(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示装置において、圧力サイクル等による素子基板と封止基板の剥離を防止する。【解決手段】有機ＥＬ層３０が形成された素子基板１０と対向して凹部４１の周辺に乾燥材４２を配置した封止基板４０が配置されている。素子基板１０と封止基板４０は周辺に形成されたシール材５０によって接着し、内部が封止されている。内部には窒素ガスが充填されている。有機ＥＬ表示装置の内部は外側雰囲気に対して負圧となっており、素子基板１０および封止基板４０は内側に湾曲している。シール材５０は素子基板１０と封止基板４０によって常に接着させようという力を受けているので、圧力サイクルを受けても素子基板１０あるいは封止基板４０がシール材５０から剥離する不良を防止することが出来る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ層が形成された素子基板と前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板が周辺に形成されたシール材を介して接着している有機ＥＬ表示装置であって、
前記素子基板または前記封止基板は、大気圧雰囲気中において内側に５μｍ以上撓んでおり、前記素子基板と前記封止基板とは接触していないことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記素子基板および前記封止基板は大気圧雰囲気中において内側に５μｍ以上撓んでおり、前記素子基板と前記封止基板とは接触していないことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記素子基板または前記封止基板は、大気圧雰囲気中において内側に５μｍ以上かつ１５０μｍ以下撓んでいることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
有機ＥＬ層が形成された素子基板と前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板が周辺に形成されたシール材を介して接着し、内部に窒素ガスが封入された有機ＥＬ表示装置であって、
前記素子基板または前記封止基板は、大気圧雰囲気中において内側に５μｍ以上撓んでおり、前記素子基板と前記封止基板とは接触していないことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
有機ＥＬ層が形成された素子基板と前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板が周辺に形成されたシール材を介して接着し、内部に樹脂が充填された有機ＥＬ表示装置であって、
前記素子基板または前記封止基板は、大気圧雰囲気中において内側に５μｍ以上撓んでいることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
有機ＥＬ層が形成された素子基板と前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板が周辺に形成されたシール材を介して接着し、内部に樹脂が充填され、前記樹脂が存在していない部分には窒素ガスが封入されている有機ＥＬ表示装置であって、
前記素子基板または前記封止基板は、大気圧雰囲気中において内側に５μｍ以上撓んでいることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に有機ＥＬ素子が形成された素子基板と、有機ＥＬ素子を外部の水分から保護するための封止基板とを接着するシール材が剥離することを防止する構成を有する有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置等は、画面がフラットで薄型であるということで、モニタ、ＴＶ等でのフラットディスプレイとして需要が拡大している。有機ＥＬ表示装置は自発光であることから、視野角特性が優れているとともに、バックライトが不用であるという特徴からディスプレイとして種々の応用分野が広がっている。
【０００３】
有機ＥＬ層は複数の有機薄膜で形成されるが、水分が存在すると発光特性が劣化するという問題点を有している。このために、有機ＥＬ層が形成された素子基板に対してガラスによる封止基板、あるいは、金属等の封止キャップによって有機ＥＬ層を封止し、有機ＥＬ層を水分から保護する。
【０００４】
