(57)【要約】【課題】磁気ディスク記録媒体の磁気情報の記録および再生の精度が低下しないスタンパまたは磁気転写マスターの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】（ａ）表面にレジスト膜を有する円環状基板を提供する工程と、（ｂ）電子線リソグラフィー法を用いて前記レジスト膜中にダミーパターンを有する凹凸パターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジスト膜を現像して、前記描画パターンとダミーパターンを有するレジスト原盤を形成する工程と、（ｄ）前記レジスト原盤に電鋳を行い、ダミーパターンを有する電鋳マスターを形成する工程と、（ｅ）前記電鋳マスターからダミーパターンを除去して、円環状磁気ディスク記録媒体製造用のインプリントスタンパを形成する工程を含むことを特徴とするインプリントスタンパの製造方法。【選択図】図９
2011243243.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円環状磁気ディスク記録媒体製造用のインプリントスタンパの製造方法であって、
（ａ）  表面にレジスト膜を有する円環状基板を提供する工程と、
（ｂ）  電子線リソグラフィー法を用いて前記レジスト膜中に凹凸パターンを形成する工程であって、前記凹凸パターンに、磁気ディスク記録媒体のサーボ領域およびデータ領域に対応した描画パターンと、該描画パターンに隣接する、円環状基板の内周側および外周側のレジスト膜部分に形成されるダミーパターンを形成する工程と、
（ｃ）  前記レジスト膜を現像して、前記描画パターンとダミーパターンを有するレジスト原盤を形成する工程と、
（ｄ）  前記レジスト原盤に電鋳を行い、レジスト原盤の描画パターンとダミーパターンが転写されたパターンを有する電鋳マスターを形成する工程と、
（ｅ）  前記電鋳マスターから、レジスト原盤から転写されたダミーパターンを除去して、円環状磁気ディスク記録媒体製造用のインプリントスタンパを形成する工程
を含むことを特徴とする、円環状磁気ディスク記録媒体製造用のインプリントスタンパの製造方法。
【請求項２】
前記工程（ｅ）のレジスト原盤から転写されたダミーパターンの除去が、ウェットエッチング、リアクティブイオンエッチングおよびイオンミリングの何れか一つ、または、これらの２以上を組み合わせて実施されることを特徴とする、請求項１に記載の磁気ディスク記録媒体製造用のインプリントスタンパの製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｅ）において、レジスト原盤から転写されたダミーパターン領域を除去した後の、当該ダミーパターンを除去した領域のインプリントスタンパの表面高さと、磁気ディスク記録媒体のサーボ領域およびデータ領域に対応したパターンが形成された領域のスタンパの表面高さの差が、５０ｎｍ以上０．１ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の磁気ディスク記録媒体製造用のインプリントスタンパの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３に記載した方法で製造したインプリントスタンパを用いて、凹凸パターンを磁気記録媒体に転写することを特徴とする、磁気ディスク記録媒体の製造方法。
【請求項５】
円環状磁気ディスク記録媒体製造用の磁気転写マスターの製造方法であって、
（ａ）  表面にレジスト膜を有する円環状基板を提供する工程と、
（ｂ）  電子線リソグラフィー法を用いて前記レジスト膜中に凹凸パターンを形成する工程であって、前記凹凸パターンに、磁気ディスク記録媒体のサーボ領域およびデータ領域に対応した描画パターンと、該描画パターンに隣接する、円環状基板の内周側および外周側のレジスト膜部分に形成されるダミーパターンとを形成する工程と、
（ｃ）  前記レジスト膜を現像して、前記描画パターンとダミーパターンを有するレジスト原盤を形成する工程と、
（ｄ）  前記レジスト原盤に電鋳を行い、レジスト原盤の描画パターンとダミーパターンが転写されたパターンを有する電鋳マスターを形成する工程と、
（ｅ）  前記電鋳マスターから、レジスト原盤から転写されたダミーパターンを除去して、円環状磁気ディスク記録媒体製造用のインプリントスタンパを形成する工程と、
（ｆ）  前記インプリントスタンパのパターンが形成されている表面上に軟磁性層を形成する工程
を含むことを特徴とする、円環状磁気ディスク記録媒体製造用の磁気転写マスターの製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｅ）のレジスト原盤から転写されたダミーパターンの除去が、ウェットエッチング、リアクティブイオンエッチングおよびイオンミリングの何れか一つ、または、これらの２以上を組み合わせて実施されることを特徴とする、請求項５に記載の磁気ディスク記録媒体製造用の磁気転写マスターの製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｅ）において、レジスト原盤から転写されたダミーパターン領域を除去した後の、当該ダミーパターンを除去した領域のインプリントスタンパの表面高さと、磁気ディスク記録媒体のサーボ領域およびデータ領域に対応したパターンが形成された領域のスタンパの表面高さの差が、５０ｎｍ以上０．１ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項５に記載の磁気ディスク記録媒体製造用の磁気転写マスターの製造方法。
【請求項８】
請求項５〜７に記載した方法で製造した磁気転写マスターを用いて、磁気パターンを磁気記録媒体に転写することを特徴とする、磁気ディスク記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、凹凸パターン表面を有するインプリントスタンパあるいは磁気転写マスターの製造方法に関する。これらの方法は、電子ビーム描画方法を用いて作製される。さらに、本発明は、インプリントスタンパを用いて凹凸パターンが転写された磁気ディスク記録媒体の製造方法、および磁気転写マスターを用いて磁化パターンが転写された磁気ディスク記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク等の磁気ディスク記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られている。しかし、磁気ヘッドの微細化加工には限界がある。さらに、磁気ヘッドの記録磁界の広がりに起因する記録対象のトラックに隣接するトラックへの誤った情報の記録や再生時のクロストーク等の問題が顕在化することがある。このように、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界に来ている。一層の面記録密度の向上が実現可能である磁気ディスク記録媒体の候補としては、記録層がデータ領域において微細な凹凸パターンで形成され、記録要素が凹凸パターンの凸部としてトラック状に形成されたディスクリートトラックメディア、および、記録要素がドット状に形成されたパターンドメディアが考案されている。そして、その製造工程にナノインプリント法や磁気転写法を適用することが提案されている。
