(57)【要約】【課題】放熱性と絶縁性の両方を向上できる発光素子用実装基板、発光素子用実装基板の製造方法、発光装置及び発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】アルミニウム基板１２の少なくとも一方の面に、陽極酸化法により酸化アルミニウム層１４を形成し、酸化アルミニウム層１４上にパーヒドロポリシラザンが溶解した溶液を塗布し、加熱処理することによりシリカガラス層１６を形成する。このシリカガラス層１６上に、銅メッキパターン層１８と銀メッキ層２０により導体パターンを形成するとともに、銀メッキ層２０の一部に接着剤層２６によりＬＥＤチップ２４を固定し、導体パターンとＬＥＤチップ２４とを、ワイヤ２２を介して電気的に接続する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム基板の表面に陽極酸化により酸化アルミニウム層を形成し、
前記酸化アルミニウム層上にパーヒドロポリシラザンが溶解した溶液を塗布し、
前記アルミニウム基板を加熱処理してパーヒドロポリシラザン由来のシリカガラス部を形成する、
ことを特徴とする発光素子用実装基板の製造方法。
【請求項２】
前記酸化アルミニウム層が多孔質であり、該孔内にパーヒドロポリシラザン溶液が塗布により充填されパーヒドロポリシラザン由来のシリカガラス部が形成されることを特徴とする請求項１に記載の発光素子用実装基板の製造方法。
【請求項３】
前記酸化アルミニウム層の厚さが３０〜９０μｍであり、前記パーヒドロポリシラザン由来のシリカガラス部を前記酸化アルミニウム層の表面に厚さが０．０１〜３μｍでさらに形成することを特徴とする請求項２に記載の発光素子用実装基板の製造方法。
【請求項４】
前記酸化アルミニウム層及び前記シリカガラス部が形成されたアルミニウム基板の耐電圧が１ｋＶ以上であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の発光素子用実装基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の発光素子用実装基板の製造方法により製造した発光素子用実装基板上に銅メッキにより導体パターンを形成した後、半導体発光素子を実装することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項６】
アルミニウム基板と、
前記アルミニウム基板の少なくとも一方の面に形成された酸化アルミニウム層と、
前記酸化アルミニウム層の孔中に少なくとも充填されたパーヒドロポリシラザン由来のシリカガラス部と、
を備えることを特徴とする発光素子用実装基板。
【請求項７】
アルミニウム基板と、
前記アルミニウム基板の少なくとも一方の面に形成された酸化アルミニウム層と、
前記酸化アルミニウム層上に形成されたパーヒドロポリシラザン由来のシリカガラス部と、
前記シリカガラス部上に銅メッキにより形成された導体パターンと、
前記導体パターンに電気的に接続するように実装された半導体発光素子と、
を有することを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子用実装基板、発光素子用実装基板の製造方法、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、発光素子等の電子素子を実装する基板としては、ガラスエポキシ基板が使用されていた（特許文献１参照）。しかし、このようなガラスエポキシ基板は熱伝導率が低く、電子素子部品から発生する熱を効率よく系外に排出することが困難であった。
【０００３】
このため、例えば下記特許文献２では、アルミニウム箔の表面に アルコキシド化合物からなるバインダーと、遠赤外線放射性物質の顔料と、溶媒を備えた熱伝導・放熱・絶縁性塗料を塗布し、アルコキシド化合物の脱水縮合により生じるＳｉ−Ｏネットワークを形成して絶縁性を保持しつつ、放熱性を向上させた基板が開示されている。本従来例では、Ｓｉ−ＯＨ基を残存させて絶縁性の塗布膜とアルミニウム基材との付着力を向上させている。また、上記遠赤外線放射性物質の顔料としては、例えばシリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、マグネシア（ＭｇＯ）の少なくとも一つの単体またはそれらの化合物を使用している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−６６１３２号公報
