【事件の表示】
　特願２００９−２７６９５５「２つの変性層を備えた４接合型反転変性多接合太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　５月２７日出願公開、特開２０１０−１１８６６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯 
　本願は、平成２１年１１月１３日（パリ条約による優先権主張　２００８年１１月１４日　米国）の出願であって、平成２５年１０月２８日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年４月２４日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたが、同年８月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１２月２６日に該拒絶査定に対する不服審判請求がなされたものである。 
　その後、当審において、平成２７年１２月１０日付けで拒絶理由が通知され、平成２８年６月１３日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。
第２　本願発明 
　本願の特許請求の範囲の請求項１〜１６に係る発明は、平成２８年６月１３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載されて事項によって特定されるものであるところ、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものであると認められる。
「第一バンドギャップを有する上方の第一太陽補助電池と、
　前記第一太陽補助電池に隣接し、前記第一バンドギャップより小さい第二バンドギャップを有し、ＩｎＧａＰエミッター層とＧａＡｓベース層で構成されたヘテロ構造である第二太陽補助電池と、
　前記第二太陽補助電池に隣接し、前記第二バンドギャップより大きい第三バンドギャップを有する第一の勾配中間層と、
　前記第一の勾配中間層に隣接し、前記第二バンドギャップより小さい第四バンドギャップを有し、ＩｎＧａＰエミッター層とＩｎＧａＡｓベース層で構成されたヘテロ構造であり、前記第二補助電池に対して格子非整合状態である第三太陽補助電池と、
　前記第三太陽補助電池に隣接し、前記第四バンドギャップより大きい第五バンドギャップを有する第二の勾配中間層と、
　前記第二の勾配中間層に隣接し、前記第四バンドギャップより小さい第六バンドギャップを有し、前記第三補助電池に対して格子非整合状態である下方の第四太陽補助電池と、から構成され、
　前記第一の勾配中間層は、一方の側では前記第二太陽補助電池と格子整合し、他方の側では前記第三太陽補助電池と格子整合するように組成的に勾配付けされており、
　前記第二の勾配中間層は、一方の側では前記第三太陽補助電池と格子整合し、他方の側では前記第四太陽補助電池と格子整合するように組成的に勾配付けされていることを特徴とする多接合太陽電池。」
第３　当審の拒絶理由
　当審の拒絶理由の概要は、本願発明は、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００７−３２４５６３号公報（以下「引用文献１」という。）に記載された発明、本願の優先日前に頒布されたに頒布された刊行物である米国特許出願公開第２００４／１６６６８１号明細書（以下「引用文献２」という。）に記載された事項、及び周知技術に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
第４　引用文献及び引用発明の認定 
１　引用文献１には、以下の事項が記載されている（下線は当審が付与した。）。 
（１）「【０００７】
　１．本発明の目的
　本発明の目的は、改良された多接合太陽電池を提供することである。
　本発明の目的は、改良された反転変成太陽電池を提供することである。
　本発明の別の目的は、第２のサブセルと第３の格子不整合サブセルの間に太陽電池のエネルギ効率を最大にする中間層を多重セル構造に設けることである。
　本発明の更に別の目的は、薄い可撓性フィルムとして反転変成太陽電池を製造する方法を提供することである。
【０００８】
　本発明の付加的な目的、利点、及び新規な特徴は、以下の詳細説明を含むこの開示内容から並びに本発明の実施により当業者に明らかになるであろう。本発明を好ましい実施形態に関して以下に説明するが、本発明がそれらに限定されないことを理解すべきである。本明細書の教示を利用する権利を有する当業者は、他の分野の付加的な用途、修正、及び実施形態を認識するであろうが、それらは、本明細書に開示して請求するように本発明の範囲内であり、かつそれ関して本発明が有用であると考えられる。
