(57)【要約】【課題】加工後のパターン寸法及びパターン形状を所望の値にするパターン形成方法、パターン形成システム、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板２０上に被加工膜２８を形成する被加工膜形成工程（Ｓ１０）と、テンプレート１０を被加工膜上に塗布されたインプリント材３０に接触させて、テンプレートに設けられた型パターン１１をインプリント材３０に転写する転写工程（Ｓ１１０）と、型パターンが転写されたインプリント材をマスクにして被加工膜のエッチングを含む加工を行う加工工程（Ｓ１３０）と、を備えるパターン形成方法を提供する。転写工程は、加工後の被加工膜のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータに基づいて定められた条件を用いて実施される。【選択図】図１
2011100922.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に被加工膜を形成する被加工膜形成工程と、
テンプレートを前記被加工膜上に塗布されたインプリント材に接触させて、前記テンプレートに設けられた型パターンを前記インプリント材に転写する転写工程と、
前記型パターンが転写された前記インプリント材をマスクにして前記被加工膜のエッチングを含む加工を行う加工工程と、
を備え、
前記転写工程は、前記加工後の前記被加工膜のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータに基づいて定められた条件を用いて実施されることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記条件は、
前記型パターンの寸法、
前記型パターンの形状、
前記インプリント材の材料、
前記インプリント材の塗布量、
前記テンプレートを前記インプリント材に接触させた状態で前記インプリント材に与えられる照射光量、及び、
前記テンプレートを前記インプリント材に接触させた状態で前記インプリント材に与えられる熱量、
の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記条件は、前記型パターンが転写された前記インプリント材のうちの前記型パターンの凸部と前記被加工膜との間の部分である残膜の厚さをさらに含むことを特徴とする請求項２記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記転写工程は、前記型パターンが転写された前記インプリント材のうちの前記型パターンの凸部と前記被加工膜との間の部分である残膜を除去して前記被加工膜の一部を露出させる後処理を行う後処理工程を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記条件の少なくとも一部は、
前記基板の前記主面内の異なる領域間、
前記基板間、及び、
前記基板が属するロット間、
の少なくともいずれかにおいて変更されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記加工工程の後に、前記被加工膜のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかを計測する計測工程と、
前記計測の結果に基づいて前記データを修正するデータ修正工程と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項７】
基板の被加工膜の上に塗布されたインプリント材に、テンプレートを接触させて、前記テンプレートの型パターンを前記インプリント材に転写する転写部と、
前記型パターンが転写された前記インプリント材をマスクにして前記被加工膜のエッチングを含む加工を行う加工部と、
前記加工後の前記被加工膜のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータを格納するデータ格納部と、
を備え、
前記転写部における処理の条件の少なくとも一部は、前記データ格納部に格納された前記データに基づいて定められることを特徴とするパターン形成システム。
【請求項８】
前記条件の前記少なくとも一部は、
前記型パターンの寸法、
前記型パターンの形状、
前記インプリント材の材料、
前記インプリント材の塗布量、
前記テンプレートを前記インプリント材に接触させた状態で前記インプリント材に与えられる照射光量、及び、
前記テンプレートを前記インプリント材に接触させた状態で前記インプリント材に与えられる熱量、
の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項７記載のパターン形成システム。
【請求項９】
前記条件の前記少なくとも一部は、前記型パターンが転写された前記インプリント材のうちの前記型パターンの凸部と前記被加工膜との間の部分である残膜の厚さをさらに含むことを特徴とする請求項８記載のパターン形成システム。
【請求項１０】
前記転写部は、前記型パターンが転写された前記インプリント材のうちの前記型パターンの凸部と前記被加工膜との間の部分である残膜を除去して前記被加工膜の一部を露出させる後処理部を含むことを特徴とする請求項７〜９のいずれか１つに記載のパターン形成システム。
【請求項１１】
前記条件の前記少なくとも一部は、
前記基板の前記主面内の異なる領域間、
前記基板間、及び、
前記基板が属するロット間、
の少なくともいずれかにおいて変更されることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１つに記載のパターン形成システム。
【請求項１２】
前記加工後の前記被加工膜のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかを計測する計測部をさらに備え、
前記計測部による計測結果に基づいて前記データ格納部の前記データが修正されることを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１つに記載のパターン形成システム。
【請求項１３】
基板上に被加工膜を形成し、前記基板及び前記被加工膜の少なくともいずれかは半導体を含む被加工膜形成工程と、
テンプレートを前記被加工膜上に塗布されたインプリント材に接触させて、前記テンプレートに設けられた型パターンを前記インプリント材に転写する転写工程と、
前記型パターンが転写された前記インプリント材をマスクにして前記被加工膜のエッチングを含む加工を行う加工工程と、
を備え、
前記転写工程は、前記加工後の前記被加工膜のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータに基づいて定められた条件を用いて実施されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法、パターン形成システム及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置やＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System：微小電気機械システム）装置などの微細構造を有する電子デバイスの製造において、微細パターンを高生産性で形成する技術として、基板に原版の型を転写するナノインプリント法が注目されている。
【０００３】
ナノインプリント法においては、転写すべきパターンを有する原版の型（テンプレート）を、基板上の樹脂にプレスして、その樹脂を硬化させることにより、基板上の樹脂にパターンが転写される。
【０００４】
特許文献１には、転写精度を向上させるために、光硬化型の樹脂を用いる場合において、光照射によって生じる樹脂の状態の物理量を計測し、その計測情報に基づいて、型と基板の位置関係や光照射量を制御する方法が開示されている。
【０００５】
しかしながら、型が転写された樹脂をマスクにして被加工膜を加工する際、転写後の樹脂のパターンを所望の形状に制御しても、他の工程の影響を受け、結果として、加工後の被加工膜のパターン寸法やパターン形状が所望の値（状態）にならないことがあり、これが電子デバイスの性能向上や微細化の妨げとなり、また、歩留まりの低下などの生産性の低下を招く。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−７３９３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、加工後のパターン寸法及びパターン形状を所望の値にするパターン形成方法、パターン形成システム及び半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、基板上に被加工膜を形成する被加工膜形成工程と、テンプレートを前記被加工膜上に塗布されたインプリント材に接触させて、前記テンプレートに設けられた型パターンを前記インプリント材に転写する転写工程と、前記型パターンが転写された前記インプリント材をマスクにして前記被加工膜のエッチングを含む加工を行う加工工程と、を備え、前記転写工程は、前記加工後の前記被加工膜のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータに基づいて定められた条件を用いて実施されることを特徴とするパターン形成方法が提供される。
【０００９】
本発明の別の一態様によれば、基板の被加工膜の上に塗布されたインプリント材に、テンプレートを接触させて、前記テンプレートの型パターンを前記インプリント材に転写する転写部と、前記型パターンが転写された前記インプリント材をマスクにして前記被加工膜のエッチングを含む加工を行う加工部と、前記加工後の前記被加工膜のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータを格納するデータ格納部と、を備え、前記転写部における処理の条件の少なくとも一部は、前記データ格納部に格納された前記データに基づいて定められることを特徴とするパターン形成システムが提供される。
【００１０】
