(57)【要約】【課題】本発明は、例えば半田接続を行う場合に、導体パターン等と金属基板との短絡（ショート）を抑制できる外部接続端子部を有するサスペンション用基板に関する。【解決手段】金属基板と、金属基板上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された導体パターンと、導体パターン上に形成されたカバー層と、カバー層に形成され上記導体パターンを露出するカバー層開口部と、金属基板に形成された金属基板開口部と、絶縁層に形成され導体パターンを露出する絶縁層開口部とを有し、さらにカバー層開口部および絶縁層開口部により上記導体パターンの両面が露出し、露出した導体パターンの両面にめっき層が形成された外部接続端子部を備えるサスペンション用基板であって、上記絶縁層開口部から露出している導体パターンと上記金属基板との最短距離をＤとし、露出している上記導体パターンのパターン幅をＷとした場合に、Ｄ≧Ｗであることを特徴とする。【選択図】図１
2011003246.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と、前記金属基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成されたストライプ状の導体パターンと、前記導体パターン上に形成されたカバー層と、前記カバー層に形成され前記導体パターンを露出するカバー層開口部と、前記金属基板に形成された金属基板開口部と、前記絶縁層に形成され前記導体パターンを露出する絶縁層開口部とを有し、さらに前記カバー層開口部および前記絶縁層開口部により前記導体パターンの両面が露出し、前記露出した導体パターンの両面にめっき層が形成された外部接続端子部を備えるサスペンション用基板であって、
前記絶縁層開口部から露出している前記めっき層が形成された導体パターンと前記金属基板との最短距離をＤとし、露出している前記めっき層が形成された導体パターンのパターン幅をＷとした場合に、
Ｄ≧Ｗ
であることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
金属基板と、前記金属基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された導体層と、前記導体層上に形成されたカバー層と、前記カバー層に形成され前記導体層を露出するカバー層開口部と、前記金属基板に形成された金属基板開口部と、前記絶縁層に形成され前記導体層が露出する絶縁層開口部とを有し、さらに前記カバー層開口部および前記絶縁層開口部により前記導体層の両面が露出し、前記露出した導体層の両面にめっき層が形成された外部接続端子部を備えるサスペンション用基板であって、
前記絶縁層開口部から露出している前記めっき層が形成された導体層と前記金属基板との最短距離をＤとし、露出している前記めっき層が形成された導体層の幅をＷとした場合に、
Ｄ≧Ｗ
であることを特徴とするサスペンション用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等に用いられるサスペンション用基板に関し、例えば半田接続を行う場合に、導体パターン等と金属基板との短絡（ショート）を抑制できる外部接続端子部を有するサスペンション用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そして、このＨＤＤに用いられる磁気ヘッドを支持している磁気ヘッドサスペンションと呼ばれる部品も、従来の金ワイヤ等の信号線を接続するタイプから、ステンレスのばねに直接銅配線等の信号線が形成されている、いわゆるワイヤレスサスペンションと呼ばれる配線一体型のもの（フレキシャー）に移行している。
【０００３】
このようなサスペンションに用いられるサスペンション用基板は、通常、外部回路との接続端子部（外部接続端子部）を有している。このような外部接続端子部としては、具体的には、図９（ａ）に示すように、金属基板１と、金属基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成されたストライプ状の導体パターン３ａと、導体パターン３ａ上に形成されたカバー層４と、カバー層４に形成され導体パターン３ａを露出する表面側開口部（カバー層開口部）２１と、金属基板１および絶縁層２に形成され導体パターン３ａを露出する裏面側開口部（金属基板開口部および絶縁層開口部）２２とを有し、表面側開口部２１および裏面側開口部２２により導体パターン３ａの両面が露出し、露出した導体パターン３ａの両面にめっき層８（８ａおよび８ｂ）が形成されているもの等を挙げることができる。なお図９（ｂ）は、図９（ａ）を裏面側開口部２２側から見た概略平面図であり、図９（ｃ）は、図９（ａ）を表面側開口部２１から見た概略平面図である。
【０００４】
このような外部接続端子部において、例えば裏面側開口部のめっき層８ｂの厚み等によっては、めっき層８ｂと金属基板１とが接触し、短絡を起こす場合等があった。このような問題に対して、例えば特許文献１においては、金属端子層（めっき層）の端縁と金属支持層の端縁との間に所定の間隔が設けられた配線回路基板が開示されている（特許文献１の請求項１）。しかしながら、このような間隔を設けるだけでは、短絡を充分に防止することが困難であった。なお、特許文献１に記載された配線回路基板、および特許文献２に記載された回路付サスペンション基板は、外部接続端子部と外部回路とを超音波接続するタイプのものであり、例えば半田接続を行う場合は、めっき層と金属基板との間で短絡を起こす可能性があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３５２１３７号公報
