(57)【要約】【課題】ガスの発生に起因する空洞部内の圧力の上昇を回避でき、機能構造体の動作を良好な状態に保持できる電子装置の提供。【解決手段】電子装置１０１は、基板１と、基板１上に形成された機能素子を構成するＭＥＭＳ構造体３Ｘと、ＭＥＭＳ構造体３Ｘが配置された空洞部Ｓを画成し密封する被覆構造部２０と、を備え、被覆構造部２０は、空洞部Ｓの周囲を取り巻くように基板１上に形成された層間絶縁膜４，６と機能層３、配線層５とを含み、被覆構造部２０のうち空洞部Ｓを周囲から被覆する周囲被覆部２１に、機能層３、配線層５の少なくとも一部で形成された包囲壁２２（第１包囲壁２３、第２包囲壁２４）が空洞部Ｓに露出するように設けられ、包囲壁２２（第１包囲壁２３、第２包囲壁２４）の少なくとも一部が、ガス吸蔵性を有していることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された機能素子を構成する機能構造体と、該機能構造体が配置された空洞部を画成し密封する被覆構造部と、を備え、
前記被覆構造部は、前記空洞部の周囲を取り巻くように前記基板上に形成された層間絶縁膜と配線層とを含み、
前記被覆構造部のうち前記空洞部を周囲から被覆する周囲被覆部に、前記配線層の少なくとも一部で形成された包囲壁が前記空洞部に露出するように設けられ、
前記包囲壁の少なくとも一部が、ガス吸蔵性を有していることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子装置において、前記包囲壁が、第１包囲壁と該第１包囲壁を取り巻くように形成された第２包囲壁とを含んで成ることを特徴とする電子装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子装置において、前記被覆構造部のうち前記空洞部を上方から覆う上方被覆部が、前記機能構造体の上方に配置された上方配線層の一部を含んで構成され、
前記上方被覆部を構成する前記上方配線層が、ガス吸蔵性を有していることを特徴とする電子装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子装置において、前記包囲壁及び前記上方被覆部を構成する前記上方配線層の少なくとも一方が、ガス吸蔵性を有するガス吸蔵金属を含んで成ることを特徴とする電子装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電子装置において、前記ガス吸蔵金属が水素ガスを吸蔵する水素ガス吸蔵金属であることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置に関し、特に、ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）などの機能素子を、基板上に構成された空洞部に配置して成る電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＭＥＭＳなどの機能素子を基板上に構成された空洞部に配置して成る電子装置が知られている。例えば、マイクロ振動子、マイクロセンサー、マイクロアクチュエーターなどのＭＥＭＳは、微小な構造体が振動、変形、その他の動作が可能となる状態で配置される必要があるため、空洞部に動作可能な状態で収容される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、上記空洞部は、例えば、特許文献１に開示されているように、基板上にＭＥＭＳ構造体（以下、機能構造体という）を形成し、その上に層間絶縁膜を形成した後に貫通孔を有する第１被覆層を形成し、この第１被覆層の貫通孔を通して層間絶縁膜を除去して機能構造体の可動部をリリースさせ、第１被覆層の貫通孔を第２被覆層で覆うことで閉鎖するという方法で形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１０５４１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このようにして形成された空洞部には、層間絶縁膜を除去する際に用いたエッチング液の洗浄後の残渣またはエッチングガスの洗浄後の残渣、及びエッチングで除去しきれなかった層間絶縁膜成分などが存在する。
