(57)【要約】【課題】均一な明るさを有した状態でレーザ光の出射方向に沿って広がりを有する光源を容易に得ることが可能であり、かつ、簡易な構造でレーザ光の高出力化に伴う装置の冷却を行うことが可能な発光装置を提供する。【解決手段】この面発光型レーザ装置１００（発光装置）は、Ａ１方向に主たるレーザ光を出射するレーザアレイバー２０と、レーザアレイバー２０からＡ１方向に出射されたレーザ光をＡ１方向とは異なるＣ１方向に反射するための立ち上げミラー２１と、レーザアレイバー２０と立ち上げミラー２１とを配置する放熱基台２２とを各々が含む複数のレーザモジュール５０を備える。そして、複数のレーザモジュール５０の各々が、レーザアレイバー２０からＡ１方向にレーザ光が出射されるように向きが揃えられた状態で、Ａ１方向に沿って並べて配置されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に主たるレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を第２方向に反射する反射部材と、前記半導体レーザ素子と前記反射部材とを配置する基台とを含むレーザモジュールを複数備え、
複数の前記レーザモジュールは、各々の前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の出射方向が揃えられた状態で、前記第１方向に沿って並べて配置されている、発光装置。
【請求項２】
複数の前記レーザモジュールは、前記第１方向に沿って直列接続されている、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
複数の前記レーザモジュールは、前記第１方向と交差する第３方向に沿って並べて配置されている、請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記半導体レーザ素子は、前記第１方向と交差する第３方向に沿って並べられた複数のレーザ発光部を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記基台は、第１基台と、前記第１基台の表面上に接合される第２基台とを有し、
前記半導体レーザ素子は、前記第２基台の前記第１基台とは反対側の表面上に接合されており、
前記第１基台の表面は、前記第２基台から露出された領域を有している、請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第２基台の前記第１基台とは反対側の表面は、第１表面と、前記第１表面よりも前記第１基台側に形成された第２表面とを有し、
前記半導体レーザ素子が、前記第１表面上に接合されるとともに、前記反射部材が、前記第２表面上に接合されている、請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
第１方向に主たるレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を第２方向に反射する反射部材と、前記半導体レーザ素子と前記反射部材とを配置する基台とを有するレーザモジュールを複数含む光源を備え、
複数の前記レーザモジュールは、各々の前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の出射方向が揃えられた状態で、前記第１方向に沿って並べて配置されている、光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置および光装置に関し、特に、半導体レーザ素子と反射部材とを含むレーザモジュールを備えた発光装置および光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体レーザ素子と反射部材とを含むレーザモジュールを備えた発光装置などが知られている（たとえば、特許文献１〜３参照）。
【０００３】
上記特許文献１には、板状のヒートシンクと、板状のヒートシンクの先端部領域の表面上にアレイ状に実装された複数の半導体レーザ素子（レーザ発光部）とを備えた半導体レーザアレイ（レーザモジュール）が集積化されたレーザ光源装置（発光装置）が開示されている。この特許文献１に記載のレーザ光源装置では、半導体レーザ素子が実装されていない領域（先端部領域に対するヒートシンクの根元部領域）におけるヒートシンクの上下面を接合領域として、個々の半導体レーザアレイがスペーサを介して上下方向（ヒートシンクの厚み方向）に積層されることによりスタック構造が形成されている。これにより、個々の半導体レーザアレイは、レーザ光の出射方向が同じ向きに揃えられた状態で、上下方向に積層されている。なお、レーザ光源装置の高出力化に伴って上下方向に積層されたヒートシンクおよびスペーサの内部には、冷却用の流体（たとえば水など）が流通可能に構成された流路が形成されている。
【０００４】
また、上記特許文献２には、複数の半導体レーザ素子（レーザ発光部）がアレイ状に実装されたレーザダイオードバー（半導体レーザアレイ）と、個々の半導体レーザ素子からのレーザ出射光に対応するようにアレイ状に配置されたミラー列（反射部材）とを備えたレーザモジュールが集積化された光源装置（発光装置）が開示されている。この特許文献２に記載の光源装置では、各々のレーザモジュールが、ミラー列を対称軸として互いに向き合って配置されている。また、対称軸となる直線状のミラー列が、レーザアレイの延びる方向に沿って一列に配置されている。これにより、この光源装置では、各々のレーザモジュールから出射された複数のレーザ光は、中央のミラー列によって全て同じ方向に反射されるように構成されている。また、同じ方向に反射された複数のレーザ光は、ミラー列の延びる方向に沿って直線的に延びた光源となるように構成されている。
【０００５】
また、上記特許文献３には、複数の半導体レーザ素子（レーザ発光部）がアレイ状に実装されたレーザビーム放出体（半導体レーザアレイ）と、レーザビーム放出体の延びる方向に沿って延びる細長形状のレフレクタ（略放物線形状に湾曲した内表面を有する反射部材）とを備えた光源部が複数形成された光源装置（発光装置）が開示されている。また、この特許文献３に記載の光源装置では、１つの光源部におけるレフレクタは、レーザビーム放出体の一対の共振器面の各々に対向して配置されている。これにより、レーザビーム放出体から出射されるレーザ光は、一対の共振器面の双方から各々のレフレクタに向けて反対方向に出射された後、各々のレフレクタにより反射されて全て同じ方向となった状態で外部に出射されるように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１３４７９７号公報
【特許文献２】特表２００３−５１６５５３号公報
