【事件の表示】
　特願２０１２−１１３５０３「配線基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１１月２８日出願公開、特開２０１３−２３９６８０、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年５月１７日の出願であって、平成２７年７月３日付けで拒絶理由が通知され、同年９月３日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２８年３月３１日付け（発送日：同年４月５日）で拒絶査定され、これに対し、同年６月２８日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし３に係る発明（以下、「本願発明１」ないし「本願発明３」という。）は、平成２７年９月３日付けで手続補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりの以下のものである。
「【請求項１】
　絶縁基材の少なくとも一方の面に、π共役系導電性高分子、ポリアニオン及び分散媒を含有する導電性高分子分散液を塗布して導電性高分子塗膜を形成する導電性高分子塗膜形成工程と、
　前記導電性高分子塗膜の表面に、スクリーン印刷により所定のパターンで、レジスト膜形成用樹脂及びレジスト膜形成用溶媒を含有するレジストペーストを印刷してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
　前記レジスト膜で被覆されていない導電性高分子塗膜を、該導電性高分子塗膜を不活性化するエッチング液で処理する不活性化工程と、
　不活性化工程後に、除去用溶剤により前記レジスト膜を溶解または膨潤させて除去するレジスト膜除去工程とを有し、
　前記除去用溶剤として、レジスト膜形成用溶媒の比誘電率との差が３０以下のものを用いることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
　前記エッチング液が、次亜塩素酸、次亜塩素酸塩、臭素酸、臭素酸塩、過マンガン酸塩、アルカリ化合物よりなる群から選ばれる少なくとも一種の不活性化剤を含有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
　除去用溶剤として、比誘電率が５０以下のものを用いることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。」
第３　原査定の理由について
　１　原査定の理由の概要
　平成２７年９月３日付けで手続補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に係る発明は、その出願前に日本国内において頒布された下記刊行物１ないし刊行物４に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１：特開２０１０−１６１０１３号公報
　刊行物２：特開２００３−３３１６６２号公報
　刊行物３：特開２００８−２０５１４４号公報（周知技術を示す文献）
　刊行物４：特開平３−１１９０１５号公報
　備考
　本願発明１について
　刊行物１には、絶縁性の透明基体２０の一方の面に、π共役系導電性高分子、ポリアニオン及び分散媒を含有する導電性高分子分散液を塗布して導電性樹脂組成物層１０を形成する工程と、導電性樹脂組成物層１０の表面に、露光・現像やインクジェットにより所定のパターンのレジスト膜３０を形成する工程と、レジスト膜３０で被覆されていない導電性樹脂組成物層１０を、エッチング液で処理する工程と、エッチング後に、除去用溶剤によりレジスト膜を剥離させて除去する工程とを有する積層体の製造方法が記載されている（段落【００１７】−【００５７】及び【図１】参照）。
　刊行物２には、絶縁性の基板１の一方の面に、共役系高分子により導電性膜２を形成する工程と、導電性膜２の表面に、所定のパターンで脱ドープする作用を奏するインク３を印刷する工程と、を有する回路基板の製造方法が記載されている（段落【００２８】−【００３３】及び【図１】参照）。
　また、レジスト膜形成用樹脂及びレジスト膜形成用溶媒を含有するレジストペーストをスクリーン印刷により印刷して塗布することは、従来周知である（例えば、刊行物３参照）。
