(57)【要約】【課題】あるデータ処理部によるデータ処理に要する時間と他のデータ処理部によるデータ処理に要する時間とを等しくする。【解決手段】描画データDに含まれる図形に対応するパターンを荷電粒子ビーム10a1bによって試料M上の描画領域DAに描画する荷電粒子ビーム描画装置10において、データ処理部10b1e3aよりもデータ処理部10b1e1aのデータ処理速度が速い場合に、ブロック枠B05のデータDPB05よりもブロック枠B01のデータDPB01のデータ処理負荷が高くなるように描画領域DAを分割してブロック枠B01,・,B05,・を作成し、ブロック枠B01をデータ処理部10b1e1aに割り当て、ブロック枠B05をデータ処理部10b1e3aに割り当て、データDPB01をデータ処理部10b1e1aによってデータ処理し、データDPB05をデータ処理部10b1e1aによるデータ処理と並列にデータ処理部10b1e3aによってデータ処理する。【選択図】図１
2011066215.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
描画データに含まれる図形に対応するパターンが描画される試料上の描画領域を分割することにより、少なくとも第１ブロック枠と第２ブロック枠とを作成するブロック枠作成部と、
第１ブロック枠および第２ブロック枠の一方のブロック枠内に位置する図形のデータをデータ処理する第１データ処理部と、
第１データ処理部によるデータ処理に並列して、第１ブロック枠および第２ブロック枠の他方のブロック枠内に位置する図形のデータをデータ処理する第２データ処理部と、
第１ブロック枠および第２ブロック枠の一方を第１データ処理部に割り当てると共に、第１ブロック枠および第２ブロック枠の他方を第２データ処理部に割り当てるブロック枠割り当て部と、
描画データに含まれる図形に対応するパターンを荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画する描画部と、
第１データ処理部のデータ処理速度が第２データ処理部のデータ処理速度よりも速い場合に、第１ブロック枠内に位置する図形のデータのデータ処理負荷が第２ブロック枠内に位置する図形のデータのデータ処理負荷よりも高くなるように第１ブロック枠および第２ブロック枠を作成すると共に、第１ブロック枠を第１データ処理部に割り当て、第２ブロック枠を第２データ処理部に割り当てる管理部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
試料上の描画領域を分割することによって第３ブロック枠が作成され、第１データ処理部および第２データ処理部の一方に第３ブロック枠が割り当てられた後、第１データ処理部および第２データ処理部の一方によるデータ処理が第１データ処理部および第２データ処理部の他方によるデータ処理に比べて遅れていると判断された場合に、第３ブロック枠の割り当てを第１データ処理部および第２データ処理部の一方から第１データ処理部および第２データ処理部の他方に変更する変更部を具備することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
描画データに含まれる図形に対応するパターンが描画される試料上の描画領域を分割することにより、少なくとも第１ブロック枠と第２ブロック枠とを作成し、
第１ブロック枠を第１データ処理部および第２データ処理部の一方に割り当てると共に、第２ブロック枠を第１データ処理部および第２データ処理部の他方に割り当て、
第１データ処理部に割り当てられたブロック枠内に位置する図形のデータを第１データ処理部によってデータ処理すると共に、第２データ処理部に割り当てられたブロック枠内に位置する図形のデータを第１データ処理部によるデータ処理と並列に第２データ処理部によってデータ処理し、
描画データに含まれる図形に対応するパターンを荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
第１データ処理部のデータ処理速度が第２データ処理部のデータ処理速度よりも速い場合に、第１ブロック枠内に位置する図形のデータのデータ処理負荷が第２ブロック枠内に位置する図形のデータのデータ処理負荷よりも高くなるように第１ブロック枠および第２ブロック枠を作成すると共に、第１ブロック枠を第１データ処理部に割り当て、第２ブロック枠を第２データ処理部に割り当てることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項４】
試料上の描画領域を分割することによって第３ブロック枠が作成され、第１データ処理部のデータ処理速度よりも遅いデータ処理速度を有する第２データ処理部に第３ブロック枠が割り当てられた後、第２データ処理部によるデータ処理が第１データ処理部によるデータ処理に比べて遅れていると判断された場合に、
第３ブロック枠の割り当てを第２データ処理部から第１データ処理部に変更することを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項５】
試料上の描画領域を分割することによって第４ブロック枠が作成され、第２データ処理部のデータ処理速度よりも速いデータ処理速度を有する第１データ処理部に第４ブロック枠が割り当てられた後、第１データ処理部によるデータ処理が第２データ処理部によるデータ処理に比べて遅れていると判断された場合に、
第４ブロック枠の割り当てを第１データ処理部から第２データ処理部に変更することを特徴とする請求項３又は４に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、描画データに含まれる図形に対応するパターンを荷電粒子ビームで試料上に描画する荷電粒子ビーム描画装置およびその描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、荷電粒子ビームでパターンを描画する試料上の描画領域を分割し、複数のブロック枠（ブロック領域）を作成する荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例として、例えば特許文献１の段落〔００１８〕、段落〔００２６〕、段落〔００２７〕などに記載がある。
また、従来から、あるブロック枠（ブロック）があるデータ処理部（ＣＰＵ）に割り当てられると共に、他のブロック枠が他のデータ処理部に割り当てられ、あるブロック枠内に位置する図形データ（パターンデータ）があるデータ処理部によって処理されると共に、他のブロック枠内に位置する図形データがあるデータ処理部によるデータ処理と並列に他のデータ処理部によって処理され、描画データに含まれる図形に対応するパターンを荷電粒子ビームで試料上に描画する荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例として、例えば特許文献２の段落〔００２６〕、段落〔００５４〕などに記載がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−６４８６２号公報
【特許文献２】特開２００８−１３０８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば特許文献１、特許文献２などに記載されているような従来の荷電粒子ビーム描画装置では、描画データを並列処理する場合に、データ処理速度が等しい（つまり、データ処理能力が等しい）複数のデータ処理部が設けられていた。そこで、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、あるデータ処理部に割り当てられるあるブロック枠内に位置する図形データの処理に要する時間と、他のデータ処理部に割り当てられる他のブロック枠内に位置する図形データの処理に要する時間とを等しくするために、あるデータ処理部に割り当てられるあるブロック枠内に位置する図形データの処理負荷と、他のデータ処理部に割り当てられる他のブロック枠内に位置する図形データの処理負荷とが等しくされていた。詳細には、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、あるデータ処理部に割り当てられるあるブロック枠内に位置する図形に対応するパターンを描画するために必要な荷電粒子ビームのショット数と、他のデータ処理部に割り当てられる他のブロック枠内に位置する図形に対応するパターンを描画するために必要な荷電粒子ビームのショット数とが等しくされていた（特許文献１の段落〔００２６〕参照）。
【０００５】
ところで、データ処理速度が等しい複数のデータ処理部が荷電粒子ビーム描画装置の製造時に設けられていても、例えば、荷電粒子ビーム描画装置のメンテナンス時に複数のデータ処理部のうちの一部のデータ処理部が交換されることにより、あるデータ処理部のデータ処理速度と他のデータ処理部のデータ処理速度とが異なってしまうことがある。
また、データ処理速度が等しい複数のデータ処理部が荷電粒子ビーム描画装置の製造時に設けられていても、例えば、新たなデータ処理部が荷電粒子ビーム描画装置に増設されることにより、あるデータ処理部のデータ処理速度と、他のデータ処理部のデータ処理速度とが異なってしまうことがある。
【０００６】
このように、あるデータ処理部のデータ処理速度と他のデータ処理部のデータ処理速度が異なると、従来の荷電粒子ビーム描画装置のように、あるデータ処理部に割り当てられるあるブロック枠内に位置する図形データの処理負荷と、他のデータ処理部に割り当てられる他のブロック枠内に位置する図形データの処理負荷が等しくなるように、あるブロック枠および他のブロック枠が作成されると、あるデータ処理部に割り当てられるあるブロック枠内に位置する図形のデータのデータ処理に要する時間と、他のデータ処理部に割り当てられる他のブロック枠内に位置する図形データの処理に要する時間とが異なってしまう。その結果、あるデータ処理部または他のデータ処理部にアイドルタイム（待ち時間）が発生するのに伴って、複数のデータ処理部で描画データを処理した場合の総処理時間は長くなる。一方、例えば、あるデータ処理部に割り当てられたあるブロック枠内に位置する図形データの処理が終了してから他のデータ処理部に割り当てられた他のブロック枠内に位置する図形データの処理が終了するまでの間に、あるデータ処理部に次のブロック枠を割り当て、あるデータ処理部によって次のブロック枠内に位置する図形データを処理させると（つまり、あるデータ処理部にアイドルタイムが発生しないようにすると）、処理済みデータ用のバッファ容量を大きくする必要がある。
【０００７】
上述した問題点に鑑み、本発明は、あるデータ処理部に割り当てられるあるブロック枠内に位置する図形データの処理に要する時間と、他のデータ処理部に割り当てられる他のブロック枠内に位置する図形データの処理に要する時間を等しくできる荷電粒子ビーム描画装置およびその描画方法を提供することを目的とする。
詳細には、本発明は、あるデータ処理部のデータ処理速度と他のデータ処理部のデータ処理速度とが異なる場合でも、あるデータ処理部に割り当てられるあるブロック枠内に位置する図形データの処理に要する時間と、他のデータ処理部に割り当てられる他のブロック枠内に位置する図形データの処理に要する時間とを等しくすることができる荷電粒子ビーム描画装置およびその描画方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、描画データに含まれる図形に対応するパターンが描画される試料上の描画領域を分割することにより、少なくとも第１ブロック枠と第２ブロック枠とを作成するブロック枠作成部と、第１ブロック枠および第２ブロック枠の一方のブロック枠内に位置する図形のデータをデータ処理する第１データ処理部と、第１データ処理部によるデータ処理に並列して、第１ブロック枠および第２ブロック枠の他方のブロック枠内に位置する図形のデータをデータ処理する第２データ処理部と、第１ブロック枠および第２ブロック枠の一方を第１データ処理部に割り当てると共に、第１ブロック枠および第２ブロック枠の他方を第２データ処理部に割り当てるブロック枠割り当て部と、描画データに含まれる図形に対応するパターンを荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画する描画部と、第１データ処理部のデータ処理速度が第２データ処理部のデータ処理速度よりも速い場合に、第１ブロック枠内に位置する図形のデータのデータ処理負荷が第２ブロック枠内に位置する図形のデータのデータ処理負荷よりも高くなるように第１ブロック枠および第２ブロック枠を作成すると共に、第１ブロック枠を第１データ処理部に割り当て、第２ブロック枠を第２データ処理部に割り当てる管理部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。
好ましくは、ｉ個のデータ処理部が設けられている場合に、ｉ×ｊ個のブロック枠が作成されるように試料上の描画領域を分割する描画領域分割部が設けられている（ｉは２以上の整数、ｊは１以上の整数）。
【０００９】
本発明の別の一態様によれば、描画データに含まれる図形に対応するパターンが描画される試料上の描画領域を分割することにより、少なくとも第１ブロック枠と第２ブロック枠とを作成し、第１ブロック枠を第１データ処理部および第２データ処理部の一方に割り当てると共に、第２ブロック枠を第１データ処理部および第２データ処理部の他方に割り当て、第１データ処理部に割り当てられたブロック枠内に位置する図形のデータを第１データ処理部によってデータ処理すると共に、第２データ処理部に割り当てられたブロック枠内に位置する図形のデータを第１データ処理部によるデータ処理と並列に第２データ処理部によってデータ処理し、描画データに含まれる図形に対応するパターンを荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画する荷電粒子ビーム描画方法において、第１データ処理部のデータ処理速度が第２データ処理部のデータ処理速度よりも速い場合に、第１ブロック枠内に位置する図形のデータのデータ処理負荷が第２ブロック枠内に位置する図形のデータのデータ処理負荷よりも高くなるように第１ブロック枠および第２ブロック枠を作成すると共に、第１ブロック枠を第１データ処理部に割り当て、第２ブロック枠を第２データ処理部に割り当てることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、第１データ処理部に割り当てられる第１ブロック枠内に位置する図形のデータのデータ処理に要する時間と、第２データ処理部に割り当てられる第２ブロック枠内に位置する図形のデータのデータ処理に要する時間とを等しくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。
