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　特願２０１２−　１２４０６「弾性波デバイス及び弾性波デバイスの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　８月　８日出願公開、特開２０１３−１５３２８９、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１．手続の経緯　
　本願の手続の概要は以下のとおりである。
平成２４年　１月２４日　特許出願
平成２７年１１月１６日　拒絶理由通知
平成２８年　１月２１日　意見書、手続補正書
平成２８年　３月１１日　拒絶査定
平成２８年　５月２５日　審判請求、手続補正書
平成２８年　８月　１日　前置報告
第２．本願発明
　本願の請求項１−８に係る発明は、平成２８年５月２５日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の各請求項に記載された事項により特定されるとおりのもので、その記載は以下のとおりである。
「　　【請求項１】
　基板と、
　前記基板の第１面上に設けられ、高周波信号が入力する入力パッドと、
　前記入力パッドに入力された高周波信号が入力する共振子と、
　前記基板の第１面上に設けられ、前記入力パッドと前記共振子とを接続する入力配線と、
　前記入力パッドおよび前記入力配線の全てと前記基板との間に設けられ、前記共振子が有する電極と前記基板との間に設けられておらず、前記基板より誘電率が小さい絶縁層と、を具備
し、
　前記基板は、圧電体を含む圧電基板であり、
　前記共振子はＩＤＴを含む弾性波共振子であり、
　前記絶縁層は前記ＩＤＴ上に設けられた保護層と同一の層である
　　【請求項２】
　前記基板の前記第１面に対向する第２面上に設けられた金属層を具備することを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
　　【請求項３】
　前記金属層は前記第２面に接触していることを特徴とする請求項２記載の弾性波デバイス。
　　【請求項４】
　前記基板は、前記第１面が実装基板と対向するように前記実装基板にフ
リップチップ実装され、
　前記金属層は前記基板を封止することを特徴とする請求項２又は３記載の弾性波デバイス。
　　【請求項５】
　前記絶縁層は、酸化シリコン又はポリイミドを含むことを特徴とする請求項１から４いずれか一項記載の弾性波デバイス。
　　【請求項６】
　前記第１面上に設けられ、前記共振子から出力された高周波信号が出力される出力パッドと、
　前記第１面上に設けられ、複数の前記共振子を接続し、高周波信号を伝搬する配線と、
を具備し、
　前記絶縁層は、前記出力パッドと前記基板との間、及び前記配線と前記基板との間に設けられていることを特徴とする請求項１から
５
　　【請求項７】
　前記第１面上に設けられ、前記共振子から出力された高周波信号が外部に出力される出力パッドと、
　前記第１面上に設けられ、複数の前記共振子を接続し、高周波信号を伝搬する配線と、
を具備し、
　前記絶縁層は、前記出力パッドと前記基板との間、及び前記配線と前記基板との間に設けられていないことを特徴とする請求項１から
５
　　【請求項８】
　基板の第１面上に、前記基板より誘電率が小さい絶縁層を形成する工程
と、
　前記絶縁層上に、高周波信号が入力する入力パッドを形成する工程と、
　前記第１面上の前記絶縁層の形成されていない領域に、前記入力パッドと接続され、前記入力パッドに入力された高周波信号が入力する共振子を形成する工程と、
　前記絶縁層上に、前記入力パッドと前記共振子とを接続する入力配線を形成する工程と、
を具備し、
　前記入力パッドおよび前記入力配線の全ては前記絶縁層上に形成さ
れ、
　
前記共振子を形成する工程は、前記第１面上にＩＤＴを形成する工程を含み、
　
前記絶縁層は、前記ＩＤＴ上の保護層と同じ工程によりに形成される
（下線は手続補正書の記載のとおりである。）
第３．原査定の理由の概要
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）についての原査定の理由の概要は、本願発明は、その出願前に日本国内において、頒布された特開２００３−３３２８７４号公報（以下、「引用例」という。）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないという理由１、及び本願発明は、引用例に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないという理由２である。
第４．当審の判断
１．引用発明
　引用例には、図面とともに以下の記載がなされている。
　
