【事件の表示】
　特願２０１２−１４１３５８「多軸磁気センサ、および、その製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　１月１６日出願公開、特開２０１４−　　６１２７、請求項の数（１５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成２４年６月２２日の出願であって、平成２８年２月２３日付けで拒絶理由が通知され、平成２８年４月２８日付けで手続補正がなされたが、平成２８年９月５日付けで、拒絶査定（以下、「原査定」という）がなされ、これに対し、平成２８年１２月１２日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に手続補正がなされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（平成２８年９月５日付け拒絶査定）の概要は次の通りである。
　この出願の請求項１−１５に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、引用文献１−７に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１.国際公開第２０１１／０６８１４６号
２.特開平９−２３１５１７号公報
３.特開２００５−２３６１３４号公報
４.特開２０１１−７８０１号公報
５.特開２００６−２６７１２０号公報
６.特表２０１１−５０１１５３号公報
７.特開２００６−６４５３０号公報
第３　本願発明
　本願の請求項１−１５に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明１５」という。）は、特許請求の範囲の請求項１−１５に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１は以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　３軸の磁場を検出することが可能な多軸磁気センサであって、
　磁化が第一の方向に固定されたピンド層と、前記磁化の向きを前記第一の方向とは異なる第二の方向へ変えることが可能なフリー層とを有する複数の磁気抵抗効果素子と、
　前記複数の磁気抵抗効果素子の少なくとも１つが配置された位置を空間的に覆う所定の領域内に配設された磁気収束手段と
を具え、
　前記複数の磁気抵抗効果素子は、前記磁気収束手段の下において、平面視で該磁気収束手段の領域内に配置され、
　各磁気抵抗効果素子における前記ピンド層の磁化の向きは、前記第一の方向に固定される
　ことを特徴とする多軸磁気センサ。」
第４　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。以下同様。）。
ａ　「［００２６］
  図１は本実施形態におけるＺ軸磁気センサの平面図、図２は、図１に示すＺ軸磁気センサから軟磁性体及び第２の軟磁性体を除去した平面図、図３は図１に示すＡ−Ａ線から高さ方向に切断し矢印方向から見たＺ軸磁気センサの部分拡大縦断面図、図４は本実施形態におけるＺ軸磁気センサの回路図、図５は、本実施形態における磁気抵抗効果素子の部分縦断面図、図６は、
Ｚ軸磁気センサ、Ｘ軸磁気センサ、Ｙ軸磁気センサを備える地磁気センサ
ｂ　「［００２９］
  
Ｚ軸磁気センサ１は、
磁気抵抗効果素子Ｓと、第１の軟磁性体３とを有して構成される。
ｃ　「［００３１］
  図５に示すように、
磁気抵抗効果素子Ｓ
は、
固定磁性層３４、
フリー磁性層３６の順に積層されて成膜され、
ｄ　「［００３３］
  磁気抵抗効果素子Ｓでは、反強磁性層３３と固定磁性層３４との反強磁性結合により、固定磁性層３４の磁化方向（Ｐ方向）が固定されている。本実施形態は後述するように磁気抵抗効果素子Ｓが前後方向（Ｙ１−Ｙ２）に延出した形状であり、図５に示すように、
固定磁性層３４の固定磁化方向（Ｐ方向）が、
右方向（Ｘ１）に向いている。
