(57)【要約】【課題】モールド樹脂の成形時にモールド樹脂の成形圧によって熱交換器が撓んでしまわないようにすることができるパワー半導体モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】下側金型３０の凹部３１内において熱交換器２０の他面２０ｂ側を溶融したモールド樹脂１４の成形圧と等しい油圧により支持した状態で成形部４１に溶融したモールド樹脂１４を流し込んでモールド樹脂１４を成形する。これにより、熱交換器２０の一面２０ａ側に掛かる溶融したモールド樹脂１４の成形圧と熱交換器２０の他面２０ｂ側に掛かる油圧とが釣り合うので、熱交換器２０が撓んでしまうことを防止することができる。【選択図】図２
2011238644.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（２０ａ）および他面（２０ｂ）を有すると共に前記他面（２０ｂ）から突き出したフィン（２１）を有する熱交換器（２０）と、
前記熱交換器（２０）の一面（２０ａ）に熱伝導絶縁性の樹脂層（１３）を介して接着されたヒートスプレッダ（１１）と、
前記ヒートスプレッダ（１１）の上に実装された半導体素子（１２）と、
前記半導体素子（１２）、前記ヒートスプレッダ（１１）、および前記樹脂層（１３）を封止したモールド樹脂（１４）と、を備えたパワー半導体モジュールの製造方法であって、
凹部（３１）を有する下側金型（３０）と、凹状の成形部（４１）を有する上側金型（４０）と、を用意する工程と、
前記下側金型（３０）の凹部（３１）に前記フィン（２１）が位置するように前記下側金型（３０）に前記熱交換器（２０）を配置すると共に前記熱交換器（２０）の一面（２０ａ）に前記樹脂層（１３）と前記半導体素子（１２）が実装されたヒートスプレッダ（１１）とを順に積層し、さらに、前記成形部（４１）に前記半導体素子（１２）、前記ヒートスプレッダ（１１）、および前記樹脂層（１３）が位置するように前記熱交換器（２０）の外縁部（２２）を前記下側金型（３０）と前記上側金型（４０）とで挟み、前記熱交換器（２０）によって前記下側金型（３０）の凹部（３１）と前記上側金型（４０）の成形部（４１）とを分離する工程と、
前記凹部（３１）内において前記熱交換器（２０）の他面（２０ｂ）側を前記溶融したモールド樹脂（１４）の成形圧と等しい油圧により支持した状態で前記成形部（４１）に前記溶融したモールド樹脂（１４）を流し込んで前記モールド樹脂（１４）を成形すると共に、前記溶融したモールド樹脂（１４）の温度および成形圧を利用して前記樹脂層（１３）によって前記熱交換器（２０）と前記ヒートスプレッダ（１１）とを接着する工程と、を含んでいることを特徴とするパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記下側金型（３０）を用意する工程では、前記下側金型（３０）として前記凹部（３１）の底部に油（５０）が配置された油圧室（５１）が設けられたものを用意し、
前記熱交換器（２０）によって前記下側金型（３０）の凹部（３１）と前記上側金型（４０）の成形部（４１）とを分離する工程では、前記油圧室（５１）と前記フィン（２１）との間に前記油圧室（５１）を覆うゴム板（６０）を配置することを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記熱交換器（２０）によって前記下側金型（３０）の凹部（３１）と前記上側金型（４０）の成形部（４１）とを分離する工程では、前記ゴム板（６０）と前記フィン（２１）との間に、前記フィン（２１）と同材質の緩衝板（７０）を配置することを特徴とする請求項２に記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記ゴム板（６０）として、前記熱交換器（２０）の他面（２０ｂ）に対向する前記ゴム板（６０）の一面（６１）のうち前記フィン（２１）に対向する部分が凹んでおり、前記ゴム板（６０）に前記油圧が掛かったときに前記ゴム板（６０）の一面（６１）のうち前記フィン（２１）に対向しない部分が前記熱交換器（２０）の他面（２０ｂ）に接触するように前記ゴム板（６０）の一面（６１）に凹凸形状が設けられたものを用いることを特徴とする請求項２に記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記ゴム板（６０）として、前記ゴム板（６０）に前記油圧が掛かる前では前記ゴム板（６０）と前記フィン（２１）との間に隙間（６２）を形成し、前記ゴム板（６０）に前記油圧が掛かったときに前記ゴム板（６０）が変形することにより前記隙間（６２）が前記ゴム板（６０）によって埋まるように前記ゴム板（６０）の一面（６１）に凹凸形状が設けられたものを用いることを特徴とする請求項４に記載のパワー半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱交換器が一体化されたパワー半導体モジュールの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、モールド樹脂封止型パワー半導体装置が、例えば特許文献１で提案されている。具体的に、特許文献１では、ヒートスプレッダの一面にはんだを介して半導体素子が実装され、ヒートスプレッダの他面が露出するようにヒートスプレッダおよび半導体素子がモールド樹脂で封止された半導体装置が提案されている。
【０００３】
さらに、この半導体装置には、ヒートスプレッダの他面を覆う絶縁放熱樹脂層とこの絶縁放熱樹脂層の上の金属層とで構成された絶縁シートが設けられている。そして、半導体装置が絶縁シートを介して熱交換器に設置されることで、半導体素子で発生した熱がヒートスプレッダおよび絶縁シートを介して熱交換器に放出される。
【０００４】
この場合、絶縁シートの金属層と熱交換器との間には例えば熱伝導グリス層が設けられる。このため、金属層と熱交換器との熱膨張率の差に基づく熱応力が半導体装置に発生したとしても、金属層と熱交換器とが摺動可能であるので、金属層と熱交換器との熱膨張率の不一致は問題とならない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３７４０１１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の技術では、熱伝導グリス層は熱伝導率が金属層や熱交換器の金属と比較して１０分の１程度であるので、熱伝導グリス層が金属層から熱交換器への熱伝導の妨げになってしまうという問題がある。また、この熱伝導グリス層が金属層もしくは冷却器に接しない部分が空気層として形成され、この空気層によって熱伝導がさらに阻害される可能性がある。
【０００７】
そこで、熱伝導グリス層を用いずに半導体装置の絶縁放熱樹脂と熱交換器とを直接接着することが考えられる。この場合、金型内に熱交換器、絶縁放熱樹脂層、およびチップが実装されたヒートスプレッダの順に積層し、この状態で金型内に溶融したモールド樹脂を流し込んでヒートスプレッダと熱交換器とを絶縁放熱樹脂層で接着すると共にモールド樹脂を成形する方法が一般的である。
【０００８】
しかし、熱交換器のうち絶縁放熱樹脂層が接着される面とは反対側の面に予めフィン等の凹凸形状が設けられている場合、凹凸形状が金型に当たらないように熱交換器の外縁部分を金型で押さえ付けることになる。このため、熱交換器の中央部分が金型に支持されずに熱交換器に撓みが生じてしまうという問題がある。このことについて、図６を参照して説明する。
【０００９】
図６に示されるように、熱交換器２０の一面２０ａには放熱絶縁シート１３を介してヒートスプレッダ１１が設けられている。また、熱交換器２０の他面２０ｂにはフィン２１が設けられている。一方、ヒートスプレッダ１１にははんだ１５を介して半導体素子１２が実装されている。
【００１０】
そして、下側金型３０にはフィン２１が配置される凹部３１が設けられており、この凹部３１にフィン２１が位置するように熱交換器２０の外縁部２２を下側金型３０と上側金型４０とで挟む。
