【事件の表示】
　特願２０１２−２７２００２「熱処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　６月３０日出願公開、特開２０１４−１２０４９７、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年１２月１３日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２８年　２月１２日　　　拒絶理由通知（起案日）
　平成２８年　４月　６日　　　意見書及び手続補正書の提出
　平成２８年　９月　２日　　　拒絶査定（起案日）
　平成２８年１２月　２日　　　審判請求及び手続補正書の提出
　平成２９年　７月　３日　　　当審拒絶理由通知（起案日）
　平成２９年　８月２９日　　　意見書及び補正書の提出
第２　原査定の概要
　１　拒絶理由通知
　平成２８年９月２日付けの拒絶査定（以下、「原査定」という。）の根拠となった平成２８年２月１２日付けの拒絶理由通知の概要は次のとおりである。
「１．（新規性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
２．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
●理由１、２について
・請求項　　　　　１，２，６
・引用文献等 　　　　１
・備考
　引用文献１の段落[００３０]には、
「・・・。なお、これら複数個のガイドピン７６に代えて上側に向けて拡がるように水平面と所定の角度をなすテーパ面が形成された円環状部材を設けるようにしても良い。」と記載されている。
　また、段落[００５５］等に記載されているように、引用文献１も「ハロゲンランプＨＬによって半導体ウェハーＷを予備加熱温度Ｔ１（８００℃）にまで予備加熱してからフラッシュランプＦＬからの閃光照射によってフラッシュ加熱を行っている。」ものである。
　……（中略）……
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２００９−１６４４５１号公報」
　２　拒絶査定
　原査定の概要は次のとおりである。
「この出願については、平成２８年　２月１２日付け拒絶理由通知書に記載した理由２によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書並びに手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
　出願人は、平成28年2月12日付けの意見書において
「……（中略）……このように、引用文献１には、「ガイドリングの内周のテーパ面はフラッシュ光照射によって跳躍して浮上した基板が落下してきたときに当該基板の外周端を受ける」という本願請求項１に係る発明の特徴的事項については全く記載されておりません。また、引用文献１にはフラッシュ光照射時に基板がサセプターから跳躍して浮上すること自体が記載されておらず、かかる引用文献１の記載内容から容易に本願発明に至るものではございません。従って、本願請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明ではなく、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到できるものでもないと思料いたします。」
旨主張している。
　出願人の上記主張について検討するに、特開２０１１−２１０７９０号公報（新たに引用した周知文献１）の段落[0075]-[0076]や、特開２００７−１８８９１４号公報（新たに引用した周知文献２）の段落[0009]に記載されているように、ランプ加熱の衝撃によってウェハが飛び跳ね破損するることは従来より知られていた技術的手段に過ぎないものであり、また、テーパーが元の位置への位置決めなすことも当然予測しうるところと認められるので、（必要なら　特開２００４−２４７３３９号公報（新たに引用した周知文献３）の段落[0040]-[0041]や、特開２００４−１７９５１０号公報（新たに引用した周知文献４）の段落[0038]を参照されたい。）出願人の上記主張を採用することは出来ず、補正された本願出願は拒絶理由通知書において引用文献に周知技術を勘案して当業者が容易に想到し得るものである。
　よって、出願人の上記主張を採用することは出来ず、本願出願は平成２８年　２月１２日付け拒絶理由通知書に記載した理由２によって、拒絶をすべきものとする。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.特開２００９−１６４４５１号公報
２.特開２０１１−２１０７９０号公報（新たに引用した周知文献１）
３.特開２００７−１８８９１４号公報（新たに引用した周知文献２）
４.特開２００４−２４７３３９号公報（新たに引用した周知文献３）
５.特開２００４−１７９５１０号公報（新たに引用した周知文献４）」
第３　本願発明
