(57)【要約】【課題】第１に、基板材下面での処理液の前後流れが規制され、もって処理精度が向上し、第２に、基板材下面での処理液の排出流れがスムーズに形成され、この面からも処理精度が向上する、基板材の表面処理装置を提案する。【解決手段】この表面処理装置１は、電子回路基板の製造工程で使用され、搬送される基板材Ａに対し、スプレーノズル２から処理液Ｄを噴射して表面処理する。そして、下側のスプレーノズル２２から噴射された処理液Ｄが、基板材Ａ下面を伝って前後に流れることを規制，阻止する、規制ローラー１４が設けられている。これと共に、下側のスプレーノズル２２は、水平面において、左右方向から前後方向に向け若干傾斜して配設されている。もって、下側の各スプレーノズル２２から噴射された処理液Ｄは、左右で相互干渉することなく、基板材Ａ下面を新鮮で遅速なく均一に表面処理する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路基板の製造工程で使用され、搬送される基板材に対し、スプレーノズルから処理液を噴射して表面処理する、基板材の表面処理装置において、
下側の該スプレーノズルから該基板材下面に噴射された該処理液が、該基板材下面を伝って前後に流れることを、規制，阻止する規制ローラーが設けられていること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載した表面処理装置において、下側の該スプレーノズルは、前後の搬送方向および左右の幅方向に多数配設され、もって、該基板材下面に対向位置しており、
該規制ローラーは、前後の該スプレーノズルにて形成されるスプレーゾーン間に、設けられ、もって、該スプレーノズルから噴射された該処理液が、前後で相互干渉することなく、該基板材下面を新鮮で遅速なく均一に表面処理すること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載した表面処理装置において、該基板材は、ホイール群を備えたコンベアにて水平搬送され、
該規制ローラーは、該ホイールより小径のストレートローラーよりなり、該ホイールの前や後に位置しつつ、左右の幅方向に軸を向けて配設され、もって、該基板材下面に当接可能となっていること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項４】
請求項２に記載した表面処理装置において、下側の該スプレーノズルは、左右の幅方向から前後の搬送方向に向け若干傾斜して配設されており、
もって、各該スプレーノズルから噴射された該処理液が、左右で相互干渉することなく、該基板材下面を新鮮で遅速なく均一に表面処理すること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載した表面処理装置において、該スプレーノズルは、スプレーパターンが横長状となるフラットタイプよりなり、その長辺側を左右斜めに向けて配設されていること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載した表面処理装置において、該スプレーノズルの上記若干傾斜した角度は、０．５度から１０度程度、代表的には３度から５度に設定されること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【請求項７】
請求項３又は６に記載した表面処理装置において、該表面処理装置は、現像工程，エッチング工程，剥離工程，又は洗浄工程で使用され、
該スプレーノズルは、現像液，エッチング液，剥離液，又は洗浄液を、該処理液として噴射すること、を特徴とする基板材の表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板材の表面処理装置に関する。すなわち、電子回路基板の製造工程、例えばエッチング工程で使用され、基板材を処理液にて表面処理する、表面処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
《技術的背景》
プリント配線基板，その他の電子回路基板の代表的な製造工程では、電解銅やメッキ銅製の銅張り積層板よりなる基板材の外表面に、→まず、液状やドライフィルム状の感光性レジストが、塗布又は張り付けられる。