　刊行物１−２に記載された発明は、導電性樹脂に所定のパターンを形成する点で共通し、刊行物１に記載された発明と周知の事項は、基体にレジスト膜を形成する点において共通することから、刊行物２に記載された発明及び周知の事項を、刊行物１に記載された発明に適用し、導電性樹脂組成物層１０をエッチング液で除去することに換えて、脱ドープする作用を奏するインク３により不活性化すること、及び、レジスト膜３０において、露光・現像やインクジェットにより所定のパターンを形成することに換えて、スクリーン印刷により所定のパターンを形成することは、当業者が容易になし得たことである。
　刊行物４には、ポジ型ドライフィルムフォトレジストに係る発明ではある
が、レジスト層形成用溶媒が、アセトンと酢酸エチルの同重量比混合溶剤である旨記載されているとともに（８頁右下欄参照）、レジスト層を、市販のストリッピング液（メタノールとジクロロメタンの１０対９０重量比混合溶剤）を用いて溶解・除去した点が記載されている（９頁左上欄参照）。
　ここで、メタノールとジクロロメタンの比誘電率と混合比を勘案すれば、ストリッピング液（除去用溶剤）の比誘電率は５０以下であると認められる。
　また、アセトンと酢酸エチルの比誘電率と混合比を勘案すれば、ストリッピング液（除去用溶剤）とレジスト層形成用溶媒（レジスト膜形成用溶媒）との比誘電率の差は３０以下であると認められる。
　刊行物１、４に記載された発明は、レジスト膜を除去する点で共通することから、刊行物４に記載された発明を、刊行物１に記載された発明に適用し、除去用溶剤として、比誘電率が５０以下のものを用いることともに、レジスト膜形成用溶媒の比誘電率との差が３０以下のものを用いることは、当業者が容易になし得たことである。
　出願人は、平成２７年９月３日付け意見書において、刊行物４について「溶剤の比誘電率について一切記載はありませんし、示唆もありません。」「フォトレジスト組成物に対して、除去用溶剤として、メタノールとジクロロメタンの１０対９０重量比混合溶剤を用い、レジスト膜形成用溶媒として、アセトンと酢酸エチルの同重量比混合溶剤を用いた例にすぎず、比誘電率を勘案して溶剤を選択することではありません。」と主張している。
　しかしながら、刊行物４のレジスト層形成用溶媒を形成するアセトンの比誘電率が大凡２０前後であり、酢酸エチルの比誘電率が大凡６前後であり、同重量比混合されていることと、レジスト層を溶解・除去するストリッピング液を形成するメタノールの比誘電率が大凡３３前後であり、ジクロロメタンの比誘電率が大凡９前後であり、１０対９０重量比で混合されていることから、レジスト層形成用溶媒とストリッピング液の比誘電率の差は３０以下であると解される。
　２　原査定の理由の判断
（１）刊行物
　ア　刊行物１（特開２０１０−１６１０１３号公報）
　原査定の拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物１には、「導電性樹脂パターンを有する積層体の製造方法、および、積層体」に関し、図面（特に【図１】）と共に以下の記載がある。なお、下線は当審で付した。以下同様。
（ア）「【０００１】
　本発明は、導電性樹脂パターンを有する積層体の製造方法、および、積層体に関する。」
（イ）「【００１２】
　本発明の目的は、エッチング後の導電性能、および、信頼性に優れた、導電性樹脂パターンを有する積層体の製造方法を提供することである。さらに、本発明は前記製造方法により得られる積層体を提供することを目的とする。」
（ウ）「【００１４】
　本発明によれば、エッチング後の導電性能、および、信頼性に優れた、導電性樹脂パターンを有する積層体の製造方法を提供することができた。さらに、本発明によれば、前記製造方法により得られる積層体を提供することができた。
　本発明によれば、他のパターニング方法と比べ導電性樹脂組成物の表面抵抗の上昇が少なく、導電性に優れた導電性積層体を供給できる。なおかつ、本発明によってパターニングした導電性積層体は耐熱性に優れた特徴を持つ。」
（エ）「【００６３】
　以下に図を参照して詳述する。なお、以下の図において、同一の符号は、同一の対象を指すものである。
　図１は、導電性樹脂組成物層上に直接形成したレジストパターンを剥離する方法を示す工程図である。
　図１（ａ）において、透明基体２０上に導電性樹脂組成物層１０を形成する。次いで、導電性樹脂組成物層１０上にレジスト膜３０を成膜する（図１（ｂ））。マスクパターン４０を介してレジスト膜３０を露光し（図１（ｃ））、パターン様に現像する（図１（ｄ））。なお、図１では、
レジスト膜３０としてポジ型レジスト
　次いで、導電性樹脂組成物層１０をエッチングし（図１（ｅ））、さらに導電性樹脂組成物層１０上のレジスト膜３０を剥離する（図１（ｆ））。本発明において、剥離剤および剥離方法は、前記図１（ｆ）に示す導電性樹脂組成物層１０上のレジスト膜３０の剥離剤および前記レジスト膜の剥離方法として好適に使用することができる。」
