【事件の表示】
　特願２０１０−５４４５８１「電子構成素子を作製する方法および電子構成素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　８月　６日国際公開、ＷＯ２００９／０９５００５、平成２３年　５月１９日国内公表、特表２０１１−５１５７８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
（１）本願は、２００９年　１月２９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００８年　１月３０日、独国、２００８年　４月２１日、独国、２００８年　７月　２日、独国、２００８年　９月２３日、独国）を国際出願日とする出願であって、以下の手続がなされたものである。
平成２３年１２月１５日提出　手続補正書
平成２４年　９月１１日付け　拒絶理由通知書（平成２４年　９月１４日発送）
平成２５年　２月２６日提出　誤訳訂正書
平成２５年　２月２７日提出　意見書及び手続補正書
平成２５年　９月　５日付け　拒絶理由通知書（平成２５年　９月　９日発送）
平成２６年　３月　６日提出　意見書及び手続補正書
平成２６年　６月２７日付け　拒絶査定（平成２６年　７月　７日送達）
平成２６年１１月　４日提出　審判請求書
平成２７年１２月２８日付け　拒絶理由通知書（以下「当審拒絶理由通知書」という。平成２８年　１月　５日発送）
平成２８年　５月３０日提出　意見書及び誤訳訂正書
　
（２）本願発明は、上記平成２８年　５月３０日に提出された誤訳訂正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　構成素子をカプセリングするバリア層を有する電子構成素子を作製する方法において、
　該方法は、
　−　少なくとも１つの機能層（２２）を有する基板（１）を準備するステップと、
　−　プラズマ支援原子堆積法（ＰＥＡＬＤ）を用いて前記の機能層（２２）に少なくとも１つの第１バリア層（３）を被着するステップとを有しており、ただし当該第１バリア層（３）は、
　スズ、亜鉛、チタン、ジルコニウム、タンタル、ニオブまたはハフニウムを含有する酸化物、
　スズ、亜鉛、チタン、ジルコニウム、タンタル、ニオブまたはハフニウムを含有する窒化物
　ないしは
　スズ、亜鉛、チタン、ジルコニウム、タンタル、ニオブまたはハフニウムを含有する酸窒化物を有しており、
　前記方法はさらに
　−　プラズマ支援化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）を用いて前記の機能層（２２）に少なくとも１つの第２バリア層（４）を被着するステップと、
　−　前記の第１バリア層（３）および第２バリア層（４）に合成物質を有する保護層（５）を被着するステップとを有する、
　ただし、前記保護層（５）を１０μｍ以上の厚さで被着する、
　ことを特徴とする、構成素子をカプセリングするバリア層を有する電子構成素子を作製する方法。」
　
２　拒絶理由の概要
 　当審拒絶理由通知書における拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は、「本件出願の平成２６年　３月　６日提出の手続補正書で補正された下記の請求項１〜１５に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物１〜５に記載された発明及び周知技術に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。」というものである。
　
３　引用刊行物及びその摘記事項
（１）当審拒絶理由通知で刊行物１として引用され、本願の優先権主張日前に国内において頒布された特開２００１−２８４０４２号公報（以下「引用例」という。）には、「有機ＥＬ素子」（発明の名称）に関して以下の事項が記載されている。
（ア）発明の属する技術分野、従来の技術及び解決しようとする課題
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に、互いに対向する一対の電極間に有機発光材料を配置した構造体を備え、該構造体の外表面に有機発光材料を被覆する保護層を有する有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、有機ＥＬ素子は、基板上に、互いに対向する一対の電極間に有機発光材料を配置した構造体を備える。しかし、使用雰囲気中の水分により有機発光材料が劣化し、構造体における本来の発光領域に無発光領域が形成され、表示品位の悪化を招く。この問題に対して、特開平７−１６１４７４号公報では、ＣＶＤ法（化学気相成長法）により成膜された炭素または珪素からなる無機アモルファス性膜を、構造体の外表面に有機発光材料を被覆するように形成し、これを保護膜として用いることが提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従来公報について行った本発明者等の検討によれば、従来の保護膜は構造体に対する被覆性が不十分であるために、水分に対する抵抗性が低く、高温高湿（例えば、６５℃、９５％ＲＨ）雰囲気で動作させたところ、無発光領域が発生してしまうことがわかった。
