【事件の表示】
　特願２０１４−１１４９０８「トップエミッション型青色発光ＯＬＥＤおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　４月２０日出願公開、特開２０１５−　７６６０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
（１）手続の経緯
　本願は、平成２６年６月３日の出願（パリ条約による優先権主張２０１３年１０月１２日、中国）であって、平成２７年６月９日付けで拒絶の理由が通知され、同年９月１日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされ、同年９月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２８年１月１５日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされ、当審において、同年１１月３０日付けで拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成２９年２月２８日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされたものである。
　
（２）本願発明
　本願の請求項１ないし８に係る発明は、平成２９年２月２８日になされた手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載の事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものであると認める。
　
「陽極とする反射電極と、
　前記反射電極の上に形成される正孔注入層と、
　前記正孔注入層の上に形成される発光層と、
　前記発光層の上に形成される電子輸送層と、
　陰極として前記電子輸送層の上に形成される透明電極と
　を備え、
　前記正孔注入層は、青色の光を反射し、かつ、青色の光以外の光を吸収するフタロシアニン系化合物を含み、前記フタロシアニン系化合物が前記正孔注入層内で上方に設けられ、前記正孔注入層の厚さが１００ｎｍより大きい
　ことを特徴とするトップエミッション型青色発光ＯＬＥＤ。」（以下「本願発明」という。）
　
２　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由は概ね次のとおりである。
　本件出願の平成２８年１月１５日付けで手続補正がなされた請求項１ないし８に係る発明は、その優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である下記の引用例に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
引用例１．特開２００５−１５００４２号公報
引用例２．特開２０１１−１７５９５２号公報
引用例３．特開２００７−５７８４号公報
引用例４．特開２００７−２０６２４０号公報
　引用例１に記載された発明において、正孔注入層の厚さを１００ｎｍより大きい厚さとなすことは当業者が適宜なし得た設計的事項である。
　
３　引用例の記載事項
　本願の優先日前に頒布され、当審拒絶理由で引用例１として引用された刊行物である特開２００５−１５００４２号公報には、次の事項が図とともに記載されている（下線は合議体が付した。以下同様。）。
（１）「【００３２】
　
本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ発光素子を図２に示す
【００３３】
　高屈折率層１１は、陽極から注入される正孔を通過させると同時に、高屈折率を有する材料から形成される。正孔の通過に対するポテンシャル障壁を形成しないために、高屈折率層１１は、４．５ｅＶ以上、好ましくは４．８ｅＶ以上、より好ましくは５．０ｅＶ以上の仕事関数を有することが望ましい。また高屈折率層１１は、可視光領域において２．０以上、好ましくは２．０〜３．０の屈折率を有することが好ましい。高屈折率層１１は、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ：Ａｌのような導電性金属酸化物を用いて形成することができる。エリプソメータで測定した際に２．２（４５０ｎｍ）、２．０（６２０ｎｍ）の屈折率を有するＩＺＯを用いることが特に望ましい。
【００３４】
　本実施形態の有機ＥＬ発光素子においては、有機発光層７から陽極側に発せられる光を正孔注入層４と高屈折率層１１の界面にて反射された光と有機発光層７から透明陰極１０側に発せられる光との間の多重干渉を起こさせないようにすることによって、特性波長のみではなく広い波長範囲において、色純度の確保および高い光取り出し効率を達成することが可能となる。
　・・・略・・・
【００３８】
