【事件の表示】
　特願２０１０−１０７１５６「感放射線性樹脂組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１２月１６日出願公開，特開２０１０−２８２１８９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件査定不服審判事件に係る出願（以下，「本願」という。）は，平成２２年５月７日（優先権主張　平成２１年５月７日）の出願であって，平成２５年１２月２０日付けで拒絶理由が通知され，平成２６年３月５日に意見書及び手続補正書が提出され，同年９月４日付けで拒絶理由が通知され，同年１１月１０日に意見書及び手続補正書が提出されたが，平成２６年１１月１０日提出の手続補正書でした手続補正が平成２７年４月３日付けで却下されるとともに，同日付けで拒絶査定（以下，「原査定」という。）がなされたものである。
　本件査定不服審判事件は，これを不服として，同年７月１日に請求されたものであって，本件審判の請求と同時に手続補正書が提出された。
第２　補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成２７年７月１日提出の手続補正書による手続補正を却下する。
　
〔理由〕
１　平成２７年７月１日提出の手続補正書による手続補正の内容
（１）補正前後の記載
　平成２７年７月１日提出の手続補正書による手続補正（以下「本件補正」という。）は，平成２６年３月５日提出の手続補正書による手続補正後（以下「本件補正前」という。）の特許請求の範囲及び明細書について補正しようとするものであるところ，本件補正のうち請求項１に係る補正（以下，「本件補正事項」という。）について，本件補正前後の記載は次のとおりである。（下線は補正箇所を示す。）
　ア　本件補正前の請求項１
「樹脂（Ａ）と，下記一般式（Ｉ）で示される化合物（Ｉ）を含む感放射線性の酸発生剤（Ｂ）と，酸拡散抑制剤（Ｃ）と，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを全溶剤に対して５０〜９０質量％含有する混合溶剤（Ｄ）とを含有し，
　前記樹脂（Ａ）が，下記一般式（ａ−１ａ），（ａ―１ｂ）及び（ａ―１ｃ）からなる群から選択される繰り返し単位を２種以上有する感放射線性樹脂組成物。
　　【化１】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（一般式（Ｉ）中，Ｍ＋はスルホニウムカチオンまたはヨードニウムカチオンを示し，Ｒは相互に独立に水素原子または炭素数１〜８の炭化水素基を示し，Ｒｆは相互に独立にフッ素原子または炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を示す。ｎは１〜１０の整数，ｍは１〜４の整数を示す。）
　　【化２】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（一般式（ａ−１ａ），（ａ−１ｂ）および（ａ―１ｃ）中，Ｒａ１は，水素原子，メチル基又はトリフルオロメチル基，Ｒａ２は相互に独立して炭素数１〜１０のアルキル基，Ｒａ３は炭素数１〜４のアルキル基，Ｒａ４は炭素数１〜４のアルキル基を示す。２つのＲａ２が結合して，３〜１０員環を形成していてもよい。）」
　
　イ　本件補正後の請求項１
「樹脂（Ａ）と，下記一般式（Ｉ）で示される化合物（Ｉ）
（但し，下記式（Ｉ’）又は（Ｉ”）で示されるアニオンを有する化合物を除く。）
　前記樹脂（Ａ）が，下記一般式（ａ−１ａ），（ａ―１ｂ）及び（ａ―１ｃ）からなる群から選択される繰り返し単位を２種以上有する感放射線性樹脂組成物。
　　【化１】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（一般式（Ｉ）中，Ｍ＋はスルホニウムカチオンまたはヨードニウムカチオンを示し，Ｒは相互に独立に水素原子または炭素数１〜８の炭化水素基を示し，Ｒｆは相互に独立にフッ素原子または炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を示す。ｎは１〜１０の整数，ｍは１〜４の整数を示す。）
　　【化２】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（一般式（ａ−１ａ），（ａ−１ｂ）および（ａ―１ｃ）中，Ｒａ１は，水素原子，メチル基又はトリフルオロメチル基，Ｒａ２は相互に独立して炭素数１〜１０のアルキル基，Ｒａ３は炭素数１〜４のアルキル基，Ｒａ４は炭素数１〜４のアルキル基を示す。２つのＲａ２が結合して，３〜１０員環を形成していてもよい。）」
　
（２）本件補正事項の内容
　本件補正事項は，「一般式（Ｉ）で示される化合物（Ｉ）」から，「式（Ｉ’）又は（Ｉ”）で示されるアニオンを有する化合物」を除くものである。
２　新規事項の追加の有無及び補正の目的について
（１）新規事項の追加の有無
　「一般式（Ｉ）で示される化合物（Ｉ）」について，「式（Ｉ’）又は（Ｉ”）で示されるアニオンを有する化合物」を除くことで，当業者によって，本願の願書に最初に添付された特許請求の範囲又は明細書（以下，「出願当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項が導入されることはないから，本件補正事項は，出願当初明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであって，特許法１７条の２第３項の規定に適合する。
（２）補正の目的
　本件補正事項は，本件補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「一般式（Ｉ）で示される化合物（Ｉ）」について，「式（Ｉ’）又は（Ｉ”）で示されるアニオンを有する化合物」以外のものに限定する補正であって，補正の前後で当該請求項に係る発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一であると認められるから，特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