本発明の別の一態様によれば、基板上に被加工膜を形成し、前記基板及び前記被加工膜の少なくともいずれかは半導体を含む被加工膜形成工程と、テンプレートを前記被加工膜上に塗布されたインプリント材に接触させて、前記テンプレートに設けられた型パターンを前記インプリント材に転写する転写工程と、前記型パターンが転写された前記インプリント材をマスクにして前記被加工膜のエッチングを含む加工を行う加工工程と、を備え、前記転写工程は、前記加工後の前記被加工膜のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータに基づいて定められた条件を用いて実施されることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、加工後のパターン寸法及びパターン形状を所望の値にするパターン形成方法、パターン形成システム及び半導体装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態に係るパターン形成方法を示すフローチャート図である。
【図２】第１の実施形態に係るパターン形成方法に用いるパターン形成システムを示す模式図である。
【図３】第１の実施形態に係るパターン形成方法における座標系を示す模式的斜視図である。
【図４】第１の実施形態に係るパターン形成方法を示す工程順模式的断面図である。
【図５】第１の実施形態に係るパターン形成方法を示すグラフ図である。
【図６】比較例のパターン形成方法を示すグラフ図である。
【図７】第１の実施形態に係るパターン形成方法を示す模式的平面図である。
【図８】第１の実施形態に係るパターン形成方法を示す模式的平面図である。
【図９】第１の実施形態に係るパターン形成方法を示す模式図である。
【図１０】第１の実施形態に係る別のパターン形成方法を示すフローチャート図である。
【図１１】第１の実施形態に係る別のパターン形成方法を示すフローチャート図である。
【図１２】第２の実施形態に係るパターン形成方法を示すフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。  
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００１４】
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施形態に係るパターン形成方法を例示するフローチャート図である。  図２は、第１の実施形態に係るパターン形成方法に用いるパターン形成システムの構成を例示する模式図である。  
図３は、第１の実施形態に係るパターン形成方法における座標系を例示する模式的斜視図である。  
図４は、第１の実施形態に係るパターン形成方法を例示する工程順模式的断面図である。
【００１５】
まず、図２により、本実施形態に係るパターン形成方法に用いられるパターン形成システムの構成の概要について説明する。  
図２に表したように、本実施形態に係るパターン形成システム１１０は、転写部５０と、加工部９０と、データ格納部７０と、を備える。後述するように、転写部５０は、後処理部６０を有しても良い。
【００１６】
転写部５０は、テンプレート１０に設けられた型パターン１１を基板２０の主面２０ａ上の被加工膜２８に塗布されたインプリント材３０に接触させて型パターン１１をインプリント材３０に転写する。  
本具体例では、転写部５０は、テンプレート１０を保持するテンプレートホルダ５１と、基板２０が載置される転写部ステージ５２と、テンプレート１０と基板２０との距離を変化させてテンプレート１０をインプリント材３０に接触させる駆動部５３と、インプリント材３０に光５５Ｌを照射する照射部５５と、テンプレートホルダ５１と転写部ステージ５２と駆動部５３と照射部５５とを制御する転写制御部５０ｃと、を有する。
【００１７】
なお、本具体例では、駆動部５３は、転写部ステージ５２に取り付けられているが、駆動部は、テンプレートホルダ５１に取り付けられても良く、また、駆動部は、転写部ステージ５２とテンプレートホルダ５１との両方を駆動するように、転写部ステージ５２とテンプレートホルダ５１とのそれぞれに設けられても良い。
【００１８】
本具体例においては、テンプレート１０には、表面に型パターン１１が設けられた、例えば、クオーツなどの基板（基体）が用いられる。
【００１９】
基板２０には、例えば半導体基板（ウェーハ）や、半導体層や導電層や絶縁層の少なくともいずれかを含む基板が用いられる。被加工膜２８は、半導体層や導電層や絶縁層の少なくともいずれかを含むことができる。また、被加工膜２８は、半導体層や導電層や絶縁層等の複数の膜の積層膜とすることができる。このように基板２０は、被加工膜２８が設けられた種々の基板（ウェーハ）などが用いられる。被加工膜２８には、インプリント材をマスクにした種々の加工の処理が行われる。
【００２０】
インプリント材３０には、例えば種々の樹脂が用いられ、本具体例においては、光硬化型の樹脂が用いられる。なお、インプリント材３０には、熱硬化型の樹脂を用いても良い。
【００２１】
後処理部６０は、後述するように、型パターン１１が転写されたインプリント材３０のうちの型パターン１１の凸部と被加工膜２８との間の部分である残膜を除去して被加工膜の一部を露出させる後処理を行う。本具体例では、後処理部６０は、転写部５０に含まれるものとする。後処理部６０は、必要に応じて設けられ、後処理部６０は省略可能である。
本具体例では、後処理部６０は、基板２０が載置される後処理部ステージ６２と、後処理部ステージ６２及び基板２０を格納する後処理室６１（チャンバ）と、インプリント材３０をエッチングする後処理エッチャント６５Ｒを後処理室６１内に供給する後処理エッチャント供給部６５と、後処理部ステージ６２と後処理エッチャント供給部６５とを制御する後処理制御部６０ｃと、を有する。
【００２２】
すなわち、本具体例においては、後処理部６０は、インプリント材３０をエッチバックするドライエッチング装置であり、例えば後処理エッチャント６５Ｒは、ラジカルなどを含む高エネルギー状態のガスであり、後処理エッチャント供給部６５は、プラズマ発生部とガス供給部とを含むことができる。
【００２３】
加工部９０は、型パターン１１が転写されたインプリント材３０をマスクにして被加工膜２８のエッチングを行う。ただし、加工部９０は、このエッチング以外の加工を行っても良い。すなわち、加工部９０は、型パターン１１が転写されたインプリント材３０をマスクにした被加工膜２８のエッチングを含む加工を行う。
本具体例では、加工部９０は、基板２０が載置される加工部ステージ９２と、加工部ステージ９２及び基板２０を格納する加工処理室９１（チャンバ）と、被加工膜２８をエッチングする加工エッチャント９５Ｒを加工処理室９１内に供給する加工エッチャント供給部９５と、加工部ステージ９２と加工エッチャント供給部９５とを制御する加工制御部９０ｃと、を有する。
【００２４】
すなわち、本具体例においては、加工部９０は、被加工膜２８をエッチングするドライエッチング装置であり、例えば加工エッチャント９５Ｒは、ラジカルなどを含む高エネルギー状態のガスであり、加工エッチャント供給部９５は、プラズマ発生部とガス供給部とを含むことができる。  
なお、場合によっては、後処理部６０と加工部９０とが兼用されても良い。この場合には、後処理部６０は設けられず、加工部９０が後処理部６０の機能を果たす。
【００２５】
データ格納部７０は、加工後（エッチング後）の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータを格納する。本具体例では、データ格納部７０には、第１〜第９データ格納部７１〜７９が設けられる。なお、データ格納部７０は、転写工程後のインプリント材３０のパターンの寸法及び形状、並びに、後処理後のインプリント材３０のパターン寸法及び形状、の少なくともいずれかに関するデータを格納しても良い。
【００２６】
パターン形成システム１１０は、さらに、計測部８０をさらに備えることができる。計測部８０は、加工後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかを計測する。
計測部８０には、例えば、ＡＦＭ（原子力間顕微鏡）、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）など、種々の微細な形状を測定する測定器を用いることができる。例えば、計測部８０は、計測部ステージ８２を有し、計測部ステージ８２の上に基板２０が載置され、被加工膜２８のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかが計測される。この計測に際しては、被加工膜２８を非破壊の状態で計測が行われても良く、また、被加工膜２８が分断されて、一部の領域の被加工膜２８に関する計測が行われても良い。なお、計測部８０は、転写工程後のインプリント材３０のパターンの寸法及び形状、並びに、後処理後のインプリント材３０のパターン寸法及び形状、の少なくともいずれかをさらに計測しても良い。
【００２７】
なお、転写部５０（後処理部６０を含め）、加工部９０、データ格納部７０及び計測部８０は、必ずしも互いに並置される必要はなく、それぞれ別の場所に配置され、転写部５０（後処理部６０を含め）、加工部９０、データ格納部７０及び計測部８０のそれぞれの間でデータが授受できる構成にしても良い。
【００２８】
転写部５０（後処理部６０を含め）、加工部９０、データ格納部７０及び計測部８０どうしのデータの授受は、有線及び無線の各種の通信方法や、各種のデータ記憶メディアを用いる方法などにより行うことができる。
【００２９】
ここで、説明の便宜上、ＸＹＺ直交座標系を導入する。  
すなわち、図３に表したように、基板２０の主面２０ａに対して垂直な方向をＺ軸方向とする。そして、主面２０ａに対して平行な平面内の１つの方向をＸ軸方向とする。そして、Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００３０】
図４により、本実施形態に係るパターン形成方法、すなわち、本実施形態に係るパターン形成システム１１０の動作について説明する。  
図４（ａ）に表したように、基板２０の主面２０ａの上の被加工膜２８にインプリント材３０が塗布されている。そして、テンプレート１０の主面１０ａには、型パターン１１が設けられている。
【００３１】
型パターン１１は、型凹部１２ａと型凸部１２ｂとを有する。すなわち、テンプレート１０の基板２０（被加工膜２８）に対向させられる側の主面１０ａ（転写面）に、凹凸を有する型パターン１１が設けられる。テンプレート１０の主面１０ａと、基板２０の主面２０ａと、は、互いに平行に設置されることができる。テンプレート１０の主面１０ａはＸ−Ｙ平面に対して平行であり、Ｚ軸方向に対して垂直である。