（オ）「【００７１】
［実施例１］
（導電性樹脂組成物の調製）
　２０．８部のポリスチレンスルホン酸を含む１，８８７部の水溶液中に、４９部の１％硫酸鉄（III）水溶液、８．８部の３，４−エチレンジオキシチオフェン、および１１７部の１０．９％のペルオキソ二硫酸水溶液を加えた。この反応混合物を１８℃で、２３時間撹拌した。次いで、この反応混合物に、１５４部の陽イオン交換樹脂および２３２部の陰イオン交換樹脂を加えて、２時間撹拌した後、イオン交換樹脂をろ別して、脱塩された
ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との複合体の水分散体
【００７２】
　上記の水分散体（Ａ）１０．４部に、３．０部のポリエステル樹脂水分散体（ナガセケムテックス（株）製：ガブセンＥＳ−２１０）、１．０部のメラミン系架橋剤（住友化学（株）製：ＳｕｍｉｔｅｘＲｅｓｉｎＭ−３）、２０部のＮ−メチルホルムアミド、少量の界面活性剤、少量のレベリング剤、適量の水、および変性エタノールを加え、１時間撹拌したのち、４００ｍｅｓｈのＳＵＳにてろ過し、導電性樹脂組成物を得た。
【００７３】
　
透明ガラス基体
導電性樹脂組成物を塗布
　次いで、
ポジ形フォトレジスト
　このレジスト層付のテスト基板の中央に、遮光部分が５０ｍｍ角のフォトマスクを置き、露光装置（（株）ハイテック製）を用いて１００ｍＪ／ｃｍ2で露光し、０．５重量％水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液にて現像し、水洗後、乾燥して
レジストパターンを形成
【００７４】
　レジストパターン付のテスト基板に対して、レジストパターンをマスクとして、１０重量％の硝酸セリウムアンモニウムと１０重量％の硝酸との混合物であるエッチング剤を用いて、３０℃にて１分間導電性樹脂組成物層を
エッチング処理
　最後に、導電性樹脂組成物上のレジストパターンを、剥離剤として７００ｍｌの
γ‐ブチロラクトン
剥離
　これによりテスト基板中央に５０ｍｍ角にパターニングした導電性高分子を有する
テスト基板Ａ
　該テスト基板Ａについて、以下の測定と試験を行った。
【００７５】
＜全光線透過率測定＞
　テスト基板中央に存在する５０ｍｍ角の導電性樹脂パターン部分に対してヘイズメーター（スガ試験機（株）製、ヘイズコンピューターＨＧＭ−２Ｂ）でガラス基体を含む全光線透過率を測定した。全光線透過率は、ＪＩＳ Ｋ７１５０に従い測定した。
【００７６】
＜耐熱性試験＞
　テスト基板中央に存在する５０ｍｍ角の導電性樹脂パターンの表面抵抗を表面抵抗計（（株）ダイアインスツルメント製、ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００）で測定しパターニング直後の表面抵抗率とした。次にテスト基板に対して乾燥炉にて８０℃で２４０時間の耐熱試験を行った耐熱試験後に表面抵抗計で表面抵抗率を測定し、耐熱試験後の表面抵抗率とした。
　これらの結果を表１に記載した。」
（カ）上記記載事項（エ）の「図１（ａ）において、透明基体２０上に導電性樹脂組成物層１０を形成する。次いで、導電性樹脂組成物層１０上にレジスト膜３０を成膜する（図１（ｂ））。」及び「次いで、導電性樹脂組成物層１０をエッチングし（図１（ｅ））、」（段落【００６３】）との記載に照らせば、【図１】（ｅ）の図示内容からは、レジスト膜３０によりマスクされていない導電性樹脂組成物層１０が、エッチングにより除去されている状態が見て取れる。
　上記記載事項及び図示内容を総合し、本願発明１の記載ぶりに則って整理すると、刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
［引用発明］
「透明ガラス基体の一方の面に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリスチレンスルホン酸及び水を含有する導電性樹脂組成物を塗布して導電性樹脂組成物の塗膜を形成する導電性樹脂組成物の塗膜の形成工程と、
　前記導電性樹脂組成物の塗膜の表面に、ポジ形フォトレジストのレジスト膜を形成するポジ形フォトレジストのレジスト膜形成工程と、
　前記レジスト膜で被覆されていない導電性樹脂組成物の塗膜を、除去するエッチング処理の工程と、
　除去するエッチング処理の工程後に、γ−ブチロラクトンにより前記レジスト膜を剥離するレジスト膜の剥離の工程とを有するテスト基板Ａの製造方法。」
