【事件の表示】
　特願２０１３−５３４５２９「炭化珪素半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　３月２８日国際公開、ＷＯ２０１３／０４２２２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１１年９月２１日を国際出願日とする特許出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２５年　８月２８日　　審査請求
　平成２６年　５月２９日　　拒絶理由通知（起案日）
　平成２６年　７月３０日　　意見書及び手続補正書の提出
　平成２７年　１月３０日　　拒絶査定（起案日）
　平成２７年　４月１０日　　審判請求書及び手続補正書の提出
　平成２７年　７月２４日　　上申書の提出
　平成２８年　４月２７日　　当審よりの拒絶理由通知（起案日）
　平成２８年　７月　６日　　意見書及び手続補正書の提出
　
　
第２　本願発明に対する判断
１　本願発明
　本願の請求項１ないし１２に係る発明は、平成２８年７月６日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載される事項により特定されるとおりであって、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
「炭化珪素半導体層内の上面部分にイオン注入で選択的に形成されたウェル領域と、
　前記ウェル領域内の上面部分にイオン注入で選択的に形成されたソース領域と、
　前記ソース領域上に形成されたソース電極と、
　イオン注入で形成された前記ウェル領域およびイオン注入で形成された前記ソース領域に接するように形成されたゲート酸化膜と、
　前記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極と、
を有するＭＯＳＦＥＴを備え、
　イオン注入で形成された前記ソース領域の前記ゲート酸化膜に接する上面部分および前記ソース電極に接する上面部分における不純物濃度が、１×１０１８ｃｍ−３以下である
ことを特徴とする炭化珪素半導体装置。」
　
２　当審よりの拒絶理由通知の概要
　当審より平成２８年４月２７日付けで通知した拒絶理由通知の概要は、次のとおりである。
「２　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
 ３　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記
  
 　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
 　　　　　　　　　１．特開２００６−６６４３９号公報
 　　　　　　　　　２．特開２０１１−１２９５４７号公報
 　　　　　　　　　３．特開２０１１−１６５９４１号公報
  
 ・理由　　　：２、３ 
 ・請求項　　：１
 ・引用文献等：１
 ・備考
　……（中略）……
　文献１には、
 「【００１１】
　図７に示すようなＭＯＳＦＥＴでは、ゲート絶縁膜３９のうちソース領域３７とゲート電極３８との間に位置する部分で絶縁破壊が生じやすく、ＭＯＳＦＥＴの信頼性を低下させる要因となっている。
 【００１２】
　前述したように、ドーズ量が１０１５ｃｍ−２以上の不純物がドープされた高濃度ソース領域３７の表面には凹凸が存在するため、表面の結晶面方位が一定でない。熱酸化速度は面方位依存性を有するので、ソース領域３７の表面を熱酸化することによってゲート絶縁膜３９を形成すると、ゲート絶縁膜（熱酸化膜）３９の厚さが結晶面分布に起因してばらついてしまい、ゲート絶縁膜３９のうち薄い部分では絶縁耐圧が低くなる。また、高濃度で不純物がドープされたソース領域３７には、不純物による欠陥（ディスロケーション）が多く存在しているため、ソース領域３７の上に絶縁特性に優れた熱酸化膜を形成することが困難である。このような問題は、ＳｉＣの物性上の問題であり、これを克服してゲート絶縁膜の信頼性を向上させることは難しい。」
ことを、解決しようとする課題とすることが記載されている。 
　そして、前記課題の解決手段として、文献１には、以下の記載がある。
「【００８４】 
　本発明の半導体装置の製造方法は上記方法に限定されない。
【００８５】
　補助ソース領域となる第２導電型イオン注入領域２６を形成する際に、多段階の注入を行い、第２導電型イオン注入領域２６における不純物イオン２５の濃度プロファイルを制御してもよい。例えば、第２導電型イオン注入領域２６における表面からの深さが１０ｎｍ以下の部分の不純物イオン２５の濃度を１×１０１７ｃｍ−３未満に抑え、第２導電型イオン注入領域２６における深さが１０ｎｍより大きく２０ｎｍ以下の部分の不純物イオン２５の濃度を１×１０１８ｃｍ−３以上に設定すると、その後の活性化アニールにより、表面の不純物濃度を低く抑えた補助ソース領域８が得られる。このようなプロファイルを有する補助ソース領域８を形成すると、補助ソース領域８のシート抵抗が低いのでオン抵抗を増大させることなく、補助ソース領域８の上に形成されるゲート絶縁膜９の信頼性を確保できる。」
