【事件の表示】
　特願２０１４−５２９７５０「改善したレイアウトを有するトランジスタを備える高電流密度電力モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　３月１４日国際公開、ＷＯ２０１３／０３６３７０、平成２６年１１月２７日国内公表、特表２０１４−５３１７５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年８月１７日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０１１年９月１１日、米国）を国際出願日とする外国語特許出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２６年　４月２８日　特許法第１８４条の４第１項の規定による翻訳文提出
　平成２６年　６月２０日　審査請求
　平成２７年　４月１３日　拒絶理由通知
　平成２７年　７月　９日　意見書・手続補正書
　平成２８年　２月２４日　拒絶査定
　平成２８年　６月２７日　審判請求・手続補正書
　平成２８年１１月　１日　上申書
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２８年６月２７日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、本願の特許請求の範囲を補正するものであって、詳細には、請求項１を補正し、請求項６を削除し、補正前の請求項７を補正後の請求項６に繰り上げ、補正前の請求項８ないし１０を補正して補正後の請求項７ないし９とし、補正前の請求項１１及び１２を補正後の請求項１０及び１１に繰り上げ、請求項１３及び１４を削除し、補正前の請求項１５及び１６を補正後の請求項１２及び１３に繰り上げ、請求項１７ないし１９を削除し、補正前の請求項２０を補正後の請求項１４に繰り上げ、補正前の請求項２１を補正して補正後の請求項１５とし、補正前の請求項２２ないし３８を補正後の請求項１６ないし３２に繰り上げるとともに、補正前の請求項２２ないし３８が引用していた請求項の項番を補正するものである。
　そして、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１については、本件補正の前後で以下のとおりである。
　・補正前
「【請求項１】
　内部チャンバを有する筐体と、
　前記内部チャンバ内に搭載され、負荷への電力をスイッチングすることを容易にするために相互に接続された複数のトランジスタおよび複数のダイオードを備える複数のスイッチモジュールであって、複数のスイッチモジュールのうちの少なくとも１つがｃｍ２当たり少なくとも１０アンペアの電流密度をサポートし、少なくとも１０ｋＶの電圧を扱う、複数のスイッチモジュールと
を備える、電力モジュール。」
　・補正後
「【請求項１】
　内部チャンバを有する筐体と、
　前記内部チャンバ内に搭載され、負荷への電力をスイッチングすることを容易にするために相互に接続された複数のトランジスタおよび複数のダイオードを備える複数のスイッチモジュールであって、複数のスイッチモジュールのうちの少なくとも１つがｃｍ２当たり少なくとも１０アンペアの電流密度をサポートし、１０ｋＶより大きな電圧を扱う、複数のスイッチモジュールと
を備え、
　前記複数のトランジスタのうちの少なくとも１つが、
　　第１の導電型を有するドリフト層と、
　　前記第１の導電型とは反対である第２の導電型を有するウェル領域と、
　　前記ウェル領域内にあり、前記第１の導電型を有するソース領域と、
　　前記ウェル領域と接触し前記第２の導電型を有するコンタクト領域と、
　　前記ソース領域と重なり、かつ、前記コンタクト領域と重なるソースオーミックコンタクトと
を備える、
電力モジュール。」
２　補正事項の整理
　本件補正による、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１についての補正を整理すると次のとおりとなる。（当審注．下線は補正箇所を示し、当審で付加したもの。）
　・補正事項１
　本件補正前の請求項１の
「複数のスイッチモジュールのうちの少なくとも１つがｃｍ２当たり少なくとも１０アンペアの電流密度をサポートし、少なくとも１０ｋＶの電圧を扱う」
を、
「複数のスイッチモジュールのうちの少なくとも１つがｃｍ２当たり少なくとも１０アンペアの電流密度をサポートし
、１０ｋＶより大きな
に補正すること。
　・補正事項２
　本件補正前の請求項１の
「複数のスイッチモジュールと
　を備える、電力モジュール。」
を、
「複数のスイッチモジュールと
を備え、
　
前記複数のトランジスタのうちの少なくとも１つが、
　　
第１の導電型を有するドリフト層と、
　　
前記第１の導電型とは反対である第２の導電型を有するウェル領域と、
　　
前記ウェル領域内にあり、前記第１の導電型を有するソース領域と、
　　
前記ウェル領域と接触し前記第２の導電型を有するコンタクト領域と、
　　
前記ソース領域と重なり、かつ、前記コンタクト領域と重なるソースオーミックコンタクトと
を備える、
電力モジュール。」
に補正すること。
３　補正の適否について
（１）特許法第１７条の２第３項について
　補正事項１は、本件補正前の請求項１における「複数のスイッチモジュールのうちの少なくとも１つ」について、「少なくとも１０ｋＶの電圧を扱う」を「１０ｋＶより大きな電圧を扱う」に補正することによって、１０ｋＶちょうどの電圧を扱うものを除外するものであり、新たな技術事項を導入するものとはいえない。
　また、特許法第１８４条の４第１項の規定による翻訳文（以下「翻訳文」という。）の【請求項９】及び【請求項１０】、並びに段落【００５８】ないし【００６２】の記載から、補正事項２が翻訳文に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかである。
　したがって、補正事項１及び２は、特許法第１８４条の１２第２項の規定により読み替えて適用される同法第１７条の２第３項の規定に適合する。
（２）特許法第１７条の２第４項について
　平成２７年４月１３日付け拒絶理由通知において特許をすることができないものか否かについての判断が示された発明と、本件補正後の請求項１に係る発明とが、特許法第３７条の発明の単一性の要件を満たす一群の発明に該当するものであることは明らかである。
　したがって、補正事項１及び２は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合する。
