(57)【要約】      （修正有）【課題】熱変形により問題が生じることを防ぐコリニア方式のホログラフィック記憶媒体を提供する。【解決手段】コリニア方式のホログラフィック記憶媒体は、記録層１２０を備える。記録層１２０の横方向の線膨張係数は、記録層１２０自体に使用する材料の線膨張係数に略等しい。また、記録層が上方に形成され、記録層自体に使用する材料の線膨張係数に略等しい線膨張係数を有する基板１３０をさらに備えることを特徴とするコリニア方式のホログラフィック記憶媒体。【選択図】図１
2011221481.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録層を備えるコリニア方式のホログラフィック記憶媒体であって、
前記記録層の横方向の線膨張係数は、前記記録層自体に使用する材料の線膨張係数に略等しいことを特徴とするコリニア方式のホログラフィック記憶媒体。
【請求項２】
前記記録層の横方向の線膨張係数は、近似的に下記の数式を満たし：
2011221481.tif 000020
数式中、αＬは、前記記録層の横方向の線膨張係数を表し、
αｎは、前記記録層の屈折率温度係数を表し、
αは、前記記録層自体に使用する材料の線膨張係数を表し、
νは、前記記録層自体に使用する材料のポアソン比を表すことを特徴とする請求項１に記載のコリニア方式のホログラフィック記憶媒体。
【請求項３】
前記記録層が上方に形成され、前記記録層自体に使用する材料の線膨張係数に略等しい線膨張係数を有する基板をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載のコリニア方式のホログラフィック記憶媒体。
【請求項４】
前記層のうちで最も硬い層の線膨張係数は、前記記録層自体に使用する材料の線膨張係数に略等しく、前記記録層を挟み込む複数の層をさらに備えることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載のコリニア方式のホログラフィック記憶媒体。
【請求項５】
前記記録層が上方に形成され、近似的に下記の数式を満たす線膨張係数を有する基板をさらに備え：
2011221481.tif 000021
；数式中、αＬ'は、前記基板の線膨張係数を表し、
αｎは、前記記録層の屈折率温度係数を表し、
αは、前記記録層自体に使用する材料の線膨張係数を表し、
νは、前記記録層自体に使用する材料のポアソン比を表すことを特徴とする請求項１または２に記載のコリニア方式のホログラフィック記憶媒体。
【請求項６】
前記記録層を挟み込み、最も硬い層の線膨張係数が近似的に下記の数式を満たす複数の層をさらに備え：
2011221481.tif 000022
；数式中、αＬ'は、前記複数の層のなかで最も硬い層の線膨張係数を表し、
αｎは、前記記録層の屈折率温度係数を表し、
αは、前記記録層自体に使用する材料の線膨張係数を表し、
νは、前記記録層自体に使用する材料のポアソン比を表すことを特徴とする請求項１または２に記載のコリニア方式のホログラフィック記憶媒体。
【請求項７】
反射層と、
前記反射層の上方に形成された記録層と、を備え、
前記記録層の横方向の線膨張係数は、近似的に下記の数式を満たし：
2011221481.tif 000023
；数式中、αＬは、前記記録層の横方向の線膨張係数を表し、
αｎは、前記記録層の屈折率温度係数を表し、
αは、前記記録層自体に使用する材料の線膨張係数を表し、
νは、前記記録層自体に使用する材料のポアソン比を表すことを特徴とするコリニア方式のホログラフィック記憶媒体。
【請求項８】
最外層は、基板を含まないことを特徴とする請求項７に記載のコリニア方式のホログラフィック記憶媒体。
【請求項９】
前記記録層及び前記反射層を挟設し、前記記録層と略同じ材料からなる１対の基板をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載のコリニア方式のホログラフィック記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記憶媒体に関し、特にコリニア方式のホログラフィック記憶媒体（ｃｏｌｌｉｎｅａｒ  ｈｏｌｏｇｒａｐｈｉｃ  ｓｔｏｒａｇｅ  ｍｅｄｉｕｍ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
ホログラフィック記憶技術は、これまで盛んに研究され、沢山の研究者が多くの心血を注いできたが、未だ商品化に成功していない。
【０００３】
