【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４５６８８２８号発明「アモルファス酸化物薄膜」の特許無効審判事件について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
　審判費用は，請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第４５６８８２８号についての手続の経緯の概要は，以下のとおりである。
　原出願（特願２００６−５１０９０７号）
　　　原出願日　　　　　　　　　　平成１７年　２月２８日
　　　新規性喪失の例外適用申請書　平成１８年　８月２２日
　　国内優先（特願２００４−７１４７７号）
　　　優先日　　　　　　　　　　　平成１６年　３月１２日
　　国内優先（特願２００４−３２５９３８号）
　　　優先日　　　　　　　　　　　平成１６年１１月１０日
　　国際出願（ＰＣＴ／ＪＰ２００５／３２７３号）
　　　国際出願日　　　　　　　　　平成１７年　２月２８日
　特許出願（特願２０１０−６８７０８号）
　　出願日　　　　　　　　　　　　　　平成２２年　３月２４日
　　出願審査請求書　　　　　　　　　　平成２２年　３月２５日
　　手続補正書　　　　　　　　　　　　平成２２年　３月３０日
　　早期審査に関する事情説明書　　　　平成２２年　４月１３日
　　上申書　　　　　　　　　　　　　　平成２２年　４月１９日
　　面接記録　　　　　　　　　　　　　平成２２年　５月１９日
　　拒絶理由通知書（発送日）　　　　　平成２２年　５月２５日
　　手続補正書・意見書　　　　　　　　平成２２年　６月２１日
　　特許査定（発送日）　　　　　　　　平成２２年　７月１３日
　　登録日　　　　　　　　　　　　　　平成２２年　８月２０日
　　無効審判請求　　　　　　　　　　　平成２６年　８月２８日
　　被請求人：答弁書　　　　　　　　　平成２６年１１月２０日
　　審理事項通知書（発送日）　　　　　平成２６年１２月２５日
　　請求人：口頭審理陳述要領書　　　　平成２７年　２月　９日
　　被請求人：口頭審理陳述要領書　　　平成２７年　２月　９日
　　被請求人：上申書　　　　　　　　　平成２７年　２月１７日付（平成２７年２月１８日受付日）
　　被請求人：口頭審理陳述要領書（２）平成２７年　２月２０日
　　口頭審理　　　　　　　　　　　　　平成２７年　２月２３日
　　請求人：上申書　　　　　　　　　　平成２７年　２月２６日
　　被請求人：上申書　　　　　　　　　平成２７年　３月１３日（受付日）
　　請求人：上申書（２）　　　　　　　平成２７年　３月１３日
第２　本件発明
　本件特許４５６８８２８号の請求項１−６に係る発明（以下「本件特許発明１」−「本件特許発明６」という。）は，特許請求の範囲の請求項１−６に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
スパッタ法，パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）であり，不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜。
【請求項２】
チャネル層，ゲート絶縁膜，ゲート電極，ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであって，請求項１に記載の透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜をチャネル層としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
スパッタ法，パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（Ｚｎ1-xＭｇxＯ）m（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）であり，不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜。
【請求項４】
チャネル層，ゲート絶縁膜，ゲート電極，ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであって，請求項３に記載の透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜をチャネル層としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
ゲート絶縁膜として，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，又はＨｆＯ2のうちの１種，またはそれらの化合物を少なくとも２種以上含む混晶化合物を用いたことを特徴とする請求項２又は４記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
基板として，ガラス基板，プラスチック基板またはプラスチックフィルムを用いたことを特徴とする請求項２又は４記載の薄膜トランジスタ。」
　
第３　請求人の主張
１　これに対して，請求人は，「特許第４５６８８２８号の請求項１〜６に係る発明についての特許を無効にする。審判費用は，被請求人の負担とする。」との審決を求め，証拠方法として，審判請求書に添付して，以下の甲第１号証−甲第２２号証を提出している。
　また，請求人は，平成２７年２月２３日の口頭審理で，上記審判請求書，及び，平成２７年２月９日付け口頭審理陳述要領書のうち，３１ページ１０行から３２ページ１８行まで及び３７ページ４行から１９行まで，ならびに添付した参考資料４及び参考資料５を除いて陳述した。
　さらに，請求人は，平成２７年２月２６日付け，及び，平成２７年３月１３日付けで，上申書を提出した。
　
・甲第１号証：特開平５−２５１７０５号公報
・甲第２号証：国際公開第０３／０９８６９９号
・甲第３号証：特表平１１−５０５３７７号公報
・甲第４号証：特開２０００−４４２３６号公報
・甲第５号証：特開２００２−２８９８５９号公報
・甲第６号証：透明導電膜の技術　日本学術振興会　透明酸化物光・電子材料第１６６委員会，平成１２年４月２５日第１版第２刷発行，ｐｐ．７８−８１，ｐｐ．１４８−１５５
・甲第７号証：Ｍ．ＯＲＩＴＡ　ｅｔ．ａｌ．，”Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｏｘｉｄｅ　ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４）：ａ　Ｚｎ４ｓ　ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ”，ＰＨＩＬＯＳＯＰＨＩＣＡＬ ＭＡＧＡＺＩＮＥ　Ｂ，２００１，ＶＯＬ．８１， Ｎｏ．５，ｐｐ．５０１−５１５
・甲第８号証：２０００年春季第４７回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集，第２分冊，５７７ページ，２８ａ−ＺＢ−１
・甲第９号証：Ｓａｔｏｒｕ　Ｎａｒｕｓｈｉｍａ　ｅｔ．ａｌ．，”Ａ　ｐ−Ｔｙｐｅ　Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ａｎｄ　Ｒｏｏｍ　Ｔｅｍｐｅｒｔｕｒｅ　Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　Ｏｘｉｄｅ　ｐ−ｎ　Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ　Ｄｉｏｄｅｓ”，Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００３，１５，Ｎｏ．１７，Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ　３，ｐｐ．１４０９−１４１３
・甲第１０号証：Ｋｅｎｊｉ　Ｎｏｍｕｒａ　ｅｔ．ａｌ．，”Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ　ｉｎ　Ｓｉｎｇｌｅ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ”，Ｓｃｉｅｎｃｅ　３００，１２６９（２００３），ｐｐ．１２６９−１２７２
・甲第１１号証：国際公開第０３／０４０４４１号
・甲第１２号証：特開平８−２４５２２０号公報
・甲第１３号証：特開昭６３−２３９１１７号公報
・甲第１４号証：特表２００７−５２９１１９号公報（特願２００７−５０２８４８号の公表特許公報）
・甲第１５号証：特願２００７−５０２８４８号，平成２２年６月２日付け拒絶理由通知書
・甲第１６号証：特願２００７−５０２８４８号，平成２２年１２月８日付け手続補正書
・甲第１７号証：特願２００７−５０２８４８号，平成２３年９月１２日付け拒絶査定
・甲第１８号証：特願２００７−５０２８４８号，平成２４年１月２０日付け審判請求書
・甲第１９号証：特願２００７−５０２８４８号，平成２４年１月２０日付け手続補正書
・甲第２０号証：不服２０１２−１１２０号（特願２００７−５０２８４８号），平成２５年１月２８日付け拒絶理由通知書
・甲第２１号証：不服２０１２−１１２０号（特願２００７−５０２８４８号），平成２５年７月２９日付け手続補正書
・甲第２２号証：不服２０１２−１１２０号（特願２００７−５０２８４８号），平成２５年９月２０日付け審決
　なお，被請求人は，甲第１号証ないし甲第２２号証の成立を認めている。
２　そして，請求人が，審判請求書，口頭審理において主張したことを整理すると，無効理由１−６について，概ね次のように主張しているものと認められる。
　
（１）無効理由１：無効理由１（特許法第２９条第２項）の概要
　下記ア−カのとおり，本件特許の請求項１−６に係る発明は，その優先日前に日本国内又は外国において頒布された甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって，本件特許の請求項１−６に係る発明は，特許法第１２３条第１項第２号に該当し，無効とすべきものである。
ア　請求項１に係る発明は，甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
イ　請求項２に係る発明は，甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
ウ　請求項３に係る発明は，甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
エ　請求項４に係る発明は，甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
オ　請求項５に係る発明は，甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
カ　請求項６に係る発明は，甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（２）無効理由２：無効理由２（特許法第２９条第２項）の概要
　下記ア−カのとおり，本件特許の請求項１−６に係る発明は，その優先日前に日本国内又は外国において頒布された甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって，本件特許の請求項１−６に係る発明は，特許法第１２３条第１項第２号に該当し，無効とすべきものである。
ア　請求項１に係る発明は，甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
イ　請求項２に係る発明は，甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
ウ　請求項３に係る発明は，甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
エ　請求項４に係る発明は，甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
オ　請求項５に係る発明は，甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
カ　請求項６に係る発明は，甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）無効理由３：無効理由３（特許法第２９条第２項）の概要
　下記ア−カのとおり，本件特許の請求項１−６に係る発明は，その優先日前に日本国内又は外国において頒布された甲第１号証，甲第２号証，甲第３号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって，本件特許の請求項１−６に係る発明は，特許法第１２３条第１項第２号に該当し，無効とすべきものである。
ア　請求項１に係る発明は，甲第１号証，甲第３号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
イ　請求項２に係る発明は，甲第１号証，甲第３号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
ウ　請求項３に係る発明は，甲第１号証，甲第３号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
エ　請求項４に係る発明は，甲第１号証，甲第３号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
オ　請求項５に係る発明は，甲第１号証，甲第２号証，甲第３号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
カ　請求項６に係る発明は，甲第１号証，甲第３号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（４）無効理由４：無効理由４（特許法第２９条第２項）の概要
　下記アのとおり，本件特許の請求項１に係る発明は，その優先日前に日本国内又は外国において頒布された甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって，本件特許の請求項１に係る発明は，特許法第１２３条第１項第２号に該当し，無効とすべきものである。
ア　請求項１に係る発明は，甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）無効理由５：無効理由５（特許法第３６条第４項第１号）の概要
　本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載が本件特許の請求項１，２，５，６に係る発明についての実施可能要件を満たしていないから，本件特許の請求項１，２，５，６に係る発明についての特許は，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり，特許法第１２３号第１項第４号の規定に該当し，無効とすべきものである。
　
第４　被請求人の主張
　被請求人は，平成２６年１１月２０日付けの答弁書によれば，「本件審判の請求は成り立たない　審判費用は請求人の負担とする」との審決を求め，上記答弁書によれば，無効理由１−６に理由はないと主張している。
　また，被請求人は，答弁書に添付して，以下の乙第１号証−乙第３号証を提出している。
　
・乙第１号証　「Ｎａｔｕｒｅ」〈Ｖｏｌ．４３２，２５　Ｎｏｖｅｍｂｅｒ　２００４，ｐ．４８８−４９２〉
・乙第２号証　特許第５２１９３６９号公報
・乙第３号証　”ＺｎＯ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ ｆｏｒ Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ”，Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．，　Ｖｏｌ．７６９，２００３
　なお，請求人は，乙第１号証ないし乙第３号証の成立を認めている。
　また，被請求人は，平成２７年２月２３日の口頭審理で，上記答弁書，平成２７年２月９日付け口頭審理陳述要領書，平成２７年２月１７日付け上申書，及び，平成２７年２月２０日付け口頭審理陳述要領書（２）は，口頭審理陳述資料の１８ページの「約１０−７アンペアのリーク電流」を，「約１０−６アンペアのリーク電流」と訂正して陳述した。
　さらに，被請求人は，平成２７年３月１３日付けで上申書を提出した。
第５　無効理由１について
１　本件特許発明１
　本件特許発明１は，「第２　本件発明」で認めたとおりであり，再掲すると，以下のとおりである。
【請求項１】
スパッタ法，パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）であり，不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜。
　
２　甲第１号証の記載事項
　甲第１号証には，「薄膜トランジスタ」（発明の名称）に関して，図１−６とともに，以下の事項が記載されている。（下線は，当審で付与した。以下同じ。）
　
（甲１ａ）「【請求項２】ゲ−ト電極とゲート絶縁膜とソ−ス電極とドレイン電極と半導体層とを有する薄膜トランジスタにおいて，前記半導体層のキャリア濃度が１０18個・ｃｍ-3以下で，かつ前記半導体層を透光性膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。」（【特許請求の範囲】）
　
（甲１ｂ）「本発明は上記実情に鑑みて為されたもので，半導体層として
アモルファスシリコンよりバンドギャップの大きい透明材質の半導体
（甲１ｃ）「【課題を解決するための手段】上記従来例の間題点を解決するための請求項１記載の発明は，ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と半導体層とを有する薄膜トランジスタにおいて，前記半導体層の伝導帯と価電子帯とのエネルギバンドギャップが３ｅＶ以上で，前記半導体層を
透光性膜
（甲１ｄ）「【作用】請求項１記載の発明によれば，
半導体層の伝導帯と価電子帯とのエネルギバンドギャップが３ｅＶ以上で，半導体層を透光性膜とした
（甲１ｅ）「・・・膜中の酸素濃度を調整し，半導体活性層８となる
ＩＴＯ膜をスパッタリングにより５００オングストローム程度
具体的には，着膜時の酸素ガス濃度を１％以上にしてスパッタリングを行うことで実現することができる。このとき，
ＩＴＯ膜のキャリア濃度が１０
１８
個・ｃｍ
−３
以下となれば，縮退が解け半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層８）が実現される
（甲１ｆ）「一般に
ＩＴＯなどの酸化物の透明導電膜は，膜中の酸素量を変化させることにより膜の導電率を変化させることができるものである。これは，化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）によりキャリアが発生していることによる。
（甲１ｇ）「
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜の電気抵抗率のスパッタ時での酸素濃度依存性は，図２に示すような特性をもっているので
反応性スパッタリング
酸素ガスの割合（Ｏ
２
／Ａｒ＋Ｏ
２
）を１％以上にすれば，ＩＴＯ膜における電気抵抗率（ρ［Ω・ｃｍ］を増加させることができ，ＩＴＯ膜の導電性を低下するように制御できるものである
（甲１ｈ）「実施例１の薄膜トランジスタによれば，
従来透明電極として用いられていたＩＴＯ膜の膜中の酸素量を増加させることにより，膜中のキャリア濃度を１０
１８
個・ｃｍ
−３
以下に制御して導電性を低下させ，半導体活性層８にＩＴＯ膜を使用する
３　本件特許発明１についての当審の判断
（１）引用発明１
　上記摘記（甲１ａ）−（甲１ｈ）の記載を総合すると，甲第１号証には，次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「ゲ−ト電極とゲート絶縁膜とソ−ス電極とドレイン電極と半導体層とを有する薄膜トランジスタにおいて，前記半導体層のキャリア濃度が１０18個・ｃｍ-3以下で，かつ前記半導体層を透光性膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタの前記半導体層において，
　Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，着膜時の酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上として，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜の膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層）を実現した，半導体層。」
                                       
（２）対比                                              
ア　本件特許発明１と，引用発明１とを対比する。
　
イ　引用発明１の「Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリング」は，本件特許発明１の「『スパッタ法』の『気相成膜法』」に相当する。また，引用発明１の「ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜」と，本件特許発明１の「『結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）』である『酸化物薄膜』」とは，いずれも「酸化物薄膜」である点で共通する。
　
ウ　また，「ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）」は，Ｉｎ２Ｏ３に錫（Ｓｎ）をドープしたものであるから，引用発明１の「半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層）」と，本件特許発明１の「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜」とは，「Ｉｎ及びＯの元素を含む透明酸化物薄膜」である点で共通する。
エ　さらに，引用発明１の「Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，着膜時の酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上として，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜の膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層）を実現した」半導体層と，本件特許発明１の「不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜」とは，いずれも「電子キャリヤ濃度が低い透明酸化物薄膜」である点で共通する。
　
オ　してみれば，本件特許発明１と，引用発明１との一致点と相違点は次のとおりとなる。
＜一致点＞
　スパッタ法の気相成膜法で成膜され，Ｉｎ及びＯの元素を含む透明酸化物薄膜であって，
　電子キャリヤ濃度が低い透明酸化物薄膜。
　
＜相違点＞
・相違点１−１：透明酸化物薄膜が，本件特許発明１では，「『Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成』される酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，『結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）』であり，『不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性である』『半絶縁性アモルファス』」酸化物薄膜であるのに対して，引用発明１では，「Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，着膜時の酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上として，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜の膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ」た半導体層である点。
　
（３）相違点についての判断
・相違点１−１について
ア　＜本件特許の優先日前当時の透明酸化物薄膜に対する技術的知見＞
（ア）甲第１号証には，以下の事項が記載されている。
（甲１ｅ）（再掲）「・・・
膜中の酸素濃度を調整し，半導体活性層８となるＩＴＯ膜をスパッタリングにより５００オングストローム程度着膜
具体的には，着膜時の酸素ガス濃度を１％以上にしてスパッタリングを行う
このとき，ＩＴＯ膜のキャリア濃度が１０
１８
個・ｃｍ
−３
以下となれば，縮退が解け半導体としてのＩＴＯ膜(半導体活性層８）が実現される
　
（甲１ｆ）（再掲）「
一般にＩＴＯなどの酸化物の透明導電膜は，膜中の酸素量を変化させることにより膜の導電率を変化させることができる
これは，化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）によりキャリアが発生していることによる
　
（甲１ｈ）（再掲）「
実施例１の薄膜トランジスタによれば，従来透明電極として用いられていたＩＴＯ膜の膜中の酸素量を増加させることにより，膜中のキャリア濃度を１０
１８
個・ｃｍ
−３
以下に制御して導電性を低下させ，半導体活性層８にＩＴＯ膜を使用することで，光に影響されず，素子特性を向上できる効果がある
　
（イ）甲第５号証には，以下の事項が記載されている。
（甲５ａ）「ここでＺｎＯ膜は透明導電膜として一般的に利用されているが，本発明の
薄膜トランジスタの半導体活性層として用いるＺｎＯ膜はキャリア濃度が１０
１８
ｃｍ
−３
以下に制御されている
ＺｎＯ膜等の導電性酸化膜においては，一般的にその化学量論組成から少し還元気味にずれることにより酸素空孔などの真性欠陥がドナー準位を形成するため，キャリア濃度が１０
１８
〜１０
１９
ｃｍ
−３
程度にまで達する
反対にこのキャリア濃度を１０
１８
ｃｍ
−３
以下にしてやると縮退の状態が解け，ＺｎＯ膜を半導体活性層として用いることができる
　
（甲５ｂ）「電極を可視光に対して透明にする場合には，電極は透明導電膜とすればよい。電極としての
透明導電膜は
酸化インジウム（Ｉｎ
2 
Ｏ
3 
）
酸化錫（ＳｎＯ
2 
）
ＺｎＯ
具体的に言うと，透明導電膜材料としては，例えば
Ｉｎ
2
 Ｏ
3
 に錫（Ｓｎ）をドープしたもの（一般的にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）と呼ばれる）
ＳｎＯ
2
 にアンチモン（Ｓｂ）又はフッ素（Ｆ）をドープしたもの
ＺｎＯにＩｎをドープしたもの
ＺｎＯにガリウム（Ｇａ）をドープしたもの（一般的にＧＺＯと呼ばれる）
ＺｎＯにＡｌをドープしたもの（一般的にＡＺＯと呼ばれる）
　
（甲５ｃ）「半導体活性層４としてのＺｎＯ膜は，パルスレーザー蒸着法によって，基板温度を４５０℃にして形成した。ＺｎＯ膜は，約５００Åの厚みに形成した。
ＺｎＯ膜中の酸素濃度を調整することで，ＺｎＯ膜のキャリア密度及び導電率を所定値に調整した
（ウ）甲第６号証には，以下の事項が記載されている。
（甲６ａ）「ある程度十分な導電性を持つ代表的な
電気伝導性酸化物薄膜
Ｉｎ
２
Ｏ
３
ＳｎＯ
２
ＺｎＯ
ＣｄＯ
ＣｄＩｎ
２
Ｏ
４
Ｃｄ
２
ＳｎＯ
４
Ｚｎ
２
ＳｎＯ
４
Ｉｎ
２
Ｏ
３
−ＺｎＯ
（甲６ｂ）「また，
化学量論組成から少し還元気味にずれることにより酸素空孔などの真性欠陥がドナー準位を形成するため，伝導電子密度（キャリヤ濃度）が１０
１８
〜１０
１９
ｃｍ
−３
程度まで達する
　
（甲６ｃ）「さらにＩｎ２Ｏ３にはＳｎ（ＩＴＯ）１），１３），ＳｎＯ２にはＳｂ１４），１５），Ｆ１６）〜１８），ＺｎＯにはＩｎ１９），Ｇａ（ＧＺＯ）２０），Ａｌ（ＡＺＯ）２１），２２）などをドーパントとして添加することによって伝導電子密度を１０２０〜２０２１ｃｍ−３に増加させ，比抵抗を１０−３〜１０−４Ω・ｃｍ程度まで低下させることも可能である。これらの不純物ドーパントは，たとえばＩＴＯ（indium tin oxide）の場合は３価のＩｎサイトに４価のＳｎが，
ＧＺＯ
の場合は２価のＺｎサイトに３価のＧａ
が置換型固溶することにより，１原子当りキャリアを１個放出することができる
　
（甲６ｄ）「これらの
不純物がドープされた電気伝導性酸化物薄膜
ＳｎドープＩｎ
２
Ｏ
３
（ＩＴＯ）薄膜
（エ）上記各甲号証の記載から，導電性酸化物の電子キャリヤ濃度は１０１８ｃｍ−３よりも多いこと，及び，この導電性が，導電性酸化膜において，組成が化学量論組成から少し還元気味にずれることにより酸素空孔などの真性欠陥がドナー準位を形成することにより生じている場合があること，したがって，膜中の酸素量を増加させることにより，このキャリア濃度を１０１８ｃｍ−３以下にしてやると縮退の状態が解け，導電性酸化膜を半導体活性層として用いることができる場合があるとする技術的知見が，本件特許の優先日前当時に知られていたことが理解できる。
イ　＜ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍについて＞
（ア）甲第７号証には，以下の事項が記載されている。
（甲７ａ）「アモルファス透明導電性酸化物　ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４）：Ｚｎ４ｓ導電体」（表題）
　
（甲７ｂ）「要約
　ＺｎＯ系のアモルファス透明導電体を作り出すことを目的として，さまざまなアモルファス膜ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４）をパルスレ一ザー蒸着法を用いて作製した。・・・伝導帯テイルが大きな分散を有し，フェルミ準位が伝導帯端に位置していることが明らかとなった。・・・本系はＺｎ４ｓ軌道が広がった伝導帯を形成する初めてのアモルファス酸化物半導体である。」（訳文の１ページ１０行−２ページ２行）
（甲７ｃ）「薄膜試料は，パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）により作製した。Ｉｎ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，およびＺｎＯの粉末を用いて，従来のセラミックプロセスとその後のダイヤモンド研磨機を用いた研磨により，化学量論的組成を有する，高密度に焼成したＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍの円板を，ターゲットとして用意した。」（訳文の５ページ２行−５行）
　
（甲７ｄ）「表１は室温におけるアモルファスＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ膜の電気輸送パラメータを示している。ドーピングは意図的に行わなかったが，移動度１２〜２０ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１，キャリア密度１０１９〜１０２０ｃｍ−３で１７０〜４００Ｓｃｍ−１の伝導率が得られた。」（訳文の９ページ１行−５行）
　
（イ）甲第６号証には，以下の事項が記載されている。
（甲６ｂ）（再掲）「また，化学量論組成から少し還元気味にずれることにより酸素空孔などの真性欠陥がドナー準位を形成するため，伝導電子密度（キャリヤ濃度）が１０１８〜１０１９ｃｍ−３程度まで達する。これらの導電性酸化物のバンド構造において，価電子帯は主として酸素原子の２ｐ軌道で，また，伝導帯は金属原子のｓ軌道で構成されている。（４・２・２参照）。キャリヤ密度が１０１８ｃｍ−３よりも増えるとフェルミ準位が伝導帯に達し，縮退と呼ばれる状態になる。」（８０ページ２行−７行）
　
（甲６ｅ）１４９ページの表４・５は，「透明導電性金属酸化物の結晶構造と電気的・光学的性質」を表題とする表であって，同表には，透明導電性金属酸化物の結晶構造と物質名について，結晶構造が「スピネル」の物質名として「ＣｄＩｎ２Ｏ４，ＭｇＩｎ２Ｏ４(バルク)，ＭｇＩｎ２Ｏ４，ＭｇＩｎ２Ｏ４：Ｈ，ＭｇＩｎ２Ｏ４：Ｌｉ，ＺｎＧａ２Ｏ４(バルク)，ＣｄＧａ２Ｏ４(バルク)，Ｚｎ２ＳｎＯ４」が，結晶構造が「ＹｂＦｅ２Ｏ４」の物質名として「ＩｎＧａＭｇＯ４(バルク)，ＩｎＧａＺｎＯ４(バルク)，ＩｎＧａＺｎＯ４，Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）３(バルク)，Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）５」が，結晶構造が「β-Ｇａ２Ｏ３」の物質名として「Ｇａ２Ｏ３(単結晶)，ＧａＩｎＯ３：Ｓｎ」が，結晶構造が「パイロクロア」の物質名として「ＡｇＳｂＯ３，Ｃｄ２(１−ｘ)Ｙ２ｘＳｂ２Ｏ７」が，結晶構造が「オリヴィン」の物質名として「Ｃｄ２ＧｅＯ４，Ｃｄ２ＧｅＯ４：Ｉｎ」が，結晶構造が「デラフォサイト」の物質名として「ＡｇＩｎＯ２」が，結晶構造が「Ｓｒ２ＰｂＯ４」の物質名として「Ｃｄ２ＳｎＯ４」が，結晶構造が「イルメナイト」の物質名として「ＣｄＳｎＯ３」が，結晶構造が「Ｎａ２ＳｉＦ６」の物質名として「Ｉｎ２ＴｅＯ６」が，結晶構造が「ペロブスカイト」の物質名として「ＺｎＳｎＯ３」が，結晶構造が「その他」の物質名として「Ｚｎ２Ｉｎ２Ｏ５，Ｚｎ０．６６Ｉｎ２Ｏ３．６６，Ｚｎ１．２Ｉｎ１．９Ｓｎ０．１Ｏ４．２５」が，それぞれ開示されるとともに，ＩｎＧａＺｎＯ４（バルク），及び，ＩｎＧａＺｎＯ４の，キャリヤ密度が，それぞれ，５．２×１０１９ｃｍ−３，及び，１．２×１０２０ｃｍ−３であることが記載されている。
