(57)【要約】【課題】確実な防犯機能を発揮する遊技機を提供する。【解決手段】他の回路基板から受ける払出制御信号ＰＡＹに基づいて有価物を払出す払出制御部５５を設けた遊技機である。払出制御部５５は、払出制御信号ＰＡＹを受けるバッファ回路ＡＭと、バッファ回路ＡＭの出力Ｖｏを、高位レベルと低位レベルの比較電圧ＶＨ，ＶＬと各々比較するコパレータ回路ＣＰ１，ＣＰ２と、バッファ回路の出力Ｖｏが高位レベルＶＨと低位レベルＶＬの間である場合に、コンパレータ回路の出力に基づいてＯＮ動作するスイッチ回路Ｑｂと、を有して構成され、スイッチ回路ＱｂのＯＮ動作に対応して、有価物を払出す。【選択図】図７
2011030662.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
他の回路基板から受ける払出制御信号に基づいて有価物を払出す払出制御部を設けた遊技機であって、前記払出制御部は、
前記払出制御信号を受けるバッファ回路と、
前記バッファ回路の出力Ｖｏを、高位レベルと低位レベルの比較電圧ＶＨ，ＶＬと各々比較するコパレータ回路と、
前記バッファ回路の出力Ｖｏが高位レベルと低位レベルの間である場合に、前記コンパレータ回路の出力に基づいてＯＮ動作するスイッチ回路と、を有して構成され、
前記スイッチ回路のＯＮ動作に対応して、有価物の払出し動作がされることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記バッファ回路は、２つの入力端子と１つの出力端子とを有し、前記２つの入力端子間の入力電圧を、大利得で増幅して出力端子に出力する増幅回路であり、
前記制御信号を受ける第１入力端子と前記出力端子との間に、帰還抵抗を接続する共に、第２の入力端子に、高位レベルＶＨと低位レベルＶＬの間に位置する中位レベルＶＭの電圧を受けるよう構成されている請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記コンパレータ回路は、２つのコンパレータ素子によって構成されている請求項１又は２に記載の遊技機。
【請求項４】
２つのコンパレータ素子の出力を受けるＡＮＤ回路を設け、前記スイッチ回路は、前記ＡＮＤ回路の出力に基づいて動作している請求項１〜３の何れかに記載の遊技機。
【請求項５】
前記スイッチ回路は、他の回路基板から直流電圧を受けて動作するフォトカプラに直列接続されている請求項１〜４の何れかに記載の遊技機。
【請求項６】
前記バッファ回路は、払出動作時にはボルテージフォロアとして機能する一方、払出禁止時には、飽和増幅回路として機能するよう構成されている請求項１〜５の何れかに記載の遊技機。
【請求項７】
前記払出制御信号は、払出禁止を指示する第1レベルと、払出動作を指示するハイインピーダンスレベルとを有している請求項１〜６の何れかに記載の遊技機。
【請求項８】
前記高位レベル、中位レベル、低位レベルの電圧は、直列接続された４つの抵抗体を有する分圧回路によって生成される請求項２に記載の遊技機。
【請求項９】
前記直列接続された４つの抵抗体のうち、両端の抵抗体を除く残り２つの抵抗体は、低い抵抗値に設定されている請求項８に記載の遊技機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピュータ装置を内蔵する電子遊技機に関し、特に、遊技媒体としてメダル又は遊技球を用いる回胴遊技機や弾球遊技機に好適に適用される。
【背景技術】
【０００２】
スロットマシンなどの回胴遊技機では、遊技者がメダル投入口にメダルを投入してスタートレバーを操作すると、これに応じて、回転リールの回転が開始される。そして、遊技者がストップボタンを押して回転リールを停止させたとき、停止ライン上の図柄が揃うと、その図柄に応じた配当メダルが払い出されるようになっている。但し、各ゲームの当否状態は、実際には、機器内部の抽選処理によって各ゲームの開始時に予め決まっており、この抽選処理によって当選した図柄を、遊技者が停止ライン上に揃えることで配当メダルが払出される。
【０００３】
この配当メダルは、各スロットマシン内部に配置されたメダルホッパーに予め貯留されている。そして、払出モータＭＯが回転してメダルを払出し、払出検出センサが必要個数の払出枚数を確認すると払出動作が終了するようになっている。
【０００４】
