【事件の表示】
　特願２０１２−１１１８０６「レーザによりポリシリコン薄膜をアニールする光学系」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１０月　４日出願公開、特開２０１２−１９１２２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成１６年（２００４年）１１月１２日を国際出願日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００３年１１月２６日，米国，同２００４年２月１８日，米国，同２００４年７月１日，米国）とする特願２００６−５４１２５７号の一部を，平成２４年５月１５日に新たな出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２４年　５月２５日　審査請求
平成２５年１１月１４日　拒絶理由通知
平成２６年　２月１８日　意見書・手続補正
平成２６年　７月２８日　拒絶理由通知（最後）
平成２６年１０月２８日　意見書・手続補正
平成２７年　３月２６日　補正却下決定・拒絶査定
平成２７年　７月１３日　審判請求・手続補正
平成２８年１０月　４日　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という。）
平成２９年　４月　５日　意見書・手続補正
　
２　本願発明について
（１）本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２９年４月５日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項で特定される次のとおりのものと認める。
「被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するガス放電レーザ結晶化装置であって、
　パルス間ドーズ制御を用いて所定のパワー及び所定の繰り返しレートでレーザ出力光パルスビームを生成するエキシマレーザシステムと、
　前記レーザ出力光パルスビームを長軸方向に伸長され短軸方向に短縮されるように整形する発散性補正光学系と、を備え、
　前記エキシマレーザシステムは、
　　レーザパルスビームを出力する第１レーザユニットと、
　　前記レーザパルスビームを増幅することによって前記レーザ出力光パルスビームを出力する第２レーザユニットと、
　　第１レーザユニットからの前記レーザパルスビームを前記第２レーザユニットに方向付けるように動作するリレー光学系と、
　　−３ｎｓｅｃ〜＋３ｎｓｅｃの範囲内で前記第１レーザユニット及び前記第２レーザユニットにおけるガス放電の生成のタイミングを合わせるタイミング及び制御モジュールと、を備え、
　前記発散性補正光学系は、前記長軸方向の長軸の端部における前記短軸方向の幅が前記長軸の中央における前記短軸方向の幅より広くならないように、前記レーザ出力光パルスビームを整形するように構成されている、
ガス放電レーザ結晶化装置。」
（２）引用文献１の記載
　ア　引用文献１
　当審拒絶理由で引用された特開平０６−１２４９１３号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】　
絶縁基板上に
被膜に
パルス状レーザー光を照射することによって半導体を活性化せしめるレーザーアニール方法
【請求項２】　請求項１において、
使用されるレーザー光は、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌもしくはＸｅＦのいずれかのエキシマーレーザーであること
（イ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、信頼性および量産性に優れ、
ばらつきが小さく、歩留りの高いレーザーアニール方法
結晶性が著しく損なわれた被膜のレーザーアニール方法
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子プロセスの低温化に関して盛んに研究が進められている。その理由の１つは、ガラス等の絶縁基板上に半導体素子を形成する必要が生じたからである。レーザーアニール技術は究極の低温プロセスと注目されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、レーザーアニールの条件等については、各装置や被膜の条件によって異なるものとして、十分な検討がおこなわれなかった。その結果、レーザーアニール技術は非常にばらつきが大きくて、到底実用化には到らないというコンセンサスができていた。本発明の目的は、このような従来には認知されていなかった条件を提示し、よって、レーザーアニールによって再現性のよい結果を得ることである。」
（ウ）「【００１０】
【実施例】本実施例では、IV族元素からなる膜（半導体膜）中に不純物を導入してＮ型とＰ型の一方を付与し、さらにマスクを用いて前記膜の一部に不純物を導入してその部分にＮ型とＰ型の他方を付与する。
図１には本実施例で使用したレーザーアニール装置の概念図を示す。レーザー光は発振器２で発振され、全反射ミラー５、６を経由して増幅器３で増幅され、さらに全反射ミラー７、８を経由して光学系４に導入される。
光学系４によって長さ１０〜３０ｃｍ、幅０．１〜１ｃｍ程度の細長いビームに加工される。
【００１１】光学系４の内部の光路は図５のように示される。
光学系４に入射したレーザー光は、シリンドリカル凹レンズＡ、シリンドリカル凸レンズＢ、横方向のフライアイレンズＣ、縦方向のフライアイレンズＤを通過する。これらフライアイレンズＣ、Ｄを通過することによってレーザー光はそれまでのガウス分布型から矩形分布に変化する。
シリンドリカル凸レンズＥ、Ｆを通過してミラーＧ（図１ではミラー９）を介して、シリンドリカルレンズＨによって集束され、試料に照射される。
【００１２】本実施例では、図５の距離Ｘ1 、Ｘ2 を固定し、仮想焦点Ｉ（これはフライアイレンズの曲面の違いによって生ずるようになっている）とミラーＧとの距離Ｘ3 、と距離Ｘ4 、Ｘ5 とを調節して、倍率Ｍ、焦点距離Ｆを調整した。すなわち、これらの間には、
Ｍ＝（Ｘ3 ＋Ｘ4 ）／Ｘ5 、
１／Ｆ＝１／（Ｘ3 ＋Ｘ4 ）＋１／Ｘ5 、
という関係がある。なお、本実施例では光路全長Ｘ6 は約１．３ｍであった。
【００１３】
このような細長いビームに加工するのは、加工性を向上させるためである。すなわち、短冊状のビームは光学系４を出た後、全反射ミラー９を経て、試料１１に照射される
（エ）「【００２２】モフォロジーが荒れた場合には、部分によってシリコンの特性が著しく悪化するため、ばらつきが著しく大きくなる。実際にモフォロジーの悪い（表面の粗い）シリコン膜では
