(57)【要約】【課題】均一な転写層を形成し、発光特性を向上させることが可能な表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】有機材料および沸点１４０℃以上２３０℃以下の溶媒を含む塗布液が基材１１に塗布され、塗布膜１５が形成される。続いて、この塗布膜１５の真空乾燥により転写層１４が形成され、そののち、転写層１４が加熱処理される。塗布膜１５の真空乾燥により、塗布膜１５に含まれる溶媒の一部が除去され、得られた転写層１４の溶媒混入度が低くなる。よって、転写層１４が加熱処理される際に、穴などの乾燥不良の発生が抑えられる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に、下部電極、発光層を含む複数の有機層および上部電極を順に有する有機発光素子を形成する表示装置の製造方法であって、
基材に有機材料を含む転写層を設けることによりドナー基板を形成する工程と、
前記基板に前記下部電極および前記複数の有機層の一部を設けることにより被転写基板を形成する工程と、
前記転写層を前記被転写基板に対向配置し、前記転写層を昇華または気化させて被転写基板に熱転写することにより発光層を形成する工程と、
前記複数の有機層の残部および前記上部電極を形成する工程と
を含み、
前記ドナー基板を形成する工程は、
有機材料および沸点１４０℃以上２３０℃以下の溶媒を含む塗布液を前記基材に塗布して塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜を真空乾燥することにより転写層を形成する工程と、
前記転写層を加熱処理する工程と
を含む表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記有機材料はホスト材料およびドーパント材料であり、前記ホスト材料はアントラセン骨格を含む
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記塗布膜を真空乾燥して得られた転写層の溶媒混入度を、１０００ｐｐｍ以下とする
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記溶媒がシクロヘキサノンを含む
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記転写層を加熱処理する工程を、酸素濃度１００ｐｐｍ以下、露点−５０度以下の不活性ガス中、または０．５Ｔｏｒｒ以下の真空下で行う
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記基材の一辺の長さが６０ｃｍ以上であり、
前記塗布膜を形成する工程において、前記塗布液の総固形分濃度を０．１重量％以上１重量％以下とし、
前記塗布膜を形成したのち、５秒以上１２０秒以内に前記塗布膜の真空乾燥を開始し、
前記塗布膜を真空乾燥する工程を室温よりも−１０℃以上＋１０℃以下の温度で行う
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記塗布膜を形成する工程を、窒素を主成分とし、酸素含有率が１ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下であり、露点が−８０℃以上−３０℃未満の雰囲気で行う
請求項６記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記塗布液の水分含有率を０．１ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下とする
請求項７記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記基材の一辺の長さが６０ｃｍ以上であり、
前記塗布膜を形成する工程を行う塗布装置と、前記塗布装置から前記塗布膜を真空乾燥する工程を行う減圧乾燥装置まで前記基材を搬送する搬送空間とを、露点−８０℃以上−３０℃以下の雰囲気に制御すると共に、前記搬送空間における前記基材から前記搬送空間の天井までの距離Ｌ（ｍ）および前記基材の搬送速度Ｖ（ｍ／ｓｅｃ）が、数１を満たすようにし、
前記塗布膜を真空乾燥する工程を室温よりも−１０℃以上＋１０℃以下の温度で行う
請求項１記載の表示装置の製造方法。
（数１）
０．３≦＜Ｌ≦０．９
０．３≦Ｖ／Ｌ＜４
【請求項１０】
前記塗布装置および前記搬送空間を、窒素を主成分とする雰囲気とする
請求項９記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記塗布装置および前記搬送空間を、窒素を主成分とし、酸素含有率が０．１ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下の雰囲気とする
請求項９記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記塗布膜を形成する工程を、スリットコート法により行う
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記塗布膜を形成する工程を、インクジェット法により行う
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子を用いた表示装置の製造において発光層を熱転写法により形成する場合に好適な表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electroluminescence ）を利用した有機電界発光素子は、下部電極と上部電極との間に、発光層を含む有機層を備えたものであり、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
【０００３】
有機電界発光素子を用いた表示装置の製造においては、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に発光する有機発光材料からなる発光層を、発光素子毎に形成する必要がある。発光層の形成は、例えば、多数の開口を有するマスクを介して有機発光材料を蒸着するシャドウマスク法によって行われている。
【０００４】
しかしながら、シャドウマスク法では、マスク開口の微細加工が困難なので、有機電界発光素子の微細化が困難である。また、マスクの撓みや延びによって位置精度が低下しやすく、大型基板への適用は極めて難しい。
【０００５】
一方、発光層の他の形成方法として、エネルギー源（熱源）を用いた転写法（熱転写法）がある。熱転写法では、例えば、基材に有機材料を含む転写層を有する転写用のドナー基板を形成し、このドナー基板を被転写基板に対向配置して、レーザ光照射やヒータ加熱などにより転写層を昇華または気化させて被転写基板に転写することにより、発光層を形成する。
【０００６】
基材への転写層の成膜方法としては、真空蒸着法のほか、有機発光材料を溶剤に溶解させた溶液を塗布または印刷する方法も用いられている。また、塗布により形成した転写層を加熱処理したのちに、熱転写を行うことも提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平２００８−２３５０１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載された方法では、加熱処理により転写層に局所的または全面に穴（いわゆる、膜抜け、はじき等）などの乾燥不良が生じ、熱転写後の発光層の特性に影響を及ぼす場合があり、更に改善の余地があった。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、均一な転写層を形成し、発光特性を向上させることが可能な表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による表示装置の製造方法は、基板に、下部電極、発光層を含む複数の有機層および上部電極を順に有する有機発光素子を形成するものであって、基材に有機材料を含む転写層を設けることによりドナー基板を形成する工程と、基板に下部電極および複数の有機層の一部を設けることにより被転写基板を形成する工程と、転写層を被転写基板に対向配置し、転写層を昇華または気化させて被転写基板に熱転写することにより発光層を形成する工程と、複数の有機層の残部および上部電極を形成する工程とを含み、ドナー基板を形成する工程は、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の工程を含むものである。
（Ａ）有機材料および沸点１４０℃以上２３０℃以下の溶媒を含む塗布液を基材に塗布して塗布膜を形成する工程
（Ｂ）塗布膜を真空乾燥することにより転写層を形成する工程
（Ｃ）転写層を加熱処理する工程
【００１１】
本発明の表示装置の製造方法では、ドナー基板を形成する工程において、有機材料および沸点１４０℃以上２３０℃以下の溶媒を含む塗布液が基材に塗布され、塗布膜が形成される。続いて、この塗布膜の真空乾燥により転写層が形成され、そののち、転写層が加熱処理される。ここでは、塗布膜の真空乾燥により、塗布膜に含まれる溶媒の一部が除去され、得られた転写層の溶媒混入度が低くなる。よって、転写層が加熱処理される際に、孔などの乾燥不良の発生が抑えられる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の表示装置の製造方法によれば、有機材料および沸点１４０℃以上２３０℃以下の溶媒を含む塗布液を基材に塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜を真空乾燥することにより転写層を形成するようにしたので、均一な転写層を形成し、発光特性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法の流れを表す図である。
【図２】図１に示した製造方法を工程順に表す断面図である。
【図３】図２に続く工程を表す断面図である。
【図４】図３に続く工程を表す断面図である。
【図５】図４に続く工程を表す断面図である。
【図６】図５に続く工程を表す断面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図８】上記実施の形態の製造方法により製造された表示装置の構成を表す図である。
【図９】図８に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図１０】上記実施の形態の製造方法により製造された表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１１】上記実施の形態の製造方法により製造された表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１２】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１３】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１４】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１５】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（塗布膜の真空乾燥により転写層を形成し、この転写層を加熱処理する例）
２．第２の実施の形態（塗布液の総固形分濃度、塗布膜  を形成したのち真空乾燥の開始までの時間、および真空乾燥工程の温度を所定範囲とする例）
３．第３の実施の形態（塗布装置および搬送空間の雰囲気、搬送空間の寸法および搬送速度、並びに真空乾燥工程の温度を所定範囲とする例）
４．表示装置の構成および適用例
５．実施例
【００１５】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法の流れを表したものであり、図２ないし図６は、この製造方法を工程順に表したものである。
【００１６】
（ドナー基板を形成する工程）
まず、例えば、図２（Ａ）に示したように、基材１１を用意し、この基材１１に、例えばスパッタリング法により、モリブデン（Ｍｏ）よりなる光熱変換層１２を２００ｎｍの厚みで形成する。
【００１７】
基材１１は、十分に平滑で、加熱処理用の光の透過性を有し、かつ加熱処理の温度に対する耐久性を有する材質であればよく、ガラス基板、石英基板、または透光性セラミック基板等からなる。また、加熱温度に対する寸法制御性に問題がない範囲であれば、樹脂基板を用いても良い。
【００１８】
