(57)【要約】【課題】固体撮像装置の読み出し方式に対応した適切な欠陥補正をすることができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】被写体像に応じた電荷を発生する光電変換部と、電荷を保持するメモリ部と、メモリ部に電荷を転送する電荷転送部と、メモリ部の電荷を増幅する増幅部と、増幅信号を画素信号として出力する選択部と、メモリ部の電荷をリセットする第１のリセット部と、光電変換部をリセットする第２のリセット部と、を有した画素を、２次元の行列状に複数配列した画素群と、行単位で光電変換部を順次リセットする第１のモードと、全ての光電変換部を同時にリセットする第２のモードとを設定するモード設定部と、設定されたモードで画素信号を読み出す信号読み出し部と、欠陥画素を検出して画素信号を補正する欠陥検出補正部と、を備え、欠陥検出補正部は、モードに対応した欠陥画素を検出し、モードに対応した欠陥画素の情報に基づいて画素信号を補正する。【選択図】図１
2011151668.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像に応じた光電変換信号電荷を発生する光電変換部と、前記光電変換部で発生した前記光電変換信号電荷を一時的に保持するメモリ部と、前記メモリ部に前記光電変換信号電荷を転送する電荷転送部と、前記メモリ部に保持された電荷量に応じた増幅信号を出力する増幅部と、前記増幅部によって増幅された前記増幅信号を画素信号として出力する選択部と、前記メモリ部の電荷をリセットする第１のリセット部と、前記光電変換部をリセットする第２のリセット部と、を少なくとも有した画素を、２次元の行列状に複数配列した画素群と、
前記画素群の行単位で前記光電変換部を順次リセットする第１のモードと、前記画素群の全ての前記光電変換部を同時にリセットする第２のモードとを設定するモード設定部と、
前記モード設定部によって設定されたモードで前記画素群から前記画素信号を読み出す信号読み出し部と、
前記信号読み出し部によって前記画素群から読み出された前記画素信号に基づいて、前記画素群内に含まれる欠陥画素を検出し、該検出した欠陥画素の情報に基づいて、前記欠陥画素に対応する前記画素信号を補正する欠陥検出補正部と、
を備え、
前記欠陥検出補正部は、
前記第１のモード時に前記画素群から読み出された前記画素信号に基づいて、第１の欠陥画素を検出し、
前記第２のモード時に前記画素群から読み出された前記画素信号に基づいて、第２の欠陥画素を検出し、
前記第１のモード時に前記画素群から読み出された前記画素信号を、前記第１の欠陥画素の情報に基づいて補正し、
前記第２のモード時に前記画素群から読み出された前記画素信号を、前記第２の欠陥画素の情報に基づいて補正する、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記欠陥検出補正部は、
前記第１の欠陥画素の情報を保持する第１の欠陥メモリと、
前記第２の欠陥画素の情報を保持する第２の欠陥メモリと、
を少なくとも備え、
前記第１のモード時に前記画素群から読み出された前記画素信号を、前記第１の欠陥メモリに保持された前記第１の欠陥画素の情報に基づいて補正し、
前記第２のモード時に前記画素群から読み出された前記画素信号を、前記第２の欠陥メモリに保持された前記第２の欠陥画素の情報に基づいて補正する、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１の欠陥メモリは、
前記第２の欠陥メモリよりも記録容量が少ない、
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記欠陥検出補正部は、
前記第１の欠陥画素の情報を保持する第１の欠陥メモリと、
前記第１の欠陥メモリに保持された前記第１の欠陥画素の情報以外の前記第２の欠陥画素の情報を保持する第２の欠陥メモリと、
を少なくとも備え、
前記第１のモード時に前記画素群から読み出された前記画素信号を、前記第１の欠陥メモリに保持された前記第１の欠陥画素の情報に基づいて補正し、
前記第２のモード時に前記画素群から読み出された前記画素信号を、前記第１の欠陥メモリに保持された前記第１の欠陥画素の情報と、前記第２の欠陥メモリに保持された前記第２の欠陥画素の情報とに基づいて補正する、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デジタルカメラなどに用いられる固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルスチルカメラなど、光を電気信号に変換して画像信号を出力する撮像装置に用いる固体撮像装置としてＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ：金属酸化膜半導体）型の固体撮像装置が注目を集めている。このＭＯＳ型固体撮像装置は、画素の行や列などの単位で蓄積を行うローリングシャッター（以下、「ＲＳ」という）方式での読み出しが一般的である。また、近年は、全画素を同時に蓄積するグローバルシャッター（以下、「ＧＳ」という）方式の読み出しを行うＭＯＳ型固体撮像装置の研究も行われている。さらに、ＲＳ方式の読み出しとＧＳ方式の読み出しとを切り替えることが可能なＭＯＳ型固体撮像装置も存在する（特許文献１参照）。
以降の説明において、「固体撮像装置」という場合は、ＭＯＳ型固体撮像装置を示すこととする。
【０００３】
図６は、ＲＳ方式の読み出しとＧＳ方式の読み出しとを切り替えることが可能な固体撮像装置の概略構成の一例を示したブロック図である。図６に示すように、ＲＳ方式の読み出しとＧＳ方式の読み出しとを切り替えることが可能な固体撮像装置は、単位画素（図６においては、単位画素Ｐ１１〜Ｐ２２）毎に、光電変換を行うフォトダイオードＰＤと、フォトダイオードＰＤで所定の期間に発生した光電変換信号電荷を一時的に保持する画素内メモリＦＤとを備えている。また、垂直走査部２からの制御信号に基づいて、フォトダイオードＰＤで発生した光電変換信号電荷をリセットする機能と、フォトダイオードＰＤで発生した光電変換信号電荷を画素内メモリＦＤに転送する機能と、画素内メモリＦＤに一時的に保持した光電変換信号電荷をリセットする機能とを備えた構成となっている。
