(57)【要約】【課題】製造工程の削減および製造コストダウンを実現でき、かつ感度不良、スミア不良および白傷不良の虞のない固体撮像素子およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】センサ１０が形成されたＳｉ基板２と、Ｓｉ基板２表面に形成されたＳｉＯ２膜１４と、センサ１０から読み出された信号電荷を転送する、ＳｉＯ２膜上に形成されたゲート電極部１６と、ＳｉＯ２膜１４およびゲート電極部１６上に、プラズマＣＶＤ法によって形成されたＳｉＮ膜１８および１８’と、ＳｉＮ膜１８および１８’と屈折率の異なる、ＳｉＮ膜１８および１８’上に形成されたＳｉＯ２膜２０と、センサ１０に対応する開口を有する、ＳｉＯ２膜２０に形成された遮光膜２２と、を備えている固体撮像素子１。【選択図】図１
2011003707.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサが形成された基板と、
上記基板表面に形成された第１の絶縁膜と、
上記センサから読み出された信号電荷を転送する、上記第１の絶縁膜上に形成された電荷転送ゲート電極と、
上記第１の絶縁膜および上記電荷転送ゲート電極上に、プラズマＣＶＤ法によって形成された第２の絶縁膜と、
上記第２の絶縁膜と屈折率の異なる、上記第２の絶縁膜上に形成された第３の絶縁膜と、
上記センサに対応する開口を有する、上記第３の絶縁膜上に形成された遮光膜と、を備えていることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
上記第２の絶縁膜および上記第３の絶縁膜の合計膜厚は、８０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
上記第２の絶縁膜は、上記第１の絶縁膜および上記電荷転送ゲート電極上において、均一に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
上記第２の絶縁膜は、ＳｉＮ膜またはＳｉＯＮ膜であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
上記第１の絶縁膜は、ＳｉＯ２膜であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
上記第３の絶縁膜は、ＳｉＯ２膜であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項７】
基板にセンサを形成する工程と、
上記基板表面に第１の絶縁膜を形成する工程と、
上記第１の絶縁膜上に電荷転送ゲート電極を形成する工程と、
上記第１の絶縁膜および上記電荷転送ゲート電極上に、第２の絶縁膜をプラズマＣＶＤ法によって形成する工程と、
上記第２の絶縁膜と屈折率の異なる第３の絶縁膜を、上記第２の絶縁膜上に形成する工程と、
上記センサに対応する開口を有する遮光膜を、上記第３の絶縁膜上に形成する工程と、を含んでいることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子およびその製造方法に関し、特に電荷転送路および受光部を備えた固体撮像素子およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
被写体からの画像光を光電変換して撮像する半導体素子により構成された半導体イメージセンサである固体撮像素子は、量産性に優れているため、デジタルカメラまたは携帯電話器などの携帯型電子情報機器において広く利用されている。
【０００３】
図４に従来技術である固体撮像素子を示す。図４（ａ）に示す固体撮像素子３０は、Ｓｉ基体３２（シリコン基体）中にｐウェル３４が形成されており、ｐ領域３６とｎ領域３８とによってセンサ４０が構成されている。また、垂直転送部であるｎ領域４２が形成されている。Ｓｉ基体３２の表面にはゲート絶縁膜としてＳｉＯ２膜４４（シリコン酸化膜）が形成されている。ＳｉＯ２膜４４により光の反射を軽減させることによって、集光率が向上し、固体撮像素子３０は感度が良くなる。
【０００４】
また、Ｓｉ基体３２上には、多結晶Ｓｉ膜４６（シリコン膜）によって転送電極が形成されている。多結晶Ｓｉ膜４６は絶縁膜としてのＳｉＯ２膜５０に覆われている。ＳｉＯ２膜５０上には、Ａｌ膜（アルミニウム膜）またはＷ膜（タングステン膜）等により形成された遮光膜５２が形成されている。
