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　特願２０１５−５００２７０「バイポーラトランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　８月２１日国際公開、ＷＯ２０１４／１２６１２０、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２６年２月１３日（国内優先権主張平成２５年２月１８日）を国際出願日とする出願であって、平成２７年８月５日付で審査請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、同年１０月１９日付で拒絶理由が通知され、同年１２月１８日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたが、平成２８年２月２６日付で拒絶査定がなされたものである。
　これに対して、平成２８年５月１８日付で審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
第２　補正の適否について
１　補正の内容
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　平成２８年５月１８日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）により補正された特許請求の範囲の記載は次のとおりである。（なお、下線は、補正の箇所を示すものとして審判請求人が付加したものである。）
「【請求項１】
　第１の導電型のサブコレクタ層と、
　前記サブコレクタ層に積層されたコレクタ層と、
　前記コレクタ層に積層され、前記第１の導電型と反対の導電型である第２の導電型のベース層と、
　前記ベース層に積層された前記第１の導電型のエミッタ層とを備え、
　前記コレクタ層は、
　前記第１の導電型の複数の第１の半導体層と、
　前記各第１の半導体層間にそれぞれ設けられた前記第２の導電型の複数の第２の半導体層と
　を備えることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
　　【請求項２】
　第１の導電型のサブコレクタ層と、
　前記サブコレクタ層に積層されたコレクタ層と、
　前記コレクタ層に積層され、前記第１の導電型と反対の導電型である第２の導電型のベース層と、
　前記ベース層に積層された前記第１の導電型のエミッタ層とを備え、
　前記コレクタ層は、
　前記第１の導電型の少なくとも一つの第１の半導体層と、
　前記少なくとも一つの第１の半導体層
のうち、いずれか一つの第１の半導体層
　を備えることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
　　【請求項３】
　前記第２の半導体層のキャリア濃度は第１の半導体層のキャリア濃度よりも小さいことを特徴とする請求項１または２に記載のバイポーラトランジスタ。
　　【請求項４】
　前記第２の半導体層のシートキャリア濃度の和が、１０９ｃｍ−２以上であり、１０１１ｃｍ−２よりも小さいことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のバイポーラトランジスタ。
　　【請求項５】
　前記第１の半導体層および第２の半導体層は、同一の半導体により形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のバイポーラトランジスタ。
　　【請求項６】
　前記エミッタ層と前記ベース層とがヘテロ接合を成し、前記エミッタ層のバンドギャップが前記ベース層のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のバイポーラトランジスタ。」
（２）補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の特許請求の範囲の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　第１の導電型のサブコレクタ層と、
　前記サブコレクタ層に積層されたコレクタ層と、
　前記コレクタ層に積層され、前記第１の導電型と反対の導電型である第２の導電型のベース層と、
　前記ベース層に積層された前記第１の導電型のエミッタ層とを備え、
　前記コレクタ層は、
　前記第１の導電型の複数の第１の半導体層と、
　前記各第１の半導体層間にそれぞれ設けられた前記第２の導電型の複数の第２の半導体層と
　を備えることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
【請求項２】
　第１の導電型のサブコレクタ層と、
　前記サブコレクタ層に積層されたコレクタ層と、
　前記コレクタ層に積層され、前記第１の導電型と反対の導電型である第２の導電型のベース層と、
　前記ベース層に積層された前記第１の導電型のエミッタ層とを備え、
　前記コレクタ層は、
　前記第１の導電型の少なくとも一つの第１の半導体層と、
　前記少なくとも一つの第１の半導体層中に挿入された前記第２の導電型の複数の第２の半導体層と
　を備えることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
　　【請求項３】
　前記第２の半導体層のキャリア濃度は第１の半導体層のキャリア濃度よりも小さいことを特徴とする請求項１または２に記載のバイポーラトランジスタ。
　　【請求項４】
　前記第２の半導体層のシートキャリア濃度の和が、１０９ｃｍ−２以上であり、１０１１ｃｍ−２よりも小さいことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のバイポーラトランジスタ。
　　【請求項５】
　前記第１の半導体層および第２の半導体層は、同一の半導体により形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のバイポーラトランジスタ。
