【事件の表示】
　特願２０１１−５５１５０９「半導体ウエハ検査装置および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　９月　２日国際公開、ＷＯ２０１０／０９７５２３、平成２４年　８月１６日国内公表、特表２０１２−５１８７９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成２２年２月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００９年２月２５日、フランス（ＦＲ））を国際出願日とする出願であって，平成２６年２月１７日付けで拒絶理由が通知され，同年８月５日に手続補正がなされ，同年１２月２５日付けで最後の拒絶理由が通知され，平成２７年４月３日に手続補正がなされ，同年９月２５日付けで補正の却下の決定がなされ、同日付けで拒絶査定がなされ，平成２８年２月５日に拒絶査定不服審判の請求がなされ，同時に手続補正（以下，「本件補正」という。）がなされたものである。
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定　　
［補正の却下の決定の結論］　　
　本件補正を却下する。　　
　　　
［理由］　　
１　補正後の本願発明（下線は補正箇所を示す。）　　
　本件補正により，補正前の特許請求の範囲の請求項１は，
「【請求項１】
　
半導体ウエハ（１）の製造および検査を行う装置であって、
　
(i)前記半導体ウエハ（１）の製造を行う生産ラインと；
　
(ii)前記生産ラインに配置され、
ための第１の
　検査される前記半導体ウエハを回転させるための手段と、
　検査される前記
半導体
　前記照明用経路（１０）は多色光源（１１）と、スロット（１２）と、軸上色収差のあるアッベ数５０未満の材料からなる少なくとも１つのレンズを有する対物レンズ（１５）と、を有し、
　前記多色光源と前記スロットは、線形の光源を形成し、
　前記解析用経路（２０）は前記対物レンズと、色フィルタスロット（２２）と、線形の光強度センサ（２４）と、をこの順に有し、
　前記照明用経路のスロットおよび前記解析用経路のスロットは、検査される前記ウエハの端部からほぼ同じ光学距離に配置されている
、
　
前記第１の装置と；
　
(iii)前記生産ラインから離れて配置され、半導体ウエハ（１）の端部を多点で検査するための第２の装置であって、
　
検査される前記半導体ウエハを回転させるための手段と、
　
検査される前記半導体ウエハの端部を照明する照明用経路（１０）と解析用経路（２０）とが設けられた共焦点色顕微鏡（７）と、を有し、
　
前記照明用経路（１０）は多色光源（１１）と、スロット（１２）と、軸上色収差のあるアッベ数５０未満の材料からなる少なくとも１つのレンズを有する対物レンズ（１５）と、を有し、
　
前記多色光源と前記スロットは、線形の光源を形成し、
　
前記解析用経路（２０）は前記対物レンズと、色フィルタスロット（２２）と、線形の光強度センサ（２４）と、をこの順に有し、
　
前記照明用経路のスロットおよび前記解析用経路のスロットは、検査される前記半導体ウエハの端部からほぼ同じ光学距離に配置されている、
　
前記第２の装置と；
　
からなり、
　
さらに、前記センサ（２４）の出力に接続され、光強度信号を受信し解析する処理部（２５）を有し、
　
前記処理部に接続された出力を持つ前記半導体ウエハの端部で拡散または反射した光の色解析器（２３，２４）を有し、
　
前記処理部は、前記対物レンズと前記半導体ウエハの端部の間の距離のデータを生成する抽出部を有する
　ことを特徴とする装置。」
と補正された。　　
　
　本件補正は，補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「装置」について、「
半導体ウエハ（１）の製造および検査を行う装置であって、
　
(i)前記半導体ウエハ（１）の製造を行う生産ラインと；
　
(ii)前記生産ラインに配置され」た「第１の装置と；」　(iii)前記生産ラインから離れて配置され」た「第２の装置と；」と
