(57)【要約】【課題】ＰＤＰにおいて、放電電圧が低く、且つ、優れたライフ特性を有するものを提供する。【解決手段】ＣｅＯ２とＳｒＣＯ３粉末を混合する。混合粉末を焼成し、金型に詰めて加圧成型して成型体とする。ここで、加圧成型する圧力は、加圧成型体のかさ密度が、真密度の６５％以上となるように設定する。加圧成型した成型体を再び焼成し、焼成した成型体をターゲット原料としてＥＢ蒸着を実施することで、保護層７を成膜する。  形成された保護層７は、Ｃｅ，Ｓｒ，Ｏからなる蛍石構造の酸化物であって、且つ（１００）面配向となる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｒとＣｅとＯとからなる酸化物を、かさ密度が理論密度の６５％以上となるように圧縮する圧縮工程と、
圧縮された酸化物をターゲット材料として、基板上に前記酸化物からなる薄膜を形成する薄膜形成工程とを備えるプラズマディスプレイパネル用の保護層形成方法。
【請求項２】
前記薄膜形成工程で形成する薄膜は、結晶配向が（１００）面配向である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記薄膜形成工程では、前記基板上に蒸着法で薄膜を形成する請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記薄膜は、
結晶構造が蛍石構造である請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
第１基板の表面に誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、
当該誘電体層の上に、請求項１記載の保護層形成方法を用いて保護層を形成する保護層形成工程と、
誘電体層及び保護層が形成された第１基板を、放電空間を介して第２基板と貼り合わせる封着工程とを備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）に関し、特に保護層形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰと略す）は、薄型ディスプレイパネル（ＦＰＤ）の種類の中で、特に大型化が容易で高速表示が可能であり、比較的低コストで生産できる特徴を有している。このため実用性に優れており、現在はテレビジョン受像機や各種ディスプレイ装置として急速に普及している。
【０００３】
以下に一般的なＡＣ面放電型ＰＤＰの構造を例示する。２枚のガラス基板（前面ガラス基板と背面ガラス基板）の各主面に、それぞれ所定パターンを有する複数の長尺状の電極（表示電極対またはアドレス電極）を設け、これらの各電極を被覆するように前記各主面に低融点ガラス等の誘電体層を設ける。背面ガラス基板上の誘電体層の表面には、各アドレス電極のピッチに合わせて隔壁を設け、当該隔壁側面と誘電体表面に亘ってＲＧＢいずれかの色の蛍光体層を設ける。前面ガラス基板上の誘電体層の表面には、当該誘電体層を放電時のイオン衝撃から保護するとともに、放電空間に二次電子放出を図るための保護層としてＭｇＯ層を設ける。そして上記２枚のガラス基板を、表示電極及びアドレス電極を形成した主面において対向配置し、放電空間を挟んで両基板の周囲において内部封止する。上記放電空間にはＮｅ、Ｘｅ等の不活性ガスを主体とするガスを封入する。これにより駆動時には、アドレス電極と表示電極間、または各対の表示電極間に電圧を印加して放電を発生させ、蛍光体を励起させて可視光発光を得ることで画像表示を行う。
【０００４】
このようなＰＤＰにおいて、その長寿命化を図るために、保護層の耐スパッタ性を向上させる試みもなされている。例えば、特許文献１には、電子ビーム（ＥＢ）蒸着によってＭｇＯからなる保護層を形成する工程において、ＭｇＯターゲット材料と共にＺｎを添加するなどの方法をとることよって保護層の配向を変化させて耐スパッタ性を向上させる技術が開示されている。
【０００５】
また、ＰＤＰにおいては、大画面や高精細型でも低電力で良好な駆動を図るため、放電効率の向上が強く要求されている。
