【事件の表示】
　特願２０１１−２３１３０１「コバルト酸化物が残留したスパッタリングターゲット」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　６月２１日出願公開、特開２０１２−１１７１４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２３年１０月２１日（優先権主張　平成２２年１１月１２日）の出願であって、平成２７年４月１６日付けで拒絶理由が通知され、同年７月８日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年９月３０日付けで拒絶査定がされたのに対し、同年１２月１７日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　そして、その請求項１〜８に係る発明は、上記平成２７年７月８日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるものと認められるところ、そのうち請求項２及び８に係る発明は、以下のとおりのものである。
「【請求項２】
Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである強磁性合金と非金属無機材料からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、前記非金属無機材料が占める体積率が４０ｖｏｌ％以下で、前記非金属無機材料が少なくともコバルト酸化物とホウ素酸化物を含み、添加金属として、Ｂ、Ｔｉ、Ａｕから選択した１元素以上を、合金中に１５ｍｏｌ％以下含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。」（以下「本願発明２」という。）
「【請求項８】
　金属粉末と少なくともコバルト酸化物とホウ素酸化物を含む非金属無機材料粉末を粉砕・混合して得られた混合粉末を保持温度は８００℃以下で加圧焼結装置により成型・焼結するスパッタリングターゲット用焼結体の製造法。」（以下「本願発明８」という。）
　
第２　先願明細書等の記載事項及び先願発明
１　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前の特許出願であって、本願の出願後に出願公開（特開２０１２−３３２４７号公報）された特願２０１０−１７４２０８号（以下「先願」という。）の願書に最初に添付された特許請求の範囲、明細書及び図面（以下「先願明細書等」という。）には、次の事項が記載されている。
（１−ア）「【請求項１】
磁気記録媒体のＣｏ系磁性層をスパッタリング法で形成するために用いるターゲットであって、前記ターゲットはＣｒまたはＣｒ合金を５モル％以上含み、ＣｏＯを５モル％以上含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜２０モル％の範囲内で含み、気孔率が７％以下であることを特徴とするターゲット。」
「【請求項４】
融点が８００℃以下の酸化物が、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化モリブテン、低融点ガラスから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のターゲット。」
（１−イ）「【請求項５】
Ｃｏを５５モル％〜７５モル％の範囲内、ＣｒまたはＣｒ合金を５モル％〜２８モル％の範囲内、Ｐｔを５モル％〜２５モル％の範囲内、ＣｏＯを５モル％〜１５モル％の範囲内、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜１５モル％の範囲内、ＳｉＯ２、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２からなる群から選ばれる酸化物を合計で５モル％〜２５モル％の範囲内とした粉体を混合後、予備成形し、その後、４３０℃〜８００℃の範囲内で気孔率を７％以下として焼結させることを特徴とする磁気記録媒体の磁性層を成膜するためのターゲットの製造方法。
【請求項６】
融点が８００℃以下の酸化物が、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化モリブテン、低融点ガラスから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項５に記載のターゲットの製造方法。」
