(57)【要約】【課題】装置を大型化することなく、比較的低コストで簡便に、電子写真用ベルトの片寄りおよび蛇行を検出可能な画像形成装置を提供すること。【解決手段】電子写真用ベルト３が最表面薄膜層３ｂに厚膜領域３１および薄膜領域３２を有し、該厚膜領域および薄膜領域が、ベルト幅方向に平行な線分および該線分に対して傾きをもって形成された線分を含む像を形成し、厚膜領域の厚みｄ１（ｎｍ）および薄膜領域の厚みｄ２（ｎｍ）が、発光主波長λの光源部からの光に対するベルト外周面の反射率Ｒとベルトの最表面薄膜層の厚みｄ（ｎｍ）との関係を表す反射率関数Ｒ（ｄ）について、以下の関係式；｜Ｒ（ｄ１）−Ｒ（ｄ２）｜≧０．５×｛Ｒｍａｘ（ｄ）−Ｒｍｉｎ（ｄ）｝；を満たす画像形成装置。【選択図】図３
2011128399.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周面に少なくとも１層の薄膜層を有する電子写真用ベルト；および
該電子写真用ベルトに対して光を照射する発光主波長λの光源部と、その反射光を受光する受光部とから構成され、電子写真用ベルト外周面の反射率を光学的に検出する光センサ；
を備えた画像形成装置であって、
電子写真用ベルトが最表面薄膜層に厚膜領域および薄膜領域を有し、該厚膜領域および薄膜領域が、ベルト幅方向に平行な線分および該線分に対して傾きをもって形成された線分を含む像を形成し、厚膜領域の厚みｄ１（ｎｍ）および薄膜領域の厚みｄ２（ｎｍ）が、発光主波長λの光源部からの光に対するベルト外周面の反射率Ｒとベルトの最表面薄膜層の厚みｄ（ｎｍ）との関係を表す反射率関数Ｒ（ｄ）について、以下の関係式（１）；
｜Ｒ（ｄ１）−Ｒ（ｄ２）｜≧０．５×｛Ｒｍａｘ（ｄ）−Ｒｍｉｎ（ｄ）｝    （１）
を満たすことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
厚膜領域の厚みｄ１（ｎｍ）および薄膜領域の厚みｄ２（ｎｍ）が以下の関係式（２）および関係式（３）；
５０ｎｍ≦ｄ１−ｄ２≦９５０ｎｍ        （２）
２０ｎｍ≦ｄ２＜ｄ１≦１０００ｎｍ        （３）
をさらに満たすことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
最表面薄膜層が無機酸化物層である請求項１または２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
無機酸化物層が珪素酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物および亜鉛酸化物から選ばれる１種類以上の酸化物を含む層である請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
電子写真用ベルトが転写ベルトまたは定着ベルトである請求項１〜４のいずれかに記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、中間転写ベルト、直接転写ベルトおよび定着ベルトなどの電子写真用ベルトを用いた電子写真用モノクロ／フルカラー画像形成装置、例えば、複写機、プリンタ、ＦＡＸおよびそれらの複合機に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真用フルカラー画像形成装置では、色別に感光体上に形成された複数のトナー像を一度、中間転写ベルトに転写させ、重ね合わせた後、紙などの被記録媒体に一括して転写してカラー画像を得ている。感光体から中間転写ベルトへの転写は「一次転写」と呼ばれ、中間転写ベルトから被記録媒体への転写は「二次転写」と呼ばれている。それらの転写工程では、転写ローラ等にバイアスを印加して電界を発生させることにより、トナー像を転写させる。
【０００３】
また電子写真用モノクロ／フルカラー画像形成装置では、トナー像を転写された被記録媒体を定着ベルトによって加圧／加熱することによって、トナー像を被記録媒体に定着させている。
【０００４】
上記のような画像形成装置において、中間転写ベルトや定着ベルトのような電子写真用ベルトは、複数のローラに張架されて使用される。また電子写真用ベルトにはクリーニング部材が当接して配置され、ベルト上に付着したトナーが除去される。このように電子写真用ベルトは、外部ストレスを受けながら使用されるため、ベルトに、いわゆる片寄りや蛇行が起こりやすい。片寄りは、回転時においてベルトが幅方向の一方の方向に移動する現象である。蛇行は、回転時においてベルトが幅方向でうねりながら進行する現象である。そのような片寄りや蛇行が発生すると、ベルトに過度なストレスが加わることにより、破損に至ることが問題となっていた。特に、中間転写ベルトの場合には、片寄りや蛇行は、色ずれなどの画像不良を発生させる要因となっていた。
【０００５】
ベルトの片寄りや蛇行の状態を検出する方法としては、例えば、（Ａ）中間転写ベルトの端部（エッジ）を検出する方法、（Ｂ）中間転写ベルト上に、片寄りや蛇行の状態を検出するためのトナーパターンを転写し、そのトナーパターンを光学センサにより検出する方法、（Ｃ）感光体ベルト上の潜像の電位を検出する方法（特許文献１）、（Ｄ）中間転写ベルト上にトナーからなるレジストマークを転写し、レジストマークを検出する方法（特許文献２）等が一般的に用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平４−２４０８６６号公報
【特許文献２】特開平７−１４０７５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記（Ａ）および（Ｃ）の方法では、検出用に専用のセンサを設ける必要があるため、装置の大型化やコストアップが問題となった。上記（Ｂ）および（Ｄ）の方法では、パターンの作像工程や転写工程が必要であり、印字動作以外の動作時間が長くなるため、ユーザーにストレスを感じさせる上に、トナーを無駄に消費するという問題があった。
【０００８】
本発明は、装置を大型化することなく、比較的低コストで簡便に、電子写真用ベルトの片寄りおよび蛇行を検出可能な画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、
外周面に少なくとも１層の薄膜層を有する電子写真用ベルト；および