３　独立特許要件について
　前記２（２）で述べたとおり，本件補正事項は，特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正であるから，本件補正後の請求項１に係る発明（以下，「本願補正発明」という。）が，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するのか否か（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否か）について検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は，前記１（１）イに示したとおりのものである。
（２）引用例
　ア　特開２００８−７４１０号公報の記載
　原査定の拒絶の理由において「引用文献１」として引用された特開２００８−７４１０号公報（以下，「引用刊行物」という。）は，本願の優先権主張の日（以下，「本願優先日」という。）より前に頒布された刊行物であるところ，当該引用刊行物には次の記載がある。（下線は，後述する引用発明の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）　「【特許請求の範囲】
・・・（中略）・・・
【請求項２】
　
紫外線，遠紫外線，電子線，Ｘ線，エキシマレーザー，γ線，又はシンクロトロン放射線照射の高エネルギー線に感応し，下記一般式（１ａ）で示されるスルホン酸を発生することを特徴とする化学増幅レジスト材料用の光酸発生剤。
【化２】
（式中，Ｒ
１
は置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状，分岐状又は環状のアルキル基，又は置換もしくは非置換の炭素数６〜１５のアリール基又は炭素数４〜１５のヘテロアリール基を示す。）
・・・（中略）・・・
【請求項８】
　
ベース樹脂，酸発生剤及び有機溶剤を含有してなるレジスト材料において，前記酸発生剤が，請求項２記載の式（１ａ）で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤であることを特徴とするレジスト材料。
【請求項９】
　
ベース樹脂が，ポリ（メタ）アクリル酸及びその誘導体
であることを特徴とする請求項８記載のレジスト材料。
・・・（中略）・・・
【請求項１２】
　
請求項９
記載のベース樹脂，請求項２記載の一般式（１ａ）で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤及び溶剤を含有し，上記ベース樹脂が現像液に不溶あるいは難溶であって，酸によって現像液に可溶となる化学増幅ポジ型レジスト材料。
【請求項１３】
　
更に，クエンチャーを添加してなることを特徴とする請求項１２記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。
（イ）　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，レジスト材料の光酸発生剤等として好適に用いられる新規スルホン酸塩及びその誘導体，光酸発生剤，これを用いたレジスト材料，及びパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　近年，ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い，パターンルールの微細化が求められている中，次世代の微細加工技術として遠紫外線リソグラフィー及び真空紫外線リソグラフィーが有望視されている。中でもＡｒＦエキシマレーザー光を光源としたフォトリソグラフィーは，０．１３μｍ以下の超微細加工に不可欠な技術である。
・・・（中略）・・・
【０００４】
　ＡｒＦリソグラフィーでは，精密かつ高価な光学系材料の劣化を防ぐために，少ない露光量で十分な解像性を発揮できる感度の高いレジスト材料が求められており，実現する方策としては，その各成分として波長１９３ｎｍにおいて高透明なものを選択するのが最も一般的である。例えばベース樹脂については，ポリアクリル酸及びその誘導体，ノルボルネン−無水マレイン酸交互重合体，ポリノルボルネン及び開環メタセシス重合体，開環メタセシス重合体水素添加物等が提案されており，樹脂単体の透明性を上げるという点ではある程度の成果を得ている。
【０００５】
　また，光酸発生剤も種々の検討がなされてきた。従来のＫｒＦエキシマレーザー光を光源とした化学増幅型レジスト材料に用いられてきたようなアルカンあるいはアレーンスルホン酸を発生する光酸発生剤を上記のＡｒＦ化学増幅型レジスト材料の成分として用いた場合には，樹脂の酸不安定基を切断するための酸強度が十分でなく，解像が全くできない，あるいは低感度でデバイス製造に適さないことがわかっている。
【０００６】
　このため，ＡｒＦ化学増幅型レジスト材料の光酸発生剤としては，酸強度の高いパーフルオロアルカンスルホン酸を発生するものが一般的に使われている。・・・（中略）・・・
【０００７】
　一方でパーフルオロオクタンスルホン酸，あるいはその誘導体は，その頭文字をとりＰＦＯＳとして知られており，Ｃ−Ｆ結合に由来する安定性（非分解性）や疎水性，親油性に由来する生態濃縮性，蓄積性が問題となっている。米国環境庁（ＥＰＡ）は最重要新規利用規則（Ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ　Ｎｅｗ　Ｕｓｅ　Ｒｕｌｅ）にＰＦＯＳ関連の１３物質を制定し，同７５物質にもフォトレジスト分野における利用は免除項目となっているものの制定を行った・・・（中略）・・・
【０００８】
　このようなＰＦＯＳに関する問題に対処するため，各社よりフッ素の置換率を下げた部分フッ素置換アルカンスルホン酸の開発が行われている。・・・（中略）・・・
【０００９】
