(57)【要約】【課題】２種の絶縁封止材を用いる場合に、境界領域に絶縁破壊が生じるおそれがない絶縁封止電子部品を提供する。【解決手段】絶縁封止電子部品１００は、第１の端子リード１１と第２の端子リード１２を有する電子部品１と、電子部品１を収納するケース２と、電子部品１を埋め込む絶縁性の第１の絶縁封止材３と、電子部品１が埋め込まれた第１の絶縁封止材３をケース２と協働して封じ込める絶縁性の第２の絶縁封止材４と、第１の絶縁封止材３に埋め込まれた導電性の第１のシールド材５と、第２の絶縁封止材４に埋め込まれ境界領域３０を挟んで第１のシールド材５と対向して配置された導電性の第２のシールド材６とを備え、第１の端子リード１１と第１のシールド材５と第２のシールド材６は電気的に接続され、第１の絶縁封止材３は常温でゲル状又はゴム状の高分子であり、第２の絶縁封止材４は常温より高い温度で硬化する熱硬化性樹脂である。【選択図】図１
2011049421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の端子リードと前記第１の端子リードとは別の第２の端子リードを有する電子部品と；
前記第１の端子リードと前記第２の端子リードのそれぞれを外部に引き出した状態で前記電子部品を収納する、一面に開口を有するケースと；
前記ケースに前記開口側から充填され、前記電子部品を埋め込む絶縁性の第１の絶縁封止材と；
前記開口を塞ぐように前記第１の絶縁封止材に重ねて充填され、前記電子部品が埋め込まれた前記第１の絶縁封止材を前記ケースと協働して被覆する絶縁性の第２の絶縁封止材と；
前記第１の絶縁封止材と前記第２の絶縁封止材との境界領域と前記電子部品との間に配置され、前記第１の絶縁封止材に埋め込まれた導電性の第１のシールド材と；
前記第２の絶縁封止材に埋め込まれ、前記境界領域を挟んで前記第１のシールド材と対向して配置された導電性の第２のシールド材とを備え；
前記第１の端子リードと前記第１のシールド材と前記第２のシールド材は電気的に接続され；
前記第２の端子リードは前記第１のシールド材と前記第２のシールド材のいずれとも絶縁され；
前記第１の絶縁封止材は常温でゲル状又はゴム状の高分子であり、前記第２の絶縁封止材は常温より高い温度で硬化する熱硬化性樹脂である；
絶縁封止電子部品。
【請求項２】
前記第２の絶縁封止材は、前記開口を塞ぎかつ前記ケース全体を被覆するように構成された；
請求項１に記載の絶縁封止電子部品。
【請求項３】
前記ケースは、前記開口のある面に対向する底面を構成する底と、前記第１の端子リードが貫通する第１の側壁と前記第２の端子リードが貫通する第２の側壁と前記開口のある面と前記底と前記第１の側壁と前記第２の側壁に囲まれる第３の側壁と第４の側壁を有し；
前記第１の側壁が、導電性であり、前記第１の端子リードと前記第１のシールド材と前記第２のシールド材と電気的に接続され、前記第２の側壁が絶縁性である；
請求項１又は請求項２に記載の絶縁封止電子部品。
【請求項４】
第１の端子リードと前記第１の端子リードとは別の第２の端子リードを有する電子部品と；
前記第１の端子リードと前記第２の端子リードのそれぞれを外部に引き出した状態で前記電子部品を被覆する絶縁性の第１の絶縁封止材と；
前記電子部品が被覆された前記第１の絶縁封止材を被覆する絶縁性の第２の絶縁封止材と；
前記電子部品を包囲して前記第１の絶縁封止材内に配置され、前記第１の絶縁封止材に埋め込まれた導電性の第１のシールド材と；
前記第２の絶縁封止材に埋め込まれ、前記第１の絶縁封止材と第２の絶縁封止材との境界領域を挟んで前記第１のシールド材と対向して配置された導電性の第２のシールド材とを備え；
前記第１の端子リードと前記第１のシールド材と前記第２のシールド材は電気的に接続され；
前記第２の端子リードは前記第１のシールド材と前記第２のシールド材のいずれとも絶縁され；
前記第１の絶縁封止材は常温でゲル状又はゴム状の高分子であり、前記第２の絶縁封止材は常温より高い温度で硬化する熱硬化性樹脂である；
絶縁封止電子部品。
【請求項５】
前記第２の絶縁封止材の線膨張係数は前記第１の絶縁封止材の線膨張係数よりも小さい；
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の絶縁封止電子部品。
【請求項６】
前記電子部品が抵抗素子である；  
請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の絶縁封止電子部品。
【請求項７】
前記第１の絶縁封止材がシリコーンゴム、シリコーンゲル、ウレタンゴムのいずれかであり、前記第２の絶縁封止材がエポキシ樹脂である；
請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の絶縁封止電子部品。
【請求項８】
前記第１のシールド材及び前記第２のシールド材が網目状又は巻線状の金属又は合金である；
請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の絶縁封止電子部品。
【請求項９】
第１の端子リードと前記第１の端子リードとは別の第２の端子リードを有する電子部品を、一面に開口を有し、前記開口のある面に対向する底面を構成する底と、前記第１の端子リードが貫通する第１の側壁と前記第２の端子リードが貫通する第２の側壁と、前記開口のある面と前記底と前記第１の側壁と前記第２の側壁に囲まれる第３の側壁と第４の側壁を有する絶縁性のケースに、前記第１の端子リードを前記第１の側壁から、前記第２の端子リードを前記第２の側壁から外部に引き出した状態で収納する工程と；
前記第１ないし第４の側壁のうち少なくとも対向する一対の側壁にそれぞれ設けられた段差部であって、前記電子部品の前記開口側に位置する第１の段差部に導電性の第１のシールド材を載置して、前記第１の端子リードと前記第１のシールド材を電気的に接続する工程と；
前記ケースに前記開口側から、前記電子部品及び前記第１のシールド材を埋め込むように、常温でゲル状又はゴム状の高分子である絶縁性の第１の絶縁封止材を充填する工程と；
前記第１ないし第４の側壁のうち少なくとも対向する一対の側壁にそれぞれ設けられた段差部であって、前記第１の段差部より前記開口側に位置する第２の段差部に導電性の第２のシールド材を載置して、前記第１の端子リードと前記第２のシールド材を電気的に接続する工程と；
前記電子部品が埋め込まれた前記第１の絶縁封止材を、前記ケースと協働して被覆するようにかつ前記開口を塞ぐように、常温より高い温度で硬化する熱硬化性樹脂である絶縁性の第２の絶縁封止材を前記第１の絶縁封止材に重ねて充填する工程と；
前記第２の絶縁封止材を熱硬化させて、前記第１の絶縁封止材及び前記ケースと協働して前記電子部品を絶縁封止する工程とを備える；
