(57)【要約】【課題】転写パターンの劣化を抑制することが可能な表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】表示領域に有機発光素子を備えている。不活性ガス雰囲気中において、有機材料を含む転写層５０を有するドナー基板４０と、被転写基板６０とを重ね合わせる。次いで、ドナー基板４０と被転写基板６０とを重ね合わせた状態で、減圧したのち、ドナー基板４０に輻射線を照射することにより転写層５０を被転写基板６０に転写して、有機発光素子の有機層を構成する層を形成する。不活性ガス雰囲気中において、ドナー基板４０と被転写基板６０とを重ね合わせたのちに減圧することにより、被転写基板６０に転写された転写パターンと被転写基板６０との間に水分や酸素が混入しにくくなる。【選択図】図７
2011023119.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域に有機発光素子を備えた表示装置の製造方法であって、
不活性ガス雰囲気中において、有機材料を含む転写層を有するドナー基板と、被転写基板とを重ね合わせる工程と、
前記ドナー基板と前記被転写基板とを重ね合わせた状態で、減圧したのち、前記ドナー基板に輻射線を照射することにより前記転写層を前記被転写基板に転写し、前記有機発光素子の有機層を構成する層を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記ドナー基板と前記被転写基板とを１００Ｐａよりも高い圧力雰囲気中で重ね合わせる
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記転写層を、１００Ｐａ以下の圧力雰囲気まで減圧したのち、前記被転写基板に転写する
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記ドナー基板として、前記転写層の外側に開口部を有するものを用いる
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記ドナー基板として、光熱変換層を有するものを用いる
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
不活性ガス雰囲気中において、有機材料を含む転写層を有するドナー基板と、被転写基板とを重ね合わせる工程と、
前記ドナー基板と前記被転写基板とを重ね合わせた状態で、減圧したのち、前記ドナー基板に輻射線を照射することにより前記転写層を前記被転写基板に転写し、有機発光素子の有機層を構成する層を形成する工程と
を含む有機発光素子の製造方法。
【請求項７】
不活性ガス雰囲気中において、転写層を有するドナー基板と、被転写基板とを重ね合わせる工程と、
前記ドナー基板と前記被転写基板とを重ね合わせた状態で、減圧したのち、前記ドナー基板に輻射線を照射することにより前記転写層を前記被転写基板に転写し、転写パターンを形成する工程と
を含む転写方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、輻射線照射によりドナー基板から被転写基板へ転写層を熱転写する転写方法、それを用いた有機発光素子の製造方法および有機発光素子を備えた表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子（有機発光素子）を備えた表示装置の製造方法の一つとして、熱転写法を用いて有機層をパターニングする方法が知られている。熱転写法は、例えば発光材料を含む転写層が形成されたドナー基板と、有機発光素子を形成するための被転写基板とを対向配置させ、ドナー基板に輻射線を照射することにより転写層を被転写基板に転写する方法である。従来、熱転写法は、有機層の中でも発光層のパターニングに用いられており、赤色、緑色、青色の三色の有機発光素子を形成するために発光色数と同じく三回の転写が行われている。
【０００３】
このように熱転写法を用いる場合には、被転写基板と転写されたパターン（転写パターン）との間に、酸素や水分などが混入することを防ぐために、通常、転写するための装置（転写装置）内は減圧されている。その減圧環境下において、ドナー基板と被転写基板とを対向配置させてから、その状態のまま、転写層を被転写基板に転写する。被転写基板と転写パターンとの間に酸素等が混入すると、転写パターンが劣化し易くなるからである。転写パターンの劣化が生じると、熱転写法を用いて作製された有機発光素子では、初期の発光効率が低下し、その上、長時間駆動させた場合の発光輝度が低下し易くなる。すなわち、熱転写法を用いて作製された有機発光素子は、初期特性および寿命特性が低いものになりやすい。
【０００４】
ところが、減圧環境下では、転写装置の内部に付着していた水分が気化して水分分圧（水蒸気圧）が上昇し、付着していた水分に溶存していた酸素も気化する。これにより、減圧環境下であっても、ドナー基板および被転写基板の表面にそれらの水分や酸素が付着し、転写パターンの劣化を十分に抑制することは困難であった。
【０００５】
そこで、このような転写パターンの劣化を改善するために、不活性気体の常圧雰囲気下でレーザ熱転写を行う装置が提案されている（特許文献１参照）。具体的には、不活性気体の常圧雰囲気のチャンバ内に、ドナー基板と被転写基板とを対向配置させるためのステージやラミネータなどと、レーザ熱転写するためのレーザ光学部とが配置され、一連の熱転写工程を行うものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−０６６８６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記した特許文献１のように不活性気体の常圧雰囲気下で熱転写を行えば、転写パターンの劣化は抑えられるが、例えば蒸着法により形成されたパターンと比較すると、十分といえるものではない。その上、特許文献１のように不活性気体の常圧雰囲気下において熱転写する場合、転写可能な材料（転写層を構成する材料）が限られるため、有機発光素子の有機層の形成に用いることは難しい。
【０００８】
これらのことから、転写方法として、劣化しにくい転写パターンを形成することができる方法が求められている。すなわち、熱転写を用いた有機発光素子の製造方法として、有機層の劣化を抑制することができる技術が望まれている。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、転写パターンの劣化を抑えることが可能な転写方法、有機発光素子の製造方法および表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の転写方法は、不活性ガス雰囲気中において、転写層を有するドナー基板と被転写基板とを重ね合わせる工程と、ドナー基板と被転写基板とを重ね合わせた状態で、減圧したのち、ドナー基板に輻射線を照射することにより転写層を被転写基板に転写し、転写パターンを形成する工程とを含むものである。また、本発明の有機発光素子の製造方法は、上記した転写方法を用いて有機発光素子の有機層を構成する層を形成するものである。さらに、本発明の表示装置の製造方法は、表示領域に有機発光素子を備えた表示装置の製造方法であって、上記した有機発光素子の製造方法を用いたものである。
