【事件の表示】
　特願２０１２−　２５９００「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　５月１０日出願公開、特開２０１２−　８９９０１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年１月１５日を出願日とする出願である特願２００１−６５８１号（以下、「原出願」という。）の一部を、平成１７年１月１３日に新たな出願とした特願２００５−６７３２号が出願され、当該新たな特許出願の一部を、平成２４年２月９日に新たな出願としたものであって、同年２月１０日付けで審査請求がなされ、平成２５年９月２０日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月２７日付けで意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされ、平成２６年４月２２日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年６月２７日付けで意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたが、平成２７年１月１５日付けで、平成２６年６月２７日付けでなされた手続補正が却下されるとともに、拒絶査定がなされたものである。
　これに対して、平成２７年３月２７日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付で手続補正がなされた。
　そして、当審にて平成２８年４月１５日付けで拒絶理由通知がなされ、同年６月１４日付けで意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされ、同年７月２１日付けで拒絶理由通知がなされ、同年９月９日付けで意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされた。
第２　本願発明について
　平成２８年９月９日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は、以下のとおりである。
「所望の素子領域の形成された基板表面に形成された配線層と、
　前記配線層表面を覆う層間絶縁膜と、
　前記層間絶縁膜表面全体を覆うように形成された窒化シリコン膜と、
　前記窒化シリコン膜の上層に形成された最上層メタルとしての金層からなるメタル配線層と、
　前記窒化シリコン膜と前記メタル配線層との間に形成されたバリア層と、
　前記メタル配線層上に形成されたポリイミドからなる平坦化絶縁膜と、
　ボンディングワイヤと、
　を含み、
　前記バリア層と前記配線層は、前記窒化シリコン膜と前記層間絶縁膜に形成されたスルーホールを通じて接続されており、
　前記平坦化絶縁膜が一部領域で除去せしめられ、前記メタル配線層に前記ボンディングワイヤがボンディングされており、前記メタル配線層の表面の全体が前記ボンディングワイヤと接合されるために平坦であるとともに、前記スルーホール内に突出する凸部が、前記メタル配線層の前記窒化シリコン膜に対向する面において設けられており、前記配線層と前記窒化シリコン膜とが近接することで、前記メタル配線層の最下部が前記窒化シリコン膜の下面よりも上側に位置し、
　前記スルーホールが前記基板に対して垂直方向にのみ延在し、前記メタル配線層の前記窒化シリコン膜に対向する面は、前記メタル配線層の前記最下部の全面であり、前記凸部は前記メタル配線層の前記最下部の一部から前記スルーホールに沿って垂直方向にのみ延在することを特徴とする半導体装置。」
　ここで、請求項１における「前記スルーホールが前記基板に対して垂直方向にのみ延在し、前記メタル配線層の前記窒化シリコン膜に対向する面は、前記メタル配線層の
前記最下部
前記最下部
前記最下部
最下部
　しかしながら、該記載における「
最下部
最下部
最下部
最下部
　そして、「前記メタル配線層の前記窒化シリコン膜に対向する面は、前記メタル配線層の
前記最下部
前記最下部
最下部
最下部
　また、平成２８年９月９日付けの意見書に、
「今回の補正においては、先述した通り、請求項１において「前記スルーホールが前記基板に対して垂直方向にのみ延在し、前記メタル配線層の前記窒化シリコン膜に対向する面は、前記メタル配線層の前記最下部の全面であり、前記凸部は前記メタル配線層の前記最下部の一部から前記スルーホールに沿って垂直方向にのみ延在する」の補正が追加されております。
　すなわち、スルーホールを垂直方向にのみ延在させ、メタル配線層が窒化シリコン膜に対向する面から、凸部がスルーホール内に設けられます。ここで、金からなるメタル配線層の
