(57)【要約】【課題】  統一した基準でかつ1番目のショットからモールドによる成形の良否を判定できるインプリント装置を提供する。【解決手段】  インプリント装置は、モールド10によって成形された樹脂を撮像する撮像部40と、前記撮像部により撮像された画像の少なくとも一部の領域を、前記撮像部による撮像に先立って予め設定された基準状態の画像と比較して、前記モールドによる成形の良否を判定する判定部である制御部100と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に塗布された樹脂のモールドによる成形を含むインプリント動作を行ってパターンを基板上に形成するインプリント装置であって、
前記モールドによって成形された前記樹脂を撮像する撮像部と、
前記インプリント動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記撮像部により撮像された画像の少なくとも一部の領域を、予め取得された基準状態の画像と比較して、前記モールドによる成形の良否を判定する、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記少なくとも一部の領域の画像のヒストグラムを前記基準状態の画像のヒストグラムと比較して、前記モールドによる成形の良否を判定することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記少なくとも一部の領域の画像と前記基準状態の画像との差分が基準値を超える画素の数に基づいて、前記モールドによる成形の良否を判定することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、同一のモールドによる成形を連続して行う場合に、前記画像の少なくとも一部の領域と前記基準状態の画像との差が許容範囲外である成形が予め定められた回数だけ連続したならば、当該成形を不良と判定することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記成形が不良であると判定した場合に、当該不良と判定された基板の回収又はモールドの交換を指令する信号を出力することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか1項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記樹脂を硬化させる波長域の第１の光と当該波長域とは異なる波長域の第２の光とを切り替えて射出しうる光源をさらに備え、
前記撮像部は、前記第２の光が照射された状態で前記樹脂を撮像することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか1項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記撮像部は、硬化される前の形成された樹脂を撮像することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、及び、当該インプリント装置に用いた物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
紫外線、Ｘ線又は電子ビームによるフォトリソグラフィーを用いた半導体デバイスへの微細パターンの形成方法に代わる技術としてインプリント技術が既に知られている。インプリントは、電子ビーム露光等によって、微細なパターンを形成したモールドを、樹脂材料を塗布したウエハ等の基板に押し付ける（押印する）ことによって、樹脂上にパターンを転写する技術である。インプリントには幾つかの種類があり、その方法の一つとして光硬化法が従来から提案されている（特許文献１を参照）。光硬化法は、紫外線硬化樹脂に透明なモールドを押し付けた状態で感光、硬化させてからモールドを剥離する（離型する）方法である。この光硬化法によるインプリントは、温度制御が比較的容易に行えることや透明なモールド越しに基板上のアライメントマークの観察が出来ることから半導体集積回路の製造に適していると言える。また、異なるパターンの重ね合せを考慮すると、製造するデバイスのチップの大きさに合せたモールドを製作し、基板上のショットに逐次転写するステップ・アンド・リピート方式が適用できる。