→それから、回路のネガフィルムを当てて露光した後、→回路形成部分以外のレジストを、現像により溶解除去し、→もって、露出した回路形状部分以外の銅箔を、エッチングにより溶解除去してから、→回路形成部分のレジストを、剥離により溶解除去する。
→このようなプロセスを辿ることにより、図６の（１）図に示したように、基板材Ａの外表面に残った銅箔にて、電子回路Ｂが形成され、電子回路基板Ｃが製造されていた。
【０００３】
そして、上述した現像工程，エッチング工程，剥離工程等では、それぞれ、図７に示したように現像装置，エッチング装置，剥離装置等の表面処理装置１において、基板材Ａに対し、スプレーノズル２から現像液，エッチング液，剥離液等の処理液Ｄが、噴射される。もって基板材Ａが、現像，エッチング，剥離等、表面処理されていた。
図７中、３は、基板材Ａを搬送するコンベア４のホイールである。５は処理液Ｄの液槽、６はポンプ、７はフィルター、８は配管、９はシャワー管である。１０は、チャンバー（処理室）である。
【０００４】
《従来技術》
ところで、この種の表面処理装置１にあっては、前後左右に多数配設されたスプレーノズル２から基板材Ａに噴射される処理液Ｄが、順次新鮮な液へと更新されて、基板材Ａを表面処理することが、重要である。
これに対し、基板材Ａを表面処理して劣化した処理液Ｄが、滞留，干渉して、新鮮な処理液Ｄへの更新が滞ると、表面処理に遅速，過不足，バラツキが発生し、もって表面処理が不均一化し、処理精度低下して、均一な回路Ｂ形成に支障が生じる。
そこで、基板材Ａ上面に関しては、処理液Ｄの更新促進，滞留解消，干渉回避をめざし、例えば、上側のスプレーノズル２１を左右の幅方向Ｅに順次傾斜させ、もって左右への処理液Ｄの流れを形成させる方式等の対策が、開発されていた（例えば、図３の（１）図を参照）。
これに対し、基板材Ａ下面に関しては従来、このような開発は行われていなかった。すなわち、下側のスプレーノズル２２から基板材Ａ下面に噴射される処理液Ｄに関しては、表面処理後に直ちに自然落下，自重落下するとして、基板材Ａ上面のような対策は何ら講じられることなく、放置されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
基板材Ａ上面について対策を講じたこの種の表面処理装置１としては、例えば、次の特許文献１，２中に示されたものが挙げられる。
【特許文献１】特開２００４−１５８７６５号公報
【特許文献２】特開２００５−２３２４９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
《従来例の課題について》
ところで、この種従来例の表面処理装置１については、基板材Ａ下面に関し、次のａ，ｂの課題が指摘されていた。
まずａ．前後の処理液Ｄ間での干渉が指摘されていた。
すなわち、下側のスプレーノズル２２から、基板材Ａ下面に噴射された新鮮な処理液Ｄは、→基板材Ａ下面を表面処理した後、→劣化すると共に、噴射圧にて基板材Ａ下面に押し付けられて、すぐには落下せずに、→基板材Ａ下面を伝って、前後の搬送方向Ｆにも流れる。
→そして、前後のスプレーノズル２２から基板材Ａ下面に噴射される新鮮な処理液Ｄに、流入，干渉して、→その処理液Ｄの新鮮さを損わしめ、処理能力を低下させてしまう。→これにより、新鮮な処理液Ｄへの更新が妨げられる箇所が発生する、という問題が指摘されていた。
このように、基板材Ａ下面についても、劣化した処理液Ｄの流入，干渉により、表面処理の遅れ，不足箇所が発生していた。
【０００７】
他方ｂ．左右の処理液Ｄ間での干渉も指摘されていた。
すなわち、基板材Ａ下面に噴射された新鮮な処理液Ｄは、→上述したように、基板材Ａ下面に押し付けられて、すぐには落下せず、→基板材Ａ下面を伝って、左右方向Ｅにも流れる。
→そして、左右のスプレーノズル２２から噴射されて同様に流れる処理液Ｄと、左右でぶつかり，衝突し合い、→もって、新鮮な処理液Ｄへの更新が妨げられる箇所が発生する、という問題が指摘されていた。
このように、左右に同列に並んだスプレーノズル２２から噴射された処理液Ｄが、左右間で干渉し合うことにより、表面処理後の左右への排出流れがスムーズに形成されず、新鮮な処理液Ｄによる処理の妨げとなり、この面からも、表面処理の遅れ，不足箇所が発生していた。
【０００８】
上記ａ，ｂのように、基板材Ａ下面について、表面処理（例えばエッチング処理）の遅速，過不足，バラツキ（例えばエッチング量の面内バラツキ）が発生していた。