絶縁封止電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は絶縁封止電子部品及びその製造方法に関する。詳しくは、絶縁破壊に強い絶縁封止電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品の周囲を絶縁性の樹脂で封止することにより、電子部品を絶縁破壊、衝撃等から保護してきた。特に、高い精度が要求される電子部品については封止樹脂による応力を緩和するために、電子部品の周囲を液状絶縁体で封止し、さらにその周囲をエポキシ樹脂等で封止してきた。（特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１７３０９８号公報（段落００２７〜００５０、図１〜図６）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、例えば、液状絶縁体とエポキシ樹脂等２種の絶縁封止材を用いる場合には、外側の樹脂を熱硬化させる等の熱処理を行なうため、２種の絶縁封止材の線膨張係数の差異から熱硬化の際に、２種の絶縁封止材の境界領域に空隙が生じる等の欠陥が発生し、境界領域で放電による絶縁破壊が生じるおそれがある。特に、電子ビーム露光用の電源等に使用される抵抗素子等、高電圧下で高精度が要求される電子部品については、かかる絶縁破壊は重要な問題である。
【０００５】
本発明は、２種の絶縁封止材を用いる場合に、境界領域に絶縁破壊が生じるおそれがない絶縁封止電子部品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様に係る絶縁封止電子部品１００は、例えば図１に示すように、第１の端子リード１１と第１の端子リード１１とは別の第２の端子リード１２を有する電子部品１と；第１の端子リード１１と第２の端子リード１２のそれぞれを外部に引き出した状態で電子部品１を収納する、一面に開口２５を有するケース２と；ケース２に開口２５側から充填され、電子部品１を埋め込む絶縁性の第１の絶縁封止材３と；開口２５を塞ぐように第１の絶縁封止材３に重ねて充填され、電子部品１が埋め込まれた第１の絶縁封止材３をケース２と協働して被覆する絶縁性の第２の絶縁封止材４と；第１の絶縁封止材３と第２の絶縁封止材４との境界領域３０と電子部品１との間に配置され、第１の絶縁封止材３に埋め込まれた導電性の第１のシールド材５と；第２の絶縁封止材４に埋め込まれ、境界領域３０を挟んで第１のシールド材５と対向して配置された導電性の第２のシールド材６とを備え；第１の端子リード１１と第１のシールド材５と第２のシールド材６は電気的に接続され；第２の端子リード１２は第１のシールド材５と第２のシールド材６のいずれとも絶縁され；第１の絶縁封止材３は常温でゲル状又はゴム状の高分子であり、第２の絶縁封止材４は常温より高い温度で硬化する熱硬化性樹脂である。
【０００７】
ここにおいて、絶縁封止材とは絶縁性でかつ電子部品を被覆して外部環境から保護するための材料をいう。第１の絶縁封止材３は電子部品１を埋め込み、第２の絶縁封止材４は電子部品１を埋め込んだ第１の絶縁封止材３をケース２と協働して被覆する。このように２種の絶縁封止材を用いるのは、第２の絶縁封止材４にて衝撃等の外部環境から保護し、第１の絶縁封止材３にて電子部品１にかかる応力を緩和するためである。なお、第１の絶縁封止材３は応力緩和のため電子部品１全体を被覆するのが好ましいが、「電子部品を埋め込む」には、電子部品１の一部がケース２の底２０に接触し全体が被覆されない場合も含まれる。また、シールド材とは導電性で、電気的外乱をシールドするための材料をいい、典型的には金属又は合金が使用される。また、境界領域３０とは、典型的には境界面をいうが、第１の絶縁封止材３と第２の絶縁封止材４との線膨張率の差異から境界に空隙が発生するおそれがあり、また、その他の原因により、空隙、気泡、電荷、異物等の欠陥が混入するおそれもある。ここでは、境界面及びその近傍におけるこれらの欠陥を含む領域を境界領域と称するものとする。また、第１のシールド材５と第２のシールド材６とを境界領域３０を挟んで対向して配置する場合、境界領域３０全面にわたって対向して配置することが最適であるが、例えば第１の壁面２１から第２の壁面２２の方向に延長するが、第２の壁面２２に到らず部分的に対向して配置する場合でも、その部分が絶縁破壊から保護されるので、かかる場合も「対向して配置された」に含まれるものとする。また、端子リードは第１の端子リード１１と第２の端子リード１２について記載されているが、電圧が印加される２つの端子を代表的に記載したものであり、３以上の端子リードが存在しても良い。この場合、少なくとも１つの端子リードに第１のシールド材５と第２のシールド材６とが電気的に接続されれば良く、このように接続された端子リードを第１の端子リードとすれば良い。また、第１の端子リード１１と第１のシールド材５と第２のシールド材６を電気的に接続する導電材７として、金属、合金の他に、導電性プラスチック、導電塗料等の導電性樹脂を表面に塗布したプラスチック等を使用できる。
【０００８】
本態様のように構成すると、２種の絶縁封止材３，４の境界領域３０を挟んで同電位の２つのシールド材５，６が対向して配置されるので、２種の絶縁封止材を用いる場合に、境界領域に絶縁破壊が生じるおそれがない絶縁封止電子部品を提供することができる。
【０００９】
また、本発明の第２の態様に係る絶縁封止電子部品１００は、例えば図１に示すように、第１の態様において、第２の絶縁封止材４は、開口２５を塞ぎかつケース２全体を被覆するように構成される。
このように構成すると、絶縁性に優れ剛性が高い第２の絶縁封止材４で全体を厚く覆うので、外部環境からの保護に優れている。また、第１の側壁２１が導電性の場合には、少なくとも第１の側壁２１を第２の絶縁封止材４で被覆する必要がある。
【００１０】
また、本発明の第３の態様に係る絶縁封止電子部品１００Ａは、例えば図３に示すように、第１又は第２の態様において、ケース２Ａは、開口２５のある面に対向する底面を構成する底２０と、第１の端子リード１１が貫通する第１の側壁２１Ａと第２の端子リード１２が貫通する第２の側壁２２と開口２５のある面と底２０と第１の側壁２１Ａと第２の側壁２２に囲まれる第３の側壁と第４の側壁を有し；第１の側壁２１Ａが、導電性であり、第１の端子リード１１と第１のシールド材５と第２のシールド材６と電気的に接続され、第２の側壁２２が絶縁性である。
【００１１】
ここにおいて、底２０と第３の壁面（例えば正面側）と第４の壁面（例えば背面側）は絶縁性でも導電性でも良い。本態様のように構成すると、第１の側壁２１Ａが導電性なので、第１の端子リード１１と第１のシールド材５と第２のシールド材６を第１の側壁２１Ａで電気的に接続できる。また、電子部品１の端子リードが長い場合でも、ケース２Ａの第１の側壁２１Ａを除いた部分に電子部品１を載置後に第１の側壁２１Ａを嵌め込んでケース２Ａを構成することにより、容易に端子リードを外部に引き出した状態で電子部品１を収納できる。
【００１２】