フリー磁性層３６の磁化方向は、外部磁界により変動する。フリー磁性層３６は形状磁気異方性により、無磁場成分状態
では、前後方向（Ｙ１−Ｙ２）に向けられている。
ｅ　「［００４４］
  図３に示すように、各
第１の軟磁性体３は水平面に平行な上面３ａと下面３ｂと、上面３ａ及び下面３ｂ間を繋ぎ垂直面である側面３ｃ，３ｃとを有して構成される。
磁気抵抗効果素子Ｓ１は、第１の軟磁性体３の下面３ｂの
近傍に配置されている。
［００４５］
  図１，図３に示すように、各磁気抵抗効果素子Ｓと第１の軟磁性体３との間には左右方向（Ｘ１−Ｘ２）に間隔Ｔ３が設けられる（図３参照）。なお、
多少、磁気抵抗効果素子Ｓと第１の軟磁性体３とが平面視にてオーバーラップしていてもよい
ｆ　「［００６５］
  
図１０（ａ）は、Ｙ軸磁気センサ５０の平面図、図１０（ｂ）は、Ｙ軸磁気センサ５０をＢ−Ｂ線から高さ方向に切断し矢印方向から見た部分縦断面図を示す。
ｇ　「［００７０］
  
図１０に示すように、磁気抵抗効果素子Ｓを構成する各素子連設体６１の間、及び最も外側に位置する素子連設体６１の外側に軟磁性体１８が設けられている。
［００７１］
  図１０（ｂ）に示すように、軟磁性体１８の前後方向（Ｙ１−Ｙ２）への幅寸法Ｔ７は、３〜１０μｍ程度で形成され、軟磁性体１８の高さ寸法Ｔ８は、０．５〜１．５μｍ程度で形成される。そして、Ｔ８／Ｔ７は、０．０５〜０．５程度である。このように、Ｙ軸磁気センサ５０に用いられる軟磁性体１８の高さ寸法Ｔ８は、Ｚ軸磁気センサ１に用いられる第１の軟磁性体３の高さ寸法Ｔ２に比べて小さく、幅寸法Ｔ７に対するアスペクト比（Ｔ８／Ｔ７）も小さい。このため、仮に、Ｙ軸磁気センサ５０に垂直磁界成分Ｈ１が作用しても、図３に示すように垂直磁界成分Ｈ１を水平方向への磁界成分Ｈ２，Ｈ３に変換する能力は小さく、Ｙ軸磁気センサ５０では垂直磁界成分Ｈ１を検知することはできない。一方、
前後方向（Ｙ１−Ｙ２）に向く水平磁界成分Ｈ５が作用すると、各素子部１４のフリー磁性層３６の電気抵抗値が変動して、前後方向（Ｙ１−Ｙ２）への水平磁界成分Ｈ５を検知することができる。なお左右方向（Ｘ１−Ｘ２）への水平磁界成分Ｈ６は、磁気シールドとなる軟磁性体１８に吸収されるため、左右方向（Ｘ１−Ｘ２）への水平磁界成分Ｈ６に対して素子部１４は見かけ上、感度が低下し、左右方向（Ｘ１−Ｘ２）への水平磁界成分Ｈ６を検知しない。このようにＹ軸磁気センサ５０は、前後方向（Ｙ１−Ｙ２）への水平磁界成分Ｈ５を検知する。
［００７２］
  なお図示しないが
Ｘ軸磁気センサは
Ｙ軸磁気センサ５０をＸ−Ｙ平面内にて９０度回転させた形態であり、Ｘ軸磁気センサは、左右方向（Ｘ１−Ｘ２）への水平磁界成分Ｈ６を検知する。
［００７３］
  図６に示すように、本実施形態では、支持体７１上にＸ軸磁気センサ７０、Ｙ軸磁気センサ５０、Ｚ軸磁気センサ１を配置することが可能である。図６に示すように、
Ｘ軸磁気センサ７０を構成する磁気抵抗効果素子Ｓの固定磁性層の固定磁化方向（Ｐ方向）は、Ｘ１−Ｘ２方向、Ｙ軸磁気センサ５０を構成する磁気抵抗効果素子Ｓの固定磁性層の固定磁化方向（Ｐ方向）は、Ｙ１−Ｙ２方向である。Ｚ軸磁気センサ１を構成する磁気抵抗効果素子Ｓの固定磁性層の固定磁化方向（Ｐ方向）は、
Ｙ１−Ｙ２方向であってもよいし、Ｘ１−Ｘ２方向であってもよい
ｈ　図１０より、Ｙ軸磁気センサ５０の磁気抵抗効果素子Ｓを構成する各素子連設体６１と軟磁性体１８が、平面視でオーバーラップしていないことが、見て取れる。
　上記ａ〜ｈより、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている（括弧内は、認定に用いた引用文献１の記載箇所を示す。）。
「Ｚ軸磁気センサ、Ｘ軸磁気センサ、Ｙ軸磁気センサを備える地磁気センサであって（［００２６］）、
　固定磁化方向（Ｐ方向）が、右方向（Ｘ１）に向いている固定磁性層３４と、磁化方向が、無磁場成分状態では、前後方向（Ｙ１−Ｙ２）に向けられ、外部磁界により変動するフリー磁性層３６とを有する磁気抵抗効果素子Ｓを具え（［００３１］、［００３３］）、
