(57)【要約】      （修正有）【課題】第１搬送手段及び第２搬送手段の調整処理と、調整が終了した処理室へのプロセス前準備を並行して実施可能とすることで、調整処理時間の短縮を図る基板処理装置を提供する。【解決手段】基板に処理を施す複数の処理室５，６と、該処理室へ基板を搬送する第１搬送手段を備えた第１搬送室２と、大気圧状態で基板を搬送する第２搬送手段を備えた第２搬送室７と、第１搬送室と第２搬送室を連結する減圧可能な予備室３，４と、第１搬送手段及び第２搬送手段の駆動を制御する第１制御手段と、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段の調整処理を指示する第２制御手段とを具備し、組立時の調整処理の際に、第１搬送手段及び／又は第２搬送手段の調整処理と、処理室のプロセス前準備を並行して実施可能に構成した。【選択図】図１
2011238836.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を施す複数の処理室と、該処理室へ基板を搬送する第１搬送手段を備えた第１搬送室と、大気圧状態で基板を搬送する第２搬送手段を備えた第２搬送室と、前記第１搬送室と前記第２搬送室を連結する減圧可能な予備室と、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段の駆動を制御する第１制御手段と、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段の調整処理を指示する第２制御手段とを具備し、組立時の調整処理の際に、前記第１搬送手段及び／又は前記第２搬送手段の調整処理と、前記処理室のプロセス前準備を並行して実施可能に構成したことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造工程の１つであるウェーハ等の被処理基板に酸化膜の生成、エッチング、薄膜の生成等所要の基板処理を行う基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
枚葉型の基板処理装置に於いては、組立時間及び機構部の調整処理時間を短縮することが、顧客への納入納期を守る上で非常に重要となっている。調整処理は基板処理装置の組立を行った後に行われ、基板を搬送する搬送機構及び基板を処理する処理室等の機構部に於ける駆動軸の調整処理、前記処理室のプロセス前準備処理の順に逐次行われる。
【０００３】
上記手順のうち、機構部の調整処理は、搬送機構及び処理室が有する複数の駆動軸に対し、主制御部を介して駆動軸にプログラムやパラメータを入力し、動作指示を行う携帯用の表示部付操作部であるティーチングペンダントにより基板搬送種別毎の各軸の位置を搬送制御部に記憶させるポジションティーチング処理が多くの割合を占めている。
【０００４】
従来の基板処理装置では、機構部の調整処理を行う際には、ティーチングペンダントより搬送制御部に対して命令を出し、機構部を制御する様になっている。従って、調整処理中には表示部にて機構部が調整中である旨を表示し、調整処理時に搬送機構部の自動運転や処理室での成膜処理が行われるのを防止している。
【０００５】
然し乍ら、処理室に対するポジションティーチング処理が終了しても、搬送機構に対するポジションティーチング処理が終了しなければ、処理室の空焼きプロセス等のプロセス前準備処理を行うことができない。又、搬送機構のポジションティーチング処理には多くの時間が必要であり、処理室のプロセス前準備処理にも時間を要する為、全体として調整処理に非常に長い時間を必要とするという問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は斯かる実情に鑑み、第１搬送手段及び第２搬送手段の調整処理と、調整が終了した処理室へのプロセス前準備を並行して実施可能とすることで、調整処理時間の短縮を図る基板処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板に処理を施す複数の処理室と、該処理室へ基板を搬送する第１搬送手段を備えた第１搬送室と、大気圧状態で基板を搬送する第２搬送手段を備えた第２搬送室と、前記第１搬送室と前記第２搬送室を連結する減圧可能な予備室と、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