【事件の表示】
　特願２０１１−１７４６８２「電子装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　２月２１日出願公開、特開２０１３−　３８３００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２３年８月１０日に特許出願したものであって、平成２６年１２月１９日付け拒絶理由通知に対して、平成２７年２月２３日付けで手続補正がなされたが、同年５月２７日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、同年８月３１日付けで審判請求がなされ、平成２８年６月１３日付け当審の拒絶理由通知に対して、同年８月１５日付けで手続補正がなされた。
２．本願発明
　本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成２８年８月１５日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
 「【請求項１】
　支持基板に疎水部及び親水部を形成する工程と、
　前記支持基板の前記親水部上に粘着層を形成する工程と、
　前記支持基板の前記粘着層上に電子部品を配する工程と、
　前記支持基板上に前記電子部品を覆うように被覆層を形成する工程と、
　前記被覆層上に樹脂層を形成し、前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程と、
　前記支持基板を除去する工程とを有し、
　前記疎水部及び前記親水部を形成する工程では、炭素及びフッ素を含む疎水性官能基を前記支持基板の表面に導入することにより前記疎水部を形成する
　ことを特徴とする電子装置の製造方法。」
３．引用例
（１）平成２８年６月１３日付け当審の拒絶理由通知に引用された特開２０１１−８２２８７号公報（平成２３年４月２１日公開、以下「引用例１」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」に関して図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【００３４】
　本実施形態の
半導体装置の製造方法では、
平板状の支持体１０の上に粘着シート１２を貼付する
 【００３５】
　半導体チップ２０は、各チップ領域にトランジスタなどの回路素子とそれらを接続する多層配線が設けられたシリコンウェハ（不図示）が切断されたものであり、半導体チップ２０の接続電極２０ａは多層配線に接続されている。半導体チップ２０としては、例えばＣＰＵなどのロジックＬＳＩが使用され、その厚みは３００〜７００μｍである。
 【００３６】
　そして、
支持体１０の上に粘着シート１２を介して複数の半導体チップ２０を横方向に並べて配置する。
 【００３７】
　また、
複数の半導体チップ２０は、支持体１０上の各チップ搭載領域にそれぞれ位置合わせされて配置される。
 【００３８】
　なお、
支持体１０に半導体チップ２０を仮固定（粘着）させればよく、粘着シート１２の代わりに、
半導体チップ２０の素子面Ａに粘着剤を塗布してもよい。
イ．「【００４１】
　そして、図４（ｂ）に示すように、
樹脂シート３０ａを真空雰囲気で支持体１０及び半導体チップ２０の上に貼付する（真空ラミネート）。
 【００４２】
　
これにより、四角状の半導体チップ２０の背面（素子面Ａと反対面）と四辺の側面及び粘着シート１２の上に樹脂染込防止用絶縁層３０が形成される。つまり、樹脂染込防止用絶縁層３０は、樹脂シート１２の上面、半導体チップ２０の側面及び背面に沿って膜状に形成される。これにより、半導体チップ２０の素子面と粘着シート１２との界面が樹脂染込防止用絶縁層３０で封鎖されて保護される。
ウ．「【００４４】
　続いて、図４（ｃ）に示すように、図４（ｂ）の構造体を下型４０の上に配置し、樹脂染込防止用絶縁層３０の上に樹脂基板を得るための粉末樹脂５０ａを配置する。粉末樹脂５０ａとしては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が使用される。粉末樹脂５０ａには、シリカなどのフィラーが含まれていてもよく、その含有率は例えば８０〜９０％である。
