【事件の表示】
　特願２０１０−１５９８１４「ショットキバリアダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　２月　２日出願公開、特開２０１２−　２３１９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年７月１４日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２５年　７月　１日　審査請求
平成２６年　５月１６日　拒絶理由通知
平成２６年　７月１５日　意見書・手続補正
平成２６年１２月　４日　拒絶理由通知（最後）
平成２７年　２月　９日　意見書・手続補正
平成２７年　９月１１日　補正却下・拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２７年１２月１７日　審判請求・手続補正
　
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年１２月１７日にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正により，本件補正前の特許請求の範囲の請求項２は本件補正後の請求項１へ補正された。
（１）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，特許請求の範囲の請求項２及び同請求項が引用する請求項１の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　表面から掘り下げた複数のトレンチが形成され，隣接するトレンチの間にメサ部が形成された半導体層と，
　前記トレンチの内壁面を含む前記半導体層の表面に接するように形成されたショットキメタルと，
　各トレンチの内壁面を覆っている前記ショットキメタルに接するように各トレンチに埋め込まれたコンタクトメタルとを含む，ショットキバリアダイオード。
　【請求項２】
　前記メサ部が，０．２μｍ〜１．０μｍの幅を有している，請求項１に記載のショットキバリアダイオード。」
（２）本件補正後の特許請求の範囲
　本件補正後の，特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおりである。（当審注。補正個所に下線を付した。下記（３）も同じ。）
「【請求項１】
　表面から掘り下げた複数のトレンチが形成され，隣接するトレンチの間に
前記トレンチよりも幅の小さい
　前記トレンチの内壁面を含む前記半導体層の表面に接するように形成されたショットキメタルと，
　各トレンチの内壁面を覆っている前記ショットキメタルに接するように各トレンチに埋め込まれたコンタクトメタルとを含み，
　前記メサ部が，０．２μｍ〜１．０μｍの幅を有している，ショットキバリアダイオード。」
（３）本件補正事項
　本件補正は，補正前請求項２の「メサ部」について「
前記トレンチよりも幅の小さい
２　補正の適否
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落００４２，００４４及び図７Ｂ及び図７Ｄの記載からみて，本件補正事項は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，本件補正事項は前記１（３）のとおり，本件補正前の請求項１に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，補正後の請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項）につき，更に検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は，本件補正後の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「表面から掘り下げた複数のトレンチが形成され，隣接するトレンチの間に前記トレンチよりも幅の小さいメサ部が形成された半導体層と，
　前記トレンチの内壁面を含む前記半導体層の表面に接するように形成されたショットキメタルと，
　各トレンチの内壁面を覆っている前記ショットキメタルに接するように各トレンチに埋め込まれたコンタクトメタルとを含み，
　前記メサ部が，０．２μｍ〜１．０μｍの幅を有している，ショットキバリアダイオード。」
（２）引用文献１の記載と引用発明１
　ア　引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００６−３１８９５６号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（当審注。下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明はショットキーダイオードを有する半導体装置に関し，より特定的には，逆方向のリーク電流を増加させることなく定常損失を低減できるショットキーダイオードを有する半導体装置に関する。」
（イ）「【００４０】
　（実施の形態３）
　図５は，本発明の実施の形態３におけるショットキーダイオードを有する半導体装置の構成を示す図である。図５を参照して，
実施の形態３にかかるショットキーダイオード
【００４１】
