(57)【要約】【課題】複数の機能層が積層された部品本体と、部品本体内部に形成された複数の内部導体とを有する積層電子部品において、内部導体を電気的に接続する外部端子電極を直接めっきにより形成するにも関わらず、小型化に寄与しつつ、かつシール性能の高い積層電子部品を提供する。【解決手段】部品本体の内部導体の露出部分に形成されるめっき膜において、めっき膜を構成する金属粒子の平均粒径を０．１μｍ以下とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の機能層が積層されてなる電子部品本体と、
前記電子部品本体内部に形成され、かつ、前記電子部品本体外表面に露出部を有する内部導体と、
前記電子部品本体外表面上に、前記内部導体と導通し、かつ、前記内部導体の前記露出部を被覆するように形成された外部端子電極と、
を備え、
前記外部端子電極は、前記内部導体の前記露出部を被覆するように、前記電子部品本体外表面上に直接めっきにより形成されためっき膜を含み、
前記めっき膜を構成する金属粒子の平均粒径が０．１μｍ以下であることを特徴とする、積層電子部品。
【請求項２】
前記外部端子電極は、前記めっき膜上に形成された、１層以上の上層めっき膜をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項３】
前記めっき膜を構成する金属粒子がＣｕ粒子であることを特徴とする、請求項１または２に記載の積層電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層電子部品およびその製造方法に関し、詳しくは、内部導体と接続する外部端子電極が、電子部品本体の外表面上に、直接にめっきを施す工程を経て形成される積層電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、ノートパソコン、デジタルカメラ、デジタルオーディオ機器等の小型携帯電子機器の市場が拡大している。これらの携帯電子機器では、小型化が進んでいる一方で、高性能化も同時に進んでいる。これらの携帯電子機器には多数の積層セラミック電子部品が搭載されているが、これらの積層セラミック電子部品についても、小型化、高性能化が要求されており、例えば、積層セラミックコンデンサにおいては、小型・大容量化が要求されている。
【０００３】
積層セラミックコンデンサを小型・大容量化する手段としては、セラミック層を薄層化することが有効であり、最近では、セラミック層の厚みが３μｍ以下のコンデンサが実用化されている。そして、現在、さらなる薄層化が指向されているが、セラミック層を薄層化すればするほど、内部電極間の短絡が生じやすくなるため、品質確保が難しくなるという課題がある。
【０００４】
別の手段としては、内部電極の有効面積を広くすることが有効である。しかし、積層セラミックコンデンサを量産する際には、セラミックグリーンシートの積層ずれ、カットずれを考慮して、内部電極とセラミック素体側面とのサイドマージンや、内部電極とセラミック素体端面とのエンドマージンをある程度確保する必要がある。したがって、内部電極の有効面積を広げようとすると、所定のマージンを確保するために、セラミック層の面積を広くする必要がある。しかし、定められた製品の寸法規格内でセラミック層の面積を広げることには限界があり、また、外部端子電極の厚みがセラミック層の面積を広げることの妨げとなる。
【０００５】
従来、積層セラミックコンデンサの外部端子電極は、セラミック素体端部に導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより形成されてきた。導電性ペーストの塗布方法としては、ペースト槽にセラミック素体端部を浸漬して引き上げる方法が主流であるが、この方法では、導電性ペーストの粘性が影響して、セラミック素体端面中央部に導電性ペーストが厚く付着しやすい。このため、外部端子電極が部分的に厚くなり（具体的には３０μｍを超える）、その分だけセラミック素体の体積を小さくせざるを得なかった。
【０００６】
これを受けて、外部端子電極を直接めっきにより形成する方法が提案されている。この方法によれば、セラミック素体端面における内部電極の露出部を核としてめっき膜が析出し、めっき膜が成長することにより、隣り合う内部電極の露出部どうしが接続される。そして、この方法によれば、従来の導電性ペーストによる方法に比べて、薄くフラットな電極膜を形成することが可能になる（特許文献1参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２００７／０４９４５６号パンフレット