また、通常、空洞部は、大気などによる機能構造体の動作の阻害を回避するために密封されている。
【０００６】
上記電子装置は、例えば、外部機器などへの実装の際などの比較的高温（数百℃）になる加熱により、空洞部に存在する上記残渣、及び除去しきれなかった層間絶縁膜成分などからガスが発生し、空洞部内に拡散する虞がある。
これにより、上記電子装置は、空洞部内の圧力が上昇し、機能構造体の動作が阻害される虞がある。
また、上記電子装置は、この空洞部に発生したガスとの化学反応により、機能構造体の劣化が促進される虞がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例にかかる電子装置は、基板と、該基板上に形成された機能素子を構成する機能構造体と、該機能構造体が配置された空洞部を画成し密封する被覆構造部と、を備え、前記被覆構造部は、前記空洞部の周囲を取り巻くように前記基板上に形成された層間絶縁膜と配線層とを含み、前記被覆構造部のうち前記空洞部を周囲から被覆する周囲被覆部に、前記配線層の少なくとも一部で形成された包囲壁が前記空洞部に露出するように設けられ、前記包囲壁の少なくとも一部が、ガス吸蔵性を有していることを特徴とする。
【０００９】
これによれば、電子装置は、空洞部に露出するように設けられた包囲壁の少なくとも一部が、ガス吸蔵性を有していることから、例えば、外部機器などへの実装の際などの加熱により、空洞部に存在する上記残渣、除去しきれなかった層間絶縁膜成分などから発生するガスが、包囲壁に吸蔵される。
これにより、電子装置は、ガスの発生に起因する空洞部内の圧力の上昇を回避でき、機能構造体の動作を良好な状態に保持できる。
加えて、電子装置は、包囲壁がガスを吸蔵することから、このガスとの化学反応による機能構造体の劣化を抑制することができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例にかかる電子装置において、前記包囲壁が、第１包囲壁と該第１包囲壁を取り巻くように形成された第２包囲壁とを含んで成ることが好ましい。
【００１１】
これによれば、電子装置は、包囲壁が、第１包囲壁と第１包囲壁を取り巻くように形成された第２包囲壁とを含んで成ることから、包囲壁全体の表面積が増加し、より多くのガスを吸蔵できる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例にかかる電子装置において、前記被覆構造部のうち前記空洞部を上方から覆う上方被覆部が、前記機能構造体の上方に配置された上方配線層の一部を含んで構成され、前記上方被覆部を構成する前記上方配線層が、ガス吸蔵性を有していることが好ましい。
【００１３】
これによれば、電子装置は、空洞部を上方から覆う上方被覆部を構成する上方配線層が、ガス吸蔵性を有していることから、適用例１と比較して、より多くのガスを吸蔵できる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例にかかる電子装置において、前記包囲壁及び前記上方被覆部を構成する前記上方配線層の少なくとも一方が、ガス吸蔵性を有するガス吸蔵金属を含んで成ることが好ましい。
【００１５】
これによれば、電子装置は、包囲壁及び上方被覆部を構成する上方配線層の少なくとも一方が、ガス吸蔵金属を含んで成ることから、用いられるガス吸蔵金属の特性に応じたガスを吸蔵することができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例４にかかる電子装置において、前記ガス吸蔵金属が水素ガスを吸蔵する水素ガス吸蔵金属であることが好ましい。
【００１７】
これによれば、電子装置は、ガス吸蔵金属が水素ガスを吸蔵する水素ガス吸蔵金属であることから、空洞部に発生する水素ガスを吸蔵することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の実施形態の電子装置の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は要部平面図、（ｂ）は（ａ）の断面図。
【図２】電子装置の製造方法を工程順に説明する模式断面図。
