【事件の表示】
　特願２０１２−１０５３６３「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１１月２１日出願公開、特開２０１３−２３５８７３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年　５月　２日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年　２月　４日　審査請求
平成２７年１１月２０日　拒絶理由通知
平成２８年　１月２８日　意見書・手続補正
平成２８年　７日１５日　拒絶査定
平成２８年１０月２１日　審判請求・手続補正
平成２９年　１月２０日　上申書
第２　審判請求と同時にした手続補正の適否
１　補正の内容
　（１）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，特許請求の範囲の請求項２及び請求項３の記載は次のとおりである。
 【請求項２】
　請求項１に記載の半導体装置であって、
　前記チャネル層は、ＧａＮから形成され、
　前記スペーサ層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮから形成され、
　前記電子供給層は、ＡｌｙＧａ１−ｙＮから形成され、
　組成比ｘと組成比ｙは、ｙ＜ｘの関係を満たし、
　前記ｐ型キャップ層の母体は、ｐ型ＡｌｚＧａ１−ｚＮ（０≦ｚ≦１）から形成されている半導体装置。
【請求項３】
　請求項１に記載の半導体装置であって、
　前記チャネル層は、ＧａＮから形成され、
　前記スペーサ層は、ＡｌｄＩｎ１−ｄＮから形成され、
　前記電子供給層は、ＡｌｅＩｎ１−ｅＮから形成され、
　組成比ｄと組成比ｅは、ｅ＜ｄの関係を満たし、
　前記ｐ型キャップ層の母体は、ｐ型ＡｌｃＩｎ１−ｃＮ（０≦ｃ≦１）から形成されている半導体装置。
（２）本件補正後の特許請求の範囲
  本件補正後の，特許請求の範囲の請求項２及び請求項３の記載は次のとおりである。（当審注。補正個所に下線を付した。以下，同じ。）
 【請求項２】
　請求項１に記載の半導体装置であって、
　前記チャネル層は、ＧａＮから形成され、
　前記スペーサ層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ
（０＜ｘ＜１）
　前記電子供給層は、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ
（０＜ｙ＜１）
　組成比ｘと組成比ｙは、ｙ＜ｘの関係を満たし、
　前記ｐ型キャップ層の母体は、ｐ型ＡｌｚＧａ１−ｚＮ
（０＜ｚ＜１）
【請求項３】
　請求項１に記載の半導体装置であって、
　前記チャネル層は、ＧａＮから形成され、
　前記スペーサ層は、ＡｌｄＩｎ１−ｄＮ
（０＜ｄ＜１）
　前記電子供給層は、ＡｌｅＩｎ１−ｅＮ
（０＜ｅ＜１）
　組成比ｄと組成比ｅは、ｅ＜ｄの関係を満たし、
　前記ｐ型キャップ層の母体は、ｐ型ＡｌｃＩｎ１−ｃＮ
（０＜ｃ＜１）
２　補正の適否
　請求項２に対する補正（以下、「補正事項１」という）は、補正前の「スペーサ層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ」，「電子供給層は、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ」，「ｐ型キャップ層の母体は、ｐ型ＡｌｚＧａ１−ｚＮ（０≦ｚ≦１）」を、各々補正後の「スペーサ層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）」、「電子供給層は、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）」，「ｐ型キャップ層の母体は、ｐ型ＡｌｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）」とする補正であり、補正前に含んでいたｘ＝０，１；ｙ＝０，１；ｚ＝０，１の場合を除く補正と認められる。
　補正事項１は、各々、「スペーサ層」、「電子供給層」、「ｐ型キャップ層の母体」の組成を限定するものであり，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであって，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　また，補正事項１は，補正前の請求項２に記載された発明と補正後に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であり，本件補正前の請求項２に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかである。さらに、同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件も満たす。
　請求項３に対する補正（以下、「補正事項２」という。）は、補正前の「スペーサ層は、ＡｌｄＩｎ１−ｄＮ」、「電子供給層は、ＡｌｅＩｎ１−ｅＮ」、「ｐ型キャップ層の母体は、ｐ型ＡｌｃＩｎ１−ｃＮ（０≦ｃ≦１）を、各々補正後の「スペーサ層は、ＡｌｄＩｎ１−ｄＮ（０＜ｄ＜１）」、「電子供給層は、ＡｌｅＩｎ１−ｅＮ（０＜ｅ＜１）」、「ｐ型キャップ層の母体は、ｐ型ＡｌｃＩｎ１−ｃＮ（０＜ｃ＜１）」とする補正であり、補正前に含んでいたｄ＝０，１；ｅ＝０，１；ｃ＝０，１の場合を除く補正と認められる。
　補正事項２は、各々、「スペーサ層」、「電子供給層」、「ｐ型キャップ層の母体」の組成を限定するものであり，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであって，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　また，補正事項２は，補正前の請求項３に記載された発明と補正後に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であり，本件補正前の請求項３に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかである。さらに、同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件も満たす。
（３）むすび　
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３乃至６項の規定に適合するから適法なものである。
３　本願発明について
（１）本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２８年１０月２１日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　電界効果トランジスタを含む半導体装置であって、
　前記電界効果トランジスタは、
　（ａ）第１窒化物半導体層からなるチャネル層と、
　（ｂ）前記チャネル層上に形成された第２窒化物半導体層からなるスペーサ層と、
　（ｃ）前記スペーサ層上に形成された第３窒化物半導体層からなる電子供給層と、
　（ｄ）前記電子供給層上に形成されたソース電極と、
　（ｅ）前記ソース電極から離間して、前記電子供給層上に形成されたドレイン電極と、
　（ｆ）前記ソース電極と前記ドレイン電極で挟まれた前記電子供給層上に形成されたｐ型キャップ層と、
　（ｇ）前記ｐ型キャップ層上に形成されたゲート電極と、を有し、
　前記スペーサ層のバンドギャップは、前記電子供給層のバンドギャップよりも大きく、
　前記スペーサ層と前記電子供給層と前記ｐ型キャップ層の母体とは、同一の元素群から構成される一方、前記スペーサ層と前記電子供給層と前記ｐ型キャップ層の母体とにおいて、互いに前記元素群の組成比が異なる半導体装置。」
（２）引用文献について
　ア　引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開２０１０／１１８０９２号（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに、次の記載がある。（当審注。下線は当審において付加した。以下，同じ。訳は特表２０１２−５２３７００号公報による。）
（ア）「FIELD OF THE INVENTION
[0001] 
The present invention relates to the field of enhancement mode gallium nitride (GaN) transistors
（訳：
【技術分野】
【０００１】 
本発明は、エンハンスメントモード窒化ガリウム（ＧａＮ）トランジスタの分野に関する。
（イ）「 CLAIMS
  
