(57)【要約】      （修正有）【課題】生産性に優れ、製造が容易で、高歩留まりが得られる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】支持板１に複数の半導体チップ２を搭載する工程と、二つの支持板１の半導体チップ２を搭載していない面同士を向き合わせて一体化して複合板を形成する工程と、この複合板の両面にそれぞれ絶縁層および配線を形成する工程と、この複合板を分離して、分離された支持板１上に半導体チップ２、絶縁層および配線が設けられた二つのチップ配列基板を得る工程を含み、前記複合板を形成した際に、一方の支持板１上の半導体チップ２の搭載位置に対して、他方の支持板１上の対応する半導体チップ２の搭載位置がずれるように、各支持板１上に半導体チップ２が搭載される、半導体装置の製造方法。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持板に複数の半導体チップを搭載する工程と、
二つの前記支持板の半導体チップを搭載していない面同士を向き合わせて一体化して複合板を形成する工程と、
前記複合板の両面にそれぞれ絶縁層および配線を形成する工程と、
前記複合板を分離して、分離された支持板上に半導体チップ、絶縁層および配線が設けられた二つのチップ配列基板を得る工程を含み、
前記複合板を形成した際に、一方の支持板上の半導体チップの搭載位置に対して、他方の支持板上の対応する半導体チップの搭載位置がずれるように、各支持板上に半導体チップが搭載される、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記支持板上に、搭載された半導体チップの少なくとも側面周囲を覆うように絶縁層を形成した後に、この支持板の二つを一体化して複合板を形成する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
一方の支持板上の半導体チップの搭載位置に対して、他方の支持板上の対応する半導体チップの搭載位置を一致させて重ね合わせることができる二つの支持板を用意し、
これらの支持板を、当該両支持板の半導体チップの搭載位置が互いに一致する重ね合わせた状態から、一方の支持板に対して他方の支持板を１８０度または９０度回転させた状態で一体化して、一方の支持板上の半導体チップの搭載位置に対して、他方の支持板上の対応する半導体チップの搭載位置をずらす、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
二つの支持板を重ね合わせて一体化して複合板を形成する工程と、
この複合板の両面にそれぞれ複数の半導体チップを搭載する工程と、
この複合板の両面に絶縁層および配線を形成する工程と、
この複合板を分離して、分離された支持板上に半導体チップ、絶縁層および配線が設けられた二つのチップ配列基板を得る工程を含み、
一方の支持板上の半導体チップの搭載位置に対して、他方の支持板上の対応する半導体チップの搭載位置がずれるように、前記複合板の両面に半導体チップが搭載される、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記複合板の一方の面と他方の面に対して一つ又は複数の半導体チップを交互に搭載する、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記複合板の両面の対応する位置にほぼ同時期に半導体チップを搭載する、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
一方の支持板上の半導体チップの搭載位置に対して、他方の支持板上の対応する半導体チップの搭載位置が、ずれ方向の半導体チップのサイズの略１／２ずれているか、または半導体チップの搭載間隔の略１／２ずれている、請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記チップ配列基板を個片化して、一つのチップ配列基板から、少なくとも一つの半導体チップを含む複数のチップ内蔵基板を得る、請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記複合板を分離した後、支持板を除去する、請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記支持板が金属板であり、前記絶縁層が樹脂層である、請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持板上に半導体チップが搭載され、当該半導体チップが絶縁材料中に埋め込まれ配線が形成された半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、個片化された半導体チップが絶縁層に埋め込まれ、その絶縁層上に配線が形成された「チップ内蔵基板」と呼ばれる半導体装置が注目されている。