 【００４５】
　次いで、図５（ａ）に示すように、
粉末樹脂５０ａを上型４２によって下側に加圧しながら１５０〜１７０℃の温度雰囲気で加熱する。これにより、粉末樹脂５０ａが溶融／硬化すると同時に、上型４２によって樹脂が成形されて、半導体チップ２０の周囲から背面側に樹脂基板５０が形成される。
 【００４６】
　樹脂基板５０は、半導体チップ２０の背面上の樹脂染込防止用絶縁層３０の上面において１００〜３００μｍの厚みをもって形成される。樹脂基板５０は複数の半導体チップ２０を支持する支持基板として機能する。
 【００４７】
　このとき、
半導体チップ２０は樹脂染込防止用絶縁層３０で被覆されており、半導体チップ２０の素子面Ａと粘着シート１２との界面は樹脂染込防止用絶縁層３０で保護されている。
 【００４８】
　従って、
粉末樹脂５０ａが溶融／硬化する際に半導体チップ２０の素子面Ａと粘着シート１２との界面から液状樹脂が染み込んで半導体チップ２０の接続電極２０ａが染込樹脂で汚染されることが防止される。
 【００４９】
　また、半導体チップ２０は樹脂染込防止用絶縁層３０の接着作用によって、粘着シート１２に強固に固定される。これにより、樹脂基板５０を形成する際に、半導体チップ２０が液状樹脂の流れに基づく横方向への押圧力を受けるとしても、半導体チップ２０はその押圧力に耐えることができ、半導体チップ２０の横方向への位置ずれが防止される。
 【００５０】
　なお、
粉末樹脂５０ａの代わりに、エポキシ樹脂などの熱硬化性の液状樹脂を塗布し、加圧／加熱処理を行って樹脂基板５０を形成してもよい。
樹脂シートを真空雰囲気で貼付し、加圧／加熱処理を行うことにより、樹脂基板５０を得ることも可能である。
 【００５１】
　さらには、トランスファモールド工法によって
エポキシ樹脂などを注入して樹脂基板５０を形成してもよい。
エ．「【００５６】
　次いで、図５（ｃ）に戻って説明すると、
支持体１０を粘着シート１２から除去する。
 【００５７】
　さらに、図６（ａ）に示すように、図５（ｃ）の構造体から粘着シート１２を引き剥がすことにより、半導体チップ２０の接続電極２０ａ及び樹脂染込防止用絶縁層３０を露出させる。前述したように、樹脂基板５０を形成する際に、樹脂染込防止用絶縁層３０の保護によって半導体チップ２０の素子面Ａに液状樹脂が染み込まないので、半導体チップ２０の接続電極２０ａはクリーンな状態で露出する。」
　上記アないしエの記載から、引用例１の「半導体装置の製造方法」には以下の事項が記載されている。
・上記アによれば、支持体１０の上に粘着シート１２を形成し、該粘着シート１２を介して複数の半導体チップ２０を配置するものである。
・上記イによれば、半導体チップ２０の背面と四辺の側面及び粘着シート１２の上に樹脂染込防止用絶縁層３０が形成されるものである。
・上記ウによれば、半導体チップ２０の周囲から背面側に樹脂基板５０が形成されるものである。
・上記エによれば、支持体１０を粘着シート１２から除去するものである。
　よって、上記記載事項および図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
 「支持体１０の上に粘着シート１２を形成し、
　該粘着シート１２を介して複数の半導体チップ２０を配置し、
　半導体チップ２０の背面と四辺の側面及び粘着シート１２の上に樹脂染込防止用絶縁層３０が形成し、
　半導体チップ２０の周囲から背面側に樹脂基板５０を形成し、
　支持体１０を粘着シート１２から除去する
　半導体装置の製造方法。」
（２）平成２８年６月１３日付け当審の拒絶理由通知に引用された国際公開第２００６／０７７７３９号（平成１８年７月２７日公開、以下「引用例２」という。）には、「自己組織化機能を用いた集積回路装置の製造方法及び製造装置」に関して図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
オ．「【０１５４】
