(57)【要約】【課題】半導体素子を封止用樹脂で均一に封止する。【解決手段】半導体装置１０は、基板（配線基板１１）と、基板上に配設された半導体素子１３と、基板上に配設され、半導体素子１３を覆い、覆われた半導体素子１３に通じる開口部１５ｃ１〜１５ｃ４と、開口部１５ｃ１〜１５ｃ４または開口部１５ｃ１〜１５ｃ４近傍に形成された突起部１５ｅ１〜１５ｅ４とを有する放熱部材１５と、半導体素子１３及び放熱部材１５を封止する封止樹脂とを有する。当該半導体装置１０では、突起部１５ｅ１〜１５ｅ４により注入された封止樹脂が放熱部材１５内部に流入されて、未充填部の発生が防止される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配設された半導体素子と、
前記基板上に配設され、前記半導体素子を覆い、覆われた前記半導体素子に通じる開口部と、前記開口部または前記開口部近傍に形成された突起部とを有する放熱部材と、
前記半導体素子及び前記放熱部材を封止する封止樹脂と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記放熱部材は、前記突起部が前記開口部の端部または前記開口部の端部近傍に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記突起部は押し出し加工によって前記開口部の前記端部近傍に形成されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記放熱部材は、開口孔が形成された平板状の鍔状基部と、前記開口孔に形成され、前記開口部が側部に形成された円筒状の側面部と、前記側面部の開口端に形成された上部平板状部と、を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記放熱部材は、前記開口部が前記側面部から前記鍔状基部に渡って形成されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記放熱部材の上面が前記封止樹脂から露出されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記突起部の上面が前記封止樹脂から露出されていることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
開口部と、前記開口部または前記開口部近傍に形成された突起部とを有する放熱部材を、基板に配設された半導体素子を覆って前記開口部が前記半導体素子に通じるように、前記基板に配設する工程と、
封止樹脂を流入し、前記突起部で前記開口部に案内させて、前記封止樹脂で前記半導体素子及び前記放熱部材を封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体素子が樹脂で封止された半導体装置及びその樹脂封止方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を具備する半導体装置では、半導体装置を安定して動作させるために、当該半導体装置の動作時に半導体素子から発生する熱を外部に効率的に排熱させる必要がある。そこで、半導体装置では、半導体素子の全体を覆うように放熱部材が配設されて、半導体素子及び放熱部材が封止用樹脂で封止する方法が適用されている（例えば、特許文献１，２参照）。当該半導体装置では、半導体素子から発生した熱が、封止用樹脂及び放熱部材から効率的に排熱される。
【０００３】
以下に、このような放熱構造を備える半導体装置の具体例について図を参照して説明する。
図２６は半導体装置の平面模式図、図２７は半導体装置の断面模式図である。なお、図２７は図２６の一点鎖線Ｘ−Ｘ’における断面図を表している。
【０００４】
