(57)【要約】      （修正有）【課題】電気的信頼性を向上させる要求に応えるバンプ付き配線基板、バンプ付き電子部品及び実装構造体を提供する。【解決手段】バンプ付き配線基板は、絶縁層１０と絶縁層１０上に設けられた導電層１１とを有する配線基板３と、導電層１１上に設けられ、導電層１１と電気的に接続されたバンプ４と、配線基板３の表面からバンプ４の表面にかけて連続的に設けられた無機絶縁構造体１３と、を備えていることを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と該絶縁層上に設けられた導電層とを有する配線基板と、
前記導電層上に設けられ、前記導電層と電気的に接続されたバンプと、
前記配線基板の表面から前記バンプの表面にかけて連続的に設けられた無機絶縁構造体と、
を備えたことを特徴とするバンプ付き配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載のバンプ付き配線基板において、
前記無機絶縁構造体は、互いに結合した複数の無機絶縁粒子を有することを特徴とするバンプ付き配線基板。
【請求項３】
請求項１に記載のバンプ付き配線基板において、
前記無機絶縁構造体は、前記バンプの周回方向に沿って設けられていることを特徴とするバンプ付き配線基板。
【請求項４】
請求項１に記載のバンプ付き配線基板において、
前記無機絶縁構造体は、前記バンプの側面にて、該バンプの下端から上端にかけて連続的に設けられていることを特徴とするバンプ付き配線基板。
【請求項５】
請求項１に記載のバンプ付き配線基板において、
前記導電層の上面は、前記バンプが設けられた領域と、前記無機絶縁構造体により被覆された領域と、のみからなることを特徴とするバンプ付き配線基板。
【請求項６】
請求項１に記載のバンプ付き配線基板において、
前記バンプは、第１バンプと、該第１バンプに隣接する第２バンプと、を有し、
前記無機絶縁構造体は、前記第１バンプの表面から前記配線基板の表面を介して前記第２バンプの表面にかけて連続的に設けられていることを特徴とするバンプ付き配線基板。
【請求項７】
表面に電極を有する電子部品と、
前記電極上に設けられ、前記電極と電気的に接続されたバンプと、
前記電子部品の表面から前記バンプの表面にかけて連続的に設けられた無機絶縁構造体と、
を備えたことを特徴とするバンプ付き電子部品。
【請求項８】
絶縁層と該絶縁層上に設けられた導電層とを有する配線基板と、
前記配線基板上に搭載された、表面に電極を有する電子部品と、
前記配線基板と前記電子部品との間に介され、前記導電層と前記電極とを電気的に接続するバンプと、
前記配線基板の表面から前記バンプの表面にかけて連続的に設けられた無機絶縁構造体と、
を備えたことを特徴とする実装構造体。
【請求項９】
絶縁層と該絶縁層上に設けられた導電層とを有する配線基板と、
前記配線基板上に搭載された、表面に電極を有する電子部品と、
前記配線基板と前記電子部品との間に介され、前記導電層と前記電極とを電気的に接続するバンプと、
前記電子部品の表面から前記バンプの表面にかけて連続的に設けられた無機絶縁構造体と、
を備えたことを特徴とする実装構造体。
【請求項１０】
請求項９に記載の実装構造体において、
前記無機絶縁構造体は、前記電子部品の表面から前記バンプの表面を介して前記配線基板の表面にかけて連続的に設けられていることを特徴とする実装構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）等に使用されるバンプ付き配線基板、バンプ付き電子部品及び実装構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。
【０００３】
特許文献１には、導電層を有する配線基板と、電極を有する電子部品と、前記配線基板と前記電子部品との間に介され、前記導電層と前記電極とを電気的に接続するバンプと、を備えた配線基板が記載されている。
【０００４】
ところで、配線基板と電子部品とは、熱膨張率が異なる。このため、実装構造体の使用時に電子部品から熱が発生すると、配線基板と電子部品との間に熱応力が発生する。かかる熱応力は、配線基板と電子部品との間に介されたバンプに集中しやすく、配線基板の導電層とバンプとの接続部や電子部品の電極とバンプとの接続部にクラックが生じることがある。その結果、配線基板と電子部品との電気的接続に断線が生じ、実装構造体の電気的信頼性が低下しやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１３５５１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応えるバンプ付き配線基板、バンプ付き電子部品及び実装構造体を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態にかかるバンプ付き配線基板は、絶縁層と該絶縁層上に設けられた導電層とを有する配線基板と、前記導電層上に設けられ、前記導電層と電気的に接続されたバンプと、前記配線基板の表面から前記バンプの表面にかけて連続的に設けられた無機絶縁構造体と、を備える。
【０００８】
本発明の一形態にかかるバンプ付き電子部品は、表面に電極を有する電子部品と、前記電極上に設けられ、前記電極と電気的に接続されたバンプと、前記電子部品の表面から前記バンプの表面にかけて連続的に設けられた無機絶縁構造体と、を備える。
【０００９】
本発明の一形態にかかる実装構造体は、絶縁層と該絶縁層上に設けられた導電層とを有する配線基板と、前記配線基板上に搭載された、表面に電極を有する電子部品と、前記配線基板と前記電子部品との間に介され、前記導電層と前記電極とを電気的に接続するバンプと、前記配線基板の表面から前記バンプの表面にかけて連続的に設けられた無機絶縁構造体と、を備える。
【００１０】
本発明の一形態にかかる実装構造体は、絶縁層と該絶縁層上に設けられた導電層とを有する配線基板と、前記配線基板上に搭載された、表面に電極を有する電子部品と、前記配線基板と前記電子部品との間に介され、前記導電層と前記電極とを電気的に接続するバンプと、前記電子部品の表面から前記バンプの表面にかけて連続的に設けられた無機絶縁構造体と、を備える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一形態にかかるバンプ付き配線基板によれば、導電層とバンプとの接続部の機械的強度を向上させることができる。その結果、電気的信頼性に優れたバンプ付配線基板を得ることができる。
【００１２】
本発明の一形態にかかるバンプ付き電子部品によれば、電極とバンプとの接続部の機械的強度を向上させることができる。その結果、電気的信頼性に優れたバンプ付電子部品を得ることができる。
