(57)【要約】【課題】反りが抑制された薄型の半導体パッケージを提供する。【解決手段】半導体パッケージ４１は、ピン２２が取り付けられたピン付き基板２５と、ピン接続用のパッド１６が形成された配線基板１０とを備えている。ピン付き基板２５は、樹脂成形によって形成された樹脂基板２６に一体にピン２２が立設されて形成され、樹脂基板２６の一方の面からピン２２のヘッド部２２ａ（一端部）が露出し、他方の面からピン２２の他端部が延出している。配線基板１０の外形形状がピン付き基板２５の外形形状よりも大きく、ピン２２のヘッド部２２ａとピン接続用のパッド１６とがはんだ１８を介して接合してピン付き基板２５と配線基板１０とが接合されて、配線基板１０の外側面がピン付き基板２５の外側面よりも外側に延出している。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピンが取り付けられたピン付き基板と、
ピン接続用のパッドが形成された配線基板とを備え、
前記ピン付き基板は、樹脂成形によって形成された樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成され、前記樹脂基板の一方の面から前記ピンの一端部が露出し、前記樹脂基板の他方の面から前記ピンの他端部が延出しており、
前記配線基板の外形形状が前記ピン付き基板の外形形状よりも大きく、前記ピンの一端部と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されて、前記配線基板の外側面が前記ピン付き基板の外側面よりも外側に延出していることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記ピンの一端部には、ヘッド部が形成されており、
前記ヘッド部の端面が、前記樹脂基板の一方の面に面一に露出しており、
前記ヘッド部の端面と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されていることを特徴とする請求項２記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記ピン付き基板は、前記他端部を摺入し、前記一端部の端面を被覆して前記ピンがセットされたモールド用の金型のキャビティに樹脂を充填して、前記樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成されたものであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
ピンが取り付けられたピン付き基板と、ピン接続用のパッドが形成された配線基板とを有する半導体パッケージと、
前記半導体パッケージが収容されるセット凹部および前記セット凹部の下側に前記ピンと電気的に接続されるコンタクトが設けられたソケットとを備え、
前記ピン付き基板は、樹脂成形によって形成された樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成され、前記樹脂基板の一方の面から前記ピンの一端部が露出し、前記樹脂基板の他方の面から前記ピンの他端部が延出しており、
前記半導体パッケージは、前記配線基板の外形形状が前記ピン付き基板の外形形状よりも大きく、前記ピンの一端部と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されて、前記配線基板の外側面が前記ピン付き基板の外側面よりも外側に延出しており、
前記セット凹部の内側面に前記配線基板の外側面がガイドされて挿入された前記半導体パッケージが前記ソケットに装着されていることを特徴とする半導体パッケージの実装構造。
【請求項５】
前記ピンの一端部には、ヘッド部が形成されており、
前記ヘッド部の端面が、前記樹脂基板の一方の面に面一に露出しており、
前記ヘッド部の端面と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されていることを特徴とする請求項４記載の半導体パッケージの実装構造。
【請求項６】