（１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  所定の圧電基板と，前記圧電基板上に形成された，平衡型端子に接続される第一のＩＤＴ電極と，前記圧電基板上に形成された，平衡型端子または不平衡型端子に接続される第二のＩＤＴ電極と，前記第一のＩＤＴ電極，第二のＩＤＴ電極をそれぞれ前記平衡型端子または前記不平衡型端子に接続するための接続電極と，前記第一のＩＤＴ電極，第二のＩＤＴ電
極，接続電極の内の少なくとも一つと前記圧電基板との間に形成された誘電体薄膜とを備えた弾性表面波フィルタ。
【請求項２】  前記接続電極は，前記第一のＩＤＴ電極を前記平衡型端子に接続するための第一の接続電極と，前記第二のＩＤＴ電極を前記平衡型端子または前記不平衡型端子に接続するための第二の接続電極とであって，前記誘電体薄膜は，（ａ）前記第一のＩＤＴ電極と前記第二のＩＤＴ電極との間に発生する容量，（ｂ）前記第一のＩＤＴ電極と前記第二の接続電極との間に発生する容量，（ｃ）前記第一の接続電極と前記第二のＩＤＴ電極との間に発生する容量，および（ｄ）前記第一の接続電極と前記第二の接続電極との間に発生する容量の内の少なくとも一つがより抑制されるように形成されている請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
……
【請求項５】  前記誘電体薄膜は，前記接続電極と前記圧電基板との間には形成されているが，前記第一のＩＤＴ電極，第二のＩＤＴ電極と前記圧電基板との間には形成されていない請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項６】  前記第一のＩＤＴ電極，第二のＩＤＴ電極，接続電極の内の少なくとも一つの上に形成された被覆誘電体薄膜を備えた請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
……
【請求項１４】  前記誘電体薄膜の実効比誘電率は前記圧電基板の実効比誘電率よりも小さい請求項１記載の弾性表面波フィルタ。」
（２）「【００４４】
【発明の実施の形態】以下に，本発明にかかる実施の形態について，図面を参照しつつ説明を行う。
【００４５】（実施の形態１）はじめに，図１（ａ）〜（ｂ）を参照しながら，本実施の形態の弾性表面波フィルタの構成について説明する。なお，図１（ａ）は本発明にかかる実施の形態１の弾性表面波フィルタの平面図であり，図１（ｂ）は本発明にかかる実施の形態１の弾性表面波フィルタのＡ−Ａ′断面図である。
【００４６】本実施の形態の弾性表面波フィルタのバランス特性は上述した従来の弾性表面波フィルタのバランス特性と比較して良好であるが，その原因の理論的な考察などに関しては後に詳述する。
【００４７】本実施の形態の弾性表面波フィルタは，図１（ａ）〜（ｂ）に示されているように，圧電基板２００と，平衡型端子２６１〜２６２に接続されるＩＤＴ（ｉｎｔｅｒ−ｄｉｇｉｔａｌ　ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極２１０と，不平衡型端子２７１に接続されるＩＤＴ電極２２０と，不平衡型端子２７１に接続されるＩＤＴ電極２３０と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子２６１に接続するための接続電極２８１と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子２６２に接続するための接続電極２８２と，ＩＤＴ電極２２０，２３０を不平衡型端子２７１に接続するための接続電極２９１と，ＩＤＴ電極２１
０，２２０，２３０，接続電極２８１〜２８２，２９１と圧電基板２００との間に面形状に形成された誘電体薄膜２０１と，反射器電極２４０，２５０とを備えた縦モード型の弾性表面波フィルタである。
……
【００４９】本実施の形態の弾性表面波フィルタは，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０，接続電極２８１〜２８２，２９１と圧電基板２００との間に面形状に形成された誘電体薄膜２０１を備えた構成を有する点を特徴としている。
【００５０】圧電基板２００は，４０以上の実効比誘電率を有するタンタル酸リチウムで構成され，板形状に形成された基板である。
【００５１】誘電体薄膜２０１は，ほぼ１０程度の実効比誘電率を有する窒化珪素で構成され，圧電基板２００上に面形状に形成された（図１（ｂ）参照）膜厚ほぼ２００Åの薄膜である。誘電体薄膜２０１の膜厚（＝ｈ）を弾性表面波の波長（＝λ）で規格化した規格化膜厚（＝ｈ／λ）は，およそ
０．５％である。誘電体薄膜２０１は，スパッタ法を利用して形成されている。」
（３）「【００６０】つぎに，本実施の形態の弾性表面波フィルタの動作について説明する。
