(57)【要約】【課題】小容量の可変容量キャパシタを実現する。【解決手段】本可変容量キャパシタは、開口が形成されており且つ当該開口の両側の部分が素子の長辺方向に伸びており且つその一方の長辺側の第1外部電極に接続される端部を有する第1の引出部と、第1の引出部の開口を上記両側から架橋するように形成された第1対向領域とを備え、第1セラミック誘電体層の上面上に配置された第1内部電極と、先端が第1の引出部の開口の投影領域内に配置され且つ第1対向領域の投影領域と交差するように配置された第2の対向領域と、第2対向領域より素子の長辺方向に幅広に形成され且つその他方の長辺側の第2外部電極に接続される端部を有する第2引出部とを備え、第1セラミック誘電体層の下面上に配置された第2内部電極と、第1内部電極に対向するように形成される第1ダミー内部電極と、第2内部電極に対向するように形成される第2ダミー内部電極とを有する。【選択図】図７
2011003669.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印加電圧により誘電率が変化する第１のセラミック誘電体層と、
開口が形成されており且つ当該開口の両側の部分が前記第１のセラミック誘電体層の長辺方向に伸びており且つ前記第１のセラミック誘電体層の一方の長辺側の第１の外部電極に接続される端部を有する第１の引出部と、前記第１の引出部の開口を前記両側から架橋するように形成された第１の対向領域とを備え、前記第１のセラミック誘電体層の上面上に配置された第１の内部電極と、
先端が前記第１の引出部の開口の投影領域内に配置され且つ前記第１の対向領域の投影領域と交差するように配置された第２の対向領域と、前記第２の対向領域より前記第１のセラミック誘電体層の長辺方向に幅広に形成され且つ前記第１のセラミック誘電体層の他方の長辺側の第２の外部電極に接続される端部を有する第２の引出部とを備え、前記第１のセラミック誘電体層の下面上に配置された第２の内部電極と、
前記第１の内部電極を被覆する複数の第２のセラミック誘電体層と、
前記第２の内部電極を被覆する複数の第３のセラミック誘電体層と、
前記第１の内部電極に対向するように前記第２のセラミック誘電体層間に形成され且つ前記第１の外部電極に接続される第１のダミー内部電極と、
前記第２の内部電極に対向するように前記第３のセラミック誘電体層間に形成され且つ前記第２の外部電極に接続される第２のダミー内部電極と、
を有する可変容量キャパシタ。
【請求項２】
前記第１の内部電極の前記第１の引出部が前記第１の対向領域より厚く、前記第２の内部電極の前記第２の引出部が前記第２の対向領域より厚く形成される
請求項１記載の可変容量キャパシタ。
【請求項３】
前記第１の内部電極の前記第１の引出部の上面に第１の重ね塗り電極層と、
前記第２の内部電極の前記第２の引出部の下面に第２の重ね塗り電極層と、
をさらに有する請求項１記載の可変容量キャパシタ。
【請求項４】
前記第１の内部電極の前記第１の引出部の投影領域と前記第２の内部電極の第２の引出部とが重なることなく配置され、
前記第１の引出部のうち前記第１のセラミック誘電体層の長辺方向に伸びている部分と、前記第２の引出部のうち前記第１のセラミック誘電体層の長辺方向に伸びている部分との少なくともいずれかが、互いの距離を離すように切り欠かれている
請求項１乃至３のいずれか１つ記載の可変容量キャパシタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可変容量キャパシタに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば特開２００１−３３８８３９号公報には、少なくともＰｂ、Ｍｇ及びＮｂを含有するペロブスカイト型複合酸化物を主結晶粒子とし、当該主結晶粒子の平均粒度が０．３μｍ以下である誘電体膜の両面に電極を形成した可変容量コンデンサが開示されている。しかしながら、電極の形状については特に工夫されていない。
【０００３】
