【事件の表示】
　特願２０１２−１１１８７３「炭化ケイ素パワーデバイスを有する半導体ウェハを処理する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　９月１３日出願公開，特開２０１２−１７８６０３〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明 
　本願は，２００６年９月１２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年９月１６日アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願である特願２００８−５３１２５３号（以下「原出願」という。）の一部を平成２４年５月１５日に新たな特許出願としたものであって，平成２５年４月２４日付けの拒絶の理由の通知に対して，同年９月２６日に意見書と手続補正書が提出されたが，平成２６年４月１８日付けで拒絶査定され，同年８月２２日に拒絶査定不服審判が請求され，平成２７年１０月２１日付けで当審から拒絶の理由が通知され，平成２８年４月２２日に意見書と手続補正書が提出されたものである。
　そして，その請求項８に係る発明（以下「本願発明８」という。）は，平成２８年４月２２日に提出された手続補正書により補正された，特許請求の範囲の請求項８に記載されている事項により特定される次のとおりのものと認める。 
 　 
「【請求項８】
　炭化ケイ素半導体デバイスを形成する方法であって，
　炭化ケイ素基板の表面上に３ミクロン以上の厚さのエピタキシャル層を形成するステップと，
　前記炭化ケイ素基板と反対側の前記エピタキシャル層の第１の表面に半導体デバイスを形成するステップであって，前記炭化ケイ素基板は３００ミクロン以上の第１の厚さを有するステップと，
　前記半導体デバイスの上にパッシベーション層を形成するステップと，
　前記パッシベーション層にキャリア基板を取り付けるステップと，
　前記キャリア基板と前記エピタキシャル層が前記炭化ケイ素基板に機械的支持を提供している間に，前記炭化ケイ素基板を，１５０ミクロン未満の第２の厚さまで薄くするステップと，
　前記薄くされた前記炭化ケイ素基板の表面に金属層を形成するステップと，
　前記薄くされた前記炭化ケイ素基板の表面にオーミックコンタクトを形成するために，前記金属層を局所的にアニールするステップであって，前記金属層を局所的にアニールするステップは，前記薄くされた炭化ケイ素基板の表面に前記金属層が前記オーミックコンタクトを形成するには十分な温度だが，前記キャリア基板が前記パッシベーション層から剥がれる温度未満の温度まで，前記金属層を局所的にアニールすることを含むステップと，
を含むことを特徴とする方法。」 
 　 
２　引用例の記載と引用発明 
（１）平成２７年１０月２１日付けで当審から通知した拒絶の理由（以下「先の拒絶理由」という。）で引用した，原出願の優先権主張の日前に外国において頒布された刊行物である国際公開２００５／０４８３６３号（以下「引用例１」という。）には，「METHODS OF PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER BACKSIDES HAVING LIGHT EMITTING DEVICES (LEDS) THEREON AND LEDS SO FORMED」（発明の名称）に関して，FIGURE 1 ないし FIGURE 16 とともに以下の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
（１ａ）「
Light emitting devices (LEDs) described herein may include a light emitting diode, laser diode and/or other semiconductor device which includes one or more semiconductor layers, which may include
silicon carbide
a substrate which may include
silicon carbide
one or more contact I layers which may include metal
　
It will be understood by those having skill in the art that many embodiments of the invention maybe employed with many different combinations of substrate and epitaxial layers
For example
Silicon Carbide (SiC) diodes on SiC
　In particular, the LEDs may be devices manufactured and sold by Cree, Inc. of Durham, North Carolina. 
The invention may be suitable for use with LEDs and/or lasers as described in United States Patent Nos.
6,120,600
the disclosures of which are incorporated herein by reference as if set forth fully herein
本明細書で記述する，発光デバイス（ＬＥＤ）は，発光ダイオード，レーザダイオードおよび／または他の半導体デバイスとすることができ，これらのデバイスは
炭化ケイ素
を含むことができる１つまたは複数の半導体層と
炭化ケイ素
を含むことができる基板
金属
を含むことができる１つまたは複数のコンタクト層を含む
　
当業者には理解されるように
本発明の多くの実施形態は
多数の異なる基板とエピタキシャル層との組合せとともに利用することができる
例えば
ＳｉＣ
基板上の炭化ケイ素（ＳｉＣ）ダイオード
　特に，ＬＥＤはＮｏｒｔｈ　Ｃａｒｏｌｉｎａ州ＤｕｒｈａｍのＣｒｅｅ，Ｉｎｃ．が製造および販売するデバイスとすることができる。
本発明は，本明細書に完全に記載されたかのように参照によりその開示が組み込まれている米国特許
6,120,600
に説明されているような，ＬＥＤおよび／またはレーザとの使用に適している
 　 
（１ｂ）「
As shown in Figure 1, a wafer (i.e., a substrate) 100 has a thickness (tl) of about 250 microns to about 400 microns
the plurality of LEDs can be GaN-based light emitting diodes that typically comprise an insulating or semiconducting substrate (or wafer) such as SiC
on which a plurality of GaN-based epitaxial layers are deposited
　
According to Figure 2, in some embodiments according to the invention, a wafer 100 (including the plurality of LEDs 110) and a wafer carrier 105 are coupled together via an adhesive layer 120 in contact with the plurality of LEDs so that the entire assembly
図１に示すように，ウエハ（すなわち，基板）１００は，厚さ（ｔ１）が約２５０ミクロンから約４００ミクロンである
複数のＬＥＤは，通常複数のＧａＮベースのエピタキシャル層がその上に堆積されたＳｉＣまたはサファイアなどの絶縁性基板または半導体基板（またはウエハ）を備える
ＧａＮベースの発光ダイオード
　
図２によると，本発明のいくつかの実施形態において，（複数のＬＥＤ１１０を備える）ウエハ１００とウエハキャリア１０５とが，複数のＬＥＤと接触している接着層１２０を介して互いに結合されており
 　 
（１ｃ）「I
n some embodiments according to the invention, the wafer 100 is thinned to a thickness of less than about 150 microns
