【事件の表示】
　特願２０１２−　９６１６２「圧電素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１０月３１日出願公開、特開２０１３−２２５５４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年４月２０日の出願であって、平成２６年９月１８日付けで審査請求がなされ、平成２７年７月１４日付けで拒絶理由が通知され、同年９月２４日付けで意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたが、同年１１月２４日付けで拒絶査定がなされたものである。
　これに対して、平成２８年２月２９日付けで審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
第２　平成２８年２月２９日付けの手続補正についての却下の決定
［補正却下の結論］
　平成２８年２月２９日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　平成２８年２月２９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により補正された特許請求の範囲の請求項６に係る記載は次のとおりである。（なお、下線は、補正の箇所を示すものとして審判請求人が付加したものである。）
「基板上に少なくとも電極
を有し
の表面
を有する
　
前記電極の表面は、白金からなり、
　
前記基板の表面は、粗面化された表面を有し、かつ、
　
前記電極の表面は、粗面化された表面を有すること
　
を特徴とする圧電素子。
（２）補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の特許請求の範囲の請求項６に係る記載は次のとおりである。
「基板上に少なくとも電極が形成され、前記電極上に該電極とは異なる配向方向を有する圧電薄膜が形成された圧電素子であって、
　前記基板の表面が粗面化されていることにより、前記電極の表面が粗面化されていることを特徴とする圧電素子。」
２　補正の適否について
（１）補正の目的について
　補正後の請求項６に係る発明は、補正前の請求項６に係る発明に対応し、補正後の請求項６に係る発明は、補正前の請求項６に係る発明に次の補正がなされたものである。
（ａ）補正前の請求項６の「前記電極上に該電極とは異なる配向方向を有する圧電薄膜」を「前記電極
の表面
前記電極の表面は、白金からなり
（ｂ）補正前の請求項６の「基板上に少なくとも電極が形成され、」を「基板上に少なくとも電極
を有し
を有する
前記基板の表面は、粗面化された表面を有し、かつ、前記電極の表面は、粗面化された表面を有すること
　補正事項（ａ）について検討すると、補正事項（ａ）により加えられた部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項（ａ）は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項（ａ）は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項（ａ）は、補正前の「前記電極上に該電極とは異なる配向方向を有する圧電薄膜」について、異なる配向方向を有する圧薄電膜が、補正前は「電極上」とあるのを「電極の表面」に限定するものであり、また、補正前の「電極の表面」について、「電極の表面は、白金からなり」と限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そうすると、補正事項（ａ）は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり、また、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後の請求項６に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
（２）進歩性について
　補正後の請求項６に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）は、手続補正書によって補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、上記［理由］１の「（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載」の請求項６に記載された事項により特定されるとおりのものである。
