【事件の表示】
　特願２０１３−５４９４６０「プラズマ発生装置、プラズマ処理装置、プラズマ発生方法およびプラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１２月１８日国際公開、ＷＯ２０１４／１９９４２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１３年６月１４日を国際出願日とする出願であって、平成２５年１０月２４日付けで手続補正書が提出され、同年１２月１８日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年１月３１日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、同年３月５日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年４月１１日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたが、同年５月２１日付けで平成２６年４月１１日付けの手続補正の補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これに対して、平成２６年８月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
第２　平成２６年８月１８日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年８月１８日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１　補正後の請求項に記載された発明
　平成２６年８月１８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として補正された。
　よって、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。
「平面からなる主面および当該主面とは反対の背面とを有するプラズマ形成用の電極と、
　周波数が２００ＭＨｚ以上の高周波電力を前記プラズマ形成用の電極に供給する高周波供給部と、
　前記電極の背面側に設けられ、Ｎ極が前記背面に対向配置された第１の固定磁石とＳ極が前記背面に対向配置された第２の固定磁石とを含む磁場形成機構と、を有し、
　前記磁場形成機構は、前記第１の固定磁石のＮ極から出て前記電極を透過して前記第２の固定磁石のＳ極に入る磁力線を用いて、前記主面上にループ状の磁場領域を形成して、励起されるプラズマを前記ループ状の磁場領域内で移動するように前記主面付近に閉じ込めるとともに、前記プラズマ形成用の電極のスパッタリングを抑制するために前記主面に平行な方向に３０００ガウス以上の強磁場の領域をもつように前記ループ状の磁場領域を形成する、ことを特徴とするプラズマ発生装置。」
　そこで、上記本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するか否か）について、以下に検討する。
２　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、国際公開第２００９／０７８０９４号（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
　
（１）「技術分野
[0001]
本発明は
プラズマ処理装置において用いられる。
背景技術
[0002]
プラズマ支援ウェハー処理は、通常、集積回路と呼ばれる半導体デバイスの製造において、十分に確立したプロセスである。従来から、例えば、エッチング、スパッタ堆積、化学的気相堆積など多くの異なるプラズマ支援プロセスがある。これらのプロセスのすべては、エッチング速度あるいはウェハー表面上の均一な処理速度を実現するように実行されなければならない。もしウェハー表面上で不均一な処理速度が生じたとすると、多くの欠陥のある半導体デバイスが作られる。
[0003]
以下具体的に、図８に示す従来のプラズマ処理装置８００を参照しつつ、従来技術を説明する。プラズマ処理装置８００において、ターゲット電極２（第１の電極）の大気側に設置されているチャンバー２０１は、上部壁（天井壁）２０２、円筒形側壁２０３、および底壁２０４の部分から構成される。上部電極用高周波電源１０２は、上部電極用整合機１０１を経由して上部電極１に高周波電力を供給する。下部電極３０１は、ステージホルダー３０２、下部電極絶縁体３０３から構成される。下部電極用高周波電源３０５は、下部電極用整合機３０４を経由して下部電極３０１に高周波電力を供給する。チャンバー２０１内のガスは、ガス排気口２０５を経由して排気される。ポイントカスプ磁場を具備する磁石機構が作るターゲット電極２（第１の電極）外周部の発散磁場によって、ターゲット電極２（第１の電極）表面のプラズマ密度は、ターゲット電極２（第１の電極）中央部と外周部で異なり、ウェハー３０６の成膜レートが不均一となる。そこで、ターゲット電極２（第１の電極）径よりも広い範囲にマグネット６を配置するような磁石機構５（マグネット６と板状体７とから構成されるもの）を搭載し、ターゲット電極２（第１の電極）表面に発散磁場ができないようにして、ターゲット電極２（第１の電極）表面のプラズマ密度をターゲット電極２（第１の電極）中央部と外周部でそろえて、ウェハー３０６の成膜レートが面内で均一となるようにする発明が特許文献１で公開されている。
