(57)【要約】【課題】水平搬送方式の基板表面処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板表面処理装置を得ること。【解決手段】基板表面処理装置１は、基板１０６の表面処理を行う薬液を収容する薬液槽１０１と、薬液槽内に回転自在に設けられて基板を搬送する複数の搬送ローラー１０３と、を有し、基板を搬送しながら薬液で基板を表面処理する基板表面処理装置であって、薬液槽内に配置されるとともに、薬液の通過可能な開口１０７が形成されて開口を通して薬液の移送を行う薬液移送手段１２２をさらに有し、薬液移送手段は、隣接する搬送ローラー同士の間に開口が位置するように配置される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面処理を行う薬液を収容する薬液槽と、前記薬液槽内に回転自在に設けられて前記基板を搬送する複数の搬送ローラーと、を有し、前記基板を搬送しながら前記薬液で前記基板を表面処理する基板表面処理装置であって、
前記薬液槽内に配置されるとともに、薬液の通過可能な開口が形成されて前記開口を通して薬液の移送を行う薬液移送手段をさらに有し、
前記薬液移送手段は、隣接する前記搬送ローラー同士の間に前記開口が位置するように配置されることを特徴とする基板表面処理装置。
【請求項２】
前記薬液移送手段は、前記開口から薬液を噴出して薬液を移送することを特徴とする請求項１に記載の基板表面処理装置。
【請求項３】
前記薬液移送手段の開口から前記搬送ローラーに向けて薬液が噴出されることを特徴とする請求項２に記載の基板表面処理装置。
【請求項４】
前記薬液移送手段は、前記開口から薬液を吸入して薬液を移送することを特徴とする請求項１に記載の基板表面処理装置。
【請求項５】
隣接する前記搬送ローラー同士の間に複数の前記開口が位置するように複数の前記薬液移送手段が配置され、少なくとも１の開口から前記薬液が噴出され、他の開口から前記薬液が吸入されることを特徴とする請求項１に記載の基板表面処理装置。
【請求項６】
基板の表面処理を行う薬液を収容する薬液槽内に回転自在に設けられた複数の搬送ローラーを回転させて基板を搬送し、
前記薬液槽内に配置される薬液移送手段に形成された開口を通して前記薬液を移送し、
前記薬液移送手段は、隣接する前記搬送ローラー同士の間に前記開口が位置するように配置されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
第１導電型の半導体基板の表面に保護膜を形成し、
前記保護膜に開口を形成し、
前記開口が形成された前記保護膜をマスクとして、前記半導体基板における前記保護膜が形成された面に対して、請求項６に記載の基板処理方法によりエッチングを施し、
前記保護膜を除去し、
前記半導体基板の一面側に、第２導電型の不純物元素を拡散して不純物拡散層を形成し、
前記半導体基板の一面側における電極形成領域および前記半導体基板の他面側に電極を形成することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板表面を湿式エッチングするための装置、その処理方法およびその所領方法を用いた光起電力装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
結晶シリコン太陽電池の製造工程には、基板表面を薬液処理する、いわゆる湿式エッチング工程がいくつか存在する。主なものは、基板スライス時のダメージを除去するためのダメージエッチ工程、光閉じ込めのための凹凸構造すなわちテクスチャ構造を形成するためのテクスチャエッチ工程、基板表裏に形成されたｐｎ接合のうち、裏面のｐｎ接合を除去するためのｐｎ分離エッチング工程などがある。
【０００３】
一般的なエッチングの方法としては、基板ホルダに複数枚の基板を装着し、薬液を満たした薬液槽にホルダごと浸漬して、基板表裏面をエッチング液に接触させる方法がある。基板同士を２ｍｍ程度の空隙を設けて、面同士を対向させる配置でホルダに装着し、薬液液面に対して基板面を直交させた状態で浸漬するのが一般的である。以下、この方法を浸漬方式と呼ぶ。
【０００４】
浸漬方式では、多数の基板を同時に処理できることが利点であるが、以下に示す課題がある。すなわち、ホルダと接触する基板部分でのエッチングむらが発生する。この部分では薬液の入れ替わりが周囲とは異なるため、その部分のエッチング進行が他の部分と異なりエッチングむらを生ずる。
