(57)【要約】      （修正有）【課題】素子チップに傾きを生じることなく、確実な接合が可能で、かつ信頼性の高い回路モジュールを提供する。【解決手段】表面に配線導体層１１を有する回路基板１０と、前記回路基板１０上に搭載される素子チップ２０とを具備し、前記素子チップ２０は、前記回路基板１０との対向面の一部を残すように充填された接着部材１４を介して前記回路基板１０に固着された回路モジュールを構成する。この構成により、素子チップ２０一部に接着部材１４が形成されているため、回路基板１０が熱変形や外力による変形をおこしても、接触面積が小さい分、素子チップ２０にあたえる応力が小さくなるため、誤検知を防ぐことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に配線導体層を有する回路基板と、
前記回路基板上に搭載される素子チップとを具備し、
前記素子チップは、前記回路基板との対向面の一部を残すように充填された接着部材を介して前記回路基板に固着された回路モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の回路モジュールにおいて、
前記素子チップは、前記回路基板との対向面に選択的に塗布形成された接着部材を介して前記回路基板に固着された回路モジュール。
【請求項３】
請求項１に記載の回路モジュールにおいて、
前記素子チップは、前記回路基板との対向面に、接着部材の付着を抑制する付着抑制層を有する回路モジュール。
【請求項４】
請求項３に記載の回路モジュールにおいて、
前記付着抑制層は、レジスト膜である回路モジュール。
【請求項５】
請求項１に記載の回路モジュールにおいて、
前記回路基板は、前記素子チップとの対向面に、凹部を有し、
前記凹部内に接着部材を充填することで前記素子チップが固着された回路モジュール。
【請求項６】
請求項１に記載の回路モジュールにおいて、
前記回路基板は、前記素子チップとの対向面に、凸部を有し、
前記凸部の頂面およびその周辺に、選択的に接着部材が介在することで前記素子チップが固着された回路モジュール。
【請求項７】
請求項１に記載の回路モジュールにおいて、
前記回路基板は、前記素子チップとの対向面に、凸部を有し、
前記凸部の頂面と前記素子チップとが当接することで、前記素子チップの前記回路基板に対する方位が規定される回路モジュール。
【請求項８】
請求項７に記載の回路モジュールにおいて、
前記凸部は、互いに離間して設けられた３個の突起で構成された回路モジュール。
【請求項９】
請求項７に記載の回路モジュールにおいて、
前記凸部は、環状突起である回路モジュール。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の回路モジュールであって、
前記回路モジュールは、ジャイロセンサモジュールを構成する回路モジュール。
【請求項１１】
請求項１乃至１０に記載の回路モジュールの製造方法であって、
表面に配線導体層を有するとともに、素子搭載領域を有する回路基板を用意する工程と、
前記回路基板の前記素子搭載領域の一部に接着部材を供給する工程と、
前記素子搭載領域に素子チップを配する工程と、
前記素子チップを押圧しながら、前記回路基板を加熱し固着する工程と、
を含む回路モジュールの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の回路モジュールの製造方法であって、
前記接着部材を供給する工程は、前記接着部材抑制領域としてレジストパターンを形成し、前記レジストパターン形成領域で規定された領域に選択的に接着部材を供給する工程を含む回路モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路モジュールおよびその製造方法に係り、特に、回路基板上へのチップの実装に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、セラミックス、樹脂などの成形基板、あるいは絶縁層の間に内部導体層が形成されてなる積層基板などの基板と、この基板の表面に形成され且つ内部導体層と電気的に接続された表面導体層と、を有する回路基板に、キャビティを設けるととともに、このキャビティに半導体チップなどの素子部を形成したものが、広く用いられている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、凹凸が設けられた立体回路基板に半導体チップを搭載し、立体回路基板と半導体チップの凸部回路パターンとの間に封止樹脂を塗布して実装したものが提案されている。
【０００４】
また、特許文献２では、回路基板上に搭載される素子チップの基準面が実装基板に対して垂直な方向を向くように、垂直実装される回路モジュールも提案されている（特許文献２）。
【０００５】
例えば、図２０（ａ）及び（ｂ）に示すように回路基板１１０に形成された凹部にセンサチップ１２０を搭載しボンディングワイヤ１１２で回路基板１１０上の配線導体層１１１ｐに接続したものが提案されている。このような回路モジュールでは、一般的にはセンサチップ１２０と回路基板１１０との間に、接着層１２１を介在させ、固定する方法が用いられる。
