(57)【要約】【課題】加工送り軸が割出方向に軸ブレを有していても、軸ブレを打ち消すように補正しながら加工送りするため、ワークを分割予定ラインに沿って高精度に加工できる加工装置を提供すること。【解決手段】分割予定ラインを有する半導体ウェーハＷを保持する保持テーブル４と、半導体ウェーハＷを分割予定ライン７１に沿って加工するレーザー加工ユニット３と、保持テーブル４とレーザー加工ユニット３とを相対的に分割予定ラインに沿う加工送り方向に送る加工送り機構１１と、保持テーブル４とレーザー加工ユニット３とを加工送り方向と直交する割出方向に送る割出送り機構１２とを有し、加工送り軸の割出方向への軸ブレを補正する補正テーブルを記憶し、補正テーブルに基づいて加工送り軸の軸ブレを打ち消すように割出送り機構１２を制御しながら、加工送り機構１１によって分割予定ライン７１に沿って保持テーブル４を加工送りする構成とした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割予定ラインを有するワークを保持する保持テーブルと、前記保持テーブルに保持されたワークを前記分割予定ラインに沿って加工する加工ユニットと、前記保持テーブルと前記加工ユニットとを相対的に前記分割予定ラインに沿う加工送り方向に送る加工送り機構と、前記保持テーブルと前記加工ユニットとを前記加工送り方向と直交する割出方向に送る割出送り機構と、を有する加工装置であって、
前記加工送り機構によって前記加工送り方向に前記保持テーブルと前記加工ユニットとを相対的に送った際に発生する前記保持テーブルと前記加工ユニットとの前記割出方向への位置ズレ量を各加工送り方向の位置ごとに記憶しておく記憶部と、
前記加工送り機構の加工送り位置を検出する加工送り位置検出部と、
前記割出送り機構の割出送り位置を検出する割出送り位置検出部と、
前記記憶部が記憶する各加工送り方向の位置ごとの前記保持テーブルと前記加工ユニットとの前記割出方向への位置ズレ量と、前記加工送り位置検出部によって得られる前記加工送り機構の加工送り位置と、に基づいて前記保持テーブルと前記加工ユニットとの前記割出方向への位置ズレを打ち消す様に前記割出送り機構を制御しながら前記加工送り機構によって前記分割予定ラインに沿う様に加工を行う制御部と、を有することを特徴とする加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハを切削加工する加工装置に関し、特に、高品質な半導体ウェーハを切削加工する加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウェーハ等のワークの表面に格子状に分割予定ライン（ストリート）が形成され、分割予定ラインにより区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路が形成される。そして、ワークは、加工装置により分割予定ラインに沿って切削され、個々の半導体チップに分割される。このようにして分割された半導体チップは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用される。
【０００３】
従来、半導体ウェーハを切削加工する加工装置として、保持テーブルに保持されたワークと加工ユニットとを相対移動させることにより、ワークを加工するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この加工装置は、ボールねじ式の加工送り機構によって保持テーブルを一方向に移動させ、保持テーブルに保持されたワークを、加工ユニットに対して一方向に加工送りすることにより、ワークを切削する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−２５２０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した加工送り機構は、加工ユニットに対して保持テーブルを直線状に加工送りするように設計されているが、厳密には数μｍの割出方向における軸ブレ（設計誤差）を有している。通常は、数μｍ程度の軸ブレは問題とならないが、切り代の狭いワーク等のように高品質な加工が求められるワークを精度良く加工することができなかった。また、複数台の加工装置によって一本の分割予定ラインを複数の工程で加工する場合には、前工程での加工軌跡と後工程での加工軌跡とにズレが生じて、加工不良が生じる可能性があった。
