【事件の表示】
　特願２０１４−１６８０８３「表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１１月２７日出願公開、特開２０１４−２２２３６８、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の概要
　本願は、平成２０年１２月１８日（優先権主張平成１９年１２月２１日）に出願した特願２００８−３２２０４３号の一部を平成２５年８月８日に新たな特許出願とした特願２０１３−１６４９７４号の一部を平成２６年８月２１日に新たな特許出願としたものであって、平成２７年６月２５日付けで拒絶理由が通知され、同年８月１７日に意見書が提出されるとともに手続補正書が提出されたが、平成２８年１月２９日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされた。
　本件は、これに対して、平成２８年３月２４日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　さらに、その後、当審において、平成２８年１２月２２日付けで拒絶理由（以下、「当審拒理」という。）が通知され、平成２９年２月１６日に意見書及び手続補正書が提出された。
第２　本願発明
　本願の請求項１〜２に係る発明（以下、それぞれ、「本願発明１」〜「本願発明２」、といい、「本願発明１」〜「本願発明２」をまとめて「本願発明」という。）は、平成２９年２月１６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願発明１〜２は、次のとおりのものである。
「　【請求項１】
　第１の配線と、
　前記第１の配線上方の第１の絶縁膜と、
　前記第１の絶縁膜上方の発光素子と、
　を有し、
　前記発光素子は、第１の電極を有し、
　前記第１の配線は、第１の部分と、前記第１の部分より厚さが小さい第２の部分と、を有し、
　前記第１の部分の下面は、平坦であり、
　前記第１の部分は、０．８μｍ以上１．５μｍ以下の膜厚を有し、
　前記第１の電極は、前記第１の絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記第１の配線の前記第２の部分に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
　　【請求項２】
　トランジスタと、
　前記トランジスタが有する半導体に電気的に接続された第１の配線と、
　前記第１の配線上方の第１の絶縁膜と、
　前記第１の絶縁膜上方の発光素子と、
　を有し、
　前記発光素子は、第１の電極を有し、
　前記第１の配線は、第１の部分と、前記第１の部分より厚さが小さい第２の部分と、を有し、
　前記第１の部分の下面は、平坦であり、
　前記第１の部分は、０．８μｍ以上１．５μｍ以下の膜厚を有し、
　前記第１の電極は、前記第１の絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記第１の配線の前記第２の部分に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。」
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記
　引用文献１：特開２００６−１８０８５号公報
　引用文献２：特開２００６−２６１１０９号公報
　引用文献３：特開２００６−３１０７９９号公報
　引用文献１（図４等）に記載された発明において、例えば引用文献２（図１等）及び引用文献３（図３、５等）に記載された技術を参考にして、「ドレイン電極４２」の段差部分の厚みを平坦な部分の厚みより大きくなるよう設計変更することは、容易になし得たことである。
２　原査定の理由の判断
（１）各引用文献の記載事項
ア　引用文献１
　引用文献１には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
（ア）「本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
　以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の自発光装置を有機ＥＬ装置に適用したものである。
