【事件の表示】
　特願２０１１−２１７４０１「光検出装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　５月２４日出願公開、特開２０１２−　９９７９７、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の概要
　本願は、平成２３年９月３０日（優先権主張平成２２年１０月７日）の出願であって、平成２７年４月２３日付けで拒絶理由が通知され、同年５月５日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、同年９月２９日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年１０月１６日付けで意見書が提出されたが、平成２８年２月２６日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされた。
　本件は、これに対して、平成２８年３月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　その後、当審において、平成２８年９月２１日付けで拒絶理由（最後）（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年１１月８日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出された。
第２　平成２８年１１月８日付けの手続補正の適否
１　補正の内容
　平成２８年１１月８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、本件補正前の（平成２７年５月５日付けの手続補正により補正された）特許請求の範囲の請求項１である、
「　【請求項１】
　第１のフォトダイオードと、
　第２のフォトダイオードと、
　第１の増幅回路と、
　第２の増幅回路と、を有し、
　前記第１のフォトダイオードは、可視光を吸収し赤外光を透過する機能を有し、
　前記第２のフォトダイオードは、前記赤外光を吸収し前記可視光を透過する機能を有し、
　前記第１の増幅回路は、前記第１のフォトダイオードで発生した光電流に対応する電荷を増幅する機能を有し、
　前記第２の増幅回路は、前記第２のフォトダイオードで発生した光電流に対応する電荷を増幅する機能を有し、
　前記可視光と前記赤外光とを含む入射光が入射される側に前記第１のフォトダイオードが位置し、前記第１のフォトダイオードと前記第２のフォトダイオードとは重なる領域を有するように設けられ、
　前記第１の増幅回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有し、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のフォトダイオードと電気的に接続され、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
　前記第２の増幅回路は、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、を有し、
　前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のフォトダイオードと電気的に接続され、
　前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
　前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
　前記第１のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタであり、
　前記第２のトランジスタの上方、前記第３のトランジスタの上方、前記第５のトランジスタの上方、及び、前記第６のトランジスタの上方に、絶縁層を有し、
　前記絶縁層の上方に、前記第１のトランジスタと、前記第４のトランジスタとを有することを特徴とする光検出回路。」
から、次のように補正されたものと認める。
「　【請求項１】
　第１のフォトダイオードと、
　第２のフォトダイオードと、
　第１の増幅回路と、
　第２の増幅回路と、を有し、
　
前記第１のフォトダイオードは、ｐ型領域とｉ型領域とｎ型領域との積層からなる非晶質シリコン膜を有し、
　
前記第２のフォトダイオードは、ｐ型領域とｉ型領域とｎ型領域とが横方向につながった結晶性シリコン膜を有し、
　前記第１のフォトダイオードは、可視光を吸収し赤外光を透過する機能を有し、
　前記第２のフォトダイオードは、前記赤外光
及び
吸収
　前記第１の増幅回路は、前記第１のフォトダイオードで発生した光電流に対応する電荷を増幅する機能を有し、
　前記第２の増幅回路は、前記第２のフォトダイオードで発生した光電流に対応する電荷を増幅する機能を有し、
　前記可視光と前記赤外光とを含む入射光が入射される側に前記第１のフォトダイオードが位置し、前記第１のフォトダイオードと前記第２のフォトダイオード
のｉ型領域
　前記第１の増幅回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有し、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のフォトダイオードと電気的に接続され、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
　前記第２の増幅回路は、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、を有し、
　前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のフォトダイオードと電気的に接続され、
　前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
　前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
