(57)【要約】【課題】基体、その切り欠き内のオプトエレクトロニクスの送信器及び又は受信器、切り欠きの傾斜した内壁面、切り欠き内の流し込み物質、切り欠きを閉じる光学的な装置を有するオプトエレクトロニクスのＳＭＴ素子の放射特性を改善して、良好に規定可能な放射特性を有し、素子経費が安価であるようにする。【解決手段】光学的な装置１６は中央範囲に基面１７を有し、基面は移行斜面１８を介して、基面から後退させられかつ半径方向外方に位置するリング形の支持面１９に続いており、基面は移行斜面に基づき切り欠き内に位置し、光学的な装置をまだ硬化していない流し込み物質１４上に載せることにより、基面が流し込み物質と全面で接触し、かつ流し込み物質は、反射器を形成する傾斜した内壁面と移行傾斜との間に配置されている。【選択図】図２Ｃ
2011023770.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体（１）と、
−  基体（１）の切り欠き（４）内に取り付けられているオプトエレクトロニクスの送信器及び又は受信器（１１）と、
−  切り欠き（４）の、反射器を形成する傾斜した内壁面（１３）と、
−  切り欠き内に存在している透明な硬化可能な流し込み物質（１４）と、
−  切り欠きを閉じている光学的な装置（１６）と、を備えており、
光学的な装置（１６）は、切り欠き（４）に向いた側で中央範囲に基面（１７）を有しており、この基面は移行斜面（１８）を介して、基面（１７）から後退させられていて半径方向で外方に位置するリング形の支持面（１９）に続いており、
基面（１７）の中央範囲は前記移行斜面（１８）に基づき切り欠き（４）内に位置しており、光学的な装置（１６）をまだ硬化していない流し込み物質（１４）上に載せることによって、光学的な装置の基面が流し込み物質（１４）と全面で接触しており、かつ流し込み物質（１４）は、反射器を形成する傾斜した内壁面（１３）と移行傾斜（１８）との間に配置されていることを特徴とする、表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子。
【請求項２】
光学的な装置（１６）と基体（１）との間の鋳着は、流し込み物質（１４）によってのみ行われていることを特徴とする、請求項１記載の表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子。
【請求項３】
移行斜面（１８）は流し込み物質（１４）によって被われていることを特徴とする、請求項１又は２記載の表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子。
【請求項４】
移行斜面（１８）と、反射器を形成する傾斜した内壁面（１３）とは、互いに０°より大きな角度を成していることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子。
【請求項５】
基体（１）は、切り欠き（４）を取り囲む環状のリング溝（６）を備えていることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子。
【請求項６】
リング溝（６）は、流し込み物質（１４）で満たされていて、リング形の支持面（１９）によって被われていることを特徴とする、請求項５記載の表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子。
【請求項７】
基体（１）が切り欠き（４）の縁側に配置された、光学的な装置（１６）のための支持エレメント（３２）を備えていることを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載の表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子。
【請求項８】
基体（１）は、熱可塑性プラスチックケーシング（３）、該熱可塑性プラスチックケーシングで鋳くるまれた導体バンド（２）によって形成されており、オプトエレクトロニクスの送信器及び又は受信器（１１）は、基体（１）の切り欠き（４）の内部に位置する導体バンド（２）の区分（９）上に取り付けられていることを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項９】
流し込み物質（１４）の熱的な特性が、熱可塑性プラスチック射出成形ケーシングの材料の熱的な特性に適合せしめられていることを特徴とする、請求項８記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１０】
