(57)【要約】【課題】試料交換を行った際に、集束イオンビーム照射軸と電子ビーム照射軸と分析装置の２次粒子取り込み口の軸および試料表面の最適な位置関係を、簡便に精度良く再現することのできる集束イオンビームを用いる微細部位解析装置を提供する。【解決手段】集束イオンビームを用いる微細部位解析装置において、試料表面法線方向に配置した分析装置５の窓板８を通り、かつ分析装置５の２次粒子取り込み口５ａを通ってレーザー光９ａを試料３の表面３ａに照射する。その反射レーザー光９ｂの強度と位置が最適になるように受光器７を設置し基準位置とする。試料交換を行った際は、受光器７の応答を観察しながら基準位置を再現するように試料３等の姿勢を補正する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集束イオンビームを用いる微細部位解析装置において、前記集束イオンビームの照射軸と試料観察用の電子ビーム照射軸と分析装置の２次粒子取り込み口の軸を試料表面の一点で一致させる微細部位解析装置であって、
集束イオンビーム照射装置と、
試料表面法線方向に配置された分析装置と、
前記分析装置に設置された窓板を通り、かつ該分析装置の２次粒子取り込み口を通って試料表面若しくは試料台にレーザー光を照射する第１のレーザー光照射装置、および、前記試料表面で反射したレーザー光を前記２次粒子取り込み口および前記窓板を通して検出する第１の受光器と、
前記試料若しくは前記試料台の配置を補正する手段と、
を具備することを特徴とする集束イオンビームを用いる微細部位解析装置。
【請求項２】
集束イオンビームを用いる微細部位解析装置において、前記集束イオンビームの照射軸と試料観察用の電子ビーム照射軸と分析装置の２次粒子取り込み口の軸を試料表面の一点で一致させる微細部位解析装置であって、
集束イオンビーム照射装置と、
試料表面法線方向に配置された分析装置と、
前記分析装置に設置された窓板を通り、かつ該分析装置の２次粒子取り込み口を通って試料表面若しくは試料台にレーザー光を照射する第１のレーザー光照射装置、および、前記試料表面で反射したレーザー光を前記２次粒子取り込み口および前記窓板を通して検出する第１の受光器と、
ｎを正の整数とし、前記試料表面若しくは該試料を保持する試料台の表面に斜めからレーザー光を照射する第２〜第（ｎ＋１）のレーザー光照射装置、および、該試料表面若しくは該試料台表面で反射したレーザー光を検出する第２〜第（ｎ＋１）の受光器と、
前記試料若しくは前記試料台の配置を補正する手段と、
を具備することを特徴とする集束イオンビームを用いる微細部位解析装置。
【請求項３】
前記第１の受光器は、２個以上の受光素子を有することを特徴とする請求項１または２に記載の集束イオンビームを用いる微細部位解析装置。
【請求項４】
前記試料若しくは試料台の配置を補正する手段は、試料台を平行移動、回転、傾斜する機構を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の集束イオンビームを用いる微細部位解析装置。
【請求項５】
前記試料台の表面の一部は鏡面部であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の集束イオンビームを用いる微細部位解析装置。
【請求項６】
前記第２〜第（ｎ＋１）の受光器は２個以上の受光素子を有することを特徴とする請求項２に記載の集束イオンビームを用いる微細部位解析装置。
【請求項７】
前記ｎが１であることを特徴とする請求項２または６に記載の集束イオンビームを用いる微細部位解析装置。
【請求項８】
請求項４に記載の微細部位解析装置を用いる微細部位解析方法であって、前記試料台を平行移動、回転、傾斜し、姿勢補正することにより、前記試料表面あるいは試料台表面と分析装置の２次粒子取り込み口との距離を一定かつ平行に設定することを特徴とする集束イオンビームを用いる微細部位解析方法。
【請求項９】
試料表面の任意の一点を着眼位置に設定し、前記試料台を着眼位置を中心として回転させても、常に前記試料表面若しくは試料台表面と前記分析装置の２次粒子取り込み口との距離を一定かつ平行にすることを特徴とする請求項８に記載の集束イオンビームを用いる微細部位解析方法。
【請求項１０】
