(57)【要約】【目的】荷電粒子ビーム描画技術を使って、断面形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成されるような凹凸面となるパターンが形成されたナノインプリント用のテンプレートを製造する方法を提供することを目的とする。【構成】ナノインプリント用のテンプレートの製造方法は、電子ビーム２００を用いて、レジスト膜にパターン寸法を変更しながら多重描画する工程（Ｓ１０４）と、パターン寸法を変更しながら多重描画されたレジスト膜を現像する工程（Ｓ１０６）と、現像された結果得られたレジストパターンを用いて、テンプレートの型を形成する工程（Ｓ１０８）と、形成された型に、樹脂を充填する工程（Ｓ１１６）と、充填された樹脂を硬化させた後に、型を外す工程（Ｓ１１８）と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
2011108967.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを用いて、レジスト膜にパターン寸法を変更しながら多重描画する工程と、
パターン寸法を変更しながら多重描画された前記レジスト膜を現像する工程と、
現像された結果得られたレジストパターンを用いて、テンプレートの型を形成する工程と、
形成された型に、樹脂を充填する工程と、
充填された樹脂を硬化させた後に、前記型を外す工程と、
を備えたことを特徴とするナノインプリント用のテンプレートの製造方法。
【請求項２】
多重描画によって、レジスト膜に照射される荷電粒子ビームの照射量が中心部から所定の方向と前記所定の方向の逆方法の両側に向かって少なくなるように前記パターン寸法が変更されることを特徴とする請求項１記載のナノインプリント用のテンプレートの製造方法。
【請求項３】
荷電粒子ビームを用いて、ネガ型化学増幅型レジスト膜にパターンを描画する工程と、
塩基性物質を除去しない雰囲気で、描画されたネガ型化学増幅型レジスト膜を加熱する工程と、
加熱されたネガ型化学増幅型レジスト膜を現像する工程と、
現像された結果得られたレジストパターンを用いて、テンプレートの型を形成する工程と、
形成された型に、樹脂を充填する工程と、
充填された樹脂を硬化させた後に、前記型を外す工程と、
を備えたことを特徴とするナノインプリント用のテンプレートの製造方法。
【請求項４】
一方向に焦点位置をずらした非点収差を持たせた荷電粒子ビームを用いて、レジスト膜にパターンを描画する工程と、
描画されたレジスト膜を現像する工程と、
現像された結果得られたレジストパターンを用いて、テンプレートの型を形成する工程と、
形成された型に、樹脂を充填する工程と、
充填された樹脂を硬化させた後に、前記型を外す工程と、
を備えたことを特徴とするナノインプリント用のテンプレートの製造方法。
【請求項５】
荷電粒子ビームを用いて、感光される膜厚と照射量との相関グラフの線と照射量軸との間の角度が５０°以下となる物性値をもつレジスト膜にパターンを描画する工程と、
描画されたレジスト膜を現像する工程と、
現像された結果得られたレジストパターンを用いて、テンプレートの型を形成する工程と、
形成された型に、樹脂を充填する工程と、
充填された樹脂を硬化させた後に、前記型を外す工程と、
を備えたことを特徴とするナノインプリント用のテンプレートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノインプリント用のテンプレートの製造方法に係り、例えば、電子ビーム描画装置で描画されたパターンを使ってナノインプリント用のテンプレートを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のマスクパターンを光で転写する露光装置を用いずに、テンプレート（或いはモールドともいう。）と呼ばれる原版を基板等に押し当てることで、テンプレートに形成された微細パターンを基板に形成するナノインプリント技術の開発が進められている。例えば、半導体装置の製造に用いられる。基板上にレジスト膜を形成し、レジスト膜にテンプレートを押し当てて、かかる状態でテンプレートを介してレジストに光を照射することで基板上にテンプレートのパターン形状に沿ったレジストパターンを形成できる。そして、かかるレジストパターンをマスクに下層の膜をエッチングすることで下層の膜にパターンを形成できる（例えば、特許文献１参照）。そして、半導体装置のパターン形成にナノインプリント技術を適用する場合、通常、形成後のレジストパターン断面が長方形に近づくように、テンプレートに形成されるパターンも直線同士が直角或いはそれに近い角度でつながるように形成される。
【０００３】