光学的な装置は平凸集光レンズの形に構成されていることを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体と、基体の切り欠き内に配置されたオプトエレクトロニクスの送信器及び又は受信器と、切り欠きの、反射器を形成する傾斜した内壁面と、切り欠き内に存在している透明な硬化可能な流し込み物質と、切り欠きを閉じる光学的な装置とを有している表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近になって表面取り付け技術（ＳＭＴ）は次第に、導体路支持体にワイヤ接続される素子を装備するようになった。ＳＭＴの決定的な利点は、パッケージ密度の、従来の装備法では達成されない増大に存している。
【０００３】
多くの光学的な用途において望まれている大きなパッケージ密度のために、ＳＭＴはオプトエレクトロニクスの分野において特に重視されるようになった。ＳＭＴ構想に従って表面取り付け可能に構成されているオプトエレクトロニクス素子も既に公知になっている。
【０００４】
EP 0 230 336 A1 に記載されている表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子は、リング形のケーシングを有しており、このケーシングの上方のリング開口は球面レンズで閉じられているのに対し、下方のリング開口はシートバー上で直立している。ケーシングの内部で、シートバーと球面レンズの下方の頂点との間に発光性の半導体素子が配置されている。シートバー表面と球面レンズとの間で限定されているリングケーシングの内室は透明な接着剤で埋められている。
【０００５】
別の表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子は EP 0 400 176 に記載されている。この素子は中央の凹所を備えた基体を有しており、凹所内には光学的に作用する半導体素子が配置されている。基体の上方にはレンズがあり、このレンズは固定装置例えば締め付けピンを介して基体と結合されている。
【０００６】
"Siemens SMT-TOPLED fuer die Oberflaechenmontage", Franc Moeller 及び Guenter Waitl, Siemens Components 26, (1991), 第４号、１４７〜１４９ページから、表面取り付けのための発光ダイオード（ＬＥＤ）が公知である。このダイオードを製作するために、エンドレスに打ち抜かれた導体バンドが耐高温性の熱可塑性プラスチックで鋳くるまれ、この熱可塑性プラスチックはケーシング枠を形成する。ケーシング枠の内部範囲においては光学的に作用する素子が導体バンド上に取り付けられ、そこに存在している導体路に電気的に接点接続される。次いで枠内部範囲が、作用素子を外部影響に対して保護するために、流し込み樹脂で埋められる。レンズ又は類似の光学的な装置はこの素子においては設けられていない。
【０００７】
後者の２つの文献に記載されているＳＭＴオプト素子が有している特別な点は、まず導体バンドを熱可塑性プラスチック材料で鋳くるむことによって完全な素子ケーシングが製作され、オプトエレクトロニクスの送信器及び又は受信器は、熱可塑性プラスチックケーシングが製作された後に初めてこの熱可塑性プラスチックケーシング内に挿入されることである。この製作法の利点は、ベルト（導体バンド）において極めて安価な大量生産が可能であり、わずかな構造高さ及び標準化された基本構造形が簡単な形式で実現可能であることである。このいわゆる前ケーシング型のＳＭＴオプト素子は、そのわずかな経費によって、なかんずく表示アレイなどに使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】ＥＰ０２３０３３６Ａ１号明細書
【特許文献２】ＥＰ０４００１７６Ａ１号明細書
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】"Siemens SMT-TOPLED fuer die Oberflaechenmontage", Franc Moeller 及び Guenter Waitl, Siemens Components 26, (1991), 第４号、１４７〜１４９ページ
