(57)【要約】【課題】転写工程の簡略化が可能な素子の転写方法を提供する。【解決手段】本発明に係る素子の転写方法は、第１剥離層(3a)と、前記第１剥離層の上方に配置された第１素子層(17a)と、を有する第１基板(S1a)と、第２剥離層(3b)と、前記第２剥離層の上方に配置された第２素子層(17b)と、を有する第２基板(S1b)とを、前記第１素子層と前記第２素子層とを中間層(S2,50a,50b)を介して対向するように貼り合わせる工程と、前記第１剥離層から前記第１基板を剥離する第１剥離工程と、前記第２剥離層から前記第２基板を剥離する第２剥離工程と、を有する。このように、中間層を介して２つの基板を貼り合わせることにより、簡易な工程で２つの素子層の転写を行うことができる。また、一つの中間層を用いて２つの基板（素子層）の転写が可能となる。また、レーザーの同時照射が可能となり、剥離工程の簡略化を図ることができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１剥離層と、前記第１剥離層の上方に配置された第１素子層と、を有する第１基板と、第２剥離層と、前記第２剥離層の上方に配置された第２素子層と、を有する第２基板とを、前記第１素子層と前記第２素子層とを中間層を介して対向するように貼り合わせる工程と、
前記第１剥離層から前記第１基板を剥離する第１剥離工程と、
前記第２剥離層から前記第２基板を剥離する第２剥離工程と、
を有する素子の転写方法。
【請求項２】
前記第１剥離工程および前記第２剥離工程は、
前記第１剥離層および第２剥離層に同時にレーザーを照射することにより行われる請求項１記載の素子の転写方法。
【請求項３】
前記中間層は、第１の剥離シート、基材および第２の剥離シートの積層体である請求項１又は２記載の素子の転写方法。
【請求項４】
前記中間層は、両面に接着層を有する剥離シートである請求項１又は２記載の素子の転写方法。
【請求項５】
前記第１剥離層および第２剥離層は、アモルファスシリコンよりなる請求項１乃至４のいずれか一項記載の素子の転写方法。
【請求項６】
前記第１剥離工程の後、前記第１素子層に第３基板を貼り合わせる工程と、
前記第２剥離工程の後、前記第２素子層に第４基板を貼り合わせる工程と、
を有する請求項１乃至５のいずれか一項記載の素子の転写方法。
【請求項７】
前記第３基板および第４基板は、フレキシブル基板である請求項６記載の素子の転写方法。
【請求項８】
前記第３基板および第４基板の貼り合わせ工程の後、前記中間層を除去する工程を有する請求項６又は７記載の素子の転写方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項記載の素子の転写方法を有する電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子の転写方法および電子機器の製造方法に関し、特に、フレキシブル基板への転写工程で用いられる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶装置などの電気光学装置の開発において、装置の小型化や軽量化に加え、可撓性や耐衝撃性を図れることからフレキシブル基板の採用が検討されている。
【０００３】
このようなフレキシブル基板は、耐熱性や、耐溶剤性がガラス基板に比べて劣るため、フレキシブル基板上に直接素子を形成することが困難であった。また、可撓性があるため、製造工程中のハンドリングにも工夫が必用であった。
【０００４】
そこで、ガラス基板上に形成された素子をフレキシブル基板に転写する技術が採用されている。
【０００５】
