【事件の表示】
　特願２０１１−　　５９０２「表示基板」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　７月２８日出願公開、特開２０１１−１４６７１３、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年１月１４日（パリ優先権主張　２０１０年（平成２２年）１月１５日　韓国）の出願であって、平成２５年１１月２６日付で審査請求がなされ、平成２６年７月３１日付で拒絶理由が通知され、同年１１月４日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされ、平成２７年１月２６日付で拒絶理由が通知され、同年４月２１日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたが、同年１０月１９日付で拒絶査定がなされたものである。
　これに対して、平成２８年２月２９日付で審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、同年７月１５日付で上申書が提出され、当審において平成２９年３月１日付で最後の拒絶理由が通知され、同年６月７日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし９に係る発明は、平成２９年６月７日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲１ないし９に記載される事項により特定される、次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　絶縁基板上に形成されたゲート配線と、
　前記ゲート配線上に形成され、酸化物半導体を含む酸化物半導体パターン、および
　前記酸化物半導体パターン上に前記ゲート配線と交差するように形成されたデータ配線を含み、
　前記酸化物半導体パターンは、第１酸化物としてのＧａＩｎＺｎＯまたはＨｆＩｎＺｎＯおよび窒素を含むＧａＩｎＺｎＯＮまたはＨｆＩｎＺｎＯＮで形成される第１酸化物半導体パターン、および第２酸化物を含む第２酸化物半導体パターンを含み、
　前記第１酸化物半導体パターンと前記第２酸化物半導体パターンとは、互いに重ね合わされ、平面図にて輪郭が互いに一致し、
　前記第１酸化物半導体パターンがゲート電極の側に位置し、前記第２酸化物半導体パターンが、ソース及びドレイン電極の側に位置し、
　前記第１酸化物半導体パターンは、４００ｎｍ近傍の波長を有する光の透過率を、それ以外の他の可視光線波長領域の光の透過率よりも低くする表示基板。
　【請求項２】
　前記ゲート配線はゲート電極を含み、前記ゲート電極のターンオン電圧は０Ｖ以上である、請求項１に記載の表示基板。
　【請求項３】
　前記酸化物半導体パターン上に形成されたエッチング停止パターンをさらに含む請求項１または２に記載の表示基板。
　【請求項４】
　前記データ配線は、互いに離隔されて対向するソース電極およびドレーン電極を含み、前記エッチング停止パターンはソース電極およびドレーン電極によって露出される請求項３に記載の表示基板。
　【請求項５】
　前記第１酸化物半導体パターンは前記ゲート配線上に配置され、前記第２酸化物半導体パターンは前記第１酸化物半導体パターン上に配置されている請求項１〜４のいずれかに記載の表示基板。
　【請求項６】
　前記第１酸化物半導体パターンは、前記第２酸化物半導体パターンへの４００ｎｍ近傍の波長を有する光の透過率を、それ以外の他の可視光線波長領域の光の透過率よりも低くする、請求項５に記載の表示基板。
　【請求項７】
　前記第１酸化物半導体パターンは燐（Ｐ）、フッ素（Ｆ）および塩素（Ｃｌ）からなる群から選択された少なくとも一つをさらに含む請求項１〜６のいずれかに記載の表示基板。
　【請求項８】
　前記第２酸化物は、ＧａＩｎＺｎＯまたはＨｆＩｎＺｎＯを含む請求項１〜７のいずれかに記載の表示基板。
　【請求項９】
　前記第１酸化物と前記第２酸化物との組み合わせは、ＧａＩｎＺｎＯＮ／ＧａＩｎＺｎＯまたはＨｆＩｎＺｎＯＮ／ＧａＩｎＺｎＯである請求項８に記載の表示基板。」
