(57)【要約】【課題】照度センサ及び照度センサ出力値調整システムにおいて、封止樹脂の光透過率のばらつきや、チップ上の封止樹脂の厚みのばらつきに係らず、照度センサの個体間の出力精度のばらつきを抑えて、高精度な出力値を得る。【解決手段】センサチップ３は、増幅率調整用のパラメタを記憶するためのメモリと、フォトダイオード４で生成された光電流に基づく出力値を、メモリに記憶された増幅率調整用のパラメタに基いて増幅する増幅回路とを備え、制御用ＰＣ２２から受信したコマンドの内容に応じて、メモリに記憶された増幅率調整用のパラメタを書き換える。これにより、封止樹脂７によるセンサチップ３の封止後でも、照度センサ１の出力値を容易に補正することができるので、チップ上の封止樹脂７についての厚みや光透過率のばらつきに係らず、個体間の出力精度のばらつきを抑えて、照度センサ１から高精度な出力値を得ることができる。【選択図】図５
2011043455.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
照射された光の量に応じた光電流を生成する光電変換素子を有し、この光電変換素子で生成された光電流に基づいて、前記光電変換素子の受光領域における照度に応じた出力値を出力する、前記基板上に配されたセンサチップと、
前記センサチップを前記基板上に封止するための光透過性の封止樹脂とを備えた照度センサにおいて、
前記センサチップと電気的に接続され、少なくともその一部が前記封止樹脂から露出した外部端子をさらに備え、
前記センサチップは、
増幅率調整用のパラメタを記憶するための記憶手段と、
前記光電変換素子で生成された光電流に基づく出力値を、前記記憶手段に記憶された増幅率調整用のパラメタに基いて増幅する増幅回路と、
前記外部端子を介して外部制御機器と通信するための通信手段と、
前記通信手段により前記外部制御機器から受信したコマンドの内容に応じて、前記記憶手段に記憶された増幅率調整用のパラメタを書き換えるパラメタ書換手段とをさらに有することを特徴とする照度センサ。
【請求項２】
前記光電変換素子の受光領域の一部を遮光するための遮光部材をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の照度センサ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の照度センサの出力値を調整する照度センサ出力値調整システムであって、
前記照度センサとの通信が可能な外部制御機器を含み、
前記外部制御機器は、前記外部端子を介して前記増幅回路の増幅率を調整する増幅率調整手段を有することを特徴とする照度センサ出力値調整システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照度センサ、及び照度センサの出力値を調整する照度センサ出力値調整システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、照度センサの製造工程において、個体間の出力精度のばらつきを抑えるために、センサチップの回路内の抵抗をレーザトリミングして抵抗値を調整する方法などにより、センサチップ自体の出力精度のばらつきを減少させてきた。
【０００３】
しかしながら、センサチップ単体での出力精度のばらつきが抑えられたとしても、照度センサ全体の出力精度は、その後のチップ封止工程において、封止樹脂の光透過率のばらつきや、チップ上の封止樹脂の厚みのばらつきの影響をさらに受ける。このため、商品としての照度センサの個体間における出力精度のばらつきは大きくなってしまう。
【０００４】
また、光センサの分野において、センサアレイ内の各センサの検出感度のばらつきを補正するために、センサアレイ内の全センサに一様な光を与えた状態で、各センサからの検出値（出力値）と、センサアレイ内の特定のセンサからの検出値との差の値を記憶しておいて、これらの差の値を用いて、実際の検出時における各センサの検出感度のばらつきを補正する技術が知られている（特許文献１参照）。しかし、この補正方法は、あくまでも、各センサからの検出値を、センサアレイ内の特定のセンサからの検出値に合わせるものであるため、センサアレイ内の各センサの検出感度のばらつきを補正することはできても、補正後の各センサからの検出値（出力値）を、必ずしも適正な値にすることはできない。また、この補正方法は、センサアレイ内の各センサの検出感度のばらつきを補正するための方法であるため、この方法を、そのまま、照度センサの個体間における出力精度のばらつきの補正に適用することはできない。
