(57)【要約】【課題】液晶層が適正に交流駆動され、明るい表示が得られる液晶装置および電子機器を提供すること。【解決手段】本適用例の液晶装置１００の画素７は、第１電極１９および第２電極９と、第１電極１９が接続されたＴＦＴ１１および第１保持容量１３と、第１データ線６ａと、第２電極９が接続されたＴＦＴ１２および第２保持容量１４と、第２データ線６ｂと、走査線３とを備え、第１電極１９と第２電極９とに与えられた電位によって液晶層５０が交流駆動されるものである。第１データ線６ａおよび第２データ線６ｂの延在方向における前段の走査線３Ｆが後段画素の第１保持容量１３および第２保持容量１４における一方の電極を兼ねており、後段画素の第１電極１９および第２電極９は、前段の走査線３Ｆに対向配置された第１保持容量１３および第２保持容量１４における他方の電極１３ａ，１４ａにそれぞれ繋がる引き回し配線部１９ｃ，９ｃを有している。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持する一対の基板のうちの一方の基板において画素ごとに設けられた、第１電極および第２電極と、前記第１電極を駆動制御する第１スイッチング素子と、前記第１電極に接続された第１保持容量と、前記第１スイッチング素子を介して前記第１電極と接続された第１データ線と、前記第２電極を駆動制御する第２スイッチング素子と、前記第２電極に接続された第２保持容量と、前記第２スイッチング素子を介して前記第２電極と接続された第２データ線と、前記第１データ線および前記第２データ線と交差するように配置され、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子に接続された走査線とを備え、前記第１電極と前記第２電極とに与えられた電位によって前記液晶層が交流駆動される液晶装置であって、
前記第１データ線および前記第２データ線の延在方向に配置された複数の前記画素における前段の前記走査線が、後段画素の前記第１保持容量および前記第２保持容量における一方の電極を兼ねており、
後段画素の前記第１電極および前記第２電極は、前段の前記走査線に対向配置された前記第１保持容量および前記第２保持容量における他方の電極にそれぞれ繋がる引き回し配線部を有していることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記走査線は、互いに並行する第１走査線と第２走査線とからなり、
前記第１走査線および前記第２走査線の延在方向に配置された隣り合う前記画素は、前記第１データ線と前記第２データ線のいずれか一方を共有すると共に、前記第１走査線と前記第２走査線とが交互に後段画素の前記第１保持容量および前記第２保持容量における一方の電極を兼ねていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第１保持容量および前記第２保持容量における他方の電極と前記走査線とが平面的に重なった相互の面積がほぼ等しいことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記走査線の延在方向において、前記第１保持容量の他方の電極は前記第２スイッチング素子側に配置され、前記第２保持容量の他方の電極は前記第１スイッチング素子側に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第１保持容量の他方の電極と前記第１電極の前記引き回し配線部との導通を図る第１コンタクトホールと、
前記第２保持容量の他方の電極と前記第２電極の前記引き回し配線部との導通を図る第２コンタクトホールとを有し、
前記第１コンタクトホールおよび前記第２コンタクトホールの少なくとも一部が平面的に前記走査線と重なるように配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１コンタクトホールおよび前記第２コンタクトホールが前記走査線と平面的に重なった相互の面積がほぼ等しいことを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第１保持容量の他方の電極と前記第１電極の前記引き回し配線部との導通を図る第１コンタクトホールと、
前記第２保持容量の他方の電極と前記第２電極の前記引き回し配線部との導通を図る第２コンタクトホールとを有し、
前記第１コンタクトホールおよび前記第２コンタクトホールは前記走査線の近傍において前記走査線と平面的に重ならないように配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置として、複数の走査線３と、第１データ線６ａと第２データ線６ｂの組からなる複数のデータ線と、複数の画素回路Ｐ１０とを有し、それぞれの画素回路Ｐ１０が、第１電極１９および第２電極９と、第１データ線６ａと第１電極１９との間に設けられた第１スイッチング素子１１と、第２データ線６ｂと第２電極９との間に設けられた第２スイッチング素子１２とを具備した電気光学装置が知られている（特許文献１；図１７参照）。
【０００３】
上記電気光学装置は、第１スイッチング素子１１および第２スイッチング素子１２を駆動制御することにより、第１電極１９と第２電極９とに異なる電位の駆動信号を印加して、電気光学素子である液晶層の交流駆動を実現したものである。このような液晶層の交流駆動によれば、所謂画像の焼き付きやフリッカーを改善できると共に消費電力を低減できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−６５３０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記電気光学装置では、図１７に示すように、走査線３と並行して配置された定電位線３５と、第１スイッチング素子１１および第２スイッチング素子１２を構成する半導体層１１ａ，１２ａを利用した一方の電極とを有している。そして、ゲート絶縁膜（誘電体層）を挟んで定電位線３５と該一方の電極とが平面的に対向配置され、第１電極１９に繋がる第１保持容量Ｃａと第２電極９に繋がる第２保持容量Ｃｂとが構成されている。したがって、互いに交差するデータ線６ａ，６ｂと走査線３とにより区分される画素領域内に第１保持容量Ｃａと第２保持容量Ｃｂとを設けているので、スイッチング素子と保持容量とを１つずつ設ける場合に比べて、所謂画素の開口率の低下を招き、電気光学装置の見栄えが低下するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例の液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基板のうちの一方の基板において画素ごとに設けられた、第１電極および第２電極と、前記第１電極を駆動制御する第１スイッチング素子と、前記第１電極に接続された第１保持容量と、前記第１スイッチング素子を介して前記第１電極と接続された第１データ線と、前記第２電極を駆動制御する第２スイッチング素子と、前記第２電極に接続された第２保持容量と、前記第２スイッチング素子を介して前記第２電極と接続された第２データ線と、前記第１データ線および前記第２データ線と交差するように配置され、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子に接続された走査線とを備え、前記第１電極と前記第２電極とに与えられた電位によって前記液晶層が交流駆動される液晶装置であって、前記第１データ線および前記第２データ線の延在方向に配置された複数の前記画素における前段の前記走査線が後段画素の前記第１保持容量および前記第２保持容量における一方の電極を兼ねており、後段画素の前記第１電極および前記第２電極は、前段の前記走査線に対向配置された前記第１保持容量および前記第２保持容量における他方の電極にそれぞれ繋がる引き回し配線部を有していることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、前段画素の走査線が第１保持容量と第２保持容量の一方の電極として利用され、走査線に対向配置される他方の電極に繋がる引き回し配線部が後段画素の第１電極および第２電極にそれぞれ設けられている。したがって、一方の電極および他方の電極並びに引き回し配線を遮光性の導電部材を用いて画素領域内に独立して設ける場合に比べて、画素における開口率を向上させることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例の液晶装置において、前記走査線は、互いに並行する第１走査線と第２走査線とからなり、前記第１走査線および前記第２走査線の延在方向に配置された隣り合う前記画素は、前記第１データ線と前記第２データ線のいずれか一方を共有すると共に、前記第１走査線と前記第２走査線とが交互に後段画素の前記第１保持容量および前記第２保持容量における一方の電極を兼ねているとしてもよい。
この構成によれば、第１および第２データ線のいずれか一方を共有することによって、第１および第２データ線に交差する方向における画素領域の長さを大きくすることができ、その分画素の開口率を向上させることができる。
また、第１走査線と第２走査線とが交互に後段画素の第１保持容量および第２保持容量における一方の電極を兼ねているので、走査線に纏わる寄生容量が第１走査線または第２走査線のいずれか一方に集中することが避けられ、バランスよく配分される。それゆえに、寄生容量に起因したクロストークなどの表示不具合を低減できる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例の液晶装置において、前記第１保持容量および前記第２保持容量における他方の電極と前記走査線とが平面的に重なった相互の面積がほぼ等しいことが好ましい。
この構成によれば、第１保持容量および第２保持容量の電気容量をほぼ同等とすることができ、電気容量が異なることに起因する第１電極および第２電極における電位の変動を抑制することができる。より詳しくは、第１電極および第２電極には、それぞれ独立してスイッチング素子と保持容量とが接続されており、スイッチング素子をオン・オフしたときに生ずるスイッチング素子と保持容量との間の電荷再配分による第１電極および第２電極への書き込み電圧シフトの影響を確実に相殺できる。それゆえに、書き込み電圧シフトの影響で発生するフリッカーやクロストークを低減して、優れた表示品位を確保できる。
【００１１】
［適用例４］上記適用例の液晶装置では、前記走査線の延在方向において、前記第１保持容量の他方の電極は前記第２スイッチング素子側に配置され、前記第２保持容量の他方の電極は前記第１スイッチング素子側に配置されていることが好ましい。