最下部（下面）
と記載されているように、「前記スルーホールが前記基板に対して垂直方向にのみ延在し、前記メタル配線層の前記窒化シリコン膜に対向する面は、前記メタル配線層の
前記最下部
前記最下部
最下部」
　そして、本願の図１には、メタル配線層の下面の前面が窒化シリコン膜に対向しており、凸部はメタル配線層の下面の一部からスルーホールに沿って垂直方向にのみ延在した構造が記載されていることから、該「
最下部
前記最下部
前記最下部
下面
前記下面
　以上から、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下の記載により特定されるものと認める。
「所望の素子領域の形成された基板表面に形成された配線層と、
　前記配線層表面を覆う層間絶縁膜と、
　前記層間絶縁膜表面全体を覆うように形成された窒化シリコン膜と、
　前記窒化シリコン膜の上層に形成された最上層メタルとしての金層からなるメタル配線層と、
　前記窒化シリコン膜と前記メタル配線層との間に形成されたバリア層と、
　前記メタル配線層上に形成されたポリイミドからなる平坦化絶縁膜と、
　ボンディングワイヤと、
　を含み、
　前記バリア層と前記配線層は、前記窒化シリコン膜と前記層間絶縁膜に形成されたスルーホールを通じて接続されており、
　前記平坦化絶縁膜が一部領域で除去せしめられ、前記メタル配線層に前記ボンディングワイヤがボンディングされており、前記メタル配線層の表面の全体が前記ボンディングワイヤと接合されるために平坦であるとともに、前記スルーホール内に突出する凸部が、前記メタル配線層の前記窒化シリコン膜に対向する面において設けられており、前記配線層と前記窒化シリコン膜とが近接することで、前記メタル配線層の最下部が前記窒化シリコン膜の下面よりも上側に位置し、
　前記スルーホールが前記基板に対して垂直方向にのみ延在し、前記メタル配線層の前記窒化シリコン膜に対向する面は、前記メタル配線層の下面の全面であり、前記凸部は前記メタル配線層の前記下面の一部から前記スルーホールに沿って垂直方向にのみ延在することを特徴とする半導体装置。」
第３　当審の判断
１．引用例について
（１）引用例１について
ア．引用例１の記載
　平成２８年７月２１日付けの拒絶理由通知で引用された、原出願の出願日前に日本国内で頒布された刊行物である特開平１１−８２４７号公報（以下，「引用例１」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【００５７】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕本発明の実施の一形態について、図１ないし図４に基づいて説明すれば、以下の通りである。
本実施形態における半導体チップ（半導体装置）は、図１に示すように、拡散層４ａ・４ｂを含むシリコン基板１（半導体基板）にシリコン酸化膜２が形成されており、このシリコン酸化膜２上にゲート電極となる導電層としてのポリシリコン膜３が形成されている。
【００５８】
シリコン酸化膜２およびポリシリコン膜３上には、低圧ＣＶＤ法によって形成されるＣＶＤ−シリコン酸化膜５と、ＢＰＳＧ膜６とがこの順で積層されている。これらＣＶＤ−シリコン酸化膜５およびＢＰＳＧ膜６にはコンタクトホールが形成され、そこにチタンタングステン等からなるバリアメタル８ａ・８ｂ、アルミシリコンやアルミ銅シリコン等のアルミ合金膜やアルミからなるメタル配線としての１層目メタル９ａ・９ｂが形成されてアクティブ素子２０が構成されている。
（イ）「【００５９】また、
ＢＰＳＧ膜６および１層目メタル９ａ・９ｂ上には、層間絶縁膜１０が形成されている。この層間絶縁膜１０は、第１層間絶縁膜１０ａ、第２層間絶縁膜１０ｂ、第３層間絶縁膜１０ｃがこの順で積層された３層構造の絶縁膜である。
【００６０】
第１層間絶縁膜１０ａおよび第３層間絶縁膜１０ｃは、シリコン酸化膜、窒化シリコン膜、ＴＥＯＳ（テトラエトオキシシラン）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）、ＮＳＧ（ノンドープシリケートガラス）等のシリコンを含有した膜である。
第２層間絶縁膜１０ｂは、ＳＯＧ（Spin On Glass ）等からなっており、１層目メタル９ａ・９ｂで発生する段差を補償する段差補償膜としての機能を有している。
【００６１】
第１層間絶縁膜１０ａと第３層間絶縁膜１０ｃとのうち、一方が例えば窒化シリコン膜で構成され
（ウ）「【００６２】
層間絶縁膜１０上には、電極パッド３０の２層目メタル１４を形成するための、チタンタングステン等からなるバリアメタル１３（バリアメタル層）が、絶縁膜１１を介して設けられており、さらにバリアメタル１３上には、アルミやアルミ合金等からなるパッドメタルおよび配線としての２層目メタル１４が形成されている。