前記ピン付き基板は、前記一端部の端面を被覆し、前記他端部を摺入して前記ピンがセットされたモールド用の金型のキャビティに樹脂を充填して、前記樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成されたものであることを特徴とする請求項４または５記載の半導体パッケージの実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージおよび半導体パッケージの実装構造に関し、より詳細には配線基板にピン付き基板を接合して形成されるPGA（ピングリッドアレイ）型の半導体パッケージおよびこれをソケットに装着して構成される半導体パッケージの実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
PGA型の半導体パッケージには、図７に示すような、配線基板にピン付き基板を接合して形成された製品がある。図７（ａ）は、配線基板１０にピン付き基板２０を位置合わせする状態、図７（ｂ）は配線基板１０にピン付き基板２０を接合して形成した半導体パッケージ３０を示す。図示例の配線基板１０は、内層に配線パターン１２とビア１４を形成したビルドアップ基板であり、ピン付き基板２０を接合する一方の面にピン接続用のパッド１６が形成され、他方の面に半導体素子を接合するパッド１７が形成されている。
【０００３】
ピン付き基板２０は、配線基板１０に形成されたパッド１６に接合されるピン２２が、薄平板状に形成された基板２４に支持されて形成されている。ピン２２のヘッド部２２ａは、配線基板１０のパッド１６と同一の平面配置に設けられ、パッド１６に供給されたはんだ１８により、ヘッド部２２ａをピン接続用のパッド１６に接合して半導体パッケージ３０が形成される。
【０００４】
なお、PGA型の半導体パッケージとして、配線基板とは別個にピン付き基板を用意し、ピン付き基板を配線基板に接合して構成した半導体パッケージが提案されている（たとえば、特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−１６９８７６号公報
【特許文献２】特開平７−１０６４６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、PGA型の半導体パッケージをソケットに装着する際には、ソケットに設けられている枠形のセット部に半導体パッケージを挿入するようにして装着する。セット部の下側には、ピンと接触するコンタクトがピンの平面配置に合わせて配置されたベースプレートが設けられている。半導体パッケージをセット部に装着する際には、セット部の内側面で半導体パッケージの外形位置をガイドするようにして装着する。セット部の内側面に、半導体パッケージの外側面に接して位置合わせするガイド突起が設けられている場合もある。
【０００７】
このように、半導体パッケージをソケットに装着する際には、セット部の内側面に半導体パッケージを外形合わせして装着するから、PGA型の半導体パッケージでは、パッケージ本体の外形形状（外形寸法）を正確に形成する必要がある。
配線基板自体が厚く形成され、配線基板に貫設したピン装着孔にピンを差し込んで形成した従前のPGA型の半導体パッケージでは、配線基板自体の外形寸法を規定することによって半導体パッケージを位置決めすることができる。これに対して、図７に示す半導体パッケージ３０では、配線基板１０とピン付き基板２０の外形形状を一致させ、配線基板１０とピン付き基板２０とを位置合わせして接合し、半導体パッケージをソケットに装着する際には、配線基板１０の外側面とピン付き基板２０の外側面をガイド位置（位置決め位置）として装着される。
配線基板１０とピン付き基板２０とをはんだ接合する際には、配線基板１０とピン付き基板２０とを支持治具に支持し、支持治具により配線基板１０とピン付き基板２０とを位置合わせした状態ではんだリフロー装置中を移送させて接合する。このはんだ接合操作では、配線基板１０とピン付き基板２０とは位置ずれしないとは限らないから、配線基板１０とピン付き基板２０の外形寸法を高精度に形成したとしても、半導体パッケージ３０の外形寸法がばらつくことが避けられない。半導体パッケージ３０の外形寸法のばらつきは、はんだ付けによる位置ずれと、配線基板１０およびピン付き基板２０の製造公差が重畳されたものとなる。
【０００８】
