【事件の表示】
　特願２０１４−　８８１７８「放射線変換装置および放射変換装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１１月１７日出願公開、特開２０１４−２１６６５１、請求項の数（１０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２６年４月２２日（パリ条約による優先権主張　２０１３年４月２４日　米国）の出願であって、平成２７年２月２０日付けで拒絶理由が通知され、同年６月３日付けで意見書が提出され、同日付けで手続補正がなされ、同年９月１日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という）がされ、これに対して、平成２８年１月７日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされ、その後、当審において同年１２月１２日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という）が通知され、平成２９年１月２７日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし１０に係る発明は、平成２９年１月２７日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
「【請求項１】
　第１の導電型の第１の補償区域と前記第１の補償区域同士を互いに分離するベース部とを含む半導体部分を含む放射線変換装置であって、
　前記第１の補償区域は柱構造に配置され、各柱構造は前記第１の補償区域の少なくとも２つを含み、前記半導体部分の主面に対し垂直方向に延び、
　前記ベース部は隣り合う前記柱構造同士の間に第２の相補導電型の第２の補償区域を含み、
　前記柱構造は縞状であり、前記主面に対して第１の横方向に延び、
　前記放射線変換装置は前記主面と直接接触して配置された第１の電極構造をさらに含み、
　前記第１の電極構造は前記第１の横方向と交差する第２の横方向に走る複数のストリップを含み、
　前記半導体部分は第１の導電型の第１のコンタクト領域を含み、
　前記第１のコンタクト領域は前記第１の電極構造にオーム接触を与える平均正味不純物濃度を有し、
　前記第１のコンタクト領域は前記割り当てられた柱構造の第１の補償区域のうちの１つと前記第１の電極構造とに直接接触する、放射線変換装置。」
　
第３　原査定の拒絶理由について
１　原査定の拒絶理由の概要
　本願発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　本願発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
刊行物１：米国特許第７６１２３４４号明細書
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１には、第１ベース領域１１と第２ベース領域２１とが形成されたエピタキシャル層１２０、第１接続電極１３と第２接続電極２３、などを有する放射線検出器が開示されており（図６など）、また、また、その製法として、各エピタキシャル層にドーパントを注入し、熱処理を行うことも記載されている（図２など）。
　してみれば、請求項１−２２は刊行物１に対して新規性ないし進歩性はない。
２　原査定の拒絶理由の判断
（１）刊行物１の記載事項
ア　刊行物１には次の事項が記載されている。
（下線は、下記「イ　刊行物１に記載された発明の認定（図６に記載された実施例を基に認定した発明）」、及び「第４」の「２」の「（１）」の「ア　刊行物Ａに記載された発明の認定（図８に記載された実施例を基に認定した発明）」のいずれかの発明で引用した記載に付したものである。）
ａ「SUMMARY 
One embodiment provides a method for producing a radiation detector including a semiconductor body with a first base zone of a first conduction type and with at least one second base zone which is arranged in the first base zone, extends in a vertical direction of the semiconductor body and is doped complementarily to the first base zone. Semiconductor zones of a second conduction type are produced, which is complementary to the first conduction type, in epitaxial layers such that the complementarily doped semiconductor zones are adjacent to one another in a vertical direction and thus form the second base zone.」（第１欄第２０〜３２行）
（当審訳）
「要約
　一実施例として、
第１導電型の第１ベースゾーンと、第１ベースゾーン中に配置され、垂直方向に延伸され、第１ベースゾーンと相補的になるようにドープされる少なくとも１つの第２ゾーンとを備えた半導体本体を含む放射線検出装置