【０００３】
このような半導体装置の製造は、例えば次のようにして行われる。
【０００４】
まず、ウエハ上に一括で形成したチップ群をダイシング等により個片化する。次に、個片化チップを、支持基板上に搭載する。次にチップを埋めるように絶縁層を形成する。次に、この絶縁層上に外部引き出し用の配線を形成する。
【０００５】
このような半導体装置として、特許文献１には、金属放熱板上にＩＣチップが固定され、このＩＣチップの周囲および上部に絶縁樹脂層が形成され、この絶縁樹脂層の表面には、チップのパッドと配線を介して接続されたＢＧＡ実装パッドが形成され、このＢＧＡ実装パッド上にはＢＧＡはんだバンプが形成されたボールグリッドアレイパッケージが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１５６５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら上記関連技術においては以下のような問題がある。
【０００８】
特許文献１に開示された技術では、銅板等の金属板上にＩＣチップを搭載し、このＩＣチップを樹脂で埋めた後に配線を形成しているが、金属と樹脂の熱膨張係数が異なるため、また、樹脂が硬化時に収縮するため、樹脂硬化（キュア）後に反りが発生する。この反りは、個々の半導体装置（パッケージ）においても問題となるが、半導体装置の製造工程において大きな支持基板を用い、一つの支持基板上に多数のＩＣチップを搭載して多数の半導体装置を同時に作製する場合において特に問題となる。すなわち、このような大きな支持基板を用いた半導体装置の製造においては、各半導体装置への個片化前の基板全体の反りが非常に大きくなり、露光工程や搬送工程等の製造工程においてステージへの吸着が困難であったり、精度の高い露光が困難であったり、搬送治具の所定の位置に半導体装置が納まらなかったりする等の不具合が発生するという問題がある。これにより、製造工程における不良品の発生、歩留まりの低下等の問題が起きる。また、反りにより半導体チップの特性が変化する場合もある。
【０００９】
また、特許文献１に開示された技術では、樹脂層、配線を放熱基板毎に片側のみに逐次プロセスで形成するため生産性が十分に高くないという問題がある。
【００１０】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであって、その目的は生産性に優れ、製造が容易で、高歩留まりが得られる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様によれば、
支持板に複数の半導体チップを搭載する工程と、
二つの前記支持板の半導体チップを搭載していない面同士を向き合わせて一体化して複合板を形成する工程と、
前記複合板の両面にそれぞれ絶縁層および配線を形成する工程と、
前記複合板を分離して、分離された支持板上に半導体チップ、絶縁層および配線が設けられた二つのチップ配列基板を得る工程を含み、
前記複合板を形成した際に、一方の支持板上の半導体チップの搭載位置に対して、他方の支持板上の対応する半導体チップの搭載位置がずれるように、各支持板上に半導体チップが搭載される、半導体装置の製造方法が提供される。
【００１２】
本発明の他の態様によれば、
二つの支持板を重ね合わせて一体化して複合板を形成する工程と、
この複合板の両面にそれぞれ複数の半導体チップを搭載する工程と、
この複合板の両面に絶縁層および配線を形成する工程と、
この複合板を分離して、分離された支持板上に半導体チップ、絶縁層および配線が設けられた二つのチップ配列基板を得る工程を含み、