【０００３】
光硬化法によるインプリント装置では、パターン転写後の紫外線硬化樹脂（以下、樹脂と呼ぶ）に残膜と称される、基板表面と凹凸パターンの凹部底面との間に存在する樹脂の厚みむらが問題とされる。これは、樹脂の残膜の厚み（残膜厚）のむらがあると、パターン転写後の基板に対して実施されるエッチング工程で、凹凸パターンの凸部の幅が場所によって変化し、転写パターンの線幅精度に悪影響を及ぼすためである。また、インプリント装置では、ゴミの存在も重要な問題であり、その大きさや材質によっては、パターン転写時にモールドの凹凸パターンが破壊されることもある。いずれの場合もそのまま基板上のショットに継続して転写を行うと、不良ショットを増加させるだけで好ましくない。このような樹脂の残膜厚むらやゴミの存在といった転写不良が確認された場合は、パターン転写を中止する必要がある。特許文献２には、転写の良否を判定する方法として、同一基板上の複数のショットでその特性を比較して、ショット間の変化を調べる方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００５−５３３３９３号公報
【特許文献２】特表２００７−５２３４９２号公報
【特許文献３】特許３８１１７２８号公報
【特許文献４】特開平１０−３３６５０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２の方法では、基板毎にショットの特性が異なっている場合、基板毎に転写の良否を判定する基準も異なってしまうという問題があった。また、特許文献２の方法では、ショット間の変化によって良否を判定するので、１番目のショットについて良否を判定できない。
【０００６】
そこで、本発明は、統一した基準でかつ1番目のショットからモールドによる成形の良否を判定できるインプリント装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板に塗布された樹脂のモールドによる成形を含むインプリント動作を行ってパターンを基板上に形成するインプリント装置であって、前記モールドによって成形された前記樹脂を撮像する撮像部と、前記インプリント動作を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記撮像部により撮像された画像の少なくとも一部の領域を、予め取得された基準状態の画像と比較して、前記モールドによる成形の良否を判定する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、統一した基準でかつ1番目のショットからモールドによる成形の良否を判定できるインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例１に係るインプリント装置の構成図である。
【図２】各実施例に係るインプリント装置の制御ブロック図である。
【図３】各実施例に係る同一レイヤを複数枚のウエハに対して転写するフローチャートである。
【図４】実施例１に係る１枚のウエハに対して転写するフローチャートである。
【図５】各実施例に係る転写良否を判定するフローチャートである。
【図６】実施例１に係る別の１枚のウエハに対して転写するフローチャートである。
【図７】実施例２に係るインプリント装置の構成図である。
【図８】実施例２に係る１枚のウエハに対して転写するフローチャートである。
【図９】実施例２に係る別の１枚のウエハに対して転写するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る基板に塗布された樹脂のモールドによる成形を含むインプリント動作を行ってパターンを基板上に形成するインプリント装置について説明する。
【００１１】
［実施例１］