該電子写真用ベルトに対して光を照射する発光主波長λの光源部と、その反射光を受光する受光部とから構成され、電子写真用ベルト外周面の反射率を光学的に検出する光センサ；
を備えた画像形成装置であって、
電子写真用ベルトが最表面薄膜層に厚膜領域および薄膜領域を有し、該厚膜領域および薄膜領域が、ベルト幅方向に平行な線分および該線分に対して傾きをもって形成された線分を含む像を形成し、厚膜領域の厚みｄ１（ｎｍ）および薄膜領域の厚みｄ２（ｎｍ）が、発光主波長λの光源部からの光に対するベルト外周面の反射率Ｒとベルトの最表面薄膜層の厚みｄ（ｎｍ）との関係を表す反射率関数Ｒ（ｄ）について、以下の関係式（１）；
｜Ｒ（ｄ１）−Ｒ（ｄ２）｜≧０．５×｛Ｒｍａｘ（ｄ）−Ｒｍｉｎ（ｄ）｝    （１）
を満たすことを特徴とする画像形成装置に関する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、装置を大型化することなく、比較的低コストで簡便に、電子写真用ベルトの片寄りおよび蛇行を検出することができる。光センサとしては、トナー濃度を補正するために従来から使用されている光センサが使用できるので、新たに専用のセンサを設ける必要がない。さらに厚膜領域および薄膜領域はベルト外周面に形成され、付着トナーを回収するクリーニング部材によって常に清掃されるため、検出精度が低下することがない。ベルト端部にエッジ検出用のセンサを設ける必要がなくないので、装置が大型化しない。
特に電子写真用ベルトを中間転写ベルトとして使用する場合、最表面薄膜層における厚膜領域と薄膜領域との間で、トナー像の転写性にほとんど差がないので、形成されるトナー画像に悪影響を及ぼすことがない。また片寄りや蛇行検出用のトナーパターン等を転写する必要がなくなるため、コピー／プリント以外の動作時間の短縮ができ、トナーパターン用の無駄なトナーの消費をなくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係る画像形成装置の一例の概略構成図。
【図２】本発明に係る電子写真用ベルトの一例の概略断面図。
【図３】本発明に係る電子写真用ベルトの外周面の一例の概略見取り図。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明において厚膜領域および薄膜領域によって形成されるエンボス像の形状の一例を示す模式図。
【図５】電子写真用ベルトに対して光センサの光源部から光（主波長λ）を照射したときの光学的干渉を模式的に表した図。
【図６】電子写真用ベルト外周面の発光主波長λの光に対する反射率Ｒと、中間転写ベルトの最表面薄膜層の厚みｄ（ｎｍ）との関係を表す反射率関数Ｒ（ｄ）を説明するためのグラフ。
【図７】電子写真用ベルトの片寄り状態を検出するメカニズムの説明図。
【図８】電子写真用ベルトの片寄りｙ（ｍｍ）を算出するときに用いるグラフの一例。
【図９】電子写真用ベルトの蛇行状態を検出するメカニズムの説明図。
【図１０】電子写真用ベルトの蛇行角度α（°）を算出するときに用いるグラフの一例。
【図１１】光センサと電子写真用ベルトとの配置関係を説明するための概略模式図。
【図１２】無機酸化物層を製造する製造装置の説明図。
【図１３】実験例Ａにおいて中間転写ベルトにおける転写率と最表面薄膜層の厚みｄ（ｎｍ）との関係を表すグラフ。
【図１４】実験例Ｂにおいて求めた反射率関数Ｒ（ｄ）のグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明に係る画像形成装置は少なくとも電子写真用ベルトおよび該電子写真用ベルトの外周面に対して光を照射し、その反射光を受光する光センサを備えたものである。本発明において電子写真用ベルトは、電子写真用画像形成装置内で使用されるベルトであれば、いかなるベルトして使用されてよく、例えば、転写ベルトおよび定着ベルト等が挙げられる。転写ベルトとしては、例えば、自己の表面にトナー像を一旦、保持して搬送し、当該トナー像を被記録媒体に二次転写させる中間転写ベルト、および自己の表面に被記録媒体を保持して搬送し、トナー像を直接的に当該被記録媒体に転写させる直接転写ベルト等が挙げられる。以下、電子写真用ベルトが中間転写ベルトである場合について詳しく説明するが、直接転写ベルトであっても、または定着ベルトであっても、以下の説明に準じて本発明の効果が得られることは明らかである。
【００１３】
図１は、本発明の画像形成装置の一例の概略構成図である。図１の画像形成装置は、感光体上にトナー像を形成する各色の現像部ごとに感光体を有するタンデム型フルカラー画像形成装置であるが、後で詳述する中間転写ベルト３および光センサ２０を有する限り、他の構造のものであってよく、例えば、１つの感光体に対して各色の現像部を有する４サイクル型フルカラー画像形成装置であってもよいし、または１つの感光体に対して１つの現像部を有するモノクロ画像形成装置であってもよい。
【００１４】
図１のタンデム型フルカラー画像形成装置において、各現像部（１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ）では通常、感光体（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ）の周りに、少なくとも帯電装置、露光装置、現像装置およびクリーニング装置（いずれの装置も図示せず）等が配置されている。そのような現像部（１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ）は、少なくとも２つの張架ローラ（１０，１１）によって張架された中間転写ベルト３に並列して配置されている。各現像部で感光体（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ）の表面に形成されたトナー像はそれぞれ、一次転写ローラ（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）を用いて中間転写ベルト３に一次転写され、当該中間転写ベルト上で重ねられてフルカラー画像が形成される。中間転写ベルト３の表面に転写されたフルカラー画像は二次転写ローラ５を用いて一括して紙等の被記録媒体６に二次転写された後、定着装置（図示せず）を通過させて、被記録媒体上にフルカラー画像を得る。一方、中間転写ベルト上に残留した転写残トナーはクリーニング装置７によって除去されるようになっている。
