(57)【要約】【課題】回路モジュールを実装基板に実装する際、回路モジュールと実装基板との接合部の形状を調整し、応力緩和を図ることで、接合不良を防止し、信頼性の高い実装を実現する。【解決手段】少なくとも第１及び第２の面を有する回路基板１０と、前記第１の面に搭載された素子チップ２０と、実装面である前記回路基板の前記第２の面に隣接する第３の面から導出された、曲げ部を有する実装用のリード端子部３０とを具備し、前記リード端子部は、絶縁性基材と前記絶縁性基材に沿って形成された導体層とで構成され、前記リード端子部３０の先端が、実装面を構成する平坦面を有し、前記平坦面が半田層４０で被覆された回路モジュール１を構成する。【選択図】図４
2011077139.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１及び第２の面を有する回路基板と、
前記第１の面に搭載された素子チップと、
実装面である前記回路基板の前記第２の面に隣接する第３の面から導出された、応力緩和部を有する実装用のリード端子部とを具備し、
前記リード端子部は、絶縁性基材と前記絶縁性基材に沿って形成された配線導体層とで構成され、前記リード端子部の先端が、実装面を構成する平坦面を有し、前記平坦面が半田層で被覆された回路モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の回路モジュールであって、
前記応力緩和部は、
リード端子部に形成された曲げ部である回路モジュール。
【請求項３】
請求項１または２に記載の回路モジュールであって、
前記リード端子部は、
前記第３の面で、前記回路基板に形成された、配線導体層に接続される回路モジュール。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の回路モジュールであって、
前記リード端子部は、
表面全体が導体層で被覆され、少なくとも先端部が半田被覆された回路モジュール。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかに記載の回路モジュールであって、
前記リード端子部は、
一部が導体層パターンで被覆され、少なくとも先端部が半田被覆された回路モジュール。
【請求項６】
請求項４または５に記載の回路モジュールであって、
前記リード端子部は、
表面全体が半田被覆された回路モジュール。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の回路モジュールであって、
前記リード端子部は、樹脂基材で構成され、前記回路基板と一体成形された回路モジュール。
【請求項８】
請求項７に記載の回路モジュールであって、
前記樹脂基材はＰＰＡ（ポリフェニルアミド）樹脂である回路モジュール。
【請求項９】
請求項７に記載の回路モジュールであって、
前記樹脂基材はＬＣＰ（液晶樹脂）である回路モジュール。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の回路モジュールであって、
前記樹脂基材はばね形状を構成する回路モジュール。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の回路モジュールであって、
前記樹脂基材は先端部に幅広の平坦部を具備した回路モジュール。
【請求項１２】
請求項１１に記載の回路モジュールであって、
前記幅広の平坦部は円形である回路モジュール。
【請求項１３】
請求項１０または１１に記載の回路モジュールであって、
前記幅広の平坦部は貫通孔を有する回路モジュール。
【請求項１４】
少なくとも第１及び第２の面を有する回路基板と、
前記第１の面に搭載された素子チップと、
実装面である前記回路基板の前記第２の面に隣接する第３の面から導出された、応力緩和部を有する実装用のリード端子部とを具備し、
前記リード端子部は、絶縁性基材と前記絶縁性基材に沿って形成された導体層とで構成され、前記リード端子部の先端が、実装面を構成する平坦面を有し、前記平坦面が半田層で被覆された回路モジュールを用意する工程と、
前記回路モジュールを前記実装基板上に位置決めし、リード端子部で前記回路モジュールを固定する工程とを具備した回路モジュールの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路モジュールおよび回路モジュールの実装方法に係り、特に、実装基板との応力緩和構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、図２０に示すように素子チップ１２０を回路基板１１０に実装して形成した電子部品を実装基板１００上に実装するに際しては、半田（層）１３０が用いられることが多いが、使用環境の温度差に起因して、電子部品(パッケージ)の回路基板１１０と実装基板１００との熱膨張率の差から、半田層１３０にクラックや、引き剥がし・シェア強度の劣化が生じ易く、接合不良が生じ易いという問題があった。
そしてこの問題を回避するために種々の実装方法が提案されている。
【０００３】
