(57)【要約】【課題】ひとつ以上の熱源によって引き起こされるプロセスエラーが低減または最小化されうるリソグラフィプロセスを提供する。【解決手段】液浸リソグラフィ装置が提供される。この液浸リソグラフィ装置は、基板テーブル上の基板のエッジと基板が配置される凹部のエッジとの間のギャップの中に漏れる液浸流体を受けるよう構成されたドレインを含む基板テーブルを有する。基板を支持する部分の裏側に流体のひとつ以上のジェットを向けることによって凹部の少なくとも基板を支持している部分を熱的に調整するために熱的調整システムが設けられる。【選択図】図６
2011151397.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸リソグラフィ装置であって、
基板を支持するよう構成された支持部を有する凹部を含む基板テーブルと、
基板テーブルの中のドレインであって、使用中、基板テーブル上の基板のエッジと凹部のエッジとの間のギャップの中に漏れる液浸流体を受けるよう構成されたドレインと、
凹部の支持部を熱的に調整するよう構成された熱的調整システムであって凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けるよう構成された開口を含む熱的調整システムと、を備える、液浸リソグラフィ装置。
【請求項２】
基板テーブルは中央部と中央部を囲む周辺部とを含み、凹部は中央部に形成され、ドレインは周辺部に形成される、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項３】
中央部および周辺部は分離システムによって互いに分離されており、分離システムは中央部と周辺部との間の熱または振動もしくはその両方の移送を低減するよう構成され、および／または熱的調整システムは基板テーブルの周辺部を熱的に調整するよう構成される、請求項２に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項４】
基板テーブルの周辺部は、下面および使用中凹部に支持される基板の上面と平行となる上面を有する平面部を含み、
熱的調整システムは基板テーブルの周辺部の平面部の下面に流体ジェットを向けるよう構成された開口を含む、請求項３に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項５】
凹部の支持部の裏側に向けられた流体を抽出するよう構成された流体抽出システムを備える、請求項２から４のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項６】
流体抽出システムは、凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体が基板テーブルの周辺部の中の導管を通じて流れるよう構成され、
導管は熱的調整システムの一部を形成すると共に周辺部を熱的に調整するために使用され、および／または流体抽出システムはさらにドレインから流体を抽出するよう構成される、請求項５に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項７】
流体抽出システムは、ドレインから抽出された流体および凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体が基板テーブルの周辺部の共通導管を通じて抽出されるよう構成されるか、または、流体抽出システムは、ドレインから抽出された流体が基板テーブルの周辺部の第１導管を通じて抽出され、凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体が基板テーブルの周辺部の第２導管を通じて抽出されるよう構成される、請求項６に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項８】
ドレインから流体を抽出し、かつ、熱的調整システムから流体を、その流体が凹部の支持部の裏側に向けられた後に抽出するよう構成された流体抽出システムを備える、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項９】
ドレインから抽出された流体および凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体は基板テーブルの共通導管を通じて抽出されるか、または、流体抽出システムは、ドレインから抽出された流体が基板テーブルの第１導管を通じて抽出され、凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体が基板テーブルの周辺部の第２導管を通じて抽出されるよう構成される、請求項８に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１０】
熱的調整システムは開口プレートを含み、開口プレートには開口が設けられ、開口プレートは開口によって提供される流体ジェットが凹部の支持部の裏側に向けられるよう凹部の支持部に隣接して設けられる、請求項１から９のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１１】
開口プレートおよび凹部の支持部は、開口と凹部の支持部の裏側に向けられた後の流体を抽出するための出口とを除いて封止される空間を部分的に定義する、請求項１０に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１２】
熱的調整システムは、開口プレートの開口に流体を提供するよう構成された流体マニホルドを含む、請求項１０または１１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１３】
基板テーブルの周辺部は、基板テーブルの周辺部を直接熱するヒータを含む、請求項２から１２のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１４】
デバイス製造方法であって、
基板テーブルの凹部に基板を提供し、凹部は基板を支持するよう構成された支持部を有することと、
基板の上面に液浸流体を提供することと、
基板のエッジと凹部のエッジとの間のギャップの中に漏れる液浸流体を基板テーブルの中のドレインを通じて抽出することと、
凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けることによって、凹部の支持部を熱的に調整することと、を含む、デバイス製造方法。
【請求項１５】
リソグラフィ装置であって、
基板を支持するよう構成された支持部を有する凹部と凹部を囲む周辺部とを含む基板テーブルと、
凹部の支持部および基板テーブルの周辺部を熱的に調整するよう構成された熱的調整システムと、を備え、
熱的調整システムは、凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けるよう構成された開口と、基板テーブルの周辺部の一部に流体ジェットを向けるよう構成された開口と、を含む、リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、通常は基板のターゲット部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、例えばマスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、集積回路の各層に形成されるべき回路パターンを形成するために使用される。このパターンが基板（例えばシリコンウエハ）の（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイからなる）ターゲット部分に転写される。パターン転写は典型的には基板に形成された放射感応性材料（レジスト）層への結像による。一般に一枚の基板にはネットワーク状に隣接する一群のターゲット部分が含まれ、これらは連続的に露光される。公知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、ターゲット部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各ターゲット部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（「走査」方向）に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板を走査方向に平行または逆平行に走査するようにして各ターゲット部分は照射を受ける。パターニングデバイスから基板へのパターン転写は、基板にパターンをインプリントすることによっても可能である。
【０００３】
リソグラフィ投影装置において基板を液体に浸すことが提案されている。この液体は比較的高い屈折率をもつ液体であり、例えば水である。投影システムの最終要素と基板との間の空間が液体で満たされる。液体はある実施の形態では蒸留水であるが、その他の液体も使用可能である。本発明の実施の形態は液体に言及して説明しているが、その他の流体、特に濡れ性流体、非圧縮性流体、及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。その真意は、露光放射は液体中で波長が短くなるので、より小さい形状の結像が可能となるということである（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくし、焦点深度も大きくすることと見なすこともできる）。別の液浸液も提案されている。固体粒子（例えば石英）で懸濁している水や、ナノ粒子（例えば最大寸法１０ｎｍ以下）で懸濁している液体である。懸濁粒子はその液体の屈折率と同程度の屈折率を有していてもよいし、そうでなくてもよい。その他に適切な液体は炭化水素を含む。例えば芳香族、フッ化炭化水素、および／または水溶液がある。
【０００４】
基板を、又は基板と基板テーブルとを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許第４，５０９，８５２号参照）は、走査露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