【０００４】そこで、本発明は上記問題に鑑み、
基板上に、互いに対向する一対の電極間に有機発光材料を配置した構造体を備え、該構造体の外表面に有機発光材料を被覆する保護層を有する有機ＥＬ素子
（イ）発明の実施の形態のうち第１実施形態
「【００２１】１はガラス基板であり、この
ガラス基板１の平坦な一面上には、ＩＴＯ（インジウムチンオキサイド）膜等の透明導電膜よりなり、ホール注入電極として機能する陽極（下部電極）２が形成され
【００２２】この
陽極２上には、本発明でいう有機発光材料としてのホール輸送層３及び有機発光層４が、順次形成され
【００２３】そして、
有機発光層４の上には、金属等よりなり、電子注入電極として機能する陰極（上部電極）５が形成されている
【００２４】このように、本有機ＥＬ素子１００は、陽極２と陰極５とが交差して重なり合う領域が、発光表示を行うべき部分である表示画素（本来の発光領域）を構成しているドットマトリクスディスプレイである。図２では、陽極２と陰極５とが重なり合って、複数個の矩形状の表示画素Ｇを構成している。
【００２５】このように、
本有機ＥＬ素子１００は、基板１上に、互いに対向する一対の電極２、５間に有機発光材料４を配置してなる構造体２〜５を備える
・・（略）・・
【００３２】ここで、
ＡＬＥ法による保護層６の成膜時の基板温度（成膜温度）については、予め成膜されている有機発光材料３、４（本例ではＴＰＴＥ、Ａｌｑ）のＴｇ点以下の温度とすることが好ましい。これは、該成膜温度が該Ｔｇ点よりも高いと有機発光材料の結晶化が進み、発光効率が低下するためである
有機発光材料３、４に使用されている材料の中で最も低いＴＰＴＥのＴｇ点１３０℃よりも約３０℃低い１００℃に、基板温度を設定した
【００３３】図４は、成膜温度（基板温度）により、素子の電圧−輝度特性がどのように変化するかを確認した結果を示すグラフである。成膜温度が１００℃で成膜した時と１３０℃（ＴＰＴＥのＴｇ点）で成膜した時とでは、ほとんど差は認められなかったが、１５０℃で成膜した時は、明らかに電圧−輝度特性が右側にシフトしていることがわかる。これは、成膜温度が１５０℃で保護層６を形成する工程中に、ＴＰＴＥの結晶化が進み、発光効率が低下したためと考えられる。
・・（略）・・
【００３７】また、
基板加工時のスクラッチ（ひっかき傷）や、製品レベルでの組み付け時における物理的ダメージから保護するには、ＡＬＥ法で保護層６を成膜した後、この物理的ダメージから保護層６を保護する樹脂膜（物理的ダメージ保護層）を、保護層６の上部に設ければ良い
【００３８】ここで、
樹脂膜７の組成、成膜法、厚さは問わない
その他、樹脂膜７としては、スピンコート法、スクリーン印刷法、塗布法などによって形成される
樹脂膜７の成膜過程（スピンコート法での硬化処理等を含む）であってもやはり有機発光材料３、４のＴｇ点以下であることが望ましい
【００３９】［保護層の組成］保護層６は、ＡＬＥ法によって成膜可能であることが必要なことは勿論であるが、上述のように
有機発光材料３、４のＴｇ点以下で成膜でき
物理的・化学的に安定であって、保護層６としての要求特性を満足できれば、その組成は問わない。例えば、金属や珪素の酸化物、窒化物、酸窒化物が好ましい
（ウ）発明の実施の形態のうち第４実施形態
「【０１００】（第４実施形態）図１４に本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ素子２００の部分的な概略断面構成を示す。上記各実施形態では、保護層６はＡＬＥ法のみにより成膜されたものであったが、本実施形態は、構造体２〜５の上に形成された保護層６を、ＡＬＥ法により形成された層（ＡＬＥ層という）６ａと、ＡＬＥ法とは異なる方法により形成された層（非ＡＬＥ層という）６ｂとの組合せから構成したことを特徴とするものである。
【０１０１】本例では、
保護層６は、
Ａｌ
２
Ｏ
３
よりなるＡＬＥ層６ａと
ＣＶＤ法により形成されたＡｌ
２
Ｏ
３
よりなる非ＡＬＥ層６ｂとが交互に積まれたもの
ＡＬＥ層６ａが構造体２〜５の直上に形成され、非ＡＬＥ層６ｂがＡＬＥ層６ａの上に形成され、以降、順次交互に積層され
【０１０２】次に、本実施形態の保護層６の形成方法について述べる。図１５は、本実施形態に係る成膜装置の模式的な構成を示す図である。この成膜装置は、まず、ＡＬＥ法によりＡＬＥ層６ａであるＡｌ２Ｏ３膜を形成し、続いて、同じ装置内にて、ＣＶＤ法により非ＡＬＥ層６ｂであるＡｌ２Ｏ３膜を形成するものである。
【０１０３】１０は例えばステンレス等より区画形成された密閉構造の真空室であり、その内部は排気通路１１とつながっている。そして、真空室１０の内部は、図示しない真空ポンプ（メカニカルブースターポンプやロータリーポンプ等）を用いて、排気通路１１から真空に引かれている。
