【事件の表示】
　特願２０１１−１２４１３２「寸法測定装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月２０日出願公開、特開２０１２−２５１８５３、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年６月２日の出願であって、平成２７年２月３日付けの拒絶理由通知に対して、平成２７年４月１３日付けで手続補正がなされ、平成２７年６月９日付けの最後の拒絶理由通知に対して、平成２７年９月１４日付けで手続補正がなされたが、平成２８年２月４日付けで、平成２７年９月１４日付け手続補正書でした補正の却下の決定がなされるとともに、同日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２８年５月２日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に手続補正がなされたものである。
第２　平成２８年５月２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の適否
１　補正の内容
（１）請求項１について
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、本件補正前に、
「【請求項１】
　基板上に形成された凹凸パターンを拡大観察する顕微鏡と、
　前記顕微鏡を通して観察される前記凹凸パターンを撮像する撮像カメラと、
　前記顕微鏡の対物レンズの視野外からその視野内に散乱光を照射する照明光学系と、
　前記撮像カメラの画像を入力して表示部の画面上に表示し、入力手段により入力して前記画面上に指定された範囲内の前記凹凸パターンの画像の輝度を予め定められたサーチラインに沿って往復サーチし、検出される輝度変化から前記範囲内の前記凹凸パターンの内、凹パターンの上部及び下部のいずれか一方、又は両方の寸法、又は凸パターンの上部及び下部のいずれか一方、又は両方の寸法を測定する制御手段と、
を備えたことを特徴とする寸法測定装置。」
とあったところを、
「【請求項１】
　基板上に形成された凹凸パターンを拡大観察する顕微鏡と、
　前記顕微鏡を通して観察される前記凹凸パターンを撮像する撮像カメラと、
　前記顕微鏡の対物レンズの視野外からその視野内に散乱光を照射する照明光学系と、
　前記撮像カメラの画像を入力して表示部の画面上に表示し、入力手段により入力して前記画面上に指定された範囲内の前記凹凸パターンの
線
各サーチにおいて夫々最初に検出される暗から明へ輝度変化した点の往復２点間の距離、又は明から暗へ輝度変化した点の往復２点間の距離から
を備えたことを特徴とする寸法測定装置。」
とする補正（以下、「補正事項１」という。）を含むものである（下線は、補正箇所を示す。）。
（２）請求項２について
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項３について、本件補正前に、
「【請求項３】
　前記入力手段により指定された範囲は、四角形であり、該四角形の一辺に平行方向に往復サーチすると共に該往復サーチを前記辺と交差する方向に等間隔で複数回実施することを特徴とする請求項２記載の寸法測定装置。」
とあったところを、
「【請求項
２
　前記入力手段により指定された範囲は、四角形であり、該四角形の一辺に平行方向に往復サーチすると共に該往復サーチを前記辺と交差する方向に等間隔で複数回実施することを特徴とする請求項
１
とする補正（以下、「補正事項２」という。）を含むものである。
（３）請求項３について
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項４について、本件補正前に、
「【請求項４】
　前記凹凸パターンは、前記基板の透過率又は反射率と略同等の透過率又は反射率を有する薄膜パターンであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の寸法測定装置。」
とあったところを、
「【請求項
３
　前記凹凸パターンは、前記基板の透過率又は反射率と略同等の透過率又は反射率を有する薄膜パターンであることを特徴とする請求項
１又は２
とする補正（以下、「補正事項３」という。）を含むものである。
２　補正の適否
（１）補正事項１について
