(57)【要約】【課題】  フレキシブル基板を用いた光半導体装置において、光素子を含む筐体とフレキシブル基板との接続信頼性を向上させること。【解決手段】  本光半導体装置１００は、光素子を内蔵し、上下で対向して設けられた第１端子１２および第２端子１４を備えた筐体１０と、第１端子１２と電気的に接続される第１配線（ＲＦ、ＤＣ）が形成された第１領域２２、第２端子１４と電気的に接続される第２配線（ＤＣ）が形成された第２領域２４、第１領域２２および第２領域２４の間を接続する第３領域２６、第３領域２６に設けられた切り込み部３０により区画され第１領域２２と連続した第１突出部４２、第１突出部４２に設けられ第１配線と電気的に接続される接触領域１８を有するフレキシブル基板２０とを備える。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光素子を内蔵し、上下で対向して設けられた第１端子および第２端子を備えた筐体と、
前記第１端子と電気的に接続される第１配線が形成された第１領域、前記第２端子と電気的に接続される第２配線が形成された第２領域、前記第１領域および第２領域の間を接続する第３領域、前記第３領域に設けられた切り込み部により区画され前記第１領域と連続した第１突出部、前記第１突出部に設けられ前記第１配線と電気的に接続される接触領域を有するフレキシブル基板とを備え、
前記フレキシブル基板の前記第３領域は、折り曲げられて前記第１端子と第２端子の間の領域に配置され、前記第１突出部に設けられた前記接触領域が前記第１端子と接続されてなることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記第１突出部の端部は、前記筐体に接触していることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記切り込み部は、
第１切り込み部及び第２切り込み部と、
前記第１切り込み部及び前記第２切り込み部と連通する第３切り込み部と、
を含むことを特徴とする請求項１もしくは２記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記第３領域は、前記切り込み部により区画され前記第２領域と連続した第２突出部を含み、
前記第２突出部には、前記第２配線と電気的に接続される接触領域が設けられ、
前記第２突出部に設けられた前記接触領域が前記第２端子と接続されてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記第３領域には、前記第１端子あるいは前記第２端子の少なくとも一方が挿入される貫通孔が設けられてなることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項６】
前記切り込み部は、前記第１領域と前記第２領域の間に位置する切り抜き部を有することを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項７】
第１配線が形成された第１領域、第２配線が形成された第２領域、前記第１領域および第２領域の間を接続する第３領域、前記第３領域に設けられた切り込み部により区画され、前記第３領域を折り曲げた場合に前記第３領域から前記第１領域と連続して突出する第１突出部、前記第１突出部に設けられ前記第１配線と電気的に接続された接触領域を有することを特徴とするフレキシブル基板。
【請求項８】
前記切り込み部は、第１切り込み部と第２切り込み部と、前記第１切り込み部と前記第２切り込み部と連通する第３切り込み部とを含むことを特徴とする請求項７記載のフレキシブル基板。
【請求項９】
前記第３領域には、前記切り込み部により区画され前記第２領域と連続した第２突出部がさらに設けられ、前記第２突出部には、前記第２配線と電気的に接続された接触領域が設けられてなることを特徴とする請求項７記載のフレキシブル基板。
【請求項１０】
前記切り込み部は、前記第１領域と前記第２領域の間に位置する切り抜き部を有することを特徴とする請求項７記載のフレキシブル基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル基板及びそれを備えた光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光半導体装置は、光信号と電気信号との間で信号変換を行う光素子を備える。光素子は光半導体装置内の筐体に収納されており、筐体は外部と電気信号の入出力を行うための複数の端子を有する。
