(57)【要約】      （修正有）【課題】均一な厚さとなる電子顕微鏡用の試料を作製する。【解決手段】試料の面方向に対し略垂直となる第１の角度より電子を照射し、第１の長さを測定する第１の測定工程と、第１の測定工程の後、試料の面方向に沿った集束イオンビームを照射し、試料を薄く加工する加工工程と、加工工程の後、試料の面方向に対し、第１の角度とは異なる第２の角度より電子を照射し、第２の長さを測定する第２の測定工程と、第２の測定工程の後、第１の長さと前記第２の長さに基づき、試料の厚さを算出する厚さ算出工程とを有することを特徴とする。【選択図】図１
2011043391.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透過型電子顕微鏡又は走査型透過電子顕微鏡において観察される試料となる電子顕微鏡用の試料加工方法であって、
前記試料は平板状であり、前記試料の面方向に略垂直に分割される第１の領域と第２の領域を有し、前記第１の領域に含有される原子の原子番号よりも、前記第２の領域に含有される原子の原子番号が大きいものであって、
前記試料の面方向に対し略垂直となる第１の角度より電子を照射し、前記第２の領域における第１の長さを測定する第１の測定工程と、
前記第１の測定工程の後、前記試料の面方向に沿った集束イオンビームを照射し、前記試料を薄く加工する加工工程と、
前記加工工程の後、前記試料の面方向に対し、前記第１の角度とは異なる角度である第２の角度より電子を照射し、前記第２の領域における第２の長さを測定する第２の測定工程と、
前記第２の測定工程の後、前記第１の長さと前記第２の長さに基づき、前記試料の厚さを算出する厚さ算出工程と、
を有することを特徴とする電子顕微鏡用の試料加工方法。
【請求項２】
前記厚さ算出工程の後、前記厚さ算出工程により算出された前記厚さが所定の値よりも厚いか否か判断する判断工程を有し、
前記判断工程において、前記厚さが所定の値よりも厚いものと判断された場合には、再度、前記加工工程、前記第２の測定、前記厚さ算出工程及び前記判断工程を順次行うことを特徴とする請求項１に記載の電子顕微鏡用の試料加工方法。
【請求項３】
前記加工工程は、前記集束イオンビームを一定時間照射するものであることを特徴とする請求項１または２に記載の電子顕微鏡用の試料加工方法。
【請求項４】
前記第２の測定工程における第２の角度はαであって、前記第１の長さをＬ、前記第２の長さをＴとした場合、前記算出工程において前記試料の厚さＤは、
Ｄ＝（Ｔ−Ｌ×ｓｉｎα）／ｃｏｓα
により算出されるものであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電子顕微鏡用の試料加工方法。
【請求項５】
前記第１の測定工程における電子線の照射方向と、前記第２の測定工程における電子線の照射方向とは同一方向であり、前記集束イオンビームの照射方向と、前記電子線の照射方向とのなす角は、αであることを特徴とする請求項４に記載の電子顕微鏡用の試料加工方法。
【請求項６】
透過型電子顕微鏡又は走査型透過電子顕微鏡において観察される試料である電子顕微鏡用の試料加工装置であって、
前記試料は平板状であり、前記試料の面方向に略垂直に分割される第１の領域と第２の領域を有し、前記第１の領域に含有される原子の原子番号よりも、前記第２の領域に含有される原子の原子番号が大きいものであって、
前記試料に電子を照射するための加速電子発生部と、
前記試料を加工するための収束イオンビームを照射するイオン発生部と、
前記試料に照射された電子のうち前記試料を透過した電子を検出する透過電子検出部と、
前記加速電子発生部、前記イオン発生部及び前記透過電子検出部を制御する制御部と、
を有し、前記電子の照射方向と前記収束イオンビームの照射方向とのなす角はαであって、
前記試料の面方向に略垂直に電子を照射することにより得られる第２の領域の第１の長さをＬとし、前記試料の面方向に略αの角度で電子を照射することにより得られる第２の領域の第２の長さをＴとした場合、前記試料の厚さＤは、
Ｄ＝（Ｔ−Ｌ×ｓｉｎα）／ｃｏｓα
