【事件の表示】
　特願２０１１−　６６８１２「圧電素子の製造方法、圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１０月２２日出願公開、特開２０１２−２０４５４９、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年３月２４日の出願であって、その手続きの経緯は以下のとおりである。
　平成２６年　３月　５日　　　審査請求
　平成２７年　２月２５日　　　拒絶理由通知（起案日）
　平成２７年　５月　７日　　　意見書及び手続補正書提出
　平成２７年　５月２９日　　　拒絶査定（起案日）
　平成２７年　９月　３日　　　審判請求及び手続補正書提出
第２　平成２７年９月３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）の適否
　１　本件補正の内容
　本件補正は、平成２７年５月７日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲のうち、独立請求項である請求項１及び請求項４を補正するものであって、その内容は以下のとおりである。
（１）請求項１について
　　ア　特許請求の範囲の請求項１についてする本件補正は、
　本件補正前の
「酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜上にジルコニウムからなる密着層を形成する工程と、
　前記密着層上に第１電極を形成する工程と、
　前記第１電極上に、鉛を含有せずビスマスを含む複合酸化物からなる圧電体層を形成する工程と、
　前記圧電体層上に第２電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする圧電素子の製造方法。」という記載を、
　本件補正後は、
「酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜上にジルコニウムからなる密着層を形成する工程と、
　前記密着層上に第１電極を形成する工程と、
　前記第１電極上に、鉛を含有せずビスマスを含む複合酸化物からなる圧電体層を形成し、前記密着層が前記ビスマスの偏析を防止する工程と、
　前記圧電体層上に第２電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする圧電素子の製造方法。」と補正するものである。
　　イ　したがって、請求項１についてする本件補正は、本件補正前の「前記第１電極上に、鉛を含有せずビスマスを含む複合酸化物からなる圧電体層を形成する工程」という記載を、本件補正後は、「前記第１電極上に、鉛を含有せずビスマスを含む複合酸化物からなる圧電体層を形成し、前記密着層が前記ビスマスの偏析を防止する工程」と補正（以下「補正事項１」という。）するものである。
（２）請求項４について
　　ア　特許請求の範囲の請求項４についてする本件補正は、
　本件補正前の
「酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜と、
　前記絶縁体膜上に設けられたジルコニウムを含む密着層と、
　前記密着層上に設けられた第１電極と、
　前記第１電極上に設けられ、鉛を含有せずビスマスを含む複合酸化物からなる圧電体層と、
　前記圧電体層上に設けられた第２電極と、
を具備することを特徴とする圧電素子。」という記載を、
　本件補正後は、
「第１電極と、
　前記第１電極上に設けられ、鉛を含有せずビスマスを含む複合酸化物からなる圧電体層と、
　前記圧電体層上に設けられた第２電極と、
　前記第１電極の下に設けられ、前記圧電体層から拡散したビスマスの偏析を防止する、ジルコニウムを含む密着層と、
　前記密着層の下に設けられ酸化ジルコニウムからなる絶縁体層とを具備することを特徴とする圧電素子。」と補正するものである。
　　イ　したがって、請求項４についてする本件補正は、
　（ア）本件補正前の「前記密着層上に設けられた第１電極」という記載を、本件補正後は、「第１電極」と補正し、
　（イ）本件補正前の「前記絶縁体膜上に設けられたジルコニウムを含む密着層」という記載を、本件補正後は、「前記第１電極の下に設けられ、前記圧電体層から拡散したビスマスの偏析を防止する、ジルコニウムを含む密着層」と補正し、
　（ウ）本件補正前の「酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜」という記載を、本件補正後は、「前記密着層の下に設けられ酸化ジルコニウムからなる絶縁体層」と補正するものである。
　　ウ　前記（ア）の補正と、前記（イ）の補正のうちの「密着層」が「前記第１電極の下に設けられ」たと補正する補正は、本件補正前の「ジルコニウムを含む密着層」に「上に設けられた第１電極」を、本件補正後は、「前記第１電極の下に設けられ」た「ジルコニウムを含む密着層」と言い換えたものにすぎない。
　前記（ウ）の補正は、本件補正前の前記「密着層」が「酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜」上に「設けられ」ていたものを、本件補正後は、「酸化ジルコニウムからなる絶縁体層」は「前記密着層の下に設けられ」ると言い換えたものであり、ここで、「絶縁体膜」を「絶縁体層」と言い換えたことは実質的な補正であるとは認められない。
　　エ　そうすると、請求項４についてする本件補正は、実質的には、本件補正前の「ジルコニウムを含む密着層」が、本件補正後は「前記圧電体層から拡散したビスマスの偏析を防止する」と補正（以下「補正事項２」という。）するものである。
　２　補正の適否
（１）補正の目的について
　　ア　補正事項１
　補正事項１は、本件補正前の「前記第１電極上に、鉛を含有せずビスマスを含む複合酸化物からなる圧電体層を形成する工程」が、本件補正後は、「前記密着層が前記ビスマスの偏析を防止する工程」でもあるという限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　　イ　補正事項２
　補正事項２は、本件補正前の「ジルコニウムを含む密着層」が、本件補正後は、「前記圧電体層から拡散したビスマスの偏析を防止する」層であるという限定を付加するものであって、補正前の請求項４に記載された発明と補正後の請求項４に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（２）新規事項の有無等について
　　ア　新規事項の有無