【００１１】
このような状態で、上側金型４０のゲート４２から溶融したモールド樹脂１４を流し込む。このとき、図６に示されるように、熱交換器２０の一面２０ａ側はモールド樹脂１４の成形圧が印加されるが、他面２０ｂ側は凹部３１の空間になっているので、熱交換器２０の一面２０ａ側が他面２０ｂ側に押されて熱交換器２０が撓んでしまう。
【００１２】
本発明は上記点に鑑み、モールド樹脂の成形時にモールド樹脂の成形圧によって熱交換器が撓んでしまわないようにすることができるパワー半導体モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、凹部（３１）を有する下側金型（３０）と、凹状の成形部（４１）を有する上側金型（４０）と、を用意する。
【００１４】
続いて、下側金型（３０）の凹部（３１）にフィン（２１）が位置するように下側金型（３０）に熱交換器（２０）を配置すると共に熱交換器（２０）の一面（２０ａ）に樹脂層（１３）と半導体素子（１２）が実装されたヒートスプレッダ（１１）とを順に積層し、さらに、成形部（４１）に半導体素子（１２）、ヒートスプレッダ（１１）、および樹脂層（１３）が位置するように熱交換器（２０）の外縁部（２２）を下側金型（３０）と上側金型（４０）とで挟み、熱交換器（２０）によって下側金型（３０）の凹部（３１）と上側金型（４０）の成形部（４１）とを分離する。
【００１５】
この後、凹部（３１）内において熱交換器（２０）の他面（２０ｂ）側を溶融したモールド樹脂（１４）の成形圧と等しい油圧により支持した状態で成形部（４１）に溶融したモールド樹脂（１４）を流し込んでモールド樹脂（１４）を成形すると共に、溶融したモールド樹脂（１４）の温度および成形圧を利用して樹脂層（１３）によって熱交換器（２０）とヒートスプレッダ（１１）とを接着する工程と、を含んでいることを特徴とする。
【００１６】
これによると、熱交換器（２０）の一面（２０ａ）側に加わる溶融したモールド樹脂（１４）の成形圧と、熱交換器（２０）の他面（２０ｂ）側に加わる油圧とが等しいので、熱交換器（２０）の一面（２０ａ）側および他面（２０ｂ）側それぞれに等しい圧力が印加される。したがって、モールド樹脂（１４）の成形時にモールド樹脂（１４）の成形圧によって熱交換器（２０）が撓んでしまわないようにすることができる。
【００１７】
請求項２に記載の発明では、下側金型（３０）を用意する工程では、下側金型（３０）として凹部（３１）の底部に油（５０）が配置された油圧室（５１）が設けられたものを用意する。そして、熱交換器（２０）によって下側金型（３０）の凹部（３１）と上側金型（４０）の成形部（４１）とを分離する工程では、油圧室（５１）とフィン（２１）との間に油圧室（５１）を覆うゴム板（６０）を配置することを特徴とする。
【００１８】
これにより、凹部（３１）に位置する熱交換器（２０）の他面（２０ｂ）側が油（５０）で濡れないので、モールド樹脂（１４）を形成した後に熱交換器（２０）の他面（２０ｂ）側の油（５０）を洗い流さなくて済むようにすることができる。
【００１９】
請求項３に記載の発明では、熱交換器（２０）によって下側金型（３０）の凹部（３１）と上側金型（４０）の成形部（４１）とを分離する工程では、ゴム板（６０）とフィン（２１）との間に、フィン（２１）と同材質の緩衝板（７０）を配置することを特徴とする。
【００２０】
これによると、フィン（２１）は緩衝板（７０）に接触すると共にゴム板（６０）に掛かる荷重が緩衝板（７０）によって分散されるので、ゴム板（６０）の寿命を長くすることができる。
【００２１】
請求項４に記載の発明では、ゴム板（６０）として、熱交換器（２０）の他面（２０ｂ）に対向するゴム板（６０）の一面（６１）のうちフィン（２１）に対向する部分が凹んでおり、ゴム板（６０）に油圧が掛かったときにゴム板（６０）の一面（６１）のうちフィン（２１）に対向しない部分が熱交換器（２０）の他面（２０ｂ）に接触するようにゴム板（６０）の一面（６１）に凹凸形状が設けられたものを用いることを特徴とする。