また、本発明の第４の態様に係る絶縁封止電子部品１００Ｄは、例えば図９に示すように、第１の端子リード１１と第１の端子リード１１とは別の第２の端子リード１２を有する電子部品１と；第１の端子リード１１と第２の端子リード１２のそれぞれを外部に引き出した状態で電子部品１を被覆する絶縁性の第１の絶縁封止材３と；電子部品１が被覆された第１の絶縁封止材３を被覆する絶縁性の第２の絶縁封止材４と；電子部品１を包囲して第１の絶縁封止材３内に配置され、第１の絶縁封止材３に埋め込まれた導電性の第１のシールド材５Ｄと；第２の絶縁封止材４に埋め込まれ、第１の絶縁封止材３と第２の絶縁封止材４との境界領域３０Ｄを挟んで第１のシールド材５Ｄと対向して配置された導電性の第２のシールド材Ｄ６とを備え；第１の端子リード１１と第１のシールド材５Ｄと第２のシールド材６Ｄは電気的に接続され；第２の端子リード１２は第１のシールド材５Ｄと第２のシールド材６Ｄのいずれとも絶縁され；第１の絶縁封止材３は常温でゲル状又はゴム状の高分子であり、第２の絶縁封止材４は常温より高い温度で硬化する熱硬化性樹脂である。  
【００１３】
本態様のように構成すると、２種の絶縁封止材３，４の境界領域３０Ｄを挟んで同電位の２つのシールド材５Ｄ，６Ｄが対向して配置されるので、２種の絶縁封止材を用いる場合に、境界領域に絶縁破壊が生じるおそれがない絶縁封止電子部品を提供することができる。また、絶縁性に優れ剛性が高い第２の絶縁封止材４で全体を厚く覆うので、外部環境からの保護に優れている。
【００１４】
また、本発明の第５の態様に係る絶縁封止電子部品１００は、例えば図１に示すように、第１ないし第４のいずれかの態様において、第２の絶縁封止材４の線膨張係数は第１の絶縁封止材３の線膨張係数よりも小さい。
かかる場合には、２種の絶縁封止材３，４の境界領域３０に空隙が生じて、絶縁破壊が生じるおそれが大きいので、本発明を適用する意義が大きい。
【００１５】
また、本発明の第６の態様に係る絶縁封止電子部品１００は、例えば図１に示すように、第１ないし第５のいずれかの態様において、電子部品１が抵抗素子である。  
このように構成すると、特に、電子ビーム露光用の電源等に使用され、高電圧下で高精度が要求される抵抗素子では、応力緩和のために２種の絶縁封止材を用いる必要があり、絶縁破壊は重要な問題なので、本発明を適用する意義が大きい。
【００１６】
また、本発明の第７の態様に係る絶縁封止電子部品１００は、例えば図１に示すように、第１ないし第６のいずれかの態様において、第１の絶縁封止材３がシリコーンゴム、シリコーンゲル、ウレタンゴムのいずれかであり、第２の絶縁封止材４がエポキシ樹脂である。
このように構成すると、絶縁破壊に強い絶縁封止電子部品を比較的容易に実現できる。
【００１７】
また、本発明の第８の態様に係る絶縁封止電子部品１００は、例えば図１に示すように、第１ないし第７のいずれかの態様において、第１のシールド材５及び第２のシールド材６が網目状又は巻線状の金属又は合金である。
このように構成すると、ケース２に第１のシールド材５を載置した状態で第１のシールド材５を通過させて第１の絶縁封止材３を注入でき、ケース２に第２のシールド材６を載置した状態で第２のシールド材６を通過させて第２の絶縁封止材４を注入できる。
【００１８】
上記課題を解決するために、本発明の第９の態様に係る絶縁封止電子部品の製造方法は、例えば図２に示すように、第１の端子リード１１と第１の端子リード１１とは別の第２の端子リード１２を有する電子部品１を、一面に開口２５を有し、開口２５のある面に対向する底面を構成する底２０と、第１の端子リード１１が貫通する第１の側壁２１と第２の端子リード１２が貫通する第２の側壁２２と、開口２５のある面と底２０と第１の側壁２１と第２の側壁２２に囲まれる第３の側壁と第４の側壁を有する絶縁性のケース２に、第１の端子リード１１を第１の側壁２１から、第２の端子リード１２を第２の側壁２２から外部に引き出した状態で収納する工程（Ｓ０１０）と；第１ないし第４の側壁のうち少なくとも対向する一対の側壁にそれぞれ設けられた段差部であって、電子部品１の開口２５側に位置する第１の段差部２３に導電性の第１のシールド材５を載置して（Ｓ０２０）、第１の端子リード１１と第１のシールド材５を電気的に接続する（Ｓ０３０）工程と；ケース２に開口２５側から、電子部品１及び第１のシールド材５を埋め込むように、常温でゲル状又はゴム状の高分子である絶縁性の第１の絶縁封止材３を充填する工程（Ｓ０４０）と；第１ないし第４の側壁のうち少なくとも対向する一対の側壁にそれぞれ設けられた段差部であって、第１の段差部２３より開口２５側に位置する第２の段差部２４に導電性の第２のシールド材６を載置して（Ｓ０５０）、第１の端子リード１１と第２のシールド材６を電気的に接続する（Ｓ０６０）工程と；電子部品１が埋め込まれた第１の絶縁封止材３を、ケース２と協働して被覆するようにかつ開口２５を塞ぐように、常温より高い温度で硬化する熱硬化性樹脂である絶縁性の第２の絶縁封止材４を第１の絶縁封止材３に重ねて充填する工程（Ｓ０７０）と；第２の絶縁封止材４を熱硬化させて、第１の絶縁封止材３及びケース２と協働して電子部品１を絶縁封止する工程（Ｓ０８０）とを備える。
【００１９】
ここにおいて、各工程の順序はこの記載順に限られない。例えば、第１の絶縁封止材充填工程（Ｓ０４０）の途中に第１のシールド材載置工程（Ｓ０２０）と第１のシールド材接続工程（Ｓ０３０）を入れても良く、第２の絶縁封止材充填工程（Ｓ０７０）をケース２の開口２５を塞ぐように充填するステップとケース２全体を被覆するステップに分けて行なっても良い。また、第１ないし第４の側壁のうち少なくとも対向する一対の側壁とは、典型的には第１の側壁２１と第２の側壁２２、又は第３の側壁（例えば正面側）と第４の側壁（例えば背面側）の組み合わせを指すが、第１の段差部２３と第２の段差部２４で対向する一対の側壁が異なる組み合わせでも良い。本態様のように構成すると、２種の絶縁封止材３，４の境界領域３０を挟んで同電位の２つのシールド材５，６が対向して配置されるので、２種の絶縁封止材を用いる場合に、境界領域に絶縁破壊が生じるおそれがない絶縁封止電子部品の製造方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、２種の絶縁封止材を用いる場合に、境界領域に絶縁破壊が生じるおそれがない絶縁封止電子部品及びその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】実施例１における絶縁封止電子部品の断面構造を模式的に例示する図である。
【図２】実施例１における絶縁封止電子部品の製造方法の処理フロー例を示す図である。
【図３】実施例２における絶縁封止電子部品の断面構造を模式的に例示する図である。
【図４】実施例２における絶縁封止電子部品の製造方法の処理フロー例（その１）を示す図である。
【図５】実施例２における絶縁封止電子部品の製造方法の処理フロー例（その２）を示す図である。
【図６】実施例３における絶縁封止電子部品の一部断面構造を模式的に例示する図である。
【図７】実施例３における絶縁封止電子部品の製造方法の処理フロー例を示す図である。
【図８】実施例４における絶縁封止電子部品の断面構造を模式的に例示する図である。