（ウ）甲第４号証には，以下の事項が記載されている。
（甲４ａ）「透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法」（【発明の名称】）
　
（甲４ｂ）「本発明の物品の第１の態様は，基材の少なくとも一方の表面の少なくとも一部に，一般式ＺｎｘＭｙＩｎｚＯ（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）（式中，Ｍはアルミニウム及びガリウムのうち少なくとも一つの元素であり，比率ｘ／ｙが０．２〜１２の範囲であり，比率ｚ／ｙが０．４〜１．４の範囲にある）で表される非晶質酸化物を含有する膜を有することを特徴とする。」（【０００９】）
　
（甲４ｃ）「本発明の製造方法においては，例えば，ターゲットとしてＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の焼結体を用いた場合，６．２×１０−３［Ωｃｍ］の薄膜を容易に得ることができる。この場合，高導電性の主因は非晶質物質にも関わらず移動度が１０以上と高い値を示すことによる。また，ターゲットとしてＺｎ成分を増加させたホモロガスＩＧＺＯ　ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ：２以上の整数）の焼結体を用いた場合，４．３×１０−３［Ωｃｍ］の抵抗率を有する薄膜を容易に得ることができる。」（【００３４】）
　
（甲４ｄ）「１．ターゲットの作成
Ｉｎ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯの各粉末を，含有金属の比率がそれぞれ１になるように秤量した。秤量した粉末を，遊星ボールミル装置で湿式混合。１０００℃で５時間仮焼した後，再び遊星ボールミルで解砕処理した。この粉体を一軸加圧で直径２０ｍｍの円板状に成形の後ＣＩＰをかけた。大気下，１５５０℃で２時間焼成して焼結体を得た。 ＸＲＤによりＩｎＧａＺｎＯ４で表される酸化物が生成していることを確認した。」（【００４０】）
　
（甲４ｅ）「ホモロガスＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍの場合は，Ｉｎ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯの各粉末を，含有金属の比率が１：１：ｍ（ｍは２以上の整数）となるように秤量した。」（【００４１】）
（甲４ｆ）「【図１】ＩｎＧａＺｎＯ４で表される酸化物が生成していることを確認するＸＲＤの結果。」（【図面の簡単な説明】）
（エ）甲第８号証には，以下の事項が記載されている。
（甲８ａ）「新しい型のアモルファス透明導電膜ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ」（表題）
　
（甲８ｂ）「２．実験　ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍの焼結体（ｍ＝１〜４）に酸素雰囲気中でＫｒＦエキシマレーザー光を照射し，対抗して配置した石英ガラス基板上に薄膜を室温形成した。
３．　結果及び考察　・・・ｍ＝１の試料について観察した・・・アモルファス膜であることが確認できた。」（本文５−１０行）
（オ）甲第９号証には，以下の事項が記載されている。
（甲９ａ）「アモルファスのＩｎＧａＺｎＯ４はｎ型半導体として知られており，室温での高周波（ＲＦ）スパッタリングにより作製した[１７] 。その導電率は室温で１．４×１０−１Ｓｃｍ−１であった。キャリア密度は，以前報告した移動度の値２１ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１[１７] を用いると，４．２×１０１６ｃｍ−３と見積もられる。プラスチックシート上に作製した素子は，図３ｂに示す通り，可撓性を有する。」（訳文の８ページ１行−６行）
　
（甲９ｂ）「ａ−ＩｎＧａＺｎＯ４膜は，多結晶ＩｎＧａＺｎＯ４膜の円盤状ターゲットを用い，Ａｒ中で成膜した。」（訳文の１２ページ１−２行）
（カ）上記各甲号証の記載から，「結晶化したときの組成が，式ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」が，本件特許の優先日前当時において，知られていたこと，及び，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４）が縮退半導体であることが示唆されていたことが認められる。
ウ　＜引用発明１において，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」を用いることの容易想到性について＞
　
（ア）本件特許明細書には，以下の事項が記載されている。
（本ａ）「【０００３】
また，最近では，
ＺｎＯを用いた透明伝導性酸化物多結晶薄膜をチャネル層に用いたＴＦＴの開発が活発に行われている
【０００４】
しかし，従来のＺｎＯは室温で安定なアモルファス相を形成することができず，殆どのＺｎＯは多結晶相を呈するために，多結晶粒子界面の散乱により，電子移動度を大きくすることができない。さらに，
ＺｎＯは，酸素欠陥が入りやすく，キャリア電子が多数発生し，電気伝導度を小さくすることが難しい
このために，トランジスタのオン・オフ比を大きくすることも難しい
（本ｂ）「【０００５】
また，特許文献２には，
アモルファス酸化物として，Zn
x
M
y
In
z
O(
x+3y/2+3z/2
)（式中，MはＡｌ及びＧａのうち少なくとも一つの元素であり，比率x／yが0.2〜12の範囲であり，比率z／yが0.4〜1.4の範囲にある。）で表される非晶質酸化物
電子キャリア濃度は，１０
18
／ｃｍ
3
以上
非晶質酸化物膜をチャネル層としたＴＦＴでは，オン・オフ比が充分にとれず，ノーマリーオフ型のＴＦＴにはふさわしくない
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２９８０６２号公報
【
特許文献２
特開２０００−０４４２３６号公報
（本ｃ）「【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで，
本発明は
電子キャリア濃度が低い，アモルファス酸化物薄膜を提供すること
更には当該アモルファス酸化物薄膜をチャネル層に用いた薄膜トランジスタを提供することを目的としている
　
（本ｄ）「【０００９】
このアモルファス酸化物薄膜は，電子キャリア濃度が増加すると共に，電子移動度が増加する特徴を有する
縮退伝導を示す特徴を有する
ここでの縮退伝導とは，電気抵抗の温度依存性における熱活性化エネルギーが，３０ｍｅＶ以下の状態をいう
　
（本ｅ）「【００１６】
本発明によれば，電子キャリア濃度が低い，アモルファス酸化物が提供できるとともに，それをチャネル層に用いた薄膜トランジスタの提供が可能となる
　
（本ｆ）「【００２０】
なお，本発明のアモルファス酸化物薄膜の電子キャリア濃度は，０℃から４０℃の範囲全てにおいて，１０１６／ｃｍ３以下を充足する必要はない。例えば，２５℃において，キャリア電子密度１０１６／ｃｍ３以下が実現されていればよい。
電子キャリア濃度を１０
16
／ｃｍ
3
以下にするとノーマリーオフのＴＦＴが歩留まり良く得られる
　
（本ｇ）「【００２５】
結晶状態における組成がInGaO3(ZnO)m(mは６未満の自然数)で表される透明アモルファス酸化物薄膜は，ｍの値が６未満の場合は，８００℃以上の高温まで，アモルファス状態が安定に保たれるが，ｍの値が大きくなるにつれ，すなわち，InGaO3に対するZnOの比が増大して，ＺｎＯ組成に近づくにつれ，結晶化しやすくなる。したがって，アモルファスＴＦＴのチャネル層としては，ｍの値が６未満であることが好ましい。スパッタリング法やパルスレーザー蒸着法により成膜を行う際のターゲット材料（例えば多結晶体）の組成比を，上記ｍ＜６を満たすようにすれば，所望のアモルファス酸化物が得られる。」
（本ｈ）「【００２６】
また，上記アモルファス酸化物としては，上記ＩｎＧａＺｎの構成比において，ＺｎをＺｎ1-xＭｇxに置換することもできる。Ｍｇの置換量は，０＜ｘ≦１の範囲で可能であり，置換量が多くなるほど電子キャリア濃度が小さくなる。なお，
Ｍｇに置換すると，酸化物膜の電子移動度は，Ｍｇ無添加膜に比べて低下するが，その程度は少なく，一方でさらに，電子キャリア濃度を置換しない場合に比べて下げることができるので，ＴＦＴのチャネル層としてはより好適である
電子キャリア濃度を１０
16
／ｃｍ
3
以下にするには，図４に示すように０．８０≦ｘ＜０．８５とする
（本ｉ）「【００３２】
（トランジスタ）
電子キャリア濃度が１０
１６
／ｃｍ
３
以下のアモルファス酸化物膜をチャネル層に用い，ソース端子，ドレイン端子及びゲート絶縁膜を介してゲート端子を配した電界効果型トランジスタを構成する
ソース・ドレイン端子間に５Ｖ程度の電圧を印加したとき，ゲート電圧を印加しないときのソース・ドレイン端子間の電流を約１０
-7
アンペヤにすることができる
（本ｊ）「【００３５】
また，
通常の化合物では，キャリア濃度が増加するにつれて，キャリア間の散乱などにより，電子移動度は減少する
本発明のアモルファス酸化物では，電子キャリア濃度の増加とともに，電子移動度が増加する
　
（本ｋ）「【００３６】
ゲート端子に電圧を印加すると，上記アモルファス酸化物チャネル層に，電子を注入できるので，ソース・ドレイン端子間に電流が流れ，両端子間がオン状態になる
本発明のアモルファス酸化膜は，電子キャリア濃度が増加すると，電子移動度が大きくなるので，トランジスタがオン状態での電流を，より大きくすることができる
すなわち，飽和電流及びオン・オフ比をより大きくすることができる
電子移動度が大きなアモルファス酸化物膜をＴＦＴのチャネル層として用いれば，飽和電流を大きくすることができるし，また，ＴＦＴのスウィッチング速度を大きくでき，高速動作が可能となる
（本ｌ）「【００３７】
例えば，電子移動度が，０．０１ｃｍ2／（Ｖ・秒）程度であれば，液晶表示素子を駆動するＴＦＴのチャネル層として用いることができる。また，電子移動度が，０．１ｃｍ2／（Ｖ・秒）程度であるアモルファス酸化物膜を用いれば，アモルファスシリコン膜を用いたＴＦＴと同等以上の性能を有し，動画像用表示素子を駆動するＴＦＴを作成することができる。
【００３８】
さらに，電流で駆動する有機発光ダイオードを動作させる場合など大きな電流を必要とするＴＦＴを実現するためには，電子移動度は，１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超であることが望ましい。なお，
本発明の縮退伝導を示すアモルファス酸化物をチャネル層に用いた場合
電子キャリア濃度が多い状態での電流，すなわちトランジスタの飽和電流の温度依存性が小さくなり
温度特性に優れたＴＦＴを実現できる
（本ｍ）「【００４８】
得られた薄膜は，図２に示す様に，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超であった。しかし，本実施例のパルスレーザー蒸着法では，酸素分圧を６．５Ｐａ以上にすると，堆積した膜の表面が凸凹となり，ＴＦＴのチャネル層として用いることが困難となる。従って，
酸素分圧４．５Ｐａ超，望ましくは５Ｐａ超，６．５Ｐａ未満の雰囲気で，パルスレーザー蒸着法で作製したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏから構成され，結晶状態における組成ＩｎＧａＯ
3
（ＺｎＯ）
m
（ｍは６未満の数）で表される透明アモルファス酸化物薄膜を用いれば，ノーマリーオフのトランジスタを構成することができる
【００４９】
また，該薄膜の電子移動度は，１ｃｍ2／Ｖ・秒超が得られ，
オン・オフ比を１０
3
超に大きくすることができた
　
（本ｎ）「【００５６】
ＩｎＧａＯ
3
（ＺｎＯ）
4
組成を有する多結晶焼結体をターゲットとし，異なる酸素分圧で成膜したＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜
電子キャリア濃度が，１０
16
／ｃｍ
3
から１０
20
／ｃｍ
3
に増加すると，電子移動度は，約３ｃｍ
2
／（Ｖ・秒）から約１１ｃｍ
2
／（Ｖ・秒）に増加こと（審決注：「増加すること」の誤り。以下同じ。）が示された
ＩｎＧａＯ
3
（ＺｎＯ）組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして得られたアモルファス酸化膜に関しても，同様の傾向が見られた
（本ｏ）「【００６４】
すなわち，酸素分圧３×１０-2Ｐａ超，望ましくは５×１０-1Ｐａ以下のアルゴンガス雰囲気で，スパッタ蒸着法で作製したIn-Ga-Zn-Oから構成され，結晶状態における組成InGaO3(ZnO)m(mは６未満の自然数)で表される透明アモルファス酸化物薄膜を用い，ノーマリーオフで，かつ
オン・オフ比を１０
3
超のトランジスタを構成することができた
（本ｐ）「【００６５】
本実施例で示した装置，材料を用いる場合は，スパッタによる成膜の際の酸素分圧としては，例えば，３×１０-2Ｐａ以上，５×１０-1Ｐａ以下の範囲である。なお，
パルスレーザー蒸着法およびスパッタ法で作成された薄膜では，図２に示す様に，伝導電子数の増加と共に，電子移動度が増加する
（本ｑ）「【００６６】
上記のとおり，酸素分圧を制御することにより，酸素欠陥を低減でき，その結果，電子キャリア濃度を減少できる。また，
アモルファス状態では，多結晶状態とは異なり，本質的に粒子界面が存在しないために，高電子移動度のアモルファス薄膜を得ることができる
ポリエチレン・テレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用いた場合にも
同様の特性を示した
　
（本ｒ）「【００８０】
本実施例によれば，電子キャリア濃度が小さく，したがって，電気抵抗が高く，かつ電子移動度が大きいチャネル層を有する薄膜トランジスタを実現でさる（審決注：「できる」の誤り。）
上記したアモルファス酸化物は，電子キャリア濃度の増加と共に，電子移動度が増加し，さらに縮退伝導を示すという優れた特性を備えていた
　
（イ）そうすると，本件特許明細書の上記記載から，本件特許発明１が，ＺｎＯを用いた透明伝導性酸化物多結晶薄膜をチャネル層に用いたＴＦＴにおける，ＺｎＯは，酸素欠陥が入りやすく，キャリア電子が多数発生し，電気伝導度を小さくすることが難しく，このために，トランジスタのオン・オフ比を大きくすることも難しいという課題，及び，電子キャリア濃度が，１０18／ｃｍ3以上であり，アモルファス酸化物である，ZnxMyInzO(x+3y/2+3z/2)（式中，MはＡｌ及びＧａのうち少なくとも一つの元素であり，比率x／yが0.2〜12の範囲であり，比率z／yが0.4〜1.4の範囲にある。）で表される非晶質酸化物をチャネル層としたＴＦＴでは，オン・オフ比が充分にとれず，ノーマリーオフ型のＴＦＴにはふさわしくないという，従来の技術における課題を解決しようとする発明であることが理解できる。
　さらに，本件特許明細書の記載から，本件特許発明１に係る，スパッタ法，パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）であり，不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜が，以下の特性を奏することが認められる。
（ｉ）「電子キャリア濃度が１０１６／ｃｍ３以下のアモルファス酸化物膜をチャネル層に用い，ソース端子，ドレイン端子及びゲート絶縁膜を介してゲート端子を配した電界効果型トランジスタを構成すると，ソース・ドレイン端子間に５Ｖ程度の電圧を印加したとき，ゲート電圧を印加しないときのソース・ドレイン端子間の電流を約１０-7アンペヤにすることができる」，すなわち，「電子キャリア濃度が小さく，したがって，電気抵抗が高く，かつ電子移動度が大きいチャネル層を有する薄膜トランジスタを実現」できるので，「ノーマリーオフのＴＦＴ」を得るために好適であること。
（ii）「通常の化合物では，キャリア濃度が増加するにつれて，キャリア間の散乱などにより，電子移動度は減少するが，それに対して，本発明のアモルファス酸化物では，電子キャリア濃度の増加とともに，電子移動度が増加」することから，例えば，「ＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）4組成を有する多結晶焼結体をターゲットとし，異なる酸素分圧で成膜したＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜」は，「電子キャリア濃度が，１０16／ｃｍ3から１０20／ｃｍ3に増加すると，電子移動度は，約３ｃｍ2／（Ｖ・秒）から約１１ｃｍ2／（Ｖ・秒）に増加」する電気的特性を呈すること。そして，その結果として，
（iii）「ゲート端子に電圧を印加すると，上記アモルファス酸化物チャネル層に，電子を注入できるので，ソース・ドレイン端子間に電流が流れ，両端子間がオン状態になる」ところ，「本発明のアモルファス酸化膜は，電子キャリア濃度が増加すると，電子移動度が大きくなるので，トランジスタがオン状態での電流を，より大きくすることができ」，「さらに縮退伝導を示すという優れた特性を備えてい」ることから，例えば，「オン・オフ比を１０3超のトランジスタを構成することができ」，かつ，「本発明の縮退伝導を示すアモルファス酸化物をチャネル層に用いた場合，電子キャリア濃度が多い状態での電流，すなわちトランジスタの飽和電流の温度依存性が小さくなり，温度特性に優れたＴＦＴを実現できる」こと。
　すなわち，本件特許明細書の記載から，本件特許発明１は，上記（ｉ）−（iii）の特性を奏することから，ＴＦＴのチャネル層に用いる薄膜として好適であるという効果を奏するものと認められる。
（ウ）他方，引用発明１は，Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，着膜時の酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上として，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜の膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層）を実現した，半導体層に係る発明である。
（エ）そして，上記ア（イ）によれば，甲第５号証には，酸化物の導電膜について，「具体的に言うと，透明導電膜材料としては，例えば，Ｉｎ2 Ｏ3 に錫（Ｓｎ）をドープしたもの（一般的にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）と呼ばれる），ＳｎＯ2 にアンチモン（Ｓｂ）又はフッ素（Ｆ）をドープしたもの，ＺｎＯにＩｎをドープしたもの，ＺｎＯにガリウム（Ｇａ）をドープしたもの（一般的にＧＺＯと呼ばれる），ＺｎＯにＡｌをドープしたもの（一般的にＡＺＯと呼ばれる）などを採用すればよい。」との記載（摘記（甲５ｂ））がある。
　また，上記ア（イ）によれば，甲第６号証には，酸化物の導電膜について，「ある程度十分な導電性を持つ代表的な電気伝導性酸化物薄膜としてはＩｎ２Ｏ３１），２），ＳｎＯ２３），４），ＺｎＯ５），６），ＣｄＯ７），８），ＣｄＩｎ２Ｏ４９），Ｃｄ２ＳｎＯ４１０），１１），Ｚｎ２ＳｎＯ４，Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ系１２）などが報告されている。」との記載（摘記（甲６ａ））がある。
　さらに，上記イ（イ）によれば，甲第６号証には，「透明導電性金属酸化物の結晶構造と電気的・光学的性質」を表題とする表に，結晶構造が「スピネル」の物質名として「ＣｄＩｎ２Ｏ４，ＭｇＩｎ２Ｏ４(バルク)，ＭｇＩｎ２Ｏ４，ＭｇＩｎ２Ｏ４：Ｈ，ＭｇＩｎ２Ｏ４：Ｌｉ，ＺｎＧａ２Ｏ４(バルク)，ＣｄＧａ２Ｏ４(バルク)，Ｚｎ２ＳｎＯ４」が，結晶構造が「ＹｂＦｅ２Ｏ４」の物質名として「ＩｎＧａＭｇＯ４(バルク)，ＩｎＧａＺｎＯ４(バルク)，ＩｎＧａＺｎＯ４，Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）３(バルク)，Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）５」が，結晶構造が「β-Ｇａ２Ｏ３」の物質名として「Ｇａ２Ｏ３(単結晶)，ＧａＩｎＯ３：Ｓｎ」が，結晶構造が「パイロクロア」の物質名として「ＡｇＳｂＯ３，Ｃｄ２(１−ｘ)Ｙ２ｘＳｂ２Ｏ７」が，結晶構造が「オリヴィン」の物質名として「Ｃｄ２ＧｅＯ４，Ｃｄ２ＧｅＯ４：Ｉｎ」が，結晶構造が「デラフォサイト」の物質名として「ＡｇＩｎＯ２」が，結晶構造が「Ｓｒ２ＰｂＯ４」の物質名として「Ｃｄ２ＳｎＯ４」が，結晶構造が「イルメナイト」の物質名として「ＣｄＳｎＯ３」が，結晶構造が「Ｎａ２ＳｉＦ６」の物質名として「Ｉｎ２ＴｅＯ６」が，結晶構造が「ペロブスカイト」の物質名として「ＺｎＳｎＯ３」が，結晶構造が「その他」の物質名として「Ｚｎ２Ｉｎ２Ｏ５，Ｚｎ０．６６Ｉｎ２Ｏ３．６６，Ｚｎ１．２Ｉｎ１．９Ｓｎ０．１Ｏ４．２５」がそれぞれ記載（摘記（甲６ｅ））されている。
　してみれば，甲第５号証及び甲第６号証にみられるように，本件特許の優先日前当時において，酸化物の導電膜として，数多くの材料が知られていたといえる。
（オ）しかしながら，本件特許の優先日前当時において，薄膜トランジスタの半導体層として用いられる薄膜の，「電子移動度」，「電子キャリヤ濃度」，及び，「電子キャリヤ濃度」の大小が「電子移動度」の大小に与える影響等の電気的特性を，前記薄膜を構成する材料の組成，結晶構造，及び，当該薄膜を成膜する方法から，定量的に予測する方法が知られていたとは，いずれの甲号証の記載からも認めることはできず，また，このような予測をする方法が技術常識であったとも認めることはできない。
　
（カ）そうすると，引用発明１に，酸化物の透明導電膜の膜中の酸素量を増加させることで，化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，キャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体を実現するという技術的思想が示されており，また，上記アで検討したように，導電性酸化膜において，組成が化学量論組成から少し還元気味にずれることにより酸素空孔などの真性欠陥がドナー準位を形成し，キャリア濃度が増大することにより導電性が生じている場合があり，したがって，膜中の酸素量を増加させることにより，このキャリア濃度を１０１８ｃｍ−３以下にしてやると縮退の状態が解け，導電性酸化膜を半導体活性層として用いることができる場合があるとする知見が，本件特許の優先日前当時に知られており，さらに，上記イで検討したように，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス」酸化物薄膜が，本件特許の優先日前当時において，知られていたこと，及び，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４）が縮退半導体であることが示唆されていたことが認められたとしても，上記（オ）で検討したように，薄膜トランジスタの半導体層として用いられる薄膜の，「電子移動度」，「電子キャリヤ濃度」，及び，「電子キャリヤ濃度」の大小が「電子移動度」の大小に与える影響等の電気的特性を，前記薄膜を構成する材料の組成，結晶構造，及び，当該薄膜を成膜する方法から，定量的に予測する方法が，本件特許の優先日前当時において知られていたとは認められないから，上記（エ）に記載されるように，多数の材料が，酸化物の導電膜として知られているときに，当業者が，酸化物の導電膜の膜中の酸素量を増加させることで，化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，キャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体を実現するという技術的思想を実現する材料として，引用発明１の「ＩＴＯ」膜に替えて，前記多数の材料の中から，特に，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）で示される酸化物薄膜」である「アモルファス」酸化物薄膜を選択する動機を見いだすことはできない。
　したがって，引用発明１の「ＩＴＯ」膜に替える材料として，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス」酸化物薄膜を用いることが容易であったとは認めることはできない。
　
　請求人は，口頭審理陳述要領書の１５−１６ページにおいて，作用，機能の共通性という強い動機付けがあると主張するが，上記（エ）に記載されるような多数の材料のなかで，エネルギバンドギャップが３ｅＶ以上等の作用，機能の共通性を有する材料は，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス」酸化物薄膜だけではないから，３ｅＶ以上等の作用，機能の共通性という点に鑑みて，前記多数の材料の中から，引用発明１の「ＩＴＯ」膜に替える材料として，「結晶化したときの組成が，ＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス」酸化物薄膜を選択する動機があったとは認めることはできない。
　
　また，請求人は，口頭審理陳述要領書の１６−１７ページにおいて，甲第４号証に記載のＩｎ２Ｏ３の含有量が低い材料が要請されていることに接した当業者は，甲第４号証に開示された「Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ」を用いる強い動機付けがあると主張するが，Ｉｎ２Ｏ３の原料コストが高く，資源の枯渇が予測されるのであれば，引用発明１の「ＩＴＯ」膜に替える材料としては，Ｉｎ２Ｏ３を含む，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）」で示される「アモルファス」酸化物薄膜ではなく，上記（エ）に記載される材料の中から，Ｉｎ２Ｏ３を含まない材料を選択することにこそ，強い動機付けがあるというべきであって，前記多数の材料の中から，引用発明１の「ＩＴＯ」膜に替える材料として，Ｉｎ２Ｏ３を含む「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス」酸化物薄膜を選択する動機があったとは認めることはできない。
　
（キ）しかも，引用発明１において，ＩＴＯ膜に置き換えて，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」を用いることを当業者が容易になし得たといえるためには，前記置き換えを想起する動機があることに加えて，阻害要因がなく，かつ，引用発明１の「膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層）を実現する」という技術的思想を，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」において実現する手段が，本件特許の優先日前当時において，当業者において明らかであり，さらに，前記置き換えをしたことによって奏される効果が，当業者が予測する範囲内のものであることを要するといえる。
（ク）そこで検討すると，引用発明１の「膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層）を実現する」という技術的思想に基づいて，当業者が，ＩＴＯ膜に置き換える「酸化物の透明導電膜」を採用する際には，膜中の酸素量を増加させることで，着膜した膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らし，膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下に制御することが容易な材料であるか否かを考慮することが自然といえるところ，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）」で示される酸化物薄膜は，材料を構成する元素の数が４種類と多いことから，膜の組成を化学量論組成からずれないように成膜するという制御の容易さという点で，材料を構成する元素の種類が前記４種類よりも少ない他の材料と比べると，より困難であるといえる。
　すなわち，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）」で示される酸化物薄膜を選択した場合には，化学量論的組成からのずれが少なくなるように制御すべき元素の種類が４種類となるから，材料を構成する元素の種類が２種類，あるいは，３種類である材料，例えば，引用発明１のＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 に錫（Ｓｎ）をドープしたもの）と比べて，膜の組成を化学量論組成からずれないように成膜するという制御において，より困難が伴うことが予測される。
　そうすると，上記（エ）に記載されるように，酸化物の導電膜として多数の材料が知られていたときに，材料を構成する元素の種類が３種類である，引用発明１の「ＩＴＯ」膜に置き換える材料として，材料を構成する元素の種類が４種類であり，膜の組成を化学量論組成からずれないように成膜するという制御において，材料を構成する元素の種類が３種類である場合よりも困難が伴うことが予測される，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）」で示される酸化物薄膜をあえて選択することには，阻害事由があるといえる。
（ケ）また，甲第１１号証の，
（甲１１ａ）「自然超格子ホモロガス単結晶薄膜，その製造方法，該単結晶薄膜を用いたデバイス」（発明の名称）
（甲１１ｂ）「背景技術
　異なる物質の極薄結晶層を規則的に何層か重ね合わせた構造を総称して『超格子』と呼ぶ。」（明細書１ページ９−１１行）
（甲１１ｃ）「また，
均質な超格子が形成できないことは，ホモロガス相の化学組成が化学量論比からずれることを意味する
化学組成がずれることによりホモロガス相中に酸素欠陥が生成し伝導キャリアを発生させてしまう
一般に，酸素欠陥に起因して生成する伝導キャリアは，その濃度制御が極めて困難である
　してみれば，「化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，キャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体を実現する」ことを前提とする引用発明１において，結晶構造として「ホモロガス相の化学組成が化学量論比からずれることを意味する」「アモルファス」という状態を選択することには阻害事由があるといえる。
　そうすると，この観点においても，当業者が，引用発明１の「ＩＴＯ」膜に置き換える材料として，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）で示される酸化物薄膜である「アモルファス」酸化物薄膜を選択することを容易に想到し得たとは認められない。
　
（コ）さらに，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍは（ｍ６未満の自然数）」である材料が，本件特許の優先日前において公知であったとしても，上記（エ）で摘記した記載に照らして，「具体的に言うと，透明導電膜材料としては，例えば」として例示されるような一般的な材料，あるいは，「代表的な電気伝導性酸化物薄膜」として例示されるような代表的な材料であったとまでは認められないから，引用発明１のＩＴＯを置き換えるにあたり，当業者であれば，まず最初に検討する材料であるということもできない。
（サ）しかも，上記アの検討から，着膜時の酸素ガスの割合を増やすことで，「結晶化したときの組成ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」のキャリア濃度が減ることを，一般的な技術的思想として理解したとしても，前記「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」のキャリア濃度を，１０１８個・ｃｍ−３以下にまで下げる具体的な成膜方法が知られていたとはいえない。したがって，引用発明１の技術的思想を，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」において実現する手段が明らかであるともいえないから，ＩＴＯ膜に替えて，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」を用いることは当業者が容易になし得たこととは認められない。
