(57)【要約】【課題】出力波長が互いに異なる複数の半導体レーザ構造の光軸を精度よく合わせることができる半導体レーザ集積素子及びその作製方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ集積素子１は、主面１１ａを有する窒化ガリウム系半導体基板１１と、主面１１ａ上に設けられ、一対の共振端面１０ａ，１０ｂを有する光共振器１０と、主面１１ａ上に設けられ、一対の共振端面５０ａ，５０ｂを有する光共振器５０とを備える。主面１１ａと、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面とのなす角は４５°以上１３５°以下であり、光共振器１０，５０は、主面１１ａ上にエピタキシャル成長されたインジウムを含む活性層１７，５７を有している。活性層１７の発光波長のピーク波長と、活性層５７の発光波長のピーク波長とは互いに異なる。【選択図】図１
2011077326.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有する窒化ガリウム系半導体基板と、
前記窒化ガリウム系半導体基板の前記主面上に設けられ、一対の共振端面を有する第１の光共振器と、
前記窒化ガリウム系半導体基板の前記主面上に設けられ、一対の共振端面を有し、前記第１の光共振器の光導波方向に沿った方向を光導波方向として前記第１の光共振器の光導波方向と交差する方向に並設された第２の光共振器と
を備え、
前記窒化ガリウム系半導体基板の前記主面と、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面とのなす角が４５°以上１３５°以下であり、
前記第１の光共振器は、前記窒化ガリウム系半導体基板の前記主面上にエピタキシャル成長されたインジウムを含む第１の活性層を有しており、
前記第２の光共振器は、前記窒化ガリウム系半導体基板の前記主面上にエピタキシャル成長されたインジウムを含む第２の活性層を有しており、
前記第１の活性層の発光波長のピーク波長と、前記第２の活性層の発光波長のピーク波長とが互いに異なることを特徴とする、半導体レーザ集積素子。
【請求項２】
前記窒化ガリウム系半導体基板の前記主面は、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面に対し、ｍ軸方向に６３°以上８０°以下又は１００°以上１１７°以下の範囲内で傾斜した半極性面であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体レーザ集積素子。
【請求項３】
前記窒化ガリウム系半導体基板の前記主面は、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面に対し、ａ軸方向に５９°以上８０°以下又は１００°以上１２１°以下の範囲内で傾斜した半極性面であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体レーザ集積素子。
【請求項４】
前記第１の活性層の発光波長のピーク波長が４３０［ｎｍ］以上４８０［ｎｍ］以下であり、前記第２の活性層の発光波長のピーク波長が５００［ｎｍ］以上５５０［ｎｍ］以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体レーザ集積素子。
【請求項５】
前記第１及び第２の光共振器の光導波方向が、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ軸を前記主面に投影した方向に沿って延びていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体レーザ集積素子。
【請求項６】
窒化ガリウム系半導体基板の前記主面の法線方向から見て、前記第１の光共振器の光導波方向と前記第２の光共振器の光導波方向とが互いに成す角が２°以下であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体レーザ集積素子。
【請求項７】
主面を有し、前記主面と窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面とのなす角が４５°以上１３５°以下である窒化ガリウム系半導体基板の前記主面上に、インジウムを含む第１の活性層を有する第１の半導体積層部をエピタキシャル成長させる工程と、
互いに間隔をあけて所定方向に並ぶ複数のエッチングマスクを前記第１の半導体積層部上に形成する工程と、
前記第１の半導体積層部に対し、前記エッチングマスクを介してエッチング処理を行い、前記第１の活性層を含む前記第１の半導体積層部の部分を選択的に除去する工程と、
前記窒化ガリウム系半導体基板の前記主面上において前記第１の半導体積層部が部分的に除去された領域上に、インジウムを含む第２の活性層を有する第２の半導体積層部を選択的にエピタキシャル成長させる工程と、
前記第１の半導体積層部に第１の光導波路構造を形成するとともに、前記第２の半導体積層部に第２の光導波路構造を形成する工程と、
前記窒化ガリウム系半導体基板を劈開して、前記第１の光導波路構造と一対の共振端面とを有する第１の光共振器、及び前記第２の光導波路構造と一対の共振端面とを有する第２の光共振器を形成する工程と
を備え、
前記第１の活性層の発光波長と、前記第２の活性層の発光波長とが互いに異なることを特徴とする、半導体レーザ集積素子の作製方法。
【請求項８】
前記窒化ガリウム系半導体基板の前記主面は、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面に対し、ｍ軸方向に６３°以上８０°以下又は１００°以上１１７°以下の範囲内で傾斜した半極性面であることを特徴とする、請求項７に記載の半導体レーザ集積素子の作製方法。
【請求項９】
前記窒化ガリウム系半導体基板の前記主面は、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面に対し、ａ軸方向に５９°以上８０°以下又は１００°以上１２１°以下の範囲内で傾斜した半極性面であることを特徴とする、請求項７に記載の半導体レーザ集積素子の作製方法。
【請求項１０】
前記第１の活性層の発光波長のピーク波長が４３０［ｎｍ］以上４８０［ｎｍ］以下であり、前記第２の活性層の発光波長のピーク波長が５００［ｎｍ］以上５５０［ｎｍ］以下であることを特徴とする、請求項７〜９のいずれか一項に記載の半導体レーザ集積素子の作製方法。
【請求項１１】