シート抵抗のばらつきは２０％以上であった。ばらつきを下げるためには上記の条件を満たし、かつ、適正なレーザーエネルギー密度を設定しなければならない。
【００２３】例えば、レーザーエネルギー密度を２５０ｍＪ／ｃｍ2 とした場合には、レーザーのショット数は１０回以下が望ましい。また、レーザーエネルギー密度を２８０ｍＪ／ｃｍ2 とした場合には、レーザーのショット数は１〜３回が望ましい。このような条件でレーザーアニールをおこなったときには、シート抵抗のばらつきを１０％以下におさえることができた。」
（オ）図５には，
縦方向のフライアイレンズＤで長軸方向に伸張し，シリンドリカル凸レンズＥで短軸方向に短縮すること
　イ　引用発明１
　前記アより，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「絶縁基板上の被膜にパルス状レーザー光を照射することによって半導体を活性化せしめるレーザーアニール装置であって，使用されるレーザー光はエキシマーレーザーであり，レーザー光は発振器で発振され，全反射ミラーを経由して増幅器で増幅され，さらに全反射ミラーを経由して光学系に導入され，光学系によって細長いビームに加工され，短冊状のビームが光学系を出た後試料に照射されるレーザーアニール装置。」
（３）引用文献２の記載
　ア　引用文献２
　当審拒絶理由で引用された特開２００２−３５３５４５号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに次の記載がある。
「【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図を参照しながら、本発明に係る実施形態を詳細に説明する。まず、第１実施形態について、説明する。図１は、第１実施形態に係る注入同期式フッ素分子レーザ装置（以下、フッ素分子レーザ装置１１と言う）の構成図を示している。図１において、フッ素分子レーザ装置１１は、波長を狭帯域化されたシードレーザ光２１Ａを発振するオシレータ１１Ａと、シードレーザ光２１Ａを増幅して出射レーザ光２１Ｂを出射する増幅器１１Ｂとを備えている。フッ素分子レーザ装置１１から出射した出射レーザ光２１Ｂは、
ステッパなどの露光機２５に入射し、加工用光となる。
【００１９】フッ素分子レーザ装置１１は、装置全体を制御するレーザコントローラ２９を備えている。レーザコントローラ２９は、露光機２５と電気的に接続されて、相互に通信が可能である。レーザコントローラ２９は、露光機２５からレーザ発振の合図となるトリガ信号Ｇを受信し、これに伴ってオシレータ１１Ａ及び増幅器１１Ｂにトリガ信号Ｇを出力する。このとき、トリガ信号Ｇは、後述する補正回路３１によってタイミングを補正され、トリガ信号Ｇ１としてオシレータ１１Ａに出力される。またトリガ信号Ｇは、補正回路３１及び遅延回路４４によって、オシレータ１１Ａに対するよりも所定の時間だけ遅れて、トリガ信号Ｇ３として増幅器１１Ｂに出力される。
【００２０】オシレータ１１Ａは、例えばフッ素（Ｆ2）及びネオン（Ｎｅ）を含むレーザガスを封入するオシレータチャンバ１２Ａと、オシレータチャンバ１２Ａの両端部に設けられたウィンドウ１７Ａ，１９Ａとを備えている。尚、レーザガスとしては、フッ素、ネオン、及びヘリウム（Ｈｅ）でもよく、フッ素及びヘリウムでもよい。オシレータチャンバ１２Ａ内部の所定位置には、図１中紙面と垂直方向に、一対のオシレータ電極１４Ａ，１５Ａが対向して配置されている。オシレータ放電回路４３Ａがトリガ信号Ｇ１を受信すると、オシレータ充電器４２Ａから印加されているオシレータ電圧ＶＡがオシレータ放電回路４３Ａによってパルス圧縮され、オシレータ電極１４Ａ，１５Ａ間にパルス状に印加される。これにより、オシレータ電極１４Ａ，１５Ａ間にオシレータ放電が起きてレーザガスが励起され、
パルス状のシードレーザ光２１Ａが発生する。
【００２１】発生したシードレーザ光２１Ａは、オシレータチャンバ１２Ａの後部（図１中、紙面左側）に配置された狭帯域化ユニット３０に入射し、プリズム３２，３２によって拡大され、グレーティング３３に入射する。グレーティング３３では、回折によって所定の中心波長λｃ近傍の波長を有するシードレーザ光２１Ａのみが反射される。これを、狭帯域化と言う。グレーティング３３は、レーザコントローラ２９に電気的に接続された図示しない駆動機構によって、シードレーザ光２１Ａに対する角度を可変となっている。レーザコントローラ２９は、駆動機構に信号を出力し、上記角度を変えることにより、シードレーザ光２１Ａの中心波長λｃを所望する波長に制御することが可能である。
【００２２】狭帯域化ユニット３０内で狭帯域化されたシードレーザ光２１Ａは、中心波長λｃを有するシードレーザ光２１Ａとして、前方（図１中紙面の右方）へ出射する。
シードレーザ光２１Ａの一部は、ビームスプリッタ２２Ａで取り出され、レーザモニタ３４Ａに入射する。レーザモニタ３４Ａは、シードレーザ光２１Ａの出力、中心波長λｃ、及びスペクトル幅Δλ（以下、これらをレーザパラメータと呼ぶ）をモニタリングして、レーザコントローラ２９に出力している。
また、レーザコントローラ２９は、モニタリングしたパルス出力に基づき、オシレータ充電器４２Ａに指令信号を出力してオシレータ電圧ＶＡを変化させ、シードレーザ光２１Ａのパルス出力が所望の出力となるように制御している。
　イ　引用発明２
　前記アより，引用文献２には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「ステッパなどに用いられるレーザコントローラは，パルス状のシードレーザ光をモニタリングし，モニタリングしたパルス出力に基づき，シードレーザ光のパルス出力が所望の出力となるように制御すること。」
（４）引用文献４の記載
　ア　引用文献４
　当審拒絶理由で引用された国際公開第０２／０８２５９７号（以下，「引用文献４」という。）には，図面とともに次の記載がある。（なお，訳は対応する国内出願の公表公報である特表２００４−５２４７０５号公報による。）
「Preferred embodiments of the present invention can be described by references to the drawings. A first preferred embodiment of the present invention is shown in FIG. 13. 
This is an injection seeded power amplifier ArF laser system 200. It comprises two laser systems, a seed laser system 202 and a power amplifier laser system 204
 