【００１１】
本発明の転写方法、有機発光素子の製造方法および表示装置の製造方法では、不活性ガス雰囲気中において、ドナー基板と被転写基板とを重ね合わせたのちに、減圧するようにした。これにより、減圧雰囲気中において、水分分圧（水蒸気圧）が上昇しても、被転写基板の被転写領域（転写層が転写される領域）と転写層の表面とが重なり合ったドナー基板と被転写基板との対向面側（内側）にあることから、酸素や水分が転写層の表面および被転写領域に付着しにくくなる。その結果、減圧したのち、転写層を被転写基板に転写することにより形成される転写パターンは、被転写基板との間に水分や酸素が混入しにくくなる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の転写方法によれば、不活性ガス雰囲気中において、ドナー基板と被転写基板とを重ね合わせたのちに、減圧するようにした。これにより、減圧雰囲気下でドナー基板と被転写基板とを重ね合わせた場合と比較して、転写層および被転写領域の表面に水分や酸素が付着しにくくなるため、形成された転写パターンの劣化を抑えることができる。よって、本発明の有機発光素子の製造方法または表示装置の製造方法によれば、上記した転写方法を用いて有機層を構成する層のうちの少なくとも１層を形成するようにしたので、形成された層の劣化が抑制され、その層を含む有機層の劣化を抑えることができる。その上、減圧雰囲気下で転写層を転写するようにしたので、常圧雰囲気下で転写する場合と比較して、有機層を構成する層をその材料に依存することなく、良好に形成することができる。この場合、特に、上記した転写方法を用いて有機層に含まれる発光層を形成すれば、有機発光素子の初期の発光効率の低下、および長時間駆動させた場合の発光輝度の低下が抑制されるため、初期特性および寿命特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の製造方法によって製造される表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。
【図４】図３に示した有機発光素子の構成を表す断面図である。
【図５】図４に示した有機層の詳細構成を表す断面図である。
【図６】図１〜図５に示した表示装置の製造方法に用いるドナー基板の構成を表す平面図および断面図である。
【図７】図１〜図５に示した表示装置の製造方法における一工程を表す断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す断面図である。
【図９】図７の工程を説明するためのドナー基板の平面図である。
【図１０】図７の工程を説明するための被転写基板の平面図である。
【図１１】図８に続く工程を表す平面図である。
【図１２】図６に示したドナー基板の変形例を表す平面図および断面図である。
【図１３】実験例１−１〜１−１０における転写時の減圧雰囲気と初期の発光効率との関係を表す特性図である。
【図１４】実験例１−３〜１−５，１−８〜１−１０における転写時の減圧雰囲気と輝度維持率との関係を表す特性図である。
【図１５】実験例１−８〜１−１０における駆動時間と輝度維持率との関係を表す特性図である。
【図１６】実験例２−１，２−２における減圧時の圧力分布のシミュレーション結果である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。説明する順序は以下の通りである。
（１）表示装置の構成
（２）表示装置の製造方法
（３）変形例（他のドナー基板の構成例）
【００１５】
まず、図１〜図５を参照して、本発明の一実施の形態に係る表示装置の製造方法によって製造される表示装置の構成について説明する。
【００１６】
［（１）表示装置の構成］
図１は表示装置の構成を模式的に表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスからなる基板１１の上に、複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が設けられたものである。基板１１上の表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
【００１７】
表示領域１１０内には、画素駆動回路１４０が形成されている。図２は画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極１３の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓとを有するアクティブ型の駆動回路である。画素駆動回路１４０では、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１と有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とは直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））などであり、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよい。
【００１８】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００１９】
図３は、表示領域１１０の平面構成の一例を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは短冊形の平面形状を有し、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）１０を構成している。画素１０のピッチは例えば３００μｍである。
【００２０】
