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　特願２０１３−　　８９５７「フラッシュＳＳＤ」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　８月　７日出願公開、特開２０１４−１４３２２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２５年１月２２日の出願であって、平成２６年１２月１１日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２７年２月２日付けで手続補正がなされ、同年８月２８日付けで最後の拒絶理由通知がなされたのに対して、同年９月１１日付けで意見書のみが提出されたが、平成２８年３月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月２２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がなされたものである。
第２　平成２８年６月２２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２８年６月２２日付の手続補正を却下する。
［理由］
１．補正後の本願発明
　平成２８年６月２２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲について補正するものであって、本件補正前（すなわち、平成２７年２月２日付け手続補正による補正）に、
「　　【請求項１】
　フラッシュメモリと、
　フラッシュメモリに電気的に接続されたコンデンサと、
を備え、
　前記コンデンサがプロピレンカーボネートを含む電解液を備える電気二重層コンデンサにより構成されており、
　前記電気二重層コンデンサは、複数の正極層と複数の負極層とが積層された積層体を有し、かつ静電容量が５６０ｍＦ以上、８４０ｍＦ以下である、フラッシュＳＳＤ。
　　【請求項２】
　前記電解液を構成している溶媒は、プロピレンカーボネートを８０体積％以上含有する、請求項１に記載のフラッシュＳＳＤ。」
とあったところを、
「　　【請求項１】
　フラッシュメモリと、
　フラッシュメモリに電気的に接続されたコンデンサと、
を備え、
　前記コンデンサがプロピレンカーボネートを含む電解液を備える電気二重層コンデンサにより構成されており、
　前記電気二重層コンデンサは、複数の正極層と複数の負極層とが積層された積層体を有し、
前記複数の正極層及び前記複数の負極層が、それぞれ、集電極と分極性電極とを有し、前記分極性電極の厚みが５μｍ〜５０μｍの範囲にあり、前記電気二重層コンデンサの
　　【請求項２】
　前記電解液を構成している溶媒は、プロピレンカーボネートを８０体積％以上含有する、請求項１に記載のフラッシュＳＳＤ。」
とするものである。なお、下線は請求人が補正箇所を明示するために付したものである。
２．新規事項の有無、特別な技術的特徴の変更の有無及び補正の目的要件について
　本件補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものと認められ、特許法第１７条の２第３項（新規事項）の規定に適合している。
　また、特許法１７条の２第４項（シフト補正）の規定に違反するものでもない。
　補正された請求項１に係る発明は、補正前の請求項１の「正極層」と「負極層」について、「集電極と分極性電極とを有し、分極性電極の厚みが５μｍ〜５０μｍの範囲」であるとの限定を付加したものであり、特許請求の範囲を減縮するものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項および第４項の規定に適合するものであり、また、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて以下検討する。
３．引用例
（１）引用例１
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願日前に頒布された文献である特開２０１２−１７４１４３号公報（平成２４年９月１０日公開。以下、「引用例１」という。）には、「記憶装置及びその制御方法」に関して図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【０００９】
　以下、本実施形態を図１乃至図５を参照して説明する。
　
図１に不揮発性メモリを搭載した記憶装置の概略図を示す。
　
ＮＡＮＤ型不揮発性メモリを制御するＳｏＣ１（System on a chip）には、ＳＤＲＡＭ２、電源監視回路３、ＤＤＣ（ＤＣ−ＤＣコンバータ）４が接続されていて、外部のＰＣ（パーソナルコンピュータ）などのホストシステムと交信する構成となっている。またＤＤＣ４は、電源監視回路３、ＤＤＣ５と共に＋５Ｖと＋１２Ｖの2種の電圧を供給され、また電気二重層コンデンサ６からも電圧を供給されあるいは供給している。
【００１０】
　またＳｏＣ１内には、ＮＡＮＤＣ（ＮＡＮＤ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）１１、ＳＡＳＣ（ＳＡＳ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）１２、ＳＡＳ（Ｓｅｒｉａｌ  Ａｔｔａｃｈｅｄ  ＳＣＳＩ）  Ｉ／Ｆ（インタフェース）１３、ＣＰＵＡ１４、ＣＰＵＢ１５およびＢｕｆｆｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ１６が在る。ＮＡＮＤＣ１１は外部のＮＡＮＤ型不揮発性メモリに又Ｂｕｆｆｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ１６はＳＤＲＡＭ２に接続されている。
