(57)【要約】【課題】バリア部材と投影システムの最終要素と基板との間のスペースにある液浸液のレベルを制御することができる、液浸液を除去するシステムを提供する。【解決手段】  液浸液を除去してチャンバに入れるために、複数の抽出導管が設けられる。抽出導管は、基板のターゲット部分から様々な距離に配置される。チャンバからは、吸引力が加えられる通路が設けられる。全ての導管が液浸液で充填されると、１本または複数の導管がガスを含む場合より抽出容量が大きくなる。【選択図】図６
2011023749.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心を有するイメージフィールドにパターン付放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
前記イメージフィールド内に基板のターゲット位置を位置決めするように構成された基板テーブルと、
前記投影システムと前記基板との間のスペースの少なくとも一部に沿って延在するように構成されたバリア部材であって、前記スペースに液体を供給するように構成された液体供給システムを備えるバリア部材と、
液体抽出システムであって、
過小圧力または吸引流を受けるように構成された通路、および
液体を除去するために前記通路と前記スペースの間に接続され、前記イメージフィールドの中心から様々な距離に配置された複数の導管、を備える液体抽出システムと、
を備えるリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記複数の導管が、前記イメージフィールドの中心から互いに異なる半径方向距離に配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ある導管の断面積が、半径方向で前記イメージフィールドの中心に近い方に配置されたある導管の断面積より小さい、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
複数の液体抽出システムが前記投影システムの周囲に配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記複数の導管および前記通路がそれぞれ、チャンバに接続される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記通路が、前記複数の導管のうちのある導管の前記イメージフィールドの中心から実質的に同じ距離、またはこれより遠い距離に配置される、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
投影システムを使用して、中心を有するイメージフィールドに放射投影ビームを投影し、
基板のターゲット部分を前記イメージフィールドに配置し、
前記投影システムと前記基板の間のスペースに液体を供給し、
前記スペースから液体を除去するために吸引を提供することを含み、前記吸引が、前記イメージフィールドの中心から様々な距離に配置され且つ通路に接続された複数の導管を通して作動する、デバイス製造方法。
【請求項８】
前記複数の導管が、前記イメージフィールドの中心から互いに異なる半径方向距離に配置される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ある導管の断面積が、半径方向で前記イメージフィールドの中心に近い方に配置されたある導管の断面積より小さい、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数の導管および前記通路がそれぞれ、チャンバに接続される、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
前記通路が、前記複数の導管のうちのある導管の前記イメージフィールドの中心から実質的に同じ距離、またはこれより遠い距離に配置される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
イメージフィールドにパターン付放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
基板のターゲット部分を前記イメージフィールドに配置するように構成された基板テーブルと、
前記投影システムと前記基板の間のスペースの少なくとも一部に沿って延在するように構成されたバリア部材であって、前記スペースに液体を供給するように構成された液体供給システムを備えたバリア部材と、
液体抽出システムであって、
過小圧力または吸引流を受けるように構成された通路、および
液体を除去するために前記通路と前記スペースの間に接続され、前記イメージフィールドに対して様々な高さに配置された複数の導管、を備える液体抽出システムと、
を備えるリソグラフィ装置。
【請求項１３】
ある導管の断面積が、前記基板テーブルに対してその下に配置されたある導管の断面積より小さい、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
複数の液体抽出システムが前記投影システムの周囲に配置される、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記複数の導管および前記通路がそれぞれ、チャンバに接続される、請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
前記通路が、前記複数の導管のうちのある導管の前記イメージフィールドに対して実質的に同じ高さ、またはこれより高く配置される、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
投影システムを使用して、放射投影ビームを基板のターゲット部分に投影し、
前記投影システムと前記基板の間のスペースに液体を供給し、
液体を除去するために吸引を提供することを含み、前記吸引が、様々な高さに配置され且つ通路に接続された複数の導管を通して作動する、デバイス製造方法。
【請求項１８】
ある導管の断面積が、前記基板テーブルに対してその下に配置されたある導管の断面積より小さい、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記複数の導管および前記通路がそれぞれ、チャンバに接続される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記通路が、前記複数の導管のうちのある導管の前記イメージフィールドに対して実質的に同じ高さ、またはこれより高く配置される、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明はリソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターン化される網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。そのポイントは、より小さいフィーチャを結像可能にすることである。というのは、露光放射は液体中で波長が短くなるからである（液体の効果は、システムの有効開口数つまりＮＡを増加させ、さらに焦点深さも長くすることと見なすこともできる）。固体粒子（例えばクォーツ）が中に懸濁した水などの他の液浸液も提案されている。
