【事件の表示】
　特願２０１３−１７７９６２「自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム及びその自己管理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１２月　８日出願公開、特開２０１４−２２９６０３、請求項の数（１５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２５年（２０１３年）８月２９日（パリ条約による優先権主張　２０１３年５月２２日、韓国）の出願であって、平成２６年８月２９日付け（発送同年９月９日）で拒絶理由通知がされ、平成２６年１２月９日に手続補正がされるとともに意見書が提出され、平成２７年５月２８日付け（発送同年６月９日）で拒絶理由通知（最後）がされ、同年９月１５日に手続補正がされるとともに意見書が提出されたが、同年１２月２１日付け（発送平成２８年１月１２日）で前記平成２７年９月１５日にされた手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定（以下「原査定」という。）がされ、これに対し、平成２８年５月１２日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされた後、当審において、平成２９年４月１８日付けで拒絶理由（発送同年同月２５日、以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年６月８日に手続補正がされるとともに意見書が提出されたものである。
　
第２　本願発明
　本願請求項１ないし１５に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１５」という。）は、平成２９年６月８日にされた手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１ないし１５は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　プラズマを発生して工程チャンバーに遠隔で供給する遠隔プラズマ発生器、
　前記遠隔プラズマ発生器を工程チャンバーに接続するアダプタを包むように配置されたコアを備える、前記遠隔プラズマ発生器のガス出口周辺に取付けられる変流器、を含む一つ以上のセンサーで構成されるセンサー部、および
　前記センサー部の測定値に基づき、前記遠隔プラズマ発生器の作動状態に関する情報を生成する制御部、を含む遠隔プラズマシステムであって、
　前記変流器は前記遠隔プラズマ発生器から前記工程チャンバーに供給されるプラズマガスの電流値を測定し、
　前記遠隔プラズマシステムは自己管理機能を持つことを特徴とする遠隔プラズマシステム。
【請求項２】
　前記センサー部は前記遠隔プラズマ発生器の発生器本体を通じて漏洩する電流を測定する一つ以上の電流測定センサーを含み、前記制御部は前記電流測定センサーによって測定される漏洩電流測定値に基づき、他の作動状態に関する情報を生成する、請求項１に記載の自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。
【請求項３】
　前記センサー部は前記遠隔プラズマ発生器の発生器本体の中で発生するプラズマを測定するためのプラズマ測定センサーを含み、前記制御部は前記プラズマ測定センサーを通じて測定されたプラズマ測定値に基づき、前記遠隔プラズマ発生器の他の作動状態に関する情報を生成する、請求項１に記載の自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。
【請求項４】
　前記センサー部は前記工程チャンバーの中間部分に流入されたプラズマの状態を測定するためのプラズマ測定センサーを含み、前記制御部は前記プラズマ測定センサーで測定されるプラズマ測定値に基づき、前記工程チャンバー内部の工程進行状態に関する情報を生成する、請求項１に記載の自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。
【請求項５】
　前記センサー部は前記工程チャンバーから出る排気ガス中のプラズマの状態を測定するためのプラズマ測定センサーを含み、前記制御部は前記プラズマ測定センサーで測定されるプラズマ測定値に基づき、前記工程チャンバー内部の工程進行状態に関する情報を生成する、請求項１に記載の自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。
【請求項６】
　前記遠隔プラズマ発生器はプラズマ放電空間を持つ発生器本体、前記発生器本体のプラズマ放電空間にプラズマを形成するための起電力を提供するよう、前記発生器本体に取付けられる磁気コアと前記磁気コアに巻線された一次巻線を持つ変圧器、および前記変圧器の一次巻線に駆動電力を供給する電源供給源を含む、請求項１に記載の自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。
【請求項７】
　前記発生器本体の前記プラズマ放電空間にプラズマを形成するための起電力を提供するよう前記発生器本体に取付けられ、前記電源供給源から駆動電力の提供を受けて作動する容量結合電極を含む、請求項６に記載の自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。
【請求項８】
