(57)【要約】【課題】導電性接着剤の広がりを抑えると共に、安価な圧電振動子及び圧電振動子の製造方法を提供すること。【解決手段】ベース体３における水晶振動片１０の電極端子に対応する位置に、ベース体３をエッチングすることにより突起部４１，４２を形成し、この突起部４１，４２の表面に金属膜を成膜し、この金属膜と、前記水晶振動片１０の電極端子とを導電性接着剤３４により電気的に接続する。前記突起部４１，４２の側面では導電性接着剤３４が表面張力により盛り上がり、外側へ流れ出にくい状態となるので、導電性接着剤３４の広がりを抑えることができる。また突起部４１，４２の表面に成膜する金属膜の膜厚を薄くできるので、水晶振動片１０が安価となる。【選択図】図１
2011188308.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス又は水晶により構成されたベース体と、
前記ベース体と同じ材料により構成され、ベース体の一面側を密封して気密な空間を形成する蓋体と、
前記気密な空間において、ベース体上に載置され、表面に励振電極が形成されると共に、前記励振電極と電気的に接続される第１及び第２の電極端子がベース体側に設けられた圧電振動片と、
前記圧電振動片における第１及び第２の電極端子と夫々対応する位置に、ベース体をエッチングすることにより構成され、その上面が平坦な第１及び第２の突起部と、
これら突起部の表面に形成されると共に、外部端子に電気的に接続された金属膜と、
前記金属膜と、前記圧電振動片の電極端子とを夫々電気的に接続するための導電性接着剤と、を備えることを特徴とする圧電振動子。
【請求項２】
前記突起部は、上面から下方に向うに連れて広がる形状であることを特徴とする請求項１記載の圧電振動子。
【請求項３】
前記突起部の上面と底部との距離は、１０μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする１又は２記載の圧電振動子。
【請求項４】
前記金属膜の厚さは、０．２μｍ以上０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の圧電振動子。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一つに記載の圧電振動子を製造する方法であって、
ガラス基板又は水晶基板の表面をマスクを用いてエッチングすることにより、圧電振動片を収納する凹部と、前記突起部とを備えたベース体を形成する工程と、
このベース体の表面に金属膜を成膜する工程と、
前記金属膜をエッチングすることにより、前記突起部の表面に金属膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電振動子及び圧電振動子の製造方法に係り、安価でデバイス特性のバラツキの少ない圧電振動子の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳＭＤ（表面実装）構造の圧電振動子例えば水晶振動子（以下「ＳＭＤ型水晶振動子」という）は小型・軽量であることから、例えば携帯電話で代表される携帯型の電子機器に周波数や時間の基準源として内蔵される。このＳＭＤ型水晶振動子の一例について、図９を用いて説明すると、図中１１は、上面が開口しているセラミックスからなるベース体、１２は金属製の蓋体であり、これらベース体１１と蓋体１２とは、例えば溶接材からなるシール材１３によりシーム溶接され、その内部が真空状態となっている。
【０００３】
図中１０は水晶振動片であり、この水晶振動片１０としては音叉型の水晶振動片や矩形状の水晶振動片等を用いることができる。音叉型の水晶振動片１０について図１０を用いて説明すると、基部２に一対の振動腕部２１ａ及び２１ｂが設けられ、各振動腕部２１ａ，２１ｂにおける両主面には溝部２３，２４が夫々設けられている。これら溝部２３，２４及び各振動腕部２１ａ，２１ｂには、屈曲振動に基づいた音叉振動を励起するための図示しない励振電極が形成されている。また水晶振動片１０のベース体１１側には、前記励振電極と夫々電気的に接続される第１及び第２の電極端子（図示せず）が励振電極からベース体１１側に引き出されて左右に分かれて設けられている。
【０００４】
この水晶振動片１０は、ベース体１１と蓋体１２とにより形成される内部空間に振動腕部２１ａ，２１ｂが伸び出した横向きの姿勢で、基部２の電極端子がベース体１１の台座部１４に導電性接着剤１５により固定され、こうして水晶振動片１０がベース体１１に略水平に取り付けられている。一方台座部１４における水晶振動片１０の一端側が取り付けられる領域には導電路１６，１７（１７は紙面奥側の導電路である）が形成されている。このようにして構成された水晶振動片１０の発振動作は、ベース体１１の外部底面の長手方向に対向するように設けられた電極１８，１９、導電路１６，１７及び導電性接着剤１５を通って水晶振動片１０に電圧を印加させることで起こる。
