(57)【要約】【課題】検査・測定対象である被測定電子回路の端子部に対するプローブ端子の位置ずれをなくすと共に、該プローブ端子の位置精度や安定性を向上させ、更に被測定電子回路に対する不純汚染を防止する。【解決手段】被測定電子回路２０の基材２２と同一の熱膨張係数を有する材料により構成された支持基板１２と、該支持基板１２に積層されたゴム層１４（弾性層）と、ゴム層１４（弾性層）に更に積層され、使用時に被測定電子回路２０に対向する樹脂層１６と、該樹脂層１６に設けられ、被測定電子回路２０に設けられた複数の端子部２０Ａに夫々電気的に接触するように該端子部２０Ａの位置に対応して配置された複数のプローブ端子１８と、を有している。ゴム層１４（弾性層）及び樹脂層１６を含む複数の層２４の合計厚さを２０μｍ以上１４００μｍ以下とすることで、該複数の層２４の熱膨張係数を、支持基板１２の熱膨張係数と一致させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査・測定対象である被測定電子回路の基材と同一の熱膨張係数を有する材料により構成された支持基板と、
該支持基板に積層された弾性層と、
前記弾性層に更に積層され、使用時に前記被測定電子回路に対向する樹脂層と、
該樹脂層に設けられ、前記被測定電子回路に設けられた複数の端子部に夫々電気的に接触するように該端子部の位置に対応して配置された複数のプローブ端子と、を有し、
前記弾性層及び前記樹脂層を含む、前記支持基板に積層された複数の層の合計厚さが、２０μｍ以上１４００μｍ以下であるプローブシート。
【請求項２】
前記弾性層は、ゴム層である請求項１に記載のプローブシート。
【請求項３】
前記樹脂層は、前記弾性層より熱膨張係数が小さい樹脂材料からなる請求項１又は請求項２に記載のプローブシート。
【請求項４】
前記被測定電子回路は、集積回路、発光ダイオード、液晶ディスプレイ、プリント配線基板又はフレキシブル基板である請求項１〜請求項３の何れか１項に記載のプローブシート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種ウェーハ等に形成される微細な電子回路の検査や各種測定に好適なプローブシートに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子回路の検査や各種測定に用いられるプローブとして、温度、湿度、経年変化によって変形することがなく、寸法安定性に優れたプローブユニットおよびその製造方法、通電検査装置が提案されており、支持基板に密着して設けられる弾性材の厚さを、２００μｍ以下とすることが記載されている（特許文献１参照）。またプローブヘッドの製造方法が提案されている（特許文献２参照）。
【０００３】
更に、電子回路における検査、測定対象の端子部と、プローブの先端に設けられたパッド（端子部）との確実な接触を行うことができるようにした検査、測定用プローブが開示されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２０５７３１号公報
【特許文献２】特開平５−２８１２５９号公報
【特許文献３】特開２００３−２０７５２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記した特許文献１に記載の従来例のように、弾性材のみを２００μｍの厚さにした製品は、該弾性材の厚さ方向（上下方向）の弾性変形ストロークが少な過ぎて、不都合の場合がある。
また被測定電子回路の検査・測定時に、例えばシリコンゴムのような弾性材が該被測定電子回路に接触すると、該弾性材に含浸している遊離な化合物（例えば硫黄化合物等）が被測定電子回路に付着する、いわゆる不純汚染が生じるという問題がある。
更に半導体用の各種ウェーハ等に形成される微細な電子回路は、益々微細化が進んでおり、回路幅や、該電子回路に設けられる検査・測定用の端子部のピッチが、年々狭くなっている。従って、周辺環境の温度や湿度によるウェーハの膨張量と、プローブの膨張量とが異なると、電子回路の端子部と、プローブ端子との間で位置ずれが生じ、該プローブ端子を電子回路の端子部に正しく接触させることができなくなる。
【０００６】
上記した特許文献３に係るプローブでは、このような使用環境の変化の影響を考慮してなされたものであるが、プローブ端子が弾性材に直接設けられているという点で、未だ改善の余地がある。
【０００７】