回路基板１１０上に形成された配線導体層（ダイパッド１１１ｄ）上に、センサチップ１２０を載置した時には正しく設置できたとしても、熱負荷がかかると、センサチップ１２０と回路基板１１０との間の熱膨張率差の影響で熱応力が発生し、その結果センサチップ側に負荷がかかり、センサチップが誤検知を生じる原因となることがあった。
【０００６】
そこで、図２１に示すように、接着層１２１を部分的に介在させる方法も提案されているが、センサチップ実装後において、回路基板１１０に対しセンサチップ１２０に傾きが生じることがあった。
【０００７】
例えば接着層を半田で構成する場合、半田溶融から凝固過程においてセンサチップ１２０を引き付ける力が発生し、水平度を確保するのが困難であった。
【０００８】
特に、加速度センサあるいはジャイロセンサなど、一般にＸＹＺの３軸方向の特性を得るようなチップ部品を、回路基板に搭載する場合、回路モジュールは、チップ部品が斜めに傾くと、傾き角θの値が大きければ大きいほど本来得ようとする値とのずれが大きくなる。このため傾き角θをできるだけ小さくする必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−２０７４０６号公報
【特許文献２】特許３２２４７９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このように、従来の素子チップの回路基板への実装に際しては、接着層を接着面全体に形成すると、素子チップと回路基板との熱膨張率の差に起因して、素子チップに負荷がかかり誤動作や破損の原因となっていた。
また、接着層を部分的に形成すると、固着時に素子チップに傾きが生じ易いという問題があった。
特に、このようにして形成した回路モジュールを実装基板に対して垂直実装しようとすると、スナップラインにおける実装面の突出により、回路基板がある角度θで斜めに傾いた状態となり、センサモジュールの場合は、測定誤差が大きくなるという問題があった。
【００１１】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、素子チップに傾きを生じることなく、確実な接合が可能で、かつ信頼性の高い回路モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
そこで本発明は、表面に配線導体層を有する回路基板と、前記回路基板上に搭載される素子チップとを具備し、前記素子チップは、前記回路基板との対向面の一部を残すように充填された接着部材を介して前記回路基板に固着された回路モジュールを構成する。
この構成により、素子チップ一部に接着部材が形成されているため、回路基板が熱変形や外力による変形をおこしても、接触面積が小さい分、素子チップに与える応力が小さくなるため、誤検知を防ぐことができる。このため、ジャイロセンサなど方向性を維持する必要のあるデバイスの場合においても、熱負荷がかかっても素子チップ側に負荷がほとんどかからないため、素子チップが傾いたり、損傷を受けたりすることがない。誤動作の大幅な低減をはかることができる。
【００１３】
また、本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記素子チップは、前記回路基板との対向面に選択的に塗布形成された接着部材を介して前記回路基板に固着されたものを含む。
この構成により、あらかじめ回路基板の一部に接着部材を塗布しておくことで、回路基板との対向面の一部が選択的に接続することができる。
【００１４】
また、本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記素子チップが、前記回路基板との対向面に、接着部材の付着を抑制する付着抑制層を有するものを含む。
この構成により、接着部材の存在領域を付着抑制層により確実に規制することができる。
【００１５】
また、本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記付着抑制層が、レジスト膜であるものを含む。
この構成により、レジスト膜パターンの形成により、高精度の付着抑制層パターンを形成することができる。
【００１６】
また、本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記回路基板は、前記素子チップとの対向面に、凹部を有し、前記凹部内に接着部材を充填することで前記素子チップが固着されたものを含む。
この構成により、確実な接合が可能となり、かつ凹部の外側は接着部材の存在しない領域となっており、接着部材の存在領域を凹部で効率よく規制することができる。そしてさらに、素子チップと回路基板との熱膨張率の差に起因する応力をこの接着剤の存在しない領域に逃がすことができる。また接着部材のはみ出しがないようにすることができるため、美観を保持することができる。
【００１７】
また、本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記回路基板は、前記素子チップとの対向面に、凸部を有し、前記凸部の頂面およびその周辺に、選択的に接着部材が介在することで前記素子チップが固着されたものを含む。
この構成により、凸部の存在により、凸部の頂面およびその周辺により選択的に接続がなされているため、高さの制御も有効となる。
【００１８】
