(57)【要約】【課題】横電界方式の液晶表示装置において、櫛歯電極終端部に発生する逆方向に液晶が回転するドメインを安定的に制御し、高透過率が得られる構造を提供する。【解決手段】共通電極と画素電極が同一の層で形成された横電界方式の液晶表示装置において、画素電極もしくは共通電極の櫛歯電極の終端部で、当該櫛歯電極と鈍角をなしかつ走査線と略平行となる方向に突起部を有し、かつ終端部で櫛歯電極とオーバーラップするようにフローティング電極を櫛歯電極の延在方向に延在させ、前記櫛歯電極の突起部と、前記フローティング電極とで、液晶逆回転閉じ込め構造を形成する。【選択図】図１（ａ）
2011150021.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と共通電極との間に印加する基板に略平行な横電界によりホモジニアス配向液晶を回転させて表示を行う横電界方式の液晶表示装置において、
前記画素電極と前記共通電極とは同一の層に形成されており、前記画素電極及び前記共通電極は、交互に略平行に延在する櫛歯状の第１の部分を有し、
前記画素電極もしくは前記共通電極のうちの一方の電極の第１の部分の終端部が、前記画素電極もしくは前記共通電極のうちの他方の電極の２本の第１の部分と当該２本の第１の部分を接続する第２の部分とで３方が囲まれた領域が一つ以上存在し、
少なくとも一つの前記領域には、
前記第１の部分の終端部に接続される突起部が存在し、前記突起部は、前記終端部を基点として、前記第１の部分の延在方向から液晶の配向方向へ鋭角回転により重なる方向に９０度以上１８０度未満回転させた方向に延在しており、
更に、前記第１の部分の終端部に絶縁膜を介してオーバーラップするフローティング電極が存在し、前記フローティング電極は、前記第１の部分の終端部よりも前記他方の電極の第２の部分に近づいた位置まで、前記第１の部分の延在方向と概ね同一方向に延在していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置において、前記画素電極及び前記共通電極の第１の部分は屈曲した構造を有し、液晶の配向方向に対して、一定角度θだけ傾斜した部分と、−θだけ傾斜した部分とを有し、前記画素電極もしくは前記共通電極の第２の部分は、液晶配向方向に略直交する方向に延在していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、前記突起部の延在方向が、前記他方の電極の第２の部分に略平行であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一に記載の液晶表示装置において、前記フローティング電極は、前記第１の部分の終端部と前記突起部の少なくとも一部とに重なるように形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の液晶表示装置において、前記フローティング電極は、前記突起部よりも前記他方の電極の第１の部分に近づいた位置まで延在していることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、液晶表示装置に関し、特に、高開口率が得られる横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置（Liquid Crystal Display、ＬＣＤ）は薄型軽量・低消費電力といった特徴を有する。特に、縦横のマトリックス状に配列した個々の画素を能動素子によって駆動するアクティブマトリックス型液晶表示装置（ＡＭ−ＬＣＤ）は、高画質のフラットパネル・ディスプレイとして認知されており、中でも個々の画素をスイッチングする能動素子として薄膜トランジスタ（Thin-Film Transistor、ＴＦＴ）を用いたもの（ＴＦＴ−ＬＣＤ）が広く普及している。
【０００３】
多くのアクティブマトリックス型液晶表示装置では、ツイステッドネマチック（Twisted Nematic、ＴＮ）型液晶の電気光学効果を利用しており、２枚の基板間に挟持された液晶に当該基板面に概ね垂直な電界を印加して、当該液晶の分子を変位させることにより画像を表示する。これを「縦電界方式」という。一方、当該基板面に概ね平行な電界により、当該基板面に概ね平行な面内で液晶分子を変位させることによって画像を表示する「横電界方式」の液晶表示装置も、以前から知られている。この横電界方式の液晶表示装置についても、縦電界方式と同様に種々の改良がなされて来ており、その例を示す。
【０００４】
特許文献１（特開２００２−３２３７０６号公報）には、液晶を駆動する横電界を発生させるための画素電極および共通電極（いずれも櫛歯状である）を、個々の画素を駆動するための能動素子に信号を供給するバスライン（データ線）よりも上位に（つまり液晶層により近い位置に）絶縁層を挟んで配置する構成が開示されている（請求項１、第１実施形態、図１〜２を参照）。この構成によれば、共通電極を、バスラインを覆うように形成してバスラインからの電界を遮蔽することができるため、縦クロストークに起因する表示不良を防止することができ、また、共通電極を透明な導電性材料で形成することにより、開口率を向上させることができる、とされている。
【０００５】
図１９は、従来の一般的な横電界方式のアクティブマトリックス型液晶表示装置の構成の一例を説明する図である。図１９（ａ）はその平面図であり、図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図、図１９（ｃ）は図１９（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。また、図２０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、この液晶表示装置の製造工程を示す要部平面図である。これらの図はいずれも、一つの画素領域についてのみ示している。
【０００６】
この液晶表示装置では、図１９（ａ）および図２０（ｂ）に示すように、図の横（左右）方向に延在する複数本のゲートバスライン１５５と、図の縦（上下）方向に延在する複数本のドレインバスライン１５６とに囲まれる矩形領域内に画素領域がそれぞれ形成されており、全体として複数の画素がマトリックス状に配列されている。複数本の共通バスライン１５３は、ゲートバスライン１５５と同様に、図の横方向に延在して形成されている。ゲートバスライン１５５とドレインバスライン１５６との各交点には、それぞれの画素に対応して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１４５が形成されている。薄膜トランジスタ１４５のドレイン電極１４１、ソース電極１４２および半導体膜１４３は、それぞれ、図２０（ｂ）に示されたパターン（形状）で形成されている。
【０００７】