【図２】図１に示す制御計算機１０ｂ１の詳細図である。
【図３】荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画可能なパターンＰの一例を説明する図である。
【図４】描画データＤの一部の一例を概略的に示した図である。
【図５】パターンＰ１，Ｐ２，…が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明する図である。
【図６】ブロック枠Ｂ０１，…，Ｂ３６を示した図である。
【図７】データＤＰＢ０１，…のデータ処理などを説明する図である。
【図８】データＤＰＢ０１，…のデータ処理などを説明する図である。
【図９】データＤＰＢ０１，…のデータ処理などを説明する図である。
【図１０】データＤＰＢ０１，…のデータ処理などを説明する図である。
【図１１】データＤＰＢ０１，…のデータ処理などを説明する図である。
【図１２】データＤＰＢ０１，…のデータ処理などを説明する図である。
【図１３】データＤＰＢ０１，…のデータ処理などを説明する図である。
【図１４】データＤＰＢ０１，…のデータ処理時間を示した図である。
【図１５】データＤＰＢ０１，…のデータ処理時間を示した図である。
【図１６】データＤＰＢ０１，…のデータ処理時間を示した図である。
【図１７】ショットデータ生成部１０ｂ１ｇの詳細図である。
【図１８】補正モジュール１０ｂ１ｊなどの詳細図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。図２は図１に示す制御計算機１０ｂ１の詳細図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、マスク（ブランク）、ウエハなどのような試料Ｍ上に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって、試料Ｍ上に目的のパターンを描画するための描画部１０ａが設けられている。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えば電子ビームが用いられるが、第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。
【００１３】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、荷電粒子銃１０ａ１ａと、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向する偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによる描画が行われる試料Ｍを載置する可動ステージ１０ａ２ａとが、描画部１０ａに設けられている。詳細には、例えば、描画部１０ａの一部を構成する描画室１０ａ２に、試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ２ａが配置されている。この可動ステージ１０ａ２ａは、例えば、図１の左右方向および図１の手前側−奥側方向に移動可能に構成されている。更に、例えば、描画部１０ａの一部を構成する光学鏡筒１０ａ１に、荷電粒子銃１０ａ１ａと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、レンズ１０ａ１ｇ，１０ａ１ｈ，１０ａ１ｉ，１０ａ１ｊ，１０ａ１ｋと、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌと、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍとが配置されている。
【００１４】
具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、試料Ｍ上の描画領域ＤＡ（図５および図６参照）全体に対応する描画データＤが、制御計算機１０ｂ１に入力されると、読み込みモジュール１０ｂ１ａによって読み込まれ、入力バッファ１０ｂ１ｂに格納される。次いで、例えば、入力バッファ１０ｂ１ｂに格納された試料Ｍ上の描画領域ＤＡ全体に対応する描画データＤが、ディストリビュータ（ローカライザー）１０ｂ１ｄによって、複数のブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，…，Ｂ３５，Ｂ３６（図６参照）単位のデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ３５，ＤＰＢ３６（図７〜図１４参照）に分割されて読み出される。次いで、例えば、複数のブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，…，Ｂ３５，Ｂ３６単位のデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ３５，ＤＰＢ３６が、ディストリビュータ１０ｂ１ｄからコンバータモジュール１０ｂ１ｅの複数のノード１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３の複数のデータ処理部（ＣＰＵ）１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂに振り分けられる。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａに振り分けられたブロック枠Ｂ０１，…（図６参照）単位のデータＤＰＢ０１，…（図８〜図１４参照）が、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａによってデータ処理され、描画装置内部フォーマットデータに変換される。また、データ処理部１０ｂ１ｅ１ｂに振り分けられたブロック枠Ｂ０２，…（図６参照）単位のデータＤＰＢ０２，…（図８〜図１４参照）が、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａによるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｅ１ｂによってデータ処理され、描画装置内部フォーマットデータに変換される。更に、データ処理部１０ｂ１ｅ２ａに振り分けられたブロック枠Ｂ０３，…（図６参照）単位のデータＤＰＢ０３，…（図８〜図１４参照）が、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂによるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｅ２ａによってデータ処理され、描画装置内部フォーマットデータに変換される。また、データ処理部１０ｂ１ｅ２ｂに振り分けられたブロック枠Ｂ０４，…（図６参照）単位のデータＤＰＢ０４，…（図８〜図１４参照）が、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａによるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｅ２ｂによってデータ処理され、描画装置内部フォーマットデータに変換される。更に、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａに振り分けられたブロック枠Ｂ０５，…（図６参照）単位のデータＤＰＢ０５，…（図８〜図１４参照）が、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂによるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａによってデータ処理され、描画装置内部フォーマットデータに変換される。また、データ処理部１０ｂ１ｅ３ｂに振り分けられたブロック枠Ｂ０６，…（図６参照）単位のデータＤＰＢ０６，…（図８〜図１４参照）が、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａによるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｅ３ｂによってデータ処理され、描画装置内部フォーマットデータに変換される。
【００１５】
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによる並列したデータ処理によって生成された複数のブロック枠Ｂ０１，…（図６参照）単位の描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０１，…（図９〜図１４参照）が、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納される。次いで、例えば、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納された複数のブロック枠Ｂ０１，…単位の描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０１，…が、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇに転送される。次いで、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇに転送された複数のブロック枠Ｂ０１，…単位の描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０１，…が、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇの複数のデータ処理部１０ｂ１ｇ１ａ，…（図１７参照）によって並列してデータ処理され、試料Ｍ上にパターンを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射するためのショットデータが生成される。詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、例えば、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃによって、ディストリビュータ１０ｂ１ｄ、コンバータモジュール１０ｂ１ｅ、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇ等が管理されている。
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによって生成されたショットデータが偏向制御部１０ｂ１ｈに送られ、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆが制御され、荷電粒子銃１０ａ１ａからの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが試料Ｍ上の所望の位置に照射される。
【００１６】
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ２を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられて試料Ｍに照射されるか、あるいは、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’以外の部分によって遮られて試料Ｍに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間を制御できる。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ３を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄを制御することにより、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの大きさ、形状などを調整できる。
【００１７】
図３を用いて第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍ上に描画可能なパターンＰの一例を説明する。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３に示すように、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上にパターンＰ（図３参照）が描画される時に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの例えば正方形の開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられる。その結果、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられる。また、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂをビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状を、例えば矩形（正方形または長方形）にしたり、例えば三角形にできる。更に、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを、試料Ｍ上の所定の位置に所定の照射時間だけ照射し続けることにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状と概略同一形状のパターンＰを試料Ｍ上に描画できる。
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ４を介して主偏向器１０ａ１ｅを制御し、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向される。また、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向制御回路１０ｂ５を介して副偏向器１０ａ１ｆを制御することにより、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、副偏向器１０ａ１ｆによって更に偏向される。つまり、例えば、主偏向器１０ａ１ｅおよび副偏向器１０ａ１ｆによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置を調整できる。更に、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、ステージ制御部１０ｂ１ｉによってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａの移動が制御される。