【０１０４】真空室１０の内部には、例えばチタン等により密閉構造に形成された反応室１２が設置されている。反応室１２の壁部には、図示しない制御回路等にて作動制御される電動開閉式のシャッタ１３が形成されている。このシャッタ１３を開閉することで反応室１２内への基板の出し入れを行ったり、シャッタ１３の開度調整によって反応室１２内の圧力を調整したり、シャッタ１３を全開することでパージの促進を行うようになっている。
【０１０５】また、反応室１２内へＴＭＡガス、Ｈ２Ｏガス及びＮ２ガスを供給するためのステンレス等よりなる各配管系１４、１５、１６、１７が設けられている。配管系１４はＴＭＡガスの配管系（ＴＭＡ配管系）であり、反応室１２内へＴＭＡガスを導入するためのものである。配管系１５はＮ２ガスの配管系（ＴＭＡ除去用Ｎ２ガス配管系）であり、ＴＭＡ配管系１４によってＴＭＡガスを所定の時間流した後に、残存するＴＭＡガスを除去するためのパージガスとしてのＮ２ガスを流すために利用する。
【０１０６】配管系１６は反応ガスであるＨ２Ｏガスの配管系（水配管系）であり、ＴＭＡ除去用Ｎ２ガス配管系１５によってパージガスを流した後、反応室１２内へＨ２Ｏガスを導入するためのものである。配管系１７はＮ２ガスの配管系（水除去用Ｎ２ガス配管系）であり、水配管系１６によってＨ２Ｏガスを所定の時間流した後に、残存するＨ２Ｏガスを除去するためのパージガスとしてのＮ２ガスを流すために利用する。
【０１０７】これらＴＭＡ配管系１４、水配管系１６、各Ｎ２ガス配管系１５、１７は各々、図示しない制御回路等によって作動制御される図示しないバルブ及びガス供給源を有しており、それぞれ、吸着ガス供給手段、反応ガス供給手段、パージ手段を構成している。
【０１０８】そして、各配管系１４〜１７のバルブは、所定のタイミングにて開閉されるようになっており、それによって、反応室１２へのガス供給は、ＴＭＡ、Ｎ２ガス（パージガス）、Ｈ２Ｏガス、Ｎ２ガス（パージガス）の順に、切り替えて交互に供給されるようになっている。なお、配管系１４〜１７は、真空室１０を貫通して（貫通部は密封構造となっている）、接続用のボルト等により反応室１２に接続されている。
【０１０９】また、反応室１２の内部には、薄膜が形成される
基板（ガラス基板等）１８
基板１８は、上記各実施形態における構造体２〜５までが形成されたガラス基板１に相当するものである
【０１１０】更に、基板ホルダ１９は、基板温度を測定するための図示しない熱電対を有しており、図示しない温度制御回路によって該熱電対の測定値を検知しつつ、基板１８を所望の温度に加熱可能となっている。また、この基板ホルダ１９は、反応室１２内へ基板１８を出し入れするために、搬送可能になっている。
【０１１１】かかる成膜装置においては、まず、
基板１８をヒータ付き基板ホルダ１９に設置搭載し、真空室１０を通して、シャッタ１３の部分から反応室１２内に搬送
【０１１２】基板１８が所望の温度（例えば１００℃）に達したら、ＴＭＡ配管系１４から
ＴＭＡガスを反応室１２に送り込
基板１８にＴＭＡが一層だけ吸着
その後、
反応室１２内に残留するＴＭＡガスを除去
【０１１３】次
に、Ｈ
２
Ｏガスを
反応室１２へ送り込
基板１８に吸着したＴＭＡと反応させてＡｌ
２
Ｏ
３
を形成
その後
反応室１２内に残留するＨ
２
Ｏを除去
【０１１４】こ
のようにＡＬＥ法による成膜サイクル（ＴＭＡ導入→パージ→Ｈ
２
Ｏ導入→パージ）を所望の膜厚に達するまで繰り返し、１層目のＡＬＥ層６ａを形成した後、以下のようなＣＶＤ法による成膜を開始
【０１１５】まず、ＴＭＡを気化して、そのガスをＴＭＡ配管系１４から反応室１２に送り込む。そのＴＭＡガスの量を制御するとともに、ＴＭＡ配管系１４と逆側にあるシャッタ１３の開閉度を制御して、反応室１２の雰囲気圧を数百Ｐａ以上に保つ。そうすると、ＴＭＡが基板１８に吸着するのはもとより、基板１８周辺に滞留する。
【０１１６】その後、上記シャッタ１３を全開にして、ＴＭＡ除去用Ｎ2ガス配管系１５より窒素ガスを流すこと無く、Ｈ２Ｏを気化して、そのガスを水配管系１６から反応室１２に送り込む。そうすると、基板１８上はもとより、基板１８周辺の気相でもＴＭＡとＨ２Ｏとが反応して、Ａｌ２Ｏ３を形成することができる。
こうして、基板１８においてＡＬＥ層６ａ上に、非ＡＬＥ層６ｂが形成される
【０１１７】このように、本実施形態によれば、保護層６をＡＬＥ法により成膜されたＡＬＥ層６ａとＣＶＤ法により成膜された非ＡＬＥ層６ｂとの組み合わせにより構成しているため、互いの層６ａ、６ｂの膜質を変えることができ、ＡＬＥ層６ａを上記非応力緩和膜として、非ＡＬＥ層６ｂを上記応力緩和膜としてそれぞれ機能させることができる。
【０１１８】ＡＬＥ層６ａの内部応力は１００℃程度の低温で成膜しても、例えば４００ｎｍの厚さで約４３０ＭＰａになるが、ＣＶＤ法により成膜された非ＡＬＥ層６ｂでは−１５０Ｍｐａ程度に落とすことができる。従って、ＡＬＥ層６ａと非ＡＬＥ層６ｂとの多層膜よりなる保護層６全体の全応力は、例えば４００ｎｍの厚さで１５０ＭＰａ程度に落とすことができる。
