(57)【要約】【課題】大気中での特性劣化を抑えると共に、膜応力が有機半導体層に与えるダメージを低減して、特性劣化を抑制可能な有機薄膜トランジスタおよびその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極およびドレイン電極と、有機半導体層と、封止層とを有しており、前記有機半導体層が、前記ソース電極と前記ドレイン電極に挟まれているチャネル部を有し、少なくとも前記チャネル部で分割されて前記有機半導体層を覆う第１の封止層と、チャネル部を含み有機半導体層を覆う第２の封止層と、前記第２の封止層を覆う任意の第３の封止層とを有することを特徴とする有機薄膜トランジスタにより上記課題を解決する。【選択図】図１−１
2011049221.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極およびドレイン電極と、有機半導体層と、封止層とを有しており、
前記有機半導体層が、前記ソース電極と前記ドレイン電極に挟まれているチャネル部を有し、
少なくとも前記チャネル部で分割されて前記有機半導体層を覆う第１の封止層と、
チャネル部を含み有機半導体層を覆う第２の封止層と、
前記第２の封止層を覆う任意の第３の封止層と
を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記第１の封止層が、チャネル長方向に分割されている請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記第１の封止層が、チャネル幅方向に分割されている請求項１または２に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記第２の封止層が、前記チャネル部およびソース/ドレイン電極を含み、少なくとも第１の封止層の一部を覆いかつ前記有機半導体層上を覆う請求項１から３のいずれか一つに記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記第３の封止層が、前記第２の封止層または第１の封止層および第２の封止層を介して少なくとも前記チャネル部を覆う請求項１〜４のいずれか一つに記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記第３の封止層が、第１の封止層および第２の封止層を介して有機半導体層上を覆う請求項第１〜５のいずれか一つに記載のトランジスタ。
【請求項７】
前記第１の封止層が、有機絶縁材料または金属もしくは金属合金で形成されている請求項１〜６のいずれか一つに記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記第３の封止層が、有機絶縁材料または金属もしくは金属合金で形成されている請求項１〜７のいずれか一つに記載のトランジスタ。
【請求項９】
前記第１および第３の封止層が、互いに独立して、パリレン、ポリイミド、ポリビニルアルコールおよびポリビニルフェノールからなる有機絶縁材料から選択されるか、または金、銀、銅およびアルミニウムからなる金属もしくはこれら金属の合金から選択される材料で形成されている請求項１〜８のいずれか一つに記載のトランジスタ。
【請求項１０】
基板上に、ゲート電極を形成する工程と、ゲート絶縁膜を製造する工程と、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、有機半導体層を形成する工程と、前記有機半導体層を覆う封止層を形成する工程とを備え、
該封止層を形成する工程が、少なくとも前記有機半導体層の前記ソース電極と前記ドレイン電極で挟まれるチャネル部で分割して該有機半導体層上を覆うように第１の封止層を形成する工程と、
前記チャネル部を含み、前記有機半導体層を覆うように第２の封止層を形成する工程と、
前記第２の封止層を覆う任意の第３の封止層を形成する工程と
を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
上記封止層を形成する工程が、
前記第１の封止層を形成する工程と、
前記第２の封止層を形成する工程と、
前記チャネル部を、第２の封止層を介して覆うように、第３の封止層を形成する材料を成膜して第３の封止層を形成する工程を含む請求項１０に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１２】
上記第１の封止層を形成する工程が、
金属もしくは金属合金を用いて第１の封止層を形成する工程である請求項１０または１１に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１３】
前記第３の封止層を形成する工程が、金属もしくは金属合金材料により第３の封止層を形成する工程である請求項１０〜１２のいずれか一つに記載のトランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体部分に有機材料が用いられた有機薄膜トランジスタに関し、より詳細には、特性劣化を抑えた有機薄膜トランジスタおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、シリコンに代表される無機半導体に対して、有機材料からなる半導体を用いた、いわゆる有機薄膜トランジスタが注目されている。
【０００３】
有機薄膜トランジスタは、２００℃以下の低いプロセス温度で素子を作製することが可能であることから、耐熱性の低いプラスチック基板等にトランジスタ素子を形成することが可能であり、したがって、プラスチック基板の柔軟性を活かした、フレキシブルなデバイスを実現するための技術として検討されている。
【０００４】
また、有機材料は、材料の種類によって印刷法等によるデバイス作製も可能であることから、製造コストの低減および印刷による大面積なデバイスの製造が可能な半導体素子としても期待されている。
【０００５】
一方、一般に有機半導体材料は、大気中の酸素や水分の影響を受けて劣化し易い。そのため、有機薄膜トランジスタは大気中に暴露することでその特性が劣化してしまうことがある。
したがって、有機薄膜トランジスタを実用化するためには特性劣化を抑えることが重要である。ここでいう特性としては、例えばキャリア移動度が挙げられる。
【０００６】
大気中の酸素や水分による特性劣化を解決するため、例えば特許文献１では、有機トランジスタ上に、樹脂からなる封止層を形成し、有機トランジスタの酸素や水分に対するバリア性を向上させ、安定性を向上させる方法が開示されている。
【０００７】
また、特許文献２では、有機半導体層と、樹脂からなる封止層の間に、保護層を入れることで有機半導体層の劣化を抑える方法が開示されている。