（３）特許法第１７条の２第５項について
　補正事項１は、本件補正前の請求項１における「複数のスイッチモジュールのうちの少なくとも１つ」について、「少なくとも１０ｋＶの電圧を扱う」を「１０ｋＶより大きな電圧を扱う」に補正することによって、１０ｋＶちょうどの電圧を扱うものを除外するものであり、本件補正前の請求項１に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、補正事項２は、本件補正前の請求項１における「複数のトランジスタ」について、少なくとも一つが「第１の導電型を有するドリフト層と、前記第１の導電型とは反対である第２の導電型を有するウェル領域と、前記ウェル領域内にあり、前記第１の導電型を有するソース領域と、前記ウェル領域と接触し前記第２の導電型を有するコンタクト領域と、前記ソース領域と重なり、かつ、前記コンタクト領域と重なるソースオーミックコンタクトとを備える」ものに限定するものであり、本件補正前の請求項１に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１及び２は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、同項柱書の規定に適合する。
（４）特許法第１７条の２第６項について
　上記（３）のとおり、本件補正のうち、請求項１についての補正事項１及び２は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる事項を目的とするものであるから、本件補正が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否か、すなわち、本件補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、更に検討する。
　ア　本件補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）は、次のとおりのものと認める。（再掲）
「【請求項１】
　内部チャンバを有する筐体と、
　前記内部チャンバ内に搭載され、負荷への電力をスイッチングすることを容易にするために相互に接続された複数のトランジスタおよび複数のダイオードを備える複数のスイッチモジュールであって、複数のスイッチモジュールのうちの少なくとも１つがｃｍ２当たり少なくとも１０アンペアの電流密度をサポートし、１０ｋＶより大きな電圧を扱う、複数のスイッチモジュールと
を備え、
　前記複数のトランジスタのうちの少なくとも１つが、
　　第１の導電型を有するドリフト層と、
　　前記第１の導電型とは反対である第２の導電型を有するウェル領域と、
　　前記ウェル領域内にあり、前記第１の導電型を有するソース領域と、
　　前記ウェル領域と接触し前記第２の導電型を有するコンタクト領域と、
　　前記ソース領域と重なり、かつ、前記コンタクト領域と重なるソースオーミックコンタクトと
を備える、
電力モジュール。」
　イ　引用文献及び引用発明
（ア）引用文献１の記載事項と引用発明
　ａ　引用文献１の記載事項
　原査定の理由において引用され、本願の優先権の主張の基礎とされた出願の日（以下「本願の優先日」という。）の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１０−１０５０５号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（当審注．下線は、参考のために、当審において付したものである。以下において同じ。）。
「【０００１】
　
本発明は、パワーモジュール及び電力変換装置に関する。特に、Insulated Gate Bipolar Transistor（ＩＧＢＴ）等のパワー半導体素子を有するパワーモジュールの実装構造と、ハイブリッド車などに使用される電力変換装置に関する。
・・・
【００１７】
　
なお、本実施形態の構成は、自動車やトラックなどの車両駆動用電力変換装置として最適であるが、これら以外の電力変換装置、例えば電車や船舶，航空機などの電力変換装置、さらに工場の設備を駆動する電動機の制御装置として用いられる産業用電力変換装置、或いは家庭の太陽光発電システムや家庭の電化製品を駆動する電動機の制御装置に用いられたりする家庭用電力変換装置に対しても適用可能である。
・・・
【００２７】
　次に、図２を用いてインバータ装置１４０や１４２あるいはインバータ装置４３の電気回路構成を説明する。
・・・
【００２８】
　本実施形態に係る電力変換装置２００は、インバータ装置１４０とコンデンサモジュール５００とを備え、インバータ装置１４０はインバータ回路１４４と制御部１７０とを有している。また、インバータ回路１４４は、上アームとして動作するＩＧＢＴ３２８（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）及びダイオード１５６と、下アームとして動作するＩＧＢＴ３３０及びダイオード１６６と、からなる上下アーム直列回路１５０を複数有し（図２の例では３つの上下アーム直列回路１５０，１５０，１５０）、それぞれの上下アーム直列回路１５０の中点部分（中間電極１６９）から交流端子１５９を通してモータジェネレータ１９２への交流電力線（交流バスバー）１８６と接続する構成である。また、制御部１７０はインバータ回路１４４を駆動制御するドライバ回路１７４と、ドライバ回路１７４へ信号線１７６を介して制御信号を供給する制御回路１７２と、を有している。
【００２９】
　
上アームと下アームのＩＧＢＴ３２８や３３０は、スイッチング用パワー半導体素子であり、
バッテリ１３６から供給された直流電力を三相交流電力に変換する。この変換された電力はモータジェネレータ１９２の電機子巻線に供給される。
【００３０】
　インバータ回路１４４は３相ブリッジ回路により構成されており、３相分の上下アーム直列回路１５０，１５０，１５０がそれぞれ、バッテリ１３６の正極側と負極側に電気的に接続されている直流正極端子３１４と直流負極端子３１６の間に電気的に並列に接続されている。
【００３１】
　本実施形態では、
スイッチング用パワー半導体素子としてＩＧＢＴ３２８や３３０を用いることを例示している。
スイッチング用パワー半導体素子としてはＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ）を用いてもよい
・・・
【００４１】
　
図３〜図７において、２００は電力変換装置、１０は上部ケース、
１２は筐体