図１は、実施例１に係るインプリント装置の構成図で、図２は、各実施例に係るインプリント装置の制御ブロック図である。基板であるウエハ１は、基板チャック（ウエハチャック）２に保持されている。微動ステージ３は、ウエハ１のθ（ｚ軸回りの回転）方向位置の補正機能、ウエハ１のｚ位置の調整機能、及びウエハ１の傾きを補正するためのチルト機能を有し、ウエハ１を所定の位置に位置決めするためのＸＹステージ４上に配置される。以下、微動ステージ３とＸＹステージ４を合せて、基板ステージ（ウエハステージ）と総称する。ＸＹステージ４はベース定盤５に載置されている。微動ステージ３の位置を計測するために、レーザ干渉計７からの光を反射する参照ミラー６が、微動ステージ３上にｘ及びｙ方向（ｙ方向は不図示）に取り付けられている。８及び８'はベース定盤５上に屹立し、天板９を支える支柱である。モールド１０は、ウエハ１に転写される凹凸のパターンがその表面に形成され、図示しない機械的保持機構によってモールドチャック１１に保持される。モールドチャック１１は、図示しない機械的保持機構によって、モールドチャックステージ１２に載置される。モールドチャックステージ１２は、モールド１０及びモールドチャック１１のθ（ｚ軸回りの回転）方向位置の補正機能及びモールド１０の傾きを補正するためのチルト機能を有する。モールドチャック１１は、そのｘ及びｙ方向の位置を計測するために、レーザ干渉計７'からの光を反射する反射面を有する（ｙ方向は不図示）。モールドチャック１１及びモールドチャックステージ１２は、ＵＶ光源１６からコリメータレンズ１７を通して照射されるＵＶ光をモールド１０へと通過させる、図示しない開口をそれぞれ有する。ガイドバープレート１３は、その一端がモールドチャックステージ１２に固定され、天板９を貫通するガイドバー１４及び１４'の他端を固定する。
【００１２】
エアシリンダ又はリニアモータからなるモールド昇降用のリニアアクチュエータ１５，１５'は、ガイドバー１４及び１４'を図１のｚ方向に駆動し、モールドチャック１１に保持されたモールド１０をウエハ１に押し付けたり、引き離したりする。アライメント棚１８は、天板９に支柱１９，１９'により懸架され、ガイドバー１４，１４'が貫通している。静電容量センサなどのギャップセンサ２０は、ウエハチャック２上のウエハ１の高さ（平坦度）を計測する。複数のロードセル２１（図１に図示せず）は、モールドチャック１１又はモールドチャックステージ１２に取り付けられ、モールド１０の押し付け力を計測する。ダイバイダイアライメント用のＴＴＭ（スルー・ザ・モールド）アライメントスコープ３０，３０'は、ウエハ１とモールド１０に設けられたアライメントマークを観察するための光学系と撮像系を有する。ＴＴＭアライメントスコープ３０及び３０'により、ウエハ１とモールド１０のｘ及びｙ方向の位置ずれを計測する。樹脂を塗布するディスペンサヘッド３２は、ウエハ１の表面に液状の光硬化樹脂を滴下して塗布するノズルを備えている。ＣＣＤカメラ等の撮像部（以下、ＣＣＤカメラ）４０は、モールド１０によって成形された樹脂を撮像し、カラー画像の撮影が可能である。ＣＣＤカメラによる撮影の際には、白色光源４２が照明用に使用される。微動ステージ３上には、基準マーク台上の基準マーク５０が配置されている。制御部１００は、以上のアクチュエータやセンサ類を統括して装置に所定の動作をさせる。制御部１００は、また後述する成形の良否を判定する判定部としても機能する。メモリ１１０にはＣＣＤカメラ４０で撮影された画像が保存される。
【００１３】
