(57)【要約】      （修正有）【課題】トランジスタが出す熱を放熱でき、しかも、小型化を図ることができるトランジスタの実装方法及び電子部品を提供する。【解決手段】Ｈ型ブリッジ駆動回路を構成する第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ１１，１２を共通の第１電源出力バスバーＢ１の載置部Ｂ１ａに実装するとともに、Ｈ型ブリッジ駆動回路を構成する第３及び第４のＭＯＳＦＥＴ１３，１４を共通の第２電源出力バスバーＢ２の載置部Ｂ２ａに実装した。これにより、トランジスタが出す熱を放熱でき、しかも、小型化を図ることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷に供給するための駆動電源を一対のバスバーに供給するＨ型ブリッジ駆動回路を構成する４個のベアチップからなるトランジスタの実装方法であって、
前記Ｈ型ブリッジ駆動回路を構成する４個のベアチップからなるトランジスタを２個１組とした一方の組の２個のトランジスタの負荷側端子を、それぞれ前記一方のバスバーの表面上に面接触させて実装し、前記他方の組の２個のトランジスタの負荷側端子を、それぞれ前記他方のバスバーの表面上に面接触させて実装するとともに、前記各バスバーと前記各トランジスタとを樹脂成形構造物にインサートすることを特徴とするトランジスタの実装方法。
【請求項２】
負荷の入力端子に接続される一対のバスバーと、４個のベアチップからなるトランジスタを２個１組とし、前記各組のトランジスタを制御し、各組の出力端子から前記一対のバスバーを介して前記負荷に駆動電源を供給するＨ型ブリッジ駆動回路とを樹脂成形構造物にインサートしてなる電子部品であって、
前記一方の組の２個のトランジスタの負荷側端子を、それぞれ前記一方のバスバーの表面上に面接触させて実装し、前記他方の組の２個のトランジスタの負荷側端子を、それぞれ前記他方のバスバーの表面上に面接触させて実装するとともに、
前記各バスバー及び前記各トランジスタを樹脂成形構造物にインサート成形したことを特徴とする電子部品。
【請求項３】
請求項２に記載の電子部品において、
前記各組の２個のトランジスタは、対応するバスバーの基端部の一側同一面に隣接してそれぞれ実装されていることを特徴とする電子部品。
【請求項４】
請求項２に記載の電子部品において、
前記各組の２個のトランジスタは、対応するバスバーの相対向する面にそれぞれ実装されていることを特徴とする電子部品。
【請求項５】
請求項２〜４にいずれか１に記載の電子部品において、
前記４個のベアチップからなるトランジスタは、ＭＯＳＦＥＴであり、各組の２個のＭＯＳＦＥＴは、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴとＮチャネルＭＯＳＦＥＴであって、各ＭＯＳＦＥＴの負荷側端子はドレイン端子であることを特徴とする電子部品。
【請求項６】
請求項２〜５のいずれか１に記載の電子部品において、
前記樹脂成形構造物は、前記各組のトランジスタを駆動制御する複数の回路素子を実装した回路基板があわせてインサート成形されていることを特徴とした電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランジスタの実装方法及び電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、モータ等の負荷に電源を供給制御して負荷を駆動させる駆動回路にはスイッチングトランジスタが採用されている。その駆動回路に使用されるトランジスタは、負荷に高電流を供給することから、パワーＭＯＳＦＥＴがよく利用されている。
【０００３】
駆動回路は、パワーＭＯＳＦＥＴと、そのパワーＭＯＳＦＥＴをオン・オフ制御する複数の回路素子をあわせて回路基板上に実装して形成している。そして、回路基板は、バスバーが設けられ、パワーＭＯＳＦＥＴ、複数の回路素子とともに樹脂モールドされて樹脂成形構造物の電子部品となる。
