(57)【要約】【課題】高い導電性を有し、溶媒に対する分散性が高いインジウム複合酸化物粒子及びその製造方法を提供する。また、例えば分離操作が不要である等、実製造で使用可能な、簡便かつコストを低減することができるインジウム複合酸化物の製造方法を提供する。【解決手段】インジウム酸化物粒子にハロゲン化錫をＭＳｎ／（ＭＳｎ＋ＭＩｎ）＝０．００１〜０．０５（式中、ＭＳｎは錫のモル数であり、ＭＩｎはインジウムのモル数である。）の割合で混合し、得られた混合物を不活性ガス雰囲気又は還元ガス含有雰囲気中で２００〜７５０℃にて加熱するインジウム複合酸化物粒子の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジウム酸化物粒子にハロゲン化錫を以下の割合で混合し、得られた混合物を不活性ガス雰囲気又は還元ガス含有雰囲気中で２００〜７５０℃にて加熱するインジウム複合酸化物粒子の製造方法。
ＭＳｎ／（ＭＳｎ＋ＭＩｎ）＝０．００１〜０．０５
（式中、ＭＳｎは錫のモル数であり、ＭＩｎはインジウムのモル数である。）
【請求項２】
前記還元ガスが水素ガスである請求項１に記載のインジウム複合酸化物粒子の製造方法。
【請求項３】
前記インジウム複合酸化物粒子の粒子径が１〜１００ｎｍである請求項１又は２に記載のインジウム複合酸化物粒子の製造方法。
【請求項４】
前記インジウム酸化物粒子を、前記ハロゲン化錫の水溶液と混合し、このとき、前記インジウム酸化物粒子１００重量部に対して、前記水溶液の水の量が１００重量部以下である請求項１〜３のいずれかに記載のインジウム複合酸化物粒子の製造方法。
【請求項５】
前記ハロゲン化錫がＳｎＦ４，ＳｎＣｌ４，ＳｎＢｒ４，ＳｎＩ４，ＳｎＡｔ４，ＳｎＦ２，ＳｎＣｌ２，ＳｎＢｒ２，ＳｎＩ２から選ばれる少なくとも１つである請求項１〜４のいずれかに記載のインジウム複合酸化物粒子の製造方法。
【請求項６】
インジウム、錫及びハロゲンを以下のモル比で含むインジウム複合酸化物粒子。
ＭＳｎ／（ＭＩｎ＋ＭＳｎ）＝０．００１〜０．０５
ＭＸ／（ＭＩｎ＋ＭＳｎ＋ＭＸ）＝０．０００５〜０．０５
（式中、ＭＳｎは錫のモル数であり、ＭＩｎはインジウムのモル数であり、ＭＸはハロゲンのモル数である。）
【請求項７】
９．８１ＭＰａの加圧時の電気伝導度が１．０×１０Ｓ／ｃｍ以上である請求項６に記載のインジウム複合酸化物粒子。
【請求項８】
粒子径が１〜１００ｎｍである請求項６又は７に記載のインジウム複合酸化物粒子。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれかに記載のインジウム複合酸化物粒子を溶媒中に分散させた分散液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性塗料、熱線反射塗料等の塗料、着色材、帯電防止材、静電気防止材、電磁波シールド材等の機能性材料の添加剤等として用いられる導電性に優れたハロゲン含有インジウム錫酸化物粒子（以下、インジウム複合酸化物粒子ともいう）の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子材料、触媒、医薬・化粧品等の幅広い分野で微粒子を製造する技術へのニーズが高まっている。特にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を主成分とする導電性酸化物粒子は、その高導電性である特徴を利用し、透明導電性膜への利用が盛んになっている。透明導電性膜の作製方法として例えば、一次粒子径約０．２μｍ以下の導電性酸化物粒子の粉末を、溶媒とバインダー樹脂とからなる溶液中に分散させ、これを、ガラス、プラスチック等の基材に塗布、印刷、浸漬、スピンコートあるいは噴霧等の手段で塗工し、乾燥する方法がある。
