(57)【要約】【課題】小型で放熱効率の高い構造を有し、発光素子の素子寿命や発光特性の劣化を抑制することができる発光装置及びその製造方法を提供する。また、発光輝度のばらつきが抑制された発光パネルを備えた電子機器を提供する。【解決手段】表示パネル１００は、画素アレイ２１が設けられたアレイ基板１０と、凹部３６が設けられた封止基板３０とを対向して接合したパネル構造を有している。アレイ基板１０には画素アレイ２１を被覆するように高輻射性薄膜２２が設けられ、封止基板３０には画素アレイ２１に対向するように高輻射性薄膜３２が設けられている。さらに、アレイ基板１０と封止基板３０を接合することにより形成される封止空間３５には高熱伝導性の気体が封入されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とが対向して接合された発光パネルを備えた発光装置において、
前記第１の基板の一面側に、複数の画素が配列された画素アレイと、該画素アレイを被覆するように設けられたアルカリ金属又はアルカリ土類金属とフッ素の化合物からなる第１の薄膜と、を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の封止空間に、原子量又は分子量が概ね４．０以下の気体が封入されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第２の基板は、前記第１の基板に対向する面の、前記画素アレイに対応する領域にアルカリ金属又はアルカリ土類金属とフッ素の化合物からなる第２の薄膜を有することを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記第２の基板は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とフッ素の化合物からなる基板であることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項４】
前記アルカリ金属又はアルカリ土類金属とフッ素の化合物は、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化マグネシウムのいずれか１種類以上からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項５】
前記封止空間に封入される気体は、ヘリウムガスであることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項６】
前記画素は、有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の発光装置。
【請求項７】
第１の基板と第２の基板とが対向して接合された発光パネルを備えた発光装置の製造方法において、
前記第１の基板の一面側に、複数の画素が配列された画素アレイを形成する工程と、
前記画素アレイを被覆するように高輻射性材料からなる第１の薄膜を形成する工程と、
高熱伝導性の気体雰囲気中で前記第１の基板と前記第２の基板を接合する工程と、
を含み、
前記高輻射性材料は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とフッ素の化合物からなり、
前記高熱伝導性の気体は、原子量又は分子量が概ね４．０以下の気体であることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項８】
第１の基板と第２の基板とが対向して接合された発光パネルを備えた発光装置の製造方法において、
前記第１の基板の一面側に、複数の画素が配列された画素アレイを形成する工程と、
前記画素アレイを被覆するように高輻射性材料からなる第１の薄膜を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第１の基板に対向する面であって、前記画素アレイに対応する領域に高輻射性材料からなる第２の薄膜を形成する工程と、
高熱伝導性の気体雰囲気中で前記第１の基板と前記第２の基板を接合する工程と、
を含み、
前記高輻射性材料は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とフッ素の化合物からなり、
前記高熱伝導性の気体は、原子量又は分子量が概ね４．０以下の気体であることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項９】
第１の基板と第２の基板とが対向して接合された発光パネルを備えた発光装置の製造方法において、
前記第２の基板は、高輻射性材料からなる基板であり、
前記第１の基板の一面側に、複数の画素が配列された画素アレイを形成する工程と、
前記画素アレイを被覆するように高輻射性材料からなる第１の薄膜を形成する工程と、
高熱伝導性の気体雰囲気中で前記第１の基板と前記第２の基板を接合する工程と、
を含み、
前記高輻射性材料は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とフッ素の化合物からなり、
前記高熱伝導性の気体は、原子量又は分子量が概ね４．０以下の気体であることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記請求項１乃至６のいずれかに記載の発光装置が実装されてなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及びその製造方法、電子機器に関し、特に、発光素子を有する複数の画素が配列された発光パネルの放熱構造、及び、該放熱構造を備えた発光パネルの製造方法、並びに、該発光パネルを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）等の発光素子を二次元配列した表示パネル（発光素子型表示パネル）を適用したものが知られている。特に、アクティブマトリクス型の駆動方式を適用した発光素子型表示パネルは、広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性も小さく、また、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるという特長を有している。加えて、発光素子型表示パネルは、液晶表示装置のようにバックライトや導光板を必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという特長も有している。
【０００３】
このような表示パネルに適用される発光素子として、近年、量産性に優れる高分子有機ＥＬ素子の開発が進んでいる。高分子有機ＥＬ素子は、例えば、正孔注入層及び発光層からなる有機ＥＬ層に対し、正孔注入層側にＩＴＯ（Indium Thin Oxide）等の透明電極からなるアノード電極を形成し、発光層側にアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属からなる電子注入層と、その上面に光反射特性を有するアルミニウム等からなるカソード電極を形成した素子構造を有している。そして、このような有機ＥＬ素子の発光原理は、概略、有機ＥＬ層に発光しきい値を越えるようにアノード電極とカソード電極間に電圧を印加することにより、有機ＥＬ層内で注入されたホールと電子が再結合する際に生じるエネルギーに基づいて光（励起光）が放射される。
【０００４】
ところで、上述したような素子構造を有する有機ＥＬ素子においては、次のような問題を有している。すなわち、電子注入層を形成するアルカリ金属やアルカリ土類金属は、酸素や水分により膜質が劣化しやすく、また、有機ＥＬ層を形成する有機材料も水分により膜質が劣化しやすいという性質を有している。ここで、基板上に、上述したアノード電極、有機ＥＬ層、電子注入層及びカソード電極を順次形成した素子構造において、最上層に形成されるアルミニウムからなるカソード電極は、酸素や水分の侵入を遮断して電子注入層や有機ＥＬ層の膜質の劣化を防止するだけの十分な機能（保護特性）を備えていない。そのため、有機ＥＬ素子の素子寿命や発光特性の劣化を生じるという問題があった。