【００１８】
図１および図２に示す例では、例えば、半導体集積回路の設計者などによって作成されたＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）を荷電粒子ビーム描画装置１０用のフォーマットに変換することにより得られた描画データＤが、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される。一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）には、多数の微小なパターンが含まれている。そのためＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）はサイズが大きい。更に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）等を他のフォーマットに変換すると、一般的に変換後のデータのデータ量は更に増大する。この点に鑑み、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）、および、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される描画データＤでは、データの階層化が採用され、データ量の圧縮化が図られている。
図４は図１および図２に示す描画データＤの一部の一例を概略的に示した図である。図４に示す例では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に適用される描画データＤ（図１および図２参照）が、例えば、チップ階層ＣＰ、チップ階層ＣＰよりも下位のフレーム階層ＦＲ、フレーム階層ＦＲよりも下位のブロック階層ＢＬ、ブロック階層ＢＬよりも下位のセル階層ＣＬ、および、セル階層ＣＬよりも下位の図形階層ＦＧに階層化されている。詳細には、例えば、チップ階層ＣＰの要素の一部であるチップＣＰ１が、フレーム階層ＦＲの要素の一部である３個のフレームＦＲ１，ＦＲ２，ＦＲ３に対応している。また、例えば、フレーム階層ＦＲの要素の一部であるフレームＦＲ２が、ブロック階層ＢＬの要素の一部である１８個のブロックＢＬ００，…，ＢＬ５２に対応している。更に、例えば、ブロック階層ＢＬの要素の一部であるブロックＢＬ２１が、セル階層ＣＬの要素の一部である複数のセルＣＬＡ，ＣＬＢ，ＣＬＣ，ＣＬＤ，…に対応している。また、例えば、セル階層ＣＬの要素の一部であるセルＣＬＡが、図形階層ＦＧの要素の一部である多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，…に対応している。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１、図２および図４に示すように、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる図形階層ＦＧ（図４参照）の多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，…（図４参照）に対応するパターンＰ１，Ｐ２，…（図５参照）が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１および図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）上に描画される。
【００１９】
図５により、描画データＤに含まれる図形ＦＧ１，ＦＧ２，…に対応するパターンＰ１，Ｐ２，…が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂで描画される描画順序を説明する。図５に示す例では、試料Ｍ上の描画領域ＤＡが例えば６個の短冊状のストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６に仮想分割されている。また、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプ枠ＳＴＲ１内を図５の左側から図５の右側に向かって走査され、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターン（図示せず）が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上のストライプ枠ＳＴＲ１内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプ枠ＳＴＲ２内を図５の左側から図５の右側に向かって走査され、描画データＤに含まれる多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，…（図４参照）に対応するパターンＰ１，Ｐ２，…が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上のストライプ枠ＳＴＲ２内に描画される。次いで、同様に、描画データＤに含まれる多数の図形（図示せず）に対応するパターン（図示せず）が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料Ｍ上のストライプ枠ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６内に描画される。
詳細には、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプ枠ＳＴＲ１内にパターンが描画される時、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が図５の右側から図５の左側に移動するように、ステージ制御部１０ｂ１ｉ（図２参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプ枠ＳＴＲ２内にパターンＰ１，Ｐ２，…が描画される前に、可動ステージ１０ａ２ａが図５の左上側から図５の右下側に移動するように可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプ枠ＳＴＲ２内にパターンＰ１，Ｐ２，…が描画される時、可動ステージ１０ａ２ａが図５の右側から図５の左側に移動するように可動ステージ１０ａ２ａが制御される。
【００２０】
図６は図５に示すストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６を分割して作成されるブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，…，Ｂ３５，Ｂ３６を示した図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、コンバータモジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂ（図２参照）のデータ処理速度に基づき、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃ（図２参照）によって、ストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６（図６参照）が分割されてブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，…，Ｂ３５，Ｂ３６（図６参照）が作成される。
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、データ処理速度が速いデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ（図２参照）と、データ処理速度が遅いデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂ（図２参照）とがコンバータモジュール１０ｂ１ｅ（図２参照）に設けられている。詳細には、図２および図６に示す例では、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂのデータ処理速度が互いに等しくなっており、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂのデータ処理速度が互いに等しくなっている。
【００２１】
そのため、図２および図６に示す例では、例えば、ブロック枠Ｂ０１（図６参照）単位のデータＤＰＢ０１（図８参照）のデータ処理負荷（つまり、ブロック枠Ｂ０１内に位置する図形のデータのデータ処理負荷）、ブロック枠Ｂ０２（図６参照）単位のデータＤＰＢ０２（図８参照）のデータ処理負荷、ブロック枠Ｂ０３（図６参照）単位のデータＤＰＢ０３（図８参照）のデータ処理負荷、および、ブロック枠Ｂ０４（図６参照）単位のデータＤＰＢ０４（図８参照）のデータ処理負荷が、ブロック枠Ｂ０５（図６参照）単位のデータＤＰＢ０５（図８参照）のデータ処理負荷、および、ブロック枠Ｂ０６（図６参照）単位のデータＤＰＢ０６（図８参照）のデータ処理負荷よりも高くなるように、ストライプ枠ＳＴＲ１（図６参照）が分割されてブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，Ｂ０３，Ｂ０４，Ｂ０５，Ｂ０６が作成される。詳細には、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ（図８参照）によってデータＤＰＢ０１がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ１ｂ（図８参照）によってデータＤＰＢ０２がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ２ａ（図８参照）によってデータＤＰＢ０３がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ２ｂ（図８参照）によってデータＤＰＢ０４がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ（図８参照）によってデータＤＰＢ０５がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ３ｂ（図８参照）によってデータＤＰＢ０６がデータ処理されるのに要する時間とが等しくなるように、ブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，Ｂ０３，Ｂ０４，Ｂ０５，Ｂ０６が作成される。更に、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃ（図２参照）によって、ブロック枠Ｂ０１がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０２がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ｂに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０３がデータ処理部１０ｂ１ｅ２ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０４がデータ処理部１０ｂ１ｅ２ｂに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０５がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０６がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ｂに割り当てられる。
【００２２】
また、図２および図６に示す例では、例えば、ブロック枠Ｂ０７（図６参照）単位のデータＤＰＢ０７（図９参照）のデータ処理負荷（つまり、ブロック枠Ｂ０７内に位置する図形のデータのデータ処理負荷）、ブロック枠Ｂ０８（図６参照）単位のデータＤＰＢ０８（図９参照）のデータ処理負荷、ブロック枠Ｂ０９（図６参照）単位のデータＤＰＢ０９（図９参照）のデータ処理負荷、および、ブロック枠Ｂ１０（図６参照）単位のデータＤＰＢ１０（図９参照）のデータ処理負荷が、ブロック枠Ｂ１１（図６参照）単位のデータＤＰＢ１１（図９参照）のデータ処理負荷、および、ブロック枠Ｂ１２（図６参照）単位のデータＤＰＢ１２（図９参照）のデータ処理負荷よりも高くなるように、ストライプ枠ＳＴＲ２（図６参照）が分割されてブロック枠Ｂ０７，Ｂ０８，Ｂ０９，Ｂ１０，Ｂ１１，Ｂ１２が作成される。詳細には、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ（図９参照）によってデータＤＰＢ０７がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ１ｂ（図９参照）によってデータＤＰＢ０８がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ２ａ（図９参照）によってデータＤＰＢ０９がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ２ｂ（図９参照）によってデータＤＰＢ１０がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ（図９参照）によってデータＤＰＢ１１がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ３ｂ（図９参照）によってデータＤＰＢ１２がデータ処理されるのに要する時間とが等しくなるように、ブロック枠Ｂ０７，Ｂ０８，Ｂ０９，Ｂ１０，Ｂ１１，Ｂ１２が作成される。更に、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃ（図２参照）によって、ブロック枠Ｂ０７がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０８がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ｂに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０９がデータ処理部１０ｂ１ｅ２ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ１０がデータ処理部１０ｂ１ｅ２ｂに割り当てられ、ブロック枠Ｂ１１がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ１２がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ｂに割り当てられる。
