【事件の表示】
　特願２０１１−２５８１４７「表面電位分布計測装置および表面電位分布計測方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　６月１０日出願公開、特開２０１３−１１３６３７、請求項の数（１０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
特許出願：　平成２３年１１月２５日
拒絶査定：　平成２８年４月２６日（送達日：同年５月１０日）
拒絶査定不服審判の請求：　平成２８年８月９日 
手続補正：　平成２８年８月９日 
拒絶理由通知：　平成２９年３月２９日
（以下、「当審拒絶理由」という。発送日：同年４月４日）
手続補正：　平成２９年５月２５日（以下、「本件補正」という。）
意見書：　　平成２９年５月２５日
第２　本願発明
　本願請求項１−１０に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明１０」という。）は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−１０に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願発明１は以下のとおりの発明である。
「回転電機の固定子コイルの端部である固定子コイルエンドに施された電界緩和システムの表面電位を計測する表面電位分布計測装置であって、
　レーザ光を出射するレーザと、
　前記レーザから出射された前記レーザ光が一端面に入射され、前記レーザ光の伝搬方向に沿って長手方向に延びたポッケルス結晶と、
　前記ポッケルス結晶の他端面に設けられ、前記ポッケルス結晶の一端面から入射された前記レーザ光を入射方向とは反対方向に反射するミラーと、
　インバータパルス電圧の高周波成分に追従する帯域を有し、前記ミラーにより反射された前記レーザ光を入射して、前記レーザ光の光強度として、前記ポッケルス結晶の一端面と他端面との間の電位差である出力電圧に対応する検出光強度を検出する光検出器と、
　試験前に行われる電圧校正処理において、前記ミラーの裏面に対して各々異なる入力電圧が印加されたときに、各々異なる前記入力電圧と前記ミラーの裏面に前記入力電圧が印加されたときの前記ポッケルス結晶の前記出力電圧との関係を示す入力電圧対出力電圧特性が格納された電圧校正データベースと、
　試験時に行われる表面電位測定処理において、前記ミラーの裏面に前記電界緩和システムの表面の一部が試験箇所として配置された場合に、前記固定子コイルに電圧が印加されたときの前記ポッケルス結晶の前記出力電圧を試験時出力電圧とし、前記電圧校正データベースに格納された前記入力電圧対出力電圧特性から、前記試験時出力電圧に対応する入力電圧を前記電界緩和システムの表面電位として特定する演算部と、
　を具備することを特徴とする表面電位分布計測装置。」
第３　引用文献、引用発明等
１．引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２０１１−２２００７号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審による。以下同様。）
「【０００１】
  本発明は、
回転電機の固定子コイル
「【００２７】
  図３は、固定子コイルエンド２４の断面、及び、その表面電位を測定する測定システム２の構成を示す図である。
【００２８】
  図示するように、
測定システム２は、固定子コイルエンド２４の表面電位を測定する表面電位計２００
を備える。
【００２９】
  
固定子コイルエンド２４（固定子コイル２２の端部）には、
主絶縁層（対地絶縁テープ）４２が施されている。
　・・・
【００３２】
  特に、低抵抗層４３の端部（端面）においては、電位傾度が著しく大きくなり、部分放電、或いは、沿面放電が発生しやすくなる。したがって、低抵抗層４３の端部で発生する部分放電、或いは、沿面放電を防ぐために、
主絶縁層４２表面には、
電界緩和層４４が施されている。
【００３３】
  
表面電位計２００は、電界緩和層４４の複数地点で表面電位を測定する。
　したがって、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「回転電機の固定子コイルの端部である固定子コイルエンド２４に施された主絶縁層（対地絶縁テープ）４２の表面に施された電界緩和層４４の複数地点で表面電位を測定する表面電位計２００を備える測定システム２。」
２．引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開平７−１８１２１１号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、帯電体の表面電位分布、特に、感光体の表面電位分布を計測するための
表面電位計測装置
「【０００４】一方、電気光学結晶を有する材料による表面電位センサを用い、そのポッケルス効果を利用することで感光体の表面電位分布を測定するようにしたものも提案されている。即ち、電気光学結晶内の屈折率分布（ポッケルス効果によって生ずるリターデイションの空間的な変化）を精度よく測定することで、感光体の表面電位分布を高分解能で測定し得るというものである。