【０００５】
別の課題として、基板上部と下部でのエッチング量の差が挙げられる。シリコン基板をエッチングする際のエッチング液としてＮａＯＨやＫＯＨ等のアルカリ水溶液、またはフッ酸硝酸混合液等を使用する場合、反応に応じて気泡が発生する。基板を立てて浸漬すると、基板間の空隙の下部よりも上部のほうの気泡密度が高くなり、エッチング速度が落ちる。このようにして基板上下でエッチングむらが発生する。
【０００６】
また、ｐｎ分離エッチングでは、裏面のみをエッチングする必要があるが、浸漬方式では、エッチング液は基板表裏に接触するため、表裏ともエッチングされてしまう。これを防止するためには、エッチングを阻止するマスクの表面側への形成が必要となる。
【０００７】
以上の課題を解決するために、例えば特許文献１では、薬液を満たした薬液槽の液面近くに略等間隔に基板搬送ローラーを配置し、その上に基板を転がしながら搬送する装置が提案されている。以下、この方式を水平搬送方式と呼ぶ。水平搬送方式は、基板下部が薬液へ接触するよう液面を上昇させているため、表面にはエッチング液が接触しにくい。したがって、ｐｎ分離エッチングのように裏面のみをエッチングする必要がある場合に好適である。また水平搬送方式において、液面を基板よりも上部まで上昇させれば、基板表裏ともにエッチングすることが可能である。反応により発生した気泡は、基板上部では液面に向かって浮上し、基板下部では基板搬送ローラーと基板との接触部に導かれて基板外へ排出される。このため、気泡によるエッチングむらは低減される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１９６７８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、エッチングに用いられる薬液は、基板と反応することでエッチングに寄与する成分の濃度が低下する。以下、エッチングに寄与する成分の濃度が低下した薬液を低濃度薬液といい、エッチングに寄与する成分が低下する前の薬液を高濃度薬液という。水平搬送方式では、基板搬送ローラーと基板とに囲まれた領域に薬液が滞留しやすく、薬液の入れ替えがなされにくい。そのため、エッチングで生じた低濃度薬液が基板搬送ローラーと基板とに囲まれた基板表面付近の領域に滞留し、エッチングの進行にしたがってエッチング速度が低下していくという問題があった。特に、薬液としてＨＦ／ＨＮＯ３を用いた場合には、基板との反応により薬液の温度が上昇するため、基板搬送ローラーと基板とに囲まれた基板表面付近の領域に、低濃度薬液が滞留しやすいという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、水平搬送方式の基板表面処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板表面処理装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、基板の表面処理を行う薬液を収容する薬液槽と、薬液槽内に回転自在に設けられて基板を搬送する複数の搬送ローラーと、を有し、基板を搬送しながら薬液で基板を表面処理する基板表面処理装置であって、薬液槽内に配置されるとともに、薬液の通過可能な開口が形成されて開口を通して薬液の移送を行う薬液移送手段をさらに有し、薬液移送手段は、隣接する搬送ローラー同士の間に開口が位置するように配置されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、隣接する搬送ローラー同士の間に位置する開口を通して薬液を移送することで、低濃度薬液と高濃度薬液との入れ替えを促進して、エッチング速度の低下を抑えることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１に係る基板表面処理装置の断面構造を示す模式図である。
【図２】図２は、薬液槽内部の斜視図である。
【図３】図３は、本実施の形態１の変形例に係る薬液移送手段の概略構成を示す斜視図である。
【図４】図４は、光起電力装置である太陽電池用の基板であるｐ型多結晶シリコン基板の断面図である。
【図５】図５は、光起電力装置の断面図である。
【図６】図６は、光起電力装置の平面図である。
【図７】図７は、光起電力装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。
