【事件の表示】
　特願２０１２−５０７４３４「非平面な基板表面を有する基板を処理する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１０月２８日国際公開、ＷＯ２０１０／１２４２１３、平成２４年１０月１８日国内公表、特表２０１２−５２５０１１、請求項の数（１０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１０年（平成２２年）４月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００９年４月２４日、米国、２０１０年４月２２日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年３月１４日付けで審査請求がなされ、平成２６年３月１２日付けで拒絶理由が通知され、同年６月２５日付けで意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたが、平成２７年１月２０日付けで拒絶査定がなされたものである。
　これに対して、平成２７年５月７日付けで審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、平成２８年７月１５日付けで当審から拒絶理由を通知し、同年１０月１９日付けで意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし１０に係る発明は、平成２８年１０月１９日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載される事項により特定されるとおりであって、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）および請求項７に係る発明（以下、「本願発明２」という。）は、次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　第１面及び第２面を有する非平面的な基板を処理する方法であって、前記第１面は、前記基板の平面に対して水平な方向に延び、前記第２面は、前記基板の前記平面に対して垂直な方向であって、前記第１面から下方に延び、
　前記第１面に前記第２面より大きな濃度のドーパントを注入し、前記基板にイオンを注入する第１段階と、
　前記第１面が更に処理されるのを制限する前記第１面全体上の第１の膜及び前記第２面全体上の第２の膜を堆積する第２段階と、
　前記第２段階の後に、前記基板にイオンを注入する第３段階であって、前記第１面は、前記第２面が注入される割合よりも低い割合で、ドーパントが注入される第３段階と
　を備え、
　前記第１の膜の厚さは前記第２の膜の厚さよりも厚く、
　前記第１段階および前記第３段階のイオンの流れが同一方向である方法。」
「【請求項７】
　非平面的な基板にイオンを注入する方法であって、
　前記基板の平面に平行な第１面部分、及び、前記基板の前記平面に垂直な第２面部分を有する前記基板にイオン注入を行い、前記第１面部分には、前記第２面部分よりも大きな濃度のドーパントを注入する第１段階と、
　前記第２面部分上よりも前記第１面部分上において膜厚が大きい膜を前記基板の前記第１面部分の全体上及び前記第２面部分の全体上に堆積させる第２段階と、
　前記第１面部分上の前記膜により、前記第１面部分への更なるイオン注入が制限されると同時に、前記第２面部分には前記膜を介してイオンが注入され、前記第１面部分は、前記第２面部分が注入される割合よりも低い割合で、ドーパントが注入される第３段階と
　を備え、
　前記第１段階および前記第３段階のイオンの流れが同一方向である方法。」
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
「この出願については、平成２６年　３月１２日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
・出願人は、意見書において、「引用文献１には、バックゲート部１０９を堆積させる第２段階が記載されている。
　ここで、審査官殿は、ＣＶＤによって堆積された「トレンチ型バックゲート部１０９」を、イオン注入をブロックするものとして認定されている。
　しかしながら、引用文献１には、「層間絶縁膜１１４をマスクにしてフッ化ボロン等のＰ型不純物をコンタクト開口１１５に対する斜め回転注入方法」（段落００２０第１文）を行うことが記載されているものの、「トレンチ型バックゲート部１０９」を「マスク」として用いることについて何ら示唆されていなく、また開示されてもいない。引用文献１には、「トレンチ型バックゲート部１０９」に関して、「ドレイン−ソース間電圧印加時にトレンチ型バックゲート部１０９の直のＰ- 型層１１２及び、Ｐ型ベース層１０３内部に伸びる空乏層のソース電極１１６へのリーチスルーによる耐圧低下を防止する」という用途しか記載されていない。
　即ち、引用文献１には、「前記第１面が更に処理されるのを制限する第１の膜を堆積する第２段階と、前記第２段階の後に、前記第２面に注入されるイオンの総量が、前記第１面に注入されるイオンの総量より多く、イオンを注入する第３段階」について、開示されていない。」と主張している。
　しかしながら、引用文献１の第３図（ｃ）において、「トレンチ型バックゲート部１０９」が形成された状態で斜めイオン注入を行うことによって、第２面には、Ｐ＋型ベース層１１３（Ｐ型不純物濃度１Ｅ１９／ｃｍ＾３　【００１３】）が形成されているのに対して、第１面（トレンチ１１０の底）には、依然として、斜めイオン注入前のＰ−型層１１２（３Ｅ１５／ｃｍ＾３　【００１３】）のままの状態であることが示されているから、前記トレンチ型バックゲート部１０９が、前記イオン注入に対して、第１面が更に処理されるのを制限するマスクとして機能し、そのための十分な厚さを有していることは明らかである。
　よって、請求項１，５，８−９に係る発明は、新規性、進歩性を有しない。
　ここで、第２段階の間に、第２面上に第２の膜が堆積され、第１の膜の膜厚は、第２の膜の膜厚よりも大きくなるようにすることは、堆積による第１の面（水平面）への第１の膜の形成時に、第２面（垂直面）上にも第２の膜が薄く形成されてしまう蓋然性が高いことを考慮すれば、請求項２に係る発明は、新規性、進歩性を有しないし、第１の膜の膜厚を第２の膜の膜厚の１０倍とすることは、適宜なし得た設計的事項であるから、請求項４に係る発明は、進歩性を有しない。
　また、第１の膜厚をどの程度の厚さとするかは、所望する耐圧低下防止の程度などに応じて適宜なし得た設計的事項であるから、請求項３に係る発明は、進歩性を有しない。
　さらに、膜を、酸素、窒素を含むガスやプラズマに暴露することは、先に示した引用文献４に記載されているから、請求項６−７，１０−１１に係る発明は、進歩性を有しない。
・また、出願人は、意見書において、「引用文献２には、イオン注入を完全にブロックできる厚さの膜８０９を堆積によって形成する工程と、第２面に対してドープする工程と、第１面に垂直な角度でイオン注入処理を行う工程とを有する方法が記載されている。つまり、引用文献２に記載の発明は、基板に「イオンを注入する」第１段階と、膜を「堆積」する第２段階と、第２段階の後に、イオンを「注入」する第３段階を実施する順番について開示されていない。」と主張しているが、先に述べたように、引用文献２の段落【００３８】には、先に示したこれらの工程は、他の順序によって形成してもよいことが記載されているから、引用文献２に記載の発明において、第１面に垂直な角度でイオン注入処理工程（第１面に第２面よりも多くのイオンを注入する第１段階）を行い、その後、第１面上に、所定の膜を堆積によって形成する工程（第１面が更に処理されるのを制限する第１の膜を堆積する第２段階）を行い、その後、第２面に対してドープする工程（第２段階の後に、第２面に注入されるイオンの総量が、第１面に注入されたイオンの総量よりも多く、イオンを注入する第３段階）を行うことは、当業者であれば適宜なし得た事項であるから、請求項１，５，８−９に係る発明は、進歩性を有しない。
　ここで、第２段階の間に、第２面上に第２の膜が堆積され、第１の膜の膜厚は、第２の膜の膜厚よりも大きくなるようにすることは、堆積による第１の面（水平面）への第１の膜の形成時に、第２面（垂直面）上にも第２の膜が薄く形成されてしまう蓋然性が高いことを考慮すれば、請求項２に係る発明は、新規性、進歩性を有しないし、第１の膜の膜厚を第２の膜の膜厚の１０倍とすることは、適宜なし得た設計的事項であるから、請求項４に係る発明は、進歩性を有しない。
　また、第１の膜厚をどの程度の厚さ以上のものとするかは、第１の膜の材料に応じた完全なブロッキングマスク化のために、適宜なし得た設計的事項であるから、請求項３に係る発明は、進歩性を有しない。
　さらに、膜を、酸素、窒素を含むガスやプラズマに暴露することは、先に示した引用文献４に記載されているから、請求項６−７，１０−１１に係る発明は、進歩性を有しない。
　したがって、引用文献１−４に記載の発明に基づいて、本願の請求項１−１１に係る発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　よって、出願人の主張は採用できない。」
　また、平成２６年３月１２日付け拒絶理由通知の概要は、次のとおりである。
「（１）１．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　２．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（２）この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
理由（１）について
・請求項１−１７
・引用文献１−５
備考
・請求項１−１７について