【００４６】
　＜１：第１実施形態＞
　本発明の自発光装置に係る第１実施形態について、図１から図８を参照して説明する。
【００４７】
　＜１−１；
有機ＥＬ装置
　先ず、図１を参照して有機ＥＬ装置の全体構成について説明する。図１は、素子基板を封止基板の側から見た有機ＥＬ装置の概略的な平面図である。ここでは、自発光装置の一例である駆動回路内蔵型のアクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ装置を例にとる。
【００４８】
　図１において、素子基板１０上の画像表示領域１１０ａには、複数の画素駆動用信号線が配線されると共に、夫々画素駆動用信号線に電気的に接続される複数の画素部が所定パターンで配列されて形成されている。複数の画素部は夫々有機ＥＬ素子を含んでいる。尚、図１中、画像表示領域１１０ａにおける画素駆動用信号線や画素部の具体的な構成については図示を省略し、その詳細については後述する。」
（イ）「【００６６】
　先ず、図３及び図４を参照して、
画像表示領域１１０ａ
【００６７】
　例えば
透明樹脂やガラス基板等の透明基板を用いて構成される素子基板１０上には、スイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４の半導体層３が形成されている。
【００６８】
　また、
走査線１１２や駆動用トランジスタ７４のゲート電極３ａを埋め込んで、ゲート絶縁膜２上には層間絶縁層４１が形成されている。
【００６９】
　層間絶縁層４１上には、例えばアルミニウム（Ａｌ）又はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を含む導電材料から夫々構成される、データ線１１４及び電源供給線１１７、更には
駆動用トランジスタ７４のドレイン電極４２が形成されている。層間絶縁層４１には、層間絶縁層４１の表面から層間絶縁層４１及びゲート絶縁層２を貫通して、駆動用トランジスタ７４の半導体層３に至るコンタクトホール５０１及び５０２が形成されている。図４に示すように、電源供給線１１７及びドレイン電極４２を構成する導電膜は、コンタクトホール５０１及び５０２の各々の内壁に沿って半導体層３の表面に至るように連続的に形成されている。
【００７０】
　ここで、保持容量７８の下部容量電極は、走査線１１２と同一の層に、例えば同様の材料を用いて形成され、電源供給線１１７の一部が保持容量７８の上部容量電極として形成されている。層間絶縁層４１は誘電体膜として形成されており、層間絶縁層４１の一部分が下部容量電極及び上部容量電極の間に挟持される。
【００７１】
　
層間絶縁層４１上には、電源供給線１１７、ドレイン電極４２、及びデータ線１１４を埋め込んで、保護層４５として例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）が形成されている。保護層４５上には、発光材料保持層４７より親水性の高い層として、例えばシリコン酸化膜よりなる親水層４６が形成され、更に親水層４６上に発光材料保持層４７が形成されている。親水層４６及び発光材料保持層４７によって、画素部７０における開口領域９ａが形成されている。開口領域９ａには保護層４５上に本発明に係る「第１電極」である陽極３４が形成されている。陽極３４は、透明性導電材料としてＩＴＯを用いて、開口領域９ａから延びてドレイン電極４２の一部と重畳するように形成されている。また、開口領域９ａにおいて、陽極３４上には有機ＥＬ層５０が形成されている。有機ＥＬ素子７２は、陽極３４及び陰極４９と、陽極３４及び陰極４９間に挟持される有機ＥＬ層５０を含む。
（ウ）「【図１】
【図３】
【図４】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　上記記載事項（ウ）の図４から、「陽極３４」が「保護層４５」に設けられたコンタクトホールを介して「ドレイン電極４２」に接続されている構成が見て取れる。
　すると、上記引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「画像表示領域１１０ａを有する有機ＥＬ装置であって、
　透明樹脂やガラス基板等の透明基板を用いて構成される素子基板１０上には、駆動用トランジスタ７４の半導体層３が形成されており、
