【事件の表示】
　特願２０１１−１０６３２２「半導体装置の製造方法，半導体素子付き半導体ウェハの製造方法及び接着剤層付き半導体ウェハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月　６日出願公開，特開２０１２−２３８６９９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
　１　手続の経緯・本願発明 
　本願は，平成２３年５月１１日の出願であって，平成２６年１０月１日付けの拒絶理由の通知に対して，同年１２月８日に意見書と手続補正書が提出され，平成２７年１月６日付けで最後の拒絶理由が通知され，同年３月１１日に意見書が提出され，同年６月４日付けで拒絶査定され，同年９月２日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　そして，その請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，平成２６年１２月８日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものと認める。 
 　 
「【請求項１】
　金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハの前記回路面上に，液状感光性接着剤を塗布して感光性接着剤層を形成する工程と，
　前記感光性接着剤層を光照射によりＢステージ化して接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と，
　前記接着剤層付き半導体ウェハの半導体ウェハを接着剤層とともに切断して複数の半導体素子に切り分けて接着剤層付き半導体素子を得る工程と，
　前記接着剤層付き半導体素子と，他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを，前記接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着する工程と，を備え，
　前記液状感光性接着剤が，（Ａ）放射線重合性化合物，（Ｂ）光開始剤，及び（Ｃ）熱硬化性樹脂，を含み，
　前記（Ａ）成分が，分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有するイミド基含有（メタ）アクリレートを含む，半導体装置の製造方法。」 
　２　引用例の記載と引用発明 
（１）原査定の最後の拒絶理由で引用した，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００７−２５８５０８号公報（以下「引用例１」という。）には，「半導体用接着剤，これを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して，以下の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
（１ａ）「【請求項１】
　
ラジカル重合性モノマー
光照射によりラジカルを発生する化合物
熱硬化性樹脂
前記熱硬化性樹脂を硬化させる硬化剤とを含み
前記ラジカル重合性モノマーと前記熱硬化性樹脂と前記硬化剤の全量に対する前記ラジカル重合性モノマーの割合が，５０重量％以上８５重量％以下である半導体用接着剤
【請求項２】
　
前記熱硬化性樹脂が，エポキシ樹脂である請求項１記載の半導体用接着剤
【請求項３】
　
前記ラジカル重合性モノマーが，アクリル化合物である請求項１または２に記載の半導体用接着剤
【請求項４】
　
前記ラジカル重合性モノマーが，一官能ラジカル重合性モノマーと，多官能ラジカル重合性モノマーとを含む請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体用接着剤
【請求項５】
　
前記一官能ラジカル重合性モノマーが，前記ラジカル重合性モノマーに対して，８０重量％以上９９重量％以下含まれている請求項４に記載の半導体用接着剤
　＜途中省略＞
【請求項１４】
　
ウエハーを準備する工程
　
前記ウエハーに請求項１乃至１１のいずれかに記載の半導体用接着剤を印刷により塗布する工程
　
前記半導体用接着剤を塗布したウエハーに光照射して前記半導体用接着剤をＢ−ステージ化する工程
前記光照射後のウエハーをダイシングにより半導体チップに個片化する工程
　
前記半導体チップを基板に搭載して加熱圧着により接着する工程
を含む
半導体装置の製造方法
（１ｂ）「【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　しかしながら，上記文献記載の従来技術は，以下の点で改善の余地を有していた。
　
印刷後の接着剤を加熱することによりタックをなくす手法では，溶剤を揮発させたり，樹脂成分の一部をＢ−ステージ化する際の加熱工程にどうしても時間がかかってしまい，半導体装置製造工程がより長くかかってしまうという課題があった
本発明者らは上記事情に鑑み，鋭意検討の結果，接着剤にラジカル重合性モノマーと熱硬化性樹脂を配合，光照射によりＢ−ステージ化することのできる接着剤を用いることにより，タックフリーになるまでの時間を大幅に短縮できることを見出した
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　本発明によれば，
ラジカル重合性モノマーと，光照射によりラジカルを発生する化合物と，熱硬化性樹脂と，その熱硬化性樹脂を硬化させる硬化剤とを含み，前記ラジカル重合性モノマーと前記熱硬化性樹脂と前記硬化剤の全量に対する前記ラジカル重合性モノマーの割合が，５０重量％以上８５重量％以下である半導体用接着剤が提供される。
　本発明の半導体用接着剤は，ラジカル重合性モノマーと，光照射によりラジカルを発生する化合物とをある一定の割合で含むので，短時間の光照射後に半導体用接着剤の表面タック力が小さくなる。また，熱硬化性樹脂も含むので，光照射後に，加熱することにより溶融粘度が一定値以下になり，Ｂ−ステージ化後に容易に接着機能を発揮することができる。」
（１ｃ）「【００１０】
　本発明によれば，
　ウエハーを準備する工程と，
　前記ウエハーに上述したいずれかの半導体用接着剤を印刷により塗布する工程と，
　前記半導体用接着剤を塗布したウエハーに光照射して前記半導体用接着剤をＢ−ステージ化する工程と，
前記光照射後のウエハーをダイシングにより半導体チップに個片化する工程と，
　前記半導体チップを基板に搭載して加熱圧着により接着する工程と，
を含む半導体装置の製造方法が提供される。
　本発明では，ラジカル重合性モノマーと，光照射によりラジカルを発生する化合物と，熱硬化性樹脂とを一定の割合で含む半導体用接着剤を用いて半導体装置を組み立てるため，組み立て工程における部品取扱い性が向上する。
【発明の効果】
【００１１】
　本発明によれば，光照射により短時間でＢステージ化できる半導体用接着剤が提供される。」
（１ｄ）「【００１４】
　本発明で用いられるラジカル重合性モノマーとは，一分子内に一つ以上のラジカル反応性二重結合を有するモノマーである。ラジカル重合性モノマーとしては，例えば，アクリル系モノマーやスチレン系モノマー，及びこれらのオリゴマーが挙げられる。
ラジカル重合性モノマーには，ラジカル重合性官能基を分子内に一つ有する一官能ラジカル重合性モノマー
本発明においては，ラジカル重合性モノマーは単独で用いることも，２種類以上を混合して用いることもできる
ラジカル重合性モノマーとしては２５℃で液状であることが好ましく，より短時間でＢ−ステージ化するために，反応性に優れたアクリロイル基を有する化合物が好ましい