【図８】図８は、本発明の実施の形態２に係る基板表面処理装置の薬液槽内部の側面図である。
【図９】図９は、本実施の形態２の変形例１に係る基板表面処理装置の薬液槽内部の側面図である。
【図１０】図１０は、本実施の形態２の変形例２に係る基板表面処理装置の薬液槽内部の側面図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態３に係る基板表面処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図１２】図１２は、本実施の形態３の変形例に係る基板表面処理装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明にかかる基板表面処理装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１５】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る基板表面処理装置１の断面構造を示す模式図である。薬液槽１０１には薬液１０２が満たされている。薬液槽エッジ１１８からあふれた薬液１０２はオーバーフロー槽１０８内にこぼれ落ち、こぼれ落ちた薬液１０２はドレンライン１１５を経由して、バッファータンク１１３へ注入される。バッファータンク１１３内の薬液１０２は、循環ポンプ１１４により循環ライン１１６を経由して再び薬液槽１０１へ注入される。循環ライン１１６からの薬液流れが薬液槽１０１の薬液面に波立ちを発生させないように整流板１１７が設けられている。
【００１６】
薬液槽１０１の外側と内側に、複数の搬送ローラー１０３が回転自在に設けられている。搬送ローラー１０３は、互いの回転軸が平行かつ略水平な直線に並列されて配置されている。搬送ローラー１０３を回転させることで、搬送ローラー１０３上の基板１０６を搬送することができる。基板１０６が基板搬送方向１０５に沿って搬送される間に、基板下面が薬液１０２に接触することで、エッチング処理がなされる。
【００１７】
このとき、搬送ローラー１０３と薬液液面１０４の位置関係を調整すれば、基板下面のみに薬液１０２を接触させることができ、基板下面のみのエッチング処理が可能となる。具体的には、基板１０６が載置されない場合の薬液液面１０４から、搬送ローラー１０３が２ｍｍの高さまで突出する位置関係とする。基板１０６が搬送ローラー１０３に載置されると、表面張力によって基板下部まで薬液１０２が持ち上がり、基板下部のみに薬液１０２を接触させることができる。また、基板１０６に下向きにかかる表面張力は、基板１０６を搬送ローラー１０３に押し付ける力に加算され、基板１０６と搬送ローラー１０３の間の摩擦力の増大に繋がり、搬送の駆動力を基板１０６に伝える力の増大に寄与する。
【００１８】
薬液槽１０１中の搬送ローラー１０３の間であって基板１０６に触れない位置に、スリット型の開口１０７を持つ薬液移送手段１２２が設置される。薬液移送用ポンプ１２１の動作により、バッファータンク１１３に貯められた薬液１０２が、スリット型の開口１０７から基板面に向けて噴出され、基板面へ新鮮な薬液１０２、すなわち高濃度薬液が供給される。
【００１９】
図２は、薬液槽内部の斜視図である。図２は、搬送ローラー１０３上に基板１０６が載置された状態を示している。薬液移送手段１２２は、両端のとじられた管状体の側面にスリット型の開口１０７が設けられて構成されている。薬液移送手段１２２は、搬送ローラー１０３上に載置された基板１０６面に開口１０７が向くように配置される。
【００２０】
薬液移送手段１２２は、それぞれがパイプで接続されており（図示せず）、薬液移送用ポンプ１２１に接続されている。薬液移送手段１２２内の圧力が均一になるように、薬液移送用ポンプ１２１の出力を調整することで、スリット型の開口１０７からの薬液噴出し量が一定となり、基板１０６の下面付近では一様に高濃度薬液が供給される。これにより、基板１０６の下面付近での薬液濃度の低下を抑えることができ、エッチング速度の低下を抑制することができる。
【００２１】
図３は、本実施の形態１の変形例に係る薬液移送手段の概略構成を示す斜視図である。本実施の形態１では、スリット型の開口１０７から薬液１０２を噴出させることで、薬液移送手段１２２の長手方向での薬液噴出量の均一性を上げているが、図３に示すように、単純に薬液移送手段１２２をこう管状体に複数の小穴型の開口２０５を配するものでも同様の効果が得られる。ここでは説明のため、液面が基板下面に接する位置にある場合を例示したが、液面が基板より上にあって基板の両面を処理する構成の場合も薬液移送手段の効果は同様に得られる。