【０００９】
　２．本発明の特徴
　簡単かつ概略的には、本発明は、上面を有する半導体本体と、上面上に配置された多接合太陽電池と、
基板上の第１のバンドギャップを有する第１の太陽電池サブセルと、第１のサブセルの上に配置され、第１のバンドギャップよりも小さい第２のバンドギャップを有する第２の太陽電池サブセルと、第２のバンドギャップよりも大きい第３のバンドギャップを有する第２のサブセル中間層の上に配置された漸変中間層、及び第２のサブセルに対して格子不整合であり、かつ第３のバンドギャップよりも小さい第４のバンドギャップを有するような第２の太陽電池サブセルの上の第３の太陽電池サブセルとを含む太陽電池
【００１０】
　別の態様では、本発明は、半導体材料のエピタキシャル成長のための第１の基板を準備する段階と、基板上に第１のバンドギャップを有する第１の太陽電池サブセルを形成する段階と、第１のサブセルの上に第１のバンドギャップよりも小さい第２のバンドギャップを有する第２の太陽電池サブセルを形成する段階と、第２のサブセルの上に第２のバンドギャップよりも大きい第３のバンドギャップを有する漸変中間層を形成する段階と、中間サブセルの上に少なくとも１つの下部サブセルを形成し、そのために少なくとも１つの下部サブセルが、中間サブセルに対して格子不整合であり、かつ第３のサブセルが、第２のバンドギャップよりも小さい第４のバンドギャップを有するようにする段階とによる、上部サブセル、中間サブセル、及び下部サブセルを含む多接合太陽電池を形成する方法を提供する。
　本発明の上記及び他の特徴及び利点は、添付図面と共に以下の詳細説明を参照するとより良くかつより完全に認められるであろう。」
（２）「【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
　ここで、例示的な態様及び実施形態を含む本発明の詳細を以下に説明する。図面及び以下の説明を参照すると、同じ参照番号が同じか又は機能的に類似の要素を特定するために使用され、高度に簡素化された図式で例示的な実施形態の主要な特徴を示すように意図されている。更に、それらの図面では、実際の実施形態の全ての特徴を示すことも、描かれた要素の相対的寸法も意図されておらず、かつ縮尺通りに示されていない。
【００１２】
　図１は、基板上の３つのサブセルＡ、Ｂ、及びＣの形成後の本発明による多接合太陽電池を表している。より詳細には、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、又は他の適切な材料とすることができる基板１０１が示されている。Ｇｅ基板の場合、核生成層１０２が基板上に堆積される。基板上又は核生成層１０２の上に、バッファ層１０３及びエッチング停止層１０４が更に堆積される。次に、接触層１０５が層１０４上に堆積され、窓層１０６が接触層上に堆積される。
ｎ＋エミッタ層１０７及びｐ型基部層１０８から成るサブセルＡ
【００１３】
　この多接合太陽電池構造は、格子定数及びバンドギャップの要件に従う周期表のＩＩＩからＶ族元素のいずれかの適切な組合せで形成することができることに注意すべきであり、ＩＩＩ族には、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、及びタリウムが含まれる。ＩＶ族には、炭素（Ｃ）、珪素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、及び錫（Ｓｎ）が含まれる。Ｖ族には、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、及びビスマス（Ｂｉ）が含まれる。
【００１４】
　好ましい実施形態では、基板１０１は、ガリウムヒ素であり、エミッタ層１０７は、ＩｎＧａ（Ａｌ）Ｐから成り、基部層は、ＩｎＧａ（Ａｌ）Ｐから構成される。
　基部層１０８の上には、再結合損失を低減するために使用される裏面電界（ＢＳＦ）層１０９が堆積される。
　ＢＳＦ層１０９は、基部／ＢＳＦインタフェース面の近くの領域から少数キャリアを追い出し、再結合損失の影響を最小にする。換言すれば、ＢＳＦ層１０９は、太陽電池サブセルＡの背面での再結合損失を低減し、それによって基部内の再結合を低減する。
【００１５】
　ＢＳＦ層１０９の上には、一連の高濃度ドープのｐ型及びｎ型層１１０が堆積され、これは、セルＡとセルＢを接続する回路素子であるトンネルダイオードを形成する。