本発明は、上記事実を考慮して、検査・測定対象である被測定電子回路の端子部に対するプローブ端子の位置ずれをなくすと共に、該プローブ端子の位置精度や安定性を向上させ、更に被測定電子回路に対する不純汚染を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の発明は、検査・測定対象である被測定電子回路の基材と同一の熱膨張係数を有する材料により構成された支持基板と、該支持基板に積層された弾性層と、前記弾性層に更に積層され、使用時に前記被測定電子回路に対向する樹脂層と、該樹脂層に設けられ、前記被測定電子回路に設けられた複数の端子部に夫々電気的に接触するように該端子部の位置に対応して配置された複数のプローブ端子と、を有し、前記弾性層及び前記樹脂層を含む、前記支持基板に積層された複数の層の合計厚さが、２０μｍ以上１４００μｍ以下である。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１に記載のプローブシートにおいて、前記弾性層が、ゴム層である。
【００１０】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載のプローブシートにおいて、前記樹脂層は、前記弾性層より熱膨張係数が小さい樹脂材料である。
【００１１】
請求項４の発明は、請求項１〜請求項３の何れか１項に記載のプローブシートにおいて、前記被測定電子回路は、集積回路、発光ダイオード、液晶ディスプレイ、プリント配線基板又はフレキシブル基板である。
【００１２】
らせ
請求項１に記載のプローブシートでは、支持基板に弾性層が積層され、該弾性層に更に樹脂層が積層され、該樹脂層にプローブ端子が配置されており、かつ弾性層及び樹脂層を含む、支持基板に積層された複数の層の合計厚さが、２０μｍ以上１４００μｍ以下であるので、温度や湿度を含む環境変化に伴う支持基板の伸縮に、該複数の層を追随させることができる。即ち、弾性層と、プローブ端子が配置される樹脂層とを含む複数の層の熱膨張係数を、支持基板の熱膨張係数と一致させることができる。
【００１３】
そして支持基板は、検査・測定対象である被測定電子回路の基材と同一の熱膨張係数を有する材料により構成されるので、環境変化による被測定電子回路の端子部のピッチの変化量と、プローブシートにおけるプローブ端子のピッチの変化量が一致する。即ち、被測定電子回路の端子部に対するプローブ端子の位置ずれが生じることはない。更にプローブ端子を、使用時に被測定電子回路に対向する樹脂層に配置しているので、該プローブ端子の位置精度や安定性を向上させることができると共に、被測定電子回路に対する不純汚染を防止することができる。
【００１４】
請求項２に記載のプローブシートでは、弾性層がゴム層であるので、被測定電子回路の面に反りや凹凸があっても、該被測定電子回路の端子部にプローブ端子を追随させることができる。このため、被測定電子回路の端子部に対して、プローブ端子を完璧に接触させることができる。
【００１５】
請求項３に記載のプローブシートでは、樹脂層が、弾性層より熱膨張係数が小さい樹脂材料であるので、被測定電子回路の検査・測定時に該樹脂層が該被測定電子回路に接触した場合でも、弾性体が接触した場合に生じるような不純汚染がない。この観点から、樹脂層の材料に、弾性層より熱膨張係数が小さい例えばポリイミドを用い、該ポリイミドにプローブ端子を搭載することが好ましい。
【００１６】
また請求項３に記載のプローブシートでは、樹脂層が温度や湿度等の周辺環境の影響を受け難いため、高密度で狭ピッチの微細回路基板のような被測定電子回路の端子部に、プローブ端子を完璧に接触させることができる。
【００１７】
請求項４に記載のプローブシートでは、集積回路、発光ダイオード、液晶ディスプレイ、プリント配線基板又はフレキシブル基板の検査・測定を行うことができ、検査・測定時の温度変化及び耐熱耐湿度検査等において高い信頼性を保持することができる。従来のように１ブロックずつスキャニングしながら全ブロックを検査・測定する方法とは異なり、例えば半導体ウェーハ上に作成されたすべての集積回路や、発光ダイオード、液晶ディスプレイ、プリント配線基板又はフレキシブル基板の検査・測定作業を一度に行うことができ、作業時間を飛躍的に短縮することができる。また被測定電子回路が集積回路の場合、各集積回路を半導体ウェーハから切り出す前に、不良品を判別することができるので、不良品をチップ化するコストを省くことができる。このため、検査・測定作業時間を飛躍的に短縮することができる。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明に係る請求項１に記載のプローブシートによれば、検査・測定対象である被測定電子回路の端子部に対するプローブ端子の位置ずれをなくすと共に、該プローブ端子の位置精度や安定性を向上させることができると共に、被測定電子回路に対する不純汚染を防止することができる、という優れた効果が得られる。
