(57)【要約】【目的】気温や温度などの外乱要素にかぎらず、予め補正を行うべき時刻を正確に知ることが難しい要素に対してもビームドリフト補正が可能な描画装置を提供することを目的とする。【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビームを用いて、電子ビームを偏向させることで試料上の所望する位置にパターンを描画する描画部１５０と、装置内で他の状態から変化して生じた状態の内容を示す状態情報に基づいて、電子ビームのビームドリフト量を測定するビームドリフト量測定部５６と、測定された荷電粒子ビームのビームドリフト量を用いて補正された電子ビームを偏向させる偏向量を演算する偏向量演算７８と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
2011066054.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを用いて、前記荷電粒子ビームを偏向させることで前記試料上の所望する位置にパターンを描画する描画部と、
装置内で他の状態から変化して生じた状態の内容を示す状態情報に基づいて、前記荷電粒子ビームのビームドリフト量を測定する測定部と、
測定された前記荷電粒子ビームのビームドリフト量を用いて補正された前記荷電粒子ビームを偏向させる偏向量を演算する偏向量演算部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記状態情報が示す状態に他の状態から変化した際に前記状態情報を入力し、入力された前記状態情報に基づいてビームドリフトによる偏向量補正が必要かどうかを判定する判定部をさらに備え、
前記ビームドリフトによる偏向量補正が必要であると判定された場合に、前記ビームドリフトによる偏向量補正を行なうための動作が実行されることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記状態情報は、前記試料上に描画するパターンの状態を示す情報を含み、
前記パターンの状態の変化が閾値を超える場合に前記ビームドリフトによる偏向量補正が必要であると判断されることを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記状態情報は、ユーザによる人為的な操作により生じた所定の状態を示す情報を含み、
前記人為的な操作により生じた所定の状態を示す状態情報が入力された場合に前記ビームドリフトによる偏向量補正が必要であると判断されることを特徴とする請求項２又は３記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
前記状態情報は、装置の動作によって生じた所定の状態を示す情報を含み、
前記装置の動作によって生じた所定の状態を示す状態情報が入力された場合に前記ビームドリフトによる偏向量補正が必要であると判断されることを特徴とする請求項２〜４いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置に係り、例えば、電子ビームを用いて試料に所定のパターンを描画する描画装置における電子ビームのビームドリフト補正を行なう手法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図７は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置は以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式（ＶＳＢ方式）という。
【０００４】
ここで、例えば、描画開始により照射された上述した電子線が試料に照射することにより反射電子が発生する。発生した反射電子は、試料装置内の光学系や検出器等に衝突し、チャージアップされ、これにより新たな電界が発生する。そして、発生した新たな電界により試料へ偏向される電子線の軌道が変化する。描画時は、かかる要因を一例とする電子線の軌道の変化、すなわち、ビームドリフトが生じる。かかるビームドリフトは、一定ではないため測定せずに予測してこれを補正することが困難である。そこで、従来、ある期間を決めて、その期間経過ごとにビームドリフト量を測定の上、これを補正していた。
【０００５】
ここで、ドリフト補正に関して、予め設定された期間毎にビームドリフト補正を実施しながら、さらに、温度や気圧など所定の外乱要素の値が所定の変化量生じた場合に、期間経過に関わらずビームドリフト補正を行なう技術が文献に開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、ビームドリフト量は、ビーム照射開始直後の初期時に大きく、時間が経過すると共に除々に小さくなっていく傾向があるため、ビームドリフト量が大きい初期時（初期ドリフト時）にはドリフト補正の間隔を狭め、ビームドリフト量が小さくなるにつれてドリフト補正の間隔を長くすることも試みられている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−０４３０８３号公報
