【事件の表示】
　特願２００９−１０７８２３「磁気センサおよびその形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１１月１２日出願公開、特開２００９−２６６３６９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２１年４月２７日（パリ条約に基づく優先権主張　平成２０年４月２５日　米国（ＵＳ））を国際出願日とする出願であって、平成２５年１０月３０日付け拒絶理由通知に対して、平成２６年５月２日付けで手続補正がなされたが、同年９月９日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、平成２７年１月１３日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
２．本願発明
ア．本願の請求項１ないし２０に係る発明のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２６年５月２日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】
　基体上に、
　シード層と、反強磁性（ＡＦＭ）層と、結合層を介して第１および第２の強磁性層が結合してなるシンセティック反強磁性（ＳｙＡＦ）ピンド層とを順に有する積層体と、
　Ｍ＼Ｂ，Ｂ＼Ｍまたは（Ｂ＼Ｍ）n＼Ｂ（Ｍは金属層、Ｂは低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層、ｎは整数である）で表され、前記第１の強磁性層と接する複合スペーサ層と、
　前記複合スペーサ層と接するフリー層と、
　キャップ層と
　を順に備え、
　前記シンセティック反強磁性ピンド層における第１の強磁性層は、ＣｏＦｅ，ＣｏＦｅＢ，ＣｏＢ，ＦｅＢおよびＣｏＦｅＸ（但し、ＸはＮｉ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｚｒを表す）の少なくとも１種からなる
　磁気センサ。」
イ．そして、本願発明は、上記構成要件により、磁気センサにおいて、「ＳｙＡＦピンド層と接する複合スペーサ層が、金属層と、低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層とを有するようにしたので、ＲＡ値を低減しつつ、高いＭＲ比、小さな磁歪定数、および低い層間結合磁場を実現することができる。（段落【００２６】）」との効果を生じるものである。
　さらに、複合スペーサ層については、下記の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
「【００３８】ピンド層１６のＡＰ１層１６１と接する
スペーサ層１７は、複数の層からなる複合構造を有している。スペーサ層１７は、例えば金属層（Ｍ）と、低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層（Ｂ）とが交互に形成され、Ｍ＼Ｂ，Ｂ＼Ｍ，（Ｍ＼Ｂ）n＼Ｍ，または（Ｂ＼Ｍ）n＼Ｂ等（ｎは整数）のように表すことができる
具体的には、金属層（Ｍ）として銅（Ｃｕ）層が挙げられ、低バンドギャップ絶縁層として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が挙げられる。この場合、スペーサ層１７は、Ｃｕ層＼ＭｇＯ層＼Ｃｕ層，ＭｇＯ層＼Ｃｕ層＼ＭｇＯ層，Ｃｕ層＼ＭｇＯ層，ＭｇＯ層＼Ｃｕ層，Ｃｕ層＼ＭｇＯ層＼Ｃｕ層＼ＭｇＯ層＼Ｃｕ層，または（Ｃｕ層＼ＭｇＯ層）n＼Ｃｕ層のように表される
【００３９】スペーサ層１７におけるＭｇＯ層は、０．６ｎｍ（６Å）以上１．０ｎｍ（１０Å）以下の厚さを有する第１のＭｇ層をＣｕ層またはピンド層１６の上に成膜したのち、その第１のＭｇ層を自然酸化（ＮＯＸ：Natural Oxidation）プロセスまたはラジカル酸化（ＲＯＸ：Radical Oxidation）プロセスを用いて酸化させることにより形成される。さらに、０．０５ｎｍ（０．５Å）以上０．７ｎｍ（７Å）以下の厚みを有する第２のＭｇ層を、酸化させた第１のＭｇ層の上に成膜してもよい。
ＮＯＸプロセスを行った場合、ＭｇＯ層の上面には過剰な酸素が蓄積し、この酸素がスペーサ層１７のＭｇＯ層上に直接形成されたフリー層１８を酸化させてしまうおそれがある。そこで第２のＭｇ層をＭｇＯ層の上に形成することにより、フリー層１８の酸化反応を防ぐことができる