　前記発生器本体の前記プラズマ放電空間にプラズマを形成するための起電力を提供するよう前記発生器本体に取付けられ、前記電源供給源から駆動電力の提供を受けて作動する誘導アンテナコイルを含む、請求項６に記載の自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。
【請求項９】
　前記遠隔プラズマ発生器の発生器本体は一つ以上の絶縁区間によって区分される二つ以上の分離された領域を持つ金属の発生器本体を含み、
　前記センサーは前記発生器本体の二つ以上の分離された領域にそれぞれ取付けられる二つ以上の電圧測定センサーを含む、請求項１に記載の自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。
【請求項１０】
　前記遠隔プラズマ発生器はプラズマ放電空間と一つ以上の絶縁区間によって区分される二つ以上の分離された領域を持つ金属の発生器本体を含み、前記電流測定センサーは前記発生器本体の二つ以上の分離された領域に取付けられる二つ以上の前記電流測定センサーを含む、請求項２に記載の自己管理機能を持つ遠隔プラズマシステム。
【請求項１１】
　遠隔プラズマ発生器の作動を始める段階、
　前記遠隔プラズマ発生器を工程チャンバーに接続するアダプタを包むように配置されたコアを備える、前記遠隔プラズマ発生器のガス出口周辺に取付けられる変流器、を含む一つ以上のセンサーで構成されるセンサー部によって前記遠隔プラズマ発生器の状態を測定する段階、および
　前記センサー部で測定された前記遠隔プラズマ発生器の状態に関する測定値に基づき、前記遠隔プラズマ発生器の作動状態に関する情報を生成する段階、を含み、
　前記変流器は前記遠隔プラズマ発生器から前記工程チャンバーに供給されるプラズマガスの電流値を測定することを特徴とする遠隔プラズマシステムの自己管理方法。
【請求項１２】
　前記センサー部は前記遠隔プラズマ発生器の発生器本体を通じて漏洩する電流を測定する電流測定センサーを含み、前記電流測定センサーによって測定された漏洩電流測定値に基づき、他の作動状態に関する情報を生成する段階を含む、請求項１１に記載の遠隔プラズマシステムの自己管理方法。
【請求項１３】
　前記センサー部は前記遠隔プラズマ発生器の発生器本体の中で発生するプラズマを測定するためのプラズマ測定センサーを含み、前記プラズマ測定センサーによって測定されたプラズマ測定値に基づき、他の作動状態に関する情報を生成する段階を含む、請求項１１に記載の遠隔プラズマシステムの自己管理方法。
【請求項１４】
　前記センサー部は工程チャンバー内部のプラズマの状態を測定するプラズマ測定センサーを含み、前記プラズマ測定センサーによって測定されたプラズマ測定値に基づき、前記工程チャンバー内部の工程進行状態に関する情報を生成する段階を含む、請求項１１に記載の遠隔プラズマシステムの自己管理方法。
【請求項１５】
　前記センサー部は工程チャンバーから出る排気ガス中のプラズマの状態を測定するためのプラズマ測定センサーを含み、前記プラズマ測定センサーで測定されるプラズマ測定値に基づき、前記工程チャンバー内部の工程進行状態に関する情報を生成する段階を含む、請求項１１に記載の遠隔プラズマシステムの自己管理方法。」
　
第３　刊行物の記載及び引用発明
１　引用文献１について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である引用文献１（特表２００８−５１９４１６号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、一般に、イオン、遊離基、原子、および分子を含む活性化ガスを発生させる分野、ならびに活性化ガスを用いて材料を処理する装置および方法に関する。」
　
イ　「【００３４】
　図１は、本発明を具体化する活性化ガスを生成するための
トロイダル低電界プラズマ源１０
プラズマ源１０は、電磁エネルギーをプラズマ１４に結合する出力変圧器１２を含む。出力変圧器１２は、高透磁率磁心１６と、一次コイル１８と、プラズマ１４を閉じ込めるプラズマチャンバ２０とを含み、プラズマ１４が変圧器１２の二次回路を形成
【００３５】
　
プラズマチャンバ２０の１つまたは複数の側部がプロセスチャンバすなわち処理チャンバ２２に露出され、プラズマ１４によって発生される荷電粒子および活性化ガスが、処理すべき材料
と直接接触でき
【００４５】
　また、
トロイダル低電界プラズマ源１０は、一次巻線１８の電気パラメータを測定するための測定回路３６
【００４６】
　また、プラズマ源１０は、プラズマ１４自体の電気および光学パラメータを測定するための装置を含むこともできる。例えば、
プラズマ源１０は、変圧器１２の二次側を流れるプラズマ電流を測定するために、プラズマチャンバ２０の周りに配置された電流プローブ３８
【００４７】
　また、
プラズマ源１０は、プラズマ１４からの発光を測定するための光検出器４０を含
プラズマ源１０は、電力制御回路４２を含むことができ、電力制御回路４２は、電流プローブ３８と、出力検出器４０と、スイッチング回路２６との少なくとも１つからデータを受け入れ、次いで一次巻線１８での電流を調節することによって、プラズマでの電力を調節する
　
ウ　「【０１００】
　また、プラズマ源は、点火プロセスを監視および制御するためのモニタおよび制御回路３９０を含むことができる。一実施形態では、まず、モニタおよび制御回路３９０は、プラズマの点火を検出し、次いで、点火シーケンスを終了して、スイッチング回路２６を通常動作モードに切り換える。
