(57)【要約】      （修正有）【課題】パターンのエッジのぎざぎざを目立たなくして、描画品質を向上させる。【解決手段】光ビーム照射装置２０の空間的光変調器２５は、複数のミラーを直交する二方向に配列して構成され、光ビームによる基板１の走査方向に対して傾いて配置される。描画制御部は、光ビーム照射装置２０の空間的光変調器２５の傾きに応じて、描画データの座標を変更する。エッジ修正回路は、描画データの座標を変更する位置を不規則に変動させて、基板１に描画されるパターンのエッジの変化を不規則にする。パターンのエッジが階段状に規則的に変化する場合に比べて、パターンのエッジのぎざぎざが目立たなくなる。パターンのエッジを修正するための描画データを新たに作成する必要が無く、リアルタイムにパターンのエッジが修正される。【選択図】図４
2011150053.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、
複数のミラーを直交する二方向に配列した空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を含むヘッド部を有する光ビーム照射装置と、
前記チャックと前記光ビーム照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、
前記移動手段により前記チャックと前記光ビーム照射装置とを相対的に移動し、前記光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置であって、
前記光ビーム照射装置の空間的光変調器は、光ビームによる基板の走査方向に対して傾いて配置され、
前記光ビーム照射装置の空間的光変調器の傾きに応じて、前記光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画データの座標を変更する描画制御手段を備え、
前記描画制御手段は、描画データの座標を変更する位置を不規則に変動させて、基板に描画されるパターンのエッジの変化を不規則にするエッジ修正回路を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記エッジ修正回路は、
変動前の座標を変更する位置に隣接する所定範囲の描画データを変更前の座標で記憶する記憶回路と、
乱数を発生する乱数発生回路と、
前記乱数発生回路が発生した乱数に応じて、変動前の座標を変更する位置を含む所定範囲に渡り、前記記憶回路に変更前の座標で記憶された描画データ又は座標が変更された描画データのいずれかを選択する選択回路とを有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
フォトレジストが塗布された基板をチャックで支持し、
チャックと、複数のミラーを直交する二方向に配列した空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を含むヘッド部を有する光ビーム照射装置とを、相対的に移動し、
光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光方法であって、
光ビーム照射装置の空間的光変調器を、光ビームによる基板の走査方向に対して傾けて配置し、
光ビーム照射装置の空間的光変調器の傾きに応じて、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画データの座標を変更し、
描画データの座標を変更する位置を不規則に変動させて、基板に描画されるパターンのエッジの変化を不規則にすることを特徴とする露光方法。
【請求項４】
変動前の座標を変更する位置に隣接する所定範囲の描画データを変更前の座標で記憶し、
乱数を発生し、
発生した乱数に応じ、変動前の座標を変更する位置を含む所定範囲に渡り、変更前の座標で記憶した描画データ又は座標を変更した描画データのいずれかを選択して、描画データの座標を変更する位置を不規則に変動させることを特徴とする請求項３に記載の露光方法。
【請求項５】
請求項１又は請求項２に記載の露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
【請求項６】
請求項３又は請求項４に記載の露光方法を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に係り、特に複数のミラーを直交する二方向に配列した空間的光変調器を用いて基板へ照射する光ビームを変調する露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、従来、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙（プロキシミティギャップ）を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがあった。
【０００３】
近年、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置が開発されている。光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを直接描画するため、高価なマスクが不要となる。また、描画データ及び走査のプログラムを変更することにより、様々な種類の表示用パネル基板に対応することができる。この様な露光装置として、例えば、特許文献１、特許文献２、及び特許文献３に記載のものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３３２２２１号公報
