(57)【要約】【課題】発光部の膜厚を均一にし、下部ＴＦＴ部の平坦化をなすことが可能な、新規かつ改良された有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】有機発光ディスプレイ装置は、第１電極６１の間に設けられ、第１電極６１の外郭部を覆う第１画素定義膜８１ａと、第１画素定義膜８１ａのエッジが露出するように、第１画素定義膜８１ａを覆う第２画素定義膜８１ｂと、を備える。【選択図】図３
2011151017.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上部に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆う平坦化膜の上部に画素ごとに形成される第１電極と、
前記第１電極の間に設けられ、前記第１電極の外郭部を覆う第１画素定義膜と、
前記第１画素定義膜のエッジが露出するように、前記第１画素定義膜を覆う第２画素定義膜と、
前記第１電極の上部に形成され、発光層を含む中間層と、
前記中間層の上部に形成され、前記第１電極に対向する第２電極と、を備えることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記第２画素定義膜は、前記平坦化膜の上部に形成された凹凸部分を埋め込んで前記第１画素定義膜の上部に形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項３】
前記第１画素定義膜は、無機膜で形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項４】
前記第１画素定義膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯｘ、Ｔｂ４Ｏ７、Ｙ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｐｒ２Ｏ３からなる群から選択される一つで形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項５】
前記第１画素定義膜は、０．１μｍ〜１μｍの厚さに形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記第２画素定義膜は、有機膜で形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項７】
前記第２画素定義膜は、ポリアクリル、ポリイミド、ポリアミド（ＰＡ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つで形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項８】
前記第２画素定義膜は、相異なる画素が配列される方向では、０．１μｍ〜２μｍの範囲の厚さに形成され、同じ画素が配列される方向では、０．１μｍ〜１μｍの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項９】
基板上に画素ごとに第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の間に、前記第１電極の外郭部を覆う第１画素定義膜を形成する工程と、
前記第１画素定義膜のエッジが露出するように、前記第１画素定義膜を覆う第２画素定義膜を形成する工程と、
前記第１電極の上部に発光層を含む中間層を形成する工程と、
前記中間層の上部に、前記第１電極に対向する第２電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２画素定義膜は、前記平坦化膜の上部に形成された凹凸部分を埋め込んで前記第１画素定義膜の上部に形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１画素定義膜は無機膜で形成されることを特徴とする請求項９または１０に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１画素定義膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯｘ、Ｔｂ４Ｏ７、Ｙ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｐｒ２Ｏ３からなる群から選択される一つで形成されることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１画素定義膜は、０．１μｍ〜１μｍの厚さに形成されることを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２画素定義膜は有機膜で形成されることを特徴とする請求項９〜１３のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２画素定義膜は、ポリアクリル、ポリイミド、ポリアミドＰＡ、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つで形成されることを特徴とする請求項９〜１４のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第２画素定義膜は、相異なる画素が配列される方向では、０．１μｍ〜２μｍの範囲の厚さに形成され、同じ画素が配列される方向では、０．１μｍ〜１μｍの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項９〜１５のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：以下、ＯＬＥＤ）ディスプレイ装置はその駆動方式によって、受動駆動方式のパッシブマトリックス（ＰＭ：Ｐａｓｓｉｖｅ