液晶駆動電界を発生させる画素電極１７１及び共通電極１７２は、それぞれ、相互に噛合する櫛歯状部（各画素領域内に突出した細い帯状部分）を有している。ここでは、画素電極１７１の櫛歯状部は２本、共通電極１７２の櫛歯状部は１本としてある。図１９（ｂ）に示すように、画素電極１７１は、有機層間膜１６０と保護絶縁膜１５９を貫通するコンタクトホール１６１を通じて薄膜トランジスタ１４５のソース電極１４２に電気的に接続されており、共通電極１７２は、有機層間膜１６０と保護絶縁膜１５９と層間絶縁膜１５７とを貫通するコンタクトホール１６２を通じて共通バスライン１５３に電気的に接続されている。薄膜トランジスタ１４５のソース電極１４２の一部は、層間絶縁膜１５７を介して共通バスライン１５３と重畳しており、この重畳部分によって当該画素領域用の保持容量を形成している。
【０００８】
この従来の液晶表示装置の断面構造は、図１９（ｂ）及び（ｃ）に示すとおりであり、アクティブマトリックス基板と対向基板とを液晶を間に挟んで接合・一体化して構成されている。
【０００９】
アクティブマトリックス基板は、透明なガラス基板１１１と、そのガラス基板１１１の内表面上に形成された共通バスライン１５３、ゲートバスライン１５５、ドレインバスライン１５６、薄膜トランジスタ１４５、画素電極１７１及び共通電極１７２を有している。共通バスライン１５３およびゲートバスライン１５５は、ガラス基板１１１の内表面上に直接形成されており、それらは層間絶縁膜１５７によって覆われている。薄膜トランジスタ１４５のドレイン電極１４１、ソース電極１４２、半導体膜１４３およびドレインバスライン１５６は、層間絶縁膜１５７上に形成されている。したがって、共通バスライン１５３およびゲートバスライン１５５は、層間絶縁膜１５７によって、ドレイン電極１４１、ソース電極１４２、半導体膜１４３およびドレインバスライン１５６から電気的に絶縁されている。ガラス基板１１１上に形成されたこれらの構造は、コンタクトホール１６１および１６２の部位を除いて、保護絶縁膜１５９により被覆されている。コンタクトホール１６１および１６２に起因する段差は、保護絶縁膜１５９上に形成された有機層間膜１６０によって平坦化されている。画素電極１７１及び共通電極１７２は、有機層間膜１６０上に形成されている。上述したように、画素電極１７１は、コンタクトホール１６１を通じてソース電極１４２に電気的に接続され、共通電極１７２は、コンタクトホール１６２を通じて共通バスライン１５３に電気的に接続されている。なお、図１９（ｂ）および（ｃ）の断面図は模式的な図であり、実際の段差構造を忠実に再現したものではない。
【００１０】
以上の構成を持つアクティブマトリックス基板の表面（画素電極１７１と共通電極１７２が形成されている面）は、有機高分子膜からなる配向膜１３１で覆われている。この配向膜１３１の表面には、液晶分子１２１の初期方向を所望の方向（図１９（ａ）の矢印を参照）に向けるための配向処理が施されている。
【００１１】
一方、対向基板（カラーフィルタ基板）は、透明なガラス基板１１２と、このガラス基板１１２の内表面上に各画素領域に対応して形成された、赤（Ｒ）・緑（Ｇ）・青（Ｂ）の３原色からなるカラーフィルタ（図示せず）と、各画素領域に対応する領域以外に形成された遮光用のブラックマトリックス（図示せず）とを備えている。このカラーフィルタとブラックマトリックスは、アクリル系のオーバーコート膜（図示せず）で覆われている。このオーバーコート膜の内表面上には、アクティブマトリックス基板と対向基板の間隔を制御するための柱状スペーサ（図示せず）が形成されている。そして、このオーバーコート膜の内表面は、有機高分子膜からなる配向膜１３２で覆われている。配向膜１３２の表面には、液晶分子１２１の初期方向を所望の方向（図１９（ａ）の矢印を参照）に向けるための配向処理が施されている。
【００１２】
上述した構成を持つアクティブマトリックス基板と対向基板は、配向膜１３１と配向膜１３２が形成された面をそれぞれ内側にして対向させ、所定間隔で重ね合わされている。両基板間の隙間には液晶１２０が導入されており、その液晶１２０を閉じ込めるために、両基板の周縁はシール材（図示せず）で封止されている。両基板の外側面には、一対の偏光板（図示せず）がそれぞれ配置されている。
【００１３】
配向膜１３１及び配向膜１３２の表面は、上述したとおり、無電界時に液晶分子１２１が所定の方向に沿って平行に配向するように一様に配向処理されているが、その配向処理の方向は、画素電極１７１および共通電極１７２の櫛歯状部が延在する方向（図１９（ａ）の上下方向）に対して、時計回りに１５度傾いた方向とされている。
【００１４】
前記一対の偏光板の透過軸の方向は、互いに直交させてあり、それら一対の偏光板のうちの一方の透過軸は、一様に配向処理した液晶の初期配向方位（無電界時の配向方向）と一致せしめられている。
【００１５】
次に、図１９に示した従来の液晶表示装置の製造工程を、図２０を参照しながら説明する。
【００１６】
アクティブマトリックス基板は、次のようにして製造される。まず、ガラス基板１１１の一面上にクロム（Ｃｒ）膜を形成してからこれをパターン化することにより、図２０（ａ）に示すような形状を持つ共通バスライン１５３とゲートバスライン１５５が形成される。その後、共通バスライン１５３及びゲートバスライン１５５を覆うように、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる層間絶縁膜１５７が、ガラス基板１１１の全面にわたって形成される。続いて、層間絶縁膜１５７上に、薄膜トランジスタの半導体膜１４３（通常はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜とされる）が、層間絶縁膜１５７を介して対応するゲートバスライン１５５と重なるように、島状のパターンで形成される。さらに、層間絶縁膜１５７上に、Ｃｒ膜を形成してからこれをパターン化することにより、ドレインバスライン１５６、ドレイン電極１４１およびソース電極１４２が形成される（図２０（ｂ）参照）。その後、層間絶縁膜１５７上に、これらの構造を覆うように、ＳｉＮｘからなる保護絶縁膜１５９と、感光性アクリル樹脂からなる有機層間膜１６０とがこの順に重ねて形成される。続いて、保護絶縁膜１５９と有機層間膜１６０を貫通する矩形のコンタクトホール１６１と、層間絶縁膜１５７と保護絶縁膜１５９と有機層間膜１６０を貫通する矩形のコンタクトホール１６２とが形成される（図２０（ｃ）参照）。そして、有機層間膜１６０上に、透明電極材料であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を形成してからこれをパターン化することにより、有機層間膜１６０上に画素電極１７１と共通電極１７２が形成される。画素電極１７１は、コンタクトホール１６１を介してソース電極１４２に接触する。共通電極１７２は、コンタクトホール１６２を介して共通バスライン１５３に接触する（図２０（ｄ）及び図１９（ｂ）参照）。こうしてアクティブマトリックス基板が製造される。
【００１７】
対向基板（カラーフィルタ基板）は、次のようにして製造される。まず、ガラス基板１１２の一面上に、カラーフィルタと遮光用のブラックマトリックス（いずれも図示せず）が形成され、その後、ガラス基板１１２の全面にわたって、前記カラーフィルタとブラックマトリックスを覆うようにオーバーコート膜（図示せず）が形成される。そして、このオーバーコート膜上に柱状スペーサ（図示せず）が形成される。こうして対向基板が製造される。