【０００３】
上記筐体の入出力端子に配線を接続するために、フレキシブル基板を用いる方法が知られている。フレキシブル基板は、通常のプリント基板よりも薄く柔軟な素材で構成され、基板上には複数の信号線が形成されている。従来から、１枚のフレキシブル基板を折り曲げて、筐体から突出する２列の端子の間に接続した光半導体装置が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３３２６４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の光半導体装置では、フレキシブル基板の持つ弾性により、フレキシブル基板の折れ曲がり部分がＵ字形状となり、端子との間に空隙が生じてしまう場合がある。これにより、フレキシブル基板と端子（筐体）との接続の信頼性が低下してしまう場合がある。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、フレキシブル基板を用いた光半導体装置において、光素子を内蔵する筐体とフレキシブル基板との接続信頼性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本光半導体装置は、光素子を内蔵し、上下で対向して設けられた第１端子および第２端子を備えた筐体と、前記第１端子と電気的に接続される第１配線が形成された第１領域、前記第２端子と電気的に接続される第２配線が形成された第２領域、前記第１領域および第２領域の間を接続する第３領域、前記第３領域に設けられた切り込み部により区画され前記第１領域と連続した第１突出部、前記第１突出部に設けられ前記第１配線と電気的に接続される接触領域を有するフレキシブル基板とを備え、前記フレキシブル基板の前記第３領域は、折り曲げられて前記第１端子と第２端子の間の領域に配置され、前記第１突出部に設けられた前記接触領域が前記第１端子と接続されてなることを特徴とする。
【０００８】
上記構成において、前記第１突出部の端部は、前記筐体に接触している構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記切り込み部は、第１切り込み部及び第２切り込み部と、前記第１切り込み部及び前記第２切り込み部と連通する第３切り込み部と、を含む構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第３領域は、前記切り込み部により区画され前記第２領域と連続した第２突出部を含み、前記第２突出部には、前記第２配線と電気的に接続される接触領域が設けられ、前記第２突出部に設けられた前記接触領域が前記第２端子と接続されてなる構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第３領域には、前記第１端子あるいは前記第２端子の少なくとも一方が挿入される貫通孔が設けられてなる構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記切り込み部は、前記第１領域と前記第２領域の間に位置する切り抜き部を有する構成とすることができる。
【００１３】
本フレキシブル基板は、第１配線が形成された第１領域、第２配線が形成された第２領域、前記第１領域および第２領域の間を接続する第３領域、前記第３領域に設けられた切り込み部により区画され、前記第３領域を折り曲げた場合に前記第３領域から前記第１領域と連続して突出する第１突出部、前記第１突出部に設けられ前記第１配線と電気的に接続された接触領域を有することを特徴とする。
【００１４】
上記構成において、前記切り込み部は、第１切り込み部と第２切り込み部と、前記第１切り込み部と前記第２切り込み部と連通する第３切り込み部とを含む構成とすることができる。
【００１５】
上記構成において、前記第３領域には、前記切り込み部により区画され前記第２領域と連続した第２突出部がさらに設けられ、前記第２突出部には、前記第２配線と電気的に接続された接触領域が設けられてなる構成とすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記切り込み部は、前記第１領域と前記第２領域の間に位置する切り抜き部を有する構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本フレキシブル基板及び本光半導体装置によれば、光素子を内蔵する筐体とフレキシブル基板との接続信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、比較例及び実施例１〜３に係る光半導体装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、比較例に係るフレキシブル基板の構成を示す図である。