　補正事項１及び補正事項２は、本願の願書に最初に添付した明細書における、段落【００２８】の「酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５上にスパッタリング法によりジルコニウムからなる密着層５６を形成し、その後、密着層５６上に白金等からなる第１電極６０を形成することで、圧電体層７０に含まれるビスマスが第１電極６０中に拡散し、さらには密着層５６中に拡散しても、ビスマスの偏析が生じず、膜剥がれなどの問題が生じることがない。」という記載、及び、段落【００５０】の「ここで、圧電体層７０の形成の熱処理により、後述するように、圧電体層７０からビスマスが第１電極６０から密着層５６との界面又は一部密着層５６まで拡散し、一方、密着層５６からのジルコニウムの拡散は第１電極６０中に多少拡散しているが、圧電体層７０までは拡散しないことが確認されている。」という記載に基づくと認められる。
　したがって、補正事項１及び補正事項２は、特許法第１７条の２第３項の要件を満たす。
　　イ　発明の特別な技術的特徴の変更の有無
　補正事項１及び補正事項２が、請求項１ないしは請求項４に係る発明の特別な技術的特徴を変更しないことは、明らかである。
　したがって、補正事項１及び補正事項２は、特許法第１７条の２第４項の要件を満たす。
（３）独立特許要件について
　以上のとおり、補正事項１及び補正事項２は、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　前記補正事項１及び補正事項２は、直接的には独立請求項である請求項１及び請求項４を補正するものであるが、請求項１を引用する請求項２〜３及び請求項４を引用する請求項５〜８についても、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正がなされたものである。
　そこで、本件補正後の請求項１ないし請求項８に係る発明が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下で検討する。
　　ア　補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明１」という。）、及び、本件補正後の請求項４に係る発明（以下「補正発明４」という。）は、再掲すると以下の通りである。
　（ア）補正発明１
「酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜上にジルコニウムからなる密着層を形成する工程と、
　前記密着層上に第１電極を形成する工程と、
　前記第１電極上に、鉛を含有せずビスマスを含む複合酸化物からなる圧電体層を形成し、前記密着層が前記ビスマスの偏析を防止する工程と、
　前記圧電体層上に第２電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする圧電素子の製造方法。」
　（イ）補正発明４
「第１電極と、
　前記第１電極上に設けられ、鉛を含有せずビスマスを含む複合酸化物からなる圧電体層と、
　前記圧電体層上に設けられた第２電極と、
　前記第１電極の下に設けられ、前記圧電体層から拡散したビスマスの偏析を防止する、ジルコニウムを含む密着層と、
　前記密着層の下に設けられ酸化ジルコニウムからなる絶縁体層とを具備することを特徴とする圧電素子。」
　　イ　原査定に引用された刊行物
　（ア）引用例１
　原査定の根拠である平成２７年２月２５日付けの拒絶理由通知において「文献１」として引用され、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００７−１７３６９０号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は、参考のため、当審において付した。以下同様。）。
　（ア１）引用例１の記載事項
ａ　「【０００１】
　本発明は、基板上に形成される積層電極の製造方法、圧電素子の電極として積層電極を適用した圧電素子を有するアクチュエータ装置及びその製造方法、並びにアクチュエータ装置を液体噴射手段として備えた液体噴射ヘッドに関する。
　……（中略）……
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　本発明はこのような事情に鑑み、優れた密着性を有する積層電極の製造方法、アクチュエータ装置及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドを提供することを課題とする。」
ｂ　「【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
　以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
　（実施形態１）
　……（中略）……
【００２０】
　一方、流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、
二酸化シリコンからなり厚さが例えば、約１．０μｍの弾性膜５０が形成され
この弾性膜５０上には、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ
２
）等からなり厚さが例えば、約０．４μｍの絶縁体膜５５が積層形成されている
この絶縁体膜５５上には、厚さが例えば、約０．１〜０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約０．５〜５μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とからなる圧電素子３００が形成されている
【００２１】
　一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、圧力発生室１２毎に圧電体能動部が形成されていることになる。なお、上述した例では、弾性膜５０、絶縁体膜５５及び下電極膜６０が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜５０及び絶縁体膜５５を設けずに、下電極膜６０のみが振動板として作用するようにしてもよい。
【００２２】
　また、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、本実施形態では、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０が設けられている。具体的には、各圧電素子３００のそれぞれにリード電極９０が接続され、これら各リード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。なお、このリード電極９０は、詳細は後述するが、電解液であるエッチング液を用いたウェットエッチングにより所定形状にパターン形成されたものであり、配線として機能する機能性膜である。
　……（中略）……
【００２４】
　
圧電素子３００の下電極膜６０は、図３に示すように、本実施形態では、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５上に形成された密着性金属からなる密着層６１と、この密着層６１上の全面に形成された導体層６２とで構成された２層構造の積層電極である
【００２５】
　ここで、