例えば、基板(実装基板)とリードレス部品の本体との間に、ランド厚よりも厚い絶縁層を設け、ランドとリードレス部品の電極との間に十分な厚みの半田を形成し得るようにし、熱膨張係数の相違に基づいて半田にかかる剪断応力を分散低減し、半田継手(接続部)の信頼性向上をはかるようにしたものが提案されている（特許文献１）。
【０００４】
また、応力を緩和するためのリード構造として、リードフレームの表面粗さを調整し、封止樹脂と端子部の密着性を図るようにした樹脂封止型の半導体装置も提案されている（特許文献２）。この半導体装置では、図２１に示すようにリード端子２３０を実装基板１００上に固着する構造であるが、この構造では、本体部は実装基板１００に接触することなく、リード端子の先端のみを実装基板上に半田接合することによって固着がなされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０４−１７１７９０号公報
【特許文献２】特開平０５−３１５５１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この構造では、図２０に示すように、回路基板を含むパッケージの両端部に実装用端子部を設け、この実装用端子部がパッケージの側面或いは側面から下面にかかるように実装している。このときパッケージのサイズが大きく、熱サイクルがかかると、パッケージ、実装基板、半田がそれぞれ大きく膨張収縮することになり、それぞれの線膨張率の違いから応力が発生し、半田クラックが発生しやすい。また、回路パターンへの負荷によるプル・シェア強度の劣化、パッケージの変形による出力精度の劣化を招き易いという問題があった。
このため特許文献１の構造においても、熱膨張率の差による半田クラック等の発生を十分に抑制し得なかった。
【０００７】
また特許文献２の半導体装置の場合には、本体部は実装基板に接触することなく、リード端子の先端のみが実装基板に固着されるため、パッケージ（回路基板）と実装基板との熱膨張率の差に起因する応力は問題とはならない。しかしながら、この構造ではリード端子の曲げ具合および、実装基板上への固着具合でパッケージの姿勢角が決まるため、実装基板との姿勢角を高精度に維持するのはきわめて困難である。
【０００８】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、回路モジュールを実装基板に実装する際、回路モジュールと実装基板との接合部の形状を調整し、応力緩和を図ることで、接合不良を防止し、実装基板に対する姿勢角を高精度に維持しながら、信頼性の高い実装を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで本発明は、少なくとも第１及び第２の面を有する回路基板と、前記第１の面に搭載された素子チップと、実装面である前記回路基板の前記第２の面に隣接する第３の面から導出された、応力緩和部を有する実装用のリード端子部とを具備し、前記リード端子部は、絶縁性基材と前記絶縁性基材に沿って形成された導体層とで構成され、前記リード端子部の先端が、実装面を構成する平坦面を有し、前記平坦面が半田層で被覆された回路モジュールを構成する。
この構成により、回路基板すなわちパッケージの実装面である第２の面は実装基板に当接するため、実装基板に対するパッケージの姿勢角は高精度に維持される一方、パッケージの実装面に隣接する面に形成されるリード端子部が、応力緩和部を有しているため、リード端子部を伸縮させることができ、実装基板上の回路パターン、半田、パッケージを構成する回路基板にかかる応力を緩和することが出来る。また、必要に応じて絶縁性基材の材料を樹脂などに選択することにより、端子部が柔らかく、たわむため、応力が緩和される。ここで第１及び第２の面は、同一面以外であればいかなる位置関係であってもよいものとする。また第２の面と実装基板との間は固着されることなくフリーの状態でもよいし、シリコーン系の柔らかい接合部材で接着するようにしてもよい。
【００１０】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記応力緩和部は、リード端子部に形成された曲げ部であるものを含む。
この構成により、実装基板と回路基板との熱膨張率差に起因する応力をこの曲げ部で効率よく吸収し、応力緩和を実現することができる。この応力緩和のための曲げ部は、垂直方向の曲げ部でもよいし、水平方向の曲げ部であってもよい。
【００１１】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記リード端子部は、前記第３の面で、前記回路基板に形成され、配線導体層に接続されたものを含む。
この構成によれば、電気的接続を確実に行うことができる。
【００１２】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記リード端子部は、表面全体が導体層で被覆され、少なくとも先端部が半田被覆されたものを含む。
この構成によれば、半田接続が容易である。
【００１３】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記リード端子部は、表面全体が半田被覆されたものを含む。