一方の支持板上の半導体チップの搭載位置に対して、他方の支持板上の対応する半導体チップの搭載位置がずれるように、前記複合板の両面に半導体チップが搭載される、半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、生産性に優れ、反りが小さく製造が容易で、高歩留まりが得られる半導体装置の製造方法を提供できる。また本発明によれば、半導体装置の反りが小さいため、内蔵された半導体チップへの影響がなく、半導体チップの特性バラツキを小さく抑えることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２】本発明の実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】本実施形態の製造方法で得られる半導体装置の一例を説明するための図である。
【図４】本実施形態の製造方法で得られる半導体装置の他の例を説明するための図である。
【図５】本発明の課題を説明するための図である。
【図６】本発明の課題を説明するための図である。
【図７】本発明の課題を説明するための図である。
【図８】本発明の実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図９】本発明の課題を説明するための図である。
【図１０】本発明の実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１１】本発明の実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の好適な実施の形態について以下に説明する。
【００１６】
本実施形態においては、まず、図１に示すように、半導体チップ２を支持板１上に搭載する。通常は、一つの支持板上には複数の半導体チップが搭載されるが、図１及び以下の説明に用いる図においては、説明の簡略化のため１つの半導体チップのみ示している。
【００１７】
次に、図２に示すように、半導体チップ２を搭載した二つの支持板１を、半導体チップを搭載していない面同士を向き合わせて一体化して複合板を形成する。図２では一体化治具５を用いて二つの支持板を固定して一体化しているが、一体化の方法はこのような治具によるものには限定されない。
【００１８】
次に、この複合基板の両面にそれぞれ半導体チップを覆う絶縁層を形成し、半導体チップに電気的に接続する配線を形成する。
【００１９】
その後、複合基板を分離して、分離された支持板上に半導体チップ、絶縁層および配線が設けられた二つのチップ配列基板を得る。
【００２０】
これらのチップ配列基板はそれぞれ個片化して、一つのチップ配列基板から、少なくとも一つの半導体チップを含む複数のチップ内蔵基板を得る。
【００２１】
複合板を分離した後、支持板を除去してもよい。これにより、下面側に配線や端子が設けられたチップ内蔵基板を製造することが可能になる。
【００２２】
上記の支持板としては金属板を用いることができる。上記の絶縁層としては樹脂層を用いることができる。
【００２３】
このようにして得られる半導体装置（チップ内蔵基板）の例を図３、図４に示す。
【００２４】
個片化された支持板１上に半導体チップ２が搭載され、この半導体チップが絶縁層３に埋め込まれている。この絶縁層３の上面には、配線４を介して半導体チップの端子と電気的に接続する外部端子が形成されている。図３は単層配線を有する半導体装置を示し、図４は層間ヴィアで上下の配線間が接続された多層配線構造（本例では２層の配線を含む）を有する半導体装置を示している。
【００２５】
本実施形態においては２枚の支持板を重ね合わせて製造を行うため、絶縁層の形成、めっきによる配線の形成を両面同時に形成できるため、生産性が２倍近くに向上するという利点がある。
【００２６】
また、チップを搭載する支持板が薄いと反りやうねりを生じる等の取扱が困難となることがあるが、本実施形態においては２枚の支持板を一体化するのでそのような問題を解決できるという利点がある。また、結果的に薄い支持板を用いることができ、低コスト化を図れるという利点がある。
【００２７】
チップを埋める樹脂等からなる絶縁層の熱膨張係数と金属等からなる支持板の熱膨張係数が大きく異なる場合は熱膨張係数の違いによって、また絶縁層が熱硬化性樹脂等からなり硬化収縮する場合にはその収縮によって、１枚のみの支持板では図５に示すように反りが発生し、製造プロセスにおいてこの反りに起因する不具合、たとえば露光精度不良や搬送不良などが生じる。これに対して本実施形態では、２枚の支持板を重ね合わせて一体化してプロセスを流すため、上記反りに起因する不具合が発生せず、またその後の樹脂層形成、配線形成においても反りが発生しにくく、以降の工程を良好に流せるという利点がある。
