(57)【要約】【課題】めっき処理が施された半導体ウェハーを切断することによって製造される半導体装置の信頼性を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハーのスクライブ領域に形成されたＴＥＧを用いて前記半導体ウェハーの電気的特性を評価したのち（ステップＳ１１）、このＴＥＧをマスクする絶縁性のマスク層を形成する（ステップＳ１２）。そして、このマスク層が形成された状態で半導体ウェハーに無電解めっき処理を施したのち（ステップＳ１３）、スクライブ領域に沿って半導体ウェハーをダイシングする（ステップＳ１４）。こうすることにより、無電解めっき処理時にＴＥＧにめっき膜が形成されることがなく、ダイシング時における導電性の切り屑が低減される。それゆえ半導体チップの表面に導電性異物が付着することが抑制されて、半導体チップ、ひいては半導体チップが搭載された半導体装置の信頼性が向上される。【選択図】図３
2011003858.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ領域に露出するパッド電極と前記チップ領域を囲むスクライブ領域に露出する導電性の評価パターンとが形成されてなる半導体ウェハーに対して、前記評価パターンを用いて前記スクライブ領域の特性を評価する工程と、
導電性を有する部分にめっき膜が形成されるめっき処理を前記半導体ウェハーに施して前記パッド電極にめっき膜を形成する工程と、
前記めっき膜が形成された前記半導体ウェハーをそのスクライブ領域に沿って切削することにより前記チップ領域を切り出す工程と
を備えた半導体装置の製造方法において、
前記評価後の半導体ウェハーに対して前記めっき膜を形成する前に、前記パッド電極が露出され、かつ、前記評価パターンが覆われるかたちで絶縁性のマスク層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記チップ領域を切り出す工程では、
前記マスク層に覆われた状態で前記評価パターンを切削する
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記マスク層を形成する工程は、
前記チップ領域の周縁部に表面が露出するガードリングをさらに覆うかたちに前記マスク層を形成する
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記マスク層を形成する工程は、
前記マスク層の構成材料を含む液状体を前記マスク層が形成される領域に吐出して当該液状体を固化させることにより前記マスク層を形成する
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記評価する工程は、
前記スクライブ領域に形成されたテスト素子に接続される前記評価パターンを介して前記テスト素子の特性を評価することにより、前記チップ領域が有する素子の代用評価を行う
請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記めっき膜を形成する工程は、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｕのうち少なくとも１種類を用いて前記めっき膜を形成する
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハーをスクライブ領域に沿ってダイシングすることにより半導体装置を製造する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置に用いられる半導体チップは、一般にスクライブ領域に囲まれる半導体ウェハーのチップ領域が同スクライブ領域に沿ってダイシングされることにより製造される。通常、半導体ウェハーのスクライブ領域には、上記チップ領域を構成する素子の基本的な特性を代用評価するための素子（ＴＥＧ：Ｔｅｓｔ  Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｇｒｏｕｐ）が形成されている。こうした半導体ウェハーでは、当該素子に接続され、かつスクライブ領域に配置されたテスト電極を介して当該素子の特性が取得され、その特性結果に基づいてチップ領域における各素子の評価が行われる。そして、チップ領域における素子の評価が終了すると、例えば特許文献１のように、回転するダイシングブレード（刃物）によりスクライブ領域に沿って半導体ウェハーが機械的にダイシングされ、これにより、半導体ウェハーがチップ領域毎の個片に分割されて半導体チップが製造される。この際、上述したＴＥＧやそれが有するテスト電極は、半導体ウェハーのダイシング時に切削除去される。