図４は図３に示した表示領域１１０における有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの断面構成を詳細に表したものであり、図５は図４に示した有機層１５を拡大して表している。表示領域１１０の画素１０には、基板１１の側から順に、画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１、平坦化絶縁膜１２、および各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ、が設けられている。各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、基板１１の側から順に、陽極としての第１電極１３、電極間絶縁膜１４、発光層１５Ｃを含む有機層１５、および陰極としての第２電極１６を有している。
【００２１】
各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）などの保護層１７により被覆され、更にこの保護層１７上に接着層２０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板３０が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。
【００２２】
駆動トランジスタＴｒ１は、平坦化絶縁膜１２に設けられた接続孔１２Ａを介して第１電極１３に電気的に接続されている。
【００２３】
平坦化絶縁膜１２は、画素駆動回路１４０が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔１２Ａが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化絶縁膜１２の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの無機材料が挙げられる。
【００２４】
第１電極１３は、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物）により構成されている。
【００２５】
電極間絶縁膜１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えばポリイミドなどの感光性樹脂により構成されている。電極間絶縁膜１４には、発光領域に対応して開口部１４Ａが設けられている。なお、有機層１５および第２電極１６は、発光領域だけでなく電極間絶縁膜１４の上にも連続して設けられていてもよいが、発光が生じるのは電極間絶縁膜１４の開口部１４Ａだけである。
【００２６】
有機層１５は、例えば図５に示したように、第１電極１３の側から順に、正孔注入層１５Ａ、正孔輸送層１５Ｂ、発光層１５Ｃおよび電子輸送層１５Ｄを有しているが、これらのうち発光層１５Ｃ以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層１５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層１５Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層１５Ｂは、発光層１５Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１５Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものであり、電荷輸送性を有するホスト材料と、発光性を有するドーパント材料（ゲスト材料）とを含んでいる。電子輸送層１５Ｄは、発光層１５Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。なお、電子輸送層１５Ｄと第２電極１６との間には、例えば厚さが０．３ｎｍ程度のＬｉＦやＬｉ2 Ｏなどを含む電子注入層（図示せず）を設けてもよい。
【００２７】
有機発光素子１０Ｒの正孔注入層１５Ａは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）を含んでいる。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１５Ｂは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）を含んでいる。有機発光素子１０Ｒの発光層１５Ｃは、例えば、厚さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。有機発光素子１０Ｒの発光層１５Ｃは、ホスト材料である９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）（ホスト材料）に、ドーパント材料である２，６≡ビス［４´≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１５Ｄは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）により構成されている。
【００２８】
有機発光素子１０Ｇの正孔注入層１５Ａ、正孔輸送層１５Ｂおよび電子輸送層１５Ｄは、例えば、それぞれ、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、有機発光素子１０Ｒの正孔注入層１５Ａ、正孔輸送層１５Ｂおよび電子輸送層１５Ｄと同様の材料を含んでいる。有機発光素子１０Ｇの発光層１５Ｃは、例えば、厚さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ホスト材料であるＡＤＮに、ドーパント材料であるクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５体積％混合したものにより構成されている。
【００２９】
有機発光素子１０Ｂの正孔注入層１５Ａ、正孔輸送層１５Ｂおよび電子輸送層１５Ｄは、例えば、それぞれ、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、有機発光素子１０Ｒの正孔注入層１５Ａ、正孔輸送層１５Ｂおよび電子輸送層１５Ｄと同様の材料を含んでいる。有機発光素子１０Ｂの発光層１５Ｃは、例えば、厚さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ホスト材料であるＡＤＮに、ドーパント材料である４，４´≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
【００３０】
第２電極１６は、例えば、厚さが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、あるいはナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。
【００３１】