　引用文献１（特に、段落【００１４】−【００２０】及び第２−３図参照。）には、第１面（トレンチ１１０の底面）及び第２面（トレンチ１１０の側面）を有する非平面的な基板をイオン注入処理する方法であって、前記基板の前記第１面を前記第２面より完全に処理する第１段階（第２図（ｂ）トレンチ１１０の底面１１２ａにイオン注入）と、前記第１面が更に処理されるのを制限する第２段階（第２図（ｄ）〜第３図（ｂ）イオン注入をブロックするトレンチ型バックゲート部１０９をＣＶＤによる堆積で形成。）と、前記第２段階の後に、前記第２面を前記第１面より完全に処理する第３段階（第３図（ｃ）Ｐ＋型ベース層１１３となるトレンチの側面領域にイオン注入）とを備える方法が記載されているから、請求項１−１０，１４−１５に係る発明は、新規性、進歩性を有しない。
　引用文献２（特に、特許請求の範囲，段落【００３５】，【００３８】，【００５１】，【００５４】−【００５５】，【００５８】及び第４，８図参照。）には、第１面及び第２面を有するフィン１０１を有する基板に対して、プラズマドーピングによってイオン注入処理を行う方法であって、前記基板の前記第１面（フィン上面）にイオン注入を完全にブロックできる厚さの膜８０９を堆積によって形成する工程と、第２面（フィンの左側面８０３及び右側面８０４）に対してドープする工程（第２面を第１面より完全に処理する段階）と、前記膜を除去する工程と、前記第１面（フィン上面８０２）に垂直な角度でイオン注入処理を行う工程（第１面を第２面より完全に処理する工程）とを有する方法（【００５８】）及び、これらの工程は他の順序によって形成してもよいこと（【００３８】）が記載されているから、引用文献１に記載の発明において、第１面に垂直な角度でイオン注入処理工程（第１面を第２面よりも完全に処理する工程）を行い、その後、第１面上に、所定の膜を堆積によって形成する工程（第１面が更に処理されるのを制限する工程）を行い、その後、第２面に対してドープする工程（第２段階の後に、第２面を第１面よりも完全に処理する工程）を行うことは、当業者であれば適宜なし得た事項であるから、請求項１−１０，１３−１５に係る発明は、進歩性を有しない。
　そして、堆積膜の形成をはじめに行うことも適宜なし得た事項であるし、堆積膜形成後にイオン注入を行うことは、引用文献３（特に、段落【００３０】参照。）などに記載されているから、請求項１３に係る発明は、進歩性を有しない。
　さらに、膜を酸素や窒素を含むガスやプラズマに暴露して、酸化や窒化処理を行うことは、引用文献４（特に、段落【００２５】−【００２６】，【００３７】参照。）に記載されているから、請求項１１−１２，１６−１７に係る発明は、進歩性を有しない。
　したがって、引用文献１−４に記載の発明に基づいて、本願の請求項１−１７に係る発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　引用文献５（特に、段落【００５５】−【００５７】及びＦｉｇ４Ｂ−４Ｃ参照。）には、 第１面（Ｎ領域）及び第２面（Ｐ領域）を有する非平面的な基板を処理する方法であって、前記基板の前記第１面を前記第２面より完全に処理する第１段階（イオン注入２２５ａ）と、前記第１面が更に処理されるのを制限する第２段階（フォトレジストパターン２１７ｂ形成）と、前記第２段階の後に、前記第２面を前記第１面より完全に処理する第３段階（イオン注入２２５ｂ）とを備える方法が記載されているから、請求項１−５，７−８に係る発明は、新規性、進歩性を有しない。
　したがって、引用文献１−５に記載の発明に基づいて、本願の請求項１−１７に係る発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
理由（２）について
・発明の詳細な説明には、非平面的な基板に対する処理として、イオン注入によるドーピングを行った具体例しか開示されていないから、前記具体例によって開示された内容を、基板を処理する方法を何ら特定していない請求項１−４，６−１３に係る発明にまで拡張ないし一般化することは出来ない。
・発明の詳細な説明には、第１段階と第３段階とが、同じ処理工程である具体例しか開示されていないから、前記具体例によって開示された内容を、第１段階と第３段階とが、異なる処理工程である場合を含む請求項１，３−１３に係る発明にまで拡張ないし一般化することは出来ない。
・発明の詳細な説明には、第１面が更に処理されるのを制限する第２段階の具体例として、基板上に膜を堆積し、膜が、例えば、第１領域１０２ａへの更なるイオン注入を防ぐ又は制限するのに十分な膜厚を有していることによって、第１面が更に処理されるのを制限する具体例（【００１６】や【００２０】など。）しか開示されていないから、前記具体例によって開示された内容を、第２段階として、その具体的な方法を何ら特定しておらず、例えば、第１面上で第１面から離れた位置にハードマスクを配置して第１面へのイオン注入を防いだりする場合なども含まれてしまう請求項１−９，１１−１４，１６−１７に係る発明にまで拡張ないし一般化することは出来ない。
　よって、請求項１−１７に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
・請求項１１−１２には、「前記膜」と記載されているが、請求項１１−１２が引用している請求項８には、「膜」が記載されていないから、請求項１１−１２に係る発明は、不明りょうである。
　よって、請求項１１−１２に係る発明は明確でない。
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１．特開２００３−３２４１９６号公報
２．特開２００８−０５３７２５号公報
３．特開２００６−１２１０１９号公報
４．特開２００６−１２８３８０号公報
５．米国特許出願公開第２００６／２４０６３６号明細書」
２　原査定の理由についての当審の判断
Ａ　理由（１）について
（１）引用例１の記載事項及び引用例１発明
ア　引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００３−３２４１９６号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。（なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。）
（ア）「【００１４】以上の構成の縦型ＭＯＳＦＥＴの製造方法を図２〜図３を参照して説明する。先ず、図２（ａ）のように、低抵抗ドリフト層としてのＮ+ 型
半導体基板
トレンチ１１０を形成する
【００１５】次いで、図２（ｂ）のように、
表面からボロン等のＰ型イオンを入射角度０°でイオン注入し、トレンチ底部に選択的に導入してイオン注入層１１２ａを形成する。
【００１６】次いで、図２（ｃ）のように、前記レジストパターンを除去した後、熱処理を施し、イオン注入した深さ方向に異なる２箇所のＰ型不純物を拡散し、それぞれＰ- 型層１１２を形成する。ここでは、各Ｐ- 型層１１２は深さ方向及び平面方向に拡散し、この拡散によって各Ｐ- 型層１１２は連結して深さ方向に一体化したＰ- 型層として形成されることになる。
【００１７】次いで、図２（ｄ）のように、
全面にＣＶＤ法等によって酸化膜を十分な厚さに成長して前記トレンチ１１０を埋め込むと共に、当該酸化膜をエッチバックして表面上の酸化膜は除去する一方でトレンチ１１０の内部にのみ酸化膜１１１を残す。
【００１８】次いで、図３（ａ）のように、全面にＰ型不純物をイオン注入し、かつ熱処理により活性化してＮ- 型エピタキシャル層１０２の表面にＰ型ベース層１０３を形成する。さらに、形成されたＰ型ベース層１０３の表面にＮ型不純物をイオン注入し、かつ熱処理して当該表面にＮ+ 型ソース層１０４を形成する。さらに、図外のフォトレジストでレジストパターンを形成し、前記Ｎ+ 型ソース層１０４、Ｐ+ 型ベース層１０３をエッチングしてトレンチ１０６を形成する。そして、このトレンチ１０６の内面にゲート絶縁膜１０７を形成し、その内部にポリシリコン１０８を埋設し、トレンチ型ゲート電極１０５を形成する。
【００１９】次いで、図３（ｂ）のように、前記Ｎ+ 型ソース層１０５の表面上に酸化膜等の層間絶縁膜１１４を成長した後、フォトレジストをパターニングしたレジストパターンをマスクにして当該層間絶縁膜１１４を選択的にエッチングし、前記トレンチ型バックゲート部１０９よりも若干広い領域を開口してコンタクト開口１１５を形成する。また、このエッチング時には、前記Ｎ+ 型ソース層１０４の下層の前記Ｐ型ベース層１０３の一部がトレンチ内に露出するように、
トレンチ１１０内に埋設した前記酸化膜１１１の表面を一部エッチングする。
【００２０】その後、図３（ｃ）のように、Ｐ型ベース層１０３とのオーム接触を行うために、前記Ｎ+ 型ソース層１０４に対して前記層間絶縁膜１１４をマスクにして
フッ化ボロン等のＰ型不純物をコンタクト開口１１５に対する斜め回転注入方法で行い
イ　引用例１発明
　上記（ア）より、引用例１には、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体基板にトレンチを形成し、
　トレンチ底部にＰ型イオンを入射角度０°でイオン注入し、トレンチ底部にイオンを選択的に導入してイオン注入層を形成し、
　トレンチの内部に酸化膜を埋設し、
　トレンチ内に埋設した酸化膜の表面を一部エッチングし、
　トレンチの開口周縁部Ｐ+ 型ベース層を形成するために、Ｐ型不純物をコンタクト開口に対する斜め回転注入法で行う方法。」
（２）引用例２の記載事項及び引用例２発明
 ア　引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００８−５３７２５号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【０００７】
  本発明は、マルチゲートデバイスのドーピング方法に関し、かかる方法は、それぞれのフィンが上面、第１側面、および第２側面を含む、
少なくとも１つのフィンを基板にパターニングする工程
  ブロッキングマスク材料が、フィンの上面の少なくとも一部の上に存在し、フィンの側面の上には存在しないように（即ち、側面が露出したままであるように）、ゲート電極のパターニング工程後にブロッキングマスク材料を提供することにより、ブロッキングマスク材料が、ドーパントイオンからフィンの上面を、少なくとも部分的にブロックする工程と、  フィンの上面の法線方向に対してゼロとは異なった入射角で、ドーパントイオンをフィンに注入する工程とを含むことを特徴とする方法である。」
