(57)【要約】【課題】粒塊が均一かつ微細化された結晶で回路形成用溝内の金属導体を形成することができ、回路の信頼性が高い回路基板を提供する。【解決手段】絶縁基材１の表面に回路形成用溝２を形成する。そしてこの回路形成用溝２内に、めっきにより形成された金属導体３を充填して、回路基板を形成する。この金属導体の結晶粒塊は平均差し渡し長さが１０μｍ以下であって、金属導体３は粒塊が均一かつ微細化された結晶で形成される。【選択図】図１
2011100799.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材の表面に回路形成用溝を形成すると共に、回路形成用溝内にめっきにより形成された金属導体を充填して成り、この金属導体の結晶粒塊は平均差し渡し長さが１０μｍ以下であることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
回路形成用溝内の金属導体は無電解めっきで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種の電子・電気機器に用いられる回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子・電気機器の高性能化を実現するために、回路を微細で且つ高密度に配線した回路基板が要望されている。このように微細で且つ高密度に回路を形成するために、絶縁基材の表面に溝をパターン形状に形成し、この溝内に金属導体を充填して回路を形成するようにしたものが提案されている（例えば、特許文献１等参照）。
【０００３】
このように、絶縁基材の溝に金属導体を充填して回路を形成することによって、微細且つ高密度であっても、回路の断線を防ぐことができると共に、隣り合う回路間の絶縁性を確保することができ、信頼性の高い回路を形成することができるものである。
【０００４】
図５はこのような、絶縁基材１の溝２に金属導体３を充填して回路４を設けることによって形成した回路基板の一例を示すものである。すなわち、まず図５（ａ）のように絶縁基材１の表面に回路形成用の溝２をパターン形状に形成し、この絶縁基材１の表面の全面に溝２の内部も含めて、無電解めっきのためのめっき触媒５を図５（ｂ）のように塗布する。次に、無電解めっき浴に浸漬して無電解めっきを行なうことによって、めっき触媒５が付着した表面に無電解めっき膜６を形成することができる。無電解めっき膜６は図５（ｃ）のように溝２の内部も含む絶縁基材１の表面の全面に形成される。無電解めっき膜６は薄い膜厚で形成されるものであり、このように無電解めっき膜６を形成した後に、無電解めっき膜６に直流電流を通電しながら、電解めっき浴に浸漬して電解めっきを行なうことによって、図５（ｄ）のように無電解めっき膜６の表面に電解めっき層７を析出させる。溝２内でこのように無電解めっき膜６の表面に電解めっき層７を析出させることによって、無電解めっき膜６と電解めっき層７からなる金属導体３で溝２内を充填することができる。このとき、絶縁基材１の溝２以外の表面にも、無電解めっき膜６や電解めっき層７が形成されているので、上記のように電解めっき層７を形成した後、絶縁基材１の表面を研磨して、図５（ｅ）のように、絶縁基材１の表面に露出する無電解めっき膜６や電解めっき層７を除去することによって、各溝２内に充填された金属導体３を独立させ、溝２内の金属導体３で回路４を形成することができるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−８１２１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように、無電解めっき及び電解めっきを行なって、溝２内に金属導体３を充填して回路４を形成することができる。しかし、図５の従来例にあって、溝２内に充填される金属導体３はその大部分が電気めっきによって形成されるものであり、このように電解めっきで形成された金属導体３は、その結晶粒塊が大きくて不均一になる（後述の図４参照）。そしてこのように結晶粒塊が大きく不均一であると、金属導体３の力学特性、熱特性、電気特性が低くなり、回路４の信頼性に問題が生じるものであった。
【０００７】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、粒塊が均一かつ微細化された結晶で回路形成用溝内の金属導体を形成することができ、回路の信頼性が高い回路基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る回路基板は、絶縁基材１の表面に回路形成用溝２を形成すると共に、回路形成用溝２内にめっきにより形成された金属導体３を充填して成り、この金属導体３の結晶粒塊は平均差し渡し長さが１０μｍ以下であることを特徴とするものである。