【０００５】図５を参照して、ポッケルス効果を利用した表面電位計の構成・動作について説明する。まず、電気光学結晶１を有する材料をベースとして感光体等の帯電体２に近接対向される
表面電位センサ３
電気光学結晶１の片面に誘電体ミラー４
を装着してなる。
電気光学結晶１
ポッケルス効果が生ずるように構成されている。
【０００６】このような表面電位センサ３は光源６からのプローブ光に対して誘電体ミラー４の位置における電位分布に対応した偏光状態の変化（リターデイション）を生じさせることができる。まず、
光源６から出射された光は
表面電位センサ３に入射される。
表面電位を光強度の変化として観測することができる。この光強度を検出する受光素子（光電変換部）８
「【００２８】しかして、図１はこのような基本思想に基づき請求項１，２，３及び５記載の発明に相当する実施例として構成した例を示すものであり、まず、
光源６としては半導体レーザ６ａが用いられいる。
　したがって、上記引用文献２には、
「半導体レーザ６ａが用いられる光源６と、
　光源６から出射された光が入射される、ポッケルス効果が生ずるように構成されている電気光学結晶１を有する表面電位センサ３と、
　電気光学結晶１の片面に装着される誘電体ミラー４と、
　表面電位を光強度の変化として観測することができる受光素子（光電変換部）８と、
　を有する表面電位計測装置。」
　という技術的事項が記載されていると認められる。
３．引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（特開平５−１９６６７２号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真装置の感光体の
表面電位を測定するために用いられる電位計の校正方法
「【００４３】上記の構成において、電位センサ校正モードの実行により、
電位センサ５１の検出値ＶS を感光体２１の表面電位ＶF に変換するために用いられる変換特性線Ｌの校正が行われる。
【００４４】電位センサ校正モードに入ると、マスターＣＰＵ４０は、先ず、リレー４７の接点をＡからＢに切り換え（Ｓ１）、現像バイアス電圧が感光体２１のドラムボディに印加できるようにする。さらに、マスターＣＰＵ４０は、帯電ユニット５０にバイアス出力ＯＮ信号（ＲＥＭ）を出力する（Ｓ２）。
【００４５】次に、マスターＣＰＵ４０は、基準電圧印加動作が終了か否かの判断を行う（Ｓ３）。本実施例の場合、基準電圧印加動作を４回実行するようにプログラムされており、上記Ｓ３の判断を経て、先ず１回目の基準電圧印加動作が行われる。即ち、マスターＣＰＵ４０は、基準電圧用ＰＷＭ信号として、デューティ比αが４０％のＰＷＭ信号を帯電ユニット５０に出力する（Ｓ４）。
【００４６】これにより、帯電ユニット５０からは、図６に示すように、２００Ｖのバイアス電圧が出力され、このバイアス電圧が感光体２１に印加される。そして、このときの感光体２１の表面電位が電位センサ５１により検出されて所定のアナログ値に変換された検出値ＶS1が、マスターＣＰＵ４０のＡ／Ｄポートに入力される（Ｓ５）。マスターＣＰＵ４０は、上記Ａ／Ｄポートでディジタル値に変換された検出値ＶS を、一旦ＲＡＭに格納する（Ｓ６）。
【００４７】この後、再びＳ３へ戻り、上記Ｓ３〜Ｓ５の処理が繰り返され、２回目以降の基準電圧印加動作が順次行われる。この場合、Ｓ４において、２回目はデューティ比αが６０％、３回目はデューティ比αが８０％、４回目はデューティ比αが１００％のＰＷＭ信号が基準電圧用ＰＷＭ信号として出力される。したがって、帯電ユニット５０からは、図６に示すように、２回目は３００Ｖ、３回目は４００Ｖ、４回目は５００Ｖのバイアス電圧が出力され、感光体２１に印加される。
【００４８】上記４回の基準電圧印加動作により、図１に示すように、感光体２１の
表面電位がＶF1〜ＶF4
のときの電位センサ５１の検出値ＶS1〜ＶS1が得られ、
上記の検出値ＶS1〜ＶS1からリニアリティを計算（傾き、切片を演算）して、変換特性線Ｌを求める。
【００４９】そして、マスターＣＰＵ４０は、
算出した変換特性線Ｌの情報、即ち、傾きおよび切片を図４のＲＡＭ７５に格納し
「【００５３】プロセス設定モードに入ると、マスターＣＰＵ４０は、先ず、リレー４７の接点をＡ側に切り換え（Ｓ２１）、帯電ユニット５０にバイアス出力ＯＮ信号（ＲＥＭ）を出力する（Ｓ２２）と共に、所定のデューティ比αの基準ＰＷＭ信号を出力する（Ｓ２３）。
【００５４】これにより、帯電ユニット５０からは、デューティ比αに応じた所定のバイアス電圧が出力され、感光体２１が帯電される。そして、このときの感光体２１の
表面電位が電位センサ５１により検出され、
【００５５】このとき、マスターＣＰＵ４０は、電位センサ校正モードにおいて
ＲＡＭ７５にメモリした傾きおよび切片のデータから、感光体２１の表面電位ＶF を算出する