【０００４】
図７は、図６に示した固体撮像装置における読み出し動作のタイミングを示したタイミングチャートである。図７（ａ）は、固体撮像装置のＲＳ方式による信号読み出しタイミングの例を模式的に表したものである。また、図７（ｂ）は、固体撮像装置のＧＳ方式による信号読み出しタイミングの例を模式的に表したものである。なお、図７（ａ）および図７（ｂ）の横軸は時間を表し、連続して複数の画像を取り込んでいる様子を示している。
【０００５】
最初に図７（ａ）に示したＲＳ方式の読み出し動作について説明する。固体撮像装置におけるＲＳ方式の読み出しでは、まず、ローリングリセットが行われる。このローリングリセットでは、単位画素が行毎に選択されながら、フォトダイオードＰＤ内の光電変換信号電荷および画素内メモリＦＤに発生したリーク電流等の不要電荷が、順次リセットされる。その後、リセットされたフォトダイオードＰＤは、順次、入射した光を光電変換して発生した光電変換信号電荷の蓄積（露光動作）を開始する。そして、予め定められた露光時間が経過した後に、ローリング転送が行われる。このローリング転送では、単位画素が行毎に選択されながら、フォトダイオードＰＤが露光時間中に発生した光電変換信号電荷が、順次、画素内メモリＦＤに転送される。その後、画素内メモリＦＤに転送された光電変換信号電荷に応じた画素信号が、行毎に順次読み出される。
【０００６】
このように、ＲＳ方式の読み出し動作においては、図７（ａ）に示したように、ローリングリセット、フォトダイオードＰＤの露光動作、ローリング転送、および画素信号の読み出し動作が、単位画素の行毎に順次行われる。すなわち、ＲＳ方式の読み出し動作においては、フォトダイオードＰＤから転送された光電変換信号電荷を画素内メモリＦＤが保持する時間は、全ての単位画素において同じ時間である。また、この画素内メモリＦＤによる光電変換信号電荷の保持時間は、比較的短い時間である。これにより、ＲＳ方式の読み出しにおいては、画素内メモリＦＤに光電変換信号電荷が保持されているときに発生するリーク電流や光ノイズが少ない画像を得ることができる。
【０００７】
しかし、このＲＳ方式の読み出し動作においては、単位画素の行毎に順次露光を行うため、行毎に異なる時刻にフォトダイオードＰＤが露光した画像を得ることとなる。このため、ＲＳ方式の読み出し動作では、動きの速い被写体を露光した場合に、得られる画像にブレが生じてしまう。例えば、図７（ａ）に示したように、固体撮像装置の下方の画素行（図６においては、単位画素Ｐ２１〜Ｐ２２）から上方の画素行（図６においては、単位画素Ｐ１１〜Ｐ１２）に向かって、順次ＲＳ方式の読み出しが行われる場合、最初に最下部の画素行が露光されてから、最後に最上部の画素行が露光されるまでには、時間ａが経過しており、この時間ａの期間中に被写体に動きがあると、最終的に得られる画像にブレが生じてしまうこととなる。
【０００８】
この動きが速い被写体を露光したときに、最終的に得られる画像にブレが生じない露光の方法として、ＧＳ方式の読み出しがある。次に図７（ｂ）に示したＧＳ方式の読み出し動作について説明する。固体撮像装置におけるＧＳ方式の読み出しでは、まず、グローバルリセットが行われる。このグローバルリセットでは、全ての単位画素が同時に選択され、各フォトダイオードＰＤ内の光電変換信号電荷および各画素内メモリＦＤに発生したリーク電流等の不要電荷が、同時にリセットされる。その後、リセットされたフォトダイオードＰＤが同時に、入射した光を光電変換して発生した光電変換信号電荷の蓄積（露光動作）を開始する。そして、予め定められた露光時間が経過した後に、グローバル転送が行われる。このグローバル転送では、単位画素が同時に選択され、各フォトダイオードＰＤが露光時間中に発生した光電変換信号電荷が、同時に各画素内メモリＦＤに転送される。その後、画素内メモリＦＤに転送された光電変換信号電荷に応じた画素信号が、行毎に順次読み出される。
【０００９】
このように、ＧＳ方式の読み出し動作においては、図７（ｂ）に示したように、グローバルリセット、フォトダイオードＰＤの露光動作、およびグローバル転送が、全ての単位画素で同時に行われる。その後、画素信号の読み出し動作が、単位画素の行毎に順次行われる。すなわち、ＧＳ方式の読み出し動作においては、フォトダイオードＰＤによる露光が同時に行われるので、動きが速い被写体を露光したときでも、ブレが生じない画像を得ることができる。
【００１０】
しかし、このＧＳ方式の読み出し動作においては、全ての画素信号の読み出しが完了するまで、画素内メモリＦＤをリセットすることができない。このため、フォトダイオードＰＤから転送された光電変換信号電荷を画素内メモリＦＤが保持する時間が、ＲＳ方式の読み出しに比べて長い時間となる。これにより、画素内メモリＦＤにおいて光電変換信号電荷を保持しているときに、リーク電流や光ノイズの影響を受け、画素信号が劣化する可能性が高くなる。例えば、図７（ｂ）に示したように、固体撮像装置の下方の画素行（図６においては、単位画素Ｐ２１〜Ｐ２２）から上方の画素行（図６においては、単位画素Ｐ１１〜Ｐ１２）に向かって、順次画素信号の読み出しを行う場合、最初に最下部の画素行の画素信号が読み出されてから、最後に最上部の画素行の画素信号が読み出されるまでには、画素信号保持時間ｂの時間がかかる。このため、最後に読み出される最上部の画素行の画素内メモリＦＤは、この画素信号保持時間ｂの期間の間、光電変換信号電荷を保持する必要があるため、リーク電流や光ノイズの影響による画素信号の劣化が最も多くなる可能性が高くなる。そして、被写体の輝度が低い（暗い被写体）ほど、画素信号の劣化がより顕著に現れ、最終的に得られる画像の品質が低下してしまうこととなる。
【００１１】