さらに、前記センサ（２４）の出力に接続され、光強度信号を受信し解析する処理部（２５）を有し、
　前記処理部に接続された出力を持つ前記半導体ウエハの端部で拡散または反射した光の色解析器（２３，２４）を有し、
　前記処理部は、前記対物レンズと前記半導体ウエハの端部の間の距離のデータを生成する抽出部を有する」
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含む。
　そこで，本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２　引用刊行物およびその記載事項（下線は当審で付与した。）
（１）本願の優先権主張日前に頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２００７−２０６４４１号公報（以下，「刊行物１」という。）には，「共焦点型撮像装置」について，図面とともに次の事項が記載されている。
　
（１−ア）
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
  
半導体ウェハの端縁をその全周にわたって観察する共焦点型撮像装置であって、
  ライン状光ビームを発生するライン状光ビーム発生装置と、前記ライン状光ビームを半導体ウェハの端縁に向けて投射する対物レンズ系と、複数の受光素子を有し、半導体ウェハの端縁からの反射光を前記対物レンズ系を介して受光するリニァイメージセンサとを有する撮像光学系、
  前記リニァイメージセンサからの出力信号に基づいて2次元画像信号を発生する信号処理装置、及び
  回転軸線を有し、半導体ウェハを支持する回転テーブルと、回転テーブルを回転させる回転駆動機構とを有するウェハステージを具え、
  前記撮像光学系の対物レンズ系の光軸を前記ウェハテーブルの回転軸線を含む面内に延在させ、対物レンズ系から出射するライン状光ビームは前記回転軸線と対物レンズ系の光軸を含む面内に延在し、前記ウェハテーブルを回転させることにより半導体ウェハの端縁をその全周にわたって走査することを特徴とする共焦点型撮像装置。
（１−イ）
「【背景技術】
【０００２】
  半導体ウェハの端縁の状態は、デバイスの製造の歩留りに強い影響を与えるため、高精度に研磨されている必要がある。また、
半導体デバイスの製造工程において、前段階で形成された各種の皮膜や酸化膜等を除去しクリーンな状態に維持する必要がある。
従って、半導体ウェハの端縁の高解像度画像を撮像する撮像装置の開発が強く要請されている
　
（１−ウ）
「【００３２】
  本発明は上述した実施例だけに限定されず種々の変形や変更が可能である。例えば、
上述した実施例では、撮像装置として説明したが、勿論欠陥検査装置として利用することも可能である。
　
　上記(１−ア)〜(１−ウ)の記載事項を参照し、整理すると，上記刊行物１には，次の発明が記載されていると認められる。
「 半導体ウェハの端縁をその全周にわたって観察する共焦点型撮像装置を用いた半導体デバイスの製造工程における欠陥検査装置であって、
  ライン状光ビームを発生するライン状光ビーム発生装置と、前記ライン状光ビームを半導体ウェハの端縁に向けて投射する対物レンズ系と、複数の受光素子を有し、半導体ウェハの端縁からの反射光を前記対物レンズ系を介して受光するリニァイメージセンサとを有する撮像光学系、
  前記リニァイメージセンサからの出力信号に基づいて2次元画像信号を発生する信号処理装置、及び
  回転軸線を有し、半導体ウェハを支持する回転テーブルと、回転テーブルを回転させる回転駆動機構とを有するウェハステージを具え、
  前記撮像光学系の対物レンズ系の光軸を前記ウェハテーブルの回転軸線を含む面内に延在させ、対物レンズ系から出射するライン状光ビームは前記回転軸線と対物レンズ系の光軸を含む面内に延在し、前記ウェハテーブルを回転させることにより半導体ウェハの端縁をその全周にわたって走査する共焦点型撮像装置を用いた半導体デバイスの製造工程における欠陥検査装置。（以下，「引用発明」という。）
　