　しかし，上記特許文献の物質は共にフッ素置換率は下げられているものの，基本骨格が分解し難い炭化水素骨格であり，エステル基等の容易に分解可能な置換基を持たないため分解性に乏しく，アルカンスルホン酸の大きさを変化させるための分子設計に制限があり，更にフッ素含有の出発物質が高価である等の問題を抱えている。
【００１０】
　また，液浸露光においては露光後のレジストウエハー上に微少な水滴が残ることによる欠陥に起因するレジストパターン形状の不良，現像後のレジストパターンの崩壊やＴ−ｔｏｐ形状化といった問題点があり，液浸リソグラフィーにおいても現像後に良好なレジストパターンを得られるパターン形成方法が求められている。
・・・（中略）・・・
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
　光酸発生剤の発生酸としては，レジスト材料中の酸不安定基を切断するのに十分な酸強度があること，レジスト材料中で保存安定性が良好であること，レジスト材料中で適当な拡散があること，揮発性が少ないこと，水への溶出が少ないこと，現像後，剥離後の異物が少ないこと，リソグラフィー用途終了後は環境に負荷をかけずに良好な分解性を持つこと等が望まれるが，従来の光酸発生剤から発生した酸はこれらを満足していない。
【００１３】
　本発明は，上記従来の光酸発生剤の問題点を解決したもので，特にＡｒＦ液浸露光の際の水への溶出を抑えることができ，かつ液浸露光特有の異物の生成を抑え，有効に使用し得るなど，レジスト材料の光酸発生剤の原料あるいは光酸発生剤として好適なスルホン酸塩及びその誘導体，光酸発生剤，これを用いたレジスト材料，並びにパターン形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
　本発明者らは，上記課題に対して鋭意検討を行った結果，工業的に入手容易な１，４−ジブロモ−１，１，２，２−テトラフルオロブタンもしくは４−ブロモ−３，３，４，４−テトラフルオロ−１−ブテンから誘導された脂肪族あるいは芳香族カルボン酸４−ブロモ−３，３，４，４−テトラフルオロブチルエステルと亜ジチオン酸ナトリウム等のスルフィン化剤との反応，続くスルホン酸への酸化により１，１，２，２−テトラフルオロ−４−アシルオキシブタン−１−スルホン酸塩が得られ，これらスルホン酸塩を原料として誘導されたオニウム塩，オキシムスルホネート，スルホニルオキシイミドに代表される化合物が化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤として有効であることを知見し，本発明をなすに至った。
・・・（中略）・・・
【発明の効果】
【００１６】
　本発明のスルホン酸は，α，β−位がフッ素で部分置換されているため，分子内のフッ素置換率が低いにも関わらず強い酸性度を示す。その上，分子内のカルボニルオキシ基を置換することにより，嵩の高いもの，疎水性の大きいもの等様々な置換基の導入が容易であり，分子設計の幅を大きく持つことができる。更に，これらスルホン酸を発生する光酸発生剤は，デバイス作製工程での塗布，露光前焼成，露光，露光後焼成，現像の工程に問題なく使用できる上，ＡｒＦ液浸露光の際の水への溶出も抑えることができ，ウエハー上に残る水の影響も少なく欠陥も抑えることができる。また，エステル部位が塩基性条件下で加水分解されるため，デバイス作製後のレジスト廃液を適切に処理することで，より低分子量の低蓄積性の化合物へと変換が可能である。その上，燃焼による廃棄の際もフッ素置換率が低いため，燃焼性が高い。」
（ウ）　「【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
スルホン酸塩
　本発明のスルホン酸塩は，下記一般式（１）で示されるものである。
【化８】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（式中，Ｒ１は置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状，分岐状又は環状のアルキル基，又は置換もしくは非置換の炭素数６〜１５のアリール基又は炭素数４〜１５のヘテロアリール基を示す。Ｍ＋はリチウムイオン，ナトリウムイオン，カリウムイオン，アンモニウムイオン，又はテトラメチルアンモニウムイオンを示す。）
・・・（中略）・・・
【００２２】
光酸発生剤
　
本発明の光酸発生剤は，上記式（１）のスルホン酸塩を原料として誘導されたスルホニウム塩
であり，これは紫外線，遠紫外線，電子線，Ｘ線，エキシマレーザー，γ線，又はシンクロトロン放射線照射の高エネルギー線に感応し，下記一般式（１ａ）で示されるスルホン酸を発生するもので，化学増幅レジスト材料用の光酸発生剤として用いられるものである。
【化９】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（式中，Ｒ１は置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状，分岐状又は環状のアルキル基，又は置換もしくは非置換の炭素数６〜１５のアリール基又は炭素数４〜１５のヘテロアリール基を示す。）
【００２３】
　上記式（１ａ）におけるＲ１は上記式（１）の説明と同じであるが，具体的なスルホン酸を下記に示す。
【００２４】
【化１０】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【００２５】
　上記式（１ａ）におけるＲ１のうち，好ましくは・・・（中略）・・・１−アダマンチル基・・・（中略）・・・等が挙げられる。
【００２６】
スルホニウム塩
　本発明に係るスルホニウム塩は，下記一般式（２）で示されるものである。
