【事件の表示】
　特願２０１３−２５６６８９「電流センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　５月　８日出願公開、特開２０１４−　８１３８４、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年２月１７日（優先権主張　２０１０年（平成２２年）３月１２日（以下、「優先日」という。））を国際出願日とする特願２０１２−５０４３８４号の一部を平成２５年１２月１２日に新たな特許出願としたものであって、平成２６年８月２９日付けの拒絶理由通知に対して平成２６年１０月２２日付けで手続補正がなされ、平成２７年３月５日付けの最後の拒絶理由通知に対して平成２７年４月７日付けで手続補正がなされたが、平成２７年８月３日付けで補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２７年１１月６日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
第２　本件補正
１　本件補正　
　
　本件補正は、特許請求の範囲について、本件補正前に、 
「【請求項１】
　被測定電流からの誘導磁界の印加により抵抗値が変化する４つの磁気抵抗効果素子で構成され、２つの磁気抵抗効果素子間の出力を備える磁界検出ブリッジ回路を有する電流センサであって、
　前記４つの磁気抵抗効果素子は、抵抗変化率が同じであり、反平行結合膜を介して第１の強磁性膜と第２の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、前記出力を与える２つの磁気抵抗効果素子の強磁性固定層の磁化方向が互いに１８０°異なる方向であり、前記磁気検出ブリッジ回路は、電源供給点に対して対称である配線を有しており、
　それぞれの前記磁気抵抗効果素子は、帯状の長尺パターンが折り返されたミアンダ形状で、前記軟磁性自由層が帯状の長尺パターンに沿って形成されており、全ての前記磁気抵抗効果素子は、前記軟磁性自由層の前記長尺パターンの長手方向が、直線的に流れる被測定電流の向きと平行に配置され、前記軟磁性自由層は、前記長尺パターンの長手方向に誘導磁気異方性が付与されており、前記強磁性固定層の磁化方向が前記長尺パターンの長手方向に対して垂直に向けられていることを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
　直線的に流れる被測定電流の流れ方向に沿って、前記４つの磁気抵抗効果素子が一列に配列していることを特徴とする請求項１記載の電流センサ。
【請求項３】
　直線的に流れる被測定電流の流れ方向に沿って、前記磁気抵抗効果素子が２列に配列していることを特徴とする請求項１記載の電流センサ。
【請求項４】
　被測定電流が流れる導体は、一方向へ直線的にのみ延びている請求項１ないし３のいずれかに１項に記載の電流センサ。
【請求項５】
　前記磁気抵抗効果素子の近傍に配置され、前記誘導磁界を相殺するキャンセル磁界を発生するフィードバックコイルをさらに具備し、前記磁気検出ブリッジ回路で得られる電圧差により前記フィードバックコイルに通電して前記誘導磁界と前記キャンセル磁界とが相殺される平衡状態となったときの前記フィードバックコイルに流れる電流に基づいて前記被測定電流を測定することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の電流センサ。
【請求項６】
　前記誘導磁界及び前記キャンセル磁界が前記長尺パターンの延びる方向に直交する方向に沿うように印加されることを特徴とする請求項５記載の電流センサ。
【請求項７】
　前記磁界検出ブリッジ回路により、前記誘導磁界に比例した前記４つの磁気抵抗効果素子の出力により前記被測定電流を測定することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の電流センサ。
【請求項８】
　前記第１の強磁性膜が４０原子％〜８０原子％のＦｅを含むＣｏＦｅ合金で構成され、前記第２の強磁性膜が０原子％より多くかつ４０原子％以下のＦｅを含むＣｏＦｅ合金で構成されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の電流センサ。
【請求項９】
　被測定電流が流れる導体と、前記４つの磁気抵抗効果素子との間に、磁気シールドが設けられたことを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の電流センサ。」
とあったところを、
「【請求項１】
　被測定電流からの誘導磁界の印加により抵抗値が変化する４つの磁気抵抗効果素子で構成され、２つの磁気抵抗効果素子間の出力を備える磁界検出ブリッジ回路を有する電流センサ
の製造方法
　前記４つの磁気抵抗効果素子は、抵抗変化率が同じであり、反平行結合膜を介して第１の強磁性膜と第２の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、前記出力を与える２つの磁気抵抗効果素子の強磁性固定層の磁化方向が互いに１８０°異なる方向であり、前記磁気検出ブリッジ回路は、電源供給点に対して対称である配線を有しており、
　それぞれの前記磁気抵抗効果素子は、帯状の長尺パターンが折り返されたミアンダ形状で、前記軟磁性自由層を帯状の長尺パターンに沿って形成
し
を
その成膜中に磁場を印加して
を
し
を
ける
の製造方法
【請求項２】
　直線的に流れる被測定電流の流れ方向に沿って、前記４つの磁気抵抗効果素子
を
する
の製造方法
【請求項３】
　直線的に流れる被測定電流の流れ方向に沿って、前記磁気抵抗効果素子
を
する
の製造方法
【請求項４】
　被測定電流が流れる導体は、一方向へ直線的にのみ延びている請求項１ないし３の
いずれかに
の製造方法
【請求項５】
　前記磁気抵抗効果素子の近傍に配置
し
させて
できるようにした
の製造方法
【請求項６】
　前記誘導磁界及び前記キャンセル磁界が前記長尺パターンの延びる方向に直交する方向に沿うように印加されることを特徴とする請求項５記載の電流センサ
の製造方法
【請求項７】
　前記磁界検出ブリッジ回路により、前記誘導磁界に比例した前記４つの磁気抵抗効果素子の出力により前記被測定電流を
測定できるようにした
の製造方法
【請求項８】
　前記第１の強磁性膜
を
し
を
する
の製造方法
【請求項９】
　被測定電流が流れる導体と、前記４つの磁気抵抗効果素子との間に、
被測定電流から生じて磁気抵抗効果素子に印加される前記誘導磁界を減衰させる
を
けた
の製造方法
とすることを含むものである（下線は、本件補正による補正箇所である。）。　
　
　本件補正について検討する。 
　請求項１についてする本件補正は、「軟磁性自由層」について「その成膜中に磁場を印加」するとの限定を付加するとともに、このような限定にあわせて、本件補正前に「電流センサ」であったものを「電流センサの製造方法」に補正し、請求項９については、本件補正前の「磁気シールド」について、「被測定電流から生じて磁気抵抗効果素子に印加される前記誘導磁界を減衰させる磁気シールド」と限定を付加するものである。
　そして、請求項１ないし９についてする、その余の補正については、前記限定にあわせて表現を補正するものである。
　
　よって、本件補正は、特定するために必要な事項を限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に違反するところはない。 
２　独立特許要件 
　そこで、補正後の請求項１ないし９に記載されている事項により特定される発明（それぞれを、以下、「本件補正発明１」等という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否か、について、以下に検討する。 
（１）引用例の記載事項
