(57)【要約】【課題】高精度で且つ微細な光導波路の製造が可能な光導波路の製造方法を提供する。【解決手段】この光導波路１の製造方法は、光信号を伝送するコア層１６と、前記光信号を反射するミラー４、５とを備える光導波路１の製造方法であって、結晶性材料からなる基材２の所定の結晶面２ａ上に、所定形状にパターニングされたマスク層１０を形成する工程と、前記マスク層１０をエッチングマスクとするウェットエッチングプロセスにより前記所定の結晶面２ａをエッチングして、前記基材２に複数の他の結晶面３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄを出現させて該他の結晶面３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄが内壁の一部もしくは全部となる溝部３を形成する工程と、少なくとも一つの前記他の結晶面３ａ（３ｂ）に金属反射膜１２を設けてミラー４（５）を形成する工程と、前記溝部３内にコア材料を充填してコア層１６を形成する工程と、を備える。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を伝送するコア層と、前記光信号を反射するミラーとを備える光導波路の製造方法であって、
結晶性材料からなる基材の所定の結晶面上に、所定形状にパターニングされたマスク層を形成する工程と、
前記マスク層をエッチングマスクとするウェットエッチングプロセスにより前記所定の結晶面をエッチングして、前記基材に複数の他の結晶面を出現させて該他の結晶面が内壁の一部もしくは全部となる溝部を形成する工程と、
少なくとも一つの前記他の結晶面に金属反射膜を設けてミラーを形成する工程と、
前記溝部内にコア材料を充填してコア層を形成する工程と、を備えること
を特徴とする光導波路の製造方法。
【請求項２】
前記ミラーを形成する工程は、９０°の角度をなして対向する二つの前記他の結晶面に金属反射膜を設けて二つのミラーを形成する工程であること
を特徴とする請求項１記載の光導波路の製造方法。
【請求項３】
前記結晶性材料として、シリコン単結晶が用いられ、前記所定の結晶面は、（１００）面であり、前記他の結晶面は、（１１０）面であって、
前記ウェットエッチングプロセスは、エッチング液として、アルカリ性エッチング液が用いられること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の光導波路の製造方法。
【請求項４】
光信号を伝送するコア層と、前記光信号を反射するミラーとを備える光導波路であって、
結晶性材料からなる基材の所定の結晶面をウェットエッチングプロセスによりエッチングすることによって形成された複数の他の結晶面が内壁の一部もしくは全部となる溝部と、
少なくとも一つの前記他の結晶面に金属反射膜が設けられて形成されるミラーと、
前記溝部内にコア材料が充填されて形成されるコア層と、を備えること
を特徴とする光導波路。
【請求項５】
前記ミラーは、９０°の角度をなして対向する二つの前記他の結晶面に金属反射膜が設けられて形成される二つのミラーであること
を特徴とする請求項４記載の光導波路。
【請求項６】
前記結晶性材料として、シリコン単結晶が用いられ、前記所定の結晶面は、（１００）面であり、前記他の結晶面は、（１１０）面であって、
前記ウェットエッチングプロセスは、エッチング液として、アルカリ性エッチング液が用いられること
を特徴とする請求項４または請求項５記載の光導波路。
【請求項７】
基材に設けられた請求項５または請求項６記載の光導波路と、発光素子と、受光素子と、を備える光送受信装置であって、
前記発光素子は、前記基材上に、一方のミラーに対して光信号を照射可能に配設され、
前記受光素子は、前記基材上に、前記一方のミラーで反射されて他方のミラーで反射された前記光信号を受光可能に配設されていること
を特徴とする光送受信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号を伝送するコア層と、前記光信号を反射するミラーとを備える光導波路及びその製造方法、並びに該光導波路を備える光送受信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、種々の電子回路において、信号伝達の高速化（高周波化）に伴い、回路の一部を銅等の電気配線から光導波路による光配線に置き換えた光電混載回路が用いられており、関連する様々な技術が提案されている（特許文献１、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平２−１１８６０７号公報
