(57)【要約】【課題】発光素子の劣化を防止しつつ所望の発光量を得ることができる発光装置を提供する。【解決手段】画素回路Ｐは、第１給電線１４と第２給電線１８との間に直列に接続された容量素子Ｃ１および発光素子Ｅと、ノードＮＤとデータ線１６との間に配置される選択スイッチＴSLと、を備える。駆動回路２０は、書込期間ＰWにおいて、選択スイッチＴSLをオン状態に設定する一方、データ電位ＶＤをデータ線１６へ出力し、発光制御期間ＰELにおいて、選択スイッチＴSLをオフ状態に設定する一方、発光素子Ｅの両端間の電圧が経時的に増加していき、発光閾値電圧Ｖth_elに到達した後は発光素子Eに電流が流れて発光するように、第１給電線１４に出力する電位を経時的に変化させる。【選択図】      図４
2011170033.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素回路と、前記画素回路を駆動する駆動回路とを具備し、
前記画素回路は、
第１給電線と第２給電線との間に直列に接続された容量素子および発光素子と、
前記容量素子と前記発光素子との間に介在するノードと、前記発光素子の指定階調に応じたデータ電位が出力されるデータ線との間に設けられたスイッチング素子と、を備え、
前記駆動回路は、
書込期間において、前記スイッチング素子をオン状態に設定する一方、前記データ電位を前記データ線へ出力し、
前記書込期間の後の発光期間において、前記スイッチング素子をオフ状態に設定する一方、前記発光素子の両端間の電圧が経時的に増加していき、前記発光閾値電圧に到達した後は前記発光素子に電流が流れて発光するように、前記第１給電線に出力する電位を経時的に変化させる、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記発光期間において前記第１給電線に出力される電位は、直線的に増加または直線的に減少する、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光期間において前記発光素子が発光を開始するタイミングは、前記データ電位の値に応じて決まる、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
複数の走査線と複数の前記データ線との各交差に対応して複数の前記画素回路が配置され、
前記複数の走査線は、所定の本数を単位とする複数のブロックに区分され、
前記複数のブロックは、複数の前記第１給電線と1対１に対応し、あるブロックに対応する前記第１給電線は、当該ブロックに対応する複数の前記画素回路に共通に接続され、
前記駆動回路は、
複数の前記書込期間ごとに、前記画素回路におけるスイッチング素子をオン状態に設定するための走査信号を一の走査線へ順番に出力するとともに、当該一の走査線に対応する画素回路の指定階調に応じた前記データ電位を前記各データ線へ出力し、
前記各ブロックに対応する複数の画素回路の前記書込期間が全て終了するたびに、当該ブロックに対応する複数の画素回路の前記発光期間が一斉に開始するように、当該ブロックに対応する前記第１給電線に出力する電位を経時的に変化させる、
ことを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の発光装置。
【請求項５】
前記データ電位は、前記発光素子の両端間の電圧が発光閾値電圧を下回るような値に設定される、
ことを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の発光装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５の何れかに記載の発光装置を具備する電子機器。
【請求項７】
第１給電線と第２給電線との間に直列に接続された容量素子および発光素子を含む画素回路の駆動方法であって、
書込期間において、前記容量素子と前記発光素子との間に介在するノードの電位を、当該発光素子の指定階調に応じた値に設定し、
前記書込期間の後の発光期間において、前記発光素子の両端間の電圧が経時的に増加していき、前記発光閾値電圧に到達した後は前記発光素子に電流が流れて発光するように、前記第１給電線に出力する電位を経時的に変化させる、
ことを特徴とする画素回路の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置および電子機器、画素回路の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（Electro Luminescent）素子や発光ポリマー素子などと呼ばれる有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、以下「ＯＬＥＤ」という）素子などの発光素子を用いた発光装置が各種提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
