(57)【要約】【課題】サブレシピやテーブルの内容を変えた場合にも、プロセスレシピが大幅に増加することを抑制できる基板処理装置を提供する。【解決手段】プロセスレシピに基づき基板処理を行う基板処理装置を、標準プロセスレシピと標準テーブルとを記憶する標準レシピ記憶部と、標準テーブルが修正された修正テーブルを記憶する修正テーブル記憶部と、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピを実行するレシピ実行部とから構成する。【選択図】図３
2011243637.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理室と、プロセスレシピを記憶する記憶部と、プロセスレシピに基づき基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、
前記記憶部は、標準プロセスレシピと標準テーブルとを記憶する標準レシピ記憶部と、標準テーブルが修正された修正テーブルを記憶する修正テーブル記憶部とを備え、
前記制御部は、レシピ実行部を備え、
前記レシピ実行部は、少なくとも、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピを実行するものである基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理レシピを用いて、半導体ウエハ等の基板を処理する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１に、基板処理装置としての、半導体装置の製造装置（半導体製造装置）の斜視図を示す。図１に示す基板処理装置は、複数のウエハ（基板）を収容する基板収容器であるフープ（以下、ポッドという）１１０を一時的に保管する回転棚１０５と、ポッド１１０を搬送するポッド搬送装置１１８と、ウエハを積層するように搭載するボート２１７と、回転棚１０５に搭載されたポッド１１０とボート２１７との間でウエハの移載を行うウエハ移載機１２５と、ボート２１７を熱処理炉２０２内に搬入、及び搬出するボートエレベータ１１５と、加熱手段（ヒータ）２０６を備えた熱処理炉２０２と、記憶部や操作部や表示部（不図示）等の基板処理装置の各構成部と、各構成部を制御する制御部（不図示）とを備えている。そして、制御部が、記憶部に記憶したプロセスレシピに基づき、熱処理等のウエハ処理を実行する。
【０００３】
プロセスレシピには、プロセス処理の制御を行うためのプロセスシーケンス及び制御パラメータ（温度，圧力，ガス流量等の制御目標値）が、複数のイベントとして実行順に記述されている。プロセスレシピ中において、汎用性の高い処理は、サブレシピとして実行される。サブレシピは、エラー発生時の処理シーケンス等を記述しており、プロセスレシピ実行中に呼び出され実行される。また、制御パラメータ（温度，圧力，ガス流量等の制御目標値）は、テーブルとして記憶され、プロセスレシピ実行中に参照されて実行される。
【０００４】
図６は、プロセスレシピ、サブレシピ、テーブルの関係説明図である。図６において、プロセスレシピ６１は、第１イベント、第２イベント、第３イベント、…、第ｎイベントから構成されおり、図中の矢印で示すように、第１イベントから順に実行される。第２イベントにおいて、サブレシピ６２が呼び出され実行される。また、第４イベントにおいて、制御パラメータとして、テーブル６３の内容（制御パラメータ）が参照され実行される。
【０００５】
基板処理する際は、顧客の求める最良のプロセス条件（ガス流量、圧力、温度、時間、電圧等の制御目標値）を探すため、プロセスレシピの内容を微調整し修正する作業（チューニング）が必要となる。チューニングにおいては、プロセス条件をマトリックスで振るため、一部分を修正しただけのプロセスレシピを大量に用意する必要がある。しかし、プロセスレシピが大量に作成されると、管理面や運用面に支障が出るため、従来、チューニングを行う際は、プロセスレシピ実行前にプロセスレシピの一部のみを変更して、その変更したプロセスレシピを実行するようにする都度チューニングが行われている。
【０００６】
例えば、特許文献１（特開平０５-１３５０６４公報）には、基板処理装置のプロセスレシピに、そのプロセスレシピが必要とする制御目標値を記述したテーブルファイルの名称を書き込んだコンビネーションテーブルを設ける技術が開示されている。また、特許文献２（特開平０９-０８２５８９公報）には、半導体製造装置の各制御処理に共通のイベントをサブレシピとして別個に作成するとともに、各制御処理についてそれぞれメインレシピを作成し、このメインレシピにサブレシピを読み出すイベントを設け、制御処理を行うようにする技術が開示されている。
【０００７】
上述したような従来の基板処理装置においては、プロセスに影響を及ぼす条件が全て、プロセスレシピの中に含まれていたため、プロセスレシピの一部のみを都度チューニングにより変更し、その変更したプロセスレシピで実験することで、プロセスレシピの大量作成をしなくても、プロセス条件を変更することができていた。そのため、プロセスレシピのみをチューニングの対象とし、サブレシピやテーブル（制御パラメータ）は、チューニングの対象としていなかった。
しかし、最近の新しい基板処理プロセスにおいては、プロセスに影響を及ぼすメインの処理を、従来のようにプロセスレシピではなく、サブレシピやテーブルで行う場合が出てきた。例えば、同じ内容の処理ステップを多数繰り返すことにより成膜するプロセスの場合、プロセスに影響を及ぼす条件をサブレシピに記述し、サブレシピによりプロセス処理を実行している。また、ＶＦＭ（Variable  Frequency  Microwave）加熱技術の場合は、ＰＭ（Process  Chamber  Module:処理室）のほかに、プロセスに関わる制御コントローラが増えた構成となったため、チャンバテーブルのなかのＶＦＭテーブルにプロセスに影響を及ぼす条件を記述し、ＶＦＭテーブルによりプロセス処理を実行している。
【０００８】
