【事件の表示】
　特願２０１１−１０７２８０「シリコンボードにおけるシリコン貫通配線（ＴＳＶ）の形成」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月６日出願公開、特開２０１２−２３８７５２、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年５月１２日の出願であって、平成２６年１０月７日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内の平成２７年１月１３日に意見書及び手続補正書が提出され、同年４月３０日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内の同年６月２７日に意見書及び手続補正書が提出され、同年７月１４日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内の同年７月３０日に意見書及び手続補正書が提出され、同年１２月４日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内の平成２８年２月６日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年３月３０日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年４月８日）、これに対し、同年４月２３日に拒絶査定不服審判が請求され、その審判の請求と同時に手続補正書が提出され、その後、当審において同年１２月６日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由という。）が通知され、その指定期間内の同年１２月９日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成２８年１２月９日の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は以下のとおりである。
　
「【請求項１】
　シリコンボードの貫通孔にシリコン貫通配線（ＴＳＶ）を形成する方法であって、
  シリコンボードの貫通孔の内部の表面に銅からなる金属層を堆積するステップと、
　後から貫通孔の内部に導かれる溶融はんだと金属間化合物を形成しやすくするために、銅の微粉を貫通孔の内部の空間に入れるステップと、
　シリコンボードの貫通孔の下側をＩ／Ｏパッドとはんだバンプのいずれか一方または両方で塞ぐステップであって、気体が貫通孔の下側から内部の空間へと流入するのを遮断する、塞ぐステップと、
　シリコンボードの貫通孔の上方（真上または横）に、貫通孔を後に充填するために用意される固形はんだを配置するステップと、
　貫通孔の内部の空間および外部の空間という両方の空間を含む空間を真空引きするステップと、
　配置されている固形はんだを溶融させるステップであって、溶融されたはんだが隙間の無い連続体として流動することでシリコンの貫通孔の上側を塞ぎ、気体が貫通孔の上側から内部の空間へと流入するのを遮断する、溶融させるステップと、
　真空引きされている状態を以前の状態に戻すステップであって、貫通孔の外部の空間と内部の空間との間に圧力差を生じさせて、そのことで溶融されたはんだを貫通孔の内部の空間へと導き、貫通孔の内部の空間を溶融されたはんだで充填させ、貫通孔の内部の空間に微粉としてある銅と金属間化合物を形成することを含む、戻すステップとを有する、方法。」
　
第３　原査定の理由について
　１　原査定の理由の概要
　平成２８年２月６日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に係る発明は、その出願前に日本国内において、頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　刊行物１：特開２００２−３６８０８２号公報
　刊行物２：特開２００５−１９７３３９号公報
　刊行物３：特開２００１−９４０４１号公報（周知技術を示す文献）
　刊行物４：特開２０１０−５０２５９号公報（周知技術を示す文献）
　刊行物５：特開２０１１−４９３４２号公報（周知技術を示す文献）
　
（１）請求項１に対して
　刊行物等：刊行物１ないし３
