(57)【要約】【課題】全体としての透過率を上げることができる電気光学装置を提供する。【解決手段】電気光学装置を構成するＴＦＴアレイ基板には、第１方向に延在する走査線と、第１方向と交差する第２方向に延在する容量配線と、第１方向および第２方向と交差する第３方向に延在する容量配線と、一対の走査線、それぞれ一対ずつの第２，第３方向の容量配線により開口部１０ａ１が規定される六角形状に形成されてハニカム状に配置された複数の画素と、が設けられている。電気光学装置を構成する対向基板には、画素の開口部１０ａ１に対応する形状の複数のレンズ２０１がハニカム状に設けられている。開口部１０ａ１を規定する容量配線の第２方向と前記第３方向とのなす角度は、１２０°未満に設定されている。【選択図】図３
2011221328.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板と、この素子基板に対向配置される対向基板とを備えた電気光学装置であって、
前記素子基板には、
第１方向に延在する第１素子側遮光膜と、
前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２素子側遮光膜と、
前記第１方向および前記第２方向と交差する第３方向に延在する第３素子側遮光膜と、
それぞれ一対の第１素子側遮光膜、第２素子側遮光膜、および、第３素子側遮光膜により規定される六角形状に形成され、ハニカム状に配置された複数の画素と、が設けられ、
前記対向基板には、
前記画素の開口形状に対応する形状の複数のレンズがハニカム状に設けられ、
前記第２方向と前記第３方向とのなす角度は、１２０°未満に設定されている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記素子基板における前記第１素子側遮光膜と前記第２素子側遮光膜と前記第３素子側遮光膜との交差部に対応する位置には、半導体層が設けられ、
前記対向基板における互いに隣り合う３つのレンズで囲まれる領域には、対向側遮光膜が設けられている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置において、
前記第１素子側遮光膜と前記第２素子側遮光膜と前記第３素子側遮光膜との交差部の大きさは、前記対向側遮光膜の大きさよりも大きく設定されている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の電気光学装置を備えている
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、および、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の画素を有する素子基板と、画素に光を集光させる複数のレンズを有するマクロレンズ基板とを備えた電気光学装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
この特許文献１では、レンズを六角形状に形成してハニカム状に配置している。この構成により、レンズ間の隙間が小さくなるので所定面積あたりのレンズ数を多くでき、透過率が上がる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１８９９０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の構成では、レンズが六角形状であるのに対して画素の開口形状が長方形となっているため、平面視で六角形のレンズの内側に長方形の画素を配置する必要がある。このため、画素の開口縁とレンズの外縁との間に存在する遮光領域の面積が大きくなり、素子基板における開口率が低くなる。この結果、マイクロレンズ基板の透過率を上げても、電気光学装置全体としての透過率を上げることができない。
【０００５】
本発明の目的は、全体としての透過率を上げることができる電気光学装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電気光学装置は、素子基板と、この素子基板に対向配置される対向基板とを備えた電気光学装置であって、前記素子基板には、第１方向に延在する第１素子側遮光膜と、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２素子側遮光膜と、前記第１方向および前記第２方向と交差する第３方向に延在する第３素子側遮光膜と、それぞれ一対の第１素子側遮光膜、第２素子側遮光膜、および、第３素子側遮光膜により規定される六角形状に形成され、ハニカム状に配置された複数の画素と、が設けられ、前記対向基板には、前記画素の開口形状に対応する形状の複数のレンズがハニカム状に設けられ、前記第２方向と前記第３方向とのなす角度は、１２０°未満に設定されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、素子基板に六角形状の画素をハニカム状に配置するとともに、対向基板に画素の開口形状に対応する形状のレンズをハニカム状に配置している。このことにより、平面視で画素の六角形の開口縁とレンズの外縁との間の遮光領域の面積を最小限に抑えることができ、電気光学装置全体としての透過率を上げることができる。
また、一般的に、電気光学装置が用いられる表示装置の画像表示領域は、正方形の画素を横方向にＸ個、縦方向にＸ個よりも少ないＹ個並べることで、横長の長方形状（例えば、アスペクト比が４：３）に形成されている。ここで、正六角形の画素を横方向にＸ個、縦方向にＹ個並べ、かつ、これらをハニカム状に配置すると、長方形の画素の場合と比べて画像表示領域のアスペクト比が大きく変化して好ましくない。
本発明では、第１方向と第２方向とのなす角度を１２０°未満に設定して、画素の形状を正六角形としていないので、画素を適切な形状にすることにより、ハニカム状に配置しても、画像表示領域のアスペクト比の変化を最小限に抑えることができる。
【０００８】
本発明の電気光学装置では、前記素子基板における前記第１素子側遮光膜と前記第２素子側遮光膜と前記第３素子側遮光膜との交差部に対応する位置には、半導体層が設けられ、前記対向基板における互いに隣り合う３つのレンズで囲まれる領域には、対向側遮光膜が設けられていることが好ましい。