段の駆動を制御する第１制御手段と、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段の調整処理を指示する第２制御手段とを具備し、組立時の調整処理の際に、前記第１搬送手段及び／又は前記第２搬送手段の調整処理と、前記処理室のプロセス前準備を並行して実施可能に構成した基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、基板に処理を施す複数の処理室と、該処理室へ基板を搬送する第１搬送手段を備えた第１搬送室と、大気圧状態で基板を搬送する第２搬送手段を備えた第２搬送室と、前記第１搬送室と前記第２搬送室を連結する減圧可能な予備室と、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段の駆動を制御する第１制御手段と、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段の調整処理を指示する第２制御手段とを具備し、組立時の調整処理の際に、前記第１搬送手段及び／又は前記第２搬送手段の調整処理と、前記処理室のプロセス前準備を並行して実施可能に構成したので、プロセス前準備処理を前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段の調整処理後に実施する必要がなく、調整処理時間の短縮を図ることができるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明に於ける基板処理装置を示す平断面図である。
【図２】本発明に於ける基板処理装置を示す縦断面図である。
【図３】本発明に於ける基板処理装置の処理室を示す斜視図である。
【図４】本発明に於ける制御装置の概略構成を示すブロック図である。
【図５】本発明に於けるティーチングペンダントの画面を示す一例である。
【図６】本発明に於ける機構部の調整処理を説明するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。
【００１１】
先ず、図１〜図３に於いて、本発明が実施される枚葉式基板処理装置の一例について説明する。
【００１２】
図１に示されている様に、基板処理装置１には、第１搬送室としての搬送室２を中心として、２つのロードロック室（予備室）３，４及び２つの処理室５，６（ＰＭ１，ＰＭ２）が配置され、前記搬送室２、前記ロードロック室３，４、前記処理室５，６とで装置本体１０を構成している。前記ロードロック室３，４の上流側には、第２搬送室であるＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｆｒｏｎｔ  Ｅｎｄ  Ｍｏｄｕｌｅ）７が配置され、該ＥＦＥＭ７と前記ロードロック室３，４とはゲートバルブ８，８を介して連通している。
【００１３】
前記ＥＦＥＭ７には、複数台、例えば３台のカセット（図示せず）が載置可能なカセットステージ９が隣設されている。前記カセットには、例えば２５段のスロットが形成されており、各段スロットにはウェーハを１枚ずつ保持できる様になっている。従って、前記カセットには１枚〜２５枚のウェーハを搭載可能となっている。
【００１４】
又、前記ＥＦＥＭ７内には、第２搬送手段（ＬＨ）としての第２ウェーハ移載装置（ｗａｆｅｒ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）（図示せず）が設置されており、該第２ウェーハ移載装置は大気中にて同時に複数枚（通常は５枚）のウェーハを移載することができる。前記第２ウェーハ移載装置は前記カセットステージ９に載置されたカセットと前記ロードロック室３，４との間のウェーハの移載を可能としている。
【００１５】
次に、図１、図２に於いて、装置本体１０について説明する。尚、前記ロードロック室３とロードロック室４の構成及び前記処理室５と処理室６の構成は同様であるので、図２では前記ロードロック室３及び前記処理室５を例に取って説明している。
【００１６】
前記ロードロック室３には支持台１１が設けられており、該支持台１１は２５枚のウェーハ１７を上下方向に等間隔で収容できる様になっている。又、前記支持台１１は、例えば炭化珪素やアルミニウム等で形成されており、上端と下端には上部板１２と下部板１３が設けられ、前記上部板１２と前記下部板１３は例えば３本の支柱１４によって接続されている。該支柱１４の長手方向内側には、例えば２５個の載置部１５が平行に形成されている。