図１６は、特許文献１に開示された発光装置における画素回路の構成を示す図である。図１６に示すように、この画素回路は、２つのスイッチング素子ＳＷ１およびＳＷ２と、容量素子と、ＯＬＥＤ素子とを含む。図１７に示すように、書込期間においては、ＯＬＥＤ素子の指定階調に応じたデータ電位ＶＤが信号線４２に出力される。このとき、スイッチング素子ＳＷ１はオン状態に設定される一方、スイッチング素子ＳＷ２はオフ状態に設定される。これにより、信号線４２に出力されるデータ電位は、スイッチング素子ＳＷ１を介して容量素子に書き込まれる。データ書込期間の後の発光期間においては、図１８に示すように、スイッチング素子ＳＷ１がオフ状態に設定される一方、スイッチング素子ＳＷ２はオン状態に設定される。これにより、容量素子に蓄積された電荷がスイッチング素子ＳＷ２を介してＯＬＥＤ素子に流れ込み、ＯＬＥＤ素子が発光する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−５４８３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１の技術では、発光期間における電荷の放電は瞬時に行われるので、要求される発光量（発光輝度の時間積分値）が大きいほど、発光期間において瞬間的に発光素子に流れ込む放電電流の値は大きくなり、発光素子が劣化してしまうという問題が起こる。
以上の事情に鑑みて、本発明は、発光素子の劣化を防止しつつ所望の発光量を得ることができる発光装置を提供することを解決課題とする。
【０００６】
以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、画素回路と、画素回路を駆動する駆動回路とを具備し、画素回路は、第１給電線と第２給電線との間に直列に接続された容量素子および発光素子と、容量素子と発光素子との間に介在するノードと、発光素子の指定階調に応じたデータ電位が出力されるデータ線との間に設けられるスイッチング素子と、を備え、駆動回路は、書込期間において、スイッチング素子をオン状態に設定する一方、データ電位をデータ線へ出力し、書込期間の後の発光期間において、スイッチング素子をオフ状態に設定する一方、発光素子の両端間の電圧が経時的に増加していき、発光閾値電圧に到達した後は発光素子に電流が流れて発光するように、第１給電線に出力する電位を経時的に変化させることを特徴とする。発光期間において発光素子が発光を開始するタイミングは、データ電位の値に応じて決まる。また、発光素子の指定階調が最高階調（例えば白）以外の階調を指定するものである場合は、データ電位は、発光素子の両端間の電圧が発光閾値電圧を下回るような値に設定されることが好ましい。
【０００７】
本発明では、発光期間において、経時的に増加する発光素子の両端間の電圧が発光閾値電圧に到達した後、発光素子には、第１給電線に出力される電位の時間変化率に応じた電流が流れる。また、発光期間において、発光素子の両端間の電圧が発光閾値電圧に到達するタイミングは、書込期間にて書き込まれたデータ電位の値に応じて決まる。すなわち、発光期間において発光素子に電流が流れて発光する時間長は、データ電位の値に応じて決まる。ここで、発光素子の発光量は、発光素子を流れる電流の時間積分値で表されるから、駆動回路は、発光素子を劣化させない程度の値の電流が、所望の発光量を得るのに必要な時間長だけ発光素子に流れるように、第１給電線に出力する電位の時間変化率とデータ電位とを制御することで、発光素子の劣化を防止しつつ所望の発光量を得ることができる。
【０００８】
例えば要求される発光量が大きい場合、駆動回路は、書込期間においてデータ線に出力するデータ電位を、発光素子の両端間の電圧が発光閾値電圧に近い値となるような値に設定する。そして、駆動回路は、発光期間において、発光素子の両端間の電圧が経時的に増加していき、発光閾値電圧に到達した後は発光素子を劣化させない程度の値の電流が発光素子に流れるように、第１給電線に出力する電位を経時的に変化させる。この場合、発光期間の始点において、発光素子の両端間の電圧は発光閾値電圧に近い値に設定されているので、発光期間が開始してから発光素子の両端間の電圧が発光閾値電圧に到達するまでの時間長を短くすることができる。したがって、発光期間において発光素子に電流が流れて発光する期間を十分に確保できる。これにより、要求される発光量が大きい場合にも、発光素子の劣化を防止しつつ所望の発光量を得ることができるという具合である。
【０００９】