【００１８】
上記のようにして製造されたアクティブマトリックス基板と対向基板の表面には、それぞれ、ポリイミドからなる配向膜１３１と１３２が形成される。その後、配向膜１３１と１３２の表面は、一様に配向処理される。続いて、両基板が一定の間隔（例えば４．５μｍ程度）となるように重ね合わせられてから、液晶注入用の孔を除いて両基板の周縁がシール材で封止される。そして、真空チャンバー内で、液晶注入用の孔から両基板間の隙間内に所定のネマチック液晶（例えば屈折率異方性が０．０６７のネマチック液晶）が注入された後、液晶注入用の孔が閉鎖される。こうして両基板が接合・一体化されてから、両基板の外表面にそれぞれ偏光板（図示せず）が貼り合わせられると、図１９に示す構成を持つ従来の液晶表示装置が完成する。
【００１９】
以上述べたような従来の横電界方式の液晶表示装置では、画素電極１７１および共通電極１７２の櫛歯状部の先端部の近傍において、液晶駆動電界の印加時に通常の液晶分子の回転方向とは逆の方向に液晶分子が回転してしまう領域（この領域は「逆回転ドメイン」と呼ばれる）が発生することが知られている。
【００２０】
図２１は、図１９〜２０に示された従来の液晶表示装置において逆回転ドメインが発生する原理を模式的に説明する図である。説明をしやすくするため、図２１には、画素電極１７１及び共通電極１７２と液晶分子１２１のみが示してあり、これらの電極１７１及び１７２の櫛歯状部によって画素領域内に発生せしめられる液晶駆動電界（電気力線）が模式的に描かれている。
【００２１】
この液晶駆動電界によって生じる液晶分子１２１の回転（この回転はアクティブマトリックス基板及び対向基板に対してほぼ平行な面内で起こる）の方向は、液晶分子１２１の初期配向方向と液晶駆動電界の方向との関係によって規定されるため、当該画素領域内のほとんどの部分で「時計回り」となる。しかしながら、画素電極１７１の櫛歯状部の先端部の近傍では、図２１に示すように液晶駆動電界が放射状になるため、図中に影付きで示した領域では液晶分子が「反時計回り」に回転する。つまり、図中に影付きで示した領域が、液晶分子が「反時計回り」に回転する領域（すなわち逆回転ドメイン）となるのである。
【００２２】
この他の従来技術として、特許文献２（特開平１０−３０７２９５号公報）には、横電界を発生させる電極を屈曲させ、その屈曲部をもって電界作用時の液晶の駆動（回転）方向を領域ごとに意図的に異ならせ、斜め視野での表示の着色を軽減する技術が開示されている（請求項１、３、５、図１〜２、４、６を参照）。
【００２３】
例えば、第１のサブ領域における液晶分子の初期配向方位と第２のサブ領域における液晶分子の初期配向方位とが同一であり、電圧印加時には、各々のサブ領域の液晶分子が、配向方位を互いに対称な関係に保ちながら逆の回転方向に回転する構成とされる（請求項３を参照）。そして、この構成では、好ましくは、液晶分子を駆動する横電界は平行電極対により発生され、該平行電極対を構成する電極はＶ形に屈曲している構成とされる（請求項５を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２４】
【特許文献１】特開２００２−３２３７０６号公報
【特許文献２】特開平１０−３０７２９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
従来の構成によると、櫛歯電極先端部近傍において、液晶駆動電界が放射形状に分布し、液晶の初期配向方向との関係から所定の回転方向とは反対の方向に液晶が回転する領域（逆回転ドメイン）が形成される。櫛歯電極先端部近傍において液晶駆動電界は緩やかな放射形状となっているため、逆回転ドメインと通常ドメインとの間に発生する暗い領域（境界ドメイン）が大きくなり、またその位置も不安定である。
【００２６】
したがって、表示面に指押し等の外圧が加わった場合には、逆回転ドメインの形状（あるいは境界ドメインの位置）が安定せず、外圧を開放した後にも指押し痕として認識されてしまう。また、境界ドメインの幅も大きくなってしまうために、パネル透過率のロスを生じさせているという問題がある（逆回転ドメインはパネル透過率に寄与するが、境界ドメインは白表示時（電圧印加時）にも暗状態のままである。）。
【００２７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、横電界方式の液晶表示装置において、櫛歯電極終端部に発生する逆方向に液晶が回転するドメインを安定的に制御し、高透過率が得られる構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
上記課題を解決するために、本願発明の液晶表示装置は、
画素電極と共通電極との間に印加する基板に略平行な横電界によりホモジニアス配向液晶を回転させて表示を行う横電界方式の液晶表示装置において、
前記画素電極と前記共通電極とは同一の層に形成されており、前記画素電極及び前記共通電極は、交互に略平行に延在する櫛歯状の第１の部分を有し、
前記画素電極もしくは前記共通電極のうちの一方の電極の第１の部分の終端部が、前記画素電極もしくは前記共通電極のうちの他方の電極の２本の第１の部分と当該２本の第１の部分を接続する第２の部分とで３方が囲まれた領域が一つ以上存在し、
少なくとも一つの前記領域には、
前記第１の部分の終端部に接続される突起部が存在し、前記突起部は、前記終端部を基点として、前記第１の部分の延在方向から液晶の配向方向へ鋭角回転により重なる方向に９０度以上１８０度未満回転させた方向に延在しており、
更に、前記第１の部分の終端部に絶縁膜を介してオーバーラップするフローティング電極が存在し、前記フローティング電極は、前記第１の部分の終端部よりも前記他方の電極の第２の部分に近づいた位置まで、前記第１の部分の延在方向と概ね同一方向に延在していることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【００２９】
この効果を図３に示す。前記フローティング電極は、当該部で先端を有する電極の櫛歯電極と略等しい電位を有し、この櫛歯電極の突起部とフローティング電極と当該部で先端を有する櫛歯電極に対向する電極とで囲まれた領域で、逆回転ドメインを閉じ込めることができる（以下、この閉じ込めた領域を逆回転閉じ込め領域と呼ぶ。）。
【００３０】
これにより、従来技術で問題となったような、逆回転ドメインと通常ドメインとの間に発生する暗い領域（境界ドメイン）が大きくなったり、その位置が不安定になったりする現象は、完全に抑制できる。このため、表示面に指押し等の外圧が加わった場合でも、逆回転閉じ込め領域は安定しているため、外圧を開放した後の指押し痕等は全く発生しない構造が得られる。
【００３１】
また、このフローティング電極は、対向する電極と非常に近接したところもしくはわずかにオーバーラップするところまで延在させることができるため、対向する電極のところまで、十分強い横電界を生成することができ、光利用効率を高めることができる。また、フローティング電極と櫛歯電極の突起部とで形成する逆回転閉じ込め領域においても、積極的に透過光を利用することができ、光利用効率を改善することができる。
【００３２】