【０００９】
このように、回路形成用溝２内に充填される金属導体３は、その結晶粒塊の平均差し渡し長さが１０μｍ以下であるので、均一かつ微細化された結晶粒塊で形成されるものであり、金属導体３の力学特性、熱特性、電気特性を高めることができるものである。
【００１０】
また本発明において、回路形成用溝２内の金属導体３は無電解めっきで形成されていることを特徴とするものである。
【００１１】
このように無電解めっきで金属導体３を形成することによって、上記のように粒塊が均一かつ微細化された結晶で金属導体を形成することができるものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、回路形成用溝２内にめっきにより充填される金属導体３は、その結晶粒塊の平均差し渡し長さが１０μｍ以下であるので、均一かつ微細化された結晶粒塊で形成されるものであり、金属導体３の力学特性、熱特性、電気特性を高めることができ、信頼性の高い回路４を形成することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ）乃至（ｅ）は製造の各工程の概略断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の他の一例を示すものであり、（ａ）乃至（ｃ）は製造の各工程の概略断面図である。
【図３】実施例１の導体金属のＳＩＭ画像の写真であり、（ａ）は１００００倍のＳＩＭ写真、（ｂ）は３０００倍のＳＩＭ写真である。
【図４】比較例１の導体金属のＳＩＭ画像の写真であり、（ａ）は１００００倍のＳＩＭ写真、（ｂ）は３０００倍のＳＩＭ写真である。
【図５】従来例を示すものであり、（ａ）乃至（ｅ）は製造の各工程の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１５】
本発明において絶縁基材１としては、回路基板の製造に用いることができるものであれば、特に限定されることなく使用することができるが、具体的には、例えば、樹脂を含む樹脂基材等を挙げることができる。この樹脂としては、回路基板の製造に用いられる各種有機基板を構成する樹脂であれば、特に限定されることなく用いることができるものであり、具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等を挙げることができる。
【００１６】
上記のエポキシ樹脂としては、回路基板の製造に用いられる各種有機基板を構成するエポキシ樹脂であればよく、具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等を挙げることができる。さらに、難燃性を付与するために、臭素化又はリン変性したエポキシ樹脂、窒素含有樹脂、シリコーン含有樹脂等も用いることができる。これらの各エポキシ樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１７】
また、上記各樹脂で絶縁基材１を構成する場合、硬化剤を含有させるのが一般的である。硬化剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、ジシアンジアミド、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミノトリアジンノボラック系硬化剤、シアネート樹脂等を挙げることができる。このフェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等を挙げることができる。更に難燃性を付与するため、リン変性したフェノール樹脂、リン変性したシアネート樹脂等を用いることもできる。これらの硬化剤は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１８】
また特に限定されるものではないが、レーザ加工により回路パターンを形成することから、１００〜４００ｎｍ波長領域でのレーザ光の吸収率が良い樹脂を用いることが好ましく、例えば、ポリイミド樹脂等を挙げることができる。
【００１９】
絶縁基材１には、フィラーを含有していてもよい。このフィラーは、無機微粒子であっても、有機微粒子であってもよく、特に限定されない。フィラーを含有することで、レーザ加工部にフィラーが露出し、フィラーの凹凸によるメッキと樹脂との密着をあげることが可能である。
【００２０】