　本願の請求項１−３に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明３」という。）は、平成２９年８月２９日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１−３に記載された事項により特定される以下のとおりの発明である。
「　【請求項１】
　円板形状の基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
　基板を収容するチャンバーと、
　前記チャンバー内にて基板を載置して保持するサセプターと、
　前記サセプターに保持された基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
を備え、
　前記サセプターは、
　基板を載置する載置面を有するプレートと、
　前記プレート上に設置され、基板の径よりも大きな内径を有する円環形状のガイドリングと、
　前記ガイドリングよりも内側の前記プレート上に立設され、基板を点接触にて支持する複数の支持ピンと、
を備え、
　前記ガイドリングの内周は、前記プレートから上方に向けて広くなるようなテーパ面とされ、
　前記ガイドリングの内径は基板の径よりも１０ｍｍ以上４０ｍｍ以下大きく、
　前記プレートの前記載置面に対する前記テーパ面の勾配は３０°以上７０°以下であり、
　前記テーパ面は前記フラッシュ光の照射によって前記複数の支持ピンから跳躍して浮上した前記基板が落下してきたときに当該基板の外周端を受けることを特徴とする熱処理装置。
　　【請求項２】
　請求項１記載の熱処理装置において、
　前記テーパ面の表面平均粗さは１．６μｍ以下であることを特徴とする熱処理装置。
　　【請求項３】
　請求項１または請求項２に記載の熱処理装置において、
　フラッシュ光照射前に前記サセプターに保持された基板を予備加熱する予備加熱手段をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。」
第４　引用文献及び引用発明
　１　引用文献１について
　（１）引用文献１の記載事項
　原査定の根拠となった拒絶理由通知に引用された刊行物である特開２００９−１６４４５１号公報（以下、「引用文献１」という。）には、「熱処理装置」（発明の名称）について、図１〜図７とともに次の事項が記載されている（下線は参考のため当審において付したもの。以下同様である。）。
　　ア　「【技術分野】
【０００１】
　この発明は、半導体ウェハーやガラス基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して閃光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置に関する。」
　　イ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　特許文献１，２に開示されているような技術を用いることによって、キセノンフラッシュランプを使用した場合における半導体ウェハーの割れをある程度は防止できるようになったものの、半導体ウェハーの種類や熱処理条件（予備加熱温度、照射エネルギー）によっては依然として相当な頻度で割れが生じていた。
【０００８】
　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、フラッシュランプからの閃光照射時の基板の割れを防止することができる熱処理装置を提供することを目的とする。」
　　ウ　「【発明の効果】
【００１６】
　本発明によれば、複数の支持ピンによって基板を保持部材の上方に近接させて点接触にて支持するため、基板と保持部材との間に薄い気体層が形成され、その気体層によって閃光照射時の基板の激しい動きが抑制され、フラッシュランプからの閃光照射時の基板の割れを防止することができる。」
　　エ　「【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
　以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２１】
　まず、本発明に係る熱処理装置の全体構成について概説する。図１は、本発明に係る熱処理装置１の構成を示す側断面図である。
本実施形態の熱処理装置１は基板としてφ３００ｍｍの円板形状の半導体ウェハーＷに閃光（フラッシュ光）を照射してその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である
【００２２】
　熱処理装置１は、
半導体ウェハーＷを収容するチャンバー６と
複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するランプハウス５と
【００２３】
　
チャンバー６は、ランプハウス５の下方に設けられており、略円筒形状の内壁を有する上部チャンバー６１、および、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵する下部チャンバー６２によって構成される