【特許文献２】特開２００１−２０９９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、例えば半田接続を行う場合に、導体パターン等と金属基板との短絡を抑制できる外部接続端子部を有するサスペンション用基板を提供することを主目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明においては、金属基板と、上記金属基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成されたストライプ状の導体パターンと、上記導体パターン上に形成されたカバー層と、上記カバー層に形成され上記導体パターンを露出するカバー層開口部と、上記金属基板に形成された金属基板開口部と、上記絶縁層に形成され上記導体パターンを露出する絶縁層開口部とを有し、さらに上記カバー層開口部および上記絶縁層開口部により上記導体パターンの両面が露出し、上記露出した導体パターンの両面にめっき層が形成された外部接続端子部を備えるサスペンション用基板であって、上記絶縁層開口部から露出している上記めっき層が形成された導体パターンと上記金属基板との最短距離をＤとし、露出している上記導体パターンのパターン幅をＷとした場合に、Ｄ≧Ｗであることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【０００８】
本発明によれば、Ｄの値がＷの値以上であることから、例えば半田接続を行う場合に、溶融半田が絶縁層上に流れ出た場合であっても、導体パターンと金属基板との接触を防止でき、短絡を防止できる。
【０００９】
また、本発明においては、金属基板と、上記金属基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導体層と、上記導体層上に形成されたカバー層と、上記カバー層に形成され上記導体層を露出するカバー層開口部と、上記金属基板に形成された金属基板開口部と、上記絶縁層に形成され上記導体層が露出する絶縁層開口部とを有し、さらに上記カバー層開口部および上記絶縁層開口部により上記導体層の両面が露出し、上記露出した導体層の両面にめっき層が形成された外部接続端子部を備えるサスペンション用基板であって、上記絶縁層開口部から露出している上記めっき層が形成された導体層と上記金属基板との最短距離をＤとし、露出している上記めっき層が形成された導体層の幅をＷとした場合に、Ｄ≧Ｗであることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【００１０】
本発明によれば、Ｄの値がＷの値以上であることから、例えば半田接続を行う場合に、溶融半田が絶縁層上に流れ出た場合であっても、導体層と金属基板との接触を防止でき、短絡を防止できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明においては、例えば半田接続を行う場合に、導体パターン等と金属基板との短絡を抑制できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明のサスペンション用基板の第一実施態様の外部接続端子部の一例を説明する説明図である。
【図２】本発明のサスペンション用基板の外部接続端子部に半田接続を行う場合の説明図である。
【図３】本発明のサスペンション用基板の全体像を例示する概略平面図である。
【図４】本発明に用いられる導体パターンの形状を例示する概略平面図である。
【図５】本発明におけるサスペンション用基板の第一実施態様の外部接続端子部の他の形状例を説明する説明図である。
【図６】本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す説明図である。
【図７】本発明におけるサスペンション用基板の第二実施態様の外部接続端子部の形状を説明する説明図である。
【図８】本発明におけるサスペンション用基板の第二実施態様の外部接続端子部の他の形状を説明する説明図である。
【図９】従来のサスペンション用基板の外部接続端子部を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明のサスペンション用基板について詳細に説明する。
【００１４】
本発明のサスペンション用基板は、外部接続端子部にストライプ状の導体パターンが形成されている実施態様（第一実施態様）と、外部接続端子部に露出している導体層が絶縁層との間に間隙なく形成されている実施態様（第二実施態様）と、に大別することができる。以下、本発明のサスペンション用基板について、実施態様ごとに説明する。
【００１５】
１．第一実施態様
まず、本発明のサスペンション用基板の第一実施態様について説明する。本実施態様のサスペンション用基板は、外部接続端子部にストライプ状の導体パターンが形成されている態様であり、金属基板と、上記金属基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成されたストライプ状の導体パターンと、上記導体パターン上に形成されたカバー層と、上記カバー層に形成され上記導体パターンを露出するカバー層開口部と、上記金属基板に形成された金属基板開口部と、上記絶縁層に形成され上記導体パターンを露出する絶縁層開口部とを有し、さらに上記カバー層開口部および上記絶縁層開口部により上記導体パターンの両面が露出し、上記露出した導体パターンの両面にめっき層が形成された外部接続端子部を備えるサスペンション用基板であって、上記絶縁層開口部から露出している上記めっき層が形成された導体パターンと上記金属基板との最短距離をＤとし、露出している上記めっき層が形成された導体パターンのパターン幅をＷとした場合に、Ｄ≧Ｗであることを特徴とするものである。
【００１６】
本実施態様によれば、Ｄの値がＷの値以上であることから、例えば半田接続を行う場合に、溶融半田が絶縁層上に流れ出た場合であっても、導体パターンと金属基板との接触を防止でき、短絡を防止できる。本実施態様においては、Ｗの値に対して、Ｄの値を充分に大きくすることにより、溶融半田による短絡をより効果的に防止することができるのである。また、本実施態様においては、導体パターンの表面にめっき層を有していることから、例えば導体パターンの膜厚を薄くした場合であっても、充分な機械的強度を維持することができる。