【００１５】
中間転写ベルト３は、各現像部において感光体上に形成されたトナー像を一次転写により自己の表面に担持し、当該トナー像を二次転写のために搬送するものである。
【００１６】
中間転写ベルト３は外周面に少なくとも１層の薄膜層を有するものであり、例えば図２に示すように基材３ａ上に１層の薄膜層３ｂが形成された単層型であってもよいし、基材３ａと薄膜層３ｂとの間に１層以上の他の層が形成された多層型であってもよい。本明細書中、単層型中間転写ベルトの薄膜層、および多層型中間転写ベルトの最表面の薄膜層をまとめて最表面薄膜層と呼ぶものとする。
【００１７】
基材３ａは、特に限定されないが、体積抵抗率が１０６〜１０１２Ω・ｃｍの範囲のものが好ましく、より好ましくはシームレスベルト形状を有する。例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）；ポリイミド（ＰＩ）；ポリアミドイミド（ＰＡＩ）；ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）等の樹脂材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりしたものが用いられる。基材の厚みは通常、５０〜５００μｍ程度に設定される。
【００１８】
最表面薄膜層３ｂは、トナーに対して離型性を示すものであり、例えば、無機酸化物層等の無機系薄膜層が使用される。
無機酸化物層は、珪素酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物および亜鉛酸化物から選ばれる１種類以上の酸化物を含むものが好ましく、特に珪素酸化物が好ましい。
【００１９】
そのような最表面薄膜層３ｂは、厚みが比較的厚い厚膜領域および厚みが比較的薄い薄膜領域を有し、当該厚膜領域および薄膜領域によって所定の像（エンボス像）を形成する。本明細書中、エンボス像とは、厚膜領域と薄膜領域との差に基づく最表面薄膜層表面の凹凸によって表される像のことであり、例えば、薄膜領域中において厚膜領域で表される浮き出し像であってもよいし、厚膜領域中において薄膜領域で表されるくぼみ像であってもよい。最表面薄膜層３ｂに厚膜領域３１および薄膜領域３２を有する中間転写ベルト３の一実施形態を図３に示す。図３において３１が厚膜領域であり、３２が薄膜領域であるが、３１が薄膜領域であり、３２が厚膜領域であってもよい。製造コストの観点から好ましくは、領域が比較的狭い３１が厚膜領域であり、領域が比較的広い３２が薄膜領域である。
【００２０】
厚膜領域３１および薄膜領域３２によって形成されるエンボス像３３は、幅方向に平行な線分（以下、平行線分という）および該線分に対して傾きをもって形成された線分（以下、傾斜線分という）を含む像）である。平行線分はベルトの幅方向に対して略平行な直線線分である。傾斜線分はベルトの進行方向について平行線分の上流側または下流側で、平行線分に対して傾斜角θを有するように形成された直線線分である。基準となる平行線分が先に検出されるので、傾斜線分はベルトの進行方向について平行線分の上流側で形成されていることが好ましい。傾斜角θは０°を超え９０°未満であれば特に制限されず、通常は３０〜６０°であり、厚膜領域および薄膜領域の検出性の観点から好ましくは４０〜５０°である。
【００２１】
平行線分と傾斜線分とは交わっていてもよいし、交わっていなくてもよい。すなわち、平行線分またはその延長線と、傾斜線分またはその延長線とが、傾斜角θを有するように形成される。平行線分および傾斜線分は実際に形成される線分であるが、それらの延長線は実際には形成されるものではなく、それらの線分を延長して形成したものと仮定したときの直線である。平行線分と傾斜線分とが交わっていない場合は、交点近傍での検出精度を向上できる。
【００２２】
厚膜領域および薄膜領域によって形成されるエンボス像３３の形状の具体例として、例えば、図４（Ａ）〜（Ｄ）に示す像、およびこれらの像を２個以上組み合わせてなる複合化された像が挙げられる。図４においてθは上記θと同意である。
例えば、図４（Ａ）に示すエンボス像は、傾斜線分３０２がベルトの進行方向ｘについて平行線分３０１の上流側で、平行線分３０１に対して傾斜角θを有し、かつ平行線分３０１と交わるように形成されてなる形状を有する像である。
また例えば、図４（Ｂ）に示すエンボス像は、傾斜線分３０２がベルトの進行方向ｘについて平行線分３０１の下流側で、平行線分３０１に対して傾斜角θを有し、かつ平行線分３０１と交わるように形成されてなる形状を有する像である。
また例えば、図４（Ｃ）に示すエンボス像は、傾斜線分３０２がベルトの進行方向ｘについて平行線分３０１の上流側で、平行線分３０１に対して傾斜角θを有し、かつ平行線分３０１と交わらないように形成されてなる形状を有する像である。破線は実際には形成されない平行線分および傾斜線分の延長線である。
また例えば、図４（Ｄ）に示すエンボス像は、傾斜線分３０２がベルトの進行方向ｘについて平行線分３０１の下流側で、平行線分３０１に対して傾斜角θを有し、かつ平行線分３０１と交わらないように形成されてなる形状を有する像である。破線は実際には形成されない平行線分および傾斜線分の延長線である。
【００２３】
図４（Ａ）〜（Ｄ）において、平行線分３０１またはその延長線と傾斜線分３０２または延長線とは、平行線分３０１の右端または右側で交わっているが、これに制限されるものではなく、平行線分３０１の左端または左側で交わっていてもよい。
エンボス像の形状は、上記した形状に制限されず、本発明の効果が得られる形状であれば任意の形状でかまわない。
【００２４】
厚膜領域および薄膜領域によって形成されるエンボス像の寸法は特に制限されず、光センサ２０によって厚膜領域および薄膜領域を光学的に検出できればよい。例えば、平行線分の長さＬ１および傾斜線分の長さＬ２は通常、それぞれ独立して８〜２０ｍｍの範囲内であり、厚膜領域および薄膜領域の検出性の観点から好ましくは８〜１４ｍｍの範囲内である。
【００２５】
平行線分および傾斜線分のライン幅は、光センサ２０によって検出できる限り特に制限されず、通常はそれぞれ独立して０．５〜２μｍの範囲内であり、厚膜領域および薄膜領域の検出性の観点から好ましくは１〜２μｍの範囲内である。
【００２６】