【０００８】
これらの方法では、封止層または保護層を設けることによって酸素や水分による特性の劣化を抑えることにより、特性の劣化を抑制した有機トランジスタを提供する技術を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３‐３３８６２９号公報
【特許文献２】特開２００６‐１５６９８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記特許文献１および特許文献２に開示された方法では以下のような問題点が有った。
すなわち、有機半導体層を保護するための保護層もしくは封止層を形成する場合に、封止層となる樹脂材料を硬化させる必要がある。この樹脂材料の硬化の際に生じる応力が有機半導体層に対してダメージを与えることによって、有機半導体層の特性が劣化すると言う問題があった。
【００１１】
したがって、本発明は、大気中での有機トランジスタの特性劣化を抑えると共に、膜応力が有機半導体層に与えるダメージを低減して、樹脂材料の硬化の際に生じる応力による特性劣化を抑制可能な有機薄膜トランジスタおよびその製造方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、少なくとも有機半導体層を覆う封止層がチャネル部で分割された構造を有する有機薄膜トランジスタによって、特性劣化を抑えられることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１３】
しかるに、本発明によれば、基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極およびドレイン電極と、有機半導体層と、封止層とを有しており、
前記有機半導体層が、前記ソース電極と前記ドレイン電極に挟まれているチャネル部を有し、
少なくとも前記チャネル部で分割されて前記有機半導体層を覆う第１の封止層と、
チャネル部を含み有機半導体層を覆う第２の封止層と、
前記第２の封止層を覆う任意の第３の封止層と
を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタが提供される。
【００１４】
また、本発明によれば、前記第１の封止層が、チャネル長方向に分割されているトランジスタが提供される。
また、本発明によれば、前記第１の封止層が、チャネル幅方向に分割されているトランジスタが提供される。
【００１５】
また、本発明によれば、前記第２の封止層が、前記チャネル部およびソース/ドレイン電極を含み、少なくとも第１の封止層の一部を覆いかつ前記有機半導体層上を覆うトランジスタが提供される。
また、本発明によれば、前記第３の封止層が、前記第２の封止層または第１の封止層および第２の封止層を介して少なくとも前記チャネル部を覆うトランジスタが提供される。
【００１６】
また、本発明によれば、前記第３の封止層が、第１の封止層および第２の封止層を介して有機半導体層上を覆うトランジスタが提供される。
また、本発明によれば、前記第１の封止層が、有機絶縁材料または金属もしくは金属合金で形成されているトランジスタが提供される。
また、本発明によれば、前記第３の封止層が、有機絶縁材料または金属もしくは金属合金で形成されているトランジスタが提供される。
【００１７】
また、本発明によれば、前記第１および第３の封止層が、互いに独立して、パリレン、ポリイミド、ポリビニルアルコールおよびポリビニルフェノールからなる有機絶縁材料から選択されるか、または金、銀、銅およびアルミニウムからなる金属もしくはこれら金属の合金から選択される材料で形成されているトランジスタが提供される。
【００１８】
さらに、本発明によれば、基板上に、ゲート電極を形成する工程と、ゲート絶縁膜を製造する工程と、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、有機半導体層を形成する工程と、前記有機半導体層を覆う封止層を形成する工程とを備え、
該封止層を形成する工程が、少なくとも前記有機半導体層の前記ソース電極と前記ドレイン電極で挟まれるチャネル部で分割して該有機半導体層上を覆うように第１の封止層を形成する工程と、
前記チャネル部を含み、前記有機半導体層を覆うように第２の封止層を形成する工程と、
前記第２の封止層を覆う任意の第３の封止層を形成する工程と
を含むことを特徴とするトランジスタの製造方法が提供される。
【００１９】
また、本発明によれば、上記封止層を形成する工程が、
前記第１の封止層を形成する工程と、
前記第２の封止層を形成する工程と、
前記チャネル部を、第２の封止層を介して覆うように、第３の封止層を形成する材料を成膜して第３の封止層を形成する工程を含むトランジスタの製造方法が提供される。
また、本発明によれば、上記第１の封止層を形成する工程が、
金属もしくは金属合金を用いて第１の封止層を形成する工程であるトランジスタの製造方法が提供される。
【００２０】
さらに、本発明によれば、前記第３の封止層を形成する工程が、金属もしくは金属合金材料により第３の封止層を形成する工程であるトランジスタの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明による有機薄膜トランジスタにおいて、第１の封止層が少なくともチャネル部のチャネル長方向で２つの部分に隔てられている。この第１の封止層が分割されたことにより、樹脂材料が硬化する際に生じる膜応力が緩和され、有機半導体層へ与える応力が減少することになり、有機半導体層へのダメージが軽減される。
さらに、第１の封止層が、チャネル部のチャネル幅方向において２以上に分割されることにより、さらに第１の封止層膜応力が緩和され、有機半導体層へ与える応力がより減少することになり、有機半導体層へのダメージがより軽減される効果が増加する。
【００２２】
また、チャネル部を除く有機半導体層は第１の封止層により封止され、且つチャネル部を含み直接または第１の封止層を介して有機半導体層を覆う第２の封止層によって保護されることから、酸素や水分による有機半導体層へのダメージが抑えられる。
また、第２の封止層と有機半導体層とは、チャネル部のみで接していることから、第２の封止層の膜応力による有機半導体層へのダメージも低減される。
よって、第１および第２の封止層による有機トランジスタへの酸素、水分の影響を防ぎながら、有機半導体層へ膜応力が与えるダメージが低減されることとなり、有機薄膜トランジスタの特性劣化を抑制することが可能となる。
【００２３】