Ｍａｔｒｉｘ）型と、能動駆動方式のアクティブマトリックス（ＡＭ：Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ）型とに区分される。ＰＭ型ＯＬＥＤ（ＰＭ−ＯＬＥＤ）は、単純に正極と負極とがそれぞれカラム（ｃｏｌｕｍｎ）とロウ（ｒｏｗ）とに配列されて、負極にはロウ駆動回路からスキャニング信号が供給され、この時、複数のロウのうち一つのロウのみ選択される。また、カラム駆動回路には各画素にデータ信号が入力される。一方、ＡＭ型ＯＬＥＤ（ＡＭ−ＯＬＥＤ）は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を利用して各画素当り入力される信号を制御するものであって、ぼう大な量の信号を処理するのに適して、動画を具現するためのディスプレイ装置として多く使われている。
【０００３】
ＡＭ型発光ディスプレイ装置のＴＦＴの上部としては、ＴＦＴを保護する保護膜の役割を行うこともでき、その上面を平坦化させる平坦化膜の役割を行うこともできるパッシベーション膜が形成され、パッシベーション膜の上部には画素定義膜が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４５４４１６８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、前記画素定義膜が画素間混色を防止するために高く形成される場合、画素定義膜の間に形成される発光部の膜厚が変わるという問題があった。一方、これを解消するために薄い画素定義膜を形成する場合、下部のＴＦＴ部の平坦化がなされていないという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、発光部の膜厚を均一にし、下部ＴＦＴ部の平坦化をなすことが可能な、新規かつ改良された有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、基板の上部に形成されたＴＦＴと、前記ＴＦＴを覆う平坦化膜の上部に画素ごとに形成される第１電極と、前記第１電極の間に設けられ、前記第１電極の外郭部を覆う第１画素定義膜と、前記第１画素定義膜のエッジが露出するように、前記第１画素定義膜を覆う第２画素定義膜と、前記第１電極の上部に形成され、発光層を含む中間層と、前記中間層の上部に形成され、前記第１電極に対向する第２電極と、を備える。
【０００８】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、基板上に画素ごとに第１電極を形成する工程と、前記第１電極の間に、前記第１電極の外郭部を覆う第１画素定義膜を形成する工程と、前記第１画素定義膜のエッジが露出するように、前記第１画素定義膜を覆う第２画素定義膜を形成する工程と、前記第１電極の上部に発光層を含む中間層を形成する工程と、前記中間層の上部に、前記第１電極に対向する第２電極を形成する工程と、を含む。
【０００９】
ここで、前記第２画素定義膜は、前記平坦化膜の上部に形成された凹凸部分を埋め込んで前記第１画素定義膜の上部に形成されてもよい。
【００１０】
また、前記第１画素定義膜は無機膜で形成されてもよく、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯｘ、Ｔｂ４Ｏ７、Ｙ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｐｒ２Ｏ３からなる群から選択される一つで形成されてもよい。
【００１１】
また、前記第１画素定義膜は、０．１μｍ〜１μｍの厚さに形成されてもよい。
【００１２】
また、前記第２画素定義膜は有機膜で形成されてもよく、前記第２画素定義膜は、ポリアクリル、ポリイミド、ポリアミドＰＡ、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つで形成されてもよい。
【００１３】
また、前記第２画素定義膜は、相異なる画素が配列される方向では、０．１μｍ〜２μｍの範囲の厚さに形成され、同じ画素が配列される方向では、０．１μｍ〜１μｍの範囲の厚さに形成されてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、無機絶縁膜及び有機絶縁膜で形成された画素定義膜を形成することによって発光部（すなわち中間層）の膜厚を均一にし、下部ＴＦＴ部を平坦化することによって素子の寿命を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態によるＯＬＥＤディスプレイ装置の画素電極部分を概略的に示した平面図である。
【図２】図１のＯＬＥＤディスプレイ装置の一画素の構造を示した拡大平面図である。
【図３】本発明の望ましい一実施形態によるＯＬＥＤディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。
【図４】本発明の望ましい一実施形態によるＯＬＥＤディスプレイ装置の製造工程を概略的に示した断面図である。
【図５】本発明の望ましい一実施形態によるＯＬＥＤディスプレイ装置の製造工程を概略的に示した断面図である。
