【事件の表示】
　特願２０１４−５００６９８「半導体装置とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　８月２９日国際公開、ＷＯ２０１３／１２５４７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１３年（平成２５年）２月１８日（優先権主張２０１２年２月２４日、日本（ＪＰ））を国際出願日とする出願であって、平成２６年３月３１日付けで手続補正がなされ、平成２７年８月１８日付けで拒絶理由通知がされたのに対し、同年１０月２２日付けで手続補正がなされたが、平成２８年３月２２日付けで拒絶査定がされ、これに対して、同年６月２２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がなされ、同年８月２６日付けで前置報告がされたのに対して、同年１０月１８日付けで上申書が提出されたものである。
第２　平成２８年６月２２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２８年６月２２日付の手続補正を却下する。
［理由］
１．補正後の本願発明
　平成２８年６月２２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲について補正するものであって、本件補正前（すなわち、平成２７年１０月２２日付け手続補正による補正後）に、
「　　【請求項１】
　相対向する第１の主面と第２の主面を有し、立設する複数のフィンと前記複数のフィンを包囲する盛上り部が前記第１の主面に設けられているベース板と、
前記ベース板の第２の主面に形成された絶縁層と、
前記絶縁層に固定された回路パターンと、
前記回路パターンに接続された半導体素子と、
前記絶縁層と前記回路パターンと前記半導体素子を封止する封止樹脂とを備え、
前記ベース板の第１の主面に設けられている盛上り部は前記複数のフィンの周囲を連続して包囲していて、
前記ベース板は、このベース板の第１の主面の外周端部に幅しろが設けられており、
前記盛上り部は、前記幅しろに形成されていて、しかも、この幅しろを盛上り部の外側に配置された外側幅しろと、盛上り部の内側に配置された内側幅しろに分割し、
前記封止樹脂は、前記盛上り部の外周側側面および前記外側幅しろを被覆していることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　前記複数のフィンは一定の向きに整列していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項３】
　前記複数のフィンのそれぞれには、フィンの厚さ方向に貫通するスリットが形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
　　【請求項４】
　前記複数のフィンのそれぞれに形成されているスリットは、一直線状に並んでいることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
　　【請求項５】
　前記絶縁層は、無機粉末を含んでいることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項６】
　前記ベース板に、金属板がかしめ固定されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項７】
　前記半導体素子の少なくとも一部がワイドバンドギャップ半導体により形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
　　【請求項８】
　前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、ダイヤモンドのいずれかの半導体であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
　　【請求項９】
　前記盛上り部は、先端に向かうほど幅が狭くなっていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
　　【請求項１０】
　複数のフィンが立設し、前記複数のフィンの周囲にしかも外周端部に幅しろを残して、前記複数のフィンを連続して包囲する盛上り部が設けられていて、この盛上り部は、前記幅しろに形成されていて、しかも、この幅しろを盛上り部の外側に配置された外側幅しろと、盛上り部の内側に配置された内側幅しろに分割しているベース板を一体加工により形成する工程と、
前記ベース板に半導体素子を固定する工程と、
底面よりも高い場所に載置面が設けられている成形金型に、前記複数のフィンを下側にして前記盛上り部と前記載置面を当接させて前記ベース板を載置する工程と、
前記ベース板が載置された前記成形金型にモールド樹脂を封入し、このモールド樹脂が前記盛上り部の外周側側面と前記外側幅しろを被覆する工程と、
前記封入されたモールド樹脂を加熱して硬化させる工程とを備えている半導体装置の製造方法。
　　【請求項１１】
　前記幅しろは、前記ベース板の外周端部から一定の幅を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項１２】
　前記盛上り部は、前記幅しろの中央に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項１３】
