(57)【要約】【課題】光回路のパターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部を容易に形成でき、電気素子との位置決めが容易な光導波路を備えた光導波路構造体および前記光導波路構造体を用いた電子機器を提供する。【解決手段】光導波路構造体１は、基板２と、光導波路９と、光路変換部９６と、電気素子と、電気素子の位置決めを行う位置決め手段３３、３４と、導体層５とを有する。光導波路９は、コア部９４とクラッド部９５とを有し、コア部９４は、（Ａ）環状オレフィン樹脂と、（Ｂ）前記（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうちの少なくとも一方と、（Ｃ）光酸発生剤と、を含む組成物で構成されたコア層に対し活性放射線を選択的に照射することにより所望の形状に形成されたものである。【選択図】図１
2011221232.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを有する光導波路と、少なくとも１つの電気素子と、前記電気素子の設置位置を定める位置決め手段とを備える光導波路構造体であって、
前記コア部は、
（Ａ）環状オレフィン樹脂と、
（Ｂ）前記（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうちの少なくとも一方と、
（Ｃ）光酸発生剤と、
を含む組成物で構成されたコア層に対し活性放射線を選択的に照射することにより所望の形状に形成されたものであることを特徴とする光導波路構造体。
【請求項２】
前記（Ｂ）の環状エーテル基は、オキセタニル基またはエポキシ基である請求項１に記載の光導波路構造体。
【請求項３】
前記（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、ノルボルネン系樹脂である請求項１または２に記載の光導波路構造体。
【請求項４】
前記（Ｂ）は、前記（Ａ）よりも屈折率が低く、
前記環状オレフィン樹脂は、前記（Ｃ）の光酸発生剤から発生する酸により脱離し、脱離により、前記（Ａ）の屈折率を低下させる脱離性基を有するものである請求項１ないし３のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項５】
前記（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、側鎖に前記（Ｃ）の光酸発生剤から発生する酸により脱離する脱離性基を有し、
前記（Ｂ）は、下記式（１００）に記載の第１モノマーを含むものである請求項２に記載の光導波路構造体。
【化１】
2011221232.tif 000048
【請求項６】
前記（Ｂ）は、さらに、エポキシ化合物およびオキセタニル基を２つ有するオキセタン化合物のうち、少なくとも一方を第２モノマーとして含むものである請求項５に記載の光導波路構造体。
【請求項７】
前記第２モノマーと前記第１モノマーとの割合は、重量比（前記第２モノマーの重量／前記第１モノマーの重量）で、０．１〜１．０である請求項６に記載の光導波路構造体。
【請求項８】
前記脱離性基は、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものである請求項５ないし７のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項９】
前記（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、ノルボルネン系樹脂である請求項５ないし８のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１０】
前記ノルボルネン系樹脂は、ノルボルネンの付加重合体である請求項９に記載の光導波路構造体。
【請求項１１】
前記ノルボルネンの付加重合体は、下記式（１０１）に記載の繰り返し単位を有するものである請求項１０に記載の光導波路構造体。
【化２】
2011221232.tif 000049
【請求項１２】
前記ノルボルネンの付加重合体は、下記式（１０２）に記載の繰り返し単位を有するものである請求項１０または１１に記載の光導波路構造体。
【化３】
2011221232.tif 000050
【請求項１３】
上記式（１００）に記載の第１モノマーの含有量は、前記環状オレフィン樹脂１００重量部に対して、１重量部以上５０重量部以下である請求項５ないし１２のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１４】
前記コア層の活性放射線が照射された領域と、未照射領域とで、前記（Ｂ）由来の構造体濃度が異なっている請求項１ないし１３のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１５】
前記コア層の活性放射線が照射された領域と未照射領域の屈折率差が０．０１以上である請求項１ないし１４のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１６】
前記コア層の活性放射線が照射された領域を前記クラッド部の少なくとも一部とし、未照射領域を前記コア部の少なくとも一部とする請求項１ないし１５のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１７】
前記基板は、樹脂材料または半導体材料で構成されたもの、あるいは繊維基材に樹脂材料を含浸させたもので構成される請求項１ないし１６のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１８】
前記コア層の両面に前記クラッド部を構成するクラッド層がそれぞれ接合され、両クラッド層とこれらの間に介挿されたコア層の積層体により前記光導波路が構成される請求項１ないし１７のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１９】
前記位置決め手段は、前記コア部に対する位置を定めるものである請求項１ないし１８のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項２０】
前記電気素子は、発光部または受光部と端子とを有する素子である請求項１ないし１９のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項２１】
前記光導波路は、前記コア部を伝送される伝送光の光路を屈曲させる光路変換部を有する請求項１ないし２０のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項２２】
前記位置決め手段は、平面視で、前記発光部または前記受光部の位置が前記光路変換部の位置と重なるように位置決めする請求項２１に記載の光導波路構造体。
【請求項２３】
前記光路変換部は、前記コア部を伝送される伝送光の少なくとも一部を反射する反射面で構成される請求項２１または２２に記載の光導波路構造体。
【請求項２４】
前記基板は、前記コア部を伝送される伝送光に対する透光性を有する透光部を有し、該透光部を介して前記素子の前記発光部または前記受光部と前記コア部とが光学的に接続されている請求項２０ないし２３のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項２５】
前記基板の少なくとも一部が前記伝送光に対する透光性を有しており、これにより前記透光部が構成される請求項２４に記載の光導波路構造体。
【請求項２６】
前記透光部は、前記基板を貫通する貫通孔で構成されている請求項２４に記載の光導波路構造体。
【請求項２７】
前記光導波路は、前記基板に隣接して設けられている請求項１ないし２６のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項２８】
前記電気素子は、電子回路素子を含む請求項１ないし２７のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項２９】
前記電気素子は、発光部または受光部と端子とを有する素子と、前記素子を駆動するかまたは前記素子の出力信号を処理する機能を有する電子回路素子とを含む請求項１ないし１２のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項３０】
少なくとも１層の導体層を有する請求項１ないし２９のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項３１】
前記電気素子の端子が前記導体層と電気的に接続されている請求項３０に記載の光導波路構造体。
【請求項３２】
前記位置決め手段は、前記基板に形成された凹部の縁部に形成された段差を利用したものである請求項１ないし３１のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項３３】
前記位置決め手段は、前記基板に対し固定的に設置された位置決め部材である請求項１ないし３１のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項３４】
前記位置決め部材は、前記基板に接合された板材またはシート材である請求項３３に記載の光導波路構造体。
【請求項３５】
前記位置決め手段は、前記基板に形成された、または前記基板に対し不動の当て付け面で構成される請求項１ないし３４のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項３６】
前記基板の平面上に互いに直交するＸ方向およびＹ方向を設定したとき、前記位置決め手段は、前記Ｘ方向および前記Ｙ方向のうちの少なくとも一方の方向に対する位置決めを行う請求項１ないし３５のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項３７】
前記基板の平面上に互いに直交するＸ方向およびＹ方向を設定したとき、前記位置決め手段は、前記Ｘ方向および前記Ｙ方向のそれぞれの方向に対する位置決めを行う請求項１ないし３５のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項３８】
前記コア部の長手方向が前記Ｘ方向または前記Ｙ方向と一致している請求項３６または３７に記載の光導波路構造体。
【請求項３９】
前記コア部を伝送される伝送光を集光または拡散し得るレンズ部を有する請求項１ないし３８のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項４０】
前記レンズ部は、前記基板の内部または表面付近に設けられている請求項３９に記載の光導波路構造体。
【請求項４１】
請求項１ないし４０のいずれかに記載の光導波路構造体を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路構造体および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光通信の分野における光部品として、光分岐結合器（光カプラ）、光合分波器等が開発されており、これらに用いる光導波路型素子が有望視されている。この光導波路型素子（以下単に「光導波路」とも言う）としては、従来の石英系光導波路の他、製造（パターニング）が容易で汎用性に富むポリマー系光導波路があり、最近では後者の開発が盛んに行われている。
【０００３】
このような光導波路は、通常、基板上に所定の配置（パターン）で形成され、光導波路構造体として取り扱われる。この光導波路構造体としては、基板上に所定の電気配線回路と、コア部およびクラッド部で構成される光導波路とを形成し、さらにこの光導波路に発光素子および受光素子を取り付けたもの（電気／光混成基板）が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載の光導波路構造体では、次のような問題点がある。
１．光導波路の形成工程が複雑であり、伝送光の光路を構成するコア部のパターン形状の設計、選択の自由度が狭い。
２．コア部のパターン形状の精度や寸法精度が悪い。
３．製造に際し、発光素子および受光素子と、光導波路との位置決めがし難く、特に構造が複雑な場合や光回路が複雑な場合等、製造（組み立て）が困難な場合がある。
４．電気配線パターンと組み合わせた場合に、該配線パターンの設計における自由度が狭い。また、電気配線パターンの設計を優先すると、光導波路の光路設計の自由度が狭くなる。
５．集積化、小型化に不利である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１４６６０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、光回路のパターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部（光路）を簡単な方法で形成することができ、また、電気素子との位置決めが容易な光導波路を備えた光導波路構造体を提供することにある。また、前記光導波路構造体を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記（１）〜（４１）の本発明により達成される。
（１）  基板と、互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを有する光導波路と、少なくとも１つの電気素子と、前記電気素子の設置位置を定める位置決め手段とを備える光導波路構造体であって、
前記コア部は、
（Ａ）環状オレフィン樹脂と、
（Ｂ）前記（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうちの少なくとも一方と、
（Ｃ）光酸発生剤と、
を含む組成物で構成されたコア層に対し活性放射線を選択的に照射することにより所望の形状に形成されたものであることを特徴とする光導波路構造体。
（２）  前記（Ｂ）の環状エーテル基は、オキセタニル基またはエポキシ基である上記（１）に記載の光導波路構造体。
（３）  前記（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、ノルボルネン系樹脂である上記（１）または（２）に記載の光導波路構造体。
（４）  前記（Ｂ）は、前記（Ａ）よりも屈折率が低く、
前記環状オレフィン樹脂は、前記（Ｃ）の光酸発生剤から発生する酸により脱離し、脱離により、前記（Ａ）の屈折率を低下させる脱離性基を有するものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（５）  前記（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、側鎖に前記（Ｃ）の光酸発生剤から発生する酸により脱離する脱離性基を有し、
前記（Ｂ）は、下記式（１００）に記載の第１モノマーを含むものである上記（２）に記載の光導波路構造体。
【０００８】
【化１】
2011221232.tif 000003
【０００９】
（６）  前記（Ｂ）は、さらに、エポキシ化合物およびオキセタニル基を２つ有するオキセタン化合物のうち、少なくとも一方を第２モノマーとして含むものである上記（５）に記載の光導波路構造体。
（７）  前記第２モノマーと前記第１モノマーとの割合は、重量比（前記第２モノマーの重量／前記第１モノマーの重量）で、０．１〜１．０である上記（６）に記載の光導波路構造体。
（８）  前記脱離性基は、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものである上記（５）ないし（７）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（９）  前記（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、ノルボルネン系樹脂である上記（５）ないし（８）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（１０）  前記ノルボルネン系樹脂は、ノルボルネンの付加重合体である上記（９）に記載の光導波路構造体。
（１１）  前記ノルボルネンの付加重合体は、下記式（１０１）に記載の繰り返し単位を有するものである上記（１０）に記載の光導波路構造体。
【００１０】
【化２】
2011221232.tif 000004
【００１１】
（１２）  前記ノルボルネンの付加重合体は、下記式（１０２）に記載の繰り返し単位を有するものである上記（１０）または１１に記載の光導波路構造体。
【００１２】
【化３】
2011221232.tif 000005
【００１３】
（１３）  上記式（１００）に記載の第１モノマーの含有量は、前記環状オレフィン樹脂１００重量部に対して、１重量部以上５０重量部以下である上記（５）ないし（１２）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（１４）  前記コア層の活性放射線が照射された領域と、未照射領域とで、前記（Ｂ）由来の構造体濃度が異なっている上記（１）ないし（１３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（１５）  前記コア層の活性放射線が照射された領域と未照射領域の屈折率差が０．０１以上である上記（１）ないし（１４）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（１６）  前記コア層の活性放射線が照射された領域を前記クラッド部の少なくとも一部とし、未照射領域を前記コア部の少なくとも一部とする上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（１７）  前記基板は、樹脂材料または半導体材料で構成されたもの、あるいは繊維基材に樹脂材料を含浸させたもので構成される上記（１）ないし（１６）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（１８）  前記コア層の両面に前記クラッド部を構成するクラッド層がそれぞれ接合され、両クラッド層とこれらの間に介挿されたコア層の積層体により前記光導波路が構成される上記（１）ないし（１７）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（１９）  前記位置決め手段は、前記コア部に対する位置を定めるものである上記（１）ないし（１８）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（２０）  前記電気素子は、発光部または受光部と端子とを有する素子である上記（１）ないし（１９）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（２１）  前記光導波路は、前記コア部を伝送される伝送光の光路を屈曲させる光路変換部を有する上記（１）ないし（２０）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（２２）  前記位置決め手段は、平面視で、前記発光部または前記受光部の位置が前記光路変換部の位置と重なるように位置決めする上記（２１）に記載の光導波路構造体。