この構成によれば、前段画素の第１スイッチング素子には前段画素の第１電極が接続され、走査線の延在方向における第１スイッチング素子の近傍に配置された第２保持容量の他方の電極には後段画素の第２電極の引き回し配線部が接続される。同様にして前段画素の第２スイッチング素子には前段画素の第２電極が接続され、走査線の延在方向における第２スイッチング素子の近傍に配置された第１保持容量の他方の電極には後段画素の第１電極の引き回し配線部が接続される。つまり、第１電極および第２電極のそれぞれに引き回し配線部を設けたとしても、前段画素の走査線付近において、前段画素の第１電極と後段画素の第１電極とが接近して配置されることを防ぐことができる。同様に前段画素の走査線付近において、前段画素の第２電極と後段画素の第２電極とが接近して配置されることを防ぐことができる。よって、前段画素と後段画素とにおいて一方の基板の同一形成面上に設けられる第１電極間および第２電極間の異物等による電気的な短絡のリスクを低減して、高い歩留まりで製造可能な液晶装置を提供できる。
【００１２】
［適用例５］上記適用例の液晶装置において、前記第１保持容量の他方の電極と前記第１電極の前記引き回し配線部との導通を図る第１コンタクトホールと、前記第２保持容量の他方の電極と前記第２電極の前記引き回し配線部との導通を図る第２コンタクトホールとを有し、前記第１コンタクトホールおよび前記第２コンタクトホールの少なくとも一部が平面的に前記走査線と重なるように配置されていることが好ましい。
この構成によれば、上記引き回し配線部との導通を図る第１および第２コンタクトホールも走査線と重なるように配置されているので、第１および第２コンタクトホールを画素領域内に独立して設ける場合に比べて、画素の開口率を確保し易い。
【００１３】
［適用例６］上記適用例の液晶装置において、前記第１コンタクトホールおよび前記第２コンタクトホールが前記走査線と平面的に重なった相互の面積がほぼ等しいことが好ましい。
この構成によれば、第１および第２コンタクトホールと走査線との間に生ずる寄生容量についても、ほぼ同等とすることができる。したがって、該寄生容量が異なることに起因する第１電極と第２電極とにそれぞれ与えられる電位の変動を抑制することができる。
【００１４】
［適用例７］上記適用例の液晶装置において、前記第１保持容量の他方の電極と前記第１電極の前記引き回し配線部との導通を図る前記第１コンタクトホールと、前記第２保持容量の他方の電極と前記第２電極の前記引き回し配線部との導通を図る第２コンタクトホールとを有し、前記第１コンタクトホールおよび前記第２コンタクトホールは前記走査線の近傍において前記走査線と平面的に重ならないように配置されているとしてもよい。
この構成によれば、第１コンタクトホールおよび第２コンタクトホールと走査線とを重ねて配置する場合に比べて、走査線に纏わる寄生容量が低減されるので、第１電極および第２電極に所定の電位を書き込むタイミングマージンが増大する。それゆえに、高速駆動、高精細化への対応を図ることができる。
【００１５】
［適用例８］本適用例の電子機器は、上記適用例の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、画素における高い開口率と表示品位とが確保された液晶装置を備えているので、見栄えのよい電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（ａ）は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略正面図、（ｂ）は液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図２】第１実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】第１実施形態の液晶装置の画素回路の等価回路図。
【図４】（ａ）は画素の構成を示す概略平面図、（ｂ）は画素の要部拡大図。
【図５】図４のＡ−Ａ’線で切った素子基板の概略断面図。
【図６】図４のＣ−Ｃ’線で切った素子基板の概略断面図。
【図７】図４のＢ−Ｂ’線で切った素子基板の概略断面図。
【図８】第２実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図９】第２実施形態の液晶装置の画素回路の等価回路図。
【図１０】（ａ）は第２実施形態の画素の構成を示す概略平面図、（ｂ）は画素の要部拡大図。
【図１１】（ａ）は第３実施形態の液晶装置の画素の構成を示す概略平面図、（ｂ）は画素の要部拡大図。
【図１２】図１１（ｂ）のＦ−Ｆ’線で切った概略断面図。
【図１３】（ａ）は第４実施形態の液晶装置の画素の構成を示す概略平面図、（ｂ）は画素の要部拡大図。
【図１４】図１３（ｂ）のＧ−Ｇ’線で切った概略断面図。
【図１５】電子機器としての携帯型情報端末を示す概略斜視図。
【図１６】変形例の画素回路の等価回路図。
【図１７】従来の電気光学装置の画素の構成を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１８】
（第１実施形態）
＜液晶装置＞
本実施形態の液晶装置について、図１〜図７を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略正面図、同図（ｂ）は液晶装置の構造を示す概略断面図、図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図、図３は画素回路の等価回路図、図４（ａ）は画素の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は画素の要部拡大図、図５は図４（ｂ）のＡ−Ａ’線で切った素子基板の概略断面図、図６は図４（ｂ）のＣ−Ｃ’線で切った素子基板の概略断面図、図７は図４（ｂ）のＢ−Ｂ’線で切った素子基板の概略断面図である。
【００１９】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、互いに対向して配置された素子基板１０と対向基板２０とを備えている。対向基板２０は素子基板１０よりも平面的に一回り小さいサイズとなっている。
【００２０】
シール材４０により接合された素子基板１０と対向基板２０との隙間（ギャップ）に、正の誘電異方性を有する液晶が充填され液晶層５０を構成している。すなわち、素子基板１０と対向基板２０とにより液晶層５０を挟持している。
【００２１】
シール材４０の外側は、周辺回路領域であり、素子基板１０の長手方向（Ｘ方向）の一辺に沿ってデータ線駆動回路７０および外部回路と接続するための複数の実装端子８０とが設けられている。また、素子基板１０の短手方向（Ｙ方向）の他の二辺に沿って、それぞれ走査線駆動回路９０が設けられている。素子基板１０の残る一辺に沿って、２つの走査線駆動回路９０を接続する複数の配線３０が設けられている。
【００２２】
シール材４０の内側には、第１の方向としてのＸ方向およびＸ方向に直交する第２の方向としてのＹ方向にマトリックス状に配列した複数の画素７を有している。画素７は、３色のカラーフィルター２２Ｒ（赤），２２Ｇ（緑），２２Ｂ（青）のいずれかに対応して設けられている。
３色のカラーフィルター２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、同色のカラーフィルター２２がＹ方向に連続するように対向基板２０側に形成されている。また、対向基板２０には、実際に表示に寄与する複数の画素７の領域を表示領域ＡＲとし、各画素７を区画すると共に、表示領域ＡＲを額縁状に遮光する遮光膜６１が設けられている。
素子基板１０には、画素７ごとに、第１電極１９および第２電極９と、これらの電極を駆動制御するスイッチング素子とを含む画素回路Ｐ１が設けられている。
【００２３】
また、素子基板１０と対向基板２０の外側の表面（液晶層５０に対して反対側の表面）にそれぞれ偏光素子としての偏光板２４，２５が貼り付けられている。なお、視角特性などの表示品位を高めるために位相差板などの光学補償板を偏光板２４，２５と組み合わせて用いてもよい。
このような液晶装置１００は、ストライプ方式のカラーフィルター２２を備え、カラー表示を可能としたアクティブ駆動方式の透過型表示装置である。なお、透過型に限らず反射型や半透過反射型としてもよい。
【００２４】
図２に示すように、液晶装置１００は、表示領域ＡＲにおいて、複数（ｍ＋１本）の走査線３と、第１データ線６ａおよび第２データ線６ｂを１組とする複数（ｎ組）のデータ線６とを有している。複数の走査線３と複数のデータ線６とは互いに絶縁された状態で交差しており、これらの走査線３とデータ線６によって囲まれた領域に、これらに繋がる画素回路Ｐ１が設けられている。すなわち、画素回路Ｐ１はｍ行×ｎ列に亘って設けられている。以降、第１データ線６ａと第２データ線６ｂとの組を指してデータ線６と呼ぶこともある。
【００２５】
複数のデータ線６はデータ線駆動回路７０に接続されており、データ線駆動回路７０からｎ本の第１データ線６ａには第１電位Ｘ１ａ，Ｘ２ａ，…，Ｘｎａが各々供給され、ｎ本の第２データ線６ｂには第２電位Ｘ１ｂ，Ｘ２ｂ，…，Ｘｎｂが各々供給される。
【００２６】
複数の走査線３は走査線駆動回路９０に接続されており、走査線駆動回路９０からｍ＋１本の走査線３には走査信号Ｙ１，Ｙ２，…，Ｙｍ，Ｙｍ＋１が、パルス的に線順次で印加される。ｉ（ｉは１≦ｉ≦ｍの自然数）行、ｊ（ｊは１≦ｊ≦ｎの自然数）列の画素回路Ｐ１（ｉ，ｊ）は、ｉ行の走査線３の走査信号Ｙｉがアクティブになると、第１データ線６ａを介して供給される第１電位Ｘｊａおよび第２データ線６ｂを介して供給される第２電位Ｘｊｂを取り込む。
【００２７】
本実施形態では、１行目の画素回路Ｐ１において走査信号Ｙ１に対応する前段の走査線３を設け、ｍ行目の画素回路Ｐ１において走査信号Ｙｍ＋１に対応する走査線３を設けたが、これに限定されない。例えば、１行目の画素回路Ｐ１の前段にダミー画素に相当する画素回路Ｐ１を設けてもよい。
【００２８】
図３に示すように、画素回路Ｐ１は、第１電極１９および第２電極９と、第１電極１９を駆動制御する第１スイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ）１１と、第１電極１９に接続された第１保持容量１３とを有している。また、第２電極９を駆動制御する第２スイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ）１２と、第２電極９に接続された第２保持容量１４とを有している。