（２）本願の優先権主張日前に頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平５−３３２７３３号公報（以下，「刊行物２」という。）には，「検出光学系並びに立体形状検出方法」について，図面とともに次の事項が記載されている。
　
（２−ア）
「【０００１】
【産業上の利用分野】現在まで多くの外観検査自動化技術が開発されてきた。特に２次元物体に対する実用技術は多い。３次元物体に対しても、はんだ付け部の検査など有効な技術が開発されている。しかし、種々の表面性状を有する一般的な
３次元物体
形状検出
【０００２】本発明は、生産ラインで重要と思われる次の条件を実現することを目的としている：
（１）非接触であること
（２）真空環境、液体媒体を必要としないこと
（３）一方向から検出できること。これは斜め方向からの検出あるいは照明が必要であると、物体の影になる部分が見えなくなるためである。
【０００３】（４）分解能は数１００〜１０μｍ。即ちマクロ〜ミクロ的物体が対象である。
【０００４】（５）表面性状：光反射率；Ｒ＝０.１〜９０％
材質；  金属、非金属（無機・有機材料、プラスチック、印刷・塗装部）
表面粗さの種類；  光沢面、微小凹凸面、光拡散面」
（２−イ）
「【００４２】実施例２
実施例１ではＺ方向の走査は依然機械的になされている。Ｚ方向の走査を非機械的に行い、
共焦点検出法
高速化を図る
照明光として多波長光２’
は
照明用スリット１６上に線状に絞られ
半透明鏡１４’を介して対物レンズ５’により線状に結像
対物レンズ５’は色収差のある
線状に絞られた照明光の対物レンズ５’による共役位置には検出用スリット１９が置かれ
検出用スリット１９には、ちょうど物体面で線状に絞られた波長の照明光が最も多く通り抜ける
検出用スリット１９を通り抜けた光を分光して最も強い強度の波長を求めれば物体面の位Ｚ置を知ることができる
検出用スリット１９を通った光をレンズ２１、２２偏光板１１を介してプリズム２０により分光を行う
検出器４としては
最も強度が強い波長λiの位置からＺ位置が求まる
Ｉ本の並列出力を持つリニアセンサの列の検出器
（２−ウ）
図９     
  
　
　上記(２−ア)〜(２−ウ)の記載事項を参照し、整理すると，上記刊行物２には，次の発明が記載されていると認められる。
「照明光として多波長光２’は照明用スリット１６上に線状に絞られ半透明鏡１４’を介しては色収差のある対物レンズ５’により物体面で線状に結像し、
照明用スリット１６上に線状に絞られた照明光の対物レンズ５’による共役位置には検出用スリット１９が置かれ、
検出用スリット１９には、ちょうど物体面で線状に絞られた波長の照明光が最も多く通り抜け、検出用スリット１９を通った光をレンズ２１、２２偏光板１１を介してプリズム２０により分光を行い、Ｉ本の並列出力を持つリニアセンサの列の検出器で検出し、最も強度が強い波長λiの位置からＺ位置が求まる共焦点検出法を用いた３次元物体形状検出装置。」（以下，「引用発明２」という。）
　
３　対比・判断　
ア　引用発明の「半導体ウェハ」は、補正発明の「半導体ウエハ」に相当する。
　そして、引用発明の「欠陥検査装置」は、「検査」を行う「装置」であり、「半導体デバイスの製造工程における」ものであるから、補正発明の「半導体ウエハの製造および検査を行う装置」に相当する。
　また、引用発明の「半導体デバイスの製造工程」は、半導体デバイスの製造をするラインを備えていることは自明であるから、補正発明の「(i)前記半導体ウエハの製造を行う生産ライン」に相当する。
　
イ　上記アに鑑みれば、引用発明の「半導体ウェハの端縁をその全周にわたって観察する共焦点型撮像装置を用いた」「欠陥検査装置」は、半導体デバイスの製造をするラインに備えられているといえる。
　そうすると、引用発明の「半導体ウェハの端縁をその全周にわたって観察する共焦点型撮像装置を用いた」「欠陥検査装置」と、
補正発明の「(ii)前記生産ラインに配置され、半導体ウエハの端部を多点で検査するための」「装置」とは、
「(ii)前記生産ラインに配置され、半導体ウエハの端部を検査するための」「装置」の点で共通する。
　
