(57)【要約】【課題】研削後のウエーハを損傷させることがないとともに、研削時に付着した研削屑を確実に除去することができるウエーハの研削方法および研削装置を提供する。【解決手段】チャックテーブルに保持されたウエーハの被研削面を研削手段によって研削するウエーハの研削方法であって、ウエーハの被研削面と反対側の支持面に液状樹脂を被覆して固化させ支持面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、ウエーハの保護膜側をチャックテーブルに保持し、ウエーハの被研削面を研削手段によって研削する研削工程と、研削工程によって被研削面が研削されたウエーハの支持面に形成された保護膜を溶剤によって溶解除去する保護膜除去工程とを含む。【選択図】図１
2011003611.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャックテーブルに保持されたウエーハの被研削面を研削手段によって研削するウエーハの研削方法であって、
ウエーハの被研削面と反対側の支持面に液状樹脂を被覆して固化させ該支持面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
ウエーハの該保護膜側をチャックテーブルに保持し、ウエーハの被研削面を研削手段によって研削する研削工程と、
該研削工程によって被研削面が研削されたウエーハの支持面に形成された保護膜を溶剤によって溶解除去する保護膜除去工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの研削方法。
【請求項２】
被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研削手段とを具備し、被研削面と反対側の支持面に樹脂による保護膜が形成された被加工物の該保護膜側を該チャックテーブルに保持し、被加工物の被研削面を該研削手段によって研削する研削装置において、
研削後の被加工物の支持面に形成された該保護膜を溶剤によって除去する保護膜除去手段を備えている、
ことを特徴とする研削装置。
【請求項３】
研削装置は、被加工物の被研削面と反対側の支持面に液状樹脂を被覆して固化させ該支持面に保護膜を形成する保護膜形成手段を備えている、請求項２記載の研削装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハの研削方法および研削装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、該矩形領域の各々にIC,LSI等のデバイスを形成する。このように多数のデバイスが形成された半導体ウエーハをストリートに沿って分割することにより、個々のデバイスを形成する。デバイスの小型化および軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々のデバイスに分割する前に、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成している。
【０００３】
半導体ウエーハの裏面を研削する研削装置は、被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研削手段と、該研削手段によって研削された被加工物を洗浄する洗浄手段と、を具備している。このような研削装置によってウエーハの裏面である被研削面を研削する場合には、被研削面と反対側の支持面（通常のウエーハにおいては表面、ウエーハの表面にサブストレート用のウエーハの一方の面が接合された所謂SOIウエーハの場合にはサブストレート用ウエーハの他方の面）に保護テープを貼着し、この保護テープ側をチャックテーブルに保持して被研削面を研削する。（例えば、特許文献１参照。）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３１９８２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
而して、ウエーハの被研削面と反対側の支持面に保護テープを貼着し、この保護テープ側をチャックテーブルに保持して被研削面を研削した後、保護テープを被研削面と反対側の支持面から剥離する際に研削されて薄くなったウエーハが損傷する場合がある。また、研削後のウエーハは洗浄手段によって洗浄されるが、保護テープとチャックテーブルとの接触面に回りこんだ研削屑は保護テープに強固に付着して洗浄手段で洗浄しても除去することができず、研削後のウエーハを収納するカセットを汚染するとともに後工程において汚染源になるという問題がある。