【図９】実施例５における絶縁封止電子部品の断面構造を模式的に例示する図である。
【図１０】実施例５における絶縁封止電子部品の製造方法の処理フロー例を示す図である。
【図１１】実施例６における絶縁封止電子部品内の電子部品及び配線を模式的に例示する図である。
【図１２】実施例７における絶縁封止電子部品内の電子部品及び配線を模式的に例示する図である。
【図１３】実施例８における絶縁封止電子部品の断面構造を模式的に例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下に図面に基づき本発明の実施の形態について説明する。尚、各図において、互いに同一又は相当する部分には同一符号を付し、重複した説明は省略する。
【実施例１】
【００２３】
実施例１では、電子部品を絶縁性のケース内に収納し、第１の絶縁封止材に埋め込み、さらに、第２の絶縁封止材でケースと協働して被覆し、第１のシールド材と第２のシールド材を、第１の絶縁封止材と第２の絶縁封止材の境界領域を挟んで対向して配置する例で、かつ、第１の端子リードと第１のシールド材と第２のシールド材をケースの第１の壁面に沿って配置した導電材で電気的に接続する例を説明する。
【００２４】
図１に実施例１における絶縁封止電子部品１００の断面構造を模式的に例示する。図において、絶縁封止電子部品１００は、第１の端子リード１１と第２の端子リード１２を有する電子部品１、一面に開口２５を有し、電子部品１を収納する絶縁性のケース２、電子部品１を埋め込む絶縁性の第１の絶縁封止材３、電子部品１と第１の絶縁封止材３をケース２と協働して被覆する絶縁性の第２の絶縁封止材４、第１の絶縁封止材３に埋め込まれる導電性の第１のシールド材５、第２の絶縁封止材４に埋め込まれ、第１の絶縁封止材３と第２の絶縁封止材４の境界領域３０を挟んで第１のシールド材５と対向して配置される導電性の第２のシールド材６、第１の端子リード１１と第１のシールド材５と第２のシールド材６を電気的に接続する導電材７とを備える。
【００２５】
電子部品１は、例えば、抵抗素子、インダクタンス素子、容量素子、スイッチング素子、発振素子等の個別素子、トランジスタやダイオード等の半導体素子、増幅回路やスイッチング回路等の回路素子、ＩＣやＬＳＩ等の集積回路素子、発光素子や受光素子等の光学素子等である。典型例としては、電子ビーム露光用の電源等に使用され、高電圧下で高精度が要求される抵抗素子が挙げられる。電子部品１は、ここでは、第１のリード端子１１、第２リード端子１２と２つのリード端子を有するが、３以上のリード端子を有しても良い。絶縁性のケース２として、例えばポリテトラフルオロエチレン製又はポリブチレンテレフタレート製で、一面に開口２５を有する直方体状の容器を使用できる。図には底２０と第１の側壁２１と第１の側壁２１に対向する第２の側壁２２が示されている。この他正面側に第３の側壁、背面側に第３の側壁に対向する第４の側壁を有する。第１の側壁２１及び第２の側壁２２に小孔が設けられ、電子部品１を、第１の端子リード１１を第１の側壁２１の小孔から、第２の端子リード１２を第２の側壁２２の小孔から外部に引き出した状態で収納する。また、第１の絶縁封止材３で電子部品１の周囲を被覆するために、電子部品１を底２０から浮かせて収納できる位置に小孔を設けるのが好ましい。これらの小孔は電子部品１を収納後、例えばケース２内側から接着剤を用いて封止される。第１の側壁２１及び第２の側壁２２に２段の段差部、すなわち、電子部品１より開口２５側に位置する第１の段差部２３とさらにそれより開口２５側に位置する第２の段差部２４が形成されている。段差部はここでは対向する第１の側壁２１及び第２の側壁２２に形成されるが、対向する第３の側壁及び第４の側壁に形成されても良く、第１〜第４の側壁に形成されても良い。また、第１の段差部と第２の段差部で対向する一対の側壁が異なる組み合わせでも良い。
【００２６】
第１の段差部２３に導電性の第１のシールド材５を載置し、電子部品１及び第１のシールド材５を埋め込むようにケース２に第１の絶縁封止材３を充填する。第１のシールド材５として網目状又は巻線状の銅等の金属又は合金を使用すると、第１のシールド材５を通過させて第１の絶縁封止材３を注入できる。さらに、第２の段差部２４に導電性の第２のシールド材６を載置し、電子部品１と第１のシールド材５を埋め込んだ第１の絶縁封止材３及び第２のシールド材６を埋め込むように第２の絶縁封止材４をケース２に充填する。第２のシールド材６として網目状又は巻線状の銅等の金属又は合金を使用すると、第２のシールド材６を通過させて第２の絶縁封止材４を注入できる。図ではさらに第２の絶縁封止材４でケース２も被覆する。第１の絶縁封止材３として例えば、常温でゲル状又はゴム状の高分子であるシリコーンゴム、シリコーンゲル、ウレタンゴムを使用でき、第２の絶縁封止材４として例えば、常温より高い温度で硬化する熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を使用できる。第１の絶縁封止材３は第２の絶縁封止材４に比して柔軟であり（針入度が深い又は縦弾性係数が小さい）、線膨張係数が大きい。第１の絶縁封止材３は第２の絶縁封止材４に比して柔軟なので樹脂封止された電子部品１にかかる応力が緩和される。また、例えば導電材７を第１の側壁２１に接触させて配置し、第１の端子リード１１と第１のシールド材５と第２のシールド材６を導電材７に例えばはんだ等で電気的に接続する。又は、例えば段差部で導電材７に錘を載せる等により押圧をかけて接触させても良い。導電材７には例えば銅シート等の金属又は合金、表面に蒸着等により金属又は合金を形成したプラスチックシート、導電性プラスチックを使用できる。又は、例えば第１の側壁２１の内面に導電性塗料を塗布し、導電材７として使用できる。導電性プラスチックや導電性塗料を用いる場合は、はんだに代えて例えば導電性ペースト又は導電性接着剤を使用する。また、第１のシールド材５と第２のシールド材６に接続される第１の端子リード１１は典型的にはアース電位とするが、これに限られない。また、第１のリード端子１１、第２リード端子１２は第１の側壁２１、第２の側壁２２の小孔を通るように、ある程度柔軟性を有する金属又は合金を用いることが望ましい。
【００２７】