（２３）  前記光路変換部は、前記コア部を伝送される伝送光の少なくとも一部を反射する反射面で構成される上記（２１）または（２２）に記載の光導波路構造体。
（２４）  前記基板は、前記コア部を伝送される伝送光に対する透光性を有する透光部を有し、該透光部を介して前記素子の前記発光部または前記受光部と前記コア部とが光学的に接続されている上記（２０）ないし（２３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（２５）  前記基板の少なくとも一部が前記伝送光に対する透光性を有しており、これにより前記透光部が構成される上記（２４）に記載の光導波路構造体。
（２６）  前記透光部は、前記基板を貫通する貫通孔で構成されている上記（２４）に記載の光導波路構造体。
（２７）  前記光導波路は、前記基板に隣接して設けられている上記（１）ないし（２６）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（２８）  前記電気素子は、電子回路素子を含む上記（１）ないし（２７）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（２９）  前記電気素子は、発光部または受光部と端子とを有する素子と、前記素子を駆動するかまたは前記素子の出力信号を処理する機能を有する電子回路素子とを含む上記（１）ないし（２７）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（３０）  少なくとも１層の導体層を有する上記（１）ないし（２９）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（３１）  前記電気素子の端子が前記導体層と電気的に接続されている上記（３０）に記載の光導波路構造体。
（３２）  前記位置決め手段は、前記基板に形成された凹部の縁部に形成された段差を利用したものである上記（１）ないし（３１）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（３３）  前記位置決め手段は、前記基板に対し固定的に設置された位置決め部材である上記（１）ないし（３１）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（３４）  前記位置決め部材は、前記基板に接合された板材またはシート材である上記（３３）に記載の光導波路構造体。
（３５）  前記位置決め手段は、前記基板に形成された、または前記基板に対し不動の当て付け面で構成される上記（１）ないし（３４）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（３６）  前記基板の平面上に互いに直交するＸ方向およびＹ方向を設定したとき、前記位置決め手段は、前記Ｘ方向および前記Ｙ方向のうちの少なくとも一方の方向に対する位置決めを行う上記（１）ないし（３５）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（３７）  前記基板の平面上に互いに直交するＸ方向およびＹ方向を設定したとき、前記位置決め手段は、前記Ｘ方向および前記Ｙ方向のそれぞれの方向に対する位置決めを行う上記（１）ないし（３５）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（３８）  前記コア部の長手方向が前記Ｘ方向または前記Ｙ方向と一致している上記（３６）または（３７）に記載の光導波路構造体。
（３９）  前記コア部を伝送される伝送光を集光または拡散し得るレンズ部を有する上記（１）ないし（３８）のいずれかに記載の光導波路構造体。
（４０）  前記レンズ部は、前記基板の内部または表面付近に設けられている上記（３９）に記載の光導波路構造体。
（４１）  上記（１）ないし（４０）のいずれかに記載の光導波路構造体を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、活性放射線（活性エネルギー光線、電子線、Ｘ線等）の照射という簡単な方法でコア部のパターニングをすることができ、光回路の光路を構成するコア部のパターン形状の設計の自由度が広く、しかも寸法精度の高いコア部が得られる。
【００１５】
また、コア層を所望の材料で構成した場合には、光導波路に応力が作用したり変形が生じたりした場合、特に、繰り返し湾曲変形した場合でも、コア部とクラッド部との層間剥離や、コア部内にマイクロクラックが発生すること等の欠陥が生じ難く、その結果、光導波路の光伝送性能が維持され、耐久性に優れる。
【００１６】
さらに、コア部をノルボルネン系樹脂（環状オレフィン系樹脂）を主とする樹脂組成物で構成した場合には、前記変形に対し特に強く欠陥が生じ難いという効果が高い他、コア部とクラッド部との屈折率の差をより大きくすることができ、しかも、耐熱性に優れ、その結果、より高性能で耐久性に優れる光導波路が得られる。
【００１７】
また、光導波路構造体が電気素子（発光素子または受光素子）を有するので、光導波路と光学的に接続することにより、電気素子の発光部から発せられた光を光導波路により他所へ導くことあるいは他所からの光を光導波路により電気素子の受光部へ導くことができ、小型で集積された光回路を形成することができ、また当該光回路の作動の信頼性も高い。
【００１８】
そして、位置決め手段を有するため、電気素子と光導波路（コア部）との位置関係を容易かつ正確に定めることができ、製造が容易であるとともに、光伝送特性に優れ、信頼性の高い光回路を得ることができ、また、より微細で複雑な回路パターを形成することができる。
【００１９】
特に、基板に対し電気素子の位置決めをした後にコア部等を形成（活性放射線の照射により、またはさらに加熱することにより形成）すること、あるいは、電気素子の位置が予め定められた基板に対しコア層を形成しさらにコア部等を形成することにより、電気素子の発光部または受光部とコア部（特に伝送光のコア部への入射部またはコア部からの出射部）との位置関係を容易かつ正確に定めることができる。
【００２０】
また、光路変換部を有する場合には、伝送光の光路を所望の方向へ屈曲させることができ、そのため、光路の設計の自由度が広がり、特に短い光路長で光回路を形成することができ、光回路の高集積化に寄与する。この場合でも、位置決め手段を有することにより、電気素子の発光部または受光部と、光路変換部との位置決めを容易かつ正確に行うことができる。
【００２１】
また、基板が透光部を有する場合には、基板を通過する光路（基板の厚さ方向の光路）を形成することができるので、光路の設計の自由度がさらに広がる。また、透光部がレンズ部を有する場合には、光路において必要に応じ伝送光の集光、拡散が可能となり、光路の屈曲等と相まって、光回路の設計の自由度がさらに広がる。
【００２２】
また、導体層を有する場合には、例えば前記電気素子への配線を容易に行うことができ、電気素子の種類（端子の設置箇所）等に係わらずそれに適した配線が可能となり、汎用性に富む。しかも、このような配線回路のパターンは、設計の自由度（例えば、端子の設置箇所の選択の自由度）が広い。
【００２３】
このような本発明の光導波路構造体は、光回路（光導波路および導光部のパターン）や電気回路（導体層および導体部のパターン）の設計の幅が広く、歩留まりが良く、光伝送性能を高く維持し、信頼性、耐久性に優れ、汎用性に富む。そのため、本発明の光導波路構造体は、種々の電子部品、電子機器等に対し用いることができる。
【００２４】
また、光回路の形成が容易で、種々の形状のものを寸法精度良く形成することができ、しかも、細い光路でもシャープに形成することができるので、回路の集積化に寄与し、デバイスの小型化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の光導波路構造体の第１実施形態を示す平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１中のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】本発明の光導波路構造体の第２実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明の光導波路構造体の第３実施形態を示す断面図である。
【図６】本発明の光導波路構造体の第４実施形態を示す断面図である。
【図７】光導波路の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図８】光導波路の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図９】光導波路の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図１０】実施例における曲げ損失の測定方法を模式的に示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の光導波路構造体について添付図面に示す好適実施形態に基づき詳細に説明する。
【００２７】
図１は、本発明の光導波路構造体の第１実施形態を示す平面図、図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図、図３は、図１中のＢ−Ｂ線断面図、図４は、本発明の光導波路構造体の第２実施形態を示す断面図、図５は、本発明の光導波路構造体の第３実施形態を示す断面図、図６は、本発明の光導波路構造体の第４実施形態を示す断面図である。以下これらの図を参照しつつ、光導波路構造体の構成例について説明する。
【００２８】
なお、以下の説明では、図２〜図６中の上側を「上」または「上方」とし、下側を「下」または「下方」とする。また、図２〜図６は、層の厚さ方向（各図の上下方向）が誇張して描かれている。また、図１中の横方向（左右方向）を「Ｘ方向」、縦方向（上下方向）を「Ｙ方向」（但しＸ方向とＹ方向は直交する）として説明する。
【００２９】
＜第１実施形態：図１〜図３＞
図１〜図３に示すように、本発明の光導波路構造体１は、基板２と、基板２の下部に形成された光導波路９と、光導波路９の光路を屈曲させる光路変換部９６（反射面９６１）と、基板２に搭載された発光素子１０および電子回路素子１２と、基板２の上面に形成された導体層５とを有している。
【００３０】
基板２の構成材料としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、トリアゾール樹脂、ポリシアヌレート樹脂、ポリイソシアヌレート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ノルボルネン樹脂等の樹脂材料や、シリコン、ガリウム・ヒ素、インジウム・リン、ゲルマニウム、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム等の半導体材料が挙げられる。また、これらの材料は、単独で使用してもよく、複数を混合して使用してもよい。
【００３１】
また、基板２は、例えばガラス繊維、樹脂繊維等の繊維基材（織布、不織布、織物、編物等）に前述したような樹脂材料を含浸させたもの（プリプレグ等）であってもよい。例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたものをガラスエポキシ基板と言うが、このようなものを基板２として用いることができる。このような繊維基材を含む基板２は、比較的薄くても高強度で、また、熱膨張率も低いため、基板２に光導波路９や導体層（金属層）を接合した場合に特に有利である。
【００３２】
また、基板２は、複数の層の積層体であってもよい。例えば、それぞれ組成（種類）が異なる樹脂材料からなる第１の層と第２の層とを積層したもの、前記繊維基材に樹脂材料を含浸させた層（シート材）と、樹脂材料からなる層とを積層したものが挙げられる。なお、積層体における層構成は、これに限定されないことは言うまでもない。
【００３３】
基板２の厚さは、特に限定されないが、通常、５０μｍ〜４ｍｍ程度が好ましく、１００μｍ〜１．５ｍｍ程度がより好ましく、１５０μｍ〜１．２ｍｍ程度がさらに好ましい。基板２は、硬質（リジッド）のものでも、可撓性（フレキシブル）を有するものでもよい。もちろん、それぞれの特性を併有するものでもよい。
【００３４】
また、基板２は、本実施形態では、基板２を伝送光１８が透過するため、基板２は、伝送光１８の透過率が８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上のものとされる。このように、基板２自体（基板２の全部または一部）を、伝送光１８に対する透光性を有する材料で構成すること、すなわち、基板２を実質的に透明な透明基板とすることにより、基板２における発光部１０１の真下の部分は、後述する貫通孔２５が形成されていなくても透光部２４を構成することとなる。この透光部２４を介して、発光素子１０の発光部１０１と光導波路９のコア部９４（光路変換部９６）とが光学的に接続される。
【００３５】
基板２の下面には、光導波路９が接合されている。図示の構成では、基板２の下面に光導波路９が直接接合されている（光導波路９が基板２に隣接している）が、これに限らず、少なくとも１層の中間層を介して形成されていてもよい。この中間層としては、任意の目的で形成することができ、例えば、接着層、導体層（配線パターン）、絶縁層、あるいはこれらを含む２層以上の積層体が挙げられる。
【００３６】
このうち、接着層としては、例えばボンディングシートのようなシート材を用いることができ、その構成材料としては、例えば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、フェノール樹脂系接着剤、シアネート樹脂系接着剤、マレイミド樹脂系接着剤等が挙げられる。特に、酸化防止等のために、フラックス活性を有する材料で構成されているのが好ましい。この接着層は、電気絶縁性を有するのが好ましい。
【００３７】
また、接着層としては、シート材を用いず、基板２の下面または光導波路９の上面に塗膜による接着層を形成してもよい。接着層の厚さは、特に限定されないが、０．５〜１５０μｍ程度が好ましく、１０〜７０μｍ程度がより好ましい。
【００３８】
光導波路９は、図２および図３中下側からクラッド層９１、コア層９３およびクラッド層９２をこの順に積層してなるものであり、コア層９３には、所定パターンのコア部９４とクラッド部９５とが形成されている（図２、図３参照）。
【００３９】
コア部９４は、クラッド部９５に比べて屈折率が高く、また、クラッド層９１、９２に対しても屈折率が高い。クラッド層９１および９２は、それぞれ、コア部９４の下部および上部に位置するクラッド部を構成するものである。このような構成により、コア部９４は、その外周の全周をクラッド部に囲まれた伝送光１８の光路として機能する。
【００４０】
コア層９３の構成材料としては、活性放射線（活性エネルギー光線、電子線またはＸ線等）の照射により、あるいはさらに加熱することにより屈折率が変化する材料とされる。このような材料の好ましい例としては、ベンゾシクロブテン系ポリマー、ノルボルネン系ポリマー（樹脂）等の環状オレフィン系樹脂を含む樹脂組成物を主材料とするものが挙げられ、ノルボルネン系ポリマーを含む（主材料とする）ものが特に好ましい。
【００４１】
このような材料で構成されたコア層９３は、曲げ等の変形に対する耐性に優れ、特に繰り返し湾曲変形した場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３と隣接する層（クラッド層９１、９２）との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路９の光伝送性能が維持され、耐久性に優れた光導波路９が得られる。
【００４２】
また、コア層９３の構成材料には、例えば、酸化防止剤、屈折率調整剤、可塑剤、増粘剤、補強剤、増感剤、レベリング剤、消泡剤、密着助剤および難燃剤等の添加剤が含まれていてもよい。酸化防止剤の添加は、高温安定性の向上、耐候性の向上、光劣化の抑制という効果がある。このような酸化防止剤としては、例えば、モノフェノール系、ビスフェノール系、トリフェノール系等のフェノール系や、芳香族アミン系のものが挙げられる。また、可塑剤、増粘剤、補強剤の添加により、曲げに対する耐性をさらに増大させることもできる。
【００４３】
前記酸化防止剤に代表される添加剤の含有率（２種以上の場合は合計）は、コア層９３の構成材料全体に対し、０．５〜４０重量％程度が好ましく、３〜３０重量％程度がより好ましい。この量が少なすぎると、添加剤の機能を十分に発揮することができず、量が多すぎると、添加剤の種類や特性によっては、コア部９４を伝送する光（伝送光１８）の透過率の低下、パターニング不良、屈折率不安定等を生じるおそれがある。
【００４４】
コア層９３の形成方法としては、塗布法が挙げられる。塗布法としては、コア層形成用組成物（ワニス等）を塗布し硬化（固化）させる方法、硬化性を有するモノマー組成物を塗布し硬化（固化）させる方法が挙げられる。また、塗布法以外の方法、例えば、別途製造されたシート材を接合する方法を採用することもできる。
【００４５】
以上のようにして得られたコア層９３に対し、マスクを用いて活性放射線を選択的に照射し、所望の形状のコア部９４をパターニングする。
【００４６】
露光に用いる活性放射線としては、可視光、紫外光、赤外光、レーザ光等の活性エネルギー光線や電子線、Ｘ線等が挙げられる。電子線は、例えば５０〜２０００ＫＧｙ程度の照射量で照射することができる。
【００４７】
コア層９３において、活性放射線が照射された部位は、その屈折率が変化し（コア層９３の材料により、屈折率が増大する場合と減少する場合とがある）、活性放射線が照射されなかった部位との間で屈折率の差が生じる。例えば、コア層９３の活性放射線が照射された部位がクラッド部９５４となり、照射されなかった部位がコア部９４となる。また、この逆の場合もある。クラッド部９５の屈折率は、クラッド層９１、９２の屈折率とほぼ等しい。
【００４８】
また、コア層９３に対し活性放射線を所定のパターンで照射した後、加熱することにより、コア部９４を形成する場合もある。この加熱工程を付加することにより、コア部９４とクラッド部９５との屈折率の差がより大きくなるので好ましい。なお、この原理等については、後に詳述する。
【００４９】