　駆動用トランジスタ７４のゲート電極３ａを埋め込んで、ゲート絶縁膜２上には層間絶縁層４１が形成されており、
　層間絶縁層４１には、層間絶縁層４１の表面から層間絶縁層４１及びゲート絶縁層２を貫通して、駆動用トランジスタ７４の半導体層３に至るコンタクトホール５０１が形成されていて、ドレイン電極４２を構成する導電膜は、コンタクトホール５０１の内壁に沿って半導体層３の表面に至るように連続的に形成されて、駆動用トランジスタ７４のドレイン電極４２が形成されており、
　層間絶縁層４１上には、ドレイン電極４２を埋め込んで、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）からなる保護層４５が形成されていて、保護層４５上には、発光材料保持層４７より親水性の高い層として親水層４６が形成され、更に親水層４６上に発光材料保持層４７が形成されていて、親水層４６及び発光材料保持層４７によって、画素部７０における開口領域９ａが形成されていて、開口領域９ａには保護層４５上に陽極３４が形成されていて、陽極３４は、透明性導電材料としてＩＴＯを用いて、開口領域９ａから延びてドレイン電極４２の一部と重畳するように形成されていて、陽極３４は保護層４５に設けられたコンタクトホールを介してドレイン電極４２に接続されており、
　開口領域９ａにおいて、陽極３４上には有機ＥＬ層５０が形成されていて、
　有機ＥＬ素子７２は、陽極３４及び陰極４９と、陽極３４及び陰極４９間に挟持される有機ＥＬ層５０を含む、有機ＥＬ装置。」
イ　引用文献２
　引用文献２には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
（ア）「【００５２】
（実施の形態１）
アクティブマトリクス型発光装置
【００５３】
図１中、絶縁表面を有する
基板１０上に設けられたＴＦＴ（ｐチャネル型ＴＦＴ）は、青色、赤色、或いは緑色を発光する第２ＥＬ層２０ｂに流れる電流を制御する素子であり、１３、１４はソース領域またはドレイン領域である。
１６は
層間絶縁膜である。
【００５４】
　また、
１８ａ〜１８ｄは、第１の電極、即ち、発光素子の陽極（或いは陰極）である。第１の電極は、２層の領域からなる第１領域と、４層の領域からなる第２領域と、第１領域と第２領域の境界線に段差を有する構造となっている。
【００５５】
ここでは、
１８ａとしてチタン膜、１８ｂとして窒化チタン膜、１８ｃとしてアルミニウムを主成分とする膜、１８ｄとして窒化チタン膜として順に積層し、バッファ層２０ａに接する窒化チタン膜（１８ｂで示される第１の電極の１層）を陽極として機能させる。窒化チタンはバッファ層２０ａと良好な接触抵抗が得られるため、好ましい。
【００５６】
また、同じ積層構造（合計４層）で電源供給線１７ａ〜１７ｄも形成される。上記積層構造（合計４層）は、アルミニウムを主成分とする膜を含んでおり、低抵抗な配線とすることができ、ソース配線なども同時に形成される。
【００５７】
　例えば、第１の電極１８ａとしてＴｉ＝６０ｎｍ、第１の電極１８ｂとしてＴｉＮ＝１００ｎｍ、第１の電極１８ｃとしてＡｌ−Ｔｉ＝３５０ｎｍ、第１の電極１８ｄとしてＴｉ＝１００ｎｍとする場合、レジストマスクを形成してエッチングする。エッチング条件は、ＩＣＰエッチング装置を用い、反応ガスとしてＢＣｌ３＝６０ｓｃｃｍ、Ｃｌ２＝２０ｓｃｃｍを用い、１．９Ｐａの圧力でコイル型の電極に４５０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、基板側（試料ステージ）にも１００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してドライエッチングを行い、Ａｌ−Ｔｉ（第１の電極１８ｃ）がエッチングされたところからさらに１５秒のオーバーエッチングによってＴｉＮ（第１の電極１８ｂ）を露出させる。
【００５８】
　エッチングによって段差を有する第１の電極を形成した後、段差を覆う絶縁物１９を形成する。絶縁物１９は隣合う画素との境界に配置され、第１の電極の周縁を囲むように覆っている。絶縁物１９の厚さは、後の蒸着工程で接触する蒸着マスクと第１の電極との間隔を確保するため重要であり、厚くすることが望ましい。本実施の形態においては、絶縁物１９の下方に４層構造の配線を設けることができるため、絶縁物１９の最上面と第１の電極との間隔を十分に確保することができる。
