(57)【要約】【課題】実装工程における半田接合性の低下を抑制し、信頼性の高い実装を実現することの可能な回路モジュールを提供する。【解決手段】少なくとも、主表面である第１の面１０Ａに素子チップ２０を搭載するとともに、前記第１の面１０Ａに対向する第２の面１０Ｂとを有する回路基板１０と、前記回路基板１０が、熱伝導性を有するスペーサ部材４０を介して、実装基板１００に当接され、前記第２の面に形成された配線導体層と、前記実装基板との間が半田層３０を介して固着される回路モジュールを提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、主表面である第１の面に素子を搭載するとともに、前記第１の面に対向する第２の面を有する回路基板を具備し、前記回路基板が、熱伝導性を有するスペーサ部材を介して、実装基板に当接され、前記第２の面に形成された配線導体層と、前記実装基板との間が半田層を介して固着される回路モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の回路モジュールであって、
前記スペーサ部材は、前記回路基板の第２の面に接着剤を介して固着される回路モジュール。
【請求項３】
請求項１に記載の回路モジュールであって、
前記スペーサ部材は、前記回路基板と一体形成された部材である回路モジュール。
【請求項４】
請求項３に記載の回路モジュールであって、
前記回路基板は、第１の面に素子チップが搭載された立体配線基板である回路モジュール。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の回路モジュールであって、
前記回路基板の前記第２の面は、前記半田層の形成される領域の一部に切り欠きを備えた回路モジュール。
【請求項６】
少なくとも、主表面である第１の面に素子を搭載するとともに、前記第１の面に対向する第２の面とを有する回路基板を具備した回路モジュールを用意する工程と、
熱伝導性を有するスペーサ部材を介して、実装基板に当接するとともに、前記第２の面に形成された配線導体層と、前記実装基板との間を半田層で固着する工程とを含む回路モジュールの実装方法。
【請求項７】
請求項６に記載の回路モジュールの実装方法であって、
前記スペーサは前記回路基板とは別途形成し、
実装基板上の前記回路基板搭載領域の一部に前記スペーサを固定する工程を含む回路モジュールの実装方法。
【請求項８】
請求項６に記載の回路モジュールの実装方法であって、
前記回路モジュールを用意する工程は、
前記回路基板と前記スペーサとを一体成形する工程を含む回路モジュールの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路モジュールおよび回路モジュールの実装方法に係り、特に、実装基板（マザーボード）への回路モジュールの実装に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、図１３および図１４に示すように電子部品１２０を実装基板１００上に実装するに際しては、半田１３０が用いられることが多いが、電子部品(パッケージ)１２０と実装基板１００との熱膨張率の差から、半田部にクラックが生じ易いという問題が提起されている。
そしてこの問題を回避するために種々の実装方法が提案されている。
【０００３】
例えば、基板(実装基板)とリードレス部品の本体との間に、ランド厚よりも厚い絶縁層を設け、ランドとリードレス部品の電極との間に十分な厚みの半田を形成し得るようにし、熱膨張係数の相違に基づいて半田にかかる剪断応力を分散低減し、半田継手(接続部)の信頼性向上をはかるようにしている（特許文献１）。
【０００４】
また、チップ部品を両面テープで印刷配線板上に固着するとともに、チップ部品の電極と印刷配線板上の電極とを半田によって接着固定するにあたり、両面テープの厚さを厚くするとともにヤング率を半田のヤング率よりも小さくなるようにし、両面テープの熱膨張が半田に干渉しないようにした構造も提案されている（特許文献２）。
【０００５】
さらに、電子部品に、プリント板側に向けて突出するインシュレータ部を設け、半田による接着領域を確保するようにした構成も提案されている（特許文献３）。
【０００６】
加えて、チップ部品を実装基板上に実装するに際し、熱膨張係数の差による熱応力の発生を緩和し、半田接合部へのクラックなどの発生を防止するためにチップ部品下に相当する実装基板上の領域にスリットを形成した構造も提案されている（特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平  ０４−１７１７９０号公報
【特許文献２】特開平  ０５−０６７８５８号公報
【特許文献３】特開平  １１−０２６９１０号公報
【特許文献４】特開２０００−１５１０６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１，２，３の実装構造においては、電子部品と、実装基板との間に絶縁性部材を挟み込むことで、間隙を大きくして、半田量を多くし、熱膨張率の差による半田クラック等の発生を抑制し得るようにしている。
