【事件の表示】
　特願２０１３−１９９７７８「基板上に磁性材料の層を形成する方法および基板と基板上に磁性材料の層とを備える物」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　４月２１日出願公開、特開２０１４−　７２５３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２５年９月２６日（パリ条約による優先権主張　２０１２年９月２８日　米国（ＵＳ））に出願したものであって、手続の概要は以下のとおりである。
　手続補正　　　　　　　　　：平成２５年１０月２８日
　拒絶理由通知　　　　　　　：平成２６年　８月２９日（起案日）
　意見書　　　　　　　　　　：平成２６年１２月２２日
　手続補正　　　　　　　　　：平成２６年１２月２２日
　拒絶査定　　　　　　　　　：平成２７年　７月２４日（起案日）
　拒絶査定不服審判請求　　　：平成２７年１１月２７日
　手続補正　　　　　　　　　：平成２７年１１月２７日
　理由補充　　　　　　　　　：平成２８年　１月１４日
　上申書　　　　　　　　　　：平成２８年　８月２３日
２．本願発明
　本願の請求項１ないし１３に係る発明は、平成２７年１１月２７日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「　【請求項１】
　基板上に磁性材料の層を形成する方法であって、
　チャンバ内に基板を配置するステップと、
　基板温度で前記基板の温度を制御するステップとを含み、前記基板温度は２５０℃以下であり、前記方法はさらに、
　前記チャンバ内に１以上の前駆体を導入するステップを含み、前記１以上の前駆体は、Ｆｅ（ＣＯ）５、Ｃｏ２（ＣＯ）８、およびこれらの組合せから選択され、
　前記前駆体は前記基板温度で化学分解し、
　磁性材料の層は前記基板上に形成され、前記磁性材料は、前記１以上の前駆体の少なくとも一部を含み、前記磁性材料は、ＣｏＦｅｘ（式中、ｘは、０より大きく１００より小さい範囲であり得る）を含有し、前記磁性材料は、少なくとも１テスラ（Ｔ）の磁束密度を有する、方法。」
　なお、請求項１は、補正前の請求項１を引用する請求項４を、他の請求項の記載を引用しない独立形式としたものである。
３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６３−５０４７４号公報（昭和６３年３月３日公開、以下「引用例」という。）には、図面と共に、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
（１）「本発明は、磁気記録媒体としての磁性薄膜の形成方法に係り、特に
低温で形成可能な磁性薄膜の形成方法
（２）「本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、基板に損傷を与えることなく、従来技術の場合より早い速度で膜質の良い磁性薄膜を形成することのできる磁性薄膜の形成方法を提供することにある。」（２頁右上欄６〜１０行）
（３）「本発明によれば、前記目的は、
磁性金属元素を含む化合物をガス状で反応容器内に供給し、該ガスを紫外域の光エネルギーを利用して分解反応させ、所望の温度に保たれた基板上に磁性薄膜を形成させる
（４）「
磁性薄膜形成に使用される金属元素としては、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅ等があり、多くはＣｏとの組合せで複数の元素から構成される金属化合物である。原料ガスとしては、これらの金属元素を含むカルボニル化合物
が利用できる
このような化合物としては、Ｆｅ（ＣＯ）
５
、Ｃｒ（ＣＯ）
６
、Ｎｉ（ＣＯ）
４
、Ｃｏ
２
（ＣＯ）
８
等がある。これらの化合物は、約３００ｎｍ以下の紫外光を吸収して、熱反応によらず光化学反応によって分解し、金属元素を生成する。この金属元素は、所望の温度に保持された基板上に付着して磁性薄膜を形成する。Ｃｏを含む化合物と他の金属元素を含む化合物から選ばれた化合物との混合ガスを反応容器内に供給し、前記反応を起させた場合には、Ｃｏの金属化合物が基板上に磁性薄膜として形成される。
　上記摘示事項及び図面の記載から以下のことがいえる。
（ａ）引用例には、低温で形成可能な「磁性薄膜の形成方法」が記載されている（摘示事項（１））。
（ｂ）「磁性薄膜の形成方法」は、磁性金属元素を含む化合物をガス状で反応容器内に供給し、該ガスを紫外域の光エネルギーを利用して分解反応させ、所望の温度に保たれた基板上に磁性薄膜を形成させるものである（摘示事項（３））。