【０００３】
ところで、こうした半導体チップには、それが他の電子部品と電気的に接続されるための電極パッドが、半導体チップの表面に露出するように形成されている。この種の電極パッドは、まず第一段階として、一般的にアルミニウムおよびアルミニウムと銅の混合物等を構成材料として、真空成膜とフォトリソ法の組み合わせで形成される。その後、実装基板への実装形態により、必要に応じて第二段階のＮｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｃｕ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｗ／Ｃｕ／Ａｕ等の金属からなる積層膜が、第一段階のアルミニウムおよびアルミニウムと銅の混合物により形成されたパッド上に、数μｍから数十μmの膜
厚で、めっき法により積層形成される。こうしためっき膜を形成するめっき処理は、上述した素子特性の評価結果について高い精度が得られるべく、素子特性の評価後の半導体ウェハーに対して施される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−９３７５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、半導体ウェハーを機械的にダイシングする場合には、ダイシング時の切り屑の一部がチップ領域に飛散するため、チップ領域に何らの保護がなされていなければ、チップ領域の表面がこうした異物により汚染されることになる。ダイシングに起因する切り屑の中には、当然ながらＴＥＧの構成材料である導電性のものも含まれており、こうした切り屑が半導体チップの表面に付着すると、ダイシング後に形成される配線間の短絡や電極パッド同士の短絡などといった問題が招来してしまう。特に、上述したような半導体ウェハーにめっき処理が施される場合は、半導体チップの電極パッドだけでなく、ＴＥＧが有するテスト電極にもめっき膜が形成されることとなり、ＴＥＧに形成されためっき膜の分だけダイシング時に導電性の異物が増加することとなる。そのため、半導体チップならびに同半導体チップが実装される電子装置の信頼性が一層低下することになる。
【０００６】
なお、ダイシングに起因するこうした異物の付着は、例えば特許文献１に記載されるように、半導体ウェハーの表面に予め保護シートが貼り付けられて、この状態から半導体ウ
ェハーがダイシングされることにより軽減も可能である。ただし、半導体ウェハーの表面に保護シートが貼り付けられたとしても、半導体ウェハーの表面にはそもそも形状が異なる多数の凹凸パターンが形成されているため、半導体ウェハーと保護シートとの間には、上述する切り屑が入り込むのに十分な隙間が形成されてしまう。そのため、こうした保護シートが利用される態様であっても、ダイシングに起因する異物の付着に対しては、さらなる抑制技術が切望されている。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、めっき処理が施された半導体ウェハーを切断することによって製造される半導体装置の信頼性を向上させる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体装置の製造方法は、チップ領域に露出するパッド電極と前記チップ領域を囲むスクライブ領域に露出する導電性の評価パターンとが形成されてなる半導体ウェハーに対して、前記評価パターンを用いて前記スクライブ領域の特性を評価する工程と、導電性を有する部分にめっき膜が形成されるめっき処理を前記半導体ウェハーに施して前記パッド電極にめっき膜を形成する工程と、前記めっき膜が形成された前記半導体ウェハーをそのスクライブ領域に沿って切削することにより前記チップ領域を切り出す工程とを備えた半導体装置の製造方法において、前記評価後の半導体ウェハーに対して前記めっき膜を形成する前に、前記パッド電極が露出され、かつ、前記評価パターンが覆われるかたちで絶縁性のマスク層を形成する。
【０００９】