密着層６１を形成する密着性金属としては、圧電体層７０の形成時の焼成温度で導体層６２に拡散し難い高融点金属材料で、且つ圧電体層７０の焼成温度以下の温度で熱酸化する材料であるのが好ましい。具体的には、例えば、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｏからなる群から選択される少なくとも１種の材料を用いるのが好ましい
本実施形態では、密着層６１をＺｒで形成し
ｃ　「【００３０】
　このような下電極膜６０上に形成される
圧電体層７０の材料としては
強誘電性圧電性材料
例えば、ＰｂＴｉＯ
３
（ＰＴ）、ＰｂＺｒＯ
３
（ＰＺ）、Ｐｂ（Ｚｒ
Ｘ
Ｔｉ
１−Ｘ
）Ｏ
３
（ＰＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ
１／３
Ｎｂ
２／３
）Ｏ
３
−ＰｂＴｉＯ
３
（ＰＭＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｚｎ
１／３
Ｎｂ
２／３
）Ｏ
３
−ＰｂＴｉＯ
３
（ＰＺＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｎｉ
１／３
Ｎｂ
２／３
）Ｏ
３
−ＰｂＴｉＯ
３
（ＰＮＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｉｎ
１／２
Ｎｂ
１／２
）Ｏ
３
−ＰｂＴｉＯ
３
（ＰＩＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ
１／３
Ｔａ
２／３
）Ｏ
３
−ＰｂＴｉＯ
３
（ＰＳＴ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ
１／３
Ｎｂ
２／３
）Ｏ
３
−ＰｂＴｉＯ
３
（ＰＳＮ−ＰＴ）、ＢｉＳｃＯ
３
−ＰｂＴｉＯ
３
（ＢＳ−ＰＴ）、ＢｉＹｂＯ
３
−ＰｂＴｉＯ
３
（ＢＹ−ＰＴ）等が挙げられる
ｄ　「【００３６】
　ここで、インクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図４〜図８を参照して説明する。なお、図４〜図８は、圧力発生室１２の長手方向の断面図である。まず、図４（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に
弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１を形成する
【００３７】
　次いで、図４（ｂ）に示すように、
弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する
【００３８】
　次に、図４（ｃ）に示すように、
絶縁体膜５５の前面に、例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）からなる密着層６１を形成
この密着層６１上に白金（Ｐｔ）からなる導体層６２を形成した
【００３９】
　次に、
下電極膜６０上に、本実施形態では、チタン酸ジルコン酸鉛からなる圧電体層７０を形成する
【００４０】
　圧電体層７０の形成手順の一例としては、まず、図５（ａ）に示すように、下電極膜６０上にＰＺＴ前駆体膜である圧電体前駆体膜７１を成膜する。すなわち、流路形成基板用ウェハ１１０上に金属有機化合物を含むゾル（溶液）を塗布する。次いで、圧電体前駆体膜７１を、所定温度に加熱して一定時間乾燥させ、ゾルの溶媒を蒸発させることで圧電体前駆体膜７１を乾燥させる。さらに、大気雰囲気下において一定の温度で一定時間、圧電体前駆体膜７１を脱脂する。なお、ここで言う脱脂とは、ゾル膜の有機成分を、例えば、ＮＯ２、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ等として離脱させることである。
【００４１】
　そして、図５（ｂ）に示すように、この圧電体前駆体膜７１を拡散炉又はＲＴＰ（Rapid Thermal Processing）装置等で加熱処理することによって結晶化させて圧電体膜７２を形成する。すなわち、圧電体前駆体膜７１を焼成することで結晶が成長して圧電体膜７２が形成される。なお、焼成温度は、６５０〜８５０℃であることが好ましく、例えば、約７００℃で３０分間、圧電体前駆体膜７１を焼成して圧電体膜７２を形成する。なお、このように形成した圧電体膜７２の結晶は（１００）面に優先配向する。その後、このようにして形成された圧電体膜７２と、その下地である下電極膜６０とを所定形状にパターニングする。
【００４２】
　さらに、上述した塗布・乾燥・脱脂・焼成の工程を、複数回繰り返すことにより、図５（ｃ）に示すように、例えば、５層の圧電体膜７２を形成し、所定厚さの圧電体層７０を形成する。なお、このように複数回焼成を行って圧電体層７０を形成する場合には、トータルの焼成（加熱）時間を、０．５〜３時間以内とするのが好ましい。
【００４３】
　次に、
このように圧電体層７０を形成した後は、図６（ａ）に示すように、例えば、イリジウム（Ｉｒ）からなる上電極膜８０を流路形成基板用ウェハ１１０の全面に形成する
　（ア２）引用発明１
　上記のａ〜ｄから、引用例１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１を形成する工程と、
　前記弾性膜５０上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する工程と、
　前記絶縁体膜５５の前面に、圧電体層７０の形成時の焼成温度で導体層６２に拡散し難い高融点金属材料であり、かつ、前記焼成温度以下の温度で熱酸化する材料である、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｏからなる群から選択される少なくとも１種の材料からなる密着層６１を形成する工程と、
　前記密着層６１上に前記導体層６２を形成する工程と
　前記密着層６１と前記導体層６２とで構成される下電極膜６０上に、ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）、ＰｂＺｒＯ３（ＰＺ）、Ｐｂ（ＺｒＸＴｉ１−Ｘ）Ｏ３（ＰＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＭＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＮＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｉｎ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＩＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＴ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＮ−ＰＴ）、ＢｉＳｃＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＳ−ＰＴ）、ＢｉＹｂＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＹ−ＰＴ）等の鉛を含有する強誘電性圧電性材料からなる前記圧電体層７０を形成する工程と、
