(57)【要約】【課題】リフロー半田付け時にフィルムパッケージの内外を連通する空隙が端子導出用封止部内に形成されるこを防止できる電気化学デバイスを提供する。【解決手段】電気化学デバイスＲＢ１は、端子導出用封止部１４ｃを有するフィルムパッケージ１４と、蓄電素子１１と、後端を蓄電素子１１に電気的に接続され前側部分を端子導出用封止部１４ｃを通じてフィルムパッケージ１４外に導出された端子１２とを備える。フィルムパッケージ１４は端子導出用封止部１４ｃ側に支持部１４ｄを有しており、端子１２にはヒートシール補助部材１３がその一部分を囲むように設けられ、該ヒートシール補助部材１３の後側部分は端子導出用封止部１４ｃ内に位置していてヒートシール層ＬＦ３相互が熱融着されるときにこれらと一体化しており、且つ、該ヒートシール補助部材１３の前側部分は端子導出用封止部１４ｃから前方に突出していて支持部１４ｄ上に位置している。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートシール層を有するラミネートフィルムを用いて作成されヒートシール層相互を熱融着して一体化することによって形成された端子導出用封止部を有するフィルムパッケージと、フィルムパッケージ内に封入された蓄電素子と、一端を蓄電素子に電気的に接続され他側部分を端子導出用封止部を通じてフィルムパッケージ外に導出された端子とを備える電気化学デバイスであって、
フィルムパッケージは端子導出用封止部側の一方のフィルム端が他方のフィルム端よりも外方に突出していて該突出部分によって形成された支持部を有しており、
端子にはヒートシール層と同一材料から成るヒートシール補助部材がその一部分を囲むように設けられ、該ヒートシール補助部材の一側部分は端子導出用封止部内に位置していてヒートシール層相互が熱融着されるときにこれらと一体化しており、且つ、該ヒートシール補助部材の他側部分は端子導出用封止部から外方に突出していてフィルムパッケージの支持部上に位置している。
【請求項２】
請求項１に記載の電気化学デバイスにおいて、
フィルムパッケージの支持部は、端子導出用封止部に沿って連続して形成されている。
【請求項３】
請求項１に記載の電気化学デバイスにおいて、
フィルムパッケージの支持部は、端子導出用封止部から外方に突出するヒートシール補助部材の他側部分に対応して部分的に形成されており、該支持部の幅は、ヒートシール補助部材の他側部分の幅よりも大きい。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載の電気化学デバイスにおいて、
フィルムパッケージの端子導出用封止部から外方に突出するヒートシール補助部材の他側部分の突出長は、支持部の突出長と略一致している。
【請求項５】
請求項１〜３の何れか１項に記載の電気化学デバイスにおいて、
フィルムパッケージの端子導出用封止部から外方に突出するヒートシール補助部材の他側部分の突出長は、支持部の突出長よりも長い。
【請求項６】
請求項１〜３の何れか１項に記載の電気化学デバイスにおいて、
フィルムパッケージの端子導出用封止部から外方に突出するヒートシール補助部材の他側部分の突出長は、支持部の突出長よりも短い。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蓄電素子をフィルムパッケージ内に封入した構造を備える電気化学デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
以下、図面を引用して背景技術を説明するが、該説明では図１（Ａ）の左、右、下、上、手前、及び奥をそれぞれ前、後、左、右、上、及び下と称すると共に、他の図のこれらに相当する方向をそれぞれ前、後、左、右、上、及び下と称する。
【０００３】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は従来において一般的な電気化学デバイスＲＢを示す。この電気化学デバイスＲＢは、蓄電素子１０１と、蓄電素子１０１に電気的に接続された１対の端子１０２と、蓄電素子１０１を封入したフィルムパッケージ１０３と、を備えている。
【０００４】
蓄電素子１０１は略矩形の上面視輪郭を有し、集電極層と分極性電極層とセパレートフィルムが所定順序で上下方向に積層された構造を有している。また、一方極性として用いられる集電極層の前縁の左側には矩形状の端子接続部が該集電極層と一体に設けられ、他方極性として用いられる集電極層の前縁の右側には矩形状の端子接続部が該集電極層と一体に設けられている。
