(57)【要約】      （修正有）【課題】オンアクシズカメラ以外にカメラを用いることなく半導体ウエハのアライメントマークの位置を測定することができる測定方法を提供する。【解決手段】露光装置１０を用いて、半導体装置が形成されない外周部分の表面にアライメントマークが形成されている半導体ウエハのアライメントマークの位置を測定する測定方法であって、投光手段２４により感光性膜が反応する光を照射するとともにオンアクシズカメラ２２で半導体ウエハ４０の表面を撮影しながら移動手段によってステージを移動させることによってオンアクシズカメラの撮影範囲内の基準位置にアライメントマーク４２を移動させ、基準位置にアライメントマークが存在しているときのステージの位置を位置検出手段２６によって検出する。【選択図】図１
2011108674.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハが載置されるステージと、ステージに載置されている半導体ウエハの表面にレチクルの像を投影する投影光学系と、投影光学系に対して相対移動不可能とされており、投影光学系を介して半導体ウエハの表面を撮影するオンアクシズカメラと、オンアクシズカメラの撮影軸に沿って感光性膜が反応する光を照射する投光手段と、ステージを移動させる移動手段と、ステージの位置を検出する位置検出手段とを有する露光装置を用いて、表面に感光性膜が形成されているとともに半導体装置が形成されない外周部分の表面にアライメントマークが形成されている半導体ウエハのアライメントマークの位置を測定する測定方法であって、
投光手段により半導体ウエハの外周部分の表面に光を照射するとともにオンアクシズカメラで半導体ウエハの表面を撮影しながら移動手段によってステージを移動させることによってオンアクシズカメラの撮影範囲内の基準位置にアライメントマークを移動させ、基準位置にアライメントマークが存在しているときのステージの位置を位置検出手段によって検出する位置検出ステップを有することを特徴とする測定方法。
【請求項２】
請求項１の測定方法の位置検出ステップで検出された位置に基づいてステージの位置を制御して、投影光学系によってステージに載置されている半導体ウエハの表面にレチクルの像を投影する露光ステップを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
位置検出ステップでは、オンアクシズカメラの撮影範囲内に半導体ウエハの外周端が入るようにステージを移動させ、
オンアクシズカメラで撮影されたアライメントマークと半導体ウエハの外周端との相対位置が所定の相対位置となっていない場合には、露光ステップを実行しないことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
表面に感光性膜が形成されているとともに半導体装置が形成されない外周部分の表面にアライメントマークが形成されている半導体ウエハに対して露光を行う露光装置であって、
半導体ウエハが載置されるステージと、
ステージに載置されている半導体ウエハの表面にレチクルの像を投影する投影光学系と、
投影光学系を介して半導体ウエハの表面を撮影するオンアクシズカメラと、
オンアクシズカメラの撮影軸と同軸に感光性膜が反応する光を照射する投光手段と、
ステージを移動させる移動手段と、
ステージの位置を検出する位置検出手段と、
投光手段により半導体ウエハの外周部分の表面に光を照射するとともにオンアクシズカメラで半導体ウエハの表面を撮影しながら移動手段によってステージを移動させることによってオンアクシズカメラの撮影範囲内の基準位置にアライメントマークを移動させ、基準位置にアライメントマークが存在しているときのステージの位置を位置検出手段によって検出する位置検出ステップと、
位置検出ステップで検出された位置に基づいてステージの位置を制御して、投影光学系によってステージに載置されている半導体ウエハの表面にレチクルの像を投影する露光ステップ、
を実行する制御手段を有することを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハに対して露光を行う際にアライメントマークの位置を測定する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、表面に感光性膜が形成されている半導体ウエハにレチクルの像を投影する露光装置が開示されている。なお、感光性膜とは、光の照射を受けることによって特性が変化する膜をいう。感光性膜に対してレチクルの像を投影し、その後に感光性膜に所定の処理を施すことで、半導体ウエハの表面に所定パターンの膜（レジスト層等）を形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１１４５４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
