(57)【要約】【課題】外光の照度の変化に光検出部の検出周期を十分に追従させることが可能な表示装置を提供する。【解決手段】この液晶表示装置（表示装置）１００は、液晶表示パネル１１と、光検出部１３によって外光の照度の検出を繰り返し行うとともに、検出された外光の照度に応じて外光の照度の検出期間を変化させるように調整する検出周期調整部１５とを備える。また、検出周期調整部１５は、今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度が、今回（第１の検出期間）より前の前回（第２の検出期間に）検出された外光の照度よりも大きい場合に、前回の検出期間（第２の検出期間）を今回の検出期間より短くするように構成されている。【選択図】図７
2011034025.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルと、
外光の照度を検出する光検出部と、
前記光検出部によって外光の照度の検出を繰り返し行うとともに、検出された外光の照度に応じて外光の照度の検出期間を変化させるように調整する検出期間調整部とを備え、
前記検出期間調整部は、第１の検出期間に検出された外光の照度が、前記第１の検出期間より前の第２の検出期間に検出された外光の照度よりも大きい場合に、前記第２の検出期間を前記第１の検出期間より短くするように構成されている、表示装置。
【請求項２】
前記検出期間調整部は、前記第１の検出期間に検出された外光の照度が前記第２の検出期間に検出された外光の照度よりも大きく、かつ、前記第１の検出期間に検出された外光の照度と前記第２の検出期間に検出された外光の照度との差分の絶対値が予め定められたしきい値よりも大きい場合に、前記第１の検出期間を前記第２の検出期間より短くするように構成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記検出期間調整部は、前記第１の検出期間に検出された外光の照度が前記第２の検出期間に検出された外光の照度よりも大きく、かつ、前記第１の検出期間に検出された外光の照度が予め定められたしきい値よりも大きい場合に、前記第１の検出期間を前記第２の検出期間より短くするように構成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記検出期間調整部は、前記第１の検出期間に検出された外光の照度が前記第２の検出期間に検出された外光の照度よりも大きいか否かを判別する判別回路部と、前記判別回路部により前記第１の検出期間に検出された外光の照度が前記第２の検出期間に検出された外光の照度よりも大きいと判別された場合に、前記第１の検出期間を前記第２の検出期間より短くするリセット信号を出力するリセット回路部とを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の検出期間に検出された外光の照度を保持する第１レジスタ回路と、
前記第２の検出期間に検出された外光の照度を保持する第２レジスタ回路とをさらに備え、
前記判別回路部は、前記第１レジスタ回路に保持された照度と前記第２レジスタ回路に保持された照度との差分に基づいて、前記第１レジスタ回路に保持された照度が前記第２レジスタ回路に保持された照度よりも大きいと判別した場合に、前記リセット回路部に前記第１の検出期間を前記第２の検出期間より短くなるリセット信号を出力させるように構成されている、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記光検出部は、前記表示パネルに形成された薄膜トランジスタからなる光センサーと、前記光センサーの一対の電極間に接続された容量部と、前記容量部への充電をオン／オフ切り替えするスイッチ部と、前記光センサーの一対の電極の一方と前記容量部の間に接続された出力部とを含んで構成される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示装置を備える、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置および電子機器に関し、特に、外光の照度を検出する光検出部を備える表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、外光の照度を検出する光検出部を備える表示装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１には、外光の照度を検出する薄膜トランジスタからなる光センサー（光検出部）と、検出された外光の照度と予め定められた外光の照度の基準値（電圧値）とを比較する検知判定回路とを備えた表示装置が開示されている。上記特許文献１に開示された表示装置では、奇数フレーム毎に光センサーがリセットされて、所定の読み取り時間（検出周期）ｔが経過した時点で、今回（第１の検出期間）の外光の照度が読み取られる。そして、読み取られた今回の外光の照度が予め定められた外光の照度の基準値よりも大きい（明るい）場合には、読み取られた外光の照度を出力せずに、再度、奇数フレームにおいて光センサーがリセットされて、外光の照度の読み取り時間ｔを短縮した読み取り時間ｔ１が経過した時点で、外光の照度の読み取りが行われる。また、読み取り時間ｔ１で読み取られた外光の照度が予め定められた外光の照度の基準値よりもまだ大きい（明るい）場合には、再度、奇数フレームにおいて光センサーがリセットされて、外光の照度の読み取り時間ｔ１をさらに短縮した読み取り時間ｔ２が経過した時点で、外光の照度の読み取りが行われる。このように、読み取られた外光の照度が予め定められた外光の照度の基準値よりも小さく（暗く）なるまで、外光の照度の読み取り時間ｔが短縮され、外光の照度の読み取りが行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２７９０９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載の表示装置では、外光の照度の読み取り時間ｔは、外光の照度の大きさに応じて短くされる一方、奇数フレーム毎に光センサーがリセットされているので、光センサーによる外光の検出周期は、奇数フレーム間の２フレーム分の固定的な時間となる。