【事件の表示】
　特願２０１２−５２５７５７「ミスフィット転位を有する部分的または完全に弛緩したＡｌＩｎＧａＮ層による半極性窒化物量子井戸の異方性ひずみ制御」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　２月２４日国際公開、ＷＯ２０１１／０２２７３０、平成２５年　１月２４日国内公表、特表２０１３−５０２７３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、２０１０年８月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００９年８月２１日（優先権主張番号６１／２３６０５８）、２００９年８月２１日（優先権主張番号６１／２３６０５９）、何れも米国）を国際出願日とする出願であって、平成２６年３月１２日付けで拒絶理由が通知され、同年９月５日に明細書及び特許請求の範囲が補正され、同年１２月１２日付けで拒絶査定がされ、これに対して、平成２７年４月１７日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に特許請求の範囲が補正されたものである。
　
第２　平成２７年４月１７日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年４月１７日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を
　「ＩＩＩ族窒化物ベースの光学素子のためのエピタキシャル構造であって、
　ＩＩＩ族窒化物下層の上または上方に異方性歪みを有して形成された無極性または半極性ＩＩＩ族窒化物活性層を備え、該下層の格子定数および歪みは、該下層下のヘテロ界面におけるミスフィット転位の存在に起因して、少なくとも１つの方向に基板に対して部分的または完全に緩和され、それにより、該活性層の該異方性歪みが、該下層によって調節され、
　該ＩＩＩ族窒化物下層
の組成および厚さ
のインジウム組成
紫外線波長以上に対応する
　
該活性層のインジウム組成ｘは、０＜ｘ≦ｎの範囲内であり、ｎは、１０％よりも大きく、
　
該下層の組成は、０＜ｙ≦ｍの範囲内のインジウム組成ｙを含み、ｍは、１０％よりも大きく、
　
該活性層のインジウム組成は、該所望の動作波長が得られるように、該異方性歪みおよび該下層の組成を考慮して選択される
　
２　先願
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先日前の特許出願であって、発明者及び出願人が本願と異なる特願２００９−１６５９８２号（特開２０１０−１１４４１８号公報参照。）の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「先願明細書等」という。）には次の記載がある（下線は、当審による。）。
　
（１）「【０００１】　
　本発明は、窒化ガリウム系半導体発光素子、窒化ガリウム系半導体発光素子を作製する方法、窒化ガリウム系発光ダイオード、エピタキシャルウエハ、及び窒化ガリウム系発光ダイオードを作製する方法に関する。」
　
（２）「【００６７】
　図６〜図８を参照しながら、窒化ガリウム系発光ダイオード及びレーザダイオードといった窒化物系半導体光素子を作製する方法及び
窒化物系半導体光素子のためのエピタキシャルウエハ
【００６８】
　基板５１のエッジ上に２点間の距離の最大値Ｄｉａは４５ｍｍ以上であることができる。最大値Ｄｉａは、例えば基板の直径である。このような基板５１は例えばウエハと呼ばれている。基板５１の裏面５１ｂは、基板５１と実質的に平行であることができる。
【００６９】
　引き続く工程では、基板５１の主面５１ａ上に半導体結晶がエピタキシャルに成長される。基板５１の主面５１ａのオフ角は、所定の膜厚を超えるＩｎＧａＮ層とＧａＮ層またはＡｌＧａＮ層との界面に異方性格子緩和を引き起こす程度のミスフィット転位を発生させるように選択される。上記の傾斜角の主面５１ａの基板５１は、活性層内の井戸層に内包される歪みの異方性が大きくなるように、エピタキシャル半導体領域を形成することを可能にする。
【００７０】