【００２３】
更に、図２および図６に示す例では、例えば、ブロック枠Ｂ１３（図６参照）単位のデータＤＰＢ１３（図１０参照）のデータ処理負荷（つまり、ブロック枠Ｂ１３内に位置する図形のデータのデータ処理負荷）、ブロック枠Ｂ１４（図６参照）単位のデータＤＰＢ１４（図１０参照）のデータ処理負荷、ブロック枠Ｂ１５（図６参照）単位のデータＤＰＢ１５（図１０参照）のデータ処理負荷、および、ブロック枠Ｂ１６（図６参照）単位のデータＤＰＢ１６（図１０参照）のデータ処理負荷が、ブロック枠Ｂ１７（図６参照）単位のデータＤＰＢ１７（図１０参照）のデータ処理負荷、および、ブロック枠Ｂ１８（図６参照）単位のデータＤＰＢ１８（図１０参照）のデータ処理負荷よりも高くなるように、ストライプ枠ＳＴＲ３（図６参照）が分割されてブロック枠Ｂ１３，Ｂ１４，Ｂ１５，Ｂ１６，Ｂ１７，Ｂ１８が作成される。詳細には、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ（図１０参照）によってデータＤＰＢ１３がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ１ｂ（図１０参照）によってデータＤＰＢ１４がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ２ａ（図１０参照）によってデータＤＰＢ１５がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ２ｂ（図１０参照）によってデータＤＰＢ１６がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ（図１０参照）によってデータＤＰＢ１７がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ３ｂ（図１０参照）によってデータＤＰＢ１８がデータ処理されるのに要する時間とが等しくなるように、ブロック枠Ｂ１３，Ｂ１４，Ｂ１５，Ｂ１６，Ｂ１７，Ｂ１８が作成される。更に、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃ（図２参照）によって、ブロック枠Ｂ１３がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ１４がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ｂに割り当てられ、ブロック枠Ｂ１５がデータ処理部１０ｂ１ｅ２ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ１６がデータ処理部１０ｂ１ｅ２ｂに割り当てられ、ブロック枠Ｂ１７がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ１８がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ｂに割り当てられる。
【００２４】
また、図２および図６に示す例では、例えば、ブロック枠Ｂ１９（図６参照）単位のデータＤＰＢ１９（図１１参照）のデータ処理負荷（つまり、ブロック枠Ｂ１９内に位置する図形のデータのデータ処理負荷）、ブロック枠Ｂ２０（図６参照）単位のデータＤＰＢ２０（図１１参照）のデータ処理負荷、ブロック枠Ｂ２１（図６参照）単位のデータＤＰＢ２１（図１１参照）のデータ処理負荷、および、ブロック枠Ｂ２２（図６参照）単位のデータＤＰＢ２２（図１１参照）のデータ処理負荷が、ブロック枠Ｂ２３（図６参照）単位のデータＤＰＢ２３（図１１参照）のデータ処理負荷、および、ブロック枠Ｂ２４（図６参照）単位のデータＤＰＢ２４（図１１参照）のデータ処理負荷よりも高くなるように、ストライプ枠ＳＴＲ４（図６参照）が分割されてブロック枠Ｂ１９，Ｂ２０，Ｂ２１，Ｂ２２，Ｂ２３，Ｂ２４が作成される。詳細には、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ（図１１参照）によってデータＤＰＢ１９がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ１ｂ（図１１参照）によってデータＤＰＢ２０がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ２ａ（図１１参照）によってデータＤＰＢ２１がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ２ｂ（図１１参照）によってデータＤＰＢ２２がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ（図１１参照）によってデータＤＰＢ２３がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ３ｂ（図１１参照）によってデータＤＰＢ２４がデータ処理されるのに要する時間とが等しくなるように、ブロック枠Ｂ１９，Ｂ２０，Ｂ２１，Ｂ２２，Ｂ２３，Ｂ２４が作成される。更に、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃ（図２参照）によって、ブロック枠Ｂ１９がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ２０がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ｂに割り当てられ、ブロック枠Ｂ２１がデータ処理部１０ｂ１ｅ２ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ２２がデータ処理部１０ｂ１ｅ２ｂに割り当てられ、ブロック枠Ｂ２３がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ２４がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ｂに割り当てられる。
【００２５】
更に、図２および図６に示す例では、例えば、ブロック枠Ｂ２５（図６参照）単位のデータＤＰＢ２５（図１２参照）のデータ処理負荷（つまり、ブロック枠Ｂ２５内に位置する図形のデータのデータ処理負荷）、ブロック枠Ｂ２６（図６参照）単位のデータＤＰＢ２６（図１２参照）のデータ処理負荷、ブロック枠Ｂ２７（図６参照）単位のデータＤＰＢ２７（図１２参照）のデータ処理負荷、および、ブロック枠Ｂ２８（図６参照）単位のデータＤＰＢ２８（図１２参照）のデータ処理負荷が、ブロック枠Ｂ２９（図６参照）単位のデータＤＰＢ２９（図１２参照）のデータ処理負荷、および、ブロック枠Ｂ３０（図６参照）単位のデータＤＰＢ３０（図１２参照）のデータ処理負荷よりも高くなるように、ストライプ枠ＳＴＲ５（図６参照）が分割されてブロック枠Ｂ２５，Ｂ２６，Ｂ２７，Ｂ２８，Ｂ２９，Ｂ３０が作成される。詳細には、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ（図１２参照）によってデータＤＰＢ２５がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ１ｂ（図１２参照）によってデータＤＰＢ２６がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ２ａ（図１２参照）によってデータＤＰＢ２７がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ２ｂ（図１２参照）によってデータＤＰＢ２８がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ（図１２参照）によってデータＤＰＢ２９がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ３ｂ（図１２参照）によってデータＤＰＢ３０がデータ処理されるのに要する時間とが等しくなるように、ブロック枠Ｂ２５，Ｂ２６，Ｂ２７，Ｂ２８，Ｂ２９，Ｂ３０が作成される。更に、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃ（図２参照）によって、ブロック枠Ｂ２５がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ２６がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ｂに割り当てられ、ブロック枠Ｂ２７がデータ処理部１０ｂ１ｅ２ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ２８がデータ処理部１０ｂ１ｅ２ｂに割り当てられ、ブロック枠Ｂ２９がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ３０がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ｂに割り当てられる。
【００２６】
また、図２および図６に示す例では、例えば、ブロック枠Ｂ３１（図６参照）単位のデータＤＰＢ３１（図１３参照）のデータ処理負荷（つまり、ブロック枠Ｂ３１内に位置する図形のデータのデータ処理負荷）、ブロック枠Ｂ３２（図６参照）単位のデータＤＰＢ３２（図１３参照）のデータ処理負荷、ブロック枠Ｂ３３（図６参照）単位のデータＤＰＢ３３（図１３参照）のデータ処理負荷、および、ブロック枠Ｂ３４（図６参照）単位のデータＤＰＢ３４（図１３参照）のデータ処理負荷が、ブロック枠Ｂ３５（図６参照）単位のデータＤＰＢ３５（図１３参照）のデータ処理負荷、および、ブロック枠Ｂ３６（図６参照）単位のデータＤＰＢ３６（図１３参照）のデータ処理負荷よりも高くなるように、ストライプ枠ＳＴＲ６（図６参照）が分割されてブロック枠Ｂ３１，Ｂ３２，Ｂ３３，Ｂ３４，Ｂ３５，Ｂ３６が作成される。詳細には、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ（図１３参照）によってデータＤＰＢ３１がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ１ｂ（図１３参照）によってデータＤＰＢ３２がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ２ａ（図１３参照）によってデータＤＰＢ３３がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ２ｂ（図１３参照）によってデータＤＰＢ３４がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ（図１３参照）によってデータＤＰＢ３５がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｅ３ｂ（図１３参照）によってデータＤＰＢ３６がデータ処理されるのに要する時間とが等しくなるように、ブロック枠Ｂ３１，Ｂ３２，Ｂ３３，Ｂ３４，Ｂ３５，Ｂ３６が作成される。更に、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃ（図２参照）によって、ブロック枠Ｂ３１がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ３２がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ｂに割り当てられ、ブロック枠Ｂ３３がデータ処理部１０ｂ１ｅ２ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ３４がデータ処理部１０ｂ１ｅ２ｂに割り当てられ、ブロック枠Ｂ３５がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ３６がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ｂに割り当てられる。
【００２７】
図７〜図１３は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のコンバータモジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによるデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ３５，ＤＰＢ３６のデータ処理などを説明するための図である。図１４はデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによってデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ３５，ＤＰＢ３６がデータ処理されるのに要する時間を示した図である。
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図７に示すように、例えば、試料Ｍ（図５および図６参照）上の描画領域ＤＡ（図５および図６参照）全体に対応する描画データＤが、制御計算機１０ｂ１に入力されると、読み込みモジュール１０ｂ１ａによって読み込まれ、入力バッファ１０ｂ１ｂに格納される。次いで、例えば、入力バッファ１０ｂ１ｂに格納された試料Ｍ上の描画領域ＤＡ全体に対応する描画データＤが、ディストリビュータ（ローカライザー）１０ｂ１ｄによって、複数のブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，…，Ｂ１１，Ｂ１２，…（図６参照）単位のデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２，…（図７参照）に分割されて読み出される。次いで、図８に示すように、例えば、データＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６が、ディストリビュータ１０ｂ１ｄからコンバータモジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂに振り分けられ、時間ｔ０（図１４参照）にそれらのデータ処理が開始される。
【００２８】