上部チャンバー６１の内側側壁、上側チャンバー窓６３および下側チャンバー窓６４によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される
　……（中略）……
【００２８】
　また、熱処理装置１は、
上部チャンバー６１の内部において半導体ウェハーＷを保持する保持部７と
保持部７は、サセプタ７０および保持プレート７４を備えて構成される
【００２９】
　図３は、保持プレート７４の平面図である。保持プレート７４は石英にて形成された円形の平板状部材である。保持プレート７４の直径は半導体ウェハーＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７４は、半導体ウェハーＷよりも大きな平面サイズを有する。
保持プレート７４の上面には複数個のバンプ７５が立設されている。本実施形態においては、保持プレート７４の外周円と同心円の周上に沿って６０°毎に計６本のバンプ７５が立設されている
それぞれのバンプ７５は石英にて形成された支持ピンである
【００３０】
　また、
保持プレート７４の上面には
５個のガイドピン７６を配置した円の径は半導体ウェハーＷの径よりも若干大きい
上側に向けて拡がるように水平面と所定の角度をなすテーパ面が形成された円環状部材を設ける
【００３１】
　リング部７１が上部チャンバー６１の側壁部分に形成された円環形状の棚に載置されることによって、サセプタ７０が上部チャンバー６１に装着される。そして、保持プレート７４は上部チャンバー６１に装着されたサセプタ７０の爪部７２に載置される。
上部チャンバー６１に搬入された半導体ウェハーＷはサセプタ７０に保持された保持プレート７４の上に水平姿勢にて載置される
【００３２】
　図４は、保持プレート７４に半導体ウェハーＷが載置されたときのバンプ７５近傍を拡大した図である。サセプタ７０の各爪部７２には支持棒７３が立設されている。支持棒７３の上端部が保持プレート７４の下面に穿設された凹部に嵌合することによって、保持プレート７４が位置ずれすることなくサセプタ７０に保持される。
【００３３】
　また、バンプ７５およびガイドピン７６も保持プレート７４の上面に穿設された凹部に嵌着されて立設されている。保持プレート７４の上面に立設されたバンプ７５およびガイドピン７６の上端は当該上面から突出する。半導体ウェハーＷは保持プレート７４に立設された複数のバンプ７５によって点接触にて支持されて保持プレート７４上に載置される。バンプ７５の上端の高さ位置から保持プレート７４の上面までの距離は０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下（本実施形態では１ｍｍ）である。従って、
半導体ウェハーＷは複数のバンプ７５によって保持プレート７４の上面から０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下の間隔を隔てて支持される
【００３４】
　また、
ガイドピン７６に代えて上記テーパ面が形成された円環状部材を設けた場合には、当該円環状部材によって半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれが防止される
半導体ウェハーＷは複数のバンプ７５によって保持プレート７４の当該平面から０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下の間隔を隔てて支持されることとなる
　　オ　「【００４１】
　
チャンバー６の上方に設けられたランプハウス５
フラッシュランプＦＬはチャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５に閃光を照射する
　　カ　「【００５７】
　ところで、上記の熱処理工程において、フラッシュランプＦＬからの閃光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は瞬間的に１０００℃ないし１１００℃程度の処理温度Ｔ２まで上昇する一方、その瞬間の裏面温度は予備加熱温度Ｔ１からさほどには上昇しない。このため、ウェハー表面側のみに急激な熱膨張が生じ、半導体ウェハーＷに上面を凸面とするように反ろうとする応力が作用す
る
【００５８】
　本実施形態においては、
φ３００ｍｍの半導体ウェハーＷが６本のバンプ７５によって点接触にて支持され、保持プレート７４の上面から１ｍｍの間隔ｔを隔てて保持される。これにより、半導体ウェハーＷの裏面と保持プレート７４の上面との間には薄い気体層が挟み込まれることとなる
【００５９】
　保持プレート７４の上面から半導体ウェハーＷの裏面までの間隔ｔが３ｍｍを超えると、それらの間に挟まれた気体層への気体の出入りが容易となり、気体層が半導体ウェハーＷの動きに対する抵抗として機能しなくなる。よって、閃光照射時に半導体ウェハーＷが６本のバンプ７５の上で激しく動き、保持プレート７４の上面に衝突してウェハー割れが生じるおそれがある。
【００６０】
