(57)【要約】【課題】露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、マスクを露光光で照明して、マスクからの露光光で基板を露光する。露光装置は、マスクを照明するための露光光を射出する光学部材と、ミストを供給可能なミスト供給口を有し、マスクにミストを供給して、マスクの温度調整を実行する温度調整装置とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクを露光光で照明して、前記マスクからの前記露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記マスクを照明するための前記露光光を射出する光学部材と、
ミストを供給可能なミスト供給口を有し、前記マスクにミストを供給して、前記マスクの温度調整を実行する温度調整装置と、を備える露光装置。
【請求項２】
前記温度調整装置は、前記光学部材から射出される前記露光光の光路の外側で、前記マスクにミストを供給する請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記温度調整装置は、前記ミストの供給後、前記マスクに気体を供給する第１給気口を有する請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記温度調整装置は、前記第１給気口から供給される気体を乱流にする乱流生成機構を含む請求項３記載の露光装置。
【請求項５】
前記温度調整装置は、前記ミストの供給後、前記マスクを保持して移動する可動部材を含む請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項６】
前記温度調整装置は、前記可動部材の少なくとも一部に配置され、前記可動部材の移動により前記マスクに流れる気体を乱流にする乱流生成機構を有する請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記ミスト供給口は、前記可動部材上の前記マスクに前記ミストを供給する請求項５又は６記載の露光装置。
【請求項８】
前記可動部材は、前記光学部材から射出される前記露光光が照射可能な第１位置に前記マスクを保持して移動可能である請求項５〜７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項９】
前記ミスト供給口は、前記第１位置と異なる第２位置に配置された前記可動部材上の前記マスクに前記ミストを供給する請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第２位置に配置された前記可動部材上の前記マスクに対する前記ミストの供給後、前記可動部材が前記第１位置に移動する請求項８又は９記載の露光装置。
【請求項１１】
前記第１位置に配置された前記可動部材上の前記マスクに対する前記露光光の照射後、前記可動部材が前記第２位置に移動する請求項８〜１０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１２】
前記温度調整装置は、前記光学部材から射出される前記露光光の光路の外側に配置され、前記可動部材が移動可能な空間を有するチャンバ装置を有し、
前記ミスト供給口は、前記空間で前記ミストを供給する請求項５〜１１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１３】
前記ミスト供給口から供給された前記ミストの少なくとも一部を回収するミスト回収口を有する請求項１２記載の露光装置。
【請求項１４】
前記マスクは、パターンが設けられた第１面、及び前記第１面の反対方向を向く第２面を有するマスク基板を含み、
前記ミスト供給口は、前記第２面に前記ミストを供給する請求項１〜１３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１５】
前記マスクは、前記パターンが設けられた前記第１面のパターン領域を囲むように前記第１面に接続されるペリクルフレームと、
前記パターン領域に対向するように前記ペリクルフレームに接続されるペリクル膜とを含み、
前記温度調整装置は、前記ペリクルフレームの少なくとも一部に形成された第１開口に接続可能であり、前記第１開口を介して前記第１面と前記ペリクル膜との間に温度調整用の気体を供給する第２給気口を有する請求項１４記載の露光装置。
【請求項１６】
前記温度調整装置は、前記ペリクルフレームの少なくとも一部に形成された第２開口に接続可能であり、前記第２開口を介して前記第１面と前記ペリクル膜との間の気体の少なくとも一部を回収する気体回収口を有する請求項１５記載の露光装置。
【請求項１７】
前記第２給気口に配置され、異物を捕集可能なフィルタ部材を有する請求項１５又は１６記載の露光装置。
【請求項１８】
前記マスクの温度を検出する温度センサと、
前記温度センサの検出結果に基づいて、前記温度調整装置による調整条件を制御する制御装置と、を備える請求項１〜１７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１９】
前記調整条件は、前記ミスト供給口から供給される前記ミストの量、及び前記ミストの温度の少なくとも一方を含む請求項１８記載の露光装置。
【請求項２０】
前記制御装置は、前記検出結果に基づいて、前記基板の露光条件を調整可能である請求項１８又は１９記載の露光装置。
【請求項２１】
前記露光光で照明された前記マスクの像を前記基板に投影する投影光学系を備え、
前記露光条件は、前記投影光学系の投影条件を含む請求項２０記載の露光装置。
【請求項２２】
前記マスクに照射される前記露光光の積算光量を検出する光センサと、
前記光センサの検出結果に基づいて、前記温度調整装置による調整条件を制御する制御装置と、を備える請求項１〜１７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２３】
前記調整条件は、前記ミスト供給口から供給される前記ミストの量、及び前記ミストの温度の少なくとも一方を含む請求項２２記載の露光装置。
【請求項２４】
前記制御装置は、前記検出結果に基づいて、前記基板の露光条件を調整可能である請求項２２又は２３記載の露光装置。
【請求項２５】
前記露光光で照明された前記マスクの像を前記基板に投影する投影光学系を備え、
前記露光条件は、前記投影光学系の投影条件を含む請求項２４記載の露光装置。
【請求項２６】
前記露光光で照明された前記マスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系と、
前記基板に形成されたパターンを検出するパターン検出装置と、
前記パターン検出装置の検出結果に基づいて、前記温度調整装置による調整条件を制御する制御装置と、を備える請求項１〜１７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２７】
前記調整条件は、前記ミスト供給口から供給される前記ミストの量、及び前記ミストの温度の少なくとも一方を含む請求項２６記載の露光装置。
【請求項２８】
前記制御装置は、前記検出結果に基づいて、前記基板の露光条件を調整可能である請求項２６又は２７記載の露光装置。
【請求項２９】
前記露光条件は、前記投影光学系の投影条件を含む請求項２８記載の露光装置。
【請求項３０】
請求項１〜２９のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項３１】
光学部材から射出された露光光でマスクを照明することと、
前記マスクからの前記露光光で基板を露光することと、
前記マスクにミストを供給して、前記マスクの温度調整を実行することと、を含む露光方法。
【請求項３２】
請求項３１記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、マスクを露光光で照明して、そのマスクからの露光光で基板を露光する露光装置が使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００５／０２４８７４４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば露光光の照射により、マスクの温度変化が生じると、露光不良が発生する可能性がある。例えば、露光光の照射によりマスクが温度上昇し、熱変形すると、マスクのパターンの像が歪んだり、基板上におけるパターンの重ね合わせ精度が低下したりして、基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性ある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置、及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、マスクを露光光で照明して、マスクからの露光光で基板を露光する露光装置であって、マスクを照明するための露光光を射出する光学部材と、ミストを供給可能なミスト供給口を有し、マスクにミストを供給して、マスクの温度調整を実行する温度調整装置と、を備える露光装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、光学部材から射出された露光光でマスクを照明することと、マスクからの露光光で基板を露光することと、マスクにミストを供給して、マスクの温度調整を実行することと、を含む露光方法が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、第３の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係るマスクステージの近傍を示す側断面図である。
