(57)【要約】【課題】粘着性支持シートに半導体ウェハを支持してダイシングし、個々の半導体チップに分離した後、次のピックアップ工程に備えて前記粘着性支持シートに紫外光照射して粘着性を低減する際に、半導体ウェハ周辺の非有効半導体チップについて粘着性の低減を抑制し、非有効半導体チップの脱落を抑制する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、放射線により粘着力を低減させる粘着性の支持シート上に半導体ウェハを接着する工程と、前記半導体ウェハを、前記粘着性支持シート上に接着した状態で格子状に切断し個々の半導体チップに分割する工程と、前記半導体ウェハの有効領域内に形成されていた半導体チップのみに、前記支持シート側から放射線を照射する工程と、前記支持シートから前記有効領域に形成されていた半導体チップを剥離する工程とを含むことを特徴とする。【選択図】図７Ａ
2011003613.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線により粘着力を低減させる粘着性の支持シート上に半導体ウェハを接着する工程と、
前記半導体ウェハを、前記粘着性支持シート上に接着した状態で格子状に切断し個々の半導体チップに分割する工程と、
前記半導体ウェハの有効領域内に形成されていた半導体チップのみに、前記支持シート側から放射線を照射する工程と、
前記支持シートから前記有効領域に形成されていた半導体チップを剥離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記支持シートに放射線を照射する工程では、放射線源と前記支持シートとの間に、前記半導体ウェハの有効領域以外を少なくとも部分的に覆う前記放射線の遮蔽部材が設けられ、前記遮蔽部材により、前記有効領域外への放射線の照射が抑制されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記遮蔽部材は前記支持シートに形成されていること特徴とする請求項２または３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
個々の半導体チップに切断された状態で粘着シート上に保持されている半導体ウェハを載置される載置部と、
前記載置部に載置された半導体ウェハに前記粘着シート側から放射線を照射する放射線源と、を備え、
前記放射線源と前記載置部との間には、前記半導体ウェハへの前記放射線の照射を部分的に抑止する遮蔽部材が配設されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項５】
基材層と、
前記基材層の第１面上に形成され、放射線の照射により硬化する粘着層と、
前記第１面とは反対側の第２面上に形成され、放射線の照射を抑止する遮蔽パタ―ンと含むことを特徴とする半導体ウェハ支持シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に半導体装置の製造方法および製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路パタ―ンを形成された半導体ウェハは、粘着性の支持シート上に固定され、この状態で格子状にダイシングされることにより、それぞれ半導体装置となる個々の半導体チップに分割される。このような粘着性支持シートは、ダイシングテープとも称される。その後、このようにして得られた多数の半導体チップは、典型的には前記支持シート上に紫外光などの放射線を照射することで支持シートの粘着性を低減した後、吸着ツールなどにより支持シートからピックアップされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−０２４０１０号公報
【特許文献２】特開２００２−０６４１３１号公報
【特許文献３】特開２００５−３２２６８３号公報
【特許文献４】特開２００５−３１７７３２号公報
【特許文献５】特開２００５−３２２６８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような半導体チップのピックアップ工程では、一つの半導体チップをピックアップする際、隣接する半導体チップが脱落するのを抑制する必要がある。
【０００５】
一般に半導体ウェハは円盤状であり、一方ダイシングにより得られる半導体チップは長方形あるいは正方形の矩形形状を有する。このため、半導体ウェハをダイシングした場合、ウェハ外周部分には、半導体チップを得られない非有効領域が生じるのが避けられない。
【０００６】
そこで、半導体ウェハを支持している支持シートの全面に紫外光照射を行った場合には、半導体チップが得られる有効領域のみならず、その周辺部の非有効領域においても支持シートの粘着性が低減され、製品とすることができず有効でない半導体チップ（以下非有効半導体チップと称する）が容易に剥離されることになる。しかし、このような非有効半導体チップは、有効領域から得られ製品となる良品の半導体チップ（以下有効半導体チップと称する）と異なり、鋭角部を有する非矩形形状をしていることが多く、またその支持シートとの接触面積も有効半導体チップと比較すると小さく、有効半導体チップに比べ、支持シートから脱離しやすい問題を有している。
【０００７】