このような要求に対して、保護層の材料に二次電子放出係数の高い材料を用いれば、放電開始電圧や維持電圧の低減が可能であることが知られている。これにより高効率化や、耐圧の低い素子・駆動ドライバを用いることができるので、ＰＤＰの低コスト化が実現可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１４１４８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
二次電子放出係数の高い保護層を形成するのに適した材料として、アルカリ土類金属酸化物であるＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯや、これら同士を固溶させた固溶体、また希土類酸化物との固溶体が検討されており、その一例としてＳｒとＣｅとＯからなる材料が挙げられる。
【０００８】
ＰＤＰの保護層を、このような材料で形成すれば、放電電圧の低減効果は得られるが、次第に放電がシュリンクして放電領域が狭くなるために、輝度および発光効率が低下する。
【０００９】
また、放電領域が狭くなることで局所領域に電界の集中が起こり、保護層のスパッタレートが増し、ライフ中において放電電圧が上昇してしまう傾向がある。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、ＰＤＰにおいて、放電電圧が低く、且つ、優れたライフ特性を有するものを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明にかかるＰＤＰ用の保護層形成方法では、ＳｒとＣｅとＯとからなる酸化物を、かさ密度が理論密度の６５％以上となるように圧縮する圧縮工程と、圧縮された酸化物をターゲット材料として、基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程とを設けた。
【００１１】
上記薄膜形成工程で形成する薄膜は、結晶構造が蛍石構造であることが好ましい。
本発明にかかるＰＤＰの製造方法は、第１基板の表面に誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、上記保護層形成方法を用いて誘電体層の上に保護層を形成する保護層形成工程と、誘電体層及び保護層が形成された第１基板を、放電空間を介して第２基板と貼り合わせる封着工程とを設けた。
【発明の効果】
【００１２】
一般的に、アルカリ土類金属酸化物を薄膜形成した保護層は（１１１）面配向であるが、かさ密度が理論密度の６５％以上となるように圧縮してかさ密度を高くしたＳｒとＣｅとＯとからなる酸化物を、ターゲット材料として薄膜形成しているので、（１００）面配向の保護層を形成することができる。
このように、かさ密度の高いターゲット材料を用いて蒸着法などで薄膜形成を行うと、（１００）面配向となるのは、真空チャンバー内への不純ガスの持ち込み量が低減されるためと考えられる。
【００１３】
そして、（１００）面配向に形成されたＳｒとＣｅとＯとからなる酸化物の薄層は、放電の広がりがよく、耐スパッタ性が良好で、ＭｇＯと同等レベルまでスパッタ性を向上させることができる。
【００１４】
従って、本発明によれば、低電圧で駆動可能で、且つ長寿命のプラズマディスプレイパネルを提供できる。
また、このようなかさ密度の高い材料をターゲットとして用いれば、成膜前の脱ガス工程を短縮することもできるので、ＰＤＰの生産性も向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態にかかるＰＤＰの構成を説明する分解斜視図である。
【図２】図１に示したＰＤＰの縦断面図である。
【図３】実施の形態にかかるＰＤＰの製造方法を示す工程図である。
【図４】Ｘ線回折法による保護層の結晶構造を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
まず、本発明の実施の形態に係る製造方法で作製されるＰＤＰ１００の構成について、各図を用いて説明する。
