【事件の表示】
　特願２０１１−２４３２３８「熱処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　３月１５日出願公開、特開２０１２−　５４５９８、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年２月９日に出願した特願２００７−２９９２６号（以下「原出願」という。）の一部を平成２３年１１月７日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２３年１１月　７日　　　審査請求
　平成２３年１１月　７日　　　上申書の提出
　平成２５年　８月　７日　　　拒絶理由通知（起案日）
　平成２５年１０月１１日　　　意見書の提出
　平成２６年　４月２５日　　　拒絶理由通知（起案日）
　平成２６年　６月２７日　　　意見書の提出
　平成２７年　１月２７日　　　拒絶査定（起案日）
　平成２７年　５月　１日　　　審判請求及び手続補正書の提出
　平成２８年　１月２１日　　　当審拒絶理由通知（起案日）
　平成２８年　３月２４日　　　意見書及び手続補正書の提出
　平成２８年　６月２４日　　　当審拒絶理由通知（起案日）
　平成２８年　８月１７日　　　意見書及び手続補正書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２８年８月１７日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「　【請求項１】
　イオンが注入された半導体基板に対してフラッシュ光を照射することによって該半導体基板を加熱する熱処理方法であって、
　前記半導体基板の表面の全領域に少なくとも第１のピーク強度を有するフラッシュ光を第１のフラッシュランプから照射して前記半導体基板の表面温度を前記半導体基板に注入されたイオンの活性化温度以上の処理温度にまで昇温してイオンを活性化させる昇温工程と、
　前記昇温工程の後、前記第１のピーク強度を有するフラッシュ光の強度が低下しているときに前記第１のピーク強度よりも弱い第２のピーク強度に到達するフラッシュ光を第２のフラッシュランプから前記半導体基板の表面の全領域に照射して少なくとも前記第２のピーク強度を有するフラッシュ光照射によって前記半導体基板の表面温度を前記活性化温度以上に所定時間以上維持する保温工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。」
第３　原査定の理由について
　１　原査定の理由の概要
　（１）拒絶理由通知の概要
　平成２７年１月２７日付けの拒絶査定（以下「原査定」という。）の根拠となった平成２６年４月２５日付けの拒絶理由通知の概要は以下のとおりである。
「１．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
２．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
３．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
　本出願の明細書等は、以下の点で、原出願の出願当初明細書等に記載した事項の範囲内でないものを含むため、出願日の遡及が認められない。よって、本出願の出願日は、本出願が現実に出願された平成２５年１０月１０日であると認められる。
ａ．請求項１には、「前記基板にフラッシュ光を照射して前記基板の表面温度を所定値以上の処理温度にまで昇温する昇温工程と、
　前記昇温工程の後、フラッシュ光照射の保温効果によって前記基板の表面温度を前記処理温度に所定時間以上維持する保温工程と、を備える」との記載がある。
　しかしながら、原出願の当初明細書等の段落【００６５】には、「発光開始直後においては、主としてパルス幅の短いフラッシュランプＦＬ１から照射された強いピーク強度を有するフラッシュ光によって半導体ウェハーＷの表面が急速にイオンの活性化温度以上の処理温度Ｔ２（１０００℃ないし１１００℃程度）にまで昇温される。その後は、主としてパルス幅の長いフラッシュランプＦＬ２から照射されたなだらかなピークを有するフラッシュ光による保温効果によって比較的長時間に渡って活性化温度以上の温度を維持した後に次第に降温する。」との記載はある。当該記載では、活性化以上の温度を所定時間維持する旨の記載があると認められる（図１０の点線（活性化温度）と実線（ウエハー表面温度）との２つの交点の間の時間、活性化温度以上の温度を維持している旨の記載がされている）。しかしながら、当該記載からでは、活性化温度以上のある温度（処理温度）が所定時間継続するとは認められない。
　よって、当該記載は、原出願の当初明細書等に記載した事項の範囲内であるとは認められない。
　……（中略）……
【請求項１−３】
・理由３
　請求項１には、「前記基板にフラッシュ光を照射して前記基板の表面温度を所定値以上の処理温度にまで昇温する昇温工程と、
　前記昇温工程の後、フラッシュ光照射の保温効果によって前記基板の表面温度を前記処理温度に所定時間以上維持する保温工程と、を備える」との記載がある。
　しかしながら、発明の詳細な説明（段落【００６５】）には、「発光開始直後においては、主としてパルス幅の短いフラッシュランプＦＬ１から照射された強いピーク強度を有するフラッシュ光によって半導体ウェハーＷの表面が急速にイオンの活性化温度以上の処理温度Ｔ２（１０００℃ないし１１００℃程度）にまで昇温される。その後は、主としてパルス幅の長いフラッシュランプＦＬ２から照射されたなだらかなピークを有するフラッシュ光による保温効果によって比較的長時間に渡って活性化温度以上の温度を維持した後に次第に降温する。」との記載はあるものの、活性化温度以上のある温度（処理温度）が所定時間継続するとの記載はない。（なお、図面は、本願発明の理解を助けるための補助的手段であり図面（図１０）をもとにして、発明の詳細な説明に記載されているとは認められない。）
　よって、請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に実質的に記載されていないと認められる。
　請求項１を引用している請求項２−３に係る発明も同様である。
【請求項１，２，３】
・理由１，２
・引用文献１
・備考
　引用文献１の特に図６及びその説明箇所参照。
　なお、引用文献１（図６及びその説明箇所）には、時間幅の短いパルス電流Ａが入力された閃光放電ランプ１０の後にも、時間幅の長いパルス電流Ｂが入力された閃光放電ランプ１０が点灯されていることから、時間幅の長いパルス電流Ｂが入力された閃光放電ランプ１０により、基板の表面温度を処理温度に所定時間以上維持されているものと認められる。
　……（中略）……
【請求項１−３】
・理由１，２
・引用文献２
・備考
　引用文献２の図２２及びその説明箇所及び段落【０１０６】−【０１１０】参照。
　……（中略）……
【請求項１−３】
・理由２
・引用文献２−７
・備考
　引用文献３の特に図５（ｂ），（ｃ）及びその説明箇所参照（特に段落【００８３】参照）。
　フラッシュランプで不純物活性の熱処理を行うことは周知技術であるから（引用文献２（段落【０１０６】等），引用文献４−７参照）、この技術を引用文献３に記載の発明に採用し、当該請求項に係る発明の構成とすることは当業者が容易に成し得ることである。
　……（中略）……
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１.特開２００８−１４７５３３号公報
２.特開２００２−２５２１７４号公報
３.特開２００５−１３６２１８号公報
４.特開２００５−１６７００５号公報
５.特開２００７−０１２６７５号公報
６.特開２００６−３５１８７１号公報
７.特開２００６−２７８５３２号公報」
　（２）原査定の概要
　原査定の概要は以下のとおりである。
「この出願については、平成２６年　４月２５日付け拒絶理由通知書に記載した理由１，２，３によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
　請求項１には、「前記基板にフラッシュ光を照射して前記基板の表面温度を所定値以上の処理温度にまで昇温する昇温工程と、前記昇温工程の後、フラッシュ光照射の保温効果によって前記基板の表面温度を前記処理温度に所定時間以上維持する保温工程と、を備える」との記載がある。
。
　しかしながら、原出願の当初明細書等の段落【００５７】には、「発光開始直後においては、主としてパルス幅の短いフラッシュランプＦＬ１から照射された強いピーク強度を有するフラッシュ光によって半導体ウェハーＷの表面が急速にイオンの活性化温度以上の処理温度Ｔ２（１０００℃ないし１１００℃程度）にまで昇温される。その後は、主としてパルス幅の長いフラッシュランプＦＬ２から照射されたなだらかなピークを有するフラッシュ光による保温効果によって比較的長時間に渡って活性化温度以上の温度を維持した後に次第に降温する。」との記載はある。当該記載では、活性化以上の温度を所定時間維持する旨の記載があると認められる（図１０の点線（活性化温度）と実線（ウエハー表面温度）との２つの交点の間の時間、活性化温度以上の温度を維持している旨の記載がされている）。しかしながら、当該記載からでは、活性化温度以上のある温度（処理温度）が所定時間継続するとは認められない。
　よって、当該記載は、原出願の当初明細書等に記載した事項の範囲内であるとは認められない。
（なお、図面は、本願発明の理解を助けるための補助的手段であり図面をもとにして、原出願の出願当初明細書等に記載した事項の範囲内であるとは認められない。）
　……（中略）……
（１）請求項１には、「前記基板にフラッシュ光を照射して前記基板の表面温度を所定値以上の処理温度にまで昇温する昇温工程と、前記昇温工程の後、フラッシュ光照射の保温効果によって前記基板の表面温度を前記処理温度に所定時間以上維持する保温工程と、を備える」との記載がある。
　しかしながら、発明の詳細な説明（段落【００５７】）には、「発光開始直後においては、主としてパルス幅の短いフラッシュランプＦＬ１から照射された強いピーク強度を有するフラッシュ光によって半導体ウェハーＷの表面が急速にイオンの活性化温度以上の処理温度Ｔ２（１０００℃ないし１１００℃程度）にまで昇温される。その後は、主としてパルス幅の長いフラッシュランプＦＬ２から照射されたなだらかなピークを有するフラッシュ光による保温効果によって比較的長時間に渡って活性化温度以上の温度を維持した後に次第に降温する。」との記載はあるものの、活性化温度以上のある温度（処理温度）が所定時間継続するとの記載はない。（なお、図面は、本願発明の理解を助けるための補助的手段であり図面（図１０）をもとにして、発明の詳細な説明に記載されているとは認められない。）
　よって、請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に実質的に記載されていないと認められる。
　請求項１を引用している請求項２−３に係る発明も同様である。
　……（中略）……
（２）請求項１−３に対して
　……（中略）……
　以上のとおりであるから、当該請求項に係る発明は、引用文献１に記載の発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。仮にそうではないとしても、当該請求項に係る発明は、引用文献１に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（４）請求項１−３に対して
　……（中略）……
　以上のとおりであるから、当該請求項に係る発明は、引用文献２に記載の発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。仮にそうではないとしても、当該請求項に係る発明は、引用文献２に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（５）請求項１−３に対して
　……（中略）……
　以上のとおりであるから、当該請求項に係る発明は、引用文献２−７に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１.特開２００８−１４７５３３号公報
２.特開２００２−２５２１７４号公報
３.特開２００５−１３６２１８号公報
４.特開２００５−１６７００５号公報
５.特開２００７−０１２６７５号公報
６.特開２００６−３５１８７１号公報
７.特開２００６−２７８５３２号公報」
　２　原査定の拒絶の理由についての判断
　（１）本願の出願日について
　　ア　原査定は、本願の願書に添付した特許請求の範囲の請求項１における「前記基板にフラッシュ光を照射して前記基板の表面温度を所定値以上の処理温度にまで昇温する昇温工程と」、「前記昇温工程の後、フラッシュ光照射の保温効果によって前記基板の表面温度を前記処理温度に所定時間以上維持する保温工程と」を「備える」との記載は、原出願の当初明細書等に記載した事項の範囲内であるとは認められないので、本願の出願日の遡及は認められない、としている。
　そこで、まず、本願の出願日について検討する。
　　イ　平成２８年８月１７日付けの手続補正により、本願発明は、上記アの記載に対応して、「前記半導体基板の表面の全領域に少なくとも第１のピーク強度を有するフラッシュ光を第１のフラッシュランプから照射して前記半導体基板の表面温度を前記半導体基板に注入されたイオンの活性化温度以上の処理温度にまで昇温してイオンを活性化させる昇温工程と」、「前記昇温工程の後、前記第１のピーク強度を有するフラッシュ光の強度が低下しているときに前記第１のピーク強度よりも弱い第２のピーク強度に到達するフラッシュ光を第２のフラッシュランプから前記半導体基板の表面の全領域に照射して少なくとも前記第２のピーク強度を有するフラッシュ光照射によって前記半導体基板の表面温度を前記活性化温度以上に所定時間以上維持する保温工程と」を「備える」との発明特定事項を有する旨の補正がなされている。
　本願発明の前記発明特定事項が、原出願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面の記載の範囲内であるかどうか、以下で検討する。
　　ウ　原出願の願書に最初に添付された明細書には、以下の記載がある、
「【００６０】
　ここで、第１実施形態においては、相対的に発光時間の短いフラッシュランプＦＬ１と発光時間の長いフラッシュランプＦＬ２とが交互に一列に配列されている（図７）。すなわち、パルス幅（フラッシュ光のパルスの周期）の異なるフラッシュランプＦＬ１とフラッシュランプＦＬ２とが相互に隣接するように配置されている。このため、処理位置の保持部７に保持された半導体ウェハーＷの表面の全領域において、フラッシュランプＦＬ１から照射されたフラッシュ光とフラッシュランプＦＬ２から照射されたフラッシュ光とが相互に均一に重なり合う。」
「【００６２】
　図１０は、発光開始からの半導体ウェハーＷの表面温度の推移を示す図である。発光開始直後においては、主としてパルス幅の短いフラッシュランプＦＬ１から照射された強いピーク強度を有するフラッシュ光によって半導体ウェハーＷの表面が急速にイオンの活性化温度以上の処理温度Ｔ２（１０００℃ないし１１００℃程度）にまで昇温される。その後は、主としてパルス幅の長いフラッシュランプＦＬ２から照射されたなだらかなピークを有するフラッシュ光による保温効果によって比較的長時間に渡って活性化温度以上の温度を維持した後に次第に降温する。その結果、半導体ウェハーＷの表面から比較的深い領域をも活性化温度以上にまで昇温することができ、深い接合の活性化を行うことが可能となる。一方、半導体ウェハーＷの表面（浅い領域）の温度が必要以上に上昇することもなく、半導体ウェハーＷの反りや割れを防止することができる。」
　そして、原出願の願書に最初に添付された図面における図９、図１３及び図１４には、発光時間が短いフラッシュランプのフラッシュ光を照射した後に、ピーク強度がより小さく、前記発光時間が短いフラッシュランプのフラッシュ光の強度がピークに到達して低下し始めた後にピーク強度に到達する、発光時間が長いフラッシュランプのフラッシュ光を照射することが記載されている。
　　エ　したがって、原出願の前記明細書及び前記図面には、「パルス幅の短いフラッシュランプＦＬ１から照射された強いピーク強度を有するフラッシュ光」を「半導体ウェハーＷの表面の全領域」に照射することで「半導体ウェハーＷの表面が急速にイオンの活性化温度以上の処理温度Ｔ２（１０００℃ないし１１００℃程度）にまで昇温」し、その後、ピーク強度がより小さく、「フラッシュランプＦＬ１」からの「フラッシュ光」の強度が低下しているときにピーク強度に達する「パルス幅の長いフラッシュランプＦＬ２から照射されたなだらかなピークを有するフラッシュ光」を「半導体ウェハーＷの表面の全領域」に照射することで、「半導体ウェハーＷの表面から比較的深い領域」をも「比較的長時間に渡って活性化温度以上の温度」に「維持」して「深い接合の活性化を行う」ことが記載されていると認められる。
　　オ　そうすると、本願発明の「前記半導体基板の表面の全領域に少なくとも第１のピーク強度を有するフラッシュ光を第１のフラッシュランプから照射して前記半導体基板の表面温度を前記半導体基板に注入されたイオンの活性化温度以上の処理温度にまで昇温してイオンを活性化させる昇温工程と」、「前記昇温工程の後、前記第１のピーク強度を有するフラッシュ光の強度が低下しているときに前記第１のピーク強度よりも弱い第２のピーク強度に到達するフラッシュ光を第２のフラッシュランプから前記半導体基板の表面の全領域に照射して少なくとも前記第２のピーク強度を有するフラッシュ光照射によって前記半導体基板の表面温度を前記活性化温度以上に所定時間以上維持する保温工程と」を「備える」という発明特定事項は、原出願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであると認められる。
　　カ　よって、特許法第４４条第２項の規定により、本願は、原出願の出願日である平成１９年２月９日に出願したものとみなされる。
　（２）理由３について
　　ア　本願明細書には、以下の記載がある
「【００５５】