【００２２】
これによると、ゴム板（６０）の一面（６１）にはフィン（２１）だけでなく熱交換器（２０）の他面（２０ｂ）のうちフィン（２１）が形成されていない部分からも荷重が掛かり、ゴム板（６０）の一面（６１）に掛かる荷重が分散されるので、ゴム板（６０）の寿命を長くすることができる。
【００２３】
請求項５に記載の発明では、請求項４に記載の発明において、ゴム板（６０）として、ゴム板（６０）に油圧が掛かる前ではゴム板（６０）とフィン（２１）との間に隙間（６２）を形成し、ゴム板（６０）に油圧が掛かったときにゴム板（６０）が変形することにより隙間（６２）がゴム板（６０）によって埋まるようにゴム板（６０）の一面（６１）に凹凸形状が設けられたものを用いることを特徴とする。
【００２４】
これによると、フィン（２１）が形成された熱交換器（２０）の他面（２０ｂ）全体がゴム板（６０）で支持され、ゴム板（６０）の一面（６１）に掛かるフィン（２１）の荷重が分散されるので、ゴム板（６０）の寿命を長くすることができる。
【００２５】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１実施形態に係るパワー半導体モジュールの断面図である。
【図２】図１に示されるパワー半導体モジュールの製造工程のうちモールド樹脂の成形工程を示した図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係るモールド樹脂の成形工程を示した図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係るモールド樹脂の成形工程を示した図である。
【図５】他の実施形態に係るモールド樹脂の成形工程を示した図である。
【図６】課題を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。また、図６に示す構成要素と同一のものには、同一符号を記してある。
【００２８】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態で示される熱交換器付きパワー半導体モジュールは、例えばインバータ装置などの電力変換装置に適用されるものである。
【００２９】
図１は、本実施形態に係るパワー半導体モジュールの断面図である。この図に示されるように、パワー半導体モジュールは、モジュール１０と、熱交換器２０と、を備えて構成されている。
【００３０】
モジュール１０は、ヒートスプレッダ１１と、半導体素子１２と、放熱絶縁シート１３と、モールド樹脂１４と、を備えている。このうち、ヒートスプレッダ１１は一面１１ａおよび他面１１ｂを有する板状をなしており、半導体素子１２の熱を受け取って放出するヒートシンクとしての役割を果たすものである。ヒートスプレッダ１１として、例えばＣｕのブロックが採用される。
【００３１】
半導体素子１２は、ＩＧＢＴやパワーＭＯＳトランジスタ等の素子が形成された半導体チップである。この半導体素子１２にはゲート等のパッドや電極が形成されており、図示しないリードにボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。また、半導体素子１２は、ヒートスプレッダ１１の一面１１ａにはんだ１５を介して実装されている。
【００３２】
放熱絶縁シート１３は、ヒートスプレッダ１１と熱交換器２０とを接着するための熱伝導絶縁性の接着剤である。この放熱絶縁シート１３は、ヒートスプレッダ１１の他面１１ｂを覆っている。このような放熱絶縁シート１３としては、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂にセラミックフィラーが混入されたシート状のものが採用される。セラミックフィラーが混入されていない場合の熱伝導率（１〜１０Ｗ／ｍ・Ｋ）に対して、放熱絶縁シート１３の熱伝導率は例えば１０〜３０Ｗ／ｍ・Ｋとなっている。