ア　原査定の拒絶理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００７−１０１２５２号公報（本引用例は、原査定の拒絶の理由における引用文献３に対応するので、以下、これを「引用例３」という。また、以下の引用例１、２、４ないし１１についても同様である。）には、図面とともに次の記載がある（下線は、当審で付した。以下、同様。）。 
ａ「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は、磁界の変化を高感度に検出可能な磁気センサおよびその製造方法、ならびに導体を流れる電流の変化を高感度に検出可能な電流センサに関する。
ｂ「【０００８】
　
本発明の第１の電流センサは、検出対象電流が供給されることにより電流磁界を発生する導体と、その電流磁界に応じて自らの抵抗値が変化するように導体に沿って配置された磁気抵抗効果素子を有する素子基板と、
を備えるようにしたものである。
ｃ「【００１９】
　以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
［第１の実施の形態］
　最初に、図１，図２を参照して、本発明における第１の実施の形態としての電流センサの構成について説明する。図１は、本実施の形態における電流センサ１０の斜視構成を表す概略図であり、図２は、図１の電流センサ１０における回路構成を表したものである。なお、図２における検出対象電流Ｉｍ、補償電流Ｉｄ、電流磁界Ｈｍ、補償電流磁界Ｈｄ、バイアス磁界Ｈｂ１，Ｈｂ２および電流Ｉ０のすべての矢印の方向は、第１および第２の磁気抵抗効果素子３Ａ，３Ｂ（後出）との相対的な方向を示している。
【００２１】
　
電流センサ１０は、基体１上に形成された導体２に供給される検出対象電流Ｉｍを測定する電流計であり、第１および第２の磁気抵抗効果素子３Ａ，３Ｂ（以下、単にＭＲ素子３Ａ，３Ｂと記す。）を含む磁気センサ７Ａ，７Ｂを備えている。
ｄ「【００２５】
　電流センサ１０は、さらに、互いの一端同士が第２の接続点Ｐ２において接続された、定電流源ＣＧ１（第１の定電流源）および定電流源ＣＧ２（第２の定電流源）を備えている（図２）。定電流源ＣＧ１は、第３の接続点Ｐ３において、ＭＲ素子３Ａにおける第１の接続点Ｐ１とは反対側の端部と接続されており、一方の定電流源ＣＧ２は、第４の接続
点Ｐ４において、ＭＲ素子３Ｂにおける第１の接続点Ｐ１とは反対側の端部と接続されている。すなわち、ＭＲ素子３Ａと定電流源ＣＧ１とが直列接続されていると共に、ＭＲ素子３Ｂと定電流源ＣＧ２とが直列接続されており、それらが中心線ＣＬを対称軸として線対称となるように互いに並列接続された状態となっている。ここで、定電流源ＣＧ１および定電流源ＣＧ２は、互いに等しい値の定電流Ｉ０をＭＲ素子３ＡおよびＭＲ素子３Ｂにそれぞれ供給するように構成されている。なお、定電流源ＣＧ１，ＣＧ２は、基体１の上に設けられた回路基板９の内部に形成されている（図１では図示せず）。」
ｅ「【００２８】
　図３に示したように、
ＭＲ素子３Ａ，３ＢにおけるＧＭＲ膜は、磁性層を含む複数の機能膜が積層されたスピンバルブ構造をなしており、具体的には一定方向に固着された磁化方向Ｊ１１を有する固着層１１と、特定の磁化方向を示さない中間層１２と、
外部磁界Ｈに応じて磁化方向Ｊ１３が変化する自由層１３とを順に含んでいる。なお、図３は、
無負荷状態（すなわち、外部磁界Ｈが零の状態）を示している。この場合には、自由層１３の磁化方向Ｊ１３は、自らの磁化容易軸方向ＡＥ１３と平行をなし、かつ、固着層１１の磁化方向Ｊ１１と直交した状態となっている。
【００２９】
　
自由層１３は、
軟磁性材料により構成されている。中間層１２は、
上面が固着層１１と接すると共に下面が自由層１３と接している。中間層１２は、
非磁性金属により構成することができる。
ｆ「【００５０】
＜変形例１＞
　ここで、図９を参照して、本実施の形態の電流センサにおける変形例について説明する。
【００５１】
　
上記第１の実施の形態では、図４（Ａ），（Ｂ）に示したように、外部磁界Ｈが零のとき、自由層１３の磁化方向Ｊ１３Ａ，Ｊ１３Ｂが固着層１１の磁化方向Ｊ１１Ａ，Ｊ１１Ｂと直交するように構成している。
ｇ「【００６０】
［第３の実施の形態］
　
次に、本発明における第３の実施の形態としての電流センサについて説明する。
本実施の形態では、１つの導体２に対して４つのＭＲ素子３Ａ〜３Ｄを配置するようにした。
なお、４つのＭＲ素子３Ａ〜３Ｄを配置するようにした点以外の部分については実質的に上記第１の実施の形態と同様であるので、適宜説明を省略する。
ｈ「【００６４】
　また、図１４に示したように、
本実施の形態の電流センサでは、ＭＲ素子３Ａ，３Ｂの一端同士が第１の接続点Ｐ１において接続され、ＭＲ素子３Ｃ，３Ｄの一端同士が第２の接続点Ｐ２において接続され、ＭＲ素子３Ａの他端とＭＲ素子３Ｄの他端とが第３の接続点Ｐ３において接続され、ＭＲ素子３Ｂの他端とＭＲ素子３Ｃの他端とが第４の接続点Ｐ４において接続されることによりブリッジ回路が形成されている。
【００６５】
　以下、図１４を参照して、検出対象電流Ｉｍによって形成される電流磁界Ｈｍを測定する方法について説明する。
【００６６】
　
図１４において、
Ｖ＝ｉ1ｒ３＋ｉ1ｒ２＝ｉ2ｒ４＋ｉ2ｒ１
　＝ｉ1（ｒ３＋ｒ２）＝ｉ2（ｒ４＋ｒ１）　……（５）
と表すことができる。
また、第４の接続点Ｐ４における電位Ｖ３および第３の接続点Ｐ３における電位Ｖ４は、それぞれ、
Ｖ３＝Ｖ−ｉ1ｒ３
Ｖ４＝Ｖ−ｉ2ｒ４
と表せる。よって、第４の接続点Ｐ４と第３の接続点Ｐ３との電位差Ｖ０は、
Ｖ０＝Ｖ４−Ｖ３
　　＝（Ｖ−ｉ2ｒ４）−（Ｖ−ｉ1ｒ３）
　　＝ｉ1ｒ３−ｉ2ｒ４　……（６）
ここで、（５）式から、
Ｖ０＝ｒ３／（ｒ３＋ｒ２）・Ｖ−ｒ４／（ｒ４＋ｒ１）・Ｖ
　　＝｛ｒ３／（ｒ３＋ｒ２）−ｒ４／（ｒ４＋ｒ１）｝・Ｖ　……（７）
となる。このブリッジ回路では、外部磁界である電流磁界Ｈｍが印加されたときに、上記の式（７）で表された第４の接続点Ｐ４と第３の接続点Ｐ３との電位差Ｖ０を測定することにより、抵抗変化量が得られる。ここで、
電流磁界Ｈｍが印加されたときに、抵抗値Ｒ１〜Ｒ４がそれぞれ変化量ΔＲ１〜ΔＲ４だけ変化したとする
Ｒ１＝ｒ１＋ΔＲ１
Ｒ２＝ｒ２＋ΔＲ２
Ｒ３＝ｒ３＋ΔＲ３
Ｒ４＝ｒ４＋ΔＲ４
であるとすると、電流磁界Ｈｍの印加時における電位差Ｖ０は、式（７）より、
Ｖ０＝｛（ｒ３＋ΔＲ３）／（ｒ３＋ΔＲ３＋ｒ２＋ΔＲ２）−（ｒ４＋ΔＲ４）／（ｒ４＋ΔＲ４＋ｒ１＋ΔＲ１）｝・Ｖ　……（８）
となる。
この電流センサでは、ＭＲ素子３Ａ，３Ｃの抵抗値Ｒ１，Ｒ３と、ＭＲ素子３Ｂ，３Ｄの抵抗値Ｒ２，Ｒ４とは互いに逆方向の変化を示すように構成されている
【００６７】
　
仮に、ＭＲ素子３Ａ〜３Ｄの全てが完全に同一の特性を有するものとした場合、
Ｖ０＝
　　＝
（ΔＲ／Ｒ）・Ｖ
となる。
【００６８】
　
このように、予めΔＲ／Ｒ等の特性値を把握したＭＲ素子３Ａ〜３Ｄを用いるようにすれば、電流磁界Ｈｍの大きさを測定することができ、その電流磁界Ｈｍを発生する検出対象電流Ｉｍの大きさを推定することができる。
【００６９】
　
なお、本実施の形態ではＶ字状の平面形状をなす導体２を用いた例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば第２の実施の形態で説明した直線状の導体２１に沿って４つのＭＲ素子３Ａ〜３Ｄを配置するようにしてもよい。
ｉ　図１４には、図１３を参酌すると、２つの磁気抵抗効果素子間の出力を与える２つの磁気抵抗効果素子（（３Ｃ、３Ｂ）、（３Ｄ、３Ａ））の固着層の磁化方向Ｊ１１が互いに１８０度異なる方向である（Ｊ１１Ｃ（下向き）、Ｊ１１Ｂ（上向き））、（Ｊ１１Ｄ（上向き）、Ｊ１１Ａ（下向き））であることが示されている。
ｊ　図１４には、ブリッジ回路は、電源供給点に対し、対称な回路配置であることが示されている。