【特許文献２】特開２００５−３５３９２７号公報
【特許文献３】特開２００７−２１９０１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
光ビームにより基板にパターンを描画する際、光ビームの変調には、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）が用いられる。ＤＭＤは、光ビームを反射する複数の微小なミラーを直交する二方向に配列して構成され、各ミラーの角度を変更することにより、基板へ照射する光ビームを変調する。現在市販されているＤＭＤは、各ミラーの寸法が１０〜１５μｍ角程度であり、隣接するミラー間には１μｍ程度の隙間が設けられている。ＤＭＤを光ビームによる基板の走査方向と平行に配置すると、各ミラーの配列方向（直交する二方向）が基板の走査方向と平行及び垂直になるので、隣接するミラー間の隙間と基板とが相対的に平行に移動し、この隙間に対応する箇所ではパターンの描画ができない。そのため、ＤＭＤは、特許文献１〜３に記載の様に、光ビームによる基板の走査方向に対して傾けて使用される。
【０００６】
ＤＭＤにより変調された光ビームは、光ビーム照射装置の照射光学系を含むヘッド部から、基板へ照射される。ＤＭＤの各ミラーに対応する各光ビーム照射領域は、ミラーの形状と同じ正方形であり、基板に描画されるパターンは、微小な正方形のドットを重ねたものとなる。ＤＭＤは、光ビームによる基板の走査方向に対して傾けて使用されるため、基板に描画するパターンのエッジ（縁）が直線で構成されているとき、パターンのエッジでは描画されるパターンが階段状に規則的に変化するが、人間の目は規則的な変化に敏感であるため、エッジのぎざぎざが目立ってしまうという問題がある。
【０００７】
本発明の課題は、パターンのエッジのぎざぎざを目立たなくして、描画品質を向上させることである。また、本発明の課題は、高品質な表示用パネル基板を製造することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の露光装置は、フォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、複数のミラーを直交する二方向に配列した空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を含むヘッド部を有する光ビーム照射装置と、チャックと光ビーム照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、移動手段によりチャックと光ビーム照射装置とを相対的に移動し、光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置であって、光ビーム照射装置の空間的光変調器が、光ビームによる基板の走査方向に対して傾いて配置され、光ビーム照射装置の空間的光変調器の傾きに応じて、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画データの座標を変更する描画制御手段を備え、描画制御手段が、描画データの座標を変更する位置を不規則に変動させて、基板に描画されるパターンのエッジの変化を不規則にするエッジ修正回路を有するものである。
【０００９】
また、本発明の露光方法は、フォトレジストが塗布された基板をチャックで支持し、チャックと、複数のミラーを直交する二方向に配列した空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を含むヘッド部を有する光ビーム照射装置とを、相対的に移動し、光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光方法であって、光ビーム照射装置の空間的光変調器を、光ビームによる基板の走査方向に対して傾けて配置し、光ビーム照射装置の空間的光変調器の傾きに応じて、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画データの座標を変更し、描画データの座標を変更する位置を不規則に変動させて、基板に描画されるパターンのエッジの変化を不規則にするものである。
【００１０】
複数のミラーを直交する二方向に配列した空間的光変調器を、光ビームによる基板の走査方向に対して傾けて配置するので、直交する二方向に配列された複数のミラーのいずれかが、隣接するミラー間の隙間に対応する箇所をカバーして、パターンの描画が隙間無く行われる。そして、光ビーム照射装置の空間的光変調器の傾きに応じて、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画データの座標を変更し、描画データの座標を変更する位置を不規則に変動させて、基板に描画されるパターンのエッジの変化を不規則にするので、パターンのエッジが階段状に規則的に変化する場合に比べて、パターンのエッジのぎざぎざが目立たなくなる。パターンのエッジを修正するための描画データを新たに作成する必要が無く、リアルタイムにパターンのエッジが修正される。
【００１１】