【０００４】
[0004]  しかし、基板または基板および基板テーブルを液体槽に液浸すること（例えば参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることになる。これには、追加のモータまたはさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
[0005]  提案されている解決法の１つは、液体供給システムが基板の局所的なエリアのみ、および投影システムの最終要素と基板の間に液体閉じ込めシステムを使用して液体を提供することである（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。このために配置構成するように提案されている１つの方法が、参照により全体が本明細書に組み込まれているＰＣＴ特許公開ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。添付図面の図２および図３に示すように、液体は少なくとも１つの入口ＩＮによって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作の方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧ソースに接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる配置構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に位置決めされた入口および出口の様々な方向および数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４セットの入口と出口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。
【０００６】
[0006]  局所的液体供給システムがあるさらなる液浸リソグラフィの解決法が、図４に図示されている。液体は、投影システムＰＬのいずれかの側にある２つの流路入口ＩＮによって供給され、入口ＩＮの半径方向外側に配置された複数の離散的出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮおよびＯＵＴは、中心に穴があって、投影される投影ビームが通過する面に配置することができる。液体は、投影システムＰＬの一方側にある１つの流路入口ＩＮによって供給され、投影システムＰＬの他方側にある複数の離散的出口ＯＵＴによって除去され、これにより投影システムＰＬと基板Ｗの間に液体の薄い膜の流れができる。使用するために入口ＩＮと出口ＯＵＴのどの組合せを選択するかは、基板Ｗの運動方向によって決定することができる（入口ＩＮと出口ＯＵＴの他の組合せは無効になる）。
【０００７】
[0007]  局所的液体供給システムがある別の液浸リソグラフィについて提案されている別の解決法は、液体供給システムに、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間にあるスペースの境界の少なくとも一部に沿って延在するバリア部材を設けることである。このような解決法が図５に図示されている。バリア部材は、ＸＹ平面では投影システムに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）では多少の相対運動があってよい。ある実施形態では、バリア部材と基板の表面の間にシールを形成し、これはガスシールのような非接触シールでよい。
【０００８】
[0008]  バリア部材１２は、投影システムＰＬの最終要素と基板Ｗの間のスペース１１に、少なくとも部分的に液体を含む。基板の非接触シール１６は、投影システムのイメージフィールドの周囲に形成することができ、したがって液体は基板表面と投影システムの最終要素の間のスペースに限定される。スペースは、投影システムＰＬの最終要素の下およびその周囲に配置されたバリア部材１２によって少なくとも部分的に構成される。液体は、液体入口１３によって投影システムの下およびバリア部材１２内のスペースに運び込まれ、液体出口１３によって除去することができる。バリア部材１２は、投影システムの最終要素の少し上まで延在してよく、液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素の上まで上昇する。バリア部材１２は、ある実施形態ではその上端が投影システムまたはその最終要素の形状に非常に一致し、例えば円形である内周を有する。底部では、内周はイメージフィールドの形状に非常に一致し、例えば長方形であるが、そうである必要はない。
【０００９】
[0009]  液体は、使用中にバリア部材１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によってスペース１１内に閉じ込められる。ガスシールは、空気または合成空気のようなガスで形成されるが、ある実施形態では、圧力下で入口１５を介してバリア部材１２と基板の間のギャップに提供され、出口１４を介して抽出されるＮ2または別の不活性ガスである。ガス入口１５への過剰圧力、出口１４への真空レベル、およびギャップの幾何学的形状は、液体を限定する内側への高速のガス流があるように構成される。これらの入口／出口は、スペース１１を囲む環状流路でよく、ガス１６の流れ、は、液体をスペース１１に閉じ込めるのに効果的である。このようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号で開示され、参照により全体が本明細書に組み込まれる。
【００１０】
[0010]  それぞれが参照により全体が本明細書に組み込まれた欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号および米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツインまたはデュアルステージの液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置には、基板を支持するために２つのテーブルを設けられている。第一位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第二位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は、１つのテーブルのみを有してもよい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
[0011]  一例の液浸リソグラフィ装置では、バリア部材と投影システムの最終要素と基板との間にあるスペース内の液体のレベルは、スペースを囲むバリア部材の周囲にある複数の平行な開口を使用し、全てが実質的に同じ高さに制御される。しかし、このような構成の抽出容量は、制御すべき液浸液のレベルに依存せず、液浸液のレベルに望ましくない変動を引き起こすことがある。
【００１２】
[0012]  液浸液のレベルを測定し、それに応じて抽出を制御する能動制御システムが提案されている。しかし、このようなシステムは複雑な部品を必要とし、エラーまたは損傷が生じやすいことがある。