【００３３】
モールド樹脂１４は、モジュール１０の外観をなすものである。このモールド樹脂１４は、放熱絶縁シート１３のうちヒートスプレッダ１１とは反対側の面が露出するように、半導体素子１２、図示しないリードの一部、ヒートスプレッダ１１、および放熱絶縁シート１３をそれぞれ封止している。このようなモールド樹脂１４として、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられる。なお、「放熱絶縁シート１３のうちヒートスプレッダ１１とは反対側の面が露出するように」とは、放熱絶縁シート１３のうちヒートスプレッダ１１とは反対側の面を覆わないように、という意味である。
【００３４】
熱交換器２０は、モジュール１０つまり半導体素子１２を冷却するための冷却器である。熱交換器２０は一面２０ａおよび他面２０ｂを有する板状をなしており、熱交換器２０の一面２０ａが放熱絶縁シート１３に接着されている。
【００３５】
また、熱交換器２０の他面２０ｂには、当該他面２０ｂの一部が突き出したフィン２１が複数形成されている。図１に示されるように、フィン２１は例えばピンフィンであり、千鳥状に配置されている。このフィン２１により、熱交換器２０の放熱性が向上する。熱交換器２０の材質として、例えば熱伝導性が良いＡｌが採用される。
【００３６】
上記では、放熱絶縁シート１３はヒートスプレッダ１１と熱交換器２０とを接着すると述べたが、より正確には、放熱絶縁シート１３はヒートスプレッダ１１の他面１１ｂと熱交換器２０の一面２０ａとを接着していると言える。また、図１に示されるように、モールド樹脂１４は、放熱絶縁シート１３の側面も覆うように形成され、熱交換器２０の一面２０ａに接している。以上が本実施形態に係るパワー半導体モジュールの全体構成である。
【００３７】
次に、パワー半導体モジュールの製造方法について、図２を参照して説明する。まず、半導体素子１２、リード、ヒートスプレッダ１１、放熱絶縁シート１３、および熱交換器２０をそれぞれ用意しておく。また、ヒートスプレッダ１１の一面１１ａにはんだ１５を介して半導体素子１２を実装し、半導体素子１２に図示しないリードを接続しておく。
【００３８】
そして、図２に示されるように、凹部３１を有する下側金型３０と、成形部４１を有する上側金型４０と、をそれぞれ用意する。このうち、下側金型３０の凹部３１の底部には非圧縮性の液体である油５０が配置されている。
【００３９】
さらに、油５０を覆うように、下側金型３０の凹部３１にゴム板６０を配置する。このゴム板６０は、熱交換器２０の他面２０ｂ側に油５０が付着することを防止する役割を果たすものである。また、凹部３１の底部が油圧室５１となる。
【００４０】
一方、上側金型４０には、溶融したモールド樹脂１４を成形部４１に導くゲート４２が設けられている。また、成形部４１は凹状をなしており、モールド樹脂１４の型となる部分である。
【００４１】
そして、下側金型３０の凹部３１にフィン２１が位置するように下側金型３０に熱交換器２０を配置する。これにより、ゴム板６０は油圧室５１とフィン２１との間に油圧室５１を覆うように位置する。また、熱交換器２０の一面２０ａに放熱絶縁シート１３と半導体素子１２が実装されたヒートスプレッダ１１とを順に積層する。
【００４２】
この後、上側金型４０を下側金型３０に重ね、上側金型４０の成形部４１に半導体素子１２、ヒートスプレッダ１１、および放熱絶縁シート１３が位置するように熱交換器２０の外縁部２２を下側金型３０と上側金型４０とで挟む。なお、熱交換器２０の外縁部２２とは熱交換器２０のフランジ部分である。
【００４３】
このように、熱交換器２０の外縁部２２を下側金型３０および上側金型４０で挟むことで、下側金型３０の凹部３１と上側金型４０の成形部４１との各空間を熱交換器２０によって分離する。言い換えると、下側金型３０の凹部３１には油圧室５１の油圧が掛かり、上側金型４０の成形部４１にはモールド樹脂１４の成形圧が掛かることとなる。
【００４４】
