【事件の表示】
　特願２０１４−１００２９１「堆積物を含む電子デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１１月　６日出願公開、特開２０１４−２０９６３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２０年（２００８年）１０月３０日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００７年１０月３０日，フィンランド）を国際出願日とする特願２０１０−５３０５０１号の一部を平成２６年５月１４日に新たな出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２６年　５月１４日　審査請求
平成２７年　２月２５日　拒絶理由通知
平成２７年　８月２１日　意見書・手続補正
平成２７年１１月１３日　拒絶査定
平成２８年　２月２５日　審判請求・手続補正
　
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２８年２月２５日にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正により，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１は本件補正後の請求項１へ補正された。
（１）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　電子デバイスであって，前記デバイスが電界効果トランジスタであり，かつ，カーボンナノバッド分子を含む堆積物を含み，前記堆積物がチャネルを形成し，かつ，１よりも大きいオン／オフ比を有する，ことを特徴とする電子デバイス。」
（２）本件補正後の特許請求の範囲
　本件補正後の，特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおりである。（当審注。補正個所に下線を付した。下記（３）も同じ。）
「【請求項１】
　電子デバイスであって，前記デバイスが電界効果トランジスタであり，かつ，カーボンナノバッド分子を含む堆積物を含み，前記堆積物がチャネルを形成し，かつ，１よりも大きいオン／オフ比を有し，
前記カーボンナノバッド分子が電気伝導経路のネットワークを形成する，
（３）本件補正事項
　本件補正は，補正前請求項１の「堆積物」について「
前記カーボンナノバッド分子が電気伝導経路のネットワークを形成する，
２　補正の適否
　本願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項４の記載からみて，本件補正事項は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，本件補正事項は前記１（３）のとおり，本件補正前の請求項１に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，補正後の請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項）につき，更に検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は，本件補正後の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「電子デバイスであって，前記デバイスが電界効果トランジスタであり，かつ，カーボンナノバッド分子を含む堆積物を含み，前記堆積物がチャネルを形成し，かつ，１よりも大きいオン／オフ比を有し，前記カーボンナノバッド分子が電気伝導経路のネットワークを形成する，ことを特徴とする電子デバイス。」
（２）引用文献１の記載と引用発明
　ア　引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２００７／０５７５０１号（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（当審注。下線は当審において付加した。以下同じ。訳は特表２００９−５１５８０４号公報による。）
（ア）「The present invention relates to fullerene functionalized carbon nanotubes, to a method and an apparatus for their production, to a functional material, to a thick or thin film, line, wire and a layered and three dimensional structure, and to a device as defined in the claims.
PRIOR ART
 Both fullerenes and carbon nanotubes (CNTs) exhibit unique and useful chemical and physical properties related to, for example, their morphology, toughness, electrical and thermal conductivity and magnetic characteristics.」（１頁３−１５行）
（訳：本発明は，フラーレン官能基化カーボンナノチューブ，それを製造するための方法及び装置，機能材料，厚膜又は薄膜，糸，ワイヤー，さらに層状及び三次元の構造体，並びに特許請求の範囲に記載されているデバイスに関する。
【背景技術】
　フラーレン及びカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）はどちらも，例えば，形態，靭性，電気伝導率，熱伝導率及び磁気特性に関連した，独特かつ有用な化学的及び物理的性質を示す。）
（イ）「The present invention relates to
 a fullerene functionalized carbon nanotube (FFCNT) , which comprises one or more fullerenes and/or fullerene based molecules covalently bonded to the carbon nanotube (herein also called as CBFFCNT, covalently bonded fullerene functionalized carbon nanotube or fullerene-functionalized carbon nanotube)
 By a fullerene is meant a molecule, which comprises carbon and which is substantially spherical, ellipsoidal or ball-like in structure. The fullerene can be hollow with a closed surface or it can have a substantially spherical structure, which is not be completely closed but instead has one or more open bonds. The fullerene can, for example, have a substantially hemisphere-like form and/or any other sphere-like form. 