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の根底をなす課題は、最初に述べた形式のオプトエレクトロニクスのＳＭＴ素子の放射特性を改善し、しかもその場合素子経費を許容し得ないほど増大させることがないようにする方法により、良好に規定可能な放射特性及び同時に安価な素子経費を有するこのようなオプトエレクトロニクスのＳＭＴ素子を創造する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の構成によれば、光学的な装置は、切り欠きに向いた側で中央範囲に基面を有しており、この基面は移行斜面を介して、基面から後退させられていて半径方向で外方に位置するリング形の支持面に続いており、基面の中央範囲は前記移行斜面に基づき切り欠き内に位置しており、光学的な装置をまだ硬化していない流し込み物質上に載せることによって、光学的な装置の基面が流し込み物質と全面で接触しており、かつ流し込み物質は、反射器を形成する傾斜した内壁面と移行傾斜との間に配置されている。
【発明の効果】
【００１２】
切り欠き内に配置されたオプトエレクトロニクスの送信器及び又は受信器を有する基体を準備した後に、基体の切り欠きを透明な硬化可能な流し込み物質で埋め、光学的な装置を基体上に載置し、その際、流し込み物質及び又は、光学的な装置がやはり流し込み物質を有している場合の光学的な装置が、完全に硬化する前に、光学的な装置が切り欠きの範囲内で流し込み物質と接触する。
【００１３】
本発明の重要な視点は、光学的な装置が、切り欠きを流し込み物質で埋めた後に初めて、基体上に載置されることである。光学的な装置を既に流し込み物質で埋められている切り欠き上に載置することによって、基体上における光学的な装置の極めて位置の正確なかつ再現可能な位置決めを行うことができ、この位置決めは、もはや例えば硬化段階あるいは型出し段階のような後続の段階によってほとんど影響を受けることはない。これによって放射特性あるいはまた受信特性に関してオプトエレクトロニクス素子の高い光学的な品質が保証され、この光学的な品質は、正確な光線案内及び高い光収率が望まれる用途のために、大きな意味を有している。これにより本発明によるオプトエレクトロニクス素子は、あらかじめ光学的な装置を取り付けておいて、切り欠きの充てんが後ろ側から行われる素子よりも優れている。
【００１４】
本発明による方法は、いわゆる前ケーシング型のオプトエレクトロニクス素子の製作の際に特に有利に適用することができる。この場合まず、同時に切り欠きを有するケーシングを構成しながら、導体バンドを熱可塑性プラスチックで鋳くるむことによって基体を製作し、次いで切り欠きの内部に位置している導体バンドの区分上へのオプトエレクトロニクスの送信器及び又は受信器の取り付けが行われる。
【００１５】
本発明による方法の第１の特に有利な実施形態では、光学的な装置はまだ硬化していない流し込み物質上に載置され、流し込み物質が次いで硬化せしめられる。
【００１６】
この場合流し込み物質の充てん量は次のように、すなわち後続の光学的な装置の載置の際に流し込み物質が切り欠きの縁を越えてほとんどあふれ出ることがないように、選ぶことができる。その場合には、万一あふれ出る流し込み物質を捕集する手段を講じる必要はない。
【００１７】
流し込み物質の表面張力によって生じる流し込み物質の凹みを利用することも可能である。この場合使用される光学的な装置の形状は流し込み物質と接触する範囲において次のように、すなわち切り欠きが縁のところまで流し込み物質で埋められている場合でも、光学的な装置を載置する場合に流し込み物質が切り欠きの縁からあふれ出ることがないように、選ばれている。
【００１８】
基体は、光学的な装置を載置する前に、切り欠きを取り囲むリング溝を形成しておくこともできる。この場合、光学的な装置を載置するときに場合によりあふれ出る流し込み物質はリング溝内に集められ、これにより、流し込み物質が基体の外面に沿って流れ落ちて、硬化し、素子の取り扱いを阻害するようなことが阻止される。
【００１９】
光学的な装置の特に再現可能な位置決めは、基体が光学的な装置の載置の前に切り欠きの縁側に配置された支持エレメントを光学的な装置のために備えていると、達成される。この支持エレメントは、前ケーシング型のオプトエレクトロニクス素子における基体の製作のための既に述べた鋳くるみ過程の際に、ケーシングと一体に形成することができる。
【００２０】
有利には、光学的な装置は大体において圧力なしに上方から基体上に、あるいは基体に形成された支持エレメント上にのせられる。この場合光学的な装置の載置は重力だけによって行われる。