形成されるコア部９４のパターン形状としては、特に限定されず、直線状、湾曲部を有する形状、異形、光路の分岐部、合流部または交差部を有する形状、集光部（幅等が減少している部分）または光拡散部（幅等が増大している部分）、あるいはこれらのうちの２以上を組み合わせた形状等、いかなるものでもよい。活性放射線の照射パターンの設定により、いかなる形状のコア部９４をも容易に形成することができる点が、本発明の特徴である。
【００５０】
光導波路９の各部の構成材料およびコア部９４の形成方法等については、後に詳述する。
【００５１】
このような光導波路９は、コア部９４の光路を屈曲させる光路変換部９６を有している。この光路変換部９６は、伝送光（発光部１０１から出射された光）１８の少なくとも一部を反射する反射面（ミラー）９６１で構成されている。この反射面９６１は、発光部１０１の真下の位置に設けられる。
【００５２】
反射面９６１は、光導波路９の光路、すなわちコア部９４の長手方向（図１および２中のＸ方向、図３中の前後方向）に対しほぼ４５°傾斜しており、発光部１０１から発せられた伝送光１８の大半（例えば９０％以上）を反射する機能を有している。
【００５３】
このような光路変換部９６は、光導波路９の一部を除去（欠損）することにより例えば断面が三角形の凹部を形成し（図２参照）、その１つの傾斜面を反射面９６１として用いるものである。反射面９６１は、例えば多層光学薄膜や金属薄膜（例えばアルミ蒸着膜）のような反射膜あるいは反射増加膜を有していてもよい。光導波路９の一部を除去する方法としては、切削、レーザ光の照射等の方法が挙げられる。
【００５４】
また、図示しないが、光路変換部９６の凹部には、充填材、特にコア部９４と屈折率の異なる充填材（封止材）、金属材料による充填材（封止材）が充填されていてもよい。なお、反射面９６１は、全反射するものに限らず、例えば、ハーフミラー、ダイクロイックミラー等のように、伝送光１８の一部を反射し、残部を透過するようなものでもよい。この場合には、光路変換部９６は、光路を２方向（図２中左方向と下方向）に分離するビームスプリッターとしての機能を有する。このような反射面９６１の光学的特性は、伝送光１８の光路設計に応じで適宜設定することができる。
【００５５】
なお、図示の構成では、反射面９６１（光路変換部９６）は、クラッド層９１とコア層９３とクラッド層９２とにまたがって形成されているが、これに限らず、例えばコア層９３内のみに形成されていてもよい。
【００５６】
コア部９４の形成および光路変換部９６の形成は、基板２に後述する発光素子１０等を搭載（位置決めして設置）する前でも後でもよく、いずれの場合でもその形成位置を容易かつ正確に把握することができる。すなわち、後述する位置決め手段３３により基板２に対する発光部１０１の位置が特定されているため、基板２上の光導波路９にコア部９４や光路変換部９６を形成する際には、コア部９４の形成位置（露光箇所）や光路変換部９６の形成位置を発光部１０１に対応する位置（発光部１０１の真下の位置）に容易に一致させることができる。
【００５７】
基板２の上部には、基板２の上面および少なくとも１つの側面に開放する２つの凹部３および４が形成されている。これらの凹部３および４には、それぞれ、発光素子１０および電子回路素子１２が挿入（設置）されている。
【００５８】
発光素子１０は、その下面側に発光部１０１を有し、上面側に一対の端子１０３、１０５を有している（さらに他の端子を有していてもよい）。両端子１０３、１０５間に通電がなされると、発光部１０１が発光し、伝送光１８が出射される。
【００５９】
なお、発光素子１０における発光部１０１は、１つの発光点で構成されているものの他、発光点が複数個集合したものでもよい。発光点が複数個集合したものとしては、例えば、発光点が列状（例えば発光点が１×４個、１×１２個）または行列状（例えば発光点がｎ×ｍ個：ｎ、ｍは２以上の整数）に配置されたものや、複数の発光点がランダム（不規則）に配置されたもの等が挙げられる。後述する受光素子における受光部についても同様である。
【００６０】
発光素子１０は、その発光部１０１が凹部３の底面（下面）３０に接合（当接）するようにして凹部３内に設置されている。なお、発光部１０１は、図１中上下方向に沿って複数個配置されていてもよい。
【００６１】
電子回路素子１２は、例えば半導体素子（半導体チップ）で構成されている。この電子回路素子１２は、その上面側に、複数の端子（端子１２３、１２５）を有している。なお、電子回路素子１２は、端子１２３、１２５以外にさらに他の端子を有していてもよい。
【００６２】
電子回路素子１２の機能は特に限定されないが、一例として、発光素子１０を駆動するための回路を構成するものが挙げられる。また、後述するように、受光素子を有する場合、該受光素子からの出力信号を処理（例えば増幅）する機能を有するものが挙げられる。
光導波路構造体１が発光素子１０と受光素子の双方を有する場合には、電子回路素子１２は、前記の両方の機能を有するものとすることができる。
【００６３】
なお、本明細書では、発光素子１０、受光素子、電子回路素子１２、その他各種素子、またはこれらのうちの２以上を複合した素子を、「電気素子」または単に「素子」と言う。
【００６４】
また、発光素子１０、受光素子および電子回路素子１２は、それぞれ別の素子で構成する場合に限らず、これらのうちの少なくとも２つを連結または一体化（１つのチップ）した構成（複合素子）であってもよい。
【００６５】
基板２には、前記電気素子（発光素子１０および電子回路素子１２）の設置位置、特に基板２に対する位置を定める位置決め手段３３、４３が設けられている。以下、この位置決め手段３３、４３について順次説明する。
【００６６】
基板２の上部には、基板２の上面に開放する凹部３および４が形成されている。凹部３は、図１中右方および下方に開放しており、凹部３の縁部、すなわち、図１中左方および上方に、基板２の上面との段差を有する。この段差のうち、図１中左方には当て付け面３１が形成され、図１中上方には当て付け面３２が形成されている。当て付け面３１および３２は、それぞれ、凹部３の底面３０に対し垂直に立ち上がっており、当て付け面３１、３２同士も直角である。この当て付け面３１および３２により、位置決め手段（発光素子用）３３が構成される。なお、位置決め手段３３には、底面３０が含まれていてもよく、これにより、基板２の厚さ方向の位置決めも行うことができる。
【００６７】
発光素子１０は、その下面を凹部３の底面３０に当接するとともに、発光素子１０の隣り合う（直交する）２つの側面をそれぞれ当て付け面３１および３２に当接（押接）することにより凹部３内に設置される。これにより、発光素子１０は、当て付け面３１によりＸ方向の位置が規制され、かつ、当て付け面３２によりＹ方向の位置が規制される。すなわち、発光素子１０は、Ｘ方向およびＹ方向の双方（２次元方向）に対する位置決めがなされる。このように、発光素子１０の基板２に対する面方向（２次元方向）の位置決めを確実に行うことができ、しかも、その操作は、固定された基板２に対し発光素子１０を凹部３に接近させ、図１中左上方向に移動（相対的に移動）し、当て付け面３１および３２にそれぞれ当接させればよいため、その位置決め操作を極めて簡単に行うことができる。
【００６８】
特に、コア部９４の長手方向（Ｘ方向）のみならず、コア部９４の幅方向（Ｙ方向）にも位置決めがなされるため、例えばコア部９４の幅が小さい場合（微細な光回路）でも、発光素子１０の発光部１０１の位置をコア部９４に正確に重ねる（平面視で）ことができる。
【００６９】
このような位置決め手段３３により、発光素子１０（発光部１０１）の基板２に対する位置が定められるが、これは、基板２の下面に形成された光導波路９のコア部９４に対する位置を定めることでもあり、さらに、光路変換部９６（反射面９６１）は、コア部９４に対する位置関係が規定されているため、光路変換部９６（反射面９６１）に対する位置を定めることでもある。
【００７０】
すなわち、位置決め手段３３は、図１に示すように、平面視で、発光素子１０の発光部１０１の位置が光路変換部９６（反射面９６１）の位置と重なるように位置決めをする。これにより、発光部１０１の真下に反射面９６１が位置することとなり、設計通りの光路を正確に形成することができる。
【００７１】
凹部３の深さは、発光素子１０の厚さとほぼ等しいかまたは発光素子１０の厚さより大きいのが好ましい。これにより、発光素子１０は、その上部が凹部３から突出することなく凹部３内に収納される。
【００７２】
凹部４は、図１中左方および下方に開放しており、凹部３の縁部、すなわち、図１中左右および上方に、基板２の上面との段差を有する。この段差のうち、図１中右方には当て付け面４１が形成され、図１中上方には当て付け面４２が形成されている。当て付け面４１および４２は、それぞれ、凹部４の底面４０に対し垂直に立ち上がっており、当て付け面４１、４２同士も直角である。この当て付け面４１および４２により、電子回路素子１２の位置決め手段（電子回路素子用）４３が構成される。なお、位置決め手段４３には、底面４０が含まれていてもよく、これにより、基板２の厚さ方向の位置決めも行うことができる。
【００７３】
電子回路素子１２は、その下面を凹部４の底面４０に当接するとともに、電子回路素子１２の隣り合う（直交する）２つの側面をそれぞれ当て付け面４１および４２に当接（押接）することにより凹部４内に設置される。これにより、電子回路素子１２は、当て付け面４１によりＸ方向の位置が規制され、かつ、当て付け面４２によりＹ方向の位置が規制される。すなわち、電子回路素子１２は、Ｘ方向およびＹ方向の双方（２次元方向）に対する位置決めがなされる。このように、電子回路素子１２の基板２に対する面方向（２次元方向）の位置決めを確実に行うことができ、しかも、その操作は、固定された基板２に対し電子回路素子１２を凹部４に接近させ、図１中右上方向に移動（相対的に移動）し、当て付け面４１および４２にそれぞれ当接させればよいため、その位置決め操作を極めて簡単に行うことができる。
【００７４】
このような位置決め手段４３により、電子回路素子１２（端子１２３、１２５）の基板２に対する位置が定められるが、これは、位置決め手段３３により位置決めされている発光素子１０に対する位置を定めることでもあり、さらに、光路変換部９６（反射面９６１）に対する位置を定めることでもある。
【００７５】
このように、電子回路素子１２と発光素子１０との位置関係が正確に定められることにより、後述する導体層５を形成（パターンニング）する際、特に電子回路素子１２と発光素子１０との間に架け渡される部位５２を形成する際に、これをより正確な形状および位置に形成することができる。
【００７６】
凹部４の深さは、電子回路素子１２の厚さとほぼ等しいかまたは電子回路素子１２の厚さより大きいのが好ましい。これにより、電子回路素子１２は、その上部が凹部４から突出することなく凹部４内に収納される。
【００７７】
なお、本実施形態における位置決め手段３３、４３は、電気素子の下面が底面３０、４０にも当接するため、基板２の厚さ方向（Ｘ方向およびＹ方向のそれぞれに直交する方向）に対する位置決めも行う。従って、本実施形態における位置決め手段は、正確には、３次元方向の位置決めを行うことができるものである。
【００７８】
また、本実施形態における位置決め手段は、基板２に直接形成されたもの（当て付け面３１、３２、４１、４２）であるが、これに限らず、基板２に対し不動のもの、特に、基板２に対し別部材を固定的に設置したものでもよい。この例としては、基板２に固定され、電気素子が当接し得る当て付け面を有する位置決め部材が挙げられる。
【００７９】
また、本発明において、位置決め手段は、電気素子をＸ方向およびＹ方向のいずれか一方の方向にのみ位置決めするものであってもよい。この場合、基板２の厚さ方向の位置決めは、行っても行わなくてもよい。
【００８０】
基板２の上面には、導体層（金属層）５が形成されている。この導体層５は、所定の形状にパターンニングされて、所望の電気配線または電気回路を構成している。
【００８１】
本実施形態では、導体層５は、部位５１、５２および５３を有している。部位５１は、基板２の上面と電子回路素子１２の上面とにまたがって形成され、端子１２５に電気的に接続されている。部位５２は、基板２の上面と発光素子１０の上面と電子回路素子１２の上面とにまたがって形成され、端子１０３および１２５にそれぞれ電気的に接続されている。部位５３は、基板２の上面と発光素子１０の上面とにまたがって形成され、端子１０５に電気的に接続されている。部位５１または５３は、例えばグランドに接続される。
【００８２】
導体層５の構成材料としては、それぞれ、例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金、金、金系合金、半田等の各種金属材料が挙げられる。また、基板２の構成材料によっては（例えば半導体材料による基板２）、タングステン、タングステン合金等を用いることもできる。
【００８３】
導体層５の厚さは、特に限定されないが、通常、２〜２００μｍ程度が好ましく、３〜１２０μｍ程度がより好ましく、５〜７０μｍ程度がさらに好ましい。
【００８４】
導体層５は、例えば、金属箔の接合（接着）、金属メッキ、蒸着、スパッタリング等の方法により形成されたものである。導体層５へのパターニングは、例えばエッチング、印刷、マスキング等の方法を用いることができる。
【００８５】
導体層５の構成材料として、半導体材料に拡散し易い金属、例えば銅を用いる（含む）場合には、半導体材料（基板２を半導体材料で構成した場合）との接合部は、例えばチタニアやタンタルなどで構成されたバリア層（図示せず）を介して形成することが好ましい。
【００８６】
また、導体層５の構成材料として、半導体材料と密着性の悪い金属、例えばタングステンを用いる場合は、半導体材料（基板２を半導体材料で構成した場合）との接合部は、密着力を向上させることができる密着層（図示せず）を介して形成することが好ましい。
【００８７】
なお、導体層５のパターンは、図１〜図３に示すものに限らず、いかなる形状、配置のものでもよい。
【００８８】
また、導体層５の形成箇所は、図示のような光導波路構造体１の上部（上面）に限らず、例えば、光導波路９の下面や、光導波路構造体１の内部（例えば光導波路９と基板２との間）に同様の導体層（電気配線または電気回路）が形成されていてもよい。
【００８９】
本実施形態の光導波路構造体１では、電子回路素子１２の作動により発光素子１０の端子１０３、１０５間へ通電がなされると、発光部１０１が点灯し、図２中下方へ向かって発せられた伝送光１８は、基板２の透光部２４およびクラッド層９２を順次透過し、反射面９６１で反射されて９０°屈曲し、光導波路９のコア部９４に入り、クラッド部（クラッド層９１、９２および側方（図２中左右）のクラッド部９５）との界面で反射を繰り返しながら、コア部９４内をその長手方向（図１および図２中左方向）に沿って進む。
【００９０】
＜第２実施形態：図４＞
図４には、本発明の光導波路構造体１の第２実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１実施形態と同様の事項（構成、作動等）についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【００９１】
本実施形態の光導波路構造体１は、位置決め手段の構成が異なり、それ以外は前記第１実施形態と同様である。すなわち、本実施形態では、基板２の上面は平坦面をなしており、電気素子の設置位置を定める位置決め手段は、基板２に対し固定的に設置された位置決め部材６で構成されている。
【００９２】
この位置決め部材６は、その厚さが発光素子１０および／または電子回路素子１２の厚さとほぼ同等かまたはそれより薄い板材（またはシート材）で構成され、基板２の上面に接着層７を介して接合（固着）されている。
【００９３】
図４の上部に示すように、位置決め部材６の平面形状は、ほぼＴ字状をなしており、発光素子１０の隣り合う（直交する）２つの側面（角部）が当接するＬ字状の当て付け面６１と、電子回路素子１２の隣り合う（直交する）２つの側面（角部）が当接するＬ字状の当て付け面６２とを有している。
【００９４】
発光素子１０は、その下面が基板２の上面に当接するとともに、発光素子１０の隣り合う（直交する）２つの側面が当て付け面６１に当接（押接）することにより、Ｘ方向およびＹ方向の位置がそれぞれ規制される。すなわち、発光素子１０は、Ｘ方向およびＹ方向の双方（２次元方向）に対する位置決めがなされる。
【００９５】
同様に、電子回路素子１２は、その下面が基板２の上面に当接するとともに、電子回路素子１２の隣り合う（直交する）２つの側面が当て付け面６２に当接（押接）することにより、Ｘ方向およびＹ方向の位置がそれぞれ規制される。すなわち、電子回路素子１２は、Ｘ方向およびＹ方向の双方（２次元方向）に対する位置決めがなされる。
【００９６】
このような位置決め部材６を用いることにより、１つの位置決め部材６で発光素子１０と電子回路素子１２の双方を同時に位置決めすることができるという利点がある。また、基板２に対する位置決め部材６の固定位置を調整または変更すること、あるいは、形状や寸法の異なる位置決め部材６を選択し、基板２に固定することにより、電気素子（発光素子１０および／または電子回路素子１２）の設置位置を自由に設定または変更することができるという利点もある。
【００９７】
なお、接着層７としては、前記第１実施形態で述べた接着層と同様のものを用いることができる。
【００９８】
本実施形態において、位置決め部材６の平面形状や厚さは、図示のものに限定されず、いかなる形状、寸法のものでもよい。また、本実施形態では、１つの位置決め部材６で発光素子１０と電子回路素子１２の双方の位置決めを行っているが、これに限らず、発光素子１０および電子回路素子１２は、それぞれ異なる位置決め部材により位置決めされていてもよく、またそれらの位置決めの方向も、特に限定されない。
【００９９】
＜第３実施形態：図５＞
図５には、本発明の光導波路構造体１の第３実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【０１００】
本実施形態の光導波路構造体１は、基板２の構成が異なり、それ以外は前記第１実施形態と同様である。すなわち、基板２は、伝送光１８の透過性を十分に有さないものでもよく、基板２における発光部１０１の真下の位置には、基板２を貫通する貫通孔２５が形成されている。この貫通孔２５は、伝送光１８を透光する透光部２４を構成するものである。すなわち、この貫通孔２５が、伝送光を基板２の厚さ方向に導光（伝送）する導光路となる。
【０１０１】
貫通孔２５の横断面形状は、特に限定されず、例えば、円形、楕円形、矩形（四角形）、六角形、その他多角形、異形等、いかなる形状でもよい。
【０１０２】
