(57)【要約】【課題】この発明は電子部品を吸着保持するための吸引孔を超音波振動するホーンに腹の部分に容易に形成できるようにした超音波実装ツールを提供することにある。【解決手段】ホーン２２の一端に設けられホーンを所定方向に振動させる振動子２３と、ホーンの振動の振幅が最大となる部分に設けられ下面に半導体チップＣを吸着保持する吸引孔３１の先端部が開口したツール部２５を具備し、吸引孔は、ホーンの振動方向と交差する上下方向に沿って真直ぐに貫通して形成されている。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被実装部材に電子部品を押圧荷重と振動とによって圧着するための超音波実装ツールであって、
ホーンと、
このホーンの一端に設けられホーンを所定方向に振動させる振動子と、
上記ホーンの振動の振幅が最大となる部分に設けられ下面に上記電子部品を吸着保持する吸引孔の先端部が開口したツール部を具備し、
上記吸引孔は、上記ホーンの振動方向と交差する上下方向に沿って真直ぐに貫通して形成されていることを特徴とする超音波実装ツール。
【請求項２】
上記ツール部の下面の上記吸引孔が開口する部分には、この吸引孔を他の部分よりも小径に開口させる絞り部が設けられていることを特徴とする請求項１記載の超音波実装ツール。
【請求項３】
上記ホーンの振動の振幅が最大となる部分の上面には、上記ホーンの上面に対して気密な状態で摺動可能に接触した支持部材が設けられ、この支持部材には一端が上記ツール部の上面に開口した上記吸引孔に連通し他端が上記支持部材の側面に開口した連通孔が形成されていることを特徴とする請求項１記載の超音波実装ツール。
【請求項４】
被実装部材に電子部品を押圧荷重と振動とによって圧着する電子部品の実装装置であって、
ツール部を有し、このツール部に上記電子部品を吸着保持する超音波実装ツールと、
この超音波実装ツールを上下方向に駆動可能に支持した支持手段と、
この支持手段によって支持された上記超音波実装ツールを下降方向に駆動して上記ツール部に保持された上記電子部品を上記被実装部材の圧着させる駆動手段を具備し、
超音波実装ツールは請求項１に記載された構成であることを特徴とする電子部品の実装装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はポリイミド製のテープ状部材などの被実装部材に半導体チップなどの電子部品を超音波振動を利用して圧着するために用いられる超音波実装ツール及びこの超音波実装ツールが用いられた電子部品の実装装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、電子部品であるバンプ付きの半導体チップを被実装部材であるテープ状部材に実装する場合、この半導体チップに押圧荷重と超音波振動を与えて上記テープ状部材に実装する方法が知られている。つまり、半導体チップをテープ状部材の被接合面に所定の圧力で加圧しながら超音波振動を与えることで、テープ状部材の端子に半導体チップのバンプを溶融させて接合するようにしている。
【０００３】
超音波振動を利用して半導体チップをテープ状部材に実装する実装装置は特許文献１に示されている。特許文献１に示された実装装置はホーンを有する。このホーンの長手方向の一端には振動子が接続されている。この振動子には超音波発振器が接続される。この超音波発振器は上記振動子にたとえば４０ｋＨｚの高周波電圧を印加する。
【０００４】
それによって、振動子が超音波振動するから、その振動波によって上記ホーンも超音波振動する。つまり、ホーンは長手方向である、横方向に超音波振動する。このホーンの振動を横振動とする。
【０００５】
上記ホーンの振動の振幅が最大となる腹の部分の下面には電子部品としての半導体チップを吸着保持する保持部が突設されている。この保持部の下端面には吸引孔の一端が開口している。この吸引孔の他端は上記ホーンの上面の振動の振幅が最小となる節に対応する箇所に開口している。そして、上記吸引孔の他端にはチューブを介して吸引装置が接続される。
【０００６】