【００１３】
[0013]  例えば、バリア部材と投影システムの最終要素と基板との間のスペースにある液浸液のレベルを制御することができる、液浸液を除去するシステムを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
[0014]  本発明の態様によれば、
中心を有するイメージフィールドにパターン付放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
イメージフィールド内に基板のターゲット位置を位置決めするように構成された基板テーブルと、
投影システムと基板との間のスペースの少なくとも一部に沿って延在するように構成されたバリア部材であって、スペースに液体を供給するように構成された液体供給システムを備えるバリア部材と
液体抽出システムであって、
過小圧力または吸引流を受けるように構成された通路、および
液体を除去するために通路とスペースの間に接続され、イメージフィールドの中心から様々な距離に配置された複数の導管、を備える液体抽出システムと、
を備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００１５】
[0015]  本発明の態様によると、
投影システムを使用して、中心を有するイメージフィールドに放射投影ビームを投影し、
基板のターゲット部分をイメージフィールドに配置し、
投影システムと基板の間のスペースに液体を供給し、
スペースから液体を除去するために吸引を提供することを含み、該吸引は、イメージフィールドの中心から様々な距離に配置され且つ通路に接続された複数の導管を通して作動する、デバイス製造方法、また、
中心光軸を有する投影システムを使用して、中心を有するイメージフィールドに放射投影ビームを投影し、
基板のターゲット部分をイメージフィールドに配置し、
投影システムの最終要素と基板の間のスペースに液浸液を供給し、
液浸液を除去するために吸引を提供することを含み、
前記吸引が、通路に接続され且つイメージフィールドの中心から様々な距離に配置された複数の導管を通して作動する、
ことを含むデバイス製造方法、が提供される。
【００１６】
[0016]  本発明の態様によると、
イメージフィールドにパターン付放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
基板のターゲット部分をイメージフィールドに配置するように構成された基板テーブルと、
投影システムと基板の間のスペースの少なくとも一部に沿って延在するように構成されたバリア部材であって、スペースに液体を供給するように構成された液体供給システムを備えたバリア部材と、
液体抽出システムであって、
過小圧力または吸引流を受けるように構成された通路、および
液体を除去するために通路とスペースの間に接続され、イメージフィールドに対して様々な高さに配置された複数の導管、とを備える液体集中システムと、
を備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００１７】
[0017]  本発明の態様によると、
投影システムを使用して、放射投影ビームを基板のターゲット部分に投影し、
投影システムと基板の間のスペースに液体を供給し、
液体を除去するために吸引を提供することを含み、吸引が、様々な高さに配置され且つ通路に接続された複数の導管を通して作動する、
ことを含むデバイス製造方法が提供される。
【００１８】
[0018]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】[0019]  本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】[0020]  リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示した図である。
【図３】[0020]  リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示した図である。
【図４】[0021]  リソグラフィ投影装置で使用するさらなる液体供給システムを示した図である。
【図５】[0022]  液浸リソグラフィ装置で使用するバリア部材を示した図である。
【図６】[0023]  液浸液のレベルが低い本発明の実施形態を示した図である。
【図７】[0024]  液浸液のレベルが高い図６に示した実施形態を示した図である。
【図８】[0025]  図６および図７に示した実施形態の平面図である。
【図９】[0026]  本発明の実施形態を示した図である。
【図１０】[0027]  図９に示した実施形態の別の図である。
【図１１】[0028]  図９および図１０に示した実施形態の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
[0029]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
【００２１】
[0030]  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を条件付けるように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
【００２２】
[0031]  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
【００２３】
[0032]  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
【００２４】
[0033]  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＬとを含む。
【００２５】
[0034]  照明システムは、放射の誘導、成形、または制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、またはその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００２６】
[0035]  支持構造体は、パターニングデバイスを支持、つまりその重量を支えている。該マスク支持構造体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造体は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造体は、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。支持構造体は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２７】
[0026]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴を含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００２８】