例えばわずかな外力や振動が加わっただけで、有効チップは支持シート上に保持されているにもかかわらず、非有効チップは脱落してしまい、支持シート上を自由に移動して有効半導体チップに損傷を生じたり、異物となるシリコンの粉塵を発生させ、有効半導体チップの動作不良を引き起こしたりする問題を生じる恐れがある。非有効半導体チップは鋭角部を有する形状のため、損傷を生じやすく、またチッピングが生じやすい。半導体ウェハは、ダイシングの後、支持シート上固定されたままケースに収納されて工場内を移動されたり保管されたり、あるいはケース毎顧客に出荷されたりすることがあり、非有効半導体チップの支持シートからの脱落は、半導体装置の製造において深刻な問題となっている。
【０００８】
図１は、支持シートへの接着工程から紫外光照射工程までを含む、従来の半導体装置の製造方法の例を示すフローチャートである。
【０００９】
図１を参照するに、ステップ１においてウェハが支持シート上に接着され、ステップ２において前記ウェハがダイシングされ、個々の半導体チップが前記支持シート上に接着された状態で、相互に分離される。
【００１０】
さらにステップ３において前記支持テープに紫外光が照射されて粘着性が低減され、ステップ４において前記支持シート上の半導体チップが一つ一つピックアップされ、リードフレームや実装基板などに実装される。
【００１１】
図２Ａ〜図２Ｊは、上記図１のフローチャートに対応する従来の半導体装置の製造方法の概略を示す断面図である。ただし図２Ｅのみ、斜視図になっている。
【００１２】
図２Ａを参照するに、支持シート１１がロール１１Ａからテープの形で繰り出され、図２Ｂに示すように環状のフレーム部材１２が前記支持シート１１の上側面に形成された粘着面１１ａに接着される。前記粘着面１１ａには、図示はしないが、紫外線や電子線により硬化する接着剤層が塗布されている。
【００１３】
さらに図２Ｃに示すように前記支持シート１１は、前記環状フレーム部材１２の位置で、前記フレーム部材１２に対応した環状のカッター１４により切断され、図２Ｄに示すように、前記支持シート１１の粘着面１１ａに半導体ウェハ１３が、回路パターン（図示せず）を形成された側の主面を前記粘着面１１ａに当接させた状態で、前記環状のフレームで画成された保持領域１１Ｂに接着される。これにより、環状のフレーム部材１２により張られた粘着支持シート１１上に半導体ウェハ１１が接着された構造が得られる。
【００１４】
以上が図１のステップ１に対応する。
【００１５】
次に前記図２Ｄの構造が回転ブレード１５を備えたダイシング装置に装着され、前記半導体ウェハ１３がダイシングライン１３Ｌに沿ってダイシングされる。その結果、図２Ｅに示すように前記半導体ウェハ１３は、前記支持シート１１上に接着された状態で、個々の半導体チップ１３Ａ〜１３Ｄに分割される。
【００１６】
図２Ｅよび図２Ｆは前記図１のステップ２に対応する。
【００１７】
さらに図２Ｆの構造は紫外光照射装置に装着され、前記支持シート１１の下側、すなわち半導体ウェハ１３を担持している粘着面１１ａとは反対の側から紫外光が照射され、前記支持シート１１上の接着剤層が硬化され、前記粘着面１１ａの粘着力が低減される。
【００１８】
図２Ｆは図１のステップ３に対応する。
【００１９】
さらに図２Ｇの構造は、図２Ｈに示すように工場内の地点Ａから地点Ｂへ、図４に示すようなケースに収納して搬送され、あるいは貯蔵される。前記地点Ａおよび地点Ｂは、それぞれ工場および顧客であってもよい。図２Ｈの状態では、前記半導体チップ１３Ａ〜１３Ｄは前記支持シート１１上に、前記粘着面１１ａに残存しているわずかな粘着力により軽く接着されている。
【００２０】
さらに図２Ｈの地点Ｂにおいては前記図２Ｇの構造が、ピン１７ａ〜１７ｂを備え上下動するピストン１７を有する図２Ｉに示す剥離装置１８に装着され、前記剥離装置１８を所定の半導体チップ、例えば半導体チップ１３Ｃに合わせた状態で前記ピストン１７を上昇させることにより、前記半導体チップ１３Ｃは持ち上げられ、コレットと呼ばれる真空吸着装置１９などによりピックアップされ、所定の実装基板やリードフレームに実装される。
【００２１】
このようにしてピックアップした半導体チップ、例えば半導体チップ１３Ｃを使うにより、例えば図２Ｊに示すような、実装基板２１上に半導体チップ１１Ｃがバンプ電極１３ｃによりフリップチップ実装され、実装基板２１と半導体チップ１１Ｃの間にアンダーフィル樹脂２２が充填され、実装基板２１の下面に半田ボール２３が形成された半導体装置を得ることができる。
【００２２】
図３は、前記図２Ｆの構造を上から見た平面図を示す。図２Ｃの断面図は、図３中、線Ａ−Ａ’に沿った断面図になっている。
【００２３】
図３を参照するに、前記半導体ウェハ１３のうち、太線で囲んだ領域１３ｅｆにおいては、前記半導体チップ１３Ａ〜１３Ｄを含む個々の半導体チップは全て矩形形状をしており、例えば図２Ｊの半導体装置を構成するのに半導体チップの製品として使用可能な有効半導体チップであるが、前記領域１３ｅｆの外側の領域１３ｎｅでは、ダイシングにより切断された半導体チップは一部が欠けており、半導体チップの製品とすることができない非有効半導体チップとなっている。前記領域１３ｅｆが先の有効領域を構成し、前記領域１３ｎｅが、先の非有効領域を構成する。図３中、半導体チップ１３Ｘは、このような非有効チップの例である。
【００２４】
非有効半導体チップでは、一部が欠けているため有効半導体チップよりも支持シート１１に接着される面積が小さく、従って図２Ｇで説明した紫外光照射の後は、支持シート１１から容易に脱離してしまう。またこれらの非有効半導体チップでは、正規の矩形形状の一部が欠けた形状のため鋭角部を有しており、脱離した非有効半導体チップは、前記支持シート１１上の有効半導体チップに衝突すると損傷を与えたり、シリコンの粉塵を発生させたりするおそれがある。