「【実施例】（中略）
【００５４】
（実験例１）
  本発明の効果を確認するため、図１などに示したＴＭＲセンサ１の構成に対応するＴＭＲ積層体を作製し、その特性の評価を行った。その結果を表１に表す。
【００５５】【表１】
【００５６】
本実験例のＴＭＲ積層体は、（中略）スペーサ層は、厚さ０．３ｎｍ（３Å）のＣｕ層と、厚さ０．８ｎｍ（８Å）のＭｇＯ層との２層構造とした
【００５８】
（実験例２）
  スペーサ層の構成を変更したことを除き、他は上記実験例１と同様の構成のＴＭＲ積層体を作製し、その特性の評価を行った。その結果を表２に表す。
【００５９】【表２】
【００６０】
本実験例のＴＭＲ積層体は、スペーサ層を厚さ０．６ｎｍ（６Å）のＭｇＯ層と、厚さ０．３ｎｍ（３Å）のＣｕ層と、厚さ０．６ｎｍ（６Å）のＭｇＯ層との３層構造とした
【００６１】表２に示したように、本実験例では、ＭｇＯ層を余分に設けるようにしたものの、実験例１と同様の傾向を維持することができた。
【００６２】
（実験例３）
  スペーサ層の構成を変更したことを除き、他は上記実験例１と同様の構成のＴＭＲ積層体を作製し、その特性の評価を行った。その結果を表３に表す。
【００６３】【表３】
【００６４】
本実験例のＴＭＲ積層体は、スペーサ層を厚さ０．８ｎｍ（８Å）のＭｇＯ層と、厚さ０．３ｎｍ（３Å）のＣｕ層との２層構造とした
【００６５】表３に示したように、本実験例においても実験例１と同様の傾向を維持することができた。
【００６６】
（実験例４）
  スペーサ層の構成を変更したことを除き、他は上記実験例１と同様の構成のＴＭＲ積層体を作製し、その特性の評価を行った。その結果を表４に表す。
【００６７】【表４】
【００６８】
本実験例のＴＭＲ積層体は、スペーサ層を厚さ０．２ｎｍ（２Å）のＣｕ層と、厚さ０．８ｎｍ（８Å）のＭｇＯ層と、厚さ０．２ｎｍ（２Å）のＣｕ層との３層構造とした
【００６９】表４に示したように、本実験例においても実験例１と同様の傾向を維持することができた。
【００７０】このように、本発明によれば、ＲＡ値を０．５Ω×ｃｍ2 未満とし、かつ、層間結合磁場Ｈinを３０Ｏｅ未満としつつ、１４％を超える高い抵抗変化率ｄＲ／Ｒを得ることが可能であることが確認された。」
３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００８−９１８４２号公報（平成２０年４月１７日公開、以下「引用例１」という。）には、「磁気抵抗効果素子」に係る発明について、図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【発明が解決しようとする課題】【００１４】ところで、
ＴＭＲ素子を再生ヘッドに用いる場合には、ＴＭＲ素子の低抵抗化が要求される
磁気ディスク装置では、記録密度の向上とデータ転送レートの向上が要求されている。それに伴い、再生ヘッドには、高周波応答性がよいことが要求される。ところが、ＴＭＲ素子の抵抗値が大きいと、ＴＭＲ素子およびそれに接続される回路において発生する浮遊容量が大きくなり、再生ヘッドの高周波応答性が低下してしまう。そのため、ＴＭＲ素子には低抵抗化が要求される
【００１５】一般的に、
ＴＭＲ素子の低抵抗化のためには、トンネルバリア層の厚みを小さくすることが有効である。しかしながら、トンネルバリア層の厚みを小さくしすぎると、トンネルバリア層に多くのピンホールが生じることによってＴＭＲ素子の寿命が短くなったり、自由層と固定層との間で磁気的な結合が生じることによってノイズの増大やＭＲ比の低下といったＴＭＲ素子の特性の劣化が生じたりするという問題が発生する
イ．「【課題を解決するための手段】【００２３】
本発明の磁気抵抗効果素子は、外部磁界に応じて磁化の方向が変化する自由層と、磁化の方向が固定された固定層と、自由層と固定層との間に配置されたスペーサ層とを備え
スペーサ層は、それぞれ非磁性金属材料によって形成された第１および第２の非磁性金属層と、酸化物半導体を含む材料によって形成され、第１の非磁性金属層と第２の非磁性金属層との間に配置された半導体層とを有している
【００２４】本発明の磁気抵抗効果素子の面積抵抗は、０．１２〜０．３Ω・μｍ２の範囲内であることが好ましく、０．２〜０．３Ω・μｍ２の範囲内であることがより好ましい。
