【事件の表示】
　特願２０１５−５６１３７６「キャパシタンスを高めた金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）キャパシタ」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　９月１２日国際公開，ＷＯ２０１４／１３７５８９，平成２８年　４月１４日国内公表，特表２０１６−５１１５４８，請求項の数（２５）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２６年（２０１４年）２月１９日を国際出願日とする出願（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０１３年３月５日，米国）であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２８年　２月　５日　審査請求・手続補正
平成２８年　３月２５日　拒絶理由通知
平成２８年　７月　１日　意見書・補正書
平成２８年　８月２４日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２８年１２月２７日　審判請求・手続補正
平成２９年　５月１０日　上申書
平成２９年　８月　８日　上申書
　
第２　原査定の概要
　この出願の請求項１〜２５に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
●理由２（特許法第２９条第２項）について
・請求項　１，１０，１４
・引用文献等　１，３−４
　引用文献１の段落００２４を参照すると，「ゲート１６はまた，ドープされたポリシリコン及びドープされたポリシリコン・ゲルマニウム合金材料…と，ポリサイド材料…とを含むこともできる。」と記載されている。
　また，引用文献１の段落００３２を参照すると，「コンタクト・ビア２８は，一般に，ゲート１６を構成することができる，幾つかの上記に列挙した導体材料のいずれかを含むことができる。上記の開示によれば，そのような適切な導体材料として，必ずしも限定されるものではないが，特定の金属，金属合金，金属シリサイド，金属窒化物，ドープされたポリシリコン，及びポリサイド導体材料が含まれる。コンタクト・ビア２８を構成することができる特定の導体材料として，限定されるものではないが，タングステン，チタン，及びタンタル金属，それらの合金，それらの窒化物，及びそれらのシリサイドが含まれる。」と記載されている。
　また，図６を参照すると，コンタクト・ビア２８'が形成されており，図中には明記されていないものの，該コンタクト・ビア２８'は，高位メタルに接続しているものと認められる。
　以上を考慮すると，引用文献１（特に，段落００４５及び図６を参照。）には，以下の発明が記載されている。
　基板上のゲート１６であって，ドープされたポリシリコン，ドープされたポリシリコン・ゲルマニウム合金材料，又はポリサイド材料を含むことができるゲート１６と，
　前記ゲート１６に隣接する基板上に，金属シリサイド，金属窒化物，ドープされたポリシリコン，ポリサイド導体材料，タングステン，チタン，又はタンタル金属を含むことができるコンタクト・ビア２８'と，を含み，
　前記コンタクト・ビア２８'は，高位メタルに接続されている，
　金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタ。
　引用文献１に記載された発明と，請求項１に係る発明とを対比すると，以下の点で相違する。
[相違点１]
　請求項１に係る発明は，引用文献１に記載された発明とは異なり，「前記第２のメタル構造がビア構造によって高位メタル構造に結合」されている点。
[相違点２]
　請求項１に係る発明は，「前記コンタクトメタルが前記導電性ゲート材料と共通しない少なくとも一つの材料を含」むのに対して，引用文献１に記載された発明では，「コンタクト・ビア２８’」が「ゲート１６」の材料と共通しない少なくとも一つの材料を含むか否かが明らかでない点。
　以下，相違点について検討する。
[相違点１について]
　引用文献３（特に，段落００２０−００４１，及び図２を参照。）には，第１電極プラグ１０（Ｂ）を，第２電極プラグ２０（Ｂ）によって第２配線層Ｍ２に接続する技術が開示されている。
　引用文献４（特に，段落００４４−００４５，及び図９を参照。）には，Ｍ１−接続プラグにおける中間接続層２０より上の部分を，Ｍ１−接続プラグにおける中間接続層２０より下の部分によって第１配線層Ｍ１に接続する技術が開示されている。
　してみると，引用文献３及び４に示されるように，高位のメタルに，接続する際にビアを介する技術は周知である。
[相違点２について]
　引用文献１に記載された発明において例示されているコンタクト・ビア２８’の材料の中から，ゲート１６の材料と共通しない少なくとも一つの材料を選択することは，当業者が適宜なし得たことである。
　よって，請求項１に係る発明は，引用文献１に記載された発明及び引用文献３−４に開示された周知技術に基づいて，当業者であれば容易になし得たものであるから，依然として，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また，請求項１０及び１４に係る発明も同様である。
・請求項　２，１５
・引用文献等　１，３−４
　引用文献１（特に，図６を参照。）に記載された発明の「金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタ」は，基板と，ゲート１６との間にゲート誘電体１４を有している。
・請求項　５
・引用文献等　１，３−４
　請求項５に係る発明と，引用文献１に記載された発明とを対比する。
　請求項５に係る発明の「前記導電性ゲート材料および前記第１のメタル構造を含む第１の電極」は，引用文献１に記載された発明の「ゲート１６」に相当する。
　請求項５に係る発明の「前記第２のメタル構造を含む第２の電極」は，引用文献１に記載された発明の「コンタクト・ビア２８'」に相当する。