払出モータＭＯは、例えば、ＤＣ２４Ｖの電圧で回転する直流モータで構成されている。そして、メダル払出信号ＰＡＹを受けるフォトカプラを設け、メダル払出信号ＰＡＹがＬレベルになると、フォトカプラの出力側のトランジスタがＯＮ動作して、直流モータの電流駆動回路が形成されるよう構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１４３６５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、メダル払出信号ＰＡＹがＬレベルになると、払出モータが回転を始めるので、この関係を悪用して、接続コネクタの部分でメダル払出信号の信号ラインをグランドに落とす違法行為が懸念されるところである。例えば、一旦、外した接続コネクタに、極細の短絡片を配置した後、再度、元の状態に戻すなどの違法行為が考えられる。ここで、特許文献１に記載の発明も提案されているが、簡易性にかけるので必ずしも適切な対策とはいえない。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、確実な防犯機能を発揮する遊技機を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明は、他の回路基板から受ける払出制御信号に基づいて有価物を払出す払出制御部を設けた遊技機であって、前記払出制御部は、
前記払出制御信号を受けるバッファ回路と、前記バッファ回路の出力Ｖｏを、高位レベルと低位レベルの比較電圧ＶＨ，ＶＬと各々比較するコパレータ回路と、前記バッファ回路の出力Ｖｏが高位レベルと低位レベルの間である場合に、前記コンパレータ回路の出力に基づいてＯＮ動作するスイッチ回路と、を有して構成され、前記スイッチ回路のＯＮ動作に対応して、有価物の払出し動作がされることを特徴とする。
【０００９】
好ましくは、前記バッファ回路は、２つの入力端子と１つの出力端子とを有し、前記２つの入力端子間の入力電圧を、大利得で増幅して出力端子に出力する増幅回路であり、前記制御信号を受ける第１入力端子と前記出力端子との間に、帰還抵抗を接続する共に、第２の入力端子に、高位レベルＶＨと低位レベルＶＬの間に位置する中位レベルＶＭの電圧を受けるよう構成されている。この帰還抵抗は、適度の大きい値を選択するのが防犯上好ましい。
【００１０】
また、前記コンパレータ回路は、２つのコンパレータ素子によって構成されているのが典型的である。また、２つのコンパレータ素子の出力を受けるＡＮＤ回路を設け、前記スイッチ回路は、前記ＡＮＤ回路の出力に基づいて動作させるのが好適である。
【００１１】
前記スイッチ回路は、典型的には、他の回路基板から直流電圧を受けて動作するフォトカプラに直列接続されている。また、前記バッファ回路は、払出動作時にはボルテージフォロアとして機能する一方、払出禁止時には、飽和増幅回路として機能するよう構成されているのが好ましい。
【００１２】
前記払出制御信号は、好ましくは、払出禁止を指示する第1レベルと、払出動作を指示するハイインピーダンスレベルとを有している。
【００１３】
本発明において、高位レベル、中位レベル、低位レベルの電圧は、直列接続された４つの抵抗体を有する分圧回路によって生成されるのが簡易的である。この場合、直列接続された４つの抵抗体のうち、両端の抵抗体を除く残り２つの抵抗体は、低い抵抗値に設定されていると防犯機能が高まる。
【発明の効果】
【００１４】
上記した本発明によれば、比較的簡易な回路構成でありながら、確実な防犯機能を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施例に係るスロットマシンの正面図である。
【図２】図１のスロットマシンの右側面図（ａ）と平面図（ｂ）である。
【図３】スロットマシンの前面パネルを背面から図示した図面である。
【図４】スロットマシンの本体ケースの内部正面図である。
【図５】図１のスロットマシンの回路構成を示すブロック図である。
【図６】主制御基板とメダル払出制御基板との接続関係を示すブロック図である。
【図７】メダル払出制御基板の回路構成を示す回路図である。
【図８】主制御部におけるメダル払出動作を説明するフローチャートである。
【図９】払出動作時におけるメダル払出制御基板の動作を説明する図面である。
【図１０】払出禁止時におけるメダル払出制御基板の動作を説明する図面である。