エンボス像３３は、図３において、ベルトの周方向にわたって複数段で等間隔に形成され、かつ１段あたりベルト幅方向に２個で形成されているが、エンボス像のベルト１つあたりの数は１個以上であればよく、ベルトの片寄りおよび蛇行のより一層有効な検出の観点から、同じ段で形成されるエンボスの数は２個以上が好ましい。同じ段で形成される２個以上のエンボス像はそれぞれの平行線分がベルト幅方向ｙに平行な同一直線上に乗るように配置されることが好ましい。図３において、ベルト幅方向ｙで並んで形成されている２個のエンボス像はそれぞれの平行線分が同一直線上に乗るように配置されている。
【００２７】
図３に示すように、エンボス像をベルト進行方向ｘに複数段で形成することによって、より精度よくベルトの片寄りおよび蛇行状態を検出でき、さらに、ベルトの周速検知や周速制御等にも用いることができる。ベルト進行方向ｘにおいてエンボス像が形成される段の間隔は３０〜１００ｍｍが好ましく、より好ましくは３０〜６０ｍｍである。
【００２８】
本発明において厚膜領域３１と薄膜領域３２とでは、トナー像の転写性にほとんど差がなく、しかも転写率は十分に高いので、被記録媒体上のトナー画像に悪影響を及ぼすことがなく、ベルトの外周面に厚膜領域と薄膜領域とを混在させることができる。
【００２９】
中間転写ベルト３の最表面薄膜層における厚膜領域の厚みｄ１（ｎｍ）および薄膜領域の厚みｄ２（ｎｍ）は、光センサ２０からの光に対する中間転写ベルト外周面の反射率Ｒとベルトの最表面薄膜層の厚みｄ（ｎｍ）との関係を表す反射率関数Ｒ（ｄ）について、以下の関係式（１）；
｜Ｒ（ｄ１）−Ｒ（ｄ２）｜≧０．５×｛Ｒｍａｘ（ｄ）−Ｒｍｉｎ（ｄ）｝    （１）
好ましくは以下の関係式（１'）；
｜Ｒ（ｄ１）−Ｒ（ｄ２）｜≧０．７×｛Ｒｍａｘ（ｄ）−Ｒｍｉｎ（ｄ）｝    （１'）
を満たす。
【００３０】
関係式（１）および（１'）において、ｄは最表面薄膜層の厚みである。
Ｒ（ｄ１）は厚みｄ１のときの反射率である。
Ｒ（ｄ２）は厚みｄ２のときの反射率である。
Ｒｍａｘ（ｄ）は反射率関数Ｒ（ｄ）の取り得る最大値である。
Ｒｍｉｎ（ｄ）は反射率関数Ｒ（ｄ）の取り得る最小値である。
【００３１】
厚膜領域３１と薄膜領域３２との間において光センサ２０の照射光の反射率に十分な差が生じるので、当該反射率の差を利用して、厚膜領域および薄膜領域を、色ずれなどの画像不良を発生させる片寄りや蛇行を検出できる精度で、検出できる。すなわち、上記関係式（１）または（１'）で規定するように厚膜領域３１と薄膜領域３２との反射率の差が所定の値以上になるように、ｄ１およびｄ２を選択するので、光センサによる厚膜領域３１および薄膜領域３２の検出が可能となる。そのため、厚膜領域３１および薄膜領域３２によって形成されたエンボス像の位置、形状および寸法を予め認識しておくことにより、装置を大型化することなく、比較的低コストで簡便に、ベルトの片寄りおよび蛇行を検出することができる。ベルトの片寄り及び蛇行状態の検出結果が画像形成装置で許容できる範囲を超えた場合は、画像形成装置に備えられたパネルに警告を出すことで、当該状態を事前にユーザー又はサービスマンに知らせることができ、結果として転写ベルトに過度なストレスが加わることによる破損を未然に防ぐことができる。ベルトの破損により画像形成装置全体が故障する危険も未然に防ぐことができる。画像形成装置が蛇行補正装置などを備えている場合は、転写ベルトの片寄り及び蛇行状態の検出結果を蛇行補正装置へ直接フィードバック制御をかけることにより、片寄りや蛇行検出用のトナーパターンを転写する動作を行うことなく、常に蛇行補正等を行うことができる。ｄ１およびｄ２が上記関係式（１）および（１'）を満たさない場合、厚膜領域３１と薄膜領域３２との反射率の差が十分でないために、光センサによって厚膜領域３１および薄膜領域３２を十分に検出できない。
【００３２】
以下、ベルトの片寄りを検出するメカニズムについて説明する。
最表面薄膜層を有するベルト外周面に対して光を照射すると、反射光に光学的干渉が生じることが一般に知られており、そのため反射率は最表面薄膜層の厚みに依存して周期的に変動し、反射率関数Ｒ（ｄ）を示す。光学的干渉の発生メカニズムを説明するための模式図を図５に示す。図５はベルト３に対して光センサの光源部から光（主波長λ）を照射したときの光学的干渉を模式的に表したものであり、少なくとも空気層（屈折率ｎ１）と最表面薄膜層３ｂ（屈折率ｎ２）との界面、および最表面薄膜層３ｂ（屈折率ｎ２）と基材３ａ（屈折率ｎ３）との界面において反射光に干渉が生じることを示している。図５の紙面上、表裏方向がベルトの駆動方向である。
【００３３】
反射率関数Ｒ（ｄ）は、トナーが担持されていない状態におけるベルト外周面の発光主波長λの光に対する反射率Ｒと、ベルトの最表面薄膜層の厚みｄ（ｎｍ）との関係を表すものであり、図６に示すような周期性を有する波形を示す。そのような反射率関数Ｒ（ｄ）について、前記関係式（１）または（１'）を満たすように、最表面薄膜層の厚膜領域の厚みｄ１（ｎｍ）および薄膜領域の厚みｄ２（ｎｍ）が選択される。例えば、図６において、Ｒ（ｄｘ）＝Ｒｍａｘ（ｄ）、Ｒ（ｄｙ）＝Ｒｍｉｎ（ｄ）、Ｒ（ｄｚ）＝０．８×｛Ｒｍａｘ（ｄ）−Ｒｍｉｎ（ｄ）｝＋Ｒｍｉｎ（ｄ）であるとき、ｄ１としてｄｙを選択し、ｄ２としてｄｘを選択すると、Ｒ（ｄ１）＝Ｒｍｉｎ（ｄ）およびＲ（ｄ２）＝Ｒｍａｘ（ｄ）であるので、下記式；
｜Ｒ（ｄ１）−Ｒ（ｄ２）｜＝１．０×｛Ｒｍａｘ（ｄ）−Ｒｍｉｎ（ｄ）｝
が表され、ｄ１およびｄ２は前記関係式（１）および（１'）を満たすものである。また例えば、図６において、ｄ１としてｄｚを選択し、ｄ２としてｄｙを選択すると、Ｒ（ｄ１）＝０．８×｛Ｒｍａｘ（ｄ）−Ｒｍｉｎ（ｄ）｝＋Ｒｍｉｎ（ｄ）およびＲ（ｄ２）＝Ｒｍｉｎ（ｄ）であるので、下記式；
｜Ｒ（ｄ１）−Ｒ（ｄ２）｜＝０．８×｛Ｒｍａｘ（ｄ）−Ｒｍｉｎ（ｄ）｝
が表され、ｄ１およびｄ２は前記関係式（１）および（１'）を満たすものである。
【００３４】
