(57)【要約】【課題】より一層の多ピン化に対応できるリードフレーム、そのリードフレームを使用した半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】リードフレームは、半導体素子２０が搭載されるダイステージと、ダイステージの周囲に放射状に配置された複数の接続端子１２と、接続端子１２のダイステージ側先端部に設けられたワイヤー接続部とを有する。また、ワイヤー接続部の裏面側には固定テープ１４が貼り付けられており、この固定テープにより複数のワイヤー接続部が一括して固定されている。隣り合うワイヤー接続部は接続端子１２の長手方向にずれて配置され、接続端子１２のうち隣りの接続端子１２のワイヤー接続部に並行する部分は狭幅且つ厚みが薄く形成されている。【選択図】図１
2011238770.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が搭載されるダイステージと、
前記ダイステージの周囲に放射状に配置された複数の接続端子と、
前記複数の接続端子の前記ダイステージ側の先端部分にそれぞれ設けられて前記半導体素子の電極パッドとの間に金属細線が接続されるワイヤー接続部と、
前記ワイヤー接続部の裏面側に貼り付けられて複数の前記ワイヤー接続部を一括して固定する固定テープとを有し、
隣り合うワイヤー接続部は前記接続端子の長手方向にずれて配置され、前記接続端子のうち隣りの接続端子の前記ワイヤー接続部に並行する部分は前記ワイヤー接続部よりも狭幅且つ厚みが薄く形成されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記接続端子のうちインナーリード付け根側に位置する前記ワイヤー接続部よりも狭幅に形成された部分の表面側の幅が、裏面側の幅よりも狭いことを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
リードフレームと、
前記リードフレーム上に配置された半導体素子と、
前記リードフレームと前記半導体装置との間を電気的に接続する金属細線と、
前記半導体素子及び前記金属細線を封止する封止樹脂とを有し、
前記リードフレームが、
前記半導体素子が搭載されるダイステージと、
前記ダイステージの周囲に放射状に配置され、一部分が前記封止樹脂の外に導出する複数の接続端子と、
前記複数の接続端子の前記ダイステージ側の先端部分にそれぞれ設けられて前記半導体素子の電極パッドとの間に前記金属細線が接続されるワイヤー接続部と、
前記ワイヤー接続部の裏面側に貼り付けられて複数の前記ワイヤー接続部を一括して固定する固定テープとを有し、
隣り合うワイヤー接続部は前記接続端子の長手方向にずれて配置され、前記接続端子のうち隣りの接続端子の前記ワイヤー接続部に並行する部分は前記ワイヤー接続部よりも狭幅且つ厚みが薄く形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
金属板の両面にエッチングマスクを形成し、この金属板を両方の面側からエッチングしてリードフレームを形成する工程と、
前記リードフレーム上に半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子と前記リードフレームとの間を金属細線により電気的に接続する工程と、
前記半導体素子を樹脂封止する工程とを有し、
前記リードフレームが、
前記半導体素子が搭載されるダイステージと、
前記ダイステージの周囲に放射状に配置され、一部分が前記封止樹脂の外に導出する複数の接続端子と、
前記複数の接続端子の前記ダイステージ側の先端部分にそれぞれ設けられて前記半導体素子の電極パッドとの間に前記金属細線が接続されるワイヤー接続部と、
前記ワイヤー接続部の裏面側に貼り付けられて複数の前記ワイヤー接続部を一括して固定する固定テープとを有し、
隣り合うワイヤー接続部は前記接続端子の長手方向にずれて配置され、前記接続端子のうち隣りの接続端子の前記ワイヤー接続部に並行する部分は前記ワイヤー接続部よりも狭幅且つ厚みが薄く形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置のパッケージの一つに、ＱＦＰ（Quad Flat Package）がある。ＱＦＰはリードフレームを用いて半導体素子（半導体チップ）を樹脂等で封止した薄板状のパッケージであり、パッケージの４辺からそれぞれ接続端子が導出している。接続端子のうちパッケージから導出した部分はアウターリードと呼ばれ、パッケージの内側の部分はインナーリードと呼ばれている。