【特許文献２】特開平８−４６２９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に、光電混載回路では、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）等の発光素子とフォトダイオード（ＰＤ）等の受光素子とが、回路基板に搭載されており、発光素子から出射した光（光信号）が、光導波路を介して受光素子に入射する。
【０００５】
このような光電混載回路では、発光素子から回路基板に向けて垂直に出射された光は、その光進行方向が４５度の角度を有するミラー部により回路基板に水平になるように９０度反射されて、光導波路内を光が伝播する方法が採られている。
【０００６】
ここで、従来の実施形態に係る光導波路１０１の製造方法について説明する。
先ず、図１２に示すように、周知の手法により、ダミー基板１０２上に、第１クラッド層１１０と、コア層１１２と、第２クラッド層１１４とを順次積層させる工程を実施する。いずれも、光信号を透過可能な樹脂材料（例えばシリコーン）を用いて形成されるが、コア層１１２には相対的に屈折率が大きな材料を用い、第１クラッド層１１０及び第２クラッド層１１４には相対的に屈折率が小さな材料を用いる。
【０００７】
次いで、図１３に示すように、第２クラッド層１１４側からダイサー（ダイシング装置）によりコア層１１２を分断するＶ字状の溝部１０３、１０４を形成する工程を実施する。この際、溝部１０３を構成する傾斜面１０３ａと第２クラッド層１１４の上面１１４ａとの成す角度α１、及び溝部１０４を構成する傾斜面１０４ａと第２クラッド層１１４の上面１１４ａとの成す角度α２が、それぞれ４５度となるように形成する。
【０００８】
なお、溝部１０３、１０４を形成する工程の他の例として、第２クラッド層１１４の上面１１４ａ上にグレーマスクを設けて、公知のフォトリソグラフィプロセスによって、上記同様に角度α１、α２が、それぞれ４５度となる傾斜面１０３ａ、１０４ａを形成してもよい（図示省略）。
【０００９】
次いで、図１４に示すように、溝部１０３の傾斜面１０３ａ、及び溝部１０４の傾斜面１０４ａに金属反射膜１１６を成膜する工程を実施する。これにより、傾斜面１０３ａにミラー１０５が形成され、傾斜面１０４ａにミラー１０６が形成される。
【００１０】
次いで、図１５に示すように、ダミー基板１０２上の構造体を、ダミー基板１０２上から本基板１０７上へ転写する工程を実施する。
以上説明した工程を備えて、光導波路１０１の製造が行われる。なお、図１５中の矢印が光信号の通過経路である。
【００１１】
しかし、上記の製造方法においては、ミラー１０５、１０６が設けられる傾斜面１０３ａ、１０４ａを高精度且つ微細に形成することが困難であった。すなわち、ダイシングにより傾斜面１０３ａ、１０４ａを形成すると、その面粗度が大きくなってしまうため、その面上に金属反射膜１１６が成膜されて構成されるミラー１０５、１０６において光伝播ロスが発生するという課題が生じ得る。
一方、フォトリソグラフィプロセスにより傾斜面１０３ａ、１０４ａを形成すると、第２クラッド層１１４の上面１１４ａとの成す角度α１、α２を正確に４５［°］に形成することが困難なため、その面上に金属反射膜１１６が成膜されて構成されるミラー１０５、１０６において光伝播ロスが発生するという課題が生じ得る。
【００１２】
また、上記のように、ダミー基板１０２上に構造体を形成し、その後、本基板１０７上に転写する工程を実施する場合、光導波路１０１と本基板１０７との位置合せ精度が悪くなってしまうという課題があった。
【００１３】
また、本基板１０７の実装面１０７ａに対して、光導波路部分が実装面１０７ａよりもその厚さ分だけ盛り上がってしまうため、発光素子、受光素子等の電子部品を実装するための実装パッドをかさ上げして形成しなければならないという課題があった。
【００１４】
上記事情に鑑み、高精度で且つ微細な光導波路の製造が可能な光導波路の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
一実施形態として、以下に開示するような解決手段により、前記課題を解決する。
【００１６】
開示の光導波路の製造方法は、光信号を伝送するコア層と、前記光信号を反射するミラーとを備える光導波路の製造方法であって、結晶性材料からなる基材の所定の結晶面上に、所定形状にパターニングされたマスク層を形成する工程と、前記マスク層をエッチングマスクとするウェットエッチングプロセスにより前記所定の結晶面をエッチングして、前記基材に複数の他の結晶面を出現させて該他の結晶面が内壁の一部もしくは全部となる溝部を形成する工程と、少なくとも一つの前記他の結晶面に金属反射膜を設けてミラーを形成する工程と、前記溝部内にコア材料を充填してコア層を形成する工程と、を備えることを要件とする。
