(57)【要約】【課題】電極へのウェハ溶着を無くして、ウェハ搬入・搬出時におけるウェハ破損を防止する。【解決手段】例えば、ＭＥＭＳデバイスにおけるウェハの裏面エッチング方法では、加工されたウェハ２０の表面の全面にポジ形ホトレジストからなる保護膜（保護レジスト）２５を形成する保護膜形成工程と、前記保護レジスト２５をポストベークにより乾燥させて前記保護レジスト２５の表面を硬化する保護膜硬化工程と、前記ウェハ２０の表面側を下部電極３０上に載置し、プラズマエッチング法により、前記ウェハ２０の裏面を所定のパターンにエッチングするエッチング工程と、前記ウェハ２０の表面側を前記下部電極３０から剥がして前記ウェハ２０を回収するウェハ回収工程とを有している。【選択図】図１−１
2011003692.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工されたウェハの表面の全面にポジ形ホトレジストからなる保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜を加熱処理により乾燥させて前記保護膜の表面を硬化する保護膜硬化工程と、
前記ウェハの表面側を電極上に載置し、プラズマエッチング法により、前記ウェハの裏面を所定のパターンにエッチングするエッチング工程と、
前記ウェハの表面側を前記電極から剥がして前記ウェハを回収するウェハ回収工程と、
を有することを特徴とするウェハの裏面エッチング方法。
【請求項２】
前記保護膜硬化工程では、
前記保護膜の表面を硬化した後、更に、前記保護膜に対して紫外線硬化処理を施すことを特徴とする請求項１記載のウェハの裏面エッチング方法。
【請求項３】
前記ウェハ回収工程では、
リフタピンより、前記ウェハの表面側を持ち上げて前記電極から剥がし、搬送アームにより、前記ウェハを前記電極外へ搬送することを特徴とする請求項１又は２記載のウェハの裏面エッチング方法。
【請求項４】
ＭＥＭＳ製造工程又は半導体製造工程において使用されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のウェハの裏面エッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  Systems）製造工程や半導体製造工程等に使用されるウェハの裏面エッチング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳは、機械要素部品、センサ、アクチュエータ、電子回路等を１つのシリコン基板、ガラス基板、有機材料等の上に集積化したデバイスであり、例えば、圧力センサ、触覚センサ、慣性センサ（加速度センサ、ジャイロセンサ）、化学センサ等が知られている。
【０００３】
例えば、ＭＥＭＳデバイスの１つであるピエゾ抵抗式の加速度センサは、下記の特許文献１等に記載されているように、小型、簡便、大量生産が可能であることから、広く使用されている。
【０００４】
ピエゾ抵抗式の加速度センサは、例えば、錘部と、この錘部に対し所定間隔をおいて配置された支持部と、その錘部と支持部とを連結する梁部と、この梁部上に形成されたピエゾ抵抗体等とにより構成されている。ピエゾ抵抗式では、梁部に掛かる応力によってピエゾ抵抗体の抵抗値が変化し、この抵抗値変化を周辺回路でブリッジ回路を形成して電圧変化として検出する方式である
【０００５】
図２（１）〜（３）は、従来におけるウェハの裏面エッチング方法を用いたＭＥＭＳデバイス（例えば、ピエゾ抵抗式の加速度センサ）の製造方法例を示す概略の製造工程図である。
【０００６】
このピエゾ抵抗式の加速度センサは、例えば、以下の工程（ａ）〜（ｃ）により製造される。
【０００７】
（ａ）  ウェハ表側（活性層）の加工工程（図２（１））