【００２１】
別の有利な実施形態では、光学的な装置を載置する前に、まず光学的な装置を鋳造過程、プレス過程あるいは射出成形過程で製作し、次いでばら材料として搬送し、バラ材料から自動的につかんで、基体の上方に自動的に位置決めして基体上に載置する。この手段の利点は、光学的な装置の製作が基体の製作とは完全に無関係に行われ、これによって光学的な装置の特別なかつ効果的な品質管理並びに不良品の選別が可能であることに存する。これによって極めて高度の品質を有する素子の製作が可能になる。
【００２２】
本発明による方法の第２の特に有利な実施形態では、光学的な装置は鋳造過程で形成され、この鋳造過程の枠内で切り欠きの範囲において基体上に載置され、切り欠き内の流し込み物質に鋳着される。本発明による方法のこの第２の実施形態においても、基体の切り欠きの充てんは前述の鋳造段階の枠内における光学的な装置の載置の前に行われ、したがってこのプロセスに基づく利点は本発明による方法のこの実施形態においても生ずる。
【００２３】
有利には、本発明による方法のこの第２実施形態では、光学的な装置を製作するために、まず鋳型半部が準備され、この鋳型半部が別の流し込み物質で埋められる。他面において基体の切り欠きを流し込み物質で埋めた後に、この流し込み物質をまず少なくとも部分的に硬化させ、その後流し込み物質でぬらす。次いで基体及び別の流し込み物質を充てんされた鋳型半部が位置を正しく合わされ、別の段階で鋳型半部内の別の流し込み物質が硬化せしめられ、その場合基体の切り欠き内の流し込み物質に鋳着される。最後に、今や完成したオプトエレクトロニクス素子の型出しが、鋳着された光学的な装置を有する基体からの鋳型半部の取り外しによって、実施される。
【００２４】
切り欠き内の少なくとも部分的に硬化せしめられた流し込み物質を流し込み物質でぬらすことは、基体を水平軸線の回りに転回させて、少なくとも表面側を流し込み物質内に漬けることによって行われる。切り欠きの流し込み物質は少なくとも部分的に硬化しているので、基体の転回の際に流し込み物質が流れ出ることはない。
【００２５】
流し込み物質の表面をぬらすことによって、後続の鋳着段階において気泡が流し込み物質内に残ることが回避される。
【００２６】
上述の本発明による方法の第２実施形態の利点は、簡単に実現可能であること、及び自動化が簡単で、これによって大量の流れ生産が可能になることである。
【００２７】
本発明によるオプトエレクトロニクス素子の別の有利な実施形態は従属請求項２〜１０に記載されている。
【００２８】
以下においては図面を参照しながら本発明を例示的に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明による方法で使用されるケーシングと導体バンドとを有する基体の斜視図である。
【図２Ａ】図１に示した基体例による本発明の第１実施例の、基体を準備する方法段階を示した図である。
【図２Ｂ】図１に示した基体例による本発明の第１実施例の、基体の切り欠きを埋める方法段階を示した図である。
【図２Ｃ】図１に示した基体例による本発明の第１実施例の、光学的装置を基体上に載置する方法段階を示した図である。
【図３】本発明の第１実施例により製作された図２Ｃに示したオプトエレクトロニクス素子の平面図である。
【図４】光学的装置の製作及び搬送を説明するための概略図である。
【図５】本発明による方法の第１実施例によって製作された別のオプトエレクトロニクス素子を示した図である。
【図６】図５に示したオプトエレクトロニクス素子の平面図である。
【図７】本発明による方法の第２実施例を説明するための概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
図１は基体１を示し、この基体は導体バンド２を高温熱可塑性プラスチックケーシング３で鋳くるんで形成される。ケーシング３は、取り付けを簡単に行い得るようにするために、有利には平らな外面を有している。上面の側においてケーシング３に切り欠き４が形成されている。
【００３１】
図２Ａは大体において図１によって構成された基体１を示し、その際ケーシング３′が図１に示したケーシング３と異なっている点は、単に、ケーシング３′の表面５が切り欠き４を取り囲む後述するリング溝６を有していることだけである。図２Ａに示されているように、導体バンド２の区分７，８は高温熱可塑性プラスチックケーシング３′によって取り囲まれており、切り欠き４の底側の範囲において接点接続区分９，１０が切り欠き内に突入している。この場合接点接続区分９は切り欠き４の中央範囲にまで延長されている。