したがって、プロセスレシピにコンビネーション（結合）して使用するサブレシピやテーブルの内容を変えた場合、従来は、プロセスレシピのみをチューニングの対象とし、サブレシピやテーブルはチューニングの対象としていないため、プロセスレシピを別名として異なるプロセスレシピを保存しなければならず、プロセスレシピが大幅に増加することになる。プロセスレシピが増加すると、使用するプロセスレシピを指定しているシーケンスレシピも増加することになり、管理面や運用面に及ぼす影響が大きい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平０５-１３５０６４公報
【特許文献２】特開平０９-０８２５８９公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、サブレシピやテーブルの内容を変えた場合にも、プロセスレシピが大幅に増加することを抑制でき、管理面や運用面に及ぼす影響を抑制することが可能な基板処理装置あるいは半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するための、本発明の基板処理装置の代表的な構成は、次のとおりである。すなわち、
基板を処理する基板処理室と、プロセスレシピを記憶する記憶部と、プロセスレシピに基づき基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、
前記記憶部は、標準プロセスレシピと標準テーブルとを記憶する標準レシピ記憶部と、標準テーブルが修正された修正テーブルを記憶する修正テーブル記憶部とを備え、
前記制御部は、レシピ実行部を備え、
前記レシピ実行部は、少なくとも、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピを実行するものである基板処理装置。
【発明の効果】
【００１２】
上記の構成によれば、テーブルの内容を変えた場合にも、プロセスレシピが大幅に増加することを抑制でき、管理面や運用面に及ぼす影響を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の垂直断面図である。
【図３】本発明の各実施形態に係る基板処理装置の機能ブロック図の構成例である。
【図４】本発明の各実施形態に係るコンビネーションテーブルを示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の上面図である。
【図６】プロセスレシピ、サブレシピ、テーブルの関係説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（第１実施形態）
以下、図面を参照して、本発明の第１実施形態における基板処理装置を説明する。第１実施形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ：Integrated Circuit）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）処理などを行うバッチ式縦型半導体製造装置（以下、単に処理装置という）を適用した場合について述べる。図１は、本発明が適用される処理装置の平面透視図であり、斜視図として示されている。また、図２は図１に示す処理装置の側面透視図である。
【００１５】
図２に示されているように、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納したウエハキャリアとしてポッド（基板収容器）１１０が使用されている実施形態の処理装置１００は、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４、１０４がそれぞれ建て付けられている。
筐体１１１の正面壁１１１ａには、ポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が、筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２は、フロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側には、ロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４は、ポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０は、ロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。
【００１６】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転棚１０５は、複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。図４に、回転棚１０５の概略図を示す。すなわち、回転棚１０５は、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上下３段の各位置において放射状に支持された複数枚（この例では３枚）の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７は、ポッド１１０を複数個それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
図２に示すように、筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと、水平搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８は、ポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。
【００１７】
図２に示すように、筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａには、ウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が１対、垂直方向に上下２段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には１対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ１２１は、ポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は、載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。載置台１２２は、基板を移載する際に基板収容器が載置される移載棚である。