【発明の効果】
【００１７】
開示の光導波路の製造方法によれば、面粗度が小さく且つ傾斜面の傾斜角度が正確に形成されたミラーを有する、高精度で微細な光導波路の製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第一の実施形態に係る光導波路の製造方法を説明するための説明図である。
【図２】本発明の第一の実施形態に係る光導波路の製造方法を説明するための説明図である。
【図３】本発明の第一の実施形態に係る光導波路の製造方法を説明するための説明図である。
【図４】本発明の第一の実施形態に係る光導波路の製造方法を説明するための説明図である。
【図５】本発明の第一の実施形態に係る光導波路の製造方法を説明するための説明図である。
【図６】本発明の第一の実施形態に係る光導波路の製造方法を説明するための説明図である。
【図７】本発明の第二の実施形態に係る光導波路の製造方法を説明するための説明図である。
【図８】本発明の第三の実施形態に係る光導波路の製造方法を説明するための説明図である。
【図９】本発明の第四の実施形態に係る光導波路の製造方法を説明するための説明図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る光送受信装置の例を示す概略図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る光送受信装置の他の例を示す概略図である。
【図１２】従来の実施形態に係る光導波路の製造方法を説明するための説明図である。
【図１３】従来の実施形態に係る光導波路の製造方法を説明するための説明図である。
【図１４】従来の実施形態に係る光導波路の製造方法を説明するための説明図である。
【図１５】従来の実施形態に係る光導波路の製造方法を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の第一の実施形態に係る光導波路１の製造方法について説明する。ここで、図１〜図６は、その製造工程を説明するための概略図である。
【００２０】
先ず、図１に示す基材２を用意する。図１（ａ）は基材２の平面図であり、図１（ｂ）はその断面図である。本実施形態においては、結晶性材料からなる基材２を用いる。ここで、結晶性材料の例としては、後述の理由により、Ｓｉ（シリコン）単結晶を用いることが好適である。
【００２１】
次いで、図２（ａ）（平面図）及び２（ｂ）（断面図）に示すように、基材２の所定の一の結晶面（ここでは、（１００）面）２ａ上に、所定形状にパターニングされたマスク層１０を形成する工程を実施する。
なお、マスク層１０の形成方法の例としては、公知のフォトリソグラフィプロセスによって、レジスト材料を塗布し、露光・現像によりパターン形成する方法等が考えられる。
【００２２】
次いで、図３（ａ）（平面図）、３（ｂ）（断面図）、及び３（ｃ）（断面図）に示すように、マスク層１０をエッチングマスクとするウェットエッチングプロセスにより基材２の（１００）面２ａをエッチングする工程を実施する。
前述の通り、基材２はＳｉ（シリコン）の単結晶によって形成されているが、Ｓｉ（シリコン）単結晶は、一の結晶面（ここでは、（１００）面）に対する他の結晶面（ここでは、（１１０）面）が４５［°］の角度をなしている。ここで、Ｓｉ（シリコン）単結晶の（１００）面をアルカリ性エッチング液を用いてウェットエッチングすると、（１００）面に対して４５［°］の角度をなす（１１０）面が形成されるという異方性エッチング技術が知られている。一例として、アルカリ性エッチング液には、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液、あるいはＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液に所定の添加物（例えばアルコール類、界面活性剤、微小量の金属元素等が知られている）を添加したもの等が用いられる。
【００２３】
すなわち、上記エッチング工程によれば、四つの（１１０）面が出現するようにエッチングが進行していき、当該四つの（１１０）面が内壁となる溝部３を形成することが可能となる。当該溝部３に関して、より詳しくは、溝部３の４面が、それぞれ（１００）面２ａに対して角度４５［°］で傾斜した（１１０）面３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄによって囲われている。すなわち、溝部３は、（１００）面２ａに平行な断面形状が長方形で、（１００）面２ａに垂直で且つ（１１０）面３ａ、３ｂに垂直な断面形状が逆台形（逆三角形でもよい）で、（１００）面２ａに垂直で且つ（１１０）面３ｃ、３ｄに垂直な断面形状が逆三角形の形状を有している。なお、図３における溝部３上部の幅寸法Ｌ１は、Ｌ１＝１５〜３５［μｍ］程度である。