また、本願発明の液晶表示装置においては、前記画素電極と前記共通電極との第１の部分は屈曲した構造を有し、液晶の配向方向に対して、一定角度θだけ傾斜した部分と、−θだけ傾斜した部分とを有し、前記画素電極もしくは前記共通電極の第２の部分は液晶配向方向に略垂直に形成することができる。
【００３３】
このようにすることにより、さらに広い視野角を得ることができる。
【００３４】
また、本願発明の液晶表示装置の望ましい形として、前記第１の部分の終端部において、第１の部分が屈曲する方向が、他方の電極の第２の部分に略平行とすることができる。
【００３５】
これにより、効率よく、逆回転領域を閉じ込めることができ、かつ、順方向の領域を広くとることができる。
【発明の効果】
【００３６】
本願発明により、櫛歯電極と略同一方向に延在したフローティング電極と、櫛歯電極端に設けられた突起部とにより、液晶が逆方向に回転する領域を効率よく、電極端近傍に閉じ込めることができ、かつ、フローティング電極を対向する電極の近傍まで近づけることができるため、液晶逆回転領域の外側のほぼすべての領域で正常な横電界を印加することができ、かつ液晶逆回転領域をより小さな領域まで押し込めることができるため、光利用効率を顕著に高めることができる。
【００３７】
本願発明により、ＩＰＳ（In Plane Switching）方式の液晶表示装置において、非常に高い光利用効率を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１（ａ）】本発明の第１の実施例からなる液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【図１（ｂ）】図１（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例からなる液晶表示装置の平面図を示す図１における画素電極の先端部分を中心とした主要部分である。
【図３】本発明の第１の実施例からなる液晶表示装置の平面図の主要部分を示す図２における液晶の動作を説明する図である。
【図４】特願２００８−１８８２４３を説明する図である。
【図５】本発明の第１の実施例の変形例を説明する図である。
【図６】本発明の第１の実施例の変形例を説明する図である。
【図７】本発明の第１の実施例の変形例を説明する図である。
【図８】本発明の第１の実施例の変形例を説明する図である。
【図９】本発明の第１の実施例の変形例を説明する図である。
【図１０】本発明の第１の実施例の変形例を説明する図である。
【図１１】本発明の第１の実施例の変形例を説明する図である。
【図１２】本発明の第２の実施例からなる液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【図１３】本発明の第２の実施例からなる液晶表示装置の平面図を示す図１２における画素電極の先端部分を中心とした主要部分である。
【図１４】本発明の第２の実施例からなる液晶表示装置の平面図の主要部分を示す図１３における液晶の動作を説明する図である。
【図１５】本発明の第３の実施例からなる液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【図１６】本発明の第４の実施例からなる液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【図１７】本発明の第５の実施例からなる液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【図１８】本発明の第６の実施例からなる液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【図１９】従来の一般的な横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成の一例を示す図である。（ａ）は一画素の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’の断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’断面図である。
【図２０】図１９に示す液晶表示装置の製造工程を示す要部平面図である。
【図２１】図１９に示す液晶表示装置の画素領域の上部側について、画素電極と共通電極との間に電圧を印加して液晶駆動電界を印加させたときの様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
特願２００８−１８８２４３で、ＩＰＳの櫛歯状電極の先端を二股に分岐させ、分岐した電極の中に、所定の方向とは異なる方向に液晶が回転する領域を閉じこめる技術が提案されている。図４に、この従来例の主要な考えを示してある。画素電極の櫛歯電極部分（この発明では第１の部分３と称する。）の先端は二股に分岐し、櫛歯の延在方向と異なる方向に突起部２６が設けられている。この突起部２６と共通電極の櫛歯電極部分（この発明では第１の部分４）との間には、突起部２６の下側の領域において、画素電極の第１の部分３と共通電極の第１の部分４との間に印加される電界１６によって液晶分子１５を回転させる方向と同じ方向（以下、順方向と記す。）に回転させるような、いわゆる順方向の電界２２が働く。
【００４０】
一方、画素電極の先端の二股部と共通電極の第１の部分４と共通電極の櫛歯電極を接続する第２の部分６とで囲まれた領域２７では、液晶を順方向とは逆の方向に回転させる電界２０が働き、画素電極の突起部２６と共通電極の第１の部分４との間に働く逆方向の電界により、この領域２７全体の液晶分子１５を逆方向に安定的に回転させることができる。また、領域２７の外側の領域では、液晶分子１５を順方向に回転させることができる。これにより、櫛歯電極の先端部で液晶を効率よく制御することができ、光利用効率を高めることができていた。
【００４１】
しかしながら、特願２００８−１８８２４３で開示された先行技術では、二股に分かれた部分で、逆回転領域を閉じ込め、これを積極的に用いることができるものの、二股に分かれた部分のうち、櫛歯電極と略平行に延在する部分が、これに対向する電極、図では共通電極と同層である場合には、プロセス制御の観点から、あまり近接することができない。通常のＬＣＤの設計ルールでは、５μｍ程度、高度に制御されたプロセスであっても２μｍ程度の距離を置く必要があるため、この分だけ、逆回転閉じ込め領域２７が大きくなってしまう。また、順方向電界は働くものの櫛歯電極先端部と対向する電極との距離が離間してしまい、電界が十分に印加されない領域１８が形成されてしまう。これらの要因により、光利用効率を落としてしまうという課題があった。
【００４２】
本発明では、画素電極と共通電極との間に印加する基板に略平行な横電界によりホモジニアス配向液晶を回転させて表示を行う横電界方式の液晶表示装置において、
前記画素電極と前記共通電極とは同一の層に形成されており、前記画素電極及び前記共通電極は、交互に略平行に延在する櫛歯状の第１の部分を有し、
前記画素電極もしくは前記共通電極のうちの一方の電極の第１の部分の終端部が、前記画素電極もしくは前記共通電極のうちの他方の電極の２本の第１の部分と当該２本の第１の部分を接続する第２の部分とで３方が囲まれた領域が一つ以上存在し、
