(57)【要約】【課題】装置全体のスループットを維持しつつ、マスクに設けられたペリクルが破損することを抑制することができるマスク搬送装置、露光装置、マスク搬送方法、及びデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】圧力が調整可能なロードロック室２１内に、所定のパターンが形成されたパターン面を有するレチクルを搬送するレチクル搬送装置１２であって、ロードロック室２１内を減圧する真空ポンプ２４と、パターン面を保護するペリクルがレチクルに設けられているか否かを判別し、レチクルにペリクルが設けられていないと判別される場合には、ロードロック室２１内を第１の速度で減圧し、レチクルにペリクルが設けられていると判別される場合には、ロードロック室２１内を第１の速度よりも遅い第２の速度で減圧するように真空ポンプ２４を制御する制御部４１と、を備える。【選択図】図１
2011003723.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力が調整可能なチャンバ内に、所定のパターンが形成されたパターン面を有するマスクを搬送するマスク搬送装置であって、
前記チャンバ内を減圧する減圧ポンプと、
前記パターン面を保護する保護部材が前記マスクに設けられているか否かを判別する判別部と、
該判別部によって前記マスクに前記保護部材が設けられていないと判別される場合には、前記チャンバ内を第１の速度で減圧し、前記判別部によって前記マスクに前記保護部材が設けられていると判別される場合には、前記チャンバ内を前記第１の速度よりも遅い第２の速度で減圧するように前記減圧ポンプを制御する制御部と、
を備えることを特徴とするマスク搬送装置。
【請求項２】
請求項１に記載のマスク搬送装置であって、
前記マスクは、前記保護部材が設けられているか否かを示すマークを有し、
前記判別部は、前記マークを光学的に検出することを特徴とするマスク搬送装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のマスク搬送装置であって、
前記判別部は、前記保護部材を支持する支持部材が前記マスクに設けられているか否かに基づき、前記マスクに前記保護部材が設けられているか否かを判別することを特徴とするマスク搬送装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のうち何れか一項に記載のマスク搬送装置であって、
前記マスクは、マスクケース内に収容され、
前記判別部は、前記マスクケースを介して前記マスクに前記保護部材が設けられているか否かを判別することを特徴とするマスク搬送装置。
【請求項５】
圧力調整可能な予備チャンバと、
前記予備チャンバに連結され、内部が真空雰囲気に維持される真空チャンバと、
前記予備チャンバ内に前記マスクを搬送する請求項１〜請求項４のうち何れか一項に記載のマスク搬送装置と、
前記予備チャンバを介して前記真空チャンバ内に配置された前記マスクを照明可能な照明光学系と、
前記マスクに形成された前記所定のパターンの像を基板上に投影可能な投影光学系と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項６】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項５に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項７】
圧力が調整可能なチャンバ内に、所定のパターンが形成されたパターン面を有するマスクを搬送するマスク搬送方法であって、
前記パターン面を保護する保護部材が前記マスクに設けられているか否かを判別する判別段階と、
該判別段階にて前記マスクに前記保護部材が設けられていないと判別される場合には、前記チャンバ内を第１の速度で減圧し、前記判別段階にて前記マスクに前記保護部材が設けられていると判別される場合には、前記チャンバ内を前記第１の速度よりも遅い第２の速度で減圧する減圧段階と、
を備えることを特徴とするマスク搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部の圧力が調整可能なチャンバ内にマスクを搬送するマスク搬送装置、該マスク搬送装置を備える露光装置、マスク搬送方法、及び該露光装置を用いるデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光やＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ）などを露光光として用いてマスク（レチクル）のパターン像を基板に転写する露光装置では、露光光の減衰を抑制するために、チャンバ内が真空状態に設定されている。そして、こうした露光装置には、通常、大気圧下にあるマスクを真空雰囲気に設定されたチャンバ内に搬入するための機構が設けられている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