　また，引用文献１の段落００４５を参照すると，ゲート１６と，コンタクト・ビア２８'とで，ＭＩＭキャパシタを形成していると認められる。すなわち，ゲート１６に印加される電圧とは別の電圧がコンタクト・ビア２８'に印加されていると認められる。
・請求項　８，１８
・引用文献等　１，３−４
引用文献１の図６を参照すると，金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタは，一つの半導体チップ（半導体ダイ）上に形成されていると認められる。
・請求項　３−４，６−７，９，１６−１７，１９
・引用文献等　１，３−４
　引用文献１に記載された発明の金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）デバイスは，「半導体オンインシュレータ基板」に形成されているが，基板上のシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）上に形成することや，基板のシリコン上に形成することは，単なる設計的事項である。
　引用文献１に記載された発明の金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）デバイスにおいて，ゲート１６とコンタクト・ビア２８'の間のピッチを設計ルールによって許される最小値とすることは，単なる設計的事項であり，集積化を目的として，当業者が容易に想到し得たことである。
　また，ゲート１６とコンタクト・ビア２８'の間のピッチを，２つの隣接するコンタクト・ビア２８'間のピッチよりも小さくすることは，単なる設計的事項であり，集積化を目的として，当業者が容易に想到し得たことである。
　容量素子やトランジスタ等の電子デバイスを，セットトップボックス，音楽プレイヤー等に例示される電子機器に搭載することは，慣用技術である。
・請求項　１１−１２，２１−２２
・引用文献等　１，３−４
　引用文献１に記載された発明の金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）デバイスの製造方法において，ゲート１６とコンタクト・ビア２８'の間のピッチを設計ルールによって許される最小値とすることは，単なる設計的事項であり，集積化を目的として，当業者が容易に想到し得たことである。
　また，ゲート１６とコンタクト・ビア２８'の間のピッチを，２つの隣接するコンタクト・ビア２８'間のピッチよりも小さくすることは，単なる設計的事項であり，集積化を目的として，当業者が容易に想到し得たことである。
・請求項　１３，２０，２３
・引用文献等　１，３−４
・備考
　コンピュータなどに代表される電子デバイスによって，半導体装置の製造装置を制御することは，慣用技術である。
　以上を踏まえると，金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）デバイスの製造方法を，電子デバイス中のプロセッサ（代表的には，ＣＰＵが例示される。）によって制御することは，当業者が当然に想到し得たことである。
　引用文献１に記載された発明のＭＩＭキャパシタの製造方法を，「プロセッサ実行可能な命令を含む，非一時的コンピュータ可読媒体」に記録することは，当業者が容易になし得たことである。
　コンピュータなどに代表される電子デバイスによって，半導体装置の製造装置を制御することは，慣用技術である。
　以上を踏まえると，金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）デバイスの設計情報を，受信し，当該設計情報にしたがって，金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）デバイスをＭＩＭキャパシタ製造方法のように製造することは，当業者が当然に想到し得たことである。
・請求項　２４−２５
・引用文献等　１−４
・備考
　引用文献２には，ＧＤＳＩＩやＧＥＲＢＥＲ等の周知のファイルフォーマットが開示されている。
　ファイルフォーマットのなかから，引用文献２に開示されているような周知のファイルフォーマットを採用することに格別の困難性はない。
＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１０−１５７７０４号公報
２．特表２０１２−５２０５７４号公報（周知技術を示す文献）
３．特開２０１１−０２９２４９号公報（周知技術を示す文献；新たに引用された文献）
４．特開２０１０−１１８５９７号公報（周知技術を示す文献；新たに引用された文献）
　
第３　審判請求時の補正について　
　審判請求時の補正は，特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。　
　審判請求時の補正によって補正前の請求項６を削除し，新たな請求項６として「前記基板の前記ＳＴＩ部分が，高周波数信号劣化または高周波数信号損失を減少させるように構成される，請求項３に記載のＭＯＭキャパシタデバイス」を追加する補正，及び請求項１７に「前記基板の前記ＳＴＩ部分が，１ギガヘルツ（ＧＨｚ）りも大きい周波数で高周波数信号劣化を減少させるように構成される」という事項を追加する補正は，各々請求項６が引用する請求項３，及び請求項１７の特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり，これらの追加事項は，当初明細書の段落【００３４】，【００６７】に記載されているから，当該補正事項は新規事項を追加するものではない。　
　そして，「第４　本願発明」ないし「第６　対比・判断」までに示すように，補正後の請求項に係る発明は，独立特許要件を満たすものである。　
第４　本願発明
　本願の請求項１ないし２５に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明２５」という。）は，平成２８年１２月２７日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２５に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりである。