さらに、本発明の露光装置は、エッジ修正回路が、変動前の座標を変更する位置に隣接する所定範囲の描画データを変更前の座標で記憶する記憶回路と、乱数を発生する乱数発生回路と、乱数発生回路が発生した乱数に応じて、変動前の座標を変更する位置を含む所定範囲に渡り、記憶回路に変更前の座標で記憶された描画データ又は座標が変更された描画データのいずれかを選択する選択回路とを有するものである。また、本発明の露光方法は、変動前の座標を変更する位置に隣接する所定範囲の描画データを変更前の座標で記憶し、乱数を発生し、発生した乱数に応じ、変動前の座標を変更する位置を含む所定範囲に渡り、変更前の座標で記憶した描画データ又は座標を変更した描画データのいずれかを選択して、描画データの座標を変更する位置を不規則に変動させるものである。変更前の座標で記憶した描画データ又は座標を変更した描画データのいずれかを、乱数に応じて選択する簡単な処理で、描画データの座標を変更する位置が不規則に変動する。
【００１２】
本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかの露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うものである。上記の露光装置又は露光方法を用いることにより、パターンのエッジのぎざぎざが目立たなくなり、描画品質が向上するので、高品質な表示用パネル基板が製造される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の露光装置及び露光方法によれば、光ビーム照射装置の空間的光変調器を、光ビームによる基板の走査方向に対して傾けて配置し、光ビーム照射装置の空間的光変調器の傾きに応じて、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画データの座標を変更し、描画データの座標を変更する位置を不規則に変動させて、基板に描画されるパターンのエッジの変化を不規則にすることにより、パターンのエッジのぎざぎざを目立たなくして、描画品質を向上させることができる。また、パターンのエッジを修正するための描画データを新たに作成することなく、リアルタイムにパターンのエッジを修正することができる。
【００１４】
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、変動前の座標を変更する位置に隣接する所定範囲の描画データを変更前の座標で記憶し、乱数を発生し、発生した乱数に応じ、変動前の座標を変更する位置を含む所定範囲に渡り、変更前の座標で記憶した描画データ又は座標を変更した描画データのいずれかを選択することにより、簡単な処理で、描画データの座標を変更する位置を不規則に変動させることができる。
【００１５】
本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、パターンのエッジのぎざぎざを目立たなくして、描画品質を向上させることができるので、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態による露光装置の側面図である。
【図３】本発明の一実施の形態による露光装置の正面図である。
【図４】光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。
【図５】レーザー測長系の動作を説明する図である。
【図６】図６（ａ）はＤＭＤの配置を示す図、図６（ｂ）はＤＭＤのミラー部の拡大図である。
【図７】描画制御部の概略構成を示す図である。
【図８】描画制御部の動作を説明する図である。
【図９】エッジ修正回路の構成を示す図である。
【図１０】エッジ修正回路の動作を説明する図である。
【図１１】光ビームによる基板の走査を説明する図である。
【図１２】光ビームによる基板の走査を説明する図である。
【図１３】光ビームによる基板の走査を説明する図である。
【図１４】光ビームによる基板の走査を説明する図である。
【図１５】液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図１６】液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１は、本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。また、図２は本発明の一実施の形態による露光装置の側面図、図３は本発明の一実施の形態による露光装置の正面図である。露光装置は、ベース３、Ｘガイド４、Ｘステージ５、Ｙガイド６、Ｙステージ７、θステージ８、チャック１０、ゲート１１、光ビーム照射装置２０、リニアスケール３１，３３、エンコーダ３２，３４、レーザー測長系、レーザー測長系制御装置４０、ステージ駆動回路６０、及び主制御装置７０を含んで構成されている。なお、図２及び図３では、レーザー測長系のレーザー光源４１、レーザー測長系制御装置４０、ステージ駆動回路６０、及び主制御装置７０が省略されている。露光装置は、これらの他に、基板１をチャック１０へ搬入し、また基板１をチャック１０から搬出する基板搬送ロボット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。
【００１８】
なお、以下に説明する実施の形態におけるＸＹ方向は例示であって、Ｘ方向とＹ方向とを入れ替えてもよい。
【００１９】
図１及び図２において、チャック１０は、基板１の受け渡しを行う受け渡し位置にある。受け渡し位置において、図示しない基板搬送ロボットにより基板１がチャック１０へ搬入され、また図示しない基板搬送ロボットにより基板１がチャック１０から搬出される。チャック１０は、基板１の裏面を真空吸着して支持する。基板１の表面には、フォトレジストが塗布されている。
【００２０】
基板１の露光を行う露光位置の上空に、ベース３をまたいでゲート１１が設けられている。ゲート１１には、複数の光ビーム照射装置２０が搭載されている。なお、本実施の形態は、８つの光ビーム照射装置２０を用いた露光装置の例を示しているが、光ビーム照射装置の数はこれに限らず、本発明は１つ又は２つ以上の光ビーム照射装置を用いた露光装置に適用される。