半導体装置５００は、配線基板１１と、配線基板１１の表面上に接着剤１２ａで固着された半導体素子１３と、配線基板１１及び半導体素子１３を電気的に接続するボンディングワイヤ１４と、配線基板１１の裏面に格子状に配設されたはんだボール１７とを有する。なお、上記配線基板１１は、支持基板、回路基板あるいはインターポーザーとも称される。また、半導体装置５００は、配線基板１１上に、当該半導体素子１３の上部及び側面の全体を覆うように接着剤１２ｂで放熱部材５０５が固着されている。さらに、半導体装置５００は、放熱部材５０５の上部（上部平板状部１５ｄ）は封止されずに露出されて、配線基板１１上の半導体素子１３及び放熱部材５０５が封止樹脂１６で封止されている。当該半導体装置５００はマザーボート等にはんだボール１７を介して実装されて動作する。
【０００５】
次に、上記半導体装置５００が具備する放熱部材５０５についてさらに説明する。
図２８は放熱部材の斜視模式図、図２９は半導体装置の配線基板に配設された放熱部材の透視的平面模式図である。
【０００６】
放熱部材５０５は、鍔状基部１５ａと、鍔状基部１５ａに形成された側面部１５ｂと、側面部１５ｂの上部に形成された上部平板状部１５ｄとを有する。上部平板状部１５ｄの下部と側面部１５ｂとで囲まれた空間に通じる開口部１５ｃ１〜１５ｃ４が側面部１５ｂに形成されている（図２８）。
【０００７】
このような放熱部材５０５が、半導体素子１３の全体を覆うように配線基板１１上に配設される（図２９）。そして、放熱部材５０５及び半導体素子１３がトランスファ成形法を用いて封止樹脂１６で封止されて、図２６及び図２７に示される半導体装置５００が得られる。
【０００８】
ここで、トランスファ成形法による封止用樹脂の流れについて、図３０〜図３２を参照して説明する。
図３０及び図３１は半導体素子の封止工程を示す透視的平面模式図、図３２は半導体素子の封止形態を示す透視的平面模式図である。
【０００９】
まず、半導体素子１３の封止処理を行う樹脂封止装置について説明する。
当該樹脂封止装置は、複数のキャビティ部を内部に備える成形金型を具備している。
当該樹脂封止装置を用いての封止処理の際には、一方の主面に複数個の半導体素子１３及び当該半導体素子１３を覆う放熱部材５０５が配列して搭載された配線基板１１０が、成形金型の内部に配置される。そして、当該成形金型の内部に形成されたそれぞれのキャビティ２０９内に封止用樹脂が注入されることにより、複数個の半導体素子１３それぞれの樹脂封止が行われる。なお、配線基板１１０は、複数個の配線基板１１がスリット１１１ａ，１１１ｂを挟んで一体的に連なって構成されたものであり、半導体素子１３は各配線基板１１に搭載されている。
【００１０】
また、当該樹脂封止装置の成形金型は、キャビティ２０９内に封止用樹脂を注入する樹脂注入部を具備している。当該樹脂注入部により封止用樹脂が、成形金型の内部に配置された配線基板１１０上の放熱部材５０５の開口部１５ｃ１に対向配置するゲート部２０４から各開口部１５ｃ１に向けて注入される。なお、ゲート部２０４のキャビティ２０９を挟んで対向する位置に、キャビティ２０９内と連通されたベント部２０６が形成されている。
【００１１】
上記樹脂封止装置により、樹脂注入部から供給された封止用樹脂１６ｂがゲート部２０４からキャビティ２０９内に広がって注入される。また、封止用樹脂１６ｂの一部の量は開口部１５ｃ１から放熱部材５０５の内部に流入する（図３０）。
【００１２】
キャビティ２０９内に注入された封止用樹脂１６ｂは放熱部材５０５の側面部１５ｂの外周に沿ってキャビティ２０９内を流動し、放熱部材５０５の側面部１５ｂ及び鍔状基部１５ａが封止される。さらに、放熱部材５０５の内部に流入した封止用樹脂１６ｂの一部の量は半導体素子１３を封止する（図３１）。
【００１３】
そして、封止用樹脂１６ｂがベント部２０６まで流入して樹脂封止が完了する（図３２）。
樹脂封止された配線基板１１０は個片化されて、図２６及び図２７に示される半導体装置５００が得られる。
【００１４】
当該半導体装置５００が動作する際に、半導体素子１３から発生した熱の一部は、半導体素子１３を被覆する封止樹脂１６を介して放熱部材５０５に伝わり、放熱部材５０５全体に伝熱・拡散される。そして、放熱部材５０５の上部平板状部１５ｄから外部へ排熱されると共に、放熱部材５０５を被覆する封止樹脂１６から外部へ排熱される。また、半導体素子１３から発生した熱の一部は、半導体素子１３が搭載された配線基板１１を伝搬してはんだボール１７を介してマザーボード等の外部へ排熱される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開平０８−１３９２２３号公報