（イ）「【００５１】
  本発明の第３の工程では、図４に示すように、
少なくとも１つのフィンの少なくとも上面（４０２）の上に、ブロッキングマスク材料（４０９）が堆積される。マスク材料は、フィンの側面（４０３、４０４）の上には堆積されない。
（ウ）「【００５８】
  本発明の好適な具体例では、
完全なブロッキングマスク材料（８０９）が、フィンまたは複数のフィンの少なくとも上面に堆積される。完全なブロッキングマスク材料の堆積後、フィンまたは複数のフィンの左側面（８０３）が、傾斜角αの第１注入工程を行うことによりドープされ、フィンの第１側面（８０３）がドープされる（図８Ａ）。次に、傾斜角βで、第２注入工程（図８Ｂ）が行われ、フィンまたは複数のフィンの右側面（８０４）がドープされる。第２傾斜角βは、好適には第１傾斜角αと等しく、符号が逆である。完全なブロッキングハードマスク材料を除去した後に、フィンの上面（８０２）に対して垂直な注入角を用いた第３注入工程（図８Ｃ）で、上面が注入される。言い換えれば、フィンの上面の法線方向に対して入射角θ＝０で、ドーパントイオンを用いた追加の注入工程が行われる。言い換え有れば、この追加の注入工程は、フィンの上面に対して垂直に行われる。
イ　引用例２発明
　上記（ア）−（ウ）より、引用例２には、次の発明（以下、「引用例２発明」という。）が記載されていると認められる。
「フィンを基板上にパターニングし、
　完全なブロッキングマスク材料をフィンの側面に堆積させずに、フィンの上面に堆積し、
　フィンの左側面に、傾斜角αの第１注入工程を行うことにより、フィンの左側面をドープし、
　フィンの右側面に、傾斜角−αの第２注入工程を行うことにより、フィンの右側面をドープし、
　完全なブロッキングハードマスク材料を除去し、
　フィンの上面に対して垂直に、ドーパントイオンを用いた追加の注入を行う方法。」
　
（３）対比・判断
ア　本願発明１と引用例１発明について
ａ．本願発明１と引用例１発明を対比する。
　
（ア）引用例１発明の「トレンチ底部」は、基板の平面に対して水平な方向に延びており、また、「トレンチの開口周縁部」は、基板の平面に対して垂直な方向であるから、引用例1発明の「トレンチ」を処理する方法は、本願発明１の「第１面及び第２面を有する非平面的な基板を処理する方法であって、前記第１面は、前記基板の平面に対して水平な方向に延び、前記第２面は、前記基板の前記平面に対して垂直な方向であって、前記第１面から下方に延び、」と、「第１面及び第２面を有する非平面的な基板を処理する方法であって、前記第１面は、前記基板の平面に対して水平な方向に延び、前記第２面は、前記基板の前記平面に対して垂直な方向であ」る点で、共通する。
（イ）引用例１発明の「トレンチ底部にＰ型イオンを入射角度０°でイオン注入し、トレンチ底部に選択的に導入してイオン注入層を形成」することは、本願発明１の「前記第１面に前記第２面より大きな濃度のドーパントを注入し、前記基板にイオンを注入する第１段階」に相当する。
（ウ）引用例１発明の「トレンチの内部に酸化膜を埋設」し「トレンチ内に埋設した酸化膜の表面を一部エッチング」することは、この酸化膜により、トレンチ底部に対するイオンの追加注入を阻止していることから、本願発明１の「前記第１面が更に処理されるのを制限する前記第１面全体上の第１の膜及び前記第２面全体上の第２の膜を堆積する第２段階」と、「前記第１面が更に処理されるのを制限する前記第１面全体上の第１の膜及び前記第２面」「上の第２の膜を堆積する第２段階」である点で共通する。
（エ）引用例１発明の「トレンチの開口周縁部Ｐ+ 型ベース層を形成するために、Ｐ型不純物をコンタクト開口に対する斜め回転注入法で行う」ことは、本願発明１の「前記第２段階の後に、前記基板にイオンを注入する第３段階であって、前記第１面は、前記第２面が注入される割合よりも低い割合で、ドーパントが注入される第３段階」に相当する。
ｂ．以上（ア）〜（エ）のことから、本願発明１と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「第１面及び第２面を有する非平面的な基板を処理する方法であって、前記第１面は、前記基板の平面に対して水平な方向に延び、前記第２面は、前記基板の前記平面に対して垂直な方向であって、
　前記第１面に前記第２面より大きな濃度のドーパントを注入し、前記基板にイオンを注入する第１段階と、
　前記第１面が更に処理されるのを制限する前記第１面全体上の第１の膜及び前記第２面全体上の第２の膜を堆積する第２段階と、
　前記第２段階の後に、前記基板にイオンを注入する第３段階であって、前記第１面は、前記第２面が注入される割合よりも低い割合で、ドーパントが注入される第３段階と
　を備え、
る方法。」
［相違点１］
　本願発明１の「第２面」は、「前記基板の前記平面に対して垂直な方向であって、前記第１面から下方に延び」ているのに対して、引用例１発明はそうでない点。
［相違点２］
　本願発明１は、第２段階で堆積される「前記第１面全体上の第１の膜及び前記第２面全体上の第２の膜」について「前記第１の膜の厚さは前記第２の膜の厚さよりも厚く」なっているのに対して、引用例１発明の「前記第１面全体上の第１の膜及び前記第２面全体上の第２の膜」に相当する、トレンチ内に埋設された酸化膜は、そのような構成を有していない点。
［相違点３］
　本願発明１は、「前記第１段階および前記第３段階のイオンの流れが同一方向である」のに対して、引用例１発明は、そのようになっていない点。
ｃ．判断
　各相違点について検討する。
［相違点１］について
　引用例１発明は、「トレンチ」を対象としているから、本願発明１の、「前記第１面は、前記基板の平面に対して水平な方向に延び、前記第２面は、前記基板の前記平面に対して垂直な方向であって、前記第１面から下方に延び」る構造を想起し、引用例１発明を本願発明１と同様の発明とすることができたとは認められない。
［相違点２］について
　引用例１発明のトレンチ内に埋設された酸化膜は、トレンチ内部に酸化膜が埋設されるとともに、トレンチ内に埋設された酸化膜の表面を一部エッチングしているから、引用例１発明において、第２段階で堆積される「前記第１面全体上の第１の膜及び前記第２面全体上の第２の膜」について「前記第１の膜の厚さは前記第２の膜の厚さよりも厚く」することを想起し、引用例１発明を本願発明１と同様の発明とすることができたとは認められない。
［相違点３］について
　引用例１発明は、本願発明１の「第１段階」に相当する時に、「入射角度０°でイオン注入し」、本願発明１の「第２段階」に相当する時に、「Ｐ型不純物をコンタクト開口に対する斜め回転注入法で行」っているから、「前記第１段階および前記第３段階のイオンの流れが同一方向である」ようにすることを想起し、引用例１発明を本願発明１と同様の発明とすることができたとは認められない。
　そして、本願発明１は、特に［相違点２］および［相違点３］を有することによって、異なる角度で向けられている複数の表面を均一な特性とすることができる（本願明細書段落番号【０００５】）という引用例１発明に記載された発明にはない格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点１］乃至［相違点３］に係る構成は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到してたものであるとは言えない。
　したがって、本願発明１は引用例１に記載された発明ではなく、また、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
イ　本願発明１と引用例２発明について
ａ．本願発明１と引用例２発明を対比する。
（ア）引用例２発明の「フィン」は、本願発明１の「第１面及び第２面を有する非平面的な基板を処理する方法であって、前記第１面は、前記基板の平面に対して水平な方向に延び、前記第２面は、前記基板の前記平面に対して垂直な方向であって、前記第１面から下方に延び」るものに相当する。
（イ）引用例２発明の「フィンの上面に対して垂直に、ドーパントイオンを用いた追加の注入を行う」ことは、本願発明１の「前記第１面に前記第２面より大きな濃度のドーパントを注入し、前記基板にイオンを注入する第１段階」に対応する。
（ウ）引用例２発明の「完全なブロッキングマスク材料をフィンの側面に堆積させずに、フィンの上面に堆積」することは、本願発明１の「前記第１面が更に処理されるのを制限する前記第１面全体上の第１の膜及び前記第２面全体上の第２の膜を堆積する第２段階」と、「前記第１面が更に処理されるのを制限する前記第１面全体上の第１の膜」「を堆積する」「段階」を有する点で共通する。
（エ）引用例２発明の「フィンの左側面に、傾斜角αの第１注入工程を行うことにより、フィンの左側面をドープし、フィンの右側面に、傾斜角−αの第２注入工程を行うことにより、フィンの右側面をドープ」することは、本願発明１の「前記第２段階の後に、前記基板にイオンを注入する第３段階であって、前記第１面は、前記第２面が注入される割合よりも低い割合で、ドーパントが注入される第３段階」に対応する。
ｂ．以上（ア）〜（エ）のことから、本願発明１と引用例２発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「第１面及び第２面を有する非平面的な基板を処理する方法であって、前記第１面は、前記基板の平面に対して水平な方向に延び、前記第２面は、前記基板の前記平面に対して垂直な方向であって、前記第１面から下方に延び、
　前記第１面に前記第２面より大きな濃度のドーパントを注入し、前記基板にイオンを注入する段階と、
　前記第１面が更に処理されるのを制限する前記第１面全体上の第１の膜を堆積する第２段階と、
　前記第２段階の後に、前記基板にイオンを注入する第３段階であって、前記第１面は、前記第２面が注入される割合よりも低い割合で、ドーパントが注入される第３段階と
　を備える方法。」
［相違点１］
