【事件の表示】
　特願２０１３−　７９５５３「小型電子機器、その形成方法、およびシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　７月１１日出願公開、特開２０１３−１３８２６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年９月１７日（パリ条約により優先権主張外国庁受理２００３年９月２２日、アメリカ合衆国）に国際出願した特願２００６−５２７０７４号の一部を平成２２年７月３０日に新たな特許出願とした特願２０１０−１７２１３８号の、さらにその一部を平成２５年４月５日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２６年　４月１１日　　拒絶理由通知（起案日）
　平成２６年　７月１４日　　意見書及び手続補正書の提出
　平成２７年　１月２６日　　拒絶査定（起案日）
　平成２７年　５月２６日　　審判請求書及び手続補正書の提出
　平成２８年　３月１６日　　当審より拒絶理由通知（起案日）
　平成２８年　６月１６日　　意見書及び手続補正書の提出
　
　
第２　本願発明に対する判断
１　本願発明
　本願の請求項１ないし１４に係る発明は、平成２８年６月１６日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載される事項により特定されるとおりであって、そのうち、請求項１３に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
「基板上に形成されたパッシベーション層に開口を形成するステップと、
　前記開口にベース層金属を形成するステップであって、前記ベース層金属は、接着層およびシード層を有し、前記接着層は、Ti、TiN、およびTiSiNからなる群から選定され、前記シード層は、NiVおよびCoからなる群から選定される、ステップと、
　前記ベース層金属上にフォトレジスト層を成膜し、パターン化するステップと、
　前記ベース層金属上に銅を含むバンプを形成するステップと、
　前記バンプを形成した後、前記フォトレジスト層を除去するステップと、
　前記バンプの周りに拡散バリアを形成するステップであって、前記拡散バリア層は、CoBP、CoWP、CoWB、CoWBP、NiBP、NiWP、NiWB、およびNiWBPからなる群から選定される、ステップと、
　前記拡散バリア上にウェッティング層を形成するステップと、
　を有する方法。」
　
２　当審よりの拒絶理由通知の概要
　平成２８年３月１６日付けで当審より通知した拒絶理由通知の概要は、次のとおりである。
「１．本件出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 ２．本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
 ３．本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
  
 ●理由１（進歩性）について
　……（中略）……
・請求項　１０
・引用文献等　１、４−７
・備考：
　引用文献１の段落［００１７］、［００２４］−［００２５］、［００３１］には次の発明（以下「引用発明１０」という。）が記載されている。
　……（中略）……
　以上のとおりであるから、相違点１−３は、周知の事項を勘案すれば、引用発明１０から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
 　したがって、本願発明１０は、引用発明１０に基づいて当業者が容易に発明することができたものと認められる。
　……（中略）……
・請求項　２３
・引用文献等　１、４−７
・備考：
　前記請求項１０を参照。
　……（以下、省略）」
（審決注：平成２８年６月１６日に提出された意見書の「２．補正について」に「前回の請求項１−９および１２は、削除しました。」と記載されるとおり、平成２８年３月１６日付けの拒絶理由通知が対象とした請求項１０及び請求項２３は、それぞれ、前記意見書と同日付けで提出された手続補正書による補正後の請求項１及び請求項１３に対応する。）
　
３　各引用例の記載について
（１）引用例１の記載事項と引用発明
　ア　引用例１の記載事項
　本願の優先権主張の日前に外国において頒布され、平成２８年３月１６日付けの拒絶理由通知において「引用文献１」として引用された刊行物である米国特許出願公開第２００３／０１３６８１４号明細書（以下「引用例１」という。）には、“HIGH DENSITY RAISED STUD MICROJOINING SYSTEM AND METHODS OF FABRICATING THE SAME”に関して、FIG.１〜FIG.４とともに、以下の事項が記載されている（下線は、参考のため当審において付したものであり、以下、同様である。なお、以下の日本語訳は、引用例１の日本語ファミリー文献である特開２００３−２７３１５８号公報を基に当審で作成した。）。
　（ア）“FIELD OF THE INVENTION
[0001]　This invention pertains to the field of microelectronics, and more particularly to the field of fabricating extremely small semiconductor devices and current, commonly referred to as “chips.””