　Ｚ軸磁気センサ１は、磁気抵抗効果素子Ｓと、第１の軟磁性体３とを有して構成され（［００２９］）、
　第１の軟磁性体３は、水平面に平行な上面３ａと下面３ｂと、上面３ａ及び下面３ｂ間を繋ぎ垂直面である側面３ｃ，３ｃとを有して構成され、
　Ｚ軸磁気センサ１の磁気抵抗効果素子Ｓ１は、第１の軟磁性体３の下面３ｂの近傍に配置されており（［００４４］）、多少、磁気抵抗効果素子Ｓと第１の軟磁性体３とが平面視にてオーバーラップしていてもよく（［００４５］）、
　Ｙ軸磁気センサ５０には、磁気抵抗効果素子Ｓを構成する各素子連設体６１の間、及び最も外側に位置する素子連設体６１の外側に軟磁性体１８が設けられており（［００６５］、［００７０］）、
　Ｙ軸磁気センサ５０の磁気抵抗効果素子Ｓは、軟磁性体１８と平面視でオーバーラップしておらず（図１０）、
　Ｘ軸磁気センサはＹ軸磁気センサ５０をＸ−Ｙ平面内にて９０度回転させた形態であり（［００７２］）、
　Ｘ軸磁気センサ７０を構成する磁気抵抗効果素子Ｓの固定磁性層の固定磁化方向（Ｐ方向）は、Ｘ１−Ｘ２方向、Ｙ軸磁気センサ５０を構成する磁気抵抗効果素子Ｓの固定磁性層の固定磁化方向（Ｐ方向）は、Ｙ１−Ｙ２方向、Ｚ軸磁気センサ１を構成する磁気抵抗効果素子Ｓの固定磁性層の固定磁化方向（Ｐ方向）は、Ｙ１−Ｙ２方向であってもよいし、Ｘ１−Ｘ２方向であってもよい（［００７３］）
　地磁気センサ。」
２　引用文献６について
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献６には、図面とともに、次の事項が記載されている。
ａ　「【００１５】
  図１で示される実施形態では、４つのＭＲ素子のうちの２つ、ＭＲ素子１４およびＭＲ素子１６は、当該素子を印加磁場から分離し、それらが基準素子として働くことを可能にする磁気シールドによって覆われる。
ＭＲ素子１４、１６はそれぞれ、磁気シールド２６、２８によって覆われる。
ｂ　「【００２５】
  
遮蔽されたデバイスは、磁束集中器として働くことができる
３　引用文献７について
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献７には、図面とともに、次の事項が記載されている。　
ａ　「【００３９】
  また、ＳＯＩ層４の第１主面Ｕ側には、第１主面Ｕの法線方向（Ｚ軸方向）に磁電変換素子５と重なる領域（磁電変換素子５の上面）を除く第１主面Ｕ（ＳＯＩ層４の表面）に、空気よりも透磁率の低い材料により低透磁率部１７（第６の低透磁率部）が形成されている。さらに、
第１主面Ｕ側において、磁電変換素子５の上面、及び低透磁率部１７の表面に、高透磁率の材料により構成された磁性体部１８（第４の磁性体部）が形成されている。
ｂ　「【００４２】
  次に、上述のように構成された磁気センサ１ｂの動作について説明する。図９は、磁気センサ１ｂの動作を説明するための図８（ａ）におけるＸ−Ｘ’断面図である。図９は、Ｚ軸方向の磁界中に磁気センサ１ｂを配置した場合の磁束Ｂを破線で示している。図９に示す磁気センサ１ｂでは、上述したように、磁束Ｂは磁気抵抗が最も小さくなる経路を選択的に通過する性質を有するので、
磁性体部１８によって収束された磁束Ｂは、磁気抵抗が低い凸部１９と底面１４表面の磁性体部１６との対向部、すなわち磁電変換素子５を通過する。これにより、磁電変換素子５に磁束Ｂが収束され、磁電変換素子５に対する磁束Ｂの収束効率を向上させることができる。
ｃ　「【００５３】
  また、例えば、図１３に示す磁気センサ１ｄのように、図４に示す磁気センサ１ａ（第１の磁気センサ）を二つ、図７に示す磁気センサ１ｂ（第２の磁気センサ）を一つ、
磁電変換素子５の感度軸が互いに直交する向きに、同一の半導体基板上に形成するようにしてもよい。
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明を対比する。
ア　引用発明の「固定磁性層３４」、「フリー磁性層３６」、「第１の軟磁性体３」は、それぞれ、本願発明１の「ピンド層」、「フリー層」、「磁気収束手段」に相当する。