　本願発明１は、「前記第２面全体上の第２の膜を堆積」し、「前記第１の膜の厚さは前記第２の膜の厚さよりも厚く」なっているのに対して、引用例２発明はそのようになっていない点。
［相違点２］
　本願発明１は、「前記第１段階および前記第３段階のイオンの流れが同一方向である」のに対して、引用例２発明はそのようになっていない点。
［相違点３］
　本願発明１は、「第１の段階」「第２の段階」「第３の段階」の順で、基板の処理を行っているのに対して、引用例２発明はそのようになっていない点。
ｃ．判断
　各相違点について検討する。
［相違点１］について
　引用例２発明は、ブロッキングマスク材料をフィンの側面に堆積さていないから、引用例２の記載のみで、「前記第２面全体上の第２の膜を堆積」し、「前記第１の膜の厚さは前記第２の膜の厚さよりも厚く」することを想起することができたとは認められない。
［相違点２］について
　引用例２発明は、注入工程について、傾斜角αで行う「第１注入工程」と、傾斜角−αで行う「第２注入工程」と、「フィンの上面に対して垂直に、ドーパントイオンを用いた追加の注入を行う」ことにより、３度のイオン注入を行っており、本願発明１のように「前記第１段階および前記第３段階のイオンの流れが同一方向である」ことにより、２度のイオン注入により処理されることを、想起することができたとは認められない。
　そうすると、［相違点１］及び［相違点２］に係る構成は、引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到してたものであるとは言えない。
　したがって、本願発明１は、他の相違点については検討するまでもなく、引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
ウ　本願発明２と引用例１発明について
ａ．本願発明２と引用例１発明を対比する。
（ア）引用例１発明は「半導体基板」に「トレンチ」が形成されており、このため「半導体基板」は、非平面であると言える。そうすると、引用例１発明の「半導体基板」は、本願発明２の「非平面的な基板」に相当するとともに、引用例１発明の「半導体基板」も「前記基板の平面に平行な第１面部分、及び、前記基板の前記平面に垂直な第２面部分を有する前記基板」であると認められる。
（イ）引用例１発明の「トレンチ底部にＰ型イオンを入射角度０°でイオン注入」することは、本願発明２の「前記第１面部分には、前記第２面部分よりも大きな濃度のドーパントを注入する第１段階」に相当する。
（ウ）引用例１発明の「トレンチの内部に酸化膜を埋設し、トレンチ内に埋設した酸化膜の表面を一部エッチング」することは、本願発明２の「前記第２面部分上よりも前記第１面部分上において膜厚が大きい膜を前記基板の前記第１面部分の全体上及び前記第２面部分の全体上に堆積させる第２段階」と、「膜」を「堆積させる第２段階」である点で共通する。
（エ）引用例１発明の「トレンチの開口周縁部Ｐ+ 型ベース層を形成するために、Ｐ型不純物をコンタクト開口に対する斜め回転注入法で行う」ことは、本願発明２の「前記第１面部分上の前記膜により、前記第１面部分への更なるイオン注入が制限されると同時に、前記第２面部分には前記膜を介してイオンが注入され、前記第１面部分は、前記第２面部分が注入される割合よりも低い割合で、ドーパントが注入される第３段階」と、「前記第１面部分上の前記膜により、前記第１面部分への更なるイオン注入が制限されると同時に、前記第２面部分には」「イオンが注入され、前記第１面部分は、前記第２面部分が注入される割合よりも低い割合で、ドーパントが注入される第３段階」である点で共通する。
ｂ．以上（ア）〜（エ）のことから、本願発明２と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「非平面的な基板にイオンを注入する方法であって、
　前記基板の平面に平行な第１面部分、及び、前記基板の前記平面に垂直な第２面部分を有する前記基板にイオン注入を行い、前記第１面部分には、前記第２面部分よりも大きな濃度のドーパントを注入する第１段階と、
　膜を堆積させる第２段階と、
　前記第１面部分上の前記膜により、前記第１面部分への更なるイオン注入が制限されると同時に、前記第２面部分にはイオンが注入され、前記第１面部分は、前記第２面部分が注入される割合よりも低い割合で、ドーパントが注入される第３段階と
　を備える方法。」
［相違点１］
　本願発明２の「第２段階」は、「前記第２面部分上よりも前記第１面部分上において膜厚が大きい膜を前記基板の前記第１面部分の全体上及び前記第２面部分の全体上に堆積させ」ているのに対して、引用例１発明はそのようになっていない点。
［相違点２］
　本願発明２の「第３段階」は、「前記第２面部分には前記膜を介してイオンが注入され」ているのに対して、引用例１発明はそのようになっていない点。
［相違点３］
　本願発明２の「前記第１段階および前記第３段階のイオンの流れが同一方向である」のに対して、引用例１発明はそのようになっていない点。
ｃ．判断
　各相違点について検討する。
［相違点１］および［相違点２］について
　引用例１発明のトレンチ内に埋設された酸化膜は、トレンチ内部に酸化膜が埋設されるとともに、トレンチ内に埋設された酸化膜の表面を一部エッチングしているから、引用例１発明において、第２段階で堆積される「第２面部分の膜」に相当する構成を有しておらず、本願発明２の「第２面部分の膜」と同様の構成を想起し、引用例１発明を本願発明２と同様の発明とすることができたとは認められない（［相違点１］）。
　また、そのため、第３段階において、「前記第２面部分には前記膜を介してイオンが注入され」るようにし、引用例１発明を本願発明２と同様の発明とすることができたとは認められない（［相違点２］）。
［相違点３］について
　引用例１発明は、本願発明２の「第１段階」に相当する時に、「入射角度０°でイオン注入し」、本願発明２の「第２段階」に相当する時に、「Ｐ型不純物をコンタクト開口に対する斜め回転注入法で行」っているから、「前記第１段階および前記第３段階のイオンの流れが同一方向である」ようにすることを想起し、引用例１発明を本願発明２と同様の発明とすることができたとは認められない。
　そして、本願発明２は、［相違点１］乃至［相違点３］を有することによって、異なる角度で向けられている複数の表面を均一な特性とすることができる（本願明細書段落番号【０００５】）という引用例１発明に記載された発明にはない格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点１］乃至［相違点３］に係る構成は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到してたものであるとは言えない。
　したがって、本願発明２は引用例１に記載された発明ではなく、また、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
エ　本願発明２と引用例２発明について
ａ．本願発明２と引用例２発明を対比する。
（ア）引用例２発明の「フィン」がパターニングされた「基板」は、本願発明１の「非平面的な基板」に相当し、また、引用例２発明の「基板」は「フィン」を有しているから、本願発明２の「前記基板の平面に平行な第１面部分、及び、前記基板の前記平面に垂直な第２面部分を有する前記基板」に相当する構成を有していると認められる。
（イ）引用例２発明の「フィンの上面に対して垂直に、ドーパントイオンを用いた追加の注入を行う」ことは、本願発明２の「前記第１面部分には、前記第２面部分よりも大きな濃度のドーパントを注入する第１段階」に対応する。
（ウ）引用例２発明の「完全なブロッキングマスク材料をフィンの側面に堆積させずに、フィンの上面に堆積」することは、本願発明２の「前記第２面部分上よりも前記第１面部分上において膜厚が大きい膜を前記基板の前記第１面部分の全体上及び前記第２面部分の全体上に堆積させる第２段階」と、「膜を」「前記基板の前記第１面部分の全体上に堆積させる」「段階」である点で共通する。
（エ）引用例２発明の「フィンの左側面に、傾斜角αの第１注入工程を行うことにより、フィンの左側面をドープし、フィンの右側面に、傾斜角−αの第２注入工程を行うことにより、フィンの右側面をドープ」することは、本願発明２の「前記第１面部分上の前記膜により、前記第１面部分への更なるイオン注入が制限されると同時に、前記第２面部分には前記膜を介してイオンが注入され、前記第１面部分は、前記第２面部分が注入される割合よりも低い割合で、ドーパントが注入される第３段階」と、「前記第１面部分上の前記膜により、前記第１面部分への更なるイオン注入が制限されると同時に、前記第１面部分は、前記第２面部分が注入される割合よりも低い割合で、ドーパントが注入される」「段階」である点で共通する。
ｂ．以上（ア）〜（エ）のことから、本願発明２と引用例２発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「非平面的な基板にイオンを注入する方法であって、
　前記基板の平面に平行な第１面部分、及び、前記基板の前記平面に垂直な第２面部分を有する前記基板にイオン注入を行い、前記第１面部分には、前記第２面部分よりも大きな濃度のドーパントを注入する段階と、
　膜を前記基板の前記第１面部分の全体上に堆積させる段階と、
　前記第１面部分上の前記膜により、前記第１面部分への更なるイオン注入が制限されると同時に、前記第１面部分は、前記第２面部分が注入される割合よりも低い割合で、ドーパントが注入される段階と
　を備える方法。」
［相違点１］
　本願発明２は、「前記第２面部分上よりも前記第１面部分上において膜厚が大きい膜を前記基板の前記第１面部分の全体上及び前記第２面部分の全体上に堆積させ」ているのに対して、引用例２発明はそのようになっていない点。
［相違点２］
　本願発明２は、「前記第１段階および前記第３段階のイオンの流れが同一方向である」のに対して、引用例２発明はそのようになっていない点。
［相違点３］
　本願発明２は、「第１の段階」「第２の段階」「第３の段階」の順で、基板の処理を行っているのに対して、引用例２発明はそのようになっていない点。