　前記圧電体層７０を形成した後に、上電極膜８０を形成する工程と、
を具備することを特徴とする圧電素子の製造方法。」
　（ア３）引用発明２
　また、上記のａ〜ｄから、引用例１には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「密着層６１と導体層６２とで構成された２層構造の積層電極である下電極膜６０と、
　前記下電極膜６０上に設けられ、ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）、ＰｂＺｒＯ３（ＰＺ）、Ｐｂ（ＺｒＸＴｉ１−Ｘ）Ｏ３（ＰＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＭＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＮＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｉｎ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＩＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＴ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＮ−ＰＴ）、ＢｉＳｃＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＳ−ＰＴ）、ＢｉＹｂＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＹ−ＰＴ）等の鉛を含有する強誘電性圧電性材料からなる圧電体層７０と、
　前記圧電体層７０上に設けられた上電極膜８０と、
　前記導体層６２の下に設けられ、前記圧電体層７０の形成時の焼成温度で前記導体層６２に拡散し難い高融点金属材料であり、かつ、前記焼成温度以下の温度で熱酸化する材料である、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｏからなる群から選択される少なくとも１種の材料からなる密着層６１と、
　前記密着層の下に設けられ酸化ジルコニウムからなる絶縁体層５５と、
を具備することを特徴とする圧電素子。」
　（イ）引用例２
　原査定の根拠である平成２７年２月２５日付けの拒絶理由通知において「文献２」として引用され、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００８−７８３２８号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　（イ１）引用例２の記載事項
ａ　「【００３８】
　ここで、インクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図４〜図８を参照して説明する。なお、図４〜図８は、圧力発生室の長手方向の断面図である。まず、図４（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０として、膜厚が約６２５μｍと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。
【００３９】
　次に、図４（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。具体的には、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、例えば、スパッタリング法等によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜５５を形成する。
【００４０】
　次に、図５（ａ）に示すように、例えば密着層６２、白金層６３及び拡散防止層６４からなる下電極膜６０を形成する。具体的には、まず、絶縁体膜５５上に、密着層６２を形成する。
密着層６２としては、例えば、厚さが１０〜５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びタングステン（Ｗ）からなる群から選択される少なくとも一つの元素を主成分とするものが挙げられる。本実施形態では、密着層６２として、厚さ２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）を設けた
ｂ　「【００４２】
　次に、このように形成した種チタン層上に、
チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる圧電体層７０を形成する
圧電体層７０の材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛に限定されず、例えば、上述したようにリラクサ強誘電体（例えば、ＰＭＮ−ＰＴ、ＰＺＮ-ＰＴ、ＰＮＮ-ＰＴ等）の他の圧電材料を用いてもよい
　（ウ）引用例３
　原査定の根拠である平成２７年２月２５日付けの拒絶理由通知において「文献３」として引用され、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００９−２５５５３２号公報（以下「引用例３」という。）には、以下の事項が記載されている。
　（ウ１）引用例３の記載事項
ａ　「【００４０】
　
圧電体層７０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛［Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ
３
：ＰＺＴ］を主成分とする材料で形成されていることが好ましいが、その他、マグネシウム酸ニオブ酸鉛とチタン酸鉛の固溶体［Ｐｂ（Ｍｇ
１／３
Ｎｂ
２／３
）Ｏ
３
−ＰｂＴｉＯ
３
：ＰＭＮ−ＰＴ］、亜鉛酸ニオブ酸鉛とチタン酸鉛の固溶体［Ｐｂ（Ｚｎ
１／３
Ｎｂ
２／３
）Ｏ
３
−ＰｂＴｉＯ
３
：ＰＺＮ−ＰＴ］等を用いてもよい
ｂ　「【００５１】
　まず、図４（ａ）に示すように、結晶面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなるシリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０の表面に振動板５０を形成する。具体的には、まず、弾性膜５１を構成する二酸化シリコン膜５３を形成する。例えば、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０の表面を熱酸化することによって弾性膜５１（二酸化シリコン膜５３）を形成している。勿論、弾性膜５１は、熱酸化以外の方法で形成してもよい。さらに、この弾性膜５１（二酸化シリコン膜５３）上に、酸化チタン（ＴｉＯＸ）からなる絶縁体膜５２を形成する。絶縁体膜５２の形成方法は、特に限定されず、例えば、スパッタ法等によって形成すればよい。