に基づき、前記制御部において算出されることを特徴とする電子顕微鏡用の試料加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料加工方法及び試料加工装置に関するものであり、特に電子顕微鏡用の試料加工方法及び試料加工装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）は、電子が透過しうる薄さの薄片試料に電子線を照射し、薄片試料を透過した電子線に基づき形成されるＴＥＭ像を得ることのできる顕微鏡である。また、走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：Scanning Transmission Electron Microscope）は、薄片試料に集束させた電子線を照査させながら照射し、薄片試料を透過した電子線に基づき形成されるＳＴＥＭ像を得ることのできる顕微鏡である。
【０００３】
このようなＴＥＭ及びＳＴＥＭでは、電子を透過できる厚さに試料を加工する必要があり、このためＦＩＢ（Focused Ion Beam）加工等により、所望の厚さに試料が加工されている。
【０００４】
ところで、近年における高集積電界効果トランジスタでは、ＬＳＩ（Large Scale Integration）の特性を向上させるため、チャネル領域に引張応力又は圧縮応力が加えられているデバイスが一般的となりつつある。このようなデバイスに加えられている応力を評価する手段としては、ＮＢＤ（Nano Beam Diffraction）、ＣＢＥＤ（Convergent Beam Electron Diffraction）等のＴＥＭに基づく電子線回折により高空間分解能で歪量（面間隔の変位）を計測する方法がある。このような歪量を測定するためには、一般的なＴＥＭに用いられる試料よりも若干厚い試料を作製する必要があり、また、一般的に、試料の厚さにより計測される歪量は変化するものと考えられるため、評価する試料の厚さを均一にする必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２２３１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、評価の対象となる試料の厚さを均一にすることは、極めて時間と労力を要することから、迅速に短時間で所望の厚さに試料を加工する試料加工方法及び試料加工装置が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施の形態の一観点によれば、透過型電子顕微鏡又は走査型透過電子顕微鏡において観察される試料となる電子顕微鏡用の試料加工方法であって、前記試料は平板状であり、前記試料の面方向に略垂直に分割される第１の領域と第２の領域を有し、前記第１の領域に含有される原子の原子番号よりも、前記第２の領域に含有される原子の原子番号が大きいものであって、前記試料の面方向に対し略垂直となる第１の角度より電子を照射し、前記第２の領域における第１の長さを測定する第１の測定工程と、前記第１の測定工程の後、前記試料の面方向に沿った集束イオンビームを照射し、前記試料を薄く加工する加工工程と、前記加工工程の後、前記試料の面方向に対し、前記第１の角度とは異なる角度である第２の角度より電子を照射し、前記第２の領域における第２の長さを測定する第２の測定工程と、前記第２の測定工程の後、前記第１の長さと前記第２の長さに基づき、前記試料の厚さを算出する厚さ算出工程と、を有する。
【０００８】
また、本実施の形態の他の観点によれば、透過型電子顕微鏡又は走査型透過電子顕微鏡において観察される試料である電子顕微鏡用の試料加工装置であって、前記試料は平板状であり、前記試料の面方向に略垂直に分割される第１の領域と第２の領域を有し、前記第１の領域に含有される原子の原子番号よりも、前記第２の領域に含有される原子の原子番号が大きいものであって、前記試料に電子を照射するための加速電子発生部と、前記試料を加工するための収束イオンビームを照射するイオン発生部と、前記試料に照射された電子のうち前記試料を透過した電子を検出する透過電子検出部と、前記加速電子発生部、前記イオン発生部及び前記透過電子検出部を制御する制御部と、を有し、前記電子の照射方向と前記収束イオンビームの照射方向とのなす角はαであって、前記試料の面方向に略垂直に電子を照射することにより得られる第２の領域の第１の長さをＬとし、前記試料の面方向に略αの角度で電子を照射することにより得られる第２の領域の第２の長さをＴとした場合、前記試料の厚さＤは、
Ｄ＝（Ｔ−Ｌ×ｓｉｎα）／ｃｏｓα
に基づき、前記制御部において算出される。
【発明の効果】
【０００９】