【図３】電子装置の製造方法を工程順に説明する模式断面図。
【図４】電子装置の製造方法を工程順に説明する模式断面図。
【図５】電子装置の製造方法を工程順に説明する模式断面図。
【図６】電子装置の製造方法を工程順に説明する模式断面図。
【図７】電子装置の製造方法を工程順に説明する模式断面図。
【図８】電子装置の製造方法を工程順に説明する模式断面図。
【図９】変形例の電子装置の概略構成を示す模式断面図。
【図１０】第２の実施形態の電子装置の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は要部平面図、（ｂ）は（ａ）の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に基づいて説明する。
【００２０】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の電子装置の概略構成を示す模式図である。図１（ａ）は、要部平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。
【００２１】
図１に示すように、第１の実施形態の電子装置１０１は、基板１と、基板１上に形成された機能素子を構成する機能構造体としてのＭＥＭＳ構造体３Ｘと、ＭＥＭＳ構造体３Ｘが配置された空洞部Ｓを画成し密封する被覆構造部２０と、を備えている。
被覆構造部２０は、空洞部Ｓの周囲を取り巻くように基板１上に形成された層間絶縁膜４，６と、配線層としての機能層３、配線層５とを含んでいる。
被覆構造部２０のうち、空洞部Ｓを周囲から被覆する周囲被覆部２１には、機能層３、配線層５の少なくとも一部で形成された包囲壁（ガードリング）２２が空洞部Ｓに露出するように設けられている。
包囲壁２２は、第１包囲壁２３と、第１包囲壁２３を取り巻くように形成された第２包囲壁２４とを含んで成っている。
【００２２】
被覆構造部２０のうち、空洞部Ｓを上方から覆う上方被覆部２５は、ＭＥＭＳ構造体３Ｘの上方に配置された上方配線層７の一部を含んで構成されている。
電子装置１０１は、包囲壁２２（第１包囲壁２３、第２包囲壁２４）の少なくとも一部及び上方被覆部２５を構成する上方配線層７の少なくとも一部が、ガス吸蔵性を有している。
具体的には、包囲壁２２、上方配線層７がガス吸蔵性を有するガス吸蔵金属から成るか、ガス吸蔵金属を含んだ複数の成分から成っている。
【００２３】
ガス吸蔵金属としては、例えば、ＴｉＮ（窒化チタン）、希土類金属の混合物であるＬｎ（ランタノイド）を含んで成るＬｎ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｍｎ系の合金、Ｐｄ（パラジウム）系合金、Ｖ（バナジウム）系合金、Ｍｇ（マグネシウム）系合金、Ｃａ（カルシウム）系合金などの、水素ガスを吸蔵する水素ガス吸蔵金属が挙げられる。
なお、第１の実施形態では、ガス吸蔵金属としてＴｉＮを用いることとする。
【００２４】
これによれば、電子装置１０１は、包囲壁２２、上方配線層７にＴｉＮというガス吸蔵金属（水素ガス吸蔵金属）を含むことによって、ＴｉＮが水素と反応し、空洞部Ｓに発生する水素ガスを吸蔵することができる。
また、電子装置１０１は、包囲壁２２、上方配線層７に、例えば、Ｌｎ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｍｎ系の合金を含ませれば、Ｌｎの特性により、空洞部Ｓに発生する水素ガスを吸蔵することができる。
要するに、電子装置１０１は、包囲壁２２、上方配線層７に、上述したガス吸蔵金属を含ませることにより、ガス吸蔵金属の特性によって、空洞部Ｓに発生する水素ガスを吸蔵することができる。
なお、電子装置１０１は、包囲壁２２、上方配線層７に、例えば、酸素ガスなど水素ガス以外のガスを吸蔵するガス吸蔵金属、ガス吸蔵性を有する導電性材料を含ませてもよい。
【００２５】
ところで、図１（ａ）に示すように、包囲壁２２は、ＭＥＭＳ構造体３Ｘの引き出し電極３Ｘ１，３Ｘ２に対して隣り合う両側部分が、これらとの短絡回避のため部分的に除去されている。この際、第２包囲壁２４の除去範囲は、第１包囲壁２３の除去範囲より狭く設定されている。
これにより、電子装置１０１は、後述する空洞部Ｓ形成のエッチングの際に、引き出し電極３Ｘ１，３Ｘ２周りの層間絶縁膜４，６などのオーバーエッチングを抑制できる。
