【事件の表示】
　特願２０１４−２３１４４２「センサ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　７月２３日出願公開、特開２０１５−１３２５９５、請求項の数（１６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成２６年１１月１４日（パリ条約による優先権主張　２０１４年１月１３日（以下、「優先日」という。）　欧州特許庁）の出願であって、平成２７年９月３０日付けで拒絶理由が通知され、平成２８年１月２１日付けで手続補正がなされたが、平成２８年５月９日付けで、拒絶査定（以下、「原査定」という）がなされ、これに対し、平成２８年６月３０日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　その後、当審において平成２９年４月１１日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成２９年７月１４日付けで手続補正がなされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次の通りである。
　本願請求項１−１７に係る発明は、以下の引用文献Ａ−Ｃに基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
Ａ．特表２００９−５２０１９５号公報
Ｂ．特開平３−３２０５０号公報
Ｃ．特開平６−８５１６５号公報
第３　当審拒絶理由の概要
１　本願請求項１−１７に係る発明は、以下の引用文献１−５に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
２　本願請求項１−１７に係る発明は、以下の特許出願６の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．特開２００４−２３３２８０号公報（当審において新たに引用した文献） 
２．特開昭６０−７９２８１号公報（当審において新たに引用した文献） 
３．特開２０００−１８３４２３号公報（当審において新たに引用した文献） 
４．特開平３−３２０５０号公報（拒絶査定時の引用文献Ｂ）
５．特開平６−８５１６５号公報（拒絶査定時の引用文献Ｃ） 
６．特願２０１３−２６５３２０号（特開２０１５−１２１４５９号公報）（当審において新たに引用した特許出願）
３　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
・請求項１ 
（１）請求項１に「複数の端子接点（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）」及び「複数の第２の端子接点（３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）」と記載されているが、「端子」は電流の出入口につなぐ金具、「接点」は小面積の接触部分ととらえられ、「端子」に「接点」を続けて、「端子接点」と記載すると、「端子」であるのか「接点」であるのか不明となり、「端子接点」がどのようなものか想定できない。（「端子接点」が、外国語書面に記載の「terminal contacts」であるならば、「端子」としてはどうか。） 
  
（２）請求項１に記載された「前記第１の金属基板（１１５）は、表面（１１７）と、裏面（１１９）と、前記第１の半導体本体（１００）の前記表面（１０５）に配置された複数の端子接点（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）と、を有しており」は、「前記第１の金属基板（１１５）」と「複数の端子接点（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）」の関係が不明である。 
  
（３）請求項１に記載された「前記第１の半導体本体（１００）の前記表面（１０５）に配置された複数の端子接点（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）」は、「端子接点」を「半導体本体」の「表面」に配置することの技術的意味が不明である。（本願の図２の構成では、端子の部材は半導体本体の表面に配置されてはいない。） 
  
（４）請求項１に記載された「前記第２の金属基板（３１５）は、表面（３１７）と、裏面（３１９）と、複数の第２の端子接点（３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）と、を有しており」は、「前記第２の金属基板（３１５）」と「複数の第２の端子接点（３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）」の関係が不明である。 
  
（５）請求項１に「前記第１の磁界センサ（１２０）は、第１の主要延在面を有しており」と記載されているが、「第１の磁界センサ（１２０）」と「第１の主要延在面」の関係が不明である。 
　また、「第１の主要延在面」の範囲が何処までであるのか特定されず、「第１の主要延在面」がどのようなものであるのか不明確である。 
  
（６）請求項１に記載された「前記第２の磁界センサ（３２０）は、第２の主要延在面を有しており」についても、上記（５）と同様に不明である。 
  