ウ　引用発明の「ウェハステージ」は、「回転軸線を有し、半導体ウェハを支持する回転テーブルと、回転テーブルを回転させる回転駆動機構とを有」するもので「ウェハテーブルを回転させることにより半導体ウェハの端縁をその全周にわたって走査する」ためのものであるから、補正発明の「検査される前記半導体ウエハを回転させるための手段」に相当する。
　
エ　引用発明の「ライン状光ビームを発生するライン状光ビーム発生装置と、前記ライン状光ビームを半導体ウェハの端縁に向けて投射する対物レンズ系」は、補正発明の「検査される前記半導体ウエハの端部を照明する照明用経路（１０）」に対応し、引用発明の「半導体ウェハの端縁からの反射光を前記対物レンズ系を介して」「リニァイメージセンサ」へ導「く撮像光学系」は、補正発明の「解析用経路（２０）」に対応する。
　また、引用発明の「前記リニァイメージセンサからの出力信号に基づいて2次元画像信号を発生する信号処理装置」は、各画素毎に光の強度を処理するのであるから、補正発明の「前記センサ（２４）の出力に接続され、光強度信号を受信し解析する処理部（２５）に相当する。 
オ　上記イ〜エに鑑みれば、引用発明の「半導体ウェハの端縁をその全周にわたって観察する共焦点型撮像装置を用いた」「欠陥検査装置」であって、「ライン状光ビームを発生するライン状光ビーム発生装置と、前記ライン状光ビームを半導体ウェハの端縁に向けて投射する対物レンズ系と、複数の受光素子を有し、半導体ウェハの端縁からの反射光を前記対物レンズ系を介して受光するリニァイメージセンサとを有する撮像光学系、
  前記リニァイメージセンサからの出力信号に基づいて2次元画像信号を発生する信号処理装置、及び
  回転軸線を有し、半導体ウェハを支持する回転テーブルと、回転テーブルを回転させる回転駆動機構とを有するウェハステージを具え、
  前記撮像光学系の対物レンズ系の光軸を前記ウェハテーブルの回転軸線を含む面内に延在させ、対物レンズ系から出射するライン状光ビームは前記回転軸線と対物レンズ系の光軸を含む面内に延在し、前記ウェハテーブルを回転させることにより
半導体ウェハの端縁をその全周にわたって走査する共焦点型撮像装置を用いた欠陥検査装置」（以下、「共焦点単色検査部」ともいう。）と、
補正発明の「半導体ウエハ（１）の端部を多点で検査するための」「装置であって、
　検査される前記半導体ウエハを回転させるための手段と、
　検査される前記半導体ウエハの端部を照明する照明用経路（１０）と解析用経路（２０）とが設けられた共焦点色顕微鏡（７）と、を有し、
　前記照明用経路（１０）は多色光源（１１）と、スロット（１２）と、軸上色収差のあるアッベ数５０未満の材料からなる少なくとも１つのレンズを有する対物レンズ（１５）と、を有し、
　前記多色光源と前記スロットは、線形の光源を形成し、
　前記解析用経路（２０）は前記対物レンズと、色フィルタスロット（２２）と、線形の光強度センサ（２４）と、をこの順に有し、
　前記照明用経路のスロットおよび前記解析用経路のスロットは、検査される前記ウエハの端部からほぼ同じ光学距離に配置されいる」もので、
　さらに、前記センサ（２４）の出力に接続され、光強度信号を受信し解析する処理部（２５）を有し、
　前記処理部に接続された出力を持つ前記半導体ウエハの端部で拡散または反射した光の色解析器（２３，２４）を有し、
　前記処理部は、前記対物レンズと前記半導体ウエハの端部の間の距離のデータを生成する抽出部を有する」（以下、「共焦点多色検査部」ともいう。）とは、
「半導体ウエハの端部を多点で検査するための」「装置であって、
　検査される前記半導体ウエハを回転させるための手段と、
　検査される前記半導体ウエハの端部を照明する照明用経路と解析用経路とが設けられた共焦点顕微鏡と、を有し、
　前記照明用経路は光源と、対物レンズと、を有し、
　前記光源は、線形の光源を形成し、
　前記解析用経路は前記対物レンズと、線形の光強度センサ（２４）と、をこの順に有し、
　前記照明用経路および前記解析用経路は、検査される前記ウエハの端部からほぼ同じ光学距離に配置されている」もので、
　さらに、前記センサ（２４）の出力に接続され、光強度信号を受信し解析する処理部を有」するもの（以下、「共焦点検査部」ともいう。）の点で共通する。
　