図１から図４を用いて、半導体デバイス作成時のインプリント装置の動きについて説明する。図３は、複数枚のウエハに同じモールドを使用して、あるレイヤのパターンの転写を行う場合のフローチャートである。Ｓ１で、図示しないモールド搬送機構が、モールドチャック１１にモールド１０を供給する。Ｓ２で、ＴＴＭアライメントスコープ３０，３０'は、モールド１０の図示しないアライメントマークと微動ステージ３上の基準マーク５０とを同時に観察する。そして、この観察結果を使用して、モールドチャックステージ１２により主にモールド１０のθ（ｚ軸回りの回転）方向の位置を合せる。次にＳ９１で、制御部１００は、ＣＣＤカメラ４０による成形された樹脂の撮像に先立って予め設定され、保存されている基準画像をメモリ１１０から呼び出す。基準画像は、使用する基板、下地、モールド、樹脂、モールドの押し付け荷重、モールドの押し付け時間、紫外線照射時間、離型時のモールド速度といった、そのときのインプリント条件で予め良好に成形されたショットにおける基準状態の樹脂の画像である。基準画像は、良好に成形された基準状態の樹脂の状態をシミュレーションによって取得されてもよい。続くＳ９２で、後述の連続不良ショットカウンタｋが０にリセットされる。次に、Ｓ３で、図示しないウエハ搬送機構が、ウエハチャック２にウエハ１を供給する。続くＳ４で、ＸＹステージ４が駆動されて、ギャップセンサ２０がウエハ１全面の高さ（平坦度）を計測する。この計測データは、後述するように、モールド押印時にウエハ１の転写ショット面を図示しない装置の基準平面に合せる際に使用される。
【００１４】
次にＳ５で、プリアライメント計測器（図示せず）が、ウエハ１上に先行して転写されたプリアライメントマーク（図示せず）を撮像し観察する。そして、制御部１００は、画像処理によりウエハ１の装置に対するｘ、ｙ方向のずれを計測し、その結果を元にウエハ１のθ（ｚ軸回りの回転）方向の位置補正を行う。続くＳ６で、ＴＴＭアライメントスコープ３０、３０'が、ウエハ１上の特定のサンプル計測ショットにおいて、モールド１０上のアライメントマーク（図示せず）とウエハ１上のアライメントマーク（図示せず）を同時に観察する。そして、制御部１００は、ｘ、ｙ方向の相対的位置ずれ量を計測する。これらのｘ方向及びｙ方向の位置ずれからθ（ｚ軸回りの回転）方向の位置ずれも算出される。そして、上記のサンプル計測ショットでのＴＴＭアライメントスコープによる計測結果から、制御部１００は、ウエハ１上の各ショットにおけるｘ、ｙ、θ方向のずれを予測して、ショットごとの転写を行う際のウエハステージの位置合せ目標位置を決定する。これは、ステップ・アンド・リピート方式の半導体投影露光装置で用いられているグローバルアライメント計測の手法と同じものである。次に、Ｓ７で、ウエハ１上の各ショットに対して、図４に示すフローチャートによるパターン転写が行われる。
【００１５】
全ショットの転写が終了すると、Ｓ８で、図示しないウエハ搬送機構がウエハ１をウエハチャック２から回収する。続くＳ９で、制御部１００は、続いてパターン転写を行うウエハがあるかどうかを判定し、転写するウエハがある場合はＳ３に戻り、転写するウエハが無い場合はＳ１０に進む。Ｓ１０で、図示しないモールド搬送機構がモールドチャック１１からモールド１０を回収する。最後に、Ｓ９３で基準画像のクリアを行って、複数のウエハに対するパターンの転写が終了する。
【００１６】
図４は、本発明の実施例１のインプリント装置を用いて、１枚のウエハにパターンを転写するときのフローチャートで、図３のＳ７に相当する。以下、図４と図１、図２を用いて、実施例１におけるインプリント装置の動作及び作用等について説明する。図４において、まず、Ｓ７０１で、制御部１００は、ＸＹステージ４を駆動し、ウエハ１の載置されたウエハチャック２を移動させ、ウエハ１上のパターンの転写を行う場所（ショット）をディスペンサヘッド３２の下に持って来る。続くＳ７０２で、ディスペンサヘッド３２は、ウエハ１上の目的のショットに光硬化樹脂を塗布する。次に、Ｓ７０３で、制御部１００は、該当ショットの平面がモールド１０の凹凸パターンと対向する位置に来るようにＸＹステージ４を駆動する。この際、ウエハステージは、図３のＳ６のアライメント計測の結果によって決定され補正された位置合せ目標位置に移動する。さらに、制御部１００は、微動ステージ３によりウエハチャック２のｚ方向の高さと傾きを調整して、前述のウエハ高さの計測データを基にして、ウエハ１の前記ショットの表面を装置の基準平面（不図示）に合せる。そして、Ｓ７０４で、制御部１００は、リニアアクチュエータ１５，１５'を駆動することによりモールドチャック１１を所定位置まで下降させる。次に、Ｓ７０５で、制御部１００は、モールドチャック１１又はモールドチャックステージ１２に取り付けられた複数のロードセル２１（図１に図示しない）の出力により、モールド１０の押し付け力が適切な値かどうかを判定する。押し付け力が所定の範囲になかった場合、Ｓ７０５の判定をｎｏで抜け、Ｓ７０６に進む。