液浸装置では液浸流体は流体ハンドリングシステム、デバイス構造または装置によって取り扱われる。ある実施の形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給してもよく、したがって流体供給システムであってもよい。ある実施の形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体を少なくとも部分的に閉じ込めてもよく、流体閉じ込めシステムであってもよい。ある実施の形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体に障壁（バリア）をもたらしてもよく、バリア部材であってもよい。バリア部材は流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施の形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスの流れを生成または使用してもよい。この流れは例えば液浸流体の流れ及び／または位置の制御に役立つ。気体流れが液浸流体を閉じ込めるシールを形成してもよく、流体ハンドリング構造がシール部材と呼ばれてもよい。そのようなシール部材は流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施の形態では、液浸液は液浸流体として使用されてもよい。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムである。上記説明に関して、本段落で流体について定義した特徴への言及は、液体について定義される特徴を含むものと理解されたい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
リソグラフィプロセスの実行中、ひとつ以上の熱源がリソグラフィ装置内のひとつ以上の要素に亘って温度変化を引き起こすかもしれない。時間についての温度変化があるかもしれない。そのような温度分布はリソグラフィプロセス内でエラーを引き起こす可能性がある。
【０００７】
例えば、ひとつ以上の熱源によって引き起こされるプロセスエラーが低減または最小化されうるリソグラフィプロセスを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
ある態様によると、液浸リソグラフィ装置が提供される。この液浸リソグラフィ装置は、基板を支持するよう構成された支持部を有する凹部を含む基板テーブルと、基板テーブルの中のドレインであって、使用中、基板テーブル上の基板のエッジと凹部のエッジとの間のギャップの中に漏れる液浸流体を受けるよう構成されたドレインと、凹部の支持部を熱的に調整するよう構成された熱的調整システムであって凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けるよう構成された開口を含む熱的調整システムと、を備える。
【０００９】
ある態様によると、デバイス製造方法が提供される。このデバイス製造方法は、基板テーブルの中の凹部に基板を提供し、凹部は基板を支持するよう構成された支持部を有することと、基板の上面に液浸流体を提供することと、基板のエッジと凹部のエッジとの間のギャップの中に漏れる液浸流体を基板テーブルの中のドレインを通じて抽出することと、凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けることによって、凹部の支持部を熱的に調整することと、を含む。
【００１０】
ある態様によると、リソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、基板を支持するよう構成された支持部を有する凹部と凹部を囲む周辺部とを含む基板テーブルと、凹部の支持部および基板テーブルの周辺部を熱的に調整するよう構成された熱的調整システムと、を備える。熱的調整システムは、凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けるよう構成された開口と、基板テーブルの周辺部の一部に流体ジェットを向けるよう構成された開口と、を含む。
【００１１】
ある態様によると、デバイス製造方法が提供される。このデバイス製造方法は、基板テーブルの中の凹部に基板を提供し、凹部は基板を支持するよう構成された支持部を有し、基板テーブルは凹部を囲む周辺部を有することと、凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けることによって凹部の支持部を熱的に調整することと、基板テーブルの周辺部の一部に流体ジェットを向けることによって基板テーブルの周辺部を熱的に調整することと、を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
本発明の実施の形態が以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。この説明に用いられる参照符号は各図面において対応する部分を指し示す。各図面において同様の符号は同様の部分を示す。
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。
【００１４】
【図２】リソグラフィ投影装置で使用される液体供給システムを示す図である。
【図３】リソグラフィ投影装置で使用される液体供給システムを示す図である。
【００１５】
【図４】リソグラフィ投影装置で使用される別の液体供給システムを示す図である。
【００１６】
【図５】リソグラフィ投影装置で使用される別の液体供給システムを示す図である。
【００１７】
【図６】本発明の実施の形態に係る基板テーブルの一部を示す図である。
【００１８】
【図７】本発明の実施の形態に係る基板テーブルの一部を示す図である。
【００１９】
【図８】本発明の実施の形態に係る基板テーブルの一部を示す図である。
【００２０】
【図９】本発明の実施の形態に係る基板テーブルの一部を示す図である。
【００２１】
【図１０】本発明の実施の形態に係る基板テーブルの一部を示す図である。
【００２２】
【図１１】本発明の実施の形態に係る基板テーブルの一部を示す図である。
【００２３】
【図１２】本発明の実施の形態に係る基板テーブルの一部を示す図である。
【００２４】
【図１３】本発明の実施の形態に係る基板テーブルの一部を示す図である。
【００２５】
【図１４】本発明に係る熱的調整システムの一部を示す図である。
【００２６】
【図１５】本発明に係る熱的調整システムの一部を示す図である。
【００２７】
【図１６】本発明に係る熱的調整システムの一部を示す図である。
【００２８】
【図１７】本発明の実施の形態に係る熱的調整システムのための制御システムを示す図である。
【００２９】
【図１８】本発明の実施の形態に係る熱的調整システムの一部を示す図である。
【００３０】
【図１９】本発明の実施の形態に係る基板テーブルの一部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
図１は、本発明の実施の形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、
放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するよう構成されている照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、所定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするよう構成されている第１の位置決め装置ＰＭに接続されている支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えばレジストでコーティングされたウエハ）Ｗを保持するよう構成され、所定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするよう構成されている第２の位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウエハテーブル）ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイからなる）ターゲット部分Ｃに投影するよう構成されている投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。
【００３２】
照明システムＩＬは、放射を方向付け、放射を形成し、または放射を制御するために、各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子または他の各種光学部品を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
【００３３】
支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向きやリソグラフィ装置の構成、あるいはパターニングデバイスＭＡが真空環境下で保持されるか否かなどの他の条件に応じた方式でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械的固定、真空固定、またはパターニングデバイスＭＡを保持するその他の固定用技術を用いてもよい。支持構造ＭＴは例えばフレームまたはテーブルであってよく、必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを例えば投影システムＰＳに対して所望の位置に位置決めできるようにしてもよい。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなされるものとする。
【００３４】
本明細書では「パターニングデバイス」という用語は、例えば基板のターゲット部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。このような場合には例えば、放射ビームのパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合がある。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、ターゲット部分に形成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。
【００３５】
パターニングデバイスＭＡは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、例えばマスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルなどがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜されるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。