　トンネルダイオード１１０の上には、窓層１１１が堆積される。サブセルＢに使用される窓層１１１もまた再結合損失を低減するように機能する。窓層１１１はまた、下に重なる接合部のセル表面の不動態化もまた改善する。本発明の範囲を逸脱することなく、セル構造内の更に別の層を付加又は除去することができることは、当業者には明らかであるべきである。
【００１６】
　窓層１１３の上には、
セルＢの層、すなわち、エミッタ層１１２及びｐ型基部層１１３が堆積される。これらの層は、好ましくは、ＩｎＧａＰ及びＩｎ
０．０１５
ＧａＡｓからそれぞれ構成される
　セルＢの上には、ＢＳＦ層１１４が堆積され、これは、ＢＳＦ層１０９と同じ機能を果たす。層１１０と同様なｐ＋＋／ｎ＋＋トンネルダイオード１１５がＢＳＦの上に堆積され、セルＢとセルＣを接続する回路がこの場合も形成される。好ましくはＩｎＧａＡｓであるバッファ層１１５ａが、トンネルダイオード１１５の上に約１．０ミクロンの厚みまで堆積される。
変成バッファ層１１６がバッファ層１１５ａの上に堆積され、これは、好ましくは、組成が段階的に漸変するＩｎＧａＡｌＡｓの層であり、セルＢからサブセルＣまでの格子定数の遷移を達成するように単調変化する格子定数を有する。層１１６のバンドギャップは、一定の１．５ｅＶであり、この値は、中間セルＢのバンドギャップよりも僅かに大きい。
　一実施形態では、Ｗａｎｌｅｓｓ他の論文で示唆されたように、段階的漸変は、９段階の組成変化を含み、各段階の層は、０．２５ミクロンの厚みを有する。好ましい実施形態では、この中間層は、単調変化する格子定数を有するＩｎＧａＡｌＡｓから成る。
【００１７】
　変成バッファ層１１６の上には、別のｎ＋窓層１１７が堆積される。窓層１１７は、下に重なる接合部のセル表面の不動態化を改善する。本発明の範囲を逸脱することなく、更に別の層を設けることができる。
　窓層１１７の上には、
サブセルＣの層、すなわち、ｎ＋型エミッタ層１１８及びｐ型基部層１１９が堆積される。好ましい実施形態では、エミッタ層は、ＧａＩｎＡｓから成り、基部層は、ＧａＩｎＡｓから構成されて約１．０ｅＶのバンドギャップを有する
　サブセルＣの基部層１１９の上には、好ましくはＧａＩｎＡｓＰから成る裏面電界（ＢＳＦ）層１２０が堆積される。
　ＢＳＦ層１２０を覆って又はその上には、好ましくはｐ＋型ＩｎＧａＡｓのｐ＋接触層が堆積される。
【００１８】
　図２は、本発明による次の処理段階後の図１の太陽電池の断面図であり、ｐ＋半導体接触層１２１の上に金属接触層１２２が堆積されている。この金属は、好ましくは、一連のＴｉ／Ａｕ／Ａｇ／Ａｕ層である。
　図３は、本発明による次の処理段階後の図２の太陽電池の断面図であり、金属層１２２の上に接着層１２３が堆積されている。この接着剤は、好ましくは「ＧｅｎＴａｋ  ３３０」（「Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．」から販売）である。
【００１９】
　図４は、本発明による次の処理段階後の図３の太陽電池の断面図であり、好ましくはサファイアである代理基板が取付けられている。好ましい実施形態では、代理基板は、約４０ミルの厚みであり、以後での基板の除去に役立てるために約１ｍｍの直径の孔が４ｍｍの間隔で開けられている。
　図５Ａは、本発明による次の処理段階後の図４の太陽電池の断面図であり、基板１０１、バッファ層１０３、及びエッチング停止層１０４を取り除く一連のラッピング及び／又はエッチング段階によって最初の基板が除去されている。エッチング液は、成長基板に依存する。
【００２０】
　図５Ｂは、代理基板１２４が図の底部になった向きでの図５Ａの太陽電池からの図５Ａの太陽電池の断面図である。
　図６Ａは、本発明による太陽電池が実装されているウェーハの上面図である。
　図６Ｂは、図６Ａに示す４つの太陽電池を有するウェーハの底面図である。各セルには、格子線５０１（より詳細には、図１０に示されている）、相互接続母線５０２、及び接触パッド５０３が存在している。
　図７は、次の処理段階後の図６Ｂのウェーハの底面図であり、リン化物及びヒ化物エッチング液を用いて各セルの周囲の回りにメサ５１０がエッチングされている。」
（３）図５Ｂ
（４）上記（２）の【００２０】の「図５Ｂは、代理基板１２４が図の底部となった向き」であるとの記載事項から、上記（１）【０００９】の太陽電池と、上記（３）の図５Ｂの太陽電池とは上下が反転している。