さらに、本発明の有機薄膜トランジスタにおいて、第２の封止層が、チャネル部を含み、有機トランジスタ上を覆うことにより、少なくとも有機半導体層上は第１および第２の封止層によって覆われることから、酸素や水分の浸透が抑えられると同時に、有機トランジスタ全体も第２の封止層で覆われることによって、大気中での特性劣化を更に抑制することが出来る。
【００２４】
さらに、本発明の有機薄膜トランジスタにおいて、第２の封止層上に、有機半導体層のチャネル部分を第２の封止層を介して覆う第３の封止層を有していることにより、有機半導体層のチャネル部分が第２および第３の封止層で覆われるため、有機半導体層への酸素や水分の浸透が一層抑えられ、大気中での特性劣化がより抑えられる。
なお、第３の封止層はチャネル部分への周囲からの酸素や水分の浸透をより抑えるために、チャネル部分よりも大きめに形成することにより、上記の効果はより増加する。
【００２５】
さらに、本発明の有機薄膜トランジスタにおいて、第３の封止層が、有機トランジスタ上を覆うことにより、少なくとも有機半導体層上は第１および第２および第３の封止層によって覆われることから、酸素や水分の浸透が一層抑えられると同時に、有機トランジスタ全体も第３の封止層で覆われることによって、大気中での特性劣化を更に抑制することが出来る。
【００２６】
チャネル部を介して分離された第１の封止層を金属とする事で、封止層としての機能に加えて有機半導体に接するソース電極およびドレイン電極として機能させることが可能となり、有機半導体層と接する電極面積が増えることで、有機半導体層との接触抵抗が低減し、有機薄膜トランジスタの特性を向上させることが可能となる。
【００２７】
さらに、本発明の有機薄膜トランジスタにおいて、第３の封止層が、金属もしくは金属合金からなることで封止層としての機能に加えて、第２の封止層を介して第３の封止層下部に存在するチャネル部へ電界を印加することが可能なゲート電極として機能させることが可能となり、第２のゲート電極としてチャネル部へのゲート電圧印加が可能なダブルゲート型の有機薄膜トランジスタとして、得られる電流量を増やすことが可能となる。
【００２８】
また、本発明による有機薄膜トランジスタの製造方法によれば、有機半導体層上に封止層を形成する工程が、前記有機半導体層を、前記有機半導体層の前記ソース電極と前記ドレイン電極で挟まれる部分であるチャネル部で分割して覆うように、第１の封止層を形成する材料を成膜して第１の封止層を形成する工程と、該有機半導体層を、前記チャネル部を含んで覆うように、第２の封止層を形成する材料を成膜して第２の封止層を形成する工程とを含むことにより、特性劣化が抑制された有機薄膜トランジスタの作製が可能となる。
【００２９】
さらに、本発明による有機薄膜トランジスタの製造方法において、封止層を形成する工程が、チャネル部を第２の封止層を介して覆うように、第３の封止層を形成する材料を成膜して第３の封止層を形成する工程を含んでいることにより、より大気中における特性劣化が抑えられた有機薄膜トランジスタの作製が可能になる。
【００３０】
さらに、本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法において、第１の封止層を形成する工程が、金属もしくは合金を用いることにより、特性劣化を抑えるとともに、より特性を向上させた有機薄膜トランジスタの作製が可能となる。
【００３１】
さらに、本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法において、第３の封止層を形成する工程が、金属もしくは合金を用いることにより、特性劣化を抑えるとともに、得られる電流量を増やすことが可能なダブルゲート型の有機薄膜トランジスタの作製が可能となる。
【００３２】
また、例えば、図１０に示すように、第１の封止層７をチャネル幅方向に分割した有機薄膜トランジスタが挙げられる。第１の封止層７をさらに分割して形成することにより、有機半導体層６に与える応力をさらに減少させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１−１】本発明の実施形態に係る有機薄膜トランジスタの要部構成を示し、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’線矢視断面図である。
【図１−２】（ｃ）は第２の封止層８で全面覆われた有機薄膜トランジスタの断面図であり、（ｄ）は封止層１０が、第１の封止層７と、第２の封止層８と、第３の封止層９を含んでいる場合の有機薄膜トランジスタの断面図である。
【図１−３】（ｅ）は封止層１０が、第１の封止層７と、第２の封止層８と、第３の封止層９を含んでいる場合の有機薄膜トランジスタの断面図であり、（ｆ）は第３の封止層９で全面覆われた有機薄膜トランジスタの断面図である。
【図２−１】（ａ）〜（ｄ）は図１における有機薄膜トランジスタの製造方法のプロセス工程の断面図である。
【図２−２】（ｅ）〜（ｇ）は図１における有機薄膜トランジスタの製造方法のプロセス工程の断面図である。
【図３】本発明の実施例１に係る有機薄膜トランジスタの要部構成を示し、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’線矢視断面図である。
【図４−１】（ａ）〜（ｄ）は図３における有機薄膜トランジスタの製造方法のプロセス工程の断面図である。
【図４−２】（ｅ）および（ｆ）は図３における有機薄膜トランジスタの製造方法のプロセス工程の断面図である。
【図５】本発明の比較例１に係る有機薄膜トランジスタの要部構成を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例４に係る有機薄膜トランジスタの要部構成を示し、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＣ−Ｃ’線矢視断面図である。
【図７】本発明の実施例５に係る有機薄膜トランジスタの要部構成を示す断面図である。
【図８】本発明の実施例６に係る有機薄膜トランジスタの要部構成を示す断面図である。
【図９】本発明の実施例７に係る有機薄膜トランジスタの要部構成を示し、ａ）は上面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＤ−Ｄ’線矢視断面図である。
【図１０】本発明の実施例８に係る有機薄膜トランジスタの要部構成を示し、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＥ−Ｅ’線矢視断面図である。
【図１１−１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態に係る有機薄膜トランジスタの一例を示す断面図であり、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＦ−Ｆ’線矢視断面図である。