なお、上記のように第１包囲壁２３、第２包囲壁２４の一部が除去されているが、ここでは、この形状でも、第２包囲壁２４が、第１包囲壁２３を取り巻いていると定義する。
【００２６】
以降、電子装置１０１の製造方法を説明しながら、構成を詳述する。
図２〜図８は、電子装置の製造方法を工程順に説明する模式断面図である。なお、断面位置は図１（ｂ）と同様である。
【００２７】
まず、図２に示すように、半導体基板などから成る基板１を用意する。基板１としてはシリコン基板などの半導体基板であることが好ましいが、セラミックス基板、ガラス基板、サファイア基板、ダイヤモンド基板、合成樹脂基板などの各種の基板を用いることができる。
半導体基板を用いる場合には、基板１に予めまたは適宜の工程途中において、図示しない所定の半導体集積回路（例えば、ＭＯＳトランジスターなど）を作りこんでおくことができる。
第１の実施形態の製造方法では、基板１の表層部に適宜の図示しない不純物領域を備えた半導体基板を用いる。また、この半導体基板上に適宜の配線構造を形成し、全体としてＣＭＯＳプロセスによって半導体集積回路を形成していく製造方法が設定される。
【００２８】
次に、基板１の表面上に犠牲層２を形成する。この犠牲層２は、例えば、酸化シリコン膜、ＰＳＧ（リンドープガラス）膜などで構成することができ、ＣＶＤ法、スパッタリング法などによって形成される。
図示例では、犠牲層２の適所に、後述するＭＥＭＳ構造体３Ｘの支持部を形成するための開口部２ａが、フォトリソグラフィ法などによって形成されたパターニングマスクを用いてエッチングを行うなどの適宜のパターニング処理により形成される。
【００２９】
次に、図３に示すように、上記犠牲層２上に、ＴｉＮを含んで構成される機能層３を形成する。この機能層３は、上記のように形成された開口部２ａを通して基板１（例えば、基板１に形成された図示しない下部電極など）に接続される。機能層３は、スパッタリング法やＣＶＤ法などによって形成される。
そして、図４に示すように、この機能層３を適宜のパターニング方法でパターニングすることによって、機能構造体であるＭＥＭＳ構造体３Ｘが形成される。ここで、ＭＥＭＳ構造体３Ｘは、単層で構成されているように説明したが、２層以上の積層構造によって形成されてもよい。
なお、機能層３は、ＴｉＮのようなガス吸蔵金属に代えて、例えば、ポリシリコンを含んで構成されていてもよい。
【００３０】
なお、図示例では、犠牲層２の開口部２ａに対応する支持部を中央下部に備えた振動板形状のＭＥＭＳ構造体３Ｘが設けられているが、図示例はＭＥＭＳ構造体３Ｘを模式的に示したものであって実際の構造を正確に表現したものではない。
なお、ＭＥＭＳ構造体３Ｘとしては、櫛歯状、梁状、円盤状などの種々の平面パターンを備えた可動部を形成することができる。また、ＭＥＭＳ構造体３Ｘとしては、振動子として用いられるもの、アクチュエーターとして用いられるもの、センサーとして用いられるものなど、任意の機能を有する機能素子として構成されたものを形成することができる。
【００３１】
また、機能構造体としては、ＭＥＭＳ構造体３Ｘの他に、ＭＥＭＳ以外の、水晶振動子、ＳＡＷ（弾性表面波）素子、加速度センサー、ジャイロスコープなどの各種の機能素子を構成するためのものであってもよい。なお、機能構造体は、機能素子の一部のみを構成するものであってもよい。
【００３２】
第１の実施形態では、上記ＭＥＭＳ構造体３Ｘと一緒に、ＭＥＭＳ構造体３Ｘを平面的に取り巻くように構成された第１包囲壁２３の下部３Ｚ、第２包囲壁２４の下部３Ｙが形成される。
第１包囲壁２３の下部３Ｚ、第２包囲壁２４の下部３Ｙは、ＭＥＭＳ構造体３Ｘと同層かつ同材質で構成されたものであり、機能層３をパターニングすることによってＭＥＭＳ構造体３Ｘと一緒に形成される。
第１包囲壁２３の下部３Ｚ、第２包囲壁２４の下部３Ｙの平面形状は、図示例（図１参照）では略四角形状であるが、ＭＥＭＳ構造体３Ｘを包囲する形状であれば円形、多角形などの任意の形状でもよい。
【００３３】