イ　引用発明の「Ｚ軸磁気センサ、Ｘ軸磁気センサ、Ｙ軸磁気センサを備える地磁気センサ」は、本願発明１の「３軸の磁場を検出することが可能な多軸磁気センサ」に相当する。
ウ　引用発明は「Ｘ軸磁気センサ７０を構成する磁気抵抗効果素子Ｓ」、「Ｙ軸磁気センサ５０を構成する磁気抵抗効果素子Ｓ」及び「Ｚ軸磁気センサ１を構成する磁気抵抗効果素子Ｓ」を有するので、引用発明の「地磁気センサ」は、複数の「磁気抵抗効果素子Ｓ」を有している。
　よって、引用発明の「地磁気センサ」の「固定磁化方向（Ｐ方向）が、右方向（Ｘ１）に向いている固定磁性層３４と、磁化方向が、無磁場成分状態では、前後方向（Ｙ１−Ｙ２）に向けられ、外部磁界により変動するフリー磁性層３６とを有する磁気抵抗効果素子Ｓ」は、本願発明１の「磁化が第一の方向に固定されたピンド層と、前記磁化の向きを前記第一の方向とは異なる第二の方向へ変えることが可能なフリー層とを有する複数の磁気抵抗効果素子」に相当する。
エ　引用発明における「オーバーラップ」とは、部分的に重なることを意味すると解されるから、引用発明の「Ｚ軸磁気センサ１の磁気抵抗効果素子Ｓ１」が「下面３ｂの近傍に配置されて」「多少、」「平面視にてオーバーラップしていてもよ」い、「水平面に平行な上面３ａと下面３ｂと、上面３ａ及び下面３ｂ間を繋ぎ垂直面である側面３ｃ，３ｃとを有して構成され」る「第１の軟磁性体３」と、本願発明１の「前記複数の磁気抵抗効果素子の少なくとも１つが配置された位置を空間的に覆う所定の領域内に配設された磁気収束手段」とは、「前記複数の磁気抵抗効果素子の少なくとも１つが配置された位置と少なくともオーバーラップして配設された磁気収束手段」である点で共通する。
オ　引用発明の「Ｙ軸磁気センサ５０の磁気抵抗効果素子Ｓは、軟磁性体１８と平面視でオーバーラップしておらず、Ｘ軸磁気センサはＹ軸磁気センサ５０をＸ−Ｙ平面内にて９０度回転させた形態であり、」「Ｚ軸磁気センサ１の磁気抵抗効果素子Ｓ１は、」「多少、磁気抵抗効果素子Ｓと第１の軟磁性体３とが平面視にてオーバーラップしていてもよく」と、本願発明１の「前記複数の磁気抵抗効果素子は、前記磁気収束手段の下において、平面視で該磁気収束手段の領域内に配置され」とは、「少なくとも１つの磁気抵抗効果素子は、前記磁気収束手段の下において、平面視で該磁気収束手段と少なくともオーバーラップして配置され」る点で共通する。
　すると、本願発明１と引用発明とは、次の一致点及び相違点を有する。
（一致点）
「３軸の磁場を検出することが可能な多軸磁気センサであって、
　磁化が第一の方向に固定されたピンド層と、前記磁化の向きを前記第一の方向とは異なる第二の方向へ変えることが可能なフリー層とを有する複数の磁気抵抗効果素子と、
　前記複数の磁気抵抗効果素子の少なくとも１つが配置された位置と少なくともオーバーラップして配設された磁気収束手段と
を具え、
　少なくとも１つの磁気抵抗効果素子は、前記磁気収束手段の下において、平面視で該磁気収束手段と少なくともオーバーラップして配置される
　多軸磁気センサ。」
（相違点１）
　本願発明１は、「磁気収束手段」が、「前記複数の磁気抵抗効果素子の少なくとも１つが配置された位置を空間的に覆う所定の領域内に配設され」るのに対して、引用発明は、「第１の軟磁性体３」が、「多少、磁気抵抗効果素子Ｓと」「平面視にてオーバーラップ」している点。
（相違点２）
　本願発明１は、「前記複数の磁気抵抗効果素子は、前記磁気収束手段の下において、平面視で該磁気収束手段の領域内に配置され」るのに対して、引用発明は、「Ｚ軸磁気センサ１の磁気抵抗効果素子Ｓ１は、」「多少、磁気抵抗効果素子Ｓと第１の軟磁性体３とが平面視にてオーバーラップして」おり、「Ｘ軸磁気センサ」と「Ｙ軸磁気センサ５０」の「磁気抵抗効果素子Ｓ」は、「軟磁性体１８と平面視でオーバーラップして」いない点。
（相違点３）
　本願発明１は、「各磁気抵抗効果素子における前記ピンド層の磁化の向きは、前記第一の方向に固定される」のに対して、引用発明は、そのような特定がない点。
（２）判断
　上記相違点３について検討する。