カ　上記アに鑑みれば、引用発明の「共焦点単色検査部」は、半導体デバイスの製造をするラインに備えられているといえる。
　してみると、引用発明の「共焦点単色検査部」と、
補正発明の「(ii)前記生産ラインに配置され」た「第１の」「共焦点多色検査部」と；
　「(iii)前記生産ラインから離れて配置され」た「第２の」「共焦点多色検査部」と；「からな」る「装置」とは、
「(ii)前記生産ラインに配置され」た「第１の」「共焦点検査部」「からな」る「装置」である点で共通する。
　してみると、引用発明の「回転軸線を有し、半導体ウェハを支持する回転テーブルと、回転テーブルを回転させる回転駆動機構とを有するウェハステージを具え」る「共焦点単色検査部」と、
補正発明の「(ii)前記生産ラインに配置され」た「第１の」「検査される前記半導体ウエハを回転させるための手段」を有する「共焦点多色検査部」と；
　「(iii)前記生産ラインから離れて配置され」た「第２の」「検査される前記半導体ウエハを回転させるための手段」を有する「共焦点多色検査部」と；「からな」る「装置」とは、
「(ii)前記生産ラインに配置され」た「第１の」「検査される前記半導体ウエハを回転させるための手段」を有する「共焦点検査部」「からな」る「装置」である点で共通する。
　
　そうすると，両者は，　　
（一致点）　　
「半導体ウエハの製造および検査を行う装置であって、
　(i)前記半導体ウエハの製造を行う生産ラインと；
　(ii)前記生産ラインに配置され、半導体ウエハの端部を検査するための第１の装置であって、
　検査される前記半導体ウエハを回転させるための手段と、
　検査される前記半導体ウエハの端部を照明する照明用経路と解析用経路とが設けられた共焦点顕微鏡と、を有し、
　前記照明用経路は光源と、対物レンズと、を有し、
　前記光源は、線形の光源を形成し、
　前記解析用経路は前記対物レンズと、線形の光強度センサと、をこの順に有し、
　前記照明用経路および前記解析用経路は、検査される前記ウエハの端部からほぼ同じ光学距離に配置されている、
　前記第１の装置と；
　からなり、
　さらに、前記センサの出力に接続され、光強度信号を受信し解析する処理部を有する装置。」
である点で一致し，以下の点で相違するといえる。
　
（相違点１）
　半導体ウエハを検査するための第１の装置について、
補正発明では、「多点」で検査するもので、共焦点色顕微鏡を有し、
「照明用経路（１０）は多色光源（１１）と、スロット（１２）と、軸上色収差のあるアッベ数５０未満の材料からなる少なくとも１つのレンズを有する対物レンズ（１５）と、を有し、
　前記多色光源と前記スロットは、線形の光源を形成し、
　前記解析用経路（２０）は前記対物レンズと、色フィルタスロット（２２）と、線形の光強度センサ（２４）と、をこの順に有し、
　前記照明用経路のスロットおよび前記解析用経路のスロットは、検査される前記ウエハの端部からほぼ同じ光学距離に配置されている」もので、
　さらに、「前記処理部に接続された出力を持つ前記半導体ウエハで拡散または反射した光の色解析器（２３，２４）を有し、
　前記処理部は、前記対物レンズと前記半導体ウエハの間の距離のデータを生成する抽出部を有する」ものであるのに対して、
引用発明では、そのような特定がされていない点。
　
（相違点２）
　補正発明では、第１の装置と同様の構成の第２の装置を(iii)前記生産ラインから離れて配置されて備えるのに対して、引用発明ではそのような特定をしていない点。
　
（１）相違点１についての検討
　引用発明２と補正発明の上記相違点１に係る構成を比較する。　
ア　引用発明２の「照明光として多波長光２’」、及び「照明用スリット１６」は、それぞれ、補正発明の「多色光源（１１）」、及び「スロット（１２）」に相当する。
　また、引用発明２の「色収差のある対物レンズ５’」と補正発明の「軸上色収差のあるアッベ数５０未満の材料からなる少なくとも１つのレンズを有する対物レンズ（１５）」とは、「軸上色収差のある少なくとも１つのレンズを有する対物レンズ」の点で共通する。
イ　上記アに鑑みれば、引用発明２の「照明光として多波長光２’は照明用スリット１６上に線状に絞られ半透明鏡１４’を介しては色収差のある対物レンズ５’により物体面で線状に結像」することと、