【０００５】
このような酸素や水分の侵入による素子寿命や発光特性の劣化を抑制するために、従来技術においては、例えば特許文献１等に記載されているように、基板の一面側に形成された有機ＥＬ素子を被覆して保護するように、封止基板（パッケージング板）を貼り合わせたパッケージ構造が採用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２００９０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記のような発光原理を有する有機ＥＬ素子は、電気−光エネルギーの変換効率が１００％でない限り、すなわち、非発光過程の結合や抵抗が存在する限り、熱を発生する。これは有機ＥＬ素子の温度上昇をもたらし、素子寿命や有機ＥＬ素子を発光駆動するための駆動素子（薄膜トランジスタ等；詳しくは後述する）の動作性能等に悪影響を及ぼす。
【０００８】
このような発熱の問題は、例えば半導体装置の分野においても同様に生じるものであり、これを解決する手法として、例えば発熱源となる半導体チップに熱接触するように放熱フィン等を設けて、外部に熱を放出する放熱構造が知られている。しかしながら、このような放熱構造を、上述した有機ＥＬ素子や表示パネル（発光パネル）に適用した場合、放熱構造が大掛かりになり装置規模の増大を招くという問題を有している。特に、近年においては、電子機器の小型軽量化や高機能化に伴って、実装の高密度化が強く求められており、放熱構造に関しても、より小型で放熱効率の高い（又は放熱特性に優れた）手法が求められている。
【０００９】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、小型で放熱効率の高い（又は放熱特性に優れた）構造を有し、発光素子の素子寿命や発光特性の劣化を抑制することができる発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、素子寿命や発光特性に優れ、発光輝度のばらつきが抑制された発光パネルを備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１記載の発明は、第１の基板と第２の基板とが対向して接合された発光パネルを備えた発光装置において、前記第１の基板の一面側に、複数の画素が配列された画素アレイと、該画素アレイを被覆するように設けられたアルカリ金属又はアルカリ土類金属とフッ素の化合物からなる第１の薄膜と、を有し、前記第１の基板と前記第２の基板との間の封止空間に、原子量又は分子量が概ね４．０以下の気体が封入されていることを特徴とする。
【００１１】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発光装置において、前記第２の基板は、前記第１の基板に対向する面の、前記画素アレイに対応する領域にアルカリ金属又はアルカリ土類金属とフッ素の化合物からなる第２の薄膜を有することを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１記載の発光装置において、前記第２の基板は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とフッ素の化合物からなる基板であることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光装置において、前記アルカリ金属又はアルカリ土類金属とフッ素の化合物は、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化マグネシウムのいずれか１種類以上からなることを特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項１記載の発光装置において、前記封止空間に封入される気体は、ヘリウムガスであることを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の発光装置において、前記画素は、有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする。
【００１２】
請求項７記載の発明は、第１の基板と第２の基板とが対向して接合された発光パネルを備えた発光装置の製造方法において、前記第１の基板の一面側に、複数の画素が配列された画素アレイを形成する工程と、前記画素アレイを被覆するように高輻射性材料からなる第１の薄膜を形成する工程と、高熱伝導性の気体雰囲気中で前記第１の基板と前記第２の基板を接合する工程と、を含み、前記高輻射性材料は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とフッ素の化合物からなり、前記高熱伝導性の気体は、原子量又は分子量が概ね４．０以下の気体であることを特徴とする。
【００１３】
請求項８記載の発明は、第１の基板と第２の基板とが対向して接合された発光パネルを備えた発光装置の製造方法において、前記第１の基板の一面側に、複数の画素が配列された画素アレイを形成する工程と、前記画素アレイを被覆するように高輻射性材料からなる第１の薄膜を形成する工程と、前記第２の基板の前記第１の基板に対向する面であって、前記画素アレイに対応する領域に高輻射性材料からなる第２の薄膜を形成する工程と、高熱伝導性の気体雰囲気中で前記第１の基板と前記第２の基板を接合する工程と、を含み、前記高輻射性材料は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とフッ素の化合物からなり、前記高熱伝導性の気体は、原子量又は分子量が概ね４．０以下の気体であることを特徴とする。
【００１４】
請求項９記載の発明は、第１の基板と第２の基板とが対向して接合された発光パネルを備えた発光装置の製造方法において、前記第２の基板は、高輻射性材料からなる基板であり、前記第１の基板の一面側に、複数の画素が配列された画素アレイを形成する工程と、前記画素アレイを被覆するように高輻射性材料からなる第１の薄膜を形成する工程と、高熱伝導性の気体雰囲気中で前記第１の基板と前記第２の基板を接合する工程と、を含み、前記高輻射性材料は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とフッ素の化合物からなり、前記高熱伝導性の気体は、原子量又は分子量が概ね４．０以下の気体であることを特徴とする。
請求項１０記載の発明に係る電子機器は、前記請求項１乃至６のいずれかに記載の発光装置が実装されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る発光装置及びその製造方法によれば、発光素子の素子寿命や発光特性の劣化を抑制することができる。また、本発明に係る電子機器によれば、発光輝度のばらつきが抑制された画像表示を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る発光装置を適用した表示装置の第１の実施形態を示す概略構成図である。
【図２】第１の実施形態に係る表示パネルのアレイ基板及び封止基板を示す概略平面図である。
【図３】第１の実施形態に係る表示パネルに適用される画素の一例を示す等価回路図である。
【図４】第１の実施形態に係る表示パネルに適用される画素の素子構造を示す要部断面図である。
【図５】第１の実施形態の比較対象となる表示パネルを示す概略構成図である。
【図６】気体の原子量又は分子量と熱伝導度との関係を示す図である。
【図７】温度８０℃の黒体輻射における波長と輻射密度との関係を示す図である。
【図８】アルミニウムの絶対反射率（波長と反射率の関係）を示す図である。
【図９】空気と屈折率ｎの絶縁体との界面における光反射率を示す図である。