無機微粒子を構成する材料としては、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリカ（ＳｉＯ２）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の高誘電率充填材；ハードフェライト等の磁性充填材；水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）２）、三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、五酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ５）、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブテン化合物、スズ酸亜鉛等の無機系難燃剤；タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＯＨ）２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、雲母等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの無機微粒子は、熱伝導性、比誘電率、難燃性、粒度分布、色調の自由度等が高いので、所望の機能を選択的に発揮させる場合には、適宜配合及び粒度設計を行って、容易に高充填化を行なうことができる。また特に限定はされないが、表面に上記の樹脂の絶縁層を形成して絶縁基材１を作製する場合には、絶縁層の厚み以下の平均粒径のフィラーを用いるのが好ましく、特に０．０１〜１０μｍの範囲、更に好ましくは０．０５μｍ〜５μｍの範囲の平均粒径のフィラーを用いるのがよい。
【００２１】
また無機微粒子は、絶縁基材１中での分散性を高めるために、シランカップリング剤で表面処理してもよい。あるいは絶縁基材１には、無機微粒子の絶縁基材１中での分散性を高めるために、シランカップリング剤を含有してもよい。このシランカップリング剤としては、例えば、エポキシシラン系、メルカプトシラン系、アミノシラン系、ビニルシラン系、スチリルシラン系、メタクリロキシシラン系、アクリロキシシラン系、チタネート系等のシランカップリング剤等を挙げることができる。これらのシランカップリング剤は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２２】
さらに絶縁基材１には、無機微粒子の絶縁基材１中での分散性を高めるために、分散剤を含有してもよい。この分散剤としては、例えば、アルキルエーテル系、ソルビタンエステル系、アルキルポリエーテルアミン系、高分子系等の分散剤等を挙げることができる。これらの分散剤は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２３】
また、有機微粒子としては、具体的には、例えば、ゴム微粒子等を挙げることができる。
【００２４】
本発明において絶縁基材１の形態は、特に限定されないものであり、具体的には、シート、フィルム、プリプレグ、及び三次元形状の成形体等に形成することができる。また絶縁基材１の厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、シート、フィルム、プリプレグの場合には、１０〜２００μｍであることが好ましく、２０〜１００μｍ程度であることがより好ましい。
【００２５】
そしてまず、この絶縁基材１の表面に回路形成用の溝２を図１（ａ）のように形成する。この溝２は、絶縁基材１の表面に設ける回路パターンと同じパターン形状で形成されるものである。
【００２６】
この回路形成用溝２を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、絶縁基材１にレーザ加工、ダイシング加工等の切削加工や、型押加工等の機械加工等を施すことにより、所望のパターン形状、幅及び深さで溝加工する方法等を挙げることができる。高精度で微細な回路形成をする場合には、レーザ加工を用いることが好ましい。レーザ加工によれば、レーザの出力等を変化させることにより、切削深さ等を自由に調整することができる。また型押加工としては、例えば、ナノインプリントの分野において用いられるような微細樹脂型による型押加工を好ましく用いることができる。また回路形成用溝２の一部として、ビアホール等を形成するための貫通孔を形成してもよい。
【００２７】
絶縁基材１に溝２を形成するこの工程により、絶縁基材１に形成する回路４のパターン形状、幅、厚みが規定される。このように形成される溝２の幅は特に限定されないが、レーザ加工を用いた場合には、線幅２０μｍ以下のような微細な幅で溝２を容易に形成することができる。また溝２の深さは回路４の厚みとなる。