【００２５】また、本発明の磁気抵抗効果素子において、酸化物半導体は酸化亜鉛であってもよい。この場合、半導体層の厚みは、１〜２ｎｍの範囲内であることが好ましく、１．２〜２ｎｍの範囲内であることがより好ましく、１．６〜２ｎｍの範囲内であることが更に好ましい。
【００２６】また、本発明の磁気抵抗効果素子において、第１および第２の非磁性金属層は、それぞれ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇのいずれかによって形成されていてもよい。
【００２７】また、本発明の磁気抵抗効果素子において、第１および第２の非磁性金属層の厚みは、それぞれ、０．３〜２ｎｍの範囲内であることが好ましい。」
「【発明の効果】【００３２】
本発明の磁気抵抗効果素子では、スペーサ層が第１および第２の非磁性金属層と、これらの間に配置された半導体層とを有し
本発明の磁気抵抗効果素子、あるいはこの磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリまたは磁気ディスク装置によれば、磁気抵抗効果素子において、ノイズを抑制し、且つスピントルクの影響を抑制しながら大きなＭＲ比を得ることができるという効果を奏する
ウ．「【００６３】
図１には、ＭＲ素子５の構成の一例を示している。このＭＲ素子５は、信号磁界に応じて磁化の方向が変化する強磁性層である自由層２５と、磁化の方向が固定された強磁性層である固定層２３と、自由層２５と固定層２３との間に配置されたスペーサ層２４とを備えている。図１に示した例では、固定層２３と自由層２５のうち、固定層２３の方が第１のシールド層３に近い位置に配置されている
逆に、自由層２５の方が第１のシールド層３に近い位置に配置されていてもよい
ＭＲ素子５は、更に、固定層２３におけるスペーサ層２４とは反対側に配置された反強磁性層２２と、第１のシールド層３と反強磁性層２２との間に配置された下地層２１と、自由層２５と第２のシールド層８との間に配置された保護層２６とを備えている。図１に示したＭＲ素子５では、第１のシールド層３の上に、下地層２１、反強磁性層２２、固定層２３、スペーサ層２４、自由層２５および保護層２６が順に積層されている
【００６４】反強磁性層２２は、固定層２３との交換結合により、固定層２３における磁化の方向を固定する層である。下地層２１は、その上に形成される各層の結晶性や配向性を向上させ、特に、反強磁性層２２と固定層２３との交換結合を良好にするために設けられる。保護層２６は、その下の各層を保護するための層である。
【００６５】下地層２１の厚みは、例えば２〜６ｎｍである。下地層２１としては、例えばＴａ層とＲｕ層との積層体が用いられる。
【００６６】反強磁性層２２の厚みは、例えば５〜３０ｎｍである。反強磁性層２２は、例えば、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｉｒ、ＣｒおよびＦｅからなる群のうちの少なくとも１種ＭIIと、Ｍｎとを含む反強磁性材料により構成されている。このうちＭｎの含有量は３５原子％以上９５原子％以下、その他の元素ＭIIの含有量は５原子％以上６５原子％以下であることが好ましい。この反強磁性材料には、熱処理しなくても反強磁性を示し、強磁性材料との間に交換結合磁界を誘起する非熱処理系反強磁性材料と、熱処理により反強磁性を示すようになる熱処理系反強磁性材料とがある。この反強磁性層２２は、そのどちらにより構成されていてもよい。非熱処理系反強磁性材料にはγ相を有するＭｎ合金等があり、具体的には、ＲｕＲｈＭｎ、ＦｅＭｎあるいはＩｒＭｎ等がある。熱処理系反強磁性材料には規則結晶構造を有するＭｎ合金等があり、具体的には、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎおよびＰｔＲｈＭｎ等がある。
【００６７】なお、固定層２３における磁化の方向を固定する層として、上記のような反強磁性層２２の代わりに、ＣｏＰｔ等の硬磁性材料よりなる硬磁性層を設けてもよい。この場合には、下地層２１の材料としては、Ｃｒ、ＣｒＴｉ、ＴｉＷ等が用いられる。
【００６８】
固定層２３では、反強磁性層２２との界面における交換結合により、磁化の向きが固定されている。本実施の形態における固定層２３は、反強磁性層２２の上に順に積層されたアウター層３１、非磁性中間層３２およびインナー層３３を有し、いわゆるシンセティック固定層になっている