すなわち、処理遅れ，処理不足（例えばエッチング不足）箇所が発生した場合、→これをカバーすべく、全体の処理量（例えばエッチング処理量）を増やすと、→今度は、他の箇所が過剰処理（例えばオーバーエッチング）となっていた。
例えばエッチング処理の場合、基板材Ａ下面に形成される回路Ｂが、すべて図６の（３）図に示した断面形状とはならず、オーバーエッチングにより、図６の（４）図に示した略富士山状・急傾斜台形状の断面形状箇所が発生してしまっていた。
このように回路Ｂ幅が細く狭くなる箇所が発生すると、通電容量，抵抗値が変動し、信号伝達に支障が生じ、発熱の原因ともなる。
この種従来例の表面処理装置１については、基板材Ａ下面についても、このような表面処理の不均一、処理精度の低下、均一な回路Ｂ形成への支障発生、等の問題が指摘されていた。
【０００９】
《本発明について》
本発明の基板材の表面処理装置は、このような実情に鑑み、上記従来例の課題を解決すべくなされたものである。
そして本発明は、第１に、基板材下面での処理液の前後流れが、規制されると共に、第２に、基板材下面での処理液の排出流れが、スムーズに形成される、基板材の表面処理装置を提案することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
《請求項について》
このような課題を解決する本発明の技術的手段は、次のとおりである。まず、請求項１については次のとおり。
請求項１の基板材の表面処理装置は、電子回路基板の製造工程で使用され、搬送される基板材に対し、スプレーノズルから処理液を噴射して表面処理する。
そして、下側の該スプレーノズルから該基板材下面に噴射された該処理液が、該基板材下面を伝って前後に流れることを、規制，阻止する規制ローラーが設けられていること、を特徴とする。
請求項２については、次のとおり。
請求項２の基板材の表面処理装置では、請求項１において、下側の該スプレーノズルは、前後の搬送方向および左右の幅方向に多数配列され、もって、該基板材下面に対向位置している。
そして該規制ローラーは、前後の該スプレーノズルにて形成されるスプレーゾーン間に、設けられ、もって、該スプレーノズルから噴射された該処理液が、前後で相互干渉することなく、該基板材下面を新鮮で遅速なく均一に表面処理すること、を特徴とする。
請求項３については、次のとおり。
請求項３の基板材の表面処理装置では、請求項２において、該基板材は、ホイール群を備えたコンベアにて水平搬送される。
そして該規制ローラーは、該ホイールより径小のストレートローラーよりなり、該ホイールの前や後に位置しつつ、軸を左右の幅方向に向けて配設され、もって、該基板材下面に当接可能となっていること、を特徴とする。
【００１１】
請求項４については、次のとおり。
請求項４の基板材の表面処理装置では、請求項２において、下側の該スプレーノズルは、左右の幅方向から前後の搬送方向に向け若干傾斜して配設されている。
もって、各該スプレーノズルから噴射された該処理液が、左右で相互干渉することなく、該基板材下面を新鮮で遅速なく均一に表面処理すること、を特徴とする。
請求項５については、次のとおり。
請求項５の基板材の表面処理装置では、請求項４において、該スプレーノズルは、スプレーパターンが横長状となるフラットタイプよりなり、その長辺側を左右斜めに向けて配設されていること、を特徴とする。
請求項６については、次のとおり。
請求項６の基板材の表面処理装置では、請求項５において、該スプレーノズルの上記若干傾斜した角度は、０．５度から１０度程度、代表的には３度から５度に設定されること、を特徴とする。
請求項７については、次のとおり。
請求項７の基板材の表面処理装置では、請求項３又は６において、該表面処理装置は、現像工程，エッチング工程，剥離工程，又は洗浄工程で使用される。そして該スプレーノズルは、現像液，エッチング液，剥離液，又は洗浄液を、該処理液として噴射すること、を特徴とする。
【００１２】
《作用等について》
本発明は、このような手段よりなるので、次のようになる。
（１）この表面処理装置は、電子回路基板の製造工程で使用される。
（２）もって、スプレーノズルから処理液を噴射して、基板材を表面処理する。
（３）そして、本発明の表面処理装置では、規制ローラーが採用されており、下側のスプレーノズルから噴射された処理液が、基板材下面を伝って前後に流れることが、規制，阻止される。
