(57)【要約】【課題】現像工程において、高アスペクト比のパターンの倒壊を防止できるパターン形成方法を提供すること。【解決手段】被転写基板上にレジストを塗布する工程と、前記レジストに第１のパターンを露光する工程と、前記レジストに、前記第１のパターンに隣接する第２のパターンを露光する工程と、前記レジストを現像する工程と、を備え、前記第１のパターンよりも少ない露光量で、前記第２のパターンを露光することを特徴とするパターン形成方法。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被転写基板上にレジストを塗布する工程と、
前記レジストに第１のパターンを露光する工程と、
前記レジストに、前記第１のパターンに隣接する第２のパターンを露光する工程と、
前記レジストを現像する工程と、を備え、
前記第１のパターンよりも少ない露光量で、前記第２のパターンを露光すること
を特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記第１のパターンを露光する工程は、電子線を用いて露光する工程であり、
前記第２のパターンを露光する工程は、電子線を用いて露光する工程であること
を特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記第１のパターンを露光する工程は、フォトマスクを用いて露光する工程であり、
前記第２のパターンを露光する工程は、フォトマスクを用いて露光する工程であること
を特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記第１のパターンは、アスペクト比が３以上のレジストパターンに対応し、前記第２のパターンは、アスペクト比が３未満のレジストパターンに対応することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
被転写基板上に配置されたメインレジストパターンと、
前記被転写基板上に配置され、前記メインレジストパターンに隣接する補助レジストパターンと、を備え、
前記補助パターンのパターン高さは、前記メインレジストパターンのパターン高さより小さいこと
を特徴とするパターン形成体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法およびパターン形成体に係り、特にアスペクト比の高いパターンの形成に適したパターン形成方法およびパターン形成体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体集積回路の高集積化に伴い、半導体集積回路の製造に用いるフォトマスクにも、なおいっそうのパターンの微細化、高精度化が要求されている。そのために、フォトマスクの製造工程、すなわち、電子線もしくはレーザー光によるパターン描画工程、現像工程、エッチング工程においても、さらなるパターンの微細化、高精度化の対応が迫られている（特許文献1）。
【０００３】
従来のパターン形成方法により、高いアスペクト比（横幅に対して高さが高いパターン）のパターンを含むレジストパターンを形成すると、現像工程中において、該高アスペクト比のパターンが倒壊する問題が起こる。これは、高アスペクト比のために機械的強度が低くなるからである。
【０００４】
特に、現像工程中における、リンス工程から乾燥工程に移る時に、パターンは倒壊しやすい。これは、レジスト現像時においてレジストが一旦解像してパターンは形成されるものの、リンス工程で使用されたリンス液が乾燥する際に、上記パターンに表面張力が働くからである。
【０００５】
このようなパターンが倒壊したレジストパターンを用いて、配線等のパターンを形成すると、配線等のパターンの形状が劣化したり、倒れたパターンそのものが欠陥となってしまう等の問題が発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２３５０８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、現像工程において、高アスペクト比のパターンの倒壊を防止できるパターン形成方法およびパターン形成体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によるパターン形成方法は、被転写基板上にレジストを塗布する工程と、前記レジストに第１のパターンを露光する工程と、前記レジストに、前記第１のパターンに隣接する第２のパターンを露光する工程と、前記レジストを現像する工程と、を備え、前記第１のパターンよりも少ない露光量で、前記第２のパターンを露光することを特徴とする。