【０００３】
こうして作製した透明導電膜は、ガラス、プラスチック等の帯電防止やほこりの付着防止に有効であり、例えば、ディスプレイや計測器の窓ガラスの帯電防止やほこりの付着防止に利用されている。
【０００４】
さらに、導電性酸化物粒子は、ＩＣパッケージ回路、クリーンルーム内装材、各種ガラスやフィルム等の帯電防止やほこりの付着防止、塗布型透明電極又は赤外線遮蔽材料等の用途に利用され始めている。
【０００５】
導電性酸化物粒子としては、酸化インジウムを主成分とするものがよく知られており、特許文献１には酸化インジウムを導電性にする方法として不飽和な金属ハロゲン化物と接触処理する方法が示されている。本方法では低温で処理できるものの、不飽和な金属ハロゲン化物は化学的に不安定であり取扱が難しいばかりでなく、導電性を十分高くすることができない。さらに導電性を高くするためには錫をあらかじめ固溶させたインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を作製しこれにさらに不飽和な金属ハロゲン化物を処理する必要がある（６．９ＭＰａの加圧下；特許文献１の第４表）。
【０００６】
上記のように酸化インジウム単独では一般に十分導電性が高くならないため、一般に、４価となる錫等の金属元素を添加し焼成することで導電性の高いＩＴＯとしている。
このインジウム複合酸化物粒子の製造方法としては、例えば、錫とインジウムとを塩化物又は硝酸塩として溶解した水溶液をアルカリ水溶液と反応させて、錫とインジウムの水酸化物を共沈させる。そして、この共沈水酸化物をろ過、乾燥後、これを大気中で加熱処理して酸化物に変換させたり、より低抵抗化させるために不活性ガス下で焼成する溶液法（特許文献２参照）が一般的であるが、工程数が多く、微粒子分散液のろ過等多大な時間とエネルギーがかかり、コストアップが問題となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭５４−６７６９８号公報
【特許文献２】特開平０１−１０００２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、かかる課題を解決するためになされたものであり、インジウム酸化物粒子をハロゲン化錫化合物と混合し、低酸素雰囲気下、低温で焼成することにより、高い導電性を持つインジウム複合酸化物の超粒子が得られることを発見し、発明を完成するに至った。
本発明は、高い導電性を有し、溶媒に対する分散性が高いインジウム複合酸化物粒子及びその製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、例えば分離操作が不要である等、実製造で使用可能な、簡便かつコストを低減することができるインジウム複合酸化物の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、以下のインジウム複合酸化物粒子の製造方法等が提供される。
１．インジウム酸化物粒子にハロゲン化錫を以下の割合で混合し、得られた混合物を不活性ガス雰囲気又は還元ガス含有雰囲気中で２００〜７５０℃にて加熱するインジウム複合酸化物粒子の製造方法。
ＭＳｎ／（ＭＳｎ＋ＭＩｎ）＝０．００１〜０．０５
（式中、ＭＳｎは錫のモル数であり、ＭＩｎはインジウムのモル数である。）
２．前記還元ガスが水素ガスである１に記載のインジウム複合酸化物粒子の製造方法。
３．前記インジウム複合酸化物粒子の粒子径が１〜１００ｎｍである１又は２に記載のインジウム複合酸化物粒子の製造方法。