[0004]
図９は、上側または下側から見た、上部電極１上方におけるマグネット配列のパターンを示す平面図である。図９において、Ｘ軸およびＹ軸が示されており、多数の小さな円は各々のマグネット６の端面を示している。ＮおよびＳの文字は、下側から見たマグネット６の磁気的極性を示している。マグネット６の各々の極性は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向で隣接する別のマグネット６に対して反対の極性となり、かつ、任意の４つのマグネット６からなる四角形の対角線（例えば、直線ａ乃至ｄ）に沿って隣接する別のマグネット６との間では同じ極性となるように配置されている。多数のマグネット６を包囲するように、絶縁部材３が配置されている。
[0005]
特許文献1： 特開2003-318165
[0006]
このような従来のプラズマ処理装置をスパッタプロセスに使用する場合、膜の付着を防止するため、絶縁部材４及びターゲット電極２（第１の電極）上にシールド３を設ける必要がある。しかし、従来のプラズマ処理装置においては、シールド３やターゲット電極２（第１の電極）、絶縁部材４が損傷を受けたり、不安定なプロセスを引き起こすことが問題となっており、本発明者の知りうる範囲でこの点を解消するものは未だ知られていない。」
（２）「実施例
[0015]
第１の実施例について、図１と図２に従って説明する。図１は、第１実施例に関わる磁石機構５を搭載したプラズマ処理装置１００の断面図である。プラズマ処理装置１００は、第１の電極であるターゲット電極２（第１の電極）、チャンバー２０１、第１の電極に対向して設けられた第２の電極である下部電極３０１から構成される。ターゲット電極２（第１の電極）の下部には、隙間を設けてシールド３が配置されており、ターゲット電極２（第１の電極）を保持するため、チャンバー２０１側壁には、上部電極絶縁体４が取り付けられている。ターゲット電極２（第１の電極）の上方には、磁石機構５が、ターゲット電極２から離れて配置されている。磁石機構５は、複数のマグネットピース６とマグネット支持板７と磁場調整用磁性体８で構成される。プロセスガスは、複数のガス導入口９を通して、チャンバー２０１の中に供給される。
[0016]
ターゲット電極２（第１の電極）の大気側に設置されているチャンバー２０１は、上部壁（天井壁）２０２、円筒形側壁２０３、および底壁２０４の部分から構成される。下部電極３０１は、ステージホルダー３０２、下部電極絶縁体３０３から構成される。実施例１のプラズマ処理装置１００の基本的なハードウエアの構造は、磁石機構５の部分を除いて、従来技術として説明したものと同様である。ターゲット電極２（第１の電極）は、チャンバー２０１の上方に設置されており、上部電極絶縁体４を介してチャンバー２０１と電気的に絶縁されている。ターゲット電極２（第１の電極）の主要部品は、Al、SUS、Cuなどの非磁性金属で製作されるが、上部電極１の下面に相当するターゲット電極２（第１の電極）の減圧側には、ウェハー３０６上に成膜するのに必要な材料ターゲット材を設置する。図においてターゲット材の図示は省略している。加えて、上部電極１は、上部電極１やターゲット電極２（第１の電極）の中に形成された通路を通して冷却水を流すことによって、冷却することが可能である。この冷却水を流す通路は、図１に示していない。
[0017]
上部電極用高周波電源１０２は、上部電極用整合機１０１を経由して上部電極１に高周波電力を供給する。
上部電極用高周波電源１０２は10〜300MHzの範囲で使用する。
[0018]
図２は、磁石機構５をターゲット電極２（第１の電極）側から見た平面図である。磁石機構５の複数のマグネットピース６は、ターゲット電極２の上方に、ターゲット電極２の表面と平行に、相互に隣接して配置されている。ターゲット電極２の表面に平行であり、図１におけるターゲット電極２の長手方向（図２のＸ軸方向）に沿って隣接するマグネットピース６の各々の極性は反対である。ターゲット電極２の表面に平行であり、図１におけるターゲット電極２の長手方向（図２のＸ軸方向）に直交する方向（図２のＹ軸方向）に沿って隣接するマグネットピース６の各々の極性も反対である。これに対して、X軸方向及びY軸方向に沿って配置された任意の４つのマグネットピース６からなる四角形の対角線方向に沿って隣接するマグネットピース６の各々の極性は同一である。マグネットピース６は、隣接する任意の４つのマグネットピース６によりポイントカスプ磁場が形成されるように配列されている。磁石機構５は、複数のマグネットピース６とマグネット支持板７と磁場調整用磁性体８で構成され、ターゲット電極２（第１の電極）の大気側に設置されている。３aは、シールド内径を示している。図２における多数の小さな円は各々のマグネットピース６の外形を示している。また、マグネットピース６の各々は同じ形状および同じ磁束密度を有する。さらに、ＮおよびＳの文字はターゲット電極２（第１の電極）側から見たマグネットピース６の磁極を示している。
