(57)【要約】【課題】高性能の内部電極を量産性良く提供することを目的とするものである。【解決手段】ベース基板１１に第１のメッキ層１２を形成する工程と、第１のメッキ層の上に所定の開口部１３を有するレジストパターン１４を形成する工程と、レジストパターンの開口部１３に第１のメッキ層１２と同じ金属材料で、第１のメッキ層の平均表面粗さよりも平均表面粗さが小さい第２のメッキ層１５を形成する工程と、レジストパターンの開口部１３に転写用導体１６を電解メッキにより形成する工程と、を備えた製造方法であり、これにより高性能の内部電極を量産性良く得ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板に第１のメッキ層を形成する工程と、前記第１のメッキ層の上に所定の開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの開口部に前記第１のメッキ層と同じ金属材料で、前記第１のメッキ層の平均表面粗さ（Ｒａ）よりも平均表面粗さ（Ｒａ）が小さい第２のメッキ層を形成する工程と、前記レジストパターンの開口部に転写用導体を電解メッキにより形成する工程と、を備えた転写用導体の製造方法。
【請求項２】
前記第１のメッキ層の厚さを、前記第２のメッキ層の厚さよりも薄くした請求項１記載の転写用導体の製造方法。
【請求項３】
前記第２のメッキ層の厚さを前記第１のメッキ層の平均表面粗さ（Ｒａ）の２倍から５倍とした請求項１記載の転写用導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種積層型電子部品に用いられる転写用導体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年機器の小型化に伴って、積層電子部品が多く使われるようになってきているが、大電流に対応できるように直流抵抗を低減することが強く求められている。このためメッキにより形成した電極パターンを転写することによって内部電極に用いる方法が提案されている。
【０００３】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２２７０４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来は、ステンレスのベース基板にメッキ電極の剥離性を高めるために光沢ニッケルメッキを行い、その上に所定のレジストパターンを形成し、その開口部に銀からなる転写用導体を電解メッキにより形成し、これを転写することで電極パターンを形成していた。しかしながら、光沢ニッケルメッキの上にレジストパターンを形成しているため、レジストパターンの密着性が悪く、転写する時に剥離しやすくなり、また繰り返し使用するにあたって耐久性に課題があった。さらに近年積層電子部品の小型化、大電流化への要望が強く、これに対応するために、ファインパターンでかつ膜厚の厚い高アスペクト比のパターンを形成する必要があり、レジストの密着強度向上は大きな課題となっていた。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は上記課題を解決するために、ベース基板の第１面に第１のメッキ層を形成する工程と、第１のメッキ層の上に所定の開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンの開口部に第１のメッキ層と同じ金属材料で、第１のメッキ層の表面粗さよりも表面粗さが小さい第２のメッキ層を形成する工程と、レジストパターンの開口部に転写用導体を電解メッキにより形成する工程とを備えたものである。
【発明の効果】
【０００７】
上記構成により、転写用導体を設けた部分では表面粗さが小さくなっているため、転写用導体との剥離性が確保できるとともに、レジストパターンの部分は表面粗さが大きなものとなっているため密着強度を向上させることができるため、耐久性に優れた電鋳母型が得られ量産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施の形態における転写用導体の製造方法を示す図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
