(57)【要約】【課題】素子の微細化においても、深い光電変換領域の形成を可能にし、安定して高感度な固体撮像素子を提供する。【解決手段】本発明の固体撮像素子は、ｎ型半導体基板203に形成されており、基板203の内部に設けられたｐ型ウェル204とｎ型半導体基板203の上部にマトリクス状に配列されたフォトダイオード201と、各フォトダイオード201に素子分離領域202とを備え、素子分離領域202は、ｐ型の第1の素子分離不純物拡散層208を有し、フォトダイオード201の領域には受光部となるｎ型の第１の不純物拡散層206とｐ型の不純物拡散層207を有し、赤色の画素のフォトダイオード201の直下にのみｎ型の不純物拡散層205を備えており、青色画素、緑色画素のフォトダイオード201の直下にはｐ型の第２の素子分離不純物拡散層209を備えている。【選択図】図２
2011238853.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型のウェル領域が形成された半導体基板と、
前記ウェル領域内であって、前記第１導電型とは反対の導電型の第２導電型の不純物からなる第１の光電変換領域と、
前記ウェル領域内であって、前記第２導電型の不純物からなる第２の光電変換領域と、
前記ウェル領域内であって、前記第１の光電変換領域より深い位置に形成された前記第２導電型の不純物からなる第３の光電変換領域と、
前記半導体基板の上であって、前記第１の光電変換領域の上方に形成された、第１の波長を主に透過する第１のカラーフィルターと、
前記半導体基板の上であって、前記第２の光電変換領域の上方に形成された、第２の波長を主に透過する第２のカラーフィルターとを備え、
前記第１の波長は前記第２の波長よりも大きく、前記第２の光電変換領域より深い位置には第３の光電変換領域が存在しないことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第３の光電変換領域の前記半導体基板の主面に平行な面における面積は、前記第１の光電変換領域の前記半導体基板に平行な面における面積よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記ウェル領域内であって、前記第２の光電変換領域より深い位置には、前記第１導電型の不純物からなる分離領域を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第３の光電変換領域は、前記第１導電型の不純物から成る分離領域と隣接した位置に配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記第１光電変換領域の深さは、４μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第３光電変換領域の深さは、４μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項７】
半導体基板に第１導電型のウェル領域を形成する工程と、
前記ウェル領域に、前記第１導電型のとは反対の導電型の第２導電型の不純物を注入して第１の光電変換領域と第２の光電変換領域とを形成する工程と、
前記ウェル領域内であって、前記第１の光電変換領域の下に前記第２導電型の不純物を注入して第３の光電変換領域を形成する工程と、
前記半導体基板の上であって、前記第１の光電変換領域の上方に、第１の波長を主に透過する第１のカラーフィルターを形成する工程と、
前記半導体基板の上であって、前記第２の光電変換領域の上方に、第２の波長を主に透過する第２のカラーフィルターを形成する工程とを含み、
前記第１の波長は前記第２の波長よりも大きく、前記第２の光電変換領域より深い位置には第３の光電変換領域が存在しないことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置並びにその製造方法に関し、より詳しくは、素子の微細化においても感度特性を良好に保てるよう特性改善された固体撮像装置の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、固体撮像装置は、複数の画素がマトリクス状に配列された複数の画素部を有し、各画素においては、半導体基板の主面に、入射光量に応じた電気信号を出力するよう構成された受光部と、蓄積された電荷を順次転送するよう構成された転送部とが設けられている。
