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　特願２０１４−５０３８１３「磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年９月１２日国際公開、ＷＯ２０１３／１３３１６３、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１３年（平成２５年）３月１日（優先権主張２０１２年３月９日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２６年７月２５日付けで手続補正がなされ、平成２７年２月１２日付けで拒絶理由が通知され、同年４月２日付けで手続補正がなされたが、同年１０月２９日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされ、これに対し、平成２８年１月７日付けで拒絶査定不服の審判が請求され、同時に手続補正がなされ、その後、当審において平成２８年９月１３日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年１１月２日付けで手続補正がなされたものである。
第２　当審拒絶理由について
１．当審拒絶理由の概要
［Ａ］平成２８年１月７日付け手続補正書に記載の請求項１、２、４、７に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の引用文献１に記載された発明及び周知技術（引用文献２ないし４参照）に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
　引用文献１：米国特許第６５２１０６２号明細書 
　引用文献２：特開平７−１１８８１８号公報 
　引用文献３：特開平５−２４７６３８号公報 
　引用文献４：特開２０００−２８２２２９号公報 
［Ｂ］本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
　平成２８年１月７日付け手続補正書に記載の請求項５の「さらに冷間圧延を１回以上含む総圧下率１．０〜１０％で熱間圧延と冷間圧延（二次圧延）を行って」という記載からみて、請求項５に係る発明は、二次圧延として冷間圧延だけでなく熱間圧延も行うものであると認められるのに対して、明細書には二次圧延として熱間圧延を行うことは記載も示唆もされていない。 
　よって、請求項５並びに請求項５を引用する請求項６及び７に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 
２．当審拒絶理由の判断
（１）本願発明
　本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成２８年１１月２日付け手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであるところ、独立請求項である請求項１及び３に係る発明（以下、「本願発明１」及び「本願発明２」という。）は次のとおりのものである。
＜本願発明１＞
「【請求項１】
　Ｃｒ：１〜４０ａｔ％、Ｐｔ：１〜２６ａｔ％、Ｂ：１〜１５ａｔ％、残部Ｃｏ及び不可避的不純物からなるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系スパッタリングターゲットであって、Ｂリッチ相の平均粒子面積が９０μｍ２以下であり、最大透磁率（μｍａｘ）が５０以下であり、Ｂリッチ相の割れが２５００個以下／ｍｍ２であることを特徴とする磁気記録媒体用スパッタリングターゲット。」
＜本願発明２＞
「【請求項３】
　Ｃｒ：１〜４０ａｔ％、Ｐｔ：１〜２６ａｔ％、Ｂ：１〜１５ａｔ％、残部Ｃｏ及び不可避的不純物からなるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金鋳造インゴットを熱処理した後、少なくとも冷間圧延を１回以上含む総圧下率１０〜９０％で、熱間圧延と冷間圧延（一次圧延）を行い、さらに総圧下率１．０〜１０％となるよう冷間圧延（二次圧延）を行って、Ｂリッチ相の平均粒子面積を９０μｍ２以下とした後、機械加工してターゲットを作製することを特徴とする磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの製造方法。」
（２）理由［Ａ］について
（２−１）本願発明１について
　引用文献１には、スパッタリングターゲットに関して、以下の事項が図面とともに記載されている。
ア．データストレージディスク（a data/storage disk）の磁性層（a magnetic layer）を形成するために用いられるＣｏ系合金からなるスパッタリングターゲット（a sputtering target）。（「FIELD OF THE INVENTION」の欄（第１欄）及び「SUMMARY OF THE INVENTION」の欄（第２−３欄）を参照。）
イ．EXAMPLE 1（第６−７欄を参照。）について、上記Ｃｏ系合金はCo−18Cr−6Pt−6B（各数値はatomic %）を含む。
ウ．EXAMPLE 1について、マトリックス相（the matrix phase）はCo, Cr及びPtからなり、析出相（the precipitate phase）はおおよそCo3Cr2Bの組成である。
エ．EXAMPLE 1について、析出相（the precipitate phase）の平均サイズは１μｍである。
　そして、上記アのデータストレージディスクは磁性層を有することからみて磁気記録媒体であり、上記イのＣｏ系合金の成分組成は、本願発明１の「Ｃｒ：１〜４０ａｔ％、Ｐｔ：１〜２６ａｔ％、Ｂ：１〜１５ａｔ％、残部Ｃｏ及び不可避的不純物」という成分組成に含まれるものである。
　また、上記ウのとおり、析出相（the precipitate phase）は、周囲のマトリックス（the matrix phase）よりもＢを多く含有しているから本願発明１の「Ｂリッチ相」に相当し、上記エの記載事項に加えてFig.4に示される顕微鏡写真中の析出相（dark appearing phase)の形状・大きさも勘案すると、当該析出相の平均粒子面積は９０μｍ2を越えるものではないと推察される。
　以上を総合勘案した上で、本願発明１と引用文献１に記載された発明とを対比すると、次の点で相違し、その余の点で一致する。
＜相違点１＞
　本願発明１では、スパッタリングターゲットの最大透磁率（μｍａｘ）が５０以下であるのに対して、引用文献１に記載された発明では、最大透磁率について特定されていない点。
＜相違点２＞
　本願発明１では、Ｂリッチ相の割れが２５００個以下／ｍｍ２であるのに対して、引用文献１に記載された発明では、Ｂリッチ相の割れの個数について特定されていない点。
