【事件の表示】
　特願２０１３−５４３２５２「基板から窒化物を選択的に除去する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　６月１４日国際公開、ＷＯ２０１２／０７８５８０、平成２５年１２月１９日国内公表、特表２０１３−５４５３１９、請求項の数（２３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２３年１２月６日を国際出願日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　平成２２年１２月１０日，米国）とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２６年１２月　４日　審査請求・手続補正
平成２７年　８月２６日　拒絶理由通知
平成２８年　１月２７日　意見書
平成２８年　７月２９日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２８年１２月　９日　審判請求・手続補正
平成２９年　４月２８日　拒絶理由通知（当審）
平成２９年　７月１９日　意見書・手続補正
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし２３に係る発明は，平成２８年７月１９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２３に記載された事項により特定されるものと認められる。
　本願の請求項１ないし２３に係る発明（以下，「本願発明１」ないし「本願発明２３」という。）は以下のとおりである。
「【請求項１】
　基板からシリコン窒化物をシリコン酸化物に対して選択的に除去する方法であって：
　a）表面上にシリコン窒化物及びシリコン酸化物を有する基板を提供する工程，
　b）リン酸および硫酸を含む混合酸性液体流と，水蒸気流との流れを供給する工程であって，前記混合酸性液体流は，150℃よりも高い温度である，工程；ならびに，
　c）前記混合酸性液体流の流れを用いて，前記水蒸気の存在する中で，前記シリコン酸化物に対して前記シリコン窒化物を選択的にエッチングする工程；
　を有する方法。
　【請求項２】
　前記工程b）の前に，HFを含む前処理用液体によって前記基板を処理する工程をさらに有する，請求項1に記載の方法。
　【請求項３】
　前記水蒸気が過熱蒸気を含む，請求項1に記載の方法。
　【請求項４】
　前記混合酸性液体流は，180℃よりも高い温度で供給される，請求項1に記載の方法。
　【請求項５】
　前記混合酸性液体流は，200℃よりも高い温度で供給される，請求項1に記載の方法。
　【請求項６】
　前記混合酸性液体流は，190℃乃至240℃の温度で供給される，請求項1に記載の方法。
　【請求項７】
　前記混合酸性液体流は，150℃乃至180℃の温度で供給される，請求項1に記載の方法。
　【請求項８】
　前記水蒸気と交差させた後の前記混合酸性液体流の含水量が10wt%乃至20wt%である，請求項1に記載の方法。
　【請求項９】
　前記水蒸気と交差させた後の前記混合酸性液体流の含水量が11wt%乃至15wt%である，請求項1に記載の方法。
　【請求項１０】
　前記混合酸性液体流は，少なくとも80wt%のリン酸であるリン酸溶液と，少なくとも90wt%の硫酸である硫酸溶液とを，リン酸と硫酸との割合を体積比にして3:1乃至1:6で混合させることによって準備される，請求項1に記載の方法。
　【請求項１１】
　前記リン酸溶液は，85wt%のリン酸であり，前記硫酸溶液は98wt%の硫酸である，請求項10に記載の方法。
　【請求項１２】
　硫酸に対するリン酸の体積比が1:2乃至1:4である，請求項10に記載の方法。
　【請求項１３】
　前記水蒸気は，80℃乃至110℃の温度で提供される，請求項1に記載の方法。
　【請求項１４】
　前記水蒸気は，100℃の温度で提供される，請求項1に記載の方法。
　【請求項１５】
　前記基板は，前記混合酸性液体流の供給中に回転する，請求項1に記載の方法。
　【請求項１６】
　前記水蒸気と交差させた後の前記混合酸性液体流は，連続流の状態で前記基板と衝突する，請求項1に記載の方法。
　【請求項１７】
　前記混合酸性液体流は，水蒸気と交差した後，エアロゾル液滴の状態で前記基板と衝突する，請求項1に記載の方法。
　【請求項１８】
　前記リン酸と前記硫酸は，混合酸性液体流としてノズルから供給される前に，貯蔵用容器内で混合される，請求項1に記載の方法。
　【請求項１９】
　前記リン酸と前記硫酸は，混合酸性液体流としてノズルから排出される前に，ノズル集合体内で混合される，請求項1に記載の方法。
　【請求項２０】