　本発明で用いられるラジカル重合性モノマーの具体例としては，シクロへキシルアクリレート，ポリエチレングリコールアクリレート，ポリエチレングリコールポリプロピレングリコールアクリレート，ポリプロピレングリコールアクリレート，ジエチレングリコールアクリレート，トリエチレングリコールアクリレート，フェノキシエチレングリコールアクリレート，４−ヒドロキシブチルアクリレート，４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル，メトキシトリエチレングリコールアクリレート，メトキシポリエチレングリコールアクリレート，２−アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸，ベヘニルアクリレート，イソボロニルアクリレート，２−アクリロイロキシエチルコハク酸，オクトキシポリエチレングリコールアクリレート，２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート，イソステアリルアクリレート，メトキシポリエチレングリコールアクリレート，ラウリルアクリレート，１，４−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレートなどの
１官能アクリレート
１官能メタクリレート
（１ｅ）「【００２１】
　本発明における半導体用接着剤は，ペースト状が好ましい。
本発明の半導体用接着剤は，溶剤を含んでいてもいなくてもよい
（１ｆ）「【００２７】
　
「最低溶融粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上１３００Ｐａ・ｓ以下」とは，接着剤を被着体に貼り付ける際に適切に間隙を充填し，半導体装置の信頼性を向上させるために必要な溶融粘度のことである
最低溶融粘度が上限値以下であると，熱圧着時に流動性が向上し，半導体チップ表面または基板に設けられた回路との間の空隙を充填することが可能となる
（１ｇ）「【００３０】
　
以上のパラメータは，例えば，本発明に含まれる，ラジカル重合性モノマー，熱硬化性樹脂の種類や混合比等を調整することによって得ることができる
一般的には
熱硬化性樹脂の割合を高くすれば最低溶融粘度が一定範囲に入りやすくなる
【００３１】
　本発明において，光照射前の状態において，Ｅ型粘度計を用いて，回転数２．５ｒｐｍ，温度２５℃で測定したときの粘度が，１Ｐａ・ｓ以上２００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。
本発明の半導体用接着剤は，例えば，カップや，シリンジ等の容器で供給されることがある。本発明の半導体用接着剤を，例えば，シリンジで供給する場合には，粘度が１Ｐａ・ｓ以上になると，シリンジの圧力をかけない状態で接着剤が漏れるといった問題が少なくなる。
また，粘度が２００Ｐａ・ｓ以下になると，シリンジから接着剤を出す際に，適度な圧力で接着剤を出すことができ，出す時の時間も短縮できる。さらに印刷時に接着剤表面にスジ，泡等が入ることも少なくなり，作業性に優れる。このような利点は，シリンジやカップで接着剤を供給する場合以外にもあてはまる。好ましい粘度は，１０Ｐａ・ｓ以上１００Ｐａ・ｓ以下である
本発明の半導体用接着剤は，たとえば，まず(1)印刷等により層状に形成され，次に(2)光照射によりＢ−ステージ化され，続いて(3)加熱圧着により被着体に接着される，という工程によって使用される。本パラメータを満たす半導体用接着剤を用いると，(1)の印刷等による層形成時に作業性が向上する。なお，２５℃は層形成時の温度（室温）を想定したものである。
上記粘度は，たとえば，半導体用接着剤中の液状成分の分子量や粘度，液状成分と固形成分の配合比を調整することによって達成できる。」
（１ｈ）「【００３３】
　上記半導体用接着剤は，ガラス不織布等にポリイミド樹脂，エポキシ樹脂，ポリイミド系樹脂等のプラスチックを含浸・硬化させ，その表面には銅などにより回路が形成され，さらにはその上にソルダーレジスト層が形成されたリジッド回路基板，４２アロイリードフレームや銅リードフレーム等のリードフレーム，または，ポリイミド系樹脂等のプラスチックフィルム上に銅などにより回路が形成され，さらにはその上にソルダーレジスト層が形成されたフレキシブル回路基板，あるいは，セラミックス製の基板などに，印刷法によって塗布・光照射されＢステージ化することができる。これにより，短時間で接着剤をＢステージ化でき，製造工程に滞留が発生した場合でも，接着剤付基板の保管を容易にすることができる。つぎに，このＢステージ化された接着剤付き基板上に，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体チップをのせ，加熱圧着することにより，半導体チップと基板を接合する。その後，接着剤を硬化させる工程により，半導体チップが基板に搭載される。この接着剤の硬化は，実装組立工程での問題がない場合は，封止材の後硬化工程の際に併せて行ってもよい。
　
また，接着剤を半導体ウエハー上に塗布する方法でも半導体装置を製造することが可能である
上記半導体用接着剤は，半導体ウエハー上に印刷法によって塗布・光照射されＢステージ化することができる
その表面には銅などにより回路が形成され，さらにはその上にソルダーレジスト層が形成されたリジッド回路基板
銅などにより回路が形成され，さらにはその上にソルダーレジスト層が形成されたフレキシブル回路基板
（１ｉ）「【実施例】
　【００３４】
（実施例１）
　
ラジカル重合性モノマーとして１官能のブレンマー７０ＰＥＰ−３５０Ｂ（日本油脂（株）製）１０．００重量部
（１ｊ）「【００３７】
　表１，２で用いられた原料の詳細を以下に示す。
ブレンマー70PEP-350B：ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコールモノメタクリレート
CHDMMA：1,4-シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート
NKエステルA-BPE-10：エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート
NKエステル3G：トリエチレングリコールジメタクリレート
HP-7200：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂
NC-3000P：ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂
N-685：クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
PR-HF-3：フェノールノボラック
イルガキュア６５１：2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン
アエロジル　R805：ナノシリカ（平均粒径１２ｎｍ）
ＳＧ−８０ＨＤＲ：アクリル酸エステル共重合体（ブチルアクリレート−アクリロニトリル−エチルアクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体）
【００３８】
（実施例２）
　
１官能のラジカル重合性モノマーとしてＣＨＤＭＭＡ（日本化成（株）製）
（１ｋ）「【００４８】
（
半導体装置の製造方法
　
各実施例
に記載の接着剤を
基板（回路段差５−１０μｍ）に
印刷
その後
接着剤をＢステージ化
つぎに，半導体チップ（５ｍｍ×５ｍｍ×２００μｍ）を機能面が接着剤に接するように，位置あわせしてのせ
圧着
・引用発明１
　上記記載に照らして，引用例１には，引用例１の請求項１，請求項３，請求項４及び請求項５を引用する請求項１４に係る発明である以下の発明（以下「引用発明１」という。）が開示されているといえる。
「ウエハーを準備する工程と，
　前記ウエハーに半導体用接着剤を印刷により塗布する工程であって，
　前記半導体用接着剤が，ラジカル重合性モノマーと，光照射によりラジカルを発生する化合物と，熱硬化性樹脂と，前記熱硬化性樹脂を硬化させる硬化剤とを含み，前記ラジカル重合性モノマーと前記熱硬化性樹脂と前記硬化剤の全量に対する前記ラジカル重合性モノマーの割合が，５０重量％以上８５重量％以下である半導体用接着剤であり，前記ラジカル重合性モノマーが，アクリル化合物であり，前記ラジカル重合性モノマーが，一官能ラジカル重合性モノマーと，多官能ラジカル重合性モノマーとを含み，前記一官能ラジカル重合性モノマーが，前記ラジカル重合性モノマーに対して，８０重量％以上９９重量％以下含まれている半導体用接着剤を印刷により塗布する工程と，
　前記半導体用接着剤を塗布したウエハーに光照射して前記半導体用接着剤をＢ−ステージ化する工程と，
　前記光照射後のウエハーをダイシングにより半導体チップに個片化する工程と，