本発明に係る発光装置の具体的な態様として、発光期間において第１給電線に出力される電位は、直線的に増加または直線的に減少する。つまり、発光期間において第１給電線に出力される電位の時間変化率は一定であるので、発光期間において、発光素子の両端間の電圧が発光閾値電圧に到達した後は、発光素子には一定の電流が流れる。その一定の電流値と、発光素子の両端間の電圧が発光閾値電圧に到達した時点から発光期間の終点に至るまでの期間の時間長（「発光時間」と呼ぶ）との積が、発光素子の発光量となるから、所望の発光量を一定の電流値で割ることで、当該発光量を得るために必要な発光時間を正確かつ容易に規定することができる。また、発光期間において第１給電線に出力される電位の時間変化率は一定であるから、当該発光時間を得るために必要なデータ電位の値も正確かつ容易に規定することができる。つまり、この態様によれば、発光量の制御を正確かつ容易に行うことができる。
【００１０】
本発明に係る発光装置の他の態様として、複数の走査線と複数のデータ線との各交差に対応して複数の画素回路が配置され、複数の走査線は、所定の本数を単位とする複数のブロックに区分され、複数のブロックは、複数の第１給電線と1対１に対応し、あるブロックに対応する第１給電線は、当該ブロックに対応する複数の画素回路に共通に接続され、駆動回路は、複数の書込期間ごとに、画素回路におけるスイッチング素子をオン状態に設定するための走査信号を一の走査線へ順番に出力するとともに、当該一の走査線に対応する画素回路の指定階調に応じたデータ電位を各データ線へ出力し、各ブロックに対応する複数の画素回路の書込期間が全て終了するたびに、当該ブロックに対応する複数の画素回路の発光期間が一斉に開始するように、当該ブロックに対応する第１給電線に出力する電位を経時的に変化させる。この態様では、第１給電線はブロックごとに設けられる。そして、駆動回路は、各ブロックに対応する複数の画素回路の書込期間が全て終了するたびに、当該ブロックに対応する複数の画素回路の発光期間が一斉に開始するように、当該ブロックに対応する第１給電線に出力する電位を経時的に変化させる。つまり、駆動回路は、ブロックごとに設けられた第１給電線に出力する電位を制御することで、当該ブロックに属する複数行分の画素回路をまとめて駆動する（発光させる）ので、行単位で画素回路を駆動する態様に比べて、構成および制御が簡素化されるという利点がある。
【００１１】
本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。電子機器の典型例は、発光装置を表示装置として利用した機器である。本発明に係る電子機器としてはパーソナルコンピュータや携帯電話機が例示される。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置（光ヘッド）としても本発明の発光装置が適用される。
【００１２】
本発明は、画素回路を駆動する方法としても特定される。本発明に係る駆動方法は、第１給電線と第２給電線との間に直列に接続された容量素子および発光素子を含む画素回路の駆動方法であって、書込期間において、容量素子と発光素子との間に介在するノードの電位を、当該発光素子の指定階調に応じた値に設定し、書込期間の後の発光期間において、発光素子の両端間の電圧が経時的に増加していき、発光閾値電圧に到達した後は発光素子に電流が流れて発光するように、第１給電線に出力する電位を経時的に変化させる。以上の駆動方法によっても本発明に係る発光装置と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置のブロック図である。
【図２】画素回路の回路図である。
【図３】走査線駆動回路およびデータ線駆動回路が生成する信号を説明するための図である。
【図４】発光装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図５】書込期間における画素回路の動作を説明するための図である。
【図６】発光制御期間における画素回路の動作を説明するための図である。
【図７】指定階調と、非発光期間および発光期間の時間長との関係を説明するための図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る発光装置のブロック図である。
【図９】発光装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図１０】本発明の変形例に係る画素回路の回路図である。
【図１１】本発明の変形例に係る画素回路の回路図である。
【図１２】本発明の変形例に係る画素回路の回路図である。
【図１３】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１４】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１５】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１６】従来の画素回路の構成を示す図である。