近年、固体撮像装置の微細化と高密度化に伴って、受光部の面積が縮小されており、十分な感度特性を確保することが困難になってきている。特に赤色の感度特性は光の波長が長く、素子の微細化で受光部が小さくなると十分な感度特性が得られない。
【０００３】
そこで前記問題を解決する技術として、受光部をシリコン基板深部まで、多層に不純物拡散層を形成する方法が提案されている。入射光がシリコン基板内で光電変換する領域は光の波長によって異なり、量子効率を最大限まで高めようとすると、光電変換領域をシリコン基板深部にまで形成することが有効である。以下、図5〜6を参照して特許文献１に示されている方法について説明する。
【０００４】
図5は従来の固体撮像装置の画素部の上面図であり、図6は図5におけるＸ−Ｘ’切断線における断面図である。図5に示すように固体撮像装置、特にデジタルスチルカメラなどに用いられる固体撮像装置においては、電荷を発生する光電変換部上にはＲ、Ｂ、Ｇ（Ｇｒ、Ｇｂ）という３色のカラーフィルタが、ベイヤー配列という並び方で並んでいる。
【０００５】
図6に示すように、固体撮像装置においては、入射した光に応じて電荷を発生する光電変換部であるフォトダイオード601が素子分離領域602をはさんでマトリクス状に配置されている。
【０００６】
ｎ型半導体基板603の深部に濃度のピークが存するようにｐ型ウェル604を設け、さらにフォトダイオード601に対応する部分では、ｐ型ウェル604の領域にｎ型の第２の不純物拡散層605が設けられ、その上部にはｎ型の第１の不純物拡散層606が設けられ、そのｎ型の第１の不純物拡散層606の表面にはｐ型の不純物拡散層607が設けられている。また素子分離領域602ではフォトダイオード601と隣接してｐ型の第１の不純物拡散層608が設けられ、さらにｐ型ウェル604とｐ型の第1の不純物拡散層608との間にｐ型の第2の不純物拡散層609が基板の上から見てｐ型の第1の素子分離不純物拡散層608と同一のパターンをなすか、または格子パターンをなすように形成されている。
【０００７】
さらに、素子分離領域602の上方に、転送電極配線610と、その転送電極配線610の上に設けられた第１の絶縁層611上にフォトダイオード601に入射光を取り込む窓部を開口した遮光層612が形成されている。その遮光層612の上に設けられた第２の絶縁層613と、その第２の絶縁層613は主に酸化膜、窒化膜、酸窒化膜などで構成されているが、その第２の絶縁膜613上に、主として有機膜で形成されたカラーフィルタ614が設けられている。カラーフィルタ614は基板の上から見ると、図5で示したように３色でベイヤー配列しており、そのカラーフィルタ614上には、主として有機膜で形成された中間層615を介して、入射光を集光するためのレンズ層616が形成されている。
【０００８】
上記のｐ型の第２の不純物拡散層609、ｎ型の第２の不純物拡散層605の形成には、周知のフォトエッチング技術と高加速イオン注入技術を用いることで、基板表面からの深さが異なる複数層の不純物拡散層を形成することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−２２９１０７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、固体撮像装置の微細化に伴い、光電変換部、素子分離領域が小さくなると高加速イオン注入時のフォトエッチングにおいて、微細なレジストパターンを形成することが困難になってくる。以下、図7を参照して特許文献１の課題を説明する。
【００１１】
図7-1は従来の固体撮像装置の光電変換部形成時のレジストパターン、図7-2は素子分離領域形成時のレジストパターンを示す図である。
図7-1において、ｎ型半導体基板701上に酸化膜や窒化膜等のバッファ用絶縁層708を形成した後、フォトダイオードに対応するｎ型の第１の不純物拡散層702を、その下層にｎ型の第２の不純物拡散層703をイオン注入技術で形成する。ｎ型の第２の不純物拡散層703は高加速イオン注入で形成するが、イオン注入阻止能を高めるため、厚い膜厚のレジストを塗布し、残しパターンを形成することが必要になる。具体的には、シリコン基板内に4.0umの深さにイオン種でP（リン）を注入しようとすると、6.0MeVの加速エネルギーで注入する必要があり、そのためにはレジスト膜厚711は5.0um必要であり、0.5um残し寸法を加工するためにはアスペクト比10（5.0um/0.5um＝10）のレジストパターン704を形成することが必要である。