【図１１−２】（ｄ）〜（ｆ）は本発明の実施形態に係る有機薄膜トランジスタの一例を示す断面図である。
【図１１−３】（ｇ）〜（ｉ）は本発明の実施形態に係る有機薄膜トランジスタの一例を示す断面図である。
【図１１−４】（ｊ）は本発明の実施形態に係る有機薄膜トランジスタの一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の実施形態について、図１に基づいて説明する。
（１）有機薄膜トランジスタ
図１は、本実施形態の有機薄膜トランジスタ１００の要部構成を示し、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’線矢視断面図である。
【００３５】
本発明の有機薄膜トランジスタ１００は、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、
基板１上に、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３が形成されており、ゲート絶縁膜３上にはソース電極４およびドレイン電極５とが分離して形成されている。有機半導体層６はソース電極４およびドレイン電極５との間隙を埋めるように、ゲート絶縁膜３およびソース電極４、ドレイン電極５上に形成されており、このソース電極４とドレイン電極５とに挟まれた有機半導体層の領域にチャネル部２０を有している。有機半導体層６上には、封止層１０が形成されており、チャネル部２０で分割されて有機半導体層上を覆う第１の封止層７と、チャネル部２０を含み有機半導体層を覆う第２の封止層８とによって封止層１０が構成されている。
【００３６】
本発明の有機薄膜トランジスタ１００の基本構成は以上のものであるが、例えば図１（ｃ）のように、第２の封止層８がチャネル部２０を含み有機トランジスタ上を覆っていてもよい。
またさらに、図１（ｄ），（ｅ）に示すように本発明の有機薄膜トランジスタ１００における封止層１０が、第１の封止層７と、第２の封止層８と、第３の封止層９を含んでいてもよい。第３の封止層９は、第２の封止層８を介してチャネル部を覆う封止層である。
またさらに、図１（ｆ）のように、第３の封止層９が有機トランジスタ上を覆っていてもよい。
【００３７】
基板
基板１は、特に限定されるものではないが、例えば、ガラス基板、石英基板、樹脂基板等を用いることができる。
【００３８】
ゲート電極
ゲート電極２を構成する材料は、導電性材料であれば特に限定されるものではない。例えば、ゲート電極２は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ロジウム（Ｒｈ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、シリコン（Ｓｉ）またはこれらの合金など、種々の金属材料から構成することができる。
【００３９】
ゲート絶縁膜
ゲート絶縁膜３を構成する材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではない。例えば、ゲート絶縁膜３は、酸化シリコン（ＳｉＯx）、酸化アルミニウム（ＡｌＯx）もしくは酸化タンタル（ＴａＯx）等の無機材料からなる無機絶縁膜であってもよく、またパリレン、ポリイミド、ポリビニルアルコールもしくはポリビニルフェノール等の有機材料からなる有機絶縁膜であってもよい。
【００４０】
ソース/ドレイン電極
ソース電極４およびドレイン電極５を構成する材料は、導電性材料であれば特に限定されるものではないが、電気抵抗が低い材料から構成することが好ましい。例えば、ソース電極４およびドレイン電極５は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ロジウム（Ｒｈ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、シリコン（Ｓｉ）またはこれらの合金など、様々の金属材料から構成することができる。
【００４１】
ソース電極４とドレイン電極５とは、同じ材料から構成されても良いし、異なる材料から構成されても良い。しかし、同じ材料から構成されていれば、ソース電極４とドレイン電極５とを一工程で形成することができるため、より好ましい。
【００４２】
有機半導体層
有機半導体層６は、有機材料を主成分として含む層である。有機半導体層６を構成する材料は、従来公知の有機薄膜トランジスタに用いられる有機半導体であれば特に限定されるものではない。例えば、有機半導体層６は、フラーレン、フラーレン誘導体、ペンタセン、ペンタセン誘導体、ペリレン誘導体、フタロシアニン、オリゴチオフェン、ポリチオフェン等の有機半導体材料から構成することができる。
【００４３】
封止層
第１の封止層７は、チャネル部によって２つの部分に隔てられており、２つの部分が同じ材料から構成されても良いし、異なる材料から構成されても良い。しかし、同じ材料から構成されていれば、第１の封止層７を一工程で形成することができるため、より好ましい。また、酸素や水分に対するバリア性が高いものが好ましい。
【００４４】
第１の封止層７を構成する材料は、有機絶縁材料や無機絶縁材料、もしくは金属および金属合金材料などが用いられるが、特にこれらに限定されるものではない。例えば、有機絶縁材料としてはパリレン、ポリイミド、ポリビニルアルコールおよびポリビニルフェノール等が挙げられ；無機絶縁材料としては酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化アルミニウム（ＡｌＯx）、酸化タンタル（ＴａＯx）等が挙げられ；金属および金属合金材料としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ロジウム（Ｒｈ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）およびシリコン（Ｓｉ）またはこれらの合金などが挙げられ；様々の材料を用いることができる。
【００４５】
第２の封止層８を構成する材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではない。例えば、第２の封止層８は、酸化シリコン（ＳｉＯx）、酸化アルミニウム（ＡｌＯx）または酸化タンタル（ＴａＯx）等の無機材料からなる無機絶縁膜であってもよいし、パリレン、ポリイミド、ポリビニルアルコールまたはポリビニルフェノール等の有機材料からなる有機絶縁膜であってもよい。また、封止材料として、酸素や水分に対するバリア性が高いものが好ましい。
【００４６】
さらに第３の封止層９を形成することができる。