コリニア方式のホログラフィックシステムの特色は、参照光及び信号光が同一の光軸に沿って前方へ案内され、同一の対物レンズによりディスク上に集光されて書き込まれることにある。このコリニア方式のホログラフィックシステムは、構造が簡単で、従来の光学記憶媒体と互換性があり、参照光と信号光との光路差が短く、レーザ光のコヒーレンス長に対する要求が低く、位置シフト選択性、波長トレランス及び傾きトレランスが好ましい上、高容量、高速などの特色を備えているため、次世代の重要な記憶技術の一つと考えられている。
【０００４】
しかし、ディスクが熱変形した場合、媒質の屈折率が変化して格子が変形し、回折信号が弱くなり、点像分布関数（Ｐｏｉｎｔ  Ｓｐｒｅａｄ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎ：ＰＳＦ）が好適でなくなるため、熱変形により問題が生じることを防ぐことが求められていた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上述の点に鑑みて為されたもので、その目的は、熱変形により問題が生じることを防ぐコリニア方式のホログラフィック記憶媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、請求項１の発明では、記録層を備えるコリニア方式のホログラフィック記憶媒体であって、前記記録層の横方向の線膨張係数は、前記記録層自体に使用する材料の線膨張係数に略等しいことを特徴とする。
【０００７】
請求項２の発明では、請求項１の発明において、前記記録層の横方向の線膨張係数は、近似的に下記の数式を満たし：
2011221481.tif 000003
；数式中、αＬは、前記記録層の横方向の線膨張係数を表し、αｎは、前記記録層の屈折率温度係数を表し、αは、前記記録層自体に使用する材料の線膨張係数を表し、νは、前記記録層自体に使用する材料のポアソン比を表すことを特徴とする。
【０００８】
請求項３の発明では、請求項１の発明において、前記記録層が上方に形成され、前記記録層自体に使用する材料の線膨張係数に略等しい線膨張係数を有する基板をさらに備えることを特徴とする。
【０００９】
請求項４の発明では、請求項１の発明において、前記層のうちで最も硬い層の線膨張係数は、前記記録層自体に使用する材料の線膨張係数に略等しく、前記記録層を挟み込む複数の層をさらに備えることを特徴とする。
【００１０】
請求項５の発明では、請求項１の発明において、前記記録層が上方に形成され、近似的に下記の数式を満たす線膨張係数を有する基板をさらに備え：
2011221481.tif 000004
；数式中、αＬ'は、前記基板の線膨張係数を表し、αｎは、前記記録層の屈折率温度係数を表し、αは、前記記録層自体に使用する材料の線膨張係数を表し、νは、前記記録層自体に使用する材料のポアソン比を表すことを特徴とする。
【００１１】
請求項６の発明では、請求項１の発明において、前記記録層を挟み込み、最も硬い層の線膨張係数が近似的に下記の数式を満たす複数の層をさらに備え： 
2011221481.tif 000005
；数式中、αＬ'は、前記複数の層のなかで最も硬い層の線膨張係数を表し、αｎは、前記記録層の屈折率温度係数を表し、αは、前記記録層自体に使用する材料の線膨張係数を表し、νは、前記記録層自体に使用する材料のポアソン比を表すことを特徴とする。
【００１２】
請求項７の発明では、反射層と、前記反射層の上方に形成された記録層と、を備え、前記記録層の横方向の線膨張係数は、近似的に下記の数式を満たし： 
2011221481.tif 000006
；数式中、αＬは、前記記録層の横方向の線膨張係数を表し、αｎは、前記記録層の屈折率温度係数を表し、αは、前記記録層自体に使用する材料の線膨張係数を表し、νは、前記記録層自体に使用する材料のポアソン比を表すことを特徴とする。
【００１３】
請求項８の発明では、請求項７の発明において、最外層は、基板を含まないことを特徴とする。
【００１４】
請求項９の発明では、請求項７の発明において、前記記録層及び前記反射層を挟設し、前記記録層と略同じ材料からなる１対の基板をさらに備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のコリニア方式のホログラフィック記憶媒体は、熱変形により問題が生じることを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態によるホログラフィック記憶媒体に書き込むときの状態を示す断面図である。
【図２】図１の透過型回折格子に書き込むときの状態を示す模式図である。