可変容量キャパシタではない通常のキャパシタの電極形状については様々な工夫がなされてきたが、例えば特開昭５９−２７５１７号公報には、内部電極が上下で多少ずれても有効電極面積が一定になるような内部電極構造として、矩形の電極を交差させるものが開示されている。
【０００４】
また、層構造についての様々な工夫も行われており、例えば特公平４−２４８４６号公報には、可変容量キャパシタではない通常のキャパシタについて、積層された内部電極が一層おきに所定の外部電極と接続されており、当該複数の内部電極のうちの両側に位置するそれぞれの内部電極のさらに外側の位置に当該内部電極と同一の外部電極に接続する１以上の内部電極が各々形成されている構造が開示されている。これによって絶縁抵抗が高くなることが開示されているが、外側の内部電極の作用についてはこれ以上の考察はなされていない。
【０００５】
さらに、例えば特開平５−３３５１７５号公報には、内部電極のうち、外部電極との接続部の厚さのみを厚くし、内部電極と外部電極の接続強度を高めるという技術が開示されている。しかしながら、接続強度以外の作用については考察されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３３８８３９号公報
【特許文献２】特開昭５９−２７５１７号公報
【特許文献３】特公平４−２４８４６号公報
【特許文献４】実公昭６３−２５７１７号公報
【特許文献５】特開平５−３３５１７５号公報
【特許文献６】特開２０００−５８３２５号公報
【特許文献７】特開２０００−３４０４５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
可変容量キャパシタは、バリキャップに比して電圧による破壊に強いという特性を有しており、従来では比較的大容量の可変容量キャパシタが供給されてきた。大容量の可変容量キャパシタについては上で述べた従来技術のような単純な構成でもよいが、小容量の可変容量キャパシタについては精度、ＥＳＲ（Equivalent Series Resistance）などの問題に対処できない。また、可変容量キャパシタではない通常のキャパシタについて用いられている技術をそのまま導入しても対処できない。
【０００８】
従って、本発明の目的は、小容量の可変容量キャパシタの特性を向上させるための技術を提供することである。
【０００９】
さらに、本発明の他の目的は、低ＥＳＲの可変容量キャパシタを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る可変容量キャパシタは、（ａ）印加電圧により誘電率が変化する第１のセラミック誘電体層と、（ｂ）（b-1）開口が形成されており且つ当該開口の両側の部分が前記第１のセラミック誘電体層の長辺方向に伸びており且つ第１のセラミック誘電体層の一方の長辺側の第１の外部電極に接続される端部を有する第１の引出部と、（b-2）第１の引出部の開口を上記両側から架橋するように形成された第１の対向領域とを備え、（b-3）第１のセラミック誘電体層の上面上に配置された第１の内部電極と、（ｃ）（c-1）先端が第１の引出部の開口の投影領域内に配置され且つ第１の対向領域の投影領域と交差するように配置された第２の対向領域と、（c-2）第２の対向領域より第１のセラミック誘電体層の長辺方向に幅広に形成され且つ第１のセラミック誘電体層の他方の長辺側の第２の外部電極に接続される端部を有する第２の引出部とを備え、（c-3）第１のセラミック誘電体層の下面上に配置された第２の内部電極と、（ｄ）第１の内部電極を被覆する複数の第２のセラミック誘電体層と、（ｅ）第２の内部電極を被覆する複数の第３のセラミック誘電体層と、（ｆ）第１の内部電極に対向するように第２のセラミック誘電体層間に形成され且つ第１の外部電極に接続される第１のダミー内部電極と、（ｇ）第２の内部電極に対向するように第３のセラミック誘電体層間に形成され且つ第２の外部電極に接続される第２のダミー内部電極とを有する。
【００１１】
上で述べた第１の内部電極（ｂ）と第２の内部電極（ｃ）の形状を採用することによって内部電極の抵抗値を下げることができ、さらに第１のダミー内部電極（ｆ）及び第２のダミー内部電極（ｇ）が第１及び第２の内部電極と容量結合されるので、全体としてＥＳＲが低下する。
