(57)【要約】【課題】コア用の配線導体においても高密度な微細配線を有する配線基板およびその製造方法を提供すること。【解決手段】上下に貫通するスルーホール３を有する絶縁板１と、絶縁板１のスルーホール３の内壁に披着されためっき導体から成るスルーホール導体４と、絶縁板１の上下面にスルーホール導体４と電気的に接続されるように被着されたスルーホールランド５Ａを含む第１導体層５と、スルーホール導体４が被着されたスルーホール３内に充填された孔埋め樹脂６と、絶縁板１の上下面における第１導体層５以外の部分を第一導体層５と同じ高さで覆う第１樹脂層７と、第１導体層５よび孔埋め樹脂６および１樹脂層７の表面にセミアディティブ法により形成された第２導体層８とを有する配線基板である。【選択図】図１
2011049447.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下に貫通するスルーホールを有する絶縁板と、該絶縁板の前記スルーホールの内壁に披着されためっき導体から成るスルーホール導体と、前記絶縁板の上下面に前記スルーホール導体と電気的に接続されるように被着されたスルーホールランドを含む第１導体層と、前記スルーホール導体が被着された前記スルーホール内に充填された孔埋め樹脂と、前記絶縁板の上下面における前記第１導体層以外の部分を該第１導体層と同じ高さで覆う第１樹脂層と、前記第１導体層および前記孔埋め樹脂および前記第１樹脂層の表面にセミアディティブ法により形成された第２導体層とを有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１導体層は、前記スルーホールランドに電気的に接続された接地用または電源用の導体層を含むことを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記孔埋め樹脂と前記第１樹脂層とは、同一の樹脂材料から形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
上下に貫通するスルーホールを有する絶縁板の前記スルーホールの内壁にめっき導体から成るスルーホール導体を形成するとともに前記絶縁板の上下面に前記スルーホール導体に電気的に接続されたスルーホールランドを含む第１導体層を形成する工程と、前記スルーホール導体が被着された前記スルーホール内を孔埋め樹脂で充填するとともに前記絶縁板の上下面における前記第１導体層以外の部分に該第１導体層と同じ高さの第１樹脂層を被着する工程と、前記第１導体層および前記孔埋め樹脂および前記第１樹脂層の表面にセミアディティブ法により第２導体層を形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１導体層に前記スルーホールランドに電気的に接続された接地用または電源用の導体層を前記スルーホールランドとともに形成することを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記孔埋め樹脂と前記第１樹脂層とを同じ樹脂材料により形成することを特徴とする請求項４または５に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子等の電子部品を搭載するための配線基板として、ビルドアップ法により形成された配線基板が知られている。図１５は、電子部品としての半導体素子を搭載するための従来の配線基板の一例を示す概略断面図である。
【０００３】
この図１５に示すように、従来の配線基板１００は、コア用の絶縁板１０１の上下面に複数のビルドアップ用の絶縁層１０２が積層されている。
【０００４】
コア用の絶縁板１０１の上面から下面にかけては複数のスルーホール１０３が形成されており、スルーホール１０３の内面には銅めっき層から成るスルーホール導体１０４が被着されている。また絶縁板１０１の上下面にはスルーホール導体１０４に接続された銅箔から成る第１導体層１０５が被着されている。さらに、スルーホール１０３の内部には埋め込み樹脂１０６が充填されており、この埋め込み樹脂１０６上および第１導体層１０５上に銅めっき層から成る第２導体層１０７が被着されている。そしてこれらのスルーホール導体１０４、第１導体層１０５および第２導体層１０７によりコア用の配線導体が形成されている。
【０００５】