【００３２】
型凹部１２ａ及び型凸部１２ｂの平面形状（Ｚ軸方向からみたときのパターン形状）は、例えば一方向に延在する溝（トレンチ）状でも良く、長方形や正方形でも良く、扁平円状や円状でも良く、任意の多角形状でも良く、任意である。
【００３３】
型パターン１１の型凹部１２ａの深さを型深さｔａ１とする。型深さｔａ１は、型凹部１２ａの底部（型凹部１２ａの基板２０とは反対の側の部分）と、型凸部１２ｂの頂部（型凸部１２ｂの基板２０の側の部分）と、の主面１０ａに対して垂直な方向（Ｚ軸方向）に沿った距離である。
【００３４】
そして、型凹部１２ａの幅を型凹部幅ｄａ１とし、型凸部１２ｂの幅を型凸部幅ｄｂ１とする。型凹部幅ｄａ１及び型凸部幅ｄｂ１は、Ｘ−Ｙ平面の１つの方向に沿った、型凹部１２ａ及び型凸部１２ｂのそれぞれの長さである。  
以下では、説明を簡単にするために、Ｘ軸方向に着目することにする。すなわち、型凹部幅ｄａ１及び型凸部幅ｄｂ１は、Ｘ軸方向に沿った、型凹部１２ａ及び型凸部１２ｂのそれぞれの長さである。以下においては、Ｘ軸方向に関して説明するが、Ｙ軸方向に関しても同様であり、本発明の実施形態の適用により、同様の効果が得られる。
【００３５】
また、型凹部幅ｄａ１及び型凸部幅ｄｂ１は、Ｚ軸方向において、型凹部１２ａの深さの中間の位置における型凹部１２ａ及び型凸部１２ｂのそれぞれの幅とする。すなわち、型凹部１２ａ及び型凸部１２ｂの側壁は、Ｚ軸方向に対して必ずしも平行でなく、例えば、側壁がＺ軸方向に対して傾斜しているテーパ状の斜面であっても良い。この場合においても、型凹部１２ａと型凸部１２ｂの凹凸の中間点の位置における幅が、型凹部幅ｄａ１及び型凸部幅ｄｂ１として定義される。
【００３６】
また、型凹部１２ａの底部と、型凹部１２ａの側壁と、のなす角を型底部角θｔ１とし、型凸部１２ｂの頂部と、型凹部１２ａの側壁と、のなす角を型頂部角θｂ１とする。  
既に説明したように、型凹部１２ａ及び型凸部１２ｂの側壁は、テーパ状の斜面であっても良く、この場合は、型底部角θｔ１及び型頂部角θｂ１は９０度とは異なる角度である。型凹部１２ａ及び型凸部１２ｂの側壁が垂直壁の場合は、型底部角θｔ１及び型頂部角θｂ１は９０度である。
【００３７】
このような型パターン１１を有するテンプレート１０が、基板２０の主面２０ａの被加工膜２８に塗布されたインプリント材３０に対向して設置される。  
なお、塗布されたインプリント材３０の厚さは、インプリント材厚ｍｔ０である。なお、インプリント材３０は、被加工膜２８の上に必ずしも均一な厚さで塗布されなくても良く、例えば、インプリント材３０は、被加工膜２８の上に所定の間隔で配置された液滴状で塗布されても良い。この場合には、インプリント材厚ｍｔ０は、インプリント材３０の平均の厚さとすることができる。すなわち、例えば、インプリント材厚ｍｔ０は、インプリント材３０の塗布量（例えば単位面積当たりのインプリント材３０の体積）に相当する量とすることができる。また、インプリント材３０には材料ｐｍ０が用いられる。
【００３８】
そして、図４（ｂ）に表したように、テンプレート１０とインプリント材３０との距離が縮められ、テンプレート１０とインプリント材３０とが互いに接触される。これにより、インプリント材３０の一部が、型パターン１１の型凹部１２ａに入り込む。すなわち、例えば、テンプレート１０にはクオーツなどが用いられ、インプリント材３０には光硬化型の樹脂などが用いられ、テンプレート１０よりもインプリント材３０は変形し易く、テンプレート１０とインプリント材３０とが互いに押し付けられるとインプリント材３０の一部が型パターン１１の型凹部１２ａに入り込む。また、インプリント材３０の粘度が低い場合には、テンプレート１０とインプリント材３０とを互いに接触させると、インプリント材３０は型パターン１１の型凹部１２ａの内部に、例えば毛細管現象により入り込み、型凹部１２ａの内部がインプリント材３０によって充填される。これにより、型パターン１１の型凹部１２ａ及び型凸部１２ｂの形状に沿って、インプリント材３０が変形する。
【００３９】
この状態において、インプリント材３０に光５５Ｌ（インプリント材３０が硬化する例えば紫外線）を照射し、インプリント材３０を硬化させる。なお、インプリント材３０が熱硬化型の樹脂である場合は、インプリント材３０に熱を加える。なお、光５５Ｌの照射エネルギーが照射光量ｌｉ０とされる。  
その後、テンプレート１０とインプリント材３０（基板２０）とを互いに離間させる。
【００４０】
これにより、図４（ｃ）に表したように、テンプレート１０に設けられた型パターン１１を基板２０の主面２０ａ上の被加工膜２８の上に塗布されたインプリント材３０に接触させて型パターン１１をインプリント材３０に転写することができる。
【００４１】
すなわち、インプリント材３０において、型凹部１２ａに対応して転写後凸部２３ａが形成され、型凸部１２ｂに対応して転写後凹部２３ｂが形成される。
【００４２】
なお、上記の工程において、場合によっては、型凸部１２ｂと被加工膜２８とは、互いに完全には接触せず、型凸部１２ｂと被加工膜２８との間に、インプリント材３０が存在する場合がある。この状態において、インプリント材３０が硬化されると、その部分は、残膜となる。すなわち、型パターン１１が転写されたインプリント材３０のうちの型パターン１１の凸部（型凸部１２ｂ）と被加工膜２８との間の部分が残膜となる。例えば、テンプレート１０とインプリント材３０とが接触した状態で、テンプレート１０と基板２０とを互いに押し付け、その押し付けの程度により、インプリント材３０がテンプレート１０の主面１０ａよりも外側に流れ出す程度が変化し、テンプレート１０と被加工膜２８との間の距離が変化する。その状態でインプリント材３０を硬化させると、結果として残膜の厚さが変化する。このように、場合によっては、残膜が形成される場合があり、図４（ｂ）及び（ｃ）は、この残膜が形成される場合の例を図示している。なお、この残膜は形成されなくても良い。
【００４３】
ここで、転写後凹部２３ｂの厚さ（Ｚ軸方向に沿った長さ）を転写後凹部厚ｔｂ３とする。そして、転写後凹部２３ｂから見たときの転写後凸部２３ａの高さを転写後凸部高さｔａ３とする。すなわち、転写後凸部２３ａの厚さ（Ｚ軸方向に沿った長さ）は、転写後凹部厚ｔｂ３と転写後凸部高さｔａ３との合計である。残膜の厚さは、上記の転写後凹部厚ｔｂ３に相当する。
【００４４】
また、転写後凸部２３ａのＸ軸方向に沿った幅を転写後凸部幅ｄａ３とし、転写後凹部２３ｂのＸ軸方向に沿った幅を転写後凹部幅ｄｂ３とする。この場合も、転写後凸部幅ｄａ３及び転写後凹部幅ｄｂ３は、Ｚ軸方向において、転写後凸部高さｔａ３の中間の位置における転写後凸部２３ａ及び転写後凹部２３ｂの幅とすることができる。
【００４５】
また、転写後凸部２３ａの頂部と、転写後凸部２３ａの側壁と、のなす角を転写後頂部角θｔ３とし、転写後凸部２３ａの底部と、転写後凸部２３ａの側壁と、のなす角を転写後底部角θｂ３とする。
【００４６】
理想的には、転写後凸部高さｔａ３は型深さｔａ１と一致し、転写後凸部幅ｄａ３は型凹部幅ｄａ１と一致し、転写後凹部幅ｄｂ３は型凸部幅ｄｂ１と一致し、転写後頂部角θｔ３は型底部角θｔ１と一致し、転写後底部角θｂ３は型頂部角θｂ１と一致する。しかし、インプリント材３０における収縮などの特性、並びに、テンプレート１０及び基板２０（被加工膜２８を含む）の変形などにより、転写後凸部高さｔａ３は、必ずしも型深さｔａ１とは一致せず、転写後凸部幅ｄａ３は、必ずしも型凹部幅ｄａ１とは一致せず、転写後凹部幅ｄｂ３は必ずしも型凸部幅ｄｂ１とは一致せず、転写後頂部角θｔ３は必ずしも型底部角θｔ１とは一致せず、転写後底部角θｂ３は必ずしも型頂部角θｂ１とは一致しない。
【００４７】
この後、残膜が形成されている場合は、図４（ｄ）に表したように、インプリント材３０の転写後凹部２３ｂをエッチングし、基板２０の主面２０ａの被加工膜２８の一部を露出させる。例えば、インプリント材３０の全面にエッチング処理を行い、転写後凸部２３ａ及び転写後凹部２３ｂの両方を同時に、転写後凹部２３ｂが除去されるまで、エッチバックする。すなわち、転写後のインプリント材３０の膜厚を減少させて基板２０の主面２０ａの被加工膜２８の一部を露出させる後処理が行われる。
【００４８】
すなわち、転写後凸部２３ａの膜厚が減少されて、後処理後凸部２２ａが形成される。そして、後処理後凸部２２ａどうしの間に、後処理後凹部２２ｂが形成される。後処理後凸部２２ａの高さ（Ｚ軸方向に沿った長さ）を後処理後凸部高さｔａ２とする。
【００４９】
後処理後凸部高さｔａ２は、例えば、転写後凸部高さｔａ３から転写後凹部厚ｔｂ３を減じた値となる。ただし、上記のエッチングのマージンを考慮すると、後処理後凸部高さｔａ２は、例えば、転写後凸部高さｔａ３から転写後凹部厚ｔｂ３を減じた値から、若干小さい値とされる。
【００５０】
なお、インプリント材３０の膜厚の減少量、すなわち、エッチング量ｅａ０（転写後凹部厚ｔｂ３＋マージン）は、例えば、（転写後凸部高さｔａ３＋転写後凹部厚ｔｂ３−後処理後凸部高さｔａ２）である。
【００５１】
また、後処理後凸部２２ａのＸ軸方向に沿った幅を後処理後凸部幅ｄａ２とし、後処理後凹部２２ｂのＸ軸方向に沿った幅を後処理後凹部幅ｄｂ２とする。この場合も、後処理後凸部幅ｄａ２及び後処理後凹部幅ｄｂ２は、Ｚ軸方向において、後処理後凸部高さｔａ２の中間の位置における後処理後凸部２２ａ及び後処理後凹部２２ｂの幅とすることができる。
【００５２】
エッチングが等方的である場合には、例えば、後処理後凸部幅ｄａ２は、転写後凸部幅ｄａ３から、転写後凹部厚ｔｂ３の２倍の厚さを減じた値となる。ただし、後処理におけるエッチングのマージンを考慮すると、その値からさらに、エッチングのマージンの厚さの２倍を減じた値となる。同様に、後処理後凹部幅ｄｂ２は、転写後凹部幅ｄｂ３から、転写後凹部厚ｔｂ３の２倍の厚さを加えた値となる。そして、後処理におけるエッチングのマージンを考慮すると、その値からさらに、エッチングのマージンの厚さの２倍を加えた値となる。
【００５３】
また、後処理後凸部２２ａの頂部と、後処理後凸部２２ａの側壁と、のなす角を後処理後頂部角θｔ２とし、後処理後凸部２２ａの底部と、後処理後凸部２２ａの側壁と、のなす角を後処理後底部角θｂ２とする。ここで、後処理における特性により、後処理後頂部角θｔ２は、必ずしも転写後頂部角θｔ３とは一致せず、また、後処理後底部角θｂ２は、必ずしも転写後底部角θｂ３とは一致しない。