【０１０１】
　別の実施形態では、モニタおよび制御回路３９０は、固定された事前設定された時間間隔で、点火プロセスを監視する。時間間隔は、典型的な点火時間の分数であってよい。各時間間隔の最後に、モニタおよび制御回路３９０は、プラズマが点火されているかどうか判定するために、プラズマ光、または一次巻線の電気的特性を測定する。プラズマ点火が検出される場合、モニタおよび制御回路３９０は、点火プロセスを終了し、スイッチング回路２６を通常動作モードに戻す。プラズマが検出されない場合、モニタおよび制御回路３９０は、次の時間間隔にも点火プロセスを継続する。点火プロセスに割り当てられた全時間間隔においてプラズマが発生されない場合、障害が発生している。」
　
エ　図１は次のものである。
【図１】
　
オ　上記アないしウの記載を踏まえて上記ウの図１をみると、トロイダル低電界プラズマ源１０は、プラズマチャンバ２０と処理チャンバ２２を接続する部材を備えていることがみてとれる。
　　
（２）上記（１）によれば、引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「電磁エネルギーをプラズマ１４に結合する出力変圧器１２を含み、前記出力変圧器１２は、高透磁率磁心１６と、一次コイル１８と、プラズマ１４を閉じ込めるプラズマチャンバ２０とを含み、プラズマ１４が変圧器１２の二次回路を形成し、
　前記プラズマチャンバ２０の１つまたは複数の側部がプロセスチャンバすなわち処理チャンバ２２に露出され、プラズマ１４によって発生される荷電粒子および活性化ガスが、処理すべき材料と直接接触でき、
　一次巻線１８の電気パラメータを測定するための測定回路３６と、変圧器１２の二次側を流れるプラズマ電流を測定するために、プラズマチャンバ２０の周りに配置された電流プローブ３８と、プラズマ１４からの発光を測定するための光検出器４０と、電力制御回路４２を含み、
　前記電力制御回路４２は、電流プローブ３８と、出力検出器４０と、スイッチング回路２６との少なくとも１つからデータを受け入れ、次いで一次巻線１８での電流を調節することによって、プラズマでの電力を調節し、
　プラズマチャンバ２０と処理チャンバ２２を接続する部材を備えている、
　トロイダル低電界プラズマ源１０。」
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である引用文献２（特表２００６−５１７３３５号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【０００１】
　本発明は、プラズマソースの分野に関し、さらに詳しくは、本発明は変圧器結合プラズマソースに関する。」
　
イ　「【００２１】
　図３を参照すると、ＲＦ発生器１１０は、インピーダンスマッチングネットワーク１２０に接続され、これはプラズマソース１４０内の変圧器３１０の一次巻線３００に接続状態である。プラズマソース１４０はさらに、プラズマループ３２０および１：Ｍの巻数比をもつ変流器３３０を有する。プラズマループ３２０は二次巻線３４０、変流器３３０の一次側、およびプラズマ抵抗Ｒｐにより示される。多くのプラズマ分野の関係者にとっては、抵抗Ｒｐがプラズマループ３２０のインピーダンス値を決定付ける。一次巻線３００および二次巻線３４０の間の巻数比はＮ：１である。
【００２２】
　一実施形態においては、変流器３３０のコアがプラズマ３２０を囲み、この変流器に対する一次の単一巻として作用する。さらに、抵抗器（Ｒ）は、プラズマ電流（Ｉｐ）に比例する計測電圧（ＶＩ）（例えば、ＶＩ＝Ｒ＊Ｉｐ／Ｍ；ここでＭは変流器３３０の二次巻数）を提供するために、変流器３３０の二次側に接続される。
【００２３】
　他の実施形態によれば、プラズマソース１４０内の変圧器３１０は、Ｎ：Ｌの巻数比をもつ二次巻線３５０をさらに有する。二次巻線３５０は、プラズマ３２０において適用された閉ループの電圧を計測するために誘導される。
【００２４】
　一実施形態では、巻線３５０は、変圧器３１０のコア３６０周りにワイヤを一回巻いたものであり、プラズマループ３２０と同様に、磁束を囲むように配置される。このような構成では、閉ループプラズマ電圧、Ｖｐｌａｓｍａは、二次巻線３５０を横切って計測された電圧Ｖｐと同じであり、つまり、Ｖｐ＝Ｖｐｌａｓｍａである。他の実施形態では、電圧減少成分（示されてない）は、電圧を電力計測回路（示されてない）に接続するために、規定量だけ電圧を減少させる巻線３５０に接続され得る。
【００２５】
　図４は、プラズマチャンバ４１０まわりの様々な構成要素の典型的な配列を示すＴＣＰソース１４０の一実施形態を示す。上述のように、電力は、磁心３６０および一次巻線３００をもつ変圧器を通してプラズマ３２０に接続される。二次巻線３５０は、プラズマ電圧を評価するために使用される。変流器３３０は、プラズマ電流Ｉｐを計測する。
【００２６】
　図５は、電力計測回路５００の一実施形態を示す。電力計測回路５００は、変流器３３０からリアルタイムの電流値および二次巻線３３０からリアルタイムの電圧値を受け取る。電力計測回路５００は、乗算器５１０および平均値算出モジュール５２０を有する。乗算器５１０は、リアルタイムの電圧値および電流値を受け取り、瞬間電力値を得るために、それぞれ受け取った値の積をとる。各時刻で計算された電力値は平均値算出モジュール５２０に伝送される。平均値算出モジュール５２０は、プラズマループ３２０に伝送された電力の平均値を計算する。」
　
