(57)【要約】【課題】優れた電気特性（低誘電率/低消耗係数）、耐燃性及び熱安定性のある新規臭素化エポキシ樹脂で、広くグラスファイバー積層板の製作に応用され得る積層板用の臭素化エポキシ樹脂の製造方法を提供すること。【解決手段】対称性モノフェノール化合物を、アルデヒド化合物或いはシクロジエン化合物と酸性触媒下で反応させて、対称性構造或いは飽和環状構造のあるビスフェノール型フェノールアルデヒド化合物を生成させ、生成したビスフェノール型フェノールアルデヒド化合物はエピクロルヒドリンとエポキシ化反応して、フェノールアルデヒドエポキシ樹脂を作り、最後にフェノールアルデヒドエポキシ樹脂を、含臭素フェノール化合物と反応させて、臭素化エポキシ樹脂となすこと。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
2,6位置がアルキル基にて置換された対称性モノフェノール化合物（A）を、アルデヒド化合物或いはシクロジエン化合物（B）と酸性触媒下で反応させて、対称性構造或いは飽和環状構造のあるビスフェノール型フェノールアルデヒド化合物（C）を生成させ、 
生成したビスフェノール型フェノールアルデヒド化合物（C）はエピクロルヒドリンとエポキシ化反応して、フェノールアルデヒドエポキシ樹脂（D）を作り、 
最後にフェノールアルデヒドエポキシ樹脂（D）を、含臭素フェノール化合物（E）と反応させて、臭素化エポキシ樹脂（F）となすことを特徴とする積層板用の臭素化エポキシ樹脂の製造方法。 
【請求項２】
前記臭素化エポキシ樹脂の構造式は 
2011168626.tif 000008
そのうち、Xは−CH3、-C2H5、-C(CH3)3 
Rは 
2011168626.tif 000009
P１/P２は、H,CH3、C2H5などで 
Kは 
2011168626.tif 000010
ｎ＝１〜４ 
であることを特徴とする請求項1に記載の積層板用の臭素化エポキシ樹脂の製造方法。 
【請求項３】
前記臭素化エポキシ樹脂は、34.0〜540g/eqのエポキシ当量；1500〜3500の重量平均分子量；12〜19％の臭素含量であることを特徴とする請求項１に記載の積層板用の臭素化エポキシ樹脂の製造方法。 
【請求項４】
2,6位置がアルキル基にて置換された対称性モノフェノール化合物（A）は、2,6-キシレノール（2,6-Xylenol）であることを特徴とする請求項１に記載の積層板用の臭素化エポキシ樹脂の製造方法。 
【請求項５】
前記臭素化エポキシ樹脂のアルデヒド化合物は、ホルムアルデヒド或いはベンズアルデヒド或いはその混合物であることを特徴とする請求項１に記載の積層板用の臭素化エポキシ樹脂の製造方法。 
【請求項６】
前記臭素化エポキシ樹脂のシクロジエン化合物は、ジシクロペンタジエンであることを特徴とする請求項１に記載の積層板用の臭素化エポキシ樹脂の製造方法。 
【請求項７】
前記臭素化エポキシ樹脂のブロモフェノール化合物は、テトラブロモビスフェノールであることを特徴とする請求項１に記載の積層板用の臭素化エポキシ樹脂の製造方法。 
【請求項８】
請求項1記載の臭素化エポキシ樹脂はグラスファイバー積層板用の臭素化エポキシ樹脂ワニス組成物の樹脂であって、その樹脂ワニス組成物は（i）20〜80ｗt％の請求項２〜７記載の臭素化エポキシ樹脂；（ii）１〜50ｗt％の硬化剤；及び(iii)0.01〜1ｗt％の硬化促進剤からなることを特徴とする請求項1に記載の積層板用の臭素化エポキシ樹脂の製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は優れた電気特性（低誘電率/低消耗係数）、耐燃性及び熱安定性のある新規臭素化エポキシ樹脂で、広くグラスファイバー積層板の製作に応用されるものに関する。 