　＜途中省略＞
　
Ohmic contacts 107 can be formed on the backside 103 of the wafer 100' using, for example, laser annealing as discussed in U.S. Patent Application Serial No.: 10/916,113, entitled Localized Annealing of Metal-Silicon Carbide Ohmic Contacts and Devices So Formed to Slater et al., filed August 11 , 2004, which is commonly assigned to the present Assignee, the disclosure of which is incorporated herein by reference
It will be understood that the ohmic contacts can be formed on the thinned wafer 100' while the wafer is coupled to the wafer carrier
本発明のいくつかの実施形態において，ウエハ１００は，約１５０ミクロン未満の厚さまで薄層化される
　＜途中省略＞
　
オーミックコンタクト１０７は，例えば，本出願の譲受人に共有で譲渡された，その開示が参照により本明細書に組み込まれているU.S. Patent Application Serial No. 10/916,113, entitled Localized Annealing of Metal-Silicon Carbide Ohmic Contacts and Devices So Formed to Slater et al., filed August 11 , 2004, で検討されているようなレーザアニーリングを使用して，ウエハ１００’の裏面１０３に形成することができる
ウエハがウエハキャリアに結合されている間に，オーミックコンタクトを薄層化したウエハ１００’上に形成することができることが理解されるだろう
 　 
（１ｄ）「1. A method of processing a semiconductor wafer to form a light emitting device, comprising:
　forming a plurality of Light Emitting Devices (LED) on a semiconductor wafer having a first thickness;
　contacting the plurality of LEDs on the wafer to a surface of a carrier to couple the wafer to the carrier;
　reducing the first thickness of the wafer to a second thickness that is less than the first thickness by processing a backside of the wafer;
　separating the carrier from the plurality of LEDs on the wafer; and
　cutting the wafer to separate the plurality of LEDs.
　2. A method according to Claim 1 wherein the first thickness comprises a thickness from about 250 μm to about 400 μm.
　3. A method according to Claim 1 wherein reducing the first thickness of the wafer comprises grinding, lapping, and/or etching the backside of the wafer to reduce the first thickness of the wafer to the second thickness of less than about 150 μm.
　＜途中省略＞
　10. A method according to Claim 1 wherein reducing the first thickness of the wafer to a second thickness is followed by:
　processing the backside surface of the wafer opposite the plurality of LEDs to improve light extraction; and
　forming a plurality of respective contacts on the backside surface opposite where respective bonding pads are to be formed on the plurality of LEDs.
　11. A method according to Claim 10 wherein processing comprises etching the backside surface.
　12. A method according to Claim 10 wherein processing comprises laser patterning the backside surface.
　13. A method according to Claim 10 wherein forming a plurality of respective contacts comprises forming a plurality of ohmic contacts using laser annealing.
　14. A method according to Claim 1 wherein separating the carrier from the plurality of LEDs on the wafer comprises heating, melting or dissolving an adhesive layer sufficient to cause separation of the plurality of LEDs from the carrier.
　15. A method according to Claim 1 wherein the wafer comprises a Silicon Carbide or sapphire wafer.」（明細書第１５頁第２行−第１７頁第２行」（【請求項１】
  半導体ウエハを加工して発光デバイスを形成する方法であって，
  第１の厚さを有する半導体ウエハ上に，複数の発光デバイス（ＬＥＤ）を形成することと，
  前記ウエハ上の前記複数のＬＥＤをキャリアの表面に接触させ，前記ウエハを前記キャリアに結合することと，
  前記ウエハの前記第１の厚さを，前記ウエハの裏面を加工することによって，前記第１の厚さよりも小さい第２の厚さまで低減することと，
  前記ウエハ上の前記複数のＬＥＤから前記キャリアを分離することと，
  前記ウエハを切削して，前記複数のＬＥＤを分離することと
  を含む方法。
【請求項２】
  前記第１の厚さは，約２５０μｍから約４００μｍの厚さを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
  前記ウエハの前記第１の厚さを低減することは，前記ウエハの裏面を研磨，ラッピング，および／またはエッチングして，前記ウエハの前記第１の厚さを，約１５０μｍ未満の前記第２の厚さまで低減することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
　＜途中省略＞
【請求項１０】
  前記ウエハの前記第１の厚さを前記第２の厚さまで低減することに続いて，
  前記複数のＬＥＤと反対側の前記ウエハの裏面を加工して光取り出しを向上させることと，
  それぞれの接着パッドを前記複数のＬＥＤ上に形成しようとする場所と反対側の裏側表面上に，複数のそれぞれのコンタクトを形成することと
  を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
  加工することは，前記裏側表面をエッチングすることを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