【図３】第１実施形態に係るマスクを下面側から見た図である。
【図４】第１実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。
【図５】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。
【図６】第１実施形態に係る温度調整装置の動作の一例を示す図である。
【図７】第１実施形態に係る温度調整装置の動作の一例を示す図である。
【図８】第１実施形態に係る温度調整装置の動作の一例を示す図である。
【図９】第２実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。
【図１０】第３実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。
【図１１】第４実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。
【図１２】第５実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。
【図１３】第６実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。
【図１４】第８実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。
【図１５】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１３】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１を移動する駆動システム３と、基板ステージ２を移動する駆動システム４と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置５と、制御装置５に接続され、露光に関する各種情報を記憶する記憶装置５Ｒとを備えている。
【００１４】
また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、ミストを供給可能なミスト供給口６を有し、マスクＭにミストを供給して、マスクＭの温度調整を実行する温度調整装置７を備えている。
【００１５】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。
【００１６】
基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。
【００１７】
照明系ＩＬは、光源８が発した露光光ＥＬによって、マスクＭを照明する。照明系ＩＬは、マスクＭを照明するための露光光ＥＬを射出する射出面９を有する。射出面９は、照明系ＩＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬに最も近い光学素子１０に配置されている。光学素子１０から射出された露光光ＥＬは、所定の照明領域ＩＲに照射される。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬは、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する。
【００１８】
本実施形態において、光源８は、ＡｒＦエキシマレーザ装置を含む。本実施形態においては、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。なお、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、Ｆ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等を用いてもよい。
【００１９】
本実施形態において、照明系ＩＬは、マスクＭに照射される露光光ＥＬの積算光量を検出する光センサ１１を備えている。本実施形態において、照明系ＩＬは、光源８と光学素子１０との間に配置され、入射する露光光ＥＬを２つに分けるビームスプリッタ１２を備えている。本実施形態において、ビームスプリッタ１２の反射率は小さく、透過率は大きい。ビームスプリッタ１２を透過した露光光ＥＬは、光学素子１０（マスクＭ）に向かって進行し、反射した露光光ＥＬは、光センサ１１に向かって進行する。
【００２０】
光センサ１１は、ビームスプリッタ１２からの露光光ＥＬを検出可能な位置に配置されている。光センサ１１は、光電変換素子を含む。光センサ１１の検出結果は、制御装置５に出力される。制御装置５は、光センサ１１の出力信号に基づいて、その光センサ１１に照射された露光光ＥＬの照度、及び積算光量を検出可能である。
【００２１】
記憶装置５Ｒには、光センサ１１の出力信号と、マスクＭにおける露光光ＥＬの照度との関係が予め記憶されている。制御装置５は、その記憶装置５Ｒの記憶情報と、光センサ１１の出力信号とに基づいて、マスクＭに照射される露光光ＥＬの積算光量を導出することができる。
【００２２】
マスクステージ１は、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部１３を有する。マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材１４のガイド面１４Ｇ上を移動可能である。ガイド面１４Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。駆動システム３は、ガイド面１４Ｇ上でマスクステージ１を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、マスクステージ１に配置された可動子３Ａと、ベース部材１４に配置された固定子３Ｂとを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、駆動システム３の作動により、ガイド面１４Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２３】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。基板Ｐは、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに移動可能である。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒１５に保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸は、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００２４】
また、露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬの結像特性（投影条件）を調整する結像特性調整システム１６を備えている。結像特性調整システムの例は、例えば米国特許第４６６６２７３号明細書、米国特許第６２３５４３８号明細書、及び米国特許公開第２００５／０２０６８５０号明細書等に開示されている。本実施形態の結像特性調整システム１６は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子の一部を移動可能な駆動装置を含む。駆動装置は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち特定の光学素子を光軸方向（Ｚ軸方向）に移動可能である。また、駆動装置は、特定の光学素子を光軸に対して傾斜可能である。結像特性調整システム１６は、投影光学系ＰＬの特定の光学素子を動かすことによって、投影光学系ＰＬの各種収差（投影倍率、ディストーション、球面収差等）及び像面位置（焦点位置）等を含む結像特性を調整する。また、結像特性調整システム１６は、投影光学系ＰＬの特定の光学素子を動かすことによって、露光光ＥＬが照射される位置（投影領域ＰＲの位置）を調整可能である。なお、結像特性調整システム１６は、鏡筒１５の内部に保持されている一部の光学素子同士の間の空間の気体の圧力を調整する圧力調整装置を含んでもよい。結像特性調整システム１６は、制御装置５により制御される。
