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　特願２０１３−１８４８９４「マイクロ構造および／またはナノ構造の構造基板をコーティングするための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１２月１２日出願公開、特開２０１３−２４８６１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本件出願は、２００７年３月１３日を国際出願日とする特願２００９−５０１８９４号（パリ条約に基づく優先権主張２００６年３月２８日、欧州特許庁、２００６年３月２８日、米国）の一部を平成２５年９月６日に新たな特許出願としたものであって、平成２６年９月２９日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年２月４日に意見書が提出され、平成２７年６月１５日付けで拒絶をすべき旨の査定がなされた。
　これに対し、平成２７年９月２９日に本件審判が請求されると同時に手続補正がなされ、平成２８年２月３日に上申書が提出され、当審において平成２８年８月８日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月２日に手続補正されるとともに意見書が提出されたものである。
　
第２．本願発明について
１．本願発明
　本件出願の請求項１〜１３に係る発明は、平成２８年１１月２日に手続補正された特許請求の範囲の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりである。
「マイクロ構造および／またはナノ構造の構造基板をコーティングするための方法であって、
　構造基板を真空チャンバに装填するステップと、
　前記真空チャンバを真空にするステップと、
　前記真空チャンバが真空にされる前に、および／またはその間に、および／またはその後に、コーティング物質リザーバから前記真空チャンバ内にコーティング物質を導入するステップであって、前記コーティング物質は、少なくとも２５体積％の含有量の溶剤を有しているステップと、
　流体膜として前記構造基板上に前記コーティング物質を分布するステップと、
　前記コーティング物質が導入された後に、前記真空チャンバ内の圧力を上昇させるステップと、
　その後、前記コーティング物質が前記構造基板の表面のトポグラフィ上に均一的に分布されるような方法で前記溶剤を気化させるステップと、を含む方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．刊行物に記載された発明
　当審による平成２８年８月８日付け拒絶理由通知書に引用され、本件出願前に頒布された刊行物である特開平６−２３２０３８号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
（ア）「【請求項１】　半導体基板を窪みに入れ載置するテーブルと、このテーブルを回転させるスピンモータと、前記半導体記憶装置に塗布液を滴下するノズルと、前記半導体基板と前記テーブル及び前記ノズルの先端分を包む閉鎖空間をつ真空室と、この真空室を減圧する真空ポンプと、この真空ポンプと協働して前記真空室に導入されるガス圧を制御する排気調整弁とを備え、前記真空室のガス圧を小さくした状態で前記ノズルより塗布液を滴下し、前記テーブルを回転し滴下さた前記塗布液を前記半導体基板に引き伸ばし、しかる後前記真空室を大気に戻すことを特徴とする回転塗布装置。
【請求項２】　前記導入されるガスが前記塗布液の溶剤が気化されたものであることを特徴とする請求項１記載の回転塗布装置。」
（イ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明の回転塗布装置に関し、特に半導体製造工程で微細パターン上に塗布膜を形成する回転塗布装置に関する。」
（ウ）「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体基板の塗布面は必ずしも一様でなく、予め形成れたパターンにより凹凸がある。このような凹凸がある場合には、その凹部の底まで塗布液が行届かず、しばしば気泡として残る。そして、この後の半導体基板加熱工程により残された気泡が膨らみ、塗布膜の剥れを起し、半導体基板上に形成されていたパターンがくずれてしまうという問題点があった。」
（エ）「【００１２】図２は従来装置と本発明の装置による気泡発生率を示すグラフである。試みにコンタクト穴が形成された半導体基板に塗布膜を形成し、従来装置と本発明の装置とで気泡発生率を比較したところ、図２に示すように、従来装置ではコンタクト穴の深さが深い程、２次元的に増加すのに対し、本発明の装置によれば、コンタクト穴の深さによらず気泡の発生は皆無であった。」
