(57)【要約】【課題】回路基板の表面に設けられた電気回路のパッド部への半田の密着性を向上し、もって回路基板への部品の実装性を向上することを目的とする。【解決手段】本発明に係る回路基板１０は、絶縁基材１の表面に、配線部６ａとパッド部６ｂとを有する電気回路６が設けられた回路基板１０であって、前記電気回路６が、絶縁基材１の表面に設けられた回路用凹部３に導体５が埋め込まれた構成であり、前記電気回路６における配線部６ａとパッド部６ｂとで導体５の表面粗さが相互に異なっているものである。その場合、パッド部６ｂの導体５の表面粗さが配線部６ａの導体５の表面粗さよりも大きいことが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材の表面に、配線部とパッド部とを有する電気回路が設けられた回路基板であって、
前記電気回路が、絶縁基材の表面に設けられた回路用凹部に導体が埋め込まれた構成であり、
前記電気回路における配線部とパッド部とで導体の表面粗さが相互に異なっていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
パッド部の導体の表面粗さが配線部の導体の表面粗さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
パッド部の導体の表面の十点平均粗さ（ＲｚＰＴ）と配線部の導体の表面の十点平均粗さ（ＲｚＬＴ）との比（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）が２以上（（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）≧２）であることを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
パッド部の導体の表面に平面視で直線状、曲線状、格子状、環状、渦巻き状、千鳥状及び／又はドット状の微細凹部が形成されていることにより、パッド部の導体の表面粗さが配線部の導体の表面粗さよりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項５】
パッド部の回路用凹部の底面に平面視で直線状、曲線状、格子状、環状、渦巻き状、千鳥状及び／又はドット状の微細凹部が形成されており、このパッド部の回路用凹部の底面の形状を導体が追従したことにより、パッド部の導体の表面に前記微細凹部が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の回路基板。
【請求項６】
導体の表面の十点平均粗さ（ＲｚＴ）と回路用凹部の底面の十点平均粗さ（ＲｚＢ）との比（ＲｚＴ／ＲｚＢ）が０．１以上かつ２．０以下（０．１≦（ＲｚＴ／ＲｚＢ）≦２．０）であることを特徴とする請求項５に記載の回路基板。
【請求項７】
絶縁基材の表面に、配線部とパッド部とを有する電気回路が設けられた回路基板であって、
前記電気回路が、絶縁基材の表面に設けられた回路用凹部に導体が埋め込まれた構成であり、
前記電気回路における配線部とパッド部とで回路用凹部の底面の表面粗さが相互に異なっていることを特徴とする回路基板。
【請求項８】
パッド部の回路用凹部の底面の表面粗さが配線部の回路用凹部の底面の表面粗さよりも大きいことを特徴とする請求項７に記載の回路基板。
【請求項９】
パッド部の回路用凹部の底面の十点平均粗さ（ＲｚＰＢ）と配線部の回路用凹部の底面の十点平均粗さ（ＲｚＬＢ）との比（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）が２以上（（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）≧２）であることを特徴とする請求項８に記載の回路基板。
【請求項１０】
パッド部の回路用凹部の底面に平面視で直線状、曲線状、格子状、環状、渦巻き状、千鳥状及び／又はドット状の微細凹部が形成されていることにより、パッド部の回路用凹部の底面の表面粗さが配線部の回路用凹部の底面の表面粗さよりも大きいことを特徴とする請求項８に記載の回路基板。
【請求項１１】
パッド部の回路用凹部の底面の前記形状を導体が追従したことにより、パッド部の導体の表面に平面視で直線状、曲線状、格子状、環状、渦巻き状、千鳥状及び／又はドット状の微細凹部が形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の回路基板。
【請求項１２】
導体の表面の十点平均粗さ（ＲｚＴ）と回路用凹部の底面の十点平均粗さ（ＲｚＢ）との比（ＲｚＴ／ＲｚＢ）が０．１以上かつ２．０以下（０．１≦（ＲｚＴ／ＲｚＢ）≦２．０）であることを特徴とする請求項１１に記載の回路基板。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の回路基板の前記パッド部に部品が実装された半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板及び半導体装置の技術分野に属する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば特許文献１に開示されるように、半導体集積回路装置の製造方法において、ＣＭＰ（化学的機械研磨：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理を用いた埋め込み回路の形成技術が知られている。
【０００３】
すなわち、ＣＭＰ処理による回路形成技術は、図５に例示するように、絶縁基材ａの表面に配線溝ｂを形成する工程（図５（Ａ））、配線溝ｂを埋めるように配線溝ｂの内部および絶縁基材ａの表面上に金属部材層ｃを形成する工程（図５（Ｂ））、配線溝ｂの外の金属部材層ｃをＣＭＰ処理で除去することにより埋め込み回路ｄを形成する工程（図５（Ｃ））を含むものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２３８８９６号公報（段落００１５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、図５（Ｄ）に示すように、回路ｄが配線部ｅとパッド部ｆとを有し、半導体チップ等の部品ｘがパッド部ｆに半田バンプを介して実装されることがある。しかし、回路ｄの表面がＣＭＰ処理で研磨されているため、配線部ｅの表面もパッド部ｆの表面もすべて極めて平滑な状態に平坦化されており、その結果、半田のパッド部ｆへの密着性が低下して接続不良が起き、半導体装置の信頼性が低下する可能性がある。
【０００６】
そこで、本発明は、回路基板の表面に設けられた電気回路のパッド部への半田の密着性を向上し、もって回路基板への部品の実装性を向上することを主たる目的とする。本発明の他の目的は、本発明の構成及び作用と共に後に明らかになる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
すなわち、本発明の一局面は、絶縁基材の表面に、配線部とパッド部とを有する電気回路が設けられた回路基板であって、前記電気回路が、絶縁基材の表面に設けられた回路用凹部に導体が埋め込まれた構成であり、前記電気回路における配線部とパッド部とで導体の表面粗さが相互に異なっていることを特徴とする回路基板である。
【０００８】
この構成によれば、パッド部の導体の表面粗さと配線部の導体の表面粗さとが同じでなくなる。これに対し、ＣＭＰ処理による埋め込み回路形成では、絶縁基材表面及び回路表面が全面研磨されるので、パッド部の導体の表面粗さと配線部の導体の表面粗さとが常に同じとなる。そして、パッド部の導体の表面粗さが配線部の導体の表面粗さよりも大きいときは、パッド部に半導体チップ等の部品を実装するときの半田の密着性が向上して、回路基板への部品の実装性が向上する。また、配線部においては、導体の表面粗さが相対的に小さいから、配線の断面積がほぼ一定となり、信号の伝送速度が安定する。一方、パッド部の導体の表面粗さが配線部の導体の表面粗さよりも小さいときは、次のような利点がある。すなわち、パッド部の面積は相対的に大きいから、パッド部の導体の表面粗さが相対的に大きいと、パッケージ化するときの樹脂封止材の流動性が低下する。そこで、パッド部の導体の表面粗さが配線部の導体の表面粗さよりも小さいと、樹脂封止材の流動性の低下を抑制することができ、ボイド等のない良好なパッケージが得られる。
【０００９】
前記構成において、パッド部の導体の表面粗さが配線部の導体の表面粗さよりも大きいことが好ましい。回路基板への部品実装性の向上と信号伝送速度の安定との両立が図られるからである。
【００１０】
また、パッド部の導体の表面粗さが配線部の導体の表面粗さよりも大きいときは、パッド部の導体の表面の十点平均粗さ（ＲｚＰＴ）と配線部の導体の表面の十点平均粗さ（ＲｚＬＴ）との比（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）が２以上（（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）≧２）であることが好ましい。パッド部に部品を実装するときの半田の密着性が向上する作用、及び、配線部において信号の伝送速度が安定する作用が確実に奏されるからである。そのような観点から、前記比（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）は５以上（（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）≧５）であることがより好ましく、１０以上（（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）≧１０）であることがさらに好ましい。
【００１１】
また、パッド部の導体の表面粗さが配線部の導体の表面粗さよりも大きいときは、パッド部の導体の表面に平面視で直線状、曲線状、格子状、環状、渦巻き状、千鳥状及び／又はドット状の微細凹部が形成されていることが好ましい。パッド部の導体の表面に簡単な形状が形成されているだけで、パッド部における半田密着性の向上作用が奏されるからである。
【００１２】