【００６１】以下では，平衡型端子２６１，２６２が入力端子であり，不平衡型端子２７１が出力端子である場合について説明する（不平衡型端子２７１が入力端子であって平衡型端子２６１，２６２が出力端子である場合についても，同様である）。
【００６２】入力電気信号が平衡型端子２６１，２６２から入力されると，圧電基板２００上に弾性表面波が励起される。励起された弾性表面波は，反射器電極２４０と反射器電極２５０との間に閉じ込められる。縦モード型の弾性表面波フィルタにおいては，このようにして生じた共振モードを利用してフィルタリングが行われ，出力電気信号が不平衡型端子２７１から取り出される。」
（４）「【００９４】（実施の形態２）はじめに，図８〜９を参照しなが
ら，本実施の形態の弾性表面波フィルタの構成について説明する。なお，図８は本発明にかかる実施の形態２の弾性表面波フィルタの平面図である。また，図９は本発明にかかる実施の形態２の弾性表面波フィルタの部分拡大断面図である。
……
【００９７】本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタ（図１（ａ）〜（ｂ）参照）と類似した構成を有している。
【００９８】ただし，本実施の形態の弾性表面波フィルタは，図９に示されているように，たとえばＩＤＴ電極２１０の電極指間Ｐなど，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０，接続電極２８１〜２８２，２９１の下にはない部分がこれらをエッチングする際にオーバーエッチングされた誘電体薄膜２０２を備えた構成を有する点を特徴としている。
【００９９】誘電体薄膜２０２は，ほぼ１０程度の実効比誘電率を有する窒化珪素で構成され，圧電基板２００上に面形状に形成された（図９参照）薄膜である。誘電体薄膜２０２は，スパッタ法を利用して形成されている。
【０１００】本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタと同様な動作を行う。」
（５）「【０１０９】（実施の形態４）はじめに，図１１（ａ）〜（ｂ）を参照しながら，本実施の形態の弾性表面波フィルタの構成について説明す
る。なお，図１１（ａ）は本発明にかかる実施の形態４の弾性表面波フィルタの平面図であり，図１１（ｂ）は本発明にかかる実施の形態４の弾性表面波フィルタのＡ−Ａ′断面図である。
【０１１０】本実施の形態の弾性表面波フィルタは，図１１（ｂ）に示されているように，圧電基板２００と，平衡型端子パッド電極２６３〜２６４に接続されるＩＤＴ電極２１０と，不平衡型端子パッド電極２７２に接続されるＩＤＴ電極２２０と，不平衡型端子パッド電極２７２に接続されるＩＤＴ電極２３０と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子パッド電極２６３に接続するための接続電極２８３と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子パッド電極２６４に接続するための接続電極２８４と，ＩＤＴ電極２２０，２３０を不平衡型端子パッド電極２７２に接続するための接続電極２９２と，接続電極２８３〜２８４，２９２と圧電基板２００との間に形成された誘電体薄膜２０４
と，反射器電極２４０，２５０とを備えた縦モード型の弾性表面波フィルタである。
【０１１１】なお，接続電極２８３〜２８４は本発明の第一の接続電極に対応し，接続電極２９２は本発明の第二の接続電極に対応し，誘電体薄膜２０４は本発明の誘電体薄膜に対応する。また，平衡型端子パッド電極２６３〜２６４は本発明の平衡型端子に対応し，不平衡型端子パッド電極２７２は本発明の不平衡型端子に対応する。
【０１１２】本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタ（図１（ａ）〜（ｂ）参照）と類似した構成を有している。
【０１１３】ただし，本実施の形態の弾性表面波フィルタは，図１１（ａ）〜（ｂ）に示されているように，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０などの下にある部分には形成されず，接続電極２８３〜２８４，２９２の下にある部分にのみ形成された誘電体薄膜２０４を備えた構成を有する点を特徴としている。
【０１１４】誘電体薄膜２０４は，ほぼ１０程度の実効比誘電率を有する窒化珪素で構成され，圧電基板２００上に形成された（図１０（ｂ）参照）薄膜である。誘電体薄膜２０４は，スパッタ法を利用して形成されている。
【０１１５】接続電極２８３は，誘電体薄膜２０４の上に形成された線路形状をもつ電極であり，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されてい
る。
【０１１６】接続電極２８４は，接続電極２８３と同様，誘電体薄膜２０４の上に形成された線路形状をもつ電極であり，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。
