【事件の表示】
　特願２０１２−１０９７４５「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１１月２８日出願公開、特開２０１３−２３９４７９、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１  手続の経緯
　本願は、平成２４年５月１１日の出願であって、平成２７年３月１７日付けで拒絶理由が通知され、同年５月１８日付けで手続補正がなされたが、同年１０月１４日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年１２月１７日付けで手続補正がなされたが、当該手続補正について平成２８年５月１６日付けで補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年８月２２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がなされ、同年１１月１７日付けで上申書が提出され、平成２９年５月１９日付けで審尋がなされたのに対して、同年７月２１日付けで回答書が提出されたものである。
第２　平成２８年５月１６日付けの補正の却下の決定及び原査定の概要
１．補正の却下の決定の概要
　平成２８年５月１６日付けの補正の却下の決定の概要は以下のとおりである。
　平成２８年１２月１７日付けの補正は、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものであるが、当該補正後の本願請求項１ないし５に係る発明は、引用文献１、３ないし６に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明できたものであり、独立特許要件を満たさないから、平成２８年１２月１７日付けの補正は却下すべきものである。
引用文献等一覧
１，特開２００９−２６７０７１号公報
２．国際公開第２０１１／０８７１１９号
３．特開２００３−６８７９４号公報
４．特開２００９−１６７８０号公報
５．特開平１１−１７１０５号公報
６．米国特許第５０１２３２２号明細書
２．原査定の概要
　原査定（平成２８年５月１６日付けの拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　本願請求項１ないし５に係る発明は、上記引用文献１ないし５に基づいて、その発明の属する技術分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第３  平成２８年８月２２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の適否
１．本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、本件補正の前に、
「　　【請求項１】
　リードフレームと、
　該リードフレームにおける共通の一面上に配置される複数の半導体素子と、を有し、
　前記半導体素子は、
　前記リードフレームの厚さ方向において、両面に電極を有する両面電極素子と、
　前記両面電極素子の駆動を制御する制御ＩＣと、を含み、
　前記両面電極素子は、前記一面と対向する面に形成された電極が、無鉛はんだ、または、導電性接着材を介して、前記リードフレームと電気的に接続され、
　前記制御ＩＣは、
　チップ部と、
　該チップ部のうち、前記リードフレームと対向する対向面の全面に配置され、均一の厚さとされる絶縁層と、を有し、
　前記無鉛はんだの融点、または、前記導電性接着材の耐熱温度よりも、硬化温度の低い絶縁性接着材を介して、前記絶縁層と前記一面とが接続され、
　前記絶縁性接着材は、そのすべてが前記チップ部と前記絶縁層との接合面よりも前記リードフレーム側に形成されることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　前記絶縁層は、ポリイミド系樹脂、または、ポリベンゾオキサゾール系樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項３】
　前記絶縁層は、二酸化ケイ素を主成分とし、アルカリ元素を含有するガラスからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項４】
　前記両面電極素子は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
　　【請求項５】
　前記両面電極素子は、パワーＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
」
とあったところを、
「　　【請求項１】