したがって、上記吸引装置が作動すれば、上記保持部に開口した吸引孔に吸引力が生じるから、この吸引力によって保持部に半導体チップを吸着保持できるようになっている。しかも、吸引孔の他端が振動の振幅が最小となる節の部分に開口しているから、吸引孔にチューブを接続しても、振動エネルギのロスを少なくできるというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３４０９６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述した特許文献１の構成によると、ホーンに形成された吸引孔は、一端を超音波振動するホーンの振動の腹の部分の下面に設けられた保持部に開口させ、他端を長音波振動するホーンの振動エネルギのロスを少なくするため、上記ホーンの上面の振動の節の部分に開口させている。そのため、上記吸引孔は上記ホーンにクランク状に屈曲して形成せざるを得ないことになる。
【０００９】
しかしながら、上記ホーンは、通常、ホーン全体の振動エネルギのロスを少なくするために接続部分のない一体ものが用いられる。そのため、一体もののホーンに、一端がホーンの下面に開口し、他端が上面に開口した吸引孔をクランク状に屈曲させて加工形成するということは作業性などの点から容易なことではない。
【００１０】
しかも、最近ではテープ状部材にたとえば１ｍｍ角程度の微小な半導体チップを実装することが要求されることがある。その場合、上記吸引孔の内径寸法を半導体チップの外形寸法よりも小さな１ｍｍ以下にしなければ、上記半導体チップを吸着保持することができない。
【００１１】
しかしながら、全長にわたって内径寸法の小さな吸引孔をホーンに加工形成する作業は、たとえばドリルが損傷し易いなどのことがあって容易ではなく、しかも吸引孔が上述したようにクランク状に屈曲していると、その加工作業がさらに手間が掛かって困難になるということがある。
【００１２】
この発明は、ホーンに吸引孔を、このホーンの上下方向に沿って真直ぐに形成することで、吸引孔の形成を容易に行なうことができるようにした超音波実装ツール及び電子部品の実装装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明は、被実装部材に電子部品を押圧荷重と振動とによって圧着するための超音波実装ツールであって、
ホーンと、
このホーンの一端に設けられホーンを所定方向に振動させる振動子と、
上記ホーンの振動の振幅が最大となる部分に設けられ下面に上記電子部品を吸着保持する吸引孔の先端部が開口したツール部を具備し、
上記吸引孔は、上記ホーンの振動方向と交差する上下方向に沿って真直ぐに貫通して形成されていることを特徴とする超音波実装ツールにある。
【００１４】
上記ツール部の下面の上記吸引孔が開口する部分には、この吸引孔を他の部分よりも小径に開口させる絞り部が設けられていることが好ましい。
【００１５】
上記ホーンの振動の振幅が最大となる部分の上面には、上記ホーンの上面に対して気密な状態で摺動可能に接触した支持部材が設けられ、この支持部材には一端が上記ツール部の上面に開口した上記吸引孔に連通し他端が上記支持部材の側面に開口した連通孔が形成されていることが好ましい。
【００１６】
この発明は、被実装部材に電子部品を押圧荷重と振動とによって圧着する電子部品の実装装置であって、
ツール部を有し、このツール部に上記電子部品を吸着保持する超音波実装ツールと、
この超音波実装ツールを上下方向に駆動可能に支持した支持手段と、
この支持手段によって支持された上記超音波実装ツールを下降方向に駆動して上記ツール部に保持された上記電子部品を上記被実装部材の圧着させる駆動手段を具備し、
超音波実装ツールは請求項１に記載された構成であることを特徴とする電子部品の実装装置にある。
【発明の効果】
【００１７】
この発明によれば、一端がツール部に開口した吸引孔を、ホーンの振動の振幅が最大となる部分に、振動方向と交差する上下方向に沿って真直ぐに形成するため、上記吸引孔を上記ホーンに容易に加工することができる。しかも、電子部品のサイズに応じて細径化する場合であっても、吸引孔が真直ぐであれば、この吸引孔のツール部に開口する端部だけを細径化することが可能となるから、電子部品のサイズに応じた吸引孔の加工を容易に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】この発明の第１の実施の形態を示す実装装置の概略的構成を示す側面図。