加速度センサは、例えば、ＳＯＩ（Silicon  on  Insulator）ウェハ１を用いることが多い。ＳＯＩウェハ１は、例えば、裏側の絶縁膜であるシリコン酸化膜（Ｓｉ０２）１ａを有し、この上に、厚さ３００μｍ〜５００μｍのシリコン（Ｓｉ）の支持基板層１ｂ、及び表側の絶縁膜であるシリコン酸化膜１ｃが積層されている。ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等により、表側のシリコン酸化膜１ｃ上にシリコンの活性層２を形成する。活性層２中に複数のピエゾ抵抗体３を形成し、これらの複数のピエゾ抵抗体３をアルミニュウム（ＡＬ）の配線４により結線した後、パッシベーション膜５で覆う。
【０００８】
（ｂ）  表側保護レジスト塗布（ネガ）工程（図２（２））
裏側（支持基板層１ｂ）加工に移る前に、表側の活性層２等を保護するために、これらの上にネガ形のホトレジスト（感光性樹脂）からなる保護レジスト６を塗布する。
【０００９】
（ｃ）  ウェハを反転させて裏側（支持基板層）の加工工程（図２（３））
裏側（支持基板層１ｂ）をエッチングする場合、ＳＯＩウェハ１を反転させ、下部電極１０の面に保護レジスト６の面を密着させる。この際、表側（活性層２）デバイス面が下部電極１０と接触する形になるが、塗布された保護レジスト６によりデバイス面が保護される。裏側のシリコン酸化膜１ａ上に、レジストパターン（ＰＲ）７を形成する。プラズマエッチング法を用いた高密度プラズマ８により、レジストパターン７をマスクにして裏側のシリコン酸化膜１ａ及び支持基板層１ｂを数百ミクロンエッチングする。このエッチングされた支持基板層１ｂにより、加速度センサの錘部及び支持部が形成され、ピエゾ抵抗体３を有する活性層２により、梁部が形成される。
【００１０】
その後、処理されたＳＩＯウェハ１を回収するために、例えば、リフタピンにより、ＳＩＯウェハ１の表側を持ち上げて下部電極１０から引き剥がし、搬送アームにより、ＳＩＯウェハ１を下部電極１０外の所定位置へ搬送する。
【００１１】
なお、下記の特許文献１には、加速度センサの製造方法として、ＳＯＩウェハの裏面をエッチングする際にホトレジストを使用することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００８−２０９２０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
図３−１（１）、（２）、及び図３−２（３）〜（７）は、従来の図２（１）〜（３）の加速度センサにおける製造方法の課題を示す製造工程図である。
【００１４】
図３−１（１）の裏側（支持基板層）加工前に示すように、一般的に支持基板層１ｂの裏側をエッチングする場合は、下部電極１０に接触する活性層１ｃの表側の保護目的で、ネガ形ホトレジストからなる保護レジスト６を塗布し処理している。ネガ形ホトレジストからなる保護レジスト６は、粘性、密着性が高く、厚膜形成も容易なため、保護膜として最適である。
【００１５】
しかし、図３−１（２）の裏側（支持基板層）加工後に示すように、支持基板層１ｂの裏側は数百ミクロンエッチングするため、矢印Ａで示すように、エッチングが進行することで、プラズマ照射熱が次第にデバイス側のシリコン酸化膜１ｃまで達していく。処理が長時間となり、長時間プラズマに晒されることで、ＳＯＩウェハ温度も上昇する。ＳＯＩウェハ温度が上昇することで、この熱が保護レジスト６へ伝わってＳＯＩウェハ表側温度が上昇し、保護レジスト表面が軟化して粘性が増し、エッチング処理終了時に、ＳＯＩウェハ１と下部電極１０との間で溶着が発生し、溶着箇所９が形成される。又、支持基板層１ｂの裏側のエッチングが終了すると、数ミクロン厚の活性層２で、エッチング後の支持基板層１ｂを支えている状態となり、容易にＳＯＩウェハ１が反ってしまう。
【００１６】
