【事件の表示】
　特願２０１２−１５５０８３「化合物半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　１月３０日出願公開、特開２０１４−　１７４２２、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年７月１０日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年　４月　６日　審査請求
平成２８年　１月　８日　拒絶理由通知
平成２８年　３月２２日　意見書・手続補正
平成２８年　５月３０日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２８年　９月　７日　審判請求・手続補正
平成２８年１２月　８日　上申書
　
第２　審判請求時の補正の適否
　平成２８年９月７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，特許請求の範囲の請求項１を補正（以下，「補正事項１」という。）し，及び，明細書の段落【０００８】を補正（以下，「補正事項２」という。）するものである。
　補正事項１及び２は，当初明細書等に記載した事項の範囲内においてされたものであるから，特許法１７条の２第３項の規定に適合する。
　また，補正事項１は，明りょうでない記載の釈明を目的とするものであるから，特許法１７条の２第４項の規定に適合し，同条５項４号に掲げるものに該当する。
　よって，本件補正は，特許法第１７条の２第３項ないし第５項の規定に適合し，適法なものである。
　
第３　原査定の理由の概要
　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項　１，２，６，７
・引用文献等　１，２
・備考
　本願発明と引用文献１に記載された発明を比較すると，本願発明は，電子走行層がその下層領域に炭素を含有する構成であるのに対し，引用文献１にはＧａＮ層１８についてその旨の記載がない点で相違する。
　一方，引用文献２（特に，段落［００１７］−［００４１］，図１−６）には，シリコン基板１０上のＡｌＮ層１２（本願発明の「第１のバッファ層」に相当。）と，ＡｌＮ層１２の上方に形成されたＡｌＧａＮ層１４（本願発明の「第２のバッファ層」に相当。）と，ＡｌＧａＮ層１４の上方に形成されたＧａＮ層２２（本願発明の「電子走行層」に相当。）を有しており，ＧａＮ層２２は，第１のＧａＮ層１８（本願発明の「下層領域」に相当。）と第２のＧａＮ層２０（本願発明の「上層領域」に相当。）の積層からなり，第１のＧａＮ層１８が第２のＧａＮ層２０よりも高い濃度の炭素を含有する構成の窒化物半導体ＨＥＭＴ，及びその製造方法の発明が記載されている。更に，第１のＧａＮ層１８の上面にＣ濃度がより低い第２のＧａＮ層２０を積層させることで，トラップの少ないＧａＮ層２０が得られる旨の，本願と同じ作用・効果の記載がある（段落［００３６］，図５，６）。
　してみれば，引用文献１と引用文献２に記載された発明は，ＧａＮ系半導体ＨＥＭＴにおける電子トラップ濃度を低減するという共通の課題を有するものであるから，引用文献１に記載の発明に引用文献２に記載の発明を適用して，ＧａＮ層１８の下層領域を高い濃度の炭素を含有する構成とすることは当業者が容易に想到し得ることである。
　引用文献１（段落［００２１］−［００４５］，図３−７）には，第１ＡｌＧａＮ層１４と第２ＡｌＧａＮ層１６の積層（本願発明の「第２のバッファ層」に相当。）における炭素は，電子トラップ濃度を低減するために成長速度を大きくした結晶成長工程においてＨ等と同様にはからずも結果として取り込まれたものであることが認められる。
　一方，引用文献２において，第１のＧａＮ層１８（電子走行層の下層領域）は，低Ｖ／ＩＩＩ比で成膜することによって，成膜に用いた原料ガスに含まれる炭素をより多く取り込むことで，Ｃ濃度を高くしている旨の記載があり（段落［００３４］），意図的に高濃度の炭素を取り込む成長条件を設定して成膜したものであることが認められる。