（訳：発明の属する技術分野
[0001]　本発明は、一般にマイクロエレクトロニクスの分野に関し、特に、通常は「チップ」と呼ばれている微小半導体デバイスを製造する分野に関する。）
　（イ）“DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENT
[0016]　Referring now to the Figures of the drawing, the device wafer process will first be described with several options or embodiments. Then, the carrier process flow is described to complete the structure being formed.
[0017]　
Above the last level of interconnect wiring layer 16 on the device chip wafers, a top passivation stack 12 dielectric layer is applied and contact holes, serving to house receptacles or sockets 14, are formed to provide access to the contact sites on the last metal level
Then, TaN/Ta layer 18 and Cu layer 20 are deposited on top of the structure and the copper is removed from the top surface of the carrier by CMP
This results in Cu  20  being present only at the bottom and side walls of the receptacles
A photoresist layer 22 (FIG.2) is applied and patterned to have openings coincident with the contact holes. The size of these openings can be equal to or greater than the diameter of the contact holes
A metal such as Cu is electroplated through the openings using the copper seed in the contact holes as the seeding area
CMP of the Cu is done
As a result, the copper studs 24 with a predetermined height are realized
（訳：実施形態の説明
[0016]　次に図面を参照し、まず、いくつかの選択肢すなわち実施形態について、デバイスのウェーハ・プロセスを説明する。次いで、形成する構造体を完成させるキャリアのプロセス・フローを説明する。
[0017]　
デバイス・チップ・ウェーハ上に形成した最終レベルの配線層１６上に、誘電体層である表面パッシベーションスタック１２を被着したのち、配線層１６上のコンタクト位置に達するコンタクト・ホールを形成する
次いで、構造体の表面にＴａＮ／Ｔａ層１８とＣｕ層２０を堆積したのち、構造体の表面からＣｕをＣＭＰで除去する
Ｃｕ２０はレセプタクル１４の底部および側壁だけに存在する
次いで、全面にフォトレジスト層２２を塗布したのち、パターニングしてコンタクト・ホールと一致する開口を形成する
コンタクト・ホール内のシード層としての銅シードを使用して、開口内にＣｕなどの金属を電気めっきする。
ＣｕのＣＭＰを実行する。このＣＭＰは、レジスト上で停止させる。この結果、所定の高さの銅スタッド２４が完成する
　（ウ）“[0018]　At this point, the process can continue in different ways to produce slightly different end structures:
[0019]　Option 1: Copper stud fully coated with a barrier layer
　　[0020]　
Strip resist, electroplate Ni, immersion Au
electroplate solder or tin
[0021]　OR
　　[0022]　
Strip resist, deposit electroless Ni−P, immersion Au
electroplate solder or Sn
[0023]　OR
　　[0024]　
Strip resist, etch TaN Ta, electroless Ni−P, immersion Au and Sn
　　[0025]　
One can use an optional electroless CoWP layer as an added diffusion barrier between Cu and Ni
[0026]　Option 2: Copper stud capped only at the tips with a barrier layer
　　[0027]　Electroplate Ni, immersion Au, electroplate solder or tin. Strip resist and etch TaN, Ta.
[0028]　OR
　　[0029]　Electroless Ni−P, immersion Au, electroplate solder or Sn. Strip resist and etch TaNTa.
　　[0030]　This structure is desired if the joining materials need to be confined to the stud tip only, and the resulting structure is shown in  FIG.3b.”