【図１７】従来の画素回路の動作を説明するための図である。
【図１８】従来の画素回路の動作を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置１００の概略構成を示すブロック図である。発光装置１００は、画像を表示する表示装置として電子機器に搭載される。図１に示すように、発光装置１００は、複数の画素回路Ｐが配列された素子部１０と、各画素回路Ｐを駆動する駆動回路２０とを具備する。駆動回路２０は、走査線駆動回路２１と、データ線駆動回路２３と、電位生成回路２５とを含んで構成される。駆動回路２０は、例えば複数の集積回路に分散して実装される。ただし、駆動回路２０の少なくとも一部は、画素回路Ｐとともに基板上に形成された薄膜トランジスタで構成され得る。
【００１５】
素子部１０には、Ｘ方向に延在するｍ本の走査線１２と、各走査線１２と対をなしてＸ方向に延在するｍ本の第１給電線１４と、Ｘ方向に交差するＹ方向に延在するｎ本のデータ線１６とが形成される（ｍ，ｎは自然数）。複数の画素回路Ｐは、走査線１２および第１給電線１４の対とデータ線１６との交差に配置されて縦ｍ行×横ｎ列の行列状に配列される。走査線駆動回路２１は、走査信号ＧWR[１]〜ＧWR[ｍ]を各走査線１２に出力する。データ線駆動回路２３は、各画素回路Ｐに指定される階調（以下「指定階調」という）に応じたデータ電位ＶＤ[１]〜ＶＤ[ｎ]を各データ線１６に出力する。
【００１６】
電位生成回路２５は、電源の高位側の電位であるランプ電位Ｖrmpと、電源の低位側の電位である接地電位ＶＣＴとを生成する。電位生成回路２５は、各第１給電線１４にランプ電位Ｖrmpを出力する。説明の便宜上、第ｉ行目の第１給電線１４に出力されるランプ電位をＶrmp[ｉ]と表記する。一方、接地電位ＶＣＴは、第２給電線１８を介して各画素回路Ｐに共通に供給される。本実施形態では、接地電位ＶＣＴは０Ｖに設定される。
【００１７】
図２は、画素回路Ｐの回路図である。図２においては、第ｉ行（ｉ＝１〜ｍ）の第ｊ列目（Ｊ＝１〜ｎ）に位置する１個の画素回路Ｐのみが代表的に図示されている。図２に示すように、画素回路Ｐは、発光素子Ｅと容量素子Ｃ１と選択スイッチＴSLとを含んで構成される。
【００１８】
発光素子Ｅと容量素子Ｃ１とは、第ｉ行の第１給電線１４と、各行の画素回路Ｐに共通な第２給電線１８とを連結する経路上に直列に配置される。発光素子Ｅは、相対向する陽極と陰極との間に有機ＥＬ材料の発光層を介在させたＯＬＥＤ素子である。容量素子Ｃ１は、第１電極Ｌ１と第２電極Ｌ２とを有する。第１電極Ｌ１は、第１給電線１４に接続される一方、第２電極Ｌ２は発光素子Ｅに接続される。
【００１９】
選択スイッチＴSLは、容量素子Ｃ１と発光素子Ｅとの間に介在するノードＮＤと、第ｊ列目のデータ線１６との間に介在して両者の電気的な接続（導通／非導通）を制御する。図２に示すように、例えばＮチャネル型のトランジスタ（薄膜トランジスタ）が好適に採用される。第ｉ行に属するｎ個の画素回路Ｐの各々の選択スイッチＴSLのゲートは第ｉ行の走査線１２に対して共通に接続される。
【００２０】
次に、図３を参照して、走査線駆動回路２１が生成する各信号、および、データ線駆動回路２３が生成する各信号を説明する。図３に示すように、走査線駆動回路２１は、垂直走査期間内のｍ個の水平走査期間（Ｈ[１]〜Ｈ[ｍ]）の各々において走査信号ＧWR[１]〜ＧWR[ｍ]を順番にアクティブレベル（ハイレベル）に設定することで各走査線１２（各行のｎ個の画素回路Ｐ）を順次に選択する。走査信号ＧWR[i]のハイレベルへの移行は第ｉ行の走査線１２の選択を意味する。走査信号ＧWR[ｉ]がハイレベルに遷移すると、第ｉ行に属するｎ個の画素回路Ｐの各々の選択スイッチＴSLが一斉にオン状態に変化する。データ線駆動回路２３は、各水平走査期間Ｈで走査線駆動回路２１が選択した１行分（ｎ個）の画素回路Ｐに対応するデータ電位ＶＤ[１]ないしＶＤ[ｎ]を生成して各データ線１６に出力する。第ｉ行が選択される水平走査期間Ｈ[ｉ]において第ｊ列目のデータ線１６に出力されるデータ電位ＶＤ[j]は、第ｉ行の第ｊ列目に位置する画素回路Ｐに対して指定された階調（「指定階調」と呼ぶ）に対応する電位DATA[ｉ,j]となる。
【００２１】
次に、図４を参照して、第ｉ行の第ｊ列目の画素回路Ｐに着目しながら、駆動回路２０の動作（画素回路Ｐの駆動方法）を説明する。図４において、走査信号ＧWR[ｉ]がハイレベルに遷移してから、再びハイレベルに遷移するまでの期間を１フィールド期間（１Ｖ）と呼ぶ。１フィールド期間１Ｖは、書込期間ＰWと発光制御期間ＰELとに区分される。書込期間ＰWは１水平走査期間Ｈに相当し、走査信号ＧWR[ｉ]は、書込期間ＰWにおいてハイレベルに設定される一方、発光制御期間ＰELにおいてはローレベルに設定される。以下では、第ｉ行に属する第ｊ列目の画素回路Ｐの動作を、書込期間ＰWと発光制御期間ＰELとに区分して説明する。
