(57)【要約】【課題】静電シールドとしての導電膜の腐蝕を抑制した横電界方式の液晶表示装置を提供すること。【解決手段】横電界方式の液晶表示装置１０であって、一対の基板の他方２６には、液晶３４と接する面と反対側の面には透明導電性材料で形成された第１導電膜３１が形成され、第１導電膜３１は導電性材料からなる接続体４０によってグラウンド電位４３と接続されている液晶表示装置１０において、第１導電膜３１の表面には、透明導電性材料からなる第２導電膜３２が形成され、第２導電膜３２の表面に偏光板３３が形成されている。【選択図】図１
2011095451.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板の周縁部がシール材で張り合わされ、前記一対の基板間に液晶が封入され、
前記シール材で囲まれた内側に表示領域が、前記表示領域の外側に非表示領域が形成さ
れ、
前記一対の基板の一方には第１電極と第２電極とが形成され、
前記第１電極と前記第２電極との間に生じる電界によって前記液晶が駆動される横電界
方式の液晶表示装置であって、
前記一対の基板の他方には、前記液晶と接する面と反対側の面に透明導電性材料で形成
された第１導電膜が形成され、
前記第１導電膜は導電性材料からなる接続体によってグラウンド電位と接続されている
液晶表示装置において、
前記第１導電膜の表面には、透明導電性材料からなる第２導電膜が形成され、
前記第２導電膜の表面に偏光板が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２導電膜は、前記第１導電膜が前記接続体と接する箇所を除いて前記第１の導電
膜の表面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２導電膜は、前記第１の導電膜とともに前記接続体によってグラウンド電位と接
続されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２導電膜は、少なくとも前記表示領域に形成されていることを特徴とする請求項
１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１導電膜は、ＩＴＯで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表
示装置。
【請求項６】
前記第２導電膜は、少なくともＳｎＯ２又はＩｎ２Ｏ３を主成分として形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１導電膜及び前記第２導電膜は、透過率の近似する透明導電性材料で形成されて
いることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記接続体は、導電性ペーストであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置
。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、横電界方式の液晶表示装置に関し、詳しくは、導電性材料からなる静電シー
ルドとしての導電膜が偏光板の糊剤から発生する酸により腐食されるのを抑制した横電界
方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
横電界方式の液晶表示装置は、液晶層を挟んで配置される一対の基板、例えばアレイ基
板とカラーフィルター基板のうちのアレイ基板の内面側に一対の電極が互いに絶縁して設
けられており、概ね横方向の電界を液晶分子に対して印加するものである。この横電界方
式の液晶表示装置としては、一対の電極が平面視で重ならないＩＰＳ（In-Plane Switchi
ng）のものと、重なるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードのものとが知られており
、広い視野角を得ることができるという効果があるので、近年多く用いられるようになっ
てきている。
【０００３】
しかし、横電界方式の液晶表示装置は、アレイ基板にのみ液晶を駆動するための一対の
電極を備えており、カラーフィルター基板には電極を備えていない。そのため、横電界方