【発明の概要】
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、電子部品本体（セラミック素体）の外表面上に、直接にめっきにより外部端子電極を形成するようにした場合において、外部端子電極となるめっき膜を構成する金属粒子の平均粒径が大きくなると、電子部品本体とめっき膜との間の隙間から水分が浸入するという問題があった。また、めっき膜を薄層化した場合、めっき膜の平滑性の低さにより、。めっき膜連続性が低下するという問題もあった。これらの場合、時間の経過とともに絶縁抵抗値が低下するなど、信頼性の低下を招くという問題点がある。
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するものであり、電子部品本体外表面に、直接にめっきにより形成された外部端子電極を備えた積層電子部品であって、特性の低下を招きにくく、耐用性に優れた積層電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の積層電子部品は、複数の機能層が積層されてなる電子部品本体と、前記電子部品本体内部に形成され、かつ、前記電子部品本体外表面に露出部を有する内部導体と、前記電子部品本体外表面上に、前記内部導体と導通し、かつ、前記内部導体の前記露出部を被覆するように形成された外部端子電極と、を備え、前記外部端子電極は、前記内部導体の前記露出部を被覆するように、前記電子部品本体外表面上に直接めっきにより形成されためっき膜を含み、前記めっき膜を構成する金属粒子の平均粒径が０．１μｍ以下であることを特徴としている。
【００１２】
前記外部端子電極は、前記めっき膜上に形成された、１層以上の上層めっき膜をさらに含むことも好ましい。
【００１３】
また、前記めっき膜を構成する金属粒子がＣｕ粒子であることが望ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、めっき膜を構成する金属粒子の粒径が非常に小さいため、めっき膜の表面の比表面積が増大し、仮に電子部品素体とめっき膜との間に隙間があっても、その隙間近傍のめっき膜の酸化膨張により、隙間が埋められやすくなる。よって、水分の浸入が効果的に抑えられるため、信頼性に優れた積層電子部品が得られる。
【００１５】
また、本発明によれば、めっき膜を構成する金属粒子の粒径が非常に小さいため、その上に析出するめっきに対する活性が増加し、厚みの均一な上層めっき膜が得られる。すなわち、上層めっき膜厚の面内ばらつきが小さくなるため、仮に上層めっき膜を薄層化してもめっき膜連続性は低下しにくい。
【００１６】
また、本発明において、めっき膜を構成する金属粒子はＣｕ粒子であることが望ましいが、これは、Ｃｕめっきは被めっき物に対するつきまわり性が高いため、仮に電子部品本体の表面粗さが大きくても、電子部品本体とめっき膜との間の隙間が生じにくいからである。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態１にかかる積層電子部品（積層セラミックコンデンサ）の外観構成を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】本発明の実施形態１にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極パターンを説明する図である。
【図４】本発明の実施形態１にかかる積層セラミックコンデンサの要部構成を拡大して示す図である。
【図５】本発明の実施形態２にかかる積層セラミックコンデンサの要部構成を拡大して示す図である。
【図６】本発明の実施形態３にかかる積層セラミックコンデンサの構成を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態４にかかるアレイタイプの積層セラミックコンデンサ（コンデンサアレイ）の外観構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の実施形態４にかかるアレイタイプの積層セラミックコンデンサの、複数の内部電極の配設パターンを説明する図である。
【図９】本発明の実施形態５にかかる、多端子タイプの低ＥＳＬ型積層セラミックコンデンサを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に本発明の実施の形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【実施形態１】