【００２２】
（ａ）書込期間ＰW
図４に示すように、駆動回路２０（走査線駆動回路２１）は、書込期間ＰWが開始すると、走査信号ＧWR[ｉ]をハイレベルに設定する。したがって、図５に示すように、選択スイッチＴSLはオン状態になる。選択スイッチＴSLがオン状態に遷移することで、データ線１６とノードＮＤとが導通する。これにより、ノードＮＤの電位Ｖａ[i，j]は、第ｊ列目のデータ線１６に出力されるデータ電位ＶＤ[j]に変化する。このデータ電位ＶＤ[ｊ]は、第ｉ行の第ｊ列目に位置する画素回路Ｐの指定階調に対応する電位DATA[ｉ,j]である。
【００２３】
本実施形態では、書込期間ＰWにおいてデータ線１６に出力されるデータ電位ＶＤ[ｊ]は、発光素子Ｅの両端間の電圧（ノードＮＤと第２給電線１８との間の電圧）が発光閾値電圧Ｖth_elを下回るような値に設定される。このため、図４に示すように、書込期間ＰWにおけるノードＮＤの電位Ｖａ[i,j]（DATA[i,j]）は、発光閾値電圧Ｖth_elを下回る。したがって、書込期間ＰWにおいては、発光素子Ｅには電流が流れずに非発光状態となる。また、図４に示すように、駆動回路２０（電位生成回路２５）は、第１給電線１４に出力するランプ電位Ｖrmp[ｉ]を基準電位Ｖrefに設定する。
【００２４】
（ｂ）発光制御期間ＰEL
図４に示すように、駆動回路２０（走査線駆動回路２１）は、発光制御期間ＰELが開始すると、走査信号ＧWR[ｉ]をローレベルに設定する。したがって、図６に示すように、選択スイッチＴSLはオフ状態に遷移するから、ノードＮＤは電気的にフローティング状態となり、その電位Ｖａ[i,j]は、発光閾値電圧Ｖth_elを下回る電位DATA[i,j]に維持される。
【００２５】
また、駆動回路２０（電位生成回路２５）は、発光素子Ｅの両端間の電圧が経時的に増加していき、発光閾値電圧Ｖth_elに到達した後は発光素子Ｅに電流が流れて発光するように、第１給電線１４に出力するランプ電位Ｖrmp[ｉ]を経時的に変化させる。より具体的には、以下のとおりである。図４に示すように、電位生成回路２５は、発光制御期間ＰELの始点tsから終点teにかけて、第１給電線１４に出力するランプ電位Ｖrmp[ｉ]を時間変化率ＲX（ＲX＝ｄＶrmp／ｄｔ）で直線的に上昇させる。つまり、本実施形態では、ランプ電位Ｖrmp[ｉ]はランプ波形（鋸歯状波形）の電圧信号である。これにより、容量素子Ｃ１の第１電極Ｌ１の電位も時間変化率ＲXで直線的に上昇する。
【００２６】
前述したように、ノードＮＤは電気的にフローティング状態であるから、ノードＮＤの電位（つまり第２電極Ｌ２の電位）Ｖａ[i,j]は第１電極Ｌ１の電位に連動して上昇する。このときのノードＮＤの電位Ｖａ[i,j]の時間変化率は、ランプ電位Ｖrmp[i]の時間変化率ＲXに等しい。そして、ノードＮＤの電位Ｖａ[i,j]が発光閾値電圧Ｖth_elに到達すると、第１給電線１４からの電流Ielが容量素子Ｃ１を介して発光素子Ｅに流れる。これにより、発光素子Ｅは発光状態となる。容量素子Ｃ１の容量をＣｐ、容量素子Ｃ１に蓄積される電荷をＱと表記すると、ノードＮＤの電位Ｖａ[i,j]が発光閾値電圧Ｖth_elに到達した後、発光素子Ｅに流れる電流Ｉelは、以下の式（１）で表される。
Ｉel＝ｄＱ／ｄｔ＝Ｃｐ×ｄＶrmp／ｄｔ＝Ｃｐ×ｄＲX／ｄｔ  ・・・（１）
【００２７】
本実施形態では、ランプ電位Ｖrmpの時間変化率ＲXは一定であるから、ノードＮＤの電位Ｖａ[i,j]が発光閾値電圧Ｖth_elに到達してから発光制御期間Ｐelの終点teに至るまでの期間において、発光素子Ｅには一定の電流Ｉelが流れ続けるという具合である。また、ランプ電位Ｖrmpの時間変化率ＲXは、発光素子Ｅに流れる電流Ｉelが当該発光素子Ｅを劣化させない程度の値となるような値に設定される。なお、図４において、発光制御期間ＰELの始点tsから、ノードＮＤの電位Ｖａ[i,j]が発光閾値電圧Ｖth_elに到達するまでの期間（発光素子Ｅの両端間の電圧が発光閾値電圧に到達するまでの期間）を非発光期間Ｐfと呼ぶ。一方、ノードＮＤの電位Ｖａ[i,j]が発光閾値電圧Ｖth_elに到達してから発光制御期間ＰELの終点teに至るまでの期間を発光期間ＰLと呼ぶ。本実施形態では、発光制御期間ＰELが開始してから発光素子Ｅの両端間の電圧が発光閾値電圧Ｖth_elに到達するまで経時的に増加するノードＮＤの電位Ｖａ[i.j]の時間変化率は一定であるから、非発光期間Ｐfおよび発光期間ＰLの時間長は、書込期間ＰWにて設定されたノードＮＤの電位Ｖａ[i,j]に応じて決まる。
【００２８】