【００２２】
図１に戻って、薬液槽１０１を通過した基板１０６の表面には薬液１０２が付着しているが、上下に配置されたエアナイフ１０９から噴出されるエアにより薬液１０２がふるい落とされて、オーバーフロー槽１０８内に落ちる。この構造により、付着した薬液１０２による基板１０６表面の変質が防止できる。また、リンス槽１１１への薬液１０２の持込みを防止することができる。
【００２３】
リンス槽１１１まで到達した基板１０６は、上下に配置されたリンスシャワーノズル１１０から噴出されるリンス液１１２により十分洗浄される。リンス槽１１１にはリンス液１１２が周囲に飛散しないよう上部カバーが設けられている。基板１０６を洗浄したリンス液１１２は、下部リンス槽で受けられ、槽外へ排出される。リンス工程を経た基板１０６は、乾燥槽１２０に運搬され、上下に配された乾燥用エアナイフ１１９から噴出されるエアにより十分乾燥される。
【００２４】
なお、本実施の形態１では、薬液移送手段１２２のスリット型の開口１０７や小穴型の開口２０５から、基板１０６の下面付近に薬液１０２を噴出させているが、これとは逆に、スリット型の開口１０７や小穴型の開口２０５で基板１０６の下面付近から薬液１０２を吸入してバッファータンクへ戻すように構成しても構わない。
【００２５】
このように構成した場合には、薬液移送手段１２２に吸入された分の薬液１０２を補うために、周囲から新たな薬液１０２が供給されるので、基板１０６の下面付近の薬液濃度が低下するのを抑えることができる。また、薬液１０２を噴出させる構成では、噴出速度が高すぎると、薬液１０２の液面が波打ち、基板１０６の搬送が不安定になってしまう場合がある。一方、薬液移送手段で薬液１０２を吸入させた場合には、薬液槽下部から比較的低い液速度で薬液１０２が上昇してくるので、薬液１０２の液面で波立ちが発生しにくくなる。これにより、基板１０６の搬送が不安定になることを防いで、エッチング速度低下を抑制することができる。
【００２６】
次に、上記基板表面処理装置１を用いた光起電力装置の製造方法について説明する。図４は、光起電力装置である太陽電池用の基板であるｐ型多結晶シリコン基板１０６ａの断面図である。図５は、光起電力装置３０の断面図、図６は、光起電力装置３０の平面図である。図７は、光起電力装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。光起電力装置３０は、基板表層に第２導電型の不純物元素を拡散した不純物拡散層であるＮ層２１ａを有する第１導電型の半導体基板であるＰ型の半導体基板２１と、半導体基板２１の受光面側の面（表面）に形成された反射防止膜２２と、半導体基板２１の受光面側の面（表面）に形成された受光面側電極２３と、半導体基板２１の受光面と反対側の面（裏面）に形成された裏面電極２４と、を備える。なお、Ｎ型の半導体基板にＰ層を備える構成としてもよい。また、受光面側電極２３としては、光起電力装置のグリッド電極２３ａおよびバス電極２３ｂを含む。図５においては、グリッド電極２３ａの長手方向に垂直な断面における断面図を示している。
【００２７】
まず、ｐ型多結晶シリコン基板１０６ａの一面側の表面に、保護膜として、エッチング耐性を有する膜（耐エッチング性膜）２を形成する（ステップＳ１）。なお、耐エッチング性膜２は、プラズマＣＶＤ法により成膜された膜厚８０ｎｍの窒化シリコン膜（以下、ＳｉＮ膜と称する）である。ここでは、耐エッチング性膜２としてＳｉＮ膜を用いたが、耐エッチング性膜２として酸化シリコン膜（ＳｉＯ２、ＳｉＯ）、酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）、アモルファスシリコン膜（а−Ｓｉ）、ダイアモンドライクカーボン膜等を用いてもよい。
【００２８】
また、耐エッチング性膜２の膜厚は、１０ｎｍ〜５００ｎｍとすることが好ましい。耐エッチング性膜２の膜厚が１０ｎｍ以上であれば、後のステップにおいてｐ型多結晶シリコン基板１０６ａの耐エッチング性膜２が形成された側の一面に対してエッチングを施す際に耐エッチング性膜が多少削られたとしても確実に耐エッチング性膜として機能する。また、耐エッチング性膜２の膜厚が５００ｎｍ以下であれば、後のステップで耐エッチング性膜２に対して確実に微細穴加工を施すことができる。