【００１１】
　
電源監視回路３にて電源断を検出時には電気二重層コンデンサ６から各ハードウェアに電源供給を行い、ＳＤＲＡＭ２上にあるライトキャッシュデータを不揮発性メモリに書き込む処理を行うよう構成されている。電気二重層コンデンサ６の容量は、例えば100mF〜150mFのものが開発されている。
【００１２】
　ホストシステムからは、ＳＡＳ  Ｉ／Ｆ１３を経由して後述のコマンドを受け取る。このときＳＡＳＣ１２は、ＳＡＳ  Ｉ／Ｆ１３を制御してＮＡＮＤＣ１１、ＣＰＵＡ１４およびＢｕｆｆｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ１６と交信する。
【００１３】
　例えばコマンドは、Ｂｕｆｆｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ１６を経由してＳＤＲＡＭ２に保持され後にＣＰＵＡ１４でフェッチされ実行に移される。ＣＰＵＡ１４は、Ｂｕｆｆｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ１６を通じてＣＰＵＢ１５に働きかけてＮＡＮＤＣ１１を動作させ、ＮＡＮＤ型不揮発性メモリへの記録またはメモリからの読出しを制御させる。
【００１４】
　なおＮＡＮＤ型不揮発性メモリに書かれるホストシステムからのユーザデータは、ＳＡＳ  Ｉ／Ｆ１３、ＳＡＳＣ１２そしてＮＡＮＤＣ１１を経由する。このユーザデータの読み出しは逆のルートとなる。」
イ．「【００２４】
　なお、図５にバックアップ電源付き装置の図３の容量測定の制御方法の概要を示す。
　これをステップ毎に述べると、次のようになる。
ステップＳ５１：  まず電気二重層コンデンサ６の充電処理を行う。
ステップＳ５２：  次に電気二重層コンデンサ６の放電開始電圧（ＶＨ）の測定を行う。
ステップＳ５３：  次に「容量測定の設定された測定終了時間を取得し」放電を開始する。
ステップＳ５４：  次に電気二重層コンデンサ６の端子電圧（Ｖ）の測定を行う。
ステップＳ５５：  この端子電圧（Ｖ）が測定された電気二重層コンデンサ６の放電終了電圧（ＶＬ）以下であるかの判定を行う。
この判定結果がＹｅｓであった場合には、ステップＳ５６に進む。またこの判定結果がＮｏであった場合にはステップＳ５４に戻る。
ステップＳ５６：  次に測定終了時間を取得しまた終了電圧を取得する。
ステップＳ５７：  次に容量を測定する。
ステップＳ５８：  最後に再充電処理を行う。
　本実施形態は，
記憶装置(ＳＳＤなど)で性能向上の手段としてライトキャッシュ機能を使うために，電源断時の未書き込みデータ保証としてバックアップ電源（電気二重層コンデンサなど）を搭載した装置の制御方法に関する。
　上記アないしイの記載から、引用例１には以下の事項が記載されている。
・上記アによれば、不揮発性メモリを搭載した記憶装置は、ＮＡＮＤ型不揮発性メモリを制御するＳｏＣ１には、ＳＤＲＡＭ２、電源監視回路３、ＤＤＣ（ＤＣ−ＤＣコンバータ）４が接続されていて、外部のＰＣ（パーソナルコンピュータ）などのホストシステムと交信する構成であり、ＤＤＣ４は、電源監視回路３、ＤＤＣ５と共に＋５Ｖと＋１２Ｖの２種の電圧を供給され、また電気二重層コンデンサ６からも電圧を供給されあるいは供給しているものである。また、電源監視回路３にて電源断を検出時には電気二重層コンデンサ６から各ハードウェアに電源供給を行い、ＳＤＲＡＭ２上にあるライトキャッシュデータをＮＡＮＤ型不揮発性メモリに書き込む処理を行うものである。
・上記イによれば、記憶装置(ＳＳＤなど)で、バックアップ電源（電気二重層コンデンサなど）を搭載した装置である。
　以上の点を踏まえて、上記記載事項及び図面を総合的に勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「ＮＡＮＤ型不揮発性メモリを搭載した記憶装置において、
電源断を検出時には電気二重層コンデンサ６から各ハードウェアに電源供給を行う記憶装置。」
４．対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明の「ＮＡＮＤ型不揮発性メモリ」は、本願補正発明の「フラッシュメモリ」に相当する。
ｂ．引用発明の「電気二重層コンデンサ６」は、本願補正発明の「電気二重層コンデンサ」に相当し、当該コンデンサが電解質を備えるものであることは自明なことである。また、引用発明の「記憶装置」は、引用例１の【図１】および段落【０００９】【００１１】に記載されているように「ＮＡＮＤ型不揮発性メモリを制御するＳｏＣ１には、ＳＤＲＡＭ２、電源監視回路３、ＤＤＣ（ＤＣ−ＤＣコンバータ）４が接続され」た構成であって、「ＤＤＣ４は、電源監視回路３、ＤＤＣ５と共に＋５Ｖと＋１２Ｖの2種の電圧を供給され、また電気二重層コンデンサ６からも電圧を供給されあるいは供給しているもの」であり、「電源監視回路３にて電源断を検出時には電気二重層コンデンサ６から各ハードウェアに電源供給を行い、ＳＤＲＡＭ２上にあるライトキャッシュデータを不揮発性メモリに書き込む処理を行う」ものであることを鑑みれば、引用発明の「電気二重層コンデンサ６」は、本願補正発明と同様に「フラッシュメモリに電気的に接続されたコンデンサ」であるといえる。
　したがって、引用発明の「電源断を検出時には電気二重層コンデンサ６から各ハードウェアに電源供給を行う」ことによれば、引用発明にあたっても、本願補正発明と同様に、「フラッシュメモリに電気的に接続されたコンデンサ」を有しているといえる。