ここで、発光素子Ｅの発光量は、発光素子Ｅを流れる電流Ｉel（一定値）と発光期間ＰLの時間長との積で表される。発光素子Ｅの発光輝度は、発光素子Ｅを流れる電流Ｉelに応じた値となるので、発光素子Eの発光量は、発光輝度の時間積分値であるとも言える。本実施形態では、指定階調が高いほど（最高階調である「白」に近いほど）発光素子Ｅに要求される発光量は大きい値となる。駆動回路２０（例えばデータ線駆動回路２３）は、発光素子Ｅの指定階調に応じてデータ電位ＶＤ[ｊ]の値を制御して発光期間ＰLの時間長を可変に設定することで、当該指定階調を表現する。例えば発光素子Ｅの指定階調が最高階調である「白」の場合、発光期間ＰLの時間長を非発光期間Ｐfの時間長に比べて十分に大きい値に設定する必要がある。この場合、図７に示すように、駆動回路２０は、書込期間ＰWにおいてデータ線１６に出力するデータ電位ＶＤ[ｊ]を、ノードＮＤの電位Ｖａ[i,j]（発光素子Ｅの両端間の電圧）が発光閾値電圧Ｖth_elに近い値となるような値に設定する。これにより、非発光期間Ｐf（発光制御期間ＰELの始点tsから、ノードＮＤの電位Ｖａ[i,j]が発光閾値電圧Ｖth_elに到達するまでの期間）の時間長を十分に短くすることができるから、発光制御期間ＰELのうちの残余の期間である発光期間ＰLの時間長を非発光期間Ｐfの時間長に比べて十分大きい値に設定することができる。これにより、発光素子Ｅの指定階調が最高階調である「白」の場合（要求される発光量が大きい場合）にも、発光素子Ｅの劣化を防止しつつ所望の階調を表現できるという具合である。なお、指定階調が最高階調である「白」の場合は、発光制御期間ＰELの全期間にわたって発光素子Ｅが発光する態様（すなわち非発光期間Ｐfの時間長がゼロである態様）であってもよい。この態様では、指定階調が最高階調である「白」の場合、書込期間ＰWにおいてデータ線１６に出力されるデータ電位ＶＤ[ｊ]の値は、ノードＮＤの電位Ｖａ[i,j]が発光閾値電圧Ｖth_elを超えるような値に設定されるという具合である。
【００２９】
また、例えば発光素子Ｅの指定階調が最低階調である「黒」の場合、発光素子Ｅに要求される発光量はゼロとなるため、発光期間ＰLの時間長をゼロにする必要がある。この場合、図７に示すように、駆動回路２０は、書込期間ＰWにおいてデータ線１６に出力するデータ電位ＶＤ[ｊ]を、発光制御期間ＰELが開始してから経時的に増加するノードＮＤの電位Ｖａ[i.j]が発光制御期間ＰELの終点teにて発光閾値電圧Ｖth_elに到達するような値に設定する。これにより、発光制御期間ＰELの全期間が非発光期間Ｐfとして設定される。すなわち、発光期間ＰLの時間長がゼロとなり、「黒」の階調を表現できるという具合である。さらに、例えば発光素子Ｅの指定階調が中間階調である「グレー」の場合、図７に示すように、駆動回路２０は、書込期間ＰWにおいてデータ線１６に出力するデータ電位ＶＤ[ｊ]を、発光期間ＰLの時間長が所望の発光量を得るのに必要な時間長となるような値に設定する。これにより、発光素子Ｅの劣化を抑制しつつ所望の階調を表現できる。
【００３０】
以上に説明したように、駆動回路２０は、発光素子Ｅを劣化させない程度の値の一定電流Ｉelが、所望の発光量（階調）を得るのに必要な時間長だけ発光素子Eに流れるように、ランプ電位Ｖrmpの時間変化率ＲXとデータ電位ＶＤ[ｊ]とを制御する。これにより、発光素子Ｅの劣化を防止しつつ所望の発光量を得ることができるという利点がある。
【００３１】
＜Ｂ：第２実施形態＞
図８は、本発明の第２実施形態に係る発光装置１００のブロック図である。第２実施形態においては、ｍ本の走査線１２は、相隣接する３本を単位としてｍ／３個のブロックＢ（Ｂ[１]〜Ｂ[ｍ／３]）に区分される。また、本実施形態では、複数（ｍ／３個）のブロックＢと１対１に対応する複数（ｍ／３本）の第１給電線１４（１４[１]〜１４[ｍ／３]）がＸ方向に延在する。第ｋ番目（１≦ｋ≦ｍ／３）のブロックＢ[ｋ]に対応する第１給電線１４[ｋ]は、当該ブロックＢ[ｋ]に属する複数の画素回路Ｐに共通に接続される。また、第ｋ番目のブロックＢ[ｋ]に対応する第１給電線１４[ｋ]に出力されるランプ電位ＶrmpをＶrmp[ｋ]と表記する。なお、画素回路Ｐの構成は第１実施形態と同じであるから、詳細な説明は省略する。
【００３２】
次に、本実施形態に係る発光装置１００の動作を説明する。走査線駆動回路２１およびデータ線駆動回路２３の動作は、上述の第１実施形態と同じである。すなわち、走査線駆動回路２１は、複数の水平走査期間Ｈごとに（複数の書込期間ＰWごとに）、一の走査線１２を順番に選択する一方、データ線駆動回路２３は、選択した走査線１２に対応する画素回路Ｐの指定階調に応じたデータ電位ＶＤ（ＶＤ[１]〜ＶＤ[ｊ]）を各データ線１６に出力する。以下では、図９を参照して、第１番目のブロックＢ[１]に着目しながら駆動回路２０の動作を説明する。
【００３３】