本発明のベルト表面の１つのエンボス像を、後述するように画像形成装置内に固定・配置された光センサで検出する。詳しくは、まず、ベルトが所定の位置に配置された正規状態でエンボス像を光センサで検出し、エンボス像における平行線分と傾斜線分との距離Ｍ１を測定する。正規状態とは、ベルトに片寄りも蛇行も起こっていないときのベルトの配置状態である。エンボス像の厚みの変化に基づいて反射率が変化し、これによって光センサの出力が変化するので、光センサの出力変化を観察することによって、平行線分と傾斜線分との距離は測定できる。その後、ベルトに片寄りが生じた場合、その状態でエンボス像を光学センサで検出し、エンボス像における平行線分と傾斜線分との距離Ｍ２を測定する。片寄りの程度に応じて平行線分と傾斜線分との距離Ｍ２が変化するので、そのような距離Ｍ１およびＭ２、ならびに平行線分と傾斜線分との傾斜角θ（既知）に基づいて、片寄りの程度を検出できる。
【００３５】
例えば、図３に示すベルトを使用する場合について説明する。１つのエンボス像に着目して、当該エンボス像を光センサで検出するに際し、図７に示すように、ラインＡ，ＢおよびＣでエンボス像を検出させると、それぞれのラインで膜厚の異なる箇所で反射率が大きく変化する波形が出力される。ラインＡ、Ｂ、Ｃの検出波形はそれぞれ、例えば図８（Ａ）〜（Ｃ）に示すものである。正規状態における光センサによる検出ラインをラインＢとした場合、図８（Ｂ）に示すように平行線分３０１と傾斜線分３０２との距離がＭ１である。ベルトに、進行方向ｘに対して右側（図７における右方向）へｙ（ｍｍ）だけの片寄りが生じ、検出ラインがラインＡとなった場合、図８（Ａ）に示すような波形が検出され、平行線分３０１と傾斜線分３０２との距離Ｍ２を測定する。その結果、片寄りｙ（ｍｍ）は以下の式によって算出できる。
ｙ＝（Ｍ２−Ｍ１）／ｔａｎθ
【００３６】
一方、ベルトに、進行方向ｘに対して左側（図７における左方向）へｙ（ｍｍ）だけの片寄りが生じ、検出ラインがラインＣとなった場合、図８（Ｃ）に示すような波形が検出され、平行線分３０１と傾斜線分３０２との距離Ｍ２が０になっても、片寄りｙ（ｍｍ）はやはり上記式によって算出できる。ここで、ｙがプラスの値のときは、ベルトが進行方向ｘに対して右側に片寄っているときを示し、マイナスの場合はベルトが進行方向ｘに対して左側に片寄っているときを示す。
【００３７】
次に、ベルトの蛇行を検出するメカニズムについて説明する。
本発明のベルト表面の２つのエンボス像を、画像形成装置内に固定・配置された２つの光センサで検出する。検出される２つのエンボス像は平行線分がベルト幅方向に平行な同一直線上に乗るように配置されている。２つの光センサは、上記２つのエンボス像の正規状態からのズレがわかるように、例えばベルトが正規状態のときのベルト幅方向に平行な同一直線上に配置される。詳しくは、ベルトが蛇行すると、図９に示すようにベルトが進行方向ｘに対して、ある一定の角度α（°）を持つことになるので、一方のエンボス像を基準にしたときの他方のエンボス像の傾きα（°）として、ベルトの蛇行を検出する。まず、蛇行状態で２つのエンボス像を光学センサで検出し、一方のエンボス像と他方のエンボス像とのズレＭ３を測定する。このとき、当該２つのエンボス像の距離Ｍ４は既知であるので、そのような距離Ｍ３およびＭ４に基づいて、蛇行の程度を検出できる。
【００３８】
例えば、図３に示すベルトを使用する場合について説明する。ベルトが蛇行状態にある場合、平行線分がベルト幅方向に平行な同一直線上に乗る２つのエンボス像に着目して当該２つのエンボス像を光センサで検出すると、図９に示すように、ラインＤおよびＥでエンボス像は検出される。このとき、それぞれのラインで膜厚の異なる箇所で反射率が大きく変化する波形が出力される。ラインＤ，Ｅの検出波形はそれぞれ、例えば図１０に示すものである。図１０に示す検出波形は、グラフの視認性から意図的にラインＤのセンサ出力を＋0.5Vとして示してある。図１０に示すピーク３０１ｘ、３０１ｙ、３０２ｘ、３０２ｙはそれぞれ、図９における平行線分３０１ｘ、平行線分３０１ｙ、傾斜線分３０２ｘ、傾斜線分３０２ｙに対応するものである。その結果、蛇行角度α（°）は以下の式によって算出できる。
α＝｛ｓｉｎ−１（Ｍ３／Ｍ４）｝×（１８０／π）
【００３９】
別の算出方法として、実際のαは十分小さいため、以下のような近似式などを用いて算出しても良い。
α≒（Ｍ３／Ｍ４）×（１８０／π）
【００４０】
図９および図１０において、ベルトが進行方向ｘについて左側に斜行したために、右側のエンボス像（３０１ｘ、３０２ｘ）が左側のエンボス像（３０１ｙ、３０２ｙ）より先行しているところが示されているが、その逆の状態であってもよい。すなわち、左側のエンボス像（３０１ｙ、３０２ｙ）が右側のエンボス像（３０１ｘ、３０２ｘ）より先行する場合も、図９においてと同様に、右側のエンボス像（３０１ｘ、３０２ｘ）を基準にして、上記方法においてエンボスのズレＭ３をマイナスの値で表すことによって、蛇行角度α（°）をマイナスの値で表すことができる。
【００４１】
蛇行角度αは−９０°を超え＋９０°未満の範囲内で検出可能であり、通常は−１０〜＋１０°、特に−３〜＋３°である。
【００４２】
厚膜領域の厚みｄ１（ｎｍ）および薄膜領域の厚みｄ２（ｎｍ）は、最表面薄膜層の割れや剥離の防止の観点から、以下の関係式（２）〜（３）；
５０ｎｍ≦ｄ１−ｄ２≦９５０ｎｍ        （２）
２０ｎｍ≦ｄ２＜ｄ１≦１０００ｎｍ        （３）
をさらに満たすことが好ましい。
【００４３】
前記関係式（２）は、より好ましくは以下の関係式（２'）；
８０ｎｍ≦ｄ１−ｄ２≦５００ｎｍ        （２'）
である。
前記関係式（３）は、厚膜領域または／および薄膜領域の割れや剥離をより一層有効に防止する観点からより好ましくは以下の関係式（３'）；
５０ｎｍ≦ｄ２≦５００ｎｍ，１３０ｎｍ≦ｄ１≦６００ｎｍ        （２'）
である。
【００４４】
厚膜領域３１と薄膜領域３２とは厚みの差による自然光に対する反射率の差に基づいて目視で容易に区別できるので、厚膜領域の厚みｄ１（ｎｍ）および薄膜領域の厚みｄ２（ｎｍ）はそれぞれ、目視で区別された所定の領域において測定することによって求めることができる。詳しくは厚膜領域の厚みｄ１（ｎｍ）および薄膜領域の厚みｄ２（ｎｍ）はそれぞれ所定の領域において薄膜膜厚計（マミヤオーピー社製）によって測定された任意の２０点の厚みの平均値を用いている。
【００４５】
厚膜領域３１および薄膜領域３２それぞれにおいて厚みは均一である。
厚膜領域３１における上記任意の２０点の厚みは、それらの平均値±５ｎｍの範囲内にある。
薄膜領域３２における上記任意の２０点の厚みは、それらの平均値±５ｎｍの範囲内にある。