【００５２】
　ところで、振動板５０を構成する絶縁体膜５２は、圧電素子３００を構成する圧電体層７０の鉛成分が弾性膜５１や流路形成基板１０に拡散するのを防止するための役割も果たしている。
【００５３】
　次いで、図４（ｂ）に示すように、振動板５０（
絶縁体膜５２）上に、導電層６１及び配向制御層６２からなる下電極膜６０を形成し
　（エ）引用例４
　原査定の根拠である平成２７年２月２５日付けの拒絶理由通知において「文献４」として引用され、本願出願前に外国において頒布された刊行物である国際公開第２００５／０５６２９５号（以下「引用例４」という。）には、以下の事項が記載されている。
　（エ１）引用例４の記載事項
ａ　「[0056] このようにジルコニウム層が形成された流路形成基板用ウェハ110を、700℃以上に加熱された拡散炉200に、200mm／minよりも速いボートロードスピードで挿入して
ジルコニウム層を熱酸化することで
絶縁体膜55の密着性が向上する
ｂ　「[0063] なお、このような絶縁体膜55を形成した後は、図 3 (c)に示すように、例えば、
白金 とイリジウムとを絶縁体膜55上に積層することにより下電極膜60を形成
[0064] なお、
圧電体層70の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等の強誘電性圧電性材料に、ニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等を用いてもよい。その組成は、圧電素子の特性、用途等を考慮して適宜選択すればよいが、例えば、 PbTiO
3
(PT)、PbZrO
3
(PZ)、Pb(Zr
X
Ti
1-X
)O
3
(PZT)、Pb(Mg
1/3
Nb
2/3
)O
3
―PbTiO
3
(PMN-PT)、Pb(Zn
1/3
Nb
2/3
)O
3
―PbTiO
3
(PNN-PT)、Pb(In
1/3
Nb
2/3
)O
3
―PbTiO
3
(PIN-PT)、Pb(Sc
1/3
Ta
2/3
)O
3
―PbTiO
3
(PST-PT)、Pb(Sc
1/3
Nb
2/3
)O
3
―PbTiO
3
(PSN-PT)、BiScO
3
―PbTiO
3
(BS-PT)、BiYbO
3
―PbTiO
3
(BY-PT)等が挙げられる
　（オ）周知例
　原査定において周知技術として新たに引用され、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０１０−２１４８４１号公報（以下「周知例」という。）には、以下の事項が記載されている。
　（オ１）周知例の記載事項
ａ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　しかしながら、環境問題の観点から、鉛を含有しない圧電材料が求められている。ここで、
鉛を含有しない圧電材料としては、例えばＡＢＯ
３
で示されるペロブスカイト構造を有するＢｉＦｅＯ
３
が挙げられる
【０００６】
　しかしながら、ＢｉＦｅＯ３を圧電材料とする圧電素子はリーク電流が大きく、例えば２５Ｖ程度の駆動電圧でも絶縁破壊が発生する場合があるという問題がある。なお、このような問題はインクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに限定されず、他の装置に搭載されるアクチュエーター装置においても同様に存在する。
【０００７】
　本発明はこのような事情に鑑み、鉛を含有せず、電流のリークを抑制することができる圧電素子を有する液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエーター装置を提供することを目的とする。」
ｂ　「【００２０】
　一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、絶縁体膜５５が形成されている。さらに、
この絶縁体膜５５上には、第１電極６０と、厚さが１０μｍ以下、好ましくは０．３〜１．５μｍの薄膜の圧電体層７０と、第２電極８０とが、積層形成され
ｃ　「【００２８】
　また、圧電体層７０は、Ｂサイトの＋４以上のイオン価数を有する遷移金属Ｃがマンガンであれば、下記一般式（４）で、また、Ａサイトがビスマスのみからなり、Ｂサイトの＋４以上のイオン価数を有する遷移金属Ｃがマンガンであれば、下記一般式（５）で表される。
Ａ１−δ／３（Ｆｅ１−δＭｎδ）Ｏ３　　　　　　　　（４）
（０．０１≦δ≦０．１）
Ｂｉ１−δ／３（Ｆｅ１−δＭｎδ）Ｏ３　　　　　　　（５）
（０．０１≦δ≦０．１）
【００２９】
　このような圧電素子３００を流路形成基板１０上に形成する方法は特に限定されないが、例えば、以下の方法で製造することができる。まず、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハーの表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン（ＳｉＯ２）等からなる二酸化シリコン膜を形成する。次いで、弾性膜５０（二酸化シリコン膜）上に、酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜５５を形成する。
【００３０】
　次に、
絶縁体膜５５上に白金やイリジウム等からなる第１電極６０をスパッタリング法等により全面に形成した後パターニングする
【００３１】
　次いで、圧電体層７０を積層する。圧電体層７０の製造方法は特に限定されないが、例えば、有機金属化合物を溶媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層７０を形成できる。なお、圧電体層７０の製造方法は、ゾル−ゲル法に限定されず、例えば、ＭＯＤ（Metal-Organic Decomposition）法や、レーザアブレーション法やスパッタ法等の気相法などを用いてもよい。」
ｄ　「【００４０】
　圧電体層７０を形成後、スパッタ法等により、圧電体層７０上にＰｔ膜等からなる第２電極８０を形成する。
　……（以下、省略）
【００４２】