【００３６】
本明細書では「投影システム」という用語は、使用される露光放射あるいは液浸や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影システムをも包含するよう広く解釈されるべきである。投影システムには例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である「投影システム」と同義に用いられ得る。
【００３７】
ここに図示されるのは、（例えば透過型マスクを用いる）透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、（例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイまたは反射型マスクを用いる）反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。
【００３８】
リソグラフィ装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）のテーブル（及び／または２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有し、それらのうちの少なくともひとつまたは全てが基板を保持しうるタイプのものであってもよい。このような「多重ステージ」型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に他の１以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。
【００３９】
図１に示されるようにイルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば光源ＳＯがエキシマレーザである場合には、光源ＳＯとリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源ＳＯからイルミネータＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適切な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源ＳＯが例えば水銀ランプである場合には、光源ＳＯはリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。光源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称される。
【００４０】
イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般には、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径及び／または内径の大きさ（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータＩＬはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。光源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬはリソグラフィ装置の一部を形成するとみなされてもよいしみなされなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬはリソグラフィ装置と一体であってもよく、またはリソグラフィ装置と別体であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置はイルミネータＩＬがそれに取り付け可能なように構成されてもよい。オプションで、イルミネータＩＬは取り外し可能であって別途提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造者または他のサプライヤーによって）。
【００４１】
放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、当該パターニングデバイスＭＡによりパターンが付与される。パターニングデバイスＭＡを通過した放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃにフォーカスする。第２の位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。基板テーブルＷＴは例えば放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように移動される。同様に、第１の位置決め装置ＰＭと他の位置センサ（図１には明示せず）とにより放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えばマスクライブラリから機械検索後や走査中に行われる。一般に支持構造ＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現される。同様に基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパでは（スキャナとは異なり）、支持構造ＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗとは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用のターゲット部分を占拠しているが、アライメントマークはターゲット部分Ｃ間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００４２】
図示の装置は例えば次のうちの少なくとも１つのモードで使用され得る。
【００４３】
１．ステップモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンの全体が１回の照射でターゲット部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる（すなわち単一静的露光）。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なるターゲット部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で転写されるターゲット部分Ｃのサイズを制限することになる。
【００４４】
２．スキャンモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光でのターゲット部分Ｃの（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離がターゲット部分Ｃの（走査方向の）長さを決定する。
【００４５】
３．別のモードにおいては、支持構造ＭＴがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００４６】
上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別のモードでリソグラフィ装置を使用してもよい。
【００４７】
投影システムの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は少なくとも二種類に大きく分類することができる。浴槽型の構成といわゆる局所液浸システムとである。浴槽型では、基板の実質的に全体と任意的に基板テーブルの一部とが液槽に浸される。いわゆる局所液浸システムは、基板の局所域にのみ液体を供給する液体供給システムを使用する。後者の分類においては、液体で満たされる空間は平面図にて基板上面よりも小さく、液体で満たされた領域は基板がその領域の下を移動しているとき投影システムに対し実質的に静止状態にある。本発明のある実施の形態が指向する更なる一構成は、液体が閉じ込められないオールウェット（all wet）型である。この構成においては、基板上面全体と基板テーブルの全体または一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは浅い。液体はフィルム状であってもよく、基板上の薄い液体フィルムであってもよい。図２乃至図５の液体供給装置はいずれもこうしたシステムに使用可能であるが、シール機能はなくすか、動作させないか、通常ほどは効果的でないようにするか、あるいはその他の手法で、局所域のみに液体を封じないようにする。４つの異なる形式の局所液体供給システムが図２乃至図５に図示されている。
【００４８】
１つの提案される構成は、液体供給システムが基板の局所域のみにかつ投影システムの最終要素と基板との間に液体閉じ込めシステムを使用して供給するというものである（基板は一般に投影システムの最終要素よりも大きな面積をもつ）。そのための構成の一例がＰＣＴ特許出願第ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２及び図３に示されるように、液体が少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向に最終要素の下を走査されると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて除去される。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で除去される構成を概略的に示したものである。基板Ｗの上方の矢印は液体流れ方向を示し、基板Ｗの下方の矢印は基板テーブル移動方向を示す。図２では液体が最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲に規則的なパターンで設けられる。液体供給デバイス及び液体回収デバイスにおける矢印が液体流れ方向を示す。
【００４９】
局所液体供給システムをもつ液浸リソグラフィの更なる解決法が、図４に示されている。液体は、投影システムＰＳの両側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の分離された出口によって除去される。入口及び出口は、投影ビームを通す穴を中心に有するプレートに設けることができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の分離された出口によって除去され、これによって投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体の薄膜の流れが生じる。入口と出口のどちらの組合せを使用するかの選択は、基板Ｗの移動方向によって決まる（他方の組合せの入口及び出口は作動させない）。図４の断面図において矢印は入口での液体流入方向と出口での液体流出方向とを示す。