【００５４】
例えば、後処理におけるＸ−Ｙ平面内の特性の変動により、基板２０の面内（Ｘ−Ｙ平面内）で、後処理後凸部高さｔａ２、後処理後凸部幅ｄａ２、後処理後凸部幅ｄａ２、後処理後頂部角θｔ２、及び、後処理後底部角θｂ２の少なくともいずれかが変動することがあり、後処理後のインプリント材３０の寸法及び形状が所望の形状にならないことがある。
【００５５】
なお、図４（ａ）〜（ｃ）に例示した工程が、テンプレート１０に設けられた型パターン１１を基板２０の主面２０ａ上の被加工膜２８上に塗布されたインプリント材３０に接触させて型パターン１１をインプリント材３０に転写する転写と離型工程に相当し、図４（ｄ）に例示した工程が、型パターン１１が転写されたインプリント材３０のうちの型パターン１１の凸部（型凸部１２ｂ）と被加工膜２８との間の部分である残膜を除去して被加工膜２８の一部を露出させる後処理工程に相当する。そして、図１に例示したステップＳ１１０は、上記の転写と離型工程を含む。そして、後処理を行う場合には、ステップＳ１１０は、後処理を行う後処理工程をさらに含む。
【００５６】
この後、図４（ｅ）に表したように、後処理後のインプリント材３０をマスクにして被加工膜２８をエッチングする。この工程が図１に例示したステップＳ１３０に相当する。
【００５７】
インプリント材３０をマスクにして被加工膜２８をエッチングすることで、基板２０には、基板凸部２４ａと基板凹部２４ｂとが形成される。すなわち、被加工膜２８の一部が除去された部分が基板凹部２４ｂとなり、被加工膜２８が残った部分（基板凹部２４ｂよりも被加工膜２８の厚さが厚い部分）が、基板凸部２４ａとなる。すなわち、基板凸部２４ａどうしの間に、基板凹部２４ｂが配置される。基板凸部２４ａの高さ（Ｚ軸方向に沿った長さ）を基板凸部高さｔａ４とする。なお、本具体例では、被加工膜２８の厚さの全域に渡って、インプリント材３０に覆われていない部分の被加工膜２８が除去されているが、インプリント材３０に覆われていない部分の被加工膜２８の厚さの途中までが除去されても良い。
【００５８】
なお、被加工膜２８のエッチングの量は、基板２０に形成されるべき基板凸部２４ａと基板凹部２４ｂとの高さの差に関する所望の値によって、適切に定められる。
【００５９】
また、基板凸部２４ａのＸ軸方向に沿った幅を基板凸部幅ｄａ４とし、基板凹部２４ｂのＸ軸方向に沿った幅を基板凹部幅ｄｂ４とする。この場合も、基板凸部幅ｄａ４及び基板凹部幅ｄｂ４は、例えば、Ｚ軸方向において、基板凸部高さｔａ４の中間の位置における基板凸部２４ａ及び基板凹部２４ｂの幅とすることができる。  
また、基板凸部２４ａの頂部と、基板凸部２４ａの側壁と、のなす角を基板頂部角θｔ４とし、基板凸部２４ａの底部と、基板凸部２４ａの側壁と、のなす角を基板底部角θｂ４とする。
【００６０】
加工後の基板２０において、基板凸部高さｔａ４、基板凸部幅ｄａ４、基板凸部幅ｄａ４、基板頂部角θｔ４、及び、基板底部角θｂ４の少なくともいずれかは、所望の値にならない場合がある。例えば、これらの値が、Ｘ−Ｙ平面内で変動することがある。
【００６１】
例えば、後処理後のインプリント材３０のパターン形状がＸ−Ｙ平面内で均一であった場合においても、加工工程におけるＸ−Ｙ平面内の特性の変動により、基板２０の面内（Ｘ−Ｙ平面内）で、基板凸部高さｔａ４、基板凸部幅ｄａ４、基板凸部幅ｄａ４、基板頂部角θｔ４、及び、基板底部角θｂ４の少なくともいずれかが、Ｘ−Ｙ平面内で変動することがある。
【００６２】
本実施形態に係るパターン形成方法及びパターン形成システムにおいては、加工工程における特性も考慮し、加工工程後のパターンの寸法及び形状が所望の値となるように、転写工程の条件が設定される。
【００６３】
すなわち、図１に表したように、本実施形態に係るパターン形成方法は、基板２０上に被加工膜２８を形成する被加工膜形成工程（ステップＳ１０）と、テンプレート１０を被加工膜２８上に塗布されたインプリント材３０に接触させて、テンプレート１０に設けられた型パターン１１をインプリント材３０に転写する転写工程（ステップＳ１１０）と、型パターンが転写されたインプリント材３０をマスクにした被加工膜２８のエッチングを含む加工を行う加工工程（Ｓ１３０）と、を備える。
【００６４】
そして、転写工程は、加工後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータに基づいて定められた条件を用いて実施される。
【００６５】
すなわち、パターン形成システム１１０においては、転写部５０における処理の条件の少なくとも一部は、データ格納部７０に格納されたデータ（加工後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータ）に基づいて定められる。
【００６６】
ここで、加工後の被加工膜２８のパターンの寸法は、基板凸部高さｔａ４、基板凸部幅ｄａ４及び基板凹部幅ｄｂ４の少なくともいずれかを含む。加工後の被加工膜２８のパターンの形状は、基板頂部角θｔ４及び基板底部角θｂ４の少なくともいずれかを含む。
【００６７】
これにより、転写工程に続く加工工程も考慮することで、加工後のパターン寸法及びパターン形状を所望の値にすることができる。これにより、パターン形成方法及びパターン形成システム１１０を用いて製造される電子デバイス（半導体装置を含む）の性能向上や微細化を容易にし、歩留まりを向上し、生産性を向上させることができる。
【００６８】
以下、本実施形態に係るパターン形成方法及びパターン形成方法の動作の具体例について説明する。  
図５は、第１の実施形態に係るパターン形成方法を例示するグラフ図である。  
すなわち、同図（ａ）は、加工後の被加工膜２８のパターンの寸法のうちの基板凸部幅ｄａ４に関するデータ（基板凸部幅データＤｄａ４）を例示し、同図（ｂ）は、加工工程の特性を例示し、同図（ｃ）は、本実施形態に係るパターン形成方法で採用されるテンプレート１０の型パターン１１の型凹部幅ｄａ１の特性を例示し、同図（ｄ）は、後処理後凸部幅ｄａ２の特性を例示し、同図（ｅ）は、基板凸部幅ｄａ４の特性を例示している。
同図（ａ）〜（ｅ）の縦軸は、それぞれ、基板凸部幅データＤｄａ４、加工工程におけるエッチングレートＥＲ（基板のエッチングの量に相当する）、型凹部幅ｄａ１、後処理後凸部幅ｄａ２及び基板凸部幅ｄａ４であり、横軸は、Ｘ軸方向に沿った位置ｘである。位置ｘが０である位置は、基板２０の一方の端の位置であり、位置ｘがｘｄである位置は、基板２０の他方の端の位置である。すなわち、これらの図は、基板２０の面内における上記の特性の分布を例示している。ここで、基板凸部幅データＤｄａ４は、例えば（基板凸部幅ｄａ４−後処理後凸部幅ｄａ２）である。すなわち、加工後の被加工膜２８のパターン形状の特性に関するデータの一例として、後処理後のインプリント材３０に関するパターン形状と、インプリント材３０をマスクにして被加工膜２８をエッチング加工した後の被加工膜２８のパターン形状と、の差異を用いる場合として説明する。
【００６９】
図５（ａ）に表したように、本具体例では、基板凸部幅データＤｄａ４は、Ｘ軸方向に沿って一定ではない。例えば、基板２０の周辺部（位置ｘが０に近い部分と、位置ｘが位置ｘｄに近い部分）においては、基板凸部幅データＤｄａ４の絶対値は小さく、基板２０の基板凸部幅ｄａ４は、後処理後のインプリント材３０の後処理後凸部幅ｄａ２に比較的良く一致している、しかし、基板２０の中央部においては、基板凸部幅データＤｄａ４の絶対値は大きく、基板２０の基板凸部幅ｄａ４は、後処理後のインプリント材３０の後処理後凸部幅ｄａ２よりもかなり小さくなっている。周辺部における基板凸部幅ｄａ４と後処理後凸部幅ｄａ２との差は小さく、中央部における基板凸部幅ｄａ４と後処理後凸部幅ｄａ２との差は大きい。
【００７０】
このような基板凸部幅データＤｄａ４は、例えば過去に実施された加工工程に関してのデータに基づいている。すなわち、基板凸部幅データＤｄａ４は、本実施形態に係るパターン形成方法が実施される時よりも前に実施された実験データや、理論に基づいて導出された種々のデータに基づいている。この時、このパターン形成方法において使用される転写部５０（後処理部６０を含んでも良い）及び加工部９０と同様の仕様を有する装置に関してのデータを用いても良く、また、このパターン形成方法において使用される転写部５０（後処理部６０を含んでも良い）及び加工部９０とは異なる仕様の装置に関するデータであって、このパターン形成方法に適用可能なデータを用いても良い。
【００７１】
このように、基板凸部幅データＤｄａ４は、Ｘ−Ｙ平面（この例ではＸ軸方向に沿った方向）において一定ではない。
【００７２】
図５（ｂ）に表したように、例えば、加工工程におけるエッチングレートＥＲは、基板２０の周辺部において小さく、基板２０の中央部において大きい。このように、エッチングレートＥＲがＸ−Ｙ平面（この例では、Ｘ軸方向に沿った方向）において変動するのは、加工部９０の装置としての特性の他、インプリント材３０のエッチング耐性が面内で異なることなど、種々の特性が影響している。
【００７３】
このように、エッチングレートＥＲが面内で変動し、この結果、基板凸部幅データＤｄａ４が面内で変動する。このエッチングレートＥＲ及び基板凸部幅データＤｄａ４を面内で一定にすることは、容易ではないことがある。
【００７４】
このとき、本実施形態に係るパターン形成方法においては、この変動を補正するように、転写工程条件が設定される。
【００７５】
例えば、図５（ｃ）に表したように、Ｘ軸方向に沿った異なる領域で、型パターン１１の型凹部幅ｄａ１が変更される。例えば、基板２０の周辺部においては、型凹部幅ｄａ１は一番小さい幅ｗ４であり、その内側では型凹部幅ｄａ１は、幅ｗ４よりも大きい幅ｗ３であり、その内側では型凹部幅ｄａ１は、幅ｗ３よりも大きい幅ｗ２であり、中央部では、型凹部幅ｄａ１は、一番大きい幅ｗ１とされる。
【００７６】
すなわち、異なる型凹部幅ｄａ１を有する異なる型パターン１１が設けられた複数のテンプレート１０を用いて、基板２０の面内において、インプリント材３０に異なる型パターン１１を転写する。すなわち、転写工程（ステップＳ１１０）を実施する。  
これにより、転写後凸部幅ｄａ３は、基板２０の面内（例えばＸ軸方向）において一定ではなく、周辺部で小さく、中央部で大きくなる。
【００７７】