ウ　図２ないし５は次のものである。
　
（３）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である引用文献３（特表２００５−５１９４４６号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、大気圧かつ雰囲気温度において動作するプラズマ殺菌システムに関するものである。より詳細には、本発明は、そのようなシステムのためのプラズマによる殺菌性ガス生成源に関するものである。」
　
イ　「【００４２】
　プラズマ生成システムの第２実施形態が、図６に詳細に示されている。この実施形態においては、電流測定システム（３２）は、単に抵抗（４８）によって構成されているのではなく、変流器の形態として実現されている。この実施形態は、高電圧回路から測定回路を絶縁し得るという利点を有しているとともに、高電圧回路内の任意の所望箇所において測定を行い得るという利点を有している。図６においては、主要部材に関して、図３と同じ符号が付されている。ただし、電流測定システムは、新たな電流測定システム（９０）によって代替されている。この電流測定システム（９０）は、フェライト（９２）から構成されている。このフェライト（９２）を貫通して、高電圧を付帯している導線（２２）が配置されている。フェライト（９２）は、フェライトの周縁部分に沿って巻回されたワイヤ（９４）を備えている。このワイヤ（９４）の２つの端部のうちの一方は、アースに対して接続されている。ワイヤ（９４）の２つの端部のうちの他方は、変換システム（３４）のフィルタ（５０）に対して接続されている。この変換システム（３４）の動作は、図３を参照して上述したものと同じである。」
　
ウ　図６は次のものである。
【図６】
　
（４）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である引用文献４（特開２００７−２６６３６５号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，処理容器内にプラズマを生成して基板を処理するプラズマ処理装置と，そのプラズマ処理装置におけるプラズマ内の高周波電流量の測定方法に関する。」
　
イ　「【００５３】
　次に，以上のように構成されたプラズマエッチング装置１の作用について説明する。
【００５４】
　プラズマエッチング装置１においてエッチング処理を行う際には，図１に示すように先ず基板Ｗが処理容器２内に搬入され，下部電極１２上に載置される。排気管７０から排気が行われ処理容器２内が減圧され，ガス吐出孔２０ａからは所定の処理ガスが供給される。次に，高周波電源３１により，下部電極１２にプラズマ生成用の高周波電力が供給される。これにより，下部電極１２と上部電極２０との間に高周波電圧が印加され，処理容器２内の下部電極１２と上部電極２０との間の処理空間Ｋにプラズマが生成され，プラズマ領域Ｐが形成される。このプラズマにより処理ガスから活性種やイオンなどが生成され，ウェハＷの表面膜がエッチングされる。所定時間エッチングが行われた後，高周波電力の供給と処理ガスの供給が停止され，ウェハＷが処理容器２内から搬出されて，一連のエッチング処理が終了する。
【００５５】
　プラズマエッチング装置１において，例えばプラズマ領域Ｐ内の高周波電流量の変動を検出する際には，先ずプラズマの発生中に，下部プローブ４０により処理空間Ｋの下部電極１２付近の周方向θの磁界の時間変化量が検出される。この際，下部プローブ４０のコイル４０ａには，処理空間Ｋの下部電極１２付近の周方向θの磁束Φが通過し，そのコイル４０ａ内の磁束Φの変化によりコイル４０ａに誘導起電力Ｖ（ｒ）１が生じる。この誘導起電力Ｖ（ｒ）１が下部電極１２の付近の磁界の時間変化量として検出される。また，上部プローブ４１により処理空間Ｋの上部電極２０付近の周方向θの磁界の時間変化量が検出される。上部プローブ４１のコイル４１ａには，処理空間Ｋの上部電極２０付近の周方向θの磁束Φが通過し，そのコイル４１ａ内の磁束Φの変化によりコイル４１ａに誘導起電力Ｖ（ｒ）２が生じる。この誘導起電力Ｖ（ｒ）２が上部電極２０付近の磁界の時間変化量として検出される。
【００５６】
　誘導起電力Ｖ（ｒ）１，Ｖ（ｒ）２の検出情報は，アナライザボックス５０に入力され，アナライザボックス５０では，検出された誘導起電力Ｖ（ｒ）１，Ｖ（ｒ）２が，高周波電力の基本波，高調波などの各周波数成分に分解される。各周波数成分に分解された誘導起電力Ｖ（ｒ）１，Ｖ（ｒ）２は，コンピュータ５１に送られ，コンピュータ５１では，上記式（４）などの算出原理を用いて，各誘導起電力Ｖ（ｒ）１，Ｖ（ｒ）２に対応する高周波電流量Ａｚ１，Ａｚ２が算出される。また，コンピュータ５１では，高周波電流量Ａｚ１から高周波電流量Ａｚ２を引いた損出高周波電流量Ａｒが算出される。
【００５７】
　算出された高周波電流量Ａｚ１，Ａｚ２，Ａｒは，例えば制御部６０に出力され，例えば損出高周波電流量Ａｒが周波数成分毎に予め設定された閾値と比較され，閾値内の場合には正常と判定され，閾値を超えていた場合には，例えばエラーが出力され，基板Ｗの処理が停止される。また，高周波電流量Ａｚ１，Ａｚ２，Ａｒの情報は，制御部６０に蓄積され，基板Ｗの処理状態や処理容器２内のコンディションを評価する情報として利用される。なお，閾値の設定の仕方によって，閾値を下回った場合にエラーを出力するようにしてもよい。
【００５８】