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　原査定の理由の概要は、次のとおりである。
「この出願については、平成２７年　１月２６日付け拒絶理由通知書に記載した理由１によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
●理由１（特許法第３６条第４項第１号）について
・請求項１−４６
　請求項１，１６には、「窒素」を含む「第１酸化物半導体パターン」と、窒素を含むことが特定されていない「第２酸化物半導体パターン」とについて、
　「第１酸化物半導体パターンのバンドギャップ（Ｂａｎｄ　Ｇａｐ）は前記第２酸化物半導体パターンのバンドギャップより大きい」、
　請求項３４には、
　「前記酸化物半導体パターンは前記窒素の濃度が相対的に高い第１区間と前記窒素の濃度が相対的に高い第２区間を含み、
　前記第１区間のバンドギャップ(ＢａｎｄＧａｐ)は前記第２区間のバンドギャップより大きい」（ここで、「窒素の濃度が相対的に高い第２区間」は、「前記窒素の濃度が相対的に低い第２区間」の誤記と認められる。）、
と記載されている
　さらに、明細書（［００３４］−［００３５］）、図面（図３Ａ、図３Ｂ）には、唯一の具体例として、「例えば、第１酸化物半導体パターン（４２，４４）がＧａＩｎＺｎＯＮ（以下ＧＩＺＯＮ）である場合、概ね３．０ｅＶ程度のバンドギャップを有し、第２酸化物半導体パターン（５２，５４）がＧａＩｎＺｎＯ（以下ＧＩＺＯ）である場合、概ね２．７ｅＶ程度のバンドギャップを有する。」と記載されている。
　しかし、窒素を含むことにより酸化物半導体のバンドギャップが大きくなることは、当業者に知られていないうえ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ系化合物では、窒素濃度の増加とともにバンドギャップが小さくなるという事実（例えば、特開２０１２−１４０７０６号公報［００３３］、特開２０１０−９３０７０号公報［００１６］、特開２０１２−１３４４６９号公報［００１４］参照。）に反する。
　また、図３Ａ、図３Ｂのグラフも、波長がゼロのとき、観測される複数の値が観測される点など不自然であるため、これらグラフを根拠とする明細書の記載も当を得ていない。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１−４６に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。」
２　拒絶理由通知の概要
　平成２７年１月２６日付拒絶理由通知の概要は、次のとおりである。
「１．この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
・請求項１−４３
　請求項１，１６には、第１酸化物半導体パターンが「窒素」を含み、「第１酸化物半導体パターンのバンドギャップ（Ｂａｎｄ　Ｇａｐ）は前記第２酸化物半導体パターンのバンドギャップより大きい」こと、
　また、請求項３１には、「前記酸化物半導体パターンは前記窒素の濃度が相対的に高い第１区間と前記窒素の濃度が相対的に高い第２区間を含み、
　前記第１区間のバンドギャップ(Ｂａｎｄ　Ｇａｐ)は前記第２区間のバンドギャップより大きい」ことが記載されている。
　そして、明細書【００３５】には、唯一の具体例として、「例えば、第１酸化物半導体パターン（４２，４４）がＧａＩｎＺｎＯＮ（以下ＧＩＺＯＮ）である場合、概ね３．０ｅＶ程度のバンドギャップを有し、第２酸化物半導体パターン（５２，５４）がＧａＩｎＺｎＯ（以下ＧＩＺＯ）である場合、概ね２．７ｅＶ程度のバンドギャップを有する。」と記載されている。
　しかし、窒素を含むことにより酸化物半導体のバンドギャップが大きくなることは、当業者に知られていないうえ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ系化合物では、窒素濃度の増加とともにバンドギャップが小さくなるという事実（特開２０１２−１４０７０６号公報【００３３】参照。）に反する。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１−４３に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。」