保護層１７は、有機層１５に水分などが侵入することを防止するためのものであり、透過水性および吸水性の低い材料により構成されると共に十分な厚さを有している。また、保護層１７は、発光層１５Ｃで発生した光に対する透過性が高く、例えば８０％以上の透過率を有する材料により構成されている。このような保護層１７は、例えば、厚さが２μｍないし３μｍ程度であり、無機アモルファス性の絶縁性材料により構成されている。具体的には、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-x Ｎx （０＜ｘ＜１））およびアモルファスカーボン（α−Ｃ）が好ましい。これらの無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないので透水性が低く、良好な保護層１７となる。また、保護層１７は、ＩＴＯのような透明導電材料により構成されていてもよい。
【００３２】
接着層２０は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂により構成されている。
【００３３】
封止用基板３０は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１６の側に位置しており、接着層２０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものであり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板３０には、例えば、カラーフィルタ３１が設けられており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂならびにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。
【００３４】
カラーフィルタ３１は、封止用基板３０のどちら側の面に設けられてもよいが、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの側に設けられることが好ましい。カラーフィルタ３１が表面に露出せず、接着層２０により保護することができるからである。また、発光層１５Ｃとカラーフィルタ３１との間の距離が狭くなることにより、発光層１５Ｃから出射した光が隣接する他の色のカラーフィルタ３１に入射して混色を生じることを避けることができるからである。カラーフィルタ３１は、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタ（いずれも図示せず）を有しており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。
【００３５】
赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤、緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。
【００３６】
この表示装置では、各画素１０に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６、カラーフィルタ３１および封止用基板３０を透過して取り出される。
【００３７】
［（２）表示装置の製造方法］
次に、図６〜図１１を参照して、本実施の形態に係る表示装置の製造方法について説明する。本発明の転写方法および有機発光素子の製造方法は、以下に説明する表示装置の製造方法によって具現化されるので、以下、併せて説明する。
【００３８】
本実施の形態の表示装置の製造方法は、有機層１５の発光層１５Ｃを熱転写法を用いて形成するものであり、被転写基板およびドナー基板を準備する前工程と、被転写基板およびドナー基板を用いて発光層１５Ｃを形成する転写工程と、発光層１５Ｃの上に電子輸送層１５Ｄ等を形成したのち有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止する後工程とを含んでいる。
【００３９】
（前工程）
前工程は、被転写基板として有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの一部を作製する被転写基板準備工程と、転写層５０を有するドナー基板４０を作製するドナー基板準備工程とを含んでいる。
【００４０】
（被転写基板準備工程）
まず、例えばガラスからなる基板１１を用意し、基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成したのち、全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化絶縁膜１２を形成し、露光および現像により平坦化絶縁膜１２を所定の形状にパターニングすると共に接続孔１２Ａを形成し、焼成する。
【００４１】
次いで、例えばスパッタ法により、第１電極１３を形成し、例えばドライエッチングにより所定の形状に成形する。なお、基板１１の所定の位置には、後述する転写工程においてドナー基板４０との位置合わせに使用するアライメントマークが形成されている。
【００４２】
続いて、基板１１の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により発光領域に対応して開口部１４Ａを設け、焼成することにより、電極間絶縁膜１４を形成する。
【００４３】
そののち、例えば蒸着法により、第１電極１３上に正孔注入層１５Ａおよび正孔輸送層１５Ｂを順次成膜する。これにより、被転写基板６０が作製される。
【００４４】
（ドナー基板準備工程）
また、ドナー基板４０を作製する。図６はドナー基板４０の構成を表したものであり、図６（Ａ）はドナー基板の平面構成を表し、図６（Ｂ）は図６（Ａ）中のＶＩ（Ｂ）−ＶＩ（Ｂ）線に沿った断面構成を表したものである。ドナー基板４０は、例えば、共通基板４１上に、吸収層４２、光熱変換層４３、保護層４４および転写層５０を順に積層した積層構造を有している。
【００４５】
共通基板４１は、被転写基板６０との位置合わせが可能な堅固さを有すると共に、レーザ光に対する透過性の高い材料、例えばガラスにより構成されている。
【００４６】
吸収層４２は、光熱変換層４３によるレーザ光の吸収効率を高めるためのものであり、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）により構成されている。吸収層４２の厚さは、光熱変換層４３の構成材料に応じて反射率を最も低くするように設定することが望ましく、例えば光熱変換層４３がモリブデン（Ｍｏ）により構成されている場合、３４ｎｍないし３５ｎｍ程度であることが好ましい。なお、吸収層４２は必ずしも設けなくてもよい。
【００４７】