【００２５】
図４は、図２Ｈで説明した移動や貯蔵の際に使われるケース３０の例を示す図である。
【００２６】
図４を参照するに前記ケース３０は、側壁面の一つが開放され前記図２Ｇおよび図３の状態の半導体ウェハ１３が出し入れされる開口部が形成された箱形の形状を有し、上部にハンドル３０Ｈが設けられ、前記開口部の左右の側壁面３０Ａおよび２０Ｂにはそれぞれの内側に、それぞれ前記図２Ｇおよび図３の構造を受け入れるための多数のレール３１が形成されている。
【００２７】
そこで半導体ウェハ１３をこのようなケース３０に収納して搬送する場合、外力や衝撃などで特に面積が小さくて接着力の小さい非有効半導体チップが脱離してケース３０内を自由に動き回り、先に述べた有効半導体チップに損傷を与えたりシリコンの粉塵を発生させたりする危険が高くなる。
【００２８】
また前記半導体ウェハ１３は、図２Ｇおよび図３に示すものが、図４のケース３０内で保管される場合があるが、そのような場合、半導体ウェハ１３表面への埃の付着を避けるため、上下反転して、あるいは立てて保管されることが多い。しかしこのような場合には、非有効半導体チップの脱離の危険はさらに増大する。
【００２９】
なお図４のケース３０は、前記半導体ウェハ１３を図２Ｄにおける支持シート１１の切断の後、図２Ｅに示すダイシング装置に搬送するため、あるいはダイシングの後、ダイシング装置から図２Ｇの紫外光照射装置に搬送するためにも使われる。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
一の側面によれば、放射線により粘着力を低減させる粘着性の支持シート上に半導体ウェハを接着する工程と、前記半導体ウェハを、前記粘着性支持シート上に接着した状態で格子状に切断し個々の半導体チップに分割する工程と、前記半導体ウェハの有効領域内に形成されていた半導体チップのみに、前記支持シート側から放射線を照射する工程と、
前記支持シートから前記有効領域に形成されていた半導体チップを剥離する工程とを含む半導体装置の製造方法が提供される。
【００３１】
他の側面によれば、個々の半導体チップに切断された状態で粘着シート上に保持されている半導体ウェハを載置される載置部と、前記載置部に載置された半導体ウェハに前記粘着シート側から放射線を照射する放射線源と、を備え、前記放射線源と前記載置部との間には、前記半導体ウェハへの前記放射線の照射を部分的に抑止する遮蔽部材が配設されている半導体装置の製造装置が提供される。
【００３２】
さらに他の側面によれば、基材層と、前記基材層の第１面上に形成され、放射線の照射により硬化する粘着層と、前記第１面とは反対側の第２面上に形成され、放射線の照射を抑止する遮蔽パタ―ンと含む半導体ウェハ支持シートが提供される。
【発明の効果】
【００３３】
開示の半導体装置の製造方法によれば、前記支持シートに放射線を照射する工程において、前記支持シートの前記非有効領域に位置する半導体チップの各々において、前記放射線の照射を抑止することにより、非有効チップに対する前記支持シートの粘着力を維持したまま、有効チップに対する粘着力だけを低減でき、支持シートから有効半導体チップをピックアップする際や、ダイシングされた半導体ウェハを支持シート上に保持した状態で移動させたり保管したりする際に、非有効チップの支持シートからの脱落を抑制できる効果を奏する、これに伴って生じる有効半導体チップの損傷や発生するシリコンの粉塵により生じる有効半導体チップの不良などの問題を回避することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】従来の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図２Ａ】従来の半導体装置の製造方法を示す図（その１）である。
【図２Ｂ】従来の半導体装置の製造方法を示す図（その２）である。
【図２Ｃ】従来の半導体装置の製造方法を示す図（その３）である。
【図２Ｄ】従来の半導体装置の製造方法を示す図（その４）である。
【図２Ｅ】従来の半導体装置の製造方法を示す図（その５）である。
【図２Ｆ】従来の半導体装置の製造方法を示す図（その６）である。
【図２Ｇ】従来の半導体装置の製造方法を示す図（その７）である。
【図２Ｈ】従来の半導体装置の製造方法を示す図（その８）である。
【図２Ｉ】従来の半導体装置の製造方法を示す図（その９）である。
【図２Ｊ】従来の半導体装置の製造方法を示す図（その１０）である。
【図３】従来の課題を説明する図である。
【図４】従来の課題を説明する図である。
【図５】第１の実施形態による紫外光照射装置を示す透視斜視図である。
【図６】図５紫外光照射装置を示す透視斜視図である。
【図７Ａ】図５の紫外光照射装置において半導体ウェハを上から見た透視平面図である。
【図７Ｂ】図７Ａ中、線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図である。
【図８】第１の実施形態による半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図９】第１の実施形態における剥離方法を説明する図である。
【図１０Ａ】第１の実施形態の一変形例を示す透視平面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａ中、線Ｃ−Ｃ’に沿った断面図である。
