【事件の表示】
　特願２０１５−　　１４７６「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　４月２３日出願公開、特開２０１５−　７９９９３、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年６月９日（国内優先権主張　平成２２年６月１１日）の出願である特願２０１１−１２９０６４号の一部を、平成２７年１月７日に新たな出願としたものであって、同年１月１３日付で審査請求がなされ、平成２８年２月４日付で拒絶理由通知が通知され、同年２月１５日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたが、同年５月３１日付で拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされたものである。
　これに対して、平成２８年８月３１日付けで審判請求がなされ、当審において平成２９年４月１７日付で拒絶理由が通知され、同年５月２６日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
第２　本願発明
　本願に記載された発明は、平成２９年５月２６日付の手続補正書により補正された特許請求の範囲に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下、請求項１および２に係る発明を、それぞれ「本願発明１」および「本願発明２」という。）。
「【請求項１】
　絶縁表面上の、第１のゲート電極と、第２のゲート電極と、
　前記第１のゲート電極上、及び前記第２のゲート電極上の、ゲート絶縁層と、
　前記第１のゲート電極と重なる領域を有する、第１の酸化物半導体層と、
　前記第２のゲート電極と重なる領域を有する、第２の酸化物半導体層と、
　前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極と、
　前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極と、
　前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、第２のソース電極と、
　前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、第２のドレイン電極と、
　前記第１の酸化物半導体層と接する領域を有する、第１の絶縁層と、
　前記第２の酸化物半導体層と接する領域を有する、第２の絶縁層と、を有し、
　前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも、吸水性が高く、
　前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方は、出力端子と電気的に接続され、
　前記第２のソース電極又は前記第２のドレイン電極の一方は、前記出力端子と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　請求項１において、
　前記第１の絶縁層は、前記第２の酸化物半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。」
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　原査定の理由の概要は、次のとおりである。
「この出願については、平成２８年　２月　４日付け拒絶理由通知書に記載した理由１によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
●理由１（特許法第２９条第２項）について
・請求項　１−３
・引用文献等　１−５
　出願人は、平成２８年２月１５日付けの意見書において、
「さらには、引用文献１に記載された発明において、ガスのセンシングのためには、無機半導体層がガスに曝露されることが必要とされます。仮に、無機半導体層を覆って保護層を形成すると、無機半導体層と雰囲気ガスとが接しなくなるため、引用文献１が機能しなくなります。従いまして、そのような適用には阻害要因すら存在するため、当業者があえて試みることはあり得ないものと思料します。」
と、主張している。
　出願人の主張について検討する。
　引用文献３は、コンデンサの電極間の誘電体に水分子が吸収されることによりセンシングをするセンサであるが、図６のようにその上に「ポリイミドの保護コーティング」を設けても、電極間の誘電体にセンシング対象である水分子が浸透することが記載されている（第８頁右上欄）。
　また、引用文献５には、センシング対象である放射線に対して透過性があり、空気等の不純物の侵入を防止する保護層を設けることが記載されている（第９頁）。
　引用文献３、５のように、センシング対象以外の不所望の外的要因を排除するために、センサである引用文献１の酸化物半導体層上を保護膜で覆う構成とすることは、当業者が容易になし得たことであり、阻害要因があるとは認められない。
　また、そのような保護膜の形成位置は当業者が適宜選択できることであり、本願の補正後の請求項３のように、センシング動作をしないような素子上にも有する構成とすることに、当業者にとって特別な困難性は認められない。
　その余の点は、前記拒絶理由通知書に記載のとおりである。
　よって、請求項１−３に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２−５に記載された技術に基づいて、当業者であれば容易になし得たものであるから、依然として、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.米国特許出願公開第２００６／０２３１８８２号明細書
２.特開昭５４−０８０１９７号公報
３.特開昭６３−２６１１７８号公報
４.特開昭６２−２３７３４７号公報
５.特表２０００−５１６３９５号公報」
２　原査定の拒絶理由通知の概要
　平成２８年２月４日付け拒絶理由通知書の概要は、次のとおりである。
「１．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
●理由１（進歩性）について
・請求項　１、２
・引用文献等　１−５
・備考
　引用文献１（全文全図、特に図２）には、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極とからなる薄膜トランジスタが記載されており、雰囲気によって当該薄膜トランジスタの特性が変わり、センサとして用いることができると記載されている（段落［００１９］−段落［００２４］）。
　引用文献１には具体的なセンシング態様は記載されていないが、センシングに際して、引用文献２（図２）、引用文献３（第８頁、図６、図７）、引用文献４（図４）に記載されているように、センシング素子と比較用の素子とを用いたセンシング態様とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　引用文献２には、比較用の素子のみを「絶縁被膜７」で覆うことが記載されている。
　また、引用文献１のセンシング素子を保護膜で覆うことは、引用文献３（図６）、引用文献５（第９頁、図１）に記載されているように当業者が容易になし得たことであり、引用文献３には当該保護膜をポリイミドから形成することが、引用文献５には当該保護膜と薄膜トランジスタとを接する構造とすることが記載されているため、このような構成とすることにも当業者にとって特別な困難性は認めれない。