【００５０】
本明細書にその全体が援用される欧州特許出願公開第１４２０３００号及び米国特許出願公開第２００４−０１３６４９４号明細書には、二重ステージまたはデュアルステージの液浸リソグラフィ装置の着想が開示されている。こうした装置には基板を支持するための２つのテーブルが設けられている。レベリング計測が１つのテーブルで第１位置で液浸液なしで実行され、露光が１つのテーブルで第２位置で液浸液ありで実行される。ある構成では、装置は１つのテーブルのみを有するかまたは、２つのテーブルを有し、それらのテーブルのうちの一方のみが基板を支持できる。
【００５１】
国際公開第２００５／０６４４０５号には、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成が開示されている。このようなシステムにおいては、基板上面全体が液体で覆われる。これは、基板上面全体が実質的に同じ条件にさらされるので有利な場合がある。これは、基板の温度制御および処理に有利に働く。国際公開第２００５／０６４４０５号では、液体供給システムは、液体を投影システムの最終要素と基板との間のギャップに供給する。供給された液体は、基板の残り部分にわたって漏れる（または流れる）ことが許容されている。基板テーブルのエッジの障壁によって液体が漏れるのが防止され、制御された方法で基板テーブルの上面から液体を除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御および処理を改善するが、それでも液浸液の蒸発が生じる可能性がある。米国特許出願公開第２００６／０１１９８０９号明細書には、この問題を多少とも解決するのに役立つ一つの方法が開示されている。基板を全ての位置において覆う部材が設けられており、該部材は、液浸液を自身と基板及び／または基板を保持する基板テーブルの表面との間に広げるよう構成される。
【００５２】
提案されている別の構成は流体ハンドリング構造をもつ液体供給システムを設けることである。流体ハンドリング構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。こうした構成を図５に示す。流体ハンドリング構造は、投影システムに対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）では多少の相対運動があってよい。流体ハンドリング構造と基板の表面との間にシールが形成される。ある実施の形態においては、流体ハンドリング構造と基板の表面との間にシールが形成され、このシールはガスシール等の非接触シールであってもよい。こうしたシステムは米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号明細書に開示されている。別の実施の形態においては、流体ハンドリング構造は非ガスシールであるシールを有し、したがって液体閉じ込め構造と称されてもよい。
【００５３】
図５は、バリア部材または液体閉じ込め構造を形成する本体１２を有する局所液体供給システムまたは流体ハンドリング構造若しくはデバイスを模式的に示す図である。局所液体供給システムは、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下の記載においては、明示的に別段の定めをした場合を除き、基板Wの表面について言及した場合、追加的にまたは選択的に基板テーブルＷＴの表面にもついても言及していることを留意されたい。）液体ハンドリング構造は、投影システムＰＳに対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（一般には光軸方向）では多少の相対運動があってよい。ある実施の形態においては、本体１２と基板Ｗの表面との間にシールが形成され、このシールはガスシールまたは流体シール等の非接触シールであってもよい。
【００５４】
流体ハンドリング構造は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１の少なくとも一部に液体を収容する。基板Ｗに対する非接触シール、例えばガスシール１６が投影システムＰＳの像フィールドの周囲に形成され、基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間１１に液体が閉じ込められてもよい。この空間１１は少なくとも一部が本体１２により形成される。本体１２は投影システムＰＳの最終要素の下方に配置され、当該最終要素を囲む。液体が、投影システムＰＳの下方かつ本体１２内部の空間１１に、液体入口１３によって供給される。液体出口１３によって液体が除去されてもよい。本体１２は、投影システムＰＳの最終要素の少し上方まで延在していてもよい。液位が最終要素の上まで上昇することで、液体のバッファが提供される。ある実施の形態においては本体１２は、上端において内周が投影システムＰＳまたはその最終要素の形状に近似し、例えば円形であってもよい。下端において内周が像フィールドの形状に近似し、例えば長方形であってもよい。これらの形状は必須ではない。内周はいかなる形状であってもよく、例えば内周は投影システムの最終要素の形状に一致していてもよい。内周は円形であってもよい。
【００５５】
液体は、本体１２の底部と基板Ｗの表面との間に使用時に形成されるガスシール１６によって空間１１に収容されてもよい。ガスシール１６は、例えば空気又は合成空気、ある実施の形態ではＮ２又はその他の不活性ガスなどの気体によって形成される。ガスシール１６の気体は、圧力の作用で入口１５を介して本体１２と基板Ｗとの隙間に提供される。気体は出口１４から抜き取られる。気体入口１５での過剰圧力、出口１４の真空レベル、及び隙間の幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流れが存在するように構成される。本体１２と基板Ｗとの間の液体に作用する気体の力が空間１１に液体を収容する。入口及び出口は空間１１を取り巻く環状溝であってもよい。環状溝は連続していてもよいし不連続であってもよい。気体流れは空間１１に液体を収容する効果がある。こうしたシステムは米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００５６】
図５の例はいわゆる局所域型であり、液体はいかなる時点においても基板Ｗの上面の局所域に供給されるのみである。異なる構成も可能であり、例えば米国特許出願公開第２００６−００３８９６８号には、単相抽出器または二相抽出器を利用する流体ハンドリング構造を含む構成が開示されている。ある実施の形態においては、単相抽出器または二相抽出器は、多孔質材料に覆われている入口を備えてもよい。ある実施の形態の単相抽出器においては、多孔質材料が気体から液体を分離し液体単相の液体抽出を可能とするために使用される。多孔質材料の下流のチャンバがいくらか負圧に保たれて液体で満たされる。そのチャンバの負圧は、多孔質材料の孔に形成されるメニスカスが周囲の気体のチャンバへの引き込みを妨げるような大きさとされる。その一方、多孔質材料が液体に接触すれば流れを制限するメニスカスはなくなるので液体が自由にチャンバに流入できる。多孔質材料は多数の小孔、例えば５μｍ乃至３００μｍの、望ましくは５μｍ乃至５０μｍの範囲の直径の小孔を有する。ある実施の形態においては、多孔質材料は少なくともいくらかの親液性（例えば親水性）をもつ。すなわち、多孔質材料は液浸液例えば水に対する接触角が９０度未満である。
【００５７】
その他にも多様な液体供給システムが可能であり、例えば液体メニスカスが二相抽出によって出口開口に固定される気体吸引構成であり、これは例えば米国特許出願公開第２００９−０２７９０６０号および第２００９−０２７９０６２号に開示されており、これらのそれぞれは参照によりその全てが本明細書に組み入れられる。本発明は、いかなる特定のタイプの液体供給システムに限定されるものではない。本発明は、投影システムの最終要素と基板との間に液体を閉じ込める閉じ込め型液浸システムへの使用に有利でありえ、例えばその使用を最適とすることもある。しかしながら、本発明は任意の他のタイプの液体供給システムと共に使用されうる。
【００５８】
図６は、本発明の実施の形態に係る基板テーブルＷＴの一部を模式的に示す。図示のとおり、基板テーブルＷＴは基板Ｗを支持するための中央部５１と中央部５１を囲む周辺部５２とを含む。中央部５１は、基板Ｗの下側を支持するための突起５４を含んでもよい支持部５３を含む。基板Ｗを支持部５３に固定するため、突起５４を囲む空間は真空引きされてもよい。
【００５９】
基板テーブルＷＴの中央部５１の支持部５３は、基板テーブルＷＴ内で凹部を形成するよう構成されてもよい。凹部は周辺部５２によって部分的に定義されてもよい。例えば、図６に示されるように、周辺部５２の上面が基板テーブルＷＴによって支持される基板Ｗの上面と実質的に同一平面となるように、基板テーブルＷＴを構成してもよい。周辺部５２のエッジは基板テーブルＷＴの凹部のエッジを定義してもよい。基板Ｗはこの凹部の中で支持される。
【００６０】
周辺部５２はドレインを含んでもよい。このドレインは、使用中、基板Ｗのエッジと凹部のエッジとの間のギャップ５５の中に漏れる液浸流体を受けるよう構成される。ドレインを通じての抽出を使用することによって、基板Ｗのエッジと基板テーブルＷＴの中の凹部のエッジとの間のギャップから泡を除去することができる。
【００６１】
図６に示されるように、ドレインは開口６１を含んでもよく、液浸液はこの開口６１を通って抽出導管６２へ流れていく。例えば、開口６１は、基板テーブルＷＴの周辺部５２を巡るように拡がるチャネルの形で提供されてもよい。代替的にまたは追加的に、開口６１は複数の個別の開口の形で提供されてもよい。図示されるように、ドレインは、開口６１を横切り凹部のエッジに至るまで拡がるカバー部６３を含んでもよく、基板Ｗはこの凹部の中で支持される。また、ドレインは液浸液が開口６１に入る前にカバー６３の下を通過するよう構成されてもよい。
【００６２】
抽出導管６２は基板テーブルＷＴの周辺部５２を巡るように拡がっていてもよく、次にひとつ以上の導管によって低圧源に接続されてもよい。この低圧源は、例えば液浸液をリザーバに戻すために液浸液を抽出する。