ｂ「Referring to  FIG. 5 , which illustrates a lateral cross section through the epitaxial layer stack  120  in the sectional plane A-A for a further example, the second base zone  21  may also be realized in such a way that it has several strip-type or plate-type base zone sections arranged at a distance from one another in a lateral direction. Referring to the explanations with regard to  FIGS. 2 and 3 , such strip-type base zone sections are produced by virtue of the implantation mask  200  including strip-type cutouts  201  arranged at a distance from one another in a lateral direction.」（第６欄第３０−３９行）
（当審訳）
「図５は、Ａ−Ａ断面におけるエピキシャル層１２０の水平面図を示す。
第２ベースゾーン21は、水平方向に互いに離れた位置で筋状型に
形成されている。
ｃ「FIG. 6  illustrates a vertical cross section through a radiation detector in accordance with one embodiment, the radiation detector including first and second base zones  11 ,  21  produced on the basis of the method explained above. Apart from the first base zone  11  of the first conduction type, which is formed at least partly by the basic doping of the epitaxial layers, and the second base zone  21  extending in a vertical direction of the semiconductor body  100 , this radiation detector has a first connection electrode  13  for applying an electrical potential to the first base zone  11  and a second connection electrode  23  for applying an electrical potential to the second base zone  21 .」（第６欄第４５−５６行）
（当審訳）
「 図６に、上述の方法で製造された第１及び第２ベースゾーン11,21を含む放射線検出器である、一実施例どおりの放射線検出器の垂直方向断面図を示す。少なくとも部分的にエピタキシャル層のドーピングによって形成された第１導電型の第１ベースゾーン11と、半導体本体100の垂直方向に延伸された第２ベースゾーン21の他に、
この放射線検出装置は、第１ベースゾーン11に接続して潜在的な電力を引き出す電極13と、 第２ベースゾーン21に接続して潜在的な電力を引き出す電極23を有する
ｄ「The second connection electrode  23  is arranged in the region of the front side  101  of the semiconductor body  100  and is connected to the second base zone  21  via a second connection zone of the second conduction type. In this case, the second connection zone  22  may be doped more highly than the second base zone  21  and serves for the low-impedance connection of the second connection electrode  23  to the second base zone  21 . The second connection zone  22 , with regard to its extent in a lateral direction, may be restricted to those regions in which the second base zone is arranged. In a manner not illustrated more specifically, however, the second connection zone  22  may also extend over regions of the first base zone  11  and in this case, in addition to the pn junction between the first and second base zones  11 ,  21 , form a pn junction between the first base zone  11  and the second connection zone  22 .」（第７欄第２４−３８行）
（当審訳）
「
第２接続電極23は、半導体本体100の表面側101のゾーンに配置され、第２導電型の第２接続ゾーン22を介して第２ベースゾーン21に接続される。この場合、第２接続ゾーン22は、第２ベースゾーン21よりも高濃度にドープされ、第２接続電極23を第２ベースゾーン21に対して低抵抗に接続する。第２接続ゾーン22は、側面方向の延びに関して、第２ベースゾーンが配置される範囲に限られる。