一方、携帯電話やカーナビゲーション装置等のディスプレイは、ユーザが見やすいように表面ができるだけ光を反射しない構造にすることが求められる。対象面の形状を平面ではなく、例えば、断面形状がサインカーブのようななだらかな曲線或いは傾斜した直線で構成されるような凹凸面に形成できれば光の反射率を抑えることができる。そして、ナノインプリント技術を用いてかかる要求を実現することが検討されている。例えば、ナノインプリント技術を用いてディスプレイパネルやディスプレイパネルに貼るシートの表面に、断面形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線となるような凹凸面となるパターンを形成する。そのためには、テンプレートに形成されるパターン自体も断面形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成されるような凹凸面となるパターンでなければならない。かかる要求に対して、粒子を基板上に塗布法にて塗布し、かかる粒子をマスクとしてエッチングすることで、断面の形状が三角形のように傾斜した凹凸をもったテンプレートを形成している（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３２９２７６号公報
【特許文献２】特開２００９−１６２９６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。また、上述したように、断面形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成されるような凹凸面となるパターンが形成されたナノインプリント用のテンプレートが求められている。よって、かかる電子ビームでかかる要求を満たすパターンを形成することが検討されている。しかし、従来、電子ビーム等の荷電粒子ビームを使ったかかる形状のナノインプリント用のテンプレートの製造方法が確立されていなかった。
【０００６】
そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、荷電粒子ビームを用いてパターンを描画する描画技術を使って、断面形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成されるような凹凸面となるパターンが形成されたナノインプリント用のテンプレートを製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様のナノインプリント用のテンプレートの製造方法は、
荷電粒子ビームを用いて、レジスト膜にパターン寸法を変更しながら多重描画する工程と、
パターン寸法を変更しながら多重描画されたレジスト膜を現像する工程と、
現像された結果得られたレジストパターンを用いて、テンプレートの型を形成する工程と、
形成された型に、樹脂を充填する工程と、
充填された樹脂を硬化させた後に、型を外す工程と、
を備えたことを特徴とする。
【０００８】
かかる構成により、レジスト膜に断面形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成されるような凹凸面となるパターンを形成できる。
【０００９】
また、多重描画によって、レジスト膜に照射される荷電粒子ビームの照射量が中心部から所定の方向と所定の方向の逆方法の両側に向かって少なくなるようにパターン寸法が変更されると好適である。
【００１０】
本発明の他の態様のナノインプリント用のテンプレートの製造方法は、
荷電粒子ビームを用いて、ネガ型化学増幅型レジスト膜にパターンを描画する工程と、
塩基性物質を除去しない雰囲気で、描画されたネガ型化学増幅型レジスト膜を加熱する工程と、
加熱されたネガ型化学増幅型レジスト膜を現像する工程と、
現像された結果得られたレジストパターンを用いて、テンプレートの型を形成する工程と、
形成された型に、樹脂を充填する工程と、
充填された樹脂を硬化させた後に、前記型を外す工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１１】
本発明の他の態様のナノインプリント用のテンプレートの製造方法は、
一方向に焦点位置をずらした非点収差を持たせた荷電粒子ビームを用いて、レジスト膜にパターンを描画する工程と、
描画されたレジスト膜を現像する工程と、
現像された結果得られたレジストパターンを用いて、テンプレートの型を形成する工程と、
形成された型に、樹脂を充填する工程と、
充填された樹脂を硬化させた後に、前記型を外す工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
本発明の他の態様のナノインプリント用のテンプレートの製造方法は、
荷電粒子ビームを用いて、感光される膜厚と照射量との相関グラフの線と照射量軸との間の角度が５０°以下となる物性値をもつレジスト膜にパターンを描画する工程と、
描画されたレジスト膜を現像する工程と、
現像された結果得られたレジストパターンを用いて、テンプレートの型を形成する工程と、
形成された型に、樹脂を充填する工程と、
充填された樹脂を硬化させた後に、前記型を外す工程と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば断面形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成されるような凹凸面となるパターンが形成されたナノインプリント用のテンプレートを製造できる。その結果、かかるテンプレートを使ってナノインプリントを行なえば、反射しにくい面を対象物に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施の形態１におけるナノインプリント用のテンプレートの製造方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図２】図１のナノインプリント用のテンプレートの製造方法の断面工程図である。