【０００６】
例えば、図７（ａ）に示すように、１台の加工装置で一本の分割予定ラインを加工する場合には、割出方向に軸ブレが生じていても加工軌跡Ａが分割予定ライン内に収まっていれば、問題は生じない。一方、図７（ｂ）に示すように、複数台の加工装置で一本の分割予定ラインを加工する場合には、複数の加工装置間で軸ブレの向きや大きさが異なると、それぞれの加工軌跡が分割予定ラインに収まっていても、後工程における加工軌跡Ｂが前工程における加工軌跡Ａ上から大きく外れるため、加工不良が生じてしまっていた。
【０００７】
本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであり、加工送り軸が割出方向に軸ブレを有していても、ワークを分割予定ラインに沿って高精度に加工できる加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の加工装置は、分割予定ラインを有するワークを保持する保持テーブルと、前記保持テーブルに保持されたワークを前記分割予定ラインに沿って加工する加工ユニットと、前記保持テーブルと前記加工ユニットとを相対的に前記分割予定ラインに沿う加工送り方向に送る加工送り機構と、前記保持テーブルと前記加工ユニットとを前記加工送り方向と直交する割出方向に送る割出送り機構と、を有する加工装置であって、前記加工送り機構によって前記加工送り方向に前記保持テーブルと前記加工ユニットとを相対的に送った際に発生する前記保持テーブルと前記加工ユニットとの前記割出方向への位置ズレ量を各加工送り方向の位置ごとに記憶しておく記憶部と、前記加工送り機構の加工送り位置を検出する加工送り位置検出部と、前記割出送り機構の割出送り位置を検出する割出送り位置検出部と、前記記憶部が記憶する各加工送り方向の位置ごとの前記保持テーブルと前記加工ユニットとの前記割出方向への位置ズレ量と、前記加工送り位置検出部によって得られる前記加工送り機構の加工送り位置と、に基づいて前記保持テーブルと前記加工ユニットとの前記割出方向への位置ズレを打ち消す様に前記割出送り機構を制御しながら前記加工送り機構によって前記分割予定ラインに沿う様に加工を行う制御部と、を有することを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、記憶部に記憶された加工送り方向の位置毎の位置ズレ量と加工送り検出部による加工送り位置の検出とにより、位置ズレ量を打ち消すように加工送り機構と割出送り機構とが制御されるため、ワークが分割予定ラインに沿って加工される。このため、加工送り軸が割出方向に軸ブレを有していても、ワークを分割予定ラインに沿って高精度に加工することができる。特に、複数台の加工装置によって一本の分割予定ラインを複数の工程で加工する場合においても、従来の構成と比較して前後の工程において加工軌跡に大きなズレが生じることがなく、加工不良の発生を防止することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、加工送り軸が割出方向に軸ブレを有していても、軸ブレを打ち消すように補正しながら加工送りするため、ワークを分割予定ラインに沿って高精度に加工できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係る加工装置の実施の形態を示す図であり、レーザー加工装置の斜視図である。
【図２】本発明に係る加工装置の実施の形態を示す図であり、レーザー加工装置による割出方向における軸ブレ量の測定例の説明図である。
【図３】本発明に係る加工装置の実施の形態を示す図であり、レーザー加工装置による補正テーブルの生成処理の説明図である。
【図４】本発明に係る加工装置の実施の形態を示す図であり、レーザー加工装置による加工送り動作の説明図である。
【図５】本発明に係る加工装置の変形例を示す図である。
【図６】本発明に係る加工装置の実施の形態を示す図であり、環状フレームに支持された半導体ウェーハの斜視図である。