このため、外光の照度の大きさが変化しても、外光の照度の変化に光センサーの検出周期が十分に追従できないという問題点がある。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、外光の照度の変化に光センサー（光検出部）の検出周期を十分に追従させることが可能な表示装置および電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００７】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面における表示装置は、表示パネルと、  外光の照度を検出する光検出部と、光検出部によって外光の照度の検出を繰り返し行うとともに、検出された外光の照度に応じて外光の照度の検出期間を変化させるように調整する検出期間調整部とを備え、検出期間調整部は、第１の検出期間に検出された外光の照度が、第１の検出期間より前の第２の検出期間に検出された外光の照度よりも大きい場合に、第２の検出期間を第１の検出期間より短くするように構成されている。
【０００８】
この第１の局面による表示装置では、上記のように、検出期間調整部を、第１の検出期間に検出された外光の照度が、第１の検出期間より前の第２の検出期間に検出された外光の照度よりも大きい場合に、第２の検出期間を第１の検出期間より短くするように構成することによって、奇数フレーム毎に光検出部がリセットされる場合と異なり、第１の検出期間（今回）の外光の照度が、第２の検出期間（前回）の外光の照度よりも大きい場合には、第２の検出期間の照度が読み取られた直後に光検出部がリセットされる。これにより、第２の検出期間の外光の照度が読み取られた時点と、第１の検出期間の外光の照度を読み取ろうとする光検出部がリセットされる時点との時間を短くすることができる。その結果、外光の照度の変化に光検出部の検出周期を十分に追従させることができる。
【０００９】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、検出期間調整部は、第１の検出期間に検出された外光の照度が第２の検出期間に検出された外光の照度よりも大きく、かつ、第１の検出期間に検出された外光の照度と第２の検出期間に検出された外光の照度との差分の絶対値が予め定められたしきい値よりも大きい場合に、第１の検出期間を第２の検出期間より短くするように構成されている。このように構成すれば、第１の検出期間の外光の照度と第２の検出期間の外光の照度との差が小さい場合には、検出周期（検出期間）は短くならないので、表示装置の動作制御を簡略化することができる。
【００１０】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、検出期間調整部は、第１の検出期間に検出された外光の照度が第２の検出期間に検出された外光の照度よりも大きく、かつ、第１の検出期間に検出された外光の照度が予め定められたしきい値よりも大きい場合に、第１の検出期間を第２の検出期間より短くするように構成されている。このように構成すれば、第１の検出期間の外光の照度が予め定められたしきい値よりも小さい場合には、検出周期（検出期間）は短くならないので、表示装置の動作制御を簡略化することができる。
【００１１】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、検出期間調整部は、第１の検出期間に検出された外光の照度が第２の検出期間に検出された外光の照度よりも大きいか否かを判別する判別回路部と、判別回路部により第１の検出期間に検出された外光の照度が第２の検出期間に検出された外光の照度よりも大きいと判別された場合に、第１の検出期間を第２の検出期間より短くするリセット信号を出力するリセット回路部とを含む。このように構成すれば、判別回路部によって、容易に、第１の検出期間の外光の照度と、第２の検出期間の外光の照度との大きさの比較（判別）を行うことができる。また、リセット回路部により、判別回路部の判別結果に基づいて、容易に、外光の照度の検出周期を短くするリセット信号を出力することができる。
【００１２】
この場合、好ましくは、第１の検出期間に検出された外光の照度を保持する第１レジスタ回路と、第２の検出期間に検出された外光の照度を保持する第２レジスタ回路とをさらに備え、判別回路部は、第１レジスタ回路に保持された照度と第２レジスタ回路に保持された照度との差分に基づいて、第１レジスタ回路に保持された照度が第２レジスタ回路に保持された照度よりも大きいと判別した場合に、リセット回路部に第１の検出期間を第２の検出期間より短くなるリセット信号を出力させるように構成されている。このように構成すれば、判別回路部により、容易に、第１レジスタ回路に保持された第１の検出期間の外光の照度と、第２レジスタ回路に保持された第２の検出期間の外光の照度との大きさの比較を行うことができる。また、リセット回路部により、判別回路部の判別結果に基づいて、容易に、外光の照度の検出周期を短くするリセット信号を出力することができる。
【００１３】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、光検出部は、表示パネルに形成された薄膜トランジスタからなる光センサーと、光センサーの一対の電極間に接続された容量部と、容量部への充電をオン／オフ切り替えするスイッチ部と、光センサーの一対の電極の一方と容量部の間に接続された出力部とを含んで構成される。このように構成すれば、第１の検出期間および第２の検出期間において、容易に、外光の照度の検出を行うことができる。
【００１４】
この発明の第２の局面による電子機器は、上記のいずれかの構成を有する表示装置を備える。このように構成すれば、外光の照度の変化に光検出部の検出周期を十分に追従させることが可能な電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による液晶表示装置のブロック図である。
【図３】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の１サブ画素を示した拡大平面図である。