【０１１９】また、応力緩和膜として機能する非ＡＬＥ層６ｂは、膜内に内部欠陥等の多い膜となるので構造体２〜５に対する被覆性が不十分となりやすい。しかし、本実施形態の有機ＥＬ素子２００によれば、図１６に示す様に、非ＡＬＥ層６ｂにカバレッジ不良部Ｋ１やピンホールＫ２が発生しても、その下、即ち、構造体２〜５の直上を被覆するＡＬＥ層６ａの被覆性が良いため、水分に対する抵抗性は問題ない。なお、図１６は、上記図２において陰極５が無い部分の断面に対応した断面図である。
【０１２０】よって、本実施形態においても、保護層６に発生する応力を緩和して亀裂等の損傷の可能性を低減した保護層６を実現することができ、保護層６の構造体２〜５に対する被覆性を、より確実に向上させることができる。さらに、
本実施形態によれば、保護層６の一部を成膜レートの速いＣＶＤ法により形成するため、保護層６の全部をＡＬＥ法にて成膜する場合に比べて、成膜時間を短くすることができる
（エ）図１４について
　図１４は、第４実施形態に係る有機ＥＬ素子の部分断面図であり、ガラス基板１上の構造体（陽極２、ホール輸送層３，有機発光層４及び陰極５の積層体）の最上表面全体を覆うように、ＡＬＥ層６ａ及び非ＡＬＥ層６Ｂからなる保護層６が積層されていることが看取できる。
    
（オ）上記（ウ）の第４実施形態において、【０１０９】に「この基板１８は、上記各実施形態における構造体２〜５までが形成されたガラス基板１に相当するものである」と記載されており、例えば、第１の実施形態については以下のように記載されている。
　 「（【００２１】）ガラス基板１の平坦な一面上には、ＩＴＯ（インジウムチンオキサイド）膜等の透明導電膜よりなり、ホール注入電極として機能する陽極（下部電極）２が形成され、
（【００２２】）この陽極２上には、本発明でいう有機発光材料としてのホール輸送層３及び有機発光層４が、順次形成され、
（【００２３】）そして、有機発光層４の上には、金属等よりなり、電子注入電極として機能する陰極（上部電極）５が形成され、
（【００２５】）本有機ＥＬ素子１００は、基板１上に、互いに対向する一対の電極２、５間に有機発光材料４を配置してなる構造体２〜５を備え、さらに、この構造体２〜５の外表面に、有機発光材料３、４を被覆して外部環境から保護する保護層６を有する。」
　
　上記記載から、第４実施形態における基板１８を第１の実施形態のガラス基板１として整理すると、引用例には、次の発明が記載されている。
「（【０００４】、図１４）基板上に、互いに対向する一対の電極間に有機発光材料を配置した構造体（陽極２、ホール輸送層３、有機発光層４及び陰極５の積層体）を備え、該構造体の最上表面全体を覆うことで、該構造体の外表面に有機発光層４を形成する有機発光材料を被覆する保護層を有する有機ＥＬ素子の製造方法において、
（【０１０１】）保護層６が、Ａｌ２Ｏ３よりなるＡＬＥ層６ａとＣＶＤ法により形成されたＡｌ２Ｏ３よりなる非ＡＬＥ層６ｂとが交互に積まれたものであって、ＡＬＥ層６ａが構造体２〜５の直上に形成され、非ＡＬＥ層６ｂがＡＬＥ層６ａの上に形成される製造方法であって、
（【０１０９】、【００２１】〜【００２５】）互いに対向する一対の電極２、５間に有機発光材料４を配置してなる構造体２〜５を備えたガラス基板１を、
（【０１１１】）ヒータ付き基板ホルダ１９に設置搭載し、真空室１０を通して、シャッタ１３の部分から反応室１２内に搬送し、
（【０１１２】）ＴＭＡガスを反応室１２に送り込み、ガラス基板１にＴＭＡが一層だけ吸着し、その後、反応室１２内に残留するＴＭＡガスを除去し、
（【０１１３】）次に、Ｈ２Ｏガスを反応室１２へ送り込み、ガラス基板１に吸着したＴＭＡと反応させてＡｌ２Ｏ３を形成し、その後、反応室１２内に残留するＨ２Ｏを除去し、
（【０１１４】）ＡＬＥ法による成膜サイクル（ＴＭＡ導入→パージ→Ｈ２Ｏ導入→パージ）を所望の膜厚に達するまで繰り返し、１層目のＡＬＥ層６ａを形成した後、ＣＶＤ法による成膜を開始して、
（【０１１６】）ガラス基板１においてＡＬＥ層６ａ上に、非ＡＬＥ層６ｂが形成される、
有機ＥＬ素子の製造方法。」（以下、「引用発明」という。））
（２）周知例
　ア　当審拒絶理由通知で引用例２として引用され、本願の優先権主張日前に日本国内又は外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２００６／１０１８５６号 （以下「周知例１」という。）には、「A PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION SYSTEM AND METHOD（プラズマ加速原子層成膜のシステムおよび方法）」（発明の名称）に関して、日本語に訳すと概略、以下の事項が記載されている。 
（ア）ＰＥＣＶＤに関して
［０００３］（【０００３】以下特表公報の対応する段落を括弧書き内に「【】」で表示する。）に、概略以下の事項が記載されている。
「
ＰＥＣＶＤ法では
プラズマ励起では、通常必要な温度よりも十分に低い温度で、膜形成反応が進行し、熱励起ＣＶＤによって、同様の膜を製作することができる