【特許文献２】特開２００９−１５２５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記特許文献２に開示された技術においては、発光素子用実装基板に要求される絶縁性を、Ｓｉ−Ｏネットワークを形成するための熱伝導・放熱・絶縁性塗料を塗布することにより発現させているが、十分な絶縁性を得るためには、塗膜を厚くする必要があり、熱伝導率が低下するという問題がある。
【０００６】
本発明の目的は、放熱性と絶縁性の両方を向上できる発光素子用実装基板、発光素子用実装基板の製造方法、発光装置及び発光装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一実施形態は、発光素子用実装基板の製造方法であって、アルミニウム基板の表面に陽極酸化により酸化アルミニウム層を形成し、前記酸化アルミニウム層上にパーヒドロポリシラザンが溶解した溶液を塗布し、前記アルミニウム基板を加熱処理してパーヒドロポリシラザン由来のシリカガラス部を形成する、ことを特徴とする。
【０００８】
また、上記発光素子用実装基板の製造方法において、前記酸化アルミニウム層が多孔質であり、該孔内にパーヒドロポリシラザン溶液が塗布により充填されパーヒドロポリシラザン由来のシリカガラス部が形成されることを特徴とする。また、前記酸化アルミニウム層の厚さが３０〜９０μｍであり、前記シリカガラス部を前記酸化アルミニウム層の表面に厚さが０．０１〜３μｍでさらに形成することを特徴とする。
【０００９】
また、上記発光素子用実装基板の製造方法において、前記酸化アルミニウム層及び前記シリカガラス部が形成されたアルミニウム基板の耐電圧が１ｋＶ以上であることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の他の実施形態は、発光装置の製造方法であって、上記発光素子用実装基板の製造方法により製造した発光素子用実装基板上に導体パターンを形成した後、半導体発光装置を実装することを特徴とする。
【００１１】
導体パターンの形成方法としては、銅メッキにより銅箔を酸化アルミニウム層側に形成した後、フォトリソグラフィー法で導体パターンを形成する方法が一般的であるが、スクリーン印刷やインクジェット印刷を用いて、金属粒子を直接印刷することもできる。
【００１２】
また、本発明のさらに他の実施形態は、発光素子用実装基板であって、アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の少なくとも一方の面に形成された酸化アルミニウム層と、前記酸化アルミニウム層の孔中に少なくとも充填されたパーヒドロポリシラザン由来のシリカガラス部と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
さらに、また本発明の他の実施形態は、発光装置であって、アルミニウム基板と、アルミニウム基板の少なくとも一方の面に形成された酸化アルミニウム層と、酸化アルミニウム層上に形成されたパーヒドロポリシラザン由来のシリカガラス部と、シリカガラス部上に銅メッキにより形成された導体パターンと、導体パターンに電気的に接続するように実装された半導体発光素子と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、発光素子用実装基板上に酸化アルミニウム層とシリカガラス部とを形成することにより高い絶縁性を付与することができ、かつ酸化アルミニウム層とシリカガラス部との厚さを抑制して熱伝導率の低下を回避することができる。この結果、発光素子用実装基板の放熱性と絶縁性の両方を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態にかかる発光装置の一例の断面図である。