この新規臭素化エポキシ樹脂は、常用されている、ジシアンジアミド（dicyandiamide, 略称DICY）、フェノールノボラック（Phenol Novolac,  略称PN）、メラミンフェノールノボラック（Melamin phenol novolac,  略称MPN）、ビスフェノールAノボラック（Bisphenol A Novolac,  略称BN）あるいはテトラフェノールエタン（Tetra phenyl ethane,  略称TPE）などを、硬化促進剤で調合して樹脂ワニス(warnich) 組成物にし、グラスファイバーを浸漬して積層板を製作するもので、この臭素化エポキシ樹脂を使用してラミネート (Laminate) したグラスファイバー積層板を、現行の汎用されているビスフェノールAノボラック型臭素化エポキシ樹脂を使用して製作したグラスファイバー積層板の物性と比較したとき、より優れた電気特性及び安定性があり、耐熱UL94V-０テストを達成し、高速高周波信号伝送の適用に最適なものである。 
【背景技術】
【０００２】
従来のビスフェノールAノボラック型臭素化エポキシ樹脂は、長期にわたり使用されてきた樹脂で、その特性は長期の研究により調整されてきた。公知のビスフェノールAノボラック型臭素化エポキシ樹脂で製作したグラスファイバー積層板は、機械性質、電気特性及びサイズの安定性などいずれも優れている。ガラス、銅箔などの材料に対し、接着性もたいへん優れており、これらのビスフェノールAノボラック型臭素化エポキシ樹脂で製作されたグラスファイバー積層板は、電子、航空宇宙工業等のプリント回路基板分野で広く使用されてきた。 
【０００３】
プリント回路基板材料の電気特性は、グラスファイバー積層板の3つの主な組成材料、（１）臭素化エポキシ樹脂（２）充填材（３）補強材によって決定される。樹脂系統には、現在公知のビスフェノールAノボラック型臭素化エポキシ樹脂（南亜プラスチック社（NAN YA PLASTICS CORPORATION）製：NPEB454A80）とグラス繊維（E glass）を組み合わせたFR-4（Tg,140℃）規格の基板があるが、そのDK値は〜4.6で、高速高周波信号伝達の要求を満足することができない。そのため、ビスメライミドートリアゼン（Bismelaimide-triazene, BT）樹脂、シヤナートエステル樹脂（Cyanate ester resin）、ポリテトラフルオロエタン樹脂（Poly tetra-fluoroethane、PTFE）などの新しい材料が次々と登場し導入されているが、いずれも長所、欠点がある。例えば、フッ素系樹脂ポリテトラフルオロエタンは、低誘電率、低消耗係数、低吸水性だが、Tgが低く、加工成型が困難で、価格も高く、銅箔との接着力が低いなどの欠点がある。一般的に言えば、導入されている新しい材料でプリント回路基板グラスファイバー積層板を製作, 加工する過程において、それらの製造装置及び加工の条件が現行のグラスファイバー積層板の製造、加工条件との差異が大きいため、適用できない情況にある。 
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
プリント回路基板の有用性は、軽さ、薄さ、短かさ、小ささ、そして高速、高周波低誘電率、低消耗係数等の改良にある。高速高周波信号の伝送過程で、使用するグラスファイバー積層板の材料が合わず、信号が著しく減少しないようにするため、この分野に使用されるグラスファイバー積層板の材料は、低誘電率及び低消耗係数などの電気特性を持ち、かつ, 現在の加工設備及び現在の加工、製造の条件下での作業要求にマッチしなければならない。故、多くのニーズにマッチできるグラスファイバー積層板の製作に用いられる新しい樹脂材料の開発は、この分野の技術者が克服しなければならない重要な課題となっている。 
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は新規臭素化エポキシ樹脂の合成製作を提供するもので、この新規臭素化エポキシ樹脂は、高度の対称性或いは飽和環状構造（特には複素環式飽和脂肪族化合物(Saturated heterocyclic aliphatic））などの分子構造を導入し、臭素化エポキシ樹脂の分子構造に、低分子双極子モーメントのある特性をもたらせ、有効にグラスファイバー積層板の誘電率及び消耗係数を減らし、高速高周波信号の伝送にマッチし、信号の減衰を減少させる要求を満たせるものである。また、同時に本発明の新規臭素化エポキシ樹脂は、従来のビスフェノールA型臭素化エポキシ樹脂でグラスファイバーを浸漬、積層する加工、製作条件及び下流の電氣回路基版の製作過程のいずれとも同じく、現在の加工設備及び加工製作条件にて効率的に大量生産できるものである。 
【０００６】