（イ）ＰＥＡＬＤに関して
［００６８］（【００４９】）に、概略以下の事項が記載されている。
「前述の従来技術において示したように、
ＡＬＤ処理プロセスの幅広い普及を妨げる一つの要因は、そのような処理プロセスでは、比較的成膜速度が遅い
ＰＥＡＬＤ処理プロセスを実施する場合、約１０００Ｗの電力が水素還元剤に結合される。この電力レベルでは、還元反応は、約５秒で飽和に達し、これは通常の６００Ｗのプラズマ電力処理の約１０秒とは大きく異なる
（ウ）成膜材料について
　また、ＰＥＡＬＤ処理プロセスによって成膜できる材料として、［００９８］（【００６５】）に
窒化タンタル
ＺｒＯ
２
ＨｆＯ
２
　イ　当審拒絶理由通知で引用例３として引用され、本願の優先権主張日前に日本国内又は外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２００７／１４５５１３号 （以下「周知例２」という。）には、「大気圧グロー放電プラズマを使用した原子層堆積の方法及び装置」（発明の名称）に関して日本語に訳すと概略、以下の事項が記載されている。
（ア）「
基板が高温に耐えられない場合には、従来技術のＡＬＤ法を使用できない
（イ）「本発明によれば、大気圧プラズマを用いた原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスを実行するための改善された方法が提供される。Ａ
ＬＤプロセスは、材料、例えばＡｌ
２
Ｏ
３
、ＨｆＯ
２
、Ｔａ
２
Ｏ
５
、及び他の多くの材料の原子層の無欠陥コーティングを堆積するために使用することができる
（ウ）「本発明は、
様々なＡＬＤ用途に有利に適用
有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ，organic LED）又は有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ，organic thin film transistor）用途等のプラスチック製電子機器等の用途
　ウ　当審拒絶理由通知で引用例５として引用され、本願の優先権主張日前に国内において頒布された特開２００７−２７０３５２号公報 （以下「周知例３」という。）には、「堆積システムのパーティクルコンタミネーションを減少するように構成された排気装置」（発明の名称）に関して、 【０００４】に、以下の事項が記載されている。
「ＰＥＣＶＤにおいて、プラズマは、膜堆積メカニズムを変更するかまたは増強するために利用される。例えば、
プラズマ励起は、一般的に、熱励起ＣＶＤプロセスによって同様の膜を生成することを必要とするそれらより非常に低い温度で進行する膜形成反応を一般に許容する
　エ　当審拒絶理由通知で周知例として引用され、本願の優先権主張日前に国内において頒布された特開２００６−２８６２２０号公報（以下「周知例４」という。）には、「有機エレクトロルミネッセンス素子」（発明の名称）に関して【００１０】に、以下の事項が記載されている。
 「無機封止膜は、水に対する溶解性の低い無機材料を用いて形成されるものであり、例えば、窒化シリコンなどの金属窒化物；ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの金属酸化物・・（略）・・等の無機材料を挙げることができる。これらの中で金属窒化物が好ましく、窒化シリコンがより好ましい。
  この無機封止膜の厚さについては特に制限はないが、封止性、剥離しにくさ、クラックの入りにくさなどの観点から、通常０.１〜１×１０4ｎｍ程度、好ましくは１０〜３０００ｎｍ、より好ましくは５０〜１０００ｎｍである。
  
無機封止膜
有機ＥＬ素子表面
プラズマＣＶＤ法
　オ　当審拒絶理由通知で周知例として引用され、本願の優先権主張日前に日本国内又は外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２００６／１３５４７４号（以下「周知例５」という。）には、「気密封止パッケージ及びその製造方法」（発明の名称）に関して、７頁３行〜８頁１９行（【００２８】〜【００３０】）に、日本語に訳すと概略、以下の事項が記載されている。
「（【００２８】）幾つかの実施形態では、第１の基板１２を通しての水分及び酸素の拡散を防止するため、第１の基板１２と有機電子デバイス１４との間にバリヤーコーティング１６を配設できる。幾つかの実施形態では、バリヤーコーティング１６は、第１の基板１２を完全に覆うようにして第１の基板１２の表面上に配設又はその他の方法で形成できる。当業者には容易に理解される通り、バリヤーコーティング１６は、反応性化学種に関する任意適宜の反応生成物又は再結合生成物を含み得る。幾つかの実施形態では、バリヤーコーティング１６は約１０〜約１００００ｎｍの範囲内、好ましくは約１０〜約１０００ｎｍの範囲内の厚さを有し得る。容易に理解される通り、バリヤーコーティング１６が引き起こす光透過率の低下が約２０％未満、好ましくは約５％未満となるように、第１の基板１２を通しての光の透過を妨げないバリヤーコーティング１６の厚さを選択することが望ましい。また、第１の基板１２の可撓性を顕著に低下させないと共に、曲げによって顕著に劣化しない性質を有するバリヤーコーティング材料及び厚さを選択することも望ましい。