光熱変換層４３は、例えばモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）あるいはこれらを含む合金など吸収率の高い金属材料により構成されている。光熱変換層４３の厚さは、光が透過しない程度であることが望ましく、例えば１００ｎｍである。光熱変換層４３は、基板１１の表示領域１１０に発光層１５Ｃを形成するためのものであり、例えば基板１１の表示領域１１０に対応する領域４１Ａに形成されている。
【００４８】
保護層４４は、光熱変換層４３の酸化や変質を防止し、発光層１５Ｃの特性を高めるためのものであり、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮx ），二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）またはＩＴＯにより構成されている。保護層４４の厚さは、光熱変換層４３を良好に保護することができる程度であることが好ましく、例えば１００ｎｍ程度である。なお、保護層４４は必ずしも設けなくてもよい。
【００４９】
転写層５０は、後述する転写工程において被転写基板６０に転写されるものであり、転写パターンの材料を含んでいる。なお、転写層５０は、光熱変換層４３上に、光熱変換層４３が形成された領域４１Ａに対応するように設けられているが、被転写基板６０の被転写領域（正孔輸送層１５Ｂが形成された領域）に対応する領域を含むように設けられていればよい。
【００５０】
このドナー基板４０は、例えば、次のようにして作製される。
【００５１】
まず、共通基板４１上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）法により、アモルファスシリコン膜を形成する。次いで、アモルファスシリコン膜上に、例えばスパッタリング法により、例えばモリブデン膜を形成する。続いて、例えばリソグラフィ技術によりアモルファスシリコン膜およびモリブデン膜を選択的に除去し、領域４１Ａに吸収層４２および光熱変換層４３を形成すると共に、光熱変換層４３上に、例えばＣＶＤ法により、保護層４４を一様に形成する。
【００５２】
次に、発光色数と同じく三枚のドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを作製する。ドナー基板４０Ｒを作製する場合には、例えば真空蒸着により、光熱変換層４３上に、有機発光素子１０Ｒの発光層１５Ｃの材料を含む転写層５０Ｒを形成する。これにより、ドナー基板４０Ｒが作製される。また、同様にして、有機発光素子１０Ｇの発光層１５Ｃの材料を含む転写層５０Ｇを有するドナー基板４０Ｇ、有機発光素子１０Ｂの発光層１５Ｃの材料を含む転写層５０Ｂを有するドナー基板４０Ｂを作製する。
【００５３】
（転写工程）
次に、前工程で作製した被転写基板６０とドナー基板４０とを用いて転写を行う。
【００５４】
具体的には、まず、不活性ガス雰囲気中において、図７に示したように、転写層５０Ｒを被転写基板６０の被転写領域となる正孔輸送層１５Ｂに対向させて位置合わせすることにより、ドナー基板４０Ｒと被転写基板６０とを重ね合わせる。不活性ガス雰囲気中でドナー基板４０Ｒと被転写基板６０とを重ね合わせるのは、大気中でそれらを重ね合わせた場合よりも、転写層５０Ｒの表面と正孔輸送層１５Ｂの表面とに有機層１５の劣化の要因となる、酸素や水分の付着が抑制されるからである。ここで用いる不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスやアルゴンなどが挙げられる。不活性ガス雰囲気のガス圧は、例えば、１００Ｐａよりも高く大気圧程度以下である。この範囲内であれば、不活性ガス雰囲気中に混入している酸素や水蒸気の分圧が低く抑えられ、形成された有機層１５の劣化が十分に抑えられるため、高い初期特性が得られるからである。中でも、不活性ガス雰囲気のガス圧は、上記の範囲内でも低いほうが好ましい。こののちに減圧する際にかかる時間が短縮されるため、製造にかかる時間が短縮されるからである。重ね合わせたドナー基板４０Ｒと被転写基板６０とは、密着していてもよいが、転写層５０Ｒと正孔輸送層１５Ｂとが所定の間隔を有するようになっているほうが好ましい。発光層１５Ｃが良好に形成されるからである。
【００５５】
次に、ドナー基板４０Ｒと被転写基板６０とを重ね合わせた状態で減圧する。これにより、減圧雰囲気中において、水分分圧（水蒸気圧）が上昇しても、正孔輸送層１５Ｂおよび転写層５０Ｒの表面が重なり合ったドナー基板４０Ｒと被転写基板６０との対向面側（内側）にあることから、酸素や水分が転写層５０Ｒの表面および正孔輸送層１５Ｂの表面に付着しにくくなる。ここでのガス圧は１００Ｐａ以下であることが好ましい。こののちに転写し易くなるからである。
【００５６】
次に、ドナー基板４０Ｒの共通基板４１側から波長８００ｎｍ〜１１００ｎｍのレーザ光を照射する。レーザ光は光熱変換層４３に吸収され、その熱により、図８ないし図１０に示したように、転写層５０Ｒが、例えば１００μｍの刈幅Ｄで、正孔輸送層１５Ｂの上に選択的に転写され、転写パターンとして有機発光素子１０Ｒの発光層１５Ｃが形成される。
【００５７】
同様にして、図１１に示したように、有機発光素子１０Ｇの発光層１５Ｃが形成されると共に、有機発光素子１０Ｂの発光層１５Ｃが形成される。
【００５８】
（後工程）
このように有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光層１５Ｃを形成したのち、例えば蒸着法により、電子輸送層１５Ｄ，電子注入層（図示せず）および第２電極１６を形成する。このようにして、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが作製される。
【００５９】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、これらの上に保護層１７を形成する。保護層１７の形成方法は、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法またはＣＶＤ法が好ましい。また、保護層１７は、第２電極１６を大気に暴露することなく、第２電極１６の形成と連続して行うことが望ましい。大気中の水分や酸素による有機層１５の劣化が抑制されるからである。更に、有機層１５の劣化による輝度の低下を防止するため、保護層１７の成膜温度は常温に設定すると共に、保護層１７の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。
【００６０】
次に、例えば、封止用基板３０の上に、赤色フィルタの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタを形成する。続いて、赤色フィルタと同様にして、青色フィルタおよび緑色フィルタを順次形成する。
【００６１】