【図１０】第１の実施形態に係る表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。
【図１１】第１の実施形態に係る表示パネルの製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１２】第１の実施形態に係る表示パネルの製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図１３】第１の実施形態に係る表示パネルの他の構成例を示す概略図である。
【図１４】本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの第２の実施形態を示す概略構成図である。
【図１５】第３の実施形態に係るデジタルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１６】第３の実施形態に係るモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１７】第３の実施形態に係る携帯電話の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係る発光装置及びその製造方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。ここでは、本発明に係る発光装置を表示装置に適用した場合について説明する。
＜第１の実施形態＞
（表示装置）
図１は、本発明に係る発光装置を適用した表示装置の第１の実施形態を示す概略構成図である。図１（ａ）は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル（発光パネル）の平面図である。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示した表示パネルのＩＡ−ＩＡ（本明細書においては図１中に示したローマ数字の「１」に対応する記号として便宜的に「Ｉ」を用いる）線における断面構造を示す図である。
【００１８】
図２は、本実施形態に係る表示パネルのアレイ基板及び封止基板を示す概略平面図である。図２（ａ）は、本実施形態に係るアレイ基板の平面図である。また、図２（ｂ）は、本実施形態に係る封止基板の平面図である。ここで、図２（ａ）は、図１（ｂ）に示した表示パネルをIIＢ−IIＢ（本明細書においては図１中に示したローマ数字の「２」に対応する記号として便宜的に「II」を用いる；以下同じ）線で矢視したアレイ基板の平面図である。また、図２（ｂ）は、図１（ｂ）に示した表示パネルをIIＣ−IIＣ線で矢視した封止基板の平面図である。なお、図２（ａ）、（ｂ）に示した平面図において、アレイ基板側の高輻射性薄膜、封止基板側の高輻射性薄膜及び薄膜吸湿剤を明瞭にするため、便宜的にハッチングを施して示した。
【００１９】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態に係る表示パネル（発光パネル）１００は、アレイ基板（第１の基板）１０と、封止基板（第２の基板）３０と、を備え、これらが対向して接合されたパネル構造を有している。アレイ基板１０は、図１（ａ）、図２（ａ）に示すように、例えばガラス基板やアクリル基板等の光透過性を有する基板１１の一面側（図２（ａ）の紙面手前側）に、大別して、画素アレイ２１と、外部接続用の複数の接続端子２３と、が配置されている。
【００２０】
画素アレイ２１には、図示を省略した複数の画素が二次元配列されている。詳しくは後述するが、画素は、例えば発光素子である有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子を発光駆動するための発光駆動回路と、を備えている。各画素は、配線２４を介して、アレイ基板１０の端部に配列された接続端子２３に接続されている。接続端子２３は、図示を省略したドライバ等に電気的に接続されている。また、アレイ基板１０には、図１（ｂ）、図２（ａ）に示すように、上記画素アレイ２１を被覆するように、高輻射性材料からなる薄膜（高輻射性薄膜；第１の薄膜）２２が設けられている。本実施形態においては、高輻射性薄膜２２の材料として、例えばアルカリ金属又はアルカリ土類金属とフッ素の化合物を良好に適用することができ、具体的には、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）等を適用することができる。なお、高輻射性薄膜の材料の選定については、詳しく後述する。
【００２１】
一方、封止基板３０は、図１（ｂ）、図２（ｂ）に示すように、基板３１の一面側（上記アレイ基板１０に対向する面側）に凹部３６が設けられている。ここで、凹部３６は、基板３１の略中央部をザグリ加工することにより形成される。これにより、基板３１の周縁部には枠状の突部（枠状突部）３１ａが形成され、この枠状突部３１ａの突出端の端面（突出端面）がアレイ基板１０（基板１１の一面側）に接合される。凹部３６の内部には、高輻射性薄膜（第２の薄膜）３２と、薄膜吸湿剤３３と、が設けられている。凹部３６は、封止基板３０（基板３１）をアレイ基板１０（基板１１）に接合して貼り合わせた状態で、封止空間３５を形成する。この封止空間３５内において、封止基板３０側の高輻射性薄膜３２及び薄膜吸湿剤３３と、上記アレイ基板１０側の画素アレイ２１及び高輻射性薄膜２２と、が対向した状態で封止される。
【００２２】
ここで、高輻射性薄膜３２は、封止基板３０をアレイ基板１０に貼り合わせた状態で、上記アレイ基板１０に設けられる画素アレイ２１に対応する領域に設けられる。高輻射性薄膜３２は、上述したアレイ基板１０側に設けられる高輻射性薄膜２２と同様に、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）等の、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とフッ素の化合物が適用される。
【００２３】
また、薄膜吸湿剤３３は、上記高輻射性薄膜３２上の任意の領域に設けられる。薄膜吸湿剤３３は、例えば市販の透明薄膜補水剤を薄膜状に塗布することにより形成される。なお、本実施形態においては、薄膜吸湿剤３３を高輻射性薄膜３２上に設けた構成を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、高輻射性薄膜３２と薄膜吸湿剤３３が重なることなく、別個の領域に設けられているものであってもよい。
【００２４】
このような構成を有するアレイ基板１０と封止基板３０は、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、封止基板３０（基板３１）の周縁部の枠状突部３１ａの突出端面が、シール材（封止材）３４を介して、アレイ基板１０（基板１１）に設けられた画素アレイ２１を取り囲む、外方の領域に接合されることにより、相互に貼り合わせられている。ここで、本実施形態においては、基板３１の凹部３６と基板１１との間に形成される封止空間３５に、高熱伝導性の気体（高熱伝導性気体）が封入される。本実施形態においては、高熱伝導性気体として、例えばヘリウム（Ｈｅ）ガスが適用される。なお、シール材３４は、例えば市販の封止樹脂に絶縁性の球状スペーサを混入したものを適用することができる。
【００２５】
（画素）
次に、本実施形態に係る表示パネル（発光パネル）に適用される画素について説明する。
図３は、本実施形態に係る表示パネルに適用される画素（発光駆動回路及び発光素子）の一例を示す等価回路図である。なお、図３に示す回路構成は、アクティブマトリクス型の駆動方式に対応した画素の一例を示すものに過ぎず、他の回路構成を有するものであってもよいことはいうまでもない。
【００２６】
図３に示すように、本実施形態に係る表示パネル（発光パネル）に適用される画素ＰＩＸは、発光素子である有機ＥＬ素子ＯＥＬと、該有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光駆動するための発光駆動回路ＤＣと、を備えている。