【００２９】
第１電極１９と第２電極９との間およびＴＦＴ１１とＴＦＴ１２との間に設けられた第３保持容量１５は、液晶層５０における電気容量や第１電極１９と第２電極９とに纏わる寄生容量をも含むものである。
【００３０】
ＴＦＴ１１は、走査線３と第１データ線６ａとの交差点付近に設けられており、その３端子のうちのゲートは走査線３に接続され、ソースは第１データ線６ａに接続され、ドレインは第１電極１９に接続されている。
【００３１】
ＴＦＴ１２は、走査線３と第２データ線６ｂとの交差点付近に設けられており、その３端子のうちのゲートは走査線３に接続され、ソースは第２データ線６ｂに接続され、ドレインは第２電極９に接続されている。
【００３２】
以降の説明上、第１データ線６ａおよび第２データ線６ｂの延在方向に配置された複数の画素７において、図面上の上方に位置する画素７を前段画素７Ｆと呼び、その下方に位置する画素７を後段画素７Ｌと呼ぶ。また、前段画素７Ｆ側の走査線３を前段走査線３Ｆと呼び、後段画素７Ｌ側の走査線３を後段走査線３Ｌと呼んで区別する。
【００３３】
後段画素７Ｌにおける第１保持容量１３は、前段走査線３Ｆの延在方向におけるＴＦＴ１２側に設けられている。後段画素７Ｌにおける第２保持容量１４は、前段走査線３Ｆの延在方向におけるＴＦＴ１１側に設けられている。第１保持容量１３および第２保持容量１４の一方の電極はそれぞれ前段走査線３Ｆに接続している。実際には、前段走査線３Ｆを上記一方の電極として利用している。
【００３４】
画素回路Ｐ１上では、第１電極１９と第１保持容量１３の他方の電極１３ａとを結ぶ第１電極１９の引き回し配線部と、第２電極９と第２保持容量１４の他方の電極１４ａとを結ぶ第２電極９の引き回し配線部とは交差している。
【００３５】
このような液晶装置１００の等価回路（図２および図３）によれば、走査信号Ｙｉがハイレベル（アクティブ）になると、ＴＦＴ１１およびＴＦＴ１２は共にオン状態となる。すると、第１データ線６ａからＴＦＴ１１を介して取り込まれた第１電位Ｘｊａが第１電極１９に印加されると共に第１保持容量１３によって保持される。また、第２データ線６ｂからＴＦＴ１２を介して取り込まれた第２電位Ｘｊｂが第２電極９に印加されると共に第２保持容量１４によって保持される。これによって、液晶層５０に電圧が印加され、第１電極１９と第２電極９との間に生じた電界によって液晶分子の配向方向が制御され、その結果、液晶層５０を透過する光の透過率が制御される。すなわち、画像データに基づいた第１電位Ｘｊａおよび第２電位Ｘｊｂが画素回路Ｐ１に取り込まれることで画素７における表示が行われる。
【００３６】
本実施形態の液晶装置１００では、例えば、第１電位Ｘｊａおよび第２電位Ｘｊｂのうち一方を定電位とし他方を画像データの階調に応じた電位とする。そして、このような電位の選択を第１電極１９と第２電極９の間で交互に繰り返すことにより、液晶層５０を交流駆動している。このような交流駆動によれば、駆動制御用の薄膜トランジスター（ＴＦＴ）１１，１２が走査信号Ｙｉによってオン状態からオフ状態に切り替わった瞬間に、液晶層５０に書き込まれた電荷が走査線３に逃げて液晶層５０における印加電圧が低下するプッシュダウン現象が生じても、直流成分が液晶層５０に印加されないので、所謂画像の焼き付きやフリッカーを低減することができる。
【００３７】
次に図４を参照して、液晶装置１００における画素７の構成について説明する。図４（ａ）に示すように、画素７は、長手方向がデータ線６に沿った略矩形状の第１電極１９と、第１電極１９に重ねて配置された同じく略矩形状の第２電極９とを有する。第２電極９は、データ線６と平行な方向に延在すると共に、走査線３の延在方向に略等間隔で配置された複数の帯状電極部９ａを有する。帯状電極部９ａ間の隙間をスリット９ｂと呼ぶ。この場合、第２電極９は、８本のスリット９ｂを有している。つまり９本の帯状電極部９ａを有している。
第１電極１９および第２電極９は、短手方向においてデータ線６と重なるように配置され、複数のデータ線６と複数の走査線３とにより平面的に区分された領域にマトリックス状に配置されている。
【００３８】
前述したように第１電極１９および第２電極９は、液晶層５０を挟持する一対の基板のうちの素子基板１０に設けられており、第１電極１９と第２電極９との間に生ずる横電界によって液晶層５０における液晶分子の配向制御を行うものであって、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードと呼ばれている。
【００３９】
図４（ｂ）に示すように、ＴＦＴ１１は、第１データ線６ａと走査線３との交差点付近に設けられ、走査線３と交わるように設けられた例えばポリシリコンなどからなる半導体層１１ａを有する。この場合、半導体層１１ａは平面視で画素７側に折れ曲がった形状となっており、一方の端であるソース側は第１データ線６ａと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ５を介して第１データ線６ａと接続している。他方の端であるドレイン側は第１電極１９およびその拡張部１９ｄと重なっており、該拡張部１９ｄに設けられた２つのコンタクトホールＣｎ６，Ｃｎ７を介して第１電極１９と接続している。
【００４０】
ＴＦＴ１２も同様であって、第２データ線６ｂと走査線３との交差点付近に設けられ、走査線３と交わるように設けられた例えばポリシリコンなどからなり、平面視で画素７側に折れ曲がった形状の半導体層１２ａを有する。半導体層１２ａの一方の端であるソース側は第２データ線６ｂと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ８を介して第２データ線６ｂと接続している。他方の端であるドレイン側は第２電極９およびその拡張部９ｄと重なっており、該拡張部９ｄに設けられた２つのコンタクトホールＣｎ９，Ｃｎ１０を介して第２電極９と接続している。
【００４１】
データ線６と交差する走査線３は、第１データ線６ａと第２データ線６ｂとの間においてその幅が広くなった拡幅部を有する。該拡幅部に重なるようにして第１保持容量１３の他方の電極１３ａと第２保持容量１４の他方の電極１４ａとが設けられている。他方の電極１３ａおよび他方の電極１４ａは、同じ平面積を有するＬ字状であって線対称に配置されている。
【００４２】
前段画素７Ｆにおける前段走査線３Ｆの延在方向において、後段画素７Ｌの第１保持容量１３の他方の電極１３ａは、前段画素７ＦのＴＦＴ１２側に配置されている。また、後段画素７Ｌの第２保持容量１４の他方の電極１４ａは、前段画素７ＦのＴＦＴ１１側に配置されている。
【００４３】
後段画素７Ｌの第１電極１９は、前段走査線３Ｆの拡幅部側に張り出した引き回し配線部１９ｃを有する。同じく、後段画素７Ｌの第２電極９は、前段走査線３Ｆの拡幅部側に張り出した引き回し配線部９ｃを有する。
【００４４】
後段画素７Ｌの第１保持容量１３の他方の電極１３ａと、同じく後段画素７Ｌの第１電極１９の引き回し配線部１９ｃとは、前段走査線３Ｆの拡幅部に重なるように設けられた第１コンタクトホールとしてのコンタクトホールＣｎ４と、該拡幅部から外れた位置に設けられたコンタクトホールＣｎ２とを介して接続している。
後段画素７Ｌの第２保持容量１４の他方の電極１４ａと、同じく後段画素７Ｌの第２電極９の引き回し配線部９ｃとは、前段走査線３Ｆの拡幅部に重なるように設けられた第２コンタクトホールとしてのコンタクトホールＣｎ３と、該拡幅部から外れた位置に設けられたコンタクトホールＣｎ１とを介して接続している。
【００４５】
画素７ごとに設けられた、これら１０個のコンタクトホールＣｎ１〜Ｃｎ１０は、走査線３に沿った位置に配置されている。また、第１電極１９に纏わるコンタクトホールＣｎ２，Ｃｎ４，Ｃｎ６，Ｃｎ７と、第２電極９に纏わるコンタクトホールＣｎ１，Ｃｎ３，Ｃｎ９，Ｃｎ１０とがデータ線６と平行な軸に対して線対称に配置されている。
【００４６】
走査線３の延在方向において、左側から前段画素７Ｆの第１電極１９の拡張部１９ｄ、後段画素７Ｌの第２電極９の引き回し配線部９ｃ、後段画素７Ｌの第１電極１９の引き回し配線部１９ｃ、前段画素７Ｆの第２電極９の拡張部９ｄの順に走査線３側に張り出している。つまりデータ線６に沿って隣り合う前段画素７Ｆと後段画素７Ｌとにおいて同一形成面上に設けられる電極同士が極力離れるように配置されている。
第１保持容量１３の他方の電極１３ａをＴＦＴ１１側に配置し、第２保持容量１４の他方の電極１４ａをＴＦＴ１２側に配置することも可能ではあるが、それに比べると製造過程における異物等により、該電極同士が短絡するリスクが低減されている。
【００４７】
なお、前述したように画素７は、素子基板１０に対向配置される対向基板２０に設けられた遮光膜６１により実質的に区画されている。より具体的には、走査線３やデータ線６が設けられた領域に平面的に重なるように遮光膜６１が配置されている。本実施形態では、走査線３に重なるように設けられたコンタクトホールＣｎ３，Ｃｎ４，Ｃｎ７，Ｃｎ１０は遮光膜６１とも重なっている。また、コンタクトホールＣｎ１〜Ｃｎ１０の平面的な形状は四角形であるが、これに限定されず多角形や円形であってもよく、大きさがほぼ同じであることが後述する寄生容量の観点から望ましい。
【００４８】
コンタクトホールＣｎ１〜Ｃｎ１０を用いた電気的な接続構造について、図５〜図７を参照して、さらに詳しく説明する。
【００４９】
まず、ＴＦＴ１１側における接続構造について説明する。図５に示すように、素子基板１０は例えば透明性を有するガラス等の基板からなり、その表面は、例えば酸化シリコンなどの絶縁膜１０ａで覆われている。ＴＦＴ１１の半導体層１１ａおよび第２保持容量１４の他方の電極１４ａは、絶縁膜１０ａ上に成膜された例えばポリシリコン層をパターニングして形成されている。
【００５０】
半導体層１１ａおよび他方の電極１４ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜１０ｂが設けられており、ゲート絶縁膜１０ｂを介して半導体層１１ａの一部および他方の電極１４ａと対向する位置に走査線３（前段走査線３Ｆ）が設けられている。走査線３はチタン、クロム、タングステン、タンタル、モリブデン等の高融点金属又はこれらを含む合金等の低抵抗配線材料を用いてパターニング形成されている。
【００５１】