【００２５】
基板ステージ２は、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部１７を有する。本実施形態において、基板保持部１７は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１８のガイド面１８Ｇ上を移動可能である。ガイド面１８Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。駆動システム４は、ガイド面１８Ｇ上で基板ステージ２を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、基板ステージ２に配置された可動子４Ａと、ベース部材１８に配置された固定子４Ｂとを有する。本実施形態においては、基板ステージ２は、駆動システム４の作動により、ガイド面１８Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２６】
本実施形態において、マスクステージ１、及び基板ステージ２の位置は、レーザ干渉計システムによって計測される。レーザ干渉計システムは、マスクステージ１に配置された計測ミラー、及び基板ステージ２に配置された計測ミラーを用いて、マスクステージ１及び基板ステージ２の位置を計測可能である。基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置５は、レーザ干渉計システムの計測結果に基づいて、駆動システム３，４を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、及び基板ステージ２（基板Ｐ）の位置制御を実行する。
【００２７】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭを介した露光光ＥＬで基板Ｐを露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、マスクＭを露光光ＥＬで照明して、そのマスクＭからの露光光ＥＬを投影光学系ＰＬを介して基板Ｐに照射する。これにより、マスクＭからの露光光ＥＬで基板Ｐが露光され、マスクＭのパターンの像が投影光学系ＰＬを介して基板Ｐに投影される。
【００２８】
図２は、マスクＭを保持した状態のマスクステージ１の一例を示す側断面図、図３は、マスクＭを下面側から見た図である。
【００２９】
図２に示すように、マスクステージ１は、マスクＭが配置される凹部１９を有する。マスク保持部１３は、凹部１９の内側に配置される。凹部１９の周囲に、マスクステージ１の上面２０が配置される。
【００３０】
また、マスクステージ１は、露光光ＥＬが通過する開口２１を有する。ベース部材１４は、露光光ＥＬが通過する開口２２を有する。照明系ＩＬから射出され、マスクＭを照明した露光光ＥＬは、開口２１及び開口２２を通過した後、投影光学系ＰＬに入射する。
【００３１】
ＸＹ平面内において、凹部１９は、マスクステージ１のほぼ中央に配置されている。開口２１は、凹部１９の内側に配置されている。ＸＹ平面内において、開口２１は、凹部１９のほぼ中央に配置されている。マスク保持部１３は、開口２１の周囲の少なくとも一部に配置されている。マスク保持部１３は、例えば真空吸着機構を含み、マスクＭの少なくとも一部をリリース可能に保持する。
【００３２】
図２及び図３に示すように、本実施形態において、マスクＭは、パターンが設けられた第１面２３、及び第１面２３の反対方向を向く第２面２４を有するマスク基板２５と、マスク基板２５に接続された保護部材２６とを有する。マスク基板２５は、プレート部材である。以下の説明において、第１面２３を適宜、下面２３、と称し、第２面２４を適宜、上面２４、と称する。
【００３３】
マスクＭは、その下面２３の一部に、パターン（デバイスパターン）が設けられたパターン領域ＰＡを有する。保護部材２６は、パターンが設けられた下面２３のパターン領域ＰＡを保護する。保護部材２６は、パターン領域ＰＡを囲むように下面２３に接続されるペリクルフレーム２７と、パターン領域ＰＡに対向するようにペリクルフレーム２７に接続されるペリクル膜２８とを含む。
【００３４】
また、本実施形態において、マスクＭは、その下面２３の一部に、基準パターンＦＭを有する。基準パターンＦＭは、パターン領域ＰＡの外側に配置されている。基準パターンＦＭは、ペリクルフレーム２７の内側に配置され、ペリクル膜２８と対向する。照明系ＩＬは、マスクステージ１に保持されているマスクＭのパターン領域ＰＡ及び基準パターンＦＭのそれぞれに露光光ＥＬを照射可能である。
【００３５】
マスク保持部１３は、パターン（デバイスパターン）が形成されていない非パターン領域ＨＡであって、ペリクルフレーム２７の外側に配置されるマスクＭの下面２３の少なくとも一部を保持する。マスク保持部１３は、マスクＭのパターン領域ＰＡが開口２１に配置されるように、マスクＭを保持する。マスク保持部１３は、マスクＭの下面２３とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスク保持部１３は、マスクＭの下面２３と投影光学系ＰＬの物体面とが一致するように、マスクＭを保持する。
【００３６】
マスクステージ１の上面２０は、マスク保持部１３に保持されたマスクＭの上面２４の周囲に配置される。本実施形態においては、Ｚ軸方向に関して、マスク保持部１３に保持されたマスクＭは、マスクステージ１の上面２０、及びガイド面１４Ｇと対向する下面２９よりも、マスクステージ１の中心（重心）に近い位置に配置されている。
【００３７】
図４は、温度調整装置７の一例を示す側断面図である。温度調整装置７は、マスクＭにミストを供給して、そのマスクＭの温度調整を実行する。本実施形態において、温度調整装置７の少なくとも一部は、照明系ＩＬの光学素子１０から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの外側に配置されている。本実施形態において、少なくともミストを供給可能な温度調整装置７のミスト供給口６が、露光光ＥＬの光路Ｋの外側に配置されている。
【００３８】
温度調整装置７は、光学素子１０から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの外側で、マスクＭにミストを供給する。本実施形態において、温度調整装置７は、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１を含む。温度調整装置７は、マスクステージ１に保持されているマスクＭに、ミスト供給口６からミストを供給する。ミスト供給口６は、ベース部材１４のガイド面１４Ｇが面する空間に配置されている。ミスト供給口６は、マスクステージ１上のマスクＭにミストを供給する。ミスト供給口６は、マスクステージ１に保持されているマスクＭに対して、マスクＭの上方から、マスクＭにミストを供給可能である。ミスト供給口６は、マスクＭの上面２４に対して、その上面２４と離れた位置から、マスクＭにミストを供給可能である。マスクＭにミストを供給する場合、制御装置５は、ミスト供給口６と対向する位置にマスクＭ（マスクＭの上面２４）が配置されるように、そのマスクＭを保持したマスクステージ１を移動する。
【００３９】
本実施形態において、ミスト供給口６は、露光光ＥＬの光路Ｋに対してＹ軸方向（マスクＭの走査方向）に配置されている。本実施形態において、ミスト供給口６は、露光光ＥＬの光路Ｋに対して＋Ｙ側及び−Ｙ側のそれぞれに配置されている。
【００４０】
本実施形態において、温度調整装置７は、光学素子１０から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの外側に配置され、マスクステージ１が移動可能な空間３０を形成するチャンバ装置３１を有する。チャンバ装置３１は、マスクステージ１を収容可能である。空間３０は、マスクステージ１を配置可能である。本実施形態において、チャンバ装置３１は、露光光ＥＬの光路Ｋに面する開口３２を有する。マスクステージ１は、チャンバ装置３１の開口３２を通過可能である。マスクステージ１は、開口３２を介して、チャンバ装置３１の空間３０に入ることができる。また、マスクステージ１は、開口３２を介して、チャンバ装置３１の空間３０から出ることができる。
【００４１】
ミスト供給口６は、空間３０に面するように配置されている。ミスト供給口６は、空間３０においてミストを供給する。ミスト供給口６は、空間３０に配置されたマスクステージ１に保持されているマスクＭにミストを供給する。
【００４２】
また、温度調整装置７は、ミスト供給口６から供給されたミストの少なくとも一部を回収するミスト回収口３３を有する。ミスト回収口３３は、空間３０に面するように配置されている。ミスト回収口３３は、ミスト供給口６から供給され、空間３０に存在するミストの少なくとも一部を回収可能である。