（訳：[0018]　この時点で、プロセスは、次に示す様々な方法で継続してわずかに異なる最終構造体を構築する。
[0019]　選択肢１：
バリア層で完全に被覆された銅スタッド
　　[0020]　
レジストを剥離し、Ｎｉを電気めっきし、Ａｕに浸漬し
次いで、
錫を電気めっきした
[0021]　または
　　[0022]　
レジストを剥離し、Ｎｉ−Ｐを無電解めっきし、Ａｕに浸漬し
Ｓｎを電気めっきした
[0023]　または
　　[0024]　
レジストを剥離し、
Ｎｉ−Ｐを無電解めっきし、ＡｕとＳｎに浸漬する
　　[0025]　必要な場合には、
ＣｕとＮｉの間に、追加の拡散バリアとしてＣｏＷＰ層を無電解めっきしてもよい
[0026]　選択肢２：先端のみがバリア層で被覆された銅スタッド
　　[0027]　Ｎｉを電気めっきし、Ａｕに浸漬し、はんだまたは錫を電気めっきする。次いで、レジストを剥離したのち、ＴａＮとＴａをエッチングする。
[0028]　または
　　[0029]　Ｎｉ−Ｐを無電解めっきし、Ａｕに浸漬し、はんだまたはＳｎを電気めっきする。次いで、レジストを剥離し、ＴａＮ、Ｔａをエッチングする。
　　[0030]　この構造体が望ましいのは、接続材料をスタッドの先端のみに限定する必要のある場合である。結果として得られる構造体を、図３ｂに示す。）
　（エ）“[0031]　……Other films such as Ti, W, TiN, WN, Cr or combinations thereof can be substituted for Ta and TaN, and Ni can be replaced by Co, Pt or Pd.”
（訳：[0031]　…（中略）…Ｔｉ、Ｗ、ＴｉＮ、ＷＮ、Ｃｒ、または、これらの組み合わせからなる他の薄膜を、Ｔａ及びＴａＮの代わりに用いてもよい。さらに、Ｎｉを、Ｃｏ、Ｐｔ、またはＰｄに置換できる。）
　（オ）“[0032]　The carrier process flow comprises: 
　……
[0035]　3. Deposit a 
liner
seed layer
Cu
（訳：[0032]　キャリアのプロセス・フローは、次に示す工程を備えている。
　……（中略）……
[0035]　３．たとえば
ＴａＮ−Ｔａ
Ｃｕ
ライナー
シード層
　イ　引用発明
　（ア）第２の３（１）ア（エ）で摘記した“Other films such as Ti, W, TiN, WN, Cr or combinations thereof can be substituted for Ta and TaN”、及び、同（オ）で摘記した“Deposit a liner/seed layer such as TaN−Ta (about 40 μm) and Cu (about 100 μm).”の記載から、引用例１には、Ｔａ及びＴａＮの代わりに、ＴｉまたはＴｉＮを、ライナー層として用いることが記載されている。
　（イ）したがって、第２の３（１）ア（イ）及び（ウ）で摘記した記載事項から、引用例１には、「選択肢１」の「バリア層で完全に被覆された銅スタッド」を最終構造体として形成する方法（段落[0019]〜[0025]）として、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
「デバイス・チップ・ウェーハ上に形成した最終レベルの配線層１６上に、誘電体層である表面パッシベーションスタック１２を被着したのち、前記配線層１６上のコンタクト位置に達し、レセプタクル１４に使えるコンタクト・ホールを形成し、
　次いで、構造体の表面にＴｉまたはＴｉＮのライナー層、並びに、Ｃｕ層２０を堆積したのち、前記構造体の表面からＣｕをＣＭＰで除去する結果、前記Ｃｕ層２０を前記レセプタクル１４の底部および側壁だけに存在させ、
　次いで、全面にフォトレジスト層２２を塗布したのち、パターニングして前記コンタクト・ホールと一致する開口を形成し、
　次いで、前記コンタクト・ホール内のシード層として前記Ｃｕ層２０を使用して、前記開口内にＣｕを電気めっきして、所定の高さの銅スタッド２４を完成させ、
　前記レジストを剥離し、Ｎｉを電気メッキするかＮｉ−Ｐを無電解めっきし、Ａｕに浸漬したのちにＳｎを被覆する、
ことを特徴とする、バリア層で完全に被覆された銅スタッドを形成する方法であって、
　前記Ｃｕと前記Ｎｉの間に追加の拡散バリア層としてＣｏＷＰ層を無電解めっきする方法。」
（２）引用例２の記載事項