前記２個以上の受光素子の受光強度を比較し、それらの受光強度が等しくなるように前記試料台の姿勢補正を行うことを特徴とする請求項８または９に記載の集束イオンビームを用いる微細部位解析方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集束イオンビームを用いる微細部位解析装置及び解析方法に関し、特に試料あるいは試料台の姿勢再現を行う装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集束イオンビームを用いる微細部位解析装置は、真空中で、ウェハの微細部位や大きさが数μｍ以下の微粒子の外殻（表面）と内核（内部）を区別して元素組成や量などを測定する装置である。例えば、観察用の電子ビームで標的粒子を決定し、集束イオンビームで外殻の元素組成分析を行った後、集束イオンビームを用いて標的粒子を切断し、着眼位置中心に１８０°回転させ、さらに断面に集束イオンビームを照射して２次イオンを質量分析する。その際、多数の試料を分析する時に、各々の試料で同じ検出効率で２次イオンを分析装置に引き込むためには、集束イオンビームと電子ビームと試料と分析装置との相対的位置関係を常に同じ状態に設定する必要がある。特に微粒子の微小領域を分析する場合は、この相対的位置関係が２次イオンの検出効率に大きく寄与する（特許文献１）。また、集束イオンビームを用いる微細部位解析装置を用いて、スパッタリングされた中性粒子をレーザー光でポストイオン化するスパッタ中性粒子質量分析を行う場合には、ポストイオン化用レーザー光と試料表面は平行である必要があり、その精度がイオンの検出効率に大きく寄与する。また、ポストイオン化用レーザー光と試料表面との距離もイオンの検出効率に大きく寄与する。
【０００３】
従来は、例えば試料台の機械的原点を基準として、集束イオンビームと電子ビームと分析装置の位置姿勢を調整することで相対的な位置関係を最適な状態にし、試料交換を行った際は試料台を機械的な原点に設定していた。あるいは、例えば分析に先立って、表面が平滑な試料を用い、分析装置を基準として、集束イオンビームを照射しながら２次イオン強度を測定し、集束イオンビーム軸と試料台の姿勢とを調整することで両者の位置関係を最適な状態にし、最後に電子ビームが同点を観察するように設定する。試料交換を行った際には、電子ビーム走査像を見ながらの正しい走査像が得られるように試料台姿勢を調整していた。
【０００４】
しかしながら、試料台の機械的原点を再現するだけでは、試料表面に対する位置関係を必ずしも精確に再現した事にはならない場合があった。また、走査像を見ながらの試料台姿勢調整では、試料表面上の１点でのみ位置関係が再現されるのであり、試料の異なる位置を分析するために試料台を移動させた際には、再び位置関係の最適化を行う必要があった。さらに、集束イオンビームで極微小部を２次イオン質量分析する場合は、集束イオンビームによる走査像を見ながらの位置関係再現は、集束イオンビーム照射による試料の損傷が激しく不可能であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−３９５２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記のような実情に鑑みてなされたものであり、簡便に精度良く試料表面位置を再現することのできる集束イオンビームを用いる微細部位解析装置および解析方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した目的を達成するために、本発明の集束イオンビームを用いる微細部位解析装置は、集束イオンビームを用いる微細部位解析装置において、前記集束イオンビームの照射軸と試料観察用の電子ビーム照射軸と分析装置の２次粒子取り込み口の軸を試料表面の一点で一致させる微細部位解析装置であって、集束イオンビーム照射装置と、試料表面法線方向に配置された分析装置と、前記分析装置に設置された窓板を通り、かつ該分析装置の２次粒子取り込み口を通って試料表面若しくは試料台にレーザー光を照射する第１のレーザー光照射装置、および、前記試料表面で反射したレーザー光を前記２次粒子取り込み口および前記窓板を通して検出する第１の受光器と、前記試料若しくは前記試料台の配置を補正する