...
 
The one or more fullerenes and/or fullerene based molecules can be covalently bonded to the outer surface and/or to the inner surface of the carbon nanotube, preferably to the outer surface.
 
According to the present invention the carbon nanotube
The carbon nanotube
 can be deposited
 on a surface.
 
The fullerene functionalized carbon nanotube can be bonded through one or more fullerenes and/or fullerene based molecules to one or more carbon nanotubes and/or fullerene functionalized carbon nanotubes
two fullerene functionalized carbon nanotubes can be attached to each other through a common fullerene molecule
（訳：本発明は，
カーボンナノチューブに共有結合した１種又は複数種のフラーレン及び／又はフラーレン系分子を含むフラーレン官能基化カーボンナノチューブ（ＦＦＣＮＴ）（本明細書では，ＣＢＦＦＣＮＴ，共有結合フラーレン官能基化カーボンナノチューブ又はフラーレン官能基化カーボンナノチューブとも呼ぶ）に関する。
　フラーレンとは，炭素を含み，かつ構造が実質的に球形，楕円形又はボール状である分子を意味する。フラーレンは，表面が閉鎖された中空であってよく，あるいは完全に閉鎖されるのではなく，１つ又は複数の開結合（ｏｐｅｎ　ｂｏｎｄｓ）を有する実質的に球形の構造を有していてもよい。フラーレンは，例えば，実質的に半球体のような形状及び／又は任意の他の球のような形状を有することができる。
・・・
　
１種又は複数種のフラーレン及び／又はフラーレン系分子は，カーボンナノチューブの外面及び／又は内面，好ましくは外面に共有結合させることができる。
　
本発明によれば，カーボンナノチューブは
カーボンナノチューブは，
表面上で析出させ
　
フラーレン官能基化カーボンナノチューブは，１つ又は複数のフラーレン及び／又はフラーレン系分子を介して，１又は複数のカーボンナノチューブ及び／又はフラーレン官能基化カーボンナノチューブに結合させること
共通のフラーレン分子を介して，２つのフラーレン官能基化カーボンナノチューブを互いに付着することができる。）
（ウ）「Further the present invention relates to
 a device that is made by using one or more fullerene functionalized carbon nanotubes
said thick or thin film
 
The above materials and/or structures can be usable for example in the following applications
field-effect transistors
（訳：さらに本発明は，
１種又は複数種のフラーレン官能基化カーボンナノチューブ
前記の厚膜又は薄膜
を使用して作られる，デバイス
カーボンナノチューブを使用して作製できる任意の他のデバイス
　
上記の材料及び／又は構造体は，例えば，以下の用途に使用可能である：
電界効果トランジスター
（エ）「
Further, for example, due to the charge transport between carbon nanotubes and fullerenes,
（訳：さらに，例えば，
カーボンナノチューブとフラーレンとの間の電荷輸送のおかげで
　イ　引用発明
　前記アより，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「フラーレン官能基化カーボンナノチューブの厚膜又は薄膜を使用して作られる電界効果トランジスターであって，フラーレン官能基化カーボンナノチューブは，フラーレンを介してフラーレン官能基化カーボンナノチューブに結合させること。」
（３）周知技術
　ア　引用文献２
　原査定に引用された特開２００７−０３１２３８号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　この発明は，金属的カーボンナノチューブの分離方法ならびに半導体的カーボンナノチューブ薄膜の製造方法ならびに薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子素子およびその製造方法に関し，例えば，