すなわち、特許文献１に記載された搬入搬出支援装置には、ゲートバルブを介して描画室内に連通する予備室と、該予備室内の圧力を描画室内の圧力（例えば、真空雰囲気の圧力）と大気圧との間で切り替え可能な圧力制御装置が設けられている。そして、この搬入搬出支援装置では、描画室内にマスクが搬入される場合、次のようにして圧力が制御される。
【０００４】
すなわち、まず、ゲートバルブが閉弁して描画室内と予備室が隔離された状態で、描画室内の圧力が真空雰囲気となるまで減圧される一方、大気圧下にあるマスクが、大気圧と同程度の圧力に設定された予備室内に搬入される。続いて、その予備室内が圧力制御装置によって描画室内と同程度の真空雰囲気の圧力まで減圧された後、ゲートバルブが開弁して予備室内と描画室内がゲートバルブを介して連通した状態で、予備室内のマスクがゲートバルブを介して描画室内に搬送されるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２６１５６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、一般に、露光装置で用いられるマスクには、マスクのパターン面を保護するための保護部材としてペリクルが設けられている。ただし、近年、ＥＵＶ露光装置では、マスクにペリクルを設けられる場合と、マスクにペリクルを設けない場合とが想定されている。ここで、予備室内に、ペリクルが設けられたマスクを収容した状態で、ペリクルが設けられていないマスクを収容した場合と同程度の速度、即ち、高スループットを考慮した速度で急速に減圧されたとする。すると、マスクのパターン面とペリクルの間で封止された空間域の圧力変化が予備室内の急速な圧力変化に対して追従することができずに大きな差圧を生じる。その結果、ペリクルがこの差圧によってマスクのパターン面から膨らむように歪み変形して破損する虞があった。
【０００７】
一方、予備室内が、ペリクルが設けられていないマスクを収容した状態で、ペリクルが設けられたマスクを収容した場合と同程度の速度、即ち、圧力変化の追従性を考慮した速度でゆっくりと減圧されたとする。すると、予備室内を減圧する際に要する所要時間が必要以上に過大となり、装置全体のスループットが低下するという問題があった。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、装置全体のスループットを維持しつつ、マスクに設けられた保護部材が破損することを抑制できるマスク搬送装置、露光装置、マスク搬送方法、及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜７に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明のマスク搬送装置は、圧力が調整可能なチャンバ（２１）内に、所定のパターンが形成されたパターン面（Ｒａ）を有するマスク（Ｒ）を搬送するマスク搬送装置（１２）であって、前記チャンバ（２１）内を減圧する減圧ポンプ（２４）と、前記パターン面（Ｒａ）を保護する保護部材（３４）が前記マスク（Ｒ）に設けられているか否かを判別する判別部（４１）と、該判別部（４１）によって前記マスク（Ｒ）に前記保護部材（３４）が設けられていないと判別される場合には、前記チャンバ（２１）内を第１の速度で減圧し、前記判別部（４１）によって前記マスク（Ｒ）に前記保護部材（３４）が設けられていると判別される場合には、前記チャンバ（２１）内を前記第１の速度よりも遅い第２の速度で減圧するように前記減圧ポンプ（２４）を制御する制御部（４１）と、を備える。
【００１０】
上記構成によれば、マスクにパターン面を保護するための保護部材が設けられている場合には、マスクに保護部材が設けられていない場合よりも、減圧ポンプがチャンバ内を減圧する速度が遅くなる。そのため、マスクがチャンバ内に搬入された状態で、減圧ポンプによってチャンバ内を減圧したとしても、保護部材が破損することを抑制できる。一方、マスクに保護部材が設けられていない場合には、減圧ポンプがチャンバ内を減圧する速度が遅くされることはない。したがって、装置全体のスループットを維持しつつ、マスクに設けられた保護部材が破損することを抑制できる。