図１は、ＰＤＰ１００の構成を示す、部分的な分解斜視図である。図２は、図１のＩ−Ｉ線に沿った縦断面図である。
【００１７】
ＰＤＰ１００は、ここでは４２インチクラスのＮＴＳＣ仕様例のＡＣ型としているが、本発明は当然ながらＸＧＡやＳＸＧＡ等、この他の仕様例に適用してもよい。ＨＤ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）以上の解像度を有する高精細なＰＤＰとしては、例えば、次の規格を例示できる。画面サイズが３７、４２、５０インチの各サイズの場合、同順に１０２４×７２０（画素数）、１０２４×７６８（画素数）、１３６６×７６８（画素数）に設定できる。そのほか、さらに高解像度の規格に設定することも可能である。ＨＤ以上の解像度を有する構成としては、１９２０×１０８０（画素数）を備えるフルＨＤのＰＤＰを挙げることができる。
【００１８】
ＰＤＰ１００はＡＣ面放電型であって、保護層７がＳｒとＣｅとＯからなる酸化物で形成されている以外は、従来例にかかるＰＤＰとほぼ同様の構成を有する。
具体的には、図１および２に示すように、ＰＤＰ１００は、前面板１と背面板８とを放電空間１４を介して対向配置されてなる。
【００１９】
前面板１の基板となる前面ガラス基板２には、その一方の主面に所定の放電ギャップ（７５μｍ）をおいて配設された一対の表示電極５（走査電極、維持電極）が複数対にわたり形成されている。各表示電極５は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）等の透明導電性材料からなる帯状の透明電極３（厚さ０．１μｍ、幅１５０μｍ）に対して、Ａｇ厚膜（厚み２μｍ〜１０μｍ）、Ａｌ薄膜（厚み０．１μｍ〜１μｍ）またはＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層薄膜（厚み０．１μｍ〜１μｍ）等からなるバス電極４（厚さ７μｍ、幅９５μｍ）が積層されてなる。このバス電極４によって透明電極３のシート抵抗が下げられる。
【００２０】
表示電極５を配設した前面ガラス基板２には、その主面全体にわたり、酸化鉛（ＰｂＯ）または酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）または酸化燐（ＰＯ４）を主成分とする低融点ガラス（厚み３５μｍ）からなる誘電体層６が形成されている。
【００２１】
誘電体層６は、ＡＣ型ＰＤＰ特有の電流制限機能を有し、ＤＣ型ＰＤＰに比べて長寿命化を実現する要素になっている。
誘電体層６の表面には、膜厚約１μｍで保護層７が形成されている。
【００２２】
この保護層７は、ＳｒとＣｅとＯからなる酸化物で形成され、（１００）面配向を有している。
一般に保護層は、放電時のイオン衝撃から誘電体層６を保護し、放電開始電圧を低減させる目的で配され、良好な光学透明性、電気絶縁性も要求されるが、保護層７は、ＳｒとＣｅとＯからなる酸化物で形成され、（１００）面配向を有しているので、二次電子放出係数γが高く、且つ放電の広がりがよく耐スパッタ性にも優れる。
【００２３】
背面板８の基板となる背面ガラス基板９には、その一方の主面に、Ａｇ厚膜（厚み２μｍ〜１０μｍ）、Ａｌ薄膜（厚み０．１μｍ〜１μｍ）またはＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層薄膜（厚み０．１μｍ〜１μｍ）等のいずれかからなるアドレス（データ）電極１０が、幅１００μｍで、一定間隔毎（３６０μｍ）にストライプ状に並設される。そして、各々のアドレス電極１０を内包するように、背面ガラス基板９の全面にわたって、厚さ３０μｍの誘電体層１１が配設されている。
【００２４】
誘電体層１１の上には、さらに隣接するアドレス電極１０の間隙に合わせて井桁状の隔壁１２（高さ約１１０μｍ、幅４０μｍ）が配設され、放電セルが区画されることで誤放電や光学的クロストークの発生を防ぐ役割をしている。
【００２５】