【０００５】
各端子１０２は略矩形の上面視輪郭を有し、一方の端子１０２の後端は蓄電素子１０１の一方の端子接続部に電気的に接続され、他方の端子１０２の後端は蓄電素子１０１の他方の端子接続部に電気的に接続されている。各端子１０２は一般にアルミニウムや白金等の導電材から成る。
【０００６】
フィルムパッケージ１０３は略矩形の上面視輪郭を有し、耐熱層ＬＦ１とバリア層ＬＦ２とヒートシール層ＬＦ３を順に有するラミネートフィルムＬＦを用いて形成されている。ヒートシール層ＬＦ３は一般にポリプロピレン等の熱可塑性プラスチックから成る。また、フィルムパッケージ１０３の外縁には、ヒートシール層ＬＦ３相互を熱融着して一体化することによって形成された左側封止部１０３ａと右側封止部１０３ｂと前側封止部１０３ｃ（以下、端子導出用封止部１０３ｃと言う）が所定幅で連続して設けられている。
【０００７】
このフィルムパッケージ１０３内には蓄電素子１０１が電解質と共に封入されていて、各端子１０２の前側部分は端子導出用封止部１０３ｃを通じてフィルムパッケージ１０３外に導出されている。
【０００８】
前記フィルムパッケージ１０３を作成するときには、各端子１０２が接続された蓄電素子１０１を用意すると共に、所定サイズの矩形状ラミネートフィルムＬＦを用意する。続いて、ヒートシール層ＬＦ３が上を向くようにラミネートフィルムＬＦを配置し、各端子１０２の前側部分が一方のフィルム端から突出するように蓄電素子１０１を該ラミネートフィルムＬＦ上に載置する。
【０００９】
続いて、下側のフィルム端に上側のフィルム端が揃うようにラミネートフィルムＬＦを２つ折りにし、適当な加熱器具を用いてその左縁と右縁を所定幅で加熱し、該加熱によりヒートシール層ＬＦ３相互を熱融着して一体化することによって左側封止部１０３ａと右側封止部１０３ｂを形成する。続いて、袋状となったラミネートフィルムＬＦの前側開放部分から電解質をその内側に注入し、適当な加熱器具を用いて該ラミネートフィルムＬＦの前縁を所定幅で加熱し、該加熱によりヒートシール層ＬＦ３相互を熱融着して一体化することによって端子導出用封止部１０３ｃを形成する。
【００１０】
端子導出用封止部１０３ｃを形成する際の加熱は、上下２つのヒートシール層ＬＦ３の間に各端子１０３の一部分を挟み込んだ状態で行われるため、該加熱によって上下２つのヒートシール層ＬＦ３は一体化し、各端子１０２の一部分はこの「一体化したヒートシール材料」によって隙間無く囲まれる（図１（Ｂ）を参照）。
【００１１】
ところで、前記電気化学デバイスＲＢは、フィルムパッケージ１０３を用いることによって他の蓄電デバイスに比べて薄型化が容易であることから、（１）電気化学デバイスＲＢをチップコンデンサやチップレジスタ等の電子部品と一緒に回路基板にリフロー半田付けする要望や（２）電気化学デバイスＲＢをＩＣカード内に封入する要望が高まっている。
【００１２】
しかしながら、電気化学デバイスＲＢを回路基板にリフロー半田付けするときには、回路基板上に電気化学デバイスＲＢを搭載して該回路基板をリフロー炉に投入する手順が一般に採用されるため、リフロー半田付けの温度プロファイルに伴った温度上昇が電気化学デバイスＲＢに生じて、該電気化学デバイスＲＢがリフロー半田付けのピーク温度或いはこれに近い温度まで上昇してしまう。
【００１３】
一方、電気化学デバイスＲＢをＩＣカード内に封入するときには、コアシートのデバイス収納用貫通孔に電気化学デバイスＲＢを収納して該コアシートの上下面それぞれにカバーシートをヒートシールする手順が一般に採用されるため、ヒートシールの温度プロファイルに伴った温度上昇が電気化学デバイスＲＢに生じて、該電気化学デバイスＲＢがヒートシールのピーク温度或いはこれに近い温度まで上昇してしまう。
【００１４】
この上昇温度が「一体化したヒートシール材料」の融点よりも高い場合には、前記温度上昇によって各端子１０２の一部分を隙間無く囲む「一体化したヒートシール材料」に軟化或いは溶融が生じると共に、フィルムパッケージ１０３の内圧が電解質の蒸気圧上昇等によって上昇する。
【００１５】
つまり、軟化或いは溶融した「一体化したヒートシール材料」がフィルムパッケージ１０３の上昇内圧によって外部に押し出される現象を生じる恐れがあり、押し出された場合にはフィルムパッケージ１０３の内外を連通する空隙ＶＯが各端子１０２の端子導出用封止部１０１ｃ内に位置する部分の周囲に形成されてしまう（図２を参照）。