【０１１７】接続電極２９２は，接続電極２８３と同様，誘電体薄膜２０４の上に形成された線路形状をもつ電極であり，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。
【０１１８】平衡型端子パッド電極２６３〜２６４は，ワイヤ実装または
フェースダウン実装時の取り出し電極である。
【０１１９】不平衡型端子パッド電極２７２は，平衡型端子パッド電極２６３〜２６４と同様，ワイヤ実装またはフェースダウン実装時の取り出し電極である。
【０１２０】本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態２の弾性表面波フィルタと同様な動作を行う。
【０１２１】本実施の形態の弾性表面波フィルタは，接続電極２８３〜２８４，２９２，平衡型端子パッド電極２６３〜２６４，不平衡型端子パッド電極２７２などの下にある部分に誘電体薄膜２０４が形成されることで接続電極２８３〜２８４，２９２，平衡型端子パッド電極２６３〜２６４，不平衡型端子パッド電極２７２による容量成分が低減されており，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタと同様，良好なバランス特性を有する。」
（６）「【０１２２】（実施の形態５）はじめに，図１２（ａ）〜（ｂ）を参照しながら，本実施の形態の弾性表面波フィルタの構成について説明す
る。なお，図１２（ａ）は本発明にかかる実施の形態５の弾性表面波フィルタの平面図であり，図１２（ｂ）は本発明にかかる実施の形態５の弾性表面波フィルタのＡ−Ａ′断面図である。
……
【０１２５】本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタ（図１（ａ）〜（ｂ）参照）と類似した構成を有している。
【０１２６】ただし，本実施の形態の弾性表面波フィルタは，図１２（ｂ）に示されているように，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０，接続電極２８１〜２８２，２９１の上に面形状に形成された被覆誘電体薄膜２０６を備えた構成を有する点を特徴としている。
【０１２７】誘電体薄膜２０５は，ほぼ１０程度の実効比誘電率を有する窒化珪素で構成され，圧電基板２００上に面形状に形成された（図１２（ｂ）参照）薄膜である。誘電体薄膜２０５は，スパッタ法を利用して形成されている。
【０１２８】被覆誘電体薄膜２０６は，ほぼ１０程度の実効比誘電率を有する窒化珪素で構成され，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０，接続電極２８１〜２８２，２９１の上に面形状に形成された（図１２（ｂ）参照）薄膜である。被覆誘電体薄膜２０６は，スパッタ法を利用して形成されている。
【０１２９】本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタと同様な動作を行う。
【０１３０】本実施の形態の弾性表面波フィルタは，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０，接続電極２８１〜２８２，２９１の上にある部分にも被覆誘電体薄膜２０６が形成されているため，パッシベーションの作用を有す
る。」
　上記（４）に「（実施の形態２）」について、
「【０１００】本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタと同様な動作を行う。」と、
上記（５）に「（実施の形態４）」について、
「【０１２０】本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態２の弾性表面波フィルタと同様な動作を行う。」と記載されていることか
ら、上記「（実施の形態４）」の「平衡型端子パッド電極２６３〜２６４」は、上記「（実施の形態１）」の「平衡型端子２６１〜２６２」に対応するものであることは明らかである。
　したがって、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　圧電基板（２００）と、平衡型端子パッド電極（２６３、２６４）に接続される第一のＩＤＴ電極（２１０）と、不平衡型端子パッド電極（２７２）に接続される第二のＩＤＴ電極（２２０、２３０）と、第一のＩＤＴ電極
（２１０）を平衡型端子パッド電極（２６３、２６４）に接続するための第一の接続電極（２８３、２８４）と、第二のＩＤＴ電極（２２０、２３０）を不平衡型端子パッド電極（２７２）に接続するための第二の接続電極（２９２）と、第一の接続電極（２８３、２８４）及び第二の接続電極（２９
