(57)【要約】【課題】シールドケースを用いて基板上面のシールド性を高めるだけでなく、基板の側面領域におけるシールド性についても適切な対策がなされた電子回路モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】完成状態でみた電子回路モジュール(100)は、個片化された回路基板(12)の上面にグランド電極(12a)が形成されていることに加えて、側面にもそれぞれグランド電極(12b,12c)が形成されている。このため、シールドカバー(14)を回路基板(12)上に搭載した状態で、上面からの高周波ノイズの漏洩や進入がシールドされるだけでなく、回路基板(12)の側面領域からのノイズの漏洩や進入までもブロックされる。【選択図】図１
2011023410.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大版の絶縁基板に対し、そこから個片基板として分割される予定の複数の個片化領域を区画するべく、前記個片化領域の四辺に沿って厚み方向に貫通する格子状の貫通長孔を形成するとともに、前記貫通長孔を挟んで隣接する前記個片化領域の間に桟状の連結領域を残存させる工程と、
前記貫通長孔の内面にめっきを施す工程と、
前記個片化領域内の基板面上に電子部品を搭載する工程と、
前記個片化領域内の基板面上にシールドカバーを搭載する工程と、
前記連結領域を切断して前記個片化領域を個々に切り離す工程と
を有する電子回路モジュールの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記貫通長孔を形成する工程では、
前記個片化領域内に前記絶縁基板を厚み方向に貫通するシールドカバー用スルーホールをさらに形成し、
前記シールドカバーを搭載する工程では、
前記シールドカバーの予め対応する位置に形成された脚部を前記シールドカバー用スルーホール内に挿入することを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記貫通長孔を形成する工程では、
前記個片化領域内で前記連結領域に近接した位置に前記シールドカバー用スルーホールを形成し、
前記シールドカバーを搭載する工程では、
前記シールドカバー用スルーホール内に挿入された状態で、前記個片基板の厚みの内部とその外側面との間をシールドするべく予め脚部が形成されていることを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記貫通長孔を形成する工程では、
前記個片化領域の対向する一対の辺の両端位置で、かつ、前記個片化領域の四隅の近傍位置に前記連結領域が形成されることを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記貫通長孔を形成する工程では、
前記個片化領域が長方形に形成され、その対向する一対の短辺上に前記連結領域が残存していることを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項６】
大版の絶縁基板に対し、そこから個片基板として分割される予定の複数の個片化領域を区画するべく、前記個片化領域の四辺に沿って厚み方向に貫通する格子状の貫通長孔を形成するとともに、前記貫通長孔を挟んで隣接する前記個片化領域の間に桟状の連結領域を残存させる工程と、
前記貫通長孔の内面にめっきを施す工程と、
大版の前記絶縁基板を保持部材上に載置した状態で保持する工程と、
前記保持部材上に保持された大版の前記絶縁基板に対し、前記連結領域を含む円形状の範囲を厚み方向に刳り抜く加工を施すことで前記個片化領域を個々に切り離して前記個片基板を形成するとともに、前記加工に伴い、前記個片基板の側面に沿って厚み方向に延びる円弧形状の窪み部を形成する工程と、
前記保持部材上に保持された大版の前記絶縁基板に対し、前記個片化領域内の基板面上に電子部品を搭載する工程と、
前記窪み部に対応した位置に予め脚部が形成されたシールドカバーを前記個片化領域内の基板面上に搭載し、前記脚部を前記窪み部内に挿入する工程と、
前記保持部材から前記個片化領域を分離する工程と
を有する電子回路モジュールの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記窪み部を形成する工程の後に前記窪み部の内面に金属膜を形成する工程をさらに有し、
前記シールドカバーを搭載する工程では、
前記窪み内に前記脚部が挿入された状態で、前記金属膜に前記脚部を半田付けすることを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記シールドカバーは、
前記個片化領域内の基板面上に搭載された状態で前記基板面に対向する矩形の天板と、この天板の四辺からそれぞれ前記基板面に向かって延び、下端が前記基板面上に設置される４つの側板とを予め有しており、
前記シールドカバーを搭載する工程では、
前記シールドカバーの４つの側板にそれぞれ対応して、予め前記個片化領域内の基板上面に形成されたグランド電極に対して前記側板を半田付けすることを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記シールドカバーを搭載する工程では、
予め前記個片化領域内の基板下面に形成された複数の外部端子のうち、前記電子回路モジュールとして形成された状態でグランド電極となる予定の外部端子に対して前記シールドカバーを電気的に接続することを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項１０】
請求項１から５のいずれかに記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記シールドカバーを搭載する工程では、
前記シールドカバーの搭載位置に対応して予め前記個片化領域内の基板上面に形成され、かつ、前記電子回路モジュールとして形成された状態で前記貫通長孔の内面に施されためっきを含む他の電極パターンとは絶縁された搭載用の電極パターンに対して前記シールドカバーを半田付けすることを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項１１】
請求項２、３、６又は７のいずれか１項に記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記シールドカバーには、前記脚部の基端部の幅を縮小するべく前記脚部の両側縁から内側に延びる一対の切欠が予め形成されており、
前記シールドカバーを搭載する工程では、
前記脚部が挿入された状態で、前記一対の切欠が前記絶縁基板の厚み内に埋没することを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、個片基板上に電子部品及びシールドカバーが搭載された構造を有する電子回路モジュールの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品及びシールドカバーを個片化したモジュール基板上に搭載した電子回路モジュールに関して、モジュール基板の側面に分割スルーホールを形成し、その内面にグランド電極を設けてシールドカバーの脚部（爪部）を挿入する形態の先行技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
上記の先行技術は、モジュール基板の上面に搭載された各種の電子部品を含む電子回路にシールドカバーを被せることで、電子回路からの電磁波ノイズの放出や、外部から電子回路へのノイズの進入を防止するものである。また、特に上記の先行技術では、モジュール基板の外周面に複数の分割スルーホールが形成されており、その内面にグランド電極が形成されている。上記のシールドカバーには、分割スルーホールに対応した位置に脚部が形成されており、シールドカバーをモジュール基板に搭載した状態で、その脚部が分割スルーホール内に挿入された状態で半田付けされるものとなっている。
【０００４】