また、近年はきわめて薄型の半導体パッケージが提供されるようになっており、配線基板にピン付き基板を接合して形成される半導体パッケージにおいては、厚さが１ｍｍ以下といったきわめて薄い配線基板が用いられるようになってきた。このように配線基板が薄くなると、配線基板自体の強度が低下し、配線基板が反ってしまうといった問題が生じることから、ピン付き基板によって配線基板を補強して半導体パッケージの反りを抑えるといったことが検討されている。
【０００９】
本発明は、反りが抑制された薄型の半導体パッケージおよびそれを備えた半導体パッケージの実装構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は次の構成を備える。
すなわち、ピンが取り付けられたピン付き基板と、ピン接続用のパッドが形成された配線基板とを備え、前記ピン付き基板は、樹脂成形によって形成された樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成され、前記樹脂基板の一方の面から前記ピンの一端部が露出し、前記樹脂基板の他方の面から前記ピンの他端部が延出しており、前記配線基板の外形形状が前記ピン付き基板の外形形状よりも大きく、前記ピンの一端部と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されて、前記配線基板の外側面が前記ピン付き基板の外側面よりも外側に延出していることを特徴とする半導体パッケージである。
【００１１】
また、ピンが取り付けられたピン付き基板と、ピン接続用のパッドが形成された配線基板と有する半導体パッケージと、前記半導体パッケージが収容されるセット凹部および前記セット凹部の下側に前記ピンと電気的に接続されるコンタクトが設けられたソケットとを備え、前記ピン付き基板は、樹脂成形によって形成された樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成され、前記樹脂基板の一方の面から前記ピンの一端部が露出し、前記樹脂基板の他方の面から前記ピンの他端部が延出しており、前記半導体パッケージは、前記配線基板の外形形状が前記ピン付き基板の外形形状よりも大きく、前記ピンの一端部と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されて、前記配線基板の外側面が前記ピン付き基板の外側面よりも外側に延出しており、前記セット凹部の内側面に前記配線基板の外側面がガイドされて挿入された前記半導体パッケージが前記ソケットに装着されていることを特徴とする半導体パッケージの実装構造である。
【００１２】
ここで、前記ピンの一端部には、ヘッド部が形成されており、前記ヘッド部の端面が、前記樹脂基板の一方の面に面一に露出しており、前記ヘッド部の端面と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されている。
また、前記ピン付き基板は、前記他端部を摺入し、前記一端部の端面を被覆して前記ピンがセットされたモールド用の金型のキャビティに樹脂を充填して、前記樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成されたものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、反りが抑制された薄型の半導体パッケージおよびそれを備えた半導体パッケージの実装構造を提供することができる。
配線基板の外側面を位置決めに利用することによって、配線基板とピン付き基板を接合する際の位置ずれ量に関わりなく正確に位置決めすることができる。すなわち、配線基板の外形精度によって半導体パッケージを位置決めしてソケットに挿入することができる。
なお、半導体パッケージをガイドしてセットするセット凹部の内側面は半導体パッケージを位置決めする作用をなすものであり、単に平坦面に形成する他に、半導体パッケージの外形位置を位置決めするガイド突起などのガイド部が形成されている場合を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】半導体パッケージの第１の実施の形態の構成を示す断面図である。
【図２】半導体パッケージをソケットに装着する状態を示す断面図である。