（【００２９】）幾つかの実施形態では、
バリヤーコーティング１６は
プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）
（【００３０】）幾つかの実施形態では、バリヤーコーティング１４は、特に限定されないが、
有機材料、無機材料、セラミック、金属又はこれらの組合せのような材料
通例、これらの材料は反応性プラズマ化学種の反応生成物又は再結合生成物
無機及びセラミックコーティング材料は、通例、IIＡ、IIIＡ、IVＡ、ＶＡ、VIＡ、VIIＡ、ＩＢ及びIIＢ族元素の酸化物、窒化物、
オキシ窒化物
所望のコーティング組成物を得るため、金属酸化物、金属窒化物、金属オキシ窒化物
のような他の反応体の組合せも選択できる
　
　カ　当審拒絶理由通知で周知例として引用され、本願の優先権主張日前に国内において頒布された特開２００７−９０８０３号公報（以下「周知例６」という。）には、「ガスバリアフィルム、並びに、これを用いた画像表示素子および有機エレクトロルミネッセンス素子」（発明の名称）に関して以下の事項が記載されている。
 　「【０００２】
　従来から、プラスチック基板やフィルムの表面に酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化珪素等の金属酸化物の薄膜を形成したガスバリア性フィルムは、水蒸気や酸素等の各種ガスの遮断を必要とする物品の包装用途や、食品や工業用品および医薬品等の変質を防止するための包装用途に広く用いられている。また、包装用途以外にも液晶表示素子、太陽電池、ＥＬ基板等で使用されている。特に液晶表示素子、有機ＥＬ素子などへの応用が進んでいる透明基材には、近年、軽量化、大型化という要求に加え、長期信頼性や形状の自由度が高いこと、曲面表示が可能であること等の高度な要求が加わり、重くて割れやすく大面積化が困難なガラス基板に代わって透明プラスチック等のフィルム基材が採用され始めている。プラスチックフィルムは前記要求に応えるだけでなく、ロール トゥ ロール方式が可能であることからガラスよりも生産性が良くコストダウンの点でも有利である。」
「【００２７】
（無機物からなるバリア層）
  本発明のガスバリアフィルムを構成するバリア層は、無機物を含有しバリア性能を改善する層である。無機バリア層に含まれる無機物の成分は特に限定されないが、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｅ、Ｔａ等の１種以上を含む酸化物、窒化物もしくは酸化窒化物などを用いることができる。」
４　当審の判断
（１）対比・判断
　ア　本願発明と引用発明との対比
（ア）引用発明の「互いに対向する一対の電極間に有機発光材料を配置した構造体」、「構造体の最上表面全体を覆うことで、該構造体の外表面に有機発光材料を被覆する保護層」、「有機ＥＬ素子」、及び、「有機発光層４」とは、本願発明の「構成素子」、「構成素子をカプセリングするバリア層」、「電子構成素子」、及び、「機能層」に相当する。
（イ）引用発明の「ＡＬＥ法」は、「ＴＭＡガスを反応室１２に送り込み、ガラス基板１にＴＭＡが一層だけ吸着し、その後、反応室１２内に残留するＴＭＡガスを除去し、」、「次に、Ｈ２Ｏガスを反応室１２へ送り込み、ガラス基板１に吸着したＴＭＡと反応させてＡｌ２Ｏ３を形成し、その後、反応室１２内に残留するＨ２Ｏを除去」する「成膜サイクル（ＴＭＡ導入→パージ→Ｈ２Ｏ導入→パージ）」からなるものであるから、本願発明の「原子堆積法（ＡＬＤ）」に相当する。
（ウ）引用発明の「基板上に、互いに対向する一対の電極間に有機発光材料を配置した構造体（陽極２、ホール輸送層３，有機発光層４及び陰極５の積層体）を備え、該構造体の最上表面全体を覆うことで、該構造体の外表面に有機発光層４を形成する有機発光材料を被覆する保護層」を形成する保護層の内「１層目のＡＬＥ層６ａ」は、「Ａｌ２Ｏ３」からなる層であるから、本願発明の「
原子堆積法（ＡＬＤ）
金属を
　（エ）引用発明の「基板上に、互いに対向する一対の電極間に有機発光材料を配置した構造体（陽極２、ホール輸送層３，有機発光層４及び陰極５の積層体）を備え、該構造体の最上表面全体を覆うことで、該構造体の外表面に有機発光層４を形成する有機発光材料を被覆する保護層」を形成する保護層の内「ＡＬＥ層６ａ」上に形成された「非ＡＬＥ層６ｂ」は、「ＣＶＤ法」により形成された層であるから、本願発明の「
化学気相成長（ＣＶＤ）
　
　そうすると、両者は、
「構成素子をカプセリングするバリア層を有する電子構成素子を作製する方法において、
　該方法は、
　−　少なくとも１つの機能層を有する基板を準備するステップと、
　−　
原子堆積法（ＡＬＤ）
　
金属を
　を有しており、
　前記方法はさらに
　−　
化学気相成長（ＣＶＤ）