第３の封止層９を構成する材料としては、有機絶縁材料や無機絶縁材料、もしくは金属および金属合金材料などが用いられるが、特にこれらに限定されるものではない。例えば、有機絶縁材料としてはパリレン、ポリイミド、ポリビニルアルコールおよびポリビニルフェノール等が挙げられ、無機絶縁材料としては酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化アルミニウム（ＡｌＯx）、酸化タンタル（ＴａＯx）等が、金属および金属合金材料としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ロジウム（Ｒｈ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）およびシリコン（Ｓｉ）またはこれらの合金などが挙げられる。
【００４７】
以上のように、有機薄膜トランジスタ１００は、第１の封止層７と、第２の封止層８を含んだ封止層１０を有し、第１の封止層７が、チャネル部２０で分割されて有機半導体層６を覆い、第２の封止層８がチャネル部２０含み有機半導体層６を覆う構造を有するものである。これにより、有機薄膜トランジスタの特性劣化が抑えられるという効果を奏する。
【００４８】
以上、図１に示す構造の有機薄膜トランジスタを用いて説明したが、ここで示した構造は本発明の実施形態の一例であって、これに限定されるものではない。本発明の有機薄膜トランジスタの、他の例としては、例えば、図９に示すように、ゲート電極をパターン化した有機薄膜トランジスタが挙げられる。
【００４９】
また、例えば、図１０に示すように、第１の封止層７をチャネル幅方向に分割した有機薄膜トランジスタが挙げられる。第１の封止層７をさらに分割して形成することにより、有機半導体層６に与える応力をさらに減少させることが可能となる。
【００５０】
また、例えば、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、チャネル部２０を含む有機半導体層を覆い、かつ第１の封止層７上に数箇所に分けて形成された第２の封止層８を備えた有機薄膜トランジスタが挙げられる。この様に第２の封止層８をさらに分割して形成することにより、第２の封止層７が有機半導体層６に与える応力をさらに減少させることが可能となる。
【００５１】
また、例えば、図１１（ｃ）に示すように、チャネル部２０を含む有機半導体層６を覆いかつ第１の封止層７上に数箇所に分けて形成された第２の封止層８と、第２の封止層を介してチャネル部２０を覆う第３の封止層９を備えた有機薄膜トランジスタが挙げられる。
【００５２】
また、例えば図１１（ｄ）に示すように、チャネル部２０を含む有機半導体層６とソース電極４とドレイン電極５と第１の封止層７とを覆う第２の封止層８と、第２の封止層８全体を覆う第３の封止層９を備えた有機薄膜トランジスタが挙げられる。この様に第３の封止層９を用いて素子を覆うことにより、複数の封止層によって有機半導体層６が保護されることから、酸素や水分による特性の劣化をさらに抑制することが可能となる。
【００５３】
また、図１１（ｅ）、（ｆ）に示すように、有機半導体層６の上部にソース電極４、ドレイン電極５を形成したトップコンタクト型有機薄膜トランジスタを用いてもよい。トップコンタクト構造とすることによって、有機半導体層６はソース電極４およびドレイン電極５と第１の封止層７によって周辺部分が、第２の封止層８によってチャネル部２０が保護される構造となる。
【００５４】
また、例えば、図１１（ｇ）に示すように、チャネル部２０を含む有機半導体層６とソース電極４とドレイン電極５と第１の封止層７とを覆う第２の封止層８を備えたトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタが挙げられる。
【００５５】
また、例えば、図１１（ｈ）に示すように、チャネル部２０を含む有機半導体層６とソース電極４とドレイン電極５と第１の封止層７とを覆う第２の封止層８と、第２の封止層を介してチャネル部を覆う第３の封止層９とを備えたトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタが挙げられる。
【００５６】
また、例えば図１１（ｉ）に示すように、チャネル部２０を含む有機半導体層６とソース電極４とドレイン電極５と第１の封止層７とを覆う第２の封止層８と、第２の封止層８上を覆う第３の封止層９を備えたトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタが挙げられる。
【００５７】
また、例えば図１１（ｊ）に示すように、チャネル部２０を含む有機半導体層６とソース電極４とドレイン電極５と第１の封止層７とを覆う第２の封止層８と、第２の封止層８全体を覆う第３の封止層９を備えたトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタが挙げられる。
【００５８】
（２）有機薄膜トランジスタの製造方法
以下、本実施形態の有機薄膜トランジスタ１００の製造方法について説明する。図２は、図１の有機薄膜トランジスタ１００の製造方法におけるプロセス工程を示す断面図である。なお、以下で説明する製造方法は一例であって、この製造方法に限定されるものではない。
【００５９】
有機薄膜トランジスタ１００の製造方法は、基板１上にゲート電極２を形成するゲート電極形成工程と、ゲート電極２上にゲート絶縁膜３を形成するゲート絶縁膜形成工程と、ゲート絶縁膜３上にソース電極４およびドレイン電極５を互いに間隔を置いて形成するソースドレイン電極形成工程と、ゲート絶縁膜３上に、ソース電極４とドレイン電極５とにより挟まれるように有機半導体層６を形成する有機半導体層形成工程と、封止層１０を形成する封止層形成工程を含み、封止層形成工程は、有機半導体層をチャネル部で分割して覆う第１の封止層７を形成する第１封止層形成工程と、有機半導体層を、チャネル部を含んで覆う第２の封止層８を形成する第２封止層形成工程とを含んでいる。
【００６０】
本発明の有機薄膜トランジスタ１００の製造方法の基本工程は以上のものであるが、封止層１０を形成する工程がさらに、チャネル部を第２の封止層８を介して覆う第３の封止層を形成する、第３封止層形成工程を含んでいてもよい。
【００６１】
（ａ）ゲート電極形成工程
図２の（ａ）に示すように、まず、基板１上に金属薄膜を形成して、ゲート電極２を形成する。
なお、本実施の形態では説明の簡略化のために基板１の全面に、ゲート電極２を形成する場合について説明している。しかし、ゲート電極２は、基板１の全面に形成することに限定されるものではなく、フォトリソグラフィー法やマスク成膜法等を用いて、パターン化されたゲート電極２を形成することも可能である。