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、平成２８年３月１６日付けの拒絶理由通知において「引用文献６」として引用された刊行物である特開２０００−３５３７０３号公報（以下「引用例２」という。）には、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、図１及び図２とともに、以下の事項が記載されている。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造方法に関し、詳しくは埋め込み配線を形成する際に確実に金属材料を埋め込む半導体装置の製造方法に関する。」
　イ　「【００４４】さらにまた、
溝２１および接続孔２２に銅を埋め込む方法としては、上記説明した電解メッキ法、無電解メッキ法
銅のシード層の形成方法としては
ニッケルの無電解メッキ法によりニッケル膜を成膜してもよい。すなわち、銅のシード層として銅膜の他にニッケル膜も用いることが可能である
（３）引用例３の記載事項
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、平成２８年３月１６日付けの拒絶理由通知において「引用文献７」として引用された刊行物である特開２００３−１２４２１６号公報（以下「引用例３」という。）には、「配線用シード膜および半導体装置の配線方法」（発明の名称）に関して、図１〜図８とともに、以下の事項が記載されている。
　ア　「【請求項１】  
銅を主成分とし、下地層上に埋め込み配線を形成する際の導体膜として用いられる配線用シード膜
前記銅よりもイオン化傾向が大きく、且つ２Ａ族から８族または１Ｂ族から７族の範囲内にある元素のうち、
何れか一つ
の金属を含有したことを特徴とする配線用シード膜
【請求項２】  
前記金属は、ニッケル
である
　イ　「【００４１】前記コンタクトホール底部に残存した自然酸化膜（上層絶縁膜６５）をＡｒスパッタリングにより除去した後、バリア膜形成工程Ｓ６４にて、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより厚さ３０ｎｍのＴａＮ膜を堆積してバリア膜６７を形成した。次に、シード膜形成工程Ｓ６５にて、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより
銅にニッケルを３０％含有した厚さ８０ｎｍのＣｕ−Ｎｉ膜を堆積してシード膜６８を形成した
　ウ　「【００４８】さらに、
本発明によるシード膜の耐エレクトロマイグレーション性，耐拡散性，付着性が高い
　エ　「【００５０】なお、
本実施の形態では、上層配線（銅）の埋め込みをメッキにより行った
４．対比
（１）本願発明と引用発明との対比
　本願発明と、引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「デバイス・チップ・ウェーハ」、「誘電体層である表面パッシベーションスタック１２」及び「レセプタクル１４に使えるコンタクト・ホール」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「パッシベーション層」及び「開口」に相当する。
　したがって、引用発明の「デバイス・チップ・ウェーハ上に形成した最終レベルの配線層１６上に、誘電体層である表面パッシベーションスタック１２を被着したのち、前記配線層１６上のコンタクト位置に達し、レセプタクル１４に使えるコンタクト・ホールを形成」する工程は、本願発明の「基板上に形成されたパッシベーション層に開口を形成するステップ」に相当する。
　イ　引用発明の「ＴｉまたはＴｉＮのライナー層」は、その直下の「最終レベルの配線層１６」にとって「ライナー」となって、その直上の「Ｃｕ層２０」を支持する「層」であるから、本願発明の「Ti、TiN、およびTiSiNからなる群から選定され」る「接着層」に相当する。
　また、引用発明の「Ｃｕ層２０」は、「前記コンタクト・ホール内のシード層」として「使用」される。したがって、引用発明の「Ｃｕ層２０」と、本願発明の「NiVおよびCoからなる群から選定」される「シード層」とは、「シード層」である点で共通する。
　そうすると、引用発明の「ＴｉまたはＴｉＮのライナー層、並びに、Ｃｕ層２０」を併せた層と、本願発明の「Ti、TiN、およびTiSiNからなる群から選定され」る「接着層」と「NiVおよびCoからなる群から選定」される「シード層」とを有する「ベース層金属」とは、「Ti、TiN、およびTiSiNからなる群から選定され」る「接着層」と「シード層」とを有する「ベース層金属」である点で共通する。
