(57)【要約】【課題】チャンバ内にある光学素子に付着したデブリを除去するクリーニング方法を提示する。【解決手段】ターゲット物質にレーザ光を照射することにより生成されるプラズマから極端紫外光を発生する極端紫外光源装置であって、極端紫外光の生成が行われるチャンバと、チャンバの内部に電場又は磁場を発生させる電磁場発生部と、チャンバの内部の光学素子に付着したデブリを帯電させて該光学素子から離脱させ、又は、該デブリを該光学素子から離脱させて帯電させるクリーニング部と、を具備する。【選択図】図１
2011023712.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット物質にレーザ光を照射することにより生成されるプラズマから極端紫外光を発生する極端紫外光源装置であって、
極端紫外光の生成が行われるチャンバと、
前記チャンバの内部に電場又は磁場を発生させる電磁場発生部と、
前記チャンバの内部の光学素子に付着したデブリを帯電させて該光学素子から離脱させ、又は、該デブリを該光学素子から離脱させて帯電させるクリーニング部と、
を具備する極端紫外光源装置。
【請求項２】
前記ターゲット物質にレーザ光を照射するプラズマ発生レーザ部をさらに具備する請求項１記載の極端紫外光源装置。
【請求項３】
前記クリーニング部は、
前記チャンバの内部の光学素子に付着したデブリを帯電させる付着デブリ帯電部と、
帯電したデブリを該光学素子から離脱させる帯電デブリ離脱部と、
を含む請求項１又は２記載の極端紫外光源装置。
【請求項４】
前記付着デブリ帯電部は、デブリが付着した前記チャンバの内部の光学素子に静電誘導を起こさせる電極及び該電極に一定電圧を印加する電源部を含む、請求項３記載の極端紫外光源装置。
【請求項５】
前記付着デブリ帯電部は、デブリが付着した前記チャンバの内部の光学素子に荷電粒子を供給する荷電粒子供給部を含む、請求項３記載の極端紫外光源装置。
【請求項６】
前記付着デブリ帯電部は、デブリが付着した前記チャンバの内部の光学素子に一定電圧を印加する電源部を含む、請求項３記載の極端紫外光源装置。
【請求項７】
前記クリーニング部は、
前記チャンバの内部の光学素子に付着したデブリを該光学素子から離脱させるクリーニング光源部と、
前記チャンバの内部の光学素子に付着したデブリに対してデブリの構成原子の共鳴吸収波長に同調したレーザ光を照射することによりデブリを帯電させるイオン化レーザ部と、
を含む請求項１又は２記載の極端紫外光源装置。
【請求項８】
前記クリーニング部は、発生した極端紫外光を前記チャンバの内部の光学素子に付着したデブリに対して照射することによりデブリを帯電させるとともに該光学素子から離脱させる極端紫外光照射ミラーを含む、請求項１又は２記載の極端紫外光源装置。
【請求項９】
前記クリーニング部は、
前記チャンバの内部の光学素子に付着したデブリを該光学素子から離脱させる付着デブリ離脱部と、
該光学素子から離脱したデブリを帯電させる離脱デブリ帯電部と、
を含む請求項１又は２記載の極端紫外光源装置。
【請求項１０】
前記離脱デブリ帯電部は、前記チャンバの内部の光学素子から離脱したデブリに対して荷電粒子を供給する荷電粒子供給部を含む、請求項９記載の極端紫外光源装置。
【請求項１１】
前記クリーニング部は、前記チャンバの内部の光学素子に付着したデブリに対してイオン化したエッチャントガスを供給することによりデブリを該光学素子から離脱させて帯電させるイオン化エッチャントガス供給部を含む、請求項１又は２記載の極端紫外光源装置。
【請求項１２】
前記離脱デブリ帯電部は、プラズマを生成して前記チャンバの内部の光学素子から離脱したデブリに対してプラズマを供給するプラズマ生成部を含む、請求項９記載の極端紫外光源装置。
【請求項１３】
前記離脱デブリ帯電部は、前記チャンバの内部の光学素子から離脱したデブリに対してデブリの構成原子の共鳴吸収波長に同調した波長を有するレーザ光を照射する少なくとも１つのイオン化レーザ部を含む、請求項９記載の極端紫外光源装置。
【請求項１４】
前記離脱デブリ帯電部は、前記チャンバの内部の光学素子から離脱したデブリに対してＸ線を照射するＸ線発生部を含む、請求項９記載の極端紫外光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外（ＥＵＶ：extreme ultraviolet）光を用いて処理を行う処理装置と組み合わせて用いられる極端紫外光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って光リソグラフィーにおける微細化が急速に進展しており、次世代においては、６０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、更には３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。そのため、例えば、３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を発生するＥＵＶ光源と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光源としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（laser produced plasma：レーザ励起プラズマ）光源と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（discharge produced plasma）光源と、軌道放射光を用いたＳＲ（synchrotron radiation）光源との３種類がある。これらの内でも、ＬＰＰ光源は、プラズマ密度をかなり高くできるので黒体輻射に近い極めて高い輝度が得られ、ターゲット物質を選択することにより必要な波長帯域の発光が可能である。また、ＬＰＰ光源は、プラズマ光源の周囲に電極等の構造物がなく、ほぼ等方的な角度分布を持つ点光源であるので、２π〜４πsteradianという極めて大きな捕集立体角の確保が可能であること等の利点を有する。このため、ＬＰＰ光源は、数十ワット〜１００ワット以上のパワーが要求されるＥＵＶリソグラフィ用の光源として有力であると考えられている。
【０００４】