　本件補正の補正事項１は、
ａ　本件補正前の請求項１の「凹凸パターンの画像」について、「凹凸パターンの
線
ｂ　本件補正前の請求項１の「検出される輝度変化から」「上部及び下部のいずれか一方、又は両方の寸法を測定する制御手段」について、「
各サーチにおいて夫々最初に検出される暗から明へ輝度変化した点の往復２点間の距離、又は明から暗へ輝度変化した点の往復２点間の距離、又は明から暗へ輝度変化した点の往復２点間の距離から
ｃ　基板上に形成された「凹凸パターン」について、本件補正前の請求項１に「凹凸パターンの内、凹パターン」「又は凸パターン」とあったのを、「凹凸パターン」と補正するものである。
　上記ａに係る補正は、本件補正前の請求項１の「凹凸パターンの画像」について、平成２８年５月２日付けの手続補正により補正された、発明の詳細な説明の「撮像カメラ２で撮像され制御手段４の表示部１７に表示される画像は、図４に示すような線画
像
　上記ｂに係る補正は、特許法第１７条の２第５項第２号（特許請求の範囲の減縮）に掲げる事項を目的とするものである。
　上記ｃに係る補正は、特許法第１７条の２第５項第４号（明りょうでない記載の釈明）に掲げる事項を目的とするものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号、第３号、第４号に掲げる事項を目的とするものである。
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）について以下に検討する。 
ア　引用文献の記載事項
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である、特開２００２−０１４０５３号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。）。
（ａ）「【００３０】本発明を適用した検査装置の一構成例を図２に示す。この図２に示す
検査装置１は、半導体ウェハ上に
形成されたレジストパターンの状態を検査するものであり、
紫外域の波長を有する照明光を出射する紫外線固体レーザ装置３と、
レジストパターンの画像を撮像する紫外光用ＣＣＤカメラ５と、
レジストパターンの画像をＣＣＤカメラ５に結像させる結像光学系６と、ＣＣＤカメラ５により撮像されたレジストパターンの画像を処理する画像処理用コンピュータ７と、
とを備えている。
（ｂ）「【００３６】
結像光学系６は、紫外光用対物レンズ１１と結像レンズ１２とを備えており、
レジストパターンの画像を所定の結像倍率で紫外光用ＣＣＤカメラ５に結像させるものである。
（ｃ）「【００３８】次に、制御用コンピュータ７の制御のもとで紫外線固体レーザ装置３が駆動され、紫外線固体レーザ装置３から、例えば、波長が約２６６ｎｍの深紫外レーザ光が出射される。
紫外線固体レーザ装置３から出射された深紫外レーザ光は、音響光学素子４に入射する。
（ｄ）「【００４１】
音響光学素子４を透過した深紫外レーザ光の１次回折光（照明光）は、紫外線用光ファイバ１３により光学系の部分に導かれる。
この照明光は、レンズ１４を透過して、ビームスプリッタ１５に入射し、ビームスプリッタ１５により反射された照明光が、紫外光用対物レンズ１１を介して、
半導体ウェハ１００のレジストパターン１０２に照射される。
（ｅ）「【００４６】
紫外光用ＣＣＤカメラ５により撮像されたレジストパターン１０２の画像は、画像処理用コンピュータ７に取り込まれる。
画像処理用コンピュータ７が、この取り込んだレジストパターン１０１の画像を処理することによって、
光の強度プロファイルが作成される。
【００４７】この図５に示す強度プロファイルは、凹凸パターンであるレジストパターン１０２により回折された照明光が、その段差近辺で干渉することによって得られるものであり、レジストパターン１０２の凹凸に対応したものとなっている。すなわち、この強度プロファイルに現れる大きな山の部分（図５におけるａの部分）は、レジストパターン１０２の凹部に対応しており、２つの大きな山の間の部分（図５におけるｂの部分）が、レジストパターン１０２の凸部に対応している。そして、この強度プロファイルには、２つの大きな山の間にそれぞれ小さな山が現れており、この小さな山と大きな山との間に谷となるピークが現れている。この谷となるピークは、レジストパターン１０２の凹部と凸部との境界部分（以下、パターンエッジという。）に対応している。