前記第１及び第２の光導波路構造を形成する工程において、前記第１及び第２の光導波路構造の光導波方向が、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ軸を前記主面に投影した方向に沿って延びるように前記第１及び第２の光導波路構造を形成することを特徴とする、請求項７〜１０のいずれか一項に記載の半導体レーザ集積素子の作製方法。
【請求項１２】
前記第１及び第２の光導波路構造を形成する工程において、窒化ガリウム系半導体基板の前記主面の法線方向から見て、前記第１の光導波路構造の光導波方向と前記第２の光導波路構造の光導波方向とが互いに成す角を２°以下とすることを特徴とする、請求項７〜１１のいずれか一項に記載の半導体レーザ集積素子の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ集積素子及びその作製方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、青色、緑色、赤色等の各波長のうち、少なくとも２波長の発振波長を有するレーザ発光装置が記載されている。この特許文献１に記載されたレーザ発光装置は、非極性面または半極性面を結晶成長の主面とするＧａＮ系半導体レーザダイオードと、ＡｌＩｎＧａＰ系半導体レーザダイオードとを備えており、これらの半導体レーザダイオードが支持基板上にボンディングされて実装されている。
【０００３】
また、特許文献２には、ＧａＮ基板と、ＧａＮ基板上での結晶成長により形成された第一レーザ構造部と、当該ＧａＮ基板とは異なる基板上での結晶成長により形成された後に上記ＧａＮ基板上に実装された一又は複数の第二レーザ構造部とを備える多波長レーザが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２８８５２７号公報
【特許文献２】特開２００８−２９４３２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、緑色の発振波長を有する半導体レーザが実用化されつつあることに伴い、青色、緑色、及び赤色といった互いに異なる出力波長を有する複数の半導体レーザ構造を一つの素子に集積させる方式が研究されている。例えば、特許文献１や特許文献２に記載された方式では、まず互いに出力波長が異なる複数の半導体レーザ素子を個別に形成し、これらの半導体レーザ素子を一つの基板上に実装することで集積化を図っている。しかしながら、このような方式では、複数の微細な半導体レーザ素子を、互いの光軸を合わせながら一つの基板上に実装することが極めて難しいという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記した問題点に鑑みてなされたものであり、出力波長が互いに異なる複数の半導体レーザ構造の光軸を精度よく合わせることができる半導体レーザ集積素子及びその作製方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した課題を解決するために、本発明による半導体レーザ集積素子は、主面を有する窒化ガリウム系半導体基板と、窒化ガリウム系半導体基板の主面上に設けられ、一対の共振端面を有する第１の光共振器と、窒化ガリウム系半導体基板の主面上に設けられ、一対の共振端面を有し、第１の光共振器の光導波方向に沿った方向を光導波方向として第１の光共振器の光導波方向と交差する方向に並設された第２の光共振器とを備え、窒化ガリウム系半導体基板の主面と、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面とのなす角が４５°以上１３５°以下であり、第１の光共振器は、窒化ガリウム系半導体基板の主面上にエピタキシャル成長されたインジウムを含む第１の活性層を有しており、第２の光共振器は、窒化ガリウム系半導体基板の主面上にエピタキシャル成長されたインジウムを含む第２の活性層を有しており、第１の活性層の発光波長のピーク波長と、第２の活性層の発光波長のピーク波長とが互いに異なることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明による半導体レーザ集積素子の作製方法は、主面を有し、主面と窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面とのなす角が４５°以上１３５°以下である窒化ガリウム系半導体基板の主面上に、インジウムを含む第１の活性層を有する第１の半導体積層部をエピタキシャル成長させる工程と、互いに間隔をあけて所定方向に並ぶ複数のエッチングマスクを第１の半導体積層部上に形成する工程と、第１の半導体積層部に対し、エッチングマスクを介してエッチング処理を行い、第１の活性層を含む第１の半導体積層部の部分を選択的に除去する工程と、窒化ガリウム系半導体基板の主面上において第１の半導体積層部が部分的に除去された領域上に、インジウムを含む第２の活性層を有する第２の半導体積層部を選択的にエピタキシャル成長させる工程と、第１の半導体積層部に第１の光導波路構造を形成するとともに、第２の半導体積層部に第２の光導波路構造を形成する工程と、窒化ガリウム系半導体基板を劈開して、第１の光導波路構造と一対の共振端面とを有する第１の光共振器、及び第２の光導波路構造と一対の共振端面とを有する第２の光共振器を形成する工程とを備え、第１の活性層の発光波長と、第２の活性層の発光波長とが互いに異なることを特徴とする。
【０００９】
上記半導体レーザ集積素子及びその作製方法においては、窒化ガリウム系半導体基板の主面に、２つの光共振器が設けられる。主面と窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面とのなす角が４５°以上１３５°以下であり、主面は非極性面（半極性面または無極性面）である為、この面上にインジウムを含むIII−Ｖ族化合物半導体からなる活性層を成長させることで、結晶構造の歪みに起因するピエゾ電界を低減し、発光効率を高めることができる。
【００１０】
また、上記半導体レーザ集積素子及びその作製方法では、一枚の窒化ガリウム系半導体基板の主面上に第１及び第２の活性層が設けられるが、この場合、主面において第１の活性層等を結晶成長させ、その一部をエッチング除去したのち、第２の活性層等を選択的に結晶成長させて、通常の半導体プロセスを用いて半導体レーザ構造を形成することが可能である。したがって、別基板上に成長させた半導体レーザ素子を実装する従来のものと比較して、半導体レーザ構造同士の位置合わせを精度良く行うことができる。また、第１の活性層の発光波長のピーク波長と、第２の活性層の発光波長のピーク波長とが互いに異なるので、これらの半導体レーザ構造の出力波長を互いに異ならせることができる。すなわち、上記半導体レーザ集積素子及びその作製方法によれば、出力波長が互いに異なる複数の半導体レーザ構造の光軸を精度よく合わせることができる。