（ｃ）磁性薄膜形成に使用される金属元素としては、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅ等があり、多くはＣｏとの組合せで複数の元素から構成される金属化合物である。原料ガスとしては、これらの金属元素を含むＦｅ（ＣＯ）５、Ｃｒ（ＣＯ）６、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｃｏ２（ＣＯ）８等が利用できる。これらの化合物は、約３００ｎｍ以下の紫外光を吸収して、熱反応によらず光化学反応によって分解し、金属元素を生成する。この金属元素は、所望の温度に保持された基板上に付着して磁性薄膜を形成する。Ｃｏを含む化合物と他の金属元素を含む化合物から選ばれた化合物との混合ガスを反応容器内に供給し、前記反応を起させた場合には、Ｃｏの金属化合物が基板上に磁性薄膜として形成される（摘示事項（４））。
　以上を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
「磁性金属元素を含む化合物をガス状で反応容器内に供給し、該ガスを紫外域の光エネルギーを利用して分解反応させ、所望の温度に保たれた基板上に磁性薄膜を形成させる方法であって、
　磁性薄膜形成に使用される金属元素としては、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅがあり、Ｃｏとの組合せで複数の元素から構成される金属化合物であり、
　原料ガスとしては、これらの金属元素を含むＦｅ（ＣＯ）５、Ｃｒ（ＣＯ）６、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｃｏ２（ＣＯ）８が利用でき、
　これらの化合物は、紫外光を吸収して、熱反応によらず光化学反応によって分解して金属元素を生成し、
　この金属元素は、所望の温度に保持された基板上に付着して磁性薄膜を形成する方法。」
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比する。
（１）基板上に磁性材料の層を形成する方法
　引用発明は、基板上に磁性薄膜を形成させる方法であるから、本願発明と引用発明とは、「基板上に磁性材料の層を形成する方法」である点で一致する。
（２）チャンバ内に基板を配置するステップ
　引用発明は、磁性金属元素を含む化合物をガス状で反応容器内に供給し、該ガスを紫外域の光エネルギーを利用して分解反応させ、所望の温度に保たれた基板上に磁性薄膜を形成させる方法であるから、基板は反応容器内に配置される。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「チャンバ内に基板を配置するステップ」を含む点で一致する。
（３）基板温度で基板の温度を制御するステップ
　引用発明は、所望の温度に保たれた基板上に磁性薄膜を形成させる方法であるから、本願発明と引用発明とは、「基板温度で前記基板の温度を制御するステップ」を含む点で一致する。
　もっとも、「基板温度」について、本願発明は、「２５０℃以下」であるのに対し、引用発明は、特定がない点で相違する。
（４）チャンバ内に１以上の前駆体を導入するステップ
　引用発明は、磁性金属元素を含む化合物をガス状で反応容器内に供給するものであるから、本願発明と引用発明とは、「前記チャンバ内に１以上の前駆体を導入するステップ」を含む点で一致する。
　もっとも、「１以上の前駆体」について、本願発明は、「Ｆｅ（ＣＯ）５、Ｃｏ２（ＣＯ）８、およびこれらの組合せから選択され」るのに対し、引用発明は、「Ｆｅ（ＣＯ）５、Ｃｒ（ＣＯ）６、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｃｏ２（ＣＯ）８が利用でき」、「Ｆｅ（ＣＯ）５、Ｃｏ２（ＣＯ）８、およびこれらの組合せ」に特定されない点で相違する。
（５）前駆体は基板温度で化学分解する
　引用発明は、原料ガスが、紫外光を吸収して、熱反応によらず光化学反応によって分解して金属元素を生成し、この金属元素が、所望の温度に保持された基板上に付着して磁性薄膜を形成する方法であるから、原料ガスは、基板が保持される温度において化学分解したといえる。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「前記前駆体は基板温度で化学分解」する点で一致する。