【図３】図１の透過型回折格子から読み込むときの状態を示す模式図である。
【図４】図１の反射型格子を書き込むときの状態を示す模式図である。
【図５】図１の反射型格子から読み込むときの状態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１８】
図１を参照する。図１に示すように、本発明の一実施形態によるホログラフィック記憶媒体１００は、反射層１１０及び記録層１２０を含む。記録層１２０は、反射層１１０の上方に形成されている。
【００１９】
データを書き入れるとき、ユーザは、空間光変調器（Ｓｐａｔｉａｌ  Ｌｉｇｈｔ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ：ＳＬＭ）により信号光２００及び参照光３００を生成し、レンズ４００を介して反射層１１０上に信号光２００及び参照光３００を集光させると、信号光２００と参照光３００とが互いに干渉し、生成された干渉パターンが記録層１２０の中に記録される。
【００２０】
図１に示すように、記録層１２０の中には、反射層１１０の作用により、透過型回折格子（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｇｒａｔｉｎｇ）５００及び反射型格子（ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  ｇｒａｔｉｎｇ）６００の２種類の格子が存在する。さらに詳細には、透過型回折格子５００は、入射信号光２１０及び入射参照光３１０により構築された格子と、反射信号光２２０及び反射参照光３２０により構築された格子と、を含む。反射型格子６００は、入射信号光２１０及び反射参照光３２０からなる格子と、反射信号光２２０及び入射参照光３１０からなる格子と、を含む。透過型回折格子５００と反射型格子６００とは異なる特性を備える。
【００２１】
図２を参照する。図２に示すように、透過型回折格子５００にデータが書き込まれる際、信号光２００及び参照光３００は、空間光変調器により、レンズ４００の前側焦平面（レンズ４００の焦点距離ｆ）に結像され、同一の光軸方向に案内されるとともに、レンズ４００を介してホログラフィック記憶媒体１００に集光され、信号光２００及び参照光３００により生成される干渉パターンは、ホログラフィック記憶媒体１００の中に記録される。
【００２２】
図３を参照する。図３に示すように、透過型回折格子５００からデータを読み出す際、参照光３００の光場と略同一の読出光ビーム３５０の光場は、空間光変調器により、レンズ４００の前側焦平面（レンズ４００の焦点距離ｆ）に結像され、レンズ４００を透過した読出光ビーム３５０がホログラフィック記憶媒体１００に集光される。読出光ビーム３５０がホログラフィック記憶媒体１００を透過して生成される回折信号２５０は、レンズ４００の前側焦平面（レンズ４００の焦点距離ｆ）に結像され、信号光２００と同じ光場が形成される。ユーザは、撮像装置を利用して回折信号２５０をキャプチャし、ホログラフィック記憶媒体１００の中に記憶したデータ（即ち、信号光２００及び参照光３００により生成された干渉パターンである）を読取る。
【００２３】
図４を参照する。図４に示すように、反射型格子６００にデータが書き込まれる際、信号光２００及び参照光３００は、同一の光軸方向で案内されるが、入射方向が互いに反対であり、ホログラフィック記憶媒体１００の中に干渉パターンが生成される。
【００２４】
図５を参照する。図５に示すように、反射型格子６００からデータを読み出す際、参照光３００の光場と略同一の読出光ビーム３５０の光場は、空間光変調器により、レンズ４００の前側焦平面（レンズ４００の焦点距離ｆ）に結像され、レンズ４００を透過した読出光ビーム３５０をホログラフィック記憶媒体１００に集光させる。読出光ビーム３５０がホログラフィック記憶媒体１００を透過して生成される回折信号２５０は、レンズ４００の前側焦平面（レンズ４００の焦点距離ｆ）に結像され、信号光２００と同じ光場が形成される。同様に、ユーザは、撮像装置を利用して回折信号２５０をキャプチャし、ホログラフィック記憶媒体１００の中に記憶したデータ（即ち、信号光２００及び参照光３００により生成された干渉パターン）を読取る。
【００２５】
しかし、上述の実施形態によっても、熱変形により問題が生じることを完全に解決することはできなかった。つまり、ホログラフィック記憶媒体１００に熱変形が発生すると、媒質の屈折率が変化し、格子（透過型回折格子５００及び反射型格子６００を含む）が変形するため、回折信号２５０が弱くなり、点像分布関数が好適でなくなる虞がある。