【特許文献２】特開２００１−１０２４９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかし、上記の封止処理では、ゲート部２０４から注入された封止用樹脂１６ｂは放熱部材５０５の内部を流動して開口部１５ｃ３から流出する前に、側面部１５ｂの外周に沿ってキャビティ２０５内を流動してしまう。この結果、キャビティ２０９内から排出されなかった空気が封止樹脂１６中に残存し、未充填部（ボイド）が発生してしまうという問題があった（図３２の点線円で囲んだ部位を参照）。
【００１７】
また、半導体素子１３及びボンディングワイヤ１４の配設領域と配線基板１１とを含めた構造設計上、あるいは放熱性を向上させるために、露出する上部平板状部１５ｄの径がより大きく設定される場合がある。この場合、放熱部材５０５の内部領域の空間がより広くなり、同時にキャビティ２０９内の側面部１５ｂの外周の空間はより狭くなり、上記問題が顕著に生じる。
【００１８】
未充填部が封止樹脂１６中に存在すると、封止樹脂１６中に水分が未充填部に溜まってしまい、半導体装置５００がマザーボード等に実装する際の加熱により水蒸気爆発を誘発する。また、局所的な応力集中が発生して、半導体装置５００の故障等が生じる原因となる。このように未充填部が封止樹脂１６中に存在すると半導体装置５００の信頼性の低下を招くことになる。
【００１９】
一方、上記問題を踏まえて、封止用樹脂１６ｂの放熱部材５０５内部への流入性を向上させるために、開口部１５ｃ１〜１５ｃ４の開口面積を拡張する方法が考えられる。しかし、開口部１５ｃ１〜１５ｃ４の開口面積を拡張しすぎると、放熱部材５０５の機械的強度が低下してしまうという問題があった。
【００２０】
放熱部材５０５の機械的強度が低下すると、封止用樹脂１６ｂにより樹脂封止する際に封止用樹脂１６ｂの流入圧力で放熱部材５０５が変形してしまう。さらに、放熱部材５０５全体への熱の伝搬性が低下し、放熱部材５０５としての機能が低下してしまう。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の一観点によれば、基板と、前記基板上に配設された半導体素子と、前記基板上に配設され、前記半導体素子を覆い、覆われた前記半導体素子に通じる開口部と、前記開口部または前記開口部近傍に形成された突起部とを有する放熱部材と、前記半導体素子及び前記放熱部材を封止する封止樹脂と、を有する半導体装置が提供される。
【００２２】
また、本発明の別の観点によれば、開口部と、前記開口部または前記開口部近傍に形成された突起部とを有する放熱部材を、基板に配設された半導体素子を覆って前記開口部が前記半導体素子に通じるように、前記基板に配設する工程と、封止樹脂を流入し、前記突起部で前記開口部に案内させて、前記封止樹脂で前記半導体素子及び前記放熱部材を封止する工程と、を有する半導体装置の樹脂封止方法が提供される。
【発明の効果】
【００２３】
開示の半導体装置及びその樹脂封止方法によれば、半導体素子を封止用樹脂で均一に封止することができ、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施の形態の半導体装置の平面模式図である。
【図２】実施の形態の半導体装置の断面模式図である。
【図３】実施の形態の放熱部材の斜視模式図である。
【図４】実施の形態の半導体装置の配線基板に配設された放熱部材の透視的平面模式図である。
【図５】実施の形態の半導体素子が搭載された配線基板を説明するための模式図である。
【図６】実施の形態の放熱部材が配設された配線基板を説明するための模式図である。
【図７】実施の形態の配線基板が配置された樹脂封止装置の透視的平面模式図である。
【図８】実施の形態の配線基板が配置された樹脂封止装置の断面模式図である。
【図９】実施の形態の配線基板が配置された樹脂封止装置の要部断面模式図である。
【図１０】実施の形態における半導体素子の封止工程を示す透視的平面模式図（その１）である。
【図１１】実施の形態における半導体素子の封止工程を示す透視的平面模式図（その２）である。