次いで、図８に示すように、例えば、データＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６が、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによって並列してデータ処理されて描画装置内部フォーマットデータに変換され、時間ｔ１（図１４参照）にそれらのデータ処理が終了する。次いで、図９に示すように、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによる並列したデータ処理によって生成された描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６が、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納される。また、例えば、データＤＰＢ０７，ＤＰＢ０８，ＤＰＢ０９，ＤＰＢ１０，ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２が、ディストリビュータ１０ｂ１ｄからコンバータモジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂに振り分けられ、それらのデータ処理が開始される。
【００２９】
次いで、図９に示すように、例えば、データＤＰＢ０７，ＤＰＢ０８，ＤＰＢ０９，ＤＰＢ１０，ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２が、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによって並列してデータ処理されて描画装置内部フォーマットデータに変換され、時間ｔ２（図１４参照）にそれらのデータ処理が終了する。次いで、図１０に示すように、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによる並列したデータ処理によって生成された描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０７，ＤＰＢ０８，ＤＰＢ０９，ＤＰＢ１０，ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２が、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納される。更に、例えば、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納されていた描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図９参照）が、ストライプ枠ＳＴＲ１（図６参照）単位にまとめられてショットデータ生成部１０ｂ１ｇに転送される。また、例えば、データＤＰＢ１３，ＤＰＢ１４，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６，ＤＰＢ１７，ＤＰＢ１８が、ディストリビュータ１０ｂ１ｄからコンバータモジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂに振り分けられ、それらのデータ処理が開始される。
【００３０】
次いで、図１０に示すように、例えば、データＤＰＢ１３，ＤＰＢ１４，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６，ＤＰＢ１７，ＤＰＢ１８が、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによって並列してデータ処理されて描画装置内部フォーマットデータに変換され、時間ｔ３（図１４参照）にそれらのデータ処理が終了する。次いで、図１１に示すように、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによる並列したデータ処理によって生成された描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ１３，ＤＰＢ１４，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６，ＤＰＢ１７，ＤＰＢ１８が、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納される。更に、例えば、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納されていた描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０７，ＤＰＢ０８，ＤＰＢ０９，ＤＰＢ１０，ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２（図１０参照）が、ストライプ枠ＳＴＲ２（図６参照）単位にまとめられてショットデータ生成部１０ｂ１ｇに転送される。また、例えば、データＤＰＢ１９，ＤＰＢ２０，ＤＰＢ２１，ＤＰＢ２２，ＤＰＢ２３，ＤＰＢ２４が、ディストリビュータ１０ｂ１ｄからコンバータモジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂに振り分けられ、それらのデータ処理が開始される。
【００３１】
次いで、図１１に示すように、例えば、データＤＰＢ１９，ＤＰＢ２０，ＤＰＢ２１，ＤＰＢ２２，ＤＰＢ２３，ＤＰＢ２４が、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによって並列してデータ処理されて描画装置内部フォーマットデータに変換され、時間ｔ４（図１４参照）にそれらのデータ処理が終了する。次いで、図１２に示すように、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによる並列したデータ処理によって生成された描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ１９，ＤＰＢ２０，ＤＰＢ２１，ＤＰＢ２２，ＤＰＢ２３，ＤＰＢ２４が、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納される。更に、例えば、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納されていた描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ１３，ＤＰＢ１４，ＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６，ＤＰＢ１７，ＤＰＢ１８（図１１参照）が、ストライプ枠ＳＴＲ３（図６参照）単位にまとめられてショットデータ生成部１０ｂ１ｇに転送される。また、例えば、データＤＰＢ２５，ＤＰＢ２６，ＤＰＢ２７，ＤＰＢ２８，ＤＰＢ２９，ＤＰＢ３０が、ディストリビュータ１０ｂ１ｄからコンバータモジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂに振り分けられ、それらのデータ処理が開始される。
【００３２】
次いで、図１２に示すように、例えば、データＤＰＢ２５，ＤＰＢ２６，ＤＰＢ２７，ＤＰＢ２８，ＤＰＢ２９，ＤＰＢ３０が、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによって並列してデータ処理されて描画装置内部フォーマットデータに変換され、時間ｔ５（図１４参照）にそれらのデータ処理が終了する。次いで、図１３に示すように、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによる並列したデータ処理によって生成された描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ２５，ＤＰＢ２６，ＤＰＢ２７，ＤＰＢ２８，ＤＰＢ２９，ＤＰＢ３０が、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納される。更に、例えば、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納されていた描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ１９，ＤＰＢ２０，ＤＰＢ２１，ＤＰＢ２２，ＤＰＢ２３，ＤＰＢ２４（図１２参照）が、ストライプ枠ＳＴＲ４（図６参照）単位にまとめられてショットデータ生成部１０ｂ１ｇに転送される。また、例えば、データＤＰＢ３１，ＤＰＢ３２，ＤＰＢ３３，ＤＰＢ３４，ＤＰＢ３５，ＤＰＢ３６が、ディストリビュータ１０ｂ１ｄからコンバータモジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂに振り分けられ、それらのデータ処理が開始される。
【００３３】
次いで、図１３に示すように、例えば、データＤＰＢ３１，ＤＰＢ３２，ＤＰＢ３３，ＤＰＢ３４，ＤＰＢ３５，ＤＰＢ３６が、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによって並列してデータ処理されて描画装置内部フォーマットデータに変換され、時間ｔ６（図１４参照）にそれらのデータ処理が終了する。
【００３４】
つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ（図２参照）のデータ処理速度がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂ（図２参照）のデータ処理速度よりも速い場合に、ブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，Ｂ０３，Ｂ０４（図６参照）内に位置する図形のデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４（図１４参照）のデータ処理負荷が、ブロック枠Ｂ０５，Ｂ０６（図６参照）内に位置する図形のデータＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図１４参照）のデータ処理負荷よりも高くなるように、ブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，Ｂ０３，Ｂ０４およびブロック枠Ｂ０５，Ｂ０６が作成されると共に、ブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，Ｂ０３，Ｂ０４がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０５，Ｂ０６がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂに割り当てられる。
【００３５】
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ（図２参照）のデータ処理速度とデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂ（図２参照）のデータ処理速度とが異なる場合であっても、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂに割り当てられるブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，Ｂ０３，Ｂ０４（図６参照）内に位置する図形のデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４（図１４参照）のデータ処理に要する時間ｔ０〜ｔ１（図１４参照）と、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂに割り当てられるブロック枠Ｂ０５，Ｂ０６（図６参照）内に位置する図形のデータＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図１４参照）のデータ処理に要する時間ｔ０〜ｔ１（図１４参照）とを等しくすることができる。
【００３６】
図７〜図１４に示す例では、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃ（図２参照）によってストライプ枠ＳＴＲ１（図６参照）が分割されてブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，Ｂ０３，Ｂ０４，Ｂ０５，Ｂ０６（図６参照）が作成される時に見積もられたデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６（図１４参照）のデータ処理に要する時間と、データＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６のデータ処理に実際に要した時間ｔ０〜ｔ１（図１４参照）とがほぼ一致した場合について説明したが、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃによってストライプ枠ＳＴＲ１が分割されてブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，Ｂ０３，Ｂ０４，Ｂ０５，Ｂ０６が作成される時に見積もられたデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６のデータ処理に要する時間と、データＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６のデータ処理に実際に要した時間とが一致しない場合もある。
【００３７】
図１５および図１６は見積もられたデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６のデータ処理に要する時間と、データＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６のデータ処理に実際に要した時間とが一致しない場合におけるデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによってデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ３５，ＤＰＢ３６がデータ処理されるのに要する時間を示した図である。詳細には、図１５は見積もられたデータＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６のデータ処理に要する時間ｔ０〜ｔ１よりも、データＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６のデータ処理に実際に要した時間が長い場合におけるデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによってデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ３５，ＤＰＢ３６がデータ処理されるのに要する時間を示した図である。図１６は見積もられたデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４のデータ処理に要する時間ｔ０〜ｔ１よりも、データＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４のデータ処理に実際に要した時間が長い場合におけるデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによってデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ３５，ＤＰＢ３６がデータ処理されるのに要する時間を示した図である。
