(57)【要約】【課題】信頼性の高い、超薄膜の多層配線基板が低コストで容易に形成できる多層配線基板の製造方法及び多層配線基板を提供する。【解決手段】多層配線基板の製造方法は、絶縁層１４を介して第１配線１２及び第２配線１６が積層され、第１配線１２と第２配線１６とがコンタクトホール１８を介して接続される多層配線基板２の製造方法であって、コンタクトホール１８に第１配線１２と第２配線１６とを接続する導電ポスト２０を形成する工程と、絶縁層１４上及びコンタクトホール１８に跨って、第２配線１６を形成する工程と、を含み、導電ポスト２０と第２配線１６とは、同時に行うめっき処理により形成される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を介して第１配線及び第２配線が積層され、前記第１配線と前記第２配線とがコンタクトホールを介して接続される多層配線基板の製造方法であって、
前記コンタクトホールに前記第１配線と前記第２配線とを接続する導電ポストを形成する工程と、
前記絶縁層上及び前記コンタクトホールに跨って、前記第２配線を形成する工程と、
を含み、
前記導電ポストと前記第２配線とは、同時に行うめっき処理により形成されることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の多層配線基板の製造方法において、
前記第１配線上のコンタクトホール形成領域に、絶縁層形成材料を含む液状体に対して撥液性を有する撥液材料の液滴を塗布して撥液部を形成する工程と、
前記撥液部を除いて、前記第１配線を覆って前記絶縁層形成材料を含む液滴を塗布して前記絶縁層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の多層配線基板の製造方法において、
前記めっき処理前に、
前記コンタクトホールの前記絶縁層上及び前記コンタクトホールに跨る第２配線形成領域に、めっき用触媒材料を含む液滴を塗布してめっき用触媒層を形成する工程を含み、
前記めっき処理により前記めっき用触媒層上に前記第２配線を形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の多層配線基板の製造方法において、
前記めっき処理では、
前記導電ポストは前記第１配線上に析出され、
前記第２配線は前記めっき用触媒層上に析出されることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の多層配線基板の製造方法において、
前記めっき処理では、ｐＨ５〜８の範囲内のレドックス系中性無電解銅めっき液、ｐＨ４〜７の範囲内の次亜燐酸系めっき液、又はｐＨ４〜７の範囲内のジメチルアミノボラン系めっき液を用いることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の多層配線基板の製造方法により製造されたことを特徴とする多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板の製造方法及び多層配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のビルドアップ法としては、片面、両面基板を貼り合わせて多層のビルドアップ基板を製作することが、一般的であった。その際の接続方法としては、片面、両面基板に絶縁フィルムを貼り合わせ、コンタクトホール形成後、スパッタ、めっき、もしくはその併用により導電膜を形成し、その後フォトリソによってパターン化を行い、これを繰り返し行うことで多層のビルドアップ基板を製作していた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−９５７６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
これらの方法では、配線部に膜厚さが生じることで、配線の膜厚が厚くなってしまい多層配線基板の薄膜化は困難であった。また、ＥＶ（Etched Via Post）を用いたＥＶ・ＡＬプロセスでは、研磨やエッチングなどのコストがかかり基板も高価なものであった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］絶縁層を介して第１配線及び第２配線が積層され、前記第１配線と前記第２配線とがコンタクトホールを介して接続される多層配線基板の製造方法であって、前記コンタクトホールに前記第１配線と前記第２配線とを接続する導電ポストを形成する工程と、前記絶縁層上及び前記コンタクトホールに跨って、前記第２配線を形成する工程と、を含み、前記導電ポストと前記第２配線とは、同時に行うめっき処理により形成されることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【０００７】