【００２８】
上記のように絶縁基材１の表面に回路形成用の溝２を形成した後、この溝２を形成した側の絶縁基材１の表面にめっき触媒５を付着させる。めっき触媒５は図１（ｂ）のように溝２の内周を含む絶縁基材１の全面に付着されるものである。
【００２９】
めっき触媒５は無電解めっきを行なう際に、めっき金属を析出させる核となるものである。めっき触媒５としては、無電解めっき用の触媒として知られたものであれば特に限定なく用いることができるものであり、まためっき触媒の前駆体を被着させて、めっき触媒を生成させるようにしてもよい。めっき触媒５の具体例としては、例えば、金属パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等、または、これらを生成させるような前駆体を挙げることができる。
【００３０】
めっき触媒（その前駆体を含む）５を被着させる方法としては、例えば、ｐＨ１〜３の酸性条件下で処理される酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法を挙げることができる。具体的には、例えば、次のような方法を挙げることができ。まず、回路形成用溝２が形成された絶縁基材１の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液（クリーナー・コンディショナー）中で所定の時間湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、ｐＨ１〜２の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度０．１％程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して絶縁基材１の表面に塩化物イオンを吸着させるプリディップ処理を行う。その後、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む、ｐＨ１〜３の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド等の酸性めっき触媒コロイド溶液にさらに浸漬することによりＰｄ及びＳｎを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応（ＳｎＣｌ２＋ＰｄＣｌ２→ＳｎＣｌ４＋Ｐｄ↓)を起こさせる。これにより、めっき触媒である金属パラジウムが析出する。
【００３１】
なお、酸性めっき触媒コロイド溶液としては、公知の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性めっき触媒コロイド溶液を用いた市販のめっきプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社からシステム化されて販売されている。
【００３２】
上記のように回路形成用溝２の内周面も含めて絶縁基材１の表面にめっき触媒５を付着させた後、無電解めっき処理を行なう。無電解めっき処理の方法としては、めっき触媒５が被着された絶縁基材１を無電解めっき液に浸漬して、めっき触媒５が被着された部分に無電解めっき金属を析出させる方法等を用いることができる。
【００３３】
無電解めっきに用いる金属としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等を挙げることができるが、これらの中でも、Ｃｕを主成分とするめっきが導電性に優れている点から好ましい。また、Ｎｉを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。
【００３４】
そしてこの無電解めっきによって、図１（ｃ）に示すように、薄い無電解めっき膜６を形成することができる。この無電解めっき膜６は、めっき触媒５が被着している溝２内を含めた絶縁基材１の全面に形成される。またこの無電解めっき膜６は無電解めっきの基礎となる厚みの薄い膜でよく、例えば、０．１〜１．０μｍ程度の厚みに形成されるものである。
【００３５】
次に、無電解めっき膜６を形成したこの絶縁基材１を、例えば液温を高めてめっき速度を向上させた無電解めっき液に浸漬し、無電解めっきを継続する。このように無電解めっきを継続して行なうことによって、図１（ｄ）に示すように、無電解めっき膜６の上に無電解めっき金属を析出させて無電解めっき層８を積層し、この無電気めっき層８で溝２内を埋めることができるものであり、無電解めっき膜６と無電解めっき層８からなる金属導体３で溝２内を充填することができるものである。
【００３６】