【化１１】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（式中，Ｒ１は置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状，分岐状又は環状のアルキル基，又は置換もしくは非置換の炭素数６〜１５のアリール基又は炭素数４〜１５のヘテロアリール基を示す。Ｒ２，Ｒ３及びＲ４は相互に独立に置換もしくは非置換の炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基，アルケニル基及びオキソアルキル基，又は置換もしくは非置換の炭素数６〜１８のアリール基，アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか，あるいはＲ２，Ｒ３及びＲ４のうちのいずれか２つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。）」
（エ）　「【００４６】
　
本発明は，
高エネルギー線照射により上記一般式（１ａ）で示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤及び酸の作用でアルカリ現像液への溶解性が変化する樹脂を含有するレジスト材料を提供する。
【００４７】
　ここで，本発明のレジスト材料は，
（Ａ）請求項２記載の光酸発生剤（即ち，式（１ａ）のスルホン酸を発生する光酸発生剤），
（Ｂ）有機溶剤，
（Ｃ）酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が変化するベース樹脂，
必要により
（Ｄ）クエンチャー，
更に必要により
（Ｅ）請求項２記載の光酸発生剤以外の光酸発生剤，
更に必要により
（Ｆ）有機酸誘導体及び／又はフッ素置換アルコール，
更に必要により
（Ｇ）重量平均分子量３，０００以下の溶解阻止剤
を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料
・・・（中略）・・・である。」
（オ）　「【００４９】
　本発明で使用される
（Ｂ）成分の有機溶剤としては，
【００５０】
　本発明では，これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶解性が最も優れている・・・（中略）・・・
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，シクロヘキサノン
の混合溶剤が好ましく使用される。
【００５１】
　有機溶剤の使用量は，ベース樹脂１００部に対して２００〜３，０００部，特に４００〜２，０００部が好適である。」
（カ）　「【００５２】
　本発明で使用される
（Ｃ）成分
のベース樹脂は，
（メタ）アクリル酸エステル系，
が挙げられる
ポジ型レジスト材料の場合
カルボキシル基
の水酸基を酸不安定基で置換する
【００５３】
　これらベース樹脂としては特に制限されるものではないが，・・・（中略）・・・特開２００３−６４１３４号公報，特開２００３−６６６１２号公報・・・（中略）・・・に記載のものが挙げられる。
【００５４】
　この場合，特に
ベース樹脂が，ポリ（メタ）アクリル酸及びその誘導体，
であることが好ましい
・・・（中略）・・・
【００５６】
　上述したように，
化学増幅ポジ型レジスト材料である場合，ベース樹脂は，酸不安定基を有し，現像液に不溶あるいは難溶であって，酸によってこの酸不安定基が分解することにより，現像液に可溶になるものが用いられる。
ベース樹脂の酸不安定基は
（Ｃ２）で示される
三級アルキル基等であることが好ましい。
【００５７】
【化１８】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【００５８】
　上記式（Ｃ１），（Ｃ２）においてＲ２０１，Ｒ２０２は水素原子又は炭素数１〜２０の直鎖状，分岐状又は環状のアルキル基であり，酸素，硫黄，窒素，フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく，Ｒ２０３，Ｒ２０４，Ｒ２０５，Ｒ２０６は炭素数１〜２０の直鎖状，分岐状又は環状のアルキル基，炭素数６〜１０のアリール基又は炭素数７〜１０のアラルキル基であり，酸素，硫黄，窒素，フッ素などのヘテロ原子を含んでもよい。またＲ２０１とＲ２０２，Ｒ２０１とＲ２０３，Ｒ２０２とＲ２０３，Ｒ２０４とＲ２０５，Ｒ２０４とＲ２０６，Ｒ２０５とＲ２０６はそれぞれ結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数３〜３０の環を形成してもよい。
・・・（中略）・・・
【００６０】
　上記式（Ｃ２）で示される
三級アルキル基として具体的には，ｔ−ブチル基，ｔ−ペンチル基，１−エチル−１−メチルプロピル基，１，１−ジエチルプロピル基，１，１，２−トリメチルプロピル基，１−アダマンチル−１−メチルエチル基，
２−メチル−２−アダマンチル基，２−エチル−２−アダマンチル基
を例示できる
（キ）　「【００６９】
　
（Ｄ）成分のクエンチャーは，光酸発生剤より発生する酸などがレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物
【００７０】
　このようなクエンチャーとしては，第一級，第二級，第三級の脂肪族アミン類，混成アミン類，芳香族アミン類，複素環アミン類，カルボキシ基を有する含窒素化合物，スルホニル基を有する含窒素化合物，水酸基を有する含窒素化合物，ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物，アルコール性含窒素化合物，アミド誘導体，イミド誘導体，カーバメート誘導体，アンモニウム塩等が挙げられる。」
（ク）　「【０１３１】
　本発明の化学増幅レジスト材料中には，塗布性を向上させるための界面活性剤，基板からの乱反射を少なくするための吸光性材料などの添加剤を加えることができる。
【０１３２】
　
界面活性剤の例としては
ＦＣ−４３０
が好適
【０１３３】
　本発明の化学増幅レジスト材料中の界面活性剤の添加量としては，レジスト材料中のベース樹脂１００部に対し２部以下，好ましくは１部以下である。」
（ケ）　「【実施例】
【０１４０】
　以下，合成例及び実施例と比較例を示し，本発明を具体的に説明するが，本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