【０００５】
また、ＳｉＯ２膜４４上には、４０ｎｍ以下であるＳｉＮ膜４８（窒化シリコン膜）が形成されている。通常、ＳｉＮ膜４８は、ＳｉＯ２膜４４よりも屈折率が２程度高い。したがって、Ｓｉ基体３２とＳｉＯ２膜４４とにおける界面において反射した光は、ＳｉＯ２膜４４とＳｉＮ膜４８とにおける界面において再反射する。これにより、固体撮像素子３０は、多重反射する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１７８１６６号公報（公開日：１９９８年  ６月３０日）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の方法においては、以下のような問題がある。これを、図４（ｂ）〜（ｅ）を参照して説明する。図４（ｂ）〜（ｅ）は、固体撮像素子３０の製造過程を説明する図である。
【０００８】
図４（ｂ）および図４（ｃ）は、ＳｉＮ膜４８の形成を説明する図である。図４（ｂ）に示す反射防止膜としてのＳｉＮ膜４８および４８’は、減圧ＣＶＤ法により成膜する。減圧ＣＶＤ法により成膜するため、多結晶Ｓｉ膜４６は、粉体を加熱して焼きしめるシンタリング効果を得ることができない。このため、フォトリソグラフィー技術を用いてフォトレジスト５４を加工した後に、図４（ｃ）に示すように、転送電極である多結晶Ｓｉ膜４６上におけるＳｉＮ膜４８’をエッチングにより取り除く必要がある。したがって、製造工程が長くなるとともに、製造コストが高くなるといった問題がある。
【０００９】
次に、遮光膜５２の形成過程について、図４（ｄ）および図４（ｅ）を参照して説明する。遮光膜５２を形成する際には、図４（ｄ）に示すように、Ｓｉ基体３２上に、ＳｉＯ２膜５０、遮光膜５２およびフォトレジスト５４’を形成した後に、図４（ｅ）に示すように、ＳｉＮ膜４８上におけるＳｉＯ２膜５０および遮光膜５２をエッチングにより取り除く必要がある。このＳｉＮ膜４８上にＳｉＯ２膜５０および遮光膜５２を形成する際に、図４（ｄ）に示すように、ＳｉＮ膜４８による段差分だけ、ＳｉＯ２膜５０および遮光膜５２に段差が形成されてしまう。このため、フォトレジスト５４’の形状が悪化する。フォトレジスト５４’の形状が悪化するため、ＳｉＯ２膜５０および遮光膜５２をエッチングにより取り除く際に、センサ４０に対応する開口における寸法にばらつきが生じる。このばらつきが、感度不良およびスミア不良を起こす原因となる。さらに、ＳｉＮ膜４８および遮光膜５２形成時におけるエッチングの選択比が小さいため、センサ４０にダメージを与え、白傷不良となる虞がある。
【００１０】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、製造工程の削減および製造コストダウンを実現でき、かつ感度不良、スミア不良および白傷不良の虞を低減できる固体撮像素子およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明に係る固体撮像素子は、センサが形成された基板と、上記基板表面に形成された第１の絶縁膜と、上記センサから読み出された信号電荷を転送する、上記第１の絶縁膜上に形成された電荷転送ゲート電極と、上記第１の絶縁膜および上記電荷転送ゲート電極上に、プラズマＣＶＤ法によって形成された第２の絶縁膜と、
上記第２の絶縁膜と屈折率の異なる、上記第２の絶縁膜上に形成された第３の絶縁膜と、
上記センサに対応する開口を有する、上記第３の絶縁膜上に形成された遮光膜と、を備えていることを特徴としている。
【００１２】
上記の構成によれば、本発明の固体撮像素子は、センサが形成された基板と、上記基板表面に形成された第１の絶縁膜と、上記第１の絶縁膜上に形成された電荷転送ゲート電極と、上記第１の絶縁膜および上記電荷転送ゲート電極上に形成された第２の絶縁膜と、上記第２の絶縁膜上に形成された第３の絶縁膜と、上記第３の絶縁膜上に形成された遮光膜と、を備えており、上記第２の絶縁膜はプラズマＣＶＤ法によって形成されている。
【００１３】