（１−ウ）「【００２９】
　電磁変換特性の優れたＣｏＣｒＰｔＢ系のグラニュラ磁性層の具体例としては、ＣｏＣｒＰｔＢ−ＳｉＯ２、ＣｏＣｒＰｔＢ−ＴｉＯ、ＣｏＣｒＰｔＢ−ＴｉＯ−ＳｉＯ２、ＣｏＣｒＰｔＢ−ＴｉＯ−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２、ＣｏＣｒＰｔＢ−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２、ＣｏＣｒＰｔＢ−ＺｒＯ２、ＣｏＣｒＰｔＢ−Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＣｒＰｔＢ−Ｎｂ２Ｏ５、ＣｏＣｒＰｔＢ−Ａｌ２Ｏ３などが例示できる。」
（１−エ）「【００４９】
　磁性層の磁性粒子４２には、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素が含まれていてもよい。この中でＢは、ターゲットに含まれる酸化ホウ素の分解物からも供給される。上記元素を含むことにより、磁性粒子４２の微細化を促進、又は結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。」
（１−オ）「【００６１】
（実施例のターゲットの製造）
  次の方法にて、ＣｏＣｒＰｔＢ−ＳｉＯ２からなる組成のターゲットを製造した。
【００６２】
　先ず、ガスアトマイズ法により、Ｃｏ１６Ｐｔ、ＣｏＯ、Ｃｒ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２粉末を製造した。粉末の平均粒径は約５μｍとした。この粉末を、ＣｏＯを８モル％、Ｃｒを７モル％、ＳｉＯ２を７モル％とし、Ｂ２Ｏ３を０〜６モル％の範囲内で変化させ、残部をＣｏ１６Ｐｔとして混合し、モールドに入れ予備成形した後、８００℃、圧力２００Ｋｇｆ／ｃｍ２、アルゴン雰囲気中で１時間のホットプレス処理し、その焼結体をターゲット形状に切り出しターゲットを製造した。得られたターゲットの気孔率を図５に示すが、酸化ホウ素を３モル％以上含有させることで、気孔率が７％以下のターゲットを製造できた。なお別途、酸化ホウ素を２０モル％含有させる実験を行ったところ気孔率２％未満が達成された。」
（１−カ）「【００７６】
　先ず、ガスアトマイズ法により、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ粉末を製造した。粉末の平均粒径は約５μｍとした。この粉末に平均粒径約５μｍの、Ｂ、ＳｉＯ２粉末を加え、９２（７１Ｃｏ１０Ｃｒ１４Ｐｔ５Ｂ）−８（ＳｉＯ２）の組成比とし、この混合粉末をモールドに入れ予備成形した後、１２００℃、圧力２００Ｋｇｆ／ｃｍ２、真空中で３時間のホットプレス処理し、その焼結体をターゲット形状に切り出しターゲットを製造した。得られたターゲットの気孔率は２％であった。」
　
２　先願発明
（１）上記摘記（１−イ）の記載から、先願明細書等には、以下の発明が記載されていると認められる。
「Ｃｏを５５モル％〜７５モル％の範囲内、ＣｒまたはＣｒ合金を５モル％〜２８モル％の範囲内、Ｐｔを５モル％〜２５モル％の範囲内、ＣｏＯを５モル％〜１５モル％の範囲内、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜１５モル％の範囲内、ＳｉＯ２、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２からなる群から選ばれる酸化物を合計で５モル％〜２５モル％の範囲内とした粉体を混合後、予備成形し、その後、４３０℃〜８００℃の範囲内で気孔率を７％以下として焼結させる磁気記録媒体の磁性層を成膜するためのターゲットの製造方法において、
　上記融点が８００℃以下の酸化物が、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化モリブテン、低融点ガラスから選ばれる少なくとも１種であるターゲットの製造方法。」（以下「先願発明１」という。）
　
（２）上記上記摘記（１−ア）の記載から、先願明細書等には、以下の発明が記載されていると認められる。