この構成によれば、半田接合に際し、電子部品と、実装基板との間に絶縁性部材が介在することで、間隙を十分に取ることができ、保持し得る半田の量を多くすることができ、接合性を高めることができる。
しかしながら、これら絶縁性部材の存在により、熱伝導性が低下し、電子部品がパワートランジスタなどの電力素子である場合には、放熱性が低下し、本来、実装基板側に放熱されていた熱が、電子部品に残留することになり、電子部品の劣化の原因となりやすい。特に、多数の部品を実装するために繰り返し半田リフロー工程を必要とする実装構造の場合には、特に繰り返し加熱工程を経る実装工程中における放熱性の低下による熱ストレスの発生という問題もあった。
【０００９】
一方、特許文献４では、スリットにより、実装基板が変形し得るようにし、応力緩和を図ることで、半田クラックの発生を抑制するものであるが、実装基板の変形による、配線パターンの位置ずれも問題であった。
【００１０】
以上のように、電子部品をマザーボードに半田実装するに際し、電子部品パッケージとマザーボードとの熱膨張率が異なるため、熱負荷により半田接合部にクラックが発生することがあり、種々の提案がなされているが、クラックの発生を低減し、半田接合性の向上をはかるとともに、実装工程中あるいは使用中における熱ストレスに起因する局所的な温度上昇を抑制することの可能な実装方法が求められている。
【００１１】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、実装工程における半田接合性の低下を抑制し、信頼性の高い実装を実現することの可能な回路モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
そこで本発明では、少なくとも、主表面である第１の面に素子を搭載するとともに、前記第１の面に対向する第２の面とを有する回路基板を具備し、前記回路基板が、熱伝導性を有するスペーサ部材を介して、実装基板に当接され、前記第２の面に形成された配線導体層と、前記実装基板との間が半田層を介して固着される回路モジュールを提供する。
この構成によれば、回路モジュールを実装基板に実装する際、熱伝導性を有するスペーサ部材を介して、実装基板に当接されているため、配線導体層と、前記実装基板との間を接続する半田層の体積を増大することができ、実装時の熱負荷によるクラックの発生を抑制することができる。また、このスペーサ部材が熱伝導性を有するため、回路モジュール上の素子の発熱による温度上昇を効率よく抑制することができるとともに、実装時における半田溶融時における熱効率も良好である。
【００１３】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記スペーサ部材が、前記回路基板の第２の面に接着剤を介して固着されることを特徴とする。
この構成によれば、スペーサ部材は回路基板とは別途形成され接着剤によって固着されるため、汎用性が高く、かつ必要に応じてスペーサ部材の大きさや材質を調整することができる。
【００１４】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記スペーサ部材が、前記回路基板と一体形成された部材であることを特徴とする。
この構成によれば、スペーサ部材は回路基板とは一体形成されるため、実装作業性が良好である。
【００１５】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記回路基板は、第１の面に素子チップが搭載された立体配線基板であることを特徴とする。
この構成によれば、ジャイロセンサやＬＥＤなどの素子チップを姿勢角を維持しつつ実装することができる。
【００１６】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記スペーサ部材は、弾性体であることを特徴とする。
この構成によれば、回路基板と実装基板との熱膨張率の差を吸収し、信頼性の高い実装構造を実現することができる。
【００１７】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記スペーサ部材は、両面に電極が形成され、一方の面を回路基板、他方の面を実装基板に当接される発泡ウレタンであることを特徴とする。
この構成によれば、熱および電気的伝導性を維持できることから、効率よく熱伝導を実現し、放熱特性を発揮しつつ、応力吸収も行うことができる
【００１８】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記スペーサ部材は、複数のフィンを備えたフィン状体であることを特徴とする。
この構成によれば、より放熱性をたかめることができる。
【００１９】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記フィンは、前記半田層の形成される領域を結ぶ線に対して垂直な方向に開口するように配列されたことを特徴とする。