【００１１】
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態に示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、装置全体のスループットを維持しつつ、マスクに設けられた保護部材が破損することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態の露光装置の概略構成図。
【図２】クリーンフィルターポットの斜視図。
【図３】図２の３−３線矢視断面図。
【図４】レチクル搬送処理ルーチンのフローチャート。
【図５】（ａ）（ｂ）は別の実施形態のクリーンフィルターポット内にレチクルを収容した状態で、レチクルにペリクルが設けられているか否かを検出する際の模式図。
【図６】デバイスの製造例のフローチャート。
【図７】半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を具体化した一実施形態について図１〜図４に基づき説明する。
図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、レチクル搬送部１２（マスク搬送装置）と露光部１３とを備えている。レチクル搬送部１２は、内部が真空雰囲気に設定される真空チャンバ１４内のレチクルホルダ１５の位置までマスクとしてのレチクルＲ（図２参照）を搬送し、露光部１３は、レチクルホルダ１５に支持された状態にあるレチクルＲに露光光、例えば、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を照射して、レチクルＲに形成された所定のパターンを感光性材料が塗布されたウエハ（図示略）に転写するように構成されている。
【００１５】
レチクル搬送部１２は、互いに異なるパターンが形成された複数のレチクルＲを、図示しないレチクルキャリア（レチクルスミフポット：ＲＳＰともいう）内に個別に格納して大気圧下で収容する大気レチクルライブラリ１６を備えている。また、大気レチクルライブラリ１６に隣接する位置には、大気レチクルライブラリ１６に収容されたレチクルＲを搬出するための大気側ロボット１７が設けられている。また、大気レチクルライブラリ１６に対して大気側ロボット１７を挟んで対向する位置には、読み取りセンサー１８によってレチクルＲに関する各種情報を読み取るための読み取り室１９が設けられている。
【００１６】
そして、大気側ロボット１７は、大気レチクルライブラリ１６に収容される複数のレチクルＲのうち、所望のレチクルＲを選択し、選択したレチクルＲを読み取り室１９内に搬入する。なお、レチクルＲは、大気レチクルライブラリ１６に設けられたＲＳＰオープン機構（図示略）によってレチクルキャリアから取り出されて、マスクケースとしてのクリーンフィルターポット（図２参照、ＣＦＰともいう）２０内に格納された状態で読み取り室１９内に搬入される。
【００１７】
また、大気側ロボット１７に隣接する位置には、チャンバ及び予備チャンバとしてのロードロック室２１が設けられている。ロードロック室２１は、大気側ロボット１７に対向する壁面に第１開閉扉２２が配置されており、該第１開閉扉２２の開閉に応じて大気との連通状態が切り替わるようになっている。そして、大気側ロボット１７は、第１開閉扉２２が開放された状態で、読み取り室１９内に収容されているレチクルＲをロードロック室２１内に搬入可能とされている。
【００１８】
また、ロードロック室２１における第１開閉扉２２と対向する壁面には第２開閉扉２３が配置されており、該第２開閉扉２３の開閉に応じてロードロック室２１は真空雰囲気に設定された真空チャンバ１４側の領域との連通状態が切り替わるようになっている。なお、ロードロック室２１には、その内部を真空雰囲気となるように排気して減圧するための減圧ポンプとしての真空ポンプ２４が接続されている。そして、真空ポンプ２４は、ロードロック室２１の各開閉扉２２，２３が閉塞して、ロードロック室２１が外部と遮断された状態で減圧駆動することにより、ロードロック室２１内の圧力を真空チャンバ１４側の領域内の圧力と同程度の真空度まで減圧する。なお、ロードロック室２１内には、真空ポンプ２４の減圧駆動によってロードロック室２１内の圧力が調整（減圧）される場合に、その圧力変化を随時監視するための圧力センサー（図示略）が設けられている。
【００１９】