【００１１】
また、半導体レーザ集積素子及びその作製方法は、窒化ガリウム系半導体基板の主面が、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面に対し、ｍ軸方向に６３°以上８０°以下又は１００°以上１１７°以下の範囲内で傾斜した半極性面であることを特徴としてもよい。或いは、半導体レーザ集積素子及びその作製方法は、窒化ガリウム系半導体基板の主面が、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面に対し、ａ軸方向に５９°以上８０°以下又は１００°以上１２１°以下の範囲内で傾斜した半極性面であることを特徴としてもよい。これらの何れかによって、結晶構造の歪みに起因するピエゾ電界をより効果的に低減するとともに、結晶品質が良好な緑色発光するＩｎＧａＮ層を結晶成長させることが可能となり、発光効率を更に高めることができる。
【００１２】
また、半導体レーザ集積素子及びその作製方法は、第１の活性層の発光波長のピーク波長が４３０［ｎｍ］以上４８０［ｎｍ］以下であり、第２の活性層の発光波長のピーク波長が５００［ｎｍ］以上５５０［ｎｍ］以下であることを特徴としてもよい。これにより、青色のレーザ光、及び緑色のレーザ光を出力できる半導体レーザ集積素子を得ることができる。
【００１３】
また、半導体レーザ集積素子は、第１及び第２の光共振器の光導波方向が、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ軸を主面に投影した方向に沿って延びていることが好ましい。同様に、半導体レーザ集積素子の作製方法は、第１及び第２の光導波路構造を形成する工程において、第１及び第２の光導波路構造の光導波方向が、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ軸を主面に投影した方向に沿って延びるように第１及び第２の光導波路構造を形成することが好ましい。
【００１４】
また、半導体レーザ集積素子は、窒化ガリウム系半導体基板の主面の法線方向から見て、第１の光共振器の光導波方向と第２の光共振器の光導波方向とが互いに成す角が２°以下であることを特徴としてもよい。同様に、半導体レーザ集積素子の作製方法は、第１及び第２の光導波路構造を形成する工程において、窒化ガリウム系半導体基板の主面の法線方向から見て、第１の光導波路構造の光導波方向と第２の光導波路構造の光導波方向とが互いに成す角を２°以下とすることを特徴としてもよい。上述した本発明による半導体レーザ集積素子及びその作製方法によれば、このように複数の半導体レーザ構造の光軸が精度よく合わせられた半導体レーザ集積素子を提供できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による半導体レーザ集積素子及びその作製方法によれば、出力波長が互いに異なる複数の半導体レーザ構造の光軸を精度よく合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明による半導体レーザ集積素子の一実施形態の構成を示す断面図である。
【図２】（ａ）図１に示された半導体レーザ集積素子１のIIａ−IIａ線に沿った側断面図である。（ｂ）図１に示された半導体レーザ集積素子１のIIｂ−IIｂ線に沿った側断面図である。
【図３】（ａ），（ｂ）図１に示された半導体レーザ集積素子１の作製工程を示す図である。
【図４】（ａ），（ｂ）図１に示された半導体レーザ集積素子１の作製工程を示す図である。
【図５】（ａ），（ｂ）図１に示された半導体レーザ集積素子１の作製工程を示す図である。
【図６】（ａ），（ｂ）図１に示された半導体レーザ集積素子１の作製工程を示す図である。
【図７】（ａ），（ｂ）図１に示された半導体レーザ集積素子１の作製工程を示す図である。
【図８】（ａ），（ｂ）図１に示された半導体レーザ集積素子１の作製工程を示す図である。
【図９】（ａ），（ｂ）図１に示された半導体レーザ集積素子１の作製工程を示す図である。
【図１０】（ａ），（ｂ）図１に示された半導体レーザ集積素子１の作製工程を示す図である。
【図１１】（ａ），（ｂ）図１に示された半導体レーザ集積素子１の作製工程を示す図である。
【図１２】（ａ），（ｂ）図１に示された半導体レーザ集積素子１の作製工程を示す図である。
【図１３】図１に示された半導体レーザ集積素子１の作製工程を示す図である。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）図１に示された半導体レーザ集積素子１の作製工程を示す図である。
【図１５】（ａ），（ｂ）アノード用パッド電極のバリエーションを示す図である。
【図１６】（ａ），（ｂ）アノード用パッド電極のバリエーションを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら本発明による半導体レーザ集積素子及びその作製方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１８】
図１及び図２は、本発明の一実施形態に係る半導体レーザ集積素子の構造を概略的に示す図面である。図１，図２を参照しながら、４３０［ｎｍ］以上４８０［ｎｍ］以下の波長のレーザ光、及び５００［ｎｍ］以上５５０［ｎｍ］以下の波長のレーザ光をそれぞれ出力する複数の半導体レーザ構造を備える半導体レーザ集積素子１を説明する。
【００１９】
半導体レーザ集積素子１は、窒化ガリウム系半導体基板１１を備える。窒化ガリウム系半導体基板１１は窒化ガリウム系半導体ＩｎＳＡｌＴＧａ１−Ｓ−ＴＮ（０≦Ｓ＜１、０≦Ｔ＜１、０≦Ｓ＋Ｔ＜１）からなり、例えばＧａＮ等からなることができる。窒化ガリウム系半導体基板１１は、主面１１ａ及び裏面１１ｂを有する。主面１１ａは、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面に対して傾斜している。