「【請求項１】
　基板に結合された導電性ゲート材料と，
　前記導電性ゲート材料に結合された第１のメタル構造と，
　前記基板に結合され，かつ前記第１のメタル構造に近接する第２のメタル構造であって，
　前記第２のメタル構造がコンタクトメタルを含み，前記コンタクトメタルが前記導電性ゲート材料と共通しない少なくとも一つの材料を含み，前記第２のメタル構造がビア構造によって高位メタル構造に結合される，第２のメタル構造とを備える，金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）キャパシタデバイス。
　【請求項２】
　前記基板に前記導電性ゲート材料を結合するゲート誘電体層をさらに備える，請求項１に記載のＭＯＭキャパシタデバイス。
　【請求項３】
　前記導電性ゲート材料が，前記基板のシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）部分に結合される，請求項１に記載のＭＯＭキャパシタデバイス。
　【請求項４】
　前記導電性ゲート材料が，前記基板のシリコン部分に結合される，請求項１に記載のＭＯＭキャパシタデバイス。
　【請求項５】
　前記導電性ゲート材料および前記第１のメタル構造を含む第１の電極が第１の電圧によってバイアスされ，前記第２のメタル構造を含む第２の電極が第２の電圧によってバイアスされるときに，前記第１の電極と前記第２の電極との間の全体のキャパシタンスが，前記導電性ゲート材料と前記コンタクトメタルとの間のキャパシタンスを含む，請求項１に記載のＭＯＭキャパシタデバイス。
　【請求項６】
　前記基板の前記ＳＴＩ部分が，高周波数信号劣化または高周波数信号損失を減少させるように構成される，請求項３に記載のＭＯＭキャパシタデバイス。
　【請求項７】
　前記導電性ゲート材料と前記コンタクトメタルとの間のゲート−コンタクト間ピッチが，２つの隣接するコンタクトメタル間のコンタクト間ピッチよりも小さくかつ２つの隣接する導電性ゲート材料間のゲート間ピッチよりも小さい，請求項１に記載のＭＯＭキャパシタデバイス。
　【請求項８】
　前記導電性ゲート材料，前記第１のメタル構造，および前記第２のメタル構造が，少なくとも１つの半導体ダイに集積される，請求項１に記載のＭＯＭキャパシタデバイス。
　【請求項９】
　前記導電性ゲート材料，前記第１のメタル構造，および前記第２のメタル構造が中に集積される，セットトップボックス，音楽プレーヤ，ビデオプレーヤ，ナビゲーションデバイス，通信デバイス，携帯情報端末（ＰＤＡ），固定位置データユニット，コンピュータ，またはこれらの組合せをさらに備える，請求項１に記載のＭＯＭキャパシタデバイス。
　【請求項１０】
　金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）キャパシタデバイスを形成する方法であって，
　第１の電極を形成するステップであり，前記第１の電極が基板に結合された導電性ゲート材料を含む，ステップと，
　前記基板に結合され，かつ前記第１の電極に近接する第２の電極を形成するステップであり，前記第２の電極がコンタクトメタルを含むメタル構造を含み，前記コンタクトメタルが前記導電性ゲート材料と共通しない少なくとも一つの材料を含む，形成するステップと，
　前記メタル構造を高位メタル構造に結合させるビア構造を形成するステップとを含む，方法。
　【請求項１１】
　前記導電性ゲート材料と前記コンタクトメタルとの間のゲート−コンタクト間ピッチが，設計ルールによって許される最小値である，請求項１０に記載の方法。
　【請求項１２】
　前記導電性ゲート材料と前記コンタクトメタルとの間のゲート−コンタクト間ピッチが，２つの隣接するコンタクトメタル間のコンタクト間ピッチよりも小さくかつ２つの隣接する導電性ゲート材料間のゲート間ピッチよりも小さい，請求項１０に記載の方法。
　【請求項１３】
　前記第１の電極を形成するステップおよび前記第２の電極を形成するステップが，電子デバイス中に集積されたプロセッサによって始められる，請求項１０に記載の方法。
　【請求項１４】
　基板に結合された電荷を伝導するための第１の手段であって，電荷を伝導するための前記第１の手段が第１のキャパシタプレートに対応し，電荷を伝導するための前記第１の手段が導電性ゲート材料を含む，電荷を伝導するための第１の手段と，
　前記基板に結合された電荷を伝導するための第２の手段であって，電荷を伝導するための前記第２の手段が第２のキャパシタプレートに対応し，電荷を伝導するための前記第２の手段がコンタクトメタルを含み，前記コンタクトメタルが前記導電性ゲート材料と共通しない少なくとも一つの材料を含み，電荷を伝導するための前記第１の手段が電荷を伝導するための前記第２の手段に近接する，電荷を伝導するための第２の手段と，
　前記コンタクトメタルを高位メタル構造に結合させる，電荷を伝導するための第３の手段とを備える，金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）キャパシタデバイス。
　【請求項１５】
　前記基板に電荷を伝導するための前記第１の手段を結合するゲート酸化物層をさらに備える，請求項１４に記載のＭＯＭキャパシタデバイス。
　【請求項１６】
　電荷を伝導するための前記第１の手段が，前記基板のシリコン部分に結合される，請求項１４に記載のＭＯＭキャパシタデバイス。
　【請求項１７】
　電荷を伝導するための前記第１の手段が，前記基板のシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）部分に結合され，前記基板の前記ＳＴＩ部分が，１ギガヘルツ（ＧＨｚ）よりも大きい周波数で高周波数信号劣化を減少させるように構成される，請求項１４に記載のＭＯＭキャパシタデバイス。
　【請求項１８】
　電荷を伝導するための前記第１の手段および電荷を伝導するための前記第２の手段が，少なくとも１つの半導体ダイに集積される，請求項１４に記載のＭＯＭキャパシタデバイス。
　【請求項１９】