なお、図示されていないが、貫通孔２５の内部（全部または一部）に、伝送光の透過率が８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上の材料による充填材が充填されていてもよい。この充填材は、コア部９４、クラッド部９５、クラッド層９１またはクラッド層９２のいずれかの構成材料と同様の材料で構成されていてもよい。
【０１０３】
また、図示されていないが、貫通孔２５の内面等に導電材料による層を形成し、これにより、光伝送機能の他に、電気信号を伝送する機能を持たせてもよい。
【０１０４】
本実施形態の光導波路構造体１では、電子回路素子１２の作動により発光素子１０の端子１０３、１０５間へ通電がなされると、発光部１０１が点灯し、図５中下方へ向かって発せられた伝送光１８は、基板２の貫通孔２５内を通り、クラッド層９２を透過し、反射面９６１で反射されて９０°屈曲し、光導波路９のコア部９４に入り、クラッド部（クラッド層９１、９２および側方（図２中左右）のクラッド部９５）との界面で反射を繰り返しながら、コア部９４内をその長手方向（図５中左方向）に沿って進む。
【０１０５】
＜第４実施形態：図６＞
図６には、本発明の光導波路構造体１の第４実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１および第３実施形態と同様の事項についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【０１０６】
本実施形態の光導波路構造体１は、透光部２４（貫通孔２５）に、伝送光１８を集光または拡散し得るレンズ部２６を設けた以外は、前記第３実施形態と同様のものである。すなわち、貫通孔２５内の下部（光導波路９への入射側）に凸レンズ（正確には、平凸レンズ）で構成されるレンズ部２６が設けられている。
【０１０７】
これにより、発光部１０１から図６中下方へ向かって発せられた光は、基板２の貫通孔２５内を通り、レンズ部２６で集光されてその光束（ビーム）が絞られ、この光束が反射面９６１で反射されて９０°屈曲し、光導波路９のコア部９４に入り、コア部９４内をその長手方向（図６中左方向）に沿って進む。このようなレンズ部２６を設けることにより、より明確な（シャープな）伝送光を得ることができ、より優れた光伝送特性を得ることができる。
【０１０８】
なお、レンズ部２６は、伝送光１８を拡散し得るものでもよい。この場合には、凹レンズを用いればよい。
【０１０９】
また、レンズ部２６の設置位置は、図６に示す位置に限らず、例えば透光部２４（貫通孔２５）の途中や上部であってもよく、あるいは、その他の箇所、例えばコア部９４の途中や出射側端部（図６中左端部）であってもよい。
【０１１０】
また、このようなレンズ部２６は、前記第１および第２実施形態の光導波路構造体１に対して設けられていてもよい。
【０１１１】
前記各実施形態において、発光素子１０を受光素子に代えた構成とすることができる。受光素子は、例えばその下面側に受光部、上面側に端子（例えば一対の端子）を有し、受光部が伝送光１８を受光すると、光電変換され、端子より電気信号が出力される。この電気信号は、電子回路素子１２へ入力され、信号処理（例えば信号の増幅）される。
【０１１２】
また、本発明の光導波路構造体１は、発光素子と受光素子の双方を備えていてもよい。この場合、発光素子の発光部から発せられた光が、光路変換部９６、光導波路９（さらに光路変換部９６）を経て受光素子の受光部で受光されるような構成とすることができる。
【０１１３】
以上、第１〜第４実施形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない限り、他の構成のものでもよい。また、本発明は、第１〜第４実施形態のうちの任意の２以上の実施形態が備える構成を組み合わせたものでもよい。
以上、第１〜第４実施形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない限り、他の構成のものでもよい。また、本発明は、第１〜第４実施形態のうちの任意の２以上の実施形態が備える構成を組み合わせたものでもよい。
【０１１４】
上述したような本発明の光導波路構造体は、折り曲げ操作を行うことにより、基板２や光導波路９が屈曲した状態（屈曲状態）と、折り曲げ操作を解除し、基板２や光導波路９を伸張させた状態（伸張状態）とを自在にとり得るものとなる。このため、例えばヒンジ部またはスライド部を有する携帯電話、ゲーム機、ＰＤＡ、ノート型パソコン等の電子機器のヒンジ部やスライド部に対して好適に用いることができる。例えば携帯電話において、ヒンジ部を介した２点間を光導波路構造体で接続した場合、携帯電話のヒンジ部を閉じたときには、光導波路構造体が屈曲状態をとり、ヒンジ部を開いたときには、光導波路構造体が伸張状態をとることとなる。
【０１１５】
このようにすれば、光導波路構造体は、可動部を挟む２点間の電気的接続および光学的接続を、長期にわたって維持することができる。このため、光導波路構造体を備えた携帯電話（電子機器）は、その信頼性を高めることができる。
なお、本発明の光導波路構造体を適用する電子機器は、上記のものに限定されず、例えば、ルーター装置、ＷＤＭ装置、パソコン、テレビ、ホーム・サーバー等の電子機器類への適用が好適である。これらの電子機器では、いずれも、例えばＬＳＩ等の演算装置とＲＡＭ等の記憶装置との間で、大容量のデータを高速に伝送する必要がある。したがって、このような電子機器が本発明の光電気混載基板を備えることにより、電気配線に特有なノイズ、信号劣化等の不具合が解消されるため、その性能の飛躍的な向上が期待できる。
さらに、光導波路部分では、電気配線に比べて発熱量が大幅に削減される。このため、基板内の集積度を高めて小型化が図られるとともに、冷却に要する電力を削減することができ、電子機器全体の消費電力を削減することができる。
【０１１６】
次に、前記各実施形態における、光導波路９の製造方法および各部の構成材料等について説明する。
【０１１７】
まず、コア部９４の形成方法の説明に先立って、コア部９４の形成に用いられる感光性樹脂組成物について説明する。
【０１１８】
本実施形態においてコア部９４の形成に用いる感光性樹脂組成物は、
（Ａ）環状オレフィン樹脂と、
（Ｂ）（Ａ）とは屈折率が異なり、かつ、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうち少なくともいずれか一方と、
（Ｃ）光酸発生剤と、
を備える。
なかでも、光の伝搬損失の発生を確実に抑制するという観点から、
側鎖に（Ｃ）光酸発生剤から発生する酸により脱離する脱離性基を有する環状オレフィン樹脂（Ａ）と、
上記式（１００）のモノマーとを含むことが好ましい。
【０１１９】
このような感光性樹脂組成物は、フィルム状に成形されて光導波路形成用フィルムとされ、さらに、屈折率が異なる領域を含むフィルム、例えば、光導波路フィルムとして使用される。
【０１２０】
以下、感光性樹脂組成物の成分について順次詳述する。
【０１２１】
（（Ａ）環状オレフィン樹脂）
成分（Ａ）の環状オレフィン樹脂は、感光性樹脂組成物のフィルム成形性を確保するために添加されるものであり、ベースポリマーとなるものである。
ここで、環状オレフィン樹脂は、無置換のものであってもよいし、水素が他の基により置換されたものであってもよい。
環状オレフィン樹脂としては、例えばノルボルネン系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂等が挙げられる。
なかでも、耐熱性、透明性等の観点からノルボルネン系樹脂を使用することが好ましい。
【０１２２】
ノルボルネン系樹脂としては、例えば、
（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体、
（２）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、
（３）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、
（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、
（５）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、
（６）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。
【０１２３】
これらのノルボルネン系樹脂は、例えば、開環メタセシス重合（ＲＯＭＰ）、ＲＯＭＰと水素化反応との組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合、カチオン性パラジウム重合開始剤を用いた重合、これ以外の重合開始剤（例えば、ニッケルや他の遷移金属の重合開始剤）を用いた重合等、公知のすべての重合方法で得ることができる。
【０１２４】
これらの中でも、ノルボルネン系樹脂としては、付加（共）重合体が好ましい。付加（共）重合体は、透明性、耐熱性および可撓性に富むことからも好ましい。たとえば、感光性樹脂組成物によりフィルムを形成した後、電気部品等を、半田を介して実装することがある。このような場合において、高い耐熱性、すなわち、耐リフロー性を有することが必要となるため、付加（共）重合体が好ましい。また、感光性樹脂組成物によりフィルムを形成し、製品に組み込んだ際に、たとえば、８０℃程度の環境下にて使用される場合がある。このような場合においても、耐熱性を確保するという観点から、付加（共）重合体が好ましい。
【０１２５】
なかでも、ノルボルネン系樹脂は、重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位や、アリール基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。
重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位としては、エポキシ基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、（メタ）アクリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、および、アルコキシシリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位がのうちの少なくとも１種が好適である。これらの重合性基は、各種重合性基の中でも、反応性が高いことから好ましい。
また、このような重合性基を含むノルボルネンの繰り返し単位を、２種以上含むものを用いれば、可撓性と耐熱性の両立を図ることができる。
一方、アリール基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、アリール基に由来する極めて高い疎水性によって、吸水による寸法変化等をより確実に防止することができる。
さらに、ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。なお、アルキル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。
アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、ノルボルネン系ポリマーは、柔軟性が高くなるため、高いフレキシビリティ（可撓性）を付与することができる。
また、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、特定の波長領域（特に、８５０ｎｍ付近の波長領域）の光に対する透過率が優れることからも好ましい。
【０１２６】
このようなことから、ノルボルネン系樹脂としては、以下の式（１）〜（４）、（８）〜（１０）で表されるものが好適である。
【０１２７】
【化４】
2011221232.tif 000006
【０１２８】
式（１）のノルボルネン系樹脂は、以下のようにして製造することができる。
Ｒ１を有するノルボルネンと、側鎖にエポキシ基を有するノルボルネンとをトルエンに溶かし、Ｎｉ化合物（Ａ）を触媒として用いて溶液重合させることで（１）を得る。
【０１２９】
【化５】
2011221232.tif 000007
【０１３０】
なお、側鎖にエポキシ基を有するノルボルネンの製造方法は、たとえば、（i）（ii）の通りである。
（i）ノルボルネンメタノール（ＮＢ−ＣＨ２−ＯＨ）の合成
ＤＣＰＤ（ジシクロペンタジエン）のクラッキングにより生成したＣＰＤ（シクロペンタジエン）とαオレフィン（CH2=CH-CH2-OH）を高温高圧下で反応させる。
【０１３１】
【化６】
2011221232.tif 000008
【０１３２】
（ii）エポキシノルボルネンの合成
ノルボルネンメタノールとエピクロルヒドリンとの反応により生成する。
【０１３３】
【化７】
2011221232.tif 000009
【０１３４】
なお、式（１）において、ｂが２もしくは３の場合には、エピクロルヒドリンのメチレン基がエチレン基、プロピレン基等になったものを使用する。
式（１）で表されるノルボルネン系樹脂の中でも、可撓性と耐熱性の両立を図ることが可能との観点から、特に、Ｒ１が炭素数４〜１０のアルキル基であり、ａおよびｂがそれぞれ１である化合物、例えば、ブチルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー等が好ましい。
【０１３５】
【化８】
2011221232.tif 000010
【０１３６】
式（２）のノルボルネン系樹脂は、Ｒ2を有するノルボルネンと、側鎖にアクリルおよびメタクリル基を有するノルボルネンとをトルエンに溶かし、上述したＮｉ化合物（Ａ）を触媒に用いて溶液重合させることで得ることができる。
【０１３７】
なお、式（２）で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、可撓性と耐熱性との両立の観点から、特に、Ｒ２が炭素数４〜１０のアルキル基であり、ｃが１である化合物、例えば、ブチルボルネンとアクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチルとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとアクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチルとのコポリマー、デシルノルボルネンとアクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチルとのコポリマー等が好ましい。
【０１３８】
【化９】
2011221232.tif 000011
【０１３９】
式（３）の樹脂は、Ｒ4を有するノルボルネンと、側鎖にアルコキシシリル基を有するノルボルネンとをトルエンに溶かし、上述したＮｉ化合物（Ａ）を触媒に用いて溶液重合させることで得ることができる。
【０１４０】
なお、式（３）で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、特に、Ｒ４が炭素数４〜１０のアルキル基であり、ｄが１または２、Ｘ３がメチル基またはエチル基である化合物、例えば、ブチルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、デシルノルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、ブチルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ブチルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー等が好ましい。
【０１４１】
【化１０】
2011221232.tif 000012
【０１４２】
Ｒ5を有するノルボルネンと、側鎖にＡ1およびＡ2を有するノルボルネンとをトルエンに溶かし、Ｎｉ化合物（Ａ）を触媒に用いて溶液重合させることで（４）を得る。
【０１４３】
【化１１】
2011221232.tif 000013
【０１４４】
【化１２】
2011221232.tif 000014
【０１４５】
【化１３】
2011221232.tif 000015
【０１４６】
なお、式（４）で表されるノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、ブチルノルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、アクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチルと、ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン、トリエトキシシリルノルボルネンまたはトリメトキシシリルノルボルネンのいずれかとのターポリマー、ブチルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、アクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチルと、メチルグリシジルエーテルノルボルネンとのターポリマー、ブチルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、メチルグリシジルエーテルノルボルネン、ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン、トリエトキシシリルノルボルネンまたはトリメトキシシリルノルボルネンのいずれかとのターポリマー等が挙げられる。
【０１４７】
【化１４】
2011221232.tif 000016
【０１４８】
Ｒ７を有するノルボルネンと、側鎖に-(CH2)-X1-X2(R8)3-j(Ar)jを含むノルボルネンとをトルエンに溶かし、Ｎｉ化合物を触媒に用いて溶液重合させることで（８）を得る。
【０１４９】
なお、式（８）で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、Ｘ１が酸素原子、Ｘ２がシリコン原子、Ａｒがフェニル基であるものが好ましい。
さらには、可撓性、耐熱性および屈折率制御の観点から特に、Ｒ７が炭素数４〜１０のアルキル基であり、Ｘ１が酸素原子、Ｘ２がシリコン原子、Ａｒがフェニル基、Ｒ８がメチル基、ｉが１、ｊが２である化合物、例えば、ブチルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマー、デシルノルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマー等が好ましい。
具体的には、以下のようなノルボルネン系樹脂を使用することが好ましい。
【０１５０】
【化１５】
2011221232.tif 000017
【０１５１】