また、ビルドアップ用の絶縁層１０２には、それぞれに複数のビアホール１０８が形成されており、各絶縁層１０２の表面およびビアホール１０８の内面には、銅めっき層から成るビルドアップ用の配線導体１０９が被着形成されている。そしてビルドアップ用の配線導体１０９はビアホール１０８を介してコア用の配線導体における第２導体層１０７上に接続している。さらに、このビルドアップ用の配線導体１０９のうち、配線基板１００の上面側における最外層の絶縁層１０２上に被着された一部は、電子部品Ｅの電極端子Ｔに導電バンプＢ１を介して電気的に接続される円形の電子部品接続パッド１１０を形成しており、これらの電子部品接続パッド１１０は格子状の並びに複数並んで形成されている。また、配線基板１２０の下面側における最外層の絶縁層１０２上に被着された一部は、外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続される円形の外部接続パッド１１１であり、この外部接続パッド１１１は格子状の並びに複数並んで形成されている。
【０００６】
さらに、最外層の絶縁層１０２およびその上の配線導体１０９上には、電子部品接続パッド１１０および外部接続パッド１１１を露出させるソルダーレジスト層１１２が被着されている。そして、電子部品接続パッド１１０の露出部に電子部品Ｅの電極端子Ｔが半田や金等から成る導電バンプＢ１を介して電気的に接続されるとともに外部接続パッド１１１の露出部に図示しない外部電気回路基板の配線導体が半田ボールＢ２を介して電気的に接続される。なお、ソルダーレジスト層１１２は、最外層の配線導体１０９を保護するとともに、電子部品接続パッド１１０や外部接続パッド１１１の露出部を画定する。
【０００７】
このような従来の配線基板１００の製造方法について図１６〜図２１を基にして説明する。まず、図１６（ａ）に示すように、ガラス−エポキシ樹脂等の電気絶縁材料から成る絶縁板１０１用の樹脂基板１０１Ｐの上下面に第１導体層１０５用の銅箔１０５Ｐが積層されて成る両面銅張り板１２０を準備する。樹脂基板１０１Ｐの厚みは例えば５０〜８００μｍ程度であり、銅箔１０５Ｐの厚みは例えば２〜１８μｍ程度である。
【０００８】
次に、図１６（ｂ）に示すように、両面銅張り板１２０の上面から下面にかけてスルーホール１０３をドリル加工やレーザ加工により形成し、スルーホール１０３を有するコア用の絶縁板１０１を得る。スルーホール１０３の直径は５０〜３００μｍ程度である。
【０００９】
次に、図１７（ｃ）に示すように、スルーホール１０３の内壁および銅箔１０５Ｐの表面の全面にわたり、無電解銅めっき層および電解銅めっき層を順次被着させて成るスルーホール導体１０４となる銅めっき層１０４Ｐを形成する。銅めっき層１０４Ｐを構成する無電解銅めっき層の厚みは０．１〜１．０μｍ程度であり、電解銅めっき層の厚みは５〜３０μｍ程度である。
【００１０】
次に、図１７（ｄ）に示すように、銅めっき層１０４Ｐが被着されたスルーホール１０３内に孔埋め樹脂１０６を充填する。
【００１１】
次に、図１８（ｅ）に示すように、孔埋め樹脂１０６の上下端および上下面の銅めっき層１０４Ｐを、絶縁板１０１の上下面に銅箔１０５Ｐの層が２〜８μｍ程度の厚みで残存するように研磨して平坦化する。このとき、スルーホール１０３内には銅めっき層から成るスルーホール導体１０４が銅箔１０５Ｐと電気的に接続された状態で残る。
【００１２】
次に、図１８（ｆ）に示すように、残存した銅箔１０５Ｐの層の表面およびスルーホール導体１０４の端面および孔埋め樹脂１０６の端面の全面にわたり無電解銅めっき層および電解銅めっき層を順次被着させて成る第２導体層１０７用の銅めっき層１０７Ｐを形成する。銅めっき層１０７Ｐを構成する無電解銅めっき層の厚みは０．１〜１．０μｍ程度であり、電解銅めっき層の厚みは１０〜３０μｍ程度である。
【００１３】
次に、図１９（ｇ）に示すように、銅めっき層１０７Ｐにおけるスルーホール１０３上およびその周囲に対応する領域を被覆するランド形成用のマスクパターンを含む所定パターンのエッチングレジスト層１２１を銅めっき層１０７Ｐの表面に被着形成する。
【００１４】
次に、図１９（ｈ）に示すように、エッチングレジスト層１２１から露出する銅めっき層１０７Ｐおよびその下の銅箔１０５Ｐの層をエッチング除去する。これによりエッチングレジスト層１２１に対応した形状の配線導体が形成される。
【００１５】
次に、図２０（ｉ）に示すように、第２導体層１０７上からエッチングレジスト層１２１を剥離除去する。これにより、スルーホール導体１０４、第１導体層１０５および第２導体層１０７から成るコア用の配線導体が形成される。
【００１６】
次に、図２１（ｊ）に示すように、コア用の配線導体が形成されたコア用の絶縁板１０１の上下面に絶縁層１０２用の樹脂層１０２Ｐを積層する。樹脂層１０２Ｐは、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂とシリカ等の無機絶縁フィラーを含有する樹脂系電気絶縁材料であり、２０〜５０μｍ程度の厚みである。
【００１７】
次に、図２１（ｋ）に示すように、樹脂層１０２Ｐにレーザ加工を施すことにより第２導体層１０７を底面とするビアホール１０８を穿孔して絶縁層１０２を形成する。