（４）従って、劣化した処理液が、前後で噴射される新鮮な処理液に流入，干渉して、新鮮さを損わしめ，処理能力を低下させることがなく、新鮮な処理液への更新が阻害される箇所は、発生しなくなる。
（５）更に、本発明の表面処理装置では、フラットタイプ等の下側のスプレーノズルは、左右方向から前後方向に若干向けられており、基板材下面に噴射された処理液の左右斜め方向への排出流れが、スムーズに形成される。
（６）従って、基板材下面に噴射された処理液が、左右間でぶつかり，衝突して，干渉し合うことがなくなり、新鮮な処理液への更新が阻害される箇所は、発生しなくなる。
（７）さてそこで、本発明の基板材の表面処理装置は、次の効果を発揮する。
【発明の効果】
【００１３】
《第１の効果》
第１に、基板材下面について、噴射された処理液の前後流れが規制され、もって処理精度が向上する。
すなわち、本発明の表面処理装置では、規制ローラーが採用されており、処理液が基板材下面を伝って前後に流れることは、規制，阻止される。もって、前述したこの種従来例のように、劣化した処理液が、前後で噴射される新鮮な処理液に流入，干渉することは、なくなる。
このようにして、基板材下面について、処理液の更新が促進され、表面処理の遅れ，不足箇所の発生は回避され、もって、処理の遅速，過不足，バラツキ等が防止され、処理の均一化，処理精度の向上，均一な回路形成が実現される。
例えば、エッチング装置でのエッチング処理に際しては、エッチング不足，オーバーエッチング，エッチング量の面内バラツキ等は発生せず、回路幅が細く狭くなる箇所が形成されることもなく、均一で精度高いエッチングが実現される。
【００１４】
《第２の効果》
第２に、基板材下面について、噴射された処理液の排出流れもスムーズに形成され、もってこの面からも、処理精度が向上する。
すなわち、本発明の表面処理装置では、下側のフラットタイプ等のスプレーノズルを、左右方向から前後方向に若干向けた構成を採用したので、噴射された処理液の排出流れが、スムーズに形成される。
このようにして、この面からも基板材下面について、処理液の更新が促進され、前述したこの種従来例のように、表面処理の遅れ，不足箇所の発生は回避され、均一で精度の高い表面処理が実現される。
このように、この種従来例に存した課題がすべて解決される等、本発明の発揮する効果は、顕著にして大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る基板材の表面処理装置について、発明を実施するための形態の説明に供し、要部の側面説明図である。
【図２】同発明を実施するための形態の説明に供し、規制ローラーの各種配設例を示し、要部の側面説明図である。そして、（１）図は第１例を、（２）図は第２例を、（３）図は第３例を示す。
【図３】同発明を実施するための形態の説明に供し、（１）図は、正面説明図（コンベアは図示省略）、（２）図は、下側のスプレーノズルの拡大した平面説明図である。
【図４】同発明を実施するための形態の説明に供し、スプレーノズルのスプレーパターンを示す。  そして（１）図，（２）図，（３）図は、フラットタイプの説明に供し、（１）図は側面説明図、（２）図は正面説明図、（３）図は平面説明図である。（４）図，（５）図は、フルコーンタイプの説明に供し、（４）図は側面（正面）説明図、（５）図は平面説明図である。
【図５】基板材の表面処理装置の説明に供し、ホイール群を備えたコンベアの平面説明図である。
【図６】基板材（電子回路基板）の説明に供する。そして（１）図は、その1例の平面説明図である。（２）図，（３）図，（４）図は、形成される回路の断面説明図であり、（２）図は理想例を、（３）図は良い例を、（４）図は悪い例を示す。
【図７】基板材の表面処理装置の説明に供し、（１）図は正面説明図（コンベアは図示省略）、（２）図は側面説明図である。
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態について、詳細に説明する。
《表面処理装置１について》
まず、図１，図３の（１）図，図７等を参照して、本発明の適用対象である表面処理装置１について、一般的に説明しておく。
この基板材Ａの表面処理装置１は、電子回路基板Ｃの製造工程で使用され、搬送される基板材Ａに対し、上側のスプレーノズル２１や下側のスプレーノズル２２から、処理液Ｄを噴射して、表面処理する（製造工程等については、前述した背景技術欄も参照）。