これによれば、導電ポストと第２配線とは、同時に行うめっき処理により形成されるので、導電ポストと第２配線との接合界面の発生がなく、従来の接合界面による接合体の剥離等を招く虞もなく、信頼性の高い、超薄膜の多層配線基板が低コストで容易に形成できる。
【０００８】
［適用例２］上記多層配線基板の製造方法であって、前記第１配線上のコンタクトホール形成領域に、絶縁層形成材料を含む液状体に対して撥液性を有する撥液材料の液滴を塗布して撥液部を形成する工程と、前記撥液部を除いて、前記第１配線を覆って前記絶縁層形成材料を含む液滴を塗布して前記絶縁層を形成する工程と、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【０００９】
これによれば、撥液部を除いて、第１配線を覆って絶縁層形成材料を含む液滴を塗布した際に、撥液部の撥液性により絶縁層形成材料を含む液滴がはじかれるため、コンタクトホール形成領域は絶縁層形成材料で覆われることが防止され、撥液部の大きさで絶縁層が開口することにより、第１配線が露出するコンタクトホールを形成することができる。これにより、撥液部の大きさに応じた優れた制御性でコンタクトホールを形成することができる。
【００１０】
［適用例３］上記多層配線基板の製造方法であって、前記めっき処理前に、前記コンタクトホールの前記絶縁層上及び前記コンタクトホールに跨る第２配線形成領域に、めっき用触媒材料を含む液滴を塗布してめっき用触媒層を形成する工程を含み、前記めっき処理により前記めっき用触媒層上に前記第２配線を形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【００１１】
これによれば、液滴吐出方式で絶縁層上及びコンタクトホールに跨る第２配線形成領域にめっき用触媒層を形成した後にめっき処理することにより、このめっき用触媒層上に第２配線を析出させることができ、大きさが規定されたコンタクトホールに形成された導電ポストを介して第１配線と接続された緻密で導電性に優れた第２配線を形成することができる。
【００１２】
［適用例４］上記多層配線基板の製造方法であって、前記めっき処理では、前記導電ポストは前記第１配線上に析出され、前記第２配線は前記めっき用触媒層上に析出されることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【００１３】
これによれば、第１配線上に導電ポストを、めっき用触媒層上に第２配線を析出させることができ、大きさが規定されたコンタクトホールに形成された導電ポストを介して第１配線と接続された緻密で導電性に優れた第２配線を形成することができる。
【００１４】
［適用例５］上記多層配線基板の製造方法であって、前記めっき処理では、ｐＨ５〜８の範囲内のレドックス系中性無電解銅めっき液、ｐＨ４〜７の範囲内の次亜燐酸系めっき液、又はｐＨ４〜７の範囲内のジメチルアミノボラン系めっき液を用いることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【００１５】
これによれば、このように中性の無電解めっき液に長時間浸漬を行うことによって、絶縁基材にダメージを与えることなく、電気めっき層と同等の厚みを持つ無電解めっき層を形成することができる。
【００１６】
［適用例６］上記適用例１〜５のいずれか一項に記載の多層配線基板の製造方法により製造されたことを特徴とする多層配線基板。
【００１７】
これによれば、上記適用例１〜５のいずれか一項に記載の多層配線基板の製造方法により、信頼性の高い、超薄膜の多層配線基板を低コストで提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施形態に係る多層配線基板の概略構成図。
【図２】本実施形態に係る多層配線基板の製造方法の工程を示す図。
【図３】本実施形態に係る多層配線基板の製造方法の工程を示す図。