【００１８】
次に、図２１（ｌ）に示すように、ビアホール１０８内および絶縁層１０２の表面に第２導体層１０７に接続するビルドアップ用の配線導体１０９を形成する。ビルドアップ用の配線導体１０９は無電解めっき層および電解銅めっき層を順次被着させて成り、公知のセミアディティブ法を用いて形成する。
【００１９】
次に、図２１（ｍ）に示すように、次層の絶縁層１０２および配線導体１０９を必要に応じて所定層数形成し、最後に図２１（ｎ）に示すように、最表層の絶縁層１０２および配線導体１０９上にソルダーレジスト層１１２を被着形成して従来の配線基板１００が完成する。
【００２０】
ところで近時、電子部品Ｅは、その高集積化が急激に進み、これを搭載する配線基板にも高密度な微細配線が要求されるようになってきている。このような高密度な微細配線の要求に答えるために、電子部品Ｅが接続されるビルドアップ用の配線導体１０９のみならず、コア用の配線導体においてもその幅や間隔を３０μｍ以下の微細なものにする要求が高まっている。
【００２１】
ところが、上述の従来の配線基板１００においては、コア用の配線導体における絶縁板１０１上のパターンは、絶縁板１０１上に積層された厚みが２〜１８μｍ程度の銅箔１０５Ｐ上に厚みが１５〜３０μｍ程度の銅めっき層１０７Ｐを被着させた後、その上に形成したエッチングレジスト層１２１から露出する銅箔１０５Ｐおよび銅めっき層１０７Ｐを所定のパターンにエッチング除去するサブトラクティブ法により形成されることから、エッチングの際に、銅箔１０５Ｐおよび銅めっき層１０７Ｐがその厚みに応じて横方向にも極めて大きくエッチングされるので、絶縁板１０１の上下面に例えば幅や隣接間隔が３０μｍ以下の微細な配線パターンを含むコア用の配線導体を形成することは困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２２】
【特許文献１】特開平１１−２７４７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
本発明の課題は、半導体素子を搭載する配線基板において、ビルドアップ用の配線導体のみならず、コア用の配線導体においてもその幅や間隔を例えば３０μｍ以下とした高密度な微細配線を有する配線基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明の配線基板は、上下に貫通するスルーホールを有する絶縁板と、該絶縁板の前記スルーホールの内壁に披着されためっき導体から成るスルーホール導体と、前記絶縁板の上下面に前記スルーホール導体と電気的に接続されるように被着されたスルーホールランドを含む第１導体層と、前記スルーホール導体が被着された前記スルーホール内に充填された孔埋め樹脂と、前記絶縁板の上下面における前記第１導体層以外の部分を該第一導体層と同じ高さで覆う第１樹脂層と、前記第１導体層および前記孔埋め樹脂および前記第１樹脂層の表面にセミアディティブ法により形成された第２導体層とを有することを特徴とするものである。
【００２５】
また本発明の配線基板の製造方法は、上下に貫通するスルーホールを有する絶縁板の前記スルーホールの内壁にめっき導体から成るスルーホール導体を形成するとともに前記絶縁板の上下面に前記スルーホール導体に電気的に接続されたスルーホールランドを含む第１導体層を形成する工程と、前記スルーホール導体が被着された前記スルーホール内を孔埋め樹脂で充填するとともに前記絶縁板の上下面における前記第１導体層以外の部分に該第１導体層と同じ高さの第１樹脂層を被着する工程と、前記第１導体層および前記孔埋め樹脂および前記第１樹脂層の表面にセミアディティブ法により第２導体層を形成する工程とを有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の配線基板およびその製造方法によれば、絶縁板の上下面における第１導体層以外の部分を第１導体層と同じ高さの第１樹脂層で覆い、その第１樹脂層の表面に第２導体層をセミアディティブ法により形成したことから、このセミアディティブ法により形成された第２導体層によりコア用の微細な配線導体を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、本発明の配線基板における実施形態の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２（ａ），（ｂ）は、図１に示す配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図３】図３（ｃ），（ｄ）は、図１に示す配