また、本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記回路基板は、前記素子チップとの対向面に、凸部を有し、前記凸部の頂面と前記素子チップとが当接することで、前記素子チップの前記回路基板に対する方位が規定されるものを含む。
この構成により、凸部の間にある凹部に接着部材を充填し、効率よく選択的に接続を実現することができる。
【００１９】
また、本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記凸部は、互いに離間して設けられた３個の突起で構成されたものを含む。
この構成により、３個の突起によって、素子チップの面を支持することができるため、面方位を、正しく規定することができる。
【００２０】
また、本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記凸部は、環状突起であるものを含む。
この構成により、環状突起の内部に接着部材を充填することで容易に素子チップと回路基板の選択的接合が実現される。
【００２１】
また、本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記素子チップが、裏面側で前記配線導体層に接続され、ワイヤボンディング接続されたものを含む。
この構成により、凹部内に接着部材を充填し、この上に素子チップを搭載し、ワイヤボンディングを行うようにすればよいため、素子チップ搭載時には高精度の位置合わせが不要であり、実装作業性が良好である。
【００２２】
また、本発明は、前記回路モジュールは、ジャイロセンサモジュールを構成するものを含む。
この構成により、素子チップの方位により、測定値が変動する、ジャイロセンサモジュールなどにおいても、信頼性の高い測定値を出力するような実装が実現可能である。
【００２３】
また、本発明の回路モジュールの製造方法は、表面に配線導体層を有するとともに、素子搭載領域を有する回路基板を用意する工程と、前記回路基板の前記素子搭載領域の一部に接着部材を供給する工程と、前記素子搭載領域に素子チップを配する工程と、前記素子チップを押圧しながら、前記回路基板を加熱し固着する工程と、を含む。
この構成により、素子チップと回路基板との一部が導電性接着剤などの接着部材を介して接続されるように、加圧しながら固着しているため、電気的接続も実現され、確実な接続が実現される。また接着部材のはみ出しがないため、美観を保持することができる。
【００２４】
また、本発明は、上記回路モジュールの製造方法において、前記接着部材を供給する工程は、前記接着部材抑制領域としてレジストパターンを形成し、前記レジストパターン形成領域で規定された領域に選択的に接着部材を供給する工程を含む。
この構成により、簡単に接着部材抑制領域を形成することができる。
【００２５】
また、本発明は、上記回路モジュールの製造方法において、前記回路基板を固着する工程後、前記素子チップを押圧しつつ、ワイヤボンディングにより、前記回路基板と前記素子チップとを電気的に接続する工程を含む。
この構成により、素子チップを回路基板上に接続する際には位置決め精度を要することなく、効率のよい、接続が実現される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、素子チップと回路基板との間の接着部材が、部分的にしか介在しないため、熱負荷が低減される。また熱負荷がかかっても素子チップ側に負荷がかかりにくいため、素子チップが傾いたり、損傷を受けたりすることがない。このため、ジャイロセンサなど方向性を維持する必要のあるデバイスの場合においても、誤動作の大幅な低減をはかることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施の形態１の回路モジュールを示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図
【図２】本発明の実施の形態１の回路モジュールの製造工程を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図
【図３】本発明の実施の形態１の回路モジュールの製造工程を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態１の回路モジュールの製造工程を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態の変形例の回路モジュールを示す断面図
【図６】本発明の実施の形態２の回路モジュールを示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図
【図７】本発明の実施の形態２の回路モジュールの製造工程を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図
【図８】本発明の実施の形態２の回路モジュールの製造工程を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図
【図９】本発明の実施の形態２の回路モジュールの製造工程を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図
【図１０】本発明の実施の形態２の回路モジュールの製造工程を示す断面図