【図３】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図４】図３の描画装置の動作を説明するための概念図である。
【図５】実施の形態１における多重描画におけるパターン寸法の一例を示す図である。
【図６】図１のナノインプリント用のテンプレートの製造方法の断面工程図である。
【図７】実施の形態２におけるナノインプリント用のテンプレートの製造方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図８】図７のナノインプリント用のテンプレートの製造方法の断面工程図である。
【図９】実施の形態３における非点収差を調整する手法を説明するための概念図である。
【図１０】実施の形態３におけるボケビームのビームプロファイルの一例を示す図である。
【図１１】実施の形態３のおけるレジストパターンの形状の一例を示す概念図である。
【図１２】実施の形態３のおけるパターンつなぎの一例を示す概念図である。
【図１３】実施の形態４における感光される膜厚と照射量との相関グラフの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子を用いたビームでも構わない。
【００１６】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１におけるナノインプリント用のテンプレートの製造方法の要部工程を示すフローチャート図である。図１において、実施の形態１におけるナノインプリント用のテンプレートの製造方法は、レジスト膜形成工程（Ｓ１０２）と、パターン描画工程（Ｓ１０４）と、現像工程（Ｓ１０６）と、テンプレートの型枠形成工程（Ｓ１０８）と、樹脂充填工程（Ｓ１１６）と、テンプレート取出し工程（Ｓ１１８）という一連の工程を実施する。また、テンプレートの型枠形成工程（Ｓ１０８）は、その内部工程として、スパッタ膜形成工程（Ｓ１１０）と、めっき工程（Ｓ１１２）と、型取出し工程（Ｓ１１４）という一連の工程を実施する。
【００１７】
図２は、図１のナノインプリント用のテンプレートの製造方法の断面工程図である。図２では、レジスト膜形成工程（Ｓ１０２）からスパッタ膜形成工程（Ｓ１１０）までの各工程を示している。
【００１８】
図２（ａ）において、レジスト膜形成工程（Ｓ１０２）として、クロム（Ｃｒ）膜３０２が表面に形成された基板３００上に、レジスト膜３１０を形成する。基板３００には、例えば、石英ガラス（クウォーツ：Ｑｚ）を用いると好適である。
【００１９】
図２（ｂ）において、パターン描画工程（Ｓ１０４）として、電子ビーム２００を用いて、レジスト膜３１０にパターン寸法を変更しながら多重描画する。
【００２０】
図３は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図３において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例となる。そして、描画装置１００は、試料１０１に所望するパターンを描画する。描画部１５０は、電子鏡筒１０２、描画室１０３を有している。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、ブランキング（ＢＬＫ）偏向器２１２、ブランキング（ＢＬＫ）アパーチャ２１４、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、偏向器２０８及びコイル２０９が配置されている。また、描画室１０３内には、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５が配置されている。また、ＸＹステージ１０５上には、試料１０１が配置されている。試料１０１として、上述した表面にレジスト膜３１０が塗布された基板３００を用いる。
【００２１】
制御部１６０は、制御計算機１１０、メモリ１１１、偏向制御回路１２０、コイル制御回路１３０、及び記憶装置１４０を有している。制御計算機１１０、メモリ１１１、偏向制御回路１２０、コイル制御回路１３０、及び記憶装置１４０は、図示しないバスにより互いに接続されている。制御計算機１１０に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ１１１に記憶される。また、記憶装置１４０は、例えば、磁気ディスク装置が該当する。その他、ＤＶＤ装置等のその他の記憶装置であっても構わない。また、コイル制御回路１３０は、コイル２０９を制御して、ビームの焦点位置を調整する。これによりビームの非点収差を調整できる。
【００２２】