また、ロードロック室２１に対して第２開閉扉２３を介して隣接する位置には、ロードロック室２１に収容されたレチクルＲを第２開閉扉２３が開放された状態において真空雰囲気下にある真空チャンバ１４側の領域に搬出するための真空側ロボット２６が設けられている。そして、この真空チャンバ１４側の領域内において、真空側ロボット２６に隣接する位置には、ロードロック室２１から搬出されたレチクルＲを収容するための真空レチクルライブラリ２７が設けられている。また、真空側ロボット２６を挟んで真空レチクルライブラリ２７と対向する位置には、レチクルＲに対してプリアライメント処理（位置調整）を実行するためのプリアライメント室２８が設けられている。
【００２０】
そして、真空側ロボット２６は、真空レチクルライブラリ２７に収容されているレチクルＲをアームにより把持してプリアライメント室２８に搬入した後、プリアライメント室２８内でプリアライメント処理が施されたレチクルＲを真空チャンバ１４内のレチクルホルダ１５上に搬入可能とされている。なお、レチクルＲは、真空レチクルライブラリ２７に設けられたＣＦＰオープン機構（図示略）によってクリーンフィルターポット２０から取り出された状態でプリアライメント室２８に搬入される。
【００２１】
また、本実施形態の露光装置１１は、例えばデジタルコンピュータ等を含んで構成される制御部４１を備えている。制御部４１の入力側インターフェース（図示略）には、読み取り室１９に設けられた読み取りセンサー１８が電気的に接続されている。そして、制御部４１には、読み取りセンサー１８が読み取り室１９内にて読み取ったレチクルＲに関する各種情報が入力されるようになっている。また、制御部４１の出力側インターフェース（図示略）には、真空ポンプ２４が電気的に接続されている。そして、制御部４１は、読み取りセンサー１８から入力される検出信号に基づき、真空ポンプ２４がロードロック室２１内を真空雰囲気となるように排気して減圧する際の減圧速度を設定可能となっている。さらに、制御部４１の出力側インターフェースには、大気側ロボット１７、第１開閉扉２２、第２開閉扉２３、及び真空側ロボット２６が電気的に接続されており、制御部４１は、これらの機構を駆動制御することが可能となっている。
【００２２】
次に、本実施形態のクリーンフィルターポット２０の構成について図２及び図３に基づき説明する。
図２及び図３に示すように、本実施形態のクリーンフィルターポット２０は、略矩形板状をなす下蓋２９と、該下蓋２９の外郭形状と対応した有底略矩形箱状をなして下蓋２９上に該下蓋２９を上方から覆うように配置される上蓋３０とから構成されている。そして、クリーンフィルターポット２０は、上蓋３０と下蓋２９とによって密封された空間域３１内にレチクルＲを収容している。具体的には、クリーンフィルターポット２０は、下蓋２９の内面における長手方向の両端部に設けられた一対の支持台３２，３３上にレチクルＲを載置した状態でレチクルＲを収容している。
【００２３】
なお、レチクルＲの表裏両面のうち一方の面（図３における下面）は、露光部１３においてウエハ上に転写させる所定のパターンが形成されたパターン面Ｒａとなっている。そして、大気レチクルライブラリ１６に収容される複数のレチクルＲのうち、一部のレチクルＲには、このパターン面Ｒａを保護するための例えばジルコニウム等からなる保護部材としてのペリクル３４が被覆されている。また、レチクルＲのパターン面Ｒａには、ペリクル３４をレチクルＲのパターン面Ｒａに沿って囲繞する枠体状のペリクルフレーム３５がペリクル３４の支持部材として機能するように固定されている。
【００２４】
また、レチクルＲのパターン面Ｒａにおいて一方の支持台３２により支持される側（図３の場合は左側）の縁部の近傍位置には、そのレチクルＲにペリクル３４が設けられているか否かを示すマークとしてのバーコード３６が設けられている。さらに、下蓋２９には、このバーコード３６と上下方向で対向する位置に開口３７が形成され、その開口３７には光を透過可能なガラス等からなる透過窓３８が設けられている。そして、読み取りセンサー１８は、クリーンフィルターポット２０の外部から透過窓３８を介してバーコード３６が示す情報を光学的に読み取ることが可能となっている。
【００２５】
また、上蓋３０の略中央部には矩形状をなす開口３９が形成され、その開口３９には通気性を確保しつつ異物を確実に捕捉するためのフィルター４０が設けられている。なお、レチクルＲは、クリーンフィルターポット２０内に収容される場合、そのレチクルＲにおいてペリクル３４が被覆されたパターン面Ｒａとは反対側の面が上蓋３０の開口３９に設けられたフィルター４０と対向する一方、ペリクル３４が被覆されたパターン面Ｒａは下蓋２９の内面と対向するように、下蓋２９の支持台３２，３３上に載置される。