　前記リン酸と前記硫酸は，ノズル集合体の別個のオリフィスから流れる別個の溶液として供給され，
　前記供給された別個の流れは，前記基板表面と接触する前に，互いに衝突し，前記ノズルの外部に前記混合酸性液体流を生成する，
　請求項1に記載の方法。
　【請求項２１】
　前記リン酸と前記硫酸は，前記基板表面上に噴霧される，請求項1に記載の方法。
　【請求項２２】
　前記リン酸と前記硫酸は，前記基板の表面に向かうように流される，請求項1に記載の方法。
　【請求項２３】
　前記水蒸気と，前記供給された流れている混合酸性液体流は，前記基板の表面に衝突する前に，供給されて交差する，請求項1に記載の方法。」　
第３　引用文献，引用発明等
１．引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物（特開２００６−２７８９５４号公報，以下「引用文献１」という。）には，図面と共に次の事項が記載されている。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
（１）引用文献１の記載事項
ア　「【技術分野】
【０００１】
　この発明は，
基板を薬液および純水で処理する基板処理方法
イ　「【０００４】
  ところが、このような基板処理では、基板の表面内における薬液処理の不均一が生じるという問題があった。より具体的には、たとえば、ふっ酸のようなエッチング液を薬液として用いる場合に、
薬液吐出開始時に勢いよく薬液ノズルから吐出されたエッチング液により、基板表面の着液点付近（一般には回転中心付近）において、急激な濃度変化が生じ、急激にエッチングが進行する。これにより、着液点付近とそれ以外の領域との間でエッチング不均一が生じる
【０００５】
  薬液吐出終了時には、着液点付近ではエッチング液の供給がただちに停止されるのに対して、その周辺の基板表面では、エッチング液が徐々に基板の外方へと排除されていく。これによっても、エッチングのばらつきが生じる。
  薬液吐出開始時と終了時とのエッチングの進行の面内ばらつきが互いに補い合う関係にあることは期待できず、実際、処理後の基板上にはエッチングばらつきが見られる。
【０００６】
  エッチング液に限らず、他の種類の薬液によって基板を処理する場合にも、同様な処理不均一が生じる。この問題は、処理能力の高い高濃度または高温の薬液を用いる場合にとくに顕著に現れる。
  そこで、
この発明の目的は、処理液による基板処理の面内不均一を抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること
ウ　「【００１１】
　前記エッチング液の例としては，ふっ酸（酸化膜または窒化膜のエッチング液），ふっ硝酸（シリコンのエッチング液），水酸化カリウム等のアルカリ液（シリコンのエッチング液），および
燐酸（窒化シリコンのエッチング液）を例示
　前記前純水供給工程および薬液供給工程は，
基板保持回転機構によって保持されている基板
前記基板保持回転機構によって保持されている基板に向けて処理液を供給する処理液ノズルが設けられ，
エ　「【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
　以下では，この発明の実施の形態を，添付図面を参照して詳細に説明する。
　図１は，この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す概念図である。この基板処理装置は，基板を１枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置であり，基板Ｗをほぼ水平に保持して鉛直軸線まわりに回転させるスピンチャック１と，このスピンチャック１に保持されて回転されている基板Ｗの回転中心に向けて純水を供給する純水ノズル２と，
スピンチャック１に保持されて回転されている基板Ｗの回転中心に向けて一定濃度の薬液（たとえばエッチング液）を供給する薬液ノズル３とを備えている
オ　「【００３０】
　また，高温および／または高濃度の高性能な薬液を用いる場合でも，基板Ｗ上での薬液濃度の急変を抑制できるので，このような高性能薬液を用いることで，基板処理時間を短縮し，かつ，基板処理の面内不均一を抑制することができる。これにより，基板処理の品質を悪化させることなく，基板処理に要する時間を短縮することができる。
　特に，
薬液としてエッチング液を用いる場合に
均一性の高いエッチング処理が可能になる。
（２）引用発明１
　前記ウより，回転する基板に薬液ノズルから薬液を提供する事から，提供する薬液は基板の回転速度に応じた流れができていると解されるので，前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「基板から窒化シリコンをエッチングする方法であって，表面上に窒化シリコン膜を形成した基板を提供する工程と，燐酸を含むエッチング液を薬液ノズル３を通じて供給し，薬液の流れを提供する工程と，薬液の流れを用いて，シリコン窒化物をエッチングする工程を有する方法。」