アウター層３１およびインナー層３３は、例えば、ＣｏおよびＦｅからなる群のうちの少なくともＣｏを含む強磁性材料により構成された強磁性層を含んでいる
【００６９】非磁性中間層３２の厚みは、例えば０．３５〜１．０ｎｍである。
非磁性中間層３２は、例えば、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｃｒ、ＺｒおよびＣｕからなる群のうち少なくとも１種を含む非磁性材料により構成されている
エ．「【００７０】
本実施の形態におけるスペーサ層２４は、それぞれ非磁性金属材料によって形成された第１の非磁性金属層４１および第２の非磁性金属層４３と、酸化物半導体を含む材料によって形成され、第１の非磁性金属層４１と第２の非磁性金属層４３との間に配置された半導体層４２とを有している。第１の非磁性金属層４１はインナー層３３に接し、第２の非磁性金属層４３は自由層２５に接している
【００７１】
半導体層４２に用いられる酸化物半導体としては、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）または酸化インジウム（ＩｎＯ）のいずれかを用いることができる
【００７２】
非磁性金属層４１，４３に用いられる非磁性金属材料としては、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、ＡｕＣｕ、ＣｕＺｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｈのいずれかを用いることができる。このうち、非磁性金属層４１，４３に用いられる非磁性金属材料としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇが好ましく、特にＣｕが好ましい。非磁性金属層４１，４３の各厚みは、０．３〜２ｎｍの範囲内であることが好ましい
【００７３】自由層２５の厚みは、例えば２〜１０ｎｍである。
自由層２５は、保磁力が小さい強磁性層によって構成されている。自由層２５は、積層された複数の強磁性層を含んでいてもよい
【００７４】保護層２６の厚みは、例えば０．５〜２０ｎｍである。
保護層２６としては、例えばＴａ層やＲｕ層が用いられる。また、保護層２６は、Ｔａ層、Ｒｕ層等の組み合わせの２積層構造や、Ｔａ層、Ｒｕ層、Ｔａ層の組み合わせや、Ｒｕ層、Ｔａ層、Ｒｕ層の組み合わせ等の３積層構造としてもよい
【００７５】なお、インナー層３３と自由層２５の少なくとも一方は、ホイスラー合金層を含んでいてもよい。
【００７６】本実施の形態に係るＭＲ素子５の面積抵抗（resistance-area product；ＲＡ）は、０．１〜０．３Ω・μｍ２の範囲内であることが好ましく、０．１２〜０．３Ω・μｍ２の範囲内であることがより好ましく、０．２〜０．３Ω・μｍ２の範囲内であることが更に好ましい。」
オ．「【００７７】次に、
図１に示した再生ヘッドの製造方法について説明する
【００７８】なお、上記の熱処理は、スペーサ層２４を構成する各層となる膜を加熱することを目的として行われる。従って、この熱処理は、スペーサ層２４を構成する各層となる膜の形成後であれば、どの段階で行ってもよい。例えば、上記積層体をパターニングした後に熱処理を行ってもよい。
【００７９】次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの作用について説明する。薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。
【００８０】再生ヘッドにおいて、バイアス磁界印加層６によるバイアス磁界の方向は、媒体対向面２０に垂直な方向と直交している。ＭＲ素子５において、信号磁界がない状態では、自由層２５の磁化の方向は、バイアス磁界の方向に揃えられている。一方、固定層２３の磁化の方向は、媒体対向面２０に垂直な方向に固定されている。
【００８１】ＭＲ素子５では、記録媒体からの信号磁界に応じて自由層２５の磁化の方向が変化し、これにより、自由層２５の磁化の方向と固定層２３の磁化の方向との間の相対角度が変化し、その結果、ＭＲ素子５の抵抗値が変化する。ＭＲ素子５の抵抗値は、第１および第２のシールド層３，８によってＭＲ素子５にセンス電流を流したときのシールド層３，８間の電位差より求めることができる。このようにして、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生することができる。