【００２６】
次に、本実施形態の露光装置１１におけるレチクルＲの搬送方法（マスク搬送方法）について、レチクル搬送部１２の制御部４１が実行するレチクル搬送処理ルーチンの処理手順と共に図４に基づき以下説明する。
【００２７】
なお、制御部４１によりレチクル搬送処理ルーチンが開始される前提として、ロードロック室２１に設けられた各開閉扉２２，２３は共に閉塞状態にあり、ロードロック室２１は外部と遮断された状態にあるものとする。また、大気レチクルライブラリ１６に収容された複数のレチクルＲのうち搬送対象とされるレチクルＲはクリーンフィルターポット２０に格納された状態で搬送に供されるようにレチクルキャリアから取り出されているものとする。
【００２８】
さて、レチクル搬送処理ルーチンが開始すると、制御部４１は、まずステップＳ１１において、レチクルＲを大気レチクルライブラリ１６から読み取り室１９へと搬送させるために、大気側ロボット１７を駆動する。すると、大気側ロボット１７は、その先端部に設けられたアームが大気レチクルライブラリ１６においてレチクルＲを格納した状態にあるクリーンフィルターポット２０を把持し、該クリーンフィルターポット２０を把持した状態で読み取り室１９側に旋回する。その結果、大気側ロボット１７により大気レチクルライブラリ１６から搬出されたレチクルＲは読み取り室１９内に搬入される。なお、この場合、クリーンフィルターポット２０は、下蓋２９に設けられた透過窓３８が読み取りセンサー１８に対して上下方向で対向するように読み取り室１９内に配置される。
【００２９】
続いて、制御部４１は、判別段階となるステップＳ１２において、読み取り室１９に設けられた読み取りセンサー１８から入力される検出信号に基づき、読み取り室１９に搬入されたレチクルＲにペリクル３４が設けられているか否か（具体的には、ペリクル３４が設けられていないか否か）を判別する。この点で、本実施形態の制御部４１は、所定のパターンを保護するためのペリクル３４がレチクルＲに設けられているか否かを判別する判別部として機能する。
【００３０】
そして、制御部４１は、先のステップＳ１２において、レチクルＲにペリクル３４が設けられていないと判別した場合には、ステップＳ１３に移行し、真空ポンプ２４の駆動によってロードロック室２１内を減圧させる速度を、露光装置１１における高スループットを考慮した高速の速度（第１速度）となるように設定する。
【００３１】
一方、制御部４１は、先のステップＳ１２において、レチクルＲにペリクル３４が設けられていると判別した場合には、ステップＳ１４に移行し、真空ポンプ２４の駆動によってロードロック室２１内を減圧させる速度を、ステップＳ１３にて設定した速度（第１速度）よりも遅い速度（第２速度）となるように設定する。具体的には、レチクルＲのパターン面Ｒａにペリクル３４が設けられた条件下では、レチクルＲのパターン面Ｒａとペリクル３４との間で封止された空間域の圧力が、ロードロック室２１内の圧力変化に追従できる程度の速度であって、ペリクル３４がレチクルＲのパターン面から剥離してしまうことがない程度の低速の速度となるように、真空ポンプ２４による減圧速度を設定する。
【００３２】
すなわち、制御部４１は、ロードロック室２１に搬入されるレチクルＲにペリクル３４が設けられているか否かに応じて、真空ポンプ２４によってロードロック室２１内を真空雰囲気となるように排気して減圧させる際の減圧速度を段階的に切り替えるように設定する。
【００３３】
そして、次のステップＳ１５において、制御部４１は、第１開閉扉２２を開放駆動して、ロードロック室２１内が第１開閉扉２２を介して大気と連通した状態で、大気側ロボット１７を駆動する。すると、大気側ロボット１７は、その先端部に設けられたアームがレチクルＲを格納するクリーンフィルターポット２０を把持した状態でロードロック室２１側に旋回する。その結果、レチクルＲは、読み取り室１９から開放状態にある第１開閉扉２２を介して大気圧下のロードロック室２１に搬入される。
【００３４】
続いて、制御部４１は、減圧段階となるステップＳ１６において、第１開閉扉２２を閉塞駆動して、ロードロック室２１内が外部と遮断された状態で、真空ポンプ２４を駆動する。すると、真空ポンプ２４は、ステップＳ１４又はステップＳ１５にて設定された減圧速度でロードロック室２１内を減圧する。その結果、ロードロック室２１内に搬入されたクリーンフィルターポット２０は、上蓋３０と下蓋２９とによって囲み形成された空間域３１内からフィルター４０を介して空気が排気され、空間域３１内の圧力がロードロック室２１内の減圧に追従して減圧される。
【００３５】