上記第２の絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法によって形成するため、電荷転送ゲート電極の粉体を加熱して焼きしめるシンタリング効果を得ることができる。すなわち、電荷転送ゲート電極の隙間を埋めることができる。このため、エッチングする必要がなく、工程削減およびコストダウンをすることができる。また、上記第２の絶縁膜をプラズマＣＶＤ法によって形成するため加工が容易であり、開口不良および白傷不良となる虞を低減できる。また、上記第２の絶縁膜がフラットになるため、遮光膜はフラットとなる。遮光膜がフラットとなるため、フォトレジストの形状が安定する。したがって、感度不良およびスミア不良を低減することができるという効果を奏する。
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明に係る固体撮像素子の製造方法は、基板にセンサを形成する工程と、上記基板表面に第１の絶縁膜を形成する工程と、上記第１の絶縁膜上に電荷転送ゲート電極を形成する工程と、上記第１の絶縁膜および上記電荷転送ゲート電極上に、第２の絶縁膜をプラズマＣＶＤ法によって形成する工程と、上記第２の絶縁膜と屈折率の異なる第３の絶縁膜を、上記第２の絶縁膜上に形成する工程と、上記センサに対応する開口を有する遮光膜を、上記第３の絶縁膜上に形成する工程と、を含んでいることを特徴としている。
【００１５】
上記の構成によれば、本発明に係る固体撮像素子と同様の作用効果を奏する。
【００１６】
本発明に係る固体撮像素子において、上記第２の絶縁膜および上記第３の絶縁膜の合計膜厚は、８０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１７】
上記の構成によれば、上記固体撮像素子において、第２の絶縁膜および上記第３の絶縁膜の合計膜厚は８０ｎｍ以下である。合計膜厚が８０ｎｍ以下であるため、スミアレベルが低下しない、すなわちスミア不良をさらに低減できるというさらなる効果を奏する。
【００１８】
本発明に係る固体撮像素子において、上記第２の絶縁膜は、上記第１の絶縁膜および上記電荷転送ゲート電極上において、均一に形成されていることが好ましい。
【００１９】
上記の構成によれば、上記第２の絶縁膜は、上記第１の絶縁膜および上記電荷転送ゲート電極上において、均一に形成されている。このため、固体撮像素子に形成過程において、上記第２の絶縁膜および上記遮光膜に段差が形成されない。したがって、加工が容易となるというさらなる効果を奏する。
【００２０】
本発明に係る固体撮像素子の上記第２の絶縁膜は、ＳｉＮ膜またはＳｉＯＮ膜であることことが好ましい。
【００２１】
上記の構成によれば、ＳｉＮ膜またはＳｉＯＮ膜を第２の絶縁膜として用いることができるという更なる効果を奏する。
【００２２】
本発明に係る固体撮像素子の上記第１の絶縁膜は、ＳｉＯ２膜であることが好ましい。
【００２３】
上記の構成によれば、ＳｉＯ２膜を第１の絶縁膜として用いることができるという更なる効果を奏する。
【００２４】
本発明に係る固体撮像素子の上記第３の絶縁膜は、ＳｉＯ２膜であることが好ましい。
【００２５】
上記の構成によれば、ＳｉＯ２膜を第３の絶縁膜として用いることができるという更なる効果を奏する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る固体撮像素子は、センサが形成された基板と、上記基板表面に形成された第１の絶縁膜と、上記センサから読み出された信号電荷を転送する、上記第１の絶縁膜上に形成された電荷転送ゲート電極と、上記第１の絶縁膜および上記電荷転送ゲート電極上に、プラズマＣＶＤ法によって形成された第２の絶縁膜と、上記第２の絶縁膜と屈折率の異なる、上記第２の絶縁膜上に形成された第３の絶縁膜と、上記センサに対応する開口を有する、上記第３の絶縁膜上に形成された遮光膜と、を備えている。
【００２７】
したがって、エッチングする必要がなく、工程削減およびコストダウンをすることができる。また、開口不良、白傷不良、感度不良およびスミア不良を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態に係る、固体撮像素子の構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る、第１のＳｉＯ２膜の厚さに対する固体撮像素子の感度出力を示すグラフである。