【図１２】実施の形態における半導体素子の封止形態を示す透視的平面模式図である。
【図１３】実施の形態における半導体素子の封止形態を示す要部断面模式図である。
【図１４】実施の形態における半導体素子の封止形態を説明するための模式図である。
【図１５】実施の形態のはんだボールが配設された配線基板の側面模式図である。
【図１６】実施の形態の配線基板のダイシング処理を説明するための側面模式図である。
【図１７】実施の形態の変形例１の放熱部材の斜視模式図である。
【図１８】実施の形態の変形例１の半導体装置の配線基板に配設された放熱部材の透視的平面模式図である。
【図１９】実施の形態の変形例２の放熱部材の斜視模式図である。
【図２０】実施の形態の変形例２の半導体装置の配線基板に配設された放熱部材の透視的平面模式図である。
【図２１】実施の形態の変形例２の半導体装置の断面模式図である。
【図２２】実施の形態の変形例３の半導体装置の平面模式図である。
【図２３】実施の形態の変形例３の半導体装置の断面模式図である。
【図２４】実施の形態の変形例３の放熱部材の斜視模式図である。
【図２５】実施の形態の変形例３の半導体装置の配線基板に配設された放熱部材の透視的平面模式図である。
【図２６】半導体装置の平面模式図である。
【図２７】半導体装置の断面模式図である。
【図２８】放熱部材の斜視模式図である。
【図２９】半導体装置の配線基板に配設された放熱部材の透視的平面模式図である。
【図３０】半導体素子の封止工程を示す透視的平面模式図（その１）である。
【図３１】半導体素子の封止工程を示す透視的平面模式図（その２）である。
【図３２】半導体素子の封止形態を示す透視的平面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、実施の形態について説明する。
図１は実施の形態の半導体装置の平面模式図、図２は実施の形態の半導体装置の断面模式図である。なお、図２は図１の一点鎖線Ｘ−Ｘ’における断面図である。
【００２６】
半導体装置１０は、配線基板１１と、配線基板１１の表面上に接着剤１２ａで固着された半導体素子１３と、配線基板１１及び半導体素子１３を電気的に接続するボンディングワイヤ１４と、配線基板１１の裏面に格子状に配設されたはんだボール１７とを有する。また、半導体装置１０は、後述する開口部１５ｃ１，１５ｃ３が形成され、当該半導体素子１３の上部及び側部の全体を覆う凸部１５ｆを備える放熱部材１５が接着剤１２ｂを介して配線基板１１上に固着されている。さらに、半導体装置１０は、放熱部材１５の凸部１５ｆの上面（上部平板状部１５ｄ）が露出されて、配線基板１１上の半導体素子１３及び放熱部材１５が封止樹脂１６で封止されている。
【００２７】
なお、配線基板１１は、ガラスエポキシまたはガラスＢＴ（ビスマレイミドトリアン）等の有機材料、あるいはセラミックス材料から構成され、表層または、表層及び内層に選択的に配設された導体配線を有する。接着剤１２ａ及び接着剤１２ｂは、それぞれエポキシ樹脂等の樹脂接着剤で構成される。当該樹脂接着剤中に銅等の熱伝導性の高い金属粒子を含有させて、半導体素子１３から、及び／または放熱部材１５から配線基板１１へのそれぞれの熱伝導性を向上させることも可能である。ボンディングワイヤ１４は、金、アルミニウム、銅、またはこれらを主体とする合金材料により構成される。
【００２８】
当該半導体装置１０はマザーボート等の回路基板にはんだボール１７を介して実装されて、当該回路基板からはんだボール１７及びボンディングワイヤ１４を介して半導体素子１３に電源が供給されて動作する。
【００２９】
上記半導体装置１０が具備する放熱部材１５についてさらに説明する。
図３は実施の形態の放熱部材の斜視模式図、図４は実施の形態の半導体装置の配線基板に配設された放熱部材の透視的平面模式図である。
【００３０】
放熱部材１５は、開口孔が形成された鍔状基部１５ａと、当該開口孔の周縁部に形成された円筒状の側面部１５ｂ及び側面部１５ｂの開口端を塞ぐように形成された上部平板状部１５ｄを具備する凸部１５ｆとを有する。
【００３１】
