(57)【要約】【課題】より高い生産性を有する電子ユニットを得る。【解決手段】本発明の電子ユニットは、電子部品を実装した基板１１０と、前記基板を固定するリードフレーム１００と、前記リードフレームに設けられているスポットニッケルめっき部４００と、前記基板と前記リードフレームを電気的に接続するワイヤ１２０と、前記基板と前記リードフレームの一部とを封止する樹脂１３０とを有し、前記スポットニッケルめっき部４００は、所定の結晶粒径の第１のめっき層４１０と、前記第１のめっき層４１０を覆うように設けられ、当該第１のめっき層４１０よりも結晶粒径が小さい第２のめっき層４１５とからなる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を実装した基板と、前記基板を固定するリードフレームと、前記リードフレームに設けられているスポットニッケルめっき部と、前記基板と前記リードフレームを電気的に接続するワイヤと、前記基板とリードフレームの一部とを封止する樹脂とを有し、前記スポットニッケルめっき部は、所定の結晶粒径の第１のめっき層と、前記第１のめっき層を覆うように設けられ、当該第１のめっき層よりも結晶粒径が小さい第２のめっき層とからなる電子ユニット。
【請求項２】
前記スポットニッケルめっき部の周囲に無めっき部を有している請求項１記載の電子ユニット。
【請求項３】
電子部品を実装した基板と、前記基板を固定するリードフレームと、前記リードフレームに設けられているスポットニッケルめっき部と、前記基板と前記リードフレームを電気的に接続するワイヤと、前記基板とリードフレームの一部とを封止するモールド樹脂とを有する電子ユニットの製造方法において、前記リードフレームに第１のニッケルめっき層を形成する第１のステップと、前記第１のステップで形成した第１のめっき層を覆うように、当該第１のめっき層よりも結晶粒径の小さい第２のめっき層を形成する第２のステップと、粗化剤によって前記リードフレームの表面を粗化する第３のステップと、前記リードフレームに前記基板を配置し、前記第２のステップで形成した第２のめっき層表面に、前記ワイヤを接合する第４のステップと、前記樹脂を前記ユニットに流し込む第５のステップとを有する電子ユニットの製造方法。
【請求項４】
前記第１のめっき層と、当該第１のめっき層よりも結晶粒径が小さい第２のめっき層とが、単独のめっき槽で一工程にて形成される請求項３記載の電子ユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
自動車の快適性を向上させるために、その室内空間を広く確保しようという要求は絶えない。解決手段のひとつとして、室内に設置してある電子機器を室外すなわちエンジンルームに設置する方法がある。室内に設置してある電子機器を室外に設置するためには、電子機器に耐水・耐油性を持たせる必要がある。そのために、電子機器中の電子部品を樹脂モールドで封止する技術が開発されている。
【０００３】
電子部品はＩＣ・抵抗等が搭載されている基板と、リードフレームから成り、基板とリードフレームはワイヤボンディングで接続されている。基板とリードフレームのワイヤ接続部は、ワイヤボンディング性確保のため、めっきが施されている。
【０００４】
電子部品を樹脂モールドで封止する際に、リードフレームと樹脂との密着性確保は、耐水・耐油性を確保するために重要な要素である。密着性確保のために、リードフレーム表面を粗化する方法が提案されている。粗化方法には、物理的に粗化するもの、化学的に粗化するものがある。
【０００５】
化学的に粗化する方法では、上記めっき部の粗化を防ぐため、めっき部にマスキングを施してから粗化処理をして、終了後にマスキングを剥離するのが一般的である（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−３２６６９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１によれば、粗化面形成の際、めっき部の粗化を防ぐため、めっき部にマスキングテープを貼付する工程及びテープを剥離する工程があり、生産性が十分に考慮されていなかった。
【０００８】
本発明の目的は、より高い生産性を有する電子ユニットを得ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の電子ユニットは、電子部品を実装した基板と、前記基板を固定するリードフレームと、前記リードフレームに設けられているスポットニッケルめっき部と、前記基板と前記リードフレームを電気的に接続するワイヤと、前記基板とリードフレームの一部とを封止する樹脂とを有し、前記スポットニッケル部は、所定の結晶粒径の第１のめっき層と、前記第１のめっき層を覆うように設けられ、当該第１のめっき層よりも結晶粒径が小さい第２のめっき層とからなる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、より高い生産性を有する電子ユニットを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】電子ユニットの外観及び内観を示す図。