【図４】本実施形態に係る多層配線基板の製造方法の工程を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、多層配線基板の製造方法及び多層配線基板の実施形態を、図を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２０】
図１は、本実施形態に係る多層配線基板の概略構成図である。図２は、本実施形態に係る多層配線基板の製造方法を示すフローチャートである。図３及び図４は、本実施形態に係る多層配線基板の製造方法を示す図である。
【００２１】
本実施形態に係る多層配線基板２は、図１に示すように、少なくとも表面１０ａが親液部として親液性を有する基板１０上に配線パターン（第１配線）１２が形成され、この配線パターン１２を覆うアクリル等により形成された絶縁層１４上に配線パターン（第２配線）１６が形成された構成となっている。配線パターン１２，１６は絶縁層１４を貫通するコンタクトホール１８に設けられた導電ポスト２０によって電気的に接続されている。なお、配線パターン１６は絶縁層２２で覆われて、さらに多層に積層された配線パターンと導通ポストで接続されるが、ここでは絶縁層２２以降の層については説明を省略する。
【００２２】
基板１０としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板、ポリイミドなど各種の材料を用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００２３】
次に、多層配線基板２の製造方法について説明する。この多層配線基板２の製造方法は、表面処理工程、触媒材料配置工程、乾燥工程、めっき処理工程、撥液部形成工程、材料配置工程、及び熱処理／光処理工程から概略構成される。以下、工程毎に詳細に説明する。
【００２４】
（表面処理工程）
図２に示すステップＳ１０の表面処理工程では、図３（Ａ）に示すように、基板１０の表面１０ａに対して洗浄処理を行うことにより、親液性を高める処理を実施する。例えば、基板１０がガラス基板の場合、その表面は配線パターン形成材料（インク）に対して親液性を有しているが、この表面処理によりさらに親液性を高める。
【００２５】
具体的には、表面処理工程では、洗浄処理として、ＵＶエキシマ洗浄、低圧水銀灯洗浄、Ｏ2プラズマ洗浄、ＨＦや硫酸等を用いた酸洗浄、アルカリ洗浄、超音波洗浄、メガソニック洗浄、コロナ処理、グロー洗浄、スクラブ洗浄、オゾン洗浄、水素水洗浄、マイクロバブル洗浄、フッ素系洗浄等を実施する。
【００２６】
具体的には、洗浄処理が、例えばＵＶエキシマ洗浄の場合にはＵＶ光（紫外光）の照射時間、強度、波長、熱処理（加熱）との組み合わせ等によって調整することができ、また、洗浄処理が例えばＯ2プラズマ洗浄の場合には、プラズマ処理時間を調整することにより、親液性を調整することができる。この洗浄処理により、表面１０ａに有機物等の異物が付着していた場合でも、表面１０ａから除去することが可能になり、清浄度及び親液性を維持することができる。
【００２７】
（触媒材料配置工程、乾燥工程）
そして、図２に示すステップＳ２０の触媒材料配置工程及びステップＳ３０の乾燥工程では、図３（Ｂ）及び（Ｃ）に示すように、液滴吐出装置ＩＪを用いて、めっき触媒材料を含む液滴２３を表面１０ａの配線パターン形成領域（第１配線形成領域）に塗布・乾燥（例えば１００℃、１５分間）することにより、めっき触媒層２４を形成する。
【００２８】
めっき触媒材料を含む液状体としては、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ等の触媒作用を有する金属を含有する有機溶媒を用いることができる。また、この液状体としては、基板１０との密着性を付与するために、カップリング剤を含有する構成としてもよい。カップリング剤としては、例えばアミノ基を有するＳｉカップリング剤を挙げることができ、中性若しくは酸性であり、より好ましくは液滴吐出ヘッドに対するダメージを軽減する観点から中性のものを用いることが好ましい。本実施形態では、めっき触媒材料としてパラジウム（Ｐｄ）を用いている。
【００２９】
（めっき処理工程）
