(57)【要約】【課題】別途、波形補正回路を設けることなく、レーザーダイオードに供給する駆動電流の波形を矩形波に近づけることができるレーザーダイオードの駆動回路を得る。【解決手段】このレーザーダイオードの駆動回路は、電流パルスＩＬＤをレーザーダイオードＬＤ１に供給する駆動電流供給回路１１と、レーザーダイオードＬＤ１と並列に接続され、電流パルスＩＬＤのオーバーシュート及びアンダーシュートを抑制するダンピング回路１２とを備え、ダンピング回路１２を抵抗素子Ｒ１１と容量素子を直列に接続して構成し、容量素子をコンデンサＣとスイッチＳＷの直列回路を複数個並列に接続して構成するものである。したがって、ダンピング回路１２の時定数を調整することにより、電流パルスＩＬＤのオーバーシュート及びアンダーシュートを抑制できる。【選択図】図８
2011003939.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザーダイオードを発光させる際に駆動電流を上記レーザーダイオードに供給する駆動電流供給回路と、
上記レーザーダイオードと並列に接続され、上記駆動電流供給回路から上記レーザーダイオードに供給される駆動電流の立ち上がり時に発生するオーバーシュート及び当該駆動電流の立ち下がり時に発生するアンダーシュートを抑制するダンピング回路とを備えたレーザーダイオードの駆動回路において、
上記ダンピング回路を抵抗素子と容量素子を直列に接続して構成するとともに、上記容量素子をコンデンサとスイッチの直列回路を複数個並列に接続して構成することを特徴とするレーザーダイオードの駆動回路。
【請求項２】
レーザーダイオードを発光させる際に駆動電流を上記レーザーダイオードに供給する駆動電流供給回路と、
上記レーザーダイオードと並列に接続され、上記駆動電流供給回路から上記レーザーダイオードに供給される駆動電流の立ち上がり時に発生するオーバーシュート及び当該駆動電流の立ち下がり時に発生するアンダーシュートを抑制するダンピング回路とを備えたレーザーダイオードの駆動回路において、
上記駆動電流供給回路から上記レーザーダイオードに対する駆動電流の供給が開始された直後の所定期間中、上記ダンピング回路を構成している容量素子に電荷を充電する充電手段と、
上記駆動電流供給回路から上記レーザーダイオードに対する駆動電流の供給が停止された直後の所定期間中、上記容量素子に充電されている電荷を引き抜く放電手段とを設けたことを特徴とするレーザーダイオードの駆動回路。
【請求項３】
駆動電流供給回路からレーザーダイオードに対する駆動電流の供給が開始された直後の所定期間中、電流を上記レーザーダイオードに供給し、上記駆動電流供給回路から上記レーザーダイオードに対する駆動電流の供給が停止された直後の所定期間中、上記レーザーダイオードに流れている電流を引き抜く駆動手段を設けたことを特徴とする請求項２記載のレーザーダイオードの駆動回路。
【請求項４】
充電手段及び放電手段の少なくとも一方が、電流のパルス幅と振幅値の調整機能を備えていることを特徴とする請求項２または請求項３記載のレーザーダイオードの駆動回路。
【請求項５】
発光素子を駆動する半導体装置であって、
発光素子に接続される出力端子と、
上記出力端子に接続され、抵抗とコンデンサの直列接続で構成されるダンピング回路と、
上記ダンピング回路と接地端子間に接続されたスイッチと、
スイッチ設定情報に基づき上記スイッチの導通・非導通を制御するダンピング回路設定回路とを備えた半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、レーザーダイオードの点灯／消灯を高速に切り換えることが可能なレーザーダイオードの駆動回路及び半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のレーザーダイオードの駆動回路は、レーザーダイオードを発光させる際に駆動電流をレーザーダイオードに供給する駆動電流供給回路の他に、その駆動電流の立ち上がりを速めるため、その駆動電流の立ち上がり時に、立ち上がり促進用の補助電流をレーザーダイオードに供給する補助電流供給回路が設けられている。また、その駆動電流の立ち下がりを速めるため、その駆動電流の立ち下がり時に、その駆動電流から電流を引き抜く電流引抜回路が設けられている。このように、補助電流供給回路と電流引抜回路が設けられていることにより、レーザーダイオードの点灯／消灯を高速に切り換えることが可能になる。
【０００３】
上記の従来例の他に、レーザーダイオードに供給する駆動電流が最大電流になるとき、スイッチング制御波形のデューティが１００％になるように、スイッチング制御波形の振幅を制御して、スイッチング素子の消費電力を低減するレーザーダイオードの駆動回路が、以下の特許文献１に開示されている。しかし、以下の特許文献１は、レーザーダイオードの点灯／消灯を高速に切り換える技術や、レーザーダイオードに供給する駆動電流の波形を整える技術は開示していない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２１８５４２号公報（段落番号［００１６］から［００２４］、図３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のレーザーダイオードの駆動回路は以上のように構成されているので、レーザーダイオードの点灯／消灯を高速に切り換えることができる。しかし、レーザーダイオードに供給する駆動電流の立ち上がり時に発生するオーバーシュートの直後に駆動電流が大きく落ち込み、また、レーザーダイオードに供給する駆動電流の立ち下がり時に発生するアンダーシュートの直後に駆動電流が大きく盛り上がるため、その駆動電流が矩形波にならず、別途、その駆動電流の波形を矩形波に補正する波形補正回路が必要になるなどの課題があった。
【０００６】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、別途、波形補正回路を設けることなく、レーザーダイオードに供給する駆動電流の波形を矩形波に近づけることができるレーザーダイオードの駆動回路及び半導体装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係るレーザーダイオードの駆動回路は、レーザーダイオードを発光させる際に駆動電流をレーザーダイオードに供給する駆動電流供給回路と、レーザーダイオードと並列に接続され、駆動電流供給回路からレーザーダイオードに供給される駆動電流の立ち上がり時に発生するオーバーシュート及び駆動電流の立ち下がり時に発生するアンダーシュートを抑制するダンピング回路とを備えたレーザーダイオードの駆動回路において、ダンピング回路を抵抗素子と容量素子を直列に接続して構成するとともに、容量素子をコンデンサとスイッチの直列回路を複数個並列に接続して構成するものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、ダンピング回路を抵抗素子と容量素子を直列に接続して構成するとともに、容量素子をコンデンサとスイッチの直列回路を複数個並列に接続して構成するので、別途、波形補正回路を設けることなく、レーザーダイオードに供給する駆動電流の波形を矩形波に近づけることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】この発明の実施の形態１によるレーザーダイオードの駆動回路を示す構成図である。
【図２】抑制電流供給回路及び上昇抑制回路が実装されている場合の信号波形図である。
【図３】レーザーダイオードの発光特性を示す説明図である。
【図４】抑制電流供給回路及び上昇抑制回路が実装されていない場合の信号波形図である。
【図５】抑制電流供給回路及び上昇抑制回路が実装されている場合の駆動電流Ｉｄｒｉｖｅを示す波形図である。
【図６】抑制電流供給回路及び上昇抑制回路が実装されていない場合の駆動電流Ｉｄｒｉｖｅを示す波形図である。
【図７】この発明の実施の形態２によるレーザーダイオードの駆動回路を示す構成図である。
【図８】この発明の実施の形態３によるレーザーダイオードの駆動回路を示す構成図である。
【図９】この発明の実施の形態４によるレーザーダイオードの駆動回路を示す構成図である。
【図１０】図９のレーザーダイオードの駆動回路の動作を説明するタイミングチャート図である。
【図１１】この発明の実施の形態５によるレーザーダイオードの駆動回路を示す構成図である。
【図１２】図１１のレーザーダイオードの駆動回路の動作を説明するタイミングチャート図である。
【図１３】この発明の実施の形態６によるレーザーダイオードの駆動回路を示す構成図である。
【図１４】図１３のレーザーダイオードの駆動回路の動作を説明するタイミングチャート図である。
【図１５】この発明の実施の形態７によるレーザーダイオードの駆動回路を示す構成図である。
【図１６】この発明の実施の形態８によるレーザーダイオードの駆動回路を示す詳細回路図である。
【図１７】図１６の切替制御回路の内部を示す詳細回路である。
【図１８】図１６の切替制御回路のタイミングチャート図である。
【図１９】この発明の実施の形態９によるレーザーダイオードの駆動回路を示す詳細回路図である。
【図２０】図１９の切替制御回路の内部を示す詳細回路である。
【図２１】図１９の切替制御回路のタイミングチャート図である。
【図２２】この発明の実施の形態１０によるレーザーダイオードの駆動回路を示す詳細回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[実施の形態１]
図１はこの発明の実施の形態１によるレーザーダイオードの駆動回路を示す構成図であり、図において、レーザーダイオード１は駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの供給を受けると発光し、レーザーダイオード１はカソードが接地されているダイオードＤ１と、ダイオードＤ１と並列に接続されたコンデンサＣ１と、ダイオードＤ１のアノードに接続されたインダクタＬ１とから構成されている。
【００１１】
