【事件の表示】
　特願２０１３−５１３７８１「半導体発光デバイスのパッシベーション」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１２月１５日国際公開，ＷＯ２０１１／１５４８５７，平成２５年　７月　８日国内公表，特表２０１３−５２８３２５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１１年５月１１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年６月７日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成２４年１２月１０に手続補正がされ，平成２７年３月１２日付けで拒絶理由が通知され，同年９月１６日に手続補正がされるとともに同時に意見書が提出され，平成２８年１月２８日付け（同年２月２日送達）で拒絶査定がされ，これに対して同年６月２日に審判請求がされると同時に手続補正がされたものである。
第２　補正の却下の決定
［結論］
　平成２８年６月２日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，明細書及び特許請求の範囲を補正するものであり，本件補正の前後で特許請求の範囲の請求項７は以下のとおりである。
〈補正前〉
「【請求項７】
　デバイスであって：
　ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含む半導体構造体と；
　前記半導体構造体の側面の少なくとも部分の上に配置され，アンダーフィルに対して接着するように構成されており，かつ，前記半導体構造体と前記アンダーフィルとの間に挟まれているパッシベーション層と；を含み，
　前記半導体構造体にコンタミネーションが達することを防ぐために，前記側面上に前記アンダーフィルと前記パッシベーション層がシールを形成する，
　ことを特徴とするデバイス。」
〈補正後〉
「【請求項７】
　デバイスであって：
　ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含む半導体構造体と；
　前記半導体構造体の側面の少なくとも部分の上に配置され，アンダーフィルに対して接着するように構成されており，かつ，前記半導体構造体と前記アンダーフィルとの間に挟まれているパッシベーション層と；を含み，
　前記半導体構造体にコンタミネーションが達することを防ぐために，前記側面上に前記アンダーフィルと前記パッシベーション層がシールを形成しており，
　前記パッシベーション層は，屈折率が異なる二つの材料が交互に重なる層を含む多重誘電体スタックであり，前記ｎ型領域と前記多重誘電体スタックとの間の境界面における発光を反射する，
　ことを特徴とするデバイス。」
２　補正事項の整理
　本件補正の，請求項７についての補正事項は以下のとおりである。
〈補正事項〉
　補正前の請求項７の「前記半導体構造体にコンタミネーションが達することを防ぐために，前記側面上に前記アンダーフィルと前記パッシベーション層がシールを形成する，」を，補正後の請求項７の「前記半導体構造体にコンタミネーションが達することを防ぐために，前記側面上に前記アンダーフィルと前記パッシベーション層がシールを形成しており，
　前記パッシベーション層は，屈折率が異なる二つの材料が交互に重なる層を含む多重誘電体スタックであり，前記ｎ型領域と前記多重誘電体スタックとの間の境界面における発光を反射する，」と補正すること。
３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　前記補正事項は，補正前の「パッシベーション層」について，補正後の「屈折率が異なる二つの材料が交互に重なる層を含む多重誘電体スタックであり，前記ｎ型領域と前記多重誘電体スタックとの間の境界面における発光を反射する」ものとして，補正前の請求項７の発明特定事項である「パッシベーション層」について技術的に限定するものである。よって，前記補正事項は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，「パッシベーション層」が「屈折率が異なる二つの材料が交互に重なる層を含む多重誘電体スタックであり，前記ｎ型領域と前記多重誘電体スタックとの間の境界面における発光を反射する」ものであることは，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００１９】〜【００２０】に記載されている。