【００４３】
また、ベース部材１４は、開口２２と異なる開口３４を有する。開口３４は、空間３０に配置されている。空間３０の流体は、開口３４を介して、ベース部材１４のガイド面１４Ｇが面する空間３０の第１部分３０Ａと、ガイド面１４Ｇと反対方向を向くベース部材１４の下面１４Ｕが面する第２部分３０Ｂとの間を移動可能（流通可能）である。本実施形態において、空間３０は、ベース部材１４の少なくとも一部によって、第１部分３０Ａと第２部分３０Ｂとに仕切られている。
【００４４】
マスクステージ１は、空間３０の第１部分３０Ａを移動可能である。ミスト供給口６は、空間３０の第１部分３０Ａに面するように配置されている。ミスト回収口３３は、空間３０の第２部分３０Ｂに面するように配置されている。ミスト供給口６は、第１部分３０Ａにおいて、その第１部分３０Ａに配置されたマスクステージ１に保持されているマスクＭにミストを供給可能である。ミスト回収口３３は、開口３４を介して第１部分３０Ａから第２部分３０Ｂに流入したミストの少なくとも一部を回収可能である。
【００４５】
本実施形態において、ミスト供給口６は、マスクＭの上面２４と対向可能な位置に配置されている。ミスト供給口６は、空間３０（第１部分３０Ａ）に配置されたマスクステージ１に保持されたマスクＭの上面２４と対向可能な位置に配置される。本実施形態において、ミスト供給口６は、マスクＭの上面２４にミストを供給する。
【００４６】
また、温度調整装置７は、ミスト供給口６に接続され、そのミスト供給口６にミストを供給するミスト供給装置３５を有する。ミスト供給装置３５は、ミストを発生可能である。本実施形態において、ミスト供給装置３５は、水のミストを発生可能である。なお、ミストが、水以外の液体によって生成されてもよい。例えば、アルコール等、揮発性が高い液体によってミストが生成されてもよい。
【００４７】
また、ミスト供給装置３５は、ミスト供給口６から供給される単位時間当たりのミストの量、及びミストの温度の少なくとも一方を調整可能である。また、ミスト供給装置３５は、ミスト供給口６から供給されるミストの大きさ、すなわち、液体の粒の大きさを調整可能である。
【００４８】
また、温度調整装置７は、ミスト回収口３３に接続され、そのミスト回収口３３からのミストを回収するミスト回収装置３６を有する。ミスト回収装置３６は、真空システムを含み、ミスト回収口３３を介してミストを吸引可能である。
【００４９】
本実施形態においては、露光光ＥＬの光路Ｋに対して＋Ｙ側及び−Ｙ側に配置されたミスト供給口６のそれぞれに対応するように、チャンバ装置３１、及びミスト回収口３３が配置される。
【００５０】
なお、例えば温度調整装置７が、ミスト供給装置に接続され、先端にミスト供給口を有するチューブ部材と、そのチューブ部材に力を加える駆動機構とを備えていてもよい。駆動機構がチューブ部材に力を加えることによって、ミスト供給口の位置、及びミスト供給口が向く方向の少なくとも一方を調整することができる。これにより、ミスト供給口からミストが供給される位置、及びミストの供給方向の少なくとも一方が調整される。
【００５１】
同様に、ミスト回収口の位置、及びミスト回収口が向く方向の少なくとも一方を調整可能な駆動機構を設けてもよい。
【００５２】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて、基板Ｐを露光する方法の一例について説明する。
【００５３】
マスクステージ１にマスクＭが保持され、基板ステージ２に基板Ｐが保持されると、制御装置５は、基板Ｐの露光処理を開始する。制御装置５は、照明系ＩＬから露光光ＥＬを射出して、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する。マスクＭからの露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬを介して、基板ステージ２に保持されている基板Ｐに照射される。これにより、基板Ｐが露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。
【００５４】
上述したように、本実施形態の露光装置ＥＸは、走査型露光装置である。基板Ｐの露光において、露光光ＥＬの光路Ｋに対してマスクＭを保持したマスクステージ１が、ベース部材１４のガイド面１４Ｇ上においてＹ軸方向に移動し、基板Ｐを保持した基板ステージ２が、ベース部材１８のガイド面１８Ｇ上においてＹ軸方向に移動する。
【００５５】
以下の説明において、基板Ｐの露光において、露光光ＥＬの光路Ｋに対してマスクＭを保持したマスクステージ１がＹ軸方向（走査方向）に移動する動作を適宜、スキャン動作、と称する。
【００５６】
スキャン動作において、マスクステージ１は、光学素子１０から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（照明領域ＩＲ）にマスクＭを保持して移動可能である。また、スキャン動作において、マスクステージ１は、露光光ＥＬの光路Ｋの外側の位置（露光光ＥＬが照射されない位置）であって、その露光光ＥＬの光路Ｋに対して＋Ｙ側の位置及び−Ｙ側の位置の一方から他方まで移動する。
【００５７】
以下の説明において、マスクステージ１が移動可能なガイド面１４Ｇ上の位置であって、光学素子１０から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を適宜、第１位置ＰＪ１、と称し、露光光ＥＬの光路Ｋの外側であって、その露光光ＥＬの光路Ｋに対して＋Ｙ側の位置を適宜、第２位置ＰＪ２、と称し、−Ｙ側の位置を適宜、第３位置ＰＪ３、と称する。
【００５８】
第２位置ＰＪ２は、＋Ｙ方向に移動するマスクステージ１が−Ｙ方向への移動を開始するために一旦停止する位置を含む。同様に、第３位置ＰＪ３は、−Ｙ方向に移動するマスクステージ１が＋Ｙ方向への移動を開始するために一旦停止する位置を含む。
【００５９】
本実施形態において、スキャン動作は、第１位置ＰＪ１、第２位置ＰＪ２、及び第３位置ＰＪ３を通るようにガイド面１４Ｇ上においてＹ軸方向に移動するマスクステージ１の動作を含む。また、スキャン動作は、第１位置ＰＪ１を通過するように、第２位置ＰＪ２と第３位置ＰＪ３との間を往復するマスクステージ１の動作を含む。
【００６０】
本実施形態において、ミスト供給口６は、露光光ＥＬの光路Ｋの外側、且つ、第２位置ＰＪ２と第３位置ＰＪ３との間を移動するマスクステージ１に保持されたマスクＭの少なくとも一部と対向可能な位置に配置されている。本実施形態において、第２位置ＰＪ２に配置されたマスクステージ１に保持されたマスクＭと対向可能な位置に、ミスト供給口６が配置されている。また、第３位置ＰＪ３に配置されたマスクステージ１に保持されたマスクＭと対向する位置に、ミスト供給口６が配置されている。例えば、ミスト供給口６は、スキャン動作においてマスクステージ１が一旦停止する位置に配置されたマスクステージ１に保持されたマスクＭと対向可能な位置に配置される。
【００６１】
本実施形態において、第２位置ＰＪ２及び第３位置ＰＪ３は、チャンバ装置３１の空間３０に配置される。スキャン動作において、マスクステージ１は、露光光ＥＬの光路Ｋに対して＋Ｙ側に配置されているチャンバ装置３１の空間３０と、−Ｙ側に配置されているチャンバ装置３１の空間３０との一方から他方に移動する。
【００６２】
図５は、第１位置ＰＪ１に配置されているマスクステージ１の一例を示す図である。第１位置ＰＪ１に配置されたマスクステージ１に保持されているマスクＭに、光学素子１０から射出された露光光ＥＬが照射される。本実施形態においては、マスクＭに露光光ＥＬが照射されているとき、ミスト供給口６からのミストの供給動作が停止される。
【００６３】
図６は、スキャン動作において、第１位置ＰＪ１から第２位置ＰＪ２へ移動したマスクステージ１の一例を示す図である。第１位置ＰＪ１に配置されたマスクステージ１上のマスクＭに対する露光光ＥＬの照射後、マスクステージ１は、第２位置ＰＪ２に移動する。本実施形態においては、制御装置５は、第１位置ＰＪ１から第２位置ＰＪ２にマスクステージ１が移動している間の所定のタイミングで、露光光ＥＬの光路Ｋに対して＋Ｙ側に配置されているミスト供給口６からのミストの供給動作を開始する。本実施形態においては、制御装置５は、マスクステージ１が第１位置ＰＪ１から第２位置ＰＪ２へ向かって移動し、マスクＭが第１位置ＰＪ１（照明領域ＩＲ）の外側に配置された後の所定のタイミングで、露光光ＥＬの光路Ｋに対して＋Ｙ側に配置されているミスト供給口６からのミストの供給動作を開始する。なお、マスクＭの少なくとも一部が第１位置ＰＪ１に配置されているときに、ミスト供給口６からのミストの供給動作が開始されてもよい。
【００６４】