【特許文献２】特開２０００−５８４２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、従来のビームドリフト補正は、通常、予め補正を実行する間隔を設定し、かかる予め設定された期間が到来したときだけビームドリフト補正が行なわれていた。しかし、その後、本願発明者のうちの一人も発明者となっている上述した特許文献１で示されるように気温や温度などの外乱に起因してドリフトを引き起こす場合もあることが判明し、かかる外乱要素の値が所定の変化量生じた場合に、期間経過に関わらずビームドリフト補正を行なうことも行なわれた。
【０００８】
しかし、昨今のパターンの微細化、集積化に伴いビームドリフトに起因よる位置ずれ量をさらに低減させる必要性が生じている。発明者等の鋭意検討の結果、気温や温度などの外乱だけではなく、さらに、予め補正を行うべき時刻を正確に知ることが難しくビームドリフト補正を行なう時期の設定が困難な別の要因が生じたときにもビームドリフト補正を行なった方が高精度な位置に描画ができることを見出した。
【０００９】
そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、気温や温度などの外乱要素にかぎらず、予め補正を行うべき時刻を正確に知ることが難しい要素に対してもビームドリフト補正が可能な描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
荷電粒子ビームを用いて、荷電粒子ビームを偏向させることで試料上の所望する位置にパターンを描画する描画部と、
装置内で他の状態から変化して生じた状態の内容を示す状態情報に基づいて、荷電粒子ビームのビームドリフト量を測定する測定部と、
測定された荷電粒子ビームのビームドリフト量を用いて補正された荷電粒子ビームを偏向させる偏向量を演算する偏向量演算部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１１】
かかる構成により、装置内で他の状態から変化して生じた状態に基づいて、ビームドリフト補正ができる。よって、設定時期に関わらず、ビームドリフト補正ができる。また、温度や気圧以外の状態変化が生じたときでもビームドリフト補正ができる。
【００１２】
また、状態情報が示す状態に他の状態から変化した際に状態情報を入力し、入力された状態情報に基づいてビームドリフトによる偏向量補正が必要かどうかを判定する判定部をさらに備え、
ビームドリフトによる偏向量補正が必要であると判定された場合に、ビームドリフトによる偏向量補正を行なうための動作が実行されると好適である。
【００１３】
また、状態情報は、試料上に描画するパターンの状態を示す情報を含み、
パターンの状態の変化が閾値を超える場合にビームドリフトによる偏向量補正が必要であると判断されると好適である。
【００１４】
また、状態情報は、ユーザによる人為的な操作により生じた所定の状態を示す情報を含み、
人為的な操作により生じた所定の状態を示す状態情報が入力された場合にビームドリフトによる偏向量補正が必要であると判断されるようにしても好適である。
【００１５】
また、状態情報は、装置の動作によって生じた所定の状態を示す情報を含み、
装置の動作によって生じた所定の状態を示す状態情報が入力された場合にビームドリフトによる偏向量補正が必要であると判断されるようにしても好適である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、気温や温度などの外乱要素にかぎらず、予め補正を行うべき時刻を正確に知ることが難しい要素に対してもビームドリフト補正ができる。よって、より高精度な位置にパターンを描画できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】ＸＹステージ移動の様子を説明するための図である。
【図３】図１のＸＹステージの上面概念図である。
【図４】実施の形態１における電子ビームのビームドリフト補正方法の工程の要部を示すフローチャート図である。
【図５】ビームドリフトと時間との関係を示す図である。
【図６】実施の形態１におけるマークの位置の測定の仕方について説明するための図である。
【図７】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。
【００１９】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、偏向器２０８、および検出器２０９が配置されている。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料１０１には、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。また、ＸＹステージ１０５上には、試料１０１を配置する位置とは異なる位置にマーク１５２が配置されている。また、ＸＹステージ１０５上には、試料１０１を配置する位置とは異なる位置にミラー１０４が配置されている。また、ＸＹステージ１０５上の試料１０１配置位置付近およびＸＹステージ１０５内部には温度計１０８が配置される。また、電子鏡筒１０２の周辺には気圧計１０６が配置される。