【図１１】違法行為時のメダル払出制御基板の動作を説明する図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。図１〜図４は、実施例に係るスロットマシンＳＬを図示したものである。本スロットマシンＳＬは、矩形箱状の本体ケース１と、各種の遊技部材を装着した前面パネル２とが、ヒンジ３を介して連結され、前面パネル２が本体ケース１に対して開閉可能に構成されている（図２）。そして、図１は前面パネル２の正面図、図２はスロットマシンＳＬの右側面図（ａ）と平面図（ｂ）、図３は前面パネル２の背面図、図４は本体ケース１の内部正面図を示している。
【００１７】
図４に示す通り、本体ケース１の略中央には、３つの回転リール４ａ〜４ｃを備える図柄回転ユニット４が配置され、その下側に、メダル払出装置５が配置されている。各回転リール４ａ〜４ｃには、ＢＢ図柄、ＲＢ図柄、各種のフルーツ図柄、及びリプレイ図柄などが描かれている。メダル払出装置５には、メダルを貯留するメダルホッパー５ａと、払出モータＭＯと、メダル払出制御基板５５と、払出中継基板６３と、払出センサＳＥ（図５）などが設けられている。ここで、メダルは、払出モータＭＯの回転に基づいて、払出口５ｂから図面手前に向けて導出される。なお、限界量を越えて貯留されたメダルは、オーバーフロー部５ｃを通して、補助タンク６に落下するよう構成されている。
【００１８】
上記のメダル払出装置５に隣接して電源基板６２が配置され、また、図柄回転ユニット４の上部に主制御基板５０が配置され、主制御基板５０に隣接して回胴設定基板５４が配置されている。なお、図柄回転ユニット４の内部には、回胴ＬＥＤ中継基板５８と回胴中継基板５７とが設けられ、図柄回転ユニット４に隣接して外部集中端子板５６が配置されている。
【００１９】
図１に示すように、前面パネル２の上部には液晶表示ユニット７が配置され、その下部には、回転リール４ａ〜４ｃに対応する３つの表示窓８ａ〜８ｃが配置されている。表示窓８ａ〜８ｃを通して、各回転リール４ａ〜４ｃの回転方向に、各々３個程度の図柄が見えるようになっており、合計９個の図柄の水平方向の三本と、対角線方向の二本が仮想的な停止ラインとなる。このような表示窓８ａの左側には、遊技状態を示すＬＥＤ群９が設けられ、その下方には、遊技成果として払出されるメダル数を表示する払出表示部１０や、クレジット状態のメダル数を表示する貯留数表示部１１が設けられている。
【００２０】
前面パネル２の垂直方向中央には、メダルを投入するメダル投入口１２が設けられ、これに隣接して、メダル投入口１２に詰まったメダルを返却させるための返却ボタン１３が設けられている。また、クレジット状態のメダルを払出すクレジット精算ボタン１４と、メダル投入口１２へのメダル投入に代えてクレジット状態のメダルを擬似的に一枚投入する投入ボタン１５と、クレジット状態のメダルを擬似的に三枚投入するマックス投入ボタン１６とが設けられている。
【００２１】
これらの遊技部材の下方には、回転リール４ａ〜４ｃの回転を開始させるスタートレバー１７と、回転中の回転リール４ａ〜４ｃを停止させるためのストップボタン１８ａ〜１８ｃが設けられている。その他、前面パネル２の下方には、メダルを蓄える横長の受け皿１９と、払出装置５の払出口５ｂに連通するメダル導出口２０とが設けられている。なお、メダル導出口２０の左右にはスピーカＳＰが配置されている。
【００２２】
図３に示すように、前面パネル３の裏側には、メダル投入口１２に投入されたメダルの選別を行うメダル選別装置２１と、メダル選別装置２１により不適正と判別されたメダルをメダル導出口２０に案内する返却通路２２とが設けられている。また、前面パネル３の裏側上部には、演出制御基板５１、演出インタフェイス基板５２、及び液晶制御基板６１などを収容する基板ケース２３が配置されている。そして、メダル選別装置２１の上部には、図１に示す各種の遊技部材と主制御基板５０との間の信号を中継する遊技中継基板５３が設けられている。
【００２３】
図５は、実施例に係るスロットマシンＳＬの回路構成を示すブロック図である。図示の通り、このスロットマシンＳＬは、回転リール４ａ〜４ｃを含む各種の遊技部材の動作を制御する主制御基板５０と、主制御基板５０から受けた制御コマンドに基づいて演出動作を実現する演出制御基板５１と、交流電圧（２４Ｖ）を直流電圧（５Ｖ，１２Ｖ，２４Ｖ）に変換して装置各部に供給する電源基板６２とを中心に構成されている。
【００２４】