　本実施形態において、高屈折率層１１は、連続層を形成するのに充分な１０〜４０ｎｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍの膜厚を有することが望ましい。また、本実施形態においても、正孔輸送層６の膜厚によって干渉を制御することが望ましい。高屈折率層１１の屈折率および膜厚に依存するが、波長λが４００〜７００ｎｍの範囲内である場合、正孔輸送層６の厚さを８９ｎｍ未満とすることが望ましい。また、有機発光層７に対して正孔を円滑に輸送するために、正孔輸送層６は、１０ｎｍ以上の厚さを有することが好ましい。
【００３９】
　本実施形態の有機ＥＬ発光素子において、
有機発光層７に注入されるキャリアのバランスは、正孔注入層４／高屈折率層１１／正孔輸送層６の総膜厚と、電子輸送層８／バッファ層９の総膜厚との比を変化させることにより維持される。望ましくは、正孔注入層４の膜厚を変化させて、キャリアバランスを維持する。本実施形態の有機ＥＬ発光素子においては、正孔注入層４／高屈折率層１１／正孔輸送層６の総膜厚が４０〜２６０ｎｍの範囲内であり、正孔注入層４の膜厚が２０〜２４０ｎｍの範囲内であることが望ましい
【００４０】
　本発明の第３の実施形態の有機ＥＬ発光素子を図３に示す。図３の有機ＥＬ発光素子は、基板１上に、反射陽極２、透明陽極３、第１正孔層１２、第２正孔層１３、有機発光層７、電子輸送層８、バッファ層９および透明陰極１０が順次積層された構造を有する。第１正孔層１２および第２正孔層１３を除くそれぞれの層は、第１の実施形態と同様の材料を用いて形成することができる。
【００４１】
　第１正孔層１２は、正孔注入性材料または正孔輸送性材料をポリマー中に分散させた高分子材料から形成される層である。分散される正孔注入性材料としては、フタロシアニン類（銅フタロシアニンなど）またはインダンスレン系化合物を用いることができる。分散される正孔輸送性材料としては、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ＴＢＰＢなどのトリアリールアミン系化合物を用いることができる。また、高分子材料を形成するポリマーとしては、ポリエステル、ポリイミド、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などを含み、より好ましくはポリエステルまたはポリイミドを用いることができる。あるいはまた、第１正孔層１２を、前述の正孔注入性材料または正孔輸送性材料を前述のポリマー分子に化学的に結合させた高分子材料から形成してもよい。たとえば、前述の正孔注入性材料または正孔輸送性材料をポリアミド酸に化学的に結合させ、それを加熱することにより形成されるポリイミドを用いることができる。このような高分子材料を用いて第１正孔層１２を形成することにより、その屈折率を１．５程度まで低下させることができる。第１正孔層１２は、たとえばスピンコート法、キャスト法、ＬＢ法などの公知の方法によって形成することができる。
【００４２】
　第２正孔層１３は、正孔注入性材料または正孔輸送性材料から形成される層であり、望ましくは正孔輸送性材料から形成される層である。正孔輸送性材料としては、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ＴＢＰＢなどのトリアリールアミン系化合物を用いることができる。これらの材料は、１．８５（４５０ｎｍ）、１．７５（５３０ｎｍ）、１．７２（６２０ｎｍ）の屈折率を有するので、高分子材料を用いた第１正孔層１２との間に、充分な屈折率差を付与することが可能となる。
【００４３】
　本実施形態の有機ＥＬ発光素子においては、第２正孔層１３の屈折率を第１正孔層１２の屈折率よりも大きくして、第１正孔層１２／第２正孔層１３の界面において有機発光層７からの光を反射させる。第２正孔層１３の屈折率は、第１正孔層１２の屈折率よりも１０％以上、好ましくは１５％以上、より好ましくは２０％以上大きいことが望ましい。そして、有機発光層７から陽極側に発せられる光を第１正孔層１２と第２正孔層１３との界面にて反射された光と有機発光層７から透明陰極１０側に発せられる光との間の多重干渉を起こさせないようにすることによって、特性波長のみではなく広い波長範囲において、色純度の確保および高い光取り出し効率を達成することが可能となる。
　・・・略・・・
【００４７】
　有機発光層７は所望される強度の光を得るために２０〜６０ｎｍの厚さが必要であるので、本実施形態においても第２正孔層１３の膜厚によって干渉を制御する（多重干渉を防止する）ことが望ましい。波長λが４００〜７００ｎｍの範囲内である場合、干渉の制御のためには、第２正孔層１３の厚さを１００ｎｍ未満とすることが望ましい。
【００４８】
　一方、第１正孔層１２は、反射面を形成するために連続層を形成することができ、かつ第２正孔層１３と協調してキャリアバランスを維持するのに充分な膜厚を有することが好ましい。
第１正孔層１２は、２０〜２００ｎｍの膜厚を有する
（２）「【００５５】
　　（実施例２）
　ガラス基板上に膜厚１００ｎｍのＣｒＢをＤＣスパッタ法にて堆積させ、反射陽極２を形成した。ＤＣスパッタ法による堆積は、室温にて、スパッタリングガスとしてＡｒを用い、３００Ｗのスパッタパワーを印加して行った。引き続いて、反射陽極２の乾燥処理（１５０℃）およびＵＶ処理（室温および１５０℃）を行った。