　基板５１を成長炉１０に配置する。成膜に先立って、成長炉１０にガスを供給しながら基板５１に熱処理を行う。この熱処理によって、改質された主面が形成される。この熱処理は、アンモニア及び水素を含むガスの雰囲気中で行われることができる。熱処理温度は、例えば摂氏１０００度であることができる。熱処理時間は、例えば１０分程度である。この工程によれば、主面５１ａの傾斜によって、半極性の主面にはｃ面主面とは異なる表面構造が形成される。成膜に先立つ熱処理を基板５１の主面５１ａに施すことによって、ｃ面主面では得られない半導体主面に改質が生じる。窒化ガリウム系半導体からなるエピタキシャル成長膜が、基板５１の改質された主面上に堆積される。この成長のために有機金属気相成長法が用いられる。成長用の原料ガスとしては、ガリウム源、インジウム源、アルミニウム源及び窒素源が使用される。ガリウム源、インジウム源及び窒素源は、それぞれ、例えばＴＭＧ、ＴＭＩ、ＴＭＡ及びＮＨ３である。
【００７１】
　図６（ｂ）に示されるように、熱処理の後に、工程Ｓ１０２では、成長炉１０に原料ガスＧ１を供給して、
第１導電型窒化ガリウム系半導体領域５３を基板５１の表面上にエピタキシャルに成長する
本実施例では、
基板５１上にｎ型ＧａＮ層を摂氏９５０度で成長される
【００７２】
　必要な場合には、熱処理の後に、基板５１上にｎ型ＡｌＧａＮ層が成長される。ｎ型ＡｌＧａＮ層の成長に替えて、ＧａＮバッファ層を成長することができる。ｎ型ＡｌＧａＮ層は例えば基板５１の全表面を覆う中間層であり、例えば摂氏１１００度で成長される。ｎ型ＡｌＧａＮ層の例えば厚さは５０ｎｍである。このとき、窒化ガリウム系半導体領域５３は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層として、ｎ型ＡｌＧａＮ層及びｎ型ＧａＮ層を含むことができる。ｎ型ＡｌＧａＮ層及びｎ型ＧａＮ層は、基板５１の半極性主面上に順にエピタキシャルに成長される。窒化ガリウム系半導体領域５３の主面５３ａは、基板５１の主面５１ａのオフ角を反映したオフ角を有しており、また半極性を示す。窒化物系半導体光素子がレーザダイオードであるとき、バッファ層及び中間層の成長の後に、ｎ型クラッド層を成長する。また、ｎ型クラッド層としてＡｌＧａＮ層又はＩｎＡｌＧａＮ層を用いることができる。
【００７３】
　次いで、図６（ｃ）に示されるように、成長炉１０に原料ガスＧ２を供給して、工程Ｓ１０３では、
ｎ型ＧａＮ層５３の半極性主面の直上にｎ型ＩｎＧａＮ層５５を摂氏８４０度で成長される。ｎ型ＩｎＧａＮ層５５は、例えば異方性格子緩和を引き起こすためには格子緩和層であり、好ましくはこの格子緩和層の直上に活性層が成長され
ＩｎＧａＮ層５５のインジウム組成は０．０２以上
ＩｎＧａＮ層５５と窒化ガリウム系半導体領域５３との界面Ｊ２に所定の密度以上でミスフィット転位を発生させるように、ＩｎＧａＮ層５５のインジウム組成及び厚さが選択され
【００７４】
　次の工程では、図７に示されるように、窒化物系半導体発光ダイオード又はレーザダイオードの活性層を形成する。活性層は、例えば４４０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域にピーク波長を有する発光スペクトルを生成するように設けられる。
【００７５】
　この方法によれば、
半導体領域５３とＩｎＧａＮ層５５との間に大きな格子定数差がある
ＩｎＧａＮ層５５と半導体領域５３との界面Ｊ２に、ミスフィット転位が生成さ
れる。該ミスフィット転位は、半導体領域５３の主面５３ａの傾斜方向に応じた異方的な格子緩和をＩｎＧａＮ層５５に生成される。ＩｎＧａＮ層５５上に活性層を成長するとき、活性層には異方性の大きな応力が加えられる
【００７６】
　また、ＩｎＧａＮ層５５の主面５５ａは、基準軸Ｃｘの傾斜方向に交差する方向に延びる筋状のモフォロジを有することができる。この表面モフォロジはミスフィット転位の滑り面と関連している。
【００７７】
　工程Ｓ１０４では、図７（ａ）に示されるように、工程Ｓ１０４では、成長炉１０に原料ガスＧ３を供給して、窒化ガリウム系半導体からなる障壁層５７を形成する。成長炉１０に原料ガスＧ２を供給して、障壁層５７はＩｎＧａＮ層５３層上に成長温度ＴＢで成長される。成長温度ＴＢは、例えば摂氏７００度以上摂氏９００度以下である。この
障壁層５７はＩｎ
Ｙ
Ｇａ
１−Ｙ
Ｎ（インジウム組成Ｙ：０≦Ｙ≦０．０２、Ｙは歪み組成）からなり、例えばＧａＮ又はＩｎＧａＮである
障壁層５７は、主面５５ａ上に成長されるので、障壁層５７の表面も半極性を示す
【００７８】
　障壁層５７の成長終了後に、ガリウム原料の供給を停止して窒化ガリウム系半導体の堆積を停止させる。障壁層５７を成長した後に、井戸層を成長する前に成長温度ＴＢから成長温度ＴＷに成長炉の温度を変更する。この変更期間中に、例えばアンモニアといった窒素源ガスを成長炉１０に供給する。
【００７９】