とを有する構成素子をカプセリングするバリア層を有する電子構成素子を作製する方法。」
の点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点１：
　原子堆積法（ＡＬＤ）及び化学気相成長（ＣＶＤ）に関して、本願発明は、何れもプラズマ支援である、「プラズマ支援原子堆積法（ＰＥＡＬＤ）」及び「プラズマ支援化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）」であるのに対して、引用発明では、何れもプラズマ支援を行っていない点。
相違点２：
　本願発明は、「プラズマ支援原子堆積法（ＰＥＡＬＤ）」で被着する「第１バリア層は、スズ、亜鉛、チタン、ジルコニウム、タンタル、ニオブまたはハフニウムを含有する酸化物、スズ、亜鉛、チタン、ジルコニウム、タンタル、ニオブまたはハフニウムを含有する窒化物ないしはスズ、亜鉛、チタン、ジルコニウム、タンタル、ニオブまたはハフニウムを含有する酸窒化物を有し」ているのに対して、引用発明は、「Ａｌ２Ｏ３」である点。
相違点３：
　本願発明１は、「第１バリア層（３）および第２バリア層（４）に合成物質を有する保護層（５）を被着するステップとを有する、ただし、前記保護層（５）を１０μｍ以上の厚さで被着する」のに対して、引用発明では、その様な層を形成していない点。
　
　イ　相違点についての判断
（ア）相違点１及び２について
　ａ　引用例に記載された実施の形態のうち第１実施形態についての説明として、【００３９】には、「［保護層の組成］保護層６は、ＡＬＥ法によって成膜可能であることが必要なことは勿論であるが、上述のように有機発光材料３、４のＴｇ点以下で成膜でき、かつ、物理的・化学的に安定であって、保護層６としての要求特性を満足できれば、その組成は問わない。例えば、金属や珪素の酸化物、窒化物、酸窒化物が好ましい。」と記載されている。
　上記記載から、保護層６は、有機発光材料３、４のＴｇ点以下となる低温で成膜できる、金属の酸化物、窒化物、酸窒化物が好ましいことが理解でき、当該事項は、保護膜が有機発光材料の上に形成するとの被着場所及び保護層としての機能自体から要求される事項であるから、第１実施形態に限らず他の実施形態においても同様に適用すべき事項であることは当業者に明らかである。
　また、より早く作業が進む（高速）様に工程、条件等を工夫することは、生産効率の観点から一般的に要求され、通常行われている事項である。
　ｂ　一方、ＡＬＤ法及びＣＶＤ法において、熱ＡＬＤ或いは熱ＣＶＤに比べ、より低温或いはより高速で成膜する方法として、プラズマを用いること即ち、プラズマ支援を行うこと（プラズマ支援ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）或いはプラズマ支援ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ））は、何れも周知の技術事項である。
　例えば、周知例１の［００６８］（【００４９】）には、ＡＬＤ処理プロセスでは、成膜速度が遅いため、ＰＥＡＬＤ処理プロセスを実行すること、また、［０００３］（【０００３】）には、プラズマ励起をすることにより通常必要な温度よりも低い温度で成膜しても熱ＣＶＤと同様の膜が形成できることが記載されており、ＰＥＡＬＤ処理プロセスによって成膜できる材料として、［００９８］（【００６５】）に
窒化タンタル
ＺｒＯ
２
ＨｆＯ
２
　また、周知例２の４頁２７〜最終行（【００２３】）には、基板が高温に耐えられない場合には、従来技術のＡＬＤ法を使用できないことが、８頁２３〜２８行（【００４３】）には、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５の材料が、２１頁１７〜２３行（【００８９】）には、有機ＬＥＤに適用することが、記載されており、周知例３の【０００４】には、「プラズマ励起は、一般的に、熱励起ＣＶＤプロセスによって同様の膜を生成することを必要とするそれらより非常に低い温度で進行する膜形成反応を一般に許容する。」ことが記載されている。
　さらに、周知例４（【００１０】），周知例５（【００２９】）には、有機ＬＥＤ・有機電子デバイス等のの無機封止膜・バリアコーティングの形成手段として、プラズマＣＶＤ法・ＰＥＣＶＤを用いる事が記載されており、周知例５（【００３０】），周知例６（【００２７】）には、Ｓｎ，Ｚｎ，Ｔｉ，Ｔａ当各種金属元素の酸化物、窒化物、酸窒化物をバリアコーティング/ガスバリア層の材料として用いることも記載されている。
　ｃ　したがって、成膜方法及び成膜材料に関して引用例に記載されている低温化及び一般的な要求課題である高速化との観点から、ＡＬＤ法及びＣＶＤ法として、周知のＰＥＡＬＤ法及びＰＥＣＶＤ法を採用し、膜材料として周知のＴａ、Ｚｒ、Ｈｆ等の金属材料の酸化物、窒化物或いは酸窒化物を採用することは当業者ならば容易に想到し得た事項にすぎず、当該構成を採用することにより格別有意な効果を奏するとも認められない。
