【事件の表示】
　特願２０１３−５１０４９９「高電子移動度および不均一な層抵抗を有するガイドチャネルを備えたトランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　２月２３日国際公開、ＷＯ２０１２／０２２３０８、平成２５年　７月１８日国内公表、特表２０１３−５２９３８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成２３年（２０１１年）５月１２日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０１０年５月１８日，独国）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２６年　１月２４日　審査請求
平成２６年１１月２７日　拒絶理由通知
平成２７年　２月２７日　意見書・手続補正
平成２７年　９月２５日　拒絶査定
平成２８年　１月　７日　審判請求
　
２　本願発明について
（１）本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　第１半導体層と，
　前記第１半導体層の上に堆積される第２半導体層と，
　前記第２半導体層の上に堆積される誘電性のパッシベーション層と，
　前記第２半導体層との層境界にて前記第１半導体層の中に形成される，ガイドチャネル内の２次元電子ガスと，
　横方向に互いに離間配置された，前記ガイドチャネルに導電的に接続されたソース電極およびドレイン電極と，
　前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に設けられたゲート電極と，
を有するＨＥＭＴ構造の半導体デバイスにおいて，
　前記ガイドチャネルの層抵抗は，前記ドレイン電極と前記ゲート電極の間の電流方向において不均一になっており，前記ガイドチャネルの層抵抗は，前記ゲート電極と前記ドレイン電極の間に位置する前記ガイドチャネルの部分区間において，前記部分区間の両側に位置するガイドチャネルの隣接領域に比べて高められており，
　前記部分区間に亘るパッシベーション層は，前記隣接領域に亘るパッシベーション層とは，組成および／または堆積プロセスのパラメータが異なり，
　前記部分区間に亘るパッシベーション層は，前記隣接領域に亘るパッシベーション層に対して付加的な構成要素を含む，
ことを特徴とするデバイス。」
（２）引用文献１の記載と引用発明１
　ア　引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００６−２８６７４０号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びその製造方法，特に，ＧａＮ系半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　
ＧａＮ系半導体を用いた半導体装置
高電子移動度トランジスタ（High Electron Mobility Transistor：HEMT）
（イ）「【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
　
ＧａＮ系ＨＥＭＴの２ＤＥＧ（２次元電子ガス）濃度は電子走行層と電子供給層の分極の差により増減することが知られている。分極はＧａＮ系半導体結晶を形成する原子の電気陰性度の違いに起因する自発分極と，格子定数の違いによる半導体膜中の応力に起因するピエゾ分極がある。
【００１７】
　図１はＧａＮ系ＨＥＭＴを例に分極に起因した２ＤＥＧ濃度の増減を説明するための図である。図１（ａ）において，基板の（０００１）面上にＧａＮ電子走行層１２およびＡｌＧａＮ電子供給層１４が形成された場合，ＧａＮ電子走行層１２中の自発分極はＡｌＧａＮ電子供給層１４中の自発分極より小さい。さらに，ＡｌＧａＮ電子供給層１４中の格子定数の違いによる応力に起因したピエゾ分極が自発分極と同じ向きに発生する。このため，
ＧａＮ電子走行層１２のＡｌＧａＮ電子供給層１４界面の２ＤＥＧ濃度はＧａＮ電子走行層１２とＡｌＧａＮ電子供給層１４の分極の差に相当する電荷の２ＤＥＧ濃度が増加する。
【００１８】
　