隣接する２つの隔壁１２の側面とその間の誘電体層１１の面上には、カラー表示のための赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各々に対応する蛍光体層１３（Ｒ）、１３（Ｇ）、１３（Ｂ）が同順に繰り返し形成されている。蛍光体層１３（Ｒ）、１３（Ｇ）、１３（Ｂ）の各々を構成する蛍光体としては、例えば、青色蛍光体としてＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、緑色蛍光体としてＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、赤色蛍光体としてＹ２Ｏ３：Ｅｕを例示することができる。
【００２６】
なお、誘電体層１１は必須ではなく、アドレス電極１０を直接蛍光体層１３で内包するようにしてもよい。
前面板１と背面板８は、表示電極５とアドレス電極１０の互いの長手方向が直交するように対向配置され、両基板１、８の外周縁部においてガラスフリットで封着されている。両基板１、８間にはＨｅ、Ｘｅ、Ｎｅ等を含む不活性ガス成分からなる放電ガスが所定圧力で封入されている。
【００２７】
このようなＰＤＰ１００において、隔壁１２の間は放電空間１４であり、隣り合う一対の表示電極５と１本のアドレス電極１０が放電空間１４を挟んで交叉する領域が、画像表示にかかる放電セル（「サブピクセル」とも言う）に対応する。放電セルピッチは、例えばパネル横方向が６７５μｍ、パネル縦方向が３００μｍである。隣り合うＲＧＢの各色に対応する３つの放電セルで１画素（６７５μｍ×９００μｍ）が構成される。
【００２８】
表示電極５の走査電極、維持電極、アドレス電極１０の各々には、パネル外部において、図示しない公知の駆動回路である走査電極ドライバ、維持電極ドライバ、データ電極ドライバが同順に接続される。
【００２９】
ＰＤＰ１００の駆動時には、駆動回路から各電極５、１０に印加される電圧によって、放電空間１４で放電が発生する。この放電に伴って発生する短波長（波長１４７ｎｍ）の紫外線により蛍光体層１３が励起される可視光が発生する。この可視光が前面板１を通して外部に採り出されることで、画像表示がなされる。
【００３０】
ここで、ＰＤＰ１００においては、保護層７が、ＳｒとＣｅとＯとからなる酸化物で形成されているので、良好な二次電子放出特性及び電荷保持特性が発揮され、動作電圧（主として放電開始電圧と放電維持電圧）が低減し、安定した低電力駆動が可能となる。
【００３１】
この点については、特願２００９−３５２４４号に詳細が説明されているが、以下のように考えられる。
保護層において二次電子が放出される機構は、オージェプロセスが関与していると考えられる。すなわち、上記のように保護層７がＳｒとＣｅとＯとからなる酸化物で形成されていると、この酸化物はＣｅＯ2にＳｒが添加された形態であるため、ＣｅＯ2の禁制帯中に、添加されたＳｒによる電子準位が形成され、且つ、価電子帯の最高準位が押し上げられる。これによって、オージェプロセスで価電子帯の電子が取得するエネルギーが比較的小さくても、電子が放出され得る。従って、二次電子放出係数が向上すると考えられる。
【００３２】
また、保護層７を構成する酸化物は（１００）面配向しているので、下記実験２で示すように、同じ組成の（１１１）面配向の酸化物と比べて優れた耐スパッタ性を有する。また、放電が局所的に生じることも抑えられため、輝度や発光効率の経時的な低下も少ない。
【００３３】
なお、保護層７において、（１００）面配向と（１１１）面配向とが混在している場合でも、（１１１）面配向単独のものと比べると耐スパッタ性は向上する。すなわち、Ｘ線回折測定において、（１１１）面配向を示すピークの高さに対して、（１００）面配向を示すピークの高さが１％以上あれば、（１１１）面配向単独のものより耐スパッタ性が向上する。
【００３４】
よって、保護層７を有するＰＤＰ１００においては、長期間にわたって、低い放電電圧で駆動することができ、画像表示性能も維持できる。
また、保護層７の上にＳｒＣｅＯ3、ＢｅＣｅＯ３、ＬａＣｅＯ３のいずれかの酸化物微粒子を配設してもよい。このような微粒子を配設することによって、放電時に保護層に対してスパッタが集中するのを防止し、保護層を長寿命化することができる。