　してみれば，意図してＣ濃度が高い濃度で取り込まれる結晶成長条件で形成される引用文献２に記載の第１のＧａＮ層１８の炭素濃度は，引用文献１に記載の第２ＡｌＧａＮ層１６の炭素濃度よりも当然高いものと認められるので，引用文献１に記載の発明に引用文献２に記載の発明を適用することで，ＧａＮ層１８の下層領域をバッファ層である第２ＡｌＧａＮ層１６よりも意図的に高い炭素濃度で形成した構成とすることは当業者が容易になし得ることである。
　
・請求項　３
・引用文献等　１，２
・備考
　引用文献１において，ＡｌＮ下地層１２における炭素濃度についての明記的な記載はないので，積極的に炭素を含有させることなく，第１ＡｌＧａＮ層１４よりも炭素濃度を低くしてＡｌＮ下地層１２を構成することは，当業者が容易になし得ることである。
　
・請求項　４，５
・引用文献等　１，２
・備考
　引用文献１には，第２ＡｌＧａＮ層１６の炭素不純物濃度が第１ＡｌＧａＮ層１４の炭素不純物濃度よりも高い構成が記載されている（段落［００４３］）。
　してみれば，第１ＡｌＧａＮ層１４と第２ＡｌＧａＮ層１６の境界で，第１ＡｌＧａＮ層１４から第２ＡｌＧａＮ層１６に向けて炭素濃度を階段状に高くなるように構成すること，及び，第１ＡｌＧａＮ層１４側から第２ＡｌＧａＮ層１６側に向けて，炭素濃度を漸増するように構成すること，は当業者が容易になし得ることである。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
引用文献１　特開２０１２−０１５３０６号公報
引用文献２　特開２０１２−０３３７０３号公報
　
第４　本願発明
　本願の請求項１−７に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明７」という。）は，平成２８年９月７日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−７に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりである。
「【請求項１】
　ＡｌＮを材料とする第１のバッファ層と，
　前記第１のバッファ層の上方に設けられ，前記第１のバッファ層から離れるほど高濃度に炭素を含有した，ＡｌＧａＮを材料とする第２のバッファ層と，
　前記第２のバッファ層の上方に設けられ，前記第２のバッファ層と接する面の近傍において炭素を含有した電子走行層と
　を有し，
　前記電子走行層の前記第２のバッファ層と接する面の近傍の炭素濃度は，前記第２のバッファ層の前記電子走行層と接する面の近傍の炭素濃度よりも高いことを特徴とする化合物半導体装置。
　【請求項２】
　前記第２のバッファ層は，そのＡｌ組成比が下面から上面に向かうほど低値とされることを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体装置。
　【請求項３】
　前記第１のバッファ層は，前記第２のバッファ層の下面よりも炭素濃度が低いことを特徴とする請求項１又は２に記載の化合物半導体装置。
　【請求項４】
　前記第２のバッファ層は，その炭素濃度が下面から上面に向かうほど階段状に高くなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の化合物半導体装置。
　【請求項５】
　前記第２のバッファ層は，その炭素濃度が下面から上面に向かうほど漸増することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の化合物半導体装置。
　【請求項６】
　ＡｌＮを材料とする第１のバッファ層と，
　前記第１のバッファ層の上方に形成され，前記第１のバッファ層から離れるほど高濃度に炭素を含有した，ＡｌＧａＮを材料とする第２のバッファ層と，
　前記第２のバッファ層の上方に形成され，前記第２のバッファ層と接する面の近傍において炭素を含有した電子走行層と
　を形成し，