【００５９】
また、２１は、透光性を有する導電膜からなる第２の電極、即ち、有機発光素子の陰極（或いは陽極）である。透光性を有する導電膜（透光性導電膜とも呼ぶ）としては、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いることができる。また、第２の電極２１は、可視光に対して透明であれば特に限定されず、例えば、薄い金属層（代表的にはＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉなどの合金や、ＡｇやＡｌ）と透光性導電膜との積層としてもよい。
【００６０】
本明細書において、可視光に対して透明とは可視光の透過率が８０〜１００％であることを指す。
【００６１】
また、
第１の電極と第２の電極の間にはＥＬ層、即ち、有機化合物を含む積層（第１ＥＬ層（バッファ層）２０ａと第２ＥＬ層２０ｂの積層）を設けている。
【００６２】
バッファ層２０ａの膜厚を調節することによって、第１の電極と第２ＥＬ層２０ｂとの距離を制御し、発光効率を高めることができる。バッファ層の膜厚を調節することによって、各発光素子からの発光色がきれいに表示された優れた映像を表示でき、低消費電力化された発光装置を実現することができる。」
（イ）「【図１】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　上記記載事項（イ）の図１から、「発光素子の陽極である、第１の電極１８ａ〜１８ｄ」が「層間絶縁膜１６」に設けられたコンタクトホールを介して「ドレイン領域１４」に接続されている構成が見て取れる。
　すると、上記引用文献２には、以下の技術事項（以下「引用文献２の技術事項」という。）が記載されている。
「アクティブマトリクス型発光装置において、基板１０上に第２ＥＬ層２０ｂに流れる電流を制御する素子であり、ソース領域１３とドレイン領域１４を有するＴＦＴを設け、
　発光素子の陽極である、第１の電極１８ａ〜１８ｄが層間絶縁膜１６に設けられたコンタクトホールを介してドレイン領域１４に接続されており、
　第１の電極は、２層の領域からなる第１領域と、４層の領域からなる第２領域と、第１領域と第２領域の境界線に段差を有する構造となっていて、
　第１の電極と第２の電極の間にはＥＬ層、即ち、有機化合物を含む積層（第１ＥＬ層（バッファ層）２０ａと第２ＥＬ層２０ｂの積層）を設けていて、
　１８ａとしてチタン膜、１８ｂとして窒化チタン膜、１８ｃとしてアルミニウムを主成分とする膜、１８ｄとして窒化チタン膜として順に積層し、バッファ層２０ａに接する窒化チタン膜（１８ｂで示される第１の電極の１層）を陽極として機能させると、窒化チタンはバッファ層２０ａと良好な接触抵抗が得られるため、好ましい。」
ウ　引用文献３
　引用文献３には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
（ア）「【００５１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１や実施の形態２と異なる構造のメモリ装置の一例を図３に示す。
【００５２】
図３の構造は、絶縁物３１９をマスクとしたエッチングにより第１の電極層の一部が薄い第１領域を有しており、第１領域がメモリセルの有機化合物を含む積層（バッファ層３２０ａ、有機化合物層３２０ｂ）と接している。絶縁物３１９は隣合うメモリセルとの境界に配置され、第１の電極層の周縁を囲むように覆っている。
【００５３】
また、
第１の電極層３１８ａ〜３１８ｃは、メモリ素子のビット線を構成する導電層である。第１の電極層３１８ａ〜３１８ｃは、１層の領域からなる第１領域と、３層の領域からなる第２領域と、第１領域と第２領域の境界線に段差を有する構造となっている。ここでは、３１８ａとしてチタン膜、３１８ｂとしてアルミニウムを主成分とする膜、３１８ｃとしてチタン膜として順に積層している。
【００５４】
　また、同じ積層構造（合計３層）でソース線３１７ａ〜３１７ｃも形成される。上記積層構造（合計３層）は、アルミニウムを主成分とする膜を含んでおり、低抵抗な配線とすることができ、接続部の接続配線３２５ａ〜３２５ｃも同時に形成される。