【００１６】
この現象によって形成される空隙ＶＯの位置や大きさ等は様々であるが、該空隙ＶＯがフィルムパッケージ１０３の内外を連通するように形成されてしまうと、該空隙ＶＯを通じてフィルムパッケージ１０３内の電解質が外部に漏出して周囲を汚してしまったり、また、該電解質の漏出によって電気化学デバイスＲＢの機能が低下してしまったりする等の不具合を生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開２００８−１３５４４３号公報
【特許文献１】特開２００５−１２９２３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の目的は、電気化学デバイスを回路基板にリフロー半田付けする場合やＩＣカード内に封入する場合でも、フィルムパッケージの内外を連通する空隙が端子導出用封止部内に形成されることを防止できる電気化学デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記目的を達成するため、本発明は、ヒートシール層を有するラミネートフィルムを用いて作成されヒートシール層相互を熱融着して一体化することによって形成された端子導出用封止部を有するフィルムパッケージと、フィルムパッケージ内に封入された蓄電素子と、一端を蓄電素子に電気的に接続され他側部分を端子導出用封止部を通じてフィルムパッケージ外に導出された端子とを備える電気化学デバイスであって、フィルムパッケージは端子導出用封止部側の一方のフィルム端が他方のフィルム端よりも外方に突出するようになっていて該突出部分によって形成された支持部を有しており、端子にはヒートシール層と同一材料から成るヒートシール補助部材がその一部分を囲むように設けられ、該ヒートシール補助部材の一側部分は端子導出用封止部内に位置していてヒートシール層相互が熱融着されるときにこれらと一体化しており、且つ、該ヒートシール補助部材の他側部分は端子導出用封止部から外方に突出していて支持部上に位置している。
【００２０】
この電気化学デバイスを回路基板にリフロー半田付けする場合には、リフロー半田付けの温度プロファイルに伴った温度上昇が該電気化学デバイスに生じて、該電気化学デバイスがリフロー半田付けのピーク温度或いはこれに近い温度まで上昇してしまう。また、電気化学デバイスをＩＣカード内に封入するときには、ヒートシールの温度プロファイルに伴った温度上昇が該電気化学デバイスに生じて、該電気化学デバイスがヒートシールのピーク温度或いはこれに近い温度まで上昇してしまう。
【００２１】
この上昇温度がヒートシール補助部材の融点よりも高い場合には前記温度上昇によってヒートシール補助部材の他側部分は端子の表面に沿って広がるように溶融するが、該各ヒートシール補助部材は支持部上に位置していることから、各ヒートシール補助部材の他側部分は溶融によってその形を変化するものの、該溶融物は当初位置或いはこれに近い位置に止まる。
【００２２】
一方、端子の温度上昇に伴って、該端子を介して、端子導出用封止部内において端子の一部分を囲む「一体化したヒートシール材料」に熱が伝わる。また、フィルムパッケージの表面の温度上昇に伴って該フィルムパッケージ内に熱が伝わり、電解質の蒸気圧上昇等によってその内圧が上昇する。つまり、端子の一部分を囲む「一体化したヒートシール材料」は前記熱伝導により軟化或いは溶融し、これを外部に押し出そうとする力がフィルムパッケージの上昇内圧に基づいて作用する。
【００２３】
しかしながら、先に述べたように端子に対応する端子導出用封止部の前側にはヒートシール補助部材の溶融物が止まっているため、端子からの熱伝導により軟化或いは溶融した「一体化したヒートシール材料」を外部に押し出そうとする力がフィルムパッケージの上昇内圧に基づいて作用しても、軟化或いは溶融した「一体化したヒートシール材料」が外部に押し出されることが阻止される。つまり、端子の端子導出用封止部内に位置する部分の周囲には、従前のような空隙が形成されることは無い。
【００２４】