【００１８】
図２に示すように、サブ筐体１１９は、ポッド搬送装置１１８や回転棚１０５の設置空間の雰囲気と隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域には、ウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａ、およびウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対して、ウエハ２００を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
【００１９】
図１に示されているように、移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう、供給フアンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置１３５（不図示）が設置されている。
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置１３５およびウエハ移載装置１２５ａに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出されるように構成されている。
【００２０】
移載室１２４の後側領域には、大気圧未満の圧力（以下、負圧という。）を維持可能な機密性能を有する筐体（以下、耐圧筐体という。）１４０（不図示）が設置されており、この耐圧筐体１４０により、ボート２１７を収容可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室１４１（不図示）が形成されている。
耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａ（不図示）には、ウエハ搬入搬出開口（基板搬入搬出開口）１４２（不図示）が開設されており、ウエハ搬入搬出開口１４２は、ゲートバルブ（基板搬入搬出口開閉機構）１４３（不図示）によって開閉されるようになっている。耐圧筐体１４０の１対の側壁には、ロードロック室１４１へ窒素ガスを給気するためのガス供給管１４４（不図示）と、ロードロック室１４１を負圧に排気するための排気管１４５（不図示）とが、それぞれ接続されている。
図２に示すように、ロードロック室１４１の上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口ゲートバルブ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａの上端部には、炉口ゲートバルブ１４７を処理炉２０２の下端部の開放時に収容する炉口ゲートバルブカバー１４９（不図示）が取り付けられている。
【００２１】
図１に示されているように、耐圧筐体１４０内には、ボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５に連結された連結具としてのアーム１２８には、蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９は、ボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート２１７は、複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
【００２２】
次に、本実施形態の処理装置の動作について説明する。
図１、図２に示されているように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロード、ポッド搬入搬出口１１２から搬入される。
搬入されたポッド１１０は、回転棚１０５の指定された棚板１１７へ、ポッド搬送装置１１８によって、自動的に搬送されて受け渡される。
【００２３】
ポッド１１０は回転棚１０５で一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは、ロードポート１１４から直接、ポッドオープナ１２１に搬送されて、載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０は、キャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４には、クリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下になるよう、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
【００２４】
図２に示すように、載置台１２２に載置されたポッド１１０は、その開口側端面が、サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップが、キャップ着脱機構１２３によって取り外され、ポッド１１０のウエハ出し入れ口が開放される。また、予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室１４１のウエハ搬入搬出開口１４２が、ゲートバルブ１４３の動作により開放されると、ウエハ２００は、ポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによって、ウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置１３５にてウエハを整合した後、ウエハ搬入搬出開口１４２を通じてロードロック室１４１に搬入され、ボート２１７へ移載されて装填（ウエハチャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａは、ポッド１１０に戻り、次のウエハ１１０をボート２１７に装填する。
【００２５】
この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載装置１２５によるウエハ２００のボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には、回転棚１０５ないしロードポート１１４から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