【００２４】
このとき、各（１１０）面３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄは、Ｓｉ単結晶に固有の結晶配列構造によって規定される面であるため、（１００）面２ａに対して正確にθ１＝θ２＝θ３＝θ４＝４５［°］の角度を成す面として得ることができる。加えて、ダイシング等で切削された面と比較して、面粗度が極めて小さい高精度で且つ微細な平坦面として得ることができる。
【００２５】
次いで、図４（ａ）（断面図）及び４（ｂ）（断面図）に示すように、マスク層１０を除去した後、溝部３の内壁を構成する（１１０）面に金属反射膜１２を設けてミラーを形成する工程を実施する。ここで、図４（ａ）は、図３（ｂ）と同位置の断面図である（以下、図５（ａ）、６（ａ）、７（ａ）、８（ａ）、９（ａ）についても同様である）。  一例として、金属反射膜１２は、Ａｌ（アルミニウム）を用いて、スパッタリング法により形成する。なお、Ａｕ（金）等の他の金属材料・合金材料を用いてもよく、また、真空蒸着法等の方法によって形成してもよい。
【００２６】
例えば、ミラーを一つ形成する場合は、一つの（１１０）面３ａに金属反射膜１２を設けてミラー４を形成する。
一方、発光素子から光導波路の一方のミラーに対して光信号を照射し、当該一方のミラーで反射されてさらに他方のミラーで反射された光信号を受光素子で受光するような光送受信装置に用いる場合等のように、ミラーを二つ形成する場合は、対向する二つの（１１０）面３ａ、３ｂに金属反射膜１２を設けて二つのミラー４、５を形成する。
【００２７】
ここで、図４（ａ）、４（ｂ）は、溝部３内の全面に金属反射膜１２を形成する場合の例として図示している。このとき、ミラー４、５として用いられない他の（１１０）面３ｃ、３ｄに形成された金属反射膜１２は第１クラッド層１４として作用する。
なお、マスク（不図示）等を設けることによって、金属反射膜１２を形成する位置を限定してもよいが、その場合は、金属反射膜１２が用いられない他の位置に別途クラッド層を形成する必要がある。
【００２８】
ここで、各（１１０）面３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄは、前述の通り、Ｓｉ単結晶に固有の結晶配列構造によって規定される面であるため、（１００）面２ａに対して正確にθ１＝θ２＝θ３＝θ４＝４５［°］の角度を成す面として得ることができる。これに加えて、特に、対向する二つの（１１０）面３ａ、３ｂは、一方の面３ａと他方の面３ｂとが正確にθ５＝９０［°］の角度を成す面として得ることができる。
【００２９】
次いで、図５（ａ）（断面図）及び５（ｂ）（断面図）に示すように、溝部３内にコア材料を充填してコア層１６を形成する工程を実施する。一例として、コア材料には、光信号（例えば、ＶＣＳＥＬから照射されるレーザ光）の透過が可能なシリコン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。
【００３０】
コア材料を充填してコア層１６を形成する方法としては、様々な方法が考えられるが、例えば、未硬化のフィルム状材料を配置して、マスク（不図示）を設けてパターニングを行い、現像して硬化させる方法等がある。
【００３１】
次いで、図６（ａ）（断面図）及び６（ｂ）（断面図）に示すように、コア層１６の上面を覆うようにして、第２クラッド層１８を形成する工程を実施する。
一例として、第２クラッド層１８は、Ａｌ（アルミニウム）を用いて、スパッタリング法により形成する。なお、Ａｕ（金）等の他の金属材料・合金材料を用いてもよく、また、真空蒸着法等の方法によって形成してもよい。
ここで、本実施形態のように、光信号を透過させない金属材料を用いて第２クラッド層１８を形成する場合には、コア層１６に光信号を進入・進出させるための開口部１８ａ、１８ｂを所定位置（本実施形態では、ミラー４、５に対応する位置）に設ける必要がある。
【００３２】
以上説明した工程を備えて、光導波路１の製造が行われる。