【０００３】
半導体素子は、リードフレームのダイステージと呼ばれる部分に搭載される。ダイステージの周囲にはインナーリードが放射状に配置されており、インナーリードの先端部と半導体素子とはワイヤーボンディングにより電気的に接続されている。
【０００４】
ところで、近年、半導体装置のより一層の高集積化及び高性能化が促進されており、それにともなって接続端子数が多くなる傾向がある。このような半導体装置に対応するために、インナーリードの先端部の幅を縮小（狭ピッチ化）することが要望されている。しかし、インナーリードの先端の幅を狭くしすぎるとワイヤーボンディングができなくなるため、インナーリードの先端部の幅の縮小には限界がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−７４３０４号公報
【特許文献２】特開平７−１４２５２２号公報
【特許文献３】特開２００２−２３８７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
以上から、より一層の多ピン化に対応できるリードフレーム、そのリードフレームを使用した半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一観点によれば、半導体素子が搭載されるダイステージと、前記ダイステージの周囲に放射状に配置された複数の接続端子と、前記複数の接続端子の前記ダイステージ側の先端部分にそれぞれ設けられて前記半導体素子の電極パッドとの間に金属細線が接続されるワイヤー接続部と、前記ワイヤー接続部の裏面側に貼り付けられて複数の前記ワイヤー接続部を一括して固定する固定テープとを有し、隣り合うワイヤー接続部は前記接続端子の長手方向にずれて配置され、前記接続端子のうち隣りの接続端子の前記ワイヤー接続部に並行する部分は前記ワイヤー接続部よりも狭幅且つ厚みが薄く形成されているリードフレームが提供される。
【発明の効果】
【０００８】
上記一観点によれば、隣り合うワイヤー接続部は接続端子の長手方向にずれて配置され、接続端子のうち隣りの接続端子のワイヤー接続部に並行する部分はワイヤー接続部よりも狭幅且つ厚みが薄く形成されている。これにより、狭い領域に多数のワイヤー接続部を配置することが可能になり、半導体装置の多ピン化に対応することができる。
【０００９】
また、上記一観点によれば、接続端子の先端に配置されたワイヤー接続部の裏面側に固定テープが貼り付けられており、この固定テープにより接続端子の先端部が一括して固定されているので、接続端子の先端部の変形や破損を回避できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る半導体装置の一例を示す一部破断図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図３】図３は接続端子のインナーリード先端部分を拡大して示す図である。
【図４】図４（ａ）は図３のＩ−Ｉ線による断面図、図４（ｂ）は図３のII−II線による断面図、図４（ｃ）は図３のIII−III線による断面図、図４（ｄ）は図３のIV−IV線による断面図である。
【図５】図５は、第１の実施形態に係るリードフレーム及び半導体装置の製造方法を示す図（その１）である。
【図６】図６は、第１の実施形態に係るリードフレーム及び半導体装置の製造方法を示す図（その２）である。
【図７】図７は、第１の実施形態に係るリードフレーム及び半導体装置の製造方法を示す図（その３）である。
【図８】図８は、第１の実施形態に係るリードフレーム及び半導体装置の製造方法を示す図（その４）である。
【図９】図９は、第１の実施形態に係るリードフレーム及び半導体装置の製造方法を示す図（その５）である。
【図１０】図１０は、第１の実施形態に係るリードフレーム及び半導体装置の製造方法を示す図（その６）である。
【図１１】図１１は、第２の実施形態に係る半導体装置のリードフレームのインナーリード先端部分を拡大して示す図である。