　リードフレームと、
　該リードフレームにおける共通の一面上に配置される複数の半導体素子と、を有し、
　前記半導体素子は、
　前記リードフレームの厚さ方向において、両面に電極を有する両面電極素子と、
　前記両面電極素子の駆動を制御する制御ＩＣと、を含み、
　前記両面電極素子は、前記一面と対向する面に形成された電極が、無鉛はんだ、または、導電性接着材を介して、前記リードフレームと電気的に接続され、
　前記制御ＩＣは、
　チップ部と、
　該チップ部のうち、前記リードフレームと対向する対向面の全面に配置され、均一の厚さとされる絶縁層と、を有し、
　前記無鉛はんだの融点
よりも
　前記絶縁性接着材は、そのすべてが前記チップ部と前記絶縁層との接合面よりも前記リードフレーム側に
おいて、前記無鉛はんだよりも、または、前記導電性接着材よりも、薄く
、前記絶縁層のうち、前記接合面とは反対の面のみに接触している
　　【請求項２】
　前記絶縁層は、ポリイミド系樹脂、または、ポリベンゾオキサゾール系樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項３】
　前記絶縁層は、二酸化ケイ素を主成分とし、アルカリ元素を含有するガラスからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項４】
　前記両面電極素子は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
　　【請求項５】
　前記両面電極素子は、パワーＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
」
とするものである。なお、下線は審判請求人が補正箇所を明示するために付したものである。
　本件補正の補正事項は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「絶縁性接着材」について、「前記絶縁性接着材は、そのすべてが前記チップ部と前記絶縁層との接合面よりも前記リードフレーム側に
おいて、前記無鉛はんだよりも、または、前記導電性接着材よりも、薄く
、前記絶縁層のうち、前記接合面とは反対の面のみに接触している
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
　そして、「第４　本願発明」から「第６　対比・判断」までに示すように、補正後の請求項１ないし５に係る発明は、独立特許要件を満たすものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。
第４　本願発明
　本願請求項１ないし５に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明５」という。）は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものである。
第５　引用例及びその記載事項
１．引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００９−２６７０７１号公報（以下、「引用例１」という。）には、「半導体装置」について、図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
（ア）「【００１２】
　本発明の
半導体装置は、スイッチング素子と、前記スイッチング素子を制御する制御素子とを備え、前記スイッチング素子と前記制御素子とは同一のアイランドに実装され、前記スイッチング素子は導電性固着材を介して前記アイランドに実装され、前記制御素子は、裏面に貼着された絶縁シートおよび絶縁性固着材を介して、前記アイランドに実装される
（イ）「【００１４】
　図１を参照して、本実施の形態に係る半導体装置１０の構成を説明する。図１（Ａ）は半導体装置１０を示す平面図であり、図１（Ｂ）は図（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図であり、図１（Ｃ）は図１（Ａ）に示す半導体装置をリード１４側から見た平面図である。
【００１５】
　図１（Ａ）を参照して、
半導体装置１０は、アイランド１２と、アイランド１２の上面に実装されたスイッチング素子１８および制御素子２０と、外部接続端子として機能するリード１４と、これらを一体的に被覆して機械的に支持する封止樹脂１６とを主要に備えた構成
（ウ）「【００１８】
　
スイッチング素子１８としては、裏面に主電極を備えた半導体素子であり、具体的には、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、バイポーラトランジスタ、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）が採用される