例えば、下記特許文献１には、予めレーザー光が透過可能な基板（１００）上に第１分離層（１２０）を設けた後、ＴＦＴ等の薄膜デバイス（１４０）を形成し、さらに、薄膜デバイス上に第２分離層（１６０）を介して一次転写体（１８０）を形成し、上記基板を除去することで一次転写を行い、さらに、露出した薄膜デバイスの下面に接着層（１９０）を介して二次転写体（２００）を接合した後、第２分離層の結合力を弱め一次転写体を除去することで、二次転写を行う技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２６７３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記転写技術は、各種電子機器の用途や利便性に応じ薄膜トランジスタ等の半導体素子を任意の基板上に形成し得る技術として注目されているものの、転写工程の簡略化による装置の製造歩留りの向上を図るなど、更なる改良が望まれる。
【０００８】
本発明に係る具体的態様は、転写工程の簡略化が可能な素子の転写方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る素子の転写方法は、第１剥離層と、前記第１剥離層の上方に配置された第１素子層と、を有する第１基板と、第２剥離層と、前記第２剥離層の上方に配置された第２素子層と、を有する第２基板とを、前記第１素子層と前記第２素子層とを中間層を介して対向するように貼り合わせる工程と、前記第１剥離層から前記第１基板を剥離する第１剥離工程と、前記第２剥離層から前記第２基板を剥離する第２剥離工程と、を有する。
【００１０】
このように、中間層を介して２つの基板を貼り合わせることにより、簡易な工程で２つの素子層の転写を行うことができる。また、一つの中間層を用いて２つの基板（素子層）の転写が可能となる。
【００１１】
好ましくは、前記第１剥離工程および前記第２剥離工程は、前記第１剥離層および第２剥離層に同時にレーザーを照射することにより行われる。このように、中間層を介して２つの基板を貼り合わせることにより、レーザーの同時照射が可能となり、剥離工程の簡略化を図ることができる。
【００１２】
例えば、前記中間層は、第１の剥離シート、基材および第２の剥離シートの積層体である。例えば、前記中間層は、両面に接着層を有する剥離シートである。このように、基材や剥離シートを用いてもよい。
【００１３】
例えば、前記第１剥離層および第２剥離層は、アモルファスシリコンよりなる。このように、剥離層としてアモルファスシリコンを用いてもよい。アモルファスシリコンは、レーザー照射によりアブレーションが生じ易く、剥離膜としても用いて好適である。
【００１４】
好ましくは、前記第１剥離工程の後、前記第１素子層に第３基板を貼り合わせる工程と、前記第２剥離工程の後、前記第２素子層に第４基板を貼り合わせる工程と、を有する。前記第３基板および第４基板は、フレキシブル基板である。また、前記第３基板および第４基板の貼り合わせ工程の後、前記中間層を除去する工程を有する。
【００１５】
このように、さらに、２つの基板を貼り合わせ、中間層を除去することで、転写工程を効率よく行うことができる。また、フレキシブル基板上へも容易に効率よく素子層を転写することができる。
【００１６】
本発明に係る電子機器の製造方法は、上記素子の転写方法を有する。かかる方法によれば、簡易な工程で電子機器の製造を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施の形態の薄膜デバイスの転写工程（素子の転写方法、半導体装置の製造方法）を示す断面図である。
【図２】本実施の形態の薄膜デバイスの転写工程を示す断面図である。
【図３】本実施の形態の薄膜デバイスの転写工程を示す断面図である。
【図４】本実施の形態の薄膜デバイスの転写工程を示す断面図である。
【図５】本実施の形態の薄膜デバイスの転写工程の応用例１を示す断面図である。
【図６】本実施の形態の薄膜デバイスの転写工程の応用例３を示す断面図である。
【図７】本実施の形態の薄膜デバイスの転写工程の応用例４を示す断面図である。
【図８】本実施の形態の薄膜デバイスの転写工程の応用例４を示す断面図である。
【図９】アクティブマトリクス基板の回路構成を示す図である。
【図１０】電子ペーパーを示す斜視図である。