【０００３】
従来、高密度の磁気ディスク記録媒体を製造するための磁気転写マスターの原盤などに所定の微細パターンをパターニングするために、電子ビーム描画方法が提案されている。この電子ビーム描画方法は、レジストが塗布された基板を回転させながら、パターン形状に対応した電子ビームの照射によって、パターンを描画するものである（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００４】
上記特許文献１の電子ビーム描画方法は、例えばトラックの幅方向に延びるパターンを描画する際に、レジストが塗布された基板を回転させながら、パターン形状に対応して電子ビームをオン・オフしながら照射し、基板または電子ビーム照射装置を、１回転に１ビーム幅ずつ半径方向に移動させて描画を行うか、または、ビーム照射時に、ビームを半径方向に往復偏向走査させてエレメントを一度に描画する方法である。
【０００５】
また、特許文献２の電子ビーム描画方法は、光ディスク等の記録ピットを描画する際に、基板を回転させながら、パターン描画データに応じたオン・オフ制御により電子ビームを基板に照射するとともに、この電子ビームを半径方向に往復振動させて、基板の回転に伴う照射時間に応じた回転方向に延びる信号長に記録ピットを描画する方法である。
【０００６】
しかしながら、上記のような電子ビーム描画方法では、パターンの疎密程度に応じて生じる近接効果の影響によって、電子ビームを走査して基板上に描画した所望のパターン形状に対して、実際にレジストに感光されるパターン形状が異なり、パターンの密配置部では描画した形状に対して、感光した後のパターン形状が大きくなる。電子ビーム描画における近接効果とは、照射された電子ビームの散乱による近接描画領域への感光に関する影響のことである。そして、近接効果は、描画パターンにおけるエレメントの配置の疎密の程度によって、もたらされる影響が異なる。電子ビームがレジストに入射されるとレジスト表面から基板に進むに従って前方散乱によりビームに広がりが起こる。さらに、基板に入射したビームが散乱し、その底部より大きな散乱角をもって跳ね返ってくる後方散乱が生じる。近接効果はこれらの散乱電子によりレジストが照射範囲より広く感光することにより生じる。
【０００７】
レジストパターンの形状を均一化するためには近接効果を補正することが必要である。この補正手段として、コンピュータシミュレーションにより電子ビームのエネルギー分布を計算し、ドーズ量（照射線量）を変更する方法が知られている（例えば、特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−２０７７３８号公報
【特許文献２】特開２００３−２４８９８１号公報
【特許文献３】特開２００６−２２２２３０号公報
【特許文献４】特開２００９−２３７０００号公報
【特許文献５】特開２００９−２３７００１号公報
【特許文献６】特開２００４−１７７７８３号公報
【特許文献７】特開２００９−０７０４８３号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】"Point exposure distribution measurement for proximity correction in electron beam lithography on a sub-100 nm scale", S. A. Rishton and D. P. kern, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 135 (1987)
【非特許文献２】"Estimation of Optimum Electron-Beam Projection Lithography Mask Biases Taking Coulomb Beam Blur into Consideration", H. Kobinata, Y. Yamada, T. Tamura, K. Fujii, M. Narihiro and Y. Ochiai, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 3816 (2003)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
通常、磁気ディスク記録媒体（ディスクリートトラックメディア）のパターンは、例えば図１に示すように、サーボ領域とデータ領域を有し、特にサーボ領域は複数のエレメントで構成されている。このような磁気ディスク記録媒体を製造する際には、インプリントスタンパを用いるが、このインプリントスタンパを作製するための原盤（レジスト原盤）を電子ビームにより描画する。そして、電子ビームにより各エレメントに対応するレジストを塗り潰して描画をする場合、上述のような近接効果を補正することが必要となる。この近接効果の補正方法として、パターンの疎密の程度に応じて、レジストの微細パターンのエレメントを走査する電子ビームのオン・オフ時間や偏向速度を調整する方法が知られている（特許文献４、特許文献５参照）。すなわち、パターンの密配置部においてはパターンの疎配置部よりも、電子ビームのオン時間を短くするか、または偏向速度を速くして、電子ビームのドーズ量を下げることで近接効果の補正を行う。しかしながら、磁気ディスク記録媒体のパターンに対応したレジストの個々のエレメントは、ディスクの周方向および半径方向の配置箇所によって形状が全て異なる。加えて、ディスクの半径方向においてパターン外周側端部および内周側端部は、パターン領域の中周部と比較して近接効果の影響が異なる。これらの影響ため、全てのエレメントに応じて最適なドーズ量で電子ビームの照射を行う条件を得るためには、複雑なシミュレーションと膨大な実験を必要とする。
【００１１】
所望するパターン領域の外側にダミーパターンを形成して、レジスト原盤における近接効果を補正する手法として特許文献６が提案されている。また、この手法により得られたレジスト原盤からインプリント用モールドを作製する手法として特許文献７が提案されている。しかし、本来は磁気情報の記録および再生に不必要なダミーパターンを残したまま原料媒体にインプリント、および加工を行うと、磁気情報の記録および再生時にエラーを生じる原因となる。
【００１２】