　前記電子走行層の前記第２のバッファ層と接する面の近傍の炭素濃度は，前記第２のバッファ層の前記電子走行層と接する面の近傍の炭素濃度よりも高いことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
　【請求項７】
　前記第２のバッファ層は，そのＡｌ組成比が下面から上面に向かうほど低値とされることを特徴とする請求項６に記載の化合物半導体装置の製造方法。」
　
第５　原査定について
１　本願発明１について
（１）引用文献１の記載
　ア　引用文献１
　引用文献１には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は半導体基板およびその製造方法に関し，例えばＳｉ基板上にＡｌＮ層が形成された半導体基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体を用いた半導体装置は，高周波かつ高出力で動作するパワー素子，短波長で発光する発光ダイオードやレーザダイオードとして用いられている。これらの半導体装置のうち，マイクロ波，準ミリ波，ミリ波等の高周波帯域において増幅を行なうのに適した半導体装置として，高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）等のＦＥＴ，発光装置として，レーザダイオード（ＬＤ）および発光ダイオード（ＬＥＤ）などの開発が進められている。
【０００３】
　ＧａＮ系半導体層を成長する基板として一般にサファイア基板やＳｉＣ（炭化シリコン）基板等が用いられている。サファイア基板やＳｉＣ基板は高価なため，
Ｓｉ（シリコン）基板上にＧａＮ系半導体層を成長する技術が開発されている。ＳｉとＧａとは反応し易いため，Ｓｉ基板とＧａＮ系半導体層との間にバリア層としてＡｌＮ（窒化アルミニウム）層が設けられる。
（イ）「【００２７】
　
図３は，実施例１に係る半導体装置用の基板の断面図である。実施例１においては，第１バッファ層である第１ＡｌＧａＮ層１４とＧａＮ層１８との間に第２バッファ層である第２ＡｌＧａＮ層１６を設けている。
【００２８】
　図４（ａ）から図４（ｃ）は，基板からの距離に対するＡｌ組成比ｘ，ａ軸長および伝導帯底のエネルギーＥｃを示した図である。図４（ａ）から図４（ｃ）のように，第２ＡｌＧａＮ層１６においてはＡｌ組成比ｘを成長とともに第１ＡｌＧａＮ層から急激に低減させる。また，第２ＡｌＧａＮ層１６において，ａ軸長を成長に従いＧａＮ層１８のａ軸長に近づける。さらに，伝導帯底のエネルギーＥｃを成長とともに第１ＡｌＧａＮ層から急激に低減させる。
【００２９】
　以上のように，
実施例１においては，第１ＡｌＧａＮ層１４とＧａＮ層１８との間に，ａ軸長を緩和する第２ＡｌＧａＮ層１６を設ける。
図４（ｃ）のように，領域３２における電子トラップ３０の濃度を減少させることができる。
【００３０】
　実施例１において，
下地層としてＡｌＮ層１２
【００３１】
　実施例１において，第２バッファ層として第２ＡｌＧａＮ層１６を例に説明したが，第２バッファ層は，ＧａＮ層１８（ＧａＮ系半導体層）に対し，高いＥｃを有し，結晶軸長（例えばａ軸長）がＧａＮ層１８とほぼ整合されることを主目的とする。よって，第２バッファ層の第１バッファ層側の面の結晶軸長に対し第１バッファ層と反対の面の結晶軸長がＧａＮ系半導体層に近いことが好ましい。また，第２バッファ層の伝導帯底のエネルギーＥｃがＧａＮ系半導体層より高いことが好ましい。このため，図４（ａ）のように，第１バッファ層からＧａＮ系半導体層に向かって組成がＧａＮ系半導体層に近づく構造であることが好ましい。
第２バッファ層中の結晶軸長を緩和させるためには，第２バッファ層の成長速度を第１バッファ層より速くすること
および第２バッファ層の不純物濃度を第１バッファ層の不純物濃度より高くすることの少なくとも１つを行なう
【００３２】