【００３８】
図１５に示す例では、例えば、データＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６が、ディストリビュータ１０ｂ１ｄ（図２参照）からコンバータモジュール１０ｂ１ｅ（図２参照）のデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂに振り分けられ、時間ｔ０にそれらのデータ処理が開始されると、データＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６が、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによって並列してデータ処理されて描画装置内部フォーマットデータに変換され、時間ｔ１にデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４のデータ処理が終了し、データＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６のデータ処理が継続される。次いで、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂによる並列したデータ処理によって生成された描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４が、出力バッファ１０ｂ１ｆ（図２参照）に格納される。また、例えば、データＤＰＢ０７，ＤＰＢ０８，ＤＰＢ０９，ＤＰＢ１０が、ディストリビュータ１０ｂ１ｄからコンバータモジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂに振り分けられ、それらのデータ処理が開始される。
【００３９】
次いで、図１５に示す例では、例えば、データＤＰＢ０７，ＤＰＢ０８，ＤＰＢ０９，ＤＰＢ１０が、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂによって並列してデータ処理されて描画装置内部フォーマットデータに変換され、時間ｔ２にそれらのデータ処理が終了し、データＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６のデータ処理が継続される。次いで、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂによる並列したデータ処理によって生成された描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０７，ＤＰＢ０８，ＤＰＢ０９，ＤＰＢ１０が、出力バッファ１０ｂ１ｆ（図２参照）に格納される。この時点（時間ｔ２の時点）でデータＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６のデータ処理が終了していないため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃ（図２参照）によって、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによるデータ処理がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂによるデータ処理に比べて遅れていると判断される。次いで、図１５に示す例では、例えば、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃによってデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａに割り当てられていたブロック枠Ｂ１１（図６参照）がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａに割り当てられるように、ブロック枠Ｂ１１の割り当てが変更される。また、例えば、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃによってデータ処理部１０ｂ１ｅ３ｂに割り当てられていたブロック枠Ｂ１２（図６参照）がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ｂに割り当てられるように、ブロック枠Ｂ１２の割り当てが変更される。次いで、図１５に示す例では、データＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２，ＤＰＢ１３，ＤＰＢ１４が、ディストリビュータ１０ｂ１ｄ（図２参照）からコンバータモジュール１０ｂ１ｅ（図２参照）のデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂに振り分けられ、それらのデータ処理が開始される。
【００４０】
次いで、図１５に示す例では、データＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６，ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２のデータ処理が終了し、データＤＰＢ１３，ＤＰＢ１４のデータ処理が継続される。次いで、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによる並列したデータ処理によって生成された描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６，ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２が、出力バッファ１０ｂ１ｆ（図２参照）に格納される。また、例えば、データＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６，ＤＰＢ１７，ＤＰＢ１８が、ディストリビュータ１０ｂ１ｄ（図２参照）からコンバータモジュール１０ｂ１ｅ（図２参照）のデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂに振り分けられ、それらのデータ処理が開始される。
【００４１】
次いで、図１５に示す例では、例えば、時間ｔ３にデータＤＰＢ１３，ＤＰＢ１４のデータ処理が終了し、データＤＰＢ１５，ＤＰＢ１６，ＤＰＢ１７，ＤＰＢ１８のデータ処理が継続される。次いで、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂによる並列したデータ処理によって生成された描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ１３，ＤＰＢ１４が、出力バッファ１０ｂ１ｆ（図２参照）に格納される。更に、例えば、出力バッファ１０ｂ１ｆ（図２参照）に格納されていた描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６が、ストライプ枠ＳＴＲ１（図６参照）単位にまとめられてショットデータ生成部１０ｂ１ｇに転送される。また、例えば、出力バッファ１０ｂ１ｆに格納されていた描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０７，ＤＰＢ０８，ＤＰＢ０９，ＤＰＢ１０，ＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２が、ストライプ枠ＳＴＲ２（図６参照）単位にまとめられてショットデータ生成部１０ｂ１ｇに転送される。
【００４２】
換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、まず最初に、例えば、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃ（図２参照）によって試料Ｍ（図６参照）上の描画領域ＤＡ（図６参照）のストライプ枠ＳＴＲ２枠（図６参照）が分割され、ブロック枠Ｂ１１，Ｂ１２（図６参照）が作成される。次いで、例えば、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃによって、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ（図２および図１５参照）のデータ処理速度よりも遅いデータ処理速度を有するデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂ（図２および図１５参照）にブロック枠Ｂ１１，Ｂ１２が割り当てられる。次いで、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによるストライプ枠ＳＴＲ１（図６参照）内のブロック枠Ｂ０５，Ｂ０６に関するデータＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６のデータ処理中に、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂによる次のストライプ枠ＳＴＲ２（図６参照）内のブロック枠Ｂ０７，Ｂ０８，Ｂ０９，Ｂ１０に関するデータＤＰＢ０７，ＤＰＢ０８，ＤＰＢ０９，ＤＰＢ１０のデータ処理が完了した時（時間ｔ２（図１５参照））に、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃによって、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによるデータ処理がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂによるデータ処理に比べて遅れていると判断される。次いで、例えば、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃによって、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂに割り当てられていたブロック枠Ｂ１１，Ｂ１２がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂに割り当てられるように、ブロック枠Ｂ１１，Ｂ１２の割り当てが変更される。
【００４３】
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂ（図２および図１５参照）によるデータ処理がデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ（図２および図１５参照）によるデータ処理に比べて遅れた時にデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂに割り当てられているブロック枠（例えばＢ１１，Ｂ１２（図６参照））の割り当てが変更されない場合よりも、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによるデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ３５，ＤＰＢ３６（図１５参照）の総処理時間を短くすることができ、出力バッファ１０ｂ１ｆ（図２参照）の容量を小さく抑えることができる。
【００４４】
また、図１６に示す例では、例えば、データＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６が、ディストリビュータ１０ｂ１ｄ（図２参照）からコンバータモジュール１０ｂ１ｅ（図２参照）のデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂに振り分けられ、時間ｔ０にそれらのデータ処理が開始されると、データＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６が、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによって並列してデータ処理されて描画装置内部フォーマットデータに変換され、時間ｔ１にデータＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６のデータ処理が終了し、データＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４のデータ処理が継続される。次いで、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによる並列したデータ処理によって生成された描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６が、出力バッファ１０ｂ１ｆ（図２参照）に格納される。また、例えば、データＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２が、ディストリビュータ１０ｂ１ｄからコンバータモジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂに振り分けられ、それらのデータ処理が開始される。
【００４５】