　前記第１のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタであり、
　前記第２のトランジスタの
上
上
上
上
　前記絶縁層の
上
２　補正の目的
　本件補正後の請求項１は、本件補正前の請求項１の
「第１のフォトダイオード」を「前記第１のフォトダイオードは、ｐ型領域とｉ型領域とｎ型領域との積層からなる非晶質シリコン膜を有し」と、また、「第２のフォトダイオード」を「前記第２のフォトダイオードは、ｐ型領域とｉ型領域とｎ型領域とが横方向につながった結晶性シリコン膜を有し」と限定し、
「前記第１のフォトダイオードと前記第２のフォトダイオードとは重なる領域を有する」を「前記第１のフォトダイオードと前記第２のフォトダイオードのｉ型領域とは重なる領域を有する」と限定し、
「前記第２のフォトダイオードは、前記赤外光を吸収し前記可視光を透過する機能を有し」との誤記を、「前記第２のフォトダイオードは、前記赤外光及び前記可視光を吸収する機能を有し」と訂正し、
「前記第２のトランジスタの上方、前記第３のトランジスタの上方、前記第５のトランジスタの上方、及び、前記第６のトランジスタの上方に、絶縁層を有し、前記絶縁層の上方に、前記第１のトランジスタと、前記第４のトランジスタとを有する」を「前記第２のトランジスタの上、前記第３のトランジスタの上、前記第５のトランジスタの上、及び、前記第６のトランジスタの上に、絶縁層を有し、前記絶縁層の上に、前記第１のトランジスタと、前記第４のトランジスタとを有する」と明りょうにしたものであるから、本件補正の請求項１についての補正は、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定に適合する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するか否か）について、以下に検討する。
３　引用刊行物
（１）当審拒絶理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開平３−２８４８８３号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付したものである。）
ア　「［第一実施例］
　第１図は本発明第一実施例の受光装置の原理図、第２図は同じくその詳細な構造を示す断面図、第３図はその分光感度特性を示す図である。
　
本実施例の受光装置は、第１図の如く、赤外光領域に感度を有する第一受光素子（フオトダイオード）１が形成された単結晶シリコン基板の絶縁膜（ＳｉＯ
２
等）２上に、可視光領域に感度を有する第二受光素子（アモルフアスシリコンフオトダイオード）３が形成されている。
　そして、第２図中、４は単結晶シリコン層、５はアモルフアスシリコン層、６は単結晶シリコンｐ領域、７は単結晶シリコンｎ領域である。
　
前記単結晶シリコン層４は、ｐ−ｉ−ｎ接合構造とする
　
前記アモルフアスシリコン層５は、１μｍ以下の薄膜でｐ−ｉ−ｎ構造（第２図中８）とし、両面に透明電極９，１０が形成されている。そして、アモルフアスシリコン層５は、絶縁膜２上に形成されるが、一般的な製法としてプラズマＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｕｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）が用いられる。
　上記構成において、第２図の如く、Ｘ方向から光が入射すると、
入射光のうち可視光のほとんどはアモルフアスシリコン層５で吸収され、電流に変換される。
　
しかしながら、入射光のうち長波長の光（例えば赤外光）は、可視光に感度をもつアモルフアスシリコン層５ではほとんど吸収されずに単結晶シリコン層４まで達し、ここで吸収され電流に変換される。
　このように、
アモルフアスシリコンダイオード３と単結晶シリコンフオトダイオード１とを上下方向に構成したワンチツプ構造とすることにより、アモルフアスシリコン層５が可視光のほとんどを吸収し、下層の単結晶シリコン層４に対して可視光カツトフイルターの役割を果す
　したがつて、アモルフアスシリコンダイオード３は、カメラ内におけるＡＥ用受光素子として、単結晶シリコンフオトダイオード１はＡＦ用受光素子として有用となる。なお、第３図に両フオトダイオード１，３の分光感度特性を示す。同図中、Ａは単結晶シリコンフオトダイオード１の分光感度特性、Ｂはアモルフアスシリコンダイオード３の分光感度特性である。
　また、チツプ構造のみで可視光領域と赤外光領域との分離を行えるので、カメラ内の限られたスペースを有効活用でき、小型化および多機能化に貢献し得る。」（公報第２頁左下欄第５行〜第３頁右上欄第５行）
イ　「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　上記記載事項アの「前記アモルフアスシリコン層５は、１μｍ以下の薄膜でｐ−ｉ−ｎ構造（第２図中８）とし、両面に透明電極９，１０が形成されている。そして、アモルフアスシリコン層５は、絶縁膜２上に形成されるが、一般的な製法としてプラズマＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｕｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）が用いられる。」との記載、第２図の記載及び当業者の技術常識から、「アモルフアスシリコン層５」は、ｐ−ｉ−ｎ積層構造であることは明らかである。
　また、上記記載事項アの「第２図の如く、Ｘ方向から光が入射する」との記載及び第２図の記載から、「アモルフアスシリコン層５」が光が入射する側に形成されていることは明らかである。
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「赤外光領域に感度を有する第一受光素子（単結晶シリコンフオトダイオード）１が形成された単結晶シリコン層４の絶縁膜（ＳｉＯ２等）２上に、可視光領域に感度を有する第二受光素子（アモルフアスシリコンフォトダイオード）３が形成された受光装置であって、
　前記単結晶シリコン層４は、ｐ−ｉ−ｎ接合構造であり、