【図３】本発明の一実施形態に係る、絶縁膜の厚さに対するスミアレベルの相対値を示すグラフである。
【図４】従来技術を示す図であり、固体撮像素子の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明に係る一実施形態について、図１〜図３を参照して以下に説明する。
【００３０】
（固体撮像素子１の構成）
まず、本実施形態に係る固体撮像素子１の構成について、図１（ａ）を参照して説明する。図１（ａ）は、固体撮像素子１の構成を示す図である。この図に示すように、固体撮像素子１は、Ｓｉ基板２（シリコン基板）、Ｐウェル４、ｐ領域６およびｎ領域８から構成されるセンサ１０、垂直転送部であるｎ領域１２、ＳｉＯ２膜１４（シリコン酸化膜）、ゲート電極部１６、ＳｉＮ膜１８および１８’（窒化シリコン膜）、ＳｉＯ２膜２０ならびに遮光膜２２を備えている。
【００３１】
図１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板２中にはＰウェル４が形成されており、Ｓｉ基板２の表面近くには、ｐ領域６とｎ領域８とから成るセンサ１０が構成されている。また、Ｓｉ基板２の表面近くにおけるセンサ１０が構成されていない別々の箇所に２つの垂直転送部であるｎ領域１２が形成されている。
【００３２】
Ｓｉ基板２の表面には、ゲート絶縁膜としてＳｉＯ２膜１４が形成されており、Ｓｉ基板２上における、垂直転送部であるｎ領域１２各々の略真上には、ゲート電極部１６各々が形成されている。また、ＳｉＯ２膜１４およびゲート電極部１６各々は、一体にかつ均一に形成されたＳｉＮ膜１８および１８’によって覆われている。ＳｉＮ膜１８’各々はさらに、ＳｉＯ２膜２０各々に覆われている。ＳｉＯ２膜２０各々は、遮光膜２２各々に覆われている。
【００３３】
（固体撮像素子１の製造方法）
次に、固体撮像素子１の製造方法について、図１（ｂ）および図１（ｃ）を参照して説明する。固体撮像素子１の製造方法において、ＳｉＯ２膜１４を形成するまでは、従来技術において説明した固体撮像素子３０と同様である。すなわち、図１（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板２中にＰウェル４を形成する。また、ｐ領域６とｎ領域８とから構成されるセンサ１０、および垂直転送部であるｎ領域１２を形成する。次に、Ｓｉ基板２の表面に、ゲート絶縁膜としてＳｉＯ２膜１４を形成する。ＳｉＯ２膜１４により光の反射を軽減させることによって、集光率が向上し、固体撮像素子１の感度が良くなる。次に、ｎ領域１２各々の略真上に、ポリシリコンであるゲート電極部１６各々を形成する。
【００３４】
次に、固体撮像素子１においては、ゲート電極部１６各々と後に形成する遮光膜２２各々とを絶縁する絶縁膜として、ゲート電極部１６各々上にＳｉＮ膜１８’を、またＳｉＯ２膜１４上にＳｉＮ膜１８をプラズマＣＶＤ法を用いて形成する。プラズマＣＶＤ法を用いて形成するため、ＳｉＮ膜１８および１８’は連続的かつ均一に形成される。このため、固体撮像素子に形成過程において、上記第２のＳｉＯ２膜および上記遮光膜に段差が形成されない。したがって、加工が容易となる。
【００３５】
また、このプラズマＣＶＤ法においては、ガス種としてＳｉＨ４（シランガス）およびＮＨ３（アンモニアガス）を用いる。ＳｉＨ４ガスを用いることによって、ＳｉＮ膜１８および１８’中に水素が残留する。
【００３６】
これにより、保護膜形成後に約４００〜４５０度において行われる水素シンター工程において、ゲート電極部各々１６に水素が供給される。ゲート電極部各々１６に水素が供給されることによって、シンタリング効果を得ることができる。すなわち、粉体を加熱して焼きしめることによって、ゲート電極部各々１６の表面の隙間を埋めることができる。一方、従来技術における固体撮像素子３０においては、減圧ＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を形成するため、水素シンター工程において、ゲート電極部に水素が供給されない。このため、シンタリング効果を得ることができない。
【００３７】
次に、ゲート電極部各々１６を覆っているＳｉＮ膜１８’各々上に、膜相互の密着性を向上させるために化学気相成長によって成膜したＣＶＤ酸化膜２０各々を形成する。
【００３８】