そのため、図３−２（３）の処理ウェハ回収動作（リフタピン上昇前）で示すように、下部電極１０へのＳＯＩウェハ１の溶着が発生すると、図３−２（４）の処理ウェハ回収動作（リフタピン上昇中１）で示すように、処理が終了したＳＩＯウェハ１をリフタピン１２で持ち上げる際、溶着力が強すぎ、ＳＩＯウェハ１の中央部が溶着した状態でウェハ反りが発生する。次に、図３−２（５）の処理ウェハ回収動作（リフタピン上昇中２）で示すように、ＳＯＩウェハ１が徐々に剥がれるが、反った反動でＳＯＩウェハ１の跳ね上がりが生じ、図３−２（６）の処理ウェハ回収動作（リフタピン上昇後）で示すように、跳ね上がった衝撃でＳＯＩウェハ１がリフタピン１２から逸脱する。
【００１７】
その状態で、図３−２（７）の処理ウェハ回収動作（搬送アーム挿入後）で示すように、搬送アーム１３がＳＯＩウェハ１を回収に来る際、逸脱したＳＯＩウェハ１と搬送アーム１３との衝突により、箇所１ａでＳＯＩウェハ１が破損する。
【００１８】
この溶着対策として、本願発明者は、保護レジスト塗布後、インタベークで乾燥する等試したが、所望の効果が得られなかった。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明のうちの第１の発明におけるウェハの裏面エッチング方法では、加工されたウェハの表面の全面にポジ形ホトレジストからなる保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜を加熱処理により乾燥させて前記保護膜の表面を硬化する保護膜硬化工程と、前記ウェハの表面側を電極上に載置し、プラズマエッチング法により、前記ウェハの裏面を所定のパターンにエッチングするエッチング工程と、前記ウェハの表面側を前記電極から剥がして前記ウェハを回収するウェハ回収工程とを有することを特徴とする。
【００２０】
第２の発明におけるウェハの裏面エッチング方法では、前記第１の発明の保護膜硬化工程において、前記保護膜の表面を硬化した後、更に、前記保護膜に対して紫外線硬化処理を施すことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
第１の発明におけるウェハの裏面エッチング方法によれば、ウェハ面の保護膜にポジ形ホトレジストを使用しているので、電極へのウェハ溶着を無くすことができる。そのため、電極との溶着によるウェハ破損が無くなり、ウェハ歩留りを向上することができる。しかも、従来のようにネガ形ホトレジストを使用していた時は、電極表面に溶着したレジストが残っていたため、ウェハ毎の電極クリーニング時間も通常製品より長く掛かって処理能力にも影響が出ていたが、この第１の発明の方法によれば、クリーニング時間も大幅に短縮でき、処理能力を向上することができる。
【００２２】
第２の発明におけるウェハの裏面エッチング方法によれば、第１の発明の保護膜硬化処理において、更に、ＵＶキュア処理を行うので、保護膜の表面が更に硬化される。そのため、電極表面との接触傷や搬送アームとの接触傷等によるデバイス面へのダメージをより低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１−１】図１−１は本発明の実施例１におけるＭＥＭＳデバイス（例えば、ピエゾ抵抗式の加速度センサ）の製造方法例を示す製造工程図である。
【図１−２】図１−２は本発明の実施例１におけるＭＥＭＳデバイス（例えば、ピエゾ抵抗式の加速度センサ）の製造方法例を示す製造工程図である。
【図２】図２は従来におけるウェハの裏面エッチング方法を用いたＭＥＭＳデバイス（例えば、ピエゾ抵抗式の加速度センサ）の製造方法例を示す概略の製造工程図である。
【図３−１】図３−１は従来の図２（１）〜（３）の加速度センサにおける製造方法の課題を示す製造工程図である。
【図３−２】図３−２は従来の図２（１）〜（３）の加速度センサにおける製造方法の課題を示す製造工程図である。