【図７】本発明に係る加工装置の従来例を示す図であり、複数台の加工装置によって一本の分割予定ラインを複数の工程で加工する場合の不具合の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。最初に、本発明の実施の形態に係る加工装置について説明する前に、加工対象となる半導体ウェーハについて簡単に説明する。図６は、環状フレームに支持された半導体ウェーハの斜視図である。
【００１３】
図６に示すように、半導体ウェーハＷは、略円板状に形成されており、表面に格子状に配列された分割予定ライン７１によって複数の領域に区画されている。この区画された領域には、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス７２が形成されている。また、半導体ウェーハＷは、貼着テープ７３を介して環状フレーム７４に支持され、環状フレーム７４に支持された状態でレーザー加工装置１に搬入される。
【００１４】
なお、本実施の形態においては、ワークとしてシリコンウェーハ、ガリウムヒソ等の半導体ウェーハを例に挙げて説明するが、この構成に限定されるものではない。チップ実装用として半導体ウェーハの裏面に設けられるＤＡＦ（Die  Attach  Film）等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラス、サファイヤ（Al2O3）系の無機材料基板、ＬＣＤドライバー等の各種電気部品やミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料をワークとしてもよい。
【００１５】
次に、図１を参照して、本発明の実施の形態に係るレーザー加工装置について説明する。図１は、本発明の実施の形態に係るレーザー加工装置の斜視図である。なお、以下の構成は、本発明をレーザー加工装置に適用した例であるが、この構成に限定されるものではない。本発明は、ワークを分割予定ラインに沿って切削する加工装置であれば、どのような装置にも適用可能である。
【００１６】
図１に示すように、レーザー加工装置１は、半導体ウェーハＷにレーザービームを照射するレーザー加工ユニット（加工ユニット）３と半導体ウェーハＷを保持する保持テーブル４とを相対移動させて、半導体ウェーハＷを加工するように構成されている。レーザー加工装置１は、直方体状のベッド部５とベッド部５の上面後方に立設したコラム部６とからなる基台２を有している。コラム部６の前面には、前方に突出したアーム部７が設けられ、アーム部７の先端側にはレーザー加工ユニット３の加工ヘッド５１が設けられている。また、ベッド部５の上面には、保持テーブル４をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる保持テーブル移動機構８が設けられている。
【００１７】
保持テーブル移動機構８は、保持テーブル４を加工送り方向となるＸ軸方向に移動する加工送り機構１１と、保持テーブル４を割出方向となるＹ軸方向に移動する割出送り機構１２とを備えている。加工送り機構１１は、ベッド部５の上面に配置されたＸ軸方向に平行な一対のガイドレール１５と、一対のガイドレール１５にスライド可能に支持されたモータ駆動のＸ軸テーブル１６とを有している。
【００１８】
割出送り機構１２は、Ｘ軸テーブル１６の上面に配置されたＹ軸方向に平行な一対のガイドレール１８と、一対のガイドレール１８にスライド可能に支持されたモータ駆動のＹ軸テーブル１９を有している。Ｙ軸テーブル１９の上面には、保持テーブル４が設けられている。また、Ｘ軸テーブル１６、Ｙ軸テーブル１９の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成され、これらナット部にそれぞれボールネジ２１、２２が螺合されている。ボールネジ２１、２２の一端部には、駆動モータ２４、２５が連結され、この駆動モータ２４、２５によりボールネジ２１、２２が回転駆動される。
【００１９】