（Ａ）引用例３の「【技術分野】【０００１】本発明は、磁界の変化を高感度に検出可能な磁気センサおよびその製造方法、ならびに導体を流れる電流の変化を高感度に検出可能な電流センサに関する。」との記載、及び「【０００８】本発明の第１の電流センサは、検出対象電流が供給されることにより電流磁界を発生する導体と、その電流磁界に応じて自らの抵抗値が変化するように導体に沿って配置された磁気抵抗効果素子を有する素子基板と、‥‥‥を備えるようにしたものである。」との記載から、「磁気センサ」は、導体を流れる電流磁界を検出するものであって、「電流センサ」と捉えることができるから、引用例３には、「検出対象電流が供給されることにより電流磁界を発生する導体と、その電流磁界に応じて自らの抵抗値が変化するように導体に沿って配置された磁気抵抗効果素子を有する電流センサの製造方法」が記載されているということができる。
（Ｂ）引用例３記載の［第３の実施の形態］に着目すると、上記ｇに「【００６０】［第３の実施の形態］次に、本発明における第３の実施の形態としての電流センサについて説明する。‥‥‥本実施の形態では、１つの導体２に対して４つのＭＲ素子３Ａ〜３Ｄを配置するようにした。‥‥‥なお、４つのＭＲ素子３Ａ〜３Ｄを配置するようにした点以外の部分については実質的に上記第１の実施の形態と同様であるので、適宜説明を省略する。」と記載されていることから、第３の実施の形態部分と同様の形態部分を有する第１の実施の形態についても摘記する。
（Ｃ）上記ｃの「【００２１】‥‥‥第１および第２の磁気抵抗効果素子３Ａ，３Ｂ（以下、単にＭＲ素子３Ａ，３Ｂと記す。）‥‥‥」との記載から、引用例３には、磁気抵抗効果素子をＭＲ素子と記すことが記載されており、以下、引用例３に記載の「ＭＲ素子」を「磁気抵抗効果素子」と表現する。
（Ｄ）上記ｅの段落【００２８】の記載において、「ＭＲ素子３Ａ，３Ｂ」は、各磁気抵抗効果素子と表現できるから、同段落【００２８】には、「各磁気抵抗効果素子におけるＧＭＲ膜は、磁性層を含む複数の機能膜が積層されたスピンバルブ構造をなしており、具体的には一定方向に固着された磁化方向Ｊ１１を有する固着層１１と、特定の磁化方向を示さない中間層１２と、外部磁界Ｈに応じて磁化方向Ｊ１３が変化する自由層１３とを順に含み、無負荷状態（すなわち、外部磁界Ｈが零の状態）の場合には、自由層１３の磁化方向Ｊ１３は、自らの磁化容易軸方向ＡＥ１３と平行をなし、かつ、固着層１１の磁化方向Ｊ１１と直交した状態となっている」ことが記載されているということができる。
（Ｅ）上記ｅの段落【００２９】の記載から、引用例３には、「自由層１３は、軟磁性材料により構成され、中間層１２は、上面が固着層１１と接すると共に下面が自由層１３と接し、中間層１２は、非磁性金属により構成する」ことが記載されているということができる。
（Ｆ）上記ｇの「段落【００６０】［第３の実施の形態］‥‥‥１つの導体２に対して４つのＭＲ素子３Ａ〜３Ｄを配置する‥‥‥」との記載において、導体２についてみるに、上記ｈの段落【００６９】に「なお、本実施の形態ではＶ字状の平面形状をなす導体２を用いた例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば第２の実施の形態で説明した直線状の導体２１に沿って４つのＭＲ素子３Ａ〜３Ｄを配置するようにしてもよい。」と記載されていることから、導体２の変形例である導体２１について、「直線状の導体２１に沿って４つのＭＲ素子３Ａ〜３Ｄを配置する」ことが記載されているということができる。
　したがって、上記記載、及び上記ｈの段落【００６４】の記載から、引用例３には、「直線状の導体２１に沿って４つの磁気抵抗効果素子３Ａ〜３Ｄを配置するようにし、磁気抵抗効果素子３Ａ，３Ｂの一端同士が第１の接続点Ｐ１において接続され、磁気抵抗効果素子３Ｃ，３Ｄの一端同士が第２の接続点Ｐ２において接続され、磁気抵抗効果素子３Ａの他端と磁気抵抗効果素子３Ｄの他端とが第３の接続点Ｐ３において接続され、磁気抵抗効果素子３Ｂの他端と磁気抵抗効果素子３Ｃの他端とが第４の接続点Ｐ４において接続されることによりブリッジ回路が形成されている」ことが記載されているということができる。
（Ｇ）上記ｈの「【００６６】 図１４において、‥‥‥電流磁界Ｈｍが印加されたときに、抵抗値Ｒ１〜Ｒ４がそれぞれ変化量ΔＲ１〜ΔＲ４だけ変化したとする‥‥‥【００６７】仮に、ＭＲ素子３Ａ〜３Ｄの全てが完全に同一の特性を有するものとした場合、‥‥‥Ｖ０＝‥‥‥（ΔＲ／Ｒ）・Ｖとなる。【００６８】このように、予めΔＲ／Ｒ等の特性値を把握したＭＲ素子３Ａ〜３Ｄを用いるようにすれば、電流磁界Ｈｍの大きさを測定することができ、その電流磁界Ｈｍを発生する検出対象電流Ｉｍの大きさを推定することができる。」との記載において、図１４には、ブリッジ回路が示されていることから、引用例３には、「ブリッジ回路において、磁気抵抗素子３Ａ〜３Ｄの全てが完全に同一の特性を有するものとした場合、電流磁界Ｈｍの大きさを測定することができ、その電流磁界Ｈｍを発生する検出対象電流Ｉｍの大きさを推定することができる」ことが記載されているということができる。
（Ｈ）上記ｉから、「２つの磁気抵抗効果素子間の出力を与える２つの磁気抵抗効果素子（（３Ｃ、３Ｂ）、（３Ｄ、３Ａ））の固着層の磁化方向Ｊ１１が互いに１８０度異なる方向である（Ｊ１１Ｃ（下向き）、Ｊ１１Ｂ（上向き））、（Ｊ１１Ｄ（上向き）、Ｊ１１Ａ（下向き））である」ことが記載されているということができる。
（Ｉ）上記ｊから、「ブリッジ回路は、電源供給点に対し、対称な回路である」ことが示されているということができる。
　上記記載から、引用例３には、次の発明（以下、「引用発明３」という。）が記載されているものと認められる。 
「検出対象電流が供給されることにより電流磁界を発生する導体と、その電流磁界に応じて自らの抵抗値が変化するように導体に沿って配置された磁気抵抗効果素子を有する電流センサの製造方法において、
　直線状の導体２１に沿って４つの磁気抵抗効果素子３Ａ〜３Ｄを配置するようにし、磁気抵抗効果素子３Ａ，３Ｂの一端同士が第１の接続点Ｐ１において接続され、磁気抵抗効果素子３Ｃ，３Ｄの一端同士が第２の接続点Ｐ２において接続され、磁気抵抗効果素子３Ａの他端と磁気抵抗効果素子３Ｄの他端とが第３の接続点Ｐ３において接続され、磁気抵抗効果素子３Ｂの他端と磁気抵抗効果素子３Ｃの他端とが第４の接続点Ｐ４において接続されることによりブリッジ回路が形成され、
　各磁気抵抗効果素子におけるＧＭＲ膜は、磁性層を含む複数の機能膜が積層されたスピンバルブ構造をなしており、具体的には一定方向に固着された磁化方向Ｊ１１を有する固着層１１と、特定の磁化方向を示さない中間層１２と、外部磁界Ｈに応じて磁化方向Ｊ１３が変化する自由層１３とを順に含み、無負荷状態（すなわち、外部磁界Ｈが零の状態）の場合には、自由層１３の磁化方向Ｊ１３は、自らの磁化容易軸方向ＡＥ１３と平行をなし、かつ、固着層１１の磁化方向Ｊ１１と直交した状態となり、
　自由層１３は、軟磁性材料により構成され、中間層１２は、上面が固着層１１と接すると共に下面が自由層１３と接し、中間層１２は、非磁性金属により構成し、
　ブリッジ回路において、磁気抵抗素子３Ａ〜３Ｄの全てが完全に同一の特性を有するものとした場合、電流磁界Ｈｍの大きさを測定することができ、その電流磁界Ｈｍを発生する検出対象電流Ｉｍの大きさを推定することができ、
　２つの磁気抵抗効果素子間の出力を与える２つの磁気抵抗効果素子（（３Ｃ、３Ｂ）、（３Ｄ、３Ａ））の固着層の磁化方向Ｊ１１が互いに１８０度異なる方向である（Ｊ１１Ｃ（下向き）、Ｊ１１Ｂ（上向き））、（Ｊ１１Ｄ（上向き）、Ｊ１１Ａ（下向き））であり、
　ブリッジ回路は、電源供給点に対し、対称な回路配置である、
　磁気センサの製造方法。」
イ　原査定の拒絶理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平５−２９１６４７号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の記載がある（下線は、当審で付した。）。