（エ）「【００６６】
２層目メタル１４上の所定部位には、ＰＳＧや窒化シリコン膜等からなるパッシベーション膜１５ａ・１５ｂが形成されている。本実施形態では、図２に示すように、パッシベーション膜１５ａ・１５ｂの窓開けエッジ１５ｃが、２層目メタル１４のエッジ部１４ａから例えば２．５〜１０μｍ程度内側に入り込んで形成されている。
（オ）「【００６７】そして、２層目メタル１４およびパッシベーション膜１５ａ・１５ｂ上には、チタンやチタンタングステン等の高融点金属からなるバリアメタル１６が形成され、このバリアメタル１６上に、インナーリード（図示せず）と電気的に接続される金バンプ１７が形成されている。なお、
ワイヤボンディング法を用いる場合には、パッドメタルとしての２層目メタル１４に金ワイヤやアルミ合金線が接合される。
（カ）「【００７３】次に、図４（ｆ）に示すように、
層間絶縁膜１０
にスルーホール１２を形成した後、チタンタングステン等からなるバリアメタル１３、およびアルミやアルミ合金等からなる２層目メタル１４をパッドメタルおよび配線として形成する。
（キ）図１
（ク）図２
（ケ）「【００７８】〔実施の形態２〕本発明の実施の他の形態について、図５ないし図７に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、実施の形態１で用いた部材と同一の機能を有する部材には同一の部材番号を付記し、その説明を省略する。
・・・　中　略　・・・
【００８３】また、上述のように２層目メタル１４下部においてのみ、第２層間絶縁膜１０ｂを完全に除去するかわりに、
図６に示すように、１層目メタル９ａ・９ｂの段差を補償することができる最小限の厚さで第２層間絶縁膜１０ｂを形成するようにしてもよい。
【００８４】このような構造では、
１層目メタル９ａ・９ｂの最上部の上には第２層間絶縁膜１０ｂが存在せず、
実施の形態１と同様、１層目メタル９ａ・９ｂの段差も無くなり、層間絶縁膜１０表面をフラットに形成することができる。
（コ）図６
イ．引用例１の記載事項
　上記ア．（ア）〜（ク）の記載を参照すると、次のことがいえる。
（あ）上記ア．（ア）の記載から、引用例１に記載された発明は、半導体チップに関する発明であると認められる。
　また、引用例１に記載された発明は、拡散層４ａ・４ｂを含むシリコン基板１（半導体基板）にシリコン酸化膜２が形成されており、このシリコン酸化膜２上にゲート電極となる導電層としてのポリシリコン膜３が形成され、シリコン酸化膜２およびポリシリコン膜３上には、低圧ＣＶＤ法によって形成されるＣＶＤ−シリコン酸化膜５と、ＢＰＳＧ膜６とがこの順で積層されており、これらＣＶＤ−シリコン酸化膜５およびＢＰＳＧ膜６にはコンタクトホールが形成され、そこにチタンタングステン等からなるバリアメタル８ａ・８ｂ、アルミシリコンやアルミ銅シリコン等のアルミ合金膜やアルミからなるメタル配線としての１層目メタル９ａ・９ｂが形成されてアクティブ素子２０を有していると認めらる。
（い）上記ア．（イ）の記載から、引用例１に記載された発明は、ＢＰＳＧ膜６および１層目メタル９ａ・９ｂ上に、第１層間絶縁膜１０ａ、第２層間絶縁膜１０ｂ、第３層間絶縁膜１０ｃがこの順で積層された３層構造の層間絶縁膜１０が形成されており、第１層間絶縁膜１０ａと第３層間絶縁膜１０ｃとのうち、一方が例えば窒化シリコン膜で構成され、第２層間絶縁膜１０ｂは、ＳＯＧ（Spin On Glass ）等からなっており、１層目メタル９ａ・９ｂで発生する段差を補償する段差補償膜としての機能を有していると認められる。
（う）上記ア．（ウ）の記載から、引用例１に記載された発明は、層間絶縁膜１０上に、電極パッド３０の２層目メタル１４を形成するための、チタンタングステン等からなるバリアメタル１３（バリアメタル層）が、絶縁膜１１を介して設けられており、さらにバリアメタル１３上には、アルミやアルミ合金等からなるパッドメタルおよび配線としての２層目メタル１４が形成されていると認められる。
　また、上記ア．（カ）の記載から、その際に、層間絶縁膜１０に形成されたスルーホールを形成した後、バリアメタル１３および２層目メタル１４を形成しており、さらに、上記ア．（キ）図１の記載からバリアメタル１３は、前記スルーホールを通じて、１層目メタル９ｂに接続されていると認められる。
　加えて、上記ア．（キ）図１の記載からスルーホールを介して、２層目メタル１４が層間絶縁膜１０に突出していると認められる。