【図４−１】図４−１は本発明の実施例２におけるＭＥＭＳデバイス（例えば、ピエゾ抵抗式の加速度センサ）の製造方法例を示す製造工程図である。
【図４−２】図４−２は本発明の実施例２におけるＭＥＭＳデバイス（例えば、ピエゾ抵抗式の加速度センサ）の製造方法例を示す製造工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明を実施するための形態は、以下の好ましい実施例の説明を添付図面と照らし合わせて読むと、明らかになるであろう。但し、図面はもっぱら解説のためのものであって、本発明の範囲を限定するものではない。
【実施例１】
【００２５】
図１−１（１）、（２）、及び図１−２（３）〜（６）は、本発明の実施例１におけるＭＥＭＳデバイス（例えば、ピエゾ抵抗式の加速度センサ）の製造方法例を示す製造工程図である。
【００２６】
以下、この図１−１（１）、（２）及び図１−２（３）〜（６）を参照しつつ、本実施例１のピエゾ抵抗式の加速度センサにおける構成及び製造方法を説明する。
【００２７】
（実施例１の構成）
図１−１（１）、（２）に示すように、本実施例１におけるピエゾ抵抗式の加速度センサは、例えば、従来と同様に、ＳＯＩウェハ２０を用いて構成されている。ＳＯＩウェハ２０は、裏側の絶縁膜であるシリコン酸化膜（Ｓｉ０２）２０ａを有し、この上に、厚さ３００μｍ〜５００μｍのシリコン（Ｓｉ）の支持基板層２０ｂ、及び表側の絶縁膜であるシリコン酸化膜２０ｃが積層されている。表側のシリコン酸化膜２０ｃ上には、シリコンの活性層２１が形成され、この活性層２１中に複数のピエゾ抵抗体２２が埋め込まれている。複数のピエゾ抵抗体２２は、メタル配線（例えば、アルミニュウム（Ａｌ）の配線）２３により結線され、表側が、吸湿防止のためにパッシベーション膜２４により覆われている。
【００２８】
ＳＯＩウェハ２０のパッシベーション膜２４が形成された表側は、デバイス面保護用のポジ形ホトレジストからなる保護レジスト２５が塗布されて反転されて、下部電極３０上に載置され、ＳＯＩウェハ２０の裏側のシリコン酸化膜２０ａ及び支持基板層２０ｂが、レジストパターン２６をマスクにして高密度プラズマ３１によりエッチングされ、このエッチングされた支持基板層２０ｂにより、加速度センサの錘部及び支持部が形成され、ピエゾ抵抗体２２を有する活性層２１により、梁部が形成されている。複数のピエゾ抵抗体２２は、配線２３により接続されてブリッジ回路が構成されている。保護レジスト２５としては、キノンジアジド基含有化合物を含有するポジ形ホトレジスト（感光性樹脂）組成物等の公知のポジ形ホトレジストを使用できる。
【００２９】
このように、本実施例１におけるピエゾ抵抗式の加速度センサは、支持基板層２０ｂがエッチングされて形成された錘部及びこの錘部に対し所定間隔をおいて配置された支持部と、その錘部と支持部とを連結する活性層２１からなる梁部と、この梁部中に形成されたピエゾ抵抗体２２等とにより構成されている。
【００３０】
このような構成の加速度センサでは、加速度が加わると、梁部に収縮の応力が掛かり、この応力によってピエゾ抵抗体２２の抵抗値が変化し、この抵抗値変化が、複数のピエゾ抵抗体２２により構成されたブリッジ回路により、電圧変化として検出される。
【００３１】
（実施例１の製造方法）
本実施例１におけるピエゾ抵抗式の加速度センサは、例えば、以下の工程（ａ）〜（ｃ）により製造される。
【００３２】
（ａ）  ウェハ裏側（支持基板層）加工前の工程（図１−１（１））