＜ＰＤＰの製造方法＞
次に、ＰＤＰ１００の製造法について、図３を参照しながら例示するが、この製造方法は一例に過ぎず、発明の範囲内において適宜変更が可能である。
【００３５】
前面板１を作製する方法：
表示電極形成工程（Ｓ１１）：
平坦な前面ガラス基板２の一主面に、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の透明電極材料を用いて複数のライン状の透明電極３を形成する。引き続き、透明電極３上にＡｇペーストを塗布した後、当該基板全体を加熱することによってＡｇペーストを焼成し、バス電極４を形成して表示電極５を得る。バス電極４の金属材料としては、Ａｇの他にＰｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、また酸化錫、酸化インジウム等を用いることができる。バス電極４は上記方法以外にも、蒸着法、スパッタリング法などで電極材料を成膜したのち、エッチング処理して形成することも可能である。
【００３６】
誘電体層形成工程（Ｓ１２）：
上記前面ガラス基板２の主面に、表示電極５を覆うように、誘電体層用ガラスを含むガラスペーストを、スクリーン印刷法、ブレードコーター法などの方法で塗布する。その後、当該基板全体を９０℃で３０分間保持してガラスペーストを乾燥させる。次いで、５８０℃前後の温度で１０分間焼成を行う。これによって誘電体層６が形成される。
【００３７】
保護層形成工程：
以下のように、保護層７を形成するためのターゲット材料を作製する。
出発原料として、ＣｅＯ２とＳｒＣＯ３粉末を、ボールミルで湿式混合し、乾燥して混合粉とする（Ｓ２１）。
【００３８】
ここで、ＣｅＯ２とＳｒＣＯ３の混合比率については、ＣｅとＳｒの合計原子数に対するＣｅ原子数の割合が５０％以上となるように設定することが、蛍石構造を有し良好な電子放出性能を有する保護層７を得る上で好ましい。
【００３９】
すなわち、Ｓｒの割合が少ないと、形成される保護層７の結晶構造はＣｅＯ2と同じ蛍石構造であるが、Ｓｒの割合が多くなると形成される保護層７の結晶構造はアモルファスを経てＮａＣｌ構造に移るので、保護層７における蛍石構造を維持するためにＣｅに対するＳｒの比率があまり高くならないよう、上記の範囲に設定することが好ましい。
【００４０】
この混合粉末をアルミナ製坩堝に入れて空気中で１２００℃〜１４００℃で２時間焼成し、化合物粉末を得る（Ｓ２２）。
次に、得られた化合物粉末を金型に詰めて加圧成型し、成型体とする。ここで、加圧成型する圧力は、加圧成型体のかさ密度が、真密度の６５％以上となるように設定する（Ｓ２３）。
【００４１】
加圧成型した成型体を、再びアルミナ製坩堝に入れ、空気中で１４００℃で２時間焼成する（Ｓ２４）。
この焼成で得られた化合物成型体を、ターゲット原料としてＥＢ蒸着を実施することで、保護層７を成膜する（Ｓ２５）。
【００４２】
以上のようにして形成された保護層７は、下記実験１で示すように、Ｃｅ，Ｓｒ，Ｏからなる蛍石構造の酸化物であって、且つ（１００）面配向となる。
ＥＢ蒸着法でＣｅ，Ｓｒ，Ｏからなる酸化物の膜を形成する際に、かさ密度の低いペレットをターゲットとして使用すると（１１１）面配向となるが、かさ密度が高いペレットをターゲットとして使用すると（１００）面配向となる理由については明確にはわかっていないが、次のように考えられる。
【００４３】
かさ密度の低いペレットは焼結性が低く比表面積が大きいため、表面に不純ガス成分が多く吸着しやすい。従って、このペレットをターゲットとしてＥＢ蒸着すると、ＥＢ蒸着装置内に不純ガス成分が多く持込まれ、蒸着中における不純ガス成分の圧力も高くなる。従って、電子ビームによって加熱された蒸着材料が蒸発してフラックスとなり、基板の表面に到達するまでの間に、不純ガス成分と結合を形成する作用が生じる。
【００４４】
これに対してかさ密度の高いペレットは焼結性が高く比表面積が小さいため、ＥＢ蒸着装置内への不純ガス成分の持込が少なく、蒸着中の不純物ガス圧力も低い。従って、蒸着材料が不純ガス成分と結合を形成する作用が生じない。