この構成によれば実装基板の線膨張係数による伸縮度合いと同様の割合で、半田被覆されたリード端子部を伸縮させることにより、リード端子部のパターン、半田、パッケージにかかる応力を緩和させることが出来る。また、リード端子部全体が半田接合されているため、半田量増加に伴い強度の向上を図ることが出来る。
【００１４】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記リード端子部は、樹脂基材で構成され、前記回路基板と一体成形されたものを含む。
この構成によれば、射出成形などにより容易に形成可能である。
【００１５】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記樹脂基材はＰＰＡ（ポリフタルアミド）であるものを含む。
この構成によれば、半田接合温度にも十分な耐熱性を有し、弾性を有する柔らかい樹脂であるため、応力緩和に有効である。
【００１６】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記樹脂基材はＬＣＰ（液晶ポリマー）であるものを含む。
この構成によれば、樹脂と液体の中間的材料であるＬＣＰを用いることにより、十分な弾性を持たせることができ、応力緩和に極めて有効である。
【００１７】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記樹脂基材はばね形状を構成するものを含む。
この構成により、リード端子部がばね形状を構成しているため、応力緩和が良好である。
【００１８】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記樹脂基材は先端部に幅広の平坦部を具備したものを含む。
この構成によれば、実装基板と半田接合する領域の面積を増大することで、応力分散をはかり、信頼性の高い接合が可能となる。
【００１９】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記幅広の平坦部は円形であるものを含む。
この構成によれば、実装基板と半田接合する領域を円形状とすることで、応力分散をはかり、信頼性の高い接合が可能となる。
【００２０】
また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記幅広の平坦部は貫通孔を有するものを含む。
この構成によれば、実装基板と半田接合する領域に貫通孔を形成することで、たわみ性が向上し、応力緩和をはかり、信頼性の高い接合が可能となる。
【００２１】
また本発明の回路モジュールの実装方法は、少なくとも第１及び第２の面を有する回路基板と、前記第１の面に搭載された素子チップと、実装面である前記回路基板の前記第２の面に隣接する第３の面から導出された、応力緩和部を有する実装用のリード端子部とを具備し、前記リード端子部は、絶縁性基材と前記絶縁性基材に沿って形成された導体層とで構成され、前記リード端子部の先端が、実装面を構成する平坦面を有し、前記平坦面が半田層で被覆された回路モジュールを用意する工程と、前記回路モジュールを前記実装基板上に位置決めし、リード端子部で前記回路モジュールを固定する工程とを具備している。
この構成によれば、回路基板の下面と実装基板との線膨張係数による伸縮度合いと同様にリード端子部を伸縮させることができる。このため、端子部の凹凸によるたわみやすさと半田量の増大とに起因する応力緩和により、同一サイズの回路基板で比較した場合、応力緩和により、実装工程における熱サイクルによる応力負荷が低減され、結果として半田クラックが従来よりも発生しにくくなる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、回路モジュールを実装基板に実装する際、リード端子部の基材を樹脂で構成するとともに、リード端子部の形状に応力緩和部を形成することで、たわみやすさと半田量の増大とにより、応力緩和と熱サイクルによる応力負荷が低減され、結果としてクラックの発生を抑制することができ、信頼性の高い実装を実現することができる。
そして、回路基板すなわちパッケージの実装面である第２の面は実装基板に当接するため、実装基板に対するパッケージの姿勢角は高精度に維持される一方、パッケージの実装面に隣接する面に形成されるリード端子部が、応力緩和機能を有する曲げ部を有しているため、リード端子部を伸縮させることができ、実装基板上の回路パターン、半田、パッケージを構成する回路基板にかかる応力を緩和することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施の形態１の回路モジュールを回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す斜視図
【図２】同上面図
【図３】本発明の実施の形態１の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す断面図（リード端子部の断面を含まない断面）