１６は下部ケース、
３００はパワーモジュール（半導体モジュール部）で２個設けられており、それぞれのパワーモジュールにはインバータ回路１４４が内蔵されている。
【００４２】
　図３は、本発明の実施形態に係る電力変換装置の全体構成の外観斜視図を示す。
本実施形態に係る電力変換装置２００の外観は、上面あるいは底面が略長方形の筐体１２と、
前記筐体１２の上部開口を塞ぐための上部ケース１０と、前記筐体１２の下部開口を塞ぐための下部ケース１６とを固定して形成されたものである。
・・・
【００４５】
　図４は、本発明の実施形態に係る電力変換装置の全体構成を各構成要素に分解した斜視図である。
【００４６】
　図４に示すように、筐体１２の中ほどに冷却水流路１９が設けられ、該冷却水流路１９の上部には流れの方向に並んで２組の開口４００と４０２が形成されている。前記２組の開口４００と４０２がそれぞれパワーモジュール３００で塞がれる様に
２個のパワーモジュール３００
・・・
【００５４】
　
筐体１２の上部と下部には開口が形成され、これら開口はそれぞれ上部ケース１０と下部ケース１６が例えばネジ等で筐体１２に固定されることにより塞がれる。筐体１２の中央に冷却水流路１９が設けられ、前記冷却水流路１９にパワーモジュール３００やカバー４２０を固定する。
・・・
【０１１２】
　図１５（ａ）は、パワーモジュール３００の上面図であり、図１５（ｂ）は同図（ａ）の点線ＡＡの断面模式図である。図１５に示されたパワーモジュール３００は、５０ｋＷクラスの水冷３相インバータに適用される。
【０１１３】
　まず、図１５（ａ）を用いて、パワーモジュール３００の寸法及びそれに収納されたＩＧＢＴ３２８等の寸法について説明する。
各上下アームに対応する絶縁基板３３４の寸法は横３２mm×縦５２mmであり
【０１１４】
　
各絶縁基板３３４上に、ＩＧＢＴ３２８とダイオード３２７をそれぞれ２つ実装し、ＩＧＢＴ３２８とダイオード３２７を一組として２並列接続させる。各素子（ＩＧＢＴ３２８とダイオード３２７）の電圧／電流定格は６００Ｖ／２００Ａであり、２並列接続されることにより、定格６００Ｖ／４００Ａのモジュールを構成する。
・・・
【０１１８】
　
図１５（ａ）に示されるように、絶縁基板３３４は、各相の各上下アームに対応して合計６枚備えられる。
　ｂ　引用発明
　上記ａの引用文献１の記載及び当該技術分野における技術常識より、引用文献１には下記の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「筐体１２と、
　前記筐体１２の上部開口を塞ぐ上部ケース１０と、
　前記筐体１２の下部開口を塞ぐ下部ケース１６と、
　筐体１２内に搭載された２個のパワーモジュール３００を備え、
　前記パワーモジュール３００は、それぞれ、横３２mm×縦５２mmの絶縁基板３３４上にＩＧＢＴ３２８とダイオード３２７をそれぞれ２つ並列接続した定格６００Ｖ／４００Ａのモジュールを６個備え、
　前記ＩＧＢＴ３２８は、スイッチング用パワー半導体素子であり、バッテリから供給された直流電力を三相交流電力に変換し、変換された電力はモータジェネレータの電機子巻線に供給される、
　電力変換装置２００。」
（イ）引用文献５及び６の記載事項並びに周知技術１
　ａ　引用文献５の記載事項
（ａ）原査定の理由において引用され、本願の優先日の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１０−４００３号公報（以下「引用文献５」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００７０】
　なお、上記の実施の形態１〜３は適宜組み合わせられてもよい。
　また
上記の実施の形態１〜３においては、縦型のパワーデバイスとして平面（プレーナ）ゲート型のＩＧＢＴについて説明したが、本発明は、これに限定されず、
図１３に示すような平面ゲート型のパワーＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）
などに適用され得る。
【００７３】
　また
図１３に示された平面ゲート型のパワーＭＩＳＦＥＴ
このパワーＭＩＳＦＥＴは、ゲート絶縁膜８がシリコン酸化膜よりなるパワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）であってもよい。
・・・
【００７７】
　上述した実施の形態１〜３の構成を適用できるメモリセル（ＩＧＢＴもしくは
パワーＭＯＳＦＥＴ）の具体的な構成としては、たとえば以下の４つの構成が考えられる。
【００７８】
　
１つ目の構成は図１６〜図１８に示す構成であり、２つ目の構成は図１９〜図２１に示す構成であり、
【００７９】
　
１つ目の構成に関して、図１６は平面ゲート型メモリセルの構成を示す概略平面図である。また図１７および図１８のそれぞれは図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線およびＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿う概略断面図である。
【００８０】
　
図１６〜図１８を参照して、半導体基板１の主表面であってｐ型ベース領域５が形成された領域内の主表面に、平面視において梯子状に延びるようにｎ
+
エミッタ領域６が形成されている。平面視においてｎ
+
エミッタ領域６の梯子の延びる方向と同じ方向に梯子の中央部を連続的に延びるようにｐ
＋
領域７が形成されている。
【００８１】
　
ｎ
-
エピタキシャル領域４とｎ
+
エミッタ領域６との間に位置するｐ型ベース領域５
【００８２】
　ｎ+エミッタ領域６の梯子の格（rung）部分とｐ+領域７とのそれぞれの表面に達するように、コンタクトホール１０ａが絶縁膜１０に設けられている。これにより、
エミッタパッド１１はコンタクトホール１０ａを介してｎ
+
エミッタ領域６およびｐ
+
領域７のそれぞれに電気的に接続されている。
【００８３】
　なおコンタクトホール１０ａは、説明の便宜上、図１６においては一部省略されている。この１つ目の構成は、図５および図６に示したＩＧＢＴのエミッタ側の構成と同様の構成である。
【００８４】
　
２つ目の構成に関して、図１９は平面ゲート型メモリセルの構成を示す概略平面図である。また図２０および図２１は図１９のＸＸ−ＸＸ線およびＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う概略断面図である。
【００８５】
　
図１９〜図２１を参照して、この２つ目の構成は、ｐ