ｃ．引用例１の段落【００２４】の記憶装置がＳＳＤであるとの記載および上記ａ．ないしｂ．を鑑みれば、引用発明の「記憶装置」は、本願補正発明の「フラッシュＳＳＤ」に相当する。
　そうすると、本願補正発明と引用発明とは以下の点で一致ないし相違する。
＜一致点＞
「　フラッシュメモリと、
　フラッシュメモリに電気的に接続されたコンデンサと、
を備え、
　前記コンデンサが電解質を備える電気二重層コンデンサにより構成されている、
フラッシュＳＳＤ。」
＜相違点１＞
　電気二重層コンデンサの電解質について、本願補正発明は、「プロピレンカーボネートを含む」と特定するのに対して、引用発明には、そのような特定がなされていない点。
＜相違点２＞
　電気二重層コンデンサについて、本願補正発明は、「複数の正極層と複数の負極層とが積層された積層体」を有すると特定するのに対して、引用発明には、そのような特定がなされていない点。
＜相違点３＞
　電気二重層コンデンサについて、本願補正発明は、「前記複数の正極層及び前記複数の負極層が、それぞれ、集電極と分極性電極とを有し、前記分極性電極の厚みが５μｍ〜５０μｍの範囲」であると特定するのに対して、引用発明は、そのような特定がなされていない点。
＜相違点４について＞
　電気二重層コンデンサの静電容量について、本願補正発明は、「５６０ｍＦ以上、８４０ｍＦ以下」と特定するのに対して、引用発明には、そのような特定がなされていない点。
５．判断
　以下、相違点について検討する。
ア．相違点１について
　電気二重層キャパシタの電解質として、プロピレンカーボネート（炭酸プロピレン）を含む電解液を採用することは、例えば、原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願日前に頒布された文献である特開２０１２−１８２２６３号公報（特に、【０００２】〜【０００５】　参照）、原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願日前に頒布された文献である特開２０１１−４４７４６号公報（特に、【００２１】　参照）、本願の出願日前に頒布された文献である特開２００５−６４４３５号公報（特に、【０００８】、【００１４】　参照）、特開２０１１−２３３８４３号公報（特に、【０００２】、【００４６】　参照）、特開２００７−１９２１１号公報（特に、【００２８】　参照）に記載されているように周知の技術事項である。
　したがって、引用発明の電気二重層コンデンサにおいて、プロピレンカーボネートを含む電解液を採用して相違点１の構成とすることは当業者であれば容易に想到し得たことにすぎない。
イ．相違点２について
　電気二重層キャパシタにおいて集電極と分極電極を有する正極層及び負極層とが複数積層された積層体を構成させることは、例えば、原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願日前に頒布された文献である特開２０１２−１８２２６３号公報（特に、【０００２】〜【０００５】、【図２】　参照）、原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願日前に頒布された文献である特開２０１１−４４７４６号公報（特に、【００１６】、【００１７】、【図１】　参照）、本願の出願日前に頒布された文献である特開平１０−３２１４８２号公報（特に、【００１０】〜【００１３】、【図２】、【図３】　参照）、特開２００４−３４９３０６号公報（特に、【００３０】〜【００３８】、【図３】　参照）、特開２０１１−２３３８４３号公報（特に、【００１７】〜【００１９】、【図１】〜【図３】　参照）、特開２０１１−１５１１７１号公報（特に、【００２９】〜【００３１】、【図３】　参照）に記載のように、周知の技術事項である。
　したがって、引用発明の電気二重層コンデンサとして、該周知の構成を採用して相違点２の構成とすることは当業者であれば容易に想到し得たことにすぎない。
ウ．相違点３について
　正極層及び負極層が集電極と分極性電極とを有し、分極性電極の厚みを５μｍ〜５０μｍの範囲の値として構成することは、例えば、本願の出願日前に頒布された文献である特開平１０−３２１４８２号公報（特に、【００１０】〜【００１３】、【図２】、【図３】　参照）、特開２００４−３４９３０６号公報（特に、【００３０】〜【００３８】、【表１】、【図３】　参照）、特開２０１１−２３３８４３号公報（特に、【００１７】〜【００１９】、【図１】〜【図３】　参照）、特開２０１１−１５１１７１号公報（特に、【００２９】〜【００３１】、【図３】　参照）、特開２００７−１９２１１号公報（特に、【００１９】　参照）に記載のように、周知の技術事項である。
　したがって、引用発明の電気二重層コンデンサとして、該周知の構成を採用して相違点３の構成とすることは当業者であれば容易に想到し得たことにすぎない。
　なお、平成２８年６月２２日付けの審判請求書において、審判請求人は、「引用文献４では、段落［００１６］において、分極性電極の厚みが数百μｍと記載されているように、分極性電極の厚みがかなり厚くなっております。このような厚みの分極性電極を有する電気二重層コンデンサでは、充放電の際のイオンの移動に時間を要することとなります。従って、このような分極性電極の厚みが厚い電気二重層コンデンサは、ＳＳＤにおけるバックアップ電源としては適さないものにすぎません。」と主張している。