【図２】図１に示された発光装置の製造方法の一例の説明図である。
【図３】耐電圧試験方法１の説明図である。
【図４】耐電圧試験方法２の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態（以下、実施形態という）を、図面に従って説明する。
【００１７】
図１には、実施形態にかかる発光装置の一例の断面図が示される。図１の発光装置１０において、アルミニウム基板１２の少なくとも一方の面に酸化アルミニウム層１４が形成されており、この酸化アルミニウム層１４中の多孔質状（気孔）の空隙中や、酸化アルミニウム層１４上には、パーヒドロポリシラザン由来のシリカガラス層１６が形成されている。シリカガラス層１６の上には、銅メッキパターン層１８及び銀メッキ層２０により導体パターンが形成され、ワイヤ２２を介してＬＥＤチップ２４（半導体発光素子）に電気的に接続されている。また、ＬＥＤチップ２４は、接着剤層２６により銀メッキ層２０上に固定されている。なお、図１に示されたＬＥＤチップ２４の実装はワイヤボンドタイプであるが、フリップチップタイプであってもよい。また、上記銀メッキ層２０が形成されていない部分には、ソルダレジスト層２８が形成されている。
【００１８】
ここで、本実施形態では、上記アルミニウム基板１２、酸化アルミニウム層１４及びシリカガラス層１６を含む基板を発光素子用実装基板としている。
【００１９】
上記アルミニウム基板１２の材料としては、従来用いられているものであればすべてその対象にでき、純アルミニウム、あるいは各種のアルミニウム合金が使用できる。また、図１では省略されているが、アルミニウム基板１２には必要に応じてスルーホール等を設けてもよい。
【００２０】
上記酸化アルミニウム層１４は、従来既知の方法により形成することができる。例えば、アルミニウム基板１２に硫酸、スルファミン酸、しゅう酸等の無機酸あるいは有機酸水溶液中で陽極酸化法を適用することにより、アルミニウム基板１２の少なくとも片面に酸化アルミニウム層１４を形成することができる。このようなアルミニウムの陽極酸化法はアルマイト（陽極酸化）処理と呼ばれ、このようにして得られた酸化アルミニウム層１４（酸化皮膜）には、多数の孔（多孔質又は空隙とも言う。）があり、その厚さが３０〜９０μｍが好ましい。酸化アルミニウム皮膜が３０μｍより薄い時は発光素子用実装基板の絶縁性が不十分になり、一方９０μｍより厚い時は発光素子用実装基板の熱伝導率（放熱性）が低下する。
【００２１】
酸化アルミニウム層１４は、多孔質であって吸水性が高く、皮膜として耐久性、耐食性、絶縁性が乏しい場合があり、何らかの封孔処理を必要とする。
【００２２】
本実施形態では、上記封孔処理材として、好ましくは、上記酸化アルミニウム層１４の多孔質内にパーヒドロポリシラザンを溶解した溶液を塗布（又は封入）し、これを加熱処理することにより、多孔質内にシリカガラス層１６として封孔処理する。
【００２３】
特に、本発明者らは、パーヒドロポリシラザンを溶解した溶液により、アルマイト（陽極酸化）処理されたアルミニウム基板１２が効果的に封孔されることを見出した。
【００２４】
ここで、パーヒドロポリシラザンを溶解するための溶媒としては、例えばジブチルエーテル、キシレン等がある。加熱処理の条件としては、パーヒドロポリシラザンが硬化してシリカガラス層を形成する条件であれば特に限定されず、例えば８０℃で１時間加熱し、次いで１５０℃で１時間加熱するのが好適である。これにより、酸化アルミニウム層１４上にパーヒドロポリシラザン由来のシリカガラス層１６が形成され、上記酸化アルミニウム層１４の封孔処理が行われて、発光素子用実装基板の絶縁性を向上することができる。なお、本明細書においては、封孔処理とは、酸化アルミニウム層１４の表面に部分的に露出している金属アルミニウムを被覆する処理や酸化アルミニウム層内の空孔を封孔又は被覆する処理を併せていうものとする。
【００２５】