【０００６】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、研削後のウエーハを損傷させることがないとともに、研削時に付着した研削屑を確実に除去することができるウエーハの研削方法および研削装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、チャックテーブルに保持されたウエーハの被研削面を研削手段によって研削するウエーハの研削方法であって、
ウエーハの被研削面と反対側の支持面に液状樹脂を被覆して固化させ該支持面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
ウエーハの該保護膜側をチャックテーブルに保持し、ウエーハの被研削面を研削手段によって研削する研削工程と、
該研削工程によって被研削面が研削されたウエーハの支持面に形成された保護膜を溶剤によって溶解除去する保護膜除去工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの研削方法が提供される。
【０００８】
また、本発明によれば、被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研削手段とを具備し、被研削面と反対側の支持面に樹脂による保護膜が形成された被加工物の該保護膜側を該チャックテーブルに保持し、被加工物の被研削面を該研削手段によって研削する研削装置において、
研削後の被加工物の支持面に形成された該保護膜を溶剤によって溶解除去する保護膜除去手段を備えている、
ことを特徴とする研削装置が提供される。
【０００９】
研削装置は、被加工物の被研削面と反対側の支持面に液状樹脂を被覆して固化させ該支持面に保護膜を形成する保護膜形成手段を備えていることが望ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明においては、ウエーハの被研削面と反対側の支持面に液状樹脂を被覆して固化させることにより保護膜を形成し、この保護膜を研削工程を実施した後に溶剤によって溶解除去するので、従来の保護テープのように剥離する必要がないため、研削され薄くなったウエーハが保護テープを剥離する際に損傷するという問題を未然に防止することができる。また、ウエーハの被研削面と反対側の支持面に形成された保護膜は上記のように研削工程を実施した後に溶剤によって溶解除去されるので、研削工程において保護膜に付着した研削屑も除去されるため、研削後のウエーハを収納するカセットを汚染することはないとともに後工程において汚染源となることもない。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に従って構成されたウエーハの加工装置の斜視図。
【図２】被加工物としてのウエーハの斜視図。
【図３】本発明によるウエーハの研削方法における保護膜形成工程の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明によるウエーハの研削方法および研削装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１には本発明に従って構成されたウエーハの研削装置の斜視図が示されている。
図１に示すウエーハの研削装置は、全体を番号２で示す装置ハウジングを具備している。この装置ハウジング２は、細長く延在する直方体形状の主部２１と、該主部２１の後端部（図１において右上部）に設けられ実質上鉛直に上方に延びる直立壁２２とを有している。このように形成された装置ハウジング２は、後述する被加工物であるウエーハを搬入・搬出する搬入・搬出領域２ａと粗研削領域２ｂと仕上げ研削領域２ｃおよび研磨領域２ｄを備えている。
【００１４】