　電荷を伝導するための前記第１の手段および電荷を伝導するための前記第２の手段が中に集積される，セットトップボックス，音楽プレーヤ，ビデオプレーヤ，ナビゲーションデバイス，通信デバイス，携帯情報端末（ＰＤＡ），固定位置データユニット，コンピュータ，またはこれらの組合せをさらに備える，請求項１４に記載のＭＯＭキャパシタデバイス。
　【請求項２０】
　プロセッサによって実行されるときに，前記プロセッサに，金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）キャパシタデバイスの製作を始めさせるプロセッサ実行可能な命令を含む，コンピュータ可読媒体であって，前記ＭＯＭキャパシタデバイスが，
　第１の電極を形成するステップであり，前記第１の電極が導電性ゲート材料を含む，ステップと，
　第２の電極を形成するステップであり，前記第２の電極がコンタクトメタルを含み，前記コンタクトメタルが前記導電性ゲート材料と共通しない少なくとも一つの材料を含み，
　前記第１の電極が前記第２の電極に近接し，前記第１の電極が，第１のビア構造によって第１の高位メタル構造に結合された，形成するステップと，によって製作される，コンピュータ可読媒体。
　【請求項２１】
　前記導電性ゲート材料と前記コンタクトメタルとの間のゲート−コンタクト間ピッチが，設計ルールによって許される最小値である，請求項２０に記載のコンピュータ可読媒体。
　【請求項２２】
　前記導電性ゲート材料と前記コンタクトメタルとの間のゲート−コンタクト間ピッチが，２つの隣接するコンタクトメタル間のコンタクト間ピッチ，または２つの隣接する導電性ゲート材料間のゲート間ピッチよりも小さい，請求項２０に記載のコンピュータ可読媒体。
　【請求項２３】
　半導体デバイスに対応する設計情報を含むデータファイルを受信するステップと，
　前記設計情報に従って前記半導体デバイスを製作するステップであり，
　前記半導体デバイスが金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）キャパシタを含み，　前記ＭＯＭキャパシタが，
　基板に結合された導電性ゲート材料と，
　前記導電性ゲート材料に結合された第１のメタル構造と，
　前記基板に結合され，かつ前記第１のメタル構造に近接する第２のメタル構造であり，
　前記第２のメタル構造がコンタクトメタルを含み，前記コンタクトメタルが前記導電性ゲート材料と共通しない少なくとも一つの材料を含み，前記第１のメタル構造が第１のビア構造によって第１の高位メタル構造に結合される，第２のメタル構造とを含む，ステップと
を含む，方法。
　【請求項２４】
　前記データファイルが，ＧＤＳＩＩフォーマットを有する，請求項２３に記載の方法。
　【請求項２５】
　前記データファイルが，ＧＥＲＢＥＲフォーマット（登録商標）を有する，請求項２３に記載の方法。」
　
第５　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
（１）引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１０−１５７７０４号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は，当審で付加した。以下同じ。）
　ア　「【０００１】
　本発明は，一般に，
金属−絶縁体−金属（metal-insulator-metal，ＭＩＭ）キャパシタ，及びその製造方法
　イ　「【００２２】
　図１はまた，
半導体基板１０
ゲート１６
第１のスペーサ１８
【００２３】
　ゲート誘電体１４は，真空で測定すると約４から約２０までの誘電定数を有するシリコンの酸化物，窒化物及び酸窒化物のような従来の誘電体材料を含むことができる。或いは，ゲート誘電体１４は，一般的に，約２０から約１００まで（又は，少なくとも約１００）の誘電定数を有するより高い誘電定数のゲート誘電体材料を含むこともできる。こうしたより高い誘電定数のゲート誘電体材料は，限定されるものではないが，酸化ハフニウム，ハフニウム・シリケート，酸化チタン，チタン酸バリウム・ストロンチウム（ＢＳＴ），及びジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）を含むことができる。ゲート誘電体１４は，ゲート誘電体１４の組成の材料に適した幾つかの方法のいずれかを用いて形成することができる。限定するものではないが，熱又はプラズマ酸化又は窒化法，化学気相堆積法，及び物理気相堆積法が含まれる。典型的には，ゲート誘電体１４は，約１ナノメートルから約１０ナノメートルまでの厚さを有する熱酸化シリコン誘電体材料，又は約２ナノメートルから約１０ナノメートルまでの厚さを有するより高い誘電定数の誘電体材料を含む。
【００２４】
　
ゲート１６は，限定されるものではないが，特定の金属，金属合金，金属窒化物，及び金属シリサイド，並びにそれらの積層体及びそれらの複合体を含む材料を含むことができる。ゲート１６はまた，ドープされたポリシリコン及びドープされたポリシリコン・ゲルマニウム合金材料（すなわち，１立方センチメートル当たり約１×１０１８ドーパント原子から約１×１０２２ドーパント原子までのドーパント濃度を有する）と，ポリサイド材料（ドープされたポリシリコン／金属シリサイド・スタック材料）とを含むこともできる。
【００２５】
　下記にさらに詳細に説明されるように，
第１のスペーサ１８は，一般に，少なくとも部分的に誘電体スペーサ材料を含む。
【００２６】
　第２のスペーサ２０は，適切なエッチング選択性を与えるために，第１のスペーサ１８と比べて異なるスペーサ材料を含む。
第１のスペーサ１８が例えば窒化シリコン材料を含む
　ウ　「【００３２】
　
コンタクト・ビア２８は，一般に，ゲート１６を構成することができる，幾つかの上記に列挙した導体材料のいずれかを含むことができる。上記の開示によれば，そのような適切な導体材料として，必ずしも限定されるものではないが，特定の金属，金属合金，金属シリサイド，金属窒化物，ドープされたポリシリコン，及びポリサイド導体材料が含まれる。コンタクト・ビア２８を構成することができる特定の導体材料として，限定されるものではないが，タングステン，チタン，及びタンタル金属，それらの合金，それらの窒化物，及びそれらのシリサイドが含まれる。