ここで、描画装置１００のコンピュータとなる制御計算機１１０は、さらに、図示していないバスを介して、記憶装置の一例となるＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ、磁気ディスク（ＨＤ）装置、入力手段の一例となるキーボード（Ｋ／Ｂ）、マウス、出力手段の一例となるモニタ、プリンタ、或いは、入力出力手段の一例となる外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）、ＦＤ、ＤＶＤ、ＣＤ等に接続されていても構わない。
【００２３】
なお、図３では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
【００２４】
図４は、図３の描画装置の動作を説明するための概念図である。制御計算機１１０は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行なって、ショットデータを生成する。そして、ショットデータは偏向制御回路１２０に出力され、偏向制御回路１２０からの偏向用制御信号に従って描画部１５０を制御する。描画部１５０は、具体的には次のように動作する。照射部の一例となる電子銃２０１から電子ビーム２００が照射される。電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の開口部１０を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず開口部１０に合わせて矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。すなわち、電子ビーム２００が、第２のアパーチャ２０６の開口部１２を通過することによって、電子ビーム２００は成形される。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向器２０８により偏向される。その結果、連続移動するＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。
【００２５】
ここで、試料１０１上の電子ビーム２００が、所望する照射量を試料１０１に入射させる照射時間ｔに達した場合、以下のようにブランキングする。すなわち、試料１０１上に必要以上に電子ビーム２００が照射されないようにするため、例えば静電型のＢＬＫ偏向器２１２で電子ビーム２００を偏向すると共にＢＬＫアパーチャ２１４で電子ビーム２００をカットする。これにより、電子ビーム２００が試料１０１面上に到達しないようにする。
【００２６】
ビームＯＮ（ブランキングＯＦＦ）の場合、電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、図３における実線で示す軌道を進むことになる。一方、ビームＯＦＦ（ブランキングＯＮ）の場合、電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、図３における点線で示す軌道を進むことになる。また、電子鏡筒１０２内および描画室１０３内は、図示していない真空ポンプにより真空引きされ、大気圧よりも低い圧力となる真空雰囲気となっている。
【００２７】
ここで、実施の形態１では、レジスト膜３１０にパターン寸法を変更しながら多重描画する。
【００２８】
図５は、実施の形態１における多重描画におけるパターン寸法の一例を示す図である。ここでは、例えば、４回の多重描画を行なう例を示している。１回目の描画では、図５（ａ）に示すように、幅ｄの狭いパターンが描画される。２回目の描画では、図５（ｂ）に示すように、１回目よりも若干幅ｄの広いパターンが１回目の描画位置に重ねて描画される。ここでは、１回目の描画位置が中央になるように２回目の描画位置が設定される。３回目の描画では、図５（ｃ）に示すように、２回目よりも若干幅ｄの広いパターンが１，２回目の描画位置に重ねて描画される。ここでは、１回目の描画位置が中央になるように３回目の描画位置が設定される。４回目の描画では、図５（ｄ）に示すように、３回目よりも若干幅ｄの広いパターンが１，２，３回目の描画位置に重ねて描画される。ここでは、１回目の描画位置が中央になるように４回目の描画位置が設定される。以上のように描画されることで、レジスト膜３１０への電子の蓄積照射量は、図５（ｅ）に示すように１回目の描画部分が最も多くなり、次に２回目の描画部分から１回目の描画部分を除いた部分が多くなり、次に３回目の描画部分から２回目の描画部分を除いた部分が多くなり、そして、４回目の描画部分から３回目の描画部分を除いた部分が最も少なくなる。
【００２９】
このように、実施の形態１における多重描画では、レジスト膜３１０に照射される電子ビーム２００の照射量が中心部から所定の方向（例えばｘ方向）と所定の方向の逆方法（例えば−ｘ方向）の両側に向かって少なくなるようにパターン寸法が変更される。かかる蓄積量を順にずらした描画を行なうことで、図５（ｆ）に示すように、パターン断面は、断面形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成できる。また、パターン間のピッチは、例えば、２００ｎｍ以内で形成すると好適である。凹凸面の凸部間のピッチを１００〜２００ｎｍ以下にすることで可視光の反射を防止できる。
【００３０】