【特許文献３】特表２００２−５０８５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に開示されたレーザ光源装置では、複数の半導体レーザアレイを積層した方向（レーザ素子の厚み方向）に沿って広がりを有する光源が得られる一方、この方向と略直交するレーザ光の出射方向（レーザ素子の共振器方向）に沿って広がりを有するような光源が得られにくいという問題点がある。また、各々の半導体レーザアレイは、近接する半導体レーザアレイやヒートシンクおよびスペーサを介して放熱させる必要があるため、レーザ光源装置の高出力化に伴って複雑な冷却構造を設ける必要があるという問題点がある。
【０００８】
また、上記特許文献２に開示された光源装置では、ミラー列を対称軸としてレーザモジュール同志を互いに向かい合わせて配置しているため、向き合ったレーザダイオードバーからの複数のレーザ光が、１本の直線状に集中した状態で外部に向けて出射されると考えられる。このため、複数の発光点を有するレーザモジュールが集積化されているにも拘わらず、レーザ光の出射方向に沿って広がりを有する光源が得られにくいという問題点がある。
【０００９】
また、上記特許文献３に開示された光源装置では、レーザ光が、レーザビーム放出体の一対の共振器面の双方から各々のレフレクタに向けて出射された後、各々のレフレクタにより外部に向けて反射されるため、レーザ光の出射方向が二方向に分散される分、個々の光源部の明るさに規則性が得られにくいと考えられる。すなわち、レーザ光の出射方向が二方向に分散された光源部が集積化されたとしても、複数の光源の中に相対的に明るい領域と、相対的に暗い領域とが混在した状態の光源が得られると考えられる。したがって、均一な明るさを有する光源が得られにくいという問題点がある。
【００１０】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、均一な明るさを有した状態でレーザ光の出射方向に沿って広がりを有する光源を容易に得ることが可能であり、かつ、簡易な構造でレーザ光の高出力化に伴う装置の冷却を行うことが可能な発光装置および光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【００１１】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による発光装置は、第１方向に主たるレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を第２方向に反射する反射部材と、半導体レーザ素子と反射部材とを配置する基台とを含むレーザモジュールを複数備え、複数のレーザモジュールは、各々の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の出射方向が揃えられた状態で、第１方向に沿って並べて配置されている。
【００１２】
この発明の第１の局面による発光装置では、上記のように、第１方向に主たるレーザ光を出射する半導体レーザ素子と反射部材とを含む複数のレーザモジュールを、各々の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の出射方向が揃えられた状態で配置することによって、全ての半導体レーザ素子から同じ第１方向にレーザ光が出射された状態で、これらのレーザ光が反射部材により第２方向に反射されるので、レーザ光の出射方向が揃う分、均一な明るさを有する光源を容易に得ることができる。
【００１３】
なお、本発明において、第１方向に主たるレーザ光を出射する半導体レーザ素子とは、レーザ素子の一対の共振器面（一般的に、光出射面および光反射面と呼ばれる）の各々から出射されるレーザ光のうちの光強度の大きいレーザ光が第１方向に出射される半導体レーザ素子のことを示す。すなわち、本発明における発光装置では、半導体レーザ素子から第１方向に出射されるレーザ光を用いて、発光装置の光源を得るように構成されている。
【００１４】
また、上記第１の局面による発光装置では、複数のレーザモジュールを、各々の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の出射方向が揃えられた状態で第１方向に沿って並べて配置することによって、複数のレーザモジュールがレーザ光の出射方向である第１方向に沿って並べて配置される分、第１方向に沿って広がりを有する光源を容易に作り出すことができる。すなわち、複数のレーザモジュールを第１方向とは異なる方向（たとえばレーザ素子の厚み方向）に積層したり、出射方向を向かい合わせてレーザモジュールを配置したりする場合と異なり、複数のレーザモジュールの各々が第１方向に沿って列をなして配置されるので、レーザ光の出射方向である第１方向に沿って光源を容易に延ばすことができる。これにより、本発明の発光装置では、均一な明るさを有した状態でレーザ光の出射方向に沿って広がりを有する光源を容易に得ることができる。
【００１５】
また、上記第１の局面による発光装置では、複数のレーザモジュールを、第１方向に沿って並べて配置することによって、各々のレーザモジュールが１つのパッケージ部材（台座）などの表面上に平面的に並べられて配置されるので、各々のレーザモジュールからの発熱が基台を介してパッケージ部材に放熱される。これにより、簡易な構造によってレーザ光の高出力化に伴う発光装置の冷却を行うことができる。
【００１６】
上記第１の局面による発光装置において、好ましくは、複数のレーザモジュールは、第１方向に沿って直列接続されている。このように構成すれば、第１方向に沿って配置された複数のレーザモジュールによって単一の電流経路を形成することができるので、発光装置の出力を容易に調整することができる。
【００１７】
上記第１の局面による発光装置において、好ましくは、複数のレーザモジュールは、第１方向と交差する第３方向に沿って並べて配置されている。このように構成すれば、第１方向に沿って広がりを有する光源が得られた状態で、この光源が第１方向と交差する第３方向にも拡張されるので、平面的な広がりを有するとともに、面内方向において均一化された面状の光源を容易に得ることができる。
【００１８】
上記第１の局面による発光装置において、好ましくは、半導体レーザ素子は、第１方向と交差する第３方向に沿って並べられた複数のレーザ発光部を有する。このように構成すれば、個々の半導体レーザ素子が第３方向にアレイ化されるので、第１方向に沿って延びる光源が第３方向に複数形成される分、面状の光源を容易に得ることができる。また、個々の半導体レーザ素子が第３方向にアレイ化されるので、個々のレーザモジュールを高出力化させることができる。この結果、発光装置をより高出力化させることができる。
【００１９】