ところで、第１の絶縁封止材３は第２の絶縁封止材４に比して柔らかく、通常、第１の絶縁封止材３の線膨張係数は第２の絶縁封止材４の線膨張係数に比して大きいので、第２の絶縁封止材４を高温にして熱硬化させ、高温から常温に冷却して固化する時に、第１の絶縁封止材３と第２の絶縁封止材４の境界領域３０において空隙が生じるおそれがある。そして、第１のシールド材５及び第２のシールド材６が無い場合には、第１の端子リード１１と第２の端子リード１２間に高電圧を印加すると、空隙において電界が乱れ、電界が集中して放電が生じ、絶縁破壊を生じるおそれがある。また、高電圧の印加により空隙両端に電荷が誘起されて印加修了後も残存し、その後空隙内で小放電が生じ、ノイズの原因となるおそれもある。また、第１の絶縁封止材３と第２の絶縁封止材４の親和性が小さい又は接着性がない場合にも空隙が生じるおそれがある。また、第１の絶縁封止材３の脱泡が不完全な場合に境界に気泡が残留するおそれがある。また、経時変化等により、電荷を有する又は有しない異物が境界に移動するおそれもある。このように、第１の絶縁封止材３と第２の絶縁封止材４の境界領域３０は空隙の他にも種々の欠陥を含むおそれがあり、放電による絶縁破壊やノイズの要因になり得る。これに対して、本実施例における絶縁封止電子部品は、２種の絶縁封止材３，４の境界領域３０を挟んで同電位の２つのシールド材５，６が対向して配置されるので、２種の絶縁封止材３，４の境界領域３０にかかる電界はほぼ零である。したがって、放電による絶縁破壊やノイズが生じるおそれがない絶縁封止電子部品を提供することができる。また、絶縁性に優れ剛性が高い第２の絶縁封止材で全体を厚く覆うので、外部環境からの保護に優れている。
【００２８】
図２に実施例１における絶縁封止電子部品１００の製造方法の処理フロー例を示す。まず、電子部品１、絶縁性のケース２、絶縁性の第１の絶縁封止材３、絶縁性の第２の絶縁封止材４、導電性の第１のシールド材５、導電性の第２のシールド材６、導電性の導電材７を準備する。電子部品１は第１の端子リード１１と第２の端子リード１２を有する。ケース２は、一面に開口２５を有する直方体の容器で、底２０、第１〜第４の側壁を有する。第１の側壁２１及び第２の側壁２２に２段の段差部２３，２４が形成されている。第１の絶縁封止材３として例えばシリコーンゲルを使用し、第２の絶縁封止材４として例えば熱硬化性のエポキシ樹脂を使用する。第１のシールド材５及び第２のシールド材６には例えば網目状の銅を使用する。また、導電材７として例えば銅シートを使用する。
【００２９】
まず、導電材７としての銅シートを第１の側壁２１に沿わせ接触させて配置する（導電材配置工程：Ｓ００１）。銅シート７の段差部２３，２４に位置する部分は段差に沿って折り曲げる。銅シート７において、第１の側壁１１の第１の端子リード１１を貫通させる小孔に位置する部分には前記小孔と同様な寸法の小孔を開けておく。また、第１の絶縁封止材３で電子部品１の周囲を被覆するために、電子部品１を底２０から浮かせて収納できる位置に小孔を設けるのが好ましい。次に、電子部品１をケース２に、第１の端子リード１１を第１の側壁２１の小孔から、第２の端子リード１２を第２の側壁２２の小孔から外部に引き出した状態で収納する（電子部品収納工程：Ｓ０１０）。第１の端子リード１１及び第２の端子リード１２には小孔を貫通させるが電子部品１を底２０側にあまり垂れ下がらせない程度の柔軟な材料を用いることが好ましい。電子部品１を収納後、第１の側壁１１及び第２の側壁１２に設けられた小孔は例えばケース２内側から接着剤を用いて封止する。次に、第１の側壁２１及び第２の側壁２２に形成された第１の段差部２３に第１のシールド材５を載置する（第１のシールド材載置工程：Ｓ０２０）。第１の段差部２３はケース２に収納された電子部品１より開口２５側に位置する。次に、第１の端子リード１１と第１のシールド材５を銅シート７に例えばはんだを用いて電気的に接続する（第１のシールド材接続工程：Ｓ０３０）。次に、ケース２に開口２５側から第１の絶縁封止材３を充填する（第１の絶縁封止材充填工程：Ｓ０４０）。この際、第１の絶縁封止材３は電子部品１及び第１のシールド材３を埋め込むように、第１の段差部２３と第２の段差部２４の中間の高さまで充填される。第１のシールド材５として網目状又は巻線状の銅等の金属又は合金を使用すると、第１のシールド材５を通過させて第１の絶縁封止材３を注入できる。第１の絶縁封止材３としてのシリコーンゲルの充填は流動性がある温度（例えば常温）で行なわれる。充填後は流動性を保持したままでも良く、その後に例えば約６０〜１５０℃で流動性はないが柔軟性を有する程度に熱硬化させても良い。次に、第１の側壁２１及び第２の側壁２２に沿って配置された第２の段差部２４に第２のシールド材６を載置する（第２のシールド材載置工程：Ｓ０５０）。第２の段差部２４はケース２に第１の段差部２３より開口２５側に位置し、第１の絶縁封止材３は第２の段差部２４を超えないように充填される。次に、第２のシールド材６を銅シート７に例えばはんだを用いて電気的に接続する（第２のシールド材接続工程：Ｓ０６０）。これにより、第１の端子リード１１、第１のシールド材５と第２のシールド材６が電気的に接続され、電子部品１に電界が印加された場合に同電位になる。
【００３０】
次に、ケース２に第２の絶縁封止材４を第１の絶縁封止材３に重ねて充填し、絶縁封止する（第２の絶縁封止材充填工程：Ｓ０７０）。第２のシールド材６として網目状又は巻線状の銅等の金属又は合金を使用すると、第２のシールド材６を通過させて第２の絶縁封止材４を注入できる。第２の絶縁封止材４としてのエポキシ樹脂の充填は流動性がある温度（例えば常温〜６０℃）で行なわれる。その後に比較的低温（例えば６０〜１００℃）で流動性をなくす程度に熱硬化させても良い。これにより、第２の絶縁封止材４にて、電子部品１が埋め込まれた第１の絶縁封止材３をケース２と協働して被覆し、かつケース２の開口２５を塞ぐようにできる。さらに、本実施例では、第２の絶縁封止材４にて、ケース２全体を被覆する。ケース２全体を被覆するには、例えばケース２を収納できる大きさの仮ケースを準備して、第２の絶縁封止材４を充填し、後に絶縁封止電子部品１００を仮ケースから分離すれば良い。このようにケース２全体を被覆するので、衝撃等による外部環境に対する保護が強化される。次に、第２の絶縁封止材４を熱硬化させて（例えば１００〜１５０℃）、第１の絶縁封止材３及びケース２と協働して電子部品１を絶縁封止する（熱硬化工程：Ｓ０８０）。この際、第１の絶縁封止材３は柔軟性が保持される範囲であれば、ある程度硬化しても良く、ゲル状に保持されても良い。第１の絶縁封止材３及び第２の絶縁封止材４で封止された電子部品１は常温まで冷却（典型的には自然冷却）され、その後、仮ケースから分離されて、本実施例における絶縁封止電子部品１００が製造される。このため、仮ケースは分解可能に構成されることが好ましく、また、第２の絶縁封止材４は仮ケースに粘着せず、容易に剥離されることが好ましい。仮ケースには例えばポリテトラフルオロエチレン又はポリブチレンテレフタレートを使用できる。熱硬化後の冷却・固化の際、第１の絶縁封止材３の線膨張係数が第２の絶縁封止材４の線膨張係数より大きいので、第１の絶縁封止材３と第２の絶縁封止材４の境界領域３０において、空隙等の欠陥が生じるおそれがある。このような空隙等の欠陥が生じた絶縁封止電子部品に高電界を印加すると、第１の絶縁封止材３と第２の絶縁封止材４の境界領域３０において、放電による絶縁破壊やノイズが生じるおそれがあるが、本実施例における絶縁封止電子部品１００では、第１のシールド材５と第２のシールド材６が第１の絶縁封止材３と第２の絶縁封止材４の境界領域３０を挟んで対向して配置され、電界を印加しても同電位になるので、境界領域３０で放電による絶縁破壊やノイズが生じるおそれがない。
【００３１】