（７）請求項１に記載された「前記２つのケーシング（２０、２２０）の前記複数の端子接点（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８、３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）は、各ケーシングの同じ各外側面から突出しており」は、同請求項１の「前記複数の端子接点（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）の一部が前記第１のケーシング（２０）の前記正面（３５）から突出し」及び「前記複数の第２の端子接点（３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）の一部が前記第２のケーシング（２２０）の前記正面（２３５）から突出し」の記載と整合していない。（「外側面」を、「正面」としてはどうか。） 
  
（８）請求項１に「面法線に沿った斜視図」と記載されているが、「面法線」と「斜視図」の関係が不明であり、「面法線に沿った斜視図」がどのような「斜視図」であるのか不明である。（「斜視図」が、外国語書面に記載の「perspective view」であるならば、「透視図」としてはどうか。） 
  
　よって、請求項１−１７に係る発明は明確でない。 
第４　本願発明
　本願の請求項１−１６に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明１６」という。）は、平成２９年７月１４日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１６に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１は以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　センサ装置（１０）であって、
　前記センサ装置（１０）は、第１のケーシング（２０）と、第１の金属基板（１１５）と、第２のケーシング（２２０）と、第２の金属基板（３１５）と、を有しており、
　前記第１のケーシング（２０）は、底面（２５）と頂面（３０）と正面（３５）と背面（４０）と第１の側面（４５）と第２の側面（５０）とを有しており、ここで前記正面（３５）と前記背面（４０）と前記２つの側面（４５、５０）とは、前記頂面（３０）と前記底面（２５）との間に配置されており、前記第１のケーシング（２０）内かつ前記第１の金属基板（１１５）上に、表面（１０５）と裏面（１１０）とを備えた第１の半導体本体（１００）が形成されており、
　前記第１の金属基板（１１５）は、表面（１１７）と、裏面（１１９）と、前記第１の半導体本体（１００）の前記表面（１０５）に接続された複数の端子（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）と、を有しており、前記複数の端子（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）は、前記第１の半導体本体（１００）にモノリシックに組み込まれている第１の磁界センサ（１２０）を電気的に接触接続させるためのものであり、ここでいずれの場合にも、前記複数の端子（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）の一部が前記第１のケーシング（２０）の前記正面（３５）から突出し、前記第１の半導体本体（１００）は、前記裏面（１１０）で以て、前記第１の金属基板（１１５）の前記表面（１１７）に配置されており、前記第１の磁界センサ（１２０）は、前記第１の半導体本体（１００）の前記表面（１０５）に形成されており、前記第１の磁界センサ（１２０）は、第１の表面を有しており、ここで前記第１の表面は、前記第１の半導体本体（１００）の前記表面（１０５）に対して平行に配置されており、
　前記第２のケーシング（２２０）は、底面（２２５）と頂面（２３０）と正面（２３５）と背面（２４０）と第１の側面（２４５）と第２の側面（２５０）とを有しており、ここで前記正面（２３５）と前記背面（２４０）と前記２つの側面（２４５、２５０）とは、前記頂面（２３０）と前記底面（２２５）との間に配置されており、前記第２のケーシング（２２０）内かつ前記第２の金属基板（３１５）上に、表面（３０５）と裏面（３１０）とを備えた第２の半導体本体（３００）が形成されており、
　前記第２の金属基板（３１５）は、表面（３１７）と、裏面（３１９）と、前記第２の半導体本体（３００）の前記表面（３０５）に接続された複数の第２の端子（３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）と、を有しており、前記複数の第２の端子（３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）は、前記第２の半導体本体（３００）にモノリシックに組み込まれている第２の磁界センサ（３２０）を電気的に接触接続させるためのものであり、ここでいずれの場合にも、前記複数の第２の端子（３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）の一部が前記第２のケーシング（２２０）の前記正面（２３５）から突出し、前記第２の半導体本体（３００）は、前記裏面（３１０）で以て、前記第２の金属基板（３１５）の前記表面（３１７）に配置されており、前記第２の磁界センサ（３２０）は、前記第２の半導体本体（３００）の前記表面（３０５）に形成されており、前記第２の磁界センサ（３２０）は、第２の表面を有しており、ここで前記第２の表面は、前記第２の半導体本体（３００）の前記表面（３０５）に対して平行に配置されているセンサ装置（１０）において、