露光を行う際には、半導体ウエハ上のレチクルの像を投影する位置を正確に制御する必要がある。したがって、露光を行う前に、投影光学系に対する半導体ウエハの位置を正確に測定する必要がある。
【０００５】
従来の露光装置は、図５に示すように、ステージ２０２と、投影光学系２０４と、オンアクシズカメラ２０６と、投光手段２０８と、オフアクシズカメラ２１０と、投光手段２１２と、移動手段２１４と、位置検出手段２１６を有している。ステージ２０２には、半導体ウエハ２００が載置される。ステージ２０２の上面（半導体ウエハ２００が載置される部分の外側）には、基準マーク２０２ａが形成されている。ステージ２０２に載置される半導体ウエハ２００の表面には感光性膜が形成されている。半導体ウエハ２００の表面には、複数のアライメントマーク２２０が形成されている。アライメントマーク２２０は、半導体ウエハ２００のダイシングラインに形成されている。投影光学系２０４は、ステージ２０２に載置されている半導体ウエハ２００の表面にレチクル（図示省略）の像を投影する。オンアクシズカメラ２０６は、投影光学系に固定されており、投影光学系２０４を介してステージ２０２を撮影する。投光手段２０８は、オンアクシズカメラ２０６の撮影軸に沿って光を照射する。オフアクシズカメラ２１０は、投影光学系２０４を介さずに半導体ウエハ２００の表面等を撮影する。投光手段２１２は、オフアクシズカメラ２１０の撮影軸に沿って光を照射する。移動手段２１４は、ステージ２０２を移動させる。位置検出手段２１６は、ステージ２０２の位置を検出する。
【０００６】
図１に示す従来の露光装置では、以下のようにして、投影光学系２０４に対するアライメントマーク２２０の位置を測定する。最初に、投光手段２１２によって光を照射するとともに、オフアクシズカメラ２１０によって撮影を開始する。オフアクシズカメラ２１０によって撮影を行いながらステージ２０２を移動させることによって、アライメントマーク２２０をオフアクシズカメラ２１０の撮影範囲内の基準位置に移動させる。なお、投光手段２１２が照射する光は感光性膜が反応しない波長であるので、オフアクシズカメラ２１０でアライメントマーク２２０を撮影するときに感光性膜が反応することはない。次に、アライメントマーク２２０が基準位置に存在しているときのステージ２０２の位置を位置検出手段２１６により検出する。以下では、このときに検出された位置を第１位置という。第１位置は、オフアクシズカメラ２１０とアライメントマーク２２０の相対位置を示す。ここでは、各アライメントマーク２２０に対して第１位置の検出を行う。次に、オフアクシズカメラ２１０によって撮影を行いながらステージ２０２を移動させることによって、基準マーク２０２ａをオフアクシズカメラ２１０の撮影範囲内の基準位置に移動させる。そして、基準マーク２０２ａがその基準位置に存在しているときのステージ２０２の位置を位置検出手段２１６によって検出する。以下では、このとき検出された位置を第２位置という。第２位置は、オフアクシズカメラ２１０と基準マーク２０２ａの相対位置を示す。次に、投光手段２０８によって光を照射するとともに、オンアクシズカメラ２０６によって撮影を開始する。なお、投光手段２０８は露光時に用いられる光（半導体ウエハ２００にレチクルの像を投影するときに図示しない露光光源により照射される光）と略同じ波長の光を照射するため、オンアクシズカメラ２０６は投影光学系を介して鮮明に撮影を行うことができる。オンアクシズカメラ２０６によって撮影を行いながらステージ２０２を移動させることによって、基準マーク２０２ａをオンアクシズカメラ２０６の撮影範囲内の基準位置に移動させる。そして、基準マーク２０２ａがその基準位置に存在しているときのステージ２０２の位置を位置検出手段２１６によって検出する。以下では、このとき検出された位置を第３位置という。第３位置は、オンアクシズカメラ２０６と基準マーク２０２ａの相対位置を示す。オンアクシズカメラ２０６は投影光学系２０４に固定されているので、第３位置は基準マーク２０２ａと投影光学系２０４の相対位置を示す。以上の工程により検出した第１位置、第２位置、第３位置に基づいて、各アライメントマーク２２０と投影光学系２０４との相対位置を特定することができる。各アライメントマーク２２０の投影光学系２０４に対する相対位置を特定することで、投影光学系２０４と半導体ウエハ２００との相対位置関係を特定することができる。
