(57)【要約】【課題】  研削屑の付着が抑制されたメッキ下地層上にメッキ層を安定して形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  表面領域の拡散領域１３に接続された下地メタル１５を有する半導体基板１１に、下地メタル１５を被う絶縁膜１７を形成する工程、少なくとも下地メタル１５の表面露出予定部分に開口を有するように、絶縁膜１７上にパターニングされたポリイミド膜１９を形成する工程、絶縁膜１７及びポリイミド膜１９を被い表面保護テープ２１を貼付する工程、半導体基板１１の裏面を研削する工程、半導体基板１１の表面保護テープ２１を除去し、下地メタル１５と反対側より、半導体基板１１の中にキャリアライフタイム制御用のヘリウム照射２３を行い、アニールを行う工程、ポリイミド膜１９をマスクとして絶縁膜１７をエッチングし、下地メタル１５を露出する工程、及び下地メタル１５上に、Ｎｉ／Ａｕのメッキ膜２５を形成する工程を備える。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面領域に拡散領域及び表面上に前記拡散領域に接続された下地メタルを有する半導体基板に、少なくとも前記下地メタルを被うように絶縁膜を形成する工程と、
少なくとも前記下地メタルの表面露出予定部分に開口を有するように、前記絶縁膜上に、パターニングされた有機塗布膜を形成する工程と、
前記半導体基板上に、前記絶縁膜及び前記有機塗布膜を被うように表面保護テープを貼付する工程と、
前記半導体基板の前記下地メタルと対向する裏面を研削する工程と、
前記表面保護テープを除去し、前記有機塗布膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチングし、前記下地メタルを露出する工程と、
前記下地メタル上に、導電性のメッキ層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
表面領域に拡散領域及び表面上に前記拡散領域に接続された下地メタルを有する半導体基板に、少なくとも前記下地メタルの表面露出予定部分に開口を有するように、パターニングされた有機塗布膜を形成する工程と、
前記半導体基板上に、前記下地メタル及び前記有機塗布膜を被うように絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜及び前記有機塗布膜の上に表面保護テープを貼付する工程と、
前記半導体基板の前記下地メタルと対向する裏面を研削する工程と、
前記表面保護テープを除去し、前記絶縁膜を除去する工程と、
前記下地メタル上に、導電性のメッキ層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
表面領域に拡散領域及び表面上に前記拡散領域に接続された下地メタルを有する半導体基板に、少なくとも前記下地メタルを被うように有機塗布膜を形成する工程と、
前記下地メタルの表面露出予定部分に、より薄い前記有機塗布膜を残すように、前記有機塗布膜をパターニングする工程と、
前記有機塗布膜を被うように表面保護テープを貼付する工程と、
前記半導体基板の前記下地メタルと対向する裏面を研削する工程と、
前記表面保護テープを除去し、前記下地メタルの表面露出予定部分上の前記有機塗布膜を除去する工程と、
前記下地メタル上に、導電性のメッキ層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板の前記表面保護テープを除去した後、前記半導体基板の前記下地メタルと対向する裏面側から、半導体基板の中にキャリアライフタイム制御用の粒子を照射し、アニールを行う工程を更に有する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記有機塗布膜は、ポリイミド膜であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メッキ電極を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、半導体基板を薄くするため、製造プロセスの最終または最終に近い工程で、半導体素子が形成されていない半導体基板の裏面を研削することが多い。研削工程では、半導体基板の研削屑が発生する。この研削屑は、洗浄を行っても、半導体素子に接続された表面側に露出した電極（配線層、パッド等）に残る場合があり、研削工程以降の工程において、様々な不都合が起こりかねない。
【０００３】
これを避けるため、例えば、パット電極上に感光性ポリイミド膜を塗布し、パターニングのための露光を行った状態で、半導体基板の裏面の研削を行い、半導体基板の裏面の研削後に、現像してパット電極上の感光性ポリイミド膜を除去して、パット電極を露出させる半導体装置の製造方法が開示されている。（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