このようなレジスト原盤における近接効果の影響は、同様の手法により製造される磁気転写マスターについても当てはまる。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、電子ビーム描画により磁気ディスク記録媒体のパターンを形成する場合において、所望するパターン領域の外側に近接効果を補正するためのダミーパターンを有するレジスト原盤を作製し、さらに上記レジスト原盤からインプリントスタンパまたは磁気転写マスターを製造する方法を提供し、この製造方法においては、本来は磁気情報の記録および再生に不必要なダミーパターンを除去する。
【００１４】
本発明の一側面は、円環状磁気ディスク記録媒体製造用のインプリントスタンパの製造方法である。この方法は、
（ａ）  表面にレジスト膜を有する円環状基板を提供する工程と、
（ｂ）  電子線リソグラフィー法を用いて前記レジスト膜中に凹凸パターンを形成する工程であって、前記凹凸パターンには、磁気ディスク記録媒体のサーボ領域およびデータ領域に対応した描画パターンと、該描画パターンに隣接する、円環状基板の内周側および外周側のレジスト膜部分に形成されるダミーパターンを形成する工程と、
（ｄ）  前記レジスト膜を現像して、前記描画パターンとダミーパターンを有するレジスト原盤を形成する工程と、
（ｅ）  前記レジスト原盤に電鋳を行い、ダミーパターンを有する電鋳マスターを形成する工程と、
（ｆ）  前記電鋳マスターからダミーパターンを除去して、円環状磁気ディスク記録媒体製造用のインプリントスタンパを形成する工程
を含むことを特徴とする。
【００１５】
本発明の別の一側面は、円環状磁気ディスク記録媒体製造用の磁気転写マスターの製造方法である。
【００１６】
この方法は、上記インプリントスタンパの製造方法の工程（ｆ）に続いて、（ｇ）前記インプリントスタンパのパターンが形成されている表面上に軟磁性層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする。
【００１７】
本発明の上記各製造方法では、工程（ｆ）のダミーパターンの除去が、ウェットエッチング、リアクティブイオンエッチングおよびイオンミリングの何れか一つ、または、これらの２以上を組み合わせて実施されることを特徴とする。
【００１８】
さらに、本発明では、工程（ｆ）において、ダミーパターン領域を除去した後の、当該ダミーパターンを除去した領域のインプリントスタンパの表面高さと、磁気ディスク記録媒体のサーボ領域およびデータ領域に対応したパターンが形成された領域のスタンパの表面高さの差が、５０ｎｍ以上０．１ｍｍ以下であることを特徴とする。
【００１９】
本発明は、上記インプリントスタンパおよび磁気転写マスターを用いて、磁気記録媒体を製造する方法を包含する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、電子ビーム描画装置を用いた、高品質な磁気ディスク記録媒体の製造方法を提供することが可能になる。すなわち、パターン領域の外側に、近接効果を補正するためのダミーパターンを描画したレジスト原盤を作製し、次いで、上記レジスト原盤から電鋳マスターを作製し、得られた電鋳マスターからダミーパターンを除去することで、インプリントスタンパまたは磁気転写マスターを製造することができる。そして、このインプリントスタンパまたは磁気転写マスターを用いて、磁気記録媒体上に凹凸パターンを転写するか、磁気転写を行うことで、高記録密度を有する磁気ディスク記録媒体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】（１）はディスクリートトラックメディアのパターンの構成例を示す模式図である。（２）は磁気ディスク記録媒体のパターン全体を示す模式図である。
【図２】従来のレジスト原盤のパターンの全体を示す模式図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’断面における電子ビームの露光強度を示す概念図である。
【図４】ダミーパターンを有するレジスト原盤のパターン全体を示す模式図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ’断面における電子ビームの露光強度を示す概念図である。
【図６】(１）〜（３）はレジスト原盤の製造方法を示す概略図である。
【図７】（１）および（２）は電鋳マスターの製造工程を示す要部断面図である。
【図８】電鋳マスターの平面模式図である。
【図９】（１）〜（７）は、磁気ディスク記録媒体用インプリントスタンパの製造工程を示す要部断面図である。
【図１０】（１）〜（５）は、磁気記録媒体の製造工程を示す要部断面図である。
【図１１】（１）〜（３）は、磁気記録媒体の製造工程の図１０に続く工程を示す要部断面図である。
【図１２】(１）〜（８）は、磁気転写マスターの製造工程を示す概略図である。
【図１３】（１）および（２）は、磁気転写マスターを用いた磁気記録媒体の製造工程を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照しながら本発明のインプリントスタンパまたは磁気転写マスターの製造方法の好ましい実施形態について説明する。
【００２３】
ディスクリートトラックメディアのサーボ領域（１０２）およびデータ領域（１０４）の微細パターンの例を図１（ａ）に示す。また、サーボ領域およびデータ領域のパターンのディスク全体の模式図を図１（ｂ）に示す。図２に示されるように、パターンはデータ領域（１０４）とサーボ領域（１０２）で構成され、これらの領域が円周方向に複数回繰り返されることでトラックを形成している。また、トラックは半径方向に等間隔で配置され、ディスクパターン全体を構成する。
【００２４】
このようなディスクリートトラックメディアのパターンは以下の手順で作製される。即ち、まず、上記の微細パターンに対応した凹凸パターンを含むサーボ領域およびデータ領域に対応する領域を有するレジスト原盤を作製し、このレジスト原盤から電鋳マスターを形成する。次いで、この電鋳マスターからインプリントスタンパを作製し、得られたインプリントスタンパを用いて磁気ディスク記録媒体上に凹凸パターンを転写することによりディスクリートトラックメディアを得ることができる。
【００２５】
しかし、従来の手順では、上述した問題点があり、これを解決することが必要である。以下に、上記問題点の詳細を含め、本発明を詳細に説明する。
【００２６】
１．レジスト原盤の作製
本発明では、ディスクリートトラックメディアのパターンに対応したパターンを有するレジスト原盤を作成する。このレジスト原盤には、上記のような所望のパターンのほかに、ダミーパターンを併せて描画する。本発明におけるレジスト原盤は、レジストを塗布したシリコン原盤のような基板上に電子ビームにより所望のパターンおよびダミーパターンを描画することによって形成することができる。本発明ではこのようにダミーパターンをレジスト原盤に設けるが、このようにする理由は以下の通りである。