「磁気記録媒体のＣｏ系磁性層をスパッタリング法で形成するために用いるターゲットであって、前記ターゲットはＣｒまたはＣｒ合金を５モル％以上含み、ＣｏＯを５モル％以上含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜２０モル％の範囲内で含み、気孔率が７％以下であるターゲットにおいて、
　上記融点が８００℃以下の酸化物が、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化モリブテン、低融点ガラスから選ばれる少なくとも１種であるターゲット。」（以下「先願発明２」という。）
　
第３　対比・判断
１　本願発明８について
（１）対比
　本願発明８と先願発明１とを対比する。
ア　先願発明１の「Ｃｏを５５モル％〜７５モル％の範囲内、ＣｒまたはＣｒ合金を５モル％〜２８モル％の範囲内、Ｐｔを５モル％〜２５モル％の範囲内」「とした粉体」は、本願発明８の「金属粉末」に相当し、先願発明１の「ＣｏＯを５モル％〜１５モル％の範囲内、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜１５モル％の範囲内、ＳｉＯ２、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２からなる群から選ばれる酸化物を合計で５モル％〜２５モル％の範囲内」で「上記融点が８００℃以下の酸化物が、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化モリブテン、低融点ガラスから選ばれる少なくとも１種である」「粉体」は、本願発明８の「コバルト酸化物を含む非金属無機材料粉末」に相当する。
　そして、先願発明１の「粉体を混合」したものと、本願発明８の「粉末を粉砕・混合して得られた混合粉末」とは、「粉末を混合して得られた混合粉末」の点で共通する。
イ　先願発明１の「粉体を混合後、予備成形し、その後、４３０℃〜８００℃の範囲内で」「焼結させる」ことと、本願発明８の「混合粉末を保持温度は８００℃以下で加圧焼結装置により成型・焼結する」こととは、「混合粉末を保持温度は８００℃以下で」「焼結する」ことで共通する。
ウ　先願発明１の「焼結させる磁気記録媒体の磁性層を成膜するためのターゲットの製造方法」は、本願発明８の「ターゲット用焼結体の製造法」に相当する。
　したがって、本願発明８と先願発明１とは、
（一致点）
「金属粉末と少なくともコバルト酸化物を含む非金属無機材料粉末を混合して得られた混合粉末を保持温度は８００℃以下で焼結するターゲット用焼結体の製造法。」
　の点で一致し、以下の点で一応相違する。
（相違点１）
　非金属無機材料粉末について、本願発明８が「ホウ素酸化物」を含んでいるのに対し、先願発明１では、「酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化モリブテン、低融点ガラスから選ばれる少なくとも１種」であり、酸化ホウ素が選択的に記載されている点。
（相違点２）
　粉末を混合する際に、本願発明８では「粉砕・混合」と特定されているのに対し、先願発明１では混合する際に粉末が「粉砕」されているかどうか不明である点。
（相違点３）
　焼結する際に、本願発明８は「加圧焼結装置により成型・焼結」しているが、先願発明１では、加圧焼結装置により成型されているか不明である点。
（相違点４）
　ターゲットについて、本願発明８は「スパッタリング」ターゲットであるのに対し、先願発明１は、磁気記録媒体の磁性層を成膜するためのターゲットで、「スパッタリング」ターゲットであるかどうか不明である点。
　
（２）判断
ア　相違点１について
　先願発明１について、先願明細書等には、上記摘記（１−オ）の実施例においてＢ２Ｏ３を用いることが記載ており、融点が８００℃以下の酸化物として酸化ホウ素を選択することが具体的に記載されていることから、上記相違点１は、実質的な相違点とはならない。
イ　相違点２について
　ターゲットを粉末を焼結して製造する際の粉末の混合手段として、ボールミルで行うことは本願優先日前に慣用手段であり、その際、ボールミルにより粉末が粉砕もされることは自明である。（例えば、特開昭６２−１４８３６２号公報の２頁左下欄１〜３行、特開昭６４−６２４６６号公報の３頁左下欄７〜８行、特開平２−２４７３７９号公報の特許請求の範囲、特開平３−２６４６４０号公報の３頁左上欄４〜６行、等参照）。