４．前記インジウム酸化物粒子を、前記ハロゲン化錫の水溶液と混合し、このとき、前記インジウム酸化物粒子１００重量部に対して、前記水溶液の水の量が１００重量部以下である１〜３のいずれかに記載のインジウム複合酸化物粒子の製造方法。
５．前記ハロゲン化錫がＳｎＦ４，ＳｎＣｌ４，ＳｎＢｒ４，ＳｎＩ４，ＳｎＡｔ４，ＳｎＦ２，ＳｎＣｌ２，ＳｎＢｒ２，ＳｎＩ２から選ばれる少なくとも１つである１〜４のいずれかに記載のインジウム複合酸化物粒子の製造方法。
６．インジウム、錫及びハロゲンを以下のモル比で含むインジウム複合酸化物粒子。
ＭＳｎ／（ＭＩｎ＋ＭＳｎ）＝０．００１〜０．０５
ＭＸ／（ＭＩｎ＋ＭＳｎ＋ＭＸ）＝０．０００５〜０．０５
（式中、ＭＳｎは錫のモル数であり、ＭＩｎはインジウムのモル数であり、ＭＸはハロゲンのモル数である。）
７．９．８１ＭＰａの加圧時の電気伝導度が１．０×１０Ｓ／ｃｍ以上である６に記載のインジウム複合酸化物粒子。
８．粒子径が１〜１００ｎｍである６又は７に記載のインジウム複合酸化物粒子。
９．６〜８のいずれかに記載のインジウム複合酸化物粒子を溶媒中に分散させた分散液。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、高い導電性を有し、溶媒に対する分散性が高く、インジウム複合酸化物粒子及びその製造方法を提供できる。また、本発明によれば、製造プロセスが簡便で、安価なインジウム複合酸化物粒子の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明のインジウム複合酸化物粒子の製造方法は、インジウム酸化物粒子にハロゲン化錫を以下の割合で混合し、得られた混合物を不活性ガス雰囲気又は還元ガス含有雰囲気中で２００〜７５０℃にて加熱する。
ＭＳｎ／（ＭＳｎ＋ＭＩｎ）＝０．００１〜０．０５
式中、ＭＳｎは錫のモル数であり、ＭＩｎはインジウムのモル数である。
【００１２】
出発原料は、インジウム酸化物粉末とハロゲン化錫化合物である。
インジウム酸化物粉末の粒子径は特に限定されないが、出発原料の段階で、粒子径が１〜１００ｎｍ程度であると、超微粒子インジウム複合酸化物を作製し易いので好ましい。インジウム酸化物粉末の純度は９９．０％以上が好ましい。
【００１３】
また、ハロゲン化錫としてはフッ化第二錫、塩化第二錫、臭化第二錫、ヨウ化第二錫、アスタチン化第二錫、フッ化第一錫、塩化第一錫、臭化第一錫、ヨウ化第一錫等が挙げられるが、取扱の容易さから第二錫化合物が好適である。この出発原料のハロゲン化錫の純度は９０．０％以上が好ましい。
また、ハロゲン化錫は１種のみを用いてもよいし又は２種以上を併用してもよい。
【００１４】
そして、出発原料のインジウム酸化物粉末とハロゲン化錫化合物とを、錫モル数が、インジウムモル数と錫モル数の合計に対して０．００１〜０．０５となる割合で混合して混合物を作製する。
インジウム元素と錫元素に対する錫元素のモル比の下限は、好ましくは０．００２、さらに好ましくは０．００５である。上限は、好ましくは０．０４、さらに好ましくは０．０３である。また上記モル比は、好ましくは０．００２以上０．０４以下であり、特に好ましくは０．００５以上０．０３以下である。
【００１５】
錫が少なすぎるとキャリヤーの生成が十分でない恐れがあり、多すぎると酸化インジウムに固溶しないばかりでなく、還元雰囲気では２価の錫が多くなり散乱原因となり電気伝導度が低下する恐れがある。
【００１６】
インジウム酸化物粉末とハロゲン化錫とを混合する方法は特に限定されないが、例えば乳鉢で混合してもよく、アトライタ、ジェットミル、ボールミル、遊星ミル、超音波等を用いた一般的な混合方法により混合してもよい。