【０００５】
しかしながらこのようなＳＭＤ型水晶振動子では、台座部１４における水晶振動片１０の一端側が取り付けられる領域は、その他の領域と高さがほぼ同じである。このため導電性接着剤１５が外方へ流れていきやすく、導電性接着剤が必要以上の面積に広がってしまう。これにより導電性接着剤１５が広がる領域が素子毎に変化してしまい、デバイス特性上のバラツキが発生しやすいという課題がある。
【０００６】
この課題を解決するために、ベース体１１における水晶振動片１０の電極端子が取り付けられる領域の高さを他の領域よりも高くして、導電性接着剤を広がりにくくすることが検討されている。例えばベース体１１側に導電性材料よりなる突起状電極を設け、この突起状電極と水晶振動子１０の電極端子とを導電性接着剤により電気的に接続する構成が考えられている。
【０００７】
このような突起状電極は、一般的には、例えばベース体１１にタングステン（Ｗ）等からなる下地金属を１０μｍ〜１５μｍ程度の膜厚により形成した後、この上にニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）メッキを行なうことにより形成されている。ここで下地金属の厚さは１０μｍ〜１５μｍ程度であることから、突起状電極の高さを確保するためにはＡｕの厚さを１０μｍ〜３０μｍ程度にしなければならず、Ａｕは高価であることからコスト的に問題がある。
【０００８】
この際、Ａｕよりも安価な金属を用いて突起状電極の高さを確保し、次いでその表面にＮｉ／Ａｕメッキを行うことも考えられる。しかしながらこの手法では、突起状電極を高くするための金属の成膜と、Ａｕの成膜とを行わなければならず、工程数が増加するため、結局コストアップを招いてしまう。
【０００９】
ところで、特許文献１には、絶縁性ベースの上面の電極形成位置に、独立した凸部を設ける構成が記載されている。この例は、絶縁性ベースを形成するための材料を低減させてコストダウンを図るものであるが、実際には、どのような手法で凸部を作成するのかについては記載されておらず、この文献１によっても本発明の課題を解決することはできない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０００−１６４７４７号公報（段落００１７、図５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、導電性接着剤の広がりを抑えると共に、安価な圧電振動子及び圧電振動子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このため本発明は、
ガラス又は水晶により構成されたベース体と、
前記ベース体と同じ材料により構成され、ベース体の一面側を密封して気密な空間を形成する蓋体と、
前記気密な空間において、ベース体上に載置され、表面に励振電極が形成されると共に、前記励振電極と電気的に接続される第１及び第２の電極端子がベース体側に設けられた圧電振動片と、
前記圧電振動片における第１及び第２の電極端子と夫々対応する位置に、ベース体をエッチングすることにより構成され、その上面が平坦な第１及び第２の突起部と、
これら突起部の表面に形成されると共に、外部端子に電気的に接続された金属膜と、
前記金属膜と、前記圧電振動片の電極端子とを夫々電気的に接続するための導電性接着剤と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
前記突起部は、上面から下方に向うに連れて広がる形状であることが好ましい。また前記突起部の上面と底部との距離は、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。さらに前記電極膜の厚さは、０．２μｍ以上０．５μｍ以下であることが好ましい。
【００１４】
本発明の圧電振動子の製造する方法は、
ガラス基板又は水晶基板の表面をマスクを用いてエッチングすることにより、圧電振動片を収納する凹部と、前記突起部とを備えたベース体を形成する工程と、
このベース体の表面に金属膜を成膜する工程と、