【０００４】
この種の電子部品では、パワーＭＯＳＦＥＴに高電流が流れ発熱するため、放熱対策が必要となる。そこで、例えば、特許文献１、特許文献２に示すように、回路基板に設けたバスバーに、ＭＯＳＦＥＴを実装し、該ＭＯＳＦＥＴが出す熱を、バスバーを介して放熱することが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２１１５２９号公報
【特許文献２】特開２００２−５０８８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記した駆動回路には、Ｈ型ブリッジ駆動回路がある。Ｈ型ブリッジ駆動回路は、４個のパワーＭＯＳＦＥＴで構成されている。そして、それぞれのパワーＭＯＳＦＥＴに対して上記バスバーを利用して放熱しようとすると、４本のバスバーを設けなくてはならず、バスバーの数が多くなる分だけ電子部品は大型化するといった問題が生じる。
【０００７】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、トランジスタが出す熱を放熱でき、しかも、小型化を図ることができるトランジスタの実装方法及び電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、負荷に供給するための駆動電源を一対のバスバーに供給するＨ型ブリッジ駆動回路を構成する４個のベアチップからなるトランジスタの実装方法であって、前記Ｈ型ブリッジ駆動回路を構成する４個のベアチップからなるトランジスタを２個１組とした一方の組の２個のトランジスタの負荷側端子を、それぞれ前記一方のバスバーの表面上に面接触させて実装し、前記他方の組の２個のトランジスタの負荷側端子を、それぞれ前記他方のバスバーの表面上に面接触させて実装するとともに、前記各バスバーと前記各トランジスタとを樹脂成形構造物にインサートする。
【０００９】
請求項１に記載の発明によれば、Ｈ型ブリッジ駆動回路を構成する一方の組の２個のトランジスタを、共通の一方のバスバーの表面上に面接触させて実装し、他方の組の２個のトランジスタを、共通の他方のバスバーの表面上に面接触させて実装したので、トランジスタの発熱を放熱させることができるとともに、バスバーの数を減らすことができる。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、負荷の入力端子に接続される一対のバスバーと、４個のベアチップからなるトランジスタを２個１組とし、前記各組のトランジスタを制御し、各組の出力端子から前記一対のバスバーを介して前記負荷に駆動電源を供給するＨ型ブリッジ駆動回路とを樹脂成形構造物にインサートしてなる電子部品であって、前記一方の組の２個のトランジスタの負荷側端子を、それぞれ前記一方のバスバーの表面上に面接触させて実装し、前記他方の組の２個のトランジスタの負荷側端子を、それぞれ前記他方のバスバーの表面上に面接触させて実装するとともに、前記各バスバー及び前記各トランジスタを樹脂成形構造物にインサート成形した。
【００１１】
請求項２に記載の発明によれば、Ｈ型ブリッジ駆動回路を構成する一方の組の２個のトランジスタを、共通の一方のバスバーの表面上に面接触させて実装し、他方の組の２個のトランジスタを、共通の他方のバスバーの表面上に面接触させて実装したので、トランジスタの発熱を放熱させることができるとともに、バスバーの数を減らすことができ、減らした数の分だけ電子部品のサイズを小型化することができる。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の電子部品において、前記各組の２個のトランジスタは、対応するバスバーの基端部の一側同一面に隣接してそれぞれ実装されている。