　具体的には，第１の半導体層３は，基板２の上に形成されている。第２の半導体層４は，第１の半導体層３の表面に領域４ａを複数形成されている。
領域４ａは凸状である。領域４ａはたとえば１μｍの幅Ｗ１
ショットキー金属層５は，第２の半導体層４の領域４ａおよび第２の半導体層４の領域４ａが積層されていない第１の半導体層３との双方にショットキー接触されており
・・・
【００４４】
　
本実施の形態によれば，順方向バイアス時には，電流が表面積と電流密度とに比例することを考慮すると，第１の半導体層３は表面に凸状の領域４ａを設けて表面積を増加させているので，電流量が増加する。そのため，同じ電圧を印加する場合には，抵抗が小さくなるので，定常損失を低減することができる。
ショットキー金属層５と第１の半導体層３との界面に生じる広い空乏層７の存在により，逆方向のリーク電流の発生が抑制される。
【００４５】
　このように，本実施の形態によれば，表面に凹凸を有する第２の半導体層４を設けて，ショットキー接触させる表面積を増加させることにより，逆方向バイアス時のリーク電流を増加させることなく，順方向バイアス時の定常損失を低減することができる。」
（ウ）「【００５０】
　（実施の形態５）
　図７は，本発明の実施の形態５におけるショットキーダイオードを有する半導体装置の構成を示す断面図である。図７を参照して，実施の形態５にかかる
ショットキーダイオード４０の構成は，実施の形態３と比較して，凹部底面に第２の半導体層４を有しており，ショットキー金属層５が，凸状の領域４ａおよび凹部底面において第２の半導体層４とショットキー接触している点において異なる。
【００５１】
　また，図７を参照して，実施の形態５にかかるショットキーダイオード４０の構成は，実施の形態１と比較して，第２の半導体層４の表面に領域４ａを有しており，ショットキー金属層５が，凸状の領域４ａおよび凹部底面において第２の半導体層４とショットキー接触している点において異なる。
【００５２】
　具体的には，実施の形態５にかかる
ショットキーダイオード４０は，第２の半導体層４の表面に凹凸を有し，ショットキー金属層５が，第２の半導体層４内に形成された凹凸の凹部および凸部との双方にショットキー接触されている。
【００５３】
　次に，ショットキーダイオード４０の動作方法について説明する。まず，ショットキーダイオード４０に順方向バイアスを印加する際には，アノード電極となるショットキー金属層５に相対的に正の電圧が印加され，カソード電極となるオーミック金属層６に相対的に負の電圧が印加される。これにより，アノード電極からカソード電極に電流が流れる。【００５４】
　次に，ショットキーダイオード４０に逆方向バイアスを印加する際には，アノード電極となるショットキー金属層５に相対的に負の電圧が印加され，カソード電極となるオーミック金属層６に相対的に正の電圧が印加される。この逆方向バイアス時には，図８に示すように，ショットキー金属層５と第２の半導体層４との界面で生じる空乏層７は，第１の半導体層３に達する。空乏層７は，第１の半導体層３に達すると，第１の半導体層３の厚み方向に容易に大きく延びる。よって，電流の流れが遮断される。
【００５５】
　本実施の形態によれば，順方向バイアス時には，第２の半導体層４は不純物濃度が高いのでショットキー金属層５と第２の半導体層４との界面を電流は流れやすい。
また，第２の半導体層４の領域４ａは表面積が大きいので，領域４ａを設けていない場合に比べて電流が多く流れる。よって，順方向バイアス時における定常損失を下げることが可能となる。
よって，広い空乏層７の存在により，逆方向のリーク電流の発生が抑制される。
【００５６】
　このように，本実施の形態によれば，厚みが薄く，不純物濃度が高い第２の半導体層４を設けて，空乏層７の広がりを制御することにより，逆方向バイアス時のリーク電流を増加させることなく，
第２の半導体層４の表面に凹凸を設けて，ショットキー金属層５と第２の半導体層４との接触面積を増加させることにより，順方向バイアス時の定常損失を低減することができる。
（エ）図７には，
第２の半導体層４の表面に複数の凹部が形成され，隣接する凹部の間に凸部が形成されること，ショットキー金属層５が凹部の内壁面を含む第２の半導体層の表面に接するように形成されること，
　イ　引用発明１
　前記アより，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「半導体層の表面に複数の凹部が形成され，隣接する凹部の間に凸部が形成され，ショットキー金属層が凹部の内壁面を含む半導体層の表面に接するように形成された，ショットキーダイオード。」
（３）引用文献２の記載と引用発明２
　ア　引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０００−０２２１７７号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，
ショットキーバリアダイオード（Schottky　Barrier　Diode：以下ＳＢＤと称す）
（イ）「【０００８】図１は本発明による
ＳＢＤ素子
エピタキシャル層１２の表面にバリア金属層１６として例えばチタン（Ｔｉ）層を形成し，バリア層１６を覆うようにアルミ電極１７を形成したものである。
【０００９】そして，開口部１４に露出するエピタキシャル層１２表面には，複数の段差１８を設けている。この
