(57)【要約】【課題】素子チップに傾きを生じることなく、確実な接合が可能で、かつ信頼性の高い回路モジュールを提供する。【解決手段】表面に配線導体層を有するとともに、素子搭載領域に凹部を有する回路基板と、前記凹部をまたぐように、前記回路基板上に搭載される素子チップとを具備し、前記素子チップは、前記凹部の一部を残すように、前記凹部内に充填された接着部材を介して前記回路基板に固着された、回路モジュールを構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に配線導体層を有するとともに、素子搭載領域に凹部を有する回路基板と、
前記凹部をまたぐように、前記回路基板上に搭載される素子チップとを具備し、
前記素子チップは、前記凹部の一部を残すように、前記凹部内に充填された接着部材を介して前記回路基板に固着された、回路モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の回路モジュールであって、
前記接着部材は導電性接着剤であり、
前記配線導体層は前記凹部内から前記回路基板表面にかけて連続して形成されており、前記配線導体層と前記素子チップとが電気的に接続された回路モジュール。
【請求項３】
請求項１に記載の回路モジュールであって、
前記素子チップは、前記凹部の周縁部全周にわたって前記回路基板表面と当接し、前記凹部を覆うように形成された回路モジュール。
【請求項４】
請求項１に記載の回路モジュールであって、
前記凹部は溝状に形成されており、
前記素子チップは、前記溝状の凹部の平行な２辺に沿って前記回路基板表面と当接し、前記凹部を選択的に塞ぐように形成された回路モジュール。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の回路モジュールであって、
前記素子チップは、裏面側で前記配線導体層に接続され、ワイヤボンディング接続された回路モジュール。
【請求項６】
請求項５に記載の回路モジュールであって、
前記素子チップは、前記凹部内で接着部材を介して配線導体層に接合されており、
前記凹部の周縁部では前記配線導体層と前記素子チップ裏面とは接着剤を介することなく直接接合された回路モジュール。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の回路モジュールであって、
前記回路モジュールは、ジャイロセンサモジュールを構成する回路モジュール。
【請求項８】
請求項１乃至７に記載の回路モジュールの製造方法であって、
表面に配線導体層を有するとともに、素子搭載領域に凹部を有する回路基板を用意する工程と、
前記凹部に接着剤を充填する工程と、
前記凹部をまたぐように、前記回路基板上に素子チップを配する工程と、
前記素子チップを押圧しながら、前記回路基板を加熱し前記回路基板に前記素子チップを固着する工程と、
を含む回路モジュールの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の回路モジュールの製造方法であって、
前記回路基板を固着する工程後、前記素子チップを押圧しつつ、ワイヤボンディングにより、前記回路基板と前記素子チップとを電気的に接続する工程を含む回路モジュールの製造方法。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の回路モジュールの製造方法であって、
前記固着する工程に先立ち、前記凹部の周縁の配線導体層を鏡面加工する工程を含み、
前記固着する工程は、前記凹部内では接着剤を介して前記素子チップ裏面を接続する一方、前記凹部の周縁の配線導体層と前記素子チップ裏面とを直接接合する工程である
む回路モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路モジュールおよびその製造方法に係り、特に、回路基板上へのチップの実装に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、セラミックスあるいは樹脂などの成形基板、セラミックスあるいは樹脂などの絶縁層の間に内部導体層が形成されてなる積層基板などの基板と、この基板の表面に形成され且つ内部導体層と電気的に接続された表面導体層と、を有する回路基板に、キャビティを設けるととともに、このキャビティに半導体チップなどの素子部を形成したものが、広く用いられている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、凹凸が設けられた立体回路基板に半導体チップを搭載し、半導体チップの凸部回路パターンとの間に封止樹脂を塗布して実装したものが提案されている。
【０００４】