【００２６】
多くの研究開発チームは、波長可変レーザ及び耐熱変形材料を利用すると熱変形の問題を解決することができると考えるが、現在の所この問題を解決することはできていない。これに鑑み、熱変形の発生は、ホログラフィック記憶媒体１００の記録層１２０の横方向の線膨張係数（ｌａｔｅｒａｌ  ｌｉｎｅａｒ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｘｐａｎｓｉｏｎ  ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）が原因であると考えられる。以下、熱変形により問題が生じることを防ぐ方法を詳説する。
【００２７】
仮に屈折率の変化により発生するデフォーカス収差係数がホログラフィック記憶媒体１００の変位によりすでに補償されている場合（即ち、書き込み又は読み出しを行う際、ホログラフィック記憶媒体１００が屈折率の変化に伴って移動したとしても、レンズ４００の後側焦平面は、ホログラフィック記憶媒体１００の反射層１１０上に依然として位置する）、ホログラフィック記憶媒体１００により生成される回折信号２５０の近軸近似は、下記の数式（１）を満たす。
【００２８】
【数１】
2011221481.tif 000007
【００２９】
以下（１）〜（１２）は、上記の数式（１）のパラメータである。
（１）熱変形後の記録層１２０の媒体の屈折率がＭｎ倍であり、レンズ４００の媒体の焦点距離がｆ／Ｍｆである場合、近軸条件下で、Ｍｆ＝１／Ｍｎである。
（２）Ｍλλが記録層１２０の媒体の中の光の波長であり、Ｍｐλが読出光ビーム３５０の波長である場合、Ｍλ＝Ｍｐ／Ｍｎである。
（３）１／Ｍｘ、１／Ｍｙ及び１／Ｍｚは、書き入れる格子のｘ、ｙ、ｚの３方向の熱変形率を表し、熱変形前の格子がＧ０（ｕ，ｖ，Δｚ）である場合、熱変形後の格子Ｇ（ｕ，ｖ，Δｚ）は、Ｇ０（Ｍｘｕ，Ｍｙｖ，ＭｚΔｚ）である。
（４）λは、波長を表す。
（５）ｋは、波数（ｗａｖｅ  ｎｕｍｂｅｒ）を表す。
（６）ｆは、レンズ４００の焦点距離を表す。
（７）Δｚは、ホログラフィック記憶媒体１００の中心からレンズ４００の後側焦平面までの距離を表す。
（８）ｕ及びｖは、ホログラフィック記憶媒体１００の横座標である。
（９）Ｕｉは、空間光変調器で生成される入力波面（ｉｎｐｕｔ  ｗａｖｅｆｒｏｎｔ）である。
（１０）Ｕｆは、Ｕｉのフーリエ変換（Ｆｏｕｒｉｅｒ  ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）である。
（１１）Ｕｓ、Ｕｒ及びＵｐのそれぞれは、レンズ４００の前側焦平面上の信号光２００、参照光３００及び読出光ビーム３５０の光場を表す。
（１２）Ｌは、ホログラフィック記憶媒体１００の厚さの２倍である。
【００３０】
以上の近軸近似は、一見複雑に見えるが、物理的意味を明確に表し、以下詳述する。
2011221481.tif 000008
は、変形の回折信号２５０を表す。変形後の回折信号２５０は、ξ方向で
ＭλＭｙ／Ｍｆ倍直線縮小し、η方向でＭλＭｙ／Ｍｆ倍直線縮小する。
（２）積分式の中に含まれる２つの大括弧のうち、１つ目の大括弧は、透過型回折格子５００が生成する回折信号２５０の光場を表し、２つ目の大括弧は、反射型格子６００が生成する回折信号２５０の光場を表す。
（３）透過型回折格子５００により生成される回折信号２５０の光場には、ｓｉｎｃ関数が存在する。ｓｉｎｃ関数の中の引数が０の場合、回折信号２５０の品質は熱変形により破壊されることがない。ガウス像点（Ｇａｕｓｓｉａｎ  ｉｍａｇｅ  ｐｏｉｎｔ）において、Ｍｚ＝ＭλＭｘ２＝ＭλＭｙ２を満たす場合、ｓｉｎｃ関数の引数は０となる。
さらに、
【数２】
2011221481.tif 000009
【数３】
2011221481.tif 000010
である。
【００３１】
上記数式中、αは、記録層１２０自体の線膨張係数（ｌｉｎｅａｒ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｘｐａｎｓｉｏｎ  ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）（即ち、記録層１２０がホログラフィック記憶媒体１００へ挟み込む前の線膨張係数であり、このときその他の層の剪断力による影響を未だ受けていないため、各方向の線膨張係数は一致していると見なすことができる）を表し、αＬは、記録層１２０の横方向の線膨張係数（即ち、記録層１２０がホログラフィック記憶媒体１００へ挟み込まれた後の横方向の線膨張係数であり、このときその他の層の剪断力による影響を受けるため、その横方向の線膨張係数は、基板１３０の横方向の線膨張係数と略一致している）を表し、αｎは、記録層１２０の屈折率温度係数を表し、εｚは、記録層１２０のｚ方向上の歪みを表し、Ｔは、温度変化量を表し、νは、記録層１２０自体に使用する材料のポアソン比（Ｐｏｉｓｓｏｎ'ｓ  ｒａｔｉｏ）を表す。