　前記外側幅しろと前記内側幅しろは、幅の大きさが異なることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。」
とあったところを、
「　　【請求項１】
　相対向する第１の主面と第２の主面を有し、立設する複数のフィンと前記複数のフィンを包囲する盛上り部が前記第１の主面に設けられているベース板と、
前記ベース板の第２の主面に形成された絶縁層と、
前記絶縁層に固定された回路パターンと、
前記回路パターンに接続された半導体素子と、
前記絶縁層と前記回路パターンと前記半導体素子を封止する封止樹脂とを備え、
前記ベース板の第１の主面に設けられている盛上り部は前記複数のフィンの周囲を連続して包囲していて、
前記ベース板は、このベース板の第１の主面の外周端部に幅しろが設けられており、
前記盛上り部は、前記幅しろに形成されていて、しかも、この幅しろを盛上り部の外側に配置された外側幅しろと、盛上り部の内側に配置された内側幅しろに分割し、
前記封止樹脂は、前記盛上り部の外周側側面および前記外側幅しろを被覆してい
て、
前記フィンには厚さ方向に貫通するスリットが形成されており、このスリットの底面には押し当てられた跡が形成されてい
　　【請求項２】
　前記複数のフィンは一定の向きに整列していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項３】
　前記複数のフィンのそれぞれには、フィンの厚さ方向に貫通するスリットが形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
　　【請求項４】
　前記複数のフィンのそれぞれに形成されているスリットは、一直線状に並んでいることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
　　【請求項５】
　前記絶縁層は、無機粉末を含んでいることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項６】
　前記ベース板に、金属板がかしめ固定されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項７】
　前記半導体素子の少なくとも一部がワイドバンドギャップ半導体により形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
　　【請求項８】
　前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、ダイヤモンドのいずれかの半導体であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
　　【請求項９】
　前記盛上り部は、先端に向かうほど幅が狭くなっていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
　　【請求項１０】
　複数のフィンが立設し、前記複数のフィンの周囲にしかも外周端部に幅しろを残して、前記複数のフィンを連続して包囲する盛上り部が設けられていて、この盛上り部は、前記幅しろに形成されていて、しかも、この幅しろを盛上り部の外側に配置された外側幅しろと、盛上り部の内側に配置された内側幅しろに分割しているベース板を一体加工により形成する工程と、
前記ベース板に半導体素子を固定する工程と、
底面よりも高い場所に載置面が設けられてい
て、この底面から衝立部が立設する下
前記ベース板が載置された前記
下金型に上金型をかぶせて成形金型を構成し
前記封入されたモールド樹脂を加熱して硬化させる工程とを備え
、
前記フィンの高さは、前記載置面から前記底面までの深さおよび前記衝立部の高さよりも小さいことを特徴とする
　　【請求項１１】
　前記幅しろは、前記ベース板の外周端部から一定の幅を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項１２】
　前記盛上り部は、前記幅しろの中央に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項１３】
　前記外側幅しろと前記内側幅しろは、幅の大きさが異なることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。」
とするものである。なお、下線は請求人が補正箇所を明示するために付したものである。
２．新規事項の有無について
　本件補正は、補正前の請求項１の「フィン」について、補正後の請求項１の「
前記フィンには厚さ方向に貫通するスリットが形成されており、このスリットの底面には押し当てられた跡が形成されてい
　しかしながら、当該補正事項１は、願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「当初明細書等」という。）には、「
スリットの底面には押し当てられた跡が形成されてい
　平成２８年６月２２日付けの審判請求書において、審判請求人は上記補正事項１に関連して、
「 （２）補正の根拠の明示 
 　請求項１において、「前記フィンには厚さ方向に貫通するスリットが形成されて」いることは、段落００２６、図７および図８に示されています。「このスリットの底面には押し当てられた跡が形成されている」ことは、段落００２７および図１０に補正の根拠があります。すなわち、下金型の衝立部がスリットの底面に押し当てられると、必然的に押し当てられた跡が形成されます。 」
と主張している。
　また、平成２８年１０月１８日付けの上申書においても、審判請求人は上記補正事項１に関連して、
