【事件の表示】
　特願２０１３−１７６９５４「炭化珪素半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　３月１２日出願公開、特開２０１５−　４６５００、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２５年８月２８日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年１２月２４日　審査請求
平成２８年　７月２１日　拒絶理由通知
平成２８年　９月２３日　意見書・手続補正
平成２８年１０月２８日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２９年　１月３１日　審判請求・手続補正
平成２９年　５月１０日　上申書
　
第２　原査定の概要
１．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
２．（拡大先願）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願の日前の特許出願であって，その出願後に特許掲載公報の発行又は出願公開がされた下記の特許出願の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり，しかも，この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく，またこの出願の時において，その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので，特許法第２９条の２の規定により，特許を受けることができない。
●理由１（特許法第２９条第２項）について
・請求項１
・引用文献等１〜３
　出願人は平成２８年９月２３日付け意見書において「引用文献２を考慮して引用発明１の構成を変更する場合，引用発明１の表面電極パッド（電極１５）ではなくショットキー電極（バリア金属層１３）の外周端を引用文献２で提案する範囲内に設計することについては示唆又は動機付けがありますが，引用文献２には表面電極パッド（電極１５）の外周端をどのような位置に設けるべきかについては何ら開示されておりません。そのため，引用文献２を考慮しても，引用発明１において表面電極パッド（電極１５）をガードリング領域上に設けるための示唆や動機付けは存在しません。よって，引用文献１乃至４に基づいて補正後の請求項１にかかる発明は容易に想到することができないものと思料いたします。」と主張している。
　出願人の主張について検討する。
　引用文献２の段落［００３９］及び［００４１］には，ショットキ電極２端部が外側になるにつれて絶縁膜４に加わる電界が強くなり，絶縁膜４の耐圧に起因した耐圧のバラツキが生じる旨が記載されてる。
　そして，意見書における主張の通り，引用文献１に記載された発明において「ショットキー電極（バリア金属層１３）の外周端を引用文献２で提案する範囲内に設計」した場合，「電極１５」の外周端が「シリコン酸化膜１２」に加える電界は強いままであり，「シリコン酸化膜１２」のバラツキを抑制できないことは，当業者にとって明らかである。
　したがって，引用文献１に記載された発明において，耐圧変動を抑制すること等のために，「電極１５」の端部を「Ｐ型ガードリング１４」上に設けることは当業者が容易になし得たことであるから，出願人の主張は，採用できない。
　よって，先の拒絶理由が記載したとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用文献１〜３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，依然として特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
●理由１（特許法第２９条第２項）について
・請求項３
・引用文献等１〜４
　引用文献３には，フィールド絶縁膜１６の開口部がテーパ形状となっている旨が図示されている（特に図２を参照されたい）。
　また，引用文献４には半導体装置において，ショットキーメタル（４）の段切れを避けるために半導体領域（１）に堆積したＳｉＯ２膜（２）の開口部（３）の断面形状をテーパー状（６）とすることが記載されている（特に段落［従来技術］，図４を参照されたい）。
　したがって，先の拒絶理由が記載したとおり，引用文献１に記載された発明において，「バリア金属層１３」の段切れを避けること等のために「シリコン酸化膜１２」の断面形状をテーパ状とすることは，当業者が容易になし得たことである。
　よって，本願の請求項３に係る発明は，引用文献１〜４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
●理由２（特許法第２９条の２）について
・請求項１，２
・引用文献等５
　出願人は平成２８年９月２３日付け意見書において「補正後の請求項１に記載された発明は，「前記ガードリング領域は，前記ガードリング領域より高い不純物濃度を有する第２導電型の高濃度領域を有」するという特徴（構成Ｆ１）を有するものです。引用発明４は構成Ｆ１を有するものではない」と主張している。
　出願人の主張について検討すると，先願５の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲又は図面の，段落［００２５］には，「図４は，本発明におけるエッジ部の構造を詳細に説明する図であって，図３と同様に，第１の金属層のエッジ部は，終端構造用のｐ型領域３上に形成された，層間絶縁膜６の上に位置しており，第２の金属層１２は，該第１の金属層上に形成されているが，第１の金属層１１は，第２の金属層１２で被覆されている。すなわち，本願発明の図４における構造では，ショットキーコンタクトは，表面電極となる第２の金属層１２に完全に覆われているため，エッチング残渣およびプラズマによるダメージの影響を受けず，特性が良好な素子を得ることが出来る。図４に示すとおり，本発明において，前記第１の金属層及び第２の金属層の外周端部が，共に前記第２導電型の領域Ｂ内にあることが好ましい。」と記載されている。
　また，先願５の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲又は図面の，図１，図４には，「領域Ｂ（３）」と「領域Ｃ（５）」とが連接して図示されている。
　また，先願５の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲又は図面の，段落［００１３］には，「第２導電型が配置された領域Ｂ及び該領域Ｂの周囲に配置された濃度の異なる第２導電型の領域Ｃとに囲まれている構造を有し，さらに該領域Ｂおよび該領域Ｃの上に絶縁膜を有する半導体基板上に，少なくとも前記領域Ａを覆う第１の金属堆積膜とその上に形成された第２の金属堆積膜を有する半導体装置」と記載されている。