次いで、図１６に示す例では、例えば、データＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２が、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによって並列してデータ処理されて描画装置内部フォーマットデータに変換され、時間ｔ２にそれらのデータ処理が終了し、データＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４のデータ処理が継続される。次いで、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによる並列したデータ処理によって生成された描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２が、出力バッファ１０ｂ１ｆ（図２参照）に格納される。この時点（時間ｔ２の時点）でデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４のデータ処理が終了していないため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃ（図２参照）によって、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂによるデータ処理がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによるデータ処理に比べて遅れていると判断される。次いで、図１６に示す例では、例えば、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃによってデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａに割り当てられていたブロック枠Ｂ１３（図６参照）がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａに割り当てられるように、ブロック枠Ｂ１３の割り当てが変更される。また、例えば、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃによってデータ処理部１０ｂ１ｅ１ｂに割り当てられていたブロック枠Ｂ１４（図６参照）がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ｂに割り当てられるように、ブロック枠Ｂ１４の割り当てが変更される。次いで、図１６に示す例では、データＤＰＢ１３，ＤＰＢ１４が、ディストリビュータ１０ｂ１ｄ（図２参照）からコンバータモジュール１０ｂ１ｅ（図２参照）のデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂに振り分けられ、それらのデータ処理が開始される。
【００４６】
次いで、図１６に示す例では、データＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４のデータ処理が終了し、データＤＰＢ１３，ＤＰＢ１４のデータ処理が継続される。次いで、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂによる並列したデータ処理によって生成された描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４が、出力バッファ１０ｂ１ｆ（図２参照）に格納される。また、例えば、データＤＰＢ０７，ＤＰＢ０８，ＤＰＢ０９，ＤＰＢ１０が、ディストリビュータ１０ｂ１ｄ（図２参照）からコンバータモジュール１０ｂ１ｅ（図２参照）のデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂに振り分けられ、それらのデータ処理が開始される。
【００４７】
次いで、図１６に示す例では、例えば、データＤＰＢ０７，ＤＰＢ０８，ＤＰＢ０９，ＤＰＢ１０のデータ処理が終了し、データＤＰＢ１３，ＤＰＢ１４のデータ処理が継続される。次いで、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂによる並列したデータ処理によって生成された描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０７，ＤＰＢ０８，ＤＰＢ０９，ＤＰＢ１０が、出力バッファ１０ｂ１ｆ（図２参照）に格納される。更に、例えば、出力バッファ１０ｂ１ｆ（図２参照）に格納されていた描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６が、ストライプ枠ＳＴＲ１（図６参照）単位にまとめられてショットデータ生成部１０ｂ１ｇに転送される。
【００４８】
換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、まず最初に、例えば、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃ（図２参照）によって試料Ｍ（図６参照）上の描画領域ＤＡ（図６参照）のストライプ枠ＳＴＲ３（図６参照）が分割され、ブロック枠Ｂ１３，Ｂ１４（図６参照）が作成される。次いで、例えば、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃによって、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂ（図２および図１６参照）のデータ処理速度よりも速いデータ処理速度を有するデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ（図２および図１６参照）にブロック枠Ｂ１３，Ｂ１４が割り当てられる。次いで、例えば、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂによるストライプ枠ＳＴＲ１（図６参照）内のブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２に関するデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２のデータ処理中に、データ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによる次のストライプ枠ＳＴＲ２（図６参照）内のブロック枠Ｂ１１，Ｂ１２に関するデータＤＰＢ１１，ＤＰＢ１２のデータ処理が完了した時（時間ｔ２（図１６参照））に、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃによって、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂによるデータ処理がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂによるデータ処理に比べて遅れていると判断される。次いで、例えば、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃによって、データ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂに割り当てられていたブロック枠Ｂ１３，Ｂ１４がデータ処理部１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂに割り当てられるように、ブロック枠Ｂ１３，Ｂ１４の割り当てが変更される。
【００４９】
以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第３の実施形態について説明する。図１７は第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のショットデータ生成部１０ｂ１ｇの詳細図である。第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のショットデータ生成部１０ｂ１ｇ（図１７参照）は、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のショットデータ生成部１０ｂ１ｇ（図２参照）と同様に構成されている。詳細には、図１７に示す第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のショットデータ生成部１０ｂ１ｇのデータ処理状況は、図１０に示す第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０のショットデータ生成部１０ｂ１ｇのデータ処理状況に概略対応している。
【００５０】
第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０と同様に、図１７に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇのノード１０ｂ１ｇ１のデータ処理部１０ｂ１ｇ１ａに転送されたブロック枠Ｂ０１（図６参照）単位の描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０１が、データ処理部１０ｂ１ｇ１ａによってデータ処理され、ショットデータが生成される。また、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇのデータ処理部１０ｂ１ｇ１ｂに転送されたブロック枠Ｂ０２（図６参照）単位の描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０２が、データ処理部１０ｂ１ｇ１ａによるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｇ１ｂによってデータ処理され、ショットデータが生成される。更に、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇのノード１０ｂ１ｇ２のデータ処理部１０ｂ１ｇ２ａに転送されたブロック枠Ｂ０３（図６参照）単位の描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０３が、データ処理部１０ｂ１ｇ１ａ，１０ｂ１ｇ１ｂによるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｇ２ａによってデータ処理され、ショットデータが生成される。また、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇのデータ処理部１０ｂ１ｇ２ｂに転送されたブロック枠Ｂ０４（図６参照）単位の描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０４が、データ処理部１０ｂ１ｇ１ａ，１０ｂ１ｇ１ｂ，１０ｂ１ｇ２ａによるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｇ２ｂによってデータ処理され、ショットデータが生成される。更に、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇのノード１０ｂ１ｇ３のデータ処理部１０ｂ１ｇ３ａに転送されたブロック枠Ｂ０５（図６参照）単位の描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０５が、データ処理部１０ｂ１ｇ１ａ，１０ｂ１ｇ１ｂ，１０ｂ１ｇ２ａ，１０ｂ１ｇ２ｂによるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｇ３ａによってデータ処理され、ショットデータが生成される。また、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇのデータ処理部１０ｂ１ｇ３ｂに転送されたブロック枠Ｂ０６（図６参照）単位の描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０６が、データ処理部１０ｂ１ｇ１ａ，１０ｂ１ｇ１ｂ，１０ｂ１ｇ２ａ，１０ｂ１ｇ２ｂ，１０ｂ１ｇ３ａによるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｇ３ｂによってデータ処理され、ショットデータが生成される。
【００５１】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、コンバータモジュール１０ｂ１ｅのデータ処理部１０ｂ１ｅ１ａ，１０ｂ１ｅ１ｂ，１０ｂ１ｅ２ａ，１０ｂ１ｅ２ｂ，１０ｂ１ｅ３ａ，１０ｂ１ｅ３ｂ（図２参照）のデータ処理速度に基づき、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃ（図２参照）によって、ストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６（図６参照）が分割されてブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，…，Ｂ３５，Ｂ３６（図６参照）が作成されるが、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇのデータ処理部１０ｂ１ｇ１ａ，１０ｂ１ｇ１ｂ，１０ｂ１ｇ２ａ，１０ｂ１ｇ２ｂ，１０ｂ１ｇ３ａ，１０ｂ１ｇ３ｂ（図１７参照）のデータ処理速度に基づき、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃ（図２参照）によって、ストライプ枠ＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６（図６参照）が分割されてブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，…，Ｂ３５，Ｂ３６（図６参照）が作成される
【００５２】
また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、データ処理速度が速いデータ処理部１０ｂ１ｇ１ａ，１０ｂ１ｇ１ｂ，１０ｂ１ｇ２ａ，１０ｂ１ｇ２ｂ（図１７参照）と、データ処理速度が遅いデータ処理部１０ｂ１ｇ３ａ，１０ｂ１ｇ３ｂ（図１７参照）とがショットデータ生成部１０ｂ１ｇ（図１７参照）に設けられている。詳細には、図６および図１７に示す例では、例えば、データ処理部１０ｂ１ｇ１ａ，１０ｂ１ｇ１ｂ，１０ｂ１ｇ２ａ，１０ｂ１ｇ２ｂのデータ処理速度が互いに等しくなっており、データ処理部１０ｂ１ｇ３ａ，１０ｂ１ｇ３ｂのデータ処理速度が互いに等しくなっている。
【００５３】