【００１７】
なお、本実施態様のサスペンション用基板は、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の磁気ヘッドサスペンション等に用いることができる。特に、本実施態様のサスペンション用基板は、外部接続端子と外部回路とを半田接続する半田接続型のサスペンション用基板であることが好ましい。
【００１８】
次に、本実施態様のサスペンション用基板について図面を用いて説明する。図１（ａ）は、本実施態様のサスペンション用基板の外部接続端子部を例示する概略断面図である。図１（ａ）に示される外部接続端子部は、金属基板１と、金属基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成されたストライプ状の導体パターン３ａと、導体パターン３ａ上に形成されたカバー層４と、カバー層４に形成され導体パターン３ａを露出するカバー層開口部５と、金属基板１に形成された金属基板開口部６と、絶縁層２に形成され導体パターン３ａを露出する絶縁層開口部７とを有し、さらに、カバー層開口部５および絶縁層開口部７により導体パターン３ａの両面が露出し、露出した導体パターン３ａの両面に、導体パターン３ａの両側面を含めて、めっき層８（８ａおよび８ｂ）が形成されてなるものである。図１（ｂ）は、図１（ａ）を金属基板開口部６側から見た概略平面図である。
【００１９】
図１において、導体パターン３ａのストライプに沿う方向での金属基板開口部６の長さをＸとし、導体パターン３ａのストライプに沿う方向での絶縁層開口部７の長さをＹとし、絶縁層開口部７から露出しているめっき層８ｂが形成された導体パターン３ａと金属基板との距離をＬ１およびＬ２とし、露出しているめっき層（８ａおよび８ｂ）が形成された導体パターン３ａのパターン幅をＷとして示す。図１に示すように、Ｘ−Ｙ＝Ｌ１＋Ｌ２である。ここで、絶縁層開口部７から露出している上記めっき層（８ａおよび８ｂ）が形成された導体パターン３ａと上記金属基板２との最短距離をＤとすると、ＤはＬ１またはＬ２のいずれかであり、本実施態様のサスペンション用基板の外部接続端子部においては、Ｄ≧Ｗであるように設計されている。図１においては、導体パターン３ａと金属基板２との最短距離Ｄが、一例として、Ｌ１である場合を示してあるが、もしもＬ２が最短距離であれば、その値を用いればよく、Ｌ１とＬ２が等しければ、いずれの値を用いてもよい。
【００２０】
本発明においては、めっき層が形成された導体パターンの露出しているパターンの末端から、半田が絶縁層上に流れ出た場合に、半田と絶縁層との濡れ性の関係から、半田は導体パターンの絶縁層と接触する面から半円状に絶縁層上に流出すると想定している。したがって、金属基板と半田（導体パターン）との短絡を防止するには、導体パターンと金属基板との最短距離Ｄが、めっき層が形成された導体パターン幅Ｗと同一またはそれ以上、すなわちＤ≧Ｗとするものである。本発明において、Ｄの上限はサスペンション用基板の設計上から所定の値に決められるが、サスペンション用基板を微細化し機械的強度を上げるためには、より小さい値が好ましい。
【００２１】
図２は、本発明のサスペンション用基板の外部接続端子部に半田接続を行う場合を説明する説明図であり、図２（ａ）は概略断面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）を金属基板開口部側から見た概略平面図である。なお、図２に付されている符号については、半田９を除いては図１と同様であるので、ここでの説明は省略する。本実施態様においては、金属基板開口部の長さＸを絶縁層開口部の長さＹよりも充分に大きくし、Ｌ１およびＬ２の値がＷの値と同一またはそれ以上となるようにＤ≧Ｗと設計してあるため、図２に示すように、半田接続を行う場合であっても、めっき層８ｂ上に設けた半田９が金属基板１に接触することはなく、短絡を防止することができる。ここで、ＤはＬ１およびＬ２のいずれかである（図２では、Ｄ＝Ｌ１としている）。
【００２２】
図３は、本実施態様のサスペンション用基板の全体像を例示する概略平面図であり、便宜上、カバー層を省略してある。図３に示されるサスペンション用基板は、金属基板（図示せず）と絶縁層２とが積層された構造を有しており、サスペンション用基板の一方の先端には磁気ヘッドを実装するためのジンバル部１１が形成され、他方の先端には外部回路との接続を行うための外部接続端子領域１２が形成され、ジンバル部１１および外部接続端子領域１２を接続するための配線１３（１３ａ〜１３ｄ）が形成されている。外部接続端子領域１２においては、各々の配線１３に応じて、上述した外部接続端子部が形成されている。
【００２３】
以下、本実施態様のサスペンション用基板について詳細に説明する。なお、本実施態様のサスペンション用基板は外部接続端子部を特徴とするものであることから、ここでは外部接続端子部を中心に説明を行う。外部接続端子部以外の構成については、特に限定されるものではなく、一般的なサスペンション用基板と同様の構成を採用することができる。
【００２４】
（１）外部接続端子部の部材
まず、本実施態様における外部接続端子部の部材について説明する。本実施態様における外部接続端子部は、通常、金属基板、絶縁層、ストライプ状の導体パターン、カバー層、およびめっき層を有するものである。
【００２５】
本実施態様に用いられる金属基板は、サスペンション用基板の支持基板であり、通常、適度なばね性を有している。上記金属基板の材料としては、例えばステンレス（ＳＵＳ）等を挙げることができる。上記金属基板の厚みとしては、金属基板の材料等により異なり、特に限定されるものではないが、通常１０μｍ〜３０μｍの範囲内であり、中でも１５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。
【００２６】