ｃ．判断
　各相違点について検討する。
［相違点１］について
　引用例２発明は、ブロッキングマスク材料をフィンの側面に堆積さていないから、引用例２の記載のみで、「前記第２面部分上よりも前記第１面部分上において膜厚が大きい膜を前記基板の前記第１面部分の全体上及び前記第２面部分の全体上に堆積させ」ることを想起することができたとは認められない。
［相違点２］について
　引用例２発明は、注入工程について、傾斜角αで行う「第１注入工程」と、傾斜角−αで行う「第２注入工程」と、「フィンの上面に対して垂直に、ドーパントイオンを用いた追加の注入を行う」ことにより、３度のイオン注入を行っており、本願発明２のように「前記第１段階および前記第３段階のイオンの流れが同一方向である」ことにより、２度のイオン注入により処理されることを、想起することができたとは認められない。
　そして、本願発明２は、特に［相違点２］を有することによって、引用例２発明に比べイオン注入の回数を少なくすることができるという格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点１］及び［相違点２］に係る構成は、引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到してたものであるとは言えない。
　したがって、本願発明２は、他の相違点については検討するまでもなく、引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
オ　本願の請求項２ないし６および８ないし１０に係る発明の進歩性について
　本願の請求項２ないし５および８ないし１０は、それぞれ請求項１および７を引用しており、本願の請求項２ないし５および８ないし１０に係る発明は本願発明１および２の発明特定事項を全て有する発明である。
　してみれば、本願発明１および２が引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願の請求項２ないし５および８ないし１０に係る発明も、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（４）理由（１）についてのまとめ
　以上のとおり、本願の請求項１ないし１０に係る発明は、引用例１に記載された発明でなく、また、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、原査定の理由（１）によっては、本願を拒絶することはできない。
Ｂ　理由（２）について
（１）理由（２）の「・発明の詳細な説明には、非平面的な基板に対する処理として、イオン注入によるドーピングを行った具体例しか開示されていないから、前記具体例によって開示された内容を、基板を処理する方法を何ら特定していない請求項１−４，６−１３に係る発明にまで拡張ないし一般化することは出来ない。」について
　請求項１ないし１０に記載された発明は、補正により「非平面な基板」に対して「ドーパントを注入する」「イオン注入」を行う方法となったから、請求項１ないし１０に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されたものである。
　したがって、原査定の理由（２）によっては、本願を拒絶することはできない。
（２）理由（２）の「・発明の詳細な説明には、第１段階と第３段階とが、同じ処理工程である具体例しか開示されていないから、前記具体例によって開示された内容を、第１段階と第３段階とが、異なる処理工程である場合を含む請求項１，３−１３に係る発明にまで拡張ないし一般化することは出来ない。」について
　請求項１ないし１０に記載された発明は、補正により「前記第１段階および前記第３段階のイオンの流れは同一方向である」となり、第１段階と第３段階は同じ処理工程となったから、請求項１ないし１０に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されたものである。
　したがって、原査定の理由（２）によっては、本願を拒絶することはできない。
（３）理由（２）の「・発明の詳細な説明には、第１面が更に処理されるのを制限する第２段階の具体例として、基板上に膜を堆積し、膜が、例えば、第１領域１０２ａへの更なるイオン注入を防ぐ又は制限するのに十分な膜厚を有していることによって、第１面が更に処理されるのを制限する具体例（【００１６】や【００２０】など。）しか開示されていないから、前記具体例によって開示された内容を、第２段階として、その具体的な方法を何ら特定しておらず、例えば、第１面上で第１面から離れた位置にハードマスクを配置して第１面へのイオン注入を防いだりする場合なども含まれてしまう請求項１−９，１１−１４，１６−１７に係る発明にまで拡張ないし一般化することは出来ない。」について
　請求項１ないし６に記載された発明は、補正により、「第２段階」が「前記第１面が更に処理されるのを制限する前記第１面全体上の第１の膜及び前記第２面全体上の第２の膜を堆積する第２段階」となったから、請求項１ないし６に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されたものである。
　また、請求項７ないし１０に記載された発明は、補正により、「第２段階」が「前記第２面部分上よりも前記第１面部分上において膜厚が大きい膜を前記基板の前記第１面部分の全体上及び前記第２面部分の全体上に堆積させる第２段階」となったから、請求項７ないし１０に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されたものである。
　したがって、原査定の理由（２）によっては、本願を拒絶することはできない。
（４）理由（２）の「・請求項１１−１２には、「前記膜」と記載されているが、請求項１１−１２が引用している請求項８には、「膜」が記載されていないから、請求項１１−１２に係る発明は、不明りょうである。」について
　請求項１に記載された発明は、補正により、「第２段階」が「前記第１面が更に処理されるのを制限する前記第１面全体上の第１の膜及び前記第２面全体上の第２の膜を堆積する第２段階」となったから、補正後の請求項５および６に記載された発明の「前記膜」に対応する構成が、補正後の請求項５および６が引用する補正後の請求項１に存在し、補正後の請求項５および６に記載された発明の「前記膜」が何に対応するのか明確になった。
　したがって、原査定の理由（２）によっては、本願を拒絶することはできない。
（５）理由（２）についてのまとめ
　以上のとおり、本願の請求項１ないし１０に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものであり、また、明確であるから、原査定の理由（２）によっては、本願を拒絶することはできない。
３　原査定の理由についてのまとめ
　以上のとおり、本願の請求項１ないし１０に係る発明は、引用例１に記載された発明でなく、また、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、発明の詳細な説明に記載されたものであり、また、明確であるから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審の拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
　平成２８年７月１５日付けで当審より通知した拒絶理由の概要は、次のとおりである。
「Ａ．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記　
１．請求項７に記載された発明は、「前記イオンの流れに対して平行又は実質的に平行な第２面部分を有」し、該「前記第２面部分には前記膜を介してイオンが注入されるイオン注入を前記基板に行う」ことを行っているが、イオンの流れに対して平行又は実質的に平行な第２面部分に（膜を介して）イオンが注入されるイオン注入とは、どのようにして行われているのか、発明の詳細な説明に、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施できる程度に明確かつ十分に記載されているとは、言えない。
　つまり、発明の詳細な説明には、第２面部分にイオンを注入するイオン注入について
「【００１９】
  本開示の方法は、第３段階を備えてもよい。第３段階において、膜が上面に形成されていない又は膜厚が薄い膜が上面に形成されている第２面部分１０４が、優先的に処理される。本実施形態では、第３段階は、第１段階と同じ又は同様な構成である。例えば、第１段階が、注入工程である場合には、第３段階も、注入工程となる。また、第１段階で注入されるドーパントと、第３段階で注入されるドーパントとは、同じ種を含んでもよいし、異なる種を含んでもよい。
【００２０】
  粒子が、第２面部分１０４に入射すると、領域１０４ａが処理される。一方で、第１面部分１０２上に形成された膜１０６は、面部分１０２及び第１領域１０２ａが更に処理されるのを防ぐ又は制限してもよい。したがって、第１面部分１０２及び第１領域１０２ａへの粒子の注入及び処理が行われないようにされる。これに替えて、第２面部分１０４にドーパントが注入される割合よりも低い割合で、第１面部分１０２にドーパントを注入してもよい。膜の第１面部分１０２への粒子注入を防ぐ又は制限し、第２面部分１０４及び第２領域１０４ａへの粒子注入を促進することにより、ドーパントレベル及び注入深さにおける大幅な差、又は、異なる面部分間に生じるその他の違いを避ける又は修正することができると考えられる。」
との記載があるのみで、どのようにして、イオンの流れに対して垂直又は実質的に垂直な「第１面部分１０２」の下にある、イオンの流れに対して並行又は実質的に平行な「第２面部分１０４」に対してイオンの注入が行われるのかわからない。また、当該技術分野における技術常識を参酌した場合、「第２面部分１０４」は、イオンの流れに対して「第１面部分１０２」の影となり、イオンは「第２面部分１０４」に到達することができないと考えられる。