【０００５】
さらにまた、アレイ赤外検出器における各赤外検出素子の感度のばらつきを補正するために、各赤外検出素子に対応した増幅回路を設けるようにした発明が知られている（特許文献２参照）。しかし、この発明も、アレイ赤外検出器における各赤外検出素子の感度のばらつきを補正するための技術であるため、この発明を、そのまま、照度センサの個体間における出力精度のばらつきの補正に適用することはできない。また、上記の特許文献２には、各赤外検出素子に対応した増幅回路の増幅率を調整するための仕組みが具体的に開示されていない。
【０００６】
また、２次元に配列されたサーミスタ等の赤外線感応抵抗体間における抵抗値のばらつきを補正するために、メモリに、予め、赤外線検知部に赤外線を入射させない状態で出力された信号を記憶しておき、赤外線検知部に赤外線が入射されたときに出力される信号からメモリに記憶されている信号を減算することにより、赤外線感応抵抗体間における抵抗値のばらつきを補正するようにした赤外線検知回路が知られている（特許文献３参照）。しかし、この発明は、２次元に配列されたサーミスタ等の赤外線感応抵抗体間における抵抗値のばらつきを補正するためのものであるので、この発明を、照度センサの個体間における出力精度のばらつきの補正に適用することはできない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特公平６−１０５１８６号公報
【特許文献２】特開昭６３−５５４２４号公報
【特許文献３】特開平９−８９６７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するものであり、封止樹脂の光透過率のばらつきや、チップ上の封止樹脂の厚みのばらつきに係らず、個体間の出力精度のばらつきを抑えて、高精度な出力値を得ることが可能な照度センサ及び照度センサ出力値調整システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、請求項1の発明は、基板と、照射された光の量に応じた光電流を生成する光電変換素子を有し、この光電変換素子で生成された光電流に基づいて、前記光電変換素子の受光領域における照度に応じた出力値を出力する、前記基板上に配されたセンサチップと、前記センサチップを前記基板上に封止するための光透過性の封止樹脂とを備えた照度センサにおいて、前記センサチップと電気的に接続され、少なくともその一部が前記封止樹脂から露出した外部端子をさらに備え、前記センサチップは、増幅率調整用のパラメタを記憶するための記憶手段と、前記光電変換素子で生成された光電流に基づく出力値を、前記記憶手段に記憶された増幅率調整用のパラメタに基いて増幅する増幅回路と、前記外部端子を介して外部制御機器と通信するための通信手段と、前記通信手段により前記外部制御機器から受信したコマンドの内容に応じて、前記記憶手段に記憶された増幅率調整用のパラメタを書き換えるパラメタ書換手段とをさらに有するものである。
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１に記載の照度センサにおいて、前記光電変換素子の受光領域の一部を遮光するための遮光部材をさらに有するものである。
【００１１】
請求項３の発明は、請求項1又は請求項２に記載の照度センサの出力値を調整する照度センサ出力値調整システムであって、前記照度センサとの通信が可能な外部制御機器を含み、前記外部制御機器は、前記外部端子を介して前記増幅回路の増幅率を調整する増幅率調整手段を有するものである。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１の発明によれば、封止樹脂によるセンサチップの封止後でも、外部制御機器から受信したコマンドの内容に応じて、記憶手段に記憶された増幅率調整用のパラメタを書き換えることができるので、照度センサの出力値が、封止樹脂の光透過率のばらつきや、チップ上の封止樹脂の厚みのばらつきの影響を受けた場合でも、照度センサの出力値を容易に補正することができる。これにより、封止樹脂の光透過率のばらつきや、チップ上の封止樹脂の厚みのばらつきに係らず、照度センサの個体間の出力精度のばらつきを抑えて、照度センサから高精度な出力値を得ることができる。従って、照度センサの構造設計時の設計精度に余裕ができ、照度センサの製造コストの削減を図ることが可能となる。