【図３】図３は、比較例に係るフレキシブル基板と筺体との接続関係を示す図である。
【図４】図４は、実施例１に係るフレキシブル基板の構成を示す図である。
【図５】図５は、実施例１に係るフレキシブル基板と筺体との接続関係を示す図である。
【図６】図６は、実施例１の変形例に係るフレキシブル基板と筺体との接続関係を示す図である。
【図７】図７は、フレキシブル基板と端子との接続部分の拡大図である。
【図８】図８は、実施例２に係るフレキシブル基板の構成を示す図である。
【図９】図９は、実施例２に係るフレキシブル基板と筺体との接続関係を示す図である。
【図１０】図１０は、実施例２の変形例に係るフレキシブル基板と筺体との接続関係を示す図である。
【図１１】図１１は、実施例３に係るフレキシブル基板の構成を示す図である。
【図１２】図１２は、実施例３に係るフレキシブル基板と筺体との接続関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
最初に、比較例に係る光半導体装置について説明する。
（比較例）
【００２０】
図１は、比較例に係る光半導体装置２００の構成を示す図である。光半導体装置２００は、筐体１０、フレキシブル基板２０、プリント基板６０、及び光コネクタ７０を備える。以下の説明では、光半導体装置２００の光コネクタ７０の挿入方向をＸ方向、プリント基板６０の面内においてＸ方向と直交する方向をＹ方向、Ｘ方向及びＹ方向で形成される平面を水平平面、プリント基板６０の面と直行する方向をＺ方向（上下方向）とする。
【００２１】
筐体１０の内部には、光信号と電気信号との間で信号変換を行う光素子（例えば、発光素子または受光素子）が配置されている（図示せず）。光素子は、高周波信号及び直流信号により制御された光信号を光コネクタ７０へと出力する。筐体１０の内部には、光素子を制御するための信号を伝達する内部配線が設けられている（図示せず）。内部配線は、高周波信号を伝達する高周波信号線及び直流信号を伝達する直流信号線を含む。
【００２２】
筐体１０には、内部の光素子を制御するために、外部と信号の入出力を行う端子（１２、１４）が設けられている。端子（１２、１４）は、筐体１０の側面に上下方向に２列に並行に配置され、それぞれ筐体１０から水平方向に突出している。以下の説明では、下側の列に配置された端子を第１端子１２、第１端子１２に対向して上側の列に配置された端子を第２端子１４と称する。本実施例では、第１端子１２及び第２端子１４はそれぞれ同一の水平平面上に複数本ずつ配置されているが、それぞれの端子数は１以上の任意の数とすることができる。また、それぞれ任意の端子を入力端子または出力端子とすることができ、同様に任意の端子を高周波信号端子または直流信号端子とすることができる。
【００２３】
筐体１０の端子（１２、１４）及びプリント基板６０がフレキシブル基板２０に接続されている。フレキシブル基板２０及びプリント基板６０上に形成された配線を介して、筐体１０の端子（１２、１４）と電気インターフェース８０とが電気的に接続されている。これにより、筐体１０内部の光素子及び電気素子と、光半導体装置２００の外部との間で信号の入出力を行うことができる。
【００２４】
図２は、比較例に係るフレキシブル基板２０の構成を示す図である。フレキシブル基板２０は、その上面に第１領域２２、第２領域２４、及び第３領域２６の３つの領域を有する。本実施例では、フレキシブル基板２０の長手方向と光半導体装置２００の光コネクタ７０の挿入方向とが同じＸ方向となっているが、これら２つの方向は異なっていてもよい。
【００２５】