【００５６】
　
反射陽極２を形成した基板
正孔注入層４、高屈折率層１１、正孔輸送層６、有機発光層７、電子輸送層８、バッファ層９、陰極１０を
順次成膜した
正孔注入層４として膜厚６０ｎｍの銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を、高屈折率層１１として膜厚１０ｎｍのＩＺＯ（屈折率２．２）を、正孔輸送層６として膜厚２０ｎｍのＴＢＰＢを、有機発光層７として膜厚４０ｎｍのＤＰＶＢｉを、電子輸送層８として膜厚２０ｎｍのＡｌｑを蒸着法により積層した。引き続いて、バッファ層９として膜厚５ｎｍのＭｇＡｇを蒸着法により積層した。次に、スパッタリングターゲットとしてＩＺＯ（Ｉｎ
２
Ｏ
３
−１０％ＺｎＯ）、スパッタリングガスとしてＡｒを用いたＤＣスパッタ法にて、膜厚３０ｎｍのＩＺＯを積層して、透明陰極１０を得た
【００５７】
　以上のように作製した素子を、大気に暴露せずにグローブボックス（酸素および水分濃度ともに数ｐｐｍ以下）に移動して、上記積層体が設けられていない部位にゲッター剤を塗布し、該ゲッター剤の外側の基板周縁部に紫外線硬化型接着剤を塗布し、そしてガラス基板を用いてＵＶ封止を行った。
【００５８】
　　（実施例３）
　ガラス基板上に膜厚１００ｎｍのＣｒＢをＤＣスパッタ法にて堆積させ、反射陽極２を形成した。ＤＣスパッタ法による堆積は、室温にて、スパッタリングガスとしてＡｒを用い、３００Ｗのスパッタパワーを印加して行った。引き続いて、反射陽極２の乾燥処理（１５０℃）およびＵＶ処理（室温および１５０℃）を行った。
【００５９】
　次に、反射陽極２の上に、ＣｕＰｃを分子分散させたポリエステルをスピンコート法により塗布し、膜厚４０ｎｍの第１正孔層１２（屈折率１．５）を形成した。第１正孔層１２は、その全重量を基準として５０質量％の含有量でＣｕＰｃを含んだ。
【００６０】
　第１正孔層１２を形成した基板を７室型蒸着装置内に配置し、有機ＥＬ層の成膜を行った。成膜に際して真空槽内圧は１×１０−５Ｐａまで減圧した。蒸発源はそれぞれの層の材料により石英、Ｍｏ、ＢＮ、ＰＢＮ製の抵抗加熱式るつぼを用いた。第２正孔層１３、有機発光層７、電子輸送層８、バッファ層９、陰極１０を真空を破らずに順次成膜した。各有機材料の蒸着レートを、２〜４Å／ｓに設定した。第２正孔層１３として膜厚２０ｎｍのＴＢＰＢを、有機発光層７として膜厚４０ｎｍのＤＰＶＢｉを、電子輸送層８として膜厚２０ｎｍのＡｌｑを蒸着法により積層した。引き続いて、バッファ層９として膜厚５ｎｍのＭｇＡｇを蒸着法により積層した。次に、スパッタリングターゲットとしてＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−１０％ＺｎＯ）、スパッタリングガスとしてＡｒを用いたＤＣスパッタ法にて、膜厚３０ｎｍのＩＺＯを積層して、透明陰極１０を得た。
【００６１】
　以上のように作製した素子を、大気に暴露せずにグローブボックス（酸素濃度、水分濃度　数ｐｐｍ以下）に移動して、上記積層体が設けられていない部位にゲッター剤を塗布し、該ゲッター剤の外側の基板周縁部に紫外線硬化型接着剤を塗布し、そしてガラス基板を用いてＵＶ封止を行った。
　・・・略・・・
【００６４】
    （評価）
  実施例１および２、比較例１および２の各有機ＥＬ発光素子に対して、１．０×１０−２Ａ／ｃｍ２の電流密度の電流を流す電圧を印加して発光させ、その際の輝度およびスペクトルを測定した。有機ＥＬ層を構成する層の膜厚を第１表に、各有機ＥＬ発光素子の電流密度および輝度を第２表に、および各有機ＥＬ発光素子の発光スペクトルを図５に示した。なお、図５に示した発光スペクトルは、各素子の発光極大波長における輝度を１．０として規格化されたものである。」
（３）「【図２】
【図３】
　　　・・・略・・・
　　　　【図５】
」
　　
（４）各有機ＥＬ発光素子の発光スペクトルを示した図５（上記（３））の記載より、実施例２の有機ＥＬ発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４７５ｎｍ付近であることが看取でき、実施例２の有機ＥＬ発光素子は
青色を発光
（５）上記（１）ないし（４）からみて、引用例１には、実施例２の有機ＥＬ発光素子として、次の発明が記載されているものと認められる。
「反射陽極２を形成した基板に正孔注入層４、高屈折率層１１、正孔輸送層６、有機発光層７、電子輸送層８、バッファ層９、陰極１０を順次成膜した有機ＥＬ発光素子であって、
　正孔注入層４として膜厚６０ｎｍの銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を、高屈折率層１１として膜厚１０ｎｍのＩＺＯ（屈折率２．２）を、正孔輸送層６として膜厚２０ｎｍのＴＢＰＢを、有機発光層７として膜厚４０ｎｍのＤＰＶＢｉを、電子輸送層８として膜厚２０ｎｍのＡｌｑを蒸着法により積層し、引き続いて、バッファ層９として膜厚５ｎｍのＭｇＡｇを蒸着法により積層し、次に、スパッタリングターゲットとしてＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−１０％ＺｎＯ）、スパッタリングガスとしてＡｒを用いたＤＣスパッタ法にて、膜厚３０ｎｍのＩＺＯを積層して、透明陰極１０を得た、