　前記アモルフアスシリコンフォトダイオード３は、１μｍ以下の薄膜でｐ−ｉ−ｎ積層構造であるアモルフアスシリコン層５で形成されており、
　アモルフアスシリコンダイオード３と単結晶シリコンフオトダイオード１とを上下方向に構成したワンチツプ構造とし、アモルフアスシリコン層５を光が入射する側に形成することにより、アモルフアスシリコン層５が可視光のほとんどを吸収し、下層の単結晶シリコン層４に対して可視光カツトフイルターの役割を果すので、入射光のうち可視光のほとんどはアモルフアスシリコン層５で吸収され、電流に変換され、入射光のうち長波長の光（例えば赤外光）は、可視光に感度をもつアモルフアスシリコン層５ではほとんど吸収されずに単結晶シリコン層４まで達し、ここで吸収され電流に変換される受光装置。」
（２）当審拒絶理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開平６−１７７４１６号公報（以下「引用文献２」という。）には、赤外線センサ及び可視光センサをワンチップ化した構成において、赤外線センサ及び可視光センサのそれぞれに増幅回路（アンプ）を接続した構成及び赤外線センサ、可視光センサ及び増幅回路を構成するトランジスタをワンチップ化した構成が開示されている。
（３）当審拒絶理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００８−２５２０７４号公報（以下「引用文献３」という。）及び特開２００９−２０００８６号公報（以下「引用文献４」という。）には、
　第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタを有するフォトダイオードの増幅回路であって、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記フォトダイオードと電気的に接続され、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されたフォトダイオードの増幅回路が開示されている。
４　対比
　本件補正発明と引用発明を対比すると、
「第１のフォトダイオードと、
　第２のフォトダイオードと、を有し、
　前記第１のフォトダイオードは、ｐ型領域とｉ型領域とｎ型領域との積層からなる非晶質シリコン膜を有し、
　前記第２のフォトダイオードは、ｐ型領域とｉ型領域とｎ型領域とからなる結晶性シリコン膜を有し、
　前記第１のフォトダイオードは、可視光を吸収し赤外光を透過する機能を有し、
　前記第２のフォトダイオードは、前記赤外光及び前記可視光を吸収する機能を有し、
　前記可視光と前記赤外光とを含む入射光が入射される側に前記第１のフォトダイオードが位置し、前記第１のフォトダイオードと前記第２のフォトダイオードとは重なる領域を有するように設けられた光検出回路。」 
 で一致し、次の各点で相違する。 
相違点ア　
　本件補正発明では、「前記第２のフォトダイオードは、ｐ型領域とｉ型領域とｎ型領域と
が横方向につながった
のｉ型領域
相違点イ
　本件補正発明では、
「第１の増幅回路と、
　第２の増幅回路と、を有し、」
「前記第１の増幅回路は、前記第１のフォトダイオードで発生した光電流に対応する電荷を増幅する機能を有し、
　前記第２の増幅回路は、前記第２のフォトダイオードで発生した光電流に対応する電荷を増幅する機能を有し、
　前記可視光と前記赤外光とを含む入射光が入射される側に前記第１のフォトダイオードが位置し、前記第１のフォトダイオードと前記第２のフォトダイオードのｉ型領域とは重なる領域を有するように設けられ、
　前記第１の増幅回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有し、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のフォトダイオードと電気的に接続され、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
　前記第２の増幅回路は、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、を有し、
　前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のフォトダイオードと電気的に接続され、
　前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
　前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
　前記第１のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタであり、
　前記第２のトランジスタの上、前記第３のトランジスタの上、前記第５のトランジスタの上、及び、前記第６のトランジスタの上に、絶縁層を有し、
　前記絶縁層の上に、前記第１のトランジスタと、前記第４のトランジスタとを有する」
のに対して、引用発明は、増幅回路についての特定がない点。
５　判断
　相違点アについて、以下、検討する。
　引用文献１〜４の全記載を精査しても、ｐ型領域とｉ型領域とｎ型領域とが横方向につながった結晶性シリコン膜を有するフォトダイオード上に、そのｉ型領域と重なる領域を有するように、異なるフォトダイオードを設けた構成は、開示も示唆もされていない。
　また、他に、該構成が公知であることを示す証拠もない。
６　結論
　したがって、本件補正発明は、上記相違点アにおいて、当業者が引用発明及び引用文献２〜４に記載された技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできないから、相違点イについて検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとすることはできない。
　すると、本件補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
７　小括
　また、本件補正は、特許法第１７条の２第３及び４項の規定に適合することも明らかである。