依って、前記電気化学デバイスを回路基板にリフロー半田付けする場合やＩＣカード内に封入する場合でも、フィルムパッケージの内外を連通する空隙が端子導出用封止部内に形成されることが無いため、該空隙を通じてフィルムパッケージ内の電解質が外部に漏出して周囲を汚してしまったり、また、該電解質の漏出によって電気化学デバイスの機能が低下する等の不具合を確実に回避できる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、電気化学デバイスを回路基板にリフロー半田付けする場合やＩＣカード内に封入する場合でも、フィルムパッケージの内外を連通する空隙が端子導出用封止部内に形成されることが無いため、該空隙を通じてフィルムパッケージ内の電解質が外部に漏出して周囲を汚してしまったり、また、該電解質の漏出によって電気化学デバイスの機能が低下する等の不具合を確実に回避できる。
【００２６】
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１（Ａ）は従来形態を示す電気化学デバイスの上面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＳ−Ｓ線に沿う拡大断面図である。
【図２】図２は図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示した電気化学デバイスを回路基板にリフロー半田付けするときやＩＣカード内に封入するときにおける端子導出用封止部のヒートシール材料の挙動を説明するための図である。
【図３】図３（Ａ）は本発明の第１実施形態を示す電気化学デバイスの上面図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＳ１１−Ｓ１１線に沿う断面図、図３（Ｃ）は図３（Ａ）のＳ１２−Ｓ１２線に沿う拡大断面図、図３（Ｄ）は図３（Ａ）のＳ１３−Ｓ１３線に沿う拡大断面図である。
【図４】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は図３（Ａ）〜図３（Ｄ）に示した電気化学デバイスを回路基板にリフロー半田付けするときやＩＣカード内に封入するときにおける端子導出用封止部のヒートシール材料の挙動を説明するための図である。
【図５】図５は本発明の第２実施形態を示す電気化学デバイスの上面図である。
【図６】図６は本発明の第３実施形態を示す電気化学デバイスの上面図である。
【図７】図７は本発明の第４実施形態を示す電気化学デバイスの上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面を引用して発明を実施するための形態を説明するが、該説明では図３（Ａ）の左、右、下、上、手前、及び奥をそれぞれ前、後、左、右、上、及び下と称すると共に、他の図のこれらに相当する方向をそれぞれ前、後、左、右、上、及び下と称する。
【００２９】
［第１実施形態］
図３（Ａ）〜図３（Ｄ）は本発明の第１実施形態（電気化学デバイスＲＢ１）を示す。この電気化学デバイスＲＢ１は、蓄電素子１１と、蓄電素子１１に電気的に接続された１対の端子１２と、各端子１２に設けられたヒートシール補助部材１３と、蓄電素子１１を封入したフィルムパッケージ１４と、を備えている。
【００３０】
蓄電素子１１は略矩形の上面視輪郭を有し、集電極層１１ａと分極性電極層１１ｂとセパレートフィルム１１ｃと分極性電極層１１ｄと集電極層１１ｅが同順序で上から下に向かって積層された構造を有している。集電極層１１ａ及び１１ｅはアルミニウムや白金等の導電材から成り、その厚さは５〜５０μｍである。また、分極性電極層１１ｂ及び１１ｄはＰＡＳ（ポリアセン系有機半導体）や活性炭等の活物質から成り、その厚さは１０〜１００μｍである。さらに、セパートフィルム１１ｃはセルロース系フィルムやプラスチック系フィルム等のイオン透過フィルムから成り、その厚さは１０〜５０μｍである。
【００３１】
また、一方極性として用いられる集電極層１１ａの前縁の左側には矩形状の端子接続部１１ａ１が該集電極層１１ａと一体に設けられ、他方極性として用いられる集電極層１１ｅの前縁の右側には矩形状の端子接続部１１ｅ１が該集電極層１１ｅと一体に設けられている。図３（Ｂ）には、図示の便宜上、５層構造の蓄電素子１１を示したが、集電極層と分極性電極層とセパレートフィルムが所定の順序で積層されていれば、その層数は適宜増加可能である。
【００３２】
各端子１２は略矩形の上面視輪郭を有し、一方の端子１２の後端は蓄電素子１１の一方の端子接続部１２ａ１に電気的に接続され、他方の端子１２の後端は蓄電素子１１の他方の端子接続部１２ｅ１に電気的に接続されている。各端子１２はアルミニウムや白金等の導電材から成り、その厚さは５０〜１５０μｍである。また、各端子１２の前端には、半田付けのために錫や金等の金属膜がメッキにより形成されている。