　そして、引用文献４（図４）のようにセンシング素子と比較用の素子とを出力端子に接続するようなセンシング態様とすることも、引用文献１において当業者が適宜行えることである。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.米国特許出願公開第２００６／０２３１８８２号明細書
２.特開昭５４−０８０１９７号公報
３.特開昭６３−２６１１７８号公報
４.特開昭６２−２３７３４７号公報
５.特表２０００−５１６３９５号公報」
第４　当審の拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
　平成２９年４月１７日付で当審より通知した拒絶理由の概要は、次のとおりである。
「この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記　
＜引用文献等一覧＞　
引用例１：国際公開第２０１０／０６１６５６号
引用例２：特開２０１０−１６０７２号公報
請求項２
引用例：１，２
備考
　引用例１に
「【００５９】
　ここで、
各スイッチ素子ＳＷｉは、液晶パネルのガラス基板上に形成され
酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の酸化物半導体などの半導体層を有する周知の構成の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により構成され、
図４に示す各組の６つのスイッチ素子は、３対の切換スイッチを構成し、典型的には液晶パネル上に実装されるＬＳＩチップ内に形成される映像信号線駆動回路３００における（ＬＳＩチップからの）各出力端子ＴＳｊをその出力端子に対応する映像信号線群内の３本の映像信号線に時分割的に接続する。
と記載されているように、引用例１には、
「酸化物半導体層を有する複数の薄膜トランジスタにより構成されたスイッチ素子が、映像信号線駆動回路における出力端子ＴＳｊをその出力端子に対応する映像信号線群内の映像信号線に時分割に接続する、液晶パネル。」
の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されている。
　そうすると、請求項２に記載された発明と引用例１発明とは、以下の点で相違し、その余の点で一致する。
［相違点１］
　請求項２に記載された発明のトランジスタは、半導体層を酸化物半導体で構成したボトムゲート型のトランジスタであるのに対して、引用例１発明のトランジスタは、半導体層が酸化物半導体で構成されていることは記載されているものの、具体的な構成が記載されていない点。
［相違点２］
　請求項２に記載された発明は、第１の絶縁層がポリイミドを有しているのに対して、引用例１発明はポリイミドについて記載されていない点。
　以下、各相違点について検討する。
［相違点１］について
　引用例２図１に記載されているように、酸化物半導体ボトムゲートＴＦＴは公知の構成であり、引用例１発明のトランジスタに該公知の構成を採用することは、当業者が容易に想起する事項である。
［相違点２］について
　引用例２図１に記載されている酸化物半導体ボトムゲートＴＦＴは、ポリイミド保護膜１０６が、半導体層１０４と接する領域を有している。
　引用例１発明において、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタとして、引用例２に記載された公知技術を採用した際に、酸化物半導体層と接する領域を有する絶縁層を備えるようにし、また、絶縁層をポリイミドとすることは、当業者が適宜為し得た事項である。
請求項３
引用例：１，２
備考
　保護膜を複数のトランジスタで共有することは周知の技術であるから、引用例１発明に引用例２記載の公知技術を採用した際に、第１のトランジスタのポリイミドからなる絶縁層が、第２のトランジスタの酸化物半導体層と重なる領域を有するようにすることは、当業者が容易に為し得た事項である。
 　請求項１ないし請求項１を引用する請求項３に係る発明については、現時点では、拒絶の理由を発見しない。」
第５　引用文献について
１　引用例１について
（１）　引用例１の記載
　原査定の理由に引用された、米国特許出願公開第２００６／０２３１８８２号明細書（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。（なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。）
ア　「[0021]　
The semiconductor layer can act as both an active channel and sensing material. The ZnO is n-type transparent oxide semiconductor. When different gases, such as combustible gases, or permanent gases, are exposed to these semiconductor materials, the transistor performance changes depending on the gas,
[0022]　The invention provides an accurate and sustainable way to produce viable CMOS circuits utilizing p-type and n-type TFT materials. 
[0023]　FIGS. 3A-3B illustrates an embodiment of the invention wherein a p-type and n-type TFT structures 50, 52 are formed in accordance with the invention. In particular, FIG. 3A shows a p-type TFT structure 50 that includes a source 54 and drain 56 that are formed on an active p-channel 58. The active p-channel 58 is formed on a gate oxide 60 a portion of which covers a gate metal 62. Both the gate oxide 60 and the gate metal 62 are formed on a substrate 64. The active p-channel 58 can include pentacene, conjugated polymer such as poly-3-alkykthiophene, poly-3-hexylthiophene (P3HT), poly-thienlylene vinylene or tetracene. The gate oxide 60 can include high-K BZN, Mn/Ni doped (Ba,Sr)TiO3 (BST), hybrid structures-Mn/Ni doped BST/BZN or the like. The substrate 64 can include any kind of plastic substrate such as polyimide, PEN, PET, polycarbonate fabrics, Si substrate, glass substrate or the like. 