ＬＰＰ光源においては、次のような原理によりＥＵＶ光が生成される。即ち、ノズルを用いて真空チャンバ（ＥＵＶチャンバ）内にターゲット物質を供給し、このターゲット物質に対してレーザ光を照射することにより、ターゲット物質を励起してプラズマ化させる。そのようにして生成されたプラズマからは、ＥＵＶ光を含む様々な波長成分が放射される。そこで、その内の所望の波長成分（例えば、１３．５ｎｍの波長を有する成分）を高反射するコレクタミラー（ＥＵＶ集光ミラー）を用いることによりＥＵＶ光を反射集光し、縮小投影反射光学系である露光機などの処理装置に出力する。例えば、波長が１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光を集光するコレクタミラーとしては、反射面にモリブデン（Ｍｏ）及びシリコン（Ｓｉ）の薄膜が交互に積層されたミラーが用いられる。
【０００５】
このようなＬＰＰ光源においては、プラズマから放出されるイオン粒子や中性粒子による影響が問題となっている。これらの粒子（デブリ）は、ＥＵＶ集光ミラーなどチャンバ内の各種光学素子の表面に付着する。このようにデブリが付着して堆積すると、光学素子は表面の反射率が低下し、使用できなくなってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０９１１０９号明細書
【概要】
【０００７】
本発明の１つの観点に係る極端紫外光源装置は、ターゲット物質にレーザ光を照射することにより生成されるプラズマから極端紫外光を発生する極端紫外光源装置であって、極端紫外光の生成が行われるチャンバと、チャンバの内部に電場又は磁場を発生させる電磁場発生部と、チャンバの内部の光学素子に付着したデブリを帯電させて該光学素子から離脱させ、又は、該デブリを該光学素子から離脱させて帯電させるクリーニング部と、を具備する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る極端紫外（ＥＵＶ）光源装置の概略構成を示す平面図（Ａ）及び正面図（Ｂ）である。
【図２】付着デブリを静電誘導により帯電させて、帯電したデブリを光学素子から離脱させる第１の実施例を示す平面図（Ａ）及びグリッド電極の正面図（Ｂ）である。
【図３】付着デブリを荷電粒子の供給により帯電させて、帯電したデブリを光学素子から離脱させる第２の実施例を示す平面図である。
【図４】付着デブリを直流電源との接続により帯電させて、帯電したデブリを光学素子から離脱させる第３の実施例を示す平面図である。
【図５】付着デブリをイオン化用レーザにより帯電させて、帯電したデブリを光学素子から離脱させる第４の実施例を示す平面図である。
【図６】付着デブリをＥＵＶ光により帯電させて、帯電したデブリを光学素子から離脱させる第５の実施例を示す平面図である。
【図７】付着デブリをＥＵＶ光により帯電させて、帯電したデブリを光学素子から離脱させる第６の実施例を示す平面図である。
【図８】付着デブリを光学素子から離脱させて、離脱したデブリを荷電粒子の供給により帯電させる第７の実施例を示す平面図である。
【図９】付着デブリを光学素子から離脱させて、離脱したデブリを荷電粒子の供給により帯電させる第８の実施例を示す平面図である。
【図１０】付着デブリを荷電粒子の供給により離脱及び帯電させる第９の実施例を示す平面図である。
【図１１】付着デブリを光学素子から離脱させて、離脱したデブリをプラズマの供給により帯電させる第１０の実施例を示す平面図である。
【図１２】付着デブリを光学素子から離脱させて、離脱したデブリをプラズマの供給により帯電させる第１１の実施例を示す平面図である。
【図１３】付着デブリを光学素子から離脱させて、離脱したデブリをイオン化用レーザにより帯電させる第１２の実施例を示す平面図である。
【図１４】付着デブリを光学素子から離脱させて、離脱したデブリをＸ線により帯電させる第１３の実施例を示す平面図である。
【図１５】ＥＵＶ発光タイミングとクリーニングのタイミングの相関を示すタイムチャートである。
【図１６】帯電デブリ回収筒に関する第１の構成例を示す断面図である。
【図１７】帯電デブリ回収筒に関する第２の構成例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明する実施形態の構成又は動作は、本発明の内容を不当に限定するものではない。また、実施形態で説明される構成の全てが本発明の構成として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、重複する説明を省略する。
図１は、本発明の一実施形態に係る極端紫外（ＥＵＶ）光源装置の概略構成を示す平面図（Ａ）及び正面図（Ｂ）である。図１（Ａ）及びその他の平面図においては、ＥＵＶ集光ミラー７の断面が示されている。
このＥＵＶ光源装置１は、ターゲット物質にレーザ光を照射して励起させることによりＥＵＶ光を生成するレーザ励起プラズマ（ＬＰＰ）方式を採用している。図１に示すように、このＥＵＶ光源装置１は、ターゲット供給部２と、プラズマ発生レーザ部３と、ターゲット回収筒４と、電磁場発生部５と、チャンバ６と、ＥＵＶ集光ミラー７と、集光光学系８と、帯電デブリ回収筒１４と、デブリ帯電部３０と、デブリ離脱部５０とを具備し得る。デブリ帯電部３０及びデブリ離脱部５０は、本発明のクリーニング部の一例を構成している。
【００１０】
ターゲット供給部２は、ＥＵＶ光を発生させるために用いられるスズ（Ｓｎ）やリチウム（Ｌｉ）等のターゲット物質２０をチャンバ６内に順次供給する装置である。供給されたターゲット物質２０の内で、レーザ光が照射されずに不要となったものは、ターゲット回収筒４によって回収される。
【００１１】
ターゲット物質２０の状態は、固体、液体、気体の何れでも良い。また、ターゲット供給部２は、連続流れ（ターゲット噴流）や液滴（ドロップレット）等の、公知の何れの態様でターゲット物質２０をチャンバ６内の空間に供給しても良い。例えば、ターゲット供給部２は、ターゲット物質２０としてスズ（Ｓｎ）の溶融金属を用いる場合には、スズを溶融するためのヒータや、溶融スズを噴出させるための高純度Ａｒガスを供給するガスボンベ、マスフローコントローラ、ターゲットノズル等によって構成されてもよい。また、ドロップレットを生成する場合には、ターゲット供給部２のターゲットノズルにピエゾ素子等の加振装置が追加されてもよい。
【００１２】