【００２０】
制御部１６０は、制御計算機ユニット１１０、偏向制御回路１２０、検出回路１３０、磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２、及びレーザ測長装置３００を有する。制御計算機ユニット１１０、偏向制御回路１２０、検出回路１３０、磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２、及びレーザ測長装置３００は、図示しないバスを介して互いに接続されている。
【００２１】
制御計算機ユニット１１０内には、メモリ５１、描画データ処理部５０、イベント判定部５２、実行処理部５４、ビームドリフト量測定部５６、補正部５８、気圧測定部６２、温度測定部６４、ジョブ（ＪＯＢ）制御部６６、及び描画制御部６８が配置される。描画データ処理部５０、イベント判定部５２、実行処理部５４、ビームドリフト量測定部５６、補正部５８、気圧測定部６２、温度測定部６４、ジョブ（ＪＯＢ）制御部６６、及び描画制御部６８は、それぞれ電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。描画データ処理部５０、イベント判定部５２、実行処理部５４、ビームドリフト量測定部５６、補正部５８、気圧測定部６２、温度測定部６４、ジョブ（ＪＯＢ）制御部６６、及び描画制御部６８に入出力される情報および演算中の情報はメモリ５１にその都度格納される。
【００２２】
偏向制御回路１２０内には、加算器７２，７４、位置演算部７６、及び偏向量演算部７８が配置される。加算器７２，７４、位置演算部７６、及び偏向量演算部７８は、それぞれ電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。加算器７２，７４、位置演算部７６、及び偏向量演算部７８に入出力される情報および演算中の情報は図示しないメモリにその都度格納される。
【００２３】
記憶装置１４０には、レイアウトデータとなる描画データが装置外部から入力され、格納される。例えば、チップＡのチップデータ、チップＢのチップデータ、チップＣのチップデータ、・・・が格納される。各チップはパターン形成される。
【００２４】
ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、位置偏向用には、偏向器２０８を用いているが、主副２段の多段偏向器を用いても好適である。
【００２５】
まず、描画データ処理部５０は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行なって、描画装置１００用のフォーマットのショットデータを生成する。ショットデータは記憶装置１４２に格納される。そして、かかるショットデータを用いて描画が行なわれる。
【００２６】
電子銃２０１から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向制御回路１２０により制御された偏向器２０８により偏向されて、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。ＸＹステージ１０５の位置は、レーザ測長装置３００からレーザをミラー１０４に照射し、ミラー１０４からの反射光を受光して測長される。
【００２７】
図２は、ＸＹステージ移動の様子を説明するための図である。試料１０１に描画する場合には、ＸＹステージ１０５を図示していない駆動部によりＸ方向に連続移動させながら、描画（露光）面を電子ビーム２００が偏向可能な短冊状の複数のストライプ領域に仮想分割された試料１０１の１つのストライプ領域上を電子ビーム２００が照射する。ＸＹステージ１０５のＸ方向の移動と同時に電子ビーム２００のショット位置もステージ移動に追従させる。そして連続移動させることで描画時間を短縮させることができる。そして、１つのストライプ領域を描画し終わったら、ＸＹステージ１０５をＹ方向にステップ送りしてＸ方向（例えば今度は逆向き）に次のストライプ領域の描画動作を行なう。各ストライプ領域の描画動作を蛇行させるように進めることでＸＹステージ１０５の移動時間を短縮することができる。
【００２８】
図３は、図１のＸＹステージの上面概念図である。図３に示すように、試料１０１が載置されるＸＹステージ１０５上には、電子ビーム２００のビームドリフト量を検査するためのマーク１５２が設けられている。ここでは、温度計１０８、ミラー１０４等の図示は省略している。マーク１５２は、電子ビーム２００で走査することで位置を検出しやすいように例えば十字型の形状に形成される。
【００２９】