続いて、上側金型４０の成形部４１にゲート４２を介して溶融したモールド樹脂１４を流し込み、半導体素子１２、図示しないリードの一部、ヒートスプレッダ１１、および放熱絶縁シート１３をそれぞれ封止する。
【００４５】
この場合、油圧室５１に成形圧を印加することにより、油圧室５１の油５０に成形圧と同じ液圧を発生させる。これにより、下側金型３０の凹部３１内において熱交換器２０の他面２０ｂ側を溶融したモールド樹脂１４の成形圧と等しい油圧で支持する。つまり、熱交換器２０の一面２０ａ側に掛かる溶融したモールド樹脂１４の成形圧と熱交換器２０の他面２０ｂ側に掛かる油圧とが釣り合っている。この状態でモールド樹脂１４を成形する。
【００４６】
また、上述のように放熱絶縁シート１３は熱硬化性であるから、成形部４１に溶融したモールド樹脂１４を流し込むことで放熱絶縁シート１３が加熱されると共に、放熱絶縁シート１３に溶融したモールド樹脂１４の成形圧が掛かる。このため、ヒートスプレッダ１１が熱交換器２０側に押し付けられる。このように、溶融したモールド樹脂１４の温度および成形圧を利用して放熱絶縁シート１３によって熱交換器２０とヒートスプレッダ１１とを接着する。
【００４７】
そして、モールド樹脂１４および放熱絶縁シート１３を冷却することで熱硬化させる。こうして、パワー半導体モジュールが完成する。
【００４８】
以上説明したように、本実施形態では、下側金型３０に油圧室５１を設け、モールド樹脂１４の成形時に熱交換器２０の他面２０ｂ側に溶融したモールド樹脂１４の成形圧と等しい油圧を掛けることにより、熱交換器２０の他面２０ｂ側を当該油圧で支持した状態でモールド樹脂１４を成型することが特徴となっている。
【００４９】
これにより、溶融したモールド樹脂１４の成形圧が熱交換器２０の一面２０ａ側に掛かり、当該成形圧と等しい油圧が熱交換器２０の他面２０ｂ側に掛かるので、熱交換器２０の一面２０ａ側および他面２０ｂ側それぞれに掛かる圧力が釣り合う。このため、熱交換器２０の一面２０ａ側が溶融したモールド樹脂１４によって他面２０ｂ側に押し込まれないので、熱交換器２０に反りが発生することはない。したがって、モールド樹脂１４の成形時にモールド樹脂１４の成形圧によって熱交換器２０が撓んでしまわないようにすることができる。
【００５０】
また、本実施形態では、油５０と熱交換器２０との間に、油５０を覆うゴム板６０を設けていることが特徴となっている。これにより、ゴム板６０が油５０の蓋となるので、凹部３１に位置する熱交換器２０の他面２０ｂ側が油５０で濡れることはない。このため、モールド樹脂１４を形成した後に熱交換器２０の他面２０ｂ側の油５０を洗い流さなくて済む。
【００５１】
なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、放熱絶縁シート１３が特許請求の範囲の「樹脂層」に対応する。
【００５２】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。図３は、本実施形態に係るモールド樹脂１４の成形工程を示した図である。この図に示されるように、本実施形態では、ゴム板６０とフィン２１との間に緩衝板７０を配置する。この緩衝板７０として、例えば熱交換器２０（つまりフィン２１）と同材質のＡｌの板材が採用される。
【００５３】
このように、ゴム板６０とフィン２１との間に緩衝板７０を配置することで、フィン２１の荷重は緩衝板７０に掛かる。このため、緩衝板７０の荷重がゴム板６０に掛かるので、ゴム板６０に掛かる荷重を緩衝板７０によって分散することができる。したがって、ゴム板６０には局所的な荷重が掛からないので、ゴム板６０の寿命を長くすることができる。
【００５４】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。図４は本実施形態に係るモールド樹脂１４の成形工程を示した図であり、図４（ａ）は油５０への加圧前の断面図、図４（ｂ）は油５０への加圧中の断面図である。
【００５５】