　以上から、引用発明の「次いで、構造体の表面にＴｉまたはＴｉＮのライナー層、並びに、Ｃｕ層２０を堆積したのち、前記構造体の表面からＣｕをＣＭＰで除去する結果、前記Ｃｕ層２０を前記レセプタクル１４の底部および側壁だけに存在させ」る工程と、本願発明の「前記開口にベース層金属を形成するステップであって、前記ベース層金属は、接着層およびシード層を有し、前記接着層は、Ti、TiN、およびTiSiNからなる群から選定され、前記シード層は、NiVおよびCoからなる群から選定される、ステップ」とは、「前記開口にベース層金属を形成するステップであって、前記ベース層金属は、接着層およびシード層を有し、前記接着層は、Ti、TiN、およびTiSiNからなる群から選定される、ステップ」である点で共通する。
　ウ　引用発明の「次いで、全面にフォトレジスト層２２を塗布したのち、パターニングして前記コンタクト・ホールと一致する開口を形成」する工程は、本願発明の「前記ベース層金属上にフォトレジスト層を成膜し、パターン化するステップ」に相当する。
　エ　引用発明の「次いで、前記コンタクト・ホール内のシード層として前記Ｃｕ層２０を使用して、前記開口内にＣｕを電気めっきして、所定の高さの銅スタッド２４を完成させ」る工程は、本願発明の「前記ベース層金属上に銅を含むバンプを形成するステップ」に相当する。
　オ　引用発明の「前記レジストを剥離」する工程は、本願発明の「前記バンプを形成した後、前記フォトレジスト層を除去するステップ」に相当する。
　カ　引用発明の「前記Ｃｕと前記Ｎｉの間に追加の拡散バリア層としてＣｏＷＰ層を無電解めっきする」工程において、「前記Ｎｉ」は「電気メッキ」した「Ｎｉ」を指すと認められ、「前記Ｃｕ」とは「Ｎｉを電気メッキする」前の「銅スタッド２４」における「Ｃｕ」を指すと認められる。
　そうすると、引用発明が「バリア層で完全に被覆された銅スタッドを形成する方法」であることを考慮すれば、引用発明の「前記Ｃｕと前記Ｎｉの間に追加の拡散バリア層としてＣｏＷＰ層を無電解めっきする」工程は、本願発明の「前記バンプの周りに拡散バリアを形成するステップであって、前記拡散バリア層は、CoBP、CoWP、CoWB、CoWBP、NiBP、NiWP、NiWB、およびNiWBPからなる群から選定される、ステップ」に相当する。
　キ　第２の３（１）ア（ウ）で摘記した引用例１の、段落[0020]における“Strip resist, electroplate Ni, immersion Au (plating occurs only on Cu studs since Ta surface does not plate readily)”（訳：レジストを除去し、Ｎｉを電気めっきし、Ａｕに浸漬し（Ｔａ表面は容易にめっきされないから、めっきはＣｕスタッド上のみに行なわれる））、及び、段落[0022]における“Strip resist, deposit electroless Ni−P, immersion Au (plating occurs only on Cu since the electroless and immersion steps are selective for Cu)”（訳：レジストを除去し、Ｎｉ−Ｐを無電解めっきし、Ａｕに浸漬し（この無電解めっきとＡｕ浸漬のステップはＣｕに対する選択性があるから、めっきはＣｕ上のみに行なわれる））という記載から、引用発明の「電気メッキ」された「Ｎｉ」あるいは「無電解めっき」された「Ｎｉ−Ｐ」は、「ＴｉまたはＴｉＮのライナー層」との濡れ性が良好な金属層であると認められるから、本願発明の「ウェッティング層」に相当する。
　したがって、引用発明の「Ｎｉを電気メッキするかＮｉ−Ｐを無電解めっき」する工程は、本願発明の「前記拡散バリア上にウェッティング層を形成するステップ」に相当する。
　ク　以上のとおりであるから、引用発明の「バリア層で完全に被覆された銅スタッドを形成する方法」は、以下の相違点を除き、本願発明の「方法」に相当する。
（２）一致点及び相違点
　以上から、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。
＜一致点＞
「基板上に形成されたパッシベーション層に開口を形成するステップと、
　前記開口にベース層金属を形成するステップであって、前記ベース層金属は、接着層およびシード層を有し、前記接着層は、Ti、TiN、およびTiSiNからなる群から選定される、ステップと、