そののち、保護層１７の上に、接着層２０を形成し、この接着層２０を間にして封止用基板３０を貼り合わせる。その際、封止用基板３０のカラーフィルタ３１を形成した面を、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ側にして配置することが好ましい。以上により、図１〜図５に示した表示装置が完成する。
【００６２】
このように本実施の形態では、不活性ガス雰囲気中において、発光層１５Ｃの材料を含む転写層５０を有するドナー基板４０と被転写基板６０とを重ね合わせたのちに減圧し、その状態でドナー基板４０にレーザ光を照射することにより転写層５０を被転写基板６０の正孔輸送層１５Ｂ上に転写して発光層１５Ｃを形成するようにした。
【００６３】
従来の転写方法では、転写パターンの劣化を抑制するために、減圧雰囲気中において、ドナー基板と被転写基板とを重ね合わせたのち、ドナー基板の転写層を被転写基板へ熱転写している。ところが、減圧雰囲気中において水分分圧（水蒸気圧）が上昇し、その水分に溶存していた酸素も気化することにより、転写層の表面および被転写基板の表面にそれらの水分や酸素が付着する。付着した水分や酸素は、雰囲気圧を真空に近い状態まで減圧すれば、ある程度取り除かれるが、形成された転写パターンは劣化しやすく、その上、その雰囲気状態まで減圧するための時間がかかる。
【００６４】
また、他の従来の転写方法では、常圧の不活性ガス雰囲気下でドナー基板と被転写基板とを重ね合わせ、その状態で熱転写している。このため、転写層を構成する材料が低分子のものに限られるため、有機発光素子やそれを備えた表示装置の製造に適用することが難しい。
【００６５】
これに対して本実施の形態では、不活性ガス雰囲気中において、発光層１５Ｃの材料を含む転写層５０を有するドナー基板４０と被転写基板６０とを重ね合わせたのちに減圧するようにした。これにより、減圧雰囲気中において、水蒸気圧が上昇しても、被転写領域である正孔輸送層１５Ｂの表面と転写層５０の表面とが、重なり合ったドナー基板４０と被転写基板６０との対向面側（内側）にあることから、酸素や水分が転写層５０の表面および正孔輸送層１５Ｂの表面に付着しにくくなる。その結果、形成された発光層１５Ｃ（転写パターン）は、正孔輸送層１５Ｂとの間に水分や酸素が混入しにくくなるため、発光層１５Ｃの劣化を抑制でき、よって有機層１５の劣化を抑制することができる。その上、減圧雰囲気下で転写層５０を転写するようにしたので、常圧雰囲気下で転写する場合と比較して、発光層１５Ｃの材料に依存することなく、良好に形成することができる。
【００６６】
特に、本実施の形態では、上記した転写方法を用いて発光層１５Ｃを形成するようにしたので、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの初期の発光効率の低下、および長時間駆動させた場合の発光輝度の低下が抑制されるため、初期特性および寿命特性を向上させることができる。
【００６７】
なお、本実施の形態では、転写工程でレーザ光を照射する場合について説明したが、例えばランプなど他の輻射線を照射するようにしてもよい。
【００６８】
また、本実施の形態では、発光色数と同じく三回の転写を行う場合について説明したが、赤色および緑色の発光層１５Ｃのみを熱転写法により形成したのち、青色共通層を蒸着法により全面成膜するようにしてもよい。このとき、有機発光素子１０Ｒでは、赤色発光材料を含む発光層１５Ｃと、青色発光材料を含む青色共通層とが形成されているが、最もエネルギー準位の低い赤色にエネルギー移動が起こり、赤色発光が支配的となる。有機発光素子１０Ｇでは、緑色発光材料を含む発光層１５Ｃと、青色発光材料を含む青色共通層とが形成されているが、よりエネルギー準位の低い緑色にエネルギー移動が起こり、緑色発光が支配的となる。有機発光素子１０Ｂでは、青色共通層のみを有するので、青色発光が生じる。
【００６９】
また、本実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光層１５Ｃをそれぞれ１回の転写を行い形成する場合について説明したが、複数回に分けて転写してもよい。すなわち、各発光層１５Ｃを複数層となるように形成してもよい。これにより、形成される発光層１５Ｃ全体として、発光層１５Ｃの構成材料であるホスト材料とゲスト材料との分布むらを抑えることができるため、発光特性をより向上させることができる。
【００７０】
［（３）変形例（他のドナー基板の構成例）］
上記した実施の形態では、図６に示したドナー基板４０を用いた場合について説明したが、ドナー基板は、それに限られるものではない。例えば、図１に示した表示装置を複数同時に製造する場合には、図１２に示したように、転写層５０の外側に開口部７０Ａを有するドナー基板７０が好ましい。ドナー基板７０と被転写基板６０とを重ね合わせたのちに減圧する際に、ドナー基板７０と被転写基板６０との間のガス圧を速やかに減圧できるため、製造工程にかかる時間を短縮できるからである。なお、図１２（Ａ）はドナー基板７０の平面構成を表し、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）中のＸＩＩ（Ｂ）−ＸＩＩ（Ｂ）線に沿った断面構成を表したものである。
【００７１】
ドナー基板７０では、例えば、共通基板７１上に複数の吸収層７２がマトリクス状に形成されており、各吸収層７２の上に、光熱変換層７３、保護層７４および転写層５０を順に積層した積層構造を有している。各光熱変換層７３は、製造する表示装置の表示領域に対応する領域７１Ａに形成されている。また、ドナー基板７０は、この転写層５０の外側に複数の開口部７０Ａを有している。共通基板７１、吸収層７２、光熱変換層７３および保護層７４の材質および厚さは、それぞれ共通基板４１、吸収層４２、光熱変換層４３および保護層４４の材質および厚さと同様である。転写層５０の構成は、上記した転写層５０と同様である。
【００７２】
なお、図１２に示したドナー基板７０では、複数の開口部７０Ａを有する場合を示しているが、それに限られず、転写層５０の外側に設けられていれば、開口部７０Ａの数および配置は任意に設定できる。また、図１２に示したドナー基板７０では、６つの表示装置を同時に製造する場合に用いるためのものを示したが、これに限られるものではない。
【実施例】
【００７３】
本発明の具体的な実施例について、詳細に説明する。
【００７４】
（実験例１−１〜１−５）
以下の手順により、図５に示した有機層１５を備えた有機発光素子のテストセルを作製した。
【００７５】