【図１１】本発明の実施の形態２の回路モジュールの製造工程を示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態２の変形例の回路モジュールを示す断面図
【図１３】本発明の実施の形態３の回路モジュールを示す断面図
【図１４】同回路モジュールに用いられる回路基板の上面図
【図１５】本発明の実施の形態４の回路モジュールを示す断面図
【図１６】同回路モジュールに用いられる回路基板の上面図
【図１７】本発明の実施の形態５の回路モジュールを示す断面図
【図１８】本発明の実施の形態５の回路モジュールの変形例を示す断面図
【図１９】本発明の実施の形態６の回路モジュールを示す断面図
【図２０】従来例の回路モジュールを示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図
【図２１】従来例の回路モジュールを示す図
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１（ａ）および（ｂ）は本発明の実施の形態１の回路モジュールを示す説明図であり、図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。図２乃至図４は同回路モジュールの実装工程を示す図である。
本実施の形態の回路モジュール１は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、素子搭載領域に相当する領域に、素子搭載面積よりも大きい凹部１３Ｓを有するとともに、表面に配線導体層１１を有する、樹脂基板からなる回路基板１０と、この回路基板１０上に搭載されるジャイロセンサ用の素子チップ２０とを具備している。そしてこの素子チップ２０は、凹部１３Ｓに設けられた配線導体層１１のうちダイパッド１１ｄの一部を残して塗布された接着部材１４を介してこの回路基板１０に固着される。この凹部１３Ｓ内ではこの接着部材１４としての半田を介して、素子チップ２０が、配線導体層１１のうちダイパッド１１ｄに接合されており、凹部１３Ｓの周縁近傍には、ボンディングパッド１１ｐが設けられ、素子チップ２０表面のパッド２１と、回路基板１０表面の配線導体層１１のボンディングパッド１１ｐとが、ボンディングワイヤ１２を介して接続され、電気的接続がなされている。
この実装構造においては、接着部材１４は、ジャイロセンサ用の素子チップ２０の底面の一部所定寸法だけ残して小さく形成されている。この接着部材１４としての半田の形成領域は、あらかじめダイパッド１１ｄに半田を供給するに際し、ダイパッドの一部に半田を供給することで、接着部材による接着面積を規定する。
そして、必要に応じて封止樹脂（図示せず）で被覆されている。
【００２９】
次に、この回路モジュール１の製造方法について説明する。
まず、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、射出成型により素子搭載領域を囲むように凹部１３Ｓを有する樹脂基板（１０）を形成する。ここで図２（ａ）は図２（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
【００３０】
そして、この樹脂基板の表面に配線導体層１１を形成する。この配線導体層１１のうち、凹部１３Ｓの周縁部に形成されるパターンは、ボンディングパッド１１ｐを構成しており、凹部１３の中央部に形成されるパターンは、前記配線導体層と前記素子チップの裏面とを接続するためのダイパッド１１ｄを構成する。
【００３１】
次いで、接着部材１４として、このダイパッド１１ｄに対して選択的に少量の半田を供給する。
【００３２】
一方、素子チップ２０の裏面側は鏡面研磨により平滑度を高めておく。
この状態で、図３に示すように、素子チップ２０を位置合わせし、吸着ノズル３０を用いて回路基板１０上に配置し、吸着ノズル３０で加圧しつつ、加熱し、半田を硬化させる。
【００３３】
このとき、半田１４を介して回路基板１０および素子チップ２０の、確実な接合が可能となる。そしてダイパッド１１ｄの一部を残して半田が形成されているため、接合面積が小さく、素子チップと回路基板との熱膨張率の差に起因する応力も小さい。また接着部材のはみ出しがないため、美観を保持することができる。
【００３４】
こののち、図４に示すように、ワイヤボンディングにより、素子チップ２０のパッド２１と回路基板１０上のボンディングパッド１１ｐとをボンディングワイヤ１２を介して電気的接続を行う。そしてワイヤボンディング後、素子チップ２０を加圧しながら保持していた吸着ノズル３０を外し、図１及び図２に示した回路モジュールが完成する。
【００３５】
以上のように、本発明の回路モジュールによれば、配線導体層で構成されるダイパッドの一部に対してのみ、接着部材１４が形成され、ダイパッド１１ｄと前記素子チップ２０とが電気的に接続されているため、接着部材の存在しない領域が存在していることで、素子チップと回路基板との熱膨張率の差に起因する応力の発生領域が小さくなり、反りや歪の発生を低減することができる。また、接着部材のはみ出しがないため、美観を保持することができる。
【００３６】
さらにまたセンサを構成する素子チップ２０と、回路基板との間の接合部材である半田が部分的にしか介在しないため、熱負荷がかかっても素子チップ側への負荷は極めて小さく、誤動作が大幅に低減される。