【００１９】
請求項２に記載のプローブシートによれば、被測定電子回路の端子部に対して、プローブ端子を完璧に接触させることができる、という優れた効果が得られる。
【００２０】
請求項３に記載のプローブシートによれば、樹脂層が温度や湿度等の周辺環境の影響を受け難いため、高密度で狭ピッチの微細回路基板のような被測定電子回路の端子部に、プローブ端子を完璧に接触させることができる、という優れた効果が得られる。
【００２１】
請求項４に記載のプローブシートによれば、集積回路、発光ダイオード、液晶ディスプレイ、プリント配線基板又はフレキシブル基板の検査・測定を行うことができ、検査・測定時の温度変化及び耐熱耐湿度検査等において高い信頼性を保持することができる、という優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】矩形に構成されたプローブシートと、検査・測定対象である被測定電子回路を示す斜視図である。
【図２】プローブシートの変形例を示す斜視図である。
【図３】円形に構成されたプローブシートを示す斜視図である。
【図４】試験例における温度と熱膨張量との関係を示す線図である。
【図５】アルミニウム製の支持基板にゴム層としてシリコンゴムを設けた例における、湿度変化と延びとの関係を示す線図である。
【図６】アルミニウム製の支持基板に樹脂層としてポリイミドを設けた例における、湿度変化と延びとの関係を示す線図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を実施するための形態を図面に基づき説明する。図１において、本実施の形態に係るプローブシート１０は、支持基板１２と、弾性層の一例たるゴム層１４と、樹脂層１６と、複数のプローブ端子１８とを有している。
【００２４】
支持基板１２は、例えば矩形に形成され、検査・測定対象である被測定電子回路２０の基材２２と同一の熱膨張係数を有する材料により構成されている。従って、基材２２が炭化ケイ素（ＳｉＯ２）のウェーハであれば、支持基板１２の材料も炭化ケイ素若しくはこれと同一の熱膨張率を有するものとなる。
【００２５】
支持基板１２の材料はこれらに限られず、被測定電子回路２０の基材２２に対応して、ガラス、セラミックス、合成樹脂又は金属も用いることができる。例えば、被測定電子回路２０が発光ダイオード（ＬＥＤ）である場合には、その基材２２である例えばサファイア（単結晶アルミナ：Ａl２Ｏ3）若しくはこれと同一の熱膨張係数を有する材料が用いられる。また被測定電子回路２０が液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）である場合には、その基材２２であるガラス若しくはこれと同一の熱膨張係数を有する材料が用いられる。更に被測定電子回路２０がプリント基板である場合には、その基材２２である例えばガラスエポキシ若しくはこれと同一の熱膨張係数を有する材料が用いられる。また被測定電子回路２０がフレキシブル基板である場合には、その基材２２である例えばポリイミド若しくはこれと同一の熱膨張係数を有する材料が用いられる。
【００２６】
なお、被測定電子回路２０は、集積回路、発光ダイオード、液晶ディスプレイ、プリント配線基板、フレキシブル基板に限られるものではない。またプリント配線基板の基材２２としては、ガラスエポキシの他に、紙フェノール、紙エポキシ、ガラスコンポジット、ポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））、酸化アルミニウム（アルミナ）等の各種材料も用いることができる。
【００２７】
なお、プローブシート１０の熱を効率的に逃がす観点から、支持基板１２の材料には、熱伝導率の高いものを用いることが好ましい。
【００２８】
支持基板１２の厚さは、該支持基板１２に積層される複数の層（ゴム層１４や樹脂層１６）の合計厚さｔよりも十分に大きく設定されている。
【００２９】
ゴム層１４は、支持基板１２に積層されており、支持基板１２の下面に例えば接着を用いて接合されている。ゴム層１４の材料として、シリコンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム等の任意の合成ゴム又はエラストマー樹脂等を用いることができる。ゴム層１４は、例えば接着剤により支持基板１２に接合されている。