式の液晶表示装置は、カラーフィルター基板側から静電気等に起因する電界が印加された
場合、この電界は直接液晶分子に対して作用するため、表示の異常が発生してしまうとい
う課題がある。
【０００４】
そこで、このような課題を解決するために、従来から横電界方式の液晶表示装置には、
駆動電極が形成されていない方の基板、例えばカラーフィルター基板に静電気等に対する
シールド機能を有する透明導電性材料で形成された導電層や導電膜を設けることが行われ
ている。
【０００５】
例えば、下記特許文献１には、カラーフィルター基板に導電層が形成されたＩＰＳモー
ドの液晶表示装置が開示されている。すなわち、下記特許文献１に開示されたＩＰＳモー
ドの液晶表示装置では、液晶表示装置を構成する液晶表示パネルの透明基板のうちバック
ライトユニットに対して遠い側の透明基板の液晶層と反対側の面に、透光性を備える導電
層がスパッタリングによって少なくとも表示面領域に形成されている。この下記特許文献
１に開示されたＩＰＳモードの液晶表示装置では、この透光性を備える導電層が外部から
の静電気等に対するシールド機能を有するようになり、液晶表示パネルの表面に外部から
静電気等の高い電位が加わった場合にあっても、表示の異常の発生を防止できるというも
のである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許２７５８８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献１に開示されているＩＰＳモードの液晶表示装置では、シールド機能を有
する導電層が形成されているために、外部から静電気等の高い電位が加わった場合におい
ても表示の異常の発生を防止できるという優れた効果を奏する。この場合、上記特許文献
１に開示されている発明では、導電層の形成材料としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ｓ
ｎＯ２（酸化スズ）及びＩｎ２Ｏ３（酸化インジウム）が挙げられている。
【０００８】
一方、横電界方式の液晶表示パネルを薄型化する際、表面に導電膜が形成されている透
明基板では、導電膜に傷が付かないように薄型加工を行うことが難しいため、あらかじめ
薄型化を行ってから、スパッタリング等により、この導電膜を形成する必要がある。しか
しながら、導電膜をＩＴＯで形成すると、薄型加工後の高温処理が非常に困難なため、ア
モルファス状態の膜にしかならず、高温高湿下で、導電膜の表面に配置される偏光板の糊
剤より発生する酸により溶けてしまうという問題がある。なお、アモルファス状態とは、
固体を構成する原子や分子、あるいはイオンが、結晶構造のような規則性をもたない状態
のことを示す。
【０００９】
そのような酸による溶解防止対策として、導電膜形成材料として透光性の導電性材料で
あるＳｎＯ２又はＩｎ２Ｏ３を使用するものもあるが、ＳｎＯ２及びＩｎ２Ｏ３は、ＩＴ
Ｏにくらべて抵抗値が高いという問題がある。また、導電膜の抵抗値が高くなると、静電
容量式のタッチパネルをその液晶表示装置上に搭載する機種などにおいては、駆動時のノ
イズにより、タッチパネルが誤作動するという問題もある。そのため、液晶表示装置の駆
動ノイズの影響を低減させる為、導電膜の抵抗値を低く抑え（静電容量式のタッチパネル
配線構造によっても異なるが、数百Ωオーダーが必要）て、グラウンド（ＧＮＤ）電位へ
接続する必要性が出てきている。
【００１０】
本発明者らは、上記のような従来技術の問題点を解決すべく種々検討を重ねた結果、導
電膜を形成する透明導電性材料の種類を選択し、低抵抗の導電膜と腐食に強い導電膜の二
層構造とすることで上述したような課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに
至ったものである。すなわち、本発明の目的は、導電膜の腐蝕を抑制しつつ、静電気等に
よる不具合を抑制することが可能な横電界方式の液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルは、一対の基板の周縁部がシール材
で張り合わされ、前記一対の基板間に液晶が封入され、前記シール材で囲まれた内側に表