本実施形態においては、酸化アルミニウム層１４の表層上に形成するシリカガラス層１６の厚さは、３μｍ以下を好適とする。当該シリカガラス層１６の厚さが０μｍである場合は、パーヒドロポリシラザン由来のシリカガラスが酸化アルミニウム層１４（酸化皮膜）の多孔質内のみに封孔された状態であり、シリカガラス層１６は酸化アルミニウム層１４の表層上に形成されていないことを指す。
【００２６】
さらに本実施形態においては、シリカガラス層１６は、酸化アルミニウム層１４の多孔質内に封孔されるほか、酸化アルミニウム層１４（酸化皮膜）の表層において形成されるのが良く、当該膜厚は、好ましくは０．０１μｍ以上３μｍ以下である。
【００２７】
シリカガラス層１６の厚さが０μｍ（多孔質内のみに存在する場合）の時は、アルマイト（酸化アルミニウム層１４）の空孔内を全て充填できなくなり（充填不良）、発光素子用実装基板の絶縁性が十分確保できなくなる危険性があり、望ましくは酸化アルミニウム層１４（酸化皮膜）層の表層においてシリカガラス層１６の厚さが０．０１μｍ以上が良い。より好ましくは０．１μｍ以上である。
【００２８】
一方、３μｍより厚い時は製造コストが高くなるとともに、発光素子用実装基板の熱伝導率が低下する場合がある。このようにして酸化アルミニウム層１４上にパーヒドロポリシラザン由来のシリカガラス層１６を形成することにより、発光素子用実装基板の耐電圧を１ｋＶ以上とすることができる。
【００２９】
図２（ａ）〜（ｆ）には、図１に示された発光装置１０の製造方法の説明図が示される。図２（ａ）に示されるように、アルミニウム基板１２の少なくとも一方の面に、上記陽極酸化法により酸化アルミニウム層１４を形成する。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示されるように、酸化アルミニウム層１４上にパーヒドロポリシラザンが溶解した溶液を塗布し、加熱処理することによりシリカガラス層１６を形成する。パーヒドロポリシラザンからシリカガラス層１６への転化は、以下の反応による。
【００３１】
【化１】
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【００３２】
次に、サブトラクティブ法（パネルメッキ法）により、上記シリカガラス層１６上に銅メッキパターン層１８を形成する。すなわち、図２（ｃ）に示されるように、シリカガラス層１６の表面全体に、無電解銅メッキ及び電解銅メッキをこの順で実施して銅メッキ被膜１８ａを形成する。この後、銅メッキ被膜１８ａ上への感光性レジストの塗布及び露光現像処理によりメッキレジストパターンを形成し、エッチング処理により、図２（ｄ）に示される銅メッキパターン層１８を形成する。
【００３３】
なお、銅メッキパターン層１８の形成方法としては、上記方法に限定されず、シリカガラス層１６の全面に無電解銅メッキを実施した後、メッキレジストパターンを形成し、さらに電解銅メッキで銅メッキパターン層１８部に厚くメッキした後、メッキレジストを剥離し、エッチングにより銅メッキパターン層１８を形成するセミアディティブ法を使用してもよい。さらに、メッキレジストパターンを形成した後、無電解銅メッキのみで銅メッキパターン層１８を形成するフルアディティブ法を使用してもよい。
【００３４】
次に、図２（ｅ）において、銅メッキパターン層１８が形成されたシリカガラス層１６上に、ソルダレジストパターンを塗布及び露光現像処理した後に熱硬化させてソルダレジスト層２８を形成する。この後、ソルダレジスト層２８が形成されていない銅メッキパターン層１８の表面に電解銀メッキにより銀メッキ層２０を形成する。
【００３５】
この後、上記銀メッキ層２０の一部に接着剤層２６によりＬＥＤチップ２４を固定するとともに、銅メッキパターン層１８及び銀メッキ層２０により形成される導体パターンとＬＥＤチップ２４とを、ワイヤ２２を介して電気的に接続し、図２（ｆ）に示される発光素子を形成する。なお、必要に応じて樹脂封止等を行う。
【実施例】
【００３６】
以下、本発明の具体例を実施例として説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００３７】
実施例１
・パーヒドロポリシラザン溶液の調製