【図６】本発明の望ましい一実施形態によるＯＬＥＤディスプレイ装置の製造工程を概略的に示した断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１７】
本発明の実施形態を説明する図面において、ある層や領域は、明細書の明確性のために厚さを拡大して示した。また層、膜、領域、板などの部分が他の部分“上に”あるという時、これは、他の部分の“真上に”ある場合だけではなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。
【００１８】
図１は、本発明の一実施形態によるＯＬＥＤディスプレイ装置の画素電極部分を概略的に示した平面図である。図２は、図１のＯＬＥＤディスプレイ装置の一画素の構造を示した拡大平面図である。
【００１９】
図１及び図２を参照すれば、本発明のＯＬＥＤディスプレイ装置は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の画素が反復して配されたディスプレイ部を備える。本実施形態では、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の画素が列及び行方向に反復して配されたストライプパターンを図示する。しかし、これらの画素の構成は必ずしもこれに限定されるものではなく、各列の画素が交互に配されるジグザグ型、マトリックス型など多様なパターンに配列されうる。本実施形態では、説明の便宜のためにディスプレイ部の一部のみを図示し、Ａ−Ａ’方向にＲ、Ｇ、Ｂの相異なる画素が反復して配列され、Ｂ−Ｂ’方向に同じ画素が反復して配列される場合を説明する。
【００２０】
各画素はＴＦＴ３０、４０、キャパシタ５０などを持つ選択駆動回路と、発光素子であるＯＬＥＤ６０とを備える。各画素には、データライン７２、スキャンライン７１、及びＯＬＥＤの一駆動電源になる電源ライン７３が備えられる。ＴＦＴは、スイッチング用のスイッチングＴＦＴ３０と、駆動用の駆動ＴＦＴ４０の２個のＴＦＴを備える。前記スイッチングＴＦＴ３０は、スキャンライン７１に印加されるスキャン信号により駆動されて、データライン７２に印加されるデータ信号を伝達する役割を行っている。前記駆動ＴＦＴ４０は、前記スイッチングＴＦＴ３０を通じて伝えられるデータ信号によって、すなわち、ゲートとソースとの電圧差によって、ＯＬＥＤ６０に流れ込む電流量を決定する。前記キャパシタ５０は、前記スイッチングＴＦＴ３０を通じて伝えられるデータ信号を１フレームの間に保存する役割を行っている。
【００２１】
前記スイッチングＴＦＴ３０のソース電極３１は、データライン７２によって駆動回路に連結され、スイッチングＴＦＴ３０のゲート電極３２は、スキャンライン７１によって他の駆動回路に連結されている。前記スイッチングＴＦＴ３０のドレイン電極３３は、キャパシタ５０の第１キャパシタ電極５１及び駆動ＴＦＴ４０のゲート電極４３と連結されている。スイッチングＴＦＴ３０のソース電極３１及びドレイン電極３３は活性層３４のソース領域及びドレイン領域に対応して位置する。
【００２２】
前記キャパシタ５０の第２キャパシタ電極５２と駆動ＴＦＴ４０のソース電極４７とは電源ライン７３と連結され、駆動ＴＦＴ４０のドレイン電極４５はＯＬＥＤ６０の第１電極６１と連結されている。前記駆動ＴＦＴ４０のソース電極４７及びドレイン電極４５は活性層４４のソース領域及びドレイン領域に対応して位置する。
【００２３】
前記選択駆動回路のＴＦＴ及びキャパシタの数は、必ずしもこれに限定されるものではなく、所望する素子の設計によってこれよりさらに多くのＴＦＴ及びキャパシタを備えうることはいうまでもない。
【００２４】
ＯＬＥＤ６０は、画素電極になる第１電極６１と、この第１電極６１と所定の間隙をおいて対向して位置した共通電極である第２電極（図示せず）とを持ち、第１電極６１と第２電極との間には有機発光層を含む中間層（図示せず）が形成されて、第１電極６１及び第２電極により発光する。
【００２５】
前記第１電極６１の周辺には、第１電極６１のエッジに沿って画素定義膜８１が備えられる。画素定義膜８１は、無機膜である第１画素定義膜８１ａと有機膜である第２画素定義膜８１ｂとを備える。第１画素定義膜８１ａは、第１電極６１の外郭部を覆うように形成され、第２画素定義膜８１ｂは、第１画素定義膜８１ａの上部に第１画素定義膜８１ａのエッジが露出するように、形成される。
【００２６】
図３は、本発明の望ましい一実施形態による有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。
【００２７】
図３を参照すれば、本発明の有機発光ディスプレイ装置は、基板１０の上部に形成された複数のＴＦＴ４０及びＯＬＥＤ６０を備える。
【００２８】
ＴＦＴ４０は、活性層４１、ゲート電極４３及びソース／ドレイン電極４５／４７で構成される。前記ゲート電極４３と活性層４１との間には、これら間の絶縁のためのゲート絶縁膜１３が介在されている。また、前記活性層４１は、両側エッジに、高濃度の不純物が注入されたソース／ドレイン領域と、これら間のチャンネル領域とが形成されており、ソース／ドレイン領域は、前記ソース／ドレイン電極４５／４７にそれぞれ連結されている。
【００２９】
ＯＬＥＤ６０は、第１電極６１、第２電極６５及びその間に介在された中間層６３で構成される。第１電極６１は、前記ＴＦＴ４０を覆うパッシベーション膜（平坦化膜）１７上部に画素ごとに形成され、ビアホ―ルＨ１を通じて前記ＴＦＴ４０のソース／ドレイン電極４５／４７のうち一つと接続される。
【００３０】