プラズマ発生レーザ部３は、ターゲット物質２０を励起させるために用いられる駆動用のレーザ光を生成する発振増幅型レーザ装置である。プラズマ発生レーザ部３によって生成されたＣＯ２レーザ等のレーザ光は、少なくとも１つのレンズ及び／又は少なくとも１つのミラーを含んだ集光光学系８により、チャンバ６内のターゲット物質２０の軌道上に焦点を形成するように集光される。ターゲット物質２０を構成する原子のエネルギー準位幅に相当する波長のレーザ光がターゲット物質２０に照射されると、ターゲット物質２０が励起して電離することによりプラズマが発生し、このプラズマからＥＵＶ光が放出される。
【００１３】
電磁場発生部５は、チャンバ６内に電場又は磁場を発生する装置である。電磁場発生部５は、コイル巻き線、コイル巻き線の冷却機構、これらに電力を供給する電源装置１６等を含む磁場発生装置を示している。電源装置１６からコイル巻き線に電流を供給することにより、チャンバ６内に所望の磁場が形成される。この磁場が形成されている領域内を、当該磁場の方向と異なる移動方向成分をもつイオン（デブリ）が通過する場合、このイオンは、電磁場発生部５により発生させた磁場によって、当該磁場の方向に対して垂直の方向のローレンツ力を受けて磁場にトラップされ得る。磁場にトラップされたイオンは、帯電デブリ回収筒１４によって回収され得る。また、電磁場発生部５は、磁場の代わりに電場を発生し、この電場によりイオンをトラップして、帯電デブリ回収筒１４によりイオンを回収するようにしても良い。
【００１４】
チャンバ６は、ＥＵＶ光の生成が行われる真空チャンバである。チャンバ６には、チャンバ６内で発生したＥＵＶ光を外部の露光機などの処理装置に出力するための露光機接続ポート９と、プラズマ発生レーザ部３によって生成されたレーザ光をチャンバ６内に通過させるためのウィンドウ１１とが設けられている。
【００１５】
ＥＵＶ集光ミラー７は、チャンバ６内に設けられた光学素子である。ＥＵＶ集光ミラー７は、所定の波長（例えば、１３．５ｎｍの波長）を有するＥＵＶ光を高い反射率で反射させる多層膜がコートされており、このＥＵＶ光を所定の位置に集束させる反射面を有している。ＥＵＶ集光ミラー７は、例えば、回転楕円体の形状をしており、回転楕円体の焦点位置の１つがプラズマ生成サイト（発光点）となるように配置されている。
【００１６】
チャンバ６内に供給されたターゲット物質２０に対し、プラズマ発生レーザ部３によるレーザ光を照射することにより、プラズマが生成され、そこから様々な波長を有する光が放射される。この内の所定の波長成分（例えば、１３．５ｎｍの波長を有する成分）が、ＥＵＶ集光ミラー７によって高反射されて集光され、露光機接続ポート９を介して、チャンバ６の外部に設けられた露光機などの処理装置に出力される。
ＥＵＶ光を発生するプラズマからはイオン粒子や中性粒子が放出され得る。これらの粒子（デブリ）は、ＥＵＶ集光ミラー７などチャンバ６内の各種光学素子の表面に付着し、付着デブリ２１となって光学素子の表面の反射率を低下させる原因となる場合がある。
【００１７】
デブリ帯電部３０は、チャンバ６内の光学素子に付着したデブリを帯電させる装置である。デブリを帯電させるための具体的構成については後述する。
デブリ離脱部５０は、チャンバ６内の光学素子に付着したデブリを光学素子から離脱させる装置である。デブリを光学素子から離脱させるための構成としては、例えば、光学素子を加熱するとともに紫外光を光学素子に照射することにより、光学素子とデブリとの付着力を断ち切り、光学素子から離脱させる構成を用いることができる。また、チャンバ６内にエッチャントガス（水素、ハロゲン、ハロゲン化合物等）を導入し、エッチャントガスとデブリを反応させることにより気化させ、気化したデブリを光学素子から離脱させる構成を採用してもよい。
【００１８】
本実施形態のＥＵＶ光源装置１は、デブリ帯電部３０及びデブリ離脱部５０を具備している。従って、ＥＵＶ光源装置１は、チャンバ６内の光学素子に付着した付着デブリ２１を帯電させて光学素子から離脱させることができる。又は、付着デブリ２１を光学素子から離脱させて帯電させることにより、付着デブリ２１を帯電デブリ２２としてチャンバ６内に再度浮遊させることができる。そして、ＥＵＶ光源装置１は、電磁場発生部５により発生した電場又は磁場により帯電デブリ２２をトラップし、帯電デブリ回収筒１４により回収することができる。これにより、デブリが光学素子に再付着することを抑制し、クリーニング速度の向上が期待できる。
【００１９】
デブリ帯電部３０によるデブリの帯電と、デブリ離脱部５０によるデブリの離脱との時間的前後関係は、何れが先でも構わないし、同時であっても良い。また、デブリ帯電部３０とデブリ離脱部５０とが１つの構成要素で実現されていても良い。付着デブリ２１を帯電させた後に光学素子から離脱させる場合には、デブリ帯電部３０は本発明の付着デブリ帯電部の一例に相当し、デブリ離脱部５０は本発明の帯電デブリ離脱部の一例に相当する。付着デブリ２１を光学素子から離脱させた後に帯電させる場合には、デブリ離脱部５０は本発明の付着デブリ離脱部の一例に相当し、デブリ帯電部３０は本発明の離脱デブリ帯電部の一例に相当する。
また、ここでは、プラズマ発生レーザ部３がＥＵＶ光源装置１に含まれる例について説明したが、本発明はこれに限定されることなく、プラズマ発生レーザ部３がＥＵＶ光源装置１とは別個のレーザ光源として、ＥＵＶ光源装置１にレーザ光を出射するように構成されていても良い。また、ＥＵＶ光を用いて処理を行う処理装置として露光機を例示したが、これに限らず、処理装置はレチクル検査装置（マスク検査装置）等であっても良い。
【００２０】
以下、本実施形態の各実施例について説明する。
図２は、付着デブリを静電誘導により帯電させて、帯電したデブリを光学素子から離脱させる第１の実施例を示す平面図（Ａ）及びグリッド電極の正面図（Ｂ）である。
第１の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、ＥＵＶ集光ミラー７の反射面に沿って、該反射面と一定の間隔をおいて、グリッド電極３１が配置されている。このグリッド電極３１は、本発明の付着デブリ帯電部の一例に相当する。グリッド電極３１は、ＥＵＶ光を遮断しないように、ワイヤ等で網目状に形成されており、直流の電源部３２に接続されている。グリッド電極３１に対向するＥＵＶ集光ミラー７は、アース電位に接続されている。
【００２１】
また、第１の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、ＥＵＶ集光ミラー７の反射面に紫外線を照射する紫外光源５１が、チャンバ６内に配置されている。また、ＥＵＶ集光ミラー７を加熱するヒータ５２が、ＥＵＶ集光ミラー７の背面に配置されている。これら紫外光源５１とヒータ５２は、本発明の帯電デブリ離脱部の一例に相当する。