【図２】図１に示す実装装置の正面図。
【図３】θ可動体に対するホーンの取付け構造を示す断面図。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、この発明の実施の形態を図１乃至図４を参照しながら説明する。  
図１は実装装置の側面図で、図２は正面図である。この実装装置は図１に示すように装置本体１を備えている。この装置本体１にはＹガイド体２がＹ方向に沿って設けられ、このＹガイド体２にはＹ可動体３が矢印で示すＹ方向に駆動可能に設けられている。
【００２０】
上記Ｙ可動体３の前端面には上下方向に所定間隔で離間した一対のＸガイド体４がＸ方向に沿って設けられている。このＸガイド体４にはＸ可動体５が駆動可能に設けられている。このＸ可動体５は側面形状が逆Ｌ字状に形成されていて、垂直壁５ａの外面には上記Ｘガイド体４に移動可能に係合する受け部６が設けられている。
【００２１】
Ｘ可動体５の垂直壁５ａの内面には図２に示すように上下方向に沿って一対のＺガイド体７がＸ方向に所定間隔で離間して設けられている。このＺガイド体７にはＺ可動体８が矢印Ｚで示す上下方向に駆動可能に設けられている。このＺ可動体８の上面と、上記Ｘ可動体５の水平壁５ｂの下面との間には複数、たとえば４つのばね１１が張設されていて、上記Ｚ可動体８を上昇方向に付勢している。
【００２２】
上記Ｘ可動体５の水平壁５ｂの上面には駆動手段としてのＺ駆動源であるシリンダ１２が軸線を垂直にして設けられている。このシリンダ１２のロッド１３の先端には押圧部材１４が設けられている。この押圧部材１４は上記Ｚ可動体８の上面に回転軸線を水平にして設けられたローラ１５に当接している。したがって、上記シリンダ１２のロッド１３が突出方向に付勢されると、上記Ｚ可動体８はばね１１の復元力に抗して下降方向に駆動されるようになっている。
【００２３】
上記Ｚ可動体８の下部にはθ駆動源１６が内蔵されている。上記Ｚ可動体８の下端には上記θ駆動源１６によって垂直線を中心にして回転駆動されるθ可動体１７が設けられている。このθ可動体１７には超音波実装ツール２１が取り付けられている。この超音波実装ツール２１は図１と図２に示すように角柱状のホーン２２を有する。
【００２４】
上記ホーン２２の長手方向一端には振動子２３が連結固定されている。この振動子２３には図示しない発振器が接続されていて、この発振器からたとえば４０ｋＨｚの高周波電圧が印加される。それによって、上記振動子２３とともに上記ホーン２２が超音波振動する。
【００２５】
上記ホーン２２の長手方向中央部の下面、つまり上記ホーン２２に伝播する振動波による振動の振幅が最大となる部分、すなわち振動の腹の部分には矩形状のベース部２４が設けられ、このベース部２４の下面には上記ホーン２２の幅方向に対して所定の幅寸法でツール部２５が突出形成されている。
【００２６】
上記ツール部２５の下端面には後述する吸引孔３１が開口形成されていて、この下端面に電子部品としての半導体チップＣ（図２に示す）が吸着保持される。この半導体チップＣは、この実施の形態では上記ツール部２５の下端面よりもわずかに小さな大きさである、たとえば１ｍｍ角程度の微小な大きさである。
【００２７】
上記ホーン２２の上面の上記ツール部２５と対応する長手方向の中央部である、振動波の腹の部分には上記ベース２４とほぼ同じ平面形状の荷重受け部２６が突出形成されている。なお、上記ツール部２５と荷重受け部２６は、上記ホーン２２と一体形成されている。
【００２８】
上記荷重受け部２６の上面には、幅寸法が上記ホーン２２の幅寸法よりもわずかにちいさく、長さ寸法がホーン２２よりも短い、帯板状のブラケット２７が長手方向中央部の下面を接触させて設けられている。このブラケット２７の両端部は図１に示すようにそれぞれねじ２８によって上記ホーン２２の横振動が最小となる、上記振動波の節の部分に連結固定されている。
【００２９】
上記ブラケット２７の両端部分と上記荷重受け部２６に接触した部分との間の部分は、この部分の剛性をブラケット２７の他の部分よりも低くする低剛性部２７ａに形成されている。上記低剛性部２７ａはブラケット２７の幅方向に貫通する空洞部２９によって形成されている。この空洞部２９の内面のコーナ部は応力集中を避けるようＲ状に形成されている。