スイッチング素子１８としてＭＯＳＦＥＴが採用された場合は、裏面にドレイン電極が形成され、バイポーラトランジスタが採用された場合は裏面にコレクタ電極が形成される。
スイッチング素子１８としては、例えば１Ａ以上の大電流のスイッチングを行うパワー系の半導体素子（パワー素子）が採用される。
一例として、ＭＯＳＦＥＴがスイッチング素子１８として採用され、下面のドレイン電極が導電性接着材を介してアイランド１２の上面に接続され、上面のゲート電極は金属細線２１を経由して制御素子２０と接続され、上面のソース電極は複数の金属細線２１を経由してリード１４Ａと接続される。
【００１９】
　
制御素子２０は、スイッチング素子１８のスイッチングを制御する回路が表面に形成されたＬＳＩである。制御素子２０は、
絶縁シートおよび絶縁性接着材を介してアイランド１２に絶縁された状態で固着され、上面の電極は金属細線２１を経由してリード１４やスイッチング素子１８と接続されている。
（エ）「【００２２】
　図２を参照して、制御素子２０がアイランド１２に実装される構造を説明する。図２（Ａ）はスイッチング素子１８および制御素子２０が実装される構造を示す断面図であり、図２（Ｂ）および図２（Ｃ）は制御素子２０が実装される構造を拡大して示す断面図である。
【００２３】
　図２（Ａ）を参照して、上記したように、
アイランド１２の上面には、スイッチング素子１８と制御素子２０とが実装されており、スイッチング素子１８はロウ材２４を介して実装され、制御素子２０は絶縁シート２６および絶縁性固着材２８を介して実装されている。
【００２４】
　一方、図２（Ｂ）を参照して、裏面が電極として用いられない制御素子２０は、裏面に貼着された絶縁シート２６と、アイランド１２の上面に塗布された絶縁性固着材２８を介して実装されている。換言すると、制御素子２０の固着に用いられる固着材は、絶縁シート２６と絶縁性固着材２８とから成る多層構造である。
【００２５】
　絶縁シート２６は、半導体ウェハをダイシングして制御素子２０として分離する際に、半導体ウェハと共にダイシングされる樹脂製のシートであり、ダイアッタチシートとも称されている。絶縁シート２６は、厚さＴ１が２０μｍ〜５０μｍ程度のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなり、基本的にはフィラーが混入されていない。また、絶縁シート２６の平面的な大きさは制御素子２０と同等であり、制御素子２０の側面と絶縁シート２６の側面とは同一平面上に位置している。
【００２６】
　
絶縁性固着材２８は、絶縁性を備えた樹脂材料から成り、絶縁シート２６の下面とアイランド１２の上面との間に位置し、両者を接着させる機能を有する。
絶縁性固着材２８は、絶縁シート２６の側面だけではなく、制御素子２０の側面も被覆しており、このことも制御素子２０の絶縁に寄与している。
【００２７】
　上記のように、絶縁シート２６と絶縁性固着材２８とを組みあわせて制御素子２０を実装することにより、制御素子２０を絶縁した状態でアイランド１２の上面に実装することができる。具体的には、絶縁シート２６のみを使用して制御素子２０を実装することも可能である。しかしながら、絶縁シート２６の厚みは２０μｍ程度であり極めて薄いので、絶縁シート２６の側面を経由して電流が流れてしまい結果的に制御素子２０がアイランド１２とショートしてしまう恐れがある。また、絶縁シート２６を使用せずに絶縁性固着材２８のみを使用して制御素子２０を固着する方法もある。しかしながら、この方法であると、固着時の絶縁性固着材２８は液状であるので、絶縁性固着材２８の上部に載置された制御素子２０が傾いてしまい、結果的に制御素子２０の端部がアイランド１２に接触してショートが発生する恐れもある。
【００２８】
　そこで、本実施形態では、
絶縁性固着材２８をアイランド１２の上面に塗布し、裏面に絶縁シート２６が貼着された制御素子２０を絶縁性固着材２８の上部に載置している。この様にすることで、制御素子２０とアイランドとを確実に絶縁させることができる。
絶縁性固着材２８の側面が裾広がりの形状で有ることにより、制御素子２０とアイランド１２との沿面距離が長く確保される。このことにより、制御素子２０とアイランド１２とのショートが防止される。
（オ）「【００４０】
　図５を参照して、次に、アイランド１２の上面にスイッチング素子１８および制御素子２０を固着する。ここでは、スイッチング素子１８がアイランド１２と導通した状態で実装され、制御素子２０はアイランド１２と絶縁された状態で実装される。
【００４１】
　図５（Ａ）を参照して、先ず、スイッチング素子１８を導電性固着材であるロウ材２４を介してアイランド１２の上面に実装する。具体的には、