　したがって、発明の詳細な説明に、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したとは言えず、また、当該技術分野における技術常識を参酌しても、発明の詳細な説明の記載からは、上記のイオン注入を行う方法が、当業者に自明であるとは認められない。
Ｂ．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記　
１．請求項１に記載された発明は、「前記第１面が更に処理されるのを制限する前記第１面上の第１の膜及び前記第２面上の第２の膜を堆積する第２段階」と記載されているが、該第２段階に形成される第１および第２の膜は、発明の詳細な説明【００１５】や図１ｃの記載によると、第１および第２面上の
全面
　そして、請求項１の記載では、第１および第２面上の一部に第１および第２の膜が堆積していものを含むものとなっている。
　従って、請求項１および請求項１を引用する請求項２乃至６に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されたものであるとは言えない。
２．請求項１に記載された発明は、「前記第２の膜を介して前記第２面に注入されるイオンの総量が、前記第１面に注入されるイオンの総量より多く、イオンを注入する」としているが、この記載が発明の詳細な説明のどの記載に対応するのかわからない。
　つまり、ある「面に注入されるイオンの総量」とは、通常、注入される面の面積と、その面に注入されるイオンの単位面積当たりの量の積で計算されるところ、そのような総量を基準とした、注入されるイオンの量に関する記載は、発明の詳細な説明には認められない。
　また【００２０】に「これに替えて、第２面部分１０４にドーパントが注入される割合よりも低い割合で、第１面部分１０２にドーパントを注入してもよい。」との記載があるが、これは割合を言っており、総量について記載しているとは認められない（なお、上記「割合」は、何を基準とする割合であるのかこの記載だけでは不明である。）。
　従って、請求項１および請求項１を引用する請求項２乃至６に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されたものであるとは言えない。
３．請求項７に記載された発明は、「前記第２面部分上よりも前記第１面部分上において膜厚が大きい膜を前記基板の前記第１面部分上及び前記第２面部分上に堆積させる段階」と記載されているが、上記１．で検討したとおり、請求項７の記載では、第１面部分上及び第２面部分上の一部に堆積されるものを含むものとなっているから、請求項７および請求項７を引用する請求項８乃至１０に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されたものであるとは言えない。
Ｃ．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記　
１．請求項４に記載された「更なる処理」が如何なる処理であるのかわからない。また、「更なる処理」がわからないために、「制限するのに充分な厚み」が如何なる厚さの厚みであるのか分からない。
　そのため、請求項４に記載された発明は明確でない。
２．請求項７に記載された「前記イオンの流れに対して」「実質的に垂直な第１面部分」および「前記イオンの流れに対して」「実質的に平行な第２面部分」とは、如何なるものであるのかわからない。
　つまり、「実質的に垂直」および「実質的に並行」とは、垂直や並行に対して何度までをいうのかわからないために、請求項７に記載された発明および請求項７を引用する請求項８乃至１０に記載された発明が、不明確となっている。
Ｄ．この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記　
＜引用文献等一覧＞　
引用例１：特開２００８−５３７２５号公報
引用例２：特開２００７−１１０１１０号公報
引用例３：特開平１１−１１１８７０号公報
引用例４：特開昭６１−１９４７８０号公報
・請求項１
・引用例　１−４
・備考
　引用例１【００５８】に記載された発明と、請求項１に係る発明は、以下の点で相違し、その余の点で一致する。
［相違点１］
　請求項１に係る発明は、
「前記第１面に前記第２面より多くのイオンを注入し、前記基板にイオンを注入する第１段階と、
　前記第１面が更に処理されるのを制限する前記第１面上の第１の膜及び前記第２面上の第２の膜を堆積する第２段階と、
　前記第２段階の後に、前記第２の膜を介して前記第２面に注入されるイオンの総量が、前記第１面に注入されるイオンの総量より多く、イオンを注入する第３段階と」
を有しているのに対して、
　引用例１【００５８】に記載された発明は、
「完全なブロッキングマスク材料（８０９）が、フィンまたは複数のフィンの少なくとも上面に堆積される。」（請求項１に係る発明の「第２段階」に対応する。）
「フィンまたは複数のフィンの左側面（８０３）が、傾斜角αの第１注入工程を行うことによりドープされ、フィンの第１側面（８０３）がドープされる（図８Ａ）。次に、傾斜角βで、第２注入工程（図８Ｂ）が行われ、フィンまたは複数のフィンの右側面（８０４）がドープされる。」（請求項１に係る発明の「第３段階」に対応する。）
「完全なブロッキングハードマスク材料を除去した後に、フィンの上面（８０２）に対して垂直な注入角を用いた第３注入工程（図８Ｃ）で、上面が注入される。」（請求項１に係る発明の「第１段階」に対応する。）
としており、対応する段階の実施する順番が異なる点。
［相違点２］
　請求項１に係る発明は、「前記第２面上の第２の膜を堆積」を行い、「前記第１の膜の厚さは前記第２の膜の厚さよりも厚」くしているのに対して、引用例１【００５８】に記載された発明は、対応する膜の堆積を行っていない点。
以下、各相違点について検討する。
［相違点１］について
　２つの処理を行う際に、その処理の順番を替えることにより処理の結果が変わることがない場合、２つの処理をどの順番で行うかは、当業者が適宜選択する事項である。
　そして、引用例１【００５８】に記載された発明の処理の順番を入れ替え、「フィンの上面（８０２）に対して垂直な注入角を用いた第３注入工程（図８Ｃ）で、上面が注入される。」工程を行った後に、「完全なブロッキングマスク材料（８０９）が、フィンまたは複数のフィンの少なくとも上面に堆積される。」工程を行った後に、「フィンまたは複数のフィンの左側面（８０３）が、傾斜角αの第１注入工程を行うことによりドープされ、フィンの第１側面（８０３）がドープされる（図８Ａ）。次に、傾斜角βで、第２注入工程（図８Ｂ）が行われ、フィンまたは複数のフィンの右側面（８０４）がドープされる。」工程を行っても処理の結果に違いがあるとは認められない。
　そうすると、引用例１【００５８】に記載された発明の処理の順番を入れ替えて、請求項１に係る発明と同じ順番で実施するようにすることは、当業者が適宜為し得た事項である。
［相違点２］について
　イオン注入を行う際に、イオンを注入する面に膜を設けてからイオン注入を行うことは、引用例２【００２９】、引用例３【００５０】、引用例４第１頁左下欄１８行乃至右下欄２行に記載されているように、適宜行われている公知技術である。
　そして、引用例１【００５８】に記載された発明において、注入されるイオンの量を制限するため、もしくは、イオンが注入される面の損傷を低減するため、あるいは、イオンが注入される面を汚染から保護するため、等を目的として、請求項１に係る発明と同様に「前記第２面上の第２の膜を堆積」することは、当業者が適宜為し得た事項である。
　その際に、「前記第２面上の第２の膜」は、注入されるイオンを通す必要があることから、「前記第１の膜の厚さは前記第２の膜の厚さよりも厚」くすることは、当然なされていると認められる。
・請求項２−４
・引用例　１−４
・備考
　引用例１に「【００２７】
　本発明の具体例では、ブロッキングマスク材料の密度および膜厚に依存して、ブロッキングマスク材料はドーパントイオンをブロックする。」と記載されているように、請求項２乃至４に係る発明の「第１の膜」に対応する「ブロッキングマスク材料」は、請求項４に係る発明と同様に、「前記第１の膜が、前記第１面の更なる処理を制限するのに十分な厚みになるまで」、ブロッキングマスク材料を堆積させていると認められる。
　また、「ブロッキングマスク材料」の厚さをどのような厚さにするかは、注入を制限するイオンが有するエネルギーから、当業者が設計時に適宜考慮する事項であるから、請求項２および３に係る発明のように、その厚さを「８０オングストロームを超える」ものとすることや、「第２膜の厚さの１０倍」とすることは、当業者が適宜為し得た事項である。
・請求項５，６
・引用例　１−４
・備考
　引用例１に「【００３０】
　本発明の具体例では、ブロッキングマスク材料は、アモルファスカーボン、酸化物、または窒化物から選択される。」と記載されているように、請求項５及び６に係る発明の「第１の膜」に対応する「ブロッキングマスク材料」は、酸化物または窒化物であるから、これらの窒化物または酸化物を得るために、「ブロッキングマスク材料」の元となる材料を堆積した後に、酸化もしくは窒化するために、請求項５および６に係る発明のように、「酸素を含有する原子、分子又はプラズマに暴露する段階」もしくは「窒素を含有する原子、分子又はプラズマに暴露する段階」を有するようにすることは、当業者が適宜為し得た事項である。
・請求項７
・引用例　２
・備考
　引用例２「第１の実施の形態」に記載された発明の「半導体基板１」「トレンチ５の底部Ｕ」「トレンチ壁」「二酸化シリコンから成るゲート誘電体２０をトレンチ５の基板１の上に形成する」ことは、請求項７に係る発明の「基板」「前記イオンの流れに対して垂直又は実質的に垂直な第１面部分」「前記イオンの流れに対して平行又は実質的に平行な第２面部分」「膜を前記基板の前記第１面部分上に堆積させる」ことに相当する。
　また、引用例２「第３の実施形態」【００２７】には、「不純物ドープ領域５０をトレンチ５の底面Ｕの下方にパンチスルー防止領域として形成するためのイオン注入Ｉ'を、ゲート誘電体２０形成の前に、または後に、かつトレンチ５にゲート電極を形成する前に行なう。」（請求項７に係る発明の「基板にイオン注入を行い、前記第１面部分には、前記第２面部分よりも多くイオンを注入する」ことに対応する。）ことが記載されている。
