(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体基板の搬送・搬入が容易なパッド搬送機構の提供。【解決手段】吸着パッド下面に基板密着層３ａを設けた基板搬送パッドを備えるパッド搬送機構３であって、前記基板密着層３ａがこの基板密着層に貼着される基板表面と基板密着層との剥離力（ＪＩＳ  Ｋ−６８５４に準拠）が１０ｍＮ／１２．７ｍｍ幅以下で、前記基板密着層表面から基板を平行にずらす剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ２以上であるポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂層で形成されていることを特徴とする。【選択図】図２
2011003691.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸廻りに旋回可能に設けたアームの先端に、流体が出入り可能なセルを有するポーラスセラミック製吸着パッドまたは下面に直径０．３〜１．０ｍｍの微細孔を複数穿孔したノンポーラスセラミック板製または高分子樹脂製吸着パッドを設け、さらに前記吸着パッド下面に流体が出入り可能な微細なセル部分または穿孔部分を残して粘着剤層を介して基板密着層を表面層に設けた基材フィルムを積層した基板搬送パッドを備えるパッド搬送機構であって、前記基板密着層がこの基板密着層に貼着される基板表面と基板密着層との剥離力（ＪＩＳ  Ｋ−６８５４に準拠）が１０ｍＮ／１２．７ｍｍ幅以下で、前記基板密着層表面から基板を平行にずらす剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ２以上であるポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂層で形成されていることを特徴とする、基板搬送パッドを備えるパッド搬送機構。
【請求項２】
回転軸廻りに旋回可能に設けた流体通路を備えるアームの先端に、流体が出入り可能な微細なセルを有するポーラスセラミック製吸着パッドまたは下面に直径０．３~１．０ｍｍの微細孔を複数穿孔したノンポーラスセラミック板製または高分子樹脂製吸着パッドを設け、さらに前記吸着パッド下面に、粘着剤層／基材フィルム層／基板密着層よりなる積層フィルムに直径０．３〜１．０ｍｍの微細孔を複数穿孔した積層体を前記粘着剤層側が粘着するように貼付した基板搬送パッドを備えるパッド搬送機構であって、前記基板密着層がこの基板密着層に貼着される基板表面と基板密着層との剥離力（ＪＩＳ  Ｋ−６８５４に準拠）が１０ｍＮ／１２．７ｍｍ幅以下で、前記基板密着層表面から基板を平行にずらす剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ２以上であるポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂層で形成されていることを特徴とする、基板搬送パッドを備えるパッド搬送機構。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、厚みが１０〜５０μｍと極薄の半導体基板、貫通電極基板、ＳＯＩウエハであっても加工ステージへ搬入・搬送可能なパッド搬送機構に関するものである。搬入・搬送時に基板の変形を引き起こしたりシリコン基盤面から突出したプラグ電極を破損したりすることがない。
【背景技術】
【０００２】
基板収納カセット内に収納された半導体基板を搬送ロボットでポーラスセラミック製バキュームチャック上に搬送し、半導体基板上面を研削砥石で摺擦研削して平坦化し、ついで研磨ステージに研削加工された半導体基板を移送し、半導体基板研削加工面を研磨ヘッドの研磨パッドで摺擦研磨して平坦化する基板の平坦化装置が提案され、また、実用化されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。  
【０００３】