ここで、図５では、図５（ａ）〜図５（ｄ）に向けて、順にパターン寸法を大きくするようにしているが、これに限るものではなく、順序はランダムで構わない。結果として、電子の蓄積照射量が、図５（ｅ）のようになればよい。
【００３１】
図２（ｃ）において、現像工程（Ｓ１０６）として、パターン寸法を変更しながら多重描画されたレジスト膜３１０を現像する。これにより、露光されたレジスト部分が除去され、パターン断面の形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成されるレジストパターン３１２を形成できる。なお、ここではポジ型レジストを例としているがネガ型レジストを用いてもよい。その場合には、電子ビーム２００の照射位置を白黒反転させることは言うまでもない。また、形成されたレジストパターン３１２の断面の立ち上がりの傾斜角θ１は、５０°以内が好適である。より好ましくは、２０°以上５０°以内がよい。これにより、反射防止効果をより高めることができる。
【００３２】
そして、テンプレートの型枠形成工程（Ｓ１０８）として、現像された結果得られたレジストパターンを用いて、テンプレートの型を形成する。ここでは、一例として、結果的に完成するテンプレートのパターンがレジストパターン３１２と同様の形状になるように製造する場合を説明する。
【００３３】
図２（ｄ）において、スパッタ膜形成工程（Ｓ１１０）として、レジストパターン３１２上に、次の工程である電解めっき工程のカソード極となるシード膜として、金属シード膜２４０をスパッタ等の物理気相成長（ＰＶＤ）法により形成する。例えば、５ｎｍ程度形成する。金属シード膜２４０としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）含有膜が好適である。
【００３４】
図６は、図１のナノインプリント用のテンプレートの製造方法の断面工程図である。図６では、めっき工程（Ｓ１１２）からテンプレート取出し工程（Ｓ１１８）までの各工程を示している。
【００３５】
図６（ａ）において、めっき工程（Ｓ１１２）として、金属シード膜２４０をカソード極として、電解めっき等の電気化学成長法（或いは電鋳法）により金属膜２６０を金属シード膜２４０が形成された基板２００表面に堆積させる。ここでは、レジストパターン３１２が完全に埋まる膜厚で形成する。金属膜２６０は、金属シード膜２４０と同じ材料が望ましい。例えば、ニッケル（Ｎｉ）含有膜が好適である。
【００３６】
図６（ｂ）において、型取出し工程（Ｓ１１４）として、金属シード膜２４０が一体となった金属膜２６０をレジストパターン３１２及びＣｒ膜３０２から剥がす。これにより、テンプレートの型を取り出すことができる。テンプレートの型の内側にレジスト材が付着する場合には洗浄液で洗浄等を行なえばよい。
【００３７】
図６（ｃ）において、樹脂充填工程（Ｓ１１６）として、取り出したテンプレートの型のパターン面に樹脂２７０を充填する。ここでは、テンプレートの型のパターン面の凹凸が完全に埋まる膜厚で形成する。樹脂２７０の材料は、例えば、シルセスキオキサン系材料が好適である。充填後は、加熱することで樹脂２７０を硬化させる。
【００３８】
図６（ｄ）において、テンプレート取出し工程（Ｓ１１８）として、充填された樹脂を硬化させた後に、型となる金属膜２６０を樹脂２７０から外す。これにより残った型取りされ硬化した樹脂２７０が、ナノインプリント用のテンプレートとなる。
【００３９】
以上のようにして、パターン断面の形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成される凹凸面をもったナノインプリント用のテンプレートを製造できる。テンプレートのパターンは、レジストパターン３１２と同様の形状になる。
【００４０】
ここで、上述した例では、テンプレートのパターンは、レジストパターン３１２と同様の形状になるように金属膜２６０を型としたが、これに限るものではない。例えば、基板上のレジストパターン３１２をそのままテンプレートの型として用いてもよいし、樹脂２７０から新たに型取りしてもよい。かかる場合には、金属膜２６０の凹凸と逆の凹凸になるので、レジストパターン３１２と逆のパターン形状になる。
【００４１】
以上のようにして得られたテンプレートをディスプレイパネル等の表面シートに押し当てることで、テンプレートが有する凹凸面の形状をプリントできる。このシートをディスプレイパネルに貼ることにより、光が反射しにくい構造にできる。よって、ユーザ等にとって見やすいディスプレイにすることができる。その結果、低輝度でも情報が認識でき、省エネ及びバッテリ寿命に寄与できる。
【００４２】
実施の形態２．
実施の形態１では、多重描画を行なうことで、パターン断面の形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成されるパターンを形成したが、これに限るものではない。実施の形態２では、レジスト材を工夫することでかかる形状を形成する構成について説明する。
【００４３】
図７は、実施の形態２におけるナノインプリント用のテンプレートの製造方法の要部工程を示すフローチャート図である。図７において、パターン描画工程（Ｓ１０４）と現像工程（Ｓ１０６）との間に、ＰＥＢ工程（Ｓ１０５）を追加した点以外は図１と同様である。また、描画装置の構成は図３と同様である。その他、以下に説明する点以外の内容は、実施の形態１と同様である。