本発明によれば、画素の開口形状に対応する形状として平面視楕円形状のレンズを用いると、このレンズをハニカム状に配置したときの３つのレンズで囲まれる領域（楕円レンズ非配置領域）の大きさは、平面視真円状のレンズをハニカム状に配置したときの３つのレンズで囲まれる領域（真円レンズ非配置領域）よりも小さくなる。また、素子基板における第１，第２，第３素子側遮光膜の交差部に対応する位置に設けられた半導体層は、楕円レンズ非配置領域に対向することになる。このため、対向側遮光膜により半導体層に入射する光を遮ることができ、半導体層の劣化を抑制できる。また、真円レンズ非配置領域よりも小さい楕円レンズ非配置領域に対向側遮光膜を設けるので、素子基板と対向基板との合わせ位置が面方向にずれても（組みずれしても）、対向側遮光膜と画素の開口部との重なり量を最小限に抑えることができ、電気光学装置全体での透過率の減少を最小限に抑えることができる。
【０００９】
本発明の電気光学装置では、前記第１素子側遮光膜と前記第２素子側遮光膜と前記第３素子側遮光膜との交差部の大きさは、前記対向側遮光膜の大きさよりも大きく設定されていることが好ましい。
本発明によれば、素子基板と対向基板とが組みずれしても、対向側遮光膜と画素の開口部との重なり量を最小限に抑えることができ、電気光学装置全体での透過率の減少を最小限に抑えることができる。
【００１０】
本発明の電子機器は、上述の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
本発明によれば、電子機器は、上述した電気光学装置を備えるので、上述した電気光学装置と同様の作用および効果を享受できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図。
【図２】図１のII−II線に沿った断面図。
【図３】前記実施形態におけるレンズアレイと対向側遮光膜との位置関係を示す図。
【図４】前記実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成する六角形状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路を示す図。
【図５】前記実施形態におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図。
【図６】前記実施形態におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図。
【図７】図５および図６を重ね合わせた場合のVII−VII線に沿った断面図。
【図８】前記実施形態における走査線、容量配線、半導体層と対向側遮光膜との位置関係を示す平面図。
【図９】前記実施形態における投射型のプロジェクターの概略構成を表す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下において、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００１３】
〔電気光学装置の全体構成〕
まず、本発明の電気光学装置に係る実施形態の全体構成について、図１および図２を参照して説明する。ここに、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図２は、図１のII−II線に沿った断面図であり、図３は、レンズアレイと対向側遮光膜との位置関係を示す図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００１４】
図１および図２において、本実施形態に係る電気光学装置１００では、素子基板としてのＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００１５】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００１６】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には特に、データ線駆動回路１０１および外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、かつ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。さらに、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、かつ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。このうちデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４は、外部回路接続端子１０２を介して接続されている。
【００１７】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、基板側配向膜１６が形成されている。
【００１８】
他方、対向基板２０は、レンズアレイ２００と、薄板ガラス２１０とを備えている。レンズアレイ２００の下面には、図３にも示すように、平面視楕円形状の複数のレンズ２０１が突設されている。これらレンズ２０１は、図３の点線で示すような正六角形ではない仮想六角形Ｈに内接する形状に形成されている。
なお、仮想六角形Ｈから所定距離だけ入った内側には、詳しくは後述する画素の開口部１０ａ１が設定されている。この開口部１０ａ１は、図３における下辺の延出方向である右方向（Ｘ方向）を第１方向、右斜め下方向を第２方向、右斜め上方向を第３方向とすると、第２方向と第３方向とのなす角度が１２０°未満に設定され、かつ、左右の角の距離と上下に対向する一対の辺の間の距離との比（六角形横縦比）が４：３に設定されている。すなわち、開口部１０ａ１は、正六角形に対してＹ方向に若干つぶれた非正六角形状に形成されている。
そして、レンズ２０１は、いわゆるハニカム状に、かつ、互いに密接するように設けられている。なお、詳しくは後述するが、画素電極９ａは、図３の一点鎖線で示すように、仮想六角形Ｈよりも若干小さい形状に形成されている。
【００１９】