また、半導体基板のパッド搬送機構（例えば、特許文献３参照）や、半導体基板の上面を吸引保持する吸着パッドと、該吸着パッドに負圧を作用せしめる吸引手段と、吸着パッドを所定位置に搬送する搬送移動手段とを具備する半導体基板のパッド搬送装置であって、吸着パッドにイオン化された空気を供給するイオン化空気供給手段と、該イオン化空気供給手段と吸引手段を吸着パッドに選択的に連通する切り替え手段とを具備しているパッド搬送装置（例えば、特許文献４参照）も提案され、実用化されている。  
【０００４】
上記特許文献１および特許文献２に開示される基板の平坦化装置は、厚みが８０〜７７０μｍの半導体基板を連続自動製造するには優れたものである。しかし、半導体基板加工メーカーが、厚みが１０〜５０μｍの極薄の半導体基板やプラグ電極が突出した貫通電極基板を連続自動製造するに用いたところ、基板の厚み分布が厚み８０〜２００μｍの半導体基板の厚み分布に比較して振れ幅が大きく（特に半導体基板の外周縁近傍の山だれの発生）、半導体チップの製品ロス率が３０％を超えると大きい。貫通電極基板に至っては、搬送ロボットで基板外周縁を把持することが困難または吸着パッドで吸着するとプラグが破損してしまい、平坦化装置の利用は困難であると半導体基板加工メーカーから指摘され、改造を求められているのが実情である。  
【０００５】
なお、前記平坦化装置を用いて半導体基板表面を平坦加工して薄肉化する際、半導体基板のプリント配線面側に紫外線照射硬化型粘着剤保護テープ（特許文献５および特許文献６参照）、加熱発泡性樹脂保護テープ（特許文献７）もしくは易剥離性密着保護シート（特許文献８参照）を貼付して半導体基板の研削加工、研磨加工、チップ化に供している。  
【０００６】
上記特許文献８に記載の易剥離性密着保護シートは、ポリエチレンテレフタレートフィルム基材の少なくとも片面に、アスカーＦＰ硬度２５以上でアスカーＣＳＣ２硬度が８０以下の密着層を設けた易剥離性密着保護シートであり、フジコピアン株式会社からＦＩＸＦＩＬＭ（商品名）シリーズのＳＴＤ１，ＳＴＤ２，ＨＧ１，ＨＧ２（密着層片面）グレード名で、ＨＧＷ１，ＨＧＷ２（密着層両面）グレード名で、ポリエチレンテレフタレートフィルム基材の片面に密着層が設けられ、その反対面に粘着剤層が設けられた両面型固定フィルムがＨＧＡ１，ＨＧＡ２のグレード名で販売されている。  
【０００７】
本願発明者が測定したこれらグレード商品の前記密着層は、スチール、アルミナセラミック、ＡＢＳ樹脂、銅、シリコンの被着材表面と密着層との剥離力（ＪＩＳ  Ｋ−６８５４に準拠）が１０ｍＮ／１２．７ｍｍ幅以下で、前記被着材表面から研磨パッドを密着層と供に平行にずらす剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ２以上であるポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂層で形成されていることが判明した。なお、剪断力は、特許文献８の段落００５３記載のベアロンシボ板に代えて上記被着材の板状物または短冊を用い測定しました。  
【０００８】
半導体基板（ウエーハ）の径が１５０〜２００ｍｍから３００〜４５０ｍｍと拡径し、厚みが２０〜５０μｍと極薄の次世代の半導体基板の出現が要望され、前述の特許文献１および特許文献２記載の平坦化装置を使用するときの半導体基板加工メーカー指摘の問題点の原因を本願発明者らは、次のように推測した。  
【０００９】
従来のポーラスセラミック製チャックは、８０〜１００μｍ径の微細セルの集合体であり、研削加工や研磨加工されて得た基板の厚みが１０μｍ以上８０μｍ未満であるときは微細セルの集合境界面が基板に転写され、厚み分布の均一性に欠けた。また、ポーラスセラミック製チャックが８インチ径基板と１０インチ径基板の双方に利用されるユニバーサルチャックであるときは、研削加工や研磨加工されて得た基板に８インチ径基板と１０インチ径基板の境界を形成するノンポーラスリング堰のリング状痕が出現することが多い。さらに、前に研削加工や研磨加工されて発生した研削屑や研磨屑がポーラスセラミクのセル内に突き刺さって残存し、新しく研削加工や研磨加工されて得た基板の被加工面側に接しているポーラスセラミック側から高圧水を噴出させて基板をポーラスセラミック製チャックから剥離させる際、新しく研削加工や研磨加工されて得た基板の外周縁に研削屑や研磨屑が付着してしまう欠点があり、後工程の基板洗浄が困難であった。  