（ａ）各引用例について
（ａ−１）引用例１について
（ア）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００５−２９５７８６号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。（なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。）
「【０００２】
　
電圧を印加することにより変位する圧電素子を具備するアクチュエータ装置は、例えば、液滴を噴射する液体噴射ヘッド等に搭載される。
に独立するように圧電素子を形成したものがある。」
「【００２５】
　ここで、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図３〜図６を参照して説明する。なお、図３〜図６は、圧力発生室１２の長手方向の断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、
シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１を形成する。
【００２６】
　次いで、図３（ｂ）に示すように、
弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。
ジルコニウム層の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１〜３ｎｍとなるように制御し、好ましくは１．５ｎｍ以上、さらに好ましくは２．０ｎｍより大きくなるように制御する。
【００２７】
　
さらに、ジルコニウム層は、その表面の（００２）面配向度が８０％以上となっていることが好ましい。
【００２８】
　そして、このようにジルコニウム層の表面粗さＲａを１〜３ｎｍの範囲内とするためには、ジルコニウム層を形成する際のスパッタ出力を５００Ｗ以下とすることが好ましい。また、スパッタ温度は常温（約２３〜２５℃）とすることが好ましい。さらに、スパッタ圧力は０．５Ｐａ以上とするのが好ましい。また、ターゲット間隔（ターゲットと基板との間の距離）を１００ｍｍ以下とするのが好ましい。このように成膜条件を適宜選択してジルコニウム層を形成することにより、ジルコニウム層の表面粗さＲａを１〜３ｎｍの範囲内に制御することができ、また同時に（００２）面配向度を８０％以上とすることができる。
【００２９】
　このように
ジルコニウム層を形成した後は、このジルコニウム層を熱酸化して酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する
絶縁体膜５５の表面粗さＲａが１〜３ｎｍの範囲内となるように形成する。
【００３０】
　これにより、結晶状態が良好な絶縁体膜５５が得られ、その絶縁体膜５５の表面粗さＲａが１〜３ｎｍの範囲内となる。すなわち、絶縁体膜５５を構成する酸化ジルコニウムの結晶が略均一に成長して下面から上面まで連続的な柱状結晶となることで、表面粗さＲａが１〜３ｎｍの範囲内と比較的粗くなる。
【００３１】
　次いで、図３（ｃ）に示すように、例えば、
少なくとも白金とイリジウムとからなる下電極膜６０を絶縁体膜５５の全面にスパッタ法等により形成後、下電極膜６０を所定形状にパターニングする。
【００３２】
　次に、図３（ｄ）に示すように、
下電極膜６０及び絶縁体膜５５上に、チタン（Ｔｉ）をスパッタ法、例えば、ＤＣスパッタ法で２回以上、本実施形態では２回塗布することにより所定の厚さで連続する種チタン層６５を形成する。この種チタン層６５の膜厚は、１ｎｍ〜８ｎｍの範囲内となるように形成するのが好ま
【００３３】
　ここで、種チタン層６５を形成する際のスパッタ条件は特に限定されないが、スパッタ圧力は、０．４〜４．０Ｐａの範囲内であるのが好ましい。また、スパッタ出力は５０〜１００Ｗとするのが好ましく、スパッタ温度は常温（約２３〜２５℃）〜２００℃の範囲内とするのが好ましい。さらに、パワー密度は１〜４ｋＷ／ｍ２程度とすることが好ましい。また、上述したように、ここではチタンを２回塗布することで、次工程で形成する圧電体層７０の結晶の核となる種チタンを多数形成することができる。
【００３４】
　次に、このように形成した
種チタン層６５上に、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる圧電体層７０を形成する。
【００３５】