　前記半導体チップを基板に搭載して加熱圧着により接着する工程と，
を含む半導体装置の製造方法。」
（２）原査定の最後の拒絶理由で引用した，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平５−４１４０７号公報（以下「引用例２」という。）には，「半導体装置の実装方法」（発明の名称）に関して，図１ないし図４とともに以下の記載がある。
（２ａ）「【請求項１】　
ウエハの全面に，絶縁性を有する封止樹脂
を塗布する工程
該ウエハを分割して半導体装置を形成する工程
該半導体装置を基板に接続する工程
（２ｂ）「【０００２】
【
従来の技術
半導体装置を基板に接続し，樹脂封止を行う半導体装置の実装方法における従来例
突起電極は，半導体装置側に設ける
（２ｃ）「【００１５】
【課題を解決するための手段】以上の問題を解決するために本発明における半導体装置の実装方法では，以下に記載の工程を採用する。ウエハの全面に，絶縁性の封止樹脂，あるいは絶縁性の封止樹脂に導電性粒子を混入した封止樹脂を塗布する工程と，このウエハを分割して半導体装置を形成する工程と，この半導体装置を基板に接続する工程とを有する。
【００１６】
【作用】本発明においては，ウエハ状態で封止樹脂をこのウエハ上に塗布し，その後ウエハを分割して半導体装置を形成し，この半導体装置を基板に接続している。このために，封止樹脂の半導体装置からのはみ出し量を適切に制御することが可能となり，隣接する半導体装置の接続を阻害することがなくなる。また，基板が液晶等の表示装置の場合，封止樹脂が表示装置のシール部に浸入することを防止することができるので，ギャップ量の変化に起因する表示装置の表示品質の劣化を防ぐことが可能となる。
【００１７】
【
実施例
ウエハ１１上に金（Ａｕ），あるいは銅，あるいは半田からなる高さ２〜５０μｍの突起電極１３をウエハ１１に形成する
封止樹脂１５をディスペンサ１７により，ウエハ１１上に２〜１０ｇ滴下する。封止樹脂１５をウエハ１１上に滴下後，ウエハ１１を一定回転数で回転させて，封止樹脂１５をウエハ１１全面に均一の厚さに広げる
【００１８】次に図１（ｂ）に示すように，
ウエハ１１全面に形成した封止樹脂１５を４０〜８０℃の温度で加熱処理して，封止樹脂１５を半硬化状態にする
（２ｄ）「【００２１】次に図１（ｃ）に示すように，
封止樹脂１５をウエハ１１上に形成後，このウエハ１１をダイシング装置を用いて切断し，封止樹脂１５を形成したウエハ１１を個々の半導体装置１９に分割する
【００２２】その後，図１（ｄ）に示すように，
半導体装置１９に形成した突起電極１３を下面側に向け，表示装置２１を構成する基板３３に形成した，配線回路３１上に半導体装置１９を配置し，さらに突起電極１９と配線回路３１との位置合わせを行う
【００２３】次に図１（ｅ）に示すように，
加熱加圧ヘッド２３を使って半導体装置１９の上から押し当てて圧接することにより，半導体装置１９と基板３３との接続と，封止樹脂１５による樹脂封止とを同時に行う
【００２４】本発明で使用する封止樹脂１５は，吸水率が０〜０．５％のもので，かつ絶縁性を有し，熱硬化するものであれば材質は問わない。吸水率が０．５％より高い場合，浸入した水により封止樹脂１５が膨潤し，突起電極１３と接続する配線回路３１との電気的機械的な接続箇所が剥がれ，接続不良となり，好ましくない。
【００２５】
また，封止樹脂１５としては，熱硬化性の樹脂だけでなく光硬化性の樹脂でも構わない
（３）原査定の最後の拒絶理由で引用した，本願の出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である国際公開第２０１０／０２４０８７号（以下「引用例３」という。）には，「感光性接着剤組成物，並びにそれを用いたフィルム状接着剤，接着シート，接着剤パターン，接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置」（発明の名称）に関して，図１ないし図３４とともに以下の記載がある。
（３ａ）「技術分野
［０００１］
本発明は
接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置に関する
　背景技術  
［０００２］半導体パッケージの作製に用いられる接着剤には，接着性に加えて感光性の機能が求められている。感光性の機能を有する感光性接着剤組成物としては，従来，ポリイミド樹脂前駆体（ポリアミド酸）をベースとしたものが知られている（特許文献１〜３）。」
（３ｂ）「発明の概要
　発明が解決しようとする課題
［０００４］しかしながら，従来の感光性接着剤組成物は，接続信頼性の点で必ずしも十分ではなかった。本発明者らの検討によると，従来の感光性接着剤組成物では，パターン形成性を優先させると，パターン形成後の熱圧着時に十分な接着面積が得られないことが判明している。
［０００５］そこで，本発明は，接続信頼性の向上を可能とする熱圧着性を有する感光性接着剤組成物，並びにそれを用いたフィルム状接着剤，接着シート，接着剤パターン，接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置を提供することを目的とする。
　課題を解決するための手段
［０００６］本発明者らは，上記課題を解決するため鋭意検討した結果，感光性接着剤組成物を設計する際に，パターン形成後の特定の温度範囲における最低溶融粘度を指標とすることによって，低温での熱圧着性に優れ，半導体ウェハなどの良好な接続が可能となる感光性接着剤組成物が得られることを見出し，本発明を完成するに至った。
［０００７］すなわち，
本発明の第１の感光性接着剤組成物は
パターン形成後の低温での熱圧着性（以下，「低温熱圧着性」ともいう。）に優れ
その結果，半導体パッケージの接続信頼性を向上させることが可能となる
［０００８］
第１の感光性接着剤組成物は
低温熱圧着性のみならず
フィルム状に成形した場合の低温での貼付性（以下，「低温貼付性」という。）
硬化物にした場合の加熱下での接着性（以下，「高温接着性」という。）
露光・アルカリ現像により接着剤パターンを形成した場合のパターンの精度（以下，「パターン形成性」という。）のいずれの点でも優れたものとなる
［０００９］第１の感光性接着剤組成物においては，（Ｃ）放射線重合性化合物の平均官能基当量が２３０ｇ／ｅｑ以上であることが好ましい。これにより，パターン形成性を維持しつつ，
光硬化時の架橋密度を低減することができ，硬化後の被着体の反りを小さくすることができる（以下，「低反り性」又は「低応力性」という。）
式
平均官能基当量（ｇ／ｅｑ）＝（Ｙ×ｙ＋Ｚ×ｚ）／（ｙ＋ｚ）
［００１０］第１の感光性樹脂組成物において，（Ｃ）放射線重合性化合物は，ウレタン結合及び／又はイソシアヌル環を有する（メタ）アクリレートを含むことが好ましい。これにより，パターン形成性及び高温接着性の向上が可能となる。
［００１１］
第１の感光性樹脂組成物において，（Ｃ）放射線重合性化合物は，単官能（メタ）アクリレートを含むことが好ましい
これにより，パターン形成性を維持しつつ，光硬化時の架橋密度を低減することができ，光硬化後の低温熱圧着性，低応力性及び接着性を向上させることができる
［００１２］上記単官能（メタ）アクリレートの５％重量減少温度は１５０℃以上であることが好ましい。これにより，熱硬化時及び硬化後の熱履歴時のアウトガス量を低減することができ，耐熱信頼性を向上させることができる。なお，本明細書において，「５％質量減少温度」とは，示差熱熱重量同時測定装置（エスアイアイ・ナノテクノロジー製：ＴＧ／ＤＴＡ６３００）を用いて，昇温速度１０℃／ｍｉｎ，窒素フロー（４００ｍｌ／ｍｉｎ）下で測定した際に質量が５％減少したときの温度を示す。」
（３ｃ）「［００３４］本発明の接着剤層付半導体ウェハは，半導体ウェハと，該半導体ウェハ上に積層された上記フィルム状接着剤からなる接着剤層と，を備える。
［００３５］本発明の半導体装置は，上記感光性接着剤組成物を用いて，半導体素子同士，及び／又は，半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とが接着された構造を有する。上記半導体素子搭載用支持部材は，透明基板とすることができる。本発明の半導体装置は，本発明の感光性接着剤組成物を用いることにより，信頼性に優れ，製造プロセスの簡略化にも十分対応可能なものとなる。」