フレキシブル基板２０の裏面には、接地電位を有したグランドパターンが形成されている（図示せず）。第１領域２２には、接地電位との間で信号伝送路を構成する高周波信号線ＲＦが複数互いに並行に形成され、高周波信号線ＲＦの外側に接地電位との間で信号伝送路を構成していない信号線（以下、直流信号線ＤＣと呼ぶが、この信号線には、駆動用電源線および検知用信号線が含まれる）が複数互いに並行に形成されている。フレキシブル基板２０はポリイミドを含む材料で形成されており、信号線及びグランドパターンのメタライズＭＬは、Ｃｕ（銅）を含む材料で形成されている。第２領域２４には、複数の直流信号線ＤＣが互いに並行に形成されており、高周波信号線ＲＦは形成されていない。第３領域２６は、第１領域２２及び第２領域２４の間に位置し、フレキシブル基板２０が筐体１０に取り付けられる際に湾曲する領域である。第１領域２２の高周波信号線ＲＦ及び直流信号線ＤＣ、第２領域２４の直流信号線ＤＣは、入出力端子１２、１４と接続する接触領域１８（信号線のメタライズＭＬより広く形成されている領域）を有している。比較例に係る光半導体装置２００では、第３領域２６に信号線が形成されていない。
【００２６】
図３（ａ）〜（ｂ）は、比較例に係るフレキシブル基板２０と筺体との接続関係を示す図である。図３（ａ）は、Ｚ方向の下面から見た平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図示するように、フレキシブル基板２０は、第１領域２２と第２領域２４とが対向するように折り曲げられ、第１端子１２と第２端子１４との間に接続されている。各端子（１２、１４）と、フレキシブル基板２０上の接触領域１８とは、例えば半田付けにより電気的に接続されている。
【００２７】
ここで、図３（ｂ）に示すように、フレキシブル基板２０の湾曲部分１５は筐体１０側が閉じたＵ字状となっており、フレキシブル基板２０と第１端子１２及び第２端子１４との間には空隙１６が存在する。これは、フレキシブル基板２０が弾性を有し、折れ曲がり部分が完全な矩形となることが難しいためである。空隙１６が存在することにより、フレキシブル基板２０における端子（１２、１４）との接触領域１８の面積は小さくなる。これにより、比較例に係る光半導体装置２００では、フレキシブル基板２０と筐体１０との接続の信頼性が低下してしまう場合がある。
【００２８】
また、フレキシブル基板２０を筐体１０に接続する際には、フレキシブル基板２０の湾曲部分１５を筐体１０に突き当てて位置合わせを行うことが一般的であるが、湾曲部分１５の弾力性によりフレキシブル基板２０の位置合わせが難しくなる場合がある。
【００２９】
さらに、フレキシブル基板２０に高周波信号線ＲＦを形成する場合、高周波信号線ＲＦは湾曲による悪影響を受けやすいため（例えば、特性インピーダンスのミスマッチが発生する等）、光半導体装置２００の高周波特性が劣化してしまう場合がある。
【００３０】
以下に記載の実施例では、上記の課題を解決するための光半導体装置の構成について説明する。
【実施例１】
【００３１】
実施例１に係る光半導体装置１００の構成は、比較例（図１）と基本的に同様であり、フレキシブル基板２０の構成及び筐体１０との接続関係が異なる。実施例１の筐体１０の内部には、図示しないが、光素子に加え、レンズ、温度制御装置（ＴＥＣ）、ドライバＩＣ、波長検知ユニット、パワー検知素子、温度検知素子（サーミスタ）などが配置されている。以下の説明では、比較例と共通する構成については同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。なお、比較例も同様であるが、以下の実施例すべてに共通して、フレキシブル基板２０は、２つのフレキシブル引き出しを提供している。
【００３２】
図４は、実施例１に係るフレキシブル基板２０の構成を示す図である。比較例と同様に、第１領域２２には第１配線として高周波信号線ＲＦ及び直流信号線ＤＣが、第２領域２４には第２配線として直流信号線ＤＣが形成されている。ここで、第１配線には、第１端子１２に電気的に接続される接触領域１８が設けられ、第２配線には、第２端子１４に電気的に接続される接触領域１８が設けられている。
【００３３】
フレキシブル基板２０の第３領域２６には、切り込み部３０が形成されている。切り込み部３０は、直流信号線ＤＣ及び高周波信号線ＲＦの形成方向（Ｘ方向）に沿って形成された第１切り込み部３２及び第２切り込み部３４と、信号線の形成方向に交差する方向（Ｙ方向）に形成された第３切り込み部３６とを含む。第３切り込み部３６は、第３領域２６のＸ方向における中央部分に形成され、第１切り込み部３２及び第２切り込み部３４と連通している。これらの切り込み部３０により、第３領域２６上に第１突出部４２、第２突出部４４、及び湾曲部４６が区画されている。なお、この第１切り込み部３２および第２切り込み部３４は、第３切り込み部３６と交差する位置まで連通していればよい。これらの切り込み部３０により、第３領域２６上に第１突出部４２もしくは第２突出部４４のどちらかの突出部及び湾曲部４６が区画されていればよい。