ｅ「During the operation of the radiation detector, an electrical voltage is applied between the first and second base zones  11 ,  21  via the connection electrodes  13 ,  23 , the voltage being chosen such that a pn junction present between the first and second base zones  11 ,  21  is reverse-biased.」（第７欄第６１−６５行）
（当審訳）
「放射線検出器の作動中、接続電極13,23介して第１，２ゾーン11,21に電圧がかけられる。その電圧は、第１，２ベースゾーン11,21間に表れるｐｎ接合に対して逆バイスをかけるように設定された電圧である。」
ｆ「FIG. 8  illustrates a cross section through a radiation detector in accordance with a further example. This radiation detector differs from the radiation detectors explained above in that the second base zone  21  is produced such that it is adjacent to the semiconductor substrate  110 . In this radiation detector, the semiconductor substrate  110  has a doping concentration of the second conduction type and forms the second connection zone  22  in this radiation detector. In this component, the connection electrode applied to the rear side  102  of the semiconductor body forms the second connection electrode  23 . In this component, contact is made with the first base zone  11  by a first connection electrode  12  applied to the front side  101 . In order to reduce a contact resistance between the first connection electrode  12  and the second base zone  11 , a more highly doped first connection zone  12  is provided, which is produced, for example, by implantation of dopant atoms. In the radiation detector illustrated in  FIG. 8 , the second base zone  21  is produced using the method explained with reference to  FIGS. 2 and 3 . The fact of the second base zone  21  being adjacent to the second connection zone  22  formed by the semiconductor substrate  110  is facilitated in this method by virtue of the fact that, during the thermal process, dopant atoms from the highly doped semiconductor substrate  110  indiffuse into the epitaxial layer  121  deposited first.」（第１０欄第５４行−第１１欄第１１行）
（当審訳）
「図８は放射線検出器の別の実施例の断面図を示す。
この放射線検出器は、第２ベースゾーン21が半導体基板110に接して形成されている
半導体基板110は、第２接続タイプのドーピング濃度を有し、この放射線検出器の第２接続ゾーン22を形成する。この構成要素においては、半導体基板本体の裏面側102に取り付けられた接続電極が、第２接続電極23となる。この構成要素では、第１ベースゾーン11が表面側101の取り付けられた接続電極13と接続される。接続電極13と第２ベースゾーン11との接続抵抗を減らすために、
より高濃度の接続ゾーン12が設けられる。
ｇ「図１Ｂ
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｈ「図５
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｉ「図６
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｊ「図８
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
イ　刊行物１に記載された発明の認定（図６に記載された実施例を基に認定した発明）