今後の固体撮像装置の微細化においては、さらに寸法縮小が予想され、そうなると、厚膜レジストではフォトエッチング技術の解像限界を超えるためパターニングできず、深いフォトダイオード領域の形成が困難になり、十分な感度特性が得られなくなる、という問題が起きる。
【００１２】
また図7-2において、ｎ型半導体基板701に素子分離領域に対応するｐ型の第１の不純物拡散層705を、その下層にｐ型の第２の不純物拡散層706をイオン注入技術で形成する。ｐ型の第２の不純物拡散層706は高加速イオン注入で形成するが、イオン注入阻止能を高めるため、厚い膜厚のレジストを塗布し、抜きパターンを形成することが必要になる。具体的には、シリコン基板内に4.0umの深さにイオン種でB（ボロン）を注入しようとすると、3.0MeVの加速エネルギーで注入する必要があり、そのためにはレジスト膜厚711は5.0um必要であり、0.5um抜き寸法を加工するためにはアスペクト比10のレジストパターン707形成が必要になる。図7-1でアスペクト比10の残しパターン704を加工できても、抜きパターン707が加工できなければ、フォトダイオード領域の分離が困難になるため、やはり十分な感度特性が得られなくなる、という問題が起きる。
【００１３】
前記に鑑み、本発明は、固体撮像装置の微細化においても、深い光電変換領域の形成を可能にし、安定して高感度な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記の目的を達成するため、本発明に係る固体撮像装置は、第１導電型のウェル領域が形成された半導体基板と、前記ウェル領域内であって、前記第１導電型とは反対の導電型の第２導電型の不純物からなる第１の光電変換領域と、前記ウェル領域内であって、前記第２導電型の不純物からなる第２の光電変換領域と、前記ウェル領域内であって、前記第１の光電変換領域より深い位置に形成された前記第２導電型の不純物からなる第３の光電変換領域と、前記半導体基板の上であって、前記第１の光電変換領域の上方に形成された、第１の波長を主に透過する第１のカラーフィルターと、前記半導体基板の上であって、前記第２の光電変換領域の上方に形成された、第２の波長を主に透過する第２のカラーフィルターとを備え、前記第１の波長は前記第２の波長よりも大きく、前記第２の光電変換領域より深い位置には第３の光電変換領域が存在しないことを特徴としている。
【００１５】
前記第３の光電変換領域の前記半導体基板の主面に平行な面における面積は、前記第１の光電変換領域の前記半導体基板に平行な面における面積よりも大きいことが好ましい。
前記ウェル領域内であって、前記第２の光電変換領域より深い位置には、前記第１導電型の不純物からなる分離領域を備えていることが好ましい。
【００１６】
前記第３の光電変換領域は、前記第１導電型の不純物から成る分離領域と隣接した位置に配置されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る固体撮像装置によると、素子の微細化においても深い光電変換領域の形成が可能になるので、安定して高感度な固体撮像装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の上面図
【図２】本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の断面図
【図３】量子効率のシリコン基板深さ依存性
【図４】本発明の第１の実施形態に係る不純物拡散層形成時のレジストパターン
【図５】従来の固体撮像装置の上面図
【図６】従来の固体撮像装置の断面図
【図７】従来の固体撮像装置に係わる不純物拡散層形成時のレジストパターン
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置とその製造方法について、図1〜4を参照しながら説明する。
【００２０】
図1は本発明の第１の実施形態における固体撮像装置の画素部の上面図であり、図2は図1におけるＸ−Ｘ’切断線における断面図である。図1に示すように、固体撮像装置、特にデジタルスチルカメラなどに用いられる固体撮像装置においては、電荷を発生する光電変換部上にはＲ、Ｂ、Ｇ（Ｇｒ、Ｇｂ）という３色のカラーフィルタが、ベイヤー配列という並び方で並んでいる。
【００２１】