上記第１の局面による発光装置において、好ましくは、基台は、第１基台と、第１基台の表面上に接合される第２基台とを有し、半導体レーザ素子は、第２基台の第１基台とは反対側の表面上に接合されており、第１基台の表面は、第２基台から露出された領域を有している。このように構成すれば、第１方向に沿って隣り合うレーザモジュールにおいて、一方側のレーザモジュールにおける半導体レーザ素子を、第２基台から露出する第１基台の領域を介して、他方側のレーザモジュールにおける半導体レーザ素子と容易に電気的に接続させることができる。
【００２０】
この場合、好ましくは、第２基台の第１基台とは反対側の表面は、第１表面と、第１表面よりも第１基台側に形成された第２表面とを有し、半導体レーザ素子が、第１表面上に接合されるとともに、反射部材が、第２表面上に接合されている。このように構成すれば、たとえば、半導体レーザ素子をジャンクションダウン方式により第２基台の第１表面上に接合する場合に、ジャンクションアップ方式と比較して発光点が第１基台側により近付けられる場合にも反射部材を第１表面よりも第１基台側に形成された第２表面上に配置することができる。これにより、レーザ出射面から反射部材までの距離が小さくなり過ぎるのを抑制することができるので、レーザ出射光を反射部材により適切に反射させることができる。これにより、良好なビーム形状を有するレーザ光を得ることができる。
【００２１】
この発明の第２の局面による光装置は、第１方向に主たるレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を第２方向に反射する反射部材と、半導体レーザ素子と反射部材とを配置する基台とを有するレーザモジュールを複数含む光源を備え、複数のレーザモジュールは、各々の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の出射方向が揃えられた状態で、第１方向に沿って並べて配置されている。
【００２２】
この発明の第２の局面による光装置では、上記のように、第１方向に主たるレーザ光を出射する半導体レーザ素子と反射部材とを含む複数のレーザモジュールを、各々の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の出射方向が揃えられた状態で配置することによって、全ての半導体レーザ素子から同じ第１方向にレーザ光が出射された状態で、これらのレーザ光が反射部材により第２方向に反射されるので、レーザ光の出射方向が揃う分、均一な明るさを有する光源を得ることができる。
【００２３】
また、上記第２の局面による光装置では、複数のレーザモジュールを、各々の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の出射方向が揃えられた状態で第１方向に沿って並べて配置することによって、複数のレーザモジュールがレーザ光の出射方向である第１方向に沿って並べて配置される分、第１方向に沿って広がりを有する光源を容易に作り出すことができる。すなわち、複数のレーザモジュールを第１方向とは異なる方向（たとえばレーザ素子の厚み方向）に積層したり、出射方向を向かい合わせてレーザモジュールを配置したりする場合と異なり、複数のレーザモジュールの各々が第１方向に沿って列をなして配置されるので、レーザ光の出射方向である第１方向に沿って光源を容易に延ばすことができる。これにより、本発明の光装置では、均一な明るさを有した状態でレーザ光の出射方向に沿って広がりを有する光源を容易に得ることができる。
【００２４】
また、上記第２の局面による光装置では、複数のレーザモジュールを、第１方向に沿って並べて配置することによって、各々のレーザモジュールが１つのパッケージ部材（台座）などの表面上に平面的に並べられて配置されるので、各々のレーザモジュールからの発熱が基台を介してパッケージ部材に放熱される。これにより、簡易な構造によってレーザ光の高出力化に伴う光装置の冷却を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１実施形態による面発光型レーザ装置の構造を示した上面図である。
【図２】図１の１０００−１０００線に沿った断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による面発光型レーザ装置を構成するレーザモジュールの構造を示した上面図である。
【図４】図３の１１００−１１００線に沿った断面図である。
【図５】図３の１２００−１２００線に沿った断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態による面発光型レーザ装置が搭載された一例によるプロジェクタ装置の構成図である。
【図７】本発明の第１実施形態による面発光型レーザ装置が搭載された他の例によるプロジェクタ装置の構成図である。
【図８】本発明の第１実施形態による面発光型レーザ装置が搭載された他の例によるプロジェクタ装置における制御部が時系列的に信号を発信する状態を示したタイミングチャートである。
【図９】本発明の第２実施形態による面発光型レーザ装置を構成するレーザモジュールの構造を示した上面図である。
【図１０】図９に示したレーザモジュールをＢ方向に沿って見た側面図である。
【図１１】図９の２２００−２２００線に沿った断面図である。
【図１２】本発明の第３実施形態による面発光型レーザ装置を構成するレーザモジュールの構造を示した上面図である。
【図１３】図１２の３１００−３１００線に沿った断面図である。
【図１４】本発明の第４実施形態による面発光型レーザ装置を構成するレーザモジュールの構造を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２７】
（第１実施形態）
まず、図１〜図５を参照して、本発明の第１実施形態による面発光型レーザ装置１００の構造について説明する。なお、第１実施形態では、本発明の「発光装置」の一例である面発光型レーザ装置１００に本発明を適用した場合について説明する。なお、図２は、図１の１０００−１０００線に沿った断面図であり、図４は、図３の１１００−１１００線に沿った断面図である。
【００２８】
本発明の第１実施形態による面発光型レーザ装置１００は、図１に示すように、レーザ素子の共振器方向（Ａ方向）およびレーザ素子の共振器方向と直交する幅方向（Ｂ方向）にそれぞれ約３ｃｍ以上約４ｃｍ以下の長さを有して略矩形状に形成されたパッケージ６０の内部に、複数（１２個）のレーザモジュール５０が、マトリクス状（４個（Ａ方向）×３個（Ｂ方向））に配置されて構成されている。
【００２９】