（シ）また，審判請求人の主張に沿って，甲第９号証における，上記摘記（甲９ａ）の「アモルファスのＩｎＧａＺｎＯ４はｎ型半導体として知られており，室温での高周波（ＲＦ）スパッタリングにより作製した[１７] 。その導電率は室温で１．４×１０−１Ｓｃｍ−１であった。キャリア密度は，以前報告した移動度の値２１ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１[１７] を用いると，４．２×１０１６ｃｍ−３と見積もられる。」との記載を，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」において，キャリア密度を，４．２×１０１６ｃｍ−３とする成膜方法が知られていたことを示すものとして解したとすると，甲第９号証の上記摘記（甲９ｂ）の「ａ−ＩｎＧａＺｎＯ４膜は，多結晶ＩｎＧａＺｎＯ４膜の円盤状ターゲットを用い，Ａｒ中で成膜した。」との記載に照らして，前記膜は，酸素ガスを含まない成膜方法によって成膜されたものであり，かつ，前記膜は，前記酸素ガスを含まない成膜方法によって，引用発明１が求める，膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下とする条件を既に満たしていることとなる。
　そうすると，着膜時の酸素ガスの割合を増やして，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電の膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体としての膜（半導体活性層）を実現する引用発明１において，膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下とする条件を既に満たしている甲第９号証の「アモルファスのＩｎＧａＺｎＯ４」を，前記「従来透明電極として用いられていた，酸化物」として用いることは，組み合わせる動機を欠くので，引用発明１のＩＴＯ膜に替えて，「アモルファスのＩｎＧａＺｎＯ４」を用いることを，当業者が容易に想到し得たことであると認めることはできない。
（ス）以上の理由から，引用発明１において，ＩＴＯ膜に置き換えて，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」を用いることは，当業者が容易に想到し得たこととは認められない。
エ　＜電子キャリア濃度・電子移動度について＞
（ア）引用発明１において，ＩＴＯ膜に置き換えて，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」を用いることを，当業者が容易に想到し得たこととは認められないことは，上記ウで検討したとおりであるが，仮に，引用発明１において，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」を用いることを当業者が容易に想到し得たとした場合に，更に進んで，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）である当該アモルファス酸化物薄膜を，不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性とすることが容易であったかについて以下に検討する。
　
（イ）まず，審判請求人が，審判請求書１６−１７ページにおいて，本件特許発明１における電子キャリヤ濃度が「１０１６／ｃｍ３以下」とは，「１×１０１６／ｃｍ３以下」ではなく，「１０１６／ｃｍ３オーダー以下」を示すものであると解釈できると主張するので，この解釈の当否について一応検討する。
　すなわち，審判請求人は，審判請求書の１６−１７ページにおいて，本件特許の願書に添付した図１を参照すると，酸素分圧５Ｐａのとき，電子キャリヤ濃度は，１０１６／ｃｍ３以下となっておらず，１０１６／ｃｍ３から１０１７／ｃｍ３の間であることがわかるから，「１０１６／ｃｍ３以下」とは，「１×１０１６／ｃｍ３以下」ではなく，「１０１６／ｃｍ３オーダー以下」を示すものであると解釈できると主張する。
　しかしながら，本件特許の願書に添付した図１において，一番右側の丸印であって，６Ｐａを示す目盛りよりも若干右側の位置に記入されているデータが，本件特許明細書の【００５５】に，「図１に示すように，・・・６Ｐａで成膜した・・・８×１０１５／ｃｍ３・・・に低下させることができた。」として記載されたデータを表し，図１において，右側から２番目の丸印であって，５Ｐａを示す目盛りよりも若干右側，かつ，１０１６／ｃｍ３を示すの目盛りよりも若干上側の位置に記入されているデータを，本件特許明細書の【００５４】に，「酸素分圧が５Ｐａの時，・・・１０１６／ｃｍ３・・・であった。」として記載されたデータを表しているものと認識することは，データの有効数字を考慮すれば，本件特許明細書と図１に接した当業者において，自然な理解であると認められる。
　そして，「１×１０１６／ｃｍ３」の「１×」を省略して，「１０１６／ｃｍ３」のように表記することは，しばしば行われていることであると認められるから，審判請求人が主張するように，前記特許明細書の記載から，本件特許の願書に添付した図１において，右側から３番目の丸印であって，５Ｐａを示す目盛りよりも若干左側，かつ，１０１７／ｃｍ３を示す目盛りよりも若干上側の位置に記入されているデータを，本件特許明細書の【００５４】に，「酸素分圧が５Ｐａの時，・・・１０１６／ｃｍ３・・・であった。」として記載されたデータを表しているものであると，あえて解した上で，当該データが，「１×１０１６／ｃｍ３」ではないことから，特許明細書における，「１０１６／ｃｍ３」の表記は，「１０１６／ｃｍ３オーダー」を示すものであると解釈することは，前記したような自然な理解があり得る場合において，合理的な解釈であるとはいえない。
　
（ウ）しかも，仮に，審判請求人の主張するように，本件特許明細書において，「１０１６／ｃｍ３」等の表記が，「１×１０１６／ｃｍ３」ではなく，「１０１６／ｃｍ３オーダー」を示すものであると認めると，本件特許明細書の【００５３】における，「その結果を図１に示す。酸素分圧が４．５Ｐａ超の雰囲気中で成膜することにより，電子キャリア濃度を１０１８／ｃｍ３未満に低下させることができた。」との記載における，「１０１８／ｃｍ３未満」は，「１×１０１８／ｃｍ３未満」ではなく，「１０１８／ｃｍ３オーダー未満」を意味することとなるが，この場合，「オーダー未満」が，どのような数値範囲を示すのかを，理解することは困難である。
　さらに，本件特許明細書の【００６０】の「酸素分圧を，１０−３〜２ｘ１０−１（Ｐａ）の範囲で変化させた。」との記載は，「酸素分圧を，１０−３オーダー〜２ｘ１０−１（Ｐａ）の範囲で変化させた。」との記載であると解釈することとなるが，数値範囲の一方をオーダーで特定し，他方を一定の値で特定することは不自然といえる。
　したがって，本件特許明細書において，「１０１６／ｃｍ３」等の表記は，「１×１０１６／ｃｍ３」の「１×」を省略したものであると認められる。
（エ）そして，先に検討したように，本件特許の願書に添付した図１において，右側から２番目の丸印であって，５Ｐａを示す目盛りよりも若干右側，かつ，１０１６／ｃｍ３を示すの目盛りよりも若干上側の位置に記入されているデータを，本件特許明細書の【００５４】に，「酸素分圧が５Ｐａの時，・・・１０１６／ｃｍ３・・・であった。」として記載されたデータを表しているものと認識することは，データの有効数字を考慮すれば，本件特許明細書と図１に接した当業者において，自然な理解であり，かつ，同データは，略１０１６／ｃｍ３の値を示していると認められるから，本件特許明細書には，「酸素分圧をさらに大きくすると，電子キャリア濃度をさらに低下させることができる。例えば，図１に示す様に，基板温度２５℃，酸素分圧５Ｐａで成膜したＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４薄膜では，さらに，電子キャリア濃度を１０１６／ｃｍ３に低下させることができた。」（【００４７】）との記載が，当該記載と整合する表示を有する図１とともに開示されているものと認められる。
　すなわち，本件特許明細書において，「１０１６／ｃｍ３」等の表記は，「１×１０１６／ｃｍ３」の「１×」を省略したものであると理解できる。
　
（オ）以上のとおりであるから，本件特許明細書において，「１０１６／ｃｍ３」等の表記は，「１×１０１６／ｃｍ３」の「１×」を省略したものであると理解できる。したがって，審判請求人の前記解釈は採用しない。
（カ）そして，本件特許発明１は，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下という特性を発明特定事項として有するものである。
　一方，引用発明１は，キャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体半導体活性層を実現する発明であるから，キャリア濃度は，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体半導体活性層が実現する，１０１８個・ｃｍ−３以下であれば，発明の課題解決において十分といえ，引用発明１において，キャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下とした発明特定事項を，さらに二桁少ない，１０１６個・ｃｍ−３以下とすることに，動機を見い出すことはできない。
　しかも，上記アの検討から，着膜時の酸素ガスの割合を増やすことで，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」のキャリア濃度が減ることを，一般的な技術的思想として理解したとしても，そもそも，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス」酸化物薄膜のキャリア濃度を，着膜時の酸素ガスの割合を増やすことで，１０１６個・ｃｍ−３以下にまで下げた事例は，上記いずれの甲号証にも開示されておらず，まして，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス」酸化物薄膜のキャリア濃度を，着膜時の酸素ガスの割合を増やすことで，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下とした事例は，上記いずれの甲号証にも開示されていない。
　また，薄膜トランジスタの半導体層として用いられる薄膜の，「電子移動度」，及び，「電子キャリヤ濃度」等の電気的特性を，前記薄膜を構成する材料の組成，結晶構造，及び，当該薄膜を成膜する方法から，定量的に予測する方法が知られていたとは，いずれの甲号証の記載からも認めることはできず，また，このような予測をする方法が技術常識であったとも認めることができないことは，上記ウ（オ）で検討したとおりである。
　しかも，上記ウ（エ）に記載されるように，多数の酸化物の導電膜が知られているところ，前記多数の酸化物のアモルファス薄膜において，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下という特性が，普通に備わっている程度の特性であったとも認めることはできない。
　すなわち，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス」酸化物薄膜の着膜時の酸素ガスの割合を増やすことで，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下の酸化物薄膜を成膜する具体的な成膜条件等が知られていたとは認められないから，引用発明１において，ＩＴＯ膜に替えて，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス」酸化物薄膜を用いることで，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下とすることを当業者が容易になし得たとは認められない。
（キ）なお，甲第１０号証，及び，甲第１１号証には，以下の事項が記載されている。
（甲１０ａ）「
単結晶
（甲１０ｂ）「
単結晶の透明酸化物半導体ＩｎＧａＯ
３
（ＺｎＯ）
５
（甲１０ｃ）「
ＩｎＧａＯ
３
（ＺｎＯ）
５
は特徴的な層状超格子構造
を有し，その構造によって優れた電子特性がもたらされると考えられている
Ｉｎ
２
Ｏ
３
層は酸素が外部に拡散することを防ぐブロッキングバリアとして機能し，それによって酸素欠損の形成が抑えられていることがある
したがって，材料を化学量論比に保つことや，単結晶での真性レベルまでキャリア濃度を下げることがより容易である
（甲１０ｄ）「図２に，作製した
単結晶ＩｎＧａＯ
３
（ＺｎＯ）
５
電界効果移動度として得られる）電子移動度の値が・・・であることから
キャリア濃度はおよそ１０
１３
ｃｍ
−３
見積もられる
（甲１０ｅ）「このＴＦＥＴはエンハンスメント型として動作していることが分かる。」（訳文の５ページ１５行−１６行）
（再掲）（甲１１ａ）「
自然超格子ホモロガス単結晶薄膜
単結晶薄膜
　
（再掲）（甲１１ｂ）「背景技術
　異なる物質の極薄結晶層を規則的に何層か重ね合わせた構造を総称して『超格子』と呼ぶ。」（明細書１ページ９−１１行）
（再掲）（甲１１ｃ）「また，
均質な超格子が形成できないことは，ホモロガス相の化学組成が化学量論比からずれることを意味する
化学組成がずれることによりホモロガス相中に酸素欠陥が生成し伝導キャリアを発生させてしまう
一般に，酸素欠陥に起因して生成する伝導キャリアは，その濃度制御が極めて困難である
　そうすると，上記摘記（甲１０ｃ）の「ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５は特徴的な層状超格子構造（図１Ａ），つまり・・・を有し，その構造によって優れた電子特性がもたらされると考えられている。・・・さらに，Ｉｎ２Ｏ３層は酸素が外部に拡散することを防ぐブロッキングバリアとして機能し，それによって酸素欠損の形成が抑えられていることがある。・・・したがって，材料を化学量論比に保つことや，単結晶での真性レベルまでキャリア濃度を下げることがより容易である」，及び，上記摘記（甲１１ｃ）の「均質な超格子が形成できないことは，ホモロガス相の化学組成が化学量論比からずれることを意味する。化学組成がずれることによりホモロガス相中に酸素欠陥が生成し伝導キャリアを発生させてしまう。一般に，酸素欠陥に起因して生成する伝導キャリアは，その濃度制御が極めて困難である。」との記載に照らして，「単結晶」の透明酸化物半導体ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５は，特徴的な層状超格子構造を有し，Ｉｎ２Ｏ３層は酸素が外部に拡散することを防ぐブロッキングバリアとして機能し，それによって酸素欠損の形成が抑えられることから，材料を化学量論比に保つことや，単結晶での真性レベルまでキャリア濃度を下げることがより容易であるといえるが，均質な超格子が形成できない，例えば，「アモルファス」においては，ホモロガス相の化学組成が化学量論比からずれ，その結果，ホモロガス相中に酸素欠陥が生成し，伝導キャリアを発生させてしまうので，酸素欠陥に起因して生成する伝導キャリアの濃度制御が極めて困難となることが理解できる。
　
　すなわち，甲第１０号証及び甲第１１号証の記載からは，薄膜中に均質な超格子が存在しない，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」のキャリア濃度を，１０１６個・ｃｍ−３以下にまで下げることが，極めて困難であることが理解できるものの，甲第１０号証及び甲第１１号証の記載からは，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」のキャリア濃度を，１０１６個・ｃｍ−３以下にまで下げる具体的な成膜方法を読み取ることはできない。
　そうすると，甲第１０号証及び甲第１１号証の記載によっても，ノーマリーオフ型の電界効果型トランジスタを得るために，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」の室温での電子キャリヤ濃度を，１０１６ｃｍ−３以下まで下げることは，当業者が容易に想到できたことであるとは認めることはできない。
オ　＜効果について＞
（ア）本件特許発明１は，上記ウ（イ）で検討したように，従来技術における，トランジスタのオン・オフ比を大きくすることが難しい等という課題を，本件特許発明１において特定する透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜において，（ｉ）ソース・ドレイン端子間に５Ｖ程度の電圧を印加したとき，ゲート電圧を印加しないときのソース・ドレイン端子間の電流を約１０-7アンペヤにすることができ，（ii）電子キャリア濃度の増加とともに，電子移動度が増加し，（iii）さらに，オン・オフ比を１０3超のトランジスタを構成することができ，しかも縮退伝導を示すという優れた特性を備えていることから，電子キャリア濃度が多い状態での電流，すなわちトランジスタの飽和電流の温度依存性が小さくなり，温度特性に優れたＴＦＴを実現できる等の，ＴＦＴのチャネル層に好適である効果を得たものといえるところ，甲第１号証には，ゲート電圧を印加しないときのソース・ドレイン端子間の電流の具体的な値，及び，電子キャリア濃度と電子移動度との関係は開示されておらず，また，他の各甲号証にも，これらの効果を予測する記載は認められないから，引用発明１に上記相違点１−１の構成を採用した場合において，前記効果を奏することは予測することができたとはいえない。
カ　以上の理由から，引用発明１において，上記相違点１−１について，本件特許発明１の構成とすることは，容易であったとは認められないから，本件特許発明１は，当業者が，引用発明１及び上記各甲号証に記載された発明から容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　
キ　審判請求人は審判請求書１５ページにおいて，「上述したような，優先日前当時の透明酸化物薄膜の技術常識等を参酌すれば，本件特許の優先日前当時に縮退半導体である透明酸化物薄膜としてＩＴＯ膜と同様に知られていた『Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明酸化物薄膜』を引用発明１に採用することは，当業者であれば容易に想到できたことと認められる。
　そして，本件特許の優先日前当時に『Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明酸化物薄膜』の一例として知られていた『Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）である透明アモルファス酸化物薄膜』を引用発明１に採用することは，当業者であれば容易に想到できたことと認められる。」と主張する。
　しかしながら，上記「（３）相違点についての判断」で検討したように，本件特許の優先日前において，薄膜トランジスタの半導体層として用いられる薄膜の，「電子移動度」，「電子キャリヤ濃度」，及び，「電子キャリヤ濃度」の大小が「電子移動度」の大小に与える影響等の電気的特性を，前記薄膜を構成する材料の組成，結晶構造，及び，当該薄膜を成膜する方法から，定量的に予測することができていたとすることはできないから，酸化物の導電膜として知られている多数の材料の中から，特に，「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される」「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」を選択する動機を見いだすことはできず，また，前記選択には阻害事由が存在し，さらに，前記「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」の電子移動度を，１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度を１０１６個・ｃｍ−３以下にまで下げる具体的な成膜方法が知られていたともいえない。
　そして，本件特許発明１は，本件特許発明１によって成膜した薄膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタにおいて，（ｉ）ソース・ドレイン端子間に５Ｖ程度の電圧を印加したとき，ゲート電圧を印加しないときのソース・ドレイン端子間の電流を約１０-7アンペヤにすることができ，（ii）電子キャリア濃度の増加とともに，電子移動度が増加し，（iii）さらに，オン・オフ比を１０3超のトランジスタを構成することができ，しかも縮退伝導を示すという優れた特性を備えていることから，電子キャリア濃度が多い状態での電流，すなわちトランジスタの飽和電流の温度依存性が小さくなり，温度特性に優れたＴＦＴを実現できる等の，ＴＦＴのチャネル層に好適であるという格別の効果を有するといえる。
　したがって，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）である透明アモルファス酸化物薄膜を引用発明１に採用することは，当業者であれば容易に想到できたこととは認められないから，審判請求人の前記主張は採用できない。
（４）小括　
　本件特許発明１は，甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
４　本件特許発明３
　本件特許発明３は，「第２　本件発明」で認めたとおりであり，再掲すると，以下のとおりである。
【請求項３】
スパッタ法，パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（Ｚｎ1-xＭｇxＯ）m（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）であり，不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜。
　
５　甲各号証の記載事項
　甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証には，前記「第５　無効理由１について　２　甲第１号証の記載事項」及び「第５　無効理由１について　３　当審の判断」において摘記した事項が記載されている。
　また，甲第１２号証には，以下の事項が記載されている。
（甲１２ａ）「【請求項１】　一般式Ｍ（１）x Ｍ（２）y Ｉｎz Ｏ(x+3y/2+3z/2)-d （式中，
Ｍ（１）はマグネシウム及び亜鉛のうちの少なくとも１つ
ガリウム
導電性酸化物
　
（甲１２ｂ）「【請求項１３】　透明基板上に，一般式Ｍ（１）x Ｍ（２）y Ｉｎz Ｏ(x+3y/2+3z/2) （式中，Ｍ（１）はマグネシウム及び亜鉛のうちの少なくとも１つの元素であり，Ｍ（２）はアルミニウム及びガリウムのうちの少なくとも１つの元素であり，比率（ｘ：ｙ）が０．１〜２．２：１の範囲であり，比率（ｚ：ｙ）が０．４〜１．８：１の範囲である）で表される酸化物をターゲットとして，スパッター法により酸化物膜を形成する方法であって，前記
基板の加熱温度を１００〜９００℃の範囲
導電層を有する電極の製造方法
（甲１２ｃ）「【産業上の利用分野】
　本発明は，優れた電気伝導性を有する導電性酸化物，この導電性酸化物を用いた電極及びその製造方法に関する。本発明の導電性酸化物は，優れた電気伝導性を有すのみならず，可視域全域での透明性にも優れるので，光透過性が必要なディスプレイや太陽電池用の電極等として特に有用である。」（【０００１】）
　
（甲１２ｃ）「すなわち，従来，吸収端が４５０ｎｍより短波長側にあり，しかもＩＴＯと同等かそれ以上の電気伝導率を有する材料は，知られていなかった。そこで
本発明の目的は，吸収端が４５０ｎｍより短波長側にあって
ＩＴＯと同等かそれ以上の電気伝導率を有する
（甲１２ｄ）「本発明の第１の態様の導電性酸化物
　一般式Ｍ（１）x Ｍ（２）y Ｉｎz Ｏ(x+3y/2+3z/2)-d 中，Ｍ（１）はマグネシウム及び亜鉛のうちの少なくとも１つの元素である。従って，Ｍ（１）はマグネシウム及び亜鉛のいずれか単独であってもよいし，Ｍ（１）はマグネシウム及び亜鉛が共存してもよい。
マグネシウム及び亜鉛が共存する場合，マグネシウムと亜鉛の比率には特に制限はない
マグネシウムの比率が増えると吸収端が短波長側にシフトして透明性が増大する傾向がある
亜鉛の比率が増えると導電性が増大する傾向がある
（甲１２ｅ）「
Ｍ（２）は
ガリウムの
単独であってもよい
　
（甲１２ｆ）「一般式Ｍ（１）Ｍ（２）ＩｎＯ4 で表わされる本発明の導電性酸化物は，一般式Ｍｇa Ｚｎ1-a Ａ１b Ｇａ1-b ＩｎＯ4 で表すこともでき，式中ａは０〜１の範囲であり，ｂは０〜１の範囲である。Ｍｇa Ｚｎ1-a Ａ１b Ｇａ1-b ＩｎＯ4 で表わされる本発明の導電性酸化物の具体例としては，例えばＭｇＡ１ＩｎＯ4 ，ＺｎＡ１ＩｎＯ4 ，ＭｇＧａＩｎＯ4 ，ＺｎＧａＩｎＯ4 ，Ｍｇa Ｚｎ1-a Ａ１ＩｎＯ4 ，Ｍｇa Ｚｎ1-a ＧａＩｎＯ4 ，ＭｇＡ１b Ｇａ1-b ＩｎＯ4 ，ＺｎＡ１b Ｇａ1-b ＩｎＯ4 を挙げることができる。式中のａ及びｂは，導電性酸化物に要求される光学的特性及び導電性を考慮して，組成により適宜決定することができる。」（【００２８】）
　
（甲１２ｇ）「
本発明の一般式Ｍ（１）
x 
Ｍ（２）
y 
Ｉｎ
z
 Ｏ
(x+3y/2+3z/2)
 で示される酸化物は
基本的にはＩｎＯ
6
 の八面体構造を有する
本発明の電極では，導電性酸化物の（００ｎ）面（但し，ｎは正の整数である）が透明基板の表面と実質上平行に配向していることが，高い導電性を有すという観点から好ましい
（甲１２ｈ）「実施例２−２２〜２−３０
　仮焼粉末中の含有金属元素の比率が表８の値となるように仮焼粉体を実施例２−１と同様の方法で調製し，一軸加圧（１００ｋｇ／ｃｍ2 ）によって直径２５ミリのディスク状に成形して，大気中，１３００℃〜１７００℃で２時間焼成して相対密度９０％以上の焼結体を得た。焼結体の表面を研磨し，パッキングプレート上に接着剤を用いて固定してスパッタリングターゲットとした。これを日本真空社製ＢＣ１４５７型スパッタリング装置に固定して
Ａｒ／Ｏ
2
 比４５／５のガスを装置内に導入し，１８０ＷのＲＦパワーを４０分間入力して，５００℃に加熱した石英ガラス基板上に厚み８００Åのアモルファス薄膜を作製した
これを大気中４００℃〜８００℃で加熱処理した
生成物を実施例２−１で使用した装置を用いて構造解析を行って，ＹｂＦｅ
2 
Ｏ
4 
型構造の結晶が生成したことを確認した
　
次いで，電子を注入するために結晶化した薄膜試料を水素気流中４００℃〜８００℃で処理して本発明の導電性酸化物を得た
６　本件特許発明３についての当審の判断
（１）対比
　引用発明１は，上記「３　本件特許発明１についての当審の判断」で検討したとおりであり，再掲すると以下のとおりである。
「ゲ−ト電極とゲート絶縁膜とソ−ス電極とドレイン電極と半導体層とを有する薄膜トランジスタにおいて，前記半導体層のキャリア濃度が１０18個・ｃｍ-3以下で，かつ前記半導体層を透光性膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタの前記半導体層において，
　Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，着膜時の酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上として，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜の膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層）を実現した，半導体層。」
ア　本件特許発明３と，引用発明１とを対比する。
イ　引用発明１の「Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリング」は，本件特許発明３の「『スパッタ法』の『気相成膜法』」に相当する。また，引用発明１の「ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜」と，本件特許発明３の「『結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（Ｚｎ1-xＭｇxＯ）m（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）』である『酸化物薄膜』」とは，いずれも「酸化物薄膜」である点で共通する。
　
ウ　また，「ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）」は，Ｉｎ２Ｏ３に錫（Ｓｎ）をドープしたものであるから，引用発明１の「半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層）」と，本件特許発明３の「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜」とは，「Ｉｎ及びＯの元素を含む透明酸化物薄膜」である点で共通する。
エ　さらに，引用発明１の「Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，着膜時の酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上として，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜の膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層）を実現した」半導体層と，本件特許発明３の「不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜」とは，いずれも「電子キャリヤ濃度が低い透明酸化物薄膜」である点で共通する。
　
オ　してみれば，本件特許発明３と，引用発明１との一致点と相違点は次のとおりとなる。
＜一致点＞
　スパッタ法の気相成膜法で成膜され，Ｉｎ及びＯの元素を含む酸化物薄膜であって，
　電子キャリヤ濃度が低い透明酸化物薄膜。
　
＜相違点＞
・相違点１−２：透明酸化物薄膜が，本件特許発明３では，「『Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ及びＯの元素から構成』される酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，『結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（Ｚｎ1-xＭｇxＯ）m（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）』であり，『不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性である』『半絶縁性アモルファス』」酸化物薄膜であるのに対して，引用発明１では，「Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，着膜時の酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上として，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜の膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ−３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ」た半導体層である点。
　
（２）相違点についての判断
・相違点１−２について
ア＜透明酸化物薄膜の置き換えについて＞
　引用発明１において，上記相違点１−１について，本件特許発明１の構成とすること，すなわち，「ＩＴＯ膜」に替えて，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）で示される酸化物薄膜」を用いることが，当業者が容易に想到し得たことであるとは認められないことは，上記「相違点１−１について」で検討したとおりである。
　
　そうすると，透明Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏアモルファス酸化物薄膜が公知であり，前記Ｚｎと前記Ｍｇの比率は適宜決定することができるものであり，さらに，前記Ｚｎの比率が増えると導電性が増大することが，甲第１２号証の記載に照らして，本件特許の優先日前当時において知られており，したがって，導電性酸化物に要求される光学的特性及び導電性を考慮して，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍのような透明Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏアモルファス酸化物薄膜において，Ｚｎを，Ｚｎ＋Ｍｇに置換し，かつ，ＺｎとＭｇの比率を調整することを当業者が容易に想到し得たことであると解する余地があったとしても，そもそも，引用発明１において，上記相違点１−１について，本件特許発明１の構成とすること，すなわち，「ＩＴＯ膜」に替えて，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）で示される酸化物薄膜」を用いることが，当業者にとって容易に想到し得たことであるとは認められないのであるから，引用発明１において，前記「ＩＴＯ膜」に替えて，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）で示される酸化物薄膜」を用いることに思い至り，さらに，前記「結晶化したときの組成が，式ＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）で示される酸化物薄膜」を，「結晶化したときの組成が，式ＩｎＧａＯ3（Ｚｎ1-xＭｇxＯ）m（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）で示される酸化物薄膜」で置き換えることを，当業者が容易に想到し得たことであるとは認められない。