【００２１】
図４は、光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。光ビーム照射装置２０は、光ファイバー２２、レンズ２３、ミラー２４、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）２５、投影レンズ２６、及びＤＭＤ駆動回路２７を含んで構成されている。光ファイバー２２は、レーザー光源ユニット２１から発生された紫外光の光ビームを、光ビーム照射装置２０内へ導入する。光ファイバー２２から射出された光ビームは、レンズ２３及びミラー２４を介して、ＤＭＤ２５へ照射される。ＤＭＤ２５は、光ビームを反射する複数の微小なミラーを直交する二方向に配列して構成された空間的光変調器であり、各ミラーの角度を変更して光ビームを変調する。ＤＭＤ２５により変調された光ビームは、投影レンズ２６を含むヘッド部２０ａから照射される。ＤＭＤ駆動回路２７は、主制御装置７０から供給された描画データに基づいて、ＤＭＤ２５の各ミラーの角度を変更する。
【００２２】
図２及び図３において、チャック１０は、θステージ８に搭載されており、θステージ８の下にはＹステージ７及びＸステージ５が設けられている。Ｘステージ５は、ベース３に設けられたＸガイド４に搭載され、Ｘガイド４に沿ってＸ方向へ移動する。Ｙステージ７は、Ｘステージ５に設けられたＹガイド６に搭載され、Ｙガイド６に沿ってＹ方向へ移動する。θステージ８は、Ｙステージ７に搭載され、θ方向へ回転する。Ｘステージ５、Ｙステージ７、及びθステージ８には、ボールねじ及びモータや、リニアモータ等の図示しない駆動機構が設けられており、各駆動機構は、図１のステージ駆動回路６０により駆動される。
【００２３】
θステージ８のθ方向への回転により、チャック１０に搭載された基板１は、直交する二辺がＸ方向及びＹ方向へ向く様に回転される。Ｘステージ５のＸ方向への移動により、チャック１０は、受け渡し位置と露光位置との間を移動される。露光位置において、Ｘステージ５のＸ方向への移動により、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームが、基板１をＸ方向へ走査する。また、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームによる基板１の走査領域が、Ｙ方向へ移動される。図１において、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、θステージ８のθ方向へ回転、Ｘステージ５のＸ方向への移動、及びＹステージ７のＹ方向への移動を行う。
【００２４】
なお、本実施の形態では、Ｘステージ５によりチャック１０をＸ方向へ移動することによって、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査を行っているが、光ビーム照射装置２０を移動することにより、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査を行ってもよい。また、本実施の形態では、Ｙステージ７によりチャック１０をＹ方向へ移動することによって、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査領域を変更しているが、光ビーム照射装置２０を移動することにより、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査領域を変更してもよい。
【００２５】
図１及び図２において、ベース３には、Ｘ方向へ伸びるリニアスケール３１が設置されている。リニアスケール３１には、Ｘステージ５のＸ方向への移動量を検出するための目盛が付けられている。また、Ｘステージ５には、Ｙ方向へ伸びるリニアスケール３３が設置されている。リニアスケール３３には、Ｙステージ７のＹ方向への移動量を検出するための目盛が付けられている。
【００２６】
図１及び図３において、Ｘステージ５の一側面には、リニアスケール３１に対向して、エンコーダ３２が取り付けられている。エンコーダ３２は、リニアスケール３１の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置７０へ出力する。また、図１及び図２において、Ｙステージ７の一側面には、リニアスケール３３に対向して、エンコーダ３４が取り付けられている。エンコーダ３４は、リニアスケール３３の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置７０へ出力する。主制御装置７０は、エンコーダ３２のパルス信号をカウントして、Ｘステージ５のＸ方向への移動量を検出し、エンコーダ３４のパルス信号をカウントして、Ｙステージ７のＹ方向への移動量を検出する。
【００２７】
図５は、レーザー測長系の動作を説明する図である。なお、図５においては、図１に示したゲート１１、及び光ビーム照射装置２０が省略されている。レーザー測長系は、公知のレーザー干渉式の測長系であって、レーザー光源４１、レーザー干渉計４２，４４、及びバーミラー４３，４５を含んで構成されている。バーミラー４３は、チャック１０のＹ方向へ伸びる一側面に取り付けられている。また、バーミラー４５は、チャック１０のＸ方向へ伸びる一側面に取り付けられている。
【００２８】