【００３７】
また、半田溶融時には吸着ノズル３０などのツールを用いて素子チップを固定し、そのまま硬化させ、硬化した後、ツールを解放するため、＋−１度の精度でセンサに傾きを生じることもなく、良好な姿勢角を維持することができる。
【００３８】
なお、このツールはチップ割れの発生を回避するために、０．９８０６６５Ｎ（１００ｇｆ）以下の低荷重とするのが望ましい。
【００３９】
なお、前記実施の形態では、素子チップ２０の周縁部に半田をディスペンサで、供給量を制御しながら、供給することで、素子チップ２０に、均一に負荷がかかるようにすることができる。この半田を供給する領域については、必ずしも周縁部に限定されるものではなく、適宜調整可能である。
【００４０】
ここで回路基板１０を形成するための樹脂基板上への配線導体層１１の形成に際しては以下の方法がとられる。
まず、この樹脂基板（１０）の表面の全面に、無電解めっきあるいはＣＶＤやスパッタリング等を行うことにより導電性薄膜からなる下地層を形成する。ここでは無電解の銅めっきあるいはスパッタリングによる銅薄膜を形成する。そして、樹脂基板（１０）の表面にレーザビームを照射することで当該照射部分の下地層をパターニングし選択的に除去する。ここでレーザビームは、ガルバノミラー等で走査することにより配線導体層１１の輪郭に沿って樹脂基板の表面を移動しつつ照射され、下地層のうち配線導体層１１のパターンに一致した部分と配線導体層１１のパターンに一致しない部分との境界領域の下地層を除去する。従って、樹脂基板（１０）の表面にはレーザビームが照射された輪郭内側の下地層（配線導体層１１のパターンに一致した下地層）と、下地層の輪郭に沿った部分のみがレーザビーム照射で除去された下地層（図示せず）とが残ることになる。但し、隣接する配線導体層１１の間隔が狭い場合においては、上述のように輪郭部分だけでなく配線導体層１１間の下地層を全てレーザビーム照射で除去することも可能である。
【００４１】
続いて、配線導体層１１のパターンに一致した下地層の上に電気めっきにより銅などのめっき層を厚付けすることで配線導体層１１を形成し、パターンに一致した下地層（１１ｄ）以外の不要なめっき層をエッチングで除去すれば、内部導体層（図示せず）と配線導体層１１により所望の回路が形成された回路基板１０を得ることができる。ここで、めっき層を形成する電気めっきを行うには、このようにエッチングでパターニングされた下地層を直流電源の陰極に接続し電気めっき浴に樹脂基板（１０）を浸漬した状態で給電する必要があり、回路基板１０の内部導体層を給電路として用いるようにしてもよい。そのために樹脂基板が積層基板であるときには、内部導体層と電気的に接続された給電用のビアホールを積層基板の長手方向両端部に設け、積層基板の周縁部に形成した矩形枠状の給電用の表面導体層に直流電源の陰極を接続することで、給電用の表面導体層からビアホール、内部導体層を介して（パターンに一致した）下地層に給電することもできる。
【００４２】
従って、複数の絶縁層間に内部導体層を有する積層基板を用いた場合には、絶縁層の間に形成されている内部導体層を介して下地層に給電することにより電気めっきを行い、めっき層を厚付けすることにより配線導体層となる表面導体層を形成するため、積層基板の表面に形成される配線導体層の形状や配置の自由度が高いという利点がある。なお、下地めっき層をエッチングで除去するいわゆるソフトエッチング後、最後にニッケルめっき層を介して金めっき層（図示せず）を形成し、プリント配線基板上の配線パターンと接続性の良好な表面導体層を形成するようにしてもよい。
【００４３】
なお、前記実施の形態では、半田を所定の領域に選択的に形成したが、図５に変形例を示すように、あらかじめ、ソルダレジストなどのレジスト層など、半田濡れ性の良くない層でパターンを形成しておき、このパターンを抑制層Ｒとして、半田１４を供給する領域を規定するようにすることができる。
【００４４】
（実施の形態２）
次に本発明の形態２について説明する。図６（ａ）および（ｂ）は本発明の実施の形態２の回路モジュールを示す説明図であり、図６（ａ）は、図６（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。図７乃至図１１は同回路モジュールの実装工程を示す図である。
本実施の形態の回路モジュールは、前記実施の形態１の回路モジュールが、立体回路基板上の平坦面である素子搭載領域に選択的に接着部材１４を形成し、選択的に接触するようにしたが、本実施の形態では、平板状の基板の、素子搭載領域に凹部１３を形成した回路基板１０を用いた点で前記実施の形態１と異なる。他部については前記実施の形態１と同様に形成されている。
【００４５】
すなわち、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、表面に配線導体層１１を有するとともに、素子搭載領域に凹部１３を有する樹脂基板からなる回路基板１０と、この回路基板１０上に搭載されるジャイロセンサ用の素子チップ２０とを具備している。そしてこの素子チップ２０は、この凹部１３内に充填された接着部材１４を介してこの回路基板１０に固着される。この凹部１３内ではこの接着部材１４としての半田を介して、素子チップ２０が、配線導体層１１のうちダイパッド１１ｄに接合されており、凹部１３の周縁部ではこのダイパッド１１ｄと素子チップ２０裏面とは接着剤を介することなく直接接合によって接合され、電気的接続がなされている。