【００３３】
各ヒートシール補助部材１３は各端子１２の一部分を囲むように設けられている。各ヒートシール補助部材１３は後記ヒートシール層ＬＦ３と同一材料から成り、その厚さは３０〜５０μｍである。各ヒートシール補助部材１３を各端子１２に設ける方法には、液状物を端子１２の表面に塗布して硬化させる方法やシート状物を端子１２の表面に巻き付ける方法等が採用されている。
【００３４】
フィルムパッケージ１４は略矩形の上面視輪郭を有し、耐熱層ＬＦ１とバリア層ＬＦ２とヒートシール層ＬＦ３を順に有するラミネートフィルムＬＦを用いて形成されている。耐熱層ＬＦ１はナイロンやポリエチレンフタレート等の熱可塑性プラスチックから成り、その厚さは１０〜５０μｍである。また、バリア層ＬＦ２はアルミニウム等の金属或いは金属酸化物から成り、その厚さは１０〜５０μｍである。さらに、ヒートシール層ＬＦ３はポリプロピレンや変性ポリプロピレン等の熱可塑性プラスチックから成り、その厚さは３０〜５０μｍである。
【００３５】
また、フィルムパッケージ１４の外縁には、ヒートシール層ＬＦ３相互を熱融着して一体化することによって形成された左側封止部１４ａと右側封止部１４ｂと前側封止部１４ｃ（以下、端子導出用封止部１４ｃと言う）が所定幅で連続して設けられている。さらに、フィルムパッケージ１４は、端子導出用封止部１４ｃ側の下側のフィルム端が上側のフィルム端よりも前方に突出していて、該突出部分によって形成された支持部１４ｄを端子導出用封止部１４ｃに沿って連続して有している。
【００３６】
このフィルムパッケージ１４内には蓄電素子１１が電解質（例えば硼弗化トリエチルメチルアンモニウムを溶媒であるプロピレンカーボネイトに加えた液状のものやこれにポリアクリロニトリル等を加えてゲル状にしたもの等）と共に封入されていて、各端子１２の前側部分と各ヒートシール補助部材１３の前側部分は端子導出用封止部１４ｃを通じてフィルムパッケージ１４外に導出されている。また、各ヒートシール補助部材１３の後側部分は端子導出用封止部１４ｃ内に位置していてヒートシール層ＬＦ３相互が熱融着されるときにこれらと一体化しており、且つ、該各ヒートシール補助部材１３の前側部分は端子導出用封止部１４ｃから前方に突出していて支持部１４ｄ上に位置している。
【００３７】
図３（Ａ）から分かるように、支持部１４ｄの突出長をＭ１とし端子導出用封止部１４ｃの幅をＭ２としたとき、端子導出用封止部１４ｃから前方に突出する各ヒートシール補助部材１３の前側部分の突出長は支持部１４ｄの突出長Ｍ１と略一致している。また、各ヒートシール補助部材１３の前後長Ｍ３はＭ１＋Ｍ２よりも僅かに大きく、該各ヒートシール補助部材１３の後端は寸法Ｍ４だけフィルムパッケージ１４内に突出している。
【００３８】
前記フィルムパッケージ１４を作成するときには、ヒートシール補助部材１３付きの各端子１２が接続された蓄電素子１１を用意すると共に、所定サイズの矩形状ラミネートフィルムＬＦを用意する。続いて、ヒートシール層ＬＦ３が上を向くようにラミネートフィルムＬＦを配置し、各ヒートシール補助部材１３の前端が一方のフィルム端と略一致するように蓄電素子１１を該ラミネートフィルムＬＦ上に載置する。
【００３９】
続いて、下側のフィルム端が上側のフィルム端よりも前方に寸法Ｍ１だけ突出するようにラミネートフィルムＬＦを２つ折りにし、適当な加熱器具を用いてその左縁と右縁を所定幅で加熱し、該加熱によりヒートシール層ＬＦ３相互を熱融着して一体化することによって左側封止部１４ａと右側封止部１４ｂを形成する。続いて、袋状となったラミネートフィルムＬＦの前側開放部分から電解質をその内側に注入し、適当な加熱器具を用いて該ラミネートフィルムＬＦの前縁を所定幅で加熱し、該加熱によりヒートシール層ＬＦ３相互を熱融着して一体化することによって端子導出用封止部１４ｃを形成する。
【００４０】
端子導出用封止部１４ｃを形成する際の加熱は、上下２つのヒートシール層ＬＦ３の間に各ヒートシール補助部材１３の後側部分を挟み込んだ状態で行われるため、該加熱によってヒートシール層ＬＦ３と同一材料から成る各ヒートシール補助部材１３の後側部分はこれらと一体化し、各端子１２の一部分はこの「一体化したヒートシール材料」によって隙間無く囲まれる（図３（Ｄ）を参照）。