　文献１には、「ウェル領域」の形成に関して、段落【００５７】に「複数のウェル領域５は、炭化珪素エピタキシャル層２の表面近傍の選択された領域に設けられており、そのｐ型不純物ドーピング濃度は、例えば１×１０１７ｃｍ−３程度に設定される。」と記載されている。したがって、前記「ウェル領域」は、イオン注入で形成されると認められる。
　そうすると、本願の請求項１に係る発明は、文献１に記載された発明である。
　なお、仮にそうでないとしても、前記「複数のウェル領域５」は「炭化珪素エピタキシャル層２の表面近傍の選択された領域に設けられて」いるという記載、「ｐ型不純物ドーピング濃度は、例えば１×１０１７ｃｍ−３程度に設定される」という記載から、前記「複数のウェル領域５」をイオン注入で形成することは、当業者であれば当然になし得たものと認められる。
　……（以下、省略）」
　
３　引用例の記載事項と引用発明
（１）引用例の記載事項
　本願の国際出願日前に日本国内において頒布され、平成２８年４月２７日付けの拒絶理由通知において「文献１」として引用された刊行物である特開２００６−６６４３９号公報（以下「引用例」という。）には、「半導体装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して、図１（ａ）〜図７（ｂ）とともに、以下の事項が記載されている（下線は、参考のため当審において付したもの。）。
　ア　「【０００１】
  本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　ワイドバンドギャップ半導体は、耐圧が高く、大電流を流すことができる半導体装置（パワーデバイス）の半導体材料として注目されている。ワイドバンドギャップ半導体のなかでも炭化珪素（シリコンカーバイド：ＳｉＣ）は、特に高い絶縁破壊電界を有するため、次世代の低損失パワーデバイス等への適用が期待されている。ＳｉＣ上には熱酸化により良質の二酸化珪素（ＳｉＯ２）膜を形成できるので、そのようなＳｉＯ２膜をゲート絶縁膜として用いた絶縁ゲート型のＳｉＣパワーデバイスの開発が進められている。
【０００３】
　ＳｉＣ上に熱酸化によって形成されたＳｉＯ２膜をゲート絶縁膜として用いる場合、ＳｉＣの絶縁破壊電界は極めて大きい（２〜３ＭＶ／ｃｍ）が、その絶縁破壊電界強度から期待されるような高耐圧のデバイスを実現するためには、ＳｉＯ２膜の絶縁特性（絶縁耐圧）を向上させる必要がある。
　……（中略）……
【０００５】
　しかしながら、ＳｉＣ上に熱酸化によって形成されたＳｉＯ２膜の絶縁耐圧は、ＳｉＣの表面状態や結晶状態に極めて大きく依存するため、ＳｉＣの表面状態や結晶状態によっては、上述したような高い絶縁破壊電界を有するＳｉＯ２膜を形成できないという問題がある。一般的な絶縁ゲート型のＭＯＳＦＥＴでは、ゲート絶縁膜の一部は、不純物が高濃度にドープされたＳｉＣ領域（ソース領域）上に形成される。ソース領域の表面は比較的大きい凹凸を有しており、またソース領域内には多くの結晶欠陥が存在することから、その表面に高耐圧なＳｉＯ２膜を形成することは極めて難しい。
　……（中略）……
【００１１】
　図７に示すようなＭＯＳＦＥＴでは、ゲート絶縁膜３９のうちソース領域３７とゲート電極３８との間に位置する部分で絶縁破壊が生じやすく、ＭＯＳＦＥＴの信頼性を低下させる要因となっている。
【００１２】
　前述したように、ドーズ量が１０１５ｃｍ−２以上の不純物がドープされた高濃度ソース領域３７の表面には凹凸が存在するため、表面の結晶面方位が一定でない。熱酸化速度は面方位依存性を有するので、ソース領域３７の表面を熱酸化することによってゲート絶縁膜３９を形成すると、ゲート絶縁膜（熱酸化膜）３９の厚さが結晶面分布に起因してばらついてしまい、ゲート絶縁膜３９のうち薄い部分では絶縁耐圧が低くなる。また、高濃度で不純物がドープされたソース領域３７には、不純物による欠陥（ディスロケーション）が多く存在しているため、ソース領域３７の上に絶縁特性に優れた熱酸化膜を形成することが困難である。このような問題は、ＳｉＣの物性上の問題であり、これを克服してゲート絶縁膜の信頼性を向上させることは難しい。」
　イ　「【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
　上述したように、従来の半導体装置では、高濃度で不純物を含むソース領域における表面状態や結晶状態に起因して、優れた絶縁特性を有するゲート絶縁膜を形成することが困難である。
【００２１】
　本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ゲート絶縁膜における絶縁耐圧を改善して、信頼性の高い半導体装置を提供することにある。」
　ウ　「【００５３】
　（実施形態１）