従って、固体撮像装置においては、被写体の輝度に応じて、ＲＳ方式の読み出しとＧＳ方式の読み出しとの切り替えを行うことによって、画素信号の信号品質を向上させ、最終的に得られる画像の品質を向上している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００７−２８３３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、最終的に得られる画像の品質を低下させる原因は、上述のような画素信号の劣化によるものだけではない。最終的に得られる画像の品質を低下させる原因として、従来から、フォトダイオードＰＤの特性（欠陥）によって、例えば、白点などの偽信号が発生することが知られている。このフォトダイオードＰＤの特性（欠陥）による偽信号を持った欠陥画素を補正するための技術も知られている。
【００１４】
しかし、上述したように、ＧＳ方式の読み出し動作においては、ＲＳ方式の読み出し動作に対して、画素内メモリＦＤが光電変換信号電荷を保持する時間が長い。このため、画素内メモリＦＤの特性（欠陥）によっては、画素内メモリＦＤで発生するリーク電流の影響が大きくなり、このリーク電流が大きな画素内メモリＦＤを備えた単位画素は、偽信号を持った欠陥画素となってしまうという問題がある。
【００１５】
また、このような画素内メモリＦＤの特性（欠陥）による偽信号は、フォトダイオードＰＤの特性（欠陥）に対応した補正のみでは補正をすることができず、最終的に得られる画像の品質が低下してしまうという問題がある。
【００１６】
本発明は、上記の課題認識に基づいてなされたものであり、ＲＳ方式の読み出しとＧＳ方式の読み出しとを切り替えることが可能な固体撮像装置において、それぞれの読み出し方式に対応した適切な欠陥補正をすることができる固体撮像装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の課題を解決するため、本発明の固体撮像装置は、被写体像に応じた光電変換信号電荷を発生する光電変換部と、前記光電変換部で発生した前記光電変換信号電荷を一時的に保持するメモリ部と、前記メモリ部に前記光電変換信号電荷を転送する電荷転送部と、前記メモリ部に保持された電荷量に応じた増幅信号を出力する増幅部と、前記増幅部によって増幅された前記増幅信号を画素信号として出力する選択部と、前記メモリ部の電荷をリセットする第１のリセット部と、前記光電変換部をリセットする第２のリセット部と、を少なくとも有した画素を、２次元の行列状に複数配列した画素群と、前記画素群の行単位で前記光電変換部を順次リセットする第１のモードと、前記画素群の全ての前記光電変換部を同時にリセットする第２のモードとを設定するモード設定部と、前記モード設定部によって設定されたモードで前記画素群から前記画素信号を読み出す信号読み出し部と、前記信号読み出し部によって前記画素群から読み出された前記画素信号に基づいて、前記画素群内に含まれる欠陥画素を検出し、該検出した欠陥画素の情報に基づいて、前記欠陥画素に対応する前記画素信号を補正する欠陥検出補正部と、を備え、前記欠陥検出補正部は、前記第１のモード時に前記画素群から読み出された前記画素信号に基づいて、第１の欠陥画素を検出し、前記第２のモード時に前記画素群から読み出された前記画素信号に基づいて、第２の欠陥画素を検出し、前記第１のモード時に前記画素群から読み出された前記画素信号を、前記第１の欠陥画素の情報に基づいて補正し、前記第２のモード時に前記画素群から読み出された前記画素信号を、前記第２の欠陥画素の情報に基づいて補正する、ことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の前記欠陥検出補正部は、前記第１の欠陥画素の情報を保持する第１の欠陥メモリと、前記第２の欠陥画素の情報を保持する第２の欠陥メモリと、を少なくとも備え、前記第１のモード時に前記画素群から読み出された前記画素信号を、前記第１の欠陥メモリに保持された前記第１の欠陥画素の情報に基づいて補正し、前記第２のモード時に前記画素群から読み出された前記画素信号を、前記第２の欠陥メモリに保持された前記第２の欠陥画素の情報に基づいて補正する、ことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の前記第１の欠陥メモリは、前記第２の欠陥メモリよりも記録容量が少ない、ことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の前記欠陥検出補正部は、前記第１の欠陥画素の情報を保持する第１の欠陥メモリと、前記第１の欠陥メモリに保持された前記第１の欠陥画素の情報以外の前記第２の欠陥画素の情報を保持する第２の欠陥メモリと、を少なくとも備え、前記第１のモード時に前記画素群から読み出された前記画素信号を、前記第１の欠陥メモリに保持された前記第１の欠陥画素の情報に基づいて補正し、前記第２のモード時に前記画素群から読み出された前記画素信号を、前記第１の欠陥メモリに保持された前記第１の欠陥画素の情報と、前記第２の欠陥メモリに保持された前記第２の欠陥画素の情報とに基づいて補正する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ＲＳ方式の読み出しとＧＳ方式の読み出しとを切り替えることが可能な固体撮像装置において、それぞれの読み出し方式に対応した欠陥画素の情報を記録することができるので、適切な欠陥補正をすることができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施形態による固体撮像装置の概略構成を示したブロック図である。
【図２】本発明の実施形態における第１の欠陥検出補正部の概略構成を示したブロック図である。
【図３】本発明の実施形態における第１の欠陥検出補正の処理手順を示したフローチャートである。
【図４】本発明の実施形態における第２の欠陥検出補正部の概略構成を示したブロック図である。
【図５】本発明の実施形態における第２の欠陥検出補正の処理手順を示したフローチャートである。
【図６】従来の固体撮像装置の概略構成の一例を示したブロック図である。
【図７】従来の固体撮像装置における読み出し動作のタイミングを示したタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態による、ＲＳ方式の読み出しとＧＳ方式の読み出しとの切り替えが可能な固体撮像装置１００の概略構成を示したブロック図である。図１において、固体撮像装置１００は、入射光量に応じた各単位画素の画素信号（アナログ信号）を出力する固体撮像素子１と、固体撮像素子１の露光モードおよび読み出しモードの切り替えを行うモード設定部８と、固体撮像素子１から出力された各単位画素の画素信号（アナログ信号）を、それぞれデジタル信号に変換して出力するＡＤ変換部９と、ＡＤ変換部９から出力された各単位画素のデジタル信号から、欠陥画素の検出および補正を行う欠陥検出補正部１０とから構成される。