（３ｄ）「［００４９］また，第１の感光性接着剤組成物において，
（Ｃ）成分は，単官能（メタ）アクリレートを含むことが好ましい
これにより，光硬化時に架橋密度を低減することができ，光硬化後の低温熱圧着性，低応力性及び接着性を改善することができる
［００５０］上記単官能（メタ）アクリレートの５％重量減少温度は１５０℃以上であることが好ましい。このような単官能（メタ）アクリレートとしては，特に限定はしないが，グリシジル基含有（メタ）アクリレート，フェノールＥＯ変性（メタ）アクリレート，フェノールＰＯ変性（メタ）アクリレート，ノニルフェノールＥＯ変性（メタ）アクリレート，ノニルフェノールＰＯ変性（メタ）アクリレート，フェノール性水酸基含有（メタ）アクリレート，水酸基含有（メタ）アクリレート，
イミド基含有（メタ）アクリレート
（３ｅ）「［０１６９］以下，（工程１）〜（工程７）について詳述する。
　（工程１）
　図１３（ａ）に示す半導体ウェハ８内には，ダイシングラインＤによって区分された複数の半導体チップ１２が形成されている。
この半導体チップ１２の回路面１８側の面にフィルム状接着剤（接着剤層）１を積層する
接着剤層１を積層する方法としては
スピンコート法などを用いて液状の感光性接着剤組成物のワニスを半導体ウェハ８に塗布し，加熱乾燥する方法によってもよい
（３ｆ）「［０２４３］実施例Ｉ〜Ｖ及び比較例Ｉ〜ＩＩ
 ＜（Ａ）成分：ポリイミド樹脂＞
　＜途中省略＞
［０２４９］＜（Ｃ）成分：放射線重合性化合物＞
　＜途中省略＞
＜感光性接着剤組成物＞
　上記で得られたポリイミド樹脂（ＰＩ−１）及び（ＰＩ−２）並びに放射線重合性化合物（Ｃ−１）及び（Ｃ−２）を用いて，下記表３及び表４に示す組成比（単位：質量部）にて各成分を配合し，実施例Ｉ〜Ｖ及び比較例Ｉ〜ＩＩの感光性接着剤組成物（接着剤層形成用ワニス）を得た。
［０２５２］表３及び表４において，各記号は下記のものを意味する。
　ＢＰＥ−１００：新中村化学工業社製，エトキシ化ビスフェノールＡジメタクリレート（放射線重合性官能基当量２４０ｇ／ｅｑ，５％重量減少温度：３３０℃）
　Ａ−９３００：新中村化学工業社製，イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート（放射線重合性官能基当量１４０ｇ／ｅｑ，５％重量減少温度：＞４００℃）
　
Ｍ−１４０
東亜合成社製
２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチルアクリレート
　４−ＨＢＡＧＥ：日本化成社製，４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル（放射線重合性官能基当量２００ｇ／ｅｑ，５％重量減少温度：１３５℃）
　ＶＧ−３１０１：プリンテック（株）製，３官能エポキシ樹脂（５％重量減少温度：３５０℃）
　ＹＤＦ−８７０ＧＳ：東都化成社製，ビスフェノールＦビスグリシジルエーテル（５％重量減少温度：２７０℃）
　ＴｒｉｓＰ−ＰＡ：本州化学社製，トリスフェノール化合物（α，α，α’−トリス（４−ヒドロキシフェノル）−１−エチル−４−イソプロピルベンゼン）（５％重量減少温度：３５０℃）
　Ｒ−９７２：日本アエロジル社製，疎水性フュームドシリカ（平均粒径：約１６ｎｍ）
　Ｉ−８１９：チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製，ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド
　パークミルＤ：日油社製，ジクミルパーオキサイド（１分間半減期温度：１７５℃） 　ＮＭＰ：関東化学社製，Ｎ−メチル−２−ピロリドン」
（３ｇ）［０２５３］の［
表３
実施例ＩＶ
Ｍ−１４０
最低溶融粘度が５９００Ｐａ・ｓ，低温貼付性，パターン形成性及び低温熱圧着性の評価がＡ，反り量が７．２μｍ，高温接着性が０．５９となることが示されている
（３ｈ）「［０２５５］＜接着シート＞
　得られた実施例Ｉ〜Ｖ及び比較例Ｉ〜ＩＩの感光性接着剤組成物を，乾燥後の膜厚が５０μｍとなるように，それぞれ基材（剥離剤処理ＰＥＴフィルム）上に塗布し，オーブン中にて８０℃で２０分間加熱し，続いて１２０℃で２０分間加熱して，基材上に感光性接着剤組成物からなる接着剤層を形成した。このようにして，基材及び基材上に形成された接着剤層を有する接着シートを得た。実施例Ｉ〜Ｖ及び比較例Ｉ〜ＩＩの感光性接着剤組成物から得られた接着シートを，それぞれ，実施例Ｉ〜Ｖ及び比較例Ｉ〜ＩＩの接着シートとした。
［０２５６］＜評価試験＞
（最低溶融粘度）
　得られた実施例Ｉ〜Ｖ及び比較例Ｉ〜ＩＩの接着シートを，テフロンシート上に，ロール加圧（温度５０℃，線圧４ｋｇｆ／ｃｍ，送り速度０．５ｍ／分）によって，接着剤層がテフロンシートと接するように積層（ラミネート）した。このようにして，テフロンシート，接着剤層及び基材からなり，これらがこの順に積層する積層体を得た。
［０２５７］得られた積層体を，高精度平行露光機（オーク製作所製，「ＥＸＭ−１１７２−Ｂ−∞」（商品名））により１０００ｍＪ／ｃｍ２で露光し，８０℃のホットプレート上で約３０秒間放置した。次いで，コンベア現像機（ヤコー社製）を用いて，テトラメチルアンモニウムハイドライド（ＴＭＡＨ）２．３８質量％溶液を現像液とし，温度２６℃，スプレー圧０．１８ＭＰａの条件でスプレー現像した後，温度２５℃の純水にてスプレー圧０．０２ＭＰａの条件で３分間水洗した。このようにして，テフロンシート上に，感光性接着剤組成物からなる接着剤層を形成した。基材（ＰＥＴフィルム）を取り除き，テフロンシート及び上記接着剤層からなる積層体を，厚みが約２００μｍとなるように８０℃でラミネートし，１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさに切り出し，サンプルとした。
［０２５８］得られたサンプルの片側のテフロンシートを剥がし，１５０℃で１０分間加熱乾燥し，粘弾性測定装置ＡＲＥＳ（レオメトリックス・サイエンティフィック・エフ・イー株式会社製）を用いて最低溶融粘度の測定を行った。測定プレートは直径８ｍｍの平行プレート，測定条件は昇温５℃／ｍｉｎ，周波数１Ｈｚに設定した。−５０℃〜３００℃での溶融粘度の最低値を最低溶融粘度とした。
測定結果を表３
に示す
［０２５９］（低温貼付性）
　支持台上にシリコンウェハ（６インチ径，厚さ４００μｍ）を載せ，その上に，上記接着シートを，接着剤層がシリコンウェハの裏面（支持台と反対側の面）と接するように，ロール加圧（温度１００℃，線圧４ｋｇｆ／ｃｍ，送り速度０．５ｍ／分）により積層した。基材（ＰＥＴフィルム）を剥離除去した後，露出した接着剤層上に，厚み８０μｍ，幅１０ｍｍ，長さ４０ｍｍのポリイミドフィルム（宇部興産社製，「ユーピレックス」（商品名））を，上記と同様の条件でロール加圧して積層した。このようにして，シリコンウェハ，接着剤層及びポリイミドフィルムからなり，これらがこの順に積層する積層体のサンプルを得た。
［０２６０］得られたサンプルについて，レオメータ（東洋製機製作所社製，「ストログラフＥ−Ｓ」（商品名））を用いて，室温で９０°ピール試験を行って，接着剤層とポリイミドフィルムとのピール強度を測定した。その測定結果に基づいて，ピール強度が２Ｎ／ｃｍ以上のサンプルをＡ，２Ｎ／ｃｍ未満のサンプルをＢとして，低温貼付性の評価を行った。評価結果を表３及び表４に示す。
［０２６１］（高温（２６０℃）接着性）
　ロール加圧の温度を，実施例Ｉ〜Ｖ及び比較例Ｉの接着シートについては５０℃，比較例ＩＩの接着シートについては１５０℃としたこと以外は，上記低温貼付性の評価試験と同様にして，シリコンウェハ上に接着シートを積層した。得られた積層体を，接着シート側から，高精度平行露光機（オーク製作所製，「ＥＸＭ−１１７２−Ｂ−∞」（商品名））により１０００ｍＪ／ｃｍ２で露光し，８０℃のホットプレート上で約３０秒間放置した。基材（ＰＥＴフィルム）を剥離除去した後，コンベア現像機（ヤコー社製）を用いて，テトラメチルアンモニウムハイドライド（ＴＭＡＨ）２．３８質量％溶液を現像液とし，温度２６℃，スプレー圧０．１８ＭＰａの条件でスプレー現像した後，温度２５℃の純水にてスプレー圧０．０２ＭＰａの条件で６分間水洗し，１５０℃で１分間乾燥させた。このようにして，シリコンウェハ上に，感光性接着剤組成物からなる接着剤層を形成した。