【図４】図３の２００−２００線に沿った断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による光検出部の断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態による光検出部の回路図である。
【図７】本発明の第１実施形態による検出周期調整部の回路図である。
【図８】本発明の第１実施形態による検出周期調整部の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図９】本発明の第１実施形態による検出周期調整部の動作を説明するためのフローチャートである。
【図１０】本発明の第２実施形態による検出周期調整部の回路図である。
【図１１】本発明の第２実施形態による検出周期調整部の動作を説明するためのフローチャートである。
【図１２】本発明の第３実施形態による検出周期調整部の回路図である。
【図１３】本発明の第３実施形態による検出周期調整部の動作を説明するためのフローチャートである。
【図１４】本発明の第１〜第３実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第１の例を説明するための図である。
【図１５】本発明の第１〜第３実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第２の例を説明するための図である。
【図１６】本発明の第１〜第３実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第３の例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１７】
（第１実施形態）
図１〜図８を参照して、本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００の構成について説明する。なお、第１実施形態では、横電界モードの液晶表示装置１００に本発明を適用した場合について説明する。また、液晶表示装置１００は、本発明の「表示装置」の一例である。
【００１８】
本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００は、図１に示すように、液晶表示装置１００の中央部分に広い表示領域１を有している。また、表示領域１には、図３に示すように、複数のサブ画素２が設けられている。また、図１に示すように、表示領域１の矢印Ｙ１方向には、光センサ領域３が形成されている。また、表示領域１の矢印Ｙ２方向には、信号線４（図３参照）が形成された信号線配線領域５が形成されている。また、表示領域１のＸ方向には、走査線６（図３参照）が形成された走査線配線領域７が形成されている。また、表示領域１の周辺部分には、共通配線領域８が形成されている。また、表示領域１の矢印Ｙ２方向には、駆動用ドライバ９および外部接続端子１０が形成されている。
【００１９】
また、図２に示すように、液晶表示装置１００は、液晶表示パネル１１と、コントローラ基板１２とを備えている。なお、液晶表示パネル１１は、本発明の「表示パネル」の一例である。液晶表示パネル１１には、表示領域１と、光検出部１３と、バックライト１４とが設けられている。また、コントローラ基板１２には、検出周期調整部１５と、バックライト調整部１６とが設けられている。なお、検出周期調整部１５は、本発明の「検出期間調整部」の一例である。検出周期調整部１５は、光検出部１３およびバックライト調整部１６と接続されている。また、バックライト調整部１６は、バックライト１４にバックライト調整信号が送信可能に構成されている。
【００２０】
また、図４に示すように、ＴＦＴ基板２０の表面上には、ゲート電極２１が形成されている。また、ＴＦＴ基板２０およびゲート電極２１の表面上には、ＳｉＮからなるゲート絶縁膜２２ａを含む絶縁膜２２が形成されている。また、ＴＦＴ基板２０と絶縁膜２２を介して対向するように、半導体層２３が形成されている。なお、半導体層２３は、ａ−Ｓｉとｎ＋Ｓｉとからなる。半導体層２３の上部には、ソース電極２４およびドレイン電極２５が形成されている。そして、絶縁膜２２、半導体層２３、ソース電極２４およびドレイン電極２５によりＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）２６が構成されている。
【００２１】
また、ソース電極２４およびドレイン電極２５を覆うように、ＳｉＮからなるパッシベーション層２７が形成されている。パッシベーション層２７には、コンタクトホール２７ａが形成されている。パッシベーション層２７の表面上には、感光性のアクリル樹脂からなる平坦化膜２８が形成されている。平坦化膜２８には、コンタクトホール２８ａが形成されている。
【００２２】
また、平坦化膜２８を覆うように、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）や、ＩＺＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極からなる画素電極２９が形成されている。また、パッシベーション層２７のコンタクトホール２７ａと平坦化膜２８のコンタクトホール２８ａとを介して、画素電極２９とドレイン電極２５とが接続されている。また、画素電極２９の表面上には、ＳｉＮなどからなる低温パッシベーション層３０が形成されている。また、低温パッシベーション層３０の表面上には、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明電極からなる共通電極３１が形成されている。そして、画素電極２９と、共通電極３１との間に発生する横方向の電界により、後述する液晶（液晶層５０）が駆動される。
【００２３】
また、共通電極３１は、図３に示すように、平面的に見て、Ｘ方向に沿って延びるように複数のスリット３１ａが形成されている。また、共通電極３１のサブ画素２の中央部分に対応する部分には、Ｖ字形状のスリット３１ｂが形成されている。また、図４に示すように、共通電極３１の表面上には、ポリイミドなどの有機膜からなる配向膜３２が形成されている。また、ＴＦＴ基板２０の矢印Ｚ１方向側の表面上には、第１偏光板３３が形成されている。第１偏光板３３の矢印Ｚ１方向側の表面上には、バックライト１４が設けられている。バックライト１４は、ＴＦＴ基板２０側から矢印Ｚ２方向側に向かって光が出射されるように構成されている。