　すると、上記（３）の図５Ｂより、上方のセルＡと、セルＡの下側に配置されたセルＢと、セルＢの下側に配置された変成バッファ層１１６と、変成バッファ層の下側に配置された下方のセルＣと、を有する太陽電池が看取できる。
（５）上記（１）〜（３）の太陽電池において、同じセル、同じ層に異なる用語が用いられているので、以下のとおり用語を統一して用いることにする。
「第１の太陽電池サブセル」、「サブセルＡ」、「セルＡ」を、「第１の太陽電池サブセルＡ」という。
「第２の太陽電池サブセル」、「サブセルＢ」、「セルＢ」を、「第２の太陽電池サブセルＢ」という。
「漸変中間層」、「変成バッファ層１１６」を、「変成バッファ層１１６」という。
「第３の太陽電池サブセル」、「サブセルＣ」、「セルＣ」を、「第３の太陽電池サブセルＣ」という。
「太陽電池」、「多接合太陽電池」を、「多接合太陽電池」という。
　上記（１）〜（５）より、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
「第１のバンドギャップを有する上方の第１の太陽電池サブセルＡと、
　前記第１の太陽電池サブセルＡの下側に配置され、前記第１のバンドギャップよりも小さい第２のバンドギャップを有する第２の太陽電池サブセルＢと、
　前記第２のバンドギャップよりも大きい第３のバンドギャップを有し、前記第２の太陽電池サブセルＢの下側に配置された変成バッファ層１１６と、
　前記変成バッファ層１１６、及び前記第２の太陽電池サブセルＢに対して格子不整合であり、かつ前記第３のバンドギャップよりも小さい第４のバンドギャップを有し、前記第２の太陽電池サブセルＢの下側に配置された下方の第３の太陽電池サブセルＣと、を有する多接合太陽電池であって、
　前記第２の太陽電池サブセルＢは、エミッタ層１１２及びｐ型基部層１１３がＩｎＧａＰ及びＩｎ０．０１５ＧａＡｓからそれぞれ構成され、
　前記変成バッファ層１１６は、組成が段階的に漸変するＩｎＧａＡｌＡｓの層であり、前記太陽電池サブセルＢから前記太陽電池サブセルＣまでの格子定数の遷移を達成するように単調変化する格子定数を有し、前記第３のバンドギャップは、一定の１．５ｅＶであり、前記第２のバンドギャップよりも僅かに大きく、
　前記第３の太陽電池サブセルＣのｎ＋型エミッタ層１１８は、ＧａＩｎＡｓから成り、ｐ型基部層１１９は、ＧａＩｎＡｓから構成されて約１．０ｅＶの前記第４のバンドギャップを有する、多接合太陽電池。」
２　引用文献２には、以下の事項が記載されている（訳は当審にてなした。また、下線は当審が付与した。）。 
（１）「[0059]  A wide range of variation in design, structure, and the methods of fabrication are possible. In another embodiment, for example, the cell comprises four subcell materials with band gaps preferably selected to divide the solar spectrum to provide matched current density.  FIG. 8  depicts the growth of the subcells including first and second lower subcells  26 a ,  26 b  in reverse order. A tunnel diode  25  may also be formed between the pair of lower subcells  26 a ,  26 b .  FIG. 9  shows the solar cell  10  with the first and second lower subcells  26 a ,  26 b  below the middle and top subcells  22 ,  18  in the solar cell device. For the AM 0  solar spectrum, for example, use of materials with band gaps of approximately 1.80 eV, 1.40 eV, 1.0 eV, and 0.72 eV, respectively, yield a theoretical efficiency at AM 0 , 28℃. of about 41.5%. This band gap sequence can be obtained by growing the