　前記２つのケーシング（２０、２２０）は、１つのモジュールを形成し、ここで前記２つのケーシング（２０、２２０）は、固定手段によって、積層体の形状に相互に形嵌めによって接合されており、前記接合は、・前記第１のケーシング（２０）の前記底面（２５）が、前記第２のケーシング（２２０）の前記底面（２２５）に結合されて行われ、または、・前記第１のケーシング（２０）の底面（２５）が、前記第２のケーシング（２２０）の頂面（２３０）に結合されて行われ、
　前記２つのケーシング（２０、２２０）の前記複数の端子（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８、３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）は、同じ方向を指している、または、前記２つのケーシング（２０、２２０）の前記複数の端子（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８、３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）は、各ケーシングの同じ各正面（３５、２３５）から突出しており、ここで前記第１の表面の面法線と、前記第２の表面の面法線と、は平行に配置されており、ここで、前記第１の表面の面法線に沿った透視図では、前記第１の表面が前記第２の表面と重畳し、これによって、不均一な磁界の磁束の強さの相違が、前記第１の磁界センサ（１２０）と前記第２の磁界センサ（３２０）との間で低減されており、
　前記２つのケーシング（２０、２２０）は各頂面において段（４００）を有しており、前記段の第１の領域は、前記第１の磁界センサ（１２０）または前記第２の磁界センサ（３２０）が形成されている前記段の第２の領域よりも薄く、
　前記第２の領域は、前記２つのケーシング（２０、２２０）の正面（３５、２３５）と隣接しており、
　前記段（４００）は、前記第１の側面（４５、２４５）に沿って、および／または、前記第２の側面（５０、２５０）に沿って形成されており、
　前記段の第１の領域の幅は、前記段の第２の領域の幅よりも狭く、
　前記複数の端子（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）のうちの中央の端子（１３４）は、前記第１の金属基板（１１５）と一体化し、
　前記複数の第２の端子（３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）のうちの中央の第２の端子（３３４）は、前記第２の金属基板（３１５）と一体化している、ことを特徴とするセンサ装置（１０）。」
第５　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
　当審拒絶理由で引用された引用文献１には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。以下同様。）。
ａ　「【００４３】
図示の
非接触式回転角度センサ１０
ホールＩＣ５０を２つ
ｂ　「【００４８】
また、ホールＩＣ５０，５０の本体は、上述したようにＩＣホルダ４６に保持されているが、各ホールＩＣ５０，５０の電極や入出力端子である４本ずつの
接続端子５０ｂ，５０ｂは、
回路基板４３に接続されている。
【００４９】
回路基板４３には、各ホールＩＣ５０，５０に対する入出力電気回路が各別に形成されており、この入出力電気回路は、
各ホールＩＣ５０，５０によってそれぞれ検出された磁束密度に対応した電気出力を各別に出力する。
ｃ　「【００５４】
このＩＣ保持部は、ＩＣホルダ４６の軸Ｘを含む中央部分に２つのホールＩＣ５０，５０を平行に起立姿勢で保持するように、これら
２つのホールＩＣ５０，５０の両側面
【００５５】
そして、これらの保持柱４９ａ，４９ｂは、溝４９ｄ，４９ｄ間に挿入された２つのホールＩＣ５０，５０が軸Ｘに直交する面内で変位するのを規制している。
【００５６】
さらに、これら２つの保持柱４９ａ，４９ｂのうち一方の保持柱４９ｂには、溝４９ｄ，４９ｄに挿し入れられた
２つのホールＩＣ５０，５０の頂部５０ａ，５０ａ
【００５７】
この爪４９ｃは、保持柱４９ａ，４９ｂの溝４９ｄ，４９ｄ間に挿入された２つのホールＩＣ５０，５０の頂部５０ａ，５０ａに当接して、両ホールＩＣ５０，５０が、軸Ｘ方向に変位するのを規制している。」
ｄ　「【００６０】
すなわち図３（ｂ）において、２つのホールＩＣ５０，５０のうち、図示
手前側のホールＩＣ５０
奥側のホールＩＣ５０
ｅ　「【００７６】
また、一対のマグネット２７，２７は、軸Ｘに対して略対称に配置されるとともに、
ＩＣ保持部４９は、２つのホールＩＣ５０，５０が軸Ｘに対して略対称となるように、これら２つのホールＩＣ５０，５０を保持しているため、２つのホールＩＣ５０，５０が検出する磁束密度を略一致させることができ、
ｆ　図３
　図３より、２つのホールＩＣ５０，５０は積層体の形状に接合しており、各々のホールＩＣ５０のケーシングは、頂部５０ａの面（背面）と、複数の接続端子５０ｂが延出する面（正面）と、保持柱４９ａ、４９ｂが覆う２つの面（第１の側面と第２の側面）と、これらの面がその間に配置される２つの面（頂面と底面）とを有していることが、見て取れる。
　上記ａ〜ｆより、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている（括弧内は、認定に用いた引用文献１の記載箇所を示す。）。