【００２４】
また、ＴＦＴ基板２０と対向するように、対向基板４０が設けられている。対向基板４０の表面上には、ブラックマトリクス４１が形成されている。また、ブラックマトリクス４１の表面上には、カラーフィルター（ＣＦ）４２が形成されている。なお、カラーフィルター４２は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３色のカラーフィルター４２からなるとともに、サブ画素２毎に設けられている。また、カラーフィルター４２の表面上には、感光性のアクリル樹脂からなるオーバーコート層（ＯＣ）４３が形成されている。また、オーバーコート層４３の表面上には、ポリイミドなどの有機膜からなる配向膜４４が形成されている。また、対向基板４０の矢印Ｚ２方向側には、第２偏光板４５が形成されている。また、配向膜３２と配向膜４４との間には、液晶層５０が設けられている。
【００２５】
また、光センサ領域３（図１参照）には、図５に示すように、光検出部１３が形成されている。光検出部１３は、ＴＦＴからなる光センサＴＦＴ６０と、容量部６１と、スイッチ部６２とを備えている。なお、光センサＴＦＴ６０は、本発明の「光センサー」の一例である。また、光センサＴＦＴ６０は、ＴＦＴ基板２０の表面上に形成されているゲート電極ＧＬと、ゲート電極ＧＬを覆うゲート絶縁膜２２ａと、ゲート絶縁膜２２ａの表面上に形成された半導体層６０１と、半導体層６０１の表面上に形成されたソース電極ＳＬおよびドレイン電極ＤＬとを備えている。この光センサＴＦＴ６０は、表示領域１に形成されるＴＦＴ２６と同時に形成される。
【００２６】
容量部６１は、ＴＦＴ基板２０の表面上に形成されている容量下電極６１１と、容量下電極６１１を覆う絶縁膜２２と、絶縁膜２２の表面上に、平面的に見て、容量下電極６１１と重なるように形成されている容量上電極６１２とから形成されている。なお、容量上電極６１２は、ＴＦＴからなる光センサＴＦＴ６０のソース電極ＳＬと一体的に形成されている。なお、容量部６１も表示領域１に形成されるＴＦＴ２６と同時に形成される。
【００２７】
スイッチ部６２は、ＴＦＴ基板２０の表面上に形成されているゲート電極ＧＳと、ゲート電極ＧＳを覆う絶縁膜２２と、絶縁膜２２の表面上に、平面的に見て、ゲート電極ＧＳと重なって形成されている半導体層６２１と、半導体層６２１と部分的に重なるように配置されたソース電極ＳＳおよびドレイン電極ＤＳと、平面的に見て半導体層６２１を覆うように形成されている遮光部材６２２とを備えている。そして、光センサＴＦＴ６０のソース電極ＳＬ、容量上電極６１２およびスイッチ部６２のドレイン電極ＤＳは一体的に形成されるとともに、それぞれ同電位になるように構成されている。なお、スイッチ部６２も表示領域１に形成されるＴＦＴ２６と同時に形成される。
【００２８】
また、図６に示すように、ソース電極ＳＳには、容量部６１を充電するための電圧Ｖｓが印加されるように構成されている。また、ゲート電極ＧＳには、スイッチ部６２のオン／オフを切り替えるＳＷ制御信号が入力されるように構成されている。また、容量部６１の容量下電極６１１は、接地されているので、スイッチ部６２がオン状態になると、容量部６１が充電されるように構成されている。また、スイッチ部６２がオフ状態になると、容量部６１の充電が終了されるように構成されている。
【００２９】
また、光センサＴＦＴ６０のドレイン電極ＤＬは、接地されている。また、光センサＴＦＴ６０のソース電極ＳＬは、容量部６１の容量上電極６１２に接続されている。また、光センサＴＦＴ６０のゲート電極ＧＬには、光センサＴＦＴ６０のオン／オフを切り替えるＧＶ制御信号が入力される。
【００３０】
このように、光センサＴＦＴ６０がオン状態のとき（正バイアス電圧が印加されているとき）は、容量部６１に蓄積された電荷が放電されるように構成されている。また、光センサＴＦＴ６０がオフ状態のとき（逆バイアス電圧が印加されているとき）は、光センサＴＦＴ６０に照射される照度に応じたリーク電流により、容量部６１に蓄積された電荷が徐々に放電されるように構成されている。このリーク電流は、外光の照度が高いほど大きくなる。そして、容量部６１のソース電極ＳＬの電圧が光検出部１３の出力となる。なお、図５に示すように、スイッチ部６２は、遮光部材６２２により遮光されているので、スイッチ部６２のリーク電流による容量部６１の放電は、実質的にない。
【００３１】
図７に示すように、検出周期調整部１５は、ＡＤＣ７１と、アンプ７２と、レジスタ部７３と、判別回路部７４と、リセット回路部７５と、カウンタ７６と、インバータ７７と、レベルシフタ（Ｌ／Ｓ）７８とを含んでいる。
【００３２】
レジスタ部７３は、レジスタ回路（新）７９と、レジスタ回路（旧）８０とを含んでいる。なお、レジスタ回路７９は、本発明の「第１レジスタ回路」の一例であり、レジスタ回路８０は、本発明の「第２レジスタ回路」の一例である。また、レジスタ回路７９およびレジスタ回路８０には、光検出部１３によって検出された外光の照度の検出値（容量部６１の電圧）が、入力されるように構成されている。なお、レジスタ回路７９には、図８に示すように、光検出部１３によって今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度の検出値が入力されるとともに、レジスタ回路８０には、光検出部１３によって前回（第２の検出期間に）検出された外光の照度の検出値が入力されるように構成されている。
【００３３】
判別回路部７４は、減算回路８１を含んでいる。減算回路８１には、レジスタ回路７９の出力と、レジスタ回路８０の出力とが入力されるように構成されている。また、減算回路８１は、レジスタ回路７９の出力からレジスタ回路８０の出力を減算した値が負になる場合、減算回路８１から出力されるデータの最上位のビットの１が出力されるように構成されている。また、判別回路部７４は、レジスタ回路７９に保持されている今回の外光の照度が、レジスタ回路８０に保持されている前回の外光の照度よりも大きいか否かを差分に基づいて判別するように構成されている。
【００３４】