【００３４】
第１突出部４２は、第３領域２６上において切り込み部３０により区画され、第１領域２２側から第２領域２４側に向かって突出する領域である。第２突出部４４は、第３領域２６上において切り込み部３０により区画され、第２領域２４側から第１領域２２側に向かって突出する領域である。湾曲部４６は、第３領域２６上において切り込み部３０により区画された、第１突出部４２及び第２突出部４４を除く領域であり、フレキシブル基板２０を筐体１０に接続する際に湾曲する領域である。第１領域２２に形成された高周波信号線ＲＦは、第１突出部４２まで延在して接触領域１８を形成しており、第２領域２４に形成された直流信号線ＤＣの一部は、第２突出部４４まで延在して接触領域１８を形成している。
【００３５】
本実施例では、第１領域２２に形成された高周波信号線ＲＦのみ第１突出部４２まで延在しているが、高周波信号線ＲＦの代わりに直流信号線ＤＣが設けられ、第１突出部４２まで延在しても良い。また、第３領域２６上の第１突出部４２および第２突出部４４に設けられた接触領域１８は、第１領域２２の第２領域２４にまで延在して設けられ、信号線（高周波信号線ＲＦまたは直流信号線ＤＣ）と接触領域１８の境界部分が揃えて設けられていることが望ましい。これは、入出力端子１２、１４と接触領域１８の接触面積を大きくとることができるためである。
【００３６】
なお、直流信号線ＤＣとしては、光素子の駆動用電源線、光素子のパワー検知素子の信号線、光素子の波長検知用信号線、温度制御装置の駆動用電源線、温度検知素子の信号線、ドライバＩＣの駆動用電源線、基準電位用信号線などが挙げられる
【００３７】
図５は、実施例１に係るフレキシブル基板２０と筺体との接続関係を示す図である。図５（ａ）は、第１端子１２の側から見た上面図であり、図５（ｂ）及び図５（ｃ）は、それぞれ図５（ａ）のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線に沿った断面図である。フレキシブル基板２０は、第１領域２２と第２領域２４とが対向するように第３領域２６が折り曲げられ、第１端子１２と第２端子１４との内側（第１端子１２の上面及び第２端子１４の下面）に接続されている。各端子（１２、１４）と、フレキシブル基板２０の表面に形成された接触領域１８とが電気的に接続されている。図５（ｂ）に示すように、フレキシブル基板２０の湾曲部分１５は筺体の外壁面に接触しておらず、フレキシブル基板２０と筺体の外壁面との間には長さａの空隙が存在している。この空隙ａの長さは任意に変更することが可能であるが、この点については後述する。
【００３８】
図５（ｂ）に示すように、第３領域２６の湾曲部４６は、比較例と同様に湾曲しており、フレキシブル基板２０と端子（１２、１４）との接触部分の面積は、比較例と同様に小さくなっている。一方、図５（ｃ）に示すように、第１突出部４２は切り込み部３０により湾曲部４６と分離されており、折り曲げられずに第１端子１２に接続されている。同様に、第２突出部４４も切り込み部３０により湾曲部４６と分離されており、折り曲げられずに第２端子１４に接続されている。その結果、フレキシブル基板２０と端子（１２、１４）との接触領域１８の面積は、比較例と比べて大きくなっている。
【００３９】
実施例１に係る光半導体装置１００によれば、フレキシブル基板２０の第３領域２６に切り込み部３０が形成されている。これにより、フレキシブル基板２０を折り曲げた際に、第１領域２２の延長上に位置する第１突出部４２と、第２領域２４の延長上に位置する第２突出部４４とが形成される。これらの突出部（４２、４４）及び第１領域２２、第２領域２４に形成された接触領域１８を筺体の端子（１２、１４）に接続することにより、フレキシブル基板２０と端子（１２、１４）との接触領域１８の面積を大きくすることができる。その結果、フレキシブル基板２０と筺体との接続の信頼性を向上させることができる。
【００４０】
また、実施例１に係る光半導体装置１００によれば、高周波信号線ＲＦが第１突出部４２に形成されており、湾曲部４６には形成されていない。これにより、フレキシブル基板２０を筺体に接続する際に生じる高周波信号線ＲＦの湾曲を抑制し、信号特性を改善することができる。なお、高周波信号線ＲＦは、特性インピーダンスのミスマッチを抑制するために、同じ列に位置する端子（第１端子１２または第２端子１４のいずれか）に接続することが好ましい。すなわち、高周波信号線ＲＦは、第１領域２２と第２領域２４の両方に形成するのではなく、いずれか一方にまとめて形成する方が好ましい。
