【事件の表示】
　特願２０１３−２６２９１６「インダクタ素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年２月２３日出願公開、特開２０１５−３７１７９、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２５年１２月１９日（パリ条約による優先権主張　２０１３年８月１４日　（ＫＲ）大韓民国）の出願であって、平成２７年３月９日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１７日付けで手続補正がなされたが、同年１２月７日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされ、これに対し、平成２８年３月３日付けで拒絶査定不服の審判が請求され、同時に手続補正がなされ、その後、当審において同年１２月２０日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成２９年１月４日付けで手続補正がなされたものである。
第２　当審拒絶理由について
１．当審拒絶理由の概要
　平成２８年３月３日付けの手続補正後の請求項６ないし１１に係る発明は、下記引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　引用文献１：特開平１０−２４１９８３号公報
　引用文献２：特開２００５−１９１４０８号公報
　引用文献３：特開２００４−２５３６８４号公報
２．当審拒絶理由の判断
　平成２９年１月４日付けの手続補正によって、当審拒絶理由の対象であった請求項６ないし１１は全て削除された。
　よって、当審拒絶理由は解消した。
第３　原査定の理由について
（１）本願発明
　平成２９年１月４日付けの手続補正は、特許請求の範囲の記載を以下のとおりに補正するものであり、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、下記特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。
「　【請求項１】
　コイル状の第１めっき層及び第２めっき層を備える内部電極が内設されたインダクタ素子であって、
　支持部材上に形成された第１めっき層と、
　前記第１めっき層を覆うとともに、前記第１めっき層の上面を露出させる開口部が形成された絶縁層と、
　前記開口部に充填され、一部が前記開口部の外部に突出して形成された第２めっき層と、含み、
　前記第１めっき層の厚さは第２めっき層の厚さより厚く、
　前記第２めっき層の突出幅は前記開口部に充填された前記第２めっき層の幅より大きく、前記第１めっき層の幅より小さい、インダクタ素子。
　　【請求項２】
　前記第２めっき層の幅は第１めっき層の幅より小さい、請求項１に記載のインダクタ素子。
　　【請求項３】
　前記開口部の外部に突出形成された前記第２めっき層の突出部位は半球形状を有する、請求項１または２に記載のインダクタ素子。
　　【請求項４】
　前記第２めっき層を覆う絶縁層をさらに含む、請求項１から３のいずれか１項に記載のインダクタ素子。
　　【請求項５】
　前記内部電極は、
　前記第２めっき層の上に形成され、前記第２めっき層を覆う絶縁層の開口部に充填された第３めっき層と、をさらに含む、請求項４に記載のインダクタ素子。」
（２）引用発明
　原査定の拒絶理由で引用された上記引用文献１（特開平１０−２４１９８３号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
ア．「【００２２】まず、第１の実施例と同様に、
基板２０上に下部磁性膜２１、絶縁膜２２、Ｃｕよりなるメッキ電極用導体膜２３を順次スパッタ法により形成する。次に、メッキ電極用導体膜２３上にレジスト２４を塗布する。
第１のコイル用フォトマスクを用いて、紫外線露光・現像により第１のレジストパターン２４を形成する。
レジスト２４間のスペース部２５の幅ｗＭ１は例えば６０μｍである。
イ．「【００２３】その後、
電気メッキ法により、レジスト間のスペース部２５にＣｕよりなるメッキ導体膜２６を形成する。メッキ導体膜２６の厚さｔＭ１は例えば５０μｍである。
ウ．「【００２４】次に、
第１のレジストパターン２４及び第１のメッキ導体膜２６上に第２のレジスト膜４４を塗布する。
第２のコイル用フォトマスクを用いて紫外線露光・現像により第２のレジストパターン４４を形成する。
レジスト４４間のスペース部４５の幅ｗＭ３は例えば４０μｍである。
第１のレジストパターン２４上に第２のレジストパターン４４が形成されるようにしてある。
エ．「【００２５】続いて、
電気メッキ法により、第１のメッキ導体膜２６の上に例えばＣｕよりなる第２のメッキ導体膜４６を形成する。この第２のメッキ導体膜４６の膜厚ｔＭ３は、例えば５０μｍである。
オ．「【００２６】次に、
第２のレジストパターン４４と第１のレジストパターン２４を除去する。さらに、メッキ電極用導体膜２３の露出部を除去する。
メッキ導体膜間のスペース部４７及び第２のメッキ導体膜４６の上部を絶縁材料であるポリイミド樹脂４８で塗布・充填する。
平面インダクタ素子が形成される
　そして、上記ア及びイによれば、基板２０上に、下部磁性膜２１、絶縁膜２２、Ｃｕよりなるメッキ電極用導体膜２３を介して、第１のメッキ導体膜２６が形成されている。
　また、上記ウ及びエによれば、第１のメッキ導体膜２６の上に第２のメッキ導体膜４６が形成されている。
　また、上記ア及びイの記載によれば、第１のメッキ導体膜２６の厚さは５０μｍで幅（すなわち、レジスト２４間のスペース部２５の幅）は６０μｍであり、上記ウ及びエの記載によれば、第２のメッキ導体膜４６の厚さは５０μｍで幅（すなわち、レジスト４４間のスペース部４５の幅）は４０μｍである。そうすると、第１のメッキ導体膜２６の厚さは第２のメッキ導体膜４６の厚さと同じである。