　エ　「【００４５】
　図６は，本発明の第１の実施形態を含む本発明の特定の実施形態に従った，半導体構造体の概略断面図を示す。
半導体構造体は，垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタ
ゲート１６の横方向に隣り合って接近して配置された第１のスペーサ１８は，キャパシタ誘電体を含む。最終的に，垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタ内では，第１のスペーサ１８の横方向に隣り合って接近して配置されたコンタクト・ビア２８’は，別のキャパシタ・プレートを含む
　オ　図６には，
「半導体基板１０上にキャパシタ・プレートとなるゲート１６と，
　前記ゲート１６の横方向に隣りあって近接して配置された第１のスペーサ１８と，
　前記スペーサの横方向に隣りあって接近して配置された別のキャパシタ・プレートとなるコンタクト・ビア２８’と，
　から構成される金属−絶縁体−金属キャパシタ。」
　が記載されていると認められる。
（２）引用装置発明１
　したがって，引用文献１には次の発明（以下，「引用装置発明１」という。）が記載されていると認められる。
「半導体基板１０上にキャパシタ・プレートとなるゲート１６と，
　前記ゲート１６の横方向に隣りあって近接して配置された第１のスペーサ１８と，
　前記スペーサの横方向に隣りあって接近して配置された別のキャパシタ・プレートとなるコンタクト・ビア２８’と，
　から構成される金属−絶縁体−金属キャパシタ。」
２　引用文献２について
（１）引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された特表２０１２−５２０５７４号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　ア　「【０００１】
　本発明の開示は，一般に，
半導体デバイス上でのキャパシタの製作に関する。
　イ　「【００４０】
　前述の開示されたデバイスおよび機能性は，
コンピュータ可読性媒体に保存されたコンピュータファイル
ＧＤＳＩＩ，ＧＥＲＢＥＲ
電子デバイス製造プロセス
　ウ　「【００４４】
　
設計用コンピュータ１６１４は，ファイルフォーマットに適合するように，回路設計情報１６２２を含めた設計情報を変換するよう構成されていてもよい。
平面幾何形状，テキストラベル，および階層フォーマットにおける回路レイアウトに関するその他の情報を表すデータベースバイナリファイルフォーマット，例えばグラフィカルデータシステム（ＧＤＳＩＩ）ファイルフォーマット
　エ　「【００４８】
　コンピュータ１６４６は，
回路基板におけるパッケージ化された半導体デバイスの物理的位置情報，並びにトレースおよびビアなどの電気接続のレイアウトを含むデータを有するＧＥＲＢＥＲファイル
　オ　図１６には，以下のものが記載されている。
　
　「ＧＤＳＩＩファイルフォーマットやＧＥＲＢＥＲファイルフォーマットを利用した設計情報を含むデータファイルにしたがって，半導体デバイス上にキャパシタを製作し，キャパシタを含む電子デバイスを製造する製造方法。」
（２）引用製造方法発明２
　したがって，引用文献２には次の発明（以下，「引用製造方法発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「ＧＤＳＩＩファイルフォーマットやＧＥＲＢＥＲファイルフォーマットを利用した設計情報を含むデータファイルにしたがって，半導体デバイス上にキャパシタを製作し，キャパシタを含む電子デバイスを製造する製造方法。」
３　引用文献３について
（１）引用文献３
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１１−２９２４９号公報（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　ア　「【０００１】
　本発明は，半導体装置に関する。より詳細には，
容量素子を備える半導体装置
　イ　「【００２８】
　
第１電極プラグ１０（Ａ）
第２電極プラグ１０（Ｂ）
【００２９】
　
第２電極プラグ２０（Ｂ）
第１配線層Ｍ１
【００３０】
　第１電極プラグ１０（Ａ）と，第２電極プラグ１０（Ｂ）及び第２電極プラグ２０（Ｂ）は，図１に示すように，平面視上，粒状に配置されたコンタクトプラグからなる。第１電極プラグ１０（Ａ）と，第２電極プラグ１０（Ｂ）及び第２電極プラグ２０（Ｂ）は，図１中のＸ方向（第１の方向）において交互に配置されている。そして，
隣接する第１電極プラグ１０（Ａ）と第２電極プラグ１０（Ｂ）の間で容量を形成する
　ウ　図２には，
　「半導体基板上２に形成された第１電極型プラグコンタクトプラグ１０（Ａ）と第２電極型プラグ１０（Ｂ）を備え，前記第２電極型プラグ１０（Ｂ）が第１配線層Ｍ１（Ｂ）を介して第２電極型プラグ２０（Ｂ）と接合するディレイ容量（キャパシタ）３２」
　が記載されていると認められる。
　
（２）引用装置発明３
　したがって，引用文献３には次の発明（以下，「引用装置発明３」という。）が記載されていると認められる。
「半導体基板上２に形成された第１電極型プラグコンタクトプラグ１０（Ａ）と第２電極型プラグ１０（Ｂ）を備え，前記第２電極型プラグ１０（Ｂ）が第１配線層Ｍ１（Ｂ）を介して第２電極型プラグ２０（Ｂ）と接合するキャパシタ３２。」
４　引用文献４について
（１）引用文献４
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１０−１１８５９７号公報（以下，「引用文献４」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　ア　「【０００１】
　本発明は，半導体装置に関する。より詳しくは，規則性のあるレイアウト領域を有する半導体装置に関する。」
　イ　「【００４４】
　図９に，本実施形態３に係る半導体装置３０１のＳＲＡＭ部３Ｂとロジック回路部３Ａの模式的な部分断面図示す。ロジック回路部３Ａにおいては，