+
領域７が、梯子状に形成されたｎ
+
エミッタ領域６の２本の枠（frame）と２つの格とに囲まれる半導体基板１の主表面に島状に形成されている
【００８６】
　なお
これ以外の構成については上述した１つ目の構成とほぼ同じであるため、同一の要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
【００８７】
　またコンタクトホール１０ａは、説明の便宜上、図１９においては一部省略されている。」
（ｂ）引用文献５の図２０及び図２１には下記の事項が記載されていると認められる。
「ｎ−エピタキシャル領域４と、
　ｐ型ベース領域５と、
　前記ｐ型ベース領域５内にある、ｎ＋エミッタ領域６と、
　前記ｐ型ベース領域５と接触するｐ＋領域７と、
　前記ｎ＋エミッタ領域６と重なり、かつ、前記ｐ＋領域７と重なるエミッタパッド１１と
　を備える、パワーＭＯＳＦＥＴ。」
　ｂ　引用文献６の記載事項
（ａ）原査定の理由において引用され、本願の優先日の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である米国特許出願公開第２００４／００４１２２９号明細書（以下「引用文献６」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（当審注．訳は当審で作成した。以下において同じ。）
「[0028] In FIGS.3 through 6B, like reference numerals are used to refer to like regions, layers, or portions. 
FIG.3 is a layout view of a power MOS field effect transistor according to an embodiment of the present invention
（訳：［００２８］　図３から図６Ｂにおいては、同じ領域、層、及び部位について、同一の符号を付している。
図３は、本発明の一実施形態に係るパワーＭＯＳＦＥＴのレイアウト図
「[0029] In FIGS.3 and 4, a plurality of stripe-shaped cells are surrounded by a frame region 200. An upper portion and a lower portion of frame region 200 are vertically connected to each other by body regions 308. That is, an upper end of the body region 308 is connected to the upper portion of the frame region 200, and a lower end of the body region 308 is connected to the lower portion of the frame region 200. Body regions 308 and frame region 200 are of the same conductivity type. By forming body regions 308 in stripes and terminating them in frame region 200, an electric field is prevented from being concentrated at the two ends of each body region 308, and thus the breakdown voltage of the device is improved. For the reasons stated above in connection with FIGS.1-2 and more fully explained further below, it is desirable that a spacing a between adjacent body regions 308 be made as small as possible. Further, in one embodiment, each corner 200c of frame region 200 has a radius of curvature that is greater than a predetermined value, e.g., 100 μm, so that a spherical junction can be prevented from occurring.」
（訳：［００２９］　図３及び図４では、複数の縞（しま）状セルがフレーム領域２００に囲まれている。フレーム領域の上部と下部はボディ領域３０８によって垂直に接続されている。すなわち、ボディ領域３０８の上部はフレーム領域２００の上部と接続され、ボディ領域３０８の下部はフレーム領域２００の下部と接続されている。ボディ領域３０８とフレーム領域２００は同じ導電型である。ボディ領域３０８を縞（しま）状に形成しフレーム領域２００で終端することにより、電界が各ボディ領域３０８の両端部に集中することを防ぎ、デバイスの耐圧が向上する。図１及び図２に関して上述し、以下においてさらに完全に説明する理由により、隣接するボディ領域３０８間の間隔は可能な限り小さくすることが望ましい。さらに、一実施例においては、フレーム領域２００の各角部２００ｃは、所定の値、例えば１００μｍよりも大きな曲率半径を有しており、球状接合の発生を防ぐ。）
「[0030] In FIG.3, gate electrodes 318 (e.g., from polysilicon) are arranged in stripes such that upper and lower ends of each gate electrode 318 terminate over frame region 200, and an outermost vertically extending side of the outermost gate electrodes 318 also terminates over frame region 200. Source electrodes 320 (e.g., from metal) are arranged in stripes between adjacent gate electrodes 318. 