  加工することは，前記裏側表面をレーザパターニングすることを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
  複数のそれぞれのコンタクトを形成することは，レーザアニーリングを使用して複数のオーミックコンタクトを形成することを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
  前記キャリアを前記ウエハ上の前記複数のＬＥＤから分離することは，前記複数のＬＥＤの前記キャリアからの分離を生じさせるのに十分なほど，接着層を，加熱，融解または溶解することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
  前記ウエハは，炭化ケイ素ウエハまたはサファイアウエハを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。）
　
・引用発明
　上記記載に照らして，引用例１には，請求項１及び請求項１０を引用する請求項１３に係る発明の実施形態にあたる以下の発明（以下「引例発明」という。）が開示されているといえる。
「半導体ウエハを加工して発光デバイスを形成する方法であって，
  約２５０ミクロンから約４００ミクロンである第１の厚さを有するＳｉＣなどの半導体ウエハ上に，通常複数のＧａＮベースのエピタキシャル層を堆積してなるＧａＮベースの発光ダイオードからなる複数の発光デバイス（ＬＥＤ）を形成することと，
  前記ウエハ上の前記複数のＬＥＤをキャリアの表面に接触させ，前記ウエハを前記キャリアに結合することと，
  前記ウエハの前記第１の厚さを，前記ウエハの裏面を加工することによって，前記第１の厚さよりも小さい約１５０ミクロン未満の厚さである第２の厚さまで低減することと，
　前記ウエハの前記第１の厚さを前記第２の厚さまで低減することに続いて，前記複数のＬＥＤと反対側の前記ウエハの裏面を加工して光取り出しを向上させることと，
　それぞれの接着パッドを前記複数のＬＥＤ上に形成しようとする場所と反対側の裏側表面上に，オーミックコンタクトを，ウエハがウエハキャリアに結合されている間に，レーザアニーリングを使用して形成することと，
  前記ウエハ上の前記複数のＬＥＤから前記キャリアを分離することと，
  前記ウエハを切削して，前記複数のＬＥＤを分離することと
  を含む方法。」
（２）先の拒絶理由で引用した，原出願の優先権主張の日前に外国において頒布された刊行物である国際公開２００５／０２０３０８号（以下「引用例２」という。）には，「LOCALIZED ANNELING OF METAL-SILICON CARBIDE OHMIC CONTACTS AND DEVICES SO FORMED」（発明の名称）に関して，FIGURE 1 ないし FIGURE 29B とともに以下の記載がある。
（２ａ）「(30)Priority Data:
　＜途中省略＞
　10/916,113　11 August 2004(11.08.2004)　US」（明細書第１頁）（対応する日本語公表特許公報である特表２００７−５３４１４３号公報を参照して当審において作成した日本語訳（以下同じ。）：(30)優先権主張番号10/916,113，優先日11 August 2004(11.08.2004)，優先権主張国US）
（２ｂ）「It will be understood that the laser light used to anneal the metal-SiC ohmic contacts described herein can be a laser light having a wavelength and intensity sufficient to form the metal-silicide material at the interface of the metal layer and the SiC substrate. For example, in embodiments using 6H SiC as the substrate, laser annealing may be accomplished by impinging laser light having a wavelength of about 248 nanometers to about 308 nanometers at an energy of about 2.8 joules per square centimeter in a single pulse having a duration of about 30 nanoseconds. In other embodiments according to the invention where, for example, the SiC substrate is 4H SiC, the laser light may have a wavelength of about 248 nanometers to about 308 nanometers and an energy of about 4.2 joules per square centimeter applied in about 5 pulses, each having a duration of about 30 nanoseconds. In still other embodiments according to the invention, other wavelengths and energies may be used to provide annealing at the interface location of the metal layer and the SiC substrate via absorption of light including photon energies that are above the bandgap of the SiC substrate. It will be understood that pulse and/or continuous loop lasers may also be utilized. 
　It will be also understood that electron beam annealing may be used as an alternative to laser light. Accordingly, in each of the embodiments described above, an electron beam may be used to anneal the interface locations of the metal layer and the SiC substrate to form the metal-SiC material thereat. It will be understood that the metal-SiC ohmic contacts can be a contact for any SiC device and may be included on a SiC epitaxial layer.」（第１８頁第１９行−第１９頁第８行）（当然のことながら，
本明細書で記述する金属−ＳｉＣオーミックコンタクトをアニーリングするために用いるレーザ光は，金属層とＳｉＣ基板との界面で金属シリサイド材を形成するのに十分な波長と強度とを有するレーザ光である
例えば，６Ｈ ＳｉＣを基板として用いる実施形態においては，約２４８ナノメートルから約３０８ナノメートルの波長を有するレーザ光を，約３０ナノ秒のパルス幅を持つ単一パルスを用いて１平方センチメートルあたり約２．８ジュールのエネルギーで入射させることによりレーザアニーリングを行うことができる
また，本発明の別の実施形態においては，ＳｉＣ基板が４Ｈ ＳｉＣであるとすると，レーザ光は，約２４８ナノメートルから約３０８ナノメートルの波長と，約３０ナノ秒のパルス幅を持つパルスを約５パルス用いて１平方センチメートルあたり約４．２ジュールのエネルギーとを有することができる
　さらに当然のことながら，電子ビームアニーリングをレーザ光の代替手段として用いてもよい。従って，上述の各実施形態において，電子ビームを用いて金属層とＳｉＣ基板との界面部をアニーリングし，そこに金属−ＳｉＣ材を形成してもよい。当然のことながら，金属−ＳｉＣオーミックコンタクトは，あらゆるＳｉＣ素子のコンタクトにもなりうるし，ＳｉＣエピタキシャル層の上に含まれてもよい。）
（２ｃ）「WHAT IS CLAIMED:
　1. 