【００１７】
インジウム酸化物粉末と混合するハロゲン化錫の形態は、特に限定されないが、ハロゲン化錫化合物を水に溶解した水溶液の状態でインジウム酸化物粉末と混合すれば、インジウム酸化物粉末とハロゲン化錫化合物とが均一に混合された混合物を作製し易いので好ましい。
【００１８】
特に、インジウム酸化物粉末の粒子径が大きい場合は、遊星ボールミル等の混合粉砕機に、インジウム酸化物粉末とハロゲン化錫化合物の水溶液とを入れ、インジウム酸化物粉末を粉砕しながら混合し、平均粒子径が１〜１００ｎｍ程度の混合物とすることが可能である。
この場合、インジウム酸化物粒子１００重量部に対して、インジウム酸化物粒子とハロゲン化錫の水溶液の水の量が１００重量部以下であると好ましく、８０重量部以下であるとより好ましい。水の量が多すぎると乾燥が長時間になり、消費エネルギーも多大となる恐れがある。
【００１９】
得られた混合物を不活性ガス雰囲気又は還元ガス含有雰囲気中で２００〜７５０℃にて加熱する。
加熱の方法は、特に限定されず、一般的な電気炉やマイクロ波加熱炉等を用いることができる。加熱温度を２００〜７５０℃とするのは、２００℃以上であれば、インジウム酸化物とハロゲン化錫との反応が効率的に起こるからであり、７５０℃以下であれば、粒成長により粒子が大きくなりすぎることもないからである。
【００２０】
この加熱温度の下限は好ましくは２２０℃、さらに好ましくは２５０℃である。上限は好ましくは７００℃、さらに好ましくは６５０℃である。また、所定の加熱温度までの昇温速度は、特に限定されず、例えば、１０〜５０℃／分程度の昇温速度で昇温することができる。
【００２１】
本発明によるインジウム複合酸化物粒子の電気伝導度の向上は、４価の錫元素が酸化インジウムに固溶して自由電子が生成したこと、ハロゲンが酸素を置換して自由電子が生成したこと、及び／又は不活性ガス雰囲気又は還元ガス含有雰囲気で加温することによる脱酸素により自由電子が生成したことが理由として考えられる。２００℃〜７５０℃の中でも低温では、ハロゲン元素の自由電子生成効果が優勢になり、比較的高温になれば錫元素及び酸素欠損による導電性向上が優勢になると考えられる。
【００２２】
加熱時間は特に限定されないが、例えば１〜１２０分である。加熱時間が１分以上であれば、インジウム酸化物粉末に錫元素を効率的に含有させることができ、１２０分以下であれば、粒成長により粒子が大きくなりすぎる恐れもないからである。加熱時間の下限は好ましくは５分、さらに好ましくは１０分である。上限は好ましくは９０分、より好ましくは６０分である。
尚、加熱時間が長くなると、粒子が成長する傾向にあるが、加熱温度の影響ほど大きくないと考えられる。
【００２３】
高い導電性を有するインジウム複合酸化物粒子を得るためには、低酸素雰囲気が好ましいので、加熱雰囲気を不活性ガス雰囲気とするのが好ましい。この不活性ガス雰囲気では、酸素濃度は１体積％以下とするのが好ましい。不活性ガスとしてはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、窒素ガス等が挙げられる。
【００２４】
また、還元ガスがインジウム酸化物とハロゲン化錫との反応を促進させることから、加熱雰囲気を還元ガス含有雰囲気とすることも好ましい。ここで還元ガス含有雰囲気とは、還元ガス１００％の雰囲気、又は大気もしくは不活性ガスに還元ガスを含有した雰囲気を意味し、還元ガスを好ましくは０．０１〜１００体積％（さらに好ましくは０．０５〜２０．０体積％、特に好ましくは０．５〜５体積％）含有するものが好ましい。還元ガスとしては水素、アンモニウムガス等が挙げられ、水素ガスが好ましい。