【図１１】図１０Ａ，図１０Ｂの変形例における半導体チップの剥離を示す図である。
【図１２】さらなる変形例による遮蔽部材を示す平面図である。
【図１３】さらなる変形例による遮蔽部材を示す平面図である。
【図１４】第２の実施形態による紫外光照射装置を示す透視斜視図である。
【図１５】第２の実施形態による支持シートを示す平面図である。
【図１６】図１５中、線Ｄ−Ｄ’に沿った断面図である。
【図１７Ａ】図１６の一変形例を示す断面図である。
【図１７Ｂ】図１６の一変形例を示す断面図である。
【図１７Ｃ】図１６の一変形例を示す断面図である。
【図１８】の一変形例を示す平面図である。
【図１９Ａ】図１５の支持シートの一変形例を示す断面図である。
【図１９Ｂ】図１５の支持シートの一変形例を示す断面図である。
【図１９Ｃ】図１５の支持シートの一変形例を示す断面図である。
【図１９Ｄ】図１５の支持シートの一変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
［第１の実施形態］
図５は、第１の実施形態において使われる紫外光照射装置５０の概略的構成を、先の図２Ｇおよび図３の状態の半導体ウェハ１３が載置されている場合について示す透視斜視図、図６は、図５の紫外光照射装置５０を、半導体ウェハ１３が載置されていない場合について示す透視斜視図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００３６】
図５を参照するに、紫外光照射装置５０は管状の紫外光源５２を有する基台５１を含み、前記紫外光源５２は前記基台５１中において、図示しない駆動機構により、矢印（２）の方向に片道あるいは往復駆動される。
【００３７】
さらに前記基台５１にはその上面に、前記図２Ｇおよび図３の状態の半導体ウェハ１３が載置される載置面５０Ａが形成されている。図６に示すように前記載置面５０Ａには、前記半導体ウェハ１３に対応した円形形状の照射部５０Ｂが、例えば透明なガラス版により形成されている。
【００３８】
さらに前記基台５１中には、前記照射部５０Ｂに対応して、前記載置面５０Ａに載置された半導体ウェハ１３のうち、先に図３で説明した非有効領域１３ｎｅの少なくとも一部を覆うように、環状の遮蔽部材５３が設けられている。ただし図５，図６では、わかりやすく図示するために前記遮蔽部材５３と載置面５０Ａの距離を誇張して示しているが、実際には前記遮蔽部材５３は前記載置面５０Ａの直下に形成される。
【００３９】
そこで前記図２Ｇあるいは図３の状態の半導体ウェハ１３が前記ケース３０に収納されて前記紫外光照射装置５０近傍の所定位置に搬送されると、図示しないロボットが前記半導体ウェハ１３を前記ケース３０から矢印（１）で示す方向に取り出し、前記載置面５０Ａに、前記照射部５０Ｂに整合させて載置する。
【００４０】
次に前記紫外光源５２を所定のエネルギで駆動し、さらにこれを前記基台５０中において、図５の矢印（２）に示すように往復運動させ、前記支持シート１１の接着剤層を硬化させ、前記支持シート１１への前記半導体ウェハ３０の粘着力を減少させる。
【００４１】
さらにこのようにして紫外光照射の終わった半導体ウェハ１３を、ロボットにより、矢印（３）に示すように前記ケース３０中の所定位置へと戻す。
【００４２】
図７Ａは、前記図５における半導体ウェハ１３を上方から見た透視平面図、図７Ｂは図７Ａ中、線Ｂ−Ｂ’に沿った平面図を示す。なお図７Ｂの断面図には、図５，図６の紫外光照射装置５０において紫外光源５２と照射部５０Ｂとの間に配設され、紫外光源５２から発する赤外線をカットする赤外線カットフィルタ５０ＩＲが示されている。
【００４３】
図７Ａ，７Ｂを参照するに、本実施形態では前記紫外光源５２と照射部５０Ｂとの間に前記環状の遮蔽部材５３を配設したため、太線より外側の非有効領域１３ｎｅでは、前記遮蔽部材１３の影が生じ、支持シート１１のうち、非有効半導体チップを支持する領域が全て紫外光ＵＶにより露光されることはなく、必ず未露光部分が残る。その結果、非有効半導体チップは支持シート１１に強い密着力で接着されたままであり、半導体ウェハ１３をケース３０などに収納して移動させても脱落することがない。
【００４４】
一方、前記遮蔽部材５３は、太線より内側の前記有効領域１３ｅｆに外接するように形成されているため、前記有効領域１３ｅｆにおいて前記支持シート１１は、全面積にわたり紫外光により露光され、有効半導体チップ、例えば半導体チップ１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ・・・を保持する支持シート１１の粘着力が低下する。
【００４５】
そこで、このような紫外光照射工程の後、図１中ステップ４の実装工程を行うことにより、半導体装置の製造の際の、非有効チップの脱落による有効半導体チップの損傷やシリコンの粉塵の発生などに起因する歩留まりの低下の問題を解決できる。
【００４６】
図８は、本実施形態による半導体装置の製造方法をまとめたフローチャートである。ただし図８中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００４７】
図８を参照するに、ステップ１およびステップ２は、先の図１と同様であり、先に図２Ａ〜図２Ｆで説明したのと同様な処理が実行される。
【００４８】
次にステップ１３において、前記図５，６で説明した紫外光照射装置５０を使い、前記支持シート１１のうち、前記半導体ウェハ１３の非有効領域１３ｎｅを支持している部分の少なくとも一部には前記遮蔽部材１３の影が生じるように紫外光照射を行い、このような領域における全面的な接着剤層の硬化を回避する。一方、前記支持シート１１のうち、前記半導体ウェハ１３の有効領域１３ｅｆを支持している部分では、全面的な紫外光照射がなされ、その全面にわたり、接着剤層の硬化が誘起される。