【００１３】
特に、封止樹脂に光波長選択性の効果をもたせて樹脂フィルタとして用いた場合、樹脂フィルタの光透過率は低いため、樹脂フィルタの材料ばらつき及び厚みばらつきに起因する感度（出力値）の低下は大きな問題になる。この場合にも、パラメタ書換手段を用いて増幅率調整用のパラメタを書き換えることにより、照度センサから所定のレベルの出力値を得ることが可能である。
【００１４】
請求項２の発明によれば、遮光部材を用いて光電変換素子の受光領域の露出面積を調整することができるので、パラメタ書換手段を用いた出力調整の範囲を超えた大幅な出力調整（感度調整）を行うことができる。これにより、照度センサの構造設計時の余裕が増し、構造変更することなく、幅広いユーザニーズに対応可能なセンサチップの作成が可能となる。
【００１５】
また、設計上、封止樹脂の厚みを、（ばらつきの範囲外で）大幅に変更することになった場合でも、遮光部材を用いて光電変換素子の受光領域の露出面積を調整する方法に加え、さらにパラメタ書換手段を用いて増幅率調整用のパラメタを書き換える方法により、照度センサから、所定のレベルの高精度な出力値を得ることができる。
【００１６】
また、請求項３の発明によれば、外部制御機器は、外部端子を介して増幅回路の増幅率を調整することができるので、上記請求項1及び請求項２の効果として記載した効果を的確に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係る照度センサの上面図と、この上面図のＡ−Ａ線断面図。
【図２】図１中の外部端子パッドのうち、外部電源供給と増幅率調整に用いられる外部端子パッドを示す、照度センサの上面図。
【図３】同照度センサのセンサチップ内の概略の電気的ブロック構成図。
【図４】同照度センサに外光が入射した際に、照度センサ内で行われる処理の概要を示すフローチャート。
【図５】同照度センサの出力値を調整するための照度センサ出力値調整システムの説明図。
【図６】同照度センサ出力値調整システムによる増幅率調整処理のフローチャート。
【図７】（ａ）は、封止樹脂により封止される前で、配線メタル材料により遮光される前における照度センサを示す図、（ｂ）は、封止樹脂により封止される前で、配線メタル材料により遮光された照度センサを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態による照度センサの上面図と、この上面図のＡ−Ａ線断面図とを示す。本実施形態の照度センサ１は、ディジタル出力タイプの照度センサである。この照度センサ１は、基板２と、基板２上に配されたセンサチップ３と、センサチップ３を基板２上に封止するための光透過性の封止樹脂７とを備えている。センサチップ３は、照射された光の量に応じた光電流を生成するフォトダイオード４（請求項における光電変換素子）と、フォトダイオード４で生成された光電流をディジタル形式の電圧信号に変換して出力するための回路部とを有している。センサチップ３は、上記のフォトダイオード４と回路部とを用いて、フォトダイオード４の受光領域４ａにおける照度に応じた出力値（ディジタル形式の電圧信号）を出力する。また、照度センサ１は、少なくともその一部が封止樹脂７から露出した６つの外部端子パッド８をさらに備えている。各外部端子パッド８は、ボンディングワイヤ６とセンサチップ３上のパッド９（以下、「チップ上パッド」という）とを介して、センサチップ３と電気的に接続されている。
【００１９】