【００２６】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、ウエハ搬入搬出開口１４２がゲートバルブ１４３によって閉じられ、ロードロック室１４１は排気管１４５から真空引きされることにより、減圧される。
ロードロック室１４１が処理炉２０２内の圧力と同圧に減圧されると、処理炉２０２の下端部が炉口ゲートバルブ１４７によって開放される。このとき、炉口ゲートバルブ１４７は炉口ゲートバルブカバー１４９の内部に搬入されて収容される。
続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されて、シールキャップ２１９に支持されたボート２１７が、処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。
【００２７】
ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、ボートエレベータ１１５によりボート２１７が引き出され、更に、ロードロック室１４０内部を大気圧に復圧させた後にゲートバルブ１４３が開かれる。その後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００およびポッド１１０は筐体１１１の外部へ払出される。
【００２８】
次に、図３を参照して、基板処理装置における制御部１０を中心とした機能ブロック構成について説明する。
図３に示されるように、制御部１０には、操作部３１、表示部３２、ウエハ移載機１２５、反応炉２０２のヒータ３４、ポンプ・圧力バルブ３５、ガス配管・ＭＦＣ（マスフローコントローラ：流量制御装置）３６、記憶部２０等の各構成部が電気的に接続されており、制御部１０は、これらの各構成部を制御する。
操作部３１は、操作員が基板処理装置に対し行う各種操作を受け付ける。表示部３２は、基板処理装置を操作するための操作画面などを表示する。ウエハ移載機１２５は、ボート２１７とポッド１１０との間で、ウエハを移載する。ヒータ３４は、反応炉２０２を加熱する。ポンプ・圧力バルブ３５は、反応炉２０２内の基板処理室内の雰囲気の圧力調整や排気を行う。ガス配管・ＭＦＣ３６は、基板処理室内へ処理用ガス等を供給し、また供給流量を調整する。
制御部１０は、ウエハ移載機１２５の位置を制御する位置コントローラ（図示せず）、反応炉２０２を加熱するヒータの温度を制御する温度コントローラ（図示せず）、反応炉２０２内の基板処理室内の雰囲気を排気するための減圧排気装置としての真空ポンプ・圧力バルブを開閉、調整する圧力コントローラ（図示せず）、処理室に連通する原料ガス供給管等の開閉と、原料ガス供給管等に配置されたＭＦＣの流量を制御する弁コントローラ（図示せず）等を含む。
【００２９】
記憶部２０は、標準レシピ記憶部２１と、修正プロセスレシピ記憶部２２と、修正サブレシピ記憶部２３と、修正テーブル記憶部２４と、コンビネーションテーブル２５とを備える。記憶部２０は、ハードディスクや半導体メモリ等から構成することができる。
標準レシピ記憶部２１は、基板処理を行うための標準プロセスレシピ（基板処理のシーケンス）や、標準サブレシピや、標準テーブルを記憶する。標準プロセスレシピには、プロセス処理の制御を行うための標準的なプロセスシーケンス及び制御パラメータ（温度，圧力，ガス流量等の制御目標値）が、複数のイベントとして実行順に記述されている。標準プロセスレシピ中において、汎用性の高い処理は、標準サブレシピとして実行される。標準サブレシピは、例えば、エラー発生時の処理シーケンス等を記述しており、標準プロセスレシピ実行中に呼び出され実行される。また、制御パラメータ（温度，圧力，ガス流量等の制御目標値）は、標準テーブルとして記憶され、標準プロセスレシピ実行中に参照され実行される。
なお、次回の運用時においても都度チューニングを可能にするため、標準レシピ（標準プロセスレシピ、標準サブレシピ、標準テーブル）の内容は、変更しないようにしている。
【００３０】
修正プロセスレシピ記憶部２２は、都度チューニング等により、標準プロセスレシピが変更された場合の、該変更されたプロセスレシピを記憶する。操作員は、標準レシピ記憶部２１に記憶された標準プロセスレシピを前記表示部３２に表示し、該標準プロセスレシピを表示した状態で、前記操作部３１から、標準プロセスレシピを変更し、修正プロセスレシピとして、修正プロセスレシピ記憶部２２に記憶することができる。
修正サブレシピ記憶部２３は、都度チューニング等により、標準サブレシピが変更された場合の、該変更されたサブレシピを記憶する。操作員は、標準レシピ記憶部２１に記憶された標準サブレシピを前記表示部３２に表示し、該標準サブレシピを表示した状態で、前記操作部３１から、標準サブレシピを変更し、修正サブレシピとして、修正サブレシピ記憶部２３に記憶することができる。
修正テーブル記憶部２４は、都度チューニング等により、標準テーブルが変更された場合の、該変更されたテーブルを記憶する。操作員は、標準レシピ記憶部２１に記憶された標準テーブルを前記表示部３２に表示し、該標準テーブルを表示した状態で、前記操作部３１から、標準テーブルを変更し、修正テーブルとして、修正テーブル記憶部２４に記憶することができる。
なお、修正プロセスレシピや修正サブレシピや修正テーブルを、その都度チューニングでしか用いないような場合は、修正プロセスレシピ記憶部２２、修正サブレシピ記憶部２３、修正テーブル記憶部２４は、テンポラリファイル（一時ファイル）として構成してもよい。
【００３１】
コンビネーションテーブル２５は、都度チューニング等により、標準プロセスレシピや標準サブレシピや標準テーブルが変更された場合に、該変更された修正プロセスレシピや修正サブレシピや修正テーブルのコンビネーション（組合せ）を記憶する。操作員は、記憶部２０に記憶されたコンビネーションテーブル２５を前記表示部３２に表示し、該コンビネーションテーブル２５を表示した状態で、前記操作部３１から、コンビネーションテーブル２５を変更し、設定することができる。
【００３２】