【００３０】
樹脂層１６は、ゴム層１４に更に積層され、使用時に被測定電子回路２０に対向する、一般的に薄い層であって、好ましくは１５μｍ以下の厚さが好ましい。また樹脂層１６は、ゴム層１４より熱膨張係数が小さい樹脂材料、例えばポリイミド等のエンジニアリングプラスチックが用いられる。樹脂層１６は、例えば接着剤を用いてゴム層１４に接合されている。
【００３１】
プローブ端子１８は、樹脂層１６に設けられ、被測定電子回路２０に設けられる複数の端子部２０Ａに夫々電気的に接触するように該端子部２０Ａの位置に対応して配置されている。複数の端子部２０Ａは、被測定電子回路２０上に所定ピッチで配列されており、プローブ端子１８は、樹脂層１６に、該端子部２０Ａのピッチと同一のピッチで配列され、プローブシート１０の厚さ方向における支持基板１２と反対側に突出形成されている。このプローブ端子１８は、例えば電鋳により樹脂層１６に作成される。また樹脂層１６には、各々のプローブ端子１８と電気的に導通した回路２６が設けられている。この回路２６は、樹脂層１６をその厚さ方向に貫くビアホール２８と称する回路で配線されると共に、ゴム層１４及び支持基板１２をその厚さ方向に貫くビアホール３８により、支持基板１２の例えば上面に設けられた外部端子３４と配線されている。この外部端子３４は、図示しない測定器と電気的に接続される。
【００３２】
なお、図２に示される変形例のように、樹脂層１６だけでなく、ゴム層１４（弾性層）にも回路２６が形成されることがあり、該ゴム層１４が積層されている場合、各回路２６はビアホール（図示せず）によって電気的に導通状態とされる。また樹脂層１６に形成された回路２６も、ゴム層１４に形成された回路２６とビアホール２８によって電気的に接続されている。この例では、ゴム層１４が支持基板１２から張り出しており、その張出し部に外部端子３４が設けられている。各外部端子３４は、上述した回路２６やビアホール２８により、各プローブ端子１８と配線されている。従って、各プローブ端子１８が信号を採取するのに役立つ。複数の層２４の積層数はプローブ端子１８の数に依存し、該プローブ端子１８の数が多いと、複数の層２４の積層数も多くなる。
【００３３】
図１，図２において、ゴム層１４及び樹脂層１６を含む、支持基板１２に積層された複数の層２４の合計厚さｔは、２０μｍ以上１４００μｍ以下である。ここで、複数の層２４の厚さの下限を２０μｍとしたのは、これを下回ると、支持基板１２とプローブ端子１８の間の絶縁性の確保が難しくなるからである。また複数の層２４の厚さの上限を１４００μｍとしたのは、これを上回ると、雰囲気中の温度や湿度による複数の層２４の伸縮量が、支持基板１２の伸縮量に追随しなくなるからである。
【００３４】
なお、複数の層２４の厚さの上限は、より好ましくは、１０００μｍである。また支持基板１２とプローブ端子１８との間の絶縁性が確保できれば、複数の層２４の厚さは２０μｍ未満であってもよい。また本実施形態における複数の層２４は、ゴム層１４及び樹脂層１６の２層であるが、これに限られず、３層以上であってもよい。この場合、樹脂層１６は、支持基板１２から最も離れた層として形成される。
【００３５】
（作用）
本実施形態は、上記のように構成されており、以下その作用について説明する。図１において、本実施形態に係るプローブシート１０では、支持基板１２にゴム層１４が積層され、該ゴム層１４に更に樹脂層１６が積層され、該樹脂層１６にプローブ端子１８が配置されており、かつゴム層１４及び樹脂層１６を含む、支持基板１２に積層された複数の層２４の合計厚さｔが、２０μｍ以上１４００μｍ以下であるので、温度や湿度を含む環境変化に伴う支持基板１２の伸縮に、該複数の層２４を追随させることができる。
【００３６】
また複数の層２４にゴム層１４を含めることで、該複数の層２４に柔軟性を持たせることができ、被測定電子回路の面に反りや凹凸があっても、該被測定電子回路の端子部にプローブ端子を追随させることができる。
【００３７】