ダンピング回路２はレーザーダイオード１に供給する駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち上がり時や立ち下がり時に発生するオーバーシュートやアンダーシュートを小さくするために、レーザーダイオード１と並列に接続されており、ダンピング回路２は抵抗素子Ｒ１とコンデンサＣ２から構成されている。
【００１２】
電流源４は電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けてバイアス電流Ｉｂｉａｓを生成し、そのバイアス電流Ｉｂｉａｓをレーザーダイオード１に定常的に供給する。レーザーダイオード１に供給される駆動電流Ｉｄｒｉｖｅがバイアス電流Ｉｂｉａｓ以下であれば、レーザーダイオード１は発光せず、駆動電流Ｉｄｒｉｖｅがバイアス電流Ｉｂｉａｓを超えるとレーザーダイオード１が発光するので、バイアス電流Ｉｂｉａｓは閾値電流としてレーザーダイオード１に供給される。発光電流供給回路５は電流源５ａとスイッチＳＷ１から構成されており、電流源５ａは電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて発光電流Ｉ１を生成し、スイッチＳＷ１はレーザーダイオード１を発光させる際にオンになり、電流源５ａにより生成された発光電流Ｉ１をレーザーダイオード１に供給する。なお、発光電流供給回路５と電流源４から駆動電流供給回路が構成されている。
【００１３】
補助電流供給回路６は電流源６ａとスイッチＳＷ２から構成されており、電流源６ａは電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて、発光電流供給回路５から供給される発光電流Ｉ１の立ち上がり（レーザーダイオード１に供給される駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち上がりに相当）を促進する補助電流としてブースト電流Ｉ２を生成する。スイッチＳＷ２は発光電流Ｉ１の立ち上がり時にオンになり、電流源６ａにより生成されたブースト電流Ｉ２をレーザーダイオード１に供給する。
【００１４】
電流引抜回路７は電流源７ａとスイッチＳＷ３から構成されており、電流源７ａは電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて、発光電流供給回路５から供給される発光電流Ｉ１の立ち下がり（レーザーダイオード１に供給される駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち下がりに相当）を促進する引抜電流Ｉ３を生成する。スイッチＳＷ３は発光電流Ｉ１の立ち下がり時にオンになり、その発光電流Ｉ１から電流源７ａにより生成された引抜電流Ｉ３を引き抜いてグランドに流すようにする。
【００１５】
抑制電流供給回路８は電流源８ａとスイッチＳＷ４から構成されており、電流源８ａは電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて、発光電流供給回路５から供給される発光電流Ｉ１の立ち上がり時（レーザーダイオード１に供給される駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち上がり時に相当）に発生するオーバーシュートの直後に生じる発光電流Ｉ１の下降を軽減する抑制電流Ｉ４を生成する。スイッチＳＷ４はオーバーシュートの発生直後にオンになり、電流源８ａにより生成された抑制電流Ｉ４をレーザーダイオード１に供給する。
【００１６】
上昇抑制回路９は電流源９ａとスイッチＳＷ５から構成されており、電流源９ａは電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて、発光電流供給回路５から供給される発光電流Ｉ１の立ち下がり時（レーザーダイオード１に供給される駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち下がり時に相当）に発生するアンダーシュートの直後に生じる発光電流Ｉ１の上昇を軽減する抑制電流Ｉ５を生成する。スイッチＳＷ５はアンダーシュートの発生直後にオンになり、その発光電流Ｉ１から電流源９ａにより生成された抑制電流Ｉ５を引き抜いてグランドに流すようにする。
【００１７】
次に動作について説明する。電流源４は、電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けてバイアス電流Ｉｂｉａｓを生成し、そのバイアス電流Ｉｂｉａｓをレーザーダイオード１に定常的に供給する。ここで、レーザーダイオード１は、図３に示すように、駆動電流Ｉｄｒｉｖｅがバイアス電流Ｉｂｉａｓ以下であれば発光せず、駆動電流Ｉｄｒｉｖｅがバイアス電流Ｉｂｉａｓを超えると発光する。したがって、レーザーダイオード１の発光制御は、バイアス電流Ｉｂｉａｓを定常的にレーザーダイオード１に供給し、発光電流Ｉ１の供給を制御することにより行う。
【００１８】
発光電流供給回路５の電流源５ａは、電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて発光電流Ｉ１を生成する。そして、発光電流供給回路５は、図２に示すように、レーザーダイオード１を発光させる際にスイッチＳＷ１をオンにして、電流源５ａにより生成された発光電流Ｉ１をレーザーダイオード１に供給する。
【００１９】
これにより、レーザーダイオード１に供給される駆動電流Ｉｄｒｉｖｅ（＝発光電流Ｉ１＋バイアス電流Ｉｂｉａｓ）が立ち上がるが、レーザーダイオード１を消灯状態から速やかに点灯状態に切り換えるため、補助電流供給回路６がブースト電流Ｉ２をレーザーダイオード１に供給する。即ち、補助電流供給回路６の電流源６ａは、電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて、駆動電流Ｉｄｒｉｖｅ（＝発光電流Ｉ１＋バイアス電流Ｉｂｉａｓ）の立ち上がりを促進するブースト電流Ｉ２を生成する。そして、補助電流供給回路６は、図２に示すように、発光電流供給回路５のスイッチＳＷ１がオンになるのと同時にスイッチＳＷ２をオンにして、電流源６ａにより生成されたブースト電流Ｉ２をレーザーダイオード１に供給する。
【００２０】
これにより、レーザーダイオード１に供給される駆動電流Ｉｄｒｉｖｅが、発光電流Ｉ１＋バイアス電流Ｉｂｉａｓ＋ブースト電流Ｉ２になり、その駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち上がりが急峻になるが、レーザーダイオード１にはインダクタＬ１とコンデンサＣ１を含んでいるので、その共振現象により、その駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち上がり時にオーバーシュートが発生するとともに、その直後に駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの電流値が大きく落ち込み、その駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの波形が矩形波にならなくなる（図４を参照）。図４は抑制電流供給回路８及び上昇抑制回路９が実装されていない場合の信号波形図である。
【００２１】
抑制電流供給回路８は、オーバーシュートの直後の駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの電流値の落ち込みを軽減するため、抑制電流Ｉ４をレーザーダイオード１に供給する。即ち、抑制電流供給回路８の電流源８ａは、電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて、オーバーシュートの直後に生じる駆動電流Ｉｄｒｉｖｅ（＝発光電流Ｉ１＋バイアス電流Ｉｂｉａｓ）の電流値の落ち込みを軽減する抑制電流Ｉ４を生成する。そして、抑制電流供給回路８は、図２に示すように、オーバーシュートの発生直後にスイッチＳＷ４をオンにして、電流源８ａにより生成された抑制電流Ｉ４をレーザーダイオード１に供給する。
【００２２】
次に、レーザーダイオード１を点灯状態から消灯状態に切り換える場合について説明する。発光電流供給回路５は、レーザーダイオード１を消灯させる場合、図２に示すように、スイッチＳＷ１をオフにして、レーザーダイオード１に対する発光電流Ｉ１の供給を停止する。
【００２３】
これにより、レーザーダイオード１に供給されている駆動電流Ｉｄｒｉｖｅ（＝バイアス電流Ｉｂｉａｓ）が立ち下がるが、レーザーダイオード１を点灯状態から速やかに消灯状態に切り換えるため、電流引抜回路７が駆動電流Ｉｄｒｉｖｅから電流を引き抜くようにする。即ち、電流引抜回路の電流源７ａは、電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて、駆動電流Ｉｄｒｉｖｅ（＝バイアス電流Ｉｂｉａｓ）の立ち下がりを促進する引抜電流Ｉ３を生成する。そして、電流引抜回路は、図２に示すように、発光電流供給回路５のスイッチＳＷ１がオフになるのと同時にスイッチＳＷ３をオンにして、駆動電流Ｉｄｒｉｖｅ（＝バイアス電流Ｉｂｉａｓ）から電流源７ａにより生成された引抜電流Ｉ３を引き抜いてグランドに流すようにする。
【００２４】
これにより、レーザーダイオード１に供給される駆動電流Ｉｄｒｉｖｅが、バイアス電流Ｉｂｉａｓ−引抜電流Ｉ３になり、その駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち下がりが急峻になるが、レーザーダイオード１にはインダクタＬ１とコンデンサＣ１を含んでいるので、その共振現象により、その駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち下がり時にアンダーシュートが発生するとともに、その直後に駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの電流値が大きく上昇し、その駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの波形が矩形波にならなくなる（図４を参照）。図４は抑制電流供給回路８及び上昇抑制回路９が実装されていない場合の信号波形図である。