【００１３】
本発明の一形態にかかる実装構造体によれば、配線基板の導電層とバンプとの接続部の機械的強度を向上させることができる。その結果、電気的信頼性に優れた実装構造体を得ることができる。
【００１４】
本発明の一形態にかかる実装構造体によれば、電子部品の電極とバンプとの接続部の機械的強度を向上させることができる。その結果、電気的信頼性に優れた実装構造体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる実装構造体の断面図である。
【図２】図１に示す実装構造体において、電子部品を透視した上面図である。
【図３】図１に示す実装構造体の作製に用いられるバンプ付き配線基板の断面図である。
【図４】図４ａ及び図４ｂは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図５】図５ａ及び図５ｂは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図６】図６ａ及び図６ｂは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態にかかる実装構造体の断面図である。
【図８】図７に示す実装構造体において、配線基板を透視した下面図である。
【図９】図７に示す実装構造体の作製に用いられるバンプ付き電子部品の断面図である。
【図１０】図１０ａ及び図１０ｂは、図７に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態にかかる実装構造体の断面図である。
【図１２】図１２ａ及び図１２ｂは、図１１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図１３】本発明の第４実施形態にかかる実装構造体の断面図である。
【図１４】図１４ａ及び図１４ｂは、図１３に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図１５】図１５ａは、本発明の第５実施形態にかかる実装構造体の断面図であり、図１５ｂは、本発明の他の実施形態にかかる実装構造体の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（第１実施形態）
以下に、本発明の第１実施形態に係る実装構造体及びその作製に用いられるバンプ付き配線基板を、図１乃至図３に基づいて詳細に説明する。
【００１７】
（実装構造体）
図１に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２及び配線基板３を含んでいる。
【００１８】
電子部品２は、例えばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板３にバンプ４を介してフリップチップ実装されており、厚みが例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されている。この電子部品２は、素子や配線が形成された母材２ａと、母材２ａ表面の素子や配線を被覆する絶縁被膜２ｂと、母材２ａ表面の素子や配線に電気的に接続され、絶縁被膜２ｂから露出した電極２ｃと、を有する。
【００１９】
母材２ａは、集積回路として機能し、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されたもの使用することができ、厚みが例えば３０μｍ以上８００μｍ以下に設定されている。
【００２０】
絶縁被膜２ｂは、母材２ａ表面の素子や配線の保護膜及び絶縁部材として機能し、例えば酸化珪素等の無機絶縁材料又はポリイミド等の有機絶縁材料により形成されたもの使用することができ、厚みが例えば０．１μｍ以上０．５μｍ以下に設定されている。ここで、絶縁被膜２ｂとしては、低誘電率のものを用いることが望ましい。その結果、近接する配線間の電気容量を低減し、配線における信号伝達速度を高めることができる。このような低誘電率の絶縁被膜２ｂとしては、多孔質にすることにより誘電率を下げたものを用いることができる。なお、誘電率は、ＪＩＳＣ２１３８：２００７に準ずる。
【００２１】
電極２ｃは、電子部品２内の配線をその外部回路に電気的に接続する接続部材として機能し、例えばアルミニウム、銅、ニッケル又は金等により形成されたものを使用することができ、厚みが例えば０．２μｍ以上５μｍ以下に設定されている。
【００２２】
配線基板３は、コア基板５と、コア基板５の両側に形成された一対の配線層６と、を含んでいる。
【００２３】
コア基板５は、配線基板３の強度を高めつつ一対の配線層６間の導通を図るものであり、厚みが例えば０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に形成されている。このコア基板５は、基体７、スルーホールＴ、スルーホール導体８及び絶縁体９を含んでいる。
【００２４】
基体７は、例えば樹脂により形成され、樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等を使用することができる。
【００２５】
また、基体７は、樹脂に被覆された基材を含んでも構わない。基材としては、繊維により構成された織布若しくは不織布又は繊維を一方向に配列したものを使用することができる。繊維としては、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維又は金属繊維等を使用することができる。また、基体７の熱膨張率は、例えば１ｐｐｍ／℃以上１６ｐｐｍ／℃以下に設定されている。かかる熱膨張率は、ＩＳＯ１１３５９‐２：１９９９に準ずる。
【００２６】
基体７には、該基体７を厚み方向（Ｚ方向）に貫通する複数の円柱状のスルーホールＴが設けられている。スルーホールＴの内部には、その内壁に沿ってスルーホール導体８が円筒状に形成されている。スルーホール導体８は、コア基板５の上下の配線層６を電気的に接続するものであり、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料により形成されたものを使用することができる。円筒状のスルーホール導体８の内部には、絶縁体９が柱状に形成されている。絶縁体９は、その端面とスルーホール導体８の端面とで、後述するビア導体１２の支持面を形成しており、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。
【００２７】
一方、コア基板５の両側には、上述した如く、一対の配線層６が形成されている。配線層６は、複数の絶縁層１０と、基体７上又は絶縁層１０上に形成された導電層１１と、絶縁層１０を貫通する複数のビア孔Ｖと、ビア孔Ｖの内部に形成されたビア導体１２と、を含んでいる。導電層１１及びビア導体１２は、互いに電気的に接続されており、配線部を構成している。この配線部は、接地用配線、電力供給用配線及び／又は信号用配線を含む。