特に本実施形態では、プローブ端子１８が例えばポリイミドである樹脂層１６に設けられているので、被測定電子回路２０の検査・測定時に該樹脂層１６が該被測定電子回路２０に接触した場合でも、弾性体が接触した場合に生じるような不純汚染がない。また樹脂層１６には、ゴム層１４よりも熱膨張係数が小さい材料が用いられているので、温度や湿度等の周辺環境の影響を受け難い。これにより、各プローブ端子１８を、対応する被測定電子回路２０の端子部２０Ａに夫々当接させることができる。換言すれば、所望のブロック内に位置する端子部２０Ａを逃すことなく、プローブ端子１８と完璧に当接させることができる。被測定電子回路２０が、高密度で狭ピッチの微細回路基板のようなものであっても、その端子部２０Ａにプローブ端子１８を完璧に接触させることができる。
【００３８】
一例として、被測定電子回路２０の基材２２の材料を炭化ケイ素とし、支持基板１２の材料を該基材２２と同一の炭化ケイ素とし、プローブシート１０における樹脂層１６の材料をポリイミドとした場合を考える。ポリイミドの熱膨張係数は５０×１０−６／℃であり、炭化ケイ素の熱膨張係数（５×１０−６／℃）の１０倍となっている。従って、ポリイミドは、雰囲気中の温度や湿度に対して、炭化ケイ素よりも敏感に反応して伸縮する特性を有しているが、上記のように複数の層２４の合計厚さｔを適切に設定することで、ポリイミドの伸縮を抑制して、炭化ケイ素の伸縮に、該ポリイミドの伸縮を追随させることができる。換言すれば、ゴム層１４と、ポリイミドである樹脂層１６とを含む複数の層２４の熱膨張係数が、支持基板１２の熱膨張率と一致することとなる。
【００３９】
そして、支持基板１２の材料は、被測定電子回路２０の基材２２の材料である炭化ケイ素と同一であるので、環境変化による被測定電子回路２０の端子部２０Ａのピッチの変化量と、プローブシートにおけるプローブ端子１８のピッチの変化量とが一致することとなる。このため、被測定電子回路２０の端子部２０Ａに対するプローブ端子１８の位置ずれが生じることはない。
【００４０】
更にプローブ端子１８を、ゴム層１４よりも樹脂層１６に配置し、例えばシリコンゴムのような弾性体からなるゴム層１４と接着により積層しているので、該プローブ端子１８の位置精度や安定性を向上させることができると同時に、ゴム層１４の弾性がプローブ端子１８に反映され、例えば上下方向の該プローブ端子１８の動きによい効果を与えることができる。具体的には、ゴム層１４が適宜弾性変形することにより、プローブ端子１８を被測定電子回路２０の端子部２０Ａに完璧に接触させることができる。
【００４１】
なお、支持基板１２の材料に、熱伝導率の高いものを用いると、プローブシート１０の熱を効率的に逃がすことができ、高温雰囲気での検査・測定においてレスポンスが良好となり、検査・測定時間の短縮化の点でより有利である。
【００４２】
またプローブシート１０の応用例として、検査用プローブ等では、複数の層２４が多層電子回路基板の構成となることが多い。しかしながら、１層あたりの電子回路基板の厚さは、一般的に５０μｍ以上あり、４層以上の多層電子回路基板の場合、厚さの合計が２００μｍを超えることとなる。従って、上記した特許文献１における、弾性材の厚さを２００μｍ以下とする構造では、このような４層以上の多層電子回路基板の構成とすることが難しく、実用的でない。
【００４３】
樹脂層１６（回路基板樹脂）の材料を変えても、該材料の熱膨張係数がゴム層１４以下であり、複数の層２４の合計厚さｔが１４００μｍ以下であれば、該複数の層２４は、これを保持する支持基板１２（ポリマー、金属、セラミック等）に従属するので、温度等の変化が激しい環境でも精度の高い検査用プローブを提供することが可能である。
【００４４】
（他の実施形態）
図３に示される例では、プローブシート１０による検査・測定対象が、例えばシリコン製の半導体ウェーハ３２（基材２２）上に作成された多数の集積回路３０（被測定電子回路２０）となっている。プローブシート１０は、略円形の半導体ウェーハ３２に対応して、例えば略円形とされている。複数の層２４は、例えば２層の樹脂層１６の間に、１層のゴム層１４を挟み込んで構成されている。２層の樹脂層１６のうち、半導体ウェーハ３２上の集積回路３０に対向する側には、例えばポリイミドが用いられる。この複数の層２４の合計厚さｔは、上記したように、２０μｍ以上１４００μｍ以下である。
【００４５】
半導体ウェーハ３２上の集積回路３０に設けられる検査・測定用の端子部３０Ａは、極めて微細であり、総数は２〜４万箇所に及ぶ。プローブシート１０の樹脂層１６には、各々の端子部３０Ａに対応したプローブ端子１８が設けられている。電鋳を用いることで、このように微細で多数のプローブ端子１８を、樹脂層１６に容易に作成することが可能である。この実施形態においても、各プローブ端子１８は、樹脂層１６やゴム層１４に設けられた回路（図示せず）やビアホール（図示せず）を介して、支持基板１２、ゴム層１４又は樹脂層１６に設けられた外部端子（図示せず）と電気的に接続されている。