【００２９】
次に、耐エッチング性膜２に対して微細穴加工を施す（ステップＳ２）。具体的には、ブラスト加工処理により耐エッチング性膜２に複数の微細開口３を開ける。このときブラスト加工処理の砥粒としては、アルミナ砥粒を使用する。
【００３０】
次に、微細穴加工が施された耐エッチング性膜２をマスクとして、ｐ型多結晶シリコン基板１０６ａの耐エッチング性膜２が形成された側の一面に対してエッチングを施し、テクスチャ窪み４を形成する（ステップＳ３）。ここで、上記基板表面処理装置１を用いてエッチングを行う。次に、耐エッチング性膜２を除去することで、テクスチャ窪み４を表出させる（ステップＳ４）。耐エッチング性膜２の除去には、例えばフッ酸水溶液を使用することができる。
【００３１】
次に、ｐ型多結晶シリコン基板１０６ａを熱酸化炉へ投入し、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）蒸気の存在下で加熱してｐ型多結晶シリコン基板１０６ａの表面にリンガラスを形成することで、ｐ型多結晶シリコン基板１０６ａ中にリンを拡散させ、ｐ型多結晶シリコン基板１０６ａの表層にＮ層２１ａを形成する（ステップＳ５）。拡散温度は、例えば８４０℃とされる。
【００３２】
次に、フッ酸溶液中でｐ型多結晶シリコン基板１０６ａのリンガラス層を除去した後、反射防止膜２２としてプラズマＣＶＤ法によりＳｉＮ膜をＮ層２１ａ上に受光面側電極２３の形成領域を除いて形成する（ステップＳ６）。反射防止膜２２の膜厚および屈折率は、光反射を最も抑制する値に設定する。なお、屈折率の異なる２層以上の膜を積層してもよい。また、反射防止膜２２は、スパッタリング法など、異なる成膜方法により形成しても良い。
【００３３】
次に、基板１０６の受光面に銀の混入したペーストを櫛形にスクリーン印刷にて印刷し、基板１０６の裏面にアルミニウムの混入したペーストを全面にスクリーン印刷にて印刷した後、焼成処理を実施して受光面側電極２３と裏面電極２４とを形成する（ステップＳ７）。焼成は大気雰囲気中において例えば７６０℃で実施する。以上のようにして、光起電力装置３０が製造される。
【００３４】
実施の形態２．
図８は、本発明の実施の形態２に係る基板表面処理装置の薬液槽内部の側面図である。実施の形態１と同様の構成については、同様の符号を付し、詳細な説明を省略する。本実施の形態２では、薬液移送手段２２２の設置位置に特徴がある。図８に示すように、薬液移送手段２２２の開口２０７が、搬送ローラー１０３同士の中央ではなく、いずれか一方の搬送ローラー１０３側に寄った位置に設置されている。これにより、開口から噴出された薬液が矢印４０１に示すように流れ、高濃度薬液を基板面へ効率よく供給することができる。これにより、エッチング速度低下を抑制することができる。
【００３５】
図９は、本実施の形態２の変形例１に係る基板表面処理装置の薬液槽内部の側面図である。本実施の形態２の変形例１では、隣接する搬送ローラー１０３同士の間に薬液噴出用の薬液移送手段２２３と薬液吸入用の薬液移送手段２２４を備えていることを特徴とする。
【００３６】
薬液の噴出によって高濃度薬液を基板１０６の下面付近に供給しつつ、エッチング能力の低下した低濃度薬液を吸入によって回収できるため、薬液槽の全体のエッチング能力の低下を抑制でき、より効果的なエッチング速度低下の抑制を図ることができる。
【００３７】
図１０は、本実施の形態２の変形例２に係る基板表面処理装置の薬液槽内部の側面図である。本実施の形態２の変形例２では、薬液移送手段２２２の開口２０７から噴出された薬液が搬送ローラー１０３に衝突するように、薬液移送手段２２２の位置や開口２０７の角度を調節していることを特徴とする。基板処理が発熱反応である場合、基板１０６の搬送過程で、基板１０６から搬送ローラー１０３へ熱が伝達され、搬送ローラー１０３の温度が上昇する。反応速度が温度依存性を持つ場合、搬送ローラー１０３の温度上昇によって反応速度が変化してしまい、安定したエッチングを行うことが困難になる場合がある。一方、本変形例２のように、薬液移送手段２２２から噴出された薬液を搬送ローラー１０３に衝突させることで、搬送ローラー１０３の表面温度の上昇を抑えることができる。これによりエッチング速度の変動を抑制することができる。
【００３８】
実施の形態３．