「２．上申の内容
（１）
　請求項１に係る発明では、スリットの底面には押し当てられた跡が形成されていることが特定されています。段落００２８には、スリット構造を成形金型で支えることにより、成形時の圧力に対してベース板の変形量を最小限に抑えることが可能となるとの記載があります。この実施の形態２に係る効果は、スリット９の底面９ａに衝立部１１の先端が接触してはじめて、なしうる効果です。もし、スリット９の底面９ａに衝立部１１の先端が接触しないのであれば、下金型に衝立部が設けられていない、実施の形態１と同じ状況になります。
　実施の形態２では、わざわざ下金型１０ａに衝立部１１を設けているのですから、スリット９の底面９ａに衝立部１１の先端が接触することは自明です。したがって、下金型の衝立部をスリットの底面に“押し当てる”こと、および、衝立部がスリットの底面に接することは、図１０およびこれに関連する段落の記述に示されていると考えております。
（２）
　段落００２７には、衝立部１１の先端部１２とスリットの底面９ａとの間には僅かな隙間を設けておいてもよいと記載されています。隙間があっても僅かであれば、成形時の圧力により、盛上り部２０が押しつぶされて、衝立部１１とスリットの底面９ａが接触します。このとき、ベース板は、封止樹脂による成形圧力と衝立部１１からの抗力および載置面１５からの抗力を受けて、釣り合いを保とうとします。
　成形圧力は、ベース板２の表側面全体で受けますが、抗力は衝立部１１の先端および盛上り部２０の先端で受けます。盛上り部の先端の面積および衝立部の先端の面積は、ベース板２の表側面の全面積に比べると圧倒的に小さくなっています。成形圧力によって盛上り部２０の先端が押しつぶされるのと同様に、スリットの底面９ａには、衝立部の先端から受ける抗力によって、押し当てられた跡が形成されることは自明であると考えています。」
と主張している。
　しかしながら、衝立部については、明細書の【００２７】、【００２８】、【００４０】、【００４１】、【図１０】に記載があるものの、例えば、段落【００２７】には、「成形金型１０には衝立部１１が設けられている。衝立部１１は下金型１０ａのスリット９に対応する位置に設けられている。衝立部１１は下金型１０ａの底面１３から立設している。図１０のように成形金型１０に載置して封止樹脂を流し込む。
衝立部１１の先端部１２とスリットの底面９ａの間には僅かな隙間を設けておいてもよい。
このスリット構造を成形金型で支えることにより、成形時の圧力に対してベース板の変形量を最小限に抑えることが可能となる。
衝立部１１の先端部１２とスリットの底面９ａが接したとしても、
　特に、審判請求人は、「盛上り部の先端の面積および衝立部の先端の面積は、ベース板２の表側面の全面積に比べると圧倒的に小さくなっています。成形圧力によって盛上り部２０の先端が押しつぶされるのと同様に、スリットの底面９ａには、衝立部の先端から受ける抗力によって、押し当てられた跡が形成されることは自明であると考えています。」と主張しているが、「盛上り部」は、例えば、明細書の段落【００２１】に「盛上り部２０のサイズや形状は、フィン８に対して高さや幅が小さい範囲にあれば限定されることはないが、樹脂の成形圧力によってベース板２の全体が反りなどで変形する力よりも小さな力で盛上り部２０の先端が変形できる程度の大きさや先端形状を有する。」と記載されているように、「盛上り部」の形状は変形しやすいような大きさや先端形状を有するものであることが特定されているのに対して、「衝立部１１」については、【図１０】を参酌しても、衝立部の先端から受ける抗力によって、押し当てられた跡が形成されるような大きさや先端形状であることは記載されておらず、衝立部の先端の面積は、ベース板２の表側面の全面積に比べると小さいとはいっても、盛上り部２０の先端が押しつぶされるのと同様に、スリットの底面９ａには、衝立部の先端から受ける抗力によって、押し当てられた跡が形成されるという審判請求人の主張は採用できない。
　そうすると、補正事項１の「
スリットの底面には押し当てられた跡が形成されてい
　よって、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではない。
３．むすび
　以上のとおり、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３．本願発明について 
１．本願発明 
　平成２８年６月２２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１３に係る発明は、平成２７年１０月２２日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定されたものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２　１．補正後の本願発明」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
２．引用例とその記載事項 
（１）引用例１
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された文献である特開２０１０−１９９４９４号公報（平成２２年９月９日公開。以下、「引用例１」という。）には、「半導体装置及び半導体装置の製造方法」に関して図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【０００８】
　そこで、放熱板の露出部分に凹凸等を形成して、放熱板の外気に接する表面積を大きくすることも考えられる。しかし、