その場合、パッド部の回路用凹部の底面に平面視で直線状、曲線状、格子状、環状、渦巻き状、千鳥状及び／又はドット状の微細凹部が形成されており、このパッド部の回路用凹部の底面の形状を導体が追従したことにより、パッド部の導体の表面に前記微細凹部が形成されていることが好ましい。わざわざパッド部の導体の表面に前記微細凹部を形成する必要がなくなり、工程の短縮化が図られるからである。なお、例えば、無電解メッキで回路用凹部に導体を析出させることによって、導体がパッド部の回路用凹部の底面の形状を追従することができる。
【００１３】
また、導体がパッド部の回路用凹部の底面の形状を追従するときは、導体の表面の十点平均粗さ（ＲｚＴ）と回路用凹部の底面の十点平均粗さ（ＲｚＢ）との比（ＲｚＴ／ＲｚＢ）が０．１以上かつ２．０以下（０．１≦（ＲｚＴ／ＲｚＢ）≦２．０）であることが好ましい。パッド部の回路用凹部の底面の形状がパッド部の導体の表面の形状に確実に反映されて、パッド部の導体の表面に前記微細凹部が確実に形成されるからである。そのような観点から、前記比（ＲｚＴ／ＲｚＢ）は０．５以上かつ１．２以下（０．５≦（ＲｚＴ／ＲｚＢ）≦１．２）であることがより好ましい。
【００１４】
一方、本発明の他の局面は、絶縁基材の表面に、配線部とパッド部とを有する電気回路が設けられた回路基板であって、前記電気回路が、絶縁基材の表面に設けられた回路用凹部に導体が埋め込まれた構成であり、前記電気回路における配線部とパッド部とで回路用凹部の底面の表面粗さが相互に異なっていることを特徴とする回路基板である。
【００１５】
この構成によれば、パッド部の回路用凹部の底面の表面粗さが配線部の回路用凹部の底面の表面粗さよりも大きいときは、パッド部において、導体の絶縁基材への接合強度に優れ、パッド部の導体の絶縁基材からの脱落が抑制され、一方、配線部の回路用凹部の底面の表面粗さがパッド部の回路用凹部の底面の表面粗さよりも大きいときは、配線部において、導体の絶縁基材への接合強度に優れ、配線部の導体の絶縁基材からの脱落が抑制される。
【００１６】
前記構成において、パッド部の回路用凹部の底面の表面粗さが配線部の回路用凹部の底面の表面粗さよりも大きいことが好ましい。パッド部に実装された部品の絶縁基材からの脱落も抑制されるからである。
【００１７】
また、パッド部の回路用凹部の底面の表面粗さが配線部の回路用凹部の底面の表面粗さよりも大きいときは、パッド部の回路用凹部の底面の十点平均粗さ（ＲｚＰＢ）と配線部の回路用凹部の底面の十点平均粗さ（ＲｚＬＢ）との比（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）が２以上（（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）≧２）であることが好ましい。パッド部の導体の絶縁基材からの脱落が抑制される作用、及び、パッド部に実装された部品の絶縁基材からの脱落が抑制される作用が確実に奏されるからである。そのような観点から、前記比（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）は５以上（（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）≧５）であることがより好ましく、１０以上（（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）≧１０）であることがさらに好ましい。
【００１８】
また、パッド部の回路用凹部の底面の表面粗さが配線部の回路用凹部の底面の表面粗さよりも大きいときは、パッド部の回路用凹部の底面に平面視で直線状、曲線状、格子状、環状、渦巻き状、千鳥状及び／又はドット状の微細凹部が形成されていることが好ましい。パッド部の回路用凹部の底面に簡単な形状が形成されているだけで、パッド部の導体の絶縁基材からの脱落が抑制される作用、及び、パッド部に実装された部品の絶縁基材からの脱落が抑制される作用が奏されるからである。
【００１９】
その場合、パッド部の回路用凹部の底面の前記形状を導体が追従したことにより、パッド部の導体の表面に平面視で直線状、曲線状、格子状、環状、渦巻き状、千鳥状及び／又はドット状の微細凹部が形成されていることが好ましい。パッド部に半導体チップ等の部品を実装するときの半田の密着性が向上して、回路基板への部品の実装性が向上するからである。また、わざわざパッド部の導体の表面に前記微細凹部を形成する必要がなくなり、工程の短縮化が図られるからである。なお、例えば、無電解メッキで回路用凹部に導体を析出させることによって、導体がパッド部の回路用凹部の底面の形状を追従することができる。
【００２０】
また、導体がパッド部の回路用凹部の底面の形状を追従するときは、導体の表面の十点平均粗さ（ＲｚＴ）と回路用凹部の底面の十点平均粗さ（ＲｚＢ）との比（ＲｚＴ／ＲｚＢ）が０．１以上かつ２．０以下（０．１≦（ＲｚＴ／ＲｚＢ）≦２．０）であることが好ましい。パッド部の回路用凹部の底面の形状がパッド部の導体の表面の形状に確実に反映されて、パッド部の導体の表面に前記微細凹部が確実に形成されるからである。そのような観点から、前記比（ＲｚＴ／ＲｚＢ）は０．５以上かつ１．２以下（０．５≦（ＲｚＴ／ＲｚＢ）≦１．２）であることがより好ましい。
【００２１】
そして、本発明のさらに他の局面は、前記構成の回路基板の前記パッド部に部品が実装された半導体装置である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の回路基板及び半導体装置によれば、回路基板の表面に設けられた電気回路のパッド部への半田の密着性を向上し、もって回路基板への部品の実装性を向上することができる。また、配線部における信号伝送速度の安定化を図ることができる。さらに、パッケージ化するときの樹脂封止材の流動性低下を抑制してボイド等のない良好なパッケージを得ることができる。また、配線部の導体の絶縁基材からの脱落、パッド部の導体の絶縁基材からの脱落、及びパッド部に実装された部品の絶縁基材からの脱落を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】（ａ）本発明の実施形態に係る回路基板の部分拡大平面図、（ｂ）Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図３】本発明の実施形態に係る回路基板のパッド部に半田バンプを介して部品が実装された半導体装置の部分拡大断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）それぞれ回路基板のパッド部の変形例を示す部分拡大平面図である。
【図５】従来のＣＭＰ処理を用いた埋め込み回路の形成方法を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１に示すように、本実施形態に係る回路基板１０は、絶縁基材１の表面に、配線部６ａとパッド部６ｂとを有する電気回路６が設けられた回路基板１０である。そして、前記電気回路６は、絶縁基材１の表面に設けられた回路用凹部３に導体５が埋め込まれた構成（埋め込み回路）である。そして、前記電気回路６における配線部６ａとパッド部６ｂとで導体５の表面粗さが相互に異なっている。
【００２５】
特に、本実施形態では、パッド部６ｂの導体５の表面粗さが配線部６ａの導体５の表面粗さよりも大きくなっている。これにより、パッド部６ｂにおいては、導体５の表面粗さが相対的に大きいから、パッド部６ｂに半導体チップ等の部品２０（図３参照）を実装するときの半田の密着性が向上して、回路基板１０への部品２０の実装性が向上する。また、配線部６ａにおいては、導体５の表面粗さが相対的に小さいから、配線の断面積がほぼ一定となり、信号の伝送速度が安定する。つまり、回路基板１０への部品実装性の向上と信号伝送速度の安定との両立が図られる。
【００２６】
本実施形態では、パッド部６ｂの導体５の表面の十点平均粗さ（ＲｚＰＴ）と配線部６ａの導体５の表面の十点平均粗さ（ＲｚＬＴ）との比（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）を２以上（（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）≧２）としている。これにより、パッド部６ｂに部品２０を実装するときの半田の密着性が向上する作用、及び、配線部６ａにおいて信号の伝送速度が安定する作用が確実に奏される。そのような観点から、前記比（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）は５以上（（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）≧５）であることがより好ましく、１０以上（（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）≧１０）であることがさらに好ましい。
【００２７】
前記比（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）が小さすぎると、パッド部６ｂに部品２０を実装するときの半田の密着性が向上する作用、及び、配線部６ａにおいて信号の伝送速度が安定する作用が不足する。前記比（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）が大きすぎると、パッド部６ｂに部品２０を実装するときに半田が多量に必要となり微細加工が困難となる。
【００２８】
本実施形態では、パッド部６ｂの導体５の表面に、平面視で直線状の微細凹部を形成している。そして、この直線状の微細凹部により、パッド部６ｂの導体５の表面粗さを配線部６ａの導体５の表面粗さよりも大きくしている。これにより、パッド部６ｂの導体５の表面に簡単な形状を形成するだけで、パッド部６ｂにおける半田密着性の向上作用が奏される。
【００２９】
本実施形態では、回路用凹部３のうち、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂ（図２（Ｂ）参照）の底面に、平面視で直線状の微細凹部が形成されている。そして、この底面の直線状の微細凹部の形状を導体５が追従したことにより、パッド部６ｂの導体５の表面に前記微細凹部が形成されている。これにより、わざわざパッド部６ｂの導体５の表面に前記微細凹部を形成する必要がなくなり、工程の短縮化が図られる。