【００１２】
また、第１の内部電極の第１の引出部が第１の対向領域より厚く、第２の内部電極の第２の引出部が第２の対向領域より厚く形成されるようにしてもよい。このような構成により、より第１及び第２の内部電極（ａ）及び（ｂ）の抵抗値が下げられて、全体としてＥＳＲが低下する。
【００１３】
なお、より具体的には、本可変容量キャパシタは、第１の内部電極の第１の引出部の上面に第１の重ね塗り電極層と、第２の内部電極の第２の引出部の下面に第２の重ね塗り電極層とをさらに有するようにしてもよい。このような重ね塗り層は、上で述べたように抵抗値を下げる効果を目的としているので、精度はあまり問われず、安価に形成することができる。
【００１４】
さらに、第１の内部電極の第１の引出部の投影領域と第２の内部電極の第２の引出部とが重なることなく配置され、第１の引出部のうち第１のセラミック誘電体層の長辺方向に伸びている部分と、第２の引出部のうち第１のセラミック誘電体層の長辺方向に伸びている部分との少なくともいずれかが、互いの距離を離すように切り欠かれているようにしてもよい。これによって第１の内部電極と第２の内部電極との浮遊容量の削減が可能となる。
【００１５】
なお、第１の対向領域と第２の対向領域の形状が長方形であれば、多少の位置ずれが発生しても、その重複領域の面積は変わらないので、容量のばらつきを抑えることができる。
【００１６】
以下で述べる実施の形態は例に過ぎず、上で述べた要旨に従って様々なバリエーションを作成することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、小容量の可変容量キャパシタの特性を向上させることができるようになる。
【００１８】
さらに、本発明の他の側面によれば、低ＥＳＲの可変容量キャパシタが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、可変容量キャパシタの素子の外形を示す図である。
【図２】図２は、可変容量キャパシタの素子の断面図である。
【図３】図３は、第１の内部電極の形状を説明するための図である。
【図４】図４は、第２の内部電極の形状を説明するための図である。
【図５】図５は、第１の内部電極と重ね塗り層との関係を示す図である。
【図６】図６は、第２の内部電極と重ね塗り層との関係を示す図である。
【図７】図７は、第１の内部電極と第２の内部電極との関係を表す図である。
【図８】図８は、ダミー内部電極の効果について説明するための図である。
【図９】図９は、第１の内部電極の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の実施の形態に係る可変容量キャパシタの外形について図１を用いて説明する。図１は、本実施の形態に係る可変容量キャパシタの素子１の斜視図である。可変容量キャパシタの素子１は、概ね直方体であり、当該可変容量キャパシタの素子１の上面１００の長辺に接する側面２００及び３００側に外部電極が形成される。上面１００の長辺は例えばＷ＝１０００μｍであり、短辺は例えばＬ＝５００μｍであり、厚みは例えばｔ＝３００μｍである。このように、本実施の形態では通常のキャパシタとは異なり、上面１００の長辺に接する側面２００及び３００に外部電極を形成して、以下で述べるような内部電極を採用することにより、ＥＳＲを低下させることができるようになる。また、厚みｔを通常より薄くしているので、外部電極同士の対向面積が削減されて浮遊容量も削減される。
【００２１】
次に、図１の側面２００及び３００に平行な平面で可変容量キャパシタの素子１を切断した際の断面の模式図を図２に示す。この断面においては両脇に外部電極１０ａ及び１０ｂが形成されている。また、可変容量キャパシタの素子１は、中央の第１の誘電体層２１と、第１の誘電体層２１の下面に形成される第１の内部電極２３と、当該第１の内部電極２３の下面の一部に重ね塗りされた第１の重ね塗り層２５と、第１の重ね塗り層２５の下側に形成される保護層である複数の第２の誘電体層２７と、複数の第２の誘電体層２７の層間に形成されるダミー内部電極層３０及び３１と、第１の誘電体層２１の上面に形成される第２の内部電極２２と、当該第２の内部電極２２の上面の一部に重ね塗りされた第２の重ね塗り層２４と、第２の重ね塗り層２４の上側に形成された保護層である複数の第３の誘電体層２６と、複数の第３の誘電体層２６の層間に形成されるダミー内部電極２８及び２９とを含む。