図２は、上記の６つの外部端子パッド８のうち、外部電源供給とデータ交換に用いられる外部端子パッドを示す。図に示されるように、外部端子パッド８ａは、ボンディングワイヤ６ａを介してチップ上パッド９ａと電気的に接続されており、外部端子パッド８ｂは、ボンディングワイヤ６ｂを介してチップ上パッド９ｂと電気的に接続されている。また、外部端子パッド８ｃは、ボンディングワイヤ６ｃを介してチップ上パッド９ｃと電気的に接続されており、外部端子パッド８ｄは、ボンディングワイヤ６ｄを介してチップ上パッド９ｄと電気的に接続されている。なお、図１中の外部端子パッド８は、外部端子パッド８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄを含む６つの外部端子パッドの総称であり、図１中のボンディングワイヤ６は、ボンディングワイヤ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄを含む６つのボンディングワイヤの総称であり、図１中のチップ上パッド９は、チップ上パッド９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄを含む６つのチップ上パッドの総称である。外部端子パッド８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄは、それぞれＶＤＤ端子、グラウンド（ＧＮＤ）端子、データ交換端子、クロック（入力用）端子として用いられる。以下の説明では、ＶＤＤ端子用の外部端子パッド８ａ、グラウンド（ＧＮＤ）端子用の外部端子パッド８ｂ、データ交換端子用の外部端子パッド８ｃ、クロック（入力用）端子用の外部端子パッド８ｄを、それぞれＶＤＤ端子８ａ、ＧＮＤ端子８ｂ、データ交換端子８ｃ、クロック端子８ｄと略す。詳細は後述するが、ＶＤＤ端子８ａとＧＮＤ端子８ｂによりセンサチップ３に電源が供給され、データ交換端子８ｃとクロック端子８ｄとを介して、センサチップ３からの出力値の読み取り、およびセンサチップ３内の増幅率の調整が行われる。
【００２０】
図３は、上記センサチップ３内の概略の電気的ブロック構成の例を示す。センサチップ３内の回路部３０は、フォトダイオード４で生成された光電流を電圧に変換するための電流電圧変換回路３２と、電流電圧変換回路３２から出力された電圧を増幅するための電圧増幅回路（請求項における増幅回路）３３と、電圧増幅回路３３で増幅されたアナログ形式の電圧の電圧値をディジタル形式の電圧信号に変換するＡ／Ｄ(Analog/Digital)変換回路３４とを備えている。また、回路部３０は、外部機器（例えば、図５に示される制御用ＰＣ（パーソナル・コンピュータ）２２）との通信用（データ交換用）のインタフェース回路（Ｉ／Ｆ回路）３５（請求項における通信手段）を備えている。照度センサ１は、Ｉ／Ｆ回路３５とチップ上パッド９ｃと図２中のデータ交換端子８ｃとを介して、Ａ／Ｄ変換回路３４から出力されたディジタル形式の電圧信号（出力値）を外部機器に出力（送信）すると共に、制御用ＰＣ２２（図５参照）からのコマンドを受信する。また、センサチップ３は、マイコン等で構成された、センサチップ３全体の制御用の制御回路３１（請求項におけるパラメタ書換手段）と、電圧増幅回路３３の増幅率の調整用のパラメタ等を記憶するためのメモリ３６（請求項における記憶手段）とを備えている。
【００２１】
図４のフローチャートは、上記照度センサ１に外光が入射した際に、照度センサ１内で行われる処理（光センシングプロセス）の概要を示す。外光が照度センサ１に入射し（Ｓ１）、封止樹脂７により減衰した光がセンサチップ３内のフォトダイオード４の受光領域４ａに到達すると（Ｓ２）、フォトダイオード４により光電流が生成される（Ｓ３）。図３の回路部３０は、フォトダイオード４で生成された光電流に基づき、所定の感度に調整されたディジタル形式の電圧信号（出力値）を出力する（Ｓ４）。
【００２２】
次に、上記図２に加えて、図５を参照して、本実施形態による照度センサ１の出力値を調整するための照度センサ出力値調整システムについて説明する。照度センサ出力値調整システム１０は、センサチップ３内の電圧増幅回路３３の増幅率を調整することにより、照度センサ１の出力値を調整する。照度センサ出力値調整システム１０は、照度センサ１との通信が可能な制御用ＰＣ（パーソナル・コンピュータ）２２（請求項における外部制御機器）を含んでいる。制御用ＰＣ２２は、照度センサ１との通信用のＩ／Ｆ回路２３と、装置全体の制御用のＣＰＵ２４と、電圧増幅回路３３の増幅率の調整処理用のプログラムやデータを格納したハードディスク２５と、ハードディスク２５から読み出されたプログラムやデータを展開するためのメモリ２６と、不図示の操作部等を備えている。主に、制御用ＰＣ２２のＩ／Ｆ回路２３とＣＰＵ２４と増幅率の調整処理用のプログラムやデータが、請求項における増幅率調整手段に相当する。制御用ＰＣ２２は、通信ケーブル２７を介して、図２に示されるクロック端子８ｄに同期用のクロック信号を送出し、このクロック信号に合わせてセンサチップ３から出力されるディジタル形式の電圧信号（出力値）を受信する。また、制御用ＰＣ２２は、通信ケーブル２７を介して、電圧増幅回路３３の増幅率の調整用のコマンド（以下、「調整コマンド」と略す）を送信する。この調整コマンドには、具体的な増幅率の値、又は増幅率の増減値に対応した調整コードが含まれている。