２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物（特開２００８−７１８０１号公報，以下「引用文献２」という。）には，図面と共に次の事項が記載されている。
（１）引用文献２の記載事項
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，エッチング液，エッチング方法および電子部品の製造方法に関し，詳しくは窒化シリコンの選択的エッチングを行うことができるエッチング液，エッチング方法および電子部品の製造方法に関する。」
【背景技術】
【０００２】
　半導体装置，液晶表示装置，位相シフトマスクなどの電子部品の製造工程では，選択的にシリコン窒化膜を除去するウェットエッチングが行われている。そして，例えば，半導体装置においては，
ウェーハ上に素子分離酸化膜（シリコン酸化膜；ＳｉＯ
2
膜）を形成させる際のハードマスクとして窒化膜（シリコン窒化膜；Ｓｉ
3
Ｎ
4
）が用いられているが，このような窒化膜の除去
シリコン酸化膜（ＳｉＯ
2
膜）に対するシリコン窒化膜（Ｓｉ
3
Ｎ
4
）のエッチングレー
イ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　本発明は，
窒化シリコンの選択的なエッチング
ウ　「【０００９】
　また，本発明の他の一態様によれば，
窒化シリコンの選択的なエッチングに用いるエッチング液であって，前記水と，リン酸と，硫酸と，を含み，
エッチング液
【００１０】
　さらにまた，本発明の他の一態様によれば，
前記エッチング液を用いて，窒化シリコンの選択的なエッチングを行うこと，を特徴とするエッチング方法
エ「【００２２】
  図３は、処理回数が及ぼす影響を説明するための図である。  
  図３（ａ）は、ウェーハ断面の構成を説明するための模式図である。図３（ｂ）は、処理回数がエッチングによる寸法・形状に与える影響を説明するためのウェーハの模式断面図である。  
  まず、
ウェーハ断面の構成
酸化シリコン（ＳｉＯ
2
）からなる絶縁膜２
窒化シリコン（Ｓｉ
3
 Ｎ
4
） からなるマスク４
（２）引用発明２
　前記（１）より，引用文献２には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「基板から窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4）を酸化シリコン（ＳｉＯ2）に対して選択的に除去する方法であって、表面上に酸化シリコンからなる絶縁膜２，窒化シリコンからなるマスク４を有する基板を提供する工程、リン酸及び硫酸を含むエッチング液を供給する工程、酸化シリコンに対して窒化シリコンを選択的にエッチングする工程を有する方法。」
３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物（特表２００７−５１７４１３号公報，以下「引用文献３」という。）には，図面と共に次の事項が記載されている。
（１）引用文献３の記載事項
ア　「【０００９】
　発明の要旨
　したがって，本発明の目的は，
結果的に酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択性を増加させる，少なくともひとつの基板から窒化ケイ素をエッチングするためのシステムと方法を提供すること
イ　「【００３５】
　はじめに，液体のＨ２ＳＯ４，Ｈ３ＰＯ４，およびＨ２Ｏを，プロセスチャンバ１０の処理槽（processing　volume）１２へ，ライン２０−２２を介して注入するために，加減弁２３−２５を開放位置へ切り替える。Ｈ２ＳＯ４，Ｈ３ＰＯ４，およびＨ２Ｏが，プロセスチャンバ１０の処理槽（processing　volume）１２へ供給されるとき，
Ｈ
２
ＳＯ
４
，Ｈ
３
ＰＯ
４
，およびＨ
２
Ｏは混合液（すなわちエッチング溶液）
【００３６】
　混合液が処理槽（processingvolume）１２から再循環ダム１１（recirculation　weir）へ，および再循環ライン４０へと流出するまで，Ｈ２ＳＯ４，Ｈ３ＰＯ４，およびＨ２Ｏはライン２０−２２を介して，処理槽（processing　volume）１２へと供給され続ける。いったん所定量のエッチング液の混合液が，閉ループ循環システム（すなわち，プロセスチャンバ１０および再循環ライン４０）内で供給され，形成されると，弁２３−２５は閉じられ，それによってプロセスチャンバへのＨ２ＳＯ４，Ｈ３ＰＯ４，およびＨ２Ｏの供給は止まる。