光導波路１は、図６（ａ）中の矢印で示すように、発光素子（不図示）から基材２の上面２ａに向けて垂直に出射された光信号が、コア層１６内に進入し、４５［°］の角度を有するミラー４によって進行方向が基材２の上面２ａに平行になるように９０［°］反射され、コア層１６内を伝播し、さらに４５［°］の角度を有するミラー５によって進行方向が基材２の上面２ａに垂直になるように９０［°］反射され、基材２の上面２ａに対して垂直の方向に、コア層１６から進出する作用が生じる。
なお、ミラーを一つのみ設けて（ここではミラー４）、ミラー５の位置にこれに代えて受光素子（不図示）を設ける構造としてもよい。
【００３３】
続いて、本発明の第二の実施形態に係る光導波路１の製造方法について説明する。
本実施形態に係る光導波路１の製造方法は、前述の第一の実施形態に係る製造方法で説明した工程を備えるが、第２クラッド層１８を形成する工程において相違点を有する。
より具体的には、図７（ａ）（断面図）及び７（ｂ）（断面図）に示すように、第２クラッド層１８が、光信号を透過可能な樹脂材料（例えばシリコン樹脂）を用いて形成される。このとき、コア層１６には相対的に屈折率が大きな材料を用い、第２クラッド層１８には相対的に屈折率が小さな材料を用いる。
【００３４】
続いて、本発明の第三の実施形態に係る光導波路１の製造方法について説明する。
本実施形態に係る光導波路１の製造方法は、前述の第二の実施形態に係る製造方法で説明した工程を備えるが、溝部３内の全面に金属反射膜１２を形成する工程の後に、これとは別の材料を用いて第１クラッド層１４を形成する工程を備える点で相違する。
より具体的には、第１クラッド層１４を形成する工程は、図８（ａ）（断面図）及び８（ｂ）（断面図）に示すように、ミラー４、５として用いられない溝部３の（１１０）面３ｃ、３ｄに形成された金属反射膜１２の上にのみ、当該第１クラッド層１４を形成する。一例として、第１クラッド層１４を形成する材料には、第２クラッド層１８と同じ樹脂材料が用いられる。
【００３５】
続いて、本発明の第四の実施形態に係る光導波路１の製造方法について説明する。
本実施形態に係る光導波路１の製造方法は、前述の第一の実施形態に係る製造方法で説明した工程を備えるが、マスク層１０をエッチングマスクとするウェットエッチングプロセスにより基材２の（１００）面をエッチングする工程において、エッチング時間を短くする等の調整を行うことによって、四つの（１１０）面３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ及び底面に出現する（１００）面３ｅの計５つの面が内壁となる溝部３が形成されることを特徴とする（図９（ａ）（断面図）及び９（ｂ）（断面図）参照）。
【００３６】
当該溝部３に関して、より詳しくは、溝部３の４面が、それぞれ（１００）面２ａに対して角度４５［°］で傾斜した（１１０）面３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄによって囲われている。すなわち、溝部３は、（１００）面２ａに平行な断面形状が長方形で、（１００）面２ａに垂直で且つ（１１０）面３ａ、３ｂに垂直な断面形状が逆台形（逆三角形でもよい）で、（１００）面２ａに垂直で且つ（１１０）面３ｃ、３ｄに垂直な断面形状が逆台形の形状を有している。
【００３７】
したがって、溝部３の底面３ｅが基材２の上面２ａに平行な面として形成されるため、図９（ａ）、９（ｂ）に示すように、底面３ｅ上に金属反射膜１２（クラッド層として作用する）を介して断面形状が矩形のコア層１６を積層し、その側面を第１クラッド層１４で覆い、その上面を第２クラッド層１８で覆う形状を有する光導波路１を製造することが可能となる。
なお、第１クラッド層１４及び第２クラッド層１８の形成材料としては、前述の第三の実施形態に係る製造方法で説明した樹脂材料を用いることが考えられる。
【００３８】
続いて、本発明の実施形態に係る光送受信装置２０について説明する。
上記の製造方法により製造される光導波路１を用いることによって、好適な光送受信装置２０が実現される。当該光送受信装置２０の第一実施例を図１０の概略図（断面図）に示す。
【００３９】
回路基板２２の上面２２ａ上で且つ光導波路１の一端側に隣接して、例えばＶＣＳＥＬ等の発光素子３０が搭載される。ここで、回路基板２２と、光導波路１が形成される基材２とを、共通の部材とすることができる。
発光素子３０は、そのデバイス本体に発光部３１を具備していると共に、バンプ３２により回路基板２２のランド３３に接続され、回路基板２２との間の電気的な接続が行われる。なお、透明性アンダーフイル材（不図示）が発光素子３０と回路基板２２との隙間に充填される。
このとき、発光部３１の光軸が、回路基板２２の上面２２ａに対して、すなわち基材２の上面２ａに対して垂直となるように、且つ、一方のミラー４に対して４５［°］の角度となるように、発光素子３０が回路基板２２に位置決めされている。