　圧電体層７０の形成手順としては、まず、図４（ａ）に示すように、種チタン層６５上にＰＺＴ前駆体膜である圧電体前駆体膜７１を成膜する。すなわち、流路形成基板用ウェハ１１０上に金属有機化合物を含むゾル（溶液）を塗布する。次いで、圧電体前駆体膜７１を、所定温度に加熱して一定時間乾燥させ、ゾルの溶媒を蒸発させることで圧電体前駆体膜７１を乾燥させる。さらに、大気雰囲気下において一定の温度で一定時間、圧電体前駆体膜７１を脱脂する。なお、ここでいう脱脂とは、圧電体前駆体膜７１に含まれる有機成分を、例えば、ＮＯ２、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ等として離脱させることである。
【００３６】
　そして、このような塗布・乾燥・脱脂の工程を、所定回数、例えば、本実施形態では、２回繰り返すことで、図４（ｂ）に示すように、圧電体前駆体膜７１を所定厚に形成し、この圧電体前駆体膜７１を拡散炉で加熱処理することによって結晶化させて圧電体膜７２を形成する。すなわち、圧電体前駆体膜７１を焼成することで種チタン層６５を核として結晶が成長して圧電体膜７２が形成される。例えば、本実施形態では、約７００℃で３０分間加熱を行って圧電体前駆体膜７１を焼成して圧電体膜７２を形成した。
なお、このように形成した圧電体膜７２の結晶は（１００）面に優先配向する。
【００３７】
　さらに、上述した塗布・乾燥・脱脂・焼成の工程を、複数回繰り返すことにより、図４（ｃ）に示すように、複数層、本実施形態では、５層の圧電体膜７２からなる所定厚さの圧電体層７０を形成する。例えば、ゾルの塗布１回あたりの膜厚が０．１μｍ程度の場合には、圧電体層７０全体の膜厚は約１μｍとなる。
【００３８】
　以上のような工程で圧電体層７０を形成することにより、圧電体層７０の特性を向上させることができ且つ特性を安定させることができる。すなわち、
圧電体層７０の結晶性、例えば、配向度、強度、粒径等は、その下地の影響を受けやすく、その下地となる下電極膜６０及び絶縁体膜５５の表面粗さＲａが比較的粗い程、結晶性は向上する傾向にある
圧電体層７０の下地となる振動板を構成する最表層である絶縁体膜５５の表面粗さＲａを１〜３ｎｍの範囲内に制御することで、下電極膜６０の表面粗さＲａを１〜３ｎｍの範囲内に制御すると共にこの下電極膜６０上に形成される圧電体層７０の結晶性を向上させている。
（イ）引用例１発明
　上記（ア）の記載により引用例１には以下の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
「シリコンウェハの表面に二酸化シリコン膜を形成し、その上に酸化ジルコニウムからなる絶縁膜を形成する振動板上に、白金とイリジウムからなる下電極膜を形成し、下電極膜の表面に（１００）面に優先配向する圧電体層を有する圧電素子であって、
　下電極膜の表面は、種チタン層からなり、種チタン層の上にＰＺＴからなる圧電層を形成し、
　振動板の表面は最表層である絶縁体膜の表面粗さＲａを１〜３ｎｍとすることで、下電極膜の表面粗さＲａを１〜３ｎｍとすると共に、圧電体層の配向度、粒径等の結晶性を向上させること
　を特徴とする圧電素子。」
（ａ−２）引用例２について
（ア）引用例２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００４−１８６６４６号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
「【０００６】
ところが、上記方法では、下地基板としてＭｇＯ単結晶基板を用いるため、圧電素子が高価になってしまい、この
圧電素子
【０００７】
そこで、シリコン等の安価な基板の上にＰＺＴ等のペロブスカイト型圧電材料の（００１）面又は（１００）面結晶配向膜を形成する方法として、種々の工夫がなされている。例えば、特許文献２には、
（１１１）面に配向したＰｔ電極上に、ＰＺＴ又はランタンを含有したＰＺＴの前駆体溶液を塗布し、この前駆体溶液を結晶化させる前に、先ず４５０〜５５０℃で熱分解させ、その後５５０〜８００℃で加熱処理して結晶化させること（ゾル・ゲル法）により、ＰＺＴ膜の（１００）面優先配向膜が生成可能である
（イ）引用例２記載事項
　上記（ア）より、引用例２には、次の事項（以下、「引用例２記載事項」という。）が記載されていると認められる。
「圧電素子において、（１１１）面に配向したＰｔ電極上に、ＰＺＴ膜の（１００）面優先配向膜を生成すること。」
（ａ−３）引用例３について
（ア）引用例３の記載
　本願出願前に日本国内で頒布された刊行物である特許第３０２１９３０号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)またはランタン含有チタン酸ジルコン酸鉛(PLZT)からなる強誘電体薄膜の結晶配向性制御方法に関する。