図４（ａ）に示されるように、ゴム板６０のうち熱交換器２０の他面２０ｂに対向する一面６１には凹凸形状が設けられている。具体的には、ゴム板６０の一面６１のうちフィン２１に対向する部分が凹んでいる。また、ゴム板６０に油圧が掛かる前ではゴム板６０とフィン２１との間に隙間６２が形成されるように、凹凸形状が設けられた。なお、ゴム板６０とフィン２１との間に隙間６２が形成されていれば良く、図４（ａ）に示されるようにゴム板６０の一面６１の一部が熱交換器２０の他面２０ｂに接触していても良いし、ゴム板６０と熱交換器２０とが接触していなくても良い。
【００５６】
そして、図４（ｂ）に示されるように、ゴム板６０に油圧が掛かったときにゴム板６０が変形することにより隙間６２がゴム板６０によって埋まる。言い換えると、ゴム板６０に油圧が掛かったときに隙間６２が埋まるような凹凸形状がゴム板６０の一面６１に設けられている。
【００５７】
以上説明したように、ゴム板６０の一面６１に凹凸形状が設けられたものを用いることで、ゴム板６０に油圧が掛かったときに、ゴム板６０でフィン２１が形成された熱交換器２０の他面２０ｂ全体を支持することができる。このため、ゴム板６０の一面６１に掛かるフィン２１の荷重が分散されるので、ゴム板６０の寿命を長くすることができる。
【００５８】
（他の実施形態）
上記各実施形態では、モジュール１０に１つの半導体素子１２を設けた構造が示されているが、これは一例であり、モジュール１０に設ける半導体素子１２の数はモジュール１０の用途に応じて適宜変更できる。
【００５９】
また、熱交換器２０の他面２０ｂに設けられたフィン２１はピンフィンではなく、板状フィンやオフセットフィン等の他の種類のフィンでも良い。一方、熱交換器２０の他面２０ｂにフィン２１を設けるのではなく、熱交換器２０の他面２０ｂが波状等の凹凸形状になっていても良い。この場合、ゴム板６０の一面６１の形状も熱交換器２０の他面２０ｂの凹凸形状に対応した形状になっていることが好ましい。
【００６０】
上記第３実施形態では、ゴム板６０として、油５０への加圧中にゴム板６０とフィン２１との隙間６２を埋めるようにゴム板６０の一面６１に凹凸形状が設けられたものを用いていたが、油５０への加圧中にゴム板６０は必ずしも隙間６２を埋めるように変形しなくても良い。すなわち、ゴム板６０の一面６１のうち熱交換器２０の他面２０ｂに対向する部分が凹んでおり、ゴム板６０に油圧が掛かったときにゴム板６０の一面６１のうちフィン２１に対向しない部分が熱交換器２０の他面２０ｂに接触するようにゴム板６０の一面６１に凹凸形状が設けられていれば良い。これにより、油５０への加圧中には、ゴム板６０の一面６１にはフィン２１だけでなく熱交換器２０の他面２０ｂのうちフィン２１が形成されていない部分からも荷重が掛かるので、ゴム板６０の一面６１に掛かる荷重が分散される。したがって、ゴム板６０の寿命を長くすることができる。
【００６１】
上記各実施形態では、ゴム板６０や緩衝板７０を用いていたが、図５に示されるように、ゴム板６０や緩衝板７０を用いずに熱交換器２０の他面２０ｂ側を油５０で直接加圧するようにしても良い。この場合、モールド樹脂１４を形成した後に熱交換器２０に付着した油５０を洗い流せば良い。
【符号の説明】
【００６２】
１４    モールド樹脂
２０    熱交換器
２０ａ  熱交換器の一面
２０ｂ  熱交換器の他面
２１    フィン
２２    熱交換器の外縁部
３０    下側金型
３１    凹部
４０    上側金型
４１    成形部
５０    油
５１    油圧室
６０    ゴム板
６１    ゴム板の一面
６２    隙間
７０    緩衝板
【図１】
2011238644.tif 000003
【図２】
2011238644.tif 000004
【図３】
2011238644.tif 000005
【図４】
2011238644.tif 000006
【図５】
2011238644.tif 000007
【図６】
2011238644.tif 000008