「非接触式回転角度センサ１０であって（【００４３】）、
　非接触式回転角度センサ１０は、手前側のホールＩＣ５０のケーシングと、奥側のホールＩＣ５０のケーシングとを有しており（【００６０】、図３）、 
　手前側のホールＩＣ５０のケーシングは、底面と頂面と正面と背面と第１の側面と第２の側面とを有しており、正面と背面と２つの側面とは、頂面と底面との間に配置されており（【００５４】、【００５６】、図３）、
　複数の接続端子５０ｂが、手前側のホールＩＣ５０のケーシングの正面から突出し（図３）、
　接続端子５０ｂは、回路基板４３に接続され（【００４８】）、回路基板４３には、手前側のホールＩＣ５０に対する入出力電気回路が形成されており、この入出力電気回路は、手前側のホールＩＣ５０によって検出された磁束密度に対応した電気出力を出力し（【００４９】）、
　奥側のホールＩＣ５０のケーシングは、底面と頂面と正面と背面と第１の側面と第２の側面とを有しており、正面と背面と２つの側面とは、頂面と底面との間に配置されており（【００５４】、【００５６】、図３）、
　複数の接続端子５０ｂが、奥側のホールＩＣ５０のケーシングの正面から突出し（図３）、
　接続端子５０ｂは、回路基板４３に接続され（【００４８】）、回路基板４３には、奥側のホールＩＣ５０に対する入出力電気回路が形成されており、この入出力電気回路は、奥側のホールＩＣ５０によって検出された磁束密度に対応した電気出力を出力する（【００４９】）、非接触式回転角度センサ１０において、
　ＩＣ保持部４９は、２つのホールＩＣ５０，５０が軸Ｘに対して略対称となるように、これら２つのホールＩＣ５０，５０を積層体の形状に接合し保持しているため、２つのホールＩＣ５０，５０が検出する磁束密度を略一致させることができ（【００７６】、図３）、
　２つのホールＩＣ５０，５０の複数の接続端子５０ｂ，５０ｂは、２つのホールＩＣ５０，５０のケーシングの同じ各正面から突出している（図３）、非接触式回転角度センサ１０。」
２　引用文献２について
　当審拒絶理由で引用された引用文献２には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「２１は、ガリウムヒ素からなる絶縁基板を用い、この基板の表面領域にシリコンイオンを選択的にイオン注入して前記第１図に示すような形状のｎ型領域が形成されているホール素子チップである。このチップ２１は支持リード２２上に半田もしくは接着剤を用いて固定されている。」（第２頁右上欄第１８行〜左下欄第４行）
３　引用文献３について
　当審拒絶理由で引用された引用文献３には、図面とともに、次の事項が記載されている。　
「【０００２】
【従来の技術】磁束密度を電圧に変換することのできるホールセンサは、磁気センサとして活用されている。図３は、ホールセンサの構造を示したもので、５はリードフレーム、６はフレーム５の上に搭載された半導体チップを示し、ＩｎＳｂ、ＧａＡｓ等のエピタキシャル層を感磁材として有する。７は半導体チップ６の電極にワイヤ８によりボンディングされた端子、９は全体を覆う樹脂モールドを示す。」
４　引用文献４について
　当審拒絶理由で引用された引用文献４には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「ＩＣパッケージ上面の２つの凸部（３）及び下面の２つの凹部（４）は第３図のようにパッケージを積重ねた場合、各々第１のＩＣパッケージ（５）の凸部（３）が第２のパッケージ凹部（４）に嵌合して装着され、重ね合せ位置を決定する役目を果たし、半田付け実装時の位置決めを容易にしている。」（第２頁左下欄第３〜９行）
５　引用文献５について
　当審拒絶理由で引用された引用文献５には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００１４】上部半導体装置と下部半導体装置はそれぞれ別々に製造され、それぞれ完成後に電気特性を測定し良品のみを接合する。その接合方法は、上部半導体装置の本体下面に凹部８を設け、それに対応して下部半導体装置の本体上面に凸部１８を設ける。この上部半導体装置下面の凹部８と下部半導体装置上面の凸部１８は、下部半導体装置に対し上部半導体装置の位置決めの為に用いる。・・・」
６　特許出願６について
　当審拒絶理由で引用された特許出願６の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面には、次の事項が記載されている。　
ａ　「【００３０】
  
第１、第２センサ部品２０、３０は、
対向配置状態で固定されるものであり、
  外観形状の主体をなす
第１、第２モールド樹脂体２３、３３は、全体として、先端が部分的に突出した矩形状を呈しており、膨出部６０を形成する第１、第２段付部２３Ａ、３３Ａと、矩形状の本体２３Ｂ、３３Ｂを有する。そして、矩形状本体２３Ｂ、３３Ｂから突出している先端部分で第１、第２磁気センサ２１、３１を保持している
  また、第１、第２段付部２３Ａ、３３Ａは、互いに対向する面が、本体２３Ｂ、３３Ｂの互いに対向する面と同一平面をなしており、これらの平面同士で、第１モールド樹脂体２３と第２モールド樹脂体３３とが当接することにより、第１センサ部品２０と第２センサ部品３０とが当接している。
  ここで重要なのは、膨出部６０によって、第１磁気センサ２１と第２磁気センサ３１とが当接しないように離隔させていることである。つまり、第１、第２段付部２３Ａ、３３Ａで、第１、第２磁気センサ２１、３１の下端部の互いに対向する側を覆っており、第１段付部２３Ａと第２段付部３３Ａとが当接することで、第１磁気センサ２１と第２磁気センサ３１とを相互に離隔させている。