走査線３およびゲート絶縁膜１０ｂを覆って例えば酸化シリコンなどからなる第１層間絶縁膜１０ｃが設けられている。半導体層１１ａのソース領域１１ｓに対応した位置においてゲート絶縁膜１０ｂおよび第１層間絶縁膜１０ｃを貫通する孔と、半導体層１１ａのドレイン領域１１ｄに対応した位置においてゲート絶縁膜１０ｂおよび第１層間絶縁膜１０ｃを貫通する孔とが形成される。そして、これらの孔を埋めるようにして第１層間絶縁膜１０ｃ上に例えばアルミニウム、クロム、タングステン等の金属又はこれらを含む合金等の低抵抗配線層が形成され、該低抵抗配線層をパターニングすることにより、ＴＦＴ１１のソースに接続するコンタクトホールＣｎ５およびソース電極を兼ねた第１データ線６ａが形成される。また同時にＴＦＴ１１のドレインに接続するコンタクトホールＣｎ６およびドレイン電極１１ｂが形成される。ドレイン電極１１ｂはその一部が走査線３と平面的（断面的）に重なるようにパターニングされている。
【００５２】
これら第１データ線６ａおよびコンタクトホールＣｎ５，Ｃｎ６ならびにドレイン電極１１ｂを覆って例えば酸化シリコンなどからなる保護絶縁膜１０ｄが設けられている。保護絶縁膜１０ｄの表面は、下層に設けられた半導体層１１ａや走査線３により凹凸を有しているため、この凹凸の影響を低減する平坦化機能を持たせた第２層間絶縁膜１０ｅが設けられている。第２層間絶縁膜１０ｅは、酸化シリコンなどの無機材料を用いて形成してもよいし、アクリル系の有機樹脂材料を用いて形成してもよい。
【００５３】
走査線３と平面的（断面的）に重なったドレイン電極１１ｂの部分に対応して第２層間絶縁膜１０ｅを貫通する孔が形成され、この孔を埋めるようにして第２層間絶縁膜１０ｅの表面を覆う例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜が成膜される。この透明導電膜をパターニングして画素７ごとの第１電極１９とドレイン電極１１ｂに接続するコンタクトホールＣｎ７が形成されている。
【００５４】
第１電極１９とコンタクトホールＣｎ７とを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第３層間絶縁膜１０ｆが設けられている。第３層間絶縁膜１０ｆの表面を覆う例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜が成膜され、これをパターニングして画素７ごとの第２電極９が形成される。なお、第２電極９が設けられた素子基板１０の表面を覆うようにして例えばポリイミド樹脂などからなる配向膜（図示省略）が設けられ、光学設計に基づいて液晶分子を所定の方向に初期配向させるラビングなどの配向処理が施される。
【００５５】
次に、ＴＦＴ１２側の接続構造について説明する。なお、ＴＦＴ１２はＴＦＴ１１と同じ製造工程にて製造されるので、半導体層１２ａおよびこれに接続される電極や配線関係は基本的にＴＦＴ１１と同じであって同一の構成には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５６】
図６に示すように、ＴＦＴ１２の半導体層１２ａおよび第１保持容量１３の他方の電極１３ａは、絶縁膜１０ａ上に成膜された例えばポリシリコン層をパターニングして形成されている。
【００５７】
半導体層１２ａおよび他方の電極１３ａを覆うようにゲート絶縁膜１０ｂが設けられており、ゲート絶縁膜１０ｂを介して半導体層１２ａの一部および他方の電極１３ａと対向する位置に走査線３（前段走査線３Ｆ）が設けられている。
【００５８】
走査線３およびゲート絶縁膜１０ｂを覆って第１層間絶縁膜１０ｃが設けられている。半導体層１２ａのソース領域１２ｓに対応した位置においてゲート絶縁膜１０ｂおよび第１層間絶縁膜１０ｃを貫通する孔と、半導体層１２ａのドレイン領域１２ｄに対応した位置においてゲート絶縁膜１０ｂおよび第１層間絶縁膜１０ｃを貫通する孔とが形成される。そして、これらの孔を埋めるようにして第１層間絶縁膜１０ｃ上に低抵抗配線層が形成され、該低抵抗配線層をパターニングすることにより、ＴＦＴ１２のソースに接続するコンタクトホールＣｎ８およびソース電極を兼ねた第２データ線６ｂが形成される。また同時にＴＦＴ１２のドレインに接続するコンタクトホールＣｎ９およびドレイン電極１２ｂが形成される。ドレイン電極１２ｂはその一部が走査線３と平面的（断面的）に重なるようにパターニングされている。
【００５９】
これら第２データ線６ｂおよびコンタクトホールＣｎ８，Ｃｎ９ならびにドレイン電極１２ｂを覆って保護絶縁膜１０ｄが設けられている。保護絶縁膜１０ｄを覆うように平坦化機能を持たせた第２層間絶縁膜１０ｅが設けられている。
【００６０】
走査線３と平面的（断面的）に重なったドレイン電極１２ｂの部分に対応して第２層間絶縁膜１０ｅを貫通する孔が形成される。第２層間絶縁膜１０ｅの表面を覆う例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜が成膜される。この透明導電膜をパターニングして画素７ごとの第１電極１９が形成される。このとき、上記孔が透明導電膜で埋まらないように予めレジスト等で保護しておく。そして、第１電極１９と第２層間絶縁膜１０ｅとを覆うように第３層間絶縁膜１０ｆを形成した後に、今度は上記孔を埋めるように再び透明導電膜を成膜し、パターニングして画素７ごとの第２電極９とドレイン電極１２ｂに接続するコンタクトホールＣｎ１０が形成される。なお、前述したように第２電極９が設けられた素子基板１０の表面には光学設計に基づいて配向処理が施された配向膜（図示省略）を有する。
【００６１】
次に、第１保持容量１３および第２保持容量１４における接続構造について説明する。なお、すでに説明した構成については、詳細な説明は省略する。
【００６２】
図７に示すように、第１保持容量１３の他方の電極１３ａと第２保持容量１４の他方の電極１４ａとは、それぞれ半導体層１１ａ，１２ａの形成工程で絶縁膜１０ａ上に同時に形成される。２つの他方の電極１３ａ，１４ａを覆ってゲート絶縁膜１０ｂが形成され、ゲート絶縁膜１０ｂを介して２つの他方の電極１３ａ，１４ａに跨って対向する位置に走査線３（前段走査線３Ｆ）が形成されている。
【００６３】
走査線３を覆うように第１層間絶縁膜１０ｃが形成され、平面的（断面的）に走査線３から外れた２つの他方の電極１３ａ，１４ａの部分に対応してゲート絶縁膜１０ｂと第１層間絶縁膜１０ｃとを貫通する２つの孔が形成される。そして、これらの孔を埋めるように前述した低抵抗配線材料を用いてパターニングが行われ、第１保持容量１３の他方の電極１３ａに繋がるコンタクトホールＣｎ２と接続部１３ｂとが形成される。同様にして、第２保持容量１４の他方の電極１４ａに繋がるコンタクトホールＣｎ１と接続部１４ｂとが形成される。２つの接続部１３ｂ，１４ｂはそれぞれ少なくとも一部が平面的（断面的）に走査線３と重なるように形成される。
【００６４】
コンタクトホールＣｎ１，Ｃｎ２および接続部１３ｂ，１４ｂとを覆って保護絶縁膜１０ｄが設けられている。さらに平坦化機能を持たせた第２層間絶縁膜１０ｅが形成される。そして、接続部１３ｂ，１４ｂの走査線３と重なった部分に対応して保護絶縁膜１０ｄおよび第２層間絶縁膜１０ｅを貫通する孔が形成される。第２保持容量１４の接続部１４ｂに通ずる孔を予め保護してから、第１保持容量１３の接続部１３ｂに通ずる孔を埋めるように透明導電膜を成膜して、パターニングすることにより画素７ごとの第１電極１９とコンタクトホールＣｎ４とが形成される。
【００６５】
続いて、第１電極１９と第２層間絶縁膜１０ｅとを覆って第３層間絶縁膜１０ｆが形成され、さらにその表面に再び透明導電膜を成膜してパターニングすることにより第２電極９とコンタクトホールＣｎ３とが形成される。
【００６６】
コンタクトホールＣｎ４においてパターニングされた透明導電膜の部分が第１電極１９の引き回し配線部１９ｃであり、コンタクトホールＣｎ３においてパターニングされた透明導電膜の部分が第２電極９の引き回し配線部９ｃである。
【００６７】
なお、これらのコンタクトホールＣｎ３，Ｃｎ４および第２電極９を覆う配向処理が施された配向膜（図示省略）を有する。
【００６８】
上記第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【００６９】
（１）第１実施形態の液晶装置１００は、前段走査線３Ｆを一方の電極として利用し、これに他方の電極１３ａ，１４ａを対向配置させて、後段画素７Ｌの第１保持容量１３および第２保持容量１４とする。加えて後段画素７Ｌの第１電極１９は他方の電極１３ａに繋がるコンタクトホールＣｎ４と重なる引き回し配線部１９ｃを有している。同様に、後段画素７Ｌの第２電極９は他方の電極１４ａに繋がるコンタクトホールＣｎ３と重なる引き回し配線部９ｃを有している。
したがって、図１７に示した従来の電気光学装置における画素の構成に対して、定電位線３５が削除され、第１保持容量１３と第２保持容量１４とがほぼ前段画素７Ｆと後段画素７Ｌとの間の走査線３が設けられた遮光領域に位置しているので、画素７の実質的な開口率を向上させることができる。すなわち、画素７の高透過率化が図られより明るい表示が可能な液晶装置１００を提供できる。言い換えれば、従来と同じ開口率とするならば画素７の高精細化を図ることができる。
【００７０】
（２）一方の電極としての走査線３に対して互いに同じ平面積の他方の電極１３ａ，１４ａがゲート絶縁膜１０ｂを介して対向配置されており、走査線３と重なった部分の面積が等しいので、第１保持容量１３と第２保持容量１４とが同じ電気容量を有する。また、走査線３と第１層間絶縁膜１０ｃを介して対向配置されたコンタクトホールＣｎ３，Ｃｎ４，Ｃｎ７，Ｃｎ１０も平面的に同じ平面積を有しており、走査線３との間の寄生容量が互いに等しくなる。つまり、ＴＦＴ１１によって駆動制御される第１電極１９に纏わる保持容量や寄生容量と、ＴＦＴ１２によって駆動制御される第２電極９に纏わる保持容量や寄生容量とが互いに等しくなる。よって、第１電極１９と第２電極９とにおいてこれらの保持容量や寄生容量が異なる場合に比べて、ＴＦＴ１１，１２をオン・オフしたときに生ずるＴＦＴ１１，１２と保持容量との間の電荷再配分による第１電極１９および第２電極９への書き込み電圧シフトの影響を確実に相殺できる。それゆえに、液晶層５０が適正に交流駆動され、焼き付きや書き込み電圧シフトの影響で発生するフリッカー、クロストークなどの表示不具合が低減され、見栄えのよい液晶装置１００を提供することができる。
【００７１】
（３）素子基板１０の液晶層５０側に面する表面において、凹部となるコンタクトホールＣｎ３，Ｃｎ４，Ｃｎ７，Ｃｎ１０が前段画素７Ｆと後段画素７Ｌとの間の遮光領域に設けられているので、コンタクトホールＣｎ３，Ｃｎ４，Ｃｎ７，Ｃｎ１０付近の液晶分子の配向むらに起因するコントラストむらが目立ち難い。