本実施形態においては、制御装置５は、第１位置ＰＪ１から第２位置ＰＪ２へ移動するマスクステージ１が、露光光ＥＬの光路Ｋに対して＋Ｙ側に配置されているチャンバ装置３１の開口３２を通過し始めるタイミングで、ミスト供給口６からのミストの供給動作を開始する。なお、ミスト供給口６からのミストの供給動作を開始するタイミングは、任意に設定可能である。例えば、マスクステージ１の全てが開口３２を通過して、空間３０に配置されたタイミングで、ミスト供給口６からのミストの供給動作が開始されてもよい。
【００６５】
制御装置５は、第１位置ＰＪ１から第２位置ＰＪ２へ移動し、チャンバ装置３１の空間３０に配置されたマスクステージ１に保持されているマスクＭに、ミスト供給口６からミストを供給する。ミスト供給口６は、空間３０に配置されたマスクＭの上面２４と対向する位置に配置されている。ミスト供給口６は、マスクＭと離れた位置から、マスクＭの上面２４にミストを供給する。これにより、ミスト供給口６から供給されたミストの少なくとも一部が、マスクＭの上面２４に付着する。
【００６６】
第２位置ＰＪ２に配置されたマスクステージ１上のマスクＭに対するミストの供給後、マスクステージ１が第１位置ＰＪ１に移動する。ミストを供給されたマスクＭを保持するマスクステージ１は、第２位置ＰＪ２を含む空間３０から、開口３２を介して、空間３０の外側に移動する。
【００６７】
図７は、スキャン動作において、第２位置ＰＪ２から第１位置ＰＪ１へ移動するマスクステージ１の一例を示す図である。マスクＭに対するミストの供給後、マスクＭに付着しているミストの少なくとも一部は、気化する。その気化熱によって、マスクＭが冷却される。
【００６８】
本実施形態においては、マスクＭに対するミストの供給後、そのマスクＭを保持したマスクステージ１が移動する。そのため、マスクＭの上面２４において気体の流れが生成され、マスクＭの上面２４に付着しているミストの気化が促進される。したがって、マスクＭは、効果的に冷却される。
【００６９】
本実施形態においては、制御装置５は、第２位置ＰＪ２から第１位置ＰＪ１にマスクステージ１が移動している間の所定のタイミングで、露光光ＥＬの光路Ｋに対して＋Ｙ側に配置されているミスト供給口６からのミストの供給動作が停止される。本実施形態においては、制御装置５は、第２位置ＰＪ２から第１位置ＰＪ１へ移動するマスクステージ１が、露光光ＥＬの光路Ｋに対して＋Ｙ側に配置されているチャンバ装置３１の開口３２を通過し始めるタイミングで、ミスト供給口６からのミストの供給動作を停止する。なお、ミスト供給口６からのミストの供給動作を停止するタイミングは、任意に設定可能である。例えば、マスクステージ１の全てが開口３２を通過して、空間３０の外側に配置されたタイミングで、ミスト供給口６からのミストの供給動作が停止されてもよい。
【００７０】
空間３０のミストは、ミスト回収口３３から回収される。本実施形態において、ベース部材１４には、空間３０の第１部分３０Ａと第２部分３０Ｂとを結ぶように形成された開口３４が設けられている。ミスト回収口３３からの回収動作が実行されることによって、そのミスト回収口３３が面する第２部分３０Ｂに存在するミストは、ミスト回収口３３から回収される。また、例えば第１部分３０Ａに存在するミストは、開口３４を介して第２部分３０Ｂに移動し、ミスト回収口３３から回収される。このように、本実施形態においては、空間３０のミストは、空間３０の内側と外側とを結ぶ開口３２と異なる位置に配置されたミスト回収口３３から回収される。したがって、空間３０のミストが、例えば開口３２を介して露光光ＥＬの光路Ｋに流入することが抑制される。
【００７１】
第１位置ＰＪ１に移動するマスクＭに対して、照明系ＩＬから射出された露光光ＥＬが照射され、基板Ｐの露光処理が実行される。
【００７２】
スキャン動作において、第２位置ＰＪ２から第１位置ＰＪ１へ移動後、マスクステージ１は、第３位置ＰＪ３へ移動する。
【００７３】
図８は、スキャン動作において、第１位置ＰＪ１から第３位置ＰＪ３へ移動したマスクステージ１の一例を示す図である。第１位置ＰＪ１に配置されたマスクステージ１上のマスクＭに対する露光光ＥＬの照射後、マスクステージ１は、第３位置ＰＪ３に移動する。制御装置５は、第１位置ＰＪ１から第３位置ＰＪ３にマスクステージ１が移動している間の所定のタイミングで、露光光ＥＬの光路Ｋに対して−Ｙ側に配置されているミスト供給口６からのミストの供給動作を開始する。露光光ＥＬの光路Ｋに対して−Ｙ側に配置されているミスト供給口６からのミストの供給動作を開始するタイミングは、任意に設定可能である。
【００７４】
制御装置５は、第１位置ＰＪ１から第３位置ＰＪ３へ移動し、チャンバ装置３１の空間３０に配置されたマスクステージ１に保持されているマスクＭに、ミスト供給口６からミストを供給する。ミスト供給口６は、マスクＭと離れた位置から、マスクＭの上面２４にミストを供給する。これにより、ミスト供給口６から供給されたミストの少なくとも一部が、マスクＭの上面２４に付着する。
【００７５】
第３位置ＰＪ３に配置されたマスクステージ１上のマスクＭに対するミストの供給後、マスクステージ１が第１位置ＰＪ１に移動する。また、第３位置ＰＪ３を含む空間３０のミストは、ミスト回収口３３から回収される。ミストを供給されたマスクＭを保持するマスクステージ１は、第３位置ＰＪ３を含む空間３０から、開口３２を介して、空間３０の外側に移動する。マスクＭは、ミストの気化熱によって冷却される。また、マスクＭに対するミストの供給後、そのマスクＭを保持したマスクステージ１が＋Ｙ方向に移動するので、マスクＭの上面２４に付着しているミストの気化が促進される。
【００７６】
以下、制御装置７は、上述の処理を繰り返して、基板Ｐの複数のショット領域を順次露光する。
【００７７】
以上説明したように、本実施形態によれば、マスクＭにミストを供給するミスト供給口６を有する温度調整装置７が設けられているので、例えば露光光ＥＬの照射によりマスクＭが加熱され、温度上昇しても、マスクＭに供給されたミストの気化熱によって、マスクＭを冷却することができる。したがって、マスクＭが熱変形したり、マスクＭの周囲の部材（例えばマスクステージ１）が熱変形したり、露光光ＥＬの光路Ｋを含む環境の温度が変化したりすることを抑制することができる。したがって、露光不良の発生を抑制することができる。
【００７８】
また、本実施形態においては、マスクステージ１上のマスクＭにミストを供給するので、例えばマスクＭに露光光ＥＬを照射してからミストを供給するまでの時間を短くすることができる。したがって、マスクＭの温度上昇を、より効果的に抑制することができる。
【００７９】
また、本実施形態においては、パターンが設けられていないマスクＭの上面２４にミストが供給されるので、パターンに影響を与えたり、ミストの像が基板Ｐに投影されたりすることが抑制される。
【００８０】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一、又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００８１】
図９は、第２実施形態に係る温度調整装置７Ｂの一例を示す図である。第２実施形態の特徴的な部分は、温度調整装置７Ｂが、マスクステージ１の少なくとも一部に配置され、マスクステージ１の移動によりマスクＭに流れる気体を乱流にする乱流生成機構３７を有する点にある。
【００８２】
図９に示すように、本実施形態において、乱流生成機構３７は、マスクステージ１の上面２０に配置された凸部材３８を含む。凸部材３８は、マスクステージ１の上面２０のうち、開口２１に対して＋Ｙ側の一部の領域、及び−Ｙ側の一部の領域のそれぞれに配置されている。図９に示すように、マスクステージ１が−Ｙ方向に移動するとき、マスクステージ１に保持されているマスクＭの上面２４に流れる気体の少なくとも一部が、−Ｙ側の凸部材３８によって乱流にされる。移動するマスクステージ１の前方側の気体の少なくとも一部は、凸部材３８に当たることによって、乱流にされる。その乱流にされた気体は、マスク保持部１３に保持されているマスクＭの上面２４に流れる。一方、マスクステージ１が＋Ｙ方向に移動するとき、マスクステージ１に保持されているマスクＭの上面２４に流れる気体の少なくとも一部が、＋Ｙ側の凸部材３８によって乱流にされる。マスクＭの上面２４にミストが供給された後、その上面２４を流れる気体が乱流にされることによって、より一層、上面２４のミストの気化を促進することができる。したがって、ミストの気化熱による冷却効果をより一層高めることができる。
【００８３】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００８４】