ＰＺＴ薄膜
振動子
「【０００３】
【課題の解決手段：発明の構成】本発明によれば、ゾル−ゲル法によってＰＺＴ薄膜やＰＬＺＴ薄膜を形成する際に、原料溶液(前駆体溶液)を基板に塗布した後に施す熱処理の温度によりこれら薄膜の結晶配向性が異なることが見出された。本発明は上記知見に基づくものであり、原料溶液を基板に塗布した後の熱処理温度を調整することにより信頼性よくＰＺＴ薄膜およびＰＬＺＴ薄膜の結晶配向性を制御する方法を提供する。
具体的には、結晶面が（１１１）軸方向に配向した白金基板上にチタン酸ジルコン酸鉛またはランタン含有チタン酸ジルコン酸鉛の前駆体溶液を塗布し、加熱して強誘電体薄膜を形成する方法において、該前駆体溶液を基板上に塗布した後、まず所望の結晶配向をもたらす１５０〜５５０℃の温度範囲で熱処理を行い、その後５５０〜８００℃で焼成して結晶化させることにより、薄膜の結晶面を熱処理温度に従った特定軸方向に優先的に配向させることを特徴とする強誘電体薄膜の結晶配向性制御方法が提供される。
また本発明によれば、基板上に塗布した前駆体溶液を結晶化前に２５０〜３５０℃で熱分解させ、その後加熱して結晶化させることにより薄膜の結晶の（１１１）面と（１００）面を優先的に配向させるの強誘電体薄膜の結晶配向性制御方法が提供される。また本発明によれば、基板上に塗布した前駆体溶液を結晶化前に４５０〜５５０℃で熱分解させ、その後加熱して結晶化させることにより薄膜の結晶の（１００）面と（２００）面を優先的に配向させる強誘電体薄膜の結晶配向性制御方法が提供される。
【０００４】本発明の方法に使用される出発物質は、Pb,Zr,Ti,Laの有機酸塩、アルコキシド、β-ジケトン錯体等で、これらは当該技術分野においてよく知られており、均等的に使用できる。
本発明において、ＰＺＴ薄膜およびＰＬＺＴ薄膜を製造する基板としては結晶面が（１１１）軸方向に配向した白金板が好適に用いられる。
下部電極として利用するため導電性であることが必要であり
白金は板状のものに限らず、他の基板上に成膜した白金薄膜でも同じように用いることができる。
（イ）引用例３記載事項
　上記（ア）より、引用例３には、次の事項（以下、「引用例３記載事項」という。）が記載されていると認められる。
「チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）薄膜を用いた振動子において、
　基板上に成膜した下部電極として利用する、結晶面が（１１１）面に配向した白金薄膜上に、
　（１００）面と（２００）面を優先的に配向させたＰＺＴ膜を結晶化させること。」
（ｂ）対比・判断
（ア）本件補正発明と引用例１発明を対比する。
ａ．引用例１発明の「下電極」「圧電体層」「圧電素子」は、本件補正発明の「電極」「圧電薄膜」「圧電素子」に相当する。
ｂ．引用例１発明は「下電極膜の表面に（１００）面に優先配向する圧電体層を有」しているから、本件補正発明の「前記電極の表面に該電極とは異なる配向方向を有する圧電薄膜を有する」ことと、「前記電極
上
ｃ．引用例１発明の「振動板」は、「振動板」上に「下電極膜」を形成し、また、「振動板」の表面は最表層である絶縁体膜の表面粗さＲａを１〜３ｎｍとすることで粗面化されていると言えるから、それぞれ、本件補正発明の「基板」の、「基板上に少なくとも電極を有し」、また、「前記基板の表面は、粗面化された表面を有し」ていることに対応するから、引用例１発明の「振動板」は、本件補正発明の「基板」に相当する。
ｄ．引用例１発明の「下電極」は、表面粗さＲａを１〜３ｎｍとしているから、本件補正発明の「前記電極の表面は、粗面化された表面を有する」と同様の構成を有していると認められる。
ｅ．そうすると、本件補正発明と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
　基板上に少なくとも電極を有し、前記電極上に圧電薄膜を有する圧電素子であって、
　前記基板の表面は、粗面化された表面を有し、かつ、
　前記電極の表面は、粗面化された表面を有すること
　を特徴とする圧電素子。」
［相違点１］
　本件補正発明は、電極の表面に圧電薄膜を有しているのに対して、引用例１発明はそうなっていない点。
［相違点２］
　本件補正発明は、電極とは異なる配向方向を有する圧電薄膜を有しているのに対して、引用例１発明は電極と圧電薄膜の配向方向が異なるのか同じであるのか不明である点。
［相違点３］
　本件補正発明は、前記電極の表面は、白金からなっているのに対して、引用例１発明は、そうなっていない点。