２）と圧電基板（２００）との間に形成された誘電体薄膜（２０４）と、反射器電極（２４０、２５０）とを備えた縦モード型の弾性表面波フィルタにおいて、
　前記誘電体薄膜（２０４）は、第一の接続電極（２８３、２８４）及び第二の接続電極（２９２）、平衡型端子パッド電極（２６３、２６４）、及び不平衡型端子パッド電極（２７２）の下にある部分に形成され、第一のＩＤＴ電極（２１０）及び第二のＩＤＴ電極（２２０、２３０）の下にある部分には形成されず、前記誘電体薄膜の実効比誘電率は前記圧電基板の実効比誘電率よりも小さいものであり、
　入力電気信号が平衡型端子パッド電極（２６３、２６４）から入力されると、圧電基板（２００）上に弾性表面波が励起され、励起された弾性表面波は、反射器電極（２４０、２５０）の間に閉じ込められ、このようにして生じた共振モードを利用してフィルタリングが行われる弾性表面波フィルタ。
２．対比
　引用発明の「圧電基板（２００）」は、本願発明の「前記基板は、圧電体を含む圧電基板であり」とする「基板」に対応する。
　引用発明は「入力電気信号が平衡型端子パッド電極（２６３、２６４）から入力されると、圧電基板（２００）上に弾性表面波が励起され、励起された弾性表面波は、反射器電極（２４０、２５０）の間に閉じ込められ、このようにして生じた共振モードを利用してフィルタリングが行われ」とするので、その「圧電基板（２００）」の「反射器電極（２４０、２５０）」、
「第一のＩＤＴ電極（２１０）」、及び「第二のＩＤＴ電極（２２０、２３０）が備えられた部分は、本願発明の「前記共振子はＩＤＴを含む弾性波共振子であり」とする「共振子」に対応する。
　引用発明の「平衡型端子パッド電極（２６３、２６４）」は、「入力電気信号が平衡型端子パッド電極（２６３、２６４）から入力されると」とあることから、本願発明の「高周波信号が入力する入力パッド」に対応する。
　引用発明の「第一の接続電極（２８３、２８４）」は、本願発明の「前記入力パッドと前記共振子とを接続する入力配線」に対応する。
　引用発明の「誘電体薄膜２０４」は、「…と圧電基板（２００）との間に形成された誘電体薄膜（２０４）」であって、「前記誘電体薄膜（２０４）は、第一の接続電極（２８３、２８４）及び第二の接続電極（２９２）、平衡型端子パッド電極（２６３、２６４）、及び不平衡型端子パッド電極（２７２）の下にある部分に形成され、第一のＩＤＴ電極（２１０）及び第二のＩＤＴ電極（２２０、２３０）の下にある部分には形成されず、前記誘電体薄膜の実効比誘電率は前記圧電基板の実効比誘電率よりも小さいものであ
り」とするものであるから、本願発明の「絶縁層」とは、入力パッドおよび入力配線の全てと基板との間に設けられ、共振子が有する電極と前記基板との間に設けられておらず、前記基板より誘電率が小さい絶縁層である点で共通する。
　引用発明の「第一のＩＤＴ電極（２１０）」、「第二のＩＤＴ電極（２２０、２３０）」、「第一の接続電極（２８３、２８４）」、及び「平衡型端子パッド電極（２６３、２６４）」が、「圧電基板（２００）」の同じ面上に設けられたものであることは明らかである。
　引用発明は上記のとおりの「弾性表面波フィルタ」であるから、弾性波デバイスといえる。
　したがって、本願発明と引用発明とを対比すると、以下の点で一致し、また相違する。
（１）一致点
　基板と、
　前記基板の第１面上に設けられ、高周波信号が入力する入力パッドと、
　前記入力パッドに入力された高周波信号が入力する共振子と、
　前記基板の第１面上に設けられ、前記入力パッドと前記共振子とを接続する入力配線と、
　前記入力パッドおよび前記入力配線の全てと前記基板との間に設けられ、前記共振子が有する電極と前記基板との間に設けられておらず、前記基板より誘電率が小さい絶縁層と、を具備し、
　前記基板は、圧電体を含む圧電基板であり、
　前記共振子はＩＤＴを含む弾性波共振子であることを特徴とする弾性波デバイス。
（２）相違点
　本願発明は「前記絶縁層は前記ＩＤＴ上に設けられた保護層と同一の層である」とするのに対して、引用発明では、そのような特定がない点。
３．相違点について
　上記相違点について検討する。
　引用例には、上記１．（１）に「【請求項６】  前記第一のＩＤＴ電極，第二のＩＤＴ電極，接続電極の内の少なくとも一つの上に形成された被覆誘電体薄膜を備えた請求項１記載の弾性表面波フィルタ。」と、
上記１．（６）に「（実施の形態５）」について、
「【０１３０】本実施の形態の弾性表面波フィルタは，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０，接続電極２８１〜２８２，２９１の上にある部分にも被覆誘電体薄膜２０６が形成されているため，パッシベーションの作用を有す
る。」と記載されていることから、「（実施の形態４）」に基づいた引用発明においても、その「第一のＩＤＴ電極（２１０）」及び「第二のＩＤＴ電極（２２０、２３０）」上に、保護層といえるパッシベーションの作用を有する被覆誘電体薄膜を設けることに格別困難な点はない。