また、特許文献２では、回路基板上に搭載される素子チップの基準面が実装基板に対して垂直な方向を向くように、垂直実装される回路モジュールも提案されている（特許文献２）。
【０００５】
例えば、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように回路基板１１０に形成された凹部にセンサチップ１２０を搭載しボンディングワイヤ１１２で回路基板１１０上の配線導体層１１１Ｐに接続したものが提案されている。このような回路モジュールでは、一般的にはセンサチップ１２０と回路基板１１０との間に、接着層１２１を介在させ、固定する方法が用いられる。
回路基板１１０上に形成された配線導体層１１１ｄ上に、センサチップ１２０を載置した時には正しく設置できたとしても、熱負荷がかかると、センサチップ１２０と回路基板１１０との間の熱膨張率差の影響で熱応力が発生し、その結果センサチップ側に負荷がかかり、センサチップ誤動作の原因となることがあった。
【０００６】
そこで、図１１に示すように、接着層１２１を部分的に介在させる方法も提案されているが、センサチップ実装後において、回路基板１１０に対しセンサチップ１２０に傾きが生じることがあった。
【０００７】
例えば接着層を半田で構成する場合、半田溶融から凝固過程においてセンサチップ１２０を引き付ける力が発生し、水平度を確保するのが困難であった。
【０００８】
特に、加速度センサあるいはジャイロセンサなど、一般にＸＹＺの３軸方向の特性を得るようなチップ部品を、回路基板に搭載する場合、回路モジュールは、チップ部品が斜めに傾くと、傾き角θの値が大きければ大きいほど本来得ようとする値とのずれが大きくなる。このため傾き角θをできるだけ小さくする必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−２０７４０６号公報
【特許文献２】特許３２２４７９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このように、従来の素子チップの回路基板への実装に際しては、接着層を接着面全体に形成すると、素子チップと回路基板との熱膨張率の差に起因して、素子チップに負荷がかかり誤動作や破損の原因となっていた。
また、接着層を部分的に形成すると、固着時に素子チップに傾きが生じ易いという問題があった。
特に、このようにして形成した回路モジュールを実装基板に対して垂直実装しようとすると、スナップラインにおける実装面の突出により、回路基板がある角度θで斜めに傾いた状態となり、センサモジュールの場合は、測定誤差が大きくなるという問題があった。
【００１１】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、素子チップに傾きを生じることなく、確実な接合が可能で、かつ信頼性の高い回路モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
そこで本発明は、表面に配線導体層を有するとともに、素子搭載領域に凹部を有する回路基板と、前記凹部をまたぐように、前記回路基板上に搭載される素子チップとを具備し、前記素子チップは、前記凹部の一部を残すように、前記凹部内に充填された接着部材を介して前記回路基板に固着された、回路モジュールを構成する。
この構成により、素子チップと回路基板との間の接着部材が、部分的にしか介在しないため、熱負荷がかかっても素子チップ側に負荷がほとんどかからない。このため、素子チップが傾いたり、損傷を受けたりすることがない。従って、ジャイロセンサなど方向性を維持する必要のあるデバイスの場合においても、誤動作の大幅な低減をはかることができる。
【００１３】
また、本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記接着部材が導電性接着剤であり、前記配線導体層は前記凹部内から前記回路基板表面にかけて連続して形成されており、前記配線導体層と前記素子チップとが電気的に接続されたものを含む。
この構成により、配線導体層が、凹部内から前記回路基板表面にかけて連続して形成されており、前記配線導体層と前記素子チップとが電気的に接続されているため、電気的接続を行う面の面積は確保されており、凹部を含む面内で確実な接続が達成される。
【００１４】
また、本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記素子チップが、前記凹部の周縁部全周にわたって前記回路基板表面と当接し、前記凹部を覆うように形成されたものを含む。
