(57)【要約】【課題】陽極接合を簡易かつ確実に行うことができる陽極接合用電極部材を提供すること。【解決手段】本発明の一態様に係る陽極接合用電極部材は、ダイアフラム部を有する第１基板とガラス基板とを陽極接合する際に、前記第１基板に接触して使用される陽極接合用電極部材であって、前記陽極接合用電極部材は導電材料で構成され、前記第１基板と接触する平滑化された接触面と、前記接触面から前記第１基板と接触しない非接触面に貫通するように形成された吸引孔とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイアフラム部を有する第１基板とガラス基板とを陽極接合する際に、前記第１基板に接触して使用される陽極接合用電極部材であって、
前記陽極接合用電極部材は導電材料で構成され、
前記第１基板と接触する平滑化された接触面と、
前記接触面から前記第１基板と接触しない非接触面に貫通するように形成された吸引孔と、
を備える陽極接合用電極部材。
【請求項２】
前記陽極接合用電極部材は、前記第１基板と前記ガラス基板との接合面の略全面を覆う形状であることを特徴とする請求項１に記載の陽極接合用電極部材。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の陽極接合用電極部材と、
前記吸引孔に接続される吸着手段と、
前記陽極接合用電極部材用いて、前記吸着手段により前記第１基板を吸着して前記ガラス基板上に搬送する搬送手段と、
前記ガラス基板に接触される陰極電極と、
前記陽極接合用電極部材と前記陰極電極との間に所定の直流電圧を印加する直流電源と、
前記第１基板と前記ガラス基板との接合面を加熱する加熱手段と、
を備える陽極接合装置。
【請求項４】
前記第１基板と前記ガラス基板とを所定の真空状態で接合するためのチャンバーを備える請求項３に記載の陽極接合装置。
【請求項５】
前記陰極電極は、前記ガラス基板を挟んで対向する位置に少なくとも２つ設けられており、
前記陰極電極の前記ガラス基板に接触する面は、前記ガラス基板の側面形状に対応した形状を有していることを特徴とする請求項３又は４のいずれか１項に記載の陽極接合装置。
【請求項６】
前記陰極電極は、
前記ガラス基板に接触する導電性の電極層と、
前記第１基板に接触し、前記第１基板の位置決めをする絶縁層と、
を有する請求項３〜５のいずれか１項に記載の陽極接合装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、陽極接合用電極部材及びこれを備えた陽極接合装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、シリコンダイアフラム型圧力センサが知られている。この圧力センサは、ガラス台座の対向する面にそれぞれ、ダイアフラム部を有するシリコン基板、シリコン台座が接合された構成を有している。この圧力センサは、最初にガラス台座の一方の面にシリコン台座を陽極接合し、その後、ガラス台座のシリコン台座接合面と反対側の面にシリコン基板を陽極接合することにより製造される。
【０００３】
ガラス台座とシリコン基板とを接合する場合、シリコン基板に針状の陽極電極を接触させて陽極接合が行われる。この陽極電極との接触により、シリコン基板に傷が付いてしまうことがあった。また、陽極接合の際に、印加される電圧をシリコン基板の全面に効率よく伝導させることが望まれている。
【０００４】
このようなシリコン基板への傷を防ぐとともに、均一な接合を行う目的で、シリコン基板と陽極電極との間に、当該シリコン基板と略同一の大きさの導電性を有するダミー基板を配置して陽極接合が行われている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−１６２０１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
シリコン基板の大きさは例えば、数百μｍ程度である。このようなシリコン基板をガラス台座上に載せ、さらにその上にダミー基板を乗せて陽極接合を行うことは大変煩雑である。また、ダミー基板は消耗品であり、定期的に交換する必要があった。
【０００７】