【００３２】
ケーシング３の内方の壁面１３は斜面として構成されていて、反射器を形成している。ほぼ９０％あるいはそれ以上の大きな拡散反射率を有するケーシング材料を選ぶことによって、この面１３の大きな反射性が生じる。
【００３３】
導体バンドとケーシングとから成る構造体２，３′の完成後に、半導体チップ１１がケーシング３′の切り欠き４内に取り付けられる。図２Ａにおいてはこの取り付け段階は既に実施されている。半導体チップ１１はこの場合導体バンド２の延長せしめられた接点接続区分９上に取り付けられ、この接点接続区分に接点接続されている。別の電気的な接点接続がワイヤ１２を介して行われており、このワイヤは半導体チップ１１から導体バンド２の対向する接点接続区分１０に導かれている。半導体チップ１１としては、例えば発光性のダイオードあるいは感光性の半導体素子を使用することができる。
【００３４】
半導体チップ１１を取り付け、接点接続した後に、切り欠き４は図２Ｂに示すように、流動性の流し込み物質１４を充てんされる。流し込み物質１４としては例えばエポキシド樹脂を使用することができる。流し込み物質１４及びケーシング材料はそれらの熱的な特性に関して互いに適合せしめられていて、素子のろう接の際に及び後の使用条件のもとで生ずることのあるような熱的な負荷が機械的な障害をもたらすことが阻止される。
【００３５】
流し込み物質の表面張力によって、流し込み物質表面１５は凹みを形成し、換言すれば凹面となっている。
【００３６】
流し込み物質１４の充てん高さは、凹みの形成の程度、次の段階（図２Ｃ）で切り欠き４上に載置されるべき光学的な装置の形状に関連しており、更に、場合により縁を越えてあふれ出る流し込み物質を捕集するために、ここに図示されているような環状のリング溝６のような手段がケーシング側において講じられているかに関連している。
【００３７】
図２Ｃは、続いて行われる切り欠き４上への光学的な装置の載置を示す。図２Ｃに示した例では、光学的な装置は平凸集光レンズ１６の形に構成されている。切り欠き４に向いた側において、集光レンズ１６は中央範囲に平らな基面１７を有しており、この基面は移行斜面１８を介して半径方向で外方に位置するリング形の支持面１９に続いている。基面１７は支持面１９と共面である。
【００３８】
図２Ｂに示すように流し込み物質１４を充てんされたケーシング３上にレンズ１６を載置する場合、レンズ１６はまず切り欠き４の上方に位置決めされ、軸方向で切り欠きに整向せしめられる。次いでレンズ１６が熱可塑性プラスチックケーシング３′上に下ろされ、その際レンズ１６の移行斜面１８は傾斜した反射器内壁面１３の上方範囲と自動定心作用をもって協働する。これによってケーシング３′に対するレンズ１６の最終位置が達成され、この最終位置は先行する整向段階とはほぼ無関係であって、大体においてレンズ製作及びケーシング製作の相応する傾斜面範囲における寸法の正確さによって定められる。
【００３９】
ケーシング３′上へのレンズ１６の取り付けは次のようにして行われる：まずレンズ基面１７が流し込み物質１４の表面１５と接触する。この時点においては支持面１９はまだケーシング３′の表面５に接触していない。レンズ１６が引き続いて最終位置に下降することは、重力の作用だけによって行われる。この場合レンズ基面１７は全面で流し込み物質１４と接触し、−切り欠き４の充てん高さに応じて（図２Ｂ）−流し込み物質１４が切り欠き４から押し出される。ケーシング縁を越えて出る流し込み物質はリング溝６内に集まる。これによりリング溝６は、そうでない場合に可能なケーシング外壁面に沿った流し込み物質の流下を阻止する。この場合流し込み物質１４がリング溝６内にある程度流れ込むことは全く望ましいことである。それは、この形式でレンズ１６とケーシング３′との間の結合部のシールが有利な影響を受けるからである。
【００４０】
次いで最後の製作段階で流し込み物質１４が例えば熱処理の枠内で素子内で硬化せしめられる。
【００４１】
図３は、図２Ｃに示したオプトエレクトロニクス素子を平面図で示す。反射器を形成する切り欠き４の傾斜した壁面１３並びに半導体チップ１１はレンズ１６の下側にあり、破線で示されている。オプションのリング溝６は図面を見やすくするために、示されていない。
【００４２】