コンビネーションテーブル２５の構成例を、図４に示す。図４は、本発明の実施形態に係るコンビネーションテーブルの構成例を示す図である。図４において、１行目のＮｏ．１は、標準プロセスレシピが、標準サブレシピＡや標準サブレシピＢ、標準テーブルＣや標準テーブルＤを含んでいることを示す。これにより、操作員が、前記操作部３１から、標準プロセスレシピを指定して実行すると、標準プロセスレシピが実行され、標準プロセスレシピを実行中に、標準サブレシピＡや標準サブレシピＢが呼び出されて実行される。また、標準テーブルＣや標準テーブルＤの制御パラメータが参照されて、標準プロセスレシピが実行される。
【００３３】
図４において、２行目のＮｏ．２は、標準プロセスレシピが、修正サブレシピ（ａ１）や標準サブレシピＢ、標準テーブルＣや標準テーブルＤを含んでいることを示す。これにより、操作員が、前記操作部３１から、標準プロセスレシピを指定して実行すると、標準プロセスレシピが実行され、標準プロセスレシピを実行中に、修正サブレシピ（ａ１）や標準サブレシピＢが呼び出されて実行される。また、標準テーブルＣや標準テーブルＤの制御パラメータが参照されて、標準プロセスレシピが実行される。なお、修正サブレシピ（ａ１）は、テンポラリファイルであってもよい。
【００３４】
図４において、３行目のＮｏ．３は、標準プロセスレシピが、標準サブレシピＡや標準サブレシピＢ、修正テーブル（ｃ１）や標準テーブルＤを含んでいることを示す。これにより、操作員が、前記操作部３１から、標準プロセスレシピを指定して実行すると、標準プロセスレシピが実行され、標準プロセスレシピを実行中に、標準サブレシピＡや標準サブレシピＢが呼び出されて実行される。また、修正テーブル（ｃ１）や標準テーブルＤの制御パラメータが参照されて、標準プロセスレシピが実行される。なお、修正テーブル（ｃ１）は、テンポラリファイルであってもよい。
【００３５】
図４において、６行目のＮｏ．６は、修正プロセスレシピ（１）が、修正サブレシピ（ａ１）や修正サブレシピ（ｂ２）、修正テーブル（ｃ１）や修正テーブル（ｄ２）を含んでいることを示す。これにより、操作員が、前記操作部３１から、修正プロセスレシピ（１）を指定して実行すると、修正プロセスレシピ（１）が実行され、修正プロセスレシピ（１）を実行中に、修正サブレシピ（ａ１）や修正サブレシピ（ｂ２）が呼び出されて実行される。また、修正テーブル（ｃ１）や修正テーブル（ｄ２）の制御パラメータが参照されて、修正プロセスレシピ（１）が実行される。なお、修正サブレシピ（ａ１）や修正サブレシピ（ｂ２）、修正テーブル（ｃ１）や修正テーブル（ｄ２）は、テンポラリファイルであってもよいが、テンポラリファイルとせず一定期間記憶する場合は、後でプロセス履歴を参照することができる。
【００３６】
図４において、７行目のＮｏ．７は、修正プロセスレシピ（２）が、修正サブレシピ（ａ３）や修正サブレシピ（ｂ１）、修正テーブル（ｃ４）や修正テーブル（ｄ３）を含んでいることを示す。これにより、操作員が、前記操作部３１から、修正プロセスレシピ（２）を指定して実行すると、修正プロセスレシピ（２）が実行され、修正プロセスレシピ（２）を実行中に、修正サブレシピ（ａ３）や修正サブレシピ（ｂ１）が呼び出されて実行される。また、修正テーブル（ｃ４）や修正テーブル（ｄ３）の制御パラメータが参照されて、標準プロセスレシピが実行される。なお、修正サブレシピ（ａ３）や修正サブレシピ（ｂ１）、修正テーブル（ｃ４）や修正テーブル（ｄ３）は、テンポラリファイルであってもよいが、テンポラリファイルとせず一定期間記憶する場合は、後でプロセス履歴を参照することができる。
【００３７】
制御部１０は、図３に示すように、レシピ実行部１１と、プロセスレシピ修正部１２と、サブレシピ修正部１３と、テーブル修正部１４と、コンビネーション登録部１５と、表示部３２の表示内容を制御する表示制御部１６とを備える。制御部１０は、ハードウエア構成としては、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）と制御部１０の動作プログラム等を格納するメモリを備えており、ＣＰＵは、この動作プログラムに従って動作する。
【００３８】
レシピ実行部１１は、例えば操作部３１からの操作員の指示や基板処理装置の上位のホストコンピュータ等からの指示等に基づき、前記標準レシピ記憶部２１に記憶した標準プロセスレシピ、標準サブレシピ、標準テーブルを読み出して、標準プロセスレシピ等に記述されたプロセスステップ等のステップを、順次実行する。
また、レシピ実行部１１は、前記コンビネーションテーブル２５に設定されたプロセスレシピ、サブレシピ、テーブルの組合せに基づき、前記標準レシピ記憶部２１に記憶された標準プロセスレシピ、標準サブレシピ、標準テーブルや、前記修正プロセスレシピ記憶部２２に記憶された修正プロセスレシピや、前記修正サブレシピ記憶部２３に記憶された修正サブレシピや、前記修正テーブル記憶部２４に記憶された修正テーブルを読み出して、標準プロセスレシピや修正プロセスレシピ等に記述されたプロセスステップ等のステップを、順次実行する。
【００３９】
プロセスレシピ修正部１２は、例えば操作部３１からの操作員の指示や基板処理装置の上位のホストコンピュータ等からの指示に基づき、標準レシピ記憶部２１に記憶された標準プロセスレシピの内容を修正して修正プロセスレシピ記憶部２２に記憶させ、また、修正プロセスレシピ記憶部２２に記憶された修正プロセスレシピの内容をさらに修正して修正プロセスレシピ記憶部２２に記憶させる。
【００４０】
サブレシピ修正部１３は、例えば操作部３１からの操作員の指示や基板処理装置の上位のホストコンピュータ等からの指示に基づき、標準レシピ記憶部２１に記憶された標準サブレシピの内容を修正して修正サブレシピ記憶部２３に記憶させ、また、修正サブレシピ記憶部２３に記憶された修正サブレシピの内容をさらに修正して修正サブレシピ記憶部２３に記憶させる。
【００４１】
テーブル修正部１４は、例えば操作部３１からの操作員の指示や基板処理装置の上位のホストコンピュータ等からの指示に基づき、標準レシピ記憶部２１に記憶された標準テーブルの内容を修正して修正テーブル記憶部２４に記憶させ、また、修正テーブル記憶部２４に記憶された修正テーブルの内容をさらに修正して修正テーブル記憶部２４に記憶させる。
【００４２】