この半導体装置の製造方法によれば、パッド電極にめっき膜を形成するに先立って、当該パッド電極が露出され、かつ、スクライブ領域の評価パターンが覆われるかたちで絶縁性のマスク層が形成される。そして、絶縁性のマスク層により評価パターンが覆われることから、当該半導体ウェハーをめっき液へ浸漬しても、スクライブ領域の評価パターンへの、めっき膜析出を防止することが可能となる。また、絶縁性のマスク層がパッド電極を避けるかたちに形成されるため、当該半導体ウェハーがめっき液に浸漬されれば、チップ領域のパッド電極には、所望のめっき膜が析出されることになる。
【００１０】
それゆえ、半導体ウェハーが切削される際には、こうした絶縁性のマスク層が無い構成と比較して、めっき膜の切り屑が低減されることになり、導電性の異物に起因する表面の汚染が半導体装置にて抑制可能になる。そのうえ、評価パターンを用いた評価工程の後にマスク層が形成されるため、つまり、評価パターンに要求されるチップ領域の評価機能が同評価工程にて発現された後にマスク層が形成されるため、半導体ウェハーの評価過程に何らの障害を来すことなく、上述する効果が得られることになる。よって、半導体装置の信頼性が向上可能になる。
【００１１】
この半導体装置の製造方法は、前記チップ領域を切り出す工程では、前記マスク層に覆われた状態で前記評価パターンを切削することが好ましい。
この半導体装置の製造方法によれば、マスク層に覆われた状態で評価パターンが切削されるため、先行して飛散するマスク層の切り屑と後続する評価パターンの切り屑とが衝突して、評価パターンの切り屑のチップ領域への飛散が阻害されることになる。それゆえ、チップ領域の表面に導電性の異物が付着することがより抑制され、半導体装置の信頼性がより向上可能になる。
【００１２】
この半導体装置の製造方法は、前記マスク層を形成する工程は、前記チップ領域の周縁部に表面が露出するガードリングをさらに覆うかたちに前記マスク層を形成することが好ましい。
【００１３】
通常、チップ領域の周縁部には、例えば静電気による半導体装置の不具合などを抑制する目的で導電性のガードリングが設けられている。この表面に何らの処理が施されなければ、上述するめっき処理を施したときに、こうしたガードリングにもめっき膜が形成されることになる。このようにしてガードリングにめっき膜が形成されると、そのめっき膜の分だけガードリングが大型化してしまう。切り出された半導体チップが実装される際、チップ領域に接続される配線は、チップ領域の周縁であるガードリングを避けてパッド電極に接続されなければならない。それゆえ、上述するようなガードリングの大型化は、こうした配線が占有する空間そのものの大型化を招いてしまう。
【００１４】
これに対して、この半導体装置の製造方法によれば、こうしたガードリングをマスク層で覆った上で半導体ウェハーへのめっき処理が施されることから、ガードリングからのめっき膜の形成が回避される。そのため、配線が占有する空間の大型化、ひいては半導体チップの実装サイズの大型化が抑えられることにもなる。
【００１５】
この半導体装置の製造方法は、前記マスク層を形成する工程は、前記マスク層の構成材料を含む液状体を前記マスク層が形成される領域に吐出して当該液状体を固化させることにより前記マスク層を形成することが好ましい。
【００１６】
この半導体装置の製造方法によれば、液状体が吐出される領域のみに選択的にマスク層が形成されるため、所望の領域のみにマスク層が確実に形成可能になる。こうしたマスク層は、半導体ウェハーの表面全体に形成されたマスク膜をマスク層の領域にあわせてエッチングすることによっても実現可能である。だが、このような方法でマスク層を形成すると、マスク膜を形成する工程と、同マスク膜をエッチングする工程とが少なくとも必要とされてしまう。この点、液状体を利用する成膜方法であれば、マスク膜を形成する工程と同じくして、マスク層が形成可能になるため、エッチングする工程が不要となる分だけ、上記の方法と比較して、その製造工程の工程数が低減可能にもなる。
【００１７】
この半導体装置の製造方法は、前記評価する工程は、前記スクライブ領域に形成されたテスト素子に接続される前記評価パターンを介して前記テスト素子の特性を評価することにより、前記チップ領域が有する素子の代用評価を行ってもよい。
【００１８】
この半導体装置の製造方法によれば、スクライブ領域にテスト素子が形成される場合であっても、導電性を有した切り屑の飛散が抑制され、こうした異物に起因した半導体装置の表面の汚染が低減される。
【００１９】