開示された半導体装置の製造方法は、表面側のパット電極に研削屑を付着させることなく、裏面を研削することが可能であるが、既に、薄くなった半導体基板の表面の感光性ポリイミド膜を現像、すなわちパターニングする工程が必要である。薄くなった半導体基板は、厚い半導体基板とは異なり、専用の治工具または装置によるハンドリングが必要となり、また、より慎重なハンドリングのためにより多くの工程時間がかかるという問題を有している。その上に、製造歩留まりを維持することが難しい。
【０００５】
また、開示された半導体装置の製造方法は、表面保護テープ（フィルム）を使用しないため、表面保護テープが有する表面保護機能を確保しようとすると、感光性ポリイミド膜をかなり厚く設ける必要がある。そのため、半導体装置に必要な保護膜と、研削工程に必要な表面保護テープ代替としての膜厚が必ずしも一致せず、現像後に、感光性ポリイミド膜の膜厚調整が必要となる場合がある。また、開示された半導体装置の製造方法には、下地メタル（パット電極、配線メタル等に相当）上に導電性のメッキ層を積み増す方法については記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４‐７１７９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、研削屑の付着が抑制されたメッキ下地層上にメッキ層を安定して形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、表面領域に拡散領域及び表面上に前記拡散領域に接続された下地メタルを有する半導体基板に、少なくとも前記下地メタルを被うように絶縁膜を形成する工程と、少なくとも前記下地メタルの表面露出予定部分に開口を有するように、前記絶縁膜上に、パターニングされた有機塗布膜を形成する工程と、前記半導体基板上に、前記絶縁膜及び前記有機塗布膜を被うように表面保護テープを貼付する工程と、前記半導体基板の前記下地メタルと対向する裏面を研削する工程と、前記表面保護テープを除去し、前記有機塗布膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチングし、前記下地メタルを露出する工程と、前記下地メタル上に、導電性のメッキ層を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の別態様の半導体装置の製造方法は、表面領域に拡散領域及び表面上に前記拡散領域に接続された下地メタルを有する半導体基板に、少なくとも前記下地メタルの表面露出予定部分に開口を有するように、パターニングされた有機塗布膜を形成する工程と、前記半導体基板上に、前記下地メタル及び前記有機塗布膜を被うように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜及び前記有機塗布膜の上に表面保護テープを貼付する工程と、前記半導体基板の前記下地メタルと対向する裏面を研削する工程と、前記表面保護テープを除去し、前記絶縁膜を除去する工程と、前記下地メタル上に、導電性のメッキ層を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の別態様の半導体装置の製造方法は、表面領域に拡散領域及び表面上に前記拡散領域に接続された下地メタルを有する半導体基板に、少なくとも前記下地メタルを被うように有機塗布膜を形成する工程と、前記下地メタルの表面露出予定部分に、より薄い前記有機塗布膜を残すように、前記有機塗布膜をパターニングする工程と、前記有機塗布膜を被うように表面保護テープを貼付する工程と、前記半導体基板の前記下地メタルと対向する裏面を研削する工程と、前記表面保護テープを除去し、前記下地メタルの表面露出予定部分上の前記有機塗布膜を除去する工程と、前記下地メタル上に、導電性のメッキ層を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、研削屑の付着が抑制されたメッキ下地層上にメッキ層を安定して形成可能な半導体装置の製造方法を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す構造断面図。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す構造断面図。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す構造断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。各図では、同一の構成要素には同一の符号を付す。なお、半導体基板の研削される裏面側を下、反対側を上とする。