そして、このステップＳ１６において、制御部４１は、ロードロック室２１内に設けられた圧力センサーからの検出信号に基づき、ロードロック室２１内の圧力が真空チャンバ１４側の領域と同程度の真空度に到達したと判断した時点で、第２開閉扉２３を開放駆動する。すると、ロードロック室２１内が第２開閉扉２３を介して真空チャンバ１４側の領域と連通した状態となる。
【００３６】
そして、制御部４１は、次のステップＳ１７において、レチクルＲをロードロック室２１内から真空レチクルライブラリ２７及びプリアライメント室２８を経由して真空チャンバ１４内へと搬送させるために真空側ロボット２６を駆動する。すると、真空側ロボット２６の先端部に設けられたアームがロードロック室２１内でレチクルＲを格納した状態にあるクリーンフィルターポット２０を把持し、該クリーンフィルターポット２０を把持した状態で真空レチクルライブラリ２７側に旋回する。その結果、レチクルＲは、ロードロック室２１から開放状態にある第２開閉扉２３を介して真空雰囲気下の真空レチクルライブラリ２７に搬入される。
【００３７】
そして次に、制御部４１は、真空レチクルライブラリ２７に設けられたＣＦＰオープン機構を駆動する。すると、ＣＦＰオープン機構は、真空レチクルライブラリ２７内に収容されたクリーンフィルターポット２０を上蓋３０と下蓋２９とに分離する。そして、制御部４１が、真空側ロボット２６を駆動すると、真空側ロボット２６の先端部に設けられたアームが下蓋２９上に載置された状態のレチクルＲを把持し、該レチクルＲを把持した状態でプリアライメント室２８側に旋回する。その結果、レチクルＲは、真空レチクルライブラリ２７からプリアライメント室２８内に設けられたアライメント用ステージ（図示略）上に載置される。
【００３８】
続いて、制御部４１は、アライメント用ステージを駆動して、レチクルＲを載置した状態でアライメント用ステージを移動させることにより、レチクルＲのアライメント処理を実行する。また同時に、制御部４１は、プリアライメント室２８に設けられた温調機構（図示略）を稼動して、アライメント用ステージ上に載置されたレチクルＲの温度を調整する。そして、制御部４１が、真空側ロボット２６を駆動すると、真空側ロボット２６の先端部に設けられたアームがアライメント用ステージ上に載置されたレチクルＲを把持し、該レチクルＲを把持した状態で真空チャンバ１４側に旋回する。その結果、レチクルＲは、アライメント用ステージ上から真空チャンバ１４内のレチクルホルダ１５の位置まで搬送される（ステップＳ１７）。そして、レチクルホルダ１５は、所定のパターンが形成された面とは反対側の面でレチクルＲを静電吸着して保持する。
【００３９】
なお、真空側ロボット２６は、アライメント処理が施されたレチクルＲをアライメント用ステージ上から搬出するため、レチクルＲをレチクルホルダ１５上の所望の位置に搬送可能とされる。また、レチクルＲは、温調機構によって温度調整が施された後、真空側ロボット２６によってレチクルホルダ１５の位置まで搬送される。そのため、レチクルＲは、レチクルホルダ１５に支持される段階で、所定のパターンが形成されたパターン面Ｒａが温度変化によって歪み変形することなく、露光部１３での露光処理に適した所望の温度となる。
【００４０】
その後、露光部１３では、レチクルホルダ１５に保持された状態のレチクルＲに対して、光源（図示略）から射出された光が照明光学系（図示略）を介してレチクルＲ上の所定のパターンを照明する。そして、レチクルＲから反射された光が投影光学系（図示略）を介して感光性材料が塗布されたウエハ（図示略）上に投影することによって、レチクルＲ上の所定のパターンがウエハ上に転写される。
【００４１】
ここで、本実施形態の露光装置１１では、制御部４１が、読み取りセンサー１８の検出結果に基づき、ロードロック室２１内に搬入されるレチクルＲにペリクル３４が設けられているか否かを判別する。そして、制御部４１は、ロードロック室２１に搬入されるレチクルＲがペリクル３４を有すると判別した場合には、真空ポンプ２４によってロードロック室２１内を減圧する速度を以下のように設定する。すなわち、レチクルＲのパターン面とペリクル３４との間で封止された空間域の圧力が、ロードロック室２１内の圧力変化に追従できる程度の速度となるように真空ポンプ２４の排気速度を設定する。そのため、真空ポンプ２４が、レチクルＲを収容した状態でロードロック室２１内を減圧したとしても、レチクルＲのパターン面とペリクル３４との間で封止された空間域の圧力がロードロック室２１内の圧力変化に追従して変化する。したがって、この空間域とロードロック室２１との間に差圧が生じることはほとんどなく、ペリクル３４がレチクルＲのパターン面から膨らむように歪み変形して破損することが抑制される。