・・・（中略）・・・
【０１５４】
　　［合成例１３］トリフェニルスルホニウム４−ピバロイルオキシ−１，１，２，２−テトラフルオロブタンスルホネートの合成（ＰＡＧ１）
　合成例１のトリフェニルスルホニウムクロリド水溶液（０．００２０モル相当の水溶液）と合成例９で合成した４−ピバロイルオキシ−１，１，２，２−テトラフルオロブタンスルホン酸ナトリウム（０．００２１モル）をジクロロメタン２６ｇ中で撹拌した。有機層を分取し，水２０ｇで３回有機層を洗浄した。有機層を濃縮し，ジイソプロピルエーテルで結晶化させ，濾過，乾燥し目的物を得た。白色結晶０．８ｇ
・・・（中略）・・・
【０１５６】
　　［合成例１４〜２３］
　合成例２〜８で調製したオニウム塩と合成例９〜１２のスルホン酸塩を用いる以外は合成例１３と同様にして目的であるオニウム塩を合成した。これらのオニウム塩（ＰＡＧ２〜１１）を下記に示す。
・・・（中略）・・・
【０１５７】
【化３５】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【０１５８】
　　［実施例１〜１７及び比較例１〜３］
レジストの解像性の評価
　
上記合成例で示した光酸発生剤と，下記式で示されるポリマー（Ｐｏｌｙｍｅｒ１〜８）をベース樹脂として使用し，下記式で示される溶解促進剤ＤＲＲ１，溶解阻止剤ＤＲＩ１，クエンチャーを表１，２に示す組成でＦＣ−４３０（住友スリーエム（株）製）０．０１質量％を含む溶媒中に溶解してレジスト材料を調合し，更にレジスト材料を０．２μｍのテフロン（登録商標）製フィルターで濾過することにより，レジスト液をそれぞれ調製した。
【０１５９】
【化３６】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
・・・（中略）・・・
【０１６２】
　シリコン基板上に反射防止膜溶液（日産化学工業（株）製，ＡＲＣ−２９Ａ）を塗布し，２００℃で６０秒間ベークして作製した反射防止膜（７８ｎｍ膜厚）基板上にレジスト溶液をスピンコーティングし，ホットプレートを用いて１２０℃で６０秒間ベークし，２００ｎｍ膜厚のレジスト膜を作製した。これをＡｒＦエキシマレーザーマイクロステッパー（（株）ニコン製，Ｓ３０５Ｂ，ＮＡ＝０．６８，２／３輪帯照明，Ｃｒマスク）を用いて露光し，１１０℃で９０秒間ベーク（ＰＥＢ）を施し，２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で６０秒間現像を行った。
【０１６３】
　レジストの評価は，０．１２μｍのグループのラインアンドスペースを１：１で解像する露光量を最適露光量（Ｅｏｐ，ｍＪ／ｃｍ２）として，この露光量における分離しているラインアンドスペースの最小線幅（μｍ）を評価レジストの解像度とした。各レジストの組成及び評価結果を表１，２に示す。
【０１６４】
　なお，表１，２において，溶剤及びクエンチャー，比較例で用いた光酸発生剤は下記の通りである。
溶剤Ａ：
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
溶剤Ｂ：
シクロヘキサノン
・・・（中略）・・・
クエンチャーＤ：
トリス（２−アセトキシエチル）アミン
・・・（中略）・・・
【０１６６】
【表２】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
」
　イ　引用刊行物に記載された発明
　引用刊行物の【０１６６】の【表２】（前記ア（ケ）を参照。）から，実施例１２のレジスト材料が，「Ｐｏｌｙｍｅｒ２」を「４０」，「Ｐｏｌｉｍｅｒ５」を「４０」質量部，「ＰＡＧ４」を「６」質量部，「クエンチャーＤ」を「０．５」質量部，「溶剤Ａ」を「６００」質量部，「溶剤Ｂ」を「２００」質量部という組成であることを看取でき，当該実施例１２が【００４７】に記載された「化学増幅ポジ型レジスト材料」であることが自明であるから，前記ア（ア）ないし（ケ）で摘記した記載から，実施例１２に対応する発明として，次の発明を把握することができる。
「（Ａ）紫外線，遠紫外線，電子線，Ｘ線，エキシマレーザー，γ線，又はシンクロトロン放射線照射の高エネルギー線に感応し，下記一般式（１ａ）で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤と，（Ｂ）有機溶剤と，（Ｃ）酸不安定基を有し，現像液に不溶あるいは難溶であって，酸によってこの酸不安定基が分解することにより，現像液に可溶になるベース樹脂と，（Ｄ）光酸発生剤より発生する酸などがレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができるクエンチャーと，を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料であって，
　前記（Ａ）成分の光酸発生剤として，下記式で表されるＰＡＧ４を６質量部と，
　前記（Ｃ）成分のベース樹脂として，下記式で表されるＰｏｌｙｍｅｒ２を４０質量部及び下記式で表されるＰｏｌｙｍｅｒ５を４０質量部と，
　前記（Ｄ）成分のクエンチャーとして，トリス（２−アセトキシエチル）アミンを０．５質量部とを，
　界面活性剤であるＦＣ−４３０（住友スリーエム（株）製）を０．０１質量％含む，前記（Ｂ）成分の有機溶剤としての，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート６００質量部とシクロヘキサノン２００質量部の混合溶剤に溶解し，０．２μｍのテフロン製フィルターで濾過することにより調製した，
　化学増幅ポジ型レジスト材料。
［一般式（１ａ）］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（式中，Ｒ１は置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状，分岐状又は環状のアルキル基，又は置換もしくは非置換の炭素数６〜１５のアリール基又は炭素数４〜１５のヘテロアリール基を示す。）