【００４６】
この実装構造においては、凹部１３は、ジャイロセンサ用の素子チップ２０よりも所定寸法だけ小さく形成されている。
そして、素子チップ２０表面のパッド２１と、回路基板１０表面の配線導体層１１で構成されたボンディングパッド１１ｐとが、ボンディングワイヤ１２を介して接続されている。あとは必要に応じて封止樹脂（図示せず）で被覆されている。
【００４７】
次に、この回路モジュール１の製造方法について説明する。
まず、図７（ａ）および（ｂ）に示すように、射出成型により素子搭載領域に凹部１３を有する樹脂基板（１０）を形成する。ここで図７（ａ）は図７（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
【００４８】
そして、図８（ａ）および（ｂ）に示すように、この樹脂基板（１０）の表面に配線導体層１１を形成する。この配線導体層１１のうち、凹部１３内に形成されるパターンは、凹部１３からその周縁部表面にかけて連続して形成されており、前記配線導体層１１と前記素子チップ２０の裏面とを接続するためのダイパッド１１ｄを構成する。ここで図８（ａ）は図８（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
【００４９】
次いで、図９（ａ）および（ｂ）に示すように、接着部材１４として、このダイパッド１１ｄの凹部１３内に接着部材１４としての半田を充填する。ここでも図９（ａ）は図９（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
【００５０】
一方、素子チップ２０の裏面側は鏡面研磨により平滑度を高めておく。
この状態で、図１０に示すように、素子チップ２０を位置合わせし、凹部１３を覆うように、吸着ノズル３０を用いて回路基板１０上に配置し、吸着ノズル３０で加圧しつつ、加熱し、半田を硬化させる。
【００５１】
このとき、半田１４を介して回路基板１０および素子チップ２０の、確実な接合が可能となる。そして凹部１３内に接着部材（半田）１４が充填されており、接着部材１４の存在しない領域では、素子チップと回路基板との熱膨張率の差に起因する応力をうけない。また、応力が発生したとしても、接着剤の存在しない領域に逃がすことができる。また鏡面加工を施しておくことで、横方向の滑りにより、応力を逃がすことも可能である。従って、素子チップと回路基板とのなす角を精度よく維持することができる。ジャイロセンサの場合、＋−１度の範囲の精度を必要とするが、この構成によれば十分に精度を維持することができる。
また、凹部内では素子チップ２０と回路基板１０とが導電性接着剤などの接着部材１４を介して接続され、凹部の周縁部では、素子チップと回路基板とが直接接合などにより接触しているため、電気的接続も実現され、確実な接続が実現される。また接着部材のはみ出しがないため、美観を保持することができる。
【００５２】
こののち、図１１に示すように、ワイヤボンディングにより、素子チップ２０のパッド２１と回路基板１０上のボンディングパッド１１ｐとをボンディングワイヤ１２を介して電気的接続を行う。そしてワイヤボンディング後、素子チップ２０を加圧しながら保持していた吸着ノズル３０を外し、図６及び図７に示した回路モジュールが完成する。
【００５３】
以上のように、本発明の回路モジュールによれば、配線導体層１１が、凹部１３内から前記回路基板１０表面にかけて連続して形成されており、前記配線導体層１１と前記素子チップ２０とが電気的に接続されているため、電気的接続を行う面の面積は確保されており、凹部を含む面内で確実な接続が達成される。かつ接着部材１４の存在しない領域が存在しているため、素子チップ２０と回路基板１０との熱膨張率の差に起因する応力を低減することができる。また、たとえば凹部１３内では素子チップ２０と回路基板１０とが半田などの接着部材１４を介して接続され、凹部１３の周部では、素子チップ２０と回路基板１０とが直接接合などにより接触しているため、電気的接続も実現され、確実な接続が実現される。また接着部材１４のはみ出しがないため、美観を保持することができる。
【００５４】
さらにまたセンサを構成する素子チップ２０と、回路基板１０との間の接合部材である半田が部分的にしか介在しないため、熱負荷がかかっても素子チップ２０側にかかる負荷は小さく、誤動作が大幅に低減される。
【００５５】
また、半田溶融時には吸着ノズルなどのツールを用いて素子チップを固定し、そのまま硬化させ、硬化した後、ツールを解放するため、センサに傾きを生じることもなく、良好な姿勢角を維持することができる。
【００５６】
なお、ここでもツールはチップ割れの発生を回避するために、０．９８０６６５Ｎ（１００ｇｆ）以下の低荷重とするのが望ましい。
【００５７】
なお、前記実施の形態では、凹部１３全体に接着部材としての半田を充填したが、図１２に示すように、一部を残して充填するようにしてもよい。これにより、応力が発生したとしても、効率よく、空隙Ｃに逃がすことができる。また鏡面加工を施しておくことで、横方向の滑りにより、応力を逃がすことも可能である。
【００５８】