本発明の新規臭素化エポキシ樹脂の特徴は、臭素化エポキシ樹脂に高対称性或いは飽和脂肪族環状化合物の分子構造のある原料を導入し、即ち臭素化エポキシ樹脂の分子構造中に高い対称性或いは環状飽和脂肪族分子構造を持たせている。そのため、本発明の新規臭素化エポキシ樹脂を使用して製作したグラスファイバー積層板は低誘電率及び低消耗係数などの優れた電気性質を持ち、特に高速高周波信号伝送用に適するものである。 
【０００７】
本発明の新規臭素化エポキシ樹脂は、以下のステップにて製造される。 
1. 分子構造が対称のモノフェノール化合物（A）、例えば2,6の位置がアルキル基、例えばメチルアルキル基で置換されたフェノール類化合物の2,6-ジメチルフェノール(dimethyl phenol）或いは別称2,6-キシレノール（xylenol）と, 
アルデヒド類化合物, 例えばパラホルムアルデヒド（Paraformaldehyde)或いはシクロジエン化合物、例えばジシクロペンタジエン（Dicyclopentadiene, 略称DCPD）（B）を反応させ、
高対称性或いは飽和環状構造のあるビスフェノール型フェノールアルデヒド樹脂（C）を形成させ； 
2. ビスフェノール型フェノールアルデヒド樹脂（C）とエピクロルヒドリン（Epichlorohydrin, 略称ECH）をエポキシ化反応させて、フェノールアルデヒドエポキシ樹脂（D）を生成し； 
3. フェノールアルデヒドエポキシ樹脂（D）を臭素フェノール類化合物（E）、例えばテトラブロモビスフェノールA（Tetra bromo bis-phenol A、略称TBBA）と反応させて、本発明の臭素化エポキシ樹脂（F）を得る。 
【０００８】
そのうち、フェノールアルデヒドエポキシ樹脂（D）の合成は： 
2,6−キシレノールとアルデヒド或いは環状飽和脂肪族化合物などの2,6置換モノフェノール化合物により、酸性触媒（例えばメチルスルホン酸、トルエンスルホン酸、三フッ化ホウ素、三塩化アルミニウム）下で、縮合反応を行うとフェノールアルデヒド樹脂（C）ができる。続いて、このフェノールアルデヒド樹脂（C）とエピクロルヒドリン（ECH）をNaOHの存在下でエポキシ樹脂を合成、合成反応の条件は、一般のエピクロルヒドリンをエポキシ化する製造過程と同じで、合成されたフェノールアルデヒドエポキシ樹脂（D）の平均官能基数は２である。 
【０００９】
臭素化エポキシ樹脂（F）の合成は： 
50〜80wt％を占めるフェノールアルデヒドエポキシ樹脂（D）を20〜40wt％を占める臭素フェノール類化合物（E）と反応させると、臭素化エポキシ樹脂（F）ができる。 
上記新規臭素化エポキシ樹脂（F）の反応ステップは、次のとおりである。 
（１） 90〜120℃で反応物を十分に溶解させる。 
（２） 触媒を添加、その触媒は、3級リン酸塩、4級リン酸塩或いはイミダゾール（imidazole）類が主で、添加量は臭素フェノール類化合物（E）重量の0.1〜１wt％である。 
（３） 合成反応の温度は150〜200℃、160〜180℃の反応温度が最も適し、反応時間は120〜180分である。 
【００１０】
フェノールアルデヒドエポキシ樹脂（D）の構造式はのとおりである： 
2011168626.tif 000002
式中のXは：-CH3、-C2H5、-C(CH3)3 
Rは： 
2011168626.tif 000003
P1、P2は、H,CH3、C2H5である。 
【００１１】
上記フェノールアルデヒドエポキシ樹脂（D）と臭素フェノール類化合物（E）を反応させて合成して出来た臭素化エポキシ樹脂はエポキシ当量(Epoxy Equivalent Weight、略称EEW)がEEW＝340〜540g/eq、ｎ＝1〜4、平均分子量Mw＝1500〜3500、臭素含有量が12〜19％の二官能基である新規臭素化エポキシ樹脂（F）であり、構造式は以下のとおりである。 
2011168626.tif 000004
【００１２】
そのうち、Kは： 
2011168626.tif 000005
ｎ＝１〜４である。 
【００１３】
本発明の合成例を詳細に説明する： 
臭素化エポキシ樹脂の合成（F-1）： 