少なくとも一つの前記領域には、
前記第１の部分の終端部に接続される突起部が存在し、前記突起部は、前記終端部を基点として、前記第１の部分の延在方向から液晶の配向方向へ鋭角回転により重なる方向に９０度以上１８０度未満回転させた方向に延在しており、
更に、前記第１の部分の終端部に絶縁膜を介してオーバーラップするフローティング電極が存在し、前記フローティング電極は、前記第１の部分の終端部よりも前記他方の電極の第２の部分に近づいた位置まで、前記第１の部分の延在方向と概ね同一方向に延在していることを特徴とする液晶表示装置により、この課題を解決している。
【００４３】
以下、具体的な実施例に沿って、その詳細を述べる。
【実施例１】
【００４４】
本願発明の第１の実施例について、図１（ａ）、（ｂ）、図２、図３を用いて説明する。図１（ａ）は本願発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図である。図２は、図１の画素の櫛歯電極（画素電極の第１の部分３）の上端部近傍の拡大図である。図３は、図２における液晶の動作を説明する図である。
【００４５】
図１（ａ）、（ｂ）に示す第１の実施例の画素を以下、作成順を追って、詳細に説明する。
【００４６】
まず、ガラス基板１００上に、第１の金属層（例えば、Ｃｒ、２５０ｎｍ）により、走査線１、共通信号配線１２、および逆回転閉じ込めフローティング電極７を形成する。
【００４７】
次に、ゲート絶縁膜１０１（例えば、ＳｉＮｘ、５００ｎｍ）、薄膜半導体層１３（例えば、ａ−Ｓｉ／ｎ−ａ−Ｓｉ、２００ｎｍ／５０ｎｍ）を形成し、薄膜半導体層１３を画素のスイッチング素子として設けるＴＦＴ部分のみを残して、パターニングする。さらに、第２の金属層（例えば、Ｃｒ、２５０ｎｍ）により、データ線２およびＴＦＴのソース・ドレイン電極３０および第２の金属層からなる画素電極部分３１を形成する。
【００４８】
次に、ＴＦＴのソース・ドレイン電極３０をマスクとして、ＴＦＴ部のｎ−ａ−Ｓｉを除去する。
【００４９】
次に、保護絶縁膜１０２（例えば、ＳｉＮｘ、６００ｎｍ）を形成し、画素電極を接続するスルーホール１４および共通電極を接続するスルーホール１１を形成する。
【００５０】
さらに、この上に、透明電極（例えば、ＩＴＯ、８０ｎｍ）により、画素電極の第１の部分３、画素電極の第２の部分５、共通電極の第１の部分４、共通電極の第２の部分６、データ線をシールドする共通電極の第１の部分８、画素電極の先端の突起部１０からなるパターンを形成する。
【００５１】
以上の方法により、ＴＦＴアレイを形成する。
【００５２】
カラーフィルタとしてＲＧＢの色層１０５およびオーバーコート層１０４が形成された対向ガラス基板１０７を準備する。カラーフィルタのオーバーコート層１０４上には、液晶層の厚さは３．５μｍとなるように柱状スペーサを設けた。
【００５３】
上記アレイを形成したＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板の両方に配向膜１０３を塗布焼成して、図１の液晶初期配向方向９の向きに両基板にラビング処理を行って、両基板を貼りあわせて、この中に液晶１０９を注入する。液晶１０９はΔｎ＝０．０８６、Δε＝９となる液晶材を用い、液晶初期配向方向９の向きにホモジニアス配向する。
【００５４】
さらに、液晶初期配向方向９の向きに一方の偏光軸を有する２枚の偏光板１０６をガラス基板１００、対向ガラス基板１０７の外側に貼る。これにより、液晶パネルは、液晶に電圧を印加しない状態で、良好な黒表示を得ることができた。
【００５５】
また、走査線１、データ線２を駆動させ、画素電極の第１の部分３と共通電極の第１の部分４との間に電圧を印加することにより、基板の略平行な電界１６を印加させることができ、これにより液晶分子１５を回転させて表示を制御することができる。
【００５６】
画素電極の第１の部分３、共通電極の第１の部分４とデータ線をシールドする共通電極の第１の部分８は、画素の中央付近で屈曲する形になっている。画素電極の第１の部分３の上半分は、液晶初期配向方向９に対して時計回りにθ、下半分は−θだけ傾いている。これにより、画素電極の第１の部分３と共通電極の第１の部分４との間に、画素の図で上半分では、水平方向（走査線１の延在方向）から時計回りにθ回転した方向の電界が印加され、画素の図で下半分では、水平方向から−θ回転した方向の電界が印加されることとなる。本実施例では、θ＝１５°とした。
【００５７】
これらの電界により、画素の上下で、液晶分子１５は互いに逆方向に回転することになるので、これらが互いに光学的に補償しあうことにより、階調反転や色つきのない広い視野角特性を得ることができる。
【００５８】
共通電極の第２の部分６は、共通電極の第１の部分４とデータ線をシールドする共通電極の第１の部分８とを接続し、スルーホールを介して、共通信号配線１２に接続させている。また、共通電極の第２の部分６は、走査線１をシールドするように覆っている。これにより、走査線１からの電界の影響を受けることがなく、画素の有効表示領域を広くとることができる。
【００５９】
データ線をシールドする共通電極の第１の部分８は、データ線の電界をシールドして、表示部に影響を及ぼさないようにすると同時に、共通電極の第１の部分４と等価の役割、すなわち、画素電極の第１の部分３との間の横電界を印加する機能も果たしている。
【００６０】
図２及び図３を用いて、本発明に関わる主要部分の説明を行う。
【００６１】
画素電極の第１の部分３の上側の端部には、端部を基点として、画素電極の第１の部分３の延在方向から、液晶初期配向方向９に鋭角回転する方向で（すなわち、第１の部分３の端部から基部に向かう方向（図の斜め左下方向）が液晶初期配向方向９に鋭角回転により重なる方向に）９０度以上、１８０度未満の角度回転させた方向に、突起部１０を形成する。この場合は、光利用効率が最も高くなるように、この突起部１０を水平方向（走査線の延在方向）と同一方向、すなわち、画素電極の第１の部分３からの回転角としてはθ＋９０°の方向に延在させた。
【００６２】
画素電極の先端の突起部１０は、共通電極の第１の部分４に可能な限り近接させることが望ましい。この実施例では、画素電極の第１の部分３と共通電極の第１の部分４の水平方向の間隔を１０μｍとしており、画素電極と共通電極とは、露光等の製造プロセスの制約上６μｍ離す必要があるため、突起部１０は、画素電極の第１の部分の先端から、４μｍ延在させることとした。
【００６３】
前記突起部１０を延在させる長さは、経験的に少なくとも２μｍ以上、望ましくは４μｍ以上であることが望ましいことがわかった。これにより、突起部１０の図で上側の逆回転閉じ込め領域２８における逆方向電界２０と、突起部１０の図で下側の領域における順方向電界２２とを十分に強く形成することができ、液晶の配向を安定にできる。
【００６４】
なお、画素電極と共通電極との間の電極間隔が狭い場合には、図５のように、共通電極の第１の部分４を変形することにより、突起部１０の長さを確保することができる。
【００６５】