【００２８】
絶縁層１０は、配線層６において、配線部以外の部分の絶縁性を確保するためのものであり、厚みが例えば１μｍ以上１５μｍ以下となるように形成されている。絶縁層１０としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、液晶ポリマー、ポリベンゾオキサゾール樹脂、又はポリイミドベンゾオキサゾール樹脂等により形成されたものを使用することができる。絶縁層１０の熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２９】
また、絶縁層１０は、フィラーを含有していることが望ましい。フィラーの材料としては、熱膨張率が−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下のもの、例えば酸化珪素、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は水酸化アルミニウムを用いることができる。フィラーの粒子径は、例えば０．５μｍ以上１５μｍ以下に設定されている。
【００３０】
導電層１１は、基体７上及び絶縁層１０上に間隙を空けて配置されている。導電層１１としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料により形成されたものを使用することができる。導電層１１の厚みは、３μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。また、導電層１１の熱膨張率は、例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００３１】
導電層１１に電気的に接続されるビア導体１２は、絶縁層１０の厚み方向に離間した導電層１１同士を相互に接続するものであり、コア基板５に向って幅狭となるように形成されている。このビア導体１２としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料により形成されたものを使用することができる。
【００３２】
一方、電子部品２及び配線基板３の間には、バンプ４が介されている。バンプ４は、電子部品２と配線基板３とを電気的に接続する機能を有しており、電子部品２下面の電極２ｃと配線基板３上面の導電層１１とに電気的に接続されている。このバンプ４としては、例えば錫、鉛、亜鉛、等の導電材料により形成されたものを使用することができる。また、バンプ４は、平面方向（ＸＹ平面方向）への断面形状が円形であり、断面積が上面及び下面よりも大きい幅広部を有し、配線基板３の導電層１１とバンプ４との間に形成される角部がバンプ４の内部に向って窪んでなる窪み部を構成している。
【００３３】
そして、第１実施形態の実装構造体１においては、無機絶縁構造体１３が配線基板３の表面からバンプ４の表面にかけて連続的に形成されている。この無機絶縁構造体１３は、例えば互いに複数の結合した無機絶縁粒子を有し、内部が緻密に形成されており、機械的強度が高い。無機絶縁構造体１３としては、例えば酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム又は酸化カルシウム等のセラミック材料により形成されたものを使用することができる。
【００３４】
また、電子部品２及び配線基板３の間には、アンダーフィル１４が充填されている。アンダーフィル１４は、電子部品２、配線基板３、バンプ４及び無機絶縁構造体１３に接着しており、電子部品２及び配線基板３の間に介されたバンプ４における接続信頼性を向上させる機能を有する。アンダーフィル１４としては、エポキシ樹脂又はシアネート樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。また、アンダーフィル１４は、例えば、熱膨張率が０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００３５】
ところで、電子部品２及び配線基板３は熱膨張率が異なるため、実装構造体１の使用時に電子部品２から発生する熱に起因して、電子部品２と配線基板３との間に熱応力が発生する。かかる熱応力は、電子部品２と配線基板３との間に介されたバンプ４に集中しやすく、なかでも、配線基板３の導電層１１とバンプ４との接続部や電子部品２の電極２ｃとバンプ４との接続部に集中しやすい。
【００３６】
一方、配線基板３は、上述した如く、機械的強度の高い無機絶縁構造体１３が配線基板３の表面からバンプ４の表面にかけて連続的に形成されているため、熱応力の集中しやすい配線基板３の導電層１１とバンプ４との接続部における機械的強度を高めることができる。その結果、該接続部におけるクラックの発生を低減することにより、配線基板３の導電層１１とバンプ４との接続信頼性を向上し、実装構造体１の電気的信頼性を向上させることができる。
【００３７】
なお、無機絶縁構造体１３の弾性率は、例えば５０ＧＰａ以上３００ＧＰａ以下に設定されており、なかでも、６０ＧＰａ以上に設定されていることが望ましい。このような弾性率の無機絶縁構造体１３としては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム又は酸化カルシウム、およびこれらの化合物等のセラミック材料か形成されたものを使用することができる。なお、弾性率は、ＪＩＳＲ１６０２：１９９５に準ずる。
【００３８】
また、無機絶縁構造体１３は、無機絶縁材料からなることから、有機材料を主とする配線基板３と比較して低熱膨張率の材料により形成されたものを用いることができるため、かかる低熱膨張率の材料を用いることにより、電子部品２と配線基板３との熱膨張率の違いにより生じる熱応力を緩和することができる。なお、無機絶縁構造体１３の熱膨張率は、例えば１ｐｐｍ／℃以上１３ｐｐｍ／℃以下に設定されており、なかでも、３ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下に設定されていることが望ましい。このような熱膨張率の無機絶縁構造体１３としては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム又は酸化カルシウム、およびこれらの化合物等のセラミック材料から形成されたものを使用することができる。
【００３９】
