(57)【要約】【課題】本発明は、基板への実装面積を低減でき、かつ、基板レイアウト変更などに柔軟に対応できる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】第一チップと、該第一チップと回路構成の異なる第二チップと、該第一チップと該第二チップを覆うモールドパッケージと、該第一チップと接続され該モールドパッケージの外部に伸びる第一端子と、該第二チップと接続され該モールドパッケージの外部に伸びる第二端子と、該モールドパッケージに該第一チップと該第二チップを分割可能なように形成された切断溝または切断孔とを備える。【選択図】図１
2011049482.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一チップと、
前記第一チップと回路構成の異なる第二チップと、
前記第一チップと前記第二チップを覆うモールドパッケージと、
前記第一チップと接続され前記モールドパッケージの外部に伸びる第一端子と、
前記第二チップと接続され前記モールドパッケージの外部に伸びる第二端子と、
前記モールドパッケージに前記第一チップと前記第二チップを分割可能なように形成された切断溝または切断孔とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
７セグメントＬＥＤを更に備え、
前記第一チップは前記第一端子を介して前記７セグメントＬＥＤのアノードと接続され、
前記第二チップは前記第二端子を介して前記７セグメントＬＥＤのカソードと接続されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
複数の７セグメントＬＥＤと、
複数の前記第一端子と、
複数の前記第二チップと、
前記モールドパッケージに前記複数の第二チップ間を分割可能なように形成された切断溝または切断孔とを更に備え、
前記複数の第一端子はそれぞれ前記複数の７セグメントＬＥＤのアノードと接続され、
前記複数の第二チップは前記第二端子を介して前記複数の７セグメントＬＥＤのカソードと接続され、
前記複数の７セグメントＬＥＤは前記第一チップからの信号によりダイナミック点灯制御されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体チップがモールド樹脂で封止された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップは、電気的に絶縁され、かつ水分や異物から保護されるためにモールドパッケージで覆われる。モールドパッケージは周知技術であるトランスファーモールド法により成形されることが多い。さらに、半導体チップをモールド樹脂の外部と接続するために端子が用いられる。端子の一部はモールドパッケージ内部で半導体チップと接続され、他の部分でモールドパッケージから露出する。そして、端子がプリント基板などの基板に固定され、半導体チップと基板は電気的に接続される。
【０００３】
たとえば、特許文献１には複数の同一種類の半導体チップがモールドパッケージに封止される構成が開示される。そして、モールドパッケージには半導体チップを分割可能なように切断溝が形成される。これにより、半導体装置が必要とする半導体チップのみが残るように切断溝に沿ったモールドパッケージの分割が可能である。よって、必要な半導体チップのみを有する半導体装置を製造できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２９９９６４号公報
【特許文献２】特開平０６−１９６５９１号公報
【特許文献３】実開平０３−０８５６５１号公報
【特許文献４】特開平０８−０１７９８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の構成であれば、モールドパッケージを切断溝に沿って分割可能である。よって必要最小限のモールドパッケージで半導体装置を製造できる。前述の通り、特許文献１に記載のモールドパッケージ内には同一種類の半導体チップが複数配置される。従って種類の異なる半導体チップは別個のモールドパッケージで提供される。そのため、種類の異なる複数の半導体チップを基板へ実装する場合には、部品点数が増加し基板の実装面積を低減できない問題があった。
【０００６】
一方、ひとつのモールドパッケージに異種の半導体チップを封止した場合には、モールドパッケージが大型化する。そのため、基板レイアウト変更などの場合にはそのような大型なモールドパッケージを基板へ実装できない場合がある。その結果、新たなモールドパッケージを採用しなければならない。そして、当該新たなモールドパッケージの調達および評価が必要となる問題があった。
