(57)【要約】      （修正有）【課題】回路基板又はパッケージ基板上の露出型電気接点もしくはパッド構造及びその製作方法を提供する。【解決手段】基板１０の表面１０ａ上の銅配線パターン１２を保護するためのはんだマスク１１が被覆されている。はんだマスク１１にははんだレジスト孔１１ａが形成されており、そこから一部の銅配線パターン１２が露出し、ワイヤボンディングまたははんだボールの電気接点の位置を定めている。回路基板または基板１０はこの電気接点を通してチップと電気的に接続する。はんだレジスト孔１１ａから露出した銅配線パターン１２には化学めっき法で形成されたニッケル金属層１３と金層１４と、ナノめっき膜１５が順次形成される。【選択図】図１
2011100958.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッド構造であって、
基板に設けられる銅配線パターンと、
前記銅配線パターンに積層される金層と、
前記金層に積層されるナノめっき膜と
を含む、パッド構造。
【請求項２】
前記パッド構造は更に、前記金層の下方にあるニッケル金属層を含む、請求項１に記載のパッド構造。
【請求項３】
前記ナノめっき膜は導電膜である、請求項１または２に記載のパッド構造。
【請求項４】
前記ナノめっき膜は前記金層の表面結晶粒界まで染み込む、請求項１から３の何れか１項に記載のパッド構造。
【請求項５】
前記金層は化学的にめっきされた金であり、その厚さは０．１５μｍ未満である、請求項１から４の何れか１項に記載のパッド構造。
【請求項６】
前記金層は電気的にめっきされた金であり、その厚さは０．３μｍ未満である、請求項１から４の何れか１項に記載のパッド構造。
【請求項７】
パッド構造を製作する方法であって、
基板を設ける段階と、
前記基板に銅配線パターンを形成する段階と、
前記銅配線パターンにニッケル金属層を形成する段階と、
前記ニッケル金属層に金層を形成する段階と、
前記金層にナノめっき膜を選択的に堆積する段階と
を含む、パッド構造の製作方法。
【請求項８】
前記ナノめっき膜は化学堆積法で形成される、請求項７に記載のパッド構造の製作方法。
【請求項９】
前記ナノめっき膜は導電膜である、請求項７または８に記載のパッド構造の製作方法。
【請求項１０】
前記金層は化学的にめっきされた金であり、その厚さは０．１５μｍ未満である、請求項７から９の何れか１項に記載のパッド構造の製作方法。
【請求項１１】
前記金層は電気的にめっきされた金であり、その厚さは０．３μｍ未満である、請求項７から９の何れか１項に記載のパッド構造の製作方法。
【請求項１２】
パッド構造であって、
基板に設けられる銅配線パターンと、
前記銅配線パターンに積層されるニッケル金属層と、
前記ニッケル金属層に積層される銀層と、
前記銀層に積層されるナノめっき膜と
を含む、パッド構造。
【請求項１３】
前記ナノめっき膜は導電膜である、請求項１２に記載のパッド構造。
【請求項１４】
前記基板は発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ基板である、請求項１２または１３に記載のパッド構造。
【請求項１５】
前記ナノめっき膜は、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリアニリン、ナノカーボン、ナノ金属、およびナノ導電性プラスチックの少なくとも１つを含む、請求項１２から１４の何れか１項に記載のパッド構造。
【請求項１６】
前記銀層の厚さは２μｍ未満である、請求項１２から１５の何れか１項に記載のパッド構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は新規なパッド構造に関し、特に回路基板またはパッケージ基板上の露出型電気接点もしくはパッド構造及びその製作方法に関する。本発明は低コストで、耐摩耗性、耐引掻性、耐腐食性に優れているという特長を兼ね備えている。
【背景技術】
【０００２】
回路基板またはパッケージ基板の製作過程では、回路基板または基板とチップの間に安定した電気的接続を形成するために、精密な銅配線パターンを形成するほか、最終的には露出された電気接点（例えばワイヤーボンドフィンガーやはんだボンドパッドなどのボンドパッドまたはコンタクトパッドの表面）にＮｉ／Ａｕ（ニッケル／金）層をめっきする。このＮｉ／Ａｕ層は銅配線の酸化を防止する効果もある。