示領域が、前記表示領域の外側に非表示領域が形成され、前記一対の基板の一方には第１
電極と第２電極とが形成され、前記第１電極と前記第２電極との間に生じる電界によって
前記液晶が駆動される横電界方式の液晶表示装置であって、前記一対の基板の他方には、
前記液晶と接する面と反対側の面に透明導電性材料で形成された第１導電膜が形成され、
前記第１導電膜は導電性材料からなる接続体によってＧＮＤ電位と接続されている液晶表
示装置において、前記第１導電膜の表面には、透明導電性材料からなる第２導電膜が形成
され、前記第２導電膜の表面に偏光板が形成されていることを特徴とする。
【００１２】
通常、シールド電極を形成する場合は、透明導電膜などの単層膜がスパッタリング法な
どにより形成される。しかし、本発明の液晶表示装置では、他方の基板、例えばカラーフ
ィルター基板の液晶と接する面と反対側の面に、透明導電膜からなる第１導電膜と透明導
電膜からなる第２導電膜の２種類の導電膜が積層されている。その結果、本発明の液晶表
示装置によれば、液晶表示装置の外部からの静電気等による不具合に対しては、第１導電
膜が静電気等をこの第１導電膜に接続された接続体によってＧＮＤ電位に逃がすことがで
きるとともに、高温高湿下における偏光板の糊剤から発生する酸により第１導電膜が溶け
てしまうことを第２導電膜により抑制することができるので、信頼性の高い液晶表示装置
を提供することができる。
【００１３】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記第２導電膜は、前記第１導電膜が前記接
続体と接する箇所を除いて前記第１の導電膜の表面に形成されていることが好ましい。
【００１４】
本発明の液晶表示装置によれば、第１導電膜に帯電した静電気等を第１導電膜に直接接
続された接続体によって効率よく放電することができるとともに、第２導電膜は第１導電
膜が接続体と接する部分以外の広い範囲を覆うことができ第１導電膜の腐蝕を抑制するこ
とができる。
【００１５】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記第２導電膜は、前記第１導電膜とともに
前記接続体によってＧＮＤ電位と接続されていることが好ましい。
【００１６】
複数の透明導電性膜を積層すると、積層された膜間の抵抗が大きくなる。本発明の液晶
表示装置によれば、第２導電膜が直接ＧＮＤ電位に接続されているので、第１導電膜及び
第２導電膜とＧＮＤ電位間の抵抗が小さくなるので、静電気等を効率よく放電することが
できる。
【００１７】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記第２導電膜は、少なくとも前記表示領域
に形成されていることが好ましい。
【００１８】
本発明の液晶表示装置によれば、表示領域の表面に耐腐食性の第２導電膜が形成されて
いるので、表示領域における第１導電膜が偏光板の糊剤から発生する酸により溶解するこ
とを抑制することができ、静電気等による不具合により表示不良が発生することができる
。
【００１９】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記第１導電膜は、ＩＴＯで形成されている
ことが好ましい。
【００２０】
本発明の液晶表示装置によれば、第１導電膜は抵抗値が低く導電性に優れているＩＴＯ
で形成されているので、液晶表示装置の駆動時のノイズをより軽減することができる。
【００２１】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記第２導電膜は、ＳｎＯ２又はＩｎ２Ｏ３
を主成分として形成されていることが好ましい。
【００２２】
本発明の液晶表示装置では、第２導電膜は耐腐蝕性、耐酸性、耐熱性及び耐湿性が非常
に高いＳｎＯ２又はＩｎ２Ｏ３を主成分として形成されているので、第２導電膜が酸によ
り溶解され難く、第２導電膜の下層に形成されている第１導電膜が酸により溶解されるこ
とも抑制することができる。
【００２３】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記第１導電膜及び前記第２導電膜は、透過