また、保持テーブル移動機構８には、加工送り方向におけるＸ軸テーブル１６の位置を検出する加工送り位置検出部３１と、割出方向におけるＹ軸テーブル１９の位置を検出する割出送り位置を検出する割出送り位置検出部３２とが設けられている。加工送り位置検出部３１は、リニアエンコーダ等で構成されており、検出器３５でベッド部５上のリニアスケール３６を読み取ることで加工送り位置を検出する。また、割出送り位置検出部３２は、加工送り位置検出部３１と同様にリニアエンコーダ等で構成され、検出器３８でＸ軸テーブル１６上のリニアスケール３９を読み取ることで割出送り位置を検出する。なお、加工送り位置検出部３１及び割出送り位置検出部３２は、光学的に位置を検出する構成としてもよいし、磁気的に位置を読み取る構成としてもよい。
【００２０】
この加工送り位置検出部３１及び割出送り位置検出部３２は、検出した加工送り位置及び割出送り位置を、基台２内の制御部５４に出力する。制御部５４は、加工送り位置及び割出送り位置に基づいてＸ軸テーブル１６及びＹ軸テーブル１９を制御することにより、保持テーブル４をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる。
【００２１】
保持テーブル４は、Ｙ軸テーブル１９の上面においてＺ軸回りに回転可能なθテーブル４１と、θテーブル４１の上部に設けられ、半導体ウェーハＷを吸着保持するワーク保持部４２とを有している。ワーク保持部４２は、所定の厚みを有する円板状であり、上面中央部分にはポーラスセラミック材により吸着面４３が形成されている。吸着面４３は、負圧により貼着テープ７３を介して半導体ウェーハＷを吸着する面であり、θテーブル４１の内部の配管を介して吸引源に接続されている。
【００２２】
ワーク保持部４２の周囲には、θテーブル４１の四方から径方向外側に延びる一対の支持アームを介して４つのクランプ部４４が設けられている。この４つのクランプ部４４は、エアーアクチュエータにより駆動し、半導体ウェーハＷの周囲の環状フレーム７４を四方から挟持固定する。
【００２３】
レーザー加工ユニット３は、アーム部７の先端に設けられ、半導体ウェーハＷにレーザービームを照射する加工ヘッド５１を有している。アーム部７内には、レーザービームを発振する発振器５２が設けられ、アーム部７内及び加工ヘッド５１内には、図示しないレーザー光学系が設けられている。加工ヘッド５１は、発振器５２から発振されたレーザービームを集光し、保持テーブル４上に保持された半導体ウェーハＷに照射する。
【００２４】
この場合、Ｙ軸テーブル１９の移動により加工ヘッド５１のレーザー出射口が半導体ウェーハＷの分割予定ライン７１に位置合わせされ、加工ヘッド５１内の集光レンズの駆動によりレーザービームの集光点が調整される。加工ヘッド５１によって半導体ウェーハＷの分割予定ライン７１にレーザービームが照射されると、Ｘ軸テーブル１６の移動により保持テーブル４が半導体ウェーハＷを保持した状態でＸ軸方向に加工送りされる。このようにして、半導体ウェーハＷは、分割予定ライン７１に沿ってレーザー加工が実施される。
【００２５】
また、レーザー加工装置１には、加工送り軸の割出方向における軸ブレ量を記憶する記憶部５５が設けられている。割出方向における軸ブレ量とは、保持テーブル４を加工ヘッド５１に対して相対的に加工送りした際に、保持テーブル４と加工ヘッド５１との割出方向における位置ズレ量を示すものである。記憶部５５は、保持テーブル４の加工送り軸上に設定された複数の加工送り位置に対して割出方向における軸ブレ量を記憶する。なお、記憶部５５は、ＨＤＤ（Hard  Disk  Drive）やＲＡＭ（Random  Access  Memory）等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。
【００２６】
制御部５４は、レーザー加工装置１の各構成部分を統括制御するものであり、各種処理を実行するプロセッサや、メモリが設けられている。制御部５４は、記憶部５５に記憶された割出方向における軸ブレ量を読み出し、各加工送り位置の補正量を算出して補正テーブルを生成する。補正テーブルは、記憶部５５または制御部５４内のメモリ等に記憶される。なお、制御部５４内のメモリは、用途に応じてＲＯＭ（Read  Only  Memory）、ＲＡＭ等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。また、メモリには、レーザー加工装置１を統括制御する制御プログラム等が記憶されている。
【００２７】