【００４１】
端子導出用封止部１４ｃにおいて端子１２の一部分とヒートシール補助部材１３の後側部分が存する部分の厚さは他の部分の厚さに比べて僅かに厚くなるため、該端子導出用封止部１４ｃを形成する際に硬質の加熱面を有する加熱器具を用いると、厚さの薄い部分のシール能力が厚さの厚い部分のシール能力よりも低下したり、また、「一体化したヒートシール材料」が端子導出用封止部１４ｃの前縁または後縁からはみ出してしまうが、弾性変形可能な加熱面を有する加熱器具を用いればこのような不具合を生じることなく端子導出用封止部１４ｃを形成できる。
【００４２】
また、前記の厚さの差に基づいて端子導出用封止部１４ｃの上面及び下面に図３（Ｄ）に示したような表面段差が現れ、これに伴って支持部１４ｄの上面及び下面にも図３（Ｃ）に示したような表面段差が現れる。つまり、各ヒートシール補助部材１３の前側部分は支持部１４ｄの上面に現れる表面段差によって保持されるような状態となるため、該各ヒートシール補助部材１３の前側部分が左右に位置ずれを生じること、即ち、各端子１２の前側部分が左右に位置ずれを生じることが防止される。図３（Ｃ）及び図３（Ｄ）には、図示の便宜上、表面段差が斜面にて連続している形態を示してあるが、弾性変形可能な加熱面を有する加熱器具を用いた場合には該表面段差は曲面にて連続したような形態となる。
【００４３】
前記電気化学デバイスＲＢ１を回路基板にリフロー半田付けするときには、電気化学デバイスＲＢ１の両端子１２の前側部分を必要に応じて折り曲げてから、該両端子１２をクリーム半田を介して回路基板の電極パッド上に配置すると共に、チップコンデンサやチップレジスタ等の電子部品の外部電極をクリーム半田を介して回路基板の電極パッド上に配置する。そして、配置後の回路基板をリフロー炉に投入する。
【００４４】
回路基板上の電気化学デバイスＲＢ１にはリフロー半田付けの温度プロファイルに準じて半田付け処理が施され、これにより各端子１２は半田を介して電極パッドに電気的に接合される。半田成分によって多少変化するが、半田が鉛フリー半田から成る場合のピーク温度は概ね２４０〜２６０℃である。
【００４５】
一方、前記電気化学デバイスＲＢ１をＩＣカードに封入するときには、ポリ塩化ビニルやポリエチレンフタレート等の熱可塑性プラスチックから成るコアシート及び２枚のカバーシートを用意し、コアシートのデバイス収納用貫通孔に電気化学デバイスＲＢ１を収納し、該コアシートの上下面にカバーシートを重ね合わせる。そして、適当な加熱器具を用いてコアシートと上下のカバーシートを加圧しながらシート相互をヒートシールする。ＩＣモジュール（ＩＣと他の電子部品等がモジュール化されたもの）はコアシートのモジュール収納用貫通孔に収納されるが、該モジュールを含む別シートをコアシートと下側のカバーシートとの間に介装するようにしても良い。
【００４６】
コアシートと上下のカバーシートにはヒートシールの温度プロファイルに準じてヒートシール処理が施され、これによりシート相互が密着して電気化学デバイスＲＢ１がＩＣカード内に封入される。シート成分によって多少変化するが、コアシート及び上下のカバーシートがポリエチレンフタレートから成る場合のピーク温度は概ね２６０℃である。
【００４７】
即ち、前者の場合にはリフロー半田付けの温度プロファイルに伴った温度上昇が電気化学デバイスＲＢ１に生じ、後者の場合にはヒートシールの温度プロファイルに伴った温度上昇が電気化学デバイスＲＢ１に生じるため、何れの場合も電気化学デバイスＲＢ１は各々のピーク温度或いはこれに近い温度まで上昇してしまう。
【００４８】
詳しくは、各端子１２の前側部分や各ヒートシール補助部材１３の前側部分やフィルムパッケージ１４の支持部１４ｄはこれらの温度上昇を抑制する手段が無いため、これらは短時間で前記ピーク温度或いはこれに近い温度まで上昇する。これに対し、フィルムパッケージ１４の表面には耐熱層ＬＦ１が在りその内側にはバリア層ＬＦ２が在るため、フィルムパッケージ１４内の蓄電素子１１や電解質は各端子１２の前側部分等よりも遅れるようにして同様の温度上昇を生じることになる。
【００４９】
つまり、各端子１２がアルミニウムから成り、各ヒートシール補助部材１３と支持部１４ｄのヒートシール層ＬＦ３がポリプロピレン（融点は１７０℃）から成る場合には、上昇温度が各ヒートシール補助部材１３の融点よりも高いために、前記温度上昇によって各ヒートシール補助部材１３の前側部分と支持部１４ｄのヒートシール層ＬＦ３は溶融する。