　以上の実施の形態によれば，プローブ４０，４１が処理容器２内に設置されたので，プラズマ内を流れる高周波電流量Ａｚ，Ａｒを直接的に検出することができる。このため，正確な高周波電流量Ａｚ，Ａｒを検出でき，この高周波電流量Ａｚ，Ａｒにより例えば基板Ｗの処理状態を正確に評価することができる。
【００５９】
　また，処理容器２内の上下の電極１２，２０付近にプローブ４０，４１をそれぞれ設けたので，下部電極１２からプラズマ領域Ｐ内に入力される高周波電流量Ａｚ１と，プラズマ領域Ｐから上部電極２０に出力される高周波電流量Ａｚ２とを検出でき，それらの高周波電流量Ａｚ１，Ａｚ２から，下部電極１２と上部電極２０との間の側壁面２ａに流出する損出高周波電流量Ａｒを検出できる。これにより，プラズマ領域Ｐ内における高周波電流量の変動を検出し，プラズマ領域Ｐ内の高周波電流の流れを把握できる。この結果，例えば処理容器２内のコンディションを把握できる。例えば処理容器２の内壁面や電極１２，２０に汚れや亀裂が生じたり，内壁面の保護膜が減少したり，或いは上部電極２０のガス孔２０ａなどに異常放電が生じているような場合には，高周波電流量Ｉｚの上部電極２０方向の流れが妨げられたり，側壁面２ａ方向への流出が妨げられたりして，高周波電流量Ａｚ，Ａｒが変わる。したがって，本実施の形態のように高周波電流量Ａｚ，Ａｒから高周波電流の流れを把握することにより，処理容器２内のコンディションの変化を検出できる。また，処理容器２内のコンディションを把握できるので，そのコンディションに基づいて他のプラズマエッチング装置との間の機差を補正できる。」
　
ウ　図１は次のものである。
　
（５）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である引用文献５（特開２００３−３１８１１５号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は窓型プローブ、プラズマ監視装置、及び、プラズマ処理装置に関するものであり、特に、被処理基体に高周波、或いは高電圧によるプラズマ放電を用いて処理するプラズマ処理装置におけるプラズマの変動を簡単に、迅速に、精度良く検出するための構成に特徴のある窓型プローブ、プラズマ監視装置、及び、プラズマ処理装置に関するものである。」
　
イ　「【００２１】
【発明の実施の形態】ここで、図２乃至図７を参照して、本発明の第１の実施の形態の窓型プローブ付きプラズマ処理装置及び検出信号処理方法を説明する。
図２参照
図２は本発明の第１の実施の形態の窓型プローブ付きプラズマ処理装置の概略的構成図である。このプラズマ処理装置は、ガス導入口１２、排気口１３、及び、プローブ取付け部１４を有するプロセスチャンバー１１、プロセスチャンバー内に配置された、Ｓｉウェハ１６を載置する下部電極１５及び導入ガスを噴射するシャワーヘッドを兼ねる上部電極１７とを対向させた平行平板型電極、下部電極１５にブロッキングコンデンサ等から構成されインピーダンス整合をとる整合器１８を介して１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を印加する高周波電源１９、及び、上部電極１７を接地する接地配線２０から構成される。
【００２２】また、プローブ取付け部１４は、通常のビューポートを構成するフランジ部材からなるものであり、このフランジ部材に窓型プローブ３０を取付け、この窓型プローブ３０からの検出出力は同軸ケーブルを介してデジタルオシロスコープ４０に接続されている。なお、このデジタルオシロスコープ４０の入力インピーダンスは、例えば、５０オームとする。・・・
【００３８】次に、図４乃至図６を参照して本発明の窓型プローブを用いて測定した電圧波形を説明する。
図４（ａ）参照
図４（ａ）は、プロセスチャンバー１１に高周波電源１８より電力を供給し安定してプラズマを生成した時の、窓型プローブ３０から出力される電圧波形である。図において、横軸は時間〔秒〕、縦軸は電圧であり、周波数１３．５６ＭＨｚに対応して１周期７３ナノ秒（７３ｎｓ＝７．３×１０-8ｓ）で繰り返す安定した電圧波形が得られており、プラズマの振動波形及び振幅を測定することができる。
【００３９】図４（ｂ）参照
図４（ｂ）は、不安定な状態のプラズマの場合に観測される電圧波形であり、図に示すようにこの電圧波形には歪があり、波高値（ピーク値）も一周期毎に変動していることが測定される。
【００４０】図５参照
図５は、ＲＦ放電で入力電力が変動している場合の窓型プローブの検出波形の説明図であり、入力電力の変動に応じて検出波形も緩やかに変化していることが観測される。この場合、検出波形における波高値もＲＦ入力電力に比例していることが確認され、この窓型プローブによる検出波形は、高周波電源１９の周波数の周期で変化していて、波形の歪の状態、ピーク値等がプラズマの特性を反映している。
【００４１】図６参照
図６は、ＲＦ放電での装置異常によりＲＦ電源を即断した場合の窓型プローブの検出波形の説明図であり、ＲＦ電源が即断されたため、質量が軽い電子が急激に拡散して壁電位がマイナス側に変化するために検出波形はプラス側に反応している。
【００４２】このように、本発明の窓型プローブ３０は、プラズマ状態の変化の状況に応じて拡散するイオン流或いは電子流の敏感な変化を捕らえることができるので、プラズマ状態の変化を確実、且つ、迅速に感度良く検出することができる。」
　
ウ　図２は次のものである。
　