また、可撓性と耐熱性および屈折率制御の観点から、式（８）において、Ｒ７が炭素数４〜１０のアルキル基であり、Ｘ１がメチレン基、Ｘ２が炭素原子、Ａｒがフェニル基、Ｒ８が水素原子、ｉが０、ｊが１である化合物、例えば、ブチルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー等であってもよい。
さらに、ノルボルネン系樹脂として、次のようなものを使用してもよい。
【０１５２】
【化１６】
2011221232.tif 000018
【０１５３】
また、ｐ１／ｑ１〜ｐ３／ｑ３、ｐ５／ｑ５、ｐ６／ｑ６またはｐ４／ｑ４＋ｒは、２０以下であればよいが、１５以下であるのが好ましく、０．１〜１０程度がより好ましい。これにより、複数種のノルボルネンの繰り返し単位を含む効果が如何なく発揮される。
以上のようなノルボルネン系樹脂は、脱離性基を有するものであることが好ましい。ここで、脱離性基とは、酸の作用により離脱するものである。
具体的には、分子構造中に、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものが好ましい。かかる酸離脱性基は、カチオンの作用により比較的容易に離脱する。
【０１５４】
このうち、離脱により樹脂の屈折率に低下を生じさせる離脱性基としては、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造の少なくとも一方が好ましい。
例えば、式（８）で表されるノルボルネン系ポリマーの中で、Ｘ１が酸素原子、Ｘ２がシリコン原子、Ａｒがフェニル基であるものが脱離性基を有するものとなる。
また、式（３）においては、アルコキシシリル基のＳｉ−O−Ｘ３の部分で脱離する場合がある。
【０１５５】
例えば、式（９）のノルボルネン系樹脂を使用した場合、光酸発生剤（ＰＡＧと表記）から発生した酸により、以下のように反応が進むと推測される。なお、ここでは、脱離性基の部分のみを示し、また、ｉ＝１の場合で説明している。
【０１５６】
【化１７】
2011221232.tif 000019
【０１５７】
さらに、式（９）の構造に加えて、側鎖にエポキシ基を有するものであってもよい。このようなものを使用することで密着性に優れたフィルムが形成可能という効果がある。
具体例として以下のようなものとなる。
【０１５８】
【化１８】
2011221232.tif 000020
【０１５９】
式（３１）で示される化合物は、たとえば、ヘキシルノルボルネンと、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン（側鎖に-CH2-O-Si(CH3)(Ph)2を含むノルボルネン）およびエポキシノルボルネンをトルエンに溶かし、Ｎｉ化合物を触媒に用いて溶液重合させることで得ることができる。
【０１６０】
（（Ｂ）環状エーテル基を有するモノマー、環状エーテル基を有するオリゴマー）
次に、（Ｂ）の成分について説明する。
成分（Ｂ）は、環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうちの少なくとも一方である。この成分（Ｂ）は、成分（Ａ）の樹脂と屈折率が異なり、かつ、成分（Ａ）の樹脂と相溶性のあるものであればよい。成分（Ｂ）と、成分（Ａ）の樹脂との屈折率差は、０．０１以上であることが好ましい。
なお、成分（Ｂ）の屈折率は、成分（Ａ）の樹脂よりも高いものであってもよいが、成分（Ｂ）は、成分（Ａ）の樹脂よりも屈折率が低いことが好ましい。
【０１６１】
成分（Ｂ）の環状エーテル基を有するモノマー、環状エーテル基を有するオリゴマーは、酸の存在下において開環により重合するものである。モノマー、オリゴマーの拡散性を考慮すると、このモノマーの分子量（重量平均分子量）、オリゴマーの分子量（重量平均分子量）は、それぞれ１００以上、４００以下であることが好ましい。
成分（Ｂ）は、たとえば、オキセタニル基あるいは、エポキシ基を有する。このような環状エーテル基は、酸により開環しやすいため、好ましい。
【０１６２】
オキセタニル基を有するモノマー、オキセタニル基を有するオリゴマーとしては、下記式（１１）〜（２０）の群から選ばれるものが好ましい。これらを使用することで波長８５０ｎｍ近傍での透明性に優れ、可撓性と耐熱性の両立が可能という利点がある。また、これらを単独でも混合して用いても差し支えない。
【０１６３】
【化１９】
2011221232.tif 000021
【０１６４】
【化２０】
2011221232.tif 000022
【０１６５】
【化２１】
2011221232.tif 000023
【０１６６】
【化２２】
2011221232.tif 000024
【０１６７】
【化２３】
2011221232.tif 000025
【０１６８】
【化２４】
2011221232.tif 000026
【０１６９】
【化２５】
2011221232.tif 000027
【０１７０】
【化２６】
2011221232.tif 000028
【０１７１】
【化２７】
2011221232.tif 000029
【０１７２】
【化２８】
2011221232.tif 000030
【０１７３】
以上のようなモノマーおよびオリゴマーのなかでも、成分（Ａ）の樹脂との屈折率差を確保する観点から式（１３）、（１５）、（１６）、（１７）、（２０）で表される化合物を使用することが好ましい。
さらには、成分（Ａ）の樹脂との屈折率差がある点、分子量が小さく、モノマーの運動性が高い点、モノマーが容易に揮発しない点を考慮すると、式（２０）、式（１５）で表される化合物を使用することが特に好ましい。
また、オキセタニル基を有する化合物としては、以下の式（３２）、式（３３）で表される化合物を使用することができる。式（３２）で表される化合物としては、東亞合成製の商品名ＴＥＳＯＸ等、式（３３）で表される化合物としては、東亞合成製の商品名ＯＸ−ＳＱ等を使用することができる。
【０１７４】
【化２９】
2011221232.tif 000031
【０１７５】
【化３０】
2011221232.tif 000032
【０１７６】
また、エポキシ基を有するモノマー、エポキシ基を有するオリゴマーとしては、たとえば、以下のようなものがあげられる。このエポキシ基を有するモノマー、オリゴマーは、酸の存在下において開環により重合するものである。
エポキシ基を有するモノマー、エポキシ基を有するオリゴマーとしては、以下の式（３４）〜（３９）で表されるものを使用することができる。なかでも、エポキシ環のひずみエネルギーが大きく反応性に優れるという観点から式（３６）〜（３９）で表される脂環式エポキシモノマーを使用することが好ましい。
なお、式（３４）で表される化合物は、エポキシノルボルネンであり、このような化合物としては、たとえば、プロメラス社製  ＥｐＮＢを使用することができる。式（３５）で表される化合物は、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランであり、この化合物としては、たとえば、東レ・ダウコーニング・シリコーン社製  Ｚ−６０４０を使用することができる。また、式（３６）で表される化合物は、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランであり、この化合物としては、たとえば、東京化成製  Ｅ０３２７を使用することができる。
さらに、式（３７）で表される化合物は、３、４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３、’４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレートであり、この化合物としては、たとえば、ダイセル化学社製  セロキサイド２０２１Ｐを使用することができる。また、式（３８）で表される化合物は、１，２−エポキシ−４−ビニルシクロヘキサンであり、この化合物としては、たとえば、ダイセル化学社製  セロキサイド２０００を使用することができる。
さらに、式（３９）で表される化合物は、１，２：８，９ジエポキシリモネンであり、この化合物としては、たとえば、（ダイセル化学社製  セロキサイド３０００）を使用することができる。
【０１７７】
【化３１】
2011221232.tif 000033
【０１７８】
【化３２】
2011221232.tif 000034
【０１７９】
【化３３】
2011221232.tif 000035
【０１８０】
【化３４】
2011221232.tif 000036
【０１８１】
【化３５】
2011221232.tif 000037
【０１８２】
【化３６】
2011221232.tif 000038
【０１８３】
さらに、（Ｂ）の成分として、オキセタニル基を有するモノマー、オキセタニル基を有するオリゴマーと、エポキシ基を有するモノマー、エポキシ基を有するオリゴマーとが併用されていてもよい。
オキセタニル基を有するモノマー、オキセタニル基を有するオリゴマーは重合を開始する開始反応が遅いが、生長反応が速い。これに対し、エポキシ基を有するモノマー、エポキシ基を有するオリゴマーは、重合を開始する開始反応が速いが、生長反応が遅い。そのため、オキセタニル基を有するモノマー、オキセタニル基を有するオリゴマーと、エポキシ基を有するモノマー、エポキシ基を有するオリゴマーとを併用することで、活性放射線を照射した際に、光照射部分と、未照射部分との屈折率差を確実に生じさせることができる。
【０１８４】
この（Ｂ）成分の添加量は、（Ａ）成分１００重量部に対し、１重量部以上、５０重量部以下であることが好ましく、２重量部以上、２０重量部以下であることがより好ましい。これにより、コア／クラッド間の屈折率変調を可能にし、可撓性と耐熱性との両立が図れるという効果がある。
【０１８５】
（（Ｃ）光酸発生剤）
光酸発生剤としては、光（活性放射線）のエネルギーを吸収してブレンステッド酸あるいはルイス酸を生成するものであればよく、例えば、トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム−トリフルオロメタンスルホネートなどのスルホニウム塩類、ｐ−ニトロフェニルジアゾニウムヘキサフルオロホスフェートなどのジアゾニウム塩類、アンモニウム塩類、ホスホニウム塩類、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、（トリキュミル）ヨードニウム−テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなどのヨードニウム塩類、キノンジアジド類、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタンなどのジアゾメタン類、１−フェニル−１−（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ−１−ベンゾイルメタン、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンサルホネートなどのスルホン酸エステル類、ジフェニルジスルホンなどのジスルホン類、トリス（２，４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３．４−メチレンジオキシフェニル）−４，６−ビス−（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンなどのトリアジン類などの化合物を挙げることができる。これらの光酸発生剤は、単独、または複数を組み合わせて使用することができる。
【０１８６】
光酸発生剤の含有量は、（Ａ）成分１００重量部に対し０．０１重量部以上、０．３重量部以下であることが好ましく、０．０２重量部以上、０．２重量部以下であることがより好ましい。これにより、反応性の向上という効果がある。
【０１８７】
感光性樹脂組成物は、以上の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の成分に加えて、増感剤、酸化防止剤等の添加剤を含有していてもよい。
増感剤は、活性放射線に対する光酸発生剤の感度を増大して、光酸発生剤の活性化（反応または分解）に要する時間やエネルギーを減少させる機能や、光酸発生剤の活性化に適する波長に活性放射線の波長を変化させる機能を有するものである。
このような増感剤としては、光酸発生剤の感度や増感剤の吸収のピーク波長に応じて適宜選択され、特に限定されないが、たとえば、９，１０−ジブトキシアントラセン（ＣＡＳ番号第７６２７５−１４−４番）のようなアントラセン類、キサントン類、アントラキノン類、フェナントレン類、クリセン類、ベンツピレン類、フルオラセン類（fluoranthenes）、ルブレン類、ピレン類、インダンスリーン類、チオキサンテン−９−オン類（thioxanthen-9-ones）等が挙げられ、これらを単独または混合物として用いることができる。
【０１８８】
増感剤の具体例としては、例えば、２−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４−プロポキシチオキサントン、フェノチアジン（phenothiazine）またはこれらの混合物が挙げられる。
増感剤の含有量は、感光性樹脂組成物中で、０．０１重量％以上であるのが好ましく、０．５重量％以上であるのがより好ましく、１重量％以上であるのがさらに好ましい。なお、上限値は、５重量％以下であるのが好ましい。
【０１８９】
さらに、コア層形成用材料９００中には、酸化防止剤を添加することができる。これにより、望ましくないフリーラジカルの発生や、ポリマー９１５の自然酸化を防止することができる。その結果、得られたコア層９３（光導波路９）の特性の向上を図ることができる。
【０１９０】
この酸化防止剤としては、ニューヨーク州タリータウンのＣｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社から入手可能なＣｉｂａ（登録商標、以下同様である。）  ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標、以下同様である。）  １０７６およびＣｉｂａ  ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標、以下同様である。）  １６８が好適に用いられる。
【０１９１】
また、他の酸化防止剤としては、例えば、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標、以下同様である。）  １２９、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １３３０、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １０１０、Ｃｉｂａ  Ｃｙａｎｏｘ（登録商標、以下同様である。）  １７９０、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）  ３１１４、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  ３１２５等を用いることもできる。
【０１９２】
なお、このような酸化防止剤は、例えば、フィルム９１０が酸化条件に曝されない場合や、される期間が極めて短い場合等には、省略することもできる。
【０１９３】
以上の感光性樹脂組成物のうち、成分（Ａ）として側鎖に脱離性基を有する環状オレフィン樹脂と、成分（Ｃ）の光酸発生剤と、成分（Ｂ）として上記式（１００）に記載の第１モノマーと、を含む感光性樹脂組成物が特に好ましい。
【０１９４】
以下、特に好ましいこの感光性樹脂組成物について説明する。
【０１９５】
前記側鎖に脱離性基を有する環状オレフィン樹脂を構成する環状オレフィン樹脂（Ａ）としては、前述したようなものを使用できるが、例えばシクロヘキセン、シクロオクテン等の単環体モノマーの重合体、ノルボルネン、ノルボルナジエン、ジシクロペンタジエン、ジヒドロジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセン、トリシクロペンタジエン、ジヒドロトリシクロペンタジエン、テトラシクロペンタジエン、ジヒドロテトラシクロペンタジエン等の多環体モノマーの重合体等が挙げられる。これらの中でも多環体モノマーの重合体の中から選ばれる１種以上の環状オレフィン樹脂が好ましく用いられる。これにより、樹脂の耐熱性を向上することができる。
【０１９６】
なお、重合形態としては、ランダム重合、ブロック重合等の公知の形態を適用することができる。例えばノルボルネン型モノマーの重合の具体例としては、ノルボルネン型モノマ−の（共）重合体、ノルボルネン型モノマ−とα−オレフィン類などの共重合可能な他のモノマ−との共重合体、およびこれらの共重合体の水素添加物などが具体例に該当する。これら環状オレフィン樹脂は、公知の重合法により製造することが可能であり、その重合方法には付加重合法と開環重合法とがあり、前述の中でも付加重合法で得られる環状オレフィン樹脂（特にノルボルネン系樹脂）が好ましい（すなわち、ノルボルネン系化合物の付加重合体）。これにより、透明性、耐熱性および可撓性に優れる。
【０１９７】
前記脱離性基としては、光酸発生剤から発生する酸（Ｈ＋）の作用により分子の一部が切断されて離脱するものである。具体的には、分子構造中（側鎖）に、前述したような−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものが好ましい。上述したような離脱性基は、酸（Ｈ＋）の作用により比較的容易に離脱する。
上述した脱離性基の中でも離脱により樹脂の屈折率に低下を生じさせる離脱性基としては、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造の少なくとも一方が好ましい。
前記脱離性基の含有量は、特に限定されないが、前記側鎖に脱離性基を有する環状オレフィン樹脂中の１０〜８０重量％であるのが好ましく、特に２０〜６０重量％であるのがより好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に可撓性と屈折率変調機能（屈折率差を大きくする効果）との両立に優れる。
【０１９８】
このような側鎖に脱離性基を有する環状オレフィン樹脂としては、上記式（１０１）および／または上記式（１０２）で示される繰り返し単位を有するものが好ましい。これにより、樹脂の屈折率を高くすることができる。
【０１９９】
前記感光性樹脂組成物は、上記式（１００）に記載のモノマー（以下、第１モノマーという）を含む。これにより、さらに左右のコア／クラッド間の屈折率差を拡大することができる。
【０２００】
第１モノマーの含有量は、特に限定されないが、前記側鎖に脱離性基を有する環状オレフィン樹脂１００重量部に対して１重量部以上、５０重量部以下であることが好ましく、特に２重量部以上、２０重量部以下であることが好ましい。これにより、コア／クラッド間の屈折率変調を可能にし、可撓性と耐熱性との両立が図られる。