【００６３】
図６に示されるように、基板テーブルＷＴの中央部５１は、基板テーブルＷＴの支持部５３を熱的に調整するよう構成された熱的調整システムを含む。言い換えると、熱的調整システムは、支持部５３の温度の任意の変動を、それが支持部５３の幅に亘るものであれ時間の経過によるものであれ、低減または最小化するよう構成される。
【００６４】
熱的調整システムはひとつ以上の開口７２を含んでもよく、これらの開口７２のそれぞれまたはこれらの開口７２が一緒になって、基板テーブルＷＴの支持部５３の下側に液体などの流体のジェット７１を提供する。この場合、支持部５３の下側は、支持部５３の基板Ｗを支持する側とは反対側であることは理解されるであろう。液体のジェット７１を供給することにより、基板テーブルＷＴの支持部５３から効率的に熱を取り除くことができる。したがって、基板テーブルＷＴの支持部５３の温度変動が低減されうる。
【００６５】
支持部５３は、他の制約にしたがいつつも、できる限り熱伝導がよくなるように選択されてもよい。したがって、支持部５３はＳｉＳｉＣなどの熱伝導性材料から形成されてもよい。支持部５３は、基板Ｗを支持するために十分な構造強度を提供しつつ、できる限り薄くされてもよい。
【００６６】
ひとつ以上の開口７２は開口プレート７３に形成されてもよく、この開口プレート７３は液体のひとつ以上のジェット７１が支持部５３の下側に向けられるように支持部５３に隣接して設けられる。そのまたはそれぞれの開口７２はマニホルド７４と接続され、このマニホルド７４は各開口７２に液体を分配するよう構成される。
【００６７】
図６に示されるように、ある実施の形態では、マニホルド７４は開口プレート７３に直接隣接して設けられてもよい。特に、マニホルド７４は開口プレート７３によって部分的に形成されてもよい。マニホルド７４をひとつ以上の開口７２にできるだけ近づけて設けることで、そのまたはそれぞれの開口７２に提供される液体における温度変動を低減または最小化できる。その結果、支持部５３における温度変動を低減できる。
【００６８】
図６に示されるように、リザーバ７６からマニホルド７４へ液体を提供するために入口７５が設けられてもよい。ある実施の形態では、リザーバ７６からマニホルド７４の中へ複数の開口が設けられてもよい。これにより、マニホルド７４内の液体の温度変動をさらに低減できる。その結果、そのまたはそれぞれの開口７２からの液体のジェット７１の温度変動をさらに低減できる。
【００６９】
開口プレート７３は熱伝導を低減または最小化するように選択されてもよい。これにより、そのまたはそれぞれの開口７２によって提供される液体のジェット７１の任意の温度変動を低減または最小化できる。さらに、開口プレート７３がマニホルド７４の一部を形成する場合、開口プレート７３の熱伝導を低減することによって、マニホルド７４内の液体の任意の温度変動を低減できる。図６に示されるように開口プレート７３がマニホルド７４の一部を形成する場合、開口プレート７３は、液体のジェット７１を提供するのに必要な圧力でマニホルド７４内に液体を保持できる程度に十分な剛性を提供するよう選択されてもよい。例えば、その圧力は例えば０．３ｂａｒから１．５ｂａｒであってもよい。
【００７０】
ひとつ以上の開口７２は任意の適切な構成を有してもよい。例えば、０．３ｂａｒから１．５ｂａｒの液体圧力では、ひとつ以上の開口７２は例えば１００μｍから３００μｍの断面幅（例えば直径）を有してもよい。さらに、開口プレート７３は任意の数の開口７２を含んでもよい。例えば、開口プレート７３は例えば５００個から５０００個の開口７２を含んでもよく、そのそれぞれが支持部５３の下側に液体のジェット７１を提供する。ひとつ以上の開口７２が約１００μｍの幅を有する構成については、ひとつ以上の開口７２へ液体を同じように分配するために、マニホルド７４の深さを約２ｍｍから３ｍｍとしてもよい。
【００７１】
図６に示されるように、ある実施の形態では、ひとつ以上の薄い壁７８を設けて開口プレート７３上で支持部５３を支持してもよい。ひとつ以上の壁７８は、支持部５３と開口プレート７３との間の熱の移送を最小化または低減するよう構成されてもよい。
【００７２】
例えば、図６に示されるように、ひとつ以上の壁７８は中空の柱の形で提供されてもよい。そのような構成では、開口７２のひとつ以上はそのような中空の柱の中に配置されてもよい。したがって、液体のジェット７１は中空の柱内に提供される。
【００７３】
ある実施の形態では、中空の柱の断面は円形または楕円形であってもよい。
【００７４】
ある実施の形態では、中空の柱の断面は正方形などの矩形であってもよい。そのような構成では、中空の柱のエッジのいくつかは、使用中の基板テーブルＷＴの走査方向と平行となるよう構成されてもよい。代替的にまたは追加的に、エッジのいくつかは基板テーブルの別の移動方向に揃えられてもよい。基板テーブルはこの移動方向に比較的大きな加速度で動かされる。このような構成により、基板テーブルＷＴが使用中最も大きな加速度を経験する方向において最大の剛性を提供できる。
【００７５】
ある実施の形態では、開口プレート７３から支持部５３を支持するひとつ以上の壁７８は、複数の接続リブすなわち平面壁部７８の形で提供されてもよい。例えば、互いに平行な複数の平面壁部が設けられてもよい。矩形断面柱と同じように、リブは例えば使用中の基板テーブルＷＴの走査方向と平行となるように方向付けられてもよい。これにより剛性を最大化できる。そのような構成では壁の面内の線は走査方向と平行となることは理解されるであろう。
【００７６】
ひとつ以上の壁７８は、その構成にかかわらず、ひとつ以上の適切に方向付けられた液体のジェット７１によって熱的に調整されてもよい。代替的にまたは追加的にひとつ以上の壁７８は、支持部５３の下側に向けられた後の液体によって十分に熱的に調整されてもよい。
【００７７】
図６には示されていないが、支持部５３と開口プレート７３とを分離するひとつ以上の壁７８内にひとつ以上の開口を設けてもよいことは理解される。これにより、液体が支持部５３の下側に向けられた後、その液体の移動が可能となる。
【００７８】
さらに、図６には示されていないが、マニホルド７４内に例えば開口プレート７３を支持するようにひとつ以上の壁を設けてもよい。これにより、マニホルド７４に強度と剛性を提供できる。マニホルド７４内のひとつ以上の壁は、例えば支持部５３を支持するひとつ以上の壁７８について上述された構成のひとつにしたがって構成されてもよい。
【００７９】
ある実施の形態では、基板テーブルＷＴの中央部５１は周辺部５２から分離されてもよい。例えば、中央部５１および周辺部５２は分離システムによって分離されていてもよい。分離システムは中央部５１と周辺部５２との間の熱または振動もしくはその両方の移送を低減または最小化するよう構成される。
【００８０】
例えば、図６に示されるように、ある実施の形態では、中央部５１と周辺部５２との間にギャップ８１が設けられる。したがって、中央部５１と周辺部５２とは例えば５０μｍから３００μｍの距離だけ離されてもよい。中央部５１は周辺部５２から離されていてもよいが、中央部５１と周辺部５２との間の熱および／または振動の生じうる移送を低減または最小化しつつ中央部５１の部分と周辺部５２の部分との間に液体および／または気体型シールを設けるためにシール部材８２、８３が設けられてもよいことは理解されるであろう。例えば、図６に示されるように、シール部材（「ステッカー（sticker）」と称されてもよい）はステンレス鋼などの金属から作られてもよく、中央部５１の下面と周辺部５２の下面との間に取り付けられてもよい。そのようなシール部材は、支持部５３の下側に向けられた後の液体を、例えばその液体が抽出されて液体リザーバ７６に戻される前には含んでもよい。他の既知のシール部材が使用されてもよいことは理解されるであろう。
【００８１】
ある実施の形態では、図６に示されるように、基板テーブルＷＴの中央部５１と周辺部５２との間にシール部材８３が設けられる。これにより、基板テーブルＷＴの支持部５３、開口プレート７３および周辺部５２の一部によって定義される空間８５を封止することができる。理解されるように、液体のひとつ以上のジェット７１はこの封止された空間８５内に提供される。そのような構成は、使用中は完全に湿るすなわち熱的調整システムで使用される液体の蒸気で飽和することとなるので有利である。空間８５内での温度変動の原因となりうる液体の蒸発を防ぐことができる。
【００８２】
ある実施の形態では、例えば第２シール部材８３を除くことによって空間８５は封止されない。そのような構成によると、空間８５からの液体の抽出レートを非一様または揺動的にすることができ、有利となりうる。
【００８３】
ある実施の形態では、液体が基板テーブルＷＴの支持部５３の下側に向けられた後その液体を空間８５から抽出するシステムは特に、開口プレート７３が常にその全表面に亘って液体の連続的なフィルムを維持する（例えばこれは図６に短い破線で示されている）のを支援するよう構成されてもよい。これにより、開口プレート７３の表面からの液体の蒸発を低減できる。その結果、開口プレート７３の表面、ひとつ以上の開口７２が設けられる任意のノズルの表面、および／またはひとつ以上の壁７８の表面、に亘る温度変動の有力な原因を低減できる。しかしながら、開口プレート７３の表面上の液体の層の厚さを最小化することが望ましい。これにより、使用中の基板テーブルＷＴの質量を低減できる。加えて、これにより、使用中の基板テーブルＷＴの移動によって引き起こされる液体のスロッシングの影響を低減できる。
【００８４】
上述の通り、熱的調整システムの中で各種液体または他の流体を使用できる。例えば、液体は水であってもよい。ある実施の形態では、液体は液浸液と同じであってもよい。そのような構成では、単一の抽出システムを使用して、基板テーブル上の基板のエッジと凹部のエッジとの間のギャップ５５の中に漏れる液浸液を受けるドレインからの液体と、基板テーブルＷＴの支持部５３の下側に向けられた後の液体と、を抽出してもよい。ある実施の形態では、熱的調整システムで使用される液体は、３Ｍによって製造されるFluorinertなどの熱伝導性および電気絶縁性を有する液体であってもよい。
【００８５】
ある実施の形態では、図６に示されるように、液体のひとつ以上のジェット７１が提供される空間８５の一部から、ドレインから液体を抽出するのに使用される抽出導管６２へと通じるひとつ以上の開口９１が設けられてもよい。したがって、共通導管６２が使用されてもよく、その共通導管６２は液体を共通リザーバ７６に戻してもよい。液体は、それがリザーバ７６に戻される前に適切に調整されてもよい。