upper, middle, second lower and first lower subcells,  18 ,  22 ,  26 b ,  26 a  respectively comprising layers of In 0.5 Ga 0.5 P (〜1.82 eV), In x Ga 1-x As (〜1.40 eV for x 〜0.01), In 0.4 Ga 0.6 As (〜1.0 eV) and In 0.53Ga 0.47 As (〜0.72 eV) on a GaAs or Ge substrate. The upper two subcells  18 ,  22  (in the completed cell) with higher band gaps are preferably closely matched in lattice-spacing to the growth substrate  14 . The lower two subcells  26 a ,  26 b  (e.g., In 0.4 Ga 0.6 As and In 0.53 Ga 0.47 As) with lower band gaps may be respectively mismatched to the substrate  14 , e.g., by about 2.2% and 4.4%. In contrast, if this structure  10 ,  12  is grown in order of increasing band gap, the two lower subcells  26 a ,  26 b  will have poor quality and performance because of mismatched strains, even if efforts are made to reduce these strains. The upper two subcells  18 ,  22  will also have reduced performance because of propagation of the lattice strains. 」
（当審仮訳）
　設計、構造、製造方法において広い範囲の変更が可能である。別の実施例では、例えば、太陽電池は、整合された電流を供給するために、太陽スペクトルを分割するように好ましく選択されたバンドギャップを有する４つのサブセルの材料からなる。図８は、第１、第２の下側サブセル２６ａ、２６ｂを含むサブセルの成長を逆順に示す。トンネルダイオード２５は、一対の下側サブセル２６ａ、２６ｂの間に形成されてもよい。
図９は、太陽電池において、中間及びトップサブセル２２、１８の下側にある第１、第２の下側サブセル２６ａ、２６ｂのある太陽電池１０を示す。ＡＭ０では、太陽スペクトルは、例えば、おおよそ、それぞれ１．８０ｅＶ、１．４０ｅＶ、１．０ｅＶ、０．７２ｅＶのバンドギャップの材料の使用により、理論的にはＡＭ０、２８℃で４１．５％の効率を生み出す。
（２）図９
（３）上記（２）の図９より、トップサブセル１８と、前記トップサブセル１８の下側に配置された中間サブセル２２と、前記中間サブセル２２の下側に配置された第２の下側サブセル２６ｂと、前記第２の下側サブセル２６ａの下側に配置された第１の下側サブセル２６ｂと、を有する太陽電池が看取できる。
　上記（１）〜（３）より、引用文献２には、以下の事項（以下「引用文献２に記載された事項」という。）が記載されていると認められる。
「約１．８０ｅＶのバンドギャップのトップサブセル１８と、前記トップサブセル１８の下側に配置された１．４０ｅＶのバンドギャップの中間サブセル２２と、前記中間サブセル２２の下側に配置された１．０ｅＶのバンドギャップの第２の下側サブセル２６ｂと、前記第２の下側サブセル２６ａの下側に配置された０．７２ｅＶのバンドギャップの第１の下側サブセル２６ｂと、を有する太陽電池。」
第５　対比・判断 
１　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「第１のバンドギャップ」、「第１の太陽電池サブセルＡ」、「第２のバンドギャップ」、「第２の太陽電池サブセルＢ」、「第３のバンドギャップ」、「第４のバンドギャップ」及び「第３の太陽電池サブセルＣ」は、本願発明の「第一バンドギャップ」、「第一太陽補助電池」、「第四バンドギャップ」、「第三太陽補助電池」、「第五バンドギャップ」、「第六バンドギャップ」及び「第四太陽補助電池」に、それぞれ相当する。