【００２７】
発光駆動回路ＤＣは、例えば、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２と、キャパシタＣｓと、を備えている。トランジスタ（選択トランジスタ）Ｔｒ１１は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ドレイン端子がデータラインＬｄに接続され、ソース端子が接点Ｎ１１に接続されている。トランジスタ（駆動トランジスタ）Ｔｒ１２は、ゲート端子が接点Ｎ１１に接続され、ドレイン端子が電源電圧ラインＬａに接続され、ソース端子が接点Ｎ１２に接続されている。キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート端子（接点Ｎ１１）及びソース端子（接点Ｎ１２）間に接続されている。また、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノードが上記発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソードが所定の低電位電源（基準電圧Ｖss；例えば接地電位Ｖgnd）に接続されている。
【００２８】
ここで、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、いずれもｎチャネル型の薄膜トランジスタが適用されている。また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート・ソース間に形成される寄生容量であり、該ゲート・ソース間に付加的に補助容量が設けられているものであってもよい。
【００２９】
なお、図３に示した画素ＰＩＸにおいて、選択ラインＬｓは、図示を省略した選択ドライバに接続され、所定のタイミングで画素ＰＩＸを選択状態に設定するための選択電圧Ｓselが印加される。また、データラインＬｄは、図示を省略したデータドライバに接続され、画素ＰＩＸの選択状態に同期するタイミングで画像データに応じた階調電圧Ｖpixが印加される。また、電源電圧ラインＬａは、所定の高電位電源に接続され、トランジスタＴｒ１２により有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノードに画像データに応じた発光駆動電流を流すために、有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソードに印加される基準電圧Ｖssより電位の高い電源電圧Ｖddが印加される。
【００３０】
図４は、図３に示した回路構成を有する画素の素子構造を示す要部断面図である。ここでは、図４に示した画素の回路構成のうち、図示の都合上、トランジスタＴｒ１２とキャパシタＣｓと有機ＥＬ素子ＯＥＬとデータラインＬｄについてのみ断面構造を示す。なお、図４に示す断面構造は、本実施形態に適用可能な画素ＰＩＸの一例を示すものに過ぎず、他の断面構造を有するものであってもよいことはいうまでもない。
【００３１】
図３に示した画素ＰＩＸは、例えば図４に示すように、ガラス基板等の透明な基板１１の一面側（図面上面側）に設定された画素形成領域Ｒpxごとに形成される。この画素形成領域Ｒpxには、少なくとも、有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域（ＥＬ素子形成領域）Ｒelと、隣接する画素ＰＩＸとの境界領域Ｒbdと、が設定されている。ここで、境界領域Ｒbdには、隣接する画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelとの間に、図４に示すように、層間絶縁膜１５及び隔壁層（バンク）１６が設けられている。そして、隔壁層１６の側壁により囲まれた領域が、ＥＬ素子形成領域Ｒelとして画定されている。
【００３２】
トランジスタＴｒ１２（図示を省略したトランジスタＴｒ１１も同じ）は、図４に示すように、基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ１２ｇと、ゲート絶縁膜１３を介してゲート電極Ｔｒ１２ｇに対応する領域に形成された半導体層ＳＭＣと、該半導体層ＳＭＣの両端部に延在するように形成されたソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄと、を有している。また、ソース電極Ｔｒ１２ｓとドレイン電極Ｔｒ１２ｄが対向する半導体層ＳＭＣ上には、チャネル保護層ＢＬが形成されている。また、ソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄと半導体層ＳＭＣとの間には、不純物層ＯＨＭがそれぞれ形成されている。このようなトランジスタＴｒ１２（トランジスタＴｒ１１を含む）は、図４に示すように、基板１１上の境界領域Ｒbdに形成され、層間絶縁膜１５及び隔壁層１６により被覆されている。また、トランジスタＴｒ１２に隣接して、基板１１上に配設されるデータラインＬｄ（図示を省略した選択ラインＬｓ、及び、電源電圧ラインＬａも同じ）も同様に、境界領域Ｒbdに形成され、層間絶縁膜１５及び隔壁層１６により被覆されている。
【００３３】
キャパシタＣｓは、基板１１上に形成された透明電極からなる下部電極１２（Ｅca）と、誘電体層として兼用されるゲート絶縁膜１３を介して下部電極１２（Ｅca）に対応する領域に形成された透明電極からなる上部電極Ｅcbと、を有している。ここで、キャパシタＣｓの下部電極１２（Ｅca）は、図４に示すように、トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇに電気的に接続されている。この接続部は、図３に示した画素ＰＩＸの回路構成においる接点Ｎ１１に相当する。また、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbは、図４に示すように、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓに電気的に接続されている。この接続部は、図３に示した画素ＰＩＸの回路構成においる接点Ｎ１２に相当する。また、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbは、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード電極（画素電極）１４を兼用している。
【００３４】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、図４に示すように、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbとして兼用されるアノード電極（画素電極）１４と、正孔注入層１７ａ及び発光層１７ｂからなる有機ＥＬ層１７と、電子注入層１８と、カソード電極（対向電極）１９と、を順次積層した素子構造を有している。有機ＥＬ層１７は、基板１１上に形成された隔壁層１６の側壁により画定されたＥＬ素子形成領域Ｒelに露出するアノード電極１４上に形成される。電子注入層１８及びカソード電極１９は、有機ＥＬ層１７を介して、各画素ＰＩＸのアノード電極１４に共通して対向するように設けられる。すなわち、電子注入層１８及びカソード電極１９は、有機ＥＬ層１７が形成されるＥＬ素子形成領域Ｒel、及び、該ＥＬ素子形成領域Ｒelを画定する隔壁層１６を含む基板１１の全域に設けられている。
【００３５】
ここで、電子注入層１８は、例えばアルカリ金属、あるいは、アルカリ土類金属からなる仕事関数の低い薄膜電極により形成される。また、カソード電極１９は、アルミニウム（Ａｌ）等の金属単体、又は、その合金からなる仕事関数が高く、高い反射率を有する薄膜電極により形成される。
【００３６】