「特許文献１」には、有機ＥＬ層を保護する封止キャップに形状記憶合金を用いて曲面を有する有機ＥＬ表示装置を形成することが記載されている。「特許文献１」には、フラットな素子基板に有機ＥＬ層等を形成したあと、封止キャップを封止し、その後、変体温度以上に有機ＥＬ表示装置を加熱することによって画面が形成される素子基板に曲面を持たせることが記載されている。この文献には素子基板が外側に凸で、封止キャップが内側に凸である構成が記載されている。一方、有機ＥＬ素子が形成された素子基板は外側に凸である。
【０００５】
「特許文献２」には、封止キャップとして圧力によってフレキシブルに変形する材料を用いて有機ＥＬ表示装置への熱衝撃を緩和する構成が記載されている。すなわち、有機ＥＬ層が形成された内部には不活性ガスが充填されているが、このガスが温度によって膨張、収縮をすると、これが、シール部へのストレスとなって封止特性を劣化させるが、封止キャップとしてフレキシブルに変形するものを使用することによってこの熱衝撃を緩和するものである。この文献には封止キャップが外側に凸になったり、凹になったりする構成が記載されているが、素子基板と接着するシール部はフラットである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１１８６８０号公報
【特許文献２】特開２００１−２１７０６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
有機ＥＬ層は水分が存在すると特性が劣化し、発光しなくなる。この発光しなくなる部分は画面では黒点となって現れる。この黒点は長時間経過すると面積および数が拡大してくる。水分の影響が長い時間をかけて徐々に現れるからである。有機ＥＬ素子はガラスで形成された素子基板に形成されるが、有機ＥＬ素子を外部の水分から保護するために、一般にはガラスで形成された封止基板によって覆う。素子基板と封止基板は周辺に形成されたシール材によって接着している。シール材が剥離すれば、外気の湿気が進入し、有機ＥＬ層は短時間に発光しなくなる。したがって、シール材の素子基板あるいは封止基板との接着は非常に重要である。
【０００８】
液晶表示装置が飛行機に運ばれて海外に輸出される場合は、飛行機の飛行高度における気圧は地上に比べて、約１/３程度である。したがって、有機ＥＬ表示装置の内部と外部の気圧の関係は地上とは異なったものとなり、シール部の受けるストレスも地上とは異なったものとなる。これがシール材の剥離の原因となることもある。
【０００９】
また、特に小型の有機ＥＬ表示装置は携帯電話やＤＳＣ（Ｄｇｉｔａｌ  Ｓｔｉｌ  Ｃａｍｅｒａ）等に使用され、屋外の過酷な環境にさらされる。夏、冬等では、屋外と屋内では、温度差が大きいことが多く、このような小型の有機ＥＬ表示装置は温度サイクルを受ける。有機ＥＬ表示装置が温度サイクルを受けると、特に素子基板と封止基板を接着しているシール材にストレスがかかる。ストレスが繰り返しかかると、シール材が素子基板あるいは封止基板から剥離する場合が生ずる。
【００１０】
本発明の課題は、シール材が素子基板あるいは封止基板から剥離しない信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は以上の課題を解決するためになされたもので、具体的な手段は次のとおりである。
【００１２】
（１）有機ＥＬ層が形成された素子基板と前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板が周辺に形成されたシール材を介して接着している有機ＥＬ表示装置であって、前記素子基板または前記封止基板は、大気圧雰囲気中において内側に５μｍ以上撓んでおり、前記素子基板と前記封止基板とは接触していないことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００１３】
（２）前記素子基板および前記封止基板は大気圧雰囲気中において内側に５μｍ以上撓んでおり、前記素子基板と前記封止基板とは接触していないことを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１４】
（３）前記素子基板または前記封止基板は、大気圧雰囲気中において内側に５μｍ以上かつ１５０μｍ以下撓んでいることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１５】
（４）有機ＥＬ層が形成された素子基板と前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板が周辺に形成されたシール材を介して接着し、内部に窒素ガスが封入された有機ＥＬ表示装置であって、前記素子基板または前記封止基板は、大気圧雰囲気中において内側に５μｍ以上撓んでおり、前記素子基板と前記封止基板とは接触していないことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００１６】