【００２５】
上昇抑制回路９は、アンダーシュートの直後に生じる駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの上昇を軽減するため、駆動電流Ｉｄｒｉｖｅから電流を引き抜くようにする。即ち、上昇抑制回路９の電流源９ａは、電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて、アンダーシュートの直後に生じる駆動電流Ｉｄｒｉｖｅ（＝バイアス電流Ｉｂｉａｓ）の電流値の上昇を軽減する抑制電流Ｉ５を生成する。そして、上昇抑制回路９は、図２に示すように、アンダーシュートの発生直後にスイッチＳＷ５をオンにして、駆動電流Ｉｄｒｉｖｅ（＝バイアス電流Ｉｂｉａｓ）から電流源９ａにより生成された抑制電流Ｉ５を引き抜いてグランドに流すようにする。
【００２６】
なお、図５は抑制電流供給回路８及び上昇抑制回路９が実装されている場合の駆動電流Ｉｄｒｉｖｅを示す波形図であり、図６は抑制電流供給回路８及び上昇抑制回路９が実装されていない場合の駆動電流Ｉｄｒｉｖｅを示す波形図である。
【００２７】
以上で明らかなように、この実施の形態１によれば、駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち上がり時に発生するオーバーシュートの直後の駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの下降を軽減する抑制電流Ｉ４をレーザーダイオード１に供給するように構成したので、別途、波形補正回路を設けることなく、駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち上がり時の波形を矩形波に近づけることができる効果を奏する。また、この実施の形態１によれば、駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち下がり時に発生するアンダーシュートの直後の駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの上昇を抑制する抑制電流Ｉ５を引き抜くように構成したので、別途、波形補正回路を設けることなく、駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち下がり時の波形を矩形波に近づけることができる効果を奏する。
【００２８】
[実施の形態２]
上記実施の形態１では、レーザーダイオード１におけるダイオードＤ１のカソードが接地されているものについて示したが、図７に示すように、レーザーダイオード１におけるダイオードＤ１のアノードが電源３に接続されるようにしてもよく、上記実施の形態１と同様の効果を奏することができる。
【００２９】
[実施の形態３]
図８はこの発明の実施の形態３によるレーザーダイオードの駆動回路を示す構成図であり、図において、駆動電流供給回路１１は電圧Ｖｐｐを発生する電源と、その電源から電圧Ｖｐｐの供給を受けて電流パルスＩＬＤ（駆動電流）を生成する電流源ＣＳ１と、その電流源ＣＳ１とレーザーダイオードＬＤ１の間に配置されているスイッチＳＷ１１との直列回路から構成されており、レーザーダイオードＬＤ１を発光させる際に電流パルスＩＬＤをレーザーダイオードＬＤ１に供給する。スナバ回路であるダンピング回路１２はレーザーダイオードＬＤ１と並列に接続され、駆動電流供給回路１１からレーザーダイオードＬＤ１に供給される電流パルスＩＬＤの立ち上がり時に発生するオーバーシュート及び電流パルスＩＬＤの立ち下がり時に発生するアンダーシュートを抑制する機能を備えている。なお、ダンピング回路１２はコンデンサＣ１１及びスイッチＳＷ１２の直列回路と、コンデンサＣ１２及びスイッチＳＷ１３の直列回路と、コンデンサＣ１３及びスイッチＳＷ１４の直列回路とが並列に接続され、それらの並列回路が抵抗素子Ｒ１１と直列に接続されている構成である。コンデンサＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３の容量値は、それぞれ異なる値であってもよいし、全部又は―部が同じ値であってもよい。
【００３０】
このように、この実施の形態１では、レーザーダイオードＬＤ１と並列に設けられているダンピング回路１２が、抵抗素子Ｒ１１とコンデンサＣ１１の直列回路からなる第１スナバ回路と、抵抗素子Ｒ１１とコンデンサＣ１２の直列回路からなる第２スナバ回路と、抵抗素子Ｒ１１とコンデンサＣ１３の直列回路からなる第３スナバ回路とから構成され、スイッチＳＷ１２，ＳＷ１３，ＳＷ１４の何れか―つ、あるいは、全部または―部を閉路することにより、全部または―部のスナバ回路を有効にして、ダンピング回路１２の容量値を可変できる構成とされている。スイッチＳＷ１２，ＳＷ１３，ＳＷ１４の個別設定操作は、制御回路に依ってもよく、また手作業に依ってもよい。
【００３１】
スイッチＳＷ１１を閉路すると、駆動電流供給回路１１の電流源ＣＳから出力される電流は、レーザーダイオードＬＤ１と、ダンピング回路１２における３つのスナバ回路の全部または―部に流入する。ダンピング回路１２におけるスナバ回路は、レーザーダイオードＬＤ１に供給される高速の電流パルスＩＬＤの波形に生じるリンギングを抑制し、光出力波形に現れるオーバーシュートやアンダーシュートを低減する働きがある。
【００３２】
したがって、特性の異なるレーザーダイオードＬＤ１を取り替えて使用する場合、スイッチＳＷ１２，ＳＷ１３，ＳＷ１４の開閉を適宜制御すれば、個々のレーザーダイオードＬＤ１毎に、ダンピング回路１２の時定数を適切な値に設定変更して、光出力波形の微調整を行うことができるので、個々のレーザーダイオードＬＤ１毎に光出力波形に発生するオーバーシュートやアンダーシュートを十分に低く抑えることができる。
【００３３】
また、このようにダンピング回路１２の容量値を可変する構成のレーザーダイオードの駆動回路を光ピックアップ集積回路に内蔵すれば、個々に異なる電気的特性を持つレーザーダイオードを接続して使用する場合、ダンピング回路１２の容量値を、使用するレーザーダイオードの特性に合う値に設定変更することができるので、光ピックアップ製造時に行う光出力波形の微調整作業を容易化することができる。
【００３４】
[実施の形態４]
図９はこの発明の実施の形態４によるレーザーダイオードの駆動回路を示す構成図であり、図において、図８と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。スナバ回路であるダンピング回路１３はレーザーダイオードＬＤ１と並列に接続され、駆動電流供給回路１１からレーザーダイオードＬＤ１に供給される電流パルスＩＬＤの立ち上がり時に発生するオーバーシュート及び電流パルスＩＬＤの立ち下がり時に発生するアンダーシュートを抑制する機能を備えている。なお、ダンピング回路１３は抵抗素子Ｒ１１とコンデンサＣ１１（容量素子）の直列回路から構成されている。
【００３５】
充電手段である充電回路１４は電圧Ｖｐｐを発生する電源と、その電源から電圧Ｖｐｐの供給を受けて充電電流（外部回路により設定された電流）を供給する電流源ＣＳ２と、一端が電流源ＣＳ２と接続され、他端がダンピング回路１３の抵抗素子Ｒ１１とコンデンサＣ１１の接続端に接続されているスイッチＳＷ１５との直列回路から構成されており、駆動電流供給回路１１からレーザーダイオードＬＤ１に対する電流パルスＩＬＤの供給が開始された直後の所定期間中、ダンピング回路１３のコンデンサＣ１１に電荷を充電する機能を備えている。
【００３６】
放電手段である放電回路１５は一端がスイッチＳＷ１５の他端と接続されているスイッチＳＷ１６と、一端がスイッチＳＷ１６の他端と接続される一方、他端が接地（グランド）と接続され、外部回路により設定された電流を供給する電流源ＣＳ３との直列回路から構成されており、駆動電流供給回路１１からレーザーダイオードＬＤ１に対する電流パルスＩＬＤの供給が停止された直後の所定期間中、ダンピング回路１３のコンデンサＣ１１に充電されている電荷を引き抜く機能を備えている。切替制御回路ＣＮＴ１はスイッチＳＷ１１，ＳＷ１５，ＳＷ１６の開閉を個別に制御する機能を備えている。
【００３７】
図１０は図９のレーザーダイオードの駆動回路の動作を説明するタイミングチャート図である。図１０において、切替制御回路ＣＮＴ１によりスイッチＳＷ１１が閉路（ＯＮ）されている期間中、駆動電流供給回路１１の電流源ＣＳ１から出力された高速の電流パルスＩＬＤがスイッチＳＷ１１を介してレーザーダイオードＬＤ１に供給される。  このとき、スイッチＳＷ１５は、切替制御回路ＣＮＴ１によって、スイッチＳＷ１１が閉路された直後の所定時間Ｔ１だけ閉路するように制御される。また、スイッチＳＷ１６は、切替制御回路ＣＮＴ１によって、スイッチＳＷ１１が開路された直後の所定時間Ｔ２だけ閉路するように制御される。
【００３８】
ここで、スイッチＳＷ１１が閉路された直後の状態を説明する。駆動電流供給回路１１の電流源ＣＳ１から出力された電流は、レーザーダイオードＬＤ１に流入する電流パルスＩＬＤと、抵抗素子Ｒ１１を介してダンピング回路１３のコンデンサＣ１１に流入する電流とに分かれる。レーザーダイオードＬＤ１のアノード電位は、流入する電流パルスＩＬＤの値によって決まるが、コンデンサＣ１１には、抵抗素子Ｒ１との接続端の電位Ｖ１（コンデンサＣ１１の端子電圧Ｖ１）がレーザーダイオードＬＤ１のアノード電位と等しくなるまで電流が流入する。したがって、ダンピング回路１３がレーザーダイオードＬＤ１と並列に接続されていない場合よりも、レーザーダイオードＬＤ１に流れる電流パルスＩＬＤの立ち上がり時間Ｔ１が長くなる。
【００３９】
ただし、この実施の形態４では、スイッチＳＷ１１が閉路された直後における電流パルスＩＬＤの立ち上がり時間Ｔ１の期間中、スイッチＳＷ１１の閉路と同時にスイッチＳＷ１５が閉路されて、充電回路１４の電流源ＣＳ２から充電電流である電流パルスがダンピング回路１３のコンデンサＣ１１に供給される。このため、コンデンサＣ１１の端子電圧Ｖ１が速やかにレーザーダイオードＬＤ１のアノード電位と等しくなる。この結果、駆動電流供給回路１１の電流源ＣＳ１から出力された電流の大部分がレーザーダイオードＬＤ１に供給されるので、レーザーダイオードＬＤ１に流れる電流パルスＩＬＤの立ち上がり時間Ｔ１が短くなる。