[0019]
マグネットピース６は、図２に示すＸ軸・Ｙ軸平面上に配置されている。チャンバー２０１の内部に向かうマグネットピース６の各々の極性は、図２のＸ軸方向及びＹ軸方向で隣り合うマグネットピース６に対して反対となり、且つ、隣接する任意の４つのマグネットピース６により形成される四角形の対角線上において隣り合うマグネットピース６との間では同じ極性となる。反対の極性を持つ２つの隣り合うマグネットピース６の距離は、5〜100mmの範囲で変えることができる。マグネットピース６の高さは、通常は2mmよりも大きくなっている。マグネットピースの断面形状は四角または円形である。マグネットピースの直径や高さ、材質は、プロセスアプリケーションに応じて変化する。実施例1においては、すべてのマグネットピースは、同等の磁束密度となるように同じ磁石素材を想定している。実施例１のプラズマ装置１００の上部電極１に高周波電力を供給したとき、プラズマは容量結合型のメカニズムによって生成される。
このプラズマは、閉じた磁束１１によって閉じ込めの作用を受ける。
[0020]
実施例1の磁石機構５における重要な特徴は、ターゲット電極２（第１の電極）よりも外周に位置するマグネットピース６のターゲット電極２（第１の電極）側に、部分的に磁場調整用磁性体８が重なるように設置されており、ターゲット電極２（第１の電極）とシールド３の隙間の磁場強度を制御できる点にある。磁場調整用磁性体８は、ターゲット電極２（第１の電極）とシールド３の隙間の磁場強度を制御できる材料であればよく、例えば、ＳＵＳ４３０等の透磁率が高い材料が好ましい。この磁石機構５は、マグネットピース６と磁場調整用磁性体８の重なる面積を調整することで、ターゲット電極２（第１の電極）最外周までターゲット電極２（第１の電極）材をスパッタするのに必要な磁場を供給し、ターゲット電極２（第１の電極）とシールド３の隙間には、磁場を供給しないように磁場調整が可能である。
[0021]
実施例１は、ポイントカスプ磁場を用いた場合を説明したが、ターゲット電極２（第１の電極）よりも外周に位置するマグネットピース６のターゲット電極２（第１の電極）側に、部分的に磁場調整用磁性体８が重なるように設置して、ターゲット電極２（第１の電極）とシールド３の隙間の磁場強度を制御する機構を搭載すれば、ターゲット電極２（第１の電極）よりも外側にシールド３が存在し、ターゲット電極２（第１の電極）よりも外側に磁場が存在するような他のマグネトロンスパッタ装置に対しても同様の磁場調整が可能である。
[0022]
図５は、図１に示すマグネット６と板状体７とから構成される磁石機構５により発生するポイントカスプ磁場１１を示す図である。なお、本明細書において、「ポイントカスプ磁場」とは、図５に示すように隣接する４つのマグネット６により閉じたカスプ磁場を形成することをいう。図３は、図１に示す磁石機構５に、上部電極１とリングマグネット６との中心が一致するようにリングマグネット６を配置した場合を示した平面図である。
[0023]
図１及び図３において、リングマグネット６の配列と、それらのプラズマ生成のための利用について説明する。リングマグネット６は、ターゲット電極２の上側表面の上方に配列される。リングマグネット６の断面形状は重要なことではなく、正方形または長方形の形状でよい。リングマグネット６の寸法も重要なことではない。リングマグネットの断面の寸法は、１０×１０ｍｍ〜４０×４０ｍｍで変わり得る。さらに、各々のリングマグネット６に関して異なる断面寸法を採用することができ、例えば、内側のリングマグネットから外側のリングマグネットへ向かって断面寸法を大きくすることもできる。最も内側のリングマグネットの直径は通常５０〜１００ｍｍである。リングマグネット６の各々の対の間隔は、通常およそ２０〜５０ｍｍに維持される。内側リングマグネット６aと外側リングマグネット６ｂの間の間隔が同じであることは必要ではない。中心から外側に向かってリングマグネット間の間隔を次第に減少することもできるし、または増加することもできる。リングマグネット６の個数は、ターゲット電極２の直径とリングマグネット６の間隔によって決定される。リングマグネット６は、必ずしも単一部材として作られる必要はない。代わりに、小さなマグネットを複数用いて図２に示されるごとく円形を有するように配列することもできる。この場合において、唯一要求されることは、各々の小さいマグネットにおけるチャンバー２０１の内部に向かう磁極が同じであるということである。
[0024]
同心円状に配置された複数のリングマグネット６は、チャンバー２０１の内部に向かう交互の極性を持つように配置されており、それ故に、円形線状のカスプ磁界１１が、図１及び図３に示されるごとく、リングマグネット６の間に生成される。