【００４２】
また、本実施形態の露光装置１１では、制御部４１は、ロードロック室２１内に搬入されるレチクルＲがペリクル３４を有さないと判別した場合には、真空ポンプ２４によってロードロック室２１内を減圧する速度を露光装置１１における高スループットを考慮した高速の速度に設定する。そのため、真空ポンプ２４が、ロードロック室２１内を真空チャンバ１４内と同程度の真空度まで減圧する際に要する所要時間が低減され、大気圧下にあるレチクルＲを真空雰囲気下にある真空チャンバ１４内に搬入する過程での装置全体のスループットを向上することができる。
【００４３】
また、本実施形態の露光装置１１では、レチクルＲは、ロードロック室２１内に搬入されたクリーンフィルターポット２０内に収容された状態において、真空ポンプ２４の減圧駆動に伴い上蓋３０と下蓋２９との間の空間域３１内からフィルター４０を介して外部に向かう空気流が生じた場合にも、そのような外部に向かう空気流にペリクル３４が被覆されたパターン面Ｒａが直接晒されることはない。したがって、そのような空気流によってペリクル３４がレチクルＲのパターン面Ｒａから剥離することが抑制される。
【００４４】
本実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
（１）本実施形態では、レチクルＲにペリクル３４が設けられている場合には、レチクルＲにペリクル３４が設けられていない場合よりも、真空ポンプ２４がロードロック室２１内を減圧する速度が遅くなる。そのため、レチクルＲがロードロック室２１内に搬入された状態で、真空ポンプ２４によってロードロック室２１内を減圧したとしても、ペリクル３４が破損することが抑制される。一方、レチクルＲにペリクル３４が設けられていない場合には、真空ポンプ２４がロードロック室２１内を減圧する速度が遅くされることはない。したがって、真空雰囲気に設定された真空チャンバ１４内にレチクルＲを搬送する過程で、装置全体のスループットを維持しつつ、レチクルＲに設けられたペリクル３４が破損することを抑制できる。
【００４５】
（２）本実施形態では、レチクルＲには、ペリクル３４が設けられているか否かを示すバーコード３６が設けられている。そして、制御部４１は、読み取りセンサー１８がバーコード３６から光学的に検出した情報に基づき、レチクルＲにペリクル３４が設けられているか否かを判別する。そのため、制御部４１は、レチクルＲにペリクル３４が設けられているか否かについて、ペリクル３４に接触することなく簡便に判別することができる。
【００４６】
（３）本実施形態では、読み取りセンサー１８は、クリーンフィルターポット２０の外部から透過窓３８を介してバーコード３６が示す情報を光学的に読み取る。そのため、制御部４１は、レチクルＲがクリーンフィルターポット２０内に収容された状態であっても、レチクルＲにペリクル３４が設けられているか否かを簡便に判別することができる。
【００４７】
なお、本実施形態は、以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・上記実施形態において、図５（ａ）（ｂ）に示すように、クリーンフィルターポット２０は、上蓋３０の側壁においてレチクルＲ上に設けられたペリクル３４の配置位置に対して上下方向で対応する位置に、光を透過可能なガラス等からなる透過窓４２，４３をそれぞれ設けてもよい。この場合、クリーンフィルターポット２０の外部領域において、これらの透過窓４２，４３を結ぶように略水平に延びる延長線上に発光部４４及び受光部４５をそれぞれ設けることにより、以下に示す作用効果を得ることができる。
【００４８】
すなわち、図５（ａ）に示すように、レチクルＲにペリクル３４が設けられている場合、発光部４４から略水平に射出された光（図５（ａ）にて点線矢印で示す）は、一方の透過窓４２を介してクリーンフィルターポット２０内に入射する。そして、入射した光は、レチクルＲのパターン面Ｒａ上に設けられたペリクルフレーム３５によって遮断されるため、受光部４５まで到達することはない。
【００４９】
一方、図５（ｂ）に示すように、レチクルＲにペリクル３４が設けられていない場合には、発光部４４から略水平に射出された光（図５（ｂ）にて点線矢印で示す）は、一方の透過窓４２を介してクリーンフィルターポット２０内に入射する。そして、入射した光は、レチクルＲのパターン面Ｒａ上におけるペリクル３４の配置領域（図５（ｂ）にて二点差線で示す）を通過して、他方の透過窓４３を介して受光部４５まで到達する。