このように構成されたレーザー加工装置１においては、予め生成した補正テーブルから補正量を読み出しながら保持テーブル４を加工送りする。そして、レーザー加工装置１は、補正テーブルから読み出した補正量に基づいて、各加工送り位置における加工送り軸の軸ブレを打ち消すように保持テーブル移動機構８の駆動量を制御する。この構成により、半導体ウェーハＷが分割予定ライン７１に沿って精度良くレーザー加工される。
【００２８】
以下、図２及び図３を参照して、レーザー加工装置によるレーザー加工に先立って実施される補正テーブルの生成処理の一例について詳細に説明する。図２は、本発明の実施の形態に係るレーザー加工装置による割出方向における軸ブレ量の測定例の説明図である。図３は、本発明の実施の形態に係るレーザー加工装置による補正テーブルの生成処理の説明図である。なお、図３において、実線が実際の加工送り軸、破線が軸ブレのない基準の加工送り軸をそれぞれ示している。
【００２９】
図２に示すように、加工送り軸の割出方向における軸ブレ量の測定時には、ベッド部５に測定バー６１が取り付けられると共に、ワーク保持部４２に測定治具６２が取り付けられる。測定バー６１は、加工送り軸に対して平行に設置され、ベッド部５に立設する一対の脚部６３と、一対の脚部６３の上部を連ねる連結部６４とを有している。連結部６４の保持テーブル４側の側面は、加工送り方向に平行な平坦面であり、測定時の基準面６５になっている。
【００３０】
測定治具６２は、ワーク保持部４２の吸着面４３に保持される円板部６６と、円板部６６の半径方向に延びる矩形状の測定部６７とを有している。測定部６７の先端には、マイクロメータヘッドが設けられており、マイクロメータヘッドは測定バー６１の基準面６５に当接される。この状態で、保持テーブル４が加工送り軸上に設定された各加工送り位置に移動されることで、測定部６７により各加工送り位置の割出方向における軸ブレ量が測定される。
【００３１】
測定部６７によって測定された各加工送り位置の割出方向における軸ブレ量は、制御部５４に入力される。そして、制御部５４は、入力された各加工送り位置の割出方向における軸ブレ量に基づいて、補正量を算出する。例えば、図３（ａ）に示すように、加工送り軸上に加工送り位置Ｐ0からＰ8が設定されている場合、測定部６７の測定値により各加工送り位置Ｐ0からＰ8の割出方向における軸ブレ量Ｌ0からＬ8が測定される。そして、制御部５４は、加工送り方向に隣接する加工送り位置の割出方向における軸ブレ量の差分（Ｏn＝Ｌn−Ｌn-1  ｎ≧１,Ｏ0＝Ｌ0）をとることで、補正量Ｏ0からＯ8を算出する。制御部５４は、算出した補正量Ｏ0からＯ8を、加工送り位置Ｐ0からＰ8に関連付けて、図３（ｂ）に示すような補正テーブルを生成する。
【００３２】
次に、図４を参照して、レーザー加工装置による加工送り動作について説明する。図４は、本発明の実施の形態に係るレーザー加工装置による加工送り動作の説明図である。なお、図４において、実線が補正後の加工送り軸、破線が補正前の加工送り軸をそれぞれ示している。
【００３３】
保持テーブル４の加工送り動作が開始されると、制御部５４は、加工送り機構１１を駆動すると共に、補正テーブルに基づいて割出送り機構１２を駆動する。具体的には、図４に示すように、加工送り位置検出部３１によって加工送り位置Ｐ0が検出されると、制御部５４は、保持テーブル４が加工送り位置Ｐ0からＰ1に向かう間に、補正量Ｏ1だけブレ方向と反対に割出送り機構１２を駆動するように制御する。
【００３４】
続いて、加工送り位置検出部３１によって加工送り位置Ｐ1が検出されると、制御部５４は、保持テーブル４が加工送り位置Ｐ1からＰ2に向かう間に、補正量Ｏ2だけブレ方向と反対に割出送り機構１２を駆動するように制御する。同様に、制御部５４は、加工送り位置Ｐ3からＰ8まで割出送り機構１２による補正処理を行い、保持テーブル４を加工送りする。この場合、割出送り機構１２は、各加工送り位置における補正量の大きさに基づいて、駆動タイミングや送り速度が調整される。この構成により、各加工送り位置の割出方向における軸ブレを打ち消すように割出送り機構１２が制御され、保持テーブル４が直線的に加工送りされる。
【００３５】