【００２８】
図２に示す例では、絶縁層を設けていない二つの支持板を一体化しているが、二つの支持板を一体化する前に各支持板上に絶縁層を設け、その後に二つの支持板を一体化して複合板を形成してもよい。この複合板の両側に配線と絶縁層を設けて所望のチップ内蔵基板を得ることができる。
【００２９】
本実施形態の製造方法では、２枚の支持板を裏面（チップが搭載されていない面）同士を向かい合わせて一体化した際（複合基板を形成した際）に、一方の支持板上の半導体チップの搭載位置に対して、他方の支持板上の対応する半導体チップ搭載位置がずれるように、各支持板上に半導体チップが搭載される。半導体チップは、等間隔にマトリクス配置することができる。
【００３０】
上記のように２枚の支持板を裏面同士を向かい合わせて一体化し、その後に絶縁層と配線を形成することにより、支持板全体の反りを抑えることができるが、本実施形態によればさらに支持板の局所的な反りに対しても対処することができる。
【００３１】
図６は、チップ搭載後の支持板の反り具合をより詳細に示したものである。半導体チップの熱膨張係数は、金属等からなる支持板の熱膨張係数よりも小さいためチップ搭載後にチップ搭載部分が図６に示すように反る（上に凸に反る）傾向がある。このような支持板２枚を一体化させた場合には、図７に示すように中央に空間ができることになる。この空間は局所的な反りに起因するため、両端または周囲に設けた一体化治具で２枚の支持板を強く締め付けるのみではこの空間をなくすことは困難である。
【００３２】
このような空間が支持板間に形成されると、その後の工程においてこの空間内にめっき液やエッチング液等の薬液が染み込み、残留することになる。これにより、その後の工程において残留物による汚染や、残留物に起因する種々の不具合が発生する虞がある。また、２枚の支持板を一体化治具に代えて接着材等で一体化する場合においては、この空間により接合力が低下する等の不具合が生じる場合がある。
【００３３】
これに対して、２枚の支持板を重ね合わせた際に、一方の支持基板上に半導体チップと他方の支持基板上の対応する半導体チップとの間において搭載位置がずれるような配置で予め半導体チップを搭載しておくことにより（例えば図８）、このような不具合を起こすほどの空間を生じさせない、あるいはきわめて小さくすることができる。この結果、支持基板間への薬液等の染み込み、残留を防止でき、また、一体化に接着剤を用いた場合でも良好な接合力を確保できる。
【００３４】
特に、一方の支持板上の半導体チップの搭載位置に対して、他方の支持板上の対応する半導体チップの搭載位置が、ずれ方向の半導体チップサイズの略１／２ずれている場合、一方の支持板上の半導体チップの搭載位置に対して、他方の支持板上の対応する半導体チップの搭載位置が、半導体チップの搭載間隔の略１／２ずれている場合に、この空間が小さくなり、より良好な改善効果が得られる。チップの搭載間隔が当該搭載方向（チップ配列方向）のチップサイズより大きい場合、その搭載間隔の１／２のずれ以下において、当該搭載方向のチップサイズの１／２以上ずれていてもよい。例えば、図８に示すように、搭載間隔が十分に広く、一方の支持板上の半導体チップと他方の支持板上の半導体チップが重ならないようにずれていることが好ましい。
【００３５】
半導体チップが搭載され、絶縁層が形成された二つの支持板を一体化させる場合にはさらに空間が大きくなる傾向がある。半導体チップが搭載され、絶縁層が形成された支持板の反りの状態を図９に示す。支持板全体で見ると金属等からなる支持板と樹脂等からなる絶縁層の熱膨張係数差、樹脂の硬化収縮等により全体が下に凸に反るのに対して、チップ搭載部については弾性率が大きいチップと支持板の熱膨張係数差が支配的となり上に凸に反り、反対の２つの反りが共存することになる。この結果、例えば図１０に示すように、２枚の支持板を重ね合わせて両端でしっかり押さえた場合には中央の空間はさらに大きくなる傾向がある。そのような場合、２枚の支持板を重ね合わせた際に、一方の支持基板上に半導体チップと他方の支持基板上の対応する半導体チップとの間において搭載位置がずれるような配置で半導体チップが搭載されていること、特に、半導体チップの搭載位置が半導体チップの大きさの略１／２ずれていることにより、又は半導体チップの搭載位置が半導体チップの搭載間隔の略１／２ずれていることにより（図１１参照）、大きな改善効果が得られる。チップの搭載間隔が当該搭載方向（チップ配列方向）のチップサイズより大きい場合、その搭載間隔の１／２のずれ以下において、当該搭載方向のチップサイズの１／２以上ずれていてもよい。例えば、図１１に示すように、搭載間隔が十分に広く、一方の支持板上の半導体チップと他方の支持板上の半導体チップが重ならないようにずれていることが好ましい。