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図４】図４（ｅ），（ｆ）は、図１に示す配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図５】図５（ｇ），（ｈ）は、図１に示す配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図６】図６（ｉ），（ｊ）は、図１に示す配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図７】図７（ｋ），（ｌ）は、図１に示す配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図８】図８（ｍ），（ｎ）は、図１に示す配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図９】図９（ｏ）は、図１に示す配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図１０】図１０（ｐ）〜（ｔ）は、図１に示す配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の配線基板における実施形態の他の例を示す概略断面図である。
【図１２】図１２（ａ），（ｂ）は、本発明の配線基板の製造方法における他の例を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図１３】図１３（ｃ），（ｄ）は、本発明の配線基板の製造方法における他の例を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図１４】図１４（ｅ），（ｆ）は、本発明の配線基板の製造方法における他の例を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図１５】図１５は、従来の配線基板を示す概略断面図である。
【図１６】図１６（ａ），（ｂ）は、図１５に示す配線基板を製造する従来の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１７】図１７（ｃ），（ｄ）は、図１５に示す配線基板を製造する従来の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１８】図１８（ｅ），（ｆ）は、図１５に示す配線基板を製造する従来の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１９】図１９（ｇ），（ｈ）は、図１５に示す配線基板を製造する従来の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図２０】図２０（ｉ）は、図１５に示す配線基板を製造する従来の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図２１】図２１（ｊ）〜（ｎ）は、図１５に示す配線基板を製造する従来の製造方法を説明するための概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明にかかる配線基板およびその製造方法について図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明における配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図であり、電子部品としてのエリアアレイ型の半導体素子をフリップチップ接続により搭載した場合を示している。
【００２９】
図１に示すように、本例の配線基板２０は、コア用の絶縁板１の上下面に複数のビルドアップ用の絶縁層２が積層されている。
【００３０】
コア用の絶縁板１は、厚みが５０〜８００μｍ程度であり、例えばガラス繊維束を縦横に織ったガラスクロスにビスマレイミドトリアジン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。
【００３１】
コア用の絶縁板１の上面から下面にかけては直径が５０〜３００μｍの複数のスルーホール３が形成されており、スルーホール３の内面には銅めっき層から成るスルーホール導体４が被着されている。また絶縁板１の上下面にはスルーホール導体４に接続されたスルーホールランド５Ａを形成する第１導体層５が被着されている。なお第１導体層５は、スルーホール導体４と同じ銅めっき層により形成されており、スルーホール導体４と同時にセミアディティブ法により形成されている。スルーホールランド５Ａの直径はスルーホール３の直径よりも７０〜１５０μｍ程度大きいものとなっている。
【００３２】