樹脂系材料によってモールドする際には、凹凸等を形成した放熱板の露出部が樹脂系材料によって覆われることを防ぐ必要がある。
【０００９】
　樹脂系材料によって放熱板の凹凸の一部が覆われた場合には、放熱板の外気と接する表面積が減ってしまい、放熱性能を十分に発揮させることができなくなる。したがって、放熱板の凹凸と金型との密着不良により、歩留まりが低下するといった問題が生じる。
【００１０】
　本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、
ヒートシンクの放熱性能を高めつつ、樹脂系材料をモールドする際のヒートシンクと金型との密着不良を抑えて歩留まりを向上させることのできる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
　
この発明に係る半導体装置は、リードフレームと、リードフレームの表面に実装された半導体素子と、リードフレームの裏面に接着される接着部を一方面側に有し、他方面側には放熱用の凹凸部を有するヒートシンクと、リードフレーム及び半導体素子を一体的にモールドするモールド樹脂とを備えたものであって、凹凸部の周囲に形成されるとともに金型と密着することによりモールド樹脂が凹凸部に漏れ出ることを防ぐための突起部をヒートシンクに設けたものである。
イ．「【００１６】
実施の形態１．
　以下に、図面を用いて本発明の実施の形態１に係る半導体装置である樹脂モールド型半導体モジュールについて説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。図１は本発明の実施の形態１に係る半導体装置の概略構成を示す横断面図である。図において、
半導体装置２は、主としてヒートシンク４と、半導体素子６と、リードフレーム８と、モールド樹脂（樹脂モールド部）９より構成される。
【００１７】
　
ヒートシンク４は、半導体装置２のベース基板として機能するとともに、半導体素子６が駆動した際に発する熱を放熱する機能を有する。
ヒートシンク４は、ベース部５とフィン部（凹凸部）１０とから構成されている。
【００１８】
　
ベース部５は、リードフレーム８に接着される接着面（接着部）５ａを一方面側に有する。
【００１９】
　図２は、ヒートシンク４をフィン部１０側から見た平面図である。
フィン部１０は、接着面５ａの他方面側に形成された複数の放熱フィンによって形成されている。
フィン部１０の周囲であって接着面５ａの他方面側には、突起部５ｃが形成されており、突起部５ｃの先端面は接着面５ａと略平行に形成されている。
【００２０】
　リードフレーム８は、半導体素子６に電力を供給するためのものであり、リードフレーム８を介して半導体素子６に電力が供給される。
リードフレーム８は、正極側の正極側リードフレーム８ａと、負極側の負極側リードフレーム８ｂとから構成されている。正極側リードフレーム８ａは、半導体素子６がはんだ付けされて実装される実装部（表面）８ｃを有する。
【００２１】
　正極側リードフレーム８ａの実装部８ｃには、複数の半導体素子６が実装されている。半導体素子６としては、例えばフリーホイールダイオード（ＦｒＤｉ）や絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ（ＩＧＢＴ）が用いられる。半導体素子６同士は、アルミ等のワイヤ１２によって電気的に接続されている。また、半導体素子６と負極側リードフレーム８ｂとは、ワイヤ１２で電気的に接続されている。
正極側リードフレーム８ａの実装部８ｃの裏面がヒートシンクとの接着面（裏面）８ｄになっており、ヒートシンク４の接着面５ａがはんだ、または窒化ホウ素や窒化アルミまたはアルミナなど、熱伝導率の高い絶縁性の微粒子を含む樹脂系材料によって接着されるようになっている。本実施の形態でははんだによって接合されている場合について説明する。
【００２２】
　モールド樹脂９は、樹脂系材料からなるモールド部材を構成しており、モールド樹脂９は、半導体素子６、リードフレーム８を一体的にモールドして、半導体装置２のケースとして機能する。
樹脂系材料であるモールド部材により、半導体素子６やリードフレーム８を隙間無くモールドすることができる。又モールド樹脂９はフィン部１０を覆わないように構成されると共に、ベース部５に設けられた突起部５ｃにおいては、その外周側のみを覆うように構成されている。
【００２３】
　半導体素子６と正極側リードフレーム８ａとヒートシンク４とが、はんだ１１を介して結合されている。はんだ１１としては、導電性の材料が用いられるため、熱伝導率は高い。従って半導体素子６で発生した熱は、はんだ１１及び正極側リードフレーム８ａを介して効率よくヒートシンク４に伝わり放熱性能が向上する。
【００２４】
　なお図１では、
正極側リードフレーム８ａに半導体素子６とヒートシンク４を取り付けた場合について説明したが、負極側リードフレーム８ｂに半導体素子６とヒートシンク４を取り付けるようにしてもよい。
ウ．「【００３０】
　ここで、ヒートシンク４に設けられた突起部５ｃの先端部と下側金型１８ｂの密着面１８ｄとが密着することにより、モールド部材がフィン部１０側に漏れ出るのを防いでいる。突起部５ｃの先端面は概略同一平面上になるように構成されているが、実際にはベース部５の反りや歪み等により、完全に同一平面上になるように構成することは困難である。また、下側金型１８ｂの密着面１８ｄも完全な平面に加工することは困難である。
【００３１】