（６）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である引用文献６（特開２００１−２３９６９号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの製造に適したプラズマ装置およびその動作方法に関し、特に、プラズマ中で形成された特定種類のガスが排気ガスに残存する量を検知することのできるプラズマ装置およびその動作方法に関する。」
　
イ　「【００３９】（実施形態２）次に、図３を参照しながら、本発明によるプラズマ装置の他の実施形態を説明する。
【００４０】前述の実施形態１では、質量分析装置８のための排気ポンプ９として専用のポンプを使用しているが、本実施形態では、質量分析装置８の排気ポンプをプラズマ装置本体の排気ポンプ５が兼ねている。すなわち、質量分析装置８に取り込まれた排気ガスは、質量分析装置８のイオン化室と排気ポンプ５とを接続する配管２０を通じて排気ポンプ５に送られる。
【００４１】このような構成を採用することによって、排気ポンプの合計個数を削減し、装置コストを低減させることができる。また、質量分析装置８に採取されたガスは再び除害装置６を経て排気されることになるため、より完全に近い状態の閉じたガスシステムを構成することができる。このような構成にすれば、プロセスガスに塩素や一酸化炭素などの有害なガスを用いる場合でも、より高い安全を確保できる。
【００４２】図１および図３のプラズマ装置は、除害装置６としてプラズマによってガスを分解する型のものを用いているが、触媒式の除害装置を用いても良い。図４は、触媒式の除害装置の構成を示している。
【００４３】この除害装置は、プラズマ装置から出た排気ガスを触媒によって分解するために、ヒータ４４を有する予熱室４３と触媒層４５とを備えている。更に、この除害装置は、エッチング装置などのプラズマ装置から出た排気ガスを受け取る充填室４１と、排気ガス中に含まれる水溶性ガスや微粒子を除去するための水スプレー室４２と、触媒層４５を透過したガスを冷却する冷却室４６と、スクラバー４７とを備えている。ヒータ４４に投入される電力は電源４９から供給され、電源４９の出力は温度制御装置４８によって調整される。温度制御装置４８は、ヒータ４４の温度を検知する温度センサ５０の出力に基づいて電源４９の出力を制御する。・・・
【００４７】ステップＳ４で、除害装置に高周波電力を印加し、除害装置を動作させる。ステップＳ５で、プラズマ装置本体においてエッチング等のプロセス処理を開始した後、除害装置から出た排気ガスの一部について電子付着質量分析を行い、排気ガス中のフッ素負イオンの信号強度を測定する（ステップＳ６）。ステップＳ７において、演算装置を用いて測定データに対するフィッティングを行い、図２のグラフに示すようなピーク値の分離を行う。フィッティングは、例えばガウス型関数を用いて行うことが好ましい。
【００４８】ステップＳ８で、これらピーク値をプロセス時間に対応づけながら記憶装置に蓄える。記憶装置は、質量分析装置またはプラズマ装置の何れに備えられても良い。
【００４９】ステップＳ９で、記憶装置に蓄積されているピーク値をプラズマ装置および／または質量分析装置の表示装置上で出力させてもよい。そうすることによって、プラズマ装置のオペレータがＰＦＣの除害状況をほぼリアルタイムでモニタすることができる。
【００５０】なお、質量分析装置は常に動作している必要はない。エッチングや薄膜堆積などの一つのプロセスステップの間に一度、排気ガスのモニタリングを実行すれば充分な場合も多い。」
　
ウ　図３は次のものである。
　
（７）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である引用文献７（特開２００３−２０９１０３号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【００７１】（第２の実施の形態）以下、本発明の第２の実施の形態に係る処理装置について、図面を参照して説明する。第２の実施の形態では、半導体ウェハ（以下、ウェハ）等の被処理体の表面に、チャンバ内でのプラズマ処理によりフッ化酸化シリコン等のシリコン系膜を成膜する処理装置のドライクリーニングを例として説明する。処理装置のドライクリーニングは、フッ素系ガス（三フッ化窒素（ＮＦ３））のプラズマをチャンバ内に通すことにより行う。
【００７２】図５に第２の実施の形態に係る処理装置１１の構成を示す。図５に示すように、処理装置１１は、制御装置１２と、チャンバ１３と、クリーニングガス供給ライン５０と、排気ライン１５と、を備える。
【００７３】制御装置１２は、後述する、成膜処理、クリーニング処理等の処理装置１１全体の動作を制御する。なお、理解を容易にするため、制御装置１２の動作の詳細については省略する。
【００７４】チャンバ１３は、真空引き可能に構成され、その内部に被処理体であるウェハが収容される。チャンバ１３は、高周波電源等を備える図示しないプラズマ発生機構を備え、内部にプラズマを発生可能に構成されている。プラズマ発生機構によりチャンバ１３の内部においてウェハ表面にプラズマ処理が施され、フッ化酸化シリコン等のシリコン系膜が形成される。
【００７５】クリーニングガス供給ライン５０は、クリーニングガスとしてのＮＦ３ガスを供給するＮＦ３源５１と、希釈ガスとしてのＡｒガスを供給するＡｒ源５２と、を備える。また、クリーニングガス供給ライン５０は、その内部を通過するガスを活性化するアクチベータ５３が設けられている。ＮＦ３源５１およびＡｒ源５２は、バルブ５４ａ，５４ｂおよびＭＦＣ５５ａ，５５ｂを介してアクチベータ５３に接続されている。