　さらに、引用例２「第４の実施形態」【００２９】には、「このイオン注入Ｉ''は都合上、内部絶縁スペーサ２５を形成した後に、当該スペーサをマスクとして使用して行なわれる。」との記載があり、上記記載の「内部絶縁スペーサ２５」の形成は、請求項７に係る発明の「膜を前記基板の前記第２面部分上に堆積させる」ことに対応する。
　また、上記「イオン注入Ｉ''」は、請求項７に係る発明の「前記第１面部分上の前記膜により、前記第１面部分への更なるイオン注入が制限されると同時に、前記第２面部分には前記膜を介してイオンが注入されるイオン注入を前記基板に行う」ことに対応する。
  そして、引用例２「第１の実施の形態」に記載された発明に、引用例２に記載された「第３の実施の形態」および「第４の実施の形態」に記載された技術を適用することは、当業者が適宜為し得ることであるから、請求項７に係る発明は、引用例２に記載された公知技術から適宜為し得たものであると認められる。
・請求項８
・引用例　２
・備考
　引用例２「第４の実施形態」においても、「イオン注入Ｉ''」に際して、「イオンが前記膜を通過して前記第１面部分へと注入されるのを防ぐのに十分な膜厚を有」していると認められる。
・請求項９，１０
・引用例　２
・備考
　形成された膜を酸素や窒素に暴露することは、当業者が必要に応じ適宜為し得る事項である。」
２　当審拒絶理由についての判断
（１）記載要件について
ア　理由Ａ．について
　請求項７は、
「非平面的な基板にイオンを注入する方法であって、
　前記基板の平面に平行な第１面部分、及び、前記基板の前記平面に垂直な第２面部分を有する前記基板にイオン注入を行い、前記第１面部分には、前記第２面部分よりも大きな濃度のドーパントを注入する第１段階と、
　前記第２面部分上よりも前記第１面部分上において膜厚が大きい膜を前記基板の前記第１面部分の全体上及び前記第２面部分の全体上に堆積させる第２段階と、
　前記第１面部分上の前記膜により、前記第１面部分への更なるイオン注入が制限されると同時に、前記第２面部分には前記膜を介してイオンが注入され、前記第１面部分は、前記第２面部分が注入される割合よりも低い割合で、ドーパントが注入される第３段階と
　を備え、
　前記第１段階および前記第３段階のイオンの流れが同一方向である方法。」
と補正され、「前記イオンの流れに対して平行又は実質的に平行な第２面部分を有」し、該「前記第２面部分には前記膜を介してイオンが注入されるイオン注入を前記基板に行う」ことは削除されたから、請求項７に記載された発明は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施できる程度に明確かつ十分に記載されているといえる。
　したがって、当審拒絶理由のＡ．に示した理由によっては、本願を拒絶することはできない。
イ　理由Ｂ．について
（ア）理由Ｂ．１．について
　請求項１の「第２段階」は、補正により「前記第１面が更に処理されるのを制限する前記第１面全体上の第１の膜及び前記第２面全体上の第２の膜を堆積する第２段階」となったから、請求項１に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されたものである。
　したがって、当審拒絶理由のＢ．１．に示した理由によっては、本願を拒絶することはできない。
（イ）理由Ｂ．２．について
　請求項１は、補正により「面に注入されるイオンの総量」との記載は削除されたから、請求項１に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されたものである。
　したがって、当審拒絶理由のＢ．２．に示した理由によっては、本願を拒絶することはできない。
（ウ）理由Ｂ．３．について
　請求項７は補正により、該当する記載が「前記第２面部分上よりも前記第１面部分上において膜厚が大きい膜を前記基板の前記第１面部分の全体上及び前記第２面部分の全体上に堆積させる第２段階」となったから、請求項７に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されたものである。
　したがって、当審拒絶理由のＢ．３．に示した理由によっては、本願を拒絶することはできない。
ウ　理由Ｃ．について
（ア）理由Ｃ．１．について
　請求項４の「第１面の更なる処理」は、補正により「前記第３段階におけるイオン注入による前記第１面の更なる処理」となったから、請求項４に記載された発明は、明確となった。
　したがって、当審拒絶理由のＣ．１．に示した理由によっては、本願を拒絶することはできない。
（イ）理由Ｃ．２．について
　請求項７は、補正により「実質的」との言葉は削除されたから、請求項７に記載された発明は、明確となった。
　したがって、当審拒絶理由のＣ．２．に示した理由によっては、本願を拒絶することはできない。
（２）進歩性について
ア　引用例２（当審の拒絶理由において引用例１として引用した文献）の記載事項及び引用例２発明
（ア）引用例２
　当審の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００８−５３７２５号公報には、図面とともに、上記「第３　２　（２）　ア」で示したことが記載されている。
（イ）引用例２発明
　引用例２には、上記「第３　２　Ａ　（２）　イ」で示した発明が記載されていると認められる。
イ　引用例３（当審の拒絶理由において引用例２として引用した文献）の記載事項及び引用例３発明
（ア）引用例３
　当審の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００７−１１０１１０号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ａ）「【００１３】
  本発明の好適な実施形態は図に例示され、そして以下の記述において説明される。これらの図では、同じ参照記号は同じ、または機能的に等価な構成要素を指す。
  図１は、本発明の第１の実施形態としてのトレンチトランジスタの幾何学構造の模式平面図を示し、図１Ａ，Ｂは図１のラインＡ−Ａ'及び線Ｂ−Ｂ'にそれぞれ沿った２つの異なる模式断面を示す。
【００１４】
  図１では、
参照記号１は半導体基板を指し
【００１５】
  次に、マスク層の開口３ａを、方向Ｂ−Ｂ'に延び、かつ基板１を形成領域ＲＴの中心領域において露出させるマスク層３に形成する。開口３ａは、トレンチ５の内、後続の工程で基板１においてエッチングされる予定の位置を画定する。
【００１６】
  図１Ａ，Ｂ〜図７Ａ，Ｂは、本発明の第１の実施形態としてのトレンチトランジスタの図１Ａ，Ｂから始まる形成方法、及び該当するトレンチトランジスタの、図１のラインＡ−Ａ'及びＢ−Ｂ'にそれぞれ沿った２つの異なる模式断面を示している。
【００１７】
  図２Ａ，Ｂに示す後続のプロセス工程では、
トレンチトランジスタのトレンチ５はドライエッチングプロセスにより形成される。
【００１８】
  図３Ａ，Ｂに示す次のプロセス工程では、図３Ｂからはっきりと分かるように、ウェットエッチングを行なって分離トレンチＩＴ'の酸化シリコンの内、トレンチ５の横の部分をＢ−Ｂ'の方向に除去する。このウェットエッチング工程では、シリコン基板１のシリコンがエッチングされないようにシリコンに対して高い選択性を示すように酸化シリコンをエッチングする。このウェットエッチング工程では、トレンチ５はＢ−Ｂ'の方向に形成され、そしてトレンチ５の底面Ｕの下方に位置し、かつトレンチ５の横に位置するアンダーカット領域５ａが方向Ｂ−Ｂ'に沿って形成される。前記アンダーカット領域５ａを設けることにより、チャネル領域上のゲートに対する制御性が３ゲート構造によって向上する、というのは、ゲートが底面Ｕのエッジの下方にまで延びることができるからである。
【００１９】
  その後、図４Ａ，Ｂに示すように、
二酸化シリコンから成るゲート誘電体２０をトレンチ５の基板１の上に形成する。
【００２０】
  図５Ａ，Ｂに示すように、次に、トレンチ５内のゲート電極３０'を、マスク層３をマスクとして使用してソース／ドレイン領域４の深さの位置の下方にまでエッチバックする。
【００２１】
  図６Ａ，Ｂを参照すると、マスク層３が除去されることが分かる。後続のプロセス工程では、低濃度ソース／ドレイン領域４'（ＬＤＤ）を、エッチバックされたゲート電極３０'の上の
トレンチの壁の位置の半導体基板１に形成する。このイオン注入Ｉは自己整合的に行なわれる
【００２２】
  図７Ａ，Ｂに示す後続のプロセス工程において、次に、
酸化シリコンから成る絶縁スペーサ２５をエッチバックされたゲート電極３０'の上のトレンチ壁に形成する。
【００２３】
  このようにして、第１の実施形態によるトレンチトランジスタが完成する。この後のプロセス工程（図示せず）においては、次に、ソース／ドレイン領域４及びゲート電極３０'，３０''を更に別の回路要素（ここには示さず）に接続する。」
（ｂ）「【００２６】
  図９Ａ，Ｂは本発明の第３の実施形態としてのトレンチトランジスタの形成方法、及び該当するトレンチトランジスタの、図１のラインＡ−Ａ'及びＢ−Ｂ'にそれぞれ沿った２つの異なる模式断面を示している。
【００２７】
  図９Ａ，Ｂによる
第３の実施形態では、不純物ドープ領域５０をトレンチ５の底面Ｕの下方にパンチスルー防止領域として形成するためのイオン注入Ｉ'を、ゲート誘電体２０形成の前に、または後に、かつトレンチ５にゲート電極を形成する前に行なう。
（ｃ）「【００２８】
  図１０Ａ，Ｂは本発明の第４の実施形態としてのトレンチトランジスタの形成方法、及び該当するトレンチトランジスタの、図１のラインＡ−Ａ'及びＢ−Ｂ'にそれぞれ沿った２つの異なる模式断面を示している。
【００２９】
  図１０Ａ，Ｂによる本発明の