３　原査定の理由についての当審の判断
（１）理由１（特許法第３６条第４項第１号）について　
あ　請求項１の「窒素」を含む「第１酸化物半導体パターン」と、窒素を含むことが特定されていない「第２酸化物半導体パターン」とについて、「第１酸化物半導体パターンのバンドギャップ（Ｂａｎｄ　Ｇａｐ）は前記第２酸化物半導体パターンのバンドギャップより大きい」点について（以下、「原査定の理由あ」という。）。
　請求項１に記載された発明は、補正により
「絶縁基板上に形成されたゲート配線と、
　前記ゲート配線上に形成され、酸化物半導体を含む酸化物半導体パターン、および
　前記酸化物半導体パターン上に前記ゲート配線と交差するように形成されたデータ配線を含み、
　前記酸化物半導体パターンは、第１酸化物としてのＧａＩｎＺｎＯまたはＨｆＩｎＺｎＯおよび窒素を含むＧａＩｎＺｎＯＮまたはＨｆＩｎＺｎＯＮで形成される第１酸化物半導体パターン、および第２酸化物を含む第２酸化物半導体パターンを含み、
　前記第１酸化物半導体パターンと前記第２酸化物半導体パターンとは、互いに重ね合わされ、平面図にて輪郭が互いに一致し、
　前記第１酸化物半導体パターンがゲート電極の側に位置し、前記第２酸化物半導体パターンが、ソース及びドレイン電極の側に位置し、
　前記第１酸化物半導体パターンは、４００ｎｍ近傍の波長を有する光の透過率を、それ以外の他の可視光線波長領域の光の透過率よりも低くする表示基板。」
となり、「第１酸化物半導体パターンのバンドギャップ（Ｂａｎｄ　Ｇａｐ）は前記第２酸化物半導体パターンのバンドギャップより大きい」との記載は削除されたから、原査定の理由あによっては、本願を拒絶することはできない。
い　請求項１６の「窒素」を含む「第１酸化物半導体パターン」と、窒素を含むことが特定されていない「第２酸化物半導体パターン」とについて、「第１酸化物半導体パターンのバンドギャップ（Ｂａｎｄ　Ｇａｐ）は前記第２酸化物半導体パターンのバンドギャップより大きい」点について（以下、「原査定の理由い」という。）。
　請求項１６および請求項１６を引用する請求項１７ないし３３は、補正により削除されたから、原査定の理由いによっては、本願を拒絶することはできない。
う　請求項３４の「前記酸化物半導体パターンは前記窒素の濃度が相対的に高い第１区間と前記窒素の濃度が相対的に高い第２区間を含み、
　前記第１区間のバンドギャップ(ＢａｎｄＧａｐ)は前記第２区間のバンドギャップより大きい」（ここで、「窒素の濃度が相対的に高い第２区間」は、「前記窒素の濃度が相対的に低い第２区間」の誤記と認められる。）点について（以下、「原査定の理由う」という。）。
　請求項３３および請求項３３を引用する請求項３４ないし４６は、補正により削除されたから、原査定の理由うによっては、本願を拒絶することはできない。
え　明細書（［００３４］−［００３５］）、図面（図３Ａ、図３Ｂ）に係る、「例えば、第１酸化物半導体パターン（４２，４４）がＧａＩｎＺｎＯＮ（以下ＧＩＺＯＮ）である場合、概ね３．０ｅＶ程度のバンドギャップを有し、第２酸化物半導体パターン（５２，５４）がＧａＩｎＺｎＯ（以下ＧＩＺＯ）である場合、概ね２．７ｅＶ程度のバンドギャップを有する。」との記載について（以下、「原査定の理由え」という。）。
　明細書［００３４］−［００３６］は、補正によって削除されたから、原査定の理由えによっては、本願を拒絶することはできない。
（２）原査定の理由についてのまとめ
　以上のとおり、本願の請求項１ないし９に係る発明は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審の拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
　平成２９年３月１日付けで当審より通知した拒絶理由の概要は、次のとおりである。