【００３０】
本実施形態では、導体５の表面の十点平均粗さ（ＲｚＴ）と回路用凹部３の底面の十点平均粗さ（ＲｚＢ）との比（ＲｚＴ／ＲｚＢ）を０．１以上かつ２．０以下（０．１≦（ＲｚＴ／ＲｚＢ）≦２．０）としている。これにより、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面の形状がパッド部６ｂの導体５の表面の形状に確実に反映されて、パッド部６ｂの導体５の表面に前記微細凹部が確実に形成される。そのような観点から、前記比（ＲｚＴ／ＲｚＢ）は０．５以上かつ１．２以下（０．５≦（ＲｚＴ／ＲｚＢ）≦１．２）であることがより好ましい。
【００３１】
前記比（ＲｚＴ／ＲｚＢ）が小さすぎると、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面の形状がパッド部６ｂの導体５の表面の形状に反映されてパッド部６ｂの導体５の表面に前記微細凹部が形成されるという作用が不足する。前記比（ＲｚＴ／ＲｚＢ）が大きすぎると、配線部６ａにおいては、信号の伝送速度が安定するという作用が不足し、パッド部６ｂにおいては、パッド部６ｂに部品２０を実装するときに半田が多量に必要となり微細加工が困難となる。
【００３２】
また、同じく図１に示すように、本実施形態に係る回路基板１０は、絶縁基材１の表面に、配線部６ａとパッド部６ｂとを有する電気回路６が設けられた回路基板１０である。そして、前記電気回路６は、絶縁基材１の表面に設けられた回路用凹部３に導体５が埋め込まれた構成（埋め込み回路）である。そして、前記電気回路６における配線部６ａとパッド部６ｂとで回路用凹部３の底面の表面粗さが相互に異なっている。
【００３３】
特に、本実施形態では、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂ（図２（Ｂ）参照）の底面の表面粗さが配線部６ａの回路用凹部３ａ（図２（Ｂ）参照）の底面の表面粗さよりも大きくなっている。これにより、パッド部６ｂにおいて、導体５の絶縁基材１への接合強度に優れ、パッド部６ｂの導体５の絶縁基材１からの脱落が抑制される。また、パッド部６ｂに実装された半導体チップ等の部品２０（図３参照）の絶縁基材１からの脱落も抑制される。
【００３４】
本実施形態では、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面の十点平均粗さ（ＲｚＰＢ）と配線部６ａの回路用凹部３ａの底面の十点平均粗さ（ＲｚＬＢ）との比（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）を２以上（（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）≧２）としている。これにより、パッド部６ｂの導体５の絶縁基材１からの脱落が抑制される作用、及び、パッド部６ｂに実装された部品２０の絶縁基材１からの脱落が抑制される作用が確実に奏されるからである。そのような観点から、前記比（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）は５以上（（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）≧５）であることがより好ましく、１０以上（（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）≧１０）であることがさらに好ましい。
【００３５】
前記比（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）が小さすぎると、パッド部６ｂの導体５の絶縁基材１からの脱落が抑制される作用、及び、パッド部６ｂに実装された部品２０の絶縁基材１からの脱落が抑制される作用が不足する。前記比（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）が大きすぎると、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂを必要以上に深く掘り下げなければならず無駄な加工となる。
【００３６】
本実施形態では、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面に、平面視で直線状の微細凹部を形成している。そして、この直線状の微細凹部により、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面の表面粗さを配線部６ａの回路用凹部３ａの底面の表面粗さよりも大きくしている。これにより、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面に簡単な形状を形成するだけで、パッド部６ｂの導体５の絶縁基材１からの脱落が抑制される作用、及び、パッド部６ｂに実装された部品２０の絶縁基材１からの脱落が抑制される作用が奏される。
【００３７】
本実施形態では、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面の前記形状を導体５が追従したことにより、パッド部６ｂの導体５の表面に平面視で直線状の微細凹部が形成されている。これにより、パッド部６ｂに部品２０を実装するときの半田の密着性が向上して、回路基板１への部品２０の実装性が向上する。また、わざわざパッド部６ｂの導体５の表面に前記微細凹部を形成する必要がなくなり、工程の短縮化が図られる。
【００３８】
本実施形態では、導体５の表面の十点平均粗さ（ＲｚＴ）と回路用凹部３の底面の十点平均粗さ（ＲｚＢ）との比（ＲｚＴ／ＲｚＢ）を０．１以上かつ２．０以下（０．１≦（ＲｚＴ／ＲｚＢ）≦２．０）としている。これにより、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面の形状がパッド部６ｂの導体５の表面の形状に確実に反映されて、パッド部６ｂの導体５の表面に前記微細凹部が確実に形成される。そのような観点から、前記比（ＲｚＴ／ＲｚＢ）は０．５以上かつ１．２以下（０．５≦（ＲｚＴ／ＲｚＢ）≦１．２）であることがより好ましい。
【００３９】
前記比（ＲｚＴ／ＲｚＢ）が小さすぎると、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面の形状がパッド部６ｂの導体５の表面の形状に反映されてパッド部６ｂの導体５の表面に前記微細凹部が形成されるという作用が不足する。前記比（ＲｚＴ／ＲｚＢ）が大きすぎると、配線部６ａにおいては、信号の伝送速度が安定するという作用が不足し、パッド部６ｂにおいては、パッド部６ｂに部品２０を実装するときに半田が多量に必要となり微細加工が困難となる。
【００４０】
以下、本実施形態に係る回路基板１０の製造方法を説明することにより、本発明をさらに詳しく説明する。
【００４１】
図２は、本実施形態に係る回路基板１０の製造方法を示す工程図である。図２中、符号１は絶縁基材、符号２は樹脂皮膜、符号３は回路パターンとしての回路用凹部、符号３ａは配線部の回路用凹部、符号３ｂはパッド部の回路用凹部、符号４はメッキ触媒、符号５は導体としての無電解メッキ、符号６は電気回路、符号６ａは配線部、符号６ｂはパッド部である。
【００４２】
＜樹脂皮膜形成工程＞
まず、図２Ａに示すように、絶縁基材１の表面に樹脂皮膜２を形成する。
【００４３】
絶縁基材１としては、従来から回路基板の製造に用いられる各種有機基板が特に限定なく使用可能である。有機基板の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等からなる基板が挙げられる。
【００４４】
前記エポキシ樹脂としては、回路基板の製造に用いられ得る各種有機基板を構成するエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、臭素化又はリン変性した、前記エポキシ樹脂、窒素含有樹脂、シリコーン含有樹脂等も挙げられる。また、前記エポキシ樹脂及び樹脂としては、前記各エポキシ樹脂及び樹脂を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４５】
前記各樹脂で基材を構成する場合、一般的に、硬化させるために、硬化剤を含有させる。前記硬化剤としては、硬化剤として用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ジシアンジアミド、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミノトリアジンノボラック系硬化剤、シアネート樹脂等が挙げられる。
【００４６】
前記フェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等が挙げられる。さらに難燃性を付与するためリン変性したフェノール樹脂、又はリン変性したシアネート樹脂等も挙げられる。また、前記硬化剤としては、前記各硬化剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４７】
後述するように、絶縁基材１の表面には、回路パターン形成工程において、レーザー加工により、回路パターンとしての回路用凹部３が形成されることから、１００ｎｍ〜４００ｎｍの波長領域でのレーザー光の吸収率（ＵＶ吸収率）が良い樹脂等を用いることが好ましい。例えば、具体的には、ポリイミド樹脂等が挙げられる。
【００４８】
絶縁基材１にフィラーを含有させてもよい。フィラーとしては、無機微粒子であっても、有機微粒子であってもよく、特に限定されない。フィラーを含有させることで、レーザー加工部にフィラーが露出し、フィラーの凹凸によるメッキ（導体５）と樹脂（絶縁基材１）との密着性を向上することができる。
【００４９】