　したがって，「領域Ｂ（３）」と「領域Ｃ（５）」とを合わせた領域は高い不純物濃度を有する第２導電型領域を有することから，本願の請求項１における「ガードリング領域」相当する。
　よって，本願の請求項１〜２に係る発明は，先願５の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり，しかも，この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく，またこの出願の時において，その出願人が先願の出願人と同一でもないので，特許法第２９条の２の規定により，特許を受けることができない。
＜引用文献等一覧＞
１.特開２００７−２３５０６４号公報
２.特開２００９−２２４６６１号公報
３.国際公開第２０１２／１５７６７９号
４.特開平２−２８１７５７号公報
５.特願２０１２−０８２４４４号（特開２０１３−２１１５０３号）
第３　審判請求時の補正について
　審判請求時の補正は，特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件を満たしている。
　審判請求時の補正の内容は，（１）補正前の請求項１について、「ガードリング領域」は，「表面電極パッド下」に有するとする補正及び補正前の請求項２に記載されていた「ショットキー電極」と「パッド電極」との関係を請求項１に追加する補正、具体的には「ショットキー電極の外周部にはエッチング残渣が形成されており，表面電極パッドは，前記エッチング残渣を覆うように形成されている」とする内容を追加して補正後の請求項１とする補正（以下，「補正事項１」という。）は，いずれも請求項１に係る発明の発明特定事項となる「ガードリング領域」，「ショットキー電極」及び「パッド電極」の構成を限定する補正であるから，特許請求の範囲の減縮にあたる。
　また，（２）補正前の請求項４について、ウエット処理により金属膜をエッチングすることで，外周端が前記フィールド酸化膜上に存在すると共に「外周端にエッチング残渣を有する」ショットキー電極を形成する工程，前記ショットキー電極上において，前記ショットキー電極の外周端を越えて前記フィールド酸化膜と接し，「前記エッチング残渣を覆うように」表面パッド電極を形成する工程，と補正して補正後の請求項３とする補正（以下，「補正事項２」という。）は，補正前の請求項４に係る発明の発明特定事項である「ショットキー電極を形成する工程」と「パッド電極を形成する工程」について限定を加える補正であるから，特許請求の範囲の減縮にあたる。
　補正事項１及び２は，本願明細書の【００３１】，【００３２】，図２等に記載された内容であり，補正事項１及び２は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。また，補正事項１及び補正事項２は，特許請求の範囲を減縮したものであるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして，「第４　本願発明」から「第６　対比・判断」までに示すように，補正後の請求項１ないし３に係る発明は，独立特許要件を満たすものである。
　また，審判請求時の補正によって，段落【０００９】が補正されたが，当該補正事項は，新規事項を追加するものではない。
第４　本願発明
　本願の請求項１ないし３に係る発明（以下，「本願発明１」ないし「本願発明３」という。）は，平成２９年１月３１日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりである。
「【請求項１】
　第１導電型のドリフト層と，
　前記ドリフト層の表面に形成された環状の第２導電型のガードリング領域と，
　前記ドリフト層の表面上において，前記ガードリング領域を取り囲むように形成されたフィールド絶縁膜と，
　前記ガードリング領域の内側において前記ドリフト層の表面を覆うように形成され，外周端が前記フィールド絶縁膜上に存在するショットキー電極と，
　前記ショットキー電極上に形成され，前記ショットキー電極の外周端を越えて前記フィールド絶縁膜と接している表面電極パッドと，
　を備え，
　前記ガードリング領域は，前記ガードリング領域より高い不純物濃度を有する第２導電型の高濃度領域を前記表面電極パッド下に有し，
　前記表面電極パッドの外周端は，前記ガードリング領域の上方に存在し，
　前記ショットキー電極の外周端にはエッチング残渣が形成されており，
　前記表面電極パッドは前記エッチング残渣を覆うように形成されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
　【請求項２】
　前記フィールド絶縁膜の開口部がテーパ形状となっていることを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置。
　【請求項３】
　第１導電型の基板層と前記基板層上に形成された第１導電型のドリフト層を有する炭化珪素基板を用意する工程と、
　前記ドリフト層の表面に第２導電型のガードリング領域を形成する工程と、
　前記前記ドリフト層の表面上の一部おいて前記ガードリング領域を取り囲むようにフィールド絶縁膜を形成する工程と、
　前記フィールド絶縁膜上と前記ドリフト層上とに金属膜を形成した後、ウェット処理により前記金属膜をエッチングすることで、外周端が前記フィールド絶縁膜上に存在するとともに前記外周端にエッチング残渣を有するショットキー電極を形成する工程と、
　前記ショットキー電極上において、前記ショットキー電極の外周端を越えて前記フィールド絶縁膜と接し、前記エッチング残渣を覆うように表面電極パッドを形成する工程と
　を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。」
　
第５　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
（１）引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００７−２３５０６４号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（当審注。下線は，当審で付加した。以下同じ。）
　ア「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は、ショットキーバリア半導体装置及びその製造方法に関し、より特定的には、高濃度第一導電型（Ｎ型）半導体であるシリコン基板上において、金属膜がショットキー接合を形成しているショットキーバリア半導体装置の耐圧性能及び静電気サージ耐量を改善する技術に関する
　
　イ「【００１３】
　図１において、本発明のショットキーバリアダイオードは、
高濃度Ｎ型半導体基板１０、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａと高濃度Ｐ型ガードリング領域１４ｂとからなるガードリング１４、シリコン酸化膜１２、バリア金属層１３、電極１５、及び電極１６で構成される。