Each source region includes a vertically extending stripe portion 310a and short horizontally extending portions 310b. The short horizontally extending portions 310b electrically contact source electrodes 320.
（訳：［００３０］　図３では、ゲート電極３１８（例えば、ポリシリコン）が縞（しま）状に配され、各ゲート電極３１８の上端及び下端はフレーム領域２００上で終端しており、最も外側のゲート電極３１８の鉛直方向に延びる外側の端部もまた、フレーム領域２００上で終端している。隣接するゲート電極３１８の間に、ソース電極３２０（例えば、金属）が縞（しま）状に配されている。
各ソース領域は縦方向に延びる縞（しま）状部３１０ａと水平方向に延びる短い部分３１０ｂを含む。水平方向に延びる短い部分３１０ｂはソース電極３２０と電気的に接触する。
「[0031] 
FIG.5 is a sectional view along line B-B' in FIG.3. Adrift region 304 of n
-
-type conductivity extends over an n
+
-type semiconductor substrate 302 which serves as the drain contact region.
Body regions 308 of p
-
-type conductivity are formed in an upper portion of n
+
-type drift region 306. Source region portions 310a(corresponding to the vertically extending stripe portions 310a in FIG.3) are formed in an upper portion of p
-
-type body regions 308. A highly doped region 312 of p
+
-type conductivity is formed in an upper portion of each of p
-
-type body regions 308.
（訳：［００３１］　
図５は図３のＢ−Ｂ’線断面図である。ドレインコンタクト領域となるｎ
＋
型半導体基板３０２の上に、ｎ
−
型ドリフト領域３０４が延在している。
ｎ
＋
ドリフト領域３０６の上部にｐ
−
型ボディ領域３０８が形成されている。ｐ
−
型ボディ領域３０８の上部にソース領域３１０ａ（図３において垂直に延びる縞（しま）状部３１０ａに対応する）が形成されている。各ｐ
−
型ボディ領域３０８の上部にｐ
＋
型の高濃度不純物領域３１２が形成されている。
「[0032] Gate insulating layers 316 overlap source region potions 310a, and extend over channel regions 314 in p--type body regions 308 and over n+-type drift regions 306 between adjacent p--type body regions 308. Gate insulating layer may be from oxide formed using conventional methods. Gate electrode 318 extends over gate insulating layer 316. 
Source electrodes 320 electrically contact highly-doped (p
+
) regions 312, but do not directly contact n
+
-type source region portions 310a. However, source electrodes 320 electrically contact n
+
-type source region portions 310a through n
+
-type source region portions 310b(FIG.3).
（訳：［００３２］　ゲート絶縁層３１６がソース領域の３１０ａの部分に重なっており、ｐ−型ボディ領域３０８内のチャネル領域３１４の上、及び、隣接するｐ−型ボディ領域３０８の間にあるｎ＋型ドリフト領域３０６の上に延びている。ゲート絶縁層は従来の方法を用いて形成された酸化物でよい。ゲート絶縁層３１６の上にゲート電極３１８が延在している。
ソース電極３２０は高濃度不純物（ｐ
＋
）領域３１２と電気的に接触するが、ｎ
＋
型ソース領域の３１０ａの部分とは直接接触しない。しかしながら、ソース電極３２０は、ｎ
＋
型ソース領域の３１０ｂの部分（図３参照）を介して、ｎ
＋
型ソース領域の３１０ａの部分と電気的に接触する。
（ｂ）引用文献６の図３及び図５には下記の事項が記載されていると認められる。
「ｎ＋ドリフト領域３０６と、
　ｐ−型ボディ領域３０８と、
