(57)【要約】【課題】従来の半導体装置では、パッケージの平面サイズを縮小し、実装強度を向上させ難いという問題があった。【解決手段】本発明の半導体装置では、アイランド７上に半導体素子１０が固着され、アイランド７はリード４よりも樹脂パッケージ２の表面５側に配置される。そして、リード４の一部は、アイランド７や半導体素子１０の下方に交差するように配置され、樹脂パッケージ２の裏面３側から露出する。この構造により、露出したリード４は、実装領域として用いられ、樹脂パッケージ２の平面サイズは縮小され、実装強度が向上される。【選択図】図１
2011151296.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイランドと、少なくとも前記アイランドの周囲に配置された複数のリードと、前記アイランド上に接着材を介して固着された半導体素子と、前記半導体素子と前記リードとを電気的に接続する金属細線と、前記アイランド、前記リード、前記金属細線及び前記半導体素子を被覆する樹脂パッケージとを有する半導体装置において、
前記樹脂パッケージの裏面から露出する前記リードが、実装領域として用いられ、少なくとも前記実装領域として用いられるリードの一部は、前記リードよりも前記樹脂パッケージの表面側に配置されるアイランドまたは前記半導体素子と交差するように、前記アイランドまたは前記半導体素子の下方まで配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記金属細線は、前記半導体素子よりも前記樹脂パッケージの側面側に位置する前記リード上に接続されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子または前記アイランドよりも前記樹脂パッケージの側面側に位置する前記リードの幅は、前記半導体素子または前記アイランド下方に位置する前記リードの幅よりも狭いことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂パッケージは、前記表面、前記裏面及び前記表面と前記裏面との間に位置する４つの前記側面の６面体から成り、前記リードは、前記４つの側面から露出し、前記リードの露出面はそれぞれ前記４つの側面と同一面を形成することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記アイランドから連続して延在する吊りリードとを有し、前記吊りリードは前記樹脂パッケージの表面側へと折り曲げ加工されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記アイランドと前記吊りリードとは  同一のフレームから成り、前記リードは前記アイランドとは異なるフレームから成ることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体素子が固着される前記アイランド表面には、前記接着材の流れ防止用の溝が配置されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項８】
一方向に複数の素子搭載部が配置され、前記素子搭載部ではアイランドが押し上げられ、前記アイランドの下方に少なくともリードの一部が交差するように配置され、前記アイランド上には半導体素子が電気的に固着されたリードフレームを用意し、
前記一方向に配置された複数の素子搭載部を一括して樹脂封止した後、前記素子搭載部ごとに前記封止樹脂及びリードフレームを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードの実装領域を確保しつつ、パッケージサイズの小型化を実現する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の実施例として、下記の構造が知られている。
【０００３】
図５に示す如く、半導体装置５１では、例えば、リードフレームのアイランド５２の周囲にインナーリード５４が配置される。アイランド５２上に固着された半導体素子５３とインナーリード５４とは金属細線５５により電気的に接続される。そして、前述したアイランド５２等は樹脂封止体５６内に被覆され、アウターリード５７が樹脂封止体５６の側面から外部へと突出する。図示したように、インナーリード５４の先端部分（ワイヤーボンディング部分）５４ａは、半導体素子５３の表面側へとディプレス加工される。一方、インナーリード５４のその他の部分５４ｂ及びアイランド５２は、一点鎖線にて示す基準面に位置する。尚、アイランド５２、インナーリード５４及びアウターリード５７は、１枚のリードフレームから構成される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、図６（Ａ）に示す如く、半導体装置６１は、例えば、ＭＡＰ（Ｍａｔｒｉｘ  Ａｒｒａｙ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ  ｍｅｔｏｄ）方式により形成され、半導体装置６１の樹脂パッケージ６２の側面６４は切断面となる。そして、樹脂パッケージ６２の側面６４からはリード６３が露出し、リード６３はその側面６４と、実質、同一面を形成する。