前記金属膜をエッチングすることにより、前記突起部の表面に金属膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明においては、ベース体における圧電振動片の電極端子に対応する位置にベース体をエッチングすることにより突起部を設け、この突起部の表面に金属膜を成膜し、この金属膜と前記圧電振動片の電極端子とを導電性接着剤により電気的に接続している。このため突起部の側面では導電性接着剤が表面張力により盛り上がり、外側へ流れ出にくい状態となるので、導電性接着剤の広がりを抑えることができる。また突起部の表面に成膜する金属膜の膜厚を薄くできるので、圧電振動子が安価となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態に係る水晶振動子を示す概略縦断面図及び平面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る水晶振動子の一部を示す概略断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る水晶振動子の表面側及び裏面側の平面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る水晶振動子の製造方法を示す概略断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る水晶振動子の製造方法を示す概略断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る水晶振動子の製造方法を示す概略断面図である。
【図７】水晶ウエハの表面に複数の水晶振動片が搭載された様子と、水晶ウエハの表面に複数の蓋体が形成された様子を示す平面図である。
【図８】水晶ウエハと水晶振動子との接着部を示す断面図である。
【図９】水晶振動子の一例を示す概略縦断面図及び裏面図である。
【図１０】音叉型水晶振動片の一例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の実施の形態に係る圧電振動子である水晶振動子の構造について図１を参照しながら説明する。図１中３はガラスにより構成された矩形状のベース体であり、このベース体３の表面には、第１及び第２の突起部４１，４２と、枕部３１と、後述する外部端子との接続用突部３２と、周縁部３０とが形成されると共に、これら突起部４１，４２、枕部３１、突部３２、周縁部３０以外の領域は、凹部３３として構成されている。図１（ａ）は前記水晶振動子のＡ−Ａ断面図、図１（ｂ）は前記ベース体３を表面側（一面側）から見た平面図、図１（ｃ）は前記水晶振動子のＢ−Ｂ断面図である。
【００１８】
図中１０は、従来の技術の項で図１０を用いて説明した水晶振動片であり、前記突起部４１，４２は、この水晶振動片１０における基部２の第１及び第２の電極端子（図示せず）と対応する位置に設けられている。これら突起部４１，４２は、図２に突起部４１を例にして示すように、その上面４３は水平面として構成され、上面４３から突起部４１，４２の底部４４に向って広がるように構成されている。これら突起部４１，４２は、ベース体３をエッチングすることにより形成されている。またこれら突起部４１，４２の表面には金属膜４７が被覆されており、バンプ電極を構成している。
【００１９】
この例では、突起部４１にはスルーホール（電極貫通孔）４１ａが形成されており、その内部には例えばＡｕＳｉ、ＡｕＳｎ、ＡｕＧｅ等からなるＡｕ共晶金属４５が溶融している。また前記突起部４１，４２における前記上面４３、側面４６、及び突起部４１のスルーホール４１ａの内面は金属膜４７により被覆されている。この金属膜４７としては、例えばクロム（Ｃｒ）よりなる下層膜と、ＮｉＷ（ニッケルタングステン）よりなる中層膜と、金（Ａｕ）よりなる上層膜とを積層したものが用いられる。このようにＣｒを下地金属として成膜するのは、Ａｕ膜の密着性を高めるためである。なお図１（ｂ）では、図示の便宜上金属膜４７は省略している。
【００２０】
この例では図１（ｃ）に示すように、突起部４２にはスルーホールが形成されていない。また前記ベース体３の表面側には、図３（ａ）に示すように、突起部４２の金属膜４７に接続される所定形状の電極パターン４８が形成されており、これら電極パターン４８と金属膜４７とは、実際には一体に形成されている。
【００２１】