　工程Ｓ１０５では、図７（ｂ）に示されるように、成長炉１０の温度を井戸層成長温度ＴＷに保ちながら、障壁層５７上に量子井戸構造のための井戸層５９を成長する。
井戸５７はＩｎ
Ｘ
Ｇａ
１−Ｘ
Ｎ（インジウム組成Ｘ：０＜Ｘ＜１、Ｘは歪み組成）といった、インジウムを含む窒化ガリウム系半導体からなる
Ｉｎ
Ｘ
Ｇａ
１−Ｘ
Ｎ井戸層５９のインジウム組成Ｘは、０．１３より大きいことができる。井戸層５９のＩｎ
Ｘ
Ｇａ
１−Ｘ
Ｎは０．３より小さいことができる。この範囲のインジウム組成のＩｎＧａＮの成長が可能となり、波長４４０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の発光素子を得ることができ
井戸層５９の主面は、障壁層５７の主面上にエピタキシャルに成長されるので、井戸層５９の表面は、障壁層５７の表面と同様に半極性を示す
【００８０】
　工程Ｓ１０６で同様に繰り返し成長を行って、図７（ｃ）に示されるように
量子井戸構造の活性層６
活性層６１は例えば３つの井戸層５９と４つの障壁層５７を含む
　　　　
（３）上記によれば、先願明細書等には、
　「第１導電型窒化ガリウム系半導体領域５３を基板５１の表面上にエピタキシャルに成長し、窒化ガリウム系半導体領域５３の半極性主面の直上にｎ型ＩｎＧａＮ層５５を成長し、ｎ型ＩｎＧａＮ層５５の直上に活性層を成長した、窒化物系半導体光素子のためのエピタキシャルウエハであって、
　ＩｎＧａＮ層５５のインジウム組成は、０．０２以上であり、　
　ＩｎＧａＮ層５５のインジウム組成及び厚さは、ＩｎＧａＮ層５５と窒化ガリウム系半導体領域５３との界面Ｊ２に所定の密度以上でミスフィット転位を発生させるように選択され、窒化ガリウム系半導体領域５３とＩｎＧａＮ層５５との間に大きな格子定数差があり、ＩｎＧａＮ層５５と窒化ガリウム系半導体領域５３との界面Ｊ２に、ミスフィット転位が生成され、該ミスフィット転位は、窒化ガリウム系半導体領域５３の主面５３ａの傾斜方向に応じた異方的な格子緩和をＩｎＧａＮ層５５に生成し、ＩｎＧａＮ層５５上に活性層を成長するとき、活性層には異方性の大きな応力が加えられ、
　活性層は、例えば３つの井戸層５９と４つの障壁層５７を含む量子井戸構造の活性層６１であり、　
　障壁層５７は、ＩｎＹＧａ１−ＹＮ（インジウム組成Ｙ：０≦Ｙ≦０．０２、Ｙは歪み組成）からなり、例えばＧａＮ又はＩｎＧａＮであり、その表面は半極性を示し、
　井戸層５９は、ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（インジウム組成Ｘ：０＜Ｘ＜１、Ｘは歪み組成）といった、インジウムを含む窒化ガリウム系半導体からなり、ＩｎＸＧａ１−ＸＮ井戸層５９のインジウム組成Ｘは、０．１３より大きく、波長４４０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の発光素子を得ることができ、
　井戸層５９の表面も、障壁層５７の表面と同様に半極性を示す、エピタキシャルウエハ。」（以下「先願発明」という。）が記載されているものと認められる。
　                                                            
３　対比・判断
　本願補正発明と先願発明を対比する。
（１）先願発明は、「窒化物系半導体光素子のためのエピタキシャルウエハ」であるから、本願補正発明と同様に「ＩＩＩ族窒化物ベースの光学素子のためのエピタキシャル構造」といえる。  　
　　
（２）先願発明の「ＩｎＧａＮ層５５」が本願補正発明の「ＩＩＩ族窒化物下層」に相当するところであり、先願発明の「活性層」は、「ＩｎＧａＮ層５５」の直上に成長したものであり、「異方性の大きな応力が加えられ」たものであり、また、その「障壁層５７」及び「井戸層５９」の表面は半極性を示すから、本願補正発明の「ＩＩＩ族窒化物下層の上または上方に異方性歪みを有して形成された無極性または半極性ＩＩＩ族窒化物活性層」に相当する。                   　
　　　
（３）先願発明の「ＩｎＧａＮ層５５と窒化ガリウム系半導体領域５３との界面Ｊ２」が本願補正発明の「下層下のヘテロ界面」に相当するところであり、先願発明において、「（ＩｎＧａＮ層５５と窒化ガリウム系半導体領域５３との界面Ｊ２に生成された）ミスフィット転位は、窒化ガリウム系半導体領域５３の主面５３ａの傾斜方向に応じた異方的な格子緩和をＩｎＧａＮ層５５に生成し、ＩｎＧａＮ層５５上に活性層を成長するとき、活性層には異方性の大きな応力が加えられ」るから、先願発明の「ＩｎＧａＮ層５５」は、本願補正発明の「下層」と同様に、「下層の格子定数および歪みは、該下層下のヘテロ界面におけるミスフィット転位の存在に起因して、少なくとも１つの方向に基板に対して部分的または完全に緩和され、それにより、該活性層の該異方性歪みが、該下層によって調節され」るものといえる。