[0025]
リングマグネット６の磁界の強さは、各々のリングマグネット６の磁極においておよそ３００ガウス（Gauss） 〜１キロガウス（kGauss）の範囲で変えることができる。リングマグネット６の磁界の強さは、通常、上部電極１の下側表面で２００ガウス（Gauss） 〜５００ガウス（Gauss） の範囲の磁界の強さを持つようにするために決定される。従って、もし上部電極１の厚みがより厚くなるならば、強い磁界を持ったリングマグネット６が要求される。各々のリングマグネット６の磁界の強さが同じであるということは必要ではなく、例えば、磁極の磁界の強さは、内側のリングマグネット６から外側のリングマグネット６へ向かって増加することができる。
[0026]
チャンバー２０１の内部で一旦プラズマが生成されると、リングマグネット６によって作られた磁界によって電子はサイクロトロン回転を受ける。
[0027]
円形の軌道上での電子のドリフトは、ターゲット電極２または下部電極３０１を横切る均一な磁界におけるそれらと比較するとき、重要な違いである。ターゲット電極２あるいは下部電極３０１を横切り、そして平行である均一な磁界において、電子はＥ×Ｂのドリフトによってチャンバー２０１の一方の側に向かって移動する。このことは、半径方向において非常に高い不均一なプラズマをもたらすという結果になり、結局はウエハー３０６の表面においてデバイスにダメージを与える原因となる。
この実施形態のプラズマ源で、電子は、Ｅ×Ｂのドリフトが原因で円形の軌道の上を移動するので、電子は、チャンバー２０１の一方の側に向かってドリフトされない。しかしながら、カスプ磁界１１の内部の電子密度は、カスプ磁界１１の内部の電子の閉じ込めに起因して、カスプ磁界１１の外部のそれに比較してより高くなる。
[0028]
なお、図３では、上部電極１とリングマグネット６との中心が一致しているが、ターゲット電極２の中心とリングマグネット６の中心は、一致しなくてもよい。
[0029]
図６は、ターゲット電極２の上面表面に配置されている棒状マグネットの斜視図である。図６において更に例示するように、棒状マグネット６は、各磁石のＮ極とＳ極が磁石の長さ方向に沿って分極化されるように極性付けられる。従って、隣接する磁石６のＮ極からＳ極に向かう磁力線は、ラインカプス形磁界を形成し、チャンバー２０１の中心に向けてプラズマを集中させる。」
（３）「[0036]
図７は、第３の実施形態を示す断面図である。
本実施形態の装置７００は、エッチングを行うものである。
ガス導入管７０８及び排気口７１６を有する処理室７１０内部には、高周波電極７０９と基板載置電極７１２とが所定の間隔を開けて対向して配置され、それぞれは絶縁体７１９を介して室壁に取り付けられている。
[0037]
高周波電極７０９は、多数のガス吹出孔７２２を有するガス板７０２と
を有し、
これらが第１の高周波電源７０９に連結されている。
高周波電極７０９の裏面側には、ガス板７０２の表面側にポイントカプス磁場を発生するように、多数の磁石７０１aが隣り合う磁石７０１a間で極性が逆になるように取り付けられている、板状体７０１ｂが配置されている。板状体７０１ｂは、上下に移動可能となるようにベローズ７０３の上板７０３aに絶縁体７１９を介して取り付けられている。
[0038]
ガス導入管７０８を通して高周波電極７０９に供給される反応ガスは、板状体７０１ｂの小孔を通って、全体で均一に広がった後、熱交換器７１８のガス通路７２３を通り、ガス板７０２のガス吹出孔７２２から処理室７１０の内部に均一に流れ出す。なお、磁石７０１aは、ガス板７０２表面で均一な磁場となるように、例えば、正方形や正６角形の頂点に配置し、磁石７０１aの直径、長さ、材質に応じて、正方形や正６角形の一辺の大きさを定めればよい。高周波電極７０９と磁石ユニット７０１の間には、磁気遮蔽部材７２０が設けられている。なお、磁気遮蔽部材７２０を、高周波電極７０９と第２の高周波電極７１３との間に設けることも可能である。さらに、磁気遮蔽部材７２０を、高周波電極７０９とシールド７２１との間に設けることも可能である。磁気遮蔽部材７２０は、磁石ユニット７０１で形成される磁場が、高周波電極７０９とシールド７２１との間に形成されないような高透磁率の材料で形成されるのが望ましい。
[0039]
一方、基板載置電極７１２は、内部に冷媒流路を有する熱交換器７１４と、その上部に基板７０５を静電吸着する静電チャック７０６とから構成される。冷媒流路７１５に供給される冷媒により静電チャック７０６を介して基板７０５は所定の温度に冷却される。この基板載置電極７１２は、基板７０５のバイアス制御用の第２の高周波電源７１３及び基板静電吸着用の直流電源７０７に接続されている。また、第２の高周波電源７１３及び直流電源７０７と基板載置電極の間には、ブロッキングコンデンサや高周波カットフィルタ（不図示）が取り付けられ、相互の干渉を防止している。
[0040]