また、無機絶縁構造体１３は、無機絶縁材料からなることから、有機材料を主とする配線基板３と比較して低誘電正接の材料により形成されたものを用いることができるため、かかる低誘電正接の材料を用いることにより、バンプ４における高周波信号の伝送特性を向上させることができる。なお、無機絶縁構造体１３の誘電正接は、例えば０．００２以上０．０１以下に設定されており、なかでも、０．００２以上０．００５以下に設定されていることが望ましい。このような誘電正接の無機絶縁構造体１３としては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム又は酸化カルシウム等のセラミック材料から形成されたものを使用することができる。なお、誘電正接は、ＪＩＳＣ２１３８：２００７に準ずる。
【００４０】
また、無機絶縁構造体１３は、配線基板３の表面からバンプ４の表面に渡って連続的に当接していることが望ましく、特に、配線基板３の導電層１１とバンプ４との間に形成される角部にて、配線基板３の導電層１１の表面とバンプ４の表面とに当接していることが望ましい。その結果、最も熱応力が集中しやすい該角部の機械的強度を高め、配線基板３の導電層１１とバンプ４と接続信頼性を高めることができる。
【００４１】
また、本実施形態のように、バンプ４が幅広部を有し、配線基板３の導電層１１とバンプ４との間に形成される角部がバンプ４の内部に向って窪んでなる窪み部を構成している場合、無機絶縁構造体１３は、該窪み部内に配置されていることが望ましい。その結果、熱応力の集中しやすい窪み部の機械的強度を高め、配線基板３の導電層１１とバンプ４と接続信頼性を高めることができる。また、無機絶縁構造体１３として、配線基板３よりも低熱膨張の材料から形成されたものを使用した場合、窪み部内にて、電子部品２と配線基板３との熱膨張の差をより緩和することができ、窪み部に印加される熱応力を低減することができる。また、熱応力低減の観点から、窪み部内に無機絶縁構造体１３が充填され、該窪み部内にて配線基板３の導電層１１の表面とバンプ４の表面とに当接していることが望ましい。
【００４２】
また、無機絶縁構造体１３は、配線基板３の表面からバンプ４の幅広部上部の表面にかけて連続的に設けられていることが望ましい。その結果、配線基板３の導電層１１とバンプ４との接続部における機械的強度を効率良く高め、配線基板３の導電層１１とバンプ４との接続信頼性を向上させることができる。
【００４３】
また、無機絶縁構造体１３は、バンプ４の側面にて、バンプ４の下端から上端にかけて連続的に設けられていることが望ましい。その結果、配線基板３の導電層１１とバンプ４との接続部における機械的強度を効率良く高め、配線基板３の導電層１１とバンプ４との接続信頼性を向上させることができる。
【００４４】
また、無機絶縁構造体１３は、バンプ４の周回方向に沿って設けられていることが望ましい。その結果、無機絶縁構造体１３が配線基板３とバンプ４との接続部をその周囲全体に渡って支持することができ、該接続部の周囲の一箇所に熱応力が集中することを低減できるため、配線基板３の導電層１１とバンプ４との接続信頼性を高めることができる。
【００４５】
また、無機絶縁構造体１３は、その表面が配線基板３の表面とバンプ４の表面との間で凹曲面状であり、該凹曲面にアンダーフィル１４が当接していることが望ましい。その結果、無機絶縁構造体１３とアンダーフィル１４との接着強度を高めることができる。
【００４６】
また、無機絶縁構造体１３は、その表面に部分的に凹部を有し、該凹部内にアンダーフィル１４が充填されていることが望ましい。その結果、無機絶縁構造体１３とアンダーフィル１４との接着強度を高めることができる。
【００４７】
また、バンプ４が形成された導電層１１の上面は、バンプ４が形成された領域と、無機絶縁構造体１３により被覆された領域と、のみからなることが望ましい。すなわち、導電層１１の上面は、バンプ４との接続領域以外の領域が無機絶縁構造体１３により被覆されていることが望ましい。その結果、樹脂を含むソルダーレジスト層を形成することなく、無機絶縁構造体１３により導電層１１の表面を保護することができるとともに導電層１１とバンプ４との接続部の機械的強度を高めることができる。また、表面保護の観点から、バンプ４が形成されていない導電層１１が配線基板３上面に配置されている場合、かかる導電層１１の上面は無機絶縁構造体１３により被覆されていることが望ましい。
【００４８】
また、バンプ４において、隣接するバンプ４をそれぞれ第１バンプ４、第２バンプ４とした場合、無機絶縁構造体１３は、第１バンプ４の表面から配線基板３の表面を介して第２バンプ４の表面にかけて連続的に設けられていることが望ましい。その結果、樹脂を含むソルダーレジスト層を形成することなく、無機絶縁構造体１３により絶縁層１０の表面を保護することができる。また、無機絶縁構造体１３は、有機材料からなるソルダーレジスト層と比較して低熱膨張のものを用いることができるため、電子部品２と配線基板３との熱膨張の差を緩和し、電子部品２と配線基板３との間で生じる熱応力を低減することができる。
【００４９】
また、図２に示すように、無機絶縁構造体１３は、配線基板３の上面全面を被覆していることが望ましい。その結果、樹脂を含むソルダーレジスト層を形成することなく、無機絶縁構造体１３により配線基板３の表面を保護することができる。なお、この場合、無機絶縁構造体１３の上面は、配線基板３上面の導電層１１に対応する部位が、配線基板３上面の絶縁層１０に対応する部位よりも隆起していることが望ましい。その結果、導電層１１に対応する部位及び絶縁層１０に対応する部位における無機絶縁構造体１３の厚みの差を低減し、導電層１１の表面を保護する効果を高めることができる。
【００５０】
また、無機絶縁構造体１３を構成する無機絶縁粒子は、球状であることが望ましい。その結果、無機絶縁構造体１３の内部構造を緻密にすることにより、無機絶縁構造体１３の機械的強度を向上させることができる。
【００５１】
また、無機絶縁粒子の粒子径は、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下に設定されていることが望ましい。その結果、無機絶縁構造体１３の内部構造を緻密にすることができる。
【００５２】
また、無機絶縁粒子は、絶縁層１０に含まれるフィラーと結合していることが望ましい。その結果、無機絶縁構造体１３と絶縁層１０との接着強度を向上させることができる。
【００５３】
かくして、上述した実装構造体１は、配線基板３を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。
【００５４】
（バンプ付き配線基板）
図３に示したバンプ付き配線基板１５は、上述した実装構造体１の作製に用いられる。このバンプ付き配線基板１５は、配線基板３と、配線基板３の導電層１１上に設けられたバンプ４と、配線基板３の表面からバンプ４の表面にかけて連続的に設けられた無機絶縁構造体１３と、を有する。
【００５５】