【００１０】
また、基板の厚みが１０〜５０μｍと極薄の半導体基板や貫通電極のプラグが突き出た厚みが１０〜５０μｍと極薄の貫通電極基板を従来のバキューム吸着を利用する基板の搬送パッドで基板表面をバキューム吸着しようとすると基板が波打ちしてしわしわとなり、残留応力が基板に残るので、搬送された次の工程での基板の加工は困難となる。また、バキューム吸着時にプラグが破損する。また、基板の外周縁をロボットハンドの爪で挟むときに基板が波打ちして基板の外周縁を爪で挟持することが困難である。  
【００１１】
さらに、研磨パッドの取替え交換においては、研磨パッドを剛体製基台に貼り付ける作業に手間がかかる、および剛体製基台表面から研磨パッドを引き剥がす際の引き剥がし力（剪断力）が大きい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】米国特許第７，２３８，０８７号明細書
【特許文献２】特開２０００−２５４８５７号公報
【特許文献３】特開２００６−２５３５２４号公報
【特許文献４】特開２００３−２８２６７３号公報
【特許文献５】特開２００８−２９４２８７号公報
【特許文献６】特開平５−６２９５０号公報
【特許文献７】特開２００４−１８６２８０号公報
【特許文献８】特開２００８−１６２２４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、半導体基板の搬入・搬送時に、半導体基板に変形を引き起こさない、貫通電極基板の突出しているプラグを破損しないで搬送・搬入できるパッド搬送機構を提供するにおいて、前述のフジコピアン株式会社のポリエチレンテレフタレートフィルム基材の片面に密着層が設けられ、その反対面に粘着剤層が設けられた両面型固定フィルムＦＩＸＦＩＬＭ（商品名）シリーズのＨＧＡ１，ＨＧＡ２を利用するものである。なお、研磨定盤および基板ホルダーの改良発明は、別の特許出願で行う。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１の発明は、回転軸廻りに旋回可能に設けたアームの先端に、流体が出入り可能なセルを有するポーラスセラミック製吸着パッドまたは下面に直径０．３〜１．０ｍｍの微細孔を複数穿孔したノンポーラスセラミック板製または高分子樹脂製吸着パッドを設け、さらに前記吸着パッド下面に流体が出入り可能な微細なセル部分または穿孔部分を残して粘着剤層を介して基板密着層を表面層に設けた基材フィルムを積層した基板搬送パッドを備えるパッド搬送機構であって、前記基板密着層がこの基板密着層に貼着される基板表面と基板密着層との剥離力（ＪＩＳ  Ｋ−６８５４に準拠）が１０ｍＮ／１２．７ｍｍ幅以下で、前記基板密着層表面から基板を平行にずらす剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ２以上であるポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂層で形成されていることを特徴とする、基板搬送パッドを備えるパッド搬送機構を提供するものである。  
【００１５】
請求項２の発明は、回転軸廻りに旋回可能に設けた流体通路を備えるアームの先端に、流体が出入り可能な微細なセルを有するポーラスセラミック製吸着パッドまたは下面に直径０．３~１．０ｍｍの微細孔を複数穿孔したノンポーラスセラミック板製または高分子樹脂製吸着パッドを設け、さらに前記吸着パッド下面に、粘着剤層／基材フィルム層／基板密着層よりなる積層フィルムに直径０．３〜１．０ｍｍの微細孔を複数穿孔した積層体を前記粘着剤層側が粘着するように貼付した基板搬送パッドを備えるパッド搬送機構であって、前記基板密着層がこの基板密着層に貼着される基板表面と基板密着層との剥離力（ＪＩＳ  Ｋ−６８５４に準拠）が１０ｍＮ／１２．