　以下、図面を参照しながら、本発明による実施形態１の半導体装置を説明する。本実施形態は炭化珪素を用いた縦型ＭＯＳＦＥＴである。
【００５４】
　本実施形態のＭＯＳＦＥＴは複数のユニットセルを備えており、図２（ａ）は、そのうちの４個のユニットセルの構成を示す平面図である。また、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示すＭＯＳＦＥＴにおける半導体層（炭化珪素エピタキシャル層）の上面図である。図２（ｃ）は、図２（ａ）および（ｂ）におけるＩ−Ｉ’断面図である。
【００５５】
　本実施形態のＭＯＳＦＥＴは、低抵抗の炭化珪素基板１の主面上に形成された炭化珪素エピタキシャル層（厚さ：例えば１０μｍ）２と、炭化珪素エピタキシャル層２の上に設けられたソース電極１１およびゲート電極１３と、
炭化珪素基板１の裏面に設けられたドレイン電極１５
【００５６】
　炭化珪素基板１は、例えば４Ｈ−ＳｉＣからなり、（０００１）面から＜１１−２０＞方向に向かって８°（オフ角）傾けた主面を有するオフアングル基板である。また、炭化珪素基板１の導電型はｎ型であり、ｎ型不純物のドーピング濃度は１×１０１８ｃｍ−３〜５×１０１９ｃｍ−３程度である。
【００５７】
　炭化珪素エピタキシャル層２は、
複数のｐ型ウェル領域
ドリフト領域３は、ｎ型のＳｉＣをエピタキシャル成長させることによって形成されている
複数のウェル領域５は、炭化珪素エピタキシャル層２の表面近傍の選択された領域に設けられており
【００５８】
　
ウェル領域５の内部には、ｎ型不純物として窒素を含むｎ型のソース領域（厚さ７ｄ：例えば２００ｎｍ）７と、ウェル領域５とソース電極１１とを接続するためのｐ
＋＋
型コンタクト領域１０が形成されている
ソース領域７の窒素濃度は例えば１×１０
１８
ｃｍ
−３
以上である
ソース領域７の周囲には、ｎ型不純物として燐を含むｎ型の補助ソース領域（厚さ８ｄ：例えば１５０ｎｍ）８が形成されている。補助ソース領域８の燐濃度は例えば１×１０
１７
ｃｍ
−３
である
【００５９】
　
ソース電極１１は、ソース領域７の少なくとも一部およびｐ
＋＋
型コンタクト領域１０の少なくとも一部と接するように設けられ、ソース電極１１とこれらの領域７、１０との間にはオーミック接触が形成されている
【００６０】
　ゲート絶縁膜９は、炭化珪素エピタキシャル層２の上に形成されている。本実施形態におけるゲート絶縁膜９は、炭化珪素エピタキシャル層２を熱酸化することによって形成された熱酸化膜（ＳｉＯ２膜）である。ゲート絶縁膜９の厚さは、ＭＯＳＦＥＴデバイスを駆動するときのゲート電圧などによっても変わるが、例えば数８０ｎｍである。
ゲート絶縁膜９は、炭化珪素エピタキシャル層２の表面のうちソース電極１１が形成されている領域以外の領域に亘って形成される。ただし、ゲート絶縁膜９はソース電極１１と接していないことが好ましい
【００６１】
　
ゲート電極１３は、ゲート絶縁膜９の上に、補助ソース領域８の一部、および補助ソース領域８とドリフト領域３との間のウェル領域５をオーバーラップするように設けられている
【００６２】
　本実施形態のＭＯＳＦＥＴは、以下のように動作する。
【００６３】
　
ゲート電極１３にゲート電圧が印加されると、補助ソース領域８とドリフト領域３との間のウェル領域５の表面に反転層（反転型チャネル層）が形成される。反転層が形成されると、ドレイン電極１５から、ドリフト領域３、反転層および補助ソース領域８を経てソース領域７へ電流（ドレイン電流）が流れる
　エ　「【００６４】
　以下、図３〜図５を参照しながら、本実施形態のＭＯＳＦＥＴの製造方法を説明する。図３〜図５は、本実施形態のＭＯＳＦＥＴの製造方法を説明するための断面模式図である。これらの図における各構成要素のサイズは、実際のサイズと対応していない。例えば図３では、注入マスク２１はイオン注入領域２３よりも薄く示されているが、実際にはイオン注入領域２３よりも厚く形成される。
【００６５】
　まず、図３（ａ）に示すように、
炭化珪素基板１の主面上にＣＶＤ法で形成された炭化珪素エピタキシャル層２の表面に、第１の注入マスク２１を形成する
【００６６】
　次いで、図３（ｂ）に示すように、
第１の注入マスク２１の上方から炭化珪素エピタキシャル層２に、ｐ型の不純物イオン（例えばＡｌイオン）２２を注入する
炭化珪素エピタキシャル層２に、ｐ型の不純物イオンが注入された第１導電型イオン注入領域２３が形成される
炭化珪素エピタキシャル層２のうち不純物イオンが注入されずに残った領域は、ｎ型のドリフト領域３となる
　……（中略）……
【００６９】
　この後、図３（ｄ）に示すように、第２の注入マスク２４の上方から
炭化珪素エピタキシャル２に第２導電型（ここではｎ型）の不純物イオン２５を注入する
ドーズ量は、後述するソース領域を形成する際のイオン注入におけるドーズ量よりも少なくなるように選択され、例えば１０
１３
ｃｍ
−２
以上１０
１５
ｃｍ
−２
以下である。これにより、第１導電型イオン注入領域２３の一部が第２導電型イオン注入領域２６となる
　……（中略）……