上記装置ハウジング２の主部２１にはターンテーブル３が回転可能に配設されている。このターンテーブル３は、比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印Aで示す方向に上記搬入・搬出領域２ａと粗研削領域２ｂと仕上げ研削領域２ｃおよび研磨領域２ｄに沿って適宜回転せしめられる。このターンテーブル３には、４個のチャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが配設されている。この４個のチャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは図示の実施形態においてはそれぞれ９０度の等角度の位相角をもって配設されている。このチャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは、それぞれ円盤状の基台と該基台の上面に配設されたポーラスセラミック材からなる吸着保持チャックとからなっており、吸着保持チャックの上面（保持面）に載置された被加工物を図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持する。このように構成されたチャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは、それぞれ図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる。なお、上記ターンテーブル３の上面には上記４個のチャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが配設された領域を仕切る仕切り板３１、３１が配設されている。この仕切り板３１、３１の高さは、チャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの高さより高く形成されている。
【００１５】
上記粗研削領域２ｂには、粗研削手段としての粗研削ユニット５が配設されている。粗研削ユニット５は、ユニットハウジング５１と、該ユニットハウジング５１の下端に回転自在に装着された粗研削ホイール５２と、該ユニットハウジング５１の上端に装着され粗研削ホイール５２を所定の方向に回転せしめるサーボモータ５３と、ユニットハウジング５１を装着した移動基台５４とを具備している。移動基台５４には被案内レール５５、５５が設けられており、この被案内レール５５、５５を上記直立壁２２に設けられた案内レール２２ａ、２２ａに移動可能に嵌合することにより、粗研削ユニット５が上下方向即ちチャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの保持面に垂直な方向に移動可能に支持される。図示の形態における粗研削ユニット５は、上記移動基台５４を案内レール２２ａ、２２ａに沿って移動させる研削送り手段５６を具備している。研削送り手段５６は、上記直立壁２２に設けられた案内レール２２ａ、２２ａと平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ネジロッド５７と、該雄ネジロッド５７を回転駆動するためのパルスモータ５８と、上記移動基台５４に装着され雄ネジロッド５７と螺合する図示しない雌ネジブロックを具備しており、パルスモータ５８によって雄ネジロッド５７を正転および逆転駆動することにより、粗研削ユニット５を上下方向に移動せしめる。
【００１６】
上記仕上げ研削領域２ｃには、仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット５０が配設されている。仕上げ研削ユニット５０は、仕上げ用の研削ホイール５２０が上記粗研削ユニット５の粗研削ホイール５２と相違する以外は粗研削ユニット５と実質的に同様の構成であり、従って粗研削ユニット５の構成部材と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略する。
なお、上記研磨領域２ｄには、図示しない研磨手段が配設される。
【００１７】
図示の実施形態における研削装置は、装置ハウジング２の主部２１の前端部（図１において左下端部）には、第１のカセット載置部６aおよび第２のカセット載置部６bが設けられている。第１のカセット載置部６aには研削前のウエーハが収容された第１のカセット６１が載置され、第２のカセット載置部６bには研削後のウエーハを収容するための第２のカセット６２が載置される。また、装置ハウジング２の主部２１の前部（図１において左下部）には仮置き領域７が設けられており、この仮置き領域７に上記第１のカセット６１から搬出された研削前のウエーハの中心位置合わせを行う中心合わせ手段７１が配設されている。仮置き領域７の後方（図1において右上方）には洗浄領域８が設けられており、この洗浄領域８に研削後のウエーハを洗浄するスピンナー洗浄手段８１が配設されている。このスピンナー洗浄手段８１は、上記粗研削手段としての粗研削ユニット５と仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット５０によって研削された後のウエーハを洗浄するとともに、ウエーハの洗浄面から洗浄水を遠心力によって飛散させスピンナー乾燥する。