上記の先行技術によれば、脚部以外のシールドカバーの下端縁をモジュール基板の上面（分割スルーホール以外の上面）に接触させた状態で、その上面をシールドケースで確実に閉鎖することができるため、それだけシールド性が向上すると考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−５９５３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら上記の先行技術は、モジュール基板の上面をシールドすることに拘泥するあまり、その外周面におけるシールド性がほとんど考慮されていない。すなわち、高周波域の電磁波ノイズは、モジュール基板の上面からだけでなく、その外周面（側面）からも周囲に漏洩（放射）されることがある。このため、たとえ先行技術のようにモジュール基板の上面をシールドケースで閉鎖していたとしても、その外周面におけるシールド性は乏しく、依然としてノイズの漏洩や進入に対して脆弱であるという問題がある。
【０００７】
そこで本発明は、シールドケースを用いて基板上面のシールド性を高めるだけでなく、基板の側面領域におけるシールド性についても適切な対策がなされた電子回路モジュールの製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明は以下の解決手段（製造方法）を採用する。
解決手段１：すなわち本発明の電子回路モジュールの製造方法は、以下の工程を有するものである。
【０００９】
（１）工程１
この工程では、大版の絶縁基板に対し、そこから個片基板として分割される予定の複数の個片化領域を区画するため、個片化領域の四辺に沿って厚み方向に貫通する格子状の貫通長孔を形成するとともに、貫通長孔を挟んで隣接する個片化領域の間に桟状の連結領域を残存させる。
【００１０】
上記の工程１により、大版の絶縁基板に個片化領域を区画して形成しつつ、その状態でも個片化領域同士を連結領域を介して連結させたままにしておくことができる。このため、大版の絶縁基板がばらばらに分断されることなく、依然として１枚物の形態を維持しているため、この後の作業が容易となる。
【００１１】
（２）工程２
この工程では、上記の貫通長孔の内面にめっきを施すものとする。これにより、個片化領域の四辺に沿ってめっきが施される。ここで施されためっきは、後の完成状態において個片基板の側面に電極（グランド）を形成し、そのシールド性の向上に寄与するものとなる。
【００１２】
（３）工程３
この工程では、個片化領域内の基板面上に電子部品を搭載する。これにより、個片化領域ごとに完成状態でみた電子回路の原型が形成されることになる。
【００１３】
（４）工程４
この工程では、個片化領域内の基板面上にシールドカバーを搭載する。これにより、個片化領域ごとに電子部品を含む電子回路が覆われるため、完成状態においてシールド性が確保されることになる。
【００１４】
（５）工程５
この工程では、大版の絶縁基板に残存する連結領域を切断して個片化領域を個々に切り離す。これにより、個片化領域内の基板面上に電子部品及びシールドカバーが個別に搭載された状態の電子回路モジュールを形成することができる。
【００１５】
少なくとも上記（１）〜（５）の工程を経ることで、そこから得られた電子回路モジュールには、連結領域を除く個片基板の側面全域に電極が形成されている。これにより、完成状態でシールドカバーによるノイズの遮蔽効果だけでなく、個片基板の側面領域を通じて漏洩（放射）又は進入するノイズを良好にブロックすることができる。
【００１６】
解決手段２：上記の工程１では、１つ１つの個片化領域内に絶縁基板を厚み方向に貫通するシールドカバー用スルーホールをさらに形成してもよい。ここで形成されたシールドカバー用スルーホール内には、工程２でめっきを施すことができる。
【００１７】
そして上記の工程４では、シールドカバーの予め対応する位置に形成された脚部をシールドカバー用スルーホール内に挿入することができる。シールドカバー用スルーホール内にめっきが施されていれば、ここで脚部を半田付けすることができる。
【００１８】
上記の解決手段２によれば、完成状態において、シールドカバーを個片基板に対して強固に固定することができる。また、工程２でめっきが施されない連結領域の近傍位置にシールドカバー用スルーホールを形成すれば、そこに挿入される脚部（さらにはめっき）により側面方向でのシールド性を補完することができ、全体として個片基板の側面領域におけるシールド性を高めることができる。
【００１９】
解決手段３：なお解決手段２において、上記の工程１では、個片化領域内で連結領域に近接した位置にシールドカバー用スルーホールを形成することもできる。この場合、上記の工程４において、予めシールドカバーに形成されている脚部は、これをシールドカバー用スルーホール内に挿入した状態で、個片基板の厚みの内部とその外側面との間をシールドする形態を有することが好ましい。
【００２０】
この場合、上記の解決手段２で述べたように、完成状態で個片基板の側面方向へのシールド性を予め考慮した脚部を実現することができる。すなわち、先の工程１で連結領域を残存させているのは、その後の工程２以降の作業を簡単にし、その作業効率を高めるものであるが、完成した状態では、どうしても連結領域の部分でシールド性が犠牲になる。この点、解決手段３の手法を採用すれば、先の工程１で連結領域を残存させたままであっても、電子回路モジュールが完成された状態で個片基板の側面領域におけるシールド性を確実に向上することができる。
【００２１】
解決手段４：上記の工程１では、個片化領域の対向する一対の辺の両端位置で、かつ、個片化領域の四隅の近傍位置に連結領域が形成されることが好ましい。
【００２２】
この場合、連結領域を残存させることで個片化領域の位置が固定されるため、工程２のめっき作業を容易にすることができるとともに、個片化領域の辺の両端位置にめっきが施されない部分を追いやることで、その部分の面積を最小限に抑えることができる。特に四隅の近傍であれば、完成状態で電極が形成されない部分が個片基板の中央から離れるため、ノイズの漏洩（放射）や進入が発生しにくいという利点がある。
【００２３】
解決手段５：また上記の工程１では、個片化領域が長方形に形成され、その対向する一対の短辺上に連結領域が残存していることが好ましい。
【００２４】
この場合、連結領域を切断した後、個片基板の側面ではこれらの間に窪みになっている部分が残存し、この部分は、例えば完成状態の電子回路モジュールがマザーボード等に実装された状態でその他の部品を実装できないデッドスペースとなる。ただし、上記のように短辺上に連結領域を設けていれば、完成状態で生じるデッドスペースの面積をなるべく小さく抑えることができるため、電子回路モジュールがマザーボード上に占める実質的な実装面積を縮小することができる。
【００２５】
解決手段６：また本発明の製造方法は、以下の工程を有するものであってもよい。
【００２６】
（１）工程Ａ
この工程では、大版の絶縁基板に対し、そこから個片基板として分割される予定の複数の個片化領域を区画するため、個片化領域の四辺に沿って厚み方向に貫通する格子状の貫通長孔を形成するとともに、貫通長孔を挟んで隣接する個片化領域の間に桟状の連結領域を残存させる。
【００２７】
上記の工程Ａにより、大版の絶縁基板に個片化領域を区画して形成しつつ、その状態でも個片化領域同士を連結領域を介して連結させたままにしておくことができる。このため、大版の絶縁基板がばらばらに分断されることなく、依然として１枚物の形態を維持しているため、この後の作業は容易となる。
【００２８】
（２）工程Ｂ
この形態では、上記の貫通長孔の内面にめっきを施すものとする。これにより、個片化領域の四辺に沿ってめっきが施される。ここで施されためっきは、後の完成状態において個片基板の側面に電極（グランド）を形成し、そのシールド性の向上に寄与するものとなる。
【００２９】
（３）工程Ｃ
この工程では、大版の絶縁基板を保持部材上に載置した状態で保持するものとする。これにより、これ以降の工程で個片化領域が分断されたとしても、その配置を維持しておくことで作業性を向上することができる。
【００３０】
（４）工程Ｄ