本実施態様に用いられる絶縁層は、金属基板および導体パターンを絶縁するものである。上記絶縁層の材料としては、所望の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばポリイミド樹脂、熱可塑ポリイミド樹脂等を挙げることができる。特に、本実施態様においては、上記絶縁層が、ポリイミド樹脂のみからなる単層絶縁層又はポリイミド樹脂および熱可塑性ポリイミド樹脂からなる複合絶縁層のどちらであっても構わない。上記絶縁層の厚みとしては、所望の絶縁性を発揮することができれば、特に限定されるものではないが、通常２μｍ〜３０μｍの範囲内であり、中でも５μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００２７】
本実施態様に用いられる導体パターンは、ストライプ状のパターンを有するものであり、外部回路との接続に用いられるものである。上記導体パターンの材料としては、所望の導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、銅等を挙げることができる。上記導体パターンの厚みは、特に限定されるものではないが、通常６μｍ〜１８μｍの範囲内であり、中でも８μｍ〜１２μｍの範囲内であることが好ましい。
【００２８】
本実施態様に用いられる導体パターンの形状としては、特に限定されるものではなく、図４（ａ）に示すように、一本からなるものであっても良く、図４（ｂ）に示すように、複数本からなるものであっても良い。上記導体パターンが複数本からなる場合、その本数としては、例えば２本〜１０本の範囲内であることが好ましい。上記導体パターンのストライプ幅は、通常２０μｍ〜６００μｍの範囲内であり、中でも５０μｍ〜４００μｍの範囲内であることが好ましい。
【００２９】
上記導体パターンの形成方法としては、例えば、電解めっき法および無電解めっき法等のめっき法、ならびにスパッタリング法等を挙げることができる。特に、本実施態様においては、上記導体パターンが、電解めっき法により形成されたものであることが好ましい。なお、本実施態様においては、上記導体パターンとして従来の圧延銅箔を用いても良い。
【００３０】
本実施態様に用いられるカバー層は、導体パターン上に形成されるものである。上記カバー層の材料としては、特に限定されるものではないが、例えば感光性樹脂等を挙げることができる。上記感光性樹脂としては、具体的には、感光性ポリイミド系樹脂、感光性アクリル系樹脂、感光性エポキシ系樹脂などの感光性の合成樹脂を好ましく用いることができる。上記カバー層の厚みとしては、特に限定されるものではないが、通常３μｍ〜３０μｍの範囲内であり、中でも３μｍ〜１５μｍの範囲内であることが好ましい。
【００３１】
本実施態様に用いられるめっき層は、カバー層開口部および絶縁層開口部により露出する導体パターンの両面に形成されるものである。めっき層を設けることにより、導体パターンの機械的強度を向上させることができる。そのため、例えば導体パターンの厚みを薄くした場合であっても、導体パターンの破断等が生じにくくなる。また、めっき層を設けることにより、導体パターンの耐食性を向上させることができる。
【００３２】
上記めっき層の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等を挙げることができる。また、上記めっき層は、複数の金属めっきにより形成されたものであっても良い。このような複数の金属めっきとしては、例えば、ＣｕめっきとＮｉめっきとＡｕめっきとを組合せたもの、およびＮｉめっきとＡｕめっきとを組合せたもの等を挙げることができる。上記Ｃｕめっきとしては、例えば硫酸銅めっき、およびピロリン酸銅めっき等を挙げることができる。上記Ｎｉめっきとしては、例えばスルファミン酸ニッケルめっき等を挙げることができる。上記Ａｕめっきとしては、例えば中性シアン浴、および酸性金めっき等を挙げることができる。なお、上記めっき層を形成するための前処理として、導体パターンに対して脱脂処理や酸洗処理を行うことが好ましい。
【００３３】
上記めっき層の厚みとしては、特に限定されるものではないが、導体パターンの微細化の点からは薄くすることが好ましく、導体パターンの耐食性や機械的強度を向上させる点からは厚くすることが好ましい。通常０．１μｍ〜５μｍの範囲内であり、中でも０．５μｍ〜３μｍの範囲内であることが好ましい。
【００３４】
（２）外部接続端子部の構成
次に、本実施態様における外部接続端子部の構成について説明する。本実施態様における外部接続端子部は、金属基板と、上記金属基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成されたストライプ状の導体パターンと、上記導体パターン上に形成されたカバー層と、上記カバー層に形成され上記導体パターンを露出するカバー層開口部と、上記金属基板に形成された金属基板開口部と、上記絶縁層に形成され上記導体パターンを露出する絶縁層開口部とを有し、さらに上記カバー層開口部および上記絶縁層開口部により上記導体パターンの両面が露出し、上記露出した導体パターンの両面にめっき層が形成されたものである。外部接続端子部の形状は、矩形状、多角形状、円形状など特に制限されないが、通常は、外部側接続端子に対応する形状で形成される。
【００３５】
さらに、本実施態様においては、上記絶縁層開口部および上記金属基板開口部において、露出している上記めっき層が形成された導体パターンの幅をＷとし、露出している上記めっき層が形成された導体パターンと上記金属基板の端面との最短距離をＤとした場合に、Ｄの値がＷの値以上であることを特徴とする。
【００３６】
ここで図５を用いて、本実施態様における外部接続端子部の他の形状例について説明する。図５（ａ）は、本実施態様のサスペンション用基板の外部接続端子部を示す概略断面図であり、露出した導体パターンの周囲に金属基板がある場合である。なお、図５（ａ）に付されている符号については、図１と同様であるので、ここでの説明は省略する。本実施態様においては、図５（ａ）に示すように、導体パターン３ａのストライプに沿う方向での金属基板開口部６の長さをＸとし、導体パターン３ａのストライプに沿う方向での絶縁層開口部７の長さをＹとする。さらに、ＸおよびＹの差をＺとすると、図５（ａ）においてはＺ＝Ｌ１＋Ｌ２が成立する。Ｌ１およびＬ２は同じ値であっても良く、異なる値であっても良い。