無機微粒子を構成する材料としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリカ（ＳｉＯ２）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の高誘電率充填材；ハードフェライト等の磁性充填材；水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）２）、三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、五酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ５）、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブテン化合物、スズ酸亜鉛等の無機系難燃剤；タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＯＨ）２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、雲母等が挙げられる。無機微粒子としては、前記無機微粒子を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの無機微粒子は、熱伝導性、比誘電率、難燃性、粒度分布、色調の自由度等が高いことから、所望の機能を選択的に発揮させる場合には、適宜配合及び粒度設計を行って、容易に高充填化を行うことができる。また、特に限定はされないが、絶縁層の厚み以下の平均粒径のフィラーを用いるのが好ましく、さらには０．０１μｍ〜１０μｍ、更に好ましくは、０．０５μｍ〜５μｍの平均粒径のフィラーを用いるのがよい。
【００５０】
また、前記無機微粒子は、前記絶縁基材１中での分散性を高めるために、シランカップリング剤で表面処理してもよい。また、前記絶縁基材１は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材１中での分散性を高めるために、シランカップリング剤を含有してもよい。前記シランカップリング剤としては、特に限定されない。具体的には、例えば、エポキシシラン系、メルカプトシラン系、アミノシラン系、ビニルシラン系、スチリルシラン系、メタクリロキシシラン系、アクリロキシシラン系、チタネート系等のシランカップリング剤等が挙げられる。前記シランカップリング剤としては、上記シランカップリング剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５１】
また、前記絶縁基材１は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材１中での分散性を高めるために、分散剤を含有してもよい。前記分散剤としては、特に限定されない。具体的には、例えば、アルキルエーテル系、ソルビタンエステル系、アルキルポリエーテルアミン系、高分子系等の分散剤等が挙げられる。前記分散剤としては、前記分散剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５２】
また、フィラーとして用い得る有機微粒子の具体例としては、例えば、ゴム微粒子等が挙げられる。
【００５３】
絶縁基材１の形態としては、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグ、三次元形状の成形体等が挙げられる。絶縁基材１の厚みも特に限定されず、例えば、シート、フィルム、プリプレグ等の場合は、例えば、１０〜５００μｍ、好ましくは１０〜２００μｍ、より好ましくは２０〜２００μｍ、さらに好ましくは２０〜１００μｍ程度の厚みである。
【００５４】
また、絶縁基材１は、例えば、金型及び枠型等を用いて絶縁基材となる材料を入れて、加圧し、硬化させることにより、三次元形状の成形体等に形成してもよいし、シート、フィルム、あるいはプリプレグを打ち抜き、くりぬいたものを硬化させること、もしくは、加熱加圧により硬化させることにより、三次元形状の成形体等に形成してもよい。
【００５５】
次に、樹脂皮膜（レジスト）２としては、後述する皮膜除去工程で除去可能なものであれば、特に限定されない。樹脂皮膜２は、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁基材１の表面から容易に溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂皮膜が好ましい。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解し得る可溶型樹脂からなる皮膜や、所定の液体（膨潤液）で膨潤し得る膨潤性樹脂からなる皮膜等が挙げられる。なお、膨潤性樹脂皮膜には、所定の液体に対して実質的に溶解せず、膨潤により絶縁基材１の表面から容易に剥離するような樹脂皮膜だけではなく、所定の液体に対して膨潤し、さらに少なくとも一部が溶解し、その膨潤や溶解により絶縁基材１の表面から容易に剥離するような樹脂皮膜や、所定の液体に対して溶解し、その溶解により絶縁基材１の表面から容易に剥離するような樹脂皮膜も含まれる。このような樹脂皮膜を用いることにより、絶縁基材１の表面から樹脂皮膜２を容易かつ良好に除去できる。樹脂皮膜２を除去するときに樹脂皮膜を崩壊させると、その樹脂皮膜２に被着したメッキ触媒４が飛散し、飛散したメッキ触媒が絶縁基材１に再被着してその部分に不要なメッキが形成される問題がある。本実施形態では、絶縁基材１の表面から樹脂皮膜２を容易かつ良好に除去できるから、そのような問題が未然に防止できる。
【００５６】
樹脂皮膜２の形成方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、絶縁基材１の表面に、樹脂皮膜２を形成し得る液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される樹脂皮膜を絶縁基材１の表面に転写する方法等が挙げられる。また、別の方法としては、絶縁基材１の表面に、予め形成された樹脂皮膜２からなる樹脂フィルムを貼り合せる方法等も挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等が挙げられる。
【００５７】
樹脂皮膜２を形成するための材料としては、所定の液体で溶解又は膨潤することにより絶縁基材１の表面から容易に溶解除去又は剥離除去が可能な樹脂であれば特に限定なく用いられ得る。好ましくは、所定の液体に対する膨潤度が５０％以上、より好ましくは、１００％以上、さらに好ましくは、５００％以上であるような膨潤度の樹脂が用いられる。なお、膨潤度が低すぎる場合には、樹脂皮膜が剥離し難くなる傾向がある。
【００５８】
なお、樹脂皮膜の膨潤度（ＳＷ）は、膨潤前重量ｍ（ｂ）及び膨潤後重量ｍ（ａ）から、「膨潤度ＳＷ＝｛（ｍ（ａ）−ｍ（ｂ））／ｍ（ｂ）｝×１００（％）」の式により求められる。
【００５９】
このような樹脂皮膜２は、絶縁基材１の表面にエラストマーのサスペンジョン又はエマルジョンを塗布した後、乾燥する方法や、支持基材にエラストマーのサスペンジョン又はエマルジョンを塗布した後、乾燥することにより形成される皮膜を絶縁基材１の表面に転写する方法等により容易に形成され得る。
【００６０】
エラストマーの具体例としては、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の樹脂皮膜を容易に形成することができる。
【００６１】
なお、このような樹脂皮膜２としては、特に、膨潤度が膨潤液のｐＨに依存して変化するような皮膜であることが好ましい。このような、皮膜を用いた場合には、後述する触媒被着工程における液性条件と、後述する皮膜除去工程における液性条件とを相異させることにより、触媒被着工程におけるｐＨにおいては樹脂皮膜２は絶縁基材１に対する高い密着力を維持しつつ、皮膜除去工程におけるｐＨにおいては容易に樹脂皮膜２を絶縁基材１から剥離除去することができる。
【００６２】
さらに具体的には、例えば、後述する触媒被着工程が、例えば、ｐＨ１〜３の範囲の酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、後述する皮膜除去工程が、例えば、ｐＨ１２〜１４の範囲のアルカリ性溶液中で樹脂皮膜を膨潤させる工程を備える場合には、前記樹脂皮膜２は、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対する膨潤度が６０％以下、より好ましくは、４０％以下であり、前記アルカリ性溶液に対する膨潤度が５０％以上、より好ましくは、１００％以上、さらに好ましくは、５００％以上であるような樹脂皮膜であることが好ましい。
【００６３】
このような樹脂皮膜２の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント配線板のパターニング用のドライフィルムレジスト（以下「ＤＦＲ」と記す場合がある）等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型のシート等が挙げられる。
【００６４】
カルボキシル基を有するエラストマーの具体例としては、カルボキシル基を有するモノマー単位を共重合成分として含有することにより、分子中にカルボキシル基を有する、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマーや、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、あるいはポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマーの、酸当量、架橋度又はゲル化度等を調整することにより、所望のアルカリ膨潤度を有する樹脂皮膜を形成することができる。また、皮膜除去工程において用いる所定の液体に対する膨潤度をより大きくでき、前記液体に対して溶解する樹脂皮膜も容易に形成することができる。エラストマー中のカルボキシル基はアルカリ水溶液に対して樹脂皮膜を膨潤させて、絶縁基材１の表面から樹脂皮膜２を剥離する作用をする。また、酸当量とは、カルボキシル基１個当たりのポリマー分子量である。
【００６５】
カルボキシル基を有するモノマー単位の具体例としては、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、及びマレイン酸無水物等が挙げられる。
【００６６】