【００４８】本発明を適用した検査装置１では、以上のように、レジストパターン１０２のパターンエッジに対応して谷となるピークが現れる強度プロファイルが得られるので、この強度プロファイルからレジストパターン１０２の凸部の幅（線幅）を測定することが可能である。すなわち、検査装置１により得られる
強度プロファイルにおいては、２つの谷となるピークの間が凸部の幅に対応しているので、これら２つの谷となるピーク間の距離を求めれば、レジストパターン１０２の線幅を測定することができる。
ａ　段落【００３０】の記載から、引用文献１には、「検査装置１は、半導体ウェハ上に形成されたレジストパターンの状態を検査するものであり、紫外域の波長を有する照明光を出射する紫外線固体レーザ装置３と、レジストパターンの画像を撮像する紫外光用ＣＣＤカメラ５と、レジストパターンの画像をＣＣＤカメラ５に結像させる結像光学系６と、ＣＣＤカメラ５により撮像されたレジストパターンの画像を処理する画像処理用コンピュータ７とを備えている」ことが記載されている。
ｂ　段落【００３８】及び【００４１】の記載から、引用文献１には、「紫外線固体レーザ装置３から出射された深紫外レーザ光は、音響光学素子４に入射し、音響光学素子４を透過した深紫外レーザ光の１次回折光（照明光）は、紫外線用光ファイバ１３により光学系の部分に導かれ、この照明光は、レンズ１４を透過して、ビームスプリッタ１５に入射し、ビームスプリッタ１５により反射された照明光が、紫外光用対物レンズ１１を介して、半導体ウェハ１００のレジストパターン１０２に照射される」ことが記載されている。
ｃ　段落【００３６】の記載から、引用文献１には、「結像光学系６は、紫外光用対物レンズ１１と結像レンズ１２とを備えており、レジストパターンの画像を所定の結像倍率で紫外光用ＣＣＤカメラ５に結像させるものである」ことが記載されている。
ｄ　段落【００４６】及び【００４８】の記載から、引用文献１には、「紫外光用ＣＣＤカメラ５により撮像されたレジストパターン１０２の画像は、画像処理用コンピュータ７に取り込まれ、画像処理用コンピュータ７が、この取り込んだレジストパターン１０１の画像を処理することによって、光の強度プロファイルが作成され、強度プロファイルにおいては、２つの谷となるピークの間が凸部の幅に対応しているので、これら２つの谷となるピーク間の距離を求めれば、レジストパターン１０２の線幅を測定することができる」ことが記載されている。
　上記ａ〜ｄより、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「検査装置１は、半導体ウェハ上に形成されたレジストパターンの状態を検査するものであり、
　紫外域の波長を有する照明光を出射する紫外線固体レーザ装置３と、
　レジストパターンの画像を撮像する紫外光用ＣＣＤカメラ５と、
　レジストパターンの画像をＣＣＤカメラ５に結像させる結像光学系６と、
　ＣＣＤカメラ５により撮像されたレジストパターンの画像を処理する画像処理用コンピュータ７とを備え、
　紫外線固体レーザ装置３から出射された深紫外レーザ光は、音響光学素子４に入射し、音響光学素子４を透過した深紫外レーザ光の１次回折光（照明光）は、紫外線用光ファイバ１３により光学系の部分に導かれ、この照明光は、レンズ１４を透過して、ビームスプリッタ１５に入射し、ビームスプリッタ１５により反射された照明光が、紫外光用対物レンズ１１を介して、半導体ウェハ１００のレジストパターン１０２に照射され、
　結像光学系６は、紫外光用対物レンズ１１と結像レンズ１２とを備えており、レジストパターンの画像を所定の結像倍率で紫外光用ＣＣＤカメラ５に結像させるものであり、
　紫外光用ＣＣＤカメラ５により撮像されたレジストパターン１０２の画像は、画像処理用コンピュータ７に取り込まれ、画像処理用コンピュータ７が、この取り込んだレジストパターン１０１の画像を処理することによって、光の強度プロファイルが作成され、強度プロファイルにおいては、２つの谷となるピークの間が凸部の幅に対応しているので、これら２つの谷となるピーク間の距離を求めれば、レジストパターン１０２の線幅を測定することができる検査装置１。」