【００８６】
ある実施の形態では、抽出導管６２は、ひとつ以上の開口６１とひとつ以上の開口９１との下流に、適切な流れ制御器を伴うベントを備えてもよい。これにより、抽出圧力に変動がある場合でも、液体のひとつ以上のジェット７１が提供される空間８５の内部の圧力変動を低減できる。
【００８７】
ある実施の形態では、液体のひとつ以上のジェット７１が提供される空間８５から抽出導管６２への液体の流れを制限する流れ制御器９２が設けられてもよい。ひとつ以上の開口９１の配置および流れ制御器９２の構成を使用して空間８５内の液面を制御できることは理解されるであろう。
【００８８】
図１９に示される実施の形態は図６に示される実施の形態の変形例であるが、その図１９に示される実施の形態では、液体のひとつ以上のジェット７１が提供される空間８５の中に壁１７０が設けられてもよい。図１９に示されるように、壁１７０はダムのごとく機能してもよく、ひとつ以上の開口７２を囲む領域を、導管６２につながるひとつ以上の開口９１から分離する。液体のひとつ以上のジェット７１の周囲の空間内に液面を確保するのを支援するために、壁１７０が使用されてもよい。壁１７０は、ひとつ以上の開口９１を通じて導管６２へ液体のみが抽出されるのを支援してもよい。
【００８９】
ある実施の形態では、基板テーブルＷＴの周辺部５２内の共通抽出導管６２を通じた液体の流れを使用して、周辺部５２を熱的に調整してもよい。例えば、液体が基板テーブルＷＴの周辺部５２の全体に流れるように、共通抽出導管６２が構成されてもよい。この点について、基板テーブルＷＴの支持部５３の下側に向けられた液体の温度変化は１８ｍＫから２４ｍＫ程度の大きさであることを注意しておく。したがって、液体のひとつ以上のジェット７１が提供される空間８５から抽出される液体は、基板テーブルＷＴの周辺部５２を熱的に調整するのに十分でありうる。代替的にまたは追加的に、ある実施の形態では、周辺部５２を熱的に調整するために、基板テーブルＷＴの周辺部５２内にヒータ９５が設けられてもよい。
【００９０】
図７は、図６に関連して上述された実施の形態と似ているがドレインの構成について異なる基板テーブルＷＴの構成を示す。簡潔のため、差異のみが説明されるであろう。特に、図７に示される構成では、基板Ｗのエッジと基板テーブルＷＴ内の凹部のエッジとの間のギャップ５５の直下に狭められたギャップ１０１が設けられるよう、ドレインが構成される。このドレインを通じた抽出を使用することによって、基板Ｗの下側への液体の漏洩を防ぐまたは低減することができる。
【００９１】
図７に示されるように、基板テーブルＷＴの中央部５１の支持部５３上の突起と基板テーブルＷＴの周辺部５２のエッジ上の突起との間に、狭められたギャップ１０１が設けられてもよい。しかしながら、図７ではそれらの突起は同じサイズのものとして示されているが、これは必ずしも必要ではないことは理解されるべきである。実際、一方の突起は他方の突起よりも大きくてもよく、あるいはまた省略されてもよい。
【００９２】
狭められたギャップ１０１の直下には、基板テーブルＷＴの上方の大気と流体的に通じるチャンバ１０２が設けられる。ある実施の形態では、基板テーブルＷＴの外部から突起間の狭められたギャップ１０１を通りチャンバ１０２の中まで一本の線を直線的に引くことができる。ある実施の形態では、その線は鉛直な線であり、および／またはチャンバ１０２の底壁上でチャンバ１０２の境界と交わる。この構成によって、狭められたギャップ１０１およびチャンバ１０２の寸法が正しく選択された場合、ガスナイフは液体を保持するのを助けるために液体供給システムにおいて使用されるのであるがこのガスナイフがギャップ１０１の存在によって影響を受けなくなるという効果が奏されうる。ガスナイフはチャンバ１０２の底を「感じ」ないからである。
【００９３】
ある実施の形態では、チャンバ１０２内の気圧は基板テーブルＷＴの外部の気圧（すなわち、周囲の気圧）と同じに維持される。これは、通常動作中、ギャップ１０１が液体供給システムによって覆われておらずかつ液体供給システムのひとつ以上のガスフローデバイスがギャップ５５を通じてガスを吹つけている場合、ギャップ１０１を通じたガスの流れは実質的に存在しないことを意味する。液体供給システムがギャップ５５の一部を覆う場合でも、チャンバ１０２内は周囲の気圧に維持されうる。チャンバ１０２は環状（または基板テーブルＷＴの周辺部５２の周りに巡らされる別の形状）であり、基板Ｗの外周囲の別の箇所でギャップ５５を通じて基板テーブルＷＴの上方の大気に通じているであろうからである。
【００９４】
チャンバ１０２から液体を除去するために、チャンバ１０２内に負圧を生成しないように液体が除去されてもよい。例えば毛細管通路１０５における毛細管作用を使用して、チャンバ１０２から抽出導管１０６の中へ液体を除去できる。代替的に、例えばチャンバ１０２における通路１０５の口に液体が存在することが検出された場合のみ通路１０５に負圧を与えるひとつ以上の液体除去デバイスが設けられてもよい。代替的にまたは追加的に、液体をチャンバ１０２から除去するために、微小ふるい（microsieve）単相抽出器（例えば、欧州特許出願公開第１６２８１６３号参照）が使用されてもよい。
【００９５】
代替的にまたは追加的に、液体供給システム１２は任意の時刻において（平面視で）基板の局所的な領域にのみ液体を供給するのであるが、この液体供給システム１２がギャップ５５の上に配置されている場合にチャンバ１０２の一部を負圧源に接続するか否かをコントローラが制御してもよい。その結果、液体供給システム内の液体はギャップ５５の中へ排出される。液体供給システムがギャップ５５の上に配置されていない場合、負圧源はチャンバ１０２に接続されない。したがって、ほとんどの時間はチャンバ１０２は周囲の圧力となっているが、液体がチャンバ１０２の中に落ちていくかまたはチャンバ１０２内に液体が存在する場合、チャネル１０５を通じて負圧源が適用され、チャンバ１０２に入ってくる液体が除去される。
【００９６】
図６の構成と同様に、図７に示され上述されたドレインを有する構成では、共通の抽出チャネルを使用して、基板Ｗのエッジと凹部のエッジとの間のギャップ５５を通じて漏れる液体と基板テーブルＷＴの支持部５３の下側に向けられた液体とを抽出してもよい。したがって、例えば、支持部５３の下側に向けられた液体はチャンバ１０２の中へ入っていってもよい。そのチャンバ１０２は基板テーブルＷＴの周辺部内のドレインの一部を形成する。
【００９７】
液体のひとつ以上のジェット７１が提供される空間８５を封止することが望まれる場合は、ある実施の形態では、空間８５とチャンバ１０２とを分離するために壁１１０が設けられてもよい。図７に示されるように、液体を液体のひとつ以上のジェット７１が提供される空間８５からチャンバ１０２の中へ流すためにひとつ以上の開口１１１が設けられてもよい。
【００９８】
図８は、本発明のさらなる実施の形態に係る基板テーブルＷＴの一部を示す。ここでもまた、図６に示される構成と図８に示される構成との差異のみが議論されるであろう。
【００９９】
本実施の形態に示されるように、ドレインから抽出されるべき液体と熱的調整システムから抽出されるべき液体とについて別々に抽出導管が設けられる。特に、図示されるように、基板Ｗのエッジと基板テーブルＷＴ内の凹部のエッジとの間のギャップ５５を通じて漏れる液体は基板テーブルＷＴの周辺部５２の内部の第１抽出導管６２を介して抽出されてもよい。液体を液体のひとつ以上のジェット７１が提供される空間８５から抽出するために第２抽出導管１２０が設けられてもよい。
【０１００】
図示されるように、ある実施の形態では、第２抽出導管１２０は基板テーブルＷＴの周辺部５２の内部に設けられてもよい。
【０１０１】
特に第２抽出導管１２０を通じた液体の流れを使用して基板テーブルＷＴの周辺部５２を熱的に調整できることは理解されるであろう。図６に示される構成と同様に、第２抽出導管１２０の中への液体の流れを制御するために、流れ制御器９１が設けられてもよい。
【０１０２】
図８に模式的に示されるように、第１および第２抽出導管６２、１２０は液体を共通リザーバ７６に戻してもよい。あるいはまた、第１および第２抽出導管６２、１２０は液体を別々のリザーバに戻してもよい。これにより、ドレインによって抽出された液体と熱的調整システムにおいて使用された液体とは別々に維持されうる。どちらの場合でも、液体はリザーバに戻される前に適切に調整されてもよい。
【０１０３】
図９は、基板テーブルＷＴのさらなる実施の形態を模式的に示す。図示の通り、本実施の形態では、図７に示されるようなおよび上述のようなドレイン構成が設けられるが、そのドレイン構成は、ドレインについての第１抽出導管１０６と、基板テーブルＷＴの中央部５１の内部の第２抽出導管１２５と、を備える。この第２抽出導管１２５は、液体のひとつ以上のジェット７２が提供される空間８５から液体を抽出するためのものである。ある実施の形態では、図９に示されるように、液体のひとつ以上のジェット７１が提供される空間８５を封止することが望まれる場合、空間８５とドレインのチャンバ１０２とを分離するために設けられる壁１２６に開口が設けられなくてもよい。
【０１０４】
図９に示されるような実施の形態ではドレインからの液体の抽出および熱的調整システムからの液体の抽出のそれぞれについて別々の抽出導管１０６、１２５が設けられるが、その別々の抽出導管は液体を共通リザーバ７６に戻してもよいし、または別々のリザーバに戻してもよいことは理解されるべきである。
【０１０５】
図１０から１３は、図６から９に示される実施の形態のさらなる変形例をそれぞれ示す。それぞれの場合において、実施の形態間の唯一の違いは、基板テーブルＷＴは分離システムによって中央部と周辺部とに分離されておらず、基板テーブルＷＴは単一の完全な基板テーブルであることである。したがって、例えば図６に示されるシール部材８２、８３は必要ではない。
【０１０６】
図６から１３に関連して上述された実施の形態のそれぞれにおいて、液体のひとつ以上のジェット７１はそのまたは各開口７２から提供され、その開口７２は開口プレート７３上のひとつ以上のノズルとして形成される。しかしながら、ひとつ以上のノズルが提供される必要はないことは理解されるべきである。したがって、図６から１３に示される任意の実施の形態との関連で使用されうる本発明の実施の形態では、ひとつ以上の開口７２は開口プレート７３の上面と同一平面となりうる。言い換えると、基板テーブルＷＴ内の凹部の支持部５３と対向する開口プレート７３の面にひとつ以上の開口７２を形成してもよい。そのような構成が図１４に示される。