リセット回路部７５は、レジスタ回路（新）８２およびレジスタ回路（旧）８３を有するパルス発生回路８４と、インバータ８５および８６と、ＯＲ回路８７と、ＡＮＤ回路８８とを含んでいる。レジスタ回路８２およびレジスタ回路８３には、今回の減算回路８１の出力と、前回の減算回路８１の出力とが、それぞれ入力されるように構成されている。また、レジスタ回路８２およびレジスタ回路８３には、それぞれ、ＣＬＫ２信号が入力されるように構成されている。ＯＲ回路８７には、レジスタ回路８２の出力がインバータ８５を介して入力されるとともに、レジスタ回路８３の出力が入力されるように構成されている。ＡＮＤ回路８８には、カウンタ７６からの出力がインバータ８６を介して入力されるとともに、ＯＲ回路８７の出力が入力されるように構成されている。また、ＡＮＤ回路８８からの出力は、インバータ７７と、レベルシフタ７８とを介して出力されるように構成されている。
【００３５】
つまり、第１実施形態では、リセット回路部７５は、光センサＴＦＴ６０によって検出されたレジスタ回路７９に保持されている今回の外光の照度が、光センサＴＦＴ６０によって検出されたレジスタ回路８０に保持されている前回の外光の照度よりも大きいと判別回路部７４により判別された場合に、光センサＴＦＴ６０によって検出する外光の照度の検出周期を短くするリセット信号を出力するように構成されている。
【００３６】
また、カウンタ７６には、ＣＬＫ１信号が入力されるように構成されている。カウンタ７６からの出力は、レジスタ部７３のレジスタ回路７９に入力されるように構成されている。
【００３７】
次に、図６〜図９を参照して、本発明の第１実施形態における検出周期調整部１５の動作について説明する。
【００３８】
まず、図８に示す時間Ａにおいて、リセット出力がＨレベルになることにより、図６に示すスイッチ部６２がオン状態にされる。これにより、容量部６１が充電される。そして、光センサＴＦＴ６０に外光が入射されることにより、光センサＴＦＴ６０のソース電極ＳＬとドレイン電極ＤＬとの間でリーク電流が発生する。これにより、容量部６１に蓄積された電荷が徐々に放電される。
【００３９】
そして、図９に示すステップＳ１（図８に示す時間Ｂ）において、容量部６１に蓄積された電荷（電位）がスレッショルド電位よりも小さくなった場合、ＡＤＣ７１の出力がＨレベルになる。この際、光検出部１３によって今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度の検出値が、レジスタ回路７９に入力される。また、レジスタ回路８０には、光検出部１３によって前回（第２の検出期間に）検出された外光の照度の検出値が、レジスタ回路７９から入力される。
【００４０】
そして、図９に示すステップＳ２（図８の時間Ｃ）において、レジスタ回路７９に保持されている今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度の検出値から、レジスタ回路８０に保持されている前回（第２の検出期間に）検出された外光の照度の検出値を判別回路部７４の減算回路８１によって減算することにより、今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度と前回（第２の検出期間に）検出された外光の照度と差分により比較が行われる。
【００４１】
具体的には、時間Ｃでは、レジスタ回路７９に保持されている今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度の検出値（容量部６１の電圧値）は、１００ｈ（ｈはヘキサデシマル（１６進数））であり、レジスタ回路８０に保持されている前回（第２の検出期間に）検出された外光の照度の検出値は、ＦＥｈであるので、レジスタ回路７９に保持されている今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度の検出値の方が大きい。つまり、今回（第１の検出期間に）検出された外光は、前回（第２の検出期間に）検出された外光よりも暗くなった。この際、減算回路８１の結果は正になるので、判別回路部７４から最上位のビット（ＭＳＢ）の０（Ｌレベル）が出力される。
【００４２】
そして、図９に示すステップＳ３において、カウンタ７６によって時間がカウントされ続け、予め定められている外光を検出する最大の検出期間が経過した時（時間Ｄ）において、カウンタ出力（リセットカウンタ）がＨレベルにされる。これにより、容量部６１が再び充電（リセット）されるとともに、光検出部１３によって、外光の照度の検出が始まる。また、今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度に基づいて、バックライト１４が照射する光の照度が決定されるとともに、決定された照度に基づいて、バックライト１４が照射する光の輝度の調整が行われる。
【００４３】
そして、図９に示すステップＳ１（図８に示す時間Ｅ）に戻って、容量部６１に蓄積された電荷（電位）がスレッショルド電位よりも小さくなった場合、ＡＤＣ７１の出力がＨレベルになる。この際、光検出部１３によって今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度の検出値（２０ｈ）が、レジスタ回路７９に入力される。また、レジスタ回路８０には、時間Ｃにおいて、光検出部１３によって検出された外光の照度の検出値（１００ｈ）が、レジスタ回路７９から入力される。
【００４４】
そして、第１実施形態では、図９に示すステップＳ２（図８の時間Ｆ）において、レジスタ回路７９に保持されている今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度の検出値から、レジスタ回路８０に保持されている前回（第２の検出期間に）検出された外光の照度の検出値が判別回路部７４の減算回路８１によって減算される。具体的には、時間Ｆの場合では、レジスタ回路７９に保持されている今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度の検出値は、２０ｈであり、レジスタ回路８０に保持されている前回（第２の検出期間に）検出された外光の照度の検出値は１００ｈであるので、レジスタ回路７９に保持されている今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度の検出値の方が小さい。つまり、今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度は、前回検出された外光の照度よりも明るくなった。