【００４５】
このような作用の違いが、結晶の核形成段階の違いを生じさせ、その結果として異なる配向を有する薄膜が形成されるものと考えられる。
なお、ＥＢ蒸着工程において、このようにかさ密度の高い材料をターゲットとして用いれば、不純ガス成分の持ち込みが少なくなるので、成膜前の脱ガス工程を短縮することもできる。この点は、ＰＤＰの生産性も向上に寄与する。
【００４６】
このように形成した保護層７の表面上にＭｇＯ粉末を配設しもよい。その場合は、比較的ＭｇＯ粉末含有率の低いペーストを用意して印刷法等により塗布する方法、溶媒に粉末を分散させて散布する方法、スピンコーター等を用いる方法等のいずれかで化合物粉末を保護層７上に配置する。その後、これを５００℃前後の温度で焼成する方法を挙げることができる。
【００４７】
以上で前面板１が作製される。
背面板８を作製する方法：
上記前面板１とは別工程で、以下のように背面板８を作製する。
【００４８】
平坦な背面ガラス基板９の一主面に、銀ペーストをライン状に複数本塗布した後、背面ガラス基板９の全体を加熱して前記塗布した銀ペーストを焼成し、アドレス電極１０を形成する（Ｓ３１）。
【００４９】
隣り合うアドレス電極１０の間にガラスペーストを塗布し、背面ガラス基板の全体を加熱してガラスペーストを焼成することによって、誘電体層１１を形成する（Ｓ３２）。
ガラスペーストを隔壁形状に塗布し焼成することによって隔壁１２を形成する（Ｓ３３）。
【００５０】
隣り合う隔壁１２同士の間に、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色の蛍光体インクを塗布し、背面ガラス基板を約５００℃に加熱して上記蛍光体インクを焼成することによって、蛍光体インク内の樹脂成分（バインダー）等を除去して蛍光体層１３を形成する（Ｓ３４）。
【００５１】
以上で背面板８が作製される。
こうして得た前面板１と背面板８とを、封着ガラスを用いて貼り合わせ、封着工程を実施する。この封着温度は５００℃前後に設定する（Ｓ４１）。
【００５２】
その後、放電空間１４の内部を高真空（１．０×１０−４Ｐａ）程度に排気し（Ｓ４２）、これに所定の圧力（ここでは６６．５ｋＰａ〜１０１ｋＰａ）でＮｅ−Ｘｅ系やＨｅ−Ｎｅ−Ｘｅ系、Ｎｅ−Ｘｅ−Ａｒ系等の放電ガスを封入する（Ｓ４３）。
【００５３】
以上の各製造工程を経ると、ＰＤＰ１００が得られる。
＜性能評価実験＞
上記実施の形態に基づいて作製したＰＤＰについて性能評価実験を行った。その結果を説明する。
【００５４】
[実験１；ターゲットのかさ密度と保護層の配向に関する評価］
本実験では、酸化セリウムの原料粉末と炭酸ストロンチウムの原料粉末とを用いて、固相法により合成した化合物粉末を作製し、異なるプレス成型圧力で圧粉成型したペレットをターゲット原料とした。以下、そのターゲット原料を使用して成膜した保護層と、その薄膜の物性評価について述べる。
【００５５】
出発原料として、試薬特級以上のＣｅＯ２とＳｒＣＯ３粉末を用いた。これらの原料を、ＣｅとＳｒの原子比が１：１の比率となるように秤量し、ボールミルを用いて湿式混合した後、乾燥し、混合粉末を得た。
【００５６】
これらの混合粉末をアルミナ製坩堝に入れ、電気炉にて、空気中で１２００℃〜１４００℃で２時間焼成し、化合物を得た。
この化合物粉末を、φ１３ｍｍの円柱形状の金型に詰めて加圧成形した。
【００５７】
このとき、プレス成型圧力は、表１に示すように、６０〜１５０ｋｇｆ／ｃｍ３の範囲内で、異なる圧力に設定して行った。
そして、得られた各成型体を、アルミナ製坩堝に入れて、電気炉にて、空気中で１４００℃で２時間焼成し、化合物のターゲット原料を得た。
【００５８】
得られた各ペレット（表1のサンプルＮｏ．1〜６）について、体積と重量を計測してかさ密度を求めた。
サンプルＮｏ．２、３、４、５、６は、プレス成型圧力が９０ｋｇｆ／ｃｍ２以上であり、かさ密度は３．７２２ｇ／ｃｍ３以上（理論密度：５．６８ｇ／ｃｍ３の６５％以上）である。サンプルＮｏ．１は、プレス成型圧力が６０ｋｇｆ／ｃｍ２、かさ密度が２．８８４ｇ／ｃｍ３である。