前記突起部４１，４２の上面４３の高さは例えばベース体３の周縁部３０の高さと揃えられており、突起部４１，４２の高さＬ１（上面４３と底部４４との間の距離）は１０μｍ〜５０μｍ程度であることが好ましい。高さＬ１が高すぎると水晶片１０と蓋体５との間隔が小さくなって振動特性が悪化したり、パッケージの低背化に対応できなくなるからであり、高さＬ１が低すぎると後述するように導電性接着剤の広がりが大きくなってしまうからである。また前記金属膜４７において、Ｃｒの厚さは例えば０．０５μｍ〜０．１５μｍ、より好ましくは０．０８μｍ〜０．１５μｍ、程度、ＮｉＷの厚さは０．０５μｍ〜０．１μｍ程度、Ａｕの厚さは例えば０．２μｍ〜０．５μｍ程度であることが好ましい。Ａｕの厚さが例えば０．２μｍより小さいと導電性が得られなくおそれがあり、０．５μｍより大きいと製造コストが高くなってしまうからである。
【００２２】
また前記上面４３の形状はこの例ではだ円状であり、その長さ（図１（ｂ）中Ｘ方向の長さ）Ｌ２は例えば１５０μｍ〜３００μｍ程度、その面積は０．０１ｍｍ２〜０．２ｍｍ２程度であることが好ましい。前記長さＬ２（面積）が小さ過ぎると、水晶振動片１０がベース体３に十分に固定されずに動作が不安定になるおそれがあり、また前記長さＬ２（面積）が大き過ぎると、結局後述するように導電性接着剤の広がりが大きくなってしまうからである。なお上面４３の形状は、必ずしもだ円状に限られず、円形状であっても、多角形状であってよい。
【００２３】
これら突起部４１，４２の上面４３には、対応する水晶振動片１０の電極端子が導電性接着剤３４を介して接続され、これにより水晶振動片１０が水平な状態で突起部４１，４２の上面４３に固定されることになる。
【００２４】
前記枕部３１もベース体３と同じ材質により構成され、突起部４１，４２に水晶振動片１０が取り付けられたときに、水晶振動片１０の長さ方向（図１（ｂ）中Ｘ方向）の中央よりも先端側に寄った位置に設けられている。この枕部３１の上面は水平面として構成され、その高さは例えばベース体３の周縁部３０の高さと揃えられている。水晶振動片１０が突起部４１，４２に固定されたときの水晶振動片１０の裏面は突起部４１，４２の上面から僅かに浮上しているため、当該枕部３１の上面からも僅かに浮上することになる。
【００２５】
枕部３１の上面は、この例では、水晶振動片１０の幅方向（図１（ｂ）中Ｙ方向）に伸びる四角形状に構成されており、その面積は０．２５ｍｍ２〜０．０５ｍｍ２程度であることが好ましい。このように枕部３１を設ける理由は、水晶振動子に上下方向に力が加わったときに、水晶振動片１０が割れないようにするためである。この枕部３１を設けることにより、水晶振動片１０の振れが小さくなるため、水晶振動子が衝突しても水晶振動片の割れを防ぐことができる。
【００２６】
前記接続用突部３２は、水晶振動片１０の電極端子と、後述する外部端子とを電気的に接続させるために設けられている。その内部にはスルーホール３２ａが形成され、突部３２の表面及びスルーホール３２ａの内面は金属膜３５により被覆されると共に、スルーホール３２ａ内には、例えばＡｕＳｉ、ＡｕＳｎ、ＡｕＧｅ等からなるＡｕ共晶金属３５ａが溶融している。また前記金属膜３５は、図３（ａ）に示すように、突起部４２の金属膜４７と電極パターン４８により電気的に接続されており、これら金属膜３５，４７、電極パターン４８は一体に形成されている。
【００２７】
またベース体３の上方側には水晶振動片１０の上方側に凹部５１が形成された矩形状の蓋体５が、水晶振動片１０を収納した状態でベース体３に対して気密に接続されている。この蓋体５はベース体３と同様の材質により構成されている。このように、ベース体３と蓋体５とを同様の材質により構成すると、熱膨張係数が同じになるので、熱処理時の歪みが抑えられ、デバイス特性への悪影響を抑制することができる。この蓋体５はベース体３の上面に、蓋体５の周縁部５２とベース体３の周縁部３０とが対応するように、ＡｕＳｉ、ＡｕＳｎ、ＡｕＧｅ等の共晶金属によって接合される。またベース体３と蓋体５とは、低融点ガラス接合により接合するようにしてよい。
【００２８】
さらにベース体３の裏面には、スルーホール４１ａの共晶金属４５と接続されるように外部端子５３が設けられると共に、スルーホール３２ａの共晶金属３５ａと接続されるように外部端子５４が設けられている。このようにして構成された水晶振動子１の発振動作は、外部端子５３、突起部４１の共晶金属４５、突起部４１の金属膜４７及び導電性接着剤３４を介して水晶振動片１０の基部２の一方の電極端子に電圧が印加され、外部端子５４、突部３２の共晶金属３５ａ、電極パターン４８、突起部４２の金属膜４７及び導電性接着剤３４を介して水晶振動片１０の基部２の他方の電極端子に電圧が印加されることで起こる。
【００２９】