まず図１（ａ）に示すように、可撓性を有するステンレス板（ＪＩＳ規格：ＳＵＳ４３０等）からなるベース基板１１の上面にストライクＮｉメッキ（図示せず）を下地として形成した後その上に電解メッキにより第１のＮｉメッキ層１２を形成する。このときメッキ液を通常のワット浴と比べＮｉ濃度が高い、もしくは飽和に近い浴組成として、平均厚さ約２μｍのＮｉメッキ層とすることにより、平均表面粗さ（Ｒａ）が約１．３μｍとなるようにする。
【００１０】
次に図１（ｂ）のように、第１のＮｉメッキ層１２の上にフォトレジスト層を形成し、露光、現像することにより所定の開口部１３を有するレジストパターン１４を形成する。このときレジストパターン１４の厚さを約３５μｍとしておく。通常Ｎｉメッキの表面にレジストのような樹脂は密着性が良くないが、本実施の形態では平均表面粗さ（Ｒａ）が約１．３μｍと粗くなっているため、十分な密着性を得ることができる。なお、第１のＮｉメッキ層１２に対してレジストの密着性を確保するために必要な平均表面粗さ（Ｒａ）を確認してみると１μｍ以上必要なことがわかった。
【００１１】
次に図１（ｃ）のように、通常のワット浴で開口部１３から露出している第１のＮｉメッキ層１２の上に第２のＮｉメッキ層１５として光沢Ｎｉメッキ層を形成する。このとき第２のＮｉメッキ層１５の平均厚さを約３μｍとする。このようにすることにより下地となる第１のＮｉメッキ層１２の平均表面粗さは約１．３μｍと粗いが、第２のＮｉメッキ層１５の平均表面粗さは約０．３μｍと小さいものにすることができる。第２のＮｉメッキ層１５の平均表面粗さを十分に小さくするためには、その平均厚さを下地の平均表面粗さの２倍以上とすることが望ましい。また、第２のＮｉメッキ層１５の平均厚さを第１のＮｉメッキ層１２の平均厚さよりも厚くしておくことが望ましい。
【００１２】
また、異種金属が接触しているとその部分で局部電池反応が起こり、特にメッキ層に入れた状態では腐食が起こりやすい。これに対して本実施の形態では、第１のメッキ層１２、第２のメッキ層１５がともにＮｉで構成されるため局部電池反応が起こらず、また同一金属によるメッキ形成のため密着性が向上し、この界面で剥離することを防ぐことができる。
【００１３】
次に図１（ｄ）のように、開口部１３から露出している第２のＮｉメッキ層１５の上にＡｇメッキを電解メッキで行なうことにより転写用導体１６を形成する。このとき転写用導体１６はレジストパターン１４の上面から突き出るように約５０μｍの厚さで形成している。また転写用導体１６の上部は開口部１３より広がった状態となっている。またＮｉとＡｇとはその接合が弱く、かつ第２のＮｉメッキ層１５の平均表面粗さが十分に小さくなっているため容易に分離することができる。
【００１４】
次に図１（ｅ）のように、被転写体１７である磁性体のグリーンシートに転写用導体１６が形成されたレジストパターン１４を有するベース基板１１を、転写用導体１６の突き出た部分を被転写体１７に食い込ませ、ベース基板１１を引き剥がすことにより、被転写体１７に転写用導体１６を形成する。これらを繰り返すことにより、積層インダクタのような積層電子部品を得ることができる。
【００１５】
以上のようにして内部電極を形成することにより、メッキによる緻密な電極パターンを形成することができるため、内部抵抗を低くし、またファインパターンでアスペクト比の高いものができるため、高性能な積層電子部品を得ることができる。さらにレジストパターンの密着性を向上させているため、転写用電極を剥離した後に、繰り返して使用することができるため、量産性を向上させることができる。
【００１６】
なお、第２のＮｉメッキ層１５の平均表面粗さを小さくするためには、第１のＮｉメッキ層１２の平均表面粗さに対して十分に厚くすることが望ましいが、第１のＮｉメッキ層１２の平均表面粗さの５倍以上にしてもそれ以上はほとんど変わらなかった。従って、第２のＮｉメッキ層１５の平均厚さを、第１のＮｉメッキ層１２の平均表面粗さの２倍以上、５倍以下とすることがより望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００１７】
本発明に係る転写用導体の製造方法は、積層電子部品の量産性を向上させることができ、産業上有用なものとなる。
【符号の説明】
【００１８】
１１  ベース基板
１２  第１のメッキ層
１３  開口部
１４  レジストパターン
１５  第２のメッキ層
１６  転写用導体
１７  被転写体
【図１】
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