[0024]　
FIG. 3B shows an n-type TFT 52 that includes a source  66 and drain 68 that are formed on an active n-channel 70. The active n-channel 70 is formed on a gate oxide 72, a portion of which covers a gate metal 74. Both the gate oxide 72 and the gate 74 metal are formed on a substrate 76. The active n-channel 70 can include ZnO, 
（当審訳：[0021]　
半導体層は、活性チャネル及び検知用材料の両方として機能することができる。ZnOは、n型透明酸化物半導体である。可燃性ガス、又は永久ガスなどの異なるガスが、これらの半導体材料に曝されると、トランジスタの性能は、ガス、
に依存して変化する。
[0022]　本発明はp型およびn型TFT材料を利用して実行可能なCMOS回路を製造する正確かつ持続可能な方法を提供する。
[0023]　図3A-3Bは、本発明によるp型およびn型TFT構造50,52が形成された、本発明の実施形態を示す図である。具体的には、図3Aは、活性pチャネル58上にソース54およびドレイン56が形成されたp型TFT構造50を示している。活性pチャネル58はその一部が、ゲート金属62を覆っているゲート酸化膜60上に形成されている。ゲート酸化膜60およびゲート金属62の両方は、基板64上に形成されている。活性pチャネル58は、ペンタセンや、ポリ-3-アルキクチオフェン、ポリ-3-ヘキシルチオフェン(P3HT)、ポリチエニレンビニレンまたはテトラセンなどの共役ポリマーを含むことができる。ゲート酸化膜60は、高誘電率BZN、mn/niドープ(Ba,Sr)TiO3(BST)、複合体-mn/niドープBST/BZN等を含むことができる。基板64は、例えばポリイミド、PEN、PET、ポリカーボネート、Si基板やガラス基板等のようなプラスチック基板のいずれかを含むことができる。
[0024]　
図3Bは、活性nチャネル70上に形成されたソース66と、ドレイン68とを含むn型TFT52を示している。活性nチャネル70はその一部が、ゲート金属74を覆っているゲート酸化膜72上に形成されている。ゲート酸化膜72及びゲート74金属の両方は、基板76上に形成されている。活性nチャネル70は、ZnO、
を含むことができる。
イ　引用例１発明について
　上記（１）およびＦＩＧ．３Ｂの記載から、引用例１には、実質的に次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ｎ型ＴＦＴ５２であって、
　基板７６上にゲート金属７４を有し、
　ゲート金属７４を覆ってゲート酸化膜７２を形成し、
　ゲート酸化膜７２上にＺｎＯを含むことができる活性ｎチャネル７０を形成し、
　活性ｎチャネル７０上にソース６６およびドレイン６８を形成し、
　ＺｎＯは、可燃性ガス、又は永久ガスなどの異なるガスに曝されると、トランジスタの性能が変化することを特徴とする
　ｎ型ＴＦＴ５２。」
２　引用例２について
（１）　引用例２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開昭５４−８０１９７号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
ア　「実施例１
第１図は湿度検出に用いるＭＯＳ型トランジスタの断面図である。図中の１はシリコン基板、２はシリコン基板１と反対の導電型の拡散層、３はフィールド酸化膜、４はゲート酸化膜、５は二三酸化鉄（ヘマタイト）ゲート電極、６はクロム・金で形成されたソースとドレイン間の引き出し配線である。
第１図のＭＯＳ型湿度センサの原理は湿度＝水分子の存主によって二三酸化鉄電極５中に水分が侵入すると、二三酸化鉄とゲート配化膜界面に分極層を形成し、二三酸化鉄とシリコン基板との仕事関数が変化するためしきい値がずれることにより、このしきい値変化を検出するものである。
しかしＭＯＳ型トランジスタは、製造時においてそのしきい値を個々の部品で一定とすることは極めて困難であり、実際にはバラツキが大きいためにこの従来方法で湿度を検出することはむつかしい。
そこで本願では上記構造のＭＯＳセンサの欠点を改良するため第２図に示すように、
同一基板上に二つのＭＯＳ型トランジスタを形成し、一方は湿度検出用、他方はしきい値電圧変化検出用に用いる湿度センサを製作した。
第２図の１〜６は第１図における記号と同じであり、
大きな特徴は同一基板に二素子を同時形成し片方のトランジスタ表面をＣＶＤ−ＳｉＯ
２
やＰＳＧ、或いは他の絶縁被膜で被うことによりトランジスタの信頼性を上げる所にある。
図中の（Ａ）は湿度検出用トランジスタであり、（Ｂ）はしきい値検出を検出するためのダミートランジスタであり、湿度検出の補償を行なうことにより高信頼性の湿度センサを得ることができるものである。
（２）　引用例２の記載事項
　上記（１）および第２図の記載から、引用例２には、実質的に次の事項（以下、「引用例２記載」という。）が記載されているものと認められる。
「湿度センサであって、
　シリコン基板にシリコン基板と反対の導電型の拡散層を設け、シリコン基板上にフィールド酸化膜およびゲート酸化膜を設け、ゲート酸化膜上に二三酸化鉄（ヘマタイト）ゲート電極を設けたＭＯＳトランジスタを同一基板上に二つ設け、
　一方のＭＯＳトランジスタを湿度検出用トランジスタとし、
　他方のＭＯＳトランジスタの表面を絶縁性被膜で覆い、湿度検出の補償を行うダミートランジスタとする、
　湿度センサ。」
３　引用例３について
（１）引用例３の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開昭６３−２６１１７８号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
ア　「３．発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
　
この発明は、