このようなカルボキシル基を有するエラストマー中のカルボキシル基の含有割合としては、酸当量で１００〜２０００、好ましくは１００〜８００であることが好ましい。酸当量が小さ過ぎる場合（カルボキシル基の数が相対的に多過ぎる場合）には、溶媒または他の組成物との相溶性が低下することにより、無電解メッキの前処理液に対する耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が大き過ぎる場合（カルボキシル基の数が相対的に少な過ぎる場合）には、アルカリ水溶液に対する剥離性が低下する傾向がある。
【００６７】
また、エラストマーの分子量としては、１万〜１００万、好ましくは２万〜５０万、より好ましくは２万〜６万であることが好ましい。エラストマーの分子量が大き過ぎる場合には剥離性が低下する傾向があり、小さ過ぎる場合には粘度が低下するために樹脂皮膜の厚みを均一に維持することが困難になると共に、無電解メッキの前処理液に対する耐性も低下する傾向がある。
【００６８】
また、ＤＦＲとしては、例えば、所定量のカルボキシル基を含有する、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、スチレン系樹脂、フェノール系樹脂、ウレタン系樹脂等を樹脂成分とし、光重合開始剤を含有する光硬化性樹脂組成物のシートが用いられ得る。このようなＤＦＲの具体例としては、特開２０００−２３１１９０号公報、特開２００１−２０１８５１号公報、特開平１１−２１２２６２号公報に開示されるような光重合性樹脂組成物のドライフィルムを全面硬化させて得られるシートや、アルカリ現像型のＤＦＲとして市販されている、例えば、旭化成工業社製のＵＦＧシリーズ等が挙げられる。
【００６９】
さらに、その他の樹脂皮膜２の例としては、カルボキシル基を含有する、ロジンを主成分とする樹脂（例えば、吉川化工社製の「ＮＡＺＤＡＲ２２９」）や、フェノールを主成分とする樹脂（例えば、ＬＥＫＴＲＡＣＨＥＭ社製の「１０４Ｆ」）等が挙げられる。
【００７０】
樹脂皮膜２は、絶縁基材１の表面に樹脂のサスペンジョン又はエマルジョンを従来から知られたスピンコート法やバーコーター法等の塗布手段を用いて塗布した後、乾燥する方法や、支持基材に形成されたＤＦＲを真空ラミネーター等を用いて絶縁基材１の表面に貼り合わせた後、全面硬化することにより容易に形成することができる。
【００７１】
樹脂皮膜２の厚みとしては、例えば、１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がさらに好ましい。また、０．１μｍ以上が好ましく、１μｍ以上がさらに好ましい。厚みが厚過ぎる場合は、微細な回路パターン（回路用凹部３）をレーザー加工や機械加工等により形成する際に精度が低下する傾向がある。また、厚みが薄過ぎる場合は、均一な膜厚の樹脂皮膜２を形成し難くなる傾向がある。
【００７２】
また、前記樹脂皮膜２として、例えば、酸等量が１００〜８００程度のカルボキシル基を有するアクリル系樹脂からなる樹脂（カルボキシル基含有アクリル系樹脂）を主成分とする樹脂皮膜もまた好ましく用いられ得る。
【００７３】
さらに、上記のものの他に、前記樹脂皮膜２として、次のようなものもまた好適である。すなわち、前記樹脂皮膜２を構成するレジスト材料に必要な特性としては、例えば、（１）後述の触媒被着工程で、樹脂皮膜２が形成された絶縁基材１を浸漬させる液体（めっき核付け薬液）に対する耐性が高いこと、（２）後述の皮膜除去工程、例えば、樹脂皮膜２が形成された絶縁基材１をアルカリに浸漬させる工程によって、樹脂皮膜（レジスト）２が容易に除去できること、（３）成膜性が高いこと、（４）ドライフィルム（ＤＦＲ）化が容易なこと、（５）保存性が高いこと等が挙げられる。めっき核付け薬液としては、後述するが、例えば、酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリストシステムの場合、全て酸性（例えばｐＨ１〜３）水溶液である。また、アルカリ性Ｐｄイオンキャタリストシステムの場合は、触媒付与アクチベーターが弱アルカリ（ｐＨ８〜１２）であり、それ以外は酸性である。以上のことから、めっき核付け薬液に対する耐性としては、ｐＨ１〜１１、好ましくはｐＨ１〜１２に耐え得ることが必要である。なお、耐え得るとは、レジストを成膜したサンプルを薬液に浸漬した際、レジストの膨潤や溶解が充分に抑制され、レジストとしての役割を果たすことである。また、浸漬温度は、室温〜６０℃、浸漬時間は、１〜１０分間、レジスト膜厚は、１〜１０μｍ程度が一般的であるが、これらに限定されない。皮膜除去工程に用いるアルカリ剥離の薬液としては、後述するが、例えば、ＮａＯＨ水溶液や炭酸ナトリウム水溶液が一般的である。そのｐＨは、１１〜１４であり、好ましくはｐＨ１２から１４でレジスト膜が簡単に除去できることが望ましい。ＮａＯＨ水溶液濃度は、１〜１０%程度、処理温度は、室温〜５０℃、処理時間は、１〜１０分間で、浸漬やスプレイ処理をすることが一般的であるが、これらに限定されない。絶縁材料上にレジストを形成するため、成膜性も重要となる。はじき等がない均一性な膜形成が必要である。また、製造工程の簡素化や材料ロスの低減等のためにドライフィルム化されるが、ハンドリング性を確保するためにフィルムの屈曲性が必要である。また絶縁材料上にドライフィルム化されたレジストをラミネーター（ロール、真空）で貼り付ける。貼り付けの温度は、室温〜１６０℃、圧力や時間は任意である。このように、貼り付け時に粘着性が求められる。そのために、ドライフィルム化されたレジストはゴミの付着防止も兼ねて、キャリアフィルム、カバーフィルムでサンドイッチされた３層構造にされることが一般的であるが、これらに限定されない。保存性は、室温で保存できることが好ましいが、冷蔵、冷凍での保存ができることも必要である。このように低温時にドライフィルムの組成が分離したり、屈曲性が低下して割れたりしないようにすることが必要である。
【００７４】
以上のような観点から、前記樹脂皮膜２として、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と、（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物であってもよい。公知技術として、特開平７−２８１４３７号公報、特開２０００−２３１１９０号公報、特開２００１−２０１８５１号公報等が挙げられる。（ａ）単量体の一例としては、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル、アクリル酸ブチル等が挙げられ、単独、もしくは２種類以上を組み合わせても良い。（ｂ）単量体の例としては、非酸性で分子中に重合性不飽和基を（１個）有するものが一般的であり、その限りではない。後述する触媒被着工程での耐性、硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するように選ばれる。具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類がある。また酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等がある。また上記の重合性不飽和基を分子中に１個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらには、３次元架橋できるように、重合体に用いる単量体に複数の不飽和基を持つ単量体を選定することができる。また、分子骨格にエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、ビニル基等の反応性官能基を導入することができる。
【００７５】
樹脂中にカルボキシル基が含まれる場合、樹脂中に含まれるカルボキシル基の量は酸当量で１００〜２０００が良く、１００〜８００が好ましい。酸当量が低すぎると、溶媒または他の組成物との相溶性の低下やめっき前処理液耐性が低下する。酸当量が高すぎると剥離性が低下する。また、（ａ）単量体の組成比率は５〜７０質量％が好ましい。
【００７６】
樹脂組成物は、メイン樹脂（バインダー樹脂）として前記重合体樹脂を必須成分とし、オリゴマー、モノマー、フィラーや、その他の添加剤の少なくとも１種類を添加してもよい。メイン樹脂は、熱可塑的性質を持ったリニア型のポリマーが良い。流動性、結晶性などをコントロールするためにグラフトさせて枝分かれさせることもある。分子量としては、重量平均分子量で１，０００〜５００，０００程度であり、５，０００〜５０，０００が好ましい。重量平均分子量が小さいと膜の屈曲性やめっき核付け薬液耐性（耐酸性）が低下する。また分子量が大きいとアルカリ剥離性やドライフィルムにした場合の貼り付け性が悪くなる。さらに、めっき核付け薬液耐性向上やレーザー加工時の熱変形抑制、流動制御のために架橋点を導入してもよい。
【００７７】
モノマーやオリゴマーとしては、めっき核付け薬液への耐性やアルカリで容易に除去できるようなものであれば何でも良い。またドライフィルム（ＤＦＲ）の貼り付け性を向上させるために粘着性付与材として可塑剤的に用いることが考えられる。さらに各種耐性をあげるために架橋剤を添加することが考えられる。具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類がある。また酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等がある。また上記の重合性不飽和基を分子中に１個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらに、多官能性不飽和化合物を含んでも良い。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。上記のモノマー以外に他の光重合性モノマーを２種類以上含むことも可能である。モノマーの例としては、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、またポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等のポリオキシアルキレングリコールジ（メタ）アクリレート、２−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパンジ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−メタクリロキシペンタエトキシフェニル）プロパン、ウレタン基を含有する多官能（メタ）アクリレート等がある。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。