光熱変換層１２を構成する材料としては、後述する熱転写の工程において熱源として用いるレーザ光の波長範囲に対して低い反射率を持つ材料が好ましい。例えば、固体レーザ光原からの波長８００ｎｍ程度のレーザ光を用いる場合には、クロム（Ｃｒ）やモリブデン（Ｍｏ）等が低反射率、高融点を持つ材料として好ましいが、これらに限定されることは無い。光熱変換層１２は、基材１１の全面に設けてもよいが、素子形状に合わせてストライプ状などに成形してもよい。
【００１９】
次いで、同じく図２（Ａ）に示したように、光熱変換層１２を設けた基材１１の表面の全面に、例えばＣＶＤ(chemical vapor deposition) 法により、ＳｉＮＸ やＳｉＯ２ 等よりなる酸化保護層１３を形成する。
【００２０】
続いて、同じく図２（Ａ）に示したように、基材１１に、光熱変換層１２および酸化保護膜１３を間にして、赤色塗布膜１５Ｒ，緑色塗布膜１５Ｇまたは青色塗布膜１５Ｂのいずれか（以下、塗布膜１５と総称する。）を形成する（ステップＳ１０１）。この塗布膜１５は、有機材料および沸点１４０℃以上２３０℃以下の溶媒を含む塗布液（インク）を基材１１に塗布することにより形成する。
【００２１】
有機材料は、ホスト材料およびドーパント材料（ゲスト材料、有機発光材料）であり、ホスト材料はアントラセン骨格を含むものであることが好ましい。アントラセン骨格を有するホスト材料を用いることにより、高い発光特性を得られるからである。具体的にはＡＤＮ（アントラセンジナフチル）が好ましい。
【００２２】
なお、ＡＤＮは主に電子輸送性を有するホスト材料であるが、ここで、電子輸送性を有するホスト材料とは、後述する正孔輸送層２４Ｂを構成する材料と比較して電子輸送性が高いことを意味する。具体的には、正孔輸送層２４Ｂを構成するα−ＮＰＤの最高占有軌道のエネルギー準位（以下、ＨＯＭＯと略す）よりも、塗布膜１５のホスト材料のＨＯＭＯが低い準位であり、より具体的には両者の差が０．２ｅＶ以上である。
【００２３】
ドーパント材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよいが、発光特性の制御の容易さから蛍光性のものが好ましい。
【００２４】
塗布法は、従来用いられてきた真空蒸着法に比べて材料の使用効率や生産性を高めることが可能である。具体的には、例えばスリットコート法が好ましい。上述したアントラセン骨格を有するホスト材料の中には、溶媒への溶解度が低く、高くとも０．５％程度の固形分の塗布液しか得られないものがある。スリットコート法は、０．５％程度の固形分の塗布液を用いて、広い面積の基材１１に均一に塗布することが可能である。また、塗布法としては、スリットコート法のほか、インクジェット法など他の方法を用いることも可能である。
【００２５】
溶媒としては、沸点１４０℃以上２３０℃以下のものを用いる。これにより、塗布液の安定性を保つと共に、後述する真空乾燥（減圧乾燥）による溶媒の乾燥が可能となる。
【００２６】
すなわち、沸点が１４０℃よりも低いと、乾燥速度が著しく速くなり、スリットコータの吐出口またはインクジェットノズルに塗布液の乾燥物が付着し、塗布スジの発生またはノズル詰まりなどの塗布故障が発生しやすくなる。また、乾燥が速いので、塗布の途中または真空乾燥前に溶媒の乾燥が部分的に開始してしまい、乾燥ムラが激しくなり、均一な塗布膜１５が得られない。
【００２７】
また、沸点が２３０℃よりも高いと、後述する真空乾燥工程において十分な乾燥速度を得ることが難しく、乾燥むらが生じてしまうおそれがある。また、乾燥時間が長くなるので、溶質の巨大析出粒子が膜中に混入しやすくなる。
【００２８】
具体的には、シクロヘキサノン（沸点１５５℃）、ジイソブチルケトン（沸点１７０℃）、Ｎメチルピロリドン（沸点２０４℃）、Ｎ，Ｎジメチルアセトアミド（沸点１６６℃）、γブチルラクトン（沸点２０４℃）が挙げられる。
【００２９】
溶媒の沸点は１４０℃以上２００℃以下であれば、より好ましい。スリットコート法に好適であり、均一な塗布が可能となるからである。また、溶媒の沸点は１５０℃以上１７０℃以下であれば、更に好ましい。均一な塗布に加えて、後述する真空乾燥工程において乾燥不良の抑制が可能となるからである。
【００３０】
具体的には、溶媒は、シクロヘキサノン（沸点１５５℃）を含むことが好ましい。また、ジイソブチルケトン（沸点１７０℃）も好ましい。
【００３１】
具体的には、赤色塗布膜１５Ｒは、例えば、次のようにして形成することができる。まず、ホスト材料としてのα−ＮＰＤに、赤色発光性のゲスト材料として２，６≡ビス［（４’≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合する。次いで、この混合物を、上述した溶媒に所定の濃度で混合して赤色塗布液を調製し、基材１１に塗布することにより赤色塗布膜１５Ｒを形成する。
【００３２】
緑色塗布膜１５Ｇは、例えば、次のようにして形成することができる。まず、ホスト材料としてのＡＤＮに、緑色発光性のゲスト材料であるクマリン６を５重量％混合する。次いで、この混合物を、上述した溶媒に所定の濃度で混合して緑色塗布液を調製し、基材１１に塗布することにより緑色塗布膜１５Ｇを形成する。
【００３３】
青色塗布膜１５Ｂは、例えば、次のようにして形成することができる。まず、ホスト材料としてのＡＤＮに、青色発光性のゲスト材料である４，４’≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合する。次いで、この混合物を、上述した溶媒に所定の濃度で混合して青色塗布液を調製し、基材１１に塗布することにより青色塗布膜１５Ｂを形成する。
【００３４】
なお、塗布液の塗布厚みは、転写層１４の厚みが所望の値となるように調整することが望ましい。
【００３５】
塗布膜１５を形成したのち、図２（Ｂ）に示したように、塗布膜１５を真空乾燥することにより転写層１４（赤色転写層１４Ｒ，緑色転写層１４Ｇまたは青色転写層１４Ｂ）を形成する（ステップＳ１０２）。ここでは、塗布膜１５の真空乾燥により、塗布膜１５に含まれる溶媒の一部が除去され、得られた転写層１４の溶媒混入度が低くなる。よって、後続する加熱処理の前に、転写層１４の溶媒混入度を低くしておき、加熱処理での孔（いわゆる膜抜け）などの乾燥不良の発生を抑えることが可能となる。従って、転写層１４の均一性を高め、発光特性を向上させることが可能となる。また、加熱乾燥を行わないようにしたことにより、大面積の基材１１を用いた場合にも、加熱温度ムラ由来の乾燥ムラの発生を抑制することが可能となる。この乾燥ムラは、加熱温度ムラに対して著しく敏感であり、１℃程度の温度差でも生じることが本発明者の検討により判明している。
【００３６】
なお、ホットプレートを用いた乾燥、または赤外線乾燥は、特に一辺が５０ｃｍ以上の基材１１を用いる場合には、昇温の不均一から乾燥ムラが生じやすいので望ましくない。また、送風による乾燥では、風が当たることによるムラの発生が避けられないことに加えて、使用する溶媒によっては送風乾燥だけでは乾燥できない場合もある。そのため、加温と送風とを組み合わせる必要があるが、これにより乾燥ムラが発生しやすくなる。
【００３７】
真空乾燥後において、赤色転写層１４Ｒの厚みは例えば４５ｎｍ程度、緑色転写層１４Ｇの厚みは例えば３０ｎｍ程度、青色転写層１４Ｂの厚みは例えば３０ｎｍ程度とすることができる。
【００３８】
塗布膜１５を真空乾燥して得られた転写層１４の溶媒混入度は、１０００ｐｐｍ以下とすることが好ましい。１０００ｐｐｍより高いと、以後の加熱段階などで膜ヌケが発生する恐れがある。また、溶媒によっては特性への悪影響が懸念される。なお、溶媒混入度の下限については特に限定されない。
【００３９】
転写層１４を形成したのち、同じく図２（Ｂ）に示したように、転写層１４を加熱処理する（ステップＳ１０３）。この加熱処理は、転写層１４を構成する有機材料、すなわちホスト材料であるα−ＮＰＤ（赤色転写層１４Ｒの場合）またはＡＤＮ（緑色転写層１４Ｇおよび青色転写層１４Ｂの場合）のガラス転移点以上でかつ融点より低い温度で行うことが好ましい。α−ＮＰＤのガラス転移温度は９６℃であり融点は２８５℃であるので、例えば１５０℃において３０分程度行う。ＡＤＮのガラス転移温度は１０６℃であり融点は３８９℃であるので、例えば１６０℃において３０分程度行う。
【００４０】
転写層１４を加熱処理する工程は、真空状態を含む不活性な雰囲気中において行うことが望ましい。具体的には酸素濃度１００ｐｐｍ以下、露点−５０度以下の不活性ガス中、または０．５Ｔｏｒｒ以下の真空下で行うことが好ましい。真空度が悪い、または不活性ガスの純度が低いと、混入気体により有機材料の変質が起きるおそれがあるからである。
【００４１】
以上により、基材１１に有機材料を含む転写層１４（赤色転写層１４Ｒ，緑色転写層１４Ｇまたは青色転写層１４Ｂ）を有するドナー基板１０（赤色ドナー基板１０Ｒ，緑色ドナー基板１０Ｇまたは青色ドナー基板１０Ｂ）が完成する。
【００４２】
（被転写基板を形成する工程）
一方、図３（Ａ）に示したように、基板２１に下部電極２２、絶縁膜２３、正孔注入層２４Ａおよび正孔輸送層２４Ｂを設けることにより、被転写基板２０Ａを形成する（ステップＳ２０１）。
【００４３】
基板２１としては、ガラス、シリコン、プラスチック基板、またはＴＦＴ（thin film transistor）が設けられたＴＦＴ基板などを用いる。特にここで作製する表示装置が基板２１側から発光を取り出す透過型である場合には、基板２１として光透過性を有する材料で構成されたものを用いる。
【００４４】
次いで、図３（Ａ）に示したように、基板２１に、第１電荷を供給する下部電極２２をパターン形成する。ここで、第１電荷が正電荷である場合、下部電極２２は陽極として形成される。一方、第１電荷が負電荷である場合、下部電極２２は陰極として形成される。
【００４５】
下部電極２２は、ここで作製する表示装置の駆動方式に適する形状にパターンニングする。例えば、この表示装置の駆動方式が単純マトリックス方式である場合には、下部電極２２を例えば複数の画素で連続したストライプ状に形成する。また、表示装置の駆動方式が画素毎にＴＦＴを備えたアクティブマトリックス方式である場合には、下部電極２２を各画素に対応させてパターン形成すると共に、各画素に設けられたＴＦＴに対して、これらのＴＦＴを覆う層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール（図示省略）を介して接続する。
【００４６】
また、下部電極２２は、ここで作製する表示装置の光取り出し方式に適する材質を選択して用いる。すなわち、この表示装置が基板２１と反対側から発光光を取り出す上面発光型である場合には、高反射性材料で下部電極２２を構成する。一方、この表示装置が、基板２１側から発光光を取り出す透過型または両面発光型である場合には、光透明性材料で下部電極２２を構成する。
【００４７】
例えば、表示装置が上面発光型であり、第１電荷を正電荷とし、下部電極２２を陽極とする場合には、下部電極２２は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）または金（Ａｕ）など、反射率の高い導電性材料、及びその合金で構成する。
【００４８】
表示装置が上面発光型であるが、下部電極２２を陰極として用いる（つまり第１電荷を負電荷とする）場合には、下部電極２２は仕事関数が小さな導電性材料を用いて構成される。このような導電性材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の金属との合金、或いはこれらを積層した構造を使用できる。また、機能層４との間に例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属とフッ素、臭素等のハロゲンや酸素等との化合物層を薄く挿入した構造としても良い。
【００４９】
表示装置が透過型、または両面発光型であり下部電極２２を陽極として用いる場合には、ＩＴＯ( Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ) やＩＺＯ（Ｉｎｉｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）のように、透過率の高い導電性材料で下部電極２２を構成する。
【００５０】
なお、表示装置の駆動方式としてアクティブマトリックス方式を採用する場合には、有機電界発光素子の開口率を確保するために、表示装置を上面発光型とすることが望ましい。
【００５１】
続いて、同じく図３（Ａ）に示したように、絶縁膜２３を形成する。絶縁膜２３には、下部電極２２に対応して開口を設ける。この開口には下部電極２２を露出しており、この露出した部分が発光領域（画素）となる。絶縁膜２３の材料としては、ポリイミドあるいはフォトレジスト等の有機絶縁材料、または酸化シリコンのような無機絶縁材料を用いる。