なお、上記した構成では、加工送り位置検出部３１によって加工送り位置を制御部５４にフィードバックして、加工送り軸の割出方向における軸ブレを補正する構成としたが、この構成に限定されるものではない。本発明は、加工送り軸の割出方向における軸ブレを補正可能であればよく、加工送り位置検出部３１によって加工送り位置を制御部５４にフィードバックせずに、加工送り軸の割出方向における軸ブレを補正する構成としてもよい。例えば、加工送り位置は、加工送り機構１１による加工送り量や加工送り時間等によって特定可能であるため、加工送り量や加工送り時間等に基づいて加工送り軸の割出方向における軸ブレを補正する構成としてもよい。この場合、制御部５４は、加工送り量または加工送り時間と補正量とを関連付けて補正テーブルを生成する。
【００３６】
ここで、レーザー加工装置によるレーザー加工の全体動作について説明する。まず、レーザー加工装置１は、レーザー加工前に、上記した測定治具６２による測定結果に基づいて補正テーブルを生成する。このとき、補正テーブルには、加工送り軸上に設けられた複数の加工送り位置と、各加工送り位置における補正量が関連付けられている。そして、保持テーブル４に半導体ウェーハＷが保持されると、保持テーブル４がレーザー加工ユニット３の下方に移動され、レーザー加工ユニット３によりレーザー加工が開始される。
【００３７】
この場合、割出送り機構１２の駆動により加工ヘッド５１のレーザー出射口が半導体ウェーハＷの分割予定ライン７１に位置合わせされると共に、分割予定ライン７１が加工送り軸に対して平行となるように調整される。そして、加工ヘッド５１により半導体ウェーハＷにレーザービームが照射されると、加工送り機構１１の駆動により保持テーブル４が加工送りされ、半導体ウェーハＷの１本の分割予定ライン７１が加工される。このとき、保持テーブル４は、補正テーブルの補正量に基づいて割出送り機構１２によって割出方向における軸ブレを打ち消すように補正され、直線的に加工送りされる。これにより、加工送り軸が割出方向における軸ブレを有していても、分割予定ライン７１に沿って半導体ウェーハＷが精度良く加工される。
【００３８】
続いて、保持テーブル４が割出方向に数ピッチ分だけ移動され、加工ヘッド５１のレーザー出射口が隣接する分割予定ライン７１に位置合わせされる。そして、保持テーブル４が加工送りされ、半導体ウェーハＷの１本の分割予定ライン７１が加工される。この動作が繰り返されて半導体ウェーハＷの一方向の全ての分割予定ライン７１が加工される。
【００３９】
次に、保持テーブル４上の半導体ウェーハＷの一方向の全ての分割予定ライン７１が加工されると、保持テーブル４が９０度回転され、半導体ウェーハＷの一方向に直交する分割予定ライン７１の加工が開始される。そして、半導体ウェーハＷの全ての分割予定ライン７１が加工されると、レーザー加工が停止される。
【００４０】
以上のように、本実施の形態に係るレーザー加工装置１によれば、記憶部５５に記憶された加工送り位置毎の割出方向における軸ブレを打ち消すように保持テーブル移動機構８が制御されるため、半導体ウェーハＷが分割予定ライン７１に沿って加工される。このため、加工送り軸が割出方向に軸ブレを有していても、半導体ウェーハＷを分割予定ライン７１に沿って高精度に加工することができる。特に、複数台の加工装置によって一本の分割予定ライン７１を複数の工程で加工する場合においても、従来の構成と比較して前後の工程において加工軌跡に大きなズレが生じることがなく、加工不良の発生を防止することができる。
【００４１】
なお、上記した実施の形態においては、本発明をレーザー加工装置に適用した例について説明したが、図５に示す切削ブレードを有する切削装置に適用してもよい。以下、図５を参照して、変形例に係る切削装置について簡単に説明する。図５は、本発明の変形例に係る切削装置の斜視図である。
【００４２】
図５に示すように、切削装置８１は、切削ブレード８５を有する一対のブレードユニット（加工ユニット）８３と半導体ウェーハＷを保持した保持テーブル８４とを相対移動させて半導体ウェーハＷを切断するように構成されている。切削装置８１は、基台８２を有し、基台８２上には保持テーブル８４を加工送り方向となるＸ軸方向に移動させるボールねじ式の加工送り機構８６が設けられている。また、切削装置８１の基台８２上には、加工送り機構８６を間に挟んで立設した一対の支柱部８７が設けられ、一対の支柱部８７の上部には、保持テーブル８４の上方においてブレードユニット８３を移動させるボールねじ式の割出送り機構８８が設けられている。