　しかも，甲第１２号証の上記摘記（甲１２ｄ）の「マグネシウム及び亜鉛が共存する場合，マグネシウムと亜鉛の比率には特に制限はない。但し，マグネシウムの比率が増えると吸収端が短波長側にシフトして透明性が増大する傾向がある。亜鉛の比率が増えると導電性が増大する傾向がある。」との記載からは，Ｚｎ１−ｘに対してＭｇｘの割合を，特に，０．８０≦ｘ＜０．８５とする動機を見いだすことはできない。そして，本件特許発明２は，Ｚｎ１−ｘに対してＭｇｘの割合を，特に，０．８０≦ｘ＜０．８５とすることによって，本件特許明細書の上記摘記（本ｈ）に記載された，「Ｍｇに置換すると，酸化物膜の電子移動度は，Ｍｇ無添加膜に比べて低下するが，その程度は少なく，一方でさらに，電子キャリア濃度を置換しない場合に比べて下げることができるので，ＴＦＴのチャネル層としてはより好適である。・・・電子キャリア濃度を１０16／ｃｍ3以下にするには，図４に示すように０．８０≦ｘ＜０．８５とする。」とする，当業者の予測する範囲を超えた，格別の効果を奏するものと認められる。
　したがって，甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証の記載からは，引用発明１において，「ＩＴＯなどの酸化物薄膜」を，「Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ薄膜」であって，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（Ｚｎ1-xＭｇxＯ）m（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）」である「アモルファス」酸化物薄膜とすることは，当業者であれば容易に想到できるものと解することはできない。
（３）小括　
　本件特許発明３は，甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
７　本件特許発明２，本件特許発明４
　本件特許発明２，及び，本件特許発明４は，「第２　本件発明」で認めたとおりであり，再掲すると，以下のとおりである。
【請求項２】
チャネル層，ゲート絶縁膜，ゲート電極，ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであって，請求項１に記載の透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜をチャネル層としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
チャネル層，ゲート絶縁膜，ゲート電極，ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであって，請求項３に記載の透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜をチャネル層としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
　
８　本件特許発明２，及び，本件特許発明４についての当審の判断
　本件特許発明２，及び，本件特許発明４は，それぞれ，本件特許発明１，及び，本件特許発明３について，チャネル層，ゲート絶縁膜，ゲート電極，ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタのチャネル層としたことを，更に限定するものである。
　一方，甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証には，上記摘記した事項が記載されている。
　また，甲第１号証には，チャネル層，ゲート絶縁膜，ゲート電極，ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであって，酸化物薄膜をチャネル層とした薄膜トランジスタが記載されている。
　しかしながら，本件特許発明１，及び，本件特許発明３は，上記で検討したとおり，当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできないものであるから，前記本件特許発明１，及び，本件特許発明３をさらに限定した本件特許発明２，及び，本件特許発明４もまた，当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　すなわち，本件特許発明２は，甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
　また，本件特許発明４は，甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
９　本件特許発明５，６
　本件特許発明５，６は，「第２　本件発明」で認めたとおりであり，再掲すると，以下のとおりである。
【請求項５】
ゲート絶縁膜として，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，又はＨｆＯ2のうちの１種，またはそれらの化合物を少なくとも２種以上含む混晶化合物を用いたことを特徴とする請求項２又は４記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
基板として，ガラス基板，プラスチック基板またはプラスチックフィルムを用いたことを特徴とする請求項２又は４記載の薄膜トランジスタ。
１０　本件特許発明５，６についての当審の判断
　本件特許発明５，６は，本件特許発明２又は本件特許発明４を引用して，本件特許発明２又は本件特許発明４について，ゲート絶縁膜の材料，あるいは，基板の材料を，更に限定するものである。
　一方，甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証には，上記摘記した事項が記載されている。
　また，甲第２号証の８ページ１１−１２行には，ゲート絶縁膜としてＡｌ２Ｏ３を用いることが記載されている。
　しかしながら，本件特許発明２，及び，本件特許発明４は，上記で検討したとおり，当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできないものであるから，本件特許発明２又は本件特許発明４をさらに限定した本件特許発明５，６もまた，当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　すなわち，本件特許発明５は，甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
　また，本件特許発明６は，甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
１１　無効理由１のまとめ
　以上のとおりであるから，本件特許発明１−６は当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
　したがって，本件特許発明１−６について，無効理由１は，理由がない。
第６　無効理由２について
１　本件特許発明１
　本件特許発明１は，「第２　本件発明」で認めたとおりである。　
２　甲第２号証の記載事項
　甲第２号証には，「半導体装置およびそれを用いる表示装置」（発明の名称）に関して，図１−７とともに，以下の事項が記載されている。
（甲２ａ）「技術分野
本発明は，ＩＩ族酸化物を半導体層として用いた半導体装置およびそれを用いる表示装置に関し，特に酸化亜鉛を半導体層として用いた半導体装置に好適な性能改善の手法に関するものである。」（明細書１ページ３−６行）
（甲２ｂ）「日本国公開公報である特開２０００−１５０９００号公報（公開日２０００年５月３０日；以下，特許文献２と記す）には，トランジスタのチャネル層に
酸化亜鉛等の透明半導体
（甲２ｃ）「本発明の目的は，半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において，汎用的な手法で性能が向上された半導体装置およびそれを用いる表示装置を提供することである。」（明細書５ページ６行−８行）
（甲２ｄ）「本発明の半導体装置は，半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において，前記半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が積層されていることを特徴とする。
　上記の構成によれば，
半導体層が酸化亜鉛等のＩＩ族酸化物を含む半導体装置の性能の向上を図るにあたって
従来では
不純物のドープという手法が用いられていたのに対して
本発明では，半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウムを積層する
このような構造とすることで
総ての積層膜を結晶性積層膜で作製した半導体装置と同等レベルの性能を得ることが可能になる
これは，前記ＩＩ族酸化物の半導体層に前記アモルファス状の酸化アルミニウムを積層することで，それらの界面での欠陥準位が低減されるためである
前記欠陥準位とは，半導体層のキャリア移動の際に障害となるような電子的欠陥
（甲２ｅ）「これによって，酸化亜鉛等の半導体層に対して，
従来程，結晶性の向上の要求は強くなく，成膜が容易で，かつ基板の大型化にも容易に対応する
（甲２ｆ）「
本発明の半導体装置では
ＩＩ族酸化物は，酸化亜鉛であることが好ましい
半導体層として用いることができるＩＩ族酸化物としては，たとえば酸化亜鉛（ＺｎＯ）
酸化マグネシウム亜鉛（Ｍｇ
ｘ
Ｚｎ
１−ｘ
Ｏ），酸化カドミウム亜鉛（Ｃｄ
ｘ
Ｚｎ
１−ｘ
），酸化カドミウム（ＣｄＯ）等がある
（甲２ｇ）「
チャネル層５は，酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化マグネシウム亜鉛（Ｍｇ
ｘ
Ｚｎ
１−ｘ
Ｏ），酸化カドミウム亜鉛（Ｃｄ
ｘ
Ｚｎ
１−ｘ
Ｏ），酸化カドミウム（ＣｄＯ）等のＩＩ族酸化物あるいはそれらを含む半導体層であり，
該チャネル層５の膜厚は，通常，１００ｎｍ以上，２００ｎｍ以下の範囲内に設定される
　チャネル層５には，移動度の向上を意図して結晶性を持たせてもよいし，結晶粒界による散乱を考慮して
アモルファス状
（甲２ｈ）「酸化亜鉛は，結晶性や配向性を自ら帯びやすい性質を持つことから，たとえば
スパッタリング法
（甲２ｉ）「表１に，図１の構造のＦＥＴ１による特性の改善効果を，本件発明者の実験結果から，具体的に示す。ＦＥＴの性能を表す重要な特性として，ゲート電圧に対するソース−ドレイン間の電流変化特性であるＶｇ−Ｉｄ特性がある。このＶｇ−Ｉｄ特性を特徴付ける指標として，閾値電圧，移動度，オンオフ比，ヒステリシスがあるが，それをこの表１に示す。
　実験条件は以下の通りとした。閾値電圧，移動度，オンオフ比，ヒステリシスは，半導体パラメータアナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製，型番４１５５Ｃ）を使用し，Ｖｇ−Ｉｄ特性を測定することにより求めた。
　なお，これらの総ての試料は，
チャネル層５として酸化亜鉛を使用
　具体的には，以下の実験には，無アルカリガラスからなる０．７ｍｍの基板２上に，タンタル（Ｔａ）からなる１５０ｎｍのゲート層３，それぞれ以下に示す材料からなる２００ｎｍのゲート絶縁層４，
結晶性を持たせた酸化亜鉛からなる１００ｎｍのチャネル層５
　従来の試料は各積層膜に結晶性を持たせて作製したものであり，本発明の試料は上述のようにアモルファス状の酸化アルミニウム（抵抗率５×１０１３Ω・ｃｍ）のゲート絶縁層４上に，チャネル層５として，結晶性を持たせた酸化亜鉛を積層したものであり，比較用の試料は前記ゲート絶縁層４を本発明のアモルファス状の酸化アルミニウムからアモルファス状の窒化シリコン（抵抗率１×１０１６Ω・ｃｍ）に置換えて，その上に，結晶性を持たせた酸化亜鉛を積層したものである。また，前記従来の試料では，ゲート絶縁層４として，ジルコン酸カルシウム（抵抗率３×１０１４Ω・ｃｍ）を用いている。」（明細書１０ページ７行−１１ページ８行）
　
（甲２ｊ）表１には，甲第２号証に記載された発明において，
閾値電圧が０．０±３．０Ｖ
オンオフ比が１０
７
移動度が３．０〜４．０ｃｍ
２
／Ｖ・ｓ
　
（甲２ｋ）「チャネル層２５は，前記チャネル層５，１５と同様に，酸化亜鉛等から成り，結晶性を持たせてもよいし
アモルファス状
（甲２ｌ）「続いて，前記チャネル層５として，上記ゲート絶縁層４上に，
酸化亜鉛（ＺｎＯ）をＰＬＤ法
堆積雰囲気は酸素，堆積圧力は２００ｍＴｏｒｒ（≒２６．７Ｐａ）とし，ターゲットには酸化亜鉛焼結体を使用し，膜厚は，５〜１００ｎｍ程度とした。
　
（甲２ｍ）「請求の範囲
１．半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において，
前記半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウムが積層されていることを特徴とする半導体装置。
２．前記ＩＩ族酸化物は，酸化亜鉛であることを特徴とする請求の範囲１記載の半導体装置。」（明細書２４ページ１−７行）
３　本件特許発明１についての当審の判断
（１）引用発明２
　上記摘記（甲２ａ）−（甲２ｍ）の記載を総合すると，甲第２号証には，次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において，前記半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウムが積層されていることを特徴とする半導体装置の，前記半導体層であって，
　前記ＩＩ族酸化物は，酸化亜鉛であり，
　前記酸化亜鉛（ＺｎＯ）はＰＬＤ法により堆積され，
　堆積条件は，ＫｒＦエキシマレーザを使用し，レーザパワー密度は１．０Ｊ／ｃｍ２，レーザパルス繰り返し周波数は１０Ｈｚ，堆積雰囲気は酸素，堆積圧力は２００ｍＴｏｒｒ（≒２６．７Ｐａ）とし，ターゲットには酸化亜鉛焼結体を使用し，膜厚は，５〜１００ｎｍ程度である，
　半導体層。」
（２）対比
ア　本件特許発明１と，引用発明２とを対比する。
　
イ　引用発明２の「酸化亜鉛（ＺｎＯ）」からなる「半導体層」は，本件特許発明１の「『透明』『酸化物薄膜』」に相当する。
　
ウ　引用発明２の「ＰＬＤ法」は，本件特許発明１の「パルスレーザー堆積法」に相当し，これは「気相成膜方法」である。
　
エ　酸化物について，引用発明２の「ＺｎＯ」の半導体層と，本件特許発明１の「『Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜』，『結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）』である『透明アモルファス酸化物薄膜』」とは，いずれも，「Ｚｎ及びＯの元素を含む透明酸化物薄膜」である点で共通する。
　
オ　してみれば，本件特許発明１と，引用発明２との一致点と相違点は次のとおりとなる。
＜一致点＞
　パルスレーザー蒸着法の気相成膜法で成膜された，Ｚｎ及びＯの元素を含む透明酸化物薄膜。
＜相違点＞
相違点２−１：「Ｚｎ及びＯを含む酸化物薄膜」が，本件特許発明１では，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である薄膜であるのに対して，引用発明２では，「ＺｎＯ」の半導体層である点。
・相違点２−２：透明酸化物薄膜が，本件特許発明１では，「アモルファス」酸化物薄膜であって，「不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性」であるものであるのに対して，引用発明２の，「前記酸化亜鉛（ＺｎＯ）はＰＬＤ法により堆積され，堆積条件は，ＫｒＦエキシマレーザを使用し，レーザパワー密度は１．０Ｊ／ｃｍ２，レーザパルス繰り返し周波数は１０Ｈｚ，堆積雰囲気は酸素，堆積圧力は２００ｍＴｏｒｒ（≒２６．７Ｐａ）とし，ターゲットには酸化亜鉛焼結体を使用し，膜厚は，５〜１００ｎｍ程度である」薄膜が，アモルファスであるか否かが明示されておらず，また，不純物イオンの添加の有無，及び，電子移動度及び電子キャリヤ濃度が不明である点。
　なお，請求人は，審判請求書において，引用発明２が，「不純物イオンを添加することなしに」という構成を有している旨の主張をするので，以下検討する。
　不純物イオンの添加について，甲第２号証には，「不純物イオンを添加することなしに」という明示の記載を見いだすことはできない。
　他方，甲第２号証には，「上記の構成によれば，半導体層が酸化亜鉛等のＩＩ族酸化物を含む半導体装置の性能の向上を図るにあたって，従来では，積層膜の結晶性の向上や前記結晶性の制御，それに伴う界面制御，さらには不純物のドープという手法が用いられていたのに対して，本発明では，半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウムを積層する。」ことが記載（摘記（甲２ｄ））されている。
　そして，前記記載から，引用発明２において，半導体装置の性能の向上を図る方法として，積層膜の結晶性の向上や，不純物のドープ等という従来の方法が，「半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウムを積層する」という方法によって置き換えられていると，仮に，解し得たとしても，前記記載は，半導体装置の性能の向上を図る方法としての「不純物のドープという手法」という方法が，「半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウムを積層する」という方法によって置き換えられることを特定しているだけであって，引用発明２において，それ以外の目的，例えば，電子移動度，電子キャリア濃度，導電型の付与等を目的とした，「不純物イオンの添加」を，引用発明２に係る「半導体層」の製造工程の，いずれの工程においても有していないことまでを特定しているものとまでは認めることはできない。
　すなわち，甲第２号証からは，引用発明２において，「半導体層」の電子移動度，電子キャリヤ濃度を所定のものとするために，「不純物イオン」を添加することが行われていないとする，明確な根拠を見いだすことはできない。
　したがって，引用発明２が，「不純物イオンを添加することなしに」という構成を有しているとする旨の，請求人の前記主張を採用することができない。
　よって，一致点と相違点を，上記のように認定した。
　
（３）相違点についての判断
・相違点２−１について
ア　甲第９号証には，以下の事項が記載されている。
(甲９ｃ）「
アモルファス半導体
大面積基板
低温薄膜堆積
大面積電子機器
（甲９ｄ）「この発見は後に，全てが
透明「酸化物」
透明
透明
（再掲）（甲９ａ）「アモルファスのＩｎＧａＺｎＯ４はｎ型半導体として知られており，
室温での高周波（ＲＦ）スパッタリングにより作製した
（再掲）（甲９ｂ）「ａ−ＩｎＧａＺｎＯ４膜は，多結晶ＩｎＧａＺｎＯ４膜の円盤状ターゲットを用い，
Ａｒ中で成膜した
（甲９ｅ）「一連の
ｎ型アモルファス酸化物半導体として
ａ−ＩｎＧａＯ
３
（ＺｎＯ）
ｍ
(ｍ≦４)
イ　すなわち，甲第９号証には，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍを，「アモルファス」である透明酸化物薄膜として用いること，アモルファス半導体は，「大面積基板への低温薄膜堆積が可能」であること，及び，「室温での高周波（ＲＦ）スパッタリングにより作製した」，「多結晶ＩｎＧａＺｎＯ４膜の円盤状ターゲットを用い，Ａｒ中で成膜した」アモルファスＩｎＧａＺｎＯ４の「キャリア密度は，以前報告した移動度の値２１ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１[１７] を用いると，４．２×１０１６／ｃｍ３と見積もられる」こと，並びに，「一連のｎ型アモルファス酸化物半導体として，ａ−Ｉｎ２Ｏ３［１３］，ａ−ＡｇＳｂＯ３［１４］，ａ−２ＣｄＯ・ＧｅＯ２［１５］，ａ−ＣｄＯ・ＰｂＯｘ［１６］，ａ−ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ(ｍ≦４)［１７］，ａ−ＺｎＯ・ＳｎＯ２［１８］などがこれまでに発見されている」ことが記載されている。
ウ　そうすると，引用発明２の半導体層と，甲第９号証に記載されたｎ型アモルファス酸化物半導体である，アモルファスＩｎＧａＺｎＯ４とは，半導体である透明酸化物薄膜である点で一致し，また，上記摘記（甲２ｄ）の「結晶性の向上の要求は強くなく，成膜が容易で，かつ基板の大型化にも容易に対応する」との記載から，「結晶性の向上の要求は強くなく，成膜が容易で，かつ基板の大型化にも容易に対応する」という点において，引用発明２の半導体層と，甲第９号証に記載されたｎ型アモルファス酸化物半導体であるアモルファスＩｎＧａＺｎＯ４とは共通するとはいえる。
エ　また，上記に加えて，「Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ」であり「結晶化したときの組成が，式ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である酸化物は，甲第７号証の上記摘記（７ｂ），甲第４号証の上記摘記（甲４ｃ），（甲４ｅ），（甲４ｆ），甲第６号証の上記摘記（甲６ｅ），甲第８号証の上記摘記（甲８ａ），及び，甲第１３号証の
「この化合物は光機能材料，半導体材料及び触媒材料などとして有用なものである。例えば，蛍光体，半導体用の素子，等としての利用が挙げられる。
　この化合物は次の方法によって製造し得られる。
　金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは加熱により酸化インジウムに分解される化合物と，金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と，金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎの割合が原子比で１対１対２の割合で混合し，該混合物を６００℃以上で，大気中，酸化性雰囲気中あるいはＩｎおよびＧａが各々３価状態，Ｚｎが２価状態より還元されない還元雰囲気中で加熱することによって製造することができる。
　
本発明に用いる出発物質は
粒径が小さいものがよく
０μｍ以下であることが好ましい
　また光機能材料，半導体材料として用いる場合には，不純物の混入をきらうので純度の高いものが好ましい。
　これらをそのままあるいはアルコール類アセトン等と共に十分混合する。
　これらの混合割合はＩｎ，ＧａおよびＺｎの割合が，原子比で１対１対２の割合である。この割合をはずすと目的とする化合物の単一相を得ることができない。
　この混合物を大気中，酸化性雰囲気中あるいはＩｎおよびＧａが各々３価状態，Ｚｎが２価状態から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上で加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後は０℃に急冷するかあるいは大気中に急激に引き出せばよい。
　得られた
ＩｎＧａＺｎＭｇＯ
４
化合物の粉末は無色で，Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分かった
その結晶構造は層状構造で，ＩｎＯ
１．５
層，（ＧａＺｎ）Ｏ
２．５
層及びＺｎＯ層の積み重ねによって形成されている
実施例
　純度９９．９９％以上の酸化インジウム粉末，純度９９．９％以上の酸化ガリウム粉末および試薬特級の酸化亜鉛粉末をモル比で１対１対４の２割合に秤量し，これらを乳鉢内でエタノールを加えて約３０分間混合し，平均粒径数μｍの微粉末混合物を得た。この混合物を白金管内に封入し，１３００℃に設定された炉内に入れ３日間加熱し試料を炉外に取り出し室温まで急速に冷却した。
　得られた試料は
ＩｎＧａＺｎ
２
Ｏ
５
ａ＝３．２９２　±０．００１（Å）
ｃ＝２２．５２　±０．０１　（Å）
であった。上記の格子定数および表−２の各反射（ｈｋｌ）より算出した面間隔〔ｄｃ（Å）〕は，実測の面間隔〔ｄｏ（Å）〕と極めてよく一致した。」（３ページ左欄１行−４ページ左上欄１９行）の，いずれにも記載されているとおり周知であるともいえる。
　
オ　しかしながら，引用発明２において，「半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において」，「前記ＩＩ族酸化物は，酸化亜鉛」であることに置き換えて，甲第９号証に記載された，アモルファス酸化物半導体である，ＩｎＧａＺｎＯ４を用いることを当業者が容易に想到し得たといえるためには，引用発明２における，「半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において」，「前記ＩＩ族酸化物は，酸化亜鉛」であることの技術的意義を理解したうえで，前記置き換えが，引用発明２の前記技術的意義を損なうものでないことを要するといえる。
　
カ　そこで，引用発明２における，「半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において」，「前記ＩＩ族酸化物は，酸化亜鉛」であることの技術的意義を，以下検討する。
キ　甲第２号証の上記摘記（甲２ａ）−（甲２ｍ）の記載から，以下の事項を理解することができる。
（ｉ）２０００年５月３０日には，トランジスタのチャネル層に酸化亜鉛等の透明半導体を使用したトランジスタが知られていた。
（ii）半導体層が酸化亜鉛等のＩＩ族酸化物を含む半導体装置の性能の向上を図るにあたって，従来では，積層膜の結晶性の向上や前記結晶性の制御，それに伴う界面制御，さらには不純物のドープという手法が用いられていた。
（iii）引用発明２では，
半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウムを積層する構造とすることで，アモルファス状の酸化アルミニウム以外の積層膜では不可能な，総ての積層膜を結晶性積層膜で作製した半導体装置と同等レベルの性能を得ることが可能になる
（iv）
これは，前記ＩＩ族酸化物の半導体層に前記アモルファス状の酸化アルミニウムを積層することで，それらの界面での欠陥準位が低減されるためである
ク　そうすると，引用発明２における，「半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において」，「前記ＩＩ族酸化物は，酸化亜鉛」であることの技術的意義は，酸化亜鉛等のＩＩ族酸化物の半導体層と，アモルファス状の酸化アルミニウムとを，積層することによって，両者の界面における，半導体層のキャリア移動の際に障害となるような電子的欠陥，すなわち，欠陥準位を低減して，総ての積層膜を結晶性積層膜で作製した半導体装置と同等レベルの性能を有する半導体装置を得ることにあると理解することができる。
　
ケ　ところで，半導体装置の技術分野において，半導体装置を構成する部材に含まれる元素が属する族の違いによって，当該半導体装置の電気的特性が異なる場合があることは，当業者において周知の事項といえる。
　
コ　一方，甲第９号証に記載された，ＩｎＧａＺｎＯ４において，「Ｉｎ」及び「Ｇａ」は，いずれもIII族に属する元素である。そうすると，引用発明２において，「半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において」，「前記ＩＩ族酸化物は，酸化亜鉛」であることに置き換えて，アモルファス酸化物半導体である，ＩｎＧａＺｎＯ４を用いた場合には，前記ＩｎＧａＺｎＯ４と，アモルファス状の酸化アルミニウムとの間に形成される界面の欠陥準位の状態には，前記ＩｎＧａＺｎＯ４に含まれるIII族元素である「Ｉｎ」及び「Ｇａ」の影響が出るであろうと，当業者であれば予測するものと認められる。
　しかも，ＩｎＧａＺｎＯ４において，III族の元素である「Ｉｎ」及び「Ｇａ」の数の合計は，ＩＩ族の元素である「Ｚｎ」の数の２００％となるから，前記ＩｎＧａＺｎＯ４と，アモルファス状の酸化アルミニウムとを，積層することによって，形成される界面の欠陥準位に与える前記III族元素である「Ｉｎ」及び「Ｇａ」の影響は，相当程度大きいと当業者であれば予想するといえる。
　してみれば，酸化亜鉛等のＩＩ族酸化物の半導体層と，アモルファス状の酸化アルミニウムとを，積層することによって，両者の界面における，半導体層のキャリア移動の際に障害となるような電子的欠陥，すなわち，欠陥準位を低減して，総ての積層膜を結晶性積層膜で作製した半導体装置と同等レベルの性能を有する半導体装置を得ることに技術的な意義を有する引用発明２において，前記酸化亜鉛等のＩＩ族酸化物に替えて，III族元素をＩＩ族元素の２００％含むＩｎＧａＺｎＯ４に変更することは，ＩｎＧａＺｎＯ４と，アモルファス状の酸化アルミニウムとを，積層することによって，両者の界面における，半導体層のキャリア移動の際に障害となるような電子的欠陥，すなわち，欠陥準位が低減することが自明であるとは認められないことから，引用発明２の欠陥準位を低減するという課題の解決を妨げるものということができ，引用発明２において，酸化亜鉛等のＩＩ族酸化物の半導体層に置き換えて，甲第９号証のＩｎＧａＺｎＯ４を用いようと当業者が思い至るには，阻害事由が存在するといえる。
　　
サ　しかも，「酸化亜鉛（ＺｎＯ）」を構成する元素である「亜鉛（Ｚｎ）」は，比較的安価な材料であるところ，ＩｎＧａＺｎＯ４を構成する元素である「Ｉｎ」，「Ｇａ」は，いずれも希少金属（レアメタル）として知られる材料であって，「亜鉛（Ｚｎ）」と比べて高価な材料といえる。
　そうすると，引用発明２の安価な「酸化亜鉛（ＺｎＯ）」に置き換えて，高価な「Ｉｎ」，「Ｇａ」を多く含む甲第９号証に記載された，ＩｎＧａＺｎＯ４を用いることには，前記の価格差を超えるに足る動機を要するといえるところ，上記ウで検討した共通点は，前記価格差を超えて，前記置き換えに思い至るに十分な動機であるとは認めることはできない。
　
シ　以上の理由から，引用発明２において，上記相違点２−１について，本件特許発明１の構成とすることは，容易であったとは認められない。
・相違点２−２について
　甲第１０号証の上記摘記（甲１０ｄ）には，「図２に，作製した
単結晶ＩｎＧａＯ
３
（ＺｎＯ）
５
電界効果移動度として得られる）電子移動度の値が・・・であることから
キャリア濃度はおよそ１０
１３
ｃｍ
−３
見積もられる
　また，甲第１１号証には，「一般的に，ノーマリオフ型の電界効果型トランジスタなどの電子デバイスを製造するためには，その濃度を内因性レベル以下（＜１０１４ｃｍ−３）に低減する必要がある。」（明細書８ページ６行−８行）と記載されている。
　このように，トランジスタにおいてノーマリーオフ型にするために，１０１４ｃｍ−３または１０１３ｃｍ−３程度まで電子キャリヤ濃度を下げることが周知であったとはいえる。
　しかしながら，甲第１０号証の「１０１３ｃｍ−３と見積もられる」キャリア濃度は，
単結晶
アモルファス
　さらに，甲第９号証の上記摘記（甲９ａ）には，移動度の値として２１ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１を用いて求めた電子キャリヤ濃度が４．２×１０１６ｃｍ−３であるアモルファスＩｎＧａＺｎＯ４膜を作製したことが記載されているが，甲第９号証の上記摘記（９ｂ）の記載からも明らかなように，甲第９号証において作製された前記ａ−ＩｎＧａＺｎＯ４膜は，Ａｒ中で成膜することで，電子キャリヤ濃度が４．２×１０１６ｃｍ−３であるアモルファスＩｎＧａＺｎＯ４膜を作製したしたものであるから，甲第９号証に記載された発明に，甲第１号証の上記摘記（甲１ｅ），上記摘記（甲１ｈ），及び甲第５号証の上記摘記（甲５ａ），上記摘記（甲５ｃ）に記載された，酸素濃度を調整する発明を適用することが容易であったとも認められない。
　すなわち，当業者が，甲第１号証，甲第５号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証の記載に接したとしても，引用発明２の半導体層をトランジスタに適用する際，ノーマリーオフ型にすることを目的とし，酸素分圧を制御することによって電子キャリヤ濃度を１０１６ｃｍ−３以下程度まで下げることを，当業者が容易になし得たと認めることはできない。
　さらに，引用発明２の半導体層の電子キャリヤ濃度を，１０１６ｃｍ−３以下まで下げた場合に，電子移動度の値が変化することは明らかであるところ，甲第１号証，甲第５号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証のいずれにも，アモルファス酸化物薄膜において，「室温での電子移動度が０．１ｃｍ2／（Ｖ・秒）以上」という特性と，「電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下」という特性とを同時に実現したことは記載されておらず，また，「室温での電子移動度が０．１ｃｍ2／（Ｖ・秒）以上」という特性と，「電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下」という特性とを同時に実現することが当業者にとって容易になし得たことであるとも認められない。