【００３１】
  第１、第２モールド樹脂体２３、３３は、互いの当接面の一部に凹凸部を有している。
  具体的には、
第１モールド樹脂体２３の本体２３Ｂに対し、第２モールド樹脂体３３の本体３３Ｂと当接する面に、第１凸部２３Ｃおよび第１凹部２３Ｄを左右対称に設けている。
第２モールド樹脂体３３の本体３３Ｂに対しても、第１モールド樹脂体２３の本体２３Ｂと当接する面に、第２凸部３３Ｃおよび第２凹部３３Ｄを左右対称に設けている。
  第１凸部２３Ｃと第２凸部３３Ｃは、先端に向かって外径が小さくなる凸テーパ状を呈し、第１凹部２３Ｄと第２凹部３３Ｄは、深部に向かって内径が小さくなる凹テーパ状を呈している。
  したがって
、第１センサ部品２０と第２センサ部品３０とを対面させ、当接すると、第１センサ部品２０の第１凸部２３Ｃと第２センサ部品３０の第２凹部３３Ｄとが嵌合し、第１センサ部品２０の第１凹部２３Ｄと第２センサ部品３０の第２凸部３３Ｃとが嵌合する。
センサ部品構成体
　上記記載より、特許出願６の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面には、次の発明（以下、「先願発明６」という。）が記載されている。
「第１、第２センサ部品２０、３０は、対向配置状態で固定されるものであり、
　第１、第２モールド樹脂体２３、３３は、全体として、先端が部分的に突出した矩形状を呈しており、膨出部６０を形成する第１、第２段付部２３Ａ、３３Ａと、矩形状の本体２３Ｂ、３３Ｂを有し、
　矩形状本体２３Ｂ、３３Ｂから突出している先端部分で第１、第２磁気センサ２１、３１を保持しており（【００３０】）、
　第１モールド樹脂体２３の本体２３Ｂに対し、第２モールド樹脂体３３の本体３３Ｂと当接する面に、第１凸部２３Ｃおよび第１凹部２３Ｄを左右対称に設けており、第２モールド樹脂体３３の本体３３Ｂに対しても、第１モールド樹脂体２３の本体２３Ｂと当接する面に、第２凸部３３Ｃおよび第２凹部３３Ｄを左右対称に設けており、
　第１センサ部品２０と第２センサ部品３０とを対面させ、当接すると、第１センサ部品２０の第１凸部２３Ｃと第２センサ部品３０の第２凹部３３Ｄとが嵌合し、第１センサ部品２０の第１凹部２３Ｄと第２センサ部品３０の第２凸部３３Ｃとが嵌合するセンサ部品構成体（【００３１】）。」
第６　特許法第２９条第２項について
１　本願発明１
（１）対比
　本願発明１と引用発明１を対比する。
ア　引用発明１の「非接触式回転角度センサ１０」、「手前側のホールＩＣ５０のケーシング」、「奥側のホールＩＣ５０のケーシング」は、それぞれ、本願発明１の「センサ装置（１０）」、「第１のケーシング（２０）」、「第２のケーシング（２２０）」に相当する。
イ　引用発明１の「非接触式回転角度センサ１０は、手前側のホールＩＣ５０のケーシングと、奥側のホールＩＣ５０のケーシングとを有しており」と、本願発明１の「前記センサ装置（１０）は、第１のケーシング（２０）と、第１の金属基板（１１５）と、第２のケーシング（２２０）と、第２の金属基板（３１５）と、を有しており」とは、「前記センサ装置（１０）は、第１のケーシング（２０）と、第２のケーシング（２２０）とを有して」いる点で共通する。
ウ　引用発明１の「手前側のホールＩＣ５０のケーシングは、底面と頂面と正面と背面と第１の側面と第２の側面とを有しており、正面と背面と２つの側面とは、頂面と底面との間に配置されており」は、本願発明１の「前記第１のケーシング（２０）は、底面（２５）と頂面（３０）と正面（３５）と背面（４０）と第１の側面（４５）と第２の側面（５０）とを有しており、ここで前記正面（３５）と前記背面（４０）と前記２つの側面（４５、５０）とは、前記頂面（３０）と前記底面（２５）との間に配置されており」に相当する。
エ　引用発明１は「接続端子５０ｂは、回路基板４３に接続され、回路基板４３には、手前側のホールＩＣ５０に対する入出力電気回路が形成されており、この入出力電気回路は、手前側のホールＩＣ５０によって検出された磁束密度に対応した電気出力を出力し」ているので、「接続端子５０ｂ」は、「手前側のホールＩＣ５０によって検出された磁束密度に対応した電気出力」を「入出力電気回路」に伝達しており、「接続端子５０ｂ」は、「手前側のホールＩＣ５０」内の磁界センサに電気的に接触接続しているといえる。
　したがって、引用発明１の「接続端子５０ｂ」は、本願発明１の「第１の磁界センサ（１２０）を電気的に接触接続させるための」「前記複数の端子（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）」に相当する。
オ　引用発明１の「複数の接続端子５０ｂが、手前側のホールＩＣ５０のケーシングの正面から突出し」は、上記エをふまえると、本願発明１の「前記複数の端子（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）の一部が前記第１のケーシング（２０）の前記正面（３５）から突出し」に相当する。
カ　引用発明１の「奥側のホールＩＣ５０のケーシングは、底面と頂面と正面と背面と第１の側面と第２の側面とを有しており、正面と背面と２つの側面とは、頂面と底面との間に配置されており」は、本願発明１の「前記第２のケーシング（２２０）は、底面（２２５）と頂面（２３０）と正面（２３５）と背面（２４０）と第１の側面（２４５）と第２の側面（２５０）とを有しており、ここで前記正面（２３５）と前記背面（２４０）と前記２つの側面（２４５、２５０）とは、前記頂面（２３０）と前記底面（２２５）との間に配置されており」に相当する。
