【事件の表示】
　特許第３８８５５９８号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３８８５５９８号の明細書を本件審判請求書に添付された訂正明細書のとおり，訂正後の請求項［１４，１５，及び１８］について訂正することを認める。
【理　由】
第１　請求の要旨
　本件審判の請求の要旨は，特許第３８８５５９８号発明（平成１４年２月７日特許出願，平成１８年１２月１日設定登録）の特許請求の範囲を，審判請求書に添付された訂正明細書のとおり，すなわち下記１及び２のとおり訂正することを求めるものである。なお，訂正箇所に下線を付した。
１　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１４は，請求項１から１３のいずれか１つの記載を引用する記載であるところ，請求項２を引用しないものと改め，請求項１４に「前記コレクタ電極の，半導体と接する部分はアルミニウムでできていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか」とあるのを「前記コレクタ電極の，半導体と接する部分はアルミニウムでできていることを特徴とする請求項１
又は３
２　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１４は，請求項１から１３のいずれか１つの記載を引用する記載であるところ，請求項２に従属するものについて独立形式に改め，さらに「
前記半導体基板の他方の主面側に不純物イオンを注入する前に当該主面の中心線平均粗さＲａが１μｍ以下となり
「
厚さ方向に一様な抵抗を具えたｎ型半導体基板をベース層とし，前記半導体基板の一方の主面側にｐ型のチャネル拡散領域，ｎ型のエミッタ拡散領域，エミッタ電極，ゲート絶縁膜およびゲート電極を形成し，かつ前記半導体基板の他方の主面側にｐ型のコレクタ層およびコレクタ電極を形成してなる半導体装置を製造するにあたって，
　
前記半導体基板の一方の主面側に前記チャネル拡散領域，前記エミッタ拡散領域，前記エミッタ電極，前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極を形成する工程と，
　
前記半導体基板の他方の主面側にリンイオンを浅く注入した後，それよりもさらに浅くボロンイオンを注入し，熱処理をおこなうことによって，前記ベース層よりも不純物濃度が高いｎ型の不純物拡散層を，当該不純物拡散層の不純物濃度が前記ベース層の不純物濃度の２倍となる位置をＸｆｓとし，当該不純物拡散層と前記コレクタ層との接合位置をＸｊとしたときに，Ｘｆｓ−Ｘｊが０．５μｍ以上３μｍ以下の範囲となるように形成するとともに，前記不純物拡散層よりも浅いｐ型のコレクタ層を形成する工程と，
　
前記コレクタ層の表面にコレクタ電極を形成する工程と，
　
を含み，
　
前記半導体基板の他方の主面側に不純物イオンを注入する前に当該主面の中心線平均粗さＲａが１μｍ以下となり，当該主面のろ波中心線うねりＷｃａが１０μｍ以下となるように研磨をおこない，
　
前記コレクタ電極の，半導体と接する部分はアルミニウムでできていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
　と訂正する。
第２　当審の判断
１　一群の請求項について
　訂正事項１及び２に係る訂正前の請求項１４及び１５について，請求項１５は請求項１４を引用しているものであって，訂正事項１によって記載が訂正される請求項１４及び１５は連動して訂正されるものである。
　また，訂正前の請求項１４，１５及び１８は，引用関係にある訂正前の請求項１４及び１５に対応するものであり，一群の請求項として特許法１２６条第３項の規定する関係を有する一群の請求項と認められる。
２　訂正事項１について
（１）訂正の目的
　訂正事項１は，訂正前の請求項１４において記載されていた請求項２を引用する記載を，請求項２を引用しないものとすることから，特許法第１２６条第１号但書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものと認められる。
（２）新規事項の有無
　訂正事項１は，訂正前の請求項１４において記載されていた請求項２を引用する記載から請求項２を引用しないものとしただけであるから，新たに追加された記載は無い。
　したがって，訂正事項１は，本件出願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面の記載の範囲内でなされたものと認められる。
　よって，訂正事項１は，特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
（３）特許請求の範囲の拡張・変更の有無
　訂正事項１は，訂正前の請求項１４において記載されていた請求項２を引用する記載から，請求項２を引用しないものとしたから，訂正後の請求項１４は，訂正前の請求項１４の特許請求の範囲から請求項２の記載する範囲の分が減縮したものと認められる。
　したがって，訂正事項１は，実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　よって，訂正事項１は，特許法第１２６条第６項の規定に適合する。
（４）独立特許要件
　訂正事項１は，前記（３）で検討したように，請求の範囲を減縮したものであるから，訂正前の請求項１４及び１５が独立特許要件を満たす以上，訂正後の請求項１４及び１５に係る発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができない理由は発見しない。
　よって，訂正事項１は，特許法第１２６条第７項の規定に適合する。
３　訂正事項２について
（１）訂正の目的
　訂正事項２は，訂正前の請求項１４が請求項１から１３のいずれか１つの記載を引用する記載であるところ，請求項２に従属するものについて独立形式に改め，さらに「前記半導体基板の他方の主面側に不純物イオンを注入する前に当該主面の中心線平均粗さＲａが１μｍ以下となり」という構成を追加し，新たな請求項１８としたものである。
　したがって，訂正事項２は、前記の独立形式に改める点については，特許法１２６条第１項但書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正と認められ，「前記半導体基板の他方の主面側に不純物イオンを注入する前に当該主面の中心線平均粗さＲａが１μｍ以下となり」という構成を追加する点は，特許法１２６条第１項但書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正と認められる。
（２）新規事項の有無
　訂正事項２のうち，訂正前の請求項２を引用する請求項１４に対して新たに追加した「前記半導体基板の他方の主面側に不純物イオンを注入する前に当該主面の中心線平均粗さＲａが１μｍ以下となり」という記載は、明細書の段落【００２７】，【００５４】，【００５９】等に記載されている事項である。
　したがって、訂正事項２は、本件出願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面の記載の範囲内でなされたものと認められる。
　よって，訂正事項２は，特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
（３）特許請求の範囲の拡張・変更の有無
　訂正事項２は，訂正前の請求項１４において記載されていた請求項２に従属するものを独立形式に改めたものに，「前記半導体基板の他方の主面側に不純物イオンを注入する前に当該主面の中心線平均粗さＲａが１μｍ以下となり」という構成を付け加えたものであるから，訂正前の請求項２を引用する請求項１４の特許請求の範囲を減縮しているものと認められる。
　したがって，訂正事項２は，実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　よって，訂正事項２は，特許法第１２６条第６項の規定に適合する。
（４）独立特許要件
　訂正事項２は，前記（３）で検討したように，請求の範囲を減縮したものであるから，訂正前の請求項２に従属する請求項１４が独立特許要件を満たす以上，訂正後の請求項１８に係る発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができない理由は発見しない。
　よって，訂正事項２は，特許法第１２６条第７項の規定に適合する。
第３　むすび
　したがって，本件審判の請求に係る訂正は，特許法第１２６条第１項但書第１号及び第４号に掲げる事項を目的とし，かつ，同条第３ないし７項の規定に適合する。　
　よって，結論のとおり審決する。