【００１９】
この実施形態１では、積層電子部品として、めっき膜層からなる一対の外部端子電極を備えた、２端子型の積層セラミックコンデンサを例にとって説明する。
【００２０】
図１は本発明の実施形態１にかかる積層セラミックコンデンサの外観構成を示す斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図、図３はこの積層セラミックコンデンサの内部電極パターンを示す図、図４は、外部端子電極と内部電極の接続部分などの要部を拡大して示す図である。
【００２１】
この積層セラミックコンデンサは、互いに対向する第１の主面１１および第２の主面１２と、互いに対向する第１の側面２１および第２の側面２２と、互いに対向する第１の端面３１および第２の端面３２と、を有する直方体形状のコンデンサ本体１０を備えており、コンデンサ本体１０は積層された複数の誘電体層５０を備えている。
【００２２】
そして、第１の端面３１には第１の外部端子電極１が形成され、第２の端面３２には第２の外部端子電極２が形成されている。第１の外部端子電極１と第２の外部端子電極２とは、電気的に絶縁されている。
【００２３】
また、第１の主面１１および第２の主面１２上には、第１の表面導体１３および第２の表面導体１４が形成されており、第１の表面導体１３は第１の外部端子電極１１の折返し部分を補助し、第２の表面導体１４は第２の外部端子電極１２の折返し部分を補助する。第１，第２の表面導体１３，１４は、第１，第２の側面２１，２２にも形成され得る。第１，第２の外部端子電極１１，１２の折返し部分を長くする必要がない場合は、第１，第２の表面導体１３，１４が形成される必要はない。
【００２４】
また、図２に示すように、コンデンサ本体１０の内部には、誘電体層５０を介して互いに対向するように、第１の内部電極４１および第２の内部電極４２が配置されている。図３に示すように、第１の内部電極４１は第１の端面３１まで引出され第１の外部端子電極１と電気的に接続されている。第２の内部電極２は第２の端面３２まで引出され第２の外部端子電極２と電気的に接続されている。
【００２５】
第１の外部端子電極１（第２の外部端子電極２）は、図４に示すように、Ｃｕめっき膜ならなるめっき膜１ａ（２ａ）と、上層めっき膜を構成する、Ｎｉめっき膜からなる上層第１めっき膜１ｂ（２ｂ）と、Ｓｎめっき膜からなる上層第２めっき膜１ｃ（２ｃ）とを備えている。
【００２６】
なお、図４は、コンデンサ本体１０の第１の端面３１に形成された第１の外部端子電極１と、第１の内部電極４１との接続部分などの要部を示しているが、第２の外部端子電極２（図１，２参照）と第２の内部電極４２との接続部分は、図４とは左右対称になるだけであることから、第２の外部端子電極２を構成するめっき膜２ａ、上層第１めっき膜２ｂ、上層第２めっき膜２ｃ、第２の内部電極４２なども、括弧書きで示している。
【００２７】
図４に示すように、この実施形態１の積層セラミックコンデンサの外部端子電極１（２）は、めっき膜１ａ（２ａ）と、上層第１めっき膜１ｂ（２ｂ）と、上層第２めっき膜１ｃ（２ｃ）とからなる３層構造を有している。
【００２８】
そして、上記めっき膜１ａ（２ａ）を構成する金属粒子の平均粒径は０．１μｍ以下とされている。上層第１めっき膜１ｂ（２ｂ）、および上層第２めっき膜１ｃ（２ｃ）の平均粒径は特に問われるものではない。
【００２９】
なお、めっき膜および上層めっき膜は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉおよびＺｎからなる群より選ばれる１種の金属または当該金属を含む合金のめっき膜からなるものであることが好ましい。
【００３０】
この実施形態１の積層セラミックコンデンサにおいて、Ｃｕめっき膜からなるめっき膜１ａ（２ａ）は、コンデンサ本体１０との間の隙間をさらに小さくする。
【００３１】
また、Ｎｉめっき膜からなる上層第１めっき膜１ｂ（２ｃ）は、はんだバリアの機能を果たす。
【００３２】
さらに、Ｓｎめっき膜からなる上層第２めっき膜１ｃ（２ｃ）は、はんだ濡れ性を担保する機能を果たす。
【００３３】
本発明において、上層めっき膜の最外層を構成するめっき膜（実施形態１では上層第２めっき膜１ｃ（２ｃ））の構成材料としては、実装形態に応じて適切な金属材料が選ばれる。例えば、製品（ここでは積層セラミックコンデンサ）がワイヤボンディング実装されるものである場合にはＡｕ、基板埋め込み用途のものである場合にはＣｕなどを用いることができる。
【００３４】