「【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は被検出電流の通電により生じる磁界を強磁性磁気抵抗膜により検出する電流センサに関する。
「【０００７】
【実施例】この発明の実施例である電流センサの構造を図１〜図１１に示す。その内図２〜図８は製造途中の状態を示す図であり、これらの図に基づき以下その作成手順を示す。
【０００８】まず、図２において１は熱酸化シリコン基板であり、その絶縁面上にＮｉ１９％Ｆｅ合金を磁場中蒸着法により膜厚３００Å成膜し、次いでフォトリソグラフィにより同図に示すように
４つのミアンダライン状の強磁性磁気抵抗膜パターン２，３，４，５を形成する。その内２，３は感磁部として作用し、４，５は後述するブリッジ回路の対辺抵抗であるダミー抵抗として、また後述するように温度補償抵抗として作用する。
「【００１７】図１０は図１に示した電流センサにおける強磁性磁気抵抗膜パターンによる回路を簡略化した図、図１１はこれを電気回路として示した図である。このように
一方の対辺を感磁部としての強磁性磁気抵抗膜パターン２，３、他方の対辺をダミー抵抗としての強磁性磁気抵抗膜パターン４，５とするブリッジ回路が構成される。
　したがって、引用例１には次の発明が記載されているということができる。
「被検出電流の通電により生じる磁界を強磁性磁気抵抗膜により検出する電流センサにおいて、
　４つのミアンダライン状の強磁性磁気抵抗膜パターン２，３，４，５を形成し、その内２，３は感磁部として作用し、４，５はブリッジ回路の対辺抵抗であるダミー抵抗として、また温度補償抵抗として作用する、
電流センサ。」
ウ　原査定の拒絶理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００８−３０６１１２号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに次の記載がある（下線は、当審で付した。）。
「【０００１】
　
本発明は、スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜
を用いた磁気センサ
に関するものである。
「【００１８】
　（実施形態１）
　
図１に磁気抵抗効果膜の構成の１例を示す。
基体１０上に下地層１１を形成し、その上に第一の強磁性層１２１、反平行結合層１２２、第二の強磁性層１２３を形成する。この３層で固定層１２が形成される。その上に非磁性の中間層１３を介し、第一の強磁性層１４１、第二の強磁性層１４２を形成する。２つの強磁性層１４１，１４２は強磁性的に結合し、外部磁界に対して磁化方向が自由に変化する自由層１４として振舞う。
「【００３５】
　
図１０は磁気抵抗効果素子を構成する、
磁気抵抗効果膜をブリッジ接続した回路図を示している。
太い矢印の方向は固定層の磁化方向を表す。磁気抵抗効果素子３１ａ〜３１ｄのうち、磁気抵抗効果素子３１ａ及び３１ｂを接続し、磁気抵抗効果素子３１ｃ及び３１ｄを接続してホイートストンブリッジを構成した。ここで、磁気抵抗効果素子３１a及び３１ｄのピン方向が同一で（基準軸に対して０°方向）、磁気抵抗効果素子３１ｂ及び３１ｃのピン方向が同一（基準軸に対して１８０°方向）である。所定の電源電圧Ｖｃｃを印加することで中点電位Ｖｘ１及びＶｘ２を検出した。これらの対を９０°回転させて形成した磁気抵抗効果素子３２a〜３２ｄを用いて、同様のホイートストンブリッジを構成し、中点電位Ｖｙ１及びＶｙ２を検出した。
　ここで、段落【００１８】の記載から、引用例２の「磁気抵抗効果膜」は、「反平行結合層を介して第１の強磁性層と第２の強磁性層とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層からなる」ものということができる。
　したがって、引用例２には次の発明が記載されているということができる。
「スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜を用いた磁気センサであって、
　磁気抵抗効果膜は、反平行結合層を介して第１の強磁性層と第２の強磁性層とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層からなり、
　磁気抵抗効果素子３１ａ〜３１ｄのうち、磁気抵抗効果素子３１ａ及び３１ｂを接続し、磁気抵抗効果素子３１ｃ及び３１ｄを接続してホイートストンブリッジを構成し、ここで、磁気抵抗効果素子３１a及び３１ｄのピン方向が同一で（基準軸に対して０°方向）、磁気抵抗効果素子３１ｂ及び３１ｃのピン方向が同一（基準軸に対して１８０°方向）であり、所定の電源電圧Ｖｃｃを印加することで中点電位Ｖｘ１及びＶｘ２を検出し、これらの対を９０°回転させて形成した磁気抵抗効果素子３２a〜３２ｄを用いて、同様のホイートストンブリッジを構成し、中点電位Ｖｙ１及びＶｙ２を検出する、
　磁気センサ。」
エ　原査定の拒絶理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特表平１０−５０６１９３号公報（以下、「引用例４」という。）には、図面とともに次の記載がある。
「図１は、本発明の測定装置の一部を空間的に示した回路略図である。
　図２は、平行に、且つ電流ループによって形成される平面に対して上方に位置する共通な平面内の測定ブリッジの装置を有する図１の回路略図である。
　図３は、ただ１つの測定ブリッジを有する実施形態である。
　
測定すべき電流Ｉoが流れており、電流導体Ｌiとして用いられる電流レールは電力用電流回路の構成部分であり、
　
それぞれ１つの測定ブリッジＢo、Ｂuが適当に、電流導体Ｌiの上方および下方の直接周囲Ｚにおいて
定置して設けられる。前記測定ブリッジＢo、Ｂuは、それぞれ４つの、ホイートストンブリッジの形で接続される磁気抵抗性測定抵抗Ｍから成り、測定ブリッジＢo、Ｂuにブリッジ電圧Ｕbが印加される。測定装置のこのような部分は、それぞれ１つの補償導線Ｌkと共に測定素子Ａを形成する。
　
それぞれの測定ブリッジＢo、Ｂuで取り出される測定電圧Ｕmは、各１つの差動増幅器Ｖdに供給される。差動増幅器Ｖdは、測定電圧Ｕmが零になるように、それぞれの補償導体Ｌkの補償電流Ｉkを制御する。
　
それぞれの補償導体Ｌkに各１つの測定抵抗Ｒmが接続されており、この測定抵抗Ｒmを介して電圧降下が測定される。これらの電圧は演算増幅器Ｖoに供給され、演算増幅器Ｖoにより電圧は加算される。演算増幅器Ｖoの出力電圧Ｕsは、測定すべき電流Ｉoに比例する。
オ　原査定の拒絶理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特表２０００−５１６７１４号公報（以下、「引用例５」という。）には、図面とともに次の記載がある。
「
本発明は、比較的大きな磁気抵抗特性を示す強磁性薄膜構造に関する。特に、磁場を感知するために使用されるこのような構造に関する。
「
センサ５４および５５内の各磁気抵抗部材１７および１７’は、互いに良く一致するように製造されており、結果的に、コイル２５’’中の電流に起因する部材１７’の抵抗の変化が、コイル２５において導入される入力電流に起因して部材１７において生じる変化と丁度等しくなることが意図されている。従って、このように抵抗変化のバランスをとることによって、コイル２５’’に供給されるその出力における電流が端子２６を通して導入されたものに丁度等しい場合、演算増幅器５８の差動入力端子間には有意な電位差が全く残らないはずである。従って、演算増幅器５８の出力においてコイル２５’’に出力電流が供給されるが、この電流は、磁気抵抗部材１７および１７’がコイル部材２５および２５’に流れる電流の必要な一次関数(necessary linear functions)ではないにも関わらず、端子２６を通して確立される電流に実質的に等しくなる。これらの場合において、出力端子６０に供給される演算増幅器５８の出力電圧は、入力端子２６に流れる電流の尺度の１つである。