すなわち表面処理装置１は、代表的にはエッチング工程や現像工程、更には剥離工程や、これらの各工程に付随して設けられる洗浄工程等において、エッチング装置，現像装置，剥離装置，又は洗浄装置等として、使用される。
又、代表的には、前述したサブトラクティブ法（ウェットプロセス法）において、その（パターン）エッチング工程，現像工程，その他の工程に適用されるが、それ以外の電子回路基板Ｃの製造方法、例えばセミアディティブ法において、その現像工程や後処理の（クイック）エッチング工程にも適用される。
更に、これらの各種工程の前提となる表面粗化処理工程にも、適用可能である。すなわち、銅張り積層板よりなる基板材Ａについて、その銅箔表面を予め粗化処理しておく（ソフト）エッチング工程にも、適用可能である。
そして表面処理装置１では、そのチャンバー１０内において、コンベア４により、前後の搬送方向Ｆに水平搬送される基板材Ａに対し、エッチング液，現像液，剥離液などの薬液，又は洗浄液、等の処理液Ｄが噴射される。もって、処理液Ｄがスプレーされた基板材Ａが、所定の薬液処理や洗浄処理される等、表面処理される。
基板材Ａとしては、６００×５００ｍｍサイズや５００×４００ｍｍサイズのものが代表的である。チャンバー１０の前後の搬送方向の長さは、例えば１．９２ｍであり、コンベア４の搬送スピードは、例えば１．３ｍ／ｍｉｎである。
【００１７】
《コンベア４について》
表面処理装置１のコンベア４について、更に詳述する。図示のコンベア４は、前後左右に多数配設された上下のホイール３群を備えている。
すなわち、図１，図５，図７の（２）図等に示したように、ホイール３は、径が例えば３２ｍｍ程度で、肉厚薄の略コマ状・車輪状をなし、左右方向Ｅに軸を向け水平配設された上下のコンベアシャフト１１に、それぞれ、左右ピッチ間隔を存しつつ複数個取付けられている。
そして、このような上下のホイール３１，３２付のコンベアシャフト１１１，１１２が、前後方向Ｆに前後ピッチ間隔を存しつつ、多数本列設されている。各コンベアシャフト１１１，１１２は、ギア１２や駆動軸１３を介し、モータ等の駆動機構に接続されている（図示せず）。前後の各ホイール３間は、前後で若干ラップし噛み合う位置関係で配設されている。
基板材Ａは、このようなコンベア４の上下で対応位置するホイール３１，３２群に挟み込まれ、その回転駆動により前後の搬送方向Ｆに水平搬送される。
【００１８】
《スプレーノズル２について》
表面処理装置１のスプレーノズル２について、更に詳述する。図１，図３の（１）図，図７等に示したように、上下のスプレーノズル２は、搬送される基板材Ａに処理液Ｄを噴射すべく、前後方向Ｆおよび左右方向Ｅに多数配設され、もって基板材Ａ上面，下面にそれぞれ対応位置している。
すなわち、上側のスプレーノズル２１および下側のスプレーノズル２２は、左右方向Ｅに軸を向けて水平配設された上下のシャワー管９１，９２に、それぞれ左右ピッチ間隔を存しつつ複数個、例えば１１個列設されている。
そして、このようなスプレーノズル２１，２２付の上下のシャワー管９１，９２が、前後方向Ｆに向け、例えば８本〜１２本程度、図示例では１７５ｍｍ程度のピッチ間隔で列設されている。
【００１９】
そこで処理液Ｄは、上下のシャワー管９からスプレーノズル２へと圧送された後、→スプレーノズル２から、上下方向Ｇに例えば１１６ｍｍや８５ｍｍ程度の間隔を存して搬送される基板材Ａに対して、噴射される。スプレーノズル２１の噴射圧は、例えば０．１５ＭＰａ、スプレーノズル２２の噴射圧は、例えば０．１２ＭＰａである。
→そして、上側のスプレーノズル２１から基板材Ａ上面に噴射された処理液Ｄは、噴射対象の基板材Ａ上面を表面処理した後、基板材Ａ上面を左右方向Ｅに流れて、左右両サイドから自重流下，排出される。
これに対し、下側のスプレーノズル２２から基板材Ａ下面に噴射された処理液Ｄは、噴射対象の基板材Ａ下面を表面処理した後、噴射圧で基板材Ａ下面に押し付けられつつ前後左右に流れてから、徐々に自然落下，自重落下，排出される。
→そして処理液Ｄは、液槽５へと回収，貯留された後、→ポンプ６，フィルター７，配管８等を経由して、→再び上下のシャワー管９からスプレーノズル２へと、循環供給されて再使用される。
なお図１中、Ｈはスプレーゾーンであり、処理液Ｄは、スプレーノズル２から、スプレーゾーンＨを介して基板材Ａに噴射される。