【００１３】
請求項３に記載の発明によれば、各組の２個のトランジスタは、対応するバスバーの基端部の一側同一面に実装するようにしたので、各トランジスタをそれぞれ対応するバスバーに実装する際の組み付け作業が容易となる。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項２に記載の電子部品において、前記各組の２個のトランジスタは、対応するバスバーの相対向する面にそれぞれ実装されている。
請求項４に記載の発明によれば、電子部品を更に小型化することができる。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、請求項２〜４にいずれか１に記載の電子部品において、前記４個のベアチップからなるトランジスタは、ＭＯＳＦＥＴであり、各組の２個のＭＯＳＦＥＴは、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴとＮチャネルＭＯＳＦＥＴであって、各ＭＯＳＦＥＴの負荷側端子はドレイン端子である。
【００１６】
請求項５に記載の発明によれば、４個のベアチップのＭＯＳＦＥＴからなるＨ型ブリッジ駆動回路を樹脂モールドした樹脂成形構造物よりなる電子部品を小型化することができる。
【００１７】
請求項６に記載の発明は、請求項２〜５のいずれか１に記載の電子部品において、前記樹脂成形構造物は、前記各組のトランジスタを駆動制御する複数の回路素子を実装した回路基板があわせてインサート成形されている。
【００１８】
請求項６に記載の発明によれば、４個のベアチップのＭＯＳＦＥＴからなるＨ型ブリッジ駆動回路及びそのＨ型ブリッジ駆動回路を駆動制御する複数の回路素子を実装した回路基板をモールドした樹脂成形構造物よりなる電子部品を小型化することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、トランジスタが出す熱を放熱でき、しかも、小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】電子部品の全体斜視図。
【図２】電子部品の内部構造を示す要部斜視図。
【図３】電子部品の内部構造を説明するための要部平面図。
【図４】電子部品の内部構造を説明するための要部側面図。
【図５】Ｈ型ブリッジ駆動回路の電気回路図。
【図６】電子部品の別例を説明するための要部平面図。
【図７】電子部品の別例を説明するための要部側断面図。
【図８】電子部品の別例を説明するための要部側断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面に従って説明する。
図１は、電子部品１の全体斜視図を示す。電子部品１はＨ型ブリッジ駆動回路１０（図５参照）を構成するトランジスタとしての第１〜第４のＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）１１〜１４、Ｈ型ブリッジ駆動回路１０を駆動制御するＩＣ（Integrated Circuit）２１（図２〜図４参照）を樹脂モールドして成形した樹脂成形構造物である。
【００２２】
電子部品１は、その３側面１ａ，１ｂ，１ｃから複数の入出力バスバー２が突出形成され、これら入出力バスバー２を介して内蔵したＩＣ２１と図示しない外部装置との間での各種制御信号やデータ信号の授受が行われる。
【００２３】
また、電子部品１の側面１ｄには、一対のバスバーとしての第１電源出力バスバーＢ１と第２電源出力バスバーＢ２が突出形成されている。第１電源出力バスバーＢ１と第２電源出力バスバーＢ２は、負荷１５（図５参照）と電気的に接続されＨ型ブリッジ駆動回路１０から電源を供給する。
【００２４】
さらに、第１電源出力バスバーＢ１と第２電源出力バスバーＢ２の間には、プラス電源バスバーＢ３が突出形成されている。プラス電源バスバーＢ３は、図示しないバッテリーの電源電圧が印加される電源線と接続される。