【００５２】
そののち、同じく図３（Ａ）に示したように、例えば蒸着法により、正孔注入層２４Ａ（第１電荷注入層）を形成する。正孔注入層２４Ａの材料としては、一般的な正孔注入材料、例えばｍ−ＭＴＤＡＴＡ〔4,4,4 -tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine〕を用いる。正孔注入層２４Ａの厚みは、例えば１０ｎｍとする。正孔注入層２４Ａは、下部電極２２および絶縁膜２３を覆う共通層として形成してもよい。
【００５３】
正孔注入層２４Ａを形成したのち、同じく図３（Ａ）に示したように、例えば蒸着法により、正孔輸送層２４Ｂ（第１電荷輸送層）を形成する。正孔輸送層２４Ｂの材料としては、一般的な正孔輸送材料、例えばα−ＮＰＤ[4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl] を用いる。正孔輸送層２４Ｂの厚みは、例えば３５ｎｍとする。正孔輸送層２４Ｂは、正孔注入層２４Ａを覆う共通層として形成してもよい。なお、正孔輸送層２４Ｂを構成する一般的な正孔輸送材料としては、例えばベンジジン誘導体、スチリルアミン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体などが挙げられる。
【００５４】
正孔注入層２４Ａおよび正孔輸送層２４Ｂは、それぞれを複数層からなる積層構造としてもよい。
【００５５】
（熱転写により発光層を形成する工程）
被転写基板２０Ａを形成したのち、転写層１４を被転写基板２０Ａに対向配置し、転写層１４を昇華または気化させて被転写基板２０Ａに熱転写することにより赤色発光層２４ＣＲ，緑色発光層２４ＣＧおよび青色発光層２４ＣＢ（以下、発光層２４Ｃと総称する。）を形成する（ステップＳ２０２）。
【００５６】
すなわち、まず、図３（Ｂ）に示したように、赤色ドナー基板１０Ｒの赤色転写層１４Ｒを被転写基板２０Ａに対向配置する。この際、被転写基板２０Ａと赤色ドナー基板１０Ｒとを密着させるが、被転写基板２０Ａには絶縁膜２３が設けられているので、赤色転写層１４Ｒは絶縁膜２３に支持された状態となり、下部電極２２上の正孔輸送層２４Ｂに赤色ドナー基板１０Ｒが接触することはない。
【００５７】
次いで、同じく図３（Ｂ）に示したように、赤色ドナー基板１０Ｒの裏面側から、例えば波長８００ｎｍのレーザ光ｈｒを照射する。照射されたレーザ光ｈｒは、光熱変換層１２に吸収され、その熱により赤色転写層１４Ｒが昇華または気化して被転写基板２０Ａに熱転写される。これにより、赤色発光層２４ＣＲが形成される。
【００５８】
レーザ光ｈｒは、例えば、赤色発光素子の形成予定領域、すなわち下部電極２２が絶縁膜２３から露出している領域に選択的にスポット照射する。また、レーザ光ｈｒの照射は、下部電極２２が絶縁膜２３から露出している領域が、赤色発光層２４ＣＲによって完全に覆われるように行う。
【００５９】
赤色発光層２４ＣＲを形成したのち、図４（Ａ）に示したように、赤色発光層２４ＣＲと同様にして、緑色ドナー基板１０Ｇの緑色転写層１４Ｇを被転写基板２０Ａに対向配置し、レーザ光ｈｒの照射により、緑色転写層１４Ｇを昇華または気化させて被転写基板２０Ａに熱転写し、緑色発光層２４ＣＧを形成する。
【００６０】
緑色発光層２４ＣＧを形成したのち、図４（Ｂ）に示したように、赤色発光層２４ＣＲと同様にして、青色ドナー基板１０Ｂの青色転写層１４Ｂを被転写基板２０Ａに対向配置し、レーザ光ｈｒの照射により、青色転写層１４Ｂを昇華または気化させて被転写基板２０Ａに熱転写し、青色発光層２４ＣＢを形成する。
【００６１】
熱転写の工程は、大気圧中でも可能であるが、真空中で行うことが望ましい。真空中で熱転写を行うことにより、より低エネルギーでのレーザを使用した転写が可能になり、転写される発光層２４に与えられる熱的な悪影響を軽減することができる。また、熱転写の工程を真空中で行うことにより、被転写基板２０Ａとドナー基板１０との密着性が高まり、転写のパターン精度が良好になる。更に、全プロセスを連続して真空中で行うようにすることで、素子の劣化を防ぐことが可能である。
【００６２】
なお、赤色発光層２４ＣＲ，緑色発光層２４ＣＧおよび青色発光層２４ＣＢの熱転写の工程は、どの順に行っても良い。
【００６３】
上述した熱転写工程では、全ての熱転写が終了したか否かを判断する（ステップＳ２０３）。終了していない（ステップＳ２０３；Ｎ）と判断された場合には、熱転写の工程（ステップＳ２０２）に戻る。終了した（ステップＳ２０３；Ｙ）と判断された場合には、発光層２４Ｃの加熱処理を行う（ステップＳ２０４）。
【００６４】
（発光層の加熱処理）
熱転写が終了したのち、発光層２４Ｃの加熱処理を行う（ステップＳ２０４）。転写層１４の加熱処理（ステップＳ１０３）および発光層２４Ｃの加熱処理（ステップＳ２０４）の２回の加熱処理を行うことにより、転写層１４の加熱処理（ステップＳ１０３）のみを行う場合と比較して、更に有機電界発光素子の特性向上を図ることが可能となる。
【００６５】
発光層２４Ｃの加熱処理は、発光層２４Ｃを構成する有機材料、すなわちホスト材料であるα−ＮＰＤおよびＡＤＮのガラス転移点以上でかつ融点より低い温度で行われる。赤色発光層２４ＣＲ，緑色発光層２４ＣＧおよび青色発光層２４ＣＢが異なる有機材料（ホスト材料）を用いて構成されている場合には、それらのうちの最も高いガラス転移点以上で、かつそれらのうちの最も低い融点よりも低い温度で加熱処理を行う。
【００６６】
発光層２４Ｃの加熱処理は、ドナー基板１０の作製における転写層１４の加熱処理より低い温度で行うことが好ましい。発光層２４Ｃの加熱処理を、転写層１４の加熱処理よりも高い温度で行うと、正孔輸送層２４Ｂと発光層２４Ｃとの反応が生じたりして好ましくない。
【００６７】
また、発光層２４Ｃの加熱処理は、基板２１上に形成されている有機層、すなわち正孔注入層２４Ａ、正孔輸送層２４Ｂ、赤色発光層２４ＣＲ、緑色発光層２４ＣＧおよび青色発光層２４Ｂを構成する各有機材料の融点よりも低い範囲で、かつ正孔輸送層２４Ａおよび赤色発光層２４Ｒを構成する各有機材料のガラス転移点付近の温度での加熱処理を行う。これにより、正孔輸送層２４Ａおよび赤色発光層２４ＣＲの露出表面を平坦化する。
【００６８】
ここでの、ガラス移転付近の温度とは、正孔輸送層２４Ａを支配的に構成している有機材料のガラス転移点と、赤色発光層２４ＣＲ、緑色発光層２４ＣＧおよび青色発光層２４ＣＢを支配的に構成している有機材料のガラス転移点との中間の温度±３０℃以内の温度であることとする。
【００６９】
例えば、正孔輸送層２４Ａおよび赤色発光層２４ＣＲを構成する主材料はα−ＮＰＤであり、緑色発光層２４ＣＧおよび青色発光層２４ＣＢを構成する主材料はＡＤＮである。α−ＮＰＤのガラス転移温度は９６℃であり、ＡＤＮのガラス転移点は１０６℃である。このため、発光層２４Ｃの加熱処理は、例えば１００℃において３０分程度行う。
【００７０】
発光層２４Ｃの加熱処理は、真空状態を含む不活性な雰囲気中において行う。
【００７１】
（複数の有機層の残部および上部電極を形成する工程）
発光層２４Ｃの加熱処理を行ったのち、図５（Ａ）に示したように、例えば蒸着法により、電子輸送層２４Ｄ（第２電荷輸送層）を形成する（ステップＳ２０５）。電子輸送層２４Ｄの材料としては、一般的な電子輸送材料、例えば８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３ ）を用いる。電子輸送層２４Ｄの厚みは、例えば２０ｎｍ程度とする。電子輸送層２４Ｄは、発光層２４Ｃの上に、全面に共通層として形成する。これにより、正孔注入層２４Ａ、正孔輸送層２４Ｂ、発光層２４Ｃおよび電子輸送層２４Ｄよりなる有機層２４が形成される。
【００７２】
有機層２４を形成したのち、図５（Ｂ）に示したように、例えば真空蒸着法により、電子注入層２５（第１電荷注入層）を形成する（ステップＳ２０５）。電子注入層２５の材料としては、一般的な電子注入材料、例えばＬｉＦが挙げられる。電子注入層２５の厚みは例えば約０．３ｎｍとし、蒸着速度は例えば０．０１ｎｍ／ｓｅｃ以下とする。電子注入層２５は、電子輸送層２４Ｄの上に、全面に共通層として形成する。
【００７３】
電子注入層２５を形成したのち、同じく図５（Ｂ）に示したように、電子注入層２５上に、上部電極２６を形成する（ステップＳ２０５）。この上部電極２６は、下部電極２２が陽極である場合には陰極として用いられ、下部電極２２が陰極である場合には陽極として用いられる。
【００７４】
ここで作製する表示装置が単純マトリックス方式である場合には、上部電極２６を、例えば下部電極２２のストライプと交差するストライプ状に形成する。一方、この表示装置がアクティブマトリックス方式である場合には、この上部電極２６を、電子注入層２５の上に、全面にベタ膜状に形成し、各画素に共通の電極として用いる。この場合、下部電極２２と同一層で補助電極（図示省略）を形成し、この補助電極に対して上部電極２６を接続させることで、上部電極２６の電圧降下を防止するようにしてもよい。
【００７５】
これにより、下部電極２２と上部電極２６との交差部において、発光層２４Ｃを含む有機層２４が挟持された部分に、赤色発光素子２０Ｒ、緑色発光素子２０Ｇおよび青色発光素子２０Ｂがそれぞれ形成される。
【００７６】
上部電極２６には、作製する表示装置の光取り出し方式に適する材質を選択して用いる。すなわち、この表示装置が基板２１と反対側から発光層２４Ｃでの発光光を取り出す上面発光型または両面発光型である場合には、上部電極２６を光透過性材料または半透過性材料で構成する。一方、この表示装置が基板２１側からのみ発光光を取り出す下面発光型である場合には、上部電極２６を高反射性材料で構成する。
【００７７】
表示装置が上面発光型であり、下部電極２２を陽極、上部電極２６を陰極として用いる場合には、上部電極２６を、有機層２４に対して電子を効率的に注入できるように、下部電極２２の形成工程で例示した仕事関数の小さい材料のうちから光透過性の良好な材料を用いて形成する。具体的には、上部電極２６をＭｇ−Ａｇ合金により構成し、厚みを例えば１０ｎｍ程度とする。上部電極２６の成膜方法は、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法（真空蒸着法）またはＣＶＤ(chemical vapor deposition) 法を用いることが望ましい。
【００７８】
また、表示装置が上面発光型である場合には、上部電極２６を半透過性とすることにより、上部電極２６と下部電極２２との間で共振器構造を構成し、取り出し光の強度を高めるようにしてもよい。
【００７９】
表示装置が透過型であり、上部電極２６を陰極として用いる場合には、上部電極２６を、仕事関数が小さくかつ反射率の高い導電性材料で構成する。表示装置が透過型であり、上部電極２６を陽極として用いる場合には、上部電極２６を、反射率の高い導電性材料で構成する。
【００８０】
（封止工程）
このようにして有機電界発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを形成したのち、図６に示したように、上部電極２６の上に保護膜２７を成膜する（ステップＳ２０６）。この保護膜２７は、有機層２４への水分の到達防止を目的とし、透過水性, 吸水性の低い材料を用いて十分な膜厚で形成する。また、ここで作製する表示装置が上面発光型である場合には、保護膜２７を発光層２４で発生した光を透過する材料により構成し、例えば８０％程度の透過率を確保する。
【００８１】
保護膜２７は、例えば、絶縁性材料により構成してもよい。保護膜２７を絶縁性材料により構成する場合には、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）, アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）, アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ１−ｘ Ｎｘ ）さらにはアモルファスカーボン（α−Ｃ）等を好適に用いることができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
【００８２】
例えば、アモルファス窒化シリコンからなる保護膜２７を形成する場合には、ＣＶＤ法によって２〜３μｍの膜厚で形成する。その際、有機層２４の劣化による輝度の低下を防止するため成膜温度を常温に設定し、更に、保護膜２７の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。