【０００３】
当業者に周知のとおり、Ｎｉ／Ａｕ層を形成する方法は主として電気めっき法と化学めっき法がある。ワイヤーボンドフィンガーでのＮｉ／Ａｕ層は通常、電気めっき法で形成される。なぜならば、電気めっき法で形成した金層は構造が緻密で、その下のニッケル層を酸による腐食から守るのみならず、電気めっきされたワイヤーボンドはボンディング力がより良いからである。しかし、電気めっき法で形成した金層の厚さは約０．４μｍ〜０．９μｍで分厚いので、製作コストが高い。ＳＭＤ上のＮｉ／Ａｕ層は通常、主として化学めっき法で製作される。その金層の厚さは約０．１μｍ〜０．２μｍであるため製作コストが低くなるが、化学めっき法にはブラックパッドという問題がある。
【０００４】
Ｎｉ／Ａｕ化学めっき層をワイヤーボンディング分野に広範囲に適用するために、業界ではＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ（ニッケル／パラジウム／金）化学めっき技術、すなわちニッケル化学めっき層の表面にさらにパラジウム金属層を別途にめっきし、ニッケル化学めっき層の耐腐食性を向上させる技術が開発された。しかし、パラジウムによる耐腐食性の向上効果が限られており、パラジウムも安価ではないので、この方法にはコストが削減できないという欠点がある。
【０００５】
また、ワイヤーボンドフィンガーやはんだボンドパッドなどのボンドパッドについて、より高い耐摩耗性が求められる応用例が多い。しかし、従来の技術により形成されたＮｉ／Ａｕ層は表面耐磨耗性が明らかに足りず、改善と改良の余地がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は前述の先行技術の不足と欠点を解消するために、改良されたパッド構造及びその製作方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の好ましい実施例によれば、本発明によるパッド構造は、基板に設けられる銅配線パターンと、銅配線パターンに積層される金層と、金層に積層されるナノめっき膜とを含む。本発明の好ましい実施例によれば、本発明によるパッド構造を製作する方法は、基板を設ける段階と、基板に銅配線パターンを形成する段階と、銅配線パターンにニッケル金属層を形成する段階と、ニッケル金属層に金層を形成する段階と、金層にナノめっき膜を選択的に堆積する段階とを含む。
【０００８】
本発明のその他の好ましい実施例によれば、本発明によるパッド構造は、基板に設けられる銅配線パターンと、銅配線パターンに積層されるニッケル金属層と、ニッケル金属層に積層される銀層と、銀層に積層されるナノめっき膜とを含む。基板は発光ダイオード（ＬＥＤ）のパッケージ基板である。
【０００９】
本発明によるパッド構造及びその製法は低コストで、耐摩耗性、耐引掻性、耐腐食性に優れており、本発明に係るパッドはワイヤーボンディング、フリップチップパッケージ、ＬＥＤパッケージなどの技術分野に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施例によるパッド構造の断面図である。
【図２】本発明の好ましい実施例によるパッド構造の製作方法を表す説明図である。
【図３】本発明の好ましい実施例によるパッド構造の製作方法を表す説明図である。
【図４】本発明の好ましい実施例によるパッド構造の製作方法を表す説明図である。
【図５】本発明の好ましい実施例によるパッド構造の製作方法を表す説明図である。
【図６】本発明の他実施例によるパッド構造の断面図である。
【図７】本発明の他実施例によるパッド構造の断面図である。
【図８】本発明の他実施例によるパッド構造の断面図である。
【図９】本発明の他実施例によるパッド構造の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
前述した本発明の目的、特徴、及び長所を詳述するために、具体的な実施例を挙げ、図を参照して以下に説明する。もっとも、以下の実施例及び図示は参考・説明のために提示されるに過ぎず、本発明を限定するものではない。
【００１２】