相対湿度によって静電容量が変化する容量型センサを用いて相対湿度を測定する方法と装置に関する。
イ　「前述したように、可変コンデンサが容量型湿度センサである場合は、
測定回路網内の全てのコンデンサを同一基板上に設け、
　
コンデンサＣ
ｘ
は、周知の集積回路技術を用いて、第６図に示すように構成し得る。この構造では、ｎ形シリコンがコンデンサの一方の極板を形成するＰ＋拡散領域を有する。この極板は、フィールド酸化物によって限定されたポリイミド誘電体で覆われている。誘電体上には、コンデンサの第２の極板としてアルミ箔が被着されている。このアルミ箔は、それを覆っているポリイミドの保護コーティングを浸透した後、水分子が周囲の雰囲気から前誘電体へ浸透可能とするように充分に薄くする
　
コンデンサＣ
０
とＣ
ｒ
は第７図に示すように構成でき、第２の電極が第６図に示した薄いアルミ箔に代わる厚いアルミ極板で構成されている。これらのコンデンサは周囲雰囲気の湿度の変化に感応してはならないので、厚いアルミ極板はこれらコンデンサの誘電体へ水分子が浸透するのを防ぐように形成される。
（２）引用例３の記載事項
　上記（１）の記載から、引用例３には、実質的に次の事項（以下、「引用例３記載」という。）が記載されているものと認められる。
「相対湿度によって静電容量が変化する容量型センサを用いて相対湿度を測定する装置であって、
　測定回路網内の全てのコンデンサを同一基板上に設け、
　コンデンサＣｘは、
　　ｎ型シリコンがコンデンサの一方の極板を形成するＰ＋拡散領域を有し、
　　この極板をポリイミド誘電体で覆い、
　　誘電体上にコンデンサの第２の極板として、自身を覆うポリイミドの保護コーティングを浸透した水分子が誘電体へ浸透可能とするように十分に薄いアルミ箔を被着し、
　コンデンサＣ０とＣｒは、
　　ｎ型シリコンがコンデンサの一方の極板を形成するＰ＋拡散領域を有し、
　　この極板をポリイミド誘電体で覆い、
　　誘電体上にコンデンサの第２の極板として、誘電体へ水分子が浸透するのを防ぐように形成された厚いアルミ極板を被着する
　装置。」
４　引用例４について
（１）引用例４の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開昭６２−２３７３４７号公報（以下、「引用例４」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
ア　「
第３図に本発明のＦＥＴ型ガスセンサーと補償素子とを一体に製造した補償素子付ＦＥＴ型ガスセンサーの垂直方向の断面図を示した。
ＦＥＴ型ガスセンサー（ＦＥＴ１）と補償素子（ＦＥＴ２）とは１枚のｐ−型Ｓｉ基板等の半導体３の上に作製されている。ここでＦＥＴ１のドレイン２及びＦＥＴ２のドレイン２′は、ＦＥＴ１とＦＥＴ２に共通のソース１と半導体３を介して接続されており、ＦＥＴ１の半導体３上には電気絶縁体４，固体イオン伝導体６及びＶＩＩＩ族金属７がこの順に積層されており、ＦＥＴ２の半導体３上には、電気絶縁体４，固体イオン伝導体６及び還元性ガスに感応しない金属８がこの順に積層されている。また、ＦＥＴ１及びＦＥＴ２のソース及びドレインは電気絶縁体上に積層された端子用金属９と電気的に接続されている。
この様に作製した補償素子付ＦＥＴ型ガスセンサーの等価回路を第４図に示した。図中、点線で囲まれた部分が、補償素子付ＦＥＴ型ガスセンサーである。第４図に於いて、ＦＥＴ１及びＦＥＴ２のドレイン端子１２及び２２は、それぞれ抵抗１６及び２６を介して定電圧源１８に接続され、ＦＥＴ１及びＦＥＴ２に共通なソース端子１１は、定電流源１９を介して定電圧源１８に接続され、さらに、ソース端子１１は、定電流源１９及び定電圧源１７，２７を介してＦＥＴ１及びＦＥＴ２のゲート端子１５及び２５に夫々接続されている。このような回路とすることによって差動増幅器が形成され、ＦＥＴ１の出力端子３０，３１からの出力を測定すれば、湿度等による影響がキャンセルされた還元性ガスのみによる電圧変化がドレイン電圧として観測される。」（第４頁右上欄２０行乃至右下欄１４行）
（２）　引用例４の記載事項
　上記（１）の記載から、引用例４には、実質的に次の事項（以下、「引用例４記載」という。）が記載されているものと認められる。
「ＦＥＴ型ガスセンサーと補償素子とを一体に製造した補償素子付ＦＥＴ型ガスセンサーであって、
　ＦＥＴ型ガスセンサー（ＦＥＴ１）と補償素子（ＦＥＴ２）とは１枚のｐ−型Ｓｉ基板等の半導体３の上に作製され、
　ＦＥＴ１のドレイン２及びＦＥＴ２のドレイン２′は、ＦＥＴ１とＦＥＴ２に共通のソース１と半導体３を介して接続され、
　ＦＥＴ１の半導体３上には電気絶縁体４，固体イオン伝導体６及びＶＩＩＩ族金属７がこの順に積層され、
　ＦＥＴ２の半導体３上には、電気絶縁体４，固体イオン伝導体６及び還元性ガスに感応しない金属８がこの順に積層され、
　ＦＥＴ１及びＦＥＴ２のソース及びドレインは電気絶縁体上に積層された端子用金属９と電気的に接続されている、
　補償素子付ＦＥＴ型ガスセンサー。」
５　引用例５について
（１）　引用例５の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、特表２０００−５１６３９５号公報（以下、「引用例５」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
ア　「
本発明の構成によれば、所定の期間にわたってある物体を照射する電離放射線の総量を決定する方法が提供される。該方法は、前記期間中に該物体の付近の少なくとも一つの位置に、それぞれ少なくとも一つの有機半導体素材を含む活性層を有する電界効果トランジスタを設ける段階であって、
イ　「
図１を詳細に参照すると、電界効果トランジスタ（１）は、トランジスタ（１）のゲート層を形成しているとともに、深さ５００ｎｍ以上にわたって１０
19
ｃｍ
-3
以上のドーパント密度を有している大量にＮドープを施された層（３）を設けるようにＮタイプのシリコンウェーハ（２）にドープするという方法によってつくられている。次いで、該ゲート層（３）の表面を熱により酸化させ、厚さ１５０ｎｍのＳｉＯ
2
絶縁層（４）を設ける。接触リソグラフィーにより、ソース電極（５）とドレイン電極（６）をインターディジタル構造につくる（図２に詳細に示されているように）。