【００４６】
反射率関数Ｒ（ｄ）についてさらに詳しく説明する。
反射率関数Ｒ（ｄ）はマトリクス法を用いたマトリクス計算により容易に得ることができる。
例えば、ベルトが基材３ａ上に１層の最表面薄膜層３ｂが形成された単層型構造を有する場合における反射率関数Ｒ（ｄ）は以下の式によって表すことができる。
【００４７】
【数１】
2011128399.tif 000003
【００４８】
式中、λは光センサの光源部から照射される光の主波長である。例えば、７３０ｎｍとすることができる。
ｎ１は空気の屈折率であり、通常は真空とほぼ同じ１．００である。
θ１は光センサの光源部からの照射光が空気側から最表面薄膜層３ｂとの界面に入射するときの入射角であり、通常は０〜９０°の範囲内である。
ｎ２は最表面薄膜層３ｂの屈折率であり、通常は１〜４の範囲内である。
θ２は光センサの光源部からの照射光が最表面薄膜層３ｂ側から基材３ａとの界面に入射するときの入射角であり、通常は０〜９０°の範囲内である。
ｎ３は基材３ａの屈折率であり、通常は１〜４の範囲内である
θ３は光センサの光源部からの照射光が基材３ａ側から空気との界面に入射するときの入射角であり、通常は０〜９０°の範囲内である。
ｄは前記と同様に最表面薄膜層３ｂの厚みである。
【００４９】
また例えば、中間転写ベルトが基材３ａ上に特定の薄膜層３ｃおよび最表面薄膜層３ｂが順次形成された多層型構造を有する場合にも、公知のマトリックス法を用いた計算により反射率関数（Ｒ）を得ることができる。この場合、薄膜層３ｃの厚みを固定値として考えて、Ｒ（ｄ）が前記条件式を満たすように最表面薄膜層３ｂの厚みｄを設定すればよい。薄膜層３ｃは２以上の層からなっていてもよい。
【００５０】
本発明において厚膜領域３１および薄膜領域３２を有する最表面薄膜層３ｂは、少なくとも放電ガスと無機酸化物層の原料ガスとの混合ガスをプラズマ化して原料ガスに応じた膜を堆積・形成するプラズマＣＶＤ法、特に大気圧または大気圧近傍下において行われる大気圧プラズマＣＶＤ法において、所定の薄膜領域をマスクすることにより、形成できる。マスクとしては、ＰＥＴ等の樹脂フィルムが使用可能である。マスクとは、例えば、特定箇所のみ放電電極に対して遮蔽物がなく、その他の部分には放電電極に対して遮蔽物があるベルト形状のものである。プラズマＣＶＤ法は、例えば、特開２００７−１７６６６号公報に記載の方法と同様の方法に従って実施すればよい。
【００５１】
以下に、珪素酸化物（ＳｉＯ2）を含む無機酸化物層を大気圧プラズマＣＶＤ法により形成する場合を例に取り、その製造装置及び製造方法について説明する。大気圧またはその近傍の圧力とは２０ｋＰａ〜１１０ｋＰａ程度であり、９３ｋＰａ〜１０４ｋＰａが好ましい。
【００５２】
図１２は、無機酸化物層を製造する製造装置の説明図である。無機酸化物層の製造装置４０は、放電空間と薄膜堆積領域が略同一部で、プラズマを基材に晒して堆積・形成するダイレクト方式によって、基材上に無機酸化物層を形成するものであり、エンドレスベルト状の基材３ａを巻架して矢印方向に回転するロール電極５０と従動ローラ６０、及び、基材表面に無機酸化物層を形成する成膜装置である大気圧プラズマＣＶＤ装置７０より構成されている。
【００５３】
大気圧プラズマＣＶＤ装置７０は、ロール電極５０の外周に沿って配列された少なくとも１式の固定電極７１と、固定電極７１とロール電極５０との対向領域で且つ放電が行われる放電空間７３と、少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間７３に混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置７４と、放電空間７３等に空気の流入することを軽減する放電容器７９と、固定電極７１に接続された第１の電源７５と、ロール電極５０に接続された第２の電源７６と、使用済みの排ガスＧ’を排気する排気部７８とを有している。固定電極７１に第２の電源７６、ロール電極５０に第１の電源７５を接続しても良い。
【００５４】
混合ガス供給装置７４は珪素酸化物を含む膜を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス等の希ガスを混合した混合ガスを放電空間７３に供給する。
従動ローラ６０は張力付勢手段６１により矢印方向に付勢され、基材３ａに所定の張力を掛けている。張力付勢手段６１は基材３ａの掛け替え時等は張力の付勢を解除し、容易に基材３ａの掛け替え等を可能としている。
【００５５】
第１の電源７５は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源７６は周波数ω１より高い周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間７３に周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより混合ガスＧをプラズマ化して混合ガスＧに含まれる原料ガスに応じた膜（無機酸化物層）が基材３ａの表面に堆積される。
【００５６】
そのような無機酸化物層の形成時において薄膜領域の所定厚みが達成されたら、所定の薄膜領域をマスクし、厚膜領域の所定厚みが達成されるまで無機酸化物の堆積を継続すればよい。
【００５７】
原料ガスとしては、珪素酸化物層を形成する場合は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、テトラクロロシラン等が使用できる。アルミニウム酸化物層を形成する場合は、塩化アルミニウム、トリメチルアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、トリメトキシアルミニウム等が使用できる。チタン酸化物層を形成する場合は、塩化チタン、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン等が使用できる。亜鉛酸化物層を形成する場合は、ジエトキシ亜鉛、塩化亜鉛等が使用できる。
【００５８】
光センサ２０は、例えば図１１に示すように、ベルト３外周面に対して光を照射する発光主波長λの光源部２１と、その反射光を受光する受光部２２とから構成され、光源部２１および受光部２２のそれぞれの入射角および受光角が同じ値θになるように設置される。図１１は光センサとベルトとの配置関係を説明するための概略模式図であり、図１における中間転写ベルトの回転方向（駆動方向）Ｄに対して垂直な断面構成図である。