　前記ｐ−型ボディ領域３０８内にある、ｎ＋型ソース領域（当審注．ｎ＋型ソース領域の３１０ａの部分と３１０ｂの部分を合わせたものをいう。以下において同じ。）と、
　前記ｐ−型ボディ領域３０８と接触するｐ＋型高濃度不純物領域３１２と、
　前記ｎ＋型ソース領域と重なり、かつ、前記ｐ＋型高濃度不純物領域３１２と重なるソース電極３２０と
　を備える、パワーＭＯＳＦＥＴ。」
　ｃ　周知技術１
　上記ａ及びｂより、
「パワーＭＯＳＦＥＴを、
　第１の導電型を有するドリフト層と、
　前記第１の導電型とは反対である第２の導電型を有するウェル領域と、
　前記ウェル領域内にあり、前記第１の導電型を有するソース領域と、
　前記ウェル領域と接触し前記第２の導電型を有するコンタクト領域と、
　前記ソース領域と重なり、かつ、前記コンタクト領域と重なるソースオーミックコンタクトと
　を備えたものとすること。」
は、引用文献５及び６にみられるように、本願の優先日の前に当該技術分野において周知の技術と認められる（以下、当該技術を「周知技術１」という）。
（ウ）引用文献８ないし１０の記載事項並びに周知技術２
　ａ　引用文献８の記載事項
　原査定において引用され、本願の優先日の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特表２００７−５３５８００号公報（以下「引用文献８」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【０００５】
　
パワーＭＯＳＦＥＴを開発する取り組みには、基板材料としての炭化ケイ素（ＳｉＣ）の研究も含まれてきている。炭化ケイ素は、シリコンに比べて、広いバンドギャップ、低い誘電率、高いブレークダウン電界強度、高い熱伝導率、および高い飽和電子ドリフト速度を有している。したがって、炭化ケイ素パワーデバイスは、シリコンパワーデバイスに対して相対的に高い温度、高い電力レベル、高い電圧レベル、および／または低いオン抵抗で動作するようにすることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
　
高電圧炭化ケイ素パワーデバイスを形成する方法
この方法は、１０ｋＶよりも大きなブロッキング電圧をサポートすることができ
る少数キャリアパワーデバイスおよび／または多数キャリアパワーデバイスを形成することを含んでいる。これらの多数キャリアパワーデバイスおよび少数キャリアパワーデバイスは、ＭＯＳＦＥＴ
を含んでいる。
本発明の一部の実施形態による炭化ケイ素パワーデバイスを形成する方法は、１０ｋＶ以上のブロッキング電圧をサポートする炭化ケイ素パワーＭＯＳＦＥＴを形成することを含んでいる。
・・・
【００１７】
　次に
本発明の実施形態によるパワーＭＯＳＦＥＴを形成する方法
２０ｋＶまでのＭＯＳＦＥＴについての約１００μｍから８０ｋＶまでのＭＯＳＦＥＴについての約４００μｍの範囲とすることができる。
　ｂ　引用文献９の記載事項
　原査定において引用され、本願の優先日の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である国際公開第２０１１／０５６４０７号（以下「引用文献９」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「[0036] Power MOSFETs and IGBTs are in use today for applications requiring high voltage blocking such as voltage blocking of 5,000 volts or more. By way of example, 
silicon carbide MOSFETs are commercially available that are rated for current densities of 10A/cm
2
 or more that will block voltages of at least 10kV.
（訳：［００３６］　現在、パワーＭＯＳＦＥＴ及びＩＧＢＴは、５０００ボルト以上の高耐圧が要求される用途において用いられている。例えば、
電流密度１０Ａ／ｃｍ
２
以上で少なくとも１０ｋＶの耐圧を有する炭化シリコンＭＯＳＦＥＴが商業的に利用可能である。
　ｃ　引用文献１０の記載事項
　原査定において引用され、本願の優先日の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である国際公開第２０１１／００８３２８号（以下「引用文献１０」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「[0035] High power SiC MOSFETs are in wide use today for applications requiring high voltage blocking such as voltage blocking of 5,000 volts or more. By way of example, 
SiC MOSFETs are commercially available that are rated for current densities of 10A/cm
2
 that will block voltages of at least 10kV.