薄板ガラス２１０は、レンズアレイ２００の下面に接着剤２２０を介して接着されている。そして、薄板ガラス２１０の下面には、対向電極２１１と、対向側遮光膜２１２と、対向側配向膜２１３が設けられている。対向側遮光膜２１２は、図３に示すように、３つのレンズ２０１で囲まれる略三角形の楕円レンズ非配置領域と略等しい形状に形成されている。
また、液晶層５０は、例えば一種または数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００２０】
〔画素部における構成〕
以下では、本発明の実施形態における電気光学装置１００の画素部における構成について、図４から図８を参照して説明する。ここに、図４は、電気光学装置の画像表示領域を構成する六角形状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路であり、図５および図６は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。なお、図５および図６は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図５）と上層部分（図６）とを分かって図示している。
【００２１】
また、図７は、図５および図６を重ね合わせた場合のVII−VII線に沿った断面図である。さらに、図８は、走査線、容量配線、半導体層と対向側遮光膜との位置関係を示す平面図である。なお、図７および図８においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００２２】
（画素部の回路構成）
図４において、本実施形態における電気光学装置１００の画像表示領域を構成する六角形状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、第１素子側遮光膜としての走査線１１ａおよびゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００２３】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００２４】
〔画素部の具体的構成〕
以下では、上記データ線６ａ、走査線１１ａおよびゲート電極３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置１００の具体的な構成について、図５ないし図８を参照して説明する。
【００２５】
まず、図５および図６において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、仮想六角形Ｈに沿った非正六角形状に形成され、ハニカム状に、かつ、互いに近接するように設けられている。
ここで、画素電極９ａ、すなわち画素を正六角形とせずに六角形横縦比が約４：３の六角形としている理由は、上述のように、従来の正方形の画素を配置したときの画像表示領域のアスペクト比（４：３）と略等しくできるためである。
そして、画素電極９ａの第２，第３方向に沿う境界には、データ線６ａが設けられている。また、画素電極９ａの第１，第３，第１，第２方向に連続する４辺の一単位とした複数単位の境界には、走査線１１ａが設けられている。データ線６ａは、後述するようにアルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線１１ａは、トランジスタとしての半導体層１ａのうちチャネル領域１ｆ（図７参照）に対向するゲート電極３ａ（図７参照）に図示しないコンタクトホールを介して電気的に接続されており、該ゲート電極３ａは該走査線１１ａに含まれる形となっている。
【００２６】
すなわち、ゲート電極３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ｆに、走査線１１ａに含まれるゲート電極３ａが対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。これによりＴＦＴ３０（ゲート電極を除く。）は、ゲート電極３ａと走査線１１ａとの間に存在するような形態となっている。
【００２７】
次に、電気光学装置１００は、図５および図６のVII−VII線に沿った断面図である図７に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている。なお、図７において、レンズアレイ２００および薄板ガラス２１０は図示していない。
【００２８】
ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図７に示すように、前記の画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された基板側配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１１が設けられている。また、対向電極２１１の下側で半導体層１ａに対向する位置には、半導体層１ａへの光の入射を遮る対向側遮光膜２１２が設けられている。さらに、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された対向側配向膜２１３が設けられている。対向電極２１１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０間には、前述のシール材５２（図１および図２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で基板側配向膜１６および対向側配向膜２１３により所定の配向状態をとる。
【００２９】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａおよび基板側配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図７に示すように、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、本発明にいう「容量配線」の一例たる第２素子側遮光膜および第３素子側遮光膜としての容量配線４００等を含む第５層、前記の画素電極９ａおよび基板側配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。