【００８３】
また、ここで作製する表示装置がアクティブマトリックス方式であって、上部電極２６をベタ膜の共通電極として設ける場合には、保護膜２７は、導電性材料により構成してもよい。保護膜２７を導電性材料により構成する場合には、例えばＩＴＯやＩＺＯのような透明導電性材料を用いる。
【００８４】
転写層１４の加熱処理（ステップＳ１０３）から、上部電極２６の形成（ステップＳ２０５）まで、より好ましくは保護膜２７の形成（ステップＳ２０６）までは、大気暴露されることなく一連の真空状態を含む不活性な雰囲気中で行う。これらの途中工程で、ドナー基板１０または基板２１（被転写基板２０Ａ）を大気中の酸素や水分に曝すことがなくなり、特性の低下を抑えることが可能となる。
【００８５】
保護膜２７を形成したのち、同じく図６に示したように、保護膜２７の上に、樹脂材料よりなる接着層３０を形成し、この接着層３０を間にして封止用基板４０を貼り合わせる（ステップＳ２０６）。接着層３０の樹脂材料としては、例えば紫外線硬化樹脂を用いる。封止用基板４０としては例えばガラス基板を用いる。ここで作製する表示装置が上面発光型である場合には、接着層３０および封止用基板４０は、光透過性を有する材料により構成する。
【００８６】
以上により、基板２１上に有機電界発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを配列した表示装置が完成する。
【００８７】
この表示装置では、下部電極２２と上部電極２６との間に所定の電圧が印加されると、発光層２４Ｃに電流が注入され、正孔と電子とが再結合することにより発光が起こる。この光は、例えば上面発光の場合、上部電極２６，保護層２７および封止用基板４０を透過して取り出される。ここでは、発光層２４Ｃが、塗布膜１５の真空乾燥により得られた均一性の高い転写層１４を用いて形成されているので、発光層２４Ｃの均一性も高くなっており、発光特性が向上する。
【００８８】
このように本実施の形態では、有機材料および沸点１４０℃以上２３０℃以下の溶媒を含む塗布液を基材１１に塗布して塗布膜１５を形成し、この塗布膜１５を真空乾燥することにより転写層１４を形成するようにしたので、均一な転写層１４を形成し、発光特性を向上させることが可能となる。
【００８９】
（第２の実施の形態）
次いで、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法について説明する。本実施の形態の製造方法は、一辺の長さが６０ｃｍ以上の大型の基材１１を用いる場合に関するものであり、塗布液の総固形分濃度、塗布膜１５を形成したのち真空乾燥の開始までの時間、および真空乾燥工程の温度を所定範囲とするようにしている。このことを除いては、本実施の形態の製造方法は第１の実施の形態と同様であるので、重複する工程については第１の実施の形態および図１ないし図６を参照して説明する。
【００９０】
（ドナー基板を形成する工程）
まず、第１の実施の形態と同様にして、図２（Ａ）に示した工程により、基材１１に、光熱変換層１２および酸化保護層１３を形成する。基材１１としては、一辺の長さが６０ｃｍ以上のものを用いることが好ましい。製造コストを低減することができるからである。
【００９１】
次いで、第１の実施の形態と同様にして、同じく図２（Ａ）に示した工程により、基材１１に、光熱変換層１２および酸化保護膜１３を間にして、赤色塗布膜１５Ｒ，緑色塗布膜１５Ｇまたは青色塗布膜１５Ｂのいずれか（以下、塗布膜１５と総称する。）を形成する（ステップＳ１０１）。この塗布膜１５は、第１の実施の形態と同様に、有機材料および沸点１４０℃以上２３０℃以下の溶媒を含む塗布液（インク）を基材１１に塗布することにより形成する。
【００９２】
その際、塗布液の総固形分濃度を０．１重量％以上１重量％以下とすることが好ましい。０．１重量％より小さいと、所望の厚みの塗布膜１５を得るために必要な塗布液の塗布厚みが増し、乾燥工程で乾燥すべき溶媒の量が増えるので、均一に乾燥することが難しくなり、塗布膜１５のムラが生じやすくなって、発光ムラの原因となる。一方、１重量％よりも大きいと、有機発光材料は溶媒に対する溶解性が低いものが多いので、有機発光材料と溶媒との組み合わせが限定され、必要な特性を得ることが難しくなる。また、塗布液の塗布厚みが小さくなるので、スリットコータでは塗布液の吐出量が低くなり、塗布液ビードが不安定となり、塗布液の液膜が途切れてしまうなどの塗布不良が発生するおそれがある。更に、固形分が析出して粒状になってしまい、発光ムラの原因となる。
【００９３】
なお、塗布液の固形成分の含有量は、各成分の室温における飽和溶解量の８０％以下であることが好ましく、７０％以下であれば更に好ましい。塗布液が飽和溶解量に近い濃度で作られていると、冬季に配管温度が下がったり、容器壁付着などで溶媒が揮発することで材料の析出が起きるおそれがある。この析出ブツは塗布液に混入し、塗布品質を著しく悪化させる。
【００９４】
塗布液の水分含有率は、０．１ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下とすることが好ましい。１０００ｐｐｍより高いと、水分により素子特性の悪化が生じるからである。
【００９５】
塗布膜１５を形成する工程は、窒素を主成分とし、酸素含有率が０．１ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下であり、露点が−８０℃以上−３０℃未満の雰囲気で行うことが好ましい。酸素含有率が１０００ｐｐｍより高い、または露点−３０℃以上では、素子特性の悪化が生じる。また、酸素含有率が０．１ｐｐｍより低い、または露点が−８０℃より低いと、素子特性の悪化は生じないが、大面積の基材１１を用いた場合には、非常に高いコストの雰囲気精製装置が必要となり、現実的ではない。
【００９６】
続いて、第１の実施の形態と同様にして、図２（Ｂ）に示した工程により、塗布膜１５を真空乾燥することにより転写層１４（赤色転写層１４Ｒ，緑色転写層１４Ｇまたは青色転写層１４Ｂ）を形成する（ステップＳ１０２）。
【００９７】
塗布膜１５の真空乾燥は、塗布膜１５を形成したのち、５秒以上１２０秒以内に開始することが好ましい。５秒より短く、または１２０秒よりも長いと、塗布膜１５のムラが大きくなり、発光ムラの原因となるからである。
【００９８】
また、塗布膜１５を真空乾燥する工程は、室温よりも−１０℃以上＋１０℃以下の温度で行うことが好ましい。基材１１が塗布温度（室温すなわち２３℃）と異なる温度に保持された減圧乾燥機に導入される際に、温度差が大きいと、昇温が均一に進行せず、塗布膜１５面内の温度ムラが液体の流動を引き起こし、塗布膜１５にムラが生じて、発光ムラや発光強度低下の原因となるからである。
【００９９】
すなわち、本実施の形態で使用する沸点１４０℃以上２３０℃以下の溶媒は、室温においてわずかな蒸気圧を有している。そのため、塗布膜１５を形成したのち、減圧乾燥機に導入され、乾燥の設定温度に達するまでの時間内にも、微量の溶媒が揮発し、その気化熱が塗布膜１５の面内で不均一に奪われることによって、塗布膜１５の面内にわずかな温度分布が生じる。これにより、塗布膜１５を構成する塗布液のごく微小な移動が生じ、塗布膜１５の厚みムラを引き起こす。このムラは、基材１１のサイズが小さい場合には顕著には現れないが、一辺の長さが６０ｃｍ以上の大きな基材１１を用いる場合には顕著な問題となる。
【０１００】
そこで、塗布膜１５の真空乾燥を室温よりも−１０℃以上＋１０℃以下の温度で行うことにより、塗布膜１５を形成したのち、減圧乾燥機に導入され、乾燥の設定温度に達するまでの時間内に生じる塗布膜１５の温度分布を著しく小さくすることができ、塗布膜１５の厚みムラを抑制することが可能となる。
【０１０１】
そののち、第１の実施の形態と同様にして、同じく図２（Ｂ）に示した工程により、転写層１４を加熱処理する（ステップＳ１０３）。これにより、基材１１に有機材料を含む転写層１４（赤色転写層１４Ｒ，緑色転写層１４Ｇまたは青色転写層１４Ｂ）を有するドナー基板１０（赤色ドナー基板１０Ｒ，緑色ドナー基板１０Ｇまたは青色ドナー基板１０Ｂ）が完成する。
【０１０２】
（被転写基板を形成する工程）
一方、第１の実施の形態と同様にして、図３（Ａ）に示した工程により、基板２１に下部電極２２、絶縁膜２３、正孔注入層２４Ａおよび正孔輸送層２４Ｂを設けることにより、被転写基板２０Ａを形成する（ステップＳ２０１）。
【０１０３】
（熱転写により発光層を形成する工程）
被転写基板２０Ａを形成したのち、第１の実施の形態と同様にして、図３（Ｂ），図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示した工程により、転写層１４を被転写基板２０Ａに対向配置し、転写層１４を昇華または気化させて被転写基板２０Ａに熱転写することにより赤色発光層２４ＣＲ，緑色発光層２４ＣＧおよび青色発光層２４ＣＢを形成する（ステップＳ２０２）。
【０１０４】
熱転写工程では、全ての熱転写が終了したか否かを判断する（ステップＳ２０３）。終了していない（ステップＳ２０３；Ｎ）と判断された場合には、熱転写の工程（ステップＳ２０２）に戻る。終了した（ステップＳ２０３；Ｙ）と判断された場合には、発光層２４Ｃの加熱処理を行う（ステップＳ２０４）。
【０１０５】
熱転写が終了したのち、第１の実施の形態と同様にして、発光層２４Ｃの加熱処理を行う（ステップＳ２０４）。
【０１０６】
（複数の有機層の残部および上部電極を形成する工程）
発光層２４Ｃの加熱処理を行ったのち、第１の実施の形態と同様にして、図５（Ａ），図５（Ｂ）に示した工程により、電子輸送層２４Ｄ，電子注入層２５および上部電極２６を形成する（ステップＳ２０５）。これにより、下部電極２２と上部電極２６との交差部において、発光層２４Ｃを含む有機層２４が挟持された部分に、赤色発光素子２０Ｒ、緑色発光素子２０Ｇおよび青色発光素子２０Ｂがそれぞれ形成される。
【０１０７】
（封止工程）
このようにして有機電界発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを形成したのち、第１の実施の形態と同様にして、図６に示した工程により、上部電極２６の上に保護膜２７および接着層３０を形成し、接着層３０を間にして封止用基板４０を貼り合わせる（ステップＳ２０６）。以上により、基板２１上に有機電界発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを配列した表示装置が完成する。
【０１０８】
このように本実施の形態では、塗布液の総固形分濃度、塗布膜１５を形成したのち真空乾燥の開始までの時間、および真空乾燥工程の温度を所定範囲とするようにしたので、塗布膜１５のムラ等を抑えて、発光ムラや発光強度低下を抑えることが可能となる。よって、製造コスト低減のために一辺の長さが６０ｃｍ以上の大型の基材１１を用いた場合にも、均一な転写層１４を形成し、発光特性を向上させることが可能となる。
【０１０９】
（第３の実施の形態）
続いて、本発明の第３の実施の形態に係る表示装置の製造方法について説明する。本実施の形態の製造方法は、一辺の長さが６０ｃｍ以上の大型の基材１１を用いる場合に関するものであり、塗布装置および搬送空間の雰囲気、搬送空間の寸法および搬送速度、並びに真空乾燥工程の温度を所定範囲とするようにしている。このことを除いては、本実施の形態の製造方法は第１の実施の形態と同様であるので、重複する工程については第１の実施の形態および図１ないし図６を参照して説明する。
【０１１０】
（ドナー基板を形成する工程）
まず、第１の実施の形態と同様にして、図２（Ａ）に示した工程により、基材１１に、光熱変換層１２および酸化保護層１３を形成する。基材１１としては、第２の実施の形態と同様に、一辺の長さが６０ｃｍ以上のものを用いることが好ましい。製造コストを低減することができるからである。
【０１１１】
次いで、第１の実施の形態と同様にして、同じく図２（Ａ）に示した工程により、基材１１に、光熱変換層１２および酸化保護膜１３を間にして、赤色塗布膜１５Ｒ，緑色塗布膜１５Ｇまたは青色塗布膜１５Ｂのいずれか（以下、塗布膜１５と総称する。）を形成する（ステップＳ１０１）。この塗布膜１５は、第１の実施の形態と同様に、有機材料および沸点１４０℃以上２３０℃以下の溶媒を含む塗布液（インク）を基材１１に塗布することにより形成する。
【０１１２】
続いて、第１の実施の形態と同様にして、図２（Ｂ）に示した工程により、塗布膜１５を真空乾燥することにより転写層１４（赤色転写層１４Ｒ，緑色転写層１４Ｇまたは青色転写層１４Ｂ）を形成する（ステップＳ１０２）。
【０１１３】