「さらに別の可能性の１つは、図５に示す回路において使用されているような
フルブリッジ回路とする
、図５の回路における入力電流は、磁気抵抗部材１７および磁気抵抗部材１７’’’の両方を通過し、増幅器５８からの出力電流は磁気抵抗部材１７’および磁気抵抗部材１７’’の両方を通過する。このように２つのさらなる磁気抵抗部材１７’’および１７’’’を、それぞれセンサ５６’および５７’において使用することによって、端子２６に供給される入力電流に対する演算増幅器５８の入力における信号電圧が２倍になる。
カ　原査定の拒絶理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特表２００１−５１６０３１号公報（以下、「引用例６」という。）には、図面とともに次の記載がある。
「【０００１】
（発明の背景）
　本発明は、広義には磁界センサに関し、より詳しくは、単一の半導体チップ上に形成され、ドメイン設定、バイアス又はオフセット磁界の形成、フィードバック磁界の供給、センサ伝達特性の測定のような機能、あるいは磁界を必要とする他の機能のために磁界の利用が必要な集積型磁界センサに関する。」
「【００１２】
　（好ましい実施形態の説明）
　本発明の磁界を検出するためのデバイスは、添付図面に全体として符号１０で示されている。
図１は、本発明の磁界センサ用の集積回路パターンを示したものである。
４つの磁気抵抗素子２４、２６、２８及び３０は、ホイートストンブリッジ回路構成で配置されている。
「【００２０】
　
導体７０は、既存の外部磁界を相殺する、あるいはうち消す目的で磁気抵抗素子の位置に磁界を生じさせるために用いることもできる。
 【００２１】
　
フィードバック用途においては、例えば、導体７０はデバイス１０を「０」出力状態に保つような形態で使用することができる。その場合は、導体７０に変動外部磁界に抗するのに十分な可変電流を流すことになろう。そして、導体７０に流すことが必要な電流を測定すれば、その電流が変動外部磁界を表すはずである。
キ　原査定の拒絶理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００８−２０３２３８号公報（以下、「引用例７」という。）には、図面とともに次の記載がある。
「【０００１】
　この発明は、
近接した被測定電流線に流れる微弱な電流を精度良く測定する
電流検知デバイスに関するものである。
「【０００８】
実施の形態１．
　図１は、この発明の実施の形態１による電流検知デバイス２０の一部の斜視模式図を示すもので、図２は図１におけるＡＡ断面（ＸＺ面）を示す断面図、図３は図２の拡大断面図、図４は被測定電流検出部１４の平面図（ＸＹ面）である。図において、
磁気検知デバイス２０は、４つの磁気抵抗効果素子１によるブリッジ回路１８にて構成された被測定電流検出部１４と被測定電流線６により構成される。
　まず、被測定電流検出部１４の構成について説明する。
　
図４は被測定電流検出部１４の平面図を示すもので、中心線１５によって２つの領域に分けられ、それぞれの領域に磁気抵抗効果素子１ａ、１ｂ、磁気抵抗効果素子１ｃ、１ｄが線対称に等しく配置される。４つの磁気抵抗効果素子１ａ〜１ｄは、設置基板７の中心線１５に対して相互に平行方向に配置され、磁気抵抗効果素子１ａ、１ｄは、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に増加する磁気抵抗効果特性を有するように、また、磁気抵抗効果素子１ｂ、１ｃは、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に減少する磁気抵抗効果特性を有するように、
なお、４つの磁気抵抗効果素子１は
クランク形状に複数の磁気抵抗効果素子を接続し、線路長を長く構成してもよい。
　上記記載から、引用例７には、次の発明が記載されているということができる（括弧の段落番号は、記載の参照箇所を示す。）。
「近接した被測定電流線に流れる微弱な電流を精度良く測定する電流検知デバイスにおいて、（【０００１】）
　磁気検知デバイス２０は、４つの磁気抵抗効果素子１によるブリッジ回路１８にて構成された被測定電流検出部１４と被測定電流線６により構成され、
　中心線１５によって２つの領域に分けられ、それぞれの領域に磁気抵抗効果素子１ａ、１ｂ、磁気抵抗効果素子１ｃ、１ｄが線対称に等しく配置され、４つの磁気抵抗効果素子１ａ〜１ｄは、設置基板７の中心線１５に対して相互に平行方向に配置され、磁気抵抗効果素子１ａ、１ｄは、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に増加する磁気抵抗効果特性を有するように、また、磁気抵抗効果素子１ｂ、１ｃは、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に減少する磁気抵抗効果特性を有し、
　４つの磁気抵抗効果素子１は、クランク形状に複数の磁気抵抗効果素子を接続し、線路長を長く構成してもよい、（【０００８】）
電流検知デバイス。」
ク　原査定の拒絶理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００８−７６０９２号公報（以下、「引用例８」という。）には、図面とともに次の記載がある。
「【０００１】
　
本発明は、
磁気抵抗効果センサを用いた磁気エンコーダ装置に関するものである。
「【００１１】
　
本発明の磁気エンコーダ装置の磁気センサの巨大磁気抵抗効果積層膜を構成する薄膜は、
以下のように作製した。
【００１２】
　
膜形成時には、永久磁石を用いて基板に平行におよそ６．３７（ＫＡ／ｍ）［８０（Ｏｅ）］の磁界を印加して、誘導磁気異方性を付与した。形成した膜を、真空中、磁場中で２７０℃、３時間の熱処理を行ってＭｎＰｔ反強磁性膜を相変態させた。この熱処理で、軟磁性自由層の誘導磁気異方性の容易軸の方向は、強磁性固定層の磁化の着磁方向と平行になっている。この方向からさらに軟磁性自由層の誘導磁気異方性を９０°方向に変えるため、２５０℃、３時間の熱処理を最初の熱処理の磁界と直交する方向の磁界中で行った。
「【００１４】
　
図２に、本発明の代表的な磁気抵抗効果型再生センサの詳細な構造例を示す。
強磁性固定層１５、非磁性中間層１２、軟磁性自由層１３
を有する。強磁性固定層１５は、第一の強磁性膜１５１、反平行結合層１５４、第二の強磁性膜１５２を積層してなる。第一の強磁性膜１５１は反平行結合層１５４を介して、第二の強磁性膜１５２と互いの磁化が反平行に磁気的に結合してなる
ケ　原査定の拒絶理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００５−１８３６１４号公報（以下、「引用例９」という。）には、図面とともに次の記載がある。
「【０００１】
　本発明は、
磁気センサ等に利用されるスピンバルブ型の磁気抵抗効果膜を製造する方法に関する。
「【０００２】
　従来より、巨大磁気抵抗素子（以下、ＧＭＲ素子とも称する）が用いられた磁気センサが提案され、実用に供されている。
　
ＧＭＲ素子は、磁化の向きが所定の方向にピン止めされたピンド層と、磁化の向きが外部磁場に対応して変化するフリー層とを備えた磁気抵抗効果膜から構成され、外部磁場が加わった際、ピンド層の磁化の向きとフリー層の磁化の向きとの相対関係に応じた抵抗値を呈するようになっている。
　磁気センサでは、前記ＧＭＲ素子の抵抗値を測定することで外部磁場の強さを測定できるようになっている。
【０００３】
　
磁気センサ内のＧＭＲ素子は、複数回つづら折り状に折り返した細線パターンとなるように形成されており、
　しかし、このつづら折り状のＧＭＲ素子では、その折り曲がり部分（以下、屈曲部とも言う。）が磁気抵抗効果膜で形成されているため、ＧＭＲ素子の感度方向が不均一となり、これにより磁気抵抗効果膜の抵抗値と外部磁場の強さとの直線関係（線形性）が損われて精度良く磁場の強さを測定できない場合があった。」
「【００２２】
　また、