【００５０】
このとき、各ヒートシール補助部材１３の前側部分は、図４（Ａ）に符号１３’で示したように各端子１２の表面に沿って広がるように溶融するが、該各ヒートシール補助部材１３の前側部分は支持部１４上に位置していて、且つ、該支持部１４の表面には同一材料から成るシール層ＬＦ３の溶融物が在ることから、各ヒートシール補助部材１３の前側部分は溶融によってその形を変化するものの、該溶融物は当初位置或いはこれに近い位置に止まる。
【００５１】
一方、各端子１２の温度上昇に伴って、該各端子１２を介して、端子導出用封止部１４ｃ内において各端子１２の一部分を隙間無く囲む「一体化したヒートシール材料」に熱が伝わる。また、フィルムパッケージ１４の表面の温度上昇に伴って、耐熱層ＬＦ１とバリア層ＬＦ２を介して、該フィルムパッケージ１４内に熱が伝わり、電解質の蒸気圧上昇等によってその内圧が上昇する。つまり、各端子１２の一部分を隙間無く囲む「一体化したヒートシール材料」は前記熱伝導により軟化或いは溶融し、これを外部に押し出そうとする力がフィルムパッケージ１４の上昇内圧に基づいて作用する。
【００５２】
しかしながら、先に述べたように各端子１２に対応する端子導出用封止部１４ｃの前側には各ヒートシール補助部材１３の溶融物が止まっているため、各端子１２からの熱伝導により軟化或いは溶融した「一体化したヒートシール材料」を外部に押し出そうとする力がフィルムパッケージ１４の上昇内圧に基づいて作用しても、軟化或いは溶融した「一体化したヒートシール材料」が外部に押し出されることが阻止される。つまり、各端子１２の端子導出用封止部１４ｃ内に位置する部分の周囲には、図２に示したような空隙ＶＯが形成されることは無い。
【００５３】
リフロー半田付けの温度プロファイルやヒートシールの温度プロファイルが冷却に移行すると、各ヒートシール補助部材１３の前側部分の溶融物は、図４（Ｂ）に符号１３”で示したように端子導出用封止部１４ｃに近寄るように丸みを帯びて固化し、且つ、各端子１２の一部分を隙間無く囲む「一体化したヒートシール材料」も当初形態を維持したままで固化する。
【００５４】
このように、前記電気化学デバイスＲＢ１を回路基板にリフロー半田付けする場合やＩＣカード内に封入する場合でも、フィルムパッケージ１４の内外を連通する空隙が端子導出用封止部１４ｃ内に形成されることが無いため、該空隙を通じてフィルムパッケージ１４内の電解質が外部に漏出して周囲を汚してしまったり、また、該電解質の漏出によって電気化学デバイスＲＢ１の機能が低下してしまったりする等の不具合を確実に回避できる。
【００５５】
また、前記電気化学デバイスＲＢ１によれば、各ヒートシール補助部材１３の存在によって、端子導出用封止部１４ｃ内に位置する各端子１２の一部分を隙間無く囲む「一体化したヒートシール材料」の厚さを増加できるので、該厚さをもってして「一体化したヒートシール材料」の軟化或いは溶融を遅延させることができ、これにより軟化或いは溶融した「一体化したヒートシール材料」が外部に押し出されることをより効果的に阻止できる。
【００５６】
［第２実施形態］
図５は本発明の第２実施形態（電気化学デバイスＲＢ２）を示す。この電気化学デバイスＲＢ２が、前記電気化学デバイスＲＢ１と構造上で異なるところは、
・各ヒートシール補助部材１３よりも前後長Ｍ３が長いものを各ヒートシール補助部材１  ３-1として用い、該各ヒートシール補助部材１３-1の前端を寸法Ｍ５だけ支持部１４ｄ  の前縁から前方に突出させた点
にある。つまり、フィルムパッケージ１４の端子導出用封止部１４ｃから前方に突出する各ヒートシール補助部材１３-1の前側部分の突出長（Ｍ１＋Ｍ５）は、支持部１３ｄの突出長Ｍ１よりも長い。
【００５７】
この電気化学デバイスＲＢ２であっても、前述の電気化学デバイスＲＢ１と同様の作用，効果を得ることができる。
【００５８】
［第３実施形態］
図６は本発明の第３実施形態（電気化学デバイスＲＢ３）を示す。この電気化学デバイスＲＢ３が、前記電気化学デバイスＲＢ１と構造上で異なるところは、
・各ヒートシール補助部材１３よりも前後長Ｍ３が短いものを各ヒートシール補助部材１  ３-2として用い、該各ヒートシール補助部材１３-2の前端を寸法Ｍ６だけ支持部１４ｄ  の前縁から後方に引っ込ませた点