【００４１】
実施例１では、図４に示すように、切り込み部３０が第１切り込み部３２、第２切り込み部３４、及び第３切り込み部３６を含むＨ字形状としたが、切り込み部３０は、第３領域２６上に突出部（４２、４４）を区画することができるものであれば、任意の形状とすることができる。
【００４２】
図６は、実施例１の変形例に係るフレキシブル基板２０と筺体との接続関係を示す図である。図６（ｃ）に示すように、第１突出部４２及び第２突出部４４が、２列の端子（１２、１４）の外側（第１端子１２の下面及び第２端子１４の上面）にそれぞれ接続されている。図７は、図６（ｃ）の端子１２とフレキシブル基板２０の接続した部分を拡大したものである。端子１２は、フレキシブル基板２０の第１領域２２及び第３領域の表面に形成されている接触領域１８とは反対側の裏面と接続されている。フレキシブル基板２０の裏面には、この表面に形成された接触領域１８と接続ビア２９を介して電気的に接続している接触領域１９が形成され、この接触領域１９と端子１２と接続されることで、信号線（高周波信号線ＲＦまたは直流信号線ＤＣ）と端子１２が電気的に接続することができる。その他の構成は実施例１（図５）と同様である。図６（ｃ）において、第１領域２２及び第１突出部４２の境界と、第２領域２４及び第２突出部４４の境界とは若干湾曲しているように見えるが、当該境界の湾曲度はフレキシブル基板２０の湾曲部分１５の湾曲度に比べて大幅に小さく（すなわち、実質的には湾曲しておらず）、信号特性への影響は少ない。本構成においても、実施例１と同様に、フレキシブル基板２０と筺体との接続の信頼性を向上させ、信号特性を改善することができる。本実施例では、図４の切り込み部３２、３４を深く形成することで、フレキシブル基板２０と２列の端子（１２、１４）とを容易に接続することができる。
【実施例２】
【００４３】
実施例２は、切り込み部の一部を切り抜き部とした例である。
【００４４】
図８は、実施例２に係るフレキシブル基板２０の構成を示す図である。第３領域２６の中央部（実施例１（図４）にて第３切り込み部３６が形成されていた領域）には、Ｘ方向及びＹ方向に所定の長さを有する切り抜き部３８が形成されている。第１切り込み部３２、第２切り込み部３４、及び切り抜き部３８により、第３領域２６上に第１突出部４２、第２突出部４４、及び湾曲部４６が区画されている。第１突出部４２及び第２突出部４４は、突出方向の長さが実施例１（図４）より短く、実施例１と同様に信号線が形成されている。実施例２に係るフレキシブル基板２０は、第１突出部４２もしくは第２突出部４４の突出方向の長さが実施例１（図４）より短く形成されているため、各端子（１２、１４）との接触領域１８の面積を確保するために、第１領域２２および第２領域２２の信号線（高周波信号線ＲＦまたは直流信号線ＤＣ）の接触領域１８の長さを実施例１（図４）と同程度の長さに形成する。このとき、突出部以外の信号線（直流信号線ＤＣ）の接触領域１８の長さも同程度にすることで、第１領域２２および第２領域２２の信号線（高周波信号線ＲＦまたは直流信号線ＤＣ）と接触領域１８の境界部分が揃えて設けられていることが望ましい。これによって、入出力端子１２、１４と接触領域１８の接触面積を大きくとることができる。
【００４５】
なお、この第１切り込み部３２および第２切り込み部３４は、第３切り込み部３６と交差する位置まで連通していればよい。これらの切り込み部３０により、第３領域２６上に第１突出部４２もしくは第２突出部４４のどちらかの突出部、切り抜き部３８及び湾曲部４６が区画されていればよい。その他の構成は実施例１と同様であり、詳細な説明を省略する。
【００４６】
図９は、実施例２に係るフレキシブル基板２０と筺体との接続関係を示す図である。図９（ａ）は、第１端子１２の側から見た上面図であり、図９（ｂ）及び図９（ｃ）は、それぞれ図９（ａ）のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線に沿った断面図である。フレキシブル基板２０は、第１領域２２と第２領域２４とが対向するように第３領域２６が折り曲げられ、第１端子１２と第２端子１４との間（第１端子１２の上面及び第２端子１４の下面）に接続されている。実施例１（図５（ｂ））と異なり、図９（ｂ）に示すように、フレキシブル基板２０の湾曲部分１５は筺体の外壁面に接触している。また、図９（ｃ）に示すように、第１突出部４２及び第２突出部４４の端面は、それぞれ筺体の外壁部に接触している。
【００４７】