そして、例えば、後処理（ステップＳ１２０）の特性が、基板２０の面内（例えばＸ軸方向）において一定であるとした場合には、図５（ｄ）に表したように、転写後凸部幅ｄａ３の変化に連動して、後処理後凸部幅ｄａ２は、基板２０の面内（例えばＸ軸方向）において一定ではなく、周辺部で小さく、中央部で大きくなる。
【００７８】
そして、その後の加工工程（ステップＳ１３０）を経ることにより、図５（ｅ）に表したように、例えばエッチングレートＥＲの面内分布と、後処理後凸部幅ｄａ２の面内分布と、が相殺されて、基板凸部幅ｄａ４はほぼ一定になる。
【００７９】
このように、本実施形態に係るパターン形成方法により、加工工程における変動も考慮され、加工後のパターン寸法を面内で均一にできる。
【００８０】
図６は、比較例のパターン形成方法を例示するグラフ図である。  
すなわち、同図（ａ）は、比較例のパターン形成方法で採用されるテンプレート１０の型パターン１１の型凹部幅ｄａ１の特性を例示し、同図（ｂ）は、後処理後凸部幅ｄａ２の特性を例示し、同図（ｃ）は、基板凸部幅ｄａ４の特性を例示している。同図（ａ）〜（ｃ）の縦軸は、それぞれ、型凹部幅ｄａ１、後処理後凸部幅ｄａ２及び基板凸部幅ｄａ４であり、横軸は、Ｘ軸方向に沿った位置ｘである。
【００８１】
図６（ａ）に表したように、比較例のパターン形成方法においては、基板２０の面内において、型凹部幅ｄａ１は一定である。すなわち、比較例においては、型凹部幅ｄａ１が同一のテンプレート１０を用いて、インプリント材３０への転写が行われる。
【００８２】
これにより、転写後凸部幅ｄａ３は面内で均一になる。例えば、特許文献１に記載されている方法などを採用し、転写工程における光照射によって生じるインプリント材３０の状態の物理量を計測し、その計測情報に基づいて、テンプレート１０と基板２０との位置関係（配置）や光５５Ｌの照射量を制御することで、転写後凸部幅ｄａ３を面内で均一にできる。
【００８３】
そして、この後、例えば後処理を行う。そして、例えば、後処理の特性が、基板２０の面内（例えばＸ軸方向）において一定であるとした場合には、図６（ｃ）に表したように、後処理後凸部幅ｄａ２は面内で均一になる。
【００８４】
しかし、図５（ａ）及び（ｂ）に関して説明したように、例えば、加工工程におけるエッチングレートＥＲが面内で均一でなく、基板凸部幅データＤｄａ４が面内で変動する場合には、後処理後凸部幅ｄａ２が一定である場合には、基板凸部２４ａの寸法及び形状の少なくともいずれかが、面内で不均一になってしまう。
【００８５】
すなわち、図６（ｃ）に表したように、基板凸部幅ｄａ４は、周辺部で大きく、中心部で小さくなってしまう。
【００８６】
このように、比較例のパターン形成方法においては、転写後凸部２３ａの寸法や形状を所望の仕様に合わせるために、例えば、転写工程における光照射条件が制御され、また、後処理後凸部２２ａの寸法や形状を所望の仕様に合わせるために、例えば、後処理における光照射条件が制御され、これにより、後処理後凸部幅ｄａ２が面内で均一にできたとしても、加工工程の特性が考慮されていないため、結果として、基板凸部幅ｄａ４を面内で均一にできない。すなわち、基板凸部２４ａの寸法や形状を所望の値に制御することが困難である。
【００８７】
これに対し、本実施形態に係るパターン形成方法によれば、加工後の被加工膜２８のパターン形状の寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータ（例えば基板凸部幅データＤｄａ４）に基づいて、転写工程の条件（この例では、用いるテンプレート１０の型パターン１１の型凹部幅ｄａ１）が制御されることで、基板凸部２４ａの寸法や形状を所望の仕様にすることができる。すなわち、この例では、基板凸部幅ｄａ４を面内で均一にできる。
【００８８】
なお、ナノインプリント法ではなく、フォトリソグラフィを用いるパターン形成方法においては、例えば感光性のレジストに露光マスクを介して光を照射し、現像することにより、露光マスクの開口部の形状をレジストに転写する。この場合には、露光マスクの開口部の仕様は一定であり、すなわち、同じ形状のレジストを形成する際には、１種類の露光マスクが使用される。
【００８９】
これに対し、本実施形態に係るナノインプリント法のパターン形成方法においては、同じ形状のパターン（インプリント材３０のパターン）を形成する際に、基板２０の面内で異なる仕様（例えば上記の型凹部幅ｄａ１）を有する複数のテンプレート１０が用いられる。このように、基板２０の面内で、テンプレート１０を変えて、また、後述するインプリント材３０の材料ｐｍ０、インプリント材３０の塗布量、並びに、照射光量ｌｉ０及び熱量などを変えて、転写工程が実施され、加工が行われる。
【００９０】
上記においては、説明を簡単にするために、Ｘ軸方向に沿った特性に関して説明したが、Ｙ軸方向に関しても同様の制御を行うことで、同様の効果が得られる。
【００９１】
図７は、第１の実施形態に係るパターン形成方法を例示する模式的平面図である。  
すなわち、同図は、基板２０をＺ軸方向から見たときの平面図である。  
図７に表したように、基板２０（被加工膜２８）は、Ｘ−Ｙ平面において、複数の領域２５を有する。
【００９２】
例えば、複数の領域２５のうちの中央部においては、第１テンプレート１５ａを用いて転写が行われる。第１テンプレート１５ａにおける型パターン１１の型凹部幅ｄａ１は幅ｗ１である。そして、中央部の外側の領域においては、第２テンプレート１５ｂを用いて転写が行われる。第２テンプレート１５ｂにおける型パターン１１の型凹部幅ｄａ１は幅ｗ２である。そして、その外側の領域においては、第３テンプレート１５ｃを用いて転写が行われる。第３テンプレート１５ｃにおける型パターン１１の型凹部幅ｄａ１は幅ｗ３である。さらに、その外側の領域においては、第４テンプレート１５ｄを用いて転写が行われる。第４テンプレート１５ｄにおける型パターン１１の型凹部幅ｄａ１は幅ｗ４である。ここで、例えば、幅ｗ３は幅ｗ４よりも大きく、幅ｗ２は幅ｗ３よりも大きく、幅ｗ１は幅ｗ２よりも大きい。
【００９３】
このように、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方において、型凹部幅ｄａ１を変えることができる。
【００９４】
また、上記においては、加工工程後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータに基づいて型凹部幅ｄａ１が定められる場合について説明したが、このデータに基づいて、型パターン１１の寸法（例えば、型深さｔａ１、型凹部幅ｄａ１、型凸部幅ｄｂ１）、型パターン１１の形状（型底部角θｔ１及び型頂部角θｂ１）、インプリント材３０の材料ｐｍ０、インプリント材３０の塗布量、テンプレート１０をインプリント材３０に接触させた状態でインプリント材３０に与えられる照射光量ｌｉ０、及び、テンプレート１０をインプリント材３０に接触させた状態でインプリント材３０に与えられる熱量の少なくともいずれかが定められれば良い。
【００９５】
なお、インプリント材３０の塗布量としては、例えば単位面積当たりの塗布量を用いても良く、この場合には、インプリント材３０の塗布量は、塗布後のインプリント材３０の厚さ（インプリント材厚ｍｔ０であり、例えば平均の厚さ）とすることができる。以下では、インプリント材３０の塗布量として、インプリント材厚ｍｔ０（平均の厚さ）を用いる場合として説明する。
【００９６】
型パターン１１の寸法及び形状（例えば、型深さｔａ１、型凹部幅ｄａ１、型凸部幅ｄｂ１、型底部角θｔ１及び型頂部角θｂ１）の少なくともいずれかを変えることにより、転写後のインプリント材３０のパターン形状の寸法及び形状を制御することができ、結果として、加工後の被加工膜２８のパターン形状の寸法及び形状を制御することができる。
【００９７】
また、インプリント材３０の材料ｐｍ０を変えることにより、例えば、転写後のインプリント材３０のパターン寸法及び形状を制御できるだけでなく、後処理工程及び加工工程におけるインプリント材３０のエッチングレートＥＲを制御することができる。例えば、基板２０の面内において、エッチング耐性が強い材料のインプリント材３０と、エッチング耐性が弱い材料のインプリント材３０と、を変えて、転写を行うことにより、転写後及び後処理後のインプリント材３０の寸法及び形状を所望の値にすることができる。例えばインプリント材３０の材料ｐｍ０として、異なる材料系の材料や、異なる分子量の材料や、光反応性などが異なる材料を用いることができる。なお、例えばインクジェット法などを用いることにより、基板２０の被加工膜２８の面内において、異なる材料のインプリント材３０を設けることができる。
【００９８】
また、インプリント材３０の塗布量（例えばインプリント材厚ｍｔ０）を例えば面内で変えることで、インプリント材３０の転写後のパターン寸法及び形状が制御でき、また、インプリント材３０の後処理後のパターン寸法や形状を制御でき、加工後の被加工膜２８のパターン形状の寸法及び形状を制御することができる。
【００９９】
テンプレート１０をインプリント材３０に接触させた状態でインプリント材３０に与えられ照射光量ｌｉ０及び熱量の少なくともいずれかを、例えば面内で変えることで、インプリント材３０の性質を変化させることができ、インプリント材３０のエッチングレートＥＲを面内で変えることができる。これにより、例えば、後処理後のインプリント材３０のパターン寸法や形状を制御でき、結果として、加工後の被加工膜２８のパターン形状の寸法及び形状を制御することができる。
【０１００】
なお、場合によっては、転写工程（ステップＳ１１０）において、加工後の被加工膜２８の寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータに基づいて定められる条件としては、上記の残膜の厚さ（すなわち、転写後凹部厚ｔｂ３）をさらに含むことができる。例えば、残膜の厚さを変えることで、例えば後処理工程における膜厚の減少量（すなわち、エッチング量ｅａ０）が変わり、これにより、後処理後のインプリント材３０のパターン寸法や形状を制御でき、加工後の被加工膜２８のパターン形状の寸法及び形状を制御することができる。また、後処理を行わない場合においても、残膜の厚さを変えることで、加工後の被加工膜２８のパターン形状の寸法及び形状を制御することができる。
【０１０１】
また、上記の、型パターン１１の寸法、型パターン１１の形状、インプリント材３０の材料ｐｍ０、インプリント材３０の塗布量（例えばインプリント材厚ｍｔ０）、照射光量ｌｉ０、熱量、及び、残膜の厚さのいずれか２つ以上を同時に変化させても良い。