A method of forming an ohmic contact for a semiconductor device
　
forming a metal on a Silicon Carbide (SiC) layer
　
annealing an interface location of the metal and the SiC layer to form a metal-SiC material thereat and avoiding annealing at a location on the SiC layer to avoid forming the metal-SiC material thereat
　
半導体素子のオーミックコンタクトを形成する方法
　
炭化珪素（ＳｉＣ）層上に金属を形成
　
この金属と前記ＳｉＣ層との界面部をアニーリングして，そこに金属−ＳｉＣ材を形成し，かつ前記ＳｉＣ層上のある箇所ではアニーリングが行われないようにして，そこでは前記金属−ＳｉＣ材が形成されないようにする
　を備える前記方法。）
（３）先の拒絶理由で引用した，原出願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００４−２２８７８号公報（以下「引用例３」という。）には，「半導体装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して，図１ないし図１０（ｃ）とともに以下の記載がある。
（３ａ）「【００９８】
図６は，本実施形態のｐｎダイオードの構造を示す断面図である。同図に示すように，本実施形態のｐｎダイオード６０は，厚さが２００μｍ以下でｎ型不純物を含むＳｉＣ基板２１ａと，ＳｉＣ基板２１ａの上面上にエピタキシャル成長により設けられた厚さが約２０μｍでｎ型不純物を含むｎ型ＳｉＣ層６１と，ｎ型ＳｉＣ層６１のうち一部の上にエピタキシャル成長により設けられ，厚さ約１．５μｍでｐ型不純物を含むＳｉＣからなるｐ型ＳｉＣ層６２と，ｐ型ＳｉＣ層６２上に設けられた金属からなる第１の電極層６６と，第１の電極層６６の両側方に設けられ，
ｐ型ＳｉＣ層６２およびｎ型ＳｉＣ層６１の上面を覆う絶縁膜６３とを備えている
【００９９】
本実施形態のｐｎダイオードは，ＳｉＣ基板２１ａの厚みが２００μｍ以下と，従来のｐｎダイオードに比べて薄くなっているので，動作時のオン抵抗をより小さくすることが可能である。
【０１００】
次に，本実施形態のｐｎダイオード６０の製造方法について簡単に説明する。
【０１０１】
まず最初に，厚さ４００μｍ程度のＳｉＣ基板を準備し，ＣＶＤ等の公知の方法により
ＳｉＣ基板上に順次ｎ型ＳｉＣ層６１，ｐ型ＳｉＣ層６２を形成
【０１０２】
次に，絶縁膜６３を熱酸化やＣＶＤにより形成
【０１０３】
続いて，ＳｉＣ基板を裏面であるＣ面側から研磨
（４）先の拒絶理由で引用した，原出願の優先権主張の日前に外国において頒布された刊行物である特開２００２−７５９４０号公報（以下「引用例４」という。）には，「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して，図１ないし図１６とともに以下の記載がある。
（４ａ）「【００４０】所定の第２層配線９ｂは，層間絶縁膜８ｂに穿孔された接続孔１０ｂを通じて所定の第１層配線９ａと電気的に接続されている。
層間絶縁膜８ｂ上には，第２層配線９ｂを覆うように表面保護膜１１が形成されている
【００４１】
表面保護膜１１は，例えば酸化シリコン膜からなる保護膜１１ａと，その上に形成された窒化シリコン膜からなる保護膜１１ｂと，さらに，その上に形成されたポリイミド樹脂からなる保護膜１１ｃとを有している
【００４２】図４に示すように，
半導体ウエハ１の半導体素子形成面上に，補強材付保護部材（Ａ）１３を貼り付ける
この補強材付保護部材（Ａ）１３は，後述する半導体ウエハ１の裏面研削加工時に，半導体ウエハ１の半導体素子形成面を保護する部材である
【００４３】
補強材付保護部材（Ａ）１３は，アクリル系粘着剤から構成されている厚さ３０μｍのウエハ表面粘着剤（Ａ）１３ａ，１軸延伸エチレン酢酸ビニル共重合体（例えば，三井化学株式会社製熱収縮性テープ（型式；CR-1158-1)）で構成されている厚さ１３０μｍの熱収縮テープ（Ａ）１３ｂ，アクリル系粘着剤から構成されている厚さ３０μｍのガラス板材粘着剤（Ａ）１３ｃ，厚さ１.５ｍｍのガラス板（Ａ）１３ｄから構成される
【００４４】図１で示す工程フローで具体的な補強材付保護部材（Ａ）１３の貼り付け工程を説明すると，
半導体ウエハ表面半導体素子形成工程１０１
半導体ウエハ表面熱収縮両面粘着テープ（図４の１３ａ，１３ｂ，１３ｃ相当）貼付け工程１０２
熱収縮両面粘着テープ付きウエハにガラス板（図４の１３ｄ相当）貼付け工程１０３
【００４５】
続いて
半導体ウエハ１の主面に補強材付保護部材（Ａ）１３を貼付けた状態で，半導体素子が形成されていない半導体ウエハ１の裏面を研削薄仕上げ加工する
【００４６】半導体ウエハ１を研削薄仕上げ加工した後，図６に示すように，補強材付保護部材（Ａ）１３を貼り付けた状態で，半導体ウエハ１をウエハ回転チャック６１で保持し，半導体ウエハ１を回転させながら温水供給ノズル６２より，熱収縮テープ（Ａ）１３ａが熱収縮を開始する温度以上の温水６３を熱収縮テープ（Ａ）１３ａに接触させる（熱作用）。