【００２４】
固体撮像素子１は、行方向および列方向（図１においては、２行２列）の二次元に配置された単位画素Ｐ１１〜Ｐ２２と、単位画素Ｐ１１〜Ｐ２２を駆動するための駆動パルスを供給する垂直走査部２と、単位画素Ｐ１１〜Ｐ２２から読み出された信号を伝送する垂直信号線３＿１，３＿２と、垂直信号線３＿１，３＿２に定電流を流す定電流源ＩＢＩＡＳと、垂直信号線３＿１，３＿２に接続され、各単位画素Ｐ１１〜Ｐ２２から読み出された信号に含まれるノイズ成分の抑圧等の信号処理を行う列回路４＿１，４＿２と、各列回路４＿１，４＿２によって処理された信号処理後の信号を水平信号線５に順次出力するための列選択スイッチＭ６＿１，Ｍ６＿２と、列選択スイッチＭ６＿１，Ｍ６＿２に順次、列選択パルスφＨ１，φＨ２を供給する水平走査部６と、水平信号線５に順次出力された信号を増幅して各単位画素の画素信号（アナログ信号）を出力する出力アンプ７とから構成される。
【００２５】
なお、図１に示した固体撮像素子１において、各符号の後の“＿：アンダーバー”に続く数字は、固体撮像素子１内に配置されている単位画素の列番号を示す。例えば、第２列の単位画素Ｐ１２および単位画素Ｐ２２が接続されている第２列の垂直信号線３は、「垂直信号線３＿２」と表す。また、単位画素の列番号を特定しない場合は、各符号の後の“＿：アンダーバー”およびそれに続く数字を表記しない。
なお、図１においては、単位画素が２行２列に配置された例を示したが、固体撮像素子１において配置される単位画素の行方向および列方向の数は、固体撮像装置１００の画素数に応じて異なるため、以下の説明において、特定の単位画素を示さない場合は、「単位画素Ｐ」という。
【００２６】
また、固体撮像素子１内の単位画素Ｐは、それぞれ、光電変換を行うフォトダイオードＰＤと、フォトダイオードＰＤで所定の期間に発生した光電変換信号電荷を一時的に保持する画素内メモリＦＤと、フォトダイオードＰＤで発生した光電変換信号電荷をリセットするＰＤリセットトランジスタＭ５と、フォトダイオードＰＤから画素内メモリＦＤへ光電変換信号電荷を転送する転送トランジスタＭ４と、画素内メモリＦＤのリセットを行うＦＤリセットトランジスタＭ２と、画素内メモリＦＤの電圧レベルを増幅して読み出すための増幅トランジスタＭ１と、増幅トランジスタＭ１の出力を垂直信号線３＿１，３＿２に選択して読み出す行選択トランジスタＭ３とから構成される。
【００２７】
また、固体撮像素子１内の垂直走査部２は、単位画素Ｐ１１〜Ｐ２２を行単位で駆動するための転送パルスφＴＸ１およびφＴＸ２、ＦＤリセットパルスφＲＳＴ１およびφＲＳＴ２、ＰＤリセットパルスφＦＴ１およびφＦＴ２、行選択パルスφＲＯＷ１およびφＲＯＷ２を、単位画素Ｐ１１〜Ｐ２２に出力する。
【００２８】
ＡＤ変換部９は、固体撮像素子１から入力された各単位画素の画素信号（アナログ信号）を、それぞれデジタル信号に変換して、欠陥検出補正部１０に出力する。
【００２９】
モード設定部８は、固体撮像素子１の露光モードを設定する。モード設定部８は、固体撮像装置１００が欠陥画素を検出するときの露光モード（以下、「欠陥検出モード」という）、または固体撮像装置１００が通常の露光を行うときの露光モード（以下、「通常露光モード」という）のいずれか一方の露光モードを決定する。そして、モード設定部８は、決定された固体撮像装置１００の露光モードの情報を、固体撮像素子１および欠陥検出補正部１０に出力する。これにより、固体撮像素子１は、モード設定部８から入力された露光モードによる露光を行う。例えば、固体撮像装置１００の露光モードが、欠陥検出モードに設定されたときには、固体撮像装置１００に入射する入射光を遮光した状態での露光を行う。また、例えば、固体撮像装置１００の露光モードが、通常露光モードに設定されたときには、固体撮像装置１００に入射した被写体の入射光の露光を行う。
【００３０】
また、モード設定部８は、固体撮像素子１の読み出しモードを設定する。モード設定部８は、固体撮像装置１００がＲＳ方式の読み出しを行うときの読み出しモード（以下、「ＲＳモード」という）、またはＧＳ方式の読み出しを行うときの読み出しモード（以下、「ＧＳモード」という）のいずれか一方の読み出しモードを決定する。そして、モード設定部８は、決定された固体撮像装置１００の読み出しモードの情報を、固体撮像素子１および欠陥検出補正部１０に出力する。これにより、固体撮像素子１は、モード設定部８から入力された読み出しモードの情報に基づいて、欠陥検出モードまたは通常露光モードで露光した各単位画素の画素信号（アナログ信号）を読み出し、ＡＤ変換部９に出力する。
【００３１】
固体撮像素子１における画素信号（アナログ信号）の読み出し方法は、従来の固体撮像装置と同様であるが、ＲＳモードとＧＳモードとにおける具体的な読み出し動作について、図７を参照して説明する。
【００３２】
最初に図７（ａ）を参照して、ＲＳモードにおける読み出し動作について説明する。固体撮像素子１におけるＲＳモードの読み出しでは、まず、フォトダイオードＰＤの電荷をリセットするためのローリングリセットが行われる。このローリングリセットでは、単位画素Ｐが行選択パルスφＲＯＷ１，２によって行毎に選択されながら、転送パルスφＴＸ１，２とＦＤリセットパルスφＲＳＴ１，２とによって選択されたフォトダイオードＰＤ内の光電変換信号電荷および画素内メモリＦＤに発生したリーク電流等の不要電荷が、順次リセットされる。このローリングリセットは、フォトダイオードＰＤが発生した光電変換信号電荷の読み出し動作に先駆けて所定間隔を持って行われ、その後、転送パルスφＴＸ１，２によってリセットが解除されたフォトダイオードＰＤは、入射した光を光電変換して発生した光電変換信号電荷の蓄積（露光動作）を開始する。なお、画素内メモリＦＤでは、フォトダイオードＰＤが発生した光電変換信号電荷の読み出し動作が行われる直前まで、ＦＤリセットパルスφＲＳＴ１，２による行毎のリセットが行われている。