次に、図２に示すステップＳ４０のめっき処理工程では、無電解めっき処理を施して、図３（Ｄ）に示すように、めっき触媒層２４上に導電層２６を成膜し、例えばホットプレート上で１２０℃、３０分間の熱処理を行うことにより第１配線としての配線パターン１２を形成する。無電解めっき処理に用いられる無電解めっき液としては、めっき触媒材料を含む液状体と同様に、好ましくは中性、もしくは酸性であり、基板１０へのダメージを考慮すると、中性のものを用いることが好ましい。例えば、ｐＨ５〜８の範囲内のレドックス系中性無電解銅めっき液、ｐＨ４〜７の範囲内の次亜燐酸系めっき液、又はｐＨ４〜７の範囲内のジメチルアミノボラン系めっき液を用いる。また、導電層としては、例えばＡｇ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｕ、又はＰｄを用いることができる。導電層は、複数のめっき層が積層された構成であってもよく、例えばＣｕめっき層の上にＡｕめっき層が形成される構成であってもよい。本実施形態では、導電層形成材料としてＣｕ（すなわち、銅めっき処理）を用いている。
【００３０】
（撥液部形成工程）
続いて、図２に示すステップＳ５０の撥液部形成工程では、配線パターン１２上にコンタクトホール１８を形成する手順について説明する。まず、図３（Ｅ）に示すように、配線パターン１２上のコンタクトホール形成領域（導電ポスト形成領域）２８（後にコンタクトホール１８が形成される箇所・領域）に、撥液部（絶縁層用撥液部）３０を形成する。具体的には、液滴吐出装置ＩＪを用いて液滴吐出ヘッドから、絶縁層１４の絶縁層形成材料を含む液状体に対して撥液性を有する、ここでは撥液性材料の中、フッ素樹脂（撥液材料）を含む液滴３２を吐出して、配線パターン１２上の所定領域に塗布する。
【００３１】
撥液性を有する材料としては、シラン化合物、フルオロアルキル基を有する化合物、フッ素樹脂（フッ素を含む樹脂）、及びこれらの混合物を用いることができる。
【００３２】
ここで、撥液部３０の大きさ（直径）は、後に形成される導電ポスト２０の大きさ（直径）に対応するため、形成すべき導電ポスト２０の直径に応じた直径で撥液部３０を形成する。本実施形態では、液滴３２の吐出重量と、この液滴３２が配線パターン１２上に着弾した後の直径との相関関係（例えば、吐出重量２ｎｇで着弾径が約４０μｍ、吐出重量３ｎｇで着弾径が約６５μｍ）を求めてテーブルとして保持しておき、撥液部３０を形成する際には、形成する導電ポスト２０の大きさに応じてテーブルから吐出重量を求め、この吐出重量で液滴３２を吐出する。
【００３３】
（材料配置工程）
続いて、図２に示すステップＳ６０の材料配置工程では、図３（Ｆ）に示すように、液滴吐出装置ＩＪを用いて液滴吐出ヘッドから、撥液部３０を除いて、配線パターン１２を覆って絶縁層形成材料を含む液滴３４（以後、絶縁層形成用液滴３４と称する）を塗布する。この絶縁層形成材料としては、本実施形態では光硬化性を有する材料を含んでいる。具体的には、本実施形態の光硬化性材料は、光重合開始剤と、アクリル酸のモノマー及び／又はオリゴマ−と、を含んでいる。一般的には、この光硬化性材料は、溶剤と、溶剤に溶解した樹脂と、を含有してよい。ここで、この場合の光硬化性材料は、それ自体が感光して重合度を上げる樹脂を含有してもよいし、あるいは、樹脂と、その樹脂の硬化を開始させる光重合開始剤と、を含有していてもよい。また、このような形態に代えて、光硬化性材料として、光重合して不溶の絶縁樹脂を生じるモノマーと、そのモノマーの光重合を開始させる光重合開始剤と、を含有してもよい。ただしこの場合の光硬化性材料は、モノマー自体が光官能基を有していれば、光重合開始剤を含有しなくてもよい。また、熱硬化性のポリイミド等を絶縁層形成材料としてもよい。
【００３４】
配線パターン１２上に塗布された絶縁層形成用液滴３４は、コンタクトホール形成領域２８に形成された撥液部３０の撥液性によりはじかれて、当該コンタクトホール形成領域２８においては未充填状態となって開口し、撥液部３０が露出し、当該撥液部３０の大きさで規定される大きさでコンタクトホール１８が形成される。
【００３５】
（熱処理／光処理工程）
この後、図２に示すステップＳ７０の熱処理／光処理工程では、基板１０の表面１０ａ側からエネルギー光として、紫外光（ＵＶ光）を撥液部３０及び絶縁層１４に照射する。これにより、絶縁層１４が硬化するとともに、撥液部３０が分解・除去される、または撥液性が低下する。フッ素樹脂を用いて形成された撥液部３０の場合、紫外光の照射時間に応じて撥液性が低下するが、撥液性が十分に低下する時間で紫外光を照射する。
【００３６】
（表面処理工程）