補正発明の「照明用経路（１０）は多色光源（１１）と、スロット（１２）と、軸上色収差のあるアッベ数５０未満の材料からなる少なくとも１つのレンズを有する対物レンズ（１５）と、を有」することとは、
「照明用経路は多色光源と、スロットと、軸上色収差のある少なくとも１つのレンズを有する対物レンズと、を有」する点で共通する。
　また、引用発明の「照明光として多波長光２’」が「照明用スリット１６上に線状に絞ら」たものは、補正発明の「多色光源とスロット」が「形成」する「線形の光源」に相当する。
ウ　本願明細書の「【０００７】  半導体ウエハの端部を検査する工程は、端部が多色光源で照明され、・・・、反射ビームは対物レンズを通過し、半導体ウエハの端部に焦点が合わない波長を空間的にフィルタする色フィルタスロットを通過した後集光される。」との記載より、「色フィルタスロット」とは、反射ビームである多色光から、半導体ウエハの端部に焦点が合わない波長を空間的にフィルタする「スロット」であるといえる。
　そうすると、引用発明２の「ちょうど物体面で線状に絞られた波長の照明光が最も多く通り抜け」る「検出用スリット１９」、及び「リニアセンサ」は、それぞれ、補正発明の「色フィルタスロット（２２）」、及び「線形の光強度センサ（２４）」に相当する。
エ　引用発明２は「検出用スリット１９には、ちょうど物体面で線状に絞られた波長の照明光が最も多く通り抜け、検出用スリット１９を通った光をレンズ２１、２２偏光板１１を介してプリズム２０により分光を行い、Ｉ本の並列出力を持つリニアセンサの列の検出器で検出」するのであるから、「色収差のある対物レンズ５’」と、「検出用スリット１９」と「リニアセンサ」をこの順に有していることは明らかである。
　そうすると、上記ウに鑑みれば、引用発明２の「検出用スリット１９には、ちょうど物体面で線状に絞られた波長の照明光が最も多く通り抜け、検出用スリット１９を通った光をレンズ２１、２２偏光板１１を介してプリズム２０により分光を行い、Ｉ本の並列出力を持つリニアセンサの列の検出器で検出」することは、補正発明の「前記解析用経路（２０）は前記対物レンズと、色フィルタスロット（２２）と、線形の光強度センサ（２４）と、をこの順に有」することに相当する。
オ　引用発明２の「照明用スリット１６上に線状に絞られた照明光の対物レンズ５’による共役位置には検出用スリット１９が置かれ」ていることは、「物体面」から「照明用スリット１６」までの光学距離と、「物体面」から「検出用スリット１９」までの光学距離が等しいことであるから、補正発明の「前記照明用経路のスロットおよび前記解析用経路のスロットは、検査される前記ウエハの端部からほぼ同じ光学距離に配置されている」ことに相当する。
カ　上記ア〜オに鑑みれば、引用発明２の「３次元物体形状検出装置」が、補正発明の「多点」で検査するもので、共焦点色顕微鏡を有しているものに相当することは明らかである。
キ　引用発明２は「検出用スリット１９を通った光をレンズ２１、２２偏光板１１を介してプリズム２０により分光を行い、Ｉ本の並列出力を持つリニアセンサの列の検出器で検出し、最も強度が強い波長λiの位置からＺ位置が求まる」のであるから、引用発明２の「分光を行」う「プリズム２０」と、その「検出」をする「Ｉ本の並列出力を持つリニアセンサの列」は、補正発明の「光の色解析器（２３，２４）」に相当する。
　また、引用発明２の「最も強度が強い波長λiの位置からＺ位置が求まる」「Ｉ本の並列出力を持つリニアセンサの列の検出器」は、補正発明の「前記対物レンズと前記半導体ウエハの端部の間の距離のデータを生成する抽出部」に相当する。
　
　そうすると、引用発明２は、対物レンズがアッベ数５０未満の材料からなる点を除いて、相違点１に係る補正発明の構成を全て有している。
　半導体ウエハの検査装置において、検査を高速化しようとすることは当然の課題であるから、引用発明における共焦点検査装置を、検査の高速化を図ることを明示した引用発明２の共焦点検出法を用いた３次元物体形状検出装置に置き換えることは、当業者が容易に想到するものといえる。