【０１０２】
図８は、第１の実施形態に係るパターン形成方法を例示する模式的平面図である。  
すなわち、同図は、基板２０をＺ軸方向から見たときの平面図である。  
図８に表したように、基板２０（被加工膜２８）は、Ｘ−Ｙ平面において、複数の領域２５を有する。複数の領域２５の位置は、位置ｐｉｊで表される。ここで、本具体例では、整数ｉは１〜８であり、整数ｊは１〜１５である。ここで、「位置ｐ４１４」は、ｉが４番目で、ｊが１４番目の位置であることを示す。
【０１０３】
このような複数の領域２５（位置ｐｉｊ）において、型パターン１１の寸法、型パターン１１の形状、インプリント材３０の材料ｐｍ０、インプリント材３０の塗布量（例えばインプリント材厚ｍｔ０）、照射光量ｌｉ０、及び、熱量のそれぞれを独立して定めることができる。なお、本具体例では、残膜の厚さも定められる。
【０１０４】
型パターン１１の寸法、型パターン１１の形状、インプリント材３０の材料、インプリント材３０の塗布量（例えばインプリント材厚ｍｔ０）、照射光量ｌｉ０、熱量、及び、残膜の厚さのそれぞれに関するデータは、例えば、図２に例示したデータ格納部７０に格納される。
【０１０５】
図２に表したように、データ格納部７０は、型パターン１１の寸法及び形状に関するデータを格納する第１データ格納部７１、インプリント材３０の材料ｐｍ０の特性に関するデータを格納する第２データ格納部７２、インプリント材３０の塗布量（例えばインプリント材厚ｍｔ０）に関連した特性に関するデータを格納する第３データ格納部７３、照射光量ｌｉ０及び熱量の少なくともいずれかに関連したデータを格納する第４データ格納部７４、残膜の厚さに関連したデータを格納する第５データ格納部７５、並びに、加工工程における被加工膜２８のエッチングの量（例えばエッチングレートＥＲ）に関するデータを格納する第６データ格納部７６を有する。
【０１０６】
第１データ格納部７１には、型パターン１１の寸法及び形状の少なくともいずれかと、転写と離型後、後処理後及び加工後の少なくともいずれかにおけるインプリント材３０のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかと、の関係に関するデータが格納される。
【０１０７】
第２データ格納部７２には、インプリント材３０の材料ｐｍ０の特性（材料の種類、組成、分子量などの特性、品名、ロットなどの少なくともいずれかを含む）と、転写と離型後、後処理後及び加工後の少なくともいずれかにおけるインプリント材３０のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかと、の関係に関するデータが格納される。
【０１０８】
第３データ格納部７３には、インプリント材３０の塗布量（例えばインプリント材厚ｍｔ０）と、転写と離型後、後処理後及び加工後の少なくともいずれかにおけるインプリント材３０のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかと、の関係に関するデータが格納される。
【０１０９】
第４データ格納部７４には、インプリント材３０に与えられる照射光量ｌｉ０及び熱量の少なくともいずれかと、転写と離型後、後処理後及び加工後の少なくともいずれかにおけるインプリント材３０のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかと、の関係に関するデータが格納される。
【０１１０】
第５データ格納部７５には、残膜の厚さと、後処理後及び加工後の少なくともいずれかにおけるインプリント材３０のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかと、の関係に関するデータが格納される。また、第５データ格納部７５には、後処理に関連したデータがさらに格納されても良く、例えば、後処理部６０の処理特性（例えばエッチング量ｅａ０の面内ばらつきなど）に関するデータがさらに格納されても良い。
【０１１１】
第６データ格納部７６には、例えば、加工工程における被加工膜２８のエッチングの量（例えば面内分布を含む）と、転写と離型後及び後処理後の少なくともいずれかにおけるインプリント材３０のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかと、の関係に関するデータが格納される。
【０１１２】
さらに、データ格納部７０は、転写部５０の特性（例えば転写部５０が複数ある場合における複数の転写部のそれぞれの特性や、用いる付属部品などの特性を含む）、並びに、後処理部６０の特性（例えば後処理部６０が複数ある場合における複数の後処理部のそれぞれの特性や、用いる付属部品などの特性を含む）を格納する第７データ格納部７７を有することができる。
【０１１３】
また、データ格納部７０は、複数の基板２０どうしの間における各種の特性に関するデータや、基板２０が属するロットどうしの間における各種の特性に関するデータなどを格納する第８データ格納部７８を有することができる。  
第８データ格納部７８は、例えば、転写と離型工程及び後処理工程に関する時間に着目した特性変動（例えば日、週、月などの時間幅における種々の特性変動の周期性など）に関するデータを格納することもできる。
【０１１４】
また、データ格納部７０は、基板２０及び被加工膜２８の材質や、特に被加工膜２８の表面の特性などを含む被加工膜２８に関連した、転写と離型後及び後処理後のパターンの寸法及び形状に関する特性を格納する格納部や、用いる直接材料や間接材料や搬送部材や部材の保管条件などの周辺条件に関するデータを格納する格納部をさらに設けることができる。
【０１１５】
このような、転写部５０の特性、後処理部６０の特性、基板２０どうしの間及びロットどうしの間における各種の特性、基板２０及び被加工膜２８の種類による特性、周辺条件に関する特性は、型パターン１１の寸法及び形状、インプリント材３０の材料、インプリント材３０の塗布量、照射光量及び熱量、残膜の厚さ、並びに、加工工程におけるエッチングの量に関する特性の一部と見なすことができ、第１〜第６データ格納部７１〜７６にそのデータを格納することもできる。
【０１１６】
このように、上記の複数の領域２５（位置ｐｉｊ）において、転写工程に関する条件として、例えば、型パターン１１の寸法、型パターン１１の形状、インプリント材３０の材料ｐｍ０、インプリント材３０の塗布量（例えばインプリント材厚ｍｔ０）、照射光量ｌｉ０、熱量、及び、残膜の厚さなどが、それぞれ定められる。そして、データ格納部７０は、複数の領域２５（位置ｐｉｊ）のそれぞれにおける各条件に関する条件マップｄ７９を格納する第９データ格納部７９をさらに有することができる。
【０１１７】
本具体例のデータ格納部７０は、定められた種々の条件に基づいて、型パターン１１の寸法、型パターン１１の形状、インプリント材３０の材料ｐｍ０、インプリント材３０の塗布量（例えばインプリント材厚ｍｔ０）、照射光量ｌｉ０、熱量、及び、残膜の厚さなどの条件を抽出し、または、計算する、演算部７０ｃを、さらに有する。なお、この演算部は、データ格納部７０とは別に設けても良く、また、転写部５０の内部、後処理部６０の内部、または、加工部９０の内部に設けても良い。
【０１１８】
図９は、第１の実施形態に係るパターン形成方法を例示する模式図である。  
すなわち、同図（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ複数の領域２５のうちの位置ｐ１０１〜位置ｐ１１５、及び、位置ｐ４０１〜位置ｐ４１５における、型パターン１１の寸法、インプリント材３０の材料ｐｍ０、インプリント材３０の塗布量（例えばインプリント材厚ｍｔ０）、照射光量ｌｉ０、及び、転写後凹部厚ｔｂ３（すなわち残膜の厚さ）を例示している。なお、ここでは、説明を簡単にするために、型パターン１１の寸法として、型凹部幅ｄａ１が用いられる場合が例示されている。
【０１１９】
すなわち、図９（ａ）に表したように、位置ｐ１０６〜位置ｐ１１０においては、型凹部幅ｄａ１は、幅ｗ４とされる。なお、位置ｐ１０１〜位置ｐ１０５、及び、位置ｐ１１１〜位置ｐ１１５に該当する領域は、基板２０には設けられていない。
【０１２０】
また、位置ｐ１０６〜位置ｐ１１０においては、インプリント材３０の材料ｐｍ０には、材料ｍ３が用いられる。
【０１２１】
また、位置ｐ１０６、ｐ１０７、ｐ１０９、及びｐ１１０においては、インプリント材３０の塗布量（この例ではインプリント材厚ｍｔ０）は、厚さｔ２とされ、位置ｐ１０８においては、インプリント材厚ｍｔ０は、厚さｔ１とされる。
【０１２２】
また、位置ｐ１０６〜位置ｐ１１０において、転写時の光５５Ｌの照射光量ｌｉ０は、光量ｌ２とされる。
【０１２３】
また、位置ｐ１０６、ｐ１０７、ｐ１０９、及びｐ１１０においては、残膜の厚さである転写後凹部厚ｔｂ３は、厚さｄ３とされ、位置ｐ１０８においては、転写後凹部厚ｔｂ３は、厚さｄ２とされる。
【０１２４】
また、図９（ｂ）に表したように、位置ｐ４０１、ｐ４０２、ｐ４１４及びｐ４１５においては、型凹部幅ｄａ１は幅ｗ４とされ、位置ｐ４０３及びｐ４１３においては、型凹部幅ｄａ１は幅ｗ３とされ、位置ｐ４０４、ｐ４０５、ｐ４１１及びｐ４１２においては、型凹部幅ｄａ１は幅ｗ２とされ、位置ｐ４０６〜位置ｐ４１０においては、型凹部幅ｄａ１は幅ｗ１とされる。
【０１２５】
また、位置ｐ４０１、ｐ４０２、ｐ４１４及びｐ４１５おいては、インプリント材３０の材料ｐｍ０には、材料ｍ３が用いられ、位置ｐ４０３〜位置ｐ４０６及び位置ｐ４１０〜位置ｐ４１３においては、インプリント材３０の材料ｐｍ０には、材料ｍ２が用いられ、位置ｐ４０７〜位置ｐ４０９においては、インプリント材３０の材料ｐｍ０には、材料ｍ１が用いられる。
【０１２６】
また、位置ｐ４０１〜位置ｐ４０３及び位置ｐ４１３〜位置ｐ４１５においては、インプリント材３０の塗布量であるインプリント材厚ｍｔ０は、厚さｔ２とされ、位置ｐ４０４〜位置ｐ４１２においては、インプリント材厚ｍｔ０は、厚さｔ１とされる。
【０１２７】
また、位置ｐ４０１〜位置ｐ４０５及び位置ｐ４１１〜位置ｐ４１５においては、照射光量ｌｉ０は、光量ｌ２とされ、位置ｐ４０６〜位置ｐ４１０においては、照射光量ｌｉ０は、光量ｌ１とされる。
【０１２８】
また、位置ｐ４０１、ｐ４０２、ｐ４１４及びｐ４１５においては、残膜の厚さである転写後凹部厚ｔｂ３は、厚さｄ３とされ、位置ｐ４０３〜位置ｐ４０６及び位置ｐ４１０〜位置ｐ４１３においては、転写後凹部厚ｔｂ３は、厚さｄ２とされ、位置ｐ４０７〜位置ｐ４０９においては、転写後凹部厚ｔｂ３は、厚さｄ１とされる。