　実施例１において，第２バッファ層においても格子緩和に起因して転位が集中し，図４（ｃ）のように電子トラップ３４が生じる。しかしながら，第２バッファ層の伝導帯底のエネルギーＥｃをＧａＮ系半導体層より高くする。これにより，電子トラップ３４に捕獲される電子を抑制することができる。なお，第２バッファ層の伝導帯底のエネルギーＥｃをＧａＮ系半導体層より高くするためには，図４（ａ）のように，第２バッファ層がＧａＮ系半導体層より高いエネルギーバンドを有するように材料を選択してもよい。または，第２バッファ層内にピエゾ電荷を生成させ，第２バッファ層の伝導帯底のエネルギーＥｃを大きくしてもよい。なお，第２バッファ層の膜厚は，生成される電子トラップの総量を低減させるため３００ｎｍ以下が好ましい。」
（ウ）「【実施例２】
【００３４】
　
実施例２は，実施例１の具体例である。図５（ａ）から図６（ｂ）は，実施例２に係る半導体装置の製造工程
Ｓｉ基板１０
　面方位：（１１１）面
　厚さ：６２５μｍ
・・・
【００３９】
　次に，
ＧａＮ層１８上に電子供給層であるＡｌＧａＮ層２０を成長する。
　原料ガス：ＮＨ３，ＳｉＨ４，ＴＭＡ，ＴＭＧ
　ドープ：Ｓｉドープ
　Ａｌ組成：０．２５
　膜厚：　　２５ｎｍ
　上記各層の成長面は，（０００２）面である。以上により，ＨＥＭＴ用の半導体基板が完成する。
【００４０】
　図６（ｂ）のように，塩素系ガスを用いたＲＩＥ（反応性イオンエッチング）法を用い，ＡｌＧａＮ層２０およびＧａＮ層１８の一部を除去し素子分離を行なう（不図示）。ＡｌＧａＮ層２０に接するように基板側からＴｉ／Ａｌを真空蒸着する。７００℃で５分間熱処理することによりＡｌＧａＮ層２０とＴｉ／Ａｌを合金化させ，ソース電極２４およびドレイン電極２６を形成する。ＡｌＧａＮ層２０に接するように基板側からＮｉ／Ａｕを真空蒸着することによりゲート電極２８を形成する。その後，保護膜形成等を行ない，
実施例２に係るＨＥＭＴが完成する。
・・・
【００４３】
　なお，
第２ＡｌＧａＮ層１６において成長速度を早くすると第１ＡｌＧａＮ層１４に比べ，例えばＨまたはＣ等の不純物濃度が高くなる。
（エ）図４（ｃ）には，
ＧａＮ層１８の第２バッファ層１６に近い領域３２
（オ）図６（ｂ）には，
ＡｌＮ層４の上方に第１ＡｌＧａＮ層１４が設けられ，第１ＡｌＧａＮ層１４の上方に第２ＡｌＧａＮ層１６が設けられ，第２ＡｌＧａＮ層１６の上方にＧａＮ層１８が設けられること
　イ　引用発明１
　前記アより，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「下地層としてのＡｌＮ層と，ＡｌＮ層の上方に設けられたバッファ層である第１ＡｌＧａＮ層と，第１ＡｌＧａＮ層の上方に設けられたバッファ層である第２ＡｌＧａＮ層と，第２ＡｌＧａＮ層の上方に設けられたＧａＮ層とを有するＨＥＭＴであって，第２バッファ層の不純物濃度を第１バッファ層の不純物濃度より高くすること。」
（２）引用文献２の記載
　ア　引用文献２
　引用文献２には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【実施例１】
【００１７】
　図１は，実施例１に係る半導体装置の断面模式図の例である。実施例１では，
窒化物半導体のＨＥＭＴ
【００１８】
　図１のように，シリコン基板１０の上面に接して，
ＡｌＮ層１２とＡｌＧａＮ層１４とからなるバッファ層１６が形成されている。バッファ層１６の上面は凹凸がなく，ほぼ平坦な面となっている。バッファ層１６上に，第１のＧａＮ層１８と第２のＧａＮ層２０とからなるＧａＮ層２２が形成されている。第１のＧａＮ層１８に含まれる炭素（Ｃ）の濃度は，第２のＧａＮ層２０に含まれるＣの濃度よりも高くなっている。
（イ）「【００３２】
　このように，実施例１のＧａＮ層２２は，比較例１のＧａＮ層４８に比べて，結晶性が改善された理由は次のように考えられる。
比較例１のＧａＮ層４８は，Ｖ／ＩＩＩ比を１００００とした高Ｖ／ＩＩＩ比条件で成膜を行っている。このような高Ｖ／ＩＩＩ比条件でＧａＮを成膜する場合，ＧａＮエピ自身の結晶性が悪くなり
実施例１のＧａＮ層２２は，まずＶ／ＩＩＩ比を２０００とした低Ｖ／ＩＩＩ比条件で第１のＧａＮ層１８を成膜し，その後，高Ｖ／ＩＩＩ比条件で第２のＧａＮ層２０を成膜している。これにより，実施例１のＧａＮ層２２は，比較例１のＧａＮ層４８に比べて，結晶性が改善され