本発明は、このような事情を背景としてなされたものであり、本発明の目的は、陽極接合を簡易かつ確実に行うことができる陽極接合用の電極部材及びこれを備えた陽極接合装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様に係る陽極接合用電極部材は、ダイアフラム部を有する第１基板とガラス基板とを陽極接合する際に、前記第１基板に接触して使用される陽極接合用電極部材であって、前記陽極接合用電極部材は導電材料で構成され、前記第１基板と接触する平滑化された接触面と、前記接触面から前記第１基板と接触しない非接触面に貫通するように形成された吸引孔とを備えるものである。これにより、陽極接合用電極部材により第１基板を吸着してガラス基板上に載せることができ、確実に第１基板とガラス基板とを接合することができる。
【０００９】
本発明の第２の態様に係る陽極接合用電極部材は、上記の陽極接合用電極部材において、前記第１基板と前記ガラス基板との接合面の略全面を覆う形状であることを特徴とするものである。これにより、第１基板とガラス基板との間に印加される電圧を、接合面に効率よく伝導させることができ、均一な接合を行うことができる。
【００１０】
本発明の第３の態様に係る陽極接合装置は、上記のいずれに記載の陽極接合用電極部材と、前記吸引孔に接続される吸着手段と、前記陽極接合用電極部材用いて、前記吸着手段により前記第１基板を吸着して前記ガラス基板上に搬送する搬送手段と、前記ガラス基板に接触される陰極電極と、前記陽極接合用電極部材と前記陰極電極との間に所定の直流電圧を印加する直流電源と、前記第１基板と前記ガラス基板との接合面を加熱する加熱手段とを備えるものである。これにより、陽極接合用電極部材を用いて第１基板を吸着してガラス基板上に載せることができ、確実に第１基板とガラス基板とを接合することができる。
【００１１】
本発明の第４の態様に係る陽極接合装置は、上記の陽極接合装置において、前記第１基板と前記ガラス基板とを所定の真空状態で接合するためのチャンバーを備えるものである。本発明は、このような場合に特に有効である。
【００１２】
本発明の第５の態様に係る陽極接合装置は、上記の陽極接合装置において、前記陰極電極は、前記ガラス基板を挟んで対向する位置に少なくとも２つ設けられており、前記陰極電極の前記ガラス基板に接触する面は、前記ガラス基板の側面形状に対応した形状を有していることを特徴とするものである。これにより、ガラス基板の位置ずれを防止することができる。
【００１３】
本発明の第６の態様に係る陽極接合装置は、上記の陽極接合装置において、前記陰極電極は、前記ガラス基板に接触する導電性の電極層と、前記第１基板に接触し、前記第１基板の位置決めをする絶縁層とを有するものである。これにより、第１基板の位置ずれを防止することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、陽極接合を簡易かつ確実に行うことができる陽極接合用電極部材及びこれを用いた陽極接合装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態に係る陽極接合装置の全体構成を示す図である。
【図２】図１に示す陽極接合装置の一部の構成を拡大して示す図である。
【図３】実施の形態に係る陽極接合装置に用いられる陰極電極の構成を示す図である。
【図４】実施の形態に係る陽極接合装置を用いた圧力センサの製造方法を説明するための整合工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。以下の説明は、本発明の好適な実施の形態を示すものであって、本発明の範囲が以下の実施の形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一の符号が付されたものを実質的に同様の内容を示している。
【００１７】
流量、液面計測等に用いられる圧力センサの中で、密閉タンクの液位測定や大気圧変動の影響を気にする機器の測定等には、基準圧を一定の真空とした絶対圧センサが用いられる。本実施の形態では、圧力センサの一つとして知られている絶対圧センサの例について説明する。
【００１８】
絶対圧センサは、圧力測定の基準となる真空基準室を、半導体基板のダイアフラム部とガラス台座との間に備えている。従来は、絶対圧センサに使用する半導体基板とガラス台座の陽極接合を、大気中で実施していた。しかし、大気中で陽極接合を行うと、半導体基板とガラス基板との間に空気が残存する問題がある。また、真空雰囲気中に接合装置をセットして接合する場合でも、大気中でガラス台座上に半導体基板を配置すると、半導体基板とガラス台座との間に空気が残り真空に出来ない。