【００２２】
以上の構成において、第１の実施例におけるＥＵＶ光源装置１は、電源部３２によりグリッド電極３１に一定電圧を印加する。例えば、グリッド電極３１を正電位とした場合には、静電誘導によりＥＵＶ集光ミラー７に負電荷が帯電する。逆に、グリッド電極３１を負電位とした場合には、静電誘導によりＥＵＶ集光ミラー７に正電荷が帯電する。これにより、ＥＵＶ集光ミラー７に付着した付着デブリ２１には、ＥＵＶ集光ミラー７と同じ極性の電荷が帯電する。
【００２３】
ここで、ヒータ５２によりＥＵＶ集光ミラー７を加熱しておくとともに、紫外光源５１によりＥＵＶ集光ミラー７に付着した付着デブリ２１に対して紫外光を照射する。すると、付着デブリ２１の構成原子にエネルギーが注入され、十分なエネルギーが注入された付着デブリ２１はＥＵＶ集光ミラー７との付着力を断ち切ってＥＵＶ集光ミラー７の表面から離脱する。離脱したデブリのうち、ある量は、ＥＵＶ集光ミラー７と同じ極性の電荷が帯電したままの状態で、ＥＵＶ集光ミラー７の表面からクーロン力による反発力を受けて、チャンバ６内の空間に飛び出す。飛び出したデブリのうち、帯電を維持しているものの多くは、電磁場発生部５により発生する磁場によりローレンツ力を受けて磁場にトラップされ、帯電デブリ回収筒１４によって回収されるであろう。
【００２４】
ＥＵＶ集光ミラー７等の光学素子からデブリを離脱させる構成は、紫外光源５１及びヒータ５２を用いるものに限らず、紫外光以外のレーザ、Ｘ線、ＥＵＶ光による光照射エッチングによるものでも良いし、エッチャントガスによる反応性ドライエッチングによるものでも良いし、希ガスイオン衝突による物理スパッタリングによるものでも良い。
【００２５】
図３は、付着デブリを荷電粒子の供給により帯電させて、帯電したデブリを光学素子から離脱させる第２の実施例を示す平面図である。
第２の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、ＥＵＶ集光ミラー７の反射面に電子を供給する電子銃３３がチャンバ６内に配置されている。この電子銃３３は、本発明の荷電粒子供給部の一例に相当する。ＥＵＶ集光ミラー７は、接地電位に対して直流成分が通電しないように接地電位から遮断されている。ＥＵＶ集光ミラー７等の光学素子からデブリを離脱させる構成は、第１の実施例と同様である。
【００２６】
以上の構成において、第２の実施例におけるＥＵＶ光源装置１は、電子銃３３によりＥＵＶ集光ミラー７の反射面に対して電子（荷電粒子）を供給することにより、ＥＵＶ集光ミラー７及び付着デブリ２１を負電位に帯電させることができる。電子銃３３による電子の供給は、付着デブリ２１に対して直接行っても良い。
帯電したデブリは、第１の実施例と同様に、紫外光源５１及びヒータ５２等を用いてＥＵＶ集光ミラー７等の光学素子から離脱させられ得る。これにより、デブリは、電磁場発生部５による磁場にトラップされ、帯電デブリ回収筒１４によって回収されるであろう。
【００２７】
図４は、付着デブリを直流電源との接続により帯電させて、帯電したデブリを光学素子から離脱させる第３の実施例を示す平面図である。
第３の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、ＥＵＶ集光ミラー７が直流の電源部３４に接続されている。デブリをＥＵＶ集光ミラー７等の光学素子から離脱させる構成は、第１の実施例と同様である。
以上の構成において、第３の実施例におけるＥＵＶ光源装置１は、電源部３４によりＥＵＶ集光ミラー７に一定電圧を印加することにより、ＥＵＶ集光ミラー７及び付着デブリ２１を帯電させ得る。図４には負電位を印加する例を示したが、正電位を印加しても良い。
【００２８】
帯電したデブリは、第１の実施例と同様に、紫外光源５１及びヒータ５２等を用いてＥＵＶ集光ミラー７等の光学素子から離脱させられ得る。これにより、デブリが電磁場発生部５による磁場にトラップされ、帯電デブリ回収筒１４によって回収され得る。
【００２９】
図５は、付着デブリをイオン化用レーザにより帯電させて、帯電したデブリを光学素子から離脱させる第４の実施例を示す平面図である。
第４の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、チャンバ６の外部にイオン化レーザ部３５が配置されている。イオン化レーザ部３５によるレーザ光は、露光機接続ポート９とは別のウィンドウ１２を介してチャンバ６内に導入され、ＥＵＶ集光ミラー７に付着した付着デブリ２１に照射される。イオン化レーザ部３５によるレーザ光は、デブリの構成原子の共鳴吸収波長に同調した１波長以上の波長成分を含んでおり、これをデブリに照射することによりデブリを帯電させるものである。
【００３０】
また、第４の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、チャンバ６の外部にクリーニング光源部５５が配置されている。クリーニング光源部５５による光は、露光機接続ポート９とは別のウィンドウ１３を介してチャンバ６内に導入され、ＥＵＶ集光ミラー７の反射面に照射される。
【００３１】
以上の構成において、イオン化レーザ部３５がイオン化用のレーザ光を付着デブリ２１に照射することにより、デブリの構成原子は共鳴吸収を起こして効率良く上の準位に励起されるようにすることが可能である。準位間を遷移するために必要なエネルギーに対応する１波長又は複数波長の共鳴吸収波長に同調したレーザ光をほぼ同時に照射することにより、付着デブリの構成原子は、共鳴準位間で順次励起され、イオン化準位を超えてイオン化することにより帯電し得る。例えば、スズ（Ｓｎ）の共鳴吸収波長に同調した１波長以上の波長成分は、（ａ）２８６．４２ｎｍの波長と８１１．６２ｎｍの波長と８２３．６７ｎｍの波長とを有する３波長成分、（ｂ）２８６．４ｎｍの波長と６１７．２ｎｍの波長と４１６ｎｍ〜４１８ｎｍの範囲内の波長とを有する３波長成分、（ｃ）２８６．４ｎｍの波長と６１５ｎｍの波長と６１４ｎｍ〜６１８ｎｍの範囲内の波長とを有する波長成分、（ｄ）２７０ｎｍ〜３１８ｎｍの範囲内の波長を有する波長成分、又は（ｅ）４５６．５ｎｍの波長を有する波長成分の何れかを含むようにするとよい。或いは、スズ原子のイオン化エネルギー７．３４ｅＶ以上の光子エネルギーを持つレーザ光（１６９．２ｎｍ以下の波長成分に相当）を照射しても、イオン化が可能である。