次に、図７の装置７００を用いた場合のシリコンエッチング方法を説明する。まず、上記の多数の磁石７０１a及び板状体７０１ｂからなる磁石ユニット７０１について、平行磁界強度と磁石先端部からの距離との関係を、磁気プローブを用いてあらかじめ測定しておく。測定結果に基づき、
ガス板７０２表面の平行磁場強度が３０ｍＴ以上となる位置まで、ベローズ７０３の上板７０３aを駆動機構で押し下げ固定しておく。
[0041]
次いで、ガス供給系（不図示）からガス導入管７０８、高周波電極７０９を介して、反応性ガスを処理室７１０内に供給して所定の圧力に設定する。その後、
高周波電極７０９に第１の高周波電源７１１から５０〜２００ＭＨｚのＶＨＦ帯の高周波電力を供給する。
[0042]
また、
高周波電極表面の平行磁場強度を大きくするほど、高密度のプラズマが発生し、しかも自己バイアスは６０Ｖ以下に抑えられ、ガス板のスパッタを防止することができるが、基板への影響も徐々に大きくなりデバイス特性に影響を及ぼす場合があるため、作製するデバイスに応じて磁場強度を適正化するのが好ましく、さらに処理条件に応じて適正化するのが好ましい。
[0043]
本発明においては、エッチングガスと側壁保護膜形成用ガスとを交互に導入するガスチョッピング法が好適に適用される。エッチングガスとしてはＳＦ６、側壁保護膜形成用ガスとしてはＣｘＦｙ（ｘ＝１〜５，ｙ＝４〜８）が好適に用いられ、それぞれのガスの導入時間を１秒以下として繰り返すことにより、より高速でかつ異方性に優れたエッチングが可能となる。」
（４）「［図１］
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（５）「［図２］
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（６）「［図３］
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（７）「［図５］
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（８）「［図６］
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
（９）「［図７］
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「ガス導入管７０８及び排気口７１６を有する処理室７１０内部には、高周波電極７０９と基板載置電極７１２とが所定の間隔を開けて対向して配置され、それぞれは絶縁体７１９を介して室壁に取り付けられている、エッチングを行うプラズマ処理装置であって、
　高周波電極７０９は、多数のガス吹出孔７２２を有するガス板７０２と、裏面を有し、これらが第１の高周波電源７１１に連結されており、
　高周波電極７０９の裏面側には、ガス板７０２の表面側にポイントカスプ磁場を発生するように、多数の磁石７０１aが隣り合う磁石７０１a間で極性が逆になるように取り付けられている板状体７０１ｂが配置されて、この板状体７０１ｂは上下に移動可能となるようにベローズ７０３の上板７０３aに絶縁体７１９を介して取り付けられており、
　ガス板７０２表面の平行磁場強度が３０ｍＴ以上となる位置まで、ベローズ７０３の上板７０３aを駆動機構で押し下げ固定しておき、
　高周波電極７０９に第１の高周波電源７１１から５０〜２００ＭＨｚのＶＨＦ帯の高周波電力を供給し、
　高周波電極表面の平行磁場強度を大きくするほど、高密度のプラズマが発生し、しかも自己バイアスは６０Ｖ以下に抑えられ、ガス板のスパッタを防止することができるが、基板への影響も徐々に大きくなりデバイス特性に影響を及ぼす場合があるため、作製するデバイスに応じて磁場強度を適正化するのが好ましく、さらに処理条件に応じて適正化するのが好ましい、
　エッチングを行うプラズマ処理装置。」
３　対比
（１）本願補正発明と引用発明との対比
ア　引用発明の「高周波電極７０９」、「高周波電源７１１」及び「エッチングを行うプラズマ処理装置」は、それぞれ、本願補正発明の「プラズマ形成用の電極」、「高周波電源」及び「プラズマ発生装置」に相当する。
イ　引用発明の「ガス板７０２」の表面、「裏面」は、それぞれ、本願補正発明の「平面からなる主面」、「当該主面とは反対の背面」に相当することは明らかであるから、引用発明の「多数のガス吹出孔７２２を有するガス板７０２と、裏面を有」する「高周波電極７０９」は、本願補正発明の「平面からなる主面および当該主面とは反対の背面とを有するプラズマ形成用の電極」に相当する。
ウ　引用発明の「高周波電極７０９に」「５０〜２００ＭＨｚのＶＨＦ帯の高周波電力を供給」する「第１の高周波電源７１１」と、本願補正発明の「周波数が２００ＭＨｚ以上の高周波電力を前記プラズマ形成用の電極に供給する高周波供給部」とは、「高周波電力を前記プラズマ形成用の電極に供給する高周波供給部」で一致する。