【００１７】
又、前記支持台１１は、前記ロードロック室３内を鉛直方向（上下方向）にステップ移動すると共に、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転され、前記支持台１１の向きが前記ＥＦＥＭ７又は前記搬送室２に正対する様に構成されている。
【００１８】
前記搬送室２には、第１搬送手段（ＴＨ）としての第１ウェーハ移載装置１６が設置され、該第１ウェーハ移載装置１６は、前記ロードロック室３、前記処理室５間を真空中にてウェーハ１７を搬送する様になっている。
【００１９】
又、前記第１ウェーハ移載装置１６は、基板保持部であるフィンガーアッシ１８が設けられたアーム１９を具備しており、前記フィンガーアッシ１８は上フィンガ２１と下フィンガ２２を有している。前記上フィンガ２１と前記下フィンガ２２は同一形状となっており、上下方向に所定の間隔（前記支持台１１のウェーハ収容ピッチ）で離間され、前記アーム１９からそれぞれ略水平方向に同一方向に延出し、ウェーハ１７をそれぞれ支持できる様になっている。又、前記アーム１９は鉛直方向に延びる回転軸を中心として回転する様に、且つ水平方向に進退する様に構成されている。
【００２０】
尚、前記搬送室２と前記処理室５は、ゲートバルブ２３（図３参照）を介して連通しており、前記搬送室２と前記処理室６も図示しないゲートバルブ２３を介して連通している。
【００２１】
従って、前記搬送室２に設置された前記第１ウェーハ移載装置１６は、前記ロードロック室３，４にストックされた未処理ウェーハ１７を、同時に２枚ずつ前記ゲートバルブ２３，２３を介して前記処理室５，６へ移載することができると共に、処理済ウェーハ１７を一度に２枚ずつ前記処理室５，６から前記ロードロック室３，４に移載することができる。
【００２２】
次に、図３に於いて、前記処理室５，６について説明する。尚、図３では前記処理室５を例に取って説明している。
【００２３】
該処理室５には２つの保持台２４，２５が設置されており、前記搬送室２側に載置された一方の保持台２４を含む第１処理部２６及び、他方の保持台２５を含む第２処理部２７が構成される。前記第１処理部２６と前記第２処理部２７は各々独立した構造となっており、前記装置本体１０から見ると、ウェーハ１７の処理流れ方向と同方向一列（図１に於いて上下方向に一列）となっている。即ち、前記第２処理部２７は前記第１処理部２６を挾んで前記搬送室２から離隔されて配置されている。
【００２４】
又、前記第１処理部２６と前記第２処理部２７とは連通しており、前記処理室５内は３００℃迄の昇温が可能となっている。前記第１処理部２６と前記第２処理部２７は、例えばアルミニウムで形成され、内挿したヒータ（図示せず）により加熱される様になっている。
【００２５】
尚、省スペース化、低コスト化を図る為、前記ロードロック室３，４、前記搬送室２及び前記処理室５，６を、例えばアルミニウムのみにて形成してもよい。
【００２６】
前記処理室５内の前記第１処理部２６と前記第２処理部２７の間の前記処理室６寄りには、処理室内ウェーハ移載装置２８が設けられている。該処理室内ウェーハ移載装置２８は、シャフト２９を回転軸として回転し、前記第１ウェーハ移載装置１６によって搬送された２枚の未処理ウェーハのうち１枚を前記第２処理部２７に移載し、残りの１枚を前記第１処理部２６に移載する様になっている。又、ウェーハ処理後には、該第１処理部２６及び前記第２処理部２７の処理済ウェーハ１７をそれぞれ前記第１ウェーハ移載装置１６の前記フィンガーアッシ１８上に移載する様になっている。
【００２７】
尚、図示はしないが、前記処理室６についてもウェーハ１７は同様に移載されており、未処理ウェーハ１７の移載と処理済ウェーハ１７の移載が干渉しない様、前記処理室５と前記処理室６とで交互にウェーハ１７の処理が行われる。
【００２８】
又、前記基板処理装置１の所定の位置には制御装置３１が設けられ、該制御装置３１により、前記ＥＦＥＭ７内に設けられた第２ウェーハ移載装置（図示せず）や前記搬送室２内に設けられた前記第１ウェーハ移載装置１６、或は前記処理室内ウェーハ移載装置２８等の基板搬送機構が制御されると共に、前記ゲートバルブ８，８及び前記ゲートバルブ２３，２３の開閉が制御される。
【００２９】