【００５６】一方、表面電位ＶF が所定の電位範囲にあれば、マスターＣＰＵ４０は、算出された表面電位ＶF を目標値と比較し、表面電位ＶF を目標値に一致させるように帯電ユニット５０へのＰＷＭ信号を調整しながら、複写プロセス条件を求める（Ｓ２８）。そして、求めた複写プロセス条件をＲＡＭにメモリし（Ｓ２９）、プロセス設定モードを終了して主制御ルーチンへＲＥＴＵＲＮする（Ｓ３０）。」
　したがって、上記引用文献３には、
「表面電位を測定するために用いられる電位計の校正方法であって、
　表面電位がＶF1〜ＶF4のときの電位センサ５１の検出値ＶS1〜ＶS1が得られ、上記の検出値ＶS1〜ＶS1からリニアリティを計算（傾き、切片を演算）して、変換特性線Ｌを求め、算出した変換特性線Ｌの情報、即ち、傾きおよび切片をＲＡＭ７５に格納し、
　表面電位が電位センサ５１により検出され、ＲＡＭ７５にメモリした傾きおよび切片のデータから、感光体２１の表面電位ＶF を算出する方法。」
　という技術的事項が記載されていると認められる。
４．引用文献４について
　原査定の拒絶の理由において、周知技術を示す文献として引用された引用文献４（特表２００４−５２５３６１号公報）には、図面（Fig.1）とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
この発明は、請求項１の上位概念にもとづく、電気光学媒体を用いて電圧を測定する方法、ならびに請求項８の上位概念にもとづく、電圧を測定するための装置に関する。」
「【００１２】
図１は、角柱形のＢＧＯ結晶１の構成図を示し
【００１３】
偏光子９，１０は、結晶の中心軸に対して４５度の方向に向けられている。これらは、互いに平行とするか、または９０度の角度で交差させることができる。
【００１４】
発光ユニット１３で生成された異なる波長λ1 ，λ2 の二つの光線１１が、コリメーター７に入射される。これらの光線は、偏光子９を通過する。
これらの光線は、電極２で偏光されて、ＢＧＯ結晶１に入り、電極３を通って進み、偏向用プリズム６の境界面で反射されて、その後電極３、ＢＧＯ結晶１、電極２、検光子１０として機能する偏光子、およびコリメーター８を通り抜ける。
５．引用文献６について
　原査定において周知技術を示す文献として引用された引用文献６（特開平６−３４２０１７号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電界強度測定装置に関し、詳しくは電気光学結晶の電界による屈折率の変化を利用し表面電位測定にも応用できる電界強度測定装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の電界強度測定装置には、静電誘導を用いたものや、電界の力やイオンの運動を利用したものなど種々のものがある（特開平４−３５９１６５号公報を参照）。最近では、
その応答性の速さから電気光学効果を利用した方法が、高速な電子デバイスの評価方法として利用されている。
第４　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
　引用発明における「電界緩和層４４」は、本願発明１における「電界緩和システム」に相当する。また、引用発明の「測定システム２」は「複数地点で表面電位を測定する」ものであるから、表面電位の分布を測定するものといえ、本願発明の「表面電位分布計測装置」に相当する。
　そうすると、引用発明における「回転電機の固定子コイルの端部である固定子コイルエンド２４に施された主絶縁層（対地絶縁テープ）４２の表面に施された電界緩和層４４の複数地点で表面電位を測定する表面電位計２００を備える測定システム２。」は、本願発明における「回転電機の固定子コイルの端部である固定子コイルエンドに施された電界緩和システムの表面電位を計測する表面電位分布計測装置」に相当する。
　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
（一致点）
「回転電機の固定子コイルの端部である固定子コイルエンドに施された電界緩和システムの表面電位を計測する表面電位分布計測装置。」
（相違点）
（相違点１）本願発明１は「レーザ光を出射するレーザと、前記レーザから出射された前記レーザ光が一端面に入射され、前記レーザ光の伝搬方向に沿って長手方向に延びたポッケルス結晶と」を備えるのに対し、引用発明はそのような構成を備えていない点。
（相違点２）本願発明１は「前記ポッケルス結晶の他端面に設けられ、前記ポッケルス結晶の一端面から入射された前記レーザ光を入射方向とは反対方向に反射するミラーと、インバータパルス電圧の高周波成分に追従する帯域を有し、前記ミラーにより反射された前記レーザ光を入射して、前記レーザ光の光強度として、前記ポッケルス結晶の一端面と他端面との間の電位差である出力電圧に対応する検出光強度を検出する光検出器と」を備えるのに対し、引用発明はそのような構成を備えていない点。