【００４０】
一方、回路基板２２の上面２２ａ上で且つ光導波路１の他端側に隣接して、例えばＰＤ等の受光素子４０が搭載される。
受光素子４０は、そのデバイス本体に受光部４１を具備していると共に、発光素子３０の場合と同様に、バンプ４２により回路基板２２のランド４３に接続され、回路基板２２との間の電気的な接続が行われる。なお、透明性アンダーフイル材（不図示）が受光素子４０と回路基板２２との隙間に充填される。
このとき、受光部４１の光軸が、回路基板２２の上面２２ａに対して、すなわち基材２の上面２ａに対して垂直となるように、且つ、他方のミラー５に対して４５［°］の角度となるように、受光素子４０が回路基板２２に位置決めされている。
【００４１】
上記の構成によれば、図１０中の矢印で示すように、発光素子３０の発光部３１から光導波路１に対して垂直に入射された光信号は、一方のミラー４により９０度の角度で反射され、光導波路１のコア層１６内を伝播し、光導波路１の他方のミラー５により９０度の角度で反射されて、受光素子４０の受光部４１によって受光される作用を生じる。
【００４２】
次に、光送受信装置２０の第二実施例を図１１の概略図（断面図）に示す。
前述の第一実施例では、発光素子３０の制御回路部品３５、論理回路部品３６、受光素子４０の制御回路部品４５、論理回路部品４６が、及び光導波路１が、回路基板２２の同一面（ここでは上面２２ａ）上に搭載される構造であるのに対し、第二実施例では、発光素子３０、受光素子４０、及び光導波路１が、回路基板２２の一面（ここでは上面２２ａ）上に搭載され、発光素子３０の制御回路部品３５、論理回路部品３６、及び受光素子４０の制御回路部品４５、論理回路部品４６が、回路基板２２の他面（ここでは下面２２ｂ）上に搭載される構造である点で相違する。なお、本実施例では、回路基板２２にスルーホールビア３７、４７を設けて、発光素子３０と制御回路部品３５との接続、及び受光素子４０と制御回路部品４５との接続をそれぞれ行っている。
【００４３】
上記の構成によれば、光配線（光導波路）と電気配線とを分離させて別々の面に形成することが可能となる。
【００４４】
以上説明した通り、開示の光導波路の製造方法及び当該製造方法により製造される光導波路によれば、ミラーが形成される面が、基材の一面に対して、正確に４５［°］の角度を成す面として得ることができる。加えて、ダイシング等で切削形成された面と比較して、面粗度が極めて小さい高精度で且つ微細な平坦面として得ることができる。したがって、ミラーが形成される面のテーパ角度が正確に４５［°］にならずに光伝播ロスが発生する、あるいは、面粗度が大きいため光伝播ロスが発生するという課題を、共に解決することが可能となる。
【００４５】
また、一方のミラー及び他方のミラーが形成される二つの面が、相互に正確に９０［°］の角度を成す面として得ることができる。したがって、発光素子から光導波路の一方のミラーに対して光信号を照射し、当該一方のミラーで反射されてさらに他方のミラーで反射された光信号を受光素子で受光するような光送受信装置において、正確な光信号の反射を可能とし、光伝播ロスの発生を防止することができる。
【００４６】
また、ダミー基板上に構造体を形成し、その後、本基板上に転写する工程を有しないため、光導波路と本基板との位置合せ精度が悪化するという課題を解決することが可能となる。
【００４７】
また、光導波路は、基材に設けられる溝内に形成され、光導波路部分が基材の実装面よりも盛り上がる構造とはならないため、電子部品を実装するための実装パッドをかさ上げして形成しなければならないという課題を解決することが可能となる。
【００４８】
なお、本発明は、以上説明した実施例に限定されることなく、本発明を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。特に、結晶性材料としてＳｉ単結晶を例に挙げて説明したが、これに限定されるものではなく、同様の性質を備える他の結晶性材料を利用して本発明の実施を行ってもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１  光導波路
２  基材
３  溝部
４、５  ミラー
１０  マスク層
１２  金属反射膜
１４  第１クラッド層
１６  コア層
１８  第２クラッド層
２０  光送受信装置
２２  回路基板
３０  発光素子
４０  受光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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