　以上の理由から，引用発明２において，上記相違点２−２について，本件特許発明１の構成とすることは，容易であったとは認められない。
・効果について
ア　上記摘記（甲２ｉ）及び（甲２ｊ）の記載によれば，引用発明２は，チャネル層５として酸化亜鉛を使用することで，閾値電圧が０．０±３．０ボルト，オンオフ比が１０７，移動度が３．０〜４．０ｃｍ２／Ｖ・ｓという電気的特性を実現しているところ，引用発明２において，チャネル層５として酸化亜鉛を使用することに替えて，甲第９号証に記載されたＩｎＧａＺｎＯ４を用いることで，前記甲第２号証に記載された引用発明２の電気的特性よりも優れた特性を得ることができることを，当業者が予測し得たとも認められない。したがって，引用発明２において，チャネル層５として酸化亜鉛を使用することに替えて，甲第９号証に記載されたＩｎＧａＺｎＯ４を用いることを当業者が容易に想到し得たとは認められない。
イ　さらに，「第５　無効理由１について　１　本件特許発明１（３）相違点についての判断　・相違点１−１について　ウ（イ）」で検討したように，本件特許発明１は，「本発明の成膜方法によるアモルファス酸化膜は，電子キャリア濃度が増加すると，電子移動度が大きくなるので，トランジスタがオン状態での電流を，より大きくすることができ」る等の効果を奏するところ，引用発明２及び甲各号証の記載からは，そのような効果を予測することもできない。
（４）小括　
　以上の理由から，引用発明２において，上記相違点２−１及び上記相違点２−２について，本件特許発明１の構成とすることは，容易であったとは認められないから，本件特許発明１は，当業者が，引用発明２及び上記各甲号証に記載された発明から容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　すなわち，本件特許発明１は，甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
４　本件特許発明３
　本件特許発明３は，「第２　本件発明」で認めたとおりである。　
５　各甲号証の記載事項
　甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証には，先に摘記した事項が記載されている。
６　本件特許発明３についての当審の判断
（１）対比
　引用発明２は，上記「３　本件特許発明１についての当審の判断」で検討したとおりであり，再掲すると以下のとおりである。
「半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において，前記半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウムが積層されていることを特徴とする半導体装置の，前記半導体層であって，
　前記ＩＩ族酸化物は，酸化亜鉛であり，
　前記酸化亜鉛（ＺｎＯ）はＰＬＤ法により堆積され，
　堆積条件は，ＫｒＦエキシマレーザを使用し，レーザパワー密度は１．０Ｊ／ｃｍ２，レーザパルス繰り返し周波数は１０Ｈｚ，堆積雰囲気は酸素，堆積圧力は２００ｍＴｏｒｒ（≒２６．７Ｐａ）とし，ターゲットには酸化亜鉛焼結体を使用し，膜厚は，５〜１００ｎｍ程度である，
　半導体層。」
ア　本件特許発明３と，引用発明２とを対比する。
　
イ　引用発明２の「酸化亜鉛（ＺｎＯ）」からなる「半導体層」は，本件特許発明３の「『透明』『酸化物薄膜』」に相当する。
　
ウ　引用発明２の「ＰＬＤ法」は，本件特許発明３の「パルスレーザー堆積法」に相当し，これは「気相成膜方法」である。
　
エ　酸化物について，引用発明２の「ＺｎＯ」の半導体層と，本件特許発明３の「『Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜』，『結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（Ｚｎ1-xＭｇxＯ）m（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）』である『透明アモルファス酸化物薄膜』」とは，いずれも，「Ｚｎ及びＯの元素を含む透明酸化物薄膜」である点で共通する。
　
オ　してみれば，本件特許発明３と，引用発明２との一致点と相違点は次のとおりとなる。
＜一致点＞
　パルスレーザー蒸着法の気相成膜法で成膜された，Ｚｎ及びＯの元素を含む透明酸化物薄膜。
＜相違点＞
・相違点２−３：「Ｚｎ及びＯを含む酸化物薄膜」が，本件特許発明３では，「結晶化したときの組成が，ＩｎＧａＯ3（Ｚｎ1-xＭｇxＯ）m（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）」である薄膜であるのに対して，引用発明２では，「ＺｎＯ」の酸化物である点。
・相違点２−４：透明酸化物薄膜が，本件特許発明３では，「アモルファス」酸化物薄膜であって，「不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性」であるのに対して，引用発明２の，「前記酸化亜鉛（ＺｎＯ）はＰＬＤ法により堆積され，堆積条件は，ＫｒＦエキシマレーザを使用し，レーザパワー密度は１．０Ｊ／ｃｍ２，レーザパルス繰り返し周波数は１０Ｈｚ，堆積雰囲気は酸素，堆積圧力は２００ｍＴｏｒｒ（≒２６．７Ｐａ）とし，ターゲットには酸化亜鉛焼結体を使用し，膜厚は，５〜１００ｎｍ程度である」薄膜が，アモルファスであるか否かが明示されておらず，また，不純物イオンの添加の有無，及び，電子移動度及び電子キャリヤ濃度が不明である点。
（２）相違点についての判断
・相違点２−３について
ア＜酸化物の置き換えについて＞
　甲第２号証に記載されているＺｎ，Ｏなどの元素から構成される酸化物，甲第４号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１３号証に記載されているＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｏの元素から構成される酸化物以外にも，甲第１２号証に記載されているとおり，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｏの元素から構成される酸化物が知られている。さらに甲第１２号証には，ＺｎとＭｇの比率を適宜決定することができるものであり，Ｚｎの比率が増えると導電性が増大することについても記載されている。
　しかしながら，仮に，本件特許の優先日前当時に知られていた甲第１２号証の記載に鑑みて，導電性酸化物に要求される光学的特性及び導電性を考慮して，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍのような透明Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏアモルファス酸化物薄膜において，Ｚｎを，Ｚｎ＋Ｍｇに置換し，かつ，ＺｎとＭｇの比率を調整することを当業者が容易に想到し得たことであると解する余地があったとしても，上記「相違点２−１について」で検討したように，そもそも，引用発明２において，「半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において」，「前記ＩＩ族酸化物は，酸化亜鉛」であることに替えて，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）」である酸化物薄膜を用いることは，当業者が容易に想到し得たことであるとは認められないのであるから，引用発明２において，「半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において」，「前記ＩＩ族酸化物は，酸化亜鉛」であることに替えて，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）」である酸化物薄膜を用いることに思い至り，さらに進んで，Ｚｎを，Ｚｎ＋Ｍｇに置換し，かつ，ＺｎとＭｇの比率を調整することを容易になし得たことであるとは，上記「相違点２−１について」での検討と同様の理由により，認めることはできない。
　しかも，甲第１２号証の上記摘記（甲１２ｄ）の「マグネシウム及び亜鉛が共存する場合，マグネシウムと亜鉛の比率には特に制限はない。但し，マグネシウムの比率が増えると吸収端が短波長側にシフトして透明性が増大する傾向がある。亜鉛の比率が増えると導電性が増大する傾向がある。」との記載からは，Ｚｎ１−ｘに対してＭｇｘの割合を，特に，０．８０≦ｘ＜０．８５とする動機を見いだすことはできない。そして，本件特許発明３は，Ｚｎ１−ｘに対してＭｇｘの割合を，特に，０．８０≦ｘ＜０．８５とすることによって，本件特許明細書の上記摘記（本ｈ）に記載された，「Ｍｇに置換すると，酸化物膜の電子移動度は，Ｍｇ無添加膜に比べて低下するが，その程度は少なく，一方でさらに，電子キャリア濃度を置換しない場合に比べて下げることができるので，ＴＦＴのチャネル層としてはより好適である。・・・電子キャリア濃度を１０16／ｃｍ3以下にするには，図４に示すように０．８０≦ｘ＜０．８５とする。」とする，当業者の予測する範囲を超えた，格別の効果を奏するものと認められる。
　したがって，甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証の記載からは，引用発明２において，「半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において」，「前記ＩＩ族酸化物は，酸化亜鉛」とすることに替えて，「結晶化したときの組成が，ＩｎＧａＯ３（Ｚｎ１−ｘＭｇｘＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）」である「アモルファス」酸化物薄膜とすることは，当業者であれば容易に想到できるものと解することはできない。
　以上の理由から，引用発明２において，上記相違点２−３について，本件特許発明３の構成とすることは，容易であったとは認められないから，他の相違点については検討するまでもなく，本件特許発明３は，当業者が，引用発明２及び上記各甲号証に記載された発明から容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
・相違点２−４について
　上記「相違点２−２について」と同様の理由によって，引用発明２において，上記相違点２−４について，本件特許発明２の構成とすることは，容易であったとは認められない。
（３）小括　
　以上の理由から，引用発明２において，上記相違点２−３及び上記相違点２−４について，本件特許発明２の構成とすることは，容易であったとは認められないから，本件特許発明２は，当業者が，引用発明２及び上記各甲号証に記載された発明から容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　すなわち，本件特許発明３は，甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
７　本件特許発明２，本件特許発明４
　本件特許発明２，及び，本件特許発明４は，「第２　本件発明」で認めたとおりである。
　
８　本件特許発明２，及び，本件特許発明４についての当審の判断
　本件特許発明２，及び，本件特許発明４は，それぞれ，本件特許発明１，及び，本件特許発明３について，チャネル層，ゲート絶縁膜，ゲート電極，ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタのチャネル層としたことを，更に限定するものである。
　一方，甲第２号証には，本件特許発明２，及び，本件特許発明４の，チャネル層，ゲート絶縁膜，ゲート電極，ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタに相当する構成が開示されている。
　しかしながら，本件特許発明１，及び，本件特許発明３は，上記で検討したとおり，当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできないものであるから，前記本件特許発明１，及び，本件特許発明３をさらに限定した本件特許発明２，及び，本件特許発明４もまた，当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　すなわち，本件特許発明２は，甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
　また，本件特許発明４は，甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
９　本件特許発明５，６
　本件特許発明５，６は，「第２　本件発明」で認めたとおりである。
１０　本件特許発明５，６についての当審の判断
　本件特許発明５，６は，本件特許発明２又は本件特許発明４を引用して，本件特許発明２又は本件特許発明４について，ゲート絶縁膜の材料，あるいは，基板の材料を，更に限定するものである。
　一方，甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証には，上記摘記した事項が記載されている。
　また，甲第２号証の８ページ１１−１２行には，ゲート絶縁膜としてＡｌ２Ｏ３を用いることが記載されている。
　しかしながら，本件特許発明２，及び，本件特許発明４は，上記で検討したとおり，当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできないものであるから，本件特許発明２又は本件特許発明４をさらに限定した本件特許発明５，６もまた，当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　すなわち，本件特許発明５は，甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
　また，本件特許発明６は，甲第１号証，甲第２号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
１１ 無効理由２のまとめ
　以上のとおりであるから，本件特許発明１−６は，当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
　したがって，本件特許発明１−６について，無効理由２は，理由がない。
第７　無効理由３について
１　本件特許発明１
　本件特許発明１は，「第２　本件発明」で認めたとおりである。　
２　甲第３号証の記載事項
　甲第３号証には，「半導体装置」（発明の名称）に関して，図１−１４とともに，以下の事項が記載されている。
　
（甲３ａ）「【特許請求の範囲】
１．
透明材料の２つの接続電極と，透明絶縁層によりチャネル領域から分離された導電材料の透明ゲート電極が設けられた半導体材料の介在透明チャネル領域とを有する透明スイッチング素子が設けられた半導体装置において，前記半導体材料は，伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ
2
／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料を具えることを特徴とする半導体装置
２．前記塩基性材料は非遷移金属の共有結合酸化物を具えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
３．前記塩基性材料はＳｎ，ＺｎおよびＩｎより成る群から選択された共有結合酸化物を具えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
４．前記接続電極，ゲート電極およびチャネル領域は同一の型のドーパント原子を設けた同一の塩基性材料を具え，前記半導体材料は導電材料のドーズ量よりも少量のドーパント原子を含むようにしたことを特徴とする請求項１〜３の何れかの項に記載の半導体装置。
５．導電材料は０．５％以上のドーパント原子を含み，半導体材料は０．３％以下のドーパント原子を含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
６．前記塩基性材料はＳｎＯ2を（審決注：「ＳｎＯ2」の誤り。）含み，前記ドーパント原子はＳｂを含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。」（２ページ１−２１行）
　
（甲３ｂ）「発明の技術分野
　本発明は透明材料の２つの接続電極と，透明絶縁層によりチャネル領域から分離された導電材料の透明ゲート電極が設けられた半導体材料の介在透明チャネル領域とを有する透明スイッチング素子が設けられた半導体装置に関するものである。」（４ページ３−７行）
　
（甲３ｃ）「発明の背景
　特許願60-198861 には透明接続電極およびゲート電極を錫ドープ酸化インジウムで構成し，絶縁層を酸化シリコンで構成するようにした上述した種類の半導体装置が記載されている。チャネル領域の透明半導体材料としてはＷＯ3が用いられている。
　既知の半導体装置はいわゆる“電子−クロミック装置”（ＥＣＤ）である。かかる装置の接続上には電解液が存在する。従ってこの電解液からＷＯ3内にＨ+イオンが拡散される。従って，ＷＯ3は可視光を吸収することができる。即ち，スイッチング素子はカラーと見なすことができる。このＨ+イオンの拡散は緩慢に進行する。スイッチング素子はＨ+イオンのこの緩慢な拡散のためにあるメモリ効果を有する。即ち，スイッチング素子はある時間に亘って所定の状態に保持される。この既知の半導体装置は極めて限定された度合で，即ち，ＷＯ3内にＨ+イオンが存在しない場合にのみ透明となる。それ自体絶縁体であるＷＯ3の導電度はＷＯ3内の酸素の量が減少することによって決まる（“酸素空乏ＷＯ3”）。
　上述した既知の半導体装置では，これが比較的緩慢に状態切換を行うと云う実際的な欠点があることを確かめた。その理由はスイッチング素子のスイッチングが部分的にはＨ+イオンの固体拡散によっても決まるからである。また，既知の半導体材料においては，既に酸素が比較的僅かだけ除去されているため可視光の吸収が強く増大し，従って半導体材料の導電度がある所望の値となった場合には材料はもはや透明とはならない。これは，既知のスイッチング素子を全ての状況の下で透明となるスイッチング素子として用いることができないことを意味する。
　本発明の目的は上述した欠点に対処し得るようにした半導体装置を提供せんとするにある。」（４ページ１０行−５ページ５行）
　
（甲３ｄ）「
発明の概要
　この目的のため，本発明は透明材料の２つの接続電極と，透明絶縁層によりチャネル領域から分離された導電材料の透明ゲート電極が設けられた半導体材料の介在透明チャネル領域とを有する透明スイッチング素子が設けられた半導体装置において，前記半導体材料は，伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料を具えることを特徴とする。
　
従って塩基性材料はそのバンドギャップを2.5 ｅＶ以上とし
移動度を10ｃｍ
2
／Ｖｓ以上とするように選択し
の後導電度をドーパント原子の性質および濃度を好適に選択することによって決定する
ドーパント原子の濃度は0.001 ％乃至0.3 ％の範囲に選択すると充分な導電度が得られるようになる
　可視光のエネルギーはほぼ2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体材料に電子−正孔対を形成するには不充分であるため，この可視光は半導体材料によっては吸収されない。本発明による縮退半導体材料は透明となる。その理由は可視光の吸収が大きなバンドギャップのために不可能であり，これと同時に不純物エネルギー準位のため可視光の吸収が生じないからである。加うるに，本発明半導体材料を設けたスイッチング素子は電荷キャリアの高移動度のため比較的迅速に作動する。
　前記塩基性材料は非遷移金属の共有結合酸化物を具えるようにするのが好適である。かかる金属の酸化物およびかかる金属，例えば，Ｇａ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓｂ，Ｐｂ，ＧｅおよびＩｎの酸化物の化合物は，その移動度が10ｃｍ2／Ｖｓ以上であり，バンドギャップが2.5 ｅＶ以上である（例えば，J．Phys．Chem．Ref．Data，Vol．2，No．1，1973，P.163 ff.参照）。非遷移金属の一層イオン的な酸化物は塩基性材料としては好適ではない。その理由は電荷キャリアと結晶格子のイオンとの間に強い相互作用が働くからである。
　前記塩基性材料はＳｎ，ＺｎおよびＩｎより成る群から選択された共有酸化物を具えるようにするのが好適である。これら共有結合酸化物はその移動度が比較的高く，ドーパント原子を設けた場合でも30ｃｍ2／Ｖｓ以上である。ドーパント原子は使用する共有結合酸化物に対し減衰する。従って，Ｓｂ，ＦまたはＣｌのようなドーパント原子はＳｎＯ3が共有結合酸化物である際に用いることができ，Ｓｎドーパント原子はＩｎ2Ｏ3が共有結合酸化物である際に用いることができ，Ｇａドーパント原子はＺｎＯが共有結合酸化物である際に用いることができる。
　好適な例では，前記接続電極，ゲート電極およびチャネル領域は同一の型のドーパント原子を設けた同一の塩基性材料を具え，前記半導体材料は導電材料のドーズ量よりも少量のドーパント原子を含むようにする。かかる半導体装置は比較的容易に製造することができる。その理由はドーパント原子の量がことなるだけで同一の材料を用いるからである。好適には，導電材料は０．５％以上のドーパント原子を含み，半導体材料は０．３％以下のドーパント原子を含むようにする。前記塩基性材料はＳｎＯ2を含み，前記ドーパント原子はＳｂを含むようにするのが有利である。」（５ページ６行−６ページ２３行）
　
（甲３ｅ）「図１および２は透明材料の２つの接続電極２，３を有するスイッチング素子１と，半導体材料の介在透明チャネル領域４とを設けた透明半導体装置を示す。本例では，接続電極およびチャネル領域は同一半導体材料から造る。接続電極２，３の抵抗値はその幅のみにに起因して比較的低い。チャネル領域４には透明な導電性ゲート電極５を設け，これを透明絶縁層６によってチャネル領域４から分離する。本発明によればチャネル領域４の半導体材料は塩基性材料およびドーパント原子を有する縮退半導体材料を具える。図３は縮退半導体の電子のエネルギー準位13を示す。塩基性材料は2.5 ｅＶ以上の電子の伝導帯11および価電子帯12間のバンドギャップ10を有し，塩基性材料の電荷キャリアの移動度は10ｃｍ2/Ｖｓである。塩基性材料にはドーパント原子を設け，このドーパント原子は塩基性材料の，適用可能なように，価電子帯または伝導帯12,11 に，またはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位13を形成する。この不純物エネルギー準位13は伝導帯または価電子帯の縁部からほぼ0.1 ｅＶ以下の距離14の箇所において価電子帯または伝導帯12,11 に隣接して位置する。不純物エネルギー準位13は全価電子帯または伝導帯12,11 内に存在する。導電度はドーパント原子を好適に選定することによって決めることができる。ドーパント原子濃度は0.001 ％乃至0.3 ％の範囲にすると充分に高い導電度を得ることができる。電子は室温で不純物エネルギー充分に13から価電子帯または伝導帯12,11 と容易に交換することができる。
　
図１および２の半導体装置は次のように製造することができる。厚さ50ｎｍの導電性ＳｒＲｕＯ
3
層５は絶縁単結晶ＳｒＴｉＯ
3
基板７上にエピタキシヤル堆積により設ける。ＳｒＲｕＯ
3
はそれ自体透明ではないが，ほぼ60ｎｍ以下のＳｒＲｕＯ
3
の極めて薄い層は透明である。このＳｒＲｕＯ
3
層５上に厚さ0.7 μｍのモリブデン層を蒸着する。このモリブデン層はフォトレジストおよびＣＦ
4
／Ｏ
2
によるＡｒ補助反応性エッチング（ＲＩＥ）によって既知のようにパターン化する。次いで，パターン化されたモリブデンはＣＨＦ
3
によるＲＩＥによってＳｒＲｕＯ
3
層をパターン化するためのマスクとして用いてゲート電極５を形成する。次いで残存するモリブデンはヘキサシアノ鉄酸カリウムによるいわゆる酸化還元エッチング処理によって除去する。次に，ゲート電極５上および基板７の表面上に透明絶縁層６および半導体材料４を設ける。本例では，ＢａＺｒＯ
2
の厚さ0.2 μｍの絶縁層６は650 ℃の温度で，且つ0.2mbar の酸素圧でパルスレーザ堆積によって設ける。次いで，0.03％のＳｎがドープされたＩｎ
2
Ｏ
3
の厚さ0.1 μｍの層４を，0.2mbar の酸素圧および505 ℃の温度でパルスレーザ堆積によって絶縁層６上および基板７の表面上に既知のように設ける
　
接続電極２に対するゲート電極５の−４Ｖ以下の電圧で，この第１例により製造されたスイッチング素子のチャネル領域は電荷キャリアを完全に空乏化する。従って接続電極２および３間には200 ｋΩ以上の抵抗が得られる。ゲート電極５における零Ｖ以上の電圧で，スイッチング素子が導通状態となり，接続電極２および３間の抵抗値はほぼ10ｋΩとなる。第１例によるスイッチング素子は種々に変更することができる
また，チャネル領域４の半導体材料に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物を用いることもできる
これら金属の酸化物およびその混合物は10ｃｍ
２
／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する
例えば，Ｇａ
2
Ｏ
3
，Ｂｉ
2
Ｏ
3
，ＳｎＯ
2
，ＺｎＯ，Ｓｂ
2
Ｏ
3
，ＰｂＯ，ＧｅＯ
2
またはＩｎ
2
Ｏ
3
，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ
3
，ＺｎＧａ
２
Ｏ
4
，またはＣｄＧａ
2
Ｏ
4
のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いることができる
ドーパント原子は蒸着源または使用ガスによって塩基性材料内に導入することができる
ドーパント原子の濃度は0.001 ％乃至0.3 ％の範囲とすることによってスイッチング素子の半導体材料として用いるに充分な高さの導電度を得ることができる
　
好適には，半導体材料はＳｎ，Ｚｎ，Ｉｎより成る群から選択された金属の共有結合酸化物を具える
且つＺｎＯを共有結合酸化物とする場合にはＧａのようなドーパント原子を用いることができる
　
（甲３ｆ）「 図４は本発明スイッチング素子１の第２実施例を示す。ガラス基板７，本例では，0.2mbar のＯ2圧且つ505 ℃の温度でパルスレーザ堆積により既知のように堆積されたSb1.5 ％ドープの厚さ0.2 μｍのＳｎＯ2層上に透明導電材料を設ける。この透明導電材料の上に蒸着により厚さ0.7 μｍのモリブデン層を設ける。このモリブデン層はフォトレジストおよびＣＦ4/Ｏ2を用いるＲＩＥによって既知のようにパターン化する。次に，パターン化されたモリブデン層をマスクとして用いてＣＦＨ3によるＲＩＥによってドープされたＳｎＯ2層をパターン化してゲート電極５を形成する。次いで，モリブデン層をヘキサシアノ鉄酸カリウムによる酸化還元エッチング処理によって除去する。次に，強誘電材料の厚さ0.25μｍの透明絶縁層６をゲート電極５上および基板７の表面上に設ける。使用し得る強誘電材料は例えば，ニオブ酸リチウム(ＬｉＮｂＯ3)，タンタル酸リチウム(ＬｉＴａＯ3)またはチタン酸鉛−ジルコニウム(ＰｂＺｒxＴｉ1-xＯ3)がある。本例では，チタン酸鉛−ジルコニウムＰｂＺｒ0.2Ｔｉ0.8Ｏ3を用いる。その理由はこの材料は他の使用材料との両立性を考慮する事なく比較的容易に提供できるからである。さらにこの材料はその偏光性が比較的高く（ほぼ60μＣ/ｃｍ2），且つスイッチング電界が低い（ほぼ50ｋＶ/ｃｍ）。チタン酸鉛−ジルコニウムは0.2mbar の酸素圧および587 ℃の温度でパルスレーザ堆積することによって既知のように得られる。
　次いで，0.2mbar のＯ2圧且つ505 ℃の温度でパルスレーザ堆積により既知のように強誘電層６上および基板７の表面上に0.03％のＳｂがドープされたＳｎＯ2の厚さ0.1 μｍの層４を設ける。ゲート電極５に対する導電層の場合と同様に，これら層４および６はフォトレジストおよびモリブデン層を用いて再びパターン化する。ゲート電極５に損傷を与えないように限定された期間のみエッチングを行う。次いで，モリブデン損傷を再び除去する。斯くしてチャネル領域４を形成する。次に，その表面にＳｂが1.5 ％ドープされたＳｎＯ2の厚さ0.5 μｍの導電層を設ける。この層をフォトレジストおよびモリブデン層によりパターン化してゲート電極に対する導電層の場合と同様に導電性接続電極２および３を形成する。
　本例では，接続電極２，３，ゲート電極５およびチャネル領域４は同一の方のドーパント原子を設けた同一の塩基性材料，接続電極２．３の半導体材料およびゲート電極５の導電材料よりも少量のドーパント原子を有するチャネル領域４の半導体材料を具える。かかる半導体装置は比較的簡単に製造することができる。その理由はこれら材料に１種類の製造処理のみが必要となるだけであるからである。」（１１ページ１２行−１２ページ１６行）
　
（甲３ｇ）「第５実施例では，トランジスタを第２実施例にならって形成するが，チャネル領域には別の層４，即ち０．１％のＳｂ（審決注：「Ｓｂ」の誤り。）をドープした１０ｎｍの厚さのＳｎＯ2層を用いる。トランジスタには１０ｎｍの厚さのＢａＺｒＯ3製のキャッピング層をかぶせる。」（１６ページ２−５行）
　
（甲３ｈ）「本発明は上述した実施例に限定されるものではない。従って，上記実施例では非遷移金属の所定の共有結合酸化物を透明半導体及び導電材料として選定したが，本発明による半導体装置は非遷移金属の別の共有結合酸化物でも極めて良好に製造することができる。接続電極間の抵抗値及びオン／オフ比，即ちスイッチング素子のスイッチング中又はそうでない期間中の接続電極間の抵抗値の差は，例えば半導体の種類や，絶縁材料や，強誘電材料を適合させるか，又はチャネル構造，即ちチャネル領域の幅，長さ及び厚さを適合させることにより特殊な諸要求に適合させることができる。従って，各用途に対し，チャネル抵抗や，オン／オフ比や，強誘電材料のスイッチングの面で，最適な材料及び最適な構造のものを選定することができる。強誘電材料として別のものを選定するか，又は強誘電材料層の厚さを異なる厚さとして，強誘電材料によりスイッチング素子のスイッチング電圧を相違させることもできる。さらに，半導体装置の材料は，撮像素子又は表示素子以外は透明とする必要はない。スイッチング素子は，これらのスイッチング素子１を撮像及び表示素子３０とオーバラップさせる場合にだけは透明とする必要がある。従って，例えばバスライン２２及び２５並びに接続電極２及びゲート電極５の部分には第３及び第４実施例における金属層，例えば導電性を促進するためにモリブデン又はアルミニウム層を設けるのが極めて好適である。
　材料を堆積したり，パターン化する方法としてレーザ堆積法，ＣＶＤ法及びホトリソグラフィ法の如き所定の技法のみを提案したが，これは本発明をこのような技法でしか実施できないと云うことを意味するのではない。エピタキシャル成長（ＭＢＥ）や，印刷技法により材料をマスクしたりするような他の技法も極めて良好に用い得ることは明らかである。」（１６ページ１９行−１７ページ１２行）
　
３　本件特許発明１についての当審の判断
（１）引用発明３
　上記摘記（甲３ａ）−（甲３ｈ）の記載を総合すると，甲第３号証には，次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
　
「透明材料の２つの接続電極と，透明絶縁層によりチャネル領域から分離された導電材料の透明ゲート電極が設けられた半導体材料の介在透明チャネル領域とを有する透明スイッチング素子が設けられた半導体装置の前記半導体材料において，前記半導体材料が，伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料を具えることを特徴とする半導体装置の前記半導体材料であって，
　導電性ＳｒＲｕＯ3層５を絶縁単結晶ＳｒＴｉＯ3基板７上にエピタキシヤル堆積により設け，このＳｒＲｕＯ3層５をパターン化してゲート電極５を形成し，次に，前記ゲート電極５上および前記基板７の表面上に透明絶縁層６であるＢａＺｒＯ2を設け，次いで，前記半導体材料として，0.03％のＳｎがドープされた厚さ0.1 μｍのＩｎ2Ｏ3の層４を，0.2mbar の酸素圧および505 ℃の温度でパルスレーザ堆積によって前記透明絶縁層６上および前記基板７の表面上に既知のように設ける方法で成膜した半導体材料において，
　前記半導体材料である，0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物である，10ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する，例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いることができる半導体材料。」
　
（２）対比