【図３】半導体パッケージの実装構造を示す断面図である。
【図４】第１の実施の形態で用いるピン付き基板の製造方法を示す説明図である。
【図５】半導体パッケージの第２の実施の形態の構成を示す断面図である。
【図６】半導体パッケージの実装構造を示す断面図である。
【図７】従来の半導体パッケージの構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係る半導体パッケージの実装構造および半導体パッケージの好適な実施の形態について添付図面とともに詳細に説明する。
（半導体パッケージ）
図１は、本発明に係る半導体パッケージの第１の実施の形態の構成を示す断面図である。図１に示す半導体パッケージ４０は、図７（ｂ）に示す半導体パッケージ３０と同様に、配線基板１０とピン付き基板２５とを接合して形成されている。本実施の形態の半導体パッケージ４０において特徴的な構成は、ピン付き基板２５の外形寸法を配線基板１０の外形寸法よりも大きく設定し、ピン付き基板２５の外側面（「外周側面」ともいう）が配線基板１０の外側面（「外周側面」ともいう）よりも外側に位置する平面位置関係としたことにある。
【００１６】
配線基板１０の構成は図７に示す配線基板１０と同様であり、複数層に積層して絶縁層１３と配線パターン１２（配線層）が形成され、絶縁層１３に層間で配線パターン１２を電気的に接続するビア１４が形成されている。配線基板１０のピン付き基板２５が接合される一方の面は、ピン２２のヘッド部２２ａが接合されるピン接続用のパッド１６を露出させてソルダーレジスト層１５ａによって被覆され、配線基板１０の他方の面は半導体素子と電気的に接続されるパッド１７を露出させてソルダーレジスト層１５ｂによって被覆されている。本実施形態の配線基板１０はビルドアップ法によって形成したコアレス基板であるが、配線基板１０の製造方法や配線基板１０に形成する配線パターン１２の積層数等が限定されるものではない。
【００１７】
ピン付き基板２５も図７に示したピン付き基板２０と同様に、配線基板１０に形成されたパッド１６と同一の平面配置にピン２２を配列したものである。本実施の形態のピン付き基板２５は、両面を平坦面として樹脂成形によって形成された樹脂基板２６と一体にピン２２を立設して形成されている。ピン２２は一端部に形成されたヘッド部２２ａの端面（頂部面）が配線基板１０に対向する側の樹脂基板２６の面に面一に露出するように取り付けられ、ピン２２の他端部は樹脂基板２６から下方に延出する。
【００１８】
図１に示す半導体パッケージ４０は、配線基板１０に形成されたピン接続用のパッド１６にはんだ１８を供給し、配線基板１０とピン付き基板２５とを位置合わせし、はんだリフロー工程により、配線基板１０とピン付き基板２５とをはんだ接合して形成される。もちろん、配線基板１０とピン付け基板２５とを接合する接合材としてははんだ以外の導電シート等を含む導電材を使用することができる。
【００１９】
（半導体パッケージの実装構造）
図２、３は、半導体パッケージ４０に半導体素子１００を搭載した半導体装置をソケット５０に装着する半導体パッケージの実装構造の例を示す。半導体装置は半導体パッケージ４０に半導体素子１００をフリップチップ接続によって搭載した例を示す。ソケット５０は、半導体パッケージ４０の本体部分を収容するセット部５２とコンタクト５４が形成されたベースプレート５６とを備える。
セット部５２には半導体パッケージ４０の配線基板１０とピン付き基板２５とを収容するセット凹部５２ａと、ピン２２を挿通するピン挿通孔５２ｂが設けられている。ピン挿通孔５２ｂは半導体パッケージ４０に取り付けられたピン２２と同一の平面配置に設けられ、ピン２２の外径よりも若干大径に形成されている。ベースプレート５６に設けられたコンタクト５４はセット凹部５２ａに半導体パッケージ４０を挿入した状態でピン２２の先端が接触して電気的導通がとられる。
【００２０】