（イ）原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である、特開昭６１−１０２５０５号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。）。
「又
ランプ８の発光点を焦点として第１の放物面鏡１５を、
配し、さらに第２の放物面鏡１６を、対物レンズ４の周囲に配し、
ランプ８から放射する光のうち、
光軸に垂直方向に放射する光を暗視野照明に用いている
（ウ）原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である、特開２００４−１５０９４２号公報（以下、「引用文献３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。）。
「【００１６】
マルチ光源ユニット８９から波長６６０ｎｍの連続レーザ光Ｌ１が出射されると、
そのレーザ光Ｌ１はダイクロイックミラー９４を透過し、ミラー９６に反射されて、円錐状外面反射ミラー９８と円錐状内面反射ミラー９９により輪帯光に変換される。この輪帯光はリング状ミラー４３により円錐状内面反射ミラー３１に導かれセル３のノズル１の先端に収斂され、限外照明を行う。
（エ）原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である、国際公開第２０１０／０７３３６０号（以下、「引用文献４」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。）。
「［００３４］　図２（ｃ）は、図２（ａ）のＩ−Ｉ線に沿って
電子ビームを照射したときに得られる試料から放出される２次電子の電子量に対応するラインプロファイル
ラインプロファイルを微分して、微分信号量の最大ピークと最小ピークを求める。ラインパターンの幅は、この最大ピークの位置と最小ピークの位置との間の距離として求められる。
（オ）原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である、特開２００６−０９３２５１号公報（以下、「引用文献５」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。）。
（ａ）「【００３４】
  次に，以下に説明する処理により，図３（ａ）に示すような
取得した画像０３０１から寸法計測対象パターン部分を抽出し，画像プロファイルを作成する。
（ｂ）「【００３６】
  次に，以下に説明するフィッティングの手法を用いた処理により，
作成した寸法計測対象パターンの画像プロファイル０３０３に，最も一致するモデルプロファイルを検索し，該画像プロファイル０３０３にあてはめる。
それぞれ最も一致するモデルプロファイルを，
データベース０１１５から検索し，それぞれ，
左マッチングプロファイル０３０４，右マッチングプロファイル０３０５とする。
（ｃ）「【００３８】
  次に，以下に説明する処理により，寸法計測位置を指定する。正確に配線幅を測るためには，マッチングプロファイルに対応するパターン断面における寸法計測位置を指定し，これをマッチングプロファイルの寸法計測位置に置き換え，計測を行う必要がある。そこで，図３（ｃ）に示す
左マッチングプロファイル0304に対応する
断面モデル0306をデータベース0115より検索し，断面モデル0306上での寸法計測位置0307を指定する（ステップ0210）。次に，指定された断面モデル上の寸法計測位置0307と対応したマッチングプロファイル上の寸法計測位置0308を選択し，選択された寸法計測点の画像プロファイル上でのX座標0309を記憶する（ステップ0211）。右マッチングプロファイルについても，ステップ0210から0211の処理を実行する。
（ｄ）「【００４１】
  こうして得られた，
左マッチングプロファイルの寸法計測点0309と右マッチングプロファイルの寸法計測点0310の幅0311を調べ，画素座標を記憶部0112に記憶したSEM画像撮像倍率等の撮像条件から，寸法に換算することで，配線幅寸法値が算出できる（ステップ0212）。
（カ）原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である、特開２０００−２８３９０９号公報（以下、「引用文献６」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。）。
「【００１０】