また、個々のレーザモジュール５０は、図３に示すように、各々が約８００μｍの共振器長を有する５個の青紫色半導体レーザ素子１０が横方向（Ｂ方向）に約４００μｍの間隔（ピッチ）を隔てて並べられたレーザアレイバー２０と、レーザアレイバー２０の端面２０ａから遠ざかる方向（Ａ１方向）にほぼ近接した距離を隔てて配置されるとともに横方向（Ｂ方向）に延びる立ち上げミラー２１とが、ＡｕＳｎ半田などの金属層からなる導電性接着層１（図４参照）を介してＡｌＮなどの絶縁体からなる放熱基台（サブマウント）２２上に固定されている。なお、青紫色半導体レーザ素子１０および立ち上げミラー２１は、それぞれ、本発明の「半導体レーザ素子」および「反射部材」の一例である。また、レーザアレイバー２０は、本発明の「半導体レーザ素子」の一例である。また、レーザモジュール５０は、Ａ方向およびＢ方向にそれぞれ約２ｍｍおよび約３ｍｍの長さを有している。また、Ａ方向およびＢ方向は、共に放熱基台２２の上面と平行な方向である。
【００３０】
ここで、第１実施形態では、Ｂ方向に並ぶ５個の青紫色半導体レーザ素子１０の各々は、レーザアレイバー２０の端面２０ａ側に形成された光出射面１０ａから主たるレーザ光がＡ１方向に向けて出射されるように構成されている。また、Ａｌ金属膜がコーティングされた立ち上げミラー２１の平坦な反射面２１ａは、Ａ１方向（Ｃ１方向）に対して約４５°の傾斜角度を有するように形成されている。したがって、Ａ１方向に出射された５本のレーザ光は、反射面２１ａによって、Ａ１方向およびＢ方向と略直交するＣ１方向（図４参照）に反射されて外部に出射されるように構成されている。なお、Ａ１方向、Ｃ１方向およびＢ方向は、それぞれ、本発明の「第１方向」、「第２方向」および「第３方向」の一例である。
【００３１】
また、第１実施形態では、図１および図２に示すように、面発光型レーザ装置１００をＡ方向に沿って見た場合、複数（４個）のレーザモジュール５０は、各々のレーザモジュール５０を構成するレーザアレイバー２０がレーザ光の出射方向が全て同じ方向（Ａ１方向）に揃えられた状態で、Ａ１方向に沿って略直線状に並べられて配置されている。したがって、各レーザモジュール５０においては、レーザアレイバー２０から発せられる５つの光源によりＢ方向に略直線的に延びた線状の光源が形成される。さらに、各レーザモジュール５０がＡ方向に約３ｍｍの間隔（ピッチ）で４個配置されることにより、線状の光源がＡ方向に略等間隔で形成されるので、面発光型レーザ装置１００としては、Ａ方向およびＢ方向に面状に広がりを有した光源を形成するように構成されている。
【００３２】
また、第１実施形態では、面発光型レーザ装置１００をＢ方向に沿って見た場合、Ａ方向に４個並ぶレーザモジュール５０の列が、Ｂ方向に約４ｍｍの間隔（ピッチ）で並べられている。すなわち、Ａ方向に直線状に並ぶ４個のレーザモジュール５０からなる１つのレーザモジュール列５１（図１の破線枠内）が、Ｂ方向に沿って３列配置されている。これにより、面発光型レーザ装置１００としては、合計１２個のレーザモジュール５０を用いて、より大きな平面積を用いた面状の光源を形成するように構成されている。
【００３３】
ここで、各レーザモジュール５０を構成するレーザアレイバー２０の詳細について説明する。すなわち、図５に示すように、レーザアレイバー２０を構成する５つの青紫色半導体レーザ素子１０の各々は、共通に用いられる約１００μｍの厚みを有するｎ型ＧａＮ基板１１の上面上に、Ｓｉドープのｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層１２、Ｉｎ組成の高いＩｎＧａＮからなる量子井戸層とＩｎ組成の低いＩｎＧａＮからなる障壁層とが交互に積層されたＭＱＷ構造を有する活性層１３、および、Ｍｇドープのｐ型ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層１４が形成されている。
【００３４】
なお、各々のレーザ素子のｎ型クラッド層１２と活性層１３との間に、光ガイド層やキャリアブロック層などの他の半導体層が形成されていてもよい。また、活性層１３は、単層または単一量子井戸（ＳＱＷ）構造などにより構成されてもよい。また、各々のレーザ素子の活性層１３とｐ型クラッド層１４との間に、光ガイド層やキャリアブロック層などが形成されていてもよい。
【００３５】
また、各々のｐ型クラッド層１４には、図面に対して垂直な方向（図３のＡ方向）に沿って延びる約６μｍの幅を有するリッジ（凸部）１５が形成されることにより導波路構造が形成されている。また、各々のｐ型クラッド層１４のリッジ１５以外の上面と、ｐ型クラッド層１４から活性層１３およびｎ型クラッド層１２の両側面と、レーザ素子同志を分離するためにレーザ素子間のｎ型ＧａＮ基板１１の部分に設けられた溝部１１ａの表面とを連続して覆うＳｉＯ２からなる電流ブロック層１６が形成されている。
【００３６】
また、各々のｐ型クラッド層１４のリッジ１５および電流ブロック層１６の上面上には、Ａｕなどからなるｐ側パッド電極１７が形成されている。なお、各々のレーザ素子のｐ型クラッド層１４とｐ側パッド電極１７との間にコンタクト層を設けてもよい。この場合、コンタクト層は、ｐ型クラッド層１４よりもバンドギャップが小さい半導体からなるのが好ましい。
【００３７】
また、図５に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１１の下面上の略全領域には、ｎ型ＧａＮ基板１１に近い側から順に、Ａｌ層、Ｐｔ層およびＡｕ層の順に積層されたｎ側電極１８が形成されている。また、図４に示すように、各々の青紫色半導体レーザ素子１０の光出射面１０ａには、低反射率の誘電体多層膜が形成されているとともに、光反射面１０ｂには、高反射率の誘電体多層膜が形成されている。
【００３８】
第１実施形態では、図５に示すように、上記したレーザ素子構造を有するレーザアレイバー２０のｎ側電極１８と、放熱基台２２の表面上に形成された電極層２３とが、導電性接着層１を介して接合されている。すなわち、レーザアレイバー２０は、ジャンクションアップ方式により放熱基台２２上に接合されている。
【００３９】
また、第１実施形態では、図１に示すように、面発光型レーザ装置１００は、パッケージ６０と電気的に絶縁されるとともにパッケージ６０の側壁部６０ａを貫通するリード端子６１（アノード側端子）と、パッケージ６０と導通するリード端子６２（カソード側端子）とを備えている。そして、図２に示すように、Ａ方向に直線状に並ぶ４個のレーザモジュール５０は、リード端子６１およびリード端子６２（図１参照）との間で電気的に直列に接続されている。ここで、リード端子６１は、レーザアレイバー２０中の半導体レーザ素子が並ぶ方向（Ｂ方向）と平行な方向であり、かつ、最もＡ２側に位置するレーザモジュール５０のＡ２側に近接して配置される。また、リード端子６２は、リード端子６１と平行（Ｂ方向）で、かつ、パッケージ６０に対して対称な位置のパッケージ６０の側壁に設けられている。
【００４０】