７ｍｍ幅以下で、前記基板密着層表面から基板を平行にずらす剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ２以上であるポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂層で形成されていることを特徴とする、基板搬送パッドを備えるパッド搬送機構を提供するものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のパッド搬送機構は、基板の厚みが１０〜５０μｍと極薄の半導体基板や貫通電極のプラグが突き出た厚みが１０〜５０μｍと極薄の貫通電極基板の表面に０．０１〜５ｍｍＨｇの極めて小さい減圧をしている搬送パッドの基板密着層を押し当てることにより基板やプラグは面着し、かつ、剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ２以上であるので、基板搬送パッドのアームを旋回させたり、水平方向に移動させて次の工程ステージへと移送できる。次の工程ステージ位置で基板を基板搬送パッドから剥離させるには、基板表面と基板密着層との剥離力（ＪＩＳ  Ｋ−６８５４に準拠）が１０ｍＮ／１２．７ｍｍ幅以下と極めて小さいので、低圧の圧空を基板搬送パッドの表面から噴き出せば基板は容易に基板搬送パッド面から落下する。  
【００１７】
両面型固定フィルム“ＦＩＸＦＩＬＭ”（商品名）を希望する寸法に打ち抜き加工し、必要により更に穿孔した後、粘着剤層側のセパレータを１００〜３００ｇｆ／ｃｍ２の引剥力で引き剥がし、前記特許文献３または特許文献４に記載のパッド搬送機構の吸着パッド下面に粘着剤層側を貼付させる。ついで、前記両面型固定フィルムＦＩＸＦＩＬＭ（商品名）の密着層側のセパレータフィルムを１０〜５０ｇｆ／ｃｍ２程度の小さい引き剥し力で密着層表面から引き剥がして本願発明のパッド搬送機構を製作できる。基板とパッド搬送機構の基板搬送パッドの密着層との剥離力は１０ｍＮ／１２．７ｍｍ幅以下で、前記密着層面から基板を平行にずらす剪断力は１．０Ｎ／ｃｍ２以上である。  
【００１８】
基板ホルダーの密着層表面から基板を引き剥がす際、密着層表面と基板表面間の上下方向の剥離力は１０ｍＮ／１２．
７ｍｍ幅（０．９８ｇｆ／１２．７ｍｍ幅）以下であるので、基板ホルダー上の基板を基板ホルダーの剛体製基台表面垂直方向に１０〜２０ｇｆ／ｃｍ２程度の力で引っ張れば容易に基板を基板ホルダーの密着層面から引き剥がすことができる。パッド搬送機構の基板搬送パッドの密着層は、常温で固体状態であり、基板に対し粘着力が低い（剥離力は１０ｍＮ／１２．７ｍｍ幅以下である）ので、基板表面に密着層残滓が残ることはない。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は研磨装置の一部を切り欠いた断面図である。
【図２】図２はパッド搬送機構の一部を切り欠いた正面図である。
【図３】図３はパッド搬送機構で貫通電極基板を密着させる上体を示す一部を切り欠いた側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１に示す研磨装置１０は、上方に研磨ヘッド２と下方に基板ホルダー１と、基板を研磨ステージへ搬送するパッド搬送機構３と、研磨剤液供給ノズル４を備える。  
【００２１】
半導体基板は、基板ホルダー上面に保持され、研磨ヘッド２の研磨パッド２ａが回転しつつ下降して基板表面に研磨パッド２ａが押し当てられ、摺擦されて基板ｗ表面は研磨加工される。  
【００２２】
図１に示すように、前記基板ホルダー１は、駆動モーター１６により回転駆動される回転軸１５に軸承された剛体製基台１１の表面に粘着剤層１２を介して基材フィルム１３表面に塗布された密着層１４が設けられた構造である。前記密着層１４は、基板表面と密着層１４との剥離力（ＪＩＳ  Ｋ−６８５４に準拠）が１０ｍＮ／１２．７ｍｍ（１ｇｆ／１２．７ｍｍ）幅以下で、前記密着層１４表面から基板ｗを平行にずらす剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ２（９８ｇｆ／ｃｍ２）以上であるポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂層で形成されている。  