窒素雰囲気に保たれたグローブボックス内で、Ｐｄ系触媒を含有したパーヒドロポリシラザンの２０質量％ジブチルエーテル溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＡＱＵＡＭＩＣＡ（登録商標）  ＮＬ１２０Ａ−２０）１ｍＬと、メチルヒドロポリシラザンの２０％キシレン−エチルベンゼン溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＡＱＵＡＭＩＣＡ（登録商標）  ＭＨＰＳ−２０ＸＹ）１ｍＬとを混合し、塗布液Ａを調製した。なお、本明細書では、「質量％」を単に「％」と記載することがある。
【００３８】
・基板の前処理
陽極酸化法により表面に酸化アルミニウム層（５０μｍ）が形成されたアルミニウム基板（１．３ｍｍ厚）を５０℃に加温された５％水酸化ナトリウム水溶液に１分間浸漬した後、流水でリンスした。その後、同様に３０％硝酸水溶液で処理し、イオン交換水で洗浄した後に、１００℃に保った恒温槽中で乾操させた。
【００３９】
・塗布
前処理されたアルミニウム基板の表面をヘキサンに浸漬させた天然コットン製不織布を用いて掃拭し、乾燥空気を吹きつけ乾操させた。次に、天然コットン製不織布を用いて塗布液Ａを酸化アルミニウム層上に塗布した後、３０分間風乾した。
【００４０】
・硬化
上記塗布液Ａを酸化アルミニウム層上に塗布したアルミニウム基板を、８０℃に保たれた強制循環式恒温槽内にて１時間加熱し、その後さらに１５０℃で１時間加熱し、表面にシリカガラス層の絶縁皮膜が形成された基板Ａ−ＥＬ−１を得た。
【００４１】
・絶縁性試験
菊水電子工業株式会社製耐電圧試験機ＴＯＳ５０５１Ａを用いて基板Ａ−ＥＬ−１に対する耐電圧試験を実施した。その結果、１ｋＶの耐電圧性能を有していることが確認された。結果を表１に示す。なお、耐電圧試験は、以下の３通りの方法で行った。
【００４２】
耐電圧試験方法１
図３には、耐電圧試験方法１の説明図が示される。図３において、測定対象である被試験基板３０の端の一部を切削し、下地であるアルミニウム層を露出させ、ワニ口クリップ３２によって耐電圧試験機３４のHIGH VOLTAGE端子に接続されたケーブルを接触させる。その接触位置から７ｃｍ離れた場所の上下を無垢アルミニウムブロック（上部のアルミニウムブロック３６及び下部のアルミニウムブロック３８）で挟み、シリカガラス層の絶縁皮膜が形成された表面に載せられたアルミニウムブロック３６には、ワニ口クリップ３２によって耐電圧試験機３４のLOW VOLTAGE端子に接続されたケーブルを接触させる。１ｋＶ／分の昇圧速度で耐電圧試験機３４より電圧を印加し、０．５ｍＡの電流が流れた時点で耐電圧試験機３４より読み取った電圧を耐電圧点とする。耐電圧試験方法１では、１．０ｋＶ以上の耐電圧の場合を合格とする。
【００４３】
耐電圧試験方法２
図４には、耐電圧試験方法２の説明図が示される。図４において、被試験基板３０の絶縁皮膜が形成された表面の７ｃｍ離れた場所にアルミニウムブロック３６を２個設置し、それぞれワニ口クリップ３２を用いて耐電圧試験機３４のHIGH VOLTAGE端子及びLOW VOLTAGE端子に接続されたケーブルを接触させる。１ｋＶ／分の昇圧速度で耐電圧試験機３４より電圧を印加し、０．５ｍＡの電流が流れた時点で耐電圧試験機３４より読み取った電圧を耐電圧点とする。耐電圧試験方法２では、２．０ｋＶ以上の耐電圧の場合を合格とする。
【００４４】
耐電圧試験方法３
耐電圧試験方法１と同様の方法で被試験基板３０と耐電圧試験機３４のHIGH VOLTAGE端子及びLOW VOLTAGE端子とを接続し、１ｋＶの電圧を耐電圧試験機３４より印加し、６０秒経過後０．５ｍＡの電流が流れない場合に、１ｋＶ耐電圧を有していると判定する。
【００４５】
実施例２
塗布液Ａの代わりにアミン系触媒を含有したパーヒドロポリシラザンの２０％キシレン溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＡＱＵＡＭＩＣＡ（登録商標）  ＮＰ１１０Ａ−２０）を用いて塗布液Ｂを調製した他は実施例１と同様にして基板Ａ−ＥＬ−２を得て耐電圧試験を行った。結果を表１に示す。