また、上部平板状部１５ｄの下部と側面部１５ｂとで囲まれた空間（凸部１５ｆの内部の空間）に通じる開口部１５ｃ１〜１５ｃ４が側面部１５ｂの外周に沿って等間隔に形成されている。さらに、放熱部材１５では、開口部１５ｃ１の両端部に羽状の突起部１５ｅ１，１５ｅ２が形成されている。また、開口部１５ｃ２，１５ｃ４の開口部１５ｃ３側の端部に突起部１５ｅ３，１５ｅ４がそれぞれ形成されている。
【００３２】
なお、当該放熱部材１５は、厚さが０．２ｍｍ〜０．４ｍｍ程度であって、銅、アルミニウム、タングステン、モリブデン、鉄及びこれらのいずれかからなる合金材料等の金属材料、または窒化アルミニウム、アルミシリコンカーバイド等の板状部材で構成されている。特に、加工性及び熱伝導性の高さから銅合金材料を用いることが好ましい。また、突起部１５ｅ１〜１５ｅ４及び樹脂封止処理が施されて露出される上部平板状部１５ｄは、表面保護のためにニッケルめっき処理を施しても構わない。
【００３３】
当該放熱部材１５の側面部１５ｂ、開口部１５ｃ２及び開口部１５ｃ４の一部、開口部１５ｃ３及び上部平板状部１５ｄは、上記板状部材に対してプレス成形法（打ち抜き及び曲げ加工）を行って形成される。さらに、上記プレス成形法で形成された側面部１５ｂに対する切り起こし加工によって、側面部１５ｂから板片を切り起こすことで羽状の突起部１５ｅ１〜１５ｅ４が形成される。なお、当該切り起こし加工によって、開口部１５ｃ１，１５ｃ２，１５ｃ４と同時に、突起部１５ｅ１〜１５ｅ４が形成される。
【００３４】
また、突起部１５ｅ１〜１５ｅ４は、当該切り起こし加工に代えて、金属、セラミックス材料または樹脂等で構成される羽状の部材を接着剤または溶接により放熱部材１５の開口部１５ｃ１，１５ｃ２，１５ｃ４に対する所定位置に固着させるようにしても構わない。
【００３５】
また、当該放熱部材１５の開口部１５ｃ２及び開口部１５ｃ４の一部、開口部１５ｃ３は、前記プレス成形法に代えて、エッチング加工、研削加工等により形成してもよい。
また、当該放熱部材１５の側面部１５ｂ、上部平板状部１５ｄ、開口部１５ｃ１〜１５ｃ４、並びに突起部１５ｅ１〜１５ｅ４の形成を、厚さが０．６ｍｍ〜１．２ｍｍ程度の板状部材を切削加工することで行ってもよい。
【００３６】
半導体装置１０にはこのような放熱部材１５が、半導体素子１３の上面及び側部の全てを覆って配線基板１１上に配設されている。この時、放熱部材１５の開口部１５ｃ１〜１５ｃ４は、図４に示されるように、半導体素子１３の頂点にそれぞれ対向している。
【００３７】
次に、このような半導体装置１０の形成工程について説明する。
当該半導体装置１０は、複数個の半導体素子１３が配列して搭載された配線基板１１０を封止用樹脂により樹脂封止して、樹脂封止された配線基板１１０をダイシングして個片化することにより得られる。
【００３８】
まず、半導体素子１３が配列して搭載された配線基板１１０について説明する。
図５は実施の形態の半導体素子が搭載された配線基板を説明するための模式図である。なお、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の一点鎖線Ｙ−Ｙ’における断面図である。また、図６は実施の形態の放熱部材が配設された配線基板を説明するための模式図である。なお、図６（Ａ）は放熱部材が配設された配線基板の透視的平面模式図であって、図６（Ｂ）は図６（Ａ）の一点鎖線Ｙ−Ｙ’における断面図である。
【００３９】
配線基板１１０は、板状部材に形成された複数のスリット１１１ａ，１１１ｂで区切られた複数の搭載領域１１ａを有する。また、インデックス孔１１２がスリット１１１ｂよりも外側の縁部に、不要樹脂除去用パターン１１３が各搭載領域１１ａの角部にそれぞれ形成されている。そして、半導体素子１３が搭載領域１１ａの略中央部に接着剤１２ａを介して搭載されると共に、各半導体素子１３と配線基板１１０とがボンディングワイヤ１４により電気的にそれぞれ接続されている。なお、配線基板１１０は、図５に示される半導体素子１３の個数及び配列状態に限らず、格子状に複数配列された搭載領域１１ａを構成するようにしても構わない。なお、配線基板１１０は、ガラスエポキシまたはガラスＢＴ（ビスマレイミドトリアン）等の有機材料、あるいはセラミックス材料から構成され、表層または、表層及び内層に選択的に配設された銅（Ｃｕ）等の金属からなる導体配線を有する。また不要樹脂除去用パターン１１３は、前記導体配線と同一材料からなり、表面には金（Ａｕ）めっきが施されている。