　　【請求項６】
　前記エミッタ層と前記ベース層とがヘテロ接合を成し、前記エミッタ層のバンドギャップが前記ベース層のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のバイポーラトランジスタ。」
２　補正の適否について
（１）補正の内容
　補正後の請求項に係る発明は、補正前の請求項に係る発明に次の補正がなされたものである。
ア　補正前の請求項２の「前記少なくとも一つの第１の半導体層中に挿入された前記第２の導電型の複数の第２の半導体層」を「前記少なくとも一つの第１の半導体層
のうち、いずれか一つの第１の半導体層
（２）補正の適否
あ　補正事項アについて検討すると、補正事項アにより補正された部分は、当初明細書等に記載されているものと認められるから、補正事項アは当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項アは、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項アは、補正前の「前記少なくとも一つの第１の半導体層中に挿入された前記第２の導電型の複数の第２の半導体層」について、前記第２の導電型の複数の第２の半導体層」が「第１の半導体層」のうち、いすれか一つの「第１の半導体層」中に挿入されると限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そうすると、補正事項アは、特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかである。
　そして、補正後の請求項２に係る発明は、下記「第５」のとおり、独立特許要件を満たすから、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
（３）小括
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、同法第１７条の２第３項、第４項及び第６項のそれぞれの規定に適合するから、適法にされたものである。
第３　本願発明
　本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成２８年５月１８日付の手続補正書により補正された特許請求の範囲１ないし６に記載される事項により特定されるとおりであって、そのうち請求項２に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものと認める。
「【請求項２】
　第１の導電型のサブコレクタ層と、
　前記サブコレクタ層に積層されたコレクタ層と、
　前記コレクタ層に積層され、前記第１の導電型と反対の導電型である第２の導電型のベース層と、
　前記ベース層に積層された前記第１の導電型のエミッタ層とを備え、
　前記コレクタ層は、
　前記第１の導電型の少なくとも一つの第１の半導体層と、
　前記少なくとも一つの第１の半導体層のうち、いずれか一つの第１の半導体層中に挿入された前記第２の導電型の複数の第２の半導体層と
　を備えることを特徴とするバイポーラトランジスタ。」
第４　査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　原査定の理由の概要は、次のとおりである。
「この出願については、平成２７年１０月１９日付け拒絶理由通知書に記載した理由１，２によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
●理由１（特許法第２９条第１項第３号）、理由２（特許法第２９条第２項）について
・請求項２，３，５，６
・引用文献等１
　出願人は意見書において、引用文献１のこの構成は、二つのｎ型のコレクタ層の間に二つのｐ型のコレクタ層が挿入されたものであり、本願の特徴である、「一つの半導体層」に複数の第２の導電型の第２の半導体層が挿入されたものではありませんと主張している。
　しかしながら、請求項２には「前記少なくとも一つの第１の半導体層中に挿入された前記第２の導電型の複数の第２の半導体層」と、
　１以上の第１の半導体層中（二つの第１の半導体層中も含む）に挿入された複数の第２の半導体層が記載されているので、
　請求項２に係る発明は、引用文献１に記載された二つのｎ型のコレクタ層の間に二つのｐ型のコレクタ層が挿入されたものと相違しない。
　
　したがって、出願人の主張は採用できず、請求項２，３，５，６に係る発明は、引用文献１に記載された発明であるか、引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易になし得たものと認める。
●理由２（特許法第２９条第２項）について
・請求項４
・引用文献等１
　第２の半導体層のシートキャリア濃度の和を、どのような値にするか、当業者が適宜なし得る設計的事項であると認める。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.特開平６−３２６１２０号公報」
２　拒絶理由通知の概要
　平成２７年１０月１９日付拒絶理由通知の概要は、次のとおりである。
「１．（新規性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
２．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
●理由１（新規性）、理由２（進歩性）について
・請求項２、３、５、６
・引用文献等１
・備考
　引用文献１には「ｐ型の不純物を含んだＩｎＧａＡｓ用いてコレクタ層７を形成しても良い。」［００２３］、「コレクタ層７とベース層８との間に、ｎ型不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなる層を挿入して」［００２３］等と記載されていることから、