この半導体装置の製造方法は、前記めっき膜を形成する工程は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｕのうち少なくとも１種類を用いて前記めっき膜を形成することが好ましく、更に大気と接する最表層は、Ａｕであることが望ましい。この半導体装置の製造方法によれば、例えば半導体チップの表面に露出しているパッド電極の酸化が抑制可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明にかかる半導体装置の製造方法に用いられる半導体ウェハーの平面構造を示す平面図。
【図２】図１における２−２線の断面図。
【図３】同半導体装置の製造方法を示すフローチャート。
【図４】（ａ）〜（ｄ）同半導体装置の製造方法における各工程を示す工程図。
【図５】同半導体装置の製造方法を用いて製造された半導体装置の断面構造の一部を示す部分断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明にかかる半導体装置の製造方法を具体化した一実施形態について図１〜図５を参照して説明する。図１は半導体ウェハー１０の平面構造を示すとともに、その一部を拡大して示した平面図である。図２は、図１における２−２線の断面図である。
【００２２】
まず、本実施形態にかかる半導体ウェハーについて説明する。図１に示されるように、円盤状の半導体ウェハー１０には、矩形状の複数のチップ領域１１が格子状のスクライブ領域１２によって囲まれるかたちで形成されている。半導体ウェハー１０は素子基板１３を有しており、この素子基板１３には図示しない能動素子や受動素子などからなる電子回路が形成されている。この電子回路は、シリコン基板を用いた各種の半導体製造プロセスを介して形成され、各チップ領域１１及びスクライブ領域１２にそれぞれ形成されている。
【００２３】
図２に示されるように、チップ領域１１には素子基板１３に積層された層間絶縁部１４が形成されている。この層間絶縁部１４の上面には素子基板１３内の電子回路と電気的に接続されたアルミ電極パッド１５が、各チップ領域１１の２辺に沿って複数形成されている。このアルミ電極パッド１５は、半導体ウェハー１０のダイシング後に例えば外部に設けられた電源などと接続する際に使用される。層間絶縁部１４には、アルミ電極パッド１５を囲うかたちで絶縁層１６が積層されている。また絶縁層１６には、チップ領域１１の表面を保護する絶縁層であるパッシベーション層１７がアルミ電極パッド１５の上面を露出させるかたちで積層されている。
【００２４】
また、各チップ領域１１の層間絶縁部１４の周縁部には、絶縁層１６とパッシベーション層１７とを取り囲むようにガードリング１８が形成されている。このガードリング１８は、例えば、半導体チップの製造過程において素子基板１３に形成された素子に対し、電界集中等による素子の静電破壊を防止するためのものである。また例えば、水分やイオンが外部から配線の層間絶縁膜を通じてチップ領域１１に浸入するのを防止するためのものである。なお、上述した各絶縁層の構成材料としては、可撓性あるいは非可撓性の各種絶縁材料を用いることができる。可撓性を有する具体的な材料としては、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂などの合成樹脂を用いることが可能である。また非不可撓性を有する具体的な材料としては、リンやボロンを含有するシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機絶縁材料などを用いることが可能である。一方、スクライブ領域１２には、素子基板１３に積層されて隣接する層間絶縁部１４よりも薄い層間絶縁部１９が形成されている。チップ領域１１と層間絶縁部１９とに囲まれた凹部には、素子基板１３に形成された電子回路の電気的特性の評価を行うテスト素子であるＴＥＧ（Ｔｅｓｔ  Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｇｒｏｕｐ）２０や、各種工程において半導体ウェハー１０の位置ずれを検出するための目安となるバーニア２１（図１参照）がこれらの上面を層間絶縁部１９から露出させるかたちに形成されている。このＴＥＧ２０の上面を構成するＴＥＧパッド電極（評価パターン）は、素子基板１３のスクライブ領域１２に形成された評価用の電子回路と電気的に接続されており、スクライブ領域１２の電子回路はチップ領域１１に対して各種素子や配線などを形成する工程と同じ工程で形成される。そして、このＴＥＧ２０の上面を構成するＴＥＧパッド電極にテスターのプローブ２２（図４（ａ）参照）を接触させることにより、能動素子のスイッチング特性や整流特性等の電気的特性の評価が行われて、チップ領域１１に形成された電子回路の代用評価がなされる。
