(57)【要約】【課題】接着フィルムが貼着された被加工物を分割する場合において、接着フィルムが一定の厚さ以上であっても、適切に接着フィルムをウェハの分割予定ラインに沿って分割する。【解決手段】被加工物Ｗの裏面Ｗ２に接着フィルム１が貼着された形態のワーク２の接着フィルム１側に拡張テープＴを貼着し、被加工物Ｗの表面Ｗ１の分割予定ラインＬの位置を検出し、検出した分割予定ラインＬの情報に基づいて被加工物Ｗの表面Ｗ１側から被加工物Ｗを透過するレーザービームを接着フィルム１の表面１ａまたは内部に集光点をあわせて照射し表面１ａまたは内部に改質領域５を形成し、検出した分割予定ラインＬの情報に基づいて被加工物Ｗの表面Ｗ１側から被加工物Ｗを透過するレーザービームを被加工物Ｗの内部に集光点を合わせて照射し被加工物Ｗの内部に改質領域６を形成し、拡張テープＴを拡張することにより改質領域５、６を起点として分割予定ラインＬに沿ってワーク２を分割する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の分割予定ラインによって区画された領域に機能素子が形成された被加工物の裏面に接着フィルムが貼着された形態のワークを該分割予定ラインに沿って分割するワーク分割方法であって、
ワークの接着フィルム側が環状フレームの開口部中に貼られた拡張テープに貼着された状態とする拡張テープ貼着工程と、
該被加工物の表面の該分割予定ラインの位置を検出する分割予定ライン検出工程と、
該分割予定ライン検出工程で検出した情報に基づいて該被加工物の表面側から該被加工物を透過する波長のレーザービームを該接着フィルムの表面または内部に集光点をあわせて照射し、該接着フィルムの表面または内部に改質領域を形成する第一の改質領域形成工程と、
該分割予定ライン検出工程で検出した情報に基づいて該被加工物の表面側から該被加工物を透過する波長のレーザービームを該被加工物内部に集光点を合わせて照射し、該被加工物の内部に改質領域を形成する第二の改質領域形成工程と、
該拡張テープを拡張することによって該改質領域を起点として該分割予定ラインに沿ってワークを分割する分割工程と、
を含むワーク分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体ウェーハ等の被加工物に接着フィルムが貼着された形態のワークを分割加工する分割加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接合には銀ペーストが主に使用されていた。しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される半導体素子搭載用支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきている。こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着部分の膜厚の制御困難性、および接着部分におけるボイド発生などにより前記要求に対処しきれなくなってきている。そのため、前記要求に対処するべく、近年、銀ペーストに替えて、接着フィルムが使用されるようになってきた。
【０００３】
しかしながら、接着フィルムはダイシング前のウェハに貼着されるため、その状態でブレードを使用した切削によるダイシングを行うと、ウェハとともに接着フィルムもダイシングするため、接着フィルムの柔らかさが原因となり、各チップにチッピングやバリが生じるという問題がある。ダイシング後のウェハに接着フィルムを貼り付け、接着フィルムを再びブレードでダイシングしたとしても、やはり接着フィルムの柔らかさにより、チップにバリが生じる。
【０００４】
また、ウェハの内部に改質領域を形成した後に、ダイシングテープを拡張させてチップに分割する分割加工方法においては、ダイシングテープを拡張させるエキスパンド工程において、外力によるウェハ切断時の衝撃力を用いて接着フィルムを切断することも提案されている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、一定の厚さ以上の接着フィルムを使用する場合は、エキスパンド工程におけるウェハ切断時の衝撃力だけでは接着フィルムを適切に切断することが出来ない場合がある。また、接着フィルムには分割基準となる分割予定ラインが形成されていないため、接着フィルムに個別に改質領域を形成することは困難であった。
【０００７】