にある。つまり、フィルムパッケージ１４の端子導出用封止部１４ｃから前方に突出する各ヒートシール補助部材１３-2の前側部分の突出長（Ｍ１−Ｍ６）は、支持部１３ｄの突出長Ｍ１よりも短い。
【００５９】
この電気化学デバイスＲＢ３であっても、前記電気化学デバイスＲＢ１と同様の作用，効果を得ることができる。
【００６０】
［第４実施形態］
図７は本発明の第４実施形態（電気化学デバイスＲＢ４）を示す。この電気化学デバイスＲＢ４が、前記電気化学デバイスＲＢ１と構造上で異なるところは、
・支持部１４の代わりに各ヒートシール補助部材１３の前側部分に対応する２つの支持部  １４ｄ-1を該前側部分の幅Ｍ７よりも大きな幅Ｍ８で形成し、各ヒートシール補助部材  １３の前側部分を各支持部１４ｄ-1上の左右方向中央に位置させた点
にある。各支持部１４ｄ-1は、フィルムパッケージ１４を作成するに際して、一方のフィルム端に予め各支持部１４ｄ-1に合致した部分を設けた矩形状ラミネートフィルムＬＦを用意することで簡単に形成することができる。
【００６１】
この電気化学デバイスＲＢ４であっても、前記電気化学デバイスＲＢ１と同様の作用，効果を得ることができる。
【００６２】
尚、図７には端子導出用封止部１４ｃから前方に突出する各ヒートシール補助部材１３の前側部分の突出長を支持部１４ｄ-1の突出長と略一致させたものを示したが、（１）前記第２実施形態に係る電気化学デバイスＲＢ２と同様に、各ヒートシール補助部材１３よりも前後長が長いものを各ヒートシール補助部材として用い、該各ヒートシール補助部材の前端を各支持部１４ｄ-1の前縁から突出させるようにしても良く、また、（２）前記第３実施形態に係る電気化学デバイスＲＢ３と同様に、各ヒートシール補助部材１３よりも前後長が短いものを各ヒートシール補助部材として用い、該各ヒートシール補助部材の前端を各支持部１４ｄ-1の前縁から引っ込ませるようにしても良い。
【００６３】
［他の実施形態］
（１）前述の第１〜第４実施形態（電気化学デバイスＲＢ１〜ＲＢ４）では、矩形状ラミネートフィルムＬＦを２つ折りにして左側封止部１４ａと右側封止部１４ｂを形成してから端子導出用封止部１４ｃを形成することによって作成されたフィルムパッケージ１４を示したが、２枚の矩形状ラミネートフィルムＬＦを重ね合わせて左側封止部と右側封止部と後側封止部を形成してから端子導出用封止部を形成することによって作成されたものをフィルムパッケージ１４としても良い。このようなフィルムパッケージを用いた電気化学デバイスであっても、前記電気化学デバイスＲＢ１と同様の作用，効果を得ることができる。
【００６４】
（２）前述の第１〜第４実施形態（電気化学デバイスＲＢ１〜ＲＢ４）では、３層構成ラミネートフィルムＬＦを用いて形成されたフィルムパッケージ１４を示したが、ヒートシール層を片面側に有するラミネートフィルムであれば３層構成以外のラミネートフィルムを用いて形成されたものをフィルムパッケージ１４としても良い。このようなフィルムパッケージを用いた電気化学デバイスであっても、前記電気化学デバイスＲＢ１と同様の作用，効果を得ることができる。
【００６５】
（３）前述の第１〜第４実施形態（電気化学デバイスＲＢ１〜ＲＢ４）では、各ヒートシール補助部材１３の後端を寸法Ｍ４だけフィルムパッケージ１４内に突出させてあるが、該寸法Ｍ４は任意である。また、各ヒートシール補助部材１３の後端がフィルムパッケージ１４内に突出していなくても、即ち、寸法Ｍ４が零または零に近い数値であっても、前記電気化学デバイスＲＢ１と同様の作用，効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、電気二重層キャパシタやリチウムイオンキャパシタやレドックスキャパシタやリチウムイオン電池等の各種電気化学デバイスに広く適用でき、該適用によって前記同様の作用，効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００６７】
ＲＢ１，ＲＢ２，ＲＢ３，ＲＢ４…電気化学デバイス、１１…蓄電素子、１２…端子、１３，１３-1，１３-2…ヒートシール補助部材、１４…フィルムパッケージ、１４ａ，１４ｂ，１４ｃ…封止部、１４ｄ，１４ｄ-1…支持部、ＬＦ…ラミネートフィルム、ＬＦ３…ヒートシール層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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