第１包囲壁２３の下部３Ｚ、第２包囲壁２４の下部３Ｙは、上記の犠牲層２や後述する層間絶縁膜を除去するリリース工程において実質的に除去されない素材であること（換言すれば、リリース工程の除去方法が除去されるべき素材と第１包囲壁２３の下部３Ｚ、第２包囲壁２４の下部３Ｙとの間で選択性を有する方法になること）が好ましく、上述したように、ここではＴｉＮなどのガス吸蔵金属を含んだ金属材料を用いている。
【００３４】
次に、図５に示すように、ＭＥＭＳ構造体３Ｘ及び第１包囲壁２３の下部３Ｚ、第２包囲壁２４の下部３Ｙ上に、酸化シリコン（例えば、ＴＥＯＳ：テトラエチルオルトシリケートなどを原料ガスとするＣＶＤ膜）などの絶縁体から成る層間絶縁膜４、ＴｉＮなどのガス吸蔵金属を含んだ金属材料から成る配線層５、酸化シリコンなどの絶縁体から成る層間絶縁膜６を順次形成する。
この積層構造は、通常のＣＭＯＳプロセスと同様に形成されていき、最終的にＭＥＭＳ構造体３Ｘが配置される空洞部Ｓを画成し密封する被覆構造部２０を構成するものである。
また、配線層５の一部は、上層構造に導電接続するための開口部６ａによって露出された状態となっている。なお、層間絶縁膜４、配線層５及び層間絶縁膜６を含む積層構造の積層数は必要に応じて適宜に設定される。
【００３５】
第１の実施形態の場合、層間絶縁膜４に上記第１包囲壁２３の下部３Ｚ、第２包囲壁２４の下部３Ｙを露出する開口部４ａを形成し、この開口部４ａ内に配線層５の一部を形成することで、ＭＥＭＳ構造体３Ｘを取り囲む平面形状を有する第１包囲壁２３の上部５Ｚ、第２包囲壁２４の上部５Ｙが形成される。
これにより、第１包囲壁２３の上部５Ｚと下部３Ｚ、第２包囲壁２４の上部５Ｙと下部３Ｙとが、それぞれ接続され、一体の第１包囲壁２３、第２包囲壁２４として形成される。
【００３６】
なお、第１包囲壁２３の上部５Ｚ、第２包囲壁２４の上部５Ｙの平面形状は、図示例（図１参照）では略四角形状であるが、ＭＥＭＳ構造体３Ｘを包囲する形状であれば、上記第１包囲壁２３の下部３Ｚ、第２包囲壁２４の下部３Ｙと同様に、円形、多角形などの任意の形状でもよい。
また、図５には、第１包囲壁２３の上部５Ｚ、第２包囲壁２４の上部５Ｙ以外の他の配線層５は図示されていないが、実際には所定の配線パターンが形成されるように配線層５が形成されている。
【００３７】
なお、図示例では配線層５は単層であるが、図示しない層間絶縁膜を介して複数の配線層５を積層してもよく、この場合には、第１包囲壁２３の上部５Ｚ、第２包囲壁２４の上部５Ｙも複層となる。なお、複層の場合でも、第１包囲壁２３の上部５Ｚ、第２包囲壁２４の上部５Ｙは、層間絶縁膜の開口部を通して接続されていることが好ましい。
【００３８】
次に、図６に示すように、層間絶縁膜６上にＴｉＮなどのガス吸蔵金属を含んだ金属材料からなる上方配線層７を形成し、この上方配線層７をパターニングすることにより、上方配線層７の一部として、第１被覆層７Ｙが形成される。
ここで、第１被覆層７Ｙは、ＭＥＭＳ構造体３Ｘの上方を覆うように配置され、上方被覆部２５（図１参照）の一部を構成している。
また、図７に示すように、第１被覆層７Ｙには、複数の貫通孔７ａが形成されている。
図示例（図１（ａ）参照）では、貫通孔７ａは縦横に配列され、全体として第１被覆層７Ｙの一部が網目状に構成されている。
なお、貫通孔７ａは、上方配線層７をパターニングする際に一緒に形成される。
【００３９】
ここで、第１被覆層７Ｙは、上記開口部６ａを介して上記の第２包囲壁２４の上部５Ｙと接続されている。特に、上記開口部６ａがＭＥＭＳ構造体３Ｘを取り巻く形状とされ、この中を通る第１被覆層７Ｙの第２包囲壁２４の上部５Ｙに対する接続部分もまたＭＥＭＳ構造体３Ｘを取り巻く形状とされることが好ましい。
【００４０】
次に、図８に示すように、貫通孔７ａを通してＭＥＭＳ構造体３Ｘの周囲にある層間絶縁膜６、層間絶縁膜４及び犠牲層２を除去することで、ＭＥＭＳ構造体３Ｘが配置される空洞部Ｓを形成する（リリース工程）。
ここで、貫通孔７ａを通した層間絶縁膜６、層間絶縁膜４及び犠牲層２の除去は、沸酸（ＨＦ）や緩衝沸酸（ＢＨＦ）などによるウエットエッチング、または、沸酸系ガス（蒸気）などによるドライエッチングなどによって行うことができる。
このようなエッチング方法は、等方性エッチングであるので、小さな貫通孔７ａを通してもＭＥＭＳ構造体３Ｘのリリースを容易に行うことができる。
【００４１】