さらに、画素電極の第１の部分３の延在方向に延在させた逆回転閉じ込めフローティング電極７が形成されている。逆回転閉じ込めフローティング電極７は、第１の金属層で形成されており、画素電極の第１の部分３と、ゲート絶縁膜１０１および保護絶縁膜１０２を介して、容量結合している。
【００６６】
逆回転閉じ込めフローティング電極７は、画素電極の第１の部分３の終端部よりも、共通電極の第２の部分６に、より近接した位置まで近づけることができる。この逆回転閉じ込めフローティング電極７は、共通電極の第２の部分６に、重ならないことが望ましい。これにより、逆回転閉じ込めフローティング電極７は、画素電極とのみ主要な容量を有し、共通電極とは重ならないため、共通電極との間にはわずかな容量しか有さないことになり、容量結合の大小関係により、ほぼ画素電極と等電位とすることができる。
【００６７】
これにより、図３において、前記逆回転閉じ込めフローティング電極７と画素電極の先端の突起部１０とが画素電極の電位を有し、これと対向する共通電極の第１の部分４と第２の部分６とで囲まれた領域は、液晶を図で時計回りの方向に回転させる電界２０となっており、このドメインを逆回転閉じ込め領域２８とすることができる。
【００６８】
一方、逆回転閉じ込め領域２８の境界の外側で、突起部１０の図で下側に相当する領域は、突起部１０と共通電極の第１の部分４との間に強い電界２２が働く。画素電極の第１の部分（櫛歯電極部分）３と共通電極の第１の部分（櫛歯電極部分）４との間の望ましい電界１６によって液晶に引き起こされる回転方向（順方向という。この図では反時計回り）と、この強い電界２２に引き起こされる液晶の回転方向は一致するため、突起部１０の下側の領域では液晶分子１５は、乱れなく順方向に回転させることができる。
【００６９】
また、逆回転閉じ込めフローティング電極７の図で左側に相当する部分では、該電極７が画素電極の電位とほぼ等しくなっているため、データ線２をシールドする共通電極の第１の部分８および共通電極の第２の部分６との間に、液晶分子１５を順方向に回転する有効な電界２３を共通電極の第２の部分６のエッジのところまで効率よく印加することができる。
【００７０】
以上のことにより、逆回転閉じ込め領域２８の図で下側と左側の領域で、ほぼ理想どおりの順方向回転を引き起こすことができ、光利用効率を高くできる。
【００７１】
また、図１９〜２１に示す従来技術で問題となったような、逆回転ドメインと通常ドメインとの間に発生する暗い領域（境界ドメイン）が大きくなったり、その位置が不安定になったりする現象は、完全に抑制できることが確認できた。このため、表示面に指押し等の外圧が加わった場合でも、逆回転閉じ込め領域は安定しているため、外圧を開放した後の指押し痕等は全く発生しない構造が得られた。
【００７２】
また、画素電極と共通電極とは同一の層で形成しており、画素電極の第１の部分３と共通電極の第１の部分４とを、ともに透明導電膜で形成することにより、両電極上を通過する光を利用することができ、光利用効率の点でメリットがある。画素電極と共通電極とを同一層で形成することにより、この透明導電層の形成を１回で済ませることができ、製造上工程が簡略化される。
【００７３】
一方で、画素電極と共通電極を同層で形成するため、画素電極の第１の部分３の終端部は、共通電極の第２の部分６と一定距離以上離す必要がある。この実施例においては、両者はＩＴＯで形成してあり、６μｍ離すように形成されている。
【００７４】
この点に関し、図４に示す特願２００８−１８８２４３で提案された技術では、この６μｍに加えて、二股に分かれる電極の櫛歯の延在方向に略平行に伸びる部分の長さ（略電極間隔と同等）が必要であるため、二股の分岐点は共通電極の接続部分（第２の部分）から１０〜１６μｍ程度離れることになる。このため、逆回転閉じ込め領域２７の面積が大きくなってしまう。この逆回転閉じ込め領域２７は、液晶分子１５の回転を利用して、光を利用することができるものの、順方向の電界が印加される領域の下側と左側の領域に比べて、電界のかかり方が非効率的であるため、やや透過率が落ちる。
【００７５】
また、図４の上方に伸びる二股電極の左上方に形成される領域１８では、電極の終端部から離れてしまうため、電界２１が弱く液晶が十分に回転せず、光透過率を大きくすることができない。
【００７６】
これに対して、本発明を適用した実施例１の場合は、画素電極の第１の部分３の終端部は共通電極の第２の部分６から６μｍ離すのみでよく、逆回転閉じ込め領域２８をよりコンパクトにすることができる。したがって、順方向に回転する突起部１０の下側の正常ドメインの面積をより広くとることができる。
【００７７】
また、画素電極とほぼ等電位となる逆回転閉じ込めフローティング電極７は、共通電極の第２の部分６の極近傍まで近接することができるため、データ線２をシールドする共通電極の第１の部分８および共通電極の第２の部分６との間に、液晶分子１５を順方向に回転する有効な電界２３を共通電極の第２の部分６のエッジのところまで効率よく印加することができるため、特願２００８−１８８２４３の場合のように領域１８のようなところがなく逆回転閉じ込め領域の外側の光利用効率を高めることができる。
【００７８】
以上により、本発明の実施例１では、特願２００８−１８８２４３と比較しても良好な光利用効率が得られる。
【００７９】
実施例１においては、逆回転閉じ込めフローティング電極７は、画素電極の第１の部分３に延在するように、線状に形成されているが、必ずしも線状である必要はなく、図６に示すように、画素電極の突起部１０に沿って、逆回転閉じ込めフローティング電極７にも突起を形成してもよい。
【００８０】
さらに、逆回転閉じ込めフローティング電極７の突起は、図７に示すように、画素電極の突起部１０に沿って延在させて、突起部を超えて、共通電極の第１の部分４にさらに近づけることも可能である。この場合、第１の金属層で形成した逆回転閉じ込めフローティング電極７の段差がラビング方向と垂直に当たるため、配向制御がより困難になるものの、電界の制御はより安定となる利点がある。
【００８１】
また、実施例１においては、逆回転閉じ込めフローティング電極７は、共通電極の第２の部分６と重ならないように形成したが、図８のように、目ずれ等のマージンを考慮して、多少オーバーラップさせる構造としてもよい。この場合は、逆回転閉じ込めフローティング電極７が、画素電極の電位とほぼ等しくなるように、逆回転閉じ込めフローティング電極７と共通電極の第２の部分６との重なり面積は、画素電極との重なり面積に比べて十分小さいことが望ましい。
【００８２】
さらに、実施例１においては、逆回転閉じ込めフローティング電極７は、直線状に画素電極の第１の部分３の延在方向に沿って形成したが、図９のように、逆回転閉じ込めフローティング電極７を端部で屈曲させたり、延在部分を画素電極の第１の部分３の延在方向とはやや異なる方向にしてもよい。その場合でも、逆回転閉じ込め領域２８を安定に形成し、その外側の順方向回転領域をきちんと形成できる。ただし、光利用効率を最大化できるのは、画素電極の第１の部分３に沿った方向に延在させた場合であり、そこから外れる場合でも、液晶初期配向方向９と画素電極の第１の部分３の延在方向とのなす角θに対して、±２θ以内であることが望ましい。これにより、逆回転閉じ込め領域２８を安定に閉じ込めることができる。