以上により、本実施例によれば、２種の絶縁封止材の境界領域を挟んで同電位の２つのシールド材が対向して配置されるので、２種の絶縁封止材を用いる場合に、境界領域に絶縁破壊が生じるおそれがない絶縁封止電子部品を提供することができる。また、絶縁性に優れ剛性が高い第２の絶縁封止材で全体を厚く覆うので、外部環境からの保護に優れている。
【実施例２】
【００３２】
実施例１ではケース２の第１の壁面２１に沿って配置した導電材７で第１の端子リード１１と第１のシールド材５と第２のシールド材６を電気的に接続する例を説明したが、実施例２では、第１の壁面が導電性の金属板であり、第１の壁面で第１の端子リードと第１のシールド材と第２のシールド材を電気的に接続する例を説明する。実施例１と異なる点を主に説明する（以下の実施例についても同様である）。
【００３３】
図３に実施例２における絶縁封止電子部品１００Ａの断面構造を模式的に例示する。図において、ケース２Ａの第１の側壁２１Ａが金属板になっており、第１の側壁２１Ａで第１の端子リード１１と第１のシールド材５と第２のシールド材６が電気的に接続される。その他の構成は実施例１と同様である。本実施例による絶縁封止電子部品１００Ａにおいても、実施例１と同様に第１のシールド材５と第２のシールド材６が第１の絶縁封止材３と第２の絶縁封止材４の境界領域３０を挟んで対向して配置され、電界を印加しても同電位になるので、境界領域３０で放電による絶縁破壊やノイズが生じるおそれがない。
【００３４】
図４に実施例２における絶縁封止電子部品１００Ａの製造方法の処理フロー例（その１）を示す。この例では、実施例１における導電材配置工程（Ｓ００１）に代えて、第１の側壁２１Ａが金属板、底２０及び第２〜第４の側壁が絶縁体であるケース２Ａを準備する（Ｓ００２）。また、第１のシールド材接続工程（Ｓ０３０）において、第１の端子リード１１と第１のシールド材５を銅シート７に電気的に接続する代わりに、金属板２１Ａに電気的に接続する。また、第２のシールド材接続工程（Ｓ０６０）において、第２のシールド材６を銅シート７に電気的に接続する代わりに、金属板２１Ａに電気的に接続する。その他の処理フローは実施例１と同様である。なお、この例では、ケースの第１の側壁２１Ａが導電性なので、第２の絶縁封止材４にて少なくとも第１の側壁２１Ａの外面を被覆する必要があり、ケース２Ａ全体を被覆するのが好ましい。
【００３５】
図５に実施例２における絶縁封止電子部品１００Ａの製造方法の処理フロー例（その２）を示す。この例では、まず、底２０及び第２〜第４の側壁が絶縁体であり、第１の側壁２１が無いケースを準備し、電子部品１を収納する（電子部品収納工程：Ｓ０１１）。その後に第１の側壁である金属板２１Ａを第１の側壁が無いケースに嵌め込む（側壁嵌め込み工程：Ｓ０１２）。これにより、第１の側壁２１Ａが導電性でその他の部分が絶縁性のケース２Ａが形成される。その後の処理フローは（その１）（図４参照）と同様である。この例では、第１の端子リード１１及び第２の端子リード１２が硬く、柔軟性が無くてもケース２Ａに電子部品１を収納できる。なお、金属板２１Ａに代えて導電性プラスチック板を嵌め込んでも良く、内面に導電性シート（金属シート、導電性プラスチック等）を貼り付けた絶縁性の第１の側壁、金属を蒸着した又は導電性塗料を塗布した絶縁性の第１の側壁を嵌め込んでも良い。
【実施例３】
【００３６】
実施例１では導電材７を第１の側壁２１に沿わせて配置する例を説明したが、実施例３では第１の導電材を第１の側壁に、第２の導電材を第２の側壁に沿わせて配置する例を説明する。
【００３７】
図６に実施例３における絶縁封止電子部品１００Ｂの一部断面構造を模式的に例示する。一部断面構造図には第１の絶縁封止材３と第２の絶縁封止材４の境界領域３０でかつ第２の側壁２２付近の部分が示されている。第１の絶縁封止材３と第２の絶縁封止材４の境界領域３０で第２の側壁１２に接する部分に空隙３１が生じている。また、第２の側壁２２側で、第１のシールド材５と第２のシールド材６が導電性の第２の導電材７２に電気的に接続されている。第２の導電材７２としての銅シートは第１のシールド材５の先端及び第２のシールド材６の先端に電気的に接続される。第２の導電材７２としての銅シートは、上端が第２のシールド材６の先端、下端が第１のシールド材５の先端となっており、第２の端子リード１２からは絶縁されている。実施例１のように第２の側壁２２側で、第１のシールド材５の先端及び第２のシールド材６の先端に尖状部分がある場合には、第１のシールド材５の先端及び第２のシールド材６の先端と第２の端子リード１２間に高電圧が印加されると、第１のシールド材５の先端及び第２のシールド材６の先端に電界が集中して、これらの先端と第２の端子リード１２間に放電による絶縁破壊やノイズが生じ易くなる。また、この付近に空隙９等の欠陥が存在すると、欠陥に電界が集中して、やはり絶縁破壊が生じ易くなる。これに対して、本実施例のように、第１のシールド材５の先端及び第２のシールド材６の先端が第２の導電材７２に電気的に接続されていると、第１のシールド材５の先端及び第２のシールド材６の先端に尖状部分が無くなり、電界の集中が避けられ、放電による絶縁破壊やノイズが生じ難くなる。また、同電位となる第１のシールド材５、第２のシールド材６、第１の導電材７１（図示しないが、図１の導電材７と同様である）及び第２の導電材７２により囲まれた領域はほぼ無電界となり、第１の絶縁封止材３と第２の絶縁封止材４の境界領域３０では、空隙９等の欠陥が存在しても放電による絶縁破壊やノイズを防止できる。なお、第３の側壁側及び第４の側壁側でも第１のシールド材５と第２のシールド材６を側壁に沿わせて配置した導電材に電気的に接続しても良く、このようにすれば、境界領域３０は全方向を導電性の材料で包囲されてシールドされるので、絶縁破壊を一層効果的に防止できる。
【００３８】
図７に実施例３における絶縁封止電子部品１００Ｂの製造方法の処理フロー例を示す。実施例１における導電材配置工程（Ｓ００１）の代りに、第１の導電材７１としての銅シートを第１の側壁１１に沿わせ接触させて配置する他に、第２の導電材７２としての銅シートを第２の側壁２２に沿わせ接触させて配置する（導電材配置工程：Ｓ００３）。なお、銅シートを第３の側壁及び第４の側壁にも沿わせ接触させて配置しても良い。また、第１のシールド材接続工程（Ｓ０３０）においては、実施例１では第１の端子リード１１と第１のシールド材５を導電材７に電気的に接続するが、本実施例では第１の端子リード１１と第１のシールド材５を第１の導電材７１及び第２の導電材７２に電気的に接続する。また、第２のシールド材接続工程（Ｓ０６０）においては、実施例１では第２のシールド材５を導電材７に電気的に接続するが、本実施例では第２のシールド材６を第１の導電材７１及び第２の導電材７２に電気的に接続する。その他の処理フローは実施例１と同様である。
【実施例４】
【００３９】
実施例１では第２の絶縁封止材４でケース２全体を被覆する例を説明したが、実施例４では絶縁性のケースの底及び第１〜第４の側壁の外面を露出し、第２の絶縁封止材はケースの開口を塞ぐように充填される例を説明する。
【００４０】