段差１８は，選択酸化法で形成したＬＯＣＯＳ酸化膜を除去した後のシリコン段差であり，表面から０．５〜１．０μ程度凹んでいる。他に異方性エッチングによってシリコン表面を削ることにより形成した段差でも良い。
バリア金属層１６はエピタキシャル層１２の平坦面のみならず，段差１８の側壁及び底部にも被着してシリコンとのショットキー障壁を形成している。
【００１０】係る構成であれば，段差１８の側壁の分だけシリコンとバリア金属層１６との接触面積を増大できるので，ショットキー障壁の面積を実質的に増大することができる。上記の例では，開口部１４（ガードリング領域１５の部分を含めない）の面積に対して，段差１８によって接触面積を約２０％増大することができた。従って，単位面積あたりの順方向電流ＩＦの値を増大でき，素子の電流容量を増大できる。このことは，チップ面積を拡大する事に等しいので，ある順方向電流ＩＦを流したときの順方向電圧ＶＦを小さくできることを意味し，しかもチップ面積の増大がない。」
（ウ）「【００１６】図３（Ａ）を参照して，段差１８を形成した開口部１４にスパッタ堆積法により膜厚３００〜２０００ÅのＴｉ層を堆積し，堆積したＴｉ層を周知のホトエッチング法によってパタニーングして，バリア金属層１６を形成する。
【００１７】図３（Ｂ）を参照して，再度スパッタ堆積法により膜厚１．０〜３．０μのアルミニウム層を堆積し，ホトエッチングによってバリア金属層１６を覆い且つ外部接続用のパッドを構成するアルミ層１７を形成して図１の構成を得る。」
（エ）図１には，
アルミ電極１７が段差１８内に埋め込まれていること
　イ　引用発明２
　前記アより，引用文献２には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「ショットキーバリアダイオードにおいて，バリア金属層は段差の側壁及び底部にも被覆してショットキー障壁を形成し，バリア層を覆うようにアルミ電極を形成し，アルミ電極は段差内に埋め込まれていること。」
（４）本願補正発明と引用発明１との対比
　引用発明１の「凹部」及び「凸部」は，それぞれ本願補正発明の「トレンチ」及び「メサ部」に相当すると認められる。
　引用発明１の「半導体層」は，「表面に複数の凹部が形成され，隣接する凹部の間に凸部が形成され」るものであり，半導体層の表面の凹部は，エッチングや選択酸化等により表面から掘り下げて形成されることは技術常識である（前記（３）ア（イ）【０００９】）から，下記相違点を除いて，本願補正発明の「表面から掘り下げた複数のトレンチが形成され，隣接するトレンチの間にメサ部が形成された半導体層」に相当すると認められる。
　引用発明１の「ショットキー金属層」は，「凹部の内壁面を含む半導体層の表面に接するように形成され」ているから，本願補正発明の「前記トレンチの内壁面を含む前記半導体層の表面に接するように形成されたショットキメタル」に相当すると認められる。
　引用発明１の「ショットキーダイオード」は，下記相違点を除いて，本願補正発明の「ショットキバリアダイオード」に相当すると認められる。
　すると，本願補正発明と引用発明１とは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「表面から掘り下げた複数のトレンチが形成され，隣接するトレンチの間にメサ部が形成された半導体層と，
　前記トレンチの内壁面を含む前記半導体層の表面に接するように形成されたショットキメタルと，
　を含む，ショットキバリアダイオード。」　
　イ　相違点
（ア）相違点１
　本願補正発明の「メサ部」は「前記トレンチよりも幅の小さい」ものであるのに対し，引用発明１の「凸部」は凹部よりも幅が小さいか不明である点。
（イ）相違点２
　本願補正発明は「各トレンチの内壁面を覆っている前記ショットキメタルに接するように各トレンチに埋め込まれたコンタクトメタル」を含むのに対し，引用発明１は「コンタクトメタル」を含まない点。
（ウ）相違点３
　本願補正発明は「前記メサ部が，０．２μｍ〜１．０μｍの幅を有している」のに対し，引用発明１においては「凸部」の幅について明示されていない点。
（５）相違点についての検討
　ア　相違点１について
　引用発明１において半導体層の表面に凹部が形成され，ショットキー金属層が凹部の内壁面に接するように形成されていることから，これを具体的に形成するにあたり，まず凹部を形成し残った部分が凸部となり，その凹部に入り込むようにショットキー金属層を形成しなくてはならないことは当業者に自明であり，すると凹部の形成しやすさや金属層の入り込みやすさを考慮して凹部の幅を広くする方向の設計は当業者が容易に想到することである。そして，引用発明１においては半導体層の凹凸によりショットキー金属層と半導体層との接触面積を増加させるものである（前記（２）ア（ウ）【００５６】）から，接触面積を確保するためには，凹部の幅を広くする一方で凸部の幅を狭めなくてはならないことも当業者に自明であり，してみると引用発明１において凸部を凹部よりも幅が小さいものとすることは，当業者が容易に設計できることである。
　さらに，メサ部をトレンチよりも幅の小さいものとすること自体は，本願明細書【００４２】に記載されているように，「トレンチのピッチが一定のままトレンチの幅だけを大きくし」「幅があまり大きいと，逆方向バイアスのリーク電流が多くなるおそれがある」ものも含むものであり，格別の効果がないものであるから，当業者が適宜なし得る設計変更というべきである。