【０２０１】
このように、上述した第１モノマーを側鎖に脱離性基を有する環状オレフィン樹脂と併用した場合に、コア／クラッド間の屈折率変調と、可撓性とのバランスに優れることの理由は、以下の通りと考えられる。
まず、以上のような感光性樹脂組成物を用いた場合に、コア／クラッド間の屈折率変調に優れるのは、活性放射線照射等によって発生した酸により、第１モノマーが重合反応を開始するとき、第１モノマーがその反応性に優れているからである。第１モノマーの反応性が優れていると、第１モノマーの硬化性が高くなり、第１モノマーの濃度勾配によって生じる第１モノマーの拡散性が向上する。それによって、活性放射線照射領域と、未照射領域との屈折率差を大きくすることができる。
また、第１モノマーは一官能であるために、重合反応が進行して感光性樹脂組成物としての架橋密度はそれほど高くはならない。そのため、可撓性にも優れている。
【０２０２】
前記感光性樹脂組成物は、特に限定されないが、前記第１モノマーと異なる第２モノマーを含んでいてもよい。なお、前記第１モノマーと異なる第２モノマーとは、構造が異なるモノマーでもよく、分子量が異なるモノマーでもよい。
なかでも、第２モノマーは、成分（Ｂ）として含まれており、例えばエポキシ化合物、式（１００）で示されるものと異なる他のオキセタン化合物、ビニルエーテル化合物等が挙げられる。これらの中でもエポキシ化合物（特に脂環式エポキシ化合物）および２官能のオキセタン化合物（オキセタニル基を２つ有するモノマー）の少なくとも１種が好ましい。これにより、前記第１モノマーと前記環状オレフィン樹脂との反応性を向上させることができ、それによって透明性を保持しつつ、導波路の耐熱性を向上させることができる。
第２モノマーとしては、具体的には、上記式（１５）の化合物、上記式（１２）の化合物、上記式（１１）の化合物、上記式（１８）の化合物、上記式（１９）の化合物、上記式（３４）〜（３９）の化合物が挙げられる。
【０２０３】
前記第２モノマーの含有量は、特に限定されないが、前記環状オレフィン樹脂１００重量部に対して１重量部以上、５０重量部以下であることが好ましく、特に２重量部以上、２０重量部以下であることがより好ましい。これにより、前記第１モノマーとの反応性を向上させることができる。
【０２０４】
また、前記第２モノマーと前記第１モノマーとの併用割合も特に限定されないが、重量比（前記第２モノマーの重量／前記第１モノマーの重量）で、０．１〜１が好ましく、特に０．１〜０．６が好ましい。併用割合が前記範囲内であると、反応性の速さと導波路の耐熱性とのバランスに優れる。
【０２０５】
光酸発生剤の含有量は、特に限定されないが、前記側鎖に脱離性基を有する環状オレフィン系樹脂１００重量部に対して０．０１重量部以上、０．３重量部以下であることが好ましく、特に０．０２重量部以上、０．２重量部以下であることがより好ましい。含有量が下限値未満であると反応性が低下する場合があり、前記上限値を超えると光導波路に着色が生じて光損失が低下する場合がある。
【０２０６】
前記感光性樹脂組成物は、上述した環状オレフィン系樹脂、光酸発生剤、第１モノマーおよび第２モノマー以外に、硬化触媒、酸化防止剤等を含んでいてもよい。
また、上述した感光性樹脂組成物は、コア部９４の形成用の組成物として用いることができる。
【０２０７】
（光導波路の製造方法）
図７、８、９は、それぞれ、光導波路の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
ここでは、成分（Ｂ）が成分（Ａ）の環状オレフィン樹脂よりも屈折率が低いものである場合の感光性樹脂組成物を用いて光導波路を製造する方法を例にして説明する。
【０２０８】
まず、図７（Ａ）に示すように、感光性樹脂組成物を溶媒に溶かしてワニス９００を調製し、このワニス９００をクラッド層９１上に塗布する。
感光性樹脂組成物をワニス状に調製する溶媒としては、たとえば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）などのエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブなどのセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、メシチレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドンなどの芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）などのアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチルなどのエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホランなどの硫黄化合物系溶媒の各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒が挙げられる。
【０２０９】
次に、光導波路９のクラッド層９１上にワニス９００を塗布した後、乾燥させて、溶媒を蒸発（脱溶媒）させる。これにより、図７（Ｂ）に示すように、ワニス９００は、光導波路形成用のフィルム９１０となる。このフィルム９１０は、後述する活性放射線の照射により、コア部９４とクラッド部９５とが形成されたコア層９３となる。
ここで、ワニス９００を塗布する方法としては、たとえば、ドクターブレード法、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法の方法が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。クラッド層９１としては、たとえば、後述するコア部９４よりも屈折率が低いシートが使用され、たとえば、ノルボルネン系樹脂と、エポキシ樹脂とを含むシートが使用される。
【０２１０】
次に、フィルム９１０に対し、選択的に活性放射線（たとえば、紫外線）を照射する。
この際、図８（Ａ）に示すように、フィルム９１０の上方に開口が形成されたマスクＭを配置する。このマスクＭの開口を介して、フィルム９１０に対し、活性放射線を照射する。
用いられる活性放射線としては、例えば、波長２００〜４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものが挙げられる。これにより、光酸発生剤の組成にもよるが、光酸発生剤を比較的容易に活性化させることができる。
【０２１１】
前記マスクＭの構成材料としては、照射する活性放射線により適宜選定される。具体的には、マスクＭの構成材料としては、前記フィルム９１０に照射する活性放射線を遮光し得る材料とされる。このような特性を有するものであれば、マスクＭの材料自体は、公知のいずれのものも使用することができる。
【０２１２】
マスクＭは、予め形成（別途形成）されたもの（例えばプレート状のもの）でも、フィルム９１０上に例えば気相成膜法や塗布法により形成されたものでもよい。
【０２１３】
マスクＭとして好ましいものの例としては、石英ガラスやＰＥＴ基材等で作製されたフォトマスク、ステンシルマスク、気相成膜法（蒸着、スパッタリング等）により形成された金属薄膜等が挙げられるが、これらの中でもフォトマスクやステンシルマスクを用いるのが特に好ましい。微細なパターンを精度良く形成することができるとともに、ハンドリングがし易く、生産性の向上に有利であるからである。
【０２１４】
また、活性放射線の照射量は、特に限定されないが、０．１〜９Ｊ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．２〜６Ｊ／ｃｍ２程度であるのがより好ましく、０．２〜３Ｊ／ｃｍ２程度であるのがさらに好ましい。
なお、レーザー光のように指向性の高い活性放射線を用いる場合には、マスクＭの使用を省略することもできる。
【０２１５】
フィルム９１０のうち、活性放射線が照射された領域では、光酸発生剤から酸が発生することとなる。発生した酸により、成分（Ｂ）が重合する。
活性放射線が照射されていない領域では、光酸発生剤から酸が発生しないため、成分（Ｂ）は重合しない。照射部分では、成分（Ｂ）が重合しポリマーとなるため、成分（Ｂ）量が少なくなる。これに応じて、未照射部分の成分（Ｂ）が照射部分に拡散し、これにより、照射部分と未照射部分とで屈折率差が生じる。
ここで、成分（Ｂ）が、環状オレフィン樹脂よりも屈折率が低い場合には、未照射部分の成分（Ｂ）が照射部分に拡散することで、未照射部分の屈折率が高くなるとともに、照射部分の屈折率は低くなる。
なお、成分（Ｂ）が重合したポリマーと、環状エーテル基を有するモノマーとの屈折率差は、０以上、０．００１以下程度であり、屈折率は略同じであると考えられる。
【０２１６】
このように上述した感光性樹脂組成物を使用した場合には、光酸発生剤から発生する酸により、成分（Ｂ）の重合を開始させることが可能である。
【０２１７】
さらに、本発明に用いられる環状オレフィン樹脂は必ずしも脱離性基を有していなくてもよいが、成分（Ａ）として、脱離性基を有する環状オレフィン樹脂を使用している場合には、以下の作用が生じる。
活性放射線を照射した部分では、光酸発生剤から発生した酸により、環状オレフィン樹脂の脱離性基が脱離することとなる。−Ｓｉ−アリール構造、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造等の脱離性基の場合、離脱により樹脂の屈折率が低下することとなる。そのため、照射部分の屈折率は脱離性基の脱離前に比べてさらに低下することとなる。
【０２１８】
次に、フィルム９１０を加熱する。この加熱工程において、活性放射線を照射した照射部分の成分（Ｂ）がさらに重合する。一方で、この加熱工程において、未照射部分の成分（Ｂ）は揮発することとなる。これにより、未照射部分では、成分（Ｂ）が少なくなり、環状オレフィン樹脂に近い屈折率となる。
このフィルム９１０においては、図８（Ｂ）に示すように、活性放射線が照射された領域がクラッド部９５となり、未照射領域がコア部９４となる。コア部９４における前記成分（Ｂ）由来の構造体濃度と、クラッド部９５における前記成分（Ｂ）由来の構造体濃度とが異なる。具体的には、コア部９４における成分（Ｂ）由来の構造体濃度は、クラッド部９５における成分（Ｂ）由来の構造体濃度より低い。
また、クラッド部９５は、コア部９４よりも屈折率が低くなり、クラッド部９５とコア部９４との屈折率差は、０．０１以上となる。以上のようにして、フィルム９１０には、コア部９４とクラッド部９５とが形成され、コア層９３が得られる。
【０２１９】
この加熱工程における加熱温度は、特に限定されないが、３０〜１８０℃程度であるのが好ましく、４０〜１６０℃程度であるのがより好ましい。
また、加熱時間は、活性放射線を照射した照射部分の成分（Ｂ）の重合反応がほぼ完了するように設定するのが好ましく、具体的には、０．１〜２時間程度であるのが好ましく、０．１〜１時間程度であるのがより好ましい。
【０２２０】
その後、このコア層９３上に、クラッド層９１と同様のフィルムを貼り付ける。このフィルムがクラッド層９２となる。一対のクラッド層９１、９２は、クラッド部９５とは異なる方向から、コア部９４を挟むように配置されることとなる。
なお、クラッド層９２は、フィルム状のものを貼り付けるのではなく、コア層９３上に液状材料を塗布し硬化（固化）させる方法によっても形成することができる。
【０２２１】
クラッド層９１（９２）の形成方法としては、クラッド材を含むワニス（クラッド層形成用材料）を塗布し硬化（固化）させる方法、硬化性を有するモノマー組成物を塗布し硬化（固化）させる方法等、いかなる方法でもよい。
【０２２２】
クラッド層９１（９２）を塗布法で形成する場合、例えば、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられる。
【０２２３】
クラッド層９１（９２）の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（ポリマーアロイ、ポリマーブレンド（混合物）、共重合体、複合体（積層体）など）用いることができる。
【０２２４】
これらのうち、特に耐熱性に優れるという点で、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂、またはそれらを含むもの（主とするもの）を用いるのが好ましく、特に、ノルボルネン系樹脂（ノルボルネン系ポリマー）を主とするものが好ましい。
【０２２５】
ノルボルネン系ポリマーは、耐熱性に優れるため、これをクラッド層９１（９２）の構成材料として使用する光導波路９では、光導波路９に導体層を形成する際、導体層を加工して配線を形成する際、光学素子を実装する等に加熱されたとしても、クラッド層９１（９２）が軟化して、変形するのを防止することができる。
【０２２６】
また、高い疎水性を有するため、吸水による寸法変化等を生じ難いクラッド層９１（９
２）を得ることができる。
【０２２７】
また、ノルボルネン系ポリマーまたはその原料であるノルボルネン系モノマーは、比較
的安価であり、入手が容易であることからも好ましい。
【０２２８】
さらに、クラッド層９１（９２）の材料として、ノルボルネン系ポリマーを主とするも
のを用いると、曲げ等の変形に対する耐性に優れ、繰り返し湾曲変形した場合でも、クラ
ッド層９１、９２とコア層９３との層間剥離が生じ難く、クラッド層９１、９３の内部に
マイクロクラックが発生することも防止される。しかも、コア層９３の構成材料として好
適に用いられる材料と同種となるため、コア層９３との密着性がさらに高いものとなり、
クラッド層９１（９２）とコア層９３との間での層間剥離を防止することができる。この
ようなことから、光導波路９の光伝送性能が維持され、耐久性に優れた光導波路９が得ら
れる。
【０２２９】
クラッド層９１、９２の平均厚さは、コア層９３の平均厚さの０．１〜１．５倍程度であるのが好ましく、０．３〜１．２５倍程度であるのがより好ましく、具体的には、クラッド層９１、９２の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、通常、1〜２００μｍ程度であるのが好ましく、５〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１０〜６０μｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、光導波路９が不要に大型化（圧膜化）するのを防止しつつ、クラッド層としての機能が好適に発揮される。
【０２３０】
以上の工程により、図９に示す光導波路９が得られる。
また、本発明において用いる感光性樹脂組成物により光導波路９を得た場合には、特に半田耐リフロー性に優れる。さらに、光導波路９を曲げた場合であっても光損失を少なくすることができる。
【０２３１】
なお、上記の説明では、クラッド層９１上に直接、感光性樹脂組成物を供給し、フィルム９１０（コア層９３）を形成する場合について説明したが、別の基材上にフィルム９１０（コア層９３）を形成した後、得られたコア層９３をクラッド層９１またはクラッド層９２上に転写し、その後、コア層９３を介してクラッド層９１とクラッド層９２とを重ね合わせるようにしてもよい。
前記基板には、例えば、シリコン基板、二酸化ケイ素基板、ガラス基板、石英基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等が用いられる。
【０２３２】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態において用いる感光性樹脂組成物に光を当てると、光酸発生剤から酸が発生し、照射部分のみにおいて、成分（Ｂ）が重合されることとなる。そうすると、照射部分における成分（Ｂ）の量が少なくなるため、未照射部分の成分（Ｂ）が照射部分に拡散し、これにより、照射部分と未照射部分とで屈折率差が生じる。具体的には、本実施形態では、ベースポリマーとして、成分（Ｂ）よりも屈折率が高い置換または無置換の環状オレフィン樹脂を使用しているため、未照射部分の成分（Ｂ）が照射部分に拡散することで、未照射部分の屈折率が、照射部分の屈折率よりも高くなる。
【０２３３】
これに加え、活性放射線照射後、感光性樹脂組成物の加熱を行うと、未照射部分から成分（Ｂ）が揮発する。これにより、照射部分と未照射部分とでさらに屈折率差が生じる。
このように感光性樹脂組成物を使用することで、照射部分と未照射部分とで確実に屈折率差を形成することができる。また、本発明によれば、単に活性放射線を照射するという簡単な方法でコア部をパターニングすることができる。例えば、フォトマスク等の露光パターンを適宜選択することにより、どのような形状や配置の光路（コア部）でも形成することができ、また、細い光路でもシャープに形成することができるので、回路の集積化に寄与し、デバイスの小型化が図られる。すなわち、本発明によれば、コア部のパターン形状の設計の自由度が広く、しかも寸法精度の高いコア部が得られる。
【０２３４】
なお、従来、オキセタニル基等を有するノルボルネン系樹脂を、熱酸発生剤により架橋させる技術が知られている。しかしながら、このような技術に用いられる組成物は、ベースポリマーとして、オキセタニル基等を有するノルボルネン系樹脂を含有する。そして、組成物全体を加熱させ、組成物全体において架橋構造を生じさせるものである。そのため、従来用いられていたこの組成物には、選択的に活性放射線を照射し、酸を発生させることで、選択的に重合を生じさせ、モノマー濃度が少なくなった領域にモノマーが拡散して、濃度差ができるという技術的思想は全くない。
これに対し、本実施形態において用いる感光性樹脂組成物は、選択的に活性放射線を照射すると、酸の発生により照射部分における成分（Ｂ）の量が少なくなるため、未照射部分の成分（Ｂ）が照射部分に拡散し、これにより、照射部分と未照射部分とで屈折率差が生じることを見出したものである。
【０２３５】
また、環状オレフィン樹脂を、光酸発生剤から発生する酸により脱離し、脱離により、成分（Ａ）の環状オレフィン樹脂の屈折率を低下させる脱離性基を有するものとした場合には、活性放射線を照射した領域の屈折率を、未照射領域に比べ確実に低下させることができる。
一方で、環状オレフィン樹脂を脱離性基を有しないものとした場合には、側鎖が化学的に安定となるため、活性放射線照射や、加熱等の条件により、コア部、クラッド部の屈折率が変動してしまうことを抑制できる。
【０２３６】
さらに、本実施形態では、成分（Ａ）としてノルボルネン系樹脂を使用している。これにより、特定波長における光透過性を確実に高めることができ、伝搬損失の低減を確実に図ることができる。
また、クラッド部９５は、コア部９４よりも屈折率が低く、クラッド部９５とコア部９４との屈折率差を０．０１以上とすることで、確実に光をコア部９４に閉じ込めることができ、光の伝搬損失の発生を抑制できる。