The seed laser is apertured to produce an output beam with a small cross section preferably 1.5 mm wide and 6 mm high. The system includes lens 218 and lens 219 which together expand the seed laser output beam cross section to 3 mm by 12 mm. This beam of pulses having per pulse energies of about 0.05 mJ is amplified in power amplified laser system to pulse energies of about 10 mJ per pulse.
 
A small portion about 4 percent of the beam is sampled by partially reflecting mirror 220 and directed to wavemeter 222 which monitors the pulse energy wavelength and bandwidth of the power amplifier output beam. This wavemeter preferably is as described in U.S. Patent No. 5,978,394 or U.S. Patent No. 6,192,064 Bl. Signals from the wavemeter are utilized by controller 224 to adjust charging voltage of a pulse power system which in turn determines the discharge voltage of both laser systems as described in a following section of this specification. The pulse power system is configured as described in that section so that the 
discharges are precisely tuned to produce the desired output pulse energy
Applicants tests have demonstrated that the full width half maximum bandwidth of the seed laser output beam can be reduced with this configuration to less than 0.15 pm as compared to about 0.4 pm for the best state-of-the-art ArF lasers currently used for integrated circuit lithography. With a 1.0 mJ, 0.2 pm seed beam, Applicants project a laser system output beam of 5 to 10 mJ pulse energy and 0.2 pm bandwidth with the configuration shown in FIG. 13. This output beam 
represents a substantial improvement over the state-of-the-art ArF lithography lasers
...
Pulse Timing
Preferred embodiments of the present invention 
utilize a pulse power system configured to control the timing of the discharge of the two laser systems to produce desired output pulse laser beams
 
FIG. 3 shows an electrical outline of the principal elements of a preferred pulse power system. The portion of the system upstream of the pulse transformer system is very similar to the circuit shown in FIG. 11 which is described in detail U.S. in U.S. Patent No. 6,151,346 (hereby incorporated by reference). A single bank of capacitors define a charging Co capacitor bank 42. Electrical pulses are generated by the closing of switch Si 46 which consists of two IGBT switches mounted in parallel Lo inductor 48 holds off current flow through S t  so it can close without any deterioration to charge up C-* capacitor bank 52. Li saturable inductor holds off substantial current flow through pulse transformer system 56 until inductor Li saturates at which time the primary turns of fractional turn pulse transformer system 56 is pulsed with a short about 0.5 microsecond 1000 volt pulse. In this embodiment, transformer system 56 is comprised of two separate transformer units 56A and 56B which in this case are virtually identical.