コンビネーション登録部１５は、例えば操作部３１からの操作員の指示や基板処理装置の上位のホストコンピュータ等からの指示に基づき、特定のプロセスレシピ中で動作するサブレシピとテーブルとを、該特定のプロセスレシピと対応付けて、コンビネーションテーブル２５に登録し記憶させる。
【００４３】
（第１実施例）
次に、第１実施形態の基板処理装置において、サブレシピやテーブルを修正する場合の第１実施例について説明する。例えば、標準プロセスレシピＡに、次の（１）から（５）の処理ステップが登録されているとする。
（１）標準サブレシピ（Ａ）の内容を実行。ここで、標準サブレシピ（Ａ）の内容は、基板２００を積載したボート２１７を処理炉２０２内へ、３０分間でロード（挿入）することである。
（２）標準テーブル（Ｃ）の内容を実行。ここで、標準テーブル（Ｃ）の内容は、処理炉２０２内の温度が７００℃になるよう、２０分間、加熱することである。
（３）標準テーブル（Ｄ）の内容を実行。ここで、標準テーブル（Ｄ）の内容は、処理用ガスを処理炉２０２内へ２０分間、供給することである。
（４）標準テーブル（Ｅ）の内容を実行。ここで、標準テーブル（Ｅ）の内容は、処理用ガスを処理炉２０２内から、５分間、排気することである。
（５）標準サブレシピ（Ｂ）の内容を実行。ここで、標準サブレシピ（Ｂ）の内容は、基板２００を積載したボート２１７を処理炉２０２内から、１００分間でアンロード（取り出し）することである。
【００４４】
この標準プロセスレシピＡに対して、操作員が、最適な処理が行われるよう、チューニングにより、標準サブレシピや標準テーブルの内容を変更する。例えば、操作員が、サブレシピ（Ａ）の内容を変更、具体的には、ロード時間の３０分間を４０分間に変更する。また、テーブル（Ｃ）の内容を変更、具体的には、加熱時間の２０分間を３０分間に変更する。
その後、例えば操作部３１から操作員が、標準プロセスレシピＡを指定して実行指示を行うと、基板処理装置は、上記の修正された内容のサブレシピ（Ａ）やテーブル（Ｃ）の基づき、標準プロセスレシピＡを実行する。
このようにすると、プロセスレシピを増やすことなく、サブレシピやテーブルの内容を変更、修正できる。
【００４５】
（第２実施例）
次に、第１実施形態の基板処理装置において、サブレシピやテーブルを修正する場合の第２実施例について説明する。例えば、標準プロセスレシピＡに、上記第１実施例と同様の、（１）から（５）の処理ステップが登録されているとする。
この標準プロセスレシピＡに対して、操作員が、最適な処理が行われるよう、チューニングにより、標準サブレシピや標準テーブルの内容を変更する。例えば、操作員が、サブレシピ（Ａ）の内容を変更、具体的には、ロード時間の３０分間を４０分間に変更して、サブレシピ（ａ１）を作成し、これを修正サブレシピ記憶部２３に記憶させる。また、テーブル（Ｃ）の内容を変更、具体的には、加熱時間の２０分間を３０分間に変更して、テーブル（ｃ１）を作成し、これを修正テーブル記憶部２４に記憶させる。また、操作員は、コンビネーションテーブル２５に、標準プロセスレシピＡに代えて修正プロセスレシピ（１）とし、修正プロセスレシピ（１）の内容として、次の（１）から（５）の処理ステップを登録し記憶させる。
（１）修正サブレシピ（ａ１）の内容を実行。
（２）修正テーブル（ｃ１）の内容を実行。
（３）標準テーブル（Ｄ）の内容を実行。
（４）標準テーブル（Ｅ）の内容を実行。
（５）標準サブレシピ（Ｂ）の内容を実行。
その後、例えば操作部３１から操作員が、修正プロセスレシピ（１）を指定して実行指示を行うと、基板処理装置は、上記の修正された修正プロセスレシピ（１）を実行する。
このようにすると、サブレシピやテーブルの内容を変更してプロセスの実験等を行うことや、実験等を行ったプロセスの履歴を残すことが容易となる。
【００４６】
（第２実施形態）
次に、図５を参照して、本発明の第２実施形態における基板処理装置を説明する。第２実施形態の基板処理装置も、半導体装置（ＩＣ：Integrated Circuit）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。図５は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置を上面から見た図である。
図５において、５１は、シリコン等からなるウエハ（基板）を収納したウエハキャリアとしてのポッド（基板収容器）を受渡すための、ロードポート（基板収容器受渡し台）である。図５の例では、ロードポート５１は３箇所あり、３つのポッドを載置することができる。５３ないし５５は、ウエハ（基板）を処理するためのプロセスチャンバ（処理室）である。図５の例では、プロセスチャンバは３つ存在する。プロセスチャンバ５３ないし５５は、それぞれ同時に１枚のウエハを処理するようになっている。つまり、この基板処理装置は枚葉装置である。５２は、ロードポート５１に載置されたポッドと、プロセスチャンバ５３ないし５５との間で、ウエハを搬送するためのハンドラ（基板搬送装置）である。
【００４７】
図５の基板処理装置においては、例えば、ロードポート５１に載置されたポッドから、１枚のウエハがハンドラ５２により取り出され、プロセスチャンバ５３内へ搬送される。その後、プロセスチャンバ５３内が所定の温度や圧力に設定されると、処理ガスがプロセスチャンバ５３内へ供給され、所定時間、ウエハの処理が行われる。ウエハの処理が終了すると、ウエハは、プロセスチャンバ５３内からハンドラ５２により取り出され、ロードポート５１に載置されたポッド内へ収容される。
【００４８】
第２実施形態における基板処理装置の制御部及び記憶部は、第１実施形態における基板処理装置の制御部及び記憶部と同様の機能を備えているので、説明を省略する。
【００４９】
（第１実施例）
次に、第２実施形態の基板処理装置において、サブレシピやテーブルを修正する場合の第１実施例について説明する。例えば、標準プロセスレシピＡに、次の（１）から（５）の処理ステップが登録されているとする。
（１）標準サブレシピ（Ａ）の内容を実行。ここで、標準サブレシピ（Ａ）の内容は、ロードポート５１に載置されたポッド内のウエハを、ハンドラ５２により、プロセスチャンバ５３内へ、３０秒間で搬送することである。
（２）標準テーブル（Ｃ）の内容を実行。ここで、標準テーブル（Ｃ）の内容は、プロセスチャンバ５３内の温度が３００℃になるよう、５秒間、加熱することである。