【００７６】アクチベータ５３は、図示しないプラズマ発生機構を備え、内部を通過するガスの、例えば、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマ、誘導結合型プラズマ（Inductive Coupled Plasma：ＩＣＰ）等の高密度プラズマを発生させる。アクチベータ５３は、その内部を通過するクリーニングガス（ＮＦ３）をプラズマ状態とし、発生したフッ素ラジカルを選択的に排気する。
【００７７】上記構成により、クリーニング時には、クリーニングガス供給ライン５０から、フッ素ラジカルを主成分とするクリーニングガスがチャンバ１３内に供給される。フッ素はシリコンと結合性が高く、チャンバ１３内に付着、堆積したシリコン系膜は、クリーニングガスにより高速かつ効果的に除去（エッチング）される。
【００７８】排気ライン１５は、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）２２と、ドライポンプ２３（ＤＰ）と、測定部５６と、を備える。排気ライン１５はチャンバ１３に接続され、排気ライン１５を介してチャンバ１３は排気され、所定の圧力状態まで減圧される。
【００７９】ＴＭＰ２２は、チャンバ１３と第１の排気管２５を介して接続されている。第１の排気管２５には、可変流量バルブ２６と、バルブと、がチャンバ１３側から順に設けられている。ＴＭＰ２２は、チャンバ１３内を高真空状態に減圧する。また、可変流量バルブ２６は、チャンバ１３内を所定の高真空状態に保持する。第１の排気管２５は、ＴＭＰ２２の排気速度、長さ等から、例えば、５０ｍｍ程度の内径とされている。
【００８０】ドライポンプ２３は、ＴＭＰ２２の排気側に第２の排気管２８によって接続されている。ＴＭＰ２２とドライポンプ２３との間には、バルブが設けられている。ドライポンプ２３は、あらびきポンプとして機能し、チャンバ１３内をＴＭＰ２２が作動可能な圧力とする。ドライポンプ２３の排気側は、図示しない除害装置に接続されており、排気ライン１５を通過した排気ガスは無害化されて大気に放出される。
【００８１】第２の排気管２８は、ドライポンプ２３の排気速度、長さ等から、例えば、４０ｍｍ程度の内径とされている。ここで、ドライポンプ２３はＴＭＰ２２よりも排気容量が小さく、従って、第２の排気管２８は第１の排気管２５よりも小径となる。
【００８２】測定部５６は、ＴＭＰ２２の排気側に接続された第２の排気管２８に取り付けられている。測定部５６は、処理の間、第２の排気管２８内を流れるガス中のパーティクル量を測定している。パーティクルは、チャンバ１３内に付着、堆積した膜がある程度大きくなって剥離することなどによって発生し、歩留まり低下の原因となる。従って、排気ガス中のパーティクル量をモニタすることにより、チャンバ１３の汚染状態を知ることができる。
【００８３】排気ガスをモニタしている測定部５６は、パーティクル量が所定量に達すると、制御装置１２にその旨を示す信号を送出する。制御装置１２は、この信号に基づいて、成膜処理を一旦終了し、クリーニング処理を開始する。なお、測定部５６は、バルブの給気側と排気側とのどちらに設けられていてもよい。」
　
イ　図５は次のものである。
　
第４　対比・判断
１　本願発明１と引用発明の対比
（１）本願発明１について
ア　対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
　引用発明における「プラズマ１４」、「プラズマチャンバ２０」、「（プロセスチャンバすなわち）処理チャンバ２２」、「プラズマチャンバ２０と処理チャンバ２２を接続する部材」及び「トロイダル低電界プラズマ源１０」は、本願発明１の「プラズマ」、「遠隔プラズマ発生器」、「工程チャンバー」、「アダプタ」及び「遠隔プラズマシステム」にそれぞれ相当する。
　
　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
（一致点）
「プラズマを発生して工程チャンバーに遠隔で供給する遠隔プラズマ発生器、
　前記遠隔プラズマ発生器を工程チャンバーに接続するアダプタを備える、遠隔プラズマシステム。」
　
（相違点１）
　本願発明１は「前記遠隔プラズマ発生器を工程チャンバーに接続するアダプタを包むように配置されたコアを備える、前記遠隔プラズマ発生器のガス出口周辺に取付けられる変流器、を含む一つ以上のセンサーで構成されるセンサー部」を含み、「前記変流器は前記遠隔プラズマ発生器から前記工程チャンバーに供給されるプラズマガスの電流値を測定」するという構成を備えるのに対し、引用発明は、そのような構成を備えていない点。
　
（相違点２）
　本願発明１は「前記センサー部の測定値に基づき、前記遠隔プラズマ発生器の作動状態に関する情報を生成する制御部、を含む遠隔プラズマシステムであって」、「前記遠隔プラズマシステムは自己管理機能を持つ」という構成を備えるのに対し、引用発明は、「一次巻線１８の電気パラメータを測定するための測定回路３６と、変圧器１２の二次側を流れるプラズマ電流を測定するために、プラズマチャンバ２０の周りに配置された電流プローブ３８と、プラズマ１４からの発光を測定するための光検出器４０と、電力制御回路４２を含み、前記電力制御回路４２は、電流プローブ３８と、出力検出器４０と、スイッチング回路２６との少なくとも１つからデータを受け入れ、次いで一次巻線１８での電流を調節することによって、プラズマでの電力を調節」するものである点。