【０１０７】
任意の上述の実施の形態と組み合わせ可能な実施の形態では、支持部５３の下面、すなわち液体のひとつ以上のジェット７１が向けられる面は、液体のそのまたは各ジェット７１に関連するインデントを含んでもよい。そのような構成が図１５に示される。ひとつ以上のインデント１３０は、そのインデント１３０の中へ向けられた液体のジェット７１の中の液体が反対に開口プレート７３に向けられるよう構成されてもよい。例えば、液体はその液体が隣のジェットからの液体と干渉しないように再方向付けされてもよい。隣接するジェットからの再方向付けされた液体は開口プレート７３へ戻っていくときに混合されてもよいことは理解されるべきである。
【０１０８】
任意の上述の実施の形態と組み合わせ可能な実施の形態では、液体のひとつ以上のジェット７１が提供される空間８５は液体で完全に満たされてもよい。その結果、液体のひとつ以上のジェット７１は液体のバルクの中で提供される。
【０１０９】
上述の通り、図６から１３に示される実施の形態や図１４および／または１５に示される構成と組み合わせられた実施の形態のうちの任意のひとつにおいて、液体のひとつ以上のジェット７１が提供される空間８５からの液体の抽出は、開口プレート７３上に恒常的な液体層が残るようになされてもよい。既述の通り、スロッシングを防ぐためにこの層をできる限り薄くすることが有利であるかもしれない。代替的にまたは追加的に、図１６に示されるように、開口プレート７３上に多孔質材料の層が設けられてもよい。多孔質材料は、開口プレート７３上に連続的な液体層が残り、したがって開口プレート７３の一部が乾くことによって生じうる熱負荷を低減するのを支援することができる。多孔質材料１３５は、基板テーブルＷＴの移動中の液体のスロッシングを防ぐかまたは低減しうる。多孔質材料は比較的低い熱伝導性を有するよう選択されてもよい。例えば、多孔質材料は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、Schott AGによって製造されるZerodurなどのセラミック、石英、またはポリアセタール共重合体（polyacetal co-polymer、ＰＯＭ）から形成されてもよい。
【０１１０】
任意の上述の実施の形態において、熱的調整システムは基板テーブルＷＴの支持部５３へ液体を提供し、それによって支持部５３を熱的に調整し、したがって支持部５３上で支持される基板Ｗを熱的に調整する。そうするために液体の温度が注意深く制御されうることは理解されるであろう。
【０１１１】
ある実施の形態では、図６および１７に示されるように、リザーバ７６内の液体の温度を調整するために、液体リザーバ７６内にヒータ１４１および／またはクーラ１４２が設けられてもよい。加えて、リザーバ７６内の液体の温度を監視するために温度センサ１４３が設けられてもよい。センサ１４３からのデータを使用してヒータ１４１および／またはクーラ１４２を制御してもよい。
【０１１２】
代替的にまたは追加的に、マニホルド７４内の液体の温度を調整するために、マニホルド７４内にヒータ１４５および／またはクーラ１４６が設けられてもよい。同様に、マニホルド７４内に温度センサ１４７が設けられてもよい。マニホルド７４内の温度センサ１４７を使用して、液体リザーバ７６内のヒータ１４１および／またはクーラ１４２を制御しマニホルド７４内のヒータ１４５および／またはクーラ１４６を制御してもよい。いずれの場合でも、図１７に示されるように、温度センサ１４３、１４７からの測定データに基づいてヒータ１４１、１４５および／またはクーラ１４２、１４６のうちのひとつ以上を制御するコントローラ１５０が設けられてもよい。
【０１１３】
ある実施の形態では、代替的にまたは追加的に、液体の個々のジェット７１を形成する液体の温度を調整するために、ひとつ以上の開口７２に対してヒータ１５２が設けられてもよい。ヒータ１５２の制御のための測定データを提供するために、ヒータ１５２の下流に温度センサ１５３が設けられてもよい。図１７に示されるように、ヒータ１５２および温度センサ１５３はコントローラ１５０によって制御されてもよい。
【０１１４】
そのような構成によって熱的調整システムの制御が改善されうることは理解されるべきである。したがって、例えば、支持部５３に亘って熱負荷が一致していない場合でも、熱的調整システムを制御して基板テーブルＷＴ内の凹部の支持部５３に亘る温度を一致させることができる。さらに、例えば、熱的調整システムは基板テーブルＷＴ内の正および負の熱負荷の両方を補償することができるであろう。さらに、例えば、熱的調整システムは、液体が基板テーブルＷＴ内のチャネルを通して流れる既知のシステムよりも、基板テーブルＷＴをより速く熱的に調整できる。これが実現されうるのは、ヒータなどのアクチュエータを含む専用の制御ループと温度センサなどのフィードバックセンサとによって各ジェット７１の温度を個々に制御できるからである。
【０１１５】
任意の上述の実施の形態と組み合わせ可能な実施の形態では、図１８に示されるように、基板テーブルＷＴの周辺部５２に追加的な熱的調整が設けられてもよい。特に、熱的調整システムは、基板テーブルＷＴの周辺部５２の一部１６２を熱的に調整するために液体のひとつ以上のジェット１６１を導くよう構成されたひとつ以上の開口１６０を備えてもよい。上述のドレイン構成を含まない基板テーブルＷＴの内部にそのような構成が設けられてもよいことは理解されるべきである。言い換えると、熱的調整システムは基板テーブルＷＴの中央部および基板テーブルＷＴの周辺部の両方を熱的に調整するよう構成されてもよい。この基板テーブルＷＴの中央部は基板Ｗを支持し、基板テーブルＷＴの周辺部は基板Ｗを囲み、例えば基板テーブルＷＴ上に支持された場合の基板Ｗの上面と同一平面となる上面を有してもよい。
【０１１６】
図１８は、図６に示されるドレインに対応するドレインを含む実施の形態についての構成を模式的に示す。図示の通り、基板テーブルＷＴの周辺部５２の上面を熱的に調整するよう熱的調整システムが設けられる。上面１６２は例えば基板テーブルＷＴの凹部内に支持された基板Ｗの上面と同一平面となるよう構成されてもよい。図示の通り、熱的調整システムは、凹部の支持部５３の熱的調整に関連して上述されたのと同様な方法で、基板テーブルＷＴの周辺部５２の上面１６２の下側に液体のひとつ以上のジェット１６１を提供する。凹部の支持部５３の熱的調整についての構成の上述の変形例は基板テーブルＷＴの周辺部５２の上面１６２の熱的調整にも適用されうることは理解されるべきである。
【０１１７】
図１８に示される通り、液体が周辺部５２の上面１６２の下面に向けられた後、基板テーブルＷＴの周辺部５２内の熱的調整システムからその液体を抽出してもよい。液体の抽出は既に上述された導管への別個の抽出導管によって行われてもよいことは理解されるべきである。あるいはまた、抽出は任意の既述の抽出導管と組み合わせられてもよい。
【０１１８】
理解されるように、本願にて網羅される明記された組み合わせには限られず、任意の上記の特徴は他の任意の上記の特徴とともに使用可能である。
【０１１９】
本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置は他のマイクロスケールや更にナノスケールの部品、フィーチャの用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウエハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後においてトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。
【０１２０】
本明細書において「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を含む。「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学素子及び反射光学素子を含む１つの光学素子またはこれら各種の光学素子の組み合わせを指し示すものであってもよい。
【０１２１】
本発明の特定の実施の形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、本発明の実施の形態は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令のひとつ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式をとってもよいし、そのコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク）であってもよい。機械で読み取り可能な命令は２以上のコンピュータプログラムにより実現されてもよい。それら２以上のコンピュータプログラムはひとつ以上の異なるメモリ及び／またはデータ記録媒体に記録されていてもよい。
【０１２２】
本明細書に記載のひとつ以上のコントローラは各々がまたは組み合わされて、リソグラフィ装置の少なくともひとつの構成要素内部に設けられたひとつ以上のコンピュータプロセッサによってひとつ以上のコンピュータプログラムが読み取られたときに動作可能であってもよい。コントローラは信号を受信し処理し送信するのに適切ないかなる構成であってもよい。ひとつ以上のプロセッサは少なくとも１つのコントローラと通信可能に構成されていてもよい。例えば、コントローラの各々は、上述の方法のための機械読み取り可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するためのひとつ以上のプロセッサを含んでもよい。コントローラはそのようなコンピュータプログラムを記録するデータ記録媒体及び／またはそのような媒体を受けるハードウエアを含んでもよい。したがって、コントローラはひとつ以上のコンピュータプログラムの機械読み取り可能命令に従って動作してもよい。
【０１２３】
本発明のひとつ以上の実施の形態はいかなる液浸リソグラフィ装置に適用されてもよい。上述の形式のものを含むがこれらに限られない。液浸液が浴槽形式で提供されてもよいし、基板の局所領域のみに提供されてもよいし、非閉じ込め型であってもよい。非閉じ込め型においては、液浸液が基板及び／または基板テーブルの表面から外部に流れ出ることで、基板テーブル及び／または基板の覆われていない実質的に全ての表面が濡れ状態であってもよい。非閉じ込め液浸システムにおいては、液体供給システムは液浸液を閉じ込めなくてもよいし、液浸液の一部が閉じ込められるが完全には閉じ込めないようにしてもよい。