キ　引用発明１は「接続端子５０ｂは、回路基板４３に接続され、回路基板４３には、奥側のホールＩＣ５０に対する入出力電気回路が形成されており、この入出力電気回路は、奥側のホールＩＣ５０によって検出された磁束密度に対応した電気出力を出力する」ので、「接続端子５０ｂ」は、「奥側のホールＩＣ５０によって検出された磁束密度に対応した電気出力」を「入出力電気回路」に伝達しており、「接続端子５０ｂ」は、「奥側のホールＩＣ５０」内の磁界センサに電気的に接触接続しているといえる。
　したがって、引用発明１の「接続端子５０ｂ」は、本願発明１の「第２の磁界センサ（３２０）を電気的に接触接続させるための」「前記複数の第２の端子（３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）」に相当する。
ク　引用発明１の「複数の接続端子５０ｂが、奥側のホールＩＣ５０のケーシングの正面から突出し」は、上記キをふまえると、本願発明１の「前記複数の第２の端子（３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）の一部が前記第２のケーシング（２２０）の前記正面（２３５）から突出し」に相当する。
ケ　引用発明１は「２つのホールＩＣ５０，５０が軸Ｘに対して略対称となる」ものであるから、引用発明１の「手前側のホールＩＣ５０のケーシング」の「底面」と、「奥側のホールＩＣ５０のケーシング」の「底面」が結合されているといえるので、
　引用発明１の「ＩＣ保持部４９は、２つのホールＩＣ５０，５０が軸Ｘに対して略対称となるように、これら２つのホールＩＣ５０，５０を積層体の形状に接合し保持している」ことと、本願発明１の「前記２つのケーシング（２０、２２０）は、１つのモジュールを形成し、ここで前記２つのケーシング（２０、２２０）は、固定手段によって、積層体の形状に相互に形嵌めによって接合されており、前記接合は、・前記第１のケーシング（２０）の前記底面（２５）が、前記第２のケーシング（２２０）の前記底面（２２５）に結合されて行われ、または、・前記第１のケーシング（２０）の底面（２５）が、前記第２のケーシング（２２０）の頂面（２３０）に結合されて行われ」とは、「前記２つのケーシング（２０、２２０）は、１つのモジュールを形成し、ここで前記２つのケーシング（２０、２２０）は、固定手段によって、積層体の形状に接合されており、前記接合は、・前記第１のケーシング（２０）の前記底面（２５）が、前記第２のケーシング（２２０）の前記底面（２２５）に結合されて行われ」る点で共通する。
コ　引用発明１の「２つのホールＩＣ５０，５０の複数の接続端子５０ｂ，５０ｂは、２つのホールＩＣ５０，５０のケーシングの同じ各正面から突出している」は、本願発明１の「前記２つのケーシング（２０、２２０）の前記複数の端子（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８、３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）は、各ケーシングの同じ各正面（３５、２３５）から突出しており」に相当する。
サ　引用発明１の「２つのホールＩＣ５０，５０が検出する磁束密度を略一致させることができ」は、本願発明１の「不均一な磁界の磁束の強さの相違が、前記第１の磁界センサ（１２０）と前記第２の磁界センサ（３２０）との間で低減されており」に相当する。
　すると、本願発明１と引用発明１とは、次の一致点及び相違点を有する。
（一致点）
「センサ装置であって、
　前記センサ装置は、第１のケーシングと、第２のケーシングと、を有しており、
　前記第１のケーシングは、底面と頂面と正面と背面と第１の側面と第２の側面とを有しており、ここで前記正面と前記背面と前記２つの側面とは、前記頂面と前記底面との間に配置されており、
　複数の端子は、第１の磁界センサを電気的に接触接続させるためのものであり、前記複数の端子の一部が前記第１のケーシングの前記正面から突出し、
　前記第２のケーシングは、底面と頂面と正面と背面と第１の側面と第２の側面とを有しており、ここで前記正面と前記背面と前記２つの側面とは、前記頂面と前記底面との間に配置されており、
　前記複数の第２の端子は、第２の磁界センサを電気的に接触接続させるためのものであり、前記複数の第２の端子の一部が前記第２のケーシングの前記正面から突出しているセンサ装置において、
　前記２つのケーシングは、１つのモジュールを形成し、ここで前記２つのケーシングは、固定手段によって、積層体の形状に接合されており、前記接合は、
・前記第１のケーシングの前記底面が、前記第２のケーシングの前記底面に結合されて行われ、
　前記２つのケーシングの前記複数の端子は、各ケーシングの同じ各正面から突出しており、不均一な磁界の磁束の強さの相違が、前記第１の磁界センサと前記第２の磁界センサとの間で低減されている、センサ装置。」
（相違点１）
　本願発明１は、「第１の金属基板（１１５）」を有しており、「前記第１のケーシング（２０）内かつ前記第１の金属基板（１１５）上に、表面（１０５）と裏面（１１０）とを備えた第１の半導体本体（１００）が形成されており、前記第１の金属基板（１１５）は、表面（１１７）と、裏面（１１９）と、前記第１の半導体本体（１００）の前記表面（１０５）に接続された複数の端子（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）と、を有して」いるのに対して、引用発明１は、そのような特定がない点。