【００３２】
ここで、クリーニング光源部５５が、クリーニング用の紫外光、レーザ、Ｘ線、ＥＵＶ光等を付着デブリ２１に照射することにより、付着デブリ２１の構成原子にエネルギーを注入する。すると、帯電した付着デブリ２１が、ＥＵＶ集光ミラー７との付着力を断ち切ってＥＵＶ集光ミラー７の表面から離脱し得る。なお、このとき、付着デブリ２１のＥＵＶ集光ミラー７からの離脱を促進するために、ヒータ５２によるＥＵＶ集光ミラー７の加熱を行っても良い。離脱したデブリ（Ｓｎ＋イオン２３）は、電磁場発生部５による磁場にトラップされ、帯電デブリ回収筒１４によって回収されるであろう。
【００３３】
ＥＵＶ集光ミラー７等の光学素子からデブリを離脱させる構成は、エッチャントガスによる反応性ドライエッチングによるものでも良いし、希ガスイオン衝突による物理スパッタリングによるものでも良い。
【００３４】
図６は、付着デブリをＥＵＶ光により帯電させて、帯電したデブリを光学素子から離脱させる第５の実施例を示す平面図である。
第５の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、チャンバ６内で発生したＥＵＶ光そのものを付着デブリ２１に照射するＥＵＶ光照射ミラー６１が、チャンバ６内に配置されている。このＥＵＶ光照射ミラー６１は、ＥＵＶ集光ミラー７の焦点位置に存在するプラズマ生成サイトにおいて発生したＥＵＶ光がＥＵＶ集光ミラー７の反射面で反射されて露光機接続ポート９に至るメインＥＵＶ光路から外れた位置に配置されている。
【００３５】
メインＥＵＶ光路上には、ＥＵＶ光の強度に応じて可視光を発生する蛍光板６２が、ＥＵＶ光軸に対して約４５°の角度をもって配置されている。また、メインＥＵＶ光路から外れた位置に、蛍光板６２において生じた可視光の強度分布画像を撮影可能なＣＣＤカメラ６３が配置されている。ＣＣＤカメラ６３には、ＥＵＶ光照射ミラー６１の姿勢を制御する姿勢制御部６４が接続されている。姿勢制御部６４は、ＣＣＤカメラ６３により撮影された画像に基づいて発光強度の弱い部分を特定する画像処理装置と、ＥＵＶ光照射ミラー６１がプラズマ生成サイトから受けたＥＵＶ光を当該発光強度の弱い部分に反射集光するようにＥＵＶ光照射ミラー６１の姿勢を制御する多軸ステージとを含んでいる。
【００３６】
以上の構成において、第５の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、ＥＵＶ光照射ミラー６１が、プラズマ生成サイトから受けたＥＵＶ光を反射しＥＵＶ集光ミラー７の付着デブリ２１に集光させ得る。こうして、デブリの構成原子に対してＥＵＶ集光ミラー７との付着力を断ち切るエネルギーとイオン化エネルギーとを供給することができる。さらに、集光したＥＵＶ光は、付着デブリ２１をイオン化して帯電させ、付着デブリ２１をＥＵＶ集光ミラー７から離脱させ得る。なお、このとき、付着デブリ２１のＥＵＶ集光ミラー７からの離脱を促進するために、ヒータ５２によるＥＵＶ集光ミラー７の加熱を行っても良い。帯電してＥＵＶ集光ミラー７から離脱したデブリ（Ｓｎ＋イオン２３）は、電磁場発生部５による磁場にトラップされ、帯電デブリ回収筒１４によって回収されるであろう。
【００３７】
ＥＵＶ集光ミラー７に付着した付着デブリ２１の位置は、ＣＣＤカメラ６３によって撮影された蛍光板６２の発光強度が弱い部分に対応する。従って、姿勢制御部６４が、ＣＣＤカメラ６３により撮影された画像に基づいて発光強度の弱い部分を特定することができる。これにより、姿勢制御部６４が、ＥＵＶ光照射ミラー６１が当該発光強度の弱い部分にＥＵＶ光を集光させるように、姿勢制御部６４がＥＵＶ光照射ミラー６１の姿勢を制御するので、ＥＵＶ光を付着デブリ２１に集光させることができる。
【００３８】
図７は、付着デブリをＥＵＶ光により帯電させて、帯電したデブリを光学素子から離脱させる第６の実施例を示す平面図である。
第６の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、ＥＵＶ光照射ミラー６５が、ＥＵＶ集光ミラー７の焦点位置に存在するプラズマ生成サイトから受けたＥＵＶ光を、ＥＵＶ集光ミラー７の反射面全体に照射できる。ＥＵＶ光照射ミラー６５は、メインＥＵＶ光路の周囲を取り囲む円形状に形成されているので、ＥＵＶ光をＥＵＶ集光ミラー７の反射面の広い面積に照射し、多くの付着デブリ２１をイオン化及び離脱させるのに必要なエネルギーを供給し得るようになっている。なお、蛍光板６２は露光装置等にＥＵＶ光を出力する場合はメインＥＵＶ光路から退避できるよう、移動可能としても良い。
【００３９】
第６の実施例によれば、付着デブリの位置を特定して集光照射する必要がないので、第５の実施例のような蛍光板６２、ＣＣＤカメラ６３、姿勢制御部６４はなくてもよい。他の構成は第５の実施例のものと同様である。
【００４０】
図８は、付着デブリを光学素子から離脱させて、離脱したデブリを荷電粒子の供給により帯電させる第７の実施例を示す平面図である。
第７の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、エッチャントガス（水素、ハロゲン、ハロゲン化合物等）によって付着デブリ２１を光学素子から離脱させるエッチャントガスポート５６が、チャンバ６内に配置されている。また、ＥＵＶ集光ミラー７を加熱するヒータ５２がＥＵＶ集光ミラー７の背面に配置されている。これらエッチャントガスポート５６とヒータ５２は、本発明の付着デブリ離脱部の一例に相当する。
【００４１】
また、第７の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、ＥＵＶ集光ミラー７から離脱したデブリに対してイオンを供給することによってデブリを帯電させるイオンガスポート３６が、チャンバ６内に配置されている。このイオンガスポート３６は、本発明の荷電粒子供給部及び離脱デブリ帯電部の一例に相当する。
【００４２】
以上の構成において、第７の実施例におけるＥＵＶ光源装置１は、ヒータ５２によりＥＵＶ集光ミラー７を加熱しておき、エッチャントガスポート５６によりエッチャントガスをＥＵＶ集光ミラー７の反射面に沿って導入し得る。これにより、第７の実施例におけるＥＵＶ光源装置１は、例えばＳｎデブリを気化物質（ＳｎＨ４、ＳｎＢｒ４等）としてＥＵＶ集光ミラー７から離脱させることができる。