上記のエッチング方法では、その選択性によりＭＥＭＳ構造体３Ｘ、第１包囲壁２３、第２包囲壁２４及び第１被覆層７Ｙに対してエッチングが殆ど進行しない。
これにより、第１の実施形態の製造方法は、ＭＥＭＳ構造体３Ｘの周囲にある層間絶縁膜６、層間絶縁膜４及び犠牲層２を除去しても、空洞部Ｓが、第２包囲壁２４の外側へ広がることを抑制できる。
このリリース工程により、第１包囲壁２３、第２包囲壁２４及び第１被覆層７Ｙが、空洞部Ｓに露出される。
次に、リリース工程の終了後、空洞部Ｓを十分に洗浄する。例えば、空洞部Ｓを水洗し、その後、置換法などを用いて水分を除去する。
【００４２】
次に、図１に戻って、層間絶縁膜６、第１被覆層７Ｙ及びこれと一緒に形成された上方配線層７の図示しない他の部分上に、酸化シリコン、窒化シリコン、樹脂材料などで構成される保護膜８を形成する。
この保護膜８としては、窒化シリコン、絶縁レジストなどの表面保護膜（パシベーション膜）を用いることができる。そして、ドライエッチングなどにより保護膜８に開口部８ａを形成することによって上記第１被覆層７Ｙ及び上記上方配線層７の一部を露出させ、導電接続用のパッド部とする。
【００４３】
また、保護膜８には上記開口部８ａと一緒に開口部８ｂを形成し、この開口部８ｂによって第１被覆層７ＹにおけるＭＥＭＳ構造体３Ｘの上方にある部分（貫通孔７ａが形成されている領域）を露出させる。
なお、保護膜８の形成及びパターニングは、保護膜８がリリース工程のエッチングに耐えうる材料であれば、または、保護膜８の表面上にレジストなどのマスクが形成されるのであれば、上記リリース工程の前に行ってもよい。
【００４４】
次に、第１被覆層７Ｙ上に、第１被覆層７Ｙとともに上方被覆部２５を構成する第２被覆層９を形成することで貫通孔７ａを閉鎖し、上記空洞部Ｓを密封する。
この第２被覆層９は、例えば、ＣＶＤ法、スパッタリング法などの気相成長法で形成することが好ましい。これにより、第１の実施形態の製造方法は、そのまま空洞部Ｓを負圧状態（真空状態）で密封することができる。
なお、気相成長法で形成する第２被覆層９としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの絶縁体（ＣＶＤ法）、または、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮなどの金属材料、その他の導電性材料（スパッタリング法）などが挙げられる。
なお、第２被覆層９は、ガス吸蔵金属であってもよい。
【００４５】
図１（ａ）に示すように、第１被覆層７Ｙに設けられた貫通孔７ａは、リリース工程においてエッチングが可能となる程度に大きく、且つ上記の第２被覆層９によって容易に塞がれる程度に小さく形成されていることが好ましい。また、上記と同じ理由により、貫通孔７ａは円形や正多角形に近い形状（図示例では正方形）であることが好ましい。
【００４６】
上述したように、第１の実施形態の電子装置１０１は、空洞部Ｓに露出するように設けられた包囲壁２２（第１包囲壁２３、第２包囲壁２４）が、ガス吸蔵金属（水素ガス吸蔵金属）であるＴｉＮを含んで成ることから、例えば、外部機器などへの実装の際などの加熱により、空洞部Ｓに存在するエッチング液またはエッチングガスの残渣、除去しきれなかった層間絶縁膜成分などから発生する水素ガスが、包囲壁２２に吸蔵される。
これにより、電子装置１０１は、水素ガスの発生に起因する空洞部Ｓ内の圧力の上昇を回避でき、ＭＥＭＳ構造体３Ｘの動作を良好な状態に保持できる。
加えて、電子装置１０１は、包囲壁２２が水素ガスを吸蔵することから、水素ガスとの化学反応によるＭＥＭＳ構造体３Ｘの劣化を抑制することができる。
【００４７】
また、電子装置１０１は、包囲壁２２が、第１包囲壁２３と第１包囲壁２３を取り巻くように形成された第２包囲壁２４とを含んで成ることから、例えば、包囲壁２２が両者のうちの一方のみの場合と比較して、包囲壁２２全体の表面積が増加し、より多くの水素ガスを吸蔵できる。
【００４８】
また、電子装置１０１は、空洞部Ｓを上方から覆う上方被覆部２５の一部を構成する上方配線層７（第１被覆層７Ｙ）が、ガス吸蔵金属であるＴｉＮを含んで成ることから、上方配線層７に、ガス吸蔵性のない材料を用いた場合と比較して、より多くの水素ガスを吸蔵できる。