図１０は、第３実施形態に係る温度調整装置７Ｃの一例を示す図である。図１０において、温度調整装置７Ｃは、マスクＭに対するミストの供給後、そのマスクＭに気体を供給する給気口３９を備えている。給気口３９は、スキャン動作するマスクステージ１に保持されたマスクＭの上面２４と対向可能な位置に配置されている。本実施形態において、給気口３９は、給気部材４０の下端に配置されている。給気口３９には、気体供給装置（不図示）より、クリーンで温度調整された気体が供給される。給気口３９は、気体供給装置からの気体を、マスクＭの上面２４の少なくとも一部に供給する。
【００８５】
本実施形態において、給気口３９は、第１位置ＰＪ１と第２位置ＰＪ２との間に配置されている。また、不図示であるが、給気口３９は、第１位置ＰＪ１と第３位置ＰＪ３との間にも配置されている。本実施形態において、給気口３９は、空間３０の外側に配置されている。制御装置５は、空間３０においてミスト供給口６からミストが供給されたマスクＭの上面２４に対して、給気口３９から気体を供給する。給気口３９は、空間３０においてミストが供給され、開口３２を介して空間３０の外側に出た直後のマスクＭに、気体を供給する。
【００８６】
本実施形態によれば、マスクＭに対するミストの供給後、そのマスクＭに気体を供給する給気口３９が設けられているので、マスクＭを効果的に冷却することができる。
【００８７】
なお、給気口３９が、空間３０の内側に配置されていてもよいし、空間３０の内側と外側との両方に配置されていてもよい。
【００８８】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００８９】
図１１は、第４実施形態に係る温度調整装置７Ｄの一例を示す図である。第４実施形態に係る温度調整装置７Ｄは、第３実施形態に係る温度調整装置７Ｃの変形例である。第３実施形態と異なる第４実施形態の特徴的な部分は、温度調整装置７Ｄが、給気口３９から供給される気体を乱流にする乱流生成機構４１を有する点にある。
【００９０】
図１１に示すように、本実施形態において、乱流生成機構４１は、給気口３９に配置された複数のブロック部材４２を含む。給気口３９から出た気体は、複数のブロック部材４２に当たって、乱流にされる。乱流にされた気体が、ミストを供給された後のマスクＭの上面２４に供給されることによって、ミストの気化が促進される。したがって、マスクＭをより効果的に冷却することができる。
【００９１】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００９２】
図１２は、第５実施形態に係る温度調整装置７Ｅの一例を示す図である。第５実施形態の特徴的な部分は、温度調整装置７Ｅが、マスクＭの下面２３に温度調整用の気体を供給する温度調整機構４３を有する点にある。
【００９３】
図１２において、温度調整装置７Ｅは、ペリクルフレーム２７の少なくとも一部に形成された第１開口４４に接続可能であり、その第１開口４４を介して下面２３とペリクル膜２８との間に温度調整用の気体を供給する気体供給口４５を有する。
【００９４】
また、温度調整装置７Ｅは、ペリクルフレーム２７の少なくとも一部に形成された第２開口４６に接続可能であり、その第２開口４６を介して下面２３とペリクル膜２８との間の気体の少なくとも一部を回収する気体回収口４７を有する。
【００９５】
また、本実施形態において、温度調整装置７Ｅは、気体供給口４５に配置され、異物を捕集可能なフィルタ部材４８を有する。
【００９６】
本実施形態において、温度調整装置７Ｅは、クリーンで温度調整された気体を気体供給口４５に供給する気体供給装置４９を備えている。気体供給装置４９と気体供給口４５とは、マスクステージ１の内部に形成された流路、及びその流路に接続されたチューブ部材５０の流路を介して接続されている。気体供給口４５は、チューブ部材５０の先端に配置されている。
【００９７】
また、温度調整装置７Ｅは、気体回収口４７からの気体を回収する気体回収装置５１を備えている。気体回収装置５１は、真空システムを含み、気体回収口４７からの気体を吸引可能である。気体回収装置５１と気体回収口４７とは、マスクステージ１の内部に形成された流路、及びその流路に接続されたチューブ部材５２の流路を介して接続されている。気体回収口４７は、チューブ部材５２の先端に配置されている。
【００９８】
本実施形態において、チューブ部材５０，５２の少なくとも一部は、可撓性である。これにより、チューブ部材５０，５２がマスクＭに対して過剰な力を付与することが抑制される。
【００９９】
本実施形態において、第１開口４４及び第２開口４６のそれぞれは、マスク基板２５、ペリクルフレーム２７、及びペリクル膜２８によって形成される内部空間５３と外部空間とを結ぶように形成される。本実施形態において、第１開口４４は、マスクＭのパターン領域ＰＡに対して＋Ｙ側のペリクルフレーム２７の所定位置に形成される。第２開口４６は、マスクＭのパターン領域ＰＡに対して−Ｙ側のペリクルフレーム２７の所定位置に配置される。なお、第１開口４４及び第２開口４６のそれぞれは、ペリクルフレーム２７の任意の位置に形成することができる。
【０１００】
例えばスキャン動作において、制御装置５は、気体供給口４５より、第１開口４４を介して、内部空間５３に気体を供給する。例えば露光光ＥＬの照射により温度上昇されているマスクＭは、内部空間５３に供給された温度調整用の気体によって、目標温度に調整される。また、内部空間５３の気体は、第２開口４６を介して、気体回収口４７から回収される。
【０１０１】
本実施形態において、気体供給口４５から内部空間５３に対する気体の供給動作の少なくとも一部は、例えばマスクステージ１（マスクＭ）が第１位置ＰＪ１に配置されている状態で実行される。本実施形態において、気体供給口４５から内部空間５３に対する気体の供給動作は、マスクＭに対する露光光ＥＬの照射動作の少なくとも一部と並行して実行される。もちろん、気体供給口４５から内部空間５３に対する気体の供給動作が、マスクＭが第２位置ＰＪ２及び第３位置ＰＪ３の少なくとも一方に配置されている状態で実行されてもよい。
【０１０２】
本実施形態によれば、マスクＭの上面２４に供給されたミストと、下面２３に供給された気体との両方の作用によって、マスクＭの温度調整がより効果的に実行される。すなわち、本実施形態によれば、温度調整装置７Ｅは、マスクＭの上面２４側からの温度調整と、下面２３側からの温度調整とを実行することができ、マスクＭの温度変化をより確実に抑制することができる。
【０１０３】
＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１０４】
図１３は、第６実施形態に係る露光装置ＥＸの一部を示す図である。第６実施形態の特徴的な部分は、温度センサ５４で検出されたマスクＭの温度の検出結果に基づいて、温度調整装置７（７Ｂ〜７Ｅ）による調整条件が制御される点にある。
【０１０５】
図１３において、露光装置ＥＸは、マスクＭの温度を検出する温度センサ５４を備えている。本実施形態において、温度センサ５４は、マスクＭに接触するように配置された第１温度センサ５４Ａと、マスクＭと間隙を介して対向するように配置される第２温度センサ５４Ｂとを含む。第１温度センサ５４Ａは、所謂、接触式の温度センサである。第２温度センサ５４Ｂは、所謂、非接触式の温度センサである。本実施形態において、第１温度センサ５４Ａは、マスクＭ（マスク基板２５）の側面に複数配置されている。第２温度センサ５４Ｂは、マスクステージ１に保持されたマスクＭの上面２４と間隙を介して対向するように配置される。
【０１０６】
温度センサ５４の検出結果は、制御装置５に出力される。制御装置５は、温度センサ５４の検出結果に基づいて、温度調整装置７による調整条件を制御する。
【０１０７】
調整条件は、ミスト供給口６からマスクＭに供給されるミストの量、及びミスト供給口６からマスクＭに供給されるミストの温度の少なくとも一方を含む。
【０１０８】
例えば、制御装置５は、温度センサ５４の検出結果に基づいて、温度センサ５４により検出されたマスクＭの温度と目標温度との差を導出し、その差に基づいて、温度調整装置７による調整条件を制御する。
【０１０９】
例えば、温度センサ５４により検出されたマスクＭの温度が目標温度に対して十分に高い場合、制御装置５は、ミスト供給口６からマスクＭに供給されるミストの量を多くしたり、マスクＭに供給されるミストの温度を目標温度よりも十分に低くしたりする。一方、目標温度と温度センサ５４により検出されたマスクＭの温度との差が小さい場合、制御装置５は、ミスト供給口６からマスクＭに供給されるミストの量を少なくしたり、マスクＭに供給されるミストを目標温度に近い温度にしたりする。これにより、マスクＭの温度を良好に調整することができる。
【０１１０】
なお、本実施形態においては、調整条件として、ミスト供給口６から供給されるミストの量、及びミストの温度の少なくとも一方を調整することとしたが、例えばマスクＭに供給されるミストの位置、及びマスクＭに対するミストの供給方向の少なくとも一方が調整されてもよい。
【０１１１】