上側のスプレーゾーンＨと下側のスプレーゾーンＨとは、上下で対向位置せず搬送方向Ｆにずれて位置している。又、スプレーゾーンＨのエリアについては、ホイール３は配設されず、１本又は２本のコンベアシャフト１１が、抜かれて欠如せしめられている。
表面処理装置１は概略、このように構成されている。
【００２０】
《本発明の概要》
以下、本発明の表面処理装置１について、図１，図２，図３等を参照して説明する。まず、その概要について述べる。
第１の特徴として、この表面処理装置１には、下側のスプレーノズル２２から基板材Ａ下面に噴射された処理液Ｄが、基板材Ａ下面を伝って前後に流れることを規制，阻止する、規制ローラー１４が設けられている。
すなわち、下側のスプレーノズル２２は、前後の搬送方向Ｆおよび左右の幅方向Ｅに多数配設され、もって、基板材Ａ下面に対向位置している。
規制ローラー１４は、前後のスプレーノズル２２にて形成されるスプレーゾーンＨ間に、設けられ、もって、スプレーノズル２２から噴射された処理液Ｄが、前後で相互干渉することなく、基板材Ａ下面を新鮮で遅速なく均一に表面処理する。
そして基板材Ａは、ホイール３１，３２群を備えたコンベア４にて、水平搬送される。規制ローラー１４は、ホイール３２より小径のストレートローラーよりなり、ホイール３２の前や後に位置しつつ、左右の幅方向Ｅに軸を向けて配設され、もって、基板材Ａ下面に当接可能となっている。
第２の特徴として、この表面処理装置１では、下側のスプレーノズル２２は、水平面において、左右の幅方向Ｅから前後の搬送方向Ｆに向け若干傾斜して配設されている。もって、各スプレーノズル２２から噴射された処理液Ｄが、左右で相互干渉することなく、基板材Ａ下面を新鮮で遅速なく均一に表面処理する。
そして、このスプレーノズル２２は、スプレーパターンが横長状となるフラットタイプよりなり、その長辺側を左右斜めに向けて配設されている。スプレーノズル２２の上記若干傾斜した角度は、０．５度から１０度程度、代表的には３度から５度に設定される。
本発明の概要は、このようになっている。
【００２１】
《本発明の詳細：規制ローラー１４について》
本発明の表面処理装置１について、更に詳述する。まず、図１，図２等を参照して、規制ローラー１４について述べる。
規制ローラー１４は、例えば径が１６ｍｍ程度の小径で長円柱状のストレートローラーよりなり、軸を左右方向Ｅに向けると共に、前後方向Ｆに向け多数本が水平配設されており、図示例では、コンベア４のホイール３と同期連動して回転駆動される。
そして規制ローラー１４は、搬送される基板材Ａ下面に、対向位置して当接可能となっており、もって、基板材Ａ下面に噴射された処理液Ｄが、基板材Ａ下面を伝って前後の搬送方向Ｆに流れることを、規制，阻止する。
すなわち規制ローラー１４は、前後に列設された下側のスプレーノズル２２にて形成される各スプレーゾーンＨ間に、仕切りローラーとして設けられており、もって、スプレーゾーンＨで噴射された処理液Ｄが、前後間で流入，流出して相互干渉するのを、強制的に遮断する。
【００２２】
又、規制ローラー１４は次の位置関係で配設される。まず、図１や図２の（１）図に示した第１例では、左右方向Ｅに列をなす１つのスプレーゾーンＨについて、前後２個１対の規制ローラー１４が配設されている。これと共に、この規制ローラー１４対は、そのスプレーゾーンＨに対し、前後のホイール３２を介し外側両サイドに位置している。
図２の（２）図に示した第２例では、上記第１例と同様に、１つのスプレーゾーンＨについて、前後１対の規制ローラー１４が配設されている。しかしながら、第１例とは異なり、この規制ローラー１４対は、前後のホイール３２より内側で、直にスプレーゾーンＨに臨んで両サイドに位置している。
図３の（３）図に示した第３例では、第１例や第２例とは異なり、各スプレーゾーンＨ間に、１個ずつの規制ローラー１４が配設されており、この規制ローラー１４は、各スプレーゾーンＨに対し、ホイール３２を介して位置している。
規制ローラー１４は、このようになっている。
【００２３】
《本発明の詳細：下側のスプレーノズル２２の向きについて》
次に、図３，図４等を参照して、スプレーノズル２２の向きについて述べる。
まず、下側のスプレーノズル２２としては、図４の（１）図，（２）図，（３）図に示したように、基板材Ａに噴射される際のスプレーパターンが、横長の太膜状，略楕円状となるフラットタイプ（スリットタイプ）のものが、代表的に使用される。