【００１９】
半導体基板とガラス台座との空間に空気が残存すると大気圧の変動等の影響を受けるため、真空基準室に空気が残存しないようにする必要がある。そのため、半導体基板とガラス台座との陽極接合を真空中で行わなければならない。
【００２０】
特開平５−１９９０５６号公報には、真空中で陽極接合して圧電素子を製造する方法が記載されている。しかし、この文献には、真空中で陽極接合を行う旨は記載されているものの、具体的な手段、装置については記載されていない。そこで、本発明者は、上述したダミー基板の削減という目的のほかに、半導体基板とガラス台座との間に空気が残存しない絶対圧センサを作成することを目的として、以下の発明を考案した。
【００２１】
図１は、本実施の形態に係る陽極接合装置１０の構成を示す図である。図１に示すように、本実施の形態に係る陽極接合装置１０は、真空チャンバー１１、可動ステージ１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、接合ステージ１２ｄ、陽極電極１３、陰極電極１４、搬送手段１５を備えている。可動ステージ１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、接合ステージ１２ｄ、陽極電極１３、陰極電極１４、搬送手段１５は、真空チャンバー１１内に配置されている。
【００２２】
真空チャンバー１１には、真空ポンプ１６ａが接続されている。真空ポンプ１６ａにより真空チャンバー１１内を排気することにより、真空チャンバー１１内を所定の真空圧とすることができる。本実施の形態に係る陽極接合装置１０では、この所定の真空圧下において、シリコンチップ１とガラス台座２の接合が行われる。
【００２３】
図２に、図１の陽極接合装置１０の破線で示す部分の構成を拡大して示す。図２（ａ）はシリコンチップ１を陽極電極１３に吸着する状態を示し、同図（ｂ）はシリコンチップ１と陽極電極１３を用いて搬送し、ガラス台座２上に載置した状態を示す。
【００２４】
陽極接合装置１０は、第１基板とガラス基板とを接合するものである。本実施の形態においては、第１基板としてシリコンチップ１、ガラス基板としてガラス台座２である例について説明する。シリコンチップ１のガラス台座２と対向する面には、図示しないダイアフラム部が形成されている。
【００２５】
なお、ガラス台座２のシリコンチップ１が接合される面と反対側の面には、第２基板であるシリコンチューブ３が接合されている。このシリコンチューブ３とガラス台座２との接合方法については、従来と同様である。
【００２６】
例えば、シリコンチューブ３に上端から下端まで貫通する貫通孔（不図示）が設けられており、接合ステージ１２ｄに設けられた吸着手段により、この貫通孔から真空引きすることによってシリコンチューブ３上にガラス台座２を固定する。この状態で、シリコンチューブ３を陽極、ガラス台座２を陰極として所定の電圧を印加すると共に、所定の温度で加熱することにより、シリコンチューブ３とガラス台座２との接合が行われる。
【００２７】
シリコンチューブ３が接合されたガラス台座２上には、シリコンチップ１が配置される。接合ステージ１２ｄ上には、シリコンチューブ３、ガラス台座２、シリコンチップ１をこの順に重ねた積層体が、シリコンチューブ３が図１に示す接合ステージ１２ｄに当接するように載置される。シリコンチップ１、ガラス台座２、シリコンチューブ３を接合することによって、圧力センサが構成される。
【００２８】
シリコンチップ１は、搬送手段１５によりガラス台座２上に搬送される。搬送手段１５は、本発明に係る陽極電極部材である陽極電極１３、真空ポンプ１６を有する。陽極電極１３は、シリコンチップ１に当接して電圧を印加する機能を有すると共に、シリコンチップ１を吸着して、ガラス台座２まで搬送する機能を有する。
【００２９】
図２に示すように、陽極電極１３は、当接部１３ａ、筒部１３ｂを備えている。陽極電極１３の先端には、シリコンチップ１と接触する当接部１３ａが設けられている。当接部１３ａは、シリコンチップ１の、ガラス台座２との接合面の反対側の面に当接される。当接部１３ａ当接面は、従来のように針状ではなく、例えば矩形状になっている。
【００３０】
当接部１３ａのシリコンチップ１に接触する面は、平滑化されていることが好ましい。この平滑化は、シリコンチップ１に傷をつけない程度の平滑化で良く、傷防止の観点からは平滑度は高い方が良い。これにより、当接部１３ａが、シリコンチップ１に接触することにより、シリコンチップ１に傷が付いてしまうのを抑制することができる。