（え）上記ア．（エ）の記載から、引用例１に記載された発明は、２層目メタル１４上の所定部位に、ＰＳＧや窒化シリコン膜等からなるパッシベーション膜１５ａ・１５ｂが形成されており、また、上記ア．（キ）図１の記載からパッシベーション膜１５ａ・１５ｂは段差を有するとともに、上記ア．（ク）図２の記載から、パッシベーション膜１５ａ・１５ｂは窓開けエッジ１５ｃで囲まれた開口を有していると認められる。
（お）上記ア．（オ）の記載から、引用例１に記載された発明は、ワイヤボンディング法を用いる場合には、パッドメタルとしての２層目メタル１４に金ワイヤやアルミ合金線が接合されると認められる。
　また、上記ア．（キ）図１の記載から、ワイヤボンディングの金ワイヤやアルミ合金線が接合される２層目メタル１４の表面は全体が平坦であると認められる。
ウ．引用例１発明について
　上記イ．（あ）〜（お）の事項を踏まえると、引用例１には、実質的に次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「拡散層４ａ・４ｂを含むシリコン基板１（半導体基板）にシリコン酸化膜２が形成されており、このシリコン酸化膜２上にゲート電極となる導電層としてのポリシリコン膜３が形成され、シリコン酸化膜２およびポリシリコン膜３上には、低圧ＣＶＤ法によって形成されるＣＶＤ−シリコン酸化膜５と、ＢＰＳＧ膜６とがこの順で積層されており、これらＣＶＤ−シリコン酸化膜５およびＢＰＳＧ膜６にはコンタクトホールが形成され、そこにチタンタングステン等からなるバリアメタル８ａ・８ｂ、アルミシリコンやアルミ銅シリコン等のアルミ合金膜やアルミからなるメタル配線としての１層目メタル９ａ・９ｂが形成されてアクティブ素子２０が構成され、
　ＢＰＳＧ膜６および１層目メタル９ａ・９ｂ上に、第１層間絶縁膜１０ａ、第２層間絶縁膜１０ｂ、第３層間絶縁膜１０ｃがこの順で積層された３層構造の層間絶縁膜１０が形成されており、第１層間絶縁膜１０ａと第３層間絶縁膜１０ｃとのうち、一方が例えば窒化シリコン膜で構成され、第２層間絶縁膜１０ｂは、ＳＯＧ（Spin On Glass ）等からなっており、１層目メタル９ａ・９ｂで発生する段差を補償する段差補償膜としての機能を有し、
　層間絶縁膜１０上に、電極パッド３０の２層目メタル１４を形成するための、チタンタングステン等からなるバリアメタル１３（バリアメタル層）が、絶縁膜１１を介して設けられており、さらにバリアメタル１３上には、アルミやアルミ合金等からなるパッドメタルおよび配線としての２層目メタル１４が形成されており、
　バリアメタル１３は、層間絶縁膜１０に形成されたスルーホールを通じて、１層目メタル９ｂに接続されているとともに、スルーホールを介して、２層目メタル１４が層間絶縁膜１０に突出しており、
　２層目メタル１４上の所定部位に、ＰＳＧや窒化シリコン膜等からなるパッシベーション膜１５ａ・１５ｂが形成されており、また、パッシベーション膜１５ａ・１５ｂは段差を有するとともに、パッシベーション膜１５ａ・１５ｂは窓開けエッジ１５ｃで囲まれた開口を有しており、
　ワイヤボンディング法を用いる場合には、パッドメタルとしての２層目メタル１４に金ワイヤやアルミ合金線が接合され、ワイヤボンディングの金ワイヤやアルミ合金線が接合される２層目メタル１４の表面は全体が平坦である
　ことを特徴とする、半導体チップ。」
エ．引用例１の記載事項
　上記ア．（ケ）及び（コ）より引用例１には、「［実施の形態２］」として、次の事項が記載されていると認められる。
＜引用例１の記載事項＞
　第２層間絶縁膜１０ｂを１層目メタル９ａ・９ｂの段差を補償することができる最小限の厚さとし、１層目メタル９ａ・９ｂの最上部の上には第２層間絶縁膜１０ｂが存在せず、１層目メタル９ａ・９ｂの最上部の上に層間絶縁膜１０ａが存在し、その上に層間絶縁膜１０ｃが存在し、層間絶縁膜１０ｃの上にバリアメタル１３が存在し、バリアメタル１３上に２層目メタル１４が存在し、層間絶縁膜１０ａおよび１０ｃにスルーホールが形成され、２層目メタル１４の表面の全体が平坦であるとともに前記スルーホール内に突出する凸部が２層目メタル１４の層間絶縁膜１０ｃに対向する面において設けられており、前記スルーホールはシリコン基板１に対して垂直方向にのみ延在し、２層目メタル１４の層間絶縁膜１０ｃに対向する面は、２層目メタル１４の下面の全面であり、前記凸部は２層目メタル１４の下面の一部から前記スルーホールに沿って垂直方向にのみ延在すること。
（２）引用例２について
ア．引用例２の記載
　平成２８年７月２１日付けの拒絶理由通知で引用された、原出願の出願日前に日本国内で頒布された刊行物である特開平９−６４０５０号公報（以下，「引用例２」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子およびその製造方法、特にＧａＡｓ半導体素子（ＧａＡｓＩＣ）の製造における配線の形成技術に適用して有効な技術に関する。」