図２は、ソケット５０に半導体パッケージ４０を挿入開始した状態を示す。ソケット５０のセット部５２に形成されているセット凹部５２ａは半導体パッケージ４０を外形合わせして位置決めする作用をなす。本実施形態の半導体パッケージ４０においてはピン付き基板２５が配線基板１０よりも外形寸法が大きく、ピン付き基板２５の外側面が配線基板１０の外側面よりも外側に延出する形態に形成されているから、セット凹部５２ａはピン付き基板２５の外側面の寸法に合わせて形成される。すなわち、ソケット５０のセット凹部５２ａは、ピン付き基板２５の外形形状に合わせた平面形状に形成され、半導体パッケージ４０をソケット５０に装着する際に、ピン付き基板２５の外側面がセット凹部５２ａの内側面５２ｃによってガイドされて装着されるように設けられる。
【００２１】
ソケット５０に半導体パッケージ４０を装着する際には、図２に示すように、セット凹部５２ａの内側面５２ｃにピン付き基板２５の外側面を摺接させるようにして挿入してセットする。セット凹部５２ａにピン付き基板２５を挿入開始した時点では、ピン２２の先端がピン挿通孔５２ｂにまで達しないようにし、ピン付き基板２５の外側面がセット凹部５２ａの内側面５２ｃにガイドされて位置決めされてさらに挿入されたところでピン挿通孔５２ｂにピン２２の先端が挿入されるようにする。これによって、セット凹部５２ａにピン付き基板２５が確実に位置決めされたところでピン２２がピン挿通孔５２ｂに挿入される。ピン挿通孔５２ｂはピン２２の位置精度のばらつきを考慮してピン２２の外径よりも若干大径に形成されているから確実にピン２２をピン挿通孔５２ｂに挿入することができる。
【００２２】
図３は、ソケット５０のセット凹部５２ａにピン付き基板２５の下面が当接した状態で、ソケット５０に半導体パッケージ４０が装着された状態を示す。ピン２２はピン挿通孔５２ｂを通過して、ベースプレート５６に設けられたコンタクト５４に接触する位置まで挿入されている。ピン付き基板２５がセット凹部５２ａの内側面５２ｃにガイドされることにより、半導体パッケージ４０の位置ずれが防止され、半導体パッケージ４０のピン２２をコンタクト５４に確実に接触させることができる。
配線基板１０はピン付き基板２５よりも外形寸法が小さく形成され、外側面はピン付き基板２５の外側面よりも内側に位置しているから、セット凹部５２ａの内側面５２ｃと配線基板１０とが干渉することはない。
【００２３】
このように本実施形態の半導体パッケージ４０をソケット５０に実装する実装構造においては、ピン付き基板２５の外形形状、具体的にはピン付き基板２５を構成する樹脂基板２６の外側面を位置決め位置としてソケット５０に装着される。
ピン付き基板２５の外側面の位置をソケット５０に対する位置決め位置（ガイド位置）として半導体パッケージ４０をソケット５０に装着する方法によれば、半導体パッケージ４０のピン位置のずれ量は、ピン付き基板２５を製造する際の公差（ピン付き基板２５の外形形成精度、ピン位置精度）のみによって規定され、従来のような、配線基板１０とピン付き基板２０とを接合する際の位置ずれや、配線基板１０とピン付き基板２０の製造公差が重畳的に位置ずれに作用するという問題が解消される。
【００２４】
なお、本実施形態の半導体パッケージ４０では、ピン付け基板２５の外側面を半導体パッケージ４０の位置決めに利用するから、配線基板１０とピン付け基板２５を接合した際に位置ずれしても、配線基板１０の外側面がピン付け基板２５の外側面よりも外側に突出しないようにする必要がある。このため、ピン付き基板２５と配線基板１０の外形寸法の差分を設定する際には、配線基板１０とピン付き基板２５とを接合する際に生じ得る最大の位置ずれ量よりも差分が大きくなるように設定する必要がある。
本実施形態の半導体パッケージ４０のように、ピン付き基板２５よりも配線基板１０を小型に形成する場合には、ピン付き基板２５の大きさには拘わらずに配線基板１０の小型化を図ることができるという利点もある。
【００２５】
（ピン付き基板の製造方法）
図４は、本実施形態で使用しているピン付き基板２５の製造方法を示す。ピン付き基板２５は前述したように樹脂成形によって形成した樹脂基板２６にピン２２を一体的に立設して形成されている。樹脂成形によってピン付き基板２５を形成するには、図４（ａ）に示すように、モールド用の金型の下型６０にピン２２をセットし、図４（ｂ）に示すように、上型６２と下型６０とでピン２２をクランプし、キャビティ６６に樹脂を充填して樹脂成形すればよい（図４（ｃ））。
【００２６】