　一方、保持プレート７４の上面から半導体ウェハーＷの裏面までの間隔ｔが０．５ｍｍ未満であれば、それらの間には薄い気体層が形成される。しかし、薄い気体層が形成されていたとしても、閃光照射時には若干半導体ウェハーＷが動く。間隔ｔが０．５ｍｍ未満であると、僅かに半導体ウェハーＷが動いただけでも保持プレート７４に衝突してウェハー割れが生じるおそれがある。このため、保持プレート７４の上面から半導体ウェハーＷの裏面までの間隔ｔは０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下としている。なお、ガイドピン７６に代えて上記テーパ面が形成された円環状部材を設けた場合であっても、半導体ウェハーＷと対向する保持プレート７４の平面から半導体ウェハーＷの裏面までの間隔ｔは０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下であるため、閃光照射時の半導体ウェハーＷの著しい動きが抑制され、ウェハー割れを防止することができる。
【００６１】
　また、本実施形態においては、複数のバンプ７５が半導体ウェハーＷのデバイス形成領域ＰＡよりも端縁部側にて半導体ウェハーＷを支持している。バンプ７５は石英製であるため、ハロゲンランプＨＬからの光を透過し、予備加熱時にもその温度がほとんど昇温しない。このため、比較的低温のバンプ７５が半導体ウェハーＷに接触している部分は他の領域よりも温度が低くなるものと考えられる。保持プレート７４の複数のバンプ７５がデバイス形成領域ＰＡよりも端縁部側に接触して半導体ウェハーＷを保持するようにすれば、少なくともデバイス形成領域ＰＡの温度が低下して処理不良となることは防止される。
【００６２】
　以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、保持プレート７４に立設された６本のバンプ７５によって半導体ウェハーＷを支持するようにしていたが、バンプ７５の個数は６本に限定されるものではなく、半導体ウェハーＷを安定して支持可能な３本以上であれば良い。
【００６３】
　もっとも、３本のバンプ７５にて半導体ウェハーＷを支持した場合には、支持点数が少ないためバンプ７５間で半導体ウェハーＷが若干撓む。一方、保持プレート７４は石英製であるため、予備加熱時にもほとんど昇温しない。このため、バンプ７５間の半導体ウェハーＷの撓み部分が保持プレート７４に近づき、その部分の温度低下が生じるおそれがある。本実施形態のように、６本以上のバンプ７５にて半導体ウェハーＷを支持すればバンプ７５間での半導体ウェハーＷの撓みはほとんど生じず、その結果撓み部分の温度低下が防止され、半導体ウェハーＷの面内温度分布の均一性が向上する。
【００６４】
　また、保持プレート７４の上面に傾斜の緩やかなテーパ面または曲率半径の大きな凹面を形成し、そのテーパ面または凹面に複数のバンプ７５を立設し、それら複数のバンプ７５によって半導体ウェハーＷを支持するようにしても良い。」
　（２）引用発明
　したがって、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「φ３００ｍｍの円板形状の半導体ウェハーＷに閃光（フラッシュ光）を照射してその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置であって、
　略円筒形状の内壁によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される上部チャンバー６１と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵する下部チャンバー６２とによって構成され、前記半導体ウェハーＷを収容するチャンバー６と、
　前記チャンバー６の上方に設けられ、前記熱処理空間６５に閃光を照射する複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するランプハウス５と、
　前記上部チャンバー６１の内部において前記半導体ウェハーＷを保持する保持部７と、
を備え、
　前記保持部７は、前記半導体ウェハーＷが水平姿勢にて載置される保持プレート７４と、当該保持プレート７４を保持するサセプタ７０を備えて構成され、
　前記保持プレート７４の上面に、当該保持プレート７４の外周円と同心円の周上に沿って立設され、前記半導体ウェハーＷを前記保持プレート７４の上面から０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下の間隔を隔てて支持する支持ピンである複数個のバンプ７５と、
　前記保持プレート７４の上面に設けられ、前記半導体ウェハーＷの径よりも若干大きい径を有し、上側に向けて拡がるように水平面と所定の角度をなすテーパ面が形成されて、前記半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれを防止する円環状部材と、
を有することを特徴とするフラッシュランプアニール装置。」
　２　引用文献２について
　原査定において「周知文献」として示された刊行物である特開２０１１−２１０７９０号公報（以下、「引用文献２」という。）には、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）について、図１〜図２７とともに次の事項が記載されている。