（３）標準テーブル（Ｄ）の内容を実行。ここで、標準テーブル（Ｄ）の内容は、処理用ガスをプロセスチャンバ５３内へ２０秒間、供給することである。
（４）標準テーブル（Ｅ）の内容を実行。ここで、標準テーブル（Ｅ）の内容は、処理用ガスをプロセスチャンバ５３内から、１分間、排気することである。
（５）標準サブレシピ（Ｂ）の内容を実行。ここで、標準サブレシピ（Ｂ）の内容は、プロセスチャンバ５３内のウエハを、ハンドラ５２により、ロードポート５１に載置されたポッド内へ、３０秒間で搬送することである。
【００５０】
この標準プロセスレシピＡに対して、操作員が、最適な処理が行われるよう、チューニングにより、標準サブレシピや標準テーブルの内容を変更する。例えば、操作員が、サブレシピ（Ｂ）の内容を変更、具体的には、搬送時間の３０秒間を２０秒間に変更する。また、テーブル（Ｄ）の内容を変更、具体的には、処理用ガス供給時間の２０秒間を３０秒間に変更する。
その後、例えば操作部３１から操作員が、標準プロセスレシピＡを指定して実行指示を行うと、基板処理装置は、上記の修正された内容のサブレシピ（Ｂ）やテーブル（Ｄ）の基づき、標準プロセスレシピＡを実行する。
このようにすると、プロセスレシピを増やすことなく、サブレシピやテーブルの内容を変更、修正できる。
【００５１】
（第２実施例）
次に、第２実施形態の基板処理装置において、サブレシピやテーブルを修正する場合の第２実施例について説明する。例えば、標準プロセスレシピＡに、上記第１実施例と同様の、（１）から（５）の処理ステップが登録されているとする。
この標準プロセスレシピＡに対して、操作員が、最適な処理が行われるよう、チューニングにより、標準サブレシピや標準テーブルの内容を変更する。例えば、操作員が、サブレシピ（Ｂ）の内容を変更、具体的には、搬送時間の３０秒間を２０秒間に変更して、サブレシピ（ｂ１）を作成し、これを修正サブレシピ記憶部２３に記憶させる。また、テーブル（Ｄ）の内容を変更、具体的には、処理用ガス供給時間の２０秒間を３０秒間に変更して、テーブル（ｄ１）を作成し、これを修正テーブル記憶部２４に記憶させる。また、操作員は、コンビネーションテーブル２５に、標準プロセスレシピＡに代えて修正プロセスレシピ（２）とし、修正プロセスレシピ（２）の内容として、次の（１）から（５）の処理ステップを登録し記憶させる。
（１）標準サブレシピ（Ａ）の内容を実行。
（２）標準テーブル（Ｃ）の内容を実行。
（３）修正テーブル（ｄ１）の内容を実行。
（４）標準テーブル（Ｅ）の内容を実行。
（５）修正サブレシピ（ｂ１）の内容を実行。
その後、例えば操作部３１から操作員が、修正プロセスレシピ（２）を指定して実行指示を行うと、基板処理装置は、上記の修正された修正プロセスレシピ（２）を実行する。
このようにすると、サブレシピやテーブルの内容を変更してプロセスの実験等を行うことや、実験等を行ったプロセスの履歴を残すことが容易となる。
【００５２】
なお、上記の例では、チューニングにおいて、操作員が、標準サブレシピや標準テーブル等の内容を変更するようにしたが、基板処理装置の上位に接続されたホストコンピュータから、標準サブレシピや標準テーブル等の内容を変更する指示を受けるようにしてもよい。この場合、プロセスレシピとコンビネーションしているテーブルもチューニングできるように、例えば、ＶＰ（Variable  Parameter）として、ＰＭ番号と、コンビネーション毎に予め設定していたＩＤを用いて、テーブルを設定する。以下に例を示す。
（１）指定箇所［ＰＭ１―ＳＴＥＰＸＸＸ―ＴＥＭＰ］  指定設定値［１００］。
（２）指定箇所［ＰＭ２―ＶＦＭＴＡＢＬＥＸＸ―ＴＥＭＰ］  指定設定値［５０］
上記（１）は、ＰＭ１のプロセスレシピのＸＸＸステップの温度を１００度指定に変更する場合の指定である。また、上記（２）は、ＰＭ２のＶＦＭテーブルのテーブル番号ＸＸの温度を５０度指定に変更する場合の指定である。この例では、「ＶＦＭＴＡＢＬＥ」をＶＦＭテーブルのＩＤとし、「ＸＸ」をＶＦＭテーブル中の複数のテーブルの１つを指定する番号としている。
【００５３】
上記の説明では、ＩＤを文字列により指定したが、数字により指定してもよいし、ＴＥＭＰのような指定対象も含めたＩＤ（文字列もしくは数字）としてもよい。また、ＰＭ番号の指定も、指定なしやワイルドカード指定として＊などの特定の記号を使用して、全ＰＭを一斉に設定するようにしてもよい。また、テーブル毎の設定としたが、テーブル中のステップ毎に設定可能とするために、ＶＦＭＴＡＢＬＥＸＸ―ＸＸＸのように、ＩＤを割り振ってもよい。
【００５４】
また、上記の例では、標準プロセスレシピや修正プロセスレシピ中のサブレシピにプロセスチャンバ指定が含まれるようにしたが、シーケンスレシピの中でプロセスチャンバ指定とプロセスレシピ指定とが行われるように構成し、操作員が、シーケンスレシピを指定して実行指示を行うようにしてもよい。この場合のシーケンスレシピは、複数のプロセスチャンバが接続されている形態である場合に、どのプロセスチャンバを使用するかを定めるためのレシピのことであり、また、使用するプロセスチャンバにおいてどのプロセスレシピを使用するかも合わせて定めるものである。
【００５５】
なお、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。本発明は、半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ製造装置のようなガラス基板を処理する装置や、他の基板処理装置にも適用できる。基板処理の処理内容は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜、金属含有膜等を形成する成膜処理だけでなく、露光処理、リソグラフィ、塗布処理等であってもよい。
【００５６】
なお、本明細書には、基板処理装置、又は半導体装置の製造方法に関する次の発明が含まれる。すなわち、第１の発明は、
基板を処理する基板処理室と、プロセスレシピを記憶する記憶部と、プロセスレシピに基づき基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、
前記記憶部は、標準プロセスレシピと標準テーブルとを記憶する標準レシピ記憶部と、標準テーブルが修正された修正テーブルを記憶する修正テーブル記憶部とを備え、