1. An enhancement-mode III Nitride transistor comprising:
　
a substrate,
  
transition layers,
  
a buffer layer comprised of a III Nitride material,
  
a barrier layer comprised of a III Nitride material,
  
drain and source contacts,
  
a gate containing acceptor type dopant elements, and
  
a diffusion barrier comprised of a III Nitride material between the gate and the buffer layer.
  2. （中略）
  
3. The transistor of claim 1, wherein the barrier layer is comprised of In
 x 
AI 
y
 Ga 
1-x-y
 N of wider band gap than the buffer layer, where x + y  1.
  4. （中略）
  
5. The transistor of claim 3 , wherein the diffusion barrier is comprised of In 
x
 Al 
y
 Ga
1-x-y
 N with a higher Al fraction than the barrier layer, where x + y  1.
　
6. The transistor of claim 5, wherein the gate is an In 
x
 AI 
y
 Ga 
1-x-y
 N layer doped with an acceptor type element, where x + y  1
（訳：特許請求の範囲
【請求項１】
  基板と、
  遷移層と、
  ＩＩＩ族窒化物材料を有するバッファ層と、
  
ＩＩＩ族窒化物材料を有するバリア層と、
  ドレインコンタクト及びソースコンタクトと、
  アクセプタ型ドーパント元素を含有するゲートと、
  前記ゲートと前記バッファ層との間の、ＩＩＩ族窒化物材料を有する拡散バリアと、
  を有するエンハンスメントモードＩＩＩ族窒化物トランジスタ。
【請求項２】（中略）
【請求項３】
  