【０２３７】
一方、従来、光導波路形成用の組成物として、ポリマー、モノマー、助触媒および触媒前駆体を含むものが知られている。
このうち、モノマーは、活性放射線の照射により反応物を形成し、活性放射線を照射した領域の屈折率を、未照射領域の屈折率と異ならせ得るものである。
また、触媒前駆体は、モノマーの反応（重合反応、架橋反応等）を開始させ得る物質であり、活性放射線の照射により活性化した助触媒の作用により、活性化温度が変化する物質である。この活性化温度の変化により、活性放射線の照射領域と未照射領域との間で、モノマーの反応を開始させる温度が異なり、その結果、照射領域のみにおいて反応物を形成させることができる。
【０２３８】
これに対し、本実施形態において用いる感光性樹脂組成物は、このような多量の金属元素を含む物質を必要としない。このため、上述したような伝搬損失の増加が防止され、伝搬効率に優れかつ耐熱性に優れた光導波路９が得られる。
このような従来の組成物を用いた場合でも活性放射線照射によりコア部とクラッド部とを作り分けることができるが、本実施形態に用いられる感光性樹脂組成物によれば、コア部９４とクラッド部９５との屈折率差をより拡大するとともに、耐熱性が向上するため、より信頼性の高い光導波路９が得られる。これは主に、成分（Ａ）および成分（Ｂ）の組成を最適化したことによるものである。
【０２３９】
このような感光性樹脂組成物を使用することで、本発明は、光の伝搬損失の発生が抑制された光導波路フィルム等を提供することができる。なかでも、湾曲した光導波路を形成した場合において、光の伝搬損失の発生を顕著に抑制することができる。
【０２４０】
なお、本発明において、光導波路構造体の基本構造、層構成、各部の形状、数、配置等は、図示のものに限定されないことは言うまでもない。
【０２４１】
また、前記各実施形態において、発光素子１０を有する例について説明したが、発光素子１０および受光素子のいずれか一方を有するものでもよい。もちろん、発光素子と受光素子の双方を１組または２組以上搭載するものでもよい。また、電子回路素子（電子回路部）は、省略されていてもよい。
【０２４２】
以上、本発明を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意の構成と置換することができ、また、任意の構成が付加されていてもよい。
【実施例】
【０２４３】
次に、本発明の実施例について説明する。
【０２４４】
Ａ．光導波路の製造
（実施例１）
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
水分および酸素濃度がいずれも１ｐｐｍ以下に制御され、乾燥窒素で充満されたグローブボックス中において、ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）７．２ｇ（４０．１ｍｍｏｌ）、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン１２．９ｇ（４０．１ｍｍｏｌ）を５００ｍＬバイアル瓶に計量し、脱水トルエン６０ｇと酢酸エチル１１ｇを加え、シリコン製のシーラーを被せて上部を密栓した。
次に、１００ｍＬバイアルビン中に下記化学式（Ｂ）で表わされるＮｉ触媒１．５６ｇ（３．２ｍｍｏｌ）と脱水トルエン１０ｍＬを計量し、スターラーチップを入れて密栓し、触媒を十分に撹拌して完全に溶解させた。
この下記化学式（Ｂ）で表わされるＮｉ触媒溶液１ｍＬをシリンジで正確に計量し、上記２種のノルボルネンを溶解させたバイアル瓶中に定量的に注入し室温で１時間撹拌したところ、著しい粘度上昇が確認された。この時点で栓を抜き、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６０ｇを加えて撹拌を行い、反応溶液を得た。
１００ｍＬビーカーに無水酢酸９．５ｇ、過酸化水素水１８ｇ（濃度３０％）、イオン交換水３０ｇを加えて撹拌し、その場で過酢酸水溶液を調製した。次にこの水溶液全量を上記反応溶液に加えて１２時間撹拌してＮｉの還元処理を行った。
次に、処理の完了した反応溶液を分液ロートに移し替え、下部の水層を除去した後、イソプロピルアルコールの３０％水溶液を１００ｍＬ加えて激しく撹拌を行った。静置して完全に二層分離が行われた後で水層を除去した。この水洗プロセスを合計で３回繰り返した後、油層を大過剰のアセトン中に滴下して生成したポリマーを再沈殿させ、ろ過によりろ液と分別した後、６０℃に設定した真空乾燥機中で１２時間加熱乾燥を行うことにより、ポリマー＃１を得た。ポリマー＃１の分子量分布は、ＧＰＣ測定により、Ｍｗ＝１０万、Ｍｎ＝４万であった。また、ポリマー＃１中の各構造単位のモル比は、ＮＭＲによる同定により、ヘキシルルボルネン構造単位が５０ｍｏｌ％、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン構造単位が５０ｍｏｌ％であった。また屈折率はメトリコンにより１．５５（測定波長；６３３ｎｍ）であった。
【０２４５】
【化３７】
2011221232.tif 000039
【０２４６】
【化３８】
2011221232.tif 000040
【０２４７】
（２）感光性樹脂組成物の製造
精製した上記ポリマー＃１  １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式２０（式１００）で示した第１モノマー、東亜合成製  ＣＨＯＸ、ＣＡＳ＃４８３３０３−２５−９、分子量１８６、沸点１２５℃／１．３３ｋＰａ）２ｇ、光酸発生剤  ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ  ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃  １７８２３３−７２−２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ１を得た。
【０２４８】
（３）光導波路フィルムの製造
（下側クラッド層の作製）
シリコンウエハ上に感光性ノルボルネン樹脂組成物（プロメラス社製  Ａｖａｔｒｅｌ２０００Ｐワニス）をドクターブレードにより均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、塗布された全面に紫外線を１００ｍJ照射し、乾燥機中１２０℃で１時間加熱して、塗膜を硬化させて、下側クラッド層を形成させた。形成された下側クラッド層は、厚みが２０μｍであり、無色透明であり、屈折率は１．５２（測定波長；６３３ｎｍ）であった。
【０２４９】
（コア層の形成）
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ１をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
【０２５０】
（上側クラッド層の形成）
ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）フィルム上に、予め乾燥厚み２０μｍになるようにＡｖａｔｒｅｌ２０００Ｐを積層させたドライフィルムを、上記コア層に貼り合わせ、１４０℃に設定された真空ラミネーターに投入して熱圧着を行った。その後、紫外線を１００ｍＪ全面照射し乾燥機中１２０℃で１時間加熱して、Ａｖａｔｒｅｌ２０００Ｐを硬化させて、上側クラッド層を形成させ、光導波路を得た。このとき、上側クラッド層は、無色透明であり、その屈折率は１．５２であった。
【０２５１】
（４）評価
（光導波路の損失評価）
８５０ｎｍＶＣＳＥＬ（面発光レーザー）より発せられた光を５０μｍφの光ファイバーを経由して上記光導波路に導入し、２００μｍφの光ファイバーで受光を行って光の強度を測定した。なお、測定にはカットバック法を採用した。光導波路の長手方向を横軸にとり、挿入損失を縦軸にプロットしていったところ、測定値はきれいに直線上に並び、その傾きから伝搬損失は０．０３ｄＢ／ｃｍと算出することができた。
【０２５２】
（コア部とクラッド部との屈折率差）
上記（コア層の形成）で形成した、水平方向に隣接する左右のコア部−クラッド部間の屈折率差は、次のように求めた。
カナダ国  EXFO社製 Optical waveguide analyzer OWA-9500により波長６５６ｎｍのレーザー光を光導波路に照射し、コア領域およびクラッド領域の屈折率をそれぞれ実測して、それらの差を算出した。その結果、屈折率差は０．０２であった。
【０２５３】
（実施例２）
（１）脱離性基を有しないノルボルネン系樹脂の合成
水分および酸素濃度がいずれも１ｐｐｍ以下に制御され、乾燥窒素で充満されたグローブボックス中において、ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）９．４ｇ（５３．１ｍｍｏｌ）、フェニルエチルノルボルネン１０．５ｇ（５３．１ｍｍｏｌ）を５００ｍＬバイアル瓶に計量し、脱水トルエン６０ｇと酢酸エチル１１ｇを加え、シリコン製のシーラーを被せて上部を密栓した。
次に、１００ｍＬバイアルビン中に上記化学式（Ｂ）で表わされるＮｉ触媒２．０６ｇ（３．２ｍｍｏｌ）と脱水トルエン１０ｍＬを計量し、スターラーチップを入れて密栓し、触媒を十分に撹拌して完全に溶解させた。
上記化学式（Ｂ）で表わされるＮｉ触媒溶液１ｍＬをシリンジで正確に計量し、上記２種のノルボルネンを溶解させたバイアル瓶中に定量的に注入し室温で１時間撹拌したところ、著しい粘度上昇が確認された。この時点で栓を抜き、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６０ｇを加えて撹拌を行い、反応溶液を得た。
１００ｍＬビーカーに無水酢酸９．５ｇ、過酸化水素水１８ｇ（濃度３０％）、イオン交換水３０ｇを加えて撹拌し、その場で過酢酸水溶液を調製した。次にこの水溶液全量を上記反応溶液に加えて１２時間撹拌してＮｉの還元処理を行った。
次に、処理の完了した反応溶液を分液ロートに移し替え、下部の水層を除去した後、イソプロピルアルコールの３０％水溶液を１００ｍＬ加えて激しく撹拌を行った。静置して完全に二層分離が行われた後で水層を除去した。この水洗プロセスを合計で３回繰り返した後、油層を大過剰のアセトン中に滴下して生成したポリマーを再沈殿させ、ろ過によりろ液と分別した後、６０℃に設定した真空乾燥機中で１２時間加熱乾燥を行うことにより、ポリマー＃２を得た。ポリマー＃２の分子量分布は、ＧＰＣ測定により、Ｍｗ＝９万、Ｍｎ＝４万であった。また、ポリマー＃２中の各構造単位のモル比は、ＮＭＲによる同定により、ヘキシルルボルネン構造単位が５０ｍｏｌ％、フェニルエチルノルボルネン構造単位が５０ｍｏｌ％であった。また屈折率はメトリコンにより１．５４（測定波長；６３３ｎｍ）であった。
【０２５４】
【化３９】
2011221232.tif 000041
【０２５５】
（２）感光性樹脂組成物の製造
精製した上記ポリマー＃２  １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式２０で示したもの、東亜合成製  ＣＨＯＸ、ＣＡＳ＃４８３３０３−２５−９、分子量１８６、沸点１２５℃／１．３３ｋＰａ）２ｇ、光酸発生剤  ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ  ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃  １７８２３３−７２−２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ２を得た。
【０２５６】
（３）光導波路フィルムの製造
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
【０２５７】
（コア層の形成）
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ２をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
【０２５８】
（上側クラッド層の形成）
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した
【０２５９】
（４）評価
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０４ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０１であった。
【０２６０】
（実施例３）
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
実施例１と同様の方法でノルボルネン系樹脂を作製した。
【０２６１】
（２）感光性樹脂組成物の製造
精製した上記ポリマー＃１  １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、２官能オキセタンモノマー（式（１５）で示したもの、東亜合成製、ＤＯＸ、ＣＡＳ＃１８９３４−００−４、分子量２１４、沸点１１９℃／０．６７ｋＰａ）２ｇ、光酸発生剤  ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ  ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃  １７８２３３−７２−２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ３を得た。
【０２６２】
（３）光導波路フィルムの製造
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
【０２６３】
（コア層の形成）
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ３をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
【０２６４】
（上側クラッド層の形成）
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した。
【０２６５】
（４）評価
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０４ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０１であった。
【０２６６】
（実施例４）
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
実施例１と同様の方法でノルボルネン系樹脂を作製した。
【０２６７】
（２）感光性樹脂組成物の製造
精製した上記ポリマー＃１  １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、脂環式エポキシモノマー（式（３７）で示したもの、ダイセル化学製、セロキサイド２０２１Ｐ、ＣＡＳ＃２３８６−８７−０、分子量２５２、沸点１８８℃／４ｈＰａ）２ｇ、光酸発生剤  ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ  ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃  １７８２３３−７２−２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ４を得た。
【０２６８】
（３）光導波路フィルムの製造
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
【０２６９】
（コア層の形成）
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ４をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
【０２７０】
（上側クラッド層の形成）
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した。
【０２７１】
（４）評価
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０４ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０１であった。
【０２７２】
（実施例５）
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
実施例１と同様の方法でノルボルネン系樹脂を作製した。
【０２７３】
（２）感光性樹脂組成物の製造
精製した上記ポリマー＃１  １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式２０で示したもの、東亜合成製  ＣＨＯＸ）１ｇ、脂環式エポキシモノマー（ダイセル化学製、セロキサイド２０２１Ｐ）  １ｇ、光酸発生剤  ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ  ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃  １７８２３３−７２−２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ５を得た。
【０２７４】
（３）光導波路フィルムの製造
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
【０２７５】
（コア層の形成）
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ５をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
【０２７６】
（上側クラッド層の形成）
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した。
【０２７７】
（４）評価
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０３ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０１であった。
【０２７８】
（実施例６）
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
実施例１と同様の方法でノルボルネン系樹脂を作製した。
【０２７９】
（２）感光性樹脂組成物の製造