主制御基板５０は、演出制御基板５１に対して、スピーカＳＰによる音声演出、ＬＥＤランプや冷陰極線管放電管によるランプ演出、及び、液晶表示ユニット７による図柄演出を実現するための制御コマンドを出力している。そして、演出制御基板５１は、演出インタフェイス基板５２を通して、液晶制御基板６１に接続されており、液晶制御基板６１は、液晶表示（ＬＣＤ）ユニット７における図柄演出を実現している。
【００２５】
演出制御基板５１は、演出インタフェイス基板５２と共に、ＬＥＤ基板５９やインバータ基板６０や回胴ＬＥＤドライブ基板５８を経由して、各種のＬＥＤや冷陰極線管放電管におけるランプ演出を実現している。また、演出制御基板５１は、演出インタフェイス基板５２を通してスピーカＳＰを駆動して音声演出を実現している。
【００２６】
主制御基板５０は、遊技中継基板５３を通して、スロットマシンの各種遊技部材に接続されている。具体的には、スタートレバー１７の始動スイッチ、ストップボタン１８ａ〜１８ｃの停止スイッチ、投入ボタン１５，１６の投入スイッチ、清算ボタン１４の清算スイッチ、投入枚数判定部２１ｄを構成するフォトインタラプタＰＨ１，ＰＨ２、投入メダル返却部２１ｃを構成するブロッカーソレノイド３１、及び、各種ＬＥＤ素子９〜１１などに接続されている。
【００２７】
また、主制御基板５０は、回胴中継基板５７を経由して、回転リール４ａ〜４ｃを回転させる３つのステッピングモータ、及び、回転リール４ａ〜４ｃの基準位置を検出するためのインデックスセンサに接続されている。そして、ステッピングモータを駆動又は停止させることによって、回転リール４ａ〜４ｃの回転動作と、目的位置での停止動作を実現している。
【００２８】
主制御基板５０は、払出中継基板６３を通してメダル払出装置５にも接続されている。メダル払出装置５には、メダル払出制御基板５５と、メダル払出センサＳＥと、払出モータＭＯとが設けられており、メダル払出制御基板５５は、主制御基板５０からのメダル払出信号ＰＡＹに基づいて払出モータＭＯを回転させて、所定量のメダルを払出している。なお、払出モータＭＯは、ブラシモータなどのＤＣモータであり、ＤＣ２４Ｖを受けている限り回転を継続する。
【００２９】
その他、主制御基板５０は、外部集中端子板５６と、回胴設定基板５４にも接続されている。外部集中端子板５６は、例えばホールコンピュータＨＣに接続されており、主制御基板５０は、外部集中端子板５６を通して、メダルの投入枚数やメダルの払出枚数などを出力している。また、回胴設定基板５４は、係員が設定した確率的なメダル払出枚数のランク設定値を示す設定キー信号などを出力している。
【００３０】
図６は、主制御基板５０と、払出中継基板６３と、メダル払出制御基板５５との接続関係を図示した概略図である。図示の通り、メダル払出制御基板５５は、払出中継基板６３を経由して、主制御基板５０から、メダル払出信号ＰＡＹと、ＤＣ５Ｖと、ＤＣ２４Ｖとを受けている。ここで、接続コネクタＣＮ３，ＣＮ４において、メダル払出信号ＰＡＹの隣に、ＤＣ５Ｖが配置されており、グランドラインＧＮＤは配置されていない。なお、当然ながら、メダル払出制御基板５５のグランドラインＧＮＤは、主制御基板５０と共通である。
【００３１】
メダル払出指令は、払出すべきメダル枚数に対応するＬレベルのパルス幅τを有して構成されている。そして、このローアクティブのメダル払出指令は、ベース抵抗Ｒａを経由して出力トランジスタＱａのベース端子に供給されている。したがって、出力トランジスタＱａは、払出動作時だけがＯＦＦ状態となり、それ以外の定常状態ではＯＮ状態を維持する。
【００３２】
出力トランジスタＱａの出力電圧は、メダル払出信号ＰＡＹとして、メダル払出制御基板５５に供給されている。ここで、出力トランジスタＱａのコレクタ端子は、何れの回路基板でもプルアップされていない。そのため、メダル払出信号ＰＡＹは、非払出状態である定常状態ではＬレベルであり、払出指令時にだけハイインピーダンス（ＨｉＺ）状態となる。
【００３３】
図７は、メダル払出制御基板５５の回路構成を具体的に図示したものである。図６に関して説明した通り、メダル払出制御基板５５は、コネクタＣＮ４を通して払出中継基板６３に接続され、主制御基板５０から、ＤＣ２４Ｖ、ＤＣ５Ｖ、及びメダル払出信号ＰＡＹを受けている。そして、メダル払出制御基板５５のコネクタＣＮ５には、払出モータＭＯが接続されて、メダル払出信号ＰＡＹがＨｉＺ状態であれば、払出モータＭＯがＤＣ２４Ｖを受けて連続して回転するようになっている。
【００３４】