ＡｌＧａＮ電子供給層１４に凹部２８が形成された場合，凹部２８でのＡｌＧａＮ電子供給層１４中の自発分極は凹部２８以外と同じである。一方，凹部２８でのＡｌＧａＮ電子供給層１４中に発生するピエゾ分極は，凹部２８では格子定数の違いによる応力は小さくなるため，小さくなる。図１（ｂ）は横軸が図１（ａ）の横方向の位置を示し，縦軸は２ＤＥＧの電子濃度を示している。この図のように，凹部２８下の２ＤＥＧ濃度は凹部２８下以外より小さくなる。
【００１９】
　以下，前述の分極を応用し，相互コンダクタンスおよび
ドレイン耐圧が高く
なＧａＮ系ＨＥＭＴ
（ウ）「【実施例１】
【００２０】
　図２から図５は実施例１に係るＧａＮ系ＨＥＭＴおよびその製造方法を示す断面図である。図２を参照に，例えば，サファイア基板１０の（０００１）面上に，ＧａＮ系半導体層１６として，
膜厚２μｍの不純物を添加しないＧａＮ電子走行層１２，膜厚２５ｎｍの不純物を添加しないＡｌＧａＮ電子供給層１４を例えばＭＯＣＶＤ法を用いエピタキシャル成長する（形成する）。
（エ）「【実施例２】
【００２９】
　図７は実施例２に係る
ＨＥＭＴ
基板１０上にＧａＮ系半導体層１６としてＧａＮ電子走行層１２(図示せず)および電子供給層１４（図示せず）が形成され，
。ゲート電極１８はゲート埋込部３６に埋め込まれ形成されている。
ソース電極２０およびドレイン電極２２が形成されている。
さらに第２のリセス部２８とドレイン電極２２の間に凹部４０が形成されている。
【００３０】
　図８は，ドレイン電極２２に電圧が印加されたときの第２のリセス部３８とドレイン電極２２間の電界を示した図である。横軸は第２のリセス部３８からドレイン電極２２に至る位置，縦軸は電界Ｅを示している。凹部４０のない実施例１の電界を実線，凹部４０のある実施例２の電界を破線で示している。
凹部４０を有することにより電界のピーク高さが低くなっている。電界ピーク高さが高い箇所では耐圧破壊が発生しやすい。よって，実施例２では電界ピーク高さが低いため，より高ドレイン耐圧を実現できる。このためより高出力動作が可能となる。
（オ）「【００３７】
　ＧａＮ系半導体層１６また，電子走行層１２と基板１０の間にバッファ層を形成することも可能であるし，
電子供給層１４上に保護層を形成することもできる。
（カ）図７には，
ドレイン電極２２とゲート電極１８との間の部分区間に亘り凹部４０が形成される
ソース電極２０とドレイン電極２２が横方向に離間配置される
ゲート電極１８がソース電極２０とドレイン電極２２の間に設けられる
　イ　前記アより，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「基板上にＧａＮ電子走行層およびＡｌＧａＮ電子供給層が形成され，ＡｌＧａＮ電子供給層上に保護層が形成され，ソース電極とドレイン電極が横方向に離間配置され，ゲート電極がソース電極とドレイン電極の間に設けられ，ドレイン電極とゲート電極との間の部分区間に亘り凹部が形成され，ＧａＮ電子走行層のＡｌＧａＮ電子供給層界面の２ＤＥＧ濃度は凹部下で凹部下以外より小さくなっているＨＥＭＴ。」
（３）引用文献２の記載及び引用発明２
　ア　引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００９−２６７１５５号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，半導体装置に関し，特に窒化物系半導体機能層を有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　ガリウムナイトライド
（ＧａＮ）系化合物半導体
高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：high electron mobility transistor）が知られている。
【０００３】
　ＨＥＭＴは，ＧａＮ層とこのＧａＮ層上にヘテロ接合によって積層されたアルミニウムガリウムナイトライド（ＡｌＧａＮ）層とを有する窒化物系半導体機能層に構成され，ＡｌＧａＮ層上にはソース電極及びドレイン電極とゲート電極とを有する。ＧａＮ層のヘテロ接合近傍には
高移動度の電子が走行する２次元電子ガス（２ＤＥＧ：two-dimensional electron gas）チャネル（２次元電子ガス層）が生成される。
（イ）「【００２０】
　
パッシベーション膜１０は，