【００１４】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００１５】
図１に示すように、半導体装置１は、裏面が研削された半導体基板１１と、半導体基板１１の表面上に設けられた下地メタル１５及びメッキ層２５と、下地メタル１５及びメッキ層２５の側部並びに半導体基板１１表面に設けられた絶縁膜１７及びその上のポリイミド膜１９からなるパシベーション膜とを備える。
【００１６】
半導体装置１は、例えば、半導体素子として、電流が表面と裏面との間に流れる縦型のダイオードを有する。半導体装置１は、一部の図示を省略するが、Ｓｉ（シリコン）からなる半導体基板１１の表面領域に拡散領域１３が形成されてｐｎ接合を有し、拡散領域１３に直接接続するように下地メタル１５が配置され、裏面に下地メタル１５及びメッキ層２５と対向する電極が設けられる。下地メタル１５は、配線層の一部またはパッド電極の一部に相当する。また、半導体装置１は、図示を省略するが、半導体基板１１の中に、ヘリウム（Ｈｅ）照射による格子欠陥領域が形成されて、キャリアライフタイム制御による高速動作が可能となっている。
【００１７】
半導体装置１は、図示を省略するが、絶縁膜１７及びポリイミド膜１９からなるパシベーション膜下及び半導体基板１１の領域に、耐圧向上のための接合終端構造を有することは可能である。接合終端構造は、例えば、ガードリング（フィールドリミティングリング）構造、リサーフ（RESURF; Reduced Surface Field）構造、フィールドプレート構造、ＳＩＰＯＳ（Semi-insulating Polycrystalline Silicon）構造、ＶＬＤ（Variation of Lateral Doping）構造等が、単独または組み合わせて構成される。
【００１８】
下地メタル１５は、Ａｌ（アルミニウム）、ＡｌにＳｉまたはＣｕ（銅）が加えられた合金等からなる。メッキ層２５は、下地メタル１５側にＮｉ（ニッケル）、その上にＡｕ（金）が積層されている。
【００１９】
絶縁膜１７は、シリコン酸化膜で形成されているが、シリコン窒化膜であってもよい。ポリイミド膜１９は、例えば、非感光性ポリイミドである。絶縁膜１７及びポリイミド膜１９は、下地メタル１５及びメッキ層２５に密着し、半導体基板１１の表面に密着している。下地メタル１５の側面上部のポリイミド膜１９の上面は、メッキ層２５の上面と同じ、または、より高い位置にある。なお、ポリイミド膜１９の上面は、メッキ層２５の上面より低い場合も可能である。半導体基板１１表面の絶縁膜１７及びポリイミド膜１９のない領域は、例えば、ダイシングラインとなる領域である。
【００２０】
次に、半導体装置１の製造方法について説明する。図２（ａ）に示すように、表面上に配設された下地メタル１５を被うように、半導体基板１１上にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１７をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成する。半導体基板１１は、予め、表面領域に不純物の導入がなされた拡散領域１３が形成されて、ダイオード用のｐｎ接合を有している。また、半導体基板１１の拡散領域１３の上に接して下地メタル１５が配設され、電気的に接続されている。
【００２１】
図２（ｂ）に示すように、下地メタル１５の表面露出予定部分、及びダイシングラインとなる部分等に開口を有するように、パターニングされた有機塗布膜であるポリイミド膜１９が形成される。つまり、例えば、非感光性のポリイミド膜１９を、絶縁膜１７の上面を被うように形成し、フォトリソグラフィ法により、パターニングする。ポリイミド膜１９は、後の工程で、絶縁膜１７を開口するためのマスクとして使用され、下地メタル１５の上にメッキ層２５を形成するときの壁面をなし、更に、半導体装置１のパシベーション膜として機能する。なお、ポリイミド膜１９は、感光性とすることは可能である。
【００２２】
図２（ｃ）に示すように、絶縁膜１７及びポリイミド膜１９の上面を被うように、表面保護テープ２１が貼付される。半導体基板１１の表面は凹凸を有し、表面保護テープ２１を完全に隙間なく貼付することは難しく、それに比較すると、裏面研削時に導体基板１１を保護することができる程度に貼付することは難しくない。
【００２３】
図２（ｄ）に示すように、表面保護テープ２１が貼付された半導体基板１１の裏面を、周知の裏面研削法により薄くする。研削による破砕層等が残る場合は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polish）法と同様な研磨、または、ウェットエッチング法による仕上げが可能である。