メダル払出制御基板５５には、フォトカプラＰＣによる信号伝送回路８０と、ウインドコンパレータを有する異常監視回路８１と、ＭＯＳトランジスタＱｂによる開閉回路８１と、バイポーラトランジスタＱ３，Ｑ４による電流制限回路８２と、ＭＯＳトランジスタＱ５による駆動制御回路８３と、ＭＯＳトランジスタＱ６による動作禁止回路８４とが設けられている。
【００３５】
信号伝送回路８０は、電流制限抵抗Ｒ１と、フォトカプラＰＣと、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱｂとの直列回路で構成されている。図示の通り、ＭＯＳトランジスタＱｂのドレイン端子に、フォトカプラＰＣの発光ダイオードＤが接続され、ＭＯＳトランジスタＱｂのソース端子は、グランドに接続されている。また、ＭＯＳトランジスタＱｂのゲート端子は、異常監視回路８１の出力信号を受けている。
【００３６】
異常監視回路８１は、３つの比較電圧ＶＨ，ＶＭ，ＶＬを生成する分圧抵抗Ｒｂ〜Ｒｅと、ＯＰアンプＡＭと、ウインドコンパレータとして機能するコンパレータＣＰ１，ＣＰ２と、ＡＮＤゲートＧ１とを有して構成されている。なお、特に限定されないが、この実施例のコンパレータＣＰ１，ＣＰ２及びＯＰアンプＡＭは、何れも単一電源Ｖｃｃで動作する同一特性の素子である。
【００３７】
分圧抵抗Ｒｂ〜Ｒｅは電源電圧Ｖｃｃとグランド間に直列接続されているので、３つの比較電圧ＶＨ，ＶＭ，ＶＬは、各々、
ＶＨ＝（Ｒｃ＋Ｒｄ＋Ｒｅ）＊Ｖｃｃ／ＳＭ、
ＶＭ＝（Ｒｄ＋Ｒｅ）＊Ｖｃｃ／ＳＭ、
ＶＬ＝Ｒｅ＊Ｖｃｃ／ＳＭとなる。ここで、ＳＭは、ＳＭ＝Ｒｂ＋Ｒｃ＋Ｒｄ＋Ｒｅで与えられる直列合成抵抗である。また、各抵抗Ｒｂ〜Ｒｅの抵抗値や各抵抗値のバラツキに拘らず、必ず、ＶＨ＞ＶＭ＞ＶＬの関係が成立する。なお、ＶＨ−ＶＬ＝（Ｒｃ＋Ｒｄ）＊Ｖｃｃ／ＳＭであり、本実施例では、防犯機能を高めるために、Ｒｃ＋Ｒｄの抵抗値を適宜に小さい値に設定している。
【００３８】
ＯＰアンプＡＭの非反転入力端子（＋）には、中位レベルの比較電圧ＶＭが供給され、反転入力端子（−）には、メダル払出信号ＰＡＹが供給されている。そして、反転入力端子（−）と出力端子との間には、帰還抵抗Ｒｆが接続されている。本実施例では、防犯機能を高めるために、帰還抵抗Ｒｆの抵抗値は、数１００ｋΩ〜数ＭΩ程度に設定されている。
【００３９】
コンパレータＣＰ１の非反転入力端子（＋）には、高位レベルの比較電圧ＶＨが供給され、反転入力端子（−）には、ＯＰアンプＡＭの出力電圧Ｖｏが供給されている。したがって、コンパレータＣＰ１の出力は、Ｖｏ＞ＶＨの場合にはＬレベルとなり、Ｖｏ＜ＶＨの場合にはＨレベルとなる。
【００４０】
コンパレータＣＰ２の反転入力端子（−）には、低位レベルの比較電圧ＶＬが供給され、非反転入力端子（＋）には、ＯＰアンプＡＭの出力電圧Ｖｏが供給されている。したがって、コンパレータＣＰ２の出力は、Ｖｏ＞ＶＬの場合にはＨレベルとなり、Ｖｏ＜ＶＬの場合にはＬレベルとなる。
【００４１】
これらコンパレータＣＰ１，ＣＰ２の出力端子は、ＡＮＤゲートＧ１の入力端子にそれぞれ接続されている。そのため、ＡＮＤゲートＧ１の出力は、Ｖｏ＜ＶＨであって、且つ、Ｖｏ＞ＶＬの場合だけＨレベルとなり、それ以外は、Ｌレベルとなる。
【００４２】
この関係を整理して異常監視回路８１の動作を纏めると、ＶＬ＜Ｖｏ＜ＶＨの場合には、ＡＮＤゲートＧ１の出力がＨレベルとなるが、それ以外のＶｏ＜ＶＬ及びＶｏ＞ＶＨの場合には、ＡＮＤゲートＧ１の出力がＬレベルとなる。そして、ＡＮＤゲートＧ１の出力は、トランジスタＱｂのゲート端子に供給されているので、ＶＬ＜Ｖｏ＜ＶＨの場合だけ、トランジスタＱｂがＯＮ動作することになる。
【００４３】
電流制限回路８２は、ＰＮＰ型トランジスタＱ３と、コレクタ抵抗Ｒ４、バイアス抵抗Ｒ１０と、払出モータＭＯの電流検出抵抗Ｒ１３と、バイアス抵抗Ｒ５と、コンデンサＣ１と、ＮＰＮ型トランジスタＱ４と、電流制限抵抗Ｒ８と、逆方向電流阻止用のダイオードＤ２とで構成されている。
【００４４】
トランジスタＱ３のエミッタ端子は、フォトカプラのトランジスタＴｒのエミッタ端子と、電流制限抵抗Ｒ８とに接続されている。そして、トランジスタＱ３のエミッタ端子とベース端子の間には、電流制限抵抗Ｒ８とダイオードＤ２とが直列接続され、ダイオードＤ２のカソード端子が、トランジスタＱ３のベース端子に接続されている。また、ダイオードＤ２のカソード端子は、トランジスタＱ４のコレクタ端子に接続され、そのエミッタ端子はグランドに接続されている。トランジスタＱ４のベース端子は、並列接続されたコンデンサＣ１及び抵抗Ｒ５を通して、グランドに接続されている。