【００３０】
したがって、上記ホーン２２に上記ブラケット２７を、上記荷重受け部２６を介して固定するため、上記ブラケット２７の両端部のねじ２８をホーン２２に締め込むと、ブラケット２７の空洞部２９が形成された低剛性部２７ａが弾性変形して湾曲する。
【００３１】
そのため、ブラケット２７の両端部分をホーン２２にねじ２８によって連結固定しても、このブラケット２７の長手方向中央部分の下面と荷重受け部２６の上面とは面接触状態が維持されることになる。
【００３２】
上記ブラケット２７は、上記荷重受け部２６に下面を摺動可能に接触させた部分に対応する上面が上記θ可動体１７の下面に取り付け固定される。したがって、上記超音波実装ツール２１はＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向に駆動可能となっている。
【００３３】
図３と図４は上記θ可動体１７とブラケット２７の連結構造を示す断面図である。すなわち、上記θ可動体１７の下面には断熱部材３０が複数の第１のねじ３０ａによって取付け固定されていて、この断熱部材３０の下面には上記ブラケット２７が複数の第２のねじ３０ｂによって取付け固定されている。
【００３４】
なお、上記ブラケット２７、上記θ可動体１７及び上記断熱部材３０とで、この実施の形態の支持部材を構成している。
【００３５】
上記ホーン２２の振動の腹の部分、つまり下面にツール部２５が設けられ、上面に荷重受け部２６が設けられた部分には、下端を上記ツール部２５の下面に開口させ上端を上記荷重受け部２６の上面に開口させた上記吸引孔３１が穿設されている。つまり、吸引孔３１は上記ホーン２２の上下方向に真直ぐに貫通して形成されている。
【００３６】
図３に示すように、上記吸引孔３１の内径寸法は下端部を除いてＤに設定されている。この吸引孔３１は、下端を上記ツール部２５の下面に絞り部３２を介して上記内径寸法Ｄよりも小さな内径寸法ｄで開口させ、上端を上記荷重受け部２６の上面に上記内径寸法Ｄで開口させている。
【００３７】
上記吸引孔３１の先端部を除く部分の内径寸法Ｄは、上記半導体チップＣの一辺の長さ寸法と同等或いは大きく設定されていて、上記ツール部２５の下面に絞り部３２を介して開口させた上記吸引孔３１の先端部の内径寸法ｄは、ツール部２５の下面に吸着保持される上記半導体チップＣの一辺の長さ寸法よりもわずかに小さく設定されている。
【００３８】
半導体チップＣが１ｍｍ角の場合、上記吸引孔３１は上述したようにツール部２５の下面に１ｍｍ以下の内径寸法で開口させなければ、半導体チップＣを吸着保持することができなくなる。その場合、上記ホーン２２の上下方向に内径寸法が１ｍｍ以下の細径な吸引孔３１を貫通させて加工する作業は容易ではない。
【００３９】
しかしながら、上記吸引孔３１は、先端部を上記ツール部２５の下面に絞り部３２を介して内径寸法が半導体チップＣの一辺よりも小さな内径寸法ｄで開口させ、先端部以外の他の部分は半導体チップＣの一辺よりも大きな内径寸法Ｄとなっている。
【００４０】
そのため、上記吸引孔３１を加工するには、まず、ホーン２２の上面側から外形寸法がＤのドリル（図示せず）によって内径寸法Ｄの吸引孔３１を加工する。その際、内径寸法Ｄの吸引孔３１の加工は、上記ホーン２２の下面に貫通する直前で停止する。つまり、吸引孔３１の下端に、この吸引孔３１の下端を閉塞した部分を残した状態で内径寸法Ｄの吸引孔３１の加工を停止する。
【００４１】
ついで、吸引孔３１の下端を閉塞した部分を、外径寸法がｄのドリルによって孔あけ加工する。それによって、上記吸引孔３１の先端部を、先端部以外の部分の内径寸法Ｄよりも小さな内径寸法ｄで開口させる、上記絞り部３２が形成されることになる。
【００４２】
このように、吸引孔３１の先端部だけを絞り部３２を介して小径な内径寸法ｄに形成するようにすれば、吸引孔３２の全長に占める小径な内径寸法ｄの部分をわずかにできるから、吸引孔３２全体を小径な内径寸法ｄで形成する場合に比べて容易に加工形成することができる。
【００４３】