半田クリームをアイランド１２の上面に塗布した後に、半田クリームの上部にスイッチング素子１８を載置し、加熱温度が３５０℃程度のリフロー工程にて半田クリームを溶融させることで、ロウ材２４による実装を行う。
【００４２】
　図５（Ｂ）を参照して、次に、制御素子２０を絶縁された状態でアイランド１２の上面に実装する。制御素子２０は所定の回路が上面に組み込まれたＬＳＩであり、裏面には絶縁シート２６が貼着されている。この絶縁シート２６は、半導体ウェハから制御素子２０をダイシングする際に、半導体ウェハの裏面に貼着されて同時に切断されたものである。絶縁性固着材２８は、例えば、フィラーが混入されたエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなり、液状または半固形状の状態でアイランド１２の上面に塗布される。制御素子２０は、絶縁性固着材２８の上面に載置される。
【００４３】
　図５（Ｃ）を参照して、例えば
１５０℃程度に加熱することにより、熱硬化性樹脂から成る絶縁シート２６と絶縁性固着材２８とを加熱硬化して、制御素子２０をアイランド１２の上面に固着する。
・上記（ア）によれば、半導体装置は、スイッチング素子と、前記スイッチング素子を制御する制御素子とを備え、前記スイッチング素子と前記制御素子とは同一のアイランドに実装され、前記スイッチング素子は導電性固着材を介して前記アイランドに実装され、前記制御素子は、裏面に貼着された絶縁シートおよび絶縁性固着材を介して、前記アイランドに実装されるものである。
・上記（イ）によれば、半導体装置１０は、アイランド１２と、アイランド１２の上面に実装されたスイッチング素子１８および制御素子２０と、外部接続端子として機能するリード１４とを主要に備えた構成である。
・上記（ウ）及び図１ないし２によれば、スイッチング素子１８は、上面及び裏面に電極を備えたものである。
・上記（エ）によれば、アイランド１２の上面には、スイッチング素子１８と制御素子２０とが実装されており、スイッチング素子１８はロウ材２４を介して実装され、制御素子２０は絶縁シート２６および絶縁性固着材２８を介して実装されているものである。また、絶縁性固着材２８は、絶縁性を備えた樹脂材料から成り、絶縁シート２６の下面とアイランド１２の上面との間に位置し、両者を接着させる機能を有し、絶縁シート２６の側面だけではなく、制御素子２０の側面も被覆しており、制御素子２０の絶縁に寄与しているものである。
・上記（オ）によれば、半導体装置１０は、半田クリームをアイランド１２の上面に塗布した後に、半田クリームの上部にスイッチング素子１８を載置し、加熱温度が３５０℃程度のリフロー工程にて半田クリームを溶融させることで、ロウ材２４による実装を行うものである。また、半導体装置１０は、１５０℃程度に加熱することにより、熱硬化性樹脂から成る絶縁シート２６と絶縁性固着材２８とを加熱硬化して、制御素子２０をアイランド１２の上面に固着するものである。
　以上の点を踏まえて、上記記載事項および図面を総合的に勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「アイランド１２と、
上面及び裏面に電極を備えたスイッチング素子１８と、前記スイッチング素子１８を制御する制御素子２０とを備え、
前記スイッチング素子１８と前記制御素子２０とは同一の前記アイランド１２に実装され、
前記スイッチング素子１８は導電性固着材を介して前記アイランド１２に実装され、
前記制御素子２０は、裏面に貼着された絶縁シート２６および絶縁性固着材２８を介して、前記アイランド１２に実装されるものであって、
加熱温度が３５０℃程度のリフロー工程にて半田クリームを溶融させることで、前記スイッチング素子２０をアイランド１２の上面に実装し、
さらに、１５０℃程度に加熱することにより、熱硬化性樹脂から成る絶縁シート２６と絶縁性固着材２８とを加熱硬化して、制御素子２０をアイランド１２の上面に実装する
ことを特徴とする半導体装置１０。」
２．引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２０１１／０８７１１９号（以下、「引用例２」という。）には、「半導体装置およびその製造方法」に関して図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
（カ）「［００５２］　
半導体チップ１０６は、第１の絶縁材料１１０および第２の絶縁材料１１２によってアイランド１０２上に固着されている。
第１の絶縁材料１１０としては、ポリアミドイミド、ポリイミド、アルミナ、セラミックス等が用いられる。
（キ）「［００５５］　第１の実施形態において、