【００２３】
前記剛体製基台１１素材としては、ステンレス、ポーラスセラミック、ノンポーラスセラミック、ＡＢＳ樹脂、真鍮、銅板等が挙げられる。一般にはステンレスがよく利用される。  
【００２４】
基材フィルム１３の素材としては、肉厚が２０〜２００μｍの二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリブチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリプロピレンフィルム、二軸延伸ポリカーボネートフィルム、二軸延伸ナイロン６１０フィルム、ポリイミドフィルム等の耐熱性および剛性に優れたフィルムが使用される。前記両面型固定フィルムＦＩＸＦＩＬＭ（商品名）では、厚み５０μｍの二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムが使用されている。  
【００２５】
粘着剤層１２の素材としては、アクリル系粘着剤、エポキシ化ブタジエンゴム、石油樹脂、テルペン・フェノール共重合体、アロオシメン・テルペン・フェノール共重合体、マレイン酸変性アロオシメンの水素添加物、マレイン酸変性ミルセンの水素添加物、エチレン・酢酸ビニル共重合体等の粘着剤が単独でまたは２種以上混合して用いられる。粘着剤層には、粘着力を落とすために炭酸カルシウムやシリカ、ポリ（四フッ化エチレン）等の充填材粒子を配合してもよい。  
【００２６】
粘着剤層１２の厚みは、５〜３０μｍで十分である。実施例に用いた前記両面型固定フィルムＦＩＸＦＩＬＭ（商品名）では、厚み２５μｍのアクリル系粘着剤が使用されている。  
【００２７】
密着層１４のポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂素材としては、両末端にのみビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンと、両末端及び側鎖にビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンと、末端にのみビニル基を有する分岐上ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンと、末端及び側鎖にビニル基を有する分岐上ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンとから選ばれる少なくとも１種のシリコーンを架橋させて得たポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂が利用できる（前述の特許文献８参照）。  
【００２８】
架橋剤としては、オルガノハイドロジエンポリシロキサンが好ましい。  
【００２９】
架橋促進剤としては、３−メチル−１−ブテン−３−オールが好ましい。  
【００３０】
架橋反応に用いる白金系触媒としては、塩化第一白金酸、塩化第二白金酸などの塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール化合物、アルデヒド化合物あるいは塩化白金酸と各種オレフィンとの鎖塩などが挙げられる。架橋反応して得たポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂１５は、シリコーンゲルのような柔軟性を持ったものとなり、この柔軟性が被着体である基板ｗとの密着を容易にさせる。  
【００３１】
このポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂から形成される密着層１４の硬度は、アスカーＦＰ硬度２５以上で、アスカーＣＳＣ２硬度で８０以下である。  
【００３２】
密着層１４の厚みは、１０〜２００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍで、前記両面型固定フィルムＦＩＸＦＩＬＭ（商品名）では厚み２５μｍである。  