　イ　刊行物２（特開２００３−３３１６６２号公報）
　原査定の拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物２には、「薄膜のパターニング方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、回路基板及び電子機器」について、【図１】とともに、以下の事項が記載されている。
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に導電性の膜をパターニングする薄膜のパターニング方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、回路基板及び電子機器に関する。」
（イ）「【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る薄膜のパターニング方法について、図面を参照して説明する。本パターニング方法は、基板上に共役系高分子によって導電性膜を形成し、これに所望のパターンに対応するように共役を切る又は脱ドープする作用のある材料を塗布することにより、基板上に導電層をパターニングするものである。下記実施形態では、
共役を切る作用のある材料を塗布してパターニングする
脱ドープ作用のある材料を塗布してパターニングする
【００２９】（第１実施形態）本発明の第１実施形態に係る薄膜のパターニング方法について図１を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る薄膜のパターニング方法を用いた回路基板の製造方法を示す模式概念図である。
【００３０】本図においては、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の順序で回路基板の製造工程が進んで行く。この回路基板は、各種電子機器の構成部品となるものである。先ず、図１（ａ）に示すように、絶縁性の基板１上に共役系高分子を用いて導電性膜２を形成する。基板１としては、紙エポキシ、ガラスエポキシ、ガラス又はプラスチックなどの材料からなるものを用いることができる。共役系高分子は
導電性ポリマー
【００３１】そして、導電性膜２の表面全体に所定の撥水性処理を施して、撥水性を制御する。この撥水性の制御は、図１（ｂ）に示す工程で導電性膜２の表面に塗布されるアルカリ性のインク３が導電性膜２の表面上で濡れ広がらないようにするための処理である。また、撥水性の制御は、酸素プラズマ又はフッ素プラズマを用いて行う。
【００３２】上記撥水性の制御が行われた後、図１（ｂ）に示すように、導電性膜２の表面上に、
共役を切る作用のある材料であるアルカリ性のインク３を塗布する
インクジェットヘッド１０から吐出させる。インクジェット法の代わりに、印刷法でアルカリ性のインク３を塗布してもよい
還元剤又は酸化剤
【００３３】また、アルカリ性のインク３の塗布は、所望の導電パターンに対して逆パターンとなるように塗布する。これは、導電性膜２において、アルカリ性のインク３が塗布された部位が図１（ｃ）に示す高抵抗４となるからである。アルカリ性のインク３を塗布した後、所定時間だけ基板１の処理について放置し、その後、洗浄する。これらにより、図１（ｃ）に示すように、
導電性膜２におけるアルカリ性のインク３が塗布された部位が高抵抗４となる
　ウ　刊行物３（特開２００８−２０５１４４号公報）
　原査定の拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物３には、「パターン形成方法および半導体装置の製造方法」について、【図１】とともに、以下の事項が記載されている。
（ア）「【０００１】
　本発明は、パターン形成方法および半導体装置の製造方法に関し、さらに詳しくは、有機半導体層を有する薄膜トランジスタの電極パターン形成方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。」
（イ）「【００１８】
　上記基板１１としては、上述したガラス基板の他に、石英基板、プラスチック基板、絶縁性被膜のコートされた金属シートが用いられる。また、導電性膜１２’としては、上述したＡｇ以外に、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはニッケル（Ｎｉ）等の
金属、またはその合金もしくはＩＴＯ
（ウ）「【００２４】
　そして、図１（ｂ）に示すように、上述したようなスクリーン印刷版２０の一主面側を、撥液層Ａ1の表面に接触させて、スクレッパー（図示省略）により、