この構成により、確実な接合が可能となり、かつ接着部材の存在しない領域もあるため、素子チップと回路基板との熱膨張率の差に起因する応力をこの接着剤の存在しない領域に逃がすことができる。また、たとえば凹部内では素子チップと回路基板とが導電性接着剤などの接着部材を介して接続され、凹部の周縁部では、素子チップと回路基板とが直接接合などにより接触しているため、電気的接続も実現され、確実な接続が実現される。また接着部材のはみ出しがないため、美観を保持することができる。
【００１５】
また、本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記凹部が溝状に形成されており、
前記素子チップは、前記溝状の凹部の平行な２辺に沿って前記回路基板表面と当接し、前記凹部を選択的に塞ぐように形成されたものを含む。
この構成により、たとえば凹部内では素子チップと回路基板とが導電性接着剤などの接着部材を介して接続され、凹部の周縁部では、素子チップと回路基板とが直接接合などにより接触しているため、電気的接続も実現され、確実な接続が実現されるという効果に加え、２方が開放空間となっているため、放熱性も良好である。また、空気の排出口があるため、ガスが残留して接着部材内にボイドができるのを防ぐことができる。
【００１６】
また、本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記素子チップが、裏面側で前記配線導体層に接続され、ワイヤボンディング接続されたものを含む。
この構成により、凹部内に接着部材を充填し、この上に素子チップを搭載し、ワイヤボンディングを行うようにすればよいため、素子チップ搭載時には高精度の位置合わせが不要であり、実装作業性が良好である。
【００１７】
また、本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記素子チップが、前記凹部内で接着部材を介して配線導体層に接合されており、前記凹部の周縁部では前記配線導体層と前記素子チップ裏面とは接着剤を介することなく直接接合されたものを含む。
この構成により、凹部内では素子チップと回路基板とが導電性接着剤などの接着部材を介して接続され、凹部の周縁部では、素子チップと回路基板とが直接接合などにより接触しているため、電気的接続も実現され、確実な接続が実現される。また接着部材のはみ出しがないため、美観を保持することができる。
【００１８】
また、本発明は、前記回路モジュールは、ジャイロセンサモジュールを構成するものを含む。
この構成により、素子チップの方位により、測定値が変動する、ジャイロセンサモジュールなどにおいても、信頼性の高い測定値を出力するような実装が実現可能である。
【００１９】
また、本発明は、表面に配線導体層を有するとともに、素子搭載領域に凹部を有する回路基板を用意する工程と、前記凹部に接着剤を充填する工程と、前記凹部をまたぐように、前記回路基板上に素子チップを配する工程と、前記素子チップを押圧しながら、前記回路基板を加熱し前記回路基板に前記素子チップを固着する工程と、を含む回路モジュールの製造方法を提供することを特徴とする。
この構成により、凹部内では素子チップと回路基板とが導電性接着剤などの接着部材を介して接続され、凹部の周縁部では、素子チップと回路基板とが直接接合により接触するように、加圧しながら固着しているため、電気的接続も実現され、確実な接続が実現される。また接着部材のはみ出しがないため、美観を保持することができる。
【００２０】
また、本発明は、上記回路モジュールの製造方法において、前記回路基板を固着する工程後、前記素子チップを押圧しつつ、ワイヤボンディングにより、前記回路基板と前記素子チップとを電気的に接続する工程を含む。
この構成により、素子チップを回路基板上に接続する際には位置決め精度は、それほども大きくなくて済み、効率のよい、接続が実現される。
【００２１】
また、本発明は、上記回路モジュールの製造方法において、前記固着する工程に先立ち、前記凹部の周縁の配線導体層を鏡面加工する工程を含み、前記固着する工程は、前記凹部内では接着剤を介して前記素子チップ裏面を接続する一方、前記凹部の周縁の配線導体層と前記素子チップ裏面とを直接接合する工程であるものを含む。