　上記相違点２について検討すると、引用文献２ないし４には、Ｃｏ系合金のスパッタリングターゲットを低透磁率化するために、その透磁率を５０以下とすることは記載されている（例えば、引用文献２（段落【０００２】−【０００３】、【００２７】、表１参照。）、引用文献３（段落【０００１】−【０００３】、【０００５】、表１、表２参照。）、引用文献４（段落【０００１】−【０００３】、表２（特に、試料番号４及び５）参照）。）ものの、Ｂリッチ相の割れを２５００個以下／ｍｍ２とすることについては記載も示唆もされていない。
　そして、本願発明１は、Ｂリッチ相の割れを２５００個以下／ｍｍ２とすることによって、「Ｂリッチ相の割れを起点とするアーキングが発生せず、スパッタリング時の放電が安定し、ノジュール又はパーティクル発生を効果的に防止又は抑制することが可能となる」という効果を奏するものである。
　したがって、相違点１について検討するまでもなく、本願発明１は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２ないし４に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　また、同様の理由で、本願発明１の発明特定事項を全て含む請求項２に係る発明についても、引用文献１に記載された発明及び引用文献２ないし４に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　なお、前置報告において審査官が新たに引用した特開平６−１０４１２０号公報及び国際公開第２００５／０８３１４８号に記載されている技術事項を勘案しても、本願発明１及び請求項２に係る発明は、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（２−２）本願発明２について
　引用文献１には、スパッタリングターゲットに関する（２−１）のアないしエの記載事項に加えて、その製造方法に関する次の事項も記載されている。
オ．EXAMPLE 1について、2000°Fから2500°Fでアニールした後に、その温度の間で総圧下率（a total reduction）が80%の圧延を行い、さらに、1000°Fから1800°Fの間で圧下率が20%の圧延を行う。
　そして、上記オの圧延はいずれも熱間圧延であり、それらの合計の総圧下率は８４％になる。
　したがって、以上の記載事項も踏まえて、本願発明２と引用文献１に記載された発明とを対比すると、次の点で相違し、その余の点で一致する。
＜相違点３＞
　本願発明２では、少なくとも冷間圧延を１回以上含む総圧下率１０〜９０％で、熱間圧延と冷間圧延（一次圧延）を行い、さらに総圧下率１．０〜１０％となるよう冷間圧延（二次圧延）を行っているのに対して、引用文献１に記載された発明では、総圧下率８４％となるように熱間圧延を行っている点。
＜相違点４＞
　本願発明２では、一次圧延及び二次圧延を行った後に、機械加工してターゲットを作製するのに対して、引用文献１に記載された発明では、最終的な機械加工について特定されていない点。
　上記相違点３について検討すると、例えば、引用文献２（段落【０００４】、【００２５】参照。）、引用文献３（段落【０００９】、【００１２】参照。）、引用文献４（段落【０００６】参照。）に記載されているように、スパッタリングターゲットを低透磁率化するために、熱間圧延を行った後に、さらに本願発明２の二次圧延に相当する冷間圧延を行うことは周知技術にすぎないが、当該二次圧延の前に行われる一次圧延において、少なくとも冷間圧延を１回以上含めることは、引用文献２ないし４には記載も示唆もされていない。
　そして、本願発明２は、一次圧延に少なくとも冷間圧延を１回以上含めることよってＢリッチ相の割れを少なくし、その結果、「Ｂリッチ相の割れを起点とするアーキングが発生せず、スパッタリング時の放電が安定し、ノジュール又はパーティクル発生を効果的に防止又は抑制することが可能となる」という効果を奏するものである。
　したがって、相違点４について検討するまでもなく、本願発明２は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２ないし４に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　また、同様の理由で、本願発明２の発明特定事項を全て含む請求項４及び５に係る発明についても、引用文献１に記載された発明及び引用文献２ないし４に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　なお、前置報告において審査官が新たに引用した上記各文献に記載されている技術事項を勘案しても、本願発明２並びに請求項４及び５に係る発明は、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（２−３）まとめ
　上記（２−１）及び（２−２）で述べたとおりであるから、当審拒絶理由［Ａ］は解消した。
（３）理由［Ｂ］について
　平成２８年１１月２日付け手続補正によって、補正前の請求項５の「さらに冷間圧延を１回以上含む総圧下率１．０〜１０％で熱間圧延と冷間圧延（二次圧延）を行って」という記載は、補正後の請求項３の「さらに総圧下率１．０〜１０％となるよう冷間圧延（二次圧延）を行って」という記載に補正され、その結果、補正後の請求項３並びに請求項３を引用する請求項４及び５に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものとなった。
　よって、当審拒絶理由［Ｂ］は解消した。
第３　原査定の理由について
　原査定の理由は、平成２７年４月２日付け手続補正による補正後の請求項１及び２に係る発明は、引用文献１に記載された発明であるから、特許法２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができず、また、当該請求項１及び２に係る発明は、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　これに対して、その後の平成２８年１月７日付けの手続補正及び同年１１月２日付けの手続補正によって、請求項１には、上記（２−１）の相違点１に係る「スパッタリングターゲットの最大透磁率（μｍａｘ）が５０以下である」という発明特定事項と、相違点２に係る「Ｂリッチ相の割れが２５００個以下／ｍｍ２である」という発明特定事項が加えられ、その結果、補正後の請求項１に係る発明、すなわち、本願発明１は引用文献１に記載された発明であるとはいえないものとなった。
　そして、上記（２−１）で検討したとおり、少なくとも相違点２に係る発明特定事項については、引用文献２ないし４に記載された技術事項を勘案しても、当業者が容易になし得たものであるということはできない。
　よって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１ないし５に係る発明は、引用文献１に記載された発明ではなく、また、引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。