なお、本発明の適用対象となるスプレーノズル２２としては、フラットタイプ以外の各タイプのものも可能であるが、フラットタイプの場合は、基板材Ａ下面に噴射された処理液Ｄの左右斜めへの排出流れが、極めてスムーズに形成される。因に、図４の（１）図，（２）図は、スプレーパターンが円状となるフルコーンタイプよりなる。
そして、この下側のスプレーノズル２２は、水平搬送される基板材Ａ下面に対し、水平にて対向位置している。
すなわちスプレーノズル２２は、上下方向Ｇにその噴射軸を向け垂直に配設されて、基板材Ａに対峙している。因に、図３の（１）図において、上側のスプレーノズル２１は、上下方向（垂直センター）Ｇに対し、傾斜して配されている。
【００２４】
そして、この下側のスプレーノズル２２は、水平面において、左右方向Ｅから前後方向Ｆに向け、若干傾けられている。
すなわち、スプレーノズル２２としては、フラットタイプのものが代表的に使用されるが、その長辺側を、左右方向Ｅに一致させることなく、左右方向Ｅから前後方向Ｆに向け角度Ｊだけ傾けられ、もって左右斜めに向けて配設されている。
つまり水平面において、シャワー管９２やコンベアシャフト１１２の軸に対し、平行から前後に角度Ｊをつけて取付けられており、この角度Ｊとしては、３度〜５度程度が代表的あるが、０．５度〜１０度の範囲での設定も可能である。
スプレーノズル２２は、このように角度Ｊ設定されていることにより、基板材Ａ下面に噴射された処理液Ｄが、左右間でぶつかり，衝突することが防止され、左右斜めへの排出流れが形成されるようになる。角度Ｊが、上記より大きいか小さいと、この流れ形成が困難化する。
スプレーノズル２２は、このように向けられている。
【００２５】
《作用等》
本発明の基板材Ａの表面処理装置１は、以上説明したように構成されている。そこで、以下のようになる。
（１）この表面処理装置１は、電子回路基板Ｃの製造工程で使用される。例えば、その中核をなすエッチング工程や現像工程において、エッチング装置や現像装置として、使用される。
【００２６】
（２）そして表面処理装置１は、ワークである基板材Ａを、処理液Ｄにて回路Ｂ形成用に表面処理する。
すなわち、搬送される基板材Ａについて、各スプレーノズル２から、例えばエッチング液や現像液等の処理液Ｄを噴射して、エッチングや現像等、表面処理する（図１，図３の（１）図，図７等を参照）。
【００２７】
（３）さて、本発明の表面処理装置１では、まず、規制ローラー１４が採用されている（図１，図２を参照）。
規制ローラー１４は、下側のスプレーノズル２２から基板材Ａ下面に噴射された処理液Ｄが、噴射対象の基板材Ａ下面を表面処理した後、噴射圧に基づき基板材Ａ下面を伝って、上流や下流に向けて流れることを、規制，阻止，遮断する（勿論、流れが遮断された処理液Ｄは、その後、落下，排出される）。
【００２８】
（４）従って、基板材Ａ下面を表面処理した後の劣化した処理液Ｄが、前後のスプレーノズル２２から噴射される新鮮な処理液Ｄに、流入，干渉することは阻止される。その新鮮さを損わしめ、処理能力を低下させ、もって新鮮な処理液Ｄへの更新が阻害される箇所の発生は、回避される。
【００２９】
（５）更に、本発明の表面処理装置１では、角度Ｊ付のスプレーノズル２２が採用されている（図３の（２）図を参照）。下側のスプレーノズル２２は、フラットタイプ等よりなると共に、水平面において、左右方向Ｅから前後方向Ｆに向け、角度Ｊだけ傾けられている。
そこで、噴射対象の基板材Ａ下面を表面処理した処理液Ｄは、このように角度Ｊがつけられていることに基づき、基板材Ａ下面での左右斜め方向への規制的な排出流れが、スムーズに形成された後、落下，排出される。
【００３０】
（６）従って、基板材Ａ下面について、同じシャワー管９２に付設された左右の各スプレーノズル２２から噴射されて、表面処理した後の劣化した処理液Ｄが、左右間でぶつかり，衝突して，干渉し合う事態は回避される。新鮮な処理液Ｄへの更新が阻害される箇所の発生は、防止される。
【００３１】
（７）本発明の表面処理装置１では、このように、規制ローラー１４や角度Ｊ付のスプレーノズル２２の採用により、基板材Ａ下面について、遅速，過不足，バラツキのない表面処理が、順次更新される新鮮な処理液Ｄにて、実現される。
前述したこの種従来例のように、基板材Ａ下面について、新鮮な処理液Ｄへの更新不足，処理遅れ，処理不足箇所が発生し、もってこれらをカバーすべく全体の処理量を増加させると、残りの他の箇所が過剰処理となるような事態発生は、回避される。