【００３７】
一方、図５（ｂ）は、図５を金属基板開口部６側から見た概略平面図である。なお、図５（ｂ）に付されている符号については、図１と同様であるので、ここでの説明は省略する。図５に示す実施態様では、Ｌ１あるいはＬ２の少なくともいずれかが導体パターン８ｂと金属基板１の端面との最短距離Ｄとなり、金属基板と導体パターンとの半田めっき時の短絡を防止するには、Ｄ≧Ｗとすればよい。
【００３８】
図５（ｂ）においては、導体パターン３ａのストライプに沿う方向と直交する方向での金属基板開口部６の長さをＸ´とし、導体パターン３ａのストライプに沿う方向と直交する方向での絶縁層開口部の長さをＹ´としている。さらに、Ｘ´およびＹ´の差をＺ´とすると、図５（ｂ）においてはＺ´＝Ｌ１´＋Ｌ２´が成立する。本実施態様において、Ｌ１´およびＬ２´は同じ値であっても良く、異なる値であっても良く、Ｘ´、Ｙ´、Ｚ´、Ｌ１´およびＬ２´の値は、上記Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｌ１およびＬ２の値とそれぞれ同じ値であっても良く、異なる値であっても良いが、それぞれの値の好ましい範囲については同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００３９】
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施態様ではストライプに直交する方向において、各々の導体パターン３ａの間、および導体パターン３ａと絶縁層２の間には間隙があるので、導体パターン３ａのストライプと直交する方向については、金属基板１と半田が接触して短絡するケースは想定しなくてよく（ストライプに沿う方向での短絡が優先するため）、短絡の規定を設けなくてよい。
【００４０】
本実施態様において、Ｘは通常１００μｍ〜２０００μｍの範囲内であり、中でも４００μｍ〜１５００μｍの範囲内であることが好ましい。Ｙは通常５０μｍ〜１３００μｍの範囲内であり、中でも２００μｍ〜１０００μｍの範囲内であることが好ましい。Ｌ１またはＬ２は通常２０μｍ以上であり、中でも５０μｍ〜４００μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４１】
（３）サスペンション用基板の製造方法
次に、本実施態様のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本実施態様のサスペンション用基板の製造方法としては、上述したサスペンション用基板を得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。
【００４２】
中でも、本実施態様においては、金属基板、絶縁層および導体層がこの順に積層された積層体を準備する積層体準備処理と、上記積層体の導体層をエッチングし、ストライプ状の導体パターンを形成する導体パターン形成処理と、上記積層体の金属基板をエッチングし、金属基板開口部を形成する金属基板開口部形成処理と、上記積層体の絶縁層をエッチングし、絶縁層開口部を形成する絶縁層開口部形成処理と、上記導体パターンをカバー層形成用材料で覆い、露光現像を行うことにより、カバー層開口部を有するカバー層を形成するカバー層形成処理と、上記カバー層開口部および上記絶縁層開口部に露出する導体パターンの両面に、めっき層を形成するめっき層形成処理と、を有する外部接続端子部形成工程を有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記絶縁層開口部から露出している上記めっき層が形成された導体パターンと上記金属基板との最短距離をＤとし、露出している上記めっき層が形成された導体パターンのパターン幅をＷとした場合に、Ｄ≧Ｗとなるサスペンション用基板を形成することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法が好ましい。
【００４３】
図６は、本実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す説明図である。図６に示されるサスペンション用基板の製造方法においては、まず、金属基板１、絶縁層２および導体層３ｂがこの順に積層された積層体を準備する（図６（ａ））。次に、この積層体に対して、脱脂および酸洗を行い、積層体の両面に感光性レジストを塗布し乾燥させる。次に、導体層３ｂに対しては目的とする導体パターンが得られるように露光を行い、金属基板１に対しては目的とする金属基板開口部が得られるように露光を行い、その後現像することで、感光性レジストパターン２３を形成する（図６（ｂ））。
【００４４】
次に、導体層３ｂをエッチング液によりエッチングし、ストライプ状の導体パターン３ａを形成する。また、金属基板１をエッチング液によりエッチングし、金属基板開口部６を形成する（図６（ｃ））。次に、絶縁層２をエッチングするために、感光性ドライフィルムを真空ラミネータでラミネートし、目的とする絶縁層開口部が得られるように露光し、感光性レジストパターン２４を形成する（図６（ｄ））。その後、絶縁層をエッチング液によりエッチングし、絶縁層開口部７を形成する（図６（ｅ））。
【００４５】
次に、導体パターン３ａの表面を粗化させ、金属基板開口部６とは逆の表面を感光性ドライフィルムで覆い、露光現像を行うことにより、カバー層開口部５を有するカバー層４を形成する（図６（ｆ））。最後に、カバー層開口部５および絶縁層開口部７で露出する導体パターン３ａの両面に、めっき層８（８ａおよび８ｂ）を形成することにより、外部接続端子部を形成する。これにより、絶縁層２開口部から露出しているめっき層が形成された導体パターン３ａと上記金属基板１との最短距離をＤとし、露出している上記めっき層が形成された導体パターン３ａのパターン幅をＷとした場合に、Ｄ≧Ｗとなるサスペンション用基板を形成する。