下層導電層と第１配線層Ｍ１は，下層導電層の直上に延在されたＭ１−接続プラグ１０を介して接続されている
　ウ　図９には，
　「半導体基板２及びゲート電極７に結合した下層導電層は，前記下層導電層の直上に延在されたＭ１−接続プラグ１０を介して第１配線層Ｍ１に接続された半導体装置。」
　が記載されていると認められる。
（２）引用装置発明４
　したがって，引用文献４には次の発明（以下，「引用装置発明４」という。）が記載されていると認められる。
　「半導体基板２及びゲート電極７に結合した下層導電層は，前記下層導電層の直上に延在されたＭ１−接続プラグ１０を介して第１配線層Ｍ１に接続された半導体装置。」
　
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用装置発明１との対比
　ア　引用装置発明１の「半導体基板１１」は，本願発明１の「基板」に相当する。
　イ　引用装置発明１の「ゲート１６」は，金属等の導電体を用いるので，本願発明１の「導電性ゲート１６」に相当する。
　ウ　引用装置発明１の「基板と接合する別のキャパシタ・プレートとなるコンタクト・ビア２８’」は，下記相違点（１），（４）の点を除き，本願発明１の「コンタクトメタル」に相当する。
　エ　引用装置発明１の「金属−絶縁体−金属キャパシタ」は，誘電体材料に関する下記相違点（２）を除き，本願発明１と「金属−誘電体材料−金属キャパシタ」の点で共通する。
　とすると，本願発明１は引用装置発明１とは，下記オの点で一致し，下記カの点で相違すると認められる。
　オ　一致点
「基板上に結合された導電性ゲート材料と，
，コンタクトメタルを備える
　金属−誘電体材料−金属キャパシタ。」
　カ　相違点
　相違点（１）
　本願発明１では，「コンタクトメタルが前記導電性ゲート材料と共通しない少なくとも一つの材料を含む」のに対して，引用装置発明１では，コンタクトメタル材料と導電性ゲート材料との関係について限定はしていない点。
　相違点（２）
　本願発明１では，誘電体材料として酸化物を用いた，「金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）キャパシタデバイス」であるのに対して，引用装置発明１では，キャパシタを構成する誘電体材料として酸化物に特定されていない点。
　相違点（３）
　本願発明１は，「導電性ゲート材料に結合された第１のメタル構造」を有するのに対して，引用装置発明１では，導電性ゲート材料に結合する第１のメタル構造を有しない点。
　相違点（４）
　本願発明１では，「基板に結合され，かつ前記第１のメタル構造に近接する第２のメタル構造であって，前記第２のメタル構造がコンタクトメタルを含む」のに対して，引用装置発明１では第２のメタル構造を有しない点。
　相違点（５）
　本願発明１では，「前記第２のメタル構造がビア構造によって高位メタル構造によって結合される」のに対して，引用装置発明１では，第２のメタル構造がないため，高位メタルに結合する構造を有しない点。
（２）相違点についての判断
　以下，相違点（１）について検討する。
　本願発明１は，ＩＣの小さい表面積を追求しながら，大きいキャパシタンスを得ることを技術的課題としており，当該技術的課題に対して，コンタクトメタルと導電性ゲート材料との関係について，コンタクトメタルが前記導電性ゲート材料と共通しない少なくとも一つの材料とする条件を採用するという解決手段を見いだしたものと解される（相違点（１）に対応）。当該条件を必要とする理由は，キャパシタの電極間距離として，最小許容コンタクト間ピッチまたは最小許容ゲート間ピッチよりもさらに小さい最小許容ゲート−コンタクト間ピッチを採用することによって，キャパシタの電極間距離を小さくし，キャパシタの容量を大きくするためである。前記解決手段について，引用文献１ないし４のいずれにも記載されておらず，また示唆もされていない。　
　また，当該条件を採用する事により，設計ルールに従った利用可能な電極間の最小許容距離を採用し，小さい表面積で大きい容量を確保できるキャパシタの実現という有利な効果を奏している（本願明細書段落【００１９】〜【００２１】）。
　さらに，引用装置発明１，３，４は，相違点（１）ないし（５）に関する一部の構成を開示しているものの，これらを同時に備える事について記載されておらず，また示唆もされていない。
　したがって，本願発明１は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
２　本願発明２ないし９について
　本願発明２ないし９は，本願発明１の発明特定事項を全て含みさらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，前記１（２）のとおり，本願発明１が引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上，請求項２ないし９に係る発明についても，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
３　本願発明１０について
（１）本願発明１０と引用製造方法発明１との対比
　前記第５の１（１）アないしオを参照すると，引用文献１には，以下の発明（以下，「引用製造方法発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　「半導体基板１０上にキャパシタ・プレートとなるゲート１６を形成するステップと，
　前記ゲート１６の横方向に隣りあって近接して配置された第１のスペーサ１８を形成するステップと，
　前記スペーサの横方向に隣りあって接近して配置された別のキャパシタ・プレートとなるコンタクト・ビア２８’を形成するステップ
　を含む金属−絶縁体−金属キャパシタを形成する方法。」
　
　前記１（１）アないしエを参照すると，本願発明１０と引用製造方法発明１とは下記アの点で一致し，下記イの点で相違する。
　ア　一致点
　「金属−誘電体材料−金属キャパシタデバイスを形成する方法であって，
　第１の電極を形成するステップであり，前記第１の電極が基板に結合された導電性ゲート材料を含むステップと，