図４は前記制御装置３１の概略構成を表すブロック図であり、該制御装置３１は、表示部付操作部３２、主制御部３３、プロセス制御部３４、第１制御手段である搬送制御部３５、第２制御手段であるティーチングペンダント３６を具備している。
【００３０】
前記表示部付操作部３２は前記主制御部３３に対して基板処理実行の指示やレシピの編集等を行うと共に、前記基板処理装置１の処理状態を表示する機能を有し、前記主制御部３３は前記基板処理装置１でのウェーハ１７の搬送処理や成膜処理を統括制御すると共に、前記ＥＦＥＭ７に設けられた第２ウェーハ移載装置（図示せず）、前記搬送室２に設けられた前記第１ウェーハ移載装置１６等の搬送機構、及び前記処理室５，６からなる機構部の調整状態（以下調整モード）を管理する機能を有している。
【００３１】
尚、前記主制御部３３によって管理される調整モードは、機構部の調整を行っていない状態であるリモートモード、前記第１ウェーハ移載装置１６、第２ウェーハ移載装置、前記処理室５，６の全ての機構部の調整を行うオールローカルモード、前記第１ウェーハ移載装置１６、前記第２ウェーハ移載装置、前記処理室５の調整を行うＰＭ１オンリーローカルモード、前記第１ウェーハ移載装置１６、前記第２ウェーハ移載装置、前記処理室６の調整を行うＰＭ２オンリーローカルモード、前記第１ウェーハ移載装置１６及び前記第２ウェーハ移載装置のみの搬送機構の調整を行うＭＦ（Ｍａｉｎ  Ｆｒａｍｅ）オンリーローカルモードの計５つとなっている。
【００３２】
前記プロセス制御部３４は、メモリやＨＤＤ等の記憶部３７を有し、該記憶部３７にはウェーハ１７の成膜処理を実施する為のレシピ等が格納され、前記プロセス制御部３４は前記記憶部３７に格納されたレシピに従って、前記処理室５，６内の温度や流量、圧力等を制御し、成膜処理を行う様になっている。
【００３３】
前記搬送制御部３５は、メモリやＨＤＤ等の記憶部３８を有し、該記憶部３８には搬送機構を駆動させる為の搬送プログラムや、ティーチングペンダント表示部４１にガイドメッセージを表示させる為の表示プログラム、ウェーハ搬送種別毎の各軸の位置を示すポジションティーチング情報等が格納され、前記搬送制御部３５は前記記憶部３８に格納された搬送プログラムやポジションティーチング情報に従って搬送機構の駆動を制御し、搬送処理を行う様になっている。尚、前記記憶部３７及び前記記憶部３８は、同一の記憶部を共用してもよい。
【００３４】
又、図５は、ティーチングペンダント３６を示す図である。前記ティーチングペンダント３６は前記主制御部３３と電気的に接続され、液晶パネルを有し、該液晶パネルにはティーチングペンダント操作キー３９と前記ティーチングペンダント表示部４１が表示されている。
【００３５】
前記ティーチングペンダント操作キー３９は、０〜９の数字や各種指示等からなるタッチパネルとなっており、前記ティーチングペンダント操作キー３９をタッチ又は押下することで、各基板搬送機構の調整処理の指示が前記主制御部３３に送信される様になっている。
【００３６】
尚、前記ティーチングペンダント３６にキーボード等の外部入力装置を接続し、該外部入力装置により前記主制御部３３に対する指示を入力してもよい。例えば、前記ティーチングペンダント操作キー３９の各キーの左上に表示されたアルファベットを入力することで、アルファベットと対応したキーが前記主制御部３３に送信される。
【００３７】
又、前記ティーチングペンダント表示部４１には、ガイドメッセージが表示される。該ガイドメッセージは、例えば該ティーチングペンダント操作キー３９のＦ１キーをタッチ又は押下することで、調整モードを全搬送機構及び前記処理室５，６を調整するオールローカルモードに移行する、或はＦ２キーをタッチ又は押下することで、オンリーローカルモードセレクト状態へと移行する等の簡単な文章であり、作業者は前記ティーチングペンダント表示部４１のガイドメッセージに従って前記ティーチングペンダント操作キー３９をタッチ又は押下する様になっている。
【００３８】
尚、図中には示されていないが、該ティーチングペンダント操作キー３９のＦ２キーをタッチ又は押下することで、前記ティーチングペンダント表示部４１の表示がオンリーローカルモードセレクト状態へと切替り、各搬送機構及び前記処理室５を調整するＰＭ１オンリーローカルモード、各搬送機構及び前記処理室６を調整するＰＭ２オンリーローカルモード、各搬送機構のみを調整するＭＦオンリーローカルモード及び各ローカルモードに対応する操作キーが表示される。