【００２５】
そして、こうした半導体ウェハー１０をスクライブ領域１２に沿って、図示しないダイシングブレード（刃物）などを用いてダイシングすることにより、各チップ領域１１が分割されて半導体装置に搭載される半導体チップが製造される。
【００２６】
次に、本実施形態にかかる半導体チップの製造方法について図３及び図４を参照しなが
ら説明する。図３は半導体チップの製造工程を示すフローチャートであり、図４は半導体チップの製造過程を示す図である。
【００２７】
本実施形態の半導体チップの製造方法においては、まず各種の半導体プロセスがシリコン基板に対して施されることにより、チップ領域１１及びスクライブ領域１２における電子回路や各絶縁層が形成される（図１及び図２の状態）。そして、図３に示されるように、評価工程（ステップＳ１１）、マスク層形成工程（ステップＳ１２）、無電解めっき処理工程（ステップＳ１３）、ダイシング工程（ステップＳ１４）がこの順に実施される。
【００２８】
評価工程（ステップＳ１１）は、図４（ａ）に示されるように、スクライブ領域１２に形成されたＴＥＧ２０の上面（ＴＥＧパッド電極）に対して、テスターのプローブ２２を接触させて、ＴＥＧ２０を構成する各種素子とテスターの内部回路とを電気的に接続することにより、スクライブ領域１２に形成された電子回路の電気的特性を評価し、この評価結果に基づいて、チップ領域１１（半導体チップ２９）の電気的特性を代用評価する工程である。
【００２９】
マスク層形成工程（ステップＳ１２）は、後述する無電解めっき処理工程（ステップＳ１３）においてＴＥＧ２０及びガードリング１８にめっき膜が析出（形成）されることを防止すべく、これらを絶縁性のマスク層２３で覆う工程である。このマスク層２３は、インクジェット法を用いて形成される。詳述すると、図４（ｂ）に示されるように、半導体ウェハー１０と液滴吐出ヘッド２５とを相対移動させながら、絶縁材料を溶媒中に分散させた絶縁性インクからなる液滴Ｄを、スクライブ領域１２及び層間絶縁部１４の周縁部の各位置に吐出して、ＴＥＧ２０の上面及びガードリング１８の上面を絶縁性インクで覆う。なお、マスク層２３を構成する絶縁性材料としては、エポキシ系の熱硬化性樹脂やアクリル系の光硬化性樹脂、あるいはこれらを混合させたものを用いることが可能である。その中でも本実施形態では、マスク層２３を形成する際に加熱による半導体ウェハー１０への熱的な影響を回避すべく、所定波長の紫外光を一定時間照射することにより硬化される紫外光硬化性樹脂を用いている。そして、半導体ウェハー１０に紫外光２６を照射して上記絶縁性インクを硬化させることにより、隣接するチップ領域１１間を埋めるかたちに、ＴＥＧ２０及びガードリング１８を覆うマスク層２３が形成される。
【００３０】
ここで、紫外光２６の照射の態様としては、液滴Ｄが着弾するタイミングで同液滴Ｄに紫外光２６を照射し、その吐出毎に硬化させながら液滴Ｄを積層していくことでマスク層２３を形成することも可能ではあるが、こうした場合には、マスク層２３の表面が凹凸状に形成されてしまう。そのため、こうしたマスク層２３は、半導体ウェハー１０のダイシング時に、ダイシングブレードの刃先を表面の凹凸で受けることになるため、その切削力がマスク層２３の表面に不均一に加わりその切り屑が飛散しやすくなる。そこで、本実施形態においては、上述したように、ＴＥＧ２０及びガードリング１８を覆うように複数の液滴Ｄを吐出して、これらが結合した状態にて紫外光２６を照射する。つまり、吐出された複数の液滴Ｄが絶縁性インクからなる１つの液状体として硬化されることになる。こうすることにより、マスク層２３の表面に凹凸が形成されることを低減することが可能になり、ダイシングにともなうマスク層２３の切り屑の飛散量を低減することが可能である。
【００３１】
また、インクジェット法はその吐出位置や吐出量を高い精度の下で制御することが可能であることから、インクジェット法を用いてマスク層２３を形成することで、たとえスクライブ領域１２が複雑に形成された半導体ウェハー１０であったとしても、所定の範囲にマスク層２３を確実に、かつ、容易に形成することが可能になる。また、マスク層２３の膜厚も容易に制御することが可能になり、より精度の高いマスク層２３を形成することが可能になる。