【００７１】
　次いで、図４（ａ）に示すように、炭化珪素エピタキシャル層２のうち
第３の注入マスク２７によって露出された領域に不純物イオン２８を注入し、ソース領域となる高濃度イオン注入領域７’を形成する
【００７２】
　この後、図４（ｂ）に示すように、炭化珪素エピタキシャル層２の上に、ｐ＋＋型コンタクト領域を規定する開口部を有する第４の注入マスク３０を形成し、第４の注入マスク３０の上方から
第１導電型（ここではｐ型）の不純物（例えばＡｌ）をイオン注入する。ドーズ量は、例えば１０
１５
ｃｍ
−２
とする。これにより、ｐ
＋＋
型コンタクト領域となる高濃度イオン注入領域１０’を形成する
　……（中略）……
【００７５】
　活性化アニールは、キャップ層２９を形成した後、加熱炉のチャンバー内に設置したまま行うことができる。例えば、チャンバーにアルゴンガスを０．５リットル／分の流量で供給しながら、１７５０℃の温度で約３０分間の炭化珪素エピタキシャル層２を加熱する。このとき、チャンバー内の圧力を９１ｋＰａで一定とする。これにより、
高濃度イオン注入領域７’、１０’からそれぞれソース領域７およびｐ++型コンタクト領域１０が形成される。また、第２導電型イオン注入領域２６のうち不純物イオン２８が注入されずに残った領域から補助ソース領域８が形成され
第１導電型イオン注入領域２３のうちソース領域７および補助ソース領域８が形成されなかった領域はウェル領域５となる
　……（中略）……
【００７８】
　続いて、図５（ａ）に示すように、
炭化珪素エピタキシャル層２のうち所定の領域上にゲート絶縁膜９を形成する
ゲート絶縁膜９に対して、その一部をエッチングすることによって、ソース電極を形成する開口部を形成する
【００７９】
　この後、図５（ｂ）に示すように、
ゲート電極１３、ソース電極１１およびドレイン電極１５を形成する
炭化珪素基板１の裏面にオーミック接合されたドレイン電極１５
このようにして、炭化珪素ＭＯＳＦＥＴが得られる
【００８０】
　上記方法によって形成された耐圧が６００Ｖの炭化珪素ＭＯＳＦＥＴは、ソース領域７および補助ソース領域８の抵抗が小さく抑えられているので、例えば５ｍΩｃｍ２以下の低いオン抵抗を有しており、かつ、ゲート絶縁膜９の特性低下が抑制されているので、１０年間の連続使用に耐え得る信頼性を有する。」
　オ　「【００８４】
　本発明の半導体装置の製造方法は上記方法に限定されない。
【００８５】
　補助ソース領域となる第２導電型イオン注入領域２６を形成する際に、多段階の注入を行い、
第２導電型イオン注入領域２６における不純物イオン２５の濃度プロファイルを制御してもよい
第２導電型イオン注入領域２６における表面からの深さが１０ｎｍ以下の部分の不純物イオン２５の濃度を１×１０
１７
ｃｍ
−３
未満に抑え、第２導電型イオン注入領域２６における深さが１０ｎｍより大きく２０ｎｍ以下の部分の不純物イオン２５の濃度を１×１０
１８
ｃｍ
−３
以上に設定する
表面の不純物濃度を低く抑えた補助ソース領域８が得られる
【００８６】
　また、上記方法では熱酸化によってゲート絶縁膜９を形成したが、熱酸化の代わりに公知の薄膜堆積法によって例えばＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜９を形成してもよい。この場合でも、炭化珪素エピタキシャル層２の表面凹凸や段差が低減されているので、厚さのばらつきが低減された、絶縁特性の高いＳｉＯ２膜を形成できる。」
　カ　図２（ｃ）には、ソース領域７及び補助ソース領域８はウェル領域５内部の表面部分に形成されていること、ソース電極１１はソース領域７の一部の上に形成されること、及び、炭化珪素エピタキシャル層２の表面のうちソース電極１１が形成されている領域以外の領域に亘って形成されるゲート絶縁膜９は、ソース領域７の一部の上に形成されて、ソース領域７の一部及びｐ＋＋型コンタクト領域１０の上に形成されるソース電極１１とは接していないことが記載されている。
（２）引用発明
　以上の記載事項から、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
「炭化珪素基板１の主面上に形成されたｎ型の炭化珪素エピタキシャル層２の表面近傍の選択された領域に、ｐ型の不純物イオンを注入することに基づいて設けられた複数のｐ型のウェル領域５と、
　前記炭化珪素エピタキシャル層２のうち前記ｐ型の不純物イオンが注入されずに残った領域であるｎ型のドリフト領域３と、
　前記ウェル領域５内部の表面部分に形成され、イオン注入されたｎ型不純物の濃度は１×１０１８ｃｍ−３以上であるｎ型のソース領域７と、
　前記ウェル領域５内部の表面部分であって前記ソース領域７の周囲に形成され、イオン注入されたｎ型不純物の濃度を、表面からの深さが１０ｎｍ以下の部分は１×１０１７ｃｍ−３未満に抑え、表面からの深さが１０ｎｍより大きく２０ｎｍ以下の部分は１×１０１８ｃｍ−３以上に設定したｎ型の補助ソース領域８と、