率の近似する透明導電性材料で形成されていることが好ましい。
【００２４】
本発明の液晶表示装置によれば、第１導電膜と第２導電膜の透過率が近似しているので
、両導電膜間での透過光の屈折が生じ難くなり、この両導電膜間での透過光の屈折に基く
表示不良を抑制することができる。
【００２５】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記接続体は、導電性ペーストであることが
好ましい。
【００２６】
本発明の液晶表示装置によれば、接続体に導電性ペーストを用いることにより、導電膜
とＧＮＤ電位との電気的な接続を容易に行うことができる。また、導電膜とＧＮＤ電位と
の間に例えば導電パッドを介した場合でも、この導電パッドとの電気的な接続も導電性ペ
ーストを用いることで容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施形態１の液晶表示装置の平面図である。
【図２】図１の表示領域内の１画素分の拡大平面図である。
【図３】図２のIII−III線に沿った拡大断面図である。
【図４】図４Ａは図１のIVA部の拡大図であり、図４Ｂは図１のIVB−IVB線での概略断面図である。
【図５】実施形態２の液晶表示装置の平面図である。
【図６】図６Ａは図５のVIA部の拡大図であり、図６Ｂは図５のVIB−VIB線での概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明を実施するための形態を図面を参照しながら詳細に説明する。ただし、以
下に示す各実施形態は、本発明の技術思想を具体化するためにＦＦＳモードの液晶表示装
置を例にとって説明するものであって、本発明をこの実施形態に記載されたＦＦＳモード
の液晶表示装置に特定することを意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に含ま
れるその他の実施形態のものにも等しく適応し得るものである。なお、この明細書におけ
る説明のために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の
大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸
法に比例して表示されているものではない。
【００２９】
また、本発明における横電界方式の液晶表示装置は、液晶注入法を用いて製造されたも
のにも適用可能であるが、以下においては液晶滴下（One Drop Fill：以下、「ＯＤＦ」
という）法を用いて製造されたものを例として説明する。さらに、液晶表示装置はマザー
基板を用いて作製されるが、以下においては、説明の便宜上、１個のＦＦＳモードの液晶
表示装置を代表して説明する。
【００３０】
［実施形態１］
本発明の実施形態１のＦＦＳモードの液晶表示装置１０を図１〜図４を参照して説明す
る。本実施形態１に係る液晶表示装置１０は、図１に示すように、アレイ基板１１及びカ
ラーフィルター基板２６と、両基板１１、２６を貼り合わせるシール材３５とを備え、ア
レイ基板１１、カラーフィルター基板２６及びシール材３５により囲まれた領域に液晶３
４が封入された、いわゆるＣＯＧ（Chip On Glass）型の液晶表示装置である。この液晶
表示装置１０においては、シール材３５により囲まれた内側の領域に表示領域３６が形成
されており、この表示領域３６の周囲に設けられる画像が認識されない領域が液晶表示装
置１０の非表示領域３７となる。また、実施形態１にかかる液晶表示装置１０はＯＤＦ法
で製造されたものであるため、液晶注入口は形成されていない。
【００３１】
アレイ基板１１は、ガラス等で形成された矩形状の第１の透明基板１２の表面に液晶駆
動用の各種配線等が形成されたものである。このアレイ基板１１はカラーフィルター基板
２６よりもその長手方向の長さが長く、両基板１１、２６を貼り合わせた際に外部に延在
する延在部１２ａが形成されるようになっており、この延在部１２ａには駆動信号を出力
するＩＣチップあるいはＬＳＩ等からなるドライバーＩＣ４０や導電パッド３９等が設け
られている。また、このドライバーＩＣ４０からは、更に共通配線１４が延在している。