上記吸引孔３２の上記荷重受け部２６に開放した上端は、上記ブラケット２７と上記断熱部材３０の厚さ方向に内径寸法Ｄで貫通して形成された第１、第２の連通孔３３ａ，３３ｂの下端に連通している。この第１、第２の連通孔３３ａ，３３ｂの上端は上記θ可動体１７の下面に下端を開口させた内径寸法がＤの第３の連通孔３３ｃに連通している。
【００４４】
図４に示すように、上記第３の連通孔３３ｃはＬ字状に屈曲し、その他端は上記θ可動体１７の側面に開口している。この第３の連通孔３３ｃの他端には図示しない吸引ポンプに接続された吸引管３３（図１に示す）が接続されている。
【００４５】
したがって、上記吸引ポンプが作動すれば、上記ホーン２２の下面のツール部２５に絞り部３２を介して開口した吸引孔３２に吸引力が生じるから、その吸引力によって上記ツール部２５の下面に半導体チップＣを吸着保持することができる。
【００４６】
ここで、上記ブラケット２７に形成された第１の連通孔３３ａは上記ホーン２２に形成された吸引孔３１よりも大径に形成されている。さらに、断熱部材３０に形成された第２の連通孔３３ｂは上記第１の連通孔３３ａよりも大径に、θ可動体１７に形成された第３の連通孔３３ｃは上記第２の連通孔３３ｂよりも大径に形成されている。
【００４７】
このように、順次連通する吸引孔３１、第１の連通孔３３ａ、第２の連通孔３３ｂ及び第２の連通孔３３ｃの順に順次大径にすることで、ホーン２２に対するブラケット２７の取付け、ブラケット２７に対する断熱部材３０の取付け及び断熱部材３０に対するθ可動体１７の取付けに多少のずれが生じても、そのずれによって全体の吸引路の断面積が半導体チップＣを吸引するための吸引孔３１の断面積以下になるということがほとんどない。
【００４８】
したがって、吸引孔３１に生じる吸引力が低下して半導体チップＣを確実に吸着できなくなるのを防止することができる。
【００４９】
とくに、半導体チップＣが１ｍｍ以下と小さい場合、吸引孔３１の内径寸法は半導体チップＣのサイズよりもさらに小さくなるから、吸引孔に３１に対して第１の連通孔３３ａがずれたりすると、吸引孔に３１に設定された吸引力が発生しない虞があるが、上述したように吸引孔３１よりも第１の連通孔３３ａを大径に、第１の連通孔３３ａよりも第２の連通孔３３ｂを大径に、さらに第２の連通孔３３ｂよりも第３の連通孔３３ｃを大径にしたことで、これら相互の接続部分に多少のずれが生じても吸引孔３３に生じる吸引力が低下するのを防止することができる。
【００５０】
図１と図２に示すように、上記超音波実装ツール２１の下方にはステージ３５が配設されている。このステージ３５は、詳細は図示しないがＸ、Ｙ、及びＺ方向に駆動可能となっている。ステージ３５の上面には被実装部材としてたとえばポリイミド製のテープ状部材などの基板３６が供給載置される。
【００５１】
位置決めされた基板３６の上記半導体チップＣを実装する位置に対し、上記超音波実装ツール２１はツール部２５が対向するよう位置決めされる。ついで、この超音波実装ツール２１は下降方向に駆動される。このとき、上記振動子２３には高周波電圧が印加される。
【００５２】
それによって、ツール部２５に吸着保持された半導体チップＣはＺ可動体８による加圧力と、ホーン２２の横振動とによって上記基板３６に圧着される。つまり、上記ホーン２２が振動子２３とともに超音波振動するから、上記半導体チップＣに設けられたバンプが加圧力と超音波振動によって溶融して上記半導体チップＣが上記基板３６に実装される。
【００５３】
半導体チップＣを基板３２に実装する際、ステージ３５に図示しないヒータを設けて基板３２を加熱すれば、半導体チップＣの実装を効果的に行なうことができる。その際、ヒータの熱はホーン２２に伝導するが、上記ホーン２２とブラケット２７との間には断熱部材３０が設けられているから、この断熱部材３０によってホーン２２に連結されたθ可動体１７に上記ヒータの熱が伝わるのが低減される。
【００５４】
以上のように、上記構成の超音波実装ツール２１によれば、ホーン２２の超音波振動の振幅が最大となる腹の部分に、下端がツール部２５の下面に開口し、上端が荷重受け部２６に開口した吸引孔３１を、ホーン２２の上下方向に真直ぐに貫通させて形成した。
【００５５】
そして、上記吸引孔３１の上端を、θ可動体１７に形成された第３の連通孔３３ｃに、ブラケット２７に形成された第１の連通孔３３ａ及び断熱部材３０に形成された第２の連通孔３３ｂを介して連通させるようにした。