そののち、第１の実施の形態と同様にして、同じく図２（Ｂ）に示した工程により、転写層１４を加熱処理する（ステップＳ１０３）。これにより、基材１１に有機材料を含む転写層１４（赤色転写層１４Ｒ，緑色転写層１４Ｇまたは青色転写層１４Ｂ）を有するドナー基板１０（赤色ドナー基板１０Ｒ，緑色ドナー基板１０Ｇまたは青色ドナー基板１０Ｂ）が完成する。
【０１１４】
図７は、塗布膜１５を形成する工程を行う塗布装置５１と、塗布膜１５を真空乾燥して転写層１４を形成する工程を行う減圧乾燥装置５２と、転写層１４を加熱処理する工程を行う真空ベーク炉５３との位置関係を表したものである。
【０１１５】
塗布装置５１は、例えばスリットコータにより構成されると共に、雰囲気制御のための筐体５１Ａに収容されている。
【０１１６】
塗布装置５１の筐体５１Ａと減圧乾燥装置５２との間には、搬送空間５４が設けられている。この搬送空間５４は、塗布装置５１から減圧乾燥装置５２まで基材１１を搬送するためのものであり、雰囲気制御のための筐体５４Ａを有している。
【０１１７】
塗布装置５１の筐体５１Ａの天井５１Ｂには、制御された雰囲気を導入するための導入口５１Ｃが設けられている。また、搬送空間５４の筐体５４Ａの天井５４Ｂには、筐体５１Ａと同様に、制御された雰囲気を導入するための導入口５４Ｃが設けられている。
【０１１８】
塗布装置５１（すなわち筐体５１Ａ内部）および搬送空間５４（すなわち筐体５４Ａ内部）を、窒素を主成分とする雰囲気とすることが好ましい。有機ＥＬ材料は水、酸素への暴露により特性の劣化が生じやすいからである。
【０１１９】
具体的には、塗布装置５１および搬送空間５４を、窒素を主成分とし、酸素含有率が０．１ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下の雰囲気とすることが好ましい。５０００ｐｐｍより高いと発光材料の劣化が生じ、発光ムラや発光強度低下の原因となるからである。また、０．１ｐｐｍより低いと、大面積の基材１１を用いた場合に、基材１１が置かれる雰囲気を維持するための設備コストが膨大となり現実的ではない。
【０１２０】
塗布装置５１と、搬送空間５４とは、露点−８０℃以上−３０℃以下の雰囲気に制御することが好ましい。この範囲外では塗布膜１５のムラが生じ、発光ムラや発光強度低下の原因となるからである。
【０１２１】
また、搬送空間５４における基材１１から搬送空間の天井５４Ｂまでの距離Ｌ（ｍ）および基材１１の搬送速度Ｖ（ｍ／ｓｅｃ）を、数１を満たすようにすることが好ましい。これにより、搬送に起因する塗布膜１５のムラを改善すると共に、生産コストの上昇を抑えることが可能となる。すなわち、距離Ｌが０．３ｍよりも小さいと、搬送空間５４が狭すぎることにより搬送に伴って風が起き、塗布膜１５のムラが生じ、発光ムラや発光強度低下の原因となる。また距離Ｌが０．９ｍよりも大きいと、雰囲気維持のための気体の製造・使用コストが大きくなり、製造コスト増大の原因となる。Ｖ／Ｌが数１の範囲外の場合には、塗布膜１５のムラが生じ、発光ムラの原因となる。
【０１２２】
（数１）
０．３≦＜Ｌ≦０．９
０．３≦Ｖ／Ｌ＜４
【０１２３】
ここで、距離Ｌは、搬送空間５４の筐体５４Ａの天井５４Ｂの高さが場所により異なっている場合には、基材１１の搬送方向に２０ｃｍ以上の厚さを有する空間のうちで、最も短い距離をいう。このとき、減圧乾燥装置５２や塗布装置５１に基材１１を出し入れするための開口部、測定治具などの突起、基材１１の搬送方向に２０ｃｍ以下の厚さの空間（間仕切りなど）は含めない。
【０１２４】
搬送速度Ｖは、基材１１が併進運動ではなく、円弧など基材１１の部位によって異なる速さで動く場合には、基材１１の中で最も速い速度で運動する部位の速度をいう。
【０１２５】
なお、減圧乾燥装置５２と真空ベーク炉５３との間にも、搬送空間（図示せず）が設けられている。しかし、真空乾燥後では、転写層１４の流動性が低いので搬送条件は特に限定されず、酸素含有率および露点のみを上記範囲内に制御すれば足りる。
【０１２６】
塗布膜１５を真空乾燥する工程は、第２の実施の形態と同様に、室温よりも−１０℃以上＋１０℃以下の温度で行うことが好ましい。塗布膜１５に乾燥温度ムラが生じ、発光ムラや発光強度低下の原因となるからである。
【０１２７】
（被転写基板を形成する工程）
一方、第１の実施の形態と同様にして、図３（Ａ）に示した工程により、基板２１に下部電極２２、絶縁膜２３、正孔注入層２４Ａおよび正孔輸送層２４Ｂを設けることにより、被転写基板２０Ａを形成する（ステップＳ２０１）。
【０１２８】
（熱転写により発光層を形成する工程）
被転写基板２０Ａを形成したのち、第１の実施の形態と同様にして、図３（Ｂ），図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示した工程により、転写層１４を被転写基板２０Ａに対向配置し、転写層１４を昇華または気化させて被転写基板２０Ａに熱転写することにより赤色発光層２４ＣＲ，緑色発光層２４ＣＧおよび青色発光層２４ＣＢを形成する（ステップＳ２０２）。
【０１２９】
熱転写工程では、全ての熱転写が終了したか否かを判断する（ステップＳ２０３）。終了していない（ステップＳ２０３；Ｎ）と判断された場合には、熱転写の工程（ステップＳ２０２）に戻る。終了した（ステップＳ２０３；Ｙ）と判断された場合には、発光層２４Ｃの加熱処理を行う（ステップＳ２０４）。
【０１３０】
熱転写が終了したのち、第１の実施の形態と同様にして、発光層２４Ｃの加熱処理を行う（ステップＳ２０４）。
【０１３１】
（複数の有機層の残部および上部電極を形成する工程）
発光層２４Ｃの加熱処理を行ったのち、第１の実施の形態と同様にして、図５（Ａ），図５（Ｂ）に示した工程により、電子輸送層２４Ｄ，電子注入層２５および上部電極２６を形成する（ステップＳ２０５）。これにより、下部電極２２と上部電極２６との交差部において、発光層２４Ｃを含む有機層２４が挟持された部分に、赤色発光素子２０Ｒ、緑色発光素子２０Ｇおよび青色発光素子２０Ｂがそれぞれ形成される。
【０１３２】
（封止工程）
このようにして有機電界発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを形成したのち、第１の実施の形態と同様にして、図６に示した工程により、上部電極２６の上に保護膜２７および接着層３０を形成し、接着層３０を間にして封止用基板４０を貼り合わせる（ステップＳ２０６）。以上により、基板２１上に有機電界発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを配列した表示装置が完成する。
【０１３３】
このように本実施の形態では、塗布装置５１および搬送空間５４の雰囲気、搬送空間５４の寸法および搬送速度Ｖ、並びに真空乾燥工程の温度を所定範囲とするようにしたので、塗布膜１５のムラ等を抑えて、発光ムラや発光強度低下を抑えることが可能となる。よって、製造コスト低減のために一辺の長さが６０ｃｍ以上の大型の基材１１を用いた場合にも、均一な転写層１４を形成し、発光特性を向上させることが可能となる。
【０１３４】
（表示装置の構成）
図８は、上記各実施の形態の製造方法によって製造された表示装置の全体構成の一例を表したものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスよりなる駆動用基板１１の上に、後述する複数の有機発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されたものである。
【０１３５】
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図９は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、下部電極２２の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【０１３６】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【０１３７】
（モジュールおよび適用例）
以下、上述した各実施の形態の製造方法により製造された表示装置の適用例について説明する。この表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【０１３８】
（モジュール）
上記各実施の形態の製造方法により製造された表示装置は、例えば、図１０に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板２１の一辺に、封止用基板４０および接着層３０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【０１３９】
（適用例１）
図１１は、上記各実施の形態の製造方法により製造された表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態の製造方法により製造された表示装置により構成されている。
【０１４０】
（適用例２）
図１２は、上記各実施の形態の製造方法により製造された表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態の製造方法により製造された表示装置により構成されている。
【０１４１】
（適用例３）
図１３は、上記各実施の形態の製造方法により製造された表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態の製造方法により製造された表示装置により構成されている。
【０１４２】
（適用例４）
図１４は、上記各実施の形態の製造方法により製造された表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態の製造方法により製造された表示装置により構成されている。
【０１４３】
（適用例５）
図１５は、上記各実施の形態の製造方法により製造された表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態の製造方法により製造された表示装置により構成されている。
【実施例】
【０１４４】
更に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【０１４５】
（実施例１−１〜１−７）
上記第１の実施の形態と同様にして、基材１１に緑色転写層１４Ｇを有する緑色ドナー基板１０Ｇを作製した。まず、基材１１として３０ｃｍ×３５ｃｍのガラス基板を用意し、この基材１１に、スパッタリング法により、モリブデン（Ｍｏ）よりなる光熱変換層１２を２００ｎｍの厚みで形成した。次いで、光熱変換層１２の上に、ＣＶＤ法により、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）よりなる酸化保護膜１３を１００ｎｍの厚みで形成した。続いて、濡れ性向上のため、エキシマＵＶを用いて、基板１１の前処理を行った。
【０１４６】
そののち、ホスト材料としてのＡＤＮに、緑色発光性のドーパント材料としてクマリンを混合し、この混合物を溶媒に溶解させて塗布液を調製した。その際、実施例１−１〜１−７で、溶媒の種類および沸点を、表１に示したように異ならせた。
【０１４７】
【表１】
2011108421.tif 000003
【０１４８】
塗布液を調製したのち、この塗布液をスリットコーターを用いて基材１１に幅２５０ｍｍ、液膜の厚み約１０μｍで塗布し、緑色塗布膜１５Ｇを形成した。スリットコートの塗布速度は３０ｍｍ／ｓｅｃとし、塗布長さは２８０ｍｍとした。
【０１４９】
緑色塗布膜１５Ｇを形成したのち、この緑色塗布膜１５Ｇを真空乾燥することにより緑色転写層１４Ｇを形成した。その際、真空デシケータを用い、室温で真空引き（到達真空度１Ｔｏｒｒ）を行うことにより、溶媒を除去した。
【０１５０】
スリットコート後および真空乾燥後の緑色塗布膜１５Ｇの状態を目視により観察した。その結果を表１に併せて示す。
【０１５１】
表１から分かるように、沸点１５６℃の溶媒を用いた実施例１−４と、沸点１７０℃の溶媒を用いた実施例１−５では、それ以外の実施例に比べて、緑色塗布膜１５Ｇの均一性が向上していた。一方、沸点６６℃の溶媒を用いた実施例１−１、沸点１１０℃の溶媒を用いた実施例１−２、沸点１３１℃の溶媒を用いた実施例１−３では、溶媒の沸点が低いので、スリットコート中に溶媒の乾燥が部分的に始まってしまい、ムラが生じた。また、沸点２０４℃の溶媒を用いた実施例１−６，１−７では、スリットコート後には均一な緑色塗布膜１５Ｇが得られていたものの、真空乾燥後に乾燥ムラが生じた。
【０１５２】