【００１７】
Ｓ７０６で、制御部１００は、リニアアクチュエータ１５，１５'によってモールドチャック１１のｚ方向の位置を変えるか、又は微動ステージ３によってウエハチャック２のｚ方向の位置を変えることにより、モールド１０の押し付け力の調整を行う。所定の押し付け力になるまでＳ７０５とＳ７０６のループを回り、Ｓ７０５でモールド１０の押し付け力が適切であると判定されると、Ｓ７０５をｙｅｓで抜け、Ｓ７０７に進む。Ｓ７０７で、紫外（ＵＶ）光源１６により所定時間のＵＶ光の照射を行う。ＵＶ光の照射が完了すると、続くＳ７０８で、制御部１００は、リニアアクチュエータ１５，１５'を駆動してモールドチャック１１を上昇させ、モールド１０をウエハ１上の硬化した樹脂から引き離す。次にＳ７０９ａで、制御部１００は、ＸＹステージ４を駆動し、転写後のショットがＣＣＤカメラ４０の下に来るようにウエハ１を移動させる。
【００１８】
続いてＳ７９０で、図５に示すフローチャートにより転写後のショットの良否判定が制御部１００により行われる。図５において、まずＳ７９１で、白色光源４２により転写後のショットに白色光を照射し、ＣＣＤカメラ４０が転写後のショットの樹脂の状態を撮像する。次にＳ７９２で、制御部１００は、図３のＳ９１で設定された基準画像とＳ７９１で撮像された画像との比較を行う。比較の対象として、撮像された画像の少なくとも一部の領域を用いることができる。成形不良が樹脂の残膜厚むらに起因する場合、成形不良はショット全体に及ぶことが多いので、この場合には撮像された画像全体が比較の対象とされる。一方、成形不良がゴミの存在に起因する場合には、成形不良がショットの一部の領域にとどまることもある。そのような場合には、撮像された画像の一部の領域が比較の対象とされうる。
【００１９】
続くＳ７９３で、制御部１００は、撮像されたショットにおける樹脂の画像と基準画像との差が許容範囲外か否かを判定する。具体的には、樹脂がゴミを挟んだり、樹脂の残膜厚むらがある場合は、撮影された画像に色調の変化が観察されることを利用する。例えば、撮像された画像のヒストグラムを基準画像のヒストグラムと比較して判定する手法が利用できる。具体的には、特許文献４に開示されている、色差ヒストグラムの相関度を使用し、例えば、基準画像に対する、転写後の画像の色差ヒストグラムの相関度が９０％以下である場合は、転写不良と判定する。また、撮像された画像と基準画像との差分が基準値を超える画素の数で判定する手法が利用できる。さらに、２つの画像のＸＹＺ表色系での相対距離により判定することが可能であり、基準画像に対して、転写後のショットの画像のＸＹＺ表色系における相対距離が所定値以上離れている場合に、制御部１００は転写不良と判定する。所定値としては、ＸＹＺ表色系におけるＭａｃＡｄａｍの偏差楕円を使用することができる。例えば、ＸＹＺ表色系で、転写後のショット画像が基準画像に対するＭａｃＡｄａｍの偏差楕円より外側に位置する場合を転写不良と判定するようにしてもよい。特許文献３には、ＸＹＺ表色系を利用して薄膜の膜厚を測定する方法が開示されているが、本発明においては、膜厚自体の算出は必要としない。
【００２０】
このようにして、基準画像と転写後のショットの画像との差が許容範囲外である場合は、Ｓ７９３の判定をｎｏで抜け、Ｓ７９５へ進む。Ｓ７９５では、制御部１００は、連続不良ショットカウンタｋを１つカウントアップする。続くＳ７９６で、制御部１００は、該連続不良ショットカウンタｋが予め定められた回数である３かどうかの判定を行う。これは、モールドのいわゆるセルフクリーニング効果を考慮して、本実施例では連続３ショット未満の転写不良は、転写不良としないためである。連続不良ショットが３回だけ連続したならば、Ｓ７９６の判定をｙｅｓで抜け、Ｓ７９７に進む。