以下の説明では、「パッド」または「パッド構造」とはボンドパッドまたはコンタクトパッド構造を指す。ボンドパッドはワイヤーボンドフィンガーまたははんだボンドパッドなどであり、コンタクトパッドは基板上の電気的接続用のゴールドフィンガー（例えばＤＲＡＭの外部接続用フィンガー）、またはＩＣ（集積回路）チップ上の入出力（Ｉ／Ｏ）パッドなどである。もっとも以下に示す好ましい実施例では、回路基板またはパッケージ基板の露出型電気接点またはパッド構造を例にして説明するが、本発明はそのような応用例に限らず、その範囲は、後掲特許請求の範囲に基づいて判断すべきである。
【００１３】
図１を参照する。図１は本発明の実施例によるパッド構造の断面図である。図１に示すように、本発明の好ましい実施例によれば、パッド構造２０は基板１０の表面１０ａに形成されている。基板１０は例えばプリント回路基板（ＰＣＢ）、ＩＣ基板またはその他パッケージ基板であってよい。本発明によるパッド構造２０はボンドパッドまたはコンタクトパッドであってよい。ボンドパッドはワイヤーボンドフィンガーまたははんだボンドパッドなどであってもよいし、コンタクトパッドは基板上の電気的接続用のゴールドフィンガー（例えばＤＲＡＭの外部接続用フィンガー）、またはＩＣチップ上のＩ／Ｏパッドなどであってよい。説明を簡素化するために、基板１０の相互接続構造は示されない。また、当業者に理解できるように、前記基板１０は例えば片面回路基板、両面回路基板、または多層回路基板であってもよく、これに限定されない。
【００１４】
本発明の好ましい実施例によれば、基板１０の表面１０ａには、基板１０の表面１０ａ上の銅配線パターン１２を保護するためのはんだマスク１１が被覆されている。はんだマスク１１にははんだレジスト孔１１ａが形成されており、そこから一部の銅配線パターン１２が露出し、ワイヤーボンディングまたははんだボールの電気接点の位置（例えばワイヤーボンドフィンガーまたは錫はんだボンドパッド）を定めている。回路基板または基板はこの電気接点を通してチップと電気的に接続する。前記はんだレジスト孔１１ａは露光・現像などの製作工程か、またはレーザーアブレーション法により形成され、その製作法は限定されない。
【００１５】
本発明の好ましい実施例によれば、前記はんだレジスト孔１１ａから露出した銅配線パターン１２には、化学めっき法で形成されたニッケル金属層（またはニッケル化学めっき層）１３と、金層１４と、ナノめっき膜１５が順次形成されている。前記金層１４は電気的にめっきされた金または化学的にめっきされた金であってよい。本発明の好ましい実施例によれば、前記金層１４が化学的にめっきされた金であれば、その厚さは０．１５μｍ未満（望ましくは０．１μｍ）である。前記金層１４が電気的にめっきされた金であれば、その厚さは０．３μｍ未満（望ましくは０．２μｍ）である。
【００１６】
前記金層１４は化学めっき法または他のめっき法で形成され、その製作法は限定されない。本発明の主な特徴は、金層１４の厚さが小さく（約０．１μｍまたはそれ以下）、先行技術による金層の最低厚さより小さくすることができるので、従来の電気めっき法または化学めっき法で形成されるものに比べて生産コストを抑制することができる。また、他の実施例として金層１４に代わって銀層など他の金属層を利用してもよい。前記ナノめっき膜１５は金層・銀層のいずれとも良好なボンディング力を有する。
【００１７】
本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜１５は導電膜であって、金層１４と選択的に良好なボンディング力を有しながら、図１で記号３０の箇所の拡大図に示すように、金層１４表面の結晶粒１４ａの結晶粒界１４ｂまで染み込み、緻密で平坦なナノめっき膜表面１５ａを構成している。したがって、腐食性のある外部物質がその下方にあるニッケル化学めっき層１３と接触せず、パッド構造２０の耐酸性と耐腐食性は大幅に向上している。そのため、化学めっき法で形成されたＮｉ／Ａｕ層を使用するとしても、本発明によるパッド構造２０はワイヤーボンディングとフリップチップパッケージの分野に同時に適用することができる。前記ナノめっき膜１５の緻密かつ平坦な表面１５ａは常時清潔に維持でき、汚染物や微粒子が付着しにくいので、本発明によるパッド構造２０にはプラズマ洗浄を必要とせず、そのままワイヤーボンディングなどのボンディング工程を施すことができる。