　刊行物１には、複数の微細孔が形成されたシリコン基板の上面に共晶はんだからなる金属シートを取り付けて金属チャンバーの内部の試料固定用治具にセットし、微細孔に空気が残らないよう真空チャンバー内を減圧し、金属シートを加熱して溶融し、真空チャンバー内に不活性ガスをパージすることで微細孔内と雰囲気との間に圧力差を発生させて微細孔内に溶融金属を真空吸入し、残った金属を取り除き、冷却することからなる金属充填方法とすることで、空隙のない貫通電極を作る（段落【００１２】〜段落【００１７】、図１〜５）ものであって、図５（ロ）に記載されている様に溶融した半田は連続体をなすものが記載されている。
　請求項１に係る発明を刊行物１に記載された発明と対比すると、塞ぐステップにおいて貫通孔の下側を塞ぐものが、請求項１に係る発明はＩ／Ｏパッドかはんだバンプのいずれか一方または両方であるのに対して、刊行物１に記載された発明ではその旨規定されていない点で相違している。
　上記相違点について検討する。
　刊行物２には、半導体装置の製造方法において、貫通孔を有しこの貫通孔の孔部を囲むようにして導電層を設けた半導体チップを用意する工程（段落【００３１】〜段落【００４６】）と、複数の半導体チップを配線基板の上に順次積層する（段落【００４７】）とともに、配線基板のランドと配線基板に接する半導体チップの導電層が接すると共に半導体チップの貫通孔が連通するように位置合わせを行い、加熱して接合する工程（段落【００４８】）と、貫通孔を塞ぐようにハンダを配置する工程（段落【００４９】）と、加熱処理によりハンダを流動化させ貫通孔に流し込む工程（段落【００５０】〜段落【００５３】）とを含むものが記載されている。
　この配線基板のランドが、上記相違点におけるＩ／Ｏパッドに相当する。刊行物１に記載された発明において、刊行物２に記載されている様に配線基板のランドにより貫通孔を閉塞するよう構成することに、格段の困難を要するものではないし、顕著な作用効果を奏するものでもない。
　また、半導体チップを基板に実装するにあたり基板側にはんだバンプを設けることは刊行物３（段落【００２１】）に記載されている様に当業者に周知であるから、閉塞にはんだバンプを用いる又は閉塞にはんだバンプを併用することは、単なる実装上の微差にすぎない。
　一の基板の貫通孔にハンダを流し込み、他の基板との電気的接続を図ることは、刊行物２（段落【００３１】〜段落【００５３】）に記載されている。
　刊行物１に記載された発明と刊行物２に記載された発明とは、貫通導体を有する基板の製造方法に関し、同一の技術分野に属する。そして、貫通孔を有する基板に導体金属を流し込む作用を有する工程を有するものであるから、組み合わせる動機付けを有するものである。
　また、組み合わせにより顕著な作用効果を奏するものではないし、刊行物１及び刊行物２の記載を参照しても組み合わせを阻害する要件を有するものではない。
　してみると、刊行物１に記載された空隙を有さず充填する基板の製造方法において、刊行物２に記載されている様に複数の基板間の電気的接続を行う貫通導体の製造に用いることに、進歩性を有するものではない。
　
（２）請求項２に対して
　刊行物等：刊行物１ないし４
　３次元実装においてシリコンインターポーザ上にシリコンチップを積層していくことは、刊行物４（段落【００１２】〜段落【００１４】）に記載されている様に当業者に周知の技術事項にすぎない。適宜転用することに格段の困難を要しないし、顕著な作用効果を奏するものでもない。
　
（３）請求項３に対して
　刊行物等：刊行物１ないし４
　はんだの融点にあわせて加熱温度を設定することは、当業者の通常の創作能力の発揮にすぎず、進歩性を有さない。２６０℃以上に加熱することで、２６０℃未満で加熱した場合と比較して、進歩性を肯定するに足る顕著な作用効果を奏するものとは認められない。
　
（４）請求項４及び５に対して
　刊行物等：刊行物１ないし５
　導体の表面に金及び銅を含む候補から選択された材料からなる電気抵抗の小さい層を形成し、表皮効果により高周波性能を向上させることは、刊行物５（段落【００２３】、段落【００２６】〜段落【００３０】）に記載されている様に当業者に周知の技術事項にすぎない。刊行物１に記載された貫通電極において、同様に電気抵抗の小さい層を配して高周波性能を向上させることは、当業者が容易に想到しうるものである。