　イ　相違点２について
　引用発明２において「ショットキーバリアダイオードにおいて，バリア層を覆うようにアルミ電極を形成し，アルミ電極は段差内に埋め込まれていること。」が開示されており，電極の電気抵抗を低減することは当業者に周知の課題であるから，引用発明１において前記課題を解決するために，引用発明２の「アルミ電極」を採用して，相違点２に係る構成を得ることは，当業者が容易になし得ることである。
　ウ　相違点３について
　引用文献１には「実施の形態３に係るショットキーダイオード」において「凸状領域」を「１μｍの幅」とすることが開示されている（前記（２）ア（イ））。そして，引用発明１のショットキーダイオードと「実施の形態３に係るショットキーダイオード」とは，「凹部底面に第２の半導体層４を有」しているか否かで異なる（前記（２）ア（ウ）【００５０】）ので，その余の点である凸状領域の幅については特段異ならしめる理由はなく，引用発明１のショットキーダイオードにおいてもその凸部の幅を１μｍの幅とすることは，引用文献１の前記記載を総合すれば当業者が読み取れるというべきである。
　してみると，引用発明１は本願補正発明の「前記メサ部が，０．２μｍ〜１．０μｍの幅を有している」を満たすものであり，相違点３は実質的な相違点ではない。
（６）本願補正発明の効果について
　本願補正発明の効果は，引用発明１及び２の構成から当業者が予測できる程度のもので，格別なものではない。
（７）まとめ
　本願補正発明は，引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　むすび 
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明の特許性の有無について
１　本願発明について 
　平成２７年１２月１７日にされた手続補正は前記第２のとおり却下された。
　そして，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２６年７月１５日付け手続補正による補正がされた特許請求の範囲の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。
「表面から掘り下げた複数のトレンチが形成され，隣接するトレンチの間にメサ部が形成された半導体層と，
　前記トレンチの内壁面を含む前記半導体層の表面に接するように形成されたショットキメタルと，
　各トレンチの内壁面を覆っている前記ショットキメタルに接するように各トレンチに埋め込まれたコンタクトメタルとを含む，ショットキバリアダイオード。」
２　引用発明１及び２
（１）引用発明１
　引用発明１は前記第２の２（２）のとおりである。
（２）引用発明２
　引用発明２は前記第２の２（３）のとおりである。
３　本願発明と引用発明１との対比
　引用発明１の「凹部」及び「凸部」は，それぞれ本願発明の「トレンチ」及び「メサ部」に相当すると認められる。
　引用発明１の「半導体層」は，「表面に複数の凹部が形成され，隣接する凹部の間に凸部が形成され」るものであり，半導体層の表面の凹部は，エッチングや選択酸化等により表面から掘り下げて形成されることは技術常識である（前記第２の２（３）ア（イ）【０００９】）から，本願発明の「表面から掘り下げた複数のトレンチが形成され，隣接するトレンチの間にメサ部が形成された半導体層」に相当すると認められる。
　引用発明１の「ショットキー金属層」は，「凹部の内壁面を含む半導体層の表面に接するように形成され」ているから，本願発明の「前記トレンチの内壁面を含む前記半導体層の表面に接するように形成されたショットキメタル」に相当すると認められる。
　引用発明１の「ショットキーダイオード」は，下記相違点を除いて，本願発明の「ショットキバリアダイオード」に相当すると認められる。
　すると，本願発明と引用発明１とは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「表面から掘り下げた複数のトレンチが形成され，隣接するトレンチの間にメサ部が形成された半導体層と，
　前記トレンチの内壁面を含む前記半導体層の表面に接するように形成されたショットキメタルと，
　を含む，ショットキバリアダイオード。」
　イ　相違点
　本願発明は「各トレンチの内壁面を覆っている前記ショットキメタルに接するように各トレンチに埋め込まれたコンタクトメタル」を含むのに対し，引用発明１は「コンタクトメタル」を含まない点。
４　相違点についての検討
　引用発明２において「ショットキーバリアダイオードにおいて，バリア層を覆うようにアルミ電極を形成し，アルミ電極は段差内に埋め込まれていること。」が開示されており，電極の電気抵抗を低減することは当業者に周知の課題であるから，引用発明１において前記課題を解決するために，引用発明２の「アルミ電極」を採用して，相違点に係る構成を得ることは，当業者が容易になし得ることである。
５　本願発明の効果について
　本願発明の効果は，引用発明１及び２の構成から当業者が予測できる程度のもので，格別なものではない。
６　まとめ
　以上のとおり，本願発明は，引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
第４　結言 
　したがって，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。