【００１８】
上記第１のカセット載置部６aおよび第２のカセット載置部６bの後方にはウエーハ搬送手段９が配設されている。このウエーハ搬送手段９は、ハンド９１を装着した従来周知の多軸関節ロボット９２と、該多軸関節ロボット９２を装置ハウジング２の幅方向に移動する移動手段９３とからなっている。上記ハンド９１は、１８０度反転（上下を反転）できるように構成されている。上記移動手段９３は、装置ハウジング２の主部２１に幅方向に間隔をおいて立設された支持柱９３１、９３１に取り付けられた案内ロッド９３２と、該案内ロッド９３２に移動可能に装着された移動ブロック９３３と、案内ロッド９３２と平行に配設され移動ブロック９３３に形成されたネジ穴と螺合するネジ棒９３４と、該ネジ棒９３４を回転駆動する正転逆転可能なパルスモータ９３５とからなっており、移動ブロック９３３に上記多軸関節ロボット９２が装着されている。このように構成された移動手段９３は、パルスモータ９３５を正転または逆転駆動しネジ棒９３４を回転することにより、移動ブロック９３３即ち多軸関節ロボット９２を案内ロッド９３２に沿って移動せしめる。以上のように構成されたウエーハ搬送手段９は、移動手段９３および多軸関節ロボット９２を作動することにより、上記第１のカセット６１の所定位置に収容された研削前のウエーハを搬出して後述する保護膜形成手段に搬送するとともに、上記スピンナー洗浄手段８１によって洗浄および乾燥された研削後のウエーハを上記第２のカセット６２の所定位置に搬入する。
【００１９】
図示の実施形態における研削装置は、上記中心合わせ手段７１に搬送され中心合わせされた研削前のウエーハを上記搬入・搬出領域２ａに位置付けられたチャックテーブル４（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）に搬送するウエーハ搬入手段１１と、上記搬入・搬出領域２ａに位置付けられたチャックテーブル４（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）に保持されている研削後のウエーハを搬出し後述する保護膜除去手段および上記スピンナー洗浄手段８１に搬送するウエーハ搬出手段１２を備えている。このウエーハ搬入手段１１とウエーハ搬出手段１２は、装置ハウジング２に取り付けられた支持柱１３、１３に固定され装置ハウジング２の前後方向（長手方向）に延びる案内レール１４に沿って移動可能に装着されている。ウエーハ搬入手段１１は、吸着パッド１１１と、該吸着パッド１１１を下端に支持する支持ロッド１１２と、該支持ロッド１１２の上端と連結し上記案内レール１４に装着された移動ブロック１１３とからなっている。このように構成されたウエーハ搬入手段１１は、移動ブロック１１３が図示しない移動手段によって案内レール１４に沿って矢印Bで示す方向に適宜移動せしめられるとともに、支持ロッド１１２が図示しない移動手段によって矢印Cで示す上下方向に適宜移動せしめられるとともに矢印Hで示す方向に旋回せしめられる。
【００２０】
また、ウエーハ搬出手段１２は、吸着パッド１２１と、該吸着パッド１２１を矢印Dで示す方向に移動可能に支持する案内レール１２２と、該案内レール１２２を下端に支持する支持ロッド１２３と、該支持ロッド１２３の上端と連結し上記案内レール１４に装着され矢印Eで示す方向に移動する移動ブロック１２４とからなっている。なお、ウエーハ搬出手段１２の吸着パッド１２１の径は、上記ウエーハ搬入手段１１の吸着パッド１１１の径より大きく形成されている。このようにウエーハ搬出手段１２の吸着パッド１２１の径を大きく形成するのは、研削され薄くなったウエーハは割れ易いので吸着保持面積を広くするためである。このように構成されたウエーハ搬出手段１２は、移動ブロック１２４が図示しない移動手段によって案内レール１４に沿って適宜移動せしめられ、吸着パッド１２１が図示しない移動手段によって矢印Dで示すように案内レール１２２に沿って案内レール１４と直角な方向に適宜移動せしめられるとともに、支持ロッド１２３が図示しない移動手段によって矢印Fで示すように上下方向に適宜移動せしめられる。