これにより、９．８１ＭＰａの加圧時の電気伝導度が、例えば１．０×１０Ｓ／ｃｍ以上と高いインジウム複合酸化物粒子が得られる。
【００２５】
以上の製造方法により得られるインジウム複合酸化物粒子は、好ましくは粒子径が１ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００２６】
本発明の製造方法によれば、１０Ｓ／ｃｍを超える高い電気伝導度を有し得るインジウム複合酸化物を、原料を混合し７５０℃以下の温度で非酸化性雰囲気中で加熱するだけで製造でき、分離操作も必要なく、簡便なプロセスであり消費エネルギーも格段に少なくできる。
【００２７】
本発明のインジウム複合酸化物粒子は、インジウム、錫及びハロゲンを以下のモル比で含む。
ＭＳｎ／（ＭＩｎ＋ＭＳｎ）＝０．００１〜０．０５
ＭＸ／（ＭＩｎ＋ＭＳｎ＋ＭＸ）＝０．０００５〜０．０５
式中、ＭＳｎは錫のモル数であり、ＭＩｎはインジウムのモル数であり、ＭＸはハロゲンのモル数である。
【００２８】
ハロゲン量が少なすぎると導電性の向上効果が見られない恐れがあり、多すぎると導電性が低下する恐れがある。ＭＸ／（ＭＩｎ＋ＭＳｎ＋ＭＸ）は好適には０．００１〜０．０２である。
ハロゲン元素がインジウム複合酸化物粒子中に存在することで、表面水酸基を置換し、粒子間の電気抵抗を下げているものと考えられる。
【００２９】
本発明のインジウム複合酸化物粒子は好ましくは実質的にインジウム、錫及びハロゲンからなる。
上記において「実質的」とは、インジウム複合酸化物粒子としての効果が上記元素に起因すること、又はインジウム複合酸化物粒子の９５体積％以上１００体積％以下（好ましくは９８体積％以上１００体積％以下）が上記元素であることを意味する。
上記のように本発明のインジウム複合酸化物粒子は、本発明の効果を損なわない範囲で他に不可避不純物を含んでいてもよい。
【００３０】
本発明のインジウム複合酸化物粒子は、好ましくは９．８１ＭＰａの加圧時の電気伝導度が１．０×１０Ｓ／ｃｍ以上である。また、粒子径は好ましくは直径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【００３１】
本発明のインジウム複合酸化物粒子は、ハロゲン以外の成分が実質的にインジウム錫酸化物である粒子によって、高い導電性を有し、溶媒に対する分散性が高い導電性粒子が得られる。本発明の粒子は上記の方法により得ることができる。
【００３２】
本発明のインジウム複合酸化物粒子は、水酸化物原料等から製造する溶液法とは異なり、インジウム酸化物を原料としているため格子欠陥が少なく、また少量の錫及びハロゲン元素のドーピングによりキャリヤーを導入しているため、錫やハロゲン元素による散乱も少ないため電子の移動度が高く、高い電気伝導性が得られる。
【００３３】
本発明のインジウム複合酸化物粒子を溶媒に分散させることにより、分散液とすることができる。
【００３４】
本発明のインジウム複合酸化物粒子は、ゼータ電位が高い（例えば＋１０ｍＶ以上）ので、溶媒に対する分散性が高く、インジウム複合酸化物粒子が均一に分散した溶液を得ることが可能となる。
【００３５】
本発明に用いられる溶媒は、特に限定されず、水、有機溶媒等を用いることができる。有機溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、トルエン、キシレン等の芳香族溶媒、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン等のアルコール類等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３６】