ＳｉＯ２膜１４、ＳｉＮ膜１８および１８’、ならびにＣＶＤ酸化膜２０の膜厚は、ＳｉＯ２膜１４が３０ｎｍ、ＳｉＮ膜１８および１８’が３５ｎｍ、ならびにＣＶＤ酸化膜２０が１５ｎｍであることが好ましい。これを図２および図３を参照して説明する。
【００３９】
図２は、一次元波動解析、光学Ｓｉｍという条件における、異なる厚さであるＳｉＮ膜１８および１８’毎の、酸化膜であるＳｉＯ２膜１４の厚さに対する固体撮像素子１の感度出力を示すグラフである。なお、感度は、波長５４０±２０ｎｍにおける平均感度である。図２に示すように、ＳｉＯ２膜１４が３０ｎｍであり、ＳｉＮ膜１８が３５ｎｍである場合には、出力感度は略８０％となる。また、図３は、ゲート電極部１６と遮光膜２２との間の絶縁膜の厚さ、すなわちＳｉＮ膜１８’とＣＶＤ酸化膜２０との合計膜厚に対するスミアレベルの相対値を示すグラフである。
【００４０】
当該グラフは、合計膜厚が６０ｎｍのスミアレベルを１００とした場合の相対値を示すグラフであり、ＳｉＯ２膜１４の膜厚を２０ｎｍ、ならびにＳｉＮ膜１８および１８’の膜厚を２５ｎｍに固定している。このグラフに示すように、合計膜厚が８０ｎｍよりも小さければ、スミアレベルは低下しない。すなわち、スミア不良を低減できる。図２および図３を用いて説明した以上のことから、ＳｉＯ２１４膜を３０ｎｍ、ＳｉＮ膜１８および１８’を３５ｎｍ、ならびにＣＶＤ酸化膜２０を１５ｎｍとすることが好ましい。
【００４１】
次に、ＣＶＤ酸化膜２０形成後に、Ａｌ膜（アルミニウム膜）またはＷ膜（タングステン膜）である遮光膜２２を、スパッタ法またはＣＶＤ法によって堆積させる。次に、フォトリソグラフィー技術を用いてフォトレジスト２４を加工する。これを図１（ｂ）に示す。次に、図１（ｃ）に示すように、ドライエッチングによって、ＳｉＮ膜１８上におけるＣＶＤ酸化膜２０および遮光膜２２を取り除く。このエッチングする際において、遮光膜２２開口部におけるＳｉ基板２上には、ＳｉＯ２膜１４およびＳｉＮ膜１８が形成されている。したがって、ドライエッチングする際の波長発光強度（終点検出ポイント）の検出が容易となる。このため、ドライエッチングする際におけるセンサ１０へのプラズマダメージを低減することができる（白傷低減）。
【００４２】
ＣＶＤ酸化膜２０および遮光膜２２をエッチングした後に、フォトレジスト２４を除去する。以上により、図１（ａ）に示す固体撮像素子１を形成する。なお、固体撮像素子１においては、プラズマＣＶＤ法によってＳｉＮ膜１８および１８’を形成した。しかしながら、ＳｉＮ膜１８および１８’の替わりにプラズマＣＶＤ法によってＳｉＯＮ膜（シリコン酸窒化膜）を形成することも本発明の範疇に含まれる。また、ＳｉＯ２膜１４、ＳｉＮ膜１８および１８’、 ならびにＳｉＯ２膜２０は、波長４００ｎｍ以上において屈折率が異なる膜であることが好ましい。
【００４３】
以上説明したように、固体撮像素子１においては、ＳｉＮ膜１８および１８’をプラズマＣＶＤ法により形成するため、ゲート電極部１６のシンタリング効果を得ることができる。このため、エッチングする必要がなく、工程削減およびコストダウンをすることができる。また、加工が容易であり、開口不良および白傷不良となる虞を低減できる。また、ＳｉＮ膜１８および１８’がフラットのため、遮光膜２２はフラットとなる。遮光膜２２がフラットとなるため、フォトレジスト２４の形状が安定する。したがって、感度不良およびスミア不良を低減することができる。
【００４４】
（付記事項）
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【００４５】
本発明は、例えば、以下のように表現することもできる。
【００４６】
１．半導体基板上にセンサが形成されており、その受光部には前記基板上に第１の絶縁膜が形成され、さらにその上に第２の絶縁膜がされ、前記受光部に隣接して形成される電荷転送ゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように形成される遮光膜を有し、前記電荷転送ゲート電極と遮光膜を絶縁する屈折率の異なる第２絶縁膜と第３絶縁膜を有する事を特徴とした固体撮像素子。
【００４７】
２．１に記載の固体撮像素子において、第１の絶縁膜はＳｉＯ２膜、第２の絶縁膜はＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜で構成する事を特徴とした固体撮像素子。