　ここで、第１実施形態においては、相対的に発光時間の短いフラッシュランプＦＬ１と発光時間の長いフラッシュランプＦＬ２とが交互に一列に配列されている（図７）。すなわち、パルス幅（フラッシュ光のパルスの周期）の異なるフラッシュランプＦＬ１とフラッシュランプＦＬ２とが相互に隣接するように配置されている。このため、処理位置の保持部７に保持された半導体ウェハーＷの表面の全領域において、フラッシュランプＦＬ１から照射されたフラッシュ光とフラッシュランプＦＬ２から照射されたフラッシュ光とが相互に均一に重なり合う。」
「【００５７】
　図１０は、発光開始からの半導体ウェハーＷの表面温度の推移を示す図である。発光開始直後においては、主としてパルス幅の短いフラッシュランプＦＬ１から照射された強いピーク強度を有するフラッシュ光によって半導体ウェハーＷの表面が急速にイオンの活性化温度以上の処理温度Ｔ２（１０００℃ないし１１００℃程度）にまで昇温される。その後は、主としてパルス幅の長いフラッシュランプＦＬ２から照射されたなだらかなピークを有するフラッシュ光による保温効果によって比較的長時間に渡って活性化温度以上の温度を維持した後に次第に降温する。その結果、半導体ウェハーＷの表面から比較的深い領域をも活性化温度以上にまで昇温することができ、深い接合の活性化を行うことが可能となる。一方、半導体ウェハーＷの表面（浅い領域）の温度が必要以上に上昇することもなく、半導体ウェハーＷの反りや割れを防止することができる。」
　そして、図９、図１３及び図１４には、発光時間が短いフラッシュランプのフラッシュ光の強度がピークに到達して低下し始めた後で、ピーク強度がより小さい、発光時間が長いフラッシュランプのフラッシュ光の強度がピークに到達することが記載されている。
　　イ　上記の記載は、上記（１）のウで摘記した原出願の願書に最初に添付された明細書又は図面の記載と同一である。
　したがって、上記（１）のイ〜オで検討したとおり、本願発明は、本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明であると認められる。
　（３）理由１及び理由２について
　　Ａ　引用文献１を主引例とする場合
　上記（１）で検討したように、本願は、平成１９年２月９日に出願したものとみなされる。
　これに対して、引用文献１（特開２００８−１４７５３３号公報）は、本願の出願後の平成２０年６月２６日に公開された刊行物である。
　したがって、引用文献１に基づいては、本願発明が、特許法第２９条第１項第３号に該当するとも、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとも、いえない。
　　Ｂ　引用文献２を主引例とする場合
　　ア　引用文献２に記載された発明
　引用文献２（特開２００２−２５２１７４号公報）の段落【００４２】〜【００４８】、段落【０１０１】〜【０１１０】、段落【０１１５】、及び、段落【０１４２】〜【０２２２】の「第１の実施の形態」についての記載から、前記引用文献２には、図２２で示されるフラッシュ照射によるフラッシュランプアニール方法として、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「基体上のアモルファスシリコン含有微結晶シリコン等の低級結晶性半導体薄膜にイオン注入又はイオンドーピングでｎ型又は／及びｐ型不純物領域を形成し、前記基体にフラッシュランプを照射して加熱するフラッシュランプアニールにより、前記低級結晶性半導体薄膜の結晶化及び不純物イオンの活性化を同時に行うフラッシュランプアニール方法において、
　前記フラッシュランプの照射条件は、フラッシュランプアニール時に前記フラッシュランプに流す放電電流のピーク値及び時間幅で管理され、
　放電電流がゼロから立ち上がってピーク値Ｐの３／４（融点）となり、しかる後、再び３／４（融点）に減衰するまでの時間幅τ４１の間、溶融時間を維持する第１照射工程と、
　放電電流がゼロから立ち上がって前記ピーク値Ｐの３／４（融点）の、２／３以上〜３／４未満となり、再び２／３以上〜３／４未満に減衰するまでの時間幅τ３２の間、後加熱時間を維持する第２照射工程と、
　放電電流がゼロから立ち上がって前記ピーク値Ｐの３／４（融点）の、２／３以上〜３／４未満となり、再び２／３以上〜３／４未満に減衰するまでの時間幅τ３３の間、後加熱時間を維持する第３照射工程と、
を備え、
　各照射工程の放電電流のピークは、前記第１照射工程、前記第２照射工程、前記第３照射工程の順で現れ、前記第２照射工程及び前記第３照射工程の放電電流のピーク値は前記第１照射工程のピーク値Ｐの３／４（融点）に達せず、
　前記第２照射工程は前記第１照射工程、及び、前記第３照射工程と時間的に重なっており、
　フラッシュ照射で徐冷却することにより、大粒径で高結晶化率の多結晶性又は高単結晶性半導体膜を形成するフラッシュランプアニール方法。」
　　イ　対比
　本願発明と引用発明１とを対比すると、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。
一致点
「イオンが注入された半導体基板に対してフラッシュ光を照射することによって該半導体基板を加熱する熱処理方法であって、
　前記半導体基板の表面に少なくとも第１のピーク強度を有するフラッシュ光を第１のフラッシュランプから照射して前記半導体基板の表面温度を前記半導体基板に注入されたイオンの活性化温度以上の処理温度にまで昇温させる昇温工程と、
　前記昇温工程の後、前記第１のピーク強度を有するフラッシュ光の強度が低下しているときに前記第１のピーク強度よりも弱い第２のピーク強度に到達するフラッシュ光を第２のフラッシュランプから前記半導体基板の表面に照射して少なくとも前記第２のピーク強度を有するフラッシュ光照射によって前記半導体基板の表面温度を所定時間以上維持する保温工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。」
相違点
　相違点１
　本願発明は、「昇温工程」において「フラッシュ光」を「半導体基板の表面の全領域」に「照射」し、「保温工程」において「フラッシュ光」を前記「半導体基板の表面の全領域」に「照射」するのに対して、引用発明１の「第１照射工程」及び「第２照射工程」における「フラッシュランプの照射」範囲は特定されておらず、「前記第２照射工程は前記第１照射工程」と「時間的に重なって」いるものの場所的に「重なって」いる範囲が不明である点。 
　相違点２
　本願発明の「昇温工程」においては「イオンを活性化させる」のに対して、引用発明１の「第１照射工程」においては「放電電流」は「溶融時間を維持する」点。
　相違点３
　本願発明の「保温工程」では「前記半導体基板の表面温度を前記活性化温度以上」に「維持」するのに対し、引用発明の「第２照射工程」及び「第３照射工程」では「時間幅τ３２」及び「時間幅τ３３」の間は「後加熱時間を維持する」点。
　　ウ　判断
　　（ア）以上のように、本願発明と引用発明１とは、上記の相違点１〜相違点３で相違するから、両者は同一の発明ではない。
　したがって、もはや、本願発明が引用文献２に記載された発明であるとすることはできない。
　　（イ）次に理由２に関して、上記の各相違点のうち、相違点２及び相違点３について検討する。
　引用発明１の「フラッシュランプアニール方法」は、「イオン注入又はイオンドーピングでｎ型又は／及びｐ型不純物領域を形成」した「アモルファスシリコン含有微結晶シリコン等の低級結晶性半導体薄膜」に「フラッシュランプを照射して加熱する」ことにより「前記低級結晶性半導体薄膜の結晶化及び不純物イオンの活性化を同時に行う」ものである。
　したがって、「放電電流がゼロから立ち上がってピーク値Ｐの３／４（融点）となり、しかる後、再び３／４（融点）に減衰するまでの時間幅τ４１の間、溶融時間を維持する第１照射工程」は、その後の「工程」によって「前記低級結晶性半導体薄膜の結晶化及び不純物イオンの活性化を同時に行う」ために、前記「アモルファスシリコン含有微結晶シリコン等の低級結晶性半導体薄膜」の少なくとも一部を「溶融」させる工程であると認められる。
　これに対して、本願発明の「前記第１照射工程」は「フラッシュ光照射」によって「前記半導体基板に注入されたイオン」を「活性化させ」る工程である。
　　（ウ）　ところで、引用文献２には、段落【０１０６】に「（ｅ）上記（ｃ）、（ｄ）で作製した前記ＳＣＳＯＳ基板、例えばＳＣＳＯＧ基板の前記単結晶性半導体薄膜内にイオン注入又はイオンドーピングしてｎ型又は／及びｐ型不純物領域（例えばソース／ドレイン、ソース／ゲートチャンネル／ドレインなど）を形成し、少なくとも赤外線低減又は赤外線遮断フィルタを使用し、前記基板の適当な予備加熱処理（Pre-baking）、補助加熱状態（Asist-baking）及び後加熱保持（Post-baking）でのフラッシュランプアニールにより、不純物イオンを活性化する、単結晶性半導体薄膜又は単結晶性半導体装置の製造方法。」と記載されている。
　すなわち、引用文献２には、「単結晶性半導体薄膜内にイオン注入又はイオンドーピング」した後、「フラッシュランプアニールにより、不純物イオンを活性化する」ことが記載されている。
　しかしながら、「フラッシュランプ」の「照射」を、本願発明のように、「第１のピーク強度を有するフラッシュ光を照射」した後に「前記第１のピーク強度を有するフラッシュ光の強度が低下しているときに前記第１のピーク強度よりも弱い第２のピーク強度に到達するフラッシュ光」を照射するという照射方法は、引用文献２には、引用発明１の根拠である、図２２で示されるフラッシュ照射によるフラッシュランプアニール方法が開示されているだけである。