この積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層、内部導体である第１および第２の内部電極、外部端子電極の構成材料や厚みなどの好ましい条件について、以下に説明する。
［誘電体層］
誘電体層を構成する材料としては、例えば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3などの主成分からな誘電体セラミックを用いることができる。また、これらの主成分にＭｎ化合物、希土類化合物、Ｓｉ化合物、Ｍｇ化合物などの副成分を添加したものを用いてもよい。
【００３５】
また、焼成後の誘電体層の厚みは２０μｍ以下が好ましく、より好ましくは１０μｍ以下である。
［内部電極］
内部電極を構成する材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを用いることができる。
【００３６】
焼成後の内部電極の厚みは０．１〜２．０μｍであることが好ましい。
［外部端子電極］
外部端子電極を構成するめっき膜は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉおよびＺｎからなる群から選ばれる１種の金属または当該金属を含む合金からなるめっき膜であることが好ましい。めっき膜の厚みは、１〜１０μｍであることが好ましい。
【００３７】
また、外部端子電極を構成する上層めっき膜の構成材料としては、実装形態に応じて適切な金属材料が選ばれる。
【００３８】
例えば、はんだ実装される積層セラミック電子部品の場合には、はんだバリア機能を果たす材料（例えばＮｉ）や、はんだ濡れ性にすぐれた材料（例えばＳｎ）などが用いられる。
【００３９】
また、積層電子部品が、例えば、ワイヤボンディング実装されるものである場合にはＡｕが用いられ、基板埋め込み用途のものである場合にはＣｕなどが用いられる。
【００４０】
次に、この実施形態１の積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
【００４１】
(１)まず、セラミックグリーンシートと、内部電極用導電性ペーストを準備する。セラミックグリーンシートや導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を適宜選択して用いることが可能である。
【００４２】
(２)それから、セラミックグリーンシート上に、例えば、スクリーン印刷などにより所定のパターンで導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。
【００４３】
(３)内部電極パターンの印刷されたセラミックグリーンシートが所定枚数積層され、その上下に内部電極パターンや内部導体パターンなどの印刷されていない外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層されたマザー積層体が得られるように、各セラミックグリーンシートを所定の順序で積層し、マザー積層体を作製する。マザー積層体は、必要に応じて、静水圧プレスなどの手段により積層方向に圧着される。
【００４４】
(４)次に、未焼成のマザー積層体を所定のサイズにカットし、未焼成のコンデンサ本体を切り出す。
【００４５】
(５)それから、切り出した未焼成のコンデンサ本体を焼成する。焼成温度は、セラミックグリーンシートを構成するセラミックの種類や内部電極の構成材料にもよるが、通常は、９００〜１３００℃で焼成することが好ましい。
【００４６】
(６)必要に応じて、バレル研磨などの研磨処理を施し、内部電極の露出部の面出しを行う。このとき、同時に面取りも行われ、コンデンサ本体の稜部や角部に丸みが形成される。
【００４７】
(７)コンデンサ本体にめっき処理を施し、図４に示すように、第１、第２の内部電極４１，４２の露出部上に金属粒子を析出させて、めっき膜１ａ，２ａを形成する。
【００４８】
なお、第１，第２の表面導体１３，１４（図２参照）を形成する場合は、あらかじめ最外層のセラミックグリーンシート上に表面導体パターンを印刷して、セラミック素体と同時焼成してもよく、また、焼成後のセラミック素体の主面上に表面導体を印刷してから焼き付けてもよい。
【００４９】
めっき膜１ａ、２ａを形成するにあたっては、コンデンサ本体１０の端面に直接Ｃｕめっき膜を形成し、Ｃｕ粒子の平均粒径が０．１μｍ以下になるようにする。
【００５０】
なお、ここでは、Ｃｕめっき膜を形成した後に、その上にＣｕ厚付けめっきを施してもよい。
【００５１】