この構成により、凹部内では素子チップと回路基板とが導電性接着剤などの接着部材を介して接続され、凹部の周縁部では、素子チップと回路基板とが直接接合などにより接触しているため、電気的接続も実現され、確実な接続が実現される。ここで、接合に先立ち、配線導体層を鏡面加工しているため、良好な直接接合が実現される。また接着部材のはみ出しがないため、美観を保持することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、素子チップと回路基板との間の接着部材が、部分的にしか介在しないため、熱負荷がかかっても素子チップ側に負荷がほとんどかからないため、素子チップが傾いたり、損傷を受けたりすることがない。このため、ジャイロセンサなど方向性を維持する必要のあるデバイスの場合においても、誤動作の大幅な低減をはかることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施の形態１の回路モジュールを示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図
【図２】本発明の実施の形態１の回路モジュールの製造工程を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図
【図３】本発明の実施の形態１の回路モジュールの製造工程を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図
【図４】本発明の実施の形態１の回路モジュールの製造工程を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図
【図５】本発明の実施の形態１の回路モジュールの製造工程を示す断面図
【図６】本発明の実施の形態１の回路モジュールの製造工程を示す断面図
【図７】本発明の実施の形態２の回路モジュールを示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図
【図８】本発明の実施の形態２の回路モジュールの製造工程を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図
【図９】本発明の実施の形態３の回路モジュールを示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図
【図１０】従来例の回路モジュールを示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図
【図１１】従来例の回路モジュールを示す図
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２５】
（実施の形態１）
図１（ａ）および（ｂ）は本発明の実施の形態１の回路モジュールを示す説明図であり、図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。図３乃至図６は同回路モジュールの実装工程を示す図である。
本実施の形態の回路モジュール１は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、表面に配線導体層１１を有するとともに、素子搭載領域に凹部１３を有する樹脂基板からなる回路基板１０と、この回路基板１０上に搭載される素子チップ２０とを具備している。そしてこの素子チップ２０は、凹部１３の一部を残すように、この凹部１３内に充填された接着部材１４を介してこの回路基板１０に固着される。この凹部１３内ではこの接着部材１４としての半田を介して、素子チップ２０が、配線導体層１１のうちダイパッド１１ｄに接合されており、凹部１３の周縁部ではこのダイパッド１１ｄと素子チップ２０裏面とは接着剤を介することなく直接接合によって接合され、電気的接続がなされている。
この実装構造においては、凹部１３は、ジャイロセンサ用の素子チップ２０よりも所定寸法だけ小さく形成されている。
そして、素子チップ２０表面のパッド２１と、回路基板１０表面の配線導体層で構成されたボンディングパッド１１ｐとが、ボンディングワイヤ１２を介して接続されている。あとは必要に応じて封止樹脂（図示せず）で被覆されている。
【００２６】
次に、この回路モジュール１の製造方法について説明する。
まず、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、射出成型により素子搭載領域に凹部１３を有する樹脂基板（１０）を形成する。ここで図２（ａ）は図２（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
【００２７】
そして、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、この樹脂基板の表面に配線導体層１１を形成する。この配線導体層１１のうち、凹部１３内に形成されるパターンは、凹部１３からその周縁部表面にかけて連続して形成されており、前記配線導体層と前記素子チップの裏面とを接続するためのダイパッド１１ｄを構成する。ここで図３（ａ）は図３（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
【００２８】