【００２２】
第１の誘電体層２１は、印加電圧に応じて誘電率が変化する誘電体であって、従来から知られている材料を用いることができる。例えば、従来技術の欄で述べたようなものであってもよいし、例えば少なくともＢａ、Ｓｒ、Ｔｉを含有するペロブスカイト型酸化物であってもよい。第１の誘電体層２１の厚さは、必要とされる容量に応じて決定される。例えば、１．１μｍの場合には、外部電極間の容量（３０ｐＦ）を含み、約３３０ｐＦとなる。また、１．９μｍの場合には、外部電極間の容量（３０ｐＦ）を含み、約２２０Ｆとなる。
【００２３】
第１及び第２の内部電極２２及び２３は、従来から内部電極に用いられているＰｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉなどの金属で形成される。形状については後に詳細に述べる。第１及び第２の重ね塗り層２４及び２５は、材料は第１及び第２の内部電極２２及び２３と同じであるが、内部電極の抵抗を下げるため、内部電極の厚みの例えば１０倍程度の厚みを有する。形状については後に詳細に述べる。但し、この第１及び第２の重ね塗り層２４及び２５は、内部電極の抵抗を下げるためだけに用いられるので、形状や厚みの精度はあまり問わない。
【００２４】
第２及び第３の誘電体層２６及び２７については、通常のセラミックキャパシタで用いられＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3、ＳｒＺｒＯ3などのＡＢＯ3で表されるペロブスカイト化合物で構成される。第３の誘電体層２６は、複数の層で構成されており、図２に示すように、第２の重ね塗り層２４の上側の任意の層間にダミー内部電極２８及び２９が形成されている。ダミー内部電極２８及び２９の形状は、例えば矩形で例えば第２の内部電極２２を完全に覆うサイズである。同様に、第２の誘電体層２７も、複数の層で構成されており、図２に示すように、第１の重ね塗り層２５の下側の任意の層間にダミー内部電極３０及び３１が形成されている。ダミー内部電極３０及び３１の形状は、例えば矩形で例えば第１の内部電極２３を完全に覆うサイズである。
【００２５】
第２の内部電極２２と第２の重ね塗り層２４とダミー内部電極２８及び２９とは、外部電極１０ａに接続されており、第１の内部電極２３と第１の重ね塗り層２５とダミー内部電極３０及び３１とは、外部電極１０ｂに接続されている。
【００２６】
図３に、図２の矢印Ａ方向から第１の内部電極２３を見た場合の図を示す。第１の内部電極２３は、Ｗ１×（Ｌ２＋Ｌ３）の長方形を基本形として、当該長方形から、第２の内部電極２２との間の浮遊容量を削減するために切り欠かれた切り欠き部２３ｅ及び２３ｆと、以下で述べるように第１の対向領域２３ａを形成するための矩形の開口２３ｄとが除去された形状を有する。また、第１の内部電極２３は、開口２３ｄの両側に可変容量キャパシタの素子１の上面１００の長手方向に伸びており且つ切り欠き部２３ｅ及び２３ｆにより切り欠かれている第１の引出部２３ｂ及び２３ｃと、開口２３ｄを架橋するように形成されており且つ正方形又は長方形の第１の対向領域２３ａとを含む。
【００２７】
第１の対向領域２３ａの長辺は、例えばＷ２＝２００μｍであり、短辺は、例えばＬ４＝１００μｍである。また、開口２３ｄの長辺は、例えばＷ２＝２００μｍであり、短辺は、例えばＬ１＝１５０μｍである。左側の第１の引出部２３ｂは、Ｗ３×（Ｌ３＋Ｌ２（又はＬ１＋Ｌ４））の長方形からＬ３×Ｗ３の三角形である切り欠き部２３ｅを除去した台形であり、上底の長さは、例えばＬ２＝１００μｍであり、下底の長さは、例えばＬ３＋Ｌ２＝２５０μｍであり、高さは、例えばＷ３＝３００μｍである。同様に、右側の第１の引出部２３ｃは、Ｗ３×（Ｌ３＋Ｌ２（又はＬ１＋Ｌ４））の長方形からＬ３×Ｗ３の三角形である切り欠き部２３ｆを除去した台形であり、上底の長さは、例えばＬ２＝１００μｍであり、下底の長さは、例えばＬ３＋Ｌ２＝２５０μｍであり、高さは、例えばＷ３＝３００μｍである。