【００３７】
　この時点で，ポンプ６０は動かされ，再循環ライン４０を通る，プロセスチャンバ１０（ダム１１を介して）からの混合液の循環的な流れを引き起こし，プロセスチャンバ１０へ（吸入マニフォールド１３を介して）戻す。混合液は，再循環ライン４０を通るときにヒーター７０とフィルター８０を通る。ヒーター６０は，
混合液を約１６０から１８０℃の範囲内で加熱することが好ましく，最も好ましいのは１６５℃である。
（２）引用発明３
　前記（１）より，引用文献３には次の発明（以下，「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択性を有するＨ２ＳＯ４，Ｈ３ＰＯ４，およびＨ２Ｏは混合液（すなわちエッチング溶液）であり，当該混合液の温度として約１６０から１８０℃の範囲内とするエッチング技術。」
４　引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に外国において頒布された刊行物（米国特許第６０８７２７３号明細書，以下「引用文献４」という。）には，図面と共に次の事項が記載されている。（訳は，当審で作成した。）
（１）引用文献４の記載事項　
ア　BACKGROUND　OF　THE　INVENTION
　
The　present　invention　relates　to　a　process　for　selectively　etching　silicon　nitride　in　the　presence　of　silicon　oxide,　and　more　particularly　to　a　　process　for　effectively　and　efficiently　etching　a　layer　of　silicon　nitride　at　ahigh　etch　rate　and　with　high　selectivity　with　respect　to　exposed　or　underlying　layers　of　silicon　oxide,　particularly　in　a　multilayer　semiconductor　wafer　structure.
（訳：発明の背景
　
本発明は，シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択エッチングプロセスに関するものであり，特に，多層配線の半導体ウエハにおいて，シリコン酸化膜上に露出あるいは被覆されたシリコン窒化膜の高い選択性を有する効果的かつ効率的なエッチングプロセスに関する。
イ　EXAMPLE　1
　To　demonstrate　the　etching　behavior　of　the　etchant　process　of　the　present invention,　silicon　wafers　which　had　silicon　nitride　and　silicon　dioxide layers,　respectively,　deposited　on　them　by　a　thermal　chemical　vapor　deposition　process　(CVD)　were　etched　using　a　heated,　closed　etchant　bath　container　equipped　with　a　cooled　lid　to　condense　vapors.　The　thickness　ofthe　nitride　and　oxide　coatings　on　the　wafers　were　measured　both before  and　after　etching　to　measure　the　reduction　in　thickness　of　the　nitride　or　oxide　layers.
　
Three　liters　of　an　etchant　solution　was　prepared　by　combining　945　ml　of　sulfuric　acid　(95-98%　assay),　1500　ml　of　phosphoric　acid　(85%)　and　555　ml　water.
　
A　silicon　wafer　with　a　thermal　nitride　coating　was　placed　into　the　etchant　solution　at　a　temperature　of　152-153℃for　five　minutes.
The　nitride-coated　wafer　lost　an　average　of　99　Å in thickness,　yielding　an　etch　rate　of　approximately　20　Å/min.