　そして、前記図２２で示される１回目のフラッシュ照射により、「時間幅τ４１の間、溶融時間を維持する」から、照射対象の「半導体薄膜」の少なくとも一部は「溶融」しているものと認められる。
　　（エ）　したがって、「第１のピーク強度を有するフラッシュ光を照射」した後に「前記第１のピーク強度よりも弱い第２のピーク強度を有するフラッシュ光を照射する」というフラッシュ照射によるフラッシュランプアニール方法において、１回目のフラッシュ照射によって、照射対象の「半導体薄膜」に注入された「イオンを活性化」させることは、引用文献２には、記載も示唆もされていない。
　　（オ）　そして、本願発明は、相違点２及び相違点３に係る構成を備えることで、「その結果、半導体ウェハーＷの表面から比較的深い領域をも活性化温度以上にまで昇温することができ、深い接合の活性化を行うことが可能となる。一方、半導体ウェハーＷの表面（浅い領域）の温度が必要以上に上昇することもなく、半導体ウェハーＷの反りや割れを防止することができる。」という、本願明細書の段落【００５９】に記載された格別の効果を奏すると認められる。
　　（カ）　したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本願発明は、もはや、引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　　Ｃ　引用文献３を主引例とする場合
　　ア　引用文献３に記載された発明
　引用文献３（特開２００５−１３６２１８号公報）の段落【０００１】、段落【０００６】〜【００１８】、段落【００２１】〜【００５２】、及び、段落【００８２】〜【００８５】の記載から、前記引用文献３には、図５（Ｂ）で示されるレーザビーム照射による不純物活性化方法として、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「半導体基板の表層に添加された不純物を、レーザ照射により活性化する方法であって、
　レーザ光源１ａから出射したパルスレーザビームＬａの照射をする第１照射工程と、
　前記パルスレーザビームＬａの照射時間中に照射が開始され、前記パルスレーザビームＬａの強度が低下しているときにピーク強度に到達し、前記パルスレーザビームＬａの照射時間よりも長い照射時間にて、前記パルスレーザビームＬａよりも弱いピーク強度で、レーザ光源１ｂから出射したレーザビームＬｂの照射を行う第２照射工程と、
を備え、
　前記パルスレーザビームＬａ及び前記レーザビームＬｂを偏光ビームスプリッタ４に入射するとこで、当該偏光ビームスプリッタ４を出射した両レーザビームが、同一光軸上に重畳され、
　前記重畳されたビームの入射位置を前記半導体基板の表面内で移動させて行うパルスレーザ照射を繰り返すことにより基板表面でレーザビームが走査され、このようなパルスレーザ照射を繰り返して、前記基板表面の所望の領域全体にビーム照射を行い、
　前記パルスレーザビームＬａの照射に加えて前記レーザビームＬｂの照射を行うことにより、前記パルスレーザビームＬａの照射で上昇した前記基板表面の温度が、前記パルスレーザビームＬａの照射終了後も高い状態に維持され、これにより、活性化の反応が深い位置まで及び、前記半導体基板の表層に存在する不純物の活性化率を高めることができることを特徴とする、レーザ照射により不純物を活性化する方法。」
　　イ　対比
　本願発明と引用発明２とを対比すると、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。
一致点
「イオンが注入された半導体基板に対して光を照射することによって該半導体基板を加熱する熱処理方法であって、
　前記半導体基板の表面に少なくとも第１のピーク強度を有する光を第１の光源から照射して前記半導体基板の表面温度を前記半導体基板に注入されたイオンの活性化温度以上の処理温度にまで昇温してイオンを活性化させる昇温工程と、
　前記昇温工程の後、前記第１のピーク強度を有する光の強度が低下しているときに前記第１のピーク強度よりも弱い第２のピーク強度に到達する光を第２の光源から前記半導体基板の表面に照射して少なくとも前記第２のピーク強度を有する光照射によって前記半導体基板の表面温度を前記活性化温度以上に所定時間以上維持する保温工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。」
相違点
　相違点１
「フラッシュ」
　本願発明は、「第１のフラッシュランプ」及び「第２のフラッシュランプ」を用いて半導体基板に対して「フラッシュ光」を照射するのに対して、引用発明２は、「レーザ光源１ａから出射したパルスレーザビームＬａ」及び「レーザ光源１ｂから出射したレーザビームＬｂ」を「半導体基板の表層」に「レーザ照射」する点。
　相違点２
　本願発明は、「第１のフラッシュランプ」及び「第２のフラッシュランプ」からの「フラッシュ光」を「半導体基板の表面の全領域」に照射するのに対して、引用発明２は、「前記重畳されたビーム」を「基板表面」で「走査」して「パルスレーザ照射」を「前記基板表面の所望の領域全体」に対して行う点。
　　ウ　判断
　　（ア）引用文献３には、段落【０００１】〜【００１０】に、「半導体基板の表層に添加された不純物を、レーザ照射により活性化する方法」において、「レーザ光源に干渉性の高いレーザを用いても、光強度分布の均一化が良好に行われるレーザ照射装置を提供」し、これにより、「表層に不純物が添加された半導体基板の基板表面から深い位置に存在する不純物の活性化を行うことができる不純物活性化方法を提供すること」を目的とすることが記載されている。
　したがって、引用文献３は、「半導体基板の表層に添加された不純物」を「活性化」するために、「レーザ」以外の光源を用いることは、まったく想定していないと認められる。
　　（イ）そして、引用発明２は、「前記重畳されたビーム」を「基板表面」で「走査され」ることにより「パルスレーザ照射」を「前記基板表面の所望の領域全体」に対して行うものである。
　すなわち、引用発明２の「前記重畳されたビーム」は、「前記基板表面」から見れば、「パルスレーザ照射」を「前記基板表面の所望の領域全体」に対して行うためには、当該「基板表面」で「走査」させることが必要な点光源であり、本願発明の「第１のフラッシュランプ」及び「第２のフラッシュランプ」のように、「半導体基板の表面の全領域」に「照射」される光源ではない。
　　（ウ）そうすると、不純物を活性化するための熱処理をフラッシュランプで行うことが、前記引用文献２に記載されるとともに引用文献４（特開２００５−１６７００５号公報）に記載されるように周知技術であり、不純物活性化の熱処理にフラッシュランプとレーザのどちらでも用いてもよい旨が、引用文献５（特開２００７−１２６７５号公報）の段落【００４６】、引用文献６（特開２００６−３５１８７１号公報）の段落【００５６】、及び、引用文献７（特開２００６−２７８５３２号公報の段落【００６０】に記載されているとしても、引用発明２の「前記重畳されたビーム」を「前記基板表面の所望の領域全体」に対して照射するための光源として、「レーザ」に代えてフラッシュランプを用いることを、引用文献３の記載に基づいて当業者が容易に想到し得たものとは認められない。
　　（エ）　したがって、本願発明は、引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　（４）小括
　以上から、本願発明は、発明の詳細な説明に記載されていると認められる。
　そして、本願は原出願の出願日である平成１９年２月９日に出願したものであるから、本願の出願後に頒布された刊行物である引用文献１に基づいて、本願発明が、特許法第２９条第１項第３号に該当するとも、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとも、いえない。
　また、本願発明は、引用文献２に記載された発明であるとすることはできないばかりでなく、引用文献２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたともいえない。
　さらに、本願発明は、引用文献３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　よって、原査定の理由によっては、もはや、本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由１について
　１　当審拒絶理由１の概要
　当審より平成２８年１月２１日付けで通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由１」という。）の概要は以下のとおりである。
「１．（明確性）この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
２．（サポート要件）この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
  