（５）有機ＥＬ層が形成された素子基板と前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板が周辺に形成されたシール材を介して接着し、内部に樹脂が充填された有機ＥＬ表示装置であって、前記素子基板または前記封止基板は、大気圧雰囲気中において内側に５μｍ以上撓んでいることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００１７】
（６）有機ＥＬ層が形成された素子基板と前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板が周辺に形成されたシール材を介して接着し、内部に樹脂が充填され、前記樹脂が存在していない部分には窒素ガスが封入されている有機ＥＬ表示装置であって、前記素子基板または前記封止基板は、大気圧雰囲気中において内側に５μｍ以上撓んでいることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、大気圧雰囲気中において素子基板あるいは封止基板が内側に湾曲しているので、周辺に形成されている素子基板と封止基板を接着するシール材とが大気圧によって、より接着する方向の応力を受けるために、シール材と素子基板、あるいはシール材と封止基板の接着の信頼性が向上する。
【００１９】
また、本発明の他の形態によれば、有機ＥＬ表示装置の内部に樹脂が充填されたタイプの有機ＥＬ表示装置においても、大気圧雰囲気中において素子基板あるいは封止基板が内側に湾曲しているので、同様に、シール材と素子基板、あるいはシール材と封止基板の接着の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施例１の有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図２】有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図である。
【図３】従来の有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図４】従来の有機ＥＬ表示装置の他の断面図である。
【図５】本発明の有機ＥＬ表示装置の効果を示すグラフである。
【図６】実施例１の有機ＥＬ表示装置の製造プロセスである。
【図７】図６に続くプロセスである。
【図８】図７に続くプロセスである。
【図９】実施例２の有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図１０】実施例２の有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図である。
【図１１】実施例２の有機ＥＬ表示装置の製造プロセスである。
【図１２】図１１に続くプロセスである。
【図１３】図１２に続くプロセスである。
【図１４】実施例２の有機ＥＬ表示装置の他の例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の具体的な実施例を説明する前に、本発明が適用される有機ＥＬ表示装置の構成を説明する。図２は本発明を適用したトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図である。本実施例はトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を例にとって説明するが、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置についても同様に本発明を適用することが出来る。トップエミッション型有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ層の上にアノードが存在するトップアノード型と、有機ＥＬ層の上にカソードが存在するトップカソード型とが存在する。図１はトップアノード型の場合であるが、トップカソードの場合も本発明を同様に適用することが出来る。
【００２２】
図２において、素子基板１０の上にはＳｉＮからなる第１下地膜１１と、ＳｉＯ２からなる第２下地膜１２が形成されている。ガラス基板からの不純物が半導体層１３を汚染することを防止するためである。第２下地膜１２の上には半導体層１３が形成される。半導体層１３はＣＶＤによってａ−Ｓｉ膜が形成されたあと、レーザ照射によってｐｏｌｙ−Ｓｉ膜に変換する。
【００２３】