フリー層Ｆの一軸異方性の向きが、磁気抵抗効果膜５の長手方向と
同じとする
　引用例９には、次の発明が記載されているということができる（括弧の段落番号は、記載の参照箇所を示す。）。
「磁気センサ等に利用されるスピンバルブ型の磁気抵抗効果膜を製造する方法であって、（【０００１】）
ＧＭＲ素子は、磁化の向きが所定の方向にピン止めされたピンド層と、磁化の向きが外部磁場に対応して変化するフリー層とを備えた磁気抵抗効果膜から構成され、外部磁場が加わった際、ピンド層の磁化の向きとフリー層の磁化の向きとの相対関係に応じた抵抗値を呈し、（【０００２】）
磁気センサ内のＧＭＲ素子は、複数回つづら折り状に折り返した細線パターンとなるように形成されており、（【０００３】）
フリー層Ｆの一軸異方性の向きが、磁気抵抗効果膜５の長手方向と同じとする、（【００２２】）
　磁気抵抗効果膜を製造する方法。」
コ　原査定の拒絶理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００９−１１１２９４号公報（以下、「引用例１０」という。）には、図面とともに次の記載がある。
「【０００１】
　
本発明は、薄膜コイルと磁気抵抗効果素子とを備え、
磁気カプラに関する。
「【００２２】
　図１および図２に示したように、第１のＭＲ素子３１は、一対の端子３１Ｓ，３１Ｅの間において互いに直列接続された複数の帯状パターン３１１を有している。帯状パターン３１１は、薄膜コイル２０の径方向（Ｙ軸方向）に延在すると共に薄膜コイル２０の巻回方向（Ｘ軸方向）において互いに隣在し合うように配設されている。すなわち、
第１のＭＲ素子３１は、
互いに平行配置された複数の帯状パターン３１１が、接続部分３１２を介してつづら折り状に連なって構成されている。
第２〜第４のＭＲ素子３２〜３４は、それぞれ、
帯状パターン３２１，３３１，３４１が接続部分
を介してつづら折り状に連なるように直列接続された構成となっている。
「【００２５】
　
帯状パターン３１１，３２１，３３１，３４１はスピンバルブ構造をなすものであり、
「【００４２】
［第２の実施の形態］
　次に、
図５および図６を参照して、本発明における第２の実施の形態としての磁気カプラについて説明する。図５（Ａ）は、
上記第１の実施の形態の図２（Ａ）に対応するものである。
【００４３】
　
この磁気カプラでは、
第１〜第４のＭＲ素子３１〜３４に含まれる帯状パターン３１１，３２１，３３１，３４１が
Ｘ軸方向に延在している。帯状パターン３１１，３２１，３３１，３４１では、
それぞれ、固着層６１の磁化Ｊ６１が＋Ｙ方向を向き、無負荷状態での自由層６３の磁化Ｊ６３は−Ｘ方向に向いている。
【００４４】
　本実施の形態の磁気カプラにおいても、上記第１の実施の形態と同様の効果が得られる。特に、ヨーク４１〜４４の存在により、複数の帯状パターン３１１，３２１，３３１，３４１の各々に及ぶ誘導磁界Ｈｍの強度が高まるだけでなく偏りも小さくなるので、隣り合う帯状パターン３１１，３２１，３３１，３４１同士の抵抗値のばらつきが低減される。よって、より正確な信号伝達を行うことができる。」
　上記記載において、第２の実施の形態（【００４２】）に着目し、第１の実施の形態と同様の構成については、第１の実施の形態の記載（【００４３】）を参酌すると、引用例１０には、次の発明が記載されているということができる（括弧の段落番号は、記載の参照箇所を示す。）。
「薄膜コイルと磁気抵抗効果素子とを備えた磁気カプラにおいて、（【０００１】）
第１のＭＲ素子３１は、互いに平行配置された複数の帯状パターン３１１が、接続部分３１２を介してつづら折り状に連なって構成され、第２〜第４のＭＲ素子３２〜３４は、それぞれ、帯状パターン３２１，３３１，３４１が接続部分を介してつづら折り状に連なるように直列接続された構成であり、（【００２２】）
帯状パターン３１１，３２１，３３１，３４１はスピンバルブ構造をなすものであり、（【００２５】）
　第１〜第４のＭＲ素子３１〜３４に含まれる帯状パターン３１１，３２１，３３１，３４１がＸ軸方向に延在し、帯状パターン３１１，３２１，３３１，３４１では、それぞれ、固着層６１の磁化Ｊ６１が＋Ｙ方向を向き、無負荷状態での自由層６３の磁化Ｊ６３は−Ｘ方向に向いている、（【００４３】）
　磁気カプラ。」
サ　原査定の拒絶理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００７−８５９８０号公報（以下、「引用例１１」という。）には、図面とともに次の記載がある。
「【０００１】
　
この発明は、磁気抵抗素子を用いた磁界検出装置およびその製造方法とに関するものである。
「【００５５】
実施の形態４．
　図１４は実施の形態４の磁界検出装置の構成を示した斜視図である。実施の形態４では実施の形態２の構成に、
図１４に示すように磁束ガイド１４を磁石と検出用磁気抵抗素子との間に、検出用磁気抵抗素子１および参照用磁気抵抗素子２、５をカバーするように設けた。
シ　平成２７年８月３日付け補正の却下の決定で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−２０９２６号公報（以下、「引用例１２」という。）には、図面とともに次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク装置に用いられる磁気抵抗効果ヘッドに関する。
「【００１１】本発明はこのような従来技術の問題点に対処してなされたものであって、
ＧＭＲ素子を用いたＭＲ膜の磁化自由層の熱処理による磁気異方性付与が容易
「【００４３】
このＭＲ膜において、
強磁性層Ａ１１／結合層１２／強磁性層Ｂ１３からなる磁化固着層であり、
「【００６１】なお実施例１では、
磁化自由層
ス　平成２７年８月３日付け補正の却下の決定で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−１５６３５７号公報（以下、「引用例１３」という。）には、図面とともに次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は強磁性二重トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子、およびそれを用いた磁気記録素子に関する。」
「【００３４】次に、本発明の磁気抵抗効果素子を構成する各層に用いられる材料について説明する。フリー層（磁気記録層）には、上述したようにＣｏ基合金（Ｃｏ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ等）またはＣｏ基合金／Ｎｉ−Ｆｅ合金／Ｃｏ基合金の三層膜が用いられる。また、これらの合金にＡｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｔａ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎ，Ｓｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｉｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂなどの非磁性元素を多少添加してもよい。
本発明の磁気抵抗効果素子は、
磁界センサー等に適用することができ、これらの用途ではフリー層に一軸異方性を付与することが好ましい。
「【００３７】なお、
反強磁性層によってピン層を強く固定したい場合、ピン層として強磁性層／非磁性層／強磁性層の三層膜を用い、非磁性層を介して積層された２層の強磁性層を反強磁性結合させてもよい。
「【００７２】磁気抵抗効果ヘッドの用途では、第１、第２および第４の強磁性二重トンネル接合素子（図１，図２および図４）を用いることが好ましく、第１の強磁性二重トンネル接合素子を用いることがより好ましい。
また、磁気抵抗効果ヘッドの用途では、磁場中成膜または磁場中熱処理により、隣り合うピン層とフリー層のスピンをほぼ直交させることが好ましい。