　
　２　原査定の理由の判断
（１）刊行物
　ア　刊行物１
　原審において通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に頒布された刊行物１には、「微細空間への金属充填方法および装置」に関して、図面（特に、図１〜図５参照）とともに、次の事項が記載されている。
　
「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１〜図５を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態の金属充填装置１０の模式的な斜視図で、内部を減圧する減圧手段と内部を不活性ガスで大気圧以上に加圧する加圧手段とを備えた真空チャンバー１１と、金属を充填すべき微細孔が形成された試料をその上に充填用金属体とを重ねた状態で固定する試料固定用治具１２と、真空チャンバー１１内で前記試料固定用治具１２に固定された試料上の充填用金属体を加熱する加熱手段１３とを備えている。
【００１３】この実施形態は、図２に示すように、複数の微細孔１４ａが形成された概ね円板状のシリコン基板１４を試料とする場合である。また、微細孔１４ａに金属を充填するための充填用金属体として、図３に示す円板状の金属シート１５を用いる場合である。但し、使用する充填用金属体は、円形に限らず、適宜の形の金属シートを使用することができ、さらに、シート状のものに限らず、多数の粒状あるいは塊状のものでもよい。要するに、後述するように、溶解した時に微細孔に真空吸引される態様で微細孔に面して配置できる金属体であればよい。また、この実施形態では、金属シート１５を加熱する加熱手段１３が、真空チャンバー１１内で前記金属シート１５に面するように設けた赤外線ヒータ等の主たる加熱装置１６と、前記試料固定用治具１２の試料載置面１２ａに設けた電熱ヒータ等の補助加熱装置１７とからなっている。
【００１４】なお、前述の通り図１は模式的に示したものであり、試料固定用治具１２および加熱装置１６は真空チャンバー１１の内部で適宜の手段で取り付けられている。なお、真空チャンバー１１には、図示は省略したが、内部を真空圧に減圧するための真空ポンプを吸引管を介して接続している。また、内部を例えば窒素ガス（Ｎ２）等の不活性ガスのパージにより大気圧以上に加圧するためのボンベ等をガス導入管（図４（ハ）の１８）を介して接続している。
【００１５】上記の金属充填装置１０により、シリコン基板１４に形成した微細孔１４ａに金属を充填する手順を、図４（イ）〜（ホ）および図５（イ）〜（ホ）を参照して説明する。まず、微細孔１４ａが形成されたシリコン基板１４の上面に金属シート１５をハンダボール等で取り付けて、これを試料固定用治具１２に固定し、真空チャンバー１１の内部にセットする（図４（イ）、図５（イ））。微細孔１４ａに充填する金属としては、例えばインジウム、錫、あるいは金−錫の共晶半田など、比較的蒸気圧の低い金属が好ましく、金属シートはこれらの材質のものを用いる。但し、特にこれらに限定されない。次いで、真空チャンバー１１内を例えば１０−２〜１０−３Pa（パスカル）等の真空圧に減圧する。なお、真空圧に減圧する際、微細孔１４ａ内に空気が残らないように、微細孔１４ａの上に障害物のない状態とする必要があるが、金属シート１５であれば、図４（イ）および図５（イ）のように、シリコン基板１４との間に若干の隙間を持たせることで、複数の微細孔１４ａの上に障害とならなように配置することが容易である。
【００１６】真空チャンバー１１内が所定の真空度に達したら、金属シート１５を、主たる加熱装置１６および試料固定用治具１２内蔵の補助加熱装置１７で加熱して溶融する（図４（ロ）、図５（ロ））。図５で溶融金属を１５'で示す。金属シート１５が溶融した後、真空チャンバー１１内を不活性ガス、例えば窒素ガス（Ｎ２）のパージにより、大気圧以上例えば約１〜５×１０５Pa（１〜５kgf/cm2)程度に加圧する。こうして雰囲気（大気圧以上）と微細孔１４ａ内（真空圧）とに圧力差を発生させることにより、シリコン基板１４の微細孔１４ａに溶融金属１５'が真空吸入される（図４（ハ）、図５（ハ））。その後、真空チャンバー１１を開放し、溶融金属１５'が固まらないうちに、試料固定用治具１２上で、シリコン基板１４の表面に残った金属１５'を取り除く（図４（ニ）、図５（ニ））。最後に、そのまま放置して室温冷却すると、微細孔１４ａの溶融金属が固化する（図４（ホ）、図５（ホ））。微細孔１４ａで固化した充填金属を１５”で示す。これにより、シリコン基板１４の微細孔１４ａへの金属充填作業が終了する。