半導体層１３を覆って、ＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜１４が形成される。ゲート絶縁膜１４を挟んで、半導体層１３と対向する部分にゲート電極１５が形成される。ゲート電極１５をマスクにして、半導体層１３にリンあるいはボロン等の不純物をイオンインプランテーションによって打ち込み、導電性を付与して、半導体層１３にソース部あるいはドレイン部を形成する。
【００２４】
ゲート電極１５を覆って層間絶縁膜１６がＳｉＯ２によって形成される。ゲート配線とドレイン配線１７１を絶縁するためである。層間絶縁膜１６の上にはドレイン配線１７１が形成される。ドレイン配線１７１は層間絶縁膜１６およびゲート絶縁膜１４にスルーホールを介して半導体層１３のドレインと接続する。
【００２５】
その後、以上のようにして製作された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を保護するために、ＳｉＮからなる無機パッシベーション膜１８が被着される。無機パッシベーション膜１８の上には、有機パッシベーション膜１９が形成される。有機パッシベーション膜１９は無機パッシベーション膜１８とともに、ＴＦＴをより完全に保護する役割を有するとともに、有機ＥＬ層２２が形成される面を平坦にする役割を有する。したがって、有機パッシベーション膜１９は１〜４μｍと、厚く形成される。
【００２６】
有機パッシベーション膜１９の上には反射電極２４がＡｌまたはＡｌ合金によって形成される。ＡｌまたはＡｌ合金は反射率が高いので、反射電極２４として好適である。反射電極２４の上には、透明導電膜であるＩＴＯによって下部電極２１が形成される。下部電極２１は有機パッシベーション膜１９および無機パッシベーション膜１８に形成されたスルーホールを介してドレイン配線１７１と接続する。本実施例はトップカソード型の有機ＥＬ表示装置なので、有機ＥＬ層２２の下部電極２１はアノードとなる。
【００２７】
下部電極２１の上には有機ＥＬ層２２が形成される。有機ＥＬ層２２は、例えば、下層からホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、およびホール注入層となっている。有機ＥＬ層２２の上にはカソードとなる上部電極２３が形成される。本実施例では上部電極２３としてはＩＺＯを用いている。ＩＺＯはマスクを用いず、表示領域全体に蒸着される。ＩＺＯの厚さは光の透過率を維持するために、３０ｎｍ程度に形成される。ＩＺＯの代わりにＩＴＯを用いることも出来る。
【００２８】
有機ＥＬ層２２が端部において段切れによって破壊することを防止するために、画素と画素の間にバンク２０が形成される。バンク２０は有機材料で形成する場合もあるし、ＳｉＮのような無機材料で形成する場合もある。有機材料を使用する場合は、一般にはアクリル樹脂によって形成される。
【００２９】
バンク２０上の上部電極２３の上には導通を補助するために補助電極が用いられる場合もある。上部電極２３の抵抗が大きい場合は輝度むらが生ずる場合があるからである。本実施例では補助電極を使用していないが、補助電極を使用した有機ＥＬ表示装置においても、本発明を適用できることは言うまでも無い。
【００３０】
上部電極２３の上には空間が形成され、空間を挟んでガラスで形成された封止基板４０が配置されている。上部電極２３と封止基板の間には窒素ガスが減圧された状態で封入されている。
【００３１】
以下に、実施例を用いて、本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００３２】
図１は本発明による有機ＥＬ表示装置の概略断面図である。図１はいわゆる中空封止と呼ばれている封止方法である。図１において、素子基板１０には有機ＥＬ素子３０が形成されている。有機ＥＬ素子３０は、この明細書では、図２における有機ＥＬ層、ＴＦＴ等を含む画素がマトリクス状に形成されたものをいう。有機ＥＬ素子３０からは、有機ＥＬ素子３０に映像信号、走査信号、電源等を供給するための図示しない配線がシール材５０を貫通して端子部６０に延在している。素子基板１０は、端子部６０の分、封止基板４０よりも大きく形成されている。本実施例における素子基板１０の板厚ｔ１は０．５ｍｍである。なお、素子基板１０と封止基板４０の間には窒素ガスが封入されている。
【００３３】
有機ＥＬ素子３０は水分に弱いため、封止基板４０によって有機ＥＬ素子３０を保護する。図１では封止基板４０はガラスで形成されている。封止基板４０はシール材５０によって素子基板１０と接着し、有機ＥＬ表示装置が封止される。封止基板４０はシール材５０と接触する部分と内側とでは、板厚が異なっており、封止基板４０の内側には広い範囲にわたって凹部４１が形成されている。このような凹部４１は例えば、サンドブラストによって形成される。本実施例における封止基板４０の周辺部の厚さは０．７ｍｍであり、凹部４１の厚さは０．４ｍｍである。