具体的には、図３に示すように、まず、リード端子６１（図１参照）に接続された５本の金属線７１ａ〜７１ｅが、リード端子６１に最も近いＡ２側のレーザモジュール５０の５個の青紫色半導体レーザ素子１０の各々のｐ側パッド電極１７にワイヤボンディングされている。そして、レーザアレイバー２０（図４参照）のｎ側電極１８（図４参照）と導通する電極層２３（図４参照）のうちの、立ち上げミラー２１を挟んでレーザアレイバー２０と反対方向（Ａ１方向）の露出する領域（Ａ１方向の端部近傍領域）に接続された５本の金属線７１ｆ〜７１ｊが、Ａ１方向に隣接する次のレーザモジュール５０の５個の青紫色半導体レーザ素子１０の各々のｐ側パッド電極１７にワイヤボンディングされている。そして、この金属線７１ｆ〜７１ｊの接続がさらにＡ１方向に２回繰り返された後、最後に、最もＡ１側に配置されたレーザモジュール５０の電極層２３（図４参照）に接続された５本の金属線７１ｋ〜７１ｏが、パッケージ６０にワイヤボンディングされてリード端子６１に接続されている。なお、Ｂ方向に並ぶ残り２組のレーザモジュール列５１（図１の破線枠内）についても、それぞれ、リード端子６１およびリード端子６２（図１参照）との間で電気的に直列に接続されている。したがって、Ｂ方向に並ぶ３つのレーザモジュール列５１は、リード端子間において互いに電気的に並列に接続されている。
【００４１】
また、図２に示すように、各レーザモジュール５０は、放熱基台２２の下面が接着層（図示せす）によりパッケージ６０の底面６０ｂ上に接合されている。また、パッケージ６０のレーザモジュール５０と対向するＣ１側の下面には、各レーザモジュール５０からのレーザ光を透過するガラスなどの材料からなる取り出し窓６３が取り付けられている。また、パッケージ６０と取り出し窓６３とによって、パッケージ６０の内部はドライエアーなどにより気密封止されている。このようにして、本発明の第１実施形態による面発光型レーザ装置１００が構成されている。
【００４２】
次に、図６〜図８を参照して、本発明の第１実施形態による面発光型レーザ装置が搭載されたプロジェクタ装置１５０および１７０の構成について説明する。
【００４３】
まず、図６を参照して、本発明の第１実施形態による面発光型レーザ装置が搭載された本発明の「光装置」の一例であるプロジェクタ装置１５０について説明する。なお、プロジェクタ装置１５０では、プロジェクタ装置を構成する個々の面発光型レーザ装置が略同時に点灯される例について説明する。
【００４４】
プロジェクタ装置１５０は、図６に示すように、互いに別々のパッケージに設けられた面発光型レーザ装置１５１、１５２および１５３と、光学系１６０とを備えている。また、面発光型レーザ装置１５１は、赤色半導体レーザ素子からなるレーザアレイバーが実装されるとともに、面発光型レーザ装置１５２には、緑色半導体レーザ素子からなるレーザアレイバーが実装されている。また、面発光型レーザ装置１５３には、青色半導体レーザ素子からなるレーザアレイバーが実装されている。これにより、３つの面発光型レーザ装置からのＲＧＢ３色のレーザ光が、光学系１６０により変調された後、外部に設けられたスクリーン１６７などに投影されるように構成されている。なお、面発光型レーザ装置１５１、１５２および１５３は、本発明の「光源」の一例である。
【００４５】
また、光学系１６０において、面発光型レーザ装置１５１から出射された赤色レーザ光は、コリメータレンズ１６１ａにより所定のビーム径を有する平行光に変換された後、入射側偏光板１６２ａを介して液晶パネル１６３ａに入射される。この液晶パネル１６３ａは、赤色用の駆動信号（Ｒ画像信号）に応じて駆動されることにより赤色光を変調する。
【００４６】
同様に、面発光型レーザ装置１５２から出射された緑色レーザ光は、コリメータレンズ１６１ｂにより所定のビーム径を有する平行光に変換された後、入射側偏光板１６２ｂを介して液晶パネル１６３ｂに入射される。この液晶パネル１６３ｂは、緑色用の駆動信号（Ｇ画像信号）に応じて駆動されることにより緑色光を変調する。また、面発光型レーザ装置１５３から出射された青色レーザ光は、コリメータレンズ１６１ｃにより所定のビーム径を有する平行光に変換された後、入射側偏光板１６２ｃを介して液晶パネル１６３ｃに入射される。この液晶パネル１６３ｃは、青色用の駆動信号（Ｂ画像信号）に応じて駆動されることにより青色光を変調する。
【００４７】
その後、液晶パネル１６３ａ、１６３ｂおよび１６３ｃによって変調された赤色光、緑色光および青色光は、ダイクロイックプリズム１６４により合成された後、出射側偏光板１６５を介して投写レンズ１６６へと入射される。また、投写レンズ１６６は、投写光を被投写面（スクリーン１６７）上に結像させるためのレンズ群と、レンズ群の一部を光軸方向に変位させて投写画像のズームおよびフォーカスを調整するためのアクチュエータを内蔵している。
【００４８】
また、プロジェクタ装置１５０では、制御部１４５によって面発光型レーザ装置１５１の駆動に関するＲ信号、面発光型レーザ装置１５２の駆動に関するＧ信号および面発光型レーザ装置１５３の駆動に関するＢ信号としての定常的な電圧が、各レーザ装置に供給されるように制御される。これによって、面発光型レーザ装置１５１〜１５３は、それぞれ、実質的に同時に発振されるように構成されている。また、制御部１４５によって面発光型レーザ装置１５１〜１５３の各々の光の強度を制御することによって、スクリーン１６７に投写される画素の色相や輝度などが制御されるように構成されている。これにより、制御部１４５によって所望の画像がスクリーン１６７に投写される。このようにして、本発明の第１実施形態による面発光型レーザ装置が搭載されたプロジェクタ装置１５０が構成されている。
【００４９】
次に、図７および図８を参照して、本発明の第１実施形態による面発光型レーザ装置が搭載された本発明の「光装置」の他の例であるプロジェクタ装置１７０について説明する。なお、プロジェクタ装置１７０では、プロジェクタ装置を構成する個々の面発光型レーザ装置が時系列的に点灯される例について説明する。
【００５０】
プロジェクタ装置１７０は、図７に示すように、互いに別々のパッケージに設けられた面発光型レーザ装置１５１、１５２および１５３と、光学系１８０と、面発光型レーザ装置１５１〜１５３および光学系１８０を制御する制御部１９５とを備えている。これにより、３つの面発光型レーザ装置からのＲＧＢ３色のレーザ光が、光学系１８０により変調された後、外部に設けられたスクリーン１９６などに投影されるように構成されている。
【００５１】
また、光学系１８０において、面発光型レーザ装置１５１から出射された赤色レーザ光は、コリメータレンズ１８１ａにより所定のビーム径を有する平行光に変換された後、ダイクロイックミラー１８２ａに入射される。同様に、面発光型レーザ装置１５２から出射された緑色レーザ光は、コリメータレンズ１８１ｂにより所定のビーム径を有する平行光に変換された後、ダイクロイックミラー１８２ｂに入射される。また、面発光型レーザ装置１５３から出射された青色レーザ光は、コリメータレンズ１８１ｃにより所定のビーム径を有する平行光に変換された後、ダイクロイックミラー１８２ｃに入射される。
【００５２】