（訳：［００３５］　現在、５０００ボルト以上の高耐圧が要求される用途において、ハイパワーＳｉＣＭＯＳＦＥＴが広く用いられている。例えば、
電流密度１０Ａ／ｃｍ
２
以上で少なくとも１０ｋＶの耐圧を有するＳｉＣＭＯＳＦＥＴが商業的に利用可能である。
　ｄ　周知技術２
　上記ａないしｃより、「パワーＭＯＳＦＥＴとして、１０ｋＶ以上の耐圧を有する炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴを用いること」は、引用文献８ないし１０に見られるように、本願の優先日の前に当該技術分野において周知の技術と認められる（以下、当該技術を「周知技術２」という）。
　ウ　本件補正発明と引用発明との対比
（ア）上記イ（ア）ａの引用文献１の記載（段落【００４２】及び【００５４】）並びに引用文献１の【図３】及び【図４】の記載より、引用発明における「筐体１２」、「上部ケース１０」及び「下部ケース１６」を合わせたもの（以下「ケース付き筐体」という。）は、「内部チャンバを有する筐体」であるといえる。
　そうすると、本件補正発明と引用発明とは、「内部チャンバを有する筐体」を備える点において共通するといえる。
（イ）上記イ（ア）ａの引用文献１の記載（段落【００４２】、【００４６】及び【００５４】）並びに引用文献１の【図３】及び【図４】の記載より、引用発明における「パワーモジュール３００」は、「ケース付き筐体」の内部チャンバ内に搭載されたものであるといえる。
　そして、引用発明における「横３２mm×縦５２mmの絶縁基板３３４上にＩＧＢＴ３２８とダイオード３２７をそれぞれ２つ並列接続した定格６００Ｖ／４００Ａのモジュール」（以下「モジュール」という。）は、「パワーモジュール３００」を構成するものであるから、引用発明における「モジュール」もまた、「ケース付き筐体」の内部チャンバ内に搭載されたものであるといえる。
　また、引用発明における「モジュール」は、ＩＧＢＴ３２８とダイオード３２７をそれぞれ２つ並列接続したものであり、当該ＩＧＢＴ３２８は、バッテリから供給された直流電力を三相交流電力に変換し、変換された電力はモータジェネレータの電機子巻線に供給されるのであるから、「負荷への電力をスイッチングすることを容易にするために相互に接続された複数のトランジスタおよび複数のダイオードを備え」る「スイッチモジュール」であるといえる。
　さらに、引用発明における「モジュール」は、「横３２mm×縦５２mmの絶縁基板３３４上」に形成された「定格６００Ｖ／４００Ａのモジュール」であり、１６．６４ｃｍ２（横３２mm×縦５２mm）の面積で４００Ａの電流を扱う（ｃｍ２当たりに換算すると、約２４Ａの電流を扱う）ものであるから、「ｃｍ２当たり少なくとも１０アンペアの電流密度をサポート」するものであるといえる。
　そうすると、本件補正発明と引用発明とは、「前記内部チャンバ内に搭載され、負荷への電力をスイッチングすることを容易にするために相互に接続された複数のトランジスタおよび複数のダイオードを備える複数のスイッチモジュールであって、複数のスイッチモジュールのうちの少なくとも１つがｃｍ２当たり少なくとも１０アンペアの電流密度をサポートする、複数のスイッチモジュール」を備える点において共通し、下記相違点１において相違するといえる。
（ウ）引用発明における「電力変換装置２００」は「電力モジュール」であるといえる。
（エ）以上から、本件補正発明と引用発明とは、下記アの点で一致し、下記イの点で相違すると認める。
　ａ　一致点
「内部チャンバを有する筐体と、
　前記内部チャンバ内に搭載され、負荷への電力をスイッチングすることを容易にするために相互に接続された複数のトランジスタおよび複数のダイオードを備える複数のスイッチモジュールであって、複数のスイッチモジュールのうちの少なくとも１つがｃｍ２当たり少なくとも１０アンペアの電流密度をサポートする、複数のスイッチモジュールと
を備える、
電力モジュール。」
　ｂ　相違点
　・相違点１
　本件補正発明では、「複数のスイッチモジュール」のうちの少なくとも１つが１０ｋＶより大きな電圧を扱うのに対し、引用発明は、「モジュール」のうちの少なくとも１つが１０ｋＶより大きな電圧を扱うとは特定しない点。
　・相違点２
　本件補正発明では、「複数のトランジスタ」のうちの少なくとも１つが、第１の導電型を有するドリフト層と、前記第１の導電型とは反対である第２の導電型を有するウェル領域と、前記ウェル領域内にあり、前記第１の導電型を有するソース領域と、前記ウェル領域と接触し前記第２の導電型を有するコンタクト領域と、前記ソース領域と重なり、かつ、前記コンタクト領域と重なるソースオーミックコンタクトとを備えるのに対し、引用発明は、この点を特定しない点。
　エ　相違点についての検討
　ａ　相違点１について
　上記イ（ア）ａのとおり、引用文献１の段落【００１７】には、引用発明を電車の電力変換装置や産業用電力変換装置に対して適用することが記載されている。そして、電車の電力変換装置や産業用電力変換装置において取り扱う電圧が、通常、ハイブリッド車などに用いられる電力変換装置が取り扱う電圧よりも高いことは、当業者にとっては明らかであるといえる。そうすると、引用発明において、「モジュール」が扱うことのできる電圧を高めることについては、十分な動機付けがあったといえる。
　そして、上記イ（ア）ａのとおり、引用文献１の段落【００３１】には、スイッチング用パワー半導体素子としてＭＯＳＦＥＴを用いることが記載されており、さらに、上記イ（ウ）ｄのとおり、「パワーＭＯＳＦＥＴとして、１０ｋＶ以上の耐圧を有する炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴを用いること」（周知技術２）は、本願の優先日前に周知の技術であったから、引用発明において、「モジュール」が扱うことのできる電圧を高めるために、周知技術２を採用することは、当業者であれば普通になし得たことである。
　また、「モジュール」が扱う電圧が「１０ｋＶ以上」であるか「１０ｋＶよりも大きい」かによって作用効果に格別の差違があるとはいえないから、「モジュール」が扱う電圧が「１０ｋＶちょうど」であるものを除外することに、臨界的意義があるとは認められない。
　以上より、引用発明において、「モジュール」が扱うことができる電圧を高めるために、周知技術２を採用し、ＭＯＳＦＥＴの耐圧が１０ｋＶちょうどであるものを除外することによって、「モジュール」が扱うことができる電圧を１０ｋＶよりも大きいものとし、相違点１に係る構成とすることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　ｂ　相違点２について