配線基板３は、上述した実装構造体１に含まれる配線基板３と同様の構成を有する。
【００５６】
バンプ４は、電子部品２に接続されていない点を除き、上述した実装構造体１に含まれるバンプ４と同様の構成を有する。バンプ４の上面は、露出した曲面を有し、電子部品２に接続される。
【００５７】
無機絶縁構造体１３は、上述した如く、配線基板３の表面からバンプ４の表面にかけて連続的に設けられている。その結果、バンプ付き配線基板１５に電子部品２を実装することにより、上述した電気的信頼性に優れた実装構造体１を作製することができる。さらに、応力の集中しやすい配線基板３の導電層１１とバンプ４との接続部における機械的強度を高めることにより、バンプ付き配線基板１５搬送時の機械的応力や電子部品２実装時の熱応力に起因した該接続部におけるクラックの発生を低減することができるため、電気的信頼性に優れた実装構造体１を歩留り良く作製することができる。
【００５８】
ここで、無機絶縁構造体１３は、バンプ４の側面に形成されていることが望ましい。その結果、バンプ４の上面を露出させることができるため、バンプ４と電子部品２の電極２ｃとを容易に接続させることができるとともに、バンプ４と電子部品２の電極２ｃとの電気的接続信頼性を向上させることができる。
【００５９】
次に、上述したバンプ付き配線基板１５を用いた実装構造体１の製造方法を、図４から図６に基づいて説明する。
【００６０】
（バンプ付き配線基板の作製）
（１）図４ａに示すように、コア基板５を準備する。具体的には、以下のように行う。
【００６１】
まず、基体７を準備する。基体７は、例えば、未硬化樹脂と基材とを含む複数の樹脂シートを積層し、加熱加圧して未硬化樹脂を硬化させることにより、作製することができる。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージ又はＢ‐ステージの状態である。
【００６２】
次に、基体７をその厚み方向に貫通したスルーホールＴを複数形成する。スルーホールＴは、例えばドリル加工やレーザー加工等により形成することができる。
【００６３】
次に、スルーホールＴの内壁に導電材料を被着させて、円筒状のスルーホール導体８を形成する。また、基体７の上面及び下面に導電材料を被着させて、導電材料層を形成する。導電材料の被着は、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により行われる。
【００６４】
次に、円筒状のスルーホール導体８の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体９を形成する。
【００６５】
次に、導電材料を絶縁体９の露出部に被着させた後、導電層材料層をパターニングすることにより、導電層１１を形成する。導電材料の被着は、例えば無電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により被着される。また、導電材料層のパターニングは、例えば、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等を用いて行われる。
【００６６】
以上のようにして、コア基板５を作製することができる。
【００６７】
（２）図４ｂに示すように、コア基板５の両面に配線層６を形成し、配線基板３を作製する。配線層６は、具体的には以下のように行う。
【００６８】
まず、導電層１１上に絶縁層１０を形成する。絶縁層１０は、例えば、未硬化の樹脂を導電層１１上に配置し、樹脂を加熱して流動密着させつつ、更に加熱して樹脂を硬化させることにより形成される。
【００６９】
次に、絶縁層１０にビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖ内に導電層１１の少なくとも一部を露出させる。ビア孔Ｖの形成は、例えばＹＡＧレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置を用いる。なお、ビア孔Ｖは、レーザー光の出力を調整することによって、コア基板５に向かって開口幅が狭くなるように形成することができる。
【００７０】
次に、ビア孔Ｖにビア導体１２を形成し、絶縁層１０の上面に導電層１１を形成する。ビア導体１２及び導電層１１は、従来周知のセミアディティブ法、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法等により形成され、なかでもセミアディティブ法により形成されることが望ましい。
【００７１】
以上のようにして、配線基板３を作製することができる。なお、本工程を繰り返すことにより、多層配線の配線基板３も作製できる。
【００７２】
（３）図４ｃ及び図５ａに示すように、導電層１１上にバンプ４を形成する。具体的には以下のように行う。
【００７３】
まず、図４ｃに示すように、柱状のバンプ４を導電層１１上に形成する。バンプ４は、例えば印刷法、めっき法又は蒸着法等により形成される。次に、図５ａに示すように、バンプ４を加熱して溶融させることにより、上述したバンプ付き配線基板１５に含まれた形状のバンプ４を形成することができる。また、加熱溶融によりバンプ４と導電層１１との接着強度を高めることができる。また、バンプ４がフラックス等の不純物を含む場合、不純物を気化により除去できる。なお、かかる加熱の温度は、バンプ４に含まれる導電材料の融点以上配線基板３に含まれる樹脂材料の熱分解温度未満に設定されていることが望ましい。
【００７４】
以上のようにして、導電層１１上にバンプ４を形成することができる。
【００７５】
（４）図５ｂに示すように、配線基板３上に無機絶縁構造体１３を形成し、バンプ付き配線基板１５を作製する。具体的には以下のように行う。
【００７６】
まず、無機絶縁粒子と溶剤とを含む無機絶縁ゾルを準備する。次に、無機絶縁ゾルを絶縁層１０上に塗布する。次に、無機絶縁ゾルを乾燥し、溶剤を蒸発させる。その結果、絶縁層１０の表面及びバンプ４の表面に無機絶縁粒子が残存し、無機絶縁粒子を有する無機絶縁構造体１３を、配線基板３の表面からバンプ４の表面にかけて連続的に形成することができる。
【００７７】
無機絶縁ゾルは、無機絶縁粒子を１％以上５０％以下含み、溶剤を５０％以上９８％以下ことが望ましい。その結果、無機絶縁粒子を１％以上含むことにより、無機絶縁構造体１３の内部構造を緻密にし、且つ厚みを大きく形成することができる。また、溶剤を５０％以上含むことにより、無機絶縁ゾルの流動性を高め、効率良く無機絶縁粒子を充填することができる。
【００７８】
無機絶縁粒子は、球状であることが望ましい。その結果、溶剤を蒸発させる際、無機絶縁粒子同士を緻密に凝集させることができるため、絶縁層１０の上面に無機絶縁粒子を効率良く残存させることができる。
【００７９】