手段と、を具備することを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の集束イオンビームを用いる微細部位解析装置は、集束イオンビームを用いる微細部位解析装置において、前記集束イオンビームの照射軸と試料観察用の電子ビーム照射軸と分析装置の２次粒子取り込み口の軸を試料表面の一点で一致させる微細部位解析装置であって、集束イオンビーム照射装置と、試料表面法線方向に配置された分析装置と、前記分析装置に設置された窓板を通り、かつ該分析装置の２次粒子取り込み口を通って試料表面若しくは試料台にレーザー光を照射する第１のレーザー光照射装置、および、前記試料表面で反射したレーザー光を前記２次粒子取り込み口および前記窓板を通して検出する第１の受光器と、ｎを正の整数とし、前記試料表面若しくは該試料を保持する試料台の表面に斜めからレーザー光を照射する第２〜第（ｎ＋１）のレーザー光照射装置、および、該試料表面若しくは該試料台表面で反射したレーザー光を検出する第２〜第（ｎ＋１）の受光器と、前記試料若しくは前記試料台の配置を補正する手段と、
を具備することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の集束イオンビームを用いる微細部位解析装置は、前記第１の受光器は、２個以上の受光素子を有することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の集束イオンビームを用いる微細部位解析装置は、前記試料若しくは試料台の配置を補正する手段は、試料台を平行移動、回転、傾斜する機構を有することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の集束イオンビームを用いる微細部位解析装置は、前記試料台の表面の一部は鏡面部であることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の集束イオンビームを用いる微細部位解析装置は、前記第２〜第（ｎ＋１）の受光器は２個以上の受光素子を有することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の集束イオンビームを用いる微細部位解析装置は、前記ｎが１であることを特徴とする。
【００１４】
さらに、本発明の集束イオンビームを用いる微細部位解析方法は、前記試料台を平行移動、回転、傾斜し、姿勢補正することにより、前記試料表面あるいは試料台表面と分析装置の２次粒子取り込み口との距離を一定かつ平行に設定することを特徴とする。
【００１５】
さらに、本発明の集束イオンビームを用いる微細部位解析方法は、試料表面の任意の一点を着眼位置に設定し、前記試料台を着眼位置を中心として回転させても、常に前記試料表面若しくは試料台表面と前記分析装置の２次粒子取り込み口との距離を一定かつ平行にすることを特徴とする。
【００１６】
さらに、本発明の集束イオンビームを用いる微細部位解析方法は、前記２個以上の受光素子の受光強度を比較し、それらの受光強度が等しくなるように前記試料台の姿勢補正を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の微細部位解析装置は、試料台に向かってほぼ垂直方向から照射したレーザー光の反射光位置を観察しながら試料台の姿勢を補正するため、複雑で機械的な精度の再現性がなくとも、安価で簡便に試料表面の位置・姿勢が決定できるという利点がある。また、試料を交換した場合でも、試料台の姿勢を補正することで、確実に試料表面の位置・姿勢を再現可能であるという利点もある。また、試料表面がレーザー光を反射しない場合でも、鏡面部を有する試料台を用いて、試料表面の位置・姿勢が決定できるという利点もある。これにより、試料表面と質量分析計入口との位置関係の不確かさが原因となる、２次イオン質量分析やレーザー光を用いたポストイオン化スパッタ中性粒子質量分析の結果の不確かさは解消される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の微細部位解析装置の全体構成を示す概略図である。
【図２】本発明の微細部位解析装置の最低限の構成による実施例を示す概略図である。