【００５９】
これらサンプルＮｏ．1〜６の各ペレットを、ターゲット原料として、ＥＢ蒸着法により膜厚８００ｎｍ程度の保護膜を形成した。
サンプルＮｏ．１をターゲット原料として形成した保護膜は比較例、サンプルＮｏ．２〜６をターゲット原料として形成した保護膜は実施例にかかるものである。表１に示す（表中、「実」は実施例、「比」は比較例をそれぞれ示す）。
【００６０】
【表１】
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上記作製した各サンプルの結晶構造および配向性を同定するため、Ｘ線回折法による測定を行った。
【００６１】
比較例であるサンプル１と実施例であるサンプル６についての測定結果を図３に示す。
図３に示すように、実施例にかかるサンプル６と比較例にかかるサンプル１のＸ線回折パターンにおいては、それぞれいくつかの回折ピークが観測された。
【００６２】
これらすべての回折ピークはすべてＣｅＯ２の蛍石構造に由来する回折ピークであることが同定でき、実施例のサンプル６において特に強度の大きい３２．５°付近の回折ピークは（２００）面に、また比較例のサンプル１において特に強度の大きい２７．８°付近の回折ピークは（１１１）面に対応している。
【００６３】
従って、かさ密度の高いペレットを使用して作製した実施例のサンプル６では（１００）面配向の保護層が形成され、一方、かさ密度の低いペレットを使用して作製した比較例のサンプル１では（１１１）面配向の保護層が形成されていることがわかる。
【００６４】
同様に、その他の実施例のサンプル２〜５についても配向性を調べた結果、表１に示すように、主に（１００）面配向であることが確認された。
ただし、サンプル３〜６においては、（１１１）面に対応する回折ピークはほとんど見られず、全体的に（１００）面配向であるのに対して、サンプル２においては、（１００）面に対応する回折ピークが主であるものの、（１１１）面に対応する回折ピークもある程度観測され、（１１１）面配向も混ざっていることがわかった。
【００６５】
以上の結果から、かさ密度が理論密度の６５％以上となる成型圧力３．７２２ｇ／ｃｍ２以上のペレットをターゲット原料として保護層を形成することによって主に（１００）面配向の保護層が形成され、それ以下である成型圧力２．８８４ｇ／ｃｍ２のペレットを用いて作製すると（１１１）面配向の保護層が得られることがわかる。また、かさ密度が理論密度の８９％以上となる成型圧力５．０７３ｇ／ｃｍ２以上のペレットをターゲット原料としてＥＢ蒸着すれば、膜全体的に（１００）面配向を有する保護層が形成できることわかる。
【００６６】
このように、蒸着材料であるペレットのかさ密度によって、得られる保護層の配向性が制御できることが明らかとなった。
なお、蛍石構造を有するＣｅＯ２の結晶の場合、（１１１）面の回折ピークは２８．５°付近、また（２００）面の回折ピークは３３．１°付近に現れるのに対して、本実験におけるサンプルの測定結果では、少し低角側に回折ピークがシフトしているが、これはＣｅＯ２の結晶構造中のＣｅサイトにＣｅよりイオン半径の大きなＳｒが置換して固容体を形成し、結晶格子が拡がったためと考えられる。
【００６７】
［実験２；ＰＤＰのライフ試験による保護層の耐スパッタ性評価］
実験２では、本発明の（１００）面配向に制御された保護層を用いた場合のＰＤＰの性能評価実験について示す。
【００６８】
厚さ約２．８ｍｍの平坦なソーダライムガラスからなる前面ガラス基板を用意した。この前面ガラス基板の面上に、ＩＴＯ（透明電極）の材料を所定のパターンで塗布し、乾燥した。次いで、銀粉末と有機ビヒクルとの混合物である銀ペーストをライン状に複数本塗布した後、上記前面ガラス基板を加熱することにより、銀ペーストを焼成して表示電極を形成した。
【００６９】
表示電極を作製したフロントパネルに、ブレードコーター法を用いてガラスペーストを塗布し、９０℃で３０分間保持してガラスペーストを乾燥させ、５８５℃の温度で１０分間焼成することによって、厚さ約３０μｍの誘電体層を形成した。