また、無機絶縁粒子の粒子径は、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下に設定されていることが望ましい。無機絶縁粒子の粒子径を３ｎｍ以上に設定することにより、無機絶縁ゾルの粘度を低減し、生産性を向上させることができる。また、無機絶縁粒子の粒子径を５０ｎｍ以下に設定することにより、後述するように、無機絶縁粒子を絶縁層１０に含まれる樹脂の熱分解温度未満の温度にて互いに結合させることができる。
【００８０】
溶剤としては、例えばメタノール、イソプロパノール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル又はジメチルアセトアミド等の有機溶剤を含むものを使用することができる。なかでも、メタノール又はプロピレングリコールモノメチルエーテルを含むものを使用することが望ましい。その結果、無機絶縁ゾルを均一に塗布することができ、且つ溶剤を効率良く蒸発させることができる。
【００８１】
無機絶縁ゾルの塗布は、例えば、ディスペンサー又はスクリーン印刷を用いて行うことができる。ここで、無機絶縁ゾルの塗布は、バンプ４の上面以外に行われることが望ましい。その結果、バンプ４の上面を露出させることができ、バンプ４と電子部品２の電極２ｃとを容易に接続させることができる。なお、所定の場所への塗布は、ディスペンサーを用いる場合には、塗布量を調節することにより、スクリーン印刷を用いる場合には、マスクを用いることにより、行うことができる。また、無機絶縁ゾルをバンプ４の上面に塗布した場合、バンプ４の上面の無機絶縁ゾルを不織布等で拭き取ることにより、バンプ４の上面を露出させることができる。
【００８２】
無機絶縁ゾルの乾燥は、例えば窒素ガス等の不活性ガス中にて行うことができる。ここで、無機絶縁ゾルの乾燥時又は乾燥後に無機絶縁構造体１３を加熱することが望ましい。その結果、無機絶縁粒子同士を結合させることができる。ここで、無機絶縁粒子の粒子径が５０ｎｍ以下に設定されている場合、無機絶縁構造体１３を絶縁層１０に含まれる樹脂の熱分解温度未満に加熱することにより、無機絶縁粒子同士を結合させることができる。これは、無機絶縁粒子の粒子径が５０ｎｍ以下と超微小に設定されているため、無機絶縁粒子の原子、特に表面の原子が活発に運動するため、かかる低温でも無機絶縁粒子同士が結合することに起因すると推測される。このように無機絶縁粒子同士を結合させることにより、加熱に起因した絶縁層１０に含まれる樹脂の損傷を低減しつつ、無機絶縁構造体１３の機械的強度を向上させることができる。
【００８３】
また、低温で無機絶縁粒子同士を結合させることができるため、無機絶縁粒子の結晶化を低減し、アモルファス状態の割合を高めることができる。その結果、無機絶縁粒子は、結晶構造異方性に起因した熱膨張率の異方性を低減することにより、クラックの発生を低減できる。特に、無機絶縁粒子として酸化珪素を使用した場合、無機絶縁粒子の結晶化を効果的に低減することができる。また、かかる加熱が低温で行われるため、無機絶縁粒子と絶縁層１０との熱膨張差に起因した、加熱時に発生する応力が低減され、かかる応力に起因したクラックや剥離を防止できる。
【００８４】
以上のようにして、バンプ付き配線基板１５を作成することができる。
【００８５】
（実装構造体の作製）
（５）図６ａ及び図６ｂに示すように、バンプ付き配線基板１５上に電子部品２を実装する。
【００８６】
まず、図６ａに示すように、バンプ付き配線基板１５上に電子部品２を搭載し、バンプ４と電子部品２の電極２ｃとを当接させる。次に、図６ｂに示すように、バンプ４を加熱して溶融させることにより、バンプ４と電子部品２の電極２ｃとを接着させる。かかる加熱の温度は、例えば上述した（４）における加熱の温度と同様である。その結果、配線基板３上に電子部品２を搭載し、バンプ４と電子部品２の電極２ｃとを電気的に接続させることができる。
【００８７】
ところで、かかる加熱溶融の際、電子部品２及び配線基板３は熱膨張率が異なるため、電子部品２と配線基板３との間に熱応力が発生する。かかる熱応力は電子部品２と配線基板３との間に介されたバンプ４に集中しやすく、なかでも、配線基板３の導電層１１とバンプ４との接続部や電子部品２の電極２ｃとバンプ４との接続部に集中しやすい。
【００８８】
一方、バンプ付き配線基板１５は、上述した如く、無機絶縁構造体１３が配線基板３の表面からバンプ４の表面にかけて連続的に形成されているため、熱応力の集中しやすい配線基板３の導電層１１とバンプ４との接続部における機械的強度を高めることができる。その結果、該接続部におけるクラックの発生を低減することにより、配線基板３の導電層１１とバンプ４との接続信頼性を向上し、電気的信頼性に優れた実装構造体１を歩留り良く向上させることができる。
【００８９】
また、バンプ４を加熱溶融する際に、無機絶縁構造体１３によりバンプ４の形状を保持できるため、バンプ４を、平面方向への幅に対して上下方向により高く形成することができる。その結果、配線を微細化しつつ電子部品２と配線基板３との距離を大きくし、電子部品２と配線基板３との間に生じる熱応力を低減できる。
【００９０】
以上のようにして、バンプ付き配線基板１５上に電子部品２を実装することができる。
【００９１】
（６）電子部品２と配線基板３との間にアンダーフィル１４を形成し、図１に示した実装構造体１を作製する。具体的には以下のように行う。
【００９２】
まず、アンダーフィル１４となるＡ‐ステージの液状樹脂を準備し、該液状樹脂を電子部品２と配線基板３との間に充填する。次に、液状樹脂を加熱して硬化させることにより、電子部品２と配線基板３との間にアンダーフィル１４を形成することができる。なお、かかる加熱の温度は、アンダーフィル１４の硬化開始温度以上熱分解温度未満に設定されていることが望ましい。
【００９３】
ここで、配線基板３にソルダーレジスト層を形成していない場合、電子部品２と配線基板３との間隙を大きくすることができるため、液状樹脂を電子部品２と配線基板３との間に効率良く充填することができる。
【００９４】
以上のようにして、実装構造体１を作製することができる。
【００９５】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る実装構造体及びその作製に用いるバンプ付き電子部品を、図７乃至図９に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
【００９６】
（実装構造体）     
図７に示すように、第２実施形態は第１実施形態と異なり、無機絶縁構造体１３Ａが電子部品２Ａの表面からバンプ４Ａの表面にかけて連続的に形成されていることから、配線基板３と比較して熱応力が集中しやすく微細である電子部品２Ａの電極２ｃＡとバンプ４Ａとの接続部において、機械的強度を高めることができる。その結果、該接続部におけるクラックの発生を低減することができるため、配線基板３Ａの導電層１１Ａとバンプ４Ａとの接続信頼性を向上し、実装構造体１Ａの電気的信頼性を向上させることができる。