【図１２】図１２（ａ）は図１１のＶ−Ｖ線による断面図、図１２（ｂ）は図１１のVI−VI線による断面図、図１２（ｃ）は図１１のVII−VII線による断面図、図１２（ｄ）は図１１のVIII−VIII線による断面図である。
【図１３】図１３は、第２の実施形態のリードフレーム製造時のマスク形状の例を示す断面図である。
【図１４】図１４は、第３の実施形態に係る半導体装置のリードフレームのインナーリード先端部分を拡大して示す図である。
【図１５】図１５（ａ）は図１４のIX−IX線による断面図、図１５（ｂ）は図１４のＸ−Ｘ線による断面図、図１５（ｃ）は図１４のXI−XI線による断面図、図１５（ｄ）は図１４のXII−XII線による断面図である。
【図１６】図１６は、インナーリード先端部に金属めっきを施す際のマスク開口部の位置を示す模式図である。
【図１７】図１７は、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法において、ワイヤー接続部の前後の部分に付着しためっき膜を剥離する工程を示す断面図である。
【図１８】図１８は、その他の実施形態のリードフレームの一部を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１は第１の実施形態に係る半導体装置の一例を示す一部破断図、図２は同じくその半導体装置の断面図である。また、図３は接続端子のインナーリード先端部分を拡大して示す図、図４（ａ）は図３のＩ−Ｉ線による断面図、図４（ｂ）は図３のII−II線による断面図、図４（ｃ）は図３のIII−III線による断面図、図４（ｄ）は図３のIV−IV線による断面図である。
【００１３】
リードフレーム１０は銅合金等からなる金属薄板により形成されており、ダイステージ１１と接続端子１２とを有する。半導体素子（半導体チップ）２０はダイステージ１１上にＡｇ（銀）ペースト等の導電性接着剤（ダイボンド）により接合されている。ダイステージ１１の周囲には、図１に示すように、多数の接続端子１２（インナーリード１２ａ）が放射状に配置されている。
【００１４】
半導体素子２０に設けられた電極パッド（図示せず）と接続端子１２との間は、ワイヤーボンディングされた金属細線（ワイヤー）１５により電気的に接続されている。そして、半導体素子２０、ダイステージ１１、金属細線１５及びインナーリード１２ａは封止樹脂１６により封止され、アウターリード１２ｂが封止樹脂１６の外に導出している。アウターリード１２ｂはクランク状に屈曲されており、その先端部がプリント配線基板等にはんだ付けされる。
【００１５】
以下、本実施形態のリードフレームについて、より詳細に説明する。
【００１６】
接続端子１２（インナーリード１２ａ）のダイステージ１１側先端部には、図３に示すようにワイヤー接続部１３が設けられており、このワイヤー接続部１３に金属細線１５を接続するようになっている。ワイヤー接続部１３は、その前後（接続端子１２の長手方向の前後：図３中に網掛けで示す）の部分よりも幅広に形成されており、その表面にはＡｇめっきが施されている。
【００１７】
本実施形態では、隣り合う接続端子１２のワイヤー接続部１３が、接続端子１２の長手方向にずれて配置されている。すなわち、ワイヤー接続部１３は、いわゆる千鳥配列となっている。これにより、ワイヤーボンディングに必要な幅を確保しつつ、半導体装置の多ピン化に対応することができる。
【００１８】
また、本実施形態では、図４（ａ）〜（ｄ）の断面図に示すように接続端子１２のうち、隣りの接続端子１２のワイヤー接続部１３に並行する部分の幅が狭く、且つ厚みが薄くなっている。以下、接続端子１２のうち、隣りの接続端子１２のワイヤー接続部１３に並行する狭幅の部分を、狭幅部１３ａという。
【００１９】
本実施形態に係るリードフレームでは、接続端子１２の先端部が狭ピッチに配列される。接続端子１２のうち隣りの接続端子１２のワイヤー接続部１３に並行する部分（狭幅部１３ａ）の幅がワイヤー接続部１３の幅と同じ又はそれよりも太い場合は、接続端子１２を狭ピッチで配列させることができない。また、狭幅部１３ａの厚みがワイヤー接続部１３の厚みと同じであるとすると、リードフレーム形成時のエッチング条件のばらつきによって隣り合う接続端子１２間に短絡が発生することがある。
【００２０】