（訳：本発明のエッチングプロセスのエッチング挙動を示すために，化学的気相堆積法(CVD)によって堆積された窒化ケイ素及び二酸化ケイ素層を有するシリコンウェハは，凝縮する蒸気と冷却された蓋を備え、加熱され閉じたエッチャント浴容器を使用してエッチングを行った。ウェハ上の窒化物および酸化物被覆の厚さは，エッチング前後の窒化物または酸化物の層の厚さの減少を測定するためにエッチングの前後の両方で測定した。　
　
硫酸(含有率95-98%)945mlを，1500mlのリン酸(85%)および555mLの水を混合して調製し，3リットルのエッチング剤溶液が準備された。
　
熱窒化物によりコーティングされたシリコンウエハは，152-153℃のエンッチング溶液に５分間，浸漬した。
窒化物で被覆されたウェーハは，平均99Å膜厚が減じ，約20Å/分のエッチング速度が得られた。
（２）引用発明４
　前記（１）より，引用文献４には次の発明（以下，「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。
「窒化ケイ素及び二酸化ケイ素層を有するシリコンウェーハに対して，硫酸，リン酸および，水からなるエッチング液を用い，152-153℃のエッチング溶液に５分間の浸漬し，窒化シリコンを選択エッチングする技術。」
５　引用文献５について
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物（特表２０１０−５２８４５９号公報，以下「引用文献５」という。）には，図面と共に次の事項が記載されている。
（１）引用文献５の記載事項
ア　「【０００２】
　
本発明は，水蒸気または蒸気を用いた基板の処理方法に関する
材料（及び好ましくはフォトレジスト材料）が硫酸及び水蒸気を用いて基板から除去される
イ　「【０００６】
　
基板の処理のための，特に材料の除去，特に有機材料の除去，とりわけ例えば半導体ウエハのような基板からフォトレジスト材料を除去するための，代替技術または組成物を特定すること
ウ　「【００１１】
　本発明に用いられ得る処理組成物の例には，例えばＳＣ−１組成物（ＮＨ4ＯＨ／過酸化物／水），ＳＣ−２組成物（ＨＣｌ／過酸化物／水），ＰｉｒａｎｈａまたはＳＰＭ組成物（硫酸／過酸化物），ＳＯＭ（硫酸／オゾン）組成物，
硫酸組成物
Ｈ
3
ＰＯ
4
エ　「【００１３】
　本発明の一態様において，
　ａ）処理チャンバー内に，その表面上に材料を有する少なくとも１つの基板を配置すること；
　ｂ）硫酸及び／またはその脱水種及び前駆体を含む液状硫酸組成物の流れを基板の表面に衝突させるように向けること；及び
　ｃ）
水蒸気の流れを基板の表面に衝突させるように
に向けること
　を含む，基板からの材料の除去方法を提供する。好ましくは，液状硫酸組成物が約５：１以下の水／硫酸のモル比を有し，且つ水蒸気に曝露する前の液状硫酸組成物の温度よりも高く液状硫酸組成物の温度を上昇させるために効果的な量の水蒸気に，液状硫酸組成物を曝露する。」
オ　「【００３３】
　好ましくは，
基板を囲む水蒸気は，約７０℃〜約１６０℃の水蒸気の温度にて基板に曝露されるように導入される。さらに好ましくは，基板を囲む水蒸気は，約１００℃〜約１５０℃の水蒸気の温度にて基板に曝露されるように導入される。
カ　「【００４２】
　
ウエハ１３は，除去されるべき有機材料で被覆されている
【００４３】
　スプレーバー２０は，液状エアロゾル小滴をウエハ１３上に向けるための複数のノズルを含む。
液状硫酸組成物は液体供給タンク２２からライン２３を通して供給され，水蒸気の蒸気が供給タンク２４からライン２５を通して同様に供給される。
キ　「【００４９】
　好ましくは，
液状硫酸組成物は，少なくとも約９０℃，さらに好ましくは約９０℃〜約１５０℃の温度で投与される。
他の実施態様において，液状硫酸組成物は，水蒸気への暴露前に，少なくとも約１３０℃，さらに好ましくは約１３０℃〜約２００℃の温度で投与される。
ク　「【００５２】
　好ましくは，
水蒸気は，約７０℃〜約１６０℃の水蒸気温度でウエハに暴露されるように導入される。
ケ　「【００８３】
　例２
　上述の処理工程の際に水蒸気及び／または窒素ガスで基板を囲む効果を立証するために，さらなる試験を行った。これらの試験では，本発明の方法を用いて及び用いないで
酸化物のエッチング試験を行った。
（２）引用発明５
　前記（１）より，引用文献５には次の発明（以下，「引用発明５」という。）が記載されていると認められる。