まず、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍのガラス基板上に、スパッタ法により、ＩＴＯ膜（厚さ１０ｎｍ）を形成したのち、ドライエッチングにより２ｍｍ×２ｍｍの正方形になるように成形し、それを第１電極とした。続いて、ガラス基板の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により発光領域に対応して開口部（２ｍｍ×２ｍｍ）を設け、焼成することにより、電極間絶縁膜を形成した。そののち、蒸着法により、第１電極上にｍ−ＭＴＤＡＴＡからなる正孔注入層１５Ａ（厚さ８ｎｍ）およびα−ＮＰＤからなる正孔輸送層１５Ｂ（厚さ２４ｎｍ）を順次成膜し、これを被転写基板とした。
【００７６】
次に、図６に示したドナー基板４０を作製した。この場合、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍのガラスよりなる共通基板４１上に、ＣＶＤ法により、アモルファスシリコン膜（厚さ３５ｎｍ）を形成した。次いで、アモルファスシリコン膜上に、スパッタリング法により、モリブデン膜（厚さ１４０ｎｍ）を形成した。続いて、フォトリソグラフィ法によりアモルファスシリコン膜およびモリブデン膜を選択的に除去し、吸収層４２および光熱変換層４３を形成すると共に、光熱変換層４３上に、ＣＶＤ法により、窒化シリコンからなる保護層４４（厚さ１００ｎｍ）を一様に形成した。次に、真空蒸着により、光熱変換層４３上に、赤色の発光層１５Ｃの材料として、ホスト材料であるＡＤＮに、ドーパント材料であるＢＳＮを３０重量％混合したものを含む転写層５０（厚さ４８ｎｍ）を形成した。
【００７７】
次に、アルゴンガス雰囲気中において、転写層５０を被転写基板の被転写領域となる正孔輸送層１５Ｂの表面と対向させて位置合わせし、ドナー基板４０と被転写基板とを重ね合わせた。この際、アルゴンガスのガス圧は、大気圧（約１０１３２５Ｐａ）にした。次に、ドナー基板４０と被転写基板とを重ね合わせた状態で、表１に示した気圧（転写時の雰囲気圧）まで減圧した。次に、この減圧雰囲気中において、ドナー基板４０の共通基板４１側からレーザ光（８０８ｎｍ）を照射することにより、転写層５０が正孔輸送層の上に選択的に転写されて発光層１５Ｃが形成された。
【００７８】
続いて、蒸着法により、Ａｌｑ3 からなる電子輸送層１５Ｄ（厚さ２０ｎｍ）、ＬｉＦからなる電子注入層（厚さ０．３ｎｍ）およびＭｇＡｇ合金からなる第２電極（厚さ１０ｎｍ）を形成した。これにより有機層１５を備えた有機発光素子が作製された。
【００７９】
続いて、蒸着法により、アモルファスシリコンからなる保護層（厚さ１０００ｎｍ）を形成した。最後に、保護層の上に、紫外線硬化樹脂からなる接着層を形成し、この接着層を間にしてガラスからなる封止用基板を貼り合わせたのち、紫外線を照射し、接着層を硬化させた。これにより、図５に示した有機層１５を備えた有機発光素子のテストセルが完成した。
【００８０】
（実験例１−６〜１−１０）
表１に示した気圧（ドナー基板と被転写基板との重ね合わせ時の雰囲気圧）まで減圧したのち、ドナー基板４０と被転写基板とを重ね合わせたことを除き、実験例１−１〜１−５と同様の手順を経た。
【００８１】
これらの実験例１−１〜１−１０のテストセルについて初期特性を調べると共に、実験例１−３〜１−５，１−８〜１−１０のテストセルについて寿命特性を調べたところ、表１，図１３および図１４に示した結果が得られた。
【００８２】
初期特性を調べる場合には、第１電極と第２電極との間に１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を印加し、初期の発光効率（ｃｄ／Ａ）を求めた。なお、図１３は実験例１−１〜１−５および実験例１−６〜１−１０の転写時における減圧雰囲気の気圧と初期の発光効率との関係を表したものである。
【００８３】
寿命特性を調べる場合には、まず、初期特性を調べる場合と同様に、初期の発光効率を得た。続いて、第１電極と第２電極との間に６５ｍＡ／ｃｍ2 の電流を４８時間印加し、４８時間後の発光効率を得た。最後に、輝度維持率＝（４８時間後の発光効率／初期の発光効率）を求めた。なお、図１４は転写時における減圧雰囲気の気圧と輝度維持率との関係を表したものである。また、実験例１−３〜１−５，１−８〜１−１０を代表して実験例１−８〜１−１０の駆動時間に対する輝度維持率の変化を図１５に示す。
【００８４】
【表１】
2011023119.tif 000003
【００８５】
表１および図１３に示したように、ドナー基板４０と被転写基板とを重ね合わせたあとに減圧した実験例１−１〜１−５において、それらを重ね合わせる前に減圧した実験例１−６〜１−１０よりも初期の発光効率が高くなった。また、表１および図１４，図１５に示したように、実験例１−３〜１−５では、実験例１−８〜１−１０よりも輝度維持率が高くなった。
【００８６】
なお、ここでは、実験例１−１，１−２，１−６，１−７の輝度維持率について示していないが、実験例１−３〜１−５と実験例１−８〜１−１０との関係と同様に、ドナー基板４０と被転写基板とを重ね合わせたあとに減圧したものにおいて、それらを重ね合わせる前に減圧したものと比較して、輝度維持率は高かった。
【００８７】
これらの結果は、以下のことを表している。ドナー基板４０と被転写基板とを重ね合わせたのちに減圧することにより、水蒸気圧が上昇しても、被転写領域である正孔輸送層１５Ｂの表面と転写層５０の表面とが、重なり合ったドナー基板４０および被転写基板の内側にあるため、酸素や水分が転写層５０の表面および正孔輸送層１５Ｂの表面に付着しにくくなる。よって、有機層１５では、発光層１５Ｃと正孔輸送層１５Ｂとの間に水分や酸素が混入しにくくなるため、駆動電圧が低く抑えられ、初期の発光効率が向上し、その上、長時間駆動しても初期の発光効率が良好に維持される。
【００８８】
また、１００Ｐａまで減圧したのちドナー基板４０と被転写基板とを重ね合わせた実験例１−６では、それらを重ね合わせたあとに１００Ｐａまで減圧した実験例１−１よりも初期の発光効率が低くなったが、６ｃｄ／Ａ程度となった。すなわち、１００Ｐａよりも高いガス圧雰囲気下でドナー基板４０と被転写基板とを重ね合わせれば、初期の発光効率が確保されることが示唆された。さらに、実験例１−１〜１−５の結果から、ドナー基板４０と被転写基板とを重ね合わせたのちに減圧する場合のガス圧は１００Ｐａ以下であれば、良好な輝度維持率が得られることがわかった。
【００８９】
これらのことから、本実験例では、ドナー基板４０と被転写基板とを重ね合わせたあとに減圧し、その状態のまま転写層５０を被転写基板に転写することにより、転写パターンである発光層１５Ｃの劣化が抑えられるため、有機層１５の劣化を抑えることができることが確認された。すなわち、この転写方法を用いて有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂおよびそれらを備えた表示装置を製造することにより、有機層１５の劣化が抑えられ、その結果、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの初期の発光効率の低下、および長時間駆動させた場合の発光輝度の低下が抑制される。よって、初期特性および寿命特性を向上させることもできる。