図１１は、本発明の実施の形態３に係る基板表面処理装置の概略構成を示す断面図である。なお、図１１では、エッチング工程よりも下流で基板の処理を行うオーバーフロー層やリンス層を省略している。上記実施の形態と同様の構成については、同様の符号を付し、詳細な説明を省略する。本実施の形態３では、エッチング速度の低下を検出して、その検出結果に応じて薬液の噴出量を制御することを特徴とする。
【００３９】
図１１に示すように、本実施の形態３に係る基板表面処理装置１１は、濃度計（エッチング速度検出手段）３５０、および薬液制御手段３５１を備える。濃度計３５０は、薬液槽１０１内に設けられて、薬液の濃度を検出する。なお、濃度計３５０は、バッファータンク１１３内や、循環ライン１１６内に設けられてもよい。薬液制御手段３５１は、濃度計３５０の検出結果に応じて、薬液移送用ポンプ１２１を制御して、薬液移送手段１２２からの薬液の噴出量を調整する。より具体的には、濃度計３５０の検出結果により、薬液の濃度が低下したことを検出した場合には、薬液制御手段３５１は薬液移送手段１２２からの薬液の噴出量を増加させる。
【００４０】
ここで、基板表面処理装置１１は、薬液は薬液槽１０１とバッファータンク１１３に貯められた薬液を循環させて使用している。この場合、処理枚数の増加とともに薬液全体の濃度が低下し、処理能力も低下していく。エッチング速度の速い薬液の場合、基板面への薬液供給量によりエッチング速度を調整することができる。
【００４１】
そこで、本実施の形態３では、薬液の濃度低下、すなわち処理能力の低下に応じて、薬液移送手段１２２からの薬液の噴出量を増加させることで、エッチング速度の安定化を図り、処理量を一定に維持することができる。
【００４２】
図１２は、本実施の形態３の変形例に係る基板表面処理装置の平面図である。なお、図１２でも、エッチング工程よりも下流において基板の処理を行うオーバーフロー層やリンス層を省略している。
【００４３】
本変形例では基板表面処理装置１１が複数の処理レーンを有して構成されており、それぞれの処理レーンごとに薬液移送手段１２２、濃度計３５０、薬液移送用ポンプ１２１を備えている。薬液制御手段３５１は、処理レーンごとに薬液濃度の差、すなわち処理能力に差が見られた場合に、処理レーンごとに薬液移送用ポンプ１２１を制御して、薬液移送手段１２２からの薬液噴出量を調節する。これにより、処理レーンごとの処理能力の差を抑制することができる。
【００４４】
なお、本実施の形態３では、エッチング速度検出手段として、薬液の濃度を検出する濃度計を例示したが、これに限られない。例えば、エッチング処理がなされたあとの基板面のエッチング量を検出するエッチング量検出手段であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
以上のように、本発明にかかる基板表面処理装置は、基板の表面処理に有用であり、特に、エッチング処理に適している。
【符号の説明】
【００４６】
１，１１  基板表面処理装置
２  耐エッチング性膜
３  微細開口
４  テクスチャ窪み
２１ａ  Ｎ層
２２  反射防止膜
２３  受光面側電極
２４  裏面電極
３０  光起電力装置
１０１  薬液槽
１０２  薬液
１０３  搬送ローラー
１０４  薬液液面
１０５  基板搬送方向
１０６  基板
１０６ａ  ｐ型多結晶シリコン基板
１０７  開口
１０８  オーバーフロー槽
１０９  エアナイフ
１１０  リンスシャワーノズル
１１１  リンス槽
１１２  リンス液
１１３  バッファータンク
１１４  循環ポンプ
１１５  ドレンライン
１１６  循環ライン
１１７  整流板
１１８  薬液槽エッジ
１１９  乾燥用エアナイフ
１２０  乾燥槽
１２１  薬液移送用ポンプ
１２２  薬液移送手段
２０５  開口
２０７  開口
２２２，２２３，２２４  薬液移送手段
３５０  濃度計
３５１  薬液制御手段
４０１  矢印
【図１】
2011100872.tif 000003
【図２】
2011100872.tif 000004
【図３】
2011100872.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011100872.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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