【０００７】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、基板への実装面積低減ができ、かつ、基板レイアウト変更などに柔軟に対応できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願の発明にかかる半導体装置は、第一チップと、該第一チップと回路構成の異なる第二チップと、該第一チップと該第二チップを覆うモールドパッケージと、該第一チップと接続され該モールドパッケージの外部に伸びる第一端子と、該第二チップと接続され該モールドパッケージの外部に伸びる第二端子と、該モールドパッケージに該第一チップと該第二チップを分割可能なように形成された切断溝または切断孔とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によればモールドパッケージの実装面積を低減でき、かつ、基板レイアウト変更などに柔軟に対応できる半導体装置を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１の半導体装置の平面図である。
【図２】モールドパッケージの外観斜視図である。
【図３】ソース側チップとシンク側チップの一部を説明する回路図である。
【図４】ソース側パッケージとシンク側パッケージを分割配置した構成を説明する図である。
【図５】３桁構成の半導体装置を説明する図である。
【図６】ソース側チップとシンク側チップの一部を説明する回路図である。
【図７】ソース側パッケージとシンク側パッケージを分割配置した構成を説明する図である。
【図８】実施の形態２の半導体装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施の形態１
本実施形態は図１−７を参照して説明する。なお、同一材料または同一、対応する構成要素には同一の符号を付して複数回の説明を省略する場合がある。他の実施形態でも同様である。
【００１２】
図１は本実施形態の半導体装置の平面図である。図１に示す半導体装置は基板６０に実装された７セグメントＬＥＤ４２を制御する半導体装置である。７セグメントＬＥＤ４２は第１ダイオード５１、第２ダイオード５２、第３ダイオード５３、第４ダイオード５４、第５ダイオード５５、第６ダイオード５６、第７ダイオード５７を備える。そして、基板６０には、前述の７セグメントＬＥＤ４２を制御するためのマイコン４０が実装される。また、基板６０にはさらにモールドパッケージ１０で樹脂封止されたソース側チップ３２とシンク側チップ３４が実装される。ソース側チップ３２とシンク側チップ３４はモールドパッケージ１０で覆われるため破線で記載されている。
【００１３】
詳細は後述するが、ソース側チップ３２は７セグメントＬＥＤ４２のアノードに接続される。一方シンク側チップ３４は７セグメントＬＥＤ４２のカソードに接続される。このように、図１の半導体装置はマイコン４０からの信号がソース側チップ３２およびシンク側チップ３４を経由して７セグメントＬＥＤ４２へ伝送される構成である。
【００１４】
以後、モールドパッケージ１０に覆われた部分とその周辺について説明する。モールドパッケージ１０はソース側チップ３２とシンク側チップ３４を一体的に樹脂封止する。
【００１５】
ソース側チップ３２はモールドパッケージ１０内部で桁信号入力端子１６と接続される。桁信号入力端子１６はモールドパッケージ１０の外部に伸び、マイコン４０と接続される。さらにソース側チップ３２はモールドパッケージ１０内部で桁信号出力端子１８と接続される。桁信号出力端子１８はモールドパッケージ１０の外部に伸び、７セグメントＬＥＤ４２のアノードと接続される。さらにソース側チップ３２にはＧＮＤ電位を与えるＧＮＤ端子２０と電源と接続される電源端子２２が接続される。
【００１６】
シンク側チップ３４はモールドパッケージ１０内部で７本のセグメント信号入力端子２４と接続される。セグメント信号入力端子２４はモールドパッケージ１０の外部に伸び、マイコン４０と接続される。さらにシンク側チップ３４はモールドパッケージ１０内部で７本のセグメント信号出力端子２６と接続される。セグメント信号出力端子２６はモールドパッケージ１０の外部に伸び、７セグメントＬＥＤ４２を構成するダイオード５１−５７のカソードに接続される。さらにシンク側チップ３４にはＧＮＤ電位を与えるＧＮＤ端子２８が接続される。
【００１７】
ここで本実施形態のモールドパッケージ１０はソース側パッケージ１２とシンク側パッケージ１１に分類される。ソース側パッケージ１２はソース側チップ３２とそれに接続される端子を覆う。シンク側パッケージ１１はシンク側チップ３４とそれに接続される端子を覆う。ソース側パッケージ１２とシンク側パッケージ１１の境界には両者を分割可能なように切断溝１４が形成される。すなわち、モールドパッケージ１０の外観斜視図である図２から把握できるように、切断溝１４はモールド樹脂が薄い部分である。
【００１８】
図３は上述したソース側チップ１２とシンク側チップ１１の回路図の一部を説明する図である。７セグメントＬＥＤ４２を構成するＬＥＤ５１−５７は、トランジスタアレイを使用したダイナミック点灯制御の対象となる。すなわち、７セグメントＬＥＤ４２は桁信号出力端子１８からの信号によりデューティ（点灯／消灯）が定められる。またセグメント信号出力端子２６からの信号により点灯させるＬＥＤが定められる。本実施形態の半導体装置は上述の構成である。
【００１９】
本実施形態によれば、７セグメントＬＥＤの駆動に必要なソース側チップ１２とシンク側チップ１１を１パッケージに集約できる。よって実装面積の低減による半導体装置の小型化ができる。また、部品点数を低減できるため半導体装置の実装を容易化できる。