【００３３】
　また，図５および図６のように，５００〜７００ｎｍ帯でのブロードな発光（Yellow Band：ＹＢ）の強度は，実施例１および比較例１共に，約５（任意強度）程度であった。ＹＢ強度はＧａＮ中のトラップに起因したものであることから，ＹＢ強度が大きいことは
ＧａＮ中にトラップが多いことを意味し，電流コラプスの原因となる
【００３４】
　例えば，第１のＧａＮ層１８上に第２のＧａＮ層２０を設けず，第１のＧａＮ層１８のみでＧａＮ層２２を形成する場合を考える。この場合，ＧａＮ層２２は結晶性が改善されることとなり，ロッキングカーブの半値幅は小さく，バンド端発光強度は大きい結果が得られる。しかしながら，
第１のＧａＮ層１８は，低Ｖ／ＩＩＩ比で成膜しているために，成膜に用いた原料ガスに含まれる炭素（Ｃ）をより多く取り込み，Ｃ濃度が高くなる。Ｃは，それ自身がトラップとして働く。
【００３５】
　そこで，実施例１では，第１のＧａＮ層１８上に，Ｖ／ＩＩＩ比を１００００とした高Ｖ／ＩＩＩ比条件で第２のＧａＮ層２０を成膜している。
第２のＧａＮ層２０は高Ｖ／ＩＩＩ比で成膜しているためＣ濃度が低い。このため，ＧａＮ層２２全体のＣ濃度を低く抑えることができ
【００３６】
　以上のように，実施例１によれば，シリコン基板１０上に形成したバッファ層１６上に，第１のＧａＮ層１８と第１のＧａＮ層１８の上面に接して第２のＧａＮ層２０とを成膜する際に，
第１のＧａＮ層１８のＶ／ＩＩＩ比を第２のＧａＮ層２０のＶ／ＩＩＩ比よりも低くする。Ｖ／ＩＩＩ比を下げてＧａＮを成膜する程，Ｃが取り込まれてＣ濃度が高くなることから，第１のＧａＮ層１８に含まれるＣの濃度は，第２のＧａＮ層２０に含まれるＣの濃度よりも高くなる。これにより，上述したように，第１のＧａＮ層１８と第２のＧａＮ層２０とからなるＧａＮ層２２は，ロッキングカーブの半値幅が小さく，バンド端発光強度が大きい結果となり，結晶性が改善される。
　イ　引用発明２
　前記アより，引用文献２には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「ＡｌＮ層とＡｌＧａＮ層とからなるバッファ層が形成され，バッファ層上に，第１のＧａＮ層と第２のＧａＮ層が形成されている窒化物半導体のＨＥＭＴであって，第１のＧａＮ層に含まれる炭素の濃度は，第２のＧａＮ層に含まれる炭素の濃度よりも高くなっている。」
（３）本願発明１と引用発明１との対比
　ア　引用発明１の「下地層としてのＡｌＮ層」と，本願発明１の「ＡｌＮを材料とする第１のバッファ層」とは，下記相違点１を除いて，「ＡｌＮを材料とする第１の層」という点で共通すると認められる。
　イ　引用発明１の「ＡｌＮ層の上方に設けられたバッファ層である第１ＡｌＧａＮ層と，第１ＡｌＧａＮ層の上方に設けられたバッファ層である第２ＡｌＧａＮ層」は，「第２バッファ層の不純物濃度を第１バッファ層の不純物濃度より高くする」ものであり，不純物として「Ｃ」があげられている（前記（１）ア（ウ）【００４３】）から，前記アを考慮し，まとめて，本願発明１の「前記第１の層の上方に設けられ，前記第１の層から離れるほど高濃度に炭素を含有した，ＡｌＧａＮを材料とする第２のバッファ層」に相当すると認められる。
　ウ　引用発明１の「第２ＡｌＧａＮ層の上方に設けられたＧａＮ層」は，「ＨＥＭＴ」を構成するものであり，その上に電子供給層が成長される（前記（１）ア（ウ）【００３９】）から，電子走行層として機能するものと認められ，すると，下記相違点２を除いて，本願発明１の「前記第２のバッファ層の上方に設けられ，前記第２のバッファ層と接する面の近傍において炭素を含有した電子走行層」と，「前記第２のバッファ層の上方に設けられた電子走行層」という点で，共通すると認められる。
　エ　引用発明１の「ＨＥＭＴ」は，ＡｌＧａＮ及びＧａＮからなるから，下記相違点１及び２を除いて，本願発明１の「化合物半導体装置」に相当すると認められる。