図2に示すように、固体撮像装置において、入射した光に応じて電荷を発生する光電変換部であるフォトダイオード201が素子分離領域202をはさんでマトリクス状に配置されている。
ｎ型半導体基板203の深部に濃度のピークが存在するようにｐ型ウェル204を設け、さらにフォトダイオード201に対応する部分では、ｐ型ウェル204の領域にｎ型の第１の不純物拡散層206と、このｎ型の第１の不純物拡散層206の表面にｐ型の不純物拡散層207が設けられている。また素子分離領域202にはフォトダイオード201と隣接してｐ型の第１の不純物拡散層208が設けられている。
さらにｎ型半導体基板203内のｐ型ウェル204の領域内であって、ｎ型の第1の不純物拡散層206より深い位置には、赤（Ｒ）色のカラーフィルタに対応するフォトダイオード領域にのみ、ｎ型の第２の不純物拡散層205が設けられており、それ以外の青（Ｂ）色、緑（Ｇｒ，Ｇｂ）色のカラーフィルタに対応するフォトダイオード領域には、素子分離のためのｐ型の第２の不純物拡散層209が設けられている。
【００２２】
さらに、素子分離領域202の上方に、転送電極配線210と、その転送電極配線210の上に設けられた第１の絶縁層211上にフォトダイオード201に入射光を取り込む窓部を開口した遮光層212が形成されている。その遮光層212の上に設けられた第２の絶縁層213と、その第２の絶縁層213は主に酸化膜、窒化膜、酸窒化膜などで構成されているが、その第２の絶縁膜213上に、主として有機膜で形成されたカラーフィルタ214が設けられている。カラーフィルタ214は基板の上から見ると図1で示したように３色でベイヤー配列しており、そのカラーフィルタ214上には、主として有機膜で形成された中間層215を介して、入射光を集光するためのレンズ層216が形成されている。
【００２３】
図3は量子効率のシリコン基板深さ依存性を示す図である。入射光がシリコン基板内で光電変換する領域は光の波長によって異なる。図3から理解出来るように、シリコン深さ3umでは、入射した光は、青色はほぼ100％、緑色は約95％が光電変換されるが、赤色は75％しか光電変換されない。フォトダイオード領域をシリコン深さ4umまで深く形成した時、赤色は85％まで量子効率が改善するため約13％赤色感度が向上するが、青色、緑色の感度向上効果はほとんど見込めない。このように赤色の光は波長が最も長く、感度特性を確保することが困難ため、今後の素子の微細化においては赤色感度を向上させることが最も重要であるので、赤色画素に対応するフォトダイオード領域だけをシリコン基板の深くまで形成すれば、十分な感度向上効果が得られると結論できる。
【００２４】
図4-1は本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の光電変換部形成時、特に赤色のフォトダイオード形成時のレジストパターン、図4-2は素子分離領域形成時のレジストパターンを示す図である。
【００２５】
なお、図4-1では、青色フォトダイオード、緑色フォトダイオードの両方はすでに形成されている。すなわち、赤色のフォトダイオードの上半分４０２を形成するときに緑色フォトダイオード４０２および青色のフォトダイオード（図示せず）が形成され、この時点で緑色のフォトダイオードと青色のフォトダイオードは完成する。
図4-1において、ｎ型半導体基板401に赤色のフォトダイオードの上半分と、緑色のフォトダイオードと青色のフォトダイオードに対応するｎ型の第１の不純物拡散層402を形成し、赤色の画素に対応するフォトダイオード領域だけにｎ型の第２の不純物拡散層403を高加速イオン注入で形成する。シリコン基板内に4.0umの深さにイオン種でP（リン）を注入しようとすると、6.0MeVの加速エネルギーで注入する必要があり、そのためにはレジスト膜厚411は5.0um必要である。赤、青、緑全色のフォトダイオード領域に不純物拡散層を形成するためのパターン形成を行う場合は0.5um残し寸法が必要（図7-1参照）であるが、赤色のみの場合はセルサイズが1.5umとすると、隣接する画素との分離を考慮する必要がないためセルサイズいっぱいまで広げることができ、残し寸法409は約1.5umに拡大する。この結果、レジストパターン404のアスペクト比は従来の10から約3.3に減少し、その分フォトエッチング加工に精度上の余裕が出来る。
【００２６】