【図４】本発明の実施の形態１の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す断面図（リード端子部の断面を含む断面）
【図５】本発明の実施の形態２の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す斜視図
【図６】本発明の実施の形態２の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す断面図（リード端子部の断面を含まない断面）
【図７】本発明の実施の形態２の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す断面図（リード端子部の断面を含む断面）
【図８】本発明の実施の形態３の回路モジュールを回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す斜視図
【図９】同上面図
【図１０】同要部拡大上面図
【図１１】本発明の実施の形態３の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態４の回路モジュールを回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す斜視図
【図１３】本発明の実施の形態４の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す上面図
【図１４】同要部拡大上面図
【図１５】本発明の実施の形態４の回路モジュールを回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す断面図
【図１６】本発明の実施の形態５の回路モジュールを回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す斜視図
【図１７】本発明の実施の形態５の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す上面図
【図１８】同要部拡大上面図
【図１９】本発明の実施の形態５の回路モジュールを回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す断面図
【図２０】従来例の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す斜視図
【図２１】従来例の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２５】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す斜視図、図２は上面図、図３および４は回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す断面図である。図３はリード端子部の断面を含まない断面（図２のＡ−Ａ断面）、図４はリード端子部の断面を含む断面（図２のＢ−Ｂ断面）を示す断面図である。
【００２６】
本実施の形態の回路モジュール１は、図１乃至図４に示すように、主表面である第１の面１０Ａにジャイロセンサを構成する素子チップ２０を搭載した回路基板１０で構成され、実装面である回路基板１０の第２の面１０Ｂに隣接する第３の面１０Ｃから導出された、曲げ部を有する実装用のリード端子部３０を具備したことを特徴とする。このリード端子部３０は、回路基板と一体成形された、Ｖ字状の曲げ部３１を有する絶縁性基材３２とこの絶縁性基材３２の表面全体を被覆するめっき層３３と、このリード端子部３０の先端が、実装面を構成する平坦面を有し、前記平坦面が半田層４０で被覆されたことを特徴とする。また第２の面１０Ｂと実装基板１００との間は固着されることなくフリーの状態でもよいし、シリコーン系の柔らかい接合部材で接着するようにしてもよい。
【００２７】
この構成により、回路基板すなわちパッケージの実装面に隣接する面に形成されるリード端子部３０が、応力緩和機能を有するＶ字状の曲げ部３１を有しているため、リード端子部３０を伸縮させることができる。このようにして、実装基板１００上の回路パターン、半田、パッケージを構成する回路基板１０にかかる応力を緩和することが出来る。また、必要に応じて絶縁性基材の材料として樹脂を選択することにより、端子部が柔らかく、たわむことで、応力が緩和される。また端子部全体を半田被覆し、半田接合することにより、半田量増加に伴い、強度の向上を図ることが出来る。
【００２８】
ここで端子電極は、樹脂製の回路基板１０と一体形成されたＶ字状の曲げ部３１を含むリード端子部３０で構成され、回路基板表面に形成される配線導体層２１の一部を構成する。そしてこの回路基板１０が、実装基板１００としてのプリント配線基板に当接され、第２の面１０Ｂに隣接する第３の面１０Ｃに形成されたこのリード端子部３０と、前記実装基板１００との間が半田層４０を介して固着されている。ここでこの回路基板１０は、第1の面１０Ａに素子搭載領域を構成する凹部１３が形成され、リード端子部を一体形成した立体基板である。そして、実装基板（マザーボード）１００上に形成された配線パターンからなるパッド１０１上に、半田接合される。ここで回路基板１０上の実装面のパッド（図示せず）に接続される配線導体層（図示せず）、素子チップ実装面に形成されるダイパッド（素子搭載領域）及びボンディングパッドを含む配線導体層２１は、立体成型により所定の高さの突出部を形成した樹脂基板上にスパッタリング法で下地層を形成し、この下地層上にメッキ層を形成して、形成される。素子チップ２０と回路基板１０との接続はボンディングワイヤ２２を介してなされているが、フリップチップボンディングでもよいし、ワイヤボンディングでもよい。