(８)その後、さらにＮｉ電解めっき、および、Ｓｎ電解めっきを行い、めっき膜１ａ（２ａ）上に、Ｎｉめっき膜からなる上層第１めっき膜１ｂ（２ｂ）と、Ｓｎめっき膜からなる上層第２めっき膜１ｃ（２ｃ）を形成する。
【００５２】
上記の工程を経て、図１，図２に示すような積層セラミックコンデンサが製造される。上記の製造方法において、外部端子電極を形成するためのめっき方法としては、電解めっき法、無電解めっき法のどちらを採用してもよいが、無電解めっきの場合、めっき析出速度を向上させようとすると、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するので、通常は、電解めっきを用いることが好ましい。
【００５３】
また、めっき工法としては、例えば、コンデンサ本体をバレルに入れ、回転させながらめっきを行うバレルめっきを用いることが好ましいが、他の工法を用いることも可能である。
【実施形態２】
【００５４】
図５は、実施形態２の積層セラミックコンデンサの要部を拡大して示す図である。この実施形態２の積層セラミックコンデンサは、第１（および第２）の外部端子電極１（２）が、めっき膜１ａ（２ａ）のみから形成されていることを除いて、各部の構成や構成材料などは、上記実施形態１の積層セラミックコンデンサの場合と同様である。
【００５５】
なお、図５は、コンデンサ本体１０の第１の端面３１に形成された第１の外部端子電極１と、第１の内部電極４１との接続部分などの要部を示しているが、第２の外部端子電極２（図１，２参照）と第２の内部電極４２との接続部分は、図５とは左右対称になるだけであることから、第２の外部端子電極２を構成するめっき膜２ａや、第２の内部電極４２なども、括弧書きで示している。
【００５６】
この実施形態２の積層セラミックコンデンサも上記実施形態１の積層セラミックコンデンサの製造方法に準じる方法により製造することができる。
【００５７】
ただし、外部端子電極を形成する工程において、めっき膜上に、上層めっき膜を形成する工程は不要である。
【実施形態３】
【００５８】
図６は本発明の実施形態３にかかる積層セラミックコンデンサを示す図である。この実施形態３の積層セラミックコンデンサは、コンデンサ本体１０がダミー内部電極Ｄ（Ｄ1，Ｄ2）を備えていることを除いて、上記実施形態１の積層セラミックコンデンサと同様に構成されている。図６において、図２と同一符号を付した部分は同一部分または相当する部分を示している。
【００５９】
この積層セラミックコンデンサにおいて、ダミー電極Ｄとして、第１の端面３１に引出された第１のダミー内部電極Ｄ1と、第２の端面３２に引出された第２のダミー内部電極Ｄ2とが配設されている。なお、第１および第２のダミー内部導体Ｄ1，Ｄ2は、誘電体層５０間に配設された各内部電極４１，４２と同一平面に配設されているとともに、内部電極が形成されている領域よりも積層方向外側の、内部電極が形成されていない外層部分にも配設されている。
【００６０】
この実施形態３の積層セラミックコンデンサも、上記実施形態１の積層セラミックコンデンサの製造方法に準じる方法により製造することができる。
【００６１】
ただし、この実施形態３の積層セラミックコンデンサを製造する場合には、セラミックグリーンシートとして、必要に応じて、内部電極パターンとダミー内部電極パターンが形成された機能層部分用のセラミックグリーンシートと、ダミー内部電極パターンのみが形成された外層部分用のセラミックグリーンシートを用意し、所定の順序で積層することになる。なお、内部電極パターンとダミー内部電極パターンのいずれもが形成されていないセラミックグリーンシートを介在させることも可能である。
【実施形態４】
【００６２】
図７は本発明の実施形態４にかかるアレイタイプの積層セラミックコンデンサ（コンデンサアレイ）を示す図、図８は内部電極の配設パターンを説明する図である。この実施形態４のアレイタイプの積層セラミックコンデンサは、図７に示すように、互いに対向する第１の主面１１および第２の主面１２と、互いに対向する第１の側面２１および第２の側面２２と、互いに対向する第１の端面３１および第２の端面３２と、を有する直方体形状のコンデンサアレイ本体１０Ａを備えている。
【００６３】
そして、コンデンサアレイ本体１０Ａの第１の端面３１には複数の第１の外部端子電極１０１が形成され、第２の端面３２には複数の第２の外部端子電極１０２が形成されている。なお、第１の外部端子電極１０１と第２の外部端子電極１０２とは、電気的に絶縁されている。
【００６４】