ア　引用発明３の「パルスレーザ堆積」は，本件特許発明１の「『パルスレーザー蒸着法』の『気相成膜法』」に相当する。
　
イ　引用発明３の「層４」は，「酸化物」であって，「０．１μｍ」の薄膜であることから，本件特許発明１の「酸化物薄膜」に相当する。
ウ　引用発明３の「半導体材料」は，「透明スイッチング素子」の「介在透明チャネル領域」であって，「伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有」するのであるから，本件特許発明１の「透明」酸化物薄膜に相当する。
エ　電子移動度に関し，引用発明３の「移動度」は本件特許発明１の「電子移動度」に相当し，引用発明３の「１０ｃｍ２／Ｖｓ以上」は本件特許発明１の「１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超」を満たしている。
オ　してみれば，上記ア−エを整理すると，本件特許発明１と，引用発明３との一致点及び相違点は次のとおりとなる。
＜一致点＞
　パルスレーザー蒸着法の気相成膜法で成膜される透明酸化物薄膜であって，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超である透明酸化物薄膜。
＜相違点＞
・相違点３−１：酸化物薄膜が，本件特許発明１では，「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される」酸化物薄膜であって，「該酸化物の組成は，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）」の「アモルファス酸化物薄膜」であるのに対し，引用発明３では，「伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料を具え」たものであり，「前記半導体材料である，0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物である，10ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する，例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いることができる」半導体材料であり，また，「アモルファス」であることが特定されていない点。
・相違点３−２：本件特許発明１の酸化物薄膜は，「不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性」のものであるのに対して，引用発明３では当該構成について特定されていない点。
カ　なお，請求人は，審判請求書５０ページの「（３−１−３）甲第３号証に記載の認定」において，甲第３号証には，「パルスレーザ堆積により成膜され，厚さ１０ｎｍ又は０．１μｍの透明半導体を用いた層４であって，前記透明半導体として，Ｇａ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＺｎＯ，Ｓｂ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＧｅＯ２またはＩｎ２Ｏ３，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ３，ＺｎＧａ２Ｏ４，またはＣｄＧａ２Ｏ４のようなこれら酸化物から形成された化合物を用い，移動度が１０ｃｍ２／Ｖｓ 以上であることを特徴とする透明半導体を用いた層４」という発明が記載されているものと認められる旨を主張するが，以下の理由により，当該主張は採用することができない。
　
キ　発明とは，「自然法則を利用した技術的思想の創作のうち高度のもの」（特許法第２条第１項）であるところ，請求人が主張する引用発明３を特定する事項の１つである「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用い」という事項が記載されている，甲第３号証の上記摘記（甲３ｅ）には，以下の記載がある。
「また，
チャネル領域４の半導体材料に対し
ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物を用いる
これら金属の酸化物およびその混合物は
例えば
用いることができる
　好適には，半導体材料はＳｎ，Ｚｎ，Ｉｎより成る群から選択された金属の共有結合酸化物を具える。これら共有結合酸化物はドーパント原子を設けた場合でも30ｃｍ2／Ｖｓ以上の移動度を有する。従って，これらドーパント原子は使用する共有結合酸化物まで減衰する。これがため，ＳｎＯ2を共有結合酸化物とする場合にはＳｂ，ＦまたはＣｌのようなドーパント原子を用いることができ，Ｉｎ2Ｏ3を共有結合酸化物とする場合にはＳｎのようなドーパント原子を用いることができ，且つＺｎＯを共有結合酸化物とする場合にはＧａのようなドーパント原子を用いることができる。特にＡＴＯとしても既知のＳｂドープＳｎＯ2，またはＩＴＯとしても既知のＳｎドープＩｎ2Ｏ3は著しく好適な材料である。」
　そうすると，上記記載によれば，ドーパント原子を設けた酸化物が記載されているだけであって，チャネル領域４の半導体材料に対し，ドーパント原子を設けることを前提としない発明は記載されていない。したがって，ドーパント原子を設けないことを前提とする発明，すなわち，「パルスレーザ堆積により成膜され，厚さ１０ｎｍ又は０．１μｍの透明半導体を用いた層４であって，前記透明半導体として，Ｇａ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＺｎＯ，Ｓｂ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＧｅＯ２またはＩｎ２Ｏ３，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ３，ＺｎＧａ２Ｏ４，またはＣｄＧａ２Ｏ４のようなこれら酸化物から形成された化合物を用い，移動度が１０ｃｍ２／Ｖｓ 以上であることを特徴とする透明半導体を用いた層４」という発明が，甲第３号証に記載されているとする請求人の主張は認められない。
　しかも，上記摘記（甲３ｅ）の前記「ドーパント原子の濃度は0.001 ％乃至0.3 ％の範囲とすることによってスイッチング素子の半導体材料として用いるに充分な高さの導電度を得ることができる。」との記載から，ドーパント原子を設けることは，引用発明３の半導体材料が，「スイッチング素子」に用いられる充分な高さの導電度を得るために必要なことであると理解できるから，この観点からも，ドーパント原子を設けないことを前提とする請求人の主張は認められない。
　
　請求人は，平成２７年２月９日付けの口頭審理陳述要領書の２４ページ１７行−２５ページ７行において，「一方，本件特許明細書の【００４１】を見ると，「・・・（各４Ｎ試薬）・・・してみると，本件特許発明１には，結果として，『０．０１％』までは不純物が含まれていることは明らかである。・・・したがって，仮に，引用発明３にドーパント原子が含まれていたとしても，半導体として用いる際には，本件特許発明１より１桁超も低い値であると甲第３号証には記載されているのであるから，両者を対比する上で，ドーパント原子は相違点とはならないのである。」と主張する。
　しかしながら，引用発明３の認定は，本件特許明細書に記載された事項の如何によらず，甲第３号証に記載された事項に基づいて，技術的思想として特定すべきものであるから，甲第３号証に記載された発明特定事項の内の一部のみを，甲第３号証に開示された技術的思想から離れて切り出して引用発明３として認定することは適切とは認められない。したがって，請求人の前記主張は採用することはできない。
　
　しかも，少なければ少ないほど望ましいが，製造上の理由で除去しきれなかった「不純物」と，所定の目的を達成するために特定の量を添加する「ドーパント原子」とは，技術的意義が異なるから，両者を同様に扱う請求人の前記主張に沿った引用発明３の理解は，当業者の技術的常識に反するものであり，この観点からも，請求人の前記主張は採用することはできない。
　
ク　さらに，請求人は，審判請求書の５１ページにおいて，本件特許発明１と引用発明３とは，「パルスレーザー蒸着法を用いた気相成膜法で成膜され，Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３から形成された化合物から構成される透明酸化物薄膜であって，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性酸化物薄膜。」の点で一致すると主張するが，以下の理由により，当該主張は採用することができない。
　
ケ　すなわち，甲第３号証の「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いる」との記載事項には，「Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３から形成された化合物」は，その特定の組合せを有する化合物としては明記されていない。
　なるほど，「Ｇａ２Ｏ３」，「ＺｎＯ」，及び「Ｉｎ２Ｏ３」は，いずれも，前記記載事項に「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，」として列記された酸化物内に含まれてはいる。しかしながら，前記記載事項において，酸化物から形成された化合物として例示されているのは，二つの酸化物から形成された化合物である「ＧａＩｎＯ3」，「ＺｎＧａ２Ｏ4」及び「ＣｄＧａ2Ｏ4」だけである。
　すなわち，「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いる」との記載事項から，「Ｇａ２Ｏ３」，「ＺｎＯ」及び「Ｉｎ２Ｏ３」という特定の酸化物を３つのみ選択して化合物とすることは，想定し得る多数の組合せの中から，わずか一つの化合物を選択することであり，この選択そのものが技術的思想の創作，すなわち，いわゆる「選択発明」と成り得る場合もありえるものである。
　したがって，「Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３から形成された化合物」が，組合せの上で，「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物」に含まれるとしても，前記「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物」との記載から，甲第３号証に，「Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３から形成された化合物」が開示されていると認めることはできない。
　よって，本件特許発明１と，引用発明３とが，「パルスレーザー蒸着法を用いた気相成膜法で成膜され，Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３から形成された化合物から構成される透明酸化物薄膜であって，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性酸化物薄膜。」の点で一致すると認めることはできない。
　
コ　以上のとおりであるから，無効理由３における，請求人の主張する，一致点の認定，及び，前記一致点の認定を前提とした相違点の認定は，採用することはできない。
　
（３）相違点についての判断
　上記で検討したように，無効理由３における，請求人の主張する，一致点の認定，及び，相違点の認定は，これを採用することができないから，請求人の主張する，前記一致点，及び，相違点の認定に基づく無効理由３は，その主張の前提を欠き，採用することはできない。しかしながら，引用発明３において，上記相違点３−１ないし相違点３−３について，無効理由３において証拠として示された甲第１号証，甲第３号証−甲第１１号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得た場合には，本件特許発明１には，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとする理由があることとなるから，一応，この点について検討する。
　
・相違点３−１について
ア　引用発明３の「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物」によって特定される一群の「これら酸化物の混合物」，または，「これら酸化物から形成された化合物」の範囲に含まれる多数の材料の中から，「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される」「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」という材料を選択する動機は，甲第３号証の記載からは見いだすことはできない。したがって，引用発明３において，相違点３−１について，本件特許発明１の構成を採用することが当業者にとって容易に想到し得たこととは認められない。
イ　すなわち，引用発明３の，上記摘記（甲３ｄ）には，次の記載がある。
「
発明の概要
　この目的のため，本発明は透明材料の２つの接続電極と，透明絶縁層によりチャネル領域から分離された導電材料の透明ゲート電極が設けられた半導体材料の介在透明チャネル領域とを有する透明スイッチング素子が設けられた半導体装置において，前記半導体材料は，伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料を具えることを特徴とする。
　
従って塩基性材料はそのバンドギャップを2.5 ｅＶ以上とし
移動度を10ｃｍ
2
／Ｖｓ以上とするように選択し
その後導電度をドーパント原子の性質および濃度を好適に選択することによって決定する
ドーパント原子の濃度は0.001 ％乃至0.3 ％の範囲に選択すると充分な導電度が得られるようになる
　
可視光のエネルギーはほぼ2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体材料に電子−正孔対を形成するには不充分であるため，この可視光は半導体材料によっては吸収されない。本発明による縮退半導体材料は透明となる
加うるに，本発明半導体材料を設けたスイッチング素子は電荷キャリアの高移動度のため比較的迅速に作動する
　前記塩基性材料は非遷移金属の共有結合酸化物を具えるようにするのが好適である。かかる金属の酸化物およびかかる金属，例えば，Ｇａ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓｂ，Ｐｂ，ＧｅおよびＩｎの酸化物の化合物は，その移動度が10ｃｍ2／Ｖｓ以上であり，バンドギャップが2.5 ｅＶ以上である（例えば，J．Phys．Chem．Ref．Data，Vol．2，No．1，1973，P.163 ff.参照）。非遷移金属の一層イオン的な酸化物は塩基性材料としては好適ではない。その理由は電荷キャリアと結晶格子のイオンとの間に強い相互作用が働くからである。」
　
ウ　上記記載から，引用発明３において，成膜する酸化物の組成が，「伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料を具え」たものであり，「前記半導体材料である，0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物である，10ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する，例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いることができる」ことには，引用発明３で用いられる，2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体材料は，可視光のエネルギーが電子−正孔対を形成するには不充分であるため，この可視光は当該半導体材料によっては吸収されず，縮退半導体材料は透明となり，加うるに，引用発明３で用いられる，移動度を10ｃｍ2／Ｖｓ以上とするように選択した半導体材料を設けたスイッチング素子は電荷キャリアの高移動度のため比較的迅速に作動し，引用発明３で用いられる，ドーパント原子は，濃度は0.001 ％乃至0.3 ％の範囲に選択することで，充分な導電度が得られるようになるという技術的意義があることを理解することができる。
エ　しかし，上記の記載からは，「可視光のエネルギーが電子−正孔対を形成するには不充分であるため，この可視光は当該半導体材料によっては吸収されず，縮退半導体材料は透明となり」，「移動度を10ｃｍ2／Ｖｓ以上とするように選択した半導体材料を設けたスイッチング素子は電荷キャリアの高移動度のため比較的迅速に作動し」，及び，「ドーパント原子は，濃度は0.001 ％乃至0.3 ％の範囲に選択することで，充分な導電度が得られるようになる」という点で，「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される」であり「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である「アモルファス酸化物薄膜」という材料が，「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物」として特定される材料の中において，特に優れていることが明らかであるとはいえない。
　
オ　してみれば，引用発明３において，「半導体材料である，0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属」に替えて用いる「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物」の材料として，「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される」「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」の「アモルファス酸化物薄膜」を選択することが当業者にとって容易とはいえない。
　
カ　しかも，上記「第５　無効理由１について　３　当審の判断（３）相違点についての判断」で検討したように，本件特許明細書の記載から，本件特許発明１は，スパッタ法，パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）であり，不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜が，以下の特性を奏することが認められる。
（ｉ）「電子キャリア濃度が１０１６／ｃｍ３以下のアモルファス酸化物膜をチャネル層に用い，ソース端子，ドレイン端子及びゲート絶縁膜を介してゲート端子を配した電界効果型トランジスタを構成すると，ソース・ドレイン端子間に５Ｖ程度の電圧を印加したとき，ゲート電圧を印加しないときのソース・ドレイン端子間の電流を約１０-7アンペヤにすることができる」，すなわち，「電子キャリア濃度が小さく，したがって，電気抵抗が高く，かつ電子移動度が大きいチャネル層を有する薄膜トランジスタを実現」できるので，「ノーマリーオフのＴＦＴ」を得るために好適であること。
（ii）「通常の化合物では，キャリア濃度が増加するにつれて，キャリア間の散乱などにより，電子移動度は減少するが，それに対して，本発明のアモルファス酸化物では，電子キャリア濃度の増加とともに，電子移動度が増加」することから，例えば，「ＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）4組成を有する多結晶焼結体をターゲットとし，異なる酸素分圧で成膜したＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜」は，「電子キャリア濃度が，１０16／ｃｍ3から１０20／ｃｍ3に増加すると，電子移動度は，約３ｃｍ2／（Ｖ・秒）から約１１ｃｍ2／（Ｖ・秒）に増加」する電気的特性を呈すること。そして，その結果として，
（iii）「ゲート端子に電圧を印加すると，上記アモルファス酸化物チャネル層に，電子を注入できるので，ソース・ドレイン端子間に電流が流れ，両端子間がオン状態になる」ところ，「本発明のアモルファス酸化膜は，電子キャリア濃度が増加すると，電子移動度が大きくなるので，トランジスタがオン状態での電流を，より大きくすることができ」，「さらに縮退伝導を示すという優れた特性を備えてい」ることから，例えば，「オン・オフ比を１０3超のトランジスタを構成することができ」，かつ，「本発明の縮退伝導を示すアモルファス酸化物をチャネル層に用いた場合，電子キャリア濃度が多い状態での電流，すなわちトランジスタの飽和電流の温度依存性が小さくなり，温度特性に優れたＴＦＴを実現できる」こと。
　すなわち，本件特許明細書の記載から，本件特許発明１は，上記（ｉ）−（iii）の特性を奏することから，ＴＦＴのチャネル層に用いる薄膜として好適であるという効果を奏するものと認められる。
　そうすると，本件特許発明１において，「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成」される「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」の「アモルファス酸化物薄膜」という材料を選択したことには，顕著な効果が存在し，前記材料の選択が適宜なし得た事項であるとはいえない。
　
キ　したがって，相違点３−１は，引用発明３に基づいて容易に想到できたものとはいえない。
ク　続いて，当業者が他の公知文献に基づいて，引用発明３において，上記相違点３−１を，本件特許発明１の構成とすることが容易であったかを，以下検討する。
ケ　さらに，「組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ」である酸化物について，以下の事項が知られている。
　
（ア）甲第７号証の記載事項
（再掲）（甲７ｂ）「要約
　ＺｎＯ系のアモルファス透明導電体を作り出すことを目的として，さまざまなアモルファス膜ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４）をパルスレ一ザー蒸着法を用いて作製した。・・・伝導帯テイルが大きな分散を有し，フェルミ準位が伝導帯端に位置していることが明らかとなった。・・・本系はＺｎ４ｓ軌道が広がった伝導帯を形成する初めてのアモルファス酸化物半導体である。」（訳文の１ページ１行−２ページ２行）
（イ）甲第４号証の記載事項
（再掲）（甲４ｃ）「本発明の製造方法においては，例えば，ターゲットとしてＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の焼結体を用いた場合，６．２×１０−３［Ωｃｍ］の薄膜を容易に得ることができる。この場合，高導電性の主因は非晶質物質にも関わらず移動度が１０以上と高い値を示すことによる。また，ターゲットとしてＺｎ成分を増加させたホモロガスＩＧＺＯ　ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ：２以上の整数）の焼結体を用いた場合，４．３×１０−３［Ωｃｍ］の抵抗率を有する薄膜を容易に得ることができる。」（【００３４】）
（再掲）（甲４ｅ）「ホモロガスＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍの場合は，Ｉｎ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯの各粉末を，含有金属の比率が１：１：ｍ（ｍは２以上の整数）となるように秤量した。」（【００４１】）
（甲４ｇ）「2.成膜
以下に実施例としてレーザーアブレーション法を用いる成膜法を示す。
実施例１
上で作成した焼結体のうち，In:Ga:Zn=1:1:1の焼結体の表面を研磨し，金属Inでインコネル製のホルダーに固定した。これを日本真空（株）製レーザーアブレーション装置に固定し，自転させている表面上にラムダフィジック社製KrFエキシマレーザー光を4J/cm2のエネルギー密度，パルス間隔5Hzで照射し，プルームをたてた。チャンバー中の雰囲気はO2ガスを15 - 25CCM流し，全圧を0.8− 1.0[Pa]とした。ターゲットから30mm直上に10mm角で厚さ0.5mmの石英ガラス基板を設置し，膜厚が均等となるように自転させながら30分プルーム中に曝すことにより，約300nmの薄膜を得た。組成比は蛍光X線法により得た。膜が均一な非晶質であることはXRDより確認した（図１）。吸収端は試料の透過及び反射スペクトルから光学定数を計算することから求めた。電気特性はファンデアパウ法によるHall効果測定より求めた。」（【００４２】）
（再掲）（甲４ｆ）「【図１】ＩｎＧａＺｎＯ４で表される酸化物が生成していることを確認するＸＲＤの結果。」（【図面の簡単な説明】）
（ウ）甲第６号証の記載事項
（甲６ｆ）「また，同様の観点から，・・・ＩｎＧａＺｎＯ４の場合には，・・・と考えられる（図４・５５）（１４９ページ６行−９行）
（エ）甲第８号証の記載事項
（再掲）（甲８ａ）「新しい型のアモルファス透明導電膜ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ」（表題）
（オ）甲第９号証の記載事項
（再掲）（甲９ｅ）「一連の
ｎ型アモルファス酸化物半導体として
ａ−ＩｎＧａＯ
３
（ＺｎＯ）
ｍ
(ｍ≦４)
（カ）甲第１３号証の記載事項
（甲１３ａ）「
この化合物は光機能材料
半導体材料
触媒材料などとして有用なものである
例えば，蛍光体，半導体用の素子，等としての利用が挙げられる
　
この化合物は次の方法によって製造し得られる
　金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは加熱により酸化インジウムに分解される化合物と，金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と，金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを，
Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎの割合が原子比で１対１対２の割合で混合し
該混合物を６００℃以上
加熱することによって製造することができる
　本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し得られるが，化学反応を速やかに進行させるためには粒径が小さいものがよく，特に１０μｍ以下であることが好ましい。
　また光機能材料，半導体材料として用いる場合には，不純物の混入をきらうので純度の高いものが好ましい。
　これらをそのままあるいはアルコール類アセトン等と共に十分混合する。
　これらの混合割合はＩｎ，ＧａおよびＺｎの割合が，原子比で１対１対２の割合である。この割合をはずすと目的とする化合物の単一相を得ることができない。
　この混合物を大気中，酸化性雰囲気中あるいはＩｎおよびＧａが各々３価状態，Ｚｎが２価状態から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上で加熱する。
　加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後は０℃に急冷するかあるいは大気中に急激に引き出せばよい。
　
得られたＩｎＧａＺｎＭｇ０
４
化合物
粉末
Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分かった
実施例
　純度９９．９９％以上の酸化インジウム粉末，純度９９．９％以上の酸化ガリウム粉末および試薬特級の酸化亜鉛粉末をモル比で１対１対４の２割合に秤量し，これらを乳鉢内でエタノールを加えて約３０分間混合し，
平均粒径数μｍの微粉末混合物を得た
　得られた試料はＩｎＧａＺｎ２Ｏ５単一相であった。
粉末Ｘ線回折法によって各反射の面間隔（ｄ
Ｏ
）及び相対反射強度を測定した。その結果は表−２の通りであった
ａ＝３．２９２　±０．００１（Å）
ｃ＝２２．５２　±０．０１（Å）
であった。上記の格子定数および表−２の各反射（ｈｋｌ）より算出した面間隔〔ｄＣ（Å）〕は，実測の面間隔〔ｄＯ（Å）〕と極めてよく一致した。」（３ページ左欄１行−４ページ左欄１９行）
　
コ　そうすると，上記（ア）−（カ）の記載から，本件の優先日前において，「組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ」である酸化物が知られていたことは認められる。
　しかしながら，上記各甲号証の記載からは，引用発明３の「例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物」から，特に，「組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ」の「アモルファス酸化物薄膜」を選択する動機を見いだすことはできない。
　さらに，引用発明３は，上記「４　当審の判断　（１）引用発明３」で検討したように，ドーパント原子を設けることを発明特定事項としており，かつ，ドーパント原子を設けることには，上記イ−ウで検討したように，充分な導電度を得るという技術的意義が存在すると認められるところ，引用発明３の酸化物として，仮に，「組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ」である酸化物を選択することが容易であったとしても，当該「組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ」である酸化物に設けることで，充分な導電度を得ることができるドーパント原子が，本件の優先日前に知られていたとは認められないから，引用発明３の酸化物として，「組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ」である酸化物を用いることを当業者が容易になし得たとは認められない。
　しかも，本件特許発明１は，「組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ」である酸化物を用いることで，上記カで検討した効果が得られると解されるところ，上記各号証の記載を参酌しても，前記効果が当業者が予測する範囲内のものであるとは認めるとはできない。
　以上の理由から，上記各甲号証に記載された事項を参酌しても，引用発明３において，上記相違点３−１について，本件特許発明１の構成とすることは，容易であったとは認められない。
　
・相違点３−２について
　甲第１０号証の上記摘記（甲１０ｄ）には，「図２に，作製した
単結晶ＩｎＧａＯ
３
（ＺｎＯ）
５
電界効果移動度として得られる）電子移動度の値が・・・であることから
キャリア濃度はおよそ１０
１３
ｃｍ
−３
見積もられる
　また，甲第１１号証には，「一般的に，ノーマリオフ型の電界効果型トランジスタなどの電子デバイスを製造するためには，その濃度を内因性レベル以下（＜１０１４ｃｍ−３）に低減する必要がある。」（明細書８ページ６行−８行）と記載されている。
　このように，トランジスタにおいてノーマリーオフ型にするために，１０１４ｃｍ−３または１０１３ｃｍ−３程度まで電子キャリヤ濃度を下げることが周知であったとはいえる。
　しかしながら，甲第１０号証の「１０１３ｃｍ−３と見積もられる」キャリア濃度は，
単結晶
アモルファス
　さらに，甲第９号証の上記摘記（甲９ａ）には，移動度の値として２１ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１を用いて求めた電子キャリヤ濃度が４．２×１０１６ｃｍ−３であるアモルファスＩｎＧａＺｎＯ４膜を作製したことが記載されているが，甲第９号証の上記摘記（甲９ｂ）の記載からも明らかなように，甲第９号証において作製された前記ａ−ＩｎＧａＺｎＯ４膜は，Ａｒ中で成膜することで，電子キャリヤ濃度が４．２×１０１６ｃｍ−３であるアモルファスＩｎＧａＺｎＯ４膜を作製したしたものであるから，甲第９号証に記載された発明に，甲第１号証の上記摘記（甲１ｅ），上記摘記（甲１ｈ），及び甲第５号証の上記摘記（甲５ａ），上記摘記（甲５ｃ）に記載された，酸素濃度を調整する発明を適用することが容易であったとも認められない。
　すなわち，当業者が，甲第１号証，甲第５号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証の記載に接したとしても，引用発明３の半導体材料をトランジスタに適用する際，ノーマリーオフ型にすることを目的とし，酸素分圧を制御することによって電子キャリヤ濃度を１０１６ｃｍ−３以下程度まで下げることを，当業者が容易になし得たと認めることはできない。
　さらに，引用発明３の半導体層の電子キャリヤ濃度を，１０１６ｃｍ−３以下まで下げた場合に，電子移動度の値が変化することは明らかであるところ，甲第１号証，甲第５号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証のいずれにも，アモルファス酸化物薄膜において，「室温での電子移動度が０．１ｃｍ2／（Ｖ・秒）以上」という特性と，「電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下」という特性とを同時に実現したことは記載されておらず，また，「室温での電子移動度が０．１ｃｍ2／（Ｖ・秒）以上」という特性と，「電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下」という特性とを同時に実現することが当業者にとって容易になし得たことであるとも認められない。