　引用文献１（図１）には、第１の半導体層（コレクタ層４と、コレクタ層７とベース層８との間のｎ型不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなる層）の半導体中に挿入された第２の導電型の複数の第２の半導体層（コレクタ層６とコレクタ層７）とを備えるバイポーラトランジスタが記載されている。
●理由２（進歩性）について
・請求項４　
・引用文献等１　
・備考
　第２の半導体層のシートキャリア濃度の和を、どのような値にするか、当業者が適宜なし得る設計的事項であると認める。
＜拒絶の理由を発見しない請求項＞
　請求項（　１　）に係る発明については、現時点では、拒絶の理由を発見しない。拒絶の理由が新たに発見された場合には拒絶の理由が通知される。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.特開平６−３２６１２０号公報」
第５　原査定の理由についての当審の判断
１　引用文献
（１）引用例１について
ア　引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開平６−３２６１２０号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。（なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。）
（ア）「【００１８】
【実施例】以下この発明の１実施例を図を参照して説明する。
実施例１．
図１は、この発明の１実施例であるヘテロ接合バイポーラトランジスタのエネルギーバンド構造と層構成とを示す構成図である。同図において、２は半絶縁性ＩｎＰ基板上のｎ型不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなるコレクタコンタクト層、３はｎ型不純物を含むＩｎＰからなるコレクタ層（第４の半導体層）、４はｎ型の不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなる薄いコレクタ層、５は導電性不純物を含まないＩｎＧａＡｓからなる薄いコレクタ層、６はｐ型の不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなる薄いコレクタ層（第３の半導体層）、７は導電性不純物を含まないＩｎＧａＡｓからなるコレクタ層（第２の半導体層）である。
【００１９】また、
８はｐ型の不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなるベース層、９はｎ型の不純物を含むＩｎＰからなるエミッタ層、１０はｎ型の不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなるエミッタコンタクト層である。
【００２０】ここで、ＩｎＧａＡｓからなる薄いコレクタ層４，５はＩｎＧａＡｓとＩｎＰのヘテロ接合界面に形成される伝導帯の不連続１１の影響を低減させる。すなわち、不連続１１がコレクタ層７から連続して存在した場合、ベース層８からコレクタコンタクト層２側を望んだときの電子に対する障壁となる。ここに、薄いコレクタ層４，５を挿入することで、不連続１１のエネルギー準位を下げることができ、電子に対する障壁を低くする効果がある。さらに、薄いコレクタ層５は、薄いコレクタ層６と薄いコレクタ層４との不純物原子が、結晶成長中あるいは素子製作工程中に互いに拡散して、このｐｎ接合が崩れてしまうのを抑制する効果がある。
【００２１】図１（ａ）に示すように、この構造では、コレクタ中の急峻なポテンシャル変化を、バンドギャップエネルギーの大きいＩｎＰ（コレクタ層３）に設定してあり、これによりコレクタ耐圧が確保できる。また、コレクタの多層構造をＢＣＴ構造となるようにして、コレクタ層７の中の電圧降下を、ＩｎＧａＡｓの伝導帯の一つであるΓ帯と他の伝導帯の一つであるＬ帯とのエネルギー差である０．５５ｅＶ以下としている。これによりコレクタ中のほとんどの領域において、電子はΓ帯を走行するので、コレクタ中の電子の走行時間が短縮される。
【００２２】以上示したように、この実施例１のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、コレクタがＢＣＴ構造となり、コレクタにおけるキャリアの移動時間が短縮される。そして、強電界がかかるコレクタ／コレクタコンタクト層境界近傍が、バンドギャップエネルギーの大きい半導体層で構成されるため、コレクタ耐圧が大幅に増大される。
【００２３】なお上記実施例１では、
コレクタ層７に導電性不純物を含まないＩｎＧａＡｓを用いたが、これに限るものではない。ベース層８のｐ型ＩｎＧａＡｓよりも低濃度のｎ型もしくはｐ型の不純物を含んだＩｎＧａＡｓ用いてコレクタ層７を形成しても良い。
コレクタ層７とベース層８との間に、ｎ型不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなる層を挿入して、トランジスタの高電流密度動作における空間電荷によるベースの広がり効果を制御するようにしても良い。
（イ）図３
イ　引用例１発明について
　上記アの記載から、引用例１には、実質的に次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ｎ型不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなるコレクタコンタクト層２と、
　コレクタコンタクト層２に積層された、ｎ型不純物を含むＩｎＰからなるコレクタ層３と、
　コレクタ層３に積層された、ｎ型の不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなる薄いコレクタ層４と、
　薄いコレクタ層４に積層された、導電性不純物を含まないＩｎＧａＡｓからなる薄いコレクタ層５と、