【００４０】
その後、切替制御回路ＣＮＴ１によって、スイッチＳＷ１５が開路され、充電回路１４の電流源ＣＳ２と遮断された後は、ダンピング回路１３のコンデンサＣ１１には、再び、抵抗素子Ｒ１１を介して、駆動電流供給回路１１の電流源ＣＳ１から出力された電流が流れ込み充電される。これにより、レーザーダイオードＬＤ１に流れる電流パルスＩＬＤの波形の変化が緩やかになる。したがって、ダンピング回路１３の抵抗素子Ｒ１１とコンデンサＣ１１の値が適切な値に調節されていれば、レーザーダイオードＬＤ１に流れる電流パルスＩＬＤの立ち上がり後に生じるリンギングを抑えることができる。
【００４１】
次に、スイッチＳＷ１１が開路された直後の状態を説明する。スイッチＳＷ１１が開路された直後における電流パルスＩＬＤの立ち下がり時間Ｔ２の期間中、切替制御回路ＣＮＴ１によって、スイッチＳＷ１６が閉路される。これにより、適切に調節された放電回路１５の電流源ＣＳ３がダンピング回路１３のコンデンサＣ１１に充電されている電荷を引き抜くように作用する。ここで、電流源ＣＳ３の電流値は、スイッチＳＷ１１の開路時におけるレーザーダイオードＬＤ１のアノード電位とコンデンサＣ１１の端子電圧Ｖ１とが等しくなるように調節されている。
【００４２】
その後、切替制御回路ＣＮＴ１によって、スイッチＳＷ１６が開路され、放電回路１５の電流源ＣＳ３と遮断された後は、レーザーダイオードＬＤ１に流れる電流パルスＩＬＤは、抵抗素子Ｒ１１、コンデンサＣ１１、レーザーダイオードＬＤ１などが有する抵抗成分、容量成分及びインダクタンス成分で決まる時定数で変化することになるので、抵抗素子Ｒ１１とコンデンサＣ１１の値が適切な値に調節された状態では、リンギングを抑えることができる。
【００４３】
このように、この実施の形態４によれば、光出力波形に発生するオーバーシュートやアンダーシュートを十分に低く抑えることができるとともに、光出力波形の立ち上がりや立ち下がりの時間を短縮することがてきる効果を奏する。また、スイッチＳＷ１５，ＳＷ１６の閉路時間（パルス幅）と電流源ＣＳ２，ＣＳ３の電流値（振幅値）とを任意の値に制御する切替制御回路ＣＮＴ１を設けているので、レーザーダイオードＬＤ１の寄生素子成分が異なる場合でも、柔軟に対応することができる効果を奏する。
【００４４】
[実施の形態５]
図１１はこの発明の実施の形態５によるレーザーダイオードの駆動回路を示す構成図である。この実施の形態５では、上記実施の形態４に対する変形例を示している。図１１において、レーザーダイオードＬＤ１のアノードは、電圧ＶｐｐＬＤを供給する電源に接続され、レーザーダイオードＬＤ１のカソードは、抵抗素子Ｒ１１の一端とスイッチＳＷ１１の一端とに接続されている。スイッチＳＷ１１の他端と接地（クランド）との間には電流源ＣＳ１が接続されている。また、抵抗素子Ｒ１１の他端と接地（クランド）との間にはコンデンサＣ１１が接続されている。
【００４５】
電源（電圧ＶｐｐＬＤ）と接地（グランド）との間には、上記実施の形態４における図９と同様の関係で、電流源ＣＳ２、スイッチＳＷ１５、スイッチＳＷ１６及び電流源ＣＳ３が配置されている。ただし、図１１の例では、図９の切替制御回路ＣＮＴ１に代えて切替制御回路ＣＮＴ２が設けられている。切替制御回路ＣＮＴ２は、図１２に示すように、スイッチＳＷ１６を電流パルスＩＬＤの立ち上がり時に制御し、スイッチＳＷ１５を電流パルスＩＬＤの立ち下がり時に制脚するようにしている。
【００４６】
図１２は図１１のレーザーダイオードの駆動回路の動作を説明するタイミングチャート図である。レーザーダイオードＬＤ１のアノードは、電源（電圧ＶｐｐＬＤ）に接続されているので、切替制御回路ＣＮＴ２によってスイッチＳＷ１１が閉路され、レーザーダイオードＬＤ１のカソードが、スイッチＳＷ１１を介して駆動電流供給回路１１の電流源ＣＳ１に接続されると、電流源ＣＳ１が外部回路により設定された電流をレーザーダイオードＬＤ１から引き抜くように流すので、レーザーダイオードＬＤ１に電流パルスＩＬＤが流れる。
【００４７】
このとき、スイッチＳＷ１１が閉路された直後の電流パルスＩＬＤの立ち上がり時間Ｔ１の期間中では、同時に切替制御回路ＣＮＴ２によってスイッチＳＷ１６が閉路され、放電回路１５の電流源ＣＳ３によってダンピング回路１３におけるコンデンサＣ１１の充電電荷の引き抜きが行われる。これによって、レーザーダイオードＬＤ１に流れる電流パルスＩＬＤの立ち上がり時間を短くすることができる。切替制御回路ＣＮＴ２によってスイッチＳＷ１６が閉路された後は、上記実施の形態４と同様の状態になるので、同様に波形の安定化が行われる。また、スイッチＳＷ１１の開路直前の立ち下がり時間Ｔ２の期間中では、切替制御回路ＣＮＴ２によってスイッチＳＷ１５が閉路され、充電回路１４の電流源ＣＳ２によってダンピング回路１３におけるコンデンサＣ１１が充電される。これによって、上記実施の形態４と同様に波形の安定化が行われる。
【００４８】
このように、この実施の形態５によれば、レーザーダイオードＬＤ１と電流源ＣＳ１の位置関係を入れ替えても、上記実施の形態４と同様の作用、効果が得られる。
【００４９】
[実施の形態６]
図１３はこの発明の実施の形態６によるレーザーダイオードの駆動回路を示す構成図である。この実施の形態６では、上記実施の形態４に対する拡張例を示している。図１３の例では、上記実施の形態４における図９の構成に、電流源ＣＳ４，ＣＳ５及びスイッチＳＷ１７，ＳＷ１８が追加されている。また、図９の切替制御回路ＣＮＴ１に代えて切替制御回路ＣＮＴ３が設けられている。ここでは、追加部分の構成を説明する。
【００５０】
電源（電圧ＶＰＰ）は、電流源ＣＳ４を介してスイッチＳＷ１７の一端に接続され、スイッチＳＷ１７の他端は、スイッチＳＷ１１の他端とスイッチＳＷ１８の一端とに接続されている。スイッチＳＷ１８の他端は、電流源ＣＳ５を介して接地（グランド）に接続されている。そして、切替制御回路ＣＮＴ３は、図１４に示すように、スイッチＳＷ１１，ＳＷ１５，ＳＷ１６，ＳＷ１７，ＳＷ１８の開閉を個別に制御する機能を備えている。なお、電流源ＣＳ４，ＣＳ５及びスイッチＳＷ１７，ＳＷ１８から駆動手段が構成されている。
【００５１】
図１４は図１３のレーザーダイオードの駆動回路の動作を説明するタイミングチャート図である。図１４に示すように、スイッチＳＷ１７は、スイッチＳＷ１５と同様に、切替制御回路ＣＮＴ３によって、スイッチＳＷ１１が閉路された直後における電流パルスＩＬＤの立ち上がり時間Ｔ１の期間中に閉路される。スイッチＳＷ１８は、スイッチＳＷ１６と同様に、切替制御回路ＣＮＴ３によって、スイッチＳＷ１１が開路された直後における電流パルスＩＬＤの立ち下がり時間Ｔ２の期間中に閉路される。
【００５２】
この構成によれば、スイッチＳＷ１１が閉路されて、レーザーダイオードＬＤ１に電流が流れ込むのと同じタイミンクで、スイッチＳＷ１７が閉路されるので、電流源ＣＳ４からもレーザーダイオードＬＤ１に電流を供給することができるようになり、レーザーダイオードＬＤ１に流れる電流パルスＩＬＤの立ち上がり時間をさらに短縮することができる。
【００５３】
また、スイッチＳＷ１１が開路され、レーザーダイオードＬＤ１に流れている電流パルスＩＬＤを止めるのと同じタイミングで、スイッチＳＷ１８が閉路されるので、レーザーダイオードＬＤ１の寄生容量や寄生インダクタンス成分等の影響で流れ続ける電流を電流源ＣＳ５によって引き抜くことができるようになり、電流パルスＩＬＤの立ち下がり時間を短くすることができる。
【００５４】
このように、実施の形態６によれば、上記実施の形態４と同様の作用、効果が得られるのに加えて、レーザーダイオードＬＤ１に流れる電流パルスＩＬＤの立ち上がり時間と立ち下がり時間の双方を更に短縮することができる。
【００５５】
[実施の形態７]
図１５はこの発明の実施の形態７によるレーザーダイオードの駆動回路を示す構成図である。この実施の形態７では、電流源ＣＳとスイッチＳＷの位置を交換している構成例を示している。図１５の例では、上記実施の形態４における図９の構成において、電源（電圧Ｖｐｐ）には、スイッチＳＷ１１の一端が接続され、スイッチＳＷ１１の他端には電流源ＣＳ１の入力端が接続されている。電流源ＣＳ１の出力端には、レーザーダイオードＬＤ１のアノードと抵抗素子Ｒ１１の一端とが接続されている。抵抗素子Ｒ１１の他端と接地（グランド）との間には、コンデンサＣ１１が配置されている。
【００５６】
また、電源（電圧Ｖｐｐ）には、スイッチＳＷ１５の一端が接続され、スイッチＳＷ１５の他端には電流源ＣＳ２の入力端が接続されている。電流源ＣＳ２の出力端には、抵抗素子Ｒ１１とコンデンサＣ１１との接続端と、電流源ＣＳ３の入力端とが接続されている。電流源ＣＳ３の出力端は、スイッチＳＷ１６を介して接地（グランド）に接続されている。
【００５７】
このような機成によっても、切替制御回路ＣＮＴ１によってスイッチＳＷ１１が閉路されると、電流源ＣＳ１の入力端が電源（電圧Ｖｐｐ）に接続されるので、電流源ＣＳ１の出力端からレーザーダイオードＬＤ１に電流が供給される。同時に、切替制御回路ＣＮＴ１によってスイッチＳＷ１５が閉路されると、電流源ＣＳ２の入力端が電源（電圧Ｖｐｐ）に接続されるので、電流源ＣＳ２の出力端からダンピング回路１３のコンデンサＣ１１に充電電流が供給される。そして、切替制御回路ＣＮＴ１によってスイッチＳＷ１１が開路されるときに、スイッチＳＷ１６が閉路されると、電流源ＣＳ３の出力端が接地（グランド）に接続されるので、コンデンサＣ１１の充電電荷を引き抜く動作が行われる。
【００５８】
したがって、上記実施の形態４における図９の構成において、電流源ＣＳとスイッチＳＷの位置を交換して構成する場合でも、上記実施の形態４と同様の作用、効果が得られる。この実施の形態７では、上記実施の形態４への適用例を示すが、上記実施の形態３，５，６においても、電流源ＣＳとスイッチＳＷの位置を交換して構成できることは言うまでもない。