【００４０】
上記各半導体素子１３に対して、図３で説明した放熱部材１５が接着剤１２ｂ（図示を省略）を介して配線基板１１０に配設される（図６）。この時、放熱部材１５の開口部１５ｃ１〜１５ｃ４（図３を参照）は半導体素子１３の頂点にそれぞれ対向し、半導体素子１３の上面及び側部の全てが放熱部材１５により覆われている。さらに、放熱部材１５の突起部１５ｅ１，１５ｅ２が形成された開口部１５ｃ１は不要樹脂除去用パターン１１３が形成された角部に対向している。
【００４１】
次に、上記配線基板１１０に対して封止用樹脂の封止処理を行う樹脂封止装置２００について説明する。
図７は実施の形態の配線基板が配置された樹脂封止装置の透視的平面模式図、図８は実施の形態の配線基板が配置された樹脂封止装置の断面模式図、図９は実施の形態の配線基板が配置された樹脂封止装置の要部断面模式図である。なお、図８は図７の一点鎖線Ｙ−Ｙ’における断面図である。図９は図７の一点鎖線Ｚ−Ｚ’における断面図である。
【００４２】
樹脂封止装置２００は、対向する上部金型２１１及び下部金型２１２を備えた成形金型２１０を具備している。
樹脂封止装置２００を用いての封止処理にあっては、一対の上記配線基板１１０が、下部金型２１２と上部金型２１１との間に配置されて挟持される。上部金型２１１と配線基板１１０との間に形成された複数のキャビティ２０９内にそれぞれ封止用樹脂が注入されることにより、配線基板１１０上に搭載された半導体素子１３の樹脂封止が行われる。
【００４３】
成形金型２１０では、下部金型２１２の一対の配置領域２０８に配線基板１１０がそれぞれ配置され、配線基板１１０の半導体素子１３が搭載された主面に、平面形状が略矩形であるキャビティ部２０５が複数形成された上部金型２１１が、当該キャビティ部２０５がそれぞれ半導体素子１３に対応するようにして配置される。この時、半導体素子１３及び半導体素子１３を覆う放熱部材１５はキャビティ２０９内にそれぞれ配置される。
【００４４】
なお、配置領域２０８は、当該配置領域２０８に配置される配線基板１１０の平面形状と略同一の平面形状を有する。
また、成形金型２１０には、下部金型２１２の一対の配置領域２０８の間に、対向する一対のキャビティ２０９内に封止用樹脂をそれぞれ注入する複数個の充填部２２０が配設されている。
【００４５】
当該充填部２２０は、上部金型２１１に形成され共通の空間を形成しているカル部２０２と、下部金型２１２に形成された円柱状のポット部２０１、及びそれぞれのポット部２０１内を上下動するプランジャ２０７を備えている。当該カル部２０２は、ゲート部２０４をそれぞれ具備したランナ部２０３を介してキャビティ２０９に接続されている。
【００４６】
また、成形金型２１０には、ゲート部２０４の、対角線上にキャビティ２０９を挟んで対向する位置に、キャビティ２０９と連通するベント部２０６が配設されている。
なお、成形金型２１０のランナ部２０３、ゲート部２０４及びキャビティ部２０５を構成する部位は超硬合金で構成されており、成形金型２１０のその他の構成要素は、ＳＫＳ９３、ＳＫ４、ＳＫ５等の炭素工具鋼、ＳＵＳ４４０Ｃ等のマルテンサイト系ステンレスで構成されている。
【００４７】
上記成形金型２１０を用いての封止処理にあっては、まず、配線基板１１０を下部金型２１２の配置領域２０８に配置する。当該配線基板１１０の主面には、複数個の半導体素子１３と、各半導体素子１３に対応した放熱部材１５とが搭載されている。
【００４８】
そして、充填部２２０のプランジャ２０７に固形状の樹脂タブレット１６ａをそれぞれセットする。
しかる後、上部金型２１１を下部金型２１２上に下降して型締めを行う。これにより、上部金型２１１と配線基板１１０との間に形成されるキャビティ２０９内に、配線基板１１０の半導体素子１３及び放熱部材１５が配置される。
【００４９】
成形金型２１０は、予め加熱されており、セットされた樹脂タブレット１６ａは溶融して、プランジャ２０７の上昇に伴い、樹脂タブレット１６ａから溶融した封止用樹脂がキャビティ２０５内に向かって注入される。