　前記ウェル領域５の内部に形成され、前記ウェル領域５とソース電極１１とを接続するためのｐ＋＋型コンタクト領域１０と、
　前記ソース領域７の一部及び前記ｐ＋＋型コンタクト領域１０の少なくとも一部と接するように設けられ、前記ソース領域７、前記ｐ＋＋型コンタクト領域１０との間にオーミック接触が形成される前記ソース電極１１と、
　前記炭化珪素エピタキシャル層２の表面のうち前記ソース電極１１が形成されている領域以外の領域に亘って形成され、前記ソース領域７の一部の上に形成されて前記ソース電極１１と接していないゲート絶縁膜９と、
　前記ゲート絶縁膜９の上に、前記補助ソース領域８の一部、及び、前記補助ソース領域８と前記ドリフト領域３との間の前記ウェル領域５をオーバーラップするように設けられたゲート電極１３と、
　前記炭化珪素基板１の裏面にオーミック接合されたドレイン電極１５と、
を有する炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ。」
４　対比
（１）本願発明と引用発明との対比
　本願発明と、引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「ｎ型の炭化珪素エピタキシャル層２」は、本願発明の「炭化珪素半導体層」に相当する。
　したがって、引用発明の「ｎ型の炭化珪素エピタキシャル層２の表面近傍の選択された領域に、ｐ型の不純物イオンを注入することに基づいて設けられた複数のｐ型のウェル領域５」は、本願発明の「炭化珪素半導体層内の上面部分にイオン注入で選択的に形成されたウェル領域」に相当する。
　イ　引用例には、第２の３（１）ウで摘記したように、段落【００６３】に「ゲート電極１３にゲート電圧が印加されると、補助ソース領域８とドリフト領域３との間のウェル領域５の表面に反転層（反転型チャネル層）が形成される。反転層が形成されると、ドレイン電極１５から、ドリフト領域３、反転層および補助ソース領域８を経てソース領域７へ電流（ドレイン電流）が流れる。」と記載されている。
　したがって、引用発明の「炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ」は、反転層（反転型チャネル層）に接する「補助ソース領域８」と、「一部」が「ソース電極１１」と接する「前記ソース領域７」とで、前記反転層（反転型チャネル層）から前記「ソース電極１１」にかけて形成されるソース領域を構成していると認められる。
　そうすると、引用発明における、「前記ウェル領域５内部の表面部分に形成され、イオン注入されたｎ型不純物の濃度は１×１０１８ｃｍ−３以上であるｎ型のソース領域７」と「前記ウェル領域５内部の表面部分であって前記ソース領域７の周囲に形成され、イオン注入されたｎ型不純物の濃度を、表面からの深さが１０ｎｍ以下の部分は１×１０１７ｃｍ−３未満に抑え、表面からの深さが１０ｎｍより大きく２０ｎｍ以下の部分は１×１０１８ｃｍ−３以上に設定したｎ型の補助ソース領域８」とからなる引用発明の「炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ」のソース領域は、本願発明の「前記ウェル領域内の上面部分にイオン注入で選択的に形成されたソース領域」に相当する。
　ウ　引用発明の「前記ソース電極１１」は「前記ソース領域７の一部」と「接する」ことで「前記ソース領域７との間にオーミック接触が形成される」から、引用発明の「炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ」の前記ソース領域上に形成されていると認められる。
　したがって、引用発明の「前記ソース領域７の一部及び前記ｐ＋＋型コンタクト領域１０の少なくとも一部と接するように設けられ、前記ソース領域７、前記ｐ＋＋型コンタクト領域１０との間にオーミック接触が形成される前記ソース電極１１」は、本願発明の「前記ソース領域上に形成されたソース電極」に相当する。
　エ　引用発明の「ゲート絶縁膜９」は「前記炭化珪素エピタキシャル層２の表面のうち前記ソース電極１１が形成されている領域以外の領域に亘って形成され」ている。
　ここで、引用発明の「ゲート電極１３」は、「前記ゲート絶縁膜９の上に、前記補助ソース領域８の一部、及び、前記補助ソース領域８と前記ドリフト領域３との間の前記ウェル領域５をオーバーラップするように設けられ」ているから、前記「ゲート絶縁膜９」が形成される「前記ソース電極１１が形成されている領域以外の領域」には、「前記補助ソース領域８」上の領域、及び、「前記補助ソース領域８と前記ドリフト領域３との間の前記ウェル領域５」上の領域が含まれると認められる。
　したがって、引用発明の「ゲート絶縁膜９」は、「前記補助ソース領域８と前記ドリフト領域３との間の前記ウェル領域５」に接するとともに、「前記ソース領域７の一部の上」にも形成されていることから、「前記ソース領域７」と「前記補助ソース領域８」とからなる引用発明の「炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ」の前記ソース領域に接していると認められる。