 
Each of the pulse transformer unit 56 is similar to the pulse transformer described in U.S. Patent No. 6,151,346. The pulse transformer units of the present embodiment has only a single turn in the secondary winding and 23 induction units. The transformer as configured as an auto transformer as shown in FIG. 3B to provide a 1:24 step-up ratio. Each of the 23 induction units comprise an aluminum spool 56A having two flanges (each with a flat edge with threaded bolt holes) which are bolted to positive and negative terminals on printed circuit board 56B as shown along the bottom edge of FIG. 3A. (The negative terminals are the high voltage terminals of the twenty three primary windings.) Insulators 56C separates the positive terminal of each spool from the negative terminal of the adjacent spool. Between the flanges of the spool is a hollow cylinder 1 1/16 inches long with a 0.875 OD with a wall thickness of about 1/32 inch. The spool is wrapped with one inch wide, 0J mil thick Metglas(TM) 2605 S3 A and a 0.1 mil thick mylar film until the OD of the insulated Metglas(TM)wrapping is 2.24 inches. A prospective view of a single wrapped spool forming one primary winding is shown in FIG. 5 of U.S. Patent No.6,151,346.
 
The secondary of each transformer is a single OD stainless steel rod mounted within a tight fitting insulating tube of Teflon (R)  (PTFE). The transformer units are in four sections as shown in FIG. 3A. The low voltage end of stainless steel secondary shown as 56D in FIG. 3A is tied to the primary HV lead on printed circuit board 56B at 56E, the high voltage terminal is shown at 56F. As a result, the transformer assumes an auto- transformer configuration and the step-up ratio becomes 1:24 instead of 1:23. Thus, an approximately -1400 volt pulse between the + and - terminals of the induction units will produce an approximately -35,000 volt pulse at terminal 56F on the secondary side. A 1000 volt primary pulse produces a pulse on the secondary sides of both transformers of about 24,000 V. This single turn secondary winding design provides very low leakage inductance permitting extremely fast output rise time. 
　
The general configuration of the pulse transformer system is shown in FIG. 3B. As indicated in this figure, the primary high voltage pulse of about 1000N produced by the upstream portion of the pulse power system arrives at each pulse transformer at exactly the same time and as the corresponding output pulse of each of the transformers will therefore be substantially identical in shape and time. Applicants estimate that the jitter at the output of the two transformer will be less than one nanosecond.
 