【０１２９】
このように、基板２０の面内の複数の領域２５（位置ｐｉｊ）において、各条件が格納される条件マップｄ７９が作成される。
【０１３０】
このように、基板２０の面内の複数の領域２５（位置ｐｉｊ）において、型パターン１１の寸法、型パターン１１の形状、インプリント材３０の材料ｐｍ０、インプリント材３０の塗布量（例えばインプリント材厚ｍｔ０）、照射光量ｌｉ０、熱量、及び、残膜の厚さ（転写後凹部厚ｔｂ３）などが、それぞれ変えられて、定められることができる。これにより、加工後の被加工膜２８におけるパターン寸法及びパターン形状をさらに精度良く制御でき、加工後のパターン寸法及びパターン形状をさらに精度良く所望の値にすることができる。
【０１３１】
図１０は、第１の実施形態に係る別のパターン形成方法を例示するフローチャート図である。  
図１０に表したように、本実施形態に係る別のパターン形成方法においては、型パターン１１の寸法及び形状の少なくともいずれかを設定する（ステップＳ１０１）。例えば、型パターン１１に関する、後処理後凸部高さｔａ２、後処理後凸部幅ｄａ２、後処理後凸部幅ｄａ２、後処理後頂部角θｔ２及び後処理後底部角θｂ２の少なくともいずれかを設定する。例えば、基板２０の面内の異なる位置において、これらの値が変えられて設定される。そして、これらの値を有するテンプレート１０が選定される。  
例えば、第１データ格納部７１と第５データ格納部７５とに格納されているデータに基づいて、加工後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状が所望の値となるような型パターン１１を有するテンプレート１０が選定される。
【０１３２】
そして、インプリント材３０の材料ｐｍ０が設定される（ステップＳ１０２）。  
例えば、第２データ格納部７２と第５データ格納部７５とに格納されているデータに基づいて、加工後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状が所望の値となるように、材料ｐｍ０が選定される。
【０１３３】
そして、インプリント材３０の塗布量（例えばインプリント材厚ｍｔ０）が設定される（ステップＳ１０３）。  
例えば、第３データ格納部７３と第５データ格納部７５とに格納されているデータに基づいて、加工後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状が所望の値となるように、インプリント材厚ｍｔ０が設定される。
【０１３４】
そして、インプリント材３０に与えられる照射光量ｌｉ０及び熱量の少なくともいずれかが設定される（ステップＳ１０４）。  
例えば、第４データ格納部７４と第５データ格納部７５とに格納されているデータに基づいて、加工後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状が所望の値となるように、照射光量ｌｉ０が設定される。
【０１３５】
そして、残膜の厚さ（転写後凹部厚ｔｂ３）が設定される（ステップＳ１０５）。例えば、テンプレート１０と基板２０とを押し付け合うときの強度や、テンプレート１０と被加工膜２８との間の距離が設定される。  
例えば、第５データ格納部７５に格納されているデータに基づいて、加工後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状が所望の値となるように、残膜の厚さが設定される。
【０１３６】
なお、上記のステップＳ１０１〜Ｓ１０５の順番は任意であり、また、技術的に可能な限り同時に実施しても良い。また、上記のステップＳ１０１〜ステップＳ１０４の少なくともいずれかを実施すれば良い。
【０１３７】
すなわち、型パターン１１の寸法、型パターン１１の形状、インプリント材３０の材料ｐｍ０、インプリント材３０の塗布量（例えばインプリント材厚ｍｔ０）、インプリント材３０に与えられる照射光量ｌｉ０、及び、インプリント材３０に与えられる熱量の少なくともいずれか、を含む条件を定める（ステップＳ１００）。
【０１３８】
このステップＳ１００は、例えば、データ格納部７０の演算部７０ｃにより実施される。すなわち、演算部７０ｃは、加工後の被加工膜２８におけるパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかを所望の値にする、テンプレート１０、インプリント材３０の材料ｐｍ０、インプリント材３０の塗布量（例えばインプリント材厚ｍｔ０）、照射光量ｌｉ０、及び、熱量の少なくともいずれかを、抽出し、または、計算して、定める。
【０１３９】
さらに、条件マップｄ７９を作成する（ステップＳ１００ａ）。  
すなわち、図９（ａ）及び（ｂ）に例示したような、基板２０の面内における複数の領域２５の各位置ｐｉｊに対応した各条件（例えば、型パターン１１の寸法、型パターン１１の形状、インプリント材３０の材料ｐｍ０、インプリント材３０の塗布量である例えばインプリント材厚ｍｔ０、照射光量ｌｉ０、及び、熱量など）の条件マップｄ７９の作成が行われる。そして、ステップＳ１００ａで作成された条件マップｄ７９は、第９データ格納部７９に格納される。条件マップｄ７９の作成、及び、条件マップｄ７９の第９データ格納部７９への格納は、演算部７０ｃにより行うことができる。
【０１４０】
なお、上記の演算部７０ｃの動作は、データ格納部７０とは別に設けられた演算部で実施しても良く、また、例えば転写制御部５０ｃ、後処理制御部６０ｃ、加工制御部９０ｃで実施しても良い。
【０１４１】
なお、本具体例では、上記のステップＳ１００は、被加工膜形成工程（ステップＳ１０）の後に実施されているが、ステップＳ１００の少なくとも一部（ステップＳ１０１〜ステップＳ１０５及びステップＳ１０１ａの少なくとも一部）は、ステップＳ１０と同時に、または、ステップＳ１０よりも前に実施されても良い。
【０１４２】
そして、定められた条件を用いて、転写（ステップＳ１１０）を行い、加工（ステップＳ１３０）を行う。この転写（ステップＳ１１０）は、図４（ａ）〜（ｃ）に例示した転写と離型工程（ステップＳ１１１）と、図４（ｄ）に例示した後処理工程（ステップＳ１２０）と、を含むことができる。  
例えば、転写部５０（後処理部６０も含む）における動作が、第９データ格納部７９に格納された条件マップｄ７９の条件に基づいて実施される。これにより、加工後の被加工膜２８におけるパターン寸法及びパターン形状を精度良く所望の値にすることができる。
【０１４３】
なお、図１０に例示したように、後処理後のインプリント材３０の寸法及び形状を計測し、その結果に基づいて、加工工程における加工条件（例えばエッチング条件）の設定（ステップＳ１２５）を実施することができる。
【０１４４】
図１１は、第１の実施形態に係る別のパターン形成方法を例示するフローチャート図である。  
図１１に表したように、本実施形態に係る別のパターン形成方法においては図１０に例示したパターン形成方法に対して、さらに、加工工程（ステップＳ１３０）の後に、被加工膜２８のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかを計測する（ステップＳ１４０）。
【０１４５】
そして、その計測の結果に基づいて、加工後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかに関する上記のデータを修正する（ステップＳ１５０）。例えば、データ格納部７０に格納されている種々のデータが更新される。
【０１４６】
なお、このデータには、転写工程に関する型パターン１１の寸法、型パターン１１の形状、インプリント材３０の材料ｐｍ０、インプリント材３０の塗布量（例えばインプリント材厚ｍｔ０）、照射光量ｌｉ０、及び、熱量の少なくともいずれかと、加工後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状と、の間の関係を表す数式などが含まれても良い。
【０１４７】
すなわち、パターン形成システム１１０は、加工工程の後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかを計測する計測部８０をさらに備えることができ、計測部８０による計測結果に基づいてデータ格納部７０のデータが修正されることができる。
【０１４８】
そして、その修正され更新されたデータを用いて、ステップＳ１００、ステップＳ１１０、ステップＳ１２０及びステップＳ１３０が行われる。
【０１４９】
これにより、その都度計測されたデータを用いて、加工後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータの精度が高まり、加工後の被加工膜２８のパターン寸法及びパターン形状をより精度良く所望の値にすることができる。
【０１５０】
以上、本実施形態に係るパターン形成方法は、例えば、型パターン１１の寸法、型パターン１１の形状、インプリント材３０の材料ｐｍ０、インプリント材３０の塗布量（例えばインプリント材厚ｍｔ０）、インプリント材３０に与えられる照射光量ｌｉ０、及、インプリント材３０に与えられる熱量の少なくともいずれかを含む条件が、加工工程後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータに基づいて定められ、この条件の少なくとも一部が、基板２０の面内において変更される。すなわち、上記の条件が、基板２０の主面内の異なる領域間において変更される。
【０１５１】
ただし、本発明はこれに限らない。すなわち、上記の条件が、基板間や、基板が属するロット間において変えられても良い。
【０１５２】
（第２の実施形態）
本実施形態においては、転写工程に関する条件が、基板間や、基板が属するロット間において変更される。
【０１５３】
図１２は、第２の実施形態に係るパターン形成方法を例示するフローチャート図である。
図１２に表したように、基板２０におけるステップＳ１０１〜ステップＳ１０５の実施の後に、実施の回数ＮＬＳが所定数ＮＡと比較される（ステップＳ１０８）。そして、実施の回数ＮＬＳが所定数ＮＡよりも小さい場合は、ステップＳ１０１に戻り、実施の回数ＮＬＳが所定数ＮＡに達するまで、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０５が繰り返して実施される。
【０１５４】