【００２０】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示されるように、この主面１１ａの傾斜角は、法線軸Ｎｘを示す法線ベクトルＮＶと、ｃ軸方向を示すｃ軸ベクトルＶＣとの成す角度αによって規定される。この角度αは、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ軸に直交する基準平面Ｒｘ（すなわち｛０００１｝面又は｛０００−１｝面）に対して４５°以上１３５°以下の範囲内にあることができる。窒化ガリウム系半導体基板１１は例えばＧａＮであることができ、この角度範囲によればＧａＮの非極性（半極性または無極性）の性質を提供できる。
【００２１】
さらに、主面１１ａは、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面に対してｍ軸又はａ軸の方向に傾斜していることが好ましい。ｍ軸の方向に傾斜している場合、傾斜角αは６３°以上８０°以下又は１００°以上１１７°以下の範囲内にあることが好ましい。また、ａ軸の方向に傾斜している場合、傾斜角αは５９°以上８０°以下又は１００°以上１２１°以下の範囲内にあることが好ましい。主面１１ａが半極性面となるこれらの角度範囲によれば、５００［ｎｍ］以上５５０［ｎｍ］以下といった長波長の光を発生するための活性層に好適なインジウム組成のＩｎＧａＮ層を良好な結晶品質を保って提供できる。
【００２２】
主面１１ａがｍ軸方向に上記傾斜角範囲でもって傾斜している例としては、主面１１ａは窒化ガリウム系半導体結晶の｛Ｈ，０，−Ｈ，Ｌ｝面（但し、Ｈ及びＬは自然数）または｛−Ｈ，０，Ｈ，−Ｌ｝面であることができる。主面１１ａが窒化ガリウム系半導体結晶の｛２，０，−２，１｝面または｛−２，０，２，−１｝面である場合、ｃ面に対する主面１１ａの傾斜角αは７５°または１０５°である。
【００２３】
また、主面１１ａがａ軸方向に上記傾斜角範囲でもって傾斜している例としては、主面１１ａは窒化ガリウム系半導体結晶の｛−Ｈ，−Ｈ，２Ｈ，−Ｌ｝面（但し、Ｈ及びＬは自然数）または｛Ｈ，Ｈ，−２Ｈ，Ｌ｝面であることができる。主面１１ａが窒化ガリウム系半導体結晶の｛−１，−１，２，１｝面または｛１，１，−２，１｝面である場合、ｃ面に対する主面１１ａの傾斜角αは７３°または１０７°である。
【００２４】
本実施形態の半導体レーザ集積素子１は、窒化ガリウム系半導体基板１１の主面１１ａ上にエピタキシャル成長により形成された第１の半導体レーザ構造１Ａ及び第２の半導体レーザ構造１Ｂを備える。第１の半導体レーザ構造１Ａは、一対の共振端面１０ａ，１０ｂを有する第１の光共振器１０を有し、第２の半導体レーザ構造１Ｂは、一対の共振端面５０ａ，５０ｂを有する第２の光共振器５０を有する。第１の光共振器１０は、主面１１ａに沿った所定方向を光導波方向として設けられている。第２の光共振器５０は、第１の光共振器１０の光導波方向に沿った方向を光導波方向として、第１の光共振器１０の光導波方向と交差する方向に並設されている。第１の半導体レーザ構造１Ａと第２の半導体レーザ構造１Ｂとを合わせた横幅は、例えば１００［μｍ］〜４００［μｍ］である。
【００２５】
第１の半導体レーザ構造１Ａは４３０［ｎｍ］以上４８０［ｎｍ］以下といった波長範囲のレーザ光を出力し、第２の半導体レーザ構造１Ｂは５００［ｎｍ］以上５５０［ｎｍ］以下といった波長範囲のレーザ光を出力する。
【００２６】
半導体レーザ集積素子１は、窒化ガリウム系半導体基板１１の主面１１ａ上に設けられたｎ型半導体層１３を備える。そして、第１の半導体レーザ構造１Ａは、ｎ型半導体層１３上に設けられたｎ型クラッド層１５と、ｎ型クラッド層１５上に設けられた活性層１７と、活性層１７上に設けられたｐ型クラッド層１９とを備える。また、第２の半導体レーザ構造１Ｂは、ｎ型半導体層１３上に設けられたｎ型クラッド層５５と、ｎ型クラッド層５５上に設けられた活性層５７と、活性層５７上に設けられたｐ型クラッド層５９とを備える。
【００２７】
ｎ型半導体層１３はｎ型（第１導電型）の窒化ガリウム系半導体からなり、例えばＧａＮからなることができる。ｎ型半導体層１３の厚さは例えば１０００［ｎｍ］である。ｎ型クラッド層１５及び５５は、それぞれ第１、第２の光共振器１０，５０の一部を構成する。ｎ型クラッド層１５，５５はｎ型の窒化ガリウム系半導体からなり、例えばＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等からなることができる。ｎ型クラッド層１５，５５の厚さは例えば１２００［ｎｍ］である。ｐ型クラッド層１９及び５９は、それぞれ第１、第２の光共振器１０，５０の一部を構成する。ｐ型クラッド層１９，５９はｐ型（第２導電型）の窒化ガリウム系半導体からなり、例えばＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等からなることができる。ｐ型クラッド層１９，５９の厚さは例えば４００［ｎｍ］である。
【００２８】
活性層１７は、本実施形態における第１の活性層であり、第１の光共振器１０の一部を構成する。活性層５７は、本実施形態における第２の活性層であり、第２の光共振器５０の一部を構成する。活性層１７，５７は、単一層からなることができ、或いは量子井戸構造を有することができる。必要な場合には、量子井戸構造は、交互に配列された井戸層及び障壁層を含むことができる。井戸層はインジウムを含むIII−Ｖ族化合物半導体、例えばＩｎＧａＮ等からなることができ、障壁層は井戸層よりバンドギャップエネルギーの大きいＩｎＧａＮ又はＧａＮ等からなることができる。一実施例では、井戸層（ＩｎＧａＮ）の厚さは例えば３［ｎｍ］であり、障壁層（ＧａＮ）の厚さは例えば１５［ｎｍ］であり、井戸層の数は例えば２つであることができる。活性層１７，５７の発光波長は、井戸層のバンドギャップやインジウム組成、その厚さ等によって制御される。活性層１７及び５７は発光波長のピーク波長が互いに異なっており、活性層１７は波長４３０［ｎｍ］以上４８０［ｎｍ］以下の範囲のピーク波長を有する青色光を発生するようなインジウム組成とされることができ、活性層５７は波長５００［ｎｍ］以上５５０［ｎｍ］以下の範囲のピーク波長を有する緑色光を発生するようなインジウム組成とされることができる。この場合、活性層５７の井戸層のインジウム組成は、活性層１７の井戸層のインジウム組成より大きい。
【００２９】