【００４３】
この切削装置８１においても、予め生成された補正テーブルから補正量を読み出しながら保持テーブル８４が加工送りされる。切削装置８１は、補正テーブルから読み出した補正量に基づいて、加工送り軸の割出方向における軸ブレを打ち消すように割出送り機構８８が制御される。この構成により、半導体ウェーハＷが分割予定ライン７１に沿って精度良く切削加工される。
【００４４】
また、本発明は、上記したレーザー加工装置および切削装置を組み合わせて、半導体ウェーハを加工する場合に、特に有効である。例えば、本発明は、レーザー加工装置により分割予定ラインに沿って半導体ウェーハの表面に溝入れ加工した後に、切削装置により溝に沿って半導体ウェーハをフルカットする場合に、各加工工程において従来の構成と比較して前後の工程において加工軌跡に大きなズレが生じることがない。このように、複数の加工装置によって、一本の分割予定ラインを加工しても、略同一の加工軌跡を形成するため、半導体ウェーハに加工不良が生じることがない。
【００４５】
また、上記した実施の形態においては、記憶部が加工送り位置毎の割出方向における軸ブレ量を記憶する構成としたが、この構成に限定されるものではない。制御部のメモリが加工送り位置毎の割出方向における軸ブレ量を記憶する構成としてもよい。
【００４６】
また、上記した実施の形態においては、加工送り機構及び割出送り機構は、ボールねじ式の駆動機構として説明したが、この構成に限定されるものではない。加工送り機構及び割出送り機構は、保持テーブルを分割予定ラインに沿う加工送り方向、加工送り方向に直交する割出方向に移動させることができれば、どのような構成であってもよい。
【００４７】
また、上記した実施の形態においては、本発明は、半導体ウェーハの分割予定ラインに沿ってレーザー加工及び切削ブレードによる切削加工する構成としたが、この構成に限定されるものではない。本発明は、半導体ウェーハの分割予定ラインに沿って加工を施す加工装置であれば、どのような加工装置にも適用可能である。例えば、ウォータジェット加工を行う加工装置に適用することも可能である。
【００４８】
また、今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であってこの実施の形態に制限されるものではない。本発明の範囲は、上記した実施の形態のみの説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
以上説明したように、本発明は、加工送り軸が割出方向における軸ブレを有していても、ワークを分割予定ラインに沿って高精度に加工できるという効果を有し、特に、高品質な半導体ウェーハを切削加工する加工装置に有用である。
【符号の説明】
【００５０】
１  レーザー加工装置（加工装置）
３  レーザー加工ユニット（加工ユニット）
４、８４  保持テーブル
８  保持テーブル移動機構
１１、８６  加工送り機構
１２、８８  割出送り機構
３１  加工送り位置検出部
３２  割出送り位置検出部
４２  ワーク保持部
４４  クランプ部
５１  加工ヘッド
５２  発振器
５４  制御部
５５  記憶部
６１  測定バー
６２  測定治具
６５  基準面
６６  円板部
６７  測定部
７１  分割予定ライン
８１  切削装置(加工装置)
８３  ブレードユニット（加工ユニット）
８５  切削ブレード
Ｗ  半導体ウェーハ（ワーク）
【図１】
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【図２】
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【図３】
2011151117.tif 000005
【図４】
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【図５】
2011151117.tif 000007
【図６】
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【図７】
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