このような素子構造を有する画素ＰＩＸにおいては、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード電極（画素電極）１４が光透過特性を有し、カソード電極１９が金属的反射率を有することにより、有機ＥＬ層１７において発光した光は、光を透過する性質を有するアノード電極１４を介して直接、あるいは、金属的反射率を有するカソード電極１９で反射したのち、基板１１を透過し、視野側である基板１１の他面側（図４の図面下方）に出射される。すなわち、図４に示した素子構造を有する有機ＥＬ素子ＯＥＬは、ボトムエミッション型の発光構造を有している。
【００３７】
そして、本実施形態においては、このような素子構造を有する複数の画素ＰＩＸが基板１１上に二次元配列されて画素アレイ２１を形成している。画素アレイ２１は、図１（ｂ）、図２（ａ）にも示したように、基板１１上に設けられた高輻射性薄膜２２により被覆されている。
【００３８】
（作用効果の検証）
次に、上述したパネル構造を有する表示パネル（発光パネル）１００において、本実施形態の特徴である高輻射性薄膜として適用可能な膜材料について詳しく説明する。ここでは、まず、比較対象となる従来技術の構成とその問題点を説明し、その後、本実施形態に適用される高輻射性薄膜の膜材料、及び、表示パネルの放熱特性（放熱効率）について具体的に検証する。
【００３９】
図５は、表示パネルの比較例を示す概略構成図である。図５（ａ）は、比較例に係る表示パネルの平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示した表示パネルのＶＤ−ＶＤ線（本明細書においては図５中に示したローマ数字の「５」に対応する記号として便宜的に「Ｖ」を用いる）における断面構造を示す図である。ここで、上述した実施形態に対応する構成については、同等の符号を付してその説明を簡略化する。
【００４０】
比較例に係る発光パネルは、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、アレイ基板１０ｐと、封止基板３０ｐとを備え、これらが対向して接合されている。アレイ基板１０ｐは、基板１１ｐの一面側に、有機ＥＬ素子等の発光素子を有する複数の画素（図示を省略）が二次元配列された画素アレイ２１ｐが設けられている。一方、封止基板３０ｐは、基板３１ｐの一面側（上記アレイ基板１０ｐに対向する面側）には、凹部３６ｐが設けられており、その内部には薄膜吸湿剤３３ｐが設けられている。
【００４１】
そして、アレイ基板１０ｐと封止基板３０ｐは、図５（ｂ）に示すように、基板３１ｐの周縁部の枠状突部３１ｂの突出端面が、シール材３４ｐを介して、基板１１ｐに設けられた画素アレイ２１ｐを取り囲む外方の領域に接合されることにより貼り合わせられている。ここで、基板３１ｐの凹部３６ｐと基板１１ｐとの間で形成される封止空間３５ｐには、窒素ガス（Ｎ２）等の不活性ガスが封入されている。
【００４２】
ここで、比較例に係るパネル構造を有する表示パネルにおいて、アレイ基板１０ｐと封止基板３０ｐとを接合することにより形成される封止空間３５ｐに封入される不活性ガスについて検証する。図６は、気体の原子量又は分子量と熱伝導度との関係を示す図である。
【００４３】
一般に、上述した不活性ガスをはじめ、種々の物質は、気体状態において、ある範囲の圧力（通常、数気圧〜数十Torr）下で熱伝導度は一定であることが知られている。物質の熱伝導度は、温度が一定の場合、分子量（又は原子量）や分子の散乱断面積に依存し、結果として図６に示すように、分子量や原子量の小さい気体ほど、熱伝導度は飛躍的に大きくなる。したがって、不活性ガスとして一般的に利用されている窒素ガス等よりも分子量や原子量が小さい気体を封入することにより、表示パネルの発熱源（アレイ基板１０の画素アレイ２１）から封止基板３０方向への熱流をより増大させて、放熱特性を向上させることができる。
【００４４】
そこで、図６に示した原子量（又は分子量）と熱伝導度との関係に基づいて、発明者らがより詳細に検証したところ、原子量（又は分子量）が概ね４．０以下の気体を封入することにより、顕著な放熱特性が得られることが判明した。この条件を満たす気体としては、原子量が４．００３のヘリウム（Ｈｅ）ガスを適用することができる。なお、図６においては、気体の温度を０℃、圧力を１気圧（７６０Torr）とした場合の、気体の原子量又は分子量と熱伝導度との関係を示した。図中には、発明者らによる計算値と、各種文献等に記載された実測値とを併記した。
【００４５】
次に、上述した第１の実施形態に示したようなパネル構造を有する表示パネルにおいて、図１、図２に示したように、アレイ基板１０（画素アレイ２１）表面や封止基板３０の凹部３６内に設けられる高輻射性薄膜２２、３２に適用される高輻射材料について検証する。図７は、温度８０℃の黒体輻射における波長と輻射密度との関係を示す図である。図８は、アルミニウムの絶対反射率（波長と反射率の関係）を示す図である。図９は、空気と屈折率ｎの絶縁体との界面における光反射率を示す図である。
【００４６】
上述したような素子構造（図３、図４参照）を有する表示パネル（発光パネル）１００においては、各画素ＰＩＸに設けられるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２等の内部抵抗や有機ＥＬ素子ＯＥＬの非発光過程に起因して、パッケージ（すなわち、アレイ基板１０と封止基板３０とを接合した封止構造）内部で熱が発生する。そのときの温度は、８０℃程度に達する場合もある。そこで、一例として温度８０℃での黒体輻射について検討すると、図７に示すように、黒体輻射においては、概ね１３μｍの波長周辺に輻射密度のピークがあり、その前後の７〜３０μｍの波長範囲に裾（拡がり）を有していることがわかる。したがって、この波長範囲において反射率の低い（すなわち、輻射率が高い）材料の層を設けることにより、輻射伝導により表示パネルの発熱源（アレイ基板１０の画素アレイ２１）から封止基板３０方向への熱流を増大させて、放熱特性を向上させることができる。
【００４７】
そこで、７〜３０μｍの波長範囲（波長領域）において、低反射率となる材料の条件について検討する。まず、自由電子気体モデルにおける金属及び半金属の長波長領域での反射率は、次のHagen-Rubensの式（（１１）式）で表される。
【００４８】
【数１】
2011034747.tif 000003
【００４９】
上記（１１）式において、Ｒは反射率であり、εは誘電率、ωは周波数、σは光学伝導度である。ここで、光学伝導度σも周波数依存性を持ち、自由電子気体モデルにおいては、振動数の低下に伴い大きくなる。したがって、入射光の振動数が低下（すなわち、長波長化）すると、全ての金属、半金属の反射率はより高くなる。周波数ω＝０の極限では、反射率Ｒは１となる。このような例として、カソード電極に使用されることの多いアルミニウム（Ａｌ）における、入射光の波長と絶対反射率との関係を図８に示す。なお、図８に示す波長と反射率の関係においては、０．３〜３０μｍの波長範囲でアルミニウムの反射率を測定した。また、図８に示した測定結果については、測定機器の測定可能波長の関係で、０．３〜２．５μｍの波長範囲においてはＵＶ分光光度計を用いて測定された結果を示し、また、２．０〜３０μｍの波長範囲においてはＩＲ分光光度計を用いて測定された結果を示した。すなわち、２．０〜２．５μｍの波長範囲においては、ＵＶ分光光度計とＩＲ分光光度計の両方で測定された結果が示されている。
【００５０】
図８に示すように、入射光の波長が可視光領域（図面左方の波長域）では反射率は８５〜９０％であるのに対して、波長が７〜３０μｍの領域では反射率は９８〜９９％を示す。したがって、表示パネル（パッケージ）内の有機ＥＬ素子ＯＥＬが図４に示したように、ボトムエミッション型の発光構造を有する場合、カソード電極にアルミニウム（Ａｌ）を使用すると、その表面からの輻射による熱流はほとんど期待できないことになる。アルミニウム以外の材料として、例えば可視光領域で黒色の炭素材料も、上記（１１）式に基づくと長波長領域での反射率は大きくなり、輻射を促進するための材料としての輻射材料としては不適切であることが判明した。
