(57)【要約】【課題】周囲のハウジングの上面が上側の金属端子の上面よりも高い状態で、上側及び下側の金属端子がハウジングの溝内に配置されたレーザ溶接構造において、レーザ溶接時の融着熱によってハウジングが変色、変形等の悪影響を受けることのないレーザ溶接構造を提供する。【解決手段】レーザ溶接構造において、溝１ａの、上側の金属端子２に臨む面１ｂが傾斜面を含み、この傾斜面は、下側の金属端子３の側壁に最も近い傾斜面の始点（図１においては、下側の金属端子３の幅方向上縁Ｃ）とハウジング１の上面１ｃとの交点Ｌとを結ぶ線Ｓ１と、下側の金属端子３の上面からの延長線Ｓ２とのなす角度θで傾斜している。【選択図】図１
2011143457.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下側に幅広の金属端子を、上側に前記下側の金属端子よりも幅狭の金属端子を上下に重ねてレーザ溶接され、周囲のハウジングの上面が前記上側の金属端子の上面よりも高い状態で、前記上側及び下側の金属端子が前記ハウジングの溝内に配置されたレーザ溶接構造において、
前記溝の、前記上側の金属端子に臨む面が傾斜面を含み、該傾斜面は、前記下側の金属端子の側壁に最も近い前記傾斜面の始点と前記ハウジングの上面との交点とを結ぶ線と、前記下側の金属端子の上面からの延長線とのなす角度θで傾斜していることを特徴とするレーザ溶接構造。
【請求項２】
前記角度θが１５°以上７５°以下であることを特徴とする請求項１記載のレーザ溶接構造。
【請求項３】
前記溝の、前記上側の金属端子に臨む面のうち前記角度θで傾斜している前記傾斜面が、平面からみて前記上側及び下側の金属端子のレーザ溶接部分に対応する部分の位置のみに形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載のレーザ溶接構造。
【請求項４】
前記溝の、前記上側の金属端子に臨む面は、下方向に凹状に湾曲していることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載のレーザ溶接構造。
【請求項５】
前記溝の、前記上側の金属端子に臨む面のうち前記角度θで傾斜している前記傾斜面が、平面からみて凹状に湾曲していることを特徴とする請求項３記載のレーザ溶接構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、上側及び下側の２つの金属端子を上下に重ねてレーザ溶接され、それら上側及び下側の金属端子をハウジングの溝内に配置したレーザ溶接構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年においては、例えば、ダイオード、リレーなどの電子部品のリード等の金属端子を、ハウジングに取り付けられた金属端子に接続した電子部品内装コネクタが知られている。
ここで、電子部品の金属端子をハウジングに取り付けられた金属端子に接続するに際しては、ハウジング側の金属端子を下側に、電子部品側の金属端子を上側にして重ねてレーザ溶接することが一般的に行われている。図５は、ハウジングに取り付けられた金属端子に電子部品の金属端子をレーザ溶接により接続する従来のレーザ溶接構造の一例を示し、（Ａ）は主要部を模式的に示した概略斜視図、（Ｂ）は（Ａ）において金属端子の幅方向に切断した状態の断面図である。
【０００３】
図５に示すレーザ溶接構造は、絶縁性のハウジング１０１の上面１０１ｃ上に該上面１０１ｃに沿うように下側金属端子１０３を取り付けている。そして、図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、電子部品の上側金属端子１０２を下側金属端子１０３に重ねてレーザ溶接して上側金属端子１０２を下側金属端子１０３上に接合している。下側金属端子１０３及び上側金属端子１０２の接合部分は、図５（Ａ）に示すように、長手方向に延びる細長形状となっている。図５（Ｂ）に示すように、下側金属端子１０３の幅Ｗ２は上側金属端子の幅Ｗ１よりも幅広となっている。また、レーザ光線ＬＢの照射径はＤとなり、この照射径Ｄの大きさは、下側金属端子１０３の幅Ｗ２よりも小さく上側金属端子１０３の幅Ｗ１よりも大きくなっている。照射径Ｄをこのように設定することにより、上側金属端子１０２と下側金属端子１０３とが適切に融着する。