（イ）「【００２９】前記第１配線１６および第１層間絶縁膜１５上には第２層間絶縁膜１７が設けられている。前記第２層間絶縁膜１７および第２層間絶縁膜１７と第１層間絶縁膜１５にはコンタクト用の穴が設けられている。そして、前記第２層間絶縁膜１７およびコンタクト用穴部分には、配線（第２配線）１９が形成されている。
前記第２配線１８は、前記第１配線１６と同じ構造となり、Ｍｏ層１９ａ（最下層），Ａｕ層１９ｂ，Ｃ層１９ｃと順次重なる多層構造となっている。
【００３０】半絶縁性ＧａＡｓ基板２の主面側は絶縁膜からなるパッシベーション膜２０で覆われている。
相互に電気的に独立した第２配線１９上のパッシベーション膜２０は部分的に除去され、ワイヤ２１を接続するワイヤボンディングパッド２２となっている。
イ．引用例２の記載事項
　上記ア．（ア）及び（イ）より引用例２には、次の事項が記載されていると認められる。
＜引用例２の記載事項＞
　半導体素子において、Ｍｏ層１９ａ（最下層），Ａｕ層１９ｂ，Ｃ層１９ｃからなる第２配線１９を設け、ワイヤ２１を接続するワイヤボンディングパッド２２とすること。
（３）引用例３について
ア．引用例３の記載
　平成２８年７月２１日付けの拒絶理由通知で引用された、原出願の出願日前に日本国内で頒布された刊行物である特開昭５９−１８８１５３号公報（以下，「引用例３」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「〔技術背景〕
　
ＩＣ、ＬＳＩ等の高集積形半導体装置においては、第１図に示すように半涛体基板１上に形成したＡｌ（アルミニウム）等の配線２の端子部には外部引き出し用のボンティングパッド部３が広く形成されている。
最上配線保護用として絶縁膜４、５が形成され、この絶縁膜には表面平坦化に有効な有機性絶縁膜、例えばポリイミド系樹脂が使わわている。
（イ）「このような半導体集積回路装置のボンディングパッド部の構造を得るためには第４図、第５図を参照したとえば下記の工程をもつプロセスによって行う。
（１）　半導体基体１表面に公知の選択拡散技術により回路を構成する半導体素子を形成する。
（２）　表面の絶縁膜に対しコンタクトホトエッチを行い、Ａｌ蒸着、パターニングを行って第１層のＡｌ配線２を形成する。
（３）　ポリイミド系樹脂を回転塗布しベークして第１層の層間絶縁膜４を形成し、ホトエッチ技術により層間絶縁膜に対しスルーホールＴＨ７（たとえば５０〜７０μｍ角）をあける。
（４）　Ａｌ蒸着パターニングを行って第２層の
Ａｌ配線を形成し、その一部としてボンディングパッド３を形成する。
（５）　
ポリイミド系樹脂を回転塗布し、ベークして第２層の絶縁膜（表面保護膜）５を形成し、ホトエッチによりスルーホールＴＨ
７
（７０〜１００μｍ角）をあけることによりボンディングバット部を完成する。
イ．引用例３の記載事項
　上記ア．（ア）及び（イ）より引用例３には、次の事項が記載されていると認められる。
＜引用例３の記載事項＞
　ＩＣ、ＬＳＩ等の高集積形半導体装置において、ボンディングパッドを形成した後、表面平坦化に有効なポリイミド系樹脂を使い表面保護膜を形成し、スルーホールをあけることによりボンディングパット部を完成すること。
（４）引用例４について
ア．引用例４の記載
　平成２８年７月２１日付けの拒絶理由通知で引用された、原出願の出願日前に日本国内で頒布された刊行物である特開昭６０−２４７９５４号公報（以下，「引用例４」という。）には、図面とともに、以下のことが記載されている。
（ア）「〔背景技術〕
　
近年、トランジスタ、ＩＣあるいはＬＳＩにおいて、その保護膜としてあるいは、多層配線間の絶縁膜としてポリイミド系樹脂が注目されている。
　
ポリイミド系樹脂は
平坦化が容易であり
　
このポリイミド膜を最終保護膜に使用してＩＣやＬＳＩを製造する場合、配線の端子部は外部への電極取出しのために、その上のポリイミド膜をホトレジスト技術により取除き、この部分に対して金線などを接続する「ワイヤボンディング」を行うのが普通である。
イ．引用例４の記載事項
　上記ア．（ア）より引用例４には、次の事項が記載されていると認められる。
＜引用例４の記載事項＞
　トランジスタ、ＩＣあるいはＬＳＩにおいて、平坦化が容易であるポリイミド系樹脂を最終保護膜に使用し、外部への電極取出しのために、その上のポリイミド膜をホトレジスト技術により取除き、この部分に対して金線などを接続する「ワイヤボンディング」を行うこと。
２．対比・判断
（１）本願発明と引用例１発明とを対比する。
（ア）引用例１発明の「半導体チップ」は、本願発明の「半導体装置」に相当する。
