳｉｘＮｙのような絶縁膜」が被着されているから、この工程の間に「Ｔｉのような酸化されやすい金属層」の表面は酸化されると認められる。
　そして、「Ｔｉのような酸化されやすい金属層」の表面の酸化された部分は、本願発明の「前記金属膜の上方に形成されたバリア膜」に相当し、また、「前記バリア膜は前記金属膜の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成されているものである」ことに相当する。
（カ）引用例１発明の「ＳｉｘＯｙまたはＳｉｘＮｙのような絶縁膜」で構成された「パッシベーション膜」は、本願発明の「前記半導体層の上方に、シリコンの酸化膜、窒化膜、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成された保護膜」に相当する。
（キ）引用例１発明の「パッシベーション膜」は「ゲート電極の上方からソース、ドレイン電極の一部にかけて形成され」ていることから、「パッシベーション膜」は「ソース電極とドレイン電極およびゲート電極」の上に形成されており、また、「ソース電極とドレイン電極およびゲート電極」は、「Ａｕから成るゲート金属層とゲート金属層の上にＴｉのような酸化されやすい金属層」となっており、上記（オ）で検討したとおり、「Ｔｉのような酸化されやすい金属層」の表面は酸化されると認められるから、「パッシベーション膜」は「Ｔｉのような酸化されやすい金属層」の表面の酸化された部分の上に形成されていると認められる。
　そうすると、引用例１発明の「パッシベーション膜」は「Ｔｉのような酸化されやすい金属層」の表面の酸化された部分の上に形成されていることは、本願発明の「前記保護膜は前記バリア膜上に形成される」ことに相当する。
（ｂ−２）以上（ア）〜（キ）のことから、本願発明と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「基板の上方に形成された半導体層と、
　前記半導体層の上方に、金を含む材料により形成された電極と、
　前記電極の上方に形成された金属膜と、
　前記金属膜の上方に形成されたバリア膜と、
　前記半導体層の上方に、シリコンの酸化膜、窒化膜、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成された保護膜と、
　を有し、
　前記保護膜は前記バリア膜上に形成されるものであって、
　前記バリア膜は前記金属膜の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成されているものであることを特徴とする半導体装置。」
［相違点１］
　本願発明は「半導体層」が「窒化物半導体」であるのに対して、引用例１発明はそうではない点。
（ｂ−３）当審の判断
（ｂ−３−１）［相違点１］について
　上記「第２　２　（２）（ｂ）（ｂ−３）（ｂ−３−１）［相違点１］について」で検討したとおり、電界効果トランジスタを構成する際に、半導体層を窒化物半導体で構成することは、引用例２および３に記載されているように周知の構成であり、引用例１発明において、ｎ型ＧａＡｓ半導体層からなる半導体層を、窒化物半導体で構成するようにすることは、当業者が設計時に適宜選択する事項である。
（ｂ−３−２）本願発明の作用効果について
　上記「第２　２　（２）（ｂ）（ｂ−３）（ｂ−３−３）本件補正発明の作用効果について」で検討したとおり、本願発明の奏する作用効果は格別のものとは認められない。
（ｂ−３−３）小括
　よって、本願発明は、引用例１乃至３および５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１乃至３および５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。