【０００４】
図５に示すレーザ溶接構造によれば、上側金属端子１０２と下側金属端子１０３とが適切に融着するのみならず、融着時の熱によってハウジング１０１が変色、変形等の悪影響を受けることはない。なぜなら、下側金属端子１０３が平坦形状のハウジング１０１の上面１０１ｃ上に該上面１０１ｃに沿うように取り付けられて上側金属端子１０２と下側金属端子１０３の接合部分の周囲（側部）にハウジング１０１が存在しないからである。
【０００５】
しかしながら、下側金属端子１０３を平坦形状のハウジング１０１の上面１０１ｃ上に該上面１０１ｃに沿うように取り付ける技術は、上面１０１ｃにおける下側金属端子３の位置決めが困難であるので、一般的に組立困難とされている。このため、この技術は、電気コネクタを製造する際に用いられないことが多い。また、多数の下側金属端子１０３をハウジング１０１に配置する場合、互いに隣接する下側金属端子１０３間に絶縁物（ハウジング）が存在しないため、短絡のおそれがある。このため、隣接する下側金属端子１０３間のピッチを大きくする必要があり、電子部品内装コネクタ全体の小型化が図れない。
【０００６】
そこで、電気コネクタの製造においては、図６に示すように、下側金属端子１０３及び上側金属端子１０２をハウジング１０１の上面１０１ｃに形成された溝１０１ａに配置する構造が従来採用されている。図６は、ハウジングに取り付けられた金属端子に電子部品の金属端子をレーザ溶接により接続する従来のレーザ溶接構造の他の例を示し、（Ａ）は主要部を模式的に示した概略斜視図、（Ｂ）は（Ａ）において金属端子の幅方向に切断した状態の断面図である。
【０００７】
図６に示すレーザ溶接構造においては、絶縁性のハウジング１０１に形成された溝１０１ａ内に下側金属端子１０３を取り付けている。溝１０１ａは、下側金属端子１０３の形状に対応するように長手方向に延びる形状をなしている。下側金属端子１０３の溝１０１ａ内への取り付けに際しては、圧入やインサートモールドといった技術が用いられている。そして、電子部品の上側金属端子１０２を下側金属端子１０３に重ねてレーザ溶接して上側金属端子１０２を下側金属端子１０３上に接合している。ここで、図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、上側金属端子１０２の上面１０２ａよりも周囲のハウジング１０１の上面１０１ｃが高い状態で、上側金属端子１０２及び下側金属端子１０３がハウジング１０１の溝１０１ａ内に配置される。
【０００８】
なお、図６（Ｂ）に示すように、下側金属端子１０３の幅Ｗ２は上側金属端子１０２の幅Ｗ１よりも幅広となっている。また、レーザ光線ＬＢの照射径はＤとなり、この照射径Ｄの大きさは、下側金属端子１０３の幅Ｗ２よりも小さく上側金属端子１０２の幅Ｗ１よりも大きくなっている。また、溝１０１ａの開放部の幅Ｗ３は下側金属端子１０３の幅Ｗ２と同じであると共にレーザ光線ＬＢの照射径Ｄよりも大きくなっている。
【０００９】
図６に示すレーザ溶接構造によれば、下側金属端子１０３を溝１０１ａ内へ圧入やインサートモールドといった技術により容易に取り付けることができる。また、多数の下側金属端子１０３をハウジング１０１に配置する場合、互いに隣接する下側金属端子１０３間に絶縁物が存在するため、短絡のおそれはなく、狭ピッチ化が図られる、これにより、電子部品内装コネクタ全体の小型化を図ることができる。
【００１０】
また、上側金属端子及び下側金属端子を上下重ねてレーザ溶接により接続する従来のレーザ溶接構造の別の例として、例えば、図７に示すものも知られている（特許文献１参照）。図７は、従来のレーザ溶接構造の別の例の斜視図である。
図７に示すレーザ溶接構造は、電気接続箱（図示せず）に収容するバスバー（下側金属端子）２０１上にタブ端子２０２の曲げしろ部２０２ａをレーザ溶接により接合するものである。
レーザ溶接に際しては、タブ端子２０２の曲げしろ部２０２ａに薄肉部２０２ｂ〜２０２ｄを形成し、これら薄肉部２０２ｂ〜２０２ｄに斜め方向からレーザ光線ＬＢを照射する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平１１−２１５６５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、図６及び図７に示すレーザ溶接構造にあっては、以下の問題点があった。