【００１７】上記のように、本発明によって高アスペクト比の微細孔に対しても金属充填が可能であり、鬆（す）などの空隙の生じない金属充填が可能である。したがって、シリコン基板等に貫通電極を形成する際に、空隙のない貫通電極を製作することが出来る。なお、真空圧の微細孔に圧力差で溶融金属を吸入するものであるから、貫通していない微細孔への金属充填も可能である。」
　
　この記載事項及び図面の図示内容を総合し、本願発明の記載ぶりに則って整理すると、刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「シリコン基板１４の微細孔１４ａに空隙のない貫通電極を形成する方法であって、
　シリコン基板１４の微細孔１４ａの下側を試料固定用治具１２で塞ぐステップであって、気体が微細孔１４ａの下側から内部の空間へと流入するのを遮断する、塞ぐステップと、
　シリコン基板１４の微細孔１４ａの上方に、微細孔１４ａを後に充填するために用意される共晶半田からなる金属シート１５を配置するステップと、
　真空チャンバー１１内を真空圧に減圧するステップと、
　配置されている金属シート１５を溶融させるステップであって、溶融金属１５'が隙間の無い連続体として流動することでシリコン基板１４の微細孔１４ａの上側を塞ぎ、気体が微細孔１４ａの上側から内部の空間へと流入するのを遮断する、溶融させるステップと、
　真空圧に減圧されている状態を大気圧以上の状態に戻すステップであって、大気圧以上と微細孔１４ａ内（真空圧）とに圧力差を生じさせて、そのことで溶融金属１５'を微細孔１４ａの内部の空間へと導き、微細孔１４ａの内部の空間を溶融金属１５'で充填させる、戻すステップとを有する、方法。」
　
　イ　刊行物２
　原審において通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に頒布された刊行物２には、「半導体装置の製造方法及び半導体装置」に関して、図面（特に、図１、図４、図６、図８〜図１１参照）とともに、次の事項が記載されている。
　
（ア）「【００２０】
（第１の実施の形態）
　図１は第１の実施の形態の半導体装置について、その要部を示す断面模式図である。半導体装置１００は、ランド５１が配置された配線基板５０の上に複数（図１では三層）の半導体チップ１、２、３を絶縁層４０を介して積層させ、三次元実装してなるものである。
【００２１】
　各半導体チップ１、２、３は、シリコンからなる半導体基板１０上に熱酸化膜からなる絶縁膜１２と、酸化珪素からなる層間絶縁膜１４と、電極１６とが積層されてなるとともに、これら半導体基板１０、絶縁膜１２、層間絶縁膜１４、電極１６を積層方向に貫通する貫通孔１１、１３、１５を具備してなる。貫通孔１１、１３、１５は連通して形成されており、各貫通孔の孔径は、貫通孔１１、貫通孔１３、貫通孔１５の順に段階的に小さくなるように形成されている。なお、貫通孔１１、１３、１５は同一の孔径に形成されていてもよい。連通された貫通孔１１、１３、１５（以下、連通された状態の貫通孔１１、１３、１５全体を貫通孔Ｈ１０と記す）内部には、少なくとも貫通孔Ｈ１０の内壁に沿う部分に導電性材料３０が配置されている。この導電性材料３０は、ハンダ（鉛フリーハンダを含む）等のろう材からなるものであって、後述するように各半導体チップ１、２、３の電極１６の間を電気的に接続する役目を果たすものである。」
　
（イ）「【００３０】
　以下、図１に示した半導体装置１００の製造方法について、その一例を説明する。図２（ａ）〜図１２は、半導体装置１００を製造する一連の工程の、本発明に関連した工程を断面図にて示す工程図である。（省略）」
　
（ウ）「【００４０】