　オ　すると，本願発明１と引用発明１とは，下記カの点で一致し，下記キの点で相違すると認められる。
　カ　一致点
「ＡｌＮを材料とする第１の層と，
　前記第１の層の上方に設けられ，前記第１の層から離れるほど高濃度に炭素を含有した，ＡｌＧａＮを材料とする第２のバッファ層と，
　前記第２のバッファ層の上方に設けられた電子走行層と
　を有すること
　を特徴とする化合物半導体装置。」
　キ　相違点
（ア）相違点１
　「第１の層」について，本願発明１では「バッファ層」であるのに対し，引用発明１では「下地層」である点。
（イ）相違点２
　本願発明１では，「電子走行層」が「前記第２のバッファ層と接する面の近傍において炭素を含有した」ものであり，「前記電子走行層の前記第２のバッファ層と接する面の近傍の炭素濃度は，前記第２のバッファ層の前記電子走行層と接する面の近傍の炭素濃度よりも高い」のに対し，引用発明１ではそうなっていない点。
（４）相違点についての判断
　相違点２について検討する。
　引用発明２では「バッファ層上に，第１のＧａＮ層と第２のＧａＮ層が形成されている窒化物半導体のＨＥＭＴであって，第１のＧａＮ層に含まれる炭素の濃度は，第２のＧａＮ層に含まれる炭素の濃度よりも高くなっている」ことが開示されているが，同時に炭素自身がトラップとして働くことも開示されている（前記（２）ア（イ）【００３４】）。すると，引用発明１において，ＧａＮ層の下に不純物濃度が高い第２バッファ層を設けるのは，ａ軸長を緩和してＧａＮ層の第２バッファに近い領域の電子トラップの濃度を減少させるためである（前記（２）ア（イ）【００２９】及び同（エ））ことに鑑みれば，引用発明１において引用発明２を採用すれば，ＧａＮ層のバッファ層に近い領域の炭素濃度が高くなりトラップが増加することに帰着し，これは引用発明１の目的に反するから，引用発明１に引用発明２を採用することには，阻害要因があるというべきである。
　また，仮に，引用発明１に引用発明２を採用したとしても，その炭素濃度を設定する際に，「前記電子走行層の前記第２のバッファ層と接する面の近傍の炭素濃度は，前記第２のバッファ層の前記電子走行層と接する面の近傍の炭素濃度よりも高い」とすることは，引用文献１にも２にも，記載も示唆もされていない。
　なお，引用文献１には，第２バッファ層中の結晶軸長を緩和させるために，第２バッファ層の不純物濃度を第１バッファ層の不純物濃度より高くすることが明示されている（前記（１）ア（イ）【００３１】）から，引用発明１において「第１ＡｌＧａＮ層１４と第２ＡｌＧａＮ層１６の積層（本願発明の「第２のバッファ層」に相当。）における炭素は，電子トラップ濃度を低減するために成長速度を大きくした結晶成長工程においてＨ等と同様にはからずも結果として取り込まれたものであること」を認めることはできない。
　そして，本願発明１は，相違点２に係る構成を有することにより，オフリーク電流が抑制されて耐圧が向上するとともに，化合物半導体積層構造の優れた結晶性がより確実に担保される（本願明細書段落【００３９】）という有利な効果を奏するものである。
（５）まとめ
　したがって，本願発明１は，引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
２　本願発明２ないし７について
　本願発明２ないし５は，本願発明１の発明特定事項を全て含みさらに他の発明特定事項を付加したものに相当し，本願発明６は，本願発明１の半導体装置の製造方法であり，本願発明７は，本願発明６をさらに限定したものであるから，前記１のとおり，本願発明１が引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない以上，請求項２ないし７に係る発明についても引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
第６　結言
　以上のとおりであるから，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　
　よって，結論のとおり審決する。