　「約７０℃〜約１６０℃の水蒸気の温度にて基板に曝露されるようにスプレーバーを用いて基板に衝突するような流れを作りながら導入し，液状硫酸組成物及び水蒸気を用いて基板から材料（及び好ましくはフォトレジスト材料）を除去する基板の処理方法。」
６　引用文献６について
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物（特開２００８−２８３６５号公報，以下「引用文献６」という。）には，図面と共に次の事項が記載されている。
（１）引用文献６の記載事項
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
被処理物の表面を処理する
処理方法
イ　「【０００５】
　また，基板表面に形成された被膜をウェットエッチングする場合としては，例えば，
シリコン窒化膜を除去する工程
シリコン窒化膜上の酸化膜をフッ化水素酸水溶液でウェットエッチング
（２）引用発明６
　前記（１）より，引用文献６には次の発明（以下，「引用発明６」という。）が記載されていると認められる。
　「シリコン窒化膜の除去工程前に，シリコン窒化膜上の酸化膜をフッ化水素酸水溶液でウェットエッチングする技術。」
第４　対比・判断
１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明１の対比
ア　引用発明１の「窒化シリコンをエッチングする方法」は，下記相違点（１）を除いて，本願発明１と「窒化シリコンをエッチングする方法」の点で一致する。
イ　引用発明１の「表面上にシリコン窒化物が形成された基板を提供する工程」は，下記相違点（２）を除いて，本願発明１と「基板を提供する工程」の点で一致する。
ウ　引用発明１の「リン酸を含むエッチング液を薬液ノズル３を通じて供給し，薬液の流れを供給する工程」は，下記相違点（３）の点を除いて，本願発明１と「薬液を供給し，薬液の流れを供給する工程」の点で一致する。
エ　引用発明１の「薬液の流れを用いて，シリコン窒化物をエッチンする工程」は，下記相違点（４）の点を除いて，本願発明１と「薬液の流れを用いてエッチングする工程」の点で一致する。
　そうすると，本願発明１と引用発明１とは下記オの点で一致し，下記カの点で相違する。
オ　一致点
　窒化シリコンをエッチングする方法において，基板を提供する工程，薬液の流れを供給する工程，薬液の流れを用いてエッチングする工程を有する点。
カ　相違点
　相違点（１）
　本願発明１は，シリコン窒化物をシリコン酸化物に対して選択的に除去する方法であるのに対して，引用発明１では，選択的にエッチングする方法である点が明記されていない点。
　相違点（２）
　本願発明１は，表面上にシリコン窒化物及びシリコン酸化物を有する基板を提供する工程を有するのに対して，引用発明１では，表面上にシリコン窒化物が形成された基板ではあるが，他にどのようなものが形成された基板であるか明確でない点。
　相違点（３）　
　本願発明１では，リン酸及び硫酸を含む混合酸性液体流と水蒸気との流れを供給する工程であり，前記混合酸性液体流は，１５０℃よりも高い温度であるのに対して，引用発明１では，リン酸を含む薬液を供給し，流れを供給する工程を有する点。
　相違点（４）
　本願発明１では，混合酸性液体流の流れを用いて，水蒸気の存在する中で，シリコン酸化物に対して，シリコン窒化物を選択的にエッチングするのに対して，引用発明１では，水蒸気は存在せず，かつ，シリコン酸化物に対するシリコン窒化物の選択的エッチングについて言及されていない点。
（２）相違点についての判断
　前記相違点（３）について検討する。
　相違点（３）は，本願発明１がシリコン窒化物をシリコン酸化物に対して選択的なエッチングを行うために用いるエッチング液とその供給工程及び温度条件という基板処理技術に不可欠な要素で有り，当該不可欠な要素として，リン酸及び硫酸を含む混合酸性液体流と水蒸気との流れを供給する工程について，前記混合酸性液体流は，１５０℃よりも高い温度である点について明記したものである。
　ここで、引用発明１の技術的課題は、エッチング液による基板処理方法において、薬液吐出開始時に勢いよく薬液ノズルから吐出されたエッチング液により、基板表面の着液点付近（一般には回転中心付近）において、急激な濃度変化が生じ、急激にエッチングが進行し、これにより、着液点付近とそれ以外の領域との間でエッチング不均一を抑制することにある（前記第３の１（１）イ参照）。