（オ）「【００１３】図３は本発明の他の実施例の回転塗布装置の概略を示す図である。この回転塗布装置は、図３に示すように、配管３に塗布液の溶剤である溶剤タンク９と、溶剤を気化する気化器１０と、気化される溶剤ガスの流量を調整するマスフローコントローラ１１を設けたことである。それ以外は前述の実施例と同じである。」
（カ）「【００１４】この回転塗布装置の動作は、半導体基板５を収納した真空室２を減圧した後に、気化器１０からの溶剤ガスをマスフローコントローラ１１にて流量を制御し真空室２に導入し、そして溶剤のガスと排気調整弁４により真空室２を一定の減圧状態としこの状態で回転塗布を行う。」
（キ）「【００１５】この実施例では溶剤のガスが塗布雰囲気となるため、塗布液中の溶剤が蒸発し難く塗布液の粘度が低く保たれ、半導体基板５上に一様に拡ろがり、均一な膜厚の塗布膜が形成できる利点がある。」
（ク）「【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、塗布すべき半導体基板を包み閉鎖空間をもつ真空室と、この真空室を減圧状態にする真空排気手段と、大気圧に戻すガス供給手段とを設け、前記閉鎖空間の雰囲気を減圧状態で塗布液を滴下して塗布し、しかる後に雰囲気を大気圧に戻すことにより、半導体基板の微細パターンの凹部まで塗布液が充分埋まり、塗布膜中に気泡が出来ず、塗布の後工程で半導体基板を加熱しても塗布膜が剥れないという効果がある。」
　　
　これらの記載事項を、技術常識を考慮しながら整理すると、引用文献１には以下の発明が記載されていると認める。
「半導体製造工程で微細パターン上に塗布膜を形成する（摘記事項イ）ための方法であって、
　半導体基板５を収納した真空室２を減圧（摘記事項カ）し、
　半導体基板５上に一様に拡ろがり、均一な膜厚の塗布膜が形成できる（摘記事項キ）ように、塗布液の粘度が低く保たれ（摘記事項キ）た状態で、
　閉鎖空間の雰囲気を減圧状態で塗布液を滴下して半導体基板５に塗布し、しかる後に雰囲気を大気圧に戻し（摘記事項ク）、
　塗布の後工程で半導体基板を加熱（摘記事項ク）する、方法。」
３．対比
　本願発明と引用文献１に記載された発明（以下、「引用発明」という。）とを比較する。
　引用発明の「半導体製造工程で微細パターン上に塗布膜を形成する」（摘記事項イ）は、本願発明の「基板をコーティングする」に相当する。
　引用発明の「半導体基板５を収納した真空室２を減圧」（摘記事項カ）する処理は、本願発明の「基板を真空チャンバに装填するステップ」及び「前記真空チャンバを真空にするステップ」に相当する。
　引用発明の「閉鎖空間の雰囲気を減圧状態で塗布液を滴下」（摘記事項ク）は、本願発明の「前記真空チャンバが真空にされる・・・後に、コーティング物質リザーバから前記真空チャンバ内にコーティング物質を導入するステップ」に相当する。
　引用発明の「半導体基板５上に一様に拡ろがり、均一な膜厚の塗布膜が形成できる」（摘記事項キ）ように半導体基板５に塗布することは、本願発明の「流体膜として前記」「基板上に前記コーティング物質を分布するステップ」に相当する。
　引用発明の「しかる後に雰囲気を大気圧に戻し」（摘記事項ク）は、本願発明の「前記コーティング物質が導入された後に、前記真空チャンバ内の圧力を上昇させるステップ」に相当する。
　引用発明の「塗布の後工程で半導体基板を加熱」（摘記事項ク）は、半導体基板５上に一様に拡ろがった均一な膜厚の塗布膜を加熱するのであるから、溶剤が気化することは明らかであり、本願発明の「その後、前記コーティング物質が前記」「基板の表面のトポグラフィ上に均一的に分布されるような方法で前記溶剤を気化させるステップ」に相当する。
　したがって、本願発明と引用発明とは、次の点で一致している。
［一致点］
「基板をコーティングするための方法であって、
　基板を真空チャンバに装填するステップと、
　前記真空チャンバを真空にするステップと、
　前記真空チャンバが真空にされた後に、コーティング物質リザーバから前記真空チャンバ内にコーティング物質を導入するステップと、
　流体膜として前記基板上に前記コーティング物質を分布するステップと、
　前記コーティング物質が導入された後に、前記真空チャンバ内の圧力を上昇させるステップと、
　その後、前記コーティング物質が前記基板の表面のトポグラフィ上に均一的に分布されるような方法で前記溶剤を気化させるステップと、を含む方法。」
　そして、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。
［相違点１］
　基板が、本願発明においては「マイクロ構造および／またはナノ構造の構造」基板であるのに対し、引用発明においては、半導体基板である点。
［相違点２］