さらに、スルーホール３の内部にはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る孔埋め樹脂６が充填されているとともに絶縁板１の上下面における第１導体層５以外の部分を第１導体層と同じ高さで覆うエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る第１樹脂層７が被着されている。なお、孔埋め樹脂６と第１樹脂層７とは同じ樹脂材料から形成されていると、後述するように、孔埋め樹脂６の充填と第１樹脂層７の被着を同時に行なうことができる。したがって、孔埋め樹脂６と第１樹脂層７とは同じ樹脂材料から形成することが好ましい。第１樹脂層７は、絶縁板１の上下面に後述する第２導体層８を微細なパターンで形成するための下地絶縁層として機能し、その表面に微細なパターンの第２導体層８を形成可能とするためにその表面の十点平均粗さＲｚが０．１〜５．０μｍとなっている。このような第１樹脂層７で絶縁板１の上下面の第１導体層５が形成されている以外の部分を覆うことにより、第１導体層５が形成されている部分以外の絶縁板１の上下面に第１樹脂層７を介して微細なパターンの第２導体層８が形成可能となっている。
【００３３】
そして、スルーホールランド５Ａおよび孔埋め樹脂６および第１樹脂層７の表面には、厚みが１５〜３０μｍ程度の銅めっき層から成る第２導体層８が後述するセミアディティブ法により幅や間隔が３０μｍ以下の微細なパターンを有するようにして形成されている。第２導体層８はセミアディティブ法により形成されているので、絶縁基板１の両面に幅や間隔が３０μｍ以下の微細なパターンを形成することができる。したがってコア用の配線導体における配線の幅や間隔を３０μｍ以下とした高密度な微細配線を有する配線基板を提供することができる。なお、この例では全てのスルーホールランド５Ａを覆うように第２導体層８が形成されているが、一部のスルーホールランド５Ａは第２導体層８で覆われずに存在しても構わない。
【００３４】
ビルドアップ用の絶縁層２は、厚みが２０〜５０μｍ程度であり、それぞれに直径が３５〜１００μｍ程度の複数のビアホール９が形成されており、各絶縁層２の表面およびビアホール９の内面には、ビルドアップ用の配線導体１０が被着形成されている。そしてビルドアップ用の配線導体１０は、ビアホール９の一部を介して第２導体層８に接続している。さらに、このビルドアップ用の配線導体１０のうち、配線基板２０の上面側における最外層の絶縁層２上に被着された一部は、電子部品Ｅの電極端子Ｔに導電バンプＢ１を介してフリップチップ接続により電気的に接続される円形の半導体素子接続パッド１１を形成しており、これらの電子部品接続パッド１１は格子状の並びに複数並んで形成されている。そして、これらの電子部品接続パッド１１はその外周部がソルダーレジスト層１２により覆われているとともに上面の中央部がソルダーレジスト層１２から露出しており、電子部品接続パッド１１の露出部に電子部品Ｅの電極端子Ｔが半田や金等から成る導電バンプＢ１を介して電気的に接続される。
【００３５】
他方、配線基板２０の下面側における最外層の絶縁層２上に被着された一部は、外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続される円形の外部接続パッド１３であり、この外部接続パッド１３は格子状の並びに複数並んで形成されている。この外部接続パッド１３はその外周部がソルダーレジスト層１２により覆われているとともに、その下面中央部がソルダーレジスト層１２から露出しており、外部接続パッド１３の露出部に、図示しない外部電気回路基板の配線導体が半田ボールＢ２を介して電気的に接続される。なお、ソルダーレジスト層１３は、最外層の配線導体１０を保護するとともに、電子部品接続パッド１１や外部接続パッド１３の露出部を画定する。
【００３６】
次に、上述した配線基板の一例を製造する製造方法について図２〜図１０を基にして説明する。まず、図２（ａ）に示すように、ガラス−エポキシ樹脂やガラス−ビスマレイミドトリアジン樹脂等の電気絶縁材料から成る絶縁板１用の樹脂基板１Ｐの上下面に銅箔５Ｐが積層されて成る両面銅張り板３０を準備する。樹脂基板１Ｐの厚みは例えば５０〜８００μｍ程度であり、銅箔５Ｐの厚みは例えば２〜１８μｍ程度である。また銅箔５Ｐにおける樹脂基板１Ｐと密着する面は、十点平均高さＲｚが０．１〜７．０μｍの粗面となっている。このような両面銅張り板３０はプリント配線基板用途に一般的に販売されているものを用いればよい。
【００３７】
次に、図２（ｂ）に示すように、両面銅張り板３０の上下面に積層された銅箔５Ｐをエッチングにより除去する。銅箔５Ｐのエッチングには塩化第二銅や塩化第二鉄等を含有するエッチング液を用いればよい。このとき、絶縁板１の表面には銅箔５Ｐの粗面に対応した十点平均高さＲｚが０．１〜７．０μｍの凹凸が残る。この凹凸は後述する第１導体層５を形成する際に絶縁板１と第１導体層５との間の密着を強固とするアンカーとして機能する。