そして、ダイクロイックミラー１８２ａ〜１８２ｃによって反射されたＲＧＢ３色のレーザ光が、１つの集光レンズ１８３によって集められた後、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）素子１８４に入射される。
【００５３】
ＤＭＤ素子１８４は、マトリクス状に配置された微小なミラー群からなる。また、ＤＭＤ素子１８４は、各画素位置の光の反射方向を、投写レンズ１８５に向かう第１の方向と投写レンズ１８５から逸れる第２の方向とに切り替えることにより各画素の階調を表現（変調）する機能を有している。各画素位置に入射されるレーザ光のうち第１の方向に反射された光（ＯＮ光）は、投写レンズ１８５に入射されて被投写面（スクリーン１９６）に投写される。また、ＤＭＤ素子１８４によって第２の方向に反射された光（ＯＦＦ光）は、投写レンズ１８５には入射されずに光吸収体（図示せず）によって吸収される。
【００５４】
また、プロジェクタ装置１７０では、制御部１９５によりパルス電源が面発光型レーザ装置１５１〜１５３の各々のに供給されるように制御されることによって、３つの面発光型レーザ装置は、それぞれ、時系列的に分割されて１素子ずつ周期的に駆動されるように構成されている。また、制御部１９５によって、光学系１８０のＤＭＤ素子１８４は、３つの面発光型レーザ装置の各々の駆動状態と同期しながら、各画素（Ｒ、ＧおよびＢ）の階調に合わせて光を変調するように構成されている。
【００５５】
具体的には、図８に示すように、面発光型レーザ装置１５１（図７参照）の駆動に関するＲ信号、面発光型レーザ装置１５２（図７参照）の駆動に関するＧ信号、および面発光型レーザ装置１５３（図７参照）の駆動に関するＢ信号が、それぞれ互いに重ならないように時系列的に分割された状態で、制御部１９５（図７参照）によって、面発光型レーザ装置１５１〜１５３の各々に供給される。また、このＢ信号、Ｇ信号およびＲ信号に同期して、制御部１９５からＢ画像信号、Ｇ画像信号、Ｒ画像信号がそれぞれＤＭＤ素子１８４に出力される。
【００５６】
これにより、図８に示したタイミングチャートにおけるＢ信号に基づいて、面発光型レーザ装置１５３の青色光が発光されるとともに、このタイミングで、Ｂ画像信号に基づいて、ＤＭＤ素子１８４により青色光が変調される。また、Ｂ信号の次に出力されるＧ信号に基づいて、面発光型レーザ装置１５２の緑色光が発光されるとともに、このタイミングで、Ｇ画像信号に基づいて、ＤＭＤ素子１８４により緑色光が変調される。さらに、Ｇ信号の次に出力されるＲ信号に基づいて、面発光型レーザ装置１５１の赤色光が発光されるとともに、このタイミングで、Ｒ画像信号に基づいて、ＤＭＤ素子１８４により赤色光が変調される。その後、Ｒ信号の次に出力されるＢ信号に基づいて、面発光型レーザ装置１５３の青色光が発光されるとともに、このタイミングで、再度、Ｂ画像信号に基づいて、ＤＭＤ素子１８４により青色光が変調される。上記の動作が繰り返されることによって、Ｂ画像信号、Ｇ画像信号およびＲ画像信号に基づいたレーザ光照射による画像が、被投写面（スクリーン１９６）に投写される。このようにして、本発明の第１実施形態による面発光型レーザ装置が搭載されたプロジェクタ装置１７０が構成されている。
【００５７】
第１実施形態では、上記のように、パッケージ６０の内部に、Ａ１方向に主たるレーザ光を出射するレーザアレイバー２０と立ち上げミラー２１とを各々が含む４個のレーザモジュール５０を、レーザアレイバー２０からＡ１方向にレーザ光が出射されるように向きが揃えられた状態で配置することによって、全てのレーザアレイバー２０から同じＡ１方向にレーザ光が出射された状態で、これらのレーザ光が立ち上げミラー２１によりＣ１方向に反射されるので、レーザ光の出射方向が揃う分、均一な明るさを有する光源を得ることができる。また、パッケージ６０の内部に、Ａ１方向にレーザ光が出射されるように向きが揃えられた状態のレーザモジュール５０を、Ａ１方向に沿って４個並べて配置することによって、４個のレーザモジュール５０がレーザ光の出射方向であるＡ１方向に沿って並べて配置される分、Ａ１方向に沿って広がりを有する光源を容易に作り出すことができる。すなわち、複数のレーザモジュール５０をＡ１方向とは異なる方向（たとえばレーザ素子の厚み方向）に積層したり、出射方向を向かい合わせてレーザモジュール５０を配置したりする場合と異なり、複数（４個）のレーザモジュール５０の各々がＡ１方向に沿って列をなして配置されるので、レーザ光の出射方向であるＡ１方向に沿って光源を容易に延ばすことができる。これにより、面発光型レーザ装置１００では、均一な明るさを有した状態でレーザ光の出射方向に沿って広がりを有する光源を容易に得ることができる。
【００５８】
また、第１実施形態では、複数のレーザモジュール５０を、Ａ１方向に沿って並べて配置することによって、各々のレーザモジュール５０が１つのパッケージ６０の底面６０ｂ上に平面的に並べられて配置されるので、各々のレーザモジュール５０（レーザアレイバー２０）からの発熱が放熱基台２２を介してパッケージ６０に放熱される。これにより、簡易な構造によってレーザ光の高出力化に伴う発熱に対して容易に面発光型レーザ装置１００の冷却を行うことができる。
【００５９】
また、第１実施形態では、１つのレーザモジュール列５１（Ａ１方向に並ぶ４個のレーザモジュール５０）の各々を、リード端子６１および６２間において直列接続することによって、１つのレーザモジュール列５１によって単一の電流経路を形成することができるので、面発光型レーザ装置１００の出力を容易に調整することができる。
【００６０】
また、第１実施形態では、Ａ方向に沿って直線状に並ぶ４個のレーザモジュール５０からなる１つのレーザモジュール列５１を、Ａ１方向と直交するＢ方向に沿って３列配置することによって、Ａ１方向に沿って面状の光源が得られた状態で、この光源がＢ方向にも拡張されるので、Ａ方向およびＢ方向に平面的な広がりを有するとともに、面内方向において均一化された面状の光源を容易に得ることができる。
【００６１】
また、第１実施形態では、リード端子６１および６２間において、レーザモジュール列５１（Ａ１方向に並ぶ４個のレーザモジュール５０）の各々を並列接続することによって、個々のレーザモジュール列５１に接続されるレーザモジュール５０の数を増やす場合においても、レーザモジュール列５１の数（並列接続の本数）を適宜調整することにより、個々のレーザモジュール列５１に加わる駆動電圧の増加を抑制することができる。
【００６２】
また、第１実施形態では、各々のレーザアレイバー２０が、５個の青紫色半導体レーザ素子１０をＢ方向に沿って並べることにより複数のレーザ発光部を有することによって、各々のレーザアレイバー２０がＢ方向にアレイ化されるので、面発光型レーザ装置１００として面状の光源を容易に得ることができる。また、各々のレーザアレイバー２０が、Ｂ方向にアレイ化されるので、個々のレーザモジュール５０を高出力化させることができる。この結果、面発光型レーザ装置１００をより高出力化させることができる。