スクリーン印刷版２０の乳剤２２の非形成領域２３にレジストインクＲ
1
’を充填する
【００２５】
　ここで、上記レジストインクＲ1’は、
ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール樹脂などのフェノール樹脂、マレイン酸樹脂、ビニル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂を主成分
【００２６】
　続いて、図１（ｃ）に示すように、上記スクリーン印刷版２０（前記図１（ｂ）参照）を基板１１から離間させることで、撥液層Ａ1上にレジストインクＲ1’（前記図１（ｂ）参照）が印刷され、レジストパターンＲ1が形成される。この際、撥液層Ａ1上にレジストインクＲ1’が印刷されることで、スクリーン印刷版２０を被印刷面から離間した後も撥液状態が維持され、撥液層Ａ1のレジストインクＲ1’に対する撥液性が維持された状態となり、インクの滲みや裏周りが確実に防止され、レジストパターンＲ1が寸法制御性よく、安定して形成される。
【００２７】
　次いで、図１（ｄ）に示すように、レジストパターンＲ1をマスクに用いて、上記撥液層Ａ1と導電性膜１２’（前記図１（ｃ）参照）をエッチングすることで、ソース・ドレイン電極１２（導電性パターン）を形成する。この場合には、レジストパターンＲ1が設けられた状態の基板１１をＡｇのエッチング液（例えば関東化学社製  混酸ＳＥＡ−１）に浸漬させることにより、
レジストパターンＲ
1
から露出された撥液層Ａ
1
および導電性膜１２’を除去する
　エ　刊行物４（特開平３−１１９０１５号公報）
　原査定の拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物４には、「ポジ型ドライフィルムフォトレジスト組成物」について、以下の事項が記載されている。
（ア）「本発明は、蝕刻によって印刷回路や画像を形成する際に用いられるラミネートタイプのポジ型ドライフィルムフォトレジスト組成物に関する。」（第２ページ左上欄第２行ないし第４行）
（イ）「合成例１又は２で得られたブロック共重合体６５部（重量部、以下同様）、合成例Ａで得られたポリフェノール３５部及び２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン−ビス−〔ナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（２）−５−スルホネート〕５部を、
アセトンと酢酸エチルの同重量比混合溶剤
　得られた各溶液を、２５μのポリエチレンテレフタレートフィルム上に、ドクターブレードを用いてそれぞれ塗布し、１００℃で５分間乾燥させて、厚さ２５μの塗膜を形成させた。さらにその上に保護フィルムとして２５μのポリエチレンフィルムをそれぞれのせて、ドライフィルムフォトレジストを製造した。
　次いで、この各
ドライフィルムフォトレジストのポリエチレンフィルムを剥離して、各銅張り積層板の銅箔面に重ねて
塩化第二鉄エッチング液でエッチング
ストリッピング液（メタノールとジクロロメタンの１０対９０重量比混合溶剤）
（２）本願発明１について
　ア　対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明の「透明ガラス基体」は本願発明１の「絶縁基材」に相当し、以下同様に、「ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）」は「π共役系導電性高分子」に、「ポリスチレンスルホン酸」は「ポリアニオン」に、「水」は「分散媒」に、「導電性樹脂組成物」は「導電性高分子分散液」に、「導電性樹脂組成物の塗膜」は「導電性高分子塗膜」に、「導電性樹脂組成物の塗膜の形成工程」は「導電性高分子塗膜形成工程」に、「ポジ形フォトレジストのレジスト膜」は「レジスト膜」に、「ポジ形フォトレジストのレジスト膜の形成工程」は「レジスト膜形成工程」に、「γ−ブチロラクトン」は「除去用溶剤」に、「剥離」することは「溶解または膨潤させて除去」することに、「レジスト膜の剥離の工程」は「レジスト膜除去工程」に、それぞれ相当する。
　したがって、本願発明１と引用発明とは、次の一致点及び相違点を有する。
［一致点］
「絶縁基材の一方の面に、π共役系導電性高分子、ポリアニオン及び分散媒を含有する導電性高分子分散液を塗布して導電性高分子塗膜を形成する導電性高分子塗膜形成工程と、
　前記導電性高分子塗膜の表面に、レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