【図１１】フレキシブル基板上に形成されたマイクロコンピュータを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明における実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の機能を有するものには同一もしくは関連の符号を付し、その繰り返しの説明を省略する。
【００１９】
図１〜図４は、本実施の形態の薄膜デバイスの転写工程（素子の転写方法、半導体装置の製造方法）を示す断面図である。これらの図面を参照しながら転写工程、即ち、第１基板に形成された半導体素子を第２基板に転写し、さらに、第３基板に転写する工程について説明する。ここでは、半導体素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ： thin film transistor）を例示し、説明する。
【００２０】
１）ＴＦＴ形成工程
図１（Ａ）に示すように、基板Ｓ１ａおよび基板Ｓ１ｂ上に、それぞれ剥離層３ａ、３ｂを形成する。基板Ｓ１ａ、Ｓ１ｂの材料としては、以降のＴＦＴ（素子）の形成工程の各処理に耐え得る基板であれば特に制限はないが、例えば、ガラス基板を用いることができる。
【００２１】
次いで、各基板Ｓ１ａ、Ｓ１ｂ上に、剥離層（分離層、犠牲層、接着・剥離層）３ａ、３ｂとして、アモルファスシリコン膜をＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学気相成長）法により形成する。剥離層３ａ、３ｂとして、他の材料を用いてもよい。また、単層のみならず複数層としてもよい。
【００２２】
次いで、剥離層３ａ、３ｂ上にＴＦＴ（Ｔａ、Ｔｂ）を形成する。ＴＦＴの形成工程に特に限定はないが、以下の工程によりＴＦＴを形成することができる。
【００２３】
図１（Ｂ）に示すように、剥離層３ａ、３ｂ上に、酸化シリコン膜をＣＶＤ法により堆積し、下地保護膜５ａ、５ｂを形成する。さらに、例えばアモルファスシリコン膜をＣＶＤ法により堆積した後、この膜にレーザー照射することにより結晶化させ多結晶シリコン膜とする。この後、パターニングし、島状の半導体膜７ａ、７ｂを形成する。次いで、この半導体膜７ａ、７ｂ上に、例えば酸化シリコン膜をＣＶＤ法で堆積し、ゲート絶縁膜９ａ、９ｂを形成する。次いで、ゲート絶縁膜９ａ、９ｂ上に、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜等をスパッタリング法により形成し、パターニングすることで、ゲート電極１１を形成する。次いで、ゲート電極１１をマスクに、例えば、ボロン（Ｂ）もしくはリン（Ｐ）等の不純物をイオン打ち込みすることによりソース、ドレイン領域７ｓｄを形成する。以上の工程によりＴＦＴ（Ｔａ、Ｔｂ）が形成される。
【００２４】
次いで、ゲート電極１１上に例えば酸化シリコン膜をＣＶＤ法で堆積し、層間絶縁膜１３を形成した後、ソース、ドレイン領域７ｓｄ上の層間絶縁膜１３をエッチング等することによりコンタクトホールを形成する。次いで、コンタクトホール内を含む層間絶縁膜１３上に例えばＡｌ膜をスパッタリング法により堆積し、パターニングすることにより、ソース、ドレイン引き出し配線１５ａ、１５ｂを形成する。
【００２５】
この後、必要に応じてソース、ドレイン引き出し配線１５ａ、１５ｂ上に保護膜を形成してもよい。また、導電性膜の堆積、パターニングおよび層間絶縁膜の堆積を繰り返すことによってソース、ドレイン引き出し配線１５ａ、１５ｂ上に多層配線を形成してもよく、さらに、ＴＦＴ以外の素子を形成してもよい。
【００２６】
これら種々の素子や配線が形成された層を素子層１７ａ、１７ｂと示す。この素子層１７ａ、１７ｂが被転写層となる。
【００２７】
２）第１転写工程
以上の工程で形成された２つの基板Ｓ１ａ、Ｓ１ｂの素子層１７ａ、１７ｂを中間基板Ｓ２の表面（第１面）および裏面（第２面）に、剥離シートを介して貼り付ける。中間基板Ｓ２の条件としては、以降の工程に耐え得る基板であれば良く、例えば、基板Ｓ１ａ、Ｓ１ｂと同様にガラス基板を用いても良い。
【００２８】
また、剥離シートとしては、例えば基材の少なくとも一面に粘着層（接着層）を有し、以降の第２転写工程後に剥離可能なシートであれば特に制限はないが、例えば、図２（Ａ）に示す剥離シート５０を使用する。