As indicated in FIG. 3 in this embodiment the portion of pulse power circuits downstream of the pulse transformers are separate but substantially equal so that the jitter at electrodes 83 and 84, A and B, is estimated to be less than 3 ns. Therefore, the gain medium in both lasers is produced at the same time with a variation of less than about 3 ns.
 
In preferred embodiments of this invention, the output coupler of the first laser is located about one foot downstream of the input window of the second laser. Therefore, for this reason or for other reasons, it may be desirable to delay the discharge of the second laser as compared to the first laser. Since the electrical pulse travels through a good conductor at a rate of about 1.0 ns/20 cm, this can easily be accomplished by making a conductor carrying the pulse of the second laser longer (for example, by 20 to 40 cm) than a corresponding conductor for the first laser. 」（７頁４行−１０頁２３行）
（訳：本発明の好ましい実施形態は、図を参照しながら説明することができる。本発明の第１の好ましい実施形態を図１３に示す。これは、
注入シード方式電力増幅器ＡｒＦレーザシステム２００である。それは、２つのレーザシステム、つまり、シードレーザシステム２０２及び電力増幅器レーザシステム２０４を備える。
　
シードレーザには、好ましくは幅１．５ｍｍ及び高さ６ｍｍの小さな断面を有する出力ビームを生成するために絞りが設置されている。本システムは、シードレーザ出力ビーム断面を３ｍｍｘ１２ｍｍに協働して拡大するレンズ２１８及びレンズ２１９を含む。約０．０５ｍＪ毎パルスのエネルギを有するこのパルスのビームは、電力増幅レーザシステムにおいて、約１０ｍＪ毎パルスのパルスエネルギに増幅される。
　
ビームの約４％に当たる小部分が、部分反射ミラー２２０により採取されて、電力増幅器出力ビームのパルスエネルギ波長及び帯域幅をモニタする波長計２２２に向けられる。この波長計は、好ましくは、米国特許第５，９７８，３９４号又は米国特許第６，１９２，０６４号Ｂ１で説明されているものである。波長計からの信号は、パルス電力システムの充電電圧を調節するためにコントローラ２２４により利用され、このパルス電力システムは、次に、本明細書の以下の節で説明するように、両方のレーザシステムの放電電圧を判断する。パルス電力システムは、
所望の出力パルスエネルギを生成するために放電が正確に同調される
　
本出願人の試験は、シードレーザ出力ビームの半値全幅帯域幅が、集積回路リソグラフィに現在使用される最良の最先端ＡｒＦレーザの場合で約０．４ｐｍであるのに対して、この構成を用いて０．１５ｐｍよりも小さく低減することができることを明らかにした。
１．０ｍＪ及び０．２ｐｍのシードビームを用いて、本出願人は、図１３に示す構成で、５から１０ｍＪのパルスエネルギ及び０．２ｐｍの帯域幅を有するレーザシステム出力ビームを予想している。この出力ビームは、約０．４ｐｍ及び５ｍＪで作動する
最先端ＡｒＦリソグラフィレーザに対する大幅な改良であることを示すものである。
・・・
パルスタイミング
本発明の好ましい実施形態は、
所望の出力パルスレーザビームを生成するために２つのレーザシステムの放電タイミングを制御するように構成されたパルス電力システムを利用する。
　
図３は、好ましいパルス電力システムの主な要素の電気的概要を示す。パルス変圧器システムの上流側のシステムの部分は、米国特許第６，１５１，３４６号で説明されている（本明細書において引用により組み込まれる）図１１に示す回路と非常に似通っている。単一コンデンサバンクが、充電Ｃ0コンデンサバンク４２を形成する。電気パルスは、並列に取り付けられた２つの「ＩＧＢＴ」スイッチから成るスイッチＳ1４６を閉じることにより発生する。Ｌ0インダクタ４８は、スイッチが劣化することなく閉じてＣ1コンデンサバンク５２を充電することができるように、Ｓ1を通る電流の流れを遠ざける。Ｌ1飽和可能インダクタは、コンデンサＬ1が飽和するまで、パルス変圧器システム５６を通る相当の電流の流れを遠ざけ、それが飽和した時点で、部分巻回パルス変圧器システム５６の一次巻回は、短い約０．５マイクロ秒の１０００ボルトパルスでパルスを加えられる。この実施形態において、変圧器システム５６は、この場合は実質的に同一である２つの別々の変圧器ユニット５６Ａ及び５６Ｂで構成される。
　
パルス変圧器ユニット５６の各々は、米国特許第６，１５１，３４６号で説明されているパルス変圧器と類似のものである。本実施形態のパルス変圧器ユニットは、二次巻線に単一巻回のみと、２３個のインダクションユニットとを有する。変圧器は、図３Ｂに示すように、１：２４のステップアップ比が得られるように自動変圧器として構成される。２３個のインダクションユニットの各々は、図３Ａの下縁に沿って示すように、プリント回路基板５６Ｂ上の正端子及び負端子にボルト留めされる２つのフランジ（各々がねじ付きボルト穴を備えた平坦縁部を有する）を有するアルミニウム製スプール５６Ａを含む。（負端子は、２３個の一次巻線の高電圧端子である。）絶縁体５６Ｃは、各スプールの正端子を隣接スプールの負端子から分離させる。スプールのフランジ間には、外径０．８７５、壁厚約１／３２インチで長さ１と１／１６インチの中空シリンダがある。スプールは、絶縁された「Ｍｅｔｇｌａｓ（登録商標）」ラッピングの外径が２．２４インチになるまで、１インチ幅で０．７ミル厚の「Ｍｅｔｇｌａｓ（登録商標）２６０５  Ｓ３Ａ」、及び、０．１ミル厚のマイラーフィルムでラップされている。１つの一次巻線を形成する単一のラップされたスプールの斜視図が、米国特許第６，１５１，３４６号の図５に示されている。