　上述した第１実施例ではチップ１３の仮接着用材料として粘着性を持つ「粘着材」を用いていたが、この第２実施形態では、
チップ１３の仮接着用材料として「水」を用いるため、仮接着領域７２ａには親水性を持たせている。このような仮接着領域７２ａは、 例えば、親水性を持つ二酸化シリコン（ＳｉＯ
２
）膜を使って容易に実現できる。
水を仮接着領域７２ａの上に載せると、その水は仮接着領域７２ａの表面全体に馴染んで (換言すれば、仮接着領域７２ａの表面全体が濡れて）その表面全体を覆う薄い水の膜 (水滴)８１が形成されるようになっている。仮接着領域７２ａはいずれも、島状に形成されていて互いに分離しているため、その水は仮接着領域７２ａから外側には流出しない。
 【０１５５】
　親水性を持つ仮接着領域７２ａとして使用可能な材料としては、ＳｉＯ２以外にＳｉ３Ｎ４があるが、アルミニウムとアルミナの二層膜（Ａｌ／Ａｌ２Ｏ３）、タンタルと酸化タンタルの二層膜（Ｔａ／Ｔａ２Ｏ５）等も使用可能である。
 【０１５６】
　
水が仮接着領域７２ａから外側に流出して溜まるのをより確実に防止するためには、キャリア基板７３ａの搭載面は親水性でない方が好ましい。
仮接着領域７２ａが形成されたキャリア基板７３ａの搭載面を
弗素樹脂
で覆うのが好ましい。
　上記オによれば、引用例２には以下の技術事項が記載されている。
　「キャリヤ基板上に、チップの仮接着用材料を載せる互いに分離された親水性の仮接着領域と、弗素樹脂で覆った親水性でない領域を形成」したこと。
（３）平成２８年６月１３日付け当審の拒絶理由通知に引用された特開２０１０−２２５８０３号公報（平成２２年１０月７日公開、以下「引用例３」という。）には、「三次元集積回路の製造方法及び装置」に関して図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
カ．「【００２６】
　図５は、多数のチップ２０が仮接着される転写用基板としてのキャリア基板３１の斜視図を示す。多数のチップ２０は、キャリア基板３１に位置決め・仮接着された後、支持基板に転写される。
キャリア基板３１の表面には、多数のチップ２０を所定のレイアウトの鏡像となるレイアウトで配置するための複数の仮接着領域３１ａが一面に形成される。一つの仮接着領域３１ａには、一つのチップ２０が仮接着される。
 【００２７】
　仮接着領域３１ａは矩形に形成される。仮接着領域３１ａの大きさと形状は、その上に仮接着されるチップ２０の大きさと形状にほぼ一致している。
仮接着領域３１ａは、親水性を有する親水膜によって画定される。
 【００２８】
　
仮接着領域３１ａの周囲は、格子状の疎水膜又は疎水材料３１ｂによって囲まれる。疎水膜又は疎水材料３１ｂの材料には、
弗素樹脂
を用いることができる。
　上記カによれば、引用例３には以下の技術事項が記載されている。
　「キャリヤ基板上に、チップを仮接着する親水性の仮接着領域と、該仮接着領域を囲む弗素樹脂からなる疎水膜を形成」したこと。
４．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明の「支持体１０」、「粘着シート１２」、「半導体チップ２０」は、本願発明の「支持基板」、「粘着層」、「電子部品」に相当する。なお、引用例１の図３を参照すると、引用発明の支持体１０、粘着シート１２、複数の半導体チップ２０は、順に積層されているものである。
　よって、引用発明の「支持体１０の上に粘着シート１２を形成し、該粘着シート１２を介して複数の半導体チップ２０を配置し」は、本願発明の「前記支持基板上に粘着層を形成する工程と、前記支持基板の前記粘着層上に電子部品を配する工程」に相当する。
　但し、本願発明は、支持基板上に「親水部」と「疎水部」を形成し、該「親水部」上に粘着層を形成するのに対し、引用発明はその旨の特定はない。更に、本願発明は、「炭素及びフッ素を含む疎水性官能基を前記支持基板の表面に導入することにより前記疎水部を形成」するのに対し、引用発明にはその旨の特定はない。