また、コンデンサアレイ本体１０Ａの内部には、図８に示すように、誘電体層５０を介して互いに対向するように、複数の第１の内部電極１４１ａ，１４１ｂ，１４１ｃ，１４１ｄ、および、複数の第２の内部電極１４２ａ，１４２ｂ，１４２ｃ，１４２ｄが配置されている。すなわち、第１の内部電極１４１ａ，１４１ｂ，１４１ｃ，１４１ｄ、および、第２の内部電極１４２ａ，１４２ｂ，１４２ｃ，１４２ｄは、同一平面についてみると、コンデンサアレイ本体１０の長手方向に沿って交互に形成されており、積層方向についてみると、第１の内部電極１４１と第２の内部電極１４２が誘電体層５０を介して対向するように配設されている。そして、図８に示すように、各第１の内部電極１４１ａ，１４１ｂ，１４１ｃ，１４１ｄは第１の端面３１まで引出されて、第１の外部端子電極１０１と電気的に接続され、各第２の内部電極１４２ａ，１４２ｂ，１４２ｃ，１４２ｄは第２の端面３２まで引出され第２の外部端子電極１０２と電気的に接続されている。
【００６５】
この実施形態４のアレイタイプの積層セラミックコンデンサにおいては、各第１の内部電極１４１と各第２の内部電極１４２とが誘電体層５０を挟んで対向することにより形成される４つのコンデンサ部Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が、コンデンサアレイ本体１０の長手方向に沿って形成されている。
【００６６】
そして、この実施形態４のアレイタイプの積層セラミックコンデンサにおいても、各外部端子電極は、実施例１の場合と同様に構成されており、めっき膜と、上層めっき膜を構成する、Ｎｉめっき膜からなる上層第１めっき膜と、Ｓｎめっき膜からなる上層第２めっき膜とを備えている。
【００６７】
この実施形態４の積層セラミックコンデンサ（コンデンサアレイ）も、上記実施形態１の積層セラミックコンデンサの製造方法に準じる方法により製造することができる。ただし、内部電極の形状に対応する内部電極パターンを配設したセラミックグリーンシートを用いること、外部端子電極を各内部電極の各露出部を覆うように、コンデンサアレイ本体の外表面に形成することなどが必要になる。
【実施形態５】
【００６８】
図９は本発明の実施形態５にかかる、多端子タイプの、低ＥＳＬ型積層セラミックコンデンサの内部電極パターンを示す図である。
【００６９】
この実施形態５の積層セラミックコンデンサにおいて、第１の内部電極４１は複数（この実施形態５では４個）の引出し部４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄを有し、第２の内部電極４２も複数（この実施形態５では４個）の引出し部４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ）を有している。
【００７０】
なお、第１の側面２１、第２の側面２２それぞれにおいて、第１の内部電極４１の引出し部４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄと第２の内部電極４２の引出し部４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄは、図９に示すように、互いに噛み合うような態様で、すなわち、平面的にみると、
(ａ)第１の内部電極４１の一つの引出し部４１ｂが、第２の内部電極４２の引出し部４２ａ，４２ｂの間に位置し、
(ｂ)第１の内部電極４１の他の一つの引出し部４１ｃが、第２の内部電極４２の引出し部４２ｃ，４２ｄの間に位置し、
(ｃ)第２の内部電極４２の一つの引出し部４２ａが、第１の内部電極４１の引出し部４１ａ，４１ｂの間に位置し、
(ｄ)第２の内部電極４２の他の一つの引出し部４２ｄが、第１の内部電極４１の引出し部４１ｃ，４１ｄの間に位置する
ような態様で配置されている。
【００７１】
この積層セラミックコンデンサにおいても、特に図示しないが、外部端子電極はコンデンサ本体の側面に露出した、第１および第２の内部電極の引出し部（露出部）を覆うように形成されることになる。
【００７２】
この実施形態５の積層セラミックコンデンサにおいても、外部端子電極を上記実施形態１の場合と同様に構成することが可能である。また、この積層セラミックコンデンサも、上記実施形態１の積層セラミックコンデンサの製造方法に準じる方法により製造することができる。ただし、内部電極の形状に対応する内部電極パターンを配設したセラミックグリーンシートを用いること、外部端子電極を各内部電極の各露出部を覆うように、コンデンサ本体の側面に形成することなどが必要になる。
【実施例１】
【００７３】
以下に、本発明の実施例を示して、本発明をより具体的に説明する。
【００７４】