即ち、図６に示すレーザ溶接構造の場合、レーザ光線ＬＢを照射して上側金属端子１０２と下側金属端子１０３とが融着する際に、その熱によってハウジング１０１の溝１０１ａの両側壁が変色、変形等を起こしてしまうことがある。具体的には、図６（Ａ）に示すように、ハウジング１０１の溝１０１ａ両側壁のうち、レーザ光線ＬＢが照射されて上側金属端子１０２が溶け出す部位に対応する対向している領域Ａ及びＡ’が融着熱によって変色、変形等を起こしてしまうことがある。
【００１３】
また、図７に示すレーザ溶接構造の場合、バスバー２０１がハウジング上に沿って配置されるか、ハウジングの溝内に配置されるか明確に記載されていない。バスバー２０１がハウジング上に沿って配置される場合には、融着時の熱によってハウジングが変色、変形等を起こしてしまうおそれはないが、装置が大型化してしまうおそれがある。また、バスバー２０１がハウジングの溝内に配置されハウジングがバスバー２０１やタブ端子２０２を囲む場合には、融着時の熱によってハウジングが変色、変形等を起こしてしまうおそれがある。
【００１４】
従って、本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、上側の金属端子の上面よりも周囲のハウジングの上面が高い状態で、上側及び下側の金属端子がハウジングの溝内に配置されたレーザ溶接構造において、レーザ溶接時の融着熱によってハウジングが変色、変形等の悪影響を受けることのないレーザ溶接構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明のうち請求項１に係るレーザ溶接構造は、下側に幅広の金属端子を、上側に前記下側の金属端子よりも幅狭の金属端子を上下に重ねてレーザ溶接され、周囲のハウジングの上面が前記上側の金属端子の上面よりも高い状態で、前記上側及び下側の金属端子が前記ハウジングの溝内に配置されたレーザ溶接構造において、前記溝の、前記上側の金属端子に臨む面が傾斜面を含み、該傾斜面は、前記下側の金属端子の側壁に最も近い前記傾斜面の始点と前記ハウジングの上面との交点とを結ぶ線と、前記下側の金属端子の上面からの延長線とのなす角度θで傾斜していることを特徴としている。
【００１６】
また、本発明のうち請求項２に係るレーザ溶接構造は、請求項１記載のレーザ溶接構造において、前記角度θが１５°以上７５°以下であることを特徴としている。
また、本発明のうち請求項３に係るレーザ溶接構造は、請求項１又は２記載のレーザ溶接構造において、前記溝の、前記上側の金属端子に臨む面のうち前記角度θで傾斜している前記傾斜面が、平面からみて前記上側及び下側の金属端子のレーザ溶接部分に対応する部分の位置のみに形成されていることを特徴としている。
【００１７】
本発明のうち請求項４に係るレーザ溶接構造は、請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載のレーザ溶接構造において、前記溝の、前記上側の金属端子に臨む面は、下方向に凹状に湾曲していることを特徴としている。
更に、本発明のうち請求項５に係るレーザ溶接構造は、請求項３記載のレーザ溶接構造において、前記溝の、前記上側の金属端子に臨む面のうち前記角度θで傾斜している前記傾斜面が、平面からみて凹状に湾曲していることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係るレーザ溶接構造によれば、ハウジングの溝の、上側の金属端子に臨む面が傾斜面を含み、該傾斜面は、下側の金属端子の側壁に最も近い前記傾斜面の始点と前記ハウジングの上面との交点とを結ぶ線と、前記下側の金属端子の上面からの延長線とのなす角度θで傾斜しているので、溝の、上側の金属端子に臨む面のうちレーザ光線が照射されて上側の金属端子が溶け出す部位に対応する部分が角度θで傾斜して熱源から遠くなる。このため、レーザ溶接時の融着熱によってハウジングの当該部分が変色、変形等の悪影響を受けることはない、レーザ溶接構造とすることができる。
【００１９】
