【事件の表示】
　特願２０１５−５４１９１１「半導体デバイス及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　５月１５日国際公開、ＷＯ２０１４／０７４７７６、平成２７年１１月２６日国内公表、特表２０１５−５３４２８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１３年１１月８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２０１２年１１月９日　韓国（ＫＲ）、２０１２年１２月２６日　米国（ＵＳ））を国際出願日とする特許出願であって、平成２７年７月１３日付けで手続補正がなされ、平成２７年１０月５日付け拒絶理由通知に対して平成２８年２月１５日付けで手続補正がなされたが、同年３月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
第２　平成２８年６月２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２８年６月２日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　平成２８年６月２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするもので、そのうち請求項１６については、
本件補正前（平成２８年２月１５日付け手続補正書）に、
「【請求項１６】
　半導体デバイスの製造方法であって、
　再分配層と誘電体層とを備えるインターポーザを、前記再分配層が前記インターポーザの上部から前記インターポーザの下部まで延在する部分を有するようにダミー基板上に形成し、
　前記インターポーザから前記ダミー基板を除去し、
　前記ダミー基板の除去において、前記ダミー基板を研削する、方法。」
とあったところを、
本件補正により、
「【請求項１６】
　半導体デバイスの製造方法であって、
　再分配層と誘電体層とを備えるインターポーザ
（但し、貫通ビアを有するインターポーザを除く）
　前記インターポーザから前記ダミー基板を除去し、
　前記ダミー基板の除去において、前記ダミー基板を研削する、方法。」
とするものである。
　上記補正の内容は、「インターポーザ」について、「但し、貫通ビアを有するインターポーザを除く」と発明特定事項を限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１６に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて以下検討する。
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００４−７９６５８号公報（平成１６年３月１１日公開、以下「引用例」という。）には、図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
ア． 「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に係り、特にシリコン基板を用いて形成された再配線層上に半導体素子が搭載された
半導体装置
の製造方法に関する
イ．「【００３２】
本発明の第１実施例による半導体装置２０は、薄膜多層基板２１上にＬＳＩ４，５を搭載し、薄膜多層基板２１をパッケージ基板１０に搭載して形成したものである。薄膜多層基板２１は図１における配線層２に相当する部分である。薄膜多層基板２１とパッケージ基板１０との間にはアンダーフィル２２が充填され、薄膜多層基板２１は比較的剛性の高いパッケージ基板１０に固定される。
薄膜多層基板２１は、ポリイミドやＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ−Ｃｙｃｌｏ−Ｂｕｔｅｎｅ）等の絶縁層と銅（Ｃｕ）等の配線層が積層されて形成される。
ウ．「【００３３】
図１と図２を比較すると明らかなように、
図２に示す半導体装置２０において再配線基板として機能する部分は薄膜多層基板２１だけである。すなわち、半導体装置２０は、図１におけるＳｉ基板１及び絶縁層７を有していない。
エ．「【００３６】
次に、図２に示す半導体装置２０の製造工程について、図４乃至１４を参照しながら説明する。図４，６，８〜１４は、半導体装置２０の製造工程を順に示している。
 【００３７】
まず、図４に示すように、厚さ５００〜７００μｍ程度の
シリコンウェハ２３上に
薄膜配線層２５を形成する
薄膜配線層２５は
薄膜多層基板２１に相当する
薄膜配線層２５は微細な多層配線構造とする
 【００３８】
図５は図４におけるＡ部の拡大図である。メタル薄膜層２４は、図５に示すように、シリコンウェハ２３の上に形成されたＴｉスパッタ層２４Ａと、Ｔｉスパッタ層２３Ａ上に形成されたＣｕスパッタ層２４Ｂとよりなる。したがって、薄膜配線層２５はＣｕスパッタ層２４Ｂ上に形成される。Ｔｉスパッタ層２３ＡはＣｒスパッタ層やＮｉスパッタ層に置き換えられてもよい。メタル薄膜層２４は、シリコンウェハ２３上に配線メッキ層を形成するためのシードレイヤとして機能する。
 【００３９】
薄膜配線層２５は、ポリイミド等の絶縁層の間に銅メッキ層による配線パターンを形成したもので、通常の多層配線基板の製造方法により形成される。
薄膜配線層２５の内部には、下部電極２６と上部電極２７とが形成される。
 【００４０】
下部電極２６は、Ｃｕスパッタ層２４Ｂ上に形成された金（Ａｕ）メッキ層２８と、金（Ａｕ）メッキ層２８の上に形成されたニッケル（Ｎｉ）メッキ層２９と、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層２９の上に形成された銅（Ｃｕ）メッキ層３０とよりなる。Ｃｕメッキ３０層が電極パッドの本体であり、Ａｕメッキ層２８はハンダの濡れ性を確保するために設けられ、Ｎｉメッキ層２９はハンダの拡散を防止するバリアメタル層として機能する。また、Ａｕメッキ層２８は、後述するエッチング工程において、下部電極のエッチングを防止するためのバリア層としても機能する。
 【００４１】
上部電極２７は下部電極２８と同様な構成であり、銅（Ｃｕ）メッキ層３１の上にニッケル（Ｎｉ）メッキ層３２が形成され、その上に金（Ａｕ）メッキ層３３が形成される。」
オ．「【００４５】
次に、図８に示すように、支持部材３６にバックグラインド（ＢＧ）テープ３７を貼り付け、支持部材３６を回転させながら
シリコンウェハ２３を
研磨する。
研磨して薄くなったシリコンウェハ２３を
スピンエッチングにより
除去する
　上記アないしオにより、引用例には以下の事項が記載されている。
　上記アによれば、半導体装置の製造方法に関するものである。
　上記イおよびエによれば、薄膜多層基板２１は、絶縁層と配線層が積層されて形成されるものである。