この工程では、保持部材上に保持された大版の絶縁基板に対し、連結領域を含む円形状の範囲を厚み方向に刳り抜く加工を施すことで個片化領域を個々に切り離して個片基板を形成するとともに、この刳り抜き加工に伴い、個片基板の側面に沿って厚み方向に延びる円弧形状の窪み部を形成する。
【００３１】
ここで形成された窪み部は、完成状態において個片基板の側面に位置し、特に円弧形状をなすことでサイドスルーホールの形態となる。また、刳り抜き加工によって連結領域が切断され、大版の絶縁基板から１つ１つの個片化領域が切り離されるが、この後も依然として保持部材に保持されているため、個片化領域がばらばらに分散してしまうことはない。
【００３２】
（５）工程Ｅ
この工程Ｅは、上記の工程Ｄの後に行ってもよいし、前に行ってもよい。すなわちこの工程では、保持部材上に保持された大版の絶縁基板に対し、個片化領域内の基板面上に電子部品を搭載する。これにより、個片化領域ごとに完成状態でみた電子回路の原型が形成されることになる。
【００３３】
（６）工程Ｆ
この工程では、上記の工程Ｄで形成された窪み部に対応した位置に予め脚部が形成されたシールドカバーを個片化領域内の基板面上に搭載し、脚部を窪み部内に挿入する。これにより、個片化領域ごとに電子部品を含む電子回路が覆われるため、完成状態においてシールド性が確保されることになる。またシールドカバーは、その脚部を窪み部内に挿入されることで位置決めがなされる。
【００３４】
（７）工程Ｇ
この工程では、保持部材から個片化領域を分離する。これにより、個片化領域内の基板面上に電子部品及びシールドカバーが個別に搭載された状態の電子回路モジュールを形成することができる。
【００３５】
少なくとも上記（Ａ）〜（Ｇ）の工程を経ることで、そこから得られた電子回路モジュールには、窪み部を除く個片基板の側面全域に電極が形成されている。また窪み部には電極が形成されていないが、そこにはシールドカバーの脚部が挿入されるため、電極が形成されないことによるシールド性の低下を脚部によって補償することができる。これにより、完成状態でシールドカバーによるノイズの遮蔽効果だけでなく、個片基板の側面領域を通じて漏洩（放射）又は進入するノイズを良好にブロックすることができる。
【００３６】
解決手段７：本発明の製造方法は、上記の工程Ｄの後に、窪み部の内面に金属膜を形成する工程をさらに有するものでもよい。この場合、上記の工程Ｆでは、窪み内に脚部が挿入された状態で、金属膜に脚部を半田付けする。この場合、完成状態でシールドカバーの固定をより強固にすることができる。
【００３７】
解決手段８：解決手段１〜７において、シールドカバーは、個片化領域内の基板面上に搭載された状態で基板面に対向する矩形の天板と、この天板の四辺からそれぞれ基板面に向かって延び、下端が基板面上に設置される４つの側板とを予め有しているものとする。
【００３８】
このとき、シールドカバーを搭載する工程４又は工程Ｆでは、シールドカバーの４つの側板にそれぞれ対応して、予め個片化領域内の基板上面に形成されたグランド電極に対して側板を半田付けするものとする。
【００３９】
上記の態様であれば、完成状態でシールドカバーと個片基板の上面との間の隙間をなくし、シールド性を高めることができる。
【００４０】
解決手段９：また解決手段１〜８において、シールドカバーを搭載する工程４又は工程Ｆでは、予め個片化領域内の基板下面に形成された複数の外部端子のうち、電子回路モジュールとして形成された状態でグランド電極となる予定の外部端子に対してシールドカバーを電気的に接続することもできる。
【００４１】
上記の態様であれば、完成状態でシールドカバーの接地（グランド）が強化されるため、それに伴ってシールド性を向上することができる。
【００４２】
解決手段１０：また解決手段１〜５において、シールドカバーを搭載する工程４では、シールドカバーの搭載位置に対応して予め個片化領域内の基板上面に形成され、かつ、電子回路モジュールとして形成された状態で貫通長孔の内面に施されためっきを含む他の電極パターンとは絶縁された搭載用の電極パターンに対してシールドカバーを半田付けするものとする。
【００４３】
この場合、シールドカバーに脚部が形成されていない形態について、完成状態で外来のノイズシールドカバーを介してグランドに伝わるのを防止することができる。
【００４４】
解決手段１１：解決手段２、３、６又は７において、シールドカバーには、脚部の基端部の幅を縮小するべく脚部の両側縁から内側に延びる一対の切欠が予め形成されている。そしてシールドカバーを搭載する工程４又は工程Ｆでは、脚部が挿入された状態で、一対の切欠が絶縁基板の厚み内に埋没するものであることが好ましい。
【００４５】
このような形態であれば、脚部の基端部（付け根）における柔軟性を高めてシールドカバーの搭載作業を容易にできるとともに、個片基板の上面に切欠による隙間を形成することなく、そのシールド性を高めることができる。
【発明の効果】
【００４６】
本発明の電子回路モジュールの製造方法によれば、簡単な工程を通じて個片基板の側面にシールド対策が施された電子回路モジュールを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】第１形態の製造方法を通じて製造される構成例（１）の電子回路モジュールを示す分解斜視図である。
【図２】第１形態の製造方法の工程を順番に示した連続図である。
【図３】第１形態の製造方法の工程を順番に示した連続図である。
【図４】第１形態の製造方法の工程の後部分とともに製造された電子回路モジュールの形態例を示す図である。
【図５】第２形態の製造方法を通じて製造される構成例（２）の電子回路モジュールを示す分解斜視図である。
【図６】スルーホールの部分を含む電子回路モジュールの完成状態でみた縦断面図（図５中のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面）である。
【図７】第３形態の製造方法を通じて製造される構成例（３）の電子回路モジュールを示す分解斜視図である。
【図８】第３形態の製造方法の工程の一部を示した図である。
【図９】第３形態の製造方法を通じて製造された構成例（３）の電子回路モジュールを示す斜視図である。
【図１０】構成例（１）の電子回路モジュールの完成状態を回路基板１２の下面側から示した斜視図である。
【図１１】第４形態の製造方法を通じて製造される構成例（４）の電子回路モジュールを示す分解斜視図である。
【図１２】第４形態の製造方法の工程の一部を示した図である。
【図１３】第４形態の製造方法を通じて製造された構成例（４）の電子回路モジュールを示す斜視図である。
【図１４】第５形態の製造方法を通じて製造される構成例（５）の電子回路モジュールを示す分解斜視図である。
【図１５】構成例（５）の電子回路モジュールの完成状態を示す斜視図である。
【図１６】構成例（４）の電子回路モジュールに別形態の脚部を適用した例を示す分解斜視図である。
【図１７】脚部の構成をより具体的に示すシールドカバーの側面図及びその搭載状態を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４８】
以下、本発明の製造方法について、複数通りの実施形態を挙げて説明する。
【００４９】
〔構成例（１）〕
図１は、第１形態の製造方法を通じて製造される構成例（１）の電子回路モジュール１００を示す分解斜視図である。この電子回路モジュール１００は主に、個々の製品サイズに個片化された回路基板１２（個片基板）及びシールドカバー１４を有している。
【００５０】
〔回路基板（個片基板）〕
このうち回路基板１２には、その上面や図示しない下面、さらには内層部分に電極パターン（参照符号なし）が形成されている。また回路基板１２には、その内部を厚み方向に貫通するスルーホール、ビア導体（参照符号なし）等が形成されている。そして回路基板１２には、その上面（実装面）に多数の回路部品１６，１８が実装されており、これら回路部品１６，１８が上記の電極パターン（配線パターン）に接続されている。なお回路部品１６，１８は、例えばトランジスタアレイ、半導体ＩＣのような能動部品やチップ抵抗、チップコンデンサ、チップコイル等の受動部品である。また電子回路モジュール１００が例えば電圧制御発振器（ＶＣＯ）である場合、回路基板１２上には共振用にマイクロストリップライン（図示していない）も合わせて形成される。