走査機構６は、試料２をＸ−Ｙ平面内で２次元走査を行うためのものであり、モータで構成される。
（キ）原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である、特開２００５−１３４６６６号公報（以下、「引用文献７」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。）。
「【００２８】
  図３は、実施例５に係るフォトマスクの断面図である。本実施例の
フォトマスク１４は、フォトマスク周辺部の非転写領域３における遮光性膜全面を厚さ方向に部分的にエッチングして透過性を持たせることにより、基板の反射率と実質的に同じとなるような膜厚に設定されたものである。
  本実施例のフォトマスクの製造方法を図４の製造工程図を用いて説明する。
  まず、実施例１の光透過低減手段形成前のフォトマスクと同様のフォトマスク１３’を得る（図４（１）参照）。
  次に、前記フォトマスク１３’の表面にレジスト膜１５を塗布し（図４（２）参照）、転写領域２のみを覆うレジストパターンが形成されるように露光を施し、現像してレジストパターン１５’を形成する（図４（３）参照）。
  次に、露出している非転写領域３の遮光性膜を、エッチング液を用いて厚さ方向に部分的にエッチングを施した後（図４（４）参照）、レジストパターンの剥離、洗浄を行い、本実施例のフォトマスク１４を得る。」
（ク）原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である、特開平１０−２７４７０７号公報（以下、「引用文献８」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。）。
「【００１５】［実施の形態１］
透明基板２の表面側に形成した透過率調整膜４によって、透明基板２の露出部分２０２を透過する光Ｐ１の透過率と、透明基板２および格子膜３を透過する光Ｐ２の透過率とを同等とする
ｎ1 ｄ2 ＝（λ−２・ｎ1 ｄ1 ）／４
を満たすように設定される。」
（ケ）本願の出願日前に頒布された刊行物である、特開平１０−０６２１２８号公報（以下、「引用文献９」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。）。
（ａ）「【００３５】ステップ７０５では、ステップ７０４で得られた内側２つの極値強度から強度差を検出し、その値が最大となった時、すなわち
走査レ−ザ光１１２の焦点が微細パタ−ン１５の上面に合ったとき
走査レ−ザ光１１２で微細パタ−ン１５上を走査して得られた微分強度信号波形から内側２つの極値強度の位置を、内側極値強度位置検出部２０において検出し、寸法算出部２６において微細パタ−ンの上面寸法を算出する。
（ｂ）「【００３７】ステップ７１０では、ステップ７０９で得られた外側２つの極値強度から強度差を検出し、その値が最大となったとき、すなわち
走査レ−ザ光１１２の焦点が微細パタ−ン１５の下面に合ったとき
走査レ−ザ光１１２で微細パタ−ン１５上を走査して得られた微分強度信号波形から外側２つの極値強度の位置を、外側極値強度位置検出部２２において検出し、寸法算出部２６において微細パタ−ンの下面寸法を算出する。
イ　対比
　本願補正発明１と引用発明を対比する。
（ア）引用発明の「半導体ウェハ」、「レジストパターン」は、それぞれ、本願補正発明１の「基板」、「凹凸パターン」に相当する。
（イ）引用発明の「結像光学系６」は、「レジストパターンの画像を所定の結像倍率で紫外光用ＣＣＤカメラ５に結像させるもの」であり、「レジストパターン」は、「半導体ウェハ上に形成された」ものであるから、
　引用発明の「レジストパターンの画像をＣＣＤカメラ５に結像させる結像光学系６」は、本願補正発明１の「基板上に形成された凹凸パターンを拡大観察する顕微鏡」に相当する。
（ウ）引用発明の「紫外光用ＣＣＤカメラ５」は、「結像光学系６」によって、「レジストパターンの画像を所定の結像倍率で」「結像させ」られるものであるから、
　引用発明の「レジストパターンの画像を撮像する紫外光用ＣＣＤカメラ５」は、本願補正発明１の「前記顕微鏡を通して観察される前記凹凸パターンを撮像する撮像カメラ」に相当する。