【００５６】
そのため、上記吸引孔３１はホーン２２の上下方向に真直ぐに貫通するため、クランク状に屈曲させて形成していた従来に比べて加工作業を容易に、しかも精密に行なうことが可能となる。
【００５７】
上記吸引孔３１に吸引ポンプに連通する吸引管３３を接続すると、この吸引管３３によってホーン２２の振動エネルギのロスが大きくなるということがある。
【００５８】
しかしながら、上記吸引孔３１はホーン２２の振幅が最大となる腹の部分に形成されている。しかも、上記ホーン２２の上面には、この上面に設けられた荷重受け部２６に対してブラケット２７を摺動可能に圧接させて設けるとともに、このブラケット２７、断熱部材３０及びθ可動体１７に形成された第１乃至第３の連通孔３３ａ〜３３ｃを介して上記吸引孔３１に連通する吸引管３３を接続するようにした。
【００５９】
そのため、ホーン２２の振幅が最大となる腹の部分に吸引孔３１を形成し、この吸引孔３１に吸引管３３を連通させるようにしても、ホーン２２はブラケット２７と摺接して振動する。つまり、吸引管３３がホーン２２とともに振動しないから、この吸引管３３によってホーン２２の振動エネルギにロスが生じるのを防止することができる。
【００６０】
言い換えれば、ホーン２２の振幅が最大となる腹の部分に、ホーン２２の振動エネルギに大きなロスを生じさせることなく、吸引管３３が接続される吸引孔３１を、ホーン２２の上下方向に真直ぐに貫通させて形成することができるから、吸引孔３１をクランク状に屈曲させて形成していた従来に比べてその加工を容易に行なうことができる。
【００６１】
さらに、ホーン２２とブラケット２７は、ブラケット２７に設けた低剛性部２７ａを変形性させてホーン２２の振動エネルギがロスしないよう、これら摺動可能に連結した。そのため、ホーン２２の吸引孔３１とブラケット２７の第１の連通孔３３ａは、これらの内部に作用する半導体チップＣを吸引するための吸引力が漏れないよう気密に接続することができる。つまり、ホーン２２とブラケット２７との上述した接続構造によって、半導体チップＣを吸引する吸引力を高めることができる。
【００６２】
上記吸引孔３１は上記ツール部２５の下面に絞り部３２を介して開口している。つまり、上記吸引孔３１をホーン２２の上下方向に真直ぐに貫通させるようにしているため、吸引孔３１の下端に絞り部３２を形成し、この絞り部３２を介してツール部２５の下面に上記吸引孔３１の先端部を他の部分よりも小径にして開口させることができる。
【００６３】
すなわち、比較的簡単な加工によって上記吸引孔３１の下端開口を除く部分は微細な半導体チップＣの外形寸法よりも十分に大きな内径寸法Ｄとし、開口端である、先端部だけを上記絞り部３２によって微細な半導体チップＣを吸着保持できる微細な内径寸法ｄにすることができる。
【００６４】
そのため、吸引孔３１を全長にわたって微細な内径寸法にする場合に比べ、上記吸引孔３１の加工形成を容易に、しかも精密に行なうことが可能となるばかりか、半導体チップＣを吸着保持するための吸引力を低下させるということもない。
【００６５】
また、上記実施の形態では超音波の振動の波長が１波長の場合について説明したが、波長は（１／２）Ｎ・λのときにも応用できる。なお、λは波長、Ｎは整数である。
【００６６】
すなわち、超音波振動の最大振幅の位置に対応する位置にツール部２５を設ける。このようにすることで、複数の最大振幅位置にそれぞれツール部２５、吸引孔３１及び第１乃至第３の連通孔３３ａ〜３３ｃを設けることで、複数の半導体チップＣを各ツール部２５で吸着して同時に基板３６に実装することができる。
【符号の説明】
【００６７】
１７…θ可動体（支持部材）、２１…超音波実装ツール、２２…ホーン、２３…振動子、２５…ツール部、２７…ブラケット（支持部材）、２９…断熱部材（支持部材）、３１…吸引孔、３２…絞り部。
【図１】
2011243653.tif 000003
【図２】
2011243653.tif 000004
【図３】
2011243653.tif 000005
【図４】
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