【００４６】
このサスペンション用基板の製造方法において、外部接続端子部形成工程以外の工程については、特に限定されるものではなく、一般的なサスペンション用基板の製造方法における工程と同様である。
【００４７】
上記積層体準備処理に用いられる上記の各部材については、上記「（１）サスペンション用基板の部材」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００４８】
上記金属基板開口部形成処理および上記導体パターン形成処理の順番は特に限定されるものではなく、どちらかの処理を先に行っても良く、同時に行っても良い。上記金属基板開口部形成処理において、積層体の金属基板をエッチングする方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、金属基板上に感光性レジストパターンを形成した後に、エッチング液によりエッチングする方法等を挙げることができる。感光性レジストパターンを形成する方法としては、具体的には、金属基板上に、感光性レジストを塗布し乾燥させるか、ロールラミネータでラミネートすることにより、ベタの感光性レジスト層を形成し、目的とする金属基板開口部の形状に合わせて露光現像する方法等を挙げることができる。例えば、上記金属基板がステンレスである場合は、塩化鉄系エッチング液によりエッチングすることができる。
【００４９】
上記絶縁層開口部形成処理は、通常、上記金属基板開口部形成処理の後に行われる。積層体の絶縁層をエッチングする方法についても、上記の金属基板と同様に、感光性レジストパターンを形成した後に、エッチング液によりエッチングする方法を挙げることができる。例えば、上記絶縁層の材料が、ポリイミド樹脂である場合は、ポリイミド専用のエッチング液を用いてエッチングすることができる。
【００５０】
上記導体パターン形成処理において、積層体の導体層をエッチングする方法については、特に限定されるものではないが、例えば、導体層上に感光性レジストパターンを形成した後に、エッチング液によりエッチングする方法を挙げることができる。例えば、上記導体層の材料が銅である場合は、塩化鉄系エッチング液によりエッチングすることができる。
【００５１】
上記カバー層形成処理において用いられる上記カバー層形成用材料としては、所望のカバー層を得ることができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば感光性レジスト等を挙げることができる。本実施態様においては、感光性ドライフィルムレジストにより、導体パターンおよび絶縁層を覆っても良く、液体状感光性レジストを塗布乾燥させることにより、導体パターンおよび絶縁層を覆っても良い。
【００５２】
本実施態様においては、カバー層形成用材料に対して、露光現像を行うことにより、カバー層を形成する。さらに必要に応じて、現像後にカバー層のキュア処理を行っても良い。キュア処理の際、導体パターンの酸化を防止するために、窒素等の不活性ガスの雰囲気下で加熱を行うことが好ましい。
【００５３】
上記めっき層形成処理に用いられるめっき層の種類やめっき層を形成する方法等については、上記「（１）サスペンション用基板の部材」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００５４】
２．第二実施態様
次に、本発明のサスペンション用基板の第二実施態様について説明する。本実施態様のサスペンション用基板は、外部接続端子部に露出している導体層が絶縁層との間に間隙なく形成されている態様であり、金属基板と、上記金属基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導体層と、上記導体層上に形成されたカバー層と、上記カバー層に形成され上記導体層を露出するカバー層開口部と、上記金属基板に形成された金属基板開口部と、上記絶縁層に形成され上記導体層が露出する絶縁層開口部とを有し、さらに上記カバー層開口部および上記絶縁層開口部により上記導体層の両面が露出し、上記露出した導体層の両面にめっき層が形成された外部接続端子部を備えるサスペンション用基板であって、上記絶縁層開口部から露出している上記めっき層が形成された導体層と上記金属基板との最短距離をＤとし、露出している上記めっき層が形成された導体層の幅をＷとした場合に、Ｄ≧Ｗであることを特徴とするものである。
【００５５】
本実施態様によれば、Ｄの値がＷの値以上であることから、例えば半田接続を行う場合に、溶融半田が流れた場合であっても、導体層と金属基板との接触を防止でき、短絡を防止できる。本実施態様においては、Ｗの値に対して、Ｄの値を充分に大きくすることにより、溶融半田による短絡をより効果的に防止することができる。また、本実施態様においては、導体層の表面にめっき層を有していることから、例えば導体層の膜厚を薄くした場合であっても、充分な機械的強度を維持することができる。
【００５６】
なお、本実施態様のサスペンション用基板は、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の磁気ヘッドサスペンション等に用いることができる。特に、本実施態様のサスペンション用基板は、外部接続端子と外部回路とを半田接続する半田接続型のサスペンション用基板であることが好ましい。
【００５７】
（１）外部接続端子部の部材
本実施態様における外部接続端子部の部材については、導体パターンが、パターン状ではない導体層に変わったこと以外は、上記「１．第一実施態様」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００５８】
（２）外部接続端子部の構成
次に、本実施態様における外部接続端子部の構成について説明する。本実施態様における外部接続端子部は、金属基板と、上記金属基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導体層と、上記導体層上に形成されたカバー層と、上記カバー層に形成され上記導体層を露出するカバー層開口部と、上記金属基板に形成された金属基板開口部と、上記絶縁層に形成され上記導体層が露出する絶縁層開口部とを有し、さらに上記カバー層開口部および上記絶縁層開口部により上記導体層の両面が露出し、上記露出した導体層の両面にめっき層が形成されたものである。