【００２８】
図４に、図２の矢印Ｂ方向から第２の内部電極２２を見た場合の図を示す。第２の内部電極２２は、土台部分の第２の引出部２２ｂと、土台部分から突き出た第２の対向領域２２ａとを含む。土台部分の第２の引出部２２ｂは、可変容量キャパシタの素子１の上面の長手方向に伸びており且つ基本形である長方形から、第１の内部電極２３との間の浮遊容量を削減するための切り欠き部２２ｃ及び２２ｄが切り欠かれた形状となっている。また、第２の対向領域２２ａの形状は、可変容量キャパシタの素子１の上面１００の短辺方向に伸びた長方形である。
【００２９】
なお、第２の対向領域２２ａの短辺は、例えばＷ４＝１００μｍであり、長辺は、例えばＬ７＝２００μｍである。また、第２の引出部２２ｂの基本形である長方形の長辺は、例えばＷ１＝８００μｍであり、短辺は、例えばＬ５＋Ｌ６＝２００μｍである。そして、この長方形から、例えばＬ６＝１００μｍ×Ｗ５＝３５０μｍの三角形である切り欠き部２２ｃ及び２２ｄが切り欠かれている。
【００３０】
次に、第１の内部電極２３と第１の重ね塗り層２５の関係を図５に示す。図５は、図２の矢印Ａ方向から見た、ダミー内部電極３０及び３１を除去した上での透視図である。図５から分かるように、第１の重ね塗り層２５は、第１の重ね塗り部２５ａと第２の重ね塗り部２５ｂに分かれている。そして、第１の重ね塗り部２５ａは、第１の引出部２３ｂを完全に覆うように形成されており、第２の重ね塗り部２５ｂは、第１の引出部２３ｃを完全に覆うように形成されており、第１の対向領域２３ａ上には形成されていない。但し、上でも述べたように第１の重ね塗り層２５は、厚み優先で形状については精度をあまり問わないので、多少であれば第１の対向領域２３ａ上に載ってしまっても問題はない。また、第１の重ね塗り層２５が、第１の引出部２３ｂ及び２３ｃの一部に塗り残しが生ずるようにずれてしまっても問題はない。
【００３１】
また、第２の内部電極２２と第２の重ね塗り層２４の関係を図６に示す。図６は、図２の矢印Ｂ方向から見た、ダミー内部電極２８及び２９を除去した上での透視図である。図６から分かるように、第２の重ね塗り層２４は、第２の引出部２２ｂを完全に覆うように形成されており、第２の対向領域２２ａ上には形成されていない。第１の重ね塗り層２５と同様に、第２の重ね塗り層２４についても厚み優先で形状については精度をあまり問わない。従って、多少であれば第２の対向領域２２ａ上に載ってしまっても問題はない。また、第２の重ね塗り層２４が、第１の引出部２２ｂの一部に塗り残しが生ずるようにずれてしまっても問題ない。
【００３２】
次に、図７を用いて第１の内部電極２３と第２の内部電極２２との位置関係を説明する。図７は、図２の矢印Ｂ方向から見た、ダミー内部電極２８及び２９を除去した上での透視図である。図７から分かるように、第１の内部電極２３の第１の対向領域２３ａと第２の内部電極２２の第２の対向領域２２ａとが重なっている。この重複領域４１は、第１の対向領域２３ａの幅Ｗ４＝１００μｍ×第２の対向領域２２ａの幅Ｌ４＝１００μｍとなっている。ここで第１の誘電体層２１の厚みが１μｍであり、誘電率ε＝３５００であれば、容量は約３００ｐＦとなる。なお、外部電極１０ａ及び１０ｂの間の端子間容量は、Ｗ×Ｌ＝１０００μｍ×５００μｍで、厚みｔ＝３００μｍで、誘電率ε＝３５００であれば、容量は約３０ｐＦとなる。
【００３３】
重複領域４１の面積は、第１の内部電極２３と第２の内部電極２２が多少位置ずれしても変動しない。従って、小容量の可変容量キャパシタ１を精度良く製造することができる。また、第２の内部電極２２の第２の引出部２２ｂは、その最も長い下辺が外部電極１０ａに接続されており、第１の内部電極２３の第１の引出部２３ａ及び２３ｂの下辺（Ｗ１−Ｗ２の長さを有する２辺）も外部電極１０ｂに接続されている。
【００３４】