［ＰＡＧ４］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［Ｐｏｌｙｍｅｒ２］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［Ｐｏｌｙｍｅｒ５］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
」（以下，「引用発明」という。）
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「（Ｃ）酸不安定基を有し，現像液に不溶あるいは難溶であって，酸によってこの酸不安定基が分解することにより，現像液に可溶になるベース樹脂」，「（Ａ）紫外線，遠紫外線，電子線，Ｘ線，エキシマレーザー，γ線，又はシンクロトロン放射線照射の高エネルギー線に感応し，一般式（１ａ）で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤」，「（Ｄ）光酸発生剤より発生する酸などがレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができるクエンチャー」，「混合溶剤」及び「化学増幅ポジ型レジスト材料」は，本願補正発明の「樹脂（Ａ）」，「感放射線性の酸発生剤（Ｂ）」，「酸拡散抑制剤（Ｃ）」，「混合溶剤（Ｄ）」及び「感放射線性樹脂組成物」にそれぞれ相当する。
　
　イ（ア）　引用発明では，「（Ａ）成分の光酸発生剤」（本願補正発明の「感放射線性の酸発生剤（Ｂ）」に相当する。以下，引用発明の構成に付した括弧中の記載は，これに相当する本願補正発明の発明特定事項を指す。）として，ＰＡＧ４を用いているところ，当該ＰＡＧ４は，本願補正発明の一般式（Ｉ）において，Ｍ＋をスルホニウムカチオンとし，Ｒをいずれも水素原子とし，Ｒｆをいずれもフッ素原子とし，ｎを２とし，ｍを２とした化合物に該当し，式（Ｉ’）又は（Ｉ”）で示されるアニオンを有してはいないから，引用発明が含有する「ＰＡＧ４」は，本願補正発明の「一般式（Ｉ）で示される化合物（Ｉ）（但し，式（Ｉ’）又は（Ｉ”）で示されるアニオンを有する化合物を除く。）」に相当する。
（イ）　また，引用発明の「混合溶剤」（混合溶剤（Ｄ））は，全体で８００質量部（ＦＣ−４３０の存在はごく微量であり，無視できる。）であり，そのうちのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの含有量は６００質量部であるから，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを７５質量％含有している。したがって，引用発明の「プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート６００質量部とシクロヘキサノン２００質量部の混合溶剤」は，本願補正発明の「プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを全溶剤に対して５０〜９０質量％含有する混合溶剤（Ｄ）」に相当する。
（ウ）　そして，引用発明は，「（Ｃ）成分のベース樹脂」（樹脂（Ａ））であるＰｏｌｙｍｅｒ２及びＰｏｌｙｍｅｒ５と，「（Ａ）成分の光酸発生剤」（感放射線性の酸発生剤（Ｂ））である「ＰＡＧ４」（一般式（Ｉ）で示される化合物（Ｉ）（但し，式（Ｉ’）又は（Ｉ”）で示されるアニオンを有する化合物を除く。））と，「（Ｄ）成分のクエンチャー」（酸拡散抑制剤（Ｃ））であるトリス（２−アセトキシエチル）アミンと，（Ｂ）成分の有機溶剤である「プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート６００質量部とシクロヘキサノン２００質量部の混合溶剤」（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを全溶剤に対して５０〜９０質量％含有する混合溶剤（Ｄ））と，を含有しているから，本願補正発明の「樹脂（Ａ）と，一般式（Ｉ）で示される化合物（Ｉ）（但し，式（Ｉ’）又は（Ｉ”）で示されるアニオンを有する化合物を除く。）を含む感放射線性の酸発生剤（Ｂ）と，酸拡散抑制剤（Ｃ）と，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを全溶剤に対して５０〜９０質量％含有する混合溶剤（Ｄ）とを含有」するという発明特定事項に相当する構成を具備している。
　ウ　前記ア及びイから，本願補正発明と引用発明とは，
「樹脂（Ａ）と，下記一般式（Ｉ）で示される化合物（Ｉ）（但し，下記式（Ｉ’）又は（Ｉ”）で示されるアニオンを有する化合物を除く。）を含む感放射線性の酸発生剤（Ｂ）と，酸拡散抑制剤（Ｃ）と，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを全溶剤に対して５０〜９０質量％含有する混合溶剤（Ｄ）とを含有する感放射線性樹脂組成物。
　　【化１】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（一般式（Ｉ）中，Ｍ＋はスルホニウムカチオンまたはヨードニウムカチオンを示し，Ｒは相互に独立に水素原子または炭素数１〜８の炭化水素基を示し，Ｒｆは相互に独立にフッ素原子または炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を示す。ｎは１〜１０の整数，ｍは１〜４の整数を示す。）」
である点で一致し，次の点で相違する。
　
相違点：
　本願補正発明では，「樹脂（Ａ）」が，一般式（ａ−１ａ），（ａ―１ｂ）及び（ａ―１ｃ）からなる群から選択される繰り返し単位を２種以上有するものであるのに対して，
　引用発明では，「ベース樹脂」が，Ｐｏｌｙｍｅｒ２及びＰｏｌｙｍｅｒ５であって，一般式（ａ−１ａ），（ａ―１ｂ）及び（ａ―１ｃ）からなる群から選択される繰り返し単位を２種以上有するものではない点。
（４）相違点の容易想到性