この後、図２に示すステップＳ８０の表面処理工程では、基板１０の表面１０ａに対して、ＵＶ照射処理又はＯ2プラズマ処理を実施することにより、絶縁層１４の表面を親液化するとともに、撥液部３０（撥液性分）が除去されて、図４（Ａ）に示すように、絶縁層１４に囲まれて配線パターン１２が露出するコンタクトホール１８が形成される。
【００３７】
（触媒材料配置工程、乾燥工程）
続いて、図２に示すステップＳ９０の触媒材料配置工程及びステップＳ１００の乾燥工程では、上述した液滴吐出装置ＩＪを用い、上述しためっき触媒材料（Ｐｄ）を含む液滴３５を、図４（Ｂ）に示すように、２つのコンタクトホール１８及び、これら２つのコンタクトホール１８の間の絶縁層１４上に跨る配線パターン形成領域（第２配線形成領域）にパターニング塗布し、図４（Ｃ）に示すように、乾燥（例えばホットプレート上で８０℃、５分間）することにより、２つのコンタクトホール１８に充填されるとともに、これらのコンタクトホール１８間に懸架して成膜されるめっき触媒層３６を形成する。
【００３８】
（めっき処理工程）
図２に示すステップＳ１１０のめっき処理工程では、めっき触媒層３６が形成されると、無電解めっき処理を施して、図４（Ｄ）に示すように、コンタクトホール１８の配線パターン１２上に導電ポスト２０及びめっき触媒層３６上に導電層３８を成膜し、例えばホットプレート上で１２０℃、３０分間の熱処理を行うことにより導電ポスト２０及び第２配線として、Ｃｕめっきによる配線パターン１６を形成する。なお、コンタクト部は１層目の配線Ｃｕから析出を行い、２層目は、触媒からの析出を同時に行うことで、１層目と２層目とをめっきにて接続を取る。
【００３９】
次に、図示しないが配線パターン１６上のコンタクトホール形成領域に、液滴吐出装置ＩＪを用いて、絶縁層形成材料を含む液状体に対して撥液性を有する液滴を塗布・乾燥することにより、絶縁層形成材料を含む液状体に対する撥液部（絶縁層用撥液部）を形成する（ステップＳ１２０）。続いて、液滴吐出装置ＩＪを用い、撥液部を除いて配線パターン１６を覆って絶縁層形成材料（ＰＩ、アクリル、エポキシ樹脂等）を含む液滴を塗布し（ステップＳ１３０）、絶縁層に対する硬化処理を施すことにより、絶縁層を形成する（ステップＳ１４０）。この硬化処理としては、絶縁層１４に対する硬化処理と同様の処理を選択できる。
【００４０】
この後、基板１０の表面１０ａに対して、ＵＶ照射処理又はＯ2プラズマ処理を実施することにより、絶縁膜の表面の親液化、撥液部（撥液性分）の除去によるコンタクトホールの形成、めっき触媒材料（Ｐｄ）を含む液滴のパターニング塗布・乾燥によるめっき触媒層の形成、無電解めっき処理によりめっき触媒層上への導電膜の成膜を順次行うことにより、コンタクトホールの導電ポストで配線パターン１６と接続する配線パターンを形成することができる。
【００４１】
このように、本実施形態では、撥液部形成、絶縁層形成及び親液化処理・撥液部除去処理、めっき触媒層形成処理、めっき触媒層上への導電層成膜による配線パターン形成処理を繰り返すことにより、撥液部で規定された大きさのコンタクトホールを高精度で形成し、且つこのコンタクトホールの導電ポストを介して接続された積層構造の配線パターン１２，１６を容易に形成することができる。
【００４２】
また、本実施形態では、コンタクトホールの導電ポストも含めて配線パターン１２，１６がめっき処理により成膜されるため、液滴吐出方式と比べて緻密で電気抵抗の小さい配線を形成することが可能になる。
【００４３】
なお、上記実施形態では、めっき触媒材料（Ｐｄ）を含む液滴のパターニング塗布前に、撥液部の除去処理を実施しているが、例えばめっき処理で形成した配線上に塗布した撥液材が濡れ拡がって、膜厚が薄くなった場合には、撥液部の除去処理を行うことなく、コンタクトホールに露出する配線との電気的接続が可能になる場合もある。そのため、上記撥液部の除去処理は必須というものではなく、コンタクトホールに露出する配線との電気的接続の可否に応じて適宜実施すればよい。
【００４４】
このように、本実施形態では、導電ポストを別途形成する工程を設ける必要がなくなるため、製造効率の向上に寄与できる。また、本実施形態では、撥液部３０を用いることにより、当該撥液部３０で規定された大きさのコンタクトホール１８を高精度で形成し、且つこのコンタクトホール１８を介して接続された配線パターン１２，１６を容易に形成することができる。
【００４５】