【００３４】
図１において、封止基板４０の凹部４１の周辺には乾燥剤が配置されている。この乾燥材４２は、封止後に残留した水分を吸収することと、シール材５０を介して外部から進入して来た水分を吸収する役割を有する。図１はトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置であるから、画像を形成する光は封止基板４０側から外部に放出される。
【００３５】
素子基板１０および封止基板４０はガラスで形成されているので、これらの基板から水分が浸入することは無い。水分が浸入する可能性があるのは、シール材５０の部分である。すなわち、シール材５０はエポキシ等の樹脂で形成されており、樹脂は水分をわずかながら通過させるからである。
【００３６】
シール材５０の幅が大きければその分水分の通過は小さくなるので、有機ＥＬ表示装置の場合のシール材５０は液晶表示装置等に比べて幅が広く形成されている。また、シール材５０と素子基板１０、あるいは、シール材５０と封止基板４０との接着力もシール材５０の幅ｗ１が大きい程強くなる。本実施例では、シール材５０の幅ｗ１は１．２ｍｍから１．５ｍｍである。しかし、シール材５０の幅を大きくすると、表示領域の外側である、いわゆる額縁領域が大きくなる。最近は、表示装置の外形を小さくし、表示領域を大きくしたいという要求が強いので、シール材５０の幅を無制限に大きくするわけにはいかない。
【００３７】
本発明では、図１に示すように、有機ＥＬ表示装置の内部を外気に対して負圧とすることによって、素子基板１０および封止基板４０を内側に撓ませる。素子基板１０および封止基板４０を内側に撓ませることによって、外部環境が変化しても、シール材５０には常に引き剥がしとは逆の圧縮応力がかかるために、シール材５０は剥離しにくくなる。
【００３８】
図１において、素子基板１０の板厚ｔ１は０．５ｍｍ、封止基板４０の板厚ｔ３は０．４ｍｍである。したがって、素子基板１０の撓み量ｄ１と封止基板４０の撓み量ｄ２は異なるが、本発明の効果を得るためには少なくともｄ１あるいはｄ２のいずれかについて、５μｍ以上撓んでいることが必要である。なお、ｄ１およびｄ２のいずれについても５μｍ以上であることがより望ましい。一方、ｄ１あるいはｄ２が大きいと、素子基板１０と封止基板４０が接触してしまう。素子基板１０と封止基板４０とが接触すると、有機ＥＬ層が破壊されることがある。したがって、素子基板１０と封止基板４０を接触させないようにするためには、ｄ１、ｄ２いずれも１５０μｍ以下であることが必要である。
【００３９】
図３は、有機ＥＬ表示装置の内部と外側との圧力が同じ場合である。したがって、素子基板１０および封止基板４０の撓みは無い。この場合も内部には窒素ガスが充填されている。その他の構成は図１で説明したのと同様である。図３のような構成は、有機ＥＬ表示装置が常温で、通常の気圧下で保管されている場合は、封止材に対するストレスは小さい。
【００４０】
しかし、有機ＥＬ表示装置が飛行機等で出荷される場合には問題を生ずる。すなわち、常圧は、１０１３０００ｐａであるが、国際便の飛行機が飛行する高度における気圧は３５０００ｐａ程度であり、このような雰囲気下においては、素子基板１０および封止基板４０は外側に撓むことになり、シール材５０と素子基板１０、あるいは、シール材５０と封止基板４０には引き剥がし応力がかかり、接着の信頼性を低下させる。
【００４１】
図４は、有機ＥＬ表示装置の内部が外側の雰囲気に対して正圧となっている場合である。なお、この場合も有機ＥＬ表示装置の内部には窒素ガスが充填されている。この場合は、素子基板１０も封止基板４０も外側に凸となるように撓むことになり、シール材５０には常に引き剥がしの応力がかかることになる。したがって、図４の構成は、シール材５０の剥離という点においては、最も条件が悪い。
【００４２】
図５は図１、３、４の構成の場合についてのシール材５０の剥離の程度を評価したグラフである。図５において、横軸ｄは撓み量である。ｄがプラスの場合は、図１の場合のように、素子基板１０あるいは封止基板４０が内側に撓んだ場合であり、ｄがゼロの場合は、図３の場合であり、ｄがマイナスの場合は図４のように、素子基板１０あるいは封止基板４０が外側に撓んだ場合である。ｄの値としては、−３０μｍ、−２０μｍ、−１０μｍ、-５μｍ、０、５μｍ、１０μｍ、２０μｍ、３０μｍのものを各々１０個ずつ製作した。製作した有機ＥＬ表示装置の表示領域は対角が３インチで、縦横比が３：４である。また、図５のｄは、封止基板４０あるいは素子基板１０のいずれかが５μｍ以上撓んでいる場合である。また、シール材５０の幅は１．２ｍｍである。