【００２９】
当該剥離シート５０は、図示するように、ポリエステルフィルム基材５１の第１面に熱剥離粘着剤５３および剥離ライナー５５が順次積層され、第２面に感圧粘着剤５７および剥離ライナー５９が順次積層された構成を有する。
【００３０】
上記構成の剥離シートを２枚準備し（５０ａ、５０ｂ）、基板Ｓ１ａ、Ｓ１ｂに貼り付ける（図２（Ｂ））。具体的には、剥離シート５０ａの剥離ライナー５５を剥がし、熱剥離粘着剤５３を基板Ｓ１ａの素子層１７ａに貼り付ける。また、剥離シート５０ｂの剥離ライナーを剥がし、熱剥離粘着剤５３を基板Ｓ１ｂの素子層１７ｂに貼り付ける。
【００３１】
次いで、剥離シート５０ａ、５０ｂの剥離ライナー５９を剥がし、それぞれの感圧粘着剤５７を中間基板Ｓ２の表面（第１面）および裏面（第２面）に圧着する(図２（Ｃ））。なお、上記工程においては、両面に粘着剤を有する剥離シートを用いたが、感圧粘着剤５７および剥離ライナー５９が省略された片面タイプの剥離シートを用いてもよい。この場合、ポリエステルフィルム基材５１を接着剤などを用いて中間基板Ｓ２の表面および裏面に接着すればよい。
【００３２】
次いで、図３（Ａ）に示すように、中間基板Ｓ２の表面側および裏面側に同時にレーザーを照射する。即ち、下側から基板Ｓ１ａの剥離層（アモルファスシリコン膜）３ａにレーザーを照射することによりアブレーションを生じさせる。また、上側から基板Ｓ１ｂの剥離層（アモルファスシリコン膜）３ｂにレーザーを照射することによりアブレーションを生じさせる。これにより、剥離層（３ａ、３ｂ）の内部や界面において亀裂が生じ、結合力が弱まる。
【００３３】
次いで、図３（Ｂ）に示すように、基板Ｓ１およびＳ２を剥離し、必要に応じて残存する剥離層３ａ、３ｂの除去を行う。
【００３４】
３）第２転写工程
次いで、図４（Ａ）に示すように、プラスチック基板Ｓ３ａの第１面を素子層１７ａに永久接着層６５ａを用いて接着する。なお、ここでは、プラスチック基板Ｓ３ａの第２面に、剥離層６３ａを介して支持基板Ｓ４ａが接着されている。また、プラスチック基板Ｓ３ｂの第１面を素子層１７ｂに永久接着層６５ｂを用いて接着する。なお、ここでは、プラスチック基板Ｓ３ｂの第２面に、剥離層６３ｂを介して支持基板Ｓ４ｂが接着されている。
【００３５】
支持基板Ｓ４ａ、Ｓ４ｂとしては、プラスチック基板Ｓ３ａ、Ｓ３ｂを支持し得る基板であれば特に制限はないが、例えば、ガラス基板を用いることができる。また、プラスチック基板Ｓ３ａ、Ｓ３ｂとしては、可撓性を有し、例えば、合成樹脂などより成るものを用いることができる。剥離層６３ａ、６３ｂの材料に制限はないが、例えば、前述のアモルファスシリコン膜を用いてもよい。また、永久接着剤６５ａ、６５ｂの材料にも制限はないが、例えば、熱硬化樹脂や紫外線硬化樹脂などを用いることができる。
【００３６】
次いで、中間基板Ｓ２を除去する。具体的には、剥離シート５０ａ、５０ｂを加熱し、剥離シート中の熱剥離粘着剤（５３）の粘着性を弱めた後、図４（Ｂ）に示すように、剥離シート５０ａ、５０ｂからプラスチック基板Ｓ３ａおよびＳ３ｂを剥離する。さらに、支持基板Ｓ４ａ、Ｓ４ｂを剥離層６３ａ、６３ｂから剥離することで、プラスチック基板Ｓ３ａ、Ｓ３ｂ上への素子層１７ａ、１７ｂの転写が完了する（図４（Ｃ））。
【００３７】
このように、本実施の形態によれば、中間基板Ｓ２の両面に素子層１７ａ、１７ｂを転写したので、上下方向からのレーザー照射により簡易な工程で一次転写を行うことができる。また、１枚の中間基板Ｓ２で２つの素子層（１７ａ、１７ｂ）の一次転写が可能となり、中間基板Ｓ２の使用量を低減することができる。
【００３８】
＜応用例＞
上記実施の形態の各工程は、種々の変形、応用が可能である。その一例を以下に説明する。
【００３９】
＜例１＞
例えば、上記実施の形態においては中間基板Ｓ２を用いたが（図３（Ａ）参照）、中間基板を省略し、剥離シートの両面に素子層１７ａ、１７ｂを接着してもよい。
【００４０】