次いで、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、接着部材１４として、このダイパッド１１ｄの凹部の体積よりも少量の半田を凹部１３内に充填する。ここでも図４（ａ）は図４（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
【００２９】
一方、素子チップ２０の裏面側は鏡面研磨により平滑度を高めておく。
この状態で、図５に示すように、素子チップ２０を位置合わせし、凹部１３を覆うように、吸着ノズル３０を用いて回路基板１０上に配置し、吸着ノズル３０で加圧しつつ、加熱し、半田を硬化させる。
【００３０】
このとき、半田１４を介して回路基板１０および素子チップ２０の、確実な接合が可能となる。そして凹部１３の一部を残して半田が充填されており、かつ接着部材の存在しない領域もあるため、素子チップと回路基板との熱膨張率の差に起因する応力をこの接着剤の存在しない領域に逃がすことができる。
また、凹部内では素子チップと回路基板とが導電性接着剤などの接着部材を介して接続され、凹部の周縁部では、素子チップと回路基板とが直接接合などにより接触しているため、電気的接続も実現され、確実な接続が実現される。また接着部材のはみ出しがないため、美観を保持することができる。
【００３１】
こののち、図６に示すように、ワイヤボンディングにより、素子チップ２０のパッド２１と回路基板１０上のボンディングパッド１１ｐとをボンディングワイヤ１２を介して電気的接続を行う。そしてワイヤボンディング後、素子チップ２０を加圧しながら保持していた吸着ノズル３０を外し、図１及び図２に示した回路モジュールが完成する。
【００３２】
以上のように、本発明の回路モジュールによれば、配線導体層が、凹部内から前記回路基板表面にかけて連続して形成されており、前記配線導体層と前記素子チップとが電気的に接続されているため、電気的接続を行う面の面積は確保されており、凹部を含む面内で確実な接続が達成される。かつ接着部材の存在しない領域が存在しているため、素子チップと回路基板との熱膨張率の差に起因する応力をこの接着剤の存在しない領域に逃がすことができる。また、たとえば凹部内では素子チップと回路基板とが導電性接着剤などの接着部材を介して接続され、凹部の周部では、素子チップと回路基板とが直接接合などにより接触しているため、電気的接続も実現され、確実な接続が実現される。また接着部材のはみ出しがないため、美観を保持することができる。
【００３３】
さらにまたセンサを構成する素子チップ２０と、回路基板との間の接合部材である半田が部分的にしか介在しないため、熱負荷がかかっても素子チップ側に負荷がほとんどかかることがなく、誤動作が大幅に低減される。
【００３４】
また、半田溶融時にはツールを用いて素子チップを固定し、そのまま硬化させ、硬化した後、ツールを解放するため、センサに傾きを生じることもなく、良好な姿勢角を維持することができる。
【００３５】
なお、このツールはチップ割れの発生を回避するために、１００ｇｆ以下の低荷重とするのが望ましい。
【００３６】
なお、前記実施の形態では、基板に、素子チップ２０よりも小さく、ほぼ四角形をなすように形成された凹部１３を覆うように素子チップ２０を搭載したが、凹部の形状については、実施の形態に限定されるものではない。
【００３７】
ここで樹脂基板上への配線導体層１１の形成に際しては以下の方法がとられる。
まず、この樹脂基板（１０）の表面の全面に、無電解めっきあるいはＣＶＤやスパッタリング等を行うことにより導電性薄膜からなる下地層を形成する。ここでは無電解の銅めっきあるいはスパッタリングによる銅薄膜を形成する。そして、樹脂基板（１０）の表面にレーザビームを照射することで当該照射部分の下地層をパターニングし選択的に除去する。ここでレーザビームは、ガルバノミラー等で走査することにより配線導体層１１の輪郭に沿って樹脂基板の表面を移動しつつ照射され、下地層のうち配線導体層１１のパターンに一致した部分（以下、「下地層」と呼ぶ。）と配線導体層１１のパターンに一致しない部分との境界領域の下地層を除去する。従って、樹脂基板（１０）の表面にはレーザビームが照射された輪郭内側の下地層（配線導体層１１のパターンに一致した下地層）と、下地層の輪郭に沿った部分のみがレーザビーム照射で除去された下地層（図示せず）とが残ることになる。但し、隣接する配線導体層１１の間隔が狭い場合においては、上述のように輪郭部分だけでなく配線導体層１１間の下地層を全てレーザビーム照射で除去することも可能である。
【００３８】