溶媒の量については特に制限がなく、用途等に応じて適当な量を用いればよい。
【００３７】
さらに、必要に応じて、脂肪酸アミン系、スルホン酸アミド系、ε−カプトラクトン系、ハイドロステアリン酸系、ポリカルボン酸系、ポリエステル系等の分散剤を使用することも可能である。
【００３８】
分散液は、そのまま塗料として用いることもできるが、塗膜形成成分としてポリエステル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、アルキド樹脂、シリコン樹脂等を加えて、塗料として用いることもできる。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明の実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４０】
実施例１
塩化第二錫五水和物（和光純薬工業株式会社製：純度９８％）１．５ｇを２０ｇの蒸留水に溶解させ、この溶液を酸化インジウム粉末（アジア物性株式会社製、Ｉｎ２Ｏ３純度９９．９９％  乾燥品）９８．５ｇに添加し遊星ボールミルにて６時間混合し、混合粒子を得た。混合時の塩化第二錫五水和物と酸化インジウム粉末の重量から計算すると、錫の原子数（ＭＳｎ）とインジウムの原子数（ＭＩｎ）との合計の原子数（ＭＳｎ＋ＭＩｎ）に対する錫の原子数、即ち［ＭＳｎ／（ＭＳｎ＋ＭＩｎ））］は０．００６であった。
次に、得られた混合粉体を９０℃で３時間乾燥させ、乾燥後、この混合粉体をアルミナボートに入れ、このアルミナボートを管状炉の中に挿入し、加熱雰囲気として、水素を２体積％混合した窒素ガスを０．５リットル／分の流量で流した。そして、加熱温度を５００℃、加熱時間を３０分とするために、室温から５００℃まで約２０分間かけて昇温し、５００℃で３０分間保持し、その後加熱を止め、アルミナボートを取り出して冷却し、灰色の粒子を得た。
【００４１】
この灰色の粒子の塩素、インジウム及び錫の量をＸＲＦ（蛍光Ｘ線分析）により測定したところ、この灰色の粒子は、インジウム錫酸化物に塩素が含有された粒子であり、インジウムの原子数（ＭＩｎ）、錫の原子数（ＭＳｎ）と塩素の原子数（ＭＣｌ）との合計の原子数（ＭＩｎ＋ＭＳｎ＋ＭＣＬ）に対する塩素の原子数、即ち［ＭＣｌ／（ＭＩｎ＋ＭＳｎ＋ＭＣｌ）］が０．００２２であった。
また、インジウム複合酸化物粒子におけるＭＳｎ／（ＭＳｎ＋ＭＩｎ）は混合時のＭＳｎ／（ＭＳｎ＋ＭＩｎ）であった。
【００４２】
この灰色の粒子について、電気伝導度（σ）を、粒子抵抗測定システム（株式会社ダイアインスツルメント製）を用い、加圧しながら四探針法により測定し、圧力−電気伝導度のグラフから９．８１ＭＰａにおける電気伝導度を得た。
その結果、９．８１ＭＰａの加圧時の電気伝導度は、２５．２Ｓ／ｃｍであり、電気伝導性が良好であった。
【００４３】
この灰色の粒子の平均粒子径を、窒素吸着によるＢＥＴ比表面積測定法により比表面積を測定し、インジウム複合酸化物の密度（７．１２ｇ／ｃｍ３）を用いて、下記式から算出した。
平均粒子径（μｍ）＝６／（密度×比表面積）
その結果、平均粒子径は４８ｎｍであった。
【００４４】
この灰色の粒子について、ゼータ電位（ＺＰ）測定装置（シスメックス株式会社製ゼータサイザーナノシリーズ）でゼータ電位を測定したところ、ゼータ電位は＋２９ｍＶとプラスの大きな値であった。
【００４５】