さらに、この導電パッド３９は、外部基板を通じてＧＮＤ電位４３（図４Ｂ参照）と電気
的に接続されている。なお、本実施形態１では、外部基板の一例としてＦＰＣ（Flexible
Printed Circuit）４２を用いている。
【００３２】
アレイ基板１１の表示領域３６内には、図２及び図３に示すように、複数本の走査線１
３及び信号線１７に加えて、複数本の走査線１３間にこの走査線１３と平行な複数本のコ
モン配線１４ａが設けられている。また、これらの走査線１３、コモン配線１４ａ及び露
出している透明基板１２を覆うように酸化ケイ素又は窒化ケイ素等の無機絶縁材料からな
るゲート絶縁膜１５が設けられている。そして、ソース電極Ｓ、ゲート電極Ｇ、ドレイン
電極Ｄ、及び半導体層１６からなるスイッチング素子としての薄膜トランジスターＴＦＴ
（Thin Film Transistor）が走査線１３及び信号線１７の交差部近傍に形成されている。
【００３３】
さらに、これらを覆うように表面の安定化のための酸化ケイ素又は窒化ケイ素等の無機
絶縁材料からなるパッシベーション膜１８が成膜され、さらに、アレイ基板１１の表面を
平坦化するための有機絶縁材料からなる層間膜１９が成膜されている。
【００３４】
次いで、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により、コモン配線１４ａ上のゲー
ト絶縁膜１５及びパッシベーション膜１８を貫通するように第１のコンタクトホール２０
が形成される。この第１のコンタクトホール２０の形成には、乾式エッチング法の１種で
あるプラズマエッチング法や緩衝フッ酸による湿式エッチング法を採用し得る。これによ
り、コモン配線１４ａが露出される。
【００３５】
次いで、層間膜１９が形成された第１の透明基板１２の表面全体に亘って例えばＩＴＯ
やＩＺＯ（indium Zinc Oxide）からなる透明導電性層が被覆され、フォトリソグラフィ
ー法及びエッチング法によって、それぞれの画素毎に層間膜１９の表面に下電極２１が形
成される。このとき、それぞれの画素毎の下電極２１は第１のコンタクトホール２０を介
してコモン配線１４ａと電気的に接続される。従って、この下電極２１は共通電極として
作動する。
【００３６】
更に、下電極２１が形成された第１の透明基板１２の表面全体に亘って窒化ケイ素層な
いし酸化ケイ素層からなる絶縁膜２２が形成される。このとき、ドレイン電極Ｄ上のコン
タクトホール形成予定部分の層間膜１９の表面も絶縁膜２２によって被覆される。次いで
、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、ドレイン電極Ｄ上のコンタクトホ
ール形成予定部分の層間膜１９及び絶縁膜２２に対して第２のコンタクトホール２３が形
成される。
【００３７】
更に、絶縁膜２２が形成された第１の透明基板１２の表面全体に亘って例えばＩＴＯや
ＩＺＯからなる透明導電性層が被覆され、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によ
って、それぞれの画素毎に絶縁膜２２の表面に複数のスリット２４が形成された上電極２
５が形成される。この上電極２５は、第２のコンタクトホール２３において薄膜トランジ
スターＴＦＴのドレイン電極Ｄが電気的に接続されており、画素電極として作動する。こ
の後、表示領域３６の上電極２５を含む表面全体に配向膜（図示省略）が設けられること
により実施形態１の液晶表示装置１０のアレイ基板１１となる。なお、複数本の走査線１
３及び信号線１７により囲まれた領域が１サブ画素領域ＰＡとなる。また、アレイ基板１
１の液晶と接する面と反対側には不図示の偏光板が形成されている。
【００３８】
また、カラーフィルター基板２６は、ガラス等からなる第２の透明基板２７の表面に、
アレイ基板１１の走査線１３、信号線１７及び薄膜トランジスターＴＦＴに対応する位置
、並びに非表示領域３７を被覆するように金属材料からなる遮光膜２８が形成される。
【００３９】
更に、遮光膜２８で囲まれた第２の透明基板２７の表面には、所定の色、例えば赤（Ｒ