図９において、第１番目のブロックＢ[１]に属する３本の走査線１２のうち最初に選択される第１行目の走査線１２に出力される走査信号ＧWR[1]がハイレベルに遷移してから、当該走査信号ＧWR[１]が再びハイレベルに遷移するまでの期間を１フィールド期間（１Ｖ）と呼ぶ。本実施形態では、１フィールド期間１Ｖは、ブロック書込期間ＰBWとブロック発光制御期間ＰBELとに区分される。
【００３４】
図９に示すように、ブロック書込期間ＰBWは、第１行目の走査線１２に対応する画素回路Ｐの書込期間ＰW[１]と、第２行目の走査線１２に対応する画素回路Ｐの書込期間ＰW[２]と、第３行目の走査線１２に対応する画素回路Ｐの書込期間ＰW[３]とからなる。各書込期間ＰW（ＰW[１]〜ＰW[３]）における駆動回路２０の動作は、上述の第１実施形態と同じであるから、ここでは詳細な説明を省略する。要するに、ブロック書込期間ＰBWにおいて、第１番目のブロックＢ[１]に属する各画素回路Ｐには、当該画素回路Ｐの指定階調に応じたデータ電位ＶＤが書き込まれ、その書き込まれたデータ電位ＶＤは容量素子Ｃ１によって保持される。なお、ブロック書込期間ＰBWにおいて、駆動回路２０（例えば電位生成回路２５）は、第１番目のブロックＢ[１]に対応する第１給電線１４[１]に出力するランプ電位Ｖrmp[ｉ]を基準電位Ｖrefに設定する。第３行目の走査線１２に対応する画素回路Ｐの書込期間ＰW[３]が終了すると、第１番目のブロックＢ[１]に属する複数の画素回路Ｐの書込期間ＰWが全て終了したことになり、ブロック書込期間ＰBWは終了する。
【００３５】
ブロック書込期間ＰBWが終了して、ブロック発光制御期間ＰBELが開始すると、駆動回路２０（電位生成回路２５）は、第１番目のブロックＢ[１]に属する複数の画素回路Ｐの発光制御期間ＰELが一斉に開始するように、当該ブロックＢ[１]に対応する第１給電線１４[１]に出力するランプ電位Ｖrmp[１]を経時的に変化させる。具体的には、図９に示すように、電位生成回路２５は、ブロック発光制御期間ＰELの始点ts2から終点te2にかけて、第１給電線１４[１]に出力するランプ電位Ｖrmp[１]を時間変化率ＲXで直線的に上昇させる。これにより、第１番目のブロックＢ[１]に属する各画素回路Ｐの発光素子Ｅの両端間の電圧（ノードＮＤの電位Ｖａ）は一斉に増加していき、発光閾値電圧Ｖth_elに到達した後は、一定の電流Ielが発光素子Ｅに流れて発光する。第１実施形態でも説明したように、各画素回路Ｐの発光素子Ｅには、書込期間ＰWにおいて書き込まれたデータ電位ＶＤの値に応じた時間長だけ一定電流Ｉelが流れ続けることで、当該画素回路Ｐに指定された階調が表現される。
【００３６】
以上の動作は、他のブロックＢについても同様である。要するに、駆動回路２０は、各ブロックＢに対応する複数の画素回路Ｐの書込期間ＰWが全て終了するたびに、当該ブロックBに対応する複数の画素回路Ｐの発光制御期間ＰELが一斉に開始するように、当該ブロックＢに対応する第１給電線１４に出力するランプ電位Ｖrmpを経時的に変化させる。
つまり、駆動回路２０は、ブロックＢごとに設けられた第１給電線１４に出力するランプ電位Ｖrmpを制御することで、当該ブロックＢに属する複数行分の画素回路Ｐをまとめて駆動する（発光させる）ので、行単位で画素回路Ｐを駆動する第１実施形態に比べて、構成および制御が簡素化されるという利点がある。
【００３７】
＜Ｃ：変形例＞
本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下の変形が可能である。また、以下に示す変形例のうちの２以上の変形例を組み合わせることもできる。
【００３８】
（１）変形例１
画素回路Ｐの構成は、図２の態様に限らず、任意である。例えば、画素回路Ｐの構成を、図１０の態様とすることもできる。図１０の態様では、容量素子Ｃ１の第１電極Ｌ１は発光素子Ｅに接続される一方、容量素子Ｃ１の第２電極Ｌ２は第２給電線１８に接続される点で上述の各実施形態と相違する。この態様でも、発光制御期間ＰELにおいて、駆動回路２０が、第１給電線１４に出力するランプ電位Ｖrmpを時間変化率ＲXで直線的に増加させることで、発光素子Ｅの両端間の電圧が経時的に増加していき、発光閾値電圧Ｖth_elに到達した後は、一定電流Ｉelが発光素子Ｅを流れる。
【００３９】
また、例えば画素回路Ｐの構成を、図１１の態様とすることもできる。図１１の態様では、電位生成回路２５は、電源の高位側の電位ＶＥＬを第２給電線１８に出力する一方、電源の低位側の電位であるランプ電位Ｖrmpを各第１給電線１４に出力する点で上述の各実施形態と相違する。この態様では、発光制御期間ＰELにおいて、駆動回路２０は、第１給電線１４に出力するランプ電位Ｖrmp[ｉ]を時間変化率ＲXで直線的に減少させることで、発光素子Ｅの両端間の電圧が経時的に増加していき、発光閾値電圧Ｖth_elに到達した後は、一定電流Ｉelが発光素子Ｅを流れる。さらに、図１１の態様を図１２のように変形することもできる。
【００４０】
（２）変形例２