カーボンナノチューブ薄膜をチャネル材料に用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
　１９４７年の半導体トランジスタの発明以来，シリコンなどの無機材料を
チャネル材料に用いた電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
（イ）「【００２７】
　図２は
半導体的カーボンナノチューブ薄膜をチャネル材料に用いたボトムゲート型ＴＦＴ
　まず，基板１上にゲート電極４を形成した後，これらのゲート電極４を覆うように全面にゲート絶縁膜５を形成する。基板１としては，例えば，シリコン基板の表面にＳｉＯ2 膜を形成したもの（ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板）を用いる。
　次に，ゲート絶縁膜５上にチャネル材料として半導体的カーボンナノチューブ薄膜３を形成する。
　次に，半導体的カーボンナノチューブ薄膜３をリソグラフィーおよびエッチングにより所定の形状にパターニングする。
　次に，パターニングされた各半導体的カーボンナノチューブ薄膜３の両端部にソース電極６およびドレイン電極７を形成する。」
（ウ）「【００４０】
　金属的カーボンナノチューブが分離されていない単層カーボンナノチューブ薄膜を用いて作製された従来のカーボンナノチューブＴＦＴおよびこの一実施形態による方法により作製されたカーボンナノチューブＴＦＴの統計的オン／オフ比をそれぞれ図１９および図２０に示す。図１９および図２０より，明らかに，金属的カーボンナノチューブが分離された半導体的カーボンナノチューブ薄膜を用いたカーボンナノチューブＴＦＴのオン／オフ比は，金属的カーボンナノチューブが分離されていない単層カーボンナノチューブ薄膜を用いて作製されたカーボンナノチューブＴＦＴのオン／オフ比に比べてはるかに大きい。金属的カーボンナノチューブが分離された半導体的カーボンナノチューブ薄膜を用いたカーボンナノチューブＴＦＴのほとんどのオン／オフ比は１０2 に達しており，１０3 を超えるもの，１０4 を超えるもの，より具体的には１０4.5 を超えるもの，さらには１０5 を超えるものも存在する。これに対し，金属的カーボンナノチューブが分離されていない単層カーボンナノチューブ薄膜を用いて作製されたカーボンナノチューブＴＦＴのオン／オフ比はほとんどが１０2 以下であり，１０4 を超えるものは存在しない。ここで，図１９においては，わずかではあるがオン／オフ比が１０2 を超えるものが存在するが，これは，従来の一般的な方法で合成され，金属的カーボンナノチューブが分離されていない単層カーボンナノチューブ薄膜では全体の２／３程度が半導体的カーボンナノチューブで占められるため，たまたまチャネル材料が半導体的カーボンナノチューブだけで構成されたＴＦＴが存在し得ることによるものである。」
　イ　引用文献３
　原査定に引用された特開２００３−０１７５０８号公報（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「【００１８】図1は，本発明の
電界効果トランジスタ
【００１９】基板は絶縁性基板あるいは半導体性基板であればよい。絶縁体基板として，たとえば酸化シリコン，窒化シリコン，酸化アルミニウム，酸化チタン，フッ化カルシウム，アクリル樹脂，エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂，ポリイミド，テフロン（登録商標）等を用いればよい。半導体基板としては，たとえばシリコン，ゲルマニウム，ガリウム砒素，インジウム燐，炭化シリコン等を用いればよい。基板表面は平坦である事が望ましい。
【００２０】図3のように導電性基板の上に絶縁膜を形成した構造をとってもよい。この場合，導電性基板は第2のゲート電極としても作用させる事ができる。
【００２１】
複数のカーボンナノチューブをソース電極とドレイン電極の間に配列させる事によりチャネルとする。
　ウ　周知技術
　前記ア及びイより，次の事項は周知技術と認められる。
「電界効果トランジスタにおいて，カーボンナノチューブをチャネル材料とすること。」
（４）本願補正発明と引用発明との対比
　引用発明の「電界効果トランジスター」は，電子デバイスであるから，本願補正発明の「電子デバイスであって，前記デバイスが電界効果トランジスタ」に相当すると認められる。