（イ）判断
ａ．［相違点１］および［相違点３］について
　引用例２および３に記載されているように、圧電素子において、電極の表面に圧電薄膜を形成するとともに、その表面を白金とすることは、周知の技術である。
　引用例１発明において、該周知技術を採用し、電極の表面に圧電素子を有することとし、また、その際に、電極の表面を白金で構成するようにすることは、当業者が適宜為し得たものである。
ｂ．［相違点２］について
　圧電素子において、電極とその上の圧電薄膜との配向方向を異なる配向方向とすることは、引用例２および３に記載されているように、適宜行われている周知技術である。
　そして、引用例１発明において、圧電薄膜を電極とは異なる配向方向を有する圧電薄膜とすることは、当業者が適宜為し得たものである。
ｃ．本件補正発明の作用効果について
　本願明細書の発明の詳細な説明には、以下の記載がある。
「【００６０】
　〔５．粗面化の効果について〕
　以上のように、
電極としてのＰｔ層３ｂよりも下層にある基板１の表面を粗面化することによってＰｔ層３ｂの表面を粗面化するので、従来のように下層からＰｔ層３ｂ上に圧電薄膜４の構成元素と同じ元素の金属（例えばＴｉ）を析出させることなく、Ｐｔ層３ｂの表面を粗面化することができる。
【００６１】
　また、Ｐｔ層３ｂよりも下層の表面の粗面化は、上述したように、公知の手法（例えばＣＭＰ）によって容易に行うことができるので、Ｐｔ層上にヒロックを形成する従来の手法に比べて、Ｐｔ層３ｂの表面粗さ（表面形状）を容易に制御することができ、これによって圧電薄膜４の（１００）配向性およびペロブスカイト結晶性を高めることができる。
【００６２】
　したがって、（１１１）方向に配向するＰｔ層３ｂ上に、電極とは異なる（１００）方向の配向方向を有する圧電薄膜４を形成する場合でも、圧電薄膜４の（１００）配向性およびペロブスカイト結晶性を両方とも容易に満足させて、圧電特性を向上させることができる。
【００６３】
　また、
本実施形態では、Ｐｔ層３ｂの表面粗さＲＭＳが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下となるように、Ｐｔ層３ｂよりも下層の表面を粗面化している。Ｐｔ層３ｂの表面粗さＲＭＳが下限の１ｎｍを下回ると、Ｐｔ層３ｂの表面が平坦に近くなるため、図３で示したように、圧電薄膜４の（１００）配向性が低下する。つまり、圧電薄膜４が下層のＰｔ層３ｂに倣って（１１１）配向で成膜されやすくなり、圧電薄膜４を（１００）配向で成膜することが困難となる。逆に、Ｐｔ層３ｂの表面粗さＲＭＳが上限の１０ｎｍを上回ると、図３で示したように、圧電薄膜４のペロブスカイト結晶性が崩れて、良好な特性の圧電薄膜４を成膜することが困難となる。したがって、Ｐｔ層３ｂの表面粗さＲＭＳが上記範囲内であることにより、圧電薄膜４の（１００）配向性およびペロブスカイト結晶性を両立させて、良好な圧電特性を得ることができる。
【００６４】
　
また、本実施形態では、Ｐｔ層３ｂの下地となる基板１の表面を粗面化することで、Ｐｔ層３ｂの表面を粗面化しているので、基板１の粗面化された表面に倣う形でＰｔ層３ｂの表面を容易に粗面化することができる。特に、基板１の表面を、表面粗さＲＭＳが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下となるように粗面化することにより、基板１上に形成されるＰｔ層３ｂの表面粗さＲＭＳを、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下に容易に制御することができる。
【００６５】
　
なお、以上では、Ｐｔ層３ｂの下地の基板１として、Ｓｉ基板を用いた例について説明したが、Ｓｉ基板以外の基板を用いた場合でも、その基板上に電極を形成し、その電極とは異なる配向方向の圧電薄膜を成膜する際には、基板表面を所望の表面粗さとなるように研磨することにより、電極表面を粗面化して上述した効果を得ることができる。
　してみれば、本願明細書の上記の記載から、本件補正発明の「基板」は、Ｓｉ基板に限定されるものではなく、また、本件補正発明は、電極であるＰｔ層よりも下にある基板の表面を粗面化することによってＰｔ層の表面を粗面化（表面粗さＲＭＳを、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下）し、それにより、圧電薄膜を（１００）配向で成膜し、良好な圧電特性を得るものであると認められる。