　そして、その置き換えに際し「色収差のある対物レンズ５’」として、数字が小さいほど色収差が大きくなる色収差を示す周知の尺度であるアッベ数を用いて、アッベ数５０未満の材料からなると普通の色収差のある材料の備える数値範囲を含めて特定することは、構成の具体化に当たって当業者が適宜成し得る設計事項にすぎない。
（２）相違点２についての検討
　半導体ウエハ（１）の製造および検査を行う装置において、製造ライン上で検査し、不良とされたものを製造ラインから排除した後、再度、検査を行うことは検査装置の異常による誤検知でないことの確認のための周知技術（例えば、特開平１０−１６３２８４号公報（特に図１、段落【００２４】、【００２５】）、特開昭６１−２７６２２７号公報（特に第５図、〔発明の技術的背景〕）、国際公開第２００５／１０３６５８号（特に図１１、段落０１０３、０１１１）等参照。）であるから、引用発明において上記周知技術を採用し、相違点２に係る補正発明の構成とすることは当業者が容易に想到するものといえる。
　
（３）そして，補正発明の作用効果は，刊行物１、２記載の事項，および周知技術から当業者が予測し得る範囲内のものにすぎず，格別顕著なものともいえない。
　
（４）したがって，補正発明は，引用発明，刊行物２記載の事項，および周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるというべきであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　　
４　まとめ　　
　以上のとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により，却下すべきものである。　
　
第３　本願発明について　　
１　本願発明　　
　本件補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜１４に係る発明は，平成２６年８月５日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定されたものであって，その請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，次のとおりであると認める。　　
「  【請求項１】
　半導体ウエハ（１）の端部を多点で検査する装置であって、
検査される半導体ウエハを回転させるための手段と、
検査される前記ウエハの端部を照明する照明用経路（１０）と解析用経路（２０）とが設けられた共焦点色顕微鏡（７）と、を有し、
前記照明用経路（１０）は多色光源（１１）と、スロット（１２）と、軸上色収差のあるアッベ数５０未満の材料からなる少なくとも１つのレンズを有する対物レンズ（１５）と、を有し、
前記多色光源と前記スロットは、線形の光源を形成し、
前記解析用経路（２０）は前記対物レンズと、色フィルタスロット（２２）と、線形の光強度センサ（２４）と、をこの順に有し、
前記照明用経路のスロットおよび前記解析用経路のスロットは、検査される前記ウエハの端部からほぼ同じ光学距離に配置されていることを特徴とする装置。」
　
２　引用刊行物およびその記載事項　　
　本願出願前に頒布された刊行物１、２およびその記載事項は，上記「第２　２」に記載したとおりである。　　
　　　
３　当審の判断　　
　補正発明は、本願発明を限定したものに相当する。
　そうすると，本願発明の構成要件を全て含む補正発明が，上記「第２　３」において検討したとおり，引用発明，刊行物２記載の事項，および周知技術に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，引用発明，刊行物２記載の事項，および周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるというべきである。
　
第４　まとめ　　
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その他の請求項について言及するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。　　
　よって，結論のとおり審決する