　また、引用例には、第２の３（１）ウで摘記したように、段落【００６０】に「ゲート絶縁膜９は、炭化珪素エピタキシャル層２の上に形成されている。本実施形態におけるゲート絶縁膜９は、炭化珪素エピタキシャル層２を熱酸化することによって形成された熱酸化膜（ＳｉＯ２膜）である。」と記載されている。
　以上から、引用発明の「前記炭化珪素エピタキシャル層２の表面のうち前記ソース電極１１が形成されている領域以外の領域に亘って形成され、前記ソース領域７の一部の上に形成されて前記ソース電極１１と接していないゲート絶縁膜９」は、本願発明の「イオン注入で形成された前記ウェル領域およびイオン注入で形成された前記ソース領域に接するように形成されたゲート酸化膜」に相当する。
　オ　引用発明の「前記ゲート絶縁膜９の上に、前記補助ソース領域８の一部、及び、前記補助ソース領域８と前記ドリフト領域３との間の前記ウェル領域５をオーバーラップするように設けられたゲート電極１３」は、本願発明の「前記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極」に相当する。
　カ　引用発明の「ゲート絶縁膜９」は、「前記ソース領域７の一部の上に形成されて」いるとともに、上記エで述べたとおり、「前記補助ソース領域８」の上にも形成されている。また、引用発明の「ソース電極１１」は「前記ソース領域７の一部」の上にも形成されている。
　そして、「前記ソース領域７」の「ｎ型不純物の濃度は１×１０１８ｃｍ−３以上である」とともに、「前記補助ソース領域８」の「表面からの深さが１０ｎｍ以下の部分」における「ｎ型不純物の濃度」は「１×１０１７ｃｍ−３未満」である。
　そうすると、引用発明の「炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ」の前記ソース領域において、前記「ソース電極１１」に接する部分の「ｎ型不純物の濃度」が「１×１０１８ｃｍ−３以上である」ことと、本願発明の「イオン注入で形成された前記ソース領域」の「前記ソース電極に接する上面部分における不純物濃度が、１×１０１８ｃｍ−３以下である」こととは、「イオン注入で形成された前記ソース領域」の「前記ソース電極に接する上面部分における不純物濃度」が「１×１０１８ｃｍ−３」である点で一致する。
　したがって、引用発明の「炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ」の前記ソース領域において、前記「ゲート絶縁膜９」に接する部分の「ｎ型不純物の濃度」が「１×１０１８ｃｍ−３以上である」とともに「１×１０１７ｃｍ−３未満」であることは、本願発明の「イオン注入で形成された前記ソース領域の前記ゲート酸化膜に接する上面部分」における「不純物濃度が、１×１０１８ｃｍ−３以下である」ことに相当する。
　キ　なお、引用例には、第２の３（１）エで摘記したように、段落【００７１】に「第３の注入マスク２７によって露出された領域に不純物イオン２８を注入し、ソース領域となる高濃度イオン注入領域７’を形成する。……ソース電極と良好なコンタクトを形成できるように十分な厚さ（例えば２００ｎｍ以上）を有するように、加速電圧などの注入条件を設定する。」と記載されている。
　そうすると、引用発明において、「ｎ型のソース領域７」の「イオン注入されたｎ型不純物の濃度は１×１０１８ｃｍ−３以上である」とは、十分な厚さを有する「ｎ型のソース領域７」における「イオン注入されたｎ型不純物」のピーク濃度ないし平均濃度が「１×１０１８ｃｍ−３以上である」ことを意味するとも考えられる。
　しかしながら、「ｎ型不純物」を「イオン注入」して十分な厚さを有する「ｎ型のソース領域７」を形成する際は、「ｎ型不純物」の濃度のピークは前記「ｎ型のソース領域７」内部に生じると認められる。そうすると、「ｎ型不純物」のピーク濃度ないし平均濃度が、「１×１０１８ｃｍ−３」であるか、または、「１×１０１８ｃｍ−３以上である」が「１×１０１８ｃｍ−３」近傍の値をとる場合には、「前記ソース領域７」の「ゲート絶縁膜９」と接する「一部」分及び「ソース電極」と接する「一部」分における「ｎ型不純物の濃度」は当然に「１×１０１８ｃｍ−３」以下であると認められる。
　したがって、引用発明における「ｎ型のソース領域７」の「イオン注入されたｎ型不純物の濃度は１×１０１８ｃｍ−３以上である」ことには、「前記ソース領域７」の「ゲート絶縁膜９」と接する「一部」分及び「ソース電極」と接する「一部」分における「ｎ型不純物の濃度」が「１×１０１８ｃｍ−３」以下であるという態様が包含されると認められる。