　さらに、図５（ｃ）に示される平面インダクタ素子の断面図も参酌すると、第１のメッキ導体膜２６は、その側面とその上面の一部（第２のメッキ導体膜４６が形成されていない部分）とが絶縁材料であるポリイミド樹脂４８で覆われており、第２のメッキ導体膜４６の側面と上面も絶縁材料であるポリイミド樹脂４８で覆われている。すなわち、第１のメッキ導体膜２６及び第２のメッキ導体膜４６は、絶縁材料であるポリイミド樹脂４８で覆われている。
　また、図６に示される平面インダクタ素子の上面図も参酌すると、第１のメッキ導体膜２６及び第２のメッキ導体膜４６はコイル状に形成されている。
　したがって、以上の事項と、図４ないし６の記載とを総合勘案すると、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「コイル状の第１のメッキ導体膜２６及び第２のメッキ導体膜４６が形成された平面インダクタ素子であって、
　基板２０上に形成された第１のメッキ導体膜２６と、
　前記第１のメッキ導体膜２６の上に形成された第２のメッキ導体膜４６と、
　前記第１のメッキ導体膜２６及び前記第２のメッキ導体膜４６を覆うポリイミド樹脂４８と、含み、
　前記第１のメッキ導体膜２６の厚さは前記第２のメッキ導体膜４６の厚さと同じである、平面インダクタ素子。」
（３）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明において、平面インダクタ素子の内部に形成された「第１のメッキ導体膜２６及び第２のメッキ導体膜４６」が電極として用いられることは明らかであるから、引用発明における「第１のメッキ導体膜２６及び第２のメッキ導体膜４６」は、本願発明における「内部電極」に相当する。
　また、引用発明における「基板２０」「第１のメッキ導体膜２６」「第２のメッキ導体膜４６」「ポリイミド樹脂４８」「平面インダクタ素子」は、本願発明における「支持部材」「第１めっき層」「第２めっき層」「絶縁層」「インダクタ素子」にそれぞれ相当する。
　さらに、引用文献１の図５（ｃ）を見れば明らかなように、引用発明における前記「ポリイミド樹脂４８」（絶縁層）は、それ単独の形状としては、「第１のメッキ導体膜２６及び第２のメッキ導体膜４６」が存在する部分が開口となる形状を有しており、かつ、当該開口の部分に「第１のメッキ導体膜２６及び第２のメッキ導体膜４６」が本願発明と同様に隙間無く存在している。
　そうすると、本願発明と引用発明は次の点で相違し、その余の点で一致する。
＜相違点＞
　本願発明においては、第２めっき層の一部が絶縁層に形成された開口部の外部に突出して形成されるとともに、前記第２めっき層の突出幅は前記開口部に充填された前記第２めっき層の幅より大きく、前記第１めっき層の幅より小さいのに対して、引用発明においてはそのような構造を有していない点。
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　原査定の拒絶理由で引用された上記引用文献２（特開２００５−１９１４０８号公報）には、コイル導電体の導電率を高くするために、第一の導電体層３及び第二の導電体層５の外表面に、前記第一の導電体層３及び第二の導電体層５の幅よりも大きな幅を有する第三の導電体層１７を設けることが記載されている（【００４５】ないし【００６４】、図４ないし６参照。）。そして、図５を参照すると、前記第三の導電体層１７は絶縁性基材２の開口部の外部に形成されており、その点においては本願発明における第２めっき層の「突出」した部分と共通しているが、前記第三の導電体層１７の幅は、前記第一の導電体層３及び第二の導電体層５の幅よりも大きく、かつ、その幅の数値や上限等についての具体的な記載はなされていない。
　そうすると、引用発明において、コイルを低抵抗化するために、引用文献２に記載の技術事項を採用したとしても、本願発明の上記相違点に係る「前記第２めっき層の突出幅は前記開口部に充填された前記第２めっき層の幅より大きく、前記第１めっき層の幅より小さい」という発明特定事項を導き出すことはできない。
　そして、本願発明は、上記相違点に係る発明特定事項を具備することによって、パターン間の短絡を発生させずに内部電極の面積を増加させることができるという効果を奏するものである。
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用文献２に記載の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　また、原査定の拒絶理由で引用された上記引用文献３（特開２００４−２５３６８４号公報）には、本願発明の上記相違点に係る発明特定事項について記載も示唆もされていないから、上記引用文献３に記載の技術事項を加味したとしても、本願発明は、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（５）まとめ
　以上のとおりであるから、本願発明は引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　また、本願の請求項２ないし５に係る発明は、本願発明をさらに限定したものであるので、本願発明と同様に、引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　よって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　むすび
　以上のとおり、当審で通知した拒絶理由、及び、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。