【０００５】
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示すＣ−Ｃ線方向の断面図である。アイランド６５上には、例えば、Ａｇペースト、半田等の接着材６６により半導体素子６７が固着される。半導体素子６７の電極パッド（図示せず）とリード６３とは、金属細線６８により電気的に接続される。そして、アイランド６５は、必要によりその裏面側からエッチングされ、樹脂パッケージ６２内に被覆される。一方、リード６３は、アイランド６５の周囲に配置され、樹脂パッケージ６２の裏面６９から露出する。そして、樹脂パッケージ６２から露出するリード６３は、半導体装置６１の実装領域として用いられる（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１４７７４５号公報（第５−７頁、第１図）
【特許文献２】特開２００８−１５３７１０号公報（第５−６頁、第１図、第３図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図５に示す半導体装置５１では、アイランド５２の平面サイズが、半導体素子５３の平面サイズよりも小さく、アイランド５２面積の縮小化が図られる。更に、インナーリード５４の先端部分５４ａは、半導体素子５３の表面側へとディプレス加工され、半導体素子５３とインナーリード５４の離間距離が狭まる。この構造により、金属細線５５のワイヤーボンディング領域を狭め、樹脂封止体５６の平面サイズの縮小化が図られる。
【０００８】
しかしながら、アウターリード５７が樹脂封止体５６の側面から外部へと突出する構造では、アウターリード５７が実装領域として用いられ、半導体装置５１自体の縮小化が実現し難いという問題がある。また、アイランド５２の平面サイズよりも半導体素子５３の平面サイズが大きい構造では、接着材５９による固着領域が狭く、半導体素子５３が安定して固着され難いという問題がある。例えば、ワイヤーボンディング時の衝撃により、接着材５９にクッラクが入る等により、半導体素子５３がアイランド５２上から剥離し易いという問題もある。また、接着材５９がアイランド５２上から垂れ流れ易く、垂れ流れた接着材５９により、アイランド５２とインナーリード５４とがショートする場合もある。
【０００９】
次に、図６に示す半導体装置６１は、ＭＡＰ方式とすることで、樹脂パッケージ６２の側面６４から突出するアウターリードを無くし、その裏面６９から露出するリード６３が実装領域として用いられる。この構造により、半導体装置６１自体の縮小化は実現される。その一方、半導体装置６１の実装強度の劣化を防止するため、前述したリード６３の露出面積が一定面積以上確保される必要がある。更に言うと、その実装強度が向上するためには、リード６３の露出面積が増大する必要がある。
【００１０】
しかしながら、リード６３が、アイランド６５の周囲に離間距離Ｗ９を有して配置される構造では、前述したリード６３の露出面積を確保するため、樹脂パッケージ６２の平面サイズが縮小され難いという問題がある。また、一点鎖線にて示すように、リード６３がアイランド６５と同一基準面に位置するため、リード６３は、半導体素子６７よりも更にその外周に配置される。そのため、半導体素子６７の平面サイズが大きくなることで、樹脂パッケージ６２の平面サイズも同様に大きくなるという問題がある。つまり、半導体素子６７の平面サイズが大きくなった場合、リード６３の露出面積により実装強度を維持するため、樹脂パッケージ６２の平面サイズが増大するという問題がある。
【００１１】
最後に、アイランド６６とリード６３との離間距離Ｗ９を狭めることで、樹脂パッケージ６２の平面サイズの縮小が実現される。しかしながら、この場合、離間距離Ｗ９を狭め過ぎることで、アイランド６６とリード６３とがショートしたり、耐圧が低下したりする新たな問題が発生する。また、昨今の微細化の流れにより、既に離間距離Ｗ９自体が最も狭い幅で設計されており、離間距離Ｗ９を狭めることでは樹脂パッケージ６２の小型化が図り難いという問題もある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前述した各事情に鑑みて成されたものであり、本発明の半導体装置では、アイランドと、少なくとも前記アイランドの周囲に配置された複数のリードと、前記アイランド上に接着材を介して固着された半導体素子と、前記半導体素子と前記リードとを電気的に接続する金属細線と、前記アイランド、前記リード、前記金属細線及び前記半導体素子を被覆する樹脂パッケージとを有する半導体装置において、前記樹脂パッケージの裏面から露出する前記リードが、実装領域として用いられ、少なくとも前記実装領域として用いられるリードの一部は、前記リードよりも前記樹脂パッケージの表面側に配置されるアイランドまたは前記半導体素子と交差するように、前記アイランドまたは前記半導体素子の下方まで配置されることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、一方向に複数の素子搭載部が配置され、前記素子搭載部ではアイランドが押し上げられ、前記アイランドの下方に少なくともリードの一部が交差するように配置され、前記アイランド上には半導体素子が電気的に固着されたリードフレームを用意し、前記一方向に配置された複数の素子搭載部を一括して樹脂封止した後、前記素子搭載部ごとに前記封止樹脂及びリードフレームを切断することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、リードの一部が、アイランドまたは半導体素子の下方まで配置されることで、樹脂パッケージの平面サイズが縮小されつつ、実装強度が向上される。
【００１５】
また、本発明では、金属細線の接続領域となるリード幅を狭めることで、樹脂パッケージの平面サイズが縮小される。
【００１６】
また、本発明では、アイランドまたは半導体素子下方に配置されるリードが、樹脂パッケージ裏面から露出することで、実装領域が増大される。
【００１７】
また、本発明では、ＭＡＰ方式やＱＦＮ方式において、リードの露出領域を増大させることで、実装強度が向上される。
【００１８】
また、本発明では、吊りリードを利用し、フレームの立体構造を実現することで、リード面積が増大し、リードの実装領域も増大される。
【００１９】
また、本発明では、複数枚のフレームを貼り合わせることで、フレームの立体構造が容易に実現される。
【００２０】
また、本発明では、半導体素子が固着されるアイランドの実装面側に溝が配置されることで、接着材の流れ防止が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置およびその製造方法を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図、（Ｃ）断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における半導体装置およびその製造方法を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）平面図、（Ｃ）断面図である。
【図３】本発明の実施の形態における半導体装置およびその製造方法を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における半導体装置およびその製造方法を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図、（Ｃ）断面図である。
【図５】従来の実施の形態における半導体装置を説明するための断面図である。
【図６】従来の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）斜視図、（Ｂ）断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下に、本発明の一実施の形態である半導体装置及びその製造方法について説明する。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す半導体装置のＡ−Ａ線方向の断面図である。図１（Ｃ）は、図１（Ａ）に示す半導体装置のＢ−Ｂ線方向の断面図である。図２（Ａ）及び（Ｂ）は、リードフレームを説明するための平面図である。図２（Ｃ）は、半導体素子が固着された状態を説明する断面図である。図３（Ａ）は、ワイヤーボンディングされた状態を説明する断面図である。図３（Ｂ）は、樹脂モールドされた状態を説明する断面図である。
【００２３】
先ず、図１（Ａ）に示す如く、半導体装置１は、例えば、ＭＡＰ方式から成り、樹脂パッケージ２の裏面３にはリード４が露出し、リード４は、樹脂パッケージ２の裏面３とほぼ同一面を形成する。リード４は、樹脂パッケージ２の裏面３の４側辺に沿って配置される。そして、点線６にて囲まれた領域は、樹脂パッケージ２内に配置されたアイランド７を示すが、リード４はアイランド７の下方まで配置される。また、樹脂パッケージ２の裏面３の４つのコーナー部には、吊りリード８の一部が露出し、リード４と同様に、樹脂パッケージ２の裏面３とほぼ同一面を形成する。尚、アイランド７は完全に樹脂パッケージ２内に配置され、樹脂パッケージ２の裏面３からは露出しない構造となる。
【００２４】
次に、図１（Ｂ）に示す如く、アイランド７上には、例えば、Ａｇペースト、半田等の接着材９により半導体素子１０が固着される。半導体素子１０上面には複数の電極パッド（図示せず）が形成され、電極パッドとリード４とは金属細線１１により接続される。金属細線１１としては、金線や銅線が用いられる。そして、リード４は、樹脂パッケージ２の側面１２側から中央領域側へと延在し、アイランド７と交差するように配置される。尚、本実施の形態では、リードフレームの複数の搭載部を一括して封止した後、ダイシングにより個片化するため、樹脂パッケージ２の側面１２からリード４が露出する。そして、露出するリード４は、樹脂パッケージ２の側面１２とほぼ同一面を形成する。また、樹脂パッケージ２は、その表面５、裏面３及び４つの側面１２から成る６面体として構成される。