【００３２】
無電解めっき処理工程（ステップＳ１３）は、アルミ電極パッド１５にＡｕからなるめっき膜を析出（形成）する工程である。この工程ではまず、半導体ウェハー１０を硝酸に浸漬して各アルミ電極パッド１５の表面に形成されている酸化膜が硝酸のエッチング作用により除去される。そして、マスク層２３が形成された半導体ウェハー１０をめっき浴に浸けて無電解めっきを施すことにより、図４（ｃ）に示されるように、アルミ電極パッド１５にＡｕからなるめっき膜２８が形成される。このとき、導電性を有するＴＥＧ２０の上面及びガードリング１８の上面はマスク層２３によって覆われていることから、これらに対してはめっき膜の形成が回避される。こうして各チップ領域１１のアルミ電極パッド１５に対してＡｕからなるめっき膜２８が形成されることにより、アルミ電極パッド１５の表面における酸化膜の形成が、これ以後、回避される。
【００３３】
ダイシング工程（ステップＳ１３）では、半導体ウェハー１０の表面に図示しない保護シートを張り付けた上で、図４（ｄ）に示されるように、ダイシングブレードを用いてスクライブ領域１２に沿って半導体ウェハー１０をダイシングすることで、各チップ領域１１からなる半導体チップ２９が形成される工程である。本実施形態では、マスク層形成工程（ステップＳ１２）で形成されたマスク層２３が形成されたままの状態で半導体ウェハー１０のダイシングが行われる。
【００３４】
ここで、上記マスク層２３を設けずに半導体ウェハー１０に無電解めっき処理を施した場合には、上述したように導線性を有するＴＥＧ２０の表面にもめっき膜が形成される。ＴＥＧ２０を構成する導電層は、チップ領域１１を構成する導電層と同じく、非常に膜厚の薄いものが一般的ではあるが、こうしためっき膜が形成されることによりその容積が増大することになる。そして、めっき膜によって容積が増大したＴＥＧ２０を有するスクライブ領域１２に沿って半導体ウェハー１０をダイシングすると、そのめっき膜が形成された分だけ導電性の切り屑の量が増加することになり、ダイシング時におけるその飛散量も自ずと増加することになる。この結果、半導体チップ２９の表面に付着する導電性異物が増加することになる。
【００３５】
これに対して本実施形態では、無電解めっき処理工程（ステップＳ１２）においてＴＥＧ２０にめっき膜が形成されることがないことから、ダイシング時におけるＴＥＧ２０の切り屑の量を低減することが可能になる。しかも、マスク層２３でＴＥＧ２０を覆った状態でダイシングすることにより、ＴＥＧ２０の切り屑が飛散しようとしても、先行して切削されるマスク層２３の切り屑と後続して切削されるＴＥＧ２０の切り屑との衝突によって、ＴＥＧ２０の切り屑の飛散が抑制されることになる。そのうえ、チップ領域１１の表面とマスク層２３の表面とが図４（ｃ），（ｄ）に示されるように略面一であれば、これらを覆う保護シートとチップ領域１１との間の隙間がマスク層２３によって略充填されることにもなり、チップ領域１１への異物の入り込みそのものが抑制されることになる。つまり、半導体チップ２９の表面にＴＥＧ２０の切り屑、すなわち導電性の異物が付着することを抑制することが可能になる。それゆえ半導体チップ２９の信頼性を向上させることが可能になり、ひいては半導体チップ２９が搭載される半導体装置の信頼性をも向上させることが可能になる。
【００３６】
ちなみに、このようにして製造された半導体チップ２９は、例えば図５に示されるように、所定の電子回路が形成された実装基板３１の実装面３１ａに図示しない接着層などを介して実装されて半導体装置３０を構成する。こうした半導体装置３０において、実装基板３１の電極パッド３２と半導体チップ２９のアルミ電極パッド１５とを電気的に接続する配線を形成する方法として、インクジェット法を用いて配線を形成する技術が知られている。インクジェット法を用いた配線形成においては、実装基板３１と半導体チップ２９とによって形成される段差に、その段差を緩和するための絶縁性スロープ３３が形成される。そして、例えば銀からなる金属微粒子を溶媒中に分散させた導電性インクからなる液
滴を、絶縁性スロープ３３の上面を介して、実装基板３１の電極パッド３２と半導体チップ２９のアルミ電極パッド１５とをつなぐ態様で連続的に吐出したのち、この導電性インクを乾燥・焼成することにより上記配線が形成される。