【００４５】
そして、第１実施形態では、図９に示すステップＳ４において、減算回路８１の結果は負になるので、判別回路部７４から最上位のビット（ＭＳＢ）の１（Ｈレベル）が出力され、リセット信号が生成される。具体的には、図７に示すレジスタ回路８２には、１（Ｈレベル）のデータが入力されるとともに、レジスタ回路８３には、前回（時間Ｃ）の減算の結果の０（Ｌレベル）のデータが入力される。そして、ＯＲ回路８７には、レジスタ回路８２からインバータ８５を介して０（Ｌレベル）のデータが入力されるとともに、レジスタ回路８３から０（Ｌレベル）のデータが入力される。これにより、ＡＮＤ回路８８には、ＯＲ回路８７から０（Ｌレベル）のデータを入力される。また、時間Ｆにおいては、カウンタ７６の出力はＬレベルであるので、ＡＮＤ回路８８には、インバータ８６を介して１（Ｈレベル）のデータが入力される。その結果、ＡＮＤ回路８８から０（Ｌレベル）のデータが出力されるとともに、インバータ７７とレベルシフタ７８とを介して、時間Ｇにおいて、１（Ｈレベル）のリセット信号が出力される。これにより、容量部６１が再び充電される。また、今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度に基づいて、バックライト１４が照射する光の照度が決定されるとともに、決定された照度に基づいて、バックライト１４が照射する光の輝度の調整が行われる。
【００４６】
上記のように、光検出部１３によって検出された外光の照度が、前回検出された外光の照度よりも大きくなった場合には、予め定められている外光を検出する最大の検出期間が経過することなく（カウンタ７６から１（Ｈレベル）の信号が出力される以前に）、光検出部１３のリセット（容量部６１の充電）が行われることにより、外光の照度の検出周期が短くなる。
【００４７】
第１実施形態では、上記のように、検出周期調整部１５を、今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度が、今回より前の前回（第２の検出期間に）検出された外光の照度よりも大きい場合に、前回の検出期間を今回の検出期間より短くするように構成することによって、奇数フレーム毎に光センサＴＦＴ６０がリセットされる場合と異なり、今回の外光の照度が、前回の外光の照度よりも大きい場合には、前回の照度が読み取られた直後に光センサＴＦＴ６０がリセットされる。これにより、前回の外光の照度が読み取られた時点と、今回の外光の照度を読み取ろうとする光センサＴＦＴ６０がリセットされる時点との時間を短くすることができる。その結果、外光の照度の変化に光センサＴＦＴ６０の検出周期を十分に追従させることができる。
【００４８】
また、第１実施形態では、上記のように、検出周期調整部１５が、今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度が、前回（第２の検出期間に）検出された外光の照度よりも大きいか否かを判別する判別回路部７４と、判別回路部７４により今回検出された外光の照度が前回検出された外光の照度よりも大きいと判別された場合に、今回の検出周期を前回の検出周期より短くするリセット信号を出力するリセット回路部７５とを含む。これにより、判別回路部７４によって、容易に、今回の外光の照度と、前回の外光の照度との大きさの比較（判別）を行うことができる。また、リセット回路部７５により、判別回路部７４の判別結果に基づいて、容易に、外光の照度の検出周期を短くするリセット信号を出力することができる。
【００４９】
また、第１実施形態では、上記のように、判別回路部７４を、レジスタ回路７９に保持された照度と、レジスタ回路８０に保持された照度との差分に基づいて、レジスタ回路７９に保持された照度が、レジスタ回路８０に保持された照度よりも大きいと判別した場合に、リセット回路部７５に今回の検出期間（第１の検出期間）を前回の検出期間（第２の検出期間）より短くなるリセット信号を出力させるように構成する。これにより、判別回路部７４により、容易に、レジスタ回路７９に保持された今回の外光の照度と、レジスタ回路８０に保持された前回の外光の照度との大きさの比較を行うことができる。また、リセット回路部７５により、判別回路部７４の判別結果に基づいて、容易に、外光の照度の検出周期を短くするリセット信号を出力することができる。
【００５０】
また、第１実施形態では、上記のように、光検出部１３を、液晶表示パネル１１に形成されたＴＦＴからなる光センサＴＦＴ６０と、光センサＴＦＴ６０の一対の電極間に接続された容量部６１と、容量部６１への充電をオン／オフ切り替えするスイッチ部６２と、光センサＴＦＴ６０の一対の電極の一方と容量部６１の間に接続された出力部とを含んで構成した。これにより、第１の検出期間および第２の検出期間において、容易に、外光の照度の検出を行うことができる。
【００５１】
（第２実施形態）
次に、図１０を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態では、検出された今回（第１の検出期間に）の外光の照度が、検出された前回（第２の検出期間に）の外光の照度よりも大きい場合に、外光の照度の検出周期を短くするように構成した第１実施形態と異なり、検出された今回の外光の照度が、検出された前回の外光の照度よりも大きい場合で、かつ、検出された今回の外光の照度と、検出された前回の外光の照度との差分の絶対値（照度の変化量）が予め定められたしきい値よりも大きい場合に、光検出部により検出する外光の照度の検出周期を短くするように構成した例について説明する。
【００５２】
本発明の第２実施形態による液晶表示装置１０１の検出周期調整部１５１には、判別回路部７４１が設けられている。なお、検出周期調整部１５１は、本発明の「検出期間調整部」の一例である。この判別回路部７４１は、減算回路８１１と、ＡＮＤ回路９０と、ＯＲ回路９１とを含んでいる。
【００５３】
減算回路８１１には、レジスタ回路７９からの出力と、レジスタ回路８０からの出力とが入力されるように構成されている。また、減算回路８１１からは、レジスタ回路７９の出力からレジスタ回路８０の出力を減算した値が負になる場合、減算回路８１１から出力されるデータの最上位のビット（ＭＳＢ）である１が出力されるように構成されている。そして、減算回路８１１からの出力は、ＡＮＤ回路９０に入力されるように構成されている。