【００１４】
　まず、エピタキシャル成長法を用いて、シリコンからなる高濃度Ｎ型半導体基板１０の上に低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１を積層する（図２Ａ（ａ））。次に、ガードリング１４の形成場所に対応した所定面積の開口部を持つ絶縁膜（シリコン酸化膜）１７を、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１の上に形成する（図２Ａ（ｂ））。次に、絶縁膜１７を介したイオン注入法等を用いて、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１の中にボロンを注入し、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａを形成する（図２Ａ（ｃ））。次に、絶縁膜１７をオーバーエッチングして、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａを形成したときよりも開口部の面積を大きくする（図２Ａ（ｄ））。次に、開口部の面積を拡大させた絶縁膜１７を介したイオン注入法及びアニール処理（熱処理）等を用いて、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１の表面部分に、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａを被覆しかつ低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａよりも浅い形状で高濃度Ｐ型ガードリング領域１４ｂを形成する（図２Ａ（ｅ））。すなわち、この工程によって、
低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａが「軸」で高濃度Ｐ型ガードリング領域１４ｂが「傘」となるキノコ形状のガードリング１４を形成する
【００１５】
　例えば、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａは、深さを１μｍ程度及び不純物濃度を１×１０16／ｃｍ3 〜６×１０17／ｃｍ3 とし、高濃度Ｐ型ガードリング領域１４ｂは、深さを０．２μｍ程度及び不純物濃度を１×１０18／ｃｍ3 〜６×１０21／ｃｍ3 とすればよい。
【００１６】
  次に、
低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１の表面に、高濃度Ｐ型ガードリング領域１４ｂの一部と接するシリコン酸化膜１２を形成する
ニッケル、チタン、又はモリブデン等からなるバリア金属層１３を、このシリコン酸化膜１２の一部を覆うように低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１の表面に蒸着させ、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１とバリア金属層１３とでショットキー接合を形成する（図２Ｂ（ｇ））。次に、バリア金属層１３の上に、オーミック接続されたアルミニウム、金、又は銀等からなる電極１５を形成する
（２）引用装置発明１
　「シリコン酸化膜１２」は、Ｎ型エピタキシャル層１１の表面上において、開口部に形成するバリア金属層１３の基板表面上における外周部として機能しており、基板内部において当該バリア金属層１３と炭化珪素基板の接合部の外周部として機能するガードリングと対応するように形成することは電極部構造の技術常識であるから、図１の断面図における「シリコン酸化膜１２」とガードリング１４の相対的な位置関係を考慮すると、「ガードリング領域の一部と接するシリコン酸化膜１２」は、実質的には「前記ガードリングを取り囲むように形成されたシリコン酸化膜１２」が記載されているものと解される。
　したがって、前記「シリコン酸化膜１２」の記載事項、前記ア，イ，及び図１を考慮すると，引用文献１には次の発明（以下，「引用装置発明１」という。）が記載されていると認められる。
「低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１と、
　前記エピタキシャル層１１の表面に形成された低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａと高濃度Ｐ型ガードリング領域１４ｂとからなるガードリング１４と、
　前記Ｎ型エピタキシャル層１１の表面上において、前記ガードリング１４に一部が接するように形成されたシリコン酸化膜１２と、
　前記ガードリング１４の内側において前記エピタキシャル層１１の表面を覆うように形成され、外周端が前記シリコン酸化膜１２上に存在するニッケル、チタン、又はモリブデン等からなるバリヤ金属層１３と、前記バリア金属層１３上に形成され、前記バリア金属層１３の外周端を越えて、前記シリコン酸化膜１２と接しているアルミニウム、金または銀等からなる電極１５と、
　を備え、
　前記電極１５の外周端は、前記ガードリング１４の外側に存在している
　シリコン基板１０上のショットキーバリアダイオード。」
（３）引用製造方法発明１
　前記（２）の「シリコン酸化膜１２」の記載事項、前記ア，イ，及び図１，図２Ａ，図２Ｂを考慮すると、引用文献１には次の発明（以下，「引用製造方法発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「シリコンからなる高濃度Ｎ型半導体基板１０とその基板上に形成された低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１を有する当該シリコン基板を用意する工程と、
　前記エピタキシャル層１１の表面に低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａと高濃度Ｐ型ガードリング領域１４ｂとからなるガードリング１４を形成する工程と、
　前記Ｎ型エピタキシャル層１１の表面上の一部において、前記ガードリング１４に一部が接するようにシリコン酸化膜１２を形成する工程と、
　前記シリコン酸化膜１２上と前記エピタキシャル層１１上とにニッケル、チタン、又はモリブデン等からなるバリヤ金属層１３を全面に形成し、パターニングしてショットキー接合を形成する工程と、
　バリア金属上１３上にアルミニウム、金、または銀等から成る電極１６を形成する工程を備えたシリコン半導体装置の製造方法。」　
２　引用文献２について
（１）引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された.特開２００９−２２４６６１号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
ア「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、炭化珪素ショットキダイオードに関するものである。」