第２の窒化物系半導体領域２２と接触しかつ第１の主電極３とゲート電極５との間に圧縮応力を有するシリコン酸化膜（第２の絶縁体１０Ｂ）と，第２の窒化物系半導体領域２２と接触しかつ第２の主電極４とゲート電極５との間に引張応力を有するシリコン窒化膜（第１の絶縁体１０Ａ）とを有する。
【００２１】
　
第１の絶縁体１０Ａは，その直下の第２の窒化物系半導体領域２２に第１の絶縁体１０Ａ自身が有する引張応力と反対の圧縮性の歪みを与え，第２の窒化物系半導体領域２２に自発分極並びにピエゾ分極の電界強度を弱める方向に変調させ，二次元キャリアガスチャネル２３において電子（キャリア）を減少させ，抵抗値（ΔＲｓ）を増加させる。
【００２２】
　
第２の絶縁体１０Ｂは，その直下の第２の窒化物系半導体領域２２に第２の絶縁体１０Ｂ自身が有する圧縮応力と反対の伸張性の歪みを与え，自発分極並びにピエゾ分極の電界強度を強める方向に変調させ，二次元キャリアガスチャネル２３において電子を増加させ，抵抗値（ΔＲｓ）を減少させる。
（ウ）「【００２７】
［ＨＥＭＴの製造方法］
　次に，前述のＨＥＭＴ１の製造方法について，図３乃至図６を使用し，簡単に説明する。
【００２８】
　まず，第１の窒化物系半導体領域２１上に，第１の窒化物系半導体領域２１よりも格子定数が小さく，バンドギャップが大きく，引張応力が生じる第２の窒化物系半導体領域２２をヘテロ接合により積層した窒化物系半導体機能層２が形成される（図３参照。）。図３に示すように，
第２の窒化物系半導体領域２２の表面上の全域に圧縮応力を持つような条件において第２の絶縁体１０Ｂが形成される。第２の絶縁体１０Ｂには，例えばプラズマ化学気相成長（ＰＥ−ＣＶＤ）法により圧縮応力を膜が有するように成膜されたシリコン酸化膜が使用される。
【００２９】
　次に，ＨＥＭＴ１の第２の主電極４とゲート電極５との間に相当する領域において，
第２の絶縁体１０Ｂの一部がパターンニングにより除去され，第２の窒化物系半導体領域２２の表面の一部が露出される（図４参照。）。パターンニングにはフォトリソグラフィ技術により形成されたマスクが使用され，このマスクから露出する第２の絶縁体１０Ｂがエッチングされる。図４に示すように，第２の絶縁体１０Ｂが除去された領域，すなわち第２の主電極４とゲート電極５との間に相当する窒化物系半導体機能層２の表面上に引張応力を持つような条件において第１の絶縁体１０Ａが形成される。第１の絶縁体１０Ａには例えばプラズマ化学気相成長法により引張応力を持つような条件において成膜されたシリコン窒化膜が使用され，このシリコン窒化膜は成膜後にパターンニングされる。
　イ　引用発明２
　前記アより，引用文献２には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「ＧａＮ系化合物半導体を用いたＨＥＭＴにおいて，パッシベーション膜は第１の絶縁体（シリコン窒化膜）と第２の絶縁体（シリコン酸化膜）とを有し，第１の絶縁体は，その直下の第２の窒化物系半導体領域に圧縮性の歪みを与え，自発分極並びにピエゾ分極の電界強度を弱める方向に変調させ，二次元キャリアガスチャネルにおいて電子を減少させ，抵抗値を増加させ，一方，第２の絶縁体は，その直下の第２の窒化物系半導体領域に伸張性の歪みを与え，自発分極並びにピエゾ分極の電界強度を強める方向に変調させ，二次元キャリアガスチャネルにおいて電子を増加させ，抵抗値を減少させる。」
（４）本願発明と引用発明１との対比
　ア　引用発明１の「ＧａＮ電子走行層」，「ＡｌＧａＮ電子供給層」及び「保護層」は「基板上に形成」されるから堆積されるものであることは自明であり，それぞれ本願発明の「第１半導体層」，「前記第１半導体層の上に堆積される第２半導体層」及び「前記第２半導体層の上に堆積される誘電性のパッシベーション層」に相当すると認められる。
　イ　引用発明１の「ＧａＮ電子走行層のＡｌＧａＮ電子供給層界面の２ＤＥＧ」は，高移動度の電子が走行するチャネルとして機能するから，本願発明の「前記第２半導体層との層境界にて前記第１半導体層の中に形成される，ガイドチャネル内の２次元電子ガス」に相当すると認められる。
　ウ　引用発明１の「ソース電極とドレイン電極」は，「横方向に離間配置され」，またチャネルとして機能する２ＤＥＧと導電的に接続されることは自明であるから，本願発明の「横方向に互いに離間配置された，前記ガイドチャネルに導電的に接続されたソース電極およびドレイン電極」に相当すると認められる。