【００４６】
実施例３
塗布液Ａの代わりにＰｄ系触媒を含有したパーヒドロポリシラザンの２０％キシレン溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＡＱＵＡＭＩＣＡ（登録商標）  ＮＬ１１０Ａ−２０）を用いて塗布液Ｃを調製した他は実施例１と同様にして基板Ａ−ＥＬ−３を得て耐電圧試験を行った。結果を表１に示す。
【００４７】
実施例４
塗布液Ａの代わりにＰｄ系触媒を含有したパーヒドロポリシラザンの２０％ジブチルエーテル溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＡＱＵＡＭＩＣＡ（登録商標）  ＮＬ１２０Ａ−２０）２ｍＬと、メチルヒドロポリシラザンの２０％キシレン−エチルベンゼン溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＡＱＵＡＭＩＣＡ（登録商標）  ＭＨＰＳ−２０ＸＹ）１ｍＬとを混合し、塗布液Ｄを調製した他は実施例１と同様にして基板Ａ−ＥＬ−４を得て耐電圧試験を行った。結果を表１に示す。
【００４８】
実施例５
塗布液Ａの代わりにアミン系触媒を含有したパーヒドロポリシラザンの２０％キシレン溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＡＱＵＡＭＩＣＡ（登録商標）  ＮＰ１１０Ａ−２０）を用いて塗布液Ｅを調製した他は実施例１と同様にして基板Ａ−ＥＬ−５を得て耐電圧試験を行った。結果を表１に示す。
【００４９】
実施例６
塗布液Ａの代わりにＰｄ系触媒を含有したパーヒドロポリシラザンの２０％キシレン溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＡＱＵＡＭＩＣＡ（登録商標）  ＮＬ１１０Ａ−２０）を用いて塗布液Ｆを調製した他は実施例１と同様にして基板Ａ−ＥＬ−６を得て耐電圧試験を行った。結果を表１に示す。
【００５０】
実施例７
塗布液Ａの代わりにＰｄ系触媒を含有したパーヒドロポリシラザンの２０％ジブチルエーテル溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＡＱＵＡＭＩＣＡ（登録商標）  ＮＬ１２０Ａ−２０）１ｍＬと、メチルヒドロポリシラザンの２０％キシレン−エチルベンゼン溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＡＱＵＡＭＩＣＡ（登録商標）  ＭＨＰＳ−２０ＸＹ）２ｍＬとを混合し、塗布液Ｇを調製した他は実施例１と同様にして基板Ａ−ＥＬ−７を得て耐電圧試験を行った。結果を表１に示す。
【００５１】
実施例８
塗布液Ａの代わりにアミン系触媒を含有したパーヒドロポリシラザンの２０％キシレン溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＡＱＵＡＭＩＣＡ（登録商標）  ＮＰ１１０Ａ−２０）を用いて塗布液Ｈを調製した他は実施例１と同様にして基板Ａ−ＥＬ−８を得て耐電圧試験を行った。結果を表１に示す。
【００５２】
実施例９
塗布液Ａの代わりにＰｄ系触媒を含有したパーヒドロポリシラザンの２０％キシレン溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＡＱＵＡＭＩＣＡ（登録商標）  ＮＬ１１０Ａ−２０）を用いて塗布液Ｉを調製した他は実施例１と同様にして基板Ａ−ＥＬ−９を得て耐電圧試験を行った。結果を表１に示す。
【００５３】
実施例１０〜１８
酸化アルミニウム層上への塗布液の塗布を、窒素ガスをキャリアガスとしたスプレーガンを用いて行った他は実施例１〜９と同様にして基板Ａ−ＥＬ−１０〜１８を得て耐電圧試験を行った。結果を表１に示す。
【００５４】
実施例１９
塗布液Ａの代わりにＰｄ系触媒を含有したパーヒドロポリシラザンの０．０８質量％ジブチルエーテル溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＡＱＵＡＭＩＣＡ（登録商標）  ＮＬ１２０Ａ−２０をジブチルエーテルにより希釈）を用いて塗布液Ｋを調製した他は実施例１と同様にして基板Ａ−ＥＬ−１９を得て耐電圧試験を行った。結果を表１に示す。パーヒドロポリシラザンの濃度を薄くすることにより、酸化アルミニウム層上に形成されるシリカガラス層の厚さを０．０１μｍまで薄くした。