前記バリア層は、ｘ＋ｙ≦１として、前記バッファ層より広いバンドギャップを有するＩｎ
ｘ
Ａｌ
ｙ
Ｇａ
１−ｘ−ｙ
Ｎを有する、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項４】（中略）
【請求項５】 
　前記拡散バリアは、ｘ＋ｙ≦１として、前記バリア層より高いＡｌの割合を有するＩｎ
ｘ
Ａｌ
ｙ
Ｇａ
１−ｘ−ｙ
Ｎを有する、請求項３に記載のトランジスタ。
【請求項６】
  
前記ゲート層は、ｘ＋ｙ≦１として、アクセプタ型元素をドープされたＩｎ
ｘ
Ａｌ
ｙ
Ｇａ
１−ｘ−ｙ
Ｎ層である、請求項５に記載のトランジスタ。
（ウ）「[0025] Referring to FIG. 2, a first embodiment is now described with reference to the formation of an enhancement mode GaN transistor. FIG. 2 illustrates a cross-sectional view of the device 200. Device 200 includes substrate 21 composed of Si, SiC, sapphire, or other material,  transition layers 22 typically composed of AlN and AlGaN from about 0.1 to about 1.0 μm in thickness, buffer layer 23 typically composed of GaN from about 0.5 to about 10 μm in thickness, 
channel layer 20 typically composed of GaN or InGaN
barrier layer 27 typically composed of AlGaN where the Al fraction is about 0.1 to about 0.5 with a thickness between about 0.005 and about 0.03 μm
gate structure 26 typically composed of p-type GaN with a refractory metal contact such as Ta, Ti, TiN, W, or WSi 
2
Diffusion barrier 28 is typically composed of AlGaN, where the Al fraction is between about 0.2 and about 1 with a thickness between about 0.001 and about 0.003 μm.
（訳：
「[0025] 図２を参照して、エンハンスメントモードＧａＮトランジスタの形成に関して第１実施形態を説明する。図２は、デバイス２００の断面図を示している。デバイス２００は、Ｓｉ、ＳｉＣ、サファイア又はその他の材料からなる基板２１と、典型的に約０．１μｍから約１．０μｍの厚さのＡｌＮ及びＡｌＧａＮからなる複数の遷移層２２と、典型的に約０．５μｍから約１０μｍの厚さのＧａＮからなるバッファ層２３と、典型的に約０．０１μｍから約０．３μｍの厚さを有する
ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなるチャネル層２０
典型的に約０．００５μｍと約０．０３μｍとの間の厚さを有した、Ａｌの割合が約０．１から約０．５であるＡｌＧａＮからなるバリア層２７
典型的に例えばＴａ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ又はＷＳｉ
２
などの高融点金属コンタクトを備えたｐ型ＧａＮからなるゲート構造２６
拡散バリア２８は典型的に、約０．００１μｍと約０．００３μｍとの間の厚さを有した、Ａｌの割合が約０．２と約１との間であるＡｌＧａＮからなる
（エ）「[0026] In accordance with the above-described embodiment, a double layer of different Al contents is formed. The structure in FIG. 2 has higher Al content close to the channel layer, and lower Al content near the gate layer. A comparison of Al content between the channel layer and gate layer in a conventional GaN transistor and the structure of FIG. 2 is shown in FIG. 3. In the structure shown in FIG. 2, the diffusion barrier layer 28 above the channel layer is high in Al, while the barrier layer 27 is of lower Al content. Although FIG. 3 shows 2 distinct layers of constant Al content, the combination of layer 28 and 27 into a graded Al content layer can also be employed, such that the Al content is graded from high near the channellayer to low near the