【００４３】
このようなサンプルに対し、常圧（１０１３００ｐａ）と減圧（３５０００ｐａ）で３０分おきに１００サイクルの試験を行い、シール材５０の剥がれの有無を検査した。減圧の条件を３５０００ｐａとしたのは、国際便のジェット機が飛行する高度における気圧を参考にしたものである。
【００４４】
図５からわかるように、素子基板１０あるいは封止基板４０が外側に撓んでいる場合、撓み量が２０μｍ以上であると全数がシール部において剥離してしまう。また、撓み量がゼロの場合であっても、１０個中１個についてシール材５０の剥がれが観察された。これに対して、素子基板１０、あるいは封止基板４０が内側に撓んでいる場合では、撓み量が５μｍ以上であると、剥がれは観察されなかった。また、図５は素子基板１０あるいは封止基板４０のいずれかが５μｍ以上撓んでいる場合である。したがって、素子基板１０および封止基板４０の双方が５μｍ以上内側に撓んでいれば、シール材５０の剥がれの確率はより小さくなる。
【００４５】
図６〜図８は、図１における有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す図である。図６（ａ）は有機ＥＬ素子３０が形成された素子基板１０である。図６（ｂ）は凹部４１が形成され、凹部４１の周辺に乾燥剤が配置された封止基板４０である。封止基板４０の周辺にはシール材５０が配置されている。
【００４６】
図６に示す素子基板１０および封止基板４０を、窒素ガスを封入した減圧チャンバー２００内において、貼り合わせる。図１のような形状の有機ＥＬ表示装置を製作するためには、十分な減圧としておくことが必要である。その後、引き続き減圧雰囲気中で、紫外線防止マスク１００を配置した上で、紫外線（ＵＶ）ランプから紫外線を照射してシール材５０を硬化させる。紫外線が有機ＥＬ層に当たると、有機ＥＬ層が破壊されるので、紫外線防止マスク１００を使用して、シール部のみに紫外線を照射している。
【００４７】
このようにして形成された有機ＥＬ表示装置を減圧チャンバー２００内から大気中に戻すと、大気圧によって素子基板１０および封止基板４０が押され、内側に撓むことになる。図１における撓み量ｄ１あるいはｄ２は、減圧チャンバー２００内の窒素ガスの圧力によって調整することが出来る。
【実施例２】
【００４８】
図９は本発明の第２の実施例を示す有機ＥＬ表示装置の断面図である。図９において、素子基板１０と封止基板４０の間に、乾燥材４２を含有した有機樹脂７０が充填されている。この封止方法はいわゆる固体封止と呼ばれている方式である。この樹脂としては例えば、エポキシ系の透明樹脂を用いることが出来る。図９においては、充填樹脂７０が素子基板１０と封止基板４０の間に隙間なく充填されているが、必ずしも充填樹脂７０が完全に内部を充填している必要は無い。後で述べるように、素子基板１０と封止基板４０は窒素の減圧雰囲気中で接着するので、窒素ガスが存在する空間が残っていても、大きな問題とはならない。窒素ガスが存在する部分が実施例１と同じ条件になるだけである。
【００４９】
本実施例では、充填樹脂７０によって素子基板１０と封止基板４０の間隔が固定されている点に特徴がある。すなわち、素子基板１０あるいは封止基板４０に外力が加わっても、素子基板１０と封止基板４０とは直接接触することは無い。したがって、素子基板１０と封止基板４０が接触後再び離れるときに、有機ＥＬ層が封止基板４０に着いて持っていかれ、この部分が黒点不良となる現象を無くすことが出来る。
【００５０】
本実施例においては、乾燥材４２が充填樹脂７０に含有されているので、封止基板４０に乾燥材４２を別途配置する必要は無い。したがって、封止基板４０に凹部４１を形成する必要も無い。封止基板４０には凹部４１を形成する必要が無いので、封止基板４０と素子基板１０とを同じ厚さの板を用いることが出来る。本実施例では、素子基板１０、封止基板４０ともに０．５ｍｍである。この場合は、素子基板１０の撓み量ｄ１と封止基板４０の撓み量ｄ２は同じとなる。
【００５１】
図９のような構成である場合も、素子基板１０あるいは封止基板４０が内側に撓んでいることによって、シール材５０に対しては、引き剥がしを生じさせない方向の応力が常に加わるので、シールの信頼性を上げることが出来る。
【００５２】
図１０は、図９に示す有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子３０が形成されている表示領域における１画素分に相当する断面図である。図１０において、素子基板１０に形成された有機ＥＬ層の上の上部電極と封止基板４０の間に透明な充填樹脂７０が存在している。透明な充填樹脂７０が存在している他は、図２と同様であるので、説明を省略する。