　このような状況でヒートシンク４に設けられた突起部５ｃの先端面と下側金型１８ｂの密着面１８ｄとを密着させるために圧力を加えると、まず突起部５ｃの先端面の一部が下側金型１８ｂの密着面１８ｄに接触し、その他の部分には隙間がある状態となる。そこからさらに圧力を加えると、先に下側金型１８ｂの密着面１８ｄに接触した突起部５ｃの先端面の一部が変形することにより、その他の部分が下側金型１８ｂの密着面１８ｄに接触する。
このように突起部５ｃの先端面が順次下側金型１８ｂの密着面１８ｄに接触して変形し、最終的に突起部５ｃの先端面全体が下側金型１８ｂの密着面１８ｄに接触するように変形するまで圧力を加えることで、ヒートシンク４と下側金型１８ｂの間に隙間がなくなり、ヒートシンク４のフィン部１０がモールド樹脂９によって覆われることを防止することができる。
【００３２】
　したがって、
本発明に係る半導体装置２は、ヒートシンク４の凹凸部１０の周囲に突起部５ｃが形成されているので、突起部５ｃの先端面が完全に同一平面上になく、下側金型１８ｂのヒートシンク４と密着する密着面１８ｄが完全な平面でなくても、下側金型１８ｂとヒートシンク４とを密着させるときの圧力で、突起部５ｃが変形し、樹脂系材料をモールドする際の下側金型１８ｂとヒートシンク４との隙間をなくすことができるので、
樹脂系材料の漏れを防ぐとともに
　上記アないしウの記載から、引用例１には以下の事項が記載されている。
・上記アによれば、樹脂系材料によってモールドする際には、凹凸等を形成した放熱板の露出部が樹脂系材料によって覆われることを防ぐ必要があり、この発明に係る半導体装置は、リードフレームと、リードフレームの表面に実装された半導体素子と、リードフレームの裏面に接着される接着部を一方面側に有し、他方面側には放熱用の凹凸部を有するヒートシンクと、リードフレーム及び半導体素子を一体的にモールドするモールド樹脂とを備えたものであって、凹凸部の周囲に形成されるとともに金型と密着することによりモールド樹脂が凹凸部に漏れ出ることを防ぐための突起部をヒートシンクに設けたものである。
・上記イによれば、半導体装置２は、主としてヒートシンク４と、半導体素子６と、リードフレーム８と、モールド樹脂（樹脂モールド部）９より構成されるものである。また、ヒートシンク４は、半導体装置２のベース基板として機能するとともに、半導体素子６が駆動した際に発する熱を放熱する機能を有しており、ヒートシンク４は、ベース部５とフィン部（凹凸部）１０とから構成され、ベース部５は、リードフレーム８に接着される接着面（接着部）５ａを一方面側に有するものである。そして、リードフレーム８は、正極側の正極側リードフレーム８ａと、負極側の負極側リードフレーム８ｂとから構成され、正極側リードフレーム８ａは、半導体素子６がはんだ付けされて実装される実装部（表面）８ｃを有し、正極側リードフレーム８ａの実装部８ｃの裏面がヒートシンクとの接着面（裏面）８ｄになっており、ヒートシンク４の接着面５ａがはんだ、または窒化ホウ素や窒化アルミまたはアルミナなど、熱伝導率の高い絶縁性の微粒子を含む樹脂系材料によって接着されるようになっているものである。さらに、樹脂系材料であるモールド部材により、半導体素子６やリードフレーム８を隙間無くモールドされ、フィン部１０の周囲であって接着面５ａの他方面側には、突起部５ｃが形成されており、突起部５ｃの先端面は接着面５ａと略平行に形成され、モールド樹脂９はフィン部１０を覆わないように構成されると共に、ベース部５に設けられた突起部５ｃにおいては、その外周側のみを覆うように構成されるものである。
・上記ウによれば、半導体装置２は、ヒートシンク４の凹凸部１０の周囲に突起部５ｃが形成されているものであり、下側金型１８ｂとヒートシンク４とを密着させるときの圧力で、突起部５ｃが変形し、樹脂系材料をモールドする際の下側金型１８ｂとヒートシンク４との隙間をなくすことができるので、樹脂系材料の漏れを防ぐことができるものである。
　以上の点を踏まえて、上記記載事項及び図面を総合的に勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「半導体装置２は、主としてヒートシンク４と、半導体素子６と、リードフレーム８と、モールド樹脂９より構成されるものであって、
ヒートシンク４は、ベース部５とフィン部１０とから構成され、ベース部５は、リードフレーム８に接着される接着面５ａを一方面側に有し、フィン部１０の周囲であって接着面５ａの他方面側には、突起部５ｃが形成されており、
リードフレーム８は、正極側の正極側リードフレーム８ａと、負極側の負極側リードフレーム８ｂとから構成され、正極側リードフレーム８ａは、半導体素子６がはんだ付けされて実装される実装部８ｃを有し、
正極側リードフレーム８ａの実装部８ｃの裏面がヒートシンクとの接着面８ｄになっており、ヒートシンク４の接着面５ａがはんだ、または窒化ホウ素や窒化アルミまたはアルミナなど、熱伝導率の高い絶縁性の微粒子を含む樹脂系材料によって接着されており、
樹脂系材料であるモールド部材により、半導体素子６やリードフレーム８を隙間無くモールドされ、
ヒートシンク４のフィン部１０の周囲に突起部５ｃが形成され、モールド樹脂９はフィン部１０を覆わないように構成されると共に、ベース部５に設けられた突起部５ｃにおいては、突起部５ｃの外周側のみを覆うように構成されている半導体装置。」
（２）引用例２
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された文献である特開平４−１２９２５３号公報（平成４年４月３０日公開。以下、「引用例２」という。）には、「半導体パツケージ」に関して図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