よって，前記補正事項は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　上記のとおり，本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから，以下においては，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかについて検討する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項７に係る発明は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項７に記載された事項により特定される以下のとおりのものである（再掲。以下「本願補正発明」という。）。
「【請求項７】
　デバイスであって：
　ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含む半導体構造体と；
　前記半導体構造体の側面の少なくとも部分の上に配置され，アンダーフィルに対して接着するように構成されており，かつ，前記半導体構造体と前記アンダーフィルとの間に挟まれているパッシベーション層と；を含み，
　前記半導体構造体にコンタミネーションが達することを防ぐために，前記側面上に前記アンダーフィルと前記パッシベーション層がシールを形成しており，
　前記パッシベーション層は，屈折率が異なる二つの材料が交互に重なる層を含む多重誘電体スタックであり，前記ｎ型領域と前記多重誘電体スタックとの間の境界面における発光を反射する，
　ことを特徴とするデバイス。」
（２）刊行物等に記載された発明
　引用例：特開２００６−２７９０８０号公報
ア　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００６−２７９０８０号公報（以下「引用例」という。）には，図１〜図５とともに，以下の記載がある（下線は当審において付加。以下同様。）。
（ア）技術分野
「【０００１】
　本発明は，面実装用のチップ型発光素子およびその製造方法に関する。」
（イ）課題を解決するための手段
「【００１０】
　
本発明に係るチップ型発光素子は，支持部材と，支持部材上に配置された発光素子チップとを備え，支持部材は，絶縁基板と，絶縁基板の上面に形成された一対の第１の導電膜と，絶縁基板の裏面に形成された一対の第２の導電膜と，一対の第１の導電膜と一対の第２の導電膜とをそれぞれ電気的に接続する少なくとも一対の接続部とを有し，発光素子チップは，透光性基板と，透光性基板上に形成された半導体発光層と，半導体発光層上に形成された一対の電極とを有し，支持部材の一対の第１の導電膜に発光素子チップの一対の電極が接合された状態で支持部材上に発光素子チップが貼り合わされたものである
【００１１】
　・・・（中略）・・・
【００１８】
　
支持部材と発光素子チップとの間隙に樹脂が充填されてもよい。これにより，支持部材と発光素子チップとの接合の機械的強度および耐環境特性が向上する
（ウ）第１の実施例
「【００３６】
　図１は本発明の第１の実施例における面実装用のチップ型発光素子の模式的断面図である。
【００３７】
　
図１のチップ型発光素子１００は，積層型アルミナ基板１０上に発光ダイオードチップ（以下，ＬＥＤチップと呼ぶ）２０が接合されてなる
【００３８】
　・・・（中略）・・・
【００３９】
　一方，ＬＥＤチップ２０は，透光性のサファイア基板２１上にＬＥＤ発光層２８が形成されてなる。ＬＥＤ発光層２８上にはｐ電極２５およびｎ電極２６が形成されている。
【００４０】
　
積層型アルミナ基板１０上にサファイア基板２１を上に向けてＬＥＤチップ２０が貼り合わされ，ＬＥＤチップ２０のｐ電極２５およびｎ電極２６が，Ａｕ（金）バンプ３０および銀ペースト３１によりそれぞれ積層型アルミナ基板１０の電極パッド１３に接合されている。積層型アルミナ基板１０とＬＥＤチップ２０との間にはアンダーフィル樹脂３２が充填されている。それにより，積層型アルミナ基板１０上にＬＥＤチップ２０が固定されている
　・・・（中略）・・・
【００４７】
　