【００５３】
図１１〜図１３は、図９における有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す図である。図１１（ａ）は有機ＥＬ素子３０が形成された素子基板１０である。図１１（ｂ）は周辺にシール材５０が形成され、シール材５０で囲まれた内側に充填樹脂７０が配置されている。この状態の素子基板１０と封止基板４０を減圧チャンバー２００内に配置する。減圧チャンバー２００内には窒素ガスが封入されている。そして、減圧チャンバー２００内において、素子基板１０と封止基板４０を貼り合わせる。
【００５４】
図１３は素子基板１０と封止基板４０を貼り合わせた状態である。図１３において、素子基板１０と封止基板４０の間は、充填樹脂７０で完全に充填されているわけではなく、一部に隙間７５が存在している。この隙間７５には減圧チャンバー２００内と同じ気圧の窒素ガスが存在している。この状態で、紫外線防止マスク１００を介してＵＶランプからＵＶをシール材５０部分に照射してシール材５０を硬化させる。
【００５５】
ＵＶ照射によってシール材５０を硬化させても、素子基板１０と封止基板４０の間の充填樹脂７０はまだ硬化していない。この状態の有機ＥＬ表示装置を減圧チャンバー２００から大気中に戻すと、大気圧によって素子基板１０および封止基板４０が内側に撓む。すなわち、この状態では、充填樹脂７０はまだ硬化していないので、素子基板１０および封止基板４０は撓むことが出来る。
【００５６】
また、図１３に示すように、減圧チャンバー２００内においては、有機ＥＬ表示装置は、素子基板１０と封止基板４０との間に隙間７５が形成されているので、この隙間７５を充填樹脂７０が埋めることによって素子基板１０あるいは封止基板４０が内側に撓むスペースを確保することが出来る。図１３における隙間７５には減圧された窒素ガスが存在しているが、減圧されているので、窒素ガスによる圧力は無視することが出来る。その後、充填材をベーク炉等で８０℃以下程度で熱硬化させて図９のような有機ＥＬ表示装置を製作することが出来る。
【００５７】
本実施例においては、図１１における封止基板４０に設置する充填樹脂７０の量をどの程度の量にするかによって、基板の撓み量を制御することが出来る。また、図１４に示すように、素子基板１０と封止基板４０の間が充填材によって完全に充填されていなくとも、本実施例の所定の効果を得られる。すなわち、充填樹脂が無い部分は圧力の低い窒素ガスが充填されており、この部分は実施例１と同じ条件になるだけである。
【００５８】
図９あるいは図１４において、ｄ１およびｄ２がどの程度であれば、シール材５０の剥がれが生じないかについては、実施例１と同様である。つまり、シール材５０と素子基板１０あるいは封止基板４０を引き剥がす方向とは逆の方向の応力が常にかかっているようにすれば良い。したがって、実施例２においても、素子基板１０あるいは封止基板４０の内側への撓み量は５μｍ以上であれば良い。
【００５９】
以上のように、本発明によれば、いわゆる中空封止の場合の有機ＥＬ表示装置についても、固体封止の場合の有機ＥＬ表示装置についても、シール材５０が素子基板１０あるいは封止基板４０から剥離する現象を防止することが出来、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を実現することが出来る。以上の説明では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置について説明したが、本発明は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置についても適用することが出来る。
【符号の説明】
【００６０】
１０…素子基板、  １１…第１下地膜、  １２…第２下地膜、  １３…半導体層、  １４…ゲート絶縁膜、  １５…ゲート電極、  １６…層間絶縁膜、  １７…ソース配線、  １８…無機パッシベーション膜、  １９…有機パッシベーション膜、  ２０…バンク、  ２１…下部電極、  ２２…有機ＥＬ層、  ２３…上部電極、  ２４…反射電極、  ３０…有機ＥＬ素子、  ４０…封止基板、  ４１…凹部、  ４２…乾燥材、  ５０…シール材、  ６０…端子部、  ７０…充填樹脂、  ７５…隙間、  １００…紫外線防止マスク、１７１…ドレイン配線、  ２００…チャンバー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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