加速度センサを製造するために、例えば、ＳＯＩウェハ２０を用意する。ＳＯＩウェハ２０は、裏側の絶縁膜であるシリコン酸化膜２０ａを有し、この上に、厚さ３００μｍ〜５００μｍのシリコンの支持基板層２０ｂ、及び表側の絶縁膜であるシリコン酸化膜２０ｃが積層されている。ＣＶＤ法等により、表側のシリコン酸化膜２０ｃ上にシリコンの活性層２１を形成した後、この活性層２１中に複数のピエゾ抵抗体２２を埋め込む。複数のピエゾ抵抗体２２の収縮を電気信号として伝えるために、活性層２１の表面にメタル層（例えば、アルミニュウム（ＡＬ）層）を形成し、ホトリソグラフィ技術により、そのアルミニュウム層をパターニングしてアルミニュウムの配線２３を形成し、この配線２３により、複数のピエゾ抵抗体２２を接続してブリッジ回路を形成する。その後、吸湿防止のために、ＣＶＤ法等により、表面をパッシベーション膜２４で覆う。
【００３３】
支持基板層２０ｂの裏側の加工に移る前に、表側の活性層２１等を保護するために、これらの上に、ポジ形ホトレジストからなる保護レジスト２５を塗布機等で塗布する（保護膜形成工程）。従来は、ネガ形ホトレジストを使用していたが、これに対し、本実施例１では、ポジ形ホトレジストを使用する。ポジ形ホトレジストとしては、例えば、キノンジアジド基含有化合物を含有するポジ形のホトレジスト組成物等の公知のものを使用できる。
【００３４】
保護レジスト２５の塗布が終了すると、この保護レジスト２５を加熱処理により乾燥（例えば、ポストベーク（１２０°Ｃ）で数十分乾燥）させて、保護レジスト２５の表面を硬化する（保護膜硬化工程）。
【００３５】
次工程で支持基板層２０ｂの裏側を加工するために、ＳＯＩウェハ２０を反転させ、下部電極３０の面に保護レジスト２５の面を密着させる。この際、活性層２１の表側のデバイス面が下部電極３０と接触する形になるが、塗布された保護レジスト２５によりデバイス面が保護される。裏側のシリコン酸化膜２０ａ上にホトレジストを塗布し、ホトグラフィ技術により、パターニングしてレジストパターン２６を形成する。
【００３６】
（ｂ）  ウェハ裏側（支持基板層）加工後の工程（図１−１（２））
例えば、プラズマエッチング法を用いた高密度プラズマ３１により、レジストパターン２６をマスクにして裏側のシリコン酸化膜２０ａ及び支持基板層２０ｂを数百ミクロンエッチングする（エッチング工程）。このエッチング工程において、裏側の支持基板層２０ｂを数百ミクロンエッチングするため、矢印Ｂで示すように、エッチングが進行することで、プラズマ照射熱が次第にシリコン酸化膜２０ｃまで達していく。処理が長時間となり、長時間プラズに晒されることで、ＳＯＩウェハ温度も上昇する。ＳＯＩウェハ温度が上昇することで、この熱が保護レジスト２５へ伝わってＳＯＩウェハ表側温度が上昇する。
【００３７】
しかし、保護レジスト２５は、ポジ形ホトレジストで形成され、これがポストベークにて表面が硬化されているので、従来のようなレジスト表面の軟化も無く、エッチング処理終了時に、ＳＯＩウェハ２０と下部電極３０との間で溶着が発生しない。又、裏側の支持基板層２０ｂのエッチングが終了すると、数ミクロン厚の活性層２１で、エッチング後の支持基板層２０ｂを支えている状態となるが、従来のようにＳＯＩウェハ２０が反ることもない。
【００３８】
このエッチングされた支持基板層２０ｂにより、加速度センサの錘部及び支持部が形成され、ピエゾ抵抗体２２を有する活性層２１により、梁部が形成される。
【００３９】
（ｃ）  処理ウェハ回収処理の工程（図１−２（３）〜図１−２（６））
図１−２（３）の処理ウェハ回収動作（リフタピン上昇前）で示すように、処理されたＳＩＯウェハ２０は、下部電極３０に吸着された状態になっている。図１−２（４）の処理ウェハ回収動作（リフタピン上昇中）で示すように、処理されたＳＩＯウェハ２０を回収するために、例えば、リフタピン３２により、ＳＩＯウェハ２０の表面側を持ち上げて下部電極３０から引き剥がす。この際、ＳＩＯウェハ２０の表側の保護レジスト２５が下部電極３０に溶着していないので、スムーズにＳＩＯウェハ２０が上昇する。そのため、図１−２（５）の処理ウェハ回収動作（リフタピン上昇後）で示すように、リフタピン３２の上昇後も、ＳＯＩウェハ２０がリフタピン３２上に残っている。
【００４０】