図３（ａ），（ｂ），（ｃ）は図１のチップ型発光素子１００に用いられるＬＥＤチップ２０のそれぞれ模式的平面図および模式的断面図である
【００４８】
　
図３に示すように，透光性の単結晶のサファイア基板２１上に，ＧａＮ（窒化ガリウム）系化合物半導体からなるバッファ層２２，ｎ型半導体層２３およびｐ型半導体層２４が順に形成されている。ｐ型半導体層２４の一部領域が除去され，ｎ型半導体層２３が露出している。
【００４９】
　
ｐ型半導体層２４上にはｐ電極２５が形成されている。ｐ電極２５の全面には，可視光に対して反射率の高いＰｄ／Ａｌ等からなる反射膜（図示せず）が蒸着法等により形成されている。それにより，ＬＥＤ発光層２８から出射した光が反射膜でサファイア基板２１の側に反射される。その反射膜上および露出したｎ型半導体層２３上には，ｎ電極２６が露出するようにＳｉＯ
2 
，ＳｉＮ等からなる絶縁保護膜２７が形成されている
【００５０】
　ｐ型電極２５上の絶縁保護膜２７には，窓２９が設けられ，ｐ電極２５の一部が窓２９内に露出している。それにより，実質的にｐ電極２５とｎ電極２６との間の距離が隔てられ，短絡等による不良が防止される。また，このＬＥＤチップ２０のｐ電極２５およびｎ電極２６と積層型アルミナ基板１０の電極パッド１３との接合に半田ボールを用いた際に，窓２９が半田留めとして作用し，半田ボールの形状の維持および半田ボールのセルフアライメントが可能となる。
【００５１】
　図３に示すように，ｐ電極２５とｎ電極２６との間には数μｍ程度の段差が形成されている。この段差は，後述する製造工程により吸収される。
【００５２】
　図４および図５は図１のチップ型発光素子１００の製造方法を示す模式的工程断面図である。
【００５３】
　まず，図４（ａ）に示すように，ウエハ状の透光性のサファイア基板２１上に，図３に示した構造を有するＧａＮ系化合物半導体からなるＬＥＤ発光層２８を形成し，電流供給のための電極形成プロセスによりｐ電極２５およびｎ電極２６を形成する。それにより，ＬＥＤウエハ２０ａが形成される。
【００５４】
　・・・（中略）・・・
【００５８】
　次いで，図４（ｄ）に示すように，積層型アルミナ基板１０上にＬＥＤウエハ２０ａをＡｕバンプ３０を下にして張り合わせて固定する。この場合，Ａｕバンプ３０上の銀ペースト３１を積層型アルミナ基板１０の電極パッド１３に位置合わせする。この場合，図２に示した積層型アルミナ基板１０においては，電極パッド１３の面積が広いため，位置合わせの許容性が高くなっている。
【００５９】
　・・・（中略）・・・
【００６１】
　
次いで，図５（ｅ）に示すように，積層型アルミナ基板１０とＬＥＤウエハ２０ａとの接合の機械的強度を高め，かつ熱応力，湿度等に対する耐環境特性を高めるために，積層型アルミナ基板１０とＬＥＤウエハ２０ａとの間にアンダーフィル樹脂３２を注入する
【００６２】
　・・・（中略）・・・
【００６９】
　本実施例のチップ型発光素子１００の製造方法においては，図４（ｄ）および図５（ｅ）の工程で積層型アルミナ基板１０にＬＥＤウエハ２０を接合した後に図５（ｆ）の工程でサファイア基板２１の研磨を行い，図５（ｇ）の工程でチップ化を行っているので，ＬＥＤウエハ２０ａのサファイア基板２１における割れおよび反りに対する耐性が高められている。したがって，サファイア基板１およびＬＥＤ発光層２８を含むＬＥＤウエハ２０ａを研磨して厚み５０μｍ以下に薄くしても，サファイア基板１の割れおよび反りが生じない。
【００７０】
　・・・（中略）・・・
【００７１】
　また，
ＬＥＤ発光層２８から発生した光は透光性のサファイア基板２１を通して外部に出射される
（エ）図１は次のものである。
（オ）　図３は次のものである。
イ　上記ア（イ）から，「支持部材と発光素子チップとの間隙に樹脂が充填されてもよ」く，「これにより，支持部材と発光素子チップとの接合の機械的強度および耐環境特性が向上する」ところ，当該「耐環境特性」としては，上記ア（ウ）の「かつ熱応力，湿度等に対する耐環境特性を高めるために，積層型アルミナ基板１０とＬＥＤウエハ２０ａとの間にアンダーフィル樹脂３２を注入する」（段落【００６１】）との記載から，「熱応力」及び「湿度等」対する耐環境特性を含むことがわかる。
ウ　上記ア（ウ）の段落【００４７】〜【００５１】の記載とともに，前記ア（オ）の図３を参照すると，「ｐ型半導体層２４の一部領域が除去され，ｎ型半導体層２３が露出している」ことに伴い，ｎ型半導体層２３およびｐ型半導体層２４からなるＬＥＤ発光層２８には段差部が生じており，絶縁保護膜２７は，当該ＬＥＤ発光層２８の段差部にも設けられていることがわかる。