そして、予め定められた露光時間が経過した後に、ローリング転送が行われる。このローリング転送では、転送パルスφＴＸ１，２によって選択された行毎に、順次、フォトダイオードＰＤで発生した光電変換信号電荷が、画素内メモリＦＤに転送される。なお、画素内メモリＦＤでは、フォトダイオードＰＤから光電変換信号電荷が転送される直前に、ＦＤリセットパルスφＲＳＴ１，２によって選択された行毎に、順次、リセットが解除される。そして、画素内メモリＦＤに転送された光電変換信号電荷は、増幅トランジスタＭ１によって増幅され、増幅された信号が行選択パルスφＲＯＷ１，２によって行毎に選択されながら、垂直信号線３＿１，３＿２にそれぞれ読み出される。そして、垂直信号線３＿１，３＿２に読み出された信号は、列回路４＿１，４＿２でそれぞれアナログ処理されたあとに、水平走査部６からの列選択パルスφＨ１，２によって、順次、水平信号線５に読み出され、出力アンプ７を通して出力される。このように、ＲＳモードの読み出し動作においては、フォトダイオードＰＤが順次露光した光電変換信号電荷に応じた画素信号が、行毎に順次読み出される。
【００３３】
続いて、図７（ｂ）を参照して、ＧＳモードにおける読み出し動作について説明する。固体撮像素子１におけるＧＳモードの読み出しでは、まず、フォトダイオードＰＤの電荷をリセットするためのグローバルリセットが行われる。このグローバルリセットでは、ＰＤリセットパルスφＦＴ１，２とＦＤリセットパルスφＲＳＴ１，２とによって、全ての単位画素ＰのＰＤリセットトランジスタＭ５とＦＤリセットトランジスタＭ２とが、同時にＯＮされる。これにより、全画素同時にフォトダイオードＰＤ内の光電変換信号電荷および画素内メモリＦＤに発生したリーク電流等の不要電荷がリセットされる。その後、ＰＤリセットパルスφＦＴ１，２によって、全てのフォトダイオードＰＤのリセットが解除され、全てのフォトダイオードＰＤは、入射した光を光電変換して発生した光電変換信号電荷の蓄積（露光動作）を同時に開始する。なお、全ての画素内メモリＦＤでは、フォトダイオードＰＤが発生した光電変換信号電荷の読み出し動作が行われる直前まで、ＦＤリセットパルスφＲＳＴ１，２によってリセットが行われている。そして、予め定められた露光時間が経過した後に、グローバル転送が行われる。このグローバル転送では、転送パルスφＴＸ１，２によって、全ての単位画素Ｐの転送トランジスタＭ４が、同時にＯＮされる。これにより、フォトダイオードＰＤで発生した光電変換信号電荷が、同時に画素内メモリＦＤに転送される。なお、全ての画素内メモリＦＤでは、フォトダイオードＰＤから光電変換信号電荷が転送される直前に、ＦＤリセットパルスφＲＳＴ１，２によってリセットが解除される。そして、画素内メモリＦＤに転送された光電変換信号電荷は、増幅トランジスタＭ１によって増幅される。そして、行選択パルスφＲＯＷ１，２によって、行毎に行選択トランジスタＭ３を順次ＯＮにすることによって、増幅トランジスタＭ１で増幅された信号が、順次、垂直信号線３＿１，３＿２にそれぞれ読み出される。そして、垂直信号線３＿１，３＿２に読み出された信号は、列回路４＿１，４＿２でそれぞれアナログ処理されたあとに、水平走査部６からの列選択パルスφＨ１，２によって、順次、水平信号線５に読み出され、出力アンプ７を通して出力される。このように、ＧＳモードの読み出し動作においては、フォトダイオードＰＤが同時に露光した光電変換信号電荷に応じた画素信号が、行毎に順次読み出される。
【００３４】
欠陥検出補正部１０は、ＡＤ変換部９から入力されたデジタル信号に基づいて、固体撮像素子１内の単位画素Ｐが欠陥画素であるか否かを検出し、検出した欠陥画素の位置の情報を欠陥アドレスとして記録する。また、欠陥検出補正部１０は、記録された欠陥アドレスに基づいて、例えば、欠陥画素のデジタル信号を隣接する画素のデジタル信号に置き換えることによって、欠陥画素のデジタル信号を補正する。
【００３５】
＜第１の欠陥検出補正部＞
次に、本実施形態の固体撮像装置における欠陥検出補正部について説明する。図２は、本実施形態の固体撮像装置１００における、欠陥検出補正部１０の概略構成を示したブロック図である。図２において、欠陥検出補正部１０は、欠陥検出部１１、欠陥補正部１２、アドレスメモリ１３、アドレスメモリ１４から構成される。
【００３６】
欠陥検出部１１は、欠陥画素を検出する。具体的には、欠陥検出部１１は、例えば、ＡＤ変換部９から入力されたデジタル信号の値が、予め定められた基準の値以上であるデジタル信号を検出し、この検出したデジタル信号を出力した単位画素を欠陥画素とする。そして、この欠陥画素の位置の情報である欠陥画素アドレスを算出する。また、欠陥検出部１１は、モード設定部８によって決定された読み出しモードがＲＳモードである場合、算出した欠陥画素アドレスをアドレスメモリ１３に出力する。また、欠陥検出部１１は、モード設定部８によって決定された読み出しモードがＧＳモードである場合、算出した欠陥画素アドレスをアドレスメモリ１４に出力する。
【００３７】
アドレスメモリ１３およびアドレスメモリ１４は、それぞれ、欠陥検出部１１から入力された欠陥画素アドレスを記録する。なお、アドレスメモリ１３に記録される欠陥画素アドレスは、フォトダイオードＰＤの特性（欠陥）に応じて検出された欠陥画素の欠陥画素アドレスである。また、アドレスメモリ１４に記録される欠陥画素アドレスは、フォトダイオードＰＤの特性（欠陥）に応じて検出された欠陥画素の欠陥画素アドレスに加えて、画素内メモリＦＤの特性（欠陥）に応じて検出された欠陥画素の欠陥画素アドレスである。従って、アドレスメモリ１３の記録容量は、アドレスメモリ１４の記録容量に比べて、少ない記録容量である。
【００３８】
欠陥補正部１２は、ＡＤ変換部９から入力されたデジタル信号の値を補正する。具体的には、欠陥補正部１２は、モード設定部８によって決定された露光モードが通常露光モードであり、モード設定部８によって決定された読み出しモードがＲＳモードである場合、アドレスメモリ１３に記録された欠陥画素アドレスに基づいて、ＡＤ変換部９から入力されたデジタル信号の値を補正し、補正したデジタル信号を固体撮像装置１００の画像信号として出力する。また、欠陥補正部１２は、モード設定部８によって決定された露光モードが通常露光モードであり、モード設定部８によって決定された読み出しモードがＧＳモードである場合、アドレスメモリ１４に記録された欠陥画素アドレスに基づいて、ＡＤ変換部９から入力されたデジタル信号の値を補正し、補正したデジタル信号を固体撮像装置１００の画像信号として出力する。