Ｓ７９７で、制御部１００は、不良と判定された基板の回収又はモールドの交換を指令する信号を出力する。例えば、転写不良が発生した旨のメッセージを図示しない装置の操作画面に表示する。この場合、制御部１００は、不良と判定された基板の回収、又は、モールドの交換を指令するメッセージを出力するように構成することもできる。一方、連続不良ショットカウンタｋが３でなかった場合は、Ｓ７９６の判定をｎｏで抜け、図５のフローチャート（図４のＳ７９０）を終了する。前記Ｓ７９３で、基準画像と転写後のショットの画像との差異が許容範囲内である場合は、Ｓ７９３の判定をｙｅｓで抜け、続くＳ７９４で連続不良ショットカウンタｋを０にリセットした後、図５のフローチャートを終了する。
【００２１】
このようにして、連続して不良と判定されるショットが３ショット未満の場合は、セルフクリーニング効果によりゴミが除去されたものと判定し、ウエハ全体としては転写不良としない。但し、３ショット未満の不連続な転写不良が発生した場合は、ショットの番号を当該ウエハの識別番号（例えば、ウエハIDと称される）とともに、本発明のインプリント装置を統括する図示しない上位装置に伝える。これにより、ウエハの転写履歴の管理と転写後のパターン検査装置などによる検査を容易にすることが可能となる。なお、Ｓ７９６で連続不良ショット数の判定を行う値は３に限定されるものではなく、転写状況に応じて適宜変更可能である。以上のようにして、図４の転写の良否判定を行うＳ７９０は実行される。
【００２２】
ここで、図４の説明に戻ると、Ｓ７９０の次に、Ｓ７０９ｂで、制御部１００は、ＸＹステージ４を駆動し、次に転写を行うショットがディスペンサヘッド３２の下に来るようにウエハ１を移動させる。続くＳ７１０で、制御部１００は、ウエハ１上の全ショットのパターン転写が終了したかどうか、もしくは転写不良があったかどうかの判定を行う。未転写のショットがあり、かつ転写不良が無かった場合は、Ｓ７１０の判定をｎｏで抜け、Ｓ７０２へ戻る。未転写のショットが無い場合又は転写不良があった場合は、Ｓ７１０の判定をｙｅｓで抜け、Ｓ７１１に進む。Ｓ７１１では、ウエハ１の回収（図３のＳ８）に備えて所定の位置にＸＹステージ４を駆動する。
【００２３】
以上、図４を用いて、１枚のウエハにパターンを転写する場合のインプリント装置の動作及び作用について説明した。なお、図４で転写不良があった場合に、ゴミの付着を考慮して、モールドをインプリント装置から自動的に回収し、洗浄又は交換するようにしてもよい。これにより、同一ウエハでの継続転写もしくは別ウエハの転写に備えることができる。また、図１では図面を分かり易くするため、ＣＣＤカメラ４０と白色光源４２をモールド１０を挟んで、ディスペンサヘッド３２の反対側に配置しているが、これらをモールド１０に対して同じ側に配置してもよい。この場合は、Ｓ７０９ａ及びＳ７０９ｂでのＸＹステージ４の移動量を少なくすることが出来る。さらに、図６に示すように、Ｓ７０８の後に、次に転写を行うショットをディスペンサヘッド３２の下に来るように移動させるＳ７０９と並行して、転写の良否判定を行うＳ７９０を実行するようにしてもよい。この場合、図５のＳ７９１では、ＸＹステージ４の移動中に転写後のショットを撮像する。これにより、撮像のためにＸＹステージ４を停止させなくてよいので、スループットを向上させることが出来る。
【００２４】
［実施例２］
次に、図７を参照して、実施例２におけるインプリント装置の動作及び作用等について説明する。図１と同じ機能を有するものは同じ番号を付し、その説明を省略する。図７において、４１はＵＶ光源１６からの光路中に置かれ、モールド１０を介してウエハ１側からの反射光を折り曲げてＣＣＤカメラ４０に導くビームスプリッタである。ここで、簡略化のために、図７ではＴＴＭアライメントスコープの一方である３０'は、その表示を省略している。複数枚のウエハに同じモールドを使用して、あるレイヤのパターンの転写を行う場合のフローチャートは図３と同じである。図８は、実施例２のインプリント装置を用いて１枚のウエハにパターンを転写するフローチャートで、図３のＳ７に相当する。図４と同じ動作をするものは同じ番号を付し、その説明を省略する。