【００２５】
次に、図１（Ｃ）に示す如く、吊りリード８はディプレス加工され、アイランド７はリード４上方の樹脂パッケージ２の中央領域に配置される。尚、吊りリード８は、丸印１３にて示す屈曲部にてディプレス加工されるため、吊りリード８の一部は、樹脂パッケージ２の裏面３や側面１２から露出する。
【００２６】
次に、実装強度が向上されつつ、樹脂パッケージ３の平面サイズが縮小される構造について説明する。尚、以下の説明では、図１（Ｂ）では紙面Ｘ軸方向の断面を示すが、紙面Ｙ軸方向においても同様な構造となる。
【００２７】
先ず、図１（Ｂ）に示す如く、リード４は幅Ｗ１を有し、その幅Ｗ１中の幅Ｗ２の領域は、アイランド７の下方に配置され、残りの幅Ｗ３の領域に金属細線１１がワイヤーボンディングされる。詳細は後述するが、狭い領域にワイヤーボンディングする方法を用いることで、リード４の幅Ｗ３の領域を狭めることができ、樹脂パッケージ２の平面サイズの縮小化が実現される。
【００２８】
その一方で、例えば、リード４の幅Ｗ３は、ワイヤーボンディング可能な最小幅とし、Ｗ２＞Ｗ３の関係を満たすようにリード４を設計することで、リード４の実装領域は増大し、リード４の実装強度が向上される。前述したように、吊りリード８をディプレス加工する際に、アイランド７とリード４との離間幅Ｗ４が、ショートし難い幅となるように調整される。また、例えば、アイランド７の外周端部の内側に接着材９の流れ防止用の溝１４が設けられる構造でも良く、接着材９によりアイランド７とリード４とがショートし難くなる。
【００２９】
点線にて示すように、アイランド７とリード４との離間幅Ｗ４の領域に、例えば、樹脂やレジストから成る絶縁性スペーサー２６が配置される場合でも良い。絶縁性スペーサー２６上に半導体素子１０が配置されることで、半導体素子１０の端部及びその近傍領域が固定され、固着後の半導体素子１０の安定性が向上される。また、アイランド７とリード４とが、絶縁性スペーサー２６により固定された状態にてトランスファーモールドが行われることで、トランスファーモールドの際に両者がショートすることもなく、アイランド７裏面側への樹脂の注入も効率良く行われる。
【００３０】
尚、半導体素子１０の外周端部が、アイランド７の外周端部よりも側面１２側に位置する場合には、幅Ｗ２は半導体素子１０の下方に配置される領域の幅であり、幅Ｗ３は半導体素子１０の外周端部よりも樹脂パッケージ２の側面１２側に位置する領域の幅となる。
【００３１】
次に、リード４とアイランド７との位置関係を前述した構造とすることで、アイランド７の幅Ｗ５は、樹脂パッケージ２の幅Ｗ６に対して近づくことが可能となる。具体的には、アイランド７の周囲にワイヤーボンディング領域として幅Ｗ３だけ確保されることで、アイランド７の平面サイズの増大が実現される。この構造により、アイランド７上に固着される半導体素子１０の平面サイズも増大できる。そして、半導体素子１０の平面サイズが増大しても、樹脂パッケージ２の平面サイズの縮小化が実現される。また、アイランド７上に半導体素子１０全体が固着されることで、半導体素子１０の固着状態が安定する。例えば、ワイヤーボンディングの際の衝撃に対しても、剥離等が発生し難く、耐久性を有する構造が実現される。
【００３２】
最後に、リード４の幅Ｗ３の領域にワイヤーボンディングを行う一実施例について図１（Ｂ）を用いて説明する。金属細線１１は、電極パッド上にボールボンディングされた後、キャピラリ（図示せず）が電極パッド上方（紙面Ｙ軸方向）へ移動した後水平方向（紙面Ｘ軸方向）へ移動することで、金属細線１１に丸印１５で示す屈曲部が形成される。そして、金属細線１１の屈曲部は、半導体素子１０の端部と金属細線１１とが接触しないように、電極パッド上面から一定の位置に形成される。その後、キャピラリがリード４上面へと移動し、金属細線１１がリード４上にステッチボンディングされる。このとき、金属細線１１に屈曲部が形成されることで、ステッチボンディングの際に、金属細線１１のボール部がリード４方向へと引っ張られる力が緩衝され、金属細線１１が電極パッドから剥離され難くなる。また、金属細線１１に屈曲部を形成することで、ステッチボンディングの際に、金属細線１１が半導体素子１０端部と接触し、切断されることが防止される。
【００３３】
次に、図２（Ａ）及び（Ｂ）に示す如く、リードフレーム１６、１７としては、一般には銅を主材料とするフレームが用いられるが、Ｆｅを主材料とするフレームの場合でも良い。また、リードフレーム１６、１７の厚みは、例えば、１００〜２５０μｍである。リードフレーム１６、１７には、それぞれ一点鎖線で示す搭載部１８、１９が複数形成される。そして、搭載部１８、１９毎に位置合わせし、リードフレーム１６、１７を貼り合わせ、フレームの立体構造が実現される。尚、図では、１つの搭載部１８、１９が示されているが、例えば、この搭載部１８、１９が４つ集まることで１つの集合ブロックが形成される。そして、この集合ブロック毎に一体に樹脂モールドされる。