図８に実施例４における絶縁封止電子部品１００Ｃの断面構造を模式的に例示する。図において、絶縁性のケース２は底２０及び第１〜第４の側壁の外面を露出し、第２の絶縁封止材４はケース２の開口２５を塞ぐように充填されている。その他の構成は実施例１と同様である。絶縁封止電子部品１００Ｃの製造方法の処理フローについては、図２の工程を適用可能であるが、第２の絶縁封止材充填工程（Ｓ０７０）において、ケース２内に第２の絶縁封止材４を第１の絶縁封止材３に重ねて充填し、絶縁封止するのであるが、実施例１のように第２の絶縁封止材４にて、ケース２全体を被覆するのではなく、第２の絶縁封止材４は開口２５を塞ぐまで充填し、絶縁性のケース２は底２０及び第１〜第４の側壁の外面を露出したままである。その他の処理フローは実施例１と同様である。
【実施例５】
【００４１】
実施例１では第２の絶縁封止材４は絶縁性のケース２と協働して、電子部品１及び第１の絶縁封止材３を被覆する例を説明したが、実施例５では絶縁封止電子部品には絶縁性のケースが存在せず、第２の絶縁封止材で電子部品及び第１の絶縁封止材を被覆する例を説明する。
【００４２】
図９に実施例５における絶縁封止電子部品１００Ｄの断面構造を模式的に例示する。図において、ケース２は存在しない。電子部品１の第２の端子リード１２は端子付近が絶縁材８で覆われている。これは第１のシールド材５Ｄと第２のシールド材６Ｄを第２の端子リード１２から絶縁するためであり、絶縁材８として例えばエポキシ樹脂を使用できる。また、電子部品１を第１のシールド材５Ｄと第２のシールド材６Ｄで二重に包囲している。第１のシールド材５Ｄ及び第２のシールド材６Ｄには例えば円筒の両端を半球でキャップした形状で、網目状の銅等の金属を使用できる。第１のシールド材５Ｄが内側、第２のシールド材６Ｄが外側にあり、両者共第１の端子リード１１に電気的に接続され、第２の端子リード１２からは絶縁材８により絶縁されている。また、電子部品１は第１の絶縁封止材３と第２の絶縁封止材４で二重に被覆され、絶縁封止されている。第１の絶縁封止材３は電子部品１と第１のシールド材５Ｄを被覆して絶縁封止し、第２の絶縁封止材４は電子部品１と第１のシールド材５Ｄを被覆した第１の絶縁封止材３と第２のシールド材６Ｄを被覆して絶縁封止している。これにより、第１の絶縁封止材３と第２の絶縁封止材４の境界領域３０Ｄを挟んで第１のシールド材５Ｄと第２のシールド材６Ｄが対向して配置され、電子部品１への高電圧印加時には第１のシールド材５Ｄと第２のシールド材６Ｄが同電位になるので、第１のシールド材５Ｄと第２のシールド材６Ｄに囲まれた境界領域３０Ｄはほぼ無電界状態となる。したがって、境界領域３０Ｄに空隙等の欠陥が存在しても、絶縁破壊を防止できる。なお、第１のシールド材５Ｄ及び第２のシールド材６Ｄについて半球形のキャップに代えて円形のキャップを使用しても良い。
【００４３】
図１０に実施例５における絶縁封止電子部品１００Ｄの製造方法の処理フロー例を示す。まず、電子部品１の第２の端子リード１２の端子付近を絶縁材８で被覆する（端子被覆工程：Ｓ１１０）。絶縁材８として、例えばエポキシ樹脂を使用でき、熱硬化して剛性を高めて被覆する。次に、電子部品１を第１のシールド材５Ｄで包囲する（第１のシールド材包囲工程：Ｓ１２０）。第１のシールド材５Ｄには例えば円筒の両端を半球でキャップした形状で、網目状の銅を使用できる。次に、第１の端子リード１１と第１のシールド材５Ｄを例えばはんだを用いて電気的に接続する（第１のシールド材接続工程：Ｓ１３０）。次に、電子部品１を一面に開口２５を有する第１の仮ケース２Ｄ１（図示しないが、構成部分の符号は図１と同様とする）に、第１の端子リード１１を第１の側壁２１の小孔から、第２の端子リード１２を第２の側壁２２の小孔から外部に引き出した状態で収納する（電子部品収納工程：Ｓ１３１）。この際に、第１の絶縁封止材３で電子部品１の周囲を被覆するために、電子部品１を底２０から浮かせて収納できる位置に小孔を設けておく。これらの小孔は電子部品１を収納後、例えば仮ケース２Ｄの内側から接着剤を用いて封止されるが、第１の絶縁封止材３はその粘性等により小孔から漏れなければ、封止しなくても良い。また、後に第１の仮ケース２Ｄ１を電子部品１から分離するので、第１の仮ケース２Ｄ１を組立・分解可能な構成とする。例えば、側壁にピンを設け、底２０に設けた孔に嵌め込んで第１の仮ケース２Ｄ１を組み立てる等である。特に、第１の側壁２１を分解可能にしておけば第１の端子リード１１と第２の端子リード１２が硬い場合でも、第１の端子リード１１を第１の側壁２１の小孔から引き出し、第２の端子リード１２を第２の側壁２２の小孔から引き出した状態で、電子部品１を第１の仮ケース２Ｄ１に収納可能である。また、第１の仮ケース２Ｄ１に段差を形成する必要はない。
【００４４】
次に、第１の仮ケース２Ｄ１に開口２５側から第１の絶縁封止材３を充填する（第１の絶縁封止材充填工程：Ｓ１４０）。電子部品１と第１のシールド材５Ｄを埋め込むように充填すれば、第１の仮ケース２Ｄ１の開口２５を塞ぐように充填しても良く、第１の仮ケース２Ｄ１の途中まで充填しても良い。次に第１の絶縁封止材３が電子部品１に固着するように、第１の絶縁封止材３を熱硬化させる（第１の絶縁封止材熱硬化工程：Ｓ１４１）。第１の絶縁封止材３として例えばシリコーンゴムを使用できる。熱硬化温度は例えば６０〜１５０℃とする。次に、第１の絶縁封止材３で被覆された電子部品から第１の仮ケース２Ｄ１を分離する（ケース分離工程：Ｓ１４２）。第１の仮ケース２Ｄ１は分解可能に構成されている。また、第１の絶縁封止材３は第１の仮ケース２Ｄ１に粘着せず、容易に剥離されることが好ましい。第１の仮ケース２Ｄ１には例えばポリテトラフルオロエチレン又はポリブチレンテレフタレートを使用できる。次に、電子部品１及びこれを包囲した第１のシールド材５Ｄを被覆した第１の絶縁封止材３を第２のシールド材６Ｄで包囲する（第２のシールド材包囲工程：Ｓ１５０）。第２のシールド材６Ｄには例えば円筒の両端を半球でキャップした形状で、網目状の銅を使用できる。次に、第１の端子リード１１と第２のシールド材６Ｄを例えばはんだを用いて電気的に接続する（第２のシールド材接続工程：Ｓ１６０）。次に、第２の絶縁封止材４を第１の絶縁封止材３に重ねて被覆し、絶縁封止する（第２の絶縁封止材被覆工程：Ｓ１７０）。この時、第２の絶縁封止材４にて、電子部品１が被覆された第１の絶縁封止材３及び第２のシールド材６Ｄを埋め込むように被覆する。例えば電子部品１が被覆された第１の絶縁封止材３及び第２のシールド材６Ｄを収納できる大きさの第２の仮ケース２Ｄ２（図示しない）を準備して、第２の絶縁封止材４を充填し、後に絶縁封止電子部品１００Ｄを第２の仮ケース２Ｄ２から分離すれば良い。次に、第２の絶縁封止材４を熱硬化させて（例えば１００〜１５０℃）、第１の絶縁封止材３と協働して電子部品１を絶縁封止する（第２の絶縁封止材熱硬化工程：Ｓ１８０）。第１の絶縁封止材３及び第２の絶縁封止材４で絶縁封止された電子部品１は常温まで冷却され、その後、第２の仮ケース２Ｄ２から分離されて、本実施例における絶縁封止電子部品１００Ｄが製造される。このため、第２の仮ケース２Ｄ２は分解可能に構成される。また、第２の絶縁封止材４は第２の仮ケース２Ｄ２に粘着せず、容易に剥離されることが好ましい。第２の仮ケース２Ｄ２には例えばポリテトラフルオロエチレン又はポリブチレンテレフタレートを使用できる。