　これに対して，引用発明５の技術的課題は，水蒸気または蒸気を用いた基板の処理方法に関して，基板の処理のための，特に材料の除去，特に有機材料の除去，とりわけ例えば半導体ウエハのような基板からフォトレジスト材料を除去するための，代替技術または組成物を特定することにある（前記第３の５（１）ア及びイ参照）。
　両者は基板処理の面内不均一性の抑制と半導体ウエハにおける材料除去の向上という全く異なる技術的課題を有しており、両者を組みあわせる動機付けに欠ける。
　また、引用発明２には、シリコン窒化物をシリコン酸化物に対して選択的なエッチングを行う基板処理技術の技術的課題は開示されているが、相違点（３）の特徴であるリン酸及び硫酸を含む混合酸性液体流と水蒸気との流れを供給する工程については記載も示唆もない。その他の引用発明についても相違点（３）の当該特徴に関する基板処理技術について記載も示唆もない。
　以上の検討から，相違点（３）は，当業者が容易に想到し得ない事項と認められる。
　また，本願発明１は，相違点（３）を備えることにより，優れたシリコン窒化物のエッチングの選択性を実現し，さらにはシリコン酸化物との選択性を考慮した上での高速エッチング（具体例として，蒸気を加えることによる窒化物のエッチング速度は５倍の改善効果（本願明細書【００４１】参照）を実現し，それにより基板処理装置の生産性が改善されるという顕著な効果を奏する（本願明細書【０００８】参照）。
　　
（３）小括
　したがって，他の相違点を検討するまでも無く，本願発明１は，当業者が引用発明１ないし引用発明６に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
２　本願発明２ないし本願発明２３について
　本願発明２ないし本願発明２３は，本願発明１をさらに限定したものであるから，同様に，当業者が引用発明１ないし引用発明６に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　よって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　原査定は，請求項１ないし２３について，前記引用文献１ないし６に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。しかしながら，前記第４のとおり，平成２９年７月１９日付けの手続補正により補正された請求項１ないし２３に係る発明は前記引用文献１ないし６に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものではない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第６　当審拒絶理由について
１．当審拒絶理由の概要
　（明確性）本件出願は，明細書，特許請求の範囲及び図面の記載が下記の点で不備のため，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。　
　　
（１）請求項１において「１５０℃よりも高い温度」という記載は，何が１５０℃よりも高い温度となっているのか，その対象が不明りょうである。　
　　
（２）請求項１３において「水／硫酸のモル比が５：１を越えない」という記載は，【００２２】の説明において，「液体の硫酸組成物は高濃度である」という記載と矛盾している。
　　
（３）請求項１８において「前記混合酸性溶液流」という記載は，前記に対応する記載がないので不明りょうである。　
　
２．当審拒絶理由の判断
　平成２９年７月１９日付け手続補正で，本願の請求項１は，
「【請求項１】
　基板からシリコン窒化物をシリコン酸化物に対して選択的に除去する方法であって：
　a）表面上にシリコン窒化物及びシリコン酸化物を有する基板を提供する工程，
　b）リン酸および硫酸を含む混合酸性液体流と，水蒸気流との流れを供給する工程であって，前記混合酸性液体流は，150℃よりも高い温度である，工程；ならびに，
　c）前記混合酸性液体流の流れを用いて，前記水蒸気の存在する中で，前記シリコン酸化物に対して前記シリコン窒化物を選択的にエッチングする工程；
　を有する方法。」
と補正された。
　この補正により，請求項１に係る発明は明確となった。
　また，補正前の請求項１３は，削除された。
　さらに，補正前の請求項１８に記載された「前記混合酸性溶液流」は，「前記混合酸性液体流」と補正され、前記の対応関係は整合するものとなった。
　よって，当審で発見した拒絶理由は解消した。
第７　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。