図４は、実施の形態１における電子ビームのビームドリフト補正方法の工程の要部を示すフローチャート図である。電子ビームのビームドリフト補正は、期間を変更しながら期間経過毎に電子ビームのビームドリフトを補正する期間単位補正工程と、描画装置１００内で他の状態から変化した特定の状態（イベント）の発生によって期間経過に関わらず電子ビームのビームドリフトを補正するイベント単位補正工程とを実施する。両者は通常独立して動作するが、後述するように、イベント単位補正工程が実施された場合には、期間単位補正工程における期間設定はリセットされ、最初の期間から実施し直すようにすると好適である。
【００３０】
図４において、実施の形態１における電子ビームのビームドリフト補正方法は、期間単位補正工程として、リセット工程（Ｓ１０２）と、期間設定工程（Ｓ１０４）と、期間判定工程（Ｓ１０６）と、実行指示工程（Ｓ１０８）と、ドリフト量測定工程（Ｓ１１０）と、ドリフト補正値演算／更新工程（Ｓ１１２）と、描画判定工程（Ｓ１１４）という一連の工程を実施する。また、実施の形態１における電子ビームのビームドリフト補正方法は、イベント単位補正工程として、イベント判定工程（Ｓ２０２）と、実行指示工程（Ｓ２０４）と、ドリフト量測定工程（Ｓ２０６）と、ドリフト補正値演算／更新工程（Ｓ２０８）と、装置運転判定工程（Ｓ２１０）という一連の工程を実施する。
【００３１】
電子ビーム２００の照射を開始すると、電子ビームはビームドリフトを起こす。
図５は、ビームドリフトと時間との関係を示す図である。図５に示すように、照射開始直後は、電子ビーム自身が持つ、或いは電子ビーム照射に起因するビームドリフト（初期ドリフト）が生じる。初期ドリフトが生じる初期ドリフト期は、ビームドリフトの変化量が大きく、時間の経過と共に、その変化量が小さくなる傾向がある。図５では、変化量が小さくなった領域を安定期として記載している。
【００３２】
そこで、実施の形態１では、期間単位補正工程として、ビームドリフトの変化量が大きい照射開始直後、言い換えると描画開始直後は、ドリフト補正を行なう時期の間隔を短くし、時間の経過と共に描画が進むにつれてドリフト補正を行なう時期の間隔を長くする。図５の例では、ドリフト補正ステップ（１）として、期間ｔ１の間隔で３回補正し、その後、ドリフト補正ステップ（２）として、ｔ１より長い期間である期間ｔ２の間隔で４回補正し、その後、ドリフト補正ステップ（３）として、ｔ２より長い期間である期間ｔ３の間隔で３回補正した後、ドリフト補正ステップ（４）として、ｔ３より長い期間である期間ｔ４の間隔で補正する。例えば、ドリフト補正ステップ（１）では、初期のビームドリフトが大きいので補正間隔の期間ｔ１を５分に設定する。ドリフト補正ステップ（２）では、ある程度ビームドリフトが減ってくるので補正間隔の期間ｔ２を１０分に設定する。ドリフト補正ステップ（３）では、さらにビームドリフトが減ってくるので補正間隔の期間ｔ３を３０分に設定する。ドリフト補正ステップ（４）では、ほとんどビームドリフトがないので補正間隔の期間ｔ４を６０分に設定する。ここで、ドリフト補正ステップを何ステップに分けるかは、所望する最適と思われる任意のステップ数で構わない。そして、各ドリフト補正ステップにおける期間ｔの長さも所望する最適と思われる任意の長さで構わない。同様に、各ドリフト補正ステップにおける補正回数も所望する最適と思われる任意の回数で構わない。
【００３３】
まず、期間単位補正工程のフローについて説明する。
【００３４】
Ｓ（ステップ）１０２において、リセット工程（Ｓ１０２）として、実行処理部５４は、ドリフト補正を行なう時期の間隔（期間）を初期化する。
【００３５】
期間設定工程（Ｓ１０４）として、実行処理部５４は、描画開始と共に、或いは描画開始前に予め定義された最初のドリフト補正ステップにおける補正期間を設定する。すなわち、図５の例では、補正期間ｔ１を設定する。
【００３６】
期間判定工程（Ｓ１０６）として、実行処理部５４は、前回のドリフト補正を実行したときからの経過時間が設定された補正期間に到達したかどうかを判定する。まだ、到達していない場合には期間判定工程（Ｓ１０６）の先頭に戻る。到達した場合にはＳ１０８に進む。
【００３７】
実行指示工程（Ｓ１０８）として、実行処理部５４は、ビームドリフト補正のための動作を実行（開始）するように実行指示（コマンド）を出力して、各制御回路に動作させる。
【００３８】
ドリフト量測定工程（Ｓ１１０）として、描画装置１００は、実行指示を受けて、描画動作を中止し、試料１０１とは別にＸＹステージ１０５上に設置されたビームキャリブレーション用のマーク１５２が対物レンズ２０７の中心位置に合うようにＸＹステージ１０５を移動させる。そして、マーク１５２の十字を電子ビーム２００で走査して、マーク１５２からの反射電子を検出器２０９で検出し、検出回路１３０で増幅し、デジタルデータに変換した上で、測定データをビームドリフト量測定部５６に出力する。ビームドリフト量測定部５６は、入力された測定データから電子ビーム２００のドリフト量を測定する。
【００３９】