そして、下側の金属端子を溝内へ圧入やインサートモールドといった技術により容易に取り付けることができる。また、多数の下側の金属端子をハウジングに配置する場合、互いに隣接する下側の金属端子間に絶縁物が存在するため、短絡のおそれはなく、狭ピッチ化が図られる。
また、ハウジングの溝の、傾斜面は、下側の金属端子の側壁に最も近い始点から傾斜しているから、溝による下側の金属端子の保持強度を低下させる要因とはならない。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係るレーザ溶接構造の第一実施形態を示し、（Ａ）は主要部を模式的に示した概略斜視図、（Ｂ）は（Ａ）において金属端子の幅方向に切断した状態の断面図である。
【図２】本発明に係るレーザ溶接構造の第二実施形態を示し、（Ａ）は主要部を模式的に示した概略斜視図、（Ｂ）は（Ａ）において金属端子の幅方向に切断した状態の断面図である。
【図３】本発明に係るレーザ溶接構造の第三実施形態を示し、（Ａ）は主要部を模式的に示した概略斜視図、（Ｂ）は（Ａ）において金属端子の幅方向に切断した状態の断面図である。
【図４】本発明に係るレーザ溶接構造の第四実施形態を示し、（Ａ）は主要部を模式的に示した概略斜視図、（Ｂ）は（Ａ）において金属端子の幅方向に切断した状態の断面図である。
【図５】ハウジングに取り付けられた金属端子に電子部品の金属端子をレーザ溶接により接続する従来のレーザ溶接構造の一例を示し、（Ａ）は主要部を模式的に示した概略斜視図、（Ｂ）は（Ａ）において金属端子の幅方向に切断した状態の断面図である。
【図６】ハウジングに取り付けられた金属端子に電子部品の金属端子をレーザ溶接により接続する従来のレーザ溶接構造の他の例を示し、（Ａ）は主要部を模式的に示した概略斜視図、（Ｂ）は（Ａ）において金属端子の幅方向に切断した状態の断面図である。
【図７】従来のレーザ溶接構造の別の例の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。先ず、図１を参照して本発明に係るレーザ溶接構造の第一実施形態を説明する。
図１に示すレーザ溶接構造は、例えば、ダイオード、リレーなどの電子部品のリード等の上側金属端子２を、ハウジング１に取り付けられた下側金属端子３に接続してなる電子部品内装コネクタに用いられる。下側金属端子３は、ハウジング１及びコンタクト（図示せず）からなるコネクタのコンタクトの半田接続部又は接触部であってもよいし、或いは、コネクタの金属シェルのハウジングへの固定部分であってもよい。
【００２２】
ここで、レーザ溶接構造は、下側に幅広の下側金属端子３を、上側に下側金属端子３よりも幅狭の上側金属端子２を上下に重ねてレーザ溶接されている。そして、周囲のハウジング１の上面１ｃが上側金属端子２ａの上面よりも高い状態で、上側金属端子２及び下側金属端子３がハウジング１の溝１ａ内に配置されている。
即ち、レーザ溶接構造において、絶縁性のハウジング１に形成された溝１ａ内に下側金属端子３を取り付けている。溝１ａは、下側金属端子３の形状に対応するように長手方向に延びる形状をなしている。下側金属端子３の溝１ａ内への取り付けに際しては、圧入やインサートモールドといった技術が用いられている。そして、電子部品の上側金属端子２を下側金属端子３に重ねてレーザ溶接して上側金属端子２を下側金属端子３上に接合している。ここで、前述のように、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、上側金属端子２の上面２ａよりも周囲のハウジング１の上面１ｃが高い状態で、上側金属端子２及び下側金属端子３がハウジング１の溝１ａ内に配置される。
下側金属端子３及び上側金属端子２の接合部分は、図１（Ａ）に示すように、長手方向に延びる細長形状となっている。図１（Ｂ）に示すように、下側金属端子３の幅Ｗ２は上側金属端子の幅Ｗ１よりも幅広となっている。また、レーザ光線ＬＢの照射径はＤとなり、この照射径Ｄの大きさは、下側金属端子３の幅Ｗ２よりも小さく上側金属端子２の幅Ｗ１よりも大きくなっている。照射径Ｄをこのように設定することにより、上側金属端子２と下側金属端子３とが適切に融着する。
【００２３】