【００２４】
図２（ｅ）に示すように、半導体基板１１から表面保護テープ２１が除去され、半導体基板１１の裏面側からヘリウム照射２３がなされる。ヘリウム照射２３は、格子欠陥領域を半導体基板１１のどの位置に形成するかによって、照射エネルギーが決められる。ヘリウム照射２３後、誘起された格子欠陥の熱的な安定性を保つために、比較的低い温度、例えば、約４００℃でアニール（熱処理）を行う。
【００２５】
なお、キャリアライフタイム制御は、ヘリウム照射２３の他、電子線、Ｈ（プロトン、デュトロン）等の粒子線の照射によって行われることは可能である。また、半導体基板１１の表面側からヘリウム照射２３等を行うことは可能である。また、キャリアライフタイム制御を必要としない場合、半導体基板１１から表面保護テープ２１が除去された後、ヘリウム照射２３及びアニールをスキップして、次の工程に進めることが可能である。
【００２６】
図２（ｆ）に示すように、ポリイミド膜１９をマスクとして、絶縁膜１７がエッチングされ、下地メタル１５の表面露出予定部分及びダイシングライン部分等が露出される。
【００２７】
図１に示すように、露出した下地メタル１５の表面に、無電解メッキ法により、Ｎｉを約５μｍメッキし、その上に、Ａｕを約０．１μｍメッキして、メッキ層２５を形成する。メッキ層２５の側面は、絶縁膜１７及びポリイミド膜１９の壁面により規定される。この後、もしくは、前記無電解めっき前に、図示を省略するが、半導体基板１１の裏面に、メッキ層２５に対向する裏面電極層が形成され、ダイシングラインで分離して個片化され、半導体装置１が完成する。
【００２８】
上述したように、半導体装置１の製造方法は、表面領域に拡散領域１３を有し、拡散領域１３に接続された下地メタル１５を有する半導体基板１１に、下地メタル１５を被うように絶縁膜１７を形成する工程、少なくとも下地メタル１５の表面露出予定部分に開口を有するように、絶縁膜１７上に、パターニングされたポリイミド膜１９を形成する工程、絶縁膜１７及びポリイミド膜１９の上に表面保護テープ２１を貼付する工程、半導体基板１１の下地メタル１５と対向する裏面を研削する工程、半導体基板１１の表面保護テープ２１を除去し、絶縁膜１７または下地メタル１５を通して、半導体基板１１の中にキャリアライフタイム制御用のヘリウム照射２３を行い、アニールを行う工程、ポリイミド膜１９をマスクとして絶縁膜１７をエッチングし、下地メタル１５を露出する工程、及び下地メタル１５上に、Ｎｉ／Ａｕからなるメッキ膜２５を形成する工程を備えている。
【００２９】
その結果、半導体装置１は、下地メタル１５の表面が、絶縁膜１７で被覆された状態で裏面研削されるので、下地メタル１５の表面に研削屑の付着する頻度が大幅に減少する。研削屑がほとんど付着しないので、下地メタル１５の表面で、メッキ膜２５が成長を妨げられることなく形成される。メッキ膜２５は、表面の位置・形状及び積層状態が安定するので、例えば、実装に半田を使用する場合、半田の濡れ性や接触性が安定し、半導体装置１の信頼性の向上が可能である。
【００３０】
また、下地メタル１５の表面は、絶縁膜１７で被覆された状態で表面保護テープ２１と接触するので、表面保護テープ２１の糊の部分からのカーボン汚染が回避される。また、下地メタル１５の表面は、同様に、ヘリウム照射２３後のアニール時のポリイミド膜１９からのカーボン汚染や酸化等が回避される。
【００３１】
また、半導体装置１は、キャリアライフタイム制御用のヘリウム照射２３を行い、アニールを行った後、Ｎｉ／Ａｕがメッキされるので、メッキ後、Ｎｉの表面への拡散が抑制される。メッキ膜２５の表面は、Ａｕで被われているので実装時の半田濡れ性が安定する。
【００３２】
また、半導体装置１は、裏面の研削工程時、表面側に表面保護テープ２１を貼付するので、十分な表面保護機能を確保できる。ポリイミド膜を表面保護テープ代替とすることと比較すると、簡便な工程となる。
【００３３】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について、図３及び図４を参照しながら説明する。第１の実施形態の半導体装置１との違いは、パシベーション膜がポリイミド膜単層である点である。なお、第１の実施形態と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００３４】
図３に示すように、半導体装置２は、半導体装置１と同様な半導体基板１１、下地メタル１５、及びメッキ層２５を有し、下地メタル１５及びメッキ層２５の側部並びに半導体基板１１表面に設けられたポリイミド膜３９とを備える。ポリイミド膜３９は、ポリイミド膜１９と同様に、例えば、非感光性ポリイミドである。
【００３５】