次に、図１−２（６）の処理ウェハ回収動作（搬送アーム挿入後）で示すように、ＳＯＩウェハ２０を回収するために、このＳＯＩウェハ２０と下部電極３０との間に搬送アーム３３を挿入する。この際、ＳＯＩウェハ２０と搬送アーム３３の接触も無く、ＳＯＩウェハ２０を正常に回収できるので、従来のように搬送アーム３３がＳＯＩウェハ２０と衝突してＳＯＩウェハ２０が破損することもない。挿入された搬送アーム３３により、ＳＩＯウェハ２０が下部電極３０外の所定位置へ搬送されて、洗浄等の処理が行われ、加速度センサが製造されていく。
【００４１】
（実施例１の効果）
本実施例１によれば、保護レジスト２５を従来のネガ形ホトレジストからポジ形ホトレジストへ変更したので、下部電極３０との溶着によるウェハ破損が無くなり、ウェハ歩留りを向上することができる。しかも、従来のようにネガ形ホトレジストを使用していた時は、下部電極表面に溶着したレジストが残っていたため、ウェハ毎の電極クリーニング時間も通常製品より長く掛かって処理能力にも影響が出ていたが、本実施例１の対策で、クリーニング時間も大幅に短縮でき、処理能力を向上することができる。
【実施例２】
【００４２】
図４−１（１）、（２）、及び図４−２（３）〜（６）は、本発明の実施例２におけるＭＥＭＳデバイス（例えば、ピエゾ抵抗式の加速度センサ）の製造方法例を示す製造工程図であり、実施例１の製造工程図である図１−１（１）、（２）及び図１−２（３）〜（６）中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【００４３】
本実施例２のピエゾ抵抗式の加速度センサは、実施例１のピエゾ抵抗式の加速度センサと同様の構成であるが、その製造方法が実施例１と異なる。
【００４４】
本実施例２におけるピエゾ抵抗式の加速度センサは、例えば、以下の工程（ａ）〜（ｃ）により製造される。
【００４５】
（ａ）  ウェハ裏側（支持基板層）加工前の工程（図４−１（１））
ＳＯＩウェハ２０において、実施例１と同様に、表側のシリコン酸化膜２０ｃ上にシリコンの活性層２１を形成し、この活性層２１中に複数のピエゾ抵抗体２２を埋め込み、活性層２１の表面にアルミニュウムの配線２３を形成した後、表面をパッシベーション膜２４で覆う。
【００４６】
裏側の支持基板層２０ｂの加工に移る前に、実施例１と同様に、表側の活性層２１等を保護するために、これらの上に、ポジ形ホトレジストからなる保護レジスト２５を塗布し（保護膜形成工程）、この保護レジスト２５を加熱処理により乾燥（例えば、ポストベーク（１２０°Ｃ）で数十分乾燥）させて、保護レジスト２５の表面を硬化する（保護膜硬化工程）。更に、本実施例２では、保護レジスト２５に対して紫外線硬化処理（即ち、ＵＶキュア処理）を行う。これにより、保護レジスト２５の表面が更に硬化して表面硬化部２５ａが形成される。
【００４７】
次工程で裏側の支持基板層２０ｂを加工するために、ＳＯＩウェハ２０を反転させ、下部電極３０の面に保護レジスト２５の面を密着させる。この際、活性層２１の表側のデバイス面が下部電極３０と接触する形になるが、保護レジスト２５の表面に表面硬化部２５ａが形成されているので、下部電極３０との接触による傷防止の効果が高い。更に、後述する搬送アーム３３との接触による傷防止の効果も高い。その後、実施例１と同様に、裏側のシリコン酸化膜２０ａ上にレジストパターン２６を形成する。
【００４８】
（ｂ）  ウェハ裏側（支持基板層）加工後の工程（図４−１（２））
実施例１と同様に、プラズマエッチング法を用いた高密度プラズマ３１により、レジストパターン２６をマスクにして裏側のシリコン酸化膜２０ａ及び支持基板層２０ｂを数百ミクロンエッチングする（エッチング工程）。このエッチング工程において、ＳＯＩウェハ表側温度が上昇するが、保護レジスト２５は、ポジ形ホトレジストで形成され、これがポストベークにて表面が硬化され、更に、ＵＶキュア処理により、その表面が硬化されて表面硬化部２５ａが形成されているので、ＳＯＩウェハ２０と下部電極３０との間で溶着が発生しない。