【００５１】
図１中に網点を施して示すように、回路基板１２には、その上面の周縁部（四辺）を取り囲むようにしてグランド電極１２ａが形成されている。さらに回路基板１２には、その４つの側面にもそれぞれグランド電極１２ｂ，１２ｃが形成されている。すなわち回路基板１２は、平面視の状態で全体として長方形（矩形）をなしており、その対向する一対の長辺に沿って位置する側面全体に上記のグランド電極１２ｂが形成されている。
【００５２】
一方で回路基板１２は、その一対の短辺に沿って位置する側面のうち、両端部１２ｄを除く範囲内に上記のグランド電極１２ｃが形成されている。したがって図１中、これら両端部１２ｄには網点が施されていない。またこの例では、グランド電極１２ｃが形成されている側面（短辺に沿って位置する側面）において、両端部１２ｄとグランド電極１２ｃとの間に段差が設けられており、これら両端部１２ｄは、グランド電極１２ｃの表面よりも回路基板１２の側方に段差分だけ突き出た状態にある。
【００５３】
〔シールドカバー〕
シールドカバー１４は、例えば銅板やアルミニウム板のような比較的電気抵抗の低い金属板をプレス加工して成形されている。シールドカバー１４は、図１に示される姿勢でその下面が全体的に開放（開口）された半ケース形状をなしており、その上面に位置する天板１４ａ及び４つの側板１４ｂ，１４ｃから構成されている。図１中に一点鎖線で示されるように、天板１４ａは、その平面視で回路基板１２よりも一回り小さい長方形（矩形）をなしており、シールドカバー１４が回路基板１２上に搭載された状態で、天板１４ａはその基板面に対向するようにして平行に位置する。また天板１４ａには、その四辺からそれぞれ側板１４ｂ，１４ｃが略垂直に屈曲されて下方に延びており、シールドカバー１４が回路基板１２上に搭載されると、これら側板１４ｂ，１４ｃは基板面に対して略垂直に立った状態となる。
【００５４】
なお電子回路モジュール１００の完成状態では、シールドカバー１４が側板１４ｂ，１４ｃの下端を回路基板１２の上面に着地（接触）させた状態で回路基板１２上に搭載（固定）されている。図１には示されていないが、この状態で側板１４ｂ，１４ｃは上記のグランド電極１２ａに半田付けされている。これにより、回路基板１２に実装された回路部品１６，１８を含む電子回路がシールドカバー１４によってシールドされ、その内外で電磁界の影響が相互に遮断されている。特に、電子回路が高周波を使用するものである場合、シールドカバー１４によって外部への高周波ノイズの漏洩を有効に防止することができる。また、電子回路モジュール１００が実装されるマザー基板（図示されていない）の環境により、電子回路モジュール１００に対して外部から電磁界が飛来する場合であっても、シールドカバー１４によってその電磁界の影響を有効に遮断することができる。
【００５５】
〔第１形態の製造方法〕
次に、上述した電子回路モジュール１００の製造方法（第１形態）について説明する。
【００５６】
〔大版の絶縁基板〕
図２及び図３は、第１形態の製造方法の工程を順番に示した連続図である。上記の個片化された回路基板１２を形成するため、第１形態の製造方法では大版の絶縁基板２０を使用する。このとき大版の絶縁基板２０には、これより事前の工程において、上記の配線パターンやグランド電極１２ａを含む電極パターン、内層パターン、スルーホール、ビア導体等が予め形成されていてもよい（なお、各種パターン等がこの後の工程で形成されてもよい。）。
【００５７】
〔貫通長孔の形成工程〕
図２中（Ａ）：１枚物として用意された大版の絶縁基板２０は、例えばそこから複数の回路基板１２を形成できるだけの大きさ（面積）を有している。このような大版の絶縁基板２０に対し、個々の回路基板１２として個片化される予定の領域、つまり、個片化領域を想定し、それら複数の個片化領域（図中参照符号は１２）を区画するべく絶縁基板２０に対して縦方向及び横方向に格子状（筋状）の貫通長孔２２，２４を形成する。これら貫通長孔２２，２４は、いずれも絶縁基板２０をその厚み方向に貫通（打ち抜き）加工することで形成されている。
【００５８】
この例では、絶縁基板２０の横方向（長手方向）に延びる貫通長孔２２を縦方向に等間隔をおいて５本形成している。また合わせて、これら５本の貫通長孔２２の間（全部で４段）に縦方向（短辺方向）に延びる貫通長孔２４を形成し、このとき各段に５本の貫通長孔２４を等間隔で配置している。
【００５９】
このうち横方向に延びる貫通長孔２２は、絶縁基板２０の一方の側縁部から他方の側縁部にわたる範囲内を一続きに延びており、その両端はいずれも、絶縁基板２０の両側縁の内側でとまっている。
【００６０】
一方、縦方向に延びる貫通長孔２４については、上記のように横方向に延びる貫通長孔２２の間に配置された状態で複数箇所に形成されており、その１つ１つは貫通長孔２２を挟んで分断された状態にある。ただし、縦方向でみて４つの貫通長孔２４は一直線上に並んでおり、このように一直線上に並んだ貫通長孔２４の列が絶縁基板２０の幅方向に５本形成されていることになる。したがって縦横の貫通長孔２２，２４は、全体としては格子状をなしていることになる。
【００６１】
このように、大版の絶縁基板２０に対して上記の貫通長孔２２，２４を形成することにより、全体として１６個分の個片化領域（回路基板１２となるべき予定の領域）が区画して形成される。なお、この例では大版の絶縁基板２０から１６個の回路基板１２を形成することができるものとすしているが（いわゆる１６個取り）、より大きいサイズの絶縁基板を使用してもよい（例えば１００個取り程度）。
【００６２】
〔桟（連結領域）〕
ただし、上記の貫通長孔２２，２４が形成された状態で、絶縁基板２０内には貫通長孔２４を挟んで隣接する個片化領域（回路基板１２に個片化される予定の領域）の間に桟状の連結領域（図２中（Ａ）では参照符号を省略）が残存している。すなわち、横方向に隣接する個片化領域（回路基板１２に個片化される予定の領域）同士は連結領域を介して相互に連結された状態にあり、これによって大版の絶縁基板２０が全体として未だその構造を保持している。なお桟状の連結領域は、縦方向でみて貫通長孔２４の両外側、つまり、横方向に延びる貫通長孔２２と縦方向に延びる貫通長孔２４とが接近する地点に形成されることになる。
【００６３】
〔めっきを施す工程〕
大版の絶縁基板２０に対して上記の貫通長孔２２，２４を形成した後、次にこれら貫通長孔２２，２４の内面にめっき（例えば銅めっき）を施す。めっきを施した部分は、この後に回路基板１２が個片化された際に、上述した側面のグランド電極１２ｂ，１２ｃとなる。
【００６４】
図２中（Ｂ）：図２中（Ａ）において一点鎖線で囲まれた部分を拡大して示すように、貫通長孔２２，２４の内面全体にめっきが施されていることがわかる。なお、貫通長孔２２，２４の接近する地点にはそれぞれ上記の連結領域２６が形成されている。ここでは図示していないが、上記のように絶縁基板２０の上面にはその他の電極パターンやグランド電極等も形成されている。
【００６５】
〔電子部品を搭載する工程〕
図３中（Ｃ）：次に個片化領域内の基板面上（個片化される予定の回路基板１２の上面）にそれぞれ電子部品（図３中（Ａ）では参照符号を省略）を搭載する。電子部品を搭載するための手順としては、例えば図示しないメタルマスクを用いてクリーム半田を塗布（スキージング）し、そこに電子部品をマウントしてリフロー処理を行うものを挙げることができる。
【００６６】
〔シールドカバーを搭載する工程〕
図３中（Ｄ）：電子部品を搭載した後、個片化領域の基板面上（個片化される予定の回路基板１２の上面）にそれぞれシールドカバー１４を搭載する。シールドカバー１４を搭載するための手順としては、例えば別のメタルマスクを用いて各個片化領域内のグランド電極（いずれも図示していない）上にクリーム半田を塗布し、そこにシールドカバー１４をマウントしてリフロー処理を行うものを挙げることができる。
【００６７】
図４は、第１形態の製造方法の工程の後部分とともに、製造方法を通じて製造された電子回路モジュール１００の形態例を示す図である。
【００６８】
〔連結領域を切断する工程〕