この灰色の粒子の［ＭＣｌ／（ＭＩｎ＋ＭＳｎ＋ＭＣｌ）］、電気伝導度、平均粒子径及びゼータ電位を測定した結果を表１に示す。この灰色の粒子であるインジウム複合酸化物超微粒子は、電気伝導度が高く、粒子径が小さく、かつゼータ電位が高く、優れた導電性と分散性を有することがわかった。
【００４６】
実施例２
酸化インジウムの量を９７．９６ｇ、塩化第二錫の量を２．０４ｇとした他は実施例１と同様の条件で灰色の粒子を得た。この灰色の粒子の［ＭＣｌ／（ＭＩｎ＋ＭＳｎ＋ＭＣｌ）］、電気伝導度、平均粒子径及びゼータ電位を測定した結果を表１に示す。電気伝導度とゼータ電位が高くかつ平均粒子径も小さい粒子が得られた。
【００４７】
実施例３
酸化インジウムの量を９７．４６ｇ、塩化第二錫の量を２．５４ｇとした他は実施例１と同様の条件で灰色の粒子を得た。この灰色の粒子の［ＭＣｌ／（ＭＩｎ＋ＭＳｎ＋ＭＣｌ）］、電気伝導度、平均粒子径及びゼータ電位を測定した結果を表１に示す。電気伝導度とゼータ電位が高くかつ平均粒子径も小さい粒子が得られた。
【００４８】
実施例４
酸化インジウムの量を９５．０ｇ、塩化第二錫の量を５．０ｇとした他は実施例１と同様の条件で灰色の粒子を得た。この灰色の粒子の［ＭＣｌ／（ＭＩｎ＋ＭＳｎ＋ＭＣｌ）］、電気伝導度、平均粒子径及びゼータ電位を測定した結果を表１に示す。電気伝導度とゼータ電位が高くかつ平均粒子径も小さい粒子が得られた。
【００４９】
実施例５
焼成温度を３５０℃とした他は実施例１と同様の条件で灰色の粒子を得た。この灰色の粒子の［ＭＣｌ／（ＭＩｎ＋ＭＳｎ＋ＭＣｌ）］、電気伝導度、平均粒子径及びゼータ電位を測定した結果を表１に示す。電気伝導度とゼータ電位が高くかつ平均粒子径も小さい粒子が得られた。
【００５０】
実施例６
焼成雰囲気を窒素とし、混合方法を遊星ボールミルの変わりにボールミルを用い、１６時間混合した他は実施例３と同様の条件で灰色の粒子を得た。この灰色の粒子の［ＭＣｌ／（ＭＩｎ＋ＭＳｎ＋ＭＣｌ）］、電気伝導度、平均粒子径及びゼータ電位を測定した結果を表１に示す。電気伝導度とゼータ電位が高くかつ平均粒子径も小さい粒子が得られた。
【００５１】
実施例７
酸化インジウムを９９．３２３ｇ、フッ化錫（和光純薬株式会社製  特級）を０．６７７ｇとし、焼成温度を３００℃とした他は実施例１と同様の条件で灰色の粒子を得た。この灰色の粒子の［ＭＣｌ／（ＭＩｎ＋ＭＳｎ＋ＭＣｌ）］、電気伝導度、平均粒子径及びゼータ電位を測定した結果を表１に示す。電気伝導度とゼータ電位が高くかつ平均粒子径も小さい粒子が得られた。
【００５２】
比較例１
錫化合物として酸化錫（日本化学工業株式会社製）を１．０８５ｇとし、酸化インジウム９８．９１５ｇを用いた以外は、実施例１と同様の条件で、灰褐色の粒子を得た。この灰褐色の粒子の電気伝導度、平均粒子径及びゼータ電位を測定した結果を表１に示す。その結果、この灰褐色の粒子であるインジウム複合酸化物粒子は、電気伝導度が低いばかりでなく、粒子径も実施例に比べ大きなものであった。
【００５３】
比較例２
酸化インジウムを７７．７３４ｇ、塩化第二錫を２２．２６６ｇとした他は実施例１と同様の条件で灰色の粒子を得た。この灰色の粒子の電気伝導度、平均粒子径及びゼータ電位を測定した結果を表１に示す。その結果、この灰色の粒子であるインジウム複合酸化物粒子は、電気伝導度が低いものであった。
【００５４】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明のインジウム複合酸化物粒子は、透明導電性塗料、透明熱線反射塗料等の塗料、着色材、透明帯電防止材、静電気防止材、電磁波シールド材等の機能性材料の添加剤、及び高結晶性で高い移動度の粒子であることから酸化物半導体や太陽電池素子等に用いることができる。