【００２５】
さらにまた、第１電源出力バスバーＢ１と第２電源出力バスバーＢ２の外側には、接地されたグランド線と接続される第１グランドバスバーＢ４と第２グランドバスバーＢ５がそれぞれ突出形成されている。
【００２６】
ここで、電子部品１に内蔵されたＨ型ブリッジ駆動回路１０の電気回路を図５に従って説明する。
図５において、Ｈ型ブリッジ駆動回路１０は、ベアチップからなる４個の第１〜第４のＭＯＳＦＥＴ１１〜１４を有している。第１〜第４のＭＯＳＦＥＴ１１〜１４は、２個１組のトランジスタ回路（Ｃ−ＭＯＳＦＥＴ）を構成されている。
【００２７】
一方の組のトランジスタ回路は、第１のＭＯＳＦＥＴ１１と第２のＭＯＳＦＥＴ１２とからなり、第１のＭＯＳＦＥＴ１１はＰチャネルＭＯＳＦＥＴ、第２のＭＯＳＦＥＴ１２はＮチャネルＭＯＳＦＥＴにて形成されている。
【００２８】
そして、第１のＭＯＳＦＥＴ１１は、そのソース端子が図示しないバッテリーのプラス電源電圧Ｖｄｄが印加される電源線Ｌ１に接続され、負荷側端子としてのそのドレイン端子が第２のＭＯＳＦＥＴ１２の負荷側端子としてのドレイン端子に接続されている。また、第１のＭＯＳＦＥＴ１１のゲート端子は、ＩＣ２１と接続され第１駆動制御信号ＳＧ１が入力される。一方、第２のＭＯＳＦＥＴ１２は、ソース端子がグランドに接地された電源線Ｌ２に接続され、ゲート端子がＩＣ２１と接続され第１駆動制御信号ＳＧ１が入力される。
【００２９】
そして、第１のＭＯＳＦＥＴ１１のドレイン端子と第２のＭＯＳＦＥＴ１２のドレイン端子の接続点（ノードＮ１）には、負荷１５の一方の入力端子が接続されている。
また、他方の組のトランジスタ回路は、第３のＭＯＳＦＥＴ１３と第４のＭＯＳＦＥＴ１４とからなり、第３のＭＯＳＦＥＴ１３はＰチャネルＭＯＳＦＥＴ、第４のＭＯＳＦＥＴ１４はＮチャネルＭＯＳＦＥＴにて形成されている。
【００３０】
そして、第３のＭＯＳＦＥＴ１３は、そのソース端子が電源線Ｌ１に接続され、負荷側端子としてのそのドレイン端子が第４のＭＯＳＦＥＴ１４の負荷側端子としてのドレイン端子に接続されている。また、第３のＭＯＳＦＥＴ１３のゲート端子は、ＩＣ２１と接続され第２駆動制御信号ＳＧ２が入力される。一方、第４のＭＯＳＦＥＴ１４は、ソース端子が電源線Ｌ２に接続され、ゲート端子がＩＣ２１と接続され第２駆動制御信号ＳＧ２が入力される。
【００３１】
そして、第３のＭＯＳＦＥＴ１３のドレイン端子と第４のＭＯＳＦＥＴ１４のドレイン端子の接続点（ノードＮ２）には、負荷１５の他方の入力端子が接続されている。
ここで、第１駆動制御信号ＳＧ１と第２駆動制御信号ＳＧ２は、本実施形態では、相補信号であって、第１駆動制御信号ＳＧ１がＨレベル（高電位）の時、第２駆動制御信号ＳＧ２はＬレベル（低電位）となり、第１駆動制御信号ＳＧ１がＬレベルの時、第２駆動制御信号ＳＧ２はＨレベルとなる。
【００３２】
従って、第１駆動制御信号ＳＧ１がＨレベルで、第２駆動制御信号ＳＧ２がＬレベルの時、第１のＭＯＳＦＥＴ１１はオフし、第２のＭＯＳＦＥＴ１２はオンし、第３のＭＯＳＦＥＴ１３はオンし、第４のＭＯＳＦＥＴ１４はオフする。その結果、ノードＮ１の電位はグランドの電位に、ノードＮ２の電位はバッテリーからのプラス電源電圧Ｖｄｄが印加されて高電位となる。
【００３３】
反対に、第１駆動制御信号ＳＧ１がＬレベルで、第２駆動制御信号ＳＧ２がＨレベルの時、第１のＭＯＳＦＥＴ１１はオンし、第２のＭＯＳＦＥＴ１２はオフし、第３のＭＯＳＦＥＴ１３はオフし、第４のＭＯＳＦＥＴ１４はオンする。その結果、ノードＮ１の電位はバッテリーからのプラス電源電圧Ｖｄｄが印加されて高電位に、ノードＮ２の電位は接地されてグランドの電位となる。
【００３４】