【００５９】
光センサ２０は、例えば定期的に行われる色ずれ補正時において、中間転写ベルト外周面の反射率を光学的に検出する。詳しくは、中間転写ベルト外周面にトナーが担持されていない清浄状態において、中間転写ベルトを回転駆動させながら、光源部２１により光を中間転写ベルト外周面に対して照射し、受光部２２によりその反射光の受光量を測定する。受光部２２では通常、反射光の受光量はその大きさに応じて出力される電圧値として得られるので、反射率の変化は光センサ出力値の変化として検出される。
【００６０】
感光体（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ）は、表面に形成された静電潜像に基づいてトナー像が形成されるものである。感光体は従来の電子写真方式の画像形成装置に搭載され得るものであれば、特に制限されるものではなく、通常は感光層が有機系のものが使用される。
【００６１】
一次転写ローラ４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）は、中間転写ベルト３について感光体２に対して逆側に配置される。一次転写ローラ４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）により中間転写ベルト３を押圧するとともに、所望により一次転写ローラ４にバイアスを印加することによって、感光体２（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ）表面に担持されたトナー像を中間転写ベルト３に一次転写させる。
【００６２】
一次転写ローラにバイアスが印加される場合、例えばトナーの帯電極性に対して逆極性であって、その絶対値が３００〜３０００Ｖ、特に６００〜１５００Ｖの範囲内のＤＣ成分が印加される。トナーの帯電極性に対して逆極性とは、例えばトナーが負帯電性の場合は＋極性を、トナーが正帯電性の場合は−極性を意味する。一次転写ローラには上記ＤＣ成分とともにＡＣ成分が重畳されてもよい。
【００６３】
一次転写ローラの構造は特に制限されるものではなく、例えば、ＥＰＤＭ、ＮＢＲ等に導電材としてカーボン等を分散させたコート層を金属の芯金表面に有するもの、又は金属ローラ等が使用可能である。
【００６４】
二次転写ローラ５は、中間転写ベルト３について張架ローラ１１に対して逆側に配置される。二次転写ローラ５により、トナー像を担持した中間転写ベルト３に対して、被記録媒体６を介して押圧することにより、トナー像を被記録媒体６に二次転写させる。二次転写ローラには、所望によりバイアスが印加され、二次転写を促進させることができる。
【００６５】
二次転写ローラの構造は特に制限されるものではないが、弾性層を有することが好ましい。被記録媒体との密着性を確保するためである。
【００６６】
弾性層を有する二次転写ローラの構造として、例えば、芯金表面に弾性層を有してなる構造が挙げられる。芯金として、鉄、ステンレス等の金属からなるものが使用可能である。
【００６７】
弾性層はアスカーＣ硬度が２０°〜６０°、特に３０°〜５０°の層である。
本明細書中、アスカーＣ硬度はアスカーゴム硬度計Ｃ型によって測定された値を用いている。
【００６８】
弾性層は、エチレン−プロピレン−ジエンゴム（ＥＰＤＭ）；ニトリル−ブタジエンゴム（ＮＢＲ）；クロロプレンゴム（ＣＲ）；シリコンゴム；ウレタンゴム等の弾性材料を用いて形成され、通常はさらに導電材が含有される。導電材として、例えば、カーボン等が使用可能である。
弾性層の厚みは通常、１〜２０ｍｍであり、好ましくは３〜１０ｍｍである。
【００６９】
二次転写ローラの抵抗は、転写性確保の観点から、１０５〜１０１０Ω、特に１０６〜１０８Ωが好ましい。
【００７０】
二次転写ローラにバイアスが印加される場合、例えばトナーの帯電極性に対して逆極性であって、その絶対値が３００〜５０００Ｖ、特に６００〜３０００Ｖの範囲内のＤＣ成分が印加される。二次転写ローラには上記ＤＣ成分とともにＡＣ成分が重畳されてもよい。
【００７１】
張架ローラ（１０，１１）は特に制限されず、例えば、アルミや鉄などの金属ローラを用いることができる。また芯金の外周面にコート層を設けたローラであって、コート層がＥＰＤＭ、ＮＢＲ、ウレタンゴム、シリコンゴムなどの弾性材料に導電粉体やカーボンを分散させたものであり、抵抗値が１×１０９Ω・ｃｍ以下に調整されたローラを用いることもできる。
【００７２】
画像形成装置が有する他の部材・装置、例えばクリーニング装置７、帯電装置、露光装置、現像装置および感光体用クリーニング装置は特に制限されず、従来より画像形成装置に使用されている公知のものが使用可能である。
【００７３】
例えば現像装置は、トナーのみを用いる一成分現像方式を採用したものであってもよいし、またはトナーとキャリアを用いる二成分現像方式を採用したものであってもよい。
トナーは、重合法等の湿式法で製造されたトナー粒子を含むものであってもよいし、または粉砕法（乾式法）で製造されたトナー粒子を含むものであってもよい。
トナーの平均粒径は特に制限されるものではなく、７μｍ以下、特に４．５μｍ〜６．５μｍが好ましい。
トナーの帯電性は特に制限されるものではなく、負帯電性または正帯電性を有していてよい。
【実施例】
【００７４】
［実験例Ａ］
（中間転写ベルトの製造）
押出成形によって、ＰＰＳ樹脂中にカーボンが分散されてなる表面抵抗率１．３０×１０９Ω／□、厚み１２０μｍおよび周長７００ｍｍのシームレス形状基材を得た。
基材の外周表面に、大気圧プラズマＣＶＤ法に基づいて図１２に示す装置によって、所定膜厚のＳｉＯ２薄膜層（硬度４ＧＰａ、表面粗さＲａ３１ｎｍ）を形成し、中間転写ベルトを得た。
【００７５】
（評価）
上記した方法で製造した中間転写ベルトをプリンター（Ｂｉｚｈｕｂ  Ｃ３５３；コニカミノルタ製）に搭載し、コニカミノルタ製Ｊペーパー（Ａ４サイズ）にベタ画像を印字した。中間転写ベルトから上記ペーパーへの二次転写率（％）を求めた。二次転写率は、中間転写ベルト上のベタ画像のトナー重量に対する、二次転写されたベタ画像のトナー重量の割合である。印字条件は、上記中間転写ベルトを用いたこと以外、上記プリンターの標準条件と同様であった。トナーは平均粒径６．５μｍの重合トナーであった。