【００７２】
（４）図４に示すように、走査線３には平面的にコンタクトホールＣｎ３，Ｃｎ４，Ｃｎ７，Ｃｎ１０、第１電極１９の引き回し配線部１９ｃおよび拡張部１９ｄや第２電極９の引き回し配線部９ｃおよび拡張部９ｄが重なって配置されている。したがって、これらの導電部分によるシールド効果で、走査線３の電位変動に伴う電界の影響が液晶層５０に影響を及ぼし難くなる。その結果、高透過率化、高コントラスト化を図ることができる。
【００７３】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶装置について、図８〜図１０を参照して説明する。図８は第２実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図、図９は第２実施形態の画素回路の等価回路図、図１０（ａ）は第２実施形態の画素の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は画素の要部拡大図である。
第２実施形態の液晶装置は、第１実施形態に対してデータ線と走査線の構成とこれに纏わるコンタクトホールの配置とを変えたものである。したがって、第１実施形態と同じ構成は同じ符号を付して詳細の説明は省略する。
【００７４】
図８に示すように、本実施形態の液晶装置２００は、第１走査線３ａと第２走査線３ｂとを１組とする複数の走査線３と、これに絶縁された状態で交差する複数のデータ線６ａｂとを有している。走査線３とデータ線６ａｂとにより囲まれた領域に、これらに繋がる画素回路Ｐ２が設けられている。画素回路Ｐ２は、ｍ行×ｎ列に亘って設けられている。
【００７５】
すなわち、第１実施形態に対して、走査線３の延在方向における隣り合う画素７間において、第１データ線６ａと第２データ線６ｂのうちの一方が共有されてデータ線の数が減少し、走査線の数が増えた状態となっている。
【００７６】
図９に示すように、画素回路Ｐ２は、第１電極１９および第２電極９と、第１電極１９を駆動制御するＴＦＴ１１と、第１電極１９に接続された第１保持容量１３とを有している。また、第２電極９を駆動制御するＴＦＴ１２と、第２電極９に接続された第２保持容量１４とを有している。つまり基本的に第１実施形態の画素回路Ｐ１と同じ構成を有する。
【００７７】
その一方で走査線３やデータ線６ａｂへの接続が異なっている。具体的には、ＴＦＴ１１，１２はそれぞれの近傍に設けられた共通のデータ線６ａｂに接続されている。走査線３の延在方向における隣り合う画素７の一方の画素回路Ｐ２は、前段画素７Ｆ側の第１走査線３ａを後段画素７Ｌの第１保持容量１３と第２保持容量１４の一方の電極として利用している。同じ列の画素回路Ｐ２におけるＴＦＴ１１，１２はすべて同じ第１走査線３ａに接続している。これに対して、他方の画素回路Ｐ２は、前段画素７Ｆ側の第２走査線３ｂを後段画素７Ｌの第１保持容量１３と第２保持容量１４の一方の電極として利用している。同じ列の画素回路Ｐ２におけるＴＦＴ１１，１２はすべて同じ第２走査線３ｂに接続している。つまり、隣り合う画素回路Ｐ２間でデータ線６ａｂを共有しているものの、互いに異なる第１走査線３ａまたは第２走査線３ｂに接続して、各画素回路Ｐ２における画像データの選択（アドレッシング）を可能としている。
【００７８】
複数（ｎ＋１本）のデータ線６ａｂはデータ線駆動回路（図示省略）に接続されており、データ線駆動回路から第１電位Ｘ１〜Ｘｎ＋１が各々供給される。
【００７９】
複数（ｍ＋１）の第１走査線３ａおよび第２走査線３ｂは走査線駆動回路（図示省略）に接続されており、第１走査線３ａには走査線駆動回路から走査信号Ｙ１ａ，Ｙ２ａ，…，Ｙｍａ，Ｙｍ＋１ａが、パルス的に線順次で印加される。同じく第２走査線３ｂには走査線駆動回路から走査信号Ｙ１ｂ，Ｙ２ｂ，…，Ｙｍｂ，Ｙｍ＋１ｂが、パルス的に線順次で印加される（図８参照）。ｉ（ｉは１≦ｉ≦ｍの自然数）行、ｊ（ｊは１≦ｊ≦ｎの自然数）列の画素回路Ｐ２（ｉ，ｊ）は、ｉ行の第１走査線３ａの走査信号Ｙｉａまたは第２走査線３ｂの走査信号Ｙｉｂがアクティブになると、データ線６ａｂを介して供給される第１電位Ｘｊを取り込む。このとき、例えば隣り合う画素７間で共有するデータ線６ａｂに固定電位が供給され、他のデータ線６ａｂに画像データの階調に応じた電位が供給されると、第１電極１９と第２電極９とに異なる電位が与えられて交流駆動が実現される。
【００８０】
次に図１０を参照して、第２実施形態の液晶装置２００における画素７の構成について説明する。図１０（ａ）に示すように、第２実施形態の画素７は、第１実施形態と同様に、長手方向がデータ線６ａｂに沿った略矩形状の第１電極１９と、第１電極１９に重ねて配置され、複数の帯状電極部９ａおよび複数のスリット９ｂを有する第２電極９とを備えている。
第１電極１９および第２電極９は、短手方向においてデータ線６ａｂと重なるように配置され、複数のデータ線６ａｂと複数の走査線３とにより平面的に区分された領域にマトリックス状に配置されている。
【００８１】
図１０（ｂ）に示すように、第１走査線３ａと第２走査線３ｂは延在方向における隣り合う画素７において交互に幅が広がった拡幅部を有する。言い換えると１つの画素７では第１走査線３ａと第２走査線３ｂのいずれか一方が拡幅部を有する。同じ列の画素７は第１走査線３ａと第２走査線３ｂとのうち同じ方側に拡幅部を有する。
【００８２】
例えば、図面上の左側の画素列では、第２走査線３ｂが拡幅部を有し、右側の画素列では第１走査線３ａが拡幅部を有する。
【００８３】
左側の画素列のＴＦＴ１１の半導体層１１ａは平面視で第２走査線３ｂと交わっており、画素７側に折れ曲がった形状となっている。一方の端であるソース側はデータ線６ａｂと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ１５を介してデータ線６ａｂと接続している。他方の端であるドレイン側は第１電極１９およびその拡張部１９ｄと重なっており、該拡張部１９ｄに設けられた２つのコンタクトホールＣｎ１６，Ｃｎ１７を介して第１電極１９と接続している。
【００８４】
ＴＦＴ１２も同様であって、平面視で第２走査線３ｂと交わり画素７側に折れ曲がった形状の半導体層１２ａを有する。半導体層１２ａの一方の端であるソース側はデータ線６ａｂと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ１８を介してデータ線６ａｂと接続している。他方の端であるドレイン側は第２電極９およびその拡張部９ｄと重なっており、該拡張部９ｄに設けられた２つのコンタクトホールＣｎ１９，Ｃｎ２０を介して第２電極９と接続している。
【００８５】
前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）の拡幅部に重なるようにして後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａと第２保持容量１４の他方の電極１４ａとが設けられている。他方の電極１３ａおよび他方の電極１４ａは、同じ平面積を有するＬ字状であって線対称に配置されている。
【００８６】
前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）の延在方向において、後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａは、前段画素のＴＦＴ１２側に配置されている。また、後段画素の第２保持容量１４の他方の電極１４ａは、前段画素のＴＦＴ１１側に配置されている。
【００８７】
後段画素の第１電極１９は、前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）の拡幅部側に張り出した引き回し配線部１９ｃを有する。同じく、後段画素の第２電極９は、前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）の拡幅部側に張り出した引き回し配線部９ｃを有する。
【００８８】
後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａと、同じく後段画素の第１電極１９の引き回し配線部１９ｃとは、前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）の拡幅部に重なるように設けられたコンタクトホールＣｎ１４と、該拡幅部から第１走査線３ａ側に外れた位置に設けられたコンタクトホールＣｎ１２とを介して接続している。
後段画素の第２保持容量１４の他方の電極１４ａと、同じく後段画素の第２電極９の引き回し配線部９ｃとは、前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）の拡幅部に重なるように設けられたコンタクトホールＣｎ１３と、該拡幅部から第１走査線３ａ側に外れた位置に設けられたコンタクトホールＣｎ１１とを介して接続している。
【００８９】
画素７ごとに設けられた、これら１０個のコンタクトホールＣｎ１１〜Ｃｎ２０は、前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）に沿った位置に配置されている。また、第１電極１９に纏わるコンタクトホールＣｎ１２，Ｃｎ１４，Ｃｎ１６，Ｃｎ１７と、第２電極９に纏わるコンタクトホールＣｎ１１，Ｃｎ１３，Ｃｎ１９，Ｃｎ２０とがデータ線６ａｂと平行な軸に対して線対称に配置されている。
【００９０】
もう一方の第１走査線３ａはコンタクトホールＣｎ１１，Ｃｎ１２，Ｃｎ１６，Ｃｎ１９を避けるようにして、前段画素の第１電極１９（第２電極９）における長手方向の端部に重なるように画素領域内において屈曲している。
【００９１】
右側の画素列のＴＦＴ１１の半導体層１１ａは平面視で第１走査線３ａと交わっており、画素７側に折れ曲がった形状となっている。一方の端であるソース側はデータ線６ａｂと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ２５を介してデータ線６ａｂと接続している。他方の端であるドレイン側は第１電極１９の拡張部１９ｄに設けられたコンタクトホールＣｎ２７と、これに繋がるコンタクトホールＣｎ２６とを介して第１電極１９と接続している。
【００９２】
ＴＦＴ１２も同様であって、平面視で第１走査線３ａと交わり画素７側に折れ曲がった形状の半導体層１２ａを有する。半導体層１２ａの一方の端であるソース側はデータ線６ａｂと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ２８を介してデータ線６ａｂと接続している。他方の端であるドレイン側は第２電極９の拡張部９ｄに設けられたコンタクトホールＣｎ３０と、これに繋がるコンタクトホールＣｎ２９とを介して第２電極９と接続している。