【００３０】
また、第１層および第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層および第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層および第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層および第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層および第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２，４１，４２，４３および４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。なお、前述のうち第１層から第３層までが、下層部分として図５に図示されており、第４層から第６層までが上層部分として図６に図示されている。
【００３１】
（積層構造・第１層の構成（走査線等））
まず、第１層には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる走査線１１ａが設けられている。この走査線１１ａは、図５に示すように、１本１本分断された形となっている。
【００３２】
（積層構造・第２層の構成（ＴＦＴ等））
次に、第２層として、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、図７に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ｆ、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００３３】
（積層構造・第１層および第２層間の構成（下地絶縁膜））
図７に示すように、以上説明した走査線１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００３４】
（積層構造・第３層の構成（蓄積容量等））
さて、図７に示すように、前述の第２層に続けて第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅおよび画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、本実施形態に係る蓄積容量７０は、図５の平面図を見るとわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため（換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため）、電気光学装置１００全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。
より詳細には、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。また、この下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。
【００３５】
容量電極３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。本実施形態において、容量電極３００を固定電位とするためには、固定電位とされた容量配線４００（後述する。）と電気的接続が図られることによりなされている。また、容量電極３００は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。
これにより、容量電極３００は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅに上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。
【００３６】
誘電体膜７５は、図７に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
本実施形態において、この誘電体膜７５は、図７に示すように、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂというように二層構造を有するものとなっている。上層の窒化シリコン膜７５ｂは画素電位側容量電極の下部電極７１より少し大きなサイズにパターニングされ、遮光領域（非開口領域）内で収まるように形成されている。
【００３７】
（積層構造、第２層および第３層間の構成（第１層間絶縁膜））
以上説明したＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａの上、かつ、蓄積容量７０の下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００３８】
そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。
【００３９】
（積層構造・第４層の構成（データ線等））
さて、前述の第３層に続けて第４層には、図６にも示すように、第２，第３方向に沿うようにデータ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、図７に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図７における符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図７における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層（図７における符号４０１参照）の三層構造を有する膜として形成されている。窒化シリコン膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。
【００４０】
また、この第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１および第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図６に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【００４１】