【００３６】
本実施形態において、一方の支持板上の半導体チップの搭載位置に対して、他方の支持板上の対応する半導体チップの搭載位置を一致させて重ね合わせることができる二つの支持板を用意し、これらの支持板を、当該両支持板の半導体チップの搭載位置が互いに一致する重ね合わせた状態から、一方の支持板に対して他方の支持板を１８０度または９０度回転させた状態で一体化して、一方の支持板上の半導体チップの搭載位置に対して、他方の支持板上の対応する半導体チップの搭載位置をずらすことができる。支持板の向きを変えるための回転は、重ね合わせ面に平行な回転を意味する。支持板は矩形（長方形）や正方形等の多角形のものを用いることができるが、９０度回転させる場合は正方形等の正多角形が好ましい。搭載された半導体チップ群（例えばマトリクス配置）の外縁（最外配置のチップ）と支持板の外縁（外周辺）との距離が均等となる配置から不均等となる配置へ半導体チップ群の位置を適宜ずらした支持基板を用意することにより、二つの支持板を一体化した際の半導体チップの搭載位置の所望のずれ（一方の支持板の回転後のずれ）を生じさせることができる。
【００３７】
半導体チップの搭載位置をずらすために２枚の支持板上のチップの搭載位置を変えると、その後の露光プロセス、個片化プロセスを別個に行うことになる。しかし、半導体チップを同じ配置とし、この配置が２枚の支持板間で向きのみが異なる場合には同様な露光プロセス、個片化プロセス等を用いることができる。支持板を重ね合わせる際の向きを、チップ配置が一致する向きから１８０度または９０度変えることにより、一体化時のチップ位置をずらすことが可能となる。
【００３８】
本発明の他の実施形態による製造方法は、支持板２枚を重ね合わせて一体化して複合板を形成し、この複合板の両面にそれぞれ半導体チップを搭載し、この半導体チップを覆う絶縁層および配線を形成し、その後この複合板を分離する。これにより、製造時の反りの問題を防止するとともに生産性を上げることができる。
【００３９】
この製造方法において、一方の支持板上の半導体チップの搭載位置に対して、他方の支持板上の対応する半導体チップの搭載位置がずれるように、前記複合板の両面に半導体チップが搭載される。前記の実施形態と同様なチップ配置にすることができる。これにより、前述の局所的な反りによる不具合を防ぐことができる。
【００４０】
この製造方法において、半導体チップの搭載を支持板の片面ずつは行わないことが望ましい。片面ずつ半導体チップを搭載すると、搭載した部分に局所的な反りが生じやすく、特に、支持板を接着により一体化させた場合には、反対面のチップの搭載が困難、または搭載精度が低下する虞がある。チップ搭載を片面ずつ行わないことにより、この課題を避けることができる。よって、複合板の一方の面と他方の面に対して一つ又は複数の半導体チップを交互に搭載することが望ましい。その際、複合板の両面の対応する位置にほぼ同時期に半導体チップを搭載することがより望ましい。これにより局所的な反りをより一層抑えることが可能になる。
【００４１】
以下、本発明の半導体装置の製造方法についてさらに詳細に説明する。
【００４２】
本発明の半導体チップは、トランジスタ等の半導体素子が作り込まれているものをいい、ＬＳＩチップ等の種々のＩＣチップを用いることができ、その搭載数に制限はない。
【００４３】
本発明で使用する支持板としては、金属板、セラミックス板、樹脂板等が使用できる。
【００４４】
本発明における支持板は、縦または横に対して厚さが小さい板状体をいい、この支持板は、その上下面（第一面側と第二面側）が同じ材料からなる面であってもよいし、たとえば、金属板の上に樹脂層を形成した構造体のように上下面が異なる材料から形成されていてもよい。
【００４５】