【００４８】
３．１、２に記載の固体撮像素子において、第２の絶縁膜のＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜はプラズマＣＶＤ法を用いることを特徴とする固体撮像素子。
【００４９】
４．１、２に記載の固体撮像素子において、第１の絶縁膜にはＳｉＯ２膜、第２の絶縁膜にＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜、第３の絶縁膜にはＳｉＯ２膜で構成する事を特徴とした固体撮像素子。
【００５０】
５．１、２に記載の固体撮像素子において、第２絶縁膜と第３絶縁膜の合計厚さが８０ｎｍ以下となることを特徴とする 固体撮像素子。
【００５１】
６．１に記載の固体撮像素子において、前記受光部の第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と前記受光部に隣接して形成される電荷転送ゲート電極上と側面わたって形成される第２の絶縁膜のＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜は、エッチング加工の施されない連続体である１乃至５に記載の固体撮像素子。
【００５２】
７．半導体基板上にセンサ部を形成する工程と、前記基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、電荷転送ゲート電極を形成する工程と、前記基板上に第２の絶縁膜を形成する工程と、続いて第３の絶縁膜を形成する工程と、遮光膜を形成する工程と、フォトリソ工程及びエッチング工程を実施して、前記受光部上の遮光膜と第３の絶縁膜を除去する工程とを有する固体撮像素子の製造方法。
【００５３】
８．７において、第１の絶縁膜はＳｉＯ２膜、第２の絶縁膜はＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜である事を特徴とした固体撮像素子の製造方法。
【００５４】
９．７と８において、第２の絶縁膜のＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜はプラズマＣＶＤ法を用いることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【００５５】
１０．７において、第１の絶縁膜にはＳｉＯ２膜、第２の絶縁膜にＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜、第３の絶縁膜にはＳｉＯ２膜で構成する事を特徴とした固体撮像素子の製造方法。
【００５６】
１１．前記受光部の第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と前記受光部に隣接して形成される電荷転送ゲート電極上と側面わたって形成される、第２の絶縁膜のＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜は、エッチング加工の施されない連続体である７乃至１０に記載の固体撮像素子の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明の固体撮像素子は、電荷転送路および受光部を備えた固体撮像素子一般において広く適用できる。
【符号の説明】
【００５８】
１            固体撮像素子
２            Ｓｉ基板（基板）
４            Ｐウェル
６            ｐ領域
８            ｎ領域
１０          センサ
１２          ｎ領域
１４          ＳｉＯ２膜（第１のＳｉＯ２膜）
１６          ゲート電極部（電荷転送ゲート電極）
１８、１８’  ＳｉＮ膜
２０          ＳｉＯ２膜（第２のＳｉＯ２膜）
２２          遮光膜
２４          フォトレジスト
【図１】
2011003707.tif 000003
【図２】
2011003707.tif 000004
【図３】
2011003707.tif 000005
【図４】
2011003707.tif 000006