すなわち、塗布液の溶媒として沸点１４０℃以上２００℃以下のものを用いれば、均一な塗布膜１５を形成することができることが分かった。更に、沸点１５０℃以上１７０℃以下のものを用いれば、塗布膜１５を均一に真空乾燥させて、均一な転写層１４を形成することができることが分かった。
【０１５３】
（実施例２−１〜２−１０）
上記第１の実施の形態と同様にして、基材１１に緑色転写層１４Ｇを有する緑色ドナー基板１０Ｇを作製した。まず、基材１１として３０ｃｍ×３５ｃｍのガラス基板を用意し、この基材１１に、スパッタリング法により、モリブデン（Ｍｏ）よりなる光熱変換層１２を２００ｎｍの厚みで形成した。次いで、光熱変換層１２の上に、ＣＶＤ法により、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）よりなる酸化保護膜１３を１００ｎｍの厚みで形成した。続いて、濡れ性向上のため、エキシマＵＶを用いて、基板１１の前処理を行った。
【０１５４】
そののち、ホスト材料として実施例２−１〜２−５ではＡＤＮ、実施例２−６〜２−１０ではα−ＮＰＤを用い、これらのホスト材料に、緑色発光性のドーパント材料としてクマリンを混合し、この混合物を溶媒としてのシクロヘキサノンに溶解させて塗布液を調製した。
【０１５５】
塗布液を調製したのち、この塗布液をスリットコーターを用いて基材１１に幅２５０ｍｍ、液膜の厚み約１０μｍで塗布し、緑色塗布膜１５Ｇを形成した。
【０１５６】
緑色塗布膜１５Ｇを形成したのち、この緑色塗布膜１５Ｇを真空乾燥することにより緑色転写層１４Ｇを形成した。その際、真空デシケータを用い、室温で真空引き（到達真空度１Ｔｏｒｒ）を行うことにより、溶媒を除去した。真空乾燥後の緑色転写層１４Ｇの溶媒混入度を、実施例２−１〜２−１０で表２に示したように異ならせた。
【０１５７】
【表２】
2011108421.tif 000004
【０１５８】
緑色転写層１５Ｇを形成したのち、この緑色転写層１５Ｇに対して、ホットプレートで１８０℃、１０分間の加熱処理を行い、放冷し、得られた緑色転写層１４Ｇの状態を目視により観察した。その結果を表２に併せて示す。
【０１５９】
表２から分かるように、ホスト材料としてＡＤＮを用いた実施例２−１〜２−５では、真空乾燥後の溶媒混入度を１０００ｐｐｍ以下とした実施例２−１〜２−３のほうが、溶媒混入度を２０００ｐｐｍ、３０００ｐｐｍとした実施例２−４，２−５に比べて加熱処理後の緑色転写層１４Ｇの状態が良好になっていた。なお、実施例２−４，２−５では、加熱処理後の緑色転写層１４Ｇに孔（いわゆる膜抜け）が生じていた。一方、ホスト材料としてα−ＮＰＤを用いた実施例２−６〜２−１０では、真空乾燥後の溶媒混入度によって、加熱処理後の緑色転写層１４Ｇの状態に違いは見られなかった。
【０１６０】
すなわち、ホスト材料としてＡＤＮを用いた場合には、真空乾燥後の溶媒混入度を１０００ｐｐｍ以下とすることにより、加熱処理後の緑色転写層１４Ｇの状態を良好にすることができることが分かった。
【０１６１】
（実施例３−１〜３−３）
上記第１の実施の形態と同様にして、緑色発光素子２０Ｇを形成した。その際、ドナー基板１０の基材１１および被転写基板２０Ａの基板２１として、２５ｍｍ×２５ｍｍのガラス基板を用い、緑色発光素子２０Ｇの大きさは２ｍｍ×２ｍｍとした。
【０１６２】
まず、基材１１に緑色転写層１４Ｇを有する緑色ドナー基板１０Ｇを作製した。基材１１として２５ｍｍ×２５ｍｍのガラス基板を用意し、この基材１１に、スパッタリング法により、モリブデン（Ｍｏ）よりなる光熱変換層１２を２００ｎｍの厚みで形成した。次いで、光熱変換層１２の上に、ＣＶＤ法により、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）よりなる酸化保護膜１３を１００ｎｍの厚みで形成した。続いて、濡れ性向上のため、エキシマＵＶを用いて、基板１１の前処理を行った。
【０１６３】
そののち、ホスト材料としてのＡＤＮに、緑色発光性のドーパント材料としてクマリンを混合し、この混合物を溶媒としてのシクロヘキサノンに０．３重量％溶解させて塗布液を調製した。
【０１６４】
塗布液を調製したのち、この塗布液を小型ディスペンサーを用いて基材１１に、液膜の厚み約１０μｍで塗布し、緑色塗布膜１５Ｇを形成した。
【０１６５】
緑色塗布膜１５Ｇを形成したのち、この緑色塗布膜１５Ｇを真空乾燥機に移動させ、真空乾燥することにより緑色転写層１４Ｇを形成した。その際、真空簡素後の緑色転写層１４Ｇの溶媒混入度が５００ｐｐｍ以下となるまで十分に真空引きを行った。
【０１６６】
緑色転写層１４Ｇを形成したのち、この緑色転写層１４Ｇに対して、窒素ガス中において加熱処理を行った。その際、加熱温度は、実施例３−１では１６０℃、実施例３−２では１８０℃、実施例３−３では１９０℃とした。
【０１６７】
上記第１の実施の形態と同様にして被転写基板２０Ａを作製した。基板２１として２５ｍｍ×２５ｍｍのガラス基板を用意し、この基板２１に、下部電極２２として、厚み１２０ｎｍのＡｇ−Ｐｕ−Ｃｕ合金膜と、厚み１０ｎｍのＩＴＯ膜とを順に形成した。
【０１６８】
次いで、スパッタリング法により酸化シリコンよりなる絶縁膜２３を形成し、この絶縁膜２３に、リソグラフィ法により、下部電極２２に対応して開口を設けた。
【０１６９】
続いて、蒸着法により、厚み１０ｎｍのｍ−ＭＡＤＡＴＡよりなる正孔注入層２４Ａと、厚み３５ｎｍのα−ＮＰＤよりなる正孔輸送層２４Ｂとを順に形成した。これにより、被転写基板２０Ａを形成した。
【０１７０】
そののち、緑色転写層１４Ｇを被転写基板２０Ａに対向配置し、真空中で密着させた。緑色ドナー基板１０Ｇと被転写基板２０Ａとの間には、絶縁膜２３の厚みによって、約３μｍの間隙が維持されていた。この状態で、緑色ドナー基板１０Ｇの裏側から波長８００ｎｍのレーザ光ｈｒを照射することにより、緑色転写層１４Ｇを昇華または気化させて、被転写基板２０Ａに熱転写し、緑色発光層２４ＣＧを形成した。レーザ光ｈｒは、スポットサイズ３００μｍ×１０μｍとし、スポット形状の長手方向に対して直交する方向に走査した。エネルギー密度は１．８Ｊ／ｃｍ2 とした。
【０１７１】
緑色発光層２４ＣＧを形成したのち、緑色発光層２４ＣＧが形成された基板２１全体に対して１００℃、３０分間、加熱処理を行った。
【０１７２】
緑色発光層２４ＣＧの加熱処理を行ったのち、蒸着法により、厚み２０ｎｍ程度のＡｌｑ３よりなる電子輸送層２４Ｄを形成した。続いて、蒸着法により、厚み約０．３ｎｍのＬｉＦよりなる電子注入層２５を形成した。電子注入層２５の蒸着速度は０．０１ｎｍ／ｓｅｃ以下とした。そののち、蒸着法により、厚み１０ｎｍのＭｇ−Ａｇ合金よりなる上部電極２６を形成した。
【０１７３】
上部電極２６を形成したのち、ＣＶＤ法により、厚み１０００ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮｘ）よりなる保護膜２７を形成した。保護膜２７の上に、紫外線硬化樹脂（スリーボンド社製「３０２７Ｃ」）よりなる接着層３０をディスペンサーにより一様に塗布し、封止用基板４０を貼り合わせ、紫外線ランプによって接着層３０を硬化させた。
【０１７４】
（比較例３−１）
緑色転写層１４Ｇの加熱処理を行わなかったことを除いては、実施例３−１〜３−３と同様にして緑色発光素子２０Ｇを作製した。
【０１７５】
得られた実施例３−１〜３−３および比較例３−１の緑色発光素子２０Ｇについて、１０ｍＡ／ｃｍ2の低電流密度を印加して初期発光効率を調べた。また、実施例３−１〜３−３と比較例３−１とで、同色、同輝度で発光するように電流印加を設定した状態で寿命試験を行い、１００時間経過後の輝度減少率を調べた。得られた結果を表３に示す。
【０１７６】
【表３】
2011108421.tif 000005
【０１７７】
表３から分かるように、緑色転写層１４Ｇの加熱処理を行った実施例３−１〜３−３では、緑色転写層１４Ｇの加熱処理を行わなかった比較例３−１に比べて、初期効率、１００時間経過後の輝度減少率のいずれも良好な結果が得られた。
【０１７８】
すなわち、緑色塗布膜１５Ｇを真空乾燥させて緑色転写層１４Ｇを形成したのち、緑色転写層１４Ｇを加熱処理することにより、発光効率や輝度半減寿命などの特性を向上させることができることが分かった。
【０１７９】
（実施例４−１）
上記第２の実施の形態と同様にして表示装置を作製した。その際、ドナー基板１０の基材１１として、６０ｃｍ×７２ｃｍのガラス基板を用いた。
【０１８０】
まず、基材１１に赤色転写層１４Ｒを有する緑色ドナー基板１０Ｒを作製した。基材１１として６０ｃｍ×７２ｃｍのガラス基板を用意し、この基材１１に、スパッタリング法により、モリブデン（Ｍｏ）よりなる光熱変換層１２を２００ｎｍの厚みで形成した。次いで、光熱変換層１２の上に、ＣＶＤ法により、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）よりなる酸化保護膜１３を１００ｎｍの厚みで形成した。
【０１８１】
そののち、露点−８０℃、酸素濃度０．３ｐｐｍのグローブボックス内で、水分含有率３５ｐｐｍのシクロヘキサノンに上記組成の窒素を１０分間バブリングした。ホスト材料としてのα−ＮＰＤに、赤色発光性のドーパント材料としてＢＳＮを３０重量％混合し、この混合物をシクロヘキサノンに０．５重量％の濃度で溶解させて赤色塗布液を調製した。
【０１８２】
赤色塗布液を調製したのち、この赤色塗布液を、露点−７５℃、酸素濃度１ｐｐｍの雰囲気に制御された筐体を有するスリットコータを用いて、室温（２３℃）で基材１１に塗布し、赤色塗布膜１５Ｒを形成した。
【０１８３】
赤色塗布膜１５Ｒを形成したのち、赤色塗布膜１５Ｒを形成した基材１１を機械式搬送機により、室温（２３℃）の減圧乾燥機に移動させ、真空乾燥することにより赤色転写層１４Ｒを形成した。塗布終了から減圧開始までの時間は２３秒とした。１２Ｐａまで減圧したのち、窒素にて大気圧までパージした。
【０１８４】
赤色転写層１４Ｒを形成したのち、この緑色転写層１４Ｇを、１００℃に保たれた真空チャンバーに導入し、１０分間加熱処理を行い、そののち窒素を導入した。赤色転写層１４Ｒの厚みは５０ｎｍとなるようにした。
【０１８５】
赤色ドナー基板１０Ｒと同様にして、緑色転写層１４Ｇを有する緑色ドナー基板１０Ｒを作製した。その際、ホスト材料としてのＡＤＮに、緑色発光性のドーパント材料としてクマリン６を５重量％の濃度で混合し、この混合物をシクロヘキサノンに０．３重量％の濃度で溶解させて緑色塗布液を調製した。緑色転写層１４Ｇの厚みは３０ｎｍとなるようにした。
【０１８６】
赤色ドナー基板１０Ｒと同様にして、青色転写層１４Ｂを有する青色ドナー基板１０Ｂを作製した。その際、ホスト材料としてのＡＤＮに、青色発光性のドーパント材料としてＤＰＡＶＢｉを２．５重量％混合し、この混合物をシクロヘキサノンに０．３重量％の濃度で溶解させて青色塗布液を調製した。青色転写層１４Ｂの厚みは３０ｎｍとなるようにした。
【０１８７】
上記第１の実施の形態と同様にして被転写基板２０Ａを作製した。基板２１としてガラス基板を用意し、この基板２１に、下部電極２２として、厚み１２０ｎｍのＡｇ−Ｐｕ−Ｃｕ合金膜と、厚み１０ｎｍのＩＴＯ膜とを順に形成した。
【０１８８】
次いで、スパッタリング法により酸化シリコンよりなる絶縁膜２３を形成し、この絶縁膜２３に、リソグラフィ法により、下部電極２２に対応して開口を設けた。
【０１８９】
続いて、蒸着法により、厚み１０ｎｍのｍ−ＭＡＤＡＴＡよりなる正孔注入層２４Ａと、厚み３５ｎｍのα−ＮＰＤよりなる正孔輸送層２４Ｂとを順に形成した。これにより、被転写基板２０Ａを形成した。
【０１９０】
そののち、赤色転写層１４Ｒを被転写基板２０Ａに対向配置し、真空中で密着させた。赤色ドナー基板１０Ｒと被転写基板２０Ａとの間には、絶縁膜２３の厚みによって、約３μｍの間隙が維持されていた。この状態で、赤色ドナー基板１０Ｒの裏側から波長８００ｎｍのレーザ光ｈｒを照射することにより、赤色転写層１４Ｒを昇華または気化させて、被転写基板２０Ａに熱転写し、赤色発光層２４ＣＲを形成した。
【０１９１】
赤色発光層２４ＣＲと同様にして、緑色発光層２４ＣＧおよび青色発光層２４ＣＢを形成した。
【０１９２】
赤色発光層２４ＣＲ，緑色発光層２４ＣＧおよび青色発光層２４ＣＢを形成したのち、これら赤色発光層２４ＣＲ，緑色発光層２４ＣＧおよび青色発光層２４ＣＢが形成された基板２１全体に対して１００℃、３０分間、加熱処理を行った。
【０１９３】
赤色発光層２４ＣＲ，緑色発光層２４ＣＧおよび青色発光層２４ＣＢの加熱処理を行ったのち、蒸着法により、厚み２０ｎｍ程度のＡｌｑ３よりなる電子輸送層２４Ｄを形成した。続いて、蒸着法により、厚み約０．３ｎｍのＬｉＦよりなる電子注入層２５を形成した。電子注入層２５の蒸着速度は０．０１ｎｍ／ｓｅｃ以下とした。そののち、蒸着法により、厚み１０ｎｍのＭｇ−Ａｇ合金よりなる上部電極２６を形成した。