【００８３】
さらに、実施例１においては、画素電極の第１の部分３と、画素電極の第１の部分の先端の突起部１０とは折れ線状に屈曲させた形状としたが、図１０のように、曲線状に屈曲させてもよい。この場合でも逆回転閉じ込め領域２８の閉じ込めには、影響はない。
【００８４】
さらに、実施例１においては、画素電極の第１の部分の先端の突起部１０より共通電極の第２の部分６に近づいた位置まで、画素電極の第１の部分３を延在させていないが、図１１のように、画素電極の第１の部分３を、画素電極を逆回転閉じ込めフローティング電極７に沿って、わずかに出っ張らせるような構造をとることも可能である。
【００８５】
また、実施例１においては、画素電極の第１の部分３が、共通電極の第１の部分４および共通電極の第２の部分６とで３方を囲まれる領域において、画素電極の第１の部分の先端の突起部１０と、逆回転閉じ込めフローティング電極７とにより、逆回転閉じ込め領域２８を閉じ込める例について、説明したが、同じようなことを共通電極の第１の部分の先端部が、画素電極によって、三方を囲まれている箇所で実施することもできる。
【実施例２】
【００８６】
本願発明の第２の実施例について、図１２、１３、１４を用いて説明する。図１２は、本願発明の第２の実施例に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。図１３は、図１２の画素の櫛歯電極（画素電極の第１の部分３）の上端部近傍の拡大図である。図１４は、図１３における液晶の動作を説明する図である。
【００８７】
図１２に示す本願の第２の実施例の画素は、第１の実施例と同じ手順によって作成される。第１の実施例では、画素電極の第１の部分３、共通電極の第１の部分４、およびデータ線をシールドする共通電極の第１の部分８は、画素の中央部で屈曲しているのに対して、実施例２では、画素電極の第１の部分３、共通電極の第１の部分４、およびデータ線をシールドする共通電極の第１の部分８は、屈曲させず、直線状に形成してある。
【００８８】
液晶初期配向方向９は、画素電極の第１の部分３の延在方向から反時計周りに１５°回転させた方向とし、この方向にホモジニアス配向させてある。
【００８９】
図１３を用いて、本発明に関わる主要部分の説明を行う。
【００９０】
画素電極の第１の部分３の上側の端部には、端部を基点として、画素電極の第１の部分３の延在方向から、液晶初期配向方向９に鋭角回転する方向で（すなわち、第１の部分３の端部から基部に向かう方向（図の下方向）が液晶初期配向方向９に鋭角回転により重なる方向に）９０度以上、１８０度未満の角度回転させた方向に、画素電極の先端の突起部１０を形成する。この場合は、光利用効率が最も高くなるように、この突起部１０を水平方向（走査線の延在方向）と同一方向、すなわち、画素電極の第１の部分３からの回転角としては９０°の方向に延在させた。
【００９１】
さらに、画素電極の第１の部分３の延在方向に延在させた逆回転閉じ込めフローティング電極７が形成されている。逆回転閉じ込めフローティング電極７は、第１の金属層で形成されており、画素電極の第１の部分３とゲート絶縁膜１０１および保護絶縁膜１０２を介して、容量結合している。
【００９２】
逆回転閉じ込めフローティング電極７は、画素電極の第１の部分３の端部よりも共通電極の第２の部分６により近接した位置まで近づける。この逆回転閉じ込めフローティング電極７は、共通電極の第２の部分６に重ならないことが望ましい。これにより、逆回転閉じ込めフローティング電極７は、画素電極とのみ主要な容量を有し、共通電極とは重ならないため、共通電極とはわずかな容量しか有さないことになり、ほぼ画素電極と等電位とすることができる。
【００９３】
このようにすることにより、図１４のように、前記逆回転閉じ込めフローティング電極７と画素電極の先端の突起部１０とが画素電極の電位を有し、これと対向する共通電極の第１の部分４と共通電極の第２の部分６とで囲まれた領域は、液晶を図で時計回りの方向に回転させる電界となっており、このドメインを逆回転閉じ込め領域２８とすることができる。
【００９４】
一方、逆回転閉じ込め領域２８の境界の外側で、突起部１０の図で下側に相当する領域は、突起部１０と共通電極の第１の部分４との間に強い電界２２が働く。画素電極の第１の部分（櫛歯電極部分）３と共通電極の第１の部分（櫛歯電極部分）４との間の望ましい電界１６によって液晶に引き起こされる回転方向（順方向という。この図では反時計回り）と、この強い電界２２に引き起こされる液晶の回転方向は一致するため、突起部１０の下側の領域では液晶分子１５は順方向にきれいに配向することとなる。
【００９５】
また、逆回転閉じ込めフローティング電極７の図で左側に相当する部分では、該電極７が画素電極の電位をほぼ等しくなっているため、データ線をシールドする共通電極の第１の部分８および共通電極の第２の部分６との間に、液晶分子１５を順方向に回転する有効な電界２３を共通電極の第２の部分６のエッジのところまで効率よく印加することができる。
【００９６】
以上のことにより、逆回転閉じ込め領域２８の図で下側と左側の領域をほぼ理想どおりの順方向回転を引き起こすことができ、光利用効率を高くできる。
【００９７】
また、図１９〜２１に示す従来技術で問題となったような、逆回転ドメインと通常ドメインとの間に発生する暗い領域（境界ドメイン）が大きくなったり、その位置が不安定になったりする現象は、完全に抑制できることが確認できた。このため、表示面に指押し等の外圧が加わった場合でも、逆回転閉じ込め領域は安定しているため、外圧を開放した後の指押し痕等は全く発生しない構造が得られた。
【００９８】
以上のとおり、本発明を適用した実施例２では、配向が安定し、かつ高い光利用効率を得ることができた。
【実施例３】
【００９９】
本願発明の第３の実施例について、図１５を用いて説明する。図１５は本願発明の第３の実施例に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【０１００】
実施例３の実施例１からの差異は、画素電極の第１の部分３、共通電極の第１の部分４およびデータ線をシールドする共通電極の第１の部分８の屈曲部において、これらとオーバーラップして、容量結合するようにフローティングのドメイン安定化電極２５を形成してある点である。これにより、画素の上下で液晶の回転方向が分割される状態が、さらに安定し、画素電極の第１の部分３の終端部で形成した逆回転閉じ込め構造がより安定に機能する。
【実施例４】
【０１０１】
本願発明の第４の実施例について、図１６を用いて説明する。図１６は本願発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【０１０２】
実施例４の実施例１からの差異は、共通電極を接続するスルーホール１１をなくした点である。このようにすることにより、第２の金属層からなる画素電極部分３１をより広くとることができ、また、スルーホール１１形成に必要な面積を開口部にまわすことができるため、さらに光利用効率を高めることができる。
【実施例５】
【０１０３】