（エ）引用発明において「紫外線固体レーザ装置３から出射された深紫外レーザ光は、音響光学素子４に入射し、音響光学素子４を透過した深紫外レーザ光の１次回折光（照明光）は、紫外線用光ファイバ１３により光学系の部分に導かれ、この照明光は、レンズ１４を透過して、ビームスプリッタ１５に入射し、ビームスプリッタ１５により反射された照明光が、紫外光用対物レンズ１１を介して、半導体ウェハ１００のレジストパターン１０２に照射され」るので、
　引用発明の「紫外線固体レーザ装置３」、「音響光学素子４」、「紫外線用光ファイバ１３」、「レンズ１４」、「ビームスプリッタ１５」及び「紫外光用対物レンズ１１」を有する光学系と、本願補正発明１の「前記顕微鏡の対物レンズの視野外からその視野内に散乱光を照射する照明光学系」とは、「前記顕微鏡の対物レンズの視野内に光を照射する照明光学系」の点で共通する。
（オ）引用発明において「紫外光用ＣＣＤカメラ５により撮像されたレジストパターン１０２の画像は、画像処理用コンピュータ７に取り込まれ、画像処理用コンピュータ７が、この取り込んだレジストパターン１０１の画像を処理することによって、光の強度プロファイルが作成され、強度プロファイルにおいては、２つの谷となるピークの間が凸部の幅に対応しているので、これら２つの谷となるピーク間の距離を求めれば、レジストパターン１０２の線幅を測定することができる」とされており、その「光の強度プロファイル」が本願補正発明１の「凹凸パターンの線画像」に相当するので、
　引用発明の「ＣＣＤカメラ５により撮像されたレジストパターンの画像を処理する画像処理用コンピュータ７」と、本願補正発明１の「前記凹凸パターンの線画像の輝度を予め定められたサーチラインに沿って往復サーチし、各サーチにおいて夫々最初に検出される暗から明へ輝度変化した点の往復２点間の距離、又は明から暗へ輝度変化した点の往復２点間の距離から前記範囲内の前記凹凸パターンの上部及び下部のいずれか一方、又は両方の寸法を測定する制御手段」とは、「前記凹凸パターンの線画像の輝度変化から前記凹凸パターンの寸法を測定する制御手段」の点で共通する。
（カ）引用発明の「レジストパターン１０２の線幅を測定することができる検査装置１」は、本願補正発明１の「寸法測定装置」に相当する。
　すると、本願補正発明１と引用発明とは、次の一致点及び相違点を有する。
（一致点）
「基板上に形成された凹凸パターンを拡大観察する顕微鏡と、
　前記顕微鏡を通して観察される前記凹凸パターンを撮像する撮像カメラと、
　前記顕微鏡の対物レンズの視野内に光を照射する照明光学系と、
　前記凹凸パターンの線画像の輝度変化から前記凹凸パターンの寸法を測定する制御手段と、
を備えた寸法測定装置。」
（相違点１）
　対物レンズの視野内に照射する光が、本願補正発明１は、「前記顕微鏡の対物レンズの視野外から」の「散乱光」であるのに対して、引用発明は、「紫外光用対物レンズ１１を介して」「照射され」る「照明光」である点。
（相違点２）
　本願補正発明１は、「前記撮像カメラの画像を入力して表示部の画面上に表示し、入力手段により入力して前記画面上に指定された範囲内」の寸法を測定するのに対して、引用発明は、このような特定がない点。
（相違点３）
　凹凸パターンの寸法を測定する制御手段が、本願補正発明１は、「前記凹凸パターンの線画像の輝度を予め定められたサーチラインに沿って往復サーチし、各サーチにおいて夫々最初に検出される暗から明へ輝度変化した点の往復２点間の距離、又は明から暗へ輝度変化した点の往復２点間の距離から」「前記凹凸パターンの上部及び下部のいずれか一方、又は両方の寸法を測定する制御手段」であるのに対して、引用発明は、「光の強度プロファイル」を作成し、「２つの谷となるピーク間の距離」から「レジストパターン１０２の線幅を測定する」「画像処理用コンピュータ７」である点。
ウ　判断
（ア）上記相違点３について検討する。
　引用文献４には、電子ビームを照射したときに得られる試料から放出される２次電子の電子量に対応するラインプロファイルを微分して、微分信号量の最大ピークと最小ピークを求め、ラインパターンの幅を、この最大ピークの位置と最小ピークの位置との間の距離として求めることが記載されている。