【００５４】
また、第２実施形態では、減算回路８１１とＯＲ回路９１とは、ｋ本のバスにより接続されている。そして、減算回路８１１から出力される信号が、ＯＲ回路９１に入力されるように構成されている。このとき、レジスタ回路７９の出力からレジスタ回路８０の出力を減算した値の絶対値が、予め定められたしきい値よりも大きい場合、ＯＲ回路９１から１（Ｈレベル）が出力されるように構成されている。つまり、レジスタ回路７９の出力からレジスタ回路８０の出力を減算した値の絶対値を算出することにより、レジスタ回路７９の出力（今回の外光の照度）と、レジスタ回路８０の出力（前回の外光の照度）との出力の変化量を算出することが可能である。
【００５５】
また、ＯＲ回路９１からの出力は、ＡＮＤ回路９０に入力されるように構成されている。また、ＡＮＤ回路９０からの出力はパルス発生回路８４のレジスタ回路８２に入力されるように構成されている。
【００５６】
なお、第２実施形態のその他の構成は、上記した第１実施形態と同様である。
【００５７】
次に、図８および図１１を参照して、本発明の第２実施形態における検出周期調整部１５１の動作について説明する。
【００５８】
図１１に示すステップＳ２（図８の時間Ｆ）において、レジスタ回路７９に保持されている今回検出された外光の照度の検出値から、レジスタ回路８０に保持されている前回検出された外光の照度の検出値が判別回路部７４１の減算回路８１１によって減算される。そして、今回検出された外光の照度が、前回検出された外光の照度よりも明るくなった場合には、第２実施形態では、図１１に示すステップＳ１０（図８の時間Ｆ）において、レジスタ回路７９に保持されている今回検出された外光の照度の検出値から、レジスタ回路８０に保持されている前回検出された外光の照度の検出値が減算された値の絶対値が算出される。
【００５９】
そして、減算した値の絶対値が予め定められたしきい値よりも小さい場合には、ステップＳ３において、カウンタ７６によって時間がカウントされ続け、予め定められている外光を検出する最大の検出期間が経過した時（時間Ｄ）において、カウンタ出力（リセットカウンタ）がＨレベルにされる。つまり、今回検出された外光の照度は、前回検出された外光の照度よりも明るくなったが、照度の変化量は、予め定められたしきい値（明るさ）よりかは小さい（暗い）と判断される。
【００６０】
また、第２実施形態では、図１１に示すステップＳ１０（図８の時間Ｆ）において、減算した値の絶対値が予め定められたしきい値よりも大きい場合には、ステップＳ４においてリセット信号が生成される。つまり、今回検出された外光の照度は、前回検出された外光の照度よりも明るくなり、かつ、照度の変化量が予め定められたしきい値（明るさ）よりも大きい（明るい）と判断される。
【００６１】
上記のように、光検出部１３によって検出された外光の照度が、前回検出された外光の照度よりも大きくなった場合で、かつ、検出された今回の外光の照度と、検出された前回の外光の照度との差分の絶対値（照度の変化量）が予め定められたしきい値よりも大きい場合には、予め定められている外光を検出する最大の検出期間が経過することなく（カウンタ７６から１（Ｈレベル）の信号が出力される以前に）、光検出部１３のリセット（容量部６１の充電）が行われることにより、外光の照度の検出周期が短くなる。
【００６２】
なお、第２実施形態のその他の動作は、上記した第１実施形態と同様である。
【００６３】
第２実施形態では、上記のように、検出周期調整部１５１を、今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度が前回（第２の検出期間に）検出された外光の照度よりも大きく、かつ、今回検出された外光の照度と、前回検出された外光の照度との差分の絶対値が予め定められたしきい値よりも大きい場合に、今回の検出期間を前回の検出期間より短くするように構成する。これにより、今回の外光の照度と前回の外光の照度との差が小さい場合には、検出周期は短くならないので、液晶表示装置１０１の動作制御を簡略化することができる。
【００６４】
なお、第２実施形態のその他の効果は、上記した第１実施形態と同様である。
【００６５】
（第３実施形態）
次に、図１２を参照して、本発明の第３実施形態について説明する。この第３実施形態では、検出された今回（第１の検出期間に）の外光の照度が、検出された前回（第２の検出期間に）の外光の照度よりも大きい場合に、外光の照度の検出周期を短くするように構成した第１実施形態と異なり、検出された今回の外光の照度が、検出された前回の外光の照度よりも大きい場合で、かつ、検出された今回の外光の照度が予め定められたしきい値よりも大きい場合に、光検出部により検出する外光の照度の検出周期を短くするように構成した例について説明する。
【００６６】
本発明の第３実施形態による液晶表示装置１０２の検出周期調整部１５２には、判別回路部７４２が設けられている。なお、検出周期調整部１５２は、本発明の「検出期間調整部」の一例である。この判別回路部７４２は、減算回路８１と、減算回路８１２と、ＡＮＤ回路９２とを含んでいる。
【００６７】
また、第３実施形態では、減算回路８１２には、レジスタ回路７９の出力と、予め定められたしきい値が入力されるように構成されている。また、減算回路８１２からは、レジスタ回路７９の出力から予め定められたしきい値を減算した値が負になる場合、減算回路８１２からデータの最上位のビット（ＭＳＢ）である１が出力されるように構成されている。
【００６８】
また、減算回路８１および減算回路８１２からの出力は、ＡＮＤ回路９２に入力されるように構成されている。また、ＡＮＤ回路９２からの出力はパルス発生回路８４のレジスタ回路８２に入力されるように構成されている。
【００６９】
なお、第３実施形態のその他の構成は、上記した第１実施形態と同様である。
【００７０】
次に、図８および図１３を参照して、本発明の第３実施形態における検出周期調整部１５の動作について説明する。
【００７１】