【００３８】
次に、図３（ｃ）に示すように、樹脂基板１Ｐの上面から下面にかけてスルーホール３をドリル加工やレーザ加工により形成することにより絶縁板１を形成する。スルーホール３の直径は５０〜３００μｍ程度である。スルーホール３を形成した後、スルーホール３内壁を過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウム等を含む水溶液でデスミア処理することが好ましい。
【００３９】
次に、図３（ｄ）に示すように、スルーホール３の内壁および絶縁板１の上下面の全面にわたり、無電解銅めっき層４ａを被着させる。無電解銅めっき層４ａは、その厚みが０．１〜１．０μｍ程度であり、公知の無電解めっき液を用いることにより被着される。
【００４０】
次に、図４（ｅ）に示すように、無電解銅めっき層４ａにおけるスルーホール３の内部およびその周囲に対応する上下面を露出させる円形の開口パターンを有するめっきレジスト層３１を無電解銅めっき層４ａの表面に被着形成する。めっきレジスト層３１は感光性樹脂から成るドライフィルムレジストを無電解銅めっき層４ａ上に貼着するとともに上記所定のパターンに露光および現像することにより形成される。
【００４１】
次に、図４（ｆ）に示すように、めっきレジスト層３１から露出する無電解銅めっき層４ａ上に電解銅めっき層４ｂを被着させる。電解銅めっき層４ｂは、厚みが１５〜３０μｍ程度であり、公知の電解めっき液を用いることにより被着される。
【００４２】
次に、図５（ｇ）に示すように、第２の無電解銅めっき層４ａ上からめっきレジスト層３１を剥離除去する。めっきレジスト層３０の剥離にはアルカリ系の剥離液を用いればよい。
【００４３】
次に、図５（ｈ）に示すように、絶縁板１上に露出する無電解銅めっき層４aをエッチング除去し、残った無電解銅めっき層４ａおよび電解銅めっき層４ｂから成るスルーホール導体４および第１導体層５を形成する。この例においては第１導体層５としては、スルーホールランド５Ａのみが形成されている場合を示しているが、第１導体層５としては、スル−ホールランド５Ａ以外のパターンを含んでもよい。なお、エッチングには過酸化水素および過硫酸ナトリウム等を含有する公知のエッチング液を用いればよい。
【００４４】
次に、図６（ｉ）に示すように、スルーホール導体４が被着されたスルーホール３の内部に樹脂６Ｐを充填すると同時に絶縁板１の上下面に第１導体層５を覆うように樹脂６Ｐを被着させる。樹脂６Ｐは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカ等の無機絶縁フィラーを分散させた樹脂系絶縁材料から成り、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂組成物にシリカ等の無機絶縁フィラーを分散させて成る樹脂ペーストを絶縁板１の上下面からスクリーン印刷法により印刷し、それを熱硬化させることにより被着される。あるいは樹脂６Ｐは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂組成物にシリカ等の無機絶縁フィラーを分散させて成る樹脂フィルムを絶縁板１の上下面に貼着するとともにプレスし、それを熱硬化させることにより被着される。
【００４５】
次に、図６（ｊ）に示すように、絶縁板１の上下面に被着させた樹脂６Ｐおよび第１導体層５を、第１導体層５が５〜１５μｍの厚みで絶縁板１の上下面に残存するように研磨して平坦化する。これによりスルーホール３内に孔埋め樹脂４が形成されるとともに絶縁板１の上下面における第１導体層５以外の部分に第１導体層５と同じ高さの第１樹脂層７が形成される。第１樹脂層７は、絶縁板１の上下面に微細な第２導体層８を形成するための下地層であり、幅や間隔が３０μｍ以下の微細な導体パターンが形成可能なように、その十点平均高さＲｚが０．１〜５．０μｍの範囲となるように微細に粗化することが好ましい。第１樹脂層７の粗化には、過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウム等を含む水溶液が用いられる。
【００４６】
次に、図７（ｋ）に示すように、絶縁板１の上下面に被着された第１樹脂層７の表面および第１導体層５の表面ならびに孔埋め樹脂６の表面に無電解銅めっき層８ａを被着させる。無電解銅めっき層８ａは、その厚みが０．１〜１．０μｍ程度であり、公知の無電解めっき液を用いることにより被着される。
【００４７】