図４中（Ｅ）：一点鎖線で示されているように、縦方向に貫通長孔２４が並んでいる一直線（スリット線）に沿って大版の絶縁基板２０を切断加工する。これにより、上記の連結領域２６が切断されて個片化領域（回路基板１２として個片化される予定の領域）が個々に切り離される。
【００６９】
図４中（Ｆ）：その結果、回路基板１２上に回路部品１６，１８（ここでは図示されていない）及びシールドカバー１４が搭載された状態の電子回路モジュール１００が形成される。また完成状態で、シールドカバー１４の側板１４ｂ，１４ｃの下端縁は全体的にグランド電極１２ａに半田付けされており、これによりシールドカバー１４の全周にフィレット２７が形成されている。なお、完成した状態の電子回路モジュール１００のその他の構成は、図１を用いて既に説明したものと同じである。
【００７０】
上述した第１形態の製造方法によれば、完成した状態の電子回路モジュール１００において回路基板１２の各側面にグランド電極１２ｂ，１２ｃが形成されるため、側面を通じて電磁界が漏洩したり、逆に外部ノイズが進入したりするのを防止することができる。特にグランド電極１２ｂ，１２ｃは、大版の絶縁基板２０の状態で貫通長孔２２，２４の内面をめっき処理するだけで容易に形成することができるため、効率よくシールド性の高い電子回路モジュール１００を製造することができる。
【００７１】
また第１実施形態の製造方法では、大版の絶縁基板２０に対して貫通長孔２２，２４を形成する工程（図２中（Ａ））において、隣接する個片化領域（回路基板１２として個片化される予定の領域）の間に連結領域２６を残存させているため、この段階で個片化領域が分断されず、大版の絶縁基板２０が１枚物としての形態を維持しているため、これ以降の工程でめっきを施したり、電子部品やシールドカバーを搭載したりする作業が容易になる。
【００７２】
さらに第１形態の製造方法では、大版の絶縁基板２０に対して貫通長孔２２，２４を形成する工程（図２中（Ａ））において、個片化領域（回路基板１２として個片化される予定の領域）の短辺に沿う位置に連結領域２６を形成しているため、完成状態の電子回路モジュール１００（図４中（Ｆ））において、例えば以下の利点がある。
【００７３】
すなわち連結領域２６は、これを切断する工程（図４中（Ｅ））を経て電子回路モジュール１００が完成すると、上記のように回路基板１２の側面から側方に突出した両端部１２ｄとして残存するため、回路基板１２の側面には両端部１２ｄの内側に窪み部分を形成することになる。このような窪み部分は、例えば電子回路モジュール１００が図示しない他のマザー基板上に実装された状態でデッドスペース（他の部品を実装しにくい空間）となるが、それでも回路基板１２の短辺に沿う側方だけに収まっているため、長辺に沿う位置に連結領域２６を形成した場合と比較して、それだけデッドスペースを小さく抑えることができる。これにより、マザー基板上でのデッドスペースを最小に抑え、その高密度実装化に寄与することができる。
【００７４】
また連結領域２６は、個片化領域（回路基板１２）の対向する一対の短辺の両端位置で、かつ、個片化領域（回路基板１２）の四隅の近傍位置に形成されている。このため、完成状態の電子回路モジュール１００（図４中（Ｆ））でもみても、回路基板１２の側面にグランド電極１２ｃが形成されない部分（両端部１２ｄ）の面積を最小に抑えることができる。また、グランド電極１２ｃが形成されない部分（両端部１２ｄ）は回路基板１２の四隅の近傍であり、その中央から比較的離れて位置するため、たとえグランド電極１２ｃが形成されていなくても、大幅な電磁界の漏洩やノイズの進入を許してしまうことはない。
【００７５】
〔構成例（２）〕
次に図５は、第２形態の製造方法を通じて製造される構成例（２）の電子回路モジュール２００を示す分解斜視図である。この電子回路モジュール２００もまた、主に個々の製品サイズに個片化された回路基板１２（個片基板）及びシールドカバー１４を有しており、これらの構成は先に述べた構成例（１）の電子回路モジュール１００と共通している。
【００７６】
ただし、ここで挙げる電子回路モジュール２００は、シールドカバー１４に脚部１４ｄを有する点で上記の電子回路モジュール１００と異なっており、それに合わせて回路基板１２の構成も一部が異なっている。以下、構成例（２）の電子回路モジュール２００について、最初に挙げた電子回路モジュール１００との相違点を中心として説明する。その他の共通する事項については、図示を含めて同じ符号を付し、その重複した説明を省略するものとする。
【００７７】
〔脚部〕
上記のように構成例（２）の電子回路モジュール２００では、シールドカバー１４の側板１４ｂにそれぞれ２つの脚部１４ｄが形成されている。これら脚部１４ｄは、例えば各側板１４ｂの両端部に配置されており、いずれも各側板１４ｂの下端縁からさらに下方（回路基板１２）に向けて突出している。
【００７８】
〔スルーホール〕
また回路基板１２には、シールドカバー１４の脚部１４ｄに対応する位置（ここでは４箇所）にスルーホール１２ｅが形成されている。これらスルーホール１２ｅは、例えば回路基板１２の上面のうち、その四隅に位置し、かつ、グランド電極１２ａの範囲内に位置している。なおスルーホール１２ｅの内面には、例えば製造の過程でめっきを施すことにより、グランド電極１２ａに連なる導体（参照符号なし）が形成されている。
【００７９】
そして完成状態の電子回路モジュール２００では、４つの脚部１４ｄがそれぞれ対応するスルーホール１２ｅ内に挿入された状態でシールドカバー１４が回路基板１２上に搭載されることになる。このとき脚部１４ｄは、回路基板１２に対してシールドカバー１４を正しく位置決めすることにより、その搭載時の位置合わせ精度を向上することに寄与する。
【００８０】
〔第２形態の製造方法〕
上記の電子回路モジュール２００は、第２形態の製造方法により製造することができる。第２形態の製造方法は、その工程が第１形態とほとんど共通しているが、以下の要素が追加されている。
【００８１】
〔貫通長孔の形成工程〕
特に図示していないが、第２形態の製造方法では、例えば大版の絶縁基板２０に貫通長孔２２，２４を形成する工程（図２中（Ａ））において、個片化領域内に上記のスルーホール１２ｅを形成するものとする。
【００８２】
〔めっきを施す工程〕
また、めっきを施す工程において、貫通長孔２２，２４とともにスルーホール１２ｅの内面にもめっきを施すこととする。
【００８３】
〔シールドカバーを搭載する工程〕
そして、シールドカバー１４を搭載する工程（図３中（Ｄ））において、シールドカバー１４には予め上記の脚部１４ｄが形成されており、これら脚部１４ｄを対応するスルーホール１２ｅ内に挿入するものとする。そして、シールドカバー１４をグランド電極１２ａに半田付けするとともに、合わせて脚部１４ｄをスルーホール１２ｅ内で導体に半田付けする。
【００８４】
図６は、スルーホール１２ｅの部分を含む電子回路モジュール２００の完成状態でみた縦断面図（図５中のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面）である。
【００８５】
図６中（Ａ）：上記のように電子回路モジュール２００の完成状態で、シールドカバー１４の脚部１４ｄは回路基板１２のスルーホール１２ｅ内に挿入されている。このときスルーホール１２ｅの内面に設けられた導体（めっき）に脚部１４ｄを半田付けすることにより、シールドカバー１４の固定をさらに強固にすることができる。また脚部１４ｄは、スルーホール１２ｅ内で導体に半田付けされることで、シールドカバー１４の固定を確実にするとともに、以下のようにシールド性の向上にも寄与することができる。
【００８６】
すなわちスルーホール１２ｅは、回路基板１２の短辺に沿う側面のうち、グランド電極１２ｃが形成されていない両端部１２ｄの近傍に位置している。この場合、回路基板１２の肉厚部分を通って側面から漏洩（放射）又は進入する電磁界に対し、グランド電極１２ｃが形成されていない両端部１２ｄでのシールド性がスルーホール１２ｅによって補完（補強、強化）されるので、全体としてシールド性を向上することができる。
【００８７】
〔脚部の他の配置〕