【００４７】図７に示すように，温水６３の接触（熱作用）により，熱収縮テープ（Ａ）１３ａは熱収縮し（図１の工程１０５），ガラス板（Ａ）１３は容易に剥離される。この剥離されたガラス板（Ａ）１３は，開示していないガラス板（Ａ）１３の真空吸着ハンドリング手段により除去される（図１の工程１０６）。
【００４８】一方，温水６３により，ウエハ表面粘着剤（Ａ）１３ａ，ガラス板材粘着剤（Ａ）１３ｃは溶解除去され，熱収縮した熱収縮テープ（Ａ）１３ａは，開示していない熱収縮テープ（Ａ）１３ａの真空吸着ハンドリング手段により除去される。さらに，熱収縮テープ（Ａ）１３ａを除去した後，温水若しくは常温水により半導体ウエハ表面を洗浄処理する（図１の工程１０７）。」
３　対比・判断 
（１）対比 
　本願発明８と引用発明とを対比する。 
 　 
ア　引用発明の「ＳｉＣなどの半導体ウエハ上に」形成された「通常複数のＧａＮベースのエピタキシャル層を堆積してなるＧａＮベースの発光ダイオード」は，「炭化ケイ素基板と反対側の前記エピタキシャル層の第１の表面」に形成された「半導体デバイス」であるといえる。
　したがって，本願発明８と引用発明は，以下の相違点を除いて，「半導体デバイスを形成する方法」である点，及び，「前記炭化ケイ素基板と反対側の前記エピタキシャル層の第１の表面に半導体デバイスを形成するステップ」を含む点で一致する。
イ　引用発明の「約２５０ミクロンから約４００ミクロンである第１の厚さを有するＳｉＣなどの半導体ウエハ」は，「３００ミクロン以上約４００ミクロン以下の第１の厚さを有する炭化ケイ素基板」である範囲で，本願発明８の「炭化ケイ素基板は３００ミクロン以上の第１の厚さを有する」と一致するといえる。
ウ　引用発明の「『キャリア』，『ウエハキャリア』」は，本願発明８の「キャリア基板」に相当する。
　したがって，引用発明の「前記ウエハ上の前記複数のＬＥＤをキャリアの表面に接触させ，前記ウエハを前記キャリアに結合すること」と，本願発明８の「前記半導体デバイスの上にパッシベーション層を形成するステップと，前記パッシベーション層にキャリア基板を取り付けるステップ」とは，以下の相違点を除いて，「キャリア基板を取り付けるステップ」である点で一致する。
エ　引用発明の「前記ウエハの前記第１の厚さを，前記ウエハの裏面を加工することによって，前記第１の厚さよりも小さい約１５０ミクロン未満の厚さである第２の厚さまで低減すること」は，本願発明８の「前記炭化ケイ素基板を，１５０ミクロン未満の第２の厚さまで薄くするステップ」に相当する。
　そして，引用発明の前記「前記ウエハの前記第１の厚さを，前記ウエハの裏面を加工することによって，前記第１の厚さよりも小さい約１５０ミクロン未満の厚さである第２の厚さまで低減すること」が，引用発明の「前記ウエハ上の前記複数のＬＥＤをキャリアの表面に接触させ，前記ウエハを前記キャリアに結合する」工程の後であって，「前記ウエハ上の前記複数のＬＥＤから前記キャリアを分離する」工程よりも前に行われる工程であることは明らかである。
　したがって，本願発明８の「前記キャリア基板と前記エピタキシャル層が前記炭化ケイ素基板に機械的支持を提供している間に，前記炭化ケイ素基板を，１５０ミクロン未満の第２の厚さまで薄くするステップ」と，引用発明の「前記ウエハの前記第１の厚さを，前記ウエハの裏面を加工することによって，前記第１の厚さよりも小さい約１５０ミクロン未満の厚さである第２の厚さまで低減すること」とは，以下の相違点を除いて，「前記キャリア基板と前記エピタキシャル層が前記炭化ケイ素基板に機械的支持を提供している間に，前記炭化ケイ素基板を，１５０ミクロン未満の第２の厚さまで薄くするステップ」である点で一致する。
オ　本願発明８の「前記薄くされた前記炭化ケイ素基板の表面に金属層を形成するステップと，前記薄くされた前記炭化ケイ素基板の表面にオーミックコンタクトを形成するために，前記金属層を局所的にアニールするステップであって，前記金属層を局所的にアニールするステップは，前記薄くされた炭化ケイ素基板の表面に前記金属層が前記オーミックコンタクトを形成するには十分な温度だが，前記キャリア基板が前記パッシベーション層から剥がれる温度未満の温度まで，前記金属層を局所的にアニールすることを含むステップ」と，引用発明の「それぞれの接着パッドを前記複数のＬＥＤ上に形成しようとする場所と反対側の裏側表面上に，オーミックコンタクトを，ウエハがウエハキャリアに結合されている間に，レーザアニーリングを使用して形成すること」とは，以下の相違点を除いて，「薄くされた前記炭化ケイ素基板の表面にオーミックコンタクトを形成するために」「オーミックコンタクトを形成するには十分な温度」まで「アニールする」点で一致する。
カ　以上をまとめると，本願発明８と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。
 ＜一致点＞ 
「半導体デバイスを形成する方法であって，
　炭化ケイ素基板の表面上にエピタキシャル層を形成するステップと，
　前記炭化ケイ素基板と反対側の前記エピタキシャル層の第１の表面に半導体デバイスを形成するステップであって，前記炭化ケイ素基板は３００ミクロン以上の第１の厚さを有するステップと，
　キャリア基板を取り付けるステップと，
　前記キャリア基板と前記エピタキシャル層が前記炭化ケイ素基板に機械的支持を提供している間に，前記炭化ケイ素基板を，１５０ミクロン未満の第２の厚さまで薄くするステップと，