【００４５】
また、トランジスタＱ４のベース端子は、抵抗Ｒ１０を通して、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ５のソース端子に接続されている。ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ５のソース端子とグランドとの間に、抵抗Ｒ１３が接続されて、払出モータＭＯの駆動電流を監視している。なお、電流検出抵抗Ｒ１３は、０．５１Ω程度である。
【００４６】
駆動制御回路８３は、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ５と、バイアス抵抗Ｒ９と、コンデンサＣ３とで構成されている。ここで、ＭＯＳトランジスタＱ５のドレイン端子は、払出モータＭＯの（−）端子に接続されている。そして、ベース端子とソース端子との間には、並列接続された抵抗Ｒ９及びコンデンサＣ３が接続されている。
【００４７】
動作禁止回路８４は、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＱ６と、分圧用のバイアス抵抗Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ６，Ｒ７と、コンデンサＣ２と、逆方向電流阻止用のダイオードＤ１と、ポリスイッチＲＴとで構成されている。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＱ６のソース端子とドレイン端子は、各々、払出モータＭＯの（＋）端子と（−）端子に接続されている。したがって、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＱ６がＯＮ動作すると払出モータＭＯの駆動が禁止されることになる。
【００４８】
一方、ＭＯＳトランジスタＱ６のソース端子とゲート端子間には抵抗Ｒ１１が接続され、ゲート端子とグラントとの間には、バイアス抵抗Ｒ１２，Ｒ６，Ｒ７が直列接続されている。そして、抵抗Ｒ１２と抵抗Ｒ６の接続点には、ダイオードＤ１のカソード端子が接続されている。一方、ダイオードＤ１のアノード端子は、フォトカプラＰＣのトランジスタＴｒのエミッタ端子と、抵抗Ｒ８とに接続されている。
【００４９】
ポリスイッチＲＴは、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２のドレイン端子と払出モータＭＯの（＋）端子との間に接続されている。ここでポリスイッチとは、ポリマー系のＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient)サーミスタであり、素子温度が所定値より上昇すると、正常状態では１Ω以下の抵抗値が、急激に増加して１０４Ω〜１０６Ω程度になる特性を有している。したがって、例えば、払出モータＭＯの配線の短絡などによって過大電流が流れる場合には、ＤＣ２４Ｖの電源ラインを開放状態にする役目を果たす。なお、このポリスイッチＲＴは、電流制限回路８２が機能しないようなトラブル時に大きな意義がある。
【００５０】
続いて、主制御部５０において実行されるメダル払出処理について図８のフローチャートに基づいて説明する。先ず、遊技者に払出すべきメダル払出枚数が０か否か判定され（ＳＴ１０）、メダル払出枚数≠０であれば、クレジット数が上限値（例えば５０枚）に達するまでは、クレジット数を増加させることで払出処理を実行する（ＳＴ１１〜ＳＴ１３）。
【００５１】
一方、このようにしてクレジット数が上限値に達するか、或いは、もともと上限値に達している場合には、メダル払出信号ＰＡＹをＯＮ状態（つまり、ＨｉＺ状態）にする（ＳＴ１５）。具体的には、主制御部５０の出力トランジスタＱａをＯＦＦ状態に遷移させて、メダル払出制御基板５５のフォトカプラＰＣをＯＮ動作させる。この結果、払出モータＭＯが回転を開始してメダルの払出が開始される。
【００５２】
そこで、次に、払出センサＳＥ（図５）がメダル払出を検出したか否か判定され（ＳＴ１６）、所定の待機時間、メダルの払出が検出されるのを待つ（ＳＴ１８）。そして、メダルの払出が検出されれば、払出枚数を減算し（ＳＴ１７）、残余払出枚数が０になるまで同じ動作を繰返す。一方、所定の待機時間を超えても、払出センサＳＥがメダルの払出を検出しない場合は、メダルホッパー５ａが空であると思われるので、その旨の異常報知処理を実行する（ＳＴ１９）。そして、ドアセンサの開閉が検出されたら、係員による補給処理が完了したと想定して、エラー報知処理を解除してステップＳＴ１５の処理に戻る。