図２Ａ〜２Ｃによって説明した方法は、種々の形状及び種々の材料のレンズで実施することができる。しかしながら重要なことは、本発明による方法のこの実施例においてはレンズの製作はそれをケーシング３，３′上に取り付ける前に既に終了していることである。
【００４３】
図４は、図２Ｃに示した平凸集光レンズ１６を、プレス工具２０内で実施される射出成形法で製作する状態を例示的に示すものである。この場合まず清澄なプレス物質が矢印２１の方向で、加熱されている工具半部２３の通路２２を通してプレス型内にプレスされ、プレス型は第１の工具半部２３の成形面２４と、第１の工具半部２３に隣接して配置されている第２の工具半部２５及び第２の工具半部２５内でしゅう動可能に収容されているリングエゼクタ２８の端面２７の成形面２６とによって規定されている。次いでプレス物質はプレス過程によってレンズ１６に成形され、次いでレンズはリングエゼクタ２８によって高熱状態で形状が固定した状態で矢印２９の方向に押し出される。この場合レンズ１６はばら材料としてレンズ捕集容器３０内に落下する。レンズ捕集容器３０は図示していない形式で、例えば振動コンベヤ、ホッパなどのような搬送装置と接続されており、この搬送装置を介してレンズ１６はやはり図示していない組み立てユニットにもたらされ、この組み立てユニットによってレンズは既に述べた形式で（図２Ｃ）、オプトエレクトロニクス素子のケーシング３上に取り付けられる。
【００４４】
図４によって説明したレンズ製作法においては、単に極めてわずかな公差しか生じないことが有利であると分かった。これによって一面では不良品がわずかにされ、かつ他面ではレンズ１６の良好な寸法の正確さによって、レンズ１６の光学的な特性も、またケーシング３，３′内でのレンズ１６の最終位置の再現可能性も、有利な影響を受ける。
【００４５】
図２Ｃに示したオプトエレクトロニクス素子の変化形は図５に示されている。図５に示した素子が図２Ｃに示した素子と異なる点は、大体において平凸レンズ１６の代わりに、直径Ｒの球面レンズ１６′を有していることである。
【００４６】
図５に示した素子の製作は図２Ａ〜２Ｃに示した方法段階に類似して行われる。この場合、ケーシング３′上に取り付ける際の球面レンズ１６の自動心出しはその表面丸みによって生ぜしめられる。レンズ１６′の装着の際に、切り欠き４内に突入する球区分３１は流し込み物質１４と接触する。充てん高さ及び又はレンズ１６′の半径Ｒを適当に選ぶことによって、球区分３１の表面経過が、挿入状態において、流し込み物質表面１５の凸面の経過と丁度合致するようにすることができる。この場合、レンズ１６′の装着の際に流し込み物質はほとんど押し出されない。丸みをもった球区分３１の別の利点は、球区分３１が、取り付けの際に流し込み物質表面１５とレンズ１６′との間に気泡が残されないことを保証することである。
【００４７】
図６は、図５に示した球面レンズ１６′を有する素子を平面図で示す。この図から明らかなように、切り欠き４の傾斜した内壁面１３に半径方向ウェブ３２が形成されており、これらの半径方向ウェブは球面レンズ１６′のための支持面として役立つ。
【００４８】
一面では半径方向ウェブ３２によって球面レンズ１６′が規定された安定した３点支持で支えられ、これによってケーシング３′に対する球面レンズ１６′の取り付け位置の再現性が更に増大せしめられる。他面において半径方向ウェブ３２は、切り欠き４の内面１３と球区分３１との間に、押し出される流し込み物質のための受容容積として役立ち、したがって流し込み物質が押し出される場合でも切り欠きの縁を越えての流し込み物質の押し出しを回避するリング室状の自由範囲を形成する。
【００４９】
半径方向ウェブ３２あるいは類似の支持エレメントは、別のレンズ形状の場合でも、特に図２Ｃにおいて使用される平凸レンズ１６の場合でも、設けることができる。
【００５０】
図７によって、本発明による方法の第２実施例を説明する。この第２実施例の第１実施例に対する主な相違点は、光学的な装置が今や鋳着法で素子ケーシング３に取り付けられることである。
【００５１】
光学的な半導体チップ１１を備えたケーシング３（図１）は第１のバンド３３に取り付けられて鋳造ステーション３４に供給され、この鋳造ステーションにおいて素子ケーシング３の切り欠き４が充てんされる。続いて熱作用３５によって流し込み物質の硬化あるいは少なくとも部分的な硬化が生ぜしめられる。転回箇所３６においてバンド３３が１８０°だけ回され、浸漬箇所３７において、今や下方に向けられたケーシングの充てんされた表面がその前ぬらしのために流し込み樹脂内に漬けられる。
【００５２】