また、本実施形態においては、第１温度センサ５４Ａが、マスクＭに複数配置されているので、制御装置５は、それら複数の第１温度センサ５４Ａの検出結果に基づいて、マスクＭの温度分布を導出することができる。制御装置５は、そのマスクＭの温度分布に基づいて、例えばマスクＭの温度分布が均一になるように、ミスト供給口６から供給されるミストの量、ミストの温度、マスクＭに供給されるミストの位置、及びマスクＭに対するミストの供給方向の少なくとも一つを含む調整条件を制御することができる。また、本実施形態においては、制御装置５は、第２温度センサ５４Ｂを用いて、マスクＭの温度分布を検出可能である。例えば、制御装置５は、第２温度センサ５４ＢとマスクＭとを相対的に移動しながら第２温度センサ５４ＢでマスクＭの温度を検出することにより、そのマスクＭの温度分布を検出することができる。制御装置５は、その第２温度センサ５４Ｂを用いて検出したマスクＭの温度分布に基づいて、調整条件を制御することができる。
【０１１２】
また、制御装置５は、温度センサ５４の検出結果に基づいて、基板Ｐの露光条件を調整することができる。基板Ｐの露光条件は、例えば投影光学系ＰＬの投影条件（結像特性）、及び基板Ｐの露光における投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬに対する基板Ｐ（基板ステージ２）の移動条件の少なくとも一方を含む。基板Ｐの移動条件は、基板Ｐの移動速度、加速度、及び減速度の少なくとも一つを含む。
【０１１３】
例えば、目標温度（目標温度分布）に対するマスクＭの温度（温度分布）に応じて、マスクＭのパターンの像が歪んだり、基板Ｐ上におけるパターンの重ね合わせ精度が低下したりする可能性がある。制御装置５は、温度センサ５４を用いて検出したマスクＭの温度（温度分布）に基づいて、結像特性調整装置１６を制御して、投影光学系ＰＬの投影条件を調整することにより、所望のパターンの像を基板Ｐ上に投影することができ、重ね合わせ精度の低下を抑制することができる。また、基板Ｐ（基板ステージ２）の移動条件を調整することによっても、マスクＭのパターンの像を所望の状態で基板Ｐに投影することができ、重ね合わせ精度の低下を抑制することができる。
【０１１４】
本実施形態においては、記憶装置５Ｒには、マスクＭの温度（温度分布）と、その温度（温度分布）において基板Ｐに投影されるマスクＭのパターンの像の状態との関係が予め記憶されている。パターンの像の状態は、像の形状、大きさ（倍率）、及び位置（シフト、ローテーション）の少なくとも一つを含む。制御装置５は、温度センサ５４で検出されたマスクＭの温度（温度分布）と、記憶装置５Ｒの記憶情報とに基づいて、所望状態でパターンの像が投影されるように、結像特性調整装置１６を用いて投影光学系ＰＬの投影条件を調整したり、基板Ｐの移動条件を調整したりすることができる。
【０１１５】
こうすることにより、たとえミストによりマスクＭを目標温度に調整しきれなくても、露光不良の発生を抑制することができる。
【０１１６】
＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１１７】
第７実施形態の特徴的な部分は、マスクＭに照射される露光光ＥＬの積算光量を検出する光センサ１１の検出結果に基づいて、温度調整装置７（７Ｂ〜７Ｅ）による調整条件が制御される点にある。
【０１１８】
図１に示したように、露光装置ＥＸは、マスクＭに照射される露光光ＥＬの積算光量を検出する光センサ１１を備えている。光センサ１１の検出結果は、制御装置５に出力される。制御装置５は、光センサ１１の検出結果に基づいて、温度調整装置７（７Ｂ〜７Ｅ）による調整条件を制御する。
【０１１９】
調整条件は、ミスト供給口６からマスクＭに供給されるミストの量、及びミスト供給口６からマスクＭに供給されるミストの温度の少なくとも一方を含む。
【０１２０】
例えば、制御装置５は、光センサ１１の検出結果に基づいて、マスクＭの温度を導出する。本実施形態において、記憶装置５Ｒには、マスクＭに照射される露光光ＥＬの積算光量と、その積算光量に対応するマスクＭの温度との関係が予め記憶されている。制御装置５は、光センサ１１の検出結果と、記憶装置５Ｒの記憶情報とに基づいて、マスクＭの温度を導出することができる。制御装置５は、その光センサ１１の検出結果に基づいて、温度調整装置７による調整条件を制御する。
【０１２１】
例えば、光センサ１１の検出結果に基づいて導出されたマスクＭの温度が目標温度に対して十分に高い場合、制御装置５は、ミスト供給口６からマスクＭに供給されるミストの量を多くしたり、マスクＭに供給されるミストの温度を目標温度よりも十分に低くしたりする。一方、光センサ１１の検出結果に基づいて導出されたマスクＭの温度と目標温度との差が小さい場合、制御装置５は、ミスト供給口６からマスクＭに供給されるミストの量を少なくしたり、マスクＭに供給されるミストを目標温度に近い温度にしたりする。これにより、マスクＭの温度を良好に調整することができる。
【０１２２】
なお、本実施形態においては、調整条件として、ミスト供給口６から供給されるミストの量、及びミストの温度の少なくとも一方を調整することとしたが、例えばマスクＭに供給されるミストの位置、及びマスクＭに対するミストの供給方向の少なくとも一方が調整されてもよい。
【０１２３】
また、制御装置５は、光センサ１１の検出結果に基づいて、基板Ｐの露光条件を調整することができる。上述の第６実施形態で説明したように、基板Ｐの露光条件は、例えば投影光学系ＰＬの投影条件（結像特性）、及び基板Ｐの露光における投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬに対する基板Ｐ（基板ステージ２）の移動条件の少なくとも一方を含む。
【０１２４】
記憶装置５Ｒには、マスクＭの温度（温度分布）と、その温度（温度分布）において基板Ｐに投影されるマスクＭのパターンの像の状態との関係が予め記憶されている。パターンの像の状態は、像の形状、大きさ（倍率）、及び位置（シフト、ローテーション）の少なくとも一つを含む。制御装置５は、光センサ１１の検出結果に基づいて導出されたマスクＭの温度（温度分布）と、記憶装置５Ｒの記憶情報とに基づいて、所望状態でパターンの像が投影されるように、結像特性調整装置１６を用いて投影光学系ＰＬの投影条件を調整したり、基板Ｐの移動条件を調整したりすることができる。
【０１２５】
こうすることにより、たとえミストによりマスクＭを目標温度に調整しきれなくても、露光不良の発生を抑制することができる。
【０１２６】
＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１２７】
図１４は、第８実施形態に係る露光装置ＥＸの一部を示す図である。第８実施形態の特徴的な部分は、露光装置ＥＸが、基板Ｐに形成されたパターンを検出する検出装置５５を備えており、そのパターン検出装置５５の検出結果に基づいて、温度調整装置７（７Ｂ〜７Ｅ）による調整条件が制御される点にある。
【０１２８】
図１４において、露光装置ＥＸは、基板Ｐに形成されたパターンを検出するパターン検出装置５５を備えている。パターン検出装置５５は、例えば顕微鏡を有し、基板Ｐに形成されたパターンを検出可能である。本実施形態において、パターン検出装置５５は、走査型電子顕微鏡を含む。なお、基板Ｐに形成されたパターンを検出可能であれば、走査型電子顕微鏡でなくてもよい。
【０１２９】
露光処理後の基板Ｐに対して、現像処理、及びエッチング処理等の各種プロセス処理が実行されることによって、基板Ｐにパターンが形成される。パターン検出装置５５は、その基板Ｐに形成されたパターンを検出する。
【０１３０】
本実施形態においては、露光処理において、マスクＭに形成された基準パターンＦＭの像が基板Ｐに投影される。その露光処理後の基板Ｐに対してプロセス処理が実行されることによって、マスクＭの基準パターンＦＭに対応したパターンＦＭｐが基板Ｐに形成される。パターン検出装置５５は、その基板Ｐに形成されたパターンＦＭｐを検出する。
【０１３１】
パターン検出装置５５の検出結果は、制御装置５に出力される。制御装置５は、パターン検出装置５５の検出結果に基づいて、温度調整装置７（７Ｂ〜７Ｅ）による調整条件を制御する。
【０１３２】
調整条件は、ミスト供給口６からマスクＭに供給されるミストの量、及びミスト供給口からマスクＭに供給されるミストの温度の少なくとも一方を含む。
【０１３３】
例えばマスクＭの温度が上昇して、マスクＭが熱変形した場合、そのマスクＭの熱変形量に応じて、マスクＭの基準パターンＦＭの状態（形状、大きさ、及び位置の少なくとも一つ）が変化する。マスクＭの基準パターンＦＭの状態が変化した場合、基板Ｐに形成されるパターンＦＭｐの状態（形状、大きさ、及び位置の少なくとも一つ）も、基準パターンＦＭの状態に応じて変化する。すなわち、目標温度に対するマスクＭの温度に応じて、基板Ｐに形成されるパターンＦＭｐの状態が変化する。
【０１３４】
例えば、制御装置５は、パターン検出装置５５の検出結果に基づいて、マスクＭの温度を推定し、推定したマスクＭの温度と目標温度との差に基づいて、温度調整装置５５による調整条件を制御する。