【００９０】
（実験例２−１）
図１２に示したドナー基板７０を用いて、ドナー基板７０と被転写基板と重ね合わせたあとに減圧した場合において、ドナー基板７０および被転写基板の間のガス圧の分布をシミュレーションした。この場合には、ドナー基板７０および被転写基板の大きさを縦１５００ｍｍ×横１８００ｍｍとし、各開口部７０Ａの大きさを直径１０ｍｍとし、ドナー基板７０と被転写基板との間隔を１ｍｍとした。
【００９１】
（実験例２−２）
ドナー基板７０に代えて、開口部７０Ａが設けられていないドナー基板を用いたことを除き、実験例２−１と同様の設定とした。
【００９２】
これらの実験例２−１，２−２の重ね合わせたドナー基板および被転写基板について、４０時間減圧した場合の、ドナー基板と被転写基板との間のガス圧分布シミュレーション結果を図１６に示した。なお、図１６（Ａ）は実験例２−１のシミュレーション結果、図１６（Ｂ）は実験例２−２のシミュレーション結果を表している。
【００９３】
図１６に示したように、転写層５０の外側に開口部を有するドナー基板７０を用いた実験例２−１では、それを用いなかった実験例２−２よりも、４０時間後のドナー基板と被転写基板との間のガス圧が低くなることがわかった。
【００９４】
このことから、本実験例では、転写層を転写する際に用いるドナー基板として、転写層の外側に開口部を有するものを用いることにより、転写時に目標とする減圧雰囲気に早く達成することができることがわかった。このため、製造時間を短縮できることが示唆された。
【００９５】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、有機発光素子に含まれる有機層のうちの発光層を形成する際に、上記した転写方法を用いる場合について説明したが、発光層以外の他の有機層（正孔注入層、正孔輸送層または電子輸送層など）においても、上記した転写方法を適用することができる。この場合においても有機層の劣化を抑えることができる。
【００９６】
また、実施の形態等において説明した各層の材料および厚さ、または成膜方法、成膜条件およびレーザ光の照射条件などは、上記したものに限定されるものではなく、他の材料および厚さとしてもよく、または他の成膜方法、成膜条件および照射条件としてもよい。例えば、第１電極は、ＩＴＯのほか、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物）により構成されていてもよい。また、第１電極は、反射電極により構成してもよい。その場合、第１電極は、例えば、厚さが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。例えば、第１電極を構成する材料としては、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体またはそれらのうちの少なくとも１種を含む合金が挙げられる。さらに、第１電極は、例えば誘電体多層膜を有するようにしてもよい。
【００９７】
また、上記実施の形態等において説明した有機発光素子およびそれを備えた表示装置では、基板の上に、第１電極、有機層および第２電極を順に積層し、封止用基板側から光を取り出すようにしたが、これに限られるものではない。例えば、積層順序を逆にして、基板の上に、第２電極、有機層および第１電極を順に積層し、基板の側から光を取り出すようにしてもよい。
【００９８】
また、上記実施の形態等では、第１電極を陽極、第２電極を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極を陰極、第２電極を陽極としてもよい。さらに、第１電極を陰極、第２電極を陽極とすると共に、基板の上に、第２電極、有機層および第１電極を順に積層し、基板の側から光を取り出すようにすることもできる。
【００９９】
また、上記実施の形態等では、赤色、緑色および青色の有機発光素子それぞれの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、第１電極と有機層との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2 Ｏ3 ）やＩＴＯなどからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。
【０１００】
さらに、上記実施の形態等では、第２電極が半透過性電極により構成され、発光層で発生した光を第２電極の側から取り出す場合について説明したが、発生した光を第１電極の側から取り出すようにしてもよい。この場合、第２電極はできるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。
【０１０１】
さらにまた、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態等で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、信号線駆動回路や走査線駆動回路のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【符号の説明】
【０１０２】
１０…画素、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…基板、１２…平坦化絶縁膜、１３…第１電極、１４…電極間絶縁膜、１４Ａ，７０Ａ…開口部、１５…有機層、１５Ａ…正孔注入層、１５Ｂ…正孔輸送層、１５Ｃ…発光層、１５Ｄ…電子輸送層、１６…第２電極、１７，４４，７４…保護層、２０…接着層、３０…封止用基板、３１…カラーフィルタ、４０（４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ），７０…ドナー基板、４１，７１…共通基板、４１Ａ，７１Ａ…領域、４２，７２…吸収層、４３，７３…光熱変換層、５０（５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ）…転写層、６０…被転写基板。
【図１】
2011023119.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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