（イ）引用例１発明は、「拡散層４ａ・４ｂを含むシリコン基板１（半導体基板）にシリコン酸化膜２が形成されており、このシリコン酸化膜２上にゲート電極となる導電層としてのポリシリコン膜３が形成され」ることにより半導体素子が形成されていることは当業者にとって自明の事項であるから、引用例１発明の「拡散層４ａ・４ｂを含むシリコン基板１（半導体基板）」は、本願発明の「所望の素子領域の形成された基板」に相当する。
　そして、引用例１発明は「シリコン酸化膜２およびポリシリコン膜３上には、低圧ＣＶＤ法によって形成されるＣＶＤ−シリコン酸化膜５と、ＢＰＳＧ膜６とがこの順で積層されており、これらＣＶＤ−シリコン酸化膜５およびＢＰＳＧ膜６にはコンタクトホールが形成され、そこにチタンタングステン等からなるバリアメタル８ａ・８ｂ、アルミシリコンやアルミ銅シリコン等のアルミ合金膜やアルミからなるメタル配線としての１層目メタル９ａ・９ｂが形成されて」いるから、引用例１発明の「１層目メタル９ａ・９ｂ」は、「拡散層４ａ・４ｂを含むシリコン基板１（半導体基板）」の表面に形成されていると認められる。そうすると、引用例１発明の「１層目メタル９ａ・９ｂ」は、本願発明の「所望の素子領域の形成された基板表面に形成された配線層」に相当する。
（ウ）引用例１発明は、「第１層間絶縁膜１０ａと第３層間絶縁膜１０ｃとのうち、一方が例えば窒化シリコン膜で構成さ」れているから、「第３層間絶縁膜１０ｃ」を「窒化シリコン膜」で形成した場合を含んでいると認められる。
　そうすると、引用例１発明の「窒化シリコン膜」で形成された「第３層間絶縁膜１０ｃ」、「第１層間絶縁膜１０ａ」および「第２層間絶縁膜１０ｂ」は、本願発明の「窒化シリコン膜」、「層間絶縁膜」に対応する。
　さらに、引用例１発明は「ＢＰＳＧ膜６および１層目メタル９ａ・９ｂ上に、第１層間絶縁膜１０ａ、第２層間絶縁膜１０ｂ、第３層間絶縁膜１０ｃがこの順で積層され」ているから、「第１層間絶縁膜１０ａ」および「第２層間絶縁膜１０ｂ」は、「１層目メタル９ａ・９ｂ」を覆っていると認められるとともに、「第３層間絶縁膜１０ｃ」は、「第１層間絶縁膜１０ａ」および「第２層間絶縁膜１０ｂ」を覆っていると認められる。
　してみれば、引用例１発明の「窒化シリコン膜」で形成された「第３層間絶縁膜１０ｃ」、「第１層間絶縁膜１０ａ」および「第２層間絶縁膜１０ｂ」は、本願発明の「前記層間絶縁膜表面全体を覆うように形成された窒化シリコン膜」、「前記配線層表面を覆う層間絶縁膜」に相当する。
（エ）引用例１発明は「層間絶縁膜１０上に、電極パッド３０の２層目メタル１４を形成するための、チタンタングステン等からなるバリアメタル１３（バリアメタル層）が、絶縁膜１１を介して設けられており、さらにバリアメタル１３上には、アルミやアルミ合金等からなるパッドメタルおよび配線としての２層目メタル１４が形成されて」いるから、引用例１発明の「バリアメタル１３」は、本願発明の「前記窒化シリコン膜と前記メタル配線層との間に形成されたバリア層」に相当し、また、引用例１発明の「２層目メタル１４」と本願発明の「前記窒化シリコン膜の上層に形成された最上層メタルとしての金層からなるメタル配線層」は、「前記窒化シリコン膜の上層に形成された最上層メタルとしての」「メタル配線層」である点で共通する。
（オ）引用例１発明は「２層目メタル１４上の所定部位に、ＰＳＧや窒化シリコン膜等からなるパッシベーション膜１５ａ・１５ｂが形成されて」いるから、引用例１発明の「パッシベーション膜１５ａ・１５ｂ」は、本願発明の「前記メタル配線層上に形成されたポリイミドからなる平坦化絶縁膜」と、「前記メタル配線層上に形成された」「絶縁膜」である点で共通する。
（カ）引用例１発明は「ワイヤボンディング法を用いる場合には、パッドメタルとしての２層目メタル１４に金ワイヤやアルミ合金線が接合される」から、引用例１発明の「金ワイヤ」もしくは「アルミ合金線」は、本願発明の「ボンディングワイヤ」に相当する。
（キ）引用例１発明は「バリアメタル１３は、層間絶縁膜１０に形成されたスルーホールを通じて、１層目メタル９ｂに接続されて」いるから、このことは、本願発明の「前記バリア層と前記配線層は、前記窒化シリコン膜と前記層間絶縁膜に形成されたスルーホールを通じて接続され」ることに相当する。
（ク）引用例１発明は「パッシベーション膜１５ａ・１５ｂは窓開けエッジ１５ｃで囲まれた開口を有して」いるから、該「窓開けエッジ１５ｃで囲まれた開口」は、本願発明の「前記平坦化絶縁膜が一部領域で除去せしめられ」た領域と、「絶縁膜が一部領域で除去せしめられ」た領域である点で共通する。
（ケ）引用例１発明の「ワイヤボンディング法を用いる場合には、パッドメタルとしての２層目メタル１４に金ワイヤやアルミ合金線が接合される」ことは、本願発明の「前記メタル配線層に前記ボンディングワイヤがボンディングされ」ることに相当する。