【００３１】
当接部１３ａには、貫通孔１３ｃが設けられている。ここでは、シリコンチップ１の略中央部に対応する位置に貫通孔１３ｃが設けられている。なお、図２に示す例では、当接部１３ａに貫通孔１３ｃを１つ設けた例について説明したが、２つ以上の貫通孔１３ｃを形成しても良い。
【００３２】
筒部１３ｂの当接部１３ａが設けられた側と反対側には、真空ポンプ１６ｂが設けられている。シリコンチップ１の搬送を行う場合、シリコンチップ１に当接部１３ａを当接させ、真空ポンプ１６ｂにより真空引きしてシリコンチップ１を吸着する。
【００３３】
陽極電極１３でシリコンチップ１を吸引するための陽極電極１３内の真空度は、真空チャンバー１１内の真空度よりも高い。このため、陽極電極１３でシリコンチップ１を保持したまま、真空チャンバー１１内の真空引きを行うことができる。
【００３４】
陽極電極１３は、所定の真空状態となる真空チャンバー１１内で可動ステージ１２ｂ、１２ｃにより移動可能に設けられている。陽極電極１３は、可動ステージ１２ｂにより図１中左右方向に移動され、可動ステージ１２ｃにより上下方向に移動される。なお、可動ステージ１２ａは、シリコンチップ１に側面から接触する陰極電極１４を駆動する。
【００３５】
シリコンチップ１を吸着した状態で、可動ステージ１２ｂ、１２ｃを駆動し、シリコンチップ１をガラス台座２上まで移動させる。ガラス台座２上までシリコンチップ１を移動させた後、可動ステージ１２ｃにより下方向に移動させ、シリコンチップ１をガラス台座２に押し当てる。このように、陽極接合用電極部材である陽極電極１３に、吸着手段を接続することにより、真空中においても、シリコンチップ１とガラス台座２上に容易に配置することができる。
【００３６】
シリコンチップ１とガラス台座２の陽極接合を行う場合、シリコンチップ１に陽極電極１３の当接部１３ａを押し当てた状態で、ガラス台座２に側部電極である陰極電極１４を当接させる。この状態で、図示しない電源からシリコンチップ１とガラス台座２との間に所定の電圧を印加すると共に、所定の温度に加熱する。これにより、シリコンチップ１とガラス台座２とを接合することができる。
【００３７】
当接部１３ａは、導電性を有するモリブデン、タングステン、シリコン等により形成される。これにより、陽極電極１３を用いてシリコンチップ１に直流電圧を印加することができ、シリコンチップ１とガラス台座２とを接合することが可能となる。また、当接部１３ａに熱が伝導するのを防ぐことができ、当接部１３ａ自身が接合されるのを防止することができる。
【００３８】
なお、印加する電圧は基板の形状や材質などの材料条件と、接合面の加熱温度や接合時間などの接合条件などにより決定することができる。また、図１においては図示していないが、陽極接合装置１０は、ガラス台座２とシリコンチップ１の接合面を加熱する加熱手段を備えている。
【００３９】
加熱手段としては、例えば、接合ステージ１２ｄに埋め込まれたヒータを用いることができる。この場合は、シリコンチューブ３を介して、各接合面を加熱することができる。また、加熱手段として、陽極電極１４や陰極電極１５に埋め込まれたヒータを用いることも可能である。
【００４０】
上述のように、本実施の形態では、所定の真空圧下においてガラス台座２上にシリコンチップ１を載置している。このため、ガラス台座２とシリコンチップ１のダイアフラム部との間の真空基準室を所定の圧力にすることができる。このように、本発明によれば、簡易な方法で、確実に所定の圧力の真空基準室を備えた絶対圧センサを製造することが可能となる。
【００４１】
従来は、半導体基板への傷を防ぐとともに、均一な接合を行う目的で、シリコンチップ１と陽極電極との間に、当該半導体基板と略同一の大きさの導電性を有するダミー基板を配置して陽極接合が行われていた。
【００４２】
しかしながら、本発明においては、半導体基板とガラス基板との陽極接合を行う際に用いられる陽極電極１３に当接部１３ａが設けられている。これにより、半導体基板の保護等の目的で配置されるダミー基板を削減することが可能となる。
【００４３】
このように、従来、定期的に交換が必要であった消耗品のダミー基板を削減することができ、圧力センサの製造に係るコストを削減することが可能となる。また、ダミー基板を削減することにより、真空チャンバー１１中でガラス台座２上に載置する部品は、シリコンチップ１のみとなる。また、シリコンチップ１を真空吸着した陽極電極１３により、そのまま陽極接合を実施することができる。これにより、製造工程の煩雑さを解消することができる。