【００３３】
密着層１４の表面平均粗さ（Ｒａ）、表面最大粗さ（Ｒｙ）は、ＪＩＳ  Ｂ−０６０１−１９９４に基き株式会社小阪研究所製表面粗さ測定器“サーフコーダーＳＥ３５００”（商品名）を用い、触針の半径２．０μｍ、荷重０．３ｍＮ、カットＯＦＦ値２．５ｍｍ、測定長１２．５ｍｍ、送り速度０．５ｍ／分の条件で測定したところ、Ｒａが０．４５〜０．８０μｍ、Ｒｙが４．０〜５．７μｍと平坦性の優れた密着層１４であった。  
【００３４】
研磨パッド２ａとしては、発泡ポリウレタンシート、フェルト、スエード、不織布または織布に発泡性ウレタンプレポリマーを含侵させ、ついで加熱発泡させて得た研磨布が用いられる。実施例では、発泡ポリウレタンシート“ＳＵＢＡ４００”（米国ロデール社製商品名）を用いた。
【実施例】
【００３５】
図２に示すパッド搬送機構３おいて、密着層３ａは前述のポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂から形成される密着層１４と同一組成のものであり、被着材である半導体基板や銅製プラグに対する剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ２以上であるので、基板搬送パッドのアームを旋回させたり、水平方向に移動させて次の工程ステージへと移送できる。また、次の工程ステージ位置で基板を基板搬送パッドから剥離させるには、基板表面と基板密着層との剥離力（ＪＩＳ  Ｋ−６８５４に準拠）が１０ｍＮ／１２．７ｍｍ幅以下と極めて小さいので、基板密着層側から僅かな圧力の空気ブロアを噴出すことにより半導体基板ｗは容易にパッド搬送機構３の密着層３ａ面から落下する。  
【００３６】
図２に示されるように密着層が表面に設けられる吸着パッド１７’ａ下面に設けられた真空孔を減圧する減圧手段３１は、ポリウレタンコイル３２、結合材（ユニオン）３３、流体通路連結管３４、ホース固定具３５、真空ポンプ（図示されていない）、およびこの真空ポンプに連結する継手３６よりなる。真空ポンプを瞬時（０．１〜０．５秒）、減圧（−３〜２０ｍｍＨｇ）駆動すると、その減圧は継手３６、ポリウレタンコイル３２、結合材３３、流体通路連結管３４、吸着連絡孔３ｂを経由して吸着パッド下面の真空孔３ｃを減圧し、半導体基板裏面がパッド搬送機構３の密着層３ａに吸着される。  
【００３７】
３７はパッド押さえ固定具で、吸着パッド１７’ａの上面で吸着パッドをボルト３９で固定する。３８は旋回アームで前記吸着パッド１７’ａを固定するパッド押さえ固定具３７を回転自在に支持する。吸着パッド１７’ａを支持するア−ム３８はスクエアＦシリンダ２２により図２で示される左右方向に進退可能となっている。このスクエアＦシリンダ２２の上部をステッピングモータ４０の下部に設けたアームホルダ２５に固定する。  
【００３８】
前記アームホルダ２５中央にはアーム軸が設けられている。アーム軸は小アーム軸２８ａ、大アーム軸２８ｂ部分よりなる。小アーム軸２８ａの上部はステッピングモータ４０のベアリングケース４２下部で軸受け４３される。小アーム軸２８ａの上部には大アーム軸２８ｂが連結され、前記下部軸受４３と上部軸受４５により回転可能に軸受けされている。大アーム軸２８ｂの上部はステッピングモータ４０の回転軸４６に連結されている。ステッピングモータ４０の駆動によりアーム軸２８ａ，２８ｂが回動され、アームホルダ２５は小アーム軸２８ａ回りに回動する。アームホルダ２５の回動によりホルダに固定されているスクエアＦシリンダ２２も小アーム軸２８ａ回りに回動する。よって、スクエアＦシリンダ２２に支持されているアーム３８も小アーム軸２８ａ回りに回動することとなり、このアーム３８の延長上にある固定具３７に固定されている環状吸着パッド１７’ａは小アーム軸２８ａ回りに回動する。  
【００３９】
吸着パッド１７’ａのアーム３８の昇降は、ステッピングモータ４０を固定するスライダ４７をシリンダ４８でアームを上下に移動することにより行なわれる。  
【００４０】