精製した上記ポリマー＃１  １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式２０で示したもの、東亜合成製  ＣＨＯＸ）１．５ｇ、光酸発生剤  ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ  ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃  １７８２３３−７２−２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ６を得た。
【０２８０】
（３）光導波路フィルムの製造
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
【０２８１】
（コア層の形成）
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ６をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
【０２８２】
（上側クラッド層の形成）
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した。
【０２８３】
（４）評価
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０３ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０１であった。
【０２８４】
（実施例７）
（１）脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成
水分および酸素濃度がいずれも１ｐｐｍ以下に制御され、乾燥窒素で充満されたグローブボックス中において、ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）６．４ｇ（３６．１ｍｍｏｌ）、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン（ｄｉＰｈＮＢ）８．７ｇ（２７．１ｍｍｏｌ）、エポキシノルボルネン（ＥｐＮＢ）４．９ｇ（２７．１ｍｍｏｌ）を５００ｍＬバイアル瓶に計量し、脱水トルエン６０ｇと酢酸エチル１１ｇを加え、シリコン製のシーラーを被せて上部を密栓した。
次に、１００ｍＬバイアルビン中に上記化学式（Ｂ）で表わされるＮｉ触媒１．７５ｇ（３．２ｍｍｏｌ）と脱水トルエン１０ｍＬを計量し、スターラーチップを入れて密栓し、触媒を十分に撹拌して完全に溶解させた。
この上記化学式（Ｂ）で表わされるＮｉ触媒溶液１ｍＬをシリンジで正確に計量し、上記３種のノルボルネンを溶解させたバイアル瓶中に定量的に注入し室温で１時間撹拌したところ、著しい粘度上昇が確認された。この時点で栓を抜き、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６０ｇを加えて撹拌を行い、反応溶液を得た。
１００ｍＬビーカーに無水酢酸９．５ｇ、過酸化水素水１８ｇ（濃度３０％）、イオン交換水３０ｇを加えて撹拌し、その場で過酢酸水溶液を調製した。次にこの水溶液全量を上記反応溶液に加えて１２時間撹拌してＮｉの還元処理を行った。
次に、処理の完了した反応溶液を分液ロートに移し替え、下部の水層を除去した後、イソプロピルアルコールイソプロピルアルコールの３０％水溶液を１００ｍＬ加えて激しく撹拌を行った。静置して完全に二層分離が行われた後で水層を除去した。この水洗プロセスを合計で３回繰り返した後、油層を大過剰のアセトン中に滴下して生成したポリマーを再沈殿させ、ろ過によりろ液と分別した後、６０℃に設定した真空乾燥機中で１２時間加熱乾燥を行うことにより、ポリマー＃３を得た。ポリマー＃３の分子量分布は、ＧＰＣ測定により、Ｍｗ＝８万、Ｍｎ＝４万であった。また、ポリマー＃３中の各構造単位のモル比は、ＮＭＲによる同定により、ヘキシルルボルネン構造単位が４０ｍｏｌ％、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン構造単位が３０ｍｏｌ％、エポキシノルボルネン構造単位が３０ｍｏｌ％であった。また屈折率はメトリコンにより１．５３（測定波長；６３３ｎｍ）であった。
【０２８５】
【化４０】
2011221232.tif 000042
【０２８６】
（２）感光性樹脂組成物の製造
精製した上記ポリマー＃３  １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式２０で示したもの、東亜合成製  ＣＨＯＸ）１．０ｇ、光酸発生剤  ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ  ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃  １７８２３３−７２−２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスＶ７を得た。
【０２８７】
（３）光導波路フィルムの製造
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
【０２８８】
（コア層の形成）
上記下側クラッド層上に感光性樹脂組成物ワニスＶ７をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
【０２８９】
（上側クラッド層の形成）
実施例１と同様の上層クラッドを作製した。
【０２９０】
（４）評価
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０４ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．０２であった。
【０２９１】
以上、実施例１〜７で得られた光導波路フィルムの評価結果を表１に示す。
【０２９２】
【表１】
2011221232.tif 000043
【０２９３】
実施例１〜７では、感光性樹脂組成物に光を当てると、光酸発生剤から、酸が発生し、照射部分のみにおいて、環状エーテル基を有するモノマーが重合する。そして、照射部分における未反応モノマー量が少なくなるため、照射部分／未照射部分間で生じた濃度勾配を解消するために未照射部分のモノマーが照射部分に拡散する。
また、光照射後、加熱を行うと、未照射部分からモノマーが揮発する。
以上より、コア部とクラッド部との間でモノマー由来の構造体濃度が異なり、クラッド部では、環状エーテル基を有するモノマー由来の構造体が多くなり、コア部では、環状エーテル基を有するモノマー由来の構造体が少なくなる。このことは、コア部とクラッド部との間で０．０１以上の比較的大きな屈折率差が生じることから認められる。
なお、実施例１〜７では、直線状の光導波路を形成したが、曲線状（曲率半径１０ｍｍ程度）の光導波路を形成した場合には、光損失が少ないことが顕著になる。
さらには、実施例１〜７で得られた光導波路フィルムは、耐熱性が高く、２６０℃の耐リフロー性を有している。
【０２９４】
（実施例８）
（１）脱離性基を有するノルボルネン樹脂の合成
脱離性基を有するノルボルネン系樹脂の合成において、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン１２．９ｇ（４０．１ｍｍｏｌ）に代えて、フェニルジメチルノルボルネンメトキシシラン１０．４ｇ（４０．１ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にした。得られた側鎖に脱離性基を有するノルボルネン系樹脂Ｂ（式１０３）の分子量は、ＧＰＣ測定により、Ｍｗ＝１１万、Ｍｎ＝５万であった。また、各構造単位のモル比は、ＮＭＲによる同定により、ヘキシルノルボルネン構造単位が５０ｍｏｌ％、フェニルジメチルノルボルネンメトキシシラン構造単位が５０ｍｏｌ％であった。また屈折率はメトリコンにより１．５３（測定波長；６３３ｎｍ）であった。
【０２９５】
（２）感光性樹脂組成物の製造
ポリマー＃１に変えて、ノルボルネン系樹脂Ｂを使用した点以外は、実施例１と同様に感光性樹脂組成物を得た。
【０２９６】
（３）光導波路フィルムの製造
ノルボルネン系樹脂Ｂを含む上記感光性樹脂組成物を使用した点以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを得た。
実施例１と同様に、光導波路の損失評価を行ったところ、得られた光導波路フィルムの伝搬損失は０．０３ｄＢ／ｃｍであった。
【０２９７】
【化４１】
2011221232.tif 000044
【０２９８】
（実施例９）
（１）感光性樹脂組成物として以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
実施例１で得られたノルボルネン系樹脂１０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルオキセタンモノマー（式（１００）で示した第１モノマー、東亜合成製  ＣＨＯＸ、ＣＡＳ＃４８３３０３−２５−９、分子量１８６、沸点１２５℃／１．３３ｋＰａ）１ｇ、２官能オキセタンモノマー（式（１０４）で示した第２モノマー、東亜合成製、ＤＯＸ、ＣＡＳ＃１８９３４−００−４、分子量２１４、沸点１１９℃／０．６７ｋＰａ）１ｇ、光酸発生剤  ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ  ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃  １７８２３３−７２−２）（１．３６Ｅ−２ｇ、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄なコア層用の感光性樹脂組成物ワニスを調製した。
【０２９９】
（２）光導波路フィルムの製造
上記（１）の感光性樹脂組成物を使用した点以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを得た。
実施例１と同様に、光導波路の損失評価を行ったところ、得られた光導波路フィルムの伝搬損失は０．０４ｄＢ／ｃｍであった。
【０３００】
【化４２】
2011221232.tif 000045
【０３０１】
（実施例１０）
環状オレフィンとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
（１）ノルボルネン系樹脂Ｃの合成
公知の手法（例えば特開２００３−２５２９６３号公報）を用いてフェニルエチルノルボルネン（ＰＥＮＢ）モノマーの開環メタセシス重合を行い、下記式（１０５）で表されるノルボルネン系樹脂Ｃを得た。
【０３０２】
（２）感光性樹脂組成物製造
ポリマー＃１に変えて、ノルボルネン系樹脂Ｃを使用した点以外は、実施例１と同様に感光性樹脂組成物を得た。
【０３０３】
（３）光導波路フィルムの製造
ノルボルネン系樹脂Ｃを含む上記感光性樹脂組成物を使用した点以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを得た。
実施例１と同様に、光導波路の損失評価を行ったところ、得られた光導波路フィルムの伝搬損失は０．０５ｄＢ／ｃｍであった。
【０３０４】
【化４３】
2011221232.tif 000046
【０３０５】
（実施例１１）
第１モノマーの配合量を０．５ｇにした以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを作製した。
なお、得られた光導波路フィルムの伝搬損失は、０．１ｄＢ／ｃｍであった。
【０３０６】
（実施例１２）
第１モノマーの配合量を４．０ｇに以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを作製した。
なお、得られた光導波路フィルムの伝搬損失は、０．１ｄＢ／ｃｍであった。
【０３０７】
（比較例１）
第１モノマーを用いなかった以外は、実施例１と同様にして、光導波路フィルムを作製した。
なお、得られた光導波路フィルムの伝搬損失は、０．９０ｄＢ／ｃｍであった。
【０３０８】
（比較例２）
（１）各成分の合成
＜触媒前駆体：Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２の合成＞
漏斗を装備した２口丸底フラスコで、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（５．００ｇ、２２．３ｍｍｏｌ）とＣＨ２Ｃｌ２（３０ｍＬ）からなる赤茶色懸濁液を−７８℃で攪拌した。
漏斗に、Ｐ（Ｃｙ）３（１３．１２ｍＬ（４４．６ｍｍｏｌ））のＣＨ２Ｃｌ２溶液（３０ｍＬ）を入れ、そして、１５分かけて上記攪拌懸濁液に滴下した。その結果、徐々に赤褐色から黄色に変化した。
−７８℃で１時間攪拌した後、懸濁液を室温に温め、さらに２時間攪拌して、ヘキサン（２０ｍＬ）で希釈した。
次に、この黄色の固体を空気中でろ過し、ペンタンで洗浄し（５×１０ｍＬ）、真空乾燥させた。
２次収集物は、ろ液を０℃に冷却して分離し、上記と同様に洗浄して乾燥させた。これにより、触媒前駆体を得た。
【０３０９】
（２）感光性樹脂組成物の製造
精製した上記ポリマー＃１  １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（ＳｉＸ）２．４ｇ、上記触媒前駆体（2.6E-2g）、光酸発生剤  ＲｈｏｄｏｒｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ  ２０７４（Ｒｈｏｄｉａ社製、ＣＡＳ＃  １７８２３３−７２−２）（1.36E-2g、酢酸エチル０．１ｍＬ中）を加え均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な感光性樹脂組成物ワニスを得た。
【０３１０】
（３）光導波路フィルムの製造
（下側クラッド層の作製）
実施例１と同様の下側クラッド層を作製した。
【０３１１】
（コア層の形成）
上記下側クラッド層上に調製したワニスをドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、導波路パターンが現れているのが確認された。また、コア部およびクラッド部の形成が確認された。
【０３１２】
（上側クラッド層の形成）
実施例１と同様の上側クラッド層を作製した
【０３１３】
（４）評価
実施例１と同じ方法により、評価を行った。伝搬損失は０．０５ｄＢ／ｃｍと算出することができた。コア部とクラッド部の屈折率差は０．００５であった。
【０３１４】
Ｂ．光導波路の評価
各実施例および比較例で得られた光導波路について、以下の評価を行った。評価項目を内容とともに示す。得られた結果を表２に示す。
【０３１５】
１．光損失
８５０ｎｍＶＣＳＥＬ（面発光レーザー）より発せられた光を５０μｍφの光ファイバーを経由して上記光導波路に導入し、２００μｍφの光ファイバーで受光を行って光の強度を測定した。なお、測定にはカットバック法を採用し、導波路長を横軸、挿入損失を縦軸にプロットしていったところ、測定値はきれいに直線上に並び、その傾きから伝搬損失を算出した。
【０３１６】
２．耐熱性
上記光導波路を高温高湿槽（８５℃、８５％ＲＨ）に投入し、湿熱処理５００時間後の伝搬損失を評価した。また、リフロー処理（Ｎ２雰囲気下、最大温度２６０℃／６０秒）による伝搬損失の劣化の有無も並行して確認した。
なお、ここでの伝搬損失の測定は、１の光損失の測定方法と同じである。
【０３１７】
３．光導波路の曲げ損失
１０ｍｍの曲率半径を有する光導波路フィルムの光強度の曲げ損失を評価した。８５０ｎｍＶＣＳＥＬ（面発光レーザー）より発せられた光を５０μｍφの光ファイバーを経由して上記光導波路フィルムの端面に導入し、２００μｍφの光ファイバーで他端から受光を行って光の強度を測定した（下記式参照）。長さの等しい光導波路フィルムを曲げたときに生じる損失の増分を「曲げ損失」と定義し、図１０に示すように、光導波路フィルムを曲線状にした場合の挿入損失と光導波路フィルムを直線状にした場合の挿入損失との差で「曲げ損失」を表した。
挿入損失［ｄＢ］＝  −１０ｌｏｇ（出射光強度／入射光強度）
曲げ損失＝（曲線での挿入損失）−（直線での挿入損失）
【０３１８】
【表２】
2011221232.tif 000047
【０３１９】
表２から明らかなように実施例１，８−１２は、光損失が低く、光導波路の性能が優れていることが示された。
また、実施例１，８−１２は、高温高湿処理後およびリフロー処理後の光損失も小さく、耐熱性にも優れていることが示された。
また、特に実施例１，８，９，１０は、曲げ損失も小さく、光導波路を屈曲させて用いても十分な性能を発揮することが示唆された。
【０３２０】
さらに、各実施例および比較例で得られた光導波路フィルムを用いて、前記第１実施形態にかかる光導波路構造体を作製したところ、各実施例で得られた光導波路フィルムを用いた光導波路構造体は、それぞれ、各比較例で得られた光導波路フィルムを用いた光導波路構造体に比べて、伝送損失の低いものが得られた。
【符号の説明】
【０３２１】
１          光導波路構造体
２          基板
２４        透光部
２５        貫通孔
２６        レンズ部
３          凹部
３０        底面（下面）
３１        当て付け面（Ｘ方向規制）
３２        当て付け面（Ｙ方向規制）
３３        位置決め手段（発光素子用）
４          凹部
４０        底面（下面）
４１        当て付け面（Ｘ方向規制）
４２        当て付け面（Ｙ方向規制）
４３        位置決め手段（電子回路素子用）
５          導体層
５１、５２、５３  部位
６          位置決め部材（板材）
６１、６２  当て付け面
７          接着層
９          光導波路
９１        クラッド層
９２        クラッド層
９３        コア層
９４        コア部
９５        クラッド部
９６        光路変換部
９６１      反射面
１０        発光素子
１０１      発光部
１０３、１０５  端子
１２        電子回路素子（半導体素子）
１２３、１２５  端子
１８        伝送光
９００      ワニス（コア層形成用材料）
９１０      フィルム
Ｍ          マスク
【図１】
2011221232.tif 000051
【図２】
2011221232.tif 000052
【図３】
2011221232.tif 000053
【図４】
2011221232.tif 000054
【図５】
2011221232.tif 000055
【図６】
2011221232.tif 000056
【図７】
2011221232.tif 000057
【図８】
2011221232.tif 000058
【図９】
2011221232.tif 000059
【図１０】
2011221232.tif 000060