また、重ね塗り層２４及び２５を設けることによって第１及び第２の内部電極２２及び２３の抵抗値を下げることができる。また、可変容量キャパシタの素子１の上面１００の長手方向に伸びる第１及び第２の引出部２３ｂ及び２３ｃ並びに２２ｂを形成しているので、この点においても第１及び第２の内部電極２２及び２３の幅が短くなって抵抗値を下げることができる。すなわち、ＥＳＲを下げることができるようになる。
【００３５】
ダミー内部電極２８及び２９は、第２の内部電極２２と容量結合させ、ダミー内部電極３０及び３１は、第１の内部電極２３と容量結合させ、それによって交流電流に対する抵抗成分を減らして、結果としてＥＳＲを低下させるために設けられている。等価回路で表すと図８に示すような回路となる。単純な構造のキャパシタであれば、容量成分Ｃに直列に抵抗成分Ｒ１及びＲ４が発生するが、ダミー内部電極２８を形成することによって例えば抵抗成分Ｒ２及び容量成分Ｃｄのパスが抵抗成分Ｒ１に並列に入るようになる。同様に、ダミー内部電極２９を形成することによって例えば抵抗成分Ｒ３及び容量成分Ｃｄのパスが抵抗成分Ｒ２に並列に入るようになる。さらに、ダミー内部電極３０を形成することによって抵抗成分Ｒ５及び容量成分Ｃｄのパスが抵抗成分Ｒ４に並列に入るようになり、ダミー内部電極３１を形成することによって抵抗成分Ｒ６及び容量成分Ｃｄのパスが抵抗成分Ｒ５に並列に入るようになる。この容量成分Ｃｄによって交流電流に対する抵抗が全体として下げられるので、ＥＳＲが低下するようになる。
【００３６】
なお、第１の誘電体層２１が、直流電圧を印加すると比誘電率εrが減少するような誘電体で構成される場合には、直流電圧を印加すると容量が減少するような可変容量キャパシタとなる。第１の誘電体層２１の厚みが１．１μｍであれば、例えば５Ｖで約４倍の容量変化が可能となる。また、第１の誘電体層２１の厚みが１．９μｍであれば、例えば５Ｖで約２倍の容量変化が可能となる。
【００３７】
また、可変容量キャパシタ１の製法には、通常用いられている手法を用いればよいので本実施の形態ではこれ以上述べない。
【００３８】
さらに、上で述べた第１の内部電極２３は、例えば図９に示すような形状に変更することも可能である。変形例の第１の内部電極６３は、第１の引出部６３ｂ及び６３ｃと、第１の対向領域６３ａと、開口６３ｄと、第１の対向領域６３ａとは別に第１の引出部６３ｂ及び６３ｃを連結させる連結部６３ｇとを有する。図３の例では、開口２３ｄが存在している分第１の引出部２３ｂ及び２３ｃの下辺部分だけで外部電極１０ｂに接続していたが、本実施の形態では開口２３ｄより開口のサイズが小さくなって、連結部６３ｇの下辺についても外部電極１０ｂと接続するようになる。これによって、外部電極１０ｂとの接続が確実になる。開口の大きさ及び連結部６３ｇの幅は、位置ずれによって第２の内部電極２２の第２の対向領域２２ａの先端が連結部６３ｇに重ならないように決定される。
【００３９】
なお、開口２３ｄ又は６３ｄの形状は、上辺については第１の対向領域２３ａ及び６３ａを長方形又は正方形にするため直線でなければならないが、他の辺については直線である必要はない。
【００４０】
以上本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、第１の引出部の形状は一例であり、例えばその斜辺の角度などについては調整可能である。また、第２の引出部の形状についても同様である。
【符号の説明】
【００４１】
２１  第１の誘電体層    ２２  第２の内部電極
２３  第１の内部電極    ２４  第２の重ね塗り層
２５  第１の重ね塗り層    ２６  第３の誘電体層
２７  第２の誘電体層    ２８，２９，３０，３１  ダミー内部電極
２３ａ  第１の対向領域    ２３ｂ，２３ｃ  第１の引出部
２２ａ  第２の対向領域    ２２ｂ  第２の引出部
【図１】
2011003669.tif 000003
【図２】
2011003669.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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