【００４４】
ここで、図３を参照して、本実施の形態に係る陽極接合装置１０において用いられる陰極電極１４について説明する。図３は、陰極電極１４の構成を模式的に示す斜視図である。なお、図３においては、説明のため、他の構成要素に隠れて見えない部分についても実線で図示している。
【００４５】
図３では、陰極電極１４がガラス台座２及びシリコンチップ１を把持した状態を示している。図３に示すように、陰極電極１４は、ガラス台座２を挟んで対向して２つ設けられている。陰極電極１４の先端には、ガラス台座２の形状に応じた切り欠き部１４ａが設けられている。本実施の形態においては、ガラス台座２は矩形状であり、陰極電極１４の先端にはＶ字上の切り欠き部１４ａが設けられている。
【００４６】
陰極電極１４は、図示しない駆動機構により移動可能に設けられている。矩形状のガラス台座２の対向する角部を２つの陰極電極１４で挟み込むことにより、ガラス台座２の位置が固定される。陰極電極１４のそれぞれは、導電部１４ｂと絶縁部１４ｃとを備えている。
【００４７】
陰極電極１４は、導電部１４ｂと絶縁部１４ｃとの積層構造となっている。図３に示す例では、陰極電極１４の下側に導電部１４ｂが設けられ、その上側に絶縁部１４ｃが設けられている。導電部１４ｂは、ガラス台座２の２つの接合面以外の側面に当接される。絶縁部１４ｃは、シリコンチップ１の接合面以外の側面に当接される。
【００４８】
このように、本実施の形態に係る陰極電極１４は、ガラス台座２に当接して、ガラス台座２とシリコンチップ１との間に所定の直流電圧を印加するための電極としての機能と、ガラス台座２及びシリコンチップ１の位置決めをするためのガイド部材としての機能を有している。
【００４９】
なお、これら２つの陰極電極１４ガラス台座２に与えられる荷重は略等しくなっている。これにより、ガラス台座２とシリコンチップ１の位置の正確に合わせることができる。また、ガラス台座２上に載置したシリコンチップ１の移動を抑制することが可能となる。このため、正確にシリコンチップ１とガラス台座２とを陽極接合することができる。
【００５０】
ここで、図４を参照して、本実施の形態に係る陽極接合用電極部材を用いた陽極接合装置を使用して陽極接合を行い、圧力センサを製造する方法について説明する。なお、図２に示す例では、当接部１３ａに貫通孔１３ｃを１つ設けた例について説明したが、図４に示す例では２つの貫通孔１３ｃを設けた例について説明する。
【００５１】
なお、図４に示すように、当接部１３ａは、シリコンチップ１とガラス台座２との接合面と略同一形状であることが好ましい。当接部１３ａの形状を、シリコンチップ１の上面と略同一の形状としてもよい。これにより、シリコンチップ１とガラス台座２との間に印加される電圧を、シリコンチップ１とガラス台座２の接合面の全面に効率よく伝導させることができる。
【００５２】
図４に示すように、シリコンチップ１の当接部１３ａに接触する面の反対側の面には凹部が形成されており、この凹部内にダイアフラム部が形成されている。従って、シリコンチップ１とガラス台座２との接合面は、凹部を除いた領域となる。当接部１３ａに形成される２つの貫通孔１３ｃは、この凹部に対応した位置に設けることが好ましい。これにより、貫通孔１３ｃを設けることで、印加される電圧がシリコンチップ１とガラス台座２の接合面に伝導する効率が低下するのを抑制することができる。
【００５３】
まず、従来と同様に、シリコンチューブ３とガラス台座２とを陽極接合する。例えば、搬送手段１５により、シリコンチューブ３を吸引して保持し、真空チャンバー１１内の接合ステージ１２ｄ上に載置する。
【００５４】
そして、搬送手段１５によりガラス台座２を搬送し、可動ステージ１２ｂを用いて、シリコンチューブ３との位置合わせを行う。そして、可動ステージ１２ｃを用いて、ガラス台座２をシリコンチューブ３上に配置する。例えば、画像処理手段等を用いてシリコンチューブ３の中心点を把握し、シリコンチューブ３とガラス台座２との位置合わせを行うことができる。
【００５５】
その後、接合ステージ１２ｄに設けられた図示しない吸着手段により、シリコンチューブ３に設けられた貫通孔から真空引きをすることによって、シリコンチューブ３上にガラス台座２を固定する。