【０００９】
本発明の一態様によるパターン形成体は、被転写基板上に配置されたメインレジストパターンと、前記被転写基板上に配置され、前記メインレジストパターンに隣接する補助レジストパターンと、を備え、前記補助パターンのパターン高さは、前記メインレジストパターンのパターン高さより小さいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、現像工程において、高アスペクト比のパターンの倒壊を防止できるパターン形成方法およびパターン形成体を実現できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るパターン形成体を示す斜視図。
【図２】従来のパターン形成方法の問題点を説明するための図。
【図３】本発明の第１の実施形態の効果を説明するための図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るパターン形成体の形成方法を示す断面図。
【図５】図４に続く本発明の第１の実施形態に係るパターン形成体の形成方法を示す断面図。
【図６】本発明の第１の実施形態に係るパターン形成体の形成方法において、レジストに露光する第１および第２のパターンを示す平面図。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る他のパターン形成体の形成方法を示す断面図。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る他のパターン形成体の形成方法に使用される露光マスクを示す平面図。
【図９】図８に続く本発明の第１の実施形態に係る他のパターン形成体の形成方法を示す断面図。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係るパターン形成体を示す斜視図。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係るパターン形成体の形成方法に使用される露光マスクを示す平面図。
【図１２】本発明の第３の実施形態に係るパターン形成体を示す斜視図。
【図１３】本発明の第４の実施形態に係るパターン形成体を示す斜視図。
【図１４】従来のパターン形成方法の問題点を説明するための図。
【図１５】本発明の第４の実施形態の効果を説明するための図。
【図１６】本発明の第４の実施形態の効果と同様の効果が得られる補助レジストパターンの一例を示す図。
【図１７】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るパターン形成体を示す斜視図である。
【００１４】
本実施形態のパターン形成体１は、メインレジストパターン２ａと、メインレジストパターン２ａに隣接するように配置された補助レジストパターン２ｂとを具備している。図１は、補助レジストパターン２ｂの数が四つの例を示しているが、一つの補助レジストパターンはメインレジストパターン２ａで隠れて図示されていない。
【００１５】
メインレジストパターン２ａおよび補助レジストパターン２ｂは、図示しない被転写基板上に配置されている。被転写基板は、レジスト材料を支持できる基板であればよく、例えば、石英ガラス基板、シリコン基板、金属基板である。フォトマスクのパターン形成体の場合であれば、被転写基板は、例えば、石英ガラス基板と、該石英ガラス基板上に設けられた遮光膜とを具備する。遮光膜は、例えば、Ｃｒ（クロム）膜である。
【００１６】
メインレジストパターン２は、ウェハ等の基板上に形成するべきパターン（例えば、配線を構成するラインパターン）に対応した形状を有するレジストパターンである。補助レジストパターン２ｂは、メインレジストパターン２ａの倒れを防止するためのレジストパターンであって、パターン形成体を用いて製造される製品の機能には関わらない。
【００１７】
なお、メインレジストパターン２ａおよび補助レジストパターン２ｂは、光近接効果補正（ＯＰＣ：Optical Proximity Correction）を考慮したパターンの場合もある。この場合、メイン露光パターン１２ａおよび補助露光パターン１２ｂの形状は、一般には、ウェハ上に形成するべきデバイスを構成するパターンの形状とは一致しない。
【００１８】