【００６３】
また、第１実施形態では、複数のレーザモジュール５０がパッケージ６０の内部に平面的に配置されるとともに、各々のレーザモジュール５０を構成する放熱基台２２の下面が放熱基台２２の下面と略平行なパッケージ６０の底面６０ｂ上に接合されていることによって、レーザアレイバー２０の発熱を、放熱基台２２を介してパッケージ６０に容易に放熱させることができる。すなわち、簡易な構造によって面発光型レーザ装置１００を効率よく冷却することができる。
【００６４】
また、第１実施形態では、パッケージ６０のレーザモジュール５０と対向するＣ１側の下面に取り出し窓６３を設けるとともに、パッケージ６０と取り出し窓６３とによりパッケージ６０の内部を気密封止することによって、各々のレーザモジュール５０からＣ１方向に出射されたレーザ光を取り出し窓６３を介して効率よく外部に取り出すことができるとともに、気密封止によって面発光型レーザ装置１００の長寿命化を図ることができる。
【００６５】
（第２実施形態）
図１および図９〜図１１を参照して、第２実施形態について説明する。この第２実施形態による面発光型レーザ装置２００では、上記第１実施形態と異なり、段差部２６ａが設けられた放熱基台２６を用いてレーザアレイバー２０および立ち上げミラー２１を固定する場合について説明する。なお、図１０は、図９のレーザモジュール５０の側面図であり、図１１は、図９の２２００−２２００線に沿った断面図である。
【００６６】
本発明の第２実施形態における面発光型レーザ装置２００（図１参照）は、図９に示したレーザモジュール２５０が、パッケージ６０内にマトリクス状（４個（Ａ方向）×３個（Ｂ方向）＝１２個）に配置されている。また、個々のレーザモジュール２５０は、図１０に示すように、レーザアレイバー２０と立ち上げミラー２１とが、ＡｌＮなどからなる放熱基台（サブマウント）２６に導電性接着層１を介して固定された状態で、放熱基台２６が電極層２７を介してＡｌＮなどからなる放熱基台（サブマウント）２５上に固定されている。なお、放熱基台２５および２６は、それぞれ、本発明の「第１基台」および「第２基台」の一例である。
【００６７】
ここで、第２実施形態では、図１１に示すように、レーザアレイバー２０がジャンクションダウン方式により放熱基台２６の上段面２６ｂ（図１０参照）に接合されている。また、立ち上げミラー２１は、図１０に示すように、段差部２６ａにより放熱基台２５側に一段下げられた下段面２６ｃに接合されている。したがって、個々の青紫色半導体レーザ素子１０の発光点（活性層１３の位置）が放熱基台２６の上段面２６ｂに近付けられる分、立ち上げミラー２１の固定位置を下方向に下げているので、レーザ出射光を適切に反射させて上方向に出射させることが可能に構成されている。なお、上段面２６ｂおよび下段面２６ｃは、それぞれ、本発明の「第１表面」および「第２表面」の一例である。
【００６８】
また、第２実施形態では、図９および図１０に示すように、放熱基台２５と放熱基台２６とは、放熱基台２５の上面上の略全面に形成された電極層２７を介して接合されている。したがって、レーザアレイバー２０のｐ側パッド電極１７（図１０参照）と導通する電極層２３にワイヤボンディングされた金属線７２が、この電極層２７に接続されている。なお、レーザアレイバー２０が複数（５個）の青紫色半導体レーザ素子１０を有するので、金属線７２は、レーザアレイバー２０への供給電流の大きさを考慮して６本（図９参照）設けられている。
【００６９】
また、第２実施形態では、放熱基台２５の表面は、放熱基台２６から露出された領域２５ａを有している。したがって、個々のレーザモジュール２５０において、放熱基台２５の上面上に形成された電極層２７のうちの放熱基台２６から露出する領域２７ａ（領域２５ａに対応する電極層２７の部分）において、５本の金属線７１ｆ〜７１ｊがワイヤボンディングされている。そして、この金属線７１ｆ〜７１ｊが、Ａ１方向に隣接する次のレーザモジュール２５０に接続されるように構成されている。したがって、第２実施形態では、リード端子６１（図１参照）がカソード側端子であり、リード端子６２（図１参照）がアノード側端子となるように構成されている。なお、領域２５ａは、本発明の「第２基台から露出された領域」の一例である。
【００７０】
なお、第２実施形態における面発光型レーザ装置２００のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００７１】
第２実施形態では、上記のように、放熱基台２６が、段差部２６ａと、段差部２６ａの放熱基台２５とは反対側に形成された上段面２６ｂと、段差部２６ａの上段面２６ｂよりも放熱基台２５側に形成された下段面２６ｃとを有し、各々のレーザモジュール２５０を、レーザアレイバー２０が、放熱基台２６の上段面２６ｂ上に接合されるとともに、立ち上げミラー２１が、下段面２６ｃ上に接合することによって、レーザアレイバー２０をジャンクションダウン方式により放熱基台２６の上段面２６ｂ上に接合する場合であっても、上記第１実施形態のようにジャンクションアップ方式と比較して発光点（活性層１３）が放熱基台２５側により近付けられるのに対応して、立ち上げミラー２１を上段面２６ｂよりも放熱基台２５側（Ｃ２側）に形成された下段面２６ｃ上に配置することができる。すなわち、レーザ出射面（光出射面１０ａ）から立ち上げミラー２１（反射面２１ａ）までのＡ方向の距離を適宜確保することができるので、レーザ出射光をＣ１方向に適切に反射させることができる。これにより、良好なビーム形状を有するレーザ光を得ることができる。
【００７２】
また、第２実施形態では、放熱基台２５の表面が、放熱基台２６から露出された領域２５ａを有することによって、Ａ１方向に沿って隣り合うレーザモジュール２５０において、Ａ２側のレーザモジュール２５０におけるレーザアレイバー２０（ｐ側パッド電極１７）を、放熱基台２６から露出する放熱基台２５の領域２５ａに設けられた電極層２７（領域２７ａ）を介して、Ａ１側に隣接するレーザアレイバー２０（ｎ側電極１８）と容易に電気的に接続させることができる。なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００７３】
（第３実施形態）
図１、図１２および図１３を参照して、第３実施形態について説明する。この第３実施形態による面発光型レーザ装置３００では、上記第２実施形態と異なり、放熱基台（サブマウント）３０の内部に、上面３０ａおよび下面３０ｂを貫通する導通領域３１が設けられている場合について説明する。なお、放熱基台３０は、本発明の「第２基台」の一例である。なお、図１３は、図１２の３１００−３１００線に沿った断面図である。
【００７４】