次に、図７（ｌ）に示すように、上下の無電解銅めっき層８ａの表面に第２の導体層８に対応する形状の開口パターンを有するめっきレジスト層３２を被着させる。めっきレジスト層３２は、前述しためっきレジスト層３１と同様のものを同様の方法により被着させればよい。
【００４８】
次に、図８（ｍ）に示すように、めっきレジスト層３２から露出する無電解銅めっき層８ａ上に電解銅めっき層８ｂを被着させる。電解銅めっき層８ｂは、厚みが１５〜３０μｍ程度であり、公知の電解めっき液を用いることにより被着される。
【００４９】
次に、図８（ｎ）に示すように、無電解銅めっき層８ａ上からめっきレジスト層３２を剥離除去する。めっきレジスト層３２の剥離にはアルカリ系の剥離液を用いればよい。
【００５０】
次に、図９（ｏ）に示すように、第１樹脂層７上に露出する無電解銅めっき層８ａをエッチング除去し、残った無電解銅めっき層８ａおよび電解銅めっき層８ｂから成る第２導体層８を形成する。このよう第２導体層８の形成方法は、いわゆるセミアディティブ法と呼ばれる方法であり、第２導体層８を形成するためのエッチングの際に無電解銅めっき層８ａの厚み分だけエッチングすればよいので電解銅めっき層８ｂが横方向に大きくエッチングされることがない。また、第１樹脂層７はその表面が十点平均高さＲｚで０．１〜５．０μｍ程度の細かい粗化面となっており、そのため幅や間隔が３０μｍ以下の微細な配線パターンを第１樹脂層７との間に十分な密着力を確保しつつ良好に形成することができる。したがって、コア用の絶縁板１上に被着させた第１樹脂層７上に形成された第２導体層８によりコア用の絶縁板１の上下に配線の幅や間隔を３０μｍ以下とした微細なコア用の配線導体を高密度で形成することができる。なお、無電解銅めっき層８ａの厚みが０．１μｍ未満であると、その無電解銅めっき層８ａの表面に電解銅めっき層８ｂを良好に被着させることが困難となり、１．０μｍを超えると、無電解銅めっき層８ａの露出部をエッチング除去する際に電解銅めっき層８ｂが横方向にエッチングされる量が多くなり、幅や間隔が３０μｍ以下の微細配線を良好に形成することが困難となる傾向にある。したがって、無電解銅めっき層８ａの厚みは、０．１〜１．０μｍの厚みが好ましい。なお、エッチングには過酸化水素および過硫酸ナトリウム等を含有する公知のエッチング液を用いればよい。
【００５１】
次に、図１０（ｐ）に示すように、第１樹脂層７上および第２導体層８上に絶縁層２用の樹脂層２Ｐを積層する。樹脂層２Ｐは、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂とシリカ等の無機絶縁フィラーを含有する樹脂系電気絶縁材料であり、２０〜５０μｍ程度の厚みである。このような樹脂層２Ｐは、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂組成物およびシリカ等の無機絶縁フィラーを含有する未硬化の樹脂シートを、第１樹脂層７上および第２導体層８上に貼着するとともに熱硬化させることにより形成される。なお、樹脂層２Ｐはガラスクロスを含有していてもよい。
【００５２】
次に、図１０（ｑ）に示すように、樹脂層２Ｐにレーザ加工を施すことにより第２導体層８を底面とするビアホール９を穿孔して絶縁層２を形成する。ビアホール９の直径は３５〜１００μｍ程度である。ビアホール９のいくつかは孔埋め樹脂６上に被着された第２導体層８の中央部を底面としている。
【００５３】
次に、図１０（ｒ）に示すように、ビアホール９内および絶縁層２の表面に第２導体層８に接続するビルドアップ用の配線導体１０を形成する。配線導体１０は、厚みが０．１〜１．０μｍ程度の無電解銅めっき層および厚みが１０〜２０μｍ程度の電解銅めっき層を順次被着させて成り、セミアディティブ法を用いて形成すればよい。
【００５４】
次に、図１０（ｓ）に示すように、次層の絶縁層２および配線導体１０を必要に応じて所定層数形成し、最後に図１０（ｔ）に示すように、最表層の絶縁層２および配線導体１０上にソルダーレジスト層１２を被着形成して本発明による配線基板２０が完成する。なお、ソルダーレジスト層１２は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂とシリカ等の無機絶縁フィラーを含有する樹脂系電気絶縁材料であり、１０〜２５μｍ程度の厚みである。このようなソルダーレジスト層１２は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂組成物およびシリカ等の無機絶縁フィラーを含有する未硬化の感光性樹脂シートまたは樹脂ペーストを、最表層の絶縁層２および配線導体１０上に被着させるとともに所定のパターンに露光および現像した後、熱硬化させることにより形成される。
【００５５】