次に、図１に示す水晶振動子の製造方法について図４〜図６を参照しながら説明する。なお、図４〜図６は、一枚のガラス基板のある一部分に作成される一個の水晶振動子について説明したものである。先ず、切り出された一枚のガラス基板６を研磨加工して洗浄した後に（図４（ａ））、図４（ｂ）に示すように、ガラス基板６にウェットエッチングによりスルーホール４１ａ（３２ａ）を形成する。具体的には、Ｃｒの上にＡｕを積層した金属膜を両面に形成し、更にこの金属膜の上に、スルーホール４１ａ（３２ａ）の位置及び形状に応じたレジストパターンを形成する。次いでガラス基板６をＫＩ（ヨウ化カリウム）溶液に浸漬して金属膜が露出した部分をエッチングし、金属膜パターンを得る。その後、フッ酸溶液にガラス基板６を浸漬して、金属膜パターンをマスクとしてエッチングすることにより、スルーホール４１ａ（３２ａ）が形成される。この図の例では、ガラス基板６の裏面側（他面側）に金属膜パターンが形成され、当該裏面側からエッチングが進行する。なおスルーホール４１ａ（３２ａ）の形成はサンドブラスト加工により行なうようにしてもよい。
【００３０】
次いで前記金属パターンを除去した後、ガラス基板６をウェットエッチングして既述の図１に記載した突起部４１，４２、枕部３１、突部３２を形成する。なおこのエッチングにおいては、後の工程において、ガラス基板６を個片に分断するときに、この分断作業が円滑に行われるようにスクライブラインに対応する位置に溝部６１を形成しておく。このエッチング工程についても、上記のようにレジストパターンを介して金属膜のパターンを形成し、フッ酸溶液を用いてエッチングが行われる。その後、金属膜パターンを除去する（図４（ｃ））。
【００３１】
しかる後に、ガラス基板６の全面にＣｒ、ＮｉＷ、Ａｕを下からこの順番で積層した金属膜を形成する。ここでＣｒ膜やＡｒ膜の成膜は、スパッタリングや真空蒸着法により行われ、例えばＣｒ膜は０．０５μｍ〜０．１μｍの厚さ、ＮｉＷは０．０５μｍ〜０．１μｍの厚さ、Ａｕ膜は０．２μｍの厚さで成膜される。これによりガラス基板６の表面側及びスルーホール４１ａ（３２ａ）の内面に金属膜が形成される。次いで、この金属膜の上にレジストパターンを形成した後、ＫＩ溶液に浸漬して、図３（ａ），（ｂ）に示すような、金属膜４７，３５、電極パターン４８に対応する金属膜パターンを形成する（図４（ｄ））。
【００３２】
続いて、図５（ｅ）、（ｆ）に示すように、突起部４１，４２の上面に導電性接着剤３４例えば藤倉化成製商品名「ＸＡ−５４６３」を塗布する。そして、その上から前記水晶振動片１０の基部２の電極端子を、対応する突起部４１,４２の上に搭載し、加熱することで、前記導電性接着剤３４を硬化させる。この時の硬化条件は、加熱温度が例えば２８０度、加熱時間が例えば９０分間である。こうして水晶振動片１０の電極端子と、突起部４１，４２の上面４３とが導電性接着剤３４を介して電気的に接合される。この工程により、図７（ａ）に示すように、一枚のガラス基板６の表面に複数形成された凹部３３内に水晶振動片１０が各々搭載される。
【００３３】
一方蓋体５についても、図７（ｂ）に示すように、一枚のガラス基板７を研磨加工して洗浄した後に、ベース体３と同様の手法によりエッチングすることで、ガラス基板７の表面に、凹部５１と、ダイシングライン用の溝部７１を形成し、蓋体５の周縁部５２に相当する領域に金属膜を形成する。この金属膜は、例えばＣｒとＮｉＷとＡｕの積層膜よりなる。なおベース体３の周縁部３０に相当する領域にも上述の工程により金属膜が形成されている。このようにベース体３の周縁部３０に相当する領域及び蓋体５の周縁部５２に相当する領域に金属膜を形成するのは、後述する共晶金属ボール７２の密着性を向上させるためである。
【００３４】
そして、図５（ｆ）に示すように、ガラス基板６の溝部６１部分に、ＡｕＳｎ共晶金属ボール７２を置く。しかる後、真空雰囲気中でベース体３側のガラス基板６の表面に、蓋体５側のガラス基板７を、ベース体３側の凹部３３と蓋体５側の凹部５１との間に水平に水晶振動片１０を収納するように張り合わせる。次いで共晶金属ボール７２部分を真空中で加熱して溶融させることで、ベース体３側のガラス基板６の表面に、蓋体５側のガラス基板７を固着させる（図５（ｇ））。なお共晶金属ボール７２の材料としては、ＡｕＳｉ，ＡｕＧｅ等も用いることができる。またベース体３側のガラス基板６と蓋体５側のガラス基板７との接合を低融点ガラスにより行うようにしてもよく、この場合には接合面に金属膜を形成する必要はない。
【００３５】
続いて、図６（ｈ）に示すように、スルーホール４１ａ（３２ａ）部分に、ＡｕＳｎ共晶金属ボール７３を置き、当該共晶金属ボール７３部分を真空中で加熱して溶融させることで、スルーホール４１ａ（３２ａ）部分を共晶金属４５、３５ａで充填し、真空密閉封止を行う（図６（ｉ））。なお共晶金属ボール７３の材料としては、ＡｕＳｉ，ＡｕＧｅ等も用いることができる。