【００５１】
ここで、７〜３０μｍの波長領域において、表示パネルの発熱源（アレイ基板１０の画素アレイ２１）からの輻射を促進する材料（輻射材料）としては、絶縁体材料である方がキャリヤーがないため適切であると考えられる。以下、発明者らによる検討結果について説明する。具体的には、図９に示すように、絶縁体の屈折率ｎと光反射率との関係において、光反射率が５％以下になる絶縁体材料を、上記の輻射を促進する材料（輻射材料）として定義し、本発明における高輻射性薄膜２２、３２に適用可能であると判定した。
【００５２】
ここで、輻射材料に求められる特性（条件）について、以下のように検討し、高輻射性薄膜に適用可能な材料を選定した。
（条件１）絶縁体の屈折率ｎが１．４以下であることが望ましい。
この条件を満たす実在する物質としては、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化カリウム（ＫＦ）、フッ化ルビジウム（ＲｂＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）等がある。
【００５３】
（条件２）光の波長が７〜３０μｍの領域では、不透明である。
透明の膜の場合、下地となる膜や基板の輻射率が高いと透明膜表面の輻射率も高くなる。そこで、７〜３０μｍの波長領域で不透明であり、かつ、上記条件１である屈折率ｎが１．４以下である実在する物質としては、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化カリウム（ＫＦ）、フッ化ルビジウム（ＲｂＦ）が該当する。なお、上記条件１を満たす物質のうち、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）は、７μｍの波長では、光を透過するものの、それ以上の波長においては透過率が急速に低くなり、不透明となる性質を有しているので、表示パネルのパネル構造や駆動方法、発熱量等によっては、輻射材料として適用することができる。
【００５４】
（条件３）縦光学モ−ドと横光学モードの波長が、７〜３０μｍの波長範囲に存在しない。
縦光学モ−ドと横光学モード間の波長範囲では、反射率は非常に高くなる。したがって、この波長間に縦光学モードと横光学モードが存在しないことが望ましい。表１に、低誘電率材料について、判明している縦光学モ−ドと横光学モードの波長を示す。表１に示した低誘電率材料の中でこの条件を満たし、かつ、上記条件１、２を満たす物質としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）が該当する。表１に示すように、縦光学モ−ドと横光学モードの波長が７μｍ以下の短波長側にある物質は、アルカリ金属とフッ素（Ｆ）の化合物であり、その分子量は小さいものであることが分かる。また、表１には示されていないが、アルカリ土類化合物とフッ素の化合物であるフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）についても縦光学モ−ドと横光学モードの波長が、上述した７〜３０μｍの波長範囲にはないと推定される。
【００５５】
【表１】
2011034747.tif 000004
【００５６】
以上のような検討内容に基づいて、本実施形態に係る表示パネル１００においては、そのパッケージ（アレイ基板１０と封止基板３０を貼り合わせたパネル構造）に封止された画素アレイ２１上、及び、当該画素アレイ２１に対向する封止基板３０側に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）のいずれか１種類以上からなる高輻射性薄膜２２、３２を形成し、さらに、封止空間３５にヘリウム（Ｈｅ）ガスを封入した構成を適用している。
【００５７】
（表示パネルの製造方法）
次に、上述したパネル構造を有する表示パネル（発光パネル）の製造方法について図面を参照して説明する。
図１０は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。図１１、図１２は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法を示す工程断面図である。ここで、図１１は、本実施形態に係る表示パネルに配列される画素（図３、図４参照）の製造方法を示し、図１２は、本実施形態に係る表示パネルに適用される画素アレイと封止基板の接合方法を示す。
【００５８】
上述した表示パネルの製造方法は、図１０に示すように、概略、アレイ基板１０を形成する工程（アレイ基板形成工程）と、封止基板３０を形成する工程（封止基板形成工程）と、アレイ基板１０及び封止基板３０を接合する工程（基板接合工程）と、を有している。
【００５９】
アレイ基板１０の形成工程は、具体的には、基板１１上に発光駆動回路ＤＣを形成する工程（駆動回路形成工程）と、発光駆動回路ＤＣ上に有機ＥＬ素子ＯＥＬを形成する工程（発光素子形成工程）と、発光駆動回路ＤＣ及び有機ＥＬ素子ＯＥＬからなる複数の画素ＰＩＸが配列された画素アレイ２１を被覆するように高輻射性薄膜２２を形成する工程（高輻射性薄膜形成工程）と、を有している。
【００６０】
また、封止基板３０の形成工程は、基板３１をザグリ加工して凹部３６を形成する工程（封止基板加工工程）と、凹部３６内の上記画素アレイ２１に対応する領域に高輻射性薄膜３２を形成する工程（高輻射性薄膜形成工程）と、高輻射性薄膜３２上の任意の領域に薄膜吸湿剤３３を形成する工程（吸湿剤形成工程）と、を有している。
【００６１】
そして、アレイ基板１０と封止基板３０の接合工程は、封止基板３０（基板３１）の周縁部の枠状突部３１ａの突出端面にシール材３４を塗布する工程（シール材塗布工程）と、アレイ基板１０(基板１１)と封止基板３０(基板３１)とを接合し、両者を貼り合わせる工程（基板貼り合わせ工程）とを有している。
【００６２】
以下、各製造工程について具体的に説明する。
（アレイ基板形成工程）
まず、アレイ基板１０に配列される画素の製造方法について説明する。
【００６３】
アレイ基板形成工程は、まず、図１０、図１１（ａ）に示すように、例えばガラスや石英、透明な樹脂等からなる基板１１の一面側（図１１（ａ）の図面上面側）に、ＩＴＯ等の透明な電極材料からなるキャパシタＣｓの下部電極１２（Ｅca）を形成する。次いで、基板１１上に形成したゲートメタル層をパターニングすることにより、上記下部電極１２（Ｅca）に電気的に接続されたゲート電極Ｔｒ１２ｇと、データラインＬｄが同時に形成される。
【００６４】
次いで、図１１（ｂ）に示すように、基板１１の全域にゲート絶縁膜１３を形成した後、上記ゲート電極Ｔｒ１２ｇに対応するゲート絶縁膜１３上に、半導体層ＳＭＣ、チャネル保護層ＢＬ、不純物層ＯＨＭを形成する。次いで、ＥＬ素子形成領域Ｒelのゲート絶縁膜１３上に、ＩＴＯ等の透明な電極材料からなるアノード電極１４（上部電極Ｅcb）を形成する。これにより、アノード電極１４（上部電極Ｅcb）と下部電極１２（Ｅca）が、誘電体層として兼用されるゲート絶縁膜１３を介して対向した素子構造を有するキャパシタＣｓが形成される。
【００６５】
次いで、半導体層ＳＭＣの両端部に、不純物層ＯＨＭを介して延在するように、ソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄを形成する。このとき、図１１（ｂ）に示すように、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓは、その一端がアノード電極１４上に延在するように形成されて、ソース電極Ｔｒ１２ｓとアノード電極１４（上部電極Ｅcb）が電気的に接続される。
【００６６】