　以上から、引用発明において、「ｎ型のソース領域７」の「イオン注入されたｎ型不純物の濃度は１×１０１８ｃｍ−３以上である」ことが、十分な厚さを有する「ｎ型のソース領域７」における「イオン注入されたｎ型不純物」のピーク濃度ないし平均濃度が「１×１０１８ｃｍ−３以上である」ことを意味するとした場合でも、引用発明の「前記ソース領域７」の「ゲート絶縁膜９」と接する「一部」分の「ｎ型不純物の濃度は１×１０１８ｃｍ−３以上」であるとともに「補助ソース領域８」の前記「ゲート絶縁膜９」と接する「表面からの深さが１０ｎｍ以下の部分」の「ｎ型不純物の濃度」を「１×１０１７ｃｍ−３未満に抑え」ること、及び、「前記ソース領域７」の「ソース電極」と接する「一部」分の「ｎ型不純物の濃度は１×１０１８ｃｍ−３以上である」ことは、本願発明の「イオン注入で形成された前記ソース領域の前記ゲート酸化膜に接する上面部分および前記ソース電極に接する上面部分における不純物濃度が、１×１０１８ｃｍ−３以下である」ことに相当するといえる。
　ク　そして、引用発明の「炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ」は、本願発明の「ＭＯＳＦＥＴ」に相当するとともに、本願発明の「炭化珪素半導体装置」にも相当する。
　ケ　そうすると、本願発明と引用発明とは、少なくとも、
《一致点》
「炭化珪素半導体層内の上面部分にイオン注入で選択的に形成されたウェル領域と、
　前記ウェル領域内の上面部分にイオン注入で選択的に形成されたソース領域と、
　前記ソース領域上に形成されたソース電極と、
　イオン注入で形成された前記ウェル領域およびイオン注入で形成された前記ソース領域に接するように形成されたゲート酸化膜と、
　前記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極と、
を有するＭＯＳＦＥＴを備え、
　イオン注入で形成された前記ソース領域の前記ゲート酸化膜に接する上面部分における不純物濃度が１×１０１８ｃｍ−３以下であり、前記ソース電極に接する上面部分における不純物濃度が１×１０１８ｃｍ−３である
ことを特徴とする炭化珪素半導体装置。」
である点で一致し、相違するところがない。
（２）引用発明の「ソース領域７」に注目した場合の検討
　上記（１）では、引用発明の「炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ」のソース領域は、「補助ソース領域８」と「ソース領域７」とで構成されるとして検討した。
　次に、引用発明の「炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ」のソース領域を構成する「補助ソース領域８」と「ソース領域７」のうち、前記「ソース領域７」のみに注目して、本願発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「ｎ型の炭化珪素エピタキシャル層２」及び「ｎ型の炭化珪素エピタキシャル層２の表面近傍の選択された領域に、ｐ型の不純物イオンを注入することに基づいて設けられた複数のｐ型のウェル領域５」は、それぞれ、本願発明の「炭化珪素半導体層」及び「炭化珪素半導体層内の上面部分にイオン注入で選択的に形成されたウェル領域」に相当する。
　イ　引用発明の「前記ウェル領域５内部の表面部分に形成され、イオン注入されたｎ型不純物の濃度は１×１０１８ｃｍ−３以上であるｎ型のソース領域７」は、本願発明の「前記ウェル領域内の上面部分にイオン注入で選択的に形成されたソース領域」に相当する。
　ウ　引用発明の「前記ソース領域７の一部」と「接するように設けられ」た「前記ソース電極１１」は、本願発明の「前記ソース領域上に形成されたソース電極」に相当する。
　エ　第２の４（１）エで検討したように、引用発明の「前記ソース電極１１が形成されている領域以外の領域」には「前記補助ソース領域８と前記ドリフト領域３との間の前記ウェル領域５」の上の領域が含まれると認められ、引用例には「ゲート絶縁膜９」が熱酸化膜であることが記載されている。
　したがって、引用発明の「前記炭化珪素エピタキシャル層２の表面のうち前記ソース電極１１が形成されている領域以外の領域に亘って形成され、前記ソース領域７の一部の上に形成され」た「ゲート絶縁膜９」は、本願発明の「イオン注入で形成された前記ウェル領域およびイオン注入で形成された前記ソース領域に接するように形成されたゲート酸化膜」に相当する。
　オ　引用発明の「前記ゲート絶縁膜９の上」に「設けられたゲート電極１３」は、本願発明の「前記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極」に相当する。
　カ　引用発明の「前記ソース領域７」の、「ゲート絶縁膜９」と接する「一部」分、及び、「ソース電極」と接する「一部」分の「ｎ型不純物の濃度は１×１０１８ｃｍ−３以上である」ことと、本願発明の「イオン注入で形成された前記ソース領域の前記ゲート酸化膜に接する上面部分および前記ソース電極に接する上面部分における不純物濃度が、１×１０１８ｃｍ−３以下である」こととは、「イオン注入で形成された前記ソース領域の前記ゲート酸化膜に接する上面部分および前記ソース電極に接する上面部分における不純物濃度が、１×１０１８ｃｍ−３」である点で一致する。