【００８２】本実施の形態に係るＭＲ素子５において、
スペーサ層２４は、２つの非磁性金属層４１，４３と、これらの間に配置された半導体層４２とを有している。そのため、本実施の形態では、スペーサ層２４が半導体層４２を含まない場合に比べて、ＭＲ素子５の面積抵抗を大きくすることができる
【００８３】本実施の形態によれば、後で説明する第１の実験の結果から分かるように、ＭＲ素子５において、ヘッドノイズを抑制し、且つスピントルクの影響を抑制しながら大きなＭＲ比を得ることができる。
【００８４】また、
半導体層４２に用いられる酸化物半導体は、酸化物であることから、安価に製造可能であり、大気中で安定であり、他の化合物半導体よりも環境に調和するといった特徴を有している。また、酸化物半導体を用いて形成される半導体層４２は、ＭＲ素子５を構成する他の層と同様に、スパッタ法等を用いて容易に形成することができる。半導体層４２に用いられる酸化物半導体としては、特に、上記の酸化物半導体の特徴を顕著に有するＺｎＯが好ましい
酸化物半導体としてのＺｎＯは、ｎ型半導体になりやすいが、ｐ型半導体とすることも可能である
【００８５】半導体層４２は、酸化物半導体の他に添加物を含む材料によって形成されていてもよい。添加物の役割は、半導体層４２中にドナーやアクセプタを形成して、半導体層４２におけるキャリア密度を増加させることである。そのため、添加物によってＭＲ素子５の面積抵抗を制御することができる。添加物としては、例えば、ＧａＯ、ＩｎＯ、ＢＯ、ＡｌＯ、ＣｏＯ、ＦｅＯ、ＭｎＯのうちの１種以上を用いることができる。半導体層４２を構成する材料に含まれる酸化物半導体の割合を１００重量％としたときに、半導体層４２を構成する材料に含まれる添加物の割合は、１〜５重量％の範囲内であることが好ましい。」
　上記の記載事項から以下のことがいえる。
・上記アの記載によれば、磁気ディスク装置の再生ヘッドに用いられるＴＭＲ素子には、低抵抗化が要求されており、一般的に、ＴＭＲ素子の低抵抗化のためには、トンネルバリア層の厚みを小さくすることが有効であるが、トンネルバリア層の厚みを小さくしすぎると、ノイズの増大やＭＲ比の低下といったＴＭＲ素子の特性の劣化が生じたりするという問題が発生することが記載されている。
・上記イの記載によれば、磁気抵抗効果素子は、外部磁界に応じて磁化の方向が変化する自由層と、磁化の方向が固定された固定層と、自由層と固定層との間に配置されたスペーサ層とを備え、スペーサ層は、それぞれ非磁性金属材料によって形成された第１および第２の非磁性金属層と、酸化物半導体を含む材料によって形成され、第１の非磁性金属層と第２の非磁性金属層との間に配置された半導体層とを有していることで、ノイズを抑制し、且つスピントルクの影響を抑制しながら大きなＭＲ比を得ることができるという効果を奏することが記載されている。
・上記ウの記載によれば、再生ヘッドのＭＲ素子５の構成例として、第１のシールド層３上に、下地層２１と、反強磁性層２２と、磁化の方向が固定された強磁性層である固定層２３と、スペーサ層２４と、信号磁界に応じて磁化の方向が変化する強磁性層である自由層２５と、保護層２６と、を順に積層してなるものが記載されている。ここで、固定層２３は、反強磁性層２２の上に順に積層されたアウター層３１、非磁性中間層３２およびインナー層３３を有し、いわゆるシンセティック固定層になっていて、アウター層３１およびインナー層３３は、例えば、ＣｏおよびＦｅからなる群のうちの少なくともＣｏを含む強磁性材料により構成された強磁性層を含んでおり、非磁性中間層３２は、例えば、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｃｒ、ＺｒおよびＣｕからなる群のうち少なくとも１種を含む非磁性材料により構成されていることが記載されている。