イ「【００１４】
　
本発明の炭化珪素ショットキダイオード１０は、図２に示すようにn型の炭化珪素半導体基板１の表面に形成されるアノードのためのショットキ電極２と、該ショットキ電極２の周囲を取囲むべく、炭化珪素半導体基板１の表面にｐ型のガードリング３と、該ガードリング３上に延在すると共に当該ガードリング３の周囲を取囲むように炭化珪素半導体基板１の表面上に延在する絶縁膜４と、炭化珪素半導体基板１の裏面に形成されるカソードのための裏面電極５と、ショットキ電極２上に形成される半田とを備えており、ショットキ電極２は炭化珪素半導体基板１の表面上においてガードリング３に接し、かつ絶縁膜４上にも延在するように形成されている。
【００１５】
　
炭化珪素半導体基板１は、窒素濃度５Ｅ１８ｃｍ
−３
で示される濃度のバルク基板１１と、該バルク基板上に１Ｅ１６ｃｍ
−３
で示される濃度でエピタキシャル成長させて成るエピタキシャル層１２とを有し
【００１６】
　
炭化珪素半導体基板１のエピタキシャル層１２の表面近傍には、ガードリング３が形成されている。
【００１７】
　ガードリング３は、そのリング内径が３００μｍを有するように形成されており、リングを成す線を断面で見ると、その形状は矩形状であり、例えば横幅寸法が１００μｍおよび表面からの深さ寸法が０．５μｍとなるように形成されている。
【００１８】
　
炭化珪素半導体基板１のエピタキシャル層１２の表面には、ショットキ電極２が形成されている。詳細にはショットキ電極２はガードリング３によって規定されるリング形状の内側全面に亘って延在しており、その端部はガードリング３の内側において該ガードリング３の一部に接して更に絶縁膜４上に延在する。
【００１９】
　ところで、
ショットキ電極２は、複数種類の金属を用いた積層構造であり、例えばチタンを０．５μｍの厚さ寸法で蒸着させた後、その上に順にアルミを３μｍの厚さ寸法で蒸着させて形成される
ウ「【００２３】
　前記した構造の
絶縁膜４は、図２に示すようにガードリング３の周囲を取囲むように延在しており、またガードリング３の外周側、すなわちガードリング３外側の当該ガードリング３が形成されないエピタキシャル層１２の表面上にも延在するように形成されている。
【００２４】
　また、
ガードリング３の内側表面の例えば１０μｍには絶縁膜４が延在しておらず、この部位にはショットキ電極２の端部が延在している。
【００２５】
　
ショットキ電極２は、ガードリング３の内側表面から該ガードリング３の表面上に形成された絶縁膜４上にも延在
エ「【００３９】
　ショットキ電極２端部が外側になるにつれて絶縁膜４に加わる電界が強くなるが、絶縁膜４自体の耐圧に起因しているのではないかと考えた。これは、別途行った絶縁膜４自体の耐圧を求めた実験に基づいている。
〜（中略）〜
 　【００４１】
　そこで、ショットキ電極２端部が外側になるにつれ、すなわち離間距離比が３未満になるに従い、ショットキ電極２が絶縁膜４の影響を受け易く、もって耐圧がバラツキ易いのではないかと発明者は考えている。」　
（２）引用発明２
　前記アないしエ，及び図面を考慮すると，引用文献２には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「ｎ型の炭化珪素半導体基板１の表面に形成されるアノードのためのショットキ電極２と、該ショットキ電極２の周囲を取囲むべく、炭化珪素半導体基板１の表面にｐ型のガードリング３と、該ガードリング３上に延在すると共に当該ガードリング３の周囲を取囲むように炭化珪素半導体基板１の表面上に延在する絶縁膜４と、炭化珪素半導体基板１の裏面に形成されるカソードのための裏面電極５と、ショットキ電極２上に形成される半田とを備えており、ショットキ電極２は炭化珪素半導体基板１の表面上においてガードリング３に接し、かつ絶縁膜４上にも延在するように形成されている炭化珪素ショットキダイオード。」
３　引用文献３について
（１）引用文献３
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２０１２／１５７６７９号（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
ア「［0001］本発明は、
ワイドバンドギャップ半導体からなるショットキーバリアダイオードを備える半導体装置およびその製造方法
イ「［0033］
ショットキーバリアダイオード１は、半導体層の一例としてのｎ
 + 
型のＳｉＣからなる基板２（ＳｉＣ基板）を備えている。
［0034］基板２の表面５（（０００１）Ｓｉ面）には、半導体層の一例としてのｎ型ＳｉＣからなるエピタキシャル層６が形成されている。なお、基板２の表面５は、Ｓｉ面（（０００１）面）以外の面方位であってもよい。エピタキシャル層６は、バッファ層７と、３層構造のドリフト層とが基板２の表面５からこの順に積層されて形成された構造を有している。３層構造のドリフト層は、ベースドリフト層８、低抵抗ドリフト層９および表面ドリフト層１０を含む。バッファ層７は、エピタキシャル層６の裏面１１（（０００−１）Ｃ面）を形成しており、基板２の表面５に接している。一方、表面ドリフト層１０は、エピタキシャル層６の表面１２（（０００１）Ｓｉ面）を形成している。　
ウ「［0043］
フィールド絶縁膜１６上には、アノード電極１９が形成されている。アノード電極１９は、ショットキー電極の一例としてのショットキーメタル２０と、コンタクトメタル２１との２層構造を有している。ショットキーメタル２０は、フィールド絶縁膜１６のコンタクトホール１４内でエピタキシャル層６に接合されている。コンタクトメタル２１は、ショットキーメタル２０に積層されている。
エ「［0046］コンタクトメタル２１は、アノード電極１９において、ショットキーバリアダイオード１の最表面に露出して、ボンディングワイヤなどが接合される部分である。コンタクトメタル２１は、たとえば、Ａｌ（アルミニウム）からなる。
また、コンタクトメタル２１は、ショットキーメタル２０（第２メタル２３）と同様に、フィールド絶縁膜１６におけるコンタクトホール１４の周縁部を上から覆うように、当該コンタクトホール１４の外方へフランジ状に張り出している。
（２）引用発明３
　前記アないしエ、及び図面を考慮すると，引用文献３には次の発明（以下，「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「コンタクトメタル２１は、ショットキーメタル２０（第２メタル２３）と同様に、フィールド絶縁膜１６におけるコンタクトホール１４の周縁部を上から覆うように、当該コンタクトホール１４の外方へフランジ状に張り出しているＳｉＣショットキーバリアダイオード。」
４　引用文献４について
（１）引用文献４
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−２８１７５７号公報（以下，「引用文献４」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