ステップ1：加熱、温度制御装置、電動ミキサー、及び冷却管を備えている2L四つ首ガラス(FOUR NECK) 反応容器の中に、1200gの2,6-二置換モノフェノール類化合物の2,6−キシレノール（2,6-Xylenol）と150gのトリオキシメチレン（trioxymethylene）（純度92％）を入れ、溶剤メチルイソブチルケトン（Methyl isobutyl ketone,  MIBK）が60℃のときに溶解混合し、Pベンジルスルホン酸触媒40gを加えた後、温度を90℃に上げて2.5時間反応させ、NaOHで中和した後、MIBK溶剤を取り除くと、2,6-ジメチルフェノール樹脂ができる（樹脂番号：C-1）。 
ステップ2：加熱、温度制御装置、電動ミキサー、冷却管を備えている2L四つ首ガラス反応容器の中に、400gのC-1と1400gのエピクロルヒドリン（ECH）を入れ、アルカリ性環境下でエポキシ化させ、反応温度65℃で3時間反応させる。ろ過して副産物のNaClを除去した後、過量のエピクロルヒドリン（ECH）を真空にて脱除すると、2,6-ジメチルフェノールアルデヒドエポキシ樹脂(EEW=185〜220 g/eq)ができる（樹脂番号：D-1）。 
ステップ三：加熱、温度制御装置、電動ミキサー、冷却管を備えている2L四つ首ガラス反応容器の中に、1200gのD-1と450gのテトラブロモビスフェノールA（TBBA）を入れ、110℃で溶解し、トリフェニルホスフィン（Tripheniyl phosphine）触媒2.2gを加え、160℃で4時間反応させると、臭素化エポキシ樹脂(EEW=340〜450 g/eq)ができる（樹脂番号：F-1）。 
【００１４】
臭素化エポキシ樹脂の合成（F-2） 
ステップ1：加熱、温度制御装置、電動ミキサー、冷却管を備えている2L四つ首ガラス反応容器の中に、900gの2,6-二置換モノフェノール類化合物の2,6−キシレノール（2,6-Xylenol）と450gのジシクロペンタジエン（DCPD）を入れ、溶剤メチルイソブチルケトン（MIBK）が60℃のとき加えて混合し、Pベンジルスルホン酸触媒40gを加えた後、温度を120℃に上げて4時間反応させ、NaOHで中和した後、MIBK溶剤を取り除くと、2,6-ジメチルフェノール樹脂ができる（樹脂番号：C-2）。 
ステップ2：加熱、温度制御装置、電動ミキサー、冷却管を備えている2L四つ首ガラス反応容器の中に、480gのC-2と1200gのエピクロルヒドリン（ECH）を入れ、アルカリ性環境下でエポキシ化させ、反応温度65℃で3時間反応させる。ろ過して副産物のNaClを除去した後、過量のエピクロルヒドリン（ECH）を真空にて脱除すれば、2,6-ジメチルフェノールアルデヒドエポキシ樹脂(EEW=260〜300 g/eq)ができる（樹脂番号：D-2）。 
ステップ3：加熱、温度制御装置、電動ミキサー、冷却管を備えている2L四つ首ガラス反応容器の中に、1400gのD-2と360gのテトラブロモビスフェノールA（TBBA）を入れ、110℃で溶解させ、トリフェニルホスフィン触媒2.2gを加え、160℃で4時間反応させると、臭素化エポキシ樹脂(EEW=430〜540 g/eq)ができる（樹脂番号：F-2）。 
【００１５】
上記F-1及びF-2の合成例で、対称性臭素化エポキシ樹脂製造のステップ1にあるフェノール化合物は、反応後に対称性構造を形成するものを主とする。一般的には、2,6二置換フェノール類化合物を主とし、そのうち2,6−ジメチルフェノールが最もよい。アルデヒド化合物或いは二重結合の化合物の選択は特に制限はしないが、反応により対称性フェノールを形成できるものであればよい。そのうち、アルデヒド化合物はホルムアルデヒドが良く、二重結合の化合物ではジシクロペンタジエンと2,5-ノルボルナジエンが最適である。対称性臭素化エポキシ樹脂を製造するステップ3で使用した臭素化フェノールは特に制限はないが、そのうち、高い臭素含量のテトラブロモビスフェノールA（TBBA）が最も良い。 
【００１６】
低誘電グラスファイバー積層板を作るのに必要な臭素化エポキシ樹脂ワニス組成物は、（a）臭素化エポキシ樹脂、（b）硬化剤、（c）硬化促進剤及び（d）有機溶剤の4つの主成分を含み、（a）（b）（c）（d）を適当な比例で均等に混れば、臭素化エポキシ樹脂ワニス組成物ができる。 
【００１７】