本実施形態のように、メインレジストパターン２ａの形状が、図１に示すように、直方体である場合、補助レジストパターン２ｂは、メインレジストパターン２ａの側面（面積が大きい方の側面）Ｓ１の脇に配置されている。これは、メインレジストパターン２ａの側面Ｓ１側の方が、メインレジストパターン２ａの側面（面積が小さい方の側面）Ｓ２に比べて、転倒が起こりやすいがからである。
【００１９】
補助レジストパターン２ｂは、メインレジストパターン２ａのエッジ（末端部）Ｅよりも内側に配置されている。補助レジストパターン２ｂの配置位置は、メインレジストパターン２ａの倒壊を防止できる位置であれば、特に限定はない。言い換えれば、補助レジストパターン２ｂの配置位置は、メインレジストパターン２ａのエッジ（末端部）Ｅ等の特定の位置に限定されることはなく、自由度が高い。
【００２０】
一般的に、レジストパターンのアスペクト比が高いほどレジスト倒れが発生しやすいことが知られている。このため、本発明のパターン形成方法は、メインレジストパターン２ａのアスペクト比が、２以上の高アスペクト比のレジストパターンのとき、顕著に効果を奏する。なお、本明細書では、メインレジストパターン２ａのアスペクト比は、側面Ｓ２の長辺の寸法／側面Ｓ２の短辺の寸法であらわされる。一方、補助レジストパターン２ｂのパターン高さは、メインレジストパターン２ａより低ければ良い。
【００２１】
具体的に一例を挙げると、メインレジストパターン２aの線幅が50nm以上６０ｎｍ以下程度の範囲に有る場合、メインレジストパターン２aのパターン高さは１５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下程度の範囲であり、補助レジストパターン２ｂのパターン高さは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度の範囲である。
【００２２】
メインレジストパターン２ａのアスペクト比は、３以上の高アスペクト比である。ここでは、メインレジストパターン２ａのアスペクト比は、側面Ｓ２の長辺の寸法／側面Ｓ２の短辺の寸法であらわされる。一方、補助レジストパターン２ｂのアスペクト比は、補助レジストパターン２ｂ自身が倒壊しないように、３未満である。また、補助レジストパターン２ｂは、メインレジストパターン２ａの本来の機能を妨げないように、メインレジストパターン２ａよりも高さが低い（サイズが小さい）。
【００２３】
従来のパターン形成方法により、高いアスペクト比のメインレジストパターン２ａを形成すると、図２に示すように、現像工程中において、メインレジストパターン２ａが倒壊する問題がある。なお、図２において、３は被転写基板を示している。
【００２４】
しかし、本実施形態の場合、図３に示すように、補助レジストパターン２ｂによって、メインレジストパターン２ａの機械的強度が高まるので、現像工程中において、メインレジストパターン２ａは倒れない。
【００２５】
特に、現像工程中における、リンス工程から乾燥工程に移る時に、メインレジストパターン２ａの倒壊を効果的に防止できる。これは、リンス工程で使用されたリンス液が乾燥する際に、メインレジストパターン２に働く表面張力の影響を、補助レジストパターン２ｂによって、十分に軽減できるからである。
【００２６】
図４ないし図６は、本実施形態に係るパターン形成体の形成方法を説明するための図である。この形成方法は、レジストにパターンを露光するために電子線露光を用いた方法である。
【００２７】
まず、図４に示すように、被転写基板３上に、メインレジストパターン２ａおよび補助レジストパターン２ｂとなる、レジスト２を塗布する。ここでは、レジスト２はネガ型とする。したがって、電子線が照射された部分は現像で残り、電子線が照射されない部分は現像で溶けて消滅する。
【００２８】
次に、図５に示すように、レジスト２のうちメインレジストパターンに対応する部分（メインレジスト部）２Ａ、および、レジスト２のうち補助レジストパターンに対応する部分（サブレジスト部）２Ｂに、電子線４を選択的に照射する（直接描画）。
【００２９】
図６は、電子線によってレジスト２に露光する第１のパターンＰ１および第２のパターンＰ２を示す平面図である。第１のパターンＰ１はメインレジスト部２Ａに対応し、第２のパターンＰ２はサブレジスト部２Ｂに対応する。
【００３０】
そして、本実施形態では、第１のパターンＰ１よりも少ない露光量で、第２のパターンＰ２を露光する。これを実現するためには、本実施形態では、メインレジスト部２Ａに照射する電子線４の照射量（Ｄ１）に比べて、サブレジスト部２Ｂに照射する電子線４の照射量（Ｄ２）を少なくする（Ｄ１＞Ｄ２＞０）。これにより、次に行われる現像工程時において、サブレジスト部２Ｂはメインレジスト部２Ａよりも薄くなる。