（２）引用発明の「第１のバンドギャップを有する上方の第１の太陽電池サブセルＡ」は、本願発明の「第一バンドギャップを有する上方の第一太陽補助電池」に相当する。
（３）引用発明の「エミッタ層１１２及びｐ型基部層１１３がそれぞれＩｎＧａＰ及びＩｎ０．０１５ＧａＡｓから構成され」ることは、本願発明の「ＩｎＧａＰエミッター層とＩｎＧａＡｓベース層で構成されたヘテロ構造であ」ることに相当する。
　すると、引用発明の「前記第１の太陽電池サブセルＡの下側に配置され、前記第１のバンドギャップよりも小さい第２のバンドギャップを有」し、「エミッタ層１１２及びｐ型基部層１１３がＩｎＧａＰ及びＩｎ０．０１５ＧａＡｓからそれぞれ構成され」る「第２の太陽電池サブセルＢ」は、本願発明の「前記第一の勾配中間層に隣接し、前記第二バンドギャップより小さい第四バンドギャップを有し、ＩｎＧａＰエミッター層とＩｎＧａＡｓベース層で構成されたヘテロ構造であり、前記第二補助電池に対して格子非整合状態である第三太陽補助電池」と、「第四バンドギャップを有し、ＩｎＧａＰエミッター層とＩｎＧａＡｓベース層で構成されたヘテロ構造であ」る「第三太陽補助電池」の点で一致する。
（４）引用発明の「前記第２の太陽電池サブセルＢの下側に配置され」たことは、本願発明の「前記第三太陽補助電池に隣接し」たことに相当する。
　また、引用発明の「前記第２のバンドギャップよりも大きい第３のバンドギャップを有」することは、本願発明の「前記第四バンドギャップより大きい第五バンドギャップを有」することに相当する。
　また、引用発明の「前記太陽電池サブセルＢから前記太陽電池サブセルＣまでの格子定数の遷移を達成するように単調変化する格子定数を有」する「変成バッファ層１１６」は、本願発明の「一方の側では前記第三太陽補助電池と格子整合し、他方の側では前記第四太陽補助電池と格子整合するように組成的に勾配付けされている」「第二の勾配中間層」に相当する。
　すると、引用発明の「前記第２のバンドギャップよりも大きい第３のバンドギャップを有し、前記第２の太陽電池サブセルＢの下側に配置され」、「組成が段階的に漸変するＩｎＧａＡｌＡｓの層であり、前記太陽電池サブセルＢから前記太陽電池サブセルＣまでの格子定数の遷移を達成するように単調変化する格子定数を有し、前記第３のバンドギャップは、一定の１．５ｅＶであり、前記第２のバンドギャップよりも僅かに大き」い「変性バッファ層１１６」は、本願発明の「前記第三太陽補助電池に隣接し、前記第四バンドギャップより大きい第五バンドギャップを有」し、「一方の側では前記第三太陽補助電池と格子整合し、他方の側では前記第四太陽補助電池と格子整合するように組成的に勾配付けされている」「第二の勾配中間層」に相当する。
（５）引用発明の「前記第２の太陽電池サブセルＢの下側に配置され」たことは、本願発明の「前記第二の勾配中間層に隣接し」たことに相当する。
　引用発明の「第４のバンドギャップ」は、「第３のバンドギャップ」よりも小さく、「ｐ型基部層１１９は、ＧａＩｎＡｓから構成されて約１．０ｅＶ」である。また、引用発明の「第３のバンドギャップは、一定の１．５ｅＶであり、前記第２のバンドギャップよりも僅かに大き」いものである。すると、引用発明の「第４のバンドギャップ」は「第２のバンドギャップ」よりも小さいことは明らかである。
　さらに、引用発明の「前記第２の太陽電池サブセルＢに対して格子不整合であ」ることは、本願発明の「前記第三補助電池に対して格子非整合状態である」ことに相当する。
　すると、引用発明の「前記変性バッファ層１１６、及び前記第２の太陽電池サブセルＢに対して格子不整合であり、かつ前記第３のバンドギャップよりも小さい第４のバンドギャップを有し、前記第２の太陽電池サブセルＢの下側に配置され」、「ｎ＋型エミッタ層１１８は、ＧａＩｎＡｓから成り、ｐ型基部層１１９は、ＧａＩｎＡｓから構成されて約１．０ｅＶの前記第４のバンドギャップを有する」「第３の太陽電池サブセルＣ」は、本願発明の「前記第二の勾配中間層に隣接し、前記第四バンドギャップより小さい第六バンドギャップを有し、前記第三補助電池に対して格子非整合状態である下方の第四太陽補助電池」に相当する。
　上記（１）〜（５）より、本願発明と引用発明は、 
「第一バンドギャップを有する上方の第一太陽補助電池と、
　第四バンドギャップを有し、ＩｎＧａＰエミッター層とＩｎＧａＡｓベース層で構成されたヘテロ構造である第三太陽補助電池と、
　前記第三太陽補助電池に隣接し、前記第四バンドギャップより大きい第五バンドギャップを有する第二の勾配中間層と、