開示の試料加工方法及び試料加工装置によれば、ＴＥＭ又はＳＴＥＭによる観察を行うための試料を略均一な厚さで迅速に加工することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施の形態における試料加工装置の構成図
【図２】本実施の形態における試料加工方法のフローチャート
【図３】本実施の形態における試料加工方法により加工される試料の概要図
【図４】本実施の形態における試料加工方法の説明図（１）
【図５】本実施の形態における試料加工方法の説明図（２）
【図６】本実施の形態における試料加工方法の説明図（３）
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施するための形態について、以下に説明する。
【００１２】
（試料加工装置）
最初に、図１に基づき本実施の形態における試料加工装置について説明する。本実施の形態における試料加工装置は、チャンバー１１内に、加工される試料１０が設置される試料設置傾斜部１２を有しており、チャンバー１１には加速電子発生部１３及びイオン発生部１４が接続されている。また、チャンバー１１は真空ポンプ１５と接続されており、真空ポンプ１５により、チャンバー１１内部を減圧又は真空状態にすることが可能である。更に、チャンバー１１内には、透過電子検出器１６が設けられている。試料１０は略平板状に形成されている。
【００１３】
加速電子発生部１３は、試料１０のＴＥＭ像を観察するための電子（電子線）を照射するためのものであり、加速電子発生部１３より加速された電子が試料１０に照射される。イオン発生部１４は、試料１０をＦＩＢ加工するためのイオンを発生させ照射するものであり、イオン発生部１４において発生されたイオンを収束イオンビームとして試料１０に照射することにより、試料１０をＦＩＢ加工することができる。また、矢印Ａに示す加速電子発生部１３より照射される電子の照射方向と、矢印Ｂに示すイオン発生部１４より供給され照射されるイオンの照射方向とは、角度αとなるように設置されている。本実施の形態では、角度αは、約５２°である。
【００１４】
試料設置傾斜部１２は、加速電子発生部１３より照射される電子及びイオン発生部１４より照射されるイオンに対し、試料１０の角度を変えることができるものである。具体的には、試料１０は、試料設置傾斜部１２により、試料１０の面方向に対し、加速電子発生部１３より電子が略垂直に照射される方向となる角度から、イオン発生部１４よりイオンの照射される方向に沿った方向となる角度まで傾斜させることができる。即ち、試料１０の面方向が、矢印Ａに対し略垂直となる角度から、矢印Ｂに沿った角度まで傾斜させることができる。このため、試料設置傾斜部１２は、試料１０をＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向の３次元に移動させることができるものであり、更に、試料１０を特定の回転軸を中心に回転させることができるものである。また、試料設置傾斜部１２はメッシュを有しており、試料１０はメッシュに設置されている。
【００１５】
透過電子検出器１６は、加速電子発生部１３より試料１０に照射された電子のうち、試料１０を透過した電子を検出するためのものである。よって、矢印Ａに示す電子の照射方向の延長線上において、順に加速電子発生部１３、試料１０、透過電子検出器１６となるように設置されている。
【００１６】
また、試料設置傾斜部１２、加速電子発生部１３、イオン発生部１４及び透過電子検出器１６は、制御部１７と表示部１８とを有するコンピュータに接続されている。制御部１７では、試料設置傾斜部１２、加速電子発生部１３、イオン発生部１４及び透過電子検出器１６における制御を行うと共に、所定の情報を表示部１８に表示させる。
【００１７】
表示部１８は、制御部１７の制御に基づき所定の情報を表示する。
【００１８】
尚、制御部１７では、後述する方法により、透過電子検出器１６において検出された情報に基づき試料１０の厚さを算出する機能も有している。
【００１９】
（試料加工方法）
次に、本実施の形態における試料加工方法について説明する。
【００２０】