（相違点２）
　本願発明１は、第１の磁界センサ（１２０）が、「前記第１の半導体本体（１００）にモノリシックに組み込まれている」のに対して、引用発明１は、そのような特定がない点。
（相違点３）
　本願発明１は、「前記第１の半導体本体（１００）は、前記裏面（１１０）で以て、前記第１の金属基板（１１５）の前記表面（１１７）に配置されており、前記第１の磁界センサ（１２０）は、前記第１の半導体本体（１００）の前記表面（１０５）に形成されており、前記第１の磁界センサ（１２０）は、第１の表面を有しており、ここで前記第１の表面は、前記第１の半導体本体（１００）の前記表面（１０５）に対して平行に配置されて」いるのに対して、引用発明１は、そのような特定がない点。
（相違点４）
　本願発明１は、「第２の金属基板（３１５）」を有しており、「前記第２のケーシング（２２０）内かつ前記第２の金属基板（３１５）上に、表面（３０５）と裏面（３１０）とを備えた第２の半導体本体（３００）が形成されており、前記第２の金属基板（３１５）は、表面（３１７）と、裏面（３１９）と、前記第２の半導体本体（３００）の前記表面（３０５）に接続された複数の第２の端子（３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）と、を有して」いるのに対して、引用発明１は、そのような特定がない点。
（相違点５）
　本願発明１は、第２の磁界センサ（３２０）が、「前記第２の半導体本体（３００）にモノリシックに組み込まれている」のに対して、引用発明１は、そのような特定がない点。
（相違点６）
　本願発明１は、「前記第２の半導体本体（３００）は、前記裏面（３１０）で以て、前記第２の金属基板（３１５）の前記表面（３１７）に配置されており、前記第２の磁界センサ（３２０）は、前記第２の半導体本体（３００）の前記表面（３０５）に形成されており、前記第２の磁界センサ（３２０）は、第２の表面を有しており、ここで前記第２の表面は、前記第２の半導体本体（３００）の前記表面（３０５）に対して平行に配置されている」のに対して、引用発明１は、そのような特定がない点。
（相違点７）
　本願発明１は、２つのケーシング（２０、２２０）が、「相互に形嵌め」によって接合されているのに対して、引用発明１は、そのような特定がない点。
（相違点８）
　本願発明１は、「前記第１の表面の面法線と、前記第２の表面の面法線と、は平行に配置されており、」「前記第１の表面の面法線に沿った透視図では、前記第１の表面が前記第２の表面と重畳し」ているのに対して、引用発明１は、そのような特定がない点。
（相違点９）
　本願発明１は、「前記２つのケーシング（２０、２２０）は各頂面において段（４００）を有しており、前記段の第１の領域は、前記第１の磁界センサ（１２０）または前記第２の磁界センサ（３２０）が形成されている前記段の第２の領域よりも薄く、前記第２の領域は、前記２つのケーシング（２０、２２０）の正面（３５、２３５）と隣接しており、前記段（４００）は、前記第１の側面（４５、２４５）に沿って、および／または、前記第２の側面（５０、２５０）に沿って形成されており、前記段の第１の領域の幅は、前記段の第２の領域の幅よりも狭」いのに対して、引用発明１は、そのような特定がない点。
（相違点１０）
　本願発明１は、「前記複数の端子（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）のうちの中央の端子（１３４）は、前記第１の金属基板（１１５）と一体化し、前記複数の第２の端子（３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）のうちの中央の第２の端子（３３４）は、前記第２の金属基板（３１５）と一体化している」のに対して、引用発明１は、そのような特定がない点。
（２）判断
　事案に鑑み、上記相違点９について検討する。
　引用発明１のケーシングは、「段」を有していない。
　また、引用文献２−５にも、ケーシングの「段」は記載されていないので、引用発明１において、「手前側のホールＩＣ５０のケーシング」及び「奥側のホールＩＣ５０のケーシング」の各頂面において段を設け、段の第１の領域は、第１の磁界センサまたは第２の磁界センサが形成されている段の第２の領域よりも薄く、第２の領域は、「手前側のホールＩＣ５０のケーシング」及び「奥側のホールＩＣ５０のケーシング」の「正面」と隣接しており、段は、「第１の側面」に沿って、および／または、「第２の側面」に沿って形成されており、段の第１の領域の幅は、段の第２の領域の幅よりも狭くすることは、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。
　したがって、上記相違点９に係る本願発明１の構成は、引用発明１、引用文献２ないし５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　よって、本願発明１は、上記相違点１−８、１０について検討するまでもなく、引用発明１、引用文献２ないし５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
２　本願発明２−１６について