例えば、所定数ＮＡは、１つのカセットに含まれる基板２０の数や、１ロットに含まれる基板２０の数とされる。以下では、所定数ＮＡが、１つのカセットに含まれる基板２０の数とする。
【０１５５】
すなわち、１つのカセットに含まれる基板２０の全てにおいて、転写工程に関する条件が定められる。例えば、カセットの上段と中断と下段とで、転写工程に関する条件が変更される。例えば、カセットの上段と中断と下段とにおいて、装置の温度、ガス組成、ガス流量、照射光の特性などが変化することがあり、カセットの上段と中断と下段とに配置される基板２０において同一の仕様のパターンを形成しようとする場合においても、カセットの上段と中断と下段とで、加工後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかが変化する場合がある。このような場合に、カセットの上段と中断と下段とで、転写工程に関する条件が変更される。
【０１５６】
なお、図１２においては、省略されているが、処理条件の条件マップｄ７９の作成（ステップＳ１００ａ）が行われる。これにより、基板２０の面内の異なる位置で、異なる条件が設定され、この条件のデータが格納される。
【０１５７】
そして、ステップＳ１１０（転写工程）（ステップＳ１２０の後処理工程を含んでも良い）の実施の後に、実施の回数ＮＬＰが所定数ＮＡと比較される（ステップＳ１２１）。そして、実施の回数ＮＬＰが所定数ＮＡよりも小さい場合は、ステップＳ１１０に戻り、実施の回数ＮＬＰが所定数ＮＡに達するまでステップＳ１１０（及びステップＳ１２０）が繰り返して実施される。すなわち、１つのカセットに含まれる全ての基板２０において、それぞれに対して定められた条件に基づいて転写工程が実施される。
【０１５８】
なお、必要に応じて、後処理後のインプリント材３０のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかの計測と、加工工程の加工条件（エッチング条件など）の設定（ステップＳ１２５）を行っても良い。
【０１５９】
そして、ステップＳ１３０（加工工程）を行う。ステップＳ１３０（加工工程）の実施の後に、実施の回数ＮＬＱが所定数ＮＡと比較される（ステップＳ１３８）。そして、実施の回数ＮＬＱが所定数ＮＡよりも小さい場合は、ステップＳ１３０に戻り、実施の回数ＮＬＱが所定数ＮＡに達するまでステップＳ１３０が繰り返して実施される。すなわち、１つのカセットに含まれる全ての基板２０において、それぞれに対して定められた条件に基づいて加工が実施される。
【０１６０】
そして、必要に応じて、この後、加工後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状の計測を行い（ステップＳ１４０）、データを修正する（ステップＳ１５０）ことができる。
【０１６１】
このように、例えば、１つのカセットに配置される複数の基板２０間において、転写工程に関する条件が変えられ、これにより、加工後の被加工膜２８のパターン寸法及びパターン形状をより精度良く所望の値にすることができる。
【０１６２】
上記においては、所定数ＮＡとして、１つのカセットに収容される基板２０の数が用いられたが、本発明は、これに限らず、所定数ＮＡは、１ロットに属する基板２０の数としても良く、また、例えば、一定の期間（例えば、時間、日、週及び月など）における累積の処理数としても良く、所定数ＮＡは任意である。
【０１６３】
このように、転写工程に関する条件は、加工後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータに基づいて定められ、その条件の少なくとも一部は、基板２０の主面内の異なる領域間（面内）、基板間、及び、基板が属するロット間、の少なくともいずれかにおいて変更することができる。
【０１６４】
これにより、加工後の被加工膜２８のパターン寸法及びパターン形状をより精度良く所望の値にすることができる。  
これにより、パターン形成方法及びパターン形成システム１１０を用いて製造される電子デバイス（半導体装置を含む）の性能向上や微細化を容易にし、歩留まりを向上し、生産性を向上させることができる。
【０１６５】
なお、上記の加工工程（ステップＳ１３０）は、被加工膜２８のエッチングだけに限らず、型パターン１１が転写されたインプリント材３０を用いて、基板２０の主面２０ａの被加工膜２８に何らかの処理を行う加工を含むことができる。すなわち、加工工程は、インプリント材３０をマスクにした被加工膜２８のエッチングの他、インプリント材３０をマスクにした被加工膜２８への光照射処理やプラズマ処理等の処理の実施、インプリント材３０をリフトオフレジストとして用いる被加工膜２８への膜の形成などを含むことができる。そして、加工後の被加工膜２８への処理が行われた領域の寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータに基づいて、転写工程の条件が定められる。また、加工後の被加工膜２８に形成された膜の寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータに基づいて、転写工程の条件が定められる。
【０１６６】
上記のパターン形成方法は、半導体装置の製造方法に応用できる。  
すなわち、本発明の別の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基板２０上に被加工膜２８を形成する被加工膜形成工程を備える。この場合には、基板２０及び被加工膜２８の少なくともいずれかは半導体を含む。この被加工膜形成工程は、図１に例示したステップＳ１０に相当する。
【０１６７】
そして、図１に例示した方法と同様に、半導体装置の製造方法は、テンプレート１０を被加工膜２８上に塗布されたインプリント材３０に接触させて、テンプレート１０に設けられた型パターン１１をインプリント材３０に転写する転写工程（ステップＳ１１０）と、型パターン１１が転写されたインプリント材３０をマスクにして被加工膜２８のエッチングを含む加工を行う加工工程（ステップＳ１３０）と、をさらに備える。
【０１６８】
そして、転写工程は、加工後の被加工膜２８のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータに基づいて定められた条件を用いて実施される。
【０１６９】
これにより、加工後のパターン寸法及びパターン形状を所望の値にした半導体装置が得られる。
【０１７０】
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれは良い。
【０１７１】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、パターン形成方法、パターン形成システム及び半導体装置の製造方法に用いられるテンプレート、基板、被加工膜及びインプリント材、並びに、パターン形成システムを構成する転写部、後処理部、加工部、データ格納部、及び計測部等、各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。  
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１７２】
その他、本発明の実施の形態として上述したパターン形成方法、パターン形成システム及び半導体装置の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのパターン形成方法、パターン形成システム及び半導体装置の製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１７３】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。
【符号の説明】
【０１７４】
１０…テンプレート、  １０ａ…主面、  １１…型パターン、  １２ａ…型凹部、  １２ｂ…型凸部、  １５ａ〜１５ｄ…第１〜第４テンプレート、  ２０…基板、  ２０ａ…主面、  ２２ａ…後処理後凸部、  ２２ｂ…後処理後凹部、  ２３ａ…転写後凸部、  ２３ｂ…転写後凹部、  ２４ａ…基板凸部、  ２４ｂ…基板凹部、  ２５…領域、  ２８…被加工膜、  ３０…インプリント材、  ５０…転写部、  ５０ｃ…転写制御部、  ５１…テンプレートホルダ、  ５２…転写部ステージ、  ５３…駆動部、  ５５…照射部、  ５５Ｌ…光、  ６０…後処理部、  ６０ｃ…後処理制御部、  ６１…後処理室、  ６２…後処理部ステージ、  ６５…後処理エッチャント供給部、  ６５Ｒ…後処理エッチャント、  ７０…データ格納部、  ７０ｃ…演算部、  ７１〜７９…第１〜第９データ格納部、  ８０…計測部、  ８２…計測部ステージ、  ９０…加工部、  ９０ｃ…加工制御部、  ９１…加工処理室、  ９２…加工部ステージ、  ９５…加工エッチャント供給部、  ９５Ｒ…加工エッチャント、  １１０…パターン形成システム、  θｂ１…型頂部角、  θｂ２…後処理後底部角、  θｂ３…転写後底部角、  θｂ４…基板底部角、  θｔ１…型底部角、  θｔ２…後処理後頂部角、  θｔ３…転写後頂部角、  θｔ４…基板頂部角、  Ｄｄａ４…基板凸部幅データ、  ＥＲ…エッチングレート、  ＮＡ…所定数、  ＮＬＰ、ＮＬＱ、ＮＬＳ…実施の回数、  ｄ１〜ｄ３…厚さ、  ｄ７９…条件マップ、  ｄａ１…型凹部幅、  ｄａ２…後処理後凸部幅、  ｄａ３…転写後凸部幅、  ｄａ４…基板凸部幅、  ｄｂ１…型凸部幅、  ｄｂ２…後処理後凹部幅、  ｄｂ３…転写後凹部幅、  ｄｂ４…基板凹部幅、  ｅａ０…エッチング量、  ｉ、ｊ…整数、  Ｉ１、Ｉ２…光量、  ｌｉ０…照射光量、  ｍ１〜ｍ３…材料、  ｍｔ０…インプリント材厚、  ｐｉｊ、ｐ１０１〜ｐ１１５、ｐ２０３〜ｐ２１３、ｐ３０３〜ｐ３１３、ｐ４０１〜ｐ４１５、ｐ５０１〜ｐ５１５、ｐ６０３〜ｐ６１３、ｐ７０３〜ｐ７１３、ｐ８０６〜ｐ８１０…位置、  ｐｍ０…材料、  ｔ１、ｔ２…厚さ、  ｔａ１…型深さ、  ｔａ２…後処理後凸部高さ、  ｔａ３…転写後凸部高さ、  ｔａ４…基板凸部高さ、  ｔｂ３…転写後凹部厚、  ｗ１〜ｗ４…幅、  ｘ、ｘｄ…位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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