　キ　第２の４（１）キで検討したように、引用発明の「ｎ型のソース領域７」の「イオン注入されたｎ型不純物の濃度は１×１０１８ｃｍ−３以上である」ことが、前記「ｎ型のソース領域７」における「イオン注入されたｎ型不純物」のピーク濃度ないし平均濃度が「１×１０１８ｃｍ−３以上である」ことを意味する場合、引用発明の前記「ｎ型のソース領域７」の「イオン注入されたｎ型不純物の濃度は１×１０１８ｃｍ−３以上である」ことには、「前記ソース領域７」の「ゲート絶縁膜９」と接する「一部」分及び「ソース電極」と接する「一部」分の「ｎ型不純物の濃度」が「１×１０１８ｃｍ−３以下である」という態様が包含されると認められる。
　そうすると、引用発明の「ｎ型のソース領域７」の「イオン注入されたｎ型不純物の濃度は１×１０１８ｃｍ−３以上である」ことは、前記「ｎ型のソース領域７」における「イオン注入されたｎ型不純物」のピーク濃度ないし平均濃度が「１×１０１８ｃｍ−３以上である」とした場合でも、引用発明の「前記ソース領域７」の、「ゲート絶縁膜９」と接する「一部」分、及び、「ソース電極」と接する「一部」分の「ｎ型不純物の濃度は１×１０１８ｃｍ−３以上である」ことは、本願発明の「イオン注入で形成された前記ソース領域の前記ゲート酸化膜に接する上面部分および前記ソース電極に接する上面部分における不純物濃度が、１×１０１８ｃｍ−３以下である」ことに相当するといえる。
　ク　そして、引用発明の「炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ」は、本願発明の「ＭＯＳＦＥＴ」に相当するとともに、本願発明の「炭化珪素半導体装置」にも相当する。
　ケ　そうすると、本願発明と引用発明とは、少なくとも、
《一致点》
「炭化珪素半導体層内の上面部分にイオン注入で選択的に形成されたウェル領域と、
　前記ウェル領域内の上面部分にイオン注入で選択的に形成されたソース領域と、
　前記ソース領域上に形成されたソース電極と、
　イオン注入で形成された前記ウェル領域およびイオン注入で形成された前記ソース領域に接するように形成されたゲート酸化膜と、
　前記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極と、
を有するＭＯＳＦＥＴを備え、
　イオン注入で形成された前記ソース領域の前記ゲート酸化膜に接する上面部分および前記ソース電極に接する上面部分における不純物濃度が、１×１０１８ｃｍ−３である
ことを特徴とする炭化珪素半導体装置。」
である点で一致し、相違するところがない。
５　判断
　ア　審判請求人は平成２８年７月６日に提出した意見書において、「補正後の請求項１，７に記載のように、本願発明は、「イオン注入で形成された前記ソース領域の前記ゲート酸化膜に接する上面部分および前記ソース電極に接する上面部分における不純物濃度が、１×１０１８ｃｍ−３以下である」という特徴を有しています。上記しましたように、引用文献１では、ソース領域のソース電極に接する上面部分における不純物濃度が、１×１０１８ｃｍ−３以下ではないため、本願発明の構成とは全く異なります。」と主張している。
　イ　しかしながら、引用例に記載の「炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ」においては、「補助ソース領域８」と「ソース領域７」とでソース領域が構成されることは、前記意見書の「（２）本願発明と引用発明との対比」において、「ただし、引用文献１のＭＯＳＦＥＴでは、ソース領域が、ソース電極１１に接する「ソース領域７」と、ソース電極１１に接しない「補助ソース領域８」という２つの領域で構成されており」と主張されるとおりである。
　そして、引用発明の「炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ」のソース領域が「補助ソース領域８」と「ソース領域７」とで構成されるとした場合、本願発明と引用発明とは相違するところがないことは、第２の４（１）で検討したとおりである。
　また、上記主張を考慮して、引用発明の「炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ」のソース領域を構成する「補助ソース領域８」と「ソース領域７」のうち、前記「ソース領域７」のみに注目した場合についても、本願発明と引用発明とは相違するところがないことは、第２の４（２）で検討したとおりである。
　したがって、上記イの主張は当を得ておらず、採用することができない。
　ウ　以上のとおりでありから、引用発明の「炭化珪素ＭＯＳＦＥＴ」のソース領域は「補助ソース領域８」と「ソース領域７」とで構成されるとした場合についても、このうち前記「ソース領域７」のみに注目した場合についても、本願発明と引用発明とは相違するところがない。
　したがって、本願発明は引用例に記載された発明である。
第３．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。