そして、ハウジング１に形成された溝１ａの、上側金属端子２に臨む面１ｂは、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、下側金属端子３の幅方向上端縁Ｃから角度θで傾斜している。すなわち、上側金属端子２に臨む面（傾斜面）１ｂは、図１（Ｂ）に示すように、下側金属端子３の幅方向端上縁Ｃとハウジング１の上面１ｃとの交点Ｌとを結ぶ線Ｓ１と、下側金属端子３の上面から延びる線（延長線）Ｓ２とのなす角度θで傾斜している。これにより、溝１ａの開放部の最上縁の幅Ｗ３は、下側金属端子３の幅Ｗ２と同じに設定される溝１ａの下部の幅よりも大きくなる。上側金属端子２に臨む面１ｂは、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、溝１ａの全長にわたって角度θで傾斜し、幅方向に横断する断面で見て直線状の平面で形成されている。
【００２４】
このように、溝１ａの、上側金属端子２に臨む面１ｂを、下側金属端子３の幅方向端上縁Ｃとハウジング１の上面１ｃとの交点Ｌとを結ぶ線Ｓ１と、下側金属端子３の上面から延びる線Ｓ２とのなす角度θで傾斜させる。これにより、上側金属端子２に臨む面１ｂのうちレーザ光線ＬＢが照射されて上側金属端子２が溶け出す部位に対応する部分（図６における領域Ａ，Ａ’に相当する部分）が角度θで傾斜して熱源（融着熱の熱源）から遠くなる。このため、レーザ溶接時の融着熱によってハウジング１が当該部分に変色、変形等の悪影響を受けることはない、レーザ溶接構造とすることができる。
【００２５】
ここで、上側金属端子２の幅Ｗ１、下側金属端子３の幅Ｗ２、溝１ａの開放部の最上縁の幅Ｗ３、及びレーザ光線ＬＢの照射径Ｄの関係を整理すると、下記（１）式の関係となる。
Ｗ１＜Ｄ＜Ｗ２＜Ｗ３  …（１）
そして、（１）式の前提とした上で、上記角度θは、下記（２）式、すなわち１５°以上７５°以下に設定することが好ましい。
１５°≦θ≦７５°  …（２）
角度θを１５°よりも小さくすると、前述した、上側金属端子２に臨む面１ｂのうちレーザ光線ＬＢが照射されて上側金属端子２が溶け出す部位に対応する部分が熱源から近くなり、ハウジング１の変色、変形等の回避効果が小さくなる。
【００２６】
一方、角度θを７５°よりも大きくすると、互いに隣接する下側金属端子３間のピッチを大きくする必要があり、ハウジング1の小型化、電子部品内装コネクタ全体の小型化が図れない。
従って、角度θを１５°以上７５°以下に設定することが好ましい。角度θは、ハウジング１の変色、変形等を回避する効果と互いに隣接する下側金属端子３間のピッチをできるだけ小さくする要請とを考慮し、３０°以上６０°以下にすることがより好ましく、４０°以上５０°以下とすることが更に好ましく、４５°とすることが最も好ましい。
なお、上側金属端子２及び下側金属端子３がハウジング１の溝１ａ内に配置されるから、下側金属端子３を溝１ａ内へ圧入やインサートモールドといった技術により容易に取り付けることができる。また、互いに隣接する下側金属端子３間に絶縁物が存在するため、短絡のおそれはない。
また、ハウジング１の溝１ａの、上側金属端子２に臨む面１ｂは、下側金属端子３の幅方向端上縁Ｃから傾斜しているから、角度θで傾斜させることが、溝１ａによる下側金属端子３の保持強度を低下させる要因とはならない。
【００２７】
次に、本発明に係るレーザ溶接構造の第二実施形態を図２を参照して説明する。
図２に示すレーザ溶接構造は、図１に示すレーザ溶接構造と基本的に同様の構成を有するが、溝１ａの、上側金属端子２に臨む面１ｂの形状が、図１に示す上側金属端子２に臨む面１ｂの形状と異なる点のみが相違している。
即ち、図１に示す上側金属端子２に臨む面１ｂの形状は、前述したように、下側金属端子３の幅方向端上縁Ｃとハウジング１の上面１ｃとの交点Ｌとを結ぶ線Ｓ１と、下側金属端子３の上面から延びる線（延長線）Ｓ２とのなす角度θで傾斜している。そして、上側金属端子２に臨む面１ｂは、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、溝１ａの全長にわたって角度θで傾斜し、幅方向に横断する断面で見て直線状の平面で形成されている。
【００２８】