本発明は、支持板とその上に設けられる絶縁層との熱膨張係数が大きく異なる場合に効果的である。支持板が特に金属板である場合に効果的であり、さらに、この支持板上に設ける絶縁層が樹脂等の有機材料からなる層である場合に効果的である。このような金属板として銅板、アルミ板、ＳＵＳ板、４２アロイ等の合金板等が挙げられる。
【００４６】
また、支持基板は、それ自身が配線層を含む絶縁材料からなっているものであってもよい。これにより支持基板の両側に導通する配線を形成することができる。
【００４７】
また、本発明に用いる支持板は、複合板を分離した後に除去することも可能であり、除去した場合は、たとえばチップを内蔵した絶縁層と配線を含むチップ内蔵基板となる。このようなチップ内蔵基板は、支持基板のあった側からの電気的接続が可能となり、結果、板状体の半導体装置の上下面から接続が可能な半導体装置が得られる。
【００４８】
支持基板を除去するとは、半導体チップが搭載され、絶縁層および配線が設けられた構造体から支持基板が取り除かれることをいい、この除去方法としてはエッチングによる除去や、溶剤による除去、剥離による除去が挙げられる。
【００４９】
本発明における一体化とは、一時的に一体化することをいい、最終的には分離可能であるものである。このような方法として、重ね合わせた支持板の両端または周囲を治具で押さえつける方法、２枚の支持板を接着する方法、２枚の支持板の周囲を溶接その他で一体化し、分離時にその部分を裁断する方法等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００５０】
本発明における絶縁層は、半導体チップを埋め込んだり、配線周囲を絶縁するものであり、有機材料、無機材料のいずれも使用することができるが、本発明の解決課題との関係から支持板とは異なる材質のものを好適に用いることができる。有機材料としては、樹脂材料が挙げられる。支持基板との熱膨張係数差や硬化時の収縮により本発明の課題の要因である反りが発生し易いため、絶縁層が樹脂層である場合に、本発明は特に効果的である。
【００５１】
樹脂材料は、非感光性樹脂、感光性樹脂のいずれでも使用することができる。また、樹脂材料は熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂のいずれも含まれるが、硬化収縮が生じる熱硬化性樹脂を用いた場合に特に本発明は効果的である。また、樹脂材料は１００％樹脂からなるものの他、シリカフィラー等の無機フィラーや有機フィラーを含んでいてもよい。
【００５２】
絶縁層に熱硬化性樹脂を用いた場合にチップの埋込が容易であるが、このような熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。絶縁層に熱硬化樹脂を用いる場合には、熱硬化性樹脂の未硬化、または半硬化の状態でチップを埋込み、その後加熱処理等を行って熱硬化性樹脂を完全に硬化させることができる。一方、絶縁層に熱可塑性樹脂を使用する場合は、熱可塑性樹脂を加熱した状態で軟化させチップを埋め込むことができる。
【００５３】
本発明における配線形成は、例えばめっきレジストによりパターンを形成した後、めっき法を用いて形成することができる。配線が複数層に及ぶ場合、それらの配線はヴィアにより相互に接続される。また最上層に配線の少なくとも一部を覆うようにソルダーレジスト等の樹脂層が形成されていてもよい。配線は、金属ペーストを印刷する方法でも形成することができる。ヴィアの形成は、感光性樹脂に対しては露光法により、非感光性樹脂に対してはレーザー等を用いて行うことできる。
【００５４】
本発明において、半導体チップの搭載は、例えばダイアタッチメントフィルム、チップボンディングフィルム等の接着フィルムや銀ペーストを用いて支持基板に固定することができるがこれらに限定されるものではない。
【００５５】
本発明の製造方法により得られる半導体装置は、搭載されているチップが１個であっても、搭載されているチップが２個以上であってもよい。半導体チップが２個以上搭載される場合は、１つの半導体装置の中に２個以上の半導体チップが入っている場合も含まれるが、それぞれの半導体装置の中に含まれるチップは１個であるが、半導体装置を個片化する前の製造工程中の板状体のように複数の半導体装置が板状体として含まれている場合も含まれる。
【００５６】
本発明における半導体チップは、外部と接続するための端子を有し、電源、グランド、信号等のいずれかに接続することができる。この接続は、無線で信号等をやり取りするものも含まれる。