【００４３】
ここで、離脱したデブリに対してイオンガスポート３６からイオンガスを供給することにより、ＥＵＶ集光ミラー７の反射面から出てきたデブリの気化物質とイオンとが衝突反応し、デブリが帯電し得る。例えば、イオンガスポート３６から負イオン（Ｂｒ−）を供給した場合には、ＳｎＢｒ４とＢｒ−との反応により、ＳｎＢｒ３−とＢｒ２とが生成され得る。また、イオンガスポート３６から正イオン（Ｈ＋）を供給した場合には、ＳｎＢｒ４とＨ＋との反応により、ＳｎＢｒ４＋とＨとが生成され得る。このように、気化したデブリが帯電するので、デブリは電磁場発生部５による磁場にトラップされ、帯電デブリ回収筒１４によって回収されるであろう。
【００４４】
図９は、付着デブリを光学素子から離脱させて、離脱したデブリを荷電粒子の供給により帯電させる第８の実施例を示す平面図である。
第８の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、第７の実施例におけるイオンガスポートの代わりに電子銃３７が、チャンバ６内に配置されている。この電子銃３７は、本発明の荷電粒子供給部及び離脱デブリ帯電部の一例に相当する。他の構成は、第７の実施例のものと同様である。
【００４５】
以上の構成において、第８の実施例におけるＥＵＶ光源装置１は、ヒータ５２及びエッチャントガスポート５６を用いて、ＥＵＶ集光ミラー７から付着デブリ２１を離脱させる。さらに、ＥＵＶ光源装置１は、離脱したデブリに対して電子銃３７から、例えば１ｅＶ以下の低エネルギー電子を供給する。これにより、ＥＵＶ集光ミラー７の反射面から出てきたデブリの気化物質に電子が付着し、デブリの帯電が可能となる。このように、気化したデブリが帯電すると、デブリは電磁場発生部５による磁場にトラップされ、帯電デブリ回収筒１４によって回収されるであろう。
【００４６】
図１０は、付着デブリを荷電粒子の供給により離脱及び帯電させる第９の実施例を示す平面図である。
第９の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、第７の実施例におけるエッチャントガスポート及びイオンガスポートの代わりに、イオン化エッチャントガスポート６６が、チャンバ６内に配置されている。このイオン化エッチャントガスポート６６は、本発明のイオン化エッチャントガス供給部の一例に相当する。他の構成は、第７の実施例のものと同様である。
【００４７】
以上の構成において、第９の実施例におけるＥＵＶ光源装置１は、ヒータ５２によりＥＵＶ集光ミラー７を加熱するとともに、イオン化エッチャントガスポート６６により、ハロゲン化物イオン等のイオン化したエッチャントガスを、ＥＵＶ集光ミラー７の反射面に沿って導入することができる。これにより、第９の実施例におけるＥＵＶ光源装置１は、付着デブリをＥＵＶ集光ミラー７から離脱させるとともに帯電させることができる。このように、ＥＵＶ集光ミラー７から離脱して帯電したデブリは、電磁場発生部５による磁場にトラップされ、帯電デブリ回収筒１４によって回収されるであろう。
【００４８】
図１１は、付着デブリを光学素子から離脱させて、離脱したデブリをプラズマの供給により帯電させる第１０の実施例を示す平面図である。
第１０の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、付着デブリ２１に対してエッチャントガス（水素、ハロゲン、ハロゲン化合物等）を供給することにより付着デブリ２１を光学素子から離脱させるエッチャントガスポート５６が、チャンバ６内に配置されている。このエッチャントガスポート５６は、本発明の付着デブリ離脱部の一例に相当する。
【００４９】
また、第１０の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、ＥＵＶ集光ミラー７の反射面に沿って、該反射面と一定の間隔をおいて、グリッド電極４１が配置されている。グリッド電極４１は、ＥＵＶ光の全てを遮断することがないように、ワイヤ等で網目状に形成されている。グリッド電極４１は接地電位に接続されている。グリッド電極４１に対向するＥＵＶ集光ミラー７の背面には、ミラー側電極４２が配置されている。このミラー側電極４２はＲＦ電源４３に接続されている。これらのグリッド電極４１、ミラー側電極４２及びＲＦ電源４３は、本発明のプラズマ生成部及び離脱デブリ帯電部の一例に相当する。
【００５０】
以上の構成において、第１０の実施例におけるＥＵＶ光源装置１は、エッチャントガスポート５６によりエッチャントガスをＥＵＶ集光ミラー７の反射面に沿って導入することができる。これにより、第１０の実施例におけるＥＵＶ光源装置１は、例えば、Ｓｎデブリを気化物質（ＳｎＨ４、ＳｎＢｒ４等）としてＥＵＶ集光ミラー７から離脱させることができる。
【００５１】
ここで、ＲＦ電源４３がグリッド電極４１とミラー側電極４２との間に高周波電圧を印加することにより、電極間に容量結合プラズマが生成されるであろう。このプラズマは、エッチャントガスをプラズマ化したものであっても良いし、別途アルゴン（Ａｒ）等の希ガスを導入して、Ａｒをプラズマ化したものであっても良い。また、容量結合プラズマに限らず、誘導結合プラズマやヘリコン波プラズマを用いても良い。
【００５２】
ＥＵＶ集光ミラー７から離脱したデブリの構成原子を含む気化物質は、プラズマ中の各種粒子との衝突によって解離し、イオン化され得る。このように、気化したデブリが帯電すると、デブリは電磁場発生部５による磁場にトラップされ、帯電デブリ回収筒１４によって回収されるであろう。
【００５３】
図１２は、付着デブリを光学素子から離脱させて、離脱したデブリをプラズマの供給により帯電させる第１１の実施例を示す平面図である。
第１１の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、チャンバ６の外部に、マイクロ波発振器４４及び導波管４５が配置されている。マイクロ波発振器４４により発生するマイクロ波は、導波管４５及びチャンバ６上の窓４６を通してチャンバ６内の磁場中に導入される。一方、ＥＵＶ集光ミラー７の背面には電極４７が配置されており、この電極４７はＲＦ電源４３に接続されている。これらのＲＦ電源４３、マイクロ波発振器４４及び電極４７は、本発明のプラズマ生成部及び離脱デブリ帯電部の一例に相当する。付着デブリ２１をＥＵＶ集光ミラー７等の光学素子から離脱させる構成は、第１０の実施例と同様である。
【００５４】