　上記「ア」のｉ（図６）に記載された実施例に着目すると、図６から第２ベースゾーン21が垂直方向に連続した柱構造に形成されていることが見て取れる。
　また、上記「ア」のｄに「第２接続ゾーン22は、側面方向の延びに関して、第２ベースゾーンが配置される範囲に限られる。」と記載されているところ、図６から、第２接続電極23についても、側面方向の延びに関して、第２接続ゾーン22及び第２ベースゾーンが配置される範囲に限られていることが見て取れる。
　そうすると、図５及び図６の記載も参酌すると、刊行物１には、
「第１導電型の第１ベースゾーン11と、第１ベースゾーン中に配置され、垂直方向に延伸され、第１ベースゾーン11と相補的になるようにドープされる少なくとも１つの第２ゾーン21と
　第１ベースゾーン11に接続して潜在的な電力を引き出す電極13と、 第２ベースゾーン21に接続して潜在的な電力を引き出す電極23を有する放射線検出装置であって、
　第２接続電極23は、半導体本体100の表面側101のゾーンに配置され、第２導電型の第２接続ゾーン22を介して第２ベースゾーン21に接続され、
　第２接続ゾーン22は、第２ベースゾーン21よりも高濃度にドープされ、第２接続電極23を第２ベースゾーン21に対して低抵抗に接続し、
　第２ベースゾーン21は、垂直方向に連続した柱構造に形成され、
　また、第２ベースゾーン21は、水平方向に互いに離れた位置で筋状型に形成され、
　第２接続電極23は、側面方向の延びに関して、第２ベースゾーン21が配置される範囲に限られる放射線検出装置。」
の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
　
（２）本願発明と引用発明１との対比・判断
ア　対比
　　本願発明と引用発明１とを対比すると、両者は、
（ア）一致点
「第１の導電型の第１の補償区域と前記第１の補償区域同士を互いに分離するベース部とを含む半導体部分を含む放射線変換装置であって、
　前記第１の補償区域は柱構造に配置され、各柱構造は前記第１の補償区域の少なくとも２つを含み、前記半導体部分の主面に対し垂直方向に延び、
　前記ベース部は隣り合う前記柱構造同士の間に第２の相補導電型の第２の補償区域を含み、
　前記柱構造は縞状であり、前記主面に対して第１の横方向に延び、
　前記放射線変換装置は前記主面と直接接触して配置された第１の電極構造をさらに含み、
　前記半導体部分は第１の導電型の第１のコンタクト領域を含み、
　前記第１のコンタクト領域は前記第１の電極構造にオーム接触を与える平均正味不純物濃度を有し、
　前記第１のコンタクト領域は前記割り当てられた柱構造の第１の補償区域のうちの１つと前記第１の電極構造とに直接接触する、放射線変換装置。」
の発明である点で一致し、次の点で相違する、
（イ）相違点
　「第１の電極構造」が、本願発明においては「第１の横方向と交差する第２の横方向に走る複数のストリップを含む」のに対して、引用発明１においては、「第２接続電極23」は、「側面方向の延びに関して、第２ベースゾーン21が配置される範囲に限られ」るものであって、第２ベースゾーン21の筋状型の方向（本願発明の「第１の横方向」）と「交差する（第２の横）方向に走るストリップを含む」ものではない点。
イ　判断
　上記の相違点について検討する。
　ＰＮ接合の半導体に生じた電気を効率よく利用するためには、電極は、ＰＮ接合の半導体の一方とできるだけ大きな接触面積で接触すべきであることが当業者にとって技術常識である。その観点からは、引用発明１においては、第２接続電極23は、第２節ゾーン22とともに、第２ベースゾーン21の上面に沿ったストリップ、すなわち、第２ベースゾーン21の筋状型の方向に走るストリップとすべきであるといえる。
　これに対して、第２接続電極23を「第２ベースゾーン21の筋状型の方向（本願発明の「第１の横方向」）」と「交差する（第２の横）方向に走るストリップを含む」とすることには動機付けが認められない。
　したがって、引用発明１において、上記相違点に係る本願発明の構成を採用して、本願発明を導出することが当業者にとって容易に想到し得ることであるということはできない。
　
ウ　小活
　以上のとおりであり、上記相違点が生じることから、本願発明が引用発明１でないことは明らかであり、また、上記のとおり、本願発明は、引用発明１に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　また、請求項２ないし１０に係る発明は、本願発明の構成要件を全て含みさらに限定した発明であるから、本願発明と同様に、引用発明１でないことは明らかであり、また、引用発明１に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
（３）まとめ
　以上のとおり、本願の請求項１ないし１０に係る発明は、引用発明１ではなく、また、引用発明１に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　すなわち、原査定の拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
（１）本願発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
 刊行物Ａ：米国特許第７６１２３４４号明細書
（当審注：原査定の拒絶理由で引用した刊行物１と同じものである。刊行物Ａに記載された事項については、上記「第３」の「２」の「（１）」の「ア」の記載参照。）
（２）請求項１を引用する請求項８，９に係る発明における「第１電極構造」は「第１の横方向と交差する第２の横方向に走る複数のストリップ」及び「第１の横方向と平行に走る複数のストリップ」の両者を含むものが特定されることになるが、そのようなものは、発明の詳細な説明に記載されていない。よって、本願は特許法第３６条第６項第１号の規定に違反している。
  