また、図4-2において、ｎ型半導体基板401に素子分離領域に対応するｐ型の第１の不純物拡散層405を形成するが、赤色以外の青色、緑色の画素に対応するフォトダイオード領域下方にｐ型の第２の不純物拡散層406を高加速イオン注入で形成する。シリコン基板内に4.0umの深さにイオン種でB（リン）を注入しようとすると、3.0MeVの加速エネルギーで注入する必要があるが、そのためにはレジスト膜厚411は5.0um必要であり、赤、青、緑全色の素子分離領域に不純物拡散層を形成するためのパターン形成を行う場合は、0.5um抜き寸法を形成する必要があった。しかし深い領域のｎ型不純物拡散層403が、赤色のフォトダイオード領域にしか形成されていないため、素子分離領域は1.5umセルサイズの場合、隣接する画素との分離を考慮する必要がないためセルサイズいっぱいまで広げることができ、約1.5umの抜き寸法410に拡大するため、レジストパターン407のアスペクト比は10から約3.3に減少することになり、フォトエッチング加工に余裕が出来る。今後の固体撮像装置の微細化においては、さらに寸法縮小が予想されるが、本実施形態では、微細画素においても安定して深いフォトダイオード領域と素子分離領域の形成が可能になるため、十分な感度特性を得ることが可能になる。
【００２７】
また、ｎ型の第２の不純物拡散層403とｐ型の第２の不純物拡散層406とは接触していてもかまわず、アスペクトにも十分な余裕があるため、ｎ型の第２の不純物拡散層403をセルサイズより少し大きくし、ｐ型の第２の不純物拡散層406をセルサイズより少し小さくするということも可能であり、具体的にはｎ型の第２の不純物拡散層403を1.6umとしｐ型の第２の不純物拡散層406を1.4umとすることも可能であるし、その逆も可能である。前者のようにｎ型の第２の不純物拡散層403を大きくすれば赤色の感度をさらに向上させることができ、後者のようにｐ型の第２の不純物拡散層406を大きくすれば、混色を低減できる。
【００２８】
また固体撮像装置の微細化においては、隣の画素に入射した光がシリコン基板内で混じり合う混色という不良が発生することがあるが、第一の実施形態では、深いフォトダイオード領域を安定して形成することが出来るので、深い領域でのキャリアの捕捉効果が得られ、その結果、混色の抑制効果が期待できる。
【００２９】
本発明の第１の実施形態によると、深いフォトダイオード領域の形成は赤色の画素のみに限定されるので、高加速イオン注入時のレジストパターンの要求精度が半分になり、加工が楽になるため、素子の微細化においても深いフォトダイオード領域を安定して形成することが可能になり、良好な感度特性が得られる固体撮像装置を実現できる。
次に、本発明の第１の実施形態における固体撮像装置の製造方法について工程順に説明する。
【００３０】
・  先ず、ｎ型半導体基板203内にｐ型ウェル204を高加速エネルギーのイオン注入打ち込み技術により形成する。
・  次にフォトダイオード201を形成する領域で、ｐ型ウェル204の領域にｎ型の第１の不純物拡散層206を周知のフォトエッチング技術と高加速エネルギーのイオン注入技術を用いて形成する。
【００３１】
・  さらに赤色の画素に対応したフォトダイオード領域にｎ型の第２の不純物拡散層205をフォトエッチング技術と高加速エネルギーのイオン注入技術を用いて形成する。具体的には、図4-1に示すように、ｎ型半導体基板401上に酸化膜や窒化膜等のバッファ用絶縁層408を形成した後、その上面にフォトレジスト膜を堆積させる。
【００３２】
・  次に堆積されたフォトレジスト膜を、写真蝕刻法等を用いたパターニングによりエッチングし、ｎ型の第２の不純物拡散層403の形成位置に、打ち込み開口409を有する所定のレジストパターン404を形成する。
【００３３】
・  続いて、高加速電圧で砒素またはリンなどのｎ型不純物イオンをｎ型半導体基板401内の所定の深さに打ち込む。また、イオン注入の加速電圧条件を変えて、砒素またはリンなどのｎ型不純物イオンを上記の所定の深さよりも浅い位置に打ち込む。
【００３４】
・  次にレジストパターン404を除去してから熱処理を行って、イオン注入時の結晶欠陥の回復を行う。
・  次に素子分離領域202を形成する領域で、ｐ型の第１の不純物拡散層208を周知のフォトエッチング技術と高加速エネルギーのイオン注入技術を用いて形成する。
【００３５】
・  さらに青色、緑色の画素に対応したフォトダイオード領域の上にｐ型の第２の不純物拡散層209をフォトエッチング技術と高加速エネルギーのイオン注入技術を用いて形成する。具体的には、図4-2に示すように、ｎ型半導体基板401上に酸化膜や窒化膜等のバッファ用絶縁層408を形成した後、その上面にフォトレジスト膜を堆積させる。