【００５７】
本発明の製造方法では、半導体チップを一体化前の支持板または一体化後の複合基板上に搭載するが、その際、半導体チップの活性面（ＬＳＩ素子面）を上にして並べる場合の他、予め準備しておいた絶縁層にチップ活性面を下向きにして半導体チップを並べる場合も含まれる。
【００５８】
本発明において、半導体チップは絶縁層に完全に埋め込まれていてもよいが、完全に埋め込まれている必要はなく、少なくとも外周側面が絶縁層に覆われていればよい。例えば、半導体チップの裏面や上面の一部が露出していてもよい。
【００５９】
本発明の製造方法は、多数の半導体チップを支持板上に並べる場合に有効であり、一つ又は複数の半導体チップが搭載された半導体装置（チップ内蔵基板）が多数作り込まれた支持基板の製造において特に有効である。
【００６０】
本発明において、半導体チップの搭載位置がずれるとは、一体化された２枚の支持板間において、対応する半導体チップの搭載位置が完全に重なっていないことをいう。
【００６１】
本発明において、半導体チップの搭載間隔とは、ほぼ等間隔でチップを配列して搭載する際のその間隔（ピッチ）をいう。略１／２ずれているとは、その間隔の半分程度ずれていることをいうが、厳密に１／２である必要はなく、所望の効果が得られる範囲内で搭載精度に応じたズレは許容することができる。
【実施例】
【００６２】
次に、本願発明の半導体装置の製造方法を実施例を用いて詳細に説明する。本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で種々の変形、変更が可能である。
【００６３】
（実施例１）
２００ｍｍ角の銅板（厚さ０．５ｍｍ）を支持板として用意した。
【００６４】
この銅板上に個片化した半導体チップ（チップサイズ１４ｍｍ、チップ厚５０μｍ）を３０ｍｍピッチで多数個搭載した（この銅板を後に個片化することにより多数個の半導体装置が得られる）。その際、半導体チップは、チップの位置が一致するように銅板を重ね合わせた状態から一方の銅板を１８０度回転させることにより、チップの位置が１５ｍｍずれるように搭載した。半導体チップはダイボンディングテープを介して銅板に接着した。
【００６５】
支持基板上に（半硬化の）熱硬化性エポキシ樹脂フィルム（厚さ９０μｍ）をラミネートした。このエポキシ樹脂フィルムにより銅板上に搭載した半導体チップが埋まった。このエポキシ樹脂フィルムを熱硬化したところ、銅板の裏面側（チップが搭載されていない側）が凸となる向きに銅板全体が反ったが、銅板のチップ搭載部分のみ裏面側が凹となって反った（図９参照）。
【００６６】
２枚の銅板を裏面を向かい合わせて重ね合わせ、１８０度回転させて銅板間で対応するチップ位置をずらした状態（１５ｍｍのずれ）で、周囲を一体化治具でネジ止めして一体化した。
【００６７】
一体化により得られた複合板の両面に絶縁層および配線を複数回形成した。
【００６８】
その後、この複合板を二つに分離し、銅板の裏面を観察すると薬液等が浸入した形跡はなかった。
【００６９】
（参考例１）
重ね合わせた２枚の銅板を一方の銅板を回転させないで一体化した（すなわち回転角０度）以外は実施例１と同様に製造を行った。その際、２枚の銅板を一体化した時点での２枚の銅板間で対応するチップの位置は一致している。
【００７０】
一体化により得られた複合板の両面に絶縁層および配線層は問題なく形成できたが、その後、複合板を二つに分離して銅板の裏面を観察するとめっき液およびエッチング液が浸入していたと思われる跡が残っていた。
【００７１】
（比較例１）
２枚の銅板を一体化することなく、各支持板に対して、半導体チップを搭載し、絶縁層および配線の形成を行った。しかし、銅板全体の反りが大きいため、露光時に銅板が吸着不十分となったほか、反りに伴う露光ズレが生じた。また搬送時においてスロットルにうまく入らないという問題も生じた。
【００７２】
以上に説明した本発明の活用例として、携帯電話、電気機器等に使用される半導体チップを基板に内蔵した半導体装置が挙げられる。
【符号の説明】
【００７３】
１  支持板
２  半導体チップ
３  絶縁層
４  配線
５  一体化治具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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