【００３２】
記録層１２０の横方向の線膨張係数αＬは、下記の数式（５）で表される。
【数４】
2011221481.tif 000011
から、
【数５】
2011221481.tif 000012
を得る。
【００３３】
ホログラフィック記憶媒体１００に挟み込んだ後の記録層１２０の横方向の線膨張係数は、近似的に下記の数式（６）で表される。
【数６】
2011221481.tif 000013
【００３４】
これにより、熱変形が回折信号２５０に対して影響を与えることを防ぐことができる。
【００３５】
図１を参照する。図１に示すように、ホログラフィック記憶媒体１００は、反射層１１０、記録層１２０、１対の基板１３０及びダイクロイック膜１４０を含む。反射層１１０及び記録層１２０は、基板１３０間に挟み込まれている。ダイクロイック膜１４０は、記録層１２０と反射層１１０との間に形成されている。
【００３６】
ホログラフィック記憶媒体１００に挟み込んだ後の記録層１２０の横方向の線膨張係数は、近似的に下記の数式（７）で表される。
【００３７】
【数７】
2011221481.tif 000014
【００３８】
製造メーカは、ホログラフィック記憶媒体１００の中の記録層１２０以外の全ての層（即ち、反射層１１０、基板１３０及びダイクロイック膜１４０）の線膨張係数を制御することができる。これにより、ホログラフィック記憶媒体１００の中の記録層１２０以外の層の線膨張係数は、近似的に下記の数式（８）で表される。
【数８】
2011221481.tif 000015
上記数式中、αＬ（ｎ）は、ホログラフィック記憶媒体１００の中の各層の線膨張係数を表す。
【００３９】
これにより、記録層１２０の横方向の線膨張係数は、各層の剪断力の影響を受け、近似的に下記の数式（９）で表される。
【数９】
2011221481.tif 000016
【００４０】
また、ホログラフィック記憶媒体１００の中の一部の層は、薄膜（例えば、反射層１１０及びダイクロイック膜１４０）又はエアーギャップである場合、線膨張係数を制御することが困難である。そのため、製造メーカは、ホログラフィック記憶媒体１００の層のうちで最も硬く、受けた力により発生する歪みが最も小さい層を選択して制御する。この層の線膨張係数は、近似的に下記の数式（１０）で表される。
【数１０】
2011221481.tif 000017
【００４１】
上記の数式中、αＬ'は、ホログラフィック記憶媒体１００の層のうちで最も硬い層の線膨張係数を表す。
【００４２】
これにより、記録層１２０の横方向の線膨張係数は、剪断力の影響を受け、下記の数式（１１）に近づく。
【数１１】
2011221481.tif 000018
【００４３】
本実施形態のホログラフィック記憶媒体１００のなかでは、基板１３０の材料が最も硬く、力を受けて発生する歪みが最も小さいため、ホログラフィック記憶媒体１００全体の熱変形量を制御するために、基板１３０の線膨張係数を制御してもよい。この線膨張係数は、下記の数式（１２）を満たす。
【数１２】
2011221481.tif 000019
上記の数式中、αＬ'は、基板１３０の線膨張係数を表す。
【００４４】
さらに、一般によく使用される材料で計算すると、必要な記録層１２０の横方向の線膨張係数αＬは、記録層１２０自体に使用する材料の線膨張係数αに略等しい。ポリメチルメタクリレート（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ：ＰＭＭＡ）を主要な材料とするフォトポリマ（ｐｈｏｔｏ  ｐｏｌｙｍｅｒ）を例にすると、（ν＝０．３３、αＬ＝２．５×１０−４／℃、αｎ＝−３×１０−４／℃）であり、計算により得られるαＬは、２．６７×１０−４／℃であり、この数値は、αに略等しい（α＝２．５×１０−４／℃）。
【００４５】
計算により得られるαＬがαに略等しいため、実際には、記録層１２０の横方向の線膨張係数αＬを選択して制御することにより、記録層１２０の横方向の線膨張係数を記録層１２０自体に使用する材料の線膨張係数に略等しくしてもよい。
【００４６】