　エ　引用発明１の「ゲート電極」は，「ソース電極とドレイン電極の間に設けられ」るから，本願発明の「前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に設けられたゲート電極」に相当すると認められる。
　オ　引用発明１の「ＨＥＭＴ」は，下記相違点を除いて，本願発明の「ＨＥＭＴ構造の半導体デバイス」に相当すると認められる。
　カ　引用発明１においては「ドレイン電極とゲート電極との間の部分区間に亘り凹部が形成され，ＧａＮ電子走行層のＡｌＧａＮ電子供給層界面の２ＤＥＧ濃度は凹部下で凹部下以外より小さくなっている」もので，「凹部下」の「部分空間」においてチャネルとして機能する「２ＤＥＧの濃度」が「小さくなっている」ということは，すなわち抵抗が，「部分空間」において，凹部下以外の部分空間の両側の隣接領域に比べて高くなっているということであるから，本願発明の「前記ガイドチャネルの層抵抗は，前記ドレイン電極と前記ゲート電極の間の電流方向において不均一になっており，前記ガイドチャネルの層抵抗は，前記ゲート電極と前記ドレイン電極の間に位置する前記ガイドチャネルの部分区間において，前記部分区間の両側に位置するガイドチャネルの隣接領域に比べて高められ」を満たすものである。
　キ　よって，本願発明と引用発明１とは，下記（ア）の点で一致するが，下記（イ）の点で相違すると認められる。
（ア）一致点
「第１半導体層と，
　前記第１半導体層の上に堆積される第２半導体層と，
　前記第２半導体層の上に堆積される誘電性のパッシベーション層と，
　前記第２半導体層との層境界にて前記第１半導体層の中に形成される，ガイドチャネル内の２次元電子ガスと，
　横方向に互いに離間配置された，前記ガイドチャネルに導電的に接続されたソース電極およびドレイン電極と，
　前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に設けられたゲート電極と，
を有するＨＥＭＴ構造の半導体デバイスにおいて，
　前記ガイドチャネルの層抵抗は，前記ドレイン電極と前記ゲート電極の間の電流方向において不均一になっており，前記ガイドチャネルの層抵抗は，前記ゲート電極と前記ドレイン電極の間に位置する前記ガイドチャネルの部分区間において，前記部分区間の両側に位置するガイドチャネルの隣接領域に比べて高められている，
ことを特徴とするデバイス。」
（イ）相違点
　本願発明においては「前記部分区間に亘るパッシベーション層は，前記隣接領域に亘るパッシベーション層とは，組成および／または堆積プロセスのパラメータが異なり，前記部分区間に亘るパッシベーション層は，前記隣接領域に亘るパッシベーション層に対して付加的な構成要素を含む」のに対し，引用発明１の保護膜は前記付加的な構成要素を含まない点。
（５）相違点についての検討
　引用発明２は「ＧａＮ系化合物半導体を用いたＨＥＭＴにおいて，パッシベーション膜は第１の絶縁体と第２の絶縁体を有し，第１の絶縁体は，その直下の分極を弱め，電子を減少させ抵抗値を増加させる」ことを開示しており，引用発明１において，部分区間に亘る「凹部」は電子供給層の分極を小さくしてその下の２ＤＥＧ濃度を小さくするという作用機能を有するもの（前記（２）ア（イ））であるから，ＧａＮ系化合物半導体を用いたＨＥＭＴの技術分野において「分極を弱め，二次元キャリアガスチャネルにおいて電子を減少させる」という同一の作用機能を有する引用発明２の「第１の絶縁体」をパッシベーション膜として採用して，凹部に代えることは，当業者が容易に想到することである。
　その結果，部分区間に亘るパッシベーション膜は第１の絶縁体とし，隣接領域に亘るパッシベーション膜は第２の絶縁体とすることで，組成が異なること，かつ，引用発明２のパッシベーション膜は第２の絶縁体の一部を除去し，その領域に第１の絶縁体が形成される（前記（３）ア（ウ））から，付加的な構成要素となること，は当然に導出される。
　よって，相違点に係る構成は当業者が容易に想到できるものである。
（６）本願発明の効果について
　本願発明の効果は，引用発明１及び２の構成から当業者が予測できるものであり，格別のものではない。
（７）まとめ
　したがって，本願発明は，引用発明１及び２に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３　結言
　したがって，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。