続いて、配線導体層１１のパターンに一致した下地層の上に電気めっきにより銅などのめっき層を厚付けすることで配線導体層１１を形成し、下地層１１ｄ以外の不要な下地めっき層をエッチングで除去すれば、内部導体層（図示せず）と配線導体層１１により所望の回路が形成された回路基板１０を得ることができる。ここで、めっき層を形成する電気めっきを行うには、下地層を直流電源の陰極に接続し電気めっき浴に樹脂基板（１０）を浸漬した状態で給電する必要があり、回路基板１０の内部導体層を給電路として用いるようにしてもよい。そのために内部導体層と電気的に接続された給電用のビアホール積層基板の長手方向両端部に設け、積層基板の周縁部に形成した矩形枠状の給電用の表面導体層に直流電源の陰極を接続することで、給電用の表面導体層からビアホール、内部導体層を介して下地層に給電することもできる。
【００３９】
従って、複数の絶縁層間に内部導体層を有する積層基板を用いた場合には、絶縁層の間に形成されている内部導体層を介して下地層に給電することにより電気めっきを行い、めっき層を厚付けすることにより表面導体層を形成するため、積層基板の表面に形成される表面導体層の形状や配置の自由度が高いという利点がある。なお、下地めっき層をエッチングで除去するいわゆるソフトエッチング後、最後にニッケルめっき層を介して金めっき層（図示せず）を形成し、プリント配線基板上の配線パターンと接続性の良好な表面導体層を形成するようにしてもよい。
【００４０】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２について説明する。
図７（ａ）および（ｂ）は本発明の実施の形態１の回路モジュールを示す説明図であり、図７（ａ）は、図７（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
前記実施の形態１では、凹部１３が、素子チップ２０よりも小さくなるように形成したが、本実施の形態では、図７（ａ）および（ｂ）に示すように、凹部１３に代えて、素子チップ２０よりも小幅の貫通溝１３Ｔとしたことを特徴とするものである。
他の構成については前記実施の形態１と同様に形成されているため、ここでは説明を省略する。
【００４１】
本実施の形態の回路モジュール２は、図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、表面に配線導体層１１を有するとともに、素子搭載領域を含む領域に貫通溝１３Ｔを有する樹脂基板からなる回路基板１０と、この回路基板１０上に搭載される素子チップ２０とを具備している。そしてこの素子チップ２０は、貫通溝１３Ｔの一部を残すように、この貫通溝１３Ｔ内に充填された接着部材１４を介してこの回路基板１０に固着される。この貫通溝１３Ｔ内ではこの接着部材１４としての半田を介して、素子チップ２０が、配線導体層１１のうちダイパッド１１ｄに接合されており、貫通溝１３Ｔの周縁部ではこのダイパッド１１ｄと素子チップ２０裏面とは接着剤を介することなく直接接合によって接合され、電気的接続がなされている。
【００４２】
図８（ａ）および（ｂ）は本発明の実施の形態１の回路モジュールを形成するための回路基板の配線導体層を形成する前の図であり、図８（ａ）は、図８（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
【００４３】
このように、本実施の形態では、凹部が溝状に形成されて貫通溝１３Ｔを構成しており、素子チップ２０は、貫通溝１３Ｔの平行な２辺に沿って回路基板１０表面と当接し、貫通溝１３Ｔを選択的に塞ぐように形成される。
【００４４】
この構成により、貫通溝１３Ｔの２方が開放空間となっているため、放熱性が良好である。また、空気の排出口があるため、ガスが残留して接着部材内にボイドができるのを防ぐことができる。また前記実施の形態１と同様、貫通溝１３Ｔ内では素子チップと回路基板とが導電性接着剤である銀ぺーストなどの接着部材を介して接続され、貫通溝１３Ｔの側壁の周縁部では、素子チップと回路基板とが直接接合により接触している。このため、電気的接続が確実に実現される。
【００４５】
（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３について説明する。
図９（ａ）および（ｂ）は本発明の実施の形態３の回路モジュールを示す説明図であり、図９（ａ）は、図９（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
前記実施の形態１、２では、ワイヤボンディングによる接続を行ったが、本実施の形態ではフリップチップ接続により接続するものである。