【００５９】
[実施の形態８]
図１６はこの発明の実施の形態８によるレーザーダイオードの駆動回路を示す詳細回路図である。即ち、図１６は図１の構成図に対応する詳細回路図である。図１６の例では、半導体チップ１００内に、図１の発光電流供給回路５、補助電流供給回路６、電流引抜回路７、抑制電流供給回路８及び上昇抑制回路９に相当する回路が実装されているが、レーザーダイオード１及びダンピング回路２が半導体チップ１００の外部に調整可能に設けられている。ただし、レーザーダイオード１及びダンピング回路２が半導体チップ１００の内部に実装されていてもよい。
【００６０】
カレントミラー回路ＣＭ１は電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けてバイアス電流Ｉｂｉａｓを生成し、そのバイアス電流Ｉｂｉａｓをレーザーダイオード１に定常的に供給する機能を有し、発光電流供給回路５、補助電流供給回路６及び抑制電流供給回路８における電流源５ａ，６ａ，８ａに相当する回路を実装している。ただし、カレントミラー回路ＣＭ１はスイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ４のオン抵抗による電位差分を補償するため、ダイオード接続側のトランジスタのソースと電圧Ｖｃｃ間に、ダイオードが直列に接続された構成になっている。カレントミラー回路ＣＭ２は電流引抜回路７及び上昇抑制回路９における電流源７ａ，９ａに相当する回路である。ただし、カレントミラー回路ＣＭ２はスイッチＳＷ３，ＳＷ５のオン抵抗による電位差分を補償するため、ダイオード接続側のトランジスタのソースと接地間に、ダイオードが直列に接続された構成になっている。
【００６１】
スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ４はカレントミラー回路ＣＭ１のソースと電圧Ｖｃｃ間に接続されているＰＭＯＳのトランジスタであり、切替制御回路５２によりオン／オフが制御される。スイッチＳＷ３，ＳＷ５はカレントミラー回路ＣＭ２のソースと接地間に接続されているＮＭＯＳのトランジスタであり、切替制御回路５２によりオン／オフが制御される。
【００６２】
データ入力処理回路５１はレーザーダイオード１の発光を制御する制御信号ｓａを生成する処理を実施する。切替制御回路５２はデータ入力処理回路５１により生成された制御信号ｓａに応じてスイッチＳＷ１〜ＳＷ５のオン／オフを制御する制御信号ｓ１〜ｓ５を生成する処理を実施する。インバータ５３は切替制御回路５２により生成された制御信号ｓ１の論理を反転して、反転後の制御信号ｓ１をスイッチＳＷ１に出力する処理を実施する。インバータ５４は切替制御回路５２により生成された制御信号ｓ２の論理を反転して、反転後の制御信号ｓ２をスイッチＳＷ２に出力する処理を実施する。インバータ５５は切替制御回路５２により生成された制御信号ｓ４の論理を反転して、反転後の制御信号ｓ４をスイッチＳＷ４に出力する処理を実施する。
【００６３】
図１７は図１６の切替制御回路５２の内部を示す詳細回路であり、図において、制御信号生成回路６１はデータ入力処理回路５１により生成された制御信号ｓａからスイッチＳＷ１を制御する制御信号ｓ１を生成する回路であり、データ入力処理回路５１により生成された制御信号ｓａの論理を反転するインバータ６１ａと、インバータ６１ａから出力された制御信号ｓａの論理を反転し、反転後の制御信号ｓａを制御信号ｓ１として、インバータ５３に出力するインバータ６１ｂとから構成されている。なお、インバータ６１ｂから出力される制御信号ｓ１は、データ入力処理回路５１により生成された制御信号ｓａと実質的に同一の信号である。そのため、インバータ６１ａ，６１ｂは省略してもよい。
【００６４】
制御信号生成回路６２はデータ入力処理回路５１により生成された制御信号ｓａからスイッチＳＷ２を制御する制御信号ｓ２を生成する回路であり、電流源６２ａ、インバータ６２ｂ，６２ｅ，６２ｇ、トランジスタ６２ｃ、コンデンサ６２ｄ及びＮＡＮＤ回路６２ｆから構成されている。制御信号生成回路６３はデータ入力処理回路５１により生成された制御信号ｓａからスイッチＳＷ３を制御する制御信号ｓ３を生成する回路であり、電流源６３ａ、トランジスタ６３ｂ、コンデンサ６３ｃ、インバータ６３ｄ，６３ｅ，６３ｇ及びＮＡＮＤ回路６３ｆから構成されている。
【００６５】
制御信号生成回路６４はデータ入力処理回路５１により生成された制御信号ｓａからスイッチＳＷ４を制御する制御信号ｓ４を生成する回路であり、電流源６４ａ，６４ｆ、インバータ６４ｂ，６４ｅ，６４ｉ，６４ｊ，６４ｌ、トランジスタ６４ｃ，６４ｇ、コンデンサ６４ｄ，６４ｈ及びＮＡＮＤ回路６４ｋから構成されている。制御信号生成回路６５はデータ入力処理回路５１により生成された制御信号ｓａからスイッチＳＷ５を制御する制御信号ｓ５を生成する回路であり、電流源６５ａ，６５ｅ、インバータ６５ｄ，６５ｈ，６５ｉ，６５ｋ、トランジスタ６５ｂ，６５ｆ、コンデンサ６５ｃ，６５ｇ及びＮＡＮＤ回路６５ｊから構成されている。図１８は図１６の切替制御回路５２のタイミングチャート図である。
【００６６】
次に動作について説明する。基本的な動作は、上記実施の形態１と同様である。ただし、図１６の例では、データ入力処理回路５１と切替制御回路５２を実装しているので、データ入力処理回路５１と切替制御回路５２の処理内容を説明する。データ入力処理回路５１は、図１８に示すように、レーザーダイオード１を発光する場合、Ｈレベルの制御信号ｓａを生成して切替制御回路５２に出力し、レーザーダイオード１を発光しない場合、Ｌレベルの制御信号ｓａを生成して切替制御回路５２に出力する。ここでは、説明の便宜上、Ｈレベルの制御信号ｓａを生成して切替制御回路５２に出力するものとする。
【００６７】
切替制御回路５２は、データ入力処理回路５１により生成された制御信号ｓａを受けると、その制御信号ｓａに応じてスイッチＳＷ１〜ＳＷ５のオン／オフを制御する制御信号ｓ１〜ｓ５を生成する。即ち、切替制御回路５２の制御信号生成回路６１は、データ入力処理回路５１からＨレベルの制御信号ｓａを受けると、その制御信号ｓａと実質的に同一の制御信号ｓ１をインバータ５３に出力する。切替制御回路５２の制御信号生成回路６１から出力されたＨレベルの制御信号ｓ１は、インバータ５３により反転され、Ｌレベルの制御信号ｓ１がスイッチＳＷ１に出力されるので、データ入力処理回路５１により生成された制御信号ｓａがＨレベルである期間中、スイッチＳＷ１がオンになる。
【００６８】
これにより、カレントミラー回路ＣＭ１が電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けてバイアス電流Ｉｂｉａｓを生成する他に、電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて発光電流Ｉ１を生成するので、レーザーダイオード１には駆動電流Ｉｄｒｉｖｅ（＝発光電流Ｉ１＋バイアス電流Ｉｂｉａｓ）が供給される。
【００６９】
また、切替制御回路５２の制御信号生成回路６２は、カレントミラー回路ＣＭ１により供給される駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち上がりを促進するため、図１８に示すように、スイッチＳＷ１がオンになると同時に、時間ｔ１の期間中、スイッチＳＷ２をオンにする制御信号ｓ２を生成する。ここで、時間ｔ１は、制御信号生成回路６２におけるコンデンサ６２ｄの容量値Ｃａと基準電流Ｉａにより決まる時間である。切替制御回路５２の制御信号生成回路６２から出力されたＨレベルの制御信号ｓ２は、インバータ５４により反転され、Ｌレベルの制御信号ｓ２がスイッチＳＷ２に出力されるので、時間ｔ１の期間中、スイッチＳＷ２がオンになる。
【００７０】
これにより、カレントミラー回路ＣＭ１が電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて、時間ｔ１の期間中、ブースト電流Ｉ２を生成するので、レーザーダイオード１に供給される駆動電流Ｉｄｒｉｖｅが、発光電流Ｉ１＋バイアス電流Ｉｂｉａｓ＋ブースト電流Ｉ２になり、その駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち上がりが急峻になる。ただし、レーザーダイオード１がインダクタＬ１とコンデンサＣ１を含んでいるので、上記実施の形態１で述べたように、そのインダクタＬ１とコンデンサＣ１の共振現象により、その駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち上がり時にオーバーシュートが発生するとともに、その直後に駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの電流値が大きく落ち込み、その駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの波形が矩形波にならなくなる（図４を参照）。
【００７１】
切替制御回路５２の制御信号生成回路６４は、オーバーシュート直後の駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの電流値の落ち込みを軽減するため、図１８に示すように、スイッチＳＷ１がオンされてから時間ｔ２が経過した時点から、時間ｔ３の期間中、スイッチＳＷ４をオンにする制御信号ｓ４を生成する。ここで、時間ｔ２は、制御信号生成回路６４におけるコンデンサ６４ｄの容量値Ｃｂと基準電流Ｉｂにより決まる時間であり、時間ｔ３は、制御信号生成回路６４におけるコンデンサ６４ｈの容量値Ｃｄと基準電流Ｉｄにより決まる時間である。切替制御回路５２の制御信号生成回路６４から出力されたＨレベルの制御信号ｓ４は、インバータ５５により反転され、Ｌレベルの制御信号ｓ４がスイッチＳＷ４に出力されるので、時間ｔ３の期間中、スイッチＳＷ４がオンになる。
【００７２】
これにより、カレントミラー回路ＣＭ１が電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて、時間ｔ３の期間中、抑制電流Ｉ４を生成するので、オーバーシュート直後の駆動電流Ｉｄｒｉｖｅに抑制電流Ｉ４が加えられ、その駆動電流Ｉｄｒｉの電流値の落ち込みが軽減される。