第２の絶縁材料１１２としては、アクリル系樹脂、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等が用いられる。第２の絶縁材料１１２は、絶縁ペーストとして、半導体チップ１０６とアイランド１０２の間を接着する。
　以上の点を踏まえて、上記記載事項及び図面を総合的に勘案すると、引用例２には、次の技術事項が記載されている。
「半導体チップ１０６は、第１の絶縁材料１１０および第２の絶縁材料１１２によってアイランド１０２上に固着される」こと。
３．引用例３
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００３−６８７９４号（以下、「引用例３」という。）には、「電気部材の接続構造及び接続方法」に関して図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
（サ）「【０００８】半導体素子としては、シリコン、ガリウムヒ素等を材料とするものがあり、これらＩＣチップは、アルミニウム等の上に、銅、ニッケル、金、はんだ等を被覆した電極を設けたものである。これら電極の表面に、さらに、錫、金、はんだ等の表面層を形成することもできる。
電極以外の面は、酸化シリコン、ホウケイ酸ガラス、チッ化ケイ素、チッ化アルミニウム、チッ化ホウ素、ポリイミド、フッ素樹脂のような絶縁層
　以上の点を踏まえて、上記記載事項及び図面を総合的に勘案すると、引用例３には、次の技術事項が記載されている。
「半導体装置において、絶縁層をポリイミドで形成する」こと。
４．引用例４
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００９−１６７８０号公報（以下、「引用例４」という。）には、「半導体装置」に関して図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
（タ）「【００３８】
　
高耐圧絶縁層２１は、空気よりも絶縁破壊電界が大きければどのような材料により形成されていてもよい。例えば、無機材料であるＡｌＮ、シランの誘導体からなるシリコン系ポリマー、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）又はポリイミド等を用いることができる。
　以上の点を踏まえて、上記記載事項及び図面を総合的に勘案すると、引用例４には、次の技術事項が記載されている。
「半導体装置において、絶縁層をポリイミドで形成する」こと。
５．引用例５
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願日前に頒布された刊行物である特開平１１−１７１０５号公報（以下、「引用例５」という。）には、「エポキシモールディングコンパウンドパッドを利用した半導体パッケージ構造及びエポキシモールディングコンパウンドパッドの製造方法」に関して図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
（ナ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ(Package)構造に係り、より詳細には
MOSFETと制御ＩＣが一つで統合された半導体パッケージで制御ＩＣをＥＭＣ(Epoxy MoldingCompound)パッド(Pad)を介在してリードフレーム(Lead Frame)に付着した半導体パッケージ構造とエポキシモールディングコンパウンドパッドを製造する方法に関するもの
【０００２】
【従来の技術】電子製品の軽量薄形化によって半導体の部品数を減少させた高密度の実装パッケージの開発が進行されている。ＳＭＰＳ(Switched Mode Power Supply)もその中で一つの方法として、動作時の電力量と発熱量が多い半導体素子、即ち、パワートランジスタ(Power Transistor)で使用されるＭＯＳＦＥＴとこれを制御するためのＩＣを一つのパッケージに統合させて密封する。
【０００３】これのためには、スイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ）と制御ＩＣがパッケージ内のワイヤボンディング(Wire Bonding)でコミュニケーション(Communication)されて、周辺部品の機能を制御ＩＣに挿入するように設計を補完して、スイッチング素子と制御ＩＣが一つのパッケージ内に搭載されるようにパッケージを開発する必要がある。
【０００４】特にパッケージ開発において、制御ICはスイッチング素子であるＭＯＳＦＥＴのドレイン（Ｄｒａｉｎ）との短絡を防止するため絶縁接着剤を使用しなければならない。従来このような絶縁性接着剤の絶縁耐圧を向上させるため多様な方法が提案されてきた。