【０００７】
以上に説明したように、従来の方法では、２つのカメラを用いてアライメントマークの位置を測定する。これは、オンアクシズカメラ２０６によって撮影を行うときには露光時と略同じ波長の光を照射する必要があるため、オンアクシズカメラ２０６で直接アライメントマークを撮影すると、アライメントマークの周囲の感光性膜（すなわち、半導体装置を形成すべき部分の表面の感光性膜）が反応してしまうためである。このように、従来の方法では２つのカメラを用いる必要があるため、露光装置が大きくなるという問題があった。また、アライメントマークの位置の測定に時間がかかり、半導体装置の製造効率が低くなるという問題があった。
【０００８】
本発明は、オンアクシズカメラ以外にカメラを用いることなく半導体ウエハのアライメントマークの位置を測定することができる測定方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の測定方法では、露光装置を用いて半導体ウエハのアライメントマークの位置を測定する。露光装置は、半導体ウエハが載置されるステージと、ステージに載置されている半導体ウエハの表面にレチクルの像を投影する投影光学系と、投影光学系に対して相対移動不可能とされており、投影光学系を介して半導体ウエハの表面を撮影するオンアクシズカメラと、オンアクシズカメラの撮影軸に沿って感光性膜が反応する光を照射する投光手段と、ステージを移動させる移動手段と、ステージの位置を検出する位置検出手段とを有している。半導体ウエハの表面には感光性膜が形成されている。半導体ウエハの半導体装置が形成されない外周部分の表面にアライメントマークが形成されている。この測定方法は、投光手段により半導体ウエハの外周部分の表面に光を照射するとともにオンアクシズカメラで半導体ウエハの表面を撮影しながら移動手段によってステージを移動させることによってオンアクシズカメラの撮影範囲内の基準位置にアライメントマークを移動させ、基準位置にアライメントマークが存在しているときのステージの位置を位置検出手段によって検出する位置検出ステップを有する。
【００１０】
この位置測定方法では、アライメントマークを半導体装置が形成されない半導体ウエハの外周部分の表面に形成しておく。そして、オンアクシズカメラによって直接アライメントマークを撮影して、アライメントマークの位置を検出する。オンアクシズカメラによってアライメントマークを撮影する際には投光手段による光の照射を受けてアライメントマーク近傍の感光性膜が反応するが、外周部分の感光性膜が反応しても後の工程で不具合が生じることはない。また、この位置測定方法ではオフアクシズカメラが不要であるので、露光装置を小型化することができる。また、オンアクシズカメラで直接アライメントマークを撮影するため、短時間でアライメントマークの位置を検出することができる。また、
【００１１】
また、本発明は、半導体装置の製造方法を提供する。この製造方法は、上述した測定方法の位置検出ステップで検出された位置に基づいてステージの位置を制御して、投影光学系によってステージに載置されている半導体ウエハの表面にレチクルの像を投影する露光ステップを有する。
この製造方法によれば、半導体ウエハの表面に正確にレチクルの像を投影することができる。また、短時間でアライメントマークの位置を検出することができるので、短時間で半導体装置を製造することができる。
【００１２】
半導体ウエハをステージに載置する際に、半導体ウエハの載置位置が予定の位置から大きくずれる場合がある。このような場合には、位置を測定すべきアライメントマークと異なるアライメントマークの位置が測定される場合がある。このため、上述した製造方法においては、位置検出ステップでは、オンアクシズカメラの撮影範囲内に半導体ウエハの外周端が入るようにステージを移動させることが好ましい。そして、オンアクシズカメラで撮影されたアライメントマークと半導体ウエハの外周端との相対位置が所定の相対位置となっていない場合には、露光ステップを実行しないことが好ましい。
このような構成によれば、誤った位置にレチクルの像が投影されて半導体ウエハが不良となることを防止することができる。
【００１３】