部分的に硬化せしめられた、あるいは完全に硬化せしめられた流し込み物質のぬらしは別の形式で行うこともできる。このぬらしによって、後続の鋳着過程が気泡なしに行われる。
【００５３】
第２のバンド３８が、光学的な装置を製作するための鋳型半部３９を支持している。このためにレンズ鋳造ステーション４０において鋳型半部３９が流し込み樹脂を充てんされる。下方を向いているケーシング３を有する第１のバンド３３及び充てんされた鋳型半部３９を有する第２のバンド３８は一緒に、２つの軸平行に配置されたスポーク車４１の間のすき間を通して導かれ、このすき間内で合わされる。スポーク車４１は加熱されており、これによりすき間内ではほぼ８０℃の温度が作用している。すき間を通過した後に、組み合わされたケーシング３と鋳型半部３９とは機械的に案内されてほぼ１５０℃の熱処理４３を受ける。この熱処理によって、鋳型半部３９内にそれぞれ存在している流し込み物質がケーシング側の流し込み物質表面に鋳着され、硬化せしめられる。両方のバンド３３，３８はやはり８０℃の温度に保たれている第２の対のスポーク車４４のすき間を通過する。鋳着せしめられた光学的な装置４５を有する素子の型出しは第２のスポーク車４４の出口側で両方のバンド３３及び３８を引き離すことによって行われる。
【００５４】
図７に示した方法は次のように変化させることができる。
【００５５】
バンドにおける代わりに、所定の数ｎの鋳型半部をパレット状の鋳型群に一体にまとめることができる。次いで、図７による相応する前処理の後に、流し込み材料を充てんされた鋳型群が下方からバンド３３に近づけられて、鋳型群の各鋳型半部がバンド３３に配置された１つのケーシング３と接触せしめられる。鋳型半部とケーシングとを合わせることは例えば締め付けによって行うことができる。次いで、締め付けられた鋳型群を有するバンド３３は図７における複バンド構造と同じように、ほぼ１５０℃の熱処理４３を受ける。硬化が行われた後に、型出しの枠内で全鋳型群がバンド３３から外される。
【００５６】
鋳型群を使用する最後に述べた方法は図７に示した複バンド法に対して次のような利点を有している。すなわち使用される鋳型群はほぼ２００〜３００回繰り返し使用可能であるのに対し、バンド３８において案内される鋳型半部３９は一般に既に若干回数の使用で交換しなければならない。更に一体の構造ひいては鋳型群内の鋳型の位置不動の配置によって、より高い位置決め精度が達成され、これによりこの方法で制作されたオプトエレクトロニクス素子は一般により高い品質要求を満足させる。
【００５７】
これに対し、図７に示した複バンド法は、その高い自動化率によって極めて安価に実施することができるという利点を有している。
【符号の説明】
【００５８】
１  基体、  ２  導体バンド、  ３  高温熱可塑性プラスチックケーシング、  ３′  ケーシング、  ４  切り欠き、  ５  表面、  ６  リング溝、  ７  区分、  ８  区分、  ９  接点接続区分、  １０  接点接続区分、  １１  半導体チップ、  １２  ワイヤ、  １３  壁面、  １４  流し込み物質、  １５  流し込み物質表面、  １６  平凸集光レンズ、  １６′  球面レンズ、  １７  基面、  １８  移行斜面、  １９  支持面、  ２０  プレス工具、  ２１  矢印、  ２２  通路、  ２３  工具半部、  ２４  成形面、  ２５  工具半部、  ２６  成形面、  ２７  端面、  ２８  リングエゼクタ、  ２９  矢印、  ３０  レンズ捕集容器、  ３１  球区分、  ３２  半径方向ウェブ、  ３３  バンド、  ３４  鋳造ステーション、  ３５  熱作用、  ３６  転回箇所、  ３７  浸漬箇所、  ３８  バンド、  ３９  鋳型半部、  ４０  レンズ鋳造ステーション、  ４１  スポーク車、  ４２  案内、  ４３  熱処理、  ４４  スポーク車、  ４５  光学的な装置、  Ｒ  半径
【図１】
2011023770.tif 000003
【図２Ａ】
2011023770.tif 000004
【図２Ｂ】
2011023770.tif 000005
【図２Ｃ】
2011023770.tif 000006
【図３】
2011023770.tif 000007
【図４】
2011023770.tif 000008
【図５】
2011023770.tif 000009
【図６】
2011023770.tif 000010
【図７】
2011023770.tif 000011