【００３１】
なお、メインレジスト部２Ａおよびサブレジスト部２Ｂ以外の部分、つまり、パターンを形成しない部分（非パターン部分）に照射する電子線の照射量（Ｄ３）はゼロである。すなわち、非パターン部分には、電子線４は照射されない。したがって、Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３（＝０）となり、サブレジスト部２Ｂの照射量Ｄ２は、中位の照射量（露光量）であるといえる。
【００３２】
電子線の照射後は、周知の現像工程により、レジスト２を現像する。
【００３３】
このとき、Ｄ１＞Ｄ２＞０であるので、現像工程時においては、サブレジスト部２Ｂがメインレジスト部２Ａよりも薄くなるので、図３に示した、メインレジストパターン２ａおよび補助レジストパターン２ｂが被転写基板３上に配置されてなるパターン形成体１が得られる。
【００３４】
電子線露光は、電子線の照射量（露光量）をパターン毎に任意に設定できるので、メインレジスト部の照射量（露光量）に比べて、サブレジスト部の照射量（露光量）を少なく設定することにより、１回の直接電子線露光で、メインレジストパターンおよび補助レジストパターンを描画できる。
【００３５】
図７ないし図９は、本実施形態に係る他のパターン形成体の形成方法を説明するための図である。この形成方法は、レジストにパターンを露光するために光露光を用いた方法である。なお、以下の図において、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
【００３６】
まず、図７に示すように、被転写基板３上にネガ型のレジスト２を塗布し、次いで、レジスト２の上方に、露光マスク１１を配置する。
【００３７】
図８は、露光マスク１１を示す平面図である。
【００３８】
露光マスク１１は、第１および第２のパターン１１ａ，１１ｂを有する。第１のパターン１１ａは、メインレジストパターンに対応するパターン（メインパターン）である。第２のパターン１１ｂは、補助レジストパターンに対応するパターン（補助パターン）である。
【００３９】
ここで、メインパターン１１ａの透過率（Ｔ１）に比べて、補助パターン１１ｂの透過率（Ｔ２）は低い（Ｔ１＞Ｔ２）。このような透過率Ｔ１，Ｔ２を有するメインパターン１１ａおよび補助パターン１１ｂを得るには、例えば、メインパターン１１ａおよび補助パターン１１ｂを透過率が異なる材料で形成する。
【００４０】
なお、メインパターン１１ａおよび補助パターン１１ｂは、ＯＰＣが施されたパターンの場合もある。ＯＰＣが施されている場合、メインパターン１１ａおよび補助パターン１１ｂの形状は、一般には、ウェハ上に形成するべき素子を構成するパターンの形状とは一致しない。
【００４１】
次に、図９に示すように、露光マスク１１を介して、レジスト２に光５を照射する。
【００４２】
このとき、Ｔ１＞Ｔ２であるので、サブレジスト部２Ｂはメインレジスト部２Ａよりも強度の低い光が照射される。
【００４３】
この後、周知の現像工程により、レジスト２を現像する。
【００４４】
このとき、サブレジスト部２Ｂはメインレジスト部２Ａよりも強度の低い光が照射されているので、サブレジスト部２Ｂがメインレジスト部２Ａよりも薄くなる。このようにして、図３に示した、メインレジストパターン２ａおよび補助レジストパターン２ｂが被転写基板３上に配置されてなるパターン形成体１が得られる。
【００４５】
光露光は、互いに透過率が異なる複数のパターンを一つのマスク上に配置することができるので、メインレジスト部に対応するパターンの透過率に比べて、サブレジスト部に対応するパターンの透過率を低くすることにより、１回の光照明で、メインレジストパターンおよび補助レジストパターンを露光できる。
【００４６】
本実施形態のパターン形成体でフォトマスクを製造するには、図３の状態で、メインレジストパターン２ａおよび補助レジストパターン２ｂをマスクにして被転写基板１をエッチングして、被転写基板１上にパターンを転写する工程を含む。フォトマスクの場合、被転写基板１は、石英ガラス基板と、該石英ガラス基板上に設けられた遮光膜を具備する。被転写基板１をエッチングする時、上記遮光膜がエッチングされる。
【００４７】
エッチングの最中に、補助レジストパターン２ｂは消滅しても構わない。
【００４８】
補助レジストパターン２ｂは、現像工程におけるメインレジストパターン２ａの倒壊を防止するためのものである。したがって、現像工程の後であれば、エッチング工程以外の工程で、補助レジストパターン２ｂは消滅（除去）しても構わない。補助レジストパターン２ｂはエッチング等により最終的には殆ど残存しないことが望ましい。