　ここで、ＢｉＦｅＯ３を圧電材料とするとリーク電流が大きくなってしまう原因は、以下の機構であったことを知見した。まず、上記圧電体層７０の焼成工程の際に、厚さが１０μｍ以下である薄膜の圧電体層７０においては、融点が低く揮発し易い元素であるビスマスの一部は、大気中に揮発したり第１電極６０側へ拡散したりすることにより、圧電体層７０から抜ける。ＢｉＦｅＯ３を圧電材料とする場合、このようにビスマスが圧電体層７０から抜ける際、圧電体層７０の電荷中性を保つために、酸素も同時に圧電体層７０から抜ける。そして、ビスマスの欠損と同時に酸素が抜けることにより、圧電体層７０に不純物準位が出現する。また、不純物準位は圧電体層７０の伝導帯のボトム付近に出現する。したがって、ＢｉＦｅＯ３を圧電材料とする場合、この不純物準位の出現により、電流のリークが大きくなる。すなわち、ＢｉＦｅＯ３においては、実際に製造されていたのは、ＢｉＦｅＯ３の完全な結晶ではなくビスマス及び酸素の一部が製造段階で抜けたものであり、この酸素の欠損により不純物準位が出現し電流のリークが大きくなっていた。
【００４３】
  一方、本発明においては、＋４以上のイオン価数を有するマンガン等の遷移金属Ｃを添加することにより、Ｂサイトの＋３のイオン価数を有する鉄の一部を＋４以上のイオン価数を有する遷移金属Ｃ、すなわち、鉄よりも大きなイオン価数を有する遷移金属で置き換えている。したがって、ビスマスが抜けない場合は、遷移金属Ｃの添加量に応じて圧電体層７０はプラスが過剰となることになる。よって、圧電体層７０は、電荷中性を満たすためにプラスを減らす方向に働く、具体的には、プラスのイオン価数を有し揮発し易いビスマスがより抜けやすくなる。そして、圧電体層７０の焼成の際に、プラスであるビスマスが抜けるが、Ｂサイトに添加された遷移金属Ｃによって、もともと圧電体層７０はプラスが過剰になっているため、ビスマスがある程度抜けることにより、製造される圧電体層７０は、上記一般式（１）〜（５）に示すように、電荷中性になる。よって、焼成の際に、ビスマスが抜けても圧電体層７０の電荷中性のための酸素の抜けは生じないことになる。このように、＋４以上のイオン価数を有する遷移金属Ｃを添加することにより、酸素が抜けることを防ぐことができるため、酸素欠損により生じる不純物準位の出現を防ぐことができ、リーク電流を抑制することができる。なお、本発明において、＋４以上のイオン価数を有する遷移金属Ｃを添加することにより、Ａサイトのビスマスは一部が抜け、このビスマスが抜けたＡサイトは、原子が存在しない空孔となる。なお、ビスマスが抜ける量は一般式（１）においてはｘで表される。また、一般式（２）に示すように、＋４以上のイオン価数を有する遷移金属Ｃの添加量がδモルの場合、遷移金属Ｃのイオン価数をｚとすると、抜けるビスマスの量は、（ｚ−３）・δ／３モルとなる。」
ｅ　「【００４６】
　（実施例）
　次に、本実施形態に係る圧電素子３００の製造について、図２（ｂ）を参照しながら、具体例に基づいてさらに詳細に説明する。
【００４７】
　（Ａ）まず、Ｓｉ（１１０）配向基板からなる流路形成基板１０の表面上に、Ｓｉ熱酸化によりＳｉＯ２層を弾性膜５０として形成した。膜厚は１０００ｎｍである。
【００４８】
　（Ｂ）次いで、弾性膜５０上に絶縁体膜５５を形成した。絶縁体膜５５は、スパッタ法により形成した５００ｎｍのＺｒＯ２膜である。
【００４９】
　（Ｃ）次に、
絶縁体膜５５上に第１電極６０を形成した
【００５０】
　（Ｄ）その後、第１電極６０上に圧電体層７０を形成した。具体的には、
ビスマスイソプロポキシド、酢酸鉄及び酢酸マンガンをアルコールに溶解・分散させた前駆体溶液
【００５１】
　（Ｅ）次に、圧電体層７０上に、１００ｎｍのＰｔ膜からなる第２電極８０をスパッタ法により形成した。
【００５２】
　（Ｆ）次いで、６５０℃の温度域でＲＴＡにより酸素雰囲気中にて１分間ポストアニールを行った。
【００５３】
　上記（Ａ）〜（Ｆ）の工程により、添加するＭｎの割合の異なる複数の圧電素子を作成した。こうして得られた圧電体層７０は、ペロブスカイト構造を有し、結晶が（１００）面に優先配向していることがＸ線回折により確認できた。……（以下、省略）」
　　ウ　対比及び判断
　Ａ　補正発明１について
　（ア）補正発明１と引用発明１との対比
　引用発明１における「圧電体層７０」を形成する「ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）、ＰｂＺｒＯ３（ＰＺ）、Ｐｂ（ＺｒＸＴｉ１−Ｘ）Ｏ３（ＰＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＭＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＮＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｉｎ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＩＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＴ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＮ−ＰＴ）、ＢｉＳｃＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＳ−ＰＴ）、ＢｉＹｂＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＹ−ＰＴ）等の鉛を含有する強誘電性圧電性材料」は、いずれも、２種以上の金属イオンを含む複合酸化物である。
　したがって、補正発明１と引用発明１とを対比すると、両者は、以下の点で一致し、以下の点で相違する。
一致点
「酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜上に密着層を形成する工程と、
　前記密着層上に第１電極を形成する工程と、
　前記第１電極上に、複合酸化物からなる圧電体層を形成する工程と、
　前記圧電体層上に第２電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする圧電素子の製造方法。」
相違点
　相違点１
　補正発明１の「密着層」は「ジルコニウムからなる」のに対して、引用発明１の「密着層６１」は「圧電体層７０の形成時の焼成温度で導体層６２に拡散し難い高融点金属材料であり、かつ、前記焼成温度以下の温度で熱酸化する材料である、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｏからなる群から選択される少なくとも１種の材料からなる」点。
　相違点２
　補正発明１の「圧電体層」は「鉛を含有」しないのに対して、引用発明１の「圧電体層７０」は「鉛を含有する」点。
　相違点３