エ　上記ア（ウ）の段落【００３９】〜【００４０】の記載とともに，前記ア（エ）の図１を参照すると，アンダーフィル樹脂３２は，積層型アルミナ基板１０と，ＬＥＤチップ２０のＬＥＤ発光層２８が設けられた側との間に隙間なく充填されていることが見て取れる。
オ　以上を総合すると，引用例には以下の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明」という。）。
「チップ型発光素子であって，
　支持部材と，支持部材上に配置された発光素子チップ２０とを備え，支持部材の一対の第１の導電膜に発光素子チップ２０のｐ電極２５及びｎ電極２６が接合された状態で支持部材上に発光素子チップ２０が貼り合わされたものであり，
　発光素子チップ２０は，透光性の単結晶のサファイア基板２１上に，ＧａＮ（窒化ガリウム）系化合物半導体からなるバッファ層２２，ｎ型半導体層２３およびｐ型半導体層２４が順に形成され，ｐ型半導体層２４の一部領域が除去され，ｎ型半導体層２３が露出しており，バッファ層２２，ｎ型半導体層２３およびｐ型半導体層２４が段差部が生じているＬＥＤ発光層２８を構成し，
　ｐ型半導体層２４上にはｐ電極２５が形成され，ｐ電極２５の全面には，可視光に対して反射率の高いＰｄ／Ａｌ等からなる反射膜が蒸着法等により形成されて，それにより，ＬＥＤ発光層２８から出射した光が反射膜でサファイア基板２１の側に反射され，その反射膜上，露出したｎ型半導体層２３上および前記ＬＥＤ発光層２８の段差部には，ｎ電極２６が露出するようにＳｉＯ2 ，ＳｉＮ等からなる絶縁保護膜２７が形成されており，
　支持部材と，発光素子チップ２０のＬＥＤ発光層２８が設けられた側との間隙には隙間なくアンダーフィル樹脂３２が充填されており，これにより，支持部材と発光素子チップ２０との接合の機械的強度，および熱応力，湿度等に対する耐環境特性が向上するものである，
チップ型発光素子。」
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを比較する。
ア　引用発明の「発光素子チップ２０は，透光性の単結晶のサファイア基板２１上に，ＧａＮ（窒化ガリウム）系化合物半導体からなるバッファ層２２，ｎ型半導体層２３およびｐ型半導体層２４が順に形成され，ｐ型半導体層２４の一部領域が除去され，ｎ型半導体層２３が露出しており，バッファ層２２，ｎ型半導体層２３およびｐ型半導体層２４がＬＥＤ発光層２８を構成し」たものと，本願補正発明の「ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含む半導体構造体」とは，「ｎ型領域とｐ型領域とを含む半導体構造体」である点で一致する。
イ　引用発明においては，「絶縁保護膜２７」が「露出したｎ型半導体層２３上および前記ＬＥＤ発光層２８の段差部」にも形成されており，「ＬＥＤ発光層２８」の側面にも形成されているところ，「支持部材と，発光素子チップ２０のＬＥＤ発光層２８が設けられた側との間隙には隙間なくアンダーフィル樹脂３２が充填されて」いるから，「絶縁保護膜２７」と「アンダーフィル樹脂３２」が接着していることは明らかである。それゆえ，引用発明の「絶縁保護膜２７」は，本願補正発明の「前記半導体構造体の側面の少なくとも部分の上に配置され，アンダーフィルに対して接着するように構成されており，かつ，前記半導体構造体と前記アンダーフィルとの間に挟まれているパッシベーション層」に相当する。
ウ　上記イで検討したとおり，引用発明においては，「絶縁保護膜２７」が「露出したｎ型半導体層２３上および前記ＬＥＤ発光層２８の段差部」にも形成されており，「ＬＥＤ発光層２８」の側面にも形成されているところ，「発光素子チップ２０のＬＥＤ発光層２８が設けられた側との間隙には隙間なくアンダーフィル樹脂３２が充填されており，これにより，支持部材と発光素子チップ２０との接合の機械的強度，および熱応力，湿度等に対する耐環境特性が向上するものである」から，「前記ＬＥＤ発光層２８の段差部」には「アンダーフィル樹脂３２」も設けられていることは明らかである。また，当該「アンダーフィル樹脂３２」が，「発光素子チップ２０のＬＥＤ発光層２８」の「湿度等に対する耐環境特性が向上する」ことに寄与することも明らかである。よって，引用発明における「絶縁保護膜２７」と「アンダーフィル樹脂３２」を合わせたものと，本願補正発明の「前記半導体構造体にコンタミネーションが達することを防ぐために，前記側面上に前記アンダーフィルと前記パッシベーション層がシールを形成して」いることとは，「前記半導体構造体にコンタミネーションが達することを防ぐために，前記側面上に少なくとも前記アンダーフィルがシールを形成して」いる点で一致する。