つまり、Ｈ型ブリッジ駆動回路１０は、ノードＮ１，Ｎ２の間に負荷１５を電気的に接続し、第１駆動制御信号ＳＧ１と第２駆動制御信号ＳＧ２を制御することによって、負荷１５に供給する直流電源をデュティー制御することができるとともに、プラス電源電圧Ｖｄｄの供給する向きを制御できることになる。従って、例えば、負荷１５を直流モータとするならば、デュティー制御することによって回転速度を制御でき、プラス電源電圧Ｖｄｄの供給する向きを制御することによって回転方向を制御できる。
【００３５】
次に、Ｈ型ブリッジ駆動回路１０を構成するベアチップからなる４個の第１〜第４のＭＯＳＦＥＴ１１〜１４の電子部品１への実装方法について説明する。
図２〜図４に示すように、四角形状の絶縁体よりなる回路基板２０の両面には、配線パターン（図示せず）が形成され、その回路基板２０に形成された配線パターン上に回路素子としてのＩＣ２１がそれぞれ実装されている。また、回路基板２０には、複数の入出力バスバー２の基端部が連結固定され、各入出力バスバー２は回路基板２０に形成された配線パターンの各端子と電気的に接続されている。
【００３６】
回路基板２０の一側には、第１電源出力バスバーＢ１と第２電源出力バスバーＢ２が離間して配置されている。第１電源出力バスバーＢ１と第２電源出力バスバーＢ２は、本実施形態ではリン青銅で同一形状に形成されている。第１電源出力バスバーＢ１及び第２電源出力バスバーＢ２は、基端部に四角形状の載置部Ｂ１ａ，Ｂ２ａを有し、その載置部Ｂ１ａ，Ｂ２ａの一側辺であって一側辺の中央位置から内側に偏倚した位置から端子部Ｂ１ｂ，Ｂ２ｂを外方に延出形成させている。
【００３７】
第１電源出力バスバーＢ１の載置部Ｂ１ａはその表面を実装面とし、その実装面に第１のＭＯＳＦＥＴ１１と第２のＭＯＳＦＥＴ１２が実装される。
詳述すると、ベアチップからなる第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ１１，１２の載置部Ｂ１ａの実装される側の面にドレイン端子が形成され、第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ１１，１２の載置部Ｂ１ａの実装される側の面と反対側の面にソース端子とゲート端子が形成されている。
【００３８】
そして、第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ１１，１２を、そのドレイン端子が形成され面を第１電源出力バスバーＢ１の載置部Ｂ１ａに面接触させて半田にて溶着して実装する。このとき、第１のＭＯＳＦＥＴ１１は、端子部Ｂ１ｂ側の内側に配置し、第２のＭＯＳＦＥＴ１２は、端子部Ｂ１ｂから離間した外側に配置して実装する。
【００３９】
従って、第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ１１，１２は、共通の第１電源出力バスバーＢ１に実装されることになる。そして、共通の第１電源出力バスバーＢ１に実装された第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ１１，１２のゲート端子は、回路基板２０に形成された配線パターンの所定の端子とワイヤボンディングにて電気的に接続されている。
【００４０】
第２電源出力バスバーＢ２の載置部Ｂ２ａはその表面を実装面とし、その実装面に第３のＭＯＳＦＥＴ１３と第４のＭＯＳＦＥＴ１４が実装される。
詳述すると、ベアチップからなる第３及び第４のＭＯＳＦＥＴ１３，１４の載置部Ｂ２ａの実装される側の面にドレイン端子が形成され、第３及び第４のＭＯＳＦＥＴ１３，１４の載置部Ｂ２ａの実装される側の面と反対側の面にソース端子とゲート端子が形成されている。
【００４１】
そして、第３及び第４のＭＯＳＦＥＴ１３，１４を、そのドレイン端子が形成され面を第２電源出力バスバーＢ２の載置部Ｂ２ａに面接触させて半田にて溶着して実装する。このとき、第３のＭＯＳＦＥＴ１３は、端子部Ｂ２ｂ側の内側に配置し、第４のＭＯＳＦＥＴ１４は、端子部Ｂ２ｂから離間した外側に配置して実装する。