　なお、本願の請求項１に記載された各金属については、本願明細書の【００２８】に単に例示されているにすぎず、具体的な実施例等の比較実験データは何ら記載されておらず、当該材料を選択したことによる格別な効果は見出せない。
　　
（イ）相違点２について
　ａ　引用例の【００３７】には、「基板加工時のスクラッチ（ひっかき傷）や、製品レベルでの組み付け時における物理的ダメージから保護するには、ＡＬＥ法で保護層６を成膜した後、この物理的ダメージから保護層６を保護する樹脂膜（物理的ダメージ保護層）を、保護層６の上部に設ければ良い。」と記載され、また、【０００７】には、「保護層（６）の上に、該保護層を保護する樹脂膜（７）を形成したことを特徴としており、該樹脂膜により保護層が保護されるため、保護層を薄くしても水分に対する抵抗性を確保できる。そして、保護層を薄くできるということは、ＡＬＥ法による保護層の成膜時間を短縮でき、スループットを向上させることができる。」と記載されている。
　ここで、引用例に記載された上記「樹脂膜（物理的ダメージ保護層）」は、本願発明の「合成物質を有する保護層」に相当する。
　ｂ　ところで、引用例の上記【００３７】は、引用例における第１実施形態の説明として記載されており、請求項２に、「前記保護層（６）の上に該保護層を保護する樹脂膜（７）が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。」と記載されている。また、第４実施形態から認定した引用発明に関しては、請求項１０に、「前記保護層（６）は、前記原子層成長法により形成された層（６ａ）と、前記原子層成長法とは異なる方法により形成された層（６ｂ）との組合せから構成されていることを特徴とする請求項１または３に記載の有機ＥＬ素子。」、請求項１３に、「前記原子層成長法とは異なる方法は、ＣＶＤ法であることを特徴とする請求項１０ないし１２のいずれか１つに記載の有機ＥＬ素子。」と記載されており、他の請求項も含め、保護層の上に樹脂膜を形成することと、原子相成長法及びＣＶＤ法を用いる多層膜を形成することとの両者を同時に行うことが特定された請求項はなく、両者を同時に行う実施例も記載されていない。
　ｃ　しかしながら、樹脂層の形成に関しては、下層の原子相成長法による保護層を薄くしても、その上部に樹脂層を形成することで、保護層を物理的にダメージから保護するものであることは、【００３７】、【０００７】にも説明されているとおりであり、有機ＥＬ素子は、薄膜化を要求されていることは周知の課題である。
　そして、引用発明においても、原子層成長法とＣＶＤ法とによる多層膜の形成方法であるとはいえ、当該多層膜においても薄膜化を要求されることは明らかであり、基板加工時のスクラッチや製品レベルでの組み付け時に物理的ダメージを被りやすくなることは当然予想される事項にすぎない。
　したがって、引用例に記載されている保護層の上に樹脂膜を形成する方法を、引用発明の原子層成長法とＣＶＤ法とによって形成される多層膜からなる保護層の形成方法に適用することは当業者ならば容易に想到し得た事項であり、樹脂膜の厚さについては、基板加工等の製造条件、製品レベルでの使用条件等に応じて、適宜設定すべき事項にすぎず、本願発明において、「１０μｍ以上の厚さ」とすることによる格別有意な臨界的効果も見いだせない。
　なお、引用例には、保護層の上に樹脂膜を用いる方法と、原子層成長法とＣＶＤ法を用いる多層膜からなる保護層を形成する技術とを、同時に行ってはならないとの積極的な記載もない。
　
（ウ）相違点１及び２に係る本願発明の発明特定事項により奏される効果について
　相違点１及び相違点２に係る本願発明の各発明特定事項により奏される相乗的な効果について、格別顕著な点は見いだせない。
　
（エ）請求人は、平成２８年　５月３０日に提出した意見書において、下記の主張をしているが、当該事項についての判断は、上記（ア）、（イ）で検討したとおりである。
  「３．補正後の本願請求項１記載の発明に関する進歩性について
　・・（略）・・引用例１に開示されているのは、ＡＬＥ層上の非ＡＬＥ層
または樹脂膜のいずれかであります。当業者は、これらの別々の実施例を組み合わせることについてのきっかけをこの引用例１に見出すことはありません。
　更に、・・（略）・・引用された従来技術には、このような厚さの保護層についても指摘がありません。例えば引用例１には２μｍの厚さだけしか記載されていません。
　上記の拒絶理由通知書において引用された従来技術には、本願新請求項１に示した材料を有しかつＡＬＤを用いて被着した第１のバリア層と、ＰＥＣＶＤを用いて被着した第２のバリア層と、合成物質を含有する保護層とからなる３つの層の組み合わせも、１０μｍ以上の厚さを有する保護層も記載されていないため、本願新請求項１は、引用例１〜３に対し進歩性を有しています。」
　
５　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び周知例に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。