（２）対比 
　本件補正発明１と、引用発明３とを対比する。 
ア　引用発明３の「検出対象電流が供給されることにより電流磁界を発生する導体と、その電流磁界に応じて自らの抵抗値が変化するように導体に沿って配置された磁気抵抗効果素子を有する電流センサの製造方法」は、本件補正発明１の「電流センサの製造方法」に相当する。
イ　引用発明３において、「検出対象電流が供給されることにより電流磁界を発生する」、「その電流磁界に応じて自らの抵抗値が変化するように導体に沿って配置された磁気抵抗効果素子」は、「４つの磁気抵抗効果素子３Ａ〜３Ｄ」からなるから、本件補正発明１の「被測定電流からの誘導磁界の印加により抵抗値が変化する４つの磁気抵抗効果素子」に相当する。
ウ　引用発明３の「磁気センサ」において、「４つの磁気抵抗効果素子３Ａ〜３Ｄを配置するようにし、磁気抵抗効果素子３Ａ，３Ｂの一端同士が第１の接続点Ｐ１において接続され、磁気抵抗効果素子３Ｃ，３Ｄの一端同士が第２の接続点Ｐ２において接続され、磁気抵抗効果素子３Ａの他端と磁気抵抗効果素子３Ｄの他端とが第３の接続点Ｐ３において接続され、磁気抵抗効果素子３Ｂの他端と磁気抵抗効果素子３Ｃの他端とが第４の接続点Ｐ４において接続されることにより」「形成され」る「ブリッジ回路」は、２つの磁気抵抗効果素子間の出力を備えるものであるから、本件補正発明１の「２つの磁気抵抗効果素子間の出力を備える磁界検出ブリッジ回路を有する電流センサ」に相当する。
エ　引用発明３は、「４つの磁気抵抗効果素子３Ａ〜３Ｄ」からなる「ブリッジ回路が形成され」るものであって、「ブリッジ回路において、磁気抵抗素子３Ａ〜３Ｄの全てが完全に同一の特性を有するものとした場合、電流磁界Ｈｍの大きさを測定することができ」るものであるから、それぞれの磁気抵抗効果素子について、同じ抵抗変化率のものを備えているということができる。
　したがって、引用発明３の「４つの」「磁気抵抗効果素子３Ａ〜３Ｄの全てが完全に同一の特性を有する」ことは、本件補正発明１の「前記４つの磁気抵抗効果素子は、抵抗変化率が同じであ」ることに相当する。
オ　引用発明３において、「各磁気抵抗効果素子におけるＧＭＲ膜は、磁性層を含む複数の機能膜が積層されたスピンバルブ構造をなしており、具体的には一定方向に固着された磁化方向Ｊ１１を有する固着層１１」を有するものであって、「固着層１１」は、「一定方向に固着された磁化方向Ｊ１１を有」し、また、スピンバルブ構造の下位概念として、セルフピン止め型のものがあるから、引用発明３の「固着層１１」と、本件補正発明１の「反平行結合膜を介して第１の強磁性膜と第２の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層」とは、「スピンバルブ構造の強磁性固定層」である点で共通する。
カ　引用発明３の「特定の磁化方向を示さない中間層１２」は、本件補正発明１の「非磁性中間層」に相当する。
キ　引用発明３の「外部磁界Ｈに応じて磁化方向Ｊ１３が変化する自由層１３」は、本件補正発明１の「軟磁性自由層」に相当する。
ク　引用発明３の「２つの磁気抵抗効果素子間の出力を与える２つの磁気抵抗効果素子（（３Ｃ、３Ｂ）、（３Ｄ、３Ａ））の固着層の磁化方向Ｊ１１が互いに１８０度異なる方向である（Ｊ１１Ｃ（下向き）、Ｊ１１Ｂ（上向き））、（Ｊ１１Ｄ（上向き）、Ｊ１１Ａ（下向き））である」ことは、「固着層」が、本件補正発明１の「強磁性固定層」に対応するから、本件補正発明１の「前記出力を与える２つの磁気抵抗効果素子の強磁性固定層の磁化方向が互いに１８０°異なる方向であ」ることと、「前記出力を与える２つの磁気抵抗効果素子の強磁性固定層の磁化方向が互いに１８０°異なる方向であ」る点で共通する。
ケ　引用発明３において、「ブリッジ回路は、電源供給点に対し、対称な回路である」ことと、本件補正発明１の「前記磁気検出ブリッジ回路は、電源供給点に対して対称である配線を有して」いることとは、「前記磁気検出ブリッジ回路は、電源供給点に対して対称な回路」である点で共通する。
　以上のことから、本件補正発明１と引用発明３との一致点及び相違点は、次のとおりである。
（一致点） 
「被測定電流からの誘導磁界の印加により抵抗値が変化する４つの磁気抵抗効果素子で構成され、２つの磁気抵抗効果素子間の出力を備える磁界検出ブリッジ回路を有する電流センサの製造方法であって、
　前記４つの磁気抵抗効果素子は、抵抗変化率が同じであり、スピンバルブ構造の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、前記出力を与える２つの磁気抵抗効果素子の強磁性固定層の磁化方向が互いに１８０°異なる方向であり、前記磁気検出ブリッジ回路は、電源供給点に対して対称である回路である、
　電流センサの製造方法。」　
（相違点１） 
　スピンバルブ構造について、本件補正発明１は、「反平行結合膜を介して第１の強磁性膜と第２の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型」であるのに対し、引用発明３では、このような特定はない点。 
（相違点２） 
　磁気検出ブリッジ回路について、本件補正発明１は、「電源供給点に対して対称である配線を有して」いるのに対し、引用発明３では、電源供給点に対して対称な回路であるものの、配線について明示的には記載されていない点。
（相違点３）
　本件補正発明１は、「それぞれの前記磁気抵抗効果素子は、帯状の長尺パターンが折り返されたミアンダ形状で、前記軟磁性自由層を帯状の長尺パターンに沿って形成し、全ての前記磁気抵抗効果素子は、前記軟磁性自由層の前記長尺パターンの長手方向を、直線的に流れる被測定電流の向きと平行に配置し、」「前記強磁性固定層の磁化方向を前記長尺パターンの長手方向に対して垂直に向ける」のに対し、引用発明３では、このような特定がない点。
（相違点４）
　本件補正発明１は、「前記軟磁性自由層は、その成膜中に磁場を印加して前記長尺パターンの長手方向に誘導磁気異方性を付与して」いるのに対し、引用発明３では、このような特定がない点。
（３）判断 
　事案に鑑み、技術的に関連を有する（相違点１）、（相違点３）についてまとめて検討する。 
ａ　引用例１には、「被検出電流の通電により生じる磁界を強磁性磁気抵抗膜により検出する電流センサにおいて、４つのミアンダライン状の強磁性磁気抵抗膜パターン２，３，４，５を形成し、その内２，３は感磁部として作用し、４，５はブリッジ回路の対辺抵抗であるダミー抵抗として、また温度補償抵抗として作用する、電流センサ。」が記載されているものの（上記（１）イ）、本願発明のように、「反平行結合膜を介して第１の強磁性膜と第２の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型」の構造を有し、「軟磁性自由層を帯状の長尺パターンに沿って形成」したり、「強磁性固定層の磁化方向を前記長尺パターンの長手方向に対して垂直に向け」たりすることについて、記載も示唆もない。
ｂ　また、引用例２には、「スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜を用いた磁気センサであって、磁気抵抗効果膜は、反平行結合層を介して第１の強磁性層と第２の強磁性層とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層からなり、磁気抵抗効果素子３１ａ〜３１ｄのうち、磁気抵抗効果素子３１ａ及び３１ｂを接続し、磁気抵抗効果素子３１ｃ及び３１ｄを接続してホイートストンブリッジを構成し、ここで、磁気抵抗効果素子３１a及び３１ｄのピン方向が同一で（基準軸に対して０°方向）、磁気抵抗効果素子３１ｂ及び３１ｃのピン方向が同一（基準軸に対して１８０°方向）であり、所定の電源電圧Ｖｃｃを印加することで中点電位Ｖｘ１及びＶｘ２を検出し、これらの対を９０°回転させて形成した磁気抵抗効果素子３２a〜３２ｄを用いて、同様のホイートストンブリッジを構成し、中点電位Ｖｙ１及びＶｙ２を検出する、磁気センサ。」が記載され（上記（１）ウ）、磁気抵抗効果膜としてセルフピン止め型の強磁性固定層からなり、磁気抵抗効果素子のピン方向について記載されているものの、「帯状の長尺パターンが折り返されたミアンダ形状」との関係において、「軟磁性自由層を帯状の長尺パターンに沿って形成」したり、「強磁性固定層の磁化方向を前記長尺パターンの長手方向に対して垂直に向け」たりすることについて、記載も示唆もない。