　本願発明２−１６についても、上記相違点９に係る本願発明１の「前記２つのケーシング（２０、２２０）は各頂面において段（４００）を有しており、前記段の第１の領域は、前記第１の磁界センサ（１２０）または前記第２の磁界センサ（３２０）が形成されている前記段の第２の領域よりも薄く、前記第２の領域は、前記２つのケーシング（２０、２２０）の正面（３５、２３５）と隣接しており、前記段（４００）は、前記第１の側面（４５、２４５）に沿って、および／または、前記第２の側面（５０、２５０）に沿って形成されており、前記段の第１の領域の幅は、前記段の第２の領域の幅よりも狭く」と同一の構成を備えるものであるから、 引用発明１、引用文献２ないし５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
第７　特許法第２９条の２について
１　本願発明１
　本願発明１と先願発明６を対比すると、
　先願発明６には、本願発明１の構成である「前記２つのケーシング（２０、２２０）は各頂面において段（４００）を有しており、前記段の第１の領域は、前記第１の磁界センサ（１２０）または前記第２の磁界センサ（３２０）が形成されている前記段の第２の領域よりも薄く、前記第２の領域は、前記２つのケーシング（２０、２２０）の正面（３５、２３５）と隣接しており、前記段（４００）は、前記第１の側面（４５、２４５）に沿って、および／または、前記第２の側面（５０、２５０）に沿って形成されており、前記段の第１の領域の幅は、前記段の第２の領域の幅よりも狭く」に相当する構成はない。
　したがって、本願発明１は、引用発明６と同一であるとはいえない。
２　本願発明２−１６について
　本願発明２−１６についても、本願発明１の「前記２つのケーシング（２０、２２０）は各頂面において段（４００）を有しており、前記段の第１の領域は、前記第１の磁界センサ（１２０）または前記第２の磁界センサ（３２０）が形成されている前記段の第２の領域よりも薄く、前記第２の領域は、前記２つのケーシング（２０、２２０）の正面（３５、２３５）と隣接しており、前記段（４００）は、前記第１の側面（４５、２４５）に沿って、および／または、前記第２の側面（５０、２５０）に沿って形成されており、前記段の第１の領域の幅は、前記段の第２の領域の幅よりも狭く」と同一の構成を備えるものであるから、引用発明６と同一であるとはいえない。
第８　特許法第３６条第６項第２号について
　当審拒絶理由の通知に応答して提出された平成２９年７月１４日付けの手続補正書により、
　請求項１の「端子接点」、「前記第１のケーシング（２０）内に、表面（１０５）と裏面（１１０）とを備えた第１の半導体本体（１００）が形成されており、前記第１の金属基板（１１５）は、表面（１１７）と、裏面（１１９）と、前記第１の半導体本体（１００）の前記表面（１０５）に配置された複数の端子接点（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）と、を有しており」、「前記第２のケーシング（２２０）内に、表面（３０５）と裏面（３１０）とを備えた第２の半導体本体（３００）が形成されており、前記第２の金属基板（３１５）は、表面（３１７）と、裏面（３１９）と、複数の第２の端子接点（３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）と、を有しており」、「第１の主要延在面」、「第２の主要延在面」、「外側面」、「斜視図」という記載は、
　「端子」、「前記第１のケーシング（２０）内かつ前記第１の金属基板（１１５）上に、表面（１０５）と裏面（１１０）とを備えた第１の半導体本体（１００）が形成されており、前記第１の金属基板（１１５）は、表面（１１７）と、裏面（１１９）と、前記第１の半導体本体（１００）の前記表面（１０５）に接続された複数の端子（１３０、１３２、１３４、１３６、１３８）と、を有しており」、「前記第２のケーシング（２２０）内かつ前記第２の金属基板（３１５）上に、表面（３０５）と裏面（３１０）とを備えた第２の半導体本体（３００）が形成されており、前記第２の金属基板（３１５）は、表面（３１７）と、裏面（３１９）と、前記第２の半導体本体（３００）の前記表面（３０５）に接続された複数の第２の端子（３３０、３３２、３３４、３３６、３３８）と、を有しており」、「第１の表面」、「第２の表面」、「正面」、「透視図」に補正されており、請求項１及び請求項１を直接または間接的に引用する請求項２−１６に係る発明は明確になった。
第９　原査定について
　当審拒絶理由の通知に応答して提出された平成２９年７月１４日付けの手続補正書により、請求項は、請求項１ないし１６となるとともに、各請求項は、「前記２つのケーシング（２０、２２０）は各頂面において段（４００）を有しており、前記段の第１の領域は、前記第１の磁界センサ（１２０）または前記第２の磁界センサ（３２０）が形成されている前記段の第２の領域よりも薄く、前記第２の領域は、前記２つのケーシング（２０、２２０）の正面（３５、２３５）と隣接しており、前記段（４００）は、前記第１の側面（４５、２４５）に沿って、および／または、前記第２の側面（５０、２５０）に沿って形成されており、前記段の第１の領域の幅は、前記段の第２の領域の幅よりも狭く」という発明特定事項を有するものとなった。当該事項は、原査定における引用文献ＡないしＣには記載されておらず、本願の優先日前における周知技術でもないので、本願発明１ないし１６は、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献ＡないしＣに記載された発明に基づいて、容易に発明をすることができたとはいえない。したがって、原査定を維持することはできない。
第１０　むすび
　以上のとおり、原査定の拒絶の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。