（コ）引用例１発明の「ワイヤボンディングの金ワイヤやアルミ合金線が接合される２層目メタル１４の表面は全体が平坦である」ことは、本願発明の「前記メタル配線層の表面の全体が前記ボンディングワイヤと接合されるために平坦である」ことに相当する。
（サ）引用例１発明は「スルーホールを介して、２層目メタル１４が層間絶縁膜１０に突出しており」、このことは、本願発明の「前記スルーホール内に突出する凸部が、前記メタル配線層の前記窒化シリコン膜に対向する面において設けられ」ることに相当する。
（２）以上（ア）〜（サ）のことから、本願発明と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
　
［一致点］
「所望の素子領域の形成された基板表面に形成された配線層と、
　前記配線層表面を覆う層間絶縁膜と、
　前記層間絶縁膜表面全体を覆うように形成された窒化シリコン膜と、
　前記窒化シリコン膜の上層に形成された最上層メタルとしてのメタル配線層と、
　前記窒化シリコン膜と前記メタル配線層との間に形成されたバリア層と、
　前記メタル配線層上に形成された絶縁膜と、
　ボンディングワイヤと、
　を含み、
　前記バリア層と前記配線層は、前記窒化シリコン膜と前記層間絶縁膜に形成されたスルーホールを通じて接続されており、
　前記絶縁膜が一部領域で除去せしめられ、前記メタル配線層に前記ボンディングワイヤがボンディングされており、前記メタル配線層の表面の全体が前記ボンディングワイヤと接合されるために平坦であるとともに、前記スルーホール内に突出する凸部が、前記メタル配線層の前記窒化シリコン膜に対向する面において設けられていることを
　特徴とする半導体装置。」
［相違点１］
　本願発明は「最上層のメタルとしての金層からなるメタル配線層」を有しているのに対して、引用例１に記載された発明の、最上層のメタルとしてのメタル配線層に対応する「２層目メタル１４」は「金層」でない点。
［相違点２］
　本願発明は「前記メタル配線上に形成されたポリイミドからなる平坦化絶縁膜」を有し、「前記平坦化絶縁膜が一部領域で除去せしめられ」ているのに対して、引用例１に記載された発明は、「パッシベーション膜１５ａ・１５ｂ」が一部除去せしめている点では一致するものの、平坦化の構成を有さず、また、ポリイミドからなっていない点。
［相違点３］
　本願発明は「前記配線層と前記窒化シリコン膜とが近接することで、前記メタル配線層の最下部が前記窒化シリコン膜の下面よりも上側に位置」しているのに対して、引用例１発明はそのようになっていない点。
［相違点４］
　本願発明は「前記スルーホールが前記基板に対して垂直方向にのみ延在し、前記メタル配線層の前記窒化シリコン膜に対向する面は、前記メタル配線層の下面の全面であり、前記凸部は前記メタル配線層の前記下面の一部から前記スルーホールに沿って垂直方向にのみ延在」しているのに対して、引用例１発明は、そのような構成になっていない点。
　
（３）以下、上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　引用例２に記載されているように、ワイヤを接続するワイヤボンディングパッドとなる配線層を金層から構成することは公知の技術である。そして、これらの配線層は、ワイヤボンディングパッドとなることから、最上層の配線層であることは明らかである。
　また、引用例１発明の「アルミやアルミ合金等からなるパッドメタルおよび配線としての２層目メタル１４」は、「ワイヤボンディング法を用いる場合には、パッドメタルとしての２層目メタル１４に金ワイヤやアルミ合金線が接合され」ている。
　そして、金ワイヤを接続する際に、金ワイヤと同じ材料から成るパッドメタルとした方が接続が良くなることは広く知られており、そのために、引用例１発明に、引用例２記載の公知技術を採用し、「２層目メタル１４」を「最上層のメタルとしての金層からなるメタル配線層」とすることは、当業者が適宜為し得た事項である。
［相違点２］について
　引用例３および４に記載されているように、トランジスタ、ＩＣあるいはＬＳＩ等の素子において、絶縁樹脂により素子を覆い保護膜とすること、また、そのような素子の保護膜として平坦化が求められており、絶縁樹脂としてポリイミドを用いれば平坦化が容易に実現できることは、公知の技術である。
　そうすると、引用例１発明において、「パッシベーション膜１５ａ・１５ｂ」をポリイミドで構成することで、平坦化された保護膜を形成することは、当業者が普通に行い得るものである。
［相違点３］および［相違点４］について