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３〜６項の規定に適合するものである。
第３　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２」で検討したとおり、本件補正が特許法第１７条の２第３〜６項の規定に適合するものであるから、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願発明は本件補正発明である。（上記「第２」「１」で、本件補正後の請求項１とした記載を参照。）
第４　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　本願の請求項１に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　記（引用文献１〜４は、上記「第２」「３」で挙げたものである。）
　引用文献１（特に、第２頁左下段第５行目〜第３頁左上段第１３行目、第２図）には、アモルファスシリコンフォトダイオードとｐ−ｉ−ｎ単結晶シリコンダイオードが積層された受光装置が記載されている。ここで、アモルファスシリコンフォトダイオードは可視光カットフィルターの働きをするものであるので、ｐ−ｉ−ｎ単結晶シリコンダイオードより大きく形成されることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　そして、引用文献３（特に、［図１］）、引用文献４（特に、［図１］）に記載されているように、３つのトランジスタを用いて増幅回路を構成することは周知技術であり、また引用文献２（特に、［図１］）に記載されているように、それぞれのフォトダイオードに増幅回路を設けることも周知技術であって、回路配置は当業者による設計事項である。
　更に、酸化物半導体のチャネルを有するトランジスタも例を挙げるまでもなく周知技術である。
　よって、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１−４を基に当業者が容易になし得たものである。
２　原査定の理由の判断
　原査定の理由は、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１−４を基に当業者が容易になし得たものである、すなわち、本願発明は、引用発明及び引用文献２〜４に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明し得たものであるというものである。
　しかし、上記「第２」「３」〜「６」で検討したとおり、本件補正発明は上記相違点アにおいて、当業者が引用発明及び引用文献２〜４に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできないから、本願発明も、同様に、当業者が引用発明及び引用文献２〜４に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用文献２〜４に記載された技術事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとすることはできない。
３　原査定についての結論
　以上のとおり、原査定によって、本願は拒絶すべきものであるとすることはできない。
第５　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
（１）本願の請求項１に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　記（引用文献１〜４は、上記「第２」「３」で挙げたものである。）
　本願の請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された「光検出回路」に対して、次の点で相違する。
　本願の請求項１に係る発明は、
「第１の増幅回路と、
　第２の増幅回路と、を有し、」
「前記第１の増幅回路は、前記第１のフォトダイオードで発生した光電流に対応する電荷を増幅する機能を有し、
　前記第２の増幅回路は、前記第２のフォトダイオードで発生した光電流に対応する電荷を増幅する機能を有し、」
「前記第１の増幅回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有し、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のフォトダイオードと電気的に接続され、
　前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
　前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
　前記第２の増幅回路は、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、を有し、
　前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のフォトダイオードと電気的に接続され、
　前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
　前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
　前記第１のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタであり、
　前記第２のトランジスタ上方、前記第３のトランジスタ上方、前記第５のトランジスタ上方、及び、前記第６のトランジスタ上方に、絶縁層を有し、
　前記絶縁層上方に、前記第１のトランジスタと、前記第４のトランジスタとを有する」点。
　しかし、まず、光検出装置において、フォトダイオードに増幅回路を接続することは慣用手段にすぎない。 
　また、引用文献２には、赤外線センサ及び可視光センサをワンチップ化した構成において、赤外線センサ及び可視光センサのそれぞれに増幅回路（アンプ）を接続した構成及び赤外線センサ及び可視光センサと増幅回路を構成するトランジスタをワンチップ化した構成が開示されている。