「【００７５】
　前述したように、ランプ式アニール装置３６では半導体ウエハ３０の温度が目標温度に到達するまでに比較的長い時間を要するが、その時間を短縮する目的で昇温レート更に上げ、
短時間で急速に半導体ウエハ３０を加熱しようとすると、急激な加熱によって回転中の半導体ウエハ３０の表面温度にムラが生じることで振動し、半導体ウエハ３０が跳ねてウエハ台６１から脱落する虞がある
【００７６】
　以上に述べたように、
ランプ式アニール装置３６では高い昇温レートで半導体ウエハ３０を加熱すると半導体ウエハ３０が跳ねる問題がある
　３　引用文献３について
　原査定において「周知文献」として示された刊行物である特開２００７−１８８９１４号公報（以下、「引用文献３」という。）には、「半導体ウエハ急速加熱装置」（発明の名称）について、図１〜図６とともに次の事項が記載されている。
「【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　しかしながら、前記のような
フラッシュランプを用いた光加熱装置で半導体ウエハを急速加熱する場合、該フラッシュランプを点灯させるパルス電流のピーク値に対する半値全幅の時間であるパルス幅を短くするにつれて、該半導体ウエハが光照射により飛び跳ねるといった問題が発生した
フラッシュランプから放射される光のエネルギーが５０Ｊ/ｃｍ２以上であって、パルス点灯される一回のパルス幅が５ｍｓで照射した場合、該半導体ウエハが光照射によって割れるといった新たな問題も生じた
　４　引用文献４について
　原査定において「周知文献」として示された刊行物である特開２００４−２４７３３９号公報（以下、「引用文献４」という。）には、「熱処理装置および熱処理用サセプタ」（発明の名称）について、図１〜図５とともに次の事項が記載されている。
「【００４０】
ここで、サセプタ７３および加熱プレート７４が上昇する過程において、支持ピン７０に載置された半導体ウェハーＷをサセプタ７３が受け取ることとなる。
このときに、
支持ピン７０からサセプタ７３に半導体ウェハーＷが移された後数秒間はサセプタ７３と半導体ウェハーＷとの間に薄い空気層が挟み込まれ、その空気層によって半導体ウェハーＷがサセプタ７３から僅かに浮上した状態となる。このような状態においては、何らかの原因（例えば、微妙な傾斜）によって半導体ウェハーＷが凹部９７内を滑るように移動し、ウェハー端部が第１テーパ面９５によって跳ね返されるという現象が数秒間繰り返される
【００４１】
その後、やがて上記空気層が抜けることによって、サセプタ７３の凹部９７内に半導体ウェハーＷが安定して保持されることとなる。すなわち、
僅かに浮上している半導体ウェハーＷが第１テーパ面９５によって位置決めされ、特別な位置決めピン等を設けなくても凹部９７の最下位置つまり載置面９９上に保持されることとなる
半導体ウェハーＷが凹部９７内を滑るように移動したときに、その移動速度によっては第１テーパ面９５にウェハー端部が乗り上げるおそれもあるが、このような場合であっても第１テーパ面９５の外側にそれより急勾配の第２テーパ面９３があるため、半導体ウェハーＷがサセプタ７３から飛び出すことは防止される
　５　引用文献５について
　原査定において「周知文献」として示された刊行物である特開２００４−１７９５１０号公報（以下、「引用文献５」という。）には、「熱処理装置および熱処理用サセプタ」（発明の名称）について、図１〜図５とともに次の事項が記載されている。
「【００３８】
ここで、サセプタ７３および加熱プレート７４が上昇する過程において、支持ピン７０に載置された半導体ウェハーＷをサセプタ７３が受け取ることとなる。
このときに、支持ピン７０からサセプタ７３に半導体ウェハーＷが移された後数秒間はサセプタ７３と半導体ウェハーＷとの間に薄い空気層が挟み込まれ、その空気層によって半導体ウェハーＷがサセプタ７３から僅かに浮上した状態となる。このような状態においては、何らかの原因（例えば、微妙な傾斜）によって半導体ウェハーＷが凹部９７内を滑るように移動し、ウェハー端部がテーパ面９５によって跳ね返されるという現象が数秒間繰り返される
載置面９９の径は半導体ウェハーＷの径よりも若干大きく、通常載置面９９上にて半導体ウェハーＷが偏心して位置決め・保持されるため、その周端部の一点がテーパ面９５に接触した状態で安定して保持されることとなる
第５　対比・判断
　１　本願発明１について
　（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
　　ア　引用発明の「φ３００ｍｍの円板形状の半導体ウェハーＷ」及び「閃光（フラッシュ光）」は、それぞれ、本願発明１の「円板形状の基板」及び「フラッシュ光」に相当する。
　したがって、引用発明の「φ３００ｍｍの円板形状の半導体ウェハーＷに閃光（フラッシュ光）を照射してその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置」は、以下の相違点を除き、本願発明１の「円板形状の基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置」に相当する。