ア「〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に半導体領域に絶縁膜の開口部を通して被着される金属電極の被着面積の制御性及び段切れ防止を改善するものである。」（第１頁左欄９〜１３行）
イ「上述のＧａＡｓショットキーダイオード（２３）によれば、その
絶縁膜（１２）の開口部（１９）の断面形状が上部でテーパー状（１７）となされているので、絶縁膜（１２）の開口部上端縁ａの角度が大きくなりショットキーメタル（４）を含むメタル段切れを防止することができる
（２）引用発明４
　前記ア、イ、及び図面を考慮すると，引用文献４には次の発明（以下，「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。
「絶縁膜（１２）の開口部（１９）の断面形状が上部でテーパー状（１７）となされているので、絶縁膜（１２）の開口部上端縁ａの角度が大きくなりショットキーメタル（４）を含むメタル段切れを防止することができるＧａＡｓショットキーダイオード（２３）。」
５　先願５について
（１）先願５
　原査定の拒絶の理由に引用された出願である特願２０１２−８２４４４号（特開２０１３−２１１５０３号）（以下，「先願５」という。）の当初明細書には，図面とともに，次の記載がある。
ア「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、
ＳｉＣを用いた半導体装置に関し、特にエッジ部のショットキーコンタクトメタルを表面電極メタルで完全に被覆することで、エッチング残渣の発生を防ぎ、信頼性の高い表面電極構造を有する半導体デバイスに関するもの
イ「【００１６】
　図２（１）の（ａ）に示すように、例えば５×１０18ｃｍ-3の窒素がドーピングされた厚さ、例えば３５０μｍの、例えば主面として（０００１）面を有する高濃度ｎ型基板を用意する。次いで、図２（１）の（ｂ）に示すように、この
炭化珪素基板１は、その主面上に例えば１.０×１０
16
ｃｍ
-3
の窒素がドーピングされた、例えば厚さ１０μｍの低濃度ｎ型ドリフト層２が堆積される
【００１７】
　次いで、図２（２）に示すように、
終端構造用のｐ型領域３とＪｕｎｃｔｉｏｎ  Ｂａｒｒｉｅｒ  Ｓｃｈｏｔｔｋｙ（ＪＢＳ）構造用のｐ型領域４とＪｕｎｃｔｉｏｎ  Ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ  Ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ（ＪＴＥ）構造用のｐ型領域５
　該図２（２）図に示す第一実施形態においては、本発明の前記領域ＡないしＣは、図１（ｂ）に示されるものであって、領域Ａは、イオン注入されていない低濃度ｎ型ドリフト層２の領域２と、ＪＢＳ構造用のｐ型領域４とからなり、前記領域Ｂは、終端構造用のｐ型領域３からなり、前記領域Ｃは、ＪＴＥ構造用のｐ型領域５からなっている。」
ウ「【００２２】
　第２（４）に示す模式図では、第１の金属層１１のエッジ部は、終端構造用のｐ型領域３上に位置しているが、
本発明においては、第１の金属層１１は、少なくとも前述の領域Ａを覆うように形成されており（後述する図３参照）、該領域Ａと第１の金属層の界面がショットキーコンタクトを形成するものである。
　
また、該第１の金属層の厚さは、２０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましい。
　
また、第１の金属層には、前記のチタン以外に、チタン合金膜、ニッケル、ニッケル合金膜、或いはニッケルチタン合金が用いられ、第２の金属層には、前記のＡｌ−Ｓｉ以外に、アルミニウム又はその他のアルミニウム合金が用いられる
エ「【００２４】
　図３は、従来のショットキーバリアダイオードの製造工程において、エッジ部の構造を詳細に示す断面図である。
　第１金属層は、窓部を形成された層間絶縁膜６の該窓部に形成されるが、第１の金属層の終端部と、層間関絶縁膜６の終端部とを完全に一致させることは、非常に困難であるため、通常は、該図に示すように、第
１の金属層のエッジ部は、終端構造用のｐ型領域３上に形成された、層間絶縁膜６の上に位置しており、第２の金属層１２は、該第１の金属層上に形成されている。
　該図に示すように、ショットキーコンタクトをパターニング後に、表面電極となる第２の金属層１２を全面に製膜する。次いで、該第２の金属層１２上にレジスト層を所定の形状にパターン形成した後、最初に、濃度５０％、液温６０℃のリン硝酢酸溶液に５分間浸漬し、引き続き、ドライエッチング装置で、例えば、ＣＦ4を４５ｓｃｃｍ、Ｏ2を５ｓｃｃｍ、圧力３３Ｐａ、バイアスパワー１５０Ｗの条件で３０秒間処理を行う。その際にエッチング残渣が発生すると共に、ショットキーコンタクトもエッチングのプラズマに晒されることによりダメージを受ける。
【００２５】
　図４は、本発明におけるエッジ部の構造を詳細に説明する図であって、図３と同様に、
第１の金属層のエッジ部は、終端構造用のｐ型領域３上に形成された、層間絶縁膜６の上に位置しており、第２の金属層１２は、該第１の金属層上に形成されているが、第１の金属層１１は、第２の金属層１２で被覆されている。
　すなわち、本願発明の図４における構造では、ショットキーコンタクトは、表面電極となる第２の金属層１２に完全に覆われているため、エッチング残渣およびプラズマによるダメージの影響を受けず、特性が良好な素子を得ることが出来る。
　図４に示すとおり、本発明において、前記第１の金属層及び第２の金属層の外周端部が，共に前記第２導電型の領域Ｂ内にあることが好ましい。」　
（２）先願発明５
　したがって，前記アないしエを考慮すると，先願５の当初明細書及び図面には次の発明（以下，「先願発明５」という。）が記載されていると認められる。
「低濃度ｎ型ドリフト層２と、
　前記ドリフト層２上に形成された終端構造用のｐ型領域３とＪｕｎｃｔｉｏｎ  Ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ  Ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ（ＪＴＥ）構造用のｐ型領域５と、
前記ドリフト層２上の表面上において、前記ｐ型領域３とｐ型領域５を取り囲むように形成された層間絶縁膜６と、
　前記ｐ型領域５の内側において前記ドリフト層の表面を覆うように形成され、外周端が前記層間絶縁膜６上に形成されるショットキーコンタクトとして機能する第１の金属層１１と、前記第１の金属層１１上に形成され、前記第１の金属層の外周端を越えて前記層間絶縁膜６と接している表面電極となる第２の金属層１２とを備え、
　前記ｐ型領域３は、前記第２の金属層１２下に有し、
　前記第２の金属層１２の外周端は、前記ｐ型領域３上に存在する
　炭化珪素ショットキーバリアダイオード。」