【００４６】
このプローブシート１０を矢印Ａ方向に反転させて、各プローブ端子１８を、対応する端子部３０Ａに夫々当接させることで、半導体ウェーハ３２上に作成されたすべての集積回路３０の検査・測定作業を一度に行うことができ、作業時間を飛躍的に短縮することができる。また各集積回路３０を半導体ウェーハ３２から切り出す前に、不良品を判別することができるので、不良品をチップ化するコストを省くことができる。
【００４７】
なお、略円形のプローブシート１０において、図２に示される例のように、ゴム層１４又は樹脂層１６を支持基板１２の全周から径方向外側に張り出させて、その張出し部に外部端子３４に相当する端子（図示せず）を設けてもよい。またプローブシート１０の平面形状は、略円形には限られず、多角形等であってもよい。また複数の層２４の構成は、上記のものに限られず、２層であっても、また４層以上であってもよい。
【００４８】
（試験例１）
図４は、支持基板１２の材料の一例たるアルミニウムについての温度変化に対する膨張量と、該アルミニウムにゴム層１４の一例たるシリコンゴムと樹脂層１６の一例たるポリイミドとを１層ずつ積層して複数の層２４としたもの（プローブシート）について、複数の層２４の合計厚さｔを変化させた場合の、温度変化に対する各々の伸び量を実測した結果を示す線図である。各線の傾きが、熱膨張係数に相当する。図４には、比較のために、アルミニウム単体、シリコンゴム単体及びポリイミド単体の結果も示されている。この図から明らかなように、シリコンゴム単体とポリイミド単体の線は、アルミニウム単体の線と大きく傾きが異なっている。
【００４９】
一方、シリコンゴムとポリイミドを１層ずつ積層した複数の層２４の合計厚さｔが１４００μｍ以下では、線の傾きが、アルミニウム単体の傾きと一致している。しかしながら、複数の層２４の合計厚さｔが１４００μｍを超えている（２０５０μｍ）場合には、線の傾きが、支持基板１２の線の傾きと異なっている。即ち、シリコンゴムとポリイミドの層の合計厚さｔが適正範囲内にあれば、その熱膨張係数は支持基板１２であるアルミニウムの熱膨張係数に一致する結果となった。
【００５０】
図５は、アルミニウム製の支持基板１２にゴム層１４としてシリコンゴムを設けた試料における、湿度変化と延びとの関係を示す線図である。具体的には、周囲の温度が２５℃のとき、湿度が６０％から９５％まで増加した場合に、シリコンゴム上の二点間の距離（ピッチ）が、１００ｍｍからどの程度増減したかを示している。この図によれば、シリコンゴムの厚さが２０００μｍの場合には、上記湿度の変化に伴い、ピッチが１００．００９４ｍｍまで変化（９．４μｍ増加）しているのに対し、シリコンゴムの厚さが８００μｍと１４００μｍの場合には、何れもピッチが９９．９９９７μｍに変化（０．３μｍ減少）するに留まり、シリコンゴムの厚さが１４００μｍであれば、湿度変化の影響を受けないことがわかる。
【００５１】
また図６は、アルミニウム製の支持基板１２に樹脂層１６としてポリイミドを設けた試料における、湿度変化と延びとの関係を示す線図である。具体的には、図５と同様に、周囲の温度が２５℃のとき、湿度が６０％から９５％まで増加した場合に、ポリイミド上の二点間の距離（ピッチ）が、１００ｍｍからどの程度増減したかを示している。
この図によれば、ポリイミドの厚さが２０００μｍの場合には、上記湿度の変化に伴い、ピッチが１００．００５９ｍｍまで変化（５．９μｍ増加）しているのに対し、ポリイミドの厚さが１４００μｍの場合には、ピッチが１００．０００２μｍに変化（０．２μｍ増加）するに留まり、ポリイミドの厚さが１４００μｍ以下であれば、湿度変化の影響を受けないことがわかる。
【符号の説明】
【００５２】
１０    プローブシート
１２    支持基板
１４    ゴム層（弾性層）
１６    樹脂層
１８    プローブ端子
２０Ａ  端子部
２０    被測定電子回路
２２    基材
２４    複数の層
３０    集積回路（被測定電子回路）
３０Ａ  端子部
３２    半導体ウェーハ（基材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
2011095028.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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