・上記エの記載によれば、スペーサ層２４は、それぞれ非磁性金属材料によって形成された第１の非磁性金属層４１および第２の非磁性金属層４３と、酸化物半導体を含む材料によって形成され、第１の非磁性金属層４１と第２の非磁性金属層４３との間に配置された半導体層４２とを有しており、第１の非磁性金属層４１はインナー層３３に接し、第２の非磁性金属層４３は自由層２５に接している。ここで、半導体層４２に用いられる酸化物半導体としては、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）または酸化インジウム（ＩｎＯ）のいずれかを用いることができ、特にＺｎＯが好ましいこと、非磁性金属層４１，４３に用いられる非磁性金属材料としては、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、ＡｕＣｕ、ＣｕＺｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｈのいずれかを用いることができ、このうち、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇが好ましいこと、また、保護層２６は、Ｔａ層、Ｒｕ層等の組み合わせの２積層構造や、Ｔａ層、Ｒｕ層、Ｔａ層の組み合わせや、Ｒｕ層、Ｔａ層、Ｒｕ層の組み合わせ等の３積層構造としてもよいことが記載されている。
・上記オの記載によれば、再生ヘッドの製造方法について説明がなされ、ＭＲ素子５において、スペーサ層２４は、２つの非磁性金属層４１，４３と、これらの間に配置された半導体層４２とを有しているため、スペーサ層２４が半導体層４２を含まない場合に比べて、ＭＲ素子５の面積抵抗を大きくすることができること、半導体層４２に用いられる酸化物半導体は、酸化物であることから、安価に製造可能であり、大気中で安定であり、他の化合物半導体よりも環境に調和するといった特徴を有していて、酸化物半導体を用いて形成される半導体層４２は、ＭＲ素子５を構成する他の層と同様に、スパッタ法等を用いて容易に形成することができることが記載されている。
　そうすると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「第１のシールド層３に、下地層２１と、反強磁性層２２と、
　固定層２３と、
　スペーサ層２４と、
　自由層２５と、
　保護層２６と、
　を順に積層してなる磁気抵抗効果素子において、
　固定層２３は、反強磁性層２２の上に順に積層されたアウター層３１、非磁性中間層３２およびインナー層３３を有し、いわゆるシンセティック固定層になっていて、アウター層３１およびインナー層３３は、例えば、ＣｏおよびＦｅからなる群のうちの少なくともＣｏを含む強磁性材料により構成された強磁性層を含んでおり、
　スペーサ層は、それぞれ非磁性金属材料によって形成された第１の非磁性金属層４１および第２の非磁性金属層４３と、酸化物半導体を含む材料によって形成され、第１の非磁性金属層４１と第２の非磁性金属層４３との間に配置された半導体層４２とを有しており、第１の非磁性金属層４１はインナー層３３に接し、第２の非磁性金属層４３は自由層２５に接している、
磁気抵抗効果素子。」
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、
ア．引用発明の「第１のシールド層３」、「下地層２１」、「反強磁性層２２」、「アウター層３１」、「非磁性中間層３２」、「インナー層３３」、「固定層２３」、「スペーサ層２４」、「自由層２５」、「保護層２６」は、本願発明の「基体」、「シード層」、「反強磁性（ＡＦＭ）層」、「第２の強磁性層」、「結合層」、「第１の強磁性層」、「（シンセティック反強磁性（ＳｙＡＦ））ピンド層」、「複合スペーサ層」、「フリー層」、「キャップ層」に、それぞれ相当する。
イ．引用発明の「スペーサ層２４」は、それぞれ非磁性金属材料によって形成された第１の非磁性金属層４１および第２の非磁性金属層４３と、酸化物半導体を含む材料によって形成され、第１の非磁性金属層４１と第２の非磁性金属層４３との間に配置された半導体層４２とを有しているから、本願発明の「ＭとＢ（Ｍは金属層、Ｂは低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層）で表され、前記第１の強磁性層と接する複合スペーサ層」に相当する。
　ただし、複合スペーサ層の積層構成について、本願発明では「Ｍ＼Ｂ，Ｂ＼Ｍまたは（Ｂ＼Ｍ）n＼Ｂ（Ｍは金属層、Ｂは低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層、ｎは整数である）で表され」るのに対し、引用発明では「Ｍ＼Ｂ＼Ｍ（Ｍは金属層、Ｂは半導体層：第１の非磁性金属層と第２の非磁性金属層との間に半導体層を配置）で表され」る点で相違している。