　引用文献９には、走査レ−ザ光１１２の焦点が微細パタ−ン１５の上面に合ったとき、走査レ−ザ光１１２で微細パタ−ン１５上を走査して得られた微分強度信号波形から内側２つの極値強度の位置を、内側極値強度位置検出部２０において検出し、寸法算出部２６において微細パタ−ンの上面寸法を算出し、走査レ−ザ光１１２の焦点が微細パタ−ン１５の下面に合ったとき、走査レ−ザ光１１２で微細パタ−ン１５上を走査して得られた微分強度信号波形から外側２つの極値強度の位置を、外側極値強度位置検出部２２において検出し、寸法算出部２６において微細パタ−ンの下面寸法を算出することが記載されている。
　しかしながら、引用文献４及び９には、「凹凸パターンの線画像の輝度を」「往復サーチし、各サーチにおいて夫々最初に検出される暗から明へ輝度変化した点の往復２点間の距離から」「凹凸パターンの上部及び下部のいずれか」の「寸法を測定する」ことは記載されていない。
　また、引用文献２，３，５ないし８にも、「凹凸パターンの線画像の輝度を」「往復サーチし、各サーチにおいて夫々最初に検出される暗から明へ輝度変化した点の往復２点間の距離から」「凹凸パターンの上部及び下部のいずれか」の「寸法を測定する」ことは記載されていない。
　してみると、引用発明において、「レジストパターン１０２の線幅を測定する」「画像処理用コンピュータ７」を、「前記凹凸パターンの線画像の輝度を予め定められたサーチラインに沿って往復サーチし、各サーチにおいて夫々最初に検出される暗から明へ輝度変化した点の往復２点間の距離、又は明から暗へ輝度変化した点の往復２点間の距離から」「前記凹凸パターンの上部及び下部のいずれか一方、又は両方の寸法を測定する制御手段」とすることは、当業者といえども容易であるということはできない。
　したがって、上記相違点３に係る本願補正発明１の構成は、引用発明及び引用文献２ないし９に記載された事項に基づいて、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。
（イ）そして、本願補正発明１は、上記相違点１及び２について検討するまでもなく、引用発明及び引用文献２ないし９に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　よって、本願補正発明１は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
（２）補正事項２について
　本件補正の補正事項２は、
　本件補正前の請求項３を請求項２とし、本件補正前の請求項３の「請求項２記載の寸法測定装置。」について、「請求項
１
　この補正は、請求項２の削除にともない、本件補正前の請求項３を、請求項２に繰り上げ、引用請求項の項番を整理するものであり、特許法第１７条の２第５項第１号（請求項の削除）に掲げる事項を目的とするものである。　
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
　
（３）補正事項３について
　本件補正の補正事項３についても、補正事項２と同様に、請求項２の削除にともない、本件補正前の請求項４を、請求項３に繰り上げ、引用請求項の項番を整理するものであり、特許法第１７条の２第５項第１号（請求項の削除）に掲げる事項を目的とするものである。　
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
３　むすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１ないし３に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものである（以下、「本願補正発明１ないし３」という。）。
　そして、本願補正発明１は、上記第２　２（１）のとおり、引用発明及び引用文献２ないし９に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　
　また、本願補正発明２及び３は、本願補正発明１をさらに限定したものであるので、同様に、引用発明及び引用文献２ないし９に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　さらに、本願補正発明１ないし３は、本件補正（上記第２　１（１）〜（３））により、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものとなった。
　したがって、本願については、原査定の拒絶の理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。