以上、上記実施形態では、基板１０に対して親液性を高めるために、表面処理工程として洗浄処理を実施するものとして説明したが、これに限定されるものではなく、例えば機能液（パターン用液滴）に対して親液性を示すシランカップリング剤やチタンカップリング剤を表面１０ａに塗布しておく構成や、酸化チタン微粒子を塗布しておく構成を採ってもよい。
【００４６】
（変形例）
上述した実施形態を変形し、液滴吐出装置ＩＪを用いて基板１０上に配線パターン１２を形成してもよい。この配線パターン１２の形成方法は、撥液部形成工程、材料配置工程、及び熱処理／光処理工程から概略構成される。
【００４７】
（撥液部形成工程）
先ず、洗浄処理（親液化処理）が行われた基板の表面の所定領域（パターンの形成する領域の周囲；非配線領域）に撥液部（配線用撥液部）を形成する。具体的には、液滴吐出装置ＩＪを用い液滴吐出ヘッドからパターン用液滴に対して撥液性を有する材料（撥液材料）を含む液状体の液滴（以下、撥液性液滴と称する）を吐出して、基板上の所定領域に塗布する。
【００４８】
そして、基板上に吐出した撥液性液滴を予備乾燥することにより、基板上に直線状の撥液部が互いに間隔をあけて数ｎｍ〜数十ｎｍの厚さで形成される。
【００４９】
（材料配置工程）
次に、基板の表面の撥液部間にパターン用液滴を吐出して、配線パターンを形成する。配線パターン形成材料としては、一般に、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなる。本実施の形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル、及びＩＴＯのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じる虞がある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００５０】
（熱処理／光処理工程）
次に、熱処理／光処理工程では、基板上に配置された液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング剤を除去する。すなわち、基板上に配置された導電膜形成用の液体材料は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤がコーティングされている場合には、このコーティング剤も除去する必要がある。
【００５１】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行われるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
【００５２】
例えば、有機物からなるコーティング剤を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行うことが好ましい。ここでは、２５０℃、６０分で焼成した。
熱処理及び／又は光処理は、例えばホットプレート、電気炉などの加熱手段を用いた一般的な加熱処理の他に、ランプアニールを用いて行ってもよい。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態例では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。上記熱処理及び／又は光処理により、微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。以上説明した一連の工程により、基板１０上に線状の配線パターン１２が形成される。
【符号の説明】
【００５３】
２…多層配線基板  １０…基板  １０ａ…表面（親液部、配線形成面）  １２…配線パターン（配線、第１配線）  １４…絶縁層  １６…配線パターン（配線、第２配線）  １８…コンタクトホール  ２０…導電ポスト  ２２…絶縁層  ２３…液滴  ２４…めっき触媒層  ２６…導電層  ２８…導電ポスト形成領域  ３０…撥液部（絶縁層用撥液部）  ３２…液滴  ３４…液滴  ３５…液滴  ３６…めっき触媒層  ３８…導電層。
【図１】
2011023445.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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