【００５３】
このような処理を繰返していると、やがて、残余払出枚数が０になるので（ＳＴ１３）、メダル払出信号ＰＡＹをＯＦＦ状態（つまり、Ｌレベル状態）にして処理を終える（ＳＴ１４）。具体的には、主制御部５０の出力トランジスタＱａをＯＮ状態に遷移させ、メダル払出制御基板５５のフォトカプラＰＣをＯＦＦ動作させる。この結果、払出モータＭＯの回転が停止される。
【００５４】
図９〜図１０は、メダル払出動作を説明するための図面である。先ず、主制御部５０の出力トランジスタＱａがＯＦＦ状態（ＨｉＺ状態）となった場合（ＳＴ１５）について、図９に基づいて説明する。
【００５５】
＜払出動作＞
払出指令がＬレベルに遷移して出力トランジスタＱａがＯＦＦ状態に遷移すると、メダル払出信号ＰＡＹはＨｉＺ状態となるので、ＯＰアンプＡＭはボルテージフォロアとして機能する。そのため、ＯＰアンプＡＭの出力端子には、非反転入力端子（−）に供給された中位レベルの比較電圧ＶＭがそのまま出力される（Ｖｏ＝ＶＭ）。
【００５６】
すると、必ず、ＶＬ＜Ｖｏ＜ＶＨの関係が成立して、ＡＮＤゲートＧ１の出力がＨレベルとなり、ＭＯＳトランジスタＱｂがＯＮ状態に遷移することで、フォトカプラＰＣがＯＮ状態となる。
【００５７】
そして、フォトカプラのトランジスタＴｒを通過する直流電流は、ダイオードＤ１→抵抗Ｒ６→Ｒ７の経路に流れる。また、トランジスタＴｒを通過する直流電流は、抵抗Ｒ８→抵抗Ｒ９→抵抗Ｒ１３の経路と、抵抗Ｒ８→抵抗Ｒ９→抵抗Ｒ１０→Ｒ５の経路にも流れる。その結果、トランジスタＱ５はＯＮ状態となり、ポリスイッチＲＴ→払出モータＭＯ→トランジスタＱ５の経路でモータ駆動電流が流れ、払出モータＭＯが回転する。
【００５８】
この時、電流制限回路８２は、過大なモータ駆動電流が流れることを防止する負帰還回路として機能する。すなわち、モータ駆動電流は、電流検出抵抗Ｒ１３に流れるので、仮に、モータ駆動電流が大きく増加すると、トランジスタＱ４のベース電位が増加して、抵抗Ｒ８→ダイオードＤ２経路でコレクタ電流が流れる。
【００５９】
すると、トランジスタＱ４とトランジスタＱ３とは、サイリスタ構造を有して接続されているので、トランジスタＱ４のコレクタ電流の増加が、トランジスタＱ３のコレクタ電流の増加をもたらし、抵抗Ｒ５を経由してトランジスタＱ４のコレクタ電流を益々増加させることで、２つのトランジスタＱ３，Ｑ４は、ＯＮ動作に向けた正帰還ループを形成する。
【００６０】
一方、トランジスタＱ４のコレクタ電流が飽和電流に向けて増加すると、ダイオードＤ２のアノード端子の電位が降下するので、トランジスタＱ５をＯＦＦ動作させる向きの負帰還ループが形成される。したがって、トランジスタＱ５の動作に基づいて、過大なモータ駆動電流が流れることが防止され、モータ駆動電流が所定範囲に維持される。
【００６１】
ところで、払出モータＭＯが駆動されているタイミングでは、トランジスタＱ６は、ＯＦＦ状態である。それは、抵抗Ｒ１１→抵抗Ｒ１２→抵抗Ｒ６→抵抗Ｒ１８の経路で電流が流れると共に、ダイオードＤ１→抵抗Ｒ６→抵抗Ｒ１８の経路でも電流が流れるので、抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２の両端電圧が、トランジスタＴｒの飽和電圧ＶＣＥとダイオードの順方向電圧降下ＶＦからＶＣＥ＋ＶＦ≒１Ｖに抑制されるからである。
【００６２】
＜払出禁止＞
次に、図１０に基づいて、主制御部５０の出力トランジスタＱａがＯＮ状態となった場合（ＳＴ１３）の動作を説明する。
【００６３】
この場合には出力トランジスタＱａがＯＮ状態であるので、メダル払出信号ＰＡＹはＬレベルとなる。このＬレベルのメダル払出信号ＰＡＹ（＝Ｖｉ）は、ＯＰアンプＡＭの反転入力端子（−）に供給されるので、ＯＰアンプＡＭの出力Ｖｏは、Ｈレベルの飽和電圧（＝Ｖｃｃ）となる。したがって、Ｖｏ＞ＶＨの関係が成立して、ＡＮＤゲートＧ１の出力がＬレベルとなり、ＭＯＳトランジスタＱｂがＯＦＦ状態に遷移することで、フォトカプラＰＣがＯＦＦ状態となる。
【００６４】