この構成によれば、開口方向で効率よくフィンに沿って層流が生成され、より放熱性が向上する。
【００２０】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記回路基板の前記第２の面は、前記半田層の形成される領域の一部に切り欠きを備えたことを特徴とする。
この構成によれば、切り欠き分だけ半田層の体積を大きくすることができ、信頼性の高い実装が可能となる。
【００２１】
また本発明は、少なくとも、主表面である第１の面に素子を搭載するとともに、前記第１の面に対向する第２の面とを有する回路基板を具備した回路モジュールを用意する工程と、熱伝導性を有するスペーサ部材を介して、実装基板に当接するとともに、前記第２の面に形成された配線導体層と、前記実装基板との間を半田層で固着する工程とを含む回路モジュールの実装方法を提供する。
この構成によれば、回路モジュールを実装基板に実装する際、熱伝導性を有するスペーサ部材を介して、実装基板に当接されるため、配線導体層と、前記実装基板との間を接続する半田層の体積を増大することができ、実装時の熱負荷によるクラックの発生を抑制することができる。また、このスペーサ部材が熱伝導性を有するため、回路モジュール上の素子の発熱を効率よく抑制することができるとともに、実装時における半田溶融時における熱効率も良好である。
【００２２】
また本発明は、上記回路モジュールの製造方法において、前記スペーサは前記回路基板とは別途形成し、実装基板上の前記回路基板搭載領域の一部に前記スペーサを固定する工程を含む。
この構成によれば、スペーサは回路基板とは別途形成され接着剤によって固着されるため、汎用性が高く、かつ必要に応じてスペーサの大きさや材質を調整することができる。
【００２３】
また本発明は、上記回路モジュールの製造方法において、前記回路モジュールを用意する工程は、前記回路基板と前記スペーサとを一体成形する工程を含むことを特徴とする。
この構成によれば、スペーサ部材は回路基板とは一体形成されるため、実装作業性が良好である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、回路モジュールを実装基板に実装する際、熱伝導性を有するスペーサ部材を介して、実装基板に当接されるため、配線導体層と、前記実装基板との間を接続する半田層の体積を増大することができ、実装時の熱負荷によるクラックの発生を抑制することができるとともに、このスペーサ部材が熱伝導性を有するため、回路モジュール上の素子の発熱を効率よく放熱することで、温度上昇を抑制することができる。また、実装時における半田溶融時における熱効率も良好で、不要な加熱が皆無となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施の形態１の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す斜視図
【図２】本発明の実施の形態１の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す要部拡大断面図
【図３】本発明の実施の形態２の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す斜視図
【図４】本発明の実施の形態２の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す要部拡大断面図
【図５】本発明の実施の形態３の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す斜視図
【図６】本発明の実施の形態３の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す要部拡大断面図
【図７】本発明の実施の形態４の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す斜視図
【図８】本発明の実施の形態４の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す要部拡大断面図
【図９】本発明の実施の形態４の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す変形例の要部拡大断面図
【図１０】本発明の実施の形態４の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す変形例の要部拡大断面図
【図１１】本発明の実施の形態５の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す要部拡大断面図
【図１２】本発明の実施の形態６の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す要部拡大断面図