【００２９】
この構成により、回路基板すなわちパッケージの実装面に隣接する面に形成されるリード端子部３０が、応力緩和機能を有する曲げ部を有しており、リード端子部を伸縮させることができるため、実装基板上の配線導体層２１からなる回路パターン、半田層４０、パッケージを構成する回路基板１０にかかる応力を緩和することが出来る。また、必要に応じて絶縁性基材の材料としてＰＰＡ樹脂、ＬＣＰ樹脂などの樹脂材料を選択することにより、端子部が柔らかく、たわむため、応力が緩和される。リード端子部３０は全体を配線導体層２１で被覆してもよいし、一部であってもよい。リード端子部３０全体を配線導体層２１で被覆することで、比抵抗は低減され、また半田との接合性も良好となるが、硬くなり、応力緩和機能が低下することがある。また、先端部のみを全面被覆し、それ以外は長手方向に沿ってライン状に形成してもよい。
【００３０】
この構成により、端子電極としてのリード端子部３０がたわみやすく、応力吸収部として作用することで応力が緩和される。またリード端子部３０と実装基板１００との間に形成される半田層４０がリード端子部３０の曲げ部内に浸透し、応力が、緩和される。これにより、熱サイクルによる応力負荷が低減され、結果として半田クラックが従来よりも起こりにくくなる。
【００３１】
製造に際しては、第１の面１０Ａにジャイロセンサが搭載されるため、回路基板１０については、第１の面１０Ａの方向性が維持されるように設計され、製造される。
【００３２】
ここでは、まず射出成形法により、回路基板１０を構成する端子部用の曲げ部を有する複数のリードからなるリード端子部を具備した立体基板を形成する。そしてこの立体基板上に配線導体層２１を形成する。形成に際しては、まず、立体基板の表面の全面に、無電解めっきあるいはＣＶＤやスパッタリング等を行うことにより導電性薄膜からなる下地層を形成する。ここでは無電解の銅めっきあるいはスパッタリングによる銅薄膜を形成する。そして、立体基板の表面にレーザビームを照射することで当該照射部分の下地層をパターニングし選択的に除去する。ここでレーザビームは、ガルバノミラー等で走査することにより形成すべき配線導体層の輪郭に沿って立体基板の表面を移動しつつ照射され、下地層のうち配線導体層のパターンに一致した部分と配線導体層２１のパターンに一致しない部分との境界領域の下地層を除去する。従って、立体基板の表面にはレーザビームが照射された輪郭内側の下地層（配線導体層２１のパターンに一致した下地層）と、下地層の輪郭に沿った部分のみがレーザビーム照射で除去されたパターンに一致しない部分の下地層とが残ることになる。但し、隣接する配線導体層２１の間隔が狭い場合においては、上述のように輪郭部分だけでなく配線導体層２１間の下地層を全てレーザビーム照射で除去することも可能である。
【００３３】
続いて、配線導体層２１のパターンに一致した下地層の上に電気めっきにより銅などのめっき層を厚付けすることで表面導体層を形成し、下地層のある部分以外の不要なめっき層をエッチングで除去すれば、所望の回路パターン及びリード端子部が形成された回路基板１０を得ることができる。
【００３４】
このように、表面に配線導体層２１を有する回路基板１０を設計し、この回路基板１０上に素子チップ２０を配する。この回路基板１０には表面に配線導体層２１を形成することでリードとしての役割を奏する樹脂製のリード端子部が一体形成されている。
【００３５】
このようにして形成された回路モジュールを実装基板１００上に実装する方法について簡単に説明する。
まず、実装基板１００に形成されたパッド１０１上に、ディスペンサにより供給量を制御しながら半田層４０を形成する。このとき、回路基板１０上の対応する領域にも端子電極配線として配線導体層を形成しておく。
【００３６】
そして半田層４０と回路基板１０の第２の面１０Ｂとが当接するところまで近づける。
【００３７】
そして半田リフロー温度に加熱し、冷却することで硬化するに際し、半田がＶ字状の端子部の凹部に浸透しつつ固化収縮し、回路モジュール（回路基板１０）と実装基板１００との距離が近づくことで、隙間なくリード端子部３０と、実装基板１００上のパッド１０１とが、電気的に接続される。このとき図３に矢印ＡおよびＢで示すように実装基板の表面に沿った方向にリード端子部３０の先端が移動することで、クラックの発生は回避され、かつ実装基板の表面に対する回路基板１０の姿勢角は維持される。ここで回路基板１０の第２の面１０Ｂは実装基板１００に対し、シリコーン樹脂系の柔らかい接合部材４１を介して固着されているが、固着することなくフリー状態のままでもよい。
【００３８】