カ．「［作用］
　この発明においては、
金属キャップに設けたリング状の突起の部分は、金属キャップ上に、ステムおよびキャリアテープに接続された半導体素子を載置し金型で樹脂封止する際に、上下金型でキャリアテープのサポートリング部および金属キャップのつばの部分を挟んだ際に、金属キャップに設けたリング状の突起の部分が下金型に圧着されるか、突起がやや押しつぶされることにより、リング状の突起の内側へ樹脂がにじみ出すことを防止する。
キ．「［実施例］
　以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１図はこの発明による半導体パッケージの断面構造を示し、第１図において、符号（１）から（１２）迄に既に従来の技術の項で示したものと同様の部分であり、説明を省略する。
（１４）は金属キャップ（９）の半導体素子（１）を載置しない面にリング状に形成した突起であり、突起（１４）の高さは数十ミクロンから０．５ｍｍの範囲である。
　以上の構成により、リング状の突起（１４）は、樹脂封止の際に下金型と密着することにより、封止樹脂（１２）のにじみ出しを防ぐ。
　なお、上記実施例では、半導体素子（１）と外部との電気的接続をテープキャリアを用いて行ったが、通常のリードフレーム及び金属細線を用いても良い。
　第２図はこの発明の他の実施例による半導体パッケージの断面構造を示す。第２図において、符号（１）および（９）から（１２）、さらに（１４）は既に説明したものと同様であり、説明を省略する。（１５）はリードフレーム、（１６）は半導体素子（１）とリードフレーム（１５）を接続する金属細線、（１７）はリードフレーム（１５）と金属キャップ（９）の間に存在し、リードフレーム（１５）と金属キャップ（９）を電気的に絶縁する絶縁層である。
　かかる構成により、同様の効果が得られる。
　なお、
金属キャップのリング状の突起の内側で金属が露出している部位に、放熱フィンを取付けて放熱性を向上してもよい。
　また、リング状突起の形成は、金属キャップの絞り加工時に同時に形成してもよいし、金属キャップの絞り加工後、追加工の工程を設定して金型により突起を形成してもよい。
［発明の効果］
　以上のように、この発明によれば、金属キャップの半導体素子を載置しない面にリング状に突起を設けたので、装置にバリが発生せず外観が美しく、かつ、例えばバリを介せず放熱フィンを接着できるため、放熱性のよいバッケージが得られる効果がある。」
・上記カによれば、金属キャップに設けたリング状の突起の部分は、金属キャップ上に、ステムおよびキャリアテープに接続された半導体素子を載置し金型で樹脂封止する際に、上下金型でキャリアテープのサポートリング部および金属キャップのつばの部分を挟んだ際に、金属キャップに設けたリング状の突起の部分が下金型に圧着されるか、突起がやや押しつぶされることにより、リング状の突起の内側へ樹脂がにじみ出すことを防止するものである。
・上記キによれば、リング状の突起（１４）は、金属キャップ（９）の半導体素子（１）を載置しない面に形成され、樹脂封止の際に下金型と密着することにより、封止樹脂（１２）のにじみ出しを防ぐものである。
・第１図、第２図によれば、金属キャップのリング状の突起（１４）は、金属キャップの底面の周端縁からやや内側の位置に設けられており、金属キャップのリング状の突起の外側が封止樹脂で覆われるものである。
　上記カないしキ、第１図ないし第２図の記載から、引用例２には以下の事項が記載されている。
「金属キャップ（９）の半導体素子（１）を載置しない面にリング状の突起を形成し、
金属キャップに設けたリング状の突起の部分が下金型に圧着されるか、突起がやや押しつぶされることにより、リング状の突起の内側へ封止樹脂がにじみ出すことを防止するものであって、
金属キャップのリング状の突起（１４）は、金属キャップの底面の周端縁からやや内側の位置に設けられており、金属キャップのリング状の突起の外側が封止樹脂で覆われる」こと。
（３）引用例３
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された文献である特開平１１−１５０２１６号公報（平成１１年６月２日公開。以下、「引用例３」という。）には、「樹脂封止型半導体部品及びその製造方法」に関して図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
サ．「【００２５】さて、図１及び図２に示すように、
前記放熱板１２の露出面１２ａには、下方に突出する突起部２０が、放熱板１２の周端縁からやや内側の位置を全周に連続して延びて一体に形成されている。この突起部２０は、例えばプレス等の機械加工あるいはエッチング加工により、断面三角形状をなすように先端部（下端部）がやや外側に向けて尖った形状に形成されている。
この突起部２０は、モールド金型内で放熱板１２が型締め力を受けることにより、塑性変形してキャビティ面に密着するようになっている。
シ．「【００３３】このように本実施例によれば、
モールド金型２１の型締め力により、放熱板１２の露出面１２ａに形成された突起部２０がキャビティ面に押付けられて密着するようになるので、放熱板１２の下面に樹脂が漏れて侵入することを防止することができ