　
各変圧器の二次側は、「Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）」（ＰＴＦＥ）のきつく嵌る絶縁管内に取り付けられた単一外径のステンレス鋼ロッドである。変圧器ユニットは、図３Ａに示すように４つの部分になっている。図３Ａに５６Ｄとして示すステンレス鋼二次側の低電圧端部は、５６Ｅでプリント回路基板５６Ｂ上の一次側ＨＶリード線に結合され、高電圧端子は、５６Ｆに示されている。その結果、変圧器は、自動変圧器構成を有し、ステップアップ比は、１：２３ではなく１：２４になる。すなわち、インダクションユニットの正及び負端子間の約−１４００ボルトのパルスにより、二次側の端子５６Ｆで約−３５，０００ボルトのパルスが生成されることになる。１０００ボルトの一次パルスにより、両方の変圧器の二次側に約２４，０００ボルトのパルスが生成される。この単一巻回二次巻線設計により、極めて高速の出力立ち上がり時間を可能にする非常に低い漏れインダクタンスが得られる。
 
パルス変圧器システムの一般的な構成を図３Ｂに示す。この図で示すように、パルス電力システムの上流側部分により生成された約１０００ボルトの一次高電圧パルスは、全く同時に各パルス変圧器に到達し、変圧器の各々の対応する出力パルスは、従って、形状及び時間が実質的に同一であることになる。本出願人は、２つの変圧器の出力におけるジターは、１ナノ秒よりも短いことになると推定する。
　
図３に示すように、この実施形態において、パルス電力回路のパルス変圧器の下流側の部分は別々であるが実質的に等しく、そのために電極８３及び８４とＡ及びＢとにおけるジターは、３ｎｓよりも短いと推定される。従って、両方のレーザにおける利得媒体は、約３ｎｓよりも短い変動があるが同時に生成される。
　
本発明の好ましい実施形態では、第１レーザの出力カプラは、第２レーザの入力窓の約１フィート下流側に位置する。従って、この理由又は他の理由から、第１レーザと比較して第２レーザの放電を遅延させることが望ましいであろう。これは、電気パルスが約１．０ｎｓ／２０ｃｍの割合で良導体を通って進むので、第２レーザのパルスを運ぶ導体を第１レーザの対応する導体よりも長くする（例えば、２０から４０ｃｍだけ）ことにより容易に達成することができる。）
　イ　引用発明４
　前記アより，引用文献４には，次の発明（以下，「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。
「リソグラフィレーザに用いるシードレーザシステム及び電力増幅器レーザシステムの２つのレーザシステムを備え，所望の出力パルスレーザビームを生成するために２つのレーザシステムの放電タイミングを制御するように構成されたパルス電力システムであって，両方のレーザにおける利得媒体は、約３ｎｓよりも短い変動があるが同時に生成されること。」
（５）引用文献５の記載
　ア　引用文献５
　当審拒絶理由で引用された特開２００１−０７５０４３号公報（以下，「引用文献５」という。）には，図面とともに次の記載がある。
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術の分野】本発明は、
ビームを整形するためのビーム整形光学系
【０００２】
【従来の技術】ビームホモジナイザーは、
アモルファスシリコンのレーザアニーリング
レーザビームの長尺化
長尺方向はより長尺化、ビーム幅方向はより細線化という極端なビーム形状が要求される
全長尺範囲にわたる均一性
（イ）「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のようなビームホモジナイザでは、シリンドリカルレンズの母線断面において、光軸に対してある程度以上の角度を有する斜入射光が入射する場合、見かけ上のパワーが光軸に平行な直入射光よりも大きくなり、
ガウス像面の手前で短軸断面の光が集光してピントずれをおこす。このようなピントずれに対応する像面湾曲の量を実用上間題ない程度に抑える
（ウ）「【００１３】
【発明の実施の形態】〔第１実施形態〕
図１は、本発明に係る第１実施形態のビーム整形光学系
図１（ａ）は、線条ビームの長軸方向（すなわち長尺方向）に関する図であり、図１（ｂ）は、線条ビームの短軸方向（すなわち幅方向）に関する図である。
【００１４】
このビーム整形光学系は、照射光である光ビームを発生するレーザ光源（図示を省略）からの光ビームを線状にして所定強度で所定の加工面である被照射面ＩＳ上に入射させる線条ビームホモジナイザ
【００１５】長軸側シリンダアレイ群１０は、第１及び第２シリンドリカルレンズアレイ１０ａ、１０ｂからなる。ここで、第１シリンドリカルレンズアレイ１０ａは、線条ビームの長軸方向の断面に曲率を有し光源側に凸の複数のシリンドリカルレンズをそれらの母線に垂直な方向に連結した構造を有する。第２シリンドリカルレンズアレイ１０ｂも、第１シリンドリカルレンズアレイ１０ａと同一の構造を有する。両シリンドリカルレンズアレイ１０ａ、１０ｂの働きにより、長軸側に関して光ビームを５分割して５つの２次光源を形成することができる。なお、長軸側シリンダアレイ群１０を第１及び第２シリンドリカルレンズアレイ１０ａ、１０ｂに分けているのは、両者の相対距離を変えて合成焦点距離を変更することによって、ビームサイズ（ビーム長）を可変にするためである。