（積層構造・第３層および第４層間の構成（第２層間絶縁膜））
以上説明した蓄積容量７０の上、かつ、データ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ，ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第２層間絶縁膜４２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、前記のコンタクトホール８１が開孔されているとともに、前記容量配線用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。
【００４２】
（積層構造・第５層の構成（容量配線等））
さて、前述の第４層に続けて第５層には、容量配線４００が形成されている。
この容量配線４００は、平面的にみると、図６に示すように、第２，第３方向に沿うように、かつ、データ線６ａ、容量配線用中継層６ａ１、第２中継電極６ａ２と重なるように形成されている。そして、第１方向に沿う走査線１１ａと第２，第３方向に沿う容量配線４００とにより、仮想六角形Ｈよりも若干小さい画素の開口部１０ａ１が規定される。また、図８に示すように、第１方向に沿う走査線１１ａと第２，第３方向に沿う容量配線４００との交差部９ａ２の大きさは、当該交差部９ａ２に対向して設けられる対向側遮光膜２１２よりも大きく設定されている。さらには、交差部９ａ２には、半導体層１ａが設けられる。
この容量配線４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。
【００４３】
このように、データ線６ａの全体を覆うように形成されているとともに、固定電位とされた容量配線４００の存在によれば、該データ線６ａおよび画素電極９ａ間に生じる容量カップリングの影響を排除することが可能となる。すなわち、データ線６ａへの通電に応じて、画素電極９ａの電位が変動するという事態を未然に回避することが可能となり、画像上に該データ線６ａに沿った表示ムラ等を発生させる可能性を低減することができる。
【００４４】
また、第５層には、このような容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２と第４中継電極４０３が形成されている。第３中継電極４０２は、コンタクトホール８０３を介して容量配線用中継層６ａ１に接続されている。また、第４中継電極４０３は、後述のコンタクトホール８０４および８９を介して、下部電極７１および画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。なお、これら容量配線４００および第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されている。一方、容量配線４００および第４中継電極４０３間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、パターニング上分断されるように形成されている。また、コンタクトホール８０４を設ける代わりに、第４中継電極４０３と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するコンタクトホールと、第２中継電極６ａ２と下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホールとをそれぞれ別に形成してもよい。
【００４５】
他方、上述の容量配線４００および第３，第４中継電極４０２，４０３は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。このように容量配線４００および第３，第４中継電極４０２，４０３は、光反射性能に比較的優れたアルミニウムを含み、かつ、光吸収性能に比較的優れた窒化チタンを含むことから、該容量配線４００および該第３，第４中継電極４０２，４０３は遮光層として機能し得る。すなわち、これらによれば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する入射光（図７参照）の進行を、その上側で遮ることが可能である。
そして、本実施形態においては特に、周辺領域においても、上述の容量配線４００が延設されており、その一部は、図１を参照して説明した外部回路接続端子１０２を構成する。
【００４６】
また、本実施形態においては、前記の特定の外部回路接続端子１０２は、走査線駆動回路１０４に接続されているとともに、該特定の外部回路接続端子１０２には走査線駆動回路１０４に供給される低電位側の定電位が供給されている。これにより、容量配線４００には、当該定電位と同じ電位が供給されることになり、したがって、該容量配線４００にコンタクトホール８０１および８０３並びに容量配線用中継層６ａ１を介して電気的に接続された容量電極３００（図７参照）にも、当該定電位と同じ電位が供給されることになる。ただし、容量電極３００に供給すべき「定電位」としては、上述のような構成に代えて、データ線駆動回路１０１に供給される定電位を使用してもよいし、対向基板２０の対向電極２１１に供給される定電位を使用しても構わない。
【００４７】
（積層構造・第４層および第５層間の構成（第３層間絶縁膜））
図７に示すように、データ線６ａの上、かつ、容量配線４００の下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくは、ＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法で形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、前記の第３中継電極４０２と容量配線用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、および、第４中継電極４０３と下部電極７１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００４８】