【００３９】
次に、本実施形態の固体撮像装置１００における欠陥検出補正の処理手順について説明する。図３は、欠陥検出補正部１０を備えた固体撮像装置１００の処理手順を示したフローチャートである。
【００４０】
モード設定部８が露光モードおよび読み出しモードを設定すると、まず、ステップＳ１１００において、欠陥検出補正部１０は、モード設定部８によって決定された露光モードが、欠陥検出モードであるか否かを確認する。露光モードが欠陥検出モードである場合は、ステップＳ１２００に進む。また、露光モードが欠陥検出モードでない、すなわち、通常露光モードである場合は、ステップＳ１３００に進む。
【００４１】
続いて、ステップＳ１２００において、欠陥検出補正部１０は、モード設定部８によって決定された読み出しモードが、ＲＳモードであるか否かを確認する。読み出しモードがＲＳモードである場合は、ステップＳ１２１０に進む。また、読み出しモードがＲＳモードでない、すなわち、ＧＳモードである場合は、ステップＳ１２５０に進む。
【００４２】
続いて、ステップＳ１２１０において、固体撮像素子１は、欠陥検出モードによる露光を行い、露光した各単位画素の画素信号（アナログ信号）をＲＳ方式で読み出して、ＡＤ変換部９に出力する。
【００４３】
続いて、ステップＳ１２２０において、欠陥検出部１１は、ＡＤ変換部９から入力されたデジタル信号に基づいて欠陥画素を検出し、検出した欠陥画素の位置の情報に基づいて欠陥画素アドレスを算出する。そして、ステップＳ１２３０において、欠陥検出部１１は、算出した欠陥画素アドレスをアドレスメモリ１３に記録し、処理を完了する。
【００４４】
また、ステップＳ１２００において、モード設定部８によって決定された読み出しモードがＲＳモードでない場合、ステップＳ１２５０において、固体撮像素子１は、欠陥検出モードによる露光を行い、露光した各単位画素の画素信号（アナログ信号）をＧＳ方式で読み出して、ＡＤ変換部９に出力する。
【００４５】
続いて、ステップＳ１２６０において、欠陥検出部１１は、ＡＤ変換部９から入力されたデジタル信号に基づいて欠陥画素を検出し、検出した欠陥画素の位置の情報に基づいて欠陥画素アドレスを算出する。そして、ステップＳ１２７０において、欠陥検出部１１は、算出した欠陥画素アドレスをアドレスメモリ１４に記録し、処理を完了する。
【００４６】
また、ステップＳ１１００において、モード設定部８によって決定された露光モードが欠陥検出モードでない場合、ステップＳ１３００において、欠陥検出補正部１０は、モード設定部８によって決定された読み出しモードが、ＲＳモードであるか否かを確認する。読み出しモードがＲＳモードである場合は、ステップＳ１３１０に進む。また、読み出しモードがＲＳモードでない、すなわち、ＧＳモードである場合は、ステップＳ１３５０に進む。
【００４７】
続いて、ステップＳ１３１０において、固体撮像素子１は、通常露光モードによる露光を行い、露光した各単位画素の画素信号（アナログ信号）をＲＳ方式で読み出して、ＡＤ変換部９に出力する。
【００４８】
続いて、ステップＳ１３２０において、欠陥補正部１２は、アドレスメモリ１３に記録された欠陥画素アドレスに基づいて、ＡＤ変換部９から入力されたデジタル信号を補正する。そして、ステップＳ１４００において、欠陥補正部１２は、補正したデジタル信号を、固体撮像装置１００の画像信号として出力し、処理を完了する。
【００４９】
また、ステップＳ１３００において、モード設定部８によって決定された読み出しモードがＲＳモードでない場合、ステップＳ１３５０において、固体撮像素子１は、通常露光モードによる露光を行い、露光した各単位画素の画素信号（アナログ信号）をＧＳ方式で読み出して、ＡＤ変換部９に出力する。
【００５０】
続いて、ステップＳ１３６０において、欠陥補正部１２は、アドレスメモリ１４に記録された欠陥画素アドレスに基づいて、ＡＤ変換部９から入力されたデジタル信号を補正する。そして、ステップＳ１４００において、欠陥補正部１２は、補正したデジタル信号を、固体撮像装置１００の画像信号として出力し、処理を完了する。
【００５１】
上記に述べたとおり、本発明の第１の欠陥検出補正部によれば、従来の固体撮像装置における欠陥補正と同様に、フォトダイオードＰＤの特性（欠陥）による偽信号を補正することができる。また、本発明の第１の欠陥検出補正部によれば、さらに、画素内メモリＦＤの特性（欠陥）による偽信号を補正することができる。これにより、固体撮像装置１００の読み出しモード（ＲＳモードおよびＧＳモード）のそれぞれに対応した適切な欠陥補正を行った画像信号を出力することができる。
【００５２】
＜第２の欠陥検出補正部＞
次に、欠陥検出補正部の別の実施形態について説明する。図４は、本実施形態の固体撮像装置１００における、欠陥検出補正部２０の概略構成を示したブロック図である。図４において、欠陥検出補正部２０は、欠陥検出部２１、欠陥補正部２２、アドレスメモリ１３、アドレスメモリ２５、欠陥アドレス比較部２６から構成される。
【００５３】
なお、本別の実施形態においては、図１に示した固体撮像装置１００における欠陥検出補正部１０が、欠陥検出補正部２０に代わっているが、その他の構成要素および動作は同様であるため、説明を省略する。
【００５４】
欠陥検出部２１は、欠陥画素を検出する。具体的には、欠陥検出部２１は、図２に示した欠陥検出部１１と同様に、欠陥画素を検出し、検出した欠陥画素の欠陥画素アドレスを算出する。また、欠陥検出部２１は、モード設定部８によって決定された読み出しモードがＲＳモードである場合、図２に示した欠陥検出部１１と同様に、算出した欠陥画素アドレスをアドレスメモリ１３に出力する。また、欠陥検出部２１は、モード設定部８によって決定された読み出しモードがＧＳモードである場合、算出した欠陥画素アドレスを欠陥アドレス比較部２６に出力する。