レーザー干渉計４２は、レーザー光源４１からのレーザー光をバーミラー４３へ照射し、バーミラー４３により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源４１からのレーザー光とバーミラー４３により反射されたレーザー光との干渉を測定する。この測定は、Ｙ方向の２箇所で行う。レーザー測長系制御装置４０は、主制御装置７０の制御により、レーザー干渉計４２の測定結果から、チャック１０のＸ方向の位置及び回転を検出する。
【００２９】
一方、レーザー干渉計４４は、レーザー光源４１からのレーザー光をバーミラー４５へ照射し、バーミラー４５により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源４１からのレーザー光とバーミラー４５により反射されたレーザー光との干渉を測定する。レーザー測長系制御装置４０は、主制御装置７０の制御により、レーザー干渉計４４の測定結果から、チャック１０のＹ方向の位置を検出する。
【００３０】
図６（ａ）はＤＭＤの配置を示す図、図６（ｂ）はＤＭＤのミラー部の拡大図である。光ビーム照射装置２０のＤＭＤ２５は、図６（ａ）に示す様に、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査方向（Ｘ方向）に対して、所定の角度θだけ傾いて配置されている。ＤＭＤ２５のミラー部２５ａには、例えば、一辺が１０〜１５μｍの正方形のミラーが、ＤＭＤ２５の長辺方向に１０２４個、ＤＭＤ２５の短辺方向に２５６個配列されている。ミラー部２５ａの各ミラー２５ｂ間には、図６（ｂ）に示す様に、例えば１μｍ程の隙間ｇが設けられている。ＤＭＤ２５を、図６（ａ）に示す様に走査方向に対して傾けて配置すると、直交する二方向に配列された複数のミラー２５ｂのいずれかが、隣接するミラー間の隙間ｇに対応する箇所をカバーするので、パターンの描画を隙間無く行うことができる。
【００３１】
図４において、主制御装置７０は、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ描画データを供給する描画制御部を有する。図７は、描画制御部の概略構成を示す図である。描画制御部７１は、メモリ７２，７６、バンド幅設定部７３、中心点座標決定部７４、座標決定部７５、描画データ作成部７７、及びエッジ修正回路８０を含んで構成されている。
【００３２】
メモリ７６には、設計値マップが格納されている。設計値マップには、描画データがＸＹ座標で示されている。描画データ作成部７７は、メモリ７６に格納された設計値マップから、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データを作成する。メモリ７２は、描画データ作成部７７が作成した描画データを、そのＸＹ座標をアドレスとして記憶する。
【００３３】
バンド幅設定部７３は、メモリ７２から読み出す描画データのＹ座標の範囲を決定することにより、光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射される光ビームのＹ方向のバンド幅を設定する。
【００３４】
レーザー測長系制御装置４０は、露光位置における基板１の露光を開始する前のチャック１０のＸＹ方向の位置を検出する。中心点座標決定部７４は、レーザー測長系制御装置４０が検出したチャック１０のＸＹ方向の位置から、基板１の露光を開始する前のチャック１０の中心点のＸＹ座標を決定する。図１において、光ビーム照射装置２０からの光ビームにより基板１の走査を行う際、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、Ｘステージ５によりチャック１０をＸ方向へ移動させる。基板１の走査領域を移動する際、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、Ｙステージ７によりチャック１０をＹ方向へ移動させる。図７において、中心点座標決定部７４は、エンコーダ３２，３４からのパルス信号をカウントして、Ｘステージ５のＸ方向への移動量及びＹステージ７のＹ方向への移動量を検出し、チャック１０の中心点のＸＹ座標を決定する。
【００３５】
座標決定部７５は、中心点座標決定部７４が決定したチャック１０の中心点のＸＹ座標に基づき、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データのＸＹ座標を決定する。メモリ７２は、座標決定部７５が決定したＸＹ座標をアドレスとして入力し、入力したＸＹ座標のアドレスに記憶された描画データを、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７に対応して設けられた各エッジ修正回路８０へ出力する。このとき、メモリ７２は、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ２５の傾きに応じて、ＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データの座標を変更する。
【００３６】
図８は、描画制御部の動作を説明する図である。図８（ａ）〜図８（ｃ）は、描画データを、所定の面積の各露光領域２ａに対応させて模擬的に図示したものであり、図中の灰色で示した部分が、パターンが露光される領域を示している。図８（ａ）は、メモリ７２に記憶された描画データを示し、本例では、基板１に描画するパターンのエッジ（縁）が、走査方向（Ｘ方向）に垂直な線で構成されている。図８（ｂ）は、メモリ７２が描画データを出力する際に描画データの座標を変更する位置（座標変更点）を示し、メモリ７２は、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ２５の傾きに応じて、走査方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）に一定の周期で描画データの座標を変更する。図８（ｃ）は、メモリ７２により座標が変更されて出力された描画データを示す。