【００４２】
従って、第３及び第４のＭＯＳＦＥＴ１３，１４は、共通の第２電源出力バスバーＢ２に実装されることになる。そして、共通の第２電源出力バスバーＢ２に実装された第３及び第４のＭＯＳＦＥＴ１３，１４のゲート端子は、回路基板２０に形成された配線パターンの所定の端子とワイヤボンディングにて電気的に接続されている。
【００４３】
第１電源出力バスバーＢ１と第２電源出力バスバーＢ２の間には、プラス電源バスバーＢ３が配置されている。プラス電源バスバーＢ３は、本実施形態ではリン青銅で第１及び第２電源出力バスバーＢ１，Ｂ２の端子部Ｂ１ｂ，Ｂ２ｂと略同一形状に形成されている。そして、プラス電源バスバーＢ３は、その基端部と第１のＭＯＳＦＥＴ１１と第３のＭＯＳＦＥＴ１３のソース端子とがワイヤボンディングにて電気的に接続されている。
【００４４】
第１電源出力バスバーＢ１を挟んでプラス電源バスバーＢ３と反対側の位置には、第１グランドバスバーＢ４が配置されている。第１グランドバスバーＢ４は、リン青銅でプラス電源バスバーＢ３と略同一形状に形成されている。そして、第１グランドバスバーＢ４は、その基端部と第２のＭＯＳＦＥＴ１２のソース端子とがワイヤボンディングにて電気的に接続されている。
【００４５】
第２電源出力バスバーＢ２を挟んでプラス電源バスバーＢ３と反対側の位置には、第２グランドバスバーＢ５が配置されている。第２グランドバスバーＢ５は、リン青銅でプラス電源バスバーＢ３と略同一形状に形成されている。そして、第２グランドバスバーＢ５は、その基端部と第４のＭＯＳＦＥＴ１４のソース端子とがワイヤボンディングにて電気的に接続されている。
【００４６】
そして、ＩＣ２１を実装した回路基板２０、第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ１１，１２を実装した第１電源出力バスバーＢ１、第３及び第４のＭＯＳＦＥＴ１３，１４を実装した第２電源出力バスバーＢ２、プラス電源バスバーＢ３、第１及び第２グランドバスバーＢ４，Ｂ５をインサート成形によりが樹脂モールドにして電子部品１を成形する。
【００４７】
次に、上記のように構成した電子部品１の作用について説明する。
今、電子部品１のプラス電源バスバーＢ３を、バッテリーのプラス端子に接続し、第１及び第２グランドバスバーＢ４，Ｂ５を接地する。そして、第１及び第２電源出力バスバーＢ１，Ｂ２を、負荷１５に接続する。
【００４８】
そして、対応する第１及び第２電源出力バスバーＢ１，Ｂ２に実装された第１〜第４のＭＯＳＦＥＴ１１〜１４をオン、オフ制御することによって、プラス電源バスバーＢ３を介して負荷１５に駆動電源が供給制御され、負荷１５は駆動される。このとき、第１〜第４のＭＯＳＦＥＴ１１〜１４が出す発熱は、対応する第１及び第２電源出力バスバーＢ１，Ｂ２を介して放熱される。
【００４９】
次に、上記のように構成した実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、Ｈ型ブリッジ駆動回路１０を構成する第１〜第４のＭＯＳＦＥＴ１１〜１４をそれぞれ対応する第１及び第２電源出力バスバーＢ１，Ｂ２に実装した。
【００５０】
従って、第１〜第４のＭＯＳＦＥＴ１１〜１４が出す発熱は、対応する第１及び第２電源出力バスバーＢ１，Ｂ２を介して放熱させることができる。
（２）しかも、上記実施形態によれば、第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ１１，１２を共通の第１電源出力バスバーＢ１に実装するとともに、第３及び第４のＭＯＳＦＥＴ１３，１４を共通の第２電源出力バスバーＢ２に実装した。
【００５１】
従って、第１〜第４のＭＯＳＦＥＴ１１〜１４毎に、それぞれバスバーを設け、それに実装させて第１〜第４のＭＯＳＦＥＴ１１〜１４の発熱を放熱させる構造に比べて、バスバーの数を減らすことができ、減らした数の分だけ電子部品１のサイズを小型化することができる。