【００５５】
なお、図３中、絶縁表面を有する
基板３１０上に設けられたＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴ）は、メモリセルの有機化合物層３２０ｂに流れる電流を制御する素子であり、３１３、３１４はソース領域またはドレイン領域である。
【００５６】
基板３１０上には下地絶縁膜３１１（ここでは、下層を窒化絶縁膜、上層を酸化絶縁膜）が形成されており、ゲート電極３１５と半導体層との間には、ゲート絶縁膜３１２が設けられている。また、ゲート電極３１５の側壁にはサイドウォール３２２が設けられている。また、３１６は無機材料、例えば、酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウムから選ばれる単層または積層からなる層間絶縁膜である。
【００５７】
　また、第１の電極層上に接してバッファ層３２０ａを設けることによって、メモリ素子における第１の電極層と第２の電極層３２１との間隔を広げることができ、金属電極の表面凹凸などを起因とするメモリ素子の短絡による初期不良なども抑制することができる。
【００５８】
第２層となる有機化合物層３２０ｂは、導電性を有する有機化合物材料からなる層を単層または積層構造で設ける。導電性を有する有機化合物材料の具体例としては、キャリア輸送性を有する材料を用いることができる。
【００５９】
　なお、特に必要がなければ、バッファ層３２０ａは設けなくともよい。
【００６０】
図３の構造とした場合、
第１の電極層の１層目３１８ａは、平坦な層間絶縁膜３１６上に薄く形成されているため、比較的平坦な表面を得ることができる。従って、金属電極の表面凹凸などを起因とするメモリ素子の短絡による初期不良なども抑制することができる。
【００６１】
また、接続部において、第２の電極層３２１と第１の電極層の１層目３２５ａとが接し、且つ、２層目３２５ｂの側壁も第２の電極層３２１と接する構造となる。図３の構造とすることで、接続部における接触面積を大きくすることができる。」
（イ）「【００７５】
（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態４と一部異なる構造のメモリ装置の一例を図５に示す。
【００７６】
　実施の形態４では、第１の電極層の３層目を一部除去した例を示したが、本実施の形態では、第１の電極層の積層数を４として、４層目及び３層目を一部除去する例を示す。
【００７７】
図５の構造は、エッチングにより第１の電極層の一部が薄い第１領域を有しており、第１領域がメモリセルの有機化合物を含む積層（バッファ層５２０ａ、有機化合物層５２０ｂ）と接している。絶縁物５１９は隣合うメモリセルとの境界に配置され、第１の電極層の周縁を囲むように覆っている。
【００７８】
また、
第１の電極層５１８ａ〜５１８ｄは、メモリ素子のビット線を構成する導電層である。第１の電極層５１８ａ〜５１８ｄは、２層の領域からなる第１領域と、４層の領域からなる第２領域と、第１領域と第２領域の境界線に段差を有する構造となっている。ここでは、５１８ａとして窒化チタン膜、５１８ｂとしてチタン膜、５１８ｃとしてアルミニウムを主成分とする膜、５１８ｄとしてチタン膜として順に積層している。
【００７９】
　また、図５の構造においては、第１領域と第２領域の境界にある段差も絶縁物５１９で覆っている。
【００８０】
　また、同じ積層構造（合計４層）でソース線５１７ａ〜５１７ｄも形成される。上記積層構造（合計４層）は、アルミニウムを主成分とする膜を含んでおり、低抵抗な配線とすることができ、接続部の接続配線５２５ａ〜５２５ｄも同時に形成される。
【００８１】
　なお、図５中、絶縁表面を有する
基板５１０上に設けられたＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴ）は、メモリセルの有機化合物層５２０ｂに流れる電流を制御する素子であり、５１３、５１４はソース領域またはドレイン領域である。
【００８２】
基板５１０上には下地絶縁膜５１１（ここでは、下層を窒化絶縁膜、上層を酸化絶縁膜）が形成されており、ゲート電極５１５と半導体層との間には、ゲート絶縁膜５１２が設けられている。また、ゲート電極５１５の側壁にはサイドウォール５２２が設けられている。また、５１６は無機材料、例えば、酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウムから選ばれる単層または積層からなる層間絶縁膜である。