エ　引用発明の「隣り合う磁石７０１a間で極性が逆になるように取り付けられている」「多数の磁石７０１a」は、本願補正発明の「Ｎ極が前記背面に対向配置された第１の固定磁石とＳ極が前記背面に対向配置された第２の固定磁石」に相当すること、また、引用発明の「隣り合う磁石７０１a間で極性が逆になるように取り付けられている」「多数の磁石７０１a」は、「隣り合う磁石７０１a間」のＮ極から出て、「ガス板７０２」を透過し、Ｓ極に入る磁力線により、「ガス板７０２の表面側にポイントカスプ磁場が発生する」ことは、当業者には明らかである。
　すると、引用発明の「高周波電極７０９の裏面側には、ガス板７０２の表面側にポイントカスプ磁場を発生するように、多数の磁石７０１aが隣り合う磁石７０１a間で極性が逆になるように取り付けられている板状体７０１ｂが配置されて、この板状体７０１ｂは上下に移動可能となるようにベローズ７０３の上板７０３aに絶縁体７１９を介して取り付けられており、」「ベローズ７０３の上板７０３aを駆動機構で押し下げ固定しておく」構成と、本願補正発明の「前記電極の背面側に設けられ、Ｎ極が前記背面に対向配置された第１の固定磁石とＳ極が前記背面に対向配置された第２の固定磁石とを含む磁場形成機構と、を有し、前記磁場形成機構は、前記第１の固定磁石のＮ極から出て前記電極を透過して前記第２の固定磁石のＳ極に入る磁力線を用いて、前記主面上にループ状の磁場領域を形成して」いる構成は、「前記電極の背面側に設けられ、Ｎ極が前記背面に対向配置された第１の固定磁石とＳ極が前記背面に対向配置された第２の固定磁石とを含む磁場形成機構と、を有し、前記磁場形成機構は、前記第１の固定磁石のＮ極から出て前記電極を透過して前記第２の固定磁石のＳ極に入る磁力線を用いて、前記主面上に磁場領域を形成して」いる構成で一致する。
オ　引用発明の「ガス板７０２表面の平行磁場強度が３０ｍＴ以上となる位置まで、ベローズ７０３の上板７０３aを駆動機構で押し下げ固定しておき、」「高周波電極表面の平行磁場強度を大きくするほど、高密度のプラズマが発生し、しかも自己バイアスは６０Ｖ以下に抑えられ、ガス板のスパッタを防止することができる」ことと、本願補正発明の「励起されるプラズマを前記ループ状の磁場領域内で移動するように前記主面付近に閉じ込めるとともに、前記プラズマ形成用の電極のスパッタリングを抑制するために前記主面に平行な方向に３０００ガウス以上の強磁場の領域をもつように前記ループ状の磁場領域を形成する」ことは、「前記プラズマ形成用の電極のスパッタリングを抑制するために前記主面に平行な方向に強磁場の領域をもつように前記磁場領域を形成する」ことで一致する。
（２）一致点
　してみると、両者は、
「平面からなる主面および当該主面とは反対の背面とを有するプラズマ形成用の電極と、
　高周波電力を前記プラズマ形成用の電極に供給する高周波供給部と、
　前記電極の背面側に設けられ、Ｎ極が前記背面に対向配置された第１の固定磁石とＳ極が前記背面に対向配置された第２の固定磁石とを含む磁場形成機構と、を有し、
　前記磁場形成機構は、前記第１の固定磁石のＮ極から出て前記電極を透過して前記第２の固定磁石のＳ極に入る磁力線を用いて、前記主面上に磁場領域を形成して、前記プラズマ形成用の電極のスパッタリングを抑制するために前記主面に平行な方向に強磁場の領域をもつように前記磁場領域を形成する、プラズマ発生装置。」
で一致し、次の各点で相違する。
（３）相違点
ア　「高周波電力」について、本願補正発明では、「周波数が２００ＭＨｚ以上」であるのに対して、引用発明では、「５０〜２００ＭＨｚのＶＨＦ帯」である点。
イ　磁場領域について、本願補正発明では「ループ状の磁場領域」であるのに対して、引用発明では「ポイントカスプ磁場」である点。
ウ　磁場領域の強度について、本願補正発明では、「励起されるプラズマを」「磁場領域内で移動するように前記主面付近に閉じ込めるとともに、」「３０００ガウス以上の強磁場の領域をもつ」のに対して、引用発明では、「ガス板７０２表面の平行磁場強度が３０ｍＴ以上となる」点。（なお、３０ｍＴ＝３００ガウスである。）
４．判断
（１）相違点アについて
　引用文献１には、第１の実施例のプラズマ処理装置において、１０〜３００ＭＨｚの高周波電力を使用することが記載されており（特に、上記「２」「（２）」の[0017]参照）、また、他にも、プラズマ処理装置において、２００ＭＨｚ以上の高周波電力を使用することは、特開２００１−７７０２９号公報（平成２５年１２月１８日付けの拒絶理由通知書で挙げた引用文献１：特に、段落【０００９】参照）、特開２００３−３１８１６５号公報（特に、段落【００３０】参照）に示されるように周知の技術であり、また、引用発明において、上限を２００ＭＨｚとした点に格別な技術的意味もないから、引用発明の「高周波電力」を２００ＭＨｚ以上のものとすることは、当業者が容易になし得ることである。
（２）相違点イについて