　前記基板に結合されるコンタクトメタルを形成するステップ，を含む。」
　イ　相違点　
　相違点（１）
　本願発明１０では，「コンタクトメタルが前記導電性ゲート材料と共通しない少なくとも一つの材料を含む」のに対して，引用製造方法発明１では，コンタクトメタル材料と導電性ゲート材料との関係について限定はしていない点。
　相違点（２）
　本願発明１０では，キャパシタを構成する誘電体材料として酸化物を採用し，「金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）キャパシタデバイスを形成する方法」であるのに対して，引用製造方法発明１では，キャパシタを構成する誘電体材料として酸化物に特定されていない点。
　相違点（３）
　本願発明１０では，「前記基板に結合され，かつ前記第１の電極に近接する第２の電極を形成するステップであり，前記第２の電極がコンタクトメタルを含むメタル構造を含む」のに対して，引用製造方法発明１では，第２の電極を形成するステップを有しない点。
　相違点（４）
　本願発明１０では，「前記メタル構造は高位メタル結合に結合されるビア構造を形成するステップ」を有するのに対して，引用製造方法発明１では，高位メタル結合していないため当該ステップを有しない点。
　
（２）相違点についての判断
　前記相違点（１）は本願発明１の相違点（１）と共通しているため，前記１（２）と同様の理由により，本願発明１０は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
４　本願発明１１ないし１３について
　本願発明１１ないし１３は，本願発明１０の発明特定事項を全て含みさらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，前記３（２）のとおり，本願発明１０が引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない以上，請求項１１ないし１３に係る発明についても，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものと認められない。
５　本願発明１４について
（１）本願発明１４と引用装置発明１との対比
　ア　引用装置発明１の「ゲート１６」は基板に結合し，導電性を有し，一方のキャパシタ電極として機能するので，本願発明１４の「基板に結合された電荷を伝導するための第１の手段が第１のキャパシタレートに対応し，電荷を伝導するための前記第１の手段が導電性ゲート材料を含む電荷を伝導するための第１の手段」に相当する。
　イ　引用装置発明１の「コンタクト・ビア２８’」は基板に結合し，導電性を有し，他方のキャパシタ電極として機能するので，下記相違点（１）の点を除き，本願発明１４の「前記基板に結合された電荷を伝導するための第２の手段であって，電荷を伝導するための前記第２の手段が第２のキャパシタプレートに対応し，電荷を伝導するための前記第２の手段がコンタクトメタルを含み，」「電荷を伝導するための前記第１の手段が電荷を伝導するための前記第２の手段に近接する，電荷を伝導するための第２の手段」に相当する。
　とすると，前記１（１）アないしエを参照すると，本願発明１４と引用装置発明１とは以下のウの点で一致し，エの点で相違する。
　ウ　一致点
　「基板に結合された電荷を伝導するための第１の手段が第１のキャパシタプレートに対応し，電荷を伝導するための前記第１の手段が導電性ゲート材料を含む電荷を伝導するための第１の手段と，
　前記基板に結合された電荷を伝導するための第２の手段であって，電荷を伝導するための前記第２の手段が第２のキャパシタプレートに対応し，電荷を伝導するための前記第２の手段がコンタクトメタルを含み，電荷を伝導するための前記第１の手段が電荷を伝導するための前記第２の手段に近接する，電荷を伝導するための第２の手段コンタクトメタルを，
　備える，金属−誘電体材料−金属キャパシタデバイス。」
　エ　相違点　
　相違点（１）
　本願発明１４では，コンタクトメタルが前記導電性ゲート材料と共通しない少なくとも一つの材料を含むのに対して，引用装置発明１では，コンタクトメタル材料と導電性ゲート材料との関係について限定はしていない点。
　相違点（２）
　本願発明１４では，キャパシタを構成する誘電体材料として酸化物を採用し，「金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）キャパシタデバイス」であるのに対して，引用装置発明１では，キャパシタを構成する誘電体材料は酸化物に特定されていない点。
　相違点（３）
　本願発明１４では，「コンタクトメタルを高位メタル構造に結合させる電荷を伝導するための第３の手段」を備えているに対して，引用装置発明１では，前記第３の手段を有しない点
（２）相違点についての判断
　前記相違点（１）は本願発明１の相違点（１）と共通しているため，前記１（２）と同様の理由により，本願発明１４は，引用文献１，３，４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
６　本願発明１５ないし１９について
　本願発明１５ないし１９は，本願発明１４の発明特定事項を全て含みさらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，前記５（２）のとおり，本願発明１４が引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上，請求項１５ないし１９に係る発明についても，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
７　本願発明２０について
（１）本願発明２０と引用媒体発明１との対比
　前記１（１）アないしオを参照した上で，コンピュータによって，キャパシタを形成する事は慣用手段であるから，引用文献１には以下の発明（以下，「引用媒体発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「プロセッサによって実行されるときにキャパシタデバイスの製作を始めさせるプロセッサ実行可能な命令を含んだコンピュータ可読媒体であって，前記キャパシタデバイスが，