　補正発明１の「圧電体層」は「ビスマスを含む」のに対して、引用発明１の「圧電体層７０」は「ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）、ＰｂＺｒＯ３（ＰＺ）、Ｐｂ（ＺｒＸＴｉ１−Ｘ）Ｏ３（ＰＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＭＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＮＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｉｎ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＩＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＴ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＮ−ＰＴ）、ＢｉＳｃＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＳ−ＰＴ）、ＢｉＹｂＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＹ−ＰＴ）等」の「強誘電性圧電性材料からなる」点。
　相違点４
　補正発明１の「圧電体層を形成」する工程においては「前記密着層が前記ビスマスの偏析を防止」するのに対して、引用発明１の「圧電体層７０を形成する工程」はそのような特定を有していない点。
　（イ）補正発明１についての判断
　（イ１）上記の相違点のうち、相違点１、相違点３及び相違点４について検討する。
　（イ２）引用発明１においては、「密着層６１」は「Ｔａ、Ｚｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｏからなる群から選択される少なくとも１種の材料」から形成し、「圧電体層７０」は「ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）、ＰｂＺｒＯ３（ＰＺ）、Ｐｂ（ＺｒＸＴｉ１−Ｘ）Ｏ３（ＰＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＭＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＮＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｉｎ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＩＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＴ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＮ−ＰＴ）、ＢｉＳｃＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＳ−ＰＴ）、ＢｉＹｂＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＹ−ＰＴ）等の鉛を含有する強誘電性圧電性材料からなる」ものである。
　したがって、引用発明１は、「強誘電性圧電性材料」の選択肢の中に「ビスマスを含む複合酸化物」を有するに止まるものであって、前記「強誘電性圧電性材料」として「ビスマスを含む複合酸化物」を採用する場合に「密着層６１」を「Ｚｒ」から形成することを特定する発明ではない。
　（イ３）そして、引用例１には、具体的な実施態様における「密着層６１」と「圧電体層７０」を形成する材料に関しては、第２の２（３）イ（ア）（ア１）ｂで摘記したように、段落【００２５】に「本実施形態では、密着層６１をＺｒで形成」すると記載され、同ｃで摘記したように、段落【００３８】〜【００３９】に「絶縁体膜５５の前面に、例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）からなる密着層６１を形成」し「チタン酸ジルコン酸鉛からなる圧電体層７０を形成する。」と記載されているのみである。
　すなわち、「圧電体層７０」を「ビスマスを含む複合酸化物」で形成する場合に「密着層６１」を「ジルコニウム（Ｚｒ）」で形成することは、引用例１には、記載も示唆もされていない。
　（イ３）原査定に引用された他の刊行物について検討する。
　引用例２には、第２の２（３）イ（イ）（イ１）ａ及びｂで摘記したように、「密着層６２としては、例えば、厚さが１０〜５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びタングステン（Ｗ）からなる群から選択される少なくとも一つの元素を主成分とするものが挙げられる。本実施形態では、密着層６２として、厚さ２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）を設けた。」こと、「チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる圧電体層７０を形成する」が前記「圧電体層７０の材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛に限定されず、例えば、上述したようにリラクサ強誘電体（例えば、ＰＭＮ−ＰＴ、ＰＺＮ-ＰＴ、ＰＮＮ-ＰＴ等）の他の圧電材料を用いてもよい。」と記載されている。
　引用例３には、第２の２（３）イ（ウ）（ウ１）ａ及びｂで摘記したように、「圧電体層７０の材料」については、「チタン酸ジルコン酸鉛［Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３：ＰＺＴ］を主成分とする材料で形成されていることが好ましいが、その他、マグネシウム酸ニオブ酸鉛とチタン酸鉛の固溶体［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３：ＰＭＮ−ＰＴ］、亜鉛酸ニオブ酸鉛とチタン酸鉛の固溶体［Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３：ＰＺＮ−ＰＴ］等を用いてもよい。」という記載はあるものの、「密着層」を設けることは記載されていない。
　引用例４には、第２の２（３）イ（エ）（エ１）ａ及びｂで摘記したように、「圧電体層70の材料」の選択肢の１つとしてビスマスを含む複合酸化物を用いることは記載されているものの、ことさら「密着層」を設けることは記載されていない。
　周知例には、第２の２（３）イ（オ）（オ１）ａ〜ｅで摘記したように、「圧電体層７０」をビスマスを含む複合酸化物で形成することは記載されているものの、「密着層」を設けることは何ら記載されていない。
　以上のように、引用例２〜引用例４及び周知例には、「圧電体層」を「ビスマスを含む複合酸化物」で形成する場合に「密着層」を「ジルコニウム」で形成することは、記載も示唆もされていない。
　（イ４）これに対して、本願発明１は、「ジルコニウムからなる密着層」と「ビスマスを含む複合酸化物からなる圧電体層」という組み合わせを採用することによって、「絶縁体膜５５上にスパッタリング法によりジルコニウムからなる密着層５６を形成し、その後、密着層５６上に白金等からなる第１電極６０を形成することで、圧電体層７０に含まれるビスマスが第１電極６０中に拡散し、さらには密着層５６中に拡散しても、ビスマスの偏析が生じず、膜剥がれなどの問題が生じることがない。」という、本願明細書の段落【００２８】に記載された格別の効果を奏するものである。