また、第１の半導体レーザ構造１Ａは、ｎ型クラッド層１５と活性層１７との間に、第１光ガイド層２１を更に備える。同様に、第２の半導体レーザ構造１Ｂは、ｎ型クラッド層５５と活性層５７との間に、第１光ガイド層６１を更に備える。また、第１の半導体レーザ構造１Ａは、活性層１７とｐ型クラッド層１９との間に、第２光ガイド層２３を更に備える。同様に、第２の半導体レーザ構造１Ｂは、活性層５７とｐ型クラッド層５９との間に、第２光ガイド層６３を更に備える。第１光ガイド層２１，６１及び第２光ガイド層２３，６３は、窒化ガリウム系半導体基板１１に光を逃がすことなく活性層１７，５７付近に光を閉じ込め、しきい値電流を低減する為に設けられる。
【００３０】
第１光ガイド層２１は、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１の層３１と、ＩｎＧａＮからなる第２の層３３とを含むことができる。第１の層３１はｎ型クラッド層１５上に設けられ、第２の層３３は第１の層３１と活性層１７との間に設けられる。また、第１光ガイド層６１は、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１の層７１と、ＩｎＧａＮからなる第２の層７３とを含むことができる。第１の層７１はｎ型クラッド層５５上に設けられ、第２の層７３は第１の層７１と活性層５７との間に設けられる。
【００３１】
なお、第２の層３３のインジウム組成は、第１の層３１のインジウム組成より大きく、活性層１７内のＩｎＧａＮ井戸層のインジウム組成より小さい。同様に、第２の層７３のインジウム組成は、第１の層７１のインジウム組成より大きく、活性層５７内のＩｎＧａＮ井戸層のインジウム組成より小さい。一実施例では、第１の層３１，７１はｎ型ＧａＮからなり、第２の層３３，７３はｎ型ＩｎＧａＮからなることができる。第１の層３１，７１の厚さは例えば２００［ｎｍ］であり、第２の層３３，７３の厚さは例えば６５［ｎｍ］である。
【００３２】
第２光ガイド層２３は、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１の層３５と、ＩｎＧａＮからなる第２の層３７とを含むことができる。第１の層３５は活性層１７上に設けられ、第２の層３７は活性層１７と第１の層３５との間に設けられる。また、第２光ガイド層６３は、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１の層７５と、ＩｎＧａＮからなる第２の層７７とを含むことができる。第１の層７５は活性層５７上に設けられ、第２の層７７は活性層５７と第１の層７５との間に設けられる。
【００３３】
なお、第２の層３７のインジウム組成は、第１の層３５のインジウム組成より大きく、活性層１７内のＩｎＧａＮ井戸層のインジウム組成より小さい。同様に、第２の層７７のインジウム組成は、第１の層７５のインジウム組成より大きく、活性層５７内のＩｎＧａＮ井戸層のインジウム組成より小さい。一実施例では、第１の層３５，７５はｐ型ＧａＮからなり、第２の層３７，７７はアンドープＩｎＧａＮからなる。第１の層３５，７５の厚さは例えば２００［ｎｍ］であり、第２の層３７，７７の厚さは例えば６５［ｎｍ］である。
【００３４】
第１の半導体レーザ構造１Ａは、電子ブロック層２７を更に備える。電子ブロック層２７は、第２光ガイド層２３を層厚方向に二分割するように設けられており、本実施形態では、第１の層３５と第２の層３７との間に設けられている。また、第２の半導体レーザ構造１Ｂは、電子ブロック層６７を更に備える。電子ブロック層６７は、第２光ガイド層６３を層厚方向に二分割するように設けられており、本実施形態では、第１の層７５と第２の層７７との間に設けられている。電子ブロック層２７，６７は例えばｐ型ＡｌＧａＮからなることができる。電子ブロック層２７，６７の厚さは例えば２０［ｎｍ］である。
【００３５】
第１の半導体レーザ構造１Ａ及び第２の半導体レーザ構造１Ｂのそれぞれは、ｐ型クラッド層１９，５９上に設けられたｐ型コンタクト層４１，８１を更に備える。ｐ型コンタクト層４１，８１は、例えばＧａＮ、ＡｌＧａＮ等からなることができる。ｐ型クラッド層１９の一部、及びｐ型コンタクト層４１は所定の光導波方向に延びるリッジ形状をしており、該リッジ形状の側面およびｐ型クラッド層１９の表面は絶縁膜４７によって覆われている。同様に、ｐ型クラッド層５９の一部、及びｐ型コンタクト層８１は所定の光導波方向に延びるリッジ形状をしており、該リッジ形状の側面およびｐ型クラッド層５９の表面は絶縁膜４７によって覆われている。
【００３６】
これらのリッジの延伸方向、すなわち第１及び第２の光共振器１０，５０の光導波方向は、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ軸を主面１１ａに投影した方向に沿って延びている。また、第１の光共振器１０のリッジ、及び第２の光共振器５０のリッジは、一枚の窒化ガリウム系半導体基板１１上においてエッチング等により形成されることができるので、これらのリッジ同士の位置合わせは容易であり、例えば窒化ガリウム系半導体基板１１の主面１１ａの法線方向から見て、第１の光共振器１０の光導波方向と第２の光共振器５０の光導波方向とが互いに成す角を２°以下とすることが可能である。
【００３７】
第１の半導体レーザ構造１Ａは、アノード電極４５を更に備える。アノード電極４５は第１の光共振器１０のリッジ上に設けられており、絶縁膜４７の開口を介してｐ型コンタクト層４１に接触している。また、第２の半導体レーザ構造１Ｂは、アノード電極８５を更に備える。アノード電極８５は第２の光共振器５０のリッジ上に設けられており、絶縁膜４７の開口を介してｐ型コンタクト層８１に接触している。
【００３８】
半導体レーザ集積素子１は、カソード電極９９を更に備える。カソード電極９９は、第１の半導体レーザ構造１Ａ及び第２の半導体レーザ構造１Ｂに共通のカソード電極であり、窒化ガリウム系半導体基板１１の裏面１１ｂ上に設けられる。
【００３９】
以上の構成を備える半導体レーザ集積素子１の作製方法について、以下に説明する。なお、各半導体層は有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長されるものとし、原料には、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、アンモニア（ＮＨ３）、及びシラン（ＳｉＨ４）を用いる。
【００４０】
まず、図３（ａ）に示すように、ウェハ状の窒化ガリウム系半導体基板１０１を準備する。窒化ガリウム系半導体基板１０１は、半導体レーザ集積素子１において窒化ガリウム系半導体基板１１となるものであり、その組成や主面１０１ａの面方位は前述した窒化ガリウム系半導体基板１１と同じである。本実施形態では、例えば、窒化ガリウム結晶の（０００１）面から、ｍ軸方向に７５°傾斜した｛２０−２１｝面を主面１０１ａとする窒化ガリウム基板を窒化ガリウム系半導体基板１０１として用いることができる。