【００８３】
　また、第１の電極層上に接してバッファ層５２０ａを設けることによって、メモリ素子における第１の電極層と第２の電極層５２１との間隔を広げることができ、金属電極の表面凹凸などを起因とするメモリ素子の短絡による初期不良なども抑制することができる。また、２層目の第１の電極層５１８ｂと有機化合物層５２０ｂとの密着性が悪い場合、これらの層の間にバッファ層５２０ａを設けることによって密着性を向上させることができる。
【００８４】
第２層となる有機化合物層５２０ｂは、導電性を有する有機化合物材料からなる層を単層または積層構造で設ける。導電性を有する有機化合物材料の具体例としては、キャリア輸送性を有する材料を用いることができる。
【００８５】
　なお、特に必要がなければ、バッファ層５２０ａは設けなくともよい。」
（ウ）「【図３】
【図５】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　上記記載事項（ウ）の図３、５から、「メモリ素子のビット線を構成する導電層である、第１の電極３１８ａ〜３１８ｃ、５１８ａ〜５１８ｄ」が「層間絶縁膜３１６、５１６」に設けられたコンタクトホールを介して「ドレイン領域３１４、５１４」に接続されている構成が見て取れる。
　すると、上記引用文献３には、以下の技術事項（以下「引用文献３の技術事項」という。）が記載されている。
「メモリ装置において、基板３１０、５１０上にメモリ素子の有機化合物層３２０ｂ、５２０ｂに流れる電流を制御する素子であり、ソース領域３１３、５１３とドレイン領域３１４、５１４を有するＴＦＴを設け、
　メモリ素子のビット線を構成する導電層である、第１の電極３１８ａ〜３１８ｃ、５１８ａ〜５１８ｄが層間絶縁膜３１６、５１６に設けられたコンタクトホールを介してドレイン領域３１４、５１４に接続されており、
　第１の電極は、１層あるいは２層の領域からなる第１領域と、３層あるいは４層の領域からなる第２領域と、第１領域と第２領域の境界線に段差を有する構造となっていて、
　第１の電極と第２の電極の間には有機化合物を含む積層（第１層（バッファ層３２０ａ、５２０ａ）と第２層（有機化合物層３２０ｂ、５２０ｂ）の積層）を設けていて、
　５１８ａとして窒化チタン膜、３１８ａ、５１８ｂとしてチタン膜、３１８ｂ、５１８ｃとしてアルミニウムを主成分とする膜、３１８ｃ、５１８ｄとしてチタン膜として順に積層し、バッファ層３２０ａ、５２０ａに接する第１の電極層が平坦な層間絶縁膜３１６、５１６上に薄く形成されているため、比較的平坦な表面を得ることができ、金属電極の表面凹凸などを起因とするメモリ素子の短絡による初期不良などを抑制することができる。」
（２）対比
ア　一致点
　本願発明１と引用発明を対比すると、
　引用発明の「ドレイン電極４２」、「保護層４５」、「有機ＥＬ素子７２」、「陽極３４」及び「有機ＥＬ装置」は、それぞれ、本願発明１の「第１の配線」、「第１の絶縁膜」、「発光素子」、「第１の電極」及び「表示装置」に相当する。
　してみると、両者は、
「　第１の配線と、
　前記第１の配線上方の第１の絶縁膜と、
　前記第１の絶縁膜上方の発光素子と、
　を有し、
　前記発光素子は、第１の電極を有し、
　前記第１の電極は、前記第１の絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記第１の配線に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。」
で一致し、次の点で相違する。
イ　相違点
　本願発明１では、
「前記第１の配線は、第１の部分と、前記第１の部分より厚さが小さい第２の部分と、を有し、
　前記第１の部分の下面は、平坦であり、
　前記第１の部分は、０．８μｍ以上１．５μｍ以下の膜厚を有し、」
「前記第１の電極は、」「前記第２の部分に電気的に接続されている」
のに対して、引用発明では、「ドレイン電極４２」が厚さの異なる２つの部分からなるか否か、「ドレイン電極４２」の下面が平坦であるか否か及び「ドレイン電極４２」の膜厚が明らかでなく、「陽極３４」は「ドレイン電極４２」に電気的に接続されるものの、「ドレイン電極４２」の膜厚の小さい部分に接続されるものであるか否かが明らかでない点。