　しかしながら、上記において検討したとおり、引用発明に周知の技術事項を採用することで、電気二重層コンデンサの分極性電極の厚みを５μｍ〜５０μｍの範囲の値とすることは当業者であれば容易に想到し得たことであり、さらに、分極性電極の厚みが厚い電気二重層コンデンサは、充放電の際のイオンの移動に時間を要することとなり、ＳＳＤにおけるバックアップ電源としては適さないものである旨の主張については、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載されていない効果であり、審判請求人の主張は採用できない。
エ．相違点４について
　電気二重層キャパシタのキャパシタ容量として、１×１０−３〜１Ｆであることが、例えば、原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願日前に頒布された文献である特開２００４−２５３５６２号公報（特に、【００６２】　参照）に記載されているように、電気二重層キャパシタの静電容量として大きな容量を得ることは適宜設計し得るところ、特に、ＳＳＤのバックアップを用途とする電気二重層キャパシタの静電容量として７００ｍＦ程度とすることも、例えば、
「“電気二重層キャパシタ”、［ｏｎｌｉｎｅ］、２０１２年４月２７日、株式会社村田製作所、［平成２９年１月２５日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.murata.co.jp/products/catalog/pdf/o82j.pdf＞」（特に、第２頁の「用途」の「バックアップ」、「商品ラインアップ」の「公称容量」　参照）、
「“７０℃/５年の期待寿命を達成 電源バックアップ用途向け「高信頼性電気二重層キャパシタ」の量産開始について”、［ｏｎｌｉｎｅ］、２０１２年５月３０日、株式会社村田製作所、［平成２９年１月２５日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.murata.com/ja-jp/about/newsroom/news/product/capacitor/2012/0530＞」（特に、「要旨」、「用途」、「用語解説」、「特性図」の「公称容量」　参照）、
「“低抵抗、薄型! 電気二重層エネルギーデバイスの量産化について”、［ｏｎｌｉｎｅ］、２０１１年９月１６日、株式会社村田製作所、［平成２９年１月２５日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.murata.com/ja-jp/about/newsroom/news/product/capacitor/2011/1017＞」（特に、「要旨」、「用途」、「用語解説」、「特性図」の「公称容量」　参照」）
に記載のように周知の技術事項であることから、引用発明において、ＳＳＤのバックアップ電源として用いる電気二重層コンデンサの静電容量を「５６０ｍＦ以上、８４０ｍＦ以下」とし相違点４の構成とすることは当業者であれば容易に想到し得たことである。
　してみれば、引用発明に周知の技術事項を採用することで相違点１ないし４の構成とすることは当業者であれば容易に想到し得たことである。
　したがって、本願補正発明は、引用発明および周知の技術事項に基づいて当業者が容易になし得たものである。そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明および周知の技術事項から当業者が予測できる範囲のものである。
６．むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用例１に記載された発明および周知の技術事項に基づいて当業者が容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２８年６月２２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２に係る発明は、平成２７年２月２日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載された事項により特定されたものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２　１．補正後の本願発明」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例およびその記載事項は、上記「第２　３．引用例」に記載したとおりである。
３．対比・判断
　本願発明は、本願補正発明における「正極層」と「負極層」について、「複数の正極層及び複数の負極層が、それぞれ、集電極と分極性電極とを有し、分極性電極の厚みが５μｍ〜５０μｍの範囲」であるという限定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の構成要件（「相違点３に係る構成」）を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　４．対比」および「第２　５．判断」に記載したとおり、引用例１に記載された発明および周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明および周知の技術事項により当業者が容易に発明をすることができたものである。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明および周知の技術事項により当業者が容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について言及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。