また、本発明は、新たな露光装置を提供する。この露光装置は、表面に感光性膜が形成されているとともに半導体装置が形成されない外周部分の表面にアライメントマークが形成されている半導体ウエハに対して露光を行う。この露光装置は、ステージと、投影光学系と、オンアクシズカメラと、投光手段と、位置検出手段と、制御手段を有する。ステージには、半導体ウエハが載置される。投影光学系は、ステージに載置されている半導体ウエハの表面にレチクルの像を投影する。オンアクシズカメラは、投影光学系を介して半導体ウエハの表面を撮影する。投光手段は、オンアクシズカメラの撮影軸と同軸に感光性膜が反応する光を照射する。移動手段は、ステージを移動させる。位置検出手段は、ステージの位置を検出する。制御手段は、位置検出ステップと露光ステップを実行する。位置検出ステップでは、投光手段により半導体ウエハの外周部分の表面に光を照射するとともにオンアクシズカメラで半導体ウエハの表面を撮影しながら移動手段によってステージを移動させることによってオンアクシズカメラの撮影範囲内の基準位置にアライメントマークを移動させ、基準位置にアライメントマークが存在しているときのステージの位置を位置検出手段によって検出する。露光ステップでは、位置検出ステップで検出された位置に基づいてステージの位置を制御して、投影光学系によってステージに載置されている半導体ウエハの表面にレチクルの像を投影する。
この露光装置によれば、アライメントマークの位置を短時間で正確に測定することができる。また、オフアクシズカメラを有しないので、露光装置を小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】露光装置１０の概略構成を示す図。
【図２】半導体ウエハ４０の上面図。
【図３】制御装置２８が実行する処理を示すフローチャート。
【図４】ステップＳ８の実行後にオンアクシズカメラ２２で撮影される画像を示す図。
【図５】従来の露光装置の概略構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１は、実施例に係る露光装置１０の概略構成を示している。図１に示すように、露光装置１０は、ウエハステージ１２、投影光学系１４、レチクルステージ１６、位置検出装置１８、露光光源２０、オンアクシズカメラ２２、レーザ光源２４、位置検出装置２６、及び、制御装置２８を有している。
【００１６】
ウエハステージ１２には、半導体ウエハ４０が載置される。半導体ウエハ４０の上面全体には感光性樹脂が塗布されている。図２に示すように、半導体ウエハ４０の上面には、複数のアライメントマーク４２ａ〜４２ｈ（以下では、まとめてアライメントマーク４２という場合がある）が形成されている。アライメントマーク４２は、オンアクシズカメラ２２によって撮影するときに光学的に認識可能な構造物である。半導体ウエハ４０の中央部は後に半導体装置が形成される半導体装置領域４４であり、半導体ウエハ４０の外周部４６は半導体装置が形成されない領域である。アライメントマーク４２は、半導体ウエハ４０の外周部４６の上面に形成されている。
図１に示すように、ウエハステージ１２は、半導体ウエハ４０が載置されるステージ部１２ａと、ステージ部１２ａを移動させる駆動部１２ｂを有している。駆動部１２ｂは、ステージ部１２ａを投影光学系１４の光軸（図１のＺ方向）に対して垂直な平面内で移動させる（すなわち、図１のＸ方向及びＹ方向に移動させることができる）。位置検出装置２６は、ステージ部１２ａの位置を検出する。
【００１７】
投影光学系１４は、ウエハステージ１２の上方に配置されている。投影光学系１４は、複数のレンズが組合されることによって構成された光学系である。投影光学系１４はその光軸が、ウエハステージ１２の上面に対して垂直となるように配置されている。
投影光学系１４の上方には、レチクルステージ１６が配置されている。レチクルステージ１６上には、レチクル６０が載置される。レチクル６０の上面には、半導体ウエハ４０の感光性膜に転写されるべき所定のパターンが形成されている。また、レチクル６０の上面には、複数のアライメントマークが形成されている。レチクルステージ１６は、その上面が投影光学系１４の光軸に対して垂直となるように配置されている。レチクルステージ１６は、投影光学系１４に対してＸ方向及びＹ方向に移動することができる。
位置検出装置１８は、レチクルステージ１６の位置を検出する。