【０００５】図４，５，６は、各々、本願発明者により出願された従来の半導体パッケージの実施例を示す断面図である。図４を参照すると、まず、ウェハ（Ｗａｆｅｒ）状態でウェハの後面に、窒化膜(ＳｉｘNｙ: 図示せず)、例えば、Ｓｉ３N４を２〜５ミクロン程度の厚さで塗布する。通常１回塗布時ごと１ミクロン程度の厚さを持つから、所望する厚さになるように塗布回数を加減する。
【０００６】次に、前記ウェハを個別制御ＩＣ１で切断した後、ダイパッド（Ｄｉｅ  Ｐａｄ）５上にＭＯＳＦＥＴ２をソルダ(Solder)接着剤４で付着して制御ＩＣ１を絶縁エポキシ接着剤３を利用して付着した状態で、ＭＯＳＦＥＴ２と制御ＩＣ１との間と、ＭＯＳＦＥＴ２とインナリード(Inner Lead)との間及び制御ＩＣ１とインナリードとの間に金属ワイヤでワイヤボンディングした後、モールディング及びトリミング(Trimming)工程を経てパッケージを完成する。」
（ニ）「【００１６】
【発明の実施の形態】以下、 添附図面を参照して本発明による好ましい一実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発明による半導体パッケージを示す断面図である。図示されるように、 
リードフレームのダイパッド５上の一側にはＭＯＳＦＥＴまたはバイポーラトランジスタ等のような電力素子が実装させて、他方側にはＥＭＣパッド６’を介在して制御ＩＣ１が実装される。
【００１７】これを具体的に説明すると、ＭＯＳＦＥＴ２は、導電性ソルダ接着剤４によりダイパッド５上の一側に付着されて、ＥＭＣ樹脂をモールディングして、薄い、例えば、０．３ｍｍ程度で製作されたＥＭＣパッド６’かＥＭＣパッド用接着剤７’を用いてダイパッド５上の他側に付着されている。この時、ＥＭＣパッド６’の大きさは制御ＩＣ１より多少大きく、ＥＭＣパッド用接着剤７’は通常エポキシまたはポリイミド系の絶縁性接着剤である。また、制御ＩＣ１は、エポキシ絶縁性接着剤３を介在してＥＭＣパッド６上に付着される。以後、ＭＯＳＦＥＴ２と制御ＩＣ１は、ワイヤ１０でボンディングされてモールディング及びトリミング工程を経て半導体パッケージが完成される。」
　以上の点を踏まえて、上記記載事項及び図面を総合的に勘案すると、引用例５には、次の技術事項が記載されている。
「リードフレームのダイパッド５上の一側にはＭＯＳＦＥＴまたはバイポーラトランジスタ等のような電力素子を実装させ、他方側にはＥＭＣパッド６’を介在して制御ＩＣ１が実装される」こと。
６．引用例６
　平成２８年５月１６日付けの補正の却下の決定において引用された米国特許第５０１２３２２号明細書（以下、「引用例６」という。）には、「ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ　ＤＩＥ　ＡＮＤ　ＭＯＵＮＴＩＮＧ　ＡＳＳＥＭＢＬＹ」に関して、図面とともに以下の記載がある。そして、当審で作成した仮訳文を並記した。なお、下線は当審で付与した。
（ハ）（第２欄第５０行〜同欄第５８行）「
Referring to the FIGURE, a silicon die 10 is shown bonded to a metal supporting substrate 12. Insulating resin layers 14, 15 and 16 are bonded to the lower (as shown) or back face 18 of the die 10.
「
図を参照すると、シリコンダイ１０は、金属支持基板１２に接合されている。絶縁樹脂層１４、１５、１６は、ダイ１０の下側もしくは背面１８に接合されている。
（ヒ）（第４欄第７行〜同欄第１９行）「
There is also shown in the FIGURE another semiconductor chip 29. This chip may be a discrete power transistor, the bottom face 34 being a boundary of the collector 33 of that transistor. A layer of solder 35 bonds the die to the support 12. 
「
また、図には、他の半導体チップ２９が示されている。このチップは、ディスクリートパワートランジスタであってもよく、底面３４はトランジスタのコレクタ３３の境界である。はんだ層３５はダイを金属支持基板１２の接合する。
　以上の点を踏まえて、上記記載事項及び図面を総合的に勘案すると、引用例６には、次の技術事項が記載されている。
「金属支持基板１２上にシリコンダイ１０及び半導体チップ２９を実装する」こと。