また、ゲート電極２をパターニングすることの利点として、例えば素子分離が可能になることや、ゲート寄生容量低減により素子の高速動作が見込めるようになることが挙げられる。
【００６２】
（ｂ）ゲート絶縁層形成工程
次に、図２の（ｂ）に示すように、ゲート電極２に重畳するようにゲート絶縁層３を形成する。ゲート絶縁層３の作製には、通常の真空蒸着、スパッタ成膜、ＣＶＤ法、スピンコーティング法、またはインクジェット法等、種々の方法を用いることが可能である。
【００６３】
（ｃ）ソースドレイン電極形成工程
続いて、図２の（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜３上に、ソース電極４とドレイン電極５とを互いに間隔を置いて形成する。
ソース電極４およびドレイン電極５のパターンの形成には、通常の半導体プロセスで用いられるフォトリソグラフィー手法、エッチングプロセス、リフトオフプロセスの他、インクジェット法等の印刷手法を利用することができる。また、ソース電極４およびドレイン電極５を構成する材料の形成には、通常の真空蒸着法やスパッタ成膜法、印刷法等、様々な方法を用いることが可能である。
【００６４】
なお、ソース電極４とドレイン電極５との間隔（チャネル長）は、高速応答性や素子の微細化、および作製の容易さの観点から、１０ｎｍ〜２００μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜５０μｍであることが好ましい。
【００６５】
また、ソース電極４とドレイン電極５は、素子微細化や作製の容易さの観点から、一辺が１０ｎｍ〜１ｃｍ、好ましくは１００ｎｍ〜１ｍｍであることが好ましい。
【００６６】
また、チャネルの幅は、電流量の確保や素子微細化、および作製の容易さの観点から、１０ｎｍ〜１ｃｍ、好ましくは１００ｎｍ〜１ｍｍであることが好ましい。
【００６７】
（ｄ）有機半導体層形成工程
次に、図２の（ｄ）に示すように、有機半導体層６を、ソース電極４およびドレイン電極５に重畳するように形成する。
有機半導体層６は、例えば、抵抗加熱による真空蒸着法を用いて作製することができる。また、有機半導体層６が可溶性の材料から構成される場合、塗布法または印刷法等の一般的な手法を用いて有機半導体層６を作製することが可能である。寄生容量等の観点から、有機半導体層６は、ソース電極４およびドレイン電極５上に重畳するようにパターン化して形成することが好ましい。
【００６８】
（ｅ）第１封止層形成工程
続いて、図２の（ｅ）に示すように、有機半導体層をチャネル部で分割して覆うように第１の封止層７を形成する。
第１の封止層７のパターンの形成には、インクジェット法やスクリーン印刷法等の印刷手法や、通常の半導体プロセスで用いられるフォトリソグラフィー手法、エッチングプロセス、リフトオフプロセス等を利用することができる。また、第１の封止層７の成膜には、通常の真空蒸着法やスパッタ成膜法、印刷法等、様々な方法を用いることが可能である。
【００６９】
（ｆ）第２封止層形成工程
最後に、図２の（ｆ）に示すように、チャネル部を含んで有機半導体層を覆う第２の封止層８を形成する。
第２の封止層８の作製には、通常の真空蒸着、スパッタ成膜、ＣＶＤ法、スピンコーティング法、またはインクジェット法等、種々の成膜方法を用いることが可能である。
【００７０】
（ｇ）第３封止層形成工程
以上のような工程によって、本発明の有機トランジスタ１００は形成されるが、その後にさらにここで示すような第３封止層形成工程を行ってもよい。
第３封止層形成工程は、図２の（ｇ）に示すように、チャネル部を第２の封止層を介して覆う、第３の封止層９を形成する。
【００７１】
第３の封止層９のパターンの形成には、インクジェット法やスクリーン印刷法等の印刷手法や、通常の半導体プロセスで用いられるフォトリソグラフィー手法、エッチングプロセス、リフトオフプロセス等を利用することができる。また、第３の封止層９の成膜には、通常の真空蒸着法やスパッタ成膜法、印刷法等、様々な方法を用いることが可能である。
以上のような工程によって、本実施形態に係る有機薄膜トランジスタ１００を製造することが可能となる。
【実施例】
【００７２】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例１
実施例１では、図３に示すような、ｐ型の有機半導体材料であるペンタセンを用いた有機薄膜トランジスタ１００の製造例について説明する。図３において、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’線矢視断面図である。但し、図３（ａ）中の第２の封止層８は、構成が分かり易いように、輪郭のみを記載してある。
【００７３】
図４は、図３の有機薄膜トランジスタ１００の製造方法におけるプロセス工程を示す断面図である。
以下、図４の（ａ）〜（ｅ）に基づいて、図３に示す有機薄膜トランジスタ１００を製造する方法のプロセス工程を説明する。
【００７４】
まず、図４の（ａ）に示すように、ゲート電極を兼ねた基板１１としてＮ型の単結晶シリコン基板を用い、この基板１１上にゲート絶縁膜３としてシリコンの熱酸化膜を膜厚１００ｎｍで形成した。次に、ゲート絶縁膜３上にソース電極４およびドレイン電極５を作製するために、開口部を有するフォトレジスト膜１２を作製した。
次に、図４の（ｂ）に示すように、金（Ａｕ）と金ニッケル合金（Ａｕ／Ｎｉ＝９７％／３％）の２層構造からなる金属薄膜１３を真空蒸着法により膜厚６０ｎｍで蒸着した。
【００７５】
その後、フォトレジスト膜１２を除去するため、Ｎ−メチルピロリドン溶媒中に基板１１を浸漬するリフトオフ工程を行い、フォトレジスト膜１２上に積層されていた不要な金からなる金属薄膜１３を除去した。これにより、図４の（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜３上に、ソース電極４とドレイン電極５とを形成した。ソース電極４およびドレイン電極５の長さは、チャネル長方向に５００μｍ、チャネル幅方向に１０００μｍとした。また、チャネル長は５０μｍとした。
【００７６】
続いて、図４の（ｄ）に示すように、ｐ型の有機半導体材料ペンタセンを用いて有機半導体層６を形成した。実施例１では、真空蒸着法を用いて、基板温度５０℃の条件で所定の開口部を有するマスクを介した蒸着を行い、膜厚１００ｎｍの有機半導体層６を作製した。該有機半導体層の長さは、チャネル長方向に４００μｍ、チャネル幅は５００μｍとした。
【００７７】
そして、図４の（ｅ）に示すように、ポリビニルアルコールの水溶液を、ディスペンサによって滴下し、９０℃で１時間窒素中にてアニーリングを行って、チャネル部で分割されて有機半導体層６を覆う第１の封止層７を成膜した。