【００１６】短軸側シリンダアレイ群２０は、第３及び第４シリンドリカルレンズアレイ２０ａ、２０ｂからなる。ここで、第３シリンドリカルレンズアレイ２０ａは、線条ビームの短軸方向の断面に曲率を有し光源側に凸の複数のシリンドリカルレンズをそれらの母線に垂直な方向に連結した構造を有する。第４シリンドリカルレンズアレイ２０ｂは、線条ビームの短軸方向の断面に曲率を有し、像側に凹の複数のシリンドリカルレンズをそれらの母線に垂直な方向に連結した構造を有する。両シリンドリカルレンズアレイ２０ａ、２０ｂの働きにより、短軸側に関して光ビームを５分割して５倍の２次光源を形成することができる。なお、短軸側シリンダアレイ群２０を第３及び第４シリンドリカルレンズアレイ２０ａ、２０ｂに分けているのは、両者の相対距離を変えて合成焦点距離を変更することによって、ビームサイズ（線幅）を可変にするためである。
【００１７】長軸側コンデンサレンズ系３０は、
長軸方向の断面に曲率を有し光源側に凸のシリンドリカルレンズからなる第１群レンズ３１
【００１８】短軸側コンデンサレンズ系４０は、短軸方向の断面に曲率を有し光源側に凸のシリンドリカルレンズからなる。この短軸側コンデンサレンズ系４０は、短軸側シリンダアレイ群２０によって形成された複数の２次光源を短軸マスク６０上で重ね合わせる働きを有する。
【００１９】
イメージングレンズ５０は、短軸方向の断面に曲率を有するシリンドリカルレンズからなる。このイメージングレンズ５０は、短軸側コンデンサレンズ系４０によって短軸マスク６０上に重ね合わされた光源像を被照射面ＩＳ上に縮小投影する働きを有する。
【００２０】なお、短軸マスク６０は、二枚のナイフエッジ状の誘電体ミラーでできており、短軸方向の均一化面に配置される。この短軸マスク６０は、入射した光ビームの短軸方向に関する裾野部分をカットするためのものであるが、必須のものではない。
【００２１】以下、図１のビームホモジナイザによる結像について説明する。この線条ビームホモジナイザに入射した光ビームは、まず長軸側シリンダアレイ群１０により長軸断面で分割される。分割された光ビームは、第１群レンズ３１に入射し、その後に配置されている第２群レンズ３２とセットで被照射面ＩＳ上に重ね合わせられ、ここに均一ビームを形成する。第１群レンズ３１を通った光ビームは、短軸側シリンダアレイ群２０に入射し、短軸断面で分割される。短軸側シリンダアレイ群２０を経た光ビームは、短軸コンデンサレンズ系４０に入射し、短軸マスク６０のマスク面上で短軸断面に関してのみ均一ビームを形成する。すなわちマスク面が短軸断面における２次光源の重ね合わせ面となり、ここに均一ビームが形成される。なお、このマスク面は、長軸断面における重ね合わせ面となっていないため、長軸方向については均一ビームが形成されていない。短軸マスク６０は、均一である範囲のみ透過し、裾野部分の均一ではない部分を遮光して短軸マスク６０の像側にビームが届くのを防止する。短軸マスク６０を通った光ビームは、第２群レンズ３２に入射し、長軸断面の主光線が光軸に対し平行となって出射する。第２群レンズ３２から出射した光ビームは、その後イメージングレンズ５０を通過して被照射面ＩＳ上で均一ビームを形成する。この際、長軸断面で２次光源が完全に重ね合わされるだけでなく、短軸断面でも、イメージングレンズ５０によって短軸マスク６０の縮小投影像が形成される。ここで、イメージングレンズ５０はシリンドリカルレンズであり、このシリンドリカルレンズを通過する光ビームの長軸断面はテレセントリックとなっている。よって、既に説明したように、
イメージングレンズ５０を通過する主光線を光軸ＯＡに平行にすることができ、長軸方向に沿った短軸断面の結像について像面湾曲が発生しない。
【００２２】図２は、参考のための図であり、図１のビームホモジナイザから第２群レンズ３２を除いた場合に発生する像面湾曲を説明する図である。図からも明らかなように、シリンドリカルレンズであるイメージングレンズ５０の母線断面において、光軸ＯＡに対して角θを有する斜入射光Ｌ’が入射する場合、見かけ上のパワーが光軸ＯＡに平行な直入射光Ｌよりも大きくなり、ガウス像面上の結像位置ＦＬよりも手前側の位置ＦＬ’で短軸断面の光が集光してピントずれをおこす。このようなピントずれによって像面湾曲が発生し、斜入射光Ｌ’の入射する角θが大きくなる程、像面湾曲の量も増加する。
【００２３】しかしながら、上記実施形態のビームホモジナイザでは、長軸断面で像側テレセントリックとなっており、イメージングレンズ５０を通過する主光線が光軸ＯＡに平行となっているので、短軸断面の結像については像面湾曲が発生しない。」
（エ）図１（ａ）には，
光ビームが第１群レンズ３１において長軸方向に伸張されること
（オ）図１（ｂ）には，
光ビームがイメージングレンズ５０において短軸方向に短縮されること
　イ　引用発明５
　前記アより，引用文献５には次の発明（以下，「引用発明５」という。）が記載されていると認められる。
「レーザアニーリングに用いられるレーザのビームを整形するための整形光学系であって，レーザ光源からの光ビームを線状にし，光ビームを長軸方向に伸張し，短軸方向に短縮すること。」
（６）本願発明と引用発明１との対比　
　ア　引用発明１の「絶縁基板上の被膜にパルス状レーザー光を照射することによって半導体を活性化せしめるレーザーアニール装置」は，「結晶性が著しく損なわれた被膜のレーザーアニール」（前記（２）ア（イ）【０００１】）をするものであるから，「被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行する」ものであり，また，「使用されるレーザー光はエキシマーレーザーである」から「ガス放電レーザ」を使用するものである。すると，これは，本願発明の「被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するガス放電レーザ結晶化装置」に相当すると認められる。
　イ　引用発明１において「レーザー光は発振器で発振され，全反射ミラーを経由して増幅器で増幅され」て「エキシマーレーザー」の「パルス状レーザー光」とするものであり，これが「所定のパワー及び所定の繰り返しレート」を有することは自明であるから，この「発振器」，「全反射ミラー」および「増幅器」から成るシステムは，下記相違点１及び２を除いて，本願発明の「所定のパワー及び所定の繰り返しレートでレーザ出力光パルスビームを生成するエキシマレーザシステム」で「前記エキシマレーザシステムは、レーザパルスビームを出力する第１レーザユニットと、前記レーザパルスビームを増幅することによって前記レーザ出力光パルスビームを出力する第２レーザユニットと、第１レーザユニットからの前記レーザパルスビームを前記第２レーザユニットに方向付けるように動作するリレー光学系と，を備える」ものに相当すると認められる。