【図３】図２の解析装置を用いて試料姿勢の基準設定から分析終了までを行う手順を示したフローチャートである。
【図４】図２の解析装置を用いた試料の位置関係再現性を説明するグラフで、横軸は試料台の回転角度、縦軸はレーザー反射光の受光素子ｃｈ１〜ｃｈ４の出力強度であり、（ａ），（ｂ）は試料姿勢の基準設定時、（ｃ），（ｄ）は試料交換の際を示す。
【図５】実施例２で使用した表面の一部に鏡面部をもつ試料台の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための形態を図示例と共に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２０】
図１は、本発明の微細部位解析装置の全体構成を説明するための概略概念図である。図１の通り、本発明の微細部位解析装置１は、主に、試料台２と、補正部４と、分析装置５と、レーザー光照射装置６、１０と、受光器７、１１と、集束イオンビーム照射装置１５と、試料観察用の電子ビーム照射装置１６とからなる。試料台２は、その上に試料３が置かれる台であり、水平に保たれることが好ましい。なお、試料台２の一部は鏡面部とし、試料３がレーザー光９ａ、１４ａを反射しにくい場合は、鏡面部を使って位置補正を行うことを可能とする。
【００２１】
補正部４は、試料台２をＸＹＺの３軸平行移動及び傾斜、回転させるモーター等からなるものであり、試料３の姿勢が補正できるものである。これら計５軸の補正はコンピュータ制御されることが好ましい。
【００２２】
分析装置５は、集束イオンビーム照射装置１５により放出される２次粒子（イオン、電子等）を分析するために用いられる一般的な分析装置である。これは、具体的には、オージェ電子分光分析装置や四重極型２次イオン質量分析装置、飛行時間型２次イオン質量分析装置等、種々の装置が挙げられ、分析装置５の２次粒子取り込み口５ａを通って、試料３の表面３ａあるいは試料台２の表面法線方向にレーザー光照射装置６のための光軸が確保できればよい。
【００２３】
レーザー光照射装置６、１０は、一般的に入手可能なものが利用でき、例えば波長６３５ｎｍのレーザー光を発生させる半導体レーザー装置である。このレーザー光照射装置６、１０を用いて、試料３の表面３ａあるいは試料台２にレーザー光９ａ、１４ａを照射する。そして、本発明の微細部位解析装置１においては、レーザー光照射装置６は、その光軸が試料台２のほぼ表面法線方向となるように、分析装置５の上方に配置されている。また、本発明におけるレーザー光照射装置１０は、その光軸が、試料台２に対して斜め方向となるように配置されている。
【００２４】
受光器７、１１は、一般的に入手可能なものが利用でき、例えばレーザー光照射装置からのレーザー光に受光感度を持つ、２行２列にＳｉ半導体検出素子を配置したアレイ型受光器である。この位置分解能を有する受光器７、１１を用いて、反射レーザー光９ｂ、１４ｂを検出し、試料台２の姿勢を補正する。本実施形態の微細部位解析装置１においては、受光器７、１１は反射レーザー光９ｂ、１４ｂを受光できる位置に配置されている。しかしながら、本発明の微細部位解析装置１に用いられる受光器はこれに限定されず、ＸＹ方向の位置分解能を有するものであれば、あらゆる位置に配置された受光器が適用可能である。
【実施例１】
【００２５】
図２は、本発明に必要な最小限の基本構成を有する微細部位解析装置２１を示す概略図である。レーザー光照射装置６は、試料３の姿勢を検出するための検出用レーザー光を照射するために設けられ、本実施例では、照射するレーザー光９ａは、波長６３５ｎｍ、出力０．７５ｍＷの半導体レーザーである。レーザー光照射装置６から照射されたレーザー光９ａは、直径１５．６ｍｍの溶融石英からなる窓板８を通って、真空引きされた分析装置５に導かれる。集束イオンビーム照射装置１５により放出される２次粒子（イオン、電子等）を分析する分析装置５は、飛行時間型質量分析装置であり、全長１．３ｍ、２次粒子取り込み口５ａは試料３からの高さが２０ｍｍの所に位置し、２次粒子取り込み口５ａの内径は最小３ｍｍである。分析装置５の２次粒子取り込み口５ａを通ったレーザー光９ａは、試料３の表面３ａで反射する。受光器７は、試料表面３ａあるいは試料台２からの反射レーザー光９ｂを検出するために設けられた、２行２列に４分割されたシリコンＰＩＮフォトダイオードである。レーザー光９ａが正反射して受光器７に入射できる反射角の範囲は窓板８の直径で制限され、０°乃至０．４°となる。また、半導体レーザーが照射される試料３の表面３ａを目視やカメラ等で観察できるように、試料台２の全体を覆う真空容器（図示省略）には通常の覗き窓も取り付けてある。以下、このように構成された本実施例の微細部位解析装置２１を用いて、試料姿勢を決定し、試料交換した時に姿勢を再現する手順について、図３のフローチャートにしたがって説明する。