図１３に示すステップＳ２（図８の時間Ｆ）において、レジスタ回路７９に保持されている今回検出された外光の照度の検出値から、レジスタ回路８０に保持されている前回検出された外光の照度の検出値が判別回路部７４の減算回路８１によって減算される。そして、今回検出された外光の照度が、前回検出された外光の照度よりも明るくなった場合には、第３実施形態では、図１３に示すステップＳ２０（図８の時間Ｆ）において、レジスタ回路７９に保持されている今回検出された外光の照度の検出値から、予め定められたしきい値を減算することにより、今回検出された外光の照度と予め定められたしきい値との比較が行われる。
【００７２】
そして、今回検出された外光の照度の検出値が予め定められたしきい値よりも大きい（暗い）場合には、ステップＳ３において、カウンタ７６によって時間がカウントされ続け、予め定められている外光を検出する最大の検出期間が経過した時（時間Ｄ）において、カウンタ出力（リセットカウンタ）がＨレベルにされる。つまり、今回検出された外光の照度は、前回検出された外光の照度よりも明るくなったが、予め定められたしきい値よりは暗いと判断される。
【００７３】
また、第３実施形態では、図１３に示すステップＳ２０（図８の時間Ｆ）において、今回検出された外光の照度の検出値が予め定められたしきい値よりも小さい（明るい）場合には、ステップＳ４において、リセット信号が生成される。つまり、今回検出された外光の照度は、前回検出された外光の照度よりも明るくなり、かつ、今回検出された外光の照度が予め定められたしきい値よりも明るいと判断される。
【００７４】
上記のように、光検出部１３によって検出された外光の照度が、前回検出された外光の照度よりも大きくなった場合で、かつ、検出された今回の外光の照度が予め定められたしきい値よりも大きい場合には、予め定められている外光を検出する最大の検出期間が経過することなく（カウンタ７６から１（Ｈレベル）の信号が出力される以前に）、光検出部１３のリセット（容量部６１の充電）が行われることにより、外光の照度の検出周期が短くなる。
【００７５】
なお、第３実施形態のその他の動作は、上記した第１実施形態と同様である。
【００７６】
第３実施形態では、上記のように、検出周期調整部１５２を、今回（第１の検出期間に）検出された外光の照度が前回（第２の検出期間に）に検出された外光の照度よりも大きく、かつ、今回検出された外光の照度が予め定められたしきい値よりも大きい場合に、今回の検出期間を前回の検出期間より短くするように構成する。これにより、今回の外光の照度が予め定められたしきい値よりも小さい場合には、検出周期は短くならないので、液晶表示装置１０２の動作制御を簡略化することができる。
【００７７】
なお、第３実施形態のその他の効果は、上記した第１実施形態と同様である。
【００７８】
図１４〜図１６は、それぞれ、上記した第１〜第３実施形態による液晶表示装置１００、１０１および１０２を用いた電子機器の第１の例〜第３の例を説明するための図である。図１４〜図１６を参照して、上記第１〜第３実施形態による液晶表示装置１００、１０１および１０２を用いた電子機器について説明する。
【００７９】
第１〜第３実施形態による液晶表示装置１００、１０１および１０２は、図１４〜図１６に示すように、第１の例としてのＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）３００、第２の例としての携帯電話３１０、および、第３の例としての情報携帯端末３２０（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）などに用いることが可能である。
【００８０】
図１４の第１の例によるＰＣ３００においては、キーボードなどの入力部３００ａおよび表示画面３００ｂなどに第１〜第３実施形態による液晶表示装置１００、１０１および１０２を用いることが可能である。図１５の第２の例による携帯電話３１０においては、表示画面３１０ａに第１〜第３実施形態による液晶表示装置１００、１０１および１０２が用いられる。図１６の第３の例による情報携帯端末３２０においては、表示画面３２０ａに第１〜第３実施形態による液晶表示装置１００、１０１および１０２が用いられる。
【００８１】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００８２】
たとえば、上記第１〜第３実施形態では、表示装置の一例として、液晶表示装置に本発明を適用する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、液晶表示装置以外の有機ＥＬなどを用いた表示装置に本発明を適用してもよい。
【００８３】
また、上記第１〜第３実施形態では、横電界モードの液晶表示装置を用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、横電界モード以外の縦電界モードなどの方式の液晶表示装置を用いてもよい。
【００８４】
また、上記第１〜第３実施形態では、光検出部によって検出された今回の外光の照度が、光検出部によって検出された前回の外光の照度よりも大きいか否かを判断するために、減算回路により算出して差分に基づいて判断する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、減算回路以外の回路により、光検出部によって検出された今回の外光の照度が、光検出部によって検出された前回の外光の照度よりも大きいか否かを判断させてもよい。
【符号の説明】
【００８５】
１１  液晶表示パネル（表示パネル）      １３  光検出部      １５、１５１、１５２  検出周期調整部（検出期間調整部）      ６０  光センサＴＦＴ（光センサー）      ７４、７４１、７４２  判別回路部      ７５  リセット回路部      ７９  レジスタ回路（第１レジスタ回路）      ８０  レジスタ回路（第２レジスタ回路）      １００、１０１、１０２  液晶表示装置（表示装置）      ３００  ＰＣ（電子機器）      ３１０  携帯電話（電子機器）      ３２０  情報携帯端末（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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