【００４９】
その後、ステップ４において、前記図１のステップ４と同様な実装工程を行う。
【００５０】
図９は、本実施形態において、有効チップ１３Ａを、先に図２Ｉで説明した剥離装置１８およびコレット１９を使って支持シート１１から取り外す様子を示す断面図である。ただし図９中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００５１】
図９を参照するに、本実施形態では、前記有効半導体チップ１３Ａに隣接する非有効半導体チップ１３Ｘは前記支持シート１１に強く接着されているため、図８に示すようにピン１７ａ〜１７ｃにより前記有効半導体チップ１３Ａを持ち上げても、非有効半導体チップ１３Ｘが支持シート１１から容易には脱離しない。
【００５２】
なお本実施形態では、前記遮蔽板５３は、前記支持シート１１のうち、前記半導体ウェハ１３の外周に沿った限られた幅の領域のみを覆い、その外側の環状の領域は覆われないため、前記支持シート１１のうち、図７Ａの平面図において前記半導体ウェハ１３より外側の環状の領域は、前記遮蔽板５３で覆われている限られた部分を除き、硬化することに注意すべきである。
【００５３】
一般にこのような接着剤層を有する支持シート１１は、接着剤層が硬化すると収縮を生じる。このため本実施形態では、前記半導体ウェハ１３の外側の広い範囲にわたり収縮が生じ、支持シート１１は紫外光照射の後、前記フレーム部材１２上において強い張力で張られることになる。これは、図９のようなピン１７ａ〜１７ｃを上昇させて半導体チップを支持シートから外す際に、支持シート１１にピン１７ａ〜１７ｃにより穿孔し、ピン１７ａ〜１７ｃを支持シート１１から突き出す方式を使っている場合、特に有利になる。また図７Ａ，図７Ｂの構成では、このように支持シート１１の張力が大きいため、前記ピン１７ａ〜１７ｃを突き上げても支持シート１1の変形がわずかで、半導体チップ１３Ａ〜１３Ｄがわずかな幅のダイシングラインで隣接しているような場合でも、半導体チップどうしが接触して損傷を受ける恐れが低減される。
【００５４】
本実施形態では、前記紫外光の代わりに電子線など、他の放射線を使うことも可能である。電子線を使う場合には、前記図２Ｇあるいは図３の状態の半導体ウェハ１３を、前記遮蔽部材５３を備えた電子線照射装置の真空室に導入し、電子線を照射すればよい。
【００５５】
本実施形態において、前記遮蔽部材５３は、上記放射線を反射または吸収する手段を有するもの、あるいは減衰させるものであればよく、例えば環状の金属や樹脂、セラミック基材の表面に、紫外光の反射材となる各種金属、酸化チタンや酸化亜鉛などの金属酸化物、紫外光の吸収材となるオキシベンゾン、シラソーマ等のベンゼン核を持つ有機物、さらには縮合多環系顔料などの有機顔料をコーティングあるいはラミネートしたもの、あるいは内部に分散させたものを使うことができる。
【００５６】
また前記放射線として電子線を使う場合には、前記環状の基材に鉛、水酸化鉛、バリウム、水酸化バリウム、ステアリン酸バリウムなどの電子線遮蔽材をコーティングあるいはラミネート、あるいは内部に分散させたものを使うことができる。
【００５７】
本実施形態において、前記支持シート１１としては、例えば厚さが５μｍ〜３００μｍ、好ましくは２０μｍ〜１００μｍのポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリエステル等を基材層として有するものを使うことができ、前記基材層上に、アクリレートモノマーやオリゴマーからなるアクリル系粘着剤、あるいはマレイミド、ポリエン・チオール等の光重合系材料や、エポキシ化合物などの光カチオン重合系材料、光架橋性ポリマーなどからなる非アクリル系粘着剤よりなる粘着層を、使うことができる。このような粘着層は、前記基材層上に、３μｍ〜１００μｍ、好ましくは１５μｍ〜５０μｍの厚さに形成される。
【００５８】
図１０Ａは、本実施形態の一変形例を示す、それぞれ図７Ａと同様な透視平面図、図１０Ｂは前記図１０Ａの線Ｃ−Ｃ’に沿った断面図である。
【００５９】
図１０Ａを参照するに、先の実施形態では、前記遮蔽板５３は前記半導体ウェハ１３の外周に沿った限られた幅の領域のみを覆い、その外側では支持シート１１が覆われていなかったのに対し、本実施形態では遮蔽板５３Ａが、前記半導体ウェハ１３の有効領域１３ｅｆに外接し、かつ前記有効領域１３ｅｆ外側において前記支持シート１１を全て覆うように形成されている点で相違している。
【００６０】
この場合、紫外光照射後においても支持シート１１の張力は大して変化せず、図９のようにピン１７ａ〜１７ｃを上昇させた場合、支持シート１１は、図７Ａ，７Ｂの場合よりも大きく変形する。図１０Ａ，図１０Ｂの構成では、このように支持シート１１は図９の場合よりも上方に伸びやすく、このため、図１１に示すように、剥離装置１８が、ピン１７ａ〜１７ｃにより突き上げられるチップの高さＨが図９よりも大きくなるように設計されている場合に有効である。
【００６１】
このように、本発明では、支持シート１１の物性（硬軟）や、半導体チップの突き上げ方式、さらに支持シート１１上における半導体チップの間隔Ｌ、チップ突き上げ高さＨなどに合わせて、図７Ａ，７Ｂの構成および図１０Ａ，図１０Ｂの構成を自在に選ぶことができ、支持シート１１からの半導体チップの安定したピックアップが可能になる。