上述の各実施形態では、発光制御期間ＰELにおいて第１給電線１４に出力される電位は、直線的に増加しているが、これに限らず、発光制御期間ＰELにおいて第１給電線１４に出力される電位の変化の態様は任意である。例えば発光制御期間ＰELにおいて第１給電線１４に出力される電位の波形が曲線状であってもよい。要するに、発光制御期間ＰELにおいて第１給電線１４に出力される電位は、発光素子Ｅの両端間の電圧が経時的に増加していき、発光閾値電圧Ｖth_elに到達した後は発光素子Ｅに電流が流れて発光するように、経時的に変化するものであればよい。
【００４１】
ただし、上述の各実施形態のように、発光制御期間ＰELにおいて第１給電線１４に出力される電位の時間変化率が一定であれば、発光制御期間ＰELにおいて、発光素子Ｅの両端間の電圧が発光閾値電圧Ｖth_elに到達した後は、発光素子Ｅには一定の電流が流れる。このため、所望の発光量をその一定の電流値で割ることで、当該発光量を得るために必要な発光期間ＰLの時間長を正確かつ容易に規定することができる。また、発光制御期間ＰELにおいて第１給電線１４に出力される電位の時間変化率は一定であるから、その発光期間ＰLの時間長を得るために必要なデータ電位ＶＤの値も正確かつ容易に規定することができる。つまり、この態様によれば、発光量の制御を正確かつ容易に行うことができる。
【００４２】
（３）変形例３
上述の各実施形態では、発光制御期間ＰELにおいて第１給電線１４に出力されるランプ電位Ｖrmpの時間変化率ＲXは一定であるが、これに限らず、例えば設定条件に応じてランプ電位Ｖrmpの時間変化率が可変に設定される態様とすることもできる。例えば素子部１０の発光が継続してパネル温度が上昇すると、各画素回路Ｐの発光素子Ｅの輝度特性も変化してしまう。そこで、パネル温度が変化した場合にも発光素子Ｅの輝度が所望の値となるように、ランプ電位Ｖrmpの時間変化率を可変に設定する態様とすることもできる。
【００４３】
（４）変形例４
発光素子Ｅは、ＯＬＥＤ素子であってもよいし、無機発光ダイオードやＬＥＤ（Light Emitting Diode）であってもよい。要は、電気エネルギーの供給（電界の印加や電流の供給）に応じて発光する総ての素子を本発明の発光素子として利用できる。
【００４４】
＜Ｄ：応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図１３は、以上に説明した実施形態に係る発光装置１００を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての発光装置１００と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。この発光装置１００は発光素子ＥにＯＬＥＤ素子を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００４５】
図１４に、以上に説明した実施形態に係る発光装置１００を表示装置として採用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに発光装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装置１００に表示される画面がスクロールされる。
【００４６】
図１５に、以上に説明した実施形態に係る発光装置１００を表示装置として採用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに発光装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置１０に表示される。
【００４７】
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図１３から図１５に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る発光装置１００の用途は画像の表示に限定されない。例えば、電子写真方式の画像形成装置において露光により感光体ドラムに潜像を形成する露光装置としても本発明の発光装置１００は利用される。
【符号の説明】
【００４８】
１０……素子部、１２……走査線、１４……第１給電線１４……データ線、１８……第２給電線、２０……駆動回路、２１……走査線駆動回路、２３……データ線駆動回路、１００……発光装置、Ｃ１……容量素子、Ｅ……発光素子、ＧWR……走査信号、ＮＤ……ノード、ＴSL……選択スイッチ、Ｐ……画素回路、ＰW……書込期間、ＰEL……発光制御期間、Ｐf……非発光期間、ＰL……発光期間、ＶＤ……データ電位。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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