【００４４】
図８は、図７のナノインプリント用のテンプレートの製造方法の断面工程図である。図７では、パターン描画工程（Ｓ１０４）からＰＥＢ工程（Ｓ１０５）までの各工程を示している。
【００４５】
まず、レジスト膜形成工程（Ｓ１０２）として、クロム（Ｃｒ）膜３０２が表面に形成された基板３００上に、ネガ型化学増幅型レジストを用いたレジスト膜３１１を形成する。
【００４６】
図８（ａ）において、パターン描画工程（Ｓ１０４）として、電子ビーム２００を用いて、ネガ型化学増幅型のレジスト膜３１１にパターンを描画する。ここでは、特に、多重描画の必要はないが、多重描画を行なっても構わない。かかる場合には、特にパターン寸法を変更する必要はない。
【００４７】
次に、ＰＥＢ工程（Ｓ１０５）として、塩基性物質（例えば、アミン）を除去しない雰囲気で、描画されたネガ型化学増幅型レジスト膜３１１を加熱する。通常、ネガ型化学増幅型レジストは、照射された形状に形成されるように塩基性物質を除去した状態で加熱することで酸を拡散し、所望の形状を得る。しかし、実施の形態２では、敢えて、塩基性物質（例えば、アミン）を除去しない雰囲気で、加熱する。これにより、露光された表面から塩基性物質がレジスト膜３１１内に浸入し、パターンの上部側面、いわゆる肩部への酸の拡散を抑制できる。これにより、パターンの上部側面、いわゆる肩部でのレジスト膜３１１内の酸と中和して酸を失活させることができる。その後、現像工程（Ｓ１０６）を実施することで、図８（ｂ）に示すように、パターンの上部側面、いわゆる肩部が欠けて、パターン断面の形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線のレジストパターン３１２を形成できる。図８（ｂ）では、現像後の形状を示しているが、説明の理解をしやすくするため、ＰＥＢ工程（Ｓ１０５）でのアミンおよび本来のパターン形状でありながら酸が拡散しなかった部分（点線）を示している。
【００４８】
以下、実施の形態１と同様、テンプレートの型枠形成工程（Ｓ１０８）以降の各工程を実施することで、パターン断面の形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成される凹凸面をもったナノインプリント用のテンプレートを製造できる。
【００４９】
実施の形態３．
実施の形態１，２以外の方法でも、パターン断面の形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成されるレジストパターンを形成できる。実施の形態３では、電子ビームの非点収差を応用して、パターン断面の形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成されるレジストパターンを形成する場合について説明する。実施の形態３におけるナノインプリント用のテンプレートの製造方法のフローは図１と同様である。また、描画装置の構成は図３と同様である。その他、以下に説明する点以外の内容は、実施の形態１と同様である。
【００５０】
まず、レジスト膜形成工程（Ｓ１０２）として、実施の形態１と同様、クロム（Ｃｒ）膜３０２が表面に形成された基板３００上に、レジスト膜３１０を形成する。
【００５１】
次に、パターン描画工程（Ｓ１０４）として、一方向の（例えば、Ｘ方向の）焦点位置をずらした非点収差を持った電子ビーム２００を用いて、レジスト膜３１０にパターンを描画する。ここでは、特に、多重描画の必要はないが、多重描画を行なっても構わない。かかる場合には、特にパターン寸法を変更する必要はない。
【００５２】
図９は、実施の形態３における非点収差を調整する手法を説明するための概念図である。非点収差は、描画装置１００のコイル２０９により調整できる。例えば、ｘ方向に非点収差を発生させるには、コイル２０９a〜ｄに流れる電流を変化させる。通常は非点のない電子ビーム４００で描画するが、本実施例のように一方向に非点を発生させる場合、コイル電流のバランスを故意に崩してX方向に非点のある電子ビーム４０１を作り出せる。その結果、一方向に非点収差のあるボケビームを形成できる。
【００５３】
図１０は、実施の形態３におけるボケビームのビームプロファイルの一例を示す図である。照射されるビームのビームプロファイル２４におけるビーム強度が１０％と９０％の位置の間の距離を分解能σと定義したとき、実施の形態３では、ｘ方向のσが５０ｎｍ以上となるように非点調整を行なうと好適である。そして、現像工程（Ｓ１０６）を行なうことで、レジストパターンを形成する。
【００５４】
図１１は、実施の形態３のおけるレジストパターンの形状の一例を示す概念図である。例えば、一方向としてｘ方向にだけボケた電子ビームで描画することで、ｘ方向にだけパターン断面の形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成されるレジストパターン３１２を形成できる。
【００５５】