【００２７】
電子ビームによって基板上のレジストにパターンを描画する場合、電子がレジストに侵入した際にレジストの構成原子と衝突（前方散乱）をしながらレジストにエネルギーを与える。そのため、電子ビーム径よりも広い範囲が露光される。前方散乱の影響を減らすには電子ビームのエネルギーを上げることが有効であり、微細パターンを描画するには加速電圧は５０ｋＶ以上であることが望ましい。また、レジストから基板に入射した電子の一部が基板の構成原子との散乱で広がりながら跳ね返り（後方散乱）、再びレジストに侵入する。このような電子線散乱の影響により、レジストには、電子入射点以外にも広範囲にわたりエネルギーが蓄積され、電子ビーム描画に特有な近接効果が生じる。前述したように、高加速電圧の電子ビームを用いると前方散乱の影響は少ないが、逆に後方散乱によるエネルギーの蓄積は広範囲に及ぶ。このため、あまりに高い加速電圧の電子ビームで描画をすると、むしろパターン精度が低下してしまう。この後方散乱の影響は、加速電圧が１００ｋＶを超えると顕著になる。従って、加速電圧は１００ｋＶ以下であることが好ましい。
【００２８】
電子ビームによる露光強度分布は、例えば、非特許文献１に記載されている。１００ｋＶで加速された電子のシリコンでの後方散乱径は、約０．０３ｍｍ程度である。つまり、トラックピッチ１００ｎｍ以下のパターン、すなわち、トラック幅を１００ｎｍ未満で描画した場合、隣接するトラックから約３０本離れたトラックまで近接効果の影響が及ぶ。露光強度は、電子の入射点からの距離ｒの関数ｆ（ｒ）として表すことができる。このｆ（ｒ）を、露光強度分布（ＥＩＤ：Exposure Intensity Distribution）関数と呼ぶ。ＥＩＤ関数は、前方散乱や後方散乱などによる電子ビームの広がりを表す関数であり、複数のガウシアン関数や、ガウシアン関数と指数関数とを用いて近似できることが知られている（非特許文献１、２）。なお、描画パターンが小さくなると前方散乱による強度分布も重なり始め、寸法精度が低下する。
【００２９】
レジスト原盤は、従来では、例えば図２に示すような、磁気ディスク記録媒体のサーボ領域およびデータ領域に対応する領域（２０２、２０４）（この領域は磁気ディスク記録媒体の微細パターンに対応した凹凸パターンを含む）を有するレジスト原盤（２００）を電子ビーム描画方法により作製していた。
【００３０】
図３は、このような従来法でレジスト原盤を作製する場合の、従来のレジスト原盤（図２）のＡ−Ａ´断面における、電子ビームの露光強度を示す概念図である。描画パターン全体の露光強度（３０２）は各ラインのＥＩＤ関数（ライン毎の露光強度（３０４））の重ね合わせで表現されるため、描画パターンの中周部は外周端部または内周端部に比べて露光量が大きくなることが分かる。つまり、描画パターンの端部で適正な露光条件で描画を行うと、描画パターンの中周部では露光オーバーとなってライン幅の減少やパターンの消失を生じることになる。逆に、パターン中周部で適正な露光条件で描画を行うと、パターン端部が露光アンダーとなってパターン幅が狭くなり、著しい場合にはライン形成が不十分になる。
【００３１】
このように、電子ビームによりレジスト原盤を作製するには、上述した問題点がある。この問題点を解決する本発明を以下に詳述する。
【００３２】
図４は、本願発明の製造方法において利用されるレジスト原盤（４００）のパターン全体を示す模式図である。図４に示すように、本発明では、レジスト原盤のパターン領域の内周側および外周側に、ダミーパターン（４０２、４０４）を形成している。本発明では、このようなダミーパターン（４０２、４０４）をパターン領域の内周側および外周側に形成することで、上記の問題点を解決する。
【００３３】
図５は、図４のＢ−Ｂ´断面における、電子ビーム露光強度を示す概念図である。図５に示すように、パターン領域の内周側および外周側にダミーパターン領域を形成することで、これらの領域での露光強度（５０２、５０４）が加わり、描画パターン全体の露光強度（５０６）が平均化される。このように、本発明では、上述した従来の図３に示した露光強度と比較して、所望するパターン領域（４０６）の露光強度分布が平均化され、パターンの全領域で精度の高いパターンを有するレジスト原盤を得ることができる。
【００３４】
所望するパターン領域（４０６）の露光強度分布を均一化するには、上述のようにダミーパターン（４０２、４０４）を、所望するパターン領域（４０６）よりも内周側および外周側に設ける。このようなダミーパターン（４０２、４０４）は、ダミーパターン周端部（例えば図５の５０８、５１０）と隣接した所望するパターン領域の周端部（５１２、５１４）の距離（図５の「ｄ」で示した距離。本明細書において同じ。）を、所望するパターンのトラックピッチ長と同一距離まで接近させると最も高い効果が得られる。しかし、後述するようにインプリントスタンパまたは磁気転写マスターに加工する際、磁気転写マスターにレジスト原盤から転写されたダミーパターン（４０２、４０４）を除去する必要があるため、アライメント精度などを考慮すると、レジスト原盤のダミーパターン（４０２、４０４）は、所望するディスクパターン周端部（５１２、５１４）から１００ｎｍ以上０．１ｍｍ以下、望ましくは１００ｎｍ以上０．００１ｍｍ以下の距離を有することが望ましい。また、ダミーパターン領域（複数のパターンのライン含む場合、全てのラインを合計したもの。）の半径方向の幅（図５の「ｗ」で示した幅）は少なくとも１００ｎｍ以上であることが好ましい。特に加速電圧が１００ｋＶの場合、ダミーパターン領域の半径方向の幅は、近接効果が及ぶ０．０３ｍｍ以上であることが好ましく、描画されるパターンの構成は所望するレジスト原盤のパターンと同一のエレメントで構成されていることが望ましい。
【００３５】
次に、図面を参照して、レジスト原盤の製造方法を説明する。
図６は、レジスト原盤の製造工程を示す要部断面図である。図６（１）に示されるように、シリコンウェハのような基板（６０２）上にレジストを、スピンコート等の従来の塗布方法により塗布する。この後、１５０℃〜１８０℃で１〜３分間プリベークして、レジスト膜（６０４）を形成する。このレジスト膜（６０４）を形成した基板に対し、電子ビームを照射してディスクリートトラックメディアのパターンに相当するパターン（６０６）の描画を行う。この際、所望するパターン領域(６０６)と共に、当該領域の外周側および内周側に隣接して、ダミーパターン（６０８、６１０）を描画する（図６（２））。ダミーパターン（６０８、６１０）の形成条件は上述したとおりである。描画後、基板を現像し、レジスト原盤（６００）を得ることができる（図６（３））。
【００３６】