【００４１】
この窒化ガリウム系半導体基板１０１を、｛２０−２１｝面（すなわち主面１０１ａ）が成長面となるように反応炉内のサセプタ上に配置した後、以下の成長手順で各半導体層をエピタキシャル成長させる（図３（ｂ）を参照）。まず、ＧａＮといったｎ型の窒化ガリウム系半導体からなるｎ型半導体層１３を主面１０１ａ上にエピタキシャル成長させる。ｎ型半導体層１３の厚さは例えば１０００［ｎｍ］である。次に、ＩｎＡｌＧａＮといったｎ型の窒化ガリウム系半導体からなるｎ型クラッド層１５をｎ型半導体層１３上にエピタキシャル成長させる。ｎ型クラッド層１５の厚さは例えば１２００［ｎｍ］である。続いて、第１光ガイド層２１を構成する第１の層３１及び第２の層３３をｎ型クラッド層１５上に順にエピタキシャル成長させる。第１の層３１は例えばｎ型のＧａＮ又はＩｎＧａＮからなり、第２の層３３は例えばアンドープＩｎＧａＮからなる。第１の層３１の厚さは例えば２００［ｎｍ］であり、第２の層３３の厚さは例えば６５［ｎｍ］である。
【００４２】
続いて、第１光ガイド層２１の第２の層３３上に活性層１７（第１の活性層）をエピタキシャル成長させる。活性層１７の組成や構造は前述したものと同様である。活性層１７を例えば多重量子井戸構造とする場合、例えばＧａＮからなる障壁層（一実施例では厚さ１５［ｎｍ］）と、例えばＩｎＧａＮからなる井戸層（一実施例では厚さ３［ｎｍ］）とを交互に成長させる。井戸層の発光波長のピーク波長は例えば４４０［ｎｍ］である。
【００４３】
続いて、第２光ガイド層２３を構成する第２の層３７と、電子ブロック層２７と、第２光ガイド層２３を構成する第１の層３５とを活性層１７上に順にエピタキシャル成長させる。第２の層３７は例えばアンドープＩｎＧａＮからなり、第２の層３３は例えばｐ型のＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる。また、電子ブロック層２７は例えばｐ型ＡｌＧａＮからなる。第２の層３７の厚さは例えば６５［ｎｍ］であり、電子ブロック層２７の厚さは例えば２０［ｎｍ］であり、第１の層３５の厚さは例えば２００［ｎｍ］である。
【００４４】
続いて、ｐ型ＩｎＡｌＧａＮといったｐ型の窒化ガリウム系半導体からなるｐ型クラッド層１９を、第１の層３５上にエピタキシャル成長させる。ｐ型クラッド層１９の厚さは例えば４００［ｎｍ］である。そして、ｐ型ＧａＮといったｐ型の窒化ガリウム系半導体からなるコンタクト層４１を、ｐ型クラッド層１９上にエピタキシャル成長させる。コンタクト層４１の厚さは例えば５０［ｎｍ］である。
【００４５】
以上の工程を経て、第１の半導体積層部１０３が主面１０１ａ上に形成される。第１の半導体積層部１０３は、ｎ型クラッド層１５、第１光ガイド層２１、活性層１７、第２光ガイド層２３、電子ブロック層２７、ｐ型クラッド層１９、及びコンタクト層４１を含む。
【００４６】
続いて、図４（ａ）に示すように、第１の半導体積層部１０３上（本実施形態ではコンタクト層４１上）にＳｉＯ２膜１０５を形成する。一実施例では、第１の半導体積層部１０３上に、プラズマＣＶＤ法を用いて厚さ５００［ｎｍ］のＳｉＯ２膜１０５を形成する。そして、図４（ｂ）に示すように、このＳｉＯ２膜１０５上に、通常のフォトリソグラフィ技術を用いてレジストパターン１０７を形成する。レジストパターン１０７は、互いに間隔をあけて所定方向（本実施形態では第１及び第２の光共振器１０，５０の光導波方向と直交する方向）に並ぶ複数のパターンにより構成される。
【００４７】
続いて、図５（ａ）に示すように、レジストパターン１０７を介してＳｉＯ２膜１０５に対しＣＦ４を用いたドライエッチング処理を施すことにより、ＳｉＯ２からなる複数のエッチングマスク１０９を形成する。複数のエッチングマスク１０９は、互いに間隔をあけて上記所定方向に並んでおり、各エッチングマスク１０９は前述した第１の半導体レーザ構造１Ａに対応している。なお、各エッチングマスク１０９の幅（光導波方向と直交する方向の幅）は例えば２０［μｍ］以上２００［μｍ］以下であり、エッチングマスク１０９同士の間隔は、例えば１００［μｍ］以上２００［μｍ］以下である。エッチングマスク１０９同士の間隔が１００［μｍ］を下回ると、後述する第２の半導体積層部の再成長の際に成長速度が増加してしまい、層厚の制御が難しくなる。
【００４８】
その後、アセトンによる超音波洗浄を行ってレジストパターン１０７を除去したのち（図５（ｂ））、Ｃｌ２を用いたドライエッチング処理を、複数のエッチングマスク１０９を介して第１の半導体積層部１０３に施す。エッチング深さは活性層１７より深く、好ましくはｎ型クラッド層１５に達する。一実施例では、このときのエッチング深さは１２００［ｎｍ］である。これにより、図６（ａ）に示すように、活性層１７を含む第１の半導体積層部１０３の部分を選択的に除去する。
【００４９】
続いて、窒化ガリウム系半導体基板１０１を反応炉室内のサセプタ上に再び配置する。そして、図６（ｂ）に示すように、窒化ガリウム系半導体基板１１の主面１１ａ上において第１の半導体積層部１０３が部分的に除去された領域上に、第１の半導体積層部１０３の対応する半導体層と同様の厚さ及び組成でもって、ｎ型クラッド層５５、第１光ガイド層６１の第１の層３１、第１光ガイド層６１の第２の層３３、活性層５７（第２の活性層）、第２光ガイド層６３の第２の層３７、電子ブロック層６７、第２光ガイド層６３の第１の層３５、ｐ型クラッド層５９、及びコンタクト層８１をこの順で選択的にエピタキシャル成長させることにより、第２の半導体積層部１１１を形成する。なお、第２の半導体積層部１１１では、活性層５７の井戸層の発光波長のピーク波長は例えば５２０［ｎｍ］である。
【００５０】
続いて、第１、第２の半導体積層部１０３，１１１が形成された窒化ガリウム系半導体基板１０１をフッ酸に浸すことにより、エッチングマスク１０９を除去する（図７（ａ））。その後、第１及び第２の半導体レーザ構造１Ａ，１Ｂ（図１を参照）を互いに分離するため、以下の処理を行う。まず、第１、第２の半導体積層部１０３，１１１上にレジスト膜を塗布したのち、通常のフォトリソグラフィ技術により、図７（ｂ）に示すように、第１、第２の半導体積層部１０３，１１１の境界部分の上部に開口を有するレジストパターン１１３を形成する。そして、図８（ａ）に示すように、Ｃｌ２を用いたドライエッチング処理を第１、第２の半導体積層部１０３，１１１の境界部分に施す。このとき、エッチング深さは例えばｎ型クラッド層１５，５５に達する深さであり、一実施例では１２００［ｎｍ］である。その後、アセトンによる超音波洗浄を行ってレジストパターン１１３を除去する（図８（ｂ））。