　前記ベース層金属上にフォトレジスト層を成膜し、パターン化するステップと、
　前記ベース層金属上に銅を含むバンプを形成するステップと、
　前記バンプを形成した後、前記フォトレジスト層を除去するステップと、
　前記バンプの周りに拡散バリアを形成するステップであって、前記拡散バリア層は、CoBP、CoWP、CoWB、CoWBP、NiBP、NiWP、NiWB、およびNiWBPからなる群から選定される、ステップと、
　前記拡散バリア上にウェッティング層を形成するステップと、
　を有する方法。」
＜相違点＞
　本願発明の「前記シード層は、NiVおよびCoからなる群から選定される」のに対して、引用発明の「シード層」は「Ｃｕ層２０」である点。
５　当審の判断
（１）相違点について
　ア　「銅を形成するためのシード層として、Ｎｉ、ＮｉＶおよびＣｏからなる群のいずれかを選択する技術」が周知技術であることは、「Ｎｉ」については、当審より平成２８年３月１６日付けで通知した拒絶理由通知において、「本願発明１０」との相違点である「相違点２について」で指摘した。
　今般、平成２８年６月１６日に提出された手続補正書で、「シード層は、NiVおよびCoからなる群から選定される」と補正された。
　しかしながら、本願明細書の段落【００２５】及び【００３０】に記載される、Cu層を電気メッキ等で形成するためのシード層を、Ni、NiVおよびCoからなる群から選択する技術は、Niについては、第２の３（２）及び第２の３（３）で摘記した引用例２及び引用例３と、以下に挙げる周知例４にみられるように、NiVないしCoについては、以下に挙げる周知例１〜４にみられるように、本願の優先権主張の時に既に周知技術であった。
　イ　周知例１
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−２１９９４６号公報には、「チタン・タングステン合金のエッチング方法およびエッチャント溶液」（発明の名称）に関して、図１〜図５とともに、以下の事項が記載されている。
　（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の適用分野において、しばしば突出したフィーチャの存在下で、金属皮膜の湿式化学エッチングに関するものである。……（以下、省略）」
　（イ）「【００１３】この方法に使用する第１の層の例には、クロム（Ｃｒ）、チタンとタングステンの合金（ＴｉＷ）、または
用意した基板に良好に密着する他の金属などがある。この金属層は、ソルダ・ボールを電着させるシード層の一部として機能し
第１の層の上に第２の層を付着させることができるが、第２の層は
ニッケルとバナジウムの合金（ＮｉＶ）とすることができる
最後に、通常は純粋の銅である第３の層を他の層の上に付着させる
　ウ　周知例２
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−２０３０２０公報には、「多層化された側磁極を含む薄膜磁気ヘッド及びその製造方法」（発明の名称）に関して、特に図２Ａ及び２Ｂとともに、以下の事項が記載されている。
　（ア）「【００１４】
【実施例】以下、本発明による薄膜磁気ヘッド及びその製造方法の実施例を添付図面を用いて説明する。以下の各実施例においては、同一機能を有するものには同一符号を付してその重複説明を省略する。図２Ａは、例えば、セラミック、アルミナまたは他の非導電性基板等の絶縁基板１０５上に位置する薄膜ヘッド１００の一部分を示している。基板１０５は、対向面１０５Ａ及び１０５Ｂを含んでいる。ブアイアホール（ｖｉａ  ｈｏｌｅ）１１０は、基板１０５中に形成されると共に、電気的導電性材料で充填されて、図示の位置にて基板１０５を貫通する導電性経路を形成するようになっている。ブアイアホール１１０を形成するのに、
レーザ穴あけまたは他の高精度ブアイアホール形成技術を用いることができる。ブアイアホール１１０は、例えば、めっきした銅、厚膜処理した金、または焼結したタングステン及び銅等の電気的導電性材料で充填されて、例えば、ブアイアホール接続部材１１２Ａ，１１２Ｂ及び１１２Ｃを形成するようになっている
【００１５】
めっきに好適の電気的導電性材料から成るシード（ｓｅｅｄ）層１１５は、基板表面１０５Ａ上にスパッタされる。例えば、シード層１１５は、Ｃｒ−ＮｉＶ
に続いて非磁性ニッケル−バナジウム７％膜が形成されてなる層状体から作る