以上の構成において、第１１の実施例におけるＥＵＶ光源装置１は、エッチャントガスポート５６によりエッチャントガスをＥＵＶ集光ミラー７の反射面に沿って導入可能である。これにより、第１１の実施例におけるＥＵＶ光源装置１は、例えばＳｎデブリを気化物質（ＳｎＨ４、ＳｎＢｒ４等）としてＥＵＶ集光ミラー７から離脱させることができる。
【００５５】
ここで、マイクロ波発振器４４により、電磁場発生部５の磁場強度に対応したマイクロ波を発生し、このマイクロ波をチャンバ６内の磁場中に導入することができる。更にＲＦ電源４３によりバイアス電圧を印加すると、チャンバ６内に低圧力高密度のＥＣＲプラズマ２４が生成され得る。なお、ＥＣＲプラズマ２４に限らず、ＥＵＶ集光ミラー７の近傍からマイクロ波を導入することにより表面波プラズマを生成しても良い。
ＥＵＶ集光ミラー７から離脱したデブリの構成原子を含む気化物質は、プラズマ中の帯電粒子との衝突によって解離し、イオン化し得る。このように、気化したデブリが帯電すると、デブリは電磁場発生部５による磁場にトラップされ、帯電デブリ回収筒１４によって回収されるであろう。
【００５６】
図１３は、付着デブリを光学素子から離脱させて、離脱したデブリをイオン化用レーザにより帯電させる第１２の実施例を示す平面図である。
第１２の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、チャンバ６の外部にイオン化レーザ部３５が配置されている。イオン化レーザ部３５によるレーザ光は、露光機接続ポート９とは別のウィンドウ１２を介してチャンバ６内に導入され、ＥＵＶ集光ミラー７から離脱したデブリに照射される。イオン化レーザ部３５によるレーザ光は、デブリの構成原子の共鳴吸収波長に同調した１波長以上の波長成分を含んでいるとよい。このレーザ光をデブリに照射することによりデブリを帯電させることができる。付着デブリ２１をＥＵＶ集光ミラー７等の光学素子から離脱させる構成は、第１０の実施例と同様である。なお、付着デブリ２１の光学素子からの離脱を促進するために、ヒータ５２によるＥＵＶ集光ミラー７の加熱を行っても良い。
【００５７】
以上の構成において、第１２の実施例におけるＥＵＶ光源装置１は、エッチャントガスポート５６によりエッチャントガスをＥＵＶ集光ミラー７の反射面に沿って導入することができる。これにより、第１２の実施例におけるＥＵＶ光源装置１は、例えばＳｎデブリを気化物質（ＳｎＨ４、ＳｎＢｒ４等）としてＥＵＶ集光ミラー７から離脱させることができる。
【００５８】
ここで、ＥＵＶ集光ミラー７から離脱したデブリに対してイオン化レーザ部３５がイオン化用のレーザ光を照射することにより、デブリの構成原子は共鳴吸収を起こして効率良く上の準位に励起され得る。準位間を遷移するために必要なエネルギーに対応する１波長又は複数波長の共鳴吸収波長に同調したレーザ光をほぼ同時に照射することにより、付着デブリの構成原子は共鳴準位間で順次励起され、イオン化準位を超えてイオン化することにより帯電し得る。このように、気化したデブリが帯電するので、デブリは電磁場発生部５による磁場にトラップされ、帯電デブリ回収筒１４によって回収されるであろう。
【００５９】
図１４は、付着デブリを光学素子から離脱させて、離脱したデブリをＸ線により帯電させる第１３の実施例を示す平面図である。
第１３の実施例におけるＥＵＶ光源装置１においては、チャンバ６内にＸ線発生部４８が配置される。Ｘ線発生部４８は、ＥＵＶ集光ミラー７の反射面全体にＸ線を照射するよう構成されている。付着デブリ２１をＥＵＶ集光ミラー７等の光学素子から離脱させる構成は、第１０の実施例と同様である。なお、付着デブリ２１の光学素子からの離脱を促進するために、ヒータ５２によるＥＵＶ集光ミラー７の加熱を行っても良い。
【００６０】
以上の構成において、第１３の実施例におけるＥＵＶ光源装置１は、エッチャントガスポート５６によりエッチャントガスをＥＵＶ集光ミラー７の反射面に沿って導入することができる。これにより、第１３の実施例におけるＥＵＶ光源装置１は、例えばＳｎデブリを気化物質（ＳｎＨ４、ＳｎＢｒ４等）としてＥＵＶ集光ミラー７から離脱させることができる。
【００６１】
ここで、ＥＵＶ集光ミラー７から離脱したデブリに対してＸ線発生部４８がＸ線を照射することにより、デブリの構成原子を含む気化物質は解離し、イオン化され得る。このように、気化したデブリが帯電するので、デブリは電磁場発生部５による磁場にトラップされ、帯電デブリ回収筒１４によって回収されるであろう。
【００６２】
図１５は、ＥＵＶ発光タイミングとクリーニングのタイミングの相関を示すタイムチャートである。
上述の第５及び第６の実施例においては、チャンバ内で発光するＥＵＶ光を利用してデブリの帯電及び光学素子からの離脱を行うことができるので、ＥＵＶ発光と同時にデブリの帯電及び光学素子からの離脱を含むクリーニング動作を行うことが可能である。
しかし、それ以外の第１〜第４の実施例及び第７〜第１３の実施例においては、ＥＵＶ発光と同時にクリーニング動作を行う必要はなく、以下のようなタイミングでのクリーニング動作を行い得る。
【００６３】
図１５（Ａ）には、バースト発振するＥＵＶ光のバースト発振パターンの休止中に、クリーニング動作を行う例が示されている。
図１５（Ｂ）には、パルス発振するＥＵＶ発振のパルスとパルスの間に、クリーニング動作を行う例が示されている。
【００６４】
図１５（Ｃ）には、ＥＵＶ発光が停止した時に、クリーニング動作を実施する例が示されている。この動作は、チャンバ内にエッチャントガスを導入してクリーニングする方式や、チャンバ内にイオンガス流などを流してイオン化する方式において有効である場合がある。この動作を行う場合には、以下の動作を行うとよい。まず、出力先の露光機からＥＵＶ停止信号を受けたら、ＥＵＶ光源装置１は、露光機接続ポート内にあるゲートバルブを閉じて、チャンバ内をクリーニングする。クリーニングが終了したら、終了信号を出力し、露光機接続ポート内にあるゲートバルブを開ける。その後、ＥＵＶ発光Ｒｅａｄｙ信号を露光機側に出力する。
【００６５】
図１６は、帯電デブリ回収筒に関する第１の構成例を示す断面図である。
上述の各実施例において説明した帯電デブリ回収筒１４は、例えば図１６に示す構成を有していても良い。図１６に示す帯電デブリ回収筒１４は、ターゲット物質のイオンを含む帯電デブリを回収し、チャンバ外に排出するため、筒状部１４０と、イオン回収部１４１と、排出管１４２と、貯留部１４３とを有することが望ましい。