ウ．引用発明の「固定層２３」は、反強磁性層２２の上に順に積層されたアウター層３１、非磁性中間層３２およびインナー層３３を有し、いわゆるシンセティック固定層になっていて、アウター層３１およびインナー層３３は、例えば、ＣｏおよびＦｅからなる群のうちの少なくともＣｏを含む強磁性材料により構成されているから、本願発明の「結合層を介して第１および第２の強磁性層が結合してなるシンセティック反強磁性（ＳｙＡＦ）ピンド層
における第１の強磁性層は、ＣｏＦｅからなる」に相当する。
エ．引用発明の「磁気抵抗効果素子」は、本願発明の「磁気センサ」に相当する。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致ないし相違する。
（一致点）
「基体上に、
　シード層と、反強磁性（ＡＦＭ）層と、結合層を介して第１および第２の強磁性層が結合してなるシンセティック反強磁性（ＳｙＡＦ）ピンド層とを順に有する積層体と、
　ＭとＢ（Ｍは金属層、Ｂは低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層）で表され、前記第１の強磁性層と接する複合スペーサ層と、
　前記複合スペーサ層と接するフリー層と、
　キャップ層と
　を順に備え、
　前記シンセティック反強磁性ピンド層における第１の強磁性層は、ＣｏＦｅ，ＣｏＦｅＢ，ＣｏＢ，ＦｅＢおよびＣｏＦｅＸ（但し、ＸはＮｉ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｚｒを表す）の少なくとも１種からなる
　磁気センサ。」
（相違点）
　複合スペーサ層の積層構成について、本願発明は「Ｍ＼Ｂ，Ｂ＼Ｍまたは（Ｂ＼Ｍ）n＼Ｂ（Ｍは金属層、Ｂは低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層、ｎは整数である）で表され」るのに対し、引用発明は「Ｍ＼Ｂ＼Ｍ（Ｍは金属層、Ｂは半導体層：第１の非磁性金属層と第２の非磁性金属層との間に半導体層を配置）で表され」る点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００７−１１５９６０号公報（以下、「引用例２」という。）には、「磁気抵抗効果素子の製造方法」について、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
「【発明を実施するための最良の形態】【００１１】図１に本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果素子（ＣＣＰ−ＣＰＰ素子）の断面図を示す。図１の磁気抵抗効果素子は、基板上に形成された、下電極１１、下地層１２、ピニング層１３、ピン層１４、
金属層１５、スペーサ層１６、金属層１７
【００１２】図２（Ａ）〜（Ｄ）を参照して本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果素子（ＣＣＰ−ＣＰＰ素子）の製造方法を説明する。ここでは、
Ａｌ2Ｏ3からなる絶縁層中にＣｕからなる電流パスを含む非磁性スペーサ層を形成する場合を例にとり説明する
【００１３】基板上に下電極、下地層およびピニング層を成膜した後、図２（Ａ）に示すように、ピン層１４を成膜する。
ピン層１４上に電流パス２１を形成する第１の非磁性金属層ｍ１（例えばＣｕ）を成膜する。第１の非磁性金属層上に絶縁層に変換される第２の金属層ｍ２（例えばＡｌＣｕやＡｌ）を成膜する
「【００１７】
図２（Ｄ）に示すように、スペーサ層１６上にＣｕなどの金属層１７を成膜し、その上にフリー層１８を成膜する。なお、スペーサ層１６上の金属層１７は、その上に成膜されるフリー層が酸化の影響を受けることを防止する機能を有するが、必ずしも設ける必要はない
「【００５３】第１の非磁性金属層としては、酸化されにくく、かつ比抵抗の低い材料が望ましい。Ｃｕの代わりとして、Ａｕ、Ａｇなどを用いてもよい。
【００５４】第２の金属層としてＡｌＣｕを用いた場合、第１の酸化工程中に第１の非磁性金属層のＣｕが吸い上げられるだけでなくＡｌＣｕ中のＣｕもＡｌから分離されて電流パスとなる。本実施例では第２の金属層としてＡｌ90Ｃｕ10を用いたがＣｕを含まない純Ａｌを用いてもよい。純Ａｌを用いた場合、Ｃｕの吸いあがりによってのみ電流パスが形成される。
【００５５】
第２の金属層の材料は、Ａｌ2Ｏ3を形成するためのＡｌ合金に限らず、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｉなどおよびそれらを主成分とする合金でもよい