図２は、本実施の形態における試料加工方法のフローチャートである。本実施の形態における試料加工方法は、ＴＥＭ又はＳＴＥＭ等の電子顕微鏡により観察を行うための試料の加工方法である。尚、図３は、本実施の形態において加工される試料１０の構造を示すものである。一般的に歪量が計測される電子デバイスにおいては、シリコン基板の上に電極となるシリサイド等の金属原子を含む領域が形成されている。よって、本実施の形態において加工されるＴＥＭ又はＳＴＥＭ等により観察される試料１０は、第１の領域となるシリコン部２０の先端部分に第２の領域となるシリサイド等からなる金属含有層２１を有した構造のものである。具体的には、試料１０は、計測される電子デバイスにおいてシリコン基板の厚さ方向に切り出したものであって、切り出された試料１０の厚さは約５００ｎｍである。また、金属含有層２１は、電子デバイスの電極となる部分であり、例えば、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極等である。試料１０は、電子デバイスにおいてシリコン基板の厚さ方向に切り出したものであるため、第１の領域となるシリコン部２０と第２の領域となる金属含有層２１との境界が、試料１０の面方向に対し略垂直となっている。
【００２１】
最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）において、試料１０に対し電子線を略垂直に照射して測長を行う。具体的には、図４に示すように、矢印Ｓに示す試料１０の厚さ方向と、矢印Ａに示す加速電子発生部１３から照射される電子の照射方向とが一致するように試料１０を設置し、加速電子発生部１３より電子線を試料１０に照射する。試料１０に照射された電子線は、試料１０を透過し透過電子検出器１６において検出される。透過電子検出器１６において検出される電子の分布に基づき金属含有部２１における長さＬを測定することができる。より具体的には、測長は、ＳＴＥＭにおけるＨＡＡＤＦ（High Angle Annular Dark Field）により行う。ＨＡＡＤＦでは、原子番号に依存して、濃淡のトーンが変化して表示される。即ち、透過電子検出器１６において検出された情報に基づき表示部１８等において表示されるＴＥＭ像又はＳＴＥＭ像では、原子番号の大きい金属等を含有する金属含有層２１はトーンの濃い（信号が多い）状態として表示される。よって、このトーンの濃い状態となっている領域の長さを測定することにより、金属含有層２１における長さＬを測定することができる。また、矢印Ａに示す加速電子発生部１３から照射される電子の照射方向と矢印Ｓに示す試料１０の厚さ方向とを一致させるためには、試料設置傾斜部１２によって、試料１０を回転させることにより行う。尚、ＳＴＥＭ像を得る際には、同時に、ＳＴＥＭ像の明視野像及びＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）像を得てもよい。
【００２２】
次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）において、試料１０を傾斜させる。具体的には、試料設置傾斜部１２により試料１０を回転させることにより、試料１０を傾斜させる。試料１０は、矢印Ｂに示すイオン発生部１４から供給されるイオンの照射方向が、矢印Ｓで示す試料１０の厚さ方向に対し略垂直となる角度まで傾斜させる。具体的には、試料１０の表面が矢印Ａに略垂直となる角度から、試料１０の表面が矢印Ｂに沿った方向となる角度まで、試料設置傾斜部１２により、試料１０を傾斜させる。尚、試料１０は、試料設置傾斜部１２により所定の角度に傾斜させることが可能であるが、試料設置傾斜部１２の制御は制御部１７により行われる。
【００２３】
次に、ステップ１０６（Ｓ１０６）において、試料１０をＦＩＢ加工する。具体的には、図５に示すように、矢印Ｓに示す試料１０の厚さ方向と矢印Ｂに示すイオン照射方向とが略直交している状態で、イオン発生部１４より試料１０の表面となる側面に収束イオンビームを照射する。収束イオンビームを照射することにより試料１０の側面を徐々に除去し、試料１０の厚さを薄くする。ＦＩＢ加工を一定の時間行った後、イオン発生部１４からのイオンの供給を停止し、一旦ＦＩＢ加工を終了する。尚、ＦＩＢ加工は、イオン発生部１４からイオンを供給し試料１０に照射することにより行われるが、このイオン発生部１４の制御は制御部１７により行われる。
【００２４】
次に、ステップ１０８（Ｓ１０８）において、試料１０の厚さＤを計測する。具体的には、図６に示すように、試料１０を傾斜させた状態で、加速電子発生部１３より電子を照射し、照射された電子のうち、試料１０を透過した電子を透過電子検出器１６により検出する。この際、加速電子発生部１３より照射される矢印Ａに示す電子の照射方向と試料１０の面方向とは角度αとなっている。