【００４９】
また、補助レジストパターン２ｂは残存してもメインレジストパターン２ａの機能を損なわない程度の微細なものが望ましい。補助レジストパターン２ｂは残存してもメインレジストパターン２ａの機能を損なわない位置に配置することが望ましい。すなわち、メインレジストパターン２ａの機能を損なわなければ、残存する補助レジストパターン２ｂのサイズおよび位置は特に限定されない。
【００５０】
以下の実施形態の説明では、前出した実施形態との相違点を中心に説明し、共通する点は省略する。
【００５１】
（第２の実施形態）
図１０は、本発明の第２の実施形態に係るパターン形成体を示す斜視図である。
【００５２】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、補助レジストパターン２ｂの形状が、半円を底面として持つ錐状にとがった立体（スソヒキ形状）であることにある。なお、底面は半円には限定されず、弧（円周の連続する一部分）と該弧の両端を結ぶ線とで規定される面であれば構わない。
【００５３】
本実施形態でも、第１の実施形態と同様に、補助レジストパターン２ｂによって、メインレジストパターン２ａの機械的強度が高まるので、第１の実施形態と同様な効果が得られる。
【００５４】
本実施形態のパターン形成体は、例えば、図８および図１１に示すようなパターン１１ａ，１１ｂを有する露光マスク１１を用いて形成することができる。図８および図１１に示すようなパターン１１ａ，１１ｂを有する露光マスク１１を用いて露光を行なうにあたり、露光状況やその後の現像状況の条件を適宜設定することにより、円錐状のスソヒキ的な形状のパターンを形成することが出来る。
【００５５】
また、露光マスク１１として、グレーマスクを用いても良い。グレーマスクは、所望の濃度差（つまり、１００％と０％との間の光透過率の変化もしくは遮光率変化）分布を有している露光マスクである。（特開２００８−２４１９３５号公報）。
【００５６】
また、電子線を用いる場合には、第１の実施形態と同様に、メインレジストパターン２ａおよび補助レジストパターン２ｂの形状に応じて、電子線の照射量を変えながら描画を行うことで、形成することができる。
【００５７】
また、本実施形態のフォトマスクの製造方法は、第１の実施形態と同様である。
【００５８】
（第３の実施形態）
図１２は、本発明の第３の実施形態に係るパターン形成体を示す斜視図である。
【００５９】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、メインレジストパターン２ａの側面Ｓ１の脇に配置されている補助レジストパターン２ｂの形状が連続的であることにある。したがって、一つのメインレジストパターン２ａに対して二つの補助レジストパターン２ｂが配置されることになる。
【００６０】
本実施形態でも、第１の実施形態と同様に、補助レジストパターン２ｂによって、メインレジストパターン２ａの機械的強度が高まるので、第１の実施形態と同様な効果が得られる。また、本実施形態の場合、第１の実施形態に比べて、より長い補助レジストパターン２ｂによって、メインレジストパターン２ａが支えられるので、その効果はより高くなる。
【００６１】
本実施形態のパターン形成体は、例えば、図１１に示したパターン１１ａ，１１ｂを有する露光マスク１１を用いて形成することができる。
【００６２】
この場合、露光マスク１１はグレーマスクではなく、第１の実施形態で説明した図８の露光マスク１１と同様のマスクである。すなわち、本実施形態の露光マスク１１は、補助パターン１１ｂの形状を除いて、図８の露光マスク１１と同じである。
【００６３】
また、電子線を用いる場合には、第１の実施形態と同様に、メインレジストパターン２ａおよび補助レジストパターン２ｂの形状に応じて、電子線の照射量を変えながら描画を行うことで、形成することができる。
【００６４】
また、本実施形態のフォトマスクの製造方法は、第１の実施形態と同様である。
【００６５】
（第４の実施形態）
図１３は、本発明の第４の実施形態に係るパターン形成体を示す斜視図である。
【００６６】
第１−第３の実施形態では、一つのメインレジストパターンをその側面の脇に配置した補助レジストパターンで機械的強度を高めた。
【００６７】
本実施形態では、図１３に示すように、隣接する二つのメインレジストパターン２ａを補助レジストパターン２ｂで機械的強度を高める。