　上記イ（ア）ａのとおり、引用文献１の段落【００３１】には、スイッチング用パワー半導体素子としてＭＯＳＦＥＴを用いることが記載されている。
　そして、上記イ（イ）ｃのとおり、
　「パワーＭＯＳＦＥＴを、
　第１の導電型を有するドリフト層と、
　前記第１の導電型とは反対である第２の導電型を有するウェル領域と、
　前記ウェル領域内にあり、前記第１の導電型を有するソース領域と、
　前記ウェル領域と接触し前記第２の導電型を有するコンタクト領域と、
　前記ソース領域と重なり、かつ、前記コンタクト領域と重なるソースオーミックコンタクトと
　を備えたものとすること。」（周知技術１）
　は、本願の優先日前に周知の技術であった。
　したがって、引用発明においてＭＯＳＦＥＴを用いる際に、発明を具体化するために上記周知技術１を適用し、相違点２に係る構成とすることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　オ　本件補正発明の作用効果について
　相違点１及び２を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明並びに周知技術１及び２の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
　カ　請求人の主張について
　請求人は審判請求書及び上申書において、「引用文献８に開示の方法が本願発明のスイッチモジュールに用いられると、当該スイッチモジュールは意図するように動作することができないであろう。」との主張をしている。
　しかしながら、本件補正発明では、スイッチモジュールの用途を「負荷への電力をスイッチングすることを容易にする」としか特定しておらず、引用文献８に記載された炭化ケイ素のパワーＭＯＳＦＥＴが「負荷への電力をスイッチングすることを容易にする」ことが可能であることは明らかであるから、請求人の上記主張を採用することはできない。
　なお、上記イ（ウ）ａの引用文献８の記載（段落【０００５】）より、炭化ケイ素のパワーＭＯＳＦＥＴは、シリコンのパワーＭＯＳＦＥＴに対して相対的に高い温度、高い電力レベル、高い電圧レベル、および／または低いオン抵抗で動作するようにすることができるものと認められるから、引用発明に対して周知技術２を適用することによって引用発明が意図どおりに動作しなくなるとはいえない。したがって、引用発明に対して周知技術２を適用することを阻害する要因があったということもできない。
　キ　特許法第１７条の２第６項についてのまとめ
　以上から、本件補正発明は、引用発明並びに周知技術１及び２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本件補正発明は、特許法第２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、同法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものである。
４　補正の却下の決定についてのむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２８年６月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３８に係る発明は、平成２７年７月９日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３８に記載された事項により特定されるものであり、その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものと認める。（再掲）
「【請求項１】
　内部チャンバを有する筐体と、
　前記内部チャンバ内に搭載され、負荷への電力をスイッチングすることを容易にするために相互に接続された複数のトランジスタおよび複数のダイオードを備える複数のスイッチモジュールであって、複数のスイッチモジュールのうちの少なくとも１つがｃｍ２当たり少なくとも１０アンペアの電流密度をサポートし、少なくとも１０ｋＶの電圧を扱う、複数のスイッチモジュールと
を備える、電力モジュール。」
２　引用文献の記載事項及び引用発明
　引用文献１の記載事項は上記第２の３（４）イ（ア）ａで摘記したとおりであり、引用発明は上記第２の３（４）イ（ア）ｂで認定したとおりのものである。
　また、引用文献５及び６の記載事項は上記第２の３（４）イ（イ）ａ及びｂで摘記したとおりであり、周知技術１は上記第２の３（４）イ（イ）ｃで認定したとおりのものである。
　さらに、引用文献８ないし１０の記載事項は第２の３（４）イ（ウ）ａないしｃで摘記したとおりであり、周知技術２は第２の３（４）イ（ウ）ｄで認定したとおりのものである。
３　対比・判断
　本件補正後の請求項１に係る発明（すなわち、本件補正発明）は、本件補正前の請求項１に係る発明（すなわち、本願発明）から、「複数のスイッチモジュールのうちの少なくとも１つ」が１０ｋＶちょうどの電圧を扱うものを除外するとともに、「前記複数のトランジスタのうちの少なくとも１つが、第１の導電型を有するドリフト層と、前記第１の導電型とは反対である第２の導電型を有するウェル領域と、前記ウェル領域内にあり、前記第１の導電型を有するソース領域と、前記ウェル領域と接触し前記第２の導電型を有するコンタクト領域と、前記ソース領域と重なり、かつ、前記コンタクト領域と重なるソースオーミックコンタクトとを備える」との事項を加入することで、本件補正前の請求項１に係る発明をより限定したものである。
　したがって、本願発明は、本件補正発明から上記の各限定をなくしたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定したものである本件補正発明が、上記第２の３（４）キのとおり、引用発明並びに周知技術１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明並びに周知技術１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明（本願発明）は、引用発明並びに周知技術１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。