【図１３】従来例の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す斜視図
【図１４】従来例の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す要部拡大断面図
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２７】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す斜視図、図２は同回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す要部断面図である。
本実施の形態の回路モジュール１は、図１及び図２に示すように、主表面である第１の面１０Ａにジャイロセンサを構成する素子チップ２０を搭載するとともに、この第１の面１０Ａに対向する第２の面１０Ｂとを有する回路基板１０で構成されている。そしてこの回路基板１０が、熱伝導性を有するスペーサ部材４０としての銅ブロックを介して、実装基板１００としてのプリント配線基板に当接され、第２の面１０Ｂに形成された配線導体層２１と、前記実装基板１００との間が半田層３０を介して固着されている。ここでこの回路基板１０は、第１の面１０Ａに素子搭載領域を構成する凹部が形成された立体基板である。そして、実装基板（マザーボード）１００上に形成されたパッド１０１上に、半田層３０を介して実装される。ここで回路基板１０上の実装面のパッドに接続される配線導体層２０、素子チップ実装面に形成されるダイパッド（素子搭載領域）及びボンディングパッドを含む配線導体層２１は、樹脂基板上にスパッタリング法で下地層を形成し、この下地層上にメッキ層を形成して、形成される。素子チップ２０と回路基板との接続はフリップチップボンディングでもよいし、ワイヤボンディングでもよい。
【００２８】
ここでは、スペーサ部材４０の分だけ、回路基板１０と実装基板１００との間隔が大きくなり、半田層３０の体積を増大することができ、実装時の熱負荷によるクラックの発生を抑制することができるとともに、このスペーサ部材４０を構成する銅ブロックが熱伝導性を有するため、回路モジュール１(回路基板１０)上の素子チップ２０の発熱効率よく放熱し、温度上昇を抑制することができる。また、実装時における半田溶融時における熱効率も良好で、不要な加熱が皆無となる。
【００２９】
製造に際しては、第１の面１０Ａにジャイロセンサが搭載されるため、回路基板１０については、第１の面の方向性が維持されるように設計され、製造される。
【００３０】
ここで回路基板を構成する立体基板上に配線導体層を形成するに際しては、まず、基板１０の表面の全面に、無電解めっきあるいはＣＶＤやスパッタリング等を行うことにより導電性薄膜からなる下地層を形成する。ここでは無電解の銅めっきあるいはスパッタリングによる銅薄膜を形成する。そして、基板１０の表面にレーザビームを照射することで当該照射部分の下地層をパターニングし選択的に除去する。ここでレーザビームは、ガルバノミラー等で走査することにより形成すべき配線導体層の輪郭に沿って基板１０の表面を移動しつつ照射され、下地層のうち配線導体層のパターンに一致した部分（以下、「下地層」と呼ぶ。）と配線導体層のパターンに一致しない部分との境界領域の下地層を除去する。従って、基板１０の表面にはレーザビームが照射された輪郭内側の下地層（配線導体層のパターンに一致した下地層）と、下地層の輪郭に沿った部分のみがレーザビーム照射で除去された下地層（図示せず）とが残ることになる。但し、隣接する配線導体層の間隔が狭い場合においては、上述のように輪郭部分だけでなく配線導体層間の下地層を全てレーザビーム照射で除去することも可能である。
【００３１】
続いて、配線導体層のパターンに一致した下地層の上に電気めっきにより銅などのめっき層を厚付けすることで表面導体層を形成し、下地層以外の不要な下地めっき層をエッチングで除去すれば、所望の回路パターンが形成された回路基板を得ることができる。
【００３２】
このように、表面に配線導体層２１を有する回路基板１０を設計し、この回路基板上に素子チップ２０を配する。
【００３３】
そして、実装基板１００上に、スペーサ部材としての銅ブロックを固着し、半田層３０を形成した後、回路基板１０上に素子チップ２０を搭載した回路モジュールを位置合わせし、所望の温度に加熱し、半田リフローを行い、回路基板１０と実装基板１００上のパッド１０１と配線導体層２１とを接続する。この時、スペーサ部材４０の存在により、半田層３０の存在領域を十分にとることができ、より強固な接続が可能となる。
【００３４】
このように、配線導体層２１と、実装基板１００上のパッド１０１との間を接続する半田層３０の体積を増大することができ、実装時の熱負荷によるクラックの発生を抑制することができる。さらにスペーサ部材４０が熱伝導性を有するため、回路モジュール上の素子の発熱を効率よく放熱することで、温度上昇を抑制することができる。また、実装時における半田溶融時における熱効率も良好で、不要な加熱が皆無となる。