【００６２】
図１２は、本実施形態のさらなる変形例による遮蔽部材５３Ｃを示す平面図である。
【００６３】
図１２を参照するに、遮蔽部材５３Ｃは前記図７Ａ，図７Ｂの遮蔽部材５３を変形して、支持シート１１上の半導体ウェハ１３のうち、前記非有効領域１３ｎｅを全て覆うようにした遮蔽部材５３Ｃを示す。図１２の遮蔽部材５３は、前記半導体ウェハ１３に対応したサイズおよび形状を有し、前記照射部５０Ｂに載置された前記半導体ウェハ１３の有効領域１３ｅｆに対応した形状の開口部５３ｃを有している。
【００６４】
図１２の遮蔽部材５３Ｃは、半導体ウェハ１３の品種毎に、有効領域１３ｅｆ、非有効領域１３ｎｅに合わせて交換する必要があるものの、ステップ１３の紫外光照射時における前記非有効領域１３ｎｅでの支持シート１１の硬化を実質的に完全に抑制することができ、非有効チップにおける粘着力の低下を実質的に完全に回避することができる。
【００６５】
図１２の遮蔽部材５３Ｃは、図１０Ａ，図１０Ｂの変形例に合わせて、図１３の遮蔽部材５３Ｄに示すように、前記支持シート１１のうち、前記半導体ウェハ１３よりも外側の領域を連続して覆うように変形することも可能である。図１３の遮蔽部材５３Ｄにおいても、前記半導体ウェハ１３が前記照射部５０Ｂに載置された場合の有効領域１３ｅｆに対応する開口部５３ｄを有している。
【００６６】
［第２の実施形態］
図１４は、第２の実施形態において使われる紫外光照射装置６０の概略的構成を、先の図２Ｇおよび図３の状態の半導体ウェハ１３が載置されている場合について示す視図である。
【００６７】
図１４を参照するに、前記紫外光照射装置６０は管状の紫外光源６２と、前記紫外光源６２上に配設され、前記図２Ｇおよび図３の状態の半導体ウェハ１３が載置されて矢印（３）方向に走査可能な支持台６０Ａを備えている。本実施形態においても、前記支持台６０Ａには、先に図６で説明した照射部５０Ｂと同様な照射部が、例えば透明なガラス版などにより形成されている。また本実施形態では、前記紫外光照射装置６０としては、従来から使われている、先に説明した遮蔽部材５３などを含まない紫外光照射装置を使うことが可能である。
【００６８】
本実施形態では、このように紫外光照射装置６０には遮蔽部材を設けておらず、その代わり、支持シート自体に、先の実施形態における遮蔽部材５３あるいは遮蔽部材５３Ｂ〜５３Ｄと同様な作用をする遮蔽パタ―ン７１Ｍが形成されている支持シート７１を、前記支持シート１１の代わりに使っている。
【００６９】
図１５は、前記遮蔽パタ―ン７１Ｍを有する支持シート７１を示す平面図である。
【００７０】
図１５を参照するに、支持シート７１は前記支持シート１１と同様な材質により形成されているが、破線７３で示すウェハ１３の貼付予定位置の外縁に重畳して、紫外光遮蔽材よりなる環状の遮蔽パタ―ン１３が形成されている。なお図１５において前記破線１３は、前記貼付予定位置７３に貼り付けられた半導体ウェハ１３の外縁を表している。
【００７１】
さらに図１５において、一対の点線７２は、フレーム部材１２の貼付予定位置であり、本実施形態では、例えば先に図２Ｂで説明したフレーム部材１２の取り付けの際、前記遮蔽パタ―ン１３に対して所定の位置にフレーム部材１２が取り付けられるように、前記支持シート７１に位置決め孔７１Ｐが形成されている。また図１５において一点鎖線７４は、先に図２Ｄで説明したカッター１４により支持シート７１を切断する位置を示している。
【００７２】
そこで、このような遮蔽パタ―ン７１Ｍを有する支持シート７１を前記支持シート１１の代わりに使うことにより、先の実施形態の場合と同様に、前記有効領域１３ｅｆに紫外光照射を行う際に、非有効領域１３ｎｆへの紫外光照射の量を低減し、非有効チップの脱落の問題を解決することが可能となる。その際、本実施形態では、先に説明した遮蔽部材５３などを有さない従来の紫外光照射装置を使っても、非有効チップの脱落の問題を解決することが可能である。
【００７３】
図１６は、このような遮蔽パタ―ン７１Ｍを有する支持シート７１の、前記図１５中、線Ｄ−Ｄ’に沿った断面図を示す。
【００７４】
図１６を参照するに、支持シート７１は基材７１Ｓとその上に形成された接着剤層７１Ｇとより構成されており、前記遮蔽パタ―ン７１Ｍは図１６の例では前記基剤７１Ｓ上に、接着剤層７１Ｇにより覆われて形成されている。ここで前記機材７１Ｓとしては、例えば厚さが５μｍ〜３００μｍ、好ましくは２０μｍ〜１００μｍのポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリエステル等を基材層として有するものを使うことができ、前記接着剤層７１Ｇとしては、アクリレートモノマーやオリゴマーからなるアクリル系粘着剤、あるいはマレイミド、ポリエン・チオール等の光重合系材料や、エポキシ化合物などの光カチオン重合系材料、光架橋性ポリマーなどからなる非アクリル系粘着剤よりなる粘着層を、使うことができる。このような接着剤層７１Ｇは、前記基材層７１Ｓ上に、３μｍ〜１００μｍ、好ましくは１５μｍ〜５０μｍの厚さに形成される。
【００７５】