  複合ポリマーの層は、以下のようにしてつくられる。「複合ポリマー」とは、少なくともポリマー骨格部に沿って非局在化されたπ電子系を持っているポリマーを意味する。すなわち、非局在化されたπ電子系は、該ポリマーに半導性を与え、ポリマー鎖沿いに高い運動性を備えた正電荷または負電荷のキャリヤを支持する能力を付与する。
  ポリ塩化（ｐ−キシレン−α−テトラヒドロチオフェン）というポリマーをメタノールに溶かした溶液数滴を絶縁層（４）上に載せて、基板を高速でスピンさせ、中実の薄膜をつくるという方法により、
絶縁層（４）および分離したソース電極（５）とドレイン電極（６）の上に該ポリマーの膜を形成する。
次いで、該ポリマー膜（７）に厚さ５０ｎｍの不導膜（８）を形成し、空気の進入を防止するため該素子をカプセル化する。
当該技術分野に熟練を有する者なら気づくであろうが、カプセル化層（８）の厚さは、該ポリマー膜（７）の劣化を防止するに足る厚みを備えている一方で、検出しようとする放射線に対してほぼ透過性になるだけの薄さを備えていなければならない。
（２）引用例５の記載事項
　上記（１）の記載から、引用例５には、実質的に次の事項（以下、「引用例５記載」という。）が記載されているものと認められる。
「所定の期間にわたってある物体を照射する電離放射線の総量を決定する方法であって、
　前記期間中に該物体の付近の少なくとも一つの位置に、それぞれ少なくとも一つの有機半導体素材を含む活性層を有する電界効果トランジスタを設け、
　該電界効果トランジスタは、
　Ｎタイプのシリコンウェーハ（２）に、１０19ｃｍ-3以上のドーパント密度を有している大量にＮドープを施されたゲート層（３）を設け、
　該ゲート層（３）の表面を熱により酸化させＳｉＯ2絶縁層（４）を設け、
　ソース電極（５）とドレイン電極（６）をインターディジタル構造につくり、
　絶縁層（４）および分離したソース電極（５）とドレイン電極（６）の上にポリマーの膜を形成し、
　ポリマー膜（７）の空気による劣化を防止するに足る厚みを備えている一方で、検出しようとする放射線に対してほぼ透過性になるだけの薄さを備えたカプセル化層（８）を形成する、
　方法。」
６　引用例６（当審の拒絶理由において引用例１として引用した文献）について
（１）　引用例６の記載
　当審の拒絶の理由に引用された、国際公開２０１０／０６１６５６号（以下、「引用例６」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
ア　「［0057］　図２において、各画素形成部Ｐｘに付されている“Ｒ”“Ｇ”または“Ｂ”は、当該画素形成部Ｐｘにより形成される画素の色である赤、緑、または青を表している。なお、これらの色は典型的な３原色であるが、その他の３原色であってもよい。また、一般に液晶表示装置では、液晶の劣化を抑えると共に表示品位を維持するために交流化駆動が行われており、本実施形態では、典型的な交流化駆動方式として、画素を形成する液晶層への印加電圧の正負極性を１走査信号線毎かつ１フレーム毎にも反転させるいわゆるライン反転駆動方式が採用されるものとする。また、このライン反転駆動方式に代えて、画素液晶への印加電圧の正負極性を１フレーム毎にのみ反転させる駆動方式であるフレーム反転駆動方式や、１走査信号線毎かつ１映像信号線毎に反転させる（さらに１フレーム毎にも反転させる）いわゆるドット反転駆動方式が採用されてもよい。
［0058］　
この液晶パネルには、上記のように、各映像信号線Ｌｓを映像信号線駆動回路３００に接続するための部分として、液晶パネル上の映像信号線Ｌｓにそれぞれ対応するスイッチ素子ＳＷ１ａ，ＳＷ１ｂ，ＳＷ２ａ，ＳＷ２ｂ，ＳＷ３ａ，ＳＷ３ｂ，…を含む接続切換回路５０１が形成されており（図２）、
［0059］　ここで、
各スイッチ素子ＳＷｉは、液晶パネルのガラス基板上に形成され微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）やアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、または酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の酸化物半導体などの半導体層を有する周知の構成の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により構成され、図４に示すように、同一組となった６つのスイッチ素子ＳＷ（３ｊ−２）ａ，ＳＷ（３ｊ−２）ｂ，ＳＷ（３ｊ−１）ａ，ＳＷ（３ｊ−１）ｂ，ＳＷ３ｊａ，ＳＷ３ｂは、切換制御信号ＧＳ１ａ〜ＧＳ３ｂに応じてオン・オフするように構成されている（ｊ＝１，２，３，…）。
スイッチ素子ＳＷ（３ｊ−２）ａおよびＳＷ（３ｊ−２）ｂと、ＳＷ（３ｊ−１）ａおよびＳＷ（３ｊ−１）ｂと、ＳＷ３ｊａおよびＳＷ３ｂとは、それぞれ２つが１対をなして並列に接続されており、２つのうちのいずれかがオンされることによりその両端が導通する。
図４に示す各組の６つのスイッチ素子は、３対の切換スイッチを構成し、典型的には液晶パネル上に実装されるＬＳＩチップ内に形成される映像信号線駆動回路３００における（ＬＳＩチップからの）各出力端子ＴＳｊをその出力端子に対応する映像信号線群内の３本の映像信号線に時分割的に接続する。
イ　図４
（２）　引用例６発明について
ア　上記（１）ア［0059］の記載および上記（１）イ図４の記載から、スイッチ素子ＳＷ（３ｊ−２）ａおよびＳＷ（３ｊ−２）ｂは対をなし、それぞれのソースもしくはドレインに対応する端子が映像信号線駆動回路３００における出力端子ＴＳｊに接続されていることがわかる。
イ　してみると、上記（１）の記載から、引用例６には、実質的に次の発明（以下、「引用例６発明」という。）が記載されているものと認められる。
「酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の酸化物半導体からなる半導体層を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により構成されたスイッチ素子を有する接続切換回路であって、
　スイッチ素子は２つで対をなし、そのスイッチ素子のそれぞれのソースもしくはドレインに対応する端子は、映像信号線駆動回路における信号線に時分割に接続する、