３．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  
４．（拡大先願）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた下記の特許出願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
  
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
  
●理由１ 
（１）　本願の請求項１には「前記昇温工程の後、フラッシュ光照射の保温効果によって前記基板の表面温度を前記活性化温度以上に所定時間以上維持する保温工程」と記載されている。
　しかしながら、「フラッシュ光照射の保温効果」とはどのような効果であるのか不明であり、当該工程を実現するための具体的な構成を特定することができない。
　したがって、例えば、「前記昇温工程の後、フラッシュ光照射の保温効果によって前記基板の表面温度を前記活性化温度以上に所定時間以上維持する保温工程」と「前記昇温工程の後、基板に対してフラッシュ光を照射することによって前記基板の表面温度を前記活性化温度以上に所定時間以上維持する保温工程」とは、差異があるのか差異がないのかや、仮に差異がある場合にその差異がどのようなものであるのかを特定することができない。
　よって、本願の請求項１、２に係る発明は、明確でない。
  
（２）　本願の請求項２には「前記昇温工程は、第１のピーク強度を有するフラッシュ光の照射によって行われ」と記載されている。
　……（中略）……
　したがって、本願の請求項２に係る発明は、昇温工程において、基板に第１のピーク強度を有するフラッシュ光のみが照射され、第２のピーク強度を有するフラッシュ光は照射されない場合のみを含んでいるのか、それとも、基板に第１のピーク強度を有するフラッシュ光及び第２のピーク強度を有するフラッシュ光の両方が照射される場合も含んでいるのか特定することができない。
　また、本願の請求項２に係る発明は、保温工程において、基板に第２のピーク強度を有するフラッシュ光のみが照射され、第１のピーク強度を有するフラッシュ光は照射されない場合のみを含んでいるのか、それとも、基板に第１のピーク強度を有するフラッシュ光及び第２のピーク強度を有するフラッシュ光の両方が照射される場合も含んでいるのかについても特定することができない。
　よって、本願の請求項２に係る発明は、明確でない。
  
 ●理由２
（１） 
　ア　本願明細書の発明の詳細な説明には、以下のとおりの事項が記載されている。
　……（中略）……
　このように、本願明細書の発明の詳細な説明には、フラッシュランプＦＬ１の発光開始タイミングとフラッシュランプＦＬ２の発光開始タイミングとを同時とし、発光開始直後においてはフラッシュランプＦＬ１からのフラッシュ光の照射が支配的となり、主として発光時間が１．０ミリセカンドのフラッシュランプＦＬ１から照射された強いピーク強度を有するフラッシュ光によって半導体ウェハーＷの表面が急速にイオンの活性化温度以上の処理温度Ｔ２（１０００℃ないし１１００℃程度）にまで昇温され、フラッシュランプＦＬ１からのフラッシュ光強度が減衰した後は、フラッシュランプＦＬ２からのフラッシュランプＦＬ１より低いピーク強度を有するフラッシュ光の照射が支配的となり、主として発光時間が３．０ミリセカンドのフラッシュランプＦＬ２から照射されたなだらかなピークを有するフラッシュ光による保温効果によって比較的長時間に渡って活性化温度以上の温度を維持することにより、基板に反りや割れを生じさせることなく従来よりも若干深い接合の活性化を行うとの課題を解決した発明が記載されているものと認められる。
  
　イ　他方、本願の請求項１には、以下のとおりの事項が記載されている。
「前記基板の表面の全領域にフラッシュ光を照射して前記基板の表面温度を前記基板に注入されたイオンの活性化温度以上の処理温度にまで昇温する昇温工程と、
 　前記昇温工程の後、フラッシュ光照射の保温効果によって前記基板の表面温度を前記活性化温度以上に所定時間以上維持する保温工程と、
 を備えることを特徴とする熱処理方法。」
  
　しかしながら、本願の請求項１に係る発明は、「昇温工程」の「フラッシュ光照射」と、「保温工程」の「フラッシュ光照射」との関係を規定していないことや、「基板」の材料や、「フラッシュ光照射」のピーク強度や照射時間についての規定がないことから、１回のフラッシュ光の照射によって、昇温工程と保温工程とが行われ、従来よりも若干深い接合のイオン活性化ができない場合や、基板の表面温度が必要以上に上昇してウェハー反りが生じたり、ウェハー割れが発生する場合を含んでいるものと認められる。
　また、本願の請求項１、２に係る発明は、「昇温工程」の「フラッシュ光照射」と、「保温工程」の「フラッシュ光照射」との関係を規定していないことから、「昇温工程」の「フラッシュ光照射」と、「保温工程」の「フラッシュ光照射」を１つのフラッシュランプに複数回電流を流すことより行う場合を含んでいるものと認められる。
　また、本願の請求項１、２に係る発明は、「昇温工程」の「フラッシュ光照射」と、「保温工程」の「フラッシュ光照射」とを、別のフラッシュランプにより行う場合を含んでいるものの、それらの、照射時間、発光開始タイミングについての規定がないことや、「基板」の材料や、「フラッシュ光照射」のピーク強度についての規定がないことから、「フラッシュ光照射」と、「保温工程」の「フラッシュ光照射」とを同時に開始する場合であって、「昇温工程」の「フラッシュ光照射」の照射時間と、「保温工程」の「フラッシュ光照射」の照射時間とが同じであり、従来よりも若干深い接合のイオン活性化ができない場合や、基板の表面温度が必要以上に上昇してウェハー反りが生じたり、ウェハー割れが発生する場合を含んでいるものと認められる。
　また、本願の請求項１、２に係る発明は、昇温工程が、第１のフラッシュ光の照射によって行われ、保温工程が、第２のフラッシュ光の照射によって行われ、昇温工程と保温工程との間に第１のフラッシュ光と第２のフラッシュ光の両方が照射される工程を備え、この昇温工程と保温工程との間の第１のフラッシュ光と第２のフラッシュ光の両方が照射される工程において、基板の表面温度が必要以上に上昇してウェハー反りが生じたり、ウェハー割れが発生する場合を含んでいるものと認められる。
　さらに、本願の請求項１、２に係る発明は、「昇温工程」の「フラッシュ光照射」により、基板の表面温度が必要以上に上昇してウェハー反りが生じたり、ウェハー割れが発生する場合を含み、本願の請求項１に係る発明は、「保温工程」の「フラッシュ光照射」により、基板の表面温度が必要以上に上昇してウェハー反りが生じたり、ウェハー割れが発生する場合を含み、本願の請求項１、２に係る発明は、「保温工程」の「フラッシュ光照射」のピーク強度が小さいことや、「所定時間」が短いこと等により、「フラッシュ光照射の保温効果」が十分でなく、従来よりも若干深い接合のイオン活性化ができない場合を含んでいるものと認められる。
  
　ウ　したがって、これらの場合を含んでいる本願の請求項１、２に係る発明の範囲まで、本願明細書の発明の詳細な説明に記載された内容を、拡張ないし一般化できるとはいえない。
　よって、本願の請求項１、２に係る発明は、本願の発明の詳細な説明に記載したものではない。
  
●理由３
・請求項１
・引用文献１
・備考 
（１）引用文献１に記載された発明
 　ア　引用文献１には、以下のとおりの事項が記載されている。
　……（中略）……
　イ　よって、引用文献１には、第１の実施の形態として、以下のとおりの発明が記載されているものと認められる。
「基板上のアモルファスシリコン膜の同一領域に、Ｃ１の放電によりτ４１の溶融時間が維持され、τ４１時間が経過する直前のＣ２の放電によりτ４２の溶融時間が維持され、τ４２時間が経過する直前のＣ３の放電によりτ４３の溶融時間が維持され、トータルとしてτ０＝τ４１＋τ４２＋τ４３（例えば１．５＝０．５＋０．５＋０．５ｍｓｅｃ）の溶融時間が維持されるように、繰り返してフラッシュ照射した後に、徐冷却しながら結晶化するフラッシュランプアニール。」
  