【００２１】
図示の実施形態における研削装置は、研削後の被加工物であるウエーハの被研削面と反対側の支持面に形成された樹脂による保護膜を溶剤によって溶解除去する保護膜除去手段１５を備えている。この保護膜除去手段１５は、洗浄プール１５１と、該洗浄プール１５１内に回転可能に配設された洗浄スポンジ１５２とからなっている。なお、図示の実施形態においては洗浄プール１５１内には樹脂による保護膜を溶解する溶剤として硫酸と過酸化水素水からなる洗浄液が収容されており、該洗浄スポンジ１５２は該洗浄液に水没する状態で配設されている。このように構成された保護膜除去手段１５は、上記搬入・搬出領域２ａとスピンナー洗浄手段８１の間における吸着パッド１２１の移動経路内に配設されている。
【００２２】
図示の実施形態における研削装置は、上記保護膜除去手段１５とスピンナー洗浄手段８１との間に保護膜除去手段１５によって保護膜が溶解除去された被加工物であるウエーハの支持面を洗浄するために支持面洗浄手段１６を具備している。この支持面洗浄手段１６は、ウエーハ搬出手段１２によって保護膜除去手段１５からスピンナー洗浄手段８１に搬送される被加工物であるウエーハの支持面（下面）に向けて純水を噴出する噴射ノズル１６１を備えている。
【００２３】
また、図示の実施形態における研削装置は、上記研磨領域２ｄに位置付けられたチャックテーブル４（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）に保持された被加工物であるウエーハの被研削面を洗浄するための、被研削面洗浄手段１７を具備している。この被研削面洗浄手段１７は、研磨領域２ｄに位置付けられたチャックテーブル４（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）に保持された被加工物であるウエーハに向けて純水を噴出する噴射ノズル１７１を備えている。
【００２４】
更に、図示の実施形態における研削装置は、装置ハウジング２の主部２１に隣接して配設され被加工物であるウエーハの被研削面と反対側の支持面に保護膜を形成する保護膜形成手段１８を具備している。この保護膜形成手段１８は、被加工物であるウエーハを保持するスピンナーテーブル１８１と、該スピンナーテーブル１８１を回転駆動する電動モータ１８２と、スピンナーテーブル１８１に保持された被加工物であるウエーハの支持面に液状樹脂を供給する液状樹脂供給ノズル１８３と、被加工物であるウエーハの支持面に形成された樹脂保護膜を固化させるための保護膜固化器１８４とからなっている。上記スピンナーテーブル１８１は、上記チャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄと同様に円盤状の基台と該基台の上面に配設されたポーラスセラミック材からなる吸着保持チャックとからなっており、吸着保持チャックの上面（保持面）に載置された被加工物を図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持するようになっている。上記液状樹脂供給ノズル１８３は、図示しない液状樹脂供給手段に接続されている。また、保護膜固化器１８４は、液状樹脂供給ノズル１８３から供給される液状樹脂によって選択されるが、加熱器または紫外線照射器を用いることができる。
【００２５】
図示の実施形態における研削装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
上述した研削装置によってウエーハを研削するには、図２に示す研削前のウエーハ１０が収容された第１のカセット６１を第１のカセット載置部６aに載置するとともに、研削後のウエーハを収容するための空の第２のカセット６２を第２のカセット載置部６bに載置する。なお、図２に示す研削前のウエーハ１０は、例えば厚さが７００μmのシリコンウエーハからなり、表面１０ａに複数のストリート１０１が格子状に配列されているとともに、該複数のストリート１０１によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス１０２が形成されている。このように形成されたウエーハ１０は、裏面１０bを研削して所定の厚み(例えば、１００μm)に形成される。従って、ウエーハ１０は、裏面１０bが被研削面となり、該被研削面と反対側の表面１０ａが支持面となる。なお、ウエーハ１０は、表面１０ａを上側にして第１のカセット６１に収容される。