　そして、フォトダイオードの増幅回路として、フォトダイオードに３つのトランジスタを本願の請求項１に係る発明と同様に接続することは、引用文献３、４に示されるように、また、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタは、例を挙げるまでもなく、それぞれ、周知の技術である。
　すると、引用文献１に記載された「光検出回路」の「アモルフアスシリコンダイオード３」及び「単結晶シリコンフオトダイオード１」のそれぞれに、上記周知の増幅回路を接続するとともに、「アモルフアスシリコンダイオード３」及び「単結晶シリコンフオトダイオード１」と増幅回路を構成するトランジスタをワンチップ化し、そのトランジスタの一部を上記周知のチャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタとすることは、当業者が容易になし得ることである。
　また、上記周知の増幅回路の３つのトランジスタをワンチップ化する際に、どのような積層構造とするかは、当業者が適宜設計し得る事項にすぎない。
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１−４を基に当業者が容易になし得たものである
（２）平成２７年５月５日付け手続補正書でした補正は、下記の点で願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記
　請求項１の
「前記第２のトランジスタ上方、前記第３のトランジスタ上方、前記第５のトランジスタ上方、及び、前記第６のトランジスタ上方に、絶縁層を有し、
　前記絶縁層上方に、前記第１のトランジスタと、前記第４のトランジスタとを有する」
について、この記載が、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタと第１のトランジスタとを、第５のトランジスタ及び第６のトランジスタと第４のトランジスタとを、それぞれ、
重ねて
　すると、上記のように解釈した請求項１の上記記載は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものとは認められない。
（３）本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記
ア　上記のように解釈した請求項１の上記記載は、上記理由（２）と同様、本願の発明の詳細な説明に記載したものではない。
イ　請求項１の
「前記第２のトランジスタ上方、前記第３のトランジスタ上方、前記第５のトランジスタ上方、及び、前記第６のトランジスタ上方に、絶縁層を有し、
　前記絶縁層上方に、前記第１のトランジスタと、前記第４のトランジスタとを有する」
の「上方」／「上方に」は、本願の発明の詳細な説明に記載したものではない。（明細書の段落【０１１７】には、「の上に」と記載されている。）
　
　よって、本願発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 
（４）本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記
　請求項１の
「前記第２のトランジスタ上方、前記第３のトランジスタ上方、前記第５のトランジスタ上方、及び、前記第６のトランジスタ上方に、絶縁層を有し、
　前記絶縁層上方に、前記第１のトランジスタと、前記第４のトランジスタとを有する」
の「上方」／「上方に」が示す構成が不明確である。（明細書の段落【０１１７】には、「の上に」と記載されており、これとは異なる「上方」／「上方に」が示す構成が「の上に」が示す構成とどのように異なるのかが不明である。なお、両者が同じ構成を示すのであれば、「上方」／「上方に」ではなく、「の上」／「の上に」と記載するべきである。）
　よって、本願発明は明確でない。
２　当審拒絶理由の判断
（１）理由（１）について
　理由（１）は、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１−４を基に当業者が容易になし得たものである、すなわち、本願発明は、引用発明及び引用文献２〜４に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明し得たものであるというものである。
　しかし、上記「第２」「３」〜「６」で検討したとおり、本件補正発明は上記相違点アにおいて、当業者が引用発明及び引用文献２〜４に記載された技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできないから、本願発明も、同様に、当業者が引用発明及び引用文献２〜４に記載された技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえなくなった。
　よって、理由（１）は解消した。
（２）理由（２）及び（３）アについて
　請求人の上記主張は、平成２８年１１月８日付けの意見書で明示的に撤回された。このことにより、本願の請求項１の記載は、請求人の上記主張に基づく解釈はできなくなったので、本願の請求項１の記載は願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものと認められない、また、本願発明は本願の発明の詳細な説明に記載したものではないとはいえなくなった。
　よって、理由（２）及び（３）アは解消した。
（３）理由（３）イ及び（４）について
　本件補正により、「上方」が「上」に補正された。このことにより、本願発明は本願の発明の詳細な説明に記載したものではない、また、本願発明は明確でないとはいえなくなった。
　よって、理由（３）イ及び（４）は解消した。
３　当審拒絶理由についての結論
　以上のとおり、もはや、当審拒絶理由によって、本願は拒絶すべきものであるとすることはできない。
第６　むすび
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。