【００３４】
図２（Ａ）に示すリードフレーム１６では、１つの搭載部１８内に複数のリード４が配置され、その複数のリード４はタイバー２０と連結し、リードフレーム１６へと支持される。そして、リードフレーム１６はディプレス加工されることなく、リード４とタイバー２０とは同一の平坦面を構成している。尚、タイバー２０の砂状で示すハッチング領域は、リードフレーム１７と貼り合わされる領域を示す。
【００３５】
図２（Ｂ）に示すリードフレーム１７では、１つの搭載部１９内にアイランド７と、アイランド７を支持する吊りリード８とが配置される。吊りリード８はアイランド７の４つのコーナー部から延在し、タイバー２１と連結し、アイランド７がリードフレーム１７に支持される。そして、リードフレーム１７はディプレス加工され、吊りリード８は上方へと折り曲げられ、アイランド７はタイバー２１表面に対して突出した状態となる。アイランド７とタイバー２１との間には、リード４が配置される空間が形成される。尚、タイバー２１の砂状で示すハッチング領域は、リードフレーム１６と貼り合わされる領域を示す。
【００３６】
図２（Ｃ）に示す如く、リードフレーム１６上にディプレス加工されたリードフレーム１７を貼り合わせる。このとき、リードフレーム１７の吊りリード８は、リードフレーム１６の４つのコーナー部に設けられた空間２２へと配置される。一方、図３（Ａ）に示す如く、リードフレーム１６のリード４は、リードフレーム１７の４側辺に沿って設けられた空間２３へと配置される。そして、リード４は、その空間２３を利用してアイランド７下方へ交差するように配置される。尚、リードフレーム１７はディプレス加工されることで、平面サイズが若干縮小する。そのため、リードフレーム１７の搭載部１９は、ディプレス加工された後に、リードフレーム１６の搭載部１８と、実質、同等となる大きさに設計される。
【００３７】
そして、貼り合わされたリードフレーム１６、１７のアイランド７上には接着材９を用いて半導体素子１０が固着される。このとき、ダイボンド装置の載置台（図示せず）上にリードフレーム１６、１７が配置される。載置台には、例えば、ディプレス加工されたフレーム形状に合わせた突出部が設けられ、その突出部上にアイランド７が安定して固定された状態にてダイボンド工程が行われる。
【００３８】
次に、図３（Ａ）に示す如く、ワイヤーボンディング装置の載置台（図示せず）上にリードフレーム１６、１７が配置され、半導体素子１０の電極パッド（図示せず）とリード４とが金属細線１１にて接続される。図１（Ｂ）を用いて前述したように、電極パッド上にボールボンディングを行い、金属細線１１に丸印１５にて示す屈曲部を形成した後、リード４上にステッチボンディングを行うことで、幅Ｗ３の狭い領域にてワイヤーボンディング工程が行われる。
【００３９】
次に、図３（Ｂ）に示す如く、リードフレーム１６、１７上の集合ブロック毎に樹脂モールドを行い、共通の樹脂パッケージ２４が形成される。例えば、共通の樹脂パッケージ２４内には、４つの搭載部が含まれる。そして、一点鎖線にて示すダイシングライン２５に沿って共通の樹脂パッケージ２４とリードフレーム１６とを同時にダイシングし、図１（Ａ）〜（Ｃ）に示す半導体装置１が形成される。ダイシング工程では、リードフレーム１６、１７が貼り合わせられていない領域をダイシングすることで、ダイシングブレードの負担が軽減され、長期間の使用が可能となる。
【００４０】
尚、本実施の形態では、アイランド７の平面サイズが、半導体素子１０の平面サイズよりも大きくなる場合について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、半導体素子１０の平面サイズが、アイランド７の平面サイズよりも大きくなる場合でも良い。この場合には、少なくともリードの一部が、半導体素子の下方に交差するように配置されることで、リードの実装領域が増大し、実装強度が向上される。更に、リードの一部が、アイランドの下方まで交差するように配置される場合には、リードの実装領域が更に増大し、実装強度の向上が実現される。
【００４１】
また、２枚のリードフレームを貼り合わせることで、前述したフレームの立体形状が実現される場合について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、１枚のリードフレームをディプレス加工することで、あるいは、３枚以上のリードフレームを貼り合わせることで前述したフレームの立体形状を形成する場合でも良い。つまり、完成した半導体装置としてアイランドの下方にリードが交差して配置される構造が実現されていれば任意の設計変更が可能である。
【００４２】