ポリウレタンコイル３２、結合材３３、流体通路連結管３４を経て吸着連絡孔より圧空を半導体基板表面に供給するため、前記継手３６に連結するコンプレッサ（図示されていない）が分岐管（図示されていない）を介して連結されており、１．００５〜１．０１ｋｇ／ｃｍ２Ｇ程度の圧空を瞬時（０．１〜１秒）放出し、半導体基板をパッド搬送機構３の密着層３ａから落下させる。  
【００４１】
吸着パッド１７’ａ下面への前記密着層３ａの形成は、フジコピアン株式会社の両面固定フィルム“ＦＩＸＦＩＬＭ−ＨＧＡ１”（商品名）の粘着剤層１２を介して基材フィルム１３に設けられた密着層３ａ（１４が相当する）が下方を向くように粘着させて形成する。  
【００４２】
実施例１株式会社岡本工作機械製作所の研磨装置“ＧＤＭ３００”（商品名）の研磨装置の研磨装置を、図１に示す研磨装置に代えて研磨加工を実施した。すなわち、基板ホルダー１は、回転軸１５に軸承されたステンレス製剛体製基台１１の表面にフジコピアン株式会社の両面固定フィルム“ＦＩＸＦＩＬＭ−ＨＧＡ１”（商品名）の粘着剤層１２を介して基材フィルム１３に設けられた密着層１４が上方を向くように粘着させたものを用いた。供給ノズル４から基板ホルダー１の密着層１４上へ供給される研磨剤としてGranzox1302（フジミインコーポレーテッド製商品名）を密着層上に１００ミリリットル／分の割合で供給しつつ、基板ホルダー１の密着層上に保持された厚み５５μｍの研削加工された半導体基板ｗのシリコン基盤面を回転させつつ、下降して研磨パッド１２に押し当ててキャリア２の回転軸の回転数を１００ｒｐｍ、研磨定盤１の回転数を５０ｒｐｍ、半導体基板ｗ背面にかかる背圧を２００ｇ／ｃｍ２の加工条件で１５分間かけて研磨加工して厚み２５μ減じさせ、その後研磨加工面を純水で洗浄して直径３００ｍｍ、厚み３０μｍの半導体基板を得た。  
【００４３】
基板ホルダー１の密着層１４上の厚み３０μｍの半導体基板ｗのシリコン基盤面にパッド搬送機構３の密着層３ａ下面を接触させ、密着層下面を５ｍｍＨｇ減圧して半導体基板ｗの密着を完全なものとし、ついでパッド搬送機構３の密着層３ａを支持するアーム３８を後退、回転させて基板ホルダー１から次の加工ステージへと搬送した。  
【００４４】
ついで、パッド搬送機構３の密着層３ａ下面に１．００５ｋｇ／ｃｍ２Ｇの圧空を０．５秒噴出し、半導体基板ｗを密着層３ａから落下させた。  
【００４５】
厚み３０μｍの半導体基板のシリコン基盤面のＲａは、０．００２μｍ、Ｒｙは０．０３μｍ、ＴＴＶは、０．４６μｍであった。半導体基板のシリコン基盤面には、密着層の残滓は見出されなかった。  
【００４６】
実施例２両面固定フィルム“ＦＩＸＦＩＬＭ−ＨＧＡ１”（商品名）の代わりに、フジコピアン株式会社の両面固定フィルム“ＦＩＸＦＩＬＭ−ＨＧＡ２”（商品名）を用いて基板ホルダー１のパッド搬送機構３の密着層３ａを形成させた外は実施例１と同様にして半導体基板の研磨加工を行った。得た厚み３０μｍの半導体基板のシリコン基盤面のＲａは、０．００２μｍ、Ｒｙは０．０４μｍ、ＴＴＶは、０．５６μｍであった。  
【００４７】
実施例３  実施例１において、半導体基板として厚み２５μ
ｍのシリコン基盤表面から銅プラグが５〜７μｍ突出している貫通電極基板を用いた。パッド搬送機構３によりこの貫通電極基板のプラグ面を密着し、搬送を行ったが、プラグの破損は見受けられなかった。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
極薄の半導体基板を破損することなく、搬送・搬入できるパッド搬送機構３である。
【符号の説明】
【００４９】
ｗ    基板１    基板ホルダー２    研磨ヘッド２ａ  研磨パッド３    パッド搬送機構３ａ  密着層４    研磨剤液供給ノズル１０  研磨装置１１  剛体製基台１２  粘着剤層１３  基材フィルム１４  密着層１５  回転軸１６  駆動モーター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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