[0037]  パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、Alternating位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２９】
[0038]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、または液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システム、またはその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００３０】
[0039]  ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する）。
ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する）。
【００３１】
[0040]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つまたは複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つまたは複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００３２】
[0041]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００３３】
[0042]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００３４】
[0043]  放射ビームＢは、支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターン化される。放射ビームＢはマスクＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの移動は、第一位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールの助けにより実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット位置を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３５】
[0044]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００３６】
[0045]  １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３７】
[0046]  ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３８】
[0047]  ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動またはスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、またはスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に利用できる。
【００３９】
[0048]  上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも利用できる。
【００４０】
[0049]  図６に示すように、投影システムＰＬの周囲のバリア部材１２に配置された複数の導管２１、２２がある。各導管２１、２２は、バリア部材１２内の異なる位置に、特にバリア部材１２内の異なるレベルに配置され、共通のチャンバ２５に通じる。図６に示すように、導管２１は導管２２の上に配置される。通路２６はチャンバ２５から通じている。図６は、液浸液のレベルが低いリソグラフィ装置を示す。この状況では、下部導管２２のみが液浸液と接触して、液浸液で充填され、上部導管２１には実質的に液浸液がない。通路２６に吸引力が加えられる。導管２１には液浸液が実質的にないので、主にガスが導管２１を通ってチャンバ２５へ、および通路２６を通って引き込まれる。したがって、導管２２を通る液体の流れは実質的にゼロである。というのは、圧力低下が実質的にないからである。対照的に、図７に示したリソグラフィ装置では、液浸液のレベルが上部導管２１のレベルより上に位置する。したがって、チャンバ２５内の圧力が低く、通路２６に加えられた吸引力が両方の導管２１および２２を通して装置から液浸液を抽出する。十分な液浸液が抽出されて、液浸液のレベルが上部導管２１のレベルより下まで低下すると、圧力低下が実質的になく、ガスが上部導管２１を通って流れ始めるので、液体抽出能力が低下する。通路２６に加えられる吸引力は実質的に一定であるが、液体抽出能力は導管の内容のせいで変動することに留意されたい。導管の少なくとも１つが液浸液を含まない場合は、ガスの吸引のせいで液体抽出能力が低下する。というのは、液体を抽出するために使用可能な導管が１つしかないからである。したがって、液浸液のレベルが上部導管２１のレベルより上に上昇すると、余分な液浸液が除去されるまで、液体抽出能力が増加する。したがって、変動する液浸液のレベルを補償するために、液浸液のレベルに従って装置の液体抽出能力を変動させることが可能である。特に、液浸液のレベルを受動的方法で制御することができる。この装置を使用して、相対的に大きい抽出流を達成できるので有利である。
【００４１】
[0050]  図８は、図６および図７に示した装置の上面図を示し、相互に隣接して設けられた複数の液体除去システム２５、３５、４５がある。各液体除去システムは上部導管２１、３１、４１、下部導管２２、３２、４２、チャンバ２５、３５、４５および通路２６、３６、４６を有する。液体除去システムは、投影システムＰＬの周囲に配置される。メニスカスレベルが投影システムの周囲で変動し、したがって一部の上部導管２１、３１、４１が沈み、他がガスを含むことがある。液浸液またはメニスカス位置のレベルは、投影システム全体の周囲で制御することができる。
【００４２】
[0051]  この実施形態は、各液体除去システムに２本の導管（例えば２１、２２）しか図示していないが、相互に重ねて３本、４本またはそれ以上を配置することができ、吸引容量は、浸される導管の数に依存する。
【００４３】
[0052]  ガス流は、上部導管２１を通る方が、下部導管２２を通る液浸液より速いので、上部導管２１は下部導管２２より小さい断面を有してよい。これは、ガス流を、したがって振動を減少させるか、最小限に抑えるのに役立つ。実際、上部導管２１は、下部導管２２より２０分の１から１００分の１の断面を有してよい。
【００４４】
[0053]  図９から図１１は、第一および第二導管１２１、１２２が投影システムＰＬから異なる距離に配置された実施形態を示す。液浸液が両方の導管１２１、１２２を充填すると、抽出容量が比較的高いが、液浸液が一方しか充填しないか、実際にいずれの抽出導管も充填しない場合、液体抽出容量は減少する。したがって、余分な液浸液がある場合、液体抽出容量は、液浸液が少ない場合より高くなる。図１１に示すように、投影システムＰＬの周囲に配置された複数の液体除去システム２５、３５、４５を設けることができる。各液体除去システムは第一導管１２１、２２１、３２１、第二導管１２２、２２２、３２２、チャンバ１２５、２２５、３２５および通路を有する。