【実施例６】
【００４５】
以上の実施例では、絶縁封止される電子部品が単数である例を説明したが、実施例６では絶縁封止される電子部品が複数である例を説明する。
【００４６】
図１１に実施例６における絶縁封止電子部品１００Ｅ内の電子部品及び配線を模式的に例示する。図は電子部品及び配線をケース２に収納した状態を開口側から見た平面図である。図において、例えば、抵抗素子からなる電子部品１Ｅ１〜１Ｅ３がリード線１３，１４により直列接続され、一面に開口（図では紙面側）を有する絶縁性のケース２に収納されている。第１の側壁２１及び第２の側壁２２に小孔が設けられ、電子部品１Ｅ１から第１の端子リード１１を第１の側壁２１を貫通して外部に引き出し、電子部品１Ｅ３から第２の端子リード１２を第２の側壁２２を貫通して外部に引き出した状態で収納する。また、導電材７を第１の側壁２１に沿わせて配置し、第１の端子リード１１と図示しない第１のシールド材５と図示しない第２のシールド材６と電気的に接続する。このように構成すると、複数の電子部品１Ｅ１〜１Ｅ３をまとめて１個のケース２、第１の絶縁封止材３及び第２の絶縁封止材４で絶縁封止するので、空間占有面積を大いに縮小でき、また、例えば電子部品が抵抗素子であれば高抵抗を実現できる。その他の構成及び製造の処理フローは実施例１と同様である。
【実施例７】
【００４７】
以上の実施例では、絶縁封止される電子部品の端子リードが２つの例を説明したが、実施例７では電子部品の端子リードが３以上例を説明する。
【００４８】
図１２に実施例７における絶縁封止電子部品１００Ｆの電子部品及び配線を模式的に例示する。図は電子部品及び配線をケース２に収納した状態を開口側から見た平面図である。図において、電子部品１Ｆは例えば集積回路であり、３以上の端子リードを有する。すなわち、第１の端子リード、第２の端子リードがそれぞれ複数の端子リード１１−１〜１１−４，１２−１〜１２−４で構成されている。そして、第１の端子リード１１−１は導線１５により図示しない第１のシールド材５と第２のシールド材６に電気的に接続されるが、残りの他の第１の端子リード１１−２〜１１−４及び第２の端子リード１２−１〜１２−４は第１のシールド材５及び第２のシールド材６に接続されず、これらから絶縁される。このように、端子リードが３以上であっても本発明を適用できる。その他の構成及び製造の処理フローは実施例１と同様である。
【実施例８】
【００４９】
実施例１ないし実施例４では、電子部品１がケース２内に水平に収納される例を説明したが、実施例８では電子部品がケース内に斜めに収納される例を説明する。
【００５０】
図１３に実施例８における絶縁封止電子部品１００Ｇの断面構造を模式的に例示する。実施例１では電子部品１がケース２内に水平に収納される（図２参照）のに比して本実施例では電子部品１がケース２内に斜めに収納されており、また本実施例では第２の端子リード１２と第１のシールド材５又は第２のシールド材６との距離が第１の端子リード１１と第１のシールド材５又は第２のシールド材６との距離に比して長くなっている。これにより、第２の端子リード１２と第１のシールド材５又は第２のシールド材６との間の絶縁耐圧を増加することができ、放電による絶縁破壊を生じ難くすることができる。その他の構成は第１の実施例と同様である。なお、第１の絶縁封止材３の使用量を節約するため、ケース２の底２０を電子部品１と同様に斜めにすることも可能である。また、製造方法の処理フローも、電子部品収納工程（Ｓ０１０）で電子部品１がケース２内に斜めに収納されることを除いて実施例１と同様である。
【００５１】
以上、本実施の形態について説明したが、本発明は以上の実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、実施の形態に種々の変更を加えられることは明白である。
【００５２】
例えば、実施例３における導電材を第１の側壁及び第２の側壁へ沿わせて配置する態様は、実施例１だけでなく、実施例２，４にも適用可能であり、実施例４における絶縁性のケースを露出する態様は、実施例１だけでなく、実施例３にも適用可能である。また、実施例６における複数の電子部品を絶縁封止する態様、実施例７における３以上の端子リードを有する態様を、実施例１だけでなく、実施例２〜５にも適用可能である。また、実施例３における導電材の配置を第３の側壁、第４の側壁に拡張しても良い。また、第１の絶縁封止材をゲル状、ゴム状としたが、絶縁性で第２の絶縁封止材に比して応力を緩和できれば熱硬化性の樹脂でも良く、粉状の高分子でも良い。また、第１のシールド材及び第２のシールド材は網目状に限られず、導電性でそれぞれ第１の絶縁封止材、第２の絶縁封止材を通過させて注入できれば良く、金属板に多数の孔を設けた形状でも良い。また、第１のシールド材及び第２のシールド材をケースに載置するために、ケースの側壁に段差を設ける例を説明したが、側壁に凹状部や凸状部を設けて第１のシールド材及び第２のシールド材を載置しても良い。また、ケースは直方体としたが、円筒状や回転楕円体状でも良い。また、絶縁封止電子部品の製造方法の処理フローの工程を適宜変更可能である。例えば、実施例１の第１の絶縁封止材充填工程（Ｓ０４０）の途中に第１のシールド材載置工程（Ｓ０２０）と第１のシールド材接続工程（Ｓ０３０）を入れても良く、第２の絶縁封止材充填工程（Ｓ０７０）をケースの開口２５を塞ぐように充填するステップとケース全体を被覆するステップに分けて行なっても良い。その他、ケース、絶縁封止材、シールド材の形状、寸法、材質、配置等は設計条件等に応じて適宜選択可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、電子部品の絶縁封止に利用される。
【符号の説明】
【００５４】
１，１Ｅ１〜１Ｅ３，１Ｆ  電子部品
２，２Ａ  ケース
２Ｄ，２Ｄ１，２Ｄ２  仮ケース
３    第１の絶縁封止材
４    第２の絶縁封止材
５，５Ｄ  第１のシールド材
６，６Ｄ  第２のシールド材
７    導電材
８    絶縁材
１１，１１−１〜１１−４  第１の端子リード
１２，１２−１〜１２−４  第２の端子リード
１３，１４  リード線
１５  導線
２０  底
２１，２１Ａ  第１の側壁
２２  第２の側壁
２３  第１の段差部
２４  第２の段差部
２５  開口
３０，３０Ｄ  境界領域
３１  空隙
７１  第１の導電材
７２  第２の導電材
１００，１００Ａ〜１００Ｇ  絶縁封止電子部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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