ｂ．引用発明の「樹脂染込防止用絶縁層」は、上記ウ（段落【００４９】）および引用例１の図４を参照すると、半導体チップ２０の接続電極が該樹脂染込防止用絶縁層上に形成する樹脂から汚染されないために粘着シート１２（支持体１０の樹脂層形成側表面）および半導体チップ２０を覆うものであるから、本願発明の「被覆層」に相当する。
　よって、引用発明の「半導体チップ２０の背面と四辺の側面及び粘着シート１２の上に樹脂染込防止用絶縁層３０が形成し」は、本願発明の「前記支持基板上に前記電子部品を覆うように被覆層を形成する工程」に相当する。
ｃ．引用例の「樹脂基板５０」は、半導体チップ２０の周囲から背面側にかけて形成されるものであるところ、上記エ（段落【００４５】、【００５０】、【００５１】）および引用例１の図５を参照すると、半導体チップ２０の支持体１０と接触している部分を除き全て覆うものであるから、本願発明の「樹脂層」に相当し、半導体チップ２０を樹脂基板に埋め込んでいるといえる。
　よって、引用発明の「半導体チップ２０の周囲から背面側に樹脂基板５０を形成し」は、本願発明の「前記被覆層上に樹脂層を形成し、前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程」に相当する。
ｄ．引用発明の「支持体１０を粘着シート１２から除去する」ことは、本願発明の「前記支持基板を除去する工程」に相当する。
　そうすると、本願発明と引用発明とは以下の点で、一致ないし相違する。
＜一致点＞
 「支持基板上に電子部品を配する工程と、
　前記支持基板上に前記電子部品を覆うように被覆層を形成する工程と、
　前記被覆層上に樹脂層を形成し、前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程と、
　前記支持基板を除去する工程とを有する
　ことを特徴とする電子装置の製造方法。」
＜相違点＞
　本願発明は、支持基板に「疎水部及び親水部を形成」し、「前記親水部上に」粘着層を形成するとともに、前記疎水部を「炭素及びフッ素を含む疎水性官能基を前記支持基板の表面に導入する」ことにより形成するのに対し、引用発明にはその旨の特定はない。
５．判断
　上記相違点について判断する。
　電子部品を搭載する支持基板上に、親水部と疎水部を形成し、親水部のみに電子部品を配するための粘着層を形成することは、例えば引用例２（上記３．（２）を参照。）、引用例３（上記３．（３）を参照。）に記載されているように周知の技術事項である。そして、引用例２および引用例３の疎水部は、「弗素樹脂」で形成し得るから、当然に「炭素及びフッ素」を含んでおり、「炭素及びフッ素を含む疎水性官能基を前記支持基板の表面に導入」しているものである。
　なお仮に、本願発明の「炭素及びフッ素を含む疎水性官能基を前記支持基板の表面に導入」することにより疎水部を形成することが、本願明細書の段落【００３９】に記載されているように、支持基板の表面に対してＣＦ４ガスを導入してプラズマ処理を行うこととしても、例えば特開２０１１−１１９２５８号公報（段落【００２６】〜【００２７】を参照。）、特開２００７−１８４６０１号公報（段落【００３１】〜【００３２】を参照。）、特開２０１０−６２１７７号公報（段落【００１３】を参照。）に記載されているように周知の技術事項である。
　また、引用発明は、上記ア（段落【００３８】の「半導体チップ２０の素子面Ａに粘着剤を塗布してもよい。」に注目。）に記載されているように、半導体チップの搭載部分にのみ粘着層を形成することができるものである。
　よって、引用発明の支持基板に周知の技術事項を採用し相違点の構成とすることは、当業者が容易になし得た事項である。
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明が奏する効果は、引用発明および周知の技術事項から当業者が十分に予測できたものであって格別なものとはいえない。
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明および周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。