最後に、図４の（ｆ）に示すように、パリレンを、チャネル部を含み有機半導体層６を覆うように、メタルマスクを用いた蒸着法によって２００ｎｍ成膜し、第２の封止層８を形成して有機薄膜トランジスタを製造した。
【００７８】
実施例２
実施例１において第１の封止層７を形成する際に用いたポリビニルアルコールをパリレンに、ディスペンサによる滴下を蒸着に替えた以外は、実施例１と全く同様にして有機トランジスタを製造した。
【００７９】
実施例３
実施例１において第１の封止層７を形成する際に用いたポリビニルアルコール溶液をポリイミドのＮ−メチルピロリドン溶液に替えた以外は、実施例１と全く同様にして有機トランジスタを製造した。
【００８０】
比較例１
図５に示す比較例１の有機薄膜トランジスタにおいては、チャネル部で分割されずに有機半導体層６の全体を覆うような、第１の全覆封止層１７が形成され、その上に有機半導体層６を覆う第２の全覆封止層１８が形成されている。
【００８１】
比較例１の有機薄膜トランジスタは、第１の封止層７に代え、ポリビニルアルコールの水溶液をディスペンサによって滴下し、９０℃で１時間窒素中にてアニーリングを行って、有機半導体層６全体を覆う、第１の全覆封止層１７を成膜した。また、パリレンを、有機半導体層６を第１の全覆封止層１７を介して覆うように、メタルマスクを用いた蒸着法によって２００ｎｍ成膜して第２の全覆封止層１８を形成した。これ以外は、実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタを作製した。
【００８２】
比較例２
実施例１の有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層６の形成まで行い、その後の封止層を形成する工程を実施しなかったこと以外は、実施例１と同様にして作製することで、図４（ｄ）に示すような封止層を持たない有機薄膜トランジスタを作製した。
【００８３】
実施例４
図６は、実施例４に係る有機薄膜トランジスタ１００の要部構成を示し、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＣ−Ｃ’線矢視断面図である。但し、図６（ａ）中の第２の封止層８は、構成が分かり易いように、輪郭のみを記載してある。
【００８４】
図６に示す実施例４の有機薄膜トランジスタにおいて、封止層が、第１の封止層７と第２の封止層８と、金属材料から形成されている第３の封止層９から構成されている。
第２の封止層８までは実施例１と同様にして形成した。
その後、金（Ａｕ）と金ニッケル合金（Ａｕ／Ｎｉ＝９７％／３％）の２層構造からなる第３の封止層９を、第２の封止層８を介してチャネル部を覆うように、メタルマスクを用いた真空蒸着法によって１００ｎｍ成膜して形成した。
【００８５】
実施例５
図７に示す実施例５の有機薄膜トランジスタにおいて、第３の封止層９は有機トランジスタ上を覆うように形成されている。第２の封止層８までは実施例４と同様にして形成した。
その後、金（Ａｕ）と金ニッケル合金（Ａｕ／Ｎｉ＝９７％／３％）の２層構造からなる第３の封止層９を、有機トランジスタ上を覆うように、メタルマスクを用いた真空蒸着法によって１００ｎｍ成膜して形成した。
【００８６】
実施例６
図８に示す実施例６の有機薄膜トランジスタにおいて、第１の封止層７と第３の封止層９は金属材料から形成されている。
有機半導体層６までは実施例１と同様にして形成した。
その後、金（Ａｕ）と金ニッケル合金（Ａｕ／Ｎｉ＝９７％／３％）の２層構造からなる第１の封止層７を、メタルマスクを用いて真空蒸着法により膜厚１００ｎｍで形成した。
【００８７】
その後、パリレンを、チャネル部を含み有機半導体層６を覆うように、メタルマスクを用いた蒸着法によって２００ｎｍ成膜し、第２の封止層８を形成した。
最後に、金（Ａｕ）と金ニッケル合金（Ａｕ／Ｎｉ＝９７％／３％）の２層構造からなる第３の封止層９を、第２の封止層８を介してチャネル部を覆うように、メタルマスクを用いた真空蒸着法によって１００ｎｍ成膜して形成した。
【００８８】
実施例７
図９は、実施例７に係る有機薄膜トランジスタ２００の要部構成を示し、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＤ−Ｄ’線矢視断面図である。但し、図９（ａ）中の第２の封止層２８は、構成が分かり易いように、輪郭のみを記載してある。
実施例７の有機薄膜トランジスタは、ゲート電極がパターニングされた構造を備える。また、第１の封止層２７と第３の封止層２９は金属材料から形成されている。
【００８９】
以下、実施例７の有機薄膜トランジスタを製造する方法のプロセス工程を説明する。
まず、ガラス基板２１上にスパッタリング法によりアルミシリコン合金膜（Ａｌ／Ｓｉ＝９０％／１０％）を膜厚４０ｎｍ形成した。
続いて、アルミシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）合金膜を、フォトリソグラフィーおよびエッチングプロセスを用いて所望の形状にパターニングを行い、ゲート電極２２を形成した。
【００９０】
次に、ゲート電極２２上に、酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）をスパッタリング法により、膜厚２００ｎｍで製膜して、ゲート絶縁膜２３を作製した。
続いて、実施例１と同様にレジスト膜（図示せず）を用いたリフトオフ法を用いて金からなるソース電極２４とドレイン電極２５とを膜厚６０ｎｍで作製した。
ソース電極２４およびドレイン電極２５の長さは、チャネル長方向に５００μｍ、チャネル幅方向に１０００μｍとした。また、チャネル長は５０μｍとした。
【００９１】
そして、実施例１と同様に有機半導体層２６として、ペンタセンを膜厚１００ｎｍで真空蒸着法により成膜した。長さは、チャネル長方向に４００μｍ、チャネル幅は５００μｍとした。
それから、金（Ａｕ）と金ニッケル合金（Ａｕ／Ｎｉ＝９７％／３％）の２層構造からなる第１の封止層２７を、メタルマスクを用いて真空蒸着法により膜厚１００ｎｍで形成することで形成した。
【００９２】
続いて、パリレンを、チャネル部を含み有機半導体層６を覆うように、メタルマスクを用いた蒸着法によって２００ｎｍ成膜し、第２の封止層２８を形成した。
最後に、金（Ａｕ）と金ニッケル合金（Ａｕ／Ｎｉ＝９７％／３％）の２層構造からなる第３の封止層２９を、メタルマスクを用いて真空蒸着法により、膜厚１００ｎｍで形成した。
以上のようなプロセスにより、図９に示す本実施例７の有機トランジスタを作製した。
【００９３】