図６は、実施の形態１におけるマークの位置の測定の仕方について説明するための図である。図６に示すように、ＸＹステージ１０５を移動させることでマーク１５２を所望する偏向領域１０内の各位置に移動させる。例えば、偏向器２０８で偏向可能な領域を偏向領域１０として設定すればよい。そして、偏向器２０８で偏向領域１０内の各位置に電子ビーム２００を偏向してマーク１５２上を走査してマーク位置を計測し、各位置において設定された偏向位置との残差を電子ビーム２００のドリフト量として求める。ここでは、例えば、所定の偏向領域１０内を５点×５点の合計２５箇所で行なう。主副２段偏向を行なう場合には、さらに、偏向領域１０を副偏向器で偏向可能はサブフィールド（ＳＦ）に分割して、各ＳＦの基準位置（例えば中心）に主偏向器で位置を調整したうえで、副偏向器でＳＦ内の各位置に電子ビーム２００を偏向してマーク１５２上を走査してマーク位置を計測し、各位置において設定された偏向位置との残差を電子ビーム２００のドリフト量として求めればよい。
【００４０】
ドリフト補正値演算／更新工程（Ｓ１１２）として、補正値演算部５８は、ビームドリフト量測定部５６により測定されたドリフト量に基づいて、ドリフト補正用の補正値を演算する。そして、補正部の一例となる加算器７２に出力し、補正値を更新する。加算器７２にて、ショットデータから得られる元々の設計値のデータと補正値のデータとを加算して合成し、設計データを書き換えることによりビームドリフトを補正する。そして、補正された設計データとレーザ測長装置３００により測定され、位置演算部７６により演算されたＸＹステージ１０５の位置データとを用いて偏向量演算部７８は、偏向電圧に相当する偏向量を演算し、偏向量信号を出力し、図示しないアンプでアナログデータに変化し増幅後、偏向器２０８に偏向電圧として印加する。かかる電圧に基づいて偏向器２０８は、電子ビーム２００を偏向させることになる。以上のようにして、測定された電子ビームのビームドリフト量を用いて電子ビームを偏向させる偏向量が補正される。
【００４１】
描画判定工程（Ｓ１１４）として、実行処理部５４は、描画処理が終了したかどうかを判定し、まだ、終了していなければＳ１０４に戻り、描画が終了していればフローを終了する。そして、描画処理の間、Ｓ１０４からＳ１１４を繰り返す。その際、期間設定工程（Ｓ１０４）では、図５で説明したように、該当する期間をその都度設定し、時間の経過と共に描画が進むにつれてドリフト補正を行なう時期の間隔を長くする。
【００４２】
ここで、ビームドリフトが生じる要因は上述したように期間経過だけではなく、その他の予め補正を行うべき時刻を正確に知ることが難しくビームドリフト補正を行なう時期の設定が困難なある状態変化でも生じる。よって、実施の形態１では、かかる期間単位補正工程だけではなく、イベント単位補正工程を実施する。
【００４３】
ここで、例えば、温度が変化した状態、気圧が変化した状態、描画するパターンの内容が変化した状態、ビームの照射時間が変化した状態、ユーザによる人為的な操作により描画動作を一時停止した状態、描画中に他の基板を搬送するために一時描画を停止した状態、及び描画前に行なわれる前処理時の状態等になった後に描画を行なうとビームドリフトに起因した位置誤差が生じ得ることを発明者等は見出した。パターンの内容が変化した状態として、例えば、パターンのパターン密度が変化した状態等が挙げられる。そこで、実施の形態１では、これらの状態をイベントとして検知して、これらの状態に他の状態から変化した際に、ビームドリフト補正を行なうようにする。
【００４４】
例えば、温度測定部６４が温度計１０８のデータを入力して、温度を常時或いは定期的に測定し、温度情報をイベント情報（状態情報）の１つとしてイベント判定部５２に出力する。同様に、気圧測定部６２が気圧計１０６のデータを入力して、気圧を常時或いは定期的に測定し、気圧情報をイベント情報（状態情報）の１つとしてイベント判定部５２に出力する。例えば、５〜１０分の間隔で出力する。
【００４５】
また、ＪＯＢ制御部６６は、描画装置１００に与えられたジョブ内容を制御し、例えば、上述した前処理や搬送処理やユーザによる人為的な操作を制御する。そこで、ＪＯＢ制御部６６は、前処理動作を行なった際、描画中に他の基板を搬送するために描画を一時停止する動作を行なった際、および、ユーザによる人為的な操作により描画動作を一時停止する動作を行なった際に、その都度、各動作によって生じた状態を示す情報をイベント情報（状態情報）の１つとしてイベント判定部５２に出力する。
【００４６】
また、描画制御部６８は、試料１０１を描画する際に描画データ処理部５０や偏向制御回路１２０や描画部１５０等を制御して、描画処理自体を制御する。そのために、描画データから描画されるパターンのパターン密度や各ショットの照射時間等のショット情報を取得する。そこで、描画制御部６８は、パターン密度の状態や照射時間の状態の情報をイベント情報（状態情報）の１つとしてイベント判定部５２に出力する。例えば、これらの情報は常時或いは定期的に出力する。例えば、0．１〜１ｓの間隔で出力する。