このように本発明によれば、確実な固定が可能となり、ジャイロセンサなど、方向性がきわめて重要なセンサデバイスの実装において高精度の角度を維持しつつ、確実な接続を実現することが可能となる。
【００３９】
なお前記実施の形態１では、回路基板の素子搭載面である第１の面と実装面である第２の面は、相対向するように形成されたが、同一面以外であればいかなる位置関係であってもよく、垂直実装を行う場合などにも適用可能である。
【００４０】
（実施の形態２）
次に本発明の実施の形態２について説明する。図５は本発明の実施の形態２の回路モジュール２を示す斜視図、図６および７は回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す断面図である。
前記実施の形態では、リード端子部３０をＶ字状に形成したが本実施の形態では立体的なミアンダ状のパターンを構成している。本実施の形態では、回路基板１０本体とミアンダ状のパターンからなるリード端子部３０とを別途射出成形により形成し、このミアンダ状パターンをめっき処理したのち、回路基板１０に取り付けて構成される。ここで上面図は前記実施の形態１と同様であるためここでは省略する。
【００４１】
このようにして形成された回路モジュールを実装基板１００上に半田層４０によって実装した場合、実装基板の線膨張係数による伸縮度合いと同様の割合で、リード端子部３０を伸縮させることにより、半田、回路基板にかかる応力を緩和することが出来る。この構成ではリード端子部の先端部全体を半田接合しているため、半田量増加に伴い、強度向上を図ることが出来る。
【００４２】
（実施の形態３）
次に本発明の実施の形態３について説明する。図８は本発明の実施の形態３の回路モジュール３を示す斜視図、図９は上面図、図１０は、図９の要部拡大図、図１１は、回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す断面図である。
本実施の形態では、回路基板１０と実装基板１００を接続するためのリード端子部３０を回路基板１０の第３の面１０Ｃから外方に突出させ、リード端子部３０自体には応力緩和部をもたないが、の先端を幅広とし、円形に構成したことを特徴とする。他の部分については前記実施の形態と同様に形成されているが、ここではあらかじめリード端子部３０の先端領域のみをあらかじめ半田めっきしておき、半田接合が確実となるようにしている
【００４３】
このようにして形成された回路モジュールを実装基板１００上に半田層４０によって実装した場合、リード端子部３０の先端を円形状とすることで、実装基板と半田接合されている箇所の応力を分散させることができる。これにより、半田、回路基板にかかる応力を緩和することが出来る。この構成ではリード端子部の先端部全体を半田接合しているため、半田量増加に伴い、強度向上を図ることが出来、より半田クラックが発生しにくくなる。
【００４４】
（実施の形態４）
次に本発明の実施の形態４について説明する。図１２は本発明の実施の形態４の回路モジュール４を示す斜視図、図１３は、上面図、図１４は要部拡大図、図１５は回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す断面図である。
本実施の形態では、回路基板と実装基板を接続するためのリード端子部３０の先端を円形に構成するとともに貫通孔ｈを形成したことを特徴とする。他の部分については前記実施の形態と同様に形成されているが、ここではリード端子部３０の先端領域のみを半田めっき構造としている。
【００４５】
このようにして形成された回路モジュールを実装基板１００上に半田層４０によって実装した場合、貫通孔の存在により、より柔らかく応力吸収性が向上する上、応力が均一に分散することで、応力が集中するのを避けることができ、より半田クラックが発生しにくくなる。
【００４６】
（実施の形態５）
次に本発明の実施の形態５について説明する。図１６は本発明の実施の形態５の回路モジュール５を示す斜視図、図１７は上面図、図１８は図１７の要部拡大図、図１９は、回路モジュールを実装基板上に実装した状態を示す断面図である。
本実施の形態では、回路基板と実装基板を接続するためのリード端子部３０の先端を円形に構成するとともにリード部において、実装基板表面に沿ったミアンダパターンを構成したことを特徴とする。他の部分については前記実施の形態と同様に形成されているが、ここではリード端子部３０の先端を含む領域を半田めっき構造としている。ここでは、前記実施の形態３で用いたリード端子部３０の端縁から交互に切り込みをいれた形状となるように成形することで平板状でありながらも、応力緩和構造を構成する。したがって成形性が高いものとなる。
この切り込み内にもめっき層を形成することで、導電性も高くなる。さらにこの切り込み内に半田層４０が入り込むことでより接合性が向上する。
【００４７】
このようにして形成された回路モジュールを実装基板１００上に半田層４０によって実装した場合、応力が均一に分散することで、応力が集中するのを避けることができ、より半田クラックが発生しにくくなる。
【００４８】