第４の実施形態では、非常に浅い斜めイオン注入Ｉ''を行なって、打ち返しのための逆導電型の不純物のイオン注入によって非常に薄い不純物濃度になったソース／ドレイン領域４''を形成する、すなわちソース／ドレイン領域４に横方向の不純物勾配が形成されるようにして当該領域に生じる高電界を緩和する。このイオン注入Ｉ''は都合上、内部絶縁スペーサ２５を形成した後に、当該スペーサをマスクとして使用して行なわれる。
（イ−１）引用例３発明
　上記（ａ）−（ｃ）より、引用例３には、次の発明（以下、「引用例３発明」という。）が記載されていると認められる。
「トレンチトランジスタのトレンチをドライエッチングで形成し、
　トレンチの底面の下方にパンチスルー防止領域としてのイオン注入を行い、
　二酸化シリコンからなるゲート誘電体をトレンチの基板の上に形成し、
　酸化シリコンからなる絶縁スペーサをトレンチ壁に形成し、
　絶縁スペーサ形成した後に、絶縁スペーサをマスクとして、非常に浅い斜めイオン注入を行って、非常に薄不純物濃度になったソース／ドレイン領域を形成する　方法。」
（イ−２）引用例３記載事項
　上記（ｃ）により、引用例３には、以下の事項が記載されている。
「絶縁スペーサを形成し、絶縁スペーサをマスクとして、非常に浅い斜めイオン注入を行うこと。」
ウ　引用例４（当審の拒絶理由において引用例３として引用した文献）の記載事項
（ア）引用例４
　当審の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物である特開平１１−１１１８７０号公報（以下、「引用例４」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ａ）「【００５０】また、本実施形態では、この多結晶シリコン層４をむき出しにしたまま、イオン注入を行ったが、このかわりに、
いわゆるスルーインプラントによる方法を採用することもできる。これは、イオン注入を多結晶シリコン層４に対して行うと損傷が発生してしまうが、この損傷を低減するために、この層の上に、例えば薄い酸化膜などを形成し、これを介してイオンの注入を行うものである。
（イ）引用例４記載事項
　上記（ａ）により、引用例４には、以下の事項が記載されている。
「イオン注入による多結晶シリコン層の損傷を低減するために、薄酸化膜などを形成し、これを介してイオン注入を行うこと。」
エ　引用例５（当審の拒絶理由において引用例４として引用した文献）の記載事項
（ア）引用例５
　当審の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に日本国内で頒布された刊行物である特開昭６１−１９４７８０号公報（以下、「引用例５」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ａ）「〔背景技術〕
　化合物半導体、特に、ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴのイオン注入に際しては、ＧａＡｓ基板の表面を露出した状態でのイオン打込みが行われている（例えば、電子材料、１９８３年１月号、Ｐ４７）。しかし、
基板表面にこれを保護するための膜を形成した上で、この膜（スルー膜）を通したイオン打込みの方が、汚染などの問題で高活性率が得られると考えられる。
（イ）引用例５記載事項
　上記（ａ）により、引用例５には、以下の事項が記載されている。
「イオン打込みの際に、基板表面にこれを保護するための膜を形成した上で、この膜を通したイオン打込みの方が、汚染などの問題で高活性率が得られること。」
オ　対比・判断
（ア）本願発明１と引用例２発明について
（ａ）　本願発明１と引用例２発明は、上記「第３　２　Ａ　（３）　イ　ｂ．」で示した点で、一致また相違する。
（ｂ）判断
　［相違点２］ついて検討する。
［相違点２］について
　引用例２発明は、注入工程について、傾斜角αで行う「第１注入工程」と、傾斜角−αで行う「第２注入工程」と、「フィンの上面に対して垂直に、ドーパントイオンを用いた追加の注入を行う」ことにより、３度のイオン注入を行っており、本願発明１のように「前記第１段階および前記第３段階のイオンの流れが同一方向である」ことにより、２度のイオン注入により処理されることを、想起することができたとは認められない。
　また、引用例３ないし５の記載から、引用例２発明において、上記［相違点２］について、本願発明１の方法を採用することが容易であるとも言えない。
　そして、本願発明１は、特に［相違点２］を有することによって、引用例２発明に比べイオン注入の回数を少なくすることができるという格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点２］に係る構成は、引用例２−５に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到してたものであるとは言えない。
　したがって、本願発明１は、他の相違点については検討するまでもなく、引用例２−５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（イ）本願発明２と引用例３発明について
（ａ）本願発明２と引用例３発明を対比する。
（あ）引用例３発明は、「トレンチトランジスタのトレンチをドライエッチングで形成し、トレンチの底面の下方にパンチスルー防止領域としてのイオン注入を行い」また「非常に浅い斜めイオン注入を行って」いるから、このことは、本願発明２の「非平面的な基板にイオンを注入する方法」に相当し、また、「前記基板の平面に平行な第１面部分、及び、前記基板の前記平面に垂直な第２面部分を有する前記基板にイオン注入を行」うことに相当する。
（い）引用例３発明の「トレンチの底面の下方にパンチスルー防止領域としてのイオン注入を行」うことは、本願発明２の「前記第１面部分には、前記第２面部分よりも大きな濃度のドーパントを注入する第１段階」に相当する。
（う）引用例３発明の「二酸化シリコンからなるゲート誘電体をトレンチの基板の上に形成し、酸化シリコンからなる絶縁スペーサをトレンチ壁に形成」することは、本願発明２の「前記第２面部分上よりも前記第１面部分上において膜厚が大きい膜を前記基板の前記第１面部分の全体上及び前記第２面部分の全体上に堆積させる第２段階」に相当する。
（え）引用例３発明の「絶縁スペーサ形成した後に、絶縁スペーサをマスクとして、非常に浅い斜めイオン注入を行って、非常に薄不純物濃度になったソース／ドレイン領域を形成す」ことは、本願発明２の「前記第１面部分上の前記膜により、前記第１面部分への更なるイオン注入が制限されると同時に、前記第２面部分には前記膜を介してイオンが注入され、前記第１面部分は、前記第２面部分が注入される割合よりも低い割合で、ドーパントが注入される第３段階」に相当する。
（ｂ）以上（あ）〜（え）のことから、本願発明２と引用例３発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「非平面的な基板にイオンを注入する方法であって、
　前記基板の平面に平行な第１面部分、及び、前記基板の前記平面に垂直な第２面部分を有する前記基板にイオン注入を行い、前記第１面部分には、前記第２面部分よりも大きな濃度のドーパントを注入する第１段階と、
　前記第２面部分上よりも前記第１面部分上において膜厚が大きい膜を前記基板の前記第１面部分の全体上及び前記第２面部分の全体上に堆積させる第２段階と、
　前記第１面部分上の前記膜により、前記第１面部分への更なるイオン注入が制限されると同時に、前記第２面部分には前記膜を介してイオンが注入され、前記第１面部分は、前記第２面部分が注入される割合よりも低い割合で、ドーパントが注入される第３段階と
　を備える方法。」
［相違点］
　本願発明２は、「前記第１段階および前記第３段階のイオンの流れが同一方向である」のに対して、引用例３発明はそうでない点。
（ｃ）判断
　上記相違点について検討する。
　引用例３発明では、イオン注入を「パンチスルー防止領域」を形成するためのイオン注入と、非常に浅い斜めイオン注入を行っており、図１０Ａの記載からみて、該斜め注入は２度に分けて行われると認められ、引用例３発明では、イオン注入が３度に分けて行われており、本願発明２のように「前記第１段階および前記第３段階のイオンの流れが同一方向である」ことにより、２度のイオン注入により処理されることを、想起することができたとは認められない。
　そして、本願発明２は、上記［相違点］を有することによって、引用例３発明に比べイオン注入回数を少なくすることができるという格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点］に係る構成は、引用例３に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到してたものであるとは言えない。
　したがって、本願発明１は、引用例３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（ウ）本願の請求項２ないし６および８ないし１０に係る発明の進歩性について
　本願の請求項２ないし５および８ないし１０は、それぞれ請求項１および７を引用しており、本願の請求項２ないし５および８ないし１０に係る発明は本願発明１および２の発明特定事項を全て有する発明である。
　してみれば、本願発明１および２が引用例２−５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願の請求項２ないし５および８ないし１０に係る発明も、引用例２−５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（３）当審拒絶理由についてのまとめ
　以上のとおり、当審拒絶理由のＡ．乃至Ｄ．に示した理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　そすると、もはや、当審の拒絶理由によっては本願を拒絶することはできない。
第５　結語
　以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶するべき理由は発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。