【００２０】
また、本実施形態のモールドパッケージ１０はソース側チップ３２とシンク側チップ３４を、切断溝１４を利用して分割できる。よって、基板レイアウト変更によりモールドパッケージ１０のままでは基板に実装できなくなった場合でも、モールドパッケージ１０を分割して基板に実装できる。ソース側パッケージ１２とシンク側パッケージ１１を離間して配置した例は図４に示す。
【００２１】
ここで、モールドパッケージ１０を分割して基板レイアウト変更に対応した場合でもソース側チップ３２、シンク側チップ３４には何ら変更がない。よって基板レイアウト変更前後で、同一のモールドパッケージ１０の使用を継続できる。そのため、調達の変更を要せず部品管理が簡略化できる。また、半導体装置の新たな試験・評価、電気的な設計変更を必要としない。
【００２２】
このように、本実施形態の構成によれば次期モデル開発などに伴う基板レイアウト変更に柔軟かつ迅速に対応できる。
【００２３】
図５−７を参照して本実施形態の変形例について説明する。図５は７セグメントＬＥＤ１００、１０２、１０４を備える３桁構成の半導体装置を説明する図である。桁信号入力端子１２６、１３０、１３６から入力された信号が桁信号出力端子１２８、１３４、１３８により７セグメントＬＥＤ１００、１０２、１０４へ伝送されダイナミック点灯制御が行われる。ソース側パッケージ１１２とシンク側パッケージ１１１の間には切断溝１４０が形成されている。切断溝１４０に沿った切断により基板レイアウト変更に対応することは上述の通りである。図６にはソース側チップ１２２とシンク側チップ１２０の回路構成例が記載される。図７にはソース側パッケージ１１２とシンク側パッケージ１１１とが離間した配置例が記載される。このように複数の７セグメントＬＥＤを有する半導体装置でも本発明の効果を得ることができる。
【００２４】
ところで、本実施形態ではモールドパッケージ１０に切断溝１４が形成されるが本発明はこれに限定されない。たとえば、ソース側パッケージ１２とシンク側パッケージ１１の境界に切断孔が形成されていてもモールドパッケージを分割可能である。よって本発明の効果を得ることができる。
【００２５】
また、７セグメントＬＥＤは基板表面に実装され、モールドパッケージ１０は基板裏面に実装されることとしてもよい。
【００２６】
実施の形態２
本実施形態は図８を参照して説明する。図８は７セグメントＬＥＤ２００、２０２、２０４、２０６を備える４桁構成の半導体装置を説明する図である。７セグメントＬＥＤ２００、２０２を構成するＬＥＤはシンク側パッケージ２１２に覆われたシンク側チップ２２２により制御される。また、７セグメントＬＥＤ２０４、２０６を構成するＬＥＤはシンク側パッケージ２１４に覆われたシンク側チップ２２４により制御される。
【００２７】
ソース側パッケージ２１０に覆われたソース側チップ２２０には桁信号出力端子２４０、２４２が接続される。桁信号出力端子２４０は７セグメントＬＥＤ２０２、２０６と接続され、桁信号出力端子２４２は７セグメントＬＥＤ２００、２０４と接続される。よって、ダイナミック点灯制御を行う場合に、７セグメントＬＥＤ２０２、２０６は同時に点灯する。また、７セグメントＬＥＤ２００、２０４は同時に点灯する。よって、７セグメントＬＥＤ２００、２０２、２０４、２０６を一つずつ点灯させた場合と比較して各７セグメントＬＥＤの点灯時間を長くできる。これにより７セグメントＬＥＤの輝度を向上できる。
【００２８】
また、図８に記載の通り、ソース側パッケージ２１０とシンク側パッケージ２１２の境界に切断溝２１６が形成される。また、シンク側パッケージ２１２とシンク側パッケージ２１４の境界にも切断溝２１８が形成される。そのため、一体的に形成されたモールドパッケージでは実装できない場合でも切断溝２１６、２１８に沿った分割を行うことで基板レイアウト変更に柔軟かつ迅速に対応できる。
【００２９】
本実施形態では７セグメントＬＥＤを４つ備える構成としたが更に７セグメントＬＥＤの数を増加させた場合にも本発明が有効である。ここで、７セグメントＬＥＤの桁数が多くなれば各ＬＥＤの点灯時間が短縮されＬＥＤの輝度が低下する。しかしながら、本実施形態のようにシンク側チップの数を増加させると、同時点灯できる７セグメントＬＥＤの数を増加させることができる。よって７セグメントＬＥＤの数（桁数）を増加させても十分な輝度を確保したダイナミック点灯制御が可能である。その他実施形態１相当の変形をなし得る。
【符号の説明】
【００３０】
１０  モールドパッケージ、  １１  シンク側パッケージ、  １２  ソース側パッケージ、  １４  切断溝、  １６  桁信号入力端子、  １８  桁信号出力端子、  ２４  セグメント信号入力端子、  ２６  セグメント信号出力端子、  ４２  ７セグメントＬＥＤ、  ６０  基板  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2011049482.tif 000007
【図６】
2011049482.tif 000008
【図７】
2011049482.tif 000009
【図８】
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