（相違点３）本願発明１は「試験前に行われる電圧校正処理において、前記ミラーの裏面に対して各々異なる入力電圧が印加されたときに、各々異なる前記入力電圧と前記ミラーの裏面に前記入力電圧が印加されたときの前記ポッケルス結晶の前記出力電圧との関係を示す入力電圧対出力電圧特性が格納された電圧校正データベースと、試験時に行われる表面電位測定処理において、前記ミラーの裏面に前記電界緩和システムの表面の一部が試験箇所として配置された場合に、前記固定子コイルに電圧が印加されたときの前記ポッケルス結晶の前記出力電圧を試験時出力電圧とし、前記電圧校正データベースに格納された前記入力電圧対出力電圧特性から、前記試験時出力電圧に対応する入力電圧を前記電界緩和システムの表面電位として特定する演算部と」を備えるのに対し、引用発明はそのような構成を備えていない点。
（２）相違点についての判断
　上記相違点１について検討する。
　上記引用文献２に記載されている技術的事項のうち、「半導体レーザ６ａが用いられる光源６と、光源６から出射された光が入射される、ポッケルス効果が生ずるように構成されている電気光学結晶１を有する表面電位センサ３と」を有する点は、相違点１に係る構成のうち、「レーザ光を出射するレーザと、前記レーザから出射された前記レーザ光が一端面に入射され」る「ポッケルス結晶と」を備える点と共通するといえる。しかしながら、相違点１に係る構成のうち、ポッケルス結晶が「レーザ光の伝搬方向に沿って長手方向に延びたポッケルス結晶」であるとされている構成は、上記引用文献２，３，４，６のいずれにも記載されておらず、周知であるともいえない。
　ここで、上記引用文献４のFig.1に示された「角柱形のＢＧＯ結晶１」（ポッケルス結晶）は、光伝搬方向に沿って長手方向に延びた形状を成しているようにも見えるのであるが、Fig.1の記載が実際のＢＧＯ結晶の形状を写したものであるのか、機能説明のための単なる模式図に過ぎないのかは不明である。また、Fig.1の記載が実際の形状を表すものであるとしても、そのような形状とする目的、理由は引用文献４中において何ら説明されておらず、そのような形状のＢＧＯ結晶を引用発明に適用しようとする動機を見いだすことはできない。そして、本願発明１は、相違点１に係る構成とすることにより、測定対象が高電圧でも測定可能とできるという特有の効果を奏するものである。
　したがって、上記相違点２、３について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１ないし５、及び原査定において周知技術を示す文献として引用された引用文献６に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
２．本願発明２ないし９について
　本願請求項２ないし９は、本願請求項１を直接または間接的に引用するものであって、本願発明２ないし９も、本願発明１の「レーザ光を出射するレーザと、前記レーザから出射された前記レーザ光が一端面に入射され、前記レーザ光の伝搬方向に沿って長手方向に延びたポッケルス結晶」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、上記引用文献１ないし６に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
３．本願発明１０について
　本願発明１０は、本願発明１に対応する方法の発明であり、本願発明１の「レーザ光を出射するレーザと、前記レーザから出射された前記レーザ光が一端面に入射され、前記レーザ光の伝搬方向に沿って長手方向に延びたポッケルス結晶」に対応する構成を備えるものであるから、本願発明１と同様の理由により、当業者であっても、上記引用文献１ないし６に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　原査定は、本件補正前の請求項１−７，９−１１について上記引用文献１ないし６に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。しかしながら、本件補正により補正された請求項１、１０は、それぞれ「レーザ光を出射するレーザと、前記レーザから出射された前記レーザ光が一端面に入射され、前記レーザ光の伝搬方向に沿って長手方向に延びたポッケルス結晶」という事項とそれに対応する構成を有するものとなっており、上記のとおり、本願発明１−１０は、当業者であっても、上記引用文献１ないし６に基づいて容易に発明できたものとはいえない。したがって、原査定を維持することはできない。
第６　当審拒絶理由について
（１）当審では、請求項３の「前記ディテクタは、・・・」という記載が不明確であるとの拒絶の理由を通知しているが、本件補正により、「前記光検出器は、・・・」と補正された結果、この拒絶の理由は解消した。
（２）当審では、請求項４の「前記演 算部は、・・・」、「・・・との関係を示す試験 箇所対表面電位特性を生成する」、また請求項５の「前記演 算部は、・・・」、「・・・前記試験箇所対表面電位特性 を生成する、」なる記載が半角スペースを含んでおり不明確であるとの拒絶の理由を通知しているが、本件補正により当該半角スペースが削除された結果、この拒絶の理由は解消した。
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明１−１０は、当業者が引用文献１ないし６に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。