　引用文献１には、第１の実施例のプラズマ処理装置において、ポイントカスプ磁場に換えて、同心円状に配置された複数のリングマグネットにより円形線状のカスプ磁場（本願補正発明の「ループ状の磁場領域」に相当）を生成することが記載されており（特に、上記「２」「（２）」の［0024］、同「（４）」，「（６）」の図１，３参照）、また、他にも、プラズマ処理装置において、同心円状に配置された複数のリングマグネットにより円形線状のカスプ磁場を生成することは、特開２０００−３５３６６７号公報（特に、段落【００２８】、図１，２参照）、特開２０１２−２０４５８２号公報（特に、段落【００４０】〜【００４１】、図１，２参照）に示されるように周知の技術であるから、引用発明の「ポイントカスプ磁場」を形成するように配置された「多数の磁石７０１a」に換えて、円形線状のカスプ磁場を形成するように同心円状に配置された複数のリングマグネットとすることは、当業者が容易になし得ることである。
（３）相違点ウについて
　まず、引用発明において、「ポイントカスプ磁場」により、プラズマが磁場内を移動し、「ガス板７０２」表面付近で閉じ込められることは、物理的に自明である（引用文献１にも、プラズマが「ポイントカスプ磁場」により閉じ込め作用を受けることや、プラズマが円形線状のカスプ磁場内で円形の軌道上を移動し、円形線状のカスプ磁場により閉じ込め作用を受けることが記載されている。（特に、上記「２」「（２）」の［0019］、[0026]〜[0027]参照））から、相違点ウのうちの、本願補正発明では「励起されるプラズマを」「磁場領域内で移動するように前記主面付近に閉じ込める」ことについては、実質的な相違点ではない。
　次に、引用発明では、「高周波電極表面の平行磁場強度を大きくするほど、高密度のプラズマが発生し、しかも自己バイアスは６０Ｖ以下に抑えられ、ガス板のスパッタを防止することができるが、基板への影響も徐々に大きくなりデバイス特性に影響を及ぼす場合があるため、作製するデバイスに応じて磁場強度を適正化するのが好ましく、さらに処理条件に応じて適正化するのが好ましい」ところ、「高周波電極表面の平行磁場強度」をどの程度まで大きくできるかについて検討する。
　引用発明の「基板への影響も徐々に大きくなりデバイス特性に影響を及ぼす場合があるため、作製するデバイスに応じて磁場強度を適正化するのが好まし」いという記載，及び、処理する基板上では磁場は０であることが好ましいという当業者の技術常識から、「高周波電極表面の平行磁場強度」は処理する基板上での磁場が０となることを条件とした上限値を有することとなる。
　しかし、処理する基板上での磁場は「高周波電極表面」と処理する基板との距離が大きくなるほど小さくなることが自明のことであるから、「高周波電極表面」と処理する基板との距離を大きくすれば、「高周波電極表面の平行磁場強度」の上記の「上限値」は上記の「距離」に応じて増加させることができることは、当業者が容易に理解し得ることである。
　そして、引用発明において、「高周波電極表面」と処理する基板との距離には、格別、制限も認められないから、上記の「上限値」の増加にも制限は認められず、実質的に「上限値」は設定されないこととなる。
　また、上述の特開２００１−７７０２９号公報の「磁場の強さとしては、第一の電極の表面付近において数十から数千ガウス程度が適当である。」（段落【００１７】）と記載されるように、数千ガウス程度とすることが知られていることも考慮すれば、引用発明において、「ガス板のスパッタを防止する」ために、「高周波電極表面の平行磁場強度を大きく」して、３０００ガウス以上とすることは、当業者が容易になし得ることである。
（４）請求人の主張について
　請求人は、審判請求書の【請求の理由】「３．」「（ｂ）」で、
「ここで、引用文献１の実施例３のエッチング装置への引用文献１の実施例１のスパッタリング装置に利用するリングマグネット６の適用の可能性について検討すると、先ず、引用文献１のリングマグネット６の磁界の強さは、磁極においておよそ３００ガウスから１キロガウスで変えることができるとあり、３０００ガウス以上の強磁場は形成できません。そして、リングマグネット６は、複数のリング状のマグネットが同心状に配置されていることから、ターゲット電極の主面における磁界の強さの分布には、大きなムラが生じます。スパッタリング装置においては、このムラはターゲット電極のエロージョンのムラに影響しますが、基板上に形成される膜の面内均一性には影響せず、このため、実施例１のスパッタリング装置のポイントカスプ磁場に代えてリングマグネット６を適用することは可能です。しかしながら、面内において磁界強度の分布にムラが存在するリングマグネット６を実施例３のエッチング装置に適用すると、エッチングレートの面内均一性が大幅に低下することは明らかであり、いわゆる当業者といえども、エッチングレートの面内均一性が大幅に低下するのであるから、リングマグネット６を実施例３のエッチング装置へ適用することは考えられず、リングマグネット６を実施例３のエッチング装置へ適用することが容易であるとするのは後知恵にすぎないと思料致します。当業者であれば、リングマグネット６を実施例３のエッチング装置に適用することはありえないのですから、引用文献１に記載された発明から本願発明の構成を得ることはできないものと思料致します。」
と主張している。