図６中（Ｂ）：上記の例（図５及び図６中（Ａ））では、シールドカバー１４の長辺に沿う位置にある側板１４ｂに脚部１４ｄが形成された例を挙げているが、脚部１４ｄは短辺に沿う位置にある側板１４ｃに形成されていてもよい。この場合、脚部１４ｄが回路基板１２の側面のうち、グランド電極１２ｃが形成されていない両端部１２ｄと平行に配置されるため、脚部１４ｄ自身によってさらにシールド性を向上することができる。
【００８８】
〔構成例（３）〕
図７は、第３形態の製造方法を通じて製造される構成例（３）の電子回路モジュール３００を示す分解斜視図である。この電子回路モジュール３００もまた、主に個々の製品サイズに個片化された回路基板１２（個片基板）及びシールドカバー１４を有しており、これらの構成は先に述べた構成例（１），（２）の電子回路モジュール１００，２００と共通している。
【００８９】
ただし、ここで挙げる電子回路モジュール３００は、シールドカバー１４に脚部１４ｅを有する点で構成例（１）の電子回路モジュール１００と異なっており、また、それに合わせて回路基板１２の側面にサイドスルーホール１３が形成されている点で構成例（２）の電子回路モジュール２００と異なっている。以下、構成例（３）の電子回路モジュール３００について、電子回路モジュール１００，２００との相違点を中心として説明する。その他の共通する事項については、図示を含めて同じ符号を付し、その重複した説明を省略するものとする。
【００９０】
〔脚部〕
上記のように構成例（３）の電子回路モジュール３００では、シールドカバー１４の短辺に位置する一対の側板１４ｃにそれぞれ２つの脚部１４ｅが形成されている。これら脚部１４ｅは、例えば各側板１４ｃの両端から中心寄りの位置に配置されており、いずれも各側板１４ｃの下端縁からさらに下方（回路基板１２）に向けて突出している。
【００９１】
〔サイドスルーホール〕
また回路基板１２には、シールドカバー１４の脚部１４ｅに対応する位置（ここでは４箇所）にサイドスルーホール１３が形成されている。これらサイドスルーホール１３は、回路基板１２の短辺に沿う一対の側面のうち、上記の両端部１２ｄよりも中心寄りに位置している。またサイドスルーホール１３の内面には、例えばその製造過程で貫通長孔２４の内面にめっきが施されることにより、側面のグランド電極１２ｃが一体（一続き）に形成されている。
【００９２】
そして完成状態の電子回路モジュール３００では、４つの脚部１４ｅがそれぞれ対応するサイドスルーホール１３内に挿入された状態でシールドカバー１４が回路基板１２上に搭載されることになる。このとき脚部１４ｅは、回路基板１２に対してシールドカバー１４を正しく位置決めすることにより、その搭載時の位置合わせ精度を向上することに寄与する。
【００９３】
〔第３形態の製造方法〕
上記の電子回路モジュール３００は、第３形態の製造方法により製造することができる。第３形態の製造方法は、その工程が第１形態とほとんど共通しているが、以下の要素が追加されている。
【００９４】
〔貫通長孔の形成工程〕
図８は、第３形態の製造方法の工程の一部を示した図である。なお第３形態の製造方法においても、上記の個片化された回路基板１２を形成するため大版の絶縁基板２０を使用する。このとき大版の絶縁基板２０には、これより事前の工程において、上記の配線パターンやグランド電極１２ａを含む電極パターン、内層パターン、スルーホール、ビア導体等が予め形成されているものとする。
【００９５】
〔貫通長孔の形成工程〕
図８中（Ａ）：第３形態の製造方法においても、大版の絶縁基板２０に対し、縦方向及び横方向に格子状（筋状）の貫通長孔２２，２４を形成するものとする。このとき縦方向に延びる貫通長孔２４には、上記のサイドスルーホール１３に対応する窪み部（図８中（Ａ）には参照符号なし）が合わせて形成されている。
【００９６】
図８中（Ｂ）：すなわち、貫通長孔２４の部分が拡大して示されているように、大版の絶縁基板２０には、貫通長孔２４を形成する工程において、個片化領域（回路基板１２として個片化される予定の領域）の短辺からその内側に向かって円弧形状に突出する窪み部２５が４箇所に形成されている。これら窪み部２５は、連結領域２６（ここでは参照符号なし）の切断により回路基板１２が個片化された状態で、上記のサイドスルーホール１３となる部分である。
【００９７】
〔めっきを施す工程〕
この後、めっきを施す工程において、貫通長孔２２，２４とともに窪み部２５の内面にもめっきが施される。
【００９８】
〔シールドカバーを搭載する工程〕
特に図示していないが、この後のシールドカバー１４を搭載する工程において、シールドカバー１４には予め上記の脚部１４ｅが形成されており、これら脚部１４ｅを対応するサイドスルーホール１３内に挿入するものとする。これにより、搭載時のシールドカバー１４の位置決めを容易に行うことができる。そして、シールドカバー１４をグランド電極１２ａに半田付けするとともに、合わせて脚部１４ｅをサイドスルーホール１３内でグランド電極１２ｃに半田付けする。
【００９９】
図９は、第３形態の製造方法を通じて製造された構成例（３）の電子回路モジュール３００を示す斜視図である。この電子回路モジュール３００は、構成例（１）の電子回路モジュール１００に加えて、さらに回路基板１２の側面に脚部１４ｅを有するため、その分、側面でのシールド性が向上されている。また、脚部１４ｅがサイドスルーホール１３内で半田付けされているため、それだけシールドカバー１４の取り付け強度が向上されている。また製造過程においては、脚部１４ｅを窪み部２５内に挿入することにより、その位置決め精度が向上するため、製品品質がさらに安定化する。
【０１００】
図１０は、上述した構成例（１）の電子回路モジュール１００の完成状態を回路基板１２の下面側から示した斜視図である。なお、図１０では主に構成例（１）の電子回路モジュール１００について示しているが、回路基板１２の下面における構成についてはその他の構成例（２），（３）の電子回路モジュール２００，３００についても共通するものとする。
【０１０１】
すなわち電子回路モジュール１００（２００，３００）は、その回路基板１２の下面に複数の外部端子（参照符号３０，３２，３４，３６等）が形成されている。これら外部端子（３０〜３６）は、例えば電子回路モジュール１００（２００，３００）を図示しないマザー基板上に実装する際、その配線パターンや接続電極等と接続するための外部端子となる。
【０１０２】
このうち、例えば回路基板１２の長辺に平行な中心線上（特に図示していない）で、その長手方向に離間して配置された２つの外部端子（符号３０，３２）は、その一方が信号入力端子３０であり、他方が信号出力端子３２として形成されている。また、回路基板１２の１つの隅部に位置する外部端子３４は電源用である。その他の外部端子３６（全てに符号は付されていない）は、いずれもグランド用である。
【０１０３】
このとき、信号入力端子３０や信号出力端子３２、電源用の外部端子３４等の機能端子を除いて、その他のグランド用の外部端子３６は、いずれも回路基板１２上面に形成されたグランド電極１２ａと電気的に接続されている。すなわち、これらグランド用の外部端子３６は、例えば回路基板１２の内部で図示しないスルーホールやビア導体等を通じて上面のグランド電極１２ａと接続されている。このため回路基板１２の下面に形成されたグランド用の外部端子３６は、回路基板１２上に搭載されたシールドカバー１４と電気的に接続された状態となっている。これにより、シールドカバー１４の接地性が強化されるため、そのシールド性をより強固にすることができる。
【０１０４】
〔構成例（４）〕
次に図１１は、第４形態の製造方法を通じて製造される構成例（４）の電子回路モジュール４００を示す分解斜視図である。この電子回路モジュール４００もまた、主に個々の製品サイズに個片化された回路基板１２（個片基板）及びシールドカバー１４を有しており、これらの構成は先に述べた構成例（１）〜（３）の電子回路モジュール１００〜３００と共通している。
【０１０５】