エ　引用発明における「ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ等からなる絶縁保護膜２７」が誘電体からなることは明らかである。よって，当該「絶縁保護膜２７」と，本願補正発明の「前記パッシベーション層は，屈折率が異なる二つの材料が交互に重なる層を含む多重誘電体スタックであり，前記ｎ型領域と前記多重誘電体スタックとの間の境界面における発光を反射する」とは，「前記パッシベーション層は，誘電体層である」点で一致する。
オ　引用発明の「チップ型発光素子」は，引用発明の「デバイス」に相当する。
カ　したがって，引用発明と本願補正発明とは，
「デバイスであって：
　ｎ型領域とｐ型領域とを含む半導体構造体と；
　前記半導体構造体の側面の少なくとも部分の上に配置され，アンダーフィルに対して接着するように構成されており，かつ，前記半導体構造体と前記アンダーフィルとの間に挟まれているパッシベーション層と；を含み，
　前記半導体構造体にコンタミネーションが達することを防ぐために，前記側面上に少なくとも前記アンダーフィルがシールを形成しており，
　前記パッシベーション層は，誘電体層である，
　デバイス。」
である点で一致する。
　
ク　一方，両者は以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本願補正発明は「ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含む半導体構造体」を備えるのに対して，引用発明は「ｎ型領域とｐ型領域とを含む半導体構造体」に対応する構成を備えるものの，「ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層」を備えることまでは特定されていない点。
《相違点２》
　本願補正発明は，「前記半導体構造体にコンタミネーションが達することを防ぐために，前記側面上に前記アンダーフィルと前記パッシベーション層がシールを形成して」いる構成を備えるのに対して，引用発明は，「前記半導体構造体にコンタミネーションが達することを防ぐために，前記側面上に少なくとも前記アンダーフィルがシールを形成して」いることに対応する構成を備えるものの，「前記半導体構造体にコンタミネーションが達することを防ぐために，」前記側面上に前記アンダーフィルだけではなく，前記パッシベーション層もシールを形成しているか否か明らかでない点。
《相違点３》
　本願補正発明は，「前記パッシベーション層は，屈折率が異なる二つの材料が交互に重なる層を含む多重誘電体スタックであり，前記ｎ型領域と前記多重誘電体スタックとの間の境界面における発光を反射する」構成を備えるのに対して，引用発明は「前記パッシベーション層は，誘電体層である」ものの，上記本願補正発明に係る構成は備えない点。
（４）判断
　上記各相違点について検討する。
ア　《相違点１》について
　発光ダイオード（ＬＥＤ）において，ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間に発光層（活性層）を設けることは，以下の周知例１及び２にも示されているように，キャリアのより確実な発光再結合を図るため，従来より周知・慣用される技術である。
　それゆえ，引用発明の「発光素子チップ２０」において，「ｎ型半導体層２３およびｐ型半導体層２４が順に形成され」た構成に代えて，ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間に発光層（活性層）を設ける構成として，相違点１に係る構成を備えることは，当業者が適宜になし得たことである。
周知例１：特開平１１−８７７７１号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平１１−８７７７１号公報（以下「周知例１」という。）には，図３とともに，以下の記載がある。