　前記薄くされた前記炭化ケイ素基板の表面にオーミックコンタクトを形成するために，前記オーミックコンタクトを形成するには十分な温度まで，アニールすることを含むステップと，
を含むことを特徴とする方法。」 
 　 
＜相違点＞ 
・相違点１：本願発明８が「炭化ケイ素半導体デバイスを形成」する方法に係る発明であるのに対して，引例発明は「ＧａＮベースの発光ダイオードからなる複数の発光デバイス（ＬＥＤ）を形成」する方法，すなわち，窒化ガリウム半導体デバイスを形成する方法に係る発明である点。
　
・相違点２：本願発明８が「炭化ケイ素基板の表面上に３ミクロン以上の厚さのエピタキシャル層を形成するステップ」を含むのに対して，引例発明では，炭化ケイ素基板の表面上に形成するエピタキシャル層の厚さが特定されていない点。
・相違点３：本願発明８が，「キャリア基板を取り付けるステップ」の前に，「半導体デバイスの上にパッシベーション層を形成するステップ」を含むのに対して，引用発明には，このような工程が特定されていない点。
・相違点４：本願発明８が「炭化ケイ素基板の表面に金属層を形成するステップ」と，「前記炭化ケイ素基板の表面にオーミックコンタクトを形成するために，前記金属層を局所的にアニールするステップ」とを含むのに対して，引用発明は，「オーミックコンタクトを」「レーザアニーリングを使用して形成する」とのみ特定されている点。
・相違点５：本願発明８では，アニールするステップが，「オーミックコンタクトを形成するには十分な温度だが，前記キャリア基板が前記パッシベーション層から剥がれる温度未満の温度まで，前記金属層を局所的にアニールすることを含むステップ」であるのに対して，引用発明では「ウエハがウエハキャリアに結合されている間に，レーザアニーリングを使用して形成する」とのみ特定されている点。
（２）判断
・相違点１について
　引用例１の上記摘記（１ａ）には，以下の記載がある。
「
Light emitting devices (LEDs) described herein may include a light emitting diode, laser diode and/or other semiconductor device which includes one or more semiconductor layers, which may include
silicon carbide
a substrate which may include
silicon carbide
one or more contact I layers which may include metal
本明細書で記述する，発光デバイス（ＬＥＤ）は，発光ダイオード，レーザダイオードおよび／または他の半導体デバイスとすることができ，これらのデバイスは
炭化ケイ素
を含むことができる１つまたは複数の半導体層と
炭化ケイ素
を含むことができる基板
金属
を含むことができる１つまたは複数のコンタクト層を含む
　すなわち，引用例１には，発光デバイス（ＬＥＤ）として，引用発明の「ＧａＮベースの発光ダイオード」の他に，炭化ケイ素を含む１つまたは複数の半導体層と，炭化ケイ素基板と，金属を含むことができる１つまたは複数のコンタクト層を含む発光デバイス（ＬＥＤ），すなわち，炭化ケイ素半導体デバイスであるものが記載されている。
　そうすると，引用例１の前記記載に基づいて，引用発明の「ＧａＮベースの発光ダイオードからなる複数の発光デバイス（ＬＥＤ）を形成」に替えて，「炭化ケイ素半導体デバイスを形成」することは，当業者が適宜なし得たことである。
　したがって，引用発明において，上記相違点１について本願発明８の構成を採用することは当業者が適宜なし得たことである。
・相違点２について
　半導体デバイスを構成するエピタキシャル層の厚さは，当該半導体デバイスが必要とする条件に応じて当業者が適宜定めるべきものである。
　そして，炭化ケイ素基板の表面上に３ミクロン以上の厚さのエピタキシャル層を形成することは格別のこととは認められない。
　したがって，引用発明において，炭化ケイ素基板の表面上に形成するエピタキシャル層の厚さを３ミクロン以上とすること，すなわち，引用発明において，上記相違点２について本願発明８の構成を採用することは当業者が適宜なし得たことである。
・相違点３について
　上記２（３）及び（４）より，「キャリア基板を取り付けるステップ」の前に，半導体デバイスの上に，当該半導体デバイスを保護する等の機能を備えたパッシベーション層を，形成することは，上記引用例３及び４の記載にみられるように周知の事項である。
　すなわち，引用例３の上記摘記（３ａ）の「ｐ型ＳｉＣ層６２およびｎ型ＳｉＣ層６１の上面を覆う絶縁膜６３」，及び，引用例４の上記摘記（４ａ）の「『例えば酸化シリコン膜からなる保護膜１１ａと，その上に形成された窒化シリコン膜からなる保護膜１１ｂと，さらに，その上に形成されたポリイミド樹脂からなる保護膜１１ｃとを有している』『表面保護膜１１』」は，いずれも本願発明８のパッシベーション層に相当する。
　そして，引用例３において，「絶縁膜６３を熱酸化やＣＶＤにより形成」する工程が，「ＳｉＣ基板を裏面であるＣ面側から研磨」する工程の前に設けられていること，及び，引用例４において，「表面保護膜１１」を形成する工程が，「半導体ウエハ１の主面に補強材付保護部材（Ａ）１３を貼付けた状態で，半導体素子が形成されていない半導体ウエハ１の裏面を研削薄仕上げ加工する」工程の前に設けられていることが理解される。