【００３７】
こうした絶縁性スロープ３３は、通常、配線とガードリング１８との短絡を防止すべく、ガードリング１８を覆うかたちで形成される。ここで、ガードリング１８をマスク層２３で覆わずして無電解めっき処理を半導体ウェハー１０に施した場合には、ガードリング１８にめっき膜が形成されてしまい、そのめっき膜の分だけガードリング１８が大型化してしまう。こうしたガードリング１８にあっては、絶縁性スロープ３３の膜厚が薄くなってしまうとガードリング１８と配線とが短絡してしまう虞もあるため、絶縁性スロープを厚膜化せざるを得なくなり、絶縁性スロープ３３を形成する上での自由度が制限されてしまうばかりか、半導体装置３０の薄型化が阻害されてしまう。
【００３８】
これに対して本実施形態では、図５に示されるように、ガードリング１８をマスク層２３で覆った状態で半導体ウェハー１０に無電解めっき処理を施すことから、ガードリング１８にめっき膜が形成されることがなく、ガードリング１８の大型化を回避することが可能になる。しかも本実施形態では、このマスク層２３を除去することなくダイシング工程が行われることで、半導体チップ２９にはガードリング１８を覆うマスク層２３が残されていることになる。つまり、絶縁性スロープ３３を形成する前段階でガードリング１８が絶縁性のマスク層２３で覆われていることから、絶縁性スロープ３３を形成する際の絶縁性インクの消費量を抑制することが可能である。これに加え、マスク層２３に積層されるかたちで絶縁性スロープ３３が形成されることになり、ガードリング１８と配線とを確実に絶縁させることも可能になる。そのうえ、ガードリング１８付近における絶縁性スロープ３３の薄膜化を図ることも可能であり、絶縁性スロープ３３を形成する上での自由度が拡大することに加えて、半導体装置３０の薄型化を実現することが可能になる。
【００３９】
以上説明したように本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）上記実施形態によれば、半導体ウェハー１０の電気的特性を評価する評価工程（ステップＳ１１）と、半導体ウェハー１０に無電解めっき処理を施す無電解めっき処理工程（ステップＳ１３）との間に、スクライブ領域１２のＴＥＧ２０を覆うマスク層２３を形成するマスク層形成工程（ステップＳ１２）が実行される。こうすることにより、半導体ウェハー１０に対して無電解めっき処理を施したとしても、ＴＥＧ２０にめっき膜が析出（形成）することがない。これにより、半導体ウェハー１０をスクライブ領域１２に沿ってダイシングするダイシング工程（ステップＳ１４）においては、導電性を有するＴＥＧ２０の切り屑の量が低減されるとともに、その切り屑の飛散量も低減されることになる。それゆえ半導体チップ２９の表面に導電性異物が付着することが抑制されて、半導体チップ２９の信頼性、ひいてはこの半導体チップ２９が搭載された半導体装置３０の信頼性をも向上させることが可能である。
【００４０】
（２）上記実施形態のダイシング工程（ステップＳ１４）では、マスク層２３が形成されている状態の半導体ウェハー１０に対してダイシングを行った。こうすることにより、ＴＥＧ２０の切り屑が飛散しようとしてもマスク層２３によってその飛散を抑制することが可能である。それゆえ、半導体チップ２９の表面に導電性異物が付着することをさらに抑制することが可能になる。
【００４１】
（３）上記実施形態によれば、ＴＥＧ２０だけでなく、チップ領域１１の層間絶縁部１４の周縁部に形成されたガードリング１８も覆う態様でマスク層２３を形成した。こうすることにより、半導体ウェハー１０に無電解めっき処理を施したとしても、このガードリング１８にめっき膜が形成されることがないことから、ガードリング１８の大型化が回避
される。これにより、絶縁性スロープ３３の薄膜化を図ることが可能になるばかりか、絶縁性スロープ３３を形成する上での自由度が拡大されることに加えて、半導体装置３０の薄型化を図ることも可能になる。
【００４２】
（４）上記実施形態によれば、インクジェット法を用いてマスク層２３を形成した。インクジェット法は、その吐出位置や吐出量などを高い精度の下で制御することが可能であることから、マスク層２３の形成位置やその膜厚なども容易に制御することが可能になり、より精度の高いマスク層２３を形成することが可能になる。
【００４３】