【００４７】
以上のようにして、イベント判定部５２は、期間経過ではなく、その他の時期が予測しにくい状態変化を検知する。
【００４８】
イベント判定工程（Ｓ２０２）として、イベント判定部５２は、上述したイベント情報が入力されると、入力されたイベント情報に基づいてビームドリフトによる偏向量補正が必要かどうかを判定する。具体的には、以下のように判定する。例えば、温度、気圧、パターン密度、および照射時間については、それぞれの閾値を予め設定しておき、所定の期間内での変化量がそれぞれ閾値を超えたかどうかを判定する。一方、前処理動作、描画中に他の基板を搬送するための描画の一時停止、及び、ユーザによる人為的な操作による描画動作の一時停止については、いずれかのイベント情報が入力された時点でビームドリフトによる偏向量補正が必要と判定する。そして、イベント判定部５２からビームドリフトによる偏向量補正が必要であることを示す情報（信号）を実行処理部５４に出力する。
【００４９】
実行指示工程（Ｓ２０４）として、実行処理部５４は、イベント判定部５２からビームドリフトによる偏向量補正が必要であることを示す情報を入力すると、ビームドリフト補正のための動作を実行（開始）するように実行指示（コマンド）を出力して、各制御回路に動作させる。
【００５０】
次にドリフト量測定工程（Ｓ２０６）を実施する。ドリフト量測定工程（Ｓ２０６）の内容はドリフト量測定工程（Ｓ１１０）と同様である。
【００５１】
次にドリフト補正値演算／更新工程（Ｓ２０８）を実施する。ドリフト補正値演算／更新工程（Ｓ２０８）の内容はドリフト補正値演算／更新工程（Ｓ１１２）と同様である。ドリフト補正値演算／更新工程（Ｓ２０８）後は、さらに、リセット工程（Ｓ１０２）に進み、実行処理部５４は、ドリフト補正を行なう時期の間隔（期間）を初期化する。これにより、イベント発生後の期間単位補正工程における期間が最初の期間に戻る。イベントが発生した場合には、ドリフト量が大きい可能性が高いので、期間を短くすることでこまめに補正できる。その結果、前回のドリフト補正を実施したときと次に実施したときの間のドリフト量を小さくできる。
【００５２】
装置運転判定工程（Ｓ２１０）として、実行処理部５４は、描画装置１００が運転中かどうかを判定する。描画処理を開始するに前処理を実施するので、イベントが発生し得る。よって、ここでは、イベント単位補正工程では、描画装置１００が運転中かどうかを判定する。そして、運転中である場合には、フローチャートのスタート時点に戻る。
【００５３】
以上のようにして、イベント発生をトリガとして設定時期に関わりなくドリフト補正を行なうことができる。
【００５４】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００５５】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００５６】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビームのビームドリフト補正方法及び荷電粒子ビーム描画方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５７】
１０  偏向領域
５０  描画データ処理部
５１  メモリ
５２  イベント判定部
５４  実行処理部
５６  ビームドリフト量測定部
５８  補正値演算部
６２  気圧測定部
６４  温度測定部
６６  ＪＯＢ制御部
６８  描画制御部
７２  加算器
７６  位置演算部
７８  偏向量演算部
１００  描画装置
１０１，３４０  試料
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０４  ミラー
１０５  ＸＹステージ
１０６  気圧計
１０８  温度計
１１０  制御計算機ユニット
１２０  偏向制御回路
１３０  検出回路
１４０，１４２  記憶装置
１５０  描画部
１５２  マーク
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３，４１０  第１のアパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５，２０８  偏向器
２０６，４２０  第２のアパーチャ
２０７  対物レンズ
２０９  検出器
３００  レーザ測長装置
３３０  電子線
４１１  開口
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
2011066054.tif 000003
【図２】
2011066054.tif 000004
【図３】
2011066054.tif 000005
【図４】
2011066054.tif 000006
【図５】
2011066054.tif 000007
【図６】
2011066054.tif 000008
【図７】
2011066054.tif 000009