前記第１電極６１の両側エッジには、画素を定義する画素定義膜８１が形成される。画素定義膜８１は、第１画素定義膜８１ａ及び第２画素定義膜８１ｂで構成される。第１画素定義膜８１ａは、第１電極６１の間（すなわち、第１電極６１どうしの間）に設けられ、第１電極６１の外郭部を覆い、無機膜で形成される。第２画素定義膜８１ｂは、第１電極６１の外郭部及びビアホ―ルＨ１などが形成される急傾斜領域Ｐを覆って、第１画素定義膜８１ａの上部に有機膜で形成される。第２画素定義膜８１ｂは、第１画素定義膜８１ａのエッジから一定距離ほど離れて位置する。第１画素定義膜８１ａと第２画素定義膜８１ｂとのエッジ間の間隔は、約１μｍ以下であることが望ましく、第１電極６１の開口率及び発光有効領域を考慮して決定できる、
【００３１】
前記第１画素定義膜８１ａの厚さは、約０．１μｍ〜１μｍに設定される。
【００３２】
前記第２画素定義膜８１ｂの厚さは、図１のＡ−Ａ’方向（左右方向）の場合、隣接するＲ、Ｇ、Ｂ画素間の混色を防止するために、約０．１μｍ〜２μｍに設定し、Ｂ−Ｂ’方向（上下方向）の場合、有機発光層の膜厚段差を低減するために、約０．１μｍ〜１μｍに設定することが望ましい。
【００３３】
前記第１画素定義膜８１ａは、第１電極６１の上部に積層される中間層６３の表面エネルギーと類似した表面エネルギーを持つ無機材料で形成し、前記第２画素定義膜８１ｂは、中間層６３の表面エネルギーと異なる表面エネルギーを持つ有機材料で形成する。
【００３４】
有機発光層をインクジェット、ノズルなどのプリンティング方法を通じて形成するためには、画素間の混色を防止するために画素間に画素定義膜を形成し、画素定義膜の撥液性表面処理が必要である。この時、画素定義膜が高い場合、画素定義膜と接触する画素の外郭部と中心部との膜厚が変わるという問題点がある。また画素定義膜が低い場合、ビアホ―ルなどが形成された急傾斜領域Ｐや、エッチング過程で形成された陥没領域Ａなど凹凸部による下部ＴＦＴ部の屈曲を十分に平坦化させられなくなって、水分、酸素などが浸透でき、第１電極６１と第２電極６５との間にショートが発生しうる。
【００３５】
したがって、本発明は、薄い第１画素定義膜８１ａを第１電極６１の外郭部に形成し、第２画素定義膜８１ｂを第１画素定義膜８１ａのエッジから一定間隔離して形成することによって、有機発光層（すなわち、中間層）の膜厚を均一にする。また、クラックなどの凹凸が形成された第１画素定義膜８１ａの上部に第２画素定義膜８１ｂを形成して、段差被覆性（ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）を向上させることによって下部ＴＦＴ部を平坦化し、第１電極６１と第２電極６５との間がショートする可能性を低減できる。
【００３６】
前記実施形態では、第１画素定義膜８１ａのエッジを除外した上部に第２画素定義膜８１ｂを形成しているが、他の実施形態として、前記第２画素定義膜８１ｂは、急傾斜領域Ｐや陥没領域Ａなど凹凸部のみにさらに形成してもよい。これにより、下部ＴＦＴ領域、すなわち平坦化膜１７及び第１電極６１をさらに確実に平坦化することができる。
【００３７】
前記実施形態を説明するための図面には、３つのＴＦＴ及び３つのキャパシタが図示されているが、これは説明の便宜のためのものであり、本発明はこれに限定されず、１つのＴＦＴ及び１つのキャパシタが含まれてもよいということはいうまでもない。
【００３８】
図４〜図６は、本発明の望ましい一実施形態による有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示した断面図である。本実施形態では、上下方向に同じ画素が配列され、左右方向にＲ、Ｇ、Ｂの相異なる画素が配列されるストライプ構造のディスプレイ装置を例として説明する。
【００３９】
図４を参照すれば、基板１０の上部にＴＦＴ及び第１電極６１を形成する。
【００４０】
基板１０は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材質からなりうる。基板１０は、必ずしもこれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材または金属材など、多様な材質の基板を利用できる。
【００４１】
基板１０は、画像が基板１０方向に具現される背面発光型である場合には、透明な材質で形成せねばならない。しかし、画像が基板１０の逆方向に具現される前面発光型である場合には、必ずしも透明な材質で形成する必要はない。この場合、金属で基板１０を形成できる。金属で基板１０を形成する場合、基板１０は炭素、鉄、クローム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレススチール（ＳＵＳ）、インバール（Ｉｎｖａｒ）合金、インコネル（Ｉｎｃｏｎｅｌ）合金及びコバール（Ｋｏｖａｒ）合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、これに限定されるものではない。基板１０は金属フォイルで形成できる。
【００４２】
絶縁層１１は、基板１０の上面で不純物イオンが広がることを防止し、水分や外気の浸透を防止し、表面を平坦化するためのバリア層及び／またはバッファ層の役割を行う。前記絶縁層１１は、ＳｉＯ２及び／またはＳｉＮｘなどを使用して、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ
Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＰＣＶＤ（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ＣＶＤ）法、ＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ
ＣＶＤ）法など多様な蒸着方法により蒸着されうる。
【００４３】
前記絶縁層１１上にＴＦＴの活性層４１が形成される。ＴＦＴの活性層４１は、前記絶縁層１１の上部に非晶質シリコンをまず蒸着した後、これを結晶化することによって多結晶シリコン層（図示せず）を形成し、前記多結晶シリコン層をパターニングすることによって形成されうる。
【００４４】
前記ＴＦＴの活性層４１は、ｎ型またはｐ型の不純物ドーピングにより、ゲート電極４３の両側に対応する活性層４１のエッジに形成されたソース／ドレイン領域と、これら間のチャンネル領域とを備える。
【００４５】
前記ＴＦＴの活性層４１上にゲート絶縁膜１３が形成される。ゲート絶縁膜１３は、ＳｉＮｘまたはＳｉＯｘなどの無機絶縁膜を、ＰＥＣＶＤ法、ＡＰＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法などの方法で蒸着できる。
【００４６】
前記ゲート絶縁膜１３上にはゲート電極４３が備えられ、これを覆うように層間絶縁膜１５が形成される。
【００４７】
ゲート電極４３は、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｎｉまたはこれらの化合物のような多様な導電性材料で形成されうる。もちろん、ＴＦＴの活性層以外に他の構成要素までも光が通過する必要性がある場合には、ゲート電極４３がＩＴＯまたはＩＺＯなどの多様な透明な導電性材料で形成されうる。
【００４８】
前記層間絶縁膜１５上には、ソース／ドレイン電極４５／４７がコンタクトホールを通じて活性層４１と連結され、これを覆うように平坦化膜１７が形成される。
【００４９】
前記平坦化膜１７は、無機絶縁膜及び／または有機絶縁膜を使用できるが、無機絶縁膜としては、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ、ＰＺＴなどを含ませることができ、有機絶縁膜としては、一般汎用高分子（ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、ＰＳ（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ））、フェノール基を持つ高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びこれらのブレンドなどが含まれるようにすることができる。また平坦化膜１７は、無機絶縁膜と有機絶縁膜との複合積層体でも形成できる。
【００５０】
前述したようなＴＦＴの積層構造は必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な構造のＴＦＴがいずれも適用できる。また本実施形態では、ＴＦＴの一例としてトップゲート方式のＴＦＴを図示しているが、これと異なって、他の構造のＴＦＴが備えられうるということはいうまでもない。
【００５１】
前記平坦化膜１７の上部には、ＯＬＥＤの画素電極である第１電極６１が形成され、ビアホ―ルＨ１を通じてソース／ドレイン電極４５／４７と電気的に連結される。ビアホ―ルＨ１は、平坦化膜１７をエッチングしてソース／ドレイン電極４５／４７が露出するように、形成される。
【００５２】
前記第１電極６１は、画素別に多様な導電性物質で形成されうる。ディスプレイ装置が基板１０の方向に画像が具現される背面発光型である場合、前記第１電極６１は透明電極になり、仕事関数の高いＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などで形成されうる。ディスプレイ装置が基板１０の逆方向に画像を具現する前面発光型である場合、前記第１電極６１は、反射電極で備えられ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物で反射膜を形成した後、その上に仕事関数の高いＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などを形成してなりうる。
【００５３】
図５を参照すれば、前記第１電極６１の外郭部を覆う第１画素定義膜８１ａを形成する。
【００５４】
前記第１画素定義膜８１ａを形成するために、前記第１電極６１が形成された基板１０の全面に無機絶縁層を蒸着し、フォトリソグラフィ工程によりパターニングして、第１電極６１の中央部が露出されるように開口Ｈ２を形成する。
【００５５】
無機絶縁層は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯｘ、Ｔｂ４Ｏ７、Ｙ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｐｒ２Ｏ３などから選択された一つ以上の無機絶縁物質であって、スパッタ法、化学真空蒸着（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、蒸着法などにより形成されうる。
【００５６】
前記第１画素定義膜８１ａは、画素の外郭部と中心部との間の有機発光層の膜厚差を低減するために、約０．１μｍ〜１μｍ範囲の厚さに形成されうる。
【００５７】
図６を参照すれば、前記第１画素定義膜８１ａの上部に第２画素定義膜８１ｂを形成する。
【００５８】