　次に、図４（ａ）に示すように、下地膜２４の表面に導電層２６を形成する。具体的には、まず基板１０の能動面１０ａ側に、ドライフィルムあるいはスクリーン印刷法を用いることにより、形成すべき導電層２６の形状にパターニングされた状態のレジスト３４を形成する。レジスト３４の膜厚については、形成すべき導電層２６の厚さと同程度とする。このレジスト３４をマスクとして導電層２６を形成する。導電層２６の形成には、メッキ処理法やＣＶＤ法等を用いることができるが、特にメッキ処理法が好適に採用される。メッキ処理法としては、例えば電気化学プレーティング法が好適に用いられる。このメッキ処理法における電極として、下地膜２４を構成するシード層を用いることができる。以上により、図４（ａ）に示した状態となる。」
　
（エ）「【００４５】
　次に、図６（ｂ）に示すように、基板１０の裏面１０ｂ側に貫通した孔部Ｈ３を囲むようにして、露出している導電層２６と下地膜２４と絶縁膜２２と絶縁膜２８の上に電極パッド３２を所定の形状に形成する。電極パッド３２の形成には無電解メッキ法を適用することができる。」
　
（オ）「【００４７】
　次に、図８に示すように、配線基板５０の上に半導体チップ３、半導体チップ２、半導体チップ１を順次積層する。まず、配線基板５０上のランド５１を除く表面に絶縁層４０を形成する。絶縁層４０は熱硬化性樹脂、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等からなり、スクリーン印刷法を用いて配線基板５０上に設ける。
【００４８】
　次いで、半導体チップ３の能動面１０ａ側の導電層２６の表面と配線基板５０上のランド５１とが当接するように位置合わせを行い、半導体チップ３を配線基板５０上に絶縁層４０を介して積層する。続いて、半導体チップ２の貫通孔１３と、半導体チップ３の貫通孔１５が連通するように位置合わせを行い、半導体チップ２を半導体チップ３の上に絶縁層４０を介して積層する。同様に、半導体チップ１の貫通孔１１と、半導体チップ２の貫通孔１３が連通するように位置合わせを行い、半導体チップ１を半導体チップ２の上に絶縁層４０を介して積層する。すべての半導体チップを積層した後、加熱処理により絶縁層４０を熱硬化させ、各半導体チップ１、２、３の層間および半導体チップ３と配線基板５０との間を接合する。
【００４９】
　次に、図９に示すように、貫通孔Ｈ１０上を塞ぐようにして電極パッド３２上に導電性材料３０を配置する。導電性材料３０は、例えばペースト状のハンダ（鉛フリーハンダを含む）からなり、スクリーン印刷法やディスペンス法を用いて設ける。なお、導電性材料３０は粒子状に形成したものを、貫通孔Ｈ１０上に配置してもよい。
【００５０】
　続いて、図１０に示すように、加熱処理により導電性材料３０を溶融流動化させ、貫通孔Ｈ１０に流し込む。加熱処理の方法としてはリフロー炉を用いることができる。流動化した導電性材料３０は、重力により貫通孔１０Ｈの内壁に沿って降下し、貫通孔Ｈ１０内に露出している各半導体チップの導電層２６の表面と電極パッド３２の表面、およびランド５１の表面に順次接合し、加熱終了後に固化する。このようにして貫通孔Ｈ１０の内壁に沿う部分に導電性材料３０が配置された状態となる。以上により図１に示した半導体装置１００が得られる。
【００５１】
　なお、導電性材料３０を貫通孔Ｈ１０に流し込む場合、導電性材料３０を加熱しながら吸引してもよいし、常温でペースト状の導電性材料であれば、ペースト状態のまま吸引することにより、貫通孔Ｈ１０内に塗布してもよい。具体的には、まず図１１に示すように、各半導体チップを配線基板５０上に積層する前に、配線基板５０とランド５１の積層方向に貫通する貫通孔５２を形成しておく。この貫通孔５２は各半導体チップを配線基板５０上に積層した時に貫通孔Ｈ１０と連通する位置に配置する。この後、図８において説明したのと同様に、配線基板５０の上に半導体チップ３、半導体チップ２、半導体チップ１を順次積層する。次に、配線基板５０の裏面５０ｂに吸引治具６０を装着し、導電性材料３０を加熱して貫通孔Ｈ１０に流し込みながら、貫通孔５２から吸引を行う。吸引方法としては、例えば真空ポンプを用いて吸引する方法が採用できる。」
　　
　ウ　刊行物３
　原審において通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に頒布された刊行物３には、「マルチチップパッケージ、半導体装置、および電子機器、並びにこれらの製造方法」に関して、図面（特に、図１、図３参照）とともに、次の事項が記載されている。
　