次に、半導体装置２の製造方法について説明する。図４（ａ）に示すように、半導体基板１１及び下地メタル１５上に、下地メタル１５の表面露出予定部分、及びダイシングラインとなる部分等に開口を有するように、パターニングされた有機塗布膜であるポリイミド膜３９が形成される。つまり、例えば、非感光性のポリイミド膜３９を、下地メタル１５及び半導体基板１１の上面を被うように形成し、フォトリソグラフィ法により、パターニングする。ポリイミド膜３９は、後の工程で下地メタル１５の上にメッキ層２５を形成するときの壁面をなし、更に、半導体装置２のパシベーション膜として機能する。
【００３６】
図４（ｂ）に示すように、下地メタル１５及びポリイミド膜３９を被うように、半導体基板１１上にシリコン酸化膜からなる絶縁膜３７をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成する。絶縁膜３７は絶縁膜１７と同様である。
【００３７】
図４（ｃ）に示すように、絶縁膜３７の上面を被うように、表面保護テープ２１が貼付される。
【００３８】
図４（ｄ）に示すように、表面保護テープ２１が貼付された半導体基板１１の裏面を、周知の裏面研削法等により薄くする。
【００３９】
図４（ｅ）に示すように、表面保護テープ２１が除去され、半導体基板１１の裏面側から、絶縁膜３７または下地メタル１５を通してヘリウム照射２３がなされる。ヘリウム照射２３後、約４００℃でアニール（熱処理）を行う。
【００４０】
図４（ｆ）に示すように、絶縁膜３７がエッチングされ、下地メタル１５の表面露出予定部分、ポリイミド膜３９、及び半導体基板１１のダイシングライン部分が露出される。
【００４１】
図３に示すように、露出した下地メタル１５の表面に、無電解メッキ法により、Ｎｉを約５μｍメッキし、その上に、Ａｕを約０．１μｍメッキして、メッキ層２５を形成する。その後、半導体装置１と同様にして、半導体装置２が完成する。
【００４２】
半導体装置２では、絶縁膜３７で、下地メタル１５の表面を被う例を説明したが、絶縁膜３７に代えて、ポリイミド膜を使用することは可能である。ポリイミド膜は、例えば、アッシング法により、メッキ層２５を形成する直前に下地メタル１５の表面が露出するまで除去される。
【００４３】
上述したように、半導体装置２は、パシベーション膜として、ポリイミド膜３９単層となる。つまり、半導体装置１のように、絶縁膜１７とポリイミド膜１９との積層構造ではないので、半導体装置２のポリイミド膜３９は、パシベーション膜に異種膜の界面を持たず、界面で起こる剥がれや異常なエッチング等が抑制され、信頼性がより高いものとなる。半導体装置２は、その他、半導体装置１が有する効果を同様に有している。
【００４４】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について、図５及び図６を参照しながら説明する。第１の実施形態の半導体装置１との違いは、パシベーション膜がポリイミド膜単層である点、第２の実施形態の半導体装置２の製造方法との違いは、絶縁膜を不要とする点である。なお、第１及び第２の実施形態と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００４５】
図５に示すように、半導体装置３は、半導体装置２と同じ構成を有し、製造方法が異なるポリイミド膜４９を有する。ポリイミド膜４９は、例えば、非感光性である。
【００４６】
次に、半導体装置３の製造方法について説明する。図６（ａ）に示すように、半導体基板１１及び下地メタル１５上に、有機塗布膜である非感光性のポリイミド膜４９が形成される。
【００４７】
図６（ｂ）に示すように、下地メタル１５の表面露出予定部分、及びダイシングラインとなる部分のポリイミド膜４９の膜厚が薄くなるように、パシベーション膜として残される下地メタル１５の側部等の部分は、厚いまま残るようにパターニングされる。つまり、フォトリソグラフィ法により、ポリイミド膜４９の上にパターニングされたフォトレジスト（図示略）を形成し、フォトレジストをマスクとして、ポリイミド膜４９が薄く残る、例えば、当初の膜厚の半分以下となるようにエッチングされる。
【００４８】
図６（ｃ）に示すように、ポリイミド膜４９の上面を被うように、表面保護テープ２１が貼付される。
【００４９】
図６（ｄ）に示すように、表面保護テープ２１が貼付された半導体基板１１の裏面を、周知の裏面研削法等により薄くする。
【００５０】
図６（ｅ）に示すように、表面保護テープ２１が除去され、半導体基板１１の裏面側から、ヘリウム照射２３がなされる。ヘリウム照射２３後、約４００℃でアニール（熱処理）を行う。
【００５１】