【０１３５】
本実施形態においては、記憶装置５Ｒには、パターンＦＭｐの状態と、基準パターンＦＭの状態と、マスクＭの温度との関係が予め記憶されている。パターンの状態は、形状、大きさ、及び位置の少なくとも一つを含む。制御装置５は、パターン検出装置５５で検出されたパターンＦＭｐの状態と、記憶装置５Ｒの記憶情報とに基づいて、所望状態でパターンの像が投影されるように、結像特性調整装置１６を用いて投影光学系ＰＬの投影条件を調整したり、基板Ｐの移動条件を調整したりすることができる。
【０１３６】
例えば、推定したマスクＭの温度が目標温度に対して十分に高い場合、制御装置５は、ミスト供給口６からマスクＭに供給されるミストの量を多くしたり、マスクＭに供給されるミストの温度を目標温度よりも十分に低くしたりする。一方、目標温度と推定したマスクＭの温度との差が小さい場合、制御装置５は、ミスト供給口６からマスクＭに供給されるミストの量を少なくしたり、マスクＭに供給されるミストを目標温度に近い温度にしたりする。これにより、マスクＭの温度を良好に調整することができる。
【０１３７】
なお、パターン検出装置５５の検出結果に基づいて、例えばマスクＭに供給されるミストの位置、及びマスクＭに対するミストの供給方向の少なくとも一方が調整されてもよい。
【０１３８】
また、制御装置５は、パターン検出装置５５の検出結果に基づいて、基板Ｐの露光条件を調整することができる。基板Ｐの露光条件は、投影光学系ＰＬの投影条件（結像特性）、及び基板Ｐの露光における投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬに対する基板Ｐ（基板ステージ２）の移動条件の少なくとも一方を含む。
【０１３９】
本実施形態においても、たとえミストによりマスクＭを目標温度に調整しきれなくても、露光不良の発生を抑制することができる。
【０１４０】
なお、上述の第１〜第８実施形態においては、露光光ＥＬの光路Ｋの外側で、マスクＭにミストを供給することとしたが、露光光ＥＬの光路Ｋに配置されているマスクＭにミストを供給してもよい。
【０１４１】
なお、上述の各実施形態においては、マスクステージ１上のマスクＭにミストを供給することとしたが、マスクステージ１と異なる所定部材に保持されたマスクＭにミストが供給されてもよい。例えば、露光光ＥＬが照射可能な位置（第１位置ＰＪ１）に配置されない所定部材に保持されたマスクＭにミストを供給しても、そのマスクＭの温度調整を実行することができる。また、その所定部材を移動可能な駆動装置を設けてもよい。マスクＭに対するミストの供給後、そのマスクＭを保持した所定部材を駆動装置で移動することによって、マスクＭに付着したミストの気化を促進することができる。
【０１４２】
なお、上述の各実施形態においては、マスクＭにミストを供給後、そのマスクＭを移動することとしたが、移動しなくてもよい。
【０１４３】
なお、上述の各実施形態においては、露光光ＥＬの照射によりマスクＭが温度上昇することとしたが、もちろん、露光光ＥＬの照射以外の原因によってマスクＭが温度上昇した場合にも、そのマスクＭの温度調整を実行することができる。
【０１４４】
なお、上述の各実施形態においては、温度調整装置７（７Ｂ〜７Ｅ）が、マスクＭにミストを供給して、マスクＭを冷却することとしたが、マスクＭを加熱してもよい。例えば、マスクＭが目標温度に対して低くなってしまった場合、目標温度より高い温度のミストをマスクＭに供給することによって、そのマスクＭを目標温度に調整することができる。
【０１４５】
なお、上述の各実施形態において、基板Ｐが、半導体デバイス製造用の半導体ウエハを含むものでもよいし、ディスプレイデバイス用のガラス基板を含むものでもよい。また、基板Ｐが、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハを含むものでもよいし、露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）を含むものでもよい。
【０１４６】
なお、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）であることとしたが、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）でもよい。
【０１４７】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０１４８】
また、例えば米国特許第第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【０１４９】
また、露光装置ＥＸとして、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６４００４４１号明細書、米国特許第６５４９２６９号明細書、米国特許第６５９０６３４号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、及び米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【０１５０】
更に、米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。
【０１５１】
なお、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、例えば国際公開第９９／４９５０４号パンフレット等に開示されているような、液体を介して基板に露光光を照射して、その基板を露光する液浸露光装置でもよい。
【０１５２】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１５３】
なお、上記各実施形態においては、干渉計システムを用いてマスクステージ及び基板ステージの各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。
【０１５４】
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。上述の各実施形態で説明した温度調整装置を用いて、可変成形マスクの温度調整を実行することができる。
【０１５５】
また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えばＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。上述の各実施形態で説明した温度調整装置を用いて、パターン形成装置の温度変化を抑制できる。
【０１５６】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射される。
【０１５７】
以上のように、本願実施形態の露光装置は、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１５８】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１５に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０１５９】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０１６０】
１…マスクステージ、２…基板ステージ、５…制御装置、６…ミスト供給口、７…温度調整装置、９…射出面、１０…光学素子、１１…光センサ、１６…結像特性調整装置、２３…上面、２４…下面、２５…マスク基板、２７…ペリクルフレーム、２８…ペリクル膜、３０…空間、３１…チャンバ装置、３３…ミスト回収口、３７…乱流生成機構、３９…給気口、４１…乱流生成機構、４４…第１開口、４５…気体供給口、４６…第２開口、４６…気体回収口、４８…フィルタ部材、５４…温度センサ、５５…パターン検出装置、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｍ…マスク、Ｐ…基板、ＰＡ…パターン領域、ＰＪ１…第１位置、ＰＪ２…第２位置、ＰＪ３…第３位置、ＰＬ…投影光学系
【図１】
2011066306.tif 000003
【図２】
2011066306.tif 000004
【図３】
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【図４】
2011066306.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2011066306.tif 000014
【図１３】
2011066306.tif 000015
【図１４】
2011066306.tif 000016
【図１５】
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