２．磁気ディスク記録媒体製造用インプリントスタンパの製造方法
上述した方法で作製したレジスト原盤は、近接効果の影響が低減され、所望のパターン領域を形成できるが、レジスト原盤に形成されたダミーパターンは、本来磁気ディスク記録媒体には不要なパターンである。従って、磁気ディスク記録媒体製造用インプリントスタンパ（後述する磁気転写マスターにおいても同様）を製造するには、磁気ディスク記録媒体製造用インプリントスタンパの製造過程においてこのダミーパターンに対応するパターンを除去する必要がある。以下では、この手順を含め、磁気ディスク記録媒体製造用インプリントスタンパの製造方法を詳細に説明する。
【００３７】
具体的手順としては、まず、図４および図６（３）に示したようなダミーパターンを含む描画パターンを有するレジスト原盤上に導電膜を製膜した後、電鋳法（例えばニッケル電鋳法）により凹凸パターンを転写した電鋳マスターを作製する。この電鋳マスターから、レジスト原盤から転写されたダミーパターンを除去し、内外周打ち抜き加工等を経て、インプリントスタンパを形成する。なお、レジスト原盤上に電鋳法でニッケルを電析させ、所定の加工を施して得られるスタンパをファザースタンパと言い、凹凸形状はレジスト原盤の逆形状となる。また、ファザースタンパを用いて同様な手順で凹凸形状がレジスト原盤と同形状のスタンパを作製できる。これをマザースタンパと言う。凹凸形状は偶奇数回の電鋳で作り分けることが可能であり、インプリント法または磁気転写法の各用途に応じて、どちらの凹凸形状の電鋳マスターを使用してもよい。
【００３８】
以下に、磁気ディスク記録媒体製造用インプリントスタンパの製造方法を、図面を参照してさらに詳細に説明する。
【００３９】
（ａ）電鋳マスターの製造
上記のようにして得られたレジスト原盤から電鋳マスターを作製する。図７（１）に示すように、ダミーパターンを有するレジスト原盤（６００）上に、スパッタリング法、蒸着法、無電解メッキ法などの薄膜形成法によって導電膜（例えばニッケル導電膜）（膜厚：１〜１０ｎｍ）（図示せず）を形成し、所定のメッキ液を用いて電鋳し、電鋳マスター部分（７０２）（膜厚：１００〜３００μｍ）を作製する。得られた電鋳マスター部分（７０２）をレジスト原盤（６００）から剥離し、電鋳マスター部分に残ったレジスト残渣を酸素プラズマアッシング法、電解洗浄法等で除去することにより、電鋳マスター（７００）を得ることができる（図７（２））。上記電鋳の条件は、例えば導電膜を形成したレジスト原盤（６００）を、例えばスルファミン酸ニッケルメッキ液、ワット液、ウッド液、黒色ニッケルメッキ液のような電鋳液に６０〜１８０分浸漬しながら電鋳すればよい。
【００４０】
図８は、本発明で用いられる電鋳マスターの平面模式図であり、同図Ｃ−Ｃ’線での要部断面図が図７（２）の電鋳マスターの要部断面図に相当する。電鋳マスターは、従来のサーボ領域およびデータ領域に加え、内周側および外周側に、レジスト原盤から転写されたパターンを有する、転写されたダミーパターンを有する。
【００４１】
（ｂ）磁気ディスク記録媒体製造用インプリントスタンパの製造
上記のようにして得られた、転写されたダミーパターンを有する電鋳マスターから磁気ディスク記録媒体製造用インプリントスタンパ（ダミーパターンを含まないスタンパ）を製造する工程を、図９を参照して説明する。
【００４２】
図９（１）は、ダミーパターンを有するレジスト原盤から作製した電鋳マスター（７００）の断面模式図である。この電鋳マスター（７００）上の所望するパターン領域（９０２）上に、レジスト膜（９１０）をパターニングする（図９（２））。レジスト膜（９１０）の厚さは、パターンの凹凸の高さ以上であり、エッチングの際所望するパターンがエッチングされない高さを有すればよい。例えば、０．１〜０．２μｍの高さがあればよい。また、レジスト材料は、エッチング耐性に優れたものであることが好ましい（例えば、東京応化工業製、ＯＦＰＲ−８６００を用いることができる。）。パターニングは、マスクアライナまたはインクジェット法の何れか、あるいはこれらを組み合わせて行うことができる。好ましくは、アライメント精度が０．００１ｍｍ以下である方法または方法の組み合わせを用いることが好ましい。成膜の条件は、上記アライメント精度が実現できる限り、従来のものを利用できる。レジスト膜（９１０）をパターニングした後、ウェットエッチング法またはリアクティブイオンエッチング法またはイオンミリング法の、何れか、またはこれらを組み合わせて、外周側ダミーパターン領域９０４および内周側ダミーパターン領域９０６の除去を行う（図９（３））。エッチングの条件は、例えばパターン凹凸高さが５０ｎｍの場合、２０％硝酸水溶液に１分間浸漬するか、あるいは、アンテナパワー１００Ｗ、真空度０．１Ｐａでアルゴンイオンミリングを１分間行えばよい。
【００４３】
エッチングの際、電鋳マスターを面内回転および上下左右の揺動運動をさせると、エッチングの面内における均一性を向上させることができる。また、エッチング後のダミーパターン領域（９０４，９０６）の表面高さと所望するパターン領域（９０２）の表面高さの差（図９（４）の高さ「ｈ」）は、５０ｎｍ以上０．１ｍｍ以下、望ましくは５０ｎｍ以上０．００１ｍｍ以下である。エッチング面は、図面に示されるように転写されたダミーパターンに起因する凹凸パターンが残る場合があるが、このような凹凸パターンを有さない平坦面が形成されていることが望ましい。
【００４４】
ここで、上記の高さ「ｈ」が５０ｎｍ以下の場合、インプリント時に電鋳マスターに転写されたダミーパターンが再度インプリントスタンパに転写されるので、好ましくない。また、上記の高さ「ｈ」が０．１ｍｍ以上の場合、スタンパに反りが発生するので、好ましくない。
【００４５】
レジスト原盤から転写されたダミーパターン領域（９０４、９０６）をエッチング除去した後、レジストを剥離・洗浄して、当該転写されたダミーパターン領域を除去した電鋳マスター（９００）を得る（図９（４））。次いで、転写されたダミーパターン領域を除去した電鋳マスター（９００）表面全体に保護膜（９１２）を塗布する（図９（５））。塗布方法は、従来のスピンコート法、ディップ法などを用いることができる。また、保護膜には、シリテクト保護膜等を用いることができる。次いで、内外周打抜き加工装置を用いてダミーパターン領域を除去した電鋳マスター（９００）を打抜き加工し（図９（６））、目的とする磁気ディスク記録媒体製造用のインプリントスタンパ（１０００）を得ることができる（図９（７））。
【００４６】
上記の製造方法で得られるインプリントスタンパ（１０００）を用い、ナノインプリント法によって磁気記録媒体または半導体素子などを作製することができる。以下に、図１０および図１１を参照して、本発明の製造方法で得られるインプリントスタンパを用いる、ディスクリートトラックメディアの製造方法を説明する。