　接続切換回路。」
７　引用例７（当審の拒絶理由において引用例２として引用した文献）について
（１）引用例７の記載
　当審の拒絶の理由に引用された、特開２０１０−１６０７２号公報（以下、「引用例７」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
ア　「【００２１】
　本発明は上記ＴＦＴを作製した後に、ＴＦＴ素子を覆うように保護膜を形成することを特徴としている。
【００２２】
　本発明の実施形態のひとつとしては、複数の層に分かれた保護膜を形成する際に、
チャネル層に直接触れる最内層保護膜として機能する防湿性有機物膜を配置するものである。
【００２３】
　
保護膜の材料としては、ポリイミド系樹脂膜、
これらの膜は、成膜時にチャネル部にダメージを与えることがなく、耐水性、耐薬品性に優れた効果を発揮する。
【００２４】
　さらに、
上記最内層保護膜よりも外側に位置する所には、Ｈラジカルを通さない無機膜が形成されている。無機膜は、構成材料として、
Ａｌ
2
Ｏ
3
イ　「【実施例１】
【００４６】
　
図１は、本発明の実施例１に係る酸化物半導体ボトムゲートＴＦＴの構造を示す概略図である。図１中、１０１は基板、１０２はゲート電極、１０３はゲート絶縁膜、１０４は半導体層、１０５はソース・ドレイン電極、１０６はポリイミド保護膜、１０７はＡｌ
2
Ｏ
3
保護膜をそれぞれ示す。
【００４７】
　実施例１では、図１に示すように、ガラス基板１０１上に、２０ｎｍ厚さのＴｉ膜でゲート電極１０２を配置した。ＳｉＯ2を４０ｎｍ堆積しゲート絶縁膜１０３とした。ＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）組成を有する多結晶焼結体をターゲットとしてスパッターし、パターニングした
ＩｎＧａＺｎＯ
x
膜５０ｎｍを半導体層１０４とした。
【００４８】
　このＴＦＴ上に、ポリイミドの保護膜１０６を１μｍ形成し、さらにＡｌ2Ｏ3の保護膜１０７を２００ｎｍ堆積した。
【００４９】
　このＴＦＴの初期特性は、移動度が５．２ｃｍ2／Ｖｓ、オンオフ比が約１０6であった。また、６０℃、湿度７０％の環境下に３時間放置してから測定しても、電気特性に変化はなかった。」
（２）引用例７の記載事項
　上記（１）の記載から、引用例７には、実質的に次の事項（以下、「引用例７記載」という。）が記載されているものと認められる。
「ガラス基板上に、ゲート電極を配置し、ＳｉＯ2を堆積しゲート絶縁膜とし、ＩｎＧａＺｎＯx膜からなる半導体層と、ソース・ドレイン電極、ポリイミド保護膜、Ａｌ2Ｏ3保護膜を有し、
　ポリイミド保護膜は、耐水性、耐薬品性に優れた効果を発揮し、
　Ａｌ2Ｏ3保護膜は、Ｈラジカルを通さない機能を有する
　酸化物半導体ボトムゲートＴＦＴ。」
第６　原査定の理由についての当審の判断
１　本願発明１と引用例１発明の対比
（１）引用例１発明の「ゲート金属７４」は、本願発明１の「第１のゲート電極」又は「第２のゲート電極」に対応する。
（２）引用例１発明の「ゲート酸化膜７２」は「ゲート電極７４」を覆っているから、本願発明１の「前記第１のゲート電極上、及び前記第２のゲート電極上の、ゲート絶縁層」と、ゲート電極上のゲート絶縁層である点で共通する。
（３）引用例１発明の「ＺｎＯを含むことができる活性ｎチャネル７０」は、本願発明１の「第１の酸化物半導体層」又は「第２の酸化物半導体層」に対応し、また、引用例１発明の「ＺｎＯを含むことができる活性ｎチャネル７０」は、「ゲート金属７４」を覆っている「ゲート酸化膜７２」上にあるから、「ゲート電極７４」と重なる領域を有していると言える。
　そうすると、引用例１発明の「ゲート酸化膜７２上に」形成された「ＺｎＯを含むことができる活性ｎチャネル７０」と、本願発明１の「前記第１のゲート電極と重なる領域を有する、第１の酸化物半導体層」又は「前記第２のゲート電極と重なる領域を有する、第２の酸化物半導体層」は、ゲート電極と重なる領域を有する、酸化物半導体層である点で共通する。
（４）引用例１発明の「ソース６６」は、本願発明１の「第１のソース電極」又は「第２のソース電極」に対応する。
（５）引用例１発明の「ドレイン６８」は、本願発明１の「第１のドレイン電極」又は「第２のドレイン電極」に対応する。
（６）引用例１発明の「基板７６上にゲート金属７４を有」することは、本願発明１の「絶縁表面上の、第１のゲート電極と、第２のゲート電極」と、絶縁表面上にゲート電極を備える点で共通する。
（７）上記（１）ないし（６）から、引用例１発明の「ｎ型ＴＦＴ５２であって、基板７６上にゲート金属７４を有し、ゲート金属７４を覆ってゲート酸化膜７２を形成し、ゲート酸化膜７２上にＺｎＯを含むことができる活性ｎチャネル７０を形成し、活性ｎチャネル７０上にソース６６およびドレイン６８を形成」することと、本願発明１の「絶縁表面上の、第１のゲート電極と、第２のゲート電極と、前記第１のゲート電極上、及び前記第２のゲート電極上の、ゲート絶縁層と、前記第１のゲート電極と重なる領域を有する、第１の酸化物半導体層と、前記第２のゲート電極と重なる領域を有する、第２の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極と、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極と、前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、第２のソース電極と、前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、第２のドレイン電極」を有することは、「絶縁表面上のゲート電極と、前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、前記ゲート電極と重なる領域を有する、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極」を有する点で、共通する。
（８）引用例１発明の「ｎ型ＴＦＴ５２」は、本願発明１の「半導体装置」に対応する。