上記実施形態１の積層セラミックコンデンサの製造方法に準じる方法により、下記の積層セラミックコンデンサを作製した。
【００７５】
１）寸法：
長さ：Ｌ＝１．０ｍｍ
幅：Ｗ＝０．５ｍｍ
高さ：Ｔ＝０．５ｍｍ
２）誘電体層の構成材料：チタン酸バリウム系誘電体セラミック
３）内部電極の構成材料：主成分：Ｎｉ
４）積層数：２００層（誘電体層の厚み：１μｍ）
次に、バレル研磨を行い、内部電極の端部を十分に露出させた。
【００７６】
外部端子電極については、以下に説明するように、コンデンサ本体に、直接めっきを行って、以下のめっき膜を備えた外部端子電極を形成した。
【００７７】
＜外部端子電極の構成＞
以上の積層セラミックコンデンサを５つに分け、それぞれにおいてＣｕめっきを行い、外部端子電極を形成した。めっきの条件は以下のとおりである。
（試料１）
まず、以下のＣｕめっき浴を用意した。
【００７８】
硫酸銅五水和物  ：２５ｇ／Ｌ
くえん酸一水和物：６３ｇ／Ｌ
ｐＨ            ：６．５
浴温            ：４０℃
このめっき浴に対し、ドラム容積３００ｃｃの水平回転バレルを浸漬した。ドラム内には０．４５ｍｍφ径のＣｕメディアを４０ｍｌ、積層コンデンサが２０ｍｌ分投入されていた。
【００７９】
この状態にて、６Ａの電流にて２４０分間通電し、厚み約６μｍのＣｕめっき膜を形成した。
【００８０】
次に、積層コンデンサの試料が入ったままのバレルを、以下に示すＮｉめっき浴に浸漬した。
【００８１】
硫酸ニッケル：３００ｇ／Ｌ
塩化ニッケル：４５ｇ／Ｌ
ホウ酸      ：４０ｍｇ／Ｌ
ｐＨ        ：４．０
浴温        ：５５℃
この状態にて、１２Ａの電流にて１７０分間通電し、厚み約４．５μｍのＮｉめっき膜を形成した。このようにして、外部端子電極の形成された積層コンデンサ試料１を得た。
【００８２】
（試料２）
Ｃｕめっきの通電条件を、３Ａで４８０時間にした以外は、試料１と同じ方法にて、外部電極端子を形成した。このようにして、外部端子電極の形成された積層コンデンサ試料２を得た。
【００８３】
（試料３）
Ｃｕめっき浴の仕様を以下のように変更した以外は、試料１と同じ方法にて、外部電極端子を形成した。このようにして、外部端子電極の形成された積層コンデンサ試料３を得た。
【００８４】
ピロリン酸銅三水和物：９０ｇ／Ｌ
ピロリン酸カリウム  ：３７５ｇ／Ｌ
２８％アンモニア水  ：３ｍＬ／Ｌ
ｐＨ                ：８．６
浴温                ：５５℃
（試料４）
Ｃｕめっき浴の仕様を以下のように変更した以外は、試料１と同じ方法にて、外部電極端子を形成した。このようにして、外部端子電極の形成された積層コンデンサ試料４を得た。
【００８５】
ピロリン酸銅三水和物：９０ｇ／Ｌ
ピロリン酸カリウム  ：３７５ｇ／Ｌ
２８％アンモニア水  ：３ｍＬ／Ｌ
光沢剤（上村工業製「ピロブライトＰＹ−６１」）：０．３ｍＬ／Ｌ
ｐＨ                ：８．６
浴温                ：５５℃
（試料５）
Ｃｕめっき浴の仕様を以下のように変更した以外は、試料１と同じ方法にて、外部電極端子を形成した。このようにして、外部端子電極の形成された積層コンデンサ試料５を得た。
【００８６】
ピロリン酸銅三水和物：１６ｇ／Ｌ
ピロリン酸カリウム  ：１８０ｇ／Ｌ
シュウ酸カリウム    ：１５ｇ／Ｌ
ｐＨ                ：８．７
浴温                ：３０℃
＜評価＞
試料１〜５について、次の評価を行った。
【００８７】
（１）結晶粒径
試料１〜５の外部端子電極をＦＩＢ加工し、そのＣｕめっき膜の断面のＳＩＭ像を観察することにより、Ｃｕめっき膜の結晶粒子の平均粒径を求めた。結果を表１に示す。
【００８８】
（２）シール性能
試料１〜５（個数：４０個ずつ）に蛍光液（Henkel社製レジノール９０Ｃ）を真空含浸した後、１２０℃で１５分間熱処理し、硬化させた。次に、積層コンデンサの図１のＡの断面におけるめっき膜１ａまたは２ａの端部において、蛍光液の浸入状態を観察した。蛍光液の浸入があった数をカウントし、結果を表１に示した。
【００８９】
（３）Ｎｉめっき膜の平滑性
試料１〜５における外部端子電極のＮｉめっき膜の中央付近において、走査プローブ顕微鏡にて２０μｍ走査し、表面粗さＲａを測定した。結果を表１に示す。
【００９０】
【表１】
2011108966.tif 000003
【００９１】
表１に示すように、積層セラミックコンデンサ本体に直接めっきされたＣｕめっき膜の平均粒径が０．１μｍ以下である試料１〜３においては、高いシール性能を有することが確認された。