【００２５】
ここで、前述のとおり、ＳＴＥＭにおけるＨＡＡＤＦでは、原子番号に依存して、ＳＴＥＭ像又はＴＥＭ像の濃淡のトーンが変化する。しかしながら、金属含有層２１の端部では、角度αだけ傾斜しているため、加速電子発生部１３より照射される電子が透過する距離は短くなる。このため、電子が透過する距離が短い領域では、濃淡のトーンがぼけた状態で表示部１８等に表示される。しかしながら、金属含有層２１を電子が透過した領域では、他の領域よりも濃い状態の領域となるため、濃淡のトーンがぼけた状態の領域を含めトーンの濃い領域の幅を測定することは可能である。
【００２６】
ここで、濃淡のトーンがぼけた状態の領域を含めトーンの濃い領域の幅をＴとし、試料１０の厚さをＤとし、金属含有層２１の膜厚、即ち、金属含有層２１の長さをＬとした場合、（１）に示す式の関係を有する。ここで、金属含有層２１の長さＬは、ステップ１０２において測長された長さである。
【００２７】
Ｔ＝Ｌ×ｓｉｎα＋Ｄ×ｃｏｓα・・・・・・（１）
（１）に示す式に基づき、試料１０の厚さＤは、（２）に示す式により算出することができる。
【００２８】
Ｄ＝（Ｔ−Ｌ×ｓｉｎα）／ｃｏｓα・・・・（２）
尚、本実施の形態では、角度αは５２°であるため、
Ｄ＝（Ｔ−Ｌ×ｓｉｎ５２°）／ｃｏｓ５２°
となる。
【００２９】
このようにして、試料１０の厚さＤを算出することができる。尚、加速電子発生部１３の制御及び上述した試料１０の厚さＤの算出は制御部１７により行われる。また、ＳＴＥＭ像を得る際には、同時に、ＳＴＥＭ像の明視野像、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）像を得てもよい。
【００３０】
次に、ステップ１１０（Ｓ１１０）において、試料１０における厚さＤの表示を行う。具体的には、ステップ１０８において制御部１７により算出された厚さＤの値を表示部１８に表示する。
【００３１】
次に、ステップ１１２（Ｓ１１２）において、試料１０における厚さＤが所定の値以下であるか否かの判断がなされる。具体的には、ステップ１０８において算出された試料１０における厚さＤが、予め設定されている所定の値以下、即ち、試料１０が所定の厚さ以下となっているか否かが判断される。試料１０における厚さＤが所定の値以下であるものと判断された場合には、本実施の形態における試料の加工は終了する。一方、試料１０における厚さＤが所定の値よりも厚いと判断された場合には、ステップ１０６に移行し、再度、ＦＩＢ加工が行われる。
【００３２】
以上により、複数の試料１０についても略均一な所定の厚さに加工することができる。このように加工された複数の試料１０をＴＥＭ又はＳＴＥＭにより観察することにより、複数の試料１０間における歪量の相違を容易に観察して比較することができる。
【００３３】
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【００３４】
上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
透過型電子顕微鏡又は走査型透過電子顕微鏡において観察される試料となる電子顕微鏡用の試料加工方法であって、
前記試料は平板状であり、前記試料の面方向に略垂直に分割される第１の領域と第２の領域を有し、前記第１の領域に含有される原子の原子番号よりも、前記第２の領域に含有される原子の原子番号が大きいものであって、
前記試料の面方向に対し略垂直となる第１の角度より電子を照射し、前記第２の領域における第１の長さを測定する第１の測定工程と、
前記第１の測定工程の後、前記試料の面方向に沿った集束イオンビームを照射し、前記試料を薄く加工する加工工程と、
前記加工工程の後、前記試料の面方向に対し、前記第１の角度とは異なる角度である第２の角度より電子を照射し、前記第２の領域における第２の長さを測定する第２の測定工程と、
前記第２の測定工程の後、前記第１の長さと前記第２の長さに基づき、前記試料の厚さを算出する厚さ算出工程と、
を有することを特徴とする電子顕微鏡用の試料加工方法。
（付記２）
前記厚さ算出工程の後、前記厚さ算出工程により算出された前記厚さが所定の値よりも厚いか否か判断する判断工程を有し、
前記判断工程において、前記厚さが所定の値よりも厚いものと判断された場合には、再度、前記加工工程、前記第２の測定、前記厚さ算出工程及び前記判断工程を順次行うことを特徴とする付記１に記載の電子顕微鏡用の試料加工方法。