図５は、本実施の形態の薄膜デバイスの転写工程の応用例１を示す断面図である。ここでは、図５（Ａ）に示す、ポリエステルフィルム基材５１の第一面に熱剥離粘着剤５３Ａおよび剥離ライナー５５が順次積層され、第二面にも、熱剥離粘着剤５３Ｂおよび剥離ライナー５９が順次積層された構成を有する剥離シート５０ｃを用いる。この剥離シート５０ｃの両側の剥離ライナー５５、５９を剥がし、基板Ｓ１ａの素子層１７ａおよび基板Ｓ１ｂの素子層１７ｂを接着する（図５（Ｂ））。以降の工程は、上記図３（Ａ）〜図４（Ｂ）を参照しながら説明した上記工程と同様にして素子層１７ａ、１７ｂの転写を行うことができる。
【００４１】
＜例２＞
また、上記実施の形態においては、剥離シート５０ａ、５０ｂに熱剥離粘着剤５３を用いたが（図２（Ａ）参照）、紫外線剥離粘着剤を用いてもよい。この場合、中間基板Ｓ２の除去の際、剥離シート５０ａ、５０ｂに紫外線を照射し、紫外線剥離粘着剤の粘着性を弱め剥離し、除去する。また、上記粘着剤に代えて、水溶性接着剤を用いてもよい。この場合、中間基板Ｓ２の除去の際、水に浸漬することにより接着剤を溶解除去する。
【００４２】
＜例３＞
また、剥離シート５０ａ、５０ｂを用いず、中間基板Ｓ２の表面および裏面に水溶性接着剤６０を塗布し、素子層１７ａ、１７ｂを接着してもよい。図６は、本実施の形態の薄膜デバイスの転写工程の応用例３を示す断面図である。この場合、図６に示すように、中間基板Ｓ２の表面および裏面に水溶性接着剤６０を介して素子層１７ａ、１７ｂが接着される。この場合、中間基板Ｓ２の除去の際、図６に示す基板を水に浸漬し、水溶性接着剤６０を溶かすことにより中間基板Ｓ２を剥離する。
【００４３】
＜例４＞
また、上記例１において説明した中間基板を省略する場合において、転写中の基板の剛性を確保するため、次の工程により転写を行ってもよい。
【００４４】
図７および図８は、本実施の形態の薄膜デバイスの転写工程の応用例４を示す断面図である。
【００４５】
図７（Ａ）に示すように、剥離シート５０ｃを介して素子層１７ａ、１７ｂを接着した状態において、下側からレーザーを照射し、剥離層（アモルファスシリコン膜）３ａを剥離する（図７（Ｂ））。次いで、図７（Ｃ）に示すように、残存する剥離層３ａを除去した後、プラスチック基板Ｓ３ａに剥離層６３ａを介して支持基板Ｓ４ａを接着した積層基板を、素子層１７ａに永久接着層６５ａを用いて接着する。
【００４６】
次いで、図８（Ａ）に示すように、上側からレーザーを照射し、剥離層（アモルファスシリコン膜）３ｂを剥離する（図８（Ｂ））。この後、残存する剥離層３ｂを除去した後、プラスチック基板Ｓ３ｂに剥離層６３ｂを介して支持基板Ｓ４ｂを接着した積層基板を、素子層１７ｂに永久接着層６５ｂを用いて接着する（図８（Ｃ））。
【００４７】
かかる工程によれば、剥離層（アモルファスシリコン膜）３ｂの剥離の際、素子層１７ａ側には支持基板Ｓ４ａ等が接着しているため、剛性が保て、剥離がし易くなる。
【００４８】
＜例５＞
また、上記実施の形態においては、プラスチック基板Ｓ３ａ、Ｓ３ｂに剥離層６３ａ、６３ｂを介して支持基板Ｓ４ａ、Ｓ４ｂを接着して用いたが（図４（Ａ）参照）、プラスチック基板Ｓ３ａ、Ｓ３ｂを直接素子層１７ａ、１７ｂの表面（第１面、素子形成面）に接着してもよい。この場合、素子層１７ａ、１７ｂの表面にプラスチック基板材料をラミネート加工することで、簡易な工程でプラスチック基板Ｓ３ａ、Ｓ３ｂを接着することができる。
【００４９】
＜その他＞
また、上記実施の形態においては、二次転写としてプラスチック基板Ｓ３ａ、Ｓ３ｂへの転写を行ったが、本発明は、プラスチック基板への転写に限定されず、各種材料基材への転写方法に適用可能である。
【００５０】
また、上記実施の形態においては、レーザーの同時照射を例に説明したが、中間基板Ｓ２の両面を使用することで中間基板Ｓ２の使用量を低減することができるという効果を奏し、本発明は、レーザーの同時照射に限定されるものではない。
【００５１】
また、上記実施の形態においては、被転写層中の素子としてＴＦＴなどの半導体素子を例に説明したが、半導体素子に限られず、本発明は、各種素子の転写技術に適用することができる。