また、前記実施の形態では、回路基板１０に、素子チップ２０よりも小さく、ほぼ四角形をなすように形成された凹部１３を覆うように素子チップ２０を搭載したが、凹部の形状については、実施の形態に限定されるものではなく、凹部１３に代えて、素子チップ２０よりも小幅の貫通溝としてもよい。さらにまた接着部材１４としては半田に限定されることなく銀ペーストなどの導電性接着剤でもよい。
【００５９】
この構成により、貫通溝の２方が開放空間となっているため、放熱性が良好である。また、空気の排出口があるため、ガスが残留して接着部材内にボイドができるのを防ぐことができる。また前記実施の形態２と同様、貫通溝内では素子チップ２０と回路基板１０とが導電性接着剤である銀ぺーストなどの接着部材１４を介して接続され、貫通溝の側壁の周縁部では、素子チップ２０と回路基板１０とが直接接合により接触している。このため、電気的接続が確実に実現される。
【００６０】
（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３について説明する。
図１３は本発明の実施の形態３の回路モジュールを示す断面図である。
本実施の形態では回路基板１０の素子搭載領域に凹部１３Ｓを形成した点では前記実施の形態１と同様であるが、本実施の形態ではこの素子搭載領域に選択的に凸部１０Ｔを形成しておき、この上にダイパッド１１ｄを構成する配線導体層を形成し、この上層に接着部材１４として銀ペーストを供給し、銀ペーストの粘度を調整し流動性を制御することで、凸部１０Ｔ間領域に低い部分を形成し、この上に搭載される素子チップ２０との間に空隙Ｃを形成したことを特徴とする。
【００６１】
他の構成については前記実施の形態１と同様であるため、ここでは説明を省略する。
なお、素子チップの方向性を維持するために凸部は、三角形の頂点を構成する位置に配するようにしてもよい。また凸部は環状に形成してもよい。
この構成によっても、接着部材の形成領域を容易に規定することができ、外観も優れたものとなる。
また、この凸部１０Ｔ（突起）は、図１４に平面図を示すように、三角形の頂点を構成する位置に配するようにしてもよい。このように凸部１０Ｔを三点配置することで、この凸部１０Ｔはいずれも接着部材１４で覆われる。従って、凸部１０Ｔに対応する領域の接着部材１４が高くなり、素子チップの方向性を良好に維持することができる。
つまり、回路基板１０は、素子チップ２０との対向面に、３個の突起で構成された凸部１０Ｔを有し、前記凸部１０Ｔの頂面と前記素子チップ２０とが当接することで、前記素子チップ２０の前記回路基板１０に対する方位が規定されるものを含む。
この構成により、３個の突起によって、素子チップ２０の面を支持することができるため、面方位を、正しく規定することができ、また凸部の間にある凹部に接着部材を充填し、効率よく選択的に接続を実現することができる。
また、凸部の形状を調整し、接着部材１４が環状となるようにに形成してもよい
【００６２】
(実施の形態４)
さらにまた前記実施の形態３では凸部１０Ｔに配線導体層を形成し、ダイパッド１１ｄを構成したが、図１５に示すように、凸部で囲まれた内部領域にダイパッド１１ｄを構成する配線導体層１１を形成するようにしてもよい。この場合、接着部材１４は、凸部１０Ｔで囲まれた内部領域のダイパッド１１ｄに間隙を形成する程度に少量を充填するようにしてもよい。
【００６３】
ここでは、図１６にここで用いられる回路基板の平面図を示すように凸部１０Ｔを環状に形成しこの環状部内に接着部材１４を形成してもよい
すなわち、回路モジュールにおいて、凸部１０Ｔを、環状突起で構成し、この環状部の内部に接着部材を充填する。
この構成により、環状突起の内部に接着部材を充填することで容易に素子チップと回路基板の選択的接合が実現される。
【００６４】
この構成によっても、接着部材の形成領域を容易に規定することができ、外観も優れたものとなる。
【００６５】
(実施の形態５)
さらにまた前記実施の形態３では、素子形成領域に突出するように凸部１０Ｔを形成子、この凸部１０Ｔ間に接着部材を供給することで、接着部材の素子チップとの当接面積を小さくするようにしたが、図１７に示すように、素子搭載領域に凹部１３を形成し、この凹部１３内に接着部材１４を充填するようにしてもよい。
この場合、接着部材１４は、ダイパッド１１ｄの中心部に、樹脂基板（１０）に到達するように形成された凹部１３に充填された接着部材１４で素子チップ２０の一部と当接するように構成されているため、確実な接合が可能となり、かつ凹部１３の外側は接着部材の存在しない領域となっており、接着部材１４の存在領域を凹部１３で効率よく規制することができる。そしてさらに、素子チップと回路基板との熱膨張率の差に起因する応力をこの接着剤の存在しない領域に逃がすことができる。また接着部材１４のはみ出しがないようにすることができるため、美観を保持することができる。
【００６６】
なお、変形例として、図１８に示すように、配線導体層１１で構成されたダイパッド１１ｄを凹部内にも形成することで、電気的な接続性を高めることができる。
【００６７】
（実施の形態６）
次に、本発明の実施の形態６について説明する。
図１９は本発明の実施の形態６の回路モジュールを示す断面図である。
前記実施の形態１乃至５では、ワイヤボンディングによる接続を行ったが、本実施の形態ではフリップチップ接続により接続するものである。