そのため、本実施形態では、上述したように、接続端子１２のうち、隣りの接続端子１２のワイヤー接続部１３に並行する部分（狭幅部１３ａ）の幅を狭く、且つ厚みを薄くしている。
【００２１】
更に、本実施形態では、各接続端子１２の先端部（ワイヤー接続部１３及びその近傍）の裏面側が固定テープ１４に接合されている。接続端子１２の先端側は極めて狭幅に形成されているため、製造工程中にわずかな応力が加えられるだけで容易に変形又は破損してしまう。しかし、本実施形態のように接続端子１２の先端部の下面側に固定テープ１４を貼り付けて各接続端子１２の先端部を一括して固定することにより、接続端子１２の先端部が保護され、接続端子１２の先端部の変形や破損が回避される。固定テープ１４としては、例えば片面に接着剤層を有するポリイミドフィルム又はその他の絶縁樹脂フィルムを使用することができる。
【００２２】
以下、図５〜図１０を参照して、本実施形態に係るリードフレーム及び半導体装置の製造方法について説明する。なお、図５（ａ）〜（ｄ）は図３のＩ−Ｉ線に対応する位置における断面を示している。また、図６はエッチング工程を示す模式図である。更に、図７はリードフレームの模式平面図であり、図８は図７の接続端子１２（インナーリード１２ａ）のダイステージ１１側先端部分を拡大して示す図、図９はワイヤーボンディング工程を示す模式図、図１０はワイヤボンディング装置のヒートコマを示す平面図である。
【００２３】
まず、図５（ａ）に示すように、リードフレームとなる金属薄板３１を用意する。この金属薄板３１は例えば銅に微量のＺｎ（亜鉛）、Ｐ（リン）又はＣｒ（クロム）等を添加した銅合金からなる。ここでは、金属薄板３１の厚みは０．１２５ｍｍとする。
【００２４】
次に、図５（ｂ）に示すように、金属薄板３１の両面に、フォトレジストを使用してそれぞれ所定のパターンのマスク（エッチングマスク）３２を形成する。但し、接続端子１２のうちワイヤー接続部１３の前後の部分（狭幅部１３ａ及び後述の補助バー２４となる部分）の上面側には、狭幅のマスク３２を形成する。なお、狭幅部１３ａ及び補助バー２４の上のマスク３２は必須ではなく、金属薄板３１の厚さ、ワイヤー接続部１３及び狭幅部１３ａの幅並びにエッチング条件等によっては、狭幅部１３ａ及び補助バー２４の上にマスクを形成しなくてもよいこともある。
【００２５】
その後、このマスク３２が付着した金属薄板３１をエッチング液に浸漬する。これにより、図６に破線で示すように金属薄板３１の両方の面側からエッチングが進行し、図７に示すような形状にパターニングされたリードフレーム３１ａが得られる。
【００２６】
このリードフレーム３１ａでは、ダイステージ１１の四隅の部分がサポートバー２２によりリードフレーム３１ａの枠部に接続されている。また、各接続端子１２は、アウターリード１２ｂの部分でタイバー２３により相互に接続されている。更に、図８に示すように、接続端子１２（インナーリード１２ａ）の先端部は、狭幅部１３ａの延長上に形成された補助バー２４を介して共通接続部２５に接続されている。本実施形態において、共通接続部２５はダイステージ１１の４つの辺にそれぞれ対応する位置に設けられており、接続端子１２の先端部はこれら４つの共通接続部２５のいずれかに接続されている。
【００２７】
このエッチング工程において、狭幅部１３ａ及び補助バー２４となる部分では上面側からのみエッチングが進行するため、図５（ｃ）に示すように、狭幅部１３ａ及び補助バー２４の厚みはその他の部分の厚みよりも薄くなる。エッチング終了後、図５（ｄ）に示すようにマスク３２を除去する。
【００２８】
なお、リードフレーム３１ａには、その長手方向に図７に示すパターンが一定のピッチで複数形成される。また、上述の例では１回のエッチング工程で金属薄膜３１のパターニングと狭幅部１３ａ及び補助バー２４の薄肉化とを行っているが、金属薄膜３１のパターニングと狭幅部１３ａ及び補助バー２４の薄肉化とを別の工程で行ってもよい。その場合、狭幅部１３ａ及び補助バー２４の厚みを任意に設定することができる。
【００２９】
次に、ワイヤー接続部１３にＡｇめっきを施した後、接続端子１２のダイステージ１１側先端部の下面側に固定テープ１４を貼り付ける（図３参照）。その後、補助バー２４の部分を切断して共通接続部２５を除去する。なお、本実施形態ではワイヤー接続部１３にＡｇをめっきしているが、ワイヤー接続部１３にＡｕ（金）又はその他の金属をめっきしてもよい。