　以上の理由から，引用発明３において，上記相違点３−２について，本件特許発明１の構成とすることは，容易であったとは認められない。
（４）小括
　以上の理由から，引用発明３において，上記相違点３−１及び上記相違点３−２について，本件特許発明１の構成とすることは，容易であったとは認められないから，本件特許発明１は，当業者が，引用発明３及び上記各甲号証に記載された発明から容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　すなわち，本件特許発明１は，甲第１号証，甲第３号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
４　他の出願の審査経過について
　請求人は，特願２００７−５０２８４８号の審査経過を，甲第１４号証−甲第２２号証として示し，本件特許発明１等には，甲第１４号証−甲第２２号証に記載された上記出願についての判断が同様に適用されるべきものである旨を主張するが，当該特願２００７−５０２８４８号と，本件とは，発明を異にする別の出願であり，当合議体が，特願２００７−５０２８４８号の審査経過における判断に拘束される理由はなく，また，判断の実態においても，特願２００７−５０２８４８号の審決においては，「格別の効果を奏するとの記載を見い出せない。」（審決１０ページ末行，同１１ページ５−６行，同１３ページ１０行）ことを判断の根拠としているところ，本件特許発明１においては，上記カで検討したように格別の効果を認めることができるのであるから，本件特許発明１等には，甲第１４号証−甲第２２号証に記載された上記出願についての判断が同様に適用されるべきものであるとする請求人の主張は採用し得ない。
５　本件特許発明３
　本件特許発明３は，「第２　本件発明」で認めたとおりである。
６　各甲号証の記載事項
　甲第１号証，甲第３号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証には，上記摘記した事項が記載されている。
７　本件特許発明３についての当審の判断
（１）対比
　引用発明３は，上記「３　本件特許発明１についての当審の判断」で検討したとおりであり，再掲すると以下のとおりである。
「透明材料の２つの接続電極と，透明絶縁層によりチャネル領域から分離された導電材料の透明ゲート電極が設けられた半導体材料の介在透明チャネル領域とを有する透明スイッチング素子が設けられた半導体装置の前記半導体材料において，前記半導体材料が，伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料を具えることを特徴とする半導体装置の前記半導体材料であって，
　導電性ＳｒＲｕＯ3層５を絶縁単結晶ＳｒＴｉＯ3基板７上にエピタキシヤル堆積により設け，このＳｒＲｕＯ3層５をパターン化してゲート電極５を形成し，次に，前記ゲート電極５上および前記基板７の表面上に透明絶縁層６であるＢａＺｒＯ2を設け，次いで，前記半導体材料として，0.03％のＳｎがドープされた厚さ0.1 μｍのＩｎ2Ｏ3の層４を，0.2mbar の酸素圧および505 ℃の温度でパルスレーザ堆積によって前記透明絶縁層６上および前記基板７の表面上に既知のように設ける方法で成膜した半導体材料において，
　前記半導体材料である，0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物である，10ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する，例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いることができる半導体材料。」
　
ア　本件特許発明３と，引用発明３とを対比する。
イ　引用発明３の「パルスレーザ堆積」は，本件特許発明３の「『パルスレーザー蒸着法』の『気相成膜法』」に相当する。
　
ウ　引用発明３の「層４」は，「酸化物」であって，「０．１μｍ」の薄膜であることから，本件特許発明３の「酸化物薄膜」に相当する。
エ　引用発明３の「半導体材料」は，「透明スイッチング素子」の「介在透明チャネル領域」であって，「伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有」するのであるから，本件特許発明３の「透明」酸化物薄膜に相当する。
オ　電子移動度に関し，引用発明３の「移動度」は本件特許発明３の「電子移動度」に相当し，引用発明３の「１０ｃｍ２／Ｖｓ以上」は本件特許発明３の「１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超」を満たしている。
カ　してみれば，本件特許発明３と，引用発明３との一致点及び相違点は次のとおりとなる。
＜一致点＞
　パルスレーザー蒸着法の気相成膜法で成膜される透明酸化物薄膜であって，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超である透明酸化物薄膜。
＜相違点＞
・相違点３−３：酸化物薄膜が，本件特許発明３では，「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ及びＯの元素から構成される」酸化物薄膜であって，「該酸化物の組成は，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（Ｚｎ1-xＭｇxＯ）m（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）」の「アモルファス酸化物薄膜」であるのに対し，引用発明３では，「伝導帯と2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯または伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた10ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料を具え」たものであり，「前記半導体材料である，0.03％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物である，10ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する，例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いることができる」半導体材料であり，また，「アモルファス」であることが特定されていない点。
・相違点３−４：本件特許発明３の酸化物薄膜は，「不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性」のものであるのに対して，引用発明３では当該構成について特定されていない点。
（２）相違点についての判断
・相違点３−３について
ア＜酸化物の置き換えについて＞
　甲第３号証に記載されている酸化物，甲第４号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１３号証に記載されているＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｏの元素から構成される酸化物以外にも，甲第１２号証に記載されているとおり，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｏの元素から構成される酸化物が知られている。さらに甲第１２号証には，ＺｎとＭｇの比率を適宜決定することができるものであり，Ｚｎの比率が増えると導電性が増大することについても記載されている。
　そうすると，本件特許の優先日前当時に知られていた甲第１２号証の記載に鑑みて，導電性酸化物に要求される光学的特性及び導電性を考慮して，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍのような透明Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏアモルファス酸化物薄膜において，Ｚｎを，Ｚｎ＋Ｍｇに置換し，かつ，ＺｎとＭｇの比率を調整することは当業者が容易に想到し得たことであると解する余地はあるといえる。
　しかしながら，上記「相違点３−１について」で検討したように，引用発明３において，上記相違点３−１について，本件特許発明１の構成とすること，すなわち，「ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物である，10ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する，例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いること」に替えて，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）で示される酸化物薄膜」の「アモルファス酸化物薄膜」を用いることは，当業者が容易に想到し得たことであるとは認められないのであるから，仮に，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍのような透明Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏアモルファス酸化物薄膜において，Ｚｎを，Ｚｎ＋Ｍｇに置換し，かつ，ＺｎとＭｇの比率を調整することは当業者が容易に想到し得たことであったとしても，引用発明３において，前記「ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物である，10ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する，例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いること」を，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（Ｚｎ1-xＭｇxＯ）m（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）」の「アモルファス酸化物薄膜」とすることは，上記「相違点３−１について」での検討と同様の理由により，当業者が容易に想到し得たこととは認められない。
　しかも，甲第１２号証の上記摘記（甲１２ｄ）の「マグネシウム及び亜鉛が共存する場合，マグネシウムと亜鉛の比率には特に制限はない。但し，マグネシウムの比率が増えると吸収端が短波長側にシフトして透明性が増大する傾向がある。亜鉛の比率が増えると導電性が増大する傾向がある。」との記載からは，Ｚｎ１−ｘに対してＭｇｘの割合を，特に，０．８０≦ｘ＜０．８５とする動機を見いだすことはできない。そして，本件特許発明３は，Ｚｎ１−ｘに対してＭｇｘの割合を，特に，０．８０≦ｘ＜０．８５とすることによって，本件特許明細書の上記摘記（本ｈ）に記載された，「Ｍｇに置換すると，酸化物膜の電子移動度は，Ｍｇ無添加膜に比べて低下するが，その程度は少なく，一方でさらに，電子キャリア濃度を置換しない場合に比べて下げることができるので，ＴＦＴのチャネル層としてはより好適である。・・・電子キャリア濃度を１０16／ｃｍ3以下にするには，図４に示すように０．８０≦ｘ＜０．８５とする。」とする，当業者の予測する範囲を超えた，格別の効果を奏するものと認められる。
　したがって，甲第１号証，甲第３号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証の記載からは，引用発明３において，「ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物である，10ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度および2.5 ｅＶ以上のバンドギャップを有する，例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2またはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，またはＣｄＧａ2Ｏ4のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いること」を，「Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ薄膜」であって，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（Ｚｎ１−ｘＭｇｘＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）」である「アモルファス酸化物薄膜」とすることは，当業者であれば容易に想到できるものと解することはできない。
　以上の理由から，引用発明３において，上記相違点３−４について，本件特許発明３の構成とすることは，容易であったとは認められない。
・相違点３−４について
　上記「相違点３−２ついて」と同様の理由によって，引用発明３において，上記相違点３−４について，本件特許発明３の構成とすることは，容易であったとは認められない。
（３）小括　
　以上の理由から，引用発明３において，上記相違点３−３及び上記相違点３−４について，本件特許発明３の構成とすることは，容易であったとは認められないから，本件特許発明３は，当業者が，引用発明３及び上記各甲号証に記載された発明から容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　すなわち，本件特許発明３は，甲第１号証，甲第３号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
８　本件特許発明２，本件特許発明４
　本件特許発明２，及び，本件特許発明４は，「第２　本件発明」で認めたとおりである。
　
９　本件特許発明２，及び，本件特許発明４についての当審の判断
　本件特許発明２，及び，本件特許発明４は，それぞれ，本件特許発明１，及び，本件特許発明３について，チャネル層，ゲート絶縁膜，ゲート電極，ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタのチャネル層としたことを，更に限定するものである。
　一方，甲第３号証には，本件特許発明２，及び，本件特許発明４の，チャネル層，ゲート絶縁膜，ゲート電極，ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタに相当する構成が開示されている。
　しかしながら，本件特許発明１，及び，本件特許発明３は，上記で検討したとおり，当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできないものであるから，前記本件特許発明１，及び，本件特許発明３をさらに限定した本件特許発明２，及び，本件特許発明４もまた，当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　すなわち，本件特許発明２は，甲第１号証，甲第３号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
　また，本件特許発明４は，甲第１号証，甲第３号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
１０　本件特許発明５，６
　本件特許発明５，６は，「第２　本件発明」で認めたとおりである。
１１　本件特許発明５，６についての当審の判断
　本件特許発明５，６は，本件特許発明２又は本件特許発明４を引用して，本件特許発明２又は本件特許発明４について，ゲート絶縁膜の材料，あるいは，基板の材料を，更に限定するものである。
　一方，甲第１１号証，甲第２号証には，ゲート絶縁膜としてＡｌ２Ｏ３を用いることが記載されており，甲第１０号証には，ゲート絶縁膜としてＨｆＯ２を用いることが記載されている。また，甲第３号証には，ガラス基板を用いること，甲第９号証にはプラスチック基板を用いること記載されている。
　しかしながら，本件特許発明２，及び，本件特許発明４は，上記で検討したとおり，当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできないものであるから，本件特許発明２又は本件特許発明４をさらに限定した本件特許発明５，６もまた，当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　すなわち，本件特許発明５は，甲第１号証，甲第２号証，甲第３号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
　また，本件特許発明６は，甲第１号証，甲第３号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第８号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証，甲第１２号証，甲第１３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
　
１２ 無効理由３のまとめ
　以上のとおりであるから，本件特許発明１−６は，当業者が容易に発明することができたとはいえない。
　したがって，本件特許発明１−６について，無効理由３は，理由がない。
第８　無効理由４について
１　本件特許発明１
　本件特許発明１は，「第２　本件発明」で認めたとおりである。　
２　甲第４号証に記載された発明
　甲第４号証には，「透明
導電性
（甲４ｈ）「【請求項１】
 基材の少なくとも一方の表面の少なくとも一部に，一般式Zn
x
M
y
In
z
O
(x+3y/2+3z/2)
（式中，Mはアルミニウム及びガリウムのうち少なくとも一つの元素であり，比率x／yが0.2〜12の範囲であり，比率z／yが0.4〜1.4の範囲にある）で表される非晶質酸化物を含有する膜を有することを特徴とする物品
【請求項２】 基材の少なくとも一方の表面の少なくとも一部に，一般式ZnxMyInzO(x+3y/2+3z/2)（式中，Mはアルミニウム及びガリウムのうち少なくとも一つの元素であり，比率x／yが0.2〜12の範囲であり，比率z／yが0.4〜1.4の範囲にある）で表され，かつ陽イオンを注入したものである非晶質酸化物を含有する膜を有することを特徴とする物品。
【請求項３】　キャリア電子の量が1×1018〜1×1022/cm3の範囲になるように，酸素欠損量d及び陽イオンの注入量を選んだ請求項２記載の物品。
【請求項４】　比率x／（x+y+z）が0.5以上である請求項1〜３のいずれか１項に記載の物品。
【請求項５】　基材が高分子性基板，高分子性可撓性基板またはガラス基板である，請求項１〜４のいずれか一項に記載の物品。
【請求項６】　基材がフィルム上またはシート上の透明高分子からなる，請求項５に記載の物品。
【請求項７】　
請求項１
の
電極
【請求項８】　
導電層が均質な非晶質酸化物膜
電極
【請求項９】　基板と導電層との間に下地層を有する請求項７または８に記載の電極。
【請求項１０】　下地層がフィルター層，TFT層，EL層半導体層及び絶縁層から成る群から選ばれる1または2以上の層である請求項９記載の電極。
【請求項１１】　液晶ディスプレイ，ELディスプレイまたは太陽電池に用いられる請求項８〜１０のいずれか1項に記載の電極。
【請求項１２】　
請求項１に記載の物品の製造方法であって
一般式Zn
x
M
y
In
z
O
(x+3y/2+3z/2)
（式中，Mはアルミニウム及びガリウムのうち少なくとも一つの元素であり，比率x／yが0.2〜12の範囲であり，比率z／yが0.4〜1.4の範囲にある）で表される酸化物をターゲット
基板温度を室温から300℃の範囲
圧力を1×10
-2
[Pa]〜10[Pa]の範囲
スパッタリング法またはレーザーアブレーション法
【請求項１３】　請求項２に記載の物品の製造方法であって，一般式ZnxMyInzO(x+3y/2+3z/2)（式中，Mはアルミニウム及びガリウムのうち少なくとも一つの元素であり，比率x／yが0.2〜12の範囲であり，比率z／yが0.4〜1.4の範囲にある）で表される酸化物をターゲットとし，基板温度を室温から300℃の範囲とし，かつ圧力を1×10-2[Pa]〜10[Pa]の範囲として，スパッタリング法またはレーザーアブレーション法により，酸化物膜を形成し，次いで前記酸化物膜に陽イオンを注入することを特徴とする方法。
【請求項１４】　成膜後に10〜300℃の範囲の温度で熱処理及び/または還元処理を行う，請求項１２または１３に記載の製造方法。」（【特許請求の範囲】）
　
（甲４ｉ）「【発明の属する技術分野】
本発明は
高い導電性と可視，特に青色光透過性を有し，かつ作製が容易である非晶質性酸化物を含む透明導電体膜を有する物品
製造方法
本発明の物品からなる電極
　
（甲４ｊ）「【従来の技術】
　
光透過型液晶パネルディスプレイは薄型，軽量の表示装置として各種の電気製品に幅広く用いられている
　
光透過型の液晶では透明電極が不可欠であり，透明電極材料としては主にITOが使用されている。ITOは紫外域のほぼ全域で透明であり，電気抵抗率を１×１０
−４
Ωｃｍ程度まで低減できるので，液晶ティスプレイ等の透明電極材料として好適であった
ティスプレイを軽量化するためにプラスチック基板が用いられる傾向にあり，室温成膜の可能なアモルファスＩＴＯが好適と考えられる。結晶性ＩＴＯの成膜には２００℃以上の温度を要するからである
【発明が解決しようとする課題】
アモルファスＩＴＯはその成分の９０％以上がIn
２
O
３
からなる。このため，近年の液晶ディスプレイの普及に伴ってIn
２
O
３
の価格が2倍程度まで高騰して，原料コトス（審決注：「コスト」の誤り）を大きくする要因となっている。また，In
２
O
３
は希少金属であって，あと３０年程度採掘を継続すると枯渇すると予測されている。このような理由から，In
２
O
３
の含有量が低く，原料コストが低く，資源環境負荷が低い材料が必要になりつつある
　そこで
本発明の目的
青色透過性に優れた新規な透明導電体材料及びその製造方法，さらには，そのような透明導電体材料を用いた電極を提供することにある
（甲４ｋ）「本発明者らは，亜鉛-インジウム系酸化物であって，所定量のアルミニウム又はガリウムを含む酸化物が，室温付近の温度で容易に作製することができ，低抵抗かつ光学吸収端が紫外域にあり，青色透過性に優れていることを見いだして本発明を完成した。」（【０００６】）
（再掲）（甲４ｂ）「本発明の物品の第１の態様は，基材の少なくとも一方の表面の少なくとも一部に，一般式ＺｎｘＭｙＩｎｚＯ（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）（式中，Ｍはアルミニウム及びガリウムのうち少なくとも一つの元素であり，比率ｘ／ｙが０．２〜１２の範囲であり，比率ｚ／ｙが０．４〜１．４の範囲にある）で表される非晶質酸化物を含有する膜を有することを特徴とする。」（【０００９】）
（甲４ｌ）「本発明の第１の製造方法は，上記本発明の第１の態様の物品の製造方法であって，
一般式Ｚｎ
ｘ
Ｍ
ｙ
Ｉｎ
ｚ
Ｏ
（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）
（式中，Ｍはアルミニウム及びガリウムのうち少なくとも一つの元素であり，比率ｘ／ｙが０．２〜１２の範囲であり，比率ｚ／ｙが０．４〜１．４の範囲にある）で表される酸化物をターゲットとし，基板温度を室温から３００℃の範囲とし，かつ圧力を１×１０
−２
［Ｐａ］〜１０［Ｐａ］の範囲として，スパッタリング法またはレーザーアブレーション法により，酸化物膜を形成することを特徴とする。
　
（甲４ｍ）「比率（ｘ／ｙ）は０．２以上，１２以下の範囲であり，ｘ／ｙが０．２未満では原料コストが高くなる。ｘ／ｙが１２を超えるとＺｎ成分が大きくなりすぎて大気中で化学的に不安定になる。好ましい比率（ｘ／ｙ）は１〜１０の範囲であり，より好ましくは４〜１０の範囲である。比率（ｚ／ｙ）は０．４以上，１．４以下の範囲であり，
ｚ／ｙが０．４未満ではＩｎ
２
Ｏ
３
が不足し，電気伝導性が低下する
（甲４ｎ）「さらに本発明の物品において，比率x／（x+y+z）が0.5以上であることが，原料コストを下げ，環境負荷を低減するという観点から好ましい。比率x／（x+y+z）は，好ましくは０．６〜０．９の範囲である。さらに
本発明の物品が有する膜において，上記酸化物は，実質的全量が非晶質であることが，透過率及び導電性の点で好ましいが，透過率及び導電性を損なわない程度に，結晶質の酸化物を含有することもできる
（甲４ｏ）「
本発明の酸化物の導電性は，伝導帯におけるキャリア電子の量が所定の範囲にあるときに良好となる。そのようなキャリア電子の量は，１×１０
１８
／ｃｍ
３
〜１×１０
２２
／ｃｍ
３
の範囲である。また，好ましいキャリア電子の量は，１×１０
１９
／ｃｍ
３
〜５×１０
２１
／ｃｍ
３
の範囲である。
（甲４ｐ）「
本発明の第１の製造方法では，一般式Ｚｎ
ｘ
Ｍ
ｙ
Ｉｎ
ｚ
Ｏ
（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）
（式中，Ｍはアルミニウム及びガリウムのうち少なくとも一つの元素であり，比率ｘ／ｙが０．２〜１２の範囲であり，比率ｚ／ｙが０．４〜１．４の範囲にある）で表される酸化物をターゲットとして用いる。
（甲４ｑ）「形成される薄膜の組成はターゲットとのずれは少なく，多くても５％であることから，
ターゲット組成は，所望の薄膜組成と同一とすることができる
（甲４ｒ）「ターゲットは，例えば，ｘ／ｙ＆ｇｔ；１の範囲では，ＺＮの酸化物との混晶焼結体，あるいは
ＺＮの酸化物を整数倍だけ含んだ，ホモロガスの焼結体を用いることができる。
(甲４ｓ）「本発明の製造方法では，基板温度を室温から３００℃の範囲とし，かつ１×１０−２［Ｐａ］〜１０［Ｐａ］の圧力範囲の酸素雰囲気あるいは酸素ラジカル雰囲気中で，スパッタリング法またはレーザーアブレーション法により，酸化物膜を形成する。
スパッタリング法及びレーザーアブレーション法においても，基板温度を室温から３００℃の範囲とし，かつ圧力（酸素分圧）を１×１０
−２
［Ｐａ］〜１０［Ｐａ］の範囲とすることで，非晶質の酸化物膜を形成することができる。
（再掲）（甲４ｃ）「本発明の製造方法においては，例えば，ターゲットとしてＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の焼結体を用いた場合，６．２×１０−３［Ωｃｍ］の薄膜を容易に得ることができる。この場合，高導電性の主因は非晶質物質にも関わらず移動度が１０以上と高い値を示すことによる。また，
ターゲットとしてＺｎ成分を増加させたホモロガスＩＧＺＯ　ＩｎＧａＯ
３
（ＺｎＯ）
ｍ
（ｍ：２以上の整数）の焼結体を用いた場合，４．３×１０
−３
［Ωｃｍ］の抵抗率を有する薄膜を容易に得ることができる
（甲４ｔ）「【発明の効果】　本発明の物品は，材料中のＩｎ２Ｏ３含有量が少ないので材料コストが低く，環境負荷が小さく，かつ可視光透過率が85%以上であり，かつ吸収短波長が385nmであることから，白黒画面でもカラー画面でも膜厚を厚くすることで低抵抗化を図ることが可能である。また，膜を構成する材料の結晶化温度が400℃以上と高いため，通常の使用温度範囲では，安定な非晶質性を維持し，抵抗率の変動がないという利点がある。安定な酸化物であることから耐環境性に優れており，野外で使用する太陽電池用の透明電極として利用できる。」（【００３６】）
（再掲）（甲４ｄ）「１．ターゲットの作成
　Ｉｎ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯの各粉末を，含有金属の比率がそれぞれ１になるように秤量した。秤量した粉末を，遊星ボールミル装置で湿式混合。１０００℃で５時間仮焼した後，再び遊星ボールミルで解砕処理した。この粉体を一軸加圧で直径２０ｍｍの円板状に成形の後ＣＩＰをかけた。大気下，１５５０℃で２時間焼成して焼結体を得た。 ＸＲＤによりＩｎＧａＺｎＯ４で表される酸化物が生成していることを確認した。」（【００４０】）
（再掲）（甲４ｅ）「ホモロガスＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍの場合は，Ｉｎ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯの各粉末を，含有金属の比率が１：１：ｍ（ｍは２以上の整数）となるように秤量した。」（【００４１】）
（再掲）（甲４ｇ）「2.成膜
以下に実施例としてレーザーアブレーション法を用いる成膜法を示す。
実施例１
上で作成した焼結体のうち，In:Ga:Zn=1:1:1の焼結体の表面を研磨し，金属Inでインコネル製のホルダーに固定した。これを日本真空（株）製レーザーアブレーション装置に固定し，自転させている表面上にラムダフィジック社製KrFエキシマレーザー光を4J/cm2のエネルギー密度，パルス間隔5Hzで照射し，プルームをたてた。チャンバー中の雰囲気はO2ガスを15 - 25CCM流し，全圧を0.8− 1.0[Pa]とした。ターゲットから30mm直上に10mm角で厚さ0.5mmの石英ガラス基板を設置し，膜厚が均等となるように自転させながら30分プルーム中に曝すことにより，約300nmの薄膜を得た。組成比は蛍光X線法により得た。膜が均一な非晶質であることはXRDより確認した（図１）。吸収端は試料の透過及び反射スペクトルから光学定数を計算することから求めた。電気特性はファンデアパウ法によるHall効果測定より求めた。」（【００４２】）
（甲４ｕ）【００４３】の表１には，
流量：１５ＣＣＭ（全圧０．６Ｐａ）であるときに，組成比（Ｉｎ／Ｇａ）：０．８７，組成比（Ｚｎ／Ｇａ）：０．８５，抵抗率：６．５×１０−３Ω・ｃｍ，キャリア密度：８．３×１０１９／ｃｍ３，移動度：１１．６ｃｍ２／Ｖｓ，吸収端：４０３ｎｍ，
流量：２０ＣＣＭ（全圧０．８Ｐａ）であるときに，組成比（Ｉｎ／Ｇａ）：０．９４，組成比（Ｚｎ／Ｇａ）：０．８４，抵抗率：６．２×１０−３Ω・ｃｍ，キャリア密度：８．５×１０１９／ｃｍ３，移動度：１１．９ｃｍ２／Ｖｓ，吸収端：３８３ｎｍ，
流量：２５ＣＣＭ（全圧１．０Ｐａ）であるときに，組成比（Ｉｎ／Ｇａ）：０．８８，組成比（Ｚｎ／Ｇａ）：０．８８，抵抗率：８．８×１０−３Ω・ｃｍ，キャリア密度：４．８×１０１９／ｃｍ３，移動度：１４．９ｃｍ２／Ｖｓ，吸収端：３８２ｎｍ，
であることが示されている。
３　本件特許発明１についての当審の判断
（１）引用発明４
　上記摘記（甲４ａ）−（甲４ｕ）の記載を総合すると，甲第４号証には，次の発明（以下「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。
　
「基材の少なくとも一方の表面の少なくとも一部に，一般式ZnxMyInzO(x+3y/2+3z/2)（式中，Mはアルミニウム及びガリウムのうち少なくとも一つの元素であり，比率x／yが0.2〜12の範囲であり，比率z／yが0.4〜1.4の範囲にある）で表される非晶質酸化物を含有する膜を有することを特徴とする，高い導電性と可視，特に青色光透過性を有し，かつ作製が容易である非晶質性酸化物を含む透明導電体膜であって，
　一般式ZnxMyInzO(x+3y/2+3z/2)（式中，Mはアルミニウム及びガリウムのうち少なくとも一つの元素であり，比率x／yが0.2〜12の範囲であり，比率z／yが0.4〜1.4の範囲にある）で表される酸化物をターゲットとし，
　基板温度を室温から300℃の範囲とし，
　かつ圧力を1×10-2[Pa]〜10[Pa]の範囲として，
　スパッタリング法またはレーザーアブレーション法により，
　形成された酸化物膜において，
　Ｉｎ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯの各粉末を，含有金属の比率がそれぞれ１になるように秤量し，秤量した粉末を，遊星ボールミル装置で湿式混合し，１０００℃で５時間仮焼した後，再び遊星ボールミルで解砕処理し，この粉体を一軸加圧で直径２０ｍｍの円板状に成形の後ＣＩＰをかけ，大気下，１５５０℃で２時間焼成して焼結体を得ることで，前記ターゲットを作製し，
　前記In:Ga:Zn=1:1:1の焼結体の表面を研磨し，金属Inでインコネル製のホルダーに固定し，これを日本真空（株）製レーザーアブレーション装置に固定し，自転させている表面上にラムダフィジック社製KrFエキシマレーザー光を4J/cm2のエネルギー密度，パルス間隔5Hzで照射し，プルームをたて，チャンバー中の雰囲気はO2ガスを15 - 25CCM流し，全圧を0.8− 1.0[Pa]とし，ターゲットから30mm直上に10mm角で厚さ0.5mmの石英ガラス基板を設置し，膜厚が均等となるように自転させながら30分プルーム中に曝すことにより，
　流量：１５ＣＣＭ（全圧０．６Ｐａ）であるときに，組成比（Ｉｎ／Ｇａ）：０．８７，組成比（Ｚｎ／Ｇａ）：０．８５，抵抗率：６．５×１０−３Ω・ｃｍ，キャリア密度：８．３×１０１９／ｃｍ３，移動度：１１．６ｃｍ２／Ｖｓ，吸収端：４０３ｎｍである薄膜を，
　流量：２０ＣＣＭ（全圧０．８Ｐａ）であるときに，組成比（Ｉｎ／Ｇａ）：０．９４，組成比（Ｚｎ／Ｇａ）：０．８４，抵抗率：６．２×１０−３Ω・ｃｍ，キャリア密度：８．５×１０１９／ｃｍ３，移動度：１１．９ｃｍ２／Ｖｓ，吸収端：３８３ｎｍである薄膜を，