【００４９】
（ｃ）  処理ウェハ回収処理の工程（図４−２（３）〜（６））
図４−２（３）の処理ウェハ回収動作（リフタピン上昇前）で示すように、実施例１と同様、処理されたＳＩＯウェハ２０は、下部電極３０に吸着された状態になっている。破線で示すように、ウェハ搬入時、下部電極表面で多少の擦れが発生しても、保護レジスト２５の表面に表面硬化部２５ａが形成されているので、実施例１よりも、デバイス面に傷が入りづらい。
【００５０】
図４−２（４）の処理ウェハ回収動作（リフタピン上昇中）で示すように、実施例１と同様、リフタピン３２により、ＳＩＯウェハ２０の表面側を持ち上げて下部電極３０から引き剥がすが、ＳＩＯウェハ２０の表側の保護レジスト２５が下部電極３０に溶着していないので、スムーズにＳＩＯウェハ２０が上昇する。そのため、図４−２（５）の処理ウェハ回収動作（リフタピン上昇後）で示すように、実施例１と同様、リフタピン３２の上昇後も、ＳＯＩウェハ２０がリフタピン３２上に残っている。
【００５１】
次に、図４−２（６）の処理ウェハ回収動作（搬送アーム挿入後）で示すように、実施例１と同様、ＳＯＩウェハ２０を回収するために、このＳＯＩウェハ２０と下部電極３０との間に搬送アーム３３を挿入するが、ＳＯＩウェハ２０と搬送アーム３３の接触も無く、ＳＯＩウェハ２０を正常に回収できる。そして、挿入された搬送アーム３３により、ＳＩＯウェハ２０が下部電極３０外の所定位置へ搬送されて、洗浄等の処理が行われる。破線で示すように、ウェハ搬入・搬出時において、搬送アーム凸部表面で多少の擦れが発生しても、保護レジスト２５の表面に表面硬化部２５ａが形成されているので、実施例１よりも、デバイス面に傷が入りづらい。
【００５２】
（実施例２の効果）
本実施例２によれば、ＵＶキュア処理により、保護レジスト２５の表面を更に硬化しているので、下部電極表面との接触傷や搬送アーム３３との接触傷によるデバイス面へのダメージをより低減できる。
【００５３】
（変形例）
本発明は、上記実施例１、２に限定されず、種々の利用形態や変形が可能である。この利用形態や変形例としては、例えば、次の（Ａ）、（Ｂ）のようなものがある。
【００５４】
（Ａ）  実施例１、２における加速度センサの構成や製造方法は、図示以外の構成や、製造工程、使用材料等に変更してもよい。例えば、基板としてＳＯＩウェハ２０を使用しているが、他のウェハを使用して加速度センサを構成したり、あるいは製造してもよい。
【００５５】
（Ｂ）  実施例１、２では、加速度センサにおける裏面エッチングについて説明しているが、その裏面エッチングは、加速度センサ以外のデバイスの製造方法にも適用が可能である。従って、本発明のウェハの裏面エッチング方法は、ＭＥＭＳ製造工程における裏面保護材全般に適用でき、又、半導体製造工程においても適用が可能である。
【符号の説明】
【００５６】
２０      ＳＯＩウェハ
２０ａ，２０ｃ      シリコン酸化膜
２０ｂ      支持基板層
２１      活性層
２２      ピエゾ抵抗体
２３      配線
２５      保護レジスト
２５ａ      表面硬化部
２６      レジストパターン
３０      下部電極
３１      高密度プラズマ
【図１−１】
2011003692.tif 000003
【図１−２】
2011003692.tif 000004
【図２】
2011003692.tif 000005
【図３−１】
2011003692.tif 000006
【図３−２】
2011003692.tif 000007
【図４−１】
2011003692.tif 000008
【図４−２】
2011003692.tif 000009