次いで、図１１（ｃ）に示すように、基板１１上の境界領域Ｒbdに形成されたトランジスタＴｒ１２（図示を省略したトランジスタＴｒ１１や選択ラインＬｓ、電源電圧ラインＬａを含む）を被覆するように、層間絶縁膜１５及び隔壁層１６を形成する。ここで、隔壁層１６は、例えば感光性の樹脂材料からなり、基板１１上の境界領域Ｒbdに連続的に突出するように形成される。また、隔壁層１６は、少なくとも各画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelのアノード電極１４を露出させる開口部を有している。
【００６７】
次いで、図１１（ｄ）に示すように、基板１１上のＥＬ素子形成領域Ｒelに露出するアノード電極１４上に、例えばノズルプリンティング（又はノズルコート）法やインクジェット法等を用いて、正孔注入層１７ａ及び発光層１７ｂを順次形成して、有機ＥＬ層１７を形成する。
【００６８】
その後、図１１（ｄ）に示すように、少なくとも有機ＥＬ層１７が形成された基板１１上に電子注入層１８を形成する。次いで、アルミニウム（Ａｌ）等からなる、金属的反射率を有するカソード電極１９を、上記隔壁層１６及び有機ＥＬ層１７が形成された基板１１上に形成することにより、図４に示したボトムエミッション型の発光構造を有する有機ＥＬ素子ＯＥＬを備えた画素ＰＩＸが完成する。すなわち、基板１１の一面側に複数の画素ＰＩＸが二次元配列された画素アレイ２１が完成する。
【００６９】
そして、本実施形態においては、画素アレイ２１の全域を被覆するように、図１、図２、図４に示したように、基板１１の一面側に高輻射性薄膜２２が形成される。ここで、高輻射性薄膜２２は、上述したように、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）のいずれか１種類以上からなり、例えばスパッタリング法を用いて３００ｎｍ程度の膜厚に形成される。なお、上記の成膜工程において、基板１１上の画素アレイ２１に対応する領域に開口部を有するマスクを用いてスパッタリングを行い、図１、図２に示したように、画素アレイ２１のみを被覆するように高輻射性薄膜２２を成膜するものであってもよいし、あるいは、基板１１上の全面に成膜した後、画素アレイ２１のみを被覆するようにパターニングして高輻射性薄膜２２を成膜するものであってもよい。
【００７０】
（封止基板形成工程）
封止基板形成工程は、まず、図１０、図１２（ａ）に示すように、例えば無アルカリガラス等からなる基板３１の一面側（図１２（ａ）の上面側）をザグリ加工して凹部３６を形成するとともに、基板３１の周縁部に枠状突部３１ａを形成する。次いで、凹部３６の底面であって、上記基板１１上に形成される画素アレイ２１に対応する領域に高輻射性薄膜３２を形成する。ここで、高輻射性薄膜３２は、上述した高輻射性薄膜２２と同様に、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）のいずれか１種類以上からなり、例えばスパッタリング法を用いて３００ｎｍ程度の膜厚に形成される。次いで、図１２（ｂ）に示すように、凹部３６の底面の所定の領域に、吸湿シートを貼り合わせ、高輻射性薄膜３２を形成する。
【００７１】
（基板接合工程）
基板接合工程は、まず、図１０、図１２（ｃ）に示すように、上述した封止基板３０側の基板３１の枠状突部３１ａの突出端面に、ディスペンサーでシール材３４を塗布する。ここでは、例えば紫外線硬化型エポキシ樹脂からなる封止樹脂に、プラスチックビーズからなる球状スペーサを混入したものをシール材３４として塗布する。
【００７２】
次いで、図１２（ｄ）に示すように、例えばヘリウム（Ｈｅ）ガス雰囲気中で、上述したアレイ基板１０と封止基板３０を対向させて貼り合わせる。ここで、基板３１の周縁部の枠状突部３１ａの突出端面は、シール材３４を介して、基板１１に設けられた画素アレイ２１を取り囲む外方の領域に接合される。そして、基板１１と基板３１との接合を保持するように所定の圧力で加圧した状態で、シール材３０に紫外線を照射して封止樹脂を硬化させる。これにより、図１（ａ）、（ｂ）に示したように、各々対向する表面に高輻射性薄膜２２、３２が設けられたアレイ基板１０と封止基板３０がシール材３４を介して接合され、かつ、封止空間３５に高熱伝導性のヘリウム（Ｈｅ）ガスが封入された表示パネル（発光パネル）１００が完成する。
【００７３】
以上説明したように、本実施形態においては、アレイ基板１０の画素アレイ２１を被覆するように高輻射性薄膜２２が設けられるとともに、該アレイ基板１０に接合された封止基板３０に、画素アレイ２１に対向するように高輻射性薄膜３２が設けられている。さらに、本実施形態においては、アレイ基板１０と封止基板３０を接合することにより形成される封止空間３５に高熱伝導性の気体が封入されている。
【００７４】
これにより、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）においては、画素アレイから封止空間への輻射、及び、封止基板への熱伝導を促進し、表示パネル（パッケージ）内部の発熱源から外部への熱流をより増大させることができる。すなわち、本実施形態によれば、表示パネルを構成するアレイ基板と封止基板との表面に、上述したような条件により選定した高輻射性薄膜を設けるとともに、両基板間に高熱伝導性の気体を封入することにより、簡易かつ小型のパネル構造で優れた放熱特性を実現することができる。したがって、本実施形態は、画素アレイにおける発熱に起因する、各画素の発光素子や発光駆動回路の素子寿命や発光特性、動作特性の劣化を抑制することができるので、発光輝度のばらつきが抑制され、良好かつ均質な表示画質を有する表示パネル（発光パネル）を実現することができる。
【００７５】
（他の構成例）
次に、本実施形態に係る表示装置の他の構成例について説明する。
図１３は、本実施形態に係る表示パネルの他の構成例を示す概略図である。図１３（ａ）は、他の構成例に係る表示パネルの平面図である。また、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）に示した表示パネルのXIIIＥ−XIIIＥ（本明細書においては図１３中に示したローマ数字の「１３」に対応する記号として便宜的に「XIII」を用いる）線における断面構造を示す図である。本実施形態において、上述した第１の実施形態と同等の構成については、同一の符号を付してその説明を簡略化又は省略する。
【００７６】
上述した第１の実施形態（図１、図２参照）においては、アレイ基板１０側及び封止基板３０側の双方に高輻射性薄膜２２、３２を設け、これらの基板間の封止空間３５に高熱伝導性の気体を封入した構成について説明した。これにより、第１の実施形態においては、アレイ基板１０の画素アレイ２１で発生した熱が、当該画素アレイ２１を被覆する高輻射性薄膜２２、封止空間３５に封入された高熱伝導性の気体、さらに、封止基板３０側に設けられた高輻射性薄膜３２を介して、表示パネル１００のパッケージの外部に放出されることを説明した。
【００７７】
この一連の熱の伝達経路（放熱経路）について、発明者らがより詳細に検証したところ、表示パネル１００の仕様（例えば素子構造や回路構成、駆動方法、パネルのサイズや解像度等）によっては、高輻射性薄膜をアレイ基板１０側のみに設けたパネル構造であっても、画素アレイ２１で発生した熱が良好に封止基板３０側に伝達され、パッケージの外部に放出されることが判明した。
【００７８】
そこで、本実施形態の他の構成例に係る表示パネル１００は、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、上述した第１の実施形態に示したパネル構造において、アレイ基板１０側にのみ高輻射性薄膜２２が設けられた構成を有している。すなわち、封止基板３０側には高輻射性薄膜が設けられていない。また、封止空間３５には、上述した第１の実施形態と同様に、ヘリウム（Ｈｅ）ガス等の高熱伝導性の気体が封入されている。
【００７９】