【００９３】
前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）の拡幅部に重なるようにして後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａと第２保持容量１４の他方の電極１４ａとが設けられている。他方の電極１３ａおよび他方の電極１４ａは、同じ平面積を有するＬ字状であって線対称に配置されている。
【００９４】
前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）の延在方向において、後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａは、前段画素のＴＦＴ１２側に配置されている。また、後段画素の第２保持容量１４の他方の電極１４ａは、前段画素のＴＦＴ１１側に配置されている。
【００９５】
後段画素の第１電極１９は、前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）の拡幅部側に張り出した引き回し配線部１９ｃを有する。同じく、後段画素の第２電極９は、前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）の拡幅部側に張り出した引き回し配線部９ｃを有する。
【００９６】
後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａと、同じく後段画素の第１電極１９の引き回し配線部１９ｃとは、前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）の拡幅部に重なるように設けられたコンタクトホールＣｎ２４と、該拡幅部から第２走査線３ｂ側に外れた位置に設けられたコンタクトホールＣｎ２２とを介して接続している。
後段画素の第２保持容量１４の他方の電極１４ａと、同じく後段画素の第２電極９の引き回し配線部９ｃとは、前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）の拡幅部に重なるように設けられたコンタクトホールＣｎ２３と、該拡幅部から第２走査線３ｂ側に外れた位置に設けられたコンタクトホールＣｎ２１とを介して接続している。
【００９７】
画素７ごとに設けられた、これら１０個のコンタクトホールＣｎ２１〜Ｃｎ３０は、前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）に沿った位置に配置されている。また、第１電極１９に纏わるコンタクトホールＣｎ２２，Ｃｎ２４，Ｃｎ２６，Ｃｎ２７と、第２電極９に纏わるコンタクトホールＣｎ２１，Ｃｎ２３，Ｃｎ２９，Ｃｎ３０とがデータ線６ａｂと平行な軸に対して線対称に配置されている。
【００９８】
もう一方の第２走査線３ｂはコンタクトホールＣｎ２１，Ｃｎ２２，Ｃｎ２６，Ｃｎ２９を避けるようにして、後段画素の第１電極１９（第２電極９）における長手方向の端部に重なるように画素領域内において屈曲している。
【００９９】
このようなコンタクトホールＣｎ１１〜Ｃｎ２０およびコンタクトホールＣｎ２１〜Ｃｎ３０において、左側の画素列におけるＤ−Ｄ’線で切った接続構造および右側の画素列におけるＥ−Ｅ’線で切った接続構造は、図７に示した第１実施形態の接続構造と基本的に同じである。
【０１００】
上記第２実施形態は、上記第１実施形態の効果（１）〜（４）に加えて以下の効果を奏する。
【０１０１】
（１）第２実施形態の液晶装置２００は、第１走査線３ａと第２走査線３ｂの延在方向に配置された隣り合う画素７間において、データ線６ａｂを共有している。したがって、第１実施形態の液晶装置１００に比べて、表示領域ＡＲの面積が同じならば矩形状の画素７における短手方向に長さ（開口部の幅）をより長くすることができる。走査線の数が増えたとしても長手方向に比べて短手方向の長さを長くする方が、画素７の開口率をさらに向上させることができる。
【０１０２】
（２）第１走査線３ａと第２走査線３ｂの延在方向に配置された隣り合う画素７間において、第１走査線３ａと第２走査線３ｂとが交互に拡幅部を有し、該拡幅部を一方の電極として利用して、後段画素の第１保持容量１３と第２保持容量１４とが構成されている。つまり、２つの保持容量が第１走査線３ａまたは第２走査線３ｂに偏ることなく均等に設けられている。したがって、２つの保持容量の配置に起因するクロストークなどの発生が低減されている。
【０１０３】
（第３実施形態）
次に第３実施形態の液晶装置について、図１１および図１２を参照して説明する。図１１（ａ）は第３実施形態の液晶装置の画素の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は画素の要部拡大図、図１２は図１１（ｂ）のＦ−Ｆ’線で切った概略断面図である。
第３実施形態の液晶装置は、上記第１実施形態の液晶装置１００に対して走査線３に対するコンタクトホールの配置を異ならせたものである。したがって、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。
【０１０４】
図１１（ａ）に示すように、本実施形態の液晶装置３００における画素７は、長手方向が第１データ線６ａ（第２データ線６ｂ）に沿った略矩形状の第１電極１９と、第１電極１９に重ねて配置された複数の帯状電極部９ａとスリット９ｂとを有する第２電極９とを備えている。
第１電極１９および第２電極９は、短手方向において第１データ線６ａと第２データ線６ｂとに重なるように配置され、複数のデータ線６と複数の走査線３とにより平面的に区分された領域にマトリックス状に配置されている。
【０１０５】
図１１（ｂ）に示すように、ＴＦＴ１１は、第１データ線６ａと走査線３との交差点付近に設けられ、平面視で走査線３と交わり画素７側に折れ曲がった形状の半導体層１１ａを有する。半導体層１１ａの一方の端であるソース側は第１データ線６ａと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ３５を介して第１データ線６ａと接続している。他方の端であるドレイン側は第１電極１９の拡張部１９ｄと重なっており、該拡張部１９ｄに設けられた２つのコンタクトホールＣｎ３６，Ｃｎ３７を介して第１電極１９と接続している。
【０１０６】
ＴＦＴ１２も同様であって、第２データ線６ｂと走査線３との交差点付近に設けられ、平面視で走査線３と交わり画素７側に折れ曲がった形状の半導体層１２ａを有する。半導体層１２ａの一方の端であるソース側は第２データ線６ｂと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ３８を介して第２データ線６ｂと接続している。他方の端であるドレイン側は第２電極９の拡張部９ｄと重なっており、該拡張部９ｄに設けられた２つのコンタクトホールＣｎ３９，Ｃｎ４０を介して第２電極９と接続している。
【０１０７】
走査線３は、第１データ線６ａと第２データ線６ｂとの間においてその幅が広くなった拡幅部を有する。該拡幅部に重なるようにして後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａと、同じく後段画素の第２保持容量１４の他方の電極１４ａとが設けられている。他方の電極１３ａおよび他方の電極１４ａは、同じ平面積を有するＬ字状であって線対称に配置されている。
【０１０８】
前段画素における前段走査線３Ｆの延在方向において、後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａは、前段画素のＴＦＴ１２側に配置されている。また、後段画素の第２保持容量１４の他方の電極１４ａは、前段画素のＴＦＴ１１側に配置されている。
【０１０９】
後段画素の第１電極１９は、前段走査線３Ｆ側に張り出した引き回し配線部１９ｃを有する。同じく、後段画素の第２電極９は、前段走査線３Ｆ側に張り出した引き回し配線部９ｃを有する。
【０１１０】
後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａと、同じく後段画素の第１電極１９の引き回し配線部１９ｃとは、前段走査線３Ｆの拡幅部から外れて配置され、引き回し配線部１９ｃと重なるように設けられた２つのコンタクトホールＣｎ３２，Ｃｎ３４を介して接続している。
後段画素の第２保持容量１４の他方の電極１４ａと、同じく後段画素の第２電極９の引き回し配線部９ｃとは、前段走査線３Ｆの拡幅部から外れて配置され、引き回し配線部９ｃと重なるように設けられたコンタクトホールＣｎ３１，Ｃｎ３３を介して接続している。
【０１１１】
画素７ごとに設けられた、これら１０個のコンタクトホールＣｎ３１〜Ｃｎ４０のうち、第１電極１９および第２電極９に纏わるコンタクトホールＣｎ３１，Ｃｎ３２，Ｃｎ３３，Ｃｎ３４，Ｃｎ３６，Ｃｎ３７，Ｃｎ３９，Ｃｎ４０は、走査線３に沿った位置に配置されている。また、第１データ線６ａ（第２データ線６ｂ）と平行な軸に対して線対称に配置されている。
【０１１２】
前段画素の走査線３Ｆを挟んで上側には、左から前段画素の第１電極１９の拡張部１９ｄと、前段画素の第２電極９の拡張部９ｄとが配置され、下側には左から後段画素の第２電極９の引き回し配線部９ｃと、後段画素の第１電極１９の引き回し配線部１９ｃとが配置されている。つまり、前段画素と後段画素とにおいて同一形成面上に設けられる電極同士が極力離れるように配置されている。
【０１１３】
図１２に示すように、素子基板１０の絶縁膜１０ａ上に設けられた後段画素の第１保持容量１３および第２保持容量１４の他方の電極１３ａ，１４ａに対して、ゲート絶縁膜１０ｂを介して重なるように前段走査線３Ｆ（走査線３）が設けられている。
【０１１４】
前段走査線３Ｆ（走査線３）を覆う第１層間絶縁膜１０ｃの前段走査線３Ｆ（走査線３）を外れ他方の電極１３ａ，１４ａと重なる位置に、コンタクトホールＣｎ３２および接続部１３ｂ、コンタクトホールＣｎ３１および接続部１４ｂがそれぞれ設けられている。さらに、これらを覆う保護絶縁膜１０ｄと第２層間絶縁膜１０ｅの接続部１３ｂ，１４ｂと重なる位置にコンタクトホールＣｎ３４，Ｃｎ３３が設けられている。
【０１１５】
第２層間絶縁膜１０ｅ上に設けられた後段画素の第１電極１９の引き回し配線部１９ｃはコンタクトホールＣｎ３４を埋めるように形成され、接続部１３ｂおよびコンタクトホールＣｎ３２を経由して電気的に他方の電極１３ａと繋がっている。