　引用例１には、上記１．（１）エ．から、［実施の形態２］として、「第２層間絶縁膜１０ｂを１層目メタル９ａ・９ｂの段差を補償することができる最小限の厚さとし、１層目メタル９ａ・９ｂの最上部の上には第２層間絶縁膜１０ｂが存在せず、１層目メタル９ａ・９ｂの最上部の上に層間絶縁膜１０ａが存在し、その上に層間絶縁膜１０ｃが存在し、層間絶縁膜１０ｃの上にバリアメタル１３が存在し、バリアメタル１３上に２層目メタル１４が存在し、層間絶縁膜１０ａおよび１０ｃにスルーホールが形成され、２層目メタル１４の表面の全体が平坦であるとともに前記スルーホール内に突出する凸部が２層目メタル１４の層間絶縁膜１０ｃに対向する面において設けられており、前記スルーホールはシリコン基板１に対して垂直方向にのみ延在し、２層目メタル１４の層間絶縁膜１０ｃに対向する面は、２層目メタル１４の下面の全面であり、前記凸部は２層目メタル１４の下面の一部から前記スルーホールに沿って垂直方向にのみ延在すること」が記載されている。
　そして、上記「第２層間絶縁膜１０ｂを１層目メタル９ａ・９ｂの段差を補償することができる最小限の厚さとし、１層目メタル９ａ・９ｂの最上部の上には第２層間絶縁膜１０ｂが存在せず、１層目メタル９ａ・９ｂの最上部の上に層間絶縁膜１０ａが存在し、その上に層間絶縁膜１０ｃが存在し、層間絶縁膜１０ｃの上にバリアメタル１３が存在し、バリアメタル１３上に２層目メタル１４が存在し、層間絶縁膜１０ａおよび１０ｃにスルーホールが形成され、２層目メタル１４の表面の全体が平坦であるとともに前記スルーホール内に突出する凸部が２層目メタル１４の層間絶縁膜１０ｃに対向する面において設けられており、前記スルーホールはシリコン基板１に対して垂直方向にのみ延在し、２層目メタル１４の層間絶縁膜１０ｃに対向する面は、２層目メタル１４の下面の全面であり、前記凸部は２層目メタル１４の下面の一部から前記スルーホールに沿って垂直方向にのみ延在すること」の構成では、「２層目メタル１４」（本願発明の「メタル配線層」に相当する。）の最下部と「第３層間絶縁膜１０ｃ」の下面との上下関係は、「バリアメタル１３」と「第１層間絶縁膜１０ａ」の膜の厚さにより決まるものであり、「バリアメタル１３」および「第１層間絶縁膜１０ａ」の膜厚をどのような厚さにするかは、当業者が設計時に適宜決定する事項であることを踏まえると、引用例１の［実施の形態２］は、「１層目メタル９ａ・９ｂ」と「第３層間絶縁膜１０ｃ」が近接した際に、「２層目メタル１４」の最下部が「第３層間絶縁膜１０ｃ」の下面よりも上側に位置するものを含み得るものである。
　引用例１［実施の形態２］には、本願発明の「前記配線層と前記窒化シリコン膜とが近接することで、前記メタル配線層の最下部が前記窒化シリコン膜の下面よりも上側に位置すること」と同様の公知技術が記載されていると言え、引用例１発明は、段差補償膜として「第２層間絶縁膜１０ｂ」を設けたものであるが、引用例１に接した当業者であれば、段差を補償することができるのであれば、「１層目メタル９ａ・９ｂ」と「第３層間絶縁膜１０ｃ」の間に「第２層間絶縁膜１０ｂ」を存在しない構成とすることは、引用例１の［実施の形態２］から、普通に行い得るものであるところ、そのような構成とした際に、「２層目メタル１４」の最下部が「第３層間絶縁膜１０ｃ」の下面よりも上側に位置するとすることは、当業者が適宜為し得た事項に過ぎない。
　また、その際に、引用例１の［実施の形態２］には、「前記スルーホールはシリコン基板１に対して垂直方向にのみ延在し、２層目メタル１４の層間絶縁膜１０ｃに対向する面は、２層目メタル１４の下面の全面であり、前記凸部は２層目メタル１４の下面の一部から前記スルーホールに沿って垂直方向にのみ延在すること」が記載されているから、引用例１発明を、「前記スルーホールが前記基板に対して垂直方向にのみ延在し、前記メタル配線層の前記窒化シリコン膜に対向する面は、前記メタル配線層の下面の全面であり、前記凸部は前記メタル配線層の前記下面の一部から前記スルーホールに沿って垂直方向にのみ延在」する構成とすることにも格別の困難性は認められない。
（４）小括
　そして、上記相違点を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用例１発明及び引用例１乃至４記載の公知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
　よって、本願発明は、引用例１発明及び引用例１乃至４記載の公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１乃至４に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。