　しかし、そのような保護層といえる被覆誘電体薄膜を、絶縁層といえる
「誘電体薄膜２０４」と同一の層とすることは、引用例には記載も示唆もない。
　この点について、平成２８年８月１日付けでされた前置報告では、周知技術として以下の引用文献２−４を引用して、当業者にとって格別困難なことではないとしている。
引用文献２．特開２０１１−７１９１２号公報
　圧電基板１と、圧電基板１上に形成された櫛歯型電極を含む共振器２ａ及び２ｂと、櫛歯型電極に接続された配線部３と、櫛歯型電極を覆うように形成された誘電体層４とを備える弾性波フィルタであって、配線部３は、櫛歯型電極と同層の下層配線部３ｄと、下層配線部３ｄの上部に配された上層配線部３ｅとを備え、上層配線部３ｅは、下層配線部３ｄの電極幅よりも大きな電極幅を有する領域を備えている弾性波フィルタが記載されている。
（【要約】等）
　下層配線部３ｄは櫛歯型電極と同層であるから、誘電体層４は入力のための配線部の全てと圧電基板との間に設けられたものではない。
　また、誘電体層４は、
「【００１８】
　本実施の形態は、櫛歯型電極表面を誘電体で覆うことで温度特性を改善した弾性波フィルタにおいて、樹脂による絶縁層を形成することなく、櫛歯型電極と配線部の電気的接続を保ちつつ、配線間の寄生容量を低減することを主な特徴としている。」
と記載されていることから、温度補償層といえるが、保護層とは直ちにいうことはできない。
引用文献３．特開２０１１−２５９５１６号公報
　圧電基板と、圧電基板上に形成された複数のＩＤＴ電極と、複数のＩＤＴ電極にそれぞれ接続される第１、及び第２の配線電極とを備えた弾性表面波フィルタであって、前記第１の配線電極は入力側のＩＤＴ電極に接続され、前記第２の配線電極は出力側のＩＤＴ電極に接続され、前記第１、及び前記第２の配線電極とは絶縁層を介して立体交差する構成であると共に、第１の配線電極５０１は、立体交差部において、電極幅が他よりも小さい構成である弾性波フィルタが記載されている。（【要約】等）
　絶縁層は配線電極が立体交差するためのもので、絶縁層は入力のための配線電極の全てと圧電基板との間に設けられたものではない。
　また、絶縁層は、
「【００５２】
　また、絶縁層に関しては、ＳｉＯ2やＳｉＮ、樹脂系の材料など、絶縁性が確保でき、誘電体として機能する材料であればかまわない。特に、絶縁層としてＳｉＯ2など弾性表面波フィルタの温度補償に使用される材料を用いる場合には、絶縁層がＩＤＴ電極を覆うように構成すれば、小型で、帯域内特性、及び温度特性に優れた弾性表面波フィルタを実現することができ
る。」
と記載されていることから、温度補償層といえるが、保護層とは直ちにいうことはできない。
引用文献４．国際公開第２００９／１１３２７４号
　弾性波フィルタについて、
「［００５７］　例えば、具体的には、第１の配線４８と第２の配線４９との間に介在する誘電体膜５０により、第１、第２、第３、第４、第５のＩＤＴ電極３２、３３、３４、３５、３６、および／または第６、第７、第８、第９、第１０のＩＤＴ電極３７、３８、３９、４０、４１を覆う構成としそれらの機能膜として作用する構成とする。
［００５８］　すなわち、例えば、これらの第１、第２、第３、第４、第
５、第６、第７、第８、第９、第１０のＩＤＴ電極３２、３３、３４、３
５、３６、３７、３８、３９、４０、４１上に、例えば、酸化ケイ素からなる機能膜を形成することにより、ＩＤＴ電極の保護膜とすることができ
る。」
と記載されている。
　誘電体膜５０は配線の間に介在するもので、入力のための配線の全てと圧電基板との間に設けられたものではない。
　上記引用文献２−４にも、本願発明や引用発明のような配線の全てと基板との間に設けられた絶縁層と、ＩＤＴ上に設けられた保護層とを同一の層とすることは、記載も示唆もされていない。
　したがって、本願発明は、引用発明と同一の発明ではなく、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　請求項２−７は、請求項１を引用するものであり、請求項８に係る発明
は、本願発明に対応する弾性波デバイスの製造方法に関する発明であるか
ら、本願発明と同様に、引用発明と同一の発明ではなく、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
第５　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１−８に係る発明は、引用発明と同一の発明ではなく、引用例に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでもないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。