【００１８】
なお、本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜１５は硬度が高く、例えば日本規格の３Ｈ〜６Ｈ（三菱鉛筆硬度計で７５０ｇかけて測定した結果）に達し、望ましくは４Ｈ〜５Ｈである。したがって、本発明はパッド構造２０の表面耐摩耗性を向上させることができる。
【００１９】
本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜１５は例えば導電性高分子材料からなることができる。導電性高分子材料は例えば、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリアニリン、またはその群れから少なくとも１つを選んでなる組み合わせまたは派生物である。もっとも、前記ナノめっき膜１５の材料としては上記に例示した高分子材料の種類に限らず、名のカーボン膜、ナノ金属膜、ナノ導電性プラスチック膜など他種の高硬度で導電性のある表面ナノめっき膜を利用してもよい。本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜１５の厚さは２ｎｍ〜２０ｎｍである。
【００２０】
図２から図５を参照する。図２から図５は本発明の好ましい実施例によるパッド構造の製作方法を表す説明図である。まずは図２に示すように、ＰＣＢ、ＩＣ基板、または他種のパッケージ基板などの基板１０を設ける。説明を簡素化するために、基板１０の相互接続構造は示されない。また、当業者に理解できるように、前記基板１０は例えば片面回路基板、両面回路基板、または多層回路基板であってもよく、これに限定されない。基板１０には銅配線パターン１２が形成されている。次に、基板１０の表面１０ａに、銅配線パターン１２を守るためのはんだマスク１１を被覆する。
【００２１】
次に図３に示すように、はんだマスク１１にはんだレジスト孔１１ａを形成し、銅配線パターン１２を一部露出させ、ワイヤーボンディングまたははんだボールの電気接点の位置（例えばワイヤーボンドフィンガーまたははんだボンドパッド）を定める。前記はんだレジスト孔１１ａは露光・現像などの製作工程か、またはレーザーアブレーション法により形成され、その製作法は限定されない。
【００２２】
図４に示すように、はんだレジスト孔１１ａを形成した後、はんだレジスト孔１１ａから露出した銅配線パターン１２にニッケル金属層１３と金層１４を順次形成する。前記金層１４は電気的にめっきされた金または化学的にめっきされた金であってよい。本発明の好ましい実施例によれば、前記金層１４が化学的にめっきされた金であれば、その厚さは０．１５μｍ未満（望ましくは０．１μｍ）である。前記金層１４が電気的にめっきされた金であれば、その厚さは０．３μｍ未満（望ましくは０．２μｍ）である。
【００２３】
最後に図５に示すように、化学堆積工程で金層１４に選択的にナノめっき膜１５を形成する。ナノめっき膜１５は金層１４の上に選択的に堆積し、はんだマスク１１の上に堆積しない。本発明の好ましい実施例によれば、ナノめっき膜１５は導電膜であって、金層１４と選択的に良好なボンディング力を有しながら、金層１４表面の結晶粒１４ａの結晶粒界１４ｂまで染み込み、緻密で平坦なナノめっき膜表面１５ａを構成している。したがって、腐食性のある外部物質がその下方にあるニッケル化学めっき層１３と接触せず、パッド構造２０の耐酸性と耐腐食性は大幅に向上している。また、ナノめっき膜１５は硬度が高く、例えば日本規格の３Ｈ〜６Ｈ（三菱鉛筆硬度計で７５０ｇかけて測定した結果）に達し、望ましくは４Ｈ〜５Ｈである。したがって、パッド構造２０の表面耐摩耗性は向上している。
【００２４】
本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜１５は例えば導電性高分子材料からなる。導電性高分子材料は例えば、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリアニリン、またはその群れから少なくとも１つを選んでなる組み合わせまたは派生物である。もっとも、前記ナノめっき膜１５の材料としては上記に例示した高分子材料に限らず、ナノカーボン膜、ナノ金属膜、ナノ導電性プラスチック膜など他種の高硬度で導電性のある表面ナノめっき膜を利用してもよい。本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜１５の厚さは２ｎｍ〜２０ｎｍである。