ここで挙げる電子回路モジュール４００は、シールドカバー１４に脚部１４ｅを有する点で構成例（３）の電子回路モジュール３００と共通しており、また、それに合わせて回路基板１２の側面にサイドスルーホール１５が形成されている点でも構成例（３）の電子回路モジュール３００と共通しているが、サイドスルーホール１５の内面にはめっきグランド電極１２ｃが形成されていない点で構成例（３）の電子回路モジュール３００と異なっている。また電子回路モジュール４００は、サイドスルーホール１５を除いて回路基板１２の短辺に沿う側面の全体にグランド電極１２ｃが形成されており、上記の両端部１２ｄが形成されていない点で構成例（１）〜（３）の電子回路モジュール１００〜３００とは異なっている。以下、構成例（４）の電子回路モジュール４００について、電子回路モジュール１００〜３００との相違点を中心として説明する。なお、その他の共通する事項については、図示を含めて同じ符号を付し、その重複した説明を省略するものとする。
【０１０６】
〔脚部〕
上記のように構成例（４）の電子回路モジュール４００では、シールドカバー１４の短辺に位置する一対の側板１４ｃにそれぞれ２つの脚部１４ｅが形成されている。これら脚部１４ｅは、例えば各側板１４ｃの両端から中心寄りの位置に配置されており、いずれも各側板１４ｃの下端縁からさらに下方（回路基板１２）に向けて突出している。この点は、上述した構成例（３）の電子回路モジュール３００と同じである。
【０１０７】
〔サイドスルーホール〕
また回路基板１２には、シールドカバー１４の脚部１４ｅに対応する位置（ここでは４箇所）にサイドスルーホール１５が形成されている。ただしサイドスルーホール１５の内面には、グランド電極１２ｃが形成されておらず、回路基板１２の短辺に沿う側面において、グランド電極１２ｃはサイドスルーホール１５の位置で分断されている。
【０１０８】
〔第４形態の製造方法〕
上記の電子回路モジュール４００は、第４形態の製造方法により製造することができる。第４形態の製造方法は、その工程が第１〜第３形態と一部で共通しているが、部分的に相違している。以下、具体的に説明する。
【０１０９】
〔貫通長孔の形成工程〕
図１２は、第４形態の製造方法の工程の一部を示した図である。なお第４形態の製造方法においても、上記の個片化された回路基板１２を形成するため大版の絶縁基板２０を使用することができる。このとき大版の絶縁基板２０には、これより事前の工程において、上記の配線パターンやグランド電極１２ａを含む電極パターン、内層パターン、スルーホール、ビア導体等が予め形成されているものとする。
【０１１０】
〔貫通長孔の形成工程〕
図１２中（Ａ）：第４形態の製造方法では、大版の絶縁基板２０に対し、縦方向及び横方向に格子状（筋状）の貫通長孔４２，４４を形成するものとする。これら貫通長孔４２，４４は、第１〜第３形態の製造方法において形成される貫通長孔２２，２４と以下のように形状が異なっている。
【０１１１】
図１２中（Ｂ）：すなわち、横方向に延びる貫通長孔４２には、縦方向に延びる貫通長孔４４と近接する位置に凹部４２ａが一体的に形成されている。この凹部４２ａは、貫通長孔４２から縦方向に突出するようにして延びており、その突出端は縦方向に延びる貫通長孔４２の一端との間に間隔をおいて位置している。一方、縦方向に延びる貫通長孔４４は、その両端が上記の凹部４２ａに挟まれている分、上述した第１〜第３形態の製造方法の場合と比較して、全長が短縮されている。
【０１１２】
この場合も同様に、大版の絶縁基板２０に対して貫通長孔４２，４４が形成された状態で、隣接する個片化領域（回路基板１２として個片化される予定の領域）の間に桟状の連結領域４６が残存しているが、上記のように凹部４２ａが形成されている分、連結領域４６の位置は個片化領域の短辺に沿ってその中心寄りにずれている。
【０１１３】
第４形態の製造方法は、例えばこれ以降に以下の工程を有するものとする。
【０１１４】
〔めっきを施す工程〕
大版の絶縁基板２０に貫通長孔４２，４４が形成された後、これら貫通長孔４２，４４の内面にめっきが施される。
【０１１５】
〔絶縁基板を保持する工程〕
特に図示していないが、めっき処理後に大版の絶縁基板２０は、例えば粘着シート（保持部材）上に載置した状態で保持される。
【０１１６】
〔窪み部を形成する工程〕
粘着シート上に絶縁基板２０が保持された状態で、例えば図１２中（Ｂ）に円形の一点鎖線で示すように、連結領域４６を含む円形状の範囲を厚み方向に刳り抜く加工（例えばドリル加工、パンチ加工等）を施す。このとき、刳り抜き加工される円形状の範囲は、図１２中（Ｂ）に示されるように、貫通長孔４４の幅を超えて、さらに個片化領域（回路基板１２として個片化される予定の領域）内にまで及んでいる。このため刳り抜き加工に伴い、個片化領域には上記のサイドスルーホール１５となる予定の窪み部（図示していない）が形成されることになる。
【０１１７】
また刳り抜き加工により、個片化領域（回路基板１２として個片化される予定の領域）が個々に切り離された状態となるが、上記のように粘着シート上に載置されているため、個片化された回路基板１２が分散してしまうことはない。なお、この時点では回路基板１２上にシールドカバー１４は搭載されていない。
【０１１８】
〔電子部品を搭載する工程〕
また、粘着シート上に絶縁基板２０が保持された状態で、個片化領域内の基板面上（個片化される予定の回路基板１２の上面）にそれぞれ電子部品を搭載する。なお電子部品の搭載については、既に第１形態〜第３形態で説明したものと共通である。またこの工程は、上記の窪み部を形成する工程の前に行ってもよいし、その後に行ってもよい。窪み部を形成する工程の後に行う場合であっても、個片化された回路基板１２は依然として粘着シート上に保持されているため、電子部品の搭載に際して位置ずれを起こすことはない。
【０１１９】
〔シールドカバーを搭載する工程〕
そして、上記のように電子部品を搭載した後、個片化された回路基板１２の上面にそれぞれシールドカバー１４を搭載する。このときシールドカバー１４は、その脚部１４ｅが対応する窪み部（サイドスルーホール１５）内に挿入されることで、容易に位置決めすることができる。
【０１２０】
〔粘着シートから個片化領域を分離する工程〕
そしてシールドカバー１４を搭載した後、個片化された回路基板１２を粘着シートから剥離（分離）し、個々の電子回路モジュール４００として形成する。
【０１２１】
図１３は、第４形態の製造方法を通じて製造された構成例（４）の電子回路モジュール４００を示す斜視図である。この電子回路モジュール４００は、構成例（１）〜（３）の電子回路モジュール１００〜３００と異なり、回路基板１２の短辺に沿う側面に両端部１２ｄが形成されておらず、グランド電極１２ｃは側面の両端にまで達している。一方、上記のサイドスルーホール１５の内面にはグランド電極１２ｃが形成されていないが、そこにはシールドカバー１４の脚部１４ｅが挿入されている。これにより、第４形態の製造方法を通じて製造された構成例（４）の電子回路モジュール４００については、以下の利点が生じる。
【０１２２】
すなわち、回路基板１２の短辺に沿う側面については、サイドスルーホール１５の範囲内でグランド電極１２ｃが形成されていないため、グランド電極１２ｃによるシールド性は得られないが、その分はシールドカバー１４の脚部１４ｅによってシールド性が補償されている。一方、構成例（１）〜（３）で挙げた両端部１２ｄが形成されていないため、この側面において両端までグランド電極１２ｃを拡張して形成することができる。これにより、回路基板１２の側面におけるシールド性を向上し、この側面を通じた電磁界の漏洩（放射）や進入を確実にシールドすることができる。
【０１２３】
特に図示しないが、上記の第４形態において、窪み部を形成する工程の後、その窪み部の内面をさらにめっきする工程を追加してもよい。また、シールドカバーを搭載する工程において、脚部１４ｅを窪み部に挿入した状態で、脚部１４ｅを窪み部（サイドスルーホール１５）に半田付けしてもよい。この場合、製造された電子回路モジュール４００において、サイドスルーホール１５の内面がめっき処理されているため、サイドスルーホール１５を含む側面全域にグランド電極１２ｃを形成することができる。また、サイドスルーホール１５内で脚部１４ｅを半田付けすることにより、シールドカバー１４の固定をより確実にすることができる。
【０１２４】
〔構成例（５）〕