【００５２】
このように、上記実施の形態を通じて説明された実施例や応用例は、用途に応じて適宜に組み合わせて、又は変更若しくは改良を加えて用いることができ、本発明は上述した実施の形態の記載に限定されるものではない。
【００５３】
＜電気光学装置および電子機器の説明＞
上記実施の形態等で転写された半導体素子（ＴＦＴ）の具体的な適用箇所について制限はないが、上記ＴＦＴは例えば電気光学装置（表示装置）の画素回路や駆動回路として用いられる。図９は、アクティブマトリクス基板の回路構成を示す図である。例えば、アクティブマトリクス型の液晶装置では、図９に示すように、データ線Ｙとゲート線Ｘとの交点にＴＦＴおよび画素電極７０が配置され、ＴＦＴの一端がデータ線Ｙと、他端が画素電極７０と、そのゲートがゲート線Ｘと接続されている。また、データ線Ｙはデータ線駆動回路７３と接続され、また、ゲート線Ｘは、ゲート線駆動回路７５と接続されている。このような駆動回路を構成する素子としてもＴＦＴが利用される。
【００５４】
したがって、上記実施の形態で転写された半導体素子（ＴＦＴ）は、例えば上記画素回路や駆動回路を構成し、二次転写後の基板Ｓ３と対向基板との間に液晶、電気泳動カプセル、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）などを配置することにより表示部を構成する。
【００５５】
上記表示部は、携帯電話、ビデオカメラ、ロールアップ式テレビジョンの他、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイ、電子ペーパーなどの電子機器（電気光学装置）に組み込むことができる。
【００５６】
図１０は、電子ペーパーを示す斜視図である。図１０に示す電子ペーパー１０００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体１００１と、表示ユニット１００２とを備えている。このような電子ペーパー１０００では、表示ユニット１００２が、前述したような表示部で構成されている。
【００５７】
図１１は、フレキシブル基板上に形成されたマイクロコンピュータを示す斜視図である。上記実施の形態で転写された半導体素子（ＴＦＴ）は、上記電気光学装置のみならず、図１１に示す、フレキシブル基板上に形成されたマイクロコンピュータなどにも適用可能である。５７１は、フレキシブル基板であり、例えば、５７３はＲＡＭ（random access memory）、５７５はＣＰＵ（central processing unit）、５７７は、入出力回路、５７９は、太陽電池である。
【符号の説明】
【００５８】
３ａ…剥離層、３ｂ…剥離層、５ａ…下地保護膜、５ｂ…下地保護膜、７ａ…半導体膜、７ｂ…半導体膜、７ｓｄ…ソース、ドレイン領域、９ａ…ゲート絶縁膜、９ｂ…ゲート絶縁膜、１１…ゲート電極、１３…層間絶縁膜、１５ａ…ソース、ドレイン引き出し配線、１５ｂ…ソース、ドレイン引き出し配線、１７ａ…素子層、１７ｂ…素子層、５０…剥離シート、５０ａ…剥離シート、５０ｂ…剥離シート、５０ｃ…剥離シート、５１…ポリエステルフィルム基材、５３…熱剥離粘着剤、５３Ａ…熱剥離粘着剤、５３Ｂ…熱剥離粘着剤、５５…剥離ライナー、５７…感圧粘着剤、５９…剥離ライナー、６３ａ…剥離層、６３ａ…剥離層、６５ａ…永久接着層、６５ｂ…永久接着層、７０…画素電極、７３…データ線駆動回路、７５…ゲート線駆動回路、５７１…フレキシブル基板、５７３…ＲＡＭ、５７５…ＣＰＵ、５７７…入出力回路、５７９…太陽電池、１０００…電子ペーパー、１００１…本体、１００２…表示ユニット、Ｓ１ａ…基板、Ｓ１ｂ…基板、Ｓ２…中間基板、Ｓ３ａ…プラスチック基板、Ｓ３ｂ…プラスチック基板、Ｓ４ａ…支持基板、Ｓ４ｂ…支持基板、Ｔ…ＴＦＴ、Ｔａ…ＴＦＴ、Ｔｂ…ＴＦＴ、Ｘ…ゲート線、Ｙ…データ線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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