本実施の形態では、図１９に示すように、回路基板１０の小さい凹部１０Ｒを囲むように、ボンディングパッド１１ｐが、配列されており、小さい凹部１０Ｒ内には絶縁性樹脂からなる接着部材２４を充填し、電気的接続はボンディングパッド１１ｐに対して、素子チップ２０表面に形成されたバンプ２３を介して実現したことを特徴とするものである。
他の構成については前記実施の形態１乃至５と同様に形成されているため、ここでは説明を省略する。
【００６８】
本実施の形態の回路モジュールは、図１９に示すように、表面に配線導体層１１（ボンディングパッド１１ｐ）を有するとともに、素子搭載領域に凹部１３Ｓを有するとともにこの凹部１３Ｓ内の平坦面に小さい凹部１０Ｒをもつ樹脂基板からなる回路基板１０と、この回路基板１０上に搭載される素子チップ２０とを具備している。そしてこの素子チップ２０は、凹部１３の一部を残すように、この小さい凹部１０Ｒ内に充填された接着部材２４を介してこの回路基板１０に固着される。この小さい凹部１０Ｒ内ではこの接着部材２４としての絶縁性樹脂を介して、素子チップ２０が、回路基板１０に固着されており、小さい凹部１０Ｒの周縁部ではボンディングパッド１１ｐと素子チップ２０表面に突出するバンプ２３とが接合され、電気的接続がなされている。
【００６９】
このように、本実施の形態では、小さい凹部１０Ｒに絶縁性樹脂からなる接着部材２４が充填されており、接着部材のはみ出しもなく、良好に固着される。なお、この接着部材２４についても、空間の一部を残して充填されるようにしてもよい。このように空間の一部を残して充填することで、固着に際して、熱膨張が生じても、素子チップが力を受け変位したりすることがない。
【００７０】
なお、前記実施の形態では、センサチップを搭載した回路モジュール（センサモジュール）について説明したが、センサモジュールに限定されることなく、携帯端末などに搭載されるモジュールや、壁面に取り付けられるＬＥＤ照明用のＬＥＤモジュールなど種々の回路モジュールに適用可能である。
【００７１】
なお、前記実施の形態では、樹脂成型によって形成した樹脂基板を用いたが、これに限定されることなく、積層基板、あるいはセラミック基板などにも適用可能であることはいうまでもない。
例えば、１０００℃以下で低温焼結が可能なセラミック誘電体材料ＬＴＣＣ（低温温同時焼成セラミック：Low Temperature Co-fired Ceramics）からなり、厚さが１０μｍ〜２００μｍのグリーンシートに、低抵抗率のＡｇやＣｕ等の導電ペーストを印刷して所定のパターンを形成し、複数のグリーンシートを絶縁層として用いて、適宜一体的に積層し、焼結することによって、内部導体層を備えた絶縁層（誘電体層）として製造することが出来る。これらの誘電体材料としては、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分として、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋを副成分とする材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分としてＣａ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｋを複成分とする材料や、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｄを含む材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇを含む材料が適用可能である。ここで、誘電率は５〜１５程度の材料を用いる。なお、セラミック誘電体材料の他に、樹脂積層基板や樹脂とセラミック誘電体粉末を混合してなる複合材料を用いてなる積層基板を用いることも可能である。また、前記セラミック基板をＨＴＣＣ（高温同時焼成セラミック：High Temperature Co-fired Ceramics）技術を用いて、誘電体材料をＡｌ２Ｏ３を主体とするものとし、内部導体層として伝送線路等をタングステンやモリブデン等の高温で焼結可能な金属導体として構成しても良い。
【００７２】
また、グリーンシートに限定されることなく、他のセラミックにも適用可能であり、またガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの樹脂基板、プリプレグを用いた積層基板などにも適用可能である。
【符号の説明】
【００７３】
１０  回路基板
１０Ｒ  小さい凹部
１０Ｔ  凸部
１１  配線導体層
１１ｄ  ダイパッド
１１ｐ  ボンディングパッド
１２  ボンディングワイヤ
１３，１３Ｓ  凹部
１４  接着部材（半田）
２０  素子チップ
２１  パッド
２３  バンプ
２４  接着部材（絶縁性樹脂）
３０  吸着ノズル
１１０  回路基板
１１１  配線導体層
１１１ｄ  ダイパッド
１１１ｐ  ボンディングパッド
１１２  ボンディングワイヤ
１２０  センサチップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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