【００９２】
また、試料１〜３においては、Ｃｕめっき膜の上に形成されたＮｉめっき膜が平滑化されることが確認された。
【００９３】
以上より、本願発明の範囲内である試料１〜３は、ガラスフリッットを含む焼成電極がなくとも、高いシール性能を有するため、小型化に有利でかつ信頼性に優れる積層セラミックコンデンサに好適である。
【００９４】
また、試料１〜３は、Ｎｉめっき、およびその上のＳｎめっきまたはＡｕめっきの薄層化が期待できるため、積層セラミックコンデンサのより一層の小型化に有利である。
【００９５】
なお、上記実施例では、積層セラミックコンデンサを例にとって説明したが、本発明は、積層セラミックコンデンサに限られるものではなく、積層チップインダクタ、積層チップサーミスタなど、電子部品本体内に内部導体が配設され、この内部導体と導通するように電子部品本体の表面に外部端子電極が配設された構造を有する種々の積層電子部品に適用することが可能である。
【００９６】
また、上記実施例では、電子部品本体を構成する材料が誘電体セラミックである場合を例にとって説明したが、電子部品本体を構成する材料は、誘電体セラミックに限らず、圧電体セラミック、半導体セラミック、磁性体セラミックなどであってもよい。また、樹脂を含んだものであってもよい。
【００９７】
本発明は、さらにその他の点においても上記実施形態や実施例に限定されるものではなく、内部導体や外部端子電極の構成材料、外部端子電極の形成方法、外部端子電極を構成する上層めっき膜の構成材料や層数、形成方法などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
上述のように、本発明によれば、直接、めっきにより形成された外部端子電極を備えた積層電子部品の信頼性を向上させることが可能になる。したがって、本発明は、電子部品本体内に内部導体が配設され、この内部導体と導通するように、電子部品本体の表面に直接めっきにより外部端子電極が配設された構造を有する種々の積層電子部品に広く適用することができる。
【符号の説明】
【００９９】
１            第１の外部端子電極
２            第２の外部端子電極
１ａ，２ａ    めっき膜
１ｂ，２ｂ    上層第１めっき膜
１ｃ，２ｃ    上層第２めっき膜
１０          コンデンサ本体
１０Ａ        コンデンサアレイ本体
１１          第１の主面
１２          第２の主面
１３          第１の表面導体
１４          第２の表面導体
２１          第１の側面
２２          第２の側面
３１          第１の端面
３２          第２の端面
４１          第１の内部電極
４２          第２の内部電極
４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ      第１の内部電極の引出し部
４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ      第２の内部電極の引出し部
５０          誘電体層
１０１        第１の外部端子電極
１０２        第２の外部端子電極
１４１ａ，１４１ｂ，１４１ｃ，１４１ｄ    第１の内部電極
１４２ａ，１４２ｂ，１４２ｃ，１４２ｄ    第２の内部電極
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，            コンデンサ部
Ｄ            ダミー内部電極
Ｄ1           第１のダミー内部電極
Ｄ2           第２のダミー内部電極
【図１】
2011108966.tif 000004
【図２】
2011108966.tif 000005
【図３】
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【図４】
2011108966.tif 000007
【図５】
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【図６】
2011108966.tif 000009
【図７】
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【図８】
2011108966.tif 000011
【図９】
2011108966.tif 000012