これに対して、図２に示す上側金属端子２に臨む面１ｂは、図２（Ｂ）に示すように、下側金属端子３の幅方向端上縁Ｃとハウジング１の上面１ｃとの交点Ｌとを結ぶ線Ｓ１と、下側金属端子３の上面から延びる線（延長線）Ｓ２とのなす角度θで傾斜している。そして、上側金属端子２に臨む面１ｂは、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、幅方向に横断する断面で見て下側金属端子３の幅方向端上縁Ｃとハウジング１の上面１ｃとの交点Ｌとを結ぶ線Ｓ１に対して下方向に凹状に湾曲している。この下方向に凹状に湾曲した状態は、溝１ａの全長にわたって続いている。
【００２９】
このように、上側金属端子２に臨む面１ｂを、下側金属端子３の幅方向端上縁Ｃとハウジング１の上面１ｃとの交点Ｌとを結ぶ線Ｓ１に対して下方向に凹状に湾曲させる。これにより、上側金属端子２に臨む面１ｂのうちレーザ光線ＬＢが照射されて上側金属端子２が溶け出す部位に対応する部分（図６における領域Ａ，Ａ’に相当する部分）が、図１に示すように直線状の平面で角度θで傾斜している場合より、より一層熱源（融着熱の熱源）から遠くなる。このため、レーザ溶接時の融着熱によってハウジング１が当該部分に変色、変形等の悪影響をより一層受けづらい、レーザ溶接構造とすることができる。
【００３０】
なお、上側金属端子２の幅Ｗ１、下側金属端子３の幅Ｗ２、溝１ａの開放部の最上縁の幅Ｗ３、及びレーザ光線ＬＢの照射径Ｄの関係は、上記した（１）式の関係である。
また、角度θは、上記した（２）式、すなわち１５°以上７５°以下に設定することが好ましく、３０°以上６０°以下にすることがより好ましく、４０°以上５０°以下とすることが更に好ましく、４５°とすることが最も好ましい。
【００３１】
また、本発明に係るレーザ溶接構造の第三実施形態を図３を参照して説明する。
図３に示すレーザ溶接構造は、図１に示すレーザ溶接構造と基本的に同様の構成を有する。しかし、図３に示すレーザ溶接構造は、溝１ａの、上側金属端子２に臨む面１ｂのうち角度θで傾斜している部分が、図１に示すものと異なっている。
即ち、図１に示す上側金属端子２に臨む面１ｂの形状は、前述したように、下側金属端子３の幅方向端上縁Ｃとハウジング１の上面１ｃとの交点Ｌとを結ぶ線Ｓ１と、下側金属端子３の上面から延びる線（延長線）Ｓ２とのなす角度θで傾斜している。そして、上側金属端子２に臨む面１ｂは、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、溝１ａの全長にわたって角度θで傾斜し、幅方向に横断する断面で見て直線状の平面で形成されている。
【００３２】
これに対して、図３に示す上側金属端子２に臨む面１ｂは、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、溝１ａの全長に対して一部分（傾斜面）１ｂ’のみが、下側金属端子３の幅方向端上縁Ｃとハウジング１の上面１ｃとの交点Ｌとを結ぶ線Ｓ１と、下側金属端子３の上面から延びる線（延長線）Ｓ２とのなす角度θで傾斜している。そして、上側金属端子２に臨む面１ｂのうち角度θで傾斜している部分１ｂ’は、平面から見て上側金属端子２及び下側金属端子３のレーザ溶接部分に対応する部分の位置のみに形成されている。また、上側金属端子２に臨む面１ｂのうち角度θで傾斜している部分１ｂ’は、平面から見て台形状に切りかかれて形成され、図３（Ｂ）に示すように、幅方向に横断する断面で見て直線状の平面で形成されている。
【００３３】
このように、溝１ａの、上側金属端子２に臨む面１ｂを通常は角度θで傾斜させることなく、下方から垂直で立ち上げる。そして、上側金属端子２に臨む面１ｂのうち角度θで傾斜している部分１ｂ’を、平面から見て上側金属端子２及び下側金属端子３のレーザ溶接部分に対応する部分の位置のみに形成する。これにより、上側金属端子２に臨む面１ｂのうちレーザ光線ＬＢが照射されて上側金属端子２が溶け出す部位に対応する部分の近傍のみが、角度θで傾斜することになり、熱源から遠くなる。従って、上側金属端子２に臨む面１ｂのうち必要な部位にだけ角度θで傾斜させることになり、ハウジング１の小型化を図ることができる。
【００３４】
なお、上側金属端子２の幅Ｗ１、下側金属端子３の幅Ｗ２、溝１ａの開放部の最上縁の幅Ｗ３、及びレーザ光線ＬＢの照射径Ｄの関係は、上記した（１）式の関係である。