　ア　引用発明は，【００４７】に記載された「化学増幅ポジ型レジスト材料」（前記（２）ア（ウ）を参照。）に該当するところ，当該化学増幅ポジ型レジスト材料の（Ｃ）成分のベース樹脂に関して，【００５２】ないし【００６０】（前記（２）ア（オ）を参照。）には，ベース樹脂として好ましいものとして，ポリ（メタ）アクリル酸及びその誘導体であって，カルボキシル基の水酸基が酸不安定基で置換されたもの（より具体的に表現すると，−ＣＯＯＨのＨが酸不安定基Ｒで置換されて，−ＣＯＯＲとなっている（メタ）アクリル酸に対応する繰り返し単位を有するポリ（メタ）アクリル酸（誘導体）を指していることは明らかである。以下，当該（メタ）アクリル酸を「・・・で置換された（メタ）アクリル酸」等と表現する。）が例示され，前記酸不安定基の好ましい具体例として，ｔ−ブチル基，ｔ−ペンチル基，１−エチル−１−メチルプロピル基，１，１−ジエチルプロピル基，１，１，２−トリメチルプロピル基，１−アダマンチル−１−メチルエチル基，２−メチル−２−アダマンチル基，２−エチル−２−アダマンチル基が例示されている。（以下，「ｔ−ブチル基，ｔ−ペンチル基，１−エチル−１−メチルプロピル基，１，１−ジエチルプロピル基，１，１，２−トリメチルプロピル基，１−アダマンチル−１−メチルエチル基，２−メチル−２−アダマンチル基又は２−エチル−２−アダマンチル基で置換された（メタ）アクリル酸に対応する繰り返し単位」を，「例示繰り返し単位」という。）
　前述した例示繰り返し単位のうち，ｔ−ブチル基，ｔ−ペンチル基，１−エチル−１−メチルプロピル基，１，１−ジエチルプロピル基又は１，１，２−トリメチルプロピル基で置換された（メタ）アクリル酸は，本願補正発明の一般式（ａ−１ａ）で表される繰り返し単位に対応し，１−アダマンチル−１−メチルエチル基で置換された（メタ）アクリル酸は，本願補正発明の一般式（ａ−１ｃ）で表される繰り返し単位に対応し，２−メチル−２−アダマンチル基又は２−エチル−２−アダマンチル基で置換された（メタ）アクリル酸は，本願補正発明の一般式（ａ−１ｂ）で表される繰り返し単位に対応するから，引用刊行物には，引用発明のベース樹脂として，本願補正発明の一般式（ａ−１ａ），（ａ−１ｂ）及び（ａ−１ｃ）で表される繰り返し単位のうちの少なくとも一つを含むポリ（メタ）アクリル酸誘導体を用いることについての示唆があるといえる。（なお，実際に，引用刊行物に記載された実施例１等では，２−エチル−２−アダマンチル基で置換されたメタクリル酸に対応する繰り返し単位（本願補正発明の一般式（ａ−１ｂ）で表される繰り返し単位に該当）を含むＰｏｌｙｍｅｒ１をベース樹脂として用いている。）
　イ　さらに，引用刊行物の【００５３】には，【００４７】記載の化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として用いることができるものとして，特開２００３−６４１３４号公報（以下，「明細書記載文献１」という。）や，特開２００３−６６６１２号公報（以下，「明細書記載文献２」という。）に記載のものが例示されているところ，明細書記載文献１（特に，請求項１及び２，【００１７】ないし【００２０】，【０１２１】ないし【０１２９】等を参照。）には，１−アダマンチル−１−メチルエチル基で置換されたメタクリル酸に対応する繰り返し単位（本願補正発明の一般式（ａ−１ｂ）において，Ｒａ１をメチル基とし，Ｒａ３を炭素数２のアルキル基（エチル基）とした繰り返し単位に該当）と，２−エチル−２−アダマンチル基で置換されたメタクリル酸に対応する繰り返し単位（本願補正発明の一般式（ａ−１ｃ）において，Ｒａ１をメチル基とし，Ｒａ４を炭素数１のアルキル基（メチル基）とした繰り返し単位に該当）とを含む「Ｐｏｌｙｍｅｒ１１」をベース樹脂として用いた「実施例１１」が記載され，明細書記載文献２（特に，【０１１９】ないし【０１３１】等の記載を参照。）には，２−メチル−２−アダマンチル基で置換されたメタクリル酸に対応する繰り返し単位（本願補正発明の一般式（ａ−１ｂ）において，Ｒａ１をメチル基とし，Ｒａ３を炭素数１のアルキル基（メチル基）とした繰り返し単位に該当）と，２−エチル−２−アダマンチル基で置換されたメタクリル酸に対応する繰り返し単位（本願補正発明の一般式（ａ−１ｂ）において，Ｒａ１をメチル基とし，Ｒａ３を炭素数２のアルキル基（エチル基）とした繰り返し単位に該当）とを含む「Ｐｏｌｙｍｅｒ１５」をベース樹脂として用いた「実施例１４」及び「実施例２９」が記載されている。
　そうすると，引用刊行物には，引用発明のベース樹脂として，例示繰り返し単位を２種含むポリ（メタ）アクリル酸誘導体（本願補正発明の一般式（ａ−１ａ），（ａ−１ｂ）又は（ａ−１ｃ）で表される繰り返し単位を２種含むポリ（メタ）アクリル酸誘導体に該当する。）を用いることについての示唆があるといえる。
　ウ　加えて，国際公開第２００９／０５１０８８号（原査定と同日付けの補正却下において「周知例Ｄ」として例示された文献。以下，「周知例１」という。）には，感放射線性樹脂組成物に含有させる酸解離性基を有するアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の樹脂として，２−エチル−２−アダマンチル基で置換したメタクリル酸である「化合物（Ｓ−３）」（本願補正発明の一般式（ａ−１ｂ）で表される繰り返し単位に該当）に対応する繰り返し単位を含む重合体（Ａ−２）を用いた実施例５及び６や，２−メチル−２−アダマンチル基で置換したメタクリル酸である「化合物（Ｓ−４）」（本願補正発明の一般式（ａ−１ｂ）で表される繰り返し単位に該当）に対応する繰り返し単位を含む重合体（Ａ−１）又は重合体（Ａ−３）を用いた実施例１ないし４，７及び８や，ｔ−ブチル基で置換したメタクリル酸である「化合物（Ｓ−６）」（本願補正発明の一般式（ａ−１ａ）で表される繰り返し単位に該当）に対応する繰り返し単位を含む重合体（Ａ−４）を用いた実施例９及び１０が記載されているところ（［０１１５］ないし［０１３４］，［０２２６］ないし［０２４５］等の記載を参照。），これら実施例１ないし１０で用いている重合体（Ａ−１）ないし重合体（Ａ−４）はいずれも化合物（Ｓ−１）又は化合物（Ｓ−２）に対応する繰り返し単位を含んでおり，当該化合物（Ｓ−１）又は化合物（Ｓ−２）に対応する繰り返し単位は，いずれも本願補正発明の一般式（ａ−１ａ）で表される繰り返し単位に該当するから，当該重合体（Ａ−１）ないし重合体（Ａ−４）はいずれも本願補正発明の一般式（ａ−１ａ），（ａ−１ｂ）及び（ａ−１ｃ）で表される繰り返し単位を２種含むポリメタクリル酸誘導体に該当する。