また前記遮蔽パタ―ン７１Ｍは、紫外光や電子線などの放射線を反射または吸収する手段を有するもの、あるいは減衰させるものであればよく、例えば環状の金属や樹脂、セラミック基材の表面に、紫外光の反射材となる各種金属、酸化チタンや酸化亜鉛などの金属酸化物、紫外光の吸収材となるオキシベンゾン、シラソーマ等のベンゼン核を持つ有機物、さらには縮合多環系顔料などの有機顔料をコーティングあるいはラミネートしたもの、あるいは内部に分散させたものを使うことができる。また前記放射線として電子線を使う場合には、前記環状の基材に鉛、水酸化鉛、バリウム、水酸化バリウム、ステアリン酸バリウムなどの電子線遮蔽材をコーティングあるいはラミネート、あるいは内部に分散させたものを使うことができる。また前記遮蔽パタ―ン７１Ｍは、前記基材層７１Ｓ上に前記紫外光の反射剤や吸収材を直接に印刷して形成することもできる。
【００７６】
図１７Ａ〜図１７Ｃは、前記支持シート７１の断面の様々な変形例を示す。
【００７７】
図１７Ａの変形例では、前記遮蔽パタ―ン１７Ｍが前記基材層７１Ｓの下面に形成されており、図１７Ｂでは、図１６の構成において、さらに前記基材層７１Ｓの下面に別の遮蔽パタ―ン７１Ｎが、前記遮蔽パタ―ン７１Ｍに対応して形成されており、図１７Ｃの変形例では、前記基材層７１Ｓに遮蔽パタ―ン７１Ｏが、基材層７１Ｓの厚さに実質的に等しい厚さで埋め込まれている。
【００７８】
図１６の構成では、前記遮蔽パタ―ン７１Ｍが透明な接着剤層７１Ｇを介して目視できるので、このような遮蔽パタ―ン７１Ｍを画像解析装置で検出することにより、前記位置決め孔７１Ｐは省略することができる。
【００７９】
また図１７Ａの構成においても、基剤層７１Ｓによっては、前記遮蔽パタ―ン７１Ｍが紫外光照射装置の上方から認識できる場合がある。
【００８０】
図１７Ｂの構成では、遮蔽パタ―ン１７Ｍ，７１Ｎが二重に重ねられるため、一つ一つは薄い遮蔽パタ―ンを使いながら、紫外光の遮蔽をより効果的に行うことが可能となる。
【００８１】
図１７Ｃの構成では、厚い遮蔽パタ―ン７１Ｏを使うことにより、紫外光を実質的に完全に遮断することができる。
【００８２】
なお図１５の遮蔽パタ―ン７１Ｍは、前記図１０Ａ，図１０Ｂの実施形態に対応して、前記支持シート７１のうち、前記領域７３の外側を、図１８に示すように、切断された支持シート７１の外縁に対応する一点鎖線７４の位置まで、覆うように形成することも可能である。
【００８３】
図１８の構成により、前記図１０Ａ，１０Ｂの実施形態の場合と同様に、前記支持シート７１のうち、被処理基板１３よりも外側の環状領域が全て紫外光により硬化することがなく、紫外光照射後における支持シート７１の張力を緩めることができる。
【００８４】
図１５の構成および図１８の構成については、採用している剥離装置の設計に合わせて適当な方を選択すればよい。
【００８５】
さらに本実施形態において、前記遮蔽パタ―ン７１Ｍ中に、図１９Ａ〜図１９Ｄに示すように、必要に応じて紫外光を透過させる開口部を形成することも可能である。
【００８６】
図１９Ａの遮蔽パタ―ン７１Ｍ１では、紫外光を遮断する材料が二重の同心円状に形成され、間に紫外光が透過する隙間が形成されている。そこでこれら同心円パタ―ンの間隔あるいはピッチを調整することにより、前記無効領域１３ｎｅにおいても支持シート７１を、前記有効領域１３ｅｆよりも低い所望のドーズ量で紫外光照射することが可能となる。
【００８７】
図１９Ｂの遮蔽パタ―ン７１Ｍ２では遮蔽パタ―ンが、紫外光を遮断する材料よりなる多数の十字型パタ―ンの集合により形成されている。このような構成では、十字型パタ―ンの密度を調整することにより、前記無効領域１３ｎｅにおいても前記支持シート７１を、前記有効領域１３ｅｆよりも低い所望のドーズ量紫外光照射することが可能となる。
【００８８】
図１９Ｃの遮蔽パタ―ン７１Ｍ３では遮蔽パタ―ンが、紫外光を遮断する材料よりなるドットの集合により形成されている。このような構成では、ドットの密度を調整することにより、前記無効領域１３ｎｅにおいても前記支持シート７１を、前記有効領域１３ｅｆよりも低い所望のドーズ量紫外光照射することが可能となる。
【００８９】
図１９Ｄ遮蔽パタ―ン７１Ｍ４では遮蔽パタ―ンが、紫外光を遮断する材料よりなる多数の点の集合によりなる三重の同心円の形に形成されている。このような構成では、点の大きさや密度および同心円の間隔を調整することにより、前記無効領域１３ｎｅにおいても前記支持シート７１を、前記有効領域１３ｅｆよりも低い所望のドーズ量紫外光照射することが可能となる。
【００９０】
さらに本実施形態では、前記遮蔽パタ―ン７１Ｍとして、先に図１２あるいは図１３で説明したパタ―ンを使うことも可能である。この場合には、前記支持シート７１のうち、前記非有効領域１３ｎｅに対応する部分では実質的な照射がなされることはない。
【００９１】
以上、本発明を好ましい実施形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
（付記１）
放射線により粘着力を低減させる粘着性の支持シート上に半導体ウェハを接着する工程と、
前記半導体ウェハを、前記粘着性支持シート上に接着した状態で格子状に切断し個々の半導体チップに分割する工程と、
前記半導体ウェハの有効領域内に形成されていた半導体チップのみに、前記支持シート側から放射線を照射する工程と、
前記支持シートから前記有効領域に形成されていた半導体チップを剥離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２）
前記支持シートに放射線を照射する工程では、放射線源と前記支持シートとの間に、前記半導体ウェハの有効領域以外を少なくとも部分的に覆う前記放射線の遮蔽部材が設けられ、前記遮蔽部材により、前記有効領域外への放射線の照射が抑制されることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