【００４７】
最初に、図１０（１）に示すように、インプリントスタンパ（１０００）を準備する。次に、図１０（２）に示すように、少なくとも磁性層を有する磁気記録媒体（１００２）の上に樹脂膜（１００４）を塗布した樹脂塗工基板を準備する。磁気記録媒体（１００２）は、磁性層に加えて、下地層、軟磁性裏打層、中間層、および／または保護層を含んでもよい。図１０に示すように熱ナノインプリント法を適用する場合、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの熱可塑性樹脂またはエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いて樹脂膜（１００４）を形成することができる。あるいはまた、ＵＶナノインプリント法を適用する場合、ＵＶ硬化性樹脂を用いて樹脂膜（１００４）を形成することができる。樹脂膜（１００４）形成は、スピンコート、ディップコートなどの当該技術において知られている任意の塗布方法によって実施することができる。
【００４８】
次に、図１０（３）に示すように、樹脂塗工基板の樹脂膜（１００４）に対して、インプリントスタンパ（１０００）の凹凸パターンが形成された面を押圧して、インプリントスタンパ（１０００）の凹凸パターンにならって、樹脂膜（１００４）に凹凸パターンを形成する。押圧の前に、インプリントスタンパ（１０００）の凹凸パターンが形成された面に対して、離型剤による表面処理を行うことが好ましい。樹脂膜（１００４）が熱硬化性樹脂またはＵＶ硬化性樹脂で形成されている場合、インプリントスタンパ（１０００）を押圧したままの状態で、加熱またはＵＶ照射を行って、樹脂膜（１００４）を硬化させる（図１０（４））。なお、押圧のみで樹脂膜（１００４）に凹凸パターンを形成できる場合は、室温程度の温度で押圧を実施することができる。
【００４９】
次に、図１０（５）に示すように、インプリントスタンパ（１０００）を剥離して、凹凸パターンが転写され、硬化された樹脂膜（１００４’）を有する樹脂塗工基板を得る。
【００５０】
次に、図１１（１）に示すように、硬化後の凹凸パターンを有する樹脂膜（１００４’）の凹部に残っている樹脂を除去して磁気記録媒体（１００２）を露出させ、樹脂マスク（１００４ａ）を形成する。樹脂の除去は、ドライエッチングによって実施することができる。本工程においては、樹脂膜の凸部の位置および幅が維持される限りにおいて、樹脂膜の凸部の上面側が一部除去されてもよい。
【００５１】
次に、図１１（２）に示すように、樹脂マスク（１００４ａ）にならって磁気記録媒体（１００２）のエッチングを行う。磁気記録媒体（１００２）のエッチングは、たとえばＲＩＥなどの反応性エッチングにより実施することができる。本工程においては、磁気記録媒体（１００２）中の磁性層の少なくとも一部をエッチング除去して、磁気的に独立した複数の記録トラックを形成する。磁気記録媒体（１００２）が磁性層以外の層を含む場合、磁気的に独立した複数の記録トラックが形成される限りにおいて、磁性層以外の層がエッチングされてもよい。
【００５２】
最後に、図１１（３）に示すように、残存する樹脂マスク（１００４ａ）を除去して、磁気的に独立した複数の記録トラックを有する磁気記録媒体（１１００）を得ることができる。以上のように、磁性層が一様に成膜された磁気記録媒体の表面を、本発明の方法によって製造されるインプリントスタンパによるナノインプリントおよびドライエッチングにより加工することによって、インプリントスタンパの凹部の転写で形成される凸部を有するパターン化された磁性層を有する磁気記録媒体を形成することができる。
【００５３】
３．磁気ディスク記録媒体製造用磁気転写マスターの製造方法
上述のようにして得られた、インプリントスタンパ（１０００）の凹凸面に軟磁性層を形成することで、磁気転写マスターを得ることができる。
【００５４】
インプリントスタンパの凹凸面に軟磁性層を形成する方法には、例えばＦｅＣｏを成膜する場合、スパッタ法や蒸着法、めっき法のような方法をあげることができる。このような方法の成膜条件は、例えば、スパッタ法の場合、アンテナパワー２００Ｗ、真空度０．１Ｐａで１２０秒間である。
【００５５】
このようにして得られた磁気転写マスターを用いて、磁気転写を行うことで、磁気記録媒体を製造することができる。磁気転写方法は、例えば、磁気的な転写情報を有する磁気転写マスターと被転写体とを密着させてこの磁気転写マスターと被転写体の密着体を形成し、磁界発生手段を密着体に近接させて、磁界発生手段と密着体とを相対的に移動させながら磁界を印加することにより実施することができる。
【実施例】
【００５６】
以下、実施例を用いて本発明を更に説明する。
【００５７】
（実施例１）
本実施例は、レジスト原盤および電鋳マスターの製造工程を示す。
図６および図７は、レジスト原盤および電鋳マスターの製造工程を示す要部断面図である。図８は、電鋳マスターの平面模式図であり、同図Ｃ−Ｃ’線での要部断面図が図７（２）の電鋳マスターの要部断面図に相当する。
【００５８】
日本ゼオン社製のレジストＺＥＰ５２０をアニソールで４倍に希釈し、６インチシリコンウェーハ基板にスピンコートした後、１８０℃で２分間プリベークして、膜厚が５０ｎｍのレジスト基板を形成した（図６（１））。この基板を電子ビーム描画装置内の所定位置に搬送し、真空下で加速電圧１００ｋＶの電子ビームを用いて、データトラック領域のパターンピッチ１００ｎｍ、記録線幅５０ｎｍであるディスクリートトラックメディアパターンの描画を行った（図６（２））。所望するディスクパターン領域と共に、当該領域の外周側および内周側に、所望するパターンと同一エレメントで構成されたダミーパターンを、周端部より０．００１ｍｍ隔てて（図５、間隔（ｄ））隣接描画した。ダミーパターン領域の半径方向の幅（図５、幅（ｗ））は、０．０５ｍｍである。描画後、シリコンウェハ基板を現像し、レジスト原盤を作製した（図７（３））。
【００５９】
作製したレジスト原盤における所望するデータトラック領域のｒ（レジスト原盤の半径）＝１２ｍｍ、ｒ＝２２ｍｍ、ｒ＝３０ｍｍの各付近のトラック１０本をＳＥＭ観察し、トラック幅を測定した。すべての半径位置において、線幅ばらつきは３σで以下２ｎｍであった。
【００６０】
（実施例２）
本実施例は、インプリントスタンパの製造工程および磁気記録媒体の製造工程を示す。
図７および図９は、インプリントスタンパの製造工程を示す要部断面である。図９は、図８のＤ−Ｄ’線での要部断面図である。
【００６１】