第６　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明の「アイランド１２」は、本願発明１の「リードフレーム」に相当する。また、引用発明の「スイッチング素子１８」及び「制御素子２０」は、同一の「アイランド１２」に実装されていることから、本願発明１の「該リードフレームにおける共通の一面上に配置される複数の半導体素子」といえる。
　そして、引用発明の「上面及び裏面に電極を備えたスイッチング素子１８」は、引用例１の図１ないし２に記載のように「アイランド１２」に実装されることから、本願発明１と同様に、「リードフレームの厚さ方向において、両面に電極を有している」といえる。してみれば、引用発明の「上面及び裏面に電極を備えたスイッチング素子１８」は、本願発明１の「リードフレームの厚さ方向において、両面に電極を有する両面電極素子」に相当する。
　また、引用発明の「制御素子２０」は、スイッチング素子１８を制御することから、本願発明１の「両面電極素子の駆動を制御する制御ＩＣ」に相当する。
　したがって、引用発明の「アイランド１２と、上面及び裏面に電極を備えたスイッチング素子１８と、前記スイッチング素子１８を制御する制御素子２０とを備え、前記スイッチング素子１８と前記制御素子２０とは同一の前記アイランド１２に実装され」ることは、本願発明１の「リードフレームと、該リードフレームにおける共通の一面上に配置される複数の半導体素子と、を有し、前記半導体素子は、前記リードフレームの厚さ方向において、両面に電極を有する両面電極素子と、前記両面電極素子の駆動を制御する制御ＩＣと、を含」んでいることに相当する。
ｂ．引用発明の「導電性固着材」は、上記「第５　１．（エ）」の段落【００２３】の「ロウ材２４や導電性ペースト」、上記「第５　１．（オ）」のの段落【００４１】の「半田クリーム」なる記載を鑑みれば、本願発明１の「はんだ、または、導電性接着材」に相当する。
　したがって、引用発明の「前記スイッチング素子１８は導電性固着材を介して前記アイランド１２に実装され」ることは、本願発明１の「前記両面電極素子は、前記一面と対向する面に形成された電極が、はんだ、または、導電性接着材を介して、前記リードフレームと電気的に接続され」ていることに相当する。
　ただし、「はんだ」について、本願発明１は「無鉛」はんだであると特定しているのに対して、引用発明には、そのような特定がされていない。
ｃ．引用発明の「絶縁シート」は、本願発明１の「絶縁層」に相当する。また、引用発明の「絶縁シート」は、上記「第５　１．（エ）」の段落【００２５】及び引用例１の図２の「絶縁シート」の厚さの記載を鑑みれば、本願発明１と同様に、「均一の厚さ」を有しているといえる。さらに、引用発明の「絶縁シート２６」は、制御装置２０の裏面に貼着されており、制御装置２０は、絶縁シート２６と絶縁性固着材２８を介して、前記アイランド１２に実装されていること、絶縁シート２６の平面的な大きさは制御素子と同等であることから、本願発明１と同様の「該チップ部のうち、前記リードフレームと対向する対向面の全面に配置され、均一の厚さとされる絶縁層」といえる。
　したがって、引用発明の「前記制御素子２０は、裏面に貼着された絶縁シート２６および絶縁性固着材２８を介して、前記アイランド１２に実装され」ることは、本願発明１の「前記制御ＩＣは、チップ部と、該チップ部のうち、前記リードフレームと対向する対向面の全面に配置され、均一の厚さとされる絶縁層と、を有し」ていることに相当する。
ｄ．引用発明の「絶縁性固着材」は、上記「第５　１．（エ）」の段落【００２６】の「絶縁性固着材２８は、絶縁性を備えた樹脂材料から成り、絶縁シート２６の下面とアイランド１２の上面との間に位置し、両者を接着させる機能を有する」なる記載を鑑みれば、本願発明１の「絶縁性接着材」といえる。また、引用発明の「半田クリーム」は、本願発明１の「はんだ」に相当する。
　そして、引用発明の「絶縁固着材」は、１５０℃程度に加熱することにより加熱硬化させているのに対して、引用例発明の「半田クリーム」は３５０℃程度のリフロー工程にて半田クリームを溶融させていることを鑑みれば、引用発明の「半田クリーム」の融点よりも「絶縁固着材」の硬化温度は低いといえる。してみれば引用発明の「絶縁固着材」は、本願発明１と同様に、「前記はんだの融点よりも、または、前記導電性接着材の耐熱温度よりも、硬化温度の低い絶縁性接着材」であるといえる。
　したがって、引用発明の「前記制御素子加熱温度が３５０℃程度のリフロー工程にて半田クリームを溶融させることで、前記スイッチング素子２０をアイランド１２の上面に実装し、さらに、１５０℃程度に加熱することにより、熱硬化性樹脂から成る絶縁シート２６と絶縁性固着材２８とを加熱硬化して、制御素子２０をアイランド１２の上面に実装する」ことは、本願発明１の「前記無鉛はんだの融点よりも、または、前記導電性接着材の耐熱温度よりも、硬化温度の低い絶縁性接着材を介して、前記絶縁層と前記一面とが接続されている」ことに相当する。