【００５５】
欠陥アドレス比較部２６は、欠陥検出部２１から入力された欠陥画素アドレスと、アドレスメモリ１３に記録されている欠陥画素アドレスとを比較し、欠陥検出部２１から入力された欠陥画素アドレスの内、アドレスメモリ１３に記録されていない欠陥画素アドレスをアドレスメモリ２５に出力する。
【００５６】
アドレスメモリ１３は、図２に示したアドレスメモリ１３と同様に、欠陥検出部２１から入力された欠陥画素アドレスを記録する。アドレスメモリ２５は、欠陥アドレス比較部２６から入力された欠陥画素アドレスを記録する。なお、アドレスメモリ１３に記録される欠陥画素アドレスは、フォトダイオードＰＤの特性（欠陥）に応じて検出された欠陥画素の欠陥画素アドレスである。また、アドレスメモリ２５に記録される欠陥画素アドレスは、フォトダイオードＰＤの特性（欠陥）に応じて検出された欠陥画素の欠陥画素アドレス以外の欠陥画素アドレスである。すなわち、アドレスメモリ２５は、図２に示したアドレスメモリ１４と異なり、画素内メモリＦＤの特性（欠陥）に応じて検出された欠陥画素の欠陥画素アドレスのみが記録される。
【００５７】
欠陥補正部２２は、ＡＤ変換部９から入力されたデジタル信号の値を補正する。具体的には、欠陥補正部２２は、図２に示した欠陥補正部１２と同様に、モード設定部８によって決定された露光モードが通常露光モードであり、モード設定部８によって決定された読み出しモードがＲＳモードである場合、アドレスメモリ１３に記録された欠陥画素アドレスに基づいて、ＡＤ変換部９から入力されたデジタル信号の値を補正し、補正したデジタル信号を固体撮像装置１００の画像信号として出力する。また、欠陥補正部２２は、モード設定部８によって決定された露光モードが通常露光モードであり、モード設定部８によって決定された読み出しモードがＧＳモードである場合、ＡＤ変換部９から入力されたデジタル信号の値を、アドレスメモリ１３に記録された欠陥画素アドレス、またはアドレスメモリ２５に記録された欠陥画素アドレスに基づいて補正し、補正したデジタル信号を固体撮像装置１００の画像信号として出力する。
【００５８】
次に、本実施形態の固体撮像装置１００における欠陥検出補正の別の処理手順について説明する。図５は、欠陥検出補正部２０を備えた固体撮像装置１００の処理手順を示したフローチャートである。
【００５９】
モード設定部８が露光モードおよび読み出しモードを設定すると、まず、ステップＳ２１００において、欠陥検出補正部２０は、モード設定部８によって決定された露光モードが、欠陥検出モードであるか否かを確認する。露光モードが欠陥検出モードである場合は、ステップＳ２２００に進む。また、露光モードが欠陥検出モードでない、すなわち、通常露光モードである場合は、ステップＳ２３００に進む。
【００６０】
続いて、ステップＳ２２００において、欠陥検出補正部２０は、モード設定部８によって決定された読み出しモードが、ＲＳモードであるか否かを確認する。読み出しモードがＲＳモードである場合は、ステップＳ２２１０に進む。また、読み出しモードがＲＳモードでない、すなわち、ＧＳモードである場合は、ステップＳ２２５０に進む。
【００６１】
続いて、ステップＳ２２１０において、固体撮像素子１は、図３に示したステップＳ１２１０と同様に、モード設定部８によって決定された露光モードおよび読み出しモードに応じた露光と画素信号（アナログ信号）の読み出しを行い、ＡＤ変換部９に出力する。
【００６２】
続いて、ステップＳ２２２０およびステップＳ２２３０において、欠陥検出部２１は、図３に示したステップＳ１２２０およびステップＳ１２３０と同様に、ＡＤ変換部９から入力されたデジタル信号に基づいて、欠陥画素の検出および欠陥画素アドレスの算出を行い、欠陥画素アドレスをアドレスメモリ１３に記録して、処理を完了する。
【００６３】
また、ステップＳ２２００において、モード設定部８によって決定された読み出しモードがＲＳモードでない場合、ステップＳ２２５０において、固体撮像素子１は、図３に示したステップＳ１２５０と同様に、モード設定部８によって決定された露光モードおよび読み出しモードに応じた露光と画素信号（アナログ信号）の読み出しを行い、ＡＤ変換部９に出力する。
【００６４】
続いて、ステップＳ２２６０において、欠陥検出部２１は、図３に示したステップＳ１２６０と同様に、ＡＤ変換部９から入力されたデジタル信号に基づいて、欠陥画素の検出および欠陥画素アドレスの算出を行い、欠陥画素アドレスを欠陥アドレス比較部２６に出力する。
【００６５】
続いて、ステップＳ２２７０において、欠陥アドレス比較部２６は、アドレスメモリ１３に記録されている欠陥画素アドレスを読み出し、欠陥検出部２１から入力された欠陥画素アドレスから、アドレスメモリ１３から読み出した欠陥画素アドレスを除外し、残った欠陥画素アドレスをアドレスメモリ２５に記録し、処理を完了する。
【００６６】
また、ステップＳ２１００において、モード設定部８によって決定された露光モードが欠陥検出モードでない場合、ステップＳ２３００において、欠陥検出補正部２０は、モード設定部８によって決定された読み出しモードが、ＲＳモードであるか否かを確認する。読み出しモードがＲＳモードである場合は、ステップＳ２３１０に進む。また、読み出しモードがＲＳモードでない、すなわち、ＧＳモードである場合は、ステップＳ２３５０に進む。
【００６７】
続いて、ステップＳ２３１０において、固体撮像素子１は、図３に示したステップＳ１３１０と同様に、モード設定部８によって決定された露光モードおよび読み出しモードに応じた露光と画素信号（アナログ信号）の読み出しを行い、ＡＤ変換部９に出力する。
【００６８】
続いて、ステップＳ２３２０において、欠陥補正部２２は、図３に示したステップＳ１３２０と同様に、アドレスメモリ１３に記録された欠陥画素アドレスに基づいて、ＡＤ変換部９から入力されたデジタル信号を補正する。そして、ステップＳ２４００において、欠陥補正部２２は、補正したデジタル信号を、固体撮像装置１００の画像信号として出力し、処理を完了する。
【００６９】
また、ステップＳ２３００において、モード設定部８によって決定された読み出しモードがＲＳモードでない場合、ステップＳ２３５０において、固体撮像素子１は、図３に示したステップＳ１３５０と同様に、モード設定部８によって決定された露光モードおよび読み出しモードに応じた露光と画素信号（アナログ信号）の読み出しを行い、ＡＤ変換部９に出力する。