　半導体基板１０上にキャパシタ・プレートとなるゲート１６を形成するステップと，
　前記ゲート１６の横方向に隣りあって近接して配置された第１のスペーサ１８を形成するステップと，
　前記スペーサの横方向に隣りあって接近して配置された別のキャパシタ・プレートとなるコンタクト・ビア２８’を形成するステップと，
　を含む金属−絶縁体−金属キャパシタを形成する方法によって製作される。」
　すると，本願発明２０と引用媒体発明１とは下記アの点で一致し，下記イの点で相違する。
　ア　一致点
　「プロセッサによって実行されるときにキャパシタデバイスの製作を始めさせるプロセッサ実行可能な命令を含んだコンピュータ可読媒体であって，
　第１電極を形成するステップであり，第１の電極が導電性ゲート材料を含むステップと，
　第２電極を形成するステップであり，コンタクトメタルを形成するステップを含むによって製作される。」
　イ　相違点
　相違点（１）
　本願発明２０では，コンタクトメタルが前記導電性ゲート材料と共通しない少なくとも一つの材料を含むのに対して，引用媒体発明１では，コンタクトメタル材料と導電性ゲート材料との関係について限定はしていない点。
　相違点（２）
　本願発明２０では，キャパシタを構成する誘電体材料として酸化物を採用し，「金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）キャパシタデバイス」であるのに対して，引用媒体発明１では，キャパシタを構成する誘電体材料は酸化物に特定されていない点。
　相違点（３）
　本願発明２０では，「前記第１の電極が，第１のビア構造によって第１の高位メタル構造に結合されたステップを有するに対して，引用媒体発明１では，当該ステップを有しない点。
（２）相違点についての判断
　前記相違点（１）は本願発明１の相違点（１）と共通しているため，前記１（２）と同様の理由により，本願発明２０は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
８　本願発明２１及び２２について
　本願発明２１及び２２は，本願発明２０の発明特定事項を全て含みさらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，前記７（２）のとおり，本願発明２０が引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない以上，請求項２１及び２２に係る発明についても，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
９　本願発明２３について
（１）本願発明２３と引用製造方法発明１との対比
　前記１（１）アないしウを考慮すると，本願発明２３と引用製造方法発明１とは下記アの点で一致し，下記イの点で相違する。
　ア　一致点
　「半導体デバイスを製作するステップであり，
　半導体デバイスが金属−誘電体材料−金属キャパシタを含み，当該キャパシタが，
　基板に結合された導電性ゲート材料と，
　コンタクトメタルを形成するステップを含む。」
　イ　相違点
　相違点（１）
　本願発明２３では，コンタクトメタルが前記導電性ゲート材料と共通しない少なくとも一つの材料を含むのに対して，引用製造方法発明１では，コンタクトメタル材料と導電性ゲート材料との関係について限定はしていない点。
　相違点（２）
　本願発明２３では，「半導体デバイスに対応する設計情報を含むデータファイルを受信するステップ」を有するのに対して，引用製造方法発明１では，当該ステップを有しない点。
　相違点（３）
　本願発明２３では，キャパシタを構成する誘電体材料として酸化物を採用し，「金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）キャパシタデバイス」であるのに対して，引用製造方法発明１では，キャパシタを構成する誘電体材料は酸化物に特定されていない点。
　相違点（４）
　本願発明２３では，「導電性ゲート材料に結合した第１のメタル構造」を有するのに対して，引用製造方法発明１では，第１のメタル構造を有しない点。
　相違点（５）
　本願発明２３では，「前記基板に結合され，かつ前記第１のメタル構造に近接する第２のメタル構造でり，前記第２のメタル構造がコンタクトメタルを含」むのに対して，引用製造方法発明１では，第２のメタル構造を有しない点。
　相違点（６）
　本願発明２３では，「前記第１のメタル構造が第１のビア構造によって第１の高位メタル構造に結合される，第２のメタル構造とを含む，ステップ」を有するに対して，引用製造方法発明１では，当該ステップを有しない点。
（２）相違点についての判断
　前記相違点（１）は本願発明１の相違点（１）と共通しているため，また，引用文献２に記載された引用製造方法発明２は前記相違点（２）の構成を開示しているのに留まるので，前記１（２）と同様の理由により，本願発明２３は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
１０　本願発明２４，２５について
　本願発明２４及び２５は，本願発明２３の発明特定事項を全て含みさらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，前記９（２）のとおり，本願発明２３が引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない以上，請求項２４及び２５に係る発明についても，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
第７　原査定について
　前記６で検討したように，本願発明１ないし２５は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第８　結言
　以上のとおりであるから，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　
　よって，結論のとおり審決する。