（２）対比
　……（中略）……
 　エ　そうすると、本願の請求項１に係る発明と引用文献１に記載された発明とは、 
「基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
　前記基板の表面にフラッシュ光を照射して前記基板の表面温度を処理温度にまで昇温する昇温工程と、
　前記昇温工程の後、フラッシュ光照射の保温効果によって前記基板の表面温度を所定時間以上維持する保温工程と
を備える熱処理方法。」 
である点で一致し、次の２点で相違する。
  
（相違点１）　本願の請求項１に係る発明は、フラッシュ光を基板の表面の全領域に照射しているのに対して、引用文献１に記載された発明は、繰り返してフラッシュ照射する「アモルファスシリコン膜の同一領域」が、基板の表面の全領域であるか不明な点。
  
（相違点２）　本願の請求項１に係る発明は、昇温工程において、フラッシュ光を照射して基板の表面温度を基板に注入されたイオンの活性化温度以上の処理温度にまで昇温し、保温工程において、基板の表面温度を活性化温度以上に所定時間以上維持するのに対して、引用文献１に記載された発明は、アモルファスシリコン膜にτ0＝τ41＋τ42＋τ43の溶融時間が維持されるように、繰り返してフラッシュ照射した後に、徐冷却しながら結晶化するものである点。
  
（３）判断 
　ア　相違点１について 
　上記（１）ア（イ）で摘記したとおり、引用文献１には、大面積を一括して必要回数繰り返してフラッシュ照射する方法を適宜に選択してもよいことが記載されている。（段落【０１６１】）
　したがって、引用文献１に記載された発明において、フラッシュ照射する対象である「アモルファスシリコン膜の同一領域」を、「アモルファスシリコン膜」を有する基板の表面の全領域とすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
  
　イ　相違点２について 
　上記（１）ア（ア）で摘記したとおり、引用文献１には、フラッシュランプアニールによる溶融状態の加熱と冷却で半導体薄膜の結晶化及び不純物イオンの活性化を同時に行うことが記載されている。（段落【０１１５】）
　したがって、引用文献１に記載された発明において、アモルファスシリコン膜にτ０＝τ４１＋τ４２＋τ４３の溶融時間が維持されるように、繰り返してフラッシュ照射した後に、徐冷却しながら結晶化する際に、アモルファスシリコン膜の結晶化と不純物イオンの活性化を同時に行うものとすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　そして、アモルファスシリコン膜が溶融される温度は、不純物イオンの活性化温度よりも高いもの認められる。
  
（４）まとめ  
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明と引用文献１に記載された発明との相違点は、引用文献１に記載された技術を勘案することにより、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　よって、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
  
●理由３ 
・請求項１ 
・引用文献２ 
・備考 
（１）引用文献２に記載された発明
　ア　引用文献２には、以下のとおりの事項が記載されている。
　……（中略）……
　イ　よって、引用文献２には、課題を解決するための手段として、以下のとおりの発明が記載されているものと認められる。
「基板上に形成された半導体膜に注入された少なくとも２種類以上の不純物を活性化する不純物活性化工程とを含み、前記不純物活性化工程は、相対的に高温で短時間の熱処理を行う高温短時熱処理工程と、相対的に低温で長時間の熱処理を行う低温長時熱処理工程とを含み、
　高温短時熱処理工程において５８０〜６２０℃の熱処理を、低温長時熱処理工程において５４０〜５８０℃の熱処理を行うものとすることができ、高温短時熱処理工程において５８０℃未満の熱処理とした場合には、ホウ素イオンの活性化率が低減する場合があり、低温長時熱処理工程において５４０℃未満の熱処理とした場合には、リンイオンの活性化率が低減する場合があり、
　不純物活性化工程はフラッシュランプ光を照射するフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）を例示することができるＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌ）法を用いた熱処理工程とすることができる
半導体装置の製造方法。」
  
（２）対比
　……（中略）……
　エ　そうすると、本願の請求項１に係る発明と引用文献２に記載された発明とは、
「基板を加熱する熱処理方法であって、
　前記基板の表面温度を前記基板に注入されたイオンの活性化温度以上の処理温度にまで昇温する昇温工程と、
　前記基板の表面温度を前記活性化温度以上に所定時間以上維持する保温工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。」
である点で一致し、次の２点で相違する。
  
（相違点３）　本願の請求項１に係る発明は、「基板の表面の全領域にフラッシュ光を照射して前記基板の表面温度を前記基板に注入されたイオンの活性化温度以上の処理温度にまで昇温」し、「フラッシュ光照射の保温効果によって前記基板の表面温度を前記活性化温度以上に所定時間以上維持する」ものであるのに対して、引用文献２に記載された発明は、高温短時熱処理工程と低温長時熱処理工程とを含む不純物活性化工程を、フラッシュランプ光を照射するフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）を例示することができるＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌ）法を用いた熱処理工程とすることができるものである点。
  
（相違点４）　本願の請求項１に係る発明は、「前記昇温工程の後」に「保温工程」「を備える」のに対して、引用文献２に記載された発明は、「不純物活性化工程」が「高温短時熱処理工程」と「低温長時熱処理工程」とをどのような順序で含むのか不明である点。
  
（３）判断 
　ア　相違点３について
　上記（１）イのとおり、引用文献２に記載された発明は、高温短時熱処理工程と低温長時熱処理工程とを含む不純物活性化工程を、フラッシュランプ光を照射するフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）を例示することができるＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌ）法を用いた熱処理工程とすることができるものである。
　また、フラッシュランプ光を照射するフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）により不純物の活性化を行う際に、フラッシュランプ光を、基板の表面の全領域に照射することは、通常のことである。
　したがって、引用文献２に記載された発明において、高温短時熱処理工程と低温長時熱処理工程を、フラッシュランプ光を基板の表面の全領域に照射するフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）により行うことは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
  
　イ　相違点４について
　上記（１）アのとおり、引用文献２には、比較的高温の第１熱処理工程を行った後に、第２熱処理工程を行う旨記載されている。（段落【００３４】）
　したがって、引用文献２に記載された発明において、「不純物活性化工程」を、「高温短時熱処理工程」の後に「低温長時熱処理工程」を含むものとすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
  
（４）まとめ
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明と引用文献２に記載された発明との相違点は、引用文献２に記載された技術を勘案することにより、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　よって、本願の請求項１に係る発明は、引用文献２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
  
●理由３
・請求項２
・引用文献２
・備考
　上記「●理由３」の「・請求項１」の「・引用文献２」の「・備考」の（１）イのとおり、引用文献２に記載された発明の「高温短時熱処理工程」は、「５８０〜６２０℃の熱処理」を行うものであり、「低温長時熱処理工程」は、「５４０〜５８０℃の熱処理」を行うものである。
　したがって、引用文献２に記載された発明において、高温短時熱処理工程と低温長時熱処理工程を、フラッシュランプ光を基板の表面の全領域に照射するフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）により行うと、低温長時熱処理工程におけるフラッシュランプ光のピーク強度は、高温短時熱処理工程におけるフラッシュランプ光のピーク強度よりも弱いものといえる。
　よって、本願の請求項２に係る発明は、引用文献２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
  
●理由４ 
・請求項１ 
・引用文献等３ 
・備考
（１）先願３に記載された発明
　ア　先願３の願書に最初に添付された明細書には、以下のとおりの事項が記載されている。
　……（中略）……
　エ　そうすると、先願３の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面には、発明を実施するための最良の形態として、以下のとおりの発明が記載されているものと認められる。
「被処理物２である半導体ウエハに不純物イオンを導入して形成したＩＧＢＴのコレクタ側のＰＮ接合部の活性化処理が可能な熱処理方法であって、
　時間幅の長いパルス電流Ｂが入力され、被処理物２の全体と対向した第１の閃光放電ランプ１０ｂにより、被処理物２の表面温度Ｔ２を処理温度Ｔ３（１１００℃）の近くまで上げ、時間幅の短いパルス電流Ａが入力され、被処理物２の全体と対向した第２の閃光放電ランプ１０ａにより、処理温度Ｔ３に足りない分だけ短時間加熱し、約０．８ｍｓｅｃから約１．２ｍｓｅｃの時間まで被処理物２の表面温度Ｔ２が１０００℃以上に維持される熱処理方法。」
  