ダミーパターンを有するレジスト原盤上に、スパッタリング法によって厚さ４ｎｍのニッケル導電膜を形成し、スルファミン酸ニッケルメッキ液で１２０分間電鋳し、厚さ３００μｍの電鋳マスターを作製した（図７、図９（１））。電鋳マスターのレジスト残渣を酸素プラズマアッシング法（アッシング法の条件は、アンテナパワー１００Ｗ、真空度０．０５Ｐａ、基板バイアス２０Ｗで１０分間であった。）で除去した後、マスクアライナを用いて所望するパターン領域の上にレジスト膜をパターニングし（図９（２））、アルゴンイオンミリング装置を用いて、電鋳マスターから、パターニングされ転写されたダミーパターンを除去した（図９（３））。アルゴンイオンミリングの条件は、アンテナパワー２００Ｗ、真空度０．１Ｐａであった。アルゴンイオンミリング後の、所望するパターン領域の表面高さとダミーパターン表面高さの差は、５０ｎｍであった。ダミーパターンの除去にウェットエッチング（２０％硝酸水溶液に１分間浸漬）、リアクティブイオンエッチング（アンテナパワー１００Ｗ、真空度０．１Ｐａで３分間）、アルゴンイオンミリング（アンテナパワー１００Ｗ、真空度０．１Ｐａで１分間）でも同様の結果が得られた。
【００６２】
レジスト膜を剥離および洗浄をした後（図９（４））、電鋳マスター表面全体にシリテクト保護膜を塗布し（図９（５））、偏心調整機構を有する打抜き加工装置を用いて内外径の打抜き加工を行って（図９（６））、インプリントスタンパを得た（図９（７））。以上のようにして作製したインプリントスタンパにおけるデータトラック領域のｒ＝１２ｍｍ、ｒ＝２２ｍｍ、ｒ＝３０ｍｍの各付近のトラック１０本をＳＥＭ観察し、トラック幅を測定した。すべての半径位置において、線幅ばらつきは、３σで２ｎｍ以下であった。
【００６３】
次に、得られたインプリントスタンパを用いてディスクリートトラックメディア（磁気記録媒体）を作製した。
インプリントスタンパの凹凸パターンの表面に、撥水性官能基を有する分子構造の薄膜原料（ダイキン化成製オプツールＨＤ１１０１）をスピンコート法で塗布することによって、離型膜を形成した（図１０（１））。
【００６４】
次に、磁性層を最表層とし、６５ｍｍの外径および２０ｍｍの内径を有する円環状の磁気記録媒体に対して、ＳＯＧ（スピンオングラス）レジストをスピンコート法で膜厚７０ｎｍ塗布した（図１０（２））。ＳＯＧは、市販の東京応化工業製ＯＣＮＬ５０５を用いた。その後、作製したインプリントスタンパを用いてインプリントを行い、ＳＯＧ表面に転写パターンに応じた凹凸パターンを形成した。パターン形成のインプリントは、インプリントスタンパをシリコンウェハのレジスト面に重ね合わせ、室温の状況で、１００ＭＰａの加圧を１分間行い、その後、インプリントスタンパを剥離して行った（図１０（３）〜（５））。引き続いて、酸素プラズマによるエッチングによってＳＯＧレジストパターンの凹部に残存する樹脂を除去して、インプリントスタンパの凹凸パターンをインプリントした磁気記録媒体を形成した（図１１（１））。
【００６５】
次に、塩素ガスを用いるＲＩＥによって、磁性層のサイドエッチングが発生しない条件で磁性層をエッチングし、同心円状のラインおよびスペースの主要部とサーボ情報パターンとからなるパターンを有する磁性層を得た（図１１（２））。
【００６６】
続いて、酸素プラズマによるアッシングによって残存する樹脂マスクを除去し、ＣＶＤ法を用いて磁性層の上にダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる保護層を形成し、ディップコート法を用いて液体潤滑層を形成し、磁気記録媒体を作製した（図１１（３））。
【００６７】
作製したディスクリートトラックメディアを組み込んだハードディスクドライブでは、安定した磁気情報の記録、再生を行うことができた。
【００６８】
（実施例３）
本実施例は、磁気転写マスターの製造工程を示す。
【００６９】
図１２は、磁気転写マスターの製造工程を示す概略図である。まず、外径６５mm、内径２０mm、厚さ０．６３５mmのシリコンウェハ（１２０２）を準備し、スパッタ法により、カーボン膜（１２０４）を８０ｎｍ成膜した（図１２（１））。カーボン膜（１２０４）は、後の工程でパターン加工され、非磁性基体の一部となるものである。次に、ＳＯＧレジスト（１２０６）をスピンコート法で膜厚７０ｎｍ塗布した（図１２（２））。ＳＯＧは、市販の東京応化工業製ＯＣＮＬ５０５を用いた。その後、転写する情報に応じたパターンが形成された実施例２で作製したインプリントスタンパを用いてインプリントを行い、ＳＯＧ表面に転写パターンに応じた凹凸パターンを形成した（図１２（３））。パターン形成のインプリントは、インプリントスタンパをシリコンウェハのレジスト面に重ね合わせ、室温の状況で、１００ＭＰａの加圧を１分間行い、その後、スタンパを剥離して行った。インプリントによりレジスト上につけたパターンは、凹部の底に残膜が存在している。そのため、インプリント工程後に、残膜除去工程を実施した。ＳＯＧの残膜は、２０〜４０ｎｍであった。残膜除去は、ＣＦ4ガスを用いたＲＩＥ（反応性イオンエッチング）で実施した（図１２（４））。ＳＯＧの残膜除去後、ＳＯＧに形成された凹凸パターンをマスクとして、カーボン膜（１２０４）をエッチングし、カーボン膜（１２０４）に凹凸パターンを形成した（図１２（５））。カーボン膜（１２０４）のエッチングは、Ｏ2ガスを用いたＲＩＥで実施した。加工深さは、８０ｎｍである。その後、マスクとして用いたＳＯＧを除去した。ＳＯＧ除去は、ＣＦ4ガスを用いたＲＩＥで実施する（図１２（６））。ここまでで、シリコンウェハへの凹凸パターンが形成される。
【００７０】
次に、軟磁性体（１２０８）としてＦｅＣｏ（Ｃｏ  ａｔ．３０%）をスパッタ法で、シリコンウェハ（１２０２）の凹部を含めた部分の膜厚２００ｎｍ、凹み部以外の部分の膜厚が約１２０ｎｍとなるよう成膜した（図１２（７））。また、この時の成膜は、２段階のステップで行った。最初のステップで、微細な凹み部分へ軟磁性体の埋め込み性を確保するため、ターゲットと基板を対向する位置に平行に配置し、基板バイアスをかけて行った。このままでは、成膜後の表面に、シリコンウェハの凹凸に応じた凹凸が生じてしまう。そのため、次に、約６０°の角度になるように、ターゲットに対して、基板の位置をずらして配置し、基板を回転させて、基板バイアスをかけないで成膜を行った。こうすることで、凹み部分へ軟磁性体が埋め込まれ、尚且つ、成膜表面が略平坦な基板を得た。
【００７１】
その後、ＲＩＥによりエッチングを行う。ＲＩＥは、ＲＦパワー１００Ｗ、基板バイアス２０Ｗ、Ａｒガスに対して、Ｏ2ガスを１０％混合して、真空度０．１Ｐａの条件で行った。この条件で、あらかじめ別に測定したエッチングレートは、ＦｅＣｏ：０．５ｎｍ/ｓに対して、カーボン膜：１．０ｎｍ/ｓであった。ＦｅＣｏのオーバーエッチングを考えて２５２ｓｅｃで加工を行った（図１２（８））。
【００７２】
こうして作製した磁気転写マスターの断面形状を、ＴＥＭ（透過電子顕微鏡）で確認したところ、シリコンウェハの凹部に軟磁性体が良好に埋め込まれた構造となっていた。
【００７３】
（実施例４）
本実施例は、磁気転写マスターを用いた磁気記録媒体の製造工程を示す。