実施例２に係る光半導体装置１００によれば、実施例１と同様に、第１突出部４２及び第２突出部４４を筺体の端子（１２、１４）に接続することで、フレキシブル基板２０と筺体との接続信頼性を向上させ、信号特性を改善することができる。さらに、第１突出部４２及び第２突出部４４の端面を筺体の外壁面に突き当てることにより、フレキシブル基板２０の位置合わせを容易に行うことができる。
【００４８】
また、実施例２に係る光半導体装置１００によれば、第１突出部４２と第２突出部４４との間に、Ｘ方向に所定の幅を有する切り抜き部３８が形成されている。これにより、第１突出部４２及び第２突出部４４の長さが実施例１に比べて短くなり、湾曲したフレキシブル基板２０を端子（１２、１４）の奥の方（筺体１０側）に押し込むことができる。その結果、突出部以外の領域（第１領域２２、第２領域２４）においても端子（１２、１４）との接触領域１８の面積を大きくすることができ、フレキシブル基板２０と筺体との接続の信頼性をさらに向上させることができる。
【００４９】
図１０は、実施例２の変形例に係るフレキシブル基板２０と筺体との接続関係を示す図である。図１０（ｃ）に示すように、第１突出部４２及び第２突出部４４が、２列の端子の外側（第１端子１２の下面及び第２端子１４の上面）にそれぞれ接続されている。図１０（ｃ）の各端子（１２、１４）は、フレキシブル基板２０の第１領域２２、第２領域２４及び第３領域の表面に形成されている接触領域１８とは反対側の裏面と接続されている。フレキシブル基板２０の裏面には、この表面に形成された接触領域１８と接続ビア２９を介して電気的に接続している接触領域１９が形成され、この接触領域１９と各端子（１２、１４）と接続されることで、信号線（高周波信号線ＲＦまたは直流信号線ＤＣ）と各端子（１２、１４）が電気的に接続することができる。その他の構成は実施例２（図９）と同様である。本構成においても、実施例２と同様に、フレキシブル基板２０と筺体との接続の信頼性を向上させ、信号特性を改善することができる。本実施例では、図４の切り込み部３２、３４を深く形成することで、フレキシブル基板２０と２列の端子（１２、１４）とを容易に接続することができる。
【実施例３】
【００５０】
実施例３は、第３領域の突出部の数を１つとし、さらに端子接続用の貫通孔を設けた例である。
【００５１】
図１１は、実施例３に係るフレキシブル基板２０の構成を示す図である。実施例２（図８）における切り抜き部３８が、第３領域２６と第２領域２４との境界まで形成されており、第２突出部４４は形成されていない。実施例３に係るフレキシブル基板２０は、実施例２と同じく第１突出部４２の突出方向の長さが実施例１（図４）より短く形成されているため、端子１２の接触領域１８の面積を確保するために、第１領域２２の信号線（高周波信号線ＲＦまたは直流信号線ＤＣ）の接触領域１８の長さを実施例１（図４）と同程度の長さに形成する。このとき、突出部以外の信号線（直流信号線ＤＣ）の接触領域１８の長さも同程度にすることで、第１領域２２の信号線（高周波信号線ＲＦまたは直流信号線ＤＣ）と接触領域１８の境界部分が揃えて設けられていることが望ましい。これによって、接触領域１８が入出力端子１２と接触領域１８の面積を大きくとることができる。実施例３においては、端子１２と対向して設けられる端子１４に接続する接触領域１８は、第１領域２２の信号線（高周波信号線ＲＦまたは直流信号線ＤＣ）と接触領域１８の境界部分を第２領域２４と同程度の長さとし、第２領域２４の信号線（ここでは直流信号線ＤＣ）と接触領域１８の境界部分を揃えて設けることで、入出力端子１２と接触領域１８の接触面積を大きくとることができる。また、第３領域２６の湾曲部４６には複数の貫通孔５０が形成されている。貫通孔５０は、第１領域２２上の直流信号線ＤＣ及び第２領域２４上の直流信号線ＤＣの延長線上にそれぞれ形成されており、貫通孔５０の開口面積は信号線の幅より大きい。その他の構成は実施例２と同様であり、詳細な説明を省略する。
【００５２】