・上記サによれば、放熱板１２の露出面１２ａには、下方に突出する突起部２０が、放熱板１２の周端縁からやや内側の位置を全周に連続して延びて一体に形成されており、突起部２０は、断面三角形状をなすように先端部がやや外側に向けて尖った形状に形成されているものである。
・上記シによれば、モールド金型２１の型締め力により、放熱板１２の露出面１２ａに形成された突起部２０がキャビティ面に押付けられて密着するようになるので、放熱板１２の下面に樹脂が漏れて侵入することを防止することができるものである。
　上記サないしシの記載から、引用例３には以下の事項が記載されている。
「放熱板１２の露出面１２ａには、下方に突出する突起部２０が、放熱板１２の周端縁からやや内側の位置を全周に連続して延びて一体に形成されており、モールド金型２１の型締め力により、放熱板１２の露出面１２ａに形成された突起部２０がキャビティ面に押付けられて密着するようにして、放熱板１２の下面に樹脂が漏れて侵入することを防止する」こと。
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明の「ベース部５」、「フィン部１０」は、本願発明の「ベース板」、「立設する複数のフィン」に相当する。また、引用発明の「ベース部５」は、リードフレーム８に接着される接着面５ａを一方面側に有し、フィン部１０の周囲であって接着面５ａの他方面側を有しており、引用発明の「ベース部５」の「リードフレーム８に接着される接着面５ａを一方面側」及び「フィン部１０の周囲であって接着面５ａの他方面側」とするそれぞれの面を有していることを鑑みれば、本願発明と同様に「第２の主面」、「第１の主面」を有しているといえる。さらに、引用発明の「突起部５ｃ」は、フィン部１０の周囲であって接着面５ａの他方面側に形成されていることを鑑みれば、本願発明の「複数のフィンを包囲する盛上り部が第１の主面に設けられている」といえる。
　したがって、引用発明の「ヒートシンク４は、ベース部５とフィン部１０とから構成され、ベース部５は、リードフレーム８に接着される接着面５ａを一方面側に有し、フィン部１０の周囲であって接着面５ａの他方面側には、突起部５ｃが形成され」ていることは、本願発明の「相対向する第１の主面と第２の主面を有し、立設する複数のフィンと前記複数のフィンを包囲する盛上り部が前記第１の主面に設けられているベース板」を有しているといえる。
　
ｂ．引用発明の「リードフレーム８」は、正極側の正極側リードフレーム８ａと、負極側の負極側リードフレーム８ｂとから構成され、正極側リードフレーム８ａは、半導体素子６がはんだ付けされて実装される実装部８ｃを有し、正極側リードフレーム８ａの実装部８ｃの裏面がヒートシンクとの接着面８ｄになっており、ヒートシンク４の接着面５ａがはんだ、または窒化ホウ素や窒化アルミまたはアルミナなど、熱伝導率の高い絶縁性の微粒子を含む樹脂系材料によって接着されていることを鑑みれば、接着面８ｄ及び接着面５ａは、はんだ、または樹脂系材料によって接着されることから、はんだ、または樹脂系材料の層を有しているといえる。してみると、引用発明の「正極側リードフレーム８」は、ヒートシンク４のベース部５にはんだ、または樹脂系材料によって接着されていることから、引用発明の「正極側リードフレーム８ａの実装部８ｃの裏面がヒートシンクとの接着面８ｄになって」いることは、本願発明の「ベース板の第２の主面に形成された層」を有し、「層に固定された回路パターン」を有しているといえる。また、引用発明の「正極側リードフレーム８ａは、半導体素子６がはんだ付けされて実装される実装部８ｃを有」することは、本願発明の「前記回路パターンに接続された半導体素子」を備えていることに相当する。
　ただし、半導体装置について、本願発明は、「前記ベース板の第２の主面に形成された絶縁層と、前記絶縁層に固定された回路パターン」なる絶縁層を備えていることが特定されているのに対して、引用発明には、そのような特定がなされていない。
ｃ．引用発明の「樹脂系材料であるモールド部材」は、本願発明の「封止樹脂」に相当する。そして、引用発明の「樹脂系材料であるモールド部材」は、半導体素子６やリードフレーム８を隙間無くモールドしていることを鑑みれば、本願発明と同様に「層と回路パターンと半導体素子を封止」しているといえる。
　また、引用発明の「突起部５ｃ」は、引用例１の【図２】を参酌すれば、フィン部１０の周囲に形成された突起部５ｃの内側とフィン部１０の間に、隙間を有していることを勘案すると、本願発明と同様に、「盛上り部は、幅しろに形成されており、盛上り部の内側に配置された内側幅しろ」を有しているといえる。また、引用発明の「モールド樹脂９はフィン部１０を覆わないように構成されると共に、ベース部５に設けられた突起部５ｃにおいては、突起部５ｃの外周側のみを覆う」ことは、本願発明の「前記封止樹脂は、前記盛上り部の外周側側面を被覆している」ことに相当する。
　したがって、引用発明の「樹脂系材料であるモールド部材により、半導体素子６やリードフレーム８を隙間無くモールドされ、ヒートシンク４のフィン部１０の周囲に突起部５ｃが形成され、モールド樹脂９はフィン部１０を覆わないように構成されると共に、ベース部５に設けられた突起部５ｃにおいては、突起部５ｃの外周側のみを覆うように構成されている」ことは、本願発明の「前記ベース板は、このベース板の第１の主面の外周端部に幅しろが設けられており、前記盛上り部は、前記幅しろに形成されていて、前記封止樹脂は、前記盛上り部の外周側側面を被覆している」といえる。
　ただし、半導体装置の盛上り部について、本願発明は、「幅しろを盛上り部の外側に配置された外側幅しろと、盛上り部の内側に配置された内側幅しろに分割し、前記封止樹脂は、前記盛上り部の外周側側面および前記外側幅しろを被覆している」と特定するのに対して、引用発明には、そのような特定がなされていない。