このような表示パネル１００によれば、より簡易な構成で良好な放熱特性を実現することができる。また、本構成例によれば、封止基板３０側に高輻射性薄膜を設ける必要がないので、相対的に封止基板３０の板厚を薄くすることができ、表示パネル１００を一層薄型化することができる。加えて、封止基板３０に高輻射性薄膜を成膜するための製造プロセスを省くことができるので、製造方法の簡素化及び製造コストの削減を図ることができる。
【００８０】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置の第２の実施形態について説明する。
図１４は、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの第２の実施形態を示す概略構成図である。図１４（ａ）は、本実施形態に係る表示パネルの平面図である。また、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示した表示パネルのXIVＦ−XIVＦ（本明細書においては図１４中に示したローマ数字の「１４」に対応する記号として便宜的に「XIV」を用いる）線における断面構造を示す図である。本実施形態において、上述した第１の実施形態と同等の構成については、同一の符号を付してその説明を簡略化又は省略する。
【００８１】
上述した第１の実施形態（図１、図２参照）においては、アレイ基板１０側及び封止基板３０側の双方に高輻射性薄膜２２、３２を設け、その間の封止空間３５に高熱伝導性の気体を封入した構成について説明した。第２実施形態に係る表示パネルは、封止基板として高輻射性材料からなる基板を適用し、当該封止基板側には高輻射性薄膜を設けないパネル構造を有している。
【００８２】
具体的には、図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態に係る表示パネル１００Ａは、上述した第１の実施形態に示したパネル構造において、封止基板３０Ａの基板３７として高輻射性材料が適用されている。これにより、封止基板３０Ａ側には上述した高輻射性薄膜が設けられていない。また、封止空間３５には、上述した第１の実施形態と同様に、ヘリウム（Ｈｅ）ガス等の高熱伝導性の気体が封入されている。
【００８３】
すなわち、上述した第１の実施形態における作用効果の検証において、高輻射性薄膜の材料としての選定されたフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）は、例えば真空紫外線から赤外線の真空窓材料として一般的に使用されている。そのため、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）からなる基板は、比較的容易に入手可能である。そこで、図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態に係る表示パネル１００Ａの封止基板３０Ａとして、例えばフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）からなる基板３７を適用する。これにより、基板３７は、上述した第１の実施形態に示した基板３１の封止機能と高輻射性薄膜３２の輻射機能の双方を併せ持つことになるので、封止基板３０Ａ側に高輻射性薄膜を設ける必要がなくなる。
【００８４】
したがって、このような表示パネル１００Ａによれば、より簡易な構成で上述した第１の実施形態と同等の放熱特性を実現することができる。また、本実施形態によれば、封止基板３０Ａ側に高輻射性薄膜を設ける必要がないので、相対的に封止基板３０Ａの板厚を薄くすることができ、表示パネル１００Ａを一層薄型化することができる。加えて、封止基板３０Ａに高輻射性薄膜を成膜するための製造プロセスを省くことができるので、製造方法の簡素化及び製造コストの削減を図ることができる。
【００８５】
＜第３の実施形態＞
次に、上述した第１及び第２の実施形態に係る表示装置（表示パネル）を搭載した電子機器について、第３の実施形態として図面を参照して説明する。
上述した有機ＥＬ素子ＯＥＬからなる発光素子を有する複数の画素ＰＩＸを二次元配列した表示パネル（発光パネル）１００は、例えばデジタルカメラやモバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話等、種々の電子機器の表示デバイスとして適用することができる。
【００８６】
図１５は、本実施形態に係るデジタルカメラの構成を示す斜視図であり、図１６は、本実施形態に係るモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図であり、図１７は、本実施形態に係る携帯電話の構成を示す図である。
【００８７】
図１５において、デジタルカメラ２００は、概略、本体部２０１と、レンズ部２０２と、操作部２０３と、上述した各実施形態に示した表示パネル１００を備える表示部２０４と、シャッターボタン２０５とを備えている。これによれば、表示部２０４において、表示パネル（発光パネル）１００の各画素の発光素子が素子寿命や発光特性に優れ、画像データに応じた適切な輝度階調で発光動作するので、良好かつ均質な画質を実現することができる。
【００８８】
また、図１６において、パーソナルコンピュータ２１０は、概略、本体部２１１と、キーボード２１２と、上述した各実施形態に示した表示パネル１００を備える表示部２１３とを備えている。この場合においても、表示部２１３において、表示パネル１００の各画素の発光素子が素子寿命や発光特性に優れ、画像データに応じた適切な輝度階調で発光動作するので、良好かつ均質な画質を実現することができる。
【００８９】
また、図１７において、携帯電話２２０は、概略、操作部２２１と、受話口２２２と、送話口２２３と、上述した各実施形態に示した発光パネル１００を備える表示部２２４とを備えている。この場合においても、表示部２２４において、表示パネル１００の各画素の発光素子が素子寿命や発光特性に優れ、画像データに応じた適切な輝度階調で発光動作するので、良好かつ均質な画質を実現することができる。
【００９０】
なお、上述した各実施形態においては、凹部を有する封止基板をアレイ基板に接合することにより、封止空間を形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、本発明は、例えば、各々平板からなるアレイ基板と封止基板を所定の高さのスペーサを介して接合させることにより封止空間を形成するものであってもよい。この場合においては、スペーサとして、上述した枠状突部３１ａに対応する形状を有する部材を適用するものであってもよいし、シール材に混入させる球状スペーサの径を適宜設定するものであってもよい。
【００９１】
また、上述した各実施形態においては、本発明に係る発光装置（発光パネル）として、有機ＥＬ素子を発光素子として有する複数の画素ＰＩＸが二次元配列された表示パネルを備える場合について説明したが、本発明はこれに限るものではない。すなわち、本発明は、例えば有機ＥＬ素子を発光素子として有する複数の画素が一方向に配列された発光素子アレイを備え、感光体ドラムに画像データに応じて発光素子アレイから出射した光を照射して露光する露光装置に適用するものであってもよい。この場合においても、発光素子アレイの各画素の発光素子が素子寿命や発光特性に優れ、画像データに応じた適切な輝度で発光動作するので、良好な露光状態を実現することができる。
【符号の説明】
【００９２】
１０      アレイ基板
１１      基板
２１      画素アレイ
２２      高輻射性薄膜
３０      封止基板
３１      基板
３１ａ    枠状突部
３２      高輻射性薄膜
３４      シール材
３５      封止空間
３６      凹部
１００    表示パネル
ＰＩＸ    画素
ＯＥＬ    有機ＥＬ素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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