【００２５】
図６を参照する。図６は本発明の他実施例によるパッド構造の断面図である。図６に示すように、本発明の好ましい実施例によれば、パッド構造１２０は基板１０の表面１０ａに形成されている。基板１０は例えばＰＣＢ、ＩＣ基板またはその他パッケージ基板であってよい。説明を簡素化するために、基板１０の相互接続構造は示されない。また、当業者に理解できるように、前記基板１０は例えば片面回路基板、両面回路基板、または多層回路基板であってもよく、これに限定されない。
【００２６】
本発明の好ましい実施例によれば、基板１０の表面１０ａには、基板１０の表面１０ａ上の銅配線パターン１１２を保護するためのはんだマスク１１が被覆されている。はんだマスク１１にははんだレジスト孔１１ａが形成されており、そこから一部の銅配線パターン１１２が露出し、ワイヤーボンディングまたははんだボールの電気接点の位置（例えばワイヤーボンドフィンガーまたははんだボンドパッド）を定めている。回路基板または基板はこの電気接点を通してチップと電気的に接続する。前記はんだレジスト孔１１ａは露光・現像などの製作工程か、またはレーザーアブレーション法により形成され、その製作法は限定されない。
【００２７】
本発明の好ましい実施例によれば、前記はんだレジスト孔１１ａから露出した銅配線パターン１１２には、金層１１４とナノめっき膜１１５が形成されている。前記金層１１４は電気的にめっきされた金または化学的にめっきされた金である。本発明の好ましい実施例によれば、前記金層１１４が化学的にめっきされた金であれば、その厚さは０．１５μｍ未満（望ましくは０．１μｍ）である。前記金層１１４が電気的にめっきされた金であれば、その厚さは０．３μｍ未満（望ましくは０．２μｍ）である。
【００２８】
本発明の好ましい実施例によれば、前記金層１１４は電気めっき法または無電解めっき法で形成される。もっとも、前記金層１１４は他種のめっき法で製作してもよく、その製作法は限定されない。本発明の主な特徴は、金層１１４の厚さが小さく（約０．１μｍまたはそれ以下）、先行技術による金層の最低厚さより小さくしてもよいので、生産コストを抑制できる。
【００２９】
本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜１１５は導電膜であって、金層１１４と良好なボンディング力を有する。また、ナノめっき膜１５は硬度が高く、例えば日本規格の３Ｈ〜６Ｈ（三菱鉛筆硬度計で７５０ｇかけて測定した結果）に達し、望ましくは４Ｈ〜５Ｈである。したがって、本発明はパッド構造１２０の表面耐摩耗性を向上させることができる。
【００３０】
本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜１１５は例えば導電性高分子材料からなる。導電性高分子材料は例えば、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリアニリン、またはその群れから少なくとも１つを選んでなる組み合わせまたは派生物である。もっとも、前記ナノめっき膜１１５の材料としては上記に例示した高分子材料に限らず、ナノカーボン膜、ナノ金属膜、ナノ導電性プラスチック膜など他種の高硬度で導電性のある表面ナノめっき膜を利用してもよい。本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜１１５の厚さは２ｎｍ〜２０ｎｍである。
【００３１】
図７を参照する。図７は本発明の他実施例によるパッド構造の断面図である。図７に示すように、本発明の好ましい実施例によれば、パッド構造１２０ａは基板１０の表面１０ａに形成されている。基板１０は例えばＰＣＢ、ＩＣ基板またはその他パッケージ基板である。説明を簡素化するために、基板１０の相互接続構造は示されない。また、当業者に理解できるように、前記基板１０は例えば片面回路基板、両面回路基板、または多層回路基板であってもよいが、これらには限定されない。
【００３２】