（積層構造・第６層並びに第５層および第６層間の構成（画素電極等））
最後に、第６層には、仮想六角形Ｈよりも若干大きく、かつ、開口部１０ａ１よりも若干大きい画素電極９ａがハニカム状に形成され、該画素電極９ａ上に基板側配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａおよび前記の第４中継電極４０３間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、このコンタクトホール８９および第４中継電極４０３並びに前述したコンタクトホール８０４、下部電極７１およびコンタクトホール８３を介して、電気的に接続されることとなる。
また、本実施形態では、第４層間絶縁膜４４の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等により平坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子等による段差に起因する液晶層５０の配向不良を低減する。
【００４９】
〔電子機器〕
次に、以上詳細に説明した電気光学装置１００をライトバルブとして用いた電子機器の一例である投射型のプロジェクターの実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図９は、投射型のプロジェクターの概略構成を表す断面である。
【００５０】
図９において、本実施形態における投射型のプロジェクター１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂとして用いたプロジェクターとして構成されている。プロジェクター１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ，Ｇ，Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３および出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【００５１】
〔プロジェクターの作用効果〕
上述した本実施形態によれば、以下の効果がある。
本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０に六角形状の画素をハニカム状に配置するとともに、対向基板２０に画素の開口部１０ａ１の形状に対応する平面視楕円形状のレンズ２０１をハニカム状に配置している。このことにより、平面視で画素の開口部１０ａ１とレンズ２０１の外縁との間の遮光領域の面積を最小限に抑えることができ、電気光学装置１００全体としての透過率を上げることができる。
特に、画素を正六角形とせずに六角形横縦比が約４：３の六角形としているので、画像表示領域１０ａのアスペクト比を、従来の正方形の画素を配置したときの画像表示領域のアスペクト比（４：３）と略等しくできる。
【００５２】
また、画素の開口部１０ａ１を規定する交差部９ａ２に半導体層１ａを設けるとともに、対向基板２０に対向側遮光膜２１２を設けている。そして、対向側遮光膜２１２を、互いに隣り合う３つのレンズ２０１で囲まれる楕円レンズ非配置領域と対応する位置に設け、かつ、楕円レンズ非配置領域と略等しい形状に形成している。このことにより、半導体層１ａを対向側遮光膜２１２と対向する位置に設けることができ、対向側遮光膜２１２により半導体層１ａに入射する光を遮ることができる。よって、半導体層１ａの劣化を抑制できる。また、真円レンズ非配置領域よりも小さい楕円レンズ非配置領域に対向側遮光膜を設けるので、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが組みずれしても、対向側遮光膜２１２と開口部１０ａ１との重なり量を最小限に抑えることができ、電気光学装置１００全体での透過率の減少を最小限に抑えることができる。
【００５３】
さらに、交差部９ａ２の大きさを対向側遮光膜２１２よりも大きく設定している。このことにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが組みずれしても、対向側遮光膜２１２と開口部１０ａ１との重なり量を最小限に抑えることができ、電気光学装置１００全体での透過率の減少を最小限に抑えることができる。
【００５４】
〔変形例〕
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
すなわち、前記実施形態では、六角形横縦比が約４：３の場合を例示したが、画素が正六角形でなければ当該比率に限られず、例えば画像表示領域のアスペクト比が１６：９の場合には、六角形横縦比を約１６：９としてもよい。
また、前記実施形態では、対向側遮光膜２１２を３つのレンズ２０１で囲まれる略三角形の領域に設けたが、例えば、図３におけるＹ方向に並ぶ２つのレンズ２０１の間に隙間を設け、当該隙間に対向側遮光膜２１２を設けてもよい。
さらに、前記実施形態では、交差部９ａ２を対向側遮光膜２１２よりも大きくしていたが、小さくしてもよい。
そして、前記実施形態では、半導体層１ａを交差部９ａ２（画素の六角形のコーナー部）に設けたが、コーナー部以外の部分（例えば、走査線１１ａの延出方向略中央）に設けてもよい。
【００５５】
また、前記実施形態では、フロント投射型のプロジェクターに電気光学装置を用いた例のみを挙げたが、本発明の電気光学装置は、スクリーンを備え、該スクリーンの裏面側から投射を行うリアタイプのプロジェクターにも適用可能である。また、プロジェクター以外の電子機器にも適用可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１ａ…半導体層、１０…ＴＦＴアレイ基板（素子基板）、１１ａ…走査線（第１素子側遮光膜）、２０…対向基板、１００…電気光学装置、２０１…レンズ、２１２…対向側遮光膜、４００…容量配線（第２素子側遮光膜および第３素子側遮光膜）、１１００…プロジェクター（電子機器）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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