　ただし、上記ｂ．と同様に、「はんだ」について、本願発明１は「無鉛」はんだであると特定しているのに対して、引用発明には、そのような特定がされていない。さらに、「絶縁性接着材」について、本願発明１は「そのすべてが前記チップ部と前記絶縁層との接合面よりも前記リードフレーム側において、前記無鉛はんだよりも、または、前記導電性接着材よりも、薄く形成され、前記絶縁層のうち、前記接合面とは反対の面のみに接触している」と特定されているのに対して、引用発明には、そのような特定がされていない。
ｅ．上記ａ．ないしｄ．を鑑みれば、引用発明の「半導体装置１０」は、本願発明１の「半導体装置」に相当する。
　そうすると、本願発明１と引用発明とは、以下の点で一致ないし相違する。
＜一致点＞
　「　リードフレームと、
　該リードフレームにおける共通の一面上に配置される複数の半導体素子と、を有し、
　前記半導体素子は、
　前記リードフレームの厚さ方向において、両面に電極を有する両面電極素子と、
　前記両面電極素子の駆動を制御する制御ＩＣと、を含み、
　前記両面電極素子は、前記一面と対向する面に形成された電極が、はんだ、または、導電性接着材を介して、前記リードフレームと電気的に接続され、
　前記制御ＩＣは、
　チップ部と、
　該チップ部のうち、前記リードフレームと対向する対向面の全面に配置され、均一の厚さとされる絶縁層と、を有し、
　前記はんだの融点よりも、または、前記導電性接着材の耐熱温度よりも、硬化温度の低い絶縁性接着材を介して、前記絶縁層と前記一面とが接続されていることを特徴とする半導体装置。」
＜相違点１＞
　「はんだ」について、本願発明１は「無鉛」はんだであると特定しているのに対して、引用発明には、そのような特定がされていない点。
＜相違点２＞
　「絶縁性接着材」について、本願発明１は「そのすべてが前記チップ部と前記絶縁層との接合面よりも前記リードフレーム側において、前記無鉛はんだよりも、または、前記導電性接着材よりも、薄く形成され、」と特定されているのに対して、引用発明には、そのような特定がされていない点。
＜相違点３＞
　「絶縁性接着材」について、本願発明１は「前記絶縁層のうち、前記接合面とは反対の面のみに接触している」と特定されているのに対して、引用発明には、そのような特定がされていない点。
（２）判断
　上記相違点３について検討すると、引用発明には、絶縁性接着材について、「前記絶縁層のうち、前記接合面とは反対の面のみに接触している」構成とすることは記載されておらず、上記「第５　１．（エ）」の段落【００２６】ないし【００２８】に記載されているように、引用発明は、絶縁性固着材２８を、絶縁シート２６の側面だけでなく、制御素子２０の側面も被覆することで、制御素子２０の絶縁に寄与するものであることを鑑みれば、引用発明において、絶縁シート２６の側面を絶縁性固着材２８で被覆しないようにする動機付けがない。さらに、引用例２ないし６にも、相違点３の構成について記載も示唆もされていない。
　したがって、当業者であっても、引用発明、及び引用例２ないし６に記載された技術事項に基づいて、「前記絶縁層のうち、前記接合面とは反対の面のみに接触している」という相違点３の構成とすることは当業者が容易に想到することができるとはいえない。
　したがって、その他の相違点について検討するまでもなく、本願発明１は、引用発明及び引用例２ないし６に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
２．本願発明２ないし本願発明５について
　本願発明２ないし本願発明５も、本願発明１と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同様の理由により、当業者であっても、引用発明、及び引用例２ないし６に記載された技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
第７　原査定について
１．理由（特許法第２９条第２項）について
　審判請求時の補正により、本願発明１ないし５は、「前記絶縁性接着材は、そのすべてが前記チップ部と前記絶縁層との接合面よりも前記リードフレーム側に
おいて、前記無鉛はんだよりも、または、前記導電性接着材よりも、薄く
、前記絶縁層のうち、前記接合面とは反対の面のみに接触している
　したがって、原査定の理由を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する。