図１４は、第５形態の製造方法を通じて製造される構成例（５）の電子回路モジュール５００を示す分解斜視図である。この電子回路モジュール５００もまた、主に個々の製品サイズに個片化された回路基板１２（個片基板）及びシールドカバー１４を有しており、これらの構成は先に述べた構成例（１）〜（４）の電子回路モジュール１００〜４００と共通している。
【０１２５】
ただし、ここで挙げる電子回路モジュール５００は、回路基板１２の上面にシールドカバー１４の搭載用電極パターン１９が形成されている点で構成例（１）〜（４）の電子回路モジュール１００〜４００と異なっている。以下、構成例（５）の電子回路モジュール５００について、電子回路モジュール１００〜４００との相違点を中心として説明する。その他の共通する事項については、図示を含めて同じ符号を付し、その重複した説明を省略するものとする。
【０１２６】
〔搭載用電極パターン〕
回路基板１２の上面には、上記の搭載用電極パターン１９が形成されており、この搭載用電極パターン１９は、シールドカバー１４を搭載した状態で、その４つの側板１４ｂ，１４ｃが載置される位置に対応して矩形枠状に形成されている。一方、回路基板１２の上面において、この搭載用電極パターン１９の外周には絶縁領域１７が形成されており、この絶縁領域１７は、回路基板１２の上面において搭載用電極パターン１９をその他の電極パターンと絶縁するとともに、側面のグランド電極１２ｂ，１２ｃとも絶縁している。
【０１２７】
〔第５形態の製造方法〕
上記の電子回路モジュール５００は、第５形態の製造方法により製造することができる。第５形態の製造方法は、その工程が第１形態とほとんど共通しているが、以下の点で異なっている。
【０１２８】
例えば図２中（Ａ）に示されるように、第５形態の製造方法においても、上記の個片化された回路基板１２を形成するため大版の絶縁基板２０を使用する。このとき大版の絶縁基板２０には、これより事前の工程において、上記の配線パターンや電極パターン、内層パターン、スルーホール、ビア導体等が予め形成されているものとする。
【０１２９】
ただし第５形態においては、絶縁基板２０に上記にグランド電極１２ａと同じ電極パターンが形成されておらず、代わりに上記の搭載用電極パターン１９が形成されている。また搭載用電極パターン１９の外周には、絶縁領域１７が合わせて形成されているものとする。
【０１３０】
この後、第５形態の製造方法においても、大版の絶縁基板２０に対し、縦方向及び横方向に格子状（筋状）の貫通長孔２２，２４を形成するものとする。またこの後、めっきを施す工程において、貫通長孔２２，２４の内面にめっきが施されることで、完成状態でみた回路基板１２の側面にグランド電極１２ｂ，１２ｃが形成される。
【０１３１】
特に図示していないが、この後のシールドカバー１４を搭載する工程において、シールドカバー１４は搭載用電極パターン１９上に位置決めされ、この状態で側板１４ｂ，１４ｃが搭載用電極パターン１９に対して半田付けされる。この後、同様に連結領域２６を切断して個々の回路基板１２を個片化する。
【０１３２】
図１５は、構成例（５）の電子回路モジュール５００の完成状態を示す斜視図である。電子回路モジュール５００の完成状態において、上記のようにシールドカバー１４は回路基板１２上の搭載用電極パターン１９に半田付けされている。このとき、回路基板１２の側面にはグランド電極１２ｂ，１２ｃが形成されているが、シールドカバー１４はこれらグランド電極１２ｂ，１２ｃと電気的に接続されていない。この場合、例えば電子回路モジュール５００が図示しないマザー基板に実装された状態で以下の利点がある。
【０１３３】
すなわち、マザー基板に実装された状態で、電子回路モジュール５００の近傍に他のノイズ発生源（他の高周波モジュール等）が存在していた場合、そこから飛来する電磁界がシールドカバー１４を介して側面のグランド電極１２ｂ，１２ｃに伝わるのを防止することができる。
【０１３４】
この点、構成例（１）〜（４）の電子回路モジュール１００〜４００では、めっきにより回路基板１２の側面に形成されたグランド電極１２ｂ，１２ｃが上面のグランド電極１２ａと接続されており、シールドカバー１４はグランド電極１２ａに半田付けされることで、電気的に側面のグランド電極１２ｂ，１２ｃと接続されているため、外来のノイズがシールドカバー１４を介してグランド電極１２ｂ，１２ｃに伝わる可能性があるが、構成例（５）の電子回路モジュール５００ではこれを防止することができる。
【０１３５】
〔脚部の別形態〕
次に図１６は、上述した構成例（４）の電子回路モジュール４００について、別形態の脚部１４ｆを適用した例を示す分解斜視図である。この場合、電子回路モジュール４００の全体的な構成は既に説明したものと同様であるが、その脚部１４ｆについて以下の構成が異なっている。
【０１３６】
図１７は、脚部１４ｆの構成をより具体的に示すシールドカバー１４の側面図及びその搭載状態を示す側面図である。
【０１３７】
〔切欠〕
図１７中（Ａ）：シールドカバー１４には、脚部１４ｆの基端部（付け根部分）にその両側縁から内側に向かって延びる一対の切欠１４ｇが形成されている。このため脚部１４ｆは、一対の切欠１４ｇによってその基端部の幅が縮小されている。このような切欠１４ｇは、脚部１４ｆの基端部の幅を縮小することで、脚部１４ｆの基端部での変形を容易化している。これにより、シールドカバー１４を搭載する工程において、脚部１４ｆをサイドスルーホール１５の内面に沿うように変形させながら容易に挿入することができ、その作業効率を向上することができる。また一対の切欠１４ｇは、いずれも側板１４ｃの下端縁より下方に位置しているため、切欠１４ｇによって側板１４ｃが部分的に開口されるようなことはない。
【０１３８】
図１７中（Ｂ）：シールドカバー１４を搭載した状態で、上記の切欠１４ｇはその全体がサイドスルーホール１５内に挿入される。このとき、上記のように切欠１４ｇが側板１４ｃの下端縁より下方に位置することから、回路基板１２と側板１４ｃとの間に隙間が形成されることはない。これにより、脚部１４ｆの変形を容易にしつつ、シールドカバー１４によるシールド性（密閉性）を向上することができる。
【０１３９】
本発明は上述した各種形態の製造方法の他に、変形や追加を加えて実施することができる。各種形態の製造方法では、大版の絶縁基板２０の長手方向に一続きの貫通長孔２２，４２を形成し、分割された貫通長孔２４，４４を短辺方向に形成しているが、これらは互いに逆であってもよい。なおこの場合、桟状の連結領域２６，４６は個片化領域の長辺に沿う位置に形成されることとなる。また完成状態においては、回路基板１２の長辺に沿う側面にグランド電極１２ｂが形成されない両端部１２ｄが形成されたり、サイドスルーホール１３，１５が形成されたりすることとなる。
【０１４０】
上記の製造方法においては、個片化される回路基板１２を長方形としているが、回路基板１２は正方形であってもよい。またシールドカバー１４の形状は、回路基板１２の形状にかかわらず、正方形であってもよいし、あるいは角部が斜めにカットされた形状であってもよい。
【０１４１】
その他、製造される電子回路モジュール１００〜５００の具体的な回路構成（電子回路の機能）は電圧制御発振器に限らず、その他の回路構成であってもよい。
【符号の説明】
【０１４２】
１２    回路基板
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ  グランド電極
１２ｄ  両端部
１２ｅ  スルーホール
１３    サイドスルーホール
１４    シールドカバー
１４ａ  天板
１４ｂ，１４ｃ  側板
１４ｅ，１４ｆ  脚部
１４ｇ  切欠
１５    サイドスルーホール
１６    回路部品
１７    絶縁領域
１８    回路部品
１９    搭載用電極パターン
２０    絶縁基板
２２，２４  貫通長孔
３６    連結領域
１００，２００，３００，４００，５００  電子回路モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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