【００３２】
（８）例えば、エッチング処理の場合については、次のとおり。図６の（２）図は、形成される回路Ｂの理想例の断面形状であるが、図６の（３）図に示したように、これに近い断面形状の回路Ｂが、均一に形成されるようになる。
すなわち、発生したエッチング不足箇所をカバーすべく、→全体的にエッチング処理量を増加させた結果、→図６の（４）図に示したように、残りの箇所がオーバーエッチングとなり、→略富士山状・急傾斜台形状の断面形状の回路Ｂとなってしまうことは、回避される。エッチング量の面内バラツキ発生は、回避される。
【００３３】
（９）なお、図１中、１５は対応ローラーである。この対応ローラー１５は、各規制ローラー１４上にそれぞれ対峙配設されており、その他の構成，配設等は規制ローラー１４に準じる。
そして対応ローラー１５は、搬送される基板材Ａを、規制ローラー１４との間で挟み込んで送る置きローラーとして機能し、もって基板材Ａが安定搬送されるようになる。
すなわち、この表面処理装置１では、ホイール３を使用したコンベア４による搬送方式が採用されているが、極薄化の進む基板材Ａの落下事故は、未然に防止される。規制ローラー１４は、このように対応ローラー１５と共に使用することにより、基板材Ａの安定搬送に資することも可能である。
【００３４】
《本発明の意義》
ところで電子回路基板Ｃは、ａ．小型軽量化，極薄化，フレキシブル化の進展がめざましく、ｂ．形成される回路Ｂの微細化，高密度化の進展も顕著である。
そこでａ．表面処理装置１のコンベア４についても、極薄基板材Ａ（例えば、その絶縁コア材は肉厚４０μｍ程度まで極薄化が進展）の搬送に対応すべく、前後方向Ｆのコンベアシャフト１１のピッチや、左右方向Ｅのホイール３のピッチが、それぞれ、より狭くなる（例えばシャフトピッチ２５ｍｍ）傾向にある（図５等を参照）。
もってその分だけ、多数で密となったホイール３（ホイール３も径３２ｍｍと小径化が進展）の陰となるエリアが増え、ホイール３が邪魔になりスプレーゾーンＨ（図１を参照）が、狭くなってきている。
又ｂ．形成される回路Ｂに関しては、図６の（２）図〜（４）図に示したように、（回路幅Ｌや回路間スペースＳで１５μｍ〜４０μｍ程度まで、）微細化，高密度化が進行している。
上記ａ，ｂの状況に鑑み、最近の電子回路基板Ｃの製造工程では、処理液Ｄによる緻密かつ正確な表面処理が、一段と強く要求されており、本発明の表面処理装置１により、遅速，過不足，バラツキのない表面処理が実現される意義は、大なるものがある。
【００３５】
そして特に、コンベアシャフト１１の前後方向Ｆのピッチが短くなり、その分、前後のスプレーゾーンＨが、より接近する最近の傾向に鑑み、規制ローラー１４採用の意義は、特に大きい。
すなわち、接近した前後のスプレーゾーンＨ間では、従来にも増して、基板材Ａ下面を伝っての処理液Ｄが流入，流出が、一段と顕著化するので、規制ローラー１４にて、これを規制，阻止するメリットは大きい。
又、前後方向Ｆのコンベアシャフト１１のピッチが短くなり、これを１〜２本抜いて欠如せしめて形成されるスプレーゾーンＨのエリア面積も、前後寸法が小さく狭くなる最近の傾向に鑑み、角度Ｊ付のスプレーノズル２２採用の意義も、特に大である。
すなわち、狭いスプレーゾーンＨでは、基板材Ａ下面に噴射された処理液Ｄの左右間でのぶつかり，衝突，干渉が、一段と顕著化しており、角度Ｊ付のスプレーノズル２２により、これを防止できるメリットは大きい。
【符号の説明】
【００３６】
１  表面処理装置
２１スプレーノズル（上側）
２２スプレーノズル（下側）
３１ホイール（上側）
３２ホイール（下側）
４  コンベア
５  液槽
６  ポンプ
７  フィルター
８  配管
９１シャワー管（上側）
９２シャワー管（下側）
１０  チャンバー
１１１コンベアシャフト（上側）
１１２コンベアシャフト（下側）
１２  ギア
１３  駆動軸
１４  規制ローラー
１５  対応ローラー
Ａ  基板材
Ｂ  回路
Ｃ  電子回路基板
Ｄ  処理液
Ｅ  左右方向（幅方向）
Ｆ  前後方向（搬送方向）
Ｇ  上下方向
Ｈ  スプレーゾーン
Ｊ  角度
Ｌ  回路幅
Ｓ  回路間スペース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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