gate structure. This grading can be done in many fashions, such as linear, multiple steps down, alternating between high and low Al content while gradually decreasingthe average Al content, or alternating between high and low Al content while changing the thickness of the high and low Al layers from thicker high Al near the channel to thinner high Alnear the gate. The high Al content material blocks diffusion of Mg and confines it to regions above the channel layer. The high Al content layer also leads to high electron mobility. In thestructure shown in FIG. 2, however, diffusion still proceeds into the top barrier layer. 」
（訳：
　[0026]上述の実施形態によれば、異なるＡｌ含有量の二重層が形成される。図２の構造は、チャネル層の近くで高めのＡｌ含有量を有し、ゲート層の近くで低めのＡｌ含有量を有する。従来のＧａＮトランジスタと図２の構造とにおける、チャネル層とゲート層との間のＡｌ含有量の比較を図３に示す。図２に示した構造において、チャネル層上の
拡散バリア層２８はＡｌにおいて高く、バリア層２７はより低いＡｌ含有量を有する
　イ　引用発明
（ア）前記ア（イ）請求項５に記載された「拡散バリア」は、「前記バリア層より高いＡｌの割を有するＩｎＡｌＧａＮ」であり、また、前記ア（ウ）に「典型的に約０．００５μｍと約０．０３μｍとの間の厚さを有した、Ａｌの割合が約０．１から約０．５であるＡｌＧａＮからなるバリア層２７」との記載、および、「拡散バリア２８は典型的に、約０．００１μｍと約０．００３μｍとの間の厚さを有した、Ａｌの割合が約０．２と約１との間であるＡｌＧａＮからなる」との記載から、「拡散バリア」は、「バリア層」よりも薄い層であると認められる。
　そうすると、拡散バリアはバリア層より高いＡｌの割合を有し、前記拡散バリアは前記バリア層より薄いと認められる。
（イ）図２の記載から、ドレインコンタクトは、ソースコンタクトと離間してバリア層上に形成されていると認められる。
（ウ）前記ア（イ）請求項６に記載された「ゲート層」は、「アクセプタ型元素をドープされたＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層である」が、前記ア（ウ）に対応する記載として「典型的に例えばＴａ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ又はＷＳｉ２などの高融点金属コンタクトを備えたｐ型ＧａＮからなるゲート構造２６」とされているように、 エンハンスモードＩＩＩ族窒化物トランジスタのゲートとして構成する際には、「ｐ型ＧａＮ層」とその上に形成される「Ｔａ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ又はＷＳｉ２などの高融点金属コンタクト」との２層構造とするものであると認められるから、前記ア（イ）請求項６に記載されたゲート層は、「アクセプタ型元素をドープされたＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層」に対応し、当該「アクセプタ型元素をドープされたＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層」と「アクセプタ型元素をドープされたＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層」上に形成される「高融点金属コンタクト」を有する「ゲート構造」の一部であると認められる。
　また、この「ゲート構造」は図２の記載からソースコンタクトとドレインコンタクトに挟まれた「ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮを有するバリア層」上に位置すると認められる。
　してみれば、前記ア（ア）ないし（エ）及び図２の記載から、引用文献には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「エンハンスメントモードＩＩＩ族窒化物トランジスタであって、
　当該トランジスタは、ＧａＮからなるチャネル層と、
　チャネル層上に形成されたＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮを有する拡散バリア層と、
　拡散バリア層上に形成されたＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮを有するバリア層と、
　バリア層上に形成されたソースコンタクトと、
　ソースコンタクトと離間してバリア層上に形成されたドレインコンタクトと、ソースコンタクトとドレインコンタクトで挟まれたバリア層上に形成されたアクセプタ型元素をドープされたＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層と高融点金属コンタクトを含むゲート構造とを、有し、
　拡散バリア層はバリア層より高いＡｌの割合を有し、前記バリア層より薄いエンハンスメントモードＩＩＩ族窒化物トランジスタ。」