　上記ウによれば、薄膜多層基板２１は、再配線基板として機能するものである。
　上記エによれば、シリコンウェハ２３上に薄膜配線層２５を形成するものである。なお、薄膜配線層２５は薄膜多層基板２１に相当する。（以下、「薄膜多層基板２１」に統一する。）
　上記エによれば薄膜多層基板２１（薄膜配線層２５）の内部には、配線層である下部電極２６や上部電極２７が形成されているものである。
  上記オによれば、シリコンウェハ２３を研磨し、薄くなったシリコンウェハ２３をスピンエッチングにより除去するものである。
　したがって、上記摘示事項及び図面を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　「半導体装置の製造方法であって、
　シリコンウェハ２３上に絶縁層と配線層とを積層して再配線基板の機能を有する薄膜多層基板２１を形成し、
　該薄膜多層基板２１の内部には、配線層である下部電極２６や上部電極２７が形成され、
　シリコンウェハ２３を研磨し、薄くなった該シリコンウェハ２３をスピンエッチングにより除去する、方法。」
３．対比
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「半導体装置」は、本願補正発明の「半導体デバイス」に相当する。
（２）引用発明の「再配線基板の機能を有する薄膜多層基板２１」は、本願補正発明の「インターポーザ」に相当する。そして、引用発明の「配線層」は、再配線を行うものであるから、本願補正発明の「再分配層」に相当する。また、引用発明の「絶縁層」は、本願補正発明の「誘電体層」に相当する。更に、引用発明の「シリコンウェハ２３」は、薄膜多層基板を形成した後に除去されるものであるから、本願補正発明の「ダミー基板」に相当する。
　よって、引用発明の「シリコンウェハ２３上に絶縁層と配線層とを積層して再配線基板の機能を有する薄膜多層基板２１を形成し」は、本願補正発明の「再分配層と誘電体層とを備えるインターポーザをダミー基板上に形成し」に相当する。
　但し、本願補正発明は「貫通ビアを有するインターポーザを除」いているのに対し、引用発明にはその旨の明確な特定がなされていない。
　また、本願補正発明は、「前記再分配層が前記インターポーザの上部から前記インターポーザの下部まで延在する部分を有するように」形成されているのに対し、引用発明は、薄膜多層基板（本願補正発明の「インターポーザ」に相当。）に下部電極や上部電極を形成したことが記載されているものの「上部から下部まで延在する部分」についての明確な特定がなされていない。
（３）引用発明の「シリコンウェハ２３を研磨し、薄くなった該シリコンウェハ２３をスピンエッチングにより除去する」ことは、薄膜多層基板２１からシリコンウェハ２３を研削して除去しているといえるから、本願補正発明の「前記インターポーザから前記ダミー基板を除去し、前記ダミー基板の除去において、前記ダミー基板を研削する」に相当する。
 
　そうすると、本願補正発明と引用発明とは、以下の点で一致ないし相違する。
＜一致点＞
　「半導体デバイスの製造方法であって、
　再分配層と誘電体層とを備えるインターポーザを、ダミー基板上に形成し、
　前記インターポーザから前記ダミー基板を除去し、
　前記ダミー基板の除去において、前記ダミー基板を研削する、方法。」
＜相違点１＞
　本願補正発明は「貫通ビアを有するインターポーザを除」いているのに対し、引用発明にはその旨の明確な特定がなされていない。
＜相違点２＞
　本願補正発明は、「前記再分配層が前記インターポーザの上部から前記インターポーザの下部まで延在する部分を有するように」形成されているのに対し、引用発明は、薄膜多層基板（本願補正発明の「インターポーザ」に相当。）の内部に下部電極や上部電極を形成したことが記載されているものの「上部から下部まで延在する部分」についての明確な特定がなされていない。
４．判断
　上記＜相違点１＞および＜相違点２＞について検討する。
　引用発明の薄膜多層基板２１は、上記「３．（２）」で記載したとおり、本願補正発明の「インターポーザ」に相当するものであり、インターポーザとは中継基板として機能するものであって、その表裏面に設けられた電極を配線層によって電気的に接続するものであることは技術常識である。そうすると、引用発明の薄膜多層基板２１の内部には、配線層である下部電極２６や上部電極２７が形成されているから、下部電極２６の配線層から上部電極２７の配線層までを電気的に接続するために延在する部分を有することは至極当然のことである。
　よって、引用発明の薄膜多層基板２１は、直接の記載はないものの、その内部に下部電極２６および上部電極２７の配線層を形成していることから、貫通ビアを有していないものといえ、当然に下部電極２６と上部電極２７とは電気的な接続があるといえるから、相違点１および相違点２は、実質的な相違とはいえない。
　したがって、本願補正発明は、引用発明と実質同一である。
５．むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２８年６月２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２０に係る発明は、平成２８年２月１５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載された事項により特定されたものであるところ、その請求項１６に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２　１．」に本件補正前の請求項１６として記載したとおりのものである。
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びそれらの記載事項は、上記「第２　２．」に記載したとおりである。
３．対比・判断
 本願発明は、本願補正発明から「（但し、貫通ビアを有するインターポーザを除く）」との構成要件を削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、更に上記の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　３．」および「第２　４．」で検討したように、引用例に記載された発明から新規性がないのであるから、本願補正発明から上記事項を省いた本願発明も、同様の理由により、引用例の記載から新規性がないものである。
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１６に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について言及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。