［０２６２］得られたシリコンウェハ及び接着剤層からなる積層体を，３ｍｍ×３ｍｍの大きさに個片化した。個片化した積層体を１５０℃で１０分間乾燥させた後，ガラス基板（１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５５ｍｍ）上に，接着剤層がガラス基板と接するようにして積層し，２ｋｇｆで加圧しながら１０秒間圧着した。圧着温度は，実施例１〜７及び比較例１〜２については１５０℃，比較例３については２００℃とした。このようにして，シリコンウェハ，接着剤層及びガラス基板からなり，これらがこの順に積層する積層体のサンプルを得た。
［０２６３］得られたサンプルを，オーブン中で１８０℃，３時間の条件で加熱し，さらに，２６０℃の熱盤上で１０秒間加熱した後，せん断接着力試験機「Ｄａｇｅ−４０００」（商品名）を用いて接着力を測定した。測定結果を表３及び表４に示す。
［０２６４］（パターン形成性）
　ロール加圧の温度を，実施例Ｉ〜Ｖ及び比較例Ｉの接着シートについては６０℃，比較例ＩＩの接着シートについては１５０℃としたこと以外は，上記高温接着性の評価試験と同様にして，シリコンウェハ上に接着シートを積層した。得られた積層体を，接着シート側から，ネガ型パターン用マスク（日立化成社製，「Ｎｏ．Ｇ−２」（商品名））を介して，上記試験と同様に露光した。次いで，上記試験と同様に，ホットプレート上で放置後，基材を除去し，現像・水洗を行った。このようにして，シリコンウェハ上に，感光性接着剤組成物からなる接着剤パターンを形成した。
［０２６５］形成された接着剤パターンを顕微鏡（倍率：５０倍）にて観察し，ライン幅／スペース幅＝４００μｍ／４００μｍのパターンが形成されていた場合をＡ，形成されていなかった場合をＢとして，パターン形成性の評価を行った。
評価結果を表３
に示す
［０２６６］（低温熱圧着性）
　ロール加圧の温度を，実施例Ｉ〜Ｖ及び比較例Ｉの接着シートについては５０℃，比較例ＩＩの接着シートについては１５０℃とし，上記ネガ型パターン用マスクに代えて額縁状６インチサイズマスクパターン（中空部２ｍｍ，線幅０．５ｍｍ）を用いたこと以外は，上記パターン形成性の評価試験と同様にして，シリコンウェハ上に，感光性接着剤組成物からなる接着剤パターンを形成した。
［０２６７］接着剤層付きシリコンウェハを１５０℃で１０分間乾燥させた後，形成された接着剤パターンのシリコンウェハと反対側の面上に，ガラス基板（１５ｍｍ×４０ｍｍ×０．５５ｍｍ）を積層し，０．５ＭＰａで加圧しながら，１５０℃で１０分間圧着し，シリコンウェハ，接着剤パターン及びガラス基板からなり，これらがこの順に積層する積層体のサンプルを得た。
［０２６８］得られたサンプルを顕微鏡（倍率：５０倍）にて観察し，未接着部分（空隙）がガラス基板と接着剤パターンとの接着面積に対して２０％以下であるものをＡ，２０％以上であるものをＢとして，低温熱圧着性の評価を行った。
評価結果を表３
に示す
［０２６９］
表３及び表４の結果から明らかなように，実施例Ｉ〜Ｖの感光性接着剤又は接着シートは，比較例Ｉ及びＩＩの感光性接着剤又は接着シートと比べて，低温熱圧着性が顕著に優れたものであった
　３　当審の判断
（１）対比 
　本願発明１と引用発明１とを対比する。 
　ア　引用発明１の「ウエハー」，「半導体チップ」，「基板」，「ラジカル重合性モノマー」および「光照射によりラジカルを発生する化合物」は，それぞれ，本願発明１の「半導体ウェハ」，「半導体素子」，「半導体素子搭載用支持部材」，「放射線重合性化合物」および「光開始剤」に相当する。
　イ　引用発明１の「半導体用接着剤」は，「ラジカル重合性モノマーと，光照射によりラジカルを発生する化合物と」を含むから，「感光性接着剤」の一種といえる。加えて，引用発明１の「半導体用接着剤」は，「印刷により塗布する」ものであるから，「液状」であると解される。してみれば，引用発明１の「半導体用接着剤」は，本願発明１の「液状感光性接着剤」に相当する。
　ウ　以上をまとめると，本願発明１と引用発明１の一致点及び相違点は次のとおりである。
 ＜一致点＞ 
「半導体ウェハ上に，液状感光性接着剤を塗布して感光性接着剤層を形成する工程と，
　前記感光性接着剤層を光照射によりＢステージ化して接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と，
　前記接着剤層付き半導体ウェハの半導体ウェハを接着剤層とともに切断して複数の半導体素子に切り分けて接着剤層付き半導体素子を得る工程と，
　前記接着剤層付き半導体素子と，他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを，前記接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着する工程と，を備え，
　前記液状感光性接着剤が，（Ａ）放射線重合性化合物，（Ｂ）光開始剤，及び（Ｃ）熱硬化性樹脂，を含む，半導体装置の製造方法。」 
 　 
＜相違点＞ 
・相違点１：感光性接着剤層が，本願発明１では，金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハの前記回路面上に，設けられるのに対して，引用発明１では，そのような特定がされていない点。
・相違点２：放射線重合性化合物成分が，本願発明１では，分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有するイミド基含有（メタ）アクリレートを含むものであるのに対して，引例発明１では，このような特定がされていない点。
（２）判断
・相違点１について
　ア　以下の周知例１，２の記載からも明らかなように，「半導体チップの素子面を基板側に向けて，該素子面の電極上に形成されたバンプと呼ばれる突起状電極を介して，該半導体チップを基板に接続する方法」が，いわゆる「フリップチップボンディング」として，本願の出願日前に周知であったことが技術常識として認められる。
・周知例１：「半導体用語大辞典」，日刊工業新聞社，１９９９年３月２０日第１版第１刷発行
・「
フリップチップボンディング
半導体チップ表面の電極上にバンプと呼ばれる突起電極を形成し，チップの表裏を逆にして，セラミックなどの配線基板の電極とバンプとを位置合わせして，フェースダウンボンディングで接続する実装方法のことである
基本的方式は１９６０年代前半に・・・ＩＢＭが開発
最近では，バンプにかかる応力の低減や電極の多ピン化，微少ピッチ化に対応するため，
光硬化性樹脂などの有機材料をチップと基板の間に介在させてボンディングする方法も実用化されつつある
・「
フェースダウンボンディング
半導体素子のボンディングパッドにバンプ
を形成し，この面（半導体チップの素子面（face））を下側にして基板の導体層に直接面接続する
狭義のフェースダウンボンディングはフリップチップボンディングのことを示す
・周知例２：「半導体大事典」，工業調査会，１９９９年１２月２０日初版第１刷発行
・「
フリップチップ方式
半導体チップの電極パッド上に突起状電極（バンプ）が形成され
相対する基板上の電極パッドに対して位置合わせして実装する方式
バンプ電極には，はんだ，Ａｕ，Ｃｕ,Ｉｎなど，種々の金属や合金材料が用いられている
　イ　そして，引用例１の上記摘記（１ｋ）には，引用例１に記載された発明に係る各実施例に記載された接着剤を，回路段差５−１０μｍを有する基板に印刷し，その後，当該接着剤をＢステージ化し，つぎに，半導体チップを機能面が接着剤に接するように，位置あわせしてのせ，圧着して，半導体装置を得る方法が記載されている。
　ここで，半導体チップの機能面は，当該半導体チップの機能を実現するための素子が形成された面であって，当該機能を実現するために，前記素子によって構成された回路が存在することは通常であるから，半導体チップの機能面は，半導体チップの回路面（素子面）に相当するといえる。
　そうすると，引用例１には，引用例１に記載された発明に係る各実施例に記載された接着剤を，半導体チップの回路面と，基板の回路を有する面との間に挟んで，圧着して，半導体装置を製造する方法が記載されているものと理解され，引用例１の上記摘記（１ｋ）の記載は，フリップチップボンディングを示唆するものと理解できる。