本発明の好ましい実施例によれば、基板１０の表面１０ａには、基板１０の表面１０ａ上の銅配線パターン１２を保護するためのはんだマスク１１が被覆されている。はんだマスク１１にははんだレジスト孔１１ａが形成されており、そこから一部の銅配線パターン１２が露出し、ワイヤーボンディングまたははんだボールの電気接点の位置（例えばワイヤーボンドフィンガーまたははんだボンドパッド）を定めている。回路基板または基板はこの電気接点を通してチップと電気的に接続する。前記はんだレジスト孔１１ａは露光・現像などの製作工程か、またはレーザーアブレーション法により形成されるが、その製作法はこれらに限定されない。
【００３３】
本発明の好ましい実施例によれば、前記はんだレジスト孔１１ａから露出した銅配線パターン１１２には、ニッケル金属層１１３と、パラジウム金属層１１８と、金層１１４と、ナノめっき膜１１５が順次形成されている。前記金層１１４は電気的にめっきされた金または化学的にめっきされた金である。本発明の好ましい実施例によれば、前記金層１１４が化学的にめっきされた金であれば、その厚さは０．１５μｍ未満（望ましくは０．１μｍ）である。前記金層１１４が電気的にめっきされた金であれば、その厚さは０．３μｍ未満（望ましくは０．２μｍ）である。
【００３４】
本発明の好ましい実施例によれば、前記ニッケル金属層１１３とパラジウム金属層１１８は化学めっき法で形成され、前記金層１１４は電気めっき法または化学めっき法で形成される。もっとも、前記金層１１４は他種のめっき法で形成してもよい。本発明の主な特徴は、金層１１４の厚さが小さく（約０．１μｍまたはそれ以下）、先行技術による金層の最低厚さより小さくしてもよいので、生産コストを抑制できる。
【００３５】
本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜１１５は導電膜であって、金層１１４と選択的に良好なボンディング力を有する。また、ナノめっき膜１５は硬度が高く、例えば日本規格の３Ｈ（三菱鉛筆硬度計で７５０ｇかけて測定した結果）に達し、望ましくは６Ｈである。したがって、パッド構造２０の表面耐摩耗性は大幅に向上している。
【００３６】
本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜１１５は例えば導電性高分子材料からなる。導電性高分子材料は例えば、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリアニリン、またはその群れから少なくとも１つを選んでなる組み合わせまたは派生物である。もっとも、前記ナノめっき膜１１５の材料としては上記に例示した高分子材料の種類に限らず、ナノカーボン膜、ナノ金属膜、ナノ導電性プラスチック膜など他種の高硬度で導電性のある表面ナノめっき膜を利用してもよい。本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜１１５の厚さは２ｎｍ〜２０ｎｍである。
【００３７】
図８を参照する。図８は本発明の他実施例によるパッド構造の断面図である。図８に示すように、本発明の好ましい実施例によれば、パッド構造２２０は基板２００の表面２００ａに形成されている。基板２００は例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）のパッケージ基板であってもよい。パッド構造２２０は銅配線パターン２１２と、ニッケル金属層２１３と、銀層２１４と、ナノめっき膜１５を含む。この銀層２１４は電気的にめっきされた銀または化学的にめっきされた銀であってもよい。本発明の好ましい実施例によれば、前記銀層２１４の厚さは２μｍ未満で、望ましくは１μｍ未満である。
【００３８】
本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜２１５は導電膜であって、銀層２１４と選択的に良好なボンディング力を有しながら、銀層２１４表面の結晶粒界まで染み込み、緻密で平坦なナノめっき膜表面を構成している。したがって、腐食性のある外部物質がその下方にあるニッケル金属層２１３と接触せず、パッド構造２２０の耐酸性と耐腐食性は大幅に向上している。また、本発明によるナノめっき膜２１５はＬＥＤパッケージ基板の光反射率を高くし、光利用率を向上させることができる。のみならず、本発明によるナノめっき膜２１５は銀層２１４の保存期限を大幅に伸ばすことができ、銀層２１４は黒くなりにくい。