（２）対比
　……（中略）……
　ウ　そうすると、本願の請求項１に係る発明と先願３の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明とは、
「基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
　前記基板の表面の全領域にフラッシュ光を照射して前記基板の表面温度を前記基板に注入されたイオンの活性化温度以上の処理温度にまで昇温する昇温工程と、
　前記昇温工程の後、フラッシュ光照射の保温効果によって前記基板の表面温度を前記活性化温度以上に所定時間以上維持する保温工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。」
である点で一致し、構成上の差異を見いだすことができない。
  
（３）まとめ 
　よって、本願の請求項１に係る発明は、先願３の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないと認められるので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
  
●理由４ 
・請求項２ 
・引用文献等３ 
・備考 
　上記「●理由４」の「・請求項１」の「・引用文献等３」の「・備考」の（１）アのとおり、先願３の願書に最初に添付された明細書には、第２の閃光放電ランプ１０ａに入力されるパルス電流Ａのピーク値は、第２の閃光放電ランプ１０ｂに入力されるパルス電流Ｂのピーク値より大きいことが好ましいことが記載されている。（段落【００１８】）
　よって、本願の請求項２に係る発明は、先願３の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないと認められるので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
  
 　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
 １．特開２００２−２５２１７４号公報
 ２．特開２００４−１０３８４１号公報
 ３．特願２００６−３３５２６７号（特開２００８−１４７５３３号公報）」
　２　当審拒絶理由１についての判断
　（１）理由１（明確性）について
　平成２８年３月２４日付けの手続補正によって当該手続補正前の請求項２が削除され、当該手続補正前の請求項１における「フラッシュ光照射の保温効果によって前記基板の表面温度を前記活性化温度以上に所定時間以上維持する保温工程」との記載は、平成２８年８月１７日付けの手続補正によって、本願発明においては、「前記第１のピーク強度を有するフラッシュ光の強度が低下しているときに前記第１のピーク強度よりも弱い第２のピーク強度に到達するフラッシュ光を第２のフラッシュランプから前記半導体基板の表面の全領域に照射して少なくとも前記第２のピーク強度を有するフラッシュ光照射によって前記半導体基板の表面温度を前記活性化温度以上に所定時間以上維持する保温工程」と補正された。
　この平成２８年８月１７日付けの手続補正によって、「保温効果」の記載は削除され、「保温工程」を実現するための具体的な構成が明確となった。
　よって、当審拒絶理由１の理由１は解消した。
　（２）理由２（サポート要件）について
　平成２８年８月１７日付けの手続補正によって、請求項１において、「昇温工程」では「少なくとも第１のピーク強度を有するフラッシュ光を第１のフラッシュランプから照射」こと、「保温工程」では「前記昇温工程の後、前記第１のピーク強度を有するフラッシュ光の強度が低下しているときに前記第１のピーク強度よりも弱い第２のピーク強度に到達するフラッシュ光を第２のフラッシュランプから前記半導体基板の表面の全領域に照射して少なくとも前記第２のピーク強度を有するフラッシュ光照射」を行うこと、がそれぞれ特定された。
　これらの補正により、請求項１に係る発明は本願明細書の発明の詳細な説明における開示によってサポートされるようになった。
　よって、当審拒絶理由１の理由２は解消した。
　（３）理由３（進歩性）について
　　Ａ　引用文献１を主引例とする場合
　当審拒絶理由１における引用文献１（特開２００２−２５２１７４号公報）は、原査定の根拠となった平成２６年４月２５日付けの拒絶理由通知における引用文献２である。
　したがって、第３の２（３）Ｂで記載したと同じ理由により、もはや、本願発明は当審拒絶理由１における引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　　Ｂ　引用文献２を主引例とする場合
　　ア　引用文献２に記載された発明
　当審拒絶理由１における引用文献２（特開２００４−１０３８４１号公報）の段落【０００６】〜【００１２】、段落【００２３】〜【００３４】、及び図５、図６の記載から、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「基板上に形成された半導体膜に注入された少なくとも２種類以上の不純物を活性化する不純物活性化工程とを含み、前記不純物活性化工程は、相対的に高温で短時間の熱処理を行う高温短時熱処理工程と、相対的に低温で長時間の熱処理を行う低温長時熱処理工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
　前記不純物として、Ｎ型不純物イオンを基板に注入して、ＮチャネルＴＦＴの低濃度ソース領域５ｃ及び低濃度ドレイン領域５ｄを形成し、
　前記不純物として、Ｐ型不純物イオンを基板に注入して、ＰチャネルＴＦＴのソース領域５ｊ及びドレイン領域５ｋを形成し、
　その後、ＲＴＡ法による加熱処理を施すことによって、注入した不純物イオンを活性化させるに際して、高温短時熱処理工程においては６２０℃で３０秒の熱処理を行って前記Ｐ型不純物イオンが主として活性化され、低温長時熱処理工程においては５８０℃で１２０秒の熱処理を行ってＮ型不純物イオンが主として活性化され、
　前記高温短時熱処理工程を行った後に、直ちに前記低温長時熱処理工程を行い、
　前記ＲＴＡ法として、たとえば、フラッシュランプ光を照射するフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）を用いる半導体装置の製造方法。」
　　イ　対比
　本願発明と引用発明３とを対比すると、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。
一致点
「イオンが注入された半導体基板に対してフラッシュ光を照射することによって該半導体基板を加熱する熱処理方法であって、
　前記半導体基板の表面にフラッシュ光を第１のフラッシュランプから照射して前記半導体基板の表面温度を前記半導体基板に注入されたイオンの活性化温度以上の処理温度にまで昇温してイオンを活性化させる工程と、
　前記昇温工程の後、前記第１のフラッシュランプからのフラッシュ光の強度が低下しているときにフラッシュ光を第２のフラッシュランプから前記半導体基板の表面に照射して少なくとも前記第２のフラッシュランプからのフラッシュ光照射によって前記半導体基板の表面温度を前記活性化温度以上に所定時間以上維持する工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。」
相違点
　相違点１
　本願発明の「昇温工程」においては「半導体基板の表面の全領域」に「少なくとも第１のピーク強度を有する」フラッシュ光を照射するのに対して、引用発明３の「高温短時熱処理工程」において照射する「フラッシュランプ光」の照射範囲及びピーク強度は不明である点。
　相違点２
　本願発明の「保温工程」においては「半導体基板の表面の全領域」に「前記第１のピーク強度を有するフラッシュ光の強度が低下しているときに前記第１のピーク強度よりも弱い第２のピーク強度に到達するフラッシュ光」を照射するのに対して、引用発明３の「低温長時熱処理工程」において照射する「フラッシュランプ光」の照射範囲、照射タイミング及びピーク強度は不明である点。
　相違点３
　本願発明の「第１のピーク強度を有するフラッシュ光」を「照射」する工程は「イオンを活性化させる昇温工程」であり、「第２のピーク強度に到達するフラッシュ光」を「照射」する工程は「前記半導体基板の表面温度を前記活性化温度以上に所定時間以上維持する保温工程」であるのに対して、引用発明３の「高温短時熱処理工程においては６２０℃で３０秒の熱処理を行って前記Ｐ型不純物イオンが主として活性化され」、「低温長時熱処理工程においては５８０℃で１２０秒の熱処理を行ってＮ型不純物イオンが主として活性化され」る点。
　　ウ　判断
　上記各相違点のうち、相違点３について検討する。
　　（ア）引用発明３の「低温長時熱処理工程」は主として「Ｎ型不純物イオン」を「活性化」させるための工程である。
　したがって、前記「低温長時熱処理工程」は、その前に行う「高温短時熱処理工程」で昇温させた「Ｐ型不純物イオンが主として活性化」させるための「６２０℃」という当該「Ｐ型不純物イオン」の「活性化」温度を、それ以上に維持させるための工程ではない。
　　（イ）そして、本願発明は、相違点３に係る構成を有することで、「半導体ウェハーＷの表面から比較的深い領域をも活性化温度以上にまで昇温することができ、深い接合の活性化を行うことが可能となる。一方、半導体ウェハーＷの表面（浅い領域）の温度が必要以上に上昇することもなく、半導体ウェハーＷの反りや割れを防止することができる。」という本願明細書の段落【００５９】に記載された格別の効果を有するものである。
　　（ウ）したがって、本願発明は、引用発明３に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとは認められない。
　（４）理由４（拡大先願）について
　　ア　先願に記載された発明
　当審拒絶理由１で引用した先願（特願２００６−３３５２６７号）の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を開示する特開２００８−１４７５３３号公報には、その特許請求の範囲の請求項１〜４、段落【００１１】〜【００１９】、段落【００２３】〜【００３４】、及び、図６、図７の記載から、次の発明（以下「先願発明」という。）が記載されていると認められる。
「第１の閃光放電ランプと第２の閃光放電ランプとを有し、前記第２の閃光放電ランプの電流は、時間幅が前記第１の閃光放電ランプの電流の時間幅より小さく、前記第１の閃光放電ランプの電流入力後に入力されることを特徴とする閃光放電装置を用いて、不純物イオンを導入した半導体ウェハの表面を熱処理して活性化処理を行う活性化処理方法であって、
　時間幅の長いパルス電流Ｂが入力された前記第１の閃光放電ランプにより、前記半導体ウェハの表面温度Ｔ２を予め処理温度Ｔ３近くまで予備加熱温度より高い温度に加熱し、
　時間幅の短いパルス電流Ａが入力された前記第２の閃光放電ランプ１０により、短時間だけ処理温度以上に前記半導体ウェハの表面を加熱することで、前記半導体ウェハの表面と裏面との温度差を緩和して前記半導体ウェハが割れることを防止する活性化処理方法。」
　　イ　対比
　本願発明と先願発明とを対比すると、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違していると認められる。
一致点
「イオンが注入された半導体基板に対してフラッシュ光を照射することによって該半導体基板を加熱する熱処理方法であって、
　前記半導体基板の表面に少なくとも第１のピーク強度を有するフラッシュ光を第１のフラッシュランプから照射して前記半導体基板の表面温度を前記半導体基板に注入されたイオンの活性化温度以上の処理温度にまで昇温してイオンを活性化させる昇温工程と、
　前記第１のピーク強度よりも弱い第２のピーク強度に到達するフラッシュ光を第２のフラッシュランプから前記半導体基板の表面に照射して少なくとも前記第２のピーク強度を有するフラッシュ光照射によって前記半導体基板の表面を加熱する加熱工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。」
相違点
　相違点１
　本願発明の「第１照射工程」及び「第２照射工程」の「フラッシュ光」の「照射」は「半導体基板の表面の全領域」に行われるのに対して、先願発明は、それらの構成を有していない点。
　相違点２
　本願発明は「前記第１のピーク強度を有するフラッシュ光の強度が低下しているときに」前記第１のピーク強度よりも弱い第２のピーク強度に到達するフラッシュ光を照射するのに対して、先願発明は「時間幅の長いパルス電流Ｂが入力された前記第１の閃光放電ランプ」により「前記半導体ウェハの表面温度Ｔ２を予め処理温度Ｔ３近く」まで「加熱し」てから「時間幅の短いパルス電流Ａが入力された前記第２の閃光放電ランプ１０」により「短時間だけ処理温度以上に前記半導体ウェハの表面を加熱する」点。
　相違点３
　本願発明の「前記第１のピーク強度よりも弱い第２のピーク強度に到達するフラッシュ光」を照射する工程は「前記半導体基板の表面温度を前記活性化温度以上に所定時間以上維持する保温工程」であるのに対して、先願発明の「時間幅の長いパルス電流Ｂが入力された前記第１の閃光放電ランプ」から「閃光」を照射する工程は「前記半導体ウェハの表面温度Ｔ２を予め処理温度Ｔ３近くまで予備加熱温度より高い温度に加熱」する工程である点。
　　ウ　判断
　上記の通り、本願発明と先願発明とは、３つの相違点を有する。
　そして、これらの相違点はいずれも実質的な相違点であると認められるので、本願発明と先願発明は同一の発明ではない。
　（５）小括
　したがって、平成２８年８月１７日付けの手続補正によって、本願発明は特許請求の範囲の記載要件を満たすものとなった。
　また、本願発明は、当審拒絶理由１における引用文献１に記載された発明、ないしは、当審拒絶理由１における引用文献２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　そして、本願発明は、先願（特願２００６−３３５２６７号）の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一の発明ではない。
　そうすると、もはや、当審拒絶理由１によっては、本願を拒絶することはできない。
第５　当審拒絶理由２について
　１　当審拒絶理由２の概要
　当審より平成２８年６月２４日付けで通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由２」という。）の概要は以下のとおりである。
「１．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 　 
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
  