　また，国際公開第２００９／０４１５５６号（原査定と同日付けの補正却下において「周知例Ｃ」として例示された文献。以下，「周知例２」という。）には，感放射線性樹脂組成物に含有させる酸解離性基を有する重合体（Ａ）として，２−メチル−２−アダマンチル基で置換したメタクリル酸である「化合物（Ｍ−６）」（本願補正発明の一般式（ａ−１ｂ）で表される繰り返し単位に該当）に対応する繰り返し単位を含む重合体（Ａ−５）又は重合体（Ａ−６）を用いた実施例５，６及び８や，２−エチル−２−アダマンチル基で置換したメタクリル酸である「化合物（Ｍ−７）」（本願補正発明の一般式（ａ−１ｂ）で表される繰り返し単位に該当）に対応する繰り返し単位を含む重合体（Ａ−７）を用いた実施例７及び９が記載されているところ（特に，［００４１］ないし［００４６］，［０２２３］ないし［０２４３］等を参照），これら実施例５ないし９で用いている重合体（Ａ−５）ないし重合体（Ａ−７）はいずれも化合物（Ｍ−２）又は化合物（Ｍ−３）に対応する繰り返し単位を含有しており，当該化合物（Ｍ−２）又は化合物（Ｍ−３）に対応する繰り返し単位は，いずれも本願補正発明の一般式（ａ−１ａ）で表される繰り返し単位に該当するから，当該重合体（Ａ−５）ないし重合体（Ａ−７）はいずれも本願補正発明の一般式（ａ−１ａ），（ａ−１ｂ）及び（ａ−１ｃ）で表される繰り返し単位を２種含むポリメタクリル酸誘導体に該当する。
　当該周知例１及び周知例２の記載，並びに前記イで述べた明細書記載文献１及び明細書記載文献２の記載からみて，感放射線性樹脂組成物に含有させる酸解離性基を有する樹脂（引用発明における「（Ｃ）酸不安定基を有し，現像液に不溶あるいは難溶であって，酸によってこの酸不安定基が分解することにより，現像液に可溶になるベース樹脂」に相当する。）として，「本願補正発明の一般式（ａ−１ａ），（ａ―１ｂ）又は（ａ―１ｃ）に該当する繰り返し単位を２種含み，そのうちの少なくとも１つが例示繰り返し単位であるポリ（メタ）アクリル酸誘導体」が，本願優先日より前に周知のものであったと認められる。
　エ　前記アないしウに照らせば，引用発明において，「ベース樹脂」として，Ｐｏｌｙｍｅｒ２及びＰｏｌｙｍｅｒ５に代えて，あるいは，Ｐｏｌｙｍｅｒ２及びＰｏｌｙｍｅｒ５の少なくとも一方に加えて，「本願補正発明の一般式（ａ−１ａ），（ａ―１ｂ）又は（ａ―１ｃ）に該当する繰り返し単位を２種含み，そのうちの少なくとも１つが例示繰り返し単位であるポリ（メタ）アクリル酸誘導体」を用いること，すなわち，引用発明を，相違点に係る本願補正発明の発明特定事項に相当する構成を具備したものとすることは，引用刊行物自体の記載や周知の事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たことである（少なくとも，本願補正発明の一般式（ａ−１ａ），（ａ―１ｂ）又は（ａ―１ｃ）に該当し，例示繰り返し単位でもある繰り返し単位を２種含むポリ（メタ）アクリル酸誘導体を用いることは，引用刊行物自体の記載に基づいて，当業者が容易に想到し得たことである。）。
（５）効果について
　本願補正発明が有する効果は，引用発明に基づいて，当業者が予測できた程度のものである。
　なお，請求人は，審判請求書において，樹脂（Ａ）として，一般式（ａ−１ａ），（ａ―１ｂ）及び（ａ―１ｃ）からなる群から選択される繰り返し単位を１種のみ含む樹脂Ａ−３と，２種含む樹脂Ａ−７のＬＷＲ等を測定値を示した上で，一般式（ａ−１ａ），（ａ―１ｂ）及び（ａ―１ｃ）からなる群から選択される繰り返し単位を２種以上含む樹脂を用いると，１種のみ含む樹脂を用いた場合に比べて，ＬＷＲが良い旨主張する。
　当該審判請求書に示された測定結果から，「一般式（ａ−１ａ），（ａ―１ｂ）及び（ａ―１ｃ）からなる群から選択される繰り返し単位を２種以上含む樹脂」であれば，どのような樹脂を用いてもＬＷＲが向上するといえるのかは相当疑問があるが，それを措くとして，そもそも，当該請求人主張の効果は本願の明細書に記載された効果ではないから，本願補正発明の進歩性の判断において考慮しない。
（６）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり，本願補正発明は，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって，本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するから，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は前記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，前記第２〔理由〕１（１）アに示したとおりのものと認められる。
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物の記載事項及び引用発明については，前記第２〔理由〕３（２）ア及びイのとおりである。
　
３　対比・判断 
　本願補正発明は，上記第２〔理由〕２（１）のとおり，本願発明の発明特定事項を限定したものである。
　そうすると，本願発明の発明特定事項をすべて含み，さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が，上記第２〔理由〕３（７）に記載したとおり，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は，特許法２９条２項の規定により，特許を受けることができない。
　よって，結論のとおり審決する。