【００７３】
次に、レーザーダイオード１を点灯状態から消灯状態に切り換える場合について説明する。この場合、データ入力処理回路５１は、Ｌレベルの制御信号ｓａを生成して切替制御回路５２に出力する。切替制御回路５２の制御信号生成回路６１は、データ入力処理回路５１から出力される制御信号ｓａがＨレベルからＬレベルに変化すると、Ｌレベルの制御信号ｓ１をインバータ５３に出力する。切替制御回路５２の制御信号生成回路６１から出力されたＬレベルの制御信号ｓ１は、インバータ５３により反転され、Ｈレベルの制御信号ｓ１がスイッチＳＷ１に出力されるので、データ入力処理回路５１により生成された制御信号ｓａがＬレベルである期間中、スイッチＳＷ１がオフになる。これにより、カレントミラー回路ＣＭ１は、発光電流Ｉ１の生成を中止するので、レーザーダイオード１に供給される駆動電流Ｉｄｒｉｖｅが立ち下がって、最終的にはバイアス電流Ｉｂｉａｓのみになる。
【００７４】
切替制御回路５２の制御信号生成回路６３は、駆動電流Ｉｄｒｉｖｅ（＝バイアス電流Ｉｂｉａｓ）の立ち下がりを促進するため、図１８に示すように、スイッチＳＷ１がオフになると同時に、時間ｔ１’の期間中、スイッチＳＷ３をオンにする制御信号ｓ３を生成する。ここで、時間ｔ１’は、制御信号生成回路６３におけるコンデンサ６３ｃの容量値Ｃａ’と基準電流Ｉａ’により決まる時間である。切替制御回路５２の制御信号生成回路６３から出力された制御信号ｓ３は、スイッチＳＷ３に出力されるので、時間ｔ１’の期間中、スイッチＳＷ３がオンになる。
【００７５】
これにより、カレントミラー回路ＣＭ２が電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて、時間ｔ１’の期間中、引抜電流Ｉ３を生成するので、レーザーダイオード１に供給される駆動電流Ｉｄｒｉｖｅから引抜電流Ｉ３が引き抜かれるようになり、その駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち下がりが急峻になる。ただし、レーザーダイオード１がインダクタＬ１とコンデンサＣ１を含んでいるので、上記実施の形態１で述べたように、そのインダクタＬ１とコンデンサＣ１の共振現象により、その駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち下がり時にアンダーシュートが発生するとともに、その直後に駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの電流値が大きく上昇し、その駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの波形が矩形波にならなくなる（図４を参照）。
【００７６】
切替制御回路５２の制御信号生成回路６５は、アンダーシュート直後の駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの電流値の上昇を軽減するため、図１８に示すように、スイッチＳＷ１がオフされてから時間ｔ２’が経過した時点から、時間ｔ３’の期間中、スイッチＳＷ５をオンにする制御信号ｓ５を生成する。ここで、時間ｔ２’は、制御信号生成回路６５におけるコンデンサ６５ｃの容量値Ｃｂ’と基準電流Ｉｂ’により決まる時間であり、時間ｔ３’は、制御信号生成回路６５におけるコンデンサ６５ｇの容量値Ｃｄ’と基準電流Ｉｄ’により決まる時間である。切替制御回路５２の制御信号生成回路６５から出力されたＨレベルの制御信号ｓ５は、スイッチＳＷ５に出力されるので、時間ｔ３’の期間中、スイッチＳＷ５がオンになる。
【００７７】
これにより、カレントミラー回路ＣＭ２が電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて、時間ｔ３’の期間中、抑制電流Ｉ５を生成するので、オーバーシュート直後の駆動電流Ｉｄｒｉｖｅから抑制電流Ｉ５が引き抜かれ、その駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの電流値の上昇が軽減される。
【００７８】
以上から明らかなように、この実施の形態８によれば、上記実施の形態１と同様に、別途、波形補正回路を設けることなく、駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち上がり時の波形や立ち下がり時の波形を矩形波に近づけることができる効果を奏する。
【００７９】
[実施の形態９]
図１９はこの発明の実施の形態９によるレーザーダイオードの駆動回路を示す詳細回路図である。即ち、図１９は図９の構成図に対応する詳細回路図である。図１９の例では、半導体チップ２００内に、図９の駆動電流供給回路１１、充電回路１４、放電回路１５及びダンピング回路１３に相当する回路が実装されている。ただし、ダンピング回路１３は、半導体チップ２００の外部に調整可能に設けてもよいし、半導体チップ２００の内部と外部の双方にダンピング回路１３を調整可能に設けてもよい。
【００８０】
カレントミラー回路ＣＭ３は駆動電流供給回路１１及び充電回路１４における電流源ＣＳ１，ＣＳ２に相当する回路を実装している。ただし、カレントミラー回路ＣＭ３はスイッチＳＷ１１，ＳＷ１５のオン抵抗による電位差分を補償するため、ダイオード接続側のトランジスタのソースと電圧Ｖｃｃ間に、トランジスタが直列に接続された構成になっている。カレントミラー回路ＣＭ４は放電回路１５における電流源ＣＳ３に相当する回路である。ただし、カレントミラー回路ＣＭ４はスイッチＳＷ１６のオン抵抗による電位差分を補償するため、ダイオード接続側のトランジスタのソースと接地間に、トランジスタが直列に接続された構成になっている。
【００８１】
スイッチＳＷ１１，ＳＷ１５はカレントミラー回路ＣＭ３のソースと電圧Ｖｃｃ間に接続されているＰＭＯＳのトランジスタであり、切替制御回路７２によりオン／オフが制御される。スイッチＳＷ１６はカレントミラー回路ＣＭ４のソースと接地間に接続されているＮＭＯＳのトランジスタであり、切替制御回路７２によりオン／オフが制御される。
【００８２】
データ入力処理回路７１はレーザーダイオード１の発光を制御する制御信号ｓａを生成する処理を実施する。切替制御回路７２はデータ入力処理回路７１により生成された制御信号ｓａに応じてスイッチＳＷ１１，ＳＷ１５，ＳＷ１６のオン／オフを制御する制御信号ｓ１１，ｓ１５，ｓ１６を生成する処理を実施する。インバータ７３は切替制御回路７２により生成された制御信号ｓ１１の論理を反転して、反転後の制御信号ｓ１１をスイッチＳＷ１１に出力する処理を実施する。インバータ７４は切替制御回路７２により生成された制御信号ｓ１５の論理を反転して、反転後の制御信号ｓ１５をスイッチＳＷ１５に出力する処理を実施する。
【００８３】
図２０は図１９の切替制御回路７２の内部を示す詳細回路であり、図において、制御信号生成回路８１はデータ入力処理回路７１により生成された制御信号ｓａからスイッチＳＷ１１を制御する制御信号ｓ１１を生成する回路であり、データ入力処理回路７１により生成された制御信号ｓａの論理を反転するインバータ８１ａと、インバータ８１ａから出力された制御信号ｓａの論理を反転し、反転後の制御信号ｓａを制御信号ｓ１１として、インバータ７３に出力するインバータ８１ｂとから構成されている。なお、インバータ８１ｂから出力される制御信号ｓ１１は、データ入力処理回路７１により生成された制御信号ｓａと実質的に同一の信号である。そのため、インバータ８１ａ，８１ｂは省略してもよい。
【００８４】
制御信号生成回路８２はデータ入力処理回路７１により生成された制御信号ｓａからスイッチＳＷ１５を制御する制御信号ｓ１５を生成する回路であり、電流源８２ａ、インバータ８２ｂ，８２ｅ，８２ｇ、トランジスタ８２ｃ、コンデンサ８２ｄ及びＮＡＮＤ回路８２ｆから構成されている。制御信号生成回路８３はデータ入力処理回路７１により生成された制御信号ｓａからスイッチＳＷ１６を制御する制御信号ｓ１６を生成する回路であり、電流源８３ａ、トランジスタ８３ｂ、コンデンサ８３ｃ、インバータ８３ｄ，８３ｅ，８３ｇ及びＮＡＮＤ回路８３ｆから構成されている。図２１は図１９の切替制御回路７２のタイミングチャート図である。
【００８５】
次に動作について説明する。基本的な動作は、上記実施の形態４と同様である。ただし、図１９の例では、データ入力処理回路７１と切替制御回路７２を実装しているが、切替制御回路７２は、図９の切替制御回路ＣＮＴ１に相当する制御回路である。データ入力処理回路７１は、図２１に示すように、レーザーダイオード１を発光する場合、Ｈレベルの制御信号ｓａを生成して切替制御回路７２に出力し、レーザーダイオード１を発光しない場合、Ｌレベルの制御信号ｓａを生成して切替制御回路７２に出力する。ここでは、説明の便宜上、Ｈレベルの制御信号ｓａを生成して切替制御回路７２に出力するものとする。
【００８６】
切替制御回路７２は、データ入力処理回路７１により生成された制御信号ｓａを受けると、その制御信号ｓａに応じてスイッチＳＷ１１，Ｓ１５，ＳＷ１６のオン／オフを制御する制御信号ｓ１１，ｓ１１，ｓ１６を生成する。即ち、切替制御回路７２の制御信号生成回路８１は、データ入力処理回路７１からＨレベルの制御信号ｓａを受けると、その制御信号ｓａと実質的に同一の制御信号ｓ１１をインバータ７３に出力する。切替制御回路７２の制御信号生成回路７１から出力されたＨレベルの制御信号ｓ１１は、インバータ７３により反転され、Ｌレベルの制御信号ｓ１１がスイッチＳＷ１１に出力されるので、データ入力処理回路７１により生成された制御信号ｓａがＨレベルである期間中、スイッチＳＷ１１がオンになる。
【００８７】