【００２６】
まず、標準試料として、シリコンウェハ等の表面が平滑な試料３を試料台２に載せ、前述の背景技術に記した従来と同様の方法で、例えば、分析装置５を基準として、あるいは試料台２の機械的原点を基準として、その他の装置の位置を調整し、最適な位置関係に設定する。この位置を相対的な基準位置とする（Ｓ１）。なお、試料交換を行う場合には、この位置関係を再現するように、試料２の姿勢を、補正部４を用いて補正する。
【００２７】
次に、レーザー光照射装置６からレーザー光９ａを照射する。レーザー光９ａが分析装置５の２次粒子取り込み口５ａを通って試料３に照射されるように、レーザー光照射装置６の軸を大まかに調整する。さらに、試料表面３ａのレーザー照射位置を目視やカメラ等で確認し、入射レーザー光９ａが分析装置５の２次粒子取り込み口５ａのほぼ中心を通り、かつ、試料３の表面３ａで正反射した反射レーザー光９ｂが分析装置５の２次粒子取り込み口５ａを通って窓板８を通り抜けるように、レーザー光照射装置６の光軸を微調整する。
【００２８】
次に、受光面が十字に四分割され２行２列で４つのチャンネルからなる受光素子を有するＸ、Ｙ方向の位置分解能をもった受光器７を、反射レーザー光９ｂの光軸上に配置し、受光器７の各チャンネルで等しい強度が得られるように、光軸を調整する（Ｓ５）。これにより、基準となる試料姿勢に合わせたレーザー光照射装置６及び受光器７の設置が完了する。
【００２９】
次に、実際に分析する試料３を試料台２に設置する。分析装置５の中心軸と試料台２の回転中心が一致しないような位置（Ｓ４）で試料台２を回転させて、レーザー光照射装置６及び受光器７を使って試料３の姿勢を確認する（Ｓ６）。図４（ａ）のように、試料台２を回転することにより受光素子の各チャンネル（ｃｈ１〜ｃｈ４）からの出力強度が変化して、受光器７の４つのチャンネルｃｈ１〜ｃｈ４で等しい強度が得られていない場合は、図４（ｂ）のように、等しい強度が得られるように補正部４を用いて試料台の傾斜を微調整し（Ｓ７）、姿勢を補正する。これにより基準となる位置関係を再現することができた。
【００３０】
試料交換を行う必要がある場合には（Ｓ２）、まず試料を交換し（Ｓ３）、受光素子の各チャンネル（ｃｈ１〜ｃｈ４）からの出力強度（図４（ｃ））により試料３の姿勢を確認する。同様に、受光器７の４つのチャンネルｃｈ１〜ｃｈ４で等しい強度が得られていない場合は、等しい強度が得られるように補正部４を用いて姿勢を補正する（図４（ｄ））。姿勢補正後、その試料３の分析を行う（Ｓ８）。従来の電子ビーム走査像を見ながらの試料台姿勢調整では、試料交換を行った場合、試料表面上の１点でのみ位置関係が再現されるに過ぎず、試料表面の向きまで含めて位置関係を再現することは困難であった。しかし、本発明の装置構成により、姿勢を容易に再現できるようになった。
【実施例２】
【００３１】
本実施例は、図２に示す実施例１の構成において、表面の一部に鏡面部２０を有する試料台２を使用するものであり、他の構成は実施例１と全く同じである。図５に示すように、試料台２において、試料３を固定するために使用するリング状のステンレス製固定具の表面が鏡面部２０になっている。さらに、この固定具を使って試料３を固定することで、固定具の表面と試料３の表面とが平行になる。これにより、試料表面３ａがレーザー光９ａを反射しない場合でも、姿勢を再現することが可能となる。
【００３２】
まず、実施例１と全く同じ手順でレーザー光照射装置６及び受光器７を設置完了後、実際に分析する試料３を試料台２に設置する。分析装置５の中心軸と試料台２の鏡面部２０の中心が一致する位置で、試料台２を回転させてレーザー光照射装置６及び受光器７を使って試料３の姿勢を確認し、受光器７の４つのチャンネルで等しい強度が得られていない場合は、等しい強度が得られるように補正部４を用いて姿勢を補正する。これにより、試料表面３ａがレーザー光を反射しない場合でも、基準となる位置関係を再現することができた。