　ウ　一方，引用例２の上記摘記（２ｃ），（２ｄ）には，引用例２の特許請求の範囲に記載された発明の【実施例】として，以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている。
「ウエハ１１上に金（Ａｕ），あるいは銅，あるいは半田からなる高さ２〜５０μｍの突起電極１３をウエハ１１に形成する工程と，
　封止樹脂１５をディスペンサ１７により，ウエハ１１上に２〜１０ｇ滴下し，ウエハ１１を一定回転数で回転させて，封止樹脂１５をウエハ１１全面に均一の厚さに広げる工程と，
　ウエハ１１全面に形成した封止樹脂１５を４０〜８０℃の温度で加熱処理して，封止樹脂１５を半硬化状態にする工程と，
　封止樹脂１５をウエハ１１上に形成後，このウエハ１１をダイシング装置を用いて切断し，封止樹脂１５を形成したウエハ１１を個々の半導体装置１９に分割する工程と，
　半導体装置１９に形成した突起電極１３を下面側に向け，表示装置２１を構成する基板３３に形成した，配線回路３１上に半導体装置１９を配置し，さらに突起電極１９と配線回路３１との位置合わせを行う工程と，
　加熱加圧ヘッド２３を使って半導体装置１９の上から押し当てて圧接することにより，半導体装置１９と基板３３との接続と，封止樹脂１５による樹脂封止とを同時に行う工程と，を備え，
　前記封止樹脂１５としては，熱硬化性の樹脂だけでなく光硬化性の樹脂でも構わないとする，半導体装置の製造方法。」
　そして，引用発明２は，半導体装置１９に形成した突起電極１３を下面側に向け，該突起電極１３と，基板３３に形成した配線回路３１とを位置合わせしたうえで，半導体装置１９と基板３３とを接続するから，上記アの技術常識に照らせば，引用発明２は，フリップチップボンディングを採用した半導体装置の製造方法と認められる。
　エ　上記イのとおり，引用例１には，引用発明１がフリップチップボンディングを採用した半導体装置の製造方法であることが示唆されていると認められる。
　そして，上記ウより，引用発明２は，金，あるいは銅，あるいは半田からなる突起電極，すなわち金属バンプを半導体ウェハに形成する工程と，回路面を有する前記半導体ウェハの前記回路面上に，熱硬化性又は光硬化性の樹脂である封止樹脂を塗布する工程と，前記封止樹脂を半硬化状態，すなわちＢ−ステージ化する工程と，前記半導体ウェハをダイシングにより半導体チップに個片化する工程と，前記半導体チップを基板に搭載し，前記封止樹脂を熱硬化又は光硬化させて圧着する工程と，を含む，フリップチップボンディングを採用した半導体装置の製造方法と認められ，ここで，前記突起電極が前記半導体ウェハの前記回路面上に形成されることは，上記アの技術常識に照らせば自明であり，また，前記封止樹脂は，光硬化性の樹脂で，前記半導体チップを前記基板に圧着することから，半導体接着用の感光性接着剤と認められる。
　そうすると，フリップチップボンディングを採用した半導体装置の製造方法であることが示唆される引用発明１において，半導体ウェハの回路面に金属バンプを形成し，当該回路面上に半導体用接着剤（本願発明１の「液状感光性接着剤」に相当。）を設けるようにすることは，引用発明２のように，当業者が普通に行い得るものと認められる。
　オ　以上から，相違点１に係る構成は，引用発明１において，引用例２に記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認める。
・相違点２について
　ア　引用例１の上記摘記（１ｂ）の「印刷後の接着剤を加熱することによりタックをなくす手法では，溶剤を揮発させたり，樹脂成分の一部をＢ−ステージ化する際の加熱工程にどうしても時間がかかってしまい，半導体装置製造工程がより長くかかってしまうという課題があった。本発明者らは上記事情に鑑み，鋭意検討の結果，接着剤にラジカル重合性モノマーと熱硬化性樹脂を配合，光照射によりＢ−ステージ化することのできる接着剤を用いることにより，タックフリーになるまでの時間を大幅に短縮できることを見出した。」との記載から，引用発明１は，印刷後の接着剤を加熱することによりタックをなくす手法では，溶剤を揮発させたり，樹脂成分の一部をＢ−ステージ化する際の加熱工程にどうしても時間がかかってしまい，半導体装置製造工程がより長くかかってしまうという課題を，接着剤にラジカル重合性モノマーと熱硬化性樹脂を配合して，光照射によりＢ−ステージ化することによって解決した発明であると理解することができる。
　
　イ　さらに，引用例１の上記摘記（１ｄ）には，「本発明で用いられるラジカル重合性モノマーとは，一分子内に一つ以上のラジカル反応性二重結合を有するモノマーである。ラジカル重合性モノマーとしては，例えば，アクリル系モノマーやスチレン系モノマー，及びこれらのオリゴマーが挙げられる。ラジカル重合性モノマーには，ラジカル重合性官能基を分子内に一つ有する一官能ラジカル重合性モノマーと，ラジカル重合性官能基を分子内に複数有する多官能ラジカル重合性モノマーとがある。本発明においては，ラジカル重合性モノマーは単独で用いることも，２種類以上を混合して用いることもできる。ラジカル重合性モノマーとしては２５℃で液状であることが好ましく，より短時間でＢ−ステージ化するために，反応性に優れたアクリロイル基を有する化合物が好ましい。本発明で用いられるラジカル重合性モノマーの具体例としては，シクロへキシルアクリレート・・・＜途中省略＞・・・などの１官能アクリレート，　＜途中省略＞　シクロへキシルメタクリレートなどの１官能メタクリレート，　＜途中省略＞　などが挙げられる。」と記載されており，上記摘記（１ｈ）には，「表１，２で用いられた原料の詳細を以下に示す。　ブレンマー70PEP-350B：ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコールモノメタクリレート　CHDMMA：1,4-シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート」として，いずれも，分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリレートが，一官能ラジカル重合性モノマーの具体例として例示されている。
　ウ　してみれば，当業者であれば，引用発明１の半導体用接着剤で用いる一官能ラジカル重合性モノマーとして，分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリレートを使用することは適宜なし得たことといえる。
　そして，当該分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリレートとして，具体的にどのような材料を用いるかは，上記アで検討した引用発明１が解決すべき課題，すなわち，印刷後の接着剤を加熱することによりタックをなくす手法では，溶剤を揮発させたり，樹脂成分の一部をＢ−ステージ化する際の加熱工程にどうしても時間がかかってしまい，半導体装置製造工程がより長くかかってしまうという課題を，接着剤にラジカル重合性モノマーと熱硬化性樹脂を配合して，光照射によりＢ−ステージ化することによって解決するという引用発明１に係る作用機序を妨げない限りにおいて，単なる設計事項として，適宜選択し得たものであるといえる。
　
　エ　一方，引用例３の上記摘記（３ａ）の「本発明は，感光性接着剤組成物，並びにそれを用いたフィルム状接着剤，接着シート，接着剤パターン，接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置に関する。」との記載から，引用例３には，引用発明１と共通する技術分野に係る技術的事項が開示されていると認められる。