【００３９】
本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜２１５は硬度が高く、例えば日本規格の３Ｈ〜６Ｈ（三菱鉛筆硬度計で７５０ｇかけて測定した結果）に達し、望ましくは４Ｈ〜５Ｈである。したがって、本発明はパッド構造２２０の表面耐摩耗性を向上させることができる。
【００４０】
本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜２１５は例えば導電性高分子材料からなる。この導電性高分子材料は例えば、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリアニリン、またはその群れから少なくとも１つを選んでなる組み合わせまたは派生物である。もっとも、前記ナノめっき膜２１５の材料としては上記に例示した高分子材料の種類に限らず、ナノカーボン膜、ナノ金属膜、ナノ導電性プラスチック膜など他種の高硬度で導電性のある表面ナノめっき膜を利用してもよい。本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜２１５の厚さは２ｎｍ〜２０ｎｍである。
【００４１】
図９を参照する。図９は本発明の他実施例によるパッド構造の断面図である。図９に示すように、本発明の好ましい実施例によれば、パッド構造３２０はＩＣチップ３００に形成されている。パッド構造３２０は底層配線パターン３１２と、表面金属層３１４と、ナノめっき膜３１５からなるスタック構造を含む。本発明の好ましい実施例によれば、前記表面金属層３１４は例えば金層、Ｎｉ／Ａｕ層などのＵＢＭ（アンダーバンプメタル）であってよく、限定されない。ナノめっき膜３１５は表面金属層３１４の金属と良好なボンディングをなしており、耐引掻性、耐汚染性、耐摩耗性、耐腐食性のあるナノめっき膜表面を形成している。
【００４２】
本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜３１５は硬度が高く、例えば日本規格の３Ｈ〜６Ｈ（三菱鉛筆硬度計で７５０ｇかけて測定した結果）に達し、望ましくは４Ｈ〜５Ｈである。したがって、本発明はパッド構造２０の表面耐摩耗性を向上させることができる。
【００４３】
本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜３１５は例えば導電性高分子材料からなる。導電性高分子材料は例えば、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリアニリン、またはその群れから少なくとも１つを選んでなる組み合わせまたは派生物である。もっとも、前記ナノめっき膜３１５の材料としては上記に例示した高分子材料の種類に限らず、ナノカーボン膜、ナノ金属膜、ナノ導電性プラスチック膜など他種の高硬度で導電性のある表面ナノめっき膜を利用してもよい。本発明の好ましい実施例によれば、前記ナノめっき膜３１５の厚さは２ｎｍ〜２０ｎｍである。
【００４４】
以上は本発明に好ましい実施例であって、本発明の実施の範囲を限定するものではない。よって、当業者のなし得る修正、もしくは変更であって、本発明の精神の下においてなされ、本発明に対して均等の効果を有するものは、いずれも本発明の特許請求の範囲に属するものとする。
【符号の説明】
【００４５】
１０、２００  基板
１０ａ、２００ａ  表面
１１  はんだマスク
１１ａ  はんだレジスト孔
１２ａ、１１２、２１２  銅配線パターン
１３、１１３、２１３  ニッケル金属層
１４、１１４  金層
１４ａ  結晶粒
１４ｂ  結晶粒界
１５、１１５、２１５、３１５  ナノめっき膜
１５ａ  ナノめっき膜表面
２０、１２０、１２０ａ、２２０、３２０  パッド構造
１１８  パラジウム金属層
２１４  銀層
３００  ＩＣチップ
３１２  底層配線パターン
３１４  表面金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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