（付記３）
前記加工工程は、前記集束イオンビームを一定時間照射するものであることを特徴とする付記１または２に記載の電子顕微鏡用の試料加工方法。
（付記４）
前記第２の測定工程における第２の角度はαであって、前記第１の長さをＬ、前記第２の長さをＴとした場合、前記算出工程において前記試料の厚さＤは、
Ｄ＝（Ｔ−Ｌ×ｓｉｎα）／ｃｏｓα
により算出されるものであることを特徴とする付記１から３のいずれかに記載の電子顕微鏡用の試料加工方法。
（付記５）
前記第１の測定工程における電子線の照射方向と、前記第２の測定工程における電子線の照射方向とは同一方向であり、前記集束イオンビームの照射方向と、前記電子線の照射方向とのなす角は、αであることを特徴とする付記４に記載の電子顕微鏡用の試料加工方法。
（付記６）
前記加工工程において、前記第１の測定工程における前記試料を傾斜させ、前記試料の面方向を前記集束イオンビームの照射方向と沿った状態とした後、前記集束イオンビームを照射することを特徴とする付記５に記載の電子顕微鏡用の試料加工方法。
（付記７）
前記第２の領域に含有される原子は金属原子であることを特徴とする付記１から６のいずれかに記載の電子顕微鏡用の試料加工方法。
（付記８）
前記第１の測定工程及び前記第２の測定工程は、前記試料のＨＡＡＤＦ像を検出することにより、行われるものであることを特徴とする付記１から７のいずれかに記載の電子顕微鏡用の試料加工方法。
（付記９）
前記第１の測定工程及び前記第２の測定工程では、走査型透過電子顕微鏡における明視野像、または、ＳＥＭ像を得ることができるものであることを特徴とする付記１から８のいずれかに記載の電子顕微鏡用の試料加工方法。
（付記１０）
透過型電子顕微鏡又は走査型透過電子顕微鏡において観察される試料である電子顕微鏡用の試料加工装置であって、
前記試料は平板状であり、前記試料の面方向に略垂直に分割される第１の領域と第２の領域を有し、前記第１の領域に含有される原子の原子番号よりも、前記第２の領域に含有される原子の原子番号が大きいものであって、
前記試料に電子を照射するための加速電子発生部と、
前記試料を加工するための収束イオンビームを照射するイオン発生部と、
前記試料に照射された電子のうち前記試料を透過した電子を検出する透過電子検出部と、
前記加速電子発生部、前記イオン発生部及び前記透過電子検出部を制御する制御部と、
を有し、前記電子の照射方向と前記収束イオンビームの照射方向とのなす角はαであって、
前記試料の面方向に略垂直に電子を照射することにより得られる第２の領域の第１の長さをＬとし、前記試料の面方向に略αの角度で電子を照射することにより得られる第２の領域の第２の長さをＴとした場合、前記試料の厚さＤは、
Ｄ＝（Ｔ−Ｌ×ｓｉｎα）／ｃｏｓα
に基づき、前記制御部において算出されることを特徴とする電子顕微鏡用の試料加工装置。
（付記１１）
前記試料加工装置は、前記試料を設置し、前記試料を回転させることが可能な試料設置傾斜部を有し、
前記試料設置部は、前記試料の面方向が、前記電子が照射される方向に対し略垂直となる角度から、前記収束イオンビームの照射される方向に沿った方向となる角度まで傾斜させることができるものであることを特徴とする付記１０に記載の電子顕微鏡用の試料加工装置。
（付記１２）
前記制御部は、前記試料の厚さＤの値が所定の値よりも大きい場合には、前記イオン発生部より収束イオンビームを前記試料の面方向に沿って照射し、前記試料の厚さを薄くするための制御を行うことを特徴とする付記１０または１１に記載の電子顕微鏡用の試料加工装置。
【符号の説明】
【００３５】
１０        試料
１１        チャンバー
１２        試料設置傾斜部
１３        加速電子発生部
１４        イオン発生部
１５        真空ポンプ
１６        透過電子検出器
１７        制御部
１８        表示部
２０        シリコン部
２１        金属含有層
【図１】
2011043391.tif 000003
【図２】
2011043391.tif 000004
【図３】
2011043391.tif 000005
【図４】
2011043391.tif 000006
【図５】
2011043391.tif 000007
【図６】
2011043391.tif 000008