【００５６】
スペーサ層１６の上に、金属層１７としてＣｕ［０．２５ｎｍ］を成膜する。この金属層１７は、その上に成膜されるフリー層がスペーサ層１６の酸化物に接して酸化されないようにするバリア層としての機能を有する。なお、フリー層の酸化はアニール条件の最適化などによって回避できることもあるので、スペーサ層１６上の金属層１７は必ずしも設ける必要はない
　上記の記載によれば、磁気抵抗効果素子のスペーサ層として、例えばＣｕからなる第１の非磁性金属層を成膜し、第１の非磁性金属層上に絶縁層に変換される第２の金属層（Ａｌ2Ｏ3を形成するためのＡｌ合金に限らず、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｉなどおよびそれらを主成分とする合金）を成膜して形成する点、およびスペーサ層上（フリー層側）の金属層は必ずしも設ける必要はないことが記載されている。ここで、非磁性金属層はＭ、絶縁層はＢと表すと、引用例２には、磁気抵抗効果素子のピンド層と接するスペーサ層として、「Ｍ＼Ｂで表される」複合スペーサ層の積層構成が開示されており、引用発明の複合スペーサ層の積層構成に、引用例２の積層構成を適用して、本願発明を構成することは当業者が容易になし得たものである。
　なお、請求人は、審判請求書において、本願発明独自の作用効果として、
「本願発明は、シンセティック反強磁性（ＳｙＡＦ）ピンド層とフリー層との間に挿入された複合スペーサ層が、シンセティック反強磁性（ＳｙＡＦ）ピンド層およびフリー層の双方と接している。さらに、複合スペーサ層はＭ＼Ｂ，Ｂ＼Ｍまたは（Ｂ＼Ｍ）n＼Ｂ（Ｍは金属層、Ｂは低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層、ｎは整数である）で表される構造を有する。したがって、本願発明の磁気センサでは、ＳｙＡＦピンド層およびフリー層の少なくとも一方と低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層との界面を必ず含むこととなる。 
　本願発明では、上記構成により、例えば引用文献１のようなＭ＼Ｂ＼Ｍ構造のスペーサを有するＭＴＪスタックの場合よりも高い磁気抵抗変化率が得られ、または面積抵抗ＲＡ値を低減させることができる。この点は、本願明細書に記載の実施例にも示されている。 
　さらに、フリー層と低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層との界面は、垂直磁気異方性をフリー層の内部に誘導することができる。フリー層の内部に面内磁気異方性が生じている場合よりも熱安定性が向上するので好ましい。」旨、主張している。
　しかしながら、上記引用例２には、磁気抵抗効果素子のピンド層とフリー層の間に挿入されるスペーサ層として、「Ｍ＼Ｂで表される」複合スペーサ層の積層構成が開示されており、引用例２の「Ｍ＼Ｂで表される」積層構成においても、フリー層と低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層との界面を含むものである。
　また、本願発明では、上記構成により、引用文献１のようなＭ＼Ｂ＼Ｍ構造のスペーサを有するＭＴＪスタックの場合よりも高い磁気抵抗変化率が得られ、または面積抵抗ＲＡ値を低減させることができるとの主張は、本願明細書の記載によると、「Ｍ＼Ｂ＼Ｍ構造の（実施例２）」と「Ｂ＼Ｍ＼Ｂ構造の（実施例４）」との比較において、磁気抵抗変化率は両者同じであり、面積抵抗ＲＡ値については「Ｂ＼Ｍ＼Ｂ構造の（実施例４）」が低減しているものの、層間結合磁場については「Ｍ＼Ｂ＼Ｍ構造の（実施例２）」が低減しており、優位な効果とは認められない。
　さらに、フリー層と低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層との界面についても、上記「２．本願発明」に摘記したように、「酸素がスペーサ層１７のＭｇＯ層上に直接形成されたフリー層１８を酸化させてしまうおそれがある（段落【００３９】）」ことから、優位な効果とは認められない。
　したがって、請求人の主張は採用できない。
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明および引用例２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。