【００３０】
次に、プレス機によりサポートバー２２を屈曲させて、ダイステージ１１と接続端子１２との間に段差を設ける（図２参照）。その後、Ａｇペースト等の導電性接着剤により、ダイステージ１１上に半導体素子２０を接合する。そして、半導体素子２０の電極パッドと接続端子１２のワイヤー接続部１３との間に金属細線１５をワイヤーボンディングし、半導体素子２０と接続端子１２とを電気的に接続する。
【００３１】
ワイヤーボンディング工程では、図９に示すように、半導体素子２０が搭載されたリードフレーム３１ａをワイヤーボンディング装置のヒートコマ３５上に載置する。本実施形態で使用するヒートコマ３５にはダイステージ１１に対応する位置に凹部３５ａが設けられており、接続端子１２の先端部に対応する位置には、図９，図１０に示すように真空ポンプに接続される孔３５ｂが設けられている。また、ヒートコマ３５にはヒータ（図示せず）が設けられており、リードフレーム３１ａを所定の温度に加熱することができる。
【００３２】
そして、このヒートコマ３５によりダイステージ１１及びワイヤー接続部１３を例えば２００℃に加熱しながら、金属細線をワイヤーボンディングする。このとき、孔３５ｂを介して固定テープ１４を真空吸着し、ヒートコマ３５にインナーリード１２ａ（接続端子１２）の先端部分を固定する。これにより、ワイヤーボンディング時にワイヤー接続部１３の位置がずれることなく、ワイヤー接続部１３に金属細線を確実にボンディングすることができる。
【００３３】
次に、トランスファー成型装置により半導体素子２０を樹脂封止して半導体パッケージとした後、リードフレーム３１ａの枠から半導体パッケージを切り離す。そして、パッケージの外に導出したアウターリード１２ｂにスズ、又はスズ−ビスマス合金（鉛フリーはんだ）等をめっきした後、アウターリード１２ｂを所定の形状に曲げ加工するとともにタイバー２３を切断する。このようにして、本実施形態に係る半導体装置が完成する。なお、図１では、リードフレーム３１ａのうち半導体パッケージに使用された部分をリードフレーム１０として示している。
【００３４】
前述したように、本実施形態において使用するリードフレームは、図３，図４に示すように、接続端子１２の先端部分にその前後の部分よりも幅広のワイヤー接続部１３を形成し、それらのワイヤー接続部１３を千鳥状に配置している。これにより、狭い領域に多数のワイヤー接続部１３を配置することが可能になり、半導体装置の多ピン化に対応することができる。
【００３５】
また、本実施形態において使用するリードフレームは、接続端子１２のうち隣接するワイヤー接続部１３に並行する部分（狭幅部１３ａ）の幅を狭く、且つ厚みを薄くしている。これにより、金属薄板３１をエッチングするときのエッチング条件のばらつきに起因する接続端子１２間の短絡発生を防止することができ、歩留まりが向上するという効果を奏する。
【００３６】
更に、本実施形態において使用するリードフレームは、接続端子１２の先端部裏面側に固定テープ１４を貼り付けているので、接続端子１２の先端部の変形や破損を回避できるという効果もある。
【００３７】
なお、本実施形態ではフォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて金属薄板３１をパターニングしリードフレーム３１ａを形成する場合について説明した。しかし、プレス装置（打ち抜き装置）を使用して金属薄板３１をパターニングしリードフレーム３１ａを形成してもよい。
【００３８】
（第２の実施形態）
図１１は、第２の実施形態に係る半導体装置のリードフレームのインナーリード先端部分を拡大して示す図である。また、図１２（ａ）は図１１のＶ−Ｖ線による断面図、図１２（ｂ）は図１１のVI−VI線による断面図、図１２（ｃ）は図１１のVII−VII線による断面図、図１２（ｄ）は図１１のVIII−VIII線による断面図である。本実施形態が第１の実施形態と異なる点はインナーリードの先端部分の形状が異なることにあり、その他の構造は基本的に第１の実施形態と同様であるので、ここでは重複する部分の説明を省略する。
【００３９】