【０１２４】
本明細書で述べた液体供給システムは広く解釈されるべきである。ある実施の形態においては投影システムと基板及び／または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構または構造体の組合せであってもよい。ひとつ以上の構造体、及びひとつ以上の流体開口の組合せを含んでもよい。流体開口は、ひとつ以上の液体開口、ひとつ以上の気体開口、ひとつ以上の二相流のための開口を含む。開口のそれぞれは、液浸空間への入口（または流体ハンドリング構造からの出口）または液浸空間からの出口（または流体ハンドリング構造への入口）であってもよい。ある実施の形態においては、空間の表面は基板及び／または基板テーブルの一部であってもよい。あるいは空間の表面は基板及び／または基板テーブルの表面を完全に含んでもよいし、空間が基板及び／または基板テーブルを包含してもよい。液体供給システムは、液体の位置、量、性質、形状、流速、またはその他の性状を制御するためのひとつ以上の要素をさらに含んでもよいが、それは必須ではない。
【０１２５】
上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。
【０１２６】
ある実施の形態では、液浸リソグラフィ装置が提供される。この液浸リソグラフィ装置は、基板を支持するよう構成された支持部を有する凹部を含む基板テーブルと、基板テーブルの中のドレインであって、使用中、基板テーブル上の基板のエッジと凹部のエッジとの間のギャップの中に漏れる液浸流体を受けるよう構成されたドレインと、凹部の支持部を熱的に調整するよう構成された熱的調整システムであって凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けるよう構成された少なくともひとつの開口を含む熱的調整システムと、を備える。
【０１２７】
ある実施の形態では、基板テーブルは中央部と中央部を囲む周辺部とを含み、凹部は中央部に形成され、ドレインは周辺部に形成される。
【０１２８】
ある実施の形態では、中央部および周辺部は分離システムによって互いに分離されており、分離システムは中央部と周辺部との間の熱および振動のうちの少なくともひとつの移送を最小化するよう構成される。
【０１２９】
ある実施の形態では、熱的調整システムは基板テーブルの周辺部を熱的に調整するよう構成される。
【０１３０】
ある実施の形態では、基板テーブルの周辺部は、下面および使用中凹部の中で支持される基板の上面と平行となる上面を有する平面部を含み、熱的調整システムは基板テーブルの周辺部の平面部の下面に流体ジェットを向けるよう構成された少なくともひとつの開口を含む。
【０１３１】
ある実施の形態では、液浸リソグラフィ装置は流体抽出システムを備え、この流体抽出システムは、凹部の支持部の裏側に向けられた流体を抽出するよう構成される。
【０１３２】
ある実施の形態では、流体抽出システムは、凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体が基板テーブルの周辺部の中の少なくともひとつの導管を通じて流れるよう構成され、その少なくともひとつの導管は熱的調整システムの一部を形成すると共に周辺部を熱的に調整するために使用される。
【０１３３】
ある実施の形態では、流体抽出システムはさらにドレインから流体を抽出するよう構成される。
【０１３４】
ある実施の形態では、流体抽出システムは、ドレインから抽出された流体および凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体が基板テーブルの周辺部の中の共通導管を通じて抽出されるよう構成される。
【０１３５】
ある実施の形態では、流体抽出システムは、ドレインから抽出された流体が基板テーブルの周辺部の中の第１導管を通じて抽出され、凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体が基板テーブルの周辺部の中の第２導管を通じて抽出されるよう構成される。
【０１３６】
ある実施の形態では、液浸リソグラフィ装置は流体抽出システムを備え、この流体抽出システムは、ドレインから流体を抽出し、かつ、熱的調整システムから流体を、その流体が凹部の支持部の裏側に向けられた後に抽出するよう構成される。
【０１３７】
ある実施の形態では、ドレインから抽出された流体および凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体は基板テーブルの中の共通導管を通じて抽出される。
【０１３８】
ある実施の形態では、流体抽出システムは、ドレインから抽出された流体が基板テーブルの中の第１導管を通じて抽出され、凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体が基板テーブルの周辺部の中の第２導管を通じて抽出されるよう構成される。
【０１３９】
ある実施の形態では、流体抽出システムは、凹部の支持部の裏側に向けられた後の流体の、共通導管内への流れを制限する流体流れ制御器を含む。
【０１４０】
ある実施の形態では、熱的調整システムは開口プレートを含み、開口プレートには少なくともひとつの開口が設けられ、開口プレートは少なくともひとつの開口によって提供される各流体ジェットが凹部の支持部の裏側に向けられるよう凹部の支持部に隣接して設けられる。
【０１４１】
ある実施の形態では、少なくともひとつの開口のそれぞれは、凹部の支持部に向かう向きに開口プレートから突き出た対応するノズルとして形成される。
【０１４２】
ある実施の形態では、少なくともひとつの開口は、凹部の支持部と対向する開口プレートの面と同一平面となる。
【０１４３】
ある実施の形態では、凹部の支持部は複数の薄い壁によって支持され、その薄い壁は開口プレートによって支持される。
【０１４４】
ある実施の形態では、複数の薄い壁は少なくともひとつの中空の柱を含み、開口プレート中の少なくともひとつの開口は対応する流体ジェットが中空の柱と共に提供されるよう提供される。
【０１４５】
ある実施の形態では、液浸リソグラフィはさらにアクチュエータシステムを備え、そのアクチュエータシステムは使用中走査方向に基板テーブルを動かすよう構成され、複数の薄い壁は平面状でありその壁面内の線が走査方向と平行となるように構成される。
【０１４６】
ある実施の形態では、開口プレートおよび凹部の支持部は、少なくともひとつの開口と凹部の支持部の裏側に向けられた後の流体を抽出するための少なくともひとつの出口とを除いて封止される空間を部分的に定義する。
【０１４７】
ある実施の形態では、少なくともひとつの出口は、使用中連続的な流体のフィルムが開口プレートを覆うように構成される。
【０１４８】
ある実施の形態では、多孔質材料が開口プレート上に設けられる。
【０１４９】
ある実施の形態では、熱的調整システムは使用中空間が流体で満たされるよう構成される。
【０１５０】
ある実施の形態では、凹部の支持部の裏側は各流体ジェットに関連するインデントを含み、このインデントはこのインデントの中に向けられた流体が開口プレートに向けて戻っていくよう構成される。
【０１５１】
ある実施の形態では、熱的調整システムは、開口プレートの少なくともひとつの開口に流体を提供するよう構成された流体マニホルドを含む。
【０１５２】
ある実施の形態では、マニホルドは開口プレートの凹部の支持部とは反対側の空間の中に設けられる。
【０１５３】
ある実施の形態では、流体は流体リザーバからマニホルドへ、マニホルド内に通じるひとつ以上の開口を通じて提供される。
【０１５４】
ある実施の形態では、流体リザーバおよびマニホルドのうちの少なくともひとつにクーラおよびヒータのうちの少なくともひとつが設けられる。
【０１５５】
ある実施の形態では、ヒータおよびクーラのうちの少なくともひとつは少なくともひとつの開口のそれぞれの上流に設けられ、流体が各開口を脱する前にその流体を加熱または冷却するよう構成される。
【０１５６】
ある実施の形態では、リソグラフィ装置はさらに、少なくともひとつのヒータおよびクーラの下流に設けられた少なくともひとつの温度センサと、少なくともひとつの温度センサからの測定データに基づいて少なくともひとつのヒータおよびクーラを制御するよう構成されたコントローラと、を備える。
【０１５７】
ある実施の形態では、基板テーブルの周辺部は、基板テーブルの周辺部を直接熱するヒータを含む。
【０１５８】
ある実施の形態では、デバイス製造方法が提供される。このデバイス製造方法は、基板テーブルの中の凹部に基板を提供し、凹部は基板を支持するよう構成された支持部を有することと、基板の上面に液浸流体を提供することと、基板のエッジと凹部のエッジとの間のギャップの中に漏れる液浸流体を基板テーブルの中のドレインを通じて抽出することと、凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に少なくともひとつの流体ジェットを向けることによって、凹部の支持部を熱的に調整することと、を含む。
【０１５９】
ある実施の形態では、リソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、基板を支持するよう構成された支持部を有する凹部と凹部を囲む周辺部とを含む基板テーブルと、凹部の支持部および基板テーブルの周辺部を熱的に調整するよう構成された熱的調整システムと、を備え、熱的調整システムは、凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けるよう構成された少なくともひとつの開口と、基板テーブルの周辺部の一部に流体ジェットを向けるよう構成された少なくともひとつの開口と、を含む。
【０１６０】
ある実施の形態では、デバイス製造方法が提供される。このデバイス製造方法は、基板テーブルの中の凹部に基板を提供し、凹部は基板を支持するよう構成された支持部を有し、基板テーブルは凹部を囲む周辺部を有することと、凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に少なくともひとつの流体ジェットを向けることによって凹部の支持部を熱的に調整することと、基板テーブルの周辺部の一部に少なくともひとつの流体ジェットを向けることによって基板テーブルの周辺部を熱的に調整することと、を含む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【外国語明細書】
2011151397000001.pdf