【００３５】
加えて上記構成によれば、ジャイロセンサなど、方向性がきわめて重要なセンサデバイスの実装においても高精度の角度を維持することが可能となる。
【００３６】
また、回路基板の製造後に、スペーサ部材を介して実装基板１００上に装着すればよいため、回路基板の汎用性が向上する。
【００３７】
（実施の形態２）
次に本発明の実施の形態２について説明する。図３は本発明の実施の形態２の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す斜視図、図４は同回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す要部拡大断面図である。
前記実施の形態１の回路モジュール１では、スペーサ部材４０として銅ブロックを用いたが、本実施の形態では、銅ブロックに代えて、銅製のフィン４１を構成したことを特徴とする。フィン４１は、半田層３０の形成される領域を結ぶ線に対して垂直な方向に開口するように配列される。
他は前記実施の形態１と同様に形成されているため、ここでは説明を省略する。
この構成によれば、開口方向で効率よくフィンに沿って層流が生成され、より放熱性が向上する。
ここでも、回路基板の製造後に、スペーサ部材を介して実装基板１００上に装着すればよいため、回路基板の汎用性が向上する。
なお、フィンは、必ずしも金属で構成することもなく、セラミック片などを接着剤で固定するようにしてもよい。
さらにまた、フィンは必ずしも一つでなくてもよく、複数個の組み合わせでもよく、適宜調整可能である。
【００３８】
（実施の形態３）
次に本発明の実施の形態３について説明する。図５は本発明の実施の形態３の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す斜視図、図６は同回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す要部拡大断面図である。
前記実施の形態１の回路モジュール１では、スペーサ部材４０として銅ブロックを用いたが、本実施の形態では、銅ブロックに代えて、回路基板１０を射出成型により成形する際、突出部１０Ｓを形成しておくようにし、この表面に導体層２１Ｓ（図６参照）を形成し熱伝導性を持たせたものである。この導体層２１Ｓは電気的には他の配線と接続されることなく浮遊状態をとるものとする。導体層２１Ｓの形成は、配線導体層２１と同一工程で形成される。
他は前記実施の形態１と同様に形成されているため、ここでは説明を省略する。
この構成によれば、スペーサとなる突出部１０Ｓが一体成型されているため、実施の形態１，２による効果に加え、製造が容易であるとともに、位置ずれもなく実装が容易であるという効果を奏功する。
【００３９】
（実施の形態４）
次に本発明の実施の形態４について説明する。図７は本発明の実施の形態２の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す斜視図、図８は同回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す要部拡大断面図である。
本前記実施の形態の回路モジュール１では、回路基板の実装図に切り欠き１１を形成し、半田層の体積を増大したものである。すなわち、回路基板１０の前記第２の面１０Ｂの、半田層の形成される領域の一部に切り欠き１１を備えている。
他は前記実施の形態１と同様に形成されている。
この構成によれば、切り欠き分だけ半田層の体積を大きくすることができ、上記実施の形態１による効果に加えてより接合性が増大し、回路基板と実装基板との熱膨張率の差に起因する半田層へのクラックの発生が抑制され、信頼性の高い実装が可能となる。特にジャイロセンサの場合、姿勢角を±１度と極めて高精度に維持する必要があるため、半田層の厚さを薄くする必要があるが、本実施の形態によれば、切り欠き１１によって半田量を確保し強固な接続が可能となる。
【００４０】
また、切り欠きの形状としては、図９及び図１０に示すように、円形１１Ｃ、あるいは階段状の切り欠き１１Ｓを形成してもよい。
【００４１】
（実施の形態５）
次に本発明の実施の形態５について説明する。図１１は本発明の実施の形態５の回路モジュール１を実装基板１００上に実装した状態を示す要部拡大断面図である。
前記実施の形態１ではスペーサ部材として、銅ブロックを用いたが、本実施の形態では、銅ブロックに代えて、スペーサ部材として、弾性体である、発泡ウレタンに、銅などのメタルを含浸させた、メタル含浸ウレタン４２を用いている。
他の構成については前記実施の形態１と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００４２】
この構成によれば、熱伝導性を有しかつ弾性体であるメタル含浸ウレタン４２が回路基板と実装基板との熱膨張率の差を吸収し、かつ熱伝導性を有するため、ボンディング時の熱伝導性も良好でかつ、放熱性も良好であり、信頼性の高い実装構造を実現することができる。