　　イ　引用発明の「略円筒形状の内壁によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される上部チャンバー６１と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵する下部チャンバー６２とによって構成され、前記半導体ウェハーＷを収容するチャンバー６」は、本願発明１の「基板を収容するチャンバー」に相応する。
　　ウ　引用発明の「チャンバー６」を構成する「前記上部チャンバー６１」の「内部において前記半導体ウェハーＷを保持する保持部７」は、本願発明１の「前記チャンバー内にて基板を載置して保持するサセプター」に相当する。
　　エ　引用発明の「前記半導体ウェハーＷを保持する保持部７」を「内部」に備える「上部チャンバー６１」によって規定される「前記熱処理空間６５」に「閃光を照射する複数のフラッシュランプＦＬ」は、本願発明１の「前記サセプターに保持された基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプ」に相当する。
　　オ　引用発明の「前記保持部７」を「構成」している「前記半導体ウェハーＷが水平姿勢にて載置される保持プレート７４」は、本願発明１の「サセプター」が備える「基板を載置する載置面を有するプレート」に相当する。
　　カ　引用発明の「前記保持プレート７４の上面に、当該保持プレート７４の外周円と同心円の周上に沿って立設され、前記半導体ウェハーＷを前記保持プレート７４の上面から０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下の間隔を隔てて支持する支持ピンである複数個のバンプ７５」は、本願発明１の「サセプター」が備える「前記ガイドリングよりも内側の前記プレート上に立設され、基板を点接触にて支持する複数の支持ピン」に相当する。
　　キ　引用発明の「前記保持プレート７４の上面に設けられ、前記半導体ウェハーＷの径よりも若干大きい径を有し」ている「円環状部材」は、本願発明１の「サセプター」が備える「前記プレート上に設置され、基板の径よりも大きな内径を有する円環形状のガイドリング」に相当する。
　そして、引用発明において、前記「円環状部材」に「上側に向けて拡がるように水平面と所定の角度をなすテーパ面が形成されて」いることは、本願発明１において、「前記ガイドリングの内周は、前記プレートから上方に向けて広くなるようなテーパ面とされ」ていることに相当する。
　　ク　以上から、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
（一致点）
「円板形状の基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
　基板を収容するチャンバーと、
　前記チャンバー内にて基板を載置して保持するサセプターと、
　前記サセプターに保持された基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
を備え、
　前記サセプターは、
　基板を載置する載置面を有するプレートと、
　前記プレート上に設置され、基板の径よりも大きな内径を有する円環形状のガイドリングと、
　前記ガイドリングよりも内側の前記プレート上に立設され、基板を点接触にて支持する複数の支持ピンと、
を備え、
　前記ガイドリングの内周は、前記プレートから上方に向けて広くなるようなテーパ面とされていることを特徴とする熱処理装置。」
（相違点）
　（相違点１）本願発明１は「前記ガイドリングの内径は基板の径よりも１０ｍｍ以上４０ｍｍ以下大きく」されているという構成を備えるのに対し、引用発明はそのような構成を備えていない点。
　（相違点２）本願発明１は「前記プレートの前記載置面に対する前記テーパ面の勾配は３０°以上７０°以下であり」という構成を備えるのに対し、引用発明はそのような構成を備えていない点。
　（相違点３）本願発明１は「前記テーパ面は前記フラッシュ光の照射によって前記複数の支持ピンから跳躍して浮上した前記基板が落下してきたときに当該基板の外周端を受ける」という構成を備えるのに対し、引用発明の「円環状部材」は「前記半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれを防止する」点。
　（２）相違点についての判断
　　ア　事案に鑑みて、相違点１及び相違点２について検討する。
　　イ　上記相違点１に係る「前記ガイドリングの内径は基板の径よりも１０ｍｍ以上４０ｍｍ以下大きく」されているという構成と、上記相違点２に係る「前記プレートの前記載置面に対する前記テーパ面の勾配は３０°以上７０°以下であり」という構成とを、本願発明１にように併せ持つことは、引用文献１と同様に、引用文献２ないし引用文献５には記載も示唆もされていない。