　コーティング物質が、本願発明においては「少なくとも２５体積％の含有量の溶剤を有している」のに対し、引用発明においては、「半導体基板５上に一様に拡ろがり、均一な膜厚の塗布膜が形成できるように、塗布液の粘度が低く保たれた状態」ではあるものの、具体的な溶剤の含有量が示されていない点。
４．相違点の検討
［相違点１］について
　引用発明においても、図２の図中に示されている凹部の幅が１μｍとされた寸法を見れば、コーティング対象はマイクロ構造の構造基板であるといえる。
　また、仮に引用発明のコーティング対象がマイクロ構造の構造基板と必ずしもいえないとしても、マイクロ構造基板をコーティングすることは、特開２００４−１７４６６３号公報（段落０００１〜０００６、図１０等参照。）、特表２００２−５３７１１３号公報（請求項１、Ｆｉｇ．１等参照。）に示すように従来周知の技術的事項であり、かかる従来周知の技術的事項に倣い、コーティング対象としてマイクロ構造基板を選択することは、何ら特別なことではない。
　よって、相違点１に係る相違は、実質的な相違ではない。
［相違点２］について
　引用発明でも一様に拡がる程度に粘度が低く保たれているのであるから、粘度を低く保つ程度の量の溶剤が入っていることは当然であり、その値として少なくとも２５体積％の含有量は、例えば特表２００２−５２７７９５号公報（段落００１９等参照。）、特開２００４−２３３９５４号公報（段落００６３等参照。）に示すように、通常用いられる程度のものである。
　そして、引用文献１の段落００１５に「粘度が低く保たれ、半導体基板５上に一様に拡ろがり、均一な膜厚の塗布膜が形成できる」と記載されているように、引用発明において用いられた塗布液の粘度は、通常用いられると認識されるものである。したがって、コーティング物質として少なくとも２５体積％の含有量の溶剤を有するようなものを選定することに、格別な困難性があったとは認められない。
　また、本願発明が奏する効果は、引用発明及び上記の各周知技術から当業者が予測できたものであり、格別なものとはいえない。
　以上のことから、本願発明は、引用発明及び上記の各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
５．請求人の主張について
　審判請求人は、平成２８年１１月２日付け意見書において、次のように主張している。
「引用文献１に記載の発明においては、コーティングを行う前にガス置換ステップが行われ、雰囲気を、コーティング材料中にも存在する同じ溶剤を用いて置換しています。・・・
　すなわち、引用文献１に記載の発明は、本願発明の『前記コーティング物質が前記構造基板の表面のトポグラフィ上に均一的に分布されるような方法で前記溶剤を気化させるステップ』という特徴を全く教示しておりません。むしろ、引用文献１に記載の発明では、雰囲気をコーティング材料と同一の物質にすることで、塗布液から溶剤が蒸発（気化）し難くなるような処理について教示されており、本願発明の上記特徴とは正反対の教示がなされています。」（２頁１７行−２８行）
　しかしながら、引用発明も、そもそも、塗布液中の気泡が半導体基板加熱工程で膨らむことにより問題を生ずるのを防ぐため、微細パターンの凹部まで塗布液が充分埋まり、後工程で半導体基板を加熱しても塗布膜が剥れないようにしたものであり（上記第２　２．（ク）より）、引用発明において塗布膜が形成されるのは、後工程で半導体基板を加熱して溶剤を気化させる結果に他ならない。
　しかも、本願発明の「前記コーティング物質が前記構造基板の表面のトポグラフィ上に均一的に分布されるような方法で前記溶剤を気化させるステップ」について、本願の発明の詳細な説明には、
「次のステップにおいて、構造基板８は、真空チャンバ３より取り出され、加熱板１１の上方に配置される。構造基板８が加熱板１１に近づく間に（好ましくはこれは、ゆっくりと、規定の速度で行われる）、構造基板８と、凹部８ｖ内に位置するコーティング物質２４と、構造基板８上に位置するコーティング物質２４とは、規定の態様で既に加熱され、これによって、気化されるべきコーティング物質２４の溶剤および含有物質が、可能な限りゆっくりとおよび規定の通りに気化される。コーティング物質２４中における溶剤の比較的高い含有率に起因して、コーティング物質の体積は著しく低減し、構造基板８のトポグラフィまたは表面、および凹部８ｖの表面の上に均質に分布された図７に図示されるコーティング２４が残る。」（段落【００４７】）
と記載され、単に「規定の」と説明されているとおり、通常の加熱による気化処理が示されるのみであって、「溶剤を気化させるステップ」自体によってコーティング物質の分布を均一的とするような特段の方法が示されている訳でもない。
　よって、引用発明の気化と、請求項１に規定された本願発明の気化とは何ら異なるものではないから、審判請求人による上記主張は採用することができない。
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。