【００５６】
そして、シリコンチューブ３とガラス台座２との間に直流電圧を印加すると共に、接合面を加熱する。これにより、シリコンチューブ３とガラス台座２との陽極接合を行うことができる。なお、シリコンチューブ３とガラス台座２との接合は、真空下で行ってもよく、大気圧下で行ってもよい。
【００５７】
次に、ガラス台座２にシリコンチップ１を接合する。まず、図４（ａ）に示すように、当接部１３ａをシリコンチップ１に当接させて吸引することにより、陽極電極１３でシリコンチップ１を保持する。その後、ガラス台座２とシリコンチップ１との間に隙間が開いている状態で、真空チャンバー１１内の真空引きを行う。
【００５８】
上述したように、陽極電極１３でシリコンチップ１を吸引するための陽極電極１３内の真空度は、真空チャンバー１１内の真空度よりも高い。このため、陽極電極１３でシリコンチップ１を保持した状態で、真空チャンバー１１内の真空引きを行っても、シリコンチップ１が陽極電極１３から離脱することはない。
【００５９】
そして、真空チャンバー１１内が所定の圧力になったところで、図４（ｂ）に示すように、可動ステージ１２ｃを用いて、シリコンチップ１をガラス台座２上に配置する。このとき、シリコンチップ１に形成されたダイアフラム部がガラス台座２に対向するように配置する。この状態で、上述した陰極電極１４を可動ステージ１２ａにより駆動し、シリコンチップ１とガラス台座２の位置合わせを行う。
【００６０】
このとき、陰極電極１４の導電部１４ｂがガラス台座２の側面に、絶縁部１４ｃがシリコンチップ１の側面にそれぞれ当接するようにする。これにより、各部品の位置ずれを防止することができる。そして、シリコンチップ１を保持している陽極電極１３によりシリコンチップ１をガラス台座２に押し付け、シリコンチップ１とガラス台座２に密着させる。
【００６１】
そして、図４（ｃ）に示すように、真空チャンバー１１内を所定の真空状態に維持した状態で、陽極電極１３と陰極電極１４との間に所定の直流電圧を流すと共に、シリコンチップ１とガラス台座２の接合面を加熱する。これにより、ダイアフラム部とガラス台座２との間の空間を所定の真空圧とした状態で、シリコンチップ１とガラス台座２の陽極接合を実施することができる。
【００６２】
このようにして、シリコンチューブ３、ガラス台座２、シリコンチップ１をそれぞれ接合し、ガラス台座２とシリコンチップ１との間の空間を所定の真空圧とした絶対圧センサを製造することができる。
【００６３】
以上説明したように、本発明では、陽極接合用電極部材は、従来のダミー基板と陽極電極に想到する。この陽極接合用電極部材は、半導体基板を吸着、搬送する機能及び電圧を印加する機能を有する。これにより、消耗品のダミー基板を削減することができ、圧力センサの製造に係るコストを削減することが可能となる。
【００６４】
また、ダミー基板を削減することにより、真空チャンバー内で搬送する部品を少なくすることができる。また、半導体基板を吸着した陽極接合用電極部材により、そのまま陽極接合を実施することができる。これにより、製造工程の煩雑さを解消することができる。
【００６５】
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。上述した例では、真空チャンバー内で半導体基板とガラス基板とを接合し絶対圧センサを製造する例について説明したが、これに限定されるものではない。本発明によれば、大気圧下で半導体基板とガラス基板とを陽極接合する場合でも、消耗部材であるダミー基板の削減を実現することは可能である。
【符号の説明】
【００６６】
１  シリコンチップ
２  ガラス台座
３  シリコンチューブ
４  ダミー基板
１０  陽極接合装置
１１  真空チャンバー
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ  可動ステージ
１２ｄ  接合ステージ
１３  陽極電極
１３ａ  当接部
１３ｂ  筒部
１３ｃ  貫通孔
１４  陰極電極
１４ａ  切り欠き部
１４ｂ  導電部
１４ｃ  絶縁部
１５  搬送手段
１６  真空ポンプ
【図１】
2011049291.tif 000003
【図２】
2011049291.tif 000004
【図３】
2011049291.tif 000005
【図４】
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