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）第２９条第２項（進歩性）についての検討
　ア　本願発明１と引用装置発明１との対比
（ア）引用装置発明１の「低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１」は、「Ｎ型」が「第１導電型」に対応し、縦型素子のショットキバリアダイオードにおいて、内部電界に従ってキャリアが縦方向に移動する層として機能するから、本願発明１の「第１導電型ドリフト層」に相当する。
（イ）引用装置発明１の「低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａと高濃度Ｐ型ガードリング領域１４ｂとからなるガードリング１４」は、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１上に環状に形成され、「Ｐ型」が「第２導電型」に対応するので、前記（ア）を考慮すると、本願発明１の「ドリフト層の表面に形成された環状の第２導電型のガードリング」に相当する。
（ウ）引用装置発明１の「シリコン酸化膜１２」は、Ｎ型エピタキシャル層１１の表面上において、前記ガードリング１４を取り囲むように形成されている絶縁膜なので、前記（ア）、（イ）を考慮すると、本願発明１の「ドリフト層の表面上において，前記ガードリング領域を取り囲むように形成されたフィールド絶縁膜」に相当する。
（エ）引用装置発明１の「ニッケル、チタン、又はモリブデン等からなるバリヤ金属層１３」は、ガードリング１４の内側においてエピタキシャル層１１の表面を覆うように形成され、外周端がシリコン酸化膜１２上に存在し、ニッケル、チタン、またはモリブデン等の金属は、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１との接合面においてショットキー接合を形成する事から、前記（ア）ないし（ウ)を考慮とすると、本願発明１の「ガードリング領域の内側において前記ドリフト層の表面を覆うように形成され，外周端が前記フィールド絶縁膜上に存在するショットキー電極」に相当する。
（オ）引用装置発明１の「アルミニウム、金または銀等からなる電極１５」は、バリア金属層１３上に形成され、前記バリア金属層１３の外周端を越えて、前記シリコン酸化膜１２と接しており、ショットキーダイオードの表面に形成された金属側となるアノード電極のコンタクトパッドとして機能することから、本願発明１の「ショットキー電極上に形成され，前記ショットキー電極の外周端を越えて前記フィールド絶縁膜と接している表面電極パッド」に相当する。
（カ）引用装置発明１の「高濃度Ｐ型ガードリング領域１４ｂ」は、ガードリングを構成するもう一つの領域である低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａに比較して、相対的に高い不純物濃度を有することから、本願発明１の「ガードリング領域より高い不純物濃度を有する第２導電型の高濃度領域」に相当し、前記（イ）、（オ）を考慮すると、本願発明１の「ガードリング領域は，前記ガードリング領域より高い不純物濃度を有する第２導電型の高濃度領域を前記表面電極パッド下に有し」に相当する。
　すると，本願発明１と引用装置発明１とは，下記（キ）の点で一致し，下記（ク）の点で相違すると認められる。
（キ）一致点
「 第１導電型のドリフト層と，
　前記ドリフト層の表面に形成された環状の第２導電型のガードリング領域と，
　前記ドリフト層の表面上において，前記ガードリング領域を取り囲むように形成されたフィールド絶縁膜と，
　前記ガードリング領域の内側において前記ドリフト層の表面を覆うように形成され，外周端が前記フィールド絶縁膜上に存在するショットキー電極と，
　前記ショットキー電極上に形成され，前記ショットキー電極の外周端を越えて前記フィールド絶縁膜と接している表面電極パッドと，
　を備え，
　前記ガードリング領域は，前記ガードリング領域より高い不純物濃度を有する第２導電型の高濃度領域を有する半導体装置。」
（ク）相違点
　相違点（１）
　本願発明１では、ショットキー電極の外周端にはエッチング残渣が形成されており，表面電極パッドはその下に第２導電型の高濃度領域を有し、前記エッチング残渣を覆うように形成されているのに対して、引用装置発明１では、ショットキー電極の外周端におけるエッチング残渣について考慮していない点。
　相違点（２）
　本願発明１では、「炭化珪素半導体装置」であるのに対して、引用装置発明１では、「シリコン基板上に形成された半導体装置」である点。
　相違点（３）
　本願発明１では、表面電極パッドの外周端は，ガードリング領域の上方に存在しているのに対して、引用装置発明１では、ガードリング領域の外側に存在している点。
　イ　相違点についての判断
　相違点（１）について検討する。
　本願発明１は、従来のＳＢＤで採用されているショットキー電極のオーバレイ構造において、ショットキー電極の外周端には、エッチングにより形成する際にエッチング残渣が先端の尖った形状で発生し、このような先端が尖ったショットキー電極の残渣が存在する状況で、ＳＢＤの高周波スイッチング動作を行うと、変移電流により発生する電界が上記残渣部で集中しやすくなり、それによりショットキー電極の外周端辺りでの不具合を招く可能性が懸念される（本願明細書【０００７】）という技術的課題に対して、ショットキー電極の外周端に形成されるエッチング残渣に対して表面電極パッドにより前記エッチング残渣を覆うように形成するという解決策を講じた点に特徴を有しており、当該解決策の具体的な構成が相違点（１）に対応している。
　ここで、引用文献１ないし４には、当該技術的課題について記載も示唆もされておらず、当該技術的課題は、本願発明１において独自に見いだされたものと認められる。また当然、その解決策となる構成についても引用文献１ないし４には、開示や示唆がされていない。当該技術的課題が認識されていない以上、その解決策を想到することは、当業者にとっても容易とは言えない。
　さらに、本願発明１は、当該解決策を備えることによって、ショットキー電極の端部のエッチング残渣が導電性の表面電極パッドで覆われることとなるため、変移電流によりガードリング領域内発生した電界が形成する等電位面がエッチング残渣の周囲で湾曲することなく、この部分において電界集中を引き起こす恐れはなくなり、その結果として、高周波スイッチング動作においても信頼性の高い炭化珪素半導体装置が得られる、という格別な有利な効果を奏する。（本願明細書【０００９】参照）
　ウ　まとめ
　したがって、本願発明１は，他の相違点について検討するまでもなく、引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　
（２）第２９条の２（拡大先願）についての検討
 
 ア　本願発明１と先願発明５との対比
（ア）先願発明５の「低濃度ｎ型ドリフト層２」は、「ｎ型」を「第１導電型」に対応させると、本願発明１の「第１導電型のドリフト層」に相当する。