【００５９】
さらに、本実施態様においては、上記絶縁層開口部から露出している上記めっき層が形成された導体層と上記金属基板１とのＸ方向における最短距離をＤとし、露出している上記めっき層が形成された導体層の幅をＷとした場合に、Ｄ≧Ｗであることを特徴とする。
【００６０】
ここで図７を用いて、本実施態様における外部接続端子部の形状について説明する。図７（ａ）は、本実施態様のサスペンション用基板の外部接続端子部を示す概略断面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）を金属基板開口部６側から見た概略平面図であり、平面パッド形状をなすものである。なお、図７に付されている符号については、導体パターン３ａの代わりに導体層３ｂを用いたこと以外は、図１と同様であるので、ここでの説明は省略する。本実施態様においては、図７（ｂ）に示すように、絶縁層開口部７から露出しているめっき層８ｂが形成された導体層３ｂと上記金属基板１との最短距離をＤとし、露出している上記めっき層（８ａおよび８ｂ）が形成された導体層３ｂの幅をＷとする。
【００６１】
図７に示す実施態様では、ＹまたはＹ´が導体幅Ｗとなり、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ１´およびＬ２´のいずれかが導体層と金属基板１の端面との最短距離Ｄとなる。図７では、一例として、Ｙ´が導体幅Ｗ、Ｌ１が最短距離Ｄとしている。金属基板と導体パターンとの半田めっき時の短絡を防止するには、Ｄ≧Ｗとすればよい。
【００６２】
本実施態様において、図７（ｂ）に示しためっき層８ｂ（めっきされた導体層３ｂ）は、外部接続端子部の形状例として、正方形の場合を示しているが、もとより本実施態様の外部接続端子部は、他の形状、長方形、多角形、円形、楕円形等であってもよい。例えば、外部接続端子部が矩形の場合には、Ｘ、Ｙは通常２０μｍ〜１８００μｍの範囲内であり、中でも１００μｍ〜１５００μｍの範囲内であることが好ましい。Ｌ１、Ｌ２、Ｌ１´およびＬ２´は、通常２０μｍ以上であり、中でも５０μｍ〜５００μｍの範囲内であることが好ましい。
【００６３】
（３）サスペンション用基板の製造方法
次に、本実施態様のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本実施態様のサスペンション用基板の製造方法としては、上述したサスペンション用基板を得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。
【００６４】
中でも、本実施態様においては、金属基板、絶縁層および導体層がこの順に積層された積層体を準備する積層体準備処理と、上記積層体の金属基板をエッチングし、金属基板開口部を形成する金属基板開口部形成処理と、上記積層体の絶縁層をエッチングし、絶縁層開口部を形成する絶縁層開口部形成処理と、上記導体層をカバー層形成用材料で覆い、露光現像を行うことにより、カバー層開口部を有するカバー層を形成するカバー層形成処理と、上記カバー層開口部および上記絶縁層開口部に露出する導体層の両面に、めっき層を形成するめっき層形成処理と、を有する外部接続端子部形成工程を有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記絶縁層開口部から露出している上記めっき層が形成された導体層と上記金属基板との最短距離をＤとし、露出している上記めっき層が形成された導体層の幅をＷとした場合に、Ｄ≧Ｗとなるサスペンション用基板を形成することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法が好ましい。
【００６５】
このサスペンション用基板の製造方法における各処理の詳細については、上記「１．第一実施態様（３）サスペンション用基板の製造方法」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００６６】
（４）第二の実施態様の別な形態
図８は、本発明の第二の実施態様における別な実施形態を示すものであり、図８（ａ）は、本実施形態のサスペンション用基板の外部接続端子部を示す概略断面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）を金属基板開口部６側から見た概略平面図である。図８（ａ）は図８（ｂ）のＡ−Ａ´線における断面図である。図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、絶縁層開口部７に露出しているめっき層８ｂの周囲の金属基板は、一方向の金属基板１を残して除かれており、絶縁層２が広く露出する形状をしている。絶縁層開口部７は略楕円形をしており、露出しているめっき層８ｂが形成された導体層３ｂの中央部には、めっき層（８ａおよび８ｂ）とともに略楕円形の空気抜き用の穴１０が設けられている。また、導体層３ｂの形状に対応して、金属基板１には円弧状の切込みを設けてある。なお、図８に付されている符号については、導体パターン３ａの代わりに導体層３ｂを用いたこと、および空気抜き用の穴１０を用いたこと以外は、図１と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００６７】
絶縁層開口部７から露出しているめっき層８ｂが形成された導体層３ｂと上記金属基板１との距離をＬ１とし、露出している上記めっき層が形成された導体層３ｂの幅をＷとすると、Ｗ＝Ｙ´となり、導体層３ｂと上記金属基板１との最短距離Ｄは、Ｄ＝Ｌ１となる。金属基板と導体層との半田めっき時の短絡を防止するには、Ｄ≧Ｗとすればよい。ここで、図８に示す例では、めっき層８ｂ上に半田接続を行う場合、溶融半田の流出による金属基板１への短絡は、楕円形状の短径方向の幅Ｙ´に影響されるので、Ｙ´を用いている。