また、ＭＡＰ方式の半導体装置１について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）方式の半導体装置やＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）方式の半導体装置等においても、前述したアイランド７とリード４との位置関係のフレームの立体形状を採用することで、前述した同様な効果が得られる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００４３】
次に、本発明のその他の実施の形態である半導体装置及びその製造方法について説明する。図４（Ａ）は、リードフレームを説明するための平面図である。図４（Ｂ）は、ディプレス加工されたリードフレームを説明する断面図である。図４（Ｃ）は、半導体装置を説明するための断面図である。
【００４４】
図４（Ａ）に示す如く、リードフレーム３１の長手方向（紙面Ｘ軸方向）には、一点鎖線で示すように、複数の搭載部３２が形成される。そして、搭載部３２は、主に、複数のリード３４と、アイランド３５と、吊りリード３６とから構成される。複数のリード３４は、長手方向に延在するタイバー３７により連結され、その一端はアイランド３５近傍まで延在し、他端はリードフレーム３１の連結条体３８、３９と連結する。吊りリード３６は、アイランド３５の４つのコーナー部から延在し、連結条体３８、３９と連結し、アイランド３５がリードフレーム３１に支持される。尚、連結条体３８、３９の長手方向にはインデックス孔４０が設けられ、各工程での位置決めに用いられる。また、アイランド３５には、接着材４４の流れ防止用の溝３３が設けられる構造でも良い。
【００４５】
図４（Ｂ）に示す如く、１枚のリードフレーム３１をディプレス加工することで、丸印４１にて示すように、リード３４の一部はアイランド３５の下方へと配置される。具体的には、吊りリード３６が、リード３４表面に対して上方側へと折り曲げられ、連結条体３８、３９がリードフレーム３１の短手方向（紙面Ｙ軸方向）に寄せられることで、アイランド３５はリード３４表面に対して突出した状態となる。一方、連結条体３８、３９の移動に連動し、リード３４の一端側は、アイランド３５の下方の空間内へと入り込み、アイランド３５と交差した状態となる。尚、図４（Ｂ）は吊りリード３６の配置断面ではないが、前述したように、吊りリード３６は、リード３４表面に対して上方に折り曲げられる。
【００４６】
図４（Ｃ）に示す如く、半導体装置４２はＱＦＮ方式から成り、樹脂パッケージ４３の裏面から露出するリード３４が、主に、実装領域として用いられる。アイランド３５上には、例えば、Ａｇペースト、半田等の接着材４４により半導体素子４５が固着される。半導体素子４５上面には複数の電極パッド（図示せず）が形成され、電極パッドとリード３４とは金属細線４６により接続される。金属細線４６としては、金線や銅線が用いられる。
【００４７】
図１（Ｂ）を用いて前述したように、リード３４の幅Ｗ７の領域が、アイランド３５と交差して配置されることで、リード３４の実装領域を増大させ、実装強度が向上される。そして、金属細線４６に丸印４７にて示す屈曲部を形成することで、リード３４の幅Ｗ８の狭い領域に金属細線４６がワイヤーボンディングされ、樹脂パッケージ４３の平面サイズの縮小化が実現される。尚、金属細線４６のワイヤーボンディング方法は、前述した図１（Ｂ）の説明と同様である。
【００４８】
尚、本実施の形態では、図４（Ａ）に示すように、リードフレーム３１の個々の搭載部３２ごとに樹脂モールド（トランスファーモールド等）する場合について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、リードフレーム３１の長手方向（紙面Ｘ軸方向）に配置された複数の搭載部３２を一括して、あるいは、例えば、５個の搭載部３２等、複数の搭載部ごとに樹脂モールドする場合でも良い。この場合には、図３（Ｂ）に示すように、樹脂モールド後に、個々の搭載部ごとに共通の樹脂パッケージとリードフレームとを同時にダイシングし、個片化される。
【００４９】
また、図４（Ｃ）に点線にて示すように、アイランド３５とリード３４との離間領域に、例えば、樹脂やレジストから成る絶縁性スペーサー４８が配置される場合でも良い。尚、その説明は、前述した図１（Ｂ）の説明を参酌する。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１  半導体装置
２  樹脂パッケージ
４  リード
７  アイランド
８  吊りリード
【図１】
2011151296.tif 000003
【図２】
2011151296.tif 000004
【図３】
2011151296.tif 000005
【図４】
2011151296.tif 000006
【図５】
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【図６】
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