　そして，引用例３の上記摘記（３ｄ）の「第１の感光性接着剤組成物において，（Ｃ）成分は，単官能（メタ）アクリレートを含むことが好ましい。これにより，光硬化時に架橋密度を低減することができ，光硬化後の低温熱圧着性，低応力性及び接着性を改善することができる。＜途中省略＞このような単官能（メタ）アクリレートとしては，特に限定はしないが，＜途中省略＞イミド基含有（メタ）アクリレート，＜途中省略＞が挙げられる。」との記載，及び，上記摘記（３ｆ）の「Ｍ−１４０：東亜合成社製，２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチルアクリレート」との記載から，引用発明１と共通する技術分野において，「Ｍ−１４０：東亜合成社製，２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチルアクリレート」という，イミド基含有（メタ）アクリレートを，感光性接着剤組成物の成分として使用すること，及び，このような単官能（メタ）アクリレートを用いることで，光硬化時に架橋密度を低減することができ，光硬化後の低温熱圧着性，低応力性及び接着性を改善することができることが知られていたことが理解できる。
　オ　上記ウで検討したように，引用発明１において，「一官能ラジカル重合性モノマー」として，分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリレートを使用することは，当業者が適宜なし得たことであり，当該分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリレートとして，具体的にどのような材料を用いるかは，単なる設計事項であったと理解できる。
　そして，上記エで検討したように，引用発明１と共通する技術分野において，単官能（メタ）アクリレートとして，東亜合成社等から供給される，「Ｍ−１４０」という「２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチルアクリレート」等の，イミド基含有（メタ）アクリレートを用いることが知られており，しかも，引用例３には，イミド基含有（メタ）アクリレートを，感光性接着剤組成物の成分として使用することで，光硬化時に架橋密度を低減することができ，光硬化後の低温熱圧着性，低応力性及び接着性を改善することができると記載されており，引用例３に示された，これら光硬化後の低温熱圧着性，低応力性及び接着性等の特性が，引用発明１の半導体用接着剤においても優れていることが望ましい特性であることは，引用発明１と，引用例３に接した当業者であれば直ちに理解するものといえる。
　そうすると，引用発明１を実施するに際して，引用発明１の「一官能ラジカル重合性モノマー」である材料を具体的に選定するにあたり，引用発明１の「一官能ラジカル重合性モノマー」を，引用例３に示された，「２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチルアクリレート」（Ｍ−１４０）等の，イミド基含有（メタ）アクリレートを含むものとすることは，適宜なし得たことと認められる。
　したがって，引用発明１において，上記相違点２に係る本願発明１の構成を採用することは，当業者が容易になし得たことである。
（３）審判請求人の主張について
　ア　審判請求の理由において，審判請求人は，「さらに，上記審査基準における『進歩性の存在を推認できる根拠』について，第II部第２章２．５（３）には，『引用発明と比較した有利な効果が明細書等の記載から明確に把握される場合には，進歩性の存在を肯定的に推認するのに役立つ事実として，これを参酌する。ここで，引用発明と比較した有利な効果とは，発明を特定するための事項によって奏される効果(特有の効果)のうち，引用発明の効果と比較して有利なものをいう』との記載がされております。
　この点，本願発明１，８及び１５は，上記技術的特徴Ｃを具備することにより，『半導体ウェハや有機基板などの塗布したときのハジキやピンホールを抑制でき，かつ硬化後に優れた接着性を発現できる』という優れた効果を奏します（本願明細書の段落００９２）。このような効果は，放射線重合性化合物として『イミド基含有（メタ）アクリレート』を用いた本願の実施例１〜３において，バンプ部分のボイドが十分に低減された薄膜の接着剤層付き半導体ウェハが得られていることからも明らかです。そして，上記効果を奏する本願発明１，８及び１５の構成は，『バンプ部分のボイドが十分に低減されており，なおかつ研削後の反りを十分小さくすることができる接着剤層付き半導体ウェハを得ることができる接着剤層付き半導体ウェハの製造方法，並びに，そのような接着剤層付き半導体ウェハを用いる，半導体装置の製造方法，半導体素子付き半導体ウェハの製造方法，及び，半導体ウェハ積層体の製造方法を提供する』（本願明細書の段落００１０）という本願発明の課題を認識して初めて想到し得るものです。
　一方，引用文献１，４及び５には，『金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハ』が記載されておりませんので，このような引用文献１，４及び５から上記本願発明の課題は認識し得ません。そうすると，引用文献１，４及び５に基づき，上記本願発明の課題に基づく本願発明１，８及び１５の構成に想到することは当業者といえども困難であり，本願発明１，８及び１５の構成に基づく上記効果を予測することは，一層困難であると思料します。
　以上のことから，上述した本願発明の効果は，引用文献１，４及び５に記載された発明と比較して有利な効果であるといえるものと思料致します。」と主張する。
　イ　しかしながら，審判請求人の前記主張は採用することはできない。その理由は以下のとおりである。
　すなわち，引用例１の上記摘記（１ｆ）の記載は，接着剤層を，回路面を有する半導体ウェハの前記回路面上に設けることを意味するものと理解でき，さらに，上記「相違点１について」で検討したように，引用例１の上記摘記（１ｋ）の記載は，接着剤を，回路面を有する半導体ウェハの前記回路面上に設け，その後，当該接着剤をＢステージ化し，つぎに，半導体チップを基板に位置あわせしてのせ，圧着して，半導体装置を得るという方法を示唆するものと理解できる。
　そして，引用例２及び周知技術に照らして，半導体ウェハの前記回路面が金属バンプを有することは通常のことと認められる。
　そうすると，引用例１には，実質的に，金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハが記載されていると認められるから，「引用文献１・・・には，『金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハ』が記載されておりません」とする審判請求人の主張は採用することはできない。
　ウ　加えて，引用例１の上記摘記（１ｇ）の「また，粘度が２００Ｐａ・ｓ以下になると，シリンジから接着剤を出す際に，適度な圧力で接着剤を出すことができ，出す時の時間も短縮できる。さらに印刷時に接着剤表面にスジ，泡等が入ることも少なくなり，作業性に優れる。このような利点は，シリンジやカップで接着剤を供給する場合以外にもあてはまる。好ましい粘度は，１０Ｐａ・ｓ以上１００Ｐａ・ｓ以下である。」との記載は，接合部における「泡」すなわち「ボイド」の生成を抑制する点で，本願発明１と同様な効果を示唆するものと認められる。すなわち，引用発明１においても，粘度を調整することによって，例えば，バンプ部分のボイド等の泡を少なくなくすることができると認められるから，審判請求人が主張する前記効果は格別のものとは認められない。
　エ　さらに，審判請求人は，「放射線重合性化合物として『イミド基含有（メタ）アクリレート』を用いた本願の実施例１〜３において，バンプ部分のボイドが十分に低減された薄膜の接着剤層付き半導体ウェハが得られていることからも明らかです。」として，「（Ａ）放射線重合性化合物」として「イミド基含有（メタ）アクリレート」を含むものであることを選択したことによる特段の効果を主張する。
　しかしながら，本願の発明の詳細な説明には，放射線重合性化合物である「Ｍ−１４０」及び「ＡＭＰ−２０ＧＹ」を含む，実施例１ないし３に係る接着剤が，放射線重合性化合物を含まず，熱可塑性樹脂を含む，比較例１ないし３と比べて良好な特性を示すことが記載されているにすぎない。
　そうすると，本願の発明の詳細な説明の記載からは，比較例１ないし３と比べて，本願の実施例１ないし実施例３が良好な特性を示すのは，接着剤が，「熱可塑性樹脂」ではなく，「放射線重合性化合物」を含むことによる効果であると理解することができるとしても，「（Ａ）放射線重合性化合物」として「イミド基含有（メタ）アクリレート」を含むことを選択したことによる効果であるとは認められない。