　してみれば，引用例１に，「半導体デバイスの上にパッシベーション層を形成するステップ」が明示されていないとしても，引用発明は，当然に「キャリア基板を取り付けるステップ」の前に，「半導体デバイスの上にパッシベーション層を形成」する工程を備えているものと理解することが自然であるから，上記相違点３は，実質的な相違点であるとはいえない。
　また，仮に，引用発明が，「キャリア基板を取り付けるステップ」の前に，「半導体デバイスの上にパッシベーション層を形成」する工程を備えているものと理解できないとしても，キャリア基板を取り付けるステップの前に，半導体デバイスの上に，当該半導体デバイスを保護するためにパッシベーション層を形成することは，引用例３及び４にみられるように周知の事項であるから，引用発明において，「キャリア基板を取り付けるステップ」の前に，「半導体デバイスの上にパッシベーション層を形成」する工程を付加すること，すなわち，引用発明において，上記相違点３について本願発明８の構成を採用することは，上記周知の事項に基づいて当業者が容易になし得たことである。
　したがって，上記相違点３は，実質的な相違点ではないか，あるいは，引用発明及び上記周知の事項に基づいて，当業者が容易に想到することができたものである。
・相違点４について
ア　引用例１の上記摘記（１ｃ）には，「オーミックコンタクト１０７は，例えば，本出願の譲受人に共有で譲渡された，その開示が参照により本明細書に組み込まれているU.S. Patent Application Serial No. 10/916,113, entitled Localized Annealing of Metal-Silicon Carbide Ohmic Contacts and Devices So Formed to Slater et al., filed August 11 , 2004, で検討されているようなレーザアニーリングを使用して，ウエハ１００’の裏面１０３に形成することができる。ウエハがウエハキャリアに結合されている間に，オーミックコンタクトを薄層化したウエハ１００’上に形成することができることが理解されるだろう。」と記載されている。
イ　一方，引用例２の上記摘記（２ａ）の「(30)Priority Data:　＜途中省略＞　10/916,113　11 August 2004(11.08.2004)　US」との記載から，引用例２は，引用例１において引用する前記「U.S. Patent Application Serial No. 10/916,113, entitled Localized Annealing of Metal-Silicon Carbide Ohmic Contacts and Devices So Formed to Slater et al., filed August 11 , 2004」を優先権の基礎とする出願の特許公報であるといえる。
ウ　そうすると，引用発明の「レーザアニーリングを使用して形成する」オーミックコンタクトの形成方法として，引用例２に記載された方法を用いることは，引用例１の上記アの記載に接した当業者が当然に行い得るものといえる。
エ　そこで，引用例２の記載を検討すると，引用例２の半導体素子のオーミックコンタクトを形成する方法における「炭化珪素（ＳｉＣ）層上に金属を形成」する工程は，本願発明８の「炭化ケイ素基板の表面に金属層を形成するステップ」に相当する。
オ　また，引用例２の上記摘記（２ｃ）には，「【請求項１】半導体素子のオーミックコンタクトを形成する方法であって，炭化珪素（ＳｉＣ）層上に金属を形成すること，およびこの金属と前記ＳｉＣ層との界面部をアニーリングして，そこに金属−ＳｉＣ材を形成し，かつ前記ＳｉＣ層上のある箇所ではアニーリングが行われないようにして，そこでは前記金属−ＳｉＣ材が形成されないようにすることを備える前記方法。」が，また，上記摘記（２ｂ）には，「当然のことながら，本明細書で記述する金属−ＳｉＣオーミックコンタクトをアニーリングするために用いるレーザ光は，金属層とＳｉＣ基板との界面で金属シリサイド材を形成するのに十分な波長と強度とを有するレーザ光である。例えば，６Ｈ ＳｉＣを基板として用いる実施形態においては，約２４８ナノメートルから約３０８ナノメートルの波長を有するレーザ光を，約３０ナノ秒のパルス幅を持つ単一パルスを用いて１平方センチメートルあたり約２．８ジュールのエネルギーで入射させることによりレーザアニーリングを行うことができる。また，本発明の別の実施形態においては，ＳｉＣ基板が４Ｈ ＳｉＣであるとすると，レーザ光は，約２４８ナノメートルから約３０８ナノメートルの波長と，約３０ナノ秒のパルス幅を持つパルスを約５パルス用いて１平方センチメートルあたり約４．２ジュールのエネルギーとを有することができる。」ことが記載されている。
カ　ここで，引用例２の「この金属と前記ＳｉＣ層との界面部をアニーリングして，そこに金属−ＳｉＣ材を形成し，かつ前記ＳｉＣ層上のある箇所ではアニーリングが行われないようにして，そこでは前記金属−ＳｉＣ材が形成されないようにすること」は，「ＳｉＣ層上のある箇所ではアニーリングが行われない」のであるから，「金属層を局所的にアニールするステップ」であるということができる。