【０１１６】
第３層間絶縁膜１０ｆ上に設けられた後段画素の第２電極９の引き回し配線部９ｃはコンタクトホールＣｎ３３を埋めるように形成され、接続部１４ｂおよびコンタクトホールＣｎ３１を経由して電気的に他方の電極１４ａと繋がっている。
【０１１７】
これらのコンタクトホールＣｎ３３，Ｃｎ３４および接続部１３ｂ，１４ｂは前段走査線３Ｆ（走査線３）と平面的（断面的）に重なっていないので、前段走査線３Ｆ（走査線３）との寄生容量が生じない。
【０１１８】
上記第３実施形態の効果は、以下の通りである。
【０１１９】
（１）第３実施形態の液晶装置３００は、前段走査線３Ｆを一方の電極として利用し、これに他方の電極１３ａ，１４ａを対向配置させて、後段画素の第１保持容量１３および第２保持容量１４とする。加えて後段画素の第１電極１９は他方の電極１３ａに繋がるコンタクトホールＣｎ３４と重なる引き回し配線部１９ｃを有している。同様に、後段画素の第２電極９は他方の電極１４ａに繋がるコンタクトホールＣｎ３３と重なる引き回し配線部９ｃを有している。
したがって、図１７に示した従来の電気光学装置における画素の構成に対して、定電位線３５が削除され、対向基板２０の遮光膜６１によって実質的に遮光される走査線３に沿って配置された引き回し配線部９ｃ，１９ｃに重なる位置にコンタクトホールＣｎ３３，Ｃｎ３４が設けられているので、画素７の実質的な開口率を向上させることができる。すなわち、画素７の高透過率化が図られより明るい表示が可能な液晶装置３００を提供できる。言い換えれば、従来と同じ開口率とするならば画素７の高精細化を図ることができる。
【０１２０】
（２）一方の電極としての走査線３に対して同じ平面積の他方の電極１３ａ，１４ａがゲート絶縁膜１０ｂを介して対向配置されており、走査線３と重なった部分の面積が等しいので、第１保持容量１３と第２保持容量１４とが同じ電気容量を有する。また、コンタクトホールＣｎ３３，Ｃｎ３４が走査線３と平面的に重なっていないので、上記第１実施形態の液晶装置１００に比べて走査線３に纏わる寄生容量を低減できる。それゆえに、液晶層５０の交流駆動における電位の書き込み時のタイミングマージンが増大し、高速駆動、高精細化に対応可能になると共に、焼き付きやフリッカーおよびクロストークが低減され見栄えのよい液晶装置３００を提供することができる。
【０１２１】
（３）コンタクトホールＣｎ３３，Ｃｎ３４の直下の接続部１４ｂ，１３ｂが平面的（断面的）に走査線３と重なっていないので、接続部１４ｂ，１３ｂと走査線３との間で異物等による第１層間絶縁膜１０ｃの破壊が生じ難い。すなわち、製造上高い歩留まりを実現できる。
【０１２２】
（４）また、コンタクトホールＣｎ３３，Ｃｎ３４と走査線３とが平面的（断面的）に重なっていないので、素子基板１０における走査線３付近の表面平坦性が上記第１実施形態に比べて向上する。したがって、ラビングなどの配向処理において表面の凹凸の影響を受け難くなるので、安定した液晶分子の配向状態が得られる。つまり、表面の凹凸に起因する配向不良が低減され、安定したコントラストが得られる。
【０１２３】
（第４実施形態）
次に第４実施形態の液晶装置について、図１３および図１４を参照して説明する。図１３（ａ）は第４実施形態の液晶装置の画素の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は画素の要部拡大図、図１４は図１３（ｂ）のＧ−Ｇ’線で切った概略断面図である。
第４実施形態の液晶装置は、上記第２実施形態の液晶装置２００に対して走査線３に対するコンタクトホールの配置を異ならせたものである。したがって、第２実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。
【０１２４】
図１３（ａ）に示すように、本実施形態の液晶装置４００の画素７は、矩形状の第１電極１９と、第１電極１９に重ねられ、複数の帯状電極部９ａと複数のスリット９ｂとを有する第２電極９とを備えている。また、第１電極１９および第２電極９は、短手方向においてデータ線６ａｂと重なるように配置され、複数のデータ線６ａｂと複数の走査線３とにより平面的に区分された領域にマトリックス状に配置されている。
【０１２５】
図１３（ｂ）に示すように、第１走査線３ａと第２走査線３ｂは延在方向における隣り合う画素７において交互に幅が広がった拡幅部を有する。言い換えると１つの画素７では第１走査線３ａと第２走査線３ｂのいずれか一方が拡幅部を有する。同じ列の画素７は第１走査線３ａと第２走査線３ｂとのうち同じ方側に拡幅部を有する。
【０１２６】
例えば、図面上の左側の画素列では、第２走査線３ｂが拡幅部を有し、右側の画素列では第１走査線３ａが拡幅部を有する。
【０１２７】
左側の画素列のＴＦＴ１１の半導体層１１ａは、平面視で第２走査線３ｂと交わり画素７側に折れ曲がった形状となっている。一方の端であるソース側はデータ線６ａｂと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ５５を介してデータ線６ａｂと接続している。他方の端であるドレイン側は第１電極１９の拡張部１９ｄと重なっており、該拡張部１９ｄに設けられたコンタクトホールＣｎ５７とこれに繋がるコンタクトホールＣｎ５６とを介して第１電極１９と接続している。
【０１２８】
ＴＦＴ１２も同様であって、平面視で第２走査線３ｂと交わり画素７側に折れ曲がった形状の半導体層１２ａを有する。半導体層１２ａの一方の端であるソース側はデータ線６ａｂと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ５８を介してデータ線６ａｂと接続している。他方の端であるドレイン側は第２電極９の拡張部９ｄと重なっており、該拡張部９ｄに設けられたコンタクトホールＣｎ６０とこれに繋がるコンタクトホールＣｎ５９とを介して第２電極９と接続している。
【０１２９】
前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）の拡幅部に重なるようにして後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａと第２保持容量１４の他方の電極１４ａとが設けられている。他方の電極１３ａおよび他方の電極１４ａは、同じ平面積を有するＬ字状であって線対称に配置されている。
【０１３０】
前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）の延在方向において、後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａは、前段画素のＴＦＴ１２側に配置されている。また、後段画素の第２保持容量１４の他方の電極１４ａは、前段画素のＴＦＴ１１側に配置されている。
【０１３１】
後段画素の第１電極１９は、前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）に重なるように配置され、もう１本の前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）側に張り出した引き回し配線部１９ｃを有する。同じく、後段画素の第２電極９は、前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）に重なるように配置され、もう１本の前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）側に張り出した引き回し配線部９ｃを有する。
【０１３２】
後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａと、同じく後段画素の第１電極１９の引き回し配線部１９ｃとは、前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）と前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）との間で引き回し配線部１９ｃと重なるように設けられた２つのコンタクトホールＣｎ５２，Ｃｎ５４とを介して接続している。
後段画素の第２保持容量１４の他方の電極１４ａと、同じく後段画素の第２電極９の引き回し配線部９ｃとは、前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）と前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）との間で引き回し配線部９ｃと重なるように設けられた２つのコンタクトホールＣｎ５１，Ｃｎ５３とを介して接続している。
【０１３３】
これら１０個のコンタクトホールＣｎ５１〜Ｃｎ６０のうち、前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）と前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）との間に設けられたコンタクトホールホールＣｎ５１，Ｃｎ５３，Ｃｎ５６，Ｃｎ５７と、コンタクトホールＣｎ５２，Ｃｎ５４，Ｃｎ５９，Ｃｎ６０とは、データ線６ａｂと平行な軸に対して線対称に配置されている。
【０１３４】
もう一方の第１走査線３ａはこれら８つのコンタクトホールＣｎ５１，Ｃｎ５２，Ｃｎ５３，Ｃｎ５４，Ｃｎ５６，Ｃｎ５７，Ｃｎ５９，Ｃｎ６０を避けるようにして、前段画素の第１電極１９（第２電極９）における長手方向の端部に重なるように画素領域内において屈曲している。
【０１３５】
右側の画素列のＴＦＴ１１の半導体層１１ａは、平面視で第１走査線３ａと交わり画素７側に折れ曲がった形状となっている。一方の端であるソース側はデータ線６ａｂと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ４５を介してデータ線６ａｂと接続している。他方の端であるドレイン側は第１電極１９の拡張部１９ｄと重なっており、該拡張部１９ｄに設けられたコンタクトホールＣｎ４６とこれに繋がるコンタクトホールＣｎ４７とを介して第１電極１９と接続している。
【０１３６】
ＴＦＴ１２も同様であって、平面視で第１走査線３ａと交わり画素７側に折れ曲がった形状の半導体層１２ａを有する。半導体層１２ａの一方の端であるソース側はデータ線６ａｂと重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールＣｎ４８を介してデータ線６ａｂと接続している。他方の端であるドレイン側は第２電極９の拡張部９ｄと重なっており、該拡張部９ｄに設けられたコンタクトホールＣｎ４９とこれに繋がるコンタクトホールＣｎ５０とを介して第２電極９と接続している。