本発明の第３実施形態における面発光型レーザ装置３００は、図１２に示したレーザモジュール３５０が、パッケージ６０（図１参照）内にマトリクス状に配置されている。また、個々のレーザモジュール３５０は、図１３に示すように、レーザアレイバー２０と立ち上げミラー２１とが、セラミックスなどの絶縁体からなる放熱基台３０に導電性接着層１を介して固定された状態で、放熱基台３０が電極層２７を介して放熱基台２５上に固定されている。
【００７５】
ここで、第３実施形態では、図１３に示すように、放熱基台３０の内部に、上面３０ａおよび下面３０ｂを貫通するＷ（タングステン）からなる導通領域３１が形成されている。これにより、レーザアレイバー２０のｐ側パッド電極１７と導通する導通領域３１が、放熱基台２５の上面上に形成された電極層２７と電気的に接続されている。なお、第３実施形態における面発光型レーザ装置３００のその他の構成は、上記第２実施形態と同様である。
【００７６】
第３実施形態では、上記のように、放熱基台３０の内部に上面３０ａおよび下面３０ｂを貫通する導通領域３１を形成することによって、上記第２実施形態のように６本の金属線７２などを用いることなくレーザアレイバー２０のｐ側パッド電極１７と放熱基台２５の上面上に形成された電極層２７とを接続することができるので、その分、面発光型レーザ装置３００の製造プロセスを簡素化させることができる。なお、第３実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００７７】
（第４実施形態）
図１および図１４を参照して、第４実施形態について説明する。この第４実施形態による面発光型レーザ装置４００では、上記第１実施形態と異なり、立ち上げミラーの役割を担う立ち上げミラー部４０ａが一体的に形成された放熱基台（サブマウント）４０を用いる場合について説明する。なお、立ち上げミラー部４０ａは、本発明の「反射部材」の一例である。
【００７８】
本発明の第４実施形態における面発光型レーザ装置４００は、図１４に示したレーザモジュール４５０が、パッケージ６０（図１参照）内にマトリクス状に配置されて構成されている。
【００７９】
ここで、第４実施形態では、レーザアレイバー２０は、立ち上げミラー部４０ａが一体的に形成された放熱基台４０の上面上に固定されている。また、立ち上げミラー部４０ａには、Ａｌ金属膜がコーティングされた反射面４１ａが形成されている。なお、第４実施形態における面発光型レーザ装置４００のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００８０】
第４実施形態では、上記のように、放熱基台４０に立ち上げミラー部４０ａを一体的に形成することによって、上記第１〜第３実施形態のように、別部材である立ち上げミラー２１などを放熱基台上に接合する必要がないので、その分、面発光型レーザ装置４００の製造プロセスを簡素化させることができる。なお、第４実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００８１】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００８２】
たとえば、上記第１〜第４実施形態では、パッケージ６０の内部に、レーザモジュール５０（２５０、３５０、４５０）を４列×３列のマトリクス状に配置した例について示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、レーザモジュールを千鳥配列をなすように配置してもよい。このように構成すれば、面内方向における光源（点）の密度をマトリクス配置の場合よりもより均一化することができるので、より一層均一な明るさを有する光源を得ることができる。
【００８３】
また、上記第１〜第４実施形態では、レーザモジュール５０（２５０、３５０、４５０）を４列（Ａ方向）×３列（Ｂ方向）のマトリクス状に配置した例について示したが、本発明はこれに限られない。すなわち、レーザモジュールを４列×３列以外のマトリクス状に配置してもよい。
【００８４】
また、上記第１〜第４実施形態では、個々のレーザアレイバー２０を、５個の青紫色半導体レーザ素子１０をアレイ化して構成した例について示したが、本発明はこれに限られない。すなわち、個々のレーザアレイバー２０を、５個以外の個数の半導体レーザ素子をアレイ化して構成してもよい。
【００８５】
また、上記第１〜第４実施形態では、個々のレーザアレイバー２０を、５個の青紫色半導体レーザ素子１０をアレイ化して構成した例について示したが、本発明はこれに限られない。すなわち、本発明の「レーザモジュール」が、１つのレーザ発光部からなる半導体レーザ素子により構成されていてもよい。このように構成しても、均一な明るさを有した状態でレーザ光の出射方向に沿って広がりを有する光源を容易に得ることができる。
【００８６】
また、上記第１〜第４実施形態では、立ち上げミラー２１の反射面２１ａを、Ａ１方向（Ｃ１方向）に対して約４５°の傾斜角度を有するように形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。すなわち、反射面２１ａを、４５°以外の傾斜角度を有するように形成してもよい。また、反射面２１ａは、平坦ではなく、所定の曲面形状を有していてもよい。
【００８７】
また、上記第１〜第４実施形態では、導電性接着層１がＡｕＳｎ半田からなる例について示したが、本発明はこれに限られず、導電性接着層は、Ａｕ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｇｅ、Ａｇ、ＣｕまたはＳｉなどの半田材料またはその合金材料からなるように構成してもよい。
【００８８】
また、上記第１〜第４実施形態では、レーザアレイバー２０の基板としてｎ型ＧａＮ基板を用いた例について示したが、本発明はこれに限られない。すなわち、ｎ型ＧａＮ基板以外の、たとえば、ｎ型ＧａＡｓ基板やＧａＰ基板やＳｉ基板などの他の基板を用いてもよい。
【符号の説明】
【００８９】
１０  青紫色半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
２０  レーザアレイバー（半導体レーザ素子）
２１  立ち上げミラー（反射部材）
２２、４０  放熱基台
２５  放熱基台（第１基台）
２５ａ  領域（第２基台から露出された領域）
２６、３０  放熱基台（第２基台）
２６ａ  段差部
２６ｂ  上段面（第１表面）
２６ｃ  下段面（第２表面）
４０ａ  立ち上げミラー部（反射部材）
５０  レーザモジュール
１００、１５１、１５２、１５３  面発光型レーザ装置（光源）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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