「【００２４】
【実施例】以下に本発明の一実施例を示すが，本発明はこれに限定されない。
（実施例１）実施例１において，図３の発光素子を用いて行った。
ＭＯＣＶＤ法を用いサファイア基板１１上にｎ型層１２，活性層（図示していない），ｐ型層１３を成長させ
パッド電極２５及びｎ電極１４を除いた素子表面，及び除去された半導体素子の端部等を絶縁膜２４としてＳｉＯ
2
，ＴｉＯ
2
を順次に各５積層（ＴｉＯ
2
／ＳｉＯ
2
）
5
して得られた膜厚１０００Åの絶縁性反射膜で図３のように覆った
　ここで，図３は以下のものである。
周知例２：特開２０１０−５６３２３号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１０−５６３２３号公報（以下「周知例２」という。）には，図２（ａ）とともに，以下の記載がある。
「【００４３】
　以下，本実施形態の半導体製造方法に適用される半導体発光素子１０１について詳しく説明する。
　まず，基板１０の上に形成される半導体層の積層構造の具体例について説明する。
　本実施形態に係る半導体発光素子１０１は，例えば，サファイアからなる基板１０の上に形成された窒化物半導体から構成される。
【００４４】
　・・・（中略）・・・
【００４５】
　ここで，図２（ａ）に例示したｎ型半導体層１は，上記の高炭素濃度の第１ＡｌＮバッファ層，高純度第２ＡｌＮバッファ層，ノンドープＧａＮバッファ層，Ｓｉドープｎ型ＧａＮコンタクト層，及び，Ｓｉドープｎ型Ａｌ０．１０Ｇａ０．９０Ｎクラッド層を含むことができる。
【００４６】
　また，図２（ａ）に例示した
発光層３
【００４７】
　そして，図２（ａ）に例示したｐ型半導体層２は，上記のＭｇドープｐ型Ａｌ０．２８Ｇａ０．７ａＮクラッド層，Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層，及び，高濃度Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層を含むことができる。」
　ここで，図２（ａ）は以下のものである。
　上記記載とともに図２（ａ）を参照すると，「発光層３」は，ｎ型半導体層１とｐ型半導体層２との間に配置されていることがわかる。
イ　《相違点２》について
　一般に，発光ダイオード（ＬＥＤ）において，半導体からなる構造の表面に設けられたＳｉＯ２等の絶縁膜が，外部からの水分等の侵入を防ぐことは，例えば前記周知例１にも示されているように，従来より周知である。
　すなわち，周知例１には，図２とともに，更に以下の記載がある。
「【０００８】本発明者等は，従来の問題点を種々検討した結果，高温高湿条件下で長期間使用すると，使用開始の際には起こらなかったにも関わらず，ショートが発生する素子が生じるのは，導電性接着剤又は空気中の水分がｎ型層と基板との界面から浸入するために生じるとものと推測した。例えば前記特開平９−２０５２２４号公報では，図２に示すように
ｐ型層１３側から基板１１まで除去して基板の露出面を形成して絶縁膜１９を設けている
「【００２３】本発明において，絶縁膜２４の材料としては，少なくとも絶縁性であれば良く，
例えばＳｉＯ
2
　上記記載から，絶縁膜１９によって覆われた部分においては，絶縁膜１９が導電性接着剤又は空気中の水分の侵入を防いでいることは明らかである。
　したがって，引用発明においても，「ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ等からなる絶縁保護膜２７」が，外部からの水分等の侵入を防ぐ，すなわち，相違点２に係る「コンタミネーションが達することを防ぐ」作用を備えることは明らかである。
　それゆえ，本願補正発明の「パッシベーション層」に相当する，引用発明の「ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ等からなる絶縁保護膜２７」は，「コンタミネーションが達することを防ぐ」作用を備え，「シールを形成している」といえるから，相違点２は実質的な相違点ではない。
　仮にそうでないとしても，相違点２に係る構成をそなえることは，当業者が適宜になし得たことである。
ウ　《相違点３》について
　一般に，発光ダイオード（ＬＥＤ）チップについて，光取り出しの効率をより高めることは，不断の課題といえるものである。