さらに、製造メーカは、ホログラフィック記憶媒体１００の中の記録層１２０以外の全ての層（即ち、反射層１１０、基板１３０及びダイクロイック膜１４０）の線膨張係数を制御し、ホログラフィック記憶媒体１００の中の全ての層の線膨張係数を記録層１２０自体に使用する材料の線膨張係数に略等しくしてもよい。
【００４７】
また、ホログラフィック記憶媒体１００の中の一部の層の線膨張係数を制御することが困難な場合、製造メーカは、ホログラフィック記憶媒体１００のうちで最も硬い層を選択し、この層（例えば、基板１３０）の線膨張係数を記録層１２０自体に使用する材料の線膨張係数に略等しくなるように制御してもよい。
【００４８】
本明細書では、僅かな変化量を表すために「約」、「略」などの修飾語が用いられているが、これは本発明を何ら限定するわけではない。例えば、「記録層１２０の横方向の線膨張係数は、記録層１２０自体に使用する材料の線膨張係数に略等しい」とは、ホログラフィック記憶媒体１００の前後に挟み込まれた記録層１２０の横方向の線膨張係数が完全に等しいという意味以外に、熱変形が回折信号２５０に影響を与えることを防ぐことができる限り、ホログラフィック記憶媒体１００の前後に挟み込まれた記録層１２０の横方向の線膨張係数を若干変えることができるという意味も含まれる。
【００４９】
さらに詳細には、基板１３０と記録層１２０とは、略同一な材料を用いて製造してもよい。例えば、基板１３０の材料として、ポリメチルメタクリレート（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ：ＰＭＭＡ）を用いるとともに、記録層１２０の材料として、ポリメチルメタクリレートを主要な材料とするフォトポリマを用い、基板１３０の線膨張係数を記録層１２０自体に使用する材料の線膨張係数に略等しくしてもよい。
【００５０】
或いは、基板１３０を直接除去し、反射層１１０と、記録層１２０と、ダイクロイック膜１４０と、それらの間に設けられた接着剤層（図示せず）とを残存させ、熱変形が回折信号２５０に影響を与えることを防いでもよい。ここで、上述の糊層は、柔らかい材料を用いたり、線膨張係数が記録層１２０と同じ糊層を用いたりしてもよい。
【００５１】
さらに、反射型格子６００から回折信号２５０が発生することを防ぐために、記録層１２０と反射層１１０との間に４分の１波長板１５０を加えてもよい。実際に使用する際、この４分の１波長板１５０は、入射光（例えば、入射信号光２１０及び入射参照光３１０）と、反射光（例えば、反射信号光２２０及び反射参照光３２０）とを直行偏光させ、互いに干渉させない。これにより、反射型格子６００から回折信号２５０が発生することを防ぐことができる。
【００５２】
米国特許出願公開第２００４／０１６５５１８号明細書には、この４分の１波長板１５０の製造方法が開示されており、米国特許出願公開第２００４／０１６５５１８号明細書全体の記載は、本明細書に組み入れられるものとして併せて参考にする。
【００５３】
さらに詳細には、４分の１波長板１５０を製造する際は、まず、反射層１１０上にアゾベンゼン（ａｚｏｂｅｎｚｅｎｅ）を塗布してから基板１３０を回転させ、この回転速度を制御することによりアゾベンゼンの厚さを制御するとともに、偏光方向が径方向である直線偏光をアゾベンゼンへ照射する。このアゾベンゼンの分子の回転方向は、偏光により影響されるため、分子回転方向が固定されると、材料が元々有する等方性が破壊され、進相軸及び遅相軸を生成し、厚さを制御し、４分の１波長板１５０の製作を完了する。また、偏光の偏光方向は、常に径方向を向いているため、進相軸又は遅相軸の方向もホログラフィック記憶媒体１００の径方向を向いている。
【００５４】
当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨と範囲を逸脱しない範囲内で変更や修正を加えることができる。従って、本発明による特許請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００５５】
１００  ホログラフィック記憶媒体
１１０  反射層
１２０  記録層
１３０  基板
１４０  ダイクロイック膜
１５０  ４分の１波長板
２００  信号光
２１０  入射信号光
２２０  反射信号光
２５０  回折信号
３００  参照光
３１０  入射参照光
３２０  反射参照光
３５０  読出光ビーム
４００  レンズ
５００  透過型回折格子
６００  反射型格子
ｆ  レンズの焦点距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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