前記第１画素定義膜８１ａが形成された基板１０の全面に有機絶縁層を蒸着し、フォトリソグラフィ工程によりパターニングして、第１電極６１の中央部及び第１画素定義膜８１ａのエッジが露出されるように開口Ｈ３を形成する。
【００５９】
有機絶縁層は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂（ポリアクリル）、ベンゾシクロブテン及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つ以上の有機絶縁物質であって、スピンコーティング、スロットコーティングなどの方法で形成されうる。
【００６０】
前記第２画素定義膜８１ｂの厚さは、左右方向の場合、隣接するＲ、Ｇ、Ｂ画素間の混色を防止するために、約０．１μｍ〜２μｍに設定し、上下方向の場合、有機発光層の膜厚段差を低減するために、約０．１μｍ〜１μｍに設定することが望ましい。
【００６１】
前記第１画素定義膜８１ａと第２画素定義膜８１ｂとのエッジ間の間隔は約１μｍであることが望ましい。
【００６２】
前記第１電極６１及び前記第１画素定義膜８１ａは、第１電極６１の外郭部及びビアホ―ルＨの周辺で、低い段差被覆性によってクラックが形成しうる。したがって、前記第１画素定義膜８１ａの上部に第２画素定義膜８１ｂをさらに形成することによって、クラックを埋め込んで段差被覆性を向上させて、外気浸透及び電極間のショートを防止できる。
【００６３】
次いで、図３に示したように、前記第１電極６１が露出された開口に有機発光層を含む中間層６３及び第２電極６５を形成する。
【００６４】
前記中間層６３は、有機発光層（ｅｍｉｓｓｉｖｅ ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）と、その他に正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、正孔注入層（ｈｏｌｅ
ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）、及び電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ
ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）などの機能層のうちいずれか一つ以上の層が単一あるいは複合の構造で積層されて形成されうる。
【００６５】
前記中間層６３は、低分子または高分子有機物で備えられうる。
【００６６】
低分子有機物で形成される場合、中間層６３は、有機発光層を中心に第１電極６１の方向に正孔輸送層及び正孔注入層などが積層され、第２電極６５方向に電子輸送層及び電子注入層などが積層される。それ以外にも、必要に応じて多様な層が積層されうる。この時、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ
ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとして多様に適用できる。
【００６７】
一方、高分子有機物で形成される場合には、中間層６３は、有機発光層を中心として第１電極６１方向に正孔輸送層のみ含まれうる。正孔輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）や、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを使用して、インクジェットプリンティングやスピンコーティングの方法により第１電極６１の上部に形成できる。この時に使用可能な有機材料として、ＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系などの高分子有機物を使用でき、インクジェットプリンティングやスピンコーティングまたはレーザーを利用した熱転写方式などの通常の方法でカラーパターンを形成できる。
【００６８】
前記第２電極６５は、基板１０の全面に蒸着されて共通電極として形成されうる。本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、第１電極６１は、アノード電極として使われ、第２電極６５はカソード電極として使われる。もちろん、電極の極性は逆に適用できるということはいうまでもない。
【００６９】
有機発光ディスプレイ装置が、基板１０の方向に画像が具現される背面発光型である場合、第１電極６１は透明電極になり、第２電極６５は反射電極になる。この時、反射電極は仕事関数の小さな金属、例えば、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、またはこれらの化合物を薄く蒸着して形成できる。
【００７０】
一方、前記図面には図示されていないが、第２電極６５上には、外部の水分や酸素から有機発光層を保護するための密封部材（図示せず）及び吸湿剤（図示せず）などがさらに備えられうる。
【００７１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明は、有機発光ディスプレイ装置関連の技術分野に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００７３】
１０  基板
４０  駆動ＴＦＴ
５０  キャパシタ
６０  有機発光素子（ＯＬＥＤ）
６１  第１電極
８１  画素定義膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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