　引用発明は、Ｘ軸磁気センサ７０を構成する磁気抵抗効果素子Ｓの固定磁性層の固定磁化方向（Ｐ方向）は、Ｘ１−Ｘ２方向、Ｙ軸磁気センサ５０を構成する磁気抵抗効果素子Ｓの固定磁性層の固定磁化方向（Ｐ方向）は、Ｙ１−Ｙ２方向、Ｚ軸磁気センサ１を構成する磁気抵抗効果素子Ｓの固定磁性層の固定磁化方向（Ｐ方向）は、Ｙ１−Ｙ２方向であってもよいし、Ｘ１−Ｘ２方向であってもよいが、
　Ｙ軸磁気センサ５０は、前後方向（Ｙ１−Ｙ２）に向く水平磁界成分Ｈ５が作用すると、各素子部１４のフリー磁性層３６の電気抵抗値が変動して、前後方向（Ｙ１−Ｙ２）への水平磁界成分Ｈ５を検知することができ、左右方向（Ｘ１−Ｘ２）への水平磁界成分Ｈ６は、磁気シールドとなる軟磁性体１８に吸収されるため、左右方向（Ｘ１−Ｘ２）への水平磁界成分Ｈ６に対して素子部１４は見かけ上、感度が低下し、左右方向（Ｘ１−Ｘ２）への水平磁界成分Ｈ６を検知せず、前後方向（Ｙ１−Ｙ２）への水平磁界成分Ｈ５を検知するのであり（［００７１］）、
　Ｘ軸磁気センサは、Ｙ軸磁気センサ５０をＸ−Ｙ平面内にて９０度回転させた形態であり、Ｘ軸磁気センサは、左右方向（Ｘ１−Ｘ２）への水平磁界成分Ｈ６を検知する（［００７２］）のであるから、
　引用発明において、Ｘ軸磁気センサ７０の固定磁化方向とＹ軸磁気センサ５０の固定磁化方向を同じ方向に揃えることは、想定していない。
　また、引用文献２−７にも、各磁気抵抗効果素子におけるピンド層の磁化の向きを、第一の方向に固定することは記載されていない。
　したがって、上記相違点３に係る本願発明１の構成は、引用発明、引用文献２−７に記載された事項に基づいて、当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
　よって、本願発明１は、上記相違点１、２について検討するまでもなく、引用発明、引用文献２−７に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
２　本願発明２−１２について
　本願発明２−１２も、上記相違点３に係る本願発明１の「各磁気抵抗効果素子における前記ピンド層の磁化の向きは、前記第一の方向に固定される」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由によって、引用発明、引用文献２−７に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
３　本願発明１３について
　本願発明１３は、本願発明１に対応する製造方法の発明であり、上記相違点３に係る本願発明１の「各磁気抵抗効果素子における前記ピンド層の磁化の向きは、前記第一の方向に固定される」に対応する構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由によって、引用発明、引用文献２−７に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
４　本願発明１４、１５について
　本願発明１４、１５も、上記相違点３に係る本願発明１の「各磁気抵抗効果素子における前記ピンド層の磁化の向きは、前記第一の方向に固定される」に対応する構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由によって、引用発明、引用文献２−７に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
第６　原査定について
　審判請求時の補正により、本願発明１−１５は「各磁気抵抗効果素子における前記ピンド層の磁化の向きは、前記第一の方向に固定される」という事項を有するものとなっており、引用発明、引用文献２−７に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　したがって、原査定の理由を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり、原査定の拒絶の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。