【００４５】
[0054]  この場合も、投影システムＰＬから遠い方に配置された導管は、投影システムＰＬに近い方のそれより小さい直径でよい。
【００４６】
[0055]  明白であるように、１つまたは複数の実施形態の１つまたは複数の特徴を、１つまたは複数の他の実施形態の１つまたは複数の特徴と組み合わせるか、その代わりに使用することができる。
【００４７】
[0056]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」または「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、計測ツールおよび／または検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００４８】
[0057]  以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構成によって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスの微細構成を基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力またはその組合わせにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。
【００４９】
[0058]  本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長を有する）および極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００５０】
[0059]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気および静電気光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、またはその組合わせを指す。
【００５１】
[0060]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとることができる。
【００５２】
[0061]  本発明の１つまたは複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に上述したタイプに、液浸液が槽の形態で設けられても、基板の局所的表面エリアにのみ設けられても適用することができるが、それに制限されない。本明細書で想定されるような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、投影システムと基板および／または基板テーブルの間のスペースに液体を提供する構造の機構またはその組合せでよい。１つまたは複数の構造、１つまたは複数の液体入口、１つまたは複数のガス入口、１つまたは複数のガス出口および／または液体をスペースに提供する１つまたは複数の液体出口の組合せを備えてよい。一実施形態では、スペースの表面は、基板および／または基板テーブルの表面の一部でよいか、スペースの表面が基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆うか、スペースが基板および／または基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量または任意の他の特徴を制御する１つまたは複数の要素をさらに含んでよい。
【００５３】
[0062]  装置に使用される液浸液は、所望の特性および使用される露光放射の波長に応じて異なる組成を有してよい。１９３ｎｍの露光波長の場合は、超純水または水性配合物を使用することができ、その理由から、液浸液は水と呼ばれることがあり、親水性、疎水性、湿度などの水に関連する用語を使用することができる。
【００５４】
[0063]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【手続補正書】
【提出日】平成22年11月19日(2010.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心を有するイメージフィールドにパターン付放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
前記イメージフィールド内に基板のターゲット位置を位置決めするように構成された基板テーブルと、
前記投影システムの最終要素と前記基板及び／又は前記基板テーブルとの間のスペースに少なくとも部分的に液浸液を閉じ込める液体閉じ込めシステムと、を備え、
前記液体閉じ込めシステムは、前記液体閉じ込めシステムと前記基板又は前記基板テーブルとの間から液体を抽出するための第１、第２の導管を、前記投影システムから異なる距離に備え、
前記第１、第２の導管は、共通のチャンバに接続され、該チャンバには吸引力が加えられる、
を備えるリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記第１、第２の導管は、前記液体閉じ込めシステムの下部表面の開口にそれぞれ接続されている、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記第２の導管は、前記第１の導管よりも前記イメージフィールドの半径方向中心近くで前記スペースに接続し、前記第１の導管よりも前記イメージフィールドの半径方向中心近くで前記チャンバに通じる、請求項１又は請求項２のいずれかに記載の装置。
【請求項４】
前記第２の導管は、前記イメージフィールドに対して前記第１の導管よりも低い位置で前記スペースに接続し、前記イメージフィールドに対して前記第１の導管よりも低い位置で前記チャンバに通じる、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記第１、第２の導管を前記投影システムの周囲に複数備える請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
投影システムを使用して、中心を有するイメージフィールドに放射投影ビームを投影し、
基板のターゲット部分を前記イメージフィールドに配置し、
前記投影システムと前記基板の間のスペースに液体を供給し、
液体閉じ込めシステムによって、前記投影システムの最終要素と前記基板及び／又は前記基板テーブルとの間のスペースに少なくとも部分的に液浸液を閉じ込め、
前記液体閉じ込めシステムの通路を提供し、該通路は、チャンバに導かれ、
前記スペースから液体を除去するために、液体吸引システムを通して動作する吸引力を、前記通路を介して提供し、
前記液体閉じ込めシステムの第１の導管を提供し、該第１の導管は、チャンバを前記スペースに接続し、
前記第１の導管とは異なる位置で前記チャンバに接続し、かつ、前記チャンバを前記スペースに前記第１の導管とは異なる位置で接続する第２の導管を提供する、デバイス製造方法。
【請求項７】
リソグラフィ装置。
【外国語明細書】
2011023749000001.pdf