 　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
 　　　　　　　　１．特開２００２−２５２１７４号公報
 　 
・請求項　　：１ 
・引用文献等：１ 
・備考 
　……（中略）……
 ２．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記
  
　請求項１には、「前記昇温工程の後、前記第１のピーク強度を有するフラッシュ光の強度が低下しているときに前記第１のピーク強度よりも弱い第２のピーク強度に到達するフラッシュ光を第２のフラッシュランプから前記半導体基板の表面の全領域に照射して少なくとも前記第２のピーク強度を有するフラッシュ光照射の保温効果によって前記半導体基板の表面温度を前記活性化温度以上に所定時間以上維持する保温工程」と記載されている。
　この記載によれば、前記「保温効果」を有する「フラッシュ光照射」とは、「フラッシュ光」それ自体により「半導体基板の表面温度」を「保温」するという特別な効果を有する特別な「フラッシュ光」を「照射」することを意味すると解することもできる。
　しかしながら、本願明細書には、当該「保温効果」については、段落【００５６】に「パルス幅の長いフラッシュランプＦＬ２から照射されたフラッシュ光は、ピーク強度はフラッシュランプＦＬ１より低いものの、比較的長時間に渡って光強度を維持する。……その後フラッシュランプＦＬ１からのフラッシュ光強度が減衰した後はフラッシュランプＦＬ２からの閃光照射が支配的となって比較的長時間に渡ってある程度の光強度が維持される。」、段落【００５７】に「その後は、主としてパルス幅の長いフラッシュランプＦＬ２から照射されたなだらかなピークを有するフラッシュ光による保温効果によって比較的長時間に渡って活性化温度以上の温度を維持した後に次第に降温する。」と記載されているだけである。
　すなわち、本願明細書には、「フラッシュランプＦＬ１からのフラッシュ光強度が減衰した後」に、「ピーク強度はフラッシュランプＦＬ１より低いものの、比較的長時間に渡って」ある程度の「光強度を維持」する「フラッシュランプＦＬ２からの閃光照射」を行うこと、これにより、結果として、「半導体基板の表面温度」が「比較的長時間に渡って活性化温度以上の温度を維持」されることが記載されているだけで、「照射」する「フラッシュ光」それ自体が特別な効果を有することは、何ら記載されていない。
　よって、請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでなく、また、依然として明確でない。」
　２　当審拒絶理由２についての判断
　（１）理由１について
　当審拒絶理由２における引用文献（特開２００２−２５２１７４号公報）は、原査定の根拠となった平成２６年４月２５日付けの拒絶理由通知における引用文献２である。
　したがって、第３の２（３）Ｂで記載したと同じ理由により、本願発明は、もはや、当審拒絶理由２における引用文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　（２）理由２について
　平成２８年８月１７日付けの手続補正によって、請求項１の「保温効果」という記載は削除されたので、本願発明は、明確になり、本願明細書の発明の詳細な説明に記載されたものとなった。
　したがって、当審拒絶理由２の理由２は解消した。
　（３）小括
　以上のとおり、本願発明は、当審拒絶理由２における引用文献に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　また、当審拒絶理由２の理由２は解消した。
　そうすると、当審拒絶理由２によっては、本願を拒絶することはできない。
第６　むすび
　以上のとおりであるから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。