　まず、引用文献１には、「リングマグネット６の磁界の強さは、各々のリングマグネット６の磁極においておよそ３００ガウス（Gauss） 〜１キロガウス（kGauss）の範囲で変えることができる。リングマグネット６の磁界の強さは、通常、上部電極１の下側表面で２００ガウス（Gauss）〜５００ガウス（Gauss）の範囲の磁界の強さを持つようにするために決定される。従って、もし上部電極１の厚みがより厚くなるならば、強い磁界を持ったリングマグネット６が要求される。」（上記「２」「（２）」の［0025］）と記載されているが、磁極において５〜６キロガウス程度の永久磁石（ネオジム磁石）が知られており、また、電極表面の磁力は、磁石との距離でも変わるものであるから、電極表面の磁力を３０００ガウス以上にできることは明らかである。
　すると、請求人の「３０００ガウス以上の強磁場は形成できません。」という主張は、その根拠を欠いており、採用し得るものではない。
　次に、「リングマグネット６は、複数のリング状のマグネットが同心状に配置されていることから、ターゲット電極の主面における磁界の強さの分布には、大きなムラが生じます。」と主張するが、引用文献１の「上部電極１の近傍において、半径方向のプラズマ密度は不均一である。しかしながら、磁界の強さは下流に向かって急速に衰退するので、下流における電子は拡散し、均一なプラズマを作る。それ故に、半径方向に均一なプラズマが、上部電極１の下側の数センチメートルの箇所で得ることができる。」（上記「２」「（２）」の［0027］）という記載からは、電極の主面上の磁界の強さのムラは基板表面には影響しないことが理解し得るから、請求人の、電極の主面上の磁界の強さにムラがあることが実施例１のリングマグネットを実施例３に適用することを阻害するという主張は、引用文献１の記載を誤解するものであって、採用し得るものではない。
（５）効果について
　本願補正発明が奏し得る効果は、引用発明、引用文献１に記載された事項及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
（６）結論
　したがって、本願補正発明は、引用発明、引用文献１に記載された事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
５．小括
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定により読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２６年８月１８日付けの手続補正は上記のとおり却下され、平成２６年４月１１日付けの手続補正は、平成２６年５月２１日付けで補正の却下の決定がなされているので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２６年１月３１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「平面からなる主面および当該主面とは反対の背面とを有するプラズマ形成用の電極と、
　周波数が２００ＭＨｚ以上の高周波電力を前記プラズマ形成用の電極に供給する高周波供給部と、
　前記電極の背面側に設けられ、Ｎ極が前記背面に対向配置された第１の固定磁石とＳ極が前記背面に対向配置された第２の固定磁石とを含み、前記第１の固定磁石のＮ極から出て前記電極を透過して前記第２の固定磁石のＳ極に入る磁力線を用いて、励起されるプラズマを前記主面付近に閉じ込めるための前記主面上で閉じたループ状の磁場領域を形成する磁場形成機構と、を有し、
　前記磁場形成機構の形成するループ状の磁場領域は、前記主面に平行な方向に３０００ガウス以上の強磁場の領域を有する、ことを特徴とするプラズマ発生装置。」
２　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物、その記載内容、引用発明は、上記「第２」「［理由］」「２」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、前記「第２」で検討した本願補正発明から、実質的に、「前記ループ状の磁場領域内で移動するように」及び「前記プラズマ形成用の電極のスパッタリングを抑制するために」を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、更に限定したものに相当する本願補正発明は、前記「第２」「３」及び「４」に記載したとおり、引用発明、引用文献１に記載された事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も引用発明、引用文献１に記載された事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　してみると、本願発明は、引用発明、引用文献１に記載された事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第４　むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。