第１の実施形態では、図３，図４に示すように、ワイヤー接続部１３のうちダイステージ１１に近い側に配置されるワイヤー接続部１３では薄肉の狭幅部１３ａを介してインナーリード１２ａの本体部分と接続されている。このため、狭幅部１３ａによる抵抗が大きくなることが考えられる。
【００４０】
これに対し本実施形態では、図１１，図１２に示すように、ダイステージ１１に近い側のワイヤー接続部１３とインナーリード１２ａの本体部分との間を接続する狭幅部１３ｂの幅方向中央に凸部を設けている。つまり、金属薄板３１をエッチングしてリードフレーム３１ａとする際に、図１３（ａ）に示すように狭幅部１３ｂとなる部分の上に下面側のマスク３２よりも若干狭幅のマスク３２ａを形成する。そして、エッチング終了後も、図１３（ｂ）に示すようにマスク３２ａの下に金属が残るようにする。
【００４１】
このように凸部を設けることにより狭幅部１３ｂの厚みはワイヤー接続部１３及びインナーリード１２ａの本体部分と同じ厚みとなり、狭幅部１３ｂの断面積は狭幅部１３ａの断面積よりも大きくなる。これにより、狭幅部１３ｂの抵抗値が減少し、電気的特性が向上する。
【００４２】
（第３の実施形態）
図１４は、第３の実施形態に係る半導体装置のリードフレームのインナーリード先端部分を拡大して示す図である。また、図１５（ａ）は図１４のIX−IX線による断面図、図１５（ｂ）は図１４のＸ−Ｘ線による断面図、図１５（ｃ）は図１３のXI−XI線による断面図、図１５（ｄ）は図１４のXII−XII線による断面図である。本実施形態が第１の実施形態と異なる点はインナーリードの先端部分の形状が異なることにあり、その他の構造は基本的に第１の実施形態と同様であるので、ここでは重複する部分の説明を省略する。
【００４３】
第１の実施形態では、ワイヤーボンディングによる金属細線とワイヤー接続部１３との接合性を良好なものとするために、ワイヤー接続部１３の上にＡｇ等の金属をめっきしている。この場合、めっきマスクによりめっきする部分以外を覆う。しかし、ワイヤー接続部１３の上のみに金属めっきを施すことは困難であり、ワイヤー接続部１３の前後の部分（狭幅部１３ａ及びインナーリード１２ａの本体部分）にもめっき膜が付着する。図１６はめっきマスクの開口部の位置を示す図であり、この図中の一点鎖線で囲まれた領域内のリードフレーム３１ａ上に金属めっき膜が付着する。しかし、この金属めっき膜と封止樹脂との間の密着性が十分でないことがあるため、ワイヤー接続部１３以外の部分の金属めっき膜を除去することが好ましい。
【００４４】
本実施形態では、図１４，図１５に示すように、ワイヤー接続部１３又は狭幅部１３ａとインナーリード１２ａの本体部分との間に、ワイヤー接続部１３及びインナーリード１２ａの本体部分よりも薄肉の薄肉部１３ｃを設けている。そして、ワイヤー接続部１３及びその前後の部分（狭幅部１３ａ及び薄肉部１３ｃ）にＡｇ等の金属をめっきしてめっき膜を形成した後、例えば図１７に示すように硬質のシリコンゴム板４１でリードフレーム３１ａのワイヤー接続部１３側にマスクをしてめっき剥離液に浸漬する。これにより、ワイヤー接続部１３以外の部分（狭幅部１３ａ及び薄肉部１３ｃ）に付着しためっき膜を剥離することができ、リードフレームと封止樹脂との密着性が向上する。
【００４５】
（その他の実施形態）
第１〜第３の実施形態ではいずれもワイヤー接続部１３とインナーリード１２ａの本体部分との接続部の幅を狭くしている。しかし、図１８に示すように、インナーリード１２ａのうちダイステージ１１から遠い側に配置されるワイヤー接続部１３とインナーリード１２の本体部分とを接続する接続部の幅を狭くしなくてもよい。
【００４６】
以上の諸実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００４７】
（付記１）半導体素子が搭載されるダイステージと、
前記ダイステージの周囲に放射状に配置された複数の接続端子と、
前記複数の接続端子の前記ダイステージ側の先端部分にそれぞれ設けられて前記半導体素子の電極パッドとの間に金属細線が接続されるワイヤー接続部と、
前記ワイヤー接続部の裏面側に貼り付けられて複数の前記ワイヤー接続部を一括して固定する固定テープとを有し、
隣り合うワイヤー接続部は前記接続端子の長手方向にずれて配置され、前記接続端子のうち隣りの接続端子の前記ワイヤー接続部に並行する部分は前記ワイヤー接続部よりも狭幅且つ厚みが薄く形成されていることを特徴とするリードフレーム。