これにより、カレントミラー回路ＣＭ３が電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて電流を出力することになるが、カレントミラー回路ＣＭ３から出力される電流は、レーザーダイオード１に流入する駆動電流Ｉｄｒｉｖｅ（上記実施の形態４では、電流パルスＩＬＤと称している）と、ダンピング回路１３のコンデンサＣ１１に流入する電流とに分かれる。レーザーダイオード１のアノード電位は、上記実施の形態４で述べたように、駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの値によって決まるが、コンデンサＣ１１には、抵抗素子Ｒ１１とコンデンサＣ１１の接続端の電位Ｖ１（コンデンサＣ１１の端子電圧Ｖ１）がレーザーダイオード１のアノード電位と等しくなるまで電流が流入する。したがって、ダンピング回路１３がレーザーダイオードＬＤ１と並列に接続されていない場合よりも、レーザーダイオードＬＤ１に流れる駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち上がり時間が長くなる。
【００８８】
切替制御回路７２の制御信号生成回路８２は、レーザーダイオードＬＤ１に流れる駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち上がり時間を短くするため、図２１に示すように、スイッチＳＷ１１がオンになると同時に、時間ｔ１の期間中、スイッチＳＷ１５をオンにする制御信号ｓ１５を生成する。ここで、時間ｔ１は、制御信号生成回路８２におけるコンデンサ８２ｄの容量値Ｃａと基準電流Ｉａにより決まる時間である。切替制御回路７２の制御信号生成回路８２から出力されたＨレベルの制御信号ｓ１５は、インバータ７４により反転され、Ｌレベルの制御信号ｓ１５がスイッチＳＷ１５に出力されるので、時間ｔ１の期間中、スイッチＳＷ１５がオンになる。
【００８９】
これにより、カレントミラー回路ＣＭ３が電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて、時間ｔ１の期間中、駆動電流Ｉｄｒｉｖｅのほかに、充電電流Ｉ２を生成するので、その充電電流Ｉ２がダンピング回路１３のコンデンサＣ１１に供給される。このため、コンデンサＣ１１の端子電圧Ｖ１が速やかにレーザーダイオード１のアノード電位と等しくなる。この結果、レーザーダイオード１に供給される駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち上がり時間が短くなる。
【００９０】
その後、時間ｔ１の期間を過ぎると、図２１に示すように、切替制御回路７２の制御信号生成回路８２からＬレベルの制御信号ｓ１５が出力される。Ｌレベルの制御信号ｓ１５は、インバータ７４により反転され、Ｈレベルの制御信号ｓ１５がスイッチＳＷ１５に出力されるので、時間ｔ１の期間が経過すると、スイッチＳＷ１５がオフになる。
【００９１】
これにより、カレントミラー回路ＣＭ３が充電電流Ｉ２の生成を止めるので、カレントミラー回路ＣＭ３から出力される駆動電流Ｉｄｒｉｖｅが再びダンピング回路１３のコンデンサＣ１１に流れ込み、そのコンデンサＣ１１に充電される。そのため、レーザーダイオードに流れる駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの波形の変化が緩やかになる。したがって、ダンピング回路１３の抵抗素子Ｒ１１とコンデンサＣ１１の値が適切な値に調節されていれば、レーザーダイオード１に流れる駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち上がり後に生じるリンギングを抑えることができる。
【００９２】
次に、レーザーダイオード１を点灯状態から消灯状態に切り換える場合について説明する。この場合、データ入力処理回路７１は、Ｌレベルの制御信号ｓａを生成して切替制御回路７２に出力する。切替制御回路７２の制御信号生成回路８１は、データ入力処理回路７１から出力される制御信号ｓａがＨレベルからＬレベルに変化すると、Ｌレベルの制御信号ｓ１１をインバータ７３に出力する。切替制御回路７２の制御信号生成回路８１から出力されたＨレベルの制御信号ｓ１１は、インバータ７３により反転され、Ｌレベルの制御信号ｓ１１がスイッチＳＷ１１に出力されるので、データ入力処理回路７１により生成された制御信号ｓａがＬレベルである期間中、スイッチＳＷ１１がオフになる。これにより、カレントミラー回路ＣＭ３は、電流Ｉ１の生成を中止するので、レーザーダイオード１に供給される駆動電流Ｉｄｒｉｖｅが立ち下がって、最終的にはバイアス電流Ｉｂｉａｓのみになる。
【００９３】
切替制御回路７２の制御信号生成回路８３は、レーザーダイオード１に流れる駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち下がり時間を短くするため、図２１に示すように、スイッチＳＷ１１がオフになると同時に、時間ｔ１’の期間中、スイッチＳＷ１６をオンにする制御信号ｓ１６を生成する。ここで、時間ｔ１’は、制御信号生成回路８３におけるコンデンサ８３ｃの容量値Ｃａ’と基準電流Ｉａ’により決まる時間である。切替制御回路７２の制御信号生成回路８３から出力された制御信号ｓ１６は、スイッチＳＷ１６に出力されるので、時間ｔ１’の期間中、スイッチＳＷ１６がオンになる。
【００９４】
これにより、カレントミラー回路ＣＭ４が電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けて、時間ｔ１’の期間中、引抜電流Ｉ３を生成するので、レーザーダイオード１に供給される駆動電流Ｉｄｒｉｖｅから引抜電流Ｉ３が引き抜かれるようになり、その駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち下がりが急峻になる。
【００９５】
その後、時間ｔ１’の期間を過ぎると、図２１に示すように、切替制御回路７２の制御信号生成回路８３からＬレベルの制御信号ｓ１６が出力される。Ｌレベルの制御信号ｓ１５は、スイッチＳＷ１６に出力されるので、時間ｔ１’の期間が経過すると、スイッチＳＷ１６がオフになる。
【００９６】
これにより、カレントミラー回路ＣＭ４が引抜電流Ｉ３の生成を止めるので、レーザーダイオード１に流れる駆動電流Ｉｄｒｉｖｅは、抵抗素子Ｒ１１、コンデンサＣ１１、レーザーダイオード１などが有する抵抗成分、容量成分及びインダクタンス成分で決まる時定数で変化することになるので、抵抗素子Ｒ１１とコンデンサＣ１１の値が適切な値に調節された状態では、リンギングを抑えることができる。
【００９７】
以上で明らかなように、この実施の形態９によれば、上記実施の形態４と同様に、光出力波形に発生するオーバーシュートやアンダーシュートを十分に低く抑えることができるとともに、光出力波形の立ち上がりや立ち下がりの時間を短縮することがてきる効果を奏する。また、スイッチＳＷ１５，ＳＷ１６の閉路時間（パルス幅）と電流源ＣＳ２，ＣＳ３の電流値（振幅値）とを任意の値に制御する切替制御回路７２を設けているので、レーザーダイオード１の寄生素子成分が異なる場合でも、柔軟に対応することができる効果を奏する。
【００９８】
[実施の形態１０]
図２２はこの発明の実施の形態１０によるレーザーダイオードの駆動回路を示す詳細回路図であり、図において、図１６と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。ダンピング回路９１はレーザーダイオード１に供給する駆動電流Ｉｄｒｉｖｅの立ち上がり時や立ち下がり時に発生するオーバーシュートやアンダーシュートを小さくするために、レーザーダイオード１と並列に接続されており、ダンピング回路９１は抵抗素子Ｒ１１とコンデンサＣ１１（容量素子）とスイッチＳＷ１２との直列回路と、抵抗素子Ｒ１２とコンデンサＣ１２（容量素子）とスイッチＳＷ１３との直列回路と、抵抗素子Ｒ１３とコンデンサＣ１３（容量素子）とスイッチＳＷ１４との直列回路とから構成されている。
【００９９】
制御データ入力回路９２は例えばシリアルクロックに同期して、制御データ入力端子から設定情報ｓ６，ｓ７，ｓ８をシリアル入力して、その設定情報ｓ６，ｓ７，ｓ８をダンピング回路設定回路９３に出力する。あるいは、外部端子から設定情報ｓ６，ｓ７，ｓ８をパラレル入力して、その設定情報ｓ６，ｓ７，ｓ８をダンピング回路設定回路９３に出力する処理を実施する。ダンピング回路設定回路９３は設定情報ｓ６，ｓ７，ｓ８を保持するレジスタなどのスイッチ設定情報保持回路９３ａ，９３ｂ，９３ｃを内蔵し、制御データ入力回路９２から出力された設定情報ｓ６，ｓ７，ｓ８をダンピング回路９１のスイッチＳＷ１２，ＳＷ１３，ＳＷ１４に出力する処理を実施する。
【０１００】
上記実施の形態８における図１６と比較して、図１６のダンピング回路２がスイッチ付のダンピング回路９１に置き換えられ、制御データ入力回路９２及びダンピング回路設定回路９３が半導体チップ１００に付加されている点で相違している。以下、上記実施の形態８と相違する点について説明する。
【０１０１】
制御データ入力回路９２は、例えばシリアルクロックに同期して、制御データ入力端子から設定情報ｓ６，ｓ７，ｓ８をシリアル入力し、その設定情報ｓ６，ｓ７，ｓ８をダンピング回路設定回路９３に出力する。ただし、設定情報ｓ６，ｓ７，ｓ８に対応する外部端子が半導体チップ１００に設けられている場合には、その外部端子から設定情報ｓ６，ｓ７，ｓ８をパラレル入力し、その設定情報ｓ６，ｓ７，ｓ８をダンピング回路設定回路９３に出力する。
【０１０２】
ダンピング回路設定回路９３は、制御データ入力回路９２から設定情報ｓ６，ｓ７，ｓ８を受けると、その設定情報ｓ６，ｓ７，ｓ８をスイッチ設定情報保持回路９３ａ，９３ｂ，９３ｃに保存する。また、ダンピング回路設定回路９３は、その設定情報ｓ６，ｓ７，ｓ８をダンピング回路９１のスイッチＳＷ１２，ＳＷ１３，ＳＷ１４に出力することにより、スイッチＳＷ１２，ＳＷ１３，ＳＷ１４のオン／オフを制御する。
【０１０３】
ダンピング回路９１は、ダンピング回路設定回路９３によりスイッチＳＷ１２，ＳＷ１３，ＳＷ１４がオンされた場合、そのスイッチＳＷ１２，ＳＷ１３，ＳＷ１４が含まれている直列回路が有効になる。例えば、スイッチＳＷ１２がオンで、スイッチＳＷ１３，ＳＷ１４がオフであれば、そのスイッチＳＷ１２が含まれている直列回路のみが有効になる。また、スイッチＳＷ１２，ＳＷ１３がオンで、スイッチＳＷ１４がオフであれば、そのスイッチＳＷ１２，ＳＷ１３が含まれている直列回路が有効になる。したがって、ダンピング回路９１の時定数が設定情報ｓ６，ｓ７，ｓ８に応じて適宜設定される。