【０１９４】
上部電極２６を形成したのち、ＣＶＤ法により、厚み１０００ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮｘ）よりなる保護膜２７を形成した。保護膜２７の上に、紫外線硬化樹脂（スリーボンド社製「３０２７Ｃ」）よりなる接着層３０をディスペンサーにより一様に塗布し、封止用基板４０を貼り合わせ、紫外線ランプによって接着層３０を硬化させた。
【０１９５】
（実施例４−２）
溶媒としてγブチロラクトン（沸点２０４℃）を用いたことを除いては、実施例４−１と同様にして表示装置を作製した。
【０１９６】
（実施例４−３）
塗布方式、基材１１のサイズ、溶媒、塗布終了から乾燥開始までの時間、真空乾燥温度、塗布雰囲気の酸素濃度、成膜雰囲気の水分濃度を表４に示したように異ならせたことを除いては、実施例４−１と同様にして表示装置を作製した。
【０１９７】
（実施例４−４，４−５）
塗布液の固形分濃度および塗布終了から乾燥開始までの時間を表４に示したように異ならせたことを除いては、実施例４−１と同様にして表示装置を作製した。
【０１９８】
【表４】
2011108421.tif 000006
【０１９９】
得られた実施例４−１〜４−５の表示装置について、真空乾燥後の塗布膜の状態、発光の均一性、発光強度および製造コストの評価を行った。その結果を表４に併せて示す。また、評価の基準を表５に示す。
【０２００】
【表５】
2011108421.tif 000007
【０２０１】
表４から分かるように、実施例４−３では、実施例４−１，４−２とほぼ同等の結果が得られた。従って、塗布方式、基材１１のサイズ、溶媒、塗布終了から乾燥開始までの時間、真空乾燥温度、塗布雰囲気の酸素濃度、成膜雰囲気の水分濃度については、結果に影響するものではないことが分かった。
【０２０２】
また、実施例４−１〜４−３では、実施例４−４，４−５に比べて、塗布膜１５の状態および発光の均一性が向上した。これは、実施例４−４，４−５では塗布液の固形分濃度が低すぎる、または高すぎることによるものである。つまり、固形分濃度を０．０９重量％とした実施例４−４は、所望の厚みの塗布膜１５を得るために必要な塗布液の塗布厚みが増し、乾燥工程で乾燥すべき溶媒の量が増えたので、均一な乾燥が難しくなり、塗布膜１５のムラが生じて、発光ムラとなったものである。一方、固形分濃度を１．２重量％とした実施例４−５では、塗布液の塗布厚みが小さくなり、スリットコータの塗布液の吐出量が低くなり、塗布液ビードが不安定となり、塗布液の液膜が途切れてしまうなどの塗布不良が発生した。更に、固形分が析出して粒状になってしまい、発光ムラの原因となった。
【０２０３】
すなわち、塗布液の固形分濃度を０．０９重量％より高く、１．２重量％より低くすれば、塗布膜１５のムラを低減し、発光の均一性を向上させることができることが分かった。
【０２０４】
（実施例４−６，４−７）
塗布終了から乾燥開始までの時間を表６に示したように異ならせたことを除いては、実施例４−１と同様にして表示装置を作製した。
【０２０５】
【表６】
2011108421.tif 000008
【０２０６】
（実施例４−８）
基材１１として３０ｃｍ×３５ｃｍのガラス基板を用いたことを除いては、実施例４−７と同様にして表示装置を作製した。
【０２０７】
得られた実施例４−６〜４−８の表示装置について、表５に示した基準に基づいて、真空乾燥後の塗布膜の状態、発光の均一性、発光強度および製造コストの評価を行った。その結果を表６に併せて示す。また、表６には、実施例４−１，４−３の結果も併せて示す。
【０２０８】
表６から分かるように、実施例４−１，４−３では、実施例４−６，４−７に比べて、塗布膜１５の状態および発光の均一性が向上した。これは、実施例４−６，４−７では塗布終了から真空乾燥開始までの時間が短すぎる、または長すぎることによるものである。
【０２０９】
一方、実施例４−８では、実施例４−７に比べて製造コストは増大していたものの、塗布膜１５の状態および発光の均一性は向上していた。すなわち、塗布終了から真空乾燥開始までの時間が長すぎることによるムラは、小型の基材１１を用いる場合には特に問題にならないことが分かった。
【０２１０】
すなわち、塗布膜１５を形成したのち、１０秒以上１８０秒より短い時間内に真空乾燥を開始すれば、一辺が６０ｃｍ以上の大型の基材１１を用いた場合にも、厚みムラの少ない均一な塗布膜１５を形成することができることが分かった。
【０２１１】
（実施例４−９）
真空乾燥温度および塗布終了から乾燥開始までの時間を表７に示したように異ならせたことを除いては、実施例４−１と同様にして表示装置を作製した。
【０２１２】
【表７】
2011108421.tif 000009
【０２１３】
得られた実施例４−９の表示装置について、表５に示した基準に基づいて、真空乾燥後の塗布膜の状態、発光の均一性、発光強度および製造コストの評価を行った。その結果を表７に併せて示す。また、表７には、実施例４−１，４−３の結果も併せて示す。
【０２１４】
表７から分かるように、実施例４−１では、実施例４−９に比べて、塗布膜１５の状態、発光の均一性および発光強度のいずれも向上していた。塗布膜１５の状態および発光の均一性の違いは、実施例４−９では真空乾燥の温度が高すぎることによるものである。すなわち、実施例４−９は、塗布温度（室温、２３℃）と真空乾燥温度（３８℃）との温度差が大きいので、昇温が均一に進行せず、塗布膜１５面内の温度ムラが液体の流動を引き起こし、塗布膜１５にムラが生じて、発光ムラや発光強度低下の原因となったものである。発光強度の違いは、実施例４−９では、成膜雰囲気の露点が高すぎることによるものである。
【０２１５】
なお、実施例４−１，４−３は同等の結果が得られており、実施例４−３，４−９の塗布終了から乾燥開始までの時間は同じであることから、実施例４−１，４−９の塗布終了から乾燥開始までの時間の違いは結果に影響していないことが分かる。
【０２１６】
すなわち、塗布膜１５の真空乾燥を室温よりも−７℃より高く、＋１５℃よりの低い温度で行うようにすれば、塗布膜１５を形成したのち、減圧乾燥機に導入され、乾燥の設定温度に達するまでの時間内に生じる塗布膜１５の温度分布を著しく小さくすることができ、塗布膜１５の厚みムラを抑制することができることが分かった。
【０２１７】
（実施例４−１０〜４−１２）
基材１１のサイズ、溶媒、塗布液の固形分濃度、塗布終了から乾燥開始までの時間、真空乾燥温度、塗布雰囲気の酸素濃度、成膜雰囲気の水分濃度および露点を表８に示したように異ならせたことを除いては、実施例４−１と同様にして表示装置を作製した。
【０２１８】
【表８】
2011108421.tif 000010
【０２１９】
得られた実施例４−１０〜４−１２の表示装置について、表５に示した基準に基づいて、真空乾燥後の塗布膜の状態、発光の均一性、発光強度および製造コストの評価を行った。その結果を表８に併せて示す。また、表８には、実施例４−１の結果も併せて示す。
【０２２０】
表８から分かるように、実施例４−１０，４−１１では、実施例４−１とほぼ同等の結果が得られた。よって、基材１１のサイズ、溶媒、塗布液の固形分濃度、塗布終了から乾燥開始までの時間、真空乾燥温度、塗布雰囲気の酸素濃度、成膜雰囲気の水分濃度は、結果に影響していないことが分かった。
【０２２１】
一方、実施例４−１０，４−１１では、実施例４−１２に比べて、発光の均一性および発光強度のいずれも向上した。これは、実施例４−１２では、塗布雰囲気の酸素濃度および成膜雰囲気の露点が高すぎることによるものである。
【０２２２】
すなわち、塗布膜１５を形成する工程を、酸素雰囲気を１ｐｐｍ以上、２０００ｐｐｍより低く、露点を−７５℃以上、−２０℃よりも低くすれば、発光の均一性および発光強度を向上させることができることが分かった。
【０２２３】
（実施例４−１３〜４−１５）
塗布方式、基材１１のサイズ、溶媒、塗布液の固形分濃度、塗布終了から乾燥開始までの時間、真空乾燥温度、塗布雰囲気の酸素濃度、成膜雰囲気の水分濃度および露点を表９に示したように異ならせたことを除いては、実施例４−１と同様にして表示装置を作製した。
【０２２４】
【表９】
2011108421.tif 000011
【０２２５】
（比較例４−１，４−２）
塗布方式、溶媒、塗布終了から乾燥開始までの時間、塗布雰囲気の酸素濃度、成膜雰囲気の水分濃度および露点を表９に示したように異ならせたことを除いては、実施例４−１と同様にして表示装置を作製した。
【０２２６】
得られた実施例４−１３〜４−１５および比較例４−１，４−２の表示装置について、表５に示した基準に基づいて、真空乾燥後の塗布膜の状態、発光の均一性、発光強度および製造コストの評価を行った。その結果を表９に併せて示す。また、表９には、実施例４−１，４−３の結果も併せて示す。
【０２２７】
表９から分かるように、実施例４−３では、実施例４−１３に比べて、発光強度が向上した。これは、実施例４−１３では塗布雰囲気の酸素濃度および成膜雰囲気の水分濃度が高すぎることによるものである。
【０２２８】
一方、実施例４−１３では、実施例４−１４に比べて、塗布膜１５の状態、発光の均一性および発光強度のいずれも向上した。これは、実施例４−１４では、塗布雰囲気の酸素濃度および成膜雰囲気の露点が高すぎることによるものである。
【０２２９】
これに対して、実施例４−１５では、実施例４−１４に比べて製造コストは増大していたものの、塗布膜１５の状態、発光の均一性および発光強度は向上していた。すなわち、塗布雰囲気の酸素濃度および成膜雰囲気の露点が高すぎることによるムラは、小型の基材１１を用いる場合には特に問題にならないことが分かった。
【０２３０】
更に、沸点１３８℃の溶媒を用いた比較例４−１では、塗布ノズル詰まりによる塗布ムラにより発光の均一性が低く、塗布雰囲気の酸素濃度が高いので発光強度が低下していた。沸点２５０℃の溶媒を用いた比較例４−２では、多数の析出粒子による塗布ムラにより発光の均一性が低く、塗布雰囲気の酸素濃度および露点が高すぎることにより発光強度も低下していた。
【０２３１】
すなわち、塗布膜１５を形成する工程において、酸素含有率を１ｐｐｍ以上、２０００ｐｐｍより低く、露点を−７５℃以上、−２０℃よりも低くすれば、発光の均一性および発光強度を向上させることができることが分かった。
【０２３２】
（実施例５−１〜５−５）
上記第３の実施の形態と同様にして表示装置を作製した。その際、基材１１のサイズ、基材１１の搬送速度Ｖ、搬送空間５４の天井高さＬ、Ｖ／Ｌ、真空乾燥温度、塗布雰囲気の酸素濃度を、表１０に示したように異ならせたことを除いては、実施例４−１と同様とした。
【０２３３】
【表１０】
2011108421.tif 000012
【０２３４】
得られた実施例５−１〜５−５の表示装置について、表５に示した基準に基づいて、真空乾燥後の塗布膜の状態、発光の均一性、発光強度および製造コストの評価を行った。その結果を表１０に併せて示す。
【０２３５】
表１０から分かるように、実施例５−１〜５−３はほぼ同等な結果が得られた。従って、基材１１の搬送速度Ｖ、搬送空間５４の天井高さＬ、Ｖ／Ｌ、真空乾燥温度、塗布雰囲気の酸素濃度は結果に影響していないことが分かった。
【０２３６】
一方、実施例５−１〜５−３は、実施例５−４に比べて、塗布膜１５の状態および発光の均一性が向上していた。これは、搬送速度Ｖが速すぎてＶ／Ｌが大きいため、塗布膜１５のムラが大きくなったからである。
【０２３７】
これに対して、実施例５−５では、実施例５−４に比べて製造コストは増大していたものの、塗布膜１５の状態および発光の均一性は向上していた。すなわち、搬送速度Ｖが速すぎてＶ／Ｌが大きくなることによるムラは、小型の基材１１を用いる場合には特に問題にならないことが分かった。
【０２３８】
すなわち、０．３≦Ｖ／Ｌ＜４とすれば、塗布膜１５の状態および発光の均一性を向上させることができることが分かった。
【０２３９】
（実施例５−６，５−７）
塗布方式、基材１１のサイズ、基材１１の搬送速度Ｖ、搬送空間５４の天井高さＬ、Ｖ／Ｌ、真空乾燥温度、塗布雰囲気の酸素濃度および露点を、表１１に示したように異ならせたことを除いては、実施例５−１と同様にして表示装置を作製した。
【０２４０】
得られた実施例５−６，５−７の表示装置について、表５に示した基準に基づいて、真空乾燥後の塗布膜の状態、発光の均一性、発光強度および製造コストの評価を行った。その結果を表１１に併せて示す。なお、表１１には実施例５−１の結果を併せて示す。
【０２４１】
【表１１】
2011108421.tif 000013
【０２４２】