ｃ　引用例７には、「近接した被測定電流線に流れる微弱な電流を精度良く測定する電流検知デバイスにおいて、」「磁気検知デバイス２０は、４つの磁気抵抗効果素子１によるブリッジ回路１８にて構成された被測定電流検出部１４と被測定電流線６により構成され、」「４つの磁気抵抗効果素子１は、クランク形状に複数の磁気抵抗効果素子を接続し、線路長を長く構成してもよい」ことが記載されているものの、「磁気抵抗効果素子」は「反平行結合膜を介して第１の強磁性膜と第２の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層」を有し、「軟磁性自由層を帯状の長尺パターンに沿って形成」したり、「強磁性固定層の磁化方向を前記長尺パターンの長手方向に対して垂直に向け」たりすることについて、記載も示唆もない。
ｄ　さらに、引用例９には、「磁気センサ等に利用されるスピンバルブ型の磁気抵抗効果膜を製造する方法」において、「ＧＭＲ素子は、磁化の向きが所定の方向にピン止めされたピンド層と、磁化の向きが外部磁場に対応して変化するフリー層とを備えた磁気抵抗効果膜から構成され」、「磁気センサ内のＧＭＲ素子は、複数回つづら折り状に折り返した細線パターンとなるように形成されており、フリー層Ｆの一軸異方性の向きが、磁気抵抗効果膜５の長手方向と同じとする」ことが記載されているものの、「磁気抵抗効果素子」は「反平行結合膜を介して第１の強磁性膜と第２の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層」を有し、「前記強磁性固定層の磁化方向を前記長尺パターンの長手方向に対して垂直に向けること」について記載も示唆もない。
ｅ　また、引用例１０には、「薄膜コイルと磁気抵抗効果素子とを備えた磁気カプラ」において、「帯状パターン３１１，３２１，３３１，３４１はスピンバルブ構造」を有し、「第１〜第４のＭＲ素子３１〜３４に含まれる帯状パターン３１１，３２１，３３１，３４１がＸ軸方向に延在し、帯状パターン３１１，３２１，３３１，３４１では、それぞれ、固着層６１の磁化Ｊ６１が＋Ｙ方向を向き、無負荷状態での自由層６３の磁化Ｊ６３は−Ｘ方向に向いている」ものの（（上記（１）コ））、磁気カプラであって、「帯状パターン３１１，３２１，３３１，３４１」が「接続部分を介してつづら折り状に連な」るものであって、本件補正発明１のように、「電流センサ」において、「磁気抵抗効果素子」は「反平行結合膜を介して第１の強磁性膜と第２の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層」を有し、さらに「磁気抵抗効果素子」が、「帯状の長尺パターンが折り返されたミアンダライン形状」であることについて記載も示唆もない。
ｆ　また、引用例４ないし６、８、１１ないし１３に記載された事項を考慮しても、本件補正発明１の（相違点１）に係る構成としたうえで、さらに（相違点３）に係る構成について、記載も示唆もされていない。
　したがって、本件補正発明１の（相違点１）及び（相違点３）に係る構成は容易に想到し得るものとはいえない。
（４）小括
　よって、本件補正発明１は、（相違点２）及び（相違点４）について判断するまでもなく、引用発明３及び引用例１ないし２及び引用例４ないし１３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 
　また、本件補正発明２ないし９は、本件補正発明１を直接又は間接的に引用する請求項に係る発明であって、本件補正発明１をさらに限定したものであるから、本件補正発明１と同様に、引用発明３及び引用例１ないし２及び引用例４ないし１３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　そして、本件補正発明１ないし９について、他に特許出願の際独立して特許を受けることができないものというべき理由を発見しない。
　よって、本件補正発明１ないし９は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
３　まとめ 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は、上記「第２」のとおり特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するので、本願の請求項１ないし９に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されたとおりのものである。
２　原査定の理由の概要 
「（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項　１−９
・引用文献等　１−１１
・備考
　軟磁性自由層の磁気異方性は、引用文献３（【００２９】の「自由層１３は・・・軟磁性材料」、【００３２】，【００４４】及び【００５１】の「異方性」等）に記載又は示唆されている。また、この種の磁気抵抗効果素子において、誘導磁気異方性の付与は周知技術である（例えば引用文献８【００１２】等）。
　そして、長尺パターンの長手方向（例えば引用文献１、引用文献７、引用文献９【００２２】、引用文献１０【００２５】「自由層６３の磁化容易軸」、【００４２】−【００４４】，図５−図６）に磁気異方性を付与するとともに、固定層の磁化方向が前記長手方向に対して垂直（例えば引用文献３の図２，１１−１４等、引用文献９【００１７】、引用文献１０図５−図６）に向けられている構成をとることに、格別の困難性はない。
　また、導体との磁気抵抗効果素子との間に、磁気シールドを設けることは当業者が適宜なし得る設計的事項である（引用文献７【００２６】「この集磁部材３５は、・・・。被測定電流に起因した測定磁界、および補償電流に起因した補償磁界を共に効率よく磁気抵抗効果素子１に導く構成であればこれに限るものではなく、他の絶縁層に複数の集磁部材３５を設置するのも良い。」、引用文献１１【００５５】の「磁束ガイド」など）。
　　　　　　　　　　＜最後の拒絶理由通知とする理由＞
　この拒絶理由通知は、最初の拒絶理由通知に対する応答時の補正によって通知することが必要になった拒絶理由のみを通知するものである。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.特開平５−２９１６４７号公報
２.特開２００８−３０６１１２号公報
３.特開２００７−１０１２５２号公報
４.特表平１０−５０６１９３号公報
５.特表２０００−５１６７１４号公報
６.特表２００１−５１６０３１号公報
７.特開２００８−２０３２３８号公報
８.特開２００８−７６０９２号公報
９.特開２００５−１８３６１４号公報
１０.特開２００９−１１１２９４号公報
１１.特開２００７−８５９８０号公報　　」
３　原査定の理由についての判断 
　本願発明１ないし９は、上記「第２」の「３　独立特許要件」に記載のとおり、引用発明３及び引用例１ないし２及び引用例４ないし１３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、引用発明３及び引用例１ないし２及び引用例４ないし１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
３　むすび 
　以上のとおり、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。  
　よって、結論のとおり審決する。