（ア）「【００１４】この実施形態に係るマルチチップパッケージ１０は、積層された半導体チップ１４に共通する電極パッド１６部分を貫通し一直線上に配列されたスルーホール１８を有し、各チップ１４のスルーホール１８の開口部分に設けられ前記電極パッド１６と導通されるメタライズ層２０を有し、一直線上に配列されたスルーホール１８内には溶解ハンダにより形成前記メタライズ層２０と導通された柱状導電シャフト２２を埋め込んだ構造とされている。」
　
（イ）「【００２０】このようにハンダボール３４を介在させたチップ積層体１４Ｍは図示しないリフロー炉に供給され、ハンダボール３４を一括して溶解させることにより、図１に示すように、一直線上に配列したスルーホール１８内に溶解ハンダを封入して各電極パッド１６を導通する柱状導電シャフト２２を形成するのである。このとき、最下層の半導体チップ１４のスルーホール出口部分に柱状導電シャフト２２の先端部を突出させ、これが外部接続端子３６となるようにチップ積層体１４Ｍの下面部分に型枠を配置しておけばよい。ハンダボール３４は各半導体チップ１４のスルーホール１８の内容積を埋め込み可能な体積量を有するものを用いればよく、このため、リフロー炉に供給されるチップ積層体１４Ｍの積層高さが、溶解ハンダの固化後のマルチチップパッケージ１０とされた場合の積層高さより高くなる場合があるが、これはチップ積層体１４Ｍを挟着保持する治具を用いてリフロー炉に供給すればよい。
【００２１】このようにして得られたマルチチップパッケージ１０は、個々の半導体チップ１４における共通する電極パッド１６同士がメタライズ層２０を通じて柱状導電シャフト２２と導通状態となっており、当該柱状導電シャフト２２の最下端に突出形成された部分は、パッケージとしての外部接続端子３６として利用することができる。したがって、図１に示しているように、マザーボード３８に半導体チップ１４の電極パッド１６と同様に外部電極パッド４０を配列しておき、この外部電極パッド４０に搭載されたハンダボール４２に上記外部接続端子３６を溶着することで、マルチチップパッケージ１０をマザーボード３８にフェイスダウン方式で実装することができる。このようにすることで、マルチチップパッケージ１０とマザーボード３８の配線距離を最短に設定することができるのである。」
　
（２）本願発明について
　ア　対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、その機能からみて、後者の「シリコン基板１４」は前者の「シリコンボード」に相当し、以下同様に、「微細孔１４ａ」は「貫通孔」に、「空隙のない貫通電極」は「シリコン貫通配線（ＴＳＶ）」に、「共晶半田からなる金属シート１５」は「固形はんだ」に、「溶融金属１５'」は「溶融されたはんだ」に「真空チャンバー１１内」は「貫通孔の内部の空間および外部の空間という両方の空間を含む空間」に、「真空圧に減圧する」ことは「真空引きする」ことに、「大気圧以上の状態」は「以前の状態」に、「大気圧以上と微細孔１４ａ内（真空圧）とに圧力差を生じさせ」ることは「貫通孔の外部の空間と内部の空間との間に圧力差を生じさせ」ることにそれぞれ相当する。
　
　したがって、両者は、
「シリコンボードの貫通孔にシリコン貫通配線（ＴＳＶ）を形成する方法であって、
　シリコンボードの貫通孔の下側を塞ぐステップであって、気体が貫通孔の下側から内部の空間へと流入するのを遮断する、塞ぐステップと、
　シリコンボードの貫通孔の上方（真上または横）に、貫通孔を後に充填するために用意される固形はんだを配置するステップと、
　貫通孔の内部の空間および外部の空間という両方の空間を含む空間を真空引きするステップと、
　配置されている固形はんだを溶融させるステップであって、溶融されたはんだが隙間の無い連続体として流動することでシリコンの貫通孔の上側を塞ぎ、気体が貫通孔の上側から内部の空間へと流入するのを遮断する、溶融させるステップと、
　真空引きされている状態を以前の状態に戻すステップであって、貫通孔の外部の空間と内部の空間との間に圧力差を生じさせて、そのことで溶融されたはんだを貫通孔の内部の空間へと導き、貫通孔の内部の空間を溶融されたはんだで充填させる、戻すステップとを有する、方法。」
　である点で一致し、以下の点で相違している。
　
〔相違点１〕