レチクルステージ１６の上方には、露光光源２０が配置されている。露光光源２０は、半導体ウエハ４０の感光性樹脂が反応する波長の光を照射する。露光光源２０は、投影光学系１４に向けて光を照射する。露光光源２０から照射された光は、レチクル６０を透過して投影光学系１４の上面に入射する。投影光学系１４は、レチクル６０を透過した光（レチクルのパターン）を縮小した像を半導体ウエハ４０の上面に投影する。
【００１８】
レチクルステージ１６の上方には、ハーフミラー３０、オンアクシズカメラ２２、及び、レーザ光源２４が配置されている。ハーフミラー３０、オンアクシズカメラ２２、及び、レーザ光源２４は、投影光学系１４に対して固定されている。オンアクシズカメラ２２は、ハーフミラー３０の上方に配置されている。レーザ光源２４は、ハーフミラー３０の側方に配置されている。レーザ光源２４は、半導体ウエハ４０の感光性樹脂が反応する波長のレーザ光を照射する。すなわち、レーザ光源２４は、露光光源２０と略同じ波長のレーザ光を照射する。レーザ光源２４は、ハーフミラー３０に向けてレーザ光を照射する。照射されたレーザ光は、ハーフミラー３０で反射される。反射したレーザ光は、レチクル６０を透過して投影光学系１４に入射する。投影光学系１４に入射したレーザ光は、投影光学系１４の内部で屈折した後に半導体ウエハ４０の上面に照射される。半導体ウエハ４０の上面にレーザ光が照射されると、反射光が生じる。反射光は、レーザ光の経路を逆方向に進行してハーフミラー３０に到達する。反射光は、ハーフミラー３０を透過してオンアクシズカメラ２２に入射する。したがって、オンアクシズカメラ２２は、半導体ウエハ４０の上面を撮影することができる。なお、投影光学系１４の内部のレンズの屈折率は光の波長によって変化するが、露光光源２０と略同じ波長のレーザ光源２４を用いるので、オンアクシズカメラ２２は半導体ウエハ４０の上面を鮮明に撮影することができる。
【００１９】
制御装置２８は、露光装置１０の各部と電気的に接続されている。露光装置１０には、位置検出装置１８、２６が検出する位置のデータが入力をされる。また、制御装置２８は、ウエハステージ１２、レチクルステージ１６、露光光源２０、オンアクシズカメラ２２、レーザ光源２４を制御する。
【００２０】
次に、露光装置１０を用いた露光方法について説明する。図３は、露光を行う際に制御装置２８が実行する処理を示すフローチャートである。
【００２１】
ステップＳ２では、制御装置２８は、図示しない搬送機構によって、レチクルステージ１６上にレチクル６０を載置し、ウエハステージ１２上に半導体ウエハ４０を載置する。レチクル６０及び半導体ウエハ４０は、数μ単位の位置精度で載置される。
【００２２】
ステップＳ４では、制御装置２８は、オンアクシズカメラ２２を用いて、レチクル６０の各アライメントマークの位置を測定する。レチクル６０のアライメントマークの位置の測定は従来公知の技術により行う。各アライメントマークの位置を測定することで、投影光学系１４に対するレチクル６０の位置及び姿勢を特定することができる。
【００２３】
ステップＳ６〜Ｓ１２では、制御装置２８は、半導体ウエハ４０の各アライメントマーク４２の位置を測定する。半導体ウエハ４０は、最初に、アライメントマーク４２ａの位置を測定する。
【００２４】
ステップＳ６では、制御装置２８は、駆動部１２ｂによってステージ部１２ａを予め決められた座標に移動させる。この座標は、アライメントマーク４２ａがオンアクシズカメラ２２の撮影範囲内に収まる座標である。すなわち、ステップＳ６では、オンアクシズカメラ２２でアライメントマーク４２ａを撮影できる位置に半導体ウエハ４０を移動させる。
【００２５】
ステップＳ８では、制御装置２８は、レーザ光源２４とオンアクシズカメラ２２を作動させて、オンアクシズカメラ２２によってアライメントマーク４２ａを撮影する。そして、オンアクシズカメラ２２によってアライメントマーク４２ａを撮影しながら、アライメントマーク４２ａがオンアクシズカメラ２２の撮影範囲の中心部に位置するように、駆動部１２ｂによってステージ部１２ａ（すなわち、半導体ウエハ４０）を移動させる。
なお、ステップＳ８を開始すると、レーザ光源２４からのレーザ光がオンアクシズカメラ２２の撮影範囲内の半導体ウエハ４０の上面に照射される。このため、半導体ウエハ４０上の感光性樹脂がレーザ光に反応し、感光性樹脂の特性が変化する。しかしながら、レーザ光が照射される範囲は、半導体装置が形成されない半導体ウエハ４０の外周部４６である。したがって、感光性樹脂が反応しても後の工程で問題となることはない。