２　当審拒絶理由の判断
（１）理由（１）について
ア　刊行物Ａに記載された発明の認定（図８に記載された実施例を基に認定した発明）
　上記「第３」の「２」の「（１）」の「ア」のｊ（図８）に記載された実施例に着目すると、図８から第２ベースゾーン21が垂直方向に連続した柱構造に形成されていることが見て取れる。
　また、当該図８の実施例においても、第２ベースゾーン21が筋状型(strip-type)であるもの（ｇの図５の記載参照）も想定され得るものと認められる。
　そして、第１接続ゾーン12と第２ベースゾーン21との間には第１ベースゾーン11が介在している。
　そうすると、図８の記載も参酌すると、刊行物Ａには、
「第１導電型の第１ベースゾーン11と、第１ベースゾーン中に配置され、垂直方向に延伸され、第１ベースゾーン11と相補的になるようにドープされる少なくとも１つの第２ゾーン21とを備えた半導体本体を含む放射線検出装置において、
　第２ベースゾーン21は、垂直方向に連続した柱構造に形成され、
　また、第２ベースゾーン21は、水平方向に互いに離れた位置で筋状型に形成され、
　また、第２ベースゾーン21は、半導体基板110に接して形成され、
　半導体基板110は、第２接続タイプのドーピング濃度を有して第２接続ゾーン22を形成し、
　第１接続電極13が、接続抵抗を減らすための、より高いドーピング濃度の第１接続ゾーン12の上面に取り付けられて第２ベースゾーン11上に設けられ、
　第２接続電極23が半導体基板110の裏面側102に取り付けられ、
　また、第１接続ゾーン12と第２ベースゾーン21との間には第１ベースゾーン11が介在している放射線検出装置。」
の発明（以下、「引用発明Ａ」という。）が記載されている。
　
イ　本願発明と引用発明Ａとの対比・判断
（ア）対比
　　本願発明と引用発明Ａとを対比すると、両者は、
ａ　一致点
「第１の導電型の第１の補償区域と前記第１の補償区域同士を互いに分離するベース部とを含む半導体部分を含む放射線変換装置であって、
　前記第１の補償区域は柱構造に配置され、各柱構造は前記第１の補償区域の少なくとも２つを含み、前記半導体部分の主面に対し垂直方向に延び、
　前記ベース部は隣り合う前記柱構造同士の間に第２の相補導電型の第２の補償区域を含み、
　前記柱構造は縞状であり、前記主面に対して第１の横方向に延び、
　前記放射線変換装置は前記主面と直接接触して配置された第１の電極構造をさらに含み、
　前記半導体部分は第１の導電型の第１のコンタクト領域を含み、
　前記第１のコンタクト領域は前記第１の電極構造にオーム接触を与える平均正味不純物濃度を有し、
　前記第１のコンタクト領域はと前記第１の電極構造とに直接接触する、放射線変換装置。」
の発明である点で一致し、次の各点で相違する、
ｂ　相違点
（ａ）相違点１
　「第１の電極構造」が、本願発明においては「第１の横方向と交差する第２の横方向に走る複数のストリップを含む」のに対して、引用発明Ａにおいては「第１接続電極13」について、その点の特定がない点。
（ｂ）相違点２
　本願発明においては、「第１のコンタクト領域」が「割り当てられた柱構造の第１の補償区域のうちの１つ」と「直接接触する」のに対して、引用発明Ａにおいては、「第１接続ゾーン12（本願発明の「第１のコンタクト領域」）」と「第２ベースゾーン21（本願発明の「柱構造の第１の補償区域」）」との間には第１ベースゾーン11（本願発明の「第２の相補導電型の第２の補償区域」）が介在している点。
　
（イ）判断
　事案に鑑み相違点２について検討する。
　引用発明Ａにおいては、「第２ベースゾーン21」が、第２接続タイプのドーピング濃度を有して第２接続ゾーン22を形成した「半導体基板110」に接して形成され、「半導体基板110」の裏面側102に「第２接続電極23」が取り付けられ、また、「第１接続電極13」が、接続抵抗を減らすための、より高いドーピング濃度の「第１接続ゾーン12」の上面に取り付けられてているのだから、「第１接続ゾーン12」と「第２ベースゾーン21」とを直接接触させると、「第１接続電極13」と「第２接続電極23」が、第１ベースゾーンを介在せずに短絡してしまい、放射線変換装置としての機能を損なうことは明らかである。
　すなわち、引用発明Ａにおいて、上記相違点２に係る本願発明の構成（「第１接続ゾーン12（本願発明の「第１のコンタクト領域」）」と「第２ベースゾーン21（本願発明の「柱構造の第１の補償区域」）」とを直接接触させる構成）を採用することには、阻害要因があるといえる。
　したがって、引用発明Ａにおいて、上記相違点２に係る本願発明の構成を採用して、本願発明を導出することが当業者にとって容易に想到し得ることであるということはできない。
　
（ウ）小活
　以上のとおりであり、本願発明は、引用発明Ａに基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　また、請求項２ないし１０に係る発明は、本願発明の構成要件を全て含みさらに限定した発明であるから、本願発明と同様に、引用発明Ａに基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　すなわち、当審の拒絶理由の理由（１）によっては、本願を拒絶することはできない。
（２）理由（２）について
　当審拒絶理由の通知後、本願の特許請求項の範囲は、平成２９年１月２７日付けの手続補正により、本願の請求項１ないし１０に係る発明に補正され、当審の拒絶理由の理由（２）は解消された。
　
第５　結論
　以上のとおりであり、原査定の拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
　また、他に、本願を拒絶する理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。