【００７８】
フィラーは特に限定されないが、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、クレー、カオリン、酸化チタン、硫酸バリウム、アルミナ、酸化亜鉛、タルク、マイカ、ガラス、チタン酸カリウム、ワラストナイト、硫酸マグネシウム、ホウ酸アルミニウム、有機フィラー等が挙げられる。また、レジストの好ましい厚みは、０．１〜１０μｍと薄いため、フィラーサイズも小さいものが好ましい。平均粒径が小さく、粗粒をカットしたものを用いることが良いが、分散時に砕いたり、ろ過で粗粒を除去することもできる。
【００７９】
その他の添加剤として、光重合性樹脂（光重合開始剤）、重合禁止剤、着色剤（染料、顔料、発色系顔料）、熱重合開始剤、エポキシやウレタンなどの架橋剤等が挙げられる。
【００８０】
次に説明する回路パターン形成工程では、樹脂皮膜２は、レーザー加工等されるため、レジスト材料にレーザーによるアブレーション性を付与することが必要である。レーザー加工機は、例えば、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザーなどが選定される。これらのレーザー加工機は種々の固有の波長を持っており、この波長に対してＵＶ吸収率の高い材料を選定することで、生産性を向上させることができる。そのなかでもＵＶ−ＹＡＧレーザーは微細加工に適しており、レーザー波長は３倍高調波３５５ｎｍ、４倍高調波２６６ｎｍであるため、レジスト材料（樹脂皮膜２の材料）としては、これらの波長に対して、ＵＶ吸収率が相対的に高いことが望ましい。ＵＶ吸収率が高くなるほど、レジスト（樹脂皮膜２）の加工がきれいに仕上がり、生産性の向上が図れる。もっとも、これに限らず、ＵＶ吸収率の相対的に低いレジスト材料を選定するほうがよい場合もあり得る。ＵＶ吸収率が低くなるほど、ＵＶ光がレジスト（樹脂皮膜２）を通過するので、その下の絶縁基材１の加工にＵＶエネルギーを集中させることができ、例えば絶縁基材１が加工し難い材料である場合等に特に好ましい結果が得られる。このように、レジスト（樹脂皮膜２）のレーザー加工のし易さ、絶縁基材１のレーザー加工のし易さ、及びこれらの関係等に応じて、レジスト材料を設計することが好ましい。
【００８１】
＜回路パターン形成工程＞
次に、図２Ｂに示すように、樹脂皮膜２の外表面側から該樹脂皮膜２の厚み以上の所定の深さ及び所定の形状を有する溝３ａ及び孔３ｂを形成することにより回路パターンとしての回路用凹部３を絶縁基材１の表面に形成する。回路用凹部３は、切削加工や型押加工等の機械加工によって形成可能であるが、レーザー加工により形成されると好ましい結果が得られる。また、回路用凹部３の溝３ａは、配線部６ａの回路用凹部であり、回路用凹部３の孔３ｂは、パッド部６ｂの回路用凹部である。また、状況に応じて、回路用凹部３は、層間接続用のビアを含んでもよい。
【００８２】
回路用凹部３における配線部６ａの回路用凹部３ａの幅は特に限定されない。ただし、レーザー加工を用いた場合には、線幅２０μｍ以下のような微細な溝も容易に形成できる。また、回路用凹部３におけるパッド部６ｂの回路用凹部３ｂの縦横の長さも特に限定されない。なお、図１には、パッド部６ｂの平面視での形状が四角形の場合を示しているが、これに限られず、他の形状でも構わない。
【００８３】
回路用凹部３を形成する方法は特に限定されない。具体的には、レーザー加工、ダイシング加工等による切削加工、型押加工等が用いられる。高精度の微細な回路用凹部３を形成するためには、レーザー加工が好ましい。レーザー加工によれば、レーザーの出力（エネルギー又はパワー）を制御することにより、樹脂皮膜２を貫通して絶縁基材１の掘り込み深さ等を容易に調整することができる。また、型押加工としては、例えば、ナノインプリントの分野において用いられるような微細樹脂型による型押加工が好ましく用いられ得る。
【００８４】
このように所定の回路用凹部３を形成することにより、後に無電解メッキ膜が付与されて電気回路６が形成される部分が規定される。
【００８５】
レーザー加工により回路用凹部３を形成する場合、配線部６ａの回路用凹部３ａは、レーザー光を回路パターンに沿って１回だけ走らせれば１本の溝が形成できる。しかし、図１（ａ）から明らかなように、パッド部６ｂは配線部６ａよりも幅が広く面積が大きいので、レーザー光を複数回走らせることでパッド部６ｂの回路用凹部３ｂを形成することができる。本実施形態では、図１及び図２から明らかなように、レーザー光を平行に複数回直線状に走らせたことで平面視で四角形状のパッド部６ｂを形成している。その結果、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面に、レーザー光を走らせた痕跡として、平面視で直線状の微細凹部が複数本形成されている。その結果、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面には複数の凹凸ができている。そして、このパッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面の微細凹部（複数の凹凸）により、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面の表面粗さが配線部６ａの回路用凹部３ａの底面の表面粗さよりも大きくなっている。つまり、配線部６ａにおいては、レーザー光を回路パターンに沿って１回走らせるだけなので、配線部６ａの回路用凹部３ａの底面には凹凸ができていない。その場合に、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面の十点平均粗さ（ＲｚＰＢ）と配線部６ａの回路用凹部３ａの底面の十点平均粗さ（ＲｚＬＢ）との比（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）は、２以上（（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）≧２）が好ましく、５以上（（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）≧５）がより好ましく、１０以上（（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）≧１０）がさらに好ましいことは前述した通りである。
【００８６】
そして、後に行うメッキ工程で、回路用凹部３を無電解メッキでなる導体５で充填することにより回路６を形成するので、この無電解メッキのメッキ膜が回路用凹部３の底面から成長していくことで、導体５の表面形状は回路用凹部３の底面の形状を追従することになる。したがって、パッド部６ｂの導体５の表面形状は、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面の形状を追従してそれを反映したものとなる。その結果、パッド部６ｂの導体５の表面には、平面視で直線状の微細凹部が複数本形成される。その結果、パッド部６ｂの導体５の表面には複数の凹凸ができる。そして、このパッド部６ｂの導体５の表面の微細凹部（複数の凹凸）により、パッド部６ｂの導体５の表面粗さが配線部６ａの導体５の表面粗さよりも大きくなっている。つまり、配線部６ａにおいては、回路用凹部３ａの底面に凹凸ができていないので、配線部６ａの導体５の表面にも凹凸ができない。その場合に、パッド部６ｂの導体５の表面の十点平均粗さ（ＲｚＰＴ）と配線部６ａの導体５の表面の十点平均粗さ（ＲｚＬＴ）との比（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）は、２以上（（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）≧２）が好ましく、５以上（（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）≧５）がより好ましく、１０以上（（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）≧１０）がさらに好ましいことは前述した通りである。さらに、導体５が回路用凹部３の底面の形状を追従するときは、導体５の表面の十点平均粗さ（ＲｚＴ）と回路用凹部３の底面の十点平均粗さ（ＲｚＢ）との比（ＲｚＴ／ＲｚＢ）は、０．１以上かつ２．０以下（０．１≦（ＲｚＴ／ＲｚＢ）≦２．０）が好ましく、０．５以上かつ１．２以下（０．５≦（ＲｚＴ／ＲｚＢ）≦１．２）がより好ましいことも前述した通りである。
【００８７】
一方、ダイシング加工等による切削加工や、ナノインプリントを用いた型押加工等では、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面の表面粗さが配線部６ａの回路用凹部３ａの底面の表面粗さよりも大きくなるするように、それぞれ機械的に切削加工をし、あるいは型を予め製作しておいてその型を用いればよい。そして、前記無電解メッキ条件で無電解メッキを行えばよい。
【００８８】
＜触媒被着工程＞
次に、図２Ｃに示すように、絶縁基材１に形成された回路用凹部３の表面及び絶縁基材１を被覆する樹脂皮膜２の表面全体にメッキ触媒４を被着させる。つまり、回路用凹部３が形成された表面及び回路用凹部３が形成されなかった表面の全体にメッキ触媒４を被着させるのである。ここで、メッキ触媒４は、その前駆体を含む概念である。
【００８９】
メッキ触媒４は、後述するメッキ工程において無電解メッキ膜を形成したい部分のみに無電解メッキ膜を形成させるために予め付与される触媒である。メッキ触媒４としては、無電解メッキ用の触媒として知られたものであれば特に限定なく用いられ得る。また、予めメッキ触媒４の前駆体を被着させ、樹脂皮膜２の除去後にメッキ触媒４を生成させてもよい。メッキ触媒４の具体例としては、例えば、金属パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等の他、これらを生成させるような前駆体等が挙げられる。