【００７０】
上記誘電体層上に、表１のサンプルＮｏ．３に相当する保護層を電子ビーム蒸着法によって作製した。また、比較のため、表１のサンプルＮｏ．１に相当する保護層も同様に作製した。
【００７１】
一方、以下の方法で背面板を作製した。まず、ソーダライムガラスからなる背面ガラス基板上にスクリーン印刷によって銀を主体とするアドレス電極をストライプ状に形成し、引き続き、前面板と同様の方法で、厚さ約８μｍの誘電体層を形成した。
【００７２】
次に、誘電体層上に、隣り合うアドレス電極の間に、ガラスペーストを用いて隔壁を形成した。隔壁は、スクリーン印刷および焼成を繰り返すことによって形成した。
引き続き、隔壁の壁面と隔壁間で露出している誘電体層の表面に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体ペーストを塗布し、乾燥および焼成して蛍光体層を作製した。
【００７３】
作製した前面板、背面板を封着ガラスを用いて５００℃で貼り合わせた。そして、放電空間の内部を排気した後、放電ガスとしてＮｅ−Ｘｅを封入し、ＰＤＰを作製した。
作製した各ＰＤＰを駆動回路に接続して発光させ、発光状態で７時間保持してエージングした後、ライフ試験として１０００時間点灯を行った。ライフ試験が終了した各ＰＤＰを割断し、保護層の放電に曝された領域と放電に曝されていない領域の膜厚を、それぞれ走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた断面観察によって測定し、保護層が放電中のイオン衝撃によってどれだけ削られたかを調べることによって、各保護層の耐スパッタ性を比較評価した。
【００７４】
その結果は、表１に示すように、（１１１）面配向である比較例のサンプル１では１０００時間のライフ試験中のイオン衝撃によって保護層が１７０ｎｍスパッタされていたのに対して、（１００）面配向である実施例のサンプル６では同条件で実施したライフ試験でのスパッタ量が１３０ｎｍと２５％程度減少した。この結果から、耐スパッタ性が向上していることが分かった。
【００７５】
この実験結果から、ＣｅとＳｒとＯからなる保護層において、（１１１）面配向のものよりも（１００）面配向のものの方が、耐スパッタ性が向上することを確認できた。
なお、上記実施例では、ターゲットを作製する際にＣｅとＳｒの原子比を１：１の比率としたが、ＣｅとＳｒの全体原子数に対するＣｅ原子数の割合が２０％以上で設定すれば、同様に、蛍石構造の結晶酸化物からなり（１００）面配向を有する保護層７を得ることができる。
また、上記実施の形態では、ＥＢ蒸着法で保護層７を形成したが、レーザなどのビームをターゲットに照射して薄膜を形成する場合にも同様に実施できる。
【００７６】
一般に物理蒸着法を用いて保護層７を形成する場合に、ＣｅとＳｒとＯからなる酸化物のターゲットを、かさ密度が真密度の６５％以上となるように加圧成型することによって、（１００）面配向を有する保護膜を形成できると期待できる。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明によれば、ＰＤＰにおける放電特性を改善し且つライフ特性の良好なものを製造することができる。製造されるＰＤＰは、公共施設や家庭用テレビ等に幅広く利用でき、その利用可能性は極めて広い。
【符号の説明】
【００７８】
１    前面板（第一パネル）
２    前面ガラス基板
３    透明導電膜
４    バス電極
５    表示電極
６    誘電体層
７    保護層
８    背面板（第二パネル）
９    背面ガラス基板
１０    アドレス（データ）電極
１１    誘電体層
１２    隔壁
１３    蛍光体層
１４    放電空間
１００    プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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