【００５５】
比較例１
塗布液Ａの代わりにテトラエトキシシランの部分加水分解液（コルコート株式会社製、エチルシリケート４８）を用いて塗布液Ｊを調製した他は実施例１と同様にして基板Ａ−ＥＬ−ＴＥＯＳ−１を得て耐電圧試験を行った。結果を表１に示す。
【００５６】
（シリカガラス層の膜厚測定）
以上に述べた実施例１〜１９で得た基板Ａ−ＥＬ−１〜１９におけるシリカガラス層の膜厚を、レーザー顕微鏡による焦点法により測定した。なお、レーザー膜厚計を用いることもできる。また、比較例１で得た基板Ａ−ＥＬ−ＴＥＯＳ−１におけるＴＥＯＳ由来のシリカガラス層の膜厚も同様に測定した。結果を表１に示す。
【００５７】
（熱伝導率測定）
以上に述べた実施例１〜１９および比較例１で得た基板Ａ−ＥＬ−１〜１９およびＡ−ＥＬ−ＴＥＯＳ−１とシリカガラス層を形成していない前処理基板自体の熱伝導率を測定した。いずれの実施例の基板の熱伝導率も前処理基板の熱伝導率（６７Ｗ／ｍＫ）と略同等であり、形成した絶縁層（シリカガラス層）による大幅な熱伝導率低下は認められなかった。なお、熱伝導率は、アイフェイズ社製のａｉ−Ｐｈａｓｅ  Ｍｏｂｉｌｅを用いて、試料をセンサー部に挟むことで測定した。試料の異なる部分５点を測定し、その平均を試料の熱伝導率とした。
【００５８】
（アルマイトの空孔内の観察）
上記基板Ａ−ＥＬ−１〜１９をダイヤモンドミクロトームを用いて切断し、切断面に露出されたアルマイトの空孔内を日立製作所製電界放射型走査電子顕微鏡Ｓ５０００にて観察した。いずれも場合も、空孔内にシリカガラスが充填されていることを確認できた。なお、切断後の基板を水中に投入し、加熱して沸騰させたときに、切断面から泡が出ていないことによっても、空孔内にシリカガラスが充填されていることを確認できる。以上の観察により、基板Ａ−ＥＬ−１〜１９では、空孔内にシリカガラスが充填されていることを確認できたが、比較例の基板Ａ−ＥＬ−ＴＥＯＳ−１では、充填不良が確認された。
【００５９】
【表１】
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【００６０】
表１に示されるように、実施例１〜１９で得た基板Ａ−ＥＬ−１〜１９については、いずれの耐電圧も、耐電圧試験方法１で１ｋＶ、耐電圧試験方法２で２ｋＶを超えており、耐電圧試験方法３でも１ｋＶ耐電圧を有していると判定（ＯＫと表示）されている。一方、比較例１で得た基板Ａ−ＥＬ−ＴＥＯＳ−１では、耐電圧試験方法１で０．５２ｋＶ、耐電圧試験方法２で０．９８ｋＶにとどまっており、耐電圧試験方法３では１ｋＶ耐電圧を有していないと判定（ＮＧと表示）されている。これは、基板Ａ−ＥＬ−１〜１９のシリカガラス層の膜厚がいずれも０．０１〜３μｍであるのに対し、Ａ−ＥＬ−ＴＥＯＳ−１ではＴＥＯＳ由来のシリカガラス層の膜厚が酸化アルミニウム層１４（酸化皮膜）の表層において、１．９μｍはあるものの、アルマイトの多孔質への充填不良を起こしやすく、またシリカ膜自体にも収縮率の高さのためにクラックが入ったためと思われる。すなわち、比較例で用いたＴＥＯＳは、アルマイトの多孔質に封孔されにくく、その結果ＴＥＯＳ由来のシリカガラス層はアルマイトの多孔質への充填不良を起こしやすかった。
【符号の説明】
【００６１】
１０  発光装置、１２  アルミニウム基板、１４  酸化アルミニウム層、１６  シリカガラス層、１８  銅メッキパターン層、２０  銀メッキ層、２２  ワイヤ、２４  ＬＥＤチップ、２６  接着剤層、２８  ソルダレジスト層、３０  被試験基板、３２  ワニ口クリップ、３４  耐電圧試験機、３６、３８  アルミニウムブロック。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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