【０１０４】
以上で明らかなように、この実施の形態１０によれば、上記実施の形態８と同様の効果を奏するほかに、上記実施の形態３と同様に、特性の異なるレーザーダイオード１を取り替えて使用する場合、スイッチＳＷ１２，ＳＷ１３，ＳＷ１４のオン／オフを適宜制御すれば、個々のレーザーダイオード１毎に、ダンピング回路９１の時定数を適切な値に設定変更して、光出力波形の微調整を行うことができるので、個々のレーザーダイオード１毎に光出力波形に発生するオーバーシュートやアンダーシュートを十分に低く抑えることができる効果を奏する。
【０１０５】
また、このようにダンピング回路９１の容量値を可変する構成のレーザーダイオードの駆動回路を光ピックアップ集積回路に内蔵すれば、個々に異なる電気的特性を持つレーザーダイオードを接続して使用する場合、ダンピング回路９１の容量値を、使用するレーザーダイオードの特性に合う値に設定変更することができるので、光ピックアップ製造時に行う光出力波形の微調整作業を容易化することができる効果を奏する。
【符号の説明】
【０１０６】
１  レーザーダイオード、２  ダンピング回路、３  電源、４  電流源（駆動電流供給回路）、５  発光電流供給回路（駆動電流供給回路）、５ａ  電流源、６  補助電流供給回路、６ａ  電流源、７  電流引抜回路、７ａ  電流源、８  抑制電流供給回路、８ａ  
電流源、９  上昇抑制回路、９ａ  電流源、１１  駆動電流供給回路、１２  ダンピング回路、１３  ダンピング回路、１４  充電回路（充電手段）、１５  放電回路（放電手段）、５１  データ入力処理回路、５２  切替制御回路、５３  インバータ、５４  インバータ、５５  インバータ、６１  制御信号生成回路、６１ａ，６１ｂ  インバータ、６２  制御信号生成回路、６２ａ  電流源、６２ｂ，６２ｅ，６２ｇ  インバータ、６２ｃ
トランジスタ、６２ｄ  コンデンサ、６２ｆ  ＮＡＮＤ回路、６３  制御信号生成回路、６３ａ  電流源、６３ｂ  トランジスタ、６３ｃ  コンデンサ、６３ｄ，６３ｅ，６３ｇ
インバータ、６３ｆ  ＮＡＮＤ回路、６４  制御信号生成回路、６４ａ，６４ｆ  電流源、６４ｂ，６４ｅ，６４ｉ，６４ｊ，６４ｌ  インバータ、６４ｃ，６４ｇ  トランジスタ、６４ｄ，６４ｈ  コンデンサ、６４ｋ  ＮＡＮＤ回路、６５ａ，６５ｅ  電流源、
６５ｄ，６５ｈ，６５ｉ，６５ｋ  インバータ、６５ｂ，６５ｆ  トランジスタ、６５ｃ
，６５ｇ  コンデンサ、６５ｊ  ＮＡＮＤ回路、７１  データ入力処理回路、７２  切替制御回路、７３  インバータ、７４  インバータ、８１  制御信号生成回路、８１ａ，８１ｂ  インバータ、８２  制御信号生成回路、８２ａ  電流源、８２ｂ，８２ｅ，８２ｇ
インバータ、８２ｃ  トランジスタ、８２ｄ  コンデンサ、８２ｆ  ＮＡＮＤ回路、８３  制御信号生成回路、８３ａ  電流源、８３ｂ  トランジスタ、８３ｃ  コンデンサ、８３ｄ，８３ｅ，８３ｇ  インバータ、８３ｆ  ＮＡＮＤ回路、９１  ダンピング回路、９２  制御データ入力回路、９３  ダンピング回路設定回路、９３ａ，９３ｂ，９３ｃ
スイッチ設定情報保持回路、１００  半導体チップ、２００  半導体チップ、Ｃ１  コンデンサ、Ｃ２  コンデンサ、Ｃ１１  コンデンサ、Ｃ１２  コンデンサ、Ｃ１３  コンデンサ、Ｄ１  ダイオード、Ｌ１  インダクタ、Ｒ１  抵抗素子、Ｒ１１  抵抗素子、Ｒ１２，Ｒ１３  抵抗素子、ＣＭ１  カレントミラー回路、ＣＭ２  カレントミラー回路、ＣＳ１  電流源、ＣＳ２  電流源、ＣＳ３  電流源、ＣＳ４  電流源、ＣＳ５  電流源、ＬＤ１  レーザーダイオード、ＳＷ１  スイッチ、ＳＷ２  スイッチ、ＳＷ３  スイッチ、ＳＷ４  スイッチ、ＳＷ５  スイッチ、ＳＷ１１  スイッチ、ＳＷ１２  スイッチ、ＳＷ１３  スイッチ、ＳＷ１４  スイッチ、ＳＷ１５  スイッチ、ＳＷ１６  スイッチ、ＳＷ１７  スイッチ、ＳＷ１８  スイッチ、ＣＮＴ１  切替制御回路、ＣＮＴ２  切替制御回路、ＣＮＴ３  切替制御回路。
【図１】
2011003939.tif 000003
【図２】
2011003939.tif 000004
【図３】
2011003939.tif 000005
【図４】
2011003939.tif 000006
【図５】
2011003939.tif 000007
【図６】
2011003939.tif 000008
【図７】
2011003939.tif 000009
【図８】
2011003939.tif 000010
【図９】
2011003939.tif 000011
【図１０】
2011003939.tif 000012
【図１１】
2011003939.tif 000013
【図１２】
2011003939.tif 000014
【図１３】
2011003939.tif 000015
【図１４】
2011003939.tif 000016
【図１５】
2011003939.tif 000017
【図１６】
2011003939.tif 000018
【図１７】
2011003939.tif 000019
【図１８】
2011003939.tif 000020
【図１９】
2011003939.tif 000021
【図２０】
2011003939.tif 000022
【図２１】
2011003939.tif 000023
【図２２】
2011003939.tif 000024
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月7日(2010.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
このように、この実施の形態３では、レーザーダイオードＬＤ１と並列に設けられているダンピング回路１２が、抵抗素子Ｒ１１とコンデンサＣ１１の直列回路からなる第１スナバ回路と、抵抗素子Ｒ１１とコンデンサＣ１２の直列回路からなる第２スナバ回路と、抵抗素子Ｒ１１とコンデンサＣ１３の直列回路からなる第３スナバ回路とから構成され、スイッチＳＷ１２，ＳＷ１３，ＳＷ１４の何れか―つ、あるいは、全部または―部を閉路することにより、全部または―部のスナバ回路を有効にして、ダンピング回路１２の容量値を可変できる構成とされている。スイッチＳＷ１２，ＳＷ１３，ＳＷ１４の個別設定操作は、制御回路に依ってもよく、また手作業に依ってもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
このように、この実施の形態４によれば、光出力波形に発生するオーバーシュートやアンダーシュートを十分に低く抑えることができるとともに、光出力波形の立ち上がりや立ち下がりの時間を短縮することができる効果を奏する。また、スイッチＳＷ１５，ＳＷ１６の閉路時間（パルス幅）と電流源ＣＳ２，ＣＳ３の電流値（振幅値）とを任意の値に制御する切替制御回路ＣＮＴ１を設けているので、レーザーダイオードＬＤ１の寄生素子成分が異なる場合でも、柔軟に対応することができる効果を奏する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
このような構成によっても、切替制御回路ＣＮＴ１によってスイッチＳＷ１１が閉路されると、電流源ＣＳ１の入力端が電源（電圧Ｖｐｐ）に接続されるので、電流源ＣＳ１の出力端からレーザーダイオードＬＤ１に電流が供給される。同時に、切替制御回路ＣＮＴ１によってスイッチＳＷ１５が閉路されると、電流源ＣＳ２の入力端が電源（電圧Ｖｐｐ）に接続されるので、電流源ＣＳ２の出力端からダンピング回路１３のコンデンサＣ１１に充電電流が供給される。そして、切替制御回路ＣＮＴ１によってスイッチＳＷ１１が開路されるときに、スイッチＳＷ１６が閉路されると、電流源ＣＳ３の出力端が接地（グランド）に接続されるので、コンデンサＣ１１の充電電荷を引き抜く動作が行われる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
カレントミラー回路ＣＭ１は電源３から電圧Ｖｃｃの供給を受けてバイアス電流Ｉｂｉａｓを生成し、そのバイアス電流Ｉｂｉａｓをレーザーダイオード１に定常的に供給する機能を有し、発光電流供給回路５、補助電流供給回路６及び抑制電流供給回路８における電流源５ａ，６ａ，８ａに相当する回路を実装している。ただし、カレントミラー回路ＣＭ１はスイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ４のオン抵抗による電位差分を補償するため、ダイオード接続側のトランジスタのソースと電圧Ｖｃｃ間に、トランジスタが直列に接続された構成になっている。カレントミラー回路ＣＭ２は電流引抜回路７及び上昇抑制回路９における電流源７ａ，９ａに相当する回路である。ただし、カレントミラー回路ＣＭ２はスイッチＳＷ３，ＳＷ５のオン抵抗による電位差分を補償するため、ダイオード接続側のトランジスタのソースと接地間に、トランジスタが直列に接続された構成になっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
切替制御回路７２は、データ入力処理回路７１により生成された制御信号ｓａを受けると、その制御信号ｓａに応じてスイッチＳＷ１１，Ｓ１５，ＳＷ１６のオン／オフを制御する制御信号ｓ１１，ｓ１５，ｓ１６を生成する。即ち、切替制御回路７２の制御信号生成回路８１は、データ入力処理回路７１からＨレベルの制御信号ｓａを受けると、その制御信号ｓａと実質的に同一の制御信号ｓ１１をインバータ７３に出力する。切替制御回路７２の制御信号生成回路７１から出力されたＨレベルの制御信号ｓ１１は、インバータ７３により反転され、Ｌレベルの制御信号ｓ１１がスイッチＳＷ１１に出力されるので、データ入力処理回路７１により生成された制御信号ｓａがＨレベルである期間中、スイッチＳＷ１１がオンになる。