　除去用溶剤により前記レジスト膜を溶解または膨潤させて除去するレジスト膜除去工程とを有する、配線基板の製造方法。」
［相違点］
　本願発明１は、
　レジスト膜を形成する工程において、「レジスト膜形成用樹脂及びレジスト膜形成用溶媒を含有するレジストペースト」を採用して「スクリーン印刷により所定のパターンで、」「レジストペーストを印刷してレジスト膜を形成」し、
　エッチングの工程において「前記レジスト膜で被覆されていない導電性高分子塗膜を、該導電性高分子塗膜を不活性化するエッチング液で処理する不活性化工程」を採用し、
　「不活性化工程後」のレジスト膜を除去する工程において、「除去用溶剤」として「レジスト膜形成用溶媒の比誘電率との差が３０以下のものを用い」ているのに対し、
　引用発明は、
　レジスト膜を形成する工程においてレジストの溶媒についての特定がなく、フォトレジストであるためにスクリーン印刷によりレジスト膜を形成することもなく、
　エッチング処理の工程において「不活性化」ではなく「除去」を採用し、
　エッチング処理の工程後のレジスト膜の剥離の工程において、除去用溶剤である「γ−ブチロラクトン」の比誘電率とレジストの溶媒との比誘電率の差が３０以下であるか不明である点。
　イ　判断
　上記相違点について検討する。
　引用発明は、エッチング後の導電性能及び信頼性に優れた、導電性樹脂パターンを有する積層体の製造方法の提供を課題とするものである（刊行物１の段落【００１２】、【００１４】）が、刊行物１の記載からは、レジスト膜形性用溶媒が明らかでなく、本願発明１のように、レジスト膜形性用溶媒と除去用溶剤の比誘電率との差に着目する動機付けはない。
　刊行物２には、共役を切る又は脱ドープする作用のある材料（本願発明１の「不活性化するエッチング液」に相当する。）をインクジェット法又は印刷法で塗布する工程が記載されているものの、レジスト膜を形成した後に共役を切る又は脱ドープする作用のある材料を塗布する工程や、レジスト膜を除去する工程について、記載も示唆もされていない。
　刊行物３には、引用発明のエッチングに相当する「パターニング」の工程において、スクリーン印刷法によりレジストインクを塗布し、金属、合金又はＩＴＯをエッチング除去することが記載されているものの、導電性高分子塗膜を不活性化する工程や、導電高分子膜を不活性化しない部分にレジストインクを塗布することについて、記載も示唆もされていない。
　刊行物４には、銅張り積層板をエッチング除去するパターニングの工程を前提として、レジスト層を形成する工程における溶媒である「アセトン及び酢酸エチルの同重量比混合溶剤」と、レジスト層を除去する工程における「ストリッピング液（メタノール及びジクロロメタンの１０対９０重量比混合溶剤）」が記載されているものの、これに留まり、導電性高分子塗膜を不活性化する工程を前提としたレジスト層の形成用溶媒や除去用溶剤について、記載も示唆もされていない。
　結局、刊行物２ないし４には、エッチングの工程に不活性化工程を採用することを前提としてレジスト膜形成用溶媒を含有するレジストペーストをスクリーン印刷により所定のパターンで印刷してレジスト膜を形成することも、レジスト膜の除去用溶剤とレジスト膜形成用溶媒の比誘電率との差が３０以下とすることも、記載も示唆もされていない。
　そして、本願発明１は、エッチングの工程に不活性化工程を採用し、レジスト膜形成用溶媒を含有するレジストペーストをスクリーン印刷により所定のパターンで印刷してレジスト膜を形成し、レジスト膜の除去用溶剤とレジスト膜形成用溶媒の比誘電率との差が３０以下とすることにより、「π共役系導電性高分子を含有する配線を絶縁基材の表面に簡便に且つ高精細に形成でき、しかも得られる配線の」「透明性を高くできる。」（明細書段落【０００７】）との格別顕著な効果を奏するものと認められる。
　そうであれば、引用発明及び刊行物２ないし４に記載された事項に基いて上記相違点に係る本願発明１の構成とすることは、当業者が容易になし得たことではない。
　ウ　小括
　したがって、本願発明１は、引用発明及び刊行物２ないし４に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（３）本願発明２及び本願発明３について
　本願発明２及び本願発明３は、本願発明１をさらに限定したものであるので、本願発明１と同様に、引用発明及び刊行物２ないし４に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
第４　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。