（イ）先願発明５の「層間絶縁膜６」は、ドリフト層２上に形成され、かつ窓部を有するので、本願発明１の「フィールド絶縁膜」に相当する。
（ウ）先願発明５の「第１の金属層１１」は、チタン等のショットキー接合用金属からなることが明記されているので、本願発明１の「ショットキー電極」に相当する。
（エ）先願発明５の「第２の金属層１２」は、Ａｌ−Ｓｉ等の電極パッド用であることが明記されているので、本願発明１の「表面電極パッド」に相当する。
（オ）先願発明５の「終端構造用のｐ型領域３とＪｕｎｃｔｉｏｎ  Ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ  Ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ（ＪＴＥ）構造用のｐ型領域５」は、電界集中を防止する機能を果たすという意味でガードリングと共通するので、「ｐ型」を「第２導電型」に対応させると、下記相違点（２）を除いて、本願発明１の「第２導電型の電界集中防止用の半導体領域」という意味で共通する。
　すると，本願発明１と先願発明５とは，下記（カ）の点で一致し，下記（キ）の点で相違すると認められる。
（カ）一致点
　「第１導電型のドリフト層と，
　前記ドリフト層の表面に形成された環状の第２導電型の電外集中防止用の半導体領域と，
　前記ドリフト層の表面上において，前記電外集中防止用の半導体領域を取り囲むように形成されたフィールド絶縁膜と，
　前記電界集中防止用の半導体領域の内側において前記ドリフト層の表面を覆うように形成され，外周端が前記フィールド絶縁膜上に存在するショットキー電極と，
　前記ショットキー電極上に形成され，前記ショットキー電極の外周端を越えて前記フィールド絶縁膜と接している表面電極パッドと，
　を備え，
　前記表面電極パッドの外周端は，前記電界集中防止用の半導体領域の上方に存在していることを特徴とする炭化珪素半導体装置。」
（キ）相違点
　相違点（１）
　本願発明１では、ショットキー電極の外周端にはエッチング残渣が形成されており，表面電極パッドは前記エッチング残渣を覆うように形成されているのに対して、先願発明５では、ショットキー電極の外周端におけるエッチング残渣について考慮していない点。
　相違点（２）
　本願発明１では、ガードリング領域を有し，ガードリング領域は、前記ガードリング領域より高い不純物濃度を有する第２導電型の高濃度領域を前記表面電極パッド下に有するの対して、先願発明５では、ガードリング領域と同様の電界集中防止機能を果たす半導体領域として、終端構造用のｐ型領域３とＪｕｎｃｔｉｏｎ  Ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ  Ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ（ＪＴＥ）構造用のｐ型領域５を備える点。
　イ　相違点についての検討
　相違点（１）について検討する。
　前記（１）イの検討と同様に、本願発明は、従来のＳＢＤで採用されているショットキー電極のオーバレイ構造において、ショットキー電極の外周端には、エッチングにより形成する際にエッチング残渣が先端の尖った形状で発生し、このような先端が尖ったショットキー電極の残渣が存在する状況で、ＳＢＤの高周波スイッチング動作を行うと、変移電流により発生する電界が上記残渣部で集中しやすくなり、それによりショットキー電極の外周端辺りでの不具合を招く可能性が懸念される（本願明細書【０００７】）という技術的課題に対して、ショットキー電極の外周端に形成されるエッチング残渣に対して表面電極パッドにより前記エッチング残渣を覆うように形成するという解決策を講じた点に特徴を有しており、当該解決策の具体的な構成が相違点（１）に対応している。
　ここで、先願５には、第２の金属層１２（本願発明１の「表面電極パッド」に相当）をパターニング加工する際のエッチング工程におけるエッチング残渣の課題について言及はあるものの、本願発明１が対象としている第１の金属層（本願発明の「ショットキー電極」に対応）をパターニング加工する際のエッチング工程における外周端のエッチング残渣に関する技術的課題については、記載も示唆もされておらず、また、その解決策となる構成についても当然、開示も示唆もされていない。
　以上の検討から、当該技術的課題及びその解決策は、本願発明１において独自に見いだされたものと解される。
　さらに、本願発明１は、当該解決策を備えることによって、ショットキー電極の端部のエッチング残渣が導電性の表面電極パッドで覆われることとなるため、変移電流によりガードリング領域内発生した電界が形成する等電位面がエッチング残渣の周囲で湾曲することなく、この部分において電界集中を引き起こす恐れはなくなり、その結果として、高周波スイッチング動作においても信頼性の高い炭化珪素半導体装置が得られる、という格別な有利な効果を奏する。（本願明細書【０００９】参照）
　したがって、相違点（１）は、本願発明１と先願発明５における本質的な差異を意味するものであり、本願発明１と先願発明５は、実質的に同一ではない。
　ウ　まとめ
　したがって、本願発明１は，他の相違点について検討するまでもなく、先願５に実質的に記載された発明と同一とは認められない
　
２　本願発明２について
　本願発明２は，本願発明１の発明特定事項を全て含みさらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，前記１のとおり，本願発明１が引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえず、先願５に記載された発明と実質的に同一ではない以上，請求項２に係る発明についても，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえず、先願５に記載された発明と実質的に同一でない。
３　本願発明３について
（１）第２９条第２項（進歩性）についての検討
　ア　本願発明３と引用製造方法発明１との対比
（ア）引用製造方法発明１の「シリコンからなる高濃度Ｎ型半導体基板１０」は、「Ｎ型」が「第１導電型」に対応するので、基板材料に関する相違点（２）を除いて、「第１導電型の基板層」という点で共通し、「低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１」は、縦型素子のショットキバリアダイオードにおいて、内部電界に従ってキャリアが縦方向に移動する層として機能するから、本願発明３の「第１導電型ドリフト層」という点で共通する。
（イ）引用製造方法発明１の「エピタキシャル層１１の表面に低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａと高濃度Ｐ型ガードリング領域１４ｂとからなるガードリング１４を形成する工程」は、「Ｐ型」が「第２導電型」に対応するので、前記（ア）を考慮すると、本願発明３の「ドリフト層の表面に形成された環状の第２導電型のガードリング領域を形成する工程」に相当する。