【００６８】
補助レジストパターン２ｂは、例えば、レジスト成分で構成される架橋形状体を現像後に残して形成する。上記架橋形状体は、例えば、レジストの膨潤および収縮により近接したレジストパターン同士が膨潤時の粘着と収縮時の乖離によって生じる、マイクロブリッジ現象を活用したものである。
【００６９】
従来のパターン形成方法により、二つの高アスペクト比のメインレジストパターン２ａを形成すると、例えば、図１４に示すように、現像工程中において、二つのメインレジストパターン２ａがもたれかかるように倒れる。
【００７０】
しかし、本実施形態の場合、図１５に示すように、補助レジストパターン２ｂにより、二つのメインレジストパターン２ａの機械的強度が高められているので、現像工程中において、メインレジストパターン２ａは倒れない。
【００７１】
なお、同様の効果は、例えば、図１６に示すように、各メインレジストパターン２ａの両側面に、第１の実施形態で述べた補助レジストパターン２ｂを配置することでも得られる。第２または第３の実施形態で述べた補助レジストパターン２ｂを用いても構わない。
【００７２】
また、本実施形態のフォトマスクの製造方法は、第１の実施形態と同様である。
【００７３】
（第５の実施形態）
図１７は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【００７４】
まず、半導体基板を含む基板（被加工基板）上に、レジストを塗布する（ステップＳ１）。半導体基板は、例えば、シリコン基板や、ＳＯＩ基板である。
【００７５】
次に、上記被加工基板の上方に、第１−第４の実施形態で述べたいずれかのフォトマスクを配置し、このフォトマスクを介して光を上記レジストに照射し、その後、現像等を行って、上記被加工基板上にレジストパターンを作成する（ステップＳ２）。
【００７６】
次に、上記レジストパターンをマスクにして上記被加工基板をエッチングし、高いアスペクト比を有するパターンを形成する（ステップＳ３）。その後、レジストパターンを除去する。
【００７７】
ここで、上記レジストの下地（被加工基板の最上層）がポリシリコン膜や金属膜の場合には、例えば、高いアスペクト比を有する微細な電極パターンや配線パターンなどが形成される。上記レジストの下地（被加工基板の最上層）が絶縁膜の場合には、例えば、高いアスペクト比を有する微細なコンタクトホールパターンが形成される。上記レジストの下地が上記半導体基板の場合には、例えば、高いアスペクト比を有する微細な素子分離溝（ＳＴＩ）が形成される。
【００７８】
以上述べたレジストの塗布、レジストパターンの形成、被加工基板のエッチングを繰り返して必要な微細パターンを形成し、半導体装置を製造する。
【００７９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
【００８０】
例えば、上記実施形態では、ネガ型レジストを用いたが、ポジ型レジストを用いても構わない。この場合、電子線または光が照射された部分は現像で溶けて消滅し、電子線または光が照射されない部分は現像で残る。したがって、ポジ型レジストを用いた場合、上記実施形態（ネガ型レジスト）において、電子線または光を照射した部分には電子線または光を照射せず、逆に、電子線または光を照射しなかった部分には電子線または光を照射するようにする。
【００８１】
また、本発明により得られるパターン形成体の用途としては、特に限定されるものではなく、例えば、フォトマスク（レチクル）、半導体ウェハ、光ディスク用基板、液晶ディスプレイ用基板等の製造用途として用いることができる。
【００８２】
さらに、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００８３】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【符号の説明】
【００８４】
Ｓ１，Ｓ２…メインレジストパターンの側面
Ｅ…メインレジストパターンのエッジ
１…パターン形成体
２…レジスト
２ａ…メインレジストパターン
２ｂ…補助レジストパターン
２Ａ…メインレジスト部
２Ｂ…サブレジスト部
３…被転写基板
４…電子線
５…光
１１…露光マスク
１１ａ…第１のパターン（メインパターン）
１１ｂ…第２のパターン（補助パターン）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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