【００２６】
上述したように研削前のウエーハ１０が収容された第１のカセット６１を第１のカセット載置部６aに載置するとともに、研削後のウエーハを収容するための空の第２のカセット６２を第２のカセット載置部６bに載置し、研削開始スイッチ（図示せず）が投入されると、ウエーハ搬送手段９が作動して第１のカセット載置部６aに載置された第１のカセット６１の所定位置に収容されている研削前のウエーハ１０の裏面１０bをハンド９１によって吸引保持し、第１のカセット６１から搬出して保護膜形成手段１８のスピンナーテーブル１８１にウエーハ１０の裏面１０b側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、スピンナーテーブル１８１上にウエーハ１０を吸引保持する。従って、スピンナーテーブル１８１上に保持されたウエーハ１０は、図３の(a)に示すように被研削面と反対側の支持面である表面１０ａが上側となる。このようにしてスピンナーテーブル１８１上にウエーハ１０を吸引保持したならば、図３の(a)に示すように液状樹脂供給ノズル１８３の噴出口１８３aをスピンナーテーブル１８１上に保持されたウエーハ１０の中心部に位置付け、図示しない液状樹脂供給手段を作動して、液状樹脂供給ノズル１８３の噴出口１８３aから例えば硫酸と過酸化水素水からなる洗浄液によって溶解するレジスト膜等の液状樹脂２００を所定量滴下する。この液状樹脂２００は、加熱または紫外線を照射すると固化する樹脂が用いられる。なお、液状樹脂２００の滴下量は、ウエーハ１０の支持面である表面１０ａに形成される保護膜の厚みが１０〜３０μmになるように設定されている。このようにして液状樹脂２００を滴下したならば、液状樹脂供給ノズル１８３を図１に示す待機位置に位置付ける。次に、スピンナーテーブル１８１を図３の(a)において矢印Gで示す方向に３００〜１０００rpmの回転速度で所定時間（例えば１分間）回転する。この結果、図３の(b)に示すようにウエーハ１０の表面１０aの中央領域に滴下された液状樹脂２００は、遠心力によって外周部まで流動しウエーハ１０の支持面である表面１０ａを被覆し、保護膜２１０を形成する。このようにしてウエーハ１０の支持面である表面１０ａに保護膜２１０を形成したならば、図３の(b)に示すように加熱器または紫外線照射器からなる保護膜固化器１８４を作動して保護膜２１０を固化せしめる（保護膜形成工程）。
【００２７】
上述したように保護膜形成工程を実施したならば、スピンナーテーブル１８１によるウエーハ１０の吸引保持を解除する。次に、ウエーハ搬送手段９２を作動してスピンナーテーブル１８１上に載置されている保護膜形成工程が実施されたウエーハ１０の裏面１０bをハンド９１によって吸引保持し、更にハンド９１を１８０度反転することによりウエーハ１０の上下を反転して裏面１０bを上側にした状態で中心合わせ手段７１に搬送する。従って、中心合わせ手段７１に搬送されたウエーハ１０は、被研削面である裏面１０bが上側となる。そして、中心合わせ手段７１は、搬送された研削前のウエーハ１０の中心合わせを行う。次に、ウエーハ搬入手段１１を作動して、吸着パッド１１１により中心合わせ手段７１によって中心合わせされた研削前のウエーハ１０の裏面１０bを吸引保持し、上記搬入・搬出領域２ａに位置付けられたチャックテーブル４ａ上に搬送する。このとき、ウエーハ１０は、支持面である表面１０ａに形成された保護膜２１０側がチャックテーブル４ａ上に載置され、被研削面である裏面１０bが上側となる。なお、研削開始時においては、ターンテーブル３は図１に示す原点位置に位置付けられており、ターンテーブル３に配設されたチャックテーブル４ａが搬入・搬出領域２ａに、チャックテーブル４ｂが粗研削領域２ｂに、チャックテーブル４ｃが仕上げ研削領域２ｃに、チャックテーブル４ｄが研磨領域２ｄにそれぞれ位置付けられている。このようにして、搬入・搬出領域２ａに位置付けられたチャックテーブル４ａ上に載置された研削前のウエーハ１０は、図示しない吸引手段が作動することのよってチャックテーブル４ａ上に吸引保持される。
【００２８】