【００３３】
試料交換を行う必要がある場合には、まず試料３を交換し、試料３の姿勢を確認する。同様に、受光器７の４つのチャンネルで等しい強度が得られていない場合は、等しい強度が得られるように補正部４を用いて姿勢を補正する。これにより、本実施例では、表面でレーザー光を反射しない試料３の試料交換を行った場合でも、位置関係を容易に再現できるようになった。
【実施例３】
【００３４】
本実施例は、図１に示すように、実施例１の構成に加えて、もう一組のレーザー光照射装置１０及び受光器１１を組み合わせて使用するものであり、他の構成は図２に示される構成と全く同じである。表面上の２箇所で位置を決定することができるので、実施例１の試料回転操作を行うことなく位置関係の再現が可能となる。
【００３５】
まず、実施例１と全く同じ手順でレーザー光照射装置６及び受光器７を設置する。つぎに、レーザー光照射装置１０から窓板１２を通してレーザー光１４ａを照射する。試料３として標準試料を用い、試料表面３ａのレーザー光照射位置を目視やカメラ等で確認しながら、レーザー光１４ａがレーザー光９ａの照射位置以外の位置に照射されるように、レーザー光照射装置１０の光軸を大まかに調整する。さらに、試料３の表面３ａで正反射し窓板１３を通過した反射レーザー光１４ｂの光軸上に、２行２列で４つのチャンネルを有するＸ、Ｙ方向の位置分解能をもった受光器１１を配置し、受光器１１の各チャンネルで等しい強度が得られるように、レーザー光照射装置１０及び受光器１１の配置を微調整する。これにより、基準となる試料姿勢に合わせたレーザー光照射装置１０及び受光器１１の設置が完了する。
【００３６】
次に、実際に分析する試料を試料台２に設置する。レーザー光照射装置６、１０からレーザー光９ａ、１４ａを照射し、受光器７、１１を使って試料３の姿勢を確認する。受光器７、１１の、おのおの４つのチャンネルで等しい強度が得られていない場合は、等しい強度が得られるように補正部４を用いて姿勢を補正する。これにより、本実施例では、実施例１のような試料回転操作なしで、基準となる位置関係を再現することができた。
【００３７】
試料交換を行う必要がある場合には、まず試料３を交換し、試料３の姿勢を確認する。同様に、受光器７、１１の、おのおの４つのチャンネルで等しい強度が得られていない場合は、等しい強度が得られるように補正部４を用いて姿勢を補正する。これにより、本実施例では試料交換を行った場合でも、実施例１のような試料回転操作なしで、姿勢を容易に再現できるようになった。
【００３８】
このように、本発明の微細部位解析装置では、位置決定のためにレーザー光を用いているため、試料交換を行った際も、簡便に精度良く分析に最適な位置関係を再現することが可能となる。
【００３９】
本発明において、複数のレーザー光照射装置を用いる場合は２台に限られるものではなく、３台以上でもよい。レーザー光照射装置の台数が増えればそれだけ、試料や試料台の位置・姿勢の精度が高くなる。
【００４０】
なお、本発明の微細部位解析装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を加え得ることは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、試料あるいは試料台の姿勢再現を行って試料を解析する装置および方法に適用できる。
【符号の説明】
【００４２】
１、２１  微細部位解析装置
２    試料台
３    試料
３ａ  表面
４    補正部
５    分析装置
５ａ  ２次粒子取り込み口
６、１０  レーザー光照射装置
７、１１  受光器
８、１２、１３  窓板
９ａ、１４ａ  レーザー光（入射光）
９ｂ、１４ｂ  レーザー光（反射光）
１５  集束イオンビーム照射装置
１６  電子ビーム照射装置
２０  鏡面部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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