（６）磁性材料の層は基板上に形成される
　引用発明は、基板上に磁性薄膜を形成させる方法であるから、本願発明と引用発明とは、「磁性材料の層は前記基板上に形成され」る点で一致する。
（７）磁性材料は、１以上の前駆体の少なくとも一部を含む
　引用発明は、原料ガスが、分解して金属元素を生成し、この金属元素が、所望の温度に保持された基板上に付着して磁性薄膜を形成する方法であるから、本願発明と引用発明とは、「前記磁性材料は、前記１以上の前駆体の少なくとも一部を含」む点で一致する。
（８）磁性材料は、ＣｏＦｅｘを含有する
　「磁性材料」について、本願発明は、「ＣｏＦｅｘ（式中、ｘは、０より大きく１００より小さい範囲であり得る）を含有」するのに対し、引用発明は、「磁性薄膜形成に使用される金属元素としては、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅがあり、Ｃｏとの組合せで複数の元素から構成される金属化合物であ」って、「ＣｏＦｅｘ」に特定されない点で相違する。
（９）磁性材料は、少なくとも１テスラ（Ｔ）の磁束密度を有する
　「磁性材料の磁束密度」について、本願発明は、「少なくとも１テスラ（Ｔ）」であるのに対し、引用発明は、特定がない点で相違する。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
「基板上に磁性材料の層を形成する方法であって、
　チャンバ内に基板を配置するステップと、
　基板温度で前記基板の温度を制御するステップとを含み、前記方法はさらに、
　前記チャンバ内に１以上の前駆体を導入するステップを含み、
　前記前駆体は前記基板温度で化学分解し、
　磁性材料の層は前記基板上に形成され、前記磁性材料は、前記１以上の前駆体の少なくとも一部を含む方法。」の点。
　そして、次の点で相違する。
＜相違点＞
（１）「基板温度」について、本願発明は、「２５０℃以下」であるのに対し、引用発明は、特定がない点。
（２）「１以上の前駆体」について、本願発明は、「Ｆｅ（ＣＯ）５、Ｃｏ２（ＣＯ）８、およびこれらの組合せから選択され」るのに対し、引用発明は、「Ｆｅ（ＣＯ）５、Ｃｒ（ＣＯ）６、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｃｏ２（ＣＯ）８が利用でき」、「Ｆｅ（ＣＯ）５、Ｃｏ２（ＣＯ）８、およびこれらの組合せ」に特定されない点。
（３）「磁性材料」について、本願発明は、「ＣｏＦｅｘ（式中、ｘは、０より大きく１００より小さい範囲であり得る）を含有」するのに対し、引用発明は、「磁性薄膜形成に使用される金属元素としては、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅがあり、Ｃｏとの組合せで複数の元素から構成される金属化合物であ」って、「ＣｏＦｅｘ」に特定されない点。
（４）「磁性材料の磁束密度」について、本願発明は、「少なくとも１テスラ（Ｔ）」であるのに対し、引用発明は、特定がない点。
５．判断
　そこで、上記相違点について検討する。
相違点（２）、（３）について
　磁気記録媒体としての磁性薄膜に用いる磁性材料としてＣｏＦｅは周知である（例えば、特開２００７−１７９７２２号公報の【００２６】参照）から、引用発明において、Ｃｏと組み合わせる元素として、Ｆｅを選択し、原料ガスとして、これらの金属元素を含むＦｅ（ＣＯ）５とＣｏ２（ＣＯ）８との組合せを選択することは、当業者が適宜為し得る。
相違点（１）について
　引用例には、原料としてＣｏ２（ＣＯ）８とＣｒ（ＣＯ）６を用いる際に基板を２１０℃に保持したこと（例１）と、原料としてＣｏ２（ＣＯ）８とＮｉ（ＣＯ）４を用いる際に基板を２３０℃に保持したこと（例２）とが例示されているから、原料としてＣｏ２（ＣＯ）８とＦｅ（ＣＯ）５を用いる際に基板を例示と同程度の２５０℃以下に保持することは、当業者が容易に想到し得る。
相違点（４）について
　ＣｏＦｅの飽和磁束密度が大きい（２．４Ｔ）ことは周知である（例えば、特開２００６−４９７０６号公報の【０００６】、特開２００７−１５８０９１の【０００５】、特開２０１０−１３５００８号公報の【０００５】参照）から、ＣｏＦｅの磁束密度を少なくとも１Ｔにすることは、当業者が容易に想到し得る。
　また、効果についてみても、上記構成の変更に伴って当然に予測される程度のことに過ぎず、格別顕著なものがあるとは認められない。
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。