【００３９】
ウェーハ１７を処理する際には、先ず前記表示部付操作部３２より処理実行の指示が前記主制御部３３に入力される。該主制御部３３に入力された指示に従って、前記搬送制御部３５が前記ＥＦＥＭ７に設けられた第２ウェーハ移載装置（図示せず）を駆動させ、前記カセットステージ９に載置された未処理のウェーハ１７を大気中にて前記ロードロック室３，４に移載する。
【００４０】
次に、前記搬送制御部３５は、前記ゲートバルブ８，８を閉め、前記ロードロック室３，４内を真空引きした後、前記ゲートバルブ２３，２３を開放し、前記第１ウェーハ移載装置１６を駆動させて減圧状態（真空を含む）にてウェーハ１７を前記ロードロック室３，４から前記処理室５，６に搬送し、前記プロセス制御部３４は前記処理室５，６内でウェーハ１７に所定の処理が行われる様制御する。
【００４１】
処理が終了すると、前記搬送制御部３５が前記第１ウェーハ移載装置１６を駆動させ、処理済のウェーハ１７を前記処理室５，６から前記ロードロック室３，４に移載し、更に前記ゲートバルブ２３，２３を閉める。
【００４２】
最後に、前記ロードロック室３，４を大気圧に復帰させ、前記ゲートバルブ８，８を開放し、前記ＥＦＥＭ７内の第２ウェーハ移載装置（図示せず）を駆動させ、前記ロードロック室３，４から前記カセットステージ９に載置されたカセットに処理済のウェーハ１７を移載し、処理済ウェーハ１７が搭載されたカセットが前記基板処理装置１外へと搬送され、一連の処理が完了する。
【００４３】
次に、図６のフローチャートを用い、本発明に於ける機構部の調整処理について説明する。
【００４４】
ＳＴＥＰ：０１  先ず、前記ティーチングペンダント表示部４１に表示されたガイドメッセージに従って、前記ティーチングペンダント操作キー３９より該当するキー（図５中ではＦ１キー）をタッチ又は押下し、機構部の調整モードをリモートモードからオールローカルモードへと移行させる。
【００４５】
ＳＴＥＰ：０２  調整モードをオールローカルモードに移行させた後、前記処理室５（ＰＭ１）及び前記第１ウェーハ移載装置１６の前記処理室５に関する駆動軸の位置を、前記ティーチングペンダント操作キー３９からの入力により前記搬送制御部３５に記憶させるポジションティーチング処理が実行され、ポジションティーチング情報が前記記憶部３８に格納される。
【００４６】
ＳＴＥＰ：０３  前記処理室５及び前記第１ウェーハ移載装置１６の前記処理室５に関する部分の調整が終了した後、前記ティーチングペンダント表示部４１に表示されたガイドメッセージに従って前記ティーチングペンダント操作キー３９より該当するキー（図５中ではＦ２キー）をタッチ又は押下し、前記ティーチングペンダント表示部４１をオンリーローカルモードセレクト画面（図示せず）へと移行させる。次に、オンリーローカルモードセレクト画面のガイドメッセージに従って前記ティーチングペンダント操作キー３９より該当するキーをタッチ又は押下し、機構部の調整モードをオールローカルモードからＰＭ２オンリーローカルモードへと移行させる。
【００４７】
ＳＴＥＰ：０４  ＳＴＥＰ：０３にて調整モードをＰＭ２オンリーローカルモードへと移行させた後、前記ティーチングペンダント３６よりＰＭ１のプロセス前準備処理及び、ＰＭ２及びＰＭ２に関する第１ウェーハ移載装置１６の調整処理が順次選択される。
【００４８】
ＳＴＥＰ：０５  ＳＴＥＰ：０４にてＰＭ１のプロセス前準備処理が選択された後、前記処理室５に対して、空焼きプロセス等のプロセス前準備処理が実行される。
【００４９】
ＳＴＥＰ：０６  ＳＴＥＰ：０４にてＰＭ２及びＰＭ２に関する第１ウェーハ移載装置１６の調整処理が選択された後、ＳＴＥＰ：０５の処理と並行して、前記処理室６（ＰＭ２）及び前記第１ウェーハ移載装置１６の前記処理室６に関する駆動軸の位置を、前記ティーチングペンダント操作キー３９からの入力により前記搬送制御部３５に記憶させるポジションティーチング処理が実行され、ポジションティーチング情報が前記記憶部３８に格納される。
【００５０】
ＳＴＥＰ：０７  ＳＴＥＰ：０５及びＳＴＥＰ：０６の処理が終了した後、前記ティーチングペンダント表示部４１に表示されたガイドメッセージに従って、前記ティーチングペンダント操作キー３９より該当するキーをタッチ又は押下し、機構部の調整モードをＰＭ２オンリーローカルモードからＭＦオンリーローカルモードへと移行させる。この時、前記ティーチングペンダント表示部４１に表示されているのは、図５に示される画面でもよいし、図５中で前記ティーチングペンダント操作キー３９よりＦ２キーがタッチ又は押下された後のオンリーローカルモードセレクト画面であってもよい。