搬入・搬出領域２ａに位置付けられたチャックテーブル４ａに研削前のウエーハ１０を吸引保持したならば、ターンテーブル３を図１において矢印Aで示す所定方向に９０度の角度だけ回動する。この結果、研削前のウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル４ａが粗研削領域２ｂに位置付けられ、チャックテーブル４ｂが仕上げ研削領域２ｃに、チャックテーブル４ｃが研磨領域２ｄに、チャックテーブル４ｄが搬入・搬出領域２ａにそれぞれ位置付けられる。このようにしてチャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄがそれぞれの領域に位置付けられたならば、粗研削領域２ｂに位置付けられたチャックテーブル４ａに保持されているウエーハ１０に対して粗研削ユニット５によって粗研削加工が実施される（粗研削工程）。このとき、チャックテーブル４ａは所定方向に所定の回転速度で回転せしめられる。なお、この間に上記保護膜形成工程が実施され、搬入・搬出領域２ａに位置付けられたチャックテーブル４ｄに保護膜形成工程が実施された研削前のウエーハ１０が搬送され、チャックテーブル４ｄ上に研削前のウエーハ１０が吸引保持される。
【００２９】
次に、上記ターンテーブル３を図１において矢印Ａで示す所定方向に更に９０度回動する（従って、ターンテーブル３は図１に示す原点位置から１８０度回動する）。この結果、粗研削領域２ｂにおいて粗研削加工されたウエーハ１０を保持したチャックテーブル４ａが仕上げ研削領域２ｃに位置付けられるとともに、搬入・搬出領域２ａにおいて加工前のウエーハを吸引保持したチャックテーブル４ｄが粗研削領域２ｂに位置付けられる。そして、チャックテーブル４ｂが研磨領域２ｄに、チャックテーブル４ｃが搬入・搬出領域２ａにそれぞれ位置付けられる。この状態で仕上げ研削領域２ｃに位置付けられたチャックテーブル４ａに保持されている粗研削加工されたウエーハ１０に対して仕上げ研削ユニット５０によって仕上げ研削加工（仕上げ研削工程）が施されるとともに、粗研削領域２ｂに位置付けられたチャックテーブル４ｄに保持されているウエーハに対して粗研削ユニット５によって粗研削加工が実施される。チャックテーブル４ａおよびチャックテーブル４ｄは所定方向に所定の回転速度で回転せしめられる。なお、この間に上記保護膜形成工程が実施され、搬入・搬出領域２ａに位置付けられたチャックテーブル４ｃに研削前のウエーハ１０が搬送され、チャックテーブル４ｃ上に研削前のウエーハ１０が吸引保持される。
【００３０】
次に、上記ターンテーブル３を図１において矢印Ａで示す所定方向に更に９０度回動する（従って、ターンテーブル３は図１に示す原点位置から２７０度回動する）。この結果、仕上げ研削領域２ｃにおいて仕上げ研削加工されたウエーハを保持したチャックテーブル４ａが研磨領域２ｄに位置付けられ、粗研削領域２ｂにおいて粗研削加工されたウエーハを保持したチャックテーブル４ｄが仕上げ研削領域２ｃに位置付けられるとともに、搬入・搬出領域２ａにおいて研削前のウエーハを吸引保持したチャックテーブル４ｃが粗研削領域２ｂに位置付けられる。そして、チャックテーブル４ｂが搬入・搬出領域２ａに位置付けられる。上述したようにターンテーブル３が回動し仕上げ研削領域２ｃに位置付けられたチャックテーブル４ｄに保持されている粗研削加工されたウエーハに対しては仕上げ研削ユニット５０によって仕上げ研削加工が施されるとともに、粗研削領域２ｂに位置付けられたチャックテーブル４ｃに保持されているウエーハに対しては粗研削ユニット５によって粗研削加工が実施される。
【００３１】
また、研磨領域２ｄに位置付けられたチャックテーブル４ａに保持されている仕上げ研削加工されたウエーハ１０に対しては、図示しない研磨手段によって予め設定された研磨加工が施される。例えば、アルカリ研磨液を用いたケミカルメカニカルポリッシング（CMP）を実施する。このようにして研磨加工を実施したならば、被研削面洗浄手段１７を作動して噴射ノズル１７１から純水を研磨加工されたウエーハ１０の加工面に噴射して、加工面を洗浄する。
【００３２】