（５）上記実施形態によれば、アルミ電極パッド１５にＡｕからなるめっき膜２８を形成した。こうすることにより、アルミ電極パッド１５の表面に酸化膜が形成されることを確実に抑制することが可能になり、後に形成される配線との密着力を高めることが可能になる。
【００４４】
（６）上記実施形態によれば、絶縁材料として紫外光硬化樹脂を用いてマスク層２３を形成した。こうすることにより、マスク層２３を形成する際の加熱処理が回避されることとなり、マスク層２３を形成する上での半導体ウェハー１０への熱的な影響を回避することが可能となる。
【００４５】
なお、上記実施形態は以下のように変更して実施することもできる。
・上記実施形態では、無電解めっき処理工程（ステップＳ１３）においてＡｕからなるめっき膜を形成したが、めっき膜を形成する金属はＡｕに限らず、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ｐｄなどであってもよい。また、例えば、無電解Ｎｉめっき処理、無電解Ｐｄめっき処理、無電解Ａｕめっき処理を連続して行うことにより、これらを積層した積層構造（Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）のめっき膜であってもよい。こうしためっき膜であってもアルミ電極パッド１５の表面の酸化を回避することが可能になる。
【００４６】
・上記実施形態のマスク層形成工程（ステップＳ１２）では、絶縁性インクをスクライブ領域１２のＴＥＧ２０及びチップ領域１１のガードリング１８を覆う態様で吐出した。これに限らず、半導体チップ２９の表面に導電性異物が付着することを低減する上では、スクライブ領域１２にのみ絶縁性インクを吐出してマスク層を形成するようにしてもよい。こうした構成であっても、ダイシング工程におけるＴＥＧ２０の切り屑の飛散量が低減され、半導体チップ２９の表面に導電性異物が付着することを低減することが可能である。
【００４７】
・上記実施形態では、印刷法としてインクジェット法を用いてマスク層２３を形成した。これに限らず、例えばスクリーン印刷法などを用いてマスク層を形成するようにしてもよい。また、印刷法に限らず、例えばディスペンサ法などを用いてマスク層を形成してもよい。
【００４８】
・上記実施形態では、スクライブ領域１２に形成されたマスク層２３を除去することなく、半導体ウェハー１０のダイシングを行った。これに限らず、マスク層２３を除去してからダイシング工程を行ってもよい。こうした構成であっても、ＴＥＧ２０にはめっき膜が形成されていないことから、その分だけダイシング時におけるＴＥＧ２０の切り屑の飛散量を低減することができ、半導体チップ２９の表面に導電性異物が付着することを低減することが可能になる。また、ガードリング１８にもめっき膜が形成されていないことから、その分だけ絶縁性スロープ３３の薄膜化を図ることが可能であり、絶縁性スロープ３３を形成する上での自由度が拡大されることになる。
【００４９】
・上記実施形態では、ＴＥＧ２０及びガードリング１８を覆うように絶縁性インクを吐
出した後に、同絶縁性インクを硬化させてマスク層２３を形成した。これに限らず、マスク層２３を形成する上では、絶縁性インクの液滴Ｄをその吐出毎に硬化させる態様でマスク層２３を形成してもよい。
【００５０】
・上記実施形態では、マスク層２３を形成する絶縁性インクには、絶縁材料として紫外光硬化性樹脂を用いた。これに限らず、例えば赤外線光硬化性樹脂などの他の光硬化性樹脂であってもよいし、熱硬化性樹脂を用いてもよい。熱硬化性樹脂を用いた場合には、本実施形態の紫外光２６に代えて例えば素子基板１３を加熱するようにするとよい。
【符号の説明】
【００５１】
Ｄ…液滴、１０…半導体ウェハー、１１…チップ領域、１２…スクライブ領域、１３…素子基板、１４…層間絶縁部、１５…アルミ電極パッド、１６…絶縁層、１７…パッシベーション層、１８…ガードリング、１９…層間絶縁部、２０…ＴＥＧ、２１…バーニア、２２…プローブ、２３…マスク層、２５…液滴吐出ヘッド、２６…紫外光、２８…膜、２９…半導体チップ、３０…半導体装置、３１…実装基板、３１ａ…実装面、３２…電極パッド、３３…絶縁性スロープ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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