【０１３７】
前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）の拡幅部に重なるようにして後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａと第２保持容量１４の他方の電極１４ａとが設けられている。他方の電極１３ａおよび他方の電極１４ａは、同じ平面積を有するＬ字状であって線対称に配置されている。
【０１３８】
前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）の延在方向において、後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａは、前段画素のＴＦＴ１２側に配置されている。また、後段画素の第２保持容量１４の他方の電極１４ａは、前段画素のＴＦＴ１１側に配置されている。
【０１３９】
後段画素の第１電極１９は、前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）の拡幅部側に張り出した引き回し配線部１９ｃを有する。同じく、後段画素の第２電極９は、前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）の拡幅部側に張り出した引き回し配線部９ｃを有する。
【０１４０】
後段画素の第１保持容量１３の他方の電極１３ａと、同じく後段画素の第１電極１９の引き回し配線部１９ｃとは、前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）と前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）との間で引き回し配線部１９ｃと重なるように設けられたコンタクトホールＣｎ４４とこれに繋がるコンタクトホールＣｎ４２とを介して接続している。
後段画素の第２保持容量１４の他方の電極１４ａと、同じく後段画素の第２電極９の引き回し配線部９ｃとは、前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）と前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）との間で引き回し配線部９ｃと重なるように設けられたコンタクトホールＣｎ４３とこれに繋がるコンタクトホールＣｎ４１とを介して接続している。
【０１４１】
これら１０個のコンタクトホールＣｎ４１〜Ｃｎ５０のうち、前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）と前段走査線３Ｆｂ（第２走査線３ｂ）との間に設けられたコンタクトホールホールＣｎ４１，Ｃｎ４３，Ｃｎ４６，Ｃｎ４７と、コンタクトホールＣｎ４２，Ｃｎ４４，Ｃｎ４９，Ｃｎ５０とは、データ線６ａｂと平行な軸に対して線対称に配置されている。
【０１４２】
もう一方の第２走査線３ｂはこれら８つのコンタクトホールＣｎ４１，Ｃｎ４２，Ｃｎ４３，Ｃｎ４４，Ｃｎ４６，Ｃｎ４７，Ｃｎ４９，Ｃｎ５０を避けるようにして、後段画素の第１電極１９（第２電極９）における長手方向の端部に重なるように画素領域内において屈曲している。
【０１４３】
図１４に示すように、素子基板１０の絶縁膜１０ａ上に設けられた後段画素の第１保持容量１３および第２保持容量１４の他方の電極１３ａ，１４ａに対して、ゲート絶縁膜１０ｂを介して重なるように前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）が設けられている。
【０１４４】
前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）を覆う第１層間絶縁膜１０ｃの前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）を外れ他方の電極１３ａ，１４ａと重なる位置に、コンタクトホールＣｎ４２および接続部１３ｂ、コンタクトホールＣｎ４１および接続部１４ｂがそれぞれ設けられている。さらに、これらを覆う保護絶縁膜１０ｄと第２層間絶縁膜１０ｅの接続部１３ｂ，１４ｂと重なる位置にコンタクトホールＣｎ４４，Ｃｎ４３が設けられている。
【０１４５】
第２層間絶縁膜１０ｅ上に設けられた後段画素の第１電極１９の引き回し配線部１９ｃはコンタクトホールＣｎ４４を埋めるように形成され、接続部１３ｂおよびコンタクトホールＣｎ４２を経由して電気的に他方の電極１３ａと繋がっている。
【０１４６】
第３層間絶縁膜１０ｆ上に設けられた後段画素の第２電極９の引き回し配線部９ｃはコンタクトホールＣｎ４３を埋めるように形成され、接続部１４ｂおよびコンタクトホールＣｎ４１を経由して電気的に他方の電極１４ａと繋がっている。
【０１４７】
これらのコンタクトホールＣｎ４３，Ｃｎ４４および接続部１３ｂ，１４ｂは前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）と平面的（断面的）に重なっていないので、前段走査線３Ｆａ（第１走査線３ａ）との寄生容量が生じない。なお、このような接続構造は、左側の画素列においても同様である。
【０１４８】
上記第４実施形態の効果は、上記第３実施形態の効果に加えて以下の効果を奏する。
【０１４９】
（１）第４実施形態の液晶装置４００は、第１走査線３ａと第２走査線３ｂの延在方向に配置された隣り合う画素７間において、データ線６ａｂを共有している。したがって、第３実施形態の液晶装置３００に比べて、表示領域ＡＲの面積が同じならば矩形状の画素７における短手方向に長さ（開口部の幅）をより長くすることができる。走査線の数が増えたとしても長手方向に比べて短手方向の長さを長くする方が、画素７の開口率をさらに向上させることができる。
【０１５０】
（２）第１走査線３ａと第２走査線３ｂの延在方向に配置された隣り合う画素７間において、第１走査線３ａと第２走査線３ｂとが交互に拡幅部を有し、該拡幅部を一方の電極として利用して、後段画素の第１保持容量１３と第２保持容量１４とが構成されている。つまり、２つの保持容量が第１走査線３ａまたは第２走査線３ｂに偏ることなく均等に設けられている。したがって、２つの保持容量の配置に起因するクロストークなどの発生が低減されている。
【０１５１】
（３）図１３（ａ）に示すように、走査線３は画素領域において平面的に第１電極１９（第２電極９）と重なっている。したがって、第１電極１９（第２電極９）によるシールド効果で、走査線３の電位変動に伴う電界の影響が液晶層５０に影響を及ぼし難くなる。その結果、高透過率化、高コントラスト化を図ることができる。
【０１５２】
（第５実施形態）
＜電子機器＞
次に本実施形態の電子機器について、図１５を参照して説明する。図１５は電子機器としての携帯型情報端末を示す概略斜視図である。
【０１５３】
図１５に示すように、本実施形態の電子機器としての携帯型情報端末１０００は、各種の操作入力を行う複数のボタン（スイッチ）１００２，１００３や表示部１００４を有する本体１００１を備えている。本体１００１は、ほぼ手のひらに収まる外形サイズとなっている。これらのボタン(スイッチ)１００２，１００３を操作すると、例えば住所録やスケジュール帳あるいは画像といった各種の情報が表示部１００４に表示される。
【０１５４】
表示部１００４には、上記実施形態の液晶装置１００，２００，３００，４００のいずれかと、これを照明する照明装置（バックライト)が組み込まれている。したがって、焼き付きやフリッカーおよびクロストークが低減され、明るく見栄えがよい携帯型情報端末１０００が実現されている。また、従来よりも画素７の開口率が向上しているので、照明装置の輝度を抑えることができ、その結果、低消費電力となっている。
【０１５５】
なお、上記実施形態の液晶装置１００，２００，３００，４００のいずれかを搭載可能な電子機器は、携帯型情報端末１０００に限定されない。例えば、パーソナルコンピューター、携帯型電話機、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型またはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として適用可能である。
【０１５６】
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１５７】
（変形例１）上記第１実施形態における画素回路Ｐ１の構成は、これに限定されない。図１６は変形例の画素回路の等価回路図である。例えば、図１６に示すように、後段画素の第１保持容量１３を前段画素のＴＦＴ１１側に配置し、後段画素の第２保持容量１４を前段画素のＴＦＴ１２側に配置してもよい。これによれば、液晶層５０を交流駆動するための電位を与える第１電極１９および第２電極９のそれぞれに接続される薄膜トランジスターや保持容量を第１データ線６ａ（第２データ線６ｂ）に平行な軸に対して線対称に配置できる。
【０１５８】
（変形例２）上記実施形態におけるＦＦＳモードの第１電極１９および第２電極９の構成は、これに限定されない。例えば、第２電極９における帯状電極９ａ（スリット９ｂ）の数は、任意に設定可能である。また、第２電極９の複数の帯状電極部９ａ（スリット９ｂ）を途中で折り曲げることにより、視角特性を改善した２ドメイン方式としてもよい。
【符号の説明】
【０１５９】
３…走査線、３ａ…第１走査線、３ｂ…第２走査線、３Ｆ，３Ｆａ，３Ｆｂ…前段走査線、３Ｌ…後段走査線、６ａ…第１データ線、６ａｂ…データ線、６ｂ…第２データ線、７Ｆ…前段画素、７Ｌ…後段画素、９…第２電極、９ｃ…第２電極の引き回し配線部、１０…一方の基板としての素子基板、１１…第１スイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、１２…第２スイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、１３…第１保持容量、１３ａ…他方の電極、１４…第２保持容量、１４ａ…他方の電極、１９…第１電極、１９ｃ…第１電極の引き回し配線部、５０…液晶層、１００，２００，３００，４００…液晶装置、１０００…電子機器としての携帯型情報端末、Ｃｎ１〜Ｃｎ６０…コンタクトホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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