かくして、本発明の配線基板の製造方法によれば、コア用の配線導体における配線の幅や間隔を３０μｍ以下とした高密度な微細配線を有する配線基板２０を提供することができる。なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更は可能であり、例えば上述の実施形態の一例においては、絶縁板１の上下面に被着された第１導体層５によりスルーホールランド５Ａのみを形成した例を示したが、図１１に示すように、第１導体層５はスルーホールランド５Ａの他に接地用または電源用の配線パターン５Ｂを含んでいてもよい。この場合、比較的に微細な配線が要求されない接地用または電源用の配線パターン５Ｂは広いパターンで絶縁板１の表面に直接形成するとともにその上にさらに第２導体層８を重ねて形成することにより接地用または電源用の配線パターンにおけるインダクタンスを低減して良好な電気特性を有する配線基板を提供することができる。
【００５６】
さらに、上述の実施形態の一例における製造方法では、両面銅張り板３０の上下両面に積層した銅箔５Ｐを全てエッチング除去し、露出した絶縁板１の上下両面に無電解銅めっき層４ａおよび電解銅めっき層４ａから成る第１導体層５を形成したが、両面銅張り板３０の上下両面に積層した銅箔５Ｐを例えばサブトラクティブ法により絶縁板１の上下面に第１導体層５のパターンの少なくとも一部として残すことにより第１導体層５を形成するようになしても良い。
【００５７】
この場合、先ず、図１２（ａ）に示すように、上述の実施形態の一例の場合と同様にガラス−エポキシ樹脂やガラス−ビスマレイミドトリアジン樹脂等の電気絶縁材料から成る絶縁板１用の樹脂基板１Ｐの上下面に第１導体層５用の銅箔５Ｐが積層されて成る両面銅張り板３０を準備する。なお、銅箔５Ｐが５μｍより厚い場合、研磨やエッチングによりその厚みを５μｍ以下に薄くしておくことが好ましい。このように両面銅張り板３０における上下面の銅箔５Ｐの厚みを５μｍ以下としておくことによって、後述するスルーホール３を形成する工程において、スルーホール３の形成が容易となる。
【００５８】
次に、図１２（ｂ）に示すように、両面銅張り板３０の上面から下面にかけてスルーホール３をドリル加工やレーザ加工により形成する。スルーホール３の直径は５０〜３００μｍ程度である。スルーホール３を形成した後、スルーホール３内壁を過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウム等を含む水溶液でデスミア処理することが好ましい。
【００５９】
次に、図１３（ｃ）に示すように、スルーホール３の内壁および銅箔５Ｐの表面の全面にわたり、無電解銅めっき層４ａおよび電解銅めっき層４ｂを順次被着させてめっき導体層４Ｐを形成する。無電解銅めっき層４ａの厚みは０．１〜１．０μｍ程度であり、電解銅めっき層４ｂの厚みは１５〜３０μｍ程度である。これらのめっきを施すためのめっき液としては、公知のめっき液を用いればよい。
【００６０】
次に、図１３（ｄ）に示すように、めっき導体層４Ｐ上におけるスルーホール３上およびその周囲に対応する領域を被覆するスルーホールランド５Ａ形成用の所定パターンのエッチングレジスト層３３をめっき導体層４Ｐの表面に被着形成する。エッチングレジスト層３３は感光性樹脂から成るドライフィルムレジストをめっき導体層４Ｐ上に貼着するとともに上記所定のパターンに露光および現像することにより形成される。
【００６１】
次に、図１４（ｅ）に示すように、エッチングレジスト層３３から露出する部位のめっき導体層４Ｐおよび銅箔５Ｐをサブトラクティブ法によりエッチング除去する。めっき導体層４Ｐおよび銅箔５Ｐのエッチングには塩化第二銅や塩化第二鉄等を含有するエッチング液を用いればよい。このとき、この例ではスルーホール３内壁およびスルーホールランド５Ａに対応する部位に被着されためっき導体層４Ｐおよび銅箔５Ｐのみが残る。
【００６２】
次に、図１４（ｆ）に示すように、エッチングレジスト３３を除去する。エッチングレジスト層３３の除去はアルカリ系のレジスト剥離液を用いて剥離することにより除去すれば良い。
【００６３】
以下、上述した実施形態の一例における図６（ｉ）〜図１０（ｔ）で説明したのと同様の工程を行なえばよい。
【符号の説明】
【００６４】
１    コア用の絶縁板
２    ビルドアップ用の絶縁層
３    スルーホール
４    スルーホール導体
５    第１導体層
５Ａ    スルーホールランド
６    孔埋め樹脂
７    第１樹脂層
８    第２導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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