本実施の形態では、図９（ａ）および（ｂ）に示すように、凹部１３を囲むように、ボンディングパッド１１ｐが、配列されており、凹部１３内には絶縁性樹脂からなる接着部材２４を、凹部１３の一部を残すように充填し、電気的接続はボンディングパッド１１ｐに対して、素子チップ２０表面に形成されたバンプ２３を介して実現したことを特徴とするものである。
他の構成については前記実施の形態１、２と同様に形成されているため、ここでは説明を省略する。
【００４６】
本実施の形態の回路モジュール３は、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、表面に配線導体層１１（ボンディングパッド１１ｐ）を有するとともに、素子搭載領域に凹部１３を有する樹脂基板からなる回路基板１０と、この回路基板１０上に搭載される素子チップ２０とを具備している。そしてこの素子チップ２０は、凹部１３の一部を残すように、この凹部１３内に充填された接着部材２４を介してこの回路基板１０に固着される。この凹部１３内ではこの接着部材２４としての絶縁性樹脂を介して、素子チップ２０が、回路基板１０に固着されており、凹部１３の周縁部ではボンディングパッド１１ｐと素子チップ２０表面に突出するバンプ２３とが接合され、電気的接続がなされている。
【００４７】
このように、本実施の形態では、凹部に絶縁性樹脂からなる接着部材が充填されているが、空間の一部を残して充填されており、固着に際して、熱膨張が生じても、素子チップが力を受け変位したりすることがない。
【００４８】
なお、前記実施の形態では、センサチップを搭載した回路モジュール（センサモジュール）について説明したが、センサモジュールに限定されることなく、携帯端末などに搭載されるモジュールや、壁面に取り付けられるＬＥＤ照明用のＬＥＤモジュールなど種々の回路モジュールに適用可能である。
【００４９】
なお、前記実施の形態では、樹脂成型によって形成した樹脂基板を用いたが、これに限定されることなく、積層基板、あるいはセラミック基板などにも適用可能であることはいうまでもない。
例えば、１０００℃以下で低温焼結が可能なセラミック誘電体材料ＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミック：Low Temperature Co-fired Ceramics）からなり、厚さが１０μｍ〜２００μｍのグリーンシートに、低抵抗率のＡｇやＣｕ等の導電ペーストを印刷して所定のパターンを形成し、複数のグリーンシートを絶縁層として用いて、適宜一体的に積層し、焼結することにより内部導体層を備えた絶縁層（誘電体層）として製造することが出来る。これらの誘電体材料としては、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分として、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋを副成分とする材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分としてＣａ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｋを複成分とする材料や、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｄを含む材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇを含む材料が適用可能である。ここで、誘電率は５〜１５程度の材料を用いる。なお、セラミック誘電体材料の他に、樹脂積層基板や樹脂とセラミック誘電体粉末を混合してなる複合材料を用いてなる積層基板を用いることも可能である。また、前記セラミック基板をＨＴＣＣ（高温同時焼成セラミック：High Temperature Co-fired Ceramics）技術を用いて、誘電体材料をＡｌ２Ｏ３を主体とするものとし、内部導体層として伝送線路等をタングステンやモリブデン等の高温で焼結可能な金属導体として構成しても良い。
【００５０】
また、グリーンシートに限定されることなく、他のセラミックにも適用可能であり、またガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの樹脂基板、プリプレグを用いた積層基板などにも適用可能である。
【符号の説明】
【００５１】
１，２，３  回路モジュール
１０  回路基板
１１  配線導体層
１２  ボンディングワイヤ
１３  凹部
１３Ｔ  貫通溝
１４  接着部材（半田）
２４  接着部材（絶縁性樹脂）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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