　薄いコレクタ層５に積層された、ｐ型の不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなる薄いコレクタ層６と、
　薄いコレクタ層６に積層された、ベース層８のｐ型ＩｎＧａＡｓよりも低濃度のｎ型もしくはｐ型の不純物を含んだＩｎＧａＡｓからなるコレクタ層７と、
　コレクタ層７に積層された、ｎ型不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなる層と、
　ＩｎＧａＡｓからなる層に積層された、ｐ型の不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなるベース層８と、
　ベース層８に積層された、ｎ型の不純物を含むＩｎＰからなるエミッタ層９と、
　エミッタ層９に積層された、ｎ型の不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなるエミッタコンタクト層１０と
　を備えるヘテロ接合バイポーラトランジスタ。」
２　対比・判断
（１）本願発明と引用例１発明とを対比する。
ア　引用例１発明の「ｎ型」、「ｐ型」、「コレクタコンタクト層２」および「ベース層８」は、それぞれ本願発明の「第１の導電型」、「第２の導電型」、「第１の導電型のサブコレクタ層」および「第２の導電型のベース層」に相当する。
イ　引用例１発明は、「コレクタコンタクト層２に積層された、ｎ型不純物を含むＩｎＰからなるコレクタ層３と、コレクタ層３に積層された、ｎ型の不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなる薄いコレクタ層４と、薄いコレクタ層４に積層された、導電性不純物を含まないＩｎＧａＡｓからなる薄いコレクタ層５と、薄いコレクタ層５に積層された、ｐ型の不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなる薄いコレクタ層６と、薄いコレクタ層６に積層された、ベース層８のｐ型ＩｎＧａＡｓよりも低濃度のｎ型もしくはｐ型の不純物を含んだＩｎＧａＡｓからなるコレクタ層７と、コレクタ層７に積層された、ｎ型不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなる層と」を備えており、これらは積層されているから、これらの層は、本願発明の「前記サブコレクタ層に積層されたコレクタ層」に相当する。
　また、引用例１発明の上記層は、「ｎ型不純物を含む」層を備えているから、本願発明の「前記コレクタ層は、前記第１の導電型の少なくとも一つの第１の半導体層と、前記少なくとも一つの第１の半導体層のうち、いずれか一つの第１の半導体層中に挿入された前記第２の導電型の複数の第２の半導体層と」を備えることと、「前記コレクタ層は、前記第１の導電型の少なくとも一つの第１の半導体層」を備える点で共通する。
ウ　引用例１発明は「ベース層８に積層された、ｎ型の不純物を含むＩｎＰからなるエミッタ層９と、エミッタ層９に積層された、ｎ型の不純物を高濃度に含むＩｎＧａＡｓからなるエミッタコンタクト層１０と」を備えており、これらの層は、本願発明の「前記ベース層に積層された前記第１の導電型のエミッタ層」に相当する。
　そうすると、本願発明と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
　
［一致点］
「第１の導電型のサブコレクタ層と、
　前記サブコレクタ層に積層されたコレクタ層と、
　前記コレクタ層に積層され、前記第１の導電型と反対の導電型である第２の導電型のベース層と、
　前記ベース層に積層された前記第１の導電型のエミッタ層とを備え、
　前記コレクタ層は、
　前記第１の導電型の少なくとも一つの第１の半導体層と、
　を備えることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
［相違点］
　本願発明は、「前記コレクタ層は、前記第１の導電型の少なくとも一つの第１の半導体層と、前記少なくとも一つの第１の半導体層のうち、いずれか一つの第１の半導体層中に挿入された前記第２の導電型の複数の第２の半導体層と」を備えているのに対して、引用例１発明は「いずれか一つの第１の半導体層中に挿入された前記第２の導電型の複数の第２の半導体層」を備えていない点。
（２）当審の判断
［相違点］について検討する。
　引用例１には、「前記少なくとも一つの第１の半導体層のうち、いずれか一つの第１の半導体層中に挿入された前記第２の導電型の複数の第２の半導体層」を備えることについて記載されておらず、また、引用例１の記載から、当業者が容易に想起することができたとは認められない。
　そして、本願発明は、［相違点］を有することによって、「量産性を十分確保するとともに、容量特性の線形性を改善することができ、さらには、ベース・コレクタ間容量の低減を図ることができる」（［0010］）という格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点］に係る構成は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明ではなく、また、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　また、本願発明を引用する本願の請求項３ないし６に係る発明も同様に、引用例１に記載された発明ではなく、また、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
３　原査定の理由についての当審の判断についてのまとめ
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第６　結語
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶するべき理由は発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。