　流量：２５ＣＣＭ（全圧１．０Ｐａ）であるときに，組成比（Ｉｎ／Ｇａ）：０．８８，組成比（Ｚｎ／Ｇａ）：０．８８，抵抗率：８．８×１０−３Ω・ｃｍ，キャリア密度：４．８×１０１９／ｃｍ３，移動度：１４．９ｃｍ２／Ｖｓ，吸収端：３８２ｎｍである薄膜を，
　約300nmの，均一な非晶質として形成した薄膜。」
（２）対比
ア　本件特許発明１と，引用発明４とを対比する。
　
イ　引用発明４の「レーザーアブレーション法」は，本件特許発明１の「『パルスレーザー蒸着法の』『気相成膜法』」に相当する。
ウ　引用発明４と，本件特許発明１とは，「不純物イオンを添加することなし」の点で共通する。
　
エ　引用発明４の「キャリア密度」，「移動度」及び「非晶質」は，それぞれ，本件特許発明１の「電子キャリヤ濃度」，「電子移動度」及び「アモルファス」に相当する。
　
オ　引用発明４と，本件特許発明１とは，いずれも「室温での電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超」である点で一致する。
カ　引用発明４の「『一般式ZnxMyInzO(x+3y/2+3z/2)（式中，Mはアルミニウム及びガリウムのうち少なくとも一つの元素であり，比率x／yが0.2〜12の範囲であり，比率z／yが0.4〜1.4の範囲にある）で表される非晶質酸化物を含有する膜を有することを特徴とする，高い導電性と可視，特に青色光透過性を有し，かつ作製が容易である非晶質性酸化物を含む透明導電体膜』，『組成比（Ｉｎ／Ｇａ）：０．８７，組成比（Ｚｎ／Ｇａ）：０．８５，抵抗率：６．５×１０−３Ω・ｃｍ，キャリア密度：８．３×１０１９／ｃｍ３，移動度：１１．６ｃｍ２／Ｖｓ・・・である薄膜』，『組成比（Ｉｎ／Ｇａ）：０．９４，組成比（Ｚｎ／Ｇａ）：０．８４，抵抗率：６．２×１０−３Ω・ｃｍ，キャリア密度：８．５×１０１９／ｃｍ３，移動度：１１．９ｃｍ２／Ｖｓ・・・である薄膜』，『組成比（Ｉｎ／Ｇａ）：０．８８，組成比（Ｚｎ／Ｇａ）：０．８８，抵抗率：８．８×１０−３Ω・ｃｍ，キャリア密度：４．８×１０１９／ｃｍ３，移動度：１４．９ｃｍ２／Ｖｓ・・・である薄膜』」と，本件特許発明１の「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって」「電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性である」「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）」である「透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜」は，いずれも，「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜」である点で共通する。
　
キ　してみれば，本件特許発明１と，引用発明４との一致点と相違点は次のとおりとなる。
＜一致点＞
　スパッタ法，パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって，不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ2／（Ｖ・秒）超である透明アモルファス酸化物薄膜。
＜相違点＞
・相違点４−１：薄膜が，本件特許発明１では，「電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性である」薄膜であるのに対して，引用発明４では，「『キャリア密度：８．３×１０１９／ｃｍ３』，『キャリア密度：８．５×１０１９／ｃｍ３』，『キャリア密度：４．８×１０１９／ｃｍ３』である『透明導電体膜』」である点。
・相違点４−２：透明アモルファス酸化物薄膜が，本件特許発明１では，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）」である酸化物薄膜であるのに対して，引用発明４では，「『一般式ZnxMyInzO(x+3y/2+3z/2)（式中，Mはアルミニウム及びガリウムのうち少なくとも一つの元素であり，比率x／yが0.2〜12の範囲であり，比率z／yが0.4〜1.4の範囲にある）で表される非晶質酸化物を含有する膜』であって，『組成比（Ｉｎ／Ｇａ）：０．８７，組成比（Ｚｎ／Ｇａ）：０．８５・・・である薄膜』，『組成比（Ｉｎ／Ｇａ）：０．９４，組成比（Ｚｎ／Ｇａ）：０．８４・・・である薄膜』，『組成比（Ｉｎ／Ｇａ）：０．８８，組成比（Ｚｎ／Ｇａ）：０．８８・・・である薄膜』」である点。すなわち，引用発明４において，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）であること，すなわち，ＩｎとＧａの組成比（Ｉｎ／Ｇａ）が「１」となり，ＺｎとＧａとの組成比（Ｚｎ／Ｇａ）が，「１」，「２」・・・「５」のいずれかである自然数となることが特定されていない点。
（３）相違点についての判断
・相違点４−１について
　甲第４号証の上記摘記（甲４ｊ）の記載から，
「光透過型液晶パネルディスプレイは薄型，軽量の表示装置として各種の電気製品に幅広く用いられて」おり，この「光透過型の液晶では透明電極が不可欠であり，透明電極材料としては主にITOが使用されて」おり，当該「ITOは紫外域のほぼ全域で透明であり，電気抵抗率を１×１０−４Ωｃｍ程度まで低減できるので，液晶ティスプレイ等の透明電極材料として好適であ」るが，「アモルファスＩＴＯはその成分の９０％以上がIn２O３からなる」ので，「近年の液晶ディスプレイの普及に伴ってIn２O３の価格が2倍程度まで高騰して，原料コトス（審決注：「コスト」の誤り）を大きくする要因となって」おり，「また，In２O３は希少金属であって，あと３０年程度採掘を継続すると枯渇すると予測されている」ので，「このような理由から，In２O３の含有量が低く，原料コストが低く，資源環境負荷が低い材料が必要になりつつある。」という解決すべき課題のもと，引用発明４は，「資源環境負荷の高いIn２O３の含有量を低く抑えることができ，室温付近の温度で容易に作製することができ，低抵抗かつ光学吸収端が紫外域にあり，青色透過性に優れた新規な透明導電体材料及びその製造方法，さらには，そのような透明導電体材料を用いた電極を提供する」ものであると理解される。
　
　すなわち，引用発明４において，薄膜が「導電体」であることは，発明の解決しようとする課題との関係において，発明の前提といえる。
　そして，甲第４号証からは，前記薄膜を，「電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性である」薄膜とすべき動機についての記載，若しくは，示唆を見いだすことはできない。
　他方，引用発明４において，相違点４−１について，本件特許発明１の特定事項を採用すること，すなわち，引用発明４の「透明導電体膜」に替えて，「電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性である」薄膜とすることが，前記薄膜の電気抵抗率を，液晶ティスプレイ等の透明電極材料として好適である範囲から外れたものとすることは明白である。そうすると，引用発明４において，相違点４−１について，本件特許発明１の特定事項とすることは，引用発明４の前記課題の解決を妨げるものであると認められる。
　したがって，引用発明４において，上記相違点４−１について，本件特許発明１の特定事項とすることは，阻害要因があり，当業者が容易に想到し得たこととは認められない。
　
　なお，審判請求人は審判請求書の７２ページ１５行−７３ページ２行において，
「（４−１−５）相違点１１の検討
　前記（１−１−５）に記載した＜本件特許の優先日前当時の透明酸化物薄膜に対する技術常識＞，＜縮退半導体である透明酸化物薄膜の周知性＞及び＜電子キャリヤ濃度について＞を援用する。
＜相違点１１のまとめ＞
　
前記（１−１−５）の記載を考慮
　また，本件特許明細書等の記載を参酌しても，本件特許発明１が格別顕著な効果及び予測できる範囲を超えた効果を奏することは見い出せない。」
と主張する。
　
　しかしながら，「前記（１−１−５）に記載した＜本件特許の優先日前当時の酸化物薄膜に対する技術常識＞，＜縮退半導体である透明酸化物薄膜の周知性＞及び＜電子キャリヤ濃度について＞」は，引用発明１が，電子キャリア濃度が１０1８／ｃｍ3以下の半導体であって，この場合において，電子キャリヤ濃度を１０16／ｃｍ3以下とすることの容易性を主張するものである。すなわち，「電子キャリア濃度が１０1８／ｃｍ3以下の半導体薄膜」という，半導体の活性層として使用し得る電気的特性の枠内において，電子キャリア濃度の値を１０1８／ｃｍ3以下から，電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下へと置き換えることの容易性を主張しているのであって，引用発明４と本件特許発明１との間における相違点４−１である，「透明導電体膜」を，「電子キャリヤ濃度が１０16／ｃｍ3以下である半絶縁性である」薄膜とすることの容易性，すなわち，電極として使用される電気的特性を有する「導電体膜」を，半導体の活性層として使用される電気的特性を有する「半絶縁性」の薄膜に置き換えることの容易性を主張するものではない。
　甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証には，上記「第５　無効理由１について」において摘記した事項がそれぞれ記載されているが，請求人が主張する，「前記（１−１−５）の記載」には，「導電体膜」を「半絶縁性」の薄膜に置き換えることの容易性について主張されていないから，「前記（１−１−５）の記載」を考慮しても，引用発明４の「電子キャリヤ濃度が１０１８／ｃｍ３以上」であり，「導電性」である薄膜を，「電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下」であり，「半絶縁性」である薄膜とすることは当業者が容易に想到できたことであるとは認めることはできない。
　
・相違点４−２について
　引用発明４の「透明導電体膜」に替えて，「半絶縁性」薄膜とすることを容易に想到することができないことは，上記「相違点４−１について」で検討したとおりであるが，仮に，引用発明４の「透明導電体膜」に替えて，「半絶縁性」薄膜とすることが容易であったとして，相違点４−２について，以下検討する。
　引用発明４において，「流量：１５ＣＣＭ（全圧０．６Ｐａ）であるときに，組成比（Ｉｎ／Ｇａ）：０．８７，組成比（Ｚｎ／Ｇａ）：０．８５，抵抗率：６．５×１０−３Ω・ｃｍ，キャリア密度：８．３×１０１９／ｃｍ３，移動度：１１．６ｃｍ２／Ｖｓ，吸収端：４０３ｎｍである薄膜」，「流量：２０ＣＣＭ（全圧０．８Ｐａ）であるときに，組成比（Ｉｎ／Ｇａ）：０．９４，組成比（Ｚｎ／Ｇａ）：０．８４，抵抗率：６．２×１０−３Ω・ｃｍ，キャリア密度：８．５×１０１９／ｃｍ３，移動度：１１．９ｃｍ２／Ｖｓ，吸収端：３８３ｎｍである薄膜」，及び，「流量：２５ＣＣＭ（全圧１．０Ｐａ）であるときに，組成比（Ｉｎ／Ｇａ）：０．８８，組成比（Ｚｎ／Ｇａ）：０．８８，抵抗率：８．８×１０−３Ω・ｃｍ，キャリア密度：４．８×１０１９／ｃｍ３，移動度：１４．９ｃｍ２／Ｖｓ，吸収端：３８２ｎｍである薄膜」は，いずれも，組成比（Ｉｎ／Ｇａ），及び，組成比（Ｚｎ／Ｇａ）は，いずれも「１」ではないから，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の
自然数
　しかも，引用発明４の「透明導電体膜」に替えて，「半絶縁性」薄膜とすることが容易であった場合には，甲第４号証の上記摘記（甲４ｏ）の「本発明の酸化物の導電性は，伝導帯におけるキャリア電子の量が所定の範囲にあるときに良好となる。そのようなキャリア電子の量は，１×１０１８／ｃｍ３〜１×１０２２／ｃｍ３の範囲である。また，好ましいキャリア電子の量は，１×１０１９／ｃｍ３〜５×１０２１／ｃｍ３の範囲である。」との記載，及び，甲第４号証の上記摘記（甲４ｍ）の「比率（ｚ／ｙ）は０．４以上，１．４以下の範囲であり，ｚ／ｙが０．４未満ではＩｎ２Ｏ３が不足し，電気伝導性が低下する。」との記載に照らして，引用発明４では，導電性の制御を，比率（ｚ／ｙ）を，０．４以上，１．４以下の範囲で調整することで行っていることから，引用発明４において，キャリア電子の量を，１×１０１８／ｃｍ３以下とする場合，すなわち，引用発明４の「透明導電体膜」を，「半絶縁性」とする際には，「Ｉｎ」と「Ｍ」の比率である，ｚ／ｙを０．４未満として，Ｉｎ２Ｏ３を不足させることで，電気伝導性を低下させることが自然といえる。
　そして，このように，Ｉｎ２Ｏ３の使用量を下げることは，上記摘記（甲４ｊ）に記載されている「そこで本発明の目的は，資源環境負荷の高いIn２O３の含有量を低く抑えることができ」という，引用発明４の課題解決にも沿ったものであると認められる。
　そうすると，仮に，引用発明４の「透明導電体膜」に替えて，「半絶縁性」薄膜とすることが容易であった場合には，引用発明４において，キャリア電子の量を減少させるには，「Ｉｎ」と「Ｍ」の比率である，ｚ／ｙを０．４未満とすることによって行うことが自然といえるところ，前記「ｚ／ｙを０．４未満」とした場合には，結晶化したときの組成が，式ＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）で示される酸化物薄膜とならないことは明らかである。したがって，この理由によっても，引用発明４において，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）であること，すなわち，ＩｎとＧａの組成比（Ｉｎ／Ｇａ）が「１」となり，かつ，ＺｎとＧａとの組成比（Ｚｎ／Ｇａ）が，「１」，「２」・・・「５」のいずれかである自然数となることを容易に想到し得たとは認められない。
　したがって，引用発明４において，上記相違点４−２について，本件特許発明１の特定事項とすることは，当業者が容易に想到し得たこととは認められない。
　また，甲第４号証は，本件特許明細書に，【特許文献２】として開示された文献であって，上記摘記（本ｂ）の「しかし，ここで得られている非晶質酸化物膜の
電子キャリア濃度は，１０
18
／ｃｍ
3
以上
非晶質酸化物膜をチャネル層としたＴＦＴでは，オン・オフ比が充分にとれず，ノーマリーオフ型のＴＦＴにはふさわしくない
チャネル層としたＴＦＴでは，オン・オフ比が充分にとれないという
（シ）以上の理由から，引用発明４において，上記相違点４−１，及び，相違点４−２について，本件特許発明１の構成とすることは，容易であったとは認められないから，本件特許発明１は，当業者が，甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証に記載された発明から容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
（４）小括
　本件特許発明１は，甲第１号証，甲第４号証，甲第５号証，甲第６号証，甲第７号証，甲第９号証，甲第１０号証，甲第１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
４　無効理由４のまとめ
　以上のとおりであるから，本件特許発明１は当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
　したがって，本件特許発明１について，無効理由４は，理由がない。
　
第９　無効理由５について
１　本件特許発明１
　本件特許発明１は，「第２　本件発明」で認めたとおりである。
２　本件特許発明１についての無効理由５の具体的理由
　審判請求書の記載によれば，本件特許発明１についての無効理由５の具体的理由は，略以下のとおりのものと認められる。
　
　本件特許明細書の【背景技術】には，特許文献２（特開２０００−０４４２３６号公報：以下，甲第４号証）のアモルファス酸化物について，「電子キャリア濃度は，１０１８／ｃｍ３以上であり，単なる透明電極としては用いるには充分であるもののＴＦＴのチャネル層には適用し難い」及び「ノーマリーオフ型のＴＦＴにはふさわしくないことが判明した」（【０００５】）と記載されている。
　そこで，本件特許明細書では，ノーマリーオフ型のＴＦＴを実現するため，本件特許発明１の「電子キャリア濃度が１０１６／ｃｍ３以下」であり「半絶縁性」であるアモルファス酸化物薄膜を成膜するにあたり，パルスレーザー蒸着法で成膜する際，及び，スパッタ法で成膜する際において，
酸素分圧を制御すること
　しかしながら，下記表１に示すように，本件特許明細書の酸素分圧は，パルスレーザー蒸着法及びスパッタ法のいずれにおいても，上記特許文献２（甲第４号証）の酸素分圧と，
重複している
　そして，
酸素分圧が重複するにも関わらず
「半絶縁性」
「導電性」
　してみると，本件特許明細書と，その【背景技術】に記載された特許文献２（甲第４号証）との間には極めて重大な齟齬・矛盾があり，両記載に接した当業者は，本件特許発明１の「電子キャリア濃度が１０１６／ｃｍ３以下」であり「半絶縁性」であるアモルファス酸化物薄膜を得るために，期待しうる程度を超える試行錯誤や複雑高度な実験等を行うことが必要であると言わざるを得ない。
　したがって，本件特許明細書は，当業者が本件特許発明１を実施できる程度に，明確かつ十分に記載されたものでない。
　
　審判請求人は，審判請求書において表１を作成し，当該表１には，本件特許明細書の【００４１】，【００４２】，【００４６】〜【００５５】，【００５８】〜【００６０】，【００６２】〜【００６５】の記載，及び，特許文献２（甲第４号証）の【００１１】，【００１６】，【００２７】〜【００２９】，【００３０】，【００３１】，【００４０】の記載をまとめたものが記載されており，
　同表には，本件特許発明１及び本件特許明細書と，特許文献２（甲第４号証）では，ターゲット出発原料，仮焼温度，及び，本焼結温度・時間が共通し，
・ＰＬＤにおいて，
本件特許発明１及び本件特許明細書では，
　ターゲットの仮焼時間：２ｈ
　圧力（酸素分圧）Ｐａ：４．５以上６．５以下，
　基板温度：２５℃の成膜条件において，
　半絶縁性であるアモルファス酸化物膜が得られ，
特許文献２（甲第４号証）では，
　仮焼時間：５ｈ
　圧力（酸素分圧）Ｐａ：１×１０−２〜１０，
　　　　　　　　　　　　好ましくは０．０１〜１，
　　　　　　　　　　　　７．９×１０−２〜１．４（実施例）
　基板温度：室温から３００℃の成膜条件において，
　導電性であるアモルファス酸化物膜が得られ，
・スパッタにおいて，
本件特許発明１及び本件特許明細書では，
　ターゲットの仮焼時間：２ｈ
　圧力（酸素分圧）Ｐａ：３×１０−２以上，５×１０−１以下，
　基板温度：２５℃の成膜条件において，
　半絶縁性であるアモルファス酸化物膜が得られ，
特許文献２（甲第４号証）では，
　ターゲットの仮焼時間：５ｈ
　圧力（酸素分圧）Ｐａ：１×１０−２〜１０，
　　　　　　　　　　　　好ましくは０．０１〜１，
　基板温度：室温から３００℃の成膜条件において，
　導電性であるアモルファス酸化物膜が得られると整理されている。
　すなわち，本件特許明細書の発明の詳細な説明は，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　よって，本件特許の請求項１に係る発明は，特許法第１２３条第１項第４号に該当し，無効とすべきものである。
３　本件特許発明１についての当審の判断
（１）本件特許明細書の発明の詳細な説明には，以下の記載がある。
（本ｔ）「【００３９】
実施例
（実施例１：
ＰＬＤ法によるアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜の作製
図７に示すようなＰＬＤ成膜装置を用いて，成膜を行った。同図において，７０１はＲＰ（ロータリーポンプ），７０２はＴＭＰ（ターボ分子ポンプ），７０３は準備室，７０４はＲＨＥＥＤ用電子銃，７０５は基板を回転，上下移動するための基板保持手段，７０６はレーザー入射窓，７０７は基板，７０８はターゲット，７０９はラジカル源，７１０はガス導入口，７１１はターゲットを回転，上下移動するためのターゲット保持手段，７１２はバイパスライン，７１３はメインライン，７１４はＴＭＰ（ターボ分子ポンプ），７１５はＲＰ（ロータリーポンプ），７１６はチタンゲッターポンプ，７１７はシャッターである。また，図中７１８はＩＧ（イオン真空計），７１９はＰＧ（ピラニ真空計），７２０はＢＧ（バラトロン真空計），７２１は成長室（チャンバー）である。
【００４０】
KrFエキシマレーザーを用いたパルスレーザー蒸着法により，SiO
2
ガラス基板（コーニング社製1737）上にIn-Ga-Zn-O系アモルファス酸化物半導体薄膜を堆積させた
堆積前の処理として，基板の超音波による脱脂洗浄を，アセトン,エタノール, 超純水を用いて，各5分間行った後，空気中100℃で乾燥させた
【００４１】
前記多
結晶ターゲットには，InGaO
3
(ZnO)
4
焼結体ターゲット（サイズ20mmΦ5mmt）を用いた
これは，出発原料として，In
2
O
3
：Ga
2
O
3
：ZnO（各4N試薬）を湿式混合した後(溶媒：エタノール)，仮焼（1000℃： 2h），乾式粉砕，本焼結（1550 ℃： 2h）)を経て得られるものである。こうして作製したターゲットの電気伝導度は，90(S/cm)であった
【００４２】
成長室の到達真空を2×10
-6
(Pa)にして，成長中の酸素分圧を6.5 (Pa)に制御して成膜を行った
チャンバー７２１内酸素分圧は６．５Pa，基板温度は25℃である
ターゲット７０８と被成膜基板７０７間の距離は，30(mm)であり，入射窓７１６から入射されるＫｒＦエキシマレーザーのパワーは，1.5-3(mJ/cm
2
/pulse)の範囲である。また，パルス幅は，20(nsec)，繰り返し周波数は10(Hz)，そして照射スポット径は，1×1(mm角)とした。こうして，成膜レート7(nm/min)で成膜を行った
【００４３】
得られた薄膜について，薄膜のすれすれ入射Ｘ線回折（薄膜法，入射角0.5度）を行ったところ，明瞭な回折ピークは認めらなかったことから，作製したIn-Ga-Zn-O系薄膜はアモルファスであるといえる
蛍光Ｘ線（XRF）分析の結果，薄膜の金属組成比はIn：Ga：Zn＝0.98：1.02：4であった
電子キャリア濃度は約10
16
/cm
3
以下，電子移動度は約５cm
2
／（Ｖ・秒）と推定される
【００４４】
光吸収スペクトルの解析から，作製したアモルファス薄膜の禁制帯エネルギー幅は，約3eVと求まった。以上のことから，
作製したIn-Ga-Zn-O系薄膜は，結晶のInGaO
3
(ZnO)
4
の組成に近いアモルファス相
【００４５】
具体的に図１を用いて説明する。同図は，In-Ga-Zn-Oから構成され，結晶状態を仮定した時の組成がInGaO3(ZnO)m(mは６未満の数)で表される透明アモルファス酸化物薄膜を本実施例と同じ条件下で作成する場合に，酸素分圧を変化させた場合に，成膜された酸化物の電子キャリア濃度の変化を示したものである。
【００４６】
本実施例と同じ条件下で酸素分圧を４．５Ｐａ超の高い雰囲気中で，成膜することにより，図１に示すように，電子キャリア濃度を１０18／ｃｍ3未満に低下させることができた。この場合，基板の温度は意図的に加温しない状態で，ほぼ室温に維持されている。フレキシブルなプラスチックフィルムを基板として使用するには，基板温度は100℃未満に保つことが好ましい。
【００４７】
酸素分圧をさらに大きくすると，電子キャリア濃度をさらに低下させることができる
図１に示す様に，基板温度２５℃，酸素分圧５Ｐａで成膜したInGaO
3
(ZnO)
4
薄膜では，さらに，電子キャリア濃度を１０
16
／ｃｍ
3
に低下させることができた
　
（本ｕ）「【００５８】
（実施例３：
ＳＰ法によるＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜の成膜
雰囲気ガスとしてアルゴンガスを用いた高周波ＳＰ法により，成膜する場合について説明する。ＳＰ法は，図８に示す装置を用いて行った。同図において，８０７は被成膜基板，８０８はターゲット，８０５は冷却機構付き基板保持手段，８１４は，ターボ分子ポンプ，８１５はロータリーポンプ，８１７はシャッター，８１８はイオン真空計，８１９はピラニ真空計，８２１は成長室（チャンバー），８３０はゲートバルブである。被成膜基板８０７としては，ＳｉＯ２ガラス基板（コーニング社製１７３７）を用意した。成膜前処理として，この基板の超音波脱脂洗浄を，アセトン，エタノール，超純水により各５分ずつ行った後，空気中１００℃で乾燥させた。
【００５９】
ターゲット材料としては，ＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）4組成を有する多結晶焼結体（サイズ２０ｍｍΦ５ｍｍｔ）を用いた。この焼結体は，出発原料として，Ｉｎ2Ｏ3：Ｇａ2Ｏ3：ＺｎＯ（各４Ｎ試薬）を湿式混合（溶媒：エタノール）し，仮焼（１０００℃：２ｈ），乾式粉砕，本焼結（１５５０℃：２ｈ）を経て作製した。このターゲット８０８の電気伝導度は９０（Ｓ／ｃｍ）であり，半絶縁体状態であった。
【００６０】
成長室８２１内の到達真空は，１×１０-4（Ｐａ）であり，成長中の酸素ガスとアルゴンガスの全圧は，４〜０．１ｘ１０-1（Ｐａ）の範囲での一定の値とし，アルゴンガスと酸素との分圧比を変えて，酸素分圧を，１０-3〜２ｘ１０-1（Ｐａ）の範囲で変化させた。また，基板温度は，室温とし，ターゲット８０８と被成膜基板８０７間の距離は，３０（ｍｍ）であった。投入電力は，ＲＦ１８０Ｗであり，成膜レートは，１０（ｎｍ／ｍｉｎ）で行った。
【００６１】
得られた膜に関し，膜面にすれすれ入射Ｘ線回折（薄膜法，入射角＝０．５度）を行ったところ，明瞭な回折ピークは検出されず，作製したＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系膜はアモルファス膜であることが示された。さらに，Ｘ線反射率測定を行い，パターンの解析を行った結果，薄膜の平均二乗粗さ（Ｒｒｍｓ）は約０．５ｎｍであり，膜厚は約１２０ｎｍであることが分かった。蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）分析の結果，薄膜の金属組成比はIn: Ga : Zn = 0.98 : 1.02 : 4であった。
【００６２】
成膜時の雰囲気の酸素分圧を変化させて得られたアモルファス酸化物膜の電気伝導度を測定した。その結果を図３に示す。図３に示すように，酸素分圧を４×１０-2Ｐａ超の高い雰囲気中で，成膜することにより，電気伝導度を１０−２Ｓ／ｃｍ未満に低下させることができた。
【００６３】
酸素分圧をさらに大きくすることにより，電子キャリア濃度を低下させることができた。例えば，図３に示す様に，基板温度２５℃，酸素分圧１０-1Ｐａで成膜したInGaO3(ZnO)4薄膜では，さらに，電気伝導度を約１０-10Ｓ／ｃｍに低下させることができた。また，酸素分圧１０-1Ｐａ超で成膜したInGaO3(ZnO)4薄膜は，電気抵抗が高すぎて電気伝導度は測定できなかった。この場合，電子移動度は測定できなかったが，電子キャリア濃度が大きな膜での値から外挿して，電子移動度は，約１ｃｍ2／Ｖ・秒と推定された。」
　
（２）そうすると，上記摘記（本ｔ）及び上記摘記（本ｕ）の記載は，成膜装置の構造，材料の事前処理，成膜条件等のいずれについても詳細かつ具体的なものであり，また，酸素分圧を大きくすることで，電子キャリア濃度を低下させることができるという指針も理解できるから，本件特許明細書の記載は，本件特許発明１を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものであると認められる。
（３）審判請求人は，本件特許発明１の酸素分圧が，甲第４号証の酸素分圧とが重複するにも関わらず，本件特許発明１では「半絶縁性」が得られ，特許文献２（甲第４号証）は「導電性」が得られており，両者には極めて重大な齟齬・矛盾があり，両記載に接した当業者は，本件特許発明１の「電子キャリア濃度が１０１６／ｃｍ３以下」であり「半絶縁性」であるアモルファス酸化物薄膜を得るために，期待しうる程度を超える試行錯誤や複雑高度な実験等を行うことが必要であると言わざるを得ない旨を主張する。
　しかしながら，甲第４号証に記載された酸素分圧，及び，基板温度の範囲に比べて，本件特許発明１で規定する酸素分圧，及び，基板温度の範囲は十分に小さいものであり，また，成膜される膜の組成においても，甲第４号証が，「一般式ＺｎｘＭｙＩｎｚＯ（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）（式中，Ｍはアルミニウム及びガリウムのうち少なくとも一つの元素であり，比率ｘ／ｙが０．２〜１２の範囲であり，比率ｚ／ｙが０．４〜１．４の範囲にある）で表される酸化物」であり，ｘ，ｙ，ｚの範囲が広く規定されているのに対して，本件特許発明１は，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）」である酸化物薄膜であり，前記Ｍ，及び，ｘ，ｙ，ｚに対応する値の範囲が，Ｍは「ガリウム」に，ｘは「６未満の自然数」に，ｙ及びｚは「１」にと，より狭く特定されていることに照らして，本件特許発明１は，従来は，導電性の膜が得られると想定されていた幅広い条件の中において，特定の狭い範囲の条件を選択することによって，半絶縁性の膜が得られることを見いだした発明であると理解することができるから，成膜装置の構造，材料組成及び事前処理，成膜条件等のいずれについても詳細かつ具体的に記載しており，また，酸素分圧を大きくすることで，電子キャリア濃度を低下させることができるという指針も理解することができる，上記摘記（本ｔ）及び上記摘記（本ｕ）を含む，本件特許明細書の記載は，本件特許発明１を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものであるといえる。
　すなわち，本件特許発明１と特許文献２（甲第４号証）に，極めて重大な齟齬・矛盾があるとまではいえないので，本件特許発明１の「電子キャリア濃度が１０１６／ｃｍ３以下」であり「半絶縁性」であるアモルファス酸化物薄膜を得るために，期待しうる程度を超える試行錯誤や複雑高度な実験等を行うことが必要であるとする審判請求人の主張は採用することはできない。
４　本件特許発明２，５，６
　本件特許発明２，５，６は，「第２　本件発明」で認めたとおりである。
５　本件特許発明２，５，６についての無効理由５の具体的理由
　審判請求書の記載によれば，本件特許発明２，５，６についての無効理由５の具体的理由は，略以下のとおりのものと認められる。
　本件特許発明２，５，６は，いずれも，請求項１を引用する発明であるから，本件特許発明１と同様の理由により，本件特許明細書は，当業者が本件特許発明２，本件特許発明５，及び，本件特許発明５を実施できる程度に，明確かつ十分に記載されたものでない。
　すなわち，本件特許明細書の発明の詳細な説明は，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　よって，本件特許の請求項２，５，６に係る発明は，特許法第１２３条第１項第４号に該当し，無効とすべきものである。
６　本件特許発明２，５，６についての当審の判断
（１）本件特許発明２，５，６は，いずれも，請求項１，請求項１を引用する請求項２，又は，無効理由５が主張されていない請求項４を引用する発明であるところ，本件特許発明１について，審判請求人が主張する「本件特許明細書は，当業者が本件特許発明１を実施できる程度に，明確かつ十分に記載されたものではない。」とする理由が認められないことは，上記「３　当審の判断」で検討したとおりである。
　そして，本件特許発明２，５，６において，本件特許発明１に対して附加的に限定した発明特定事項は，いずれも周知の構成であると認められる。
　したがって，本件特許発明２，５，６が，いずれも，請求項１を引用する発明であり，しかも，本件特許発明２，５，６において，附加的に限定した発明特定事項は，いずれも周知の構成であると認められるから，本件特許発明１と同様の理由により，本件特許明細書は，当業者が本件特許発明２，本件特許発明５，及び，本件特許発明５を実施できる程度に，明確かつ十分に記載されたものでないとすることはできない。
　
７　無効理由５のまとめ
　以上のとおりであるから，本件特許明細書の発明の詳細な説明が，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないとはいえない。
　よって，本件特許発明１，２，５，６に係る発明について，無効理由５は，理由がない。
 　  
 第１０　むすび  
　以上のとおりであるから，特許４５６８８２８号の請求項１−６に係る発明についての特許は，特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではないから，特許法第１２３条第１項第２号に該当しない。
　また，本件特許の請求項１，２，５，６に係る発明についての特許は，特許法第３６条第４項第１号の規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものではないから，特許法第１２３条第１項第４号に該当しない。
　したがって，本件特許の請求項１−６に係る発明についての審判請求は，成り立たない。
　審判に関する費用については，特許法第１６９条第２項で準用する民事訴訟法第６１条の規定により，請求人の負担とする。
　よって，結論のとおり審決する。