【００４３】
（実施の形態６）
次に本発明の実施の形態６について説明する。図１２は本発明の実施の形態６の回路モジュール１を実装基板１００上に実装した状態を示す要部拡大断面図である。
前記実施の形態５ではスペーサ部材として、弾性体である、発泡ウレタンに、銅などのメタルを含浸させた、メタル含浸ウレタン４２を用いたが、本実施の形態では、スペーサ部材として、両面に電極を形成した弾性体を用いている。すなわち回路基板１０側および実装基板１００側の両側に、金メッキ被覆ニッケルなどの熱伝導性材料からなる電極４４，４５を形成したメタル含浸ウレタン４３を用いている。
他の構成については前記実施の形態１と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００４４】
この構成によれば、前記実施の形態５に加えてさらに熱伝導性が良好であり、確実な実装が可能となり、更なる信頼性の向上を図ることができる。
なお、上記回路モジュールにおいては、メタル含浸ウレタンを用いたが、電気的には絶縁性であって熱伝導性の良好な弾性体であれば、他の材料を用いてもよいことはいうまでもない。
【００４５】
なお、前記実施の形態では、ジャイロセンサなどセンサチップを搭載した回路モジュール（センサモジュール）について説明したが、センサモジュールに限定されることなく、携帯端末などに搭載されるモジュールや、壁面に取り付けられるＬＥＤ照明用のＬＥＤモジュールなど種々の回路モジュールに適用可能である。
【００４６】
なお前記実施の形態では、回路基板として射出成形によって形成した樹脂製の立体基板を用いたが、セラミック基板でもよくまた、グリーンシートを用いた積層基板を用いてもよい。ここでは例えば１０００℃以下で低温焼結が可能なセラミック誘電体材料ＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミック：Low Temperature Co-fired Ceramics）からなり、厚さが１０μｍ〜２００μｍのグリーンシートに、低抵抗率のＡｇやＣｕ等の導電ペーストを印刷して所定のパターンを形成し、複数のグリーンシートを絶縁層として用いて、適宜一体的に積層し、焼結することにより内部導体層を備えた絶縁層（誘電体層）として製造することが出来る。これらの誘電体材料としては、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分として、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋを副成分とする材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分としてＣａ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｋを複成分とする材料や、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｄを含む材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇを含む材料が適用可能である。ここで、誘電率は５〜１５程度の材料を用いる。なお、セラミック誘電体材料の他に、樹脂積層基板や樹脂とセラミック誘電体粉末を混合してなる複合材料を用いてなる積層基板を用いることも可能である。また、前記セラミック基板をＨＴＣＣ（高温同時焼成セラミック：High Temperature Co-fired Ceramics）技術を用いて、誘電体材料をＡｌ２Ｏ３を主体とするものとし、内部導体層として伝送線路等をタングステンやモリブデン等の高温で焼結可能な金属導体として構成しても良い。
【００４７】
また、グリーンシートに限定されることなく、他のセラミックにも適用可能であり、またガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの樹脂基板を用いた場合、プリプレグを用いた積層基板などにも適用可能である。
【００４８】
前記実施の形態では、素子チップを回路基板上に実装する場合について説明したが、素子チップに代えて電子部品パッケージであってもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１  回路モジュール
１０  回路基板
１０Ａ  第１の面
１０Ｂ  第２の面
１０Ｓ  突出部
２０  素子チップ
２１  配線導体層
３０  半田層
４０  スペーサ部材
４１  フィン
４２  メタル含浸ウレタン
４３  メタル含浸ウレタン
４４，４５  電極
１００  実装基板（プリント配線基板）
１０１  パッド
【図１】
2011066117.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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