　他方、引用例１発明は、振動板の表面は最表層である絶縁体膜の表面粗さＲａを１〜３ｎｍとすることで下電極膜の表面粗さＲａを１〜３ｎｍとし、下電極膜の表面粗さＲａを１〜３ｎｍとすることで、圧電層の配向度、粒径等の結晶性を向上させることにより圧電素子の特性を向上させているから、電極よりも下にある基板の表面を粗面化することによってＰｔ層の表面を粗面化し、それにより、圧電薄膜を（１００）を優先的に配向するよう成膜し、良好な圧電特性を得るものである点では、本件補正発明も、引用例１発明も作用効果が共通する。
　したがって、本件補正発明が奏する作用効果は格別のものとは認められない。
ｄ．小括
　よって、本件補正発明は、引用例１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（ｃ）進歩性についての結論
　したがって、本件補正発明は、引用例１乃至３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　「２　補正の適否について」で検討したとおり、本件補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　補正却下の決定を踏まえた検討
（１）本願発明
　平成２８年２月２９日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項６に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２７年９月２４日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項６に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「基板上に少なくとも電極が形成され、前記電極上に該電極とは異なる配向方向を有する圧電薄膜が形成された圧電素子であって、
　前記基板の表面が粗面化されていることにより、前記電極の表面が粗面化されていることを特徴とする圧電素子。」
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１および２には、上記「第２　［理由］２（２）（ａ）各引用例について」に記載したとおりの事項が記載されている。
（３）対比・判断
（ア）本願発明と引用例１発明を対比する。
ａ．引用例１発明の「下電極」「圧電体層」「圧電素子」は、本願発明の「電極」「圧電薄膜」「圧電素子」に相当する。
ｂ．引用例１発明は「下電極膜の表面に（１００）面に優先配向する圧電体層を有」しているから、本願発明の「前記電極上に該電極とは異なる配向方向を有する圧電薄膜を有する」ことと、「前記電極上に圧電薄膜を有する」点で共通する。
ｃ．引用例１発明の「振動板」は、「振動板」上に「下電極膜」を形成し、また、「振動板」の表面は最表層である絶縁体膜の表面粗さＲａを１〜３ｎｍとすることで、下電極膜の表面粗さＲａを１〜３ｎｍとしているから、これらは、本願発明の「基板」の、「基板上に少なくとも電極を有し」、また、「前記基板の表面が粗面化されていることにより、前記電極の表面が粗面化されていること」に相当するから、引用例１発明の「振動板」は、本願発明の「基板」に相当する。
ｄ．そうすると、本願発明と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「基板上に少なくとも電極が形成され、前記電極上に圧電薄膜が形成された圧電素子であって、
　前記基板の表面が粗面化されていることにより、前記電極の表面が粗面化されていることを特徴とする圧電素子」
［相違点１］
　本願発明は、電極とは異なる配向方向を有する圧電薄膜を有しているのに対して、引用例１発明は配向方向が異なるのか同じであるのか不明である点。
（イ）判断
ａ．［相違点１］について
　圧電素子において、電極とその上の圧電薄膜との配向方向を異なる配向方向とすることは、引用例２に記載されているように適宜行われている周知技術である。
　そして、引用例１発明において、圧電薄膜を電極とは異なる配向方向を有する圧電薄膜とすることは、当業者が適宜為し得たものである。
ｂ．本願発明の作用効果について
　上記「第２　２　（２）（イ）ｃ．本件補正発明の作用効果について」で検討したとおり、本願発明の奏する作用効果は格別のものとは認められない。
（ウ）小括
　よって、本願発明は、引用例１および２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１および２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。