このように無電解めっき層８で溝２内が埋められるまで無電解めっきの処理を行なう。このとき、無電解めっき膜６は溝２の内周以外の絶縁基材１の表面にも形成されており、絶縁基材１の表面にも無電解めっき層８が積層されることになる。そこで、絶縁基材１の表面を研磨加工することによって、絶縁基材１の表面に露出する無電解めっき膜６及び無電解めっき層８を除去する。この研磨は、特に限定されるものではないが、例えばＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学機械研磨）で行なうことができる。ＣＭＰは化学研磨液を流しながら研磨パッドで絶縁基材１の表面を研磨する方法である。このようにＣＭＰを行なう前に、絶縁基材１の表面に突出する無電解めっき膜６及び無電解めっき層８をエッチング液で大まかに溶解除去しておいてもよい。
【００３７】
上記のように絶縁基材１の表面の無電解めっき膜６及び無電解めっき層８を除去することによって、図１（ｅ）に示すように、各溝２内に充填されている、無電解めっき膜６と無電解めっき層８からなる金属導体３は、各溝２ごとに独立することになり、この各溝２に充填された金属導体３で回路４を形成することができるものである。回路４を形成するこの金属導体３は、研磨によって、その表面が絶縁基材１の表面と面一になっている。そしてこの回路４を形成する金属導体３は、上記のように無電解めっきで形成されているので、金属導体３は粒塊が均一かつ微細化された結晶で形成されるものであり（後述の図３参照）、金属導体３の力学特性、熱特性、電気特性を高めることができ、信頼性の高い回路４を形成することができるものである。
【００３８】
ここで、金属導体３の結晶粒塊の大きさは、平均差し渡し長さが１０μｍ以下に設定されるものであり、５μｍ以下であることがより好ましく、３μｍ以下であることがさらに好ましい。結晶粒塊の平均差し渡し長さは小さいほど好ましく、下限は設定されない。結晶粒塊の平均差し渡し長さがこのように小さいことによって、金属導体３の結晶粒塊は均一かつ微細化されたものに形成されるものであり、金属導体３の力学特性、熱特性、電気特性を高めることができるものである。この平均差し渡し長さは、後述の図３や図４のように得られるＳＩＭ画像上の任意の箇所に、１００μｍの長さの直線を引き、この１００μｍの直線上に配置される各結晶粒塊について、１００μｍの直線上に沿った長さを測定し、この各結晶粒塊の長さの測定値の平均値をいうものである。つまり、１００μｍの直線上に配置される結晶粒塊の数を求め、１００μｍをこの結晶粒塊の数で割った値として、結晶粒塊の平均差し渡し長さを求めることができる。
【００３９】
図２は本発明の他の実施の形態を示すものである。上記の図１の実施の形態では、めっき触媒５を図１（ｂ）のように形成した後、図１（ｃ）のように薄い無電解めっき膜６を形成し、この無電解めっき膜６の上に無電解めっき層８を形成するようにしたが、図２の実施の形態では、図２（ａ）のように溝２内も含めて絶縁基材１の表面にめっき触媒５を付着させた後、絶縁基材１を無電解めっき液に継続して浸漬することによって、図２（ｂ）のように、薄い無電解めっき膜６を形成することなく、無電解めっき層８だけで溝２内を埋めて充填し、無電解めっき層８だけで溝２内に金属導体３を充填するようにしてある。この場合も無電解めっき層８は溝２内だけでなく、絶縁基材１の表面にも形成されるので、絶縁基材１の表面に露出する無電解めっき層８を研磨して除去することによって、図２（ｃ）のように各溝２に充填された金属導体３で回路４を形成することができるものである。
【実施例】
【００４０】
次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００４１】
（実施例１）
絶縁基材１として、厚み１００μｍのエポキシ樹脂基材（パナソニック電工（株）製のＲ１７６６）を用いた。そしてこの絶縁基材１の表面にレーザ加工により、幅２０μｍ、深さ３０μｍの略長方形断面の溝２を形成する加工を行なった（図１（ａ）参照）。なお、レーザ加工にはＵＶ−ＹＡＧレーザを備えたＥＳＩ社製のＭＯＤＥＬ５３３０を用いた。
【００４２】
そして、この溝２を形成した絶縁基材１を、クリーナーコンディショナー（界面活性剤溶液、ｐＨ＜１：ローム＆ハース電子材料（株）製Ｃ／Ｎ３３２０）中に３８℃の条件で５分間浸漬して、クリーナーコンディショナー処理し、その後、５０℃の湯で１分間水洗した。次に、ＰＤ４０４（シプレイ・ファーイースト（株）製、ｐＨ＜１）を用いて、３８℃、１分の条件でプリディップ工程を行ない、水洗した。そして、塩化第一錫と塩化パラジウムを含むｐＨ１の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液（ＣＡＴ４４、シプレイ・ファーイースト（株）製）に３８℃の条件３分間浸漬することにより、無電解銅めっきの核となるパラジウムをスズ−パラジウムコロイドの状態で絶縁基材１に吸着させるキャタリスト処理を行ない、水洗した。次に、ｐＨ＜１のアクセラレータ薬液（ＡＣＣ１９Ｅ、シプレイ・ファーイースト（株）製）に３８℃の条件で７分間浸漬することにより、めっき触媒５としてパラジウム核を発生させるアクセレータ処理を行なった（図１（ｂ）参照）。