【００３６】
しかる後、図６（ｊ）に示すように、外部端子５３，５４を所定のパターンで形成する。外部端子５３，５４は、例えば下層膜であるＣｒと中層膜であるＮｉＷと上層膜であるＡｕとを積層して構成され、例えばＣｒの膜厚は０．０５μｍ〜０．１μｍ程度、ＮｉＷの膜厚は０．０５μｍ〜０．１μｍ程度、Ａｕの膜厚は０．４μｍ程度である。その後、ダイシングソーを用いてダイシングラインに沿って切ることで、ガラス基板６，７から水晶振動子が１個ずつ分断され、図１に示す水晶振動子が完成する（図６（ｋ））。
【００３７】
上述の実施の形態によれば、ベース体３における水晶振動片１０の電極端子に対応する位置に、ベース体３をエッチングすることにより突起部４１，４２を設け、この突起部４１，４２の表面に金属膜４７を形成し、この金属膜４７と、前記水晶振動片１０の電極端子とを導電性接着剤３４により電気的に接続している。このため、図８（ａ）に示すように、導電性接着剤３４が突起部４１，４２の側面４６のスロープ部分で表面張力により盛り上がり、外側へ流れることを抑制する。この結果、水晶振動片１０の電極端子とベース体３側は、突起部４１，４２の上面４３に依存した形状で接着を行うことができる。これにより予め突起部４１、４２の上面の形状を電極端子に合わせることにより、必要以上に導電性接着剤３４が広がることが抑えられる。このように、導電性接着剤３４の広がり領域が水晶振動子毎に揃えられるので、デバイス特性上のバラツキの発生が抑えられる。
【００３８】
一方図８（ｂ）に示すように、ベース体３における、水晶振動片１０の電極端子と導電性接着剤３４により接続される領域の高さが、他の領域と同じである場合には、導電性接着剤３４がベース体３の表面を外方に流れてしまう。これにより水晶振動片１０では電極端子側や、導電路４７，４８側に必要以上に接着剤が広がってしまい、この導電性接着剤３４の広がりが水晶振動子毎に異なることにより、デバイス特性上にバラツキが発生してしまう。
【００３９】
また突起部４１，４２は、ガラス基板６をエッチングすることにより形成され、その上にＡｕ膜を成膜しているので、Ａｕ膜の膜厚を薄くでき、安価に製造できる。この際ガラス基板６を用いているので、下地膜であるＣｒ膜やＡｕ膜をスパッタリングや真空蒸着により薄い厚さで成膜でき、製造が容易となる。
【００４０】
さらに水晶ウエハをウェットエッチングして突起部４１，４２を形成しているので、エッチング条件を選択することにより、水晶の結晶面方位を利用して、上面４３から底部４４に亘って下側に広がる傾斜のある形状の突起部４１，４２を形成することができる。この突起部４１，４２の側面４６の傾斜により、既述のように導電性接着剤３４の外側への流れが防止されるため、ガラス基板６をエッチングして突起部４１，４２を形成することは有効である。またベース体３と蓋体５のみをガラス基板６，７により夫々作製して、水晶振動片１０は安価な従来品を用いることにより、より安価なデバイスを作成することができる。
【００４１】
本発明においては、ベース体３と蓋体５は同じ材質であればよく、ガラス基板の他、水晶基板により作成するようにしてもよい。また本発明において、突起部４１，４２の表面に形成される金属膜は、少なくとも突起部４１，４２における導電性接着剤３４と接触する領域に形成されればよい。さらに本発明では、スルーホールを用いて電力供給するタイプの水晶振動子のみならず、図９に示すような電力供給構造を有する水晶振動子にも適用できる。
【００４２】
さらに本発明では、水晶振動片１０の一方の電極端子がベース体側に設けられると共に、他方の電極端子が蓋体側に設けられている構成にも適用できるが、水晶振動子１０の両方の電極端子をベース体側に設ける構成の方が、導電性接着剤の外方への広がりを抑える効果が大きく、メリットが大きい。
【符号の説明】
【００４３】
３    ベース体
３１  枕部
３２  突部
３３  凹部
４１，４２  突起部
４３  上面
４４  底部
４６  側面
４７  電極膜
４８  導電路
５    蓋体
５１  凹部
５３，５４  外部端子
６，７  ガラス基板
【図１】
2011188308.tif 000003
【図２】
2011188308.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【手続補正書】
【提出日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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