表１１から分かるように、実施例５−１，５−６はほぼ同等な結果が得られた。従って、塗布方式、基材１１のサイズ、基材１１の搬送速度Ｖ、搬送空間５４の天井高さＬ、Ｖ／Ｌ、塗布雰囲気の酸素濃度は結果に影響していないことが分かった。
【０２４３】
一方、実施例５−６は、実施例５−７に比べて、塗布膜１５の状態、発光の均一性および発光強度が向上していた。塗布膜１５の状態および発光の均一性の違いは、真空乾燥温度の違いによるものである。発光強度の差は、成膜雰囲気の露点の違いによるものである。
【０２４４】
すなわち、真空乾燥温度を室温よりも＋１５℃よりも低い温度で行うようにすれば、塗布膜１５の状態および発光の均一性を向上させることができることが分かった。
【０２４５】
また、露点を−７５℃以上、−２０℃より低くすれば、発光強度を向上させることができることも分かった。
【０２４６】
（実施例５−８，５−９）
塗布方式、基材１１のサイズ、基材１１の搬送速度Ｖ、搬送空間５４の天井高さＬ、Ｖ／Ｌ、真空乾燥温度、塗布雰囲気の酸素濃度を、表１２に示したように異ならせたことを除いては、実施例５−１と同様にして表示装置を作製した。
【０２４７】
得られた実施例５−８，５−９の表示装置について、表５に示した基準に基づいて、真空乾燥後の塗布膜の状態、発光の均一性、発光強度および製造コストの評価を行った。その結果を表１２に併せて示す。なお、表１２には実施例５−１，５−２の結果を併せて示す。
【０２４８】
【表１２】
2011108421.tif 000014
【０２４９】
表１２から分かるように、実施例５−１，５−２は、実施例５−８に比べて、塗布膜１５の状態、発光の均一性および発光強度が向上していた。これは搬送空間５４の天井高さＬの違いによるものである。すなわち、天井高さＬが不適切（狭すぎる）な場合には、搬送空間５４内の風の不均一が生じやすくなり、この風の不均一さが塗布膜１５のムラにつながる。
【０２５０】
これに対して、実施例５−９では、実施例５−８に比べて製造コストは増大していたものの、塗布膜１５の状態、発光の均一性および発光強度は向上していた。すなわち、搬送空間５４の天井高さＬが低すぎることによるムラは、小型の基材１１を用いる場合には特に問題にならないことが分かった。
【０２５１】
すなわち、天井高さＬを０．３≦Ｌとすれば、塗布膜１５の状態、発光の均一性および発光強度を向上させることができることが分かった。
【０２５２】
（実施例５−１０〜５−１４）
塗布方式、基材１１のサイズ、基材１１の搬送速度Ｖ、搬送空間５４の天井高さＬ、Ｖ／Ｌ、真空乾燥温度、塗布雰囲気の酸素濃度および露点を、表１３に示したように異ならせたことを除いては、実施例５−１と同様にして表示装置を作製した。
【０２５３】
（比較例５−１，５−２）
塗布方式、溶媒、基材１１の搬送速度Ｖ、搬送空間５４の天井高さＬ、Ｖ／Ｌ、真空乾燥温度、塗布雰囲気の酸素濃度および露点を、表１３に示したように異ならせたことを除いては、実施例５−１と同様にして表示装置を作製した。
【０２５４】
得られた実施例５−１０〜５−１４および比較例５−１，５−２の表示装置について、表５に示した基準に基づいて、真空乾燥後の塗布膜の状態、発光の均一性、発光強度および製造コストの評価を行った。その結果を表１３に併せて示す。なお、表１３には実施例５−１，５−６の結果を併せて示す。
【０２５５】
【表１３】
2011108421.tif 000015
【０２５６】
表１３から分かるように、実施例５−１，５−６は、実施例５−１０〜５−１４に比べて、発光強度が向上していた。これは、実施例５−１０〜５−１４では塗布雰囲気の酸素濃度が高かったからである。
【０２５７】
一方、実施例５−１０〜５−１３は、実施例５−１４に比べて、塗布膜１５の状態および発光の均一性が向上し、製造コストも低かった。塗布膜１５の状態および発光の均一性の違いは、実施例５−１４では天井高さＬが高すぎるので、搬送時の風に起因するムラが生じたことによるものである。製造コストの差は、実施例５−１４では天井高さＬが大きく、雰囲気維持のための気体のコストが大きくなったからである。
【０２５８】
更に、沸点１３８℃の溶媒を用いた比較例５−１では、塗布ノズル詰まりによる塗布ムラにより発光の均一性が低く、塗布雰囲気の酸素濃度および露点が高いので発光強度が低下していた。沸点２５０℃の溶媒を用いた比較例５−２では、多数の析出粒子による塗布ムラにより発光の均一性が低く、塗布雰囲気の酸素濃度が高すぎることにより発光強度も低下していた。
【０２５９】
すなわち、塗布装置および搬送空間との露点を−７５℃以上、−２０℃よりも低くすると共に、天井高さＬを０．３≦Ｌ≦０．９とすれば、塗布膜１５の状態、発光の均一性および発光強度を向上させることができることが分かった。
【０２６０】
また、酸素含有率を１ｐｐｍ以上、３０００ｐｐｍより低くすれば、発光強度を向上させることができることも分かった。
【０２６１】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態および実施例では、転写工程でレーザ光ｈｒを照射する場合について説明したが、フラッシュランプ、ヒートバー，サーマルヘッドなど他の光源を用いて輻射線を照射するようにしてもよい。
【０２６２】
また、上記実施の形態では、Ｒ，Ｇ，Ｂすべての発光層２４Ｃを転写法により形成する場合について説明したが、赤色発光層２４ＣＲおよび緑色発光層２４ＣＧのみを転写法により形成したのち、青色発光層２４ＣＢを蒸着法により全面成膜するようにしてもよい。このとき、有機発光素子２０Ｒでは、赤色発光層２４ＣＲと、青色発光層２４ＣＢとが形成されているが、最もエネルギー準位の低い赤色にエネルギー移動が起こり、赤色発光が支配的となる。有機発光素子２０Ｇでは、緑色発光層２４ＣＧと、青色発光層２４ＣＢとが形成されているが、よりエネルギー準位の低い緑色にエネルギー移動が起こり、緑色発光が支配的となる。有機発光素子２０Ｂでは、青色発光層２４ＣＢのみを有するので、青色発光が生じる。
【０２６３】
更に、例えば、上記実施の形態および実施例において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法，成膜条件およびレーザ光の照射条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法，成膜条件および照射条件としてもよい。例えば、下部電極２２は、誘電体多層膜を有するようにすることもできる。
【０２６４】
加えて、例えば、上記実施の形態においては、基板２１の上に、下部電極２２，有機層２４および上部電極２６を基板２１の側から順に積層し、封止用基板４０の側から光を取り出すようにした場合について説明したが、積層順序を逆にして、基板２１の上に、上部電極２６，有機層２４および下部電極２２を基板２１の側から順に積層し、基板２１の側から光を取り出すようにすることもできる。
【０２６５】
更にまた、例えば、上記実施の形態では、下部電極２２を陽極、上部電極２６を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、下部電極２２を陰極、上部電極２６を陽極としてもよい。さらに、下部電極２２を陰極、上部電極２６を陽極とすると共に、基板２１の上に、上部電極２６，有機層２４および下部電極２２を基板２１の側から順に積層し、基板２１の側から光を取り出すようにすることもできる。
【０２６６】
加えてまた、上記実施の形態では、有機発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、下部電極２２と有機層２４との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２ Ｏ３ ），ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide：インジウム（Ｉｎ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物混合膜）などからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。
【０２６７】
更にまた、上記各実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【０２６８】
加えてまた、塗布膜１５ないし転写層１４は、例えば印刷方式を適用することにより、基材１１上に所定のパターンで形成してもよい。この場合には、熱転写においては、広い範囲にレーザ光を一括照射することで、所定のパターンを有する転写層１４が被転写基板２０Ａ上の目的とする位置に一括転写される。
【０２６９】
更にまた、ドナー基板１０を形成する工程では、基材１１に光熱変換層１２を所定のパターンで形成し、この上部に酸化保護膜１３を介して転写層１４を全面に塗布形成しても良い。この場合にも、熱転写においては、広い範囲にレーザ光を一括照射することで、所定のパターンを有する転写層１４が被転写基板２０Ａ上の目的とする位置に一括転写される。
【０２７０】
加えてまた、ドナー基板１０を形成する工程では、例えば印刷法を用いることによって、同一の基材１１に複数色の転写層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂを所定のパターンで形成しても良い。基材１１には、各転写層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂの位置合わせ用のマーカーを配置することが望ましい。
【０２７１】
この場合、転写層１４の加熱処理は、各転写層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂを構成する有機材料のガラス転移点以上でかつ融点より低い温度で行う。このため、例えば各転写層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂに対して設定される加熱処理温度のうち、最も低い温度を採用すればよい。上記実施の形態では、赤色転写層１４Ｒに対する熱処理温度が１５０℃であり、緑色転写層１４Ｇと青色転写層１４Ｂに対する熱処理温度が１６０℃なので、３種類の転写層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂを同一の基材１１に形成した場合の転写層１４の熱処理温度は１５０℃とする。
【０２７２】
このように同一の基材１１に転写層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂを有するドナー基板１０を用いた場合には、熱転写において、広い範囲にレーザ光を一括照射することで、所定のパターンを有する転写層１４が被転写基板２０Ａ上の目的とする位置に一括転写される。更に、複数種類の転写層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂを一度の熱転写によって一括して被転写基板２０Ａに熱転写できる。また、この場合にも、基材１１上の転写層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂに対して加熱処理を行わない場合に比較して、十分な特性向上の効果を得ることができる。
【０２７３】
更にまた、本発明は、上述した正孔注入層２４Ａ，正孔輸送層２４Ｂ，電子輸送層２４Ｄなどの共通層を各画素ごとに分離した素子においても、また、例えば特開２００３−２７２８６０に示されるように、発光層を有する有機層のユニット（発光ユニット）を積層してなるタンデム型の有機ＥＬ素子においても有効であり、同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【０２７４】
１１…基材、１２…光熱変換層、１３…酸化保護膜、１４…転写層、１５…塗布膜、２０Ｒ…赤色発光素子、２０Ｇ…緑色発光素子、２０Ｂ…青色発光素子、２１…基板、２２…下部電極（陽極）、２３…絶縁膜、２４ＣＲ…赤色発光層、２４ＣＧ…緑色発光層、２４ＣＢ…青色発光層、２６…上部電極（陰極）
【図１】
2011108421.tif 000016
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2011108421.tif 000023
【図９】
2011108421.tif 000024
【図１０】
2011108421.tif 000025
【図１１】
2011108421.tif 000026
【図１２】
2011108421.tif 000027
【図１３】
2011108421.tif 000028
【図１４】
2011108421.tif 000029
【図１５】
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