【００２５】
以下、図７と図８、図２を用いて、実施例２のインプリント装置の動作及び作用等について説明する。図８において、図４との違いは、転写の良否判定を行うＳ７９０がＳ７０８によるモールドの離型の直後に行われる点である。この場合、光源１６は、樹脂を硬化させる波長域の第１の光（ＵＶ光）と、当該波長域とは異なる波長域の第２の光（白色光）とを切り替えて射出することができるものを使用できる。例えば、光源１６は多波長の光源で、図示しない波長選択フィルタを内蔵するものとする。Ｓ７０７で紫外線硬化樹脂を硬化させるために、ＵＶ光を照射する場合は、波長選択フィルタによりＵＶ光のみを照射するようにする。そして、モールドの離型後、図５のＳ７９１で転写後のショットの撮影を行う場合は、波長選択フィルタにより紫外線領域を除いた白色光をＵＶ光源１６により照射するようにする。ウエハ１上の紫外線硬化樹脂から反射された光は、ビームスプリッタ４１によりＣＣＤカメラ４０へと折り返され、転写後のショットの画像として撮影される。図８において、その他の動作は図４と同じであり、その説明は省略する。
【００２６】
図９は、実施例２のインプリント装置を用いて、１枚のウエハにパターンを転写する別のフローチャートで、図８と同じく、図３のＳ７に相当する。図４と同じ動作をするものは同じ番号を付し、その説明を省略する。以下、図７と図９、図２を用いて、実施例２のインプリント装置の動作及び作用等について説明する。図９において、図８との違いは、成形の良否の判定を行うＳ７９０がＳ７０７のＵＶ光照射の前に行われる点である。この場合、前述のように、光源１６は図示しない波長選択フィルタを内蔵する多波長光源である。図５のＳ７９１では、硬化される前の成形された紫外線硬化樹脂の状態を撮像するために、該光源１６から白色光が照射される。即ち、所定の押し付け力でモールド１０が押し付けられた状態で、光源１６により紫外線領域を除く白色光を照射し、転写領域をＣＣＤカメラ４０で撮像する。樹脂の硬化前であっても残膜厚むらやゴミがあれば、樹脂の硬化後と同様に観察できる。従って、図９において、Ｓ７９０の転写領域のチェックの直後に、転写の良否判定を行い、不良と判定された場合は、ＵＶ光の照射を行う前にウエハを回収するようにすることも可能である。ちなみに、図９の場合に転写の良否判定に使用する基準画像は、ゴミや欠陥のもっとも少ない、転写後の結果が良好だった場合のＵＶ光照射前の画像を使用することになる。
【００２７】
以上のように、実施例２では、ＣＣＤカメラ４０による転写領域の撮影のためのＸＹステージ移動が不要であるため、装置のスループットが向上する。また、ディスペンサヘッド３２に対するＣＣＤカメラ４０の配置に制約がなくなるため、装置の設計自由度が増える効果もある。
【００２８】
以上説明したように、本発明によれば、基板上の複数のショットにパターンを転写する際に、１枚の基板についてのパターン転写の途中で不良ショットを検出し、その後の不良ショットの増加を防止することが可能なインプリント装置を提供することができる。従って、歩留りの高いインプリント装置を提供する効果を有する。また、事前に同じ条件で転写して保存されている画像と比較して転写の良否を判定するので、使用するモールドのパターン構造が変わっても正しく転写の良否を判定できる効果も有する。
【００２９】
［物品の製造方法］
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを転写（形成）する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを転写された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを転写された基板を加工する他の処理を含みうる。
【００３０】
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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