なお、電子装置１０１は、包囲壁２２及び上方被覆部２５の一部を構成する上方配線層７の少なくとも一方が、ガス吸蔵金属であるＴｉＮを含んで成っていればよい。
【００４９】
また、電子装置１０１は、ＴｉＮに代えて、例えば、Ｌｎ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｍｎ系の合金を用いれば、Ｌｎの特性により、空洞部Ｓに発生する水素ガスを吸蔵することができる。
また、電子装置１０１は、ＴｉＮに代えて、上述したＰｄ系合金、Ｖ系合金、Ｍｇ系合金、Ｃａ系合金などの水素ガス吸蔵金属を用いることにより、これらの水素ガス吸蔵金属の特性によって、空洞部Ｓに発生する水素ガスを吸蔵することができる。
【００５０】
なお、電子装置１０１は、ＴｉＮに代えて、例えば、酸素ガスなど水素ガス以外のガスを吸蔵するガス吸蔵金属、ガス吸蔵性を有する導電性材料を用いることにより、これらのガス吸蔵金属、ガス吸蔵性を有する導電性材料の特性に応じて、空洞部Ｓに発生する水素ガス以外のガスを吸蔵することができる。
また、電子装置１０１は、ＴｉＮなどの水素ガス吸蔵金属と、酸素ガスなど水素ガス以外のガスを吸蔵するガス吸蔵金属（ガス吸蔵性を有する導電性材料）とを用いて、複数の種類のガスを一緒に吸蔵できる構成としてもよい。
【００５１】
（変形例）
ここで、第１の実施形態の変形例について説明する。
図９は、変形例の電子装置の概略構成を示す模式断面図である。なお、断面位置は図１（ｂ）と同様である。また、第１の実施形態との共通部分には、同一符号を付して説明を省略し、第１の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００５２】
図９に示すように、変形例の電子装置２０１は、上記の保護膜８が第２被覆層を兼ねている。この場合、保護膜８は絶縁体で構成されることが好ましい。
これによれば、電子装置２０１は、保護膜８が第２被覆層を兼ねていることから、上記第１の実施形態の第２被覆層９の成膜及びパターニングが不要となり、プロセス数を削減できる。この結果、電子装置２０１は、製造コストを低減できる。なお、この変形例は、下記の第２の実施形態にも適用できる。
【００５３】
（第２の実施形態）
図１０は、第２の実施形態の電子装置の概略構成を示す模式図である。図１０（ａ）は、要部平面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＢ−Ｂ線での断面図である。なお、第１の実施形態との共通部分には、同一符号を付して説明を省略し、第１の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００５４】
図１０に示すように、第２の実施形態の電子装置３０１は、第１の実施形態と比較して、第１包囲壁２３が削除され、包囲壁２２が第２包囲壁２４のみから成っている。
これにより、電子装置３０１は、リリース工程におけるエッチング液またはエッチングガスの回りこみが良好になることから、層間絶縁膜６、層間絶縁膜４及び犠牲層２の除去が容易になる。
【００５５】
なお、上記各実施形態、変形例では、機能構造体をＭＥＭＳ構造体３Ｘとしたが、これに限定するものではなく、例えば、水晶振動子、ＳＡＷ素子、加速度センサー、ジャイロセンサーなどの、ＭＥＭＳ構造体３Ｘ以外の各種の機能素子を備えたものにも適用できる。
【符号の説明】
【００５６】
１…基板、２…犠牲層、２ａ…開口部、３…配線層としての機能層、３Ｘ…機能構造体としてのＭＥＭＳ構造体、３Ｘ１，３Ｘ２…引き出し電極、３Ｙ…第２包囲壁の下部、３Ｚ…第１包囲壁の下部、４…層間絶縁膜、４ａ…開口部、５…配線層、５Ｙ…第２包囲壁の上部、５Ｚ…第１包囲壁の上部、６…層間絶縁膜、６ａ…開口部、７…上方配線層、７ａ…貫通孔、７Ｙ…上方配線層の一部としての第１被覆層、８…保護膜、８ａ，８ｂ…開口部、９…第２被覆層、２０…被覆構造部、２１…周囲被覆部、２２…包囲壁、２３…第１包囲壁、２４…第２包囲壁、２５…上方被覆部、１０１，２０１，３０１…電子装置、Ｓ…空洞部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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