【００９０】
メッキ触媒４を被着させる方法としては、例えば、ｐＨ１〜３の酸性条件下で処理される酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法が挙げられる。より具体的には次のような方法が挙げられる。
【００９１】
はじめに、回路用凹部３が形成された絶縁基材１の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液（クリーナー・コンディショナー）中で所定の時間湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、ｐＨ１〜２の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度０．１％程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して絶縁基材１の表面に塩化物イオンを吸着させるプリディップ処理を行う。その後、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む、ｐＨ１〜３の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド等の酸性触媒金属コロイド溶液にさらに浸漬することによりＰｄ及びＳｎを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応（ＳｎＣｌ２＋ＰｄＣｌ２→ＳｎＣｌ４＋Ｐｄ↓)を起こさせる。これによりメッキ触媒４である金属パラジウムが析出する。
【００９２】
なお、酸性触媒金属コロイド溶液としては、公知の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性触媒金属コロイド溶液を用いた市販のメッキプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム＆ハース電子材料社からシステム化されて販売されている。
【００９３】
このような触媒被着処理により、図２Ｃに示したように、樹脂皮膜２の表面及び回路用凹部３の表面にメッキ触媒４を被着させることができる。
【００９４】
＜皮膜除去工程＞
次に、図２Ｄに示すように、樹脂皮膜２を所定の液体で膨潤または溶解させて除去する。つまり、樹脂皮膜２が可溶型の樹脂でなる場合は、有機溶剤やアルカリ溶液を用いて樹脂皮膜２を溶解し、絶縁基材１の表面から除去する。また、樹脂皮膜２が膨潤性の樹脂でなる場合は、所定の液体を用いて樹脂皮膜２を膨潤させ、絶縁基材１の表面から剥離して除去する。この工程によれば、樹脂皮膜２を除去することにより、図２Ｄに示したように、回路用凹部３の表面（配線部６ａの回路用凹部３ａの底面及びパッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面を含む）のみにメッキ触媒４を残すことができる。
【００９５】
この皮膜除去工程によれば、絶縁基材１において回路用凹部３が形成された部分の表面のみにメッキ触媒４を残留させることができる。一方、樹脂皮膜２の表面に被着されたメッキ触媒４は、樹脂皮膜２と共に絶縁基材１から除去される。ここで、絶縁基材１から除去されたメッキ触媒４が飛散して絶縁基材１の表面に再被着することを防ぐ観点から、樹脂皮膜２は、絶縁基材１から除去されるときにバラバラに崩壊することなく全体が連続したまま除去され得るものが好ましい。
【００９６】
樹脂皮膜２を溶解又は膨潤させる液体としては、絶縁基材１及びメッキ触媒４を実質的に分解や溶解させることなく、樹脂皮膜２が容易に絶縁基材１から溶解除去又は剥離除去され得る程度に溶解又は膨潤させ得る液体であれば特に限定なく用いられ得る。このような樹脂皮膜除去用液体は、樹脂皮膜２の種類や厚み等により適宜選択され得る。具体的には、例えば、レジスト樹脂として、光硬化性エポキシ樹脂を用いた場合には、有機溶剤、又はアルカリ水溶液のレジスト除去剤等が用いられる。また、例えば、樹脂皮膜２がジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されている場合、あるいは、樹脂皮膜２として、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と、（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物である場合、あるいは、前述のカルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されている場合には、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液が好ましく用いられ得る。
【００９７】
なお、触媒被着工程において上述したような酸性条件で処理するメッキプロセスを用いた場合には、樹脂皮膜２が、酸性条件下においては膨潤度が６０％以下、好ましくは４０％以下であり、アルカリ性条件下では膨潤度が５０％以上であるような、例えば、ジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されていること、あるいは、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と、（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体と、を重合させることで得られる重合体樹脂、又はこの重合体樹脂を含む樹脂組成物から形成されていること、あるいは、前述のカルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されていることが好ましい。このような樹脂皮膜は、ｐＨ１１〜１４、好ましくはｐＨ１２〜１４であるようなアルカリ水溶液、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等に浸漬等することにより、容易に溶解又は膨潤し、溶解除去又は剥離除去される。なお、溶解性又は剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射してもよい。また、必要に応じて軽い力で引き剥がすことにより除去してもよい。
【００９８】
樹脂皮膜２を除去させる方法としては、例えば、樹脂皮膜除去用液体に、樹脂皮膜２で被覆された絶縁基材１を所定の時間浸漬する方法等が挙げられる。また、溶解除去性又は剥離除去性を高めるために、浸漬中に超音波照射すること等が特に好ましい。なお、剥離除去又は溶解除去し難い場合等には、例えば、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。
【００９９】
＜メッキ工程＞
次に、図２Ｅに示すように、皮膜除去された絶縁基材１に無電解メッキを施す。絶縁基材１に無電解メッキを施すことにより、メッキ触媒４が残留する回路用凹部３に無電解メッキ膜が形成し、回路用凹部３が無電解メッキでなる導体５で充填されて、絶縁基材１の表面に電気回路６が形成される。このような無電解メッキ処理により、回路用凹部３が形成された部分のみに精度よく無電解メッキ膜が析出し、回路パターンに従って電気回路６が形成される。
【０１００】
そして、このとき、メッキ触媒４は、配線部６ａの回路用凹部３ａの底面及びパッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面にも残留しているので、無電解メッキのメッキ膜は、これらの配線部６ａの回路用凹部３ａの底面及びパッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面からも成長する。したがって、無電解メッキでなる導体５の表面形状が回路用凹部３の底面の形状を追従してそれを反映したものとなる。その結果、パッド部６ｂの導体５の表面には、平面視で直線状の微細凹部が複数本形成されて、複数の凹凸ができる。一方、配線部６ａの導体５の表面には、そのような微細凹部が形成されず、凹凸ができない。
【０１０１】
無電解メッキ処理の方法としては、部分的にメッキ触媒４が被着された絶縁基材１を無電解メッキ液に浸漬して、メッキ触媒４が被着された部分のみに無電解メッキ膜を析出させるような方法が用いられ得る。
【０１０２】
無電解メッキに用いられる金属としては、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。これらのうちでは、Ｃｕを主成分とするメッキが導電性に優れている点から好ましい。また、Ｎｉを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。
【０１０３】
無電解メッキ膜の膜厚は、特に限定されない。具体的には、例えば、０．１〜１０μｍ、さらには１〜５μｍ程度であることが好ましい。
【０１０４】
メッキ工程により、絶縁基材１の表面のメッキ触媒４が残留する部分のみに無電解メッキ膜が析出する。そのために、電気回路６を形成したい部分のみに精度よく無電解メッキでなる導体５を形成することができる。一方、回路用凹部３を形成していない部分に対する無電解メッキ膜の析出を抑制することができる。したがって、狭いピッチ間隔で線幅が狭いような微細な配線部６ａを複数本形成するような場合でも、隣接する配線部６ａ間に不要なメッキ膜が残らない。そのために、短絡の発生やマイグレーションの発生を抑制することができる。
【０１０５】
このようなメッキ工程により、絶縁基材１の表面のレーザー加工された部分のみに無電解メッキ膜を析出させることができる。これにより、絶縁基材１の表面に埋め込み回路６が形成される。そして、このメッキ工程において、回路用凹部３を無電解メッキでなる導体５で充填することにより電気回路６を形成するので、この無電解メッキのメッキ膜が回路用凹部３の底面から成長していくことで、導体５の表面形状は回路用凹部３の底面の形状を追従することになり、したがって、パッド部６ｂの導体５の表面形状は、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面の形状を追従してそれを反映したものとなり、配線部６ａの導体５の表面形状は、配線部６ａの回路用凹部３ａの底面の形状を追従してそれを反映したものとなって、結果として、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面の表面粗さが配線部６ａの回路用凹部３ａの底面の表面粗さよりも大きくなっていることに連動して、パッド部６ｂの導体５の表面粗さが配線部６ａの導体５の表面粗さよりも大きくなるのである。