また、全てのアライメントマーク４２は、アライメントマーク４２がオンアクシズカメラ２２の撮影範囲の中心部に位置したときに、図４に示すようにオンアクシズカメラ２２の撮影範囲内に半導体ウエハ４０の外周端が入る位置に形成されている。したがって、ステップＳ８を実行すると、オンアクシズカメラ２２では、アライメントマーク４２ａと半導体ウエハ４０の外周端４８が撮影される。
【００２６】
ステップＳ１０では、制御装置２８は、オンアクシズカメラ２２で撮影された画像に基づいて、アライメントマーク４２ａに最も近い半導体ウエハ４０の外周端の位置４６ａ（図４参照）を特定する。そして、位置４６ａにおける外周端４８の接線４８ａを算出する。そして、アライメントマーク４２ａと算出された接線４８ａとの位置関係が予め決められた位置関係となっているか否かを判定する。
例えば、ステップＳ２で半導体ウエハ４０が載置されるときに、半導体ウエハ４０の搬送エラーによって、半導体ウエハ４０が決められた精度でウエハステージ１２に載置されない場合がある。このような場合には、ステップＳ６で決められた座標にステージ部１２ａを移動させると、ステップＳ８において測定対象のアライメントマーク４２ａではなく他のアライメントマーク４２ｂ〜４２ｈが撮影される場合がある。この場合、アライメントマーク４２と接線４８ａとの位置関係が、アライメントマーク４２ａについて決められた位置関係とならない。したがって、ステップＳ１０でＮＯと判定される。
ステップＳ１０でＮＯと判定された場合には、制御装置２８は、処理を中止するとともにユーザにエラーを報告する。これによって、半導体ウエハ４０上の誤った位置にレチクル６０のパターンが投影されて、半導体ウエハ４０が不良となることを防止することができる。一方、ステップＳ１０でＹＥＳと判定された場合には、ステップＳ１２が実行される。
【００２７】
ステップＳ１２では、制御装置２８は、位置検出装置２６によってステージ部１２ａの位置（すなわち、アライメントマーク４２ａがオンアクシズカメラ２２の撮影範囲の中心部に位置しているときの位置）を検出する。オンアクシズカメラ２２が投影光学系１４に固定されているので、検出されたステージ部１２ａの位置は、アライメントマーク４２ａと投影光学系１４との相対位置を示す。すなわち、ステップＳ８を実行することで、アライメントマーク４２ａの位置が測定される。
【００２８】
ステップＳ１４では、全てのアライメントマーク４２の位置を測定したか否かが判定される。位置を測定していないアライメントマーク４２が存在する場合（すなわち、ステップＳ１４でＮＯと判定された場合）には、位置を測定していないアライメントマーク４２に対してステップＳ６〜Ｓ１２が実行される。他のアライメントマーク４２ｂ〜４２ｈに対しても、アライメントマーク４２ａと同様にしてステップＳ６〜Ｓ１２が実行され、その位置が測定される。ステップＳ６〜Ｓ１２が繰り返し実行されて全てのアライメントマーク４２の位置を測定したら、ステップＳ１４でＹＥＳと判定される。
【００２９】
ステップＳ１６では、ステップＳ４で測定したレチクル６０の各アライメントマークの位置と、ステップＳ１２で測定した半導体ウエハ４０の各アライメントマーク４２の位置に基づいて、レチクル６０のパターンを投影すべき座標を特定する。そして、ステージ部１２ａを特定した座標に移動させて、半導体ウエハ４０上にレチクルのパターンを投影する。これによって、正確な位置にレチクルのパターンを投影することができる。
【００３０】
以上に説明したように、本実施例の測定方法によれば、オンアクシズカメラ以外にカメラを使用することなく、半導体ウエハのアライメントマークの位置を測定することができる。したがって、露光装置を小型化することができる。また、短時間でアライメントマークの位置を測定することができる。
【００３１】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３２】
１０：露光装置
１２：ウエハステージ
１２ａ：ステージ部
１２ｂ：駆動部
１４：投影光学系
１６：レチクルステージ
１８：位置検出装置
２０：露光光源
２２：オンアクシズカメラ
２４：レーザ光源
２６：位置検出装置
２８：制御装置
３０：ハーフミラー
４０：半導体ウエハ
４２：アライメントマーク
４４：半導体装置領域
４６：外周部
６０：レチクル
【図１】
2011108674.tif 000003
【図２】
2011108674.tif 000004
【図３】
2011108674.tif 000005
【図４】
2011108674.tif 000006
【図５】
2011108674.tif 000007