図１２は、実施の形態３のおけるパターンつなぎの一例を示す概念図である。実施の形態３では、一方向として例えばｘ方向にだけボケビームを形成しているので、ｙ方向のビームはボケていない。その結果、ｙ方向にはパターンのなまりが無いので、ｙ方向にショット３０，３２をつなぐ場合、つなぎ部に隙間を無くすことができる。
【００５６】
以下、実施の形態１と同様、テンプレートの型枠形成工程（Ｓ１０８）以降の各工程を実施することで、一方向にだけ、パターン断面の形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成される凹凸面をもったナノインプリント用のテンプレートを製造できる。さらに、実施の形態３では、一方向（例えばｘ方向）にだけボケビームを形成し、ショットつなぎが必要な方向（例えばｙ方向）はぼかさないので、ショットつなぎを高精度に形成できる。
【００５７】
実施の形態４．
実施の形態１，２，３以外の方法でも、パターン断面の形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成されるレジストパターンを形成できる。実施の形態４では、レジスト材の物性を利用して、パターン断面の形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成されるレジストパターンを形成する構成を説明する。実施の形態４におけるナノインプリント用のテンプレートの製造方法のフローは図１と同様である。また、描画装置の構成は図３と同様である。その他、以下に説明する点以外の内容は、実施の形態１と同様である。
【００５８】
図２（ａ）におけるレジスト膜形成工程（Ｓ１０２）として、クロム（Ｃｒ）膜３０２が表面に形成された基板３００上に、レジスト膜３１０を形成する。その際、レジスト膜３１０は、感光される膜厚と照射量との相関グラフの線と照射量軸との間の角度が５０°以下となる物性値をもつ材料を用いる。例えば、ＥＢＲ−９（東レ製）の商品名で示されるレジスト材等は好適である。
【００５９】
図１３は、実施の形態４における感光される膜厚と照射量との相関グラフの一例を示す図である。縦軸は、感光される膜厚、横軸は照射量を示す。そして、相関グラフの線と照射量軸との間の角度θ２を使って、レジスト材のコントラストδは、δ＝ｔａｎ・θ２で定義できる。コントラストは、照射位置と非照射位置での感度変化の程度を示している。実施の形態４では、かかるコントラストの悪い、すなわち、感度変化の程度が小さいレジストを用いることで、描画されたパターンの形状をなまらせる。そして、パターン描画工程（Ｓ１０４）と現像工程（Ｓ１０６）とを行なうことで、図２（ｃ）で示したような、パターン断面の形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成されるレジストパターン３１２を形成できる。
【００６０】
なお、実施の形態４では、パターン描画工程（Ｓ１０４）において、特に、多重描画の必要はないが、多重描画を行なっても構わない。かかる場合には、特にパターン寸法を変更する必要はない。
【００６１】
以下、実施の形態１と同様、テンプレートの型枠形成工程（Ｓ１０８）以降の各工程を実施することで、パターン断面の形状がなだらかな曲線或いは傾斜した線で構成される凹凸面をもったナノインプリント用のテンプレートを製造できる。
【００６２】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００６３】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００６４】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのナノインプリント用のテンプレートの製造方法、荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６５】
１０，１２  開口部
１４  パターン
２０，２２  焦点位置
２４  ビームプロファイル
３０，３２  ショット
１００  描画装置
１０１  試料
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１１０  制御計算機
１１１  メモリ
１２０  偏向制御回路
１３０  コイル制御回路
１４０  記憶装置
１５０  描画部
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３  第１のアパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５，２０８  偏向器
２０６  第２のアパーチャ
２０７  対物レンズ
２０９  コイル
２１２  ＢＬＫ偏向器
２１４  ＢＬＫアパーチャ
２４０  金属シード膜
２６０  金属膜
２７０  樹脂
３００  基板
３０２  Ｃｒ膜
３１０，３１１  レジスト膜
３１２  レジストパターン
４００  非点のない電子ビーム
４０１  X方向に非点のある電子ビーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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