【００７４】
図１３は、磁気転写マスター（１３０２）用いた磁気記録媒体の製造工程を示す概略図である。実施例３によって作製した磁気転写マスター（１３０２）を使って、磁気記録媒体（１３０４）にサーボ情報の磁気転写を行った。磁気転写には、磁気転写マスター（１３０２）、被転写媒体（１３０４）、磁石（１３０６）等を準備する。
【００７５】
まず、被転写媒体表面に対し略垂直方向の外部磁界（第１の磁界）を印加し、被転写媒体（１３０４）を一方向に磁化する（図１３（１））。
【００７６】
その後、磁気転写マスター（１３０２）と前記被転写媒体（１３０４）を密着させ、第１の磁界と逆向きの被転写媒体の記録面と略垂直な方向に外部磁界（第２の磁界）を印加する（図１３（２））。磁気転写マスター（１３０２）には軟磁性体によるパターンが設けられており、磁気転写マスター（１３０４）上に形成された強磁性パターンのない部分では磁束が少ししか通らず、第１の磁界で磁化した向きが残る。強磁性パターンのある部分では多量の磁束が通ることで第２の磁界の向きに磁化される。結果として、磁気転写マスター（１３０４）の表面に形成された凹凸に対応した磁化パターンが転写される。
【００７７】
この様な方法で磁気転写を行った磁気記録媒体について、繰り返し数１枚目、１万枚目、１０万枚目の磁気記録媒体についてサーボ特性の評価を行ったところ、良好な信号特性が得られた。
【００７８】
（比較例１）
本比較例では、電子ビーム描画装置による、ダミーパターンを有さないレジズと原盤のパターン描画について説明する。
【００７９】
ダミーパターンを形成しない以外は、実施例１と同様にした。すなわち、電子ビーム加速電圧１００ｋＶの電子ビーム描画装置を用いて、ＺＥＰ５２０レジスト５０ｎｍを塗布したシリコンウェハ上に、データパターン領域のパターンピッチ１００ｎｍ、記録線幅５０ｎｍであるディスクリートトラックメディアパターンを描画してレジスト原盤を作製した。レジスト原盤におけるデータトラック領域のｒ＝１２ｍｍ、ｒ＝２２ｍｍ、ｒ＝３０ｍｍの各付近のトラック１０本をＳＥＭ観察し、トラック幅を測定した。パターン領域の線幅ばらつきは、３σで１０ｎｍであった。
【００８０】
（比較例２）
本比較例では、本願発明の範囲外のダミーパターンを形成し、電鋳マスターからダミーパターンを除去し、インプリントスタンパを作製した場合について説明する。
【００８１】
電子ビーム加速電圧１００ｋＶの電子ビーム描画装置を用いて、シリコンウェハ上にパターン高さ５０ｎｍ、データパターン領域のパターンピッチ１００ｎｍ（パターンピッチは隣接するパターンの各パターン中心部の間隔をいう。）、記録線幅５０ｎｍであるディスクリートトラックメディアパターンと、パターン外周端部および内周端部から０．００１ｍｍ離れた位置に、幅０．０３ｍｍのダミーパターンを描画した。実施例２と同様の手順でシリコン原盤（レジスト原盤）を電鋳した後、得られた電鋳マスターの、転写されたダミーパターンを内外周打抜き装置で除去してディスク形状のスタンパを作製した。このようにして得られたスタンパは、内径および外径の切断端部に打抜き加工による反りが発生し、所望するパターンにおける内外周領域の平坦性が劣化した。当該スタンパを用いて磁気ディスク媒体にインプリントした結果、平坦性が劣化した内外周領域でパターン転写が不可能であった。
【００８２】
（比較例３）
本比較例では、電鋳マスターに転写されたダミーパターンを除去していないインプリントスタンパを用いて作製したディスクリートトラックメディアにおける磁気情報の記録および再生について説明する。
【００８３】
実施例１で作製したダミーパターンを有するレジスト原盤上に、スパッタリング法によって厚さ４ｎｍのニッケル導電膜を形成し、スルファミン酸ニッケルメッキ液で１２０分間電鋳し、厚さ３００μｍの電鋳マスターを作製した。電鋳マスターのレジスト残渣を酸素プラズマアッシング法で除去した後、電鋳マスター表面全体にシリテクト保護膜を塗布し、偏心調整機構を有する打抜き加工装置を用いて内外径の打抜き加工を行って、インプリントスタンパを得た。得られたインプリントスタンパを用いて、磁気ディスク記録媒体上に凹凸パターンの転写を行った後、磁性層をエッチングして、ディスクリートトラックメディアを作製した。なお、電鋳マスターおよび磁気ディスクの作製は実施例２の手順と同様であった。
【００８４】
作製したディスクリートトラックメディアを組み込んだハードディスクドライブでは、磁気情報の記録および再生が不可能であった。
【００８５】
実施例と比較例の結果から分かるように、本発明のインプリントスタンパを用いることによって、電子ビーム描画時に、所望するパターン領域の外側に近接効果を補正するためのダミーパターンを形成しても、良好な磁気情報の記録および再生が可能な磁気ディスク記録媒体を製造することができる。
【符号の説明】
【００８６】
１０２、２０２    サーボ領域
１０４、２０４    データ領域
２００、４００、６００    レジスト原盤
３０２、５０６    描画パターン全体の露光強度
３０４    ライン毎の露光強度
４０２、４０４、６０８、６１０    ダミーパターン
４０６、９０２    所望するパターン領域
５０２、９０４    外周側ダミーパターンのライン毎の露光強度
５０４、９０６    内周側ダミーパターンのライン毎の露光強度
５０８、５１０    ダミーパターン周端部
５１２、５１４    所望するパターン領域の周端部
６０２    基板
６０４    レジスト膜
６０６    ディスクリートトラックメディアのパターンに相当するパターン
７００    電鋳マスター
７０２    電鋳マスター部分
９００    ダミーパターン領域を除去した電鋳マスター
９０４    外周側ダミーパターン領域
９０６    内周側ダミーパターン領域
９１０    レジスト膜
９１２    保護膜
１０００    インプリントスタンパ
１００２    磁気記録媒体
１００４    樹脂膜
１００４’    硬化後の樹脂膜
１００４ａ    樹脂マスク
１１００    磁気記録媒体
１２０２    シリコンウェハ
１２０４    カーボン膜
１２０６    ＳＯＧレジスト
１２０８    軟磁性体
１３０２    磁気転写マスター
１３０４    磁気記録媒体
１３０６    磁石
【図１】
2011243243.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2011243243.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【手続補正書】
【提出日】平成22年7月23日(2010.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2011243243.tif 000016