【００３７】
図８（ｄ）は、図８（ｃ）に示した描画データをそのままＤＭＤ駆動回路２７へ供給した場合に、基板１に描画されるパターンを示す。メモリ７２により座標が変更されて出力された描画データをそのままＤＭＤ駆動回路２７へ供給した場合、図８（ｄ）に示す様に、基板１に描画されるパターンのエッジが階段状に規則的に変化し、エッジのぎざぎざが目立ってしまう。そこで、本実施の形態では、エッジ修正回路８０により、パターンのエッジの修正を行う。
【００３８】
図９は、エッジ修正回路の構成を示す図である。エッジ修正回路８０は、レジスタ８１、乱数発生回路８２、及び選択回路８３を含んで構成されている。レジスタ８１は、メモリ７２が座標を変更して出力した描画データを記憶し、また、座標を変更した位置（座標変更点）に隣接する所定範囲の描画データを、変更する前の座標で記憶する。乱数発生回路８２は乱数を発生し、選択回路８３は、乱数発生回路８２が発生した乱数に応じて、座標を変更した位置（座標変更点）を含む所定範囲に渡り、レジスタ８１に変更前の座標で記憶された描画データ又はレジスタ８１に記憶された座標が変更された描画データのいずれかを選択する。
【００３９】
図１０は、エッジ修正回路の動作を説明する図である。図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、図８（ａ）〜図８（ｃ）と同様に、描画データを、所定の面積の各露光領域２ａに対応させて模擬的に図示したものであり、図中の灰色で示した部分が、パターンが露光される領域を示している。図１０（ａ）は、メモリ７２により座標が変更されて出力された描画データを示す。図１０（ｂ）は、レジスタ８１に記憶された描画データを示し、レジスタ８１には、メモリ７２が描画データの座標を変更する度に、座標を変更した描画データ（有効データ）が記憶され、また、座標変更点に隣接する所定範囲の描画データ（隣接データ）が変更する前の座標で記憶される。
【００４０】
選択回路８３は、乱数発生回路８２が発生した乱数に応じて、座標変更点を含む所定範囲に渡り、レジスタ８１に変更前の座標で記憶された描画データ（隣接データ）又はレジスタ８１に記憶された座標が変更された描画データ（有効データ）のいずれかを選択し、それ以外の範囲では、レジスタ８１に記憶された座標が変更された描画データ（有効データ）をそのまま選択して、ＤＭＤ駆動回路２７へ供給する。図１０（ｃ）は、選択回路８３からＤＭＤ駆動回路２７へ供給される描画データを示し、図１０（ｄ）は、基板１に描画されるパターンを示す。図１０（ｃ）に示す様に、選択回路８３からＤＭＤ駆動回路２７へ供給される描画データは、座標を変更する位置が不規則に変動し、その結果、図１０（ｄ）に示す様に、基板１に描画されるパターンのエッジの変化が不規則になる。
【００４１】
光ビーム照射装置２０のＤＭＤ２５の傾きに応じて、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データの座標を変更し、描画データの座標を変更する位置を不規則に変動させて、基板１に描画されるパターンのエッジの変化を不規則にするので、図８（ｄ）に示す様にパターンのエッジが階段状に規則的に変化する場合に比べて、パターンのエッジのぎざぎざが目立たなくなる。パターンのエッジを修正するための描画データを新たに作成する必要が無く、リアルタイムにパターンのエッジが修正される。
【００４２】
図１１〜図１４は、光ビームによる基板の走査を説明する図である。図１１〜図１４は、８つの光ビーム照射装置２０からの８本の光ビームにより、基板１のＸ方向の走査を４回行って、基板１全体を走査する例を示している。図１１〜図１４においては、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａが破線で示されている。各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームは、Ｙ方向にバンド幅Ｗを有し、Ｘステージ５のＸ方向への移動によって、基板１を矢印で示す方向へ走査する。
【００４３】
図１１は、１回目の走査を示し、Ｘ方向への１回目の走査により、図１１に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。１回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図１２は、２回目の走査を示し、Ｘ方向への２回目の走査により、図１２に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。２回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図１３は、３回目の走査を示し、Ｘ方向への３回目の走査により、図１３に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。３回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図１４は、４回目の走査を示し、Ｘ方向への４回目の走査により、図１４に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われ、基板１全体の走査が終了する。