【００４３】
この後、このようにめっき触媒５を付着した絶縁基材１を、無電解銅めっき液（ＣＭ３２８Ａ，ＣＭ３２８Ｌ、ＣＭ３２８Ｃ、シプレイ・ファーイースト（株）製）に、３８℃の条件で１５分間浸漬させることによって無電解銅めっき処理を行ない、膜厚    μｍの無電解銅めっき膜６を析出させた（図１（ｃ）参照）。次いで、６０℃で１５分間乾燥し、１８０℃で６０分間加熱してアニールした。
【００４４】
次に、上記のように電解銅めっき膜６を形成した絶縁基材１を酸性クリーナーで、４０℃、５分の条件で洗浄し、４０℃の湯で１分間水洗した。次いで硫酸系エッチング処理液を用い、２５℃で０．５分間処理してマイクロエッチングを行ない、水洗した。さらに２５℃で１分間、酸洗処理し、水洗した。
【００４５】
この後、無電解めっき液（ＣＭ３２８Ａ，ＣＭ３２８Ｌ、ＣＭ３２８Ｃ、シプレイ・ファーイースト（株）製）に、７０℃の条件で３００分間浸漬させることによって無電解銅めっき処理を行ない、膜厚３５μｍの無電解銅めっき層８を析出させ、溝２内をこの無電解めっき層８で完全に埋めるようにした（図１（ｄ）。次いで、６０℃で１５分間乾燥した。
【００４６】
次に、絶縁基材１の表面をＣＭＰ法により研磨して、溝２内に充填された無電解銅めっき膜６及び無電解銅めっき層８を除いて、絶縁基材１の表面に露出する無電解銅めっき膜６及び無電解銅めっき層８を除去した(図１（ｅ））。このようにして、溝２内に充填された無電解銅めっき膜６及び無電解銅めっき層８からなる金属導体３によって回路４を形成した、回路基板を得た。
【００４７】
回路４を形成する金属導体３はこのように無電解銅めっきによって形成されているものであり、金属導体３の結晶をＳＩＭ（Ｓｃａｎｉｎｇ  Ｉｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：走査イオン顕微鏡）で観察したところ、図３に示すように、結晶粒塊は均一で且つ微細化されたものであった。そして図３のＳＩＭ画像に基づいて、既述の方法で測定した結晶粒塊の平均差し渡し長さは４μｍであった。
【００４８】
（比較例１）
実施例１と同様にして、絶縁基材１の表面に溝２を加工し（図５（ａ）参照）、また実施例１と同じ条件で処理して、絶縁基材１の表面にめっき触媒５を形成した（図５（ｂ）参照）。さらに実施例１と同じ条件で処理して、絶縁基材１の表面に無電解銅めっき膜６を形成した（図５（ｃ）参照）。
【００４９】
このように絶縁基材１に無電解銅めっき膜６を形成した後、酸性クリーナーで、４０℃、１分の条件で洗浄し、４０℃の湯で１分間水洗した。次いで２５℃で１分間、酸洗処理し、水洗した。
【００５０】
この後、無電解銅めっき膜６に電流密度１Ａ／ｄｍ２の直流電流を通電して、電解銅めっき液（上村工業社製「ＥＶＦ−ＵＦ」）に、２５℃の条件で９０分間浸漬させることによって電解銅めっき処理を行ない、膜厚３５μｍの電解銅めっき層７を析出させ、溝２内をこの電解銅めっき層７で完全に埋めるようにした（図５（ｄ））。次いで、６０℃で１５分間乾燥した。
【００５１】
次に、絶縁基材１の表面をＣＭＰ法により研磨して、溝２内に充填された無電解銅めっき膜６及び電解銅めっき層７を除いて、絶縁基材１の表面に露出する無電解銅めっき膜６及び電解銅めっき層７を除去した(図５（ｅ））。このようにして、溝２内に充填された無電解銅めっき膜６及び無電解銅めっき層７からなる金属導体３によって回路４を形成した、回路基板を得た。
【００５２】
回路４を形成する金属導体３はこのように電解銅めっきによって形成されているものであり、金属導体３の結晶をＳＩＭで観察したところ、図４に示すように、結晶粒塊が大きく、不均一なものであった。そして図４のＳＩＭ画像に基づいて、既述の方法で測定した結晶粒塊の平均差し渡し長さは１２μｍであった。
【符号の説明】
【００５３】
１  絶縁基材
２  回路形成用溝
３  金属導体
４  回路
【図１】
2011100799.tif 000003
【図２】
2011100799.tif 000004
【図５】
2011100799.tif 000005
【図３】
2011100799.tif 000006
【図４】
2011100799.tif 000007