　前記第二の勾配中間層に隣接し、前記第四バンドギャップより小さい第六バンドギャップを有し、前記第三補助電池に対して格子非整合状態である下方の第四太陽補助電池と、から構成され、
　前記第二の勾配中間層は、一方の側では前記第三太陽補助電池と格子整合し、他方の側では前記第四太陽補助電池と格子整合するように組成的に勾配付けされていることを特徴とする多接合太陽電池。」
の点で一致し、以下の相違点で相違する。 
＜相違点１＞
「第一太陽補助電池」と「第三太陽補助電池」との間に、本願発明では、「前記第一太陽補助電池に隣接し、前記第一バンドギャップより小さい第二バンドギャップを有し、ＩｎＧａＰエミッター層とＧａＡｓベース層で構成されたヘテロ構造である第二太陽補助電池と、前記第二太陽補助電池に隣接し、前記第二バンドギャップより大きい第三バンドギャップを有する第一の勾配中間層と、」を有し、「前記第一の勾配中間層は、一方の側では前記第二太陽補助電池と格子整合し、他方の側では前記第三太陽補助電池と格子整合するように組成的に勾配付けされて」いるのに対して、引用発明では、「第１の太陽電池サブセルＡ」と「第２の太陽電池サブセルＢ」との間には、第二太陽補助電池と第一の勾配中間層とを有しない点。
＜相違点２＞
「第三太陽補助電池」が、本願発明では、「前記第一の勾配中間層に隣接し」、「前記第二バンドギャップより小さい第四バンドギャップを有」するのに対して、引用発明では、「第２の太陽電池サブセルＢ」は「前記第１の太陽電池サブセルＡの下側に配置され」、「前記第１のバンドギャップよりも小さい第２のバンドギャップを有する」点。
２　上記相違点１、２について検討する。
（１）４つの太陽電池サブセルを設けた多接合太陽電池は、引用文献２に記載されている。
　そして、異なる波長域の光を吸収して光電変換効率を上げるという周知の課題を解決するための手段として、太陽電池サブセルの数を増やすことは普通に行われていることであることから、引用発明に引用文献２に記載された事項を適用して、引用発明に新たな太陽電池サブセルを設けることに、何ら格別の困難性はない。
（２）引用発明の「第１の太陽電池セルＡ」、「第３の太陽電池セルＣ」は端部にある。また、引用発明の「第２の太陽電池サブセルＢ」、「変性バッファ層１１６」、「第３の太陽電池サブセルＣ」は、バンドギャップエネルギや格子定数によって規定されたもので一組の部材といえる。
　すると、引用発明において、新たな太陽電池サブセルを配置する際、「第１の太陽電池サブセルＡ」と「第２の太陽電池サブセルＢ」との間に配置することは、当業者が容易になし得ることである。
（３）多接合太陽電池においてはバンドギャップの小さい太陽補助電池を下側にすることが一般的であるから、引用発明において、「第１の太陽電池サブセルＡ」と「第２の太陽電池サブセルＢ」との間に新たな太陽電池サブセルを配置する際、新たな太陽電池サブセルのバンドギャップエネルギを、「第１の太陽電池サブセルＡ」の「第１のバンドギャップエネルギ」よりも小さく、「第２の太陽電池サブセルＢ」の「第２のバンドギャップエネルギ」よりも大きくすることは、当然のことである。
（４）ＩｎＧａＰエミッター層とＧａＡｓベース層で構成されたヘテロ構造を有する太陽電池は周知技術（特開２００８−１０３７２０号公報の【００１１】、図２、特開２００８−１６０１３８号公報の【００２７】、図１参照。）である。
　してみると、引用発明において、「第１の太陽電池サブセルＡ」、「第２の太陽電池サブセルＢ」のバンドギャップエネルギを考慮して、新たな太陽電池サブセルを、周知技術のＩｎＧａＰエミッター層とＧａＡｓベース層で構成されたヘテロ構造とすることは、当業者が容易になし得ることである。
（５）引用発明は「変成バッファ層１１６」を有するものであるから、引用発明において、「第１の太陽電池サブセルＡ」と「第２の太陽電池サブセルＢ」との間に新たな太陽電池サブセルを配置する際、新たな太陽電池サブセルと「第２の太陽電池サブセルＢ」の格子定数が異なるものであれば、両者の間に格子定数の遷移を達成するように単調変化する格子定数を有する新たな変成バッファ層も設けることは、当業者が容易になし得ることである。
（６）よって、引用発明に引用文献２に記載された事項及び周知技術を適用して相違点１、２に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明が奏する作用効果も、当業者が予測できる域を超えるものではない。 
３　まとめ 
　以上から、本願発明は、引用発明、引用文献２に記載された事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。