前記制御部は、レシピ実行部を備え、
前記レシピ実行部は、少なくとも、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピを実行するものである基板処理装置。
【００５７】
第２の発明は、第１の発明の基板処理装置において、
前記制御部が、さらに、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピを修正するプロセスレシピ修正部を備え、
前記記憶部が、さらに、前記修正プロセスレシピを記憶する修正プロセスレシピ記憶部を備え、
前記レシピ実行部は、少なくとも、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピ、又は前記修正プロセスレシピ記憶部に記憶された修正プロセスレシピを実行するものである基板処理装置。
【００５８】
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明の基板処理装置において、
前記標準レシピ記憶部がさらに標準サブレシピを記憶するものであり、
前記制御部が、さらに、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準サブレシピを修正するサブレシピ修正部を備え、
前記記憶部が、さらに、前記修正サブレシピを記憶する修正サブレシピ記憶部を備え、
前記レシピ実行部が、少なくとも、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピ又は前記修正プロセスレシピ記憶部に記憶された修正プロセスレシピと、前記修正サブレシピ記憶部に記憶された修正サブレシピとを実行するものである基板処理装置。
【００５９】
第４の発明は、第３の発明の基板処理装置において、
前記標準サブレシピ及び修正サブレシピは、同じ内容の処理ステップの繰り返しにより膜を形成するものである基板処理装置。
【００６０】
第５の発明は、第１の発明ないし第４の発明の基板処理装置において、
該基板処理装置が、さらに、前記標準プロセスレシピ、又は標準サブレシピ、又は標準テーブルを表示するための表示部と、前記標準プロセスレシピ、又は標準サブレシピ、又は標準テーブルを修正操作するための操作部とを備え、前記標準プロセスレシピ、又は標準サブレシピ、又は標準テーブルを前記表示部に表示した状態で、前記操作部からの修正操作を受け付けるものである基板処理装置。
【００６１】
第６の発明は、
基板を処理する基板処理室と、プロセスレシピを記憶する記憶部と、プロセスレシピに基づき基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、
前記記憶部は、標準プロセスレシピと標準サブレシピと標準テーブルとを記憶する標準レシピ記憶部と、標準プロセスレシピが修正された修正プロセスレシピを記憶する修正プロセスレシピ記憶部と、標準サブレシピが修正された修正サブレシピを記憶する修正サブレシピ記憶部と、標準テーブルが修正された修正テーブルを記憶する修正テーブル記憶部とを備え、
前記制御部は、レシピ実行部と、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準プロセスレシピを修正するプロセスレシピ修正部と、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準サブレシピを修正するサブレシピ修正部と、前記標準レシピ記憶部に記憶された標準テーブルを修正するテーブル修正部とを備え、
前記レシピ実行部は、少なくとも、前記修正テーブル記憶部に記憶された修正テーブルを参照して、前記修正プロセスレシピ記憶部に記憶された修正プロセスレシピと、前記修正サブレシピ記憶部に記憶された修正サブレシピを実行するものである基板処理装置。
【００６２】
第７の発明は、第６の発明の基板処理装置において、
前記記憶部が、さらに、前記標準プロセスレシピ又は修正プロセスレシピ、前記標準サブレシピ又は修正サブレシピ、前記標準テーブル又は修正テーブルの組合せを記憶するコンビネーションテーブルを備え、
前記制御部が、さらに、操作員の指示に基づき前記コンビネーションテーブルを作成し前記記憶部に登録するコンビネーション登録部を備え、
前記レシピ実行部が、前記コンビネーションテーブルに設定されたプロセスレシピ、サブレシピ、テーブルの組合せに基づき、該コンビネーションテーブルに設定されたテーブルを参照して、該コンビネーションテーブルに設定されたプロセスレシピ、及びサブレシピを実行するものである基板処理装置。
【００６３】
第８の発明は、
プロセスレシピ実行中に実行されるサブレシピを修正、又はプロセスレシピ実行中に参照される制御パラメータが記述されたテーブルを修正する工程と、
修正されたサブレシピ、又はテーブルをプロセスレシピと対応付けて記憶する工程と、
基板を基板処理室へ搬入する工程と、
基板処理のためのプロセスレシピを実行する工程と、
前記記憶した修正されたサブレシピ、又はテーブルとプロセスレシピとの対応付けに基づき、プロセスレシピ実行中に、前記修正されたサブレシピを実行、又は前記修正されたテーブルを参照する工程とを備えた半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００６４】
１０…制御部、１１…レシピ実行部、１２…プロセスレシピ修正部、１３…サブレシピ修正部、１４…テーブル修正部、１５…コンビネーション登録部、１６…表示制御部、２０…記憶部、２１…標準レシピ記憶部、２２…修正プロセスレシピ記憶部、２３…修正サブレシピ記憶部、２４…修正テーブル記憶部、２５…コンビネーションテーブル、３１…操作部、３２…表示部、３４…ヒータ、３５…ポンプ・圧力バルブ、３６…ガス配管・ＭＦＣ圧力、５１…ロードポート、５２…ハンドラ、５３…プロセスチャンバ、５４…プロセスチャンバ、５５…プロセスチャンバ、６１…プロセスレシピ、６２…サブレシピ、６３…テーブル、１２５…ウエハ移載機。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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