【００４４】
複数の光ビーム照射装置２０からの複数の光ビームにより基板１の走査を並行して行うことにより、基板１全体の走査に掛かる時間を短くすることができ、タクトタイムを短縮することができる。
【００４５】
なお、図１１〜図１４では、基板１のＸ方向の走査を４回行って、基板１全体を走査する例を示したが、走査の回数はこれに限らず、基板１のＸ方向の走査を３回以下又は５回以上行って、基板１全体を走査してもよい。
【００４６】
以上説明した実施の形態によれば、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ２５を、光ビームによる基板１の走査方向に対して傾けて配置し、ＤＭＤ２５の傾きに応じて、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データの座標を変更し、描画データの座標を変更する位置を不規則に変動させて、基板１に描画されるパターンのエッジの変化を不規則にすることにより、パターンのエッジのぎざぎざを目立たなくして、描画品質を向上させることができる。また、パターンのエッジを修正するための描画データを新たに作成することなく、リアルタイムにパターンのエッジを修正することができる。
【００４７】
さらに、変動前の座標を変更する位置（座標変更点）に隣接する所定範囲の描画データ（隣接データ）を変更前の座標で記憶し、乱数を発生し、発生した乱数に応じ、変動前の座標を変更する位置（座標変更点）を含む所定範囲に渡り、変更前の座標で記憶した描画データ（隣接データ）又は座標を変更した描画データ（有効データ）のいずれかを選択することにより、簡単な処理で、描画データの座標を変更する位置を不規則に変動させることができる。
【００４８】
本発明の露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うことにより、パターンのエッジのぎざぎざを目立たなくして、描画品質を向上させることができるので、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。
【００４９】
例えば、図１５は、液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程（ステップ１０１）では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程（ステップ１０２）では、ロール塗布法等によりフォトレジストを塗布して、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程（ステップ１０３）では、露光装置を用いて、フォトレジスト膜にパターンを形成する。現像工程（ステップ１０４）では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程（ステップ１０５）では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程（ステップ１０６）では、エッチング工程（ステップ１０５）でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にＴＦＴアレイが形成される。
【００５０】
また、図１６は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程（ステップ２０２）では、染色法や顔料分散法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程（ステップ２０３）では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程（ステップ２０４）では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。
【００５１】
図１５に示したＴＦＴ基板の製造工程では、露光工程（ステップ１０３）において、図１６に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）及び着色パターン形成工程（ステップ２０２）の露光処理において、本発明の露光装置又は露光方法を適用することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１  基板
３  ベース
４  Ｘガイド
５  Ｘステージ
６  Ｙガイド
７  Ｙステージ
８  θステージ
１０  チャック
１１  ゲート
２０  光ビーム照射装置
２０ａ  ヘッド部
２１  レーザー光源ユニット
２２  光ファイバー
２３  レンズ
２４  ミラー
２５  ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）
２５ａ  ミラー部
２５ｂ  ミラー
２６  投影レンズ
２７  ＤＭＤ駆動回路
３１，３３  リニアスケール
３２，３４  エンコーダ
４０  レーザー測長系制御装置
４１  レーザー光源
４２，４４  レーザー干渉計
４３，４５  バーミラー
６０  ステージ駆動回路
７０  主制御装置
７１  描画制御部
７２，７６  メモリ
７３  バンド幅設定部
７４  中心点座標決定部
７５  座標決定部
７７  描画データ作成部
８０  エッジ修正回路
８１  レジスタ
８２  乱数発生回路
８３  選択回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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