　引用発明の「フラーレン官能基化カーボンナノチューブ」は「カーボンナノチューブに共有結合した１種又は複数種のフラーレン及び／又はフラーレン系分子を含む」（前記（２）ア（イ））ものであり，「これらの分子（以下，カーボンナノバッドまたはカーボンナノバッド分子と記載する）は，チューブ状炭素分子の側面に共有結合的に結合したフラーレンまたはフラーレン状分子を有する」（本願明細書段落０００５）から，本願補正発明の「カーボンナノバッド分子」に相当し，引用発明の「フラーレン官能基化カーボンナノチューブの厚膜又は薄膜」は，表面上で析出（deposited）させる（前記（２）ア（イ））から，本願補正発明の「カーボンナノバッド分子を含む堆積物」に相当すると認められる。
　引用発明の「電界効果トランジスター」はトランジスターとしてスイッチング機能を有するから，「１よりも大きいオン／オフ比を有」することは自明である。
　引用発明の「フラーレン官能基化カーボンナノチューブは，フラーレンを介してフラーレン官能基化カーボンナノチューブに結合させる」は，カーボンナノチューブとフラーレンとの間に電荷輸送があること（前記（２）ア（エ））から，本願補正発明の「カーボンナノバッド分子が電気伝導経路のネットワークを形成する」に相当すると認められる。
　してみると，本願補正発明と引用発明とは，下記アの点で一致するが，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「電子デバイスであって，前記デバイスが電界効果トランジスタであり，かつ，カーボンナノバッド分子を含む堆積物を含み，かつ，１よりも大きいオン／オフ比を有し，前記カーボンナノバッド分子が電気伝導経路のネットワークを形成する，ことを特徴とする電子デバイス。」　
　イ　相違点
　本願補正発明では「前記堆積物がチャネルを形成」するのに対し，引用発明では「フラーレン官能基化カーボンナノチューブの厚膜又は薄膜」がチャネルを形成するか不明である点。
（５）相違点についての検討
　引用文献１には，フラーレン官能基化カーボンナノチューブを使用して作られるデバイスに「カーボンナノチューブを使用して作製できる任意の他のデバイスを含むこと」が記載されている（前記（２）ア（ウ））から，「カーボンナノチューブ」の代わりに「フラーレン官能基化カーボンナノチューブ」を使用することが示唆されている。そして，「電界効果トランジスタにおいて，カーボンナノチューブをチャネル材料とすること。」は周知技術である（前記（３）ウ）から，引用発明の「電界効果トランジスター」を具体化するにあたり，前記示唆に従い前記周知技術を考慮して，フラーレン官能基化カーボンナノチューブをチャネル材料とすることは，当業者が容易に導けることである。
　してみると，相違点に係る構成を得ることは，当業者が容易になし得ることである。
（６）本願補正発明の効果について
　本願補正発明の効果は，引用発明の構成及び周知技術から当業者が予測できる程度のもので，格別なものではない。
（７）まとめ
　本願補正発明は，引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　むすび 
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明の特許性の有無について
１　本願発明について 
　平成２８年２月２５日にされた手続補正は前記第２のとおり却下された。
　そして，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２７年８月２１日付け手続補正による補正がされた特許請求の範囲の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。
「電子デバイスであって，前記デバイスが電界効果トランジスタであり，かつ，カーボンナノバッド分子を含む堆積物を含み，前記堆積物がチャネルを形成し，かつ，１よりも大きいオン／オフ比を有する，ことを特徴とする電子デバイス。」
２　引用発明及び周知技術
　引用発明及び周知技術は，それぞれ前記第２の２（２）及び同（３）のとおりである。
３　対比・判断
　本願発明は，本願補正発明から「前記カーボンナノバッド分子が電気伝導経路のネットワークを形成する」という限定事項を削除したものである。
　そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに他の事項を付加したものに相当する本願補正発明が，前記第２の２（７）のとおり，引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明することができたものである。
４　まとめ
　以上のとおり，本願発明は，引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
第４　結言 
　したがって，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。