【００５０】
したがって、発光部４４から射出される光の光路上に透過窓４２，４３が位置するようにクリーンフィルターポット２０を配置すると、その光が一方の透過窓４２を介してクリーンフィルターポット２０内のペリクル３４の配置領域を通過することになる。そのため、レチクルＲがクリーンフィルターポット２０内に収容されている場合であっても、発光部４４から射出された光がペリクルフレーム３５によって遮蔽されて透過しない場合には、レチクルＲにペリクル３４が設けられている旨を簡便に判別することができる。
【００５１】
・上記実施形態において、クリーンフィルターポット２０は、その内部にレチクルＲを収容した状態で、レチクルＲ上でのペリクル３４の配置領域に対して上下方向で対向する位置に光を透過可能なガラス等からなる透過窓を設けてもよい。この場合、例えば、この透過窓を介してクリーンフィルターポット２０内に収容されたレチクルＲをＣＣＤ等の撮像素子によって撮像し、撮像した画像データに対して画像処理を施すことによって、レチクルＲ上にペリクル３４が設けられているか否かを判別することができる。また、クリーンフィルターポット２０内に収容されたレチクルＲ上にペリクル３４が設けられているか否かについて透過窓を介して視認する構成としてもよい。
【００５２】
・上記実施形態において、ロードロック室２１内において、レチクルＲ上にペリクル３４が設けられているか否かを検出する構成としてもよい。この場合、ロードロック室２１が、ペリクル３４の有無を検出するための読み取り室１９として兼用されるため、装置全体の小型化に寄与することができる。
【００５３】
・上記実施形態において、ペリクル３４の材質はジルコニウム等に限定されず、例えば、ガラス等の他の材質を採用してもよい。すなわち、レチクルＲのパターン面Ｒａを保護することができる程度の十分な強度を有していれば、任意の材質を採用することができる。ただし、露光部１３にて、ウエハ上に照射される光の光量を確保するために、光源から射出される光をほとんど吸収しない材質であることが望ましい。
【００５４】
・上記実施形態において、レチクルＲにペリクル３４が設けられているか否かを示すマークはバーコード３６に限定されず、例えばＱＲ（Quick Response）コード等の二次元コードからなるマークを採用してもよい。すなわち、読み取りセンサー１８によってマークが示す情報を検出可能な構成であれば、任意のマークを採用することができる。
【００５５】
・上記実施形態において、レチクルＲにペリクル３４が設けられているか否かを示すマークは、レチクルＲを収容するクリーンフィルターポット２０、又は、該クリーンフィルターポット２０を収容するレチクルキャリアに設けてもよい。
【００５６】
・上記各実施形態において、露光装置１１は、露光光として、例えばＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）、ＥＢ光等の短波長の光を用いる構成であってよい。
【００５７】
次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図６は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００５８】
まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。
【００５９】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００６０】
図７は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）においては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００６１】
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
【符号の説明】
【００６２】
１１…露光装置、１２…マスク搬送装置としてのレチクル搬送部、１４…真空チャンバ、２０…マスクケースとしてのクリーンフィルターポット、２１…チャンバ及び予備チャンバとしてのロードロック室、２４…減圧ポンプとしての真空ポンプ、３４…保護部材としてのペリクル、３５…支持部材としてのペリクルフレーム、４１…判別部としての制御部、Ｒ…マスクとしてのレチクル、Ｒａ…パターン面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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