）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）等のカラーフィルター層２９が形成され、また、遮光膜２８及び
カラーフィルター層２９の表面が被覆されるようにオーバーコート層３０が形成されてい
る。このオーバーコート層３０は絶縁性の透明な樹脂膜からなるものであり、カラーフィ
ルター基板２６の表面をできるだけ平坦にするとともに、カラーフィルター層２９から不
純物が液晶３４内に拡散しないようにするために設けられているものである。そして、オ
ーバーコート層３０の表面には配向膜（図示省略）が形成され、本実施形態１のカラーフ
ィルター基板２６となる。
【００４０】
なお、透明基板２７の裏側、すなわち、液晶３４と接する面と反対の面には導電膜及び
偏光板が形成されるが、これらの構成の詳細については後述する。
【００４１】
また、液晶表示装置１０の延在部１２ａと反対側の辺の両側の角付近には、カラーフィ
ルター基板２６の遮光膜２８とアレイ基板１１の共通配線１４を電気的に接続するトラン
スファ電極３８が形成されている（図１参照）。そして、上述したアレイ基板１１及びカ
ラーフィルター基板２６は、例えばアレイ基板１１の表示領域３６に液晶３４が滴下され
、カラーフィルター基板２６の非表示領域３７には紫外光により硬化できる樹脂等で形成
されたシール材３５が塗布され、両基板１１、２６が張り合わされる。そして、シール材
３５に紫外光が照射されシール材３５が硬化される。なお、カラーフィルター基板２６と
アレイ基板１１の間には、両基板のセルギャップを一定に保つための不図示のフォトスペ
ーサーが形成されている。
【００４２】
次に、この張り合わされた両基板のうちのカラーフィルター基板２６の裏面、すなわち
、液晶３４と接する面と反対の面には静電シールドとして作動する低抵抗の透明導電性材
料であるＩＴＯからなる第１導電膜３１がスパッタリング等で形成される。そして第１導
電膜３１の表面には、耐腐蝕性の導電性材料であるＳｎＯ２からなる第２導電膜３２がス
パッタリング等で形成される。このとき、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、第１導電膜３
１及び第２導電膜３２は、カラーフィルター基板２６の全面を覆うように形成されるが、
第２導電膜３２には第１導電膜３１の表面に導電性ペースト４０が塗布される位置に切り
欠き部３２ａが形成されている。
【００４３】
その後、第２導電膜３２の表面に偏光板３３が糊材を介して貼り付けられ、アレイ基板
１１の延在部１２ａにドライバー４１や導電パッド３９等を設置し、カラーフィルター基
板２６の第２導電膜３２の切り欠き部３２ａから露出している第1導電膜３１の接続部３
１ａと導電パッド３９が導電性材料からなる導電性ペースト４０によって接続されること
により、本実施形態１にかかる液晶表示装置１０が完成される。また、図４Ｂには参考と
して導電パッド３９に接続されたＦＰＣ４２とこのＦＰＣ４２と接続されたＧＮＤ電位４
３を示してある。
【００４４】
このような構成とすることで、実施形態１に係る液晶表示装置では、液晶表示装置の外
部からの静電気等による不具合に対しては、第１導電膜が静電気等をこの第１導電膜に直
接接続された導電性ペーストによって効率よくＧＮＤ電位に逃がすことができるとともに
、高温高湿下における偏光板の糊剤から発生する酸により第１導電膜が溶けてしまうこと
を、耐腐食性の性質を有する第２導電膜により抑制することができる。さらに第２導電膜
は第１導電膜の導電性ペーストと接する部分以外の広い範囲を覆うことができ第１導電膜
の腐蝕を抑制することができる。そのため、信頼性の高い液晶表示装置を提供することが
できる。
【００４５】
また、実施形態１の液晶表示装置の第１導電膜に使用されているＩＴＯは、抵抗値が低
く導電性に優れているので、液晶表示装置の駆動時のノイズを軽減することができる。ま
た、実施形態１の液晶表示装置の第２導電膜に使用されているＳｎＯ２は耐腐蝕性、耐酸
性、耐熱性及び耐湿性が非常に高いので、第２導電膜が酸により溶解され難く、第２導電
膜の下層に形成されている第１導電膜が酸により溶解されることも抑制することができる
。
【００４６】
また、本実施形態１の液晶表示装置によれば、接続体に導電性ペーストを用いることに