【００７０】
続いて、ステップＳ２３６０において、欠陥補正部２２は、アドレスメモリ１３に記録された欠陥画素アドレスに基づいて、ＡＤ変換部９から入力されたデジタル信号を補正する。
【００７１】
続いて、ステップＳ２３７０において、欠陥補正部２２は、アドレスメモリ２５に記録された欠陥画素アドレスに基づいて、ＡＤ変換部９から入力されたデジタル信号を補正する。そして、ステップＳ２４００において、欠陥補正部２２は、アドレスメモリ１３またはアドレスメモリ２５に記録された欠陥画素アドレスに基づいて補正したデジタル信号を、固体撮像装置１００の画像信号として出力し、処理を完了する。
【００７２】
上記に述べたとおり、第２の欠陥検出補正部によれば、第１の欠陥検出補正部と同様に、従来の固体撮像装置におけるフォトダイオードＰＤの特性（欠陥）による偽信号の補正と、画素内メモリＦＤの特性（欠陥）による偽信号の補正とを行うことができる。これにより、固体撮像装置１００の読み出しモード（ＲＳモードおよびＧＳモード）のそれぞれに対応した適切な欠陥補正を行った画像信号を出力することができる。
【００７３】
また、第２の欠陥検出補正部におけるアドレスメモリ２５は、アドレスメモリ１３に記録されている欠陥画素アドレス以外の欠陥画素アドレスが記録されるため、第１の欠陥検出補正部におけるアドレスメモリ１４の記録容量に比べて、少ない記録容量とすることができる。このため、アドレスメモリ１３およびアドレスメモリ２５の記録容量を効率的に使用することができ、より小さい面積で欠陥検出補正部を構成することができる。
【００７４】
なお、第２の欠陥検出補正部における欠陥画素検出処理では、ＧＳモードで検出した欠陥画素アドレスからＲＳモードで検出した欠陥画素アドレスを除外する処理を行うため、先にＲＳモードによる欠陥画素検出を行った後に、ＧＳモードによる欠陥画素検出を行うことが望ましい。
【００７５】
上記に述べたとおり、本発明を実施するための形態によれば、従来の固体撮像装置と同様に、フォトダイオードＰＤの特性（欠陥）に応じたデジタル信号の補正することが可能であり、さらに、画素内メモリＦＤの特性（欠陥）に応じたデジタル信号の補正することができる。これにより、固体撮像装置の読み出しモード（ＲＳモードおよびＧＳモード）の切り替えにおける欠陥補正を、それぞれの読み出しモードに対応して、最適に行うことができる。また、このことによって、最終的に得られる画像の品質を向上することができる。
【００７６】
なお、本実施形態の欠陥画素検出処理は、例えば、本発明の固体撮像装置１００をデジタルカメラに搭載した場合、デジタルカメラの出荷時や、デジタルカメラの電源をＯＮするときなどのタイミングで行うことが望ましい。さらに、例えば、デジタルカメラや本発明の固体撮像装置１００の温度を検出し、検出した温度が予め定められた温度以上に上昇した時など、温度上昇などに基づいて定期的に行うことも可能である。
【００７７】
また、本実施形態においては、アドレスメモリ１３とアドレスメモリ１４、またはアドレスメモリ１３とアドレスメモリ２５は、それぞれ別の構成要素とした場合について説明したが、アドレスメモリ１３とアドレスメモリ１４、またはアドレスメモリ１３とアドレスメモリ２５を同一のメモリとし、このメモリ内の記録領域を異なる領域とする構成とすることも可能である。
【００７８】
また、本実施形態においては、固体撮像装置１００内の固体撮像素子１、モード設定部８、ＡＤ変換部９、および欠陥検出補正部１０または欠陥検出補正部２０をそれぞれ別の構成要素とした場合について説明したが、これらの構成要素を、例えば、ＳＯＣ（Ｓｙｓｔｅｍ  Ｏｎ  Ｃｈｉｐ）のような、同一のチップ内の構成要素とすることも可能である。
【００７９】
また、本実施形態においては、単位画素Ｐの行方向および列方向の配置に関して、２行２列の例を示したが、単位画素Ｐの行方向および列方向の配置は、本発明を実施するための形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において単位画素Ｐを配置する行方向および列方向の数を変更することができる。
【００８０】
以上、本発明の実施形態について、図面を参照して説明してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲においての種々の変更も含まれる。
【符号の説明】
【００８１】
１００・・・固体撮像装置
１・・・固体撮像素子（画素群）
２・・・垂直走査部（信号読み出し部）
３＿１，３＿２・・・垂直信号線
４＿１，４＿２・・・列回路
５・・・水平信号線
６・・・水平走査部（信号読み出し部）
７・・・出力アンプ
８・・・モード設定部
９・・・ＡＤ変換部
１０，２０・・・欠陥検出補正部
１１，２１・・・欠陥検出部（欠陥検出補正部）
１２，２２・・・欠陥補正部（欠陥検出補正部）
１３・・・アドレスメモリ（第１の欠陥メモリ）
１４・・・アドレスメモリ（第２の欠陥メモリ）
２５・・・アドレスメモリ（第２の欠陥メモリ）
２６・・・欠陥アドレス比較部（欠陥検出補正部）
Ｐ，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２・・・単位画素（画素）
ＰＤ・・・フォトダイオード（光電変換部）
ＦＤ・・・画素内メモリ（メモリ部）
Ｍ１・・・増幅トランジスタ（増幅部）
Ｍ２・・・ＦＤリセットトランジスタ（第１のリセット部）
Ｍ３・・・行選択トランジスタ（選択部）
Ｍ４・・・転送トランジスタ（電荷転送部）
Ｍ５・・・ＰＤリセットトランジスタ（第２のリセット部）
Ｍ６＿１，Ｍ６＿２・・・列選択スイッチ
【図１】
2011151668.tif 000003
【図２】
2011151668.tif 000004
【図３】
2011151668.tif 000005
【図４】
2011151668.tif 000006
【図５】
2011151668.tif 000007
【図６】
2011151668.tif 000008
【図７】
2011151668.tif 000009