【００２３】
次に、図６のフローチャートを参照して、照度センサ出力値調整システム１０による増幅率調整処理について説明する。制御用ＰＣ２２と照度センサ１とは、通信ケーブル２７を介してデータの送受信を双方向に行うことができるので、下記の流れで電圧増幅回路３３の増幅率の調整を行うことができる。制御用ＰＣ２２は、実際の増幅率の調整に先立って、図５に示される照明器２１により照射される一定照度の光に対応した望ましい出力値（電圧値）を、予めハードディスク２５に格納しておく。そして、制御用ＰＣ２２は、一定照度の光を照度センサ１に照射した状態で（Ｓ１１）、通信ケーブル２７を介して、照度センサ１から出力値（電圧値）を読み取ると（Ｓ１２）、読み取った出力値が、ハードディスク２５に格納された望ましい出力値（照度に応じた出力値）と同じであるか否かを判断する（Ｓ１３）。この結果、読み取った出力値が、照度に応じた出力値になっていなければ（Ｓ１３でＮＯ）、制御用ＰＣ２２は、読み取った出力値に応じて、回路部３０内のメモリ３６に記憶された増幅率の調整用のパラメタを調整する（Ｓ１４）。
【００２４】
具体的には、制御用ＰＣ２２は、上記の読み取った出力値と、ハードディスク２５に格納された望ましい出力値（目標となる出力値）とに基づいて、望ましい出力値を得るのに必要な増幅率の値（、又は増幅率の増減値）を算出して、算出した増幅率の値（、又は増幅率の増減値）に対応した調整コードを含む調整コマンドを照度センサ１に送る。図３に示される照度センサ１の制御回路３１は、Ｉ／Ｆ回路３５を用いて制御用ＰＣ２２から調整コマンドを受信すると、図３に示されるメモリ３６に記憶された増幅率調整用のパラメタを、受信した調整コマンドに含まれる調整コードに応じた増幅率を示すパラメタに書き換える。
【００２５】
上記のパラメタの書き換え処理が完了すると、照度センサ１の電圧増幅回路３３は、電流電圧変換回路３２から出力された、光電流に基づく電圧を、（メモリ３６に記憶された）書き換え後の増幅率調整用のパラメタに基いて増幅する。
【００２６】
制御用ＰＣ２２は、上記のパラメタの書き換え処理の完了後に、再度、照度センサ１から出力値を読み取って、読み取った出力値（電圧値）が、ハードディスク２５に格納された望ましい出力値（目標となる出力値であり、照度に応じた出力値でもある）になっていれば（Ｓ１３でＹＥＳ）、増幅率の調整処理を終了する。これに対して、読み取った出力値（電圧値）が、ハードディスク２５に格納された望ましい出力値になっていなければ（Ｓ１３でＮＯ）、制御用ＰＣ２２は、読み取った出力値に応じて、回路部３０内のメモリ３６に記憶された増幅率の調整用のパラメタを再調整（微修正）する（Ｓ１４）。
【００２７】
本実施形態の照度センサ１によれば、封止樹脂７によるセンサチップ３の封止後でも、制御用ＰＣ２２から受信したコマンドの内容に応じて、メモリ３６に記憶された増幅率調整用のパラメタを書き換えることができるので、照度センサ１の出力値が、封止樹脂７の光透過率のばらつきや、センサチップ３上の封止樹脂７の厚みのばらつきの影響を受けた場合でも、照度センサ１の出力値を容易に補正することができる。これにより、封止樹脂７の光透過率のばらつきや、センサチップ３上の封止樹脂７の厚みのばらつきに係わらず、照度センサ１の個体間の出力精度のばらつきを抑えて、照度センサ１から高精度な出力値を得ることができる。従って、照度センサ１の構造設計時の設計精度に余裕ができ、照度センサの製造コストの削減を図ることが可能となる。
【００２８】