（９）そうすると、本願発明１と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「絶縁表面上のゲート電極と、
　前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
　前記ゲート電極と重なる領域を有する、酸化物半導体層と、
　前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
　を有する半導体装置。」
［相違点１］
　本願発明１の「半導体装置」は、「絶縁表面上の、第１のゲート電極と、第２のゲート電極と、前記第１のゲート電極上、及び前記第２のゲート電極上の、ゲート絶縁層と、前記第１のゲート電極と重なる領域を有する、第１の酸化物半導体層と、前記第２のゲート電極と重なる領域を有する、第２の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極と、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極と、前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、第２のソース電極と、前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、第２のドレイン電極」を有することにより、２つのトランジスタを有しているのに対して、引用例１発明の「ｎ型ＴＦＴ５２」は、１つのトランジスタしか有していない点。
［相違点２］
　本願発明１は、「前記第１の酸化物半導体層と接する領域を有する、第１の絶縁層と、前記第２の酸化物半導体層と接する領域を有する、第２の絶縁層と、を有し、前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも、吸水性が高」いのに対して、引用例１発明は、第１もしくは第２の絶縁層に対応する構成を有していない点。
［相違点３］
　本願発明１は、「前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方は、出力端子と電気的に接続され、前記第２のソース電極又は前記第２のドレイン電極の一方は、前記出力端子と電気的に接続される」のに対して、引用例１発明は、ソースもしくはドレインと出力端子との電気的接続について明示されていない点。
２　本願発明１についての当審の判断
［相違点２］について検討する。
　引用例１発明は「ＺｎＯは、可燃性ガス、又は永久ガスなどの異なるガスに曝されると、トランジスタの性能が変化すること」を特徴としており、ＺｎＯを含む活性化ｎチャンネルは、ガスに曝される必要があるから、絶縁層で覆うことを想起できたとは認められない。
　また、仮に、ＺｎＯを含む活性化ｎチャンネルの一部と接する絶縁層を設けたとしても、「前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも、吸水性が高」くすることが想起できたとは認められない。
　さらに、引用例２ないし５には、「前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも、吸水性が高」くすることは記載されていないから、引用例２ないし５の記載事項から、引用例１発明において、［相違点２］に係る構成を採用することが容易であるとも言えない。
　そして、本願発明１は、「前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも、吸水性が高」いことで、湿度の検知素子となる薄膜トランジスタと、検出回路を構成する薄膜トランジスタを同一基板上に形成することができる（本願明細書【００３６】−【００４０】）という格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点２］に係る構成は、引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
　したがって、本願発明１は、他の相違点については検討するまでもなく、引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
３　本願発明２についての当審の判断
　本願発明２は、本願発明１を引用しており、本願発明２は本願発明１の発明特定事項を全て有する発明である。
　してみれば、本願発明１が引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願発明２も、引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
４　原査定の理由についての当審の判断についてのまとめ
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第７　当審拒絶理由についての判断
１　本願発明１と引用例６発明との対比
（１）引用例６発明の「接続切換回路」は、本願発明１の「半導体装置」に相当する。
（２）引用例６発明の「２つで対をなす、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の酸化物半導体からなる半導体層を有するスイッチ素子」は、本願発明１の「絶縁表面上の、第１のゲート電極と、第２のゲート電極と、前記第１のゲート電極上、及び前記第２のゲート電極上の、ゲート絶縁層と、前記第１のゲート電極と重なる領域を有する、第１の酸化物半導体層と、前記第２のゲート電極と重なる領域を有する、第２の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極と、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極と、前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、第２のソース電極と、前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、第２のドレイン電極と、前記第１の酸化物半導体層と接する領域を有する、第１の絶縁層と、前記第２の酸化物半導体層と接する領域を有する、第２の絶縁層と、を有し、前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも、吸水性が高く、」と、酸化物半導体層を有する２つのトランジスタである点で共通する。