ｄ．引用発明の「半導体装置」は、ヒートシンク４と、半導体素子６と、リードフレーム８と、モールド樹脂９を有しており、上記ａ．ないしｃ．を鑑みれば、引用発明の「半導体装置」は、本願発明の「半導体装置」に相当する。
　そうすると、本願発明と引用発明とは以下の点で一致ないし相違する。
＜一致点＞
「　相対向する第１の主面と第２の主面を有し、立設する複数のフィンと前記複数のフィンを包囲する盛上り部が前記第１の主面に設けられているベース板と、
ベース板の第２の主面に形成された層と、
層に固定された回路パターンと、
前記回路パターンに接続された半導体素子と、
層と前記回路パターンと前記半導体素子を封止する封止樹脂とを備え、
前記ベース板の第１の主面に設けられている盛上り部は前記複数のフィンの周囲を連続して包囲していて、
前記ベース板は、このベース板の第１の主面の外周端部に幅しろが設けられており、
前記盛上り部は、前記幅しろに形成されていて、
前記封止樹脂は、前記盛上り部の外周側側面を被覆していることを特徴とする半導体装置。」
＜相違点１＞
　半導体装置について、本願発明は、ベース板の第２の主面に形成された「絶縁層」を有すると特定しているのに対して、引用発明には、そのような特定がなされていない点。
＜相違点２＞
　半導体装置について、本願発明は、回路パターンが固定される層が「絶縁層」であると特定しているのに対して、引用発明には、そのような特定がなされていない点。
＜相違点３＞
　半導体装置の盛上り部について、本願発明は、「幅しろを盛上り部の外側に配置された外側幅しろと、盛上り部の内側に配置された内側幅しろに分割し、前記封止樹脂は、前記盛上り部の外周側側面および前記外側幅しろを被覆している」と特定するのに対して、引用発明には、そのような特定がなされていない点。
４．判断
　以下、相違点について検討する。
ア．相違点１及び２について
　基板の上に絶縁層を設け、該絶縁層の上にリードフレームを形成することは、例えば、原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された文献である特開平８−２９８２９９号公報（特に、【００２７】ないし【００２９】、【図１】等　参照）、特開２００２−１１０８６７号公報（特に、【０００６】ないし【０００８】、【図１】等　参照）、特開２０１２−２８４２１号公報（特に、【００３５】ないし【００４１】、【図３】、【図６】等　参照）に記載されているように周知の技術事項であり、引用発明の半導体装置において、絶縁性の信頼性を向上するために、上記周知の技術事項を採用して相違点１及び２の構成とすることは当業者であれば容易に想到し得たことにすぎない。
イ．相違点３について
　突起部の外側に配置された外側幅しろを設けることは、例えば、原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された文献である引用例２（特に、上記２．（２）　参照）、引用例３（特に、２．（３）　参照）に記載のように、突起部を周端縁からやや内側の位置に設けることで、幅しろを盛上り部の外側に配置された外側幅しろと、突起部の内側に配置された内側幅しろに分割することは周知の技術事項であり、引用発明において、上記周知の技術事項を採用し、突起部を周端縁からやや内側の位置に設けることで、幅しろを突起部の外側に配置された外側幅しろと突起部の内側に配置された内側幅しろに分割することは当業者であれば容易に想到し得たことであり、その際、封止樹脂が突起部の外周側側面および外側幅しろを被覆するようにすることも当業者であれば容易に想到し得たことである。さらに、相違点３の技術的意義について検討しても、本願の出願当初明細書の【００１７】に「ベース板２には外周端部から一定の幅で幅しろ２ｂが設けられている。盛上り部２０は幅しろ２ｂに形成され、平坦面２ａの全周を継ぎ目無く包囲している。盛上り部２０を成形金型に押し当てることにより、ベース板２の裏側面に設けられたフィン８に封止樹脂を漏らすことなく、ベース板２の側面まで覆って樹脂成形することが可能となる（図５参照）。盛上り部２０は、幅しろ２ｂの中央に形成してもよいが、外側や内側のどちらかに片寄っていてもよい。」と記載されているように、幅しろ２ｂに盛上り部２０を形成することで、幅しろ２ｂが盛上り部２０により仕切られることによりその外側と内側が生じたものであり、幅しろ２ｂを外側幅しろと内側幅しろとに分割することに格別な技術的意義があるとは認められない。
　したがって、引用発明に、上記周知の技術事項を採用し、相違点３の構成とすることは当業者であれば容易に想到し得たことにすぎない。
　してみれば、引用発明に周知の技術事項を採用することで相違点１ないし３の構成とすることは当業者であれば容易に想到し得たことである。
　したがって、本願発明は、引用発明および周知の技術事項に基づいて当業者が容易になし得たものである。そして、本願発明の作用効果も、引用発明および周知の技術事項から当業者が予測できる範囲のものである。
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明および周知の技術事項により当業者が容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について言及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。