比較として、シームレス形状基材を中間転写ベルトとしてそのまま用いて評価を行った。
【００７６】
転写率と膜厚の関係を図１３に示した。図に示すように無機酸化物薄膜層を基材上に設けることで転写率が向上し、膜厚に対して転写率はほとんど変化しなかった。そのため薄膜層の膜厚は転写品質に影響すること無く任意の膜厚に設定することができる。
【００７７】
［実験例Ｂ］
中間転写ベルトが基材上に１層の最表面薄膜層（ＳｉＯ２）を形成してなる単層型構造を有する場合における前記反射率関数Ｒ（ｄ）に以下の算出条件を代入し、図１４にグラフ化した。図より、上記中間転写ベルトにおいて、厚膜領域の厚みｄ１（ｎｍ）を３９０ｎｍとし、薄膜領域の厚みｄ２（ｎｍ）を２６０ｎｍとすると、それらの領域における反射率の差は最大となることがわかった。
【００７８】
（算出条件）
基材屈折率（ｎ３）：１．６５（ポリフェニルサルファイド：ＰＰＳ）
基材厚さ：１５０μｍ
薄膜層屈折率（ｎ２）：１．４５（ＳｉＯ２）
薄膜層入射角（θ１）：２０°
発光主波長（λ）：７３０ｎｍ
空気層屈折率（ｎ１）：１
基材入射角（θ２）：１３．６°
入射角（θ３）：１２．０°
【００７９】
［実験例Ｃ］
基材上に１層の最表面薄膜層（ＳｉＯ２）を形成してなる単層型構造を有し、かつ最表面薄膜層３ｂが厚膜領域３１および薄膜領域３２によって形成されたエンボス像を有してなる図３に示す中間転写ベルトを製造した。図３中、ベルト進行方向ｘにおいてエンボス像は３５ｍｍピッチ、２０段にわたって等間隔に形成されていた。最表面薄膜層における各エンボス像の詳しい形状は図４（Ａ）に示すものであり、以下に示す寸法を有していた。
Ｌ１＝１０ｍｍ；
Ｌ２＝１４．１ｍｍ；
θ＝４５°；
図４（Ａ）において平行線分３０１および傾斜線分３０２は厚膜領域３１からなっており、厚膜領域３１の厚みｄ１は３９０ｎｍであった。平行線分３０１および傾斜線分３０２以外の領域は薄膜領域３２からなっており、薄膜領域の厚みｄ２は２６０ｎｍであった。平行線分３０１および傾斜線分３０２のライン幅は１ｍｍであった。
【００８０】
そのような中間転写ベルトの製造方法は、ＳｉＯ２層の形成時において、薄膜領域の所定厚みが達成されたら、所定の薄膜領域をマスクし、厚膜領域の所定厚みが達成されるまでＳｉＯ２の堆積を継続させたこと以外、実験例Ａにおける中間転写ベルトの製造方法と同様であった。
【００８１】
（評価）
・正規状態（ラインＢ）
得られた中間転写ベルトおよび光センサをプリンターに搭載した。プリンターはＢｉｚｈｕｂ  Ｃ３５３（コニカミノルタ製）を改造したもので、図１に示す概略構成を有していた。光センサ２０は、図７に示すように、最表面薄膜層上の１つのエンボス像におけるラインＢが検出ラインとなる位置に配置した。
光センサ２０の照射条件を以下に示す。
薄膜層入射角θ：２０°
発光主波長：７３０ｎｍ
【００８２】
発光センサを駆動させながら、中間転写ベルトを回転駆動させ、ベルト周方向のセンサ出力変化を測定した。結果は図８（Ｂ）に示すグラフ（Ｍ１＝５ｍｍ）と同様であった。
【００８３】
・ズレ状態（一方の方向）
装着時においてベルトを正規状態から、ベルト幅方向の一方の方向に５ｍｍだけ平行にずらしたこと以外、正規状態の評価方法と同様の方法により、ベルト周方向のセンサ出力変化を測定した。結果は図８（Ａ）に示すグラフ（Ｍ２＝１０ｍｍ）と同様であった。
ｙ＝（１０−５）／ｔａｎ４５°＝５
上記式から、ベルトは図３において幅方向ｙについて右側に５ｍｍだけ片寄っていることがわかった。
【００８４】
・ズレ状態（他方の方向）
装着時においてベルトを正規状態から、ベルト幅方向の他方の方向に５ｍｍだけ平行にずらしたこと以外、正規状態の評価方法と同様の方法により、ベルト周方向のセンサ出力変化を測定した。結果は図８（Ｃ）に示すグラフ（Ｍ２＝０ｍｍ）と同様であった。
ｙ＝（０−５）／ｔａｎ４５°＝−５
上記式から、ベルトは図３において幅方向ｙについて左側に５ｍｍだけ片寄っていることがわかった。
【００８５】
［実験例Ｄ］
実験例Ｃと同様の中間転写ベルトを用いた。
【００８６】
（評価）
上記中間転写ベルトおよび２つの光センサをプリンターに搭載したこと、中間転写ベルトを２つのローラに張架する際、蛇行が起こるように、２つのローラにおいて適正な配置よりも互いにわずかにずらしてローラに張架したこと、２つの光センサは、平行線分がベルト幅方向に平行な同一直線上に乗るように配置された２つのエンボス像について、図９に示すように、ラインＤ，Ｅが検出ラインとなるような位置に配置したこと以外、実験例Ｃと同様の方法により、ベルト周方向のセンサ出力変化を測定した。結果は図１０に示すグラフ（Ｍ３＝１０ｍｍ）と同様であった。
当該２つのエンボス像の距離Ｍ４は２００ｍｍであるので、下記式から、ベルトは図３において進行方向ｘについて左側に３°だけ蛇行していることがわかった。
α≒（Ｍ３／Ｍ４）×（１８０／π）＝（１０／２００）×（１８０／π）＝３
【符号の説明】
【００８７】
１：１ａ：１ｂ：１ｃ：１ｄ：現像部
２：２ａ：２ｂ：２ｃ：２ｄ：感光体
３：中間転写ベルト
３ａ：基材
３ｂ：最表面薄膜層
４：４ａ：４ｂ：４ｃ：４ｄ：一次転写ローラ
５：二次転写ローラ
６：被記録媒体
７：クリーニング装置
１０：１１：張架ローラ
２０：光センサ
２１：発光部
２２：受光部
３１：厚膜領域
３２：薄膜領域
３３：エンボス像
【図１】
2011128399.tif 000004
【図２】
2011128399.tif 000005
【図３】
2011128399.tif 000006
【図４】
2011128399.tif 000007
【図５】
2011128399.tif 000008
【図６】
2011128399.tif 000009
【図７】
2011128399.tif 000010
【図８】
2011128399.tif 000011
【図９】
2011128399.tif 000012
【図１０】
2011128399.tif 000013
【図１１】
2011128399.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
2011128399.tif 000016
【図１４】
2011128399.tif 000017