　してみれば、「粉体を混合」する手段について具体的に特定されていない先願発明１において、ボールミルによって粉体の混合を行う、すなわち、実質的に粉体を粉砕・混合することは、慣用手段の付加であって新たな効果を奏するものではない。
　したがって、上記相違点２は、実質的な相違点とはならない。
ウ　相違点３について
　先願発明１の「焼結」について、上記摘記（１−オ）の実施例でホットプレスによって行うことが記載されており、ホットプレスとは一般に、粉末あるいは予備成形した粉末を加圧、成型しながら焼結する装置のことである。
　してみれば、先願発明１の「焼結させる」とは、上記のとおり、具体的にはホットプレスによって行うものであるから、上記相違点３は、実質的な相違点とはならない。
エ　相違点４について
　先願発明１の「磁気記録媒体の磁性層」の「成膜」について、先願明細書等の上記摘記（１−ア）に、スパッタリング法で行われることが記載されているから、先願発明１の「磁気記録媒体の磁性層を成膜するためのターゲット」は、「スパッタリング」ターゲットといえる。
　したがって、上記相違点４は、実質的な相違点とはならない。
（３）小括
　よって、上記相違点１〜４はいずれも実質的な相違点とはならないから、本願発明８は、先願発明１と実質的に同一であるといえる。
２　本願発明２について
（１）対比
　本願発明２と先願発明２とを対比する。
ア　先願発明２の「磁気記録媒体のＣｏ系磁性層をスパッタリング法で形成するために用いるターゲット」について、ターゲットをスパッタすることによってＣｏ系磁性層が形成されるのであるから、そのターゲットはＣｏ系合金を含むものといえ、Ｃｏ系合金は強磁性合金である。してみれば、先願発明２の「磁気記録媒体のＣｏ系磁性層をスパッタリング法で形成するために用いるターゲット」は、本願発明２の「強磁性合金」を含む「スパッタリングターゲット」に相当する。
　
イ　先願発明２の「ＣｏＯを５モル％以上含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜２０モル％の範囲内で含み」「上記融点が８００℃以下の酸化物が、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化モリブテン、低融点ガラスから選ばれる少なくとも１種である」ものは、本願発明２の「少なくともコバルト酸化物を含」む「非金属無機材料」に相当する。
　
ウ　そして、上記摘記（１−オ）を参照するに、先願発明２のターゲットは、金属成分と酸化物成分からなるものであるから、先願発明２の「磁気記録媒体のＣｏ系磁性層をスパッタリング法で形成するために用いるターゲットであって、前記ターゲットはＣｒまたはＣｒ合金を５モル％以上含み、ＣｏＯを５モル％以上含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜２０モル％の範囲内で含」む「ターゲット」は、本願発明２の「強磁性合金と非金属無機材料からなる」「スパッタリングターゲットであって、前記非金属無機材料が少なくともコバルト酸化物を含」む「スパッタリングターゲット」に相当するといえる。
　したがって、本願発明２と先願発明２とは、
（一致点）
「強磁性合金と非金属無機材料からなるスパッタリングターゲットであって、前記非金属無機材料が少なくともコバルト酸化物を含む、スパッタリングターゲット。」
　の点で一致し、以下の点で一応相違する。
（相違点１’）
　非金属無機材料粉末について、本願発明２が「ホウ素酸化物」を含んでいるのに対し、先願発明２では、「酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化モリブテン、低融点ガラスから選ばれる少なくとも１種」であり、酸化ホウ素が選択的に記載されている点。
（相違点２’）
　強磁性合金について、本願発明２では、「Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏ」であるのに対し、先願発明２では、ＣｒまたはＣｒ合金を５モル％以上含み、Ｐｔを含むのかどうか、残余がＣｏであるかどうか不明である点。
（相違点３’）
　スパッタリングターゲットが、本願発明２では「焼結体」であるのに対し、先願発明２では、焼結体であるかどうか不明である点。
（相違点４’）
　非金属無機材料が占める体積率が、本願発明２では「４０ｖｏｌ％以下」であるのに対し、先願発明２では、不明である点。