特に、封止樹脂７に光波長選択性の効果をもたせて樹脂フィルタとして用いた場合、樹脂フィルタの光透過率は低いため、樹脂フィルタの材料ばらつき及び厚みばらつきに起因する感度（出力値）の低下は大きな問題になる。この場合にも、制御回路３１を用いてメモリ３６に記憶された増幅率調整用のパラメタを書き換えることにより、照度センサ１から所定の出力値を得ることが可能である。
【００２９】
また、本実施形態の照度センサ出力値調整システム１０によれば、制御用ＰＣ２２は、外部端子パッド８を介して電圧増幅回路３３の増幅率を調整することができるので、上記の効果を的確に得ることができる。
【００３０】
さらにまた、本実施形態の照度センサ出力値調整システム１０によれば、照明器２１から照射される光の照度を任意の照度にすることにより、任意の照度に合わせた増幅率の調整処理を行うことができるので、任意の照度での高精度な出力値を得ることができる。
【００３１】
次に、図７（ａ）（ｂ）を参照して、本実施形態の照度センサ１の変形例について説明する。図７（ａ）は、封止樹脂７により封止される前における図１中の照度センサ１を示し、図７（ｂ）は、封止樹脂７により封止される前の本変形例の照度センサ１を示す。本変形例では、照度センサ１に、フォトダイオード４の受光領域４ａの一部を遮光するための配線メタル材料４１（請求項における遮光部材）を設けて、この配線メタル材料４１を用いてフォトダイオード４の受光領域４ａの露出面積を調整する点が、上記図１に示される照度センサ１と異なっており、他の構成は、図１に示される照度センサ１と同じである。配線メタル材料４１は、スパッタ成膜法により形成されたアルミニウムの薄膜である。
【００３２】
図１乃至図６で説明した増幅率調整で調整できる範囲を超えた、大幅な出力調整（感度調整）が必要になった場合には、（１）上記の配線メタル材料４１を用いてフォトダイオード４の受光領域４ａの露出面積を調整することにより、センサチップ３単体での大まかな出力調整を行った上で、（２）封止樹脂７によるセンサチップ３の封止後に、図６のフローチャートに示される増幅率の調整処理を行うことにより、高精度な出力値の調整を行う。これにより、図６のフローチャートに示される増幅率の調整処理のみを行った場合と比べて、大幅な感度調整（出力調整）を行うことができる。これにより、照度センサ１の構造設計時の余裕が増し、構造変更することなく、幅広いユーザニーズに対応可能なセンサチップ３の作成が可能となる。
【００３３】
なお、本発明は、上記実施形態の構成に限られず、発明の趣旨を変更しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、照度センサがディジタル出力タイプの照度センサである場合の例を示したが、本発明の適用対象となる照度センサは、これに限られず、アナログ出力タイプの照度センサであってもよい。また、上記実施形態では、光電変換素子としてフォトダイオードを用いた場合の例を示したが、本発明に用いられる光電変換素子は、これに限られず、光電子放射効果を有する素子や、光起電力効果を有する素子や、光導電効果を有する素子を含む。さらにまた、上記の変形例においては、遮光部材として、アルミニウムの薄膜で形成された配線メタル材料を用いた場合の例を示したが、遮光部材は、これに限られず、他の導電性の金属であってもよいし、金属製の材料である必要もない。
【符号の説明】
【００３４】
１  照度センサ
２  基板
３  センサチップ
４  フォトダイオード（光電変換素子）
４ａ  受光領域
７  封止樹脂
８、８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ  外部端子パッド（外部端子）
１０  照度センサ出力値調整システム
２２  制御用ＰＣ（外部制御機器）
２３  Ｉ／Ｆ回路２３（増幅率調整手段）
２４  ＣＰＵ２４（増幅率調整手段）
３１  制御回路（パラメタ書換手段）
３３  電圧増幅回路（増幅回路）
３５  Ｉ／Ｆ回路（通信手段）
３６  メモリ（記憶手段）
４１  配線メタル材料（遮光部材）
【図３】
2011043455.tif 000003
【図４】
2011043455.tif 000004
【図５】
2011043455.tif 000005
【図６】
2011043455.tif 000006
【図７】
2011043455.tif 000007
【図１】
2011043455.tif 000008
【図２】
2011043455.tif 000009