【００６６】
筒状部１４０は、一端がチャンバに対して開口し、他端が閉じられた筒状の部材である。筒状部１４０は、上述の電磁場発生部によってチャンバ内に発生した電場又は磁場と略同軸となるように配置されている。電場又は磁場によってトラップされたチャンバ内の帯電デブリは、電場又は磁場と略平行な方向に移動して、筒状部１４０内に導入され、筒状部１４０の上記一端から上記他端に向かって移動する。
【００６７】
イオン回収部１４１は、筒状部１４０の上記他端側に配置されており、イオン通過部１４４と、イオン受け部１４５と、温調機構１４５ａとを含んでいる。イオン通過部１４４は、多孔質又はメッシュ状で、且つ、帯電デブリによってスパッタされにくい材質によって構成されることが望ましい。イオン受け部１４５は、ターゲット物質に対する濡れ性の高い材質によって構成されることが望ましい。
【００６８】
筒状部１４０の上記一端から上記他端に向かって移動した帯電デブリは、イオン通過部１４４を通過し、イオン受け部１４５に到達する。このとき、帯電デブリは、ターゲット物質に対する濡れ性の高いイオン受け部１４５によって捕捉されることができる。但し、帯電デブリがイオン受け部１４５に到達したときに、イオン受け部１４５の表面が帯電デブリによってスパッタされる可能性がある。しかし、スパッタされたイオン受け部１４５の構成粒子は、イオン通過部１４４によって捕捉されることができるので、チャンバ内に侵入することは抑制される。
【００６９】
温調機構１４５ａは、イオン受け部１４５の温度を、ターゲット物質の融点を超える温度に調整（例えば加熱）することができる。イオン受け部１４５において溶融したデブリは、重力によってイオン受け部１４５の下端に向かって流動することができる。
【００７０】
排出管１４２は、イオン回収部１４１の下端と、筒状部１４０外の貯留部１４３とを接続している。排出管１４２にも、ターゲット物質の融点を超える温度に調整（例えば加熱）する温調機構１４２ａを設けることが望ましい。イオン受け部１４５において溶融したターゲット物質は、排出管１４２内に流入し、さらに、貯留部１４３に流入することができる。
【００７１】
貯留部１４３は、排出管１４２に対して着脱可能であることが望ましい。その場合には、貯留部１４３を交換することにより、帯電デブリ回収筒１４のメンテナンスを容易に行うことができる。
【００７２】
図１７は、帯電デブリ回収筒に関する第２の構成例を示す断面図である。
上述の各実施例において説明した帯電デブリ回収筒１４は、図１６に示す第１の構成例に限定されることなく、図１７に示す構成を有していても良い。図１７に示す帯電デブリ回収筒１４は、イオン回収部１４７と、図１６に示した構成要素と同様の構成を有する筒状部１４０、排出管１４２及び貯留部１４３とを有することが望ましい。
【００７３】
イオン回収部１４７は、筒状部１４０の軸方向に対して傾斜した傾斜面を有している。帯電デブリは、イオン回収部１４７の傾斜面において捕捉されることができる。但し、帯電デブリがイオン回収部１４７に衝突したときに、イオン回収部１４７の表面が帯電デブリによってスパッタされる可能性がある。しかし、スパッタされたイオン回収部１４７の構成粒子は、スパッタ面の法線方向に飛び出す確率が高い。従って、スパッタされたイオン回収部１４７の構成粒子は、チャンバに開口した筒状部１４０の上記一端までは到達せずに、筒状部１４０の壁面まで飛んで失活及び捕捉される可能性が高い。
【００７４】
イオン回収部１４７は、帯電デブリによってスパッタされにくい材質によって構成されることが望ましい。また、傾斜面を有するイオン回収部１４７としては、例えば円錐形のものを用いることができる。
【００７５】
イオン回収部１４７には、ターゲット物質の融点を超える温度に調整する温調機構１４７ａを設けることが望ましい。イオン回収部１４７には、チャンバから移動してきた帯電デブリが直接衝突するため、イオン回収部１４７は過度に加熱されやすい。従って、温調機構１４７ａとしては主に冷却を行う機構を用いることができる。このような温調機構１４７ａとしては、水冷機構やペルチェ素子などを用いることができる。
【００７６】
筒状部１４０の壁面にも、ターゲット物質の融点を超える温度に調整（例えば加熱）する温調機構１４０ａを設けることが望ましい。筒状部１４０の壁面に温調機構１４０ａを設ける場合には、筒状部１４０を外筒部１４８で覆うことが望ましい。
イオン回収部１４７及び筒状部１４０の壁面において捕捉されて溶融したデブリは、重力によって排出管１４２内に流入することができ、さらに、貯留部１４３に流入することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明は、ＥＵＶ光を用いて処理を行う処理装置と組み合わせて用いられるＥＵＶ光源装置、例えば、露光装置において半導体ウエハの露光処理を行う投影光学系と組み合わせて用いられるＥＵＶ光源装置において利用することが可能である。
【符号の説明】
【００７８】
１…ＥＵＶ光源装置、２…ターゲット供給部、３…プラズマ発生レーザ部、４…ターゲット回収筒、５…電磁場発生部、６…チャンバ、７…ＥＵＶ集光ミラー、８…集光光学系、９…露光機接続ポート、１１、１２、１３…ウィンドウ、１４…帯電デブリ回収筒、１６…電源装置、２０…ターゲット物質、２１…付着デブリ、２２…帯電デブリ、２３…Ｓｎ＋イオン、３０…デブリ帯電部、３１…グリッド電極、３２…電源部、３３…電子銃、３４…電源部、３５…イオン化レーザ部、３６…イオンガスポート、３７…電子銃、４１…グリッド電極、４２…ミラー側電極、４３…ＲＦ電源、４４…マイクロ波発振器、４５…導波管、４６…窓、４７…電極、４８…Ｘ線発生部、５０…デブリ離脱部、５１…紫外光源、５２…ヒータ、５５…クリーニング光源部、５６…エッチャントガスポート、６１…ＥＵＶ光照射ミラー、６２…蛍光板、６３…ＣＣＤカメラ、６４…姿勢制御部、６５…ＥＵＶ光照射ミラー、６６…イオン化エッチャントガスポート、１４０…筒状部、１４１…イオン回収部、１４２…排出管、１４３…貯留部、１４４…イオン通過部、１４５…イオン受け部、１４７…イオン回収部、１４８…外筒部、１４０ａ、１４２ａ、１４５ａ、１４７ａ…温調機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１２】
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