　ウ　引用発明１の光学系は，レーザー光が導入され，「光学系によって細長いビームに加工され，短冊状のビーム」を出力するものであるから，下記相違点３を除いて，本願発明の「前記レーザ出力光パルスビームを整形する発散性補正光学系」で「前記発散性補正光学系は、前記長軸方向の長軸の端部における前記短軸方向の幅が前記長軸の中央における前記短軸方向の幅より広くならないように、前記レーザ出力光パルスビームを整形するように構成されている」ものに相当すると認められる。
　エ　すると，本願発明と引用発明１とは，下記オの点で一致し，下記カの点で相違すると認められる。
　オ　一致点
「被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するガス放電レーザ結晶化装置であって、
　所定のパワー及び所定の繰り返しレートでレーザ出力光パルスビームを生成するエキシマレーザシステムと、
　前記レーザ出力光パルスビームを整形する発散性補正光学系と、を備え、
　前記エキシマレーザシステムは、
　　レーザパルスビームを出力する第１レーザユニットと、
　　前記レーザパルスビームを増幅することによって前記レーザ出力光パルスビームを出力する第２レーザユニットと、
　　第１レーザユニットからの前記レーザパルスビームを前記第２レーザユニットに方向付けるように動作するリレー光学系と、
を備え、
　前記発散性補正光学系は、前記長軸方向の長軸の端部における前記短軸方向の幅が前記長軸の中央における前記短軸方向の幅より広くならないように、前記レーザ出力光パルスビームを整形するように構成されている、
ガス放電レーザ結晶化装置。」
　カ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明の「エキシマレーザシステム」は「パルス間ドーズ制御を用いる」のに対し，引用発明１では「パルス間ドーズ制御」が開示されていない点。
（イ）相違点２
　本願発明の「エキシマレーザシステム」は「−３ｎｓｅｃ〜＋３ｎｓｅｃの範囲内で前記第１レーザユニット及び前記第２レーザユニットにおけるガス放電の生成のタイミングを合わせるタイミング及び制御モジュール」を備えるのに対し，引用発明１においては「発振器」と「増幅器」のタイミングを合わせることが開示されていない点。
（ウ）相違点３
　本願発明の「発散性補正光学系」は「長軸方向に伸長され短軸方向に短縮されるように整形する」のに対し，引用発明１の光学系はこのことが明示されていない点。
（７）判断
　ア　相違点１について
　ステッパなどの半導体製造に用いられるレーザー光の出力制御について，引用発明２は，レーザコントローラによりレーザ光のパルス出力をモニタリングしてパルス出力が所望の出力となるように制御することを開示しており，引用発明１においては，シート抵抗のばらつきを抑えるために，適正なレーザエネルギー密度の設定が求められている（引用文献１の段落００２２）から，ばらつきを押さえるために同じ半導体製造のレーザに係る引用発明２のレーザコントローラ技術を採用することは，当業者が容易になし得ることである。
　イ　相違点２について
　引用発明４は，リソグラフィレーザのような半導体製造に用いられるレーザーのタイミング制御について，２つのレーザシステムの放電タイミングを制御して，両方のレーザにおける利得媒体は約３ｎｓよりも短い変動とすることを開示しており，引用発明１においては，シート抵抗のばらつきを抑えるために，適正なレーザエネルギー密度の設定が求められている（引用文献１の段落００２２）から，ばらつきを押さえ所望の出力パルスレーザビームを得るために同じ半導体製造のレーザに係る引用発明４のタイミング制御技術を採用することは，当業者が容易になし得ることである。
　ウ　相違点３について
　引用発明１は「光学系によって細長いビームに加工され」るものであるから，同じレーザアニーリングに係る引用発明５の光ビームを線状にする整形光学系を採用して，引用発明１を具体化することは，当業者が容易に設計できることである。
（８）本願発明の効果について
　本願発明の効果は，引用文献１，２，４，５に記載された発明の構成から，当業者が予測できる程度のものであり，格別のものではない。
（９）請求人の主張について
　ア　請求人は，平成２９年４月５日付け意見書において，５つもの相違点があることを認定しながら，それぞれの相違点について容易と認定して，全体として進歩性がないとの結論を導くことは妥当ではないと主張している。
　本審決では，個々の相違点についての検討だけでなく，前記（８）のとおり，本願発明の効果についても検討することにより，事実に基づいて総合的に評価して結論を導いているのであり，請求人の主張はあたらない。なお，補正後の明確になった請求項１に記載された本願発明と引用発明１との相違点は，前記（６）カのとおり，３点にすぎない。
　イ　また，請求人は，同意見書において，引用文献はいずれも、補正後の本願発明に係る「パルス間ドーズ制御を用いて所定のパワー及び所定の繰り返しレートでレーザ出力光パルスビームを生成するエキシマレーザシステム」と「レーザ出力光パルスビームを長軸方向に伸長され短軸方向に短縮されるように整形する発散性補正光学系」とを開示も示唆もしていない旨主張している。
　前記（６）カのとおり，請求人の主張に係る構成は，それぞれ，相違点１及び３として認定した上で，前記（７）ア及びウのとおり，引用文献１の示唆ないし開示によって，それぞれ引用発明２及び５の開示に係る構成を採用すれば，容易に想到できるものであるから，出願人の主張はあたらない。
（１０）まとめ
　以上のとおりであるから，本願発明は，引用文献１，２，４，５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものである。
　
３　結言
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明については，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。