【００３６】
・  次に堆積されたフォトレジスト膜を、写真蝕刻法等を用いたパターニングによりエッチングし、ｐ型の第２の不純物拡散層406の形成位置に、打ち込み開口410を有する所定のレジストパターン407を形成する。
【００３７】
・  続いて、高加速電圧でボロンなどのｐ型不純物イオンをｎ型半導体基板401内の所定の深さに打ち込む。また、イオン注入の加速電圧条件を変えて、ボロンなどのｐ型不純物イオンを上記の所定の深さよりも浅い位置に打ち込む。
【００３８】
・  次にレジストパターン407を除去してから熱処理を行って、イオン注入時の結晶欠陥の回復を行う。
１２、その後は周知の製造工程を経て、図1、２に示す固体撮像装置を形成する。
【００３９】
なお、ｎ型の第１の不純物拡散層402とｎ型の第２の不純物拡散層403を形成するためのイオン注入の順序については、上記と逆であっても良い。またｐ型の第１の不純物拡散層405とｐ型の第２の不純物拡散層406を形成するためのイオン注入の順序についても、上記と逆であっても良い。
【００４０】
また、本実施形態ではｎ型の第１の不純物拡散層と第２の不純物拡散層で説明したが、第１の不純物拡散層と第２の不純物拡散層との間にｎ型の第３の不純物拡散層や第４の不純物拡散層が設けられた多層構造であっても良い。
本実施形態ではｐ型の第１の不純物拡散層と第２の不純物拡散層で説明したが、第１の不純物拡散層と第２の不純物拡散層との間にｐ型の第３の不純物拡散層や第４の不純物拡散層が設けられてあっても良い。
【００４１】
また、本実施形態ではＣＣＤでその効果を説明したが、ＭＯＳセンサでも同様の効果を得ることができる。
以上のような高加速イオン注入工程を経て製造することで、ｎ型の第２の不純物拡散層403を、ｎ型半導体基板401内の赤色画素に対応するフォトダイオード領域の適正位置に形成することができるので、所望の特性を有する固体撮像装置を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
以上説明したように、本発明の固体撮像装置は、微細化、高集積化しても良好な感度特性が得られる固体撮像装置を実現できる、具体的には、カメラ付き携帯電話、ビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどに使用される固体撮像装置に好適に有用である。
【符号の説明】
【００４３】
２０１、６０１  フォトダイオード
２０２、６０２  素子分離領域
２０３、６０３  ｎ型半導体基板
２０４、６０４  ｐ型ウェル
２０５、６０５  ｎ型の第２の不純物拡散層
２０６、６０６  ｎ型の第１の不純物拡散層
２０７、６０７  ｐ型の不純物拡散層
２０８、６０８  ｐ型の第１の不純物拡散層
２０９、６０９  ｐ型の第２の不純物拡散層
２１０、６１０  転送電極配線
２１１、６１１  第１の絶縁層
２１２、６１２  遮光層
２１３、６１３  第２の絶縁層
２１４、６１４  カラーフィルタ
２１５、６１５  中間層
２１６、６１６  レンズ層
４０１、７０１  ｎ型半導体基板
４０２、７０２  ｎ型の第１の不純物拡散層
４０３、７０３  ｎ型の第２の不純物拡散層
４０４、７０４  残しレジストパターン
４０５、７０５  ｐ型の第１の不純物拡散層
４０６、７０６  ｐ型の第２の不純物拡散層
４０７、７０７  抜きレジストパターン
４０８、７０８  バッファ用絶縁膜
４０９  ｎ型の第２の不純物拡散層に対応する開口
４１０  ｐ型の第２の不純物拡散層に対応する開口
４１１、７１１  レジスト膜厚
【図１】
2011238853.tif 000003
【図２】
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【図３】
2011238853.tif 000005
【図４】
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【図５】
2011238853.tif 000007
【図６】
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【図７】
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