（ウ）引用製造方法発明１の「Ｎ型エピタキシャル層１１の表面上の一部において、前記ガードリング１４を取り囲むようにシリコン酸化膜１２を形成する工程」は、「シリコン酸化膜１２」が、Ｎ型エピタキシャル層１１の表面上において、前記ガードリング１４を取り囲むように形成されている絶縁膜なので本願発明３の「フィールド絶縁膜」に相当し、前記（ア）、（イ）を考慮すると、本願発明３の「前記ドリフト層の表面上の一部おいて前記ガードリング領域を取り囲むようにフィールド絶縁膜を形成する工程」に相当する。
（エ）引用製造方法発明１の「シリコン酸化膜１２上と前記エピタキシャル層１１上にニッケル、チタン、又はモリブデン等からなるバリヤ金属層１３を全面に形成し、パターニングしてショットキー接合を形成する工程」は、「ニッケル、チタン、又はモリブデン等からなるバリヤ金属層１３」が、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１との接合面においてショットキー接合を形成する事から、前記（ア）ないし（ウ）を考慮とすると、下記相違点（１）を除いて、本願発明３の「前記フィールド絶縁膜上と前記ドリフト層上とに金属膜を形成した後した後、ショットキー電極を形成する工程」に相当する。
（オ）引用製造方法発明１の「バリア金属上１３上にアルミニウム、金、または銀等から成る電極１６を形成する工程」は、「アルミニウム、金、または銀等から成る電極１６」は、バリア金属層１３上に形成され、前記バリア金属層１３の外周端を越えて、前記シリコン酸化膜１２と接しており、ショットキーダイオードの表面に形成された金属側となるアノード電極のコンタクトパッドとして機能することから、下記相違点（１）を除いて、本願発明３の「ショットキー電極上に形成され，前記ショットキー電極の外周端を越えて前記フィールド絶縁膜と接している表面電極パッドを形成する工程」に相当する。
　すると，本願発明３と引用製造方法発明１とは，下記（カ）の点で一致し，下記（キ）の点で相違すると認められる。
（カ）一致点
　第１導電型の基板層と前記基板層上に形成された第１導電型のドリフト層を有する基板を用意する工程と、
　前記ドリフト層の表面に第２導電型のガードリング領域を形成する工程と、
　前記前記ドリフト層の表面上の一部おいて前記ガードリング領域を取り囲むようにフィールド絶縁膜を形成する工程と、
　前記フィールド絶縁膜上と前記ドリフト層上とに金属膜を形成した後、外周端が前記フィールド絶縁膜上に存在するようにショットキー電極を形成する工程と、
　前記ショットキー電極上において、前記ショットキー電極の外周端を越えて前記フィールド絶縁膜と接する表面電極パッドを形成する工程と
　を備えた半導体装置の製造方法。
（キ）相違点
　相違点（１）
　本願発明３では、ウェット処理に起因してショットキー電極の外周端に存在するエッチング残渣に配慮して、ウェット処理により前記金属膜をエッチングすることで、外周端が前記フィールド絶縁膜上に存在するとともに前記外周端にエッチング残渣を有するショットキー電極を形成する工程と、前記ショットキー電極上において、前記ショットキー電極の外周端を越えて前記フィールド絶縁膜と接し、前記エッチング残渣を覆うように表面電極パッドを形成する工程を有するのに対して、引用製造方法発明１では、ショットキー電極の製造方法について明記されておらず、ウェット処理に起因してショットキー電極の外周端に存在するエッチング残渣について考慮していない点。
　相違点（２）
　本願発明３では、炭化珪素基板であるのに対して、引用製造方法発明１では、シリコン基板である点。
　イ　相違点についての検討
　相違点（１）について検討する。
　本願発明３は、従来のＳＢＤで採用されているショットキー電極のオーバレイ構造において、ショットキー電極の外周端には、エッチングにより形成する際にエッチング残渣が先端の尖った形状で発生し、このような先端が尖ったショットキー電極の残渣が存在する状況で、ＳＢＤの高周波スイッチング動作を行うと、変移電流により発生する電界が上記残渣部で集中しやすくなり、それによりショットキー電極の外周端辺りでの不具合を招く可能性が懸念される（本願明細書【０００７】）という技術的課題に対して、ショットキー電極の外周端に形成されるエッチング残渣に対して表面電極パッドにより前記エッチング残渣を覆うように形成するという解決策を講じた点に特徴を有しており、当該解決策の具体的な製造方法が相違点（１）に対応している。
　ここで、当該技術的課題は、本願発明３において独自に見いだされたものであり、引用文献１ないし４には、当該技術的課題が記載も示唆もされておらず、また当然、その解決策となる構成について開示も示唆もされていない。当該技術的課題が認識されていない以上、その解決策を想到することは、当業者にとっても容易とは言えない。
　さらに、本願発明３は、当該解決策を備えることによって、ショットキー電極の端部のエッチング残渣が導電性の表面電極パッドで覆われることとなるため、変移電流によりガードリング領域内発生した電界が形成する等電位面がエッチング残渣の周囲で湾曲することなく、この部分において電界集中を引き起こす恐れはなくなり、その結果として、高周波スイッチング動作においても信頼性の高い炭化珪素半導体装置が得られる製造方法を提供するという格別な有利な効果を奏する（本願明細書【０００９】参照）。
　ウ　まとめ
　したがって、本願発明３は，他の相違点について検討するまでもなく、引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
第７　原査定について
１　理由１（特許法第２９条第２項）について
　審判請求時の補正により，本願発明１ないし３は、「ショットキー電極の外周端に存在するエッチング残渣」に関する事項を有するものとなっており，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用文献１ないし４に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。
　したがって，原査定の理由１を維持することはできない。
２　理由２（特許法第２９条の２）について
　審判請求時の補正により，本願発明１及び２は、「ショットキー電極の外周端に存在するエッチング残渣」に関する事項を有するものとなっており，当業者であっても，拒絶査定において引用された先願５と実質的に同一とはいえない。
　したがって，原査定の理由２を維持することはできない。
第８　むすび
　前記第６の１ないし３のとおり，本願発明１ないし３は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　また、本願発明１及び２は、先願５に記載された発明と実質的に同一とは認められない。
　したがって，原査定の理由を維持することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　
　よって，結論のとおり審決する。