【００４８】
（付記２）前記接続端子のうちインナーリード付け根側に位置する前記ワイヤー接続部よりも狭幅に形成された部分の表面側の幅が、裏面側の幅よりも狭いことを特徴とする付記１に記載のリードフレーム。
【００４９】
（付記３）前記ワイヤー接続部の表面には金属めっきが施されていることを特徴とする付記１又は２に記載のリードフレーム。
【００５０】
（付記４）前記ダイステージ、前記接続端子、前記ワイヤー接続部が銅合金により形成されていることを特徴とする付記１に記載のリードフレーム。
【００５１】
（付記５）リードフレームと、
前記リードフレーム上に配置された半導体素子と、
前記リードフレームと前記半導体装置との間を電気的に接続する金属細線と、
前記半導体素子及び前記金属細線を封止する封止樹脂とを有し、
前記リードフレームが、
前記半導体素子が搭載されるダイステージと、
前記ダイステージの周囲に放射状に配置され、一部分が前記封止樹脂の外に導出する複数の接続端子と、
前記複数の接続端子の前記ダイステージ側の先端部分にそれぞれ設けられて前記半導体素子の電極パッドとの間に前記金属細線が接続されるワイヤー接続部と、
前記ワイヤー接続部の裏面側に貼り付けられて複数の前記ワイヤー接続部を一括して固定する固定テープとを有し、
隣り合うワイヤー接続部は前記接続端子の長手方向にずれて配置され、前記接続端子のうち隣りの接続端子の前記ワイヤー接続部に並行する部分は前記ワイヤー接続部よりも狭幅且つ厚みが薄く形成されていることを特徴とする半導体装置。
【００５２】
（付記６）金属板の両面にエッチングマスクを形成し、この金属板を両方の面側からエッチングしてリードフレームを形成する工程と、
前記リードフレーム上に半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子と前記リードフレームとの間を金属細線により電気的に接続する工程と、
前記半導体素子を樹脂封止する工程とを有し、
前記リードフレームが、
前記半導体素子が搭載されるダイステージと、
前記ダイステージの周囲に放射状に配置され、一部分が前記封止樹脂の外に導出する複数の接続端子と、
前記複数の接続端子の前記ダイステージ側の先端部分にそれぞれ設けられて前記半導体素子の電極パッドとの間に前記金属細線が接続されるワイヤー接続部と、
前記ワイヤー接続部の裏面側に貼り付けられて複数の前記ワイヤー接続部を一括して固定する固定テープとを有し、
隣り合うワイヤー接続部は前記接続端子の長手方向にずれて配置され、前記接続端子のうち隣りの接続端子の前記ワイヤー接続部に並行する部分は前記ワイヤー接続部よりも狭幅且つ厚みが薄く形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００５３】
（付記７）前記半導体素子と前記リードフレームとの間を金属細線に接続する工程では、前記固定テープの部分を真空吸着してワイヤーボンディング装置のヒートコマ上に固定することを特徴とする付記６に記載の半導体装置の製造方法。
【００５４】
（付記８）更に、前記リードフレームの前記ワイヤー接続部及びその近傍に金属膜をめっきする工程と、
前記リードフレームのワイヤー接続部にマスクをしてめっき剥離液に浸漬し、前記ワイヤー接続部以外の部分に付着しためっき膜を除去する工程と
を有することを特徴とする付記６に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００５５】
１０…リードフレーム、１１…ダイステージ、１２…接続端子、１２ａ…インナーリード、１２ｂ…アウターリード、１３…ワイヤー接続部、１３ａ，１３ｂ…狭幅部、１３ｃ…薄肉部、１４…固定テープ、１５…金属細線、１６…封止樹脂、２０…半導体素子、２２…サポートバー、２３…タイバー、２４…補助バー、２５…共通接続部、３１…金属薄板、３１ａ…リードフレーム、３２，３２ａ…マスク、３５…ヒートコマ、４１…シリコンゴム板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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