臭素化エポキシ樹脂ワニス組成物中の成分（b）は硬化剤で、その種類として（I）樹脂、例えばフェノールノボラック（PN）、メラミンフェノールノボラック（MPN）、A型ビスフェノールAノボラック（BN）及びテトラフェニルエタン（TPE）、（２）多価アミン、（３）多価カルボン酸、(4)ジシアンジアミド（DICY）及び(5)無水物 (anhydrides) などがある。 
【００１８】
硬化剤にジシアンジアミドを使用した時、ジシアンジアミドの使用量は2〜8phrで、2〜4phrが最適である。ノボラックを硬化剤に使用した時、ノボラック樹脂の用量は、フェノールOH基とエポキシ基の当量比は0.5〜1.5で、最適当量比は0.9〜1.1である。 
【００１９】
臭素化エポキシ樹脂ワニス組成物の成分（c）は硬化促進剤であって、その種類として、三級ホスフィン、三級アミン、四級ホスホニウム塩、四級アンモニウム塩、イミダゾール化合物がある。そのうちの三級ホスフィンは、トリフェニルホスファイトなどがある。三級アミンには、トリメチルアニリン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジメチルアミンエタノールなどがある。四級ホスホニウム塩には、テトラブチル臭素ホスホニウム、テトラフェニル臭素ホスホニウム、エチルトリフェニル臭素ホスホニウム、プロピルトリフェニル塩素化ホスホニウム、ブチルトリフェニル臭素ホスホニウムなどのハロゲン化四級ホスホニウム塩があり、四級アンモニウム塩には、テトラメチルアンモニウム臭化物、テトラエチルアンモニウム臭化物、テトラブチルアンモニウム臭化物、トリエチルベンジルアンモニウム臭化物、トリエチルフェネチルアンモニウム臭化物などのハロゲン化四級アンモニウム塩がある。イミダゾール化合物には、2-メチルイミダゾール、2-エチルイミダゾール、 2-ラウリルイミダゾール、2-ベンジルイミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-エチルイミダゾール、4-ラウリルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-エチル- 4-メチロールイミダゾールなどがあり、最適なのは、2- メチルイミダゾール或いは2-エチル- 4-メチルイミダゾールである。この促進剤は、単独使用或いは2種以上を混合して使用することができる。その使用量は、樹脂総量(臭素化エポキシ樹脂(a)+ 硬化剤(b))の0.01〜1PHR、最適量は0.04〜0.5PHRである。 
【００２０】
臭素化エポキシ樹脂ワニス組成物の成分（d）は有機溶剤で、この有機溶剤には、有機芳香族類溶剤、プロトン溶剤、ケトン類溶剤、エーテル系溶剤及びエステル系溶剤があり、適当な溶剤は、トルエン、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、1-メトキシ-2-プロピルアルコール、エチルアセトンなどで、有機溶剤の主な役割は、成分（a）（b）（c）の溶剤を溶解して均等に混合し、樹脂ワニスの粘度を調整し、グラスファイバー積層板の製作に役立てていることである。 
【００２１】
グラスファイバー積層板の製作： 
ステップ1：臭素化エポキシ樹脂ワニス組成物の製作は（a）臭素化エポキシ樹脂の含量が樹脂総量の20〜80wt％、（b）硬化剤の含量が樹脂総量(臭素化エポキシ樹脂(a)+ 硬化剤(b))の1〜50wt％、（c）0.01〜1PHRの硬化促進剤、（ｄ）有機溶剤は、樹脂総量(臭素化エポキシ樹脂(a)+ 硬化剤(b))の30〜40PHRで,（a）（b）（c）（ｄ）の4成分を均等に混合すれば、ワニス組成物ができる。 
ステップ2：プリプレグの製作は、グラスファイバー布をステップ（１）で作った樹脂ワニス組成物の中に1〜3分間浸漬け、樹脂ワニスのついたグラスファイバー布を、170℃のオーブンで3〜8分加熱して（d）成分中の有機材を除去した後、オーブンから出して冷却し、プリプレグができる。 
ステップ3：グラスファイバー積層板の熱圧成型は、複数のプリプレグを、重ねて多層にし、多層片の一面或いは2面に銅箔を置き、熱圧機にかけて、加圧加熱して硬化成型すれば、各種の優れた特性を持つグラスファイバー積層板ができあがる。 
【００２２】