【００５１】
続いて、図９（ａ）に示すように、第１、第２の半導体積層部１０３，１１１上にレジスト膜を塗布したのち、通常のフォトリソグラフィ技術により、リッジを形成するためのレジストパターン１１５を形成する。なお、レジストパターン１１５の長手方向（すなわち光導波方向）は、窒化ガリウム系半導体基板１０１のｃ軸を主面１０１ａに投影した方向に沿っていることが好ましい。
【００５２】
また、このとき、第１の半導体積層部１０３上に形成されたレジストパターン１１５の長手方向と、第２の半導体積層部１１１上に形成されたレジストパターン１１５の長手方向とが、互いに成す角を２°以下とすることが好ましい。これにより、第１の光共振器１０（図１）の光導波方向と、第２の光共振器５０（図１）の光導波方向とが互いに成す角を２°以下とすることができる。
【００５３】
続いて、図９（ｂ）に示すように、レジストパターン１１５をマスクとして、例えばＣｌ２を用いたドライエッチング処理を第１、第２の半導体積層部１０３，１１１に施す。このとき、エッチング深さは例えば４５０［ｎｍ］であり、電子ブロック層２７，６７が露出する程度であることが好ましい。これにより、第１及び第２の半導体レーザ構造１Ａ，１Ｂのリッジ形状が形成され、第１、第２の光導波路構造がそれぞれ形成される。
【００５４】
なお、第２の半導体レーザ構造１Ｂのリッジ形状の平面位置は、第１、第２の半導体積層部１０３，１１１の境界部分から３０［μｍ］ないし５０［μｍ］以上離れていることが好ましい。第２の半導体積層部１１１の当該領域は再成長時に膜厚が他の領域より厚くなることがあり、このような領域に第２の半導体レーザ構造１Ｂのリッジ形状がかからないようにすることで、光導波路を好適に形成できる。より好適には、第２の半導体レーザ構造１Ｂのリッジ形状は、第２の半導体積層部１１１の中央部の上に形成されるとよい。また、第１、第２の半導体レーザ構造１Ａ，１Ｂの各リッジ形状の平面位置は、互いに１００［μｍ］以上離れていることが好ましい。これにより、第１、第２の半導体レーザ構造１Ａ，１Ｂの各光導波路における発熱の影響を相互に回避することができる。
【００５５】
続いて、図１０（ａ）に示すように、第１、第２の半導体積層部１０３，１１１の表面を覆うように、且つ第１、第２の半導体積層部１０３，１１１の隙間を埋めるように絶縁膜４７を形成する。絶縁膜４７は、例えばプラズマＣＶＤ法によってＳｉＯ２を３００［ｎｍ］の厚さに成膜することにより形成される。その後、アセトンによる超音波洗浄を行い、リッジ上の絶縁膜４７をレジストパターン１１５と共に除去（リフトオフ）して開口部を形成する（図１０（ｂ））。
【００５６】
続いて、第１、第２の半導体積層部１０３，１１１のリッジ上（すなわちコンタクト層４１，８１上）に、アノード電極を形成する。すなわち、図１１（ａ）に示すように、第１、第２の半導体積層部１０３，１１１の表面にレジストパターン１１７を形成する。このレジストパターン１１７は、第１、第２の半導体積層部１０３，１１１のリッジ部分に開口を有するものである。そして、アノード電極４５，８５となるＮｉ及びＡｕ（共に厚さ１０［ｎｍ］）を順に真空蒸着し、金属膜１２３を形成する（図１１（ｂ））。その後、アセトンによる超音波洗浄を行い、レジストパターン１１７を除去（リフトオフ）してアノード電極４５，８５を形成する（図１２（ａ））。
【００５７】
続いて、図１２（ｂ）に示すように、窒化ガリウム系半導体基板１０１の裏面１０１ｂを研磨することにより、窒化ガリウム系半導体基板１０１を薄化する。このとき、窒化ガリウム系半導体基板１０１の厚さを例えば１００［μｍ］とする。その後、図１３に示すように、裏面１０１ｂ上にカソード電極９９を形成する。すなわち、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉ、及びＡｕといった金属をそれぞれ２０［ｎｍ］、２００［ｎｍ］、５０［ｎｍ］、３００［ｎｍ］の厚みとなるよう、真空蒸着法により窒化ガリウム系半導体基板１０１の裏面１０１ｂに蒸着することにより、カソード電極９９を形成する。
【００５８】
続いて、図１４（ａ）に示すように、第１、第２の半導体積層部１０３，１１１が形成された窒化ガリウム系半導体基板１０１を、リッジの長手方向と直交する方向にブレーカ１１９によって劈開（一次劈開）する。これにより、第１の光導波路構造と一対の共振端面１０ａ，１０ｂとを有する第１の光共振器１０（図１及び図２（ａ）を参照）、及び第２の光導波路構造と一対の共振端面５０ａ，５０ｂとを有する第２の光共振器５０（図１及び図２（ｂ）を参照）が形成されるとともに、第１の光共振器１０を含む第１の半導体レーザ構造１Ａと、第２の光共振器５０を含む第２の半導体レーザ構造１Ｂとが交互に配置された、棒状の半導体レーザバー１２１が作製される（図１４（ｂ））。
【００５９】
続いて、半導体レーザバー１２１の一対の劈開面の双方に、反射膜を形成する。一般的に、半導体レーザ素子の反射膜は、単一の波長（共振波長）が反射率のピークとなるように、２種類の屈折率の材料を交互に積層して反射率を高める。しかし、本実施形態では、第１の半導体レーザ構造１Ａの出力波長（４３０［ｎｍ］以上４８０［ｎｍ］以下）と、第２の半導体レーザ構造１Ｂの出力波長（５００［ｎｍ］以上５５０［ｎｍ］以下）との双方に対して高い反射率を実現するため、それぞれの波長域が反射率のピークとなるように、２種類の反射膜を重ねて形成するとよい。
【００６０】
続いて、図１４（ｃ）に示すように、第１、第２の半導体レーザ構造１Ａ，１Ｂの光導波方向に沿って、半導体レーザバー１２１を劈開（二次劈開）する。このとき、一つの素子あたり、第１、第２の半導体レーザ構造１Ａ，１Ｂが少なくとも一つずつ含まれるように半導体レーザバー１２１を劈開する。これにより、一組の第１、第２の半導体レーザ構造１Ａ，１Ｂ並びに窒化ガリウム系半導体基板１１を備える半導体レーザ集積素子１（図１，図２を参照）が完成する。
【００６１】
本実施形態の半導体レーザ集積素子１及びその作製方法による効果について説明する。上述した半導体レーザ集積素子１及びその作製方法においては、窒化ガリウム系半導体基板１１の主面１１ａに、光共振器１０，５０が設けられる。主面１１ａと窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面とのなす角は４５°以上１３５°以下であり、主面１１ａは非極性面（半極性面または無極性面）である為、これらの面上にインジウムを含む活性層１７，５７を成長させることで、結晶構造の歪みに起因するピエゾ電界を低減するとともに、結晶品質が良好な緑色発光するＩｎＧａＮ層を結晶成長させることが可能となり、発光効率を高めることができる。