【００５１】
ＳＴＥＰ：０８  ＳＴＥＰ：０７にて調整モードをＭＦオンリーローカルモードへと移行させた後、前記ティーチングペンダント３６よりＰＭ２のプロセス前準備処理及び、第２ウェーハ移載装置（図示せず）の調整処理が順次選択される。
【００５２】
ＳＴＥＰ：０９  ＳＴＥＰ：０８にてＰＭ２のプロセス前準備処理が選択された後、前記処理室６に対して、空焼きプロセス等のプロセス前準備処理が実行される。
【００５３】
ＳＴＥＰ：１０  ＳＴＥＰ：０８にて第２ウェーハ移載装置の調整処理が選択された後、ＳＴＥＰ：０９の処理と並行して、前記ＥＦＥＭ７内に設けられた第２ウェーハ移載装置の駆動軸の位置を、前記ティーチングペンダント操作キー３９からの入力により前記搬送制御部３５に記憶させるポジションティーチング処理が実行され、ポジションティーチング情報が前記記憶部３８に格納され、ＳＴＥＰ：０７及びＳＴＥＰ：０８の処理が終了することで一連の調整処理が終了する。
【００５４】
上述の様に、本実施例では前記処理室５に対するプロセス前準備処理と、前記処理室６及び前記第１ウェーハ移載装置１６の前記処理室６に関するポジションティーチング処理を並行して実施し、更に前記処理室６に対するプロセス前準備処理と、前記第２ウェーハ移載装置のポジションティーチング処理を並行して実施しているので、従来の様にプロセス前準備処理を機構部のポジションティーチング処理が終了した後に実施する必要がなく、調整処理時間の短縮を図ることができる。
【００５５】
尚、本実施例では、始めに前記処理室５及び前記第１ウェーハ移載装置１６の前記処理室５に関するポジションティーチング処理（ＳＴＥＰ：０２）を行っているが、始めに前記処理室６及び前記第１ウェーハ移載装置１６の前記処理室６に関するポジションティーチング処理（ＳＴＥＰ：０５）を行い、該処理室６に対するプロセス前準備処理（ＳＴＥＰ：０７）と前記処理室５及び前記第１ウェーハ移載装置１６の前記処理室５に関するポジションティーチング処理（ＳＴＥＰ：０２）を並行して実施し、更に該処理室５に対するプロセス前準備処理（ＳＴＥＰ：０４）と前記第２ウェーハ移載装置のポジションティーチング処理（ＳＴＥＰ：０８）を並行して実施する様にしてもよいのは言う迄もない。
【００５６】
尚、本発明の基板処理装置を用いた成膜処理には、例えばＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜を形成する処理や、金属を含む膜を形成する処理等を含む。
【００５７】
又、本発明の基板処理装置は、半導体製造装置だけではなく、ＬＣＤ装置の様なガラス基板を処理する装置にも適用でき、更に露光装置やリソグラフィ装置、塗布装置、プラズマを利用したＣＶＤ装置等の他の基板処理装置に対しても同様に適用できるのは言う迄もない。
【００５８】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００５９】
（付記１）予備室から処理室に基板を搬送する第１搬送手段及び大気圧状態で予備室に基板を搬送する第２搬送手段に第２制御手段が調整処理を指示する工程と、該調整処理と並行して前記処理室のプロセス前準備を実施する工程とを有することを特徴とする基板処理装置の調整方法。
【符号の説明】
【００６０】
１              基板処理装置
２              搬送室
３，４          ロードロック室
５，６          処理室
７              ＥＦＥＭ
１７            ウェーハ
３１            制御装置
３３            主制御部
３５            搬送制御部
３６            ティーチングペンダント
３８            記憶部
【図１】
2011238836.tif 000003
【図２】
2011238836.tif 000004
【図３】
2011238836.tif 000005
【図４】
2011238836.tif 000006
【図５】
2011238836.tif 000007
【図６】
2011238836.tif 000008