　しかも，実施例１ないし３は，いずれも，「（Ａ）放射線重合性化合物」として，「イミド基含有単官能アクリレート」である「Ｍ−１４０」と，「イミド基含有（メタ）アクリレート」ではない「単官能アクリレート」である「ＡＭＰ−２０ＧＹ」とを，６０：２０の質量比で含むものである。
　そうすると，本願の発明の詳細な説明の記載からは，本願の実施例１ないし実施例３が，比較例１ないし３と比べて良好な特性を示すのが，前記「（Ａ）放射線重合性化合物」が，「Ｍ−１４０」を含むことによる効果なのか，「ＡＭＰ−２０ＧＹ」を含むことによる効果なのか，あるいは，「Ｍ−１４０」と「ＡＭＰ−２０ＧＹ」とを６０：２０の質量比で含むようにしたことによって得られた効果なのか，いずれを原因とした効果であるのかを知ることができない。
　してみれば，この点においても，本願発明において，「（Ａ）放射線重合性化合物」として「イミド基含有（メタ）アクリレート」を含むものであることを選択したことによる特段の効果を認めることはできない。
　オ　以上検討したように，本願の発明の詳細な説明の記載からは，本願発明１において，「（Ａ）放射線重合性化合物」を，「分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有するイミド基含有（メタ）アクリレートを含む」ものとしたことによる顕著な効果を認めることができないから，審判請求人の主張は採用することはできない。
　カ　また，審判請求の理由において，審判請求人は，「上記認定において，審査官殿は，引用文献１に記載される発明において，放射線重合性化合物としてイミド基含有（メタ）アクリレートを採用することは『最適材料の選択』であると判断しているように見受けられます。しかしながら，上記審査基準に照らせば，『最適材料の選択』というためには，『一定の課題を解決するために』という動機付けが必要となります。
　この点，引用文献１においては，引用文献１に記載される発明に『反り量』や『硬化性や密着性，柔軟性』を向上させるという課題が存在することは何ら示唆されておりません。引用文献１に記載される発明は，『印刷後の接着剤を加熱することによりタックをなくす手法では，溶剤を揮発させたり，樹脂成分の一部をＢ−ステージ化する際の加熱工程にどうしても時間がかかってしまい，半導体装置製造工程がより長くかかってしまう』ことを課題としているのであって（引用文献１の段落０００６），『反り量』や『硬化性や密着性，柔軟性』を向上させることは，引用文献１に記載される発明の課題ではありません。
　そうすると，引用文献１に記載される発明において，放射線重合性化合物としてＭ−１４０を採用することには，『一定の課題を解決するために』という動機付けがあるとは言えず，『イミド基含有（メタ）アクリレートを採用すること』は『最適な材料を選択すること』とはいえないと思料します。」と主張する。
　
　キ　しかしながら，上記主張は採用することができない。
　すなわち，引用発明１は，半導体用接着剤を用いた半導体装置の製造方法に係る発明であるところ，接着剤が，良好な接着性を有するものであることが望ましいことは，接着剤が接着という機能を有する材料であることから，自明な事項であるといえる。
　したがって，引用例１に，接着剤の接着性について何らの記載が存在しなくとも，引用発明１が，半導体用接着剤の接着性が向上することが望ましいという課題を内在していることは，当業者であれば当然に理解するといえる。
　そうすると，引用例３の表３において，Ｍ−１４０を使用することで，良好な接着性を有する感光性接着剤組成物を得ることが示されており，また，引用例３の上記摘記（３ｄ）に，「第１の感光性接着剤組成物において，（Ｃ）成分は，単官能（メタ）アクリレートを含むことが好ましい。これにより，光硬化時に架橋密度を低減することができ，光硬化後の低温熱圧着性，低応力性及び接着性を改善することができる。・・・このような単官能（メタ）アクリレートとしては，特に限定はしないが，・・・イミド基含有（メタ）アクリレート・・・などの中から，５％重量減少温度が１５０℃以上の化合物が挙げられる。」と記載され，イミド基含有（メタ）アクリレートを使用することで，光硬化時に架橋密度を低減することができ，光硬化後の低温熱圧着性，低応力性及び接着性を改善することができることが示されているのであるから，当業者であれば，引用発明１の一官能ラジカル重合性モノマーを，Ｍ−１４０等のイミド基含有（メタ）アクリレートを含むものとする動機付けは存在するものと認められる。
　ク　また，審判請求の理由において，審判請求人は，「平成２７年１月６日付け拒絶理由通知書において，審査官殿は，『引用文献４（特に，第２４３−２６９段落参照）には，接続信頼性を向上させるための技術において，感光性接着剤層形成用ワニスの放射線重合性化合物として，２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチルアクリレートを用いることが示されている。』とご指摘されました。
　しかしながら，引用文献４には，放射線重合性化合物として，敢えて２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチルアクリレート（以下，『Ｍ−１４０』と言います。）を用いる技術的意義は何ら記載されておりません。そして，審査官殿が摘示された引用文献４の実施例ＩＶ（引用文献５の段落０２５３（表３））において，Ｍ−１４０は，混合して用いられる複数種類の放射線重合性化合物のうちの一つとして用いられているに過ぎません。このような引用文献４は，引用文献１に記載の発明において，敢えてＭ−１４０を用いることを，当業者に動機づけるものではありません。
　むしろ，引用文献４の表３，表５及び表６の結果を参酌した当業者であれば，引用文献１の放射線重合性化合物として，Ｍ−１４０ではなく，引用文献４におけるＣ−１，Ｃ−２，Ｃ−３等の放射線重合性化合物を用いるように動機づけられるものと思料します。 
　すなわち，引用文献４の段落０２５３（表３）には，Ｍ−１４０を用いた実施例ＩＶの感光性樹脂組成物（感光性接着剤組成物）が，Ｍ−１４０以外の放射線重合性化合物を用いた実施例ＩＩ，ＩＩＩ及びＶの感光性樹脂組成物よりも，最低溶融粘度及び高温接着性において劣ることが示されております」と主張する。
　
　ケ　しかしながら，上記主張は採用することができない。
　すなわち，引用例３（引用文献５）の表３には，放射線重合性化合物として，Ｃ−１，Ｃ−２，Ｍ−１４０等の材料を使用した場合に，いずれも，表４の比較例と比べて，良好な評価結果を得ることができたことが記載されている。
　したがって，当業者であれば，引用例３に例示された放射線重合性化合物のいずれをも，必要に応じて適宜使用し得るものと認められる。
　審判請求人は，「Ｍ−１４０を用いた実施例ＩＶの感光性樹脂組成物（感光性接着剤組成物）が，Ｍ−１４０以外の放射線重合性化合物を用いた実施例ＩＩ，ＩＩＩ及びＶの感光性樹脂組成物よりも，最低溶融粘度及び高温接着性において劣ることが示されております」と主張するが，最低溶融粘度及び高温接着性の評価は，いずれも良好と判定される範囲内におけるばらつきにすぎないと認められる。
　すなわち，表３の評価結果は，当業者が，放射線重合性化合物を，例えば，引用例１の上記摘記（１ｇ）の「以上のパラメータは，例えば，本発明に含まれる，ラジカル重合性モノマー，熱硬化性樹脂の種類や混合比等を調整することによって得ることができる。」との記載に基づいて，ラジカル重合性モノマーの種類を調整するために選択する際に，あるいは，材料の単価，購入・取り扱いの容易さ等の事情に照らして材料を選択する際に，Ｍ−１４０を選択することを選択肢から排除すべきほどの事情であると認めることはできない。
　したがって，審判請求人の主張は採用することができない。
（４）判断についてのまとめ 
　以上のとおりであるから，引用発明１において，上記相違点１，２に係る本願発明１の構成を採用することは，引用例２，引用例３に記載された技術的事項に基づいて容易になし得たことである。
　したがって，本願発明１は，引用例１ないし引用例３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　４　むすび 
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　よって，結論のとおり審決する。