　そして、熱処理装置の技術分野において、上記の「前記ガイドリングの内径は基板の径よりも１０ｍｍ以上４０ｍｍ以下大きく」されているという構成と「前記プレートの前記載置面に対する前記テーパ面の勾配は３０°以上７０°以下であり」という構成とを併せ持つことが、本願の出願日前に周知技術であるともいえない。
　　ウ　これに対して、本願明細書には、
　　（ア）「サセプター７４から跳躍して浮上した半導体ウェハーＷは、その直後にサセプター７４に向けて落下してくる。このときに、薄板状の半導体ウェハーＷは鉛直方向に沿って上方に跳躍し、そのまま鉛直方向下方に落下するとは限らず、むしろ水平方向の位置がずれて落下してくることが多い。その結果、図１１に示すように、半導体ウェハーＷの外周端がガイドリング７６のテーパ面７６ａに衝突することとなる。」ことが、段落【００６６】に記載され、
　　（イ）このとき、「保持プレート７５の載置面７５ａに対するテーパ面７６ａの勾配αが７０°よりも大きいと、跳躍した半導体ウェハーＷが落下して衝突したときの衝撃緩和効果が得られにくい。一方、載置面７５ａに対するテーパ面７６ａの勾配αが３０°よりも小さいと、半導体ウェハーＷが落下して衝突したときの位置修正効果が得られにくく、逆に水平方向の位置ずれがさらに大きくなるおそれもある。このため、保持プレート７５の載置面７５ａに対するガイドリング７６のテーパ面７６ａの勾配αは３０°以上７０°以下としている。」ことが、段落【００７４】に記載され、
　　（ウ）また、「ガイドリング７６の内径」が「半導体ウェハーＷの直径」よりも「１０ｍｍ未満であると、フラッシュ光照射時に跳躍した半導体ウェハーＷがガイドリング７６よりも外側に落下するおそれがある。一方、ガイドリング７６の内径が半導体ウェハーＷの直径よりも４０ｍｍを超えて大きいと、半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれ防止というガイドリング７６の本来の機能を喪失するのみならず、上述の位置修正効果も得られ難くなる。このため、ガイドリング７６の内径は、半導体ウェハーＷの直径よりも１０ｍｍ以上４０ｍｍ以下大きいものとしている。」ことが、段落【００７６】に記載されている。
　　エ　すなわち、本願発明１は、相違点１に係る構成と相違点２に係る構成を併せ持つことで、「跳躍した半導体ウェハーＷが落下して衝突したときの衝撃緩和効果」を得るとともに「フラッシュ光照射時に跳躍した半導体ウェハーＷがガイドリング７６よりも外側に落下するおそれ」を減らし、加えて、「半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれ」を「防止」するとともに「半導体ウェハーＷが落下して衝突したときの位置修正効果」を得るという格別の効果を奏することが、本願明細書には記載されている。
　　オ　したがって、相違点３について判断するまでもなく、本願発明１は、引用発明と引用文献２ないし引用文献５に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
　２　本願発明２及び本願発明３について
　本願発明２及び本願発明３は、本願発明１の記載を引用する発明であり、本願発明１をさらに限定した発明である。
　したがって、本願発明１と同じ理由により、本願発明２ないし本願発明３は、当業者であっても、引用発明と引用文献２ないし引用文献５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第６　原査定についての判断
　平成２９年８月２９日に提出された手続補正書により補正された請求項１は、上記相違点１及び２に係る構成を備えるものとなっており、上記のとおり、本願発明１及び３は、引用発明と引用文献２ないし引用文献５に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
　したがって、もはや原査定を維持することはできない。
第７　当審拒絶理由について
　当審では、平成２９年７月３日付けの当審よりの拒絶理由通知で、請求項１に係る『「熱処理装置」は，「前記プレートの前記載置面に対する前記テーパ面の勾配」が３０°未満，ないしは，７０°を超えるものを包含するといえるが，このような「熱処理装置」においては，「フラッシュ光照射時における基板の割れを防止する」という本願発明の課題は解決されないといえる。』から、『請求項１の記載には，発明の詳細な説明に記載された，発明の課題を解決するための手段が反映されておらず，あるいは，請求項１の記載は，発明の詳細な説明において効果があることが示された範囲を超えている。』との拒絶の理由を通知した。
　これに対して、平成２９年８月２９日に提出された手続補正書により、請求項１に「前記プレートの前記載置面に対する前記テーパ面の勾配は３０°以上７０°以下であり」という構成が追加された。
　したがって、前記の当審拒絶理由は解消した。
第８　むすび
　以上のとおり、本願発明１−３は、当業者が引用発明及び引用文献２ないし引用文献５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。