【００９７】
ところで、電子部品２Ａの絶縁被膜２ｂＡにおける誘電率の低減を目的として、絶縁被膜ｂ２Ａに例えば多孔質のものを用いた場合、絶縁被膜２Ａの機械的強度が低下しやすい。この場合、電子部品２Ａの電極２ｃＡとバンプ４Ａとの接続部に集中する熱応力が絶縁被膜２ｂＡの電極２ｃＡ形成領域にも印加されることにより、絶縁被膜２ｂＡにクラックが発生して該クラックが母材２ａＡまで伸長し、電子部品２Ａの信頼性が低下することがある。
【００９８】
一方、配線基板３Ａは、上述した如く、無機絶縁構造体１３Ａが配線基板３Ａの表面からバンプ４Ａの表面にかけて連続的に形成されているため、配線基板３Ａの導電層１１Ａとバンプ４Ａとの接続部における熱応力を無機絶縁構造体１３Ａに分散させることができる。その結果、絶縁被膜２ｂＡの電極２ｃＡ形成領域に印加される熱応力を低減し、絶縁被膜２ｂＡにおけるクラックの発生を低減することにより、電子部品２Ａの信頼性を向上させることができる。
【００９９】
また、無機絶縁構造体１３Ａは、絶縁被膜２ｂＡの表面に形成されていることが望ましく、なかでも、図８に示すように電子部品２Ａの下面全面を被覆していることが望ましい。その結果、電子部品２Ａの機械的強度を高め、電子部品２Ａの信頼性を向上させることができる。
【０１００】
（バンプ付き電子部品）
図９に示したバンプ付き電子部品１６Ａは、上述した実装構造体１Ａの作製に用いられる。このバンプ付き電子部品１６Ａは、電子部品２Ａと、電子部品２Ａの電極２ｃＡ上に設けられたバンプ４Ａと、電子部品２Ａの表面からバンプ４Ａの表面にかけて連続的に設けられた無機絶縁構造体１３Ａと、を有する。
【０１０１】
バンプ４Ａは、配線基板３Ａに接続されていない点を除き、上述した実装構造体１Ａに含まれるバンプ４Ａと同様の構成を有する。バンプ４Ａの下面は、露出した曲面を有し、配線基板３Ａに接続される。
【０１０２】
無機絶縁構造体１３Ａは、上述した如く、電子部品２Ａの表面からバンプ４Ａの表面にかけて連続的に設けられている。その結果、上述した電気的信頼性に優れた実装構造体１Ａを作製することができる。さらに、搬送時の機械的応力や実装時の熱応力に起因した電極２ｃＡとバンプ４Ａとの接続部や電子部品２Ａにおけるクラックの発生を低減することができるため、電気的信頼性に優れた実装構造体１Ａを歩留り良く作製することができる。
【０１０３】
ここで、無機絶縁構造体１３Ａは、バンプ４Ａの側面に形成されていることが望ましい。その結果、バンプ４Ａの下面を露出させることができる。
【０１０４】
次に、上述したバンプ電子部品１６Ａを用いた実装構造体１Ａの製造方法を説明する。
【０１０５】
（バンプ付き電子部品の作製）
まず、電子部品２Ａを準備する。次に、第１実施形態の（３）の工程と同様に、電子部品２Ａの電極２ｃＡ上にバンプ４Ａを形成する。次に、第１実施形態の（４）の工程と同様に、電子部品２Ａ上に無機絶縁構造体１３Ａを形成する。以上のようにして、バンプ付き電子部品１６Ａを作製することができる。
【０１０６】
（実装構造体の作製）
まず、第１実施形態の（１）及び（２）の工程と同様に配線基板３Ａを準備する。次に、図１０に示すように、第１実施形態の（５）の工程と同様に、配線基板３Ａ上にバンプ付き電子部品１６Ａを実装する。次に、第１実施形態の（６）の工程と同様に、電子部品２Ａと配線基板３Ａとの間にアンダーフィル１４Ａを形成する。以上のようにして、実装構造体１Ａを作製することができる。
【０１０７】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る実装構造体を、図１１に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態及び第２実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
【０１０８】
図１１に示すように、第３実施形態は第１実施形態及び第２実施形態と異なり、無機絶縁構造体１３Ｂが電子部品２Ｂの表面からバンプ４Ｂの表面を介して配線基板３Ｂにかけて連続的に形成されているため、電子部品２Ｂの電極２ｃＢとバンプ４Ｂとの接続部における機械的強度を高めるとともに、配線基板３Ｂの導電層１１Ｂとバンプ４Ｂとの接続部と、における機械的強度を高めることができる。その結果、バンプ４Ｂの上端及び下端におけるクラックの発生を低減することができるため、電子部品２Ｂと配線基板３Ｂとの電気的な接続信頼性を向上し、実装構造体１Ｂの電気的信頼性を向上させることができる。
【０１０９】
また、無機絶縁構造体１３Ｂは、電子部品２Ｂの下面全面と配線基板３Ｂの上面全面とを被覆していることが望ましい。その結果、電子部品２Ｂの表面及び配線基板３Ｂの表面を保護することができる。
【０１１０】
また、電子部品２Ｂ下面に形成された無機絶縁構造体１３Ｂと、配線基板３Ｂ上面に形成された無機絶縁構造体１３Ｂと、の間には、アンダーフィル１４Ｂが充填されていることが望ましい。その結果、無機絶縁構造体１３Ｂが電子部品２Ｂ及び配線基板３Ｂから剥離することを低減できる。
【０１１１】
次に、上述した実装構造体１Ｂの製造方法を説明する。
【０１１２】
（実装構造体の作製）
まず、第１実施形態の（１）及び（２）の工程と同様に配線基板３Ｂを準備する。次に、図１２ａに示すように、第１実施形態の（５）の工程と同様に、配線基板３Ｂ上に電子部品２Ｂを実装する。次に、図１２ｂに示すように、第１実施形態の（４）の工程と同様に、電子部品２Ｂ、配線基板３Ｂ及びバンプ４Ｂに無機絶縁構造体１３Ｂを形成する。ここで、本実施形態においては、無機絶縁ゾルを塗布する際、無機絶縁ゾルを電子部品２Ｂと配線基板３Ｂとの間に塗布することにより、電子部品２Ｂの表面からバンプ４Ｂの表面を介して配線基板３Ｂにかけて無機絶縁構造体１３Ｂを連続的に形成することができる。次に、第１実施形態の（６）の工程と同様に、電子部品２Ｂと配線基板３Ｂとの間にアンダーフィル１４Ｂを形成する。以上のようにして、実装構造体１Ｂを作製することができる。
【０１１３】
なお、無機絶縁構造体１３Ｂを形成する際、塗布量を調整しつつ無機絶縁ゾルを塗布することにより、電子部品２Ｂ下面に形成された無機絶縁構造体１３Ｂと、配線基板３Ｂ上面に形成された無機絶縁構造体１３Ｂと、の間に空隙を形成することができる。そして、アンダーフィル１４Ｂを形成する際、かかる空隙に液状樹脂を充填することにより、電子部品２Ｂ下面に形成された無機絶縁構造体１３Ｂと、配線基板３Ｂ上面に形成された無機絶縁構造体１３Ｂと、の間には、アンダーフィル１４Ｂを形成することができる。