本願発明の第５の実施例について、図１７を用いて説明する。図１７は本願発明の第５の実施例に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【０１０４】
実施例５の実施例４からの差異は、画素に隣接する２本の走査線１のうち、スイッチを行う走査線でない方の走査線と重畳するように第２の金属層からなるゲートストレージ形成用画素電極部分３２を形成し、画素電極を接続する第２のスルーホール３３を形成して、画素電極の第１の部分３を介して、第２の金属層からなる画素電極部分３１に接続してある点である。また、この接続部分を形成するために、共通電極の第２の部分６は、走査線１をすべて覆うのではなく、画素電極を接続する第２のスルーホール３３およびこれを接続するＩＴＯ画素電極の部分をえぐるように形成されている。
【０１０５】
第２の金属層からなるゲートストレージ形成用画素電極部分３２と走査線１との間には、ゲート絶縁膜を介して蓄積容量（ゲートストレージ）が形成されている。さらに、第２の金属層からなるゲートストレージ形成用画素電極部分３２は、この上に形成されている共通電極の第２の部分６との間にも容量が形成されている。これにより、第２の金属層からなる画素電極部分３１と共通信号配線１２との間で形成する蓄積容量は小さくすることができるため、この部分の面積を小さくすることができる。これにより、表示領域の面積をさらに広げることが可能になる。
【実施例６】
【０１０６】
本願発明の第６の実施例について、図１８を用いて説明する。図１８は本願発明の第６の実施例に係る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。
【０１０７】
実施例６の実施例５からの差異は、共通電極の第２の部分６が、第２の金属層からなるゲートストレージ形成用画素電極部分３２と重なる部分ができるだけ減るように、さらにパターンをえぐってあるところである。
【０１０８】
実施例５、６のように、画素内にコンタクトホール電極を形成しない場合、表示部の外側の配線引き出し部等の表示装置の４辺に形成された共通電極のバスラインから画素内のＩＴＯ電極で形成された縦横に接続したネットワークのみで各画素のＩＴＯの共通電極電位を供給する必要がある。ＩＴＯ電極は一般に第１、第２の金属層に用いるＣｒ等の配線金属等に比べて抵抗が高いため、データ線とのカップリング等による遅延によりＩＴＯの共通電極電位は、書き込み終了時に所定の共通電極の電位に到達しない場合がありえる。
【０１０９】
この場合、一画素内での、画素電極とＩＴＯ共通電極との間で形成される容量をＣ１、画素電極と走査線１との間の容量と画素電極と共通信号配線１２との間の容量の和をＣ２とした場合、当該画素の書き込み終了時点でのＩＴＯ共通電極電位の所定の共通電極電位からのずれをΔＶf、書き込み終了から１フレーム内での画素電極と共通電極との間の実効電圧の時間平均の遅延がない場合の理想的な実効電圧とのずれをΔＶeffとの間には、
ΔＶeff  ＝  ΔＶf・Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２）
の関係があることが検討の結果、判明した。
【０１１０】
いくつかの検討の結果、Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２）＜１／５であれば、ほぼＩＴＯの遅延の影響は表示上問題ないレベルとなり、Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２）＜１／３であれば、実用上はほぼ問題ないレベルとなることが判明した。
【０１１１】
上記の事実を踏まえて、実施例６の実施例５からの差異は、共通電極の第２の部分６が、第２の金属層からなるゲートストレージ形成用画素電極部分３２と重なる部分ができるだけ減るように、さらにパターンをえぐってあり、Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２）＝１／４とした。
【０１１２】
これにより、ＩＴＯの抵抗に起因する遅延の影響をほぼ実用的に問題ないレベルまで抑えることができた。
【０１１３】
なお、本発明は上記実施例の記載に限定されるものではなく、櫛歯電極の先端部に、櫛歯電極の延在方向に対して屈曲する突起部と、櫛歯電極の延在方向に延在する逆回転閉じ込めフローティング電極とを備える限りにおいて、その構成や配置、形状等は適宜変更可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１１４】
本願発明は、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及び該液晶表示装置を表示装置として利用する任意の機器に利用可能である。
【符号の説明】
【０１１５】
１  走査線
２  データ線
３  画素電極の第１の部分
４  共通電極の第１の部分
５  画素電極の第２の部分
６  共通電極の第２の部分
７  逆回転閉じ込めフローティング電極
８  データ線をシールドする共通電極の第１の部分
９  液晶初期配向方向
１０  突起部
１１  共通電極を接続するスルーホール
１２  共通信号配線
１３  薄膜半導体層
１４  画素電極を接続するスルーホール
１５  液晶分子
１６  電界（画素電極の第１の部分と共通電極の第１の部分との間に印加される電界）
１８  透過率が落ちる領域
２０  電界（液晶を逆方向に回転させる電界）
２１  電界（液晶を順方向に回転させる電界）
２２  電界（画素電極の突起部と共通電極の第１の部分との間に形成される電界）
２３  電界（逆回転閉じ込めフローティング電極と共通電極の第１の部分及び第２の部分との間に形成される電界）
２４  画素電極の第１の部分の延在方向
２５  ドメイン安定化電極
２６  従来例における分岐による突起部
２７  従来例における逆回転閉じ込め領域
２８  逆回転閉じ込め領域
３０  ソース・ドレイン電極
３１  第２の金属層からなる画素電極部分
３２  第２の金属層からなるゲートストレージ形成用画素電極部分
３３  画素電極を接続する第２のスルーホール
１００  ガラス基板
１０１  ゲート絶縁膜
１０２  保護絶縁膜
１０３  配向膜
１０４  オーバーコート膜
１０５  色層
１０６、１０９  偏光板
１０７  対向ガラス基板
１０８  裏面ＩＴＯ
１１１，１１２  基板
１２０  液晶
１２１  液晶分子
１３１，１３２  配向膜
１４１  ドレイン端子
１４２  ソース端子
１４３  半導体膜
１４５  薄膜トランジスタ
１５３  共通バスライン
１５５  ゲートバスライン
１５６  ドレインバスライン
１５７  層間絶縁膜
１５９  保護絶縁膜
１６０  有機層間膜
１６１，１６２  コンタクトホール
１７１  画素電極
１７２  共通電極
【図１（ａ）】
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【図１（ｂ）】
2011150021.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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