本発明は、これらの事実に鑑みて成されたものであって、その主な技術的課題は、接着フィルムが一定の厚さ以上である場合でも、適切に接着フィルムをウェハの分割予定ラインに沿って分割するワーク分割方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、表面の分割予定ラインによって区画された領域に機能素子が形成された被加工物の裏面に接着フィルムが貼着された形態のワークを分割予定ラインに沿って分割するワーク分割方法に関するもので、以下の工程を具備して構成される。
（１）ワークの接着フィルム側が環状フレームの開口部中に貼られた拡張テープに貼着された状態とする拡張テープ貼着工程、
（２）被加工物の表面の分割予定ラインの位置を検出する分割予定ライン検出工程、
（３）分割予定ライン検出工程で検出した情報に基づいて被加工物の表面側から被加工物を透過する波長のレーザービームを接着フィルムの表面または内部に集光点をあわせて照射し、接着フィルムの表面または内部に改質領域を形成する第一の改質領域形成工程、
（４）分割予定ライン検出工程で検出した情報に基づいて被加工物の表面側から被加工物を透過する波長のレーザービームを被加工物内部に集光点を合わせて照射し、被加工物の内部に改質領域を形成する第二の改質領域形成工程、
（５）拡張テープを拡張することによって改質領域を起点として分割予定ラインに沿ってワークを分割する分割工程。
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、被加工物と接着フィルムの双方に改質領域を形成するため、拡張テープを拡張して両改質領域を起点として分割予定ラインに沿って分割を行うと、被加工物及び接着フィルムを同時かつ容易に分割することができる。接着フィルムが厚く形成されている場合も同様である。また、ブレードを使用しないため、チップにチッピングやバリが生じることも回避することができる。さらに、接着フィルムには分割予定ラインが形成されていないにもかかわらず、分割予定ライン検出工程において被加工物に形成された分割予定ラインを検出し、その検出結果を活用して接着フィルムに対するレーザービームの照射を行うことができるため、レーザービーム照射位置の制御を容易に行うことができ、接着フィルムのうち分割予定ラインの下方にあたる部分に容易に改質領域を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ワークが拡張テープを介して環状フレームに支持された状態を示す斜視図である。
【図２】ワークが拡張テープを介して環状フレームに支持された状態を略示的に示す図である。
【図３】分割予定ライン検出工程の状態を略字的に示す断面図である。
【図４】第一の改質領域形成工程の状態を略字的に示す断面図である。
【図５】第二の改質領域形成工程の状態を略字的に示す断面図である。
【図６】分割工程の状態を略字的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１及び図２に示す被加工物Ｗは、表面Ｗ１の分割予定ラインＬによって区画された領域に機能素子Ｄが形成されて構成されており、被加工物Ｗの非素子形成面である裏面Ｗ２には接着フィルム１が貼着され、被加工物Ｗと接着フィルム１とでワーク２が構成されている。接着フィルム１は、被加工物Ｗの裏面Ｗ２に貼着された側の面が表面１ａとなっている。被加工物Ｗは特に限定はされないが、例えばシリコンウェーハ等の半導体ウェーハや、セラミックス、ガラス、サファイア（Al2O3）系の無機材料基板、ＬＣＤドライバー等の各種電子部品、さらには、ミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料が挙げられる。また、接着フィルム１としては、例えばＤＡＦ(Die Attach Film)と称されるものが使用される。
【００１２】
ワーク２は、接着フィルム１側が拡張テープＴの粘着面に貼着される。拡張テープＴの外周部分には、環状フレームＦが貼着され、環状フレームＦに貼られた拡張テープＴが環状フレームの開口部を塞いだ状態となっており、当該開口部を塞いでいる部分の拡張テープＴにワーク２の接着フィルム１側が貼着されることにより、拡張テープＴを介してワーク２が環状フレームＦと一体となって支持された状態となる（拡張テープ貼着工程）。
【００１３】
このように、拡張テープＴを介してワーク２が環状フレームＦと一体となって支持された状態で、図３に示すように、ＣＣＤカメラ等の撮像手段３を用いて被加工物Ｗの表面Ｗ１側から撮像を行い、パターンマッチングなどの処理を通じて表面Ｗ１の分割予定ラインＬを検出し、その位置を図示しない制御手段が記憶する（分割予定ライン検出工程）。
【００１４】