【図２】リードフレームのピン部の先端を示す図。
【図３】電子ユニットの生産工程を示すフロー図。
【図４】スポットニッケルめっき部の構成を示す図。
【図５】スポットニッケルめっき装置を示す図。
【図６】スポットニッケルめっき時の電流プロファイルを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１３】
図１は電子ユニットの外観及び内部を示している。
【００１４】
電子ユニットは樹脂１３０にて封止されている。
【００１５】
電子ユニットの内部は、ピン部２００を有するリードフレーム１００上に、抵抗１１１及びコンデンサ１１２及びＩＣ１１３等の電子部品を有する基板１１０を配置し、基板１１０の基板ボンディング部１１４とピン部２００はワイヤ１２０にて接合されたものである。
【００１６】
図２はピン部２００の先端部を示したものである。スポットニッケルめっき部４００と無めっき部２１０で成り立っており、無めっき部２１０には樹脂１３０との密着性を高めるため、粗化面が形成されている。
【００１７】
図３は、電子ユニットの生産工程を示したものである。
【００１８】
まず、前処理として、リードフレーム１００に電解脱脂（ステップ３１），化学研磨（ステップ３２），酸活性（ステップ３３）を行う。
【００１９】
次に、ニッケルめっき（ステップ３４）を行い、ワイヤボンディングを施す部分のみにスポットニッケルめっき部４００を形成する。
【００２０】
ステップ３４では、図５に示すように、スポットニッケルめっき部４００に対応する部分に穴が開いたマスク５０５の上に、めっき面を下に向けたリードフレーム１００を設置する。プレス５００でリードフレーム１００を上部から押さえ、位置がずれないように固定する。その状態で、ニッケルめっき液５１０を下方から噴流状にして吹きつける。この時ニッケルめっき液５１０は、マスク５０５により、リードフレーム１００のワイヤボンディングを施す部分にのみ吹きつけられる。
【００２１】
この状態でリードフレーム１００とニッケル陽極５１５との間で電源５２０を用いて通電させると、リードフレーム１００上の、マスク５０５の穴の開いた部分に対応する箇所にスポットニッケルめっき部４００が形成される。
【００２２】
また、図４に示すように、このスポットニッケルめっき部４００のめっきは、厚さ約０.１〜１０μｍの結晶粒径の大きいめっき層４１０と、厚さ約０.０１〜１０μｍのニッケル結晶粒径が小さいめっき層４１５との二層から成る。めっき層４１０は結晶粒径が大きく、単位時間当たりに形成される層の厚みが大きくなり、ワイヤボンディング性が向上する。一方、めっき層４１５は結晶粒径が小さいため、単位時間当たりに形成される層の厚みは小さいが、後述の粗化工程にて粗化されにくい。ゆえに、本実施例ではワイヤボンディング性を確保しつつ、めっき部を保護するためのマスキングを不要とすることができる。これら二層は単独のめっき槽で、図６に示すように電流値を連続的に変化させることで一工程にて形成される。
【００２３】
本実施例では、めっき層４１０を電流密度１０〜１００Ａ／ｄｍ2、めっき層４１５を電流密度０.１〜３０Ａ／ｄｍ2で形成しているが、所定の結晶粒径を得られる電流密度であれば、これらとは異なる電流密度であってもよい。
【００２４】
スポットニッケルめっき部４００を形成後、リードフレーム１００を洗浄する（ステップ３５）。その後、リードフレーム１００全体に粗化を行う（ステップ３６）。この時、スポットニッケルめっき部４００は、結晶粒径の小さいめっき層４１５で保護されているため粗化されない。
【００２５】
本実施例ではマスキング貼付工程・マスキング剥離工程が無いので、工程数低減と納期の短縮が可能である。また、マスキング等を行わないので、めっき部を除くリードフレーム全面に安定して粗化面を形成することが可能である。
【符号の説明】
【００２６】
１００  リードフレーム
１１０  基板
１１１  抵抗
１１２  コンデンサ
１１３  ＩＣ
１１４  基板ボンディング部
１１５  ワイヤ
１３０  樹脂
２００  ピン部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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