【００６８】
本実施形態では、導体層の中央部に５００μｍ以下の微細な空気抜き用の穴があるものの、外部接続端子部に露出している導体層が絶縁層との間に間隙なく形成されている態様であり、本発明の第二の実施態様に含まれるものである。もとより、本発明においては、導体層の形状は矩形、多角形、円形、楕円形等、特に限定されるものではない。
【００６９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【実施例】
【００７０】
［実施例１］
（サスペンション用基板の作製）
厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４（金属基板）、厚さ１０μｍのポリイミド層（絶縁層）、厚さ９μｍの電解銅箔からなるＣｕ配線層（導体層）が、この順に積層された３層の積層体を用意し、この積層体に以下に述べる化学エッチング等を行うことにより、図１に示すように、外部接続端子部にストライプ状の導体パターンが形成されたサスペンション用基板を得た。
【００７１】
まず上記の３層の積層体を脱脂、酸洗し、積層体の表裏両面に感光性レジストを塗布し、乾燥した後、表裏の感光性レジストに所望のパターンを形成してあるガラスマスクを用いて、紫外線により画像を焼き付けた後、感光性レジストに適した現像液により不要部分を除去した。次に、Ｃｕ面、およびＳＵＳ面を塩化鉄系エッチング液により、Ｃｕ面、ＳＵＳ面の各々に適した条件にてエッチングし、その後、感光性レジストを剥離液にて除去して、３本のストライプ状の導体パターンおよび金属基板開口部を形成した。
【００７２】
次に、ポリイミド層をエッチング加工するために、感光性ドライフィルムを真空ラミネーターでラミネートし、所望のパターンを形成してあるガラスマスクを用いて、紫外線により画像を焼き付けた。その後、現像液により不要部分を除去した後、ポリイミド専用のエッチング液によりポリイミド層をエッチングし、ドライフィルムを剥離して、絶縁層開口部を形成した。絶縁層開口部に露出する導体パターンの幅は１００μｍ、長さは７５０μｍ、絶縁層開口部の導体パターンの端から金属基板との距離は１５０μｍとなるように設計した。
【００７３】
次に、Ｃｕの導体パターンの表面を粗化して、カバー層との密着性を向上させる処理をしてから、配線保護のための感光性カバー層用レジストを塗布し、露光、現像し、キュアして、所定の形状のカバー層開口部を有するカバー層を形成した。
【００７４】
次に、めっきの前処理として、脱脂、酸洗を行った後、カバー層開口部および絶縁層開口部に露出している導体パターンの両面に、スルファミン酸ニッケルめっき浴でＮｉを電解で０．２μｍめっきし、中性シアン浴でＡｕを電解で２μｍめっきし、めっき層を形成した。Ｎｉめっき、Ａｕめっき後のめっき層が形成された導体パターンの幅（Ｗ）は１０４μｍであり、外部接続端子部を有するサスペンション用基板が得られた。一方、絶縁層開口部から露出しているめっき層が形成された導体パターンと金属基板との最短距離（Ｄ）は、１５０μｍである。上記のように、このサスペンション用基板は、最短距離Ｄが導体パターンのパターン幅Ｗよりも大きくしてある。
【００７５】
（半田接続テスト）
上記のサスペンション用基板の外部接続端子部に溶融半田による接続を行った。絶縁層上にも半田が少し流れ出たが、溶融半田による導体パターンと金属基板との短絡は生じず、良好な接続が得られた。
【００７６】
［実施例２］
実施例１と同じ３層の積層体を用い、図７に示すように、外部接続端子部に平面パッド構造の導体層が形成されたサスペンション用基板を得た。製造工程は、実施例１と同じなので省略する。本実施例の外部接続端子部の導体層は、９μｍのＣｕに、Ｎｉを０．２μｍ厚、Ａｕを２μｍ厚にめっきし、絶縁層開口部側から見ためっきされた導体層の平面形状は一辺１００μｍの正方形であり、導体層と金属基板との最短距離（Ｄ）は、１００μｍとした。上記のように、このサスペンション用基板は、最短距離Ｄが導体パターンのパターン幅Ｗよりも大きくしてある。
次に、上記のサスペンション用基板の外部接続端子部に溶融半田による接続を行った。絶縁層上にも半田が少し流れ出たが、溶融半田による導体層と金属基板との短絡は生じず、良好な接続が得られた。
【００７７】
［比較例１］
実施例１と同じ３層の積層体を用い、金属基板開口部の寸法のみが実施例１と異なる外部接続端子部にストライプ状の導体パターン（導体パターンの幅（Ｗ）は１００μｍ）が形成されたサスペンション用基板を得た。この外部接続端子部は、絶縁層開口部から露出しているめっき層が形成された導体パターンと金属基板との最短距離（Ｄ）は、３０μｍであり、設計値通りであった。上記のように、このサスペンション用基板は、最短距離Ｄが導体パターンのパターン幅Ｗよりも小さいものである。
上記のサスペンション用基板の外部接続端子部に溶融半田による接続を行ったところ、絶縁層上に流れ出た溶融半田が金属基板と接触してしまい、導体パターンと金属基板とが短絡を生じてしまった。
【符号の説明】
【００７８】
１  …  金属基板
２  …  絶縁層
３ａ  …  導体パターン
３ｂ  …  導体層
４  …  カバー層
５  …  カバー層開口部
６  …  金属基板開口部
７  …  絶縁層開口部
８  …  めっき層
９  …  半田
１０  …  空気抜き穴
１１  …  ジンバル部
１２  …  外部接続端子領域
１３  …  配線
【図１】
2011003246.tif 000003
【図２】
2011003246.tif 000004
【図３】
2011003246.tif 000005
【図４】
2011003246.tif 000006
【図５】
2011003246.tif 000007
【図６】
2011003246.tif 000008
【図７】
2011003246.tif 000009
【図８】
2011003246.tif 000010
【図９】
2011003246.tif 000011