　
イ　相違点についての判断
　上記相違点１について検討すると、引用発明に関して、引用文献１には、プラズマチャンバ２０と処理チャンバ２２を接続する部材において、変流器を用いて、プラズマチャンバ２０から、処理チャンバ２２に供給されるプラズマガスの電流値を測定することの記載はなく、またこのようにすることの示唆もない。
　そして、引用文献１の発明の詳細な説明には、プラズマチャンバ２０の周りに配置された電流プローブ３８以外に、電流値を測定することの記載はない。
　また、引用文献２ないし７のいずれにもプラズマチャンバから処理チャンバに供給されるプラズマガスの電流値を測定することは記載されていない。
　よって、上記相違点１に係る本願発明１の構成は、当業者であっても引用発明及び引用文献２ないし７に記載された技術事項に基づいて容易に想到し得たとはいえない。
　したがって、相違点２について検討するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても引用発明及び引用文献２ないし７に記載された技術事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　
（２）本願発明２ないし１０について
　本願発明２ないし１０も、本願発明１の「前記遠隔プラズマ発生器を工程チャンバーに接続するアダプタを包むように配置されたコアを備える、前記遠隔プラズマ発生器のガス出口周辺に取付けられる変流器、を含む一つ以上のセンサーで構成されるセンサー部」を含み、「前記変流器は前記遠隔プラズマ発生器から前記工程チャンバーに供給されるプラズマガスの電流値を測定」するという構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても引用発明及び引用文献２ないし７に記載された技術事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　
（３）本願発明１１ないし１５について
　本願発明１１ないし１５は、物の発明である本願発明１ないし５をそれぞれ方法の発明のカテゴリーとするものであって、本願発明１の「前記遠隔プラズマ発生器を工程チャンバーに接続するアダプタを包むように配置されたコアを備える、前記遠隔プラズマ発生器のガス出口周辺に取付けられる変流器、を含む一つ以上のセンサーで構成されるセンサー部」を含み、「前記変流器は前記遠隔プラズマ発生器から前記工程チャンバーに供給されるプラズマガスの電流値を測定」するという構成と同様の、「前記遠隔プラズマ発生器を工程チャンバーに接続するアダプタを包むように配置されたコアを備える、前記遠隔プラズマ発生器のガス出口周辺に取付けられる変流器、を含む一つ以上のセンサーで構成されるセンサー部によって前記遠隔プラズマ発生器の状態を測定する段階」を含み、「前記変流器は前記遠隔プラズマ発生器から前記工程チャンバーに供給されるプラズマガスの電流値を測定する」という構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても引用発明及び引用文献２ないし７に記載された技術事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　原査定は、請求項１ないし１５について上記引用文献１ないし７に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。しかしながら、本願発明１ないし１０は、「前記遠隔プラズマ発生器を工程チャンバーに接続するアダプタを包むように配置されたコアを備える、前記遠隔プラズマ発生器のガス出口周辺に取付けられる変流器、を含む一つ以上のセンサーで構成されるセンサー部」を含み、「前記変流器は前記遠隔プラズマ発生器から前記工程チャンバーに供給されるプラズマガスの電流値を測定」するという構成を、本願発明１１ないし１５は、「前記遠隔プラズマ発生器を工程チャンバーに接続するアダプタを包むように配置されたコアを備える、前記遠隔プラズマ発生器のガス出口周辺に取付けられる変流器、を含む一つ以上のセンサーで構成されるセンサー部によって前記遠隔プラズマ発生器の状態を測定する段階」を含み、「前記変流器は前記遠隔プラズマ発生器から前記工程チャンバーに供給されるプラズマガスの電流値を測定する」という構成を備えるものとなったから、上記のとおり、本願発明１ないし１５は上記引用発明及び引用文献２ないし７に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。
　したがって、原査定を維持することはできない。
　
第６　当審拒絶理由について
　当審では、
「本件の特許請求の範囲の請求項２ないし１０は、『・・・自己管理機能を持つ、請求項・・に記載の遠隔プラズマシステム。』と記載されているが、上記記載では、『自己管理機能を持つ』構成（主語）が何であるのか不明確であるから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。」
　との拒絶の理由を通知しているが、平成２９年６月８日にされた手続補正で補正された結果、この拒絶の理由は解消した。
　
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明１ないし１５は、当業者が引用発明及び引用文献２ないし７に記載された技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。