また、角度θは、上記した（２）式、すなわち１５°以上７５°以下に設定することが好ましく、３０°以上６０°以下にすることがより好ましく、４０°以上５０°以下とすることが更に好ましく、４５°とすることが最も好ましい。
【００３５】
最後に、本発明に係るレーザ溶接構造の第四実施形態を図４を参照して説明する。
図４に示すレーザ溶接構造は、図３に示すレーザ溶接構造と基本的に同様の構成を有する。しかし、図４に示すレーザ溶接構造は、溝１ａの、上側金属端子２に臨む面１ｂのうち角度θで傾斜している部分1ｂ’が、図３に示すものと異なっている。
即ち、図３に示す上側金属端子２に臨む面１ｂのうち角度θで傾斜している部分１ｂ’は、前述したように、平面から見て台形状に切りかかれて形成され、幅方向に横断する断面で見て直線状の平面で形成されている。
【００３６】
これに対して、図４に示す上側金属端子２に臨む面１ｂのうち角度θで傾斜している部分１ｂ’は、図４（Ｂ）に示すように、幅方向に横断する断面で見て直線状の平面で形成されているが、平面から見て凹状に湾曲して形成されている。
このように、上側金属端子２に臨む面１ｂのうち角度θで傾斜している部分１ｂ’を平面から見て凹状に湾曲して形成することによっても図３に示すレーザ溶接構造と同様の効果を得ることができる。
【００３７】
なお、図４に示す上側金属端子２に臨む面１ｂは、図３に示す面１ｂと同様に、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、溝１ａの全長に対して一部分１ｂ’のみが、下側金属端子３の幅方向端上縁Ｃとハウジング１の上面１ｃとの交点Ｌとを結ぶ線Ｓ１と、下側金属端子３の上面から延びる線（延長線）Ｓ２とのなす角度θで傾斜している。そして、上側金属端子２に臨む面１ｂのうち角度θで傾斜している部分１ｂ’は、平面から見て上側金属端子２及び下側金属端子３のレーザ溶接部分に対応する部分の位置のみに形成されている。
【００３８】
また、上側金属端子２の幅Ｗ１、下側金属端子３の幅Ｗ２、溝１ａの開放部の最上縁の幅Ｗ３、及びレーザ光線ＬＢの照射径Ｄの関係は、上記した（１）式の関係である。
また、角度θは、上記した（２）式、すなわち１５°以上７５°以下に設定することが好ましく、３０°以上６０°以下にすることがより好ましく、４０°以上５０°以下とすることが更に好ましく、４５°とすることが最も好ましい。
【００３９】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されずに種々の変更、改良を行うことができる。
例えば、下側に幅広の金属端子を、上側に前記下側の金属端子よりも幅狭の金属端子を上下に重ねてレーザ溶接するものであれば、本発明のレーザ溶接構造は、ダイオード、リレーなどの電子部品のリード等の上側金属端子２を、ハウジング１に取り付けられた下側金属端子３に接続してなる電子部品内装コネクタに用いられるものに限られない。
【００４０】
また、図３及び図４に示した実施形態においては、上側金属端子２に臨む面１ｂのうち角度θで傾斜している部分（傾斜面）１ｂ’は、幅方向に横断する断面で見て直線状の平面で形成されている。しかし、この部分１ｂ’は、幅方向に横断する断面で見て下側金属端子３の幅方向端上縁Ｃとハウジング１の上面１ｃとの交点Ｌとを結ぶ線Ｓ１に対して下方向に凹状に湾曲していてもよい。
【００４１】
更に、図１乃至図４に示す実施形態では、溝１ａを区画するハウジング１の壁の一部が下側金属端子３の側面に密接しているので、傾斜している部分１ｂ、１ｂ’の始点は下側金属端子３の幅方向上縁Ｃと一致している。しかし、ハウジング１の壁と下側金属端子３の側面との間にすき間があってもよい。この場合、傾斜している部分１ｂ、１ｂ’は、下側金属端子３の側面に最も近い稜線等を始点としてもよい。
【符号の説明】
【００４２】
１  ハウジング
１ａ  溝
１ｂ  上側金属端子に臨む面
１ｂ’  角度θで傾斜している部分
１ｃ  ハウジングの上面
２  上側金属端子
２ａ  上側金属端子の上面
３  下側金属端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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