　また，引用例２において，金属−ＳｉＣオーミックコンタクトをアニーリングするために用いるレーザ光は，金属層とＳｉＣ基板との界面で金属シリサイド材を形成するのに十分な波長と強度とを有するが，「例えば，６Ｈ ＳｉＣを基板として用いる実施形態においては，約２４８ナノメートルから約３０８ナノメートルの波長を有するレーザ光を，約３０ナノ秒のパルス幅を持つ単一パルスを用いて１平方センチメートルあたり約２．８ジュールのエネルギーで入射させることによりレーザアニーリングを行うことができる。また，本発明の別の実施形態においては，ＳｉＣ基板が４Ｈ ＳｉＣであるとすると，レーザ光は，約２４８ナノメートルから約３０８ナノメートルの波長と，約３０ナノ秒のパルス幅を持つパルスを約５パルス用いて１平方センチメートルあたり約４．２ジュールのエネルギーとを有することができる」という程度の小さな強度であるから，当該強度を有するレーザ光は，ＳｉＣ材の全体ではなく，金属層とＳｉＣ基板との界面を含む領域を局所的にアニールするものということができる。
　したがって，引用例２のアニーリングは，「金属層を局所的にアニールする」ものといえる。
キ　そうすると，引用例２には，「炭化ケイ素基板の表面に金属層を形成するステップ」と，「前記炭化ケイ素基板の表面にオーミックコンタクトを形成するために，前記金属層を局所的にアニールするステップ」とを含む方法が記載されていると理解でき，上記アないしウで検討したように，引用発明の「レーザアニーリングを使用して形成する」オーミックコンタクトの形成方法として，引用例２に記載された方法を用いることは，当業者が当然に行い得るものといえるから，引用発明において，上記相違点４について本願発明８の構成を採用することは，引用例１の記載に基づいて当業者が容易になし得たことである。
・相違点５について
　上記「相違点３について」で検討したように，引用発明において，「キャリア基板を取り付けるステップ」の前に，「半導体デバイスの上にパッシベーション層を形成」することは，実質的な相違点であるとはいえないか，あるいは，当業者が容易になし得たことである。
　そして，「半導体デバイスの上にパッシベーション層を形成」した場合，キャリア基板は，当該パッシベーション層を介してウエハに結合されていることとなる。
　そうすると，引用発明において，「半導体デバイスの上にパッシベーション層を形成」した場合には，引用発明の「オーミックコンタクトを，ウエハがウエハキャリアに結合されている間に，レーザアニーリングを使用して形成すること」は，「オーミックコンタクトを，パッシベーション層がキャリア基板に結合されている間に，レーザアニーリングを使用して形成すること」を意図するものであると理解することができる。
　他方，前記「レーザアニーリング」が，「オーミックコンタクトを形成するには十分な温度」までアニールするものであることは当然の要請といえる。
　してみれば，引用発明において，「レーザアニーリング」は，「オーミックコンタクトを形成するには十分な温度」までアニールするのであると同時に，「オーミックコンタクトを，パッシベーション層がキャリア基板に結合されている間に」形成するものであることから，引用発明のレーザアニーリングの工程は，「オーミックコンタクトを形成するには十分な温度だが，前記キャリア基板が前記パッシベーション層から剥がれる温度未満の温度まで，前記金属層を局所的にアニールすることを含むステップ」に相当すると認められる。
　したがって，相違点５は実質的な相違点であるとはいえない。
・効果について
　引用発明において，上記相違点１ないし５について本願発明８の構成を採用したことによる効果は当業者が予測する範囲内のものであり，格別のものとは認められない。
　審判請求人は，平成２８年４月２２日に提出した意見書の「（２）特許法第２９条第２項について」において，「引用文献１には，ウェハをキャリアから取り外した後に，オーミックコンタクトを薄層化されたウェハ上に形成できることができることが記載されていますが，３ミクロン以上の厚さのエピタキシャル層を形成して機械的強度をもたせた後，炭化ケイ素基板を除去し，エピタキシャル層の裏面にオーミックコンタクトを形成することについては開示も示唆もしておりません。また，他の引用文献２〜４もこれについて開示も示唆もしておりません。従って，本願発明は引用文献に対して進歩性を有すると考えます。」と主張するが，本願発明８は，「炭化ケイ素基板を，１５０ミクロン未満の第２の厚さまで薄くするステップ」を含むことを発明特定事項とする発明であって，「炭化ケイ素基板を除去し，エピタキシャル層の裏面にオーミックコンタクトを形成すること」を発明特定事項とする発明ではないから，審判請求人の前記意見書における進歩性についての主張は採用することができない。
（３）判断についてのまとめ 
　以上のとおりであるから，引用発明において，上記相違点１ないし５に係る本願発明８の構成を採用することは，引用例２ないし４に接した当業者であれば容易になし得たことである。
　したがって，本願発明８は，引用発明，及び引用例２ないし４に記載の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明８は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 　 
４　むすび 
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　よって，結論のとおり審決する。