そのため、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ブロック枠Ｂ０１（図６参照）単位の描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０１（図１７参照）のデータ処理負荷（つまり、ブロック枠Ｂ０１内に位置する図形のデータのデータ処理負荷）、ブロック枠Ｂ０２（図６参照）単位の描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０２（図１７参照）のデータ処理負荷、ブロック枠Ｂ０３（図６参照）単位の描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０３（図１７参照）のデータ処理負荷、および、ブロック枠Ｂ０４（図６参照）単位の描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０４（図１７参照）のデータ処理負荷が、ブロック枠Ｂ０５（図６参照）単位の描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０５（図１７参照）のデータ処理負荷、および、ブロック枠Ｂ０６（図６参照）単位の描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０６（図１７参照）のデータ処理負荷よりも高くなるように、ストライプ枠ＳＴＲ１（図６参照）が分割されてブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，Ｂ０３，Ｂ０４，Ｂ０５，Ｂ０６が作成される。詳細には、図１７に示す例では、例えば、データ処理部１０ｂ１ｇ１ａによって描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０１がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｇ１ｂによって描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０２がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｇ２ａによって描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０３がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｇ２ｂによって描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０４がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｇ３ａによって描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０５がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｇ３ｂによって描画装置内部フォーマットデータＤＰＢ０６がデータ処理されるのに要する時間とが等しくなるように、ブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，Ｂ０３，Ｂ０４，Ｂ０５，Ｂ０６が作成される。更に、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃ（図２参照）によって、ブロック枠Ｂ０１がデータ処理部１０ｂ１ｇ１ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０２がデータ処理部１０ｂ１ｇ１ｂに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０３がデータ処理部１０ｂ１ｇ２ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０４がデータ処理部１０ｂ１ｇ２ｂに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０５がデータ処理部１０ｂ１ｇ３ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０６がデータ処理部１０ｂ１ｇ３ｂに割り当てられる。
【００５４】
以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第４の実施形態について説明する。図１８は第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の補正モジュール１０ｂ１ｊ、出力バッファ１０ｂ１ｆ’などの詳細図である。第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１８に示すように、例えば、近接効果、かぶりおよび／またはローディング効果（特開２００７−２２０７２８号公報の段落〔０００４〕参照）を補正するための補正モジュール１０ｂ１ｊが、コンバータモジュール１０ｂ１ｄ（図２参照）とは別個に設けられている。更に、例えば、補正モジュール１０ｂ１ｊのデータ処理部１０ｂ１ｊ１ａ，１０ｂ１ｊ１ｂ，１０ｂ１ｊ２ａ，１０ｂ１ｊ２ｂ，１０ｂ１ｊ３ａ，１０ｂ１ｊ３ｂ（図１８参照）のデータ処理速度に基づき、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃ（図２参照）によって、コンバータモジュール１０ｂ１ｅ用のブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，…，Ｂ３５，Ｂ３６とは別個に、補正モジュール１０ｂ１ｊ用のブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，…，Ｂ３５，Ｂ３６（図６参照）が作成される。
【００５５】
また、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、データ処理速度が速いデータ処理部１０ｂ１ｊ１ａ，１０ｂ１ｊ１ｂ，１０ｂ１ｊ２ａ，１０ｂ１ｊ２ｂ（図１８参照）と、データ処理速度が遅いデータ処理部１０ｂ１ｊ３ａ，１０ｂ１ｊ３ｂ（図１８参照）とが補正モジュール１０ｂ１ｊ（図１８参照）に設けられている。詳細には、図１８に示す例では、例えば、データ処理部１０ｂ１ｊ１ａ，１０ｂ１ｊ１ｂ，１０ｂ１ｊ２ａ，１０ｂ１ｊ２ｂのデータ処理速度が互いに等しくなっており、データ処理部１０ｂ１ｊ３ａ，１０ｂ１ｊ３ｂのデータ処理速度が互いに等しくなっている。
【００５６】
そのため、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ブロック枠Ｂ０１（図６参照）単位のデータＤＰＢ０１（図１８参照）のデータ処理負荷（つまり、ブロック枠Ｂ０１内に位置する図形のデータのデータ処理負荷）、ブロック枠Ｂ０２（図６参照）単位のデータＤＰＢ０２（図１８参照）のデータ処理負荷、ブロック枠Ｂ０３（図６参照）単位のデータＤＰＢ０３（図１８参照）のデータ処理負荷、および、ブロック枠Ｂ０４（図６参照）単位のデータＤＰＢ０４（図１８参照）のデータ処理負荷が、ブロック枠Ｂ０５（図６参照）単位のデータＤＰＢ０５（図１８参照）のデータ処理負荷、および、ブロック枠Ｂ０６（図６参照）単位のデータＤＰＢ０６（図１８参照）のデータ処理負荷よりも高くなるように、ストライプ枠ＳＴＲ１（図６参照）が分割されてブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，Ｂ０３，Ｂ０４，Ｂ０５，Ｂ０６が作成される。詳細には、例えば、データ処理部１０ｂ１ｊ１ａ（図１８参照）によってデータＤＰＢ０１がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｊ１ｂ（図１８参照）によってデータＤＰＢ０２がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｊ２ａ（図１８参照）によってデータＤＰＢ０３がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｊ２ｂ（図１８参照）によってデータＤＰＢ０４がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｊ３ａ（図１８参照）によってデータＤＰＢ０５がデータ処理されるのに要する時間と、データ処理部１０ｂ１ｊ３ｂ（図１８参照）によってデータＤＰＢ０６がデータ処理されるのに要する時間とが等しくなるように、ブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，Ｂ０３，Ｂ０４，Ｂ０５，Ｂ０６が作成される。更に、分散処理管理モジュール１０ｂ１ｃ（図２参照）によって、ブロック枠Ｂ０１がデータ処理部１０ｂ１ｊ１ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０２がデータ処理部１０ｂ１ｊ１ｂに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０３がデータ処理部１０ｂ１ｊ２ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０４がデータ処理部１０ｂ１ｊ２ｂに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０５がデータ処理部１０ｂ１ｊ３ａに割り当てられ、ブロック枠Ｂ０６がデータ処理部１０ｂ１ｊ３ｂに割り当てられる。
【００５７】
詳細には、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、試料Ｍ（図５および図６参照）上の描画領域ＤＡ（図５および図６参照）全体に対応する描画データＤ（図７参照）が、制御計算機１０ｂ１（図７参照）に入力されると、読み込みモジュール１０ｂ１ａ（図７参照）によって読み込まれ、入力バッファ１０ｂ１ｂ（図７参照）に格納される。次いで、例えば、ディストリビュータ（ローカライザー）１０ｂ１ｄ（図７参照）とは別個に設けられたディストリビュータ（ローカライザー）１０ｂ１ｄ’（図１８参照）によって、描画データＤが複数のブロック枠Ｂ０１，Ｂ０２，…，Ｂ１７，Ｂ１８，…（図６参照）単位のデータＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，…，ＤＰＢ１７，ＤＰＢ１８，…（図１８参照）に分割されて読み出される。次いで、図１８に示すように、例えば、データＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３，ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６が、ディストリビュータ１０ｂ１ｄ’から補正モジュール１０ｂ１ｊのノード１０ｂ１ｊ１，１０ｂ１ｊ２，１０ｂ１ｊ３のデータ処理部１０ｂ１ｊ１ａ，１０ｂ１ｊ１ｂ，１０ｂ１ｊ２ａ，１０ｂ１ｊ２ｂ，１０ｂ１ｊ３ａ，１０ｂ１ｊ３ｂに振り分けられ、それらのデータ処理が開始される。
【００５８】
第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１８に示すように、例えば、ブロック枠Ｂ０１（図６参照）単位のデータＤＰＢ０１が、データ処理部１０ｂ１ｊ１ａによってデータ処理され、近接効果、かぶりおよび／またはローディング効果の補正処理が行われる。また、ブロック枠Ｂ０２（図６参照）単位のデータＤＰＢ０２が、データ処理部１０ｂ１ｊ１ａによるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｊ１ｂによってデータ処理され、近接効果、かぶりおよび／またはローディング効果の補正が行われる。更に、ブロック枠Ｂ０３（図６参照）単位のデータＤＰＢ０３が、データ処理部１０ｂ１ｊ１ａ，１０ｂ１ｊ１ｂによるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｊ２ａによってデータ処理され、近接効果、かぶりおよび／またはローディング効果の補正が行われる。また、ブロック枠Ｂ０４（図６参照）単位のデータＤＰＢ０４が、データ処理部１０ｂ１ｊ１ａ，１０ｂ１ｊ１ｂ，１０ｂ１ｊ２ａによるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｊ２ｂによってデータ処理され、近接効果、かぶりおよび／またはローディング効果の補正が行われる。更に、ブロック枠Ｂ０５（図６参照）単位のデータＤＰＢ０５が、データ処理部１０ｂ１ｊ１ａ，１０ｂ１ｊ１ｂ，１０ｂ１ｊ２ａ，１０ｂ１ｊ２ｂによるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｊ３ａによってデータ処理され、近接効果、かぶりおよび／またはローディング効果の補正が行われる。また、ブロック枠Ｂ０６（図６参照）単位のデータＤＰＢ０６が、データ処理部１０ｂ１ｊ１ａ，１０ｂ１ｊ１ｂ，１０ｂ１ｊ２ａ，１０ｂ１ｊ２ｂ，１０ｂ１ｊ３ａによるデータ処理に並列して、データ処理部１０ｂ１ｊ３ｂによってデータ処理され、近接効果、かぶりおよび／またはローディング効果の補正が行われる。
【００５９】
第５の実施形態では、上述した第１から第４の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１０                                            荷電粒子ビーム描画装置
１０ａ１ｂ                                      荷電粒子ビーム
１０ｂ１ｅ                                      コンバータモジュール
１０ｂ１ｅ１，１０ｂ１ｅ２，１０ｂ１ｅ３        データ処理部
１０ｂ１ｅ４，１０ｂ１ｅ５，１０ｂ１ｅ６        データ処理部
Ｄ                                              描画データ
ＤＡ                                            描画領域
Ｂ０１，Ｂ０２，Ｂ０３，Ｂ０４，Ｂ０５，Ｂ０６  ブロック枠
ＤＰＢ０１，ＤＰＢ０２，ＤＰＢ０３              データ
ＤＰＢ０４，ＤＰＢ０５，ＤＰＢ０６              データ
【図１】
2011066215.tif 000003
【図２】
2011066215.tif 000004
【図３】
2011066215.tif 000005
【図４】
2011066215.tif 000006
【図５】
2011066215.tif 000007
【図６】
2011066215.tif 000008
【図７】
2011066215.tif 000009
【図８】
2011066215.tif 000010
【図９】
2011066215.tif 000011
【図１０】
2011066215.tif 000012
【図１１】
2011066215.tif 000013
【図１２】
2011066215.tif 000014
【図１３】
2011066215.tif 000015
【図１４】
2011066215.tif 000016
【図１５】
2011066215.tif 000017
【図１６】
2011066215.tif 000018
【図１７】
2011066215.tif 000019
【図１８】
2011066215.tif 000020