(付記３)
前記遮蔽部材は前記支持シートのうち、前記有効領域に外接する外接円よりも外側の領域を覆うことを特徴とする付記２記載の半導体装置の製造方法。
（付記４）
前記遮蔽部材は前記支持シートに形成されていること特徴とする付記２または３記載の半導体装置の製造方法。
（付記５）
前記支持シートは、前記半導体ウェハが接着される保持領域を位置決めする位置決め部を有しており、前記遮蔽部材は前記保持領域に保持される半導体ウェハの外周に対応して、環状に形成されていることを特徴とする付記４記載の半導体装置の製造方法。
（付記６）
個々の半導体チップに切断された状態で粘着シート上に保持されている半導体ウェハを載置される載置部と、
前記載置部に載置された半導体ウェハに前記粘着シート側から放射線を照射する放射線源と、を備え、
前記放射線源と前記載置部との間には、前記半導体ウェハへの前記放射線の照射を部分的に抑止する遮蔽部材が配設されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
(付記７)
前記遮蔽部材は環状の部材であることを特徴とする付記６記載の半導体装置の製造装置。
（付記８）
前記遮蔽部材はディスク状で、前記半導体ウェハ上の有効半導体チップに対応した形状の開口部が形成されていることを特徴とする付記６記載の半導体装置の製造装置。
（付記９）
基材層と、
前記基材層の第１面上に形成され、放射線の照射により硬化する粘着層と、
前記第１面とは反対側の第２面上に形成され、放射線の照射を抑止する遮蔽パタ―ンと含むことを特徴とする半導体ウェハ支持シート。
（付記１０）
前記遮蔽パタ―ンは、前記基材層に印刷されていることを特徴とする付記９記載の半導体ウェハ支持シート。
（付記１１）
前記半導体ウェハが接着される保持領域を位置決めする位置決め部を有していることを特徴とする付記９記載の半導体ウェハの支持シート。
【符号の説明】
【００９２】
１１，７１  支持シート
１１Ａ  ロール
１１Ｂ  保持領域
１１ａ  粘着面
１２  フレーム部材
１３  半導体ウェハ
１３Ｌ  ダイシングライン
１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ  有効半導体チップ
１３Ｘ  無効半導体チップ
１３ｃ  バンプ電極
１３ｅｆ  有効領域
１３ｎｅ  無効領域
１４  カッター
１７  ピストン
１７ａ〜１７ｃ  ピン
１８  剥離装置
１９  コレット
２１  実装基板
２２  アンダーフィル樹脂
２３  半田ボール
３０  ケース
３０Ａ，３０Ｂ  側壁面
３０Ｈ  ハンドル
３１  レール
５０，６０  紫外光照射装置
５０Ａ，６０Ａ  載置面
５０Ｂ  照射部
５０ＩＲ  赤外線カットフィルタ
５１  基台
５２，６２  紫外光源
５３，５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃ，５３Ｄ  遮蔽部材
５３ｃ，５３ｄ  開口部
７１Ｇ  接着剤層
７１Ｍ，７１Ｎ，７１Ｏ、７１Ｍ１，７１Ｍ２，７１Ｍ３，７１Ｍ４  紫外光遮蔽パタ―ン
７１Ｐ  位置決め孔
７１Ｓ  基材
７２  フレーム部材貼付予定位置
７３  ウェハ貼付予定位置
７４  支持シート切断位置
【図１】
2011003613.tif 000003
【図２Ａ】
2011003613.tif 000004
【図２Ｂ】
2011003613.tif 000005
【図２Ｃ】
2011003613.tif 000006
【図２Ｄ】
2011003613.tif 000007
【図２Ｅ】
2011003613.tif 000008
【図２Ｆ】
2011003613.tif 000009
【図２Ｇ】
2011003613.tif 000010
【図２Ｈ】
2011003613.tif 000011
【図２Ｉ】
2011003613.tif 000012
【図２Ｊ】
2011003613.tif 000013
【図３】
2011003613.tif 000014
【図４】
2011003613.tif 000015
【図５】
2011003613.tif 000016
【図６】
2011003613.tif 000017
【図７Ａ】
2011003613.tif 000018
【図７Ｂ】
2011003613.tif 000019
【図８】
2011003613.tif 000020
【図９】
2011003613.tif 000021
【図１０Ａ】
2011003613.tif 000022
【図１０Ｂ】
2011003613.tif 000023
【図１１】
2011003613.tif 000024
【図１２】
2011003613.tif 000025
【図１３】
2011003613.tif 000026
【図１４】
2011003613.tif 000027
【図１５】
2011003613.tif 000028
【図１６】
2011003613.tif 000029
【図１７Ａ】
2011003613.tif 000030
【図１７Ｂ】
2011003613.tif 000031
【図１７Ｃ】
2011003613.tif 000032
【図１８】
2011003613.tif 000033
【図１９Ａ】
2011003613.tif 000034
【図１９Ｂ】
2011003613.tif 000035
【図１９Ｃ】
2011003613.tif 000036
【図１９Ｄ】
2011003613.tif 000037