　そして，発光ダイオード（ＬＥＤ）チップについて，その側面において，屈折率の異なる２種類の材料を交互に積層させた構造の反射膜を設けることは，前記周知例１及び２にも示されているように，従来より周知の技術である。
　すなわち，周知例１には，「ア　《相違点１》について」において摘記したとおり，「半導体素子の端部等を絶縁膜２４としてＳｉＯ2，ＴｉＯ2を順次に各５積層（ＴｉＯ2／ＳｉＯ2）5して得られた膜厚１０００Åの絶縁性反射膜で図３のように覆った」との記載がある。
　また，周知例２には，更に以下の記載がある。
「【００６２】
　さらに，半導体発光素子１０１について説明する。　
　既に説明したように，誘電体積層膜１１は，屈折率の異なる２種類以上の誘電体として，第１誘電体層（例えば，ＳｉＯ２）と，第２誘電体層（例えば，ＴｉＯ２）と，の積層膜の組み合わせを例えば５組み，すなわち，例えば合計１０層の誘電体層からなる積層膜を用いることができる。この時，第１誘電体層及び第２誘電体層のそれぞれの膜厚は，それぞれの屈折率をｎとし，発光層３からの発光波長をλとした時，λ／（４ｎ）の厚さに設定される。
【００６３】
　・・・（中略）・・・
【００６８】
　これらの性質から，設計条件を選べば金属反射膜よりも
高性能な反射膜として機能する誘電体積層膜１１を採用することにより，光取り出し効率の向上が見込まれる
　それゆえ，引用発明において，光取り出しの効率をより高めるべく，「ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ等からなる絶縁保護膜２７」に代えて，前記周知技術に係る構成を用いて，相違点３に係る構成を備えることは，当業者が適宜になし得たことである。
（５）小括
　よって，本願補正発明は，当業者が，周知技術を勘案して，引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　よって，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
５　まとめ
　以上のとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２８年６月２日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項７に係る発明は，平成２７年９月１６日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項７に記載された事項により特定される以下のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
「【請求項７】
　デバイスであって：
　ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含む半導体構造体と；
　前記半導体構造体の側面の少なくとも部分の上に配置され，アンダーフィルに対して接着するように構成されており，かつ，前記半導体構造体と前記アンダーフィルとの間に挟まれているパッシベーション層と；を含み，
　前記半導体構造体にコンタミネーションが達することを防ぐために，前記側面上に前記アンダーフィルと前記パッシベーション層がシールを形成する，
　ことを特徴とするデバイス。」
２　引用発明
　引用発明は，前記第２　４「（２）刊行物等に記載された発明」に記載したとおりのものである。
　
３　対比・判断
　前記第２「１　本件補正の内容」〜第２「３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討」において検討したとおり，本件補正は，「パッシベーション層」について，補正後の「屈折率が異なる二つの材料が交互に重なる層を含む多重誘電体スタックであり，前記ｎ型領域と前記多重誘電体スタックとの間の境界面における発光を反射する」ものとして，補正前の請求項７の発明特定事項である「パッシベーション層」について技術的に限定するものである。言い換えると，本願発明は，本願補正発明から上記限定事項を省いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２　４「（３）対比」〜第２　４「（５）小括」において検討したとおり，当業者が，周知技術を勘案して，引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。