（３）引用例６発明の「スイッチ素子のそれぞれのソースもしくはドレインに対応する端子は、映像信号線駆動回路における信号線に時分割に接続する」ことは、本願発明１の「前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方は、出力端子と電気的に接続され、前記第２のソース電極又は前記第２のドレイン電極の一方は、前記出力端子と電気的に接続されること」に相当する。
（４）そうすると、本願発明１と引用例６発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
　酸化物半導体層を有する２つのトランジスタを有し、
　一つのトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、出力端子と電気的に接続され、
　もう一つのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記出力端子と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
［相違点１］
　本願発明１は「絶縁表面上の、第１のゲート電極と、第２のゲート電極と、前記第１のゲート電極上、及び前記第２のゲート電極上の、ゲート絶縁層と、前記第１のゲート電極と重なる領域を有する、第１の酸化物半導体層と、前記第２のゲート電極と重なる領域を有する、第２の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極と、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極と、前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、第２のソース電極と、前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、第２のドレイン電極と、前記第１の酸化物半導体層と接する領域を有する、第１の絶縁層と、前記第２の酸化物半導体層と接する領域を有する、第２の絶縁層と、を有し」ているのに対して、引用例６発明は、スイッチ素子が酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の酸化物半導体からなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である点は記載されているものの、スイッチング素子の具体的な構成が記載されていない点。
［相違点２］
　本願発明１は「前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも、吸水性が高」いのに対して、引用例６発明は、スイッチング素子を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の絶縁層について記載されておらず、また、その吸水性についても記載されていない点。
２　本願発明１についての当審の判断
　［相違点２］について検討する。
　引用例６発明は「接続切換回路」であるから、「接続切換回路」を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の絶縁層は、一般的な保護膜としての機能を想定しており、吸水性について一方を他方と比べ高くすることを想起することができたとは認められない。
　また、引用例７には、単体の「酸化物半導体ボトムゲートＴＦＴ」に、ポリイミド保護膜を設け、耐水性、耐薬品性に優れた効果を発揮する点は記載されているものの、対となるトランジスタに対して形成される各々の絶縁層について、「前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも、吸水性が高」くなることは記載されていない。さらに、引用例１ないし５にも、「前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも、吸水性が高」くなることは記載されていない。
　そのため、引用例１ないし５および７の記載事項から、引用例６発明において、［相違点２］に係る構成を採用することが容易であるとも言えない。
　そして、本願発明１は、「前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも、吸水性が高」いことで、湿度の検知素子となる薄膜トランジスタと、検出回路を構成する薄膜トランジスタを同一基板上に形成することができる（本願明細書【００３６】−【００４０】）という格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点２］に係る構成は、引用例１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
　したがって、本願発明１は、他の相違点については検討するまでもなく、引用例１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
３　本願発明２についての当審の判断
　本願発明２は、本願発明１を引用しており、本願発明２は本願発明１の発明特定事項を全て有する発明である。
　してみれば、本願発明１が引用例１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願発明２も、引用例１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
４　当審拒絶理由についてのまとめ
　以上のとおり、当審拒絶理由で示した理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　そうすると、もはや、当審の拒絶理由によっては本願を拒絶することはできない。
第８　結語
　以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶するべき理由は発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。