図４（ａ）に示すように、下型６０には、ピン付き基板２５におけるピン２２の平面配置に合わせてピン２２をセットするセット穴６０ａを形成する。セット穴６０ａはピン２２の軸部が摺入される内径に形成され、ピン２２をセットした状態でヘッド部２２ａが下型６０の平坦面に形成された成形面６０ｂから上方に突出するようにセット穴６０ａの深さを設定する。下型６０の成形面６０ｂから上方に突出するピン２２の突出部分が樹脂基板２６の厚さに相当する部分となる。
【００２７】
図４（ｂ）に示すように、上型６２には樹脂が充填されるキャビティ６６を構成するための凹部が形成され、凹部の内底面６２ａ（下型６０の成形面６０ｂに対向する面）は平坦面に形成されている。上型６２の凹部内面はモールド用のフィルム６４によって被覆され、上型６２と下型６０とでピン２２をクランプすることによってキャビティ６６が形成され、その際にピン２２のヘッド部２２ａの端面（頂部面）がフィルム６４に接触するように設定する。
【００２８】
モールド用のフィルム６４には、モールド金型の加熱温度に耐えられる耐熱性を有し、金型面および樹脂から容易に剥離し、樹脂成形用の凹部の内面にならって容易に変形する柔軟性および伸展性を有する材料、たとえばPTFE、ETFE、PET、FEPフィルム、フッ素含浸ガラスクロス、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニリジン等が用いられる。また、フィルム６４を凹部の内面にならうように上型６２にエア吸着して支持した後、キャビティ６６を減圧して樹脂７０を充填することによって、樹脂中にボイドが混入することを防止して樹脂成形することができる。
【００２９】
図４（ｃ）は、キャビティ６６に樹脂７０を充填して樹脂成形している状態である。樹脂７０は上型６２に設けられたゲート６２ｂからキャビティ６６に充填され、熱硬化される。ピン２２のヘッド部２２ａの端面がモールド用のフィルム６４によって被覆され、樹脂成形時にヘッド部２２ａの端面に樹脂７０が侵入することが防止され、樹脂成形によって形成される樹脂基板２６の上面と面一にヘッド部２２ａの端面が露出した状態で樹脂成形される。
【００３０】
本実施形態のピン付き基板２５のように、樹脂成形によって形成する樹脂基板２６は、配線基板１０と同等もしくはそれ以上に外形寸法（外形精度）を高精度に規定することが可能であり、本実施形態の半導体パッケージ４０のように、ピン付き基板２５の外形位置を基準としてソケット５０に装着して実装する製品に好適に利用することができる。
また、樹脂成形方法を利用してピン付き基板２５を製造する方法は、所定の強度を有する樹脂材、たとえばエポキシ系の樹脂あるいはエポキシ系の樹脂に補強用にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を使用することによって、配線基板１０を補強する効果的な作用を得ることができる。また、樹脂基板２６の厚さを選択することによってピン付き基板２５の強度を調節することも可能である。また、樹脂基板２６の外面に面一にヘッド部２２ａの端面を露出させる形態に形成することによって、ピン付き基板２５の薄形化を図ることができる。
【００３１】
（半導体パッケージの他の構成例）
図５に、本発明に係る半導体パッケージの第２の実施の形態の構成を示す。本実施形態の半導体パッケージ４１も図１に示す半導体パッケージ４０と同様に、配線基板にピン付き基板を接合して構成される。第１の実施の形態の半導体パッケージは配線基板１０の外形寸法にくらべてピン付き基板２５の外形寸法を大きく設定し、配線基板１０とピン付き基板２５とを接合した状態で、ピン付き基板２５の外側面が配線基板１０の外側面よりも外側に延出する形態としたのに対して、本実施形態の半導体パッケージ４１では配線基板１０の外形寸法をピン付き基板２５の０外形寸法よりも大きく設定し、配線基板１０とピン付き基板２５とを接合した状態で、配線基板１０の外側面がピン付き基板２５の外側面よりも外側に延出するように構成したことを特徴とする。
【００３２】
本実施形態の半導体パッケージ４１における配線基板１０およびピン付き基板２５の構成は第１の実施の形態における配線基板１０およびピン付き基板２５の構成と変わらないので、各部の構成についての説明は省略する。