図１２は、実施例３に係るフレキシブル基板２０と筺体との接続関係を示す図である。図１２（ａ）は、第１端子１２の側から見た上面図であり、図１２（ｂ）及び図１２（ｃ）は、それぞれ図１２（ａ）のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線に沿った断面図である。フレキシブル基板２０は、第１領域２２と第２領域２４とが対向するように第３領域２６が折り曲げられ、第１端子１２と第２端子１４との間に接続されている。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、筺体から突出する端子（１２、１４）のうちフレキシブル基板２０上の高周波信号線ＲＦに対応する端子は、フレキシブル基板２０に形成された貫通孔５０を貫通している。フレキシブル基板２０の第３領域２６における湾曲部４６の一部は、第１端子１２の下面及び第２端子１４の上面に接触している。また、図１２（ｃ）に示すように、第１突出部４２は第１端子１２の下面に接続されている。その他の構成は実施例２と同様であり、詳細な説明を省略する。
【００５３】
実施例３に係る光半導体装置１００によれば、第１突出部４２を第１端子１２に接続することで、フレキシブル基板２０と筺体との接続信頼性を向上させ、信号特性を改善することができる。実施例１〜２では、第３領域２６に形成される突出部の数は２つであったが、本実施例のように突出部は１つであってもよい。また、第３領域２６上の切り込み部（切り抜き部３８）が第２領域２４と第３領域２６の境界まで形成されているため、湾曲したフレキシブル基板２０を端子（１２、１４）の奥の方（筺体１０側）に押し込むことができる。その結果、実施例２と同様に、第３領域２６の突出部以外の領域（湾曲部４６）においても端子（１２、１４）との接触面積を大きくすることができ、フレキシブル基板２０と筺体との接続の信頼性をさらに向上させることができる。
【００５４】
また、実施例３に係る光半導体装置１００によれば、第３領域２６の湾曲部４６に貫通孔５０を形成し、筺体の端子（１２、１４）が貫通孔５０を貫通するようにすることで、フレキシブル基板２０と端子（１２、１４）との接続の信頼性をさらに向上させることができる。
【００５５】
実施例１〜３では、第３領域２６に形成された突出部（４２、４４）を、端子（１２、１４）の内側に接続する例（図５（ｃ）、図９（ｃ））と、端子（１２、１４）の外側に接続する例（図６（ｃ）、図１０（ｃ）、図１２（ｃ））の両方について説明した。また、第３領域２６における突出部以外の領域（湾曲部４６）についても、端子（１２、１４）の内側に接続する例（図５（ｂ）、図６（ｂ）、図９（ｂ）、図１０（ｂ））と、端子（１２、１４）の外側に接続する例（図１２（ｂ））の両方について説明した。これらは、製品の仕様や、製造工程における力の印加方向等に応じて任意に変更することができ、実施例１〜３にて示した以外の組み合わせとすることも可能である。ただし、湾曲部４６を端子（１２、１４）の外側に接続する場合、実施例３のように湾曲部４６に貫通孔５０を形成することが好ましい。
【００５６】
また、実施例１〜３では、フレキシブル基板２０の湾曲部分１５が筺体と接触している場合（図９（ｂ）、図１０（ｂ）、図１２（ｂ））と、離間している場合（図５（ｂ）、図６（ｂ））の両方について説明したが、これらも製品の仕様等に応じて適宜変更することができる。図５（ｂ）に示すように、湾曲部分１５と筺体との距離をａ、フレキシブル基板２０の曲率半径をｒとし、図８に示す切り抜き部３８（切り込み部３０）の幅をｂとした場合、以下の式が成立する。
【００５７】
ｂ＝ｒ（π―２）−２ａ
【００５８】
前述のように、筺体とフレキシブル基板２０との距離ａは、０以上で任意の値を選択することができる。また、ｒの値は筺体における第１端子１２及び第２端子１４の距離から決定される。従って、ａを所定の値に定めれば、上記の式に基づきｂの値（切り抜き部３８の幅）を適切に求めることができる。
【００５９】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１０      筺体
１２      第１端子
１４      第２端子
２０      フレキシブル基板
２２      第１領域
２４      第２領域
２６      第３領域
３０      切り込み部
３２      第１切り込み部
３４      第２切り込み部
３６      第３切り込み部
３８      切り抜き部
４０      突出部
４２      第１突出部
４４      第２突出部
４６      湾曲部
５０      貫通孔
１００    光半導体装置
ＲＦ      高周波信号線
ＤＣ      直流信号線
【図１】
2011238859.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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