このエポキシ樹脂ワニス組成物の硬化温度は30〜300℃で、150〜210℃が最適である。硬化温度が低すぎると、硬化の速度が遅く、硬化時間を延長しなければならず、生産コストが悪い。硬化温度が高すぎると、樹脂が割れやすく、グラス層合板の物理性質が落ちる。 
【実施例】
【００２３】
以下、具体的な実施例により本発明を詳細に述べる。実施例及び比較例で用いられている符号及びその成分は、以下のとおりである。 
【００２４】
臭素化エポキシ樹脂a1：南亜プラスティックが生産した臭素化エポキシ樹脂であって、商品名NPEB-485A80、エポキシ当量は385〜405g/eq、臭素含有量は19％。 
硬化剤b1：ジシアンジアミド（DICY）溶液であって、14.7gのジシアンジアミドを85.3gのN,N-ジメチルホルムアミド（DMF）に溶かしたもの。 
硬化剤b2：南亜プラスティックが生産したビスフェノールAフェノール樹脂、商品名BN。 
硬化剤b3：南亜プラスティックが生産したテトラフェノールエタン型フェノール樹脂、商品名TPE。 
促進剤c1：2-メチルイミダゾール（2-MI）溶液であって、14.2gの2-MI溶液を85.8 gのN, N- ジメチルホルムアミド (DMF)に溶かしたもの。
【００２５】
実施例1〜6 
対称性臭素化エポキシ樹脂を異なる硬化剤と配合する。その配合組み合わせは表１のとおりである。アセトン溶剤を使用して固形成分65％の樹脂ワニス組成物を調合する。一般的な公知方法により、グラスファイバー積層板を製造する。この公知方法とは、7628グラスファイバー布を、上記の樹脂ワニス組成物に浸け、170℃（浸漬機の温度）で、数分乾燥させ、乾燥時間を管理調整しながら、プリプレグの溶融粘度を4000〜10000poiseの間で乾燥させる。最後に、8枚のプリプレグを重ね、2枚の厚さ35umの銅箔間に置き、25kg/cm2圧力で熱圧すれば、グラスファイバー積層板ができる。 
【００２６】
温度管理の流れは下記のとおりである。 
2011168626.tif 000006
比較例1〜3 
臭素化エポキシ樹脂（南亜臭素化エポキシ樹脂、商品名NPEB-485A80）を異なる硬化剤と配合する。その配合組み合わせは表１のとおりである。アセトン溶剤を使用して固形成分65％の樹脂ワニス組成物を調合する。実施例1〜6と同じ方法にて、グラスファイバー積層板を製造する。 
【００２７】
測量の説明 
1. ワニスのゲル化時間（Varnish gel time, VGT）： 
ゲル化時間の長さは、樹脂ワニス反応の速さの指標で、テストの方法はエポキシ樹脂ワニス組成物を約0.3ml熱板上に採り、熱板温度は170℃で、ゲル化に要した時間を記録し、その所要時間をVGTと呼ぶ。 
2. ガラス転移温度（Temperature of glass transition）測定： 
加熱速度が20℃/ minの示差走査熱量計（Differential scanning calorimeter、DSC）を使用して測定する。 
3. 吸水率テスト： 
吸水率テストの方法は、銅箔を含むグラスファイバー積層板を、塩化第二鉄水溶液でグラスファイバー積層板表面の銅箔を溶解して取り除き、5cm×5cmの正方形に切り取り、105℃のオーブンで2時間焼いた後、水蒸気圧力鍋の中に入れる。圧力鍋の条件は2atm×120℃、圧力鍋に30分入れた後、圧力鍋に入れる前後の重量差を始めの重さで割ったものを吸水率という。 
4. 誘電率（Dielectric constant）テスト： 
テスト方法は、銅箔を除いたグラスファイバー積層板を5cm×5cmの正方形に切ったものを、105℃のオーブンで2時間焼いた後、厚さ計で被測片の厚さを測る。さらに誘電率測定器に入れ、測定した3点の数値の平均を取る。 
5. 消耗係数（Dissipation factor）テスト： 
テスト方法は、銅箔を除いたグラスファイバー積層板を5cm×5cm正方形に切り取ったものを、105℃のオーブンで2時間焼き、厚さ計で被測片の厚さを測る。さらに消耗係数測定器に入れ、3点の数値を測って平均を取る。 
【００２８】
表１  樹脂ワニス組成物及びグラスファイバー積層板物性 
2011168626.tif 000007
上記のテスト結果から、臭素化エポキシ樹脂（F１、F２）より製作されたグラスファイバー積層板は、誘電率、消耗係数が大幅に降下しており、特に高速高周波信号の伝送に適している。