　本願発明は、「シリコンボードの貫通孔の内部の表面に銅からなる金属層を堆積するステップと」、「後から貫通孔の内部に導かれる溶融はんだと金属間化合物を形成しやすくするために、銅の微粉を貫通孔の内部の空間に入れるステップと」を有し、戻すステップが「貫通孔の内部の空間に微粉としてある銅と金属間化合物を形成することを含む」のに対し、
　引用発明は、かかる構成を備えていない点。
　
〔相違点２〕
　本願発明は、貫通孔の下側を「Ｉ／Ｏパッドとはんだバンプのいずれか一方または両方」で塞ぐのに対し、
　引用発明は、微細孔１４ａの下側を試料固定用治具１２で塞ぐ点。
　
　イ　判断
　上記相違点１について検討する。
　本願明細書の記載からみて、本願発明が「銅の微粉を貫通孔の内部に入れる」のは、後から貫通孔の内部に導かれる溶融はんだと金属間化合物を形成しやすくするためのものであると認められる。
　
　これに対して、刊行物２には、シリコンからなる半導体基板１０の孔部Ｈ３の内部の表面に導電層２６を形成すること（段落【００４０】、段落【００４５】、図６（ｂ））や、ハンダからなる導電性材料３０を貫通孔Ｈ１０に流し込む場合、導電性材料３０を加熱しながら吸引してもよいこと（段落【００５２】）は記載されているが、導電性材料３０を流し込む前に、貫通孔Ｈ１０の内部の空間に銅の微粉を入れることは記載も示唆もされていない。
　
　また、刊行物３には、ハンダボール３４を一括して溶解させることにより、一直線上に配列したスルーホール１８内に溶解ハンダを封入して柱状導電シャフト２２を形成すること（段落【００２０】）は記載されているが、溶解ハンダを封入前に、スルーホール１８の内部の空間に銅の微粉を入れることは記載も示唆もされていない。
　
　そして、刊行物４及び刊行物５にも「貫通孔の内部の空間に銅の微粉を入れる」ことは記載も示唆もされていない。
　
　また、原審で通知した平成２７年４月３０日付けの拒絶の理由に引用された特開２００４−１５８２１２号公報（以下「刊行物６」という。）には、基材微粒子とその表面に形成された導電層とからなる実装用導電性微粒子をスルーホール内に充填し、加熱して最外層を溶融させ実装用導電性微粒子同士を結合すること（段落【０００７】、段落【００１９】）は記載されているが、後からスルーホールの内部に溶融はんだを導くことは記載も示唆もされていない。
　
　そうすると、引用発明において、刊行物２ないし６に記載された事項から、当業者が上記相違点１に係る本願発明の構成を容易に想到することができたとはいえない。
　
　ウ　小括
　したがって、本願発明は、相違点２を検討するまでもなく、当業者が引用発明及び刊行物２ないし６に記載された事項に基いて容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（３）本願発明２及び３について
　本願の請求項２及び３に係る発明は、本願発明をさらに限定したものであるので、本願発明と同様に、当業者が引用発明及び刊行物２ないし６に記載された事項に基いて容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（４）まとめ
　よって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　
第４　当審拒絶理由について
　１　当審拒絶理由の概要
　請求項１の「シリコンボードの貫通孔の内部の表面に銅からなる金属層を堆積するステップであって、後から貫通孔の内部に導かれる溶融はんだと金属間化合物を形成しやすくするために、銅の微粉を貫通孔の内部の空間に入れることを含む、ステップ」との事項は、シリコンボードの貫通孔の内部の表面に銅からなる金属層を堆積するステップが銅の微粉を貫通孔の内部の空間に入れることを含むと解されるところ、発明の詳細な説明の記載によれば、金属層を堆積するステップと銅の微粉を貫通孔の内部の空間に入れることとは別の工程として記載されている。 
　そうすると、請求項１の上記事項は、発明の詳細な説明に記載されているとはいえない。 
　
　２　当審拒絶理由の判断
　請求項１は、「シリコンボードの貫通孔の内部の表面に銅からなる金属層を堆積するステップと、後から貫通孔の内部に導かれる溶融はんだと金属間化合物を形成しやすくするために、銅の微粉を貫通孔の内部の空間に入れるステップと、」と補正された。
　よって、当審拒絶理由は解消した。
　
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。