　（イ５）したがって、「圧電体層」が「ビスマスを含む」場合に、「ジルコニウム」からなる「密着層」を設けることで、「前記密着層が前記ビスマスの偏析を防止」することを、引用例２〜引用例４及び周知例の記載を参酌して、引用発明１に基づいて当業者が容易に想到し得たとは認められない。
　（イ６）以上のとおりであるから、相違点２について検討するまでもなく、補正発明１は、引用例２〜引用例４及び周知例の記載を参酌しても、引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　Ｂ　本件補正後の請求項２及び請求項３に係る発明について
　本件補正後の請求項２及び請求項３は、いずれも、本件補正後の請求項１を引用する発明であるから、補正発明１をさらに限定した発明である。
　したがって、上記のとおり、補正発明１は、引用例２〜引用例４及び周知例の記載を参酌しても、当業者が引用発明１に基づいて容易に発明をすることができたものではないから、同じ理由により、本件補正後の請求項２及び請求項３に係る発明も、当業者が引用発明１に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　Ｃ　補正発明４について
　（ア）補正発明４と引用発明２との対比
　補正発明４と引用発明２とを対比すると、両者は、以下の点で一致し、以下の点で相違する。
一致点
「第１電極と、
　前記第１電極上に設けられ、複合酸化物からなる圧電体層と、
　前記圧電体層上に設けられた第２電極と、
　前記第１電極の下に設けられた密着層と、
　前記密着層の下に設けられ酸化ジルコニウムからなる絶縁体層とを具備することを特徴とする圧電素子。」
相違点
　相違点５
　補正発明４の「圧電体層」は「鉛を含有」しないのに対して、引用発明２の「圧電体層７０」は「鉛を含有する」点。
　相違点６
　補正発明４の「圧電体層」は「ビスマスを含む」のに対して、引用発明２の「圧電体層７０」は「ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）、ＰｂＺｒＯ３（ＰＺ）、Ｐｂ（ＺｒＸＴｉ１−Ｘ）Ｏ３（ＰＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＭＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＮＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｉｎ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＩＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＴ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＮ−ＰＴ）、ＢｉＳｃＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＳ−ＰＴ）、ＢｉＹｂＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＹ−ＰＴ）等」の「強誘電性圧電性材料からなる」点。
　相違点７
　補正発明４の「密着層」は「前記圧電体層から拡散したビスマスの偏析を防止する」のに対して、引用発明２の「密着層６１」はそのような特定を有していない点。
　相違点８
　補正発明４の「密着層」は「ジルコニウムを含む」のに対して、引用発明２の「密着層６１」は「圧電体層７０の形成時の焼成温度で導体層６２に拡散し難い高融点金属材料であり、かつ、前記焼成温度以下の温度で熱酸化する材料である、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｏからなる群から選択される少なくとも１種の材料からなる」点。
　（イ）補正発明４についての判断
　（イ１）上記の相違点のうち、相違点６〜相違点８について検討する。
　（イ２）相違点６は相違点３と同一の相違点であり、相違点８は相違点１と実質的に同一の相違点である。
　また、補正発明１において、「密着層」が「偏析を防止」する「前記ビスマス」は、「圧電体層」に含まれていた「ビスマス」が当該「圧電体層」の「形成」時に「拡散」したものであることは明らかであるから、相違点７は相違点４と実質的に同一の相違点である。
　（イ３）そうすると、補正発明１と同じ理由により、相違点５について検討するまでもなく、補正発明４は、引用例２〜引用例４及び周知例の記載を参酌しても、当業者が引用発明２に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　Ｃ　本件補正後の請求項５ないし請求項８に係る発明について
　本件補正後の請求項５ないし請求項８は、いずれも、本件補正後の請求項４を引用する発明であるから、補正発明４をさらに限定した発明である。
　したがって、上記のとおり、補正発明４は、引用例２〜引用例４及び周知例の記載を参酌しても、当業者が引用発明２に基づいて容易に発明をすることができたものではないから、同じ理由により、本件補正後の請求項５ないし請求項８に係る発明も、当業者が引用発明２に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　　エ　独立特許要件のまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正後の請求項１ないし請求項８に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものと認められる。
　よって、請求項１ないし請求項８に係る発明についての本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
　３　小括
　本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１ないし請求項８に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし請求項８に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、本願の請求項１ないし請求項８に係る発明は、第２の２（３）で検討したとおり、引用例２〜引用例４及び周知例の記載を参酌しても、当業者が引用発明１又は引用発明２に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
第４　むすび
　したがって、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。