　　　
（４）先願発明において、「ＩｎＧａＮ層５５のインジウム組成及び厚さは、ＩｎＧａＮ層５５と窒化ガリウム系半導体領域５３との界面Ｊ２に所定の密度以上でミスフィット転位を発生させるように選択され」、「活性層には異方性の大きな応力が加えられ」、また、「（活性層の）ＩｎＸＧａ１−ＸＮ井戸層５９のインジウム組成Ｘは、０．１３より大きく」され、これにより「波長４４０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の発光素子を得ることができ」るから、先願発明は、本願補正発明と同様に「該ＩＩＩ族窒化物下層の組成および厚さ、該異方性歪み、および、該無極性または半極性ＩＩＩ族窒化物活性層のインジウム組成は、該光学素子のための紫外線波長以上に対応する所望の動作波長を得るように選択され」ているといえる。
　　
（５）先願発明において、「（活性層の）ＩｎＸＧａ１−ＸＮ井戸層５９のインジウム組成Ｘは、０．１３より大きく」されており、先願発明が本願補正発明の「該活性層のインジウム組成ｘは、０＜ｘ≦ｎの範囲内であり、ｎは、１０％よりも大きく、」との要件を満たしていることは明らかである。
　　　　　
（６）先願発明において、「ＩｎＧａＮ層５５のインジウム組成は、０．０２以上であり」、先願発明が本願補正発明の「該下層の組成は、０＜ｙ≦ｍの範囲内のインジウム組成ｙを含み、ｍは、１０％よりも大きく、」との要件を満たしていることは明らかである。      　
　　　
（７）先願発明は、「ＩｎＧａＮ層５５のインジウム組成及び厚さは、ＩｎＧａＮ層５５と窒化ガリウム系半導体領域５３との界面Ｊ２に所定の密度以上でミスフィット転位を発生させるように選択され」、「活性層には異方性の大きな応力が加えられ」、「（活性層の）ＩｎＸＧａ１−ＸＮ井戸層５９のインジウム組成Ｘは、０．１３より大きく」され、これにより「波長４４０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の発光素子を得ることができ」るというものであるから、先願発明の「活性層のインジウム組成」は、本願補正発明と同様に「所望の動作波長が得られるように、該異方性歪みおよび該下層の組成を考慮して選択される」ものといえる。  　
　　　　
（８）以上のとおりであって、本願補正発明と先願発明に実質的な相違点は認められない。
　            　
４　むすび
　したがって、本願補正発明は、先願発明と同一であり、特許法第２９条の２の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２６年９月５日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２１に記載される事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
　「ＩＩＩ族窒化物ベースの光学素子のためのエピタキシャル構造であって、
　ＩＩＩ族窒化物下層の上または上方に異方性歪みを有して形成された無極性または半極性ＩＩＩ族窒化物活性層を備え、該下層の格子定数および歪みは、該下層下のヘテロ界面におけるミスフィット転位の存在に起因して、少なくとも１つの方向に基板に対して部分的または完全に緩和され、それにより、該活性層の該異方性歪みが、該下層によって調節され、
　該ＩＩＩ族窒化物下層、該異方性歪み、および、該無極性または半極性ＩＩＩ族窒化物活性層は、該光学素子のための所望の動作波長を得るように選択される、エピタキシャル構造。」
　　
２　判断
　本願発明は、本願補正発明において、「ＩＩＩ族窒化物下層」の組成及び厚さ、「ＩＩＩ族窒化物活性層」の組成並びに動作波長に関する限定を省いたものであるから、上記第２［理由］「３　対比・判断」における検討からみて、先願発明と同一であることは明らかである。
　　　
３　むすび
　以上のとおり、本願発明は、先願発明と同一であるので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであるから、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。　　　　よって、結論のとおり審決する。