「この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　記　 
 ・請求項１ないし１４ 
 ・備考 
　補正後の請求項１には、 
「絶縁基板上に形成されたゲート配線と、 
　前記ゲート配線上に形成され、酸化物半導体を含む酸化物半導体パターン、および 
　前記酸化物半導体パターン上に前記ゲート配線と交差するように形成されたデータ配線を含み、 
　前記酸化物半導体パターンは第１酸化物および窒素を含む第３元素を含む第１酸化物半導体パターンおよび第２酸化物を含む第２酸化物半導体パターンを含み、 
　前記第１酸化物半導体パターンは、４００ｎｍ近傍の波長を有する光の透過率を、それ以外の他の可視光線波長領域の光の透過率よりも低くする表示基板。」 
　と記載されているが、上記「第１酸化物および窒素を含む第３元素を含む第１酸化物半導体パターン」との記載は、「第１酸化物半導体パターン」が何を含んでいるのか、日本語として意味不明である。 
　つまり、上記記載では、「第３元素」が「第１酸化物および窒素を」含み、「第１酸化物半導体パターン」がその「第３元素を含む」ことを意味するのか、「第１酸化物半導体パターン」が「第１酸化物および窒素を含」み、且つ、「第３元素を含む」ことを意味するのかわからない。 
　したがって、請求項１に記載された発明は、明確であるとは言えない。 
　また、請求項１に記載された発明を引用する請求項２ないし１４に記載された発明も、同様の理由により明確であるとは言えない。」
２　当審拒絶理由についての判断
（１）特許法第３６条第６項第２号について
あ　請求項１の「第３元素」が「第１酸化物および窒素を」含み、「第１酸化物半導体パターン」がその「第３元素を含む」ことを意味するのか、「第１酸化物半導体パターン」が「第１酸化物および窒素を含」み、且つ、「第３元素を含む」ことを意味するのかわからない点について（以下、「当審拒絶理由あ」という。）。
　請求項１に記載された発明は、補正により
「絶縁基板上に形成されたゲート配線と、
　前記ゲート配線上に形成され、酸化物半導体を含む酸化物半導体パターン、および
　前記酸化物半導体パターン上に前記ゲート配線と交差するように形成されたデータ配線を含み、
　前記酸化物半導体パターンは、第１酸化物としてのＧａＩｎＺｎＯまたはＨｆＩｎＺｎＯおよび窒素を含むＧａＩｎＺｎＯＮまたはＨｆＩｎＺｎＯＮで形成される第１酸化物半導体パターン、および第２酸化物を含む第２酸化物半導体パターンを含み、
　前記第１酸化物半導体パターンと前記第２酸化物半導体パターンとは、互いに重ね合わされ、平面図にて輪郭が互いに一致し、
　前記第１酸化物半導体パターンがゲート電極の側に位置し、前記第２酸化物半導体パターンが、ソース及びドレイン電極の側に位置し、
　前記第１酸化物半導体パターンは、４００ｎｍ近傍の波長を有する光の透過率を、それ以外の他の可視光線波長領域の光の透過率よりも低くする表示基板。」
となり、
「前記酸化物半導体パターンは第１酸化物および窒素を含む第３元素を含む第１酸化物半導体パターンおよび第２酸化物を含む第２酸化物半導体パターンを含」むことは、「前記酸化物半導体パターンは、第１酸化物としてのＧａＩｎＺｎＯまたはＨｆＩｎＺｎＯおよび窒素を含むＧａＩｎＺｎＯＮまたはＨｆＩｎＺｎＯＮで形成される第１酸化物半導体パターン、および第２酸化物を含む第２酸化物半導体パターンを含」むこととなったから、請求項１および請求項１を引用する請求項２ないし９に記載された発明は、明確となった。
　したがって、当審拒絶理由あによっては、本願を拒絶することはできない。
（２）当審拒絶理由についてのまとめ
　以上のとおり、本願の請求項１ないし９に係る発明は、明確となったから、当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第５　結語
　以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶するべき理由は発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。