【０１０６】
このような工程を経て、図１に示したような、絶縁基材１の表面に、配線部６ａとパッド部６ｂとを有する埋め込み型の電気回路６が設けられた回路基板１０が製造される。そして、この回路基板１０においては、配線部６ａとパッド部６ｂとで導体５の表面粗さが相互に異なり、特にパッド部６ｂの導体５の表面粗さが配線部６ａの導体５の表面粗さよりも大きくされている。その結果、図３に示すように、パッド部６ｂにおいては、導体５の表面粗さが相対的に大きいから、パッド部６ｂに半導体チップ等の部品２０を実装するときの半田の密着性が向上して、回路基板１０への部品２０の実装性が向上する。また、配線部６ａにおいては、導体５の表面粗さが相対的に小さいから、配線の断面積がほぼ一定となり、信号の伝送速度が安定する。つまり、回路基板１０への部品実装性の向上と信号伝送速度の安定との両立が図られる。図３において、符号３０は、回路基板１０に部品２０が実装された半導体装置である。
【０１０７】
次に、図４を参照して、回路基板１０のパッド部６ｂの変形例をいくつか説明する。図４（ａ）は、パッド部６ｂの導体５の表面に、平面視で直線状の微細凹部を形成する代わりに、平面視で格子状の微細凹部を形成した場合を示している。この場合、回路パターン形成工程において、レーザー加工、ダイシング加工等による切削加工、あるいはナノインプリントを用いた型押加工等により、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂを形成するときに、該回路用凹部３ｂの底面に平面視で格子状の微細凹部が形成される。そして、無電解メッキ膜の成長により、その底面形状を追従し反映した導体５の表面形状（格子状の微細凹部）が得られたものである。
【０１０８】
同様に、図４（ｂ）は、パッド部６ｂの導体５の表面に、平面視で相互に径の異なる複数の環状微細凹部を同心円状に形成した場合を示している。この場合、パッド部６ｂの平面視での形状は円形となる。図４（ｃ）は、パッド部６ｂの導体５の表面に、平面視でドット状の微細凹部を多数並べて形成した場合を示している。この他に、平面視で、曲線状、渦巻き状、千鳥状等の微細凹部を形成してもよく、あるいは、これらの形状を組み合わせることにより、回路パターン形成工程において、レーザー加工、ダイシング加工等による切削加工、あるいはナノインプリントを用いた型押加工等により、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂを形成してもよい。
【０１０９】
以上の実施形態では、電気回路６における配線部６ａとパッド部６ｂとで導体５の表面粗さを相互に異ならせたもののうち、パッド部６ｂの導体５の表面粗さを配線部６ａの導体５の表面粗さよりも大きくした場合について説明したが、この他に、パッド部６ｂの導体５の表面粗さを配線部６ａの導体５の表面粗さよりも小さくした場合も本発明の範囲に含まれる。その場合は、パッケージ化するときの樹脂封止材の流動性低下を抑制することができ、ボイド等のない良好なパッケージが得られるという利点がある。
【０１１０】
また、以上の実施形態では、電気回路６における配線部６ａとパッド部６ｂとで回路用凹部３の底面の表面粗さを相互に異ならせたもののうち、パッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面の表面粗さを配線部６ａの回路用凹部３ａの底面の表面粗さよりも大きくした場合について説明したが、この他に、配線部６ａの回路用凹部３ａの底面の表面粗さをパッド部６ｂの回路用凹部３ｂの底面の表面粗さよりも大きくした場合も本発明の範囲に含まれる。その場合は、配線部６ａにおいて、導体５の絶縁基材１への接合強度に優れ、配線部６ａの導体５の絶縁基材１からの脱落が抑制されるという利点がある。
【０１１１】
一般に、図２に例示した本実施形態に係る回路基板１０の製造方法と、図５に例示したＣＭＰ処理による回路形成技術とを比較すると、本実施形態に係る回路基板１０の製造方法では、ＣＭＰ処理による回路形成技術で行うような研磨処理をしないので（換言すれば、導体５が回路用凹部３の底面から成長し、回路用凹部３の底面の形状を追従し、反映したまま残しているので）、電気回路６において全体的に導体５の厚みにバラツキができず、信頼性が保たれる。これに対し、ＣＭＰ処理による回路形成技術では研磨処理を行うので、電気回路６において導体５の厚みにバラツキができ、回路用凹部３の底面の位置の低い部分では導体５の厚みの厚い部分となり、回路用凹部３の底面の位置の高い部分では導体５の厚みの薄い部分となって、信頼性が低下する。さらに、研磨処理を行う結果、導体５が削除されてしまって、回路用凹部３の底面の位置の高い部分が露出し、パッド部６ｂであれば部品２０が実装できなくなる可能性、配線部６ａであれば信号の伝送ができなくなる可能性もある。
【０１１２】
以下、本発明を実施例を通してさらに具体的に説明する。なお、本発明の範囲は、以下の実施例により何ら限定されて解釈されるものではない。
【実施例】
【０１１３】
＜樹脂皮膜形成工程＞
厚み１００μｍのエポキシ樹脂基材（パナソニック電工（株）製の「Ｒ１７６６」）の表面に２μｍ厚のスチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）の被膜を形成した。なお、被膜の形成は、前記エポキシ樹脂基材の主面に、スチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）サスペンジョン（日本ゼオン社製、酸当量８００、粒子径２００ｎｍ、固形分１５％）を塗布し、８０℃で３０分間乾燥することにより行った。
【０１１４】
＜回路パターン形成工程＞
次に、被膜が形成されたエポキシ樹脂基材に対して、レーザー加工により、幅２０μｍ、深さ３０μｍの配線部と、所定の幅及び深さのパッド部とを有する回路用凹部を形成した。なお、レーザー加工にはＵＶ−ＹＡＧレーザーを備えたＥＳＩ社製のＭＯＤＥＬ５３３０を用いた。そして、得られたパッド部の回路用凹部の底面の十点平均粗さ（ＲｚＰＢ）及び得られた配線部の回路用凹部の底面の十点平均粗さ（ＲｚＬＢ）を求めたところ、いずれ（ＲｚＰＢ，ＲｚＬＢ）も、０．０１〜１００μｍの範囲内にあった。また、（ＲｚＰＢ）と（ＲｚＬＢ）との比（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）を求めたところ、２以上（（ＲｚＰＢ／ＲｚＬＢ）≧２）あった。
【０１１５】
＜触媒被着工程＞
次に、回路用凹部が形成されたエポキシ樹脂基材をクリーナー・コンディショナー（界面活性剤溶液、ｐＨ＜１：ローム＆ハース電子材料社製「Ｃ／Ｎ３３２０」）中に浸漬し、その後、水洗した。そして、過硫酸ナトリウム−硫酸系のｐＨ＜１のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理した。そして、ＰＤ４０４（シプレイ・ファーイースト社製、ｐＨ＜１）を用いてプリディップ工程を行った。そして、塩化第一錫と塩化パラジウムを含むｐＨ１の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液「ＣＡＴ４４」（シプレイ・ファーイースト社製）に浸漬することにより、無電解銅メッキの核となるパラジウムをスズ−パラジウムコロイドの状態でエポキシ樹脂基材に吸着させた。そして、ｐＨ＜１のアクセラレータ薬液「ＡＣＣ１９Ｅ」（シプレイ・ファーイースト社製）に浸漬することにより、パラジウム核を発生させた。
【０１１６】
＜皮膜除去工程＞
次に、エポキシ樹脂基材を、ｐＨ１４の５％水酸化ナトリウム水溶液中に超音波処理しながら１０分間浸漬した。これにより、表面のＳＢＲ被膜は膨潤し、きれいに剥離された。このとき、エポキシ樹脂基材表面にＳＢＲ被膜の断片等が残っていなかった。
【０１１７】
＜メッキ工程＞
次に、エポキシ樹脂基材を無電解メッキ液（ＣＭ３２８Ａ，ＣＭ３２８Ｌ、ＣＭ３２８Ｃ、シプレイ・ファーイースト社製）に浸漬させて無電解銅メッキ処理を行った。無電解銅メッキ処理により、厚み３〜５μｍの無電解銅メッキ膜が析出した。無電解銅メッキ処理されたエポキシ基材表面をＳＥＭ（走査型顕微鏡）により観察したところ、回路用凹部が形成された部分のみに、正確に無電解銅メッキ膜が埋め込み形成されていた。そして、得られたパッド部の無電解銅メッキ膜の表面の十点平均粗さ（ＲｚＰＴ）及び得られた配線部の無電解銅メッキ膜の表面の十点平均粗さ（ＲｚＬＴ）を求めたところ、いずれ（ＲｚＰＴ，ＲｚＬＴ）も、０．０１〜１００μｍの範囲内にあった。また、（ＲｚＰＴ）と（ＲｚＬＴ）との比（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）を求めたところ、２以上（（ＲｚＰＴ／ＲｚＬＴ）≧２）あった。さらに、得られた無電解銅メッキ膜の表面の十点平均粗さ（ＲｚＴ）と回路用凹部の底面の十点平均粗さ（ＲｚＢ）との比（ＲｚＴ／ＲｚＢ）を求めたところ、０．１以上かつ２．０以下（０．１≦（ＲｚＴ／ＲｚＢ）≦２．０）の範囲内にあった。
【符号の説明】
【０１１８】
１    絶縁基材
２    樹脂皮膜
３    回路用凹部
３ａ  配線部の回路用凹部
３ｂ  パッド部の回路用凹部
４    メッキ触媒
５    導体
６    電気回路
６ａ  配線部
６ｂ  パッド部
１０  回路基板
２０  部品
３０  半導体装置
【図１】
2011100778.tif 000003
【図２】
2011100778.tif 000004
【図３】
2011100778.tif 000005
【図４】
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【図５】
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