このようにして、フォトカプラＰＣがＯＦＦ状態に遷移するので、トランジスタＱ３，Ｑ４，Ｑ５はＯＮ状態とならない。但し、抵抗Ｒ１１→抵抗Ｒ１２→抵抗Ｒ６→抵抗Ｒ７→グランドの経路では電流が流れる。ここで、抵抗Ｒ１１の両端電圧は、２４＊Ｒ１１／（Ｒ１１＋Ｒ１２＋Ｒ６＋Ｒ７）≒３Ｖとなるよう設定されているので、このソース端子とゲート端子間の電圧によってトランジスタＱ６はＯＮ状態となる。
【００６５】
このトランジスタＱ６のＯＮ動作は、フォトカプラＰＣのＯＮからＯＦＦへの遷移時に実行されるので、発電機として機能する払出モータＭＯの出力電流がトランジスタＱ６の短絡電流として吸収され、払出モータＭＯの回転にブレーキがかかる。そのため、本実施例の構成によれば、慣性力によるメダルの過払いが防止される。
【００６６】
＜違法行為時＞
次に、図１１に基づいて、違法行為時について説明する。ここでは、例えば、違法遊技者がコネクタＣＮ４のメダル払出信号ＰＡＹの信号線に、適宜レベルの違法電圧ＥＸを供給して払出モータＭＯを回転させようとする場合を考える。なお、違法回路の出力抵抗ｒを考慮して、図１１に示している。
【００６７】
図１１の回路構成では、Ｖｏ＝ＶＭ−（ＥＸ−ＶＭ）＊Ｒｆ／ｒの関係が成立するので、Ｖｏ＝｛（ｒ＋Ｒｆ）＊ＶＭ−Ｒｆ＊ＥＸ｝／ｒ・・・（式１）となる。なお、Ｒｆ≫ｒと仮定するとＶｏ≒Ｒｆ＊（ＶＭ−ＥＸ）／ｒ・・・（式１’）となる。そのため、ＡＮＤゲートＧ１の出力をＨレベルに遷移させるためには、ＶＨ＞Ｒｆ＊（ＶＭ−ＥＸ）／ｒ＞ＶＬ・・・（式２）の条件が成立させる必要がある。
【００６８】
この条件を定式化するために、（式２）にＶＨ，ＶＭ，ＶＬを代入すると
（Ｒｄ＋Ｒｅ）＊Ｖｃｃ／ＳＭ−ｒ＊Ｒｅ＊Ｖｃｃ／（Ｒｆ＊ＳＭ）＞ＥＸ＞
（Ｒｄ＋Ｒｅ）＊Ｖｃｃ／ＳＭ−ｒ＊（Ｒｃ＋Ｒｄ＋Ｒｅ）＊Ｖｃｃ／（Ｒｆ＊ＳＭ）・・・（式３）となる。
【００６９】
ここで、（式３）の不等式の左辺は、｛Ｒｆ＊（Ｒｄ＋Ｒｅ）−ｒＲｅ）｝＊Ｖｃｃ／（Ｒｆ＊ＳＭ）・・・（式４）となる。一方、右辺は、｛（Ｒｆ−ｒ）＊（Ｒｄ＋Ｒｅ）−ｒ＊Ｒｃ｝＊Ｖｃｃ／（Ｒｆ＊ＳＭ）・・・（式５）となる。ここで、Ｒｆ≫ｒの条件を入れると、（式３）の右辺は、ほぼ｛Ｒｆ＊（Ｒｄ＋Ｒｅ）−ｒ＊Ｒｃ｝＊Ｖｃｃ／（Ｒｆ＊ＳＭ）・・・（式５’）に一致する。
【００７０】
この（式４）と（式５’）の関係を整理すると、
｛Ｒｆ＊（Ｒｄ＋Ｒｅ）−ｒＲｅ）｝＊Ｖｃｃ／（Ｒｆ＊ＳＭ）＞ＥＸ＞｛Ｒｆ＊（Ｒｄ＋Ｒｅ）−ｒ＊Ｒｃ｝＊Ｖｃｃ／（Ｒｆ＊ＳＭ）・・・（式６）となる。
【００７１】
ここで、不等式の右辺と左辺を対比すると明らかな通り、この条件を満たすＥＸを生成することは極めて困難であり、要するに、違法電圧ＥＸを加えても違法行為を成功さえることは事実上不可能となる。
【００７２】
因みに、（式３）の不等式の左辺と右辺の差から、違法行為を成功させる違法電圧ＥＸの電圧範囲ΔＥを算出すると、ΔＥ＝ｒ＊（Ｒｄ＋Ｒｃ）＊Ｖｃｃ／（Ｒｆ＊ＳＭ）であり、本実施例のように、Ｒｄ＋Ｒｃを適宜に小さく設定し、Ｒｆを適宜に大きく設定することで、フォトカプラをＯＮ動作させることができる違法電圧ＥＸの電圧範囲を幾らでも狭くすることができる。
【００７３】
好ましくは、ΔＥ＝±０．０５〜±０．１Ｖ程度に設定するべきである。なお、このようなΔＥ≒０のようなシビアな設計をしても、ＶＬ＜ＶＭ＜ＶＨの条件は常に満足されるので、本来の払出動作に支障は生じない。更に、各分圧抵抗の抵抗値を公称値からばらつかせるべく、低精度の抵抗素子を使用すると、違法行為が更に困難となる（式６参照）。なお、ΔＥを正確に狭範囲に設定するためには、抵抗Ｒｃ及び抵抗Ｒｄについては、高精度で低抵抗値を選択するのが好ましい。
【００７４】
以上、本発明の実施例について具体的に説明したが、具体的な記載内容は特に本発明を限定する趣旨ではなく、適宜に変更可能である。例えば、先に実施例では、スロットマシンについて説明したが、遊技球の払出処理をＤＣモータで実現する弾球遊技機においては、本発明が好適に適用される。
【符号の説明】
【００７５】
ＰＡＹ    払出制御信号
５０      他の回路基板
５５      払出制御部
ＡＭ      バッファ回路
ＶＨ            比較電圧
ＶＬ            比較電圧
ＣＰ１，ＣＰ２  コパレータ回路
Ｑｂ            スイッチ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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