ブアイアホール１１０の頂部にてシード層１１５上にめっきされる。具体的に述べると、ブアイアキャップ１２０をパターニングするのに、フォトレジスト層（図示せず）が、シード層１１５上に被着され、パターニングされて、それぞれのブアイアキャップ１２０の形成が望まれる接続部材１１２Ａ，１１２Ｂ及び１１２Ｃ上方の開口部を含むようになっている。次いで、シード層１１５をシードとして使用して、これらの開口部にめっきが行われる
　エ　周知例３
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−３４０２２９号公報には、「金属シ―ド層を挿入する構造の銅の相互接続」（発明の名称）に関して、図１〜図１０とともに、以下の事項が記載されている。
　（ア）「【００１８】本発明は、更に、電子デバイスとの電気的通信を与える相互接続構造を形成する方法に関する。方法は、最初に、
電子デバイスの上面上に金属シード層を付着し
次に金属シード層と密接に接触してその層の上面に銅導電体本体を形成する
その金属シード層は
Ｃｏから選択された金属の付着により形成される
　オ　周知例４
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−８５３９０号公報には、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜図７とともに、以下の事項が記載されている。
　（ア）「【００１４】本発明においては、
導電材料層を銅又は銀を用いて構成する
無電解めっき法、スパッタ法、又はＣＶＤ法によりシード層を形成し、その後、電解めっき法により銅から成る導電材料層を厚く形成する
シード層は、電解めっき法で必要となる電流供給用の導電層としても機能し、その構成材料としては
Ｃｕ
Ｎｉ
Ｃｏ
を例示することができる
　カ　したがって、引用発明において、「前記開口内にＣｕを電気めっきして、所定の高さの銅スタッド２４を完成させ」るための「前記コンタクト・ホール内のシード層」として、「前記Ｃｕ層２０」を使用することに代えて、上記周知技術のように、ＮｉＶないしＣｏを使用することは、当業者であれば容易に想到し得たものと認められる。
　キ　そして、本願発明の効果は、上記周知技術を参酌すれば、引用発明から当業者が予期し得たものである。
（２）意見書の主張について
　なお、審判請求人は、平成２８年６月１６日に提出した意見書において、
　ア　「少なくとも、「銅を形成するためのシード層として、ＮｉＶおよびＣｏからなる群のいずれかを選択する技術は、周知の技術である」とは言えません。また、「引用発明１０に上記周知の技術を適用して、銅スタッド２４を形成するためのシード層を、Ｃｕ層２０に代えて、ＮｉＶおよびＣｏからなる群のいずれかを選択することは、当業者であれば容易に想到し得た」とも、到底言えません。」
　イ　引用文献１において「「Ｎｉ−Ｐは、Ｔｉ又はＴｉＮをエッチングした後で形成されている」とは言えず、従って、ＣｏＷＰ層が「Ｔｉ又はＴｉＮをエッチングした後で形成されている」とまでは言えません。」
と主張している。
　しかしながら、
　ウ　上記アの主張につき、「銅を形成するためのシード層として、ＮｉＶおよびＣｏからなる群のいずれかを選択する技術は、周知の技術である」ことは、第２の５（１）ア〜オで示したとおりであり、「銅スタッド２４を形成するためのシード層を、Ｃｕ層２０に代えて、ＮｉＶおよびＣｏからなる群のいずれかを選択することは、当業者であれば容易に想到し得た」ことも、第２の５（１）で指摘したとおりである。
　エ　また、本願発明は「前記ベース層金属をエッチングするステップ」を有しておらず、上記イの主張は、本願の特許請求の範囲の請求項１３の記載に基づくものではない。
　したがって、上記イの主張は、採用することはできない。
６　小括
　以上のとおりであるから、相違点は、周知技術を勘案すれば、引用発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　そして、本願発明の効果も、引用発明、周知技術から、当業者が予期し得たものである。
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
　
第３．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明、及び、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。