半導体パッケージ４１では、配線基板１０の外側面がピン付き基板２５の外側面よりも外側に延出しているから、図６に示すように、半導体パッケージ４１に半導体素子１００を搭載して形成した半導体装置をソケット５０に装着する際には、配線基板１０のみが半導体パッケージ４１をソケット５０に対して位置決めする作用をなす。
【００３３】
図６では、配線基板１０の外側面がソケット５０のセット凹部５２ａの内側面５２ｃに摺接して挿入されることによって、半導体パッケージ４１がソケット５０に位置決めされることを示す。この場合に、ピン付き基板２５の外側面はセット凹部５２ａの内側面５２ｃからは離間し、内側面５２ｃとは干渉しない位置にある。
半導体パッケージ４１はセット凹部５２ａに配線基板１０を位置決めして挿入されることにより、セット部５２に形成されたピン挿通孔５２ｂにピン２２が位置決めされて挿入され、ベースプレート５６に設けられたコンタクト５４にピン２２が挿入されて電気的な導通がとられる。
【００３４】
配線基板１０の製造工程においては、大判のワークについて所要の配線パターンを形成する等の工程の後に、スライサーによってワークから個片の製品として切り出しする。ワークを切り出しする際の切り出し位置は、ワークに設けられたマーキング位置を基準としてなされ、個片に形成された配線基板１０の側面位置（外形寸法）は１００μｍ以下といった高精度の単位で設定することが可能である。
第１の実施の形態における場合と同様に、本実施形態では、配線基板１０の外形位置を基準位置として半導体パッケージ４１がソケット５０に位置決めされて装着されるから、半導体パッケージ４１の位置決め精度は配線基板１０の精度によって規定され、ピン付き基板２５との相互位置による位置ずれを解消して装着することができる。
【００３５】
なお、ソケット５０に半導体パッケージ４０、４１を装着する場合に、ピン付き基板２５を基準として装着する第１の実施の形態においては、ピン２２の位置精度はピン付き基板２５の製造公差によるのに対して、配線基板１０の外形位置を基準として位置出しする際には、配線基板１０とピン付き基板２５とを接合する際に生じる位置ずれによってピン２２の位置ずれが生じる。この点で、第１の実施の形態の半導体パッケージ４０の方が本実施形態の半導体パッケージ４１よりも、より高精度にソケット５０に装着させることができる。しかしながら、本実施形態の半導体パッケージ４１においては、ピン付き基板２５の製造公差が問題にならない点、配線基板１０はきわめて高精度に外形加工できる点で、配線基板１０とピン付き基板２５から構成される半導体パッケージをソケットに位置決めして装着する構成として有効である。
【００３６】
なお、上記実施形態では、配線基板１０に接合するピン付き基板２５として、樹脂成形によって樹脂基板２６とピン２２とを一体成形したものを使用した例を示したが、本発明はピン付き基板として樹脂成形によって形成したものを使用する場合に限られるものではない。たとえば、図７に示した、基板２４にピン２２を貫通させて形成したピン付き基板２０についても同様に適用される。また、樹脂成形によって形成したピン付き基板２５を使用する場合も、ピン２２のヘッド部２２ａを樹脂基板２６の外面から突出させて樹脂成形する等、種々の形態に形成することが可能である。
【００３７】
以上、本発明を実施の形態に基づき具体的に説明した。樹脂成形によって形成された樹脂基板２６に一体にピン２２が立設されてなるピン付き基板２５を用いることで、薄型化により強度が低下した配線基板１０であっても補強され、反りが抑制された薄型の半導体パッケージ４０、４１を提供することができる。
【符号の説明】
【００３８】
１０  配線基板
１３  絶縁層
１５ａ、１５ｂ  ソルダーレジスト層
１６  ピン接続用のパッド
１８  はんだ
２０、２５  ピン付き基板
２２  ピン
２２ａ  ヘッド部
２６  樹脂基板
３０、４０、４１  半導体パッケージ
５０  ソケット
５２  セット部
５２ａ  セット凹部
５２ｂ  ピン挿通孔
５２ｃ  内側面
５４  コンタクト
５６  ベースプレート
６０  下型
６２  上型
７０  樹脂
１００  半導体素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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