（３）上記実施形態によれば、第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ１１，１２を、第１電源出力バスバーＢ１の載置部Ｂ１ａの同一の面（実装面）に実装するようにした。また、第３及び第４のＭＯＳＦＥＴ１３，１４を、第２電源出力バスバーＢ２の載置部Ｂ２ａの同一の面（実装面）に実装するようにした。
【００５２】
従って、第１〜第４のＭＯＳＦＥＴ１１〜１４をそれぞれ対応する第１及び第２電源出力バスバーＢ１，Ｂ２に実装する際の組み付け作業が非常に容易となる。
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
【００５３】
・上記実施形態では、第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ１１，１２を、第１電源出力バスバーＢ１の載置部Ｂ１ａの同一の面に、また、第３及び第４のＭＯＳＦＥＴ１３，１４を、第２電源出力バスバーＢ２の載置部Ｂ２ａの同一の面に実装するようにした。
【００５４】
これを、図６〜図８に示すように、第１電源出力バスバーＢ１及び第２電源出力バスバーＢ２の基端部を回路基板２０に連結固定する。そして、第１電源出力バスバーＢ１及び第２電源出力バスバーＢ２は回路基板２０に形成された配線パターンの各端子と電気的に接続させる。
【００５５】
そして、第１電源出力バスバーＢ１の表面ｓ１には、第１のＭＯＳＦＥＴ１１を実装し、裏面ｓ２には、第２のＭＯＳＦＥＴ１２を実装する。また、第２電源出力バスバーＢ２の表面ｓ３には、第３のＭＯＳＦＥＴ１３を実装し、裏面ｓ４には第４のＭＯＳＦＥＴ１４を実装する。
【００５６】
このように構成することにより、放熱効果は上記実施形態よりも少し落ちるが、第１のＭＯＳＦＥＴ１１と第２のＭＯＳＦＥＴ１２、及び、第３のＭＯＳＦＥＴ１３と第４のＭＯＳＦＥＴ１４を、それぞれ平面視でみると重なるように配置されるため、電子部品１を更に小型化することができる。
【００５７】
・上記実施形態では、Ｈ型ブリッジ駆動回路１０を構成するベアチップからなる４個のトランジスタを第１〜第４のＭＯＳＦＥＴ１１〜１４で実施したが、ＭＯＳＦＥＴに限定されるものではなく、バイポーラトランジスタで実施してもよい。
【００５８】
・上記実施形態では、Ｈ型ブリッジ駆動回路１０の第１〜第４のＭＯＳＦＥＴ１１〜１４を駆動制御すためのＩＣ２１もあわせて樹脂モールドした樹脂成形構造物よりなる電子部品１に具体化したが、ＩＣ２１を省略しＨ型ブリッジ駆動回路１０の第１〜第４のＭＯＳＦＥＴ１１〜１４とそれに関連するバスバーのみを樹脂モールドした樹脂成形構造物よりなる電子部品１に具体化してもよい。
【００５９】
・上記実施形態では、負荷１５の一例としてモータを示したが、これに限定されるものではなく、その他の負荷を駆動する電子部品に応用してもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１…電子部品、２…入出力バスバー、１０…Ｈ型ブリッジ駆動回路、１１…第１のＭＯＳＦＥＴ、１２…第２のＭＯＳＦＥＴ、１３…第３のＭＯＳＦＥＴ、１４…第４のＭＯＳＦＥＴ、１５…負荷、２０…回路基板、２１…ＩＣ、Ｂ１…第１電源出力バスバー、Ｂ１ａ…載置部、Ｂ１ｂ…端子部、Ｂ２…第２電源出力バスバー、Ｂ２ａ…載置部、Ｂ２ｂ…端子部、Ｂ３…プラス電源バスバー、Ｂ４…第１グランドバスバー、Ｂ５…第２グランドバスバー、ｓ１，ｓ３…表面、ｓ２，ｓ４…裏面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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