以上のようにして作製した有機薄膜トランジスタ２００に対して、ゲート電極２２−ソース電極２４間と、第３の封止層２９−ソース電極２４間の両方に、０Ｖから−２５Ｖまで変化させた電圧を同時に印加し、有機薄膜トランジスタ２００を流れるドレイン電流Ｉdを測定した。ソース電極２４−ドレイン電極２５間の電圧は−２５Ｖで固定した。
【００９４】
比較例３
実施例７で作製した有機薄膜トランジスタ２００に対して、ゲート電極２２−ソース電極２４間に、０Ｖから−２５Ｖまで変化させた電圧を印加し、有機薄膜トランジスタ２００を流れるドレイン電流Ｉdを測定した。ソース電極２４−ドレイン電極２５間の電圧は−２５Ｖで固定した。
【００９５】
実施例８
図１０は、実施例８に係る有機薄膜トランジスタ１００の要部構成を示し、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＥ−Ｅ’線矢視断面図である。但し、図１０（ａ）中の第２の封止層８は、構成が分かり易いように、輪郭のみを記載してある。
図１０に示す実施例８の有機薄膜トランジスタにおいて、第１の封止層７はチャネル幅方向に分割され、有機半導体層のチャネル部以外を覆っている。
【００９６】
ソース電極４とドレイン電極５までは実施例１と同様にして形成した。
続いて、ｐ型の有機半導体材料ペンタセンを真空蒸着法を用いて、基板温度５０℃の条件で所定の開口部を有するマスクを介した蒸着を行い、２つの部分に分割した膜厚１００ｎｍの有機半導体層６を作製した。各部分の長さは、チャネル長方向に４００μｍ、チャネル幅を２５０μｍとした。
【００９７】
そして、ポリビニルアルコールの水溶液を、ディスペンサによって滴下し、９０℃で１時間窒素中にてアニーリングを行って、各チャネルで分割され、かつチャネル幅方向にも分割して有機半導体層６を覆う第１の封止層７を成膜した。
最後に、パリレンを、チャネル部を含み有機半導体層６を覆うように、メタルマスクを用いた蒸着法によって２００ｎｍ成膜し、第２の封止層８を形成して有機薄膜トランジスタを製造した。
【００９８】
実施例１〜６、８と比較例１、２の比較
実施例１〜６および８と比較例１、２で作製した有機薄膜トランジスタの移動度を、Ｖg−｜Ｉd｜1/2曲線から求めた。Ｖgはソース電極４−基板１１間に印加する電圧であり、０Ｖから−３０Ｖまで変化させた。また、ソース電極４−ドレイン電極５間の電圧は−３０Ｖで固定した。測定には、アジレントテクノロジー社の半導体デバイスアナライザーＢ１５００Ａを用いた。
【００９９】
また、大気中に１０日間放置後、再度同様の測定によって各トランジスタの移動度を算出し、作製直後の移動度と比較した。
【表１】
2011049221.tif 000003
【０１００】
実施例１〜３と比較例１、２から、チャネル部で分割された第１の封止層７で有機半導体層６を覆い、第２の封止層８でチャネル部を含み有機半導体層６を覆う構造によって、特性劣化を抑えることが可能であることが確認された。
【０１０１】
また、実施例１と実施例４から、封止層１０が、第１の封止層７と第２の封止層８に加え、第２の封止層８を介してチャネル部分を覆う第３の封止層９を有することによって、大気中の特性劣化をさらに抑えることが可能であることが確認された。
【０１０２】
また、実施例４と実施例５から、第３の封止層９が有機トランジスタ上を覆うことによって、大気中の特性劣化をさらに抑えることが可能であることが確認された。
さらに実施例１と実施例６から、金属で第１の封止層７を形成することで、有機薄膜トランジスタの特性劣化を抑えられることに加え、特性を向上できることが確認できた。
さらに実施例１と実施例８から、第１の封止層７をチャネル幅方向にも分割して有機半導体層６を覆うことによってより大気中の特性劣化を抑えることが可能であることが確認された。
【０１０３】
実施例７と比較例３の比較
下表に示した結果から明らかなように、実施例７で作製した有機薄膜トランジスタ２００は、大気中での特性劣化を抑えられることに加え、ソース電極２３−第３の封止層２９間に電圧を印加することにより、ドレイン電流量が増加する。即ち、第１の封止層２７と第３の封止層２９を金属材料とした場合、第３の封止層２９を第２のゲート電極、第２の封止層２８を第２のゲート絶縁膜とみなした、ダブルゲート型有機薄膜トランジスタとでき、より多くの電流を得られることが確認できた。
【０１０４】
【表２】
2011049221.tif 000004
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
本発明の有機薄膜トランジスタは、移動度などの特性劣化を抑えることが可能であるため、各種電子部品に好適に使用できる。例えば、フレキシブルディスプレイ分野において、好適に利用することができる。
【符号の説明】
【０１０６】
１００、２００  有機薄膜トランジスタ
１、１１、２１    基板
２、２２          ゲート電極
３、２３          ゲート絶縁膜
４、２４          ソース電極
５、２５          ドレイン電極
６、２６          有機半導体層
【０１０７】
７、２７          第１の封止層
８、２８          第２の封止層
９、２９          第３の封止層
１０              封止層
１２              フォトレジスト膜
１３              金属薄膜
１７              第１の全覆封止層
１８              第２の全覆封止層
２０              チャネル部
【図１−１】
2011049221.tif 000005
【図１−２】
2011049221.tif 000006
【図１−３】
2011049221.tif 000007
【図２−１】
2011049221.tif 000008
【図２−２】
2011049221.tif 000009
【図３】
2011049221.tif 000010
【図４−１】
2011049221.tif 000011
【図４−２】
2011049221.tif 000012
【図５】
2011049221.tif 000013
【図６】
2011049221.tif 000014
【図７】
2011049221.tif 000015
【図８】
2011049221.tif 000016
【図９】
2011049221.tif 000017
【図１０】
2011049221.tif 000018
【図１１−１】
2011049221.tif 000019
【図１１−２】
2011049221.tif 000020
【図１１−３】
2011049221.tif 000021
【図１１−４】
2011049221.tif 000022