以上のようにして最初に搬入・搬出領域２ａに位置付けられ研削前のウエーハを保持したチャックテーブル４ａが粗研削領域２ｂと仕上げ研削領域２ｃおよび研磨領域２ｄに順次位置付けられ、各領域でそれぞれの加工が施されたならば、上記ターンテーブル３を図１において矢印Ａで示す所定方向と反対方向に図示の実施形態においては２７０度回動する。この結果、ターンテーブル３は図１に示す原点位置に戻され、上述したように研磨領域２ｄにおいて研磨加工されたウエーハを保持しているチャックテーブル４ａが搬入・搬出領域２ａに位置付けられる。そして、上述したように搬入搬出領域２ａで研削前のウエーハ１０を保持したチャックテーブル４ｂが粗研削領域２ｂに、粗研削領域２ｂで粗研削加工されたウエーハ１０を保持したチャックテーブル４ｃが仕上げ研削領域２ｃに、仕上げ研削領域２ｃで仕上げ研削加工されたウエーハ１０を保持したチャックテーブル４ｄが研磨領域２ｄにそれぞれ位置付けられる。上述したように粗研削領域２ｂと仕上げ研削領域２ｃおよび研磨領域２ｄにそれぞれ位置付けられたチャックテーブルに保持されたウエーハには、それぞれ上述した粗研削加工、仕上げ研削加工、研磨加工が施される。
【００３３】
粗研削加工、仕上げ研削加工、研磨加工が実施されたウエーハ１０を保持したチャックテーブル４ａが搬入・搬出領域２ａに戻ったならば、チャックテーブル４ａによるウエーハ１０の吸着保持を解除する。次に、上記ウエーハ搬出手段１２を作動してチャックテーブル４ａ上の研削後のウエーハ１０を吸着パッド１２１に保持してチャックテーブル４ａ上から搬出し、保護膜除去手段１５の洗浄プール１５１に搬送して研削後のウエーハ１０の表面である支持面に形成された保護膜２１０を洗浄プール１５１内に収容された硫酸と過酸化水素水からなる洗浄液に水没させ、洗浄スポンジ１５２に接触させる。次に洗浄スポンジ１５２を回転せしめることにより、硫酸と過酸化水素水からなる洗浄液によって溶解された保護膜２１０を除去することができる（保護膜除去工程）。
【００３４】
上述した保護膜除去工程を実施したならば、ウエーハ搬出手段１２は保護膜２１０が除去された研削後のウエーハ１０をスピンナー洗浄手段８１に搬送する。この搬送過程において支持面洗浄手段１６を作動し、噴射ノズル１６１から通過する研削後のウエーハ１０の表面aである支持面（下面）に向けて純水を噴射せしめる。この結果、上記保護膜除去工程において保護膜２１０が除去された研削後のウエーハ１０の表面aである支持面（下面）が洗浄される。このようにして支持面（下面）が洗浄された研削後のウエーハ１０は、スピンナー洗浄手段８１に搬送される。
【００３５】
スピンナー洗浄手段８１に搬送された加工後のウエーハ１０は、ここで洗浄およびスピンナー乾燥される。このようにして洗浄および乾燥された研削後のウエーハ１０は、上記ウエーハ搬送手段９によって上記第２のカセット６２の所定位置に搬入される。
【００３６】
以上のように本発明においては、ウエーハの被研削面と反対側の支持面に液状樹脂を被覆して固化させることにより保護膜２１０を形成し、この保護膜２１０を研削工程を実施した後に溶解して除去するので、従来の保護テープのように剥離する必要がないため、研削され薄くなったウエーハが保護テープを剥離する際に損傷するという問題を未然に防止することができる。また、ウエーハの被研削面と反対側の支持面に形成された保護膜２１０は上記のように研削工程を実施した後に溶解して除去されるので、研削工程において保護膜２１０に付着した研削屑も除去されるため、洗浄後のウエーハを収納するカセットを汚染することはないとともに後工程において汚染源となることもない。
【００３７】
なお、上述した実施形態においては研削装置にウエーハの被研削面と反対側の支持面に保護膜を形成する保護膜形成工程を実施する保護膜形成手段１８を装備した例を示したが、保護膜形成工程は研削装置に装備されていない保護膜形成装置によって実施してもよい。この場合、保護膜形成装置によって被研削面と反対側の支持面に保護膜が形成されたウエーハを第１のカセット６１に収容する。
【符号の説明】
【００３８】
２：装置ハウジング
３：ターンテーブル
４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ：チャックテーブル
５：粗研削ユニット
５０：仕上げ研削ユニット
５１：ユニットハウジング
５２：粗研削ホイール
５２０：仕上げ用の研削ホイール
５３：サーボモータ
５６：研削送り手段
６１：第１のカセット
６２：第２のカセット
７１：中心合わせ手段
８１：スピンナー洗浄手段
９：ウエーハ搬送手段
１１：ウエーハ搬入手段
１２：ウエーハ搬出手段
１５：保護膜除去手段
１６：支持面洗浄手段
１７：被研削面洗浄手段
１８：保護膜形成手段
【図１】
2011003611.tif 000003
【図２】
2011003611.tif 000004
【図３】
2011003611.tif 000005