そして、分割予定ライン検出工程で検出した分割予定ラインＬの位置情報に基づいて、制御手段は、図４に示すように、レーザー光照射部４を分割予定ラインＬの上方に位置付け、拡張テープＴを介して環状フレームＦと一体になったワーク２とレーザー光照射部４とを相対的に水平方向に加工送りさせながら、分割予定ラインＬに対して被加工物Ｗ及び接着フィルム１を透過する波長のレーザービーム４０を照射する。このとき、接着フィルム１の表面１ａまたは内部に集光点をあわせることにより、接着フィルム１の表面１ａまたは内部に改質領域５を形成する。このときのレーザービーム４０の条件は、例えば以下のように設定する。
平均出力：１．４［Ｗ］
周波数：９０［ｋＨｚ］
波長：１０００〜１６００ｎｍ
加工送り速度：３４０［ｍｍ／ｓ］
集光点：ワーク２の裏面Ｗ２より下に設定（接着フィルム１の厚さによっては集光点を複数設定して加工送りを複数回行うこともある。）
図４の例に示した改質領域５は、接着フィルム１の内部に形成されたものである。このようにして、接着フィルム１のうちすべての分割予定ラインＬの下方に位置する部分の表面１ａまたは内部に改質領域５を形成する。接着フィルム１には分割予定ラインは形成されていないが、分割予定ライン検出工程における検出結果を利用することにより、被加工物Ｗの分割予定ラインＬの下方にレーザービーム４０の集光点をあわせることが可能となる（第一の改質領域形成工程）。したがって、分割予定ライン検出工程は、第一の改質領域形成工程よりも先に行われる。
【００１５】
次に、分割予定ライン検出工程で検出した分割予定ラインＬの位置情報に基づいて、制御手段は、図５に示すように、レーザー光照射部４を分割予定ラインＬの上方に位置付け、拡張テープＴを介して環状フレームＦと一体になったワーク２とレーザー光照射部４とを相対的に水平方向に移動させながら、分割予定ラインＬに対して被加工物Ｗを透過する波長のレーザービーム４１を照射する。このとき、被加工物Ｗの内部に集光点をあわせることにより、被加工物Ｗの内部に改質領域６を形成する。このときのレーザービーム４１の条件は、例えばワーク２がシリコンでありその厚さが５００μｍである場合は以下のように設定する。
平均出力：１．４［Ｗ］
周波数：９０［ｋＨｚ］
波長：１０００〜１６００ｎｍ
加工送り速度：３４０［ｍｍ／ｓ］
集光点：ワーク２の中に８層の集光点を設定して加工送りを８回行う。
改質領域６の形成は、すべての分割予定ラインＬについて行う（第二の改質領域形成工程）。
【００１６】
なお、第一の改質領域形成工程及び第二の改質領域形成工程において形成される改質領域とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性のいずれかがその周囲とは異なる状態となった領域のことであり、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。
【００１７】
接着フィルム１の表面１ａまたは内部及び被加工物Ｗの内部にそれぞれ改質領域５、６が形成された後は、図６に示すように、拡張テープＴを水平方向（図６における矢印Ａ方向）に引き伸ばし拡張する。そうすると、接着フィルム１の改質領域５及び被加工物Ｗの改質領域６を起点としてすべての分割予定ラインＬに沿って被加工物Ｗ及び接着フィルム１が、すなわちワーク２が分割され、各チップＣとその裏面に貼着された接着フィルム１０とからなる個々のデバイス７が形成される（分割工程）。
【００１８】
このように、被加工物Ｗと接着フィルム１の双方に改質領域を形成するため、分割工程では、拡張テープＴを拡張することにより、被加工物Ｗ及び接着フィルム１を同時かつ容易に分割することができる。接着フィルム１が厚く形成されたものであっても、同時かつ容易に分割することができる。また、ブレードを使用しないため、チップＣにチッピングやバリが生じることも回避することができる。
【００１９】
なお、上記説明した例では、最初に拡張テープ貼着工程を実施することとしたが、拡張テープ貼着工程は、分割工程の前であればいつでも良い。したがって、例えば、第一、第二の改質領域形成工程の後に拡張テープ貼着工程を実施してもよい。
【符号の説明】
【００２０】
Ｗ：被加工物
Ｗ１：表面  Ｌ：分割予定ライン  Ｄ：機能素子
Ｗ２：裏面
Ｃ：チップ  Ｔ：拡張テープ  Ｆ：環状フレーム
１（１０）：接着フィルム  １ａ：表面  
２：ワーク  ３：撮像手段
４：レーザー光照射部  ４０、４１：レーザービーム
５、６：改質領域  ７：デバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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