図６（ｆ）に示すように、ポリイミド膜４９がエッチングされ、下地メタル１５の表面露出予定部分及び半導体基板１１のダイシングライン部分が露出される。ポリイミド膜４９は、例えば、アッシング法により、下地メタル１５の表面露出予定部分及び半導体基板１１が露出するまでアッシングされる。ポリイミド膜４９のパシベーション膜として残される部分は、このアッシング終了時点で、適する膜厚となるように、当初の膜厚が決められる。
【００５２】
図５に示すように、露出した下地メタル１５の表面に、無電解メッキ法により、Ｎｉを約５μｍメッキし、その上に、Ａｕを約０．１μｍメッキして、メッキ層２５を形成する。その後、半導体装置１、２と同様にして、半導体装置３が完成する。
【００５３】
上述したように、半導体装置３は、パシベーション膜として、ポリイミド膜４９単層となり、半導体装置２と同様な構成となる。つまり、半導体装置３は、半導体装置２が有する効果を同様に有している。更に、半導体装置３は、半導体装置２と比較して、絶縁膜３７が不要な分、製造工程が簡略化される。
【００５４】
以上、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【００５５】
例えば、実施形態では、半導体装置がダイオードを有する例を説明したが、半導体装置が、他の種々の半導体素子、例えば、ダイオードの中のＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等からなるディスクリート素子、ロジックＬＳＩ、または、メモリ等を有することは可能である。
【００５６】
また、実施形態では、半導体装置の製造方法が、ヘリウム照射工程を有する例を説明したが、ダイオードであってもキャリアライフタイム制御を必要としない場合があり、この場合、ヘリウム照射工程を除いて適用が可能である。そして、ヘリウム照射工程を除いた半導体装置の製造方法は、ダイオードに限らず、種々の半導体素子を有する半導体装置の製造方法としても適用可能である。
【００５７】
また、実施形態では、メッキ層がＮｉ／Ａｕである例を説明したが、メッキ層が、半導体装置の実装形態、接続方法等に対応するように、種々の導電性材料、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇ等の単層または積層であることは可能である。
【００５８】
また、実施形態では、半導体基板にＳｉを用いる例を説明したが、半導体基板に、ＳｉＣ（シリコンカーバイト）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、及びＧａＡｓ（砒化ガリウム）等の化合物半導体やダイヤモンド等のワイドバンドギャップ半導体を用いることが可能である。
【００５９】
本発明は、以下の付記に記載されるような構成が考えられる。  
（付記１）  表面領域に拡散領域及び表面上に前記拡散領域に接続された下地メタルを有する半導体基板に、少なくとも前記下地メタルを被うように絶縁膜を形成する工程と、少なくとも前記下地メタルの表面露出予定部分に開口を有するように、前記絶縁膜上に、パターニングされた有機塗布膜を形成する工程と、前記半導体基板上に、前記絶縁膜及び前記有機塗布膜を被うように表面保護テープを貼付する工程と、前記半導体基板の前記下地メタルと対向する裏面を研削する工程と、前記表面保護テープを除去し、前記有機塗布膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチングし、前記下地メタルを露出する工程と、前記下地メタル上に、導電性のメッキ層を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。
【００６０】
（付記２）  前記下地メタルはアルミニウムまたはアルミニウムを含むメタルである付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【００６１】
（付記３）  前記メッキ層は、ニッケル及び金からなる付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【００６２】
（付記４）  前記絶縁膜は、ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜である付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００６３】
１、２、３  半導体装置
１１  半導体基板
１３  拡散領域
１５  下地メタル
１７、３７  絶縁膜
１９、３９、４９  ポリイミド膜
２１  表面保護膜
２３  ヘリウム照射
２５  メッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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