（３）判断
　上記相違点について検討する。
　引用文献２、３の技術事項の「第１の電極１８ａ〜１８ｄ」、「第１の電極３１８ａ〜３１８ｃ、５１８ａ〜５１８ｄ」は、いずれも、膜厚が小さい「第１の領域」及び膜厚が大きい「第２の領域」を有するものであって、本願発明１の「前記第１の配線は、第１の部分と、前記第１の部分より厚さが小さい第２の部分と、を有」する構成に相当する。
　しかし、引用文献２、３の技術事項の「第１の電極１８ａ〜１８ｄ」、「第１の電極３１８ａ〜３１８ｃ、５１８ａ〜５１８ｄ」は、それぞれ、「発光素子の陽極」、「メモリ素子のビット線を行使する導電層」であり、かつ、「層間絶縁膜１６に設けられたコンタクトホールを介してドレイン領域１４に接続されており」、「層間絶縁膜３１６、５１６に設けられたコンタクトホールを介してドレイン領域３１４、５１４に接続されて」いるものであって、本願発明１と引用発明との一致点の構成要素である「第１の電極」と「第１の配線」とを、１つの層で兼用するものに相当するといえるから、本願発明１と引用発明との一致点の構成である、「前記第１の電極は、前記第１の絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記第１の配線に電気的に接続されている」、すなわち、「第１の電極」、「第１の配線」が異なる層である構成とは相違する。
　してみると、引用発明と引用文献２、３の技術事項とでは、駆動用トランジスタ（ＴＦＴ）から第１の電極に至る基本的な積層構造が異なるから、引用文献２、３の技術事項を引用発明に、そのまま採用する動機付けはない。
　さらに、引用文献２の技術事項は、材料の異なる多層構造である「第１の電極１８ａ〜１８ｄ」において、「第１ＥＬ層（バッファ層２０ａ）」と良好な接触抵抗を得ることを目的として、「１８ｃ」及び「１８ｄ」を除去して、「１８ｂ」を露出させた結果、膜厚の大きい「第１領域」と「第２領域」が形成されているものであり、また、引用文献３の技術事項は、「バッファ層３２０ａ、５２０ａに接する第１の電極層が平坦な層間絶縁膜３１６、５１６上に薄く形成されているため、比較的平坦な表面を得ることができ、金属電極の表面凹凸などを起因とするメモリ素子の短絡による初期不良などを抑制する」ことを目的として、多層構造の「第１の電極３１８ａ〜３１８ｃ、５１８ａ〜５１８ｄから、「３１８ｂ」及び「３１８ｃ」、「５１８ｃ」及び「５１８ｄ」を除去したものであるから、引用発明において、「有機ＥＬ層５０」と接触しない「ドレイン電極４２」に、引用文献２、３の技術事項を採用する動機付けもない。
　そして、上記相違点に係る本願発明１の発明特定事項により、本願発明１は本願の明細書に記載された効果を奏する。
　よって、上記相違点に係る本願発明１の発明特定事項は、引用発明に、引用文献２、３の技術事項を参照しても、当業者が容易に想到し得るとはいえない。
（４）小括
　したがって、本願発明１は、当業者が、引用発明に、引用文献２、３の技術事項を参照しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　また、本願発明２も、本願発明１の発明特定事項を全て有するものであるから、本願発明１と同様に、当業者が、引用発明に、引用文献２、３の技術事項を参照しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
第４　当審拒理について
１　当審拒理の概要
（１）本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。
　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記
　請求項１、２の
「前記第１の部分は、前記第２の部分より厚さが小さい領域を有し、
　前記第１の電極は、前記第１の絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記第１の配線の前記第１の部分に電気的に接続されている」
という記載について 
　まず、「前記第１の部分は、前記第２の部分より厚さが小さい領域を
有し