より、第１導電膜とＧＮＤ電位との電気的な接続を容易に行うことができる。また、第１
導電膜とＧＮＤ電位との間に導電パッドを介しているが、この導電パッドとの電気的な接
続も導電性ペーストを用いることで容易に行うことができる。
【００４７】
[実施形態２]
実施形態１の液晶表示装置１０では、第２導電膜は第１導電膜と導電性ペーストが接続
される部分を除いて形成されていた場合を説明したが、実施形態２の液晶表示装置１０Ａ
では、第１導電膜だけではなく第２導電膜も導電性ペーストと接続された場合を図５及び
図６を参照して説明する。なお、実施形態２の液晶表示装置１０Ａでは、実施形態１の液
晶表示装置１０とは第２導電膜の一部の形状が異なるのみなので、実施形態１の液晶表示
装置１０と共通する構成には同一の符号を参照し、その詳細な説明は省略する。
【００４８】
図５、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、実施形態２の液晶表示装置１０Ａの第２導電膜
３２Ａは、導電性ペースト４０が塗布される部分と一部接触するように形成されている。
すなわち、第２導電膜３２Ａには、実施形態１の液晶表示装置１０と異なり導電性ペース
ト４０と一部接触する接続部３２Ａｂが設けられ、この接続部３２Ａｂと接触するように
導電性ペースト４０が塗布されている。それと共に、第１導電膜３１も導電性ペースト４
０と接触するように、第２導電膜３２Ａに切り欠き部３２Ａａが設けられている。この第
２導電膜３２Ａの切り欠き部３２Ａａから見える部分の第１導電膜３１の接続部３１ａと
も接触するように導電性ペースト４０が塗布される。
【００４９】
このような構成とすることで、実施形態２の液晶表示装置によれば、第２導電膜が直接
ＧＮＤ電位に接続されているので、積層された第１導電膜及び第２導電膜間の抵抗が大き
くなっても、第１導電膜及び第２導電膜とＧＮＤ電位間の抵抗が小さくなるので、第２導
電膜に帯電した静電気等を良好にＧＮＤ電位へ放電することができる。
【００５０】
なお、実施形態１及び２の第２導電膜は、ＳｎＯ２を主成分として形成されたものを使
用した場合を説明したが、これに限らず、ＳｎＯ２の代わりに耐腐蝕性、耐酸性、耐熱性
及び耐湿性が非常に高いＩｎ２Ｏ３を主成分として形成されたものを使用しても上記実施
形態１及び２の場合と同様の効果を得ることができる。
【００５１】
また、実施形態１及び２で使用した第１導電膜と第２導電膜がそれぞれ形成される透明
導電性材料の、透過率が近似するように形成されているようにすることが好ましい。この
ような構成とすることで、両導電膜間での透過光の屈折による表示不良を抑制することが
できる。なお、上記実施形態１及び２では、接続体として導電性ペーストを用いた場合を
説明したが、この接続体は、これに限られず、導電性の材料であれば適宜選択して用いる
ことができる。
【符号の説明】
【００５２】
１０、１０Ａ：液晶表示装置  １１：アレイ基板  １２：透明基板  １２ａ：延在部  １
３：走査線  １４：共通配線  １４ａ：コモン配線  １５：ゲート絶縁膜  １６：半導体
層  １７：信号線  １８：パッシベーション膜  １９：層間膜  ２０：コンタクトホール
２１：下電極  ２２：絶縁膜  ２３：コンタクトホール  ２４：スリット  ２５：上電
極  ２６：カラーフィルター基板  ２７：透明基板  ２８：遮光膜  ２９：カラーフィル
ター層  ３０：オーバーコート層  ３１：第１導電膜  ３１ａ：接続部  ３２、３２Ａ：
第２導電膜  ３２ａ、３２Ａａ：切り欠き部  ３２Ａｂ：接続部  ３３：偏光板  ３４：
液晶  ３５：シール材  ３６：表示領域  ３７：非表示領域  ３８：トランスファ電極  
３９：導電パッド  ４０：導電性ペースト  ４１：ドライバー  ４２：ＦＰＣ  ４３：グ
ラウンド電位  Ｄ：ドレイン電極  Ｇ：ゲート電極  Ｓ：ソース電極  ＰＡ：サブ画素領
域  ＴＦＴ：薄膜トランジスター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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