前記実施の形態５では、樹脂を用いて回路基板およびリード端子部を形成したが、セラミックを用いてもよい。セラミックを用いる場合にはグリーンシートの最下層の端部をリード形状にパターニングし、突出させておくようにし、第２層、第３層と、多数層を順次積層し通常の積層基板と同様に形成し、配線導体層を形成後焼成することによっても、容易に形成可能である。
【００４９】
なお、前記実施の形態では、ジャイロセンサなどセンサチップを搭載した回路モジュール（センサモジュール）について説明したが、センサモジュールに限定されることなく、携帯端末などに搭載されるモジュールや、壁面に取り付けられるＬＥＤ照明用のＬＥＤモジュールなど種々の回路モジュールに適用可能である。
【００５０】
なお、前記実施の形態では素子搭載領域に凹部を形成した立体配線基板を回路基板として用いた例について説明したが、平板状の回路基板、あるいはさらに複雑な形状の立体配線基板にも適用可能である。ここで素子チップの搭載された回路基板を樹脂などで覆うことでパッケージを構成する場合もあるが、回路基板自体が素子チップを囲み、パッケージとしての役割を果たす場合もある。
【００５１】
また、前記実施の形態では、回路基板として射出成形によって形成した樹脂製の立体基板を用いたが、セラミック基板でもよくまた、グリーンシートを用いた積層基板を用いてもよい。リード端子部についても、樹脂製でもセラミック製でも、必要に応じて適用可能である。セラミックを用いる場合にはグリーンシートの最下層の端部をリード形状にパターニングし、突出させておくようにし、通常の積層基板と同様に形成し、配線導体層を形成後焼成することによっても、容易に形成可能である。ここでは例えば１０００℃以下で低温焼結が可能なセラミック誘電体材料ＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミック：Low Temperature Co-fired Ceramics）からなり、厚さが１０μｍ〜２００μｍのグリーンシートに、低抵抗率のＡｇやＣｕ等の導電ペーストを印刷して所定のパターンを形成し、複数のグリーンシートを絶縁層として用いて、適宜一体的に積層し、焼結することにより内部導体層を備えた絶縁層（誘電体層）として製造することが出来る。これらの誘電体材料としては、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分として、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋを副成分とする材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分としてＣａ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｋを複成分とする材料や、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｄを含む材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇを含む材料が適用可能である。ここで、誘電率は５〜１５程度の材料を用いる。なお、セラミック誘電体材料の他に、樹脂積層基板や樹脂とセラミック誘電体粉末を混合してなる複合材料を用いてなる積層基板を用いることも可能である。また、前記セラミック基板をＨＴＣＣ（高温同時焼成セラミック：High Temperature Co-fired Ceramics）技術を用いて、誘電体材料をＡｌ２Ｏ３を主体とするものとし、内部導体層として伝送線路等をタングステンやモリブデン等の高温で焼結可能な金属導体として構成しても良い。
【００５２】
また、グリーンシートに限定されることなく、他のセラミックにも適用可能であり、またガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの樹脂基板を用いた場合、プリプレグを用いた積層基板などにも適用可能である。積層基板を用いる場合には、回路基板本体部とリード端子部とを別体で構成し、リード端子部を積層時に挟み込むようにしてもよい。
【００５３】
前記実施の形態では、素子チップを回路基板上に実装する場合について説明したが、素子チップに代えて電子部品パッケージであってもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１，２，３  回路モジュール
１０  回路基板（パッケージ）
１０Ａ  第１の面
１０Ｂ  第２の面
１０Ｃ  第３の面
１３  凹部
２０  素子チップ
２１  配線導体層
２２  ボンディングワイヤ
３０  リード端子部
３１  曲げ部（応力緩和部）
３２  絶縁性基材
ｈ  貫通孔
３３  めっき層
４０  半田層
４１  接合部材
１００  実装基板（プリント配線基板）
１０１  パッド
１１０  回路基板
１２０  素子チップ
１３０  半田層
２３０  リード端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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