【０１１４】
（第4実施形態）
次に、本発明の第４実施形態に係る実装構造体を、図１３に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態乃至第３実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
【０１１５】
図１３に示すように、第３実施形態は第１実施形態乃至第３実施形態と異なり、バンプ４Ｃが柱状に形成されている。その結果、電子部品２Ｃの電極２ｃＣとバンプ４Ｃとの接続部や配線基板３Ｃの導電層１１Ｃとバンプ４Ｃとの接続部において、接続面積を増加させるとともにバンプ４Ｃの表面がその内部に向って窪むことを低減できるため、かかる接続部における熱応力の集中を低減できる。その結果、バンプ４Ｃの上端及び下端におけるクラックの発生を低減することができるため、電子部品２Ｃと配線基板３Ｃとの電気的な接続信頼性を向上し、実装構造体１Ｃの電気的信頼性を向上させることができる。
【０１１６】
次に、上述した実装構造体１Ｃの製造方法を説明する。
【０１１７】
（バンプ付き配線基板の作製）
まず、第１実施形態の（１）及び（２）の工程と同様に配線基板３Ｃを準備する。次に、図１４に示すように、第１実施形態の（３）の工程において、柱状のバンプ４Ｃを導電層１１Ｃ上に形成した後、バンプ４Ｃを加熱溶融することなく、配線基板３Ｃ上に無機絶縁構造体１３Ｃを塗布し、バンプ４Ｃ及び無機絶縁構造体１３Ｃを加熱する。その結果、バンプ４Ｃを加熱溶融して導電層１１Ｃとの接着強度を向上させるとともに、無機絶縁構造体１３Ｃの無機絶縁粒子同士を結合させて機械的強度を向上させることができる。そして、かかる無機絶縁構造体１３Ｃにより支持されるため、バンプ４Ｃを加熱溶融したとしても柱状に保持することができる。以上のようにして、バンプ付き配線基板１５Ｃを作製することができる。
【０１１８】
（実装構造体の作製）
第１実施形態と同様に、配線基板３Ｃ上に電子部品２Ｃを実装し、電子部品２Ｃと配線基板３Ｃとの間にアンダーフィル１４Ｃを形成することにより、実装構造体１Ｃを作製することができる。
【０１１９】
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態に係る実装構造体を、図１５ａに基づいて詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態乃至第３実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
【０１２０】
図１５ａに示すように、第３実施形態は第１実施形態乃至第３実施形態と異なり、配線基板３Ｄがその上面に樹脂から成るソルダーレジスト層１７Ｄを有し、無機絶縁構造体１３Ｄは、ソルダーレジスト層１７Ｄの表面からバンプ４Ｄの表面にかけて連続的に設けられている。その結果、既存の製造工程を用いつつ、バンプ部４Ｄと導電層１１Ｄとの接続部における機械的強度を高めることができる。なお、ソルダーレジスト層１７Ｄは、配線基板３Ｄ表面を保護する機能を有し、エポキシ樹脂、シアネート系樹脂、ポリイミド系樹脂又はビスマレイミドトリアジン系樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。
【０１２１】
また、絶縁構造体１３Ｄは、配線基板３Ｄ上面の一部に形成されているとともに、バンプ４Ｄの幅広部より下部に形成されている。
【０１２２】
第５実施形態に係る実装構造体は、第１実施形態に係る製造方法と同様に作製することができる。なお、第１実施形態の（２）の工程にて導電層１１Ｄを形成した後、樹脂を塗布して熱硬化させることによりソルダーレジスト層１７Ｄを形成することができる。また、（４）の工程にて、無機絶縁ゾルの塗布量を調整することにより、絶縁構造体１３Ｄを配線基板３Ｄ上面の一部及びバンプ４Ｄの幅広部より下部に形成することができる。
【０１２３】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
【０１２４】
例えば、上述した実施形態において、電子部品が半導体素子である構成を例に説明したが、電子部品として例えばセラミックスからなる回路モジュール、水晶発信子、コンデンサ又はＣＳＰ(チップスケールパッケージ)等を用いても構わない。
【０１２５】
また、上述した実施形態において、基体が樹脂からなる構成を例に説明したが、基体として、例えば金属板を樹脂で被覆したものやセラミックスからなるものを用いても構わない。
【０１２６】
また、上述した実施形態において、バンプ付き配線基板やバンプ付き電子部品のバンプは無機絶縁構造体から露出した表面が曲面である構成を例に説明したが、バンプとして該露出した表面が平面であるものを用いても構わない。このようなバンプは、例えば、バンプを加熱溶融し、無機絶縁構造体を形成した後、バンプの上面を無機絶縁構造体とともに研磨することにより形成することができる。
【０１２７】
また、図１５ｂに示すように、第２実施形態と第４実施形態とを組み合わせても構わない。
【符号の説明】
【０１２８】
１        実装構造体
２        電子部品
２ａ      母材
２ｂ      絶縁被膜
２ｃ      電極
３        配線基板
４        バンプ
５        コア基板
６        配線層
７        基体
８        スルーホール導体
９        絶縁体
１０      絶縁層
１１      導電層
１２      ビア導体
１３      無機絶縁構造体
１４      アンダーフィル
１５      バンプ付き配線基板
Ｔ        スルーホール
Ｖ        ビア孔   
【図１】
2011023619.tif 000003
【図２】
2011023619.tif 000004
【図３】
2011023619.tif 000005
【図４】
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【図５】
2011023619.tif 000007
【図６】
2011023619.tif 000008
【図７】
2011023619.tif 000009
【図８】
2011023619.tif 000010
【図９】
2011023619.tif 000011
【図１０】
2011023619.tif 000012
【図１１】
2011023619.tif 000013
【図１２】
2011023619.tif 000014
【図１３】
2011023619.tif 000015
【図１４】
2011023619.tif 000016
【図１５】
2011023619.tif 000017