（３）本願発明と引用発明の対比
　ア　引用発明の「エンハンスモードＩＩＩ族窒化物トランジスタ」は、本願発明の「電界効果トランジスタ」に相当する。
　イ　引用発明の「ＧａＮからなるチャネル層」は、本願発明の「第１窒化物半導体層からなるチャネル層」に相当する。
　ウ　引用発明の「ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮを有する拡散バリア層」は、チャネル層上に形成され,バリア層と比較して相対的にＧａに対するＡｌ組成比が高く大きなバンドギャップを有し、かつバリア層よりも薄い層であることから、前記イを考慮すると、本願発明の「チャネル層上に形成された第２窒化物半導体層からなるスペーサ層」に相当する。
　エ　引用発明の「ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮを有するバリア層」は、拡散バリア層上に形成され、拡散バリア層に比較して相対的に厚い層であり、ＧａＮからなるチャネル層に対しては大きなバンドギャップエネルギーを有するから、キャリアとなる２ＤＥＧ電子ガスの供給源かつキャリアに対するバリア層としての機能を有するので、前記ウを考慮すると本願発明の「スペーサ層上に形成された第３窒化物半導体層からなる電子供給層」に相当する。
　オ　引用発明の「ソースコンタクト」は、バリア層上に形成されているので、前記エを考慮すると本願発明の「電子供給層上に形成されたソース電極」に相当する。
　カ　引用発明の「ドレインコンタクト」は、ソースコンタクトと離間してバリア層上に形成されているので、前記エ、オを考慮すると、本願発明の「ソース電極から離間して、電子供給層上に形成されたドレイン電極」に相当する。
　キ　引用発明の「アクセプタ型元素をドープされたＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層」は、「アクセプタ型元素をドープされた」という記載が、ドープされた半導体層がｐ型であることを意味し、同層がソースコンタクトとドレインコンタクトで挟まれたバリア層上に形成されていることから、前記ウないしカを考慮すると、本願発明の「ソース電極と前記ドレイン電極で挟まれた前記電子供給層上に形成されたｐ型キャップ層」に相当する。
　また、「高融点金属コンタクト」は、「アクセプタ型元素をドープされたＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層」上に形成されるので、本願発明の「ｐ型キャップ層上に形成されたゲート電極」に相当する。
　ク　引用発明の「拡散バリア層はバリア層より高いＡｌの割合を有し」という「拡散バリア層」と「バリア層」のＡｌ組成比についての記載は、一般にＧａとＡｌを含む窒化物半導体において、Ｇａに対するＡｌ組成比が高くなるとバンドギャップが大きくなるという技術常識を参酌し、前記ウ、エを考慮すると、本願発明の「スペーサ層のバンドギャップは、電子供給層のバンドギャップよりも大きく」という条件を満たす。
　ケ　引用発明の「拡散バリア層」、「バリア層」、「アクセプタ型元素をドープされたＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ」は、いずれもＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮを組成元素とするから、前記ウ、エ、キを考慮すると、本願発明の「スペーサ層と前記電子供給層と前記ｐ型キャップ層の母体とは、同一の元素群から構成される」という条件を満たす。
　してみると、本願発明と引用発明とは、下記コの点で一致するが、下記サの点で相違すると認められる。
　コ　一致点
「電界効果トランジスタを含む半導体装置であって、
　前記電界効果トランジスタは、
　（ａ）第１窒化物半導体層からなるチャネル層と、
　（ｂ）前記チャネル層上に形成された第２窒化物半導体層からなるスペーサ層と、
　（ｃ）前記スペーサ層上に形成された第３窒化物半導体層からなる電子供給層と、
　（ｄ）前記電子供給層上に形成されたソース電極と、
　（ｅ）前記ソース電極から離間して、前記電子供給層上に形成されたドレイン電極と、
　（ｆ）前記ソース電極と前記ドレイン電極で挟まれた前記電子供給層上に形成されたｐ型キャップ層と、
　（ｇ）前記ｐ型キャップ層上に形成されたゲート電極と、を有し、
　前記スペーサ層のバンドギャップは、前記電子供給層のバンドギャップよりも大きく、
　前記スペーサ層と前記電子供給層と前記ｐ型キャップ層の母体とは、同一の元素群から構成される一方、前記スペーサ層と前記電子供給層と前記ｐ型キャップ層の母体とにおいて、互いに前記元素群の組成比が異なる半導体装置。」
　サ　相違点
　本願発明では、「スペーサ層と電子供給層とｐ型キャップ層の母体とにおいて、互いに前記元素群の組成比が異なる」のに対して、引用発明では、組成比が異なる点について明記されていない点。
（４）相違点についての検討
　ＨＥＭＴを構成する「スペーサ層」、「電子供給層」、「ｐ型キャップ層」において、母体となる元素群の組成比はＨＥＭＴの電気的特性を最適化するために個別に調整可能なパラメータであるから、所望のＨＥＭＴの電気的特性を得るために、互いに元素群の組成比が異なるように設定することは、当業者が容易に想到し得る技術的事項である。
（５）まとめ
　本願発明は、引用文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４　結言　
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないから、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。　
　
　よって、結論のとおり審決する。