（相違点５’）
　本願発明２は、「添加金属として、Ｂ、Ｔｉ、Ａｕから選択した１元素以上を、合金中に１５ｍｏｌ％以下含有する」のに対し、先願発明２は、そのような添加金属が含有されているものか不明である点。
（２）判断
ア　相違点１’について
　相違点１’は、上記１（１）の相違点１と同じであり、その判断は上記１（２）アで述べたとおりであるから、上記相違点１’は、実質的な相違点とはならない。
イ　相違点２’、４’及び５’について
　先願発明２のターゲットの実施例である上記摘記（１−オ）の記載と上記摘記（１−ウ）を参照するに、「ＣｏＯを８モル％、Ｃｒを７モル％、ＳｉＯ２を７モル％とし、Ｂ２Ｏ３を０〜６モル％の範囲内で変化させ、残部をＣｏ１６Ｐｔ」の混合粉末からＣｏＣｒＰｔＢ−ＳｉＯ２からなる組成の（磁性層を形成する）ターゲットが製造されており、Ｂ２Ｏ３を０〜６モル％で変化することからＰｔの量も変わるが、ここでＢ２Ｏ３を６モル％とすると、Ｃｒを７モル％で、Ｐｔは１１．５２モル％となり、金属成分の残部はＣｏということになる。
　してみれば、先願発明２の「ＣｒまたはＣｒ合金を５モル％以上含」む「ターゲット」は、「Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏ」の組成範囲を満たすものをその一態様として含むことが明らかであるから、上記相違点２’は、実質的な相違点とはいえない。
　また、上記摘記（１−エ）と（１−カ）を参照するに、磁性層にＢを含有させる手段として、先願明細書等には、ターゲット中のＢ２Ｏ３の分解によるだけでなく、ターゲット中に数モル程度のＢを添加することも記載されている。
　してみれば、相違点５’も、実質的な相違点とはいえない。　
　さらに、上記実施例の成分比に基づいて（Ｂ２Ｏ３を６モル％とする）非金属無機材料が占める体積率を一般的な化学的物性値である、ＣｏＯの分子量は７５ｇ／ｍｏｌで密度６．４４ｇ／ｃｍ３（すなわち１１．６ｃｍ３／ｍｏｌ）、Ｂ２Ｏ３の分子量は７０ｇ／ｍｏｌで密度が２．４６ｇ／ｃｍ３（すなわち２８．５ｃｍ３／ｍｏｌ）、ＳｉＯ２の分子量は６０ｇ／ｍｏｌで密度が２．６５ｇ／ｃｍ３（すなわち２２．６ｃｍ３／ｍｏｌ）、Ｃｏの原子量は５９ｇ／ｍｏｌで密度８．９０ｇ／ｃｍ３（すなわち６．６３ｃｍ３／ｍｏｌ）、Ｃｒの原子量は５２ｇ／ｍｏｌで密度７．１９ｇ／ｃｍ３（すなわち７．２３ｃｍ３／ｍｏｌ）、Ｐｔは原子量１９５ｇ／ｍｏｌで密度２１．４５ｇ／ｃｍ３（すなわち９．０９ｃｍ３／ｍｏｌ）をもとに計算すると、非金属無機材料であるＣｏＯ、Ｂ２Ｏ３及びＳｉＯ２のターゲットに占める体積率は３２％となり、４０ｖｏｌ％以下である。
　してみれば、先願発明２の「ＣｏＯを５モル％以上含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜２０モル％の範囲内で含」む「ターゲット」は、本願発明２の「非金属無機材料が占める体積率が４０ｖｏｌ％以下」の「ターゲット」をその一態様として含むことが明らかである。
　したがって、上記相違点４’も、実質的な相違点とはならない。
ウ　相違点３’について
　先願発明２の「ターゲット」は、その製法に関する上記摘記（１−イ）の記載から、焼結体であるといえる。
　したがって、上記相違点３’は、実質的な相違点とはならない。
（３）小括
　よって、上記相違点１’〜５’はいずれも実質的な相違点とはならないから、本願発明２は、先願発明２と実質的に同一であるといえる。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明２、本願発明８は、本願の優先日前の特許出願であって、本願の出願後に出願公開がされた上記先願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と実質的に同一であり、しかも、本願の発明者が先願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本願の出願の時において、本願の出願人が上記先願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができないから、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
   よって、結論のとおり、審決する。