　この認定を前提とすると、「前記第１の電極は、・・・前記第１の配線の前記第１の部分に電気的に接続されている」では、「第１の部分」のうちの、「前記第２の部分より厚さが小さい領域」、「前記第２の部分より厚さが小さい領域」ではない領域のどちらの領域に接続されるのかが特定されないこととなる。
　しかし、本願の明細書及び図面（特に、段落【０１７４】参照）には、「画素電極１６１４」は「導電膜１６１２」の膜厚の薄い部分と接続する構成が記載されるのみである。
　よって、請求項１、２に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえないから、請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
　また、上述のとおり、「第１の部分」は、「前記第２の部分より厚さが小さい領域」ではない領域をも有し得ることを考慮すると、「第１の部分」、「第２の部分」が、それぞれ、「第１の配線」のうちのどの部分を指すのかが不明確である。（例えば、「第１の配線」のうちの膜厚の薄い部分を「第１の部分」、膜厚の厚い部分を「第２の部分」と定義するのであれば、明確となる。）
　よって、請求項１、２に係る発明は、明確でない。
 
（２）本願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記
　請求項１、２の
「前記第１の部分は、前記第２の部分より厚さが小さい領域を有し、
　前記第１の電極は、前記第１の絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記第１の配線の前記第１の部分に電気的に接続されている」
という記載（「第１の電極」は、「第１の部分」のうちの「前記第２の部分より厚さが小さい領域」に接続されているものとする。）が示す構成について、この構成は、言い換えると、「第１の配線」が膜厚の薄い「第１の部分」と膜厚の厚い「第２の部分」とを有し、膜厚の薄い「第１の部分」に「第１の電極」が接続されている構成であるといえる。
　この構成について、本願の明細書段落【０１７６】には、「画素電極１６１４が、導電膜１６１２の膜厚の薄い部分と接続されているので、画素電極１６１４が、導電膜１６１２の膜厚の薄い部分と層間絶縁膜１６０２との間に形成される段差により、膜厚が極端に薄くなる、或いは段切れを起こすのを防ぐことができる。」との記載があるが、この記載によれば、「導電膜１６１２」（「第１の配線」）が全領域で膜厚が薄くてもよいことになり、「第１の配線」が膜厚の薄い「第１の部分」と膜厚の厚い「第２の部分」とを有することの技術上の意義が理解できない。
　なお、本願の明細書段落【０１７５】には、「抵抗値を下げるために、導電膜１６１２の膜厚の厚い部分及び導電膜１６１０の膜厚を、０．８μｍ以上１．５μｍ以下程度に大きくした場合においても、」との記載があり、膜厚の厚い「第２の部分」は、抵抗値を下げるために、膜厚を０．８μｍ以上１．５μｍ以下とすることが示されているところ、このような構成は、請求項１、２には記載されていない。
　したがって、本願の請求項１、２に係る発明の技術上の意義が理解できないから、本願の明細書及び図面は、当業者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項が記載されているとはいえない。
　よって、本願の明細書及び図面は、請求項１、２に係る発明について、当業者が、発明が解決しようとする課題及びその解決手段その他発明の技術上の意義を理解するために必要な事項を記載したものとはいえないから、経済産業省令で定めるところにより記載されたものでない。 
２　当審拒理の判断
（１）理由（１）について
　平成２９年２月１６日の手続補正により、請求項１及び２は、「前記第１の配線は、第１の部分と、前記第１の部分より厚さが小さい第２の部分と、を有し」と補正され、理由（１）は解消された。
（２）理由（２）について
　平成２９年２月１６日の手続補正により、請求項１及び２は、「前記第１の部分は、０．８μｍ以上１．５μｍ以下の膜厚を有し」と補正され、理由（２）は解消された。
３　小括
　そうすると、もはや、当審拒理で通知した拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。