【００６２】
また、上述した半導体レーザ集積素子１及びその作製方法では、一枚の窒化ガリウム系半導体基板１１の主面１１ａ上に活性層１７，５７が設けられるが、上述した作製方法のように、主面１１ａ上において活性層１７，５７を含む半導体積層部１０３，１１１を結晶成長させ、通常の半導体プロセスを用いて半導体レーザ構造１Ａ，１Ｂを形成することが可能である。したがって、別基板上に成長させた半導体レーザ素子を実装する従来のものと比較して、半導体レーザ構造１Ａ，１Ｂ同士の位置合わせを精度良く行うことができる。また、活性層１７の発光波長のピーク波長と、活性層５７の発光波長のピーク波長とが互いに異なるので、これらの半導体レーザ構造１Ａ，１Ｂの出力波長を互いに異ならせることができる。すなわち、本実施形態の半導体レーザ集積素子１及びその作製方法によれば、出力波長が互いに異なる複数の半導体レーザ構造１Ａ，１Ｂの光軸を精度よく合わせることができる。
【００６３】
また、本実施形態のように、活性層１７の発光波長のピーク波長が４３０［ｎｍ］以上４８０［ｎｍ］以下であり、活性層５７の発光波長のピーク波長が５００［ｎｍ］以上５５０［ｎｍ］以下であることによって、青色のレーザ光、及び緑色のレーザ光を出力できる半導体レーザ集積素子１を得ることができる。
【００６４】
また、本実施形態のように、光共振器１０，５０の各光導波方向は、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ軸を主面１１ａ及び裏面１１ｂに投影した方向に沿って延びていることが好ましい。これにより、光導波方向に垂直な劈開面（共振端面）を容易に形成することができる。
【００６５】
また、本実施形態のように、活性層５７より発光波長が短い活性層１７を有する第１の半導体積層部１０３を、活性層５７を有する第２の半導体積層部１１１より先にエピタキシャル成長させることが好ましい。このように、インジウム組成が小さく耐熱性が高い活性層１７を先に成長させることで、インジウム組成が大きく耐熱性が低い活性層５７へのダメージを低減できる。
【００６６】
ここで、本実施形態に係る半導体レーザ集積素子１において、アノード電極４５及び８５に電力を供給するためのパッド電極の形態について説明する。
【００６７】
図１５（ａ）は、アノード電極４５に電力を供給するためのアノード用パッド電極４６ａと、アノード電極８５に電力を供給するためのアノード用パッド電極８６ａとを、それぞれアノード電極４５，８５に対して同じ向きに突出させた様子を示している。これに対し、図１５（ｂ）は、アノード電極４５に電力を供給するためのアノード用パッド電極４６ｂを、アノード用パッド電極８６ａとは逆向きに突出させて、アノード用パッド電極４６ｂ及び８６ａが互いに対向するように配置した様子を示している。アノード用パッド電極を図１５（ｂ）のように配置することで、図１５（ａ）の場合と比較して半導体レーザ構造１Ａ，１Ｂの各光導波路１２，５２を互いに離すことができるので、発熱による影響を相互に小さくできる。
【００６８】
また、図１６（ａ）は、アノード電極８５に電力を供給するためのアノード用パッド電極８６ｂを、アノード用パッド電極４６ａとは逆向きに突出させて、アノード用パッド電極４６ａとアノード用パッド電極８６ｂとの間に半導体レーザ構造１Ａ，１Ｂの各光導波路１２，５２が位置するように配置した様子を示している。アノード用パッド電極を図１６（ａ）のように配置することで、図１５（ａ）の場合と比較して半導体レーザ構造１Ａ，１Ｂの各光導波路１２，５２を互いに近づけることができるので、焦点の精度を高め、光軸をより精度よく合わせることができる。
【００６９】
また、図１６（ｂ）は、アノード電極４５に電力を供給するためのアノード用パッド電極４６ｃの光導波方向の突出位置と、アノード電極８５に電力を供給するためのアノード用パッド電極８６ｃの光導波方向の突出位置とを、互いに干渉しないよう交互に配置した場合を示している。アノード用パッド電極を図１６（ｂ）のように配置することで、半導体レーザ集積素子１の横幅をより小さくでき、小型化が可能となる。
【００７０】
なお、アノード用パッド電極４６ａ〜４６ｃ及び８６ａ〜８６ｃの好適な幅は例えば１００［μｍ］である。このような幅を有することにより、ボンディングワイヤを導波路にかからないように形成できる。
【符号の説明】
【００７１】
１…半導体レーザ集積素子、１Ａ…第１の半導体レーザ構造、１Ｂ…第２の半導体レーザ構造、１０…第１の光共振器、１０ａ，１０ｂ…共振端面、１１，１０１…窒化ガリウム系半導体基板、１１ａ，１０１ａ…主面、１１ｂ，１０１ｂ…裏面、１２，５２…光導波路、１３…ｎ型半導体層、１５，５５…ｎ型クラッド層、１７，５７…活性層、１９，５９…ｐ型クラッド層、２１，６１…第１光ガイド層、２３，６３…第２光ガイド層、２７，６７…電子ブロック層、３１，７１…第１の層、３３，７３…第２の層、３５，７５…第１の層、３７，７７…第２の層、４１，８１…ｐ型コンタクト層、４５，８５…アノード電極、４６ａ〜４６ｃ，８６ａ〜８６ｃ…アノード用パッド電極、４７…絶縁膜、５０…第２の光共振器、５０ａ，５０ｂ…共振端面、９９…カソード電極、１０３…第１の半導体積層部、１１１…第２の半導体積層部。
【図１】
2011077326.tif 000003
【図２】
2011077326.tif 000004
【図３】
2011077326.tif 000005
【図４】
2011077326.tif 000006
【図５】
2011077326.tif 000007
【図６】
2011077326.tif 000008
【図７】
2011077326.tif 000009
【図８】
2011077326.tif 000010
【図９】
2011077326.tif 000011
【図１０】
2011077326.tif 000012
【図１１】
2011077326.tif 000013
【図１２】
2011077326.tif 000014
【図１３】
2011077326.tif 000015
【図１４】
2011077326.tif 000016
【図１５】
2011077326.tif 000017
【図１６】
2011077326.tif 000018