　青色を発光する、
　有機ＥＬ発光素子。」（以下「引用発明」という。）
　
４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「反射陽極２」、「正孔注入層４」、「有機発光層７」、「電子輸送層８」及び「透明陰極１０」は、それぞれ本願発明の「陽極とする反射電極」、「正孔注入層」、「発光層」、「電子輸送層」及び「『陰極』としての『透明電極』」に相当する。
　
（２）引用発明は、「反射陽極２」（本願発明の「陽極とする反射電極」に相当。以下「」に続く（）内に、相当する本願発明の構成要素を記す。）を形成した基板に、「正孔注入層４」（正孔注入層）、高屈折率層１１、正孔輸送層６、「有機発光層７」（発光層）、「電子輸送層８」（電子輸送層）、バッファ層９、「陰極１０」（陰極としての透明電極）を順次成膜したのであるから、引用発明は、本願発明の「陽極とする反射電極と、前記反射電極の上に形成される正孔注入層と、前記正孔注入層の上に形成される発光層と、前記発光層の上に形成される電子輸送層と、陰極として前記電子輸送層の上に形成される透明電極とを備え」との構成を有していることは明らかである。
（３）ア　引用発明において、「正孔注入層４」（正孔注入層）に含まれる銅フタロシアニンは、青色のフタロシアニン系化合物であり、本願の明細書の【００２０】及び【００２１】の記載によれば、銅フタロシアニンが「青色の光を反射し、かつ青色以外の光を吸収するフタロシアニン系化合物」であることは明らかである。
　イ　銅フタロシアニンは、正孔注入層内において特段偏在しているとの記載も引用例にないことから、正孔注入層内において上方も含め均一に設けられていると解される。そして、本願発明の「フタロシアニン系化合物が正孔注入層内で上方に設けられ」の意味するところは、例えば上方に「のみ」との限定がないことから、少なくとも上方にフタロシアニン系化合物が設けられているものであると解される。
　ウ　そうすると、引用発明の「銅フタロシアニン」（フタロシアニン系化合物）は、「正孔注入層４」（正孔注入層）内の「上方に設けられ」ているといえるから、引用発明の「正孔注入層４」と、本願発明の「正孔注入層」とは、「青色の光を反射し、かつ、青色の光以外の光を吸収するフタロシアニン系化合物を含み、前記フタロシアニン系化合物が前記正孔注入層内で上方に設けられた」という点で一致する。
（４）上記（１）ないし（３）からみて、引用発明の「有機ＥＬ発光素子」は、青色を発光し、基板の反対側の透明陰極から光を取り出すのであるから、本願発明の「トップエミッション型青色発光ＯＬＥＤ」に相当することは明らかである。
（５）上記（１）ないし（４）からみて、本願発明と引用発明とは、
「陽極とする反射電極と、
　前記反射電極の上に形成される正孔注入層と、
　前記正孔注入層の上に形成される発光層と、
　前記発光層の上に形成される電子輸送層と、
　陰極として前記電子輸送層の上に形成される透明電極と
　を備え、
　前記正孔注入層は、青色の光を反射し、かつ、青色の光以外の光を吸収するフタロシアニン系化合物を含み、前記フタロシアニン系化合物が前記正孔注入層内で上方に設けられた、
　トップエミッション型青色発光ＯＬＥＤ。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
・相違点
　正孔注入層は、
　本願発明では、「厚さが１００ｎｍより大きい」のに対し、
　引用発明では、厚さが６０ｎｍである点。
５　判断
（１）相違点について検討する。
　ア　引用例１には、「【００３９】・・・有機発光層７に注入されるキャリアのバランスは、正孔注入層４／高屈折率層１１／正孔輸送層６の総膜厚と、電子輸送層８／バッファ層９の総膜厚との比を変化させることにより維持される。望ましくは、正孔注入層４の膜厚を変化させて、キャリアバランスを維持する。本実施形態の有機ＥＬ発光素子においては、正孔注入層４／高屈折率層１１／正孔輸送層６の総膜厚が４０〜２６０ｎｍの範囲内であり、正孔注入層４の膜厚が２０〜２４０ｎｍの範囲内であることが望ましい。」（上記（１））と記載されている。
　イ　上記アを考慮すれば、引用発明において、有機発光層７に注入されるキャリアのバランスを考慮して、正孔注入層の厚さを１００ｎｍより大きい厚さとなすこと、すなわち、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは当業者が適宜なし得た設計的事項である。
　
（２）本願発明の奏する効果は、引用発明の奏する効果から当業者が予測することができた程度のことである。
　
（３）したがって、本願発明は、当業者が引用例１に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
６　むすび
　本願発明は、当業者が引用例１に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。