【００５０】
即ち、溶融状態にある封止用樹脂は、カル部２０２からそれぞれ、ランナ部２０３においてその流路が調整され、ゲート部２０４を介してキャビティ２０９内に注入される。
なお、当該封止用樹脂の流入に伴い、キャビティ２０９内にあったガスは、キャビティ２０９を挟んでゲート部２０４と対角線上に対向配置されたベント部２０６から排出される。
【００５１】
ここで、当該樹脂封止装置２００を用いた樹脂封止処理における封止用樹脂の流れについて図１０〜図１３を用いて説明する。
図１０及び図１１は実施の形態における半導体素子の封止工程を示す透視的平面模式図、図１２は実施の形態における半導体素子の封止形態を示す透視的平面模式図、図１３は実施の形態における半導体素子の封止形態を示す要部断面模式図である。なお、図１０〜図１２は図７中下側の左端の拡大図である。また、図１３は図７の一点鎖線Ｚ−Ｚ’における断面図である。
【００５２】
前述の通り、半導体素子１３並びに放熱部材１５が搭載された配線基板１１０を下部金型２１２の配置領域２０８に配置し、ポット部２０１におけるプランジャ２０７上に樹脂タブレット１６ａを投入する。次いで、上部金型２１１を下降させ、上部金型２１１と下部金型２１２とによって配線基板１１０を挟持する。この時のクランプ圧力は、例えば、２９ｋＮ以上の場合、または４９０ｋＮ以上の場合が考えられる。
【００５３】
これにより、図９に示されるように、上部金型２１１と配線基板１１０の間のキャビティ２０９内に、半導体素子１３及び放熱部材１５が配置される。
なお、樹脂タブレット１６ａが後に溶融されるにあたり、ポット部２０１は予め所定の温度（例えば６０℃〜９５℃）に加熱されている。
【００５４】
また、当該樹脂タブレット１６ａには、例えばエポキシ樹脂により構成されており、溶融されて、キャビティ２０９に注入されて硬化させられた後の機械的強度の確保及び熱膨張係数の調整のために、予めフィラーを含有させることも可能である。
【００５５】
当該フィラーとしては、一定の粒度分布をもった、例えば二酸化珪素、セラミックス材料、炭酸カルシウム等の微細粒子が用いられる。また、フィラーの形状としては、球状または粉砕状などがあるが、フィラーを含む樹脂タブレット１６ａが溶融した封止用樹脂のキャビティ２０５への充填率向上の観点からは球状のものがより好ましい。勿論、プロセス条件及び／あるいは形成する半導体装置１０の要求特性等に応じて、形状または材料が異なるフィラーを混合して用いてもよい。
【００５６】
また、樹脂タブレット１６ａには、後に溶融されて半導体素子１３等を樹脂封止する際の硬化を促進させるために硬化剤を含有させてもよい。さらに、硬化後、樹脂封止装置２００から円滑に取り外せるようにするための離型剤を含有させてもよい。
【００５７】
当該成形金型２１０は、所定の温度（例えば１５０℃〜１９０℃）に加熱されると、投入された樹脂タブレット１６ａは、加熱されて溶融する。
樹脂タブレット１６ａが溶融した封止用樹脂１６ｂは、プランジャ２０７により所定の圧力（例えば、５ＭＰａ〜２０ＭＰａ）で圧送されて、カル部２０２に充填される。
【００５８】
カル部２０２に充填された封止用樹脂１６ｂは、プランジャ２０７によってさらに圧送され、ランナ部２０３を通過してゲート部２０４から対角線上のベント部２０６に対して直線方向（図１０中、矢印Ａ方向）に流入されて、キャビティ２０９内に注入される。
【００５９】
この時、開口部１５ｃ１の両端部に突起部１５ｅ１，１５ｅ２が、開口部１５ｃ２，１５ｃ４の端部の矢印Ａ方向下流側に突起部１５ｅ４，１５ｅ３がそれぞれ形成されている。
【００６０】
このため、ゲート部２０４から注入された封止用樹脂１６ｂの多くの量は、突起部１５ｅ１，１５ｅ２に案内されて、キャビティ２０９全体に広がらずに、開口部１５ｃ１から放熱部材１５の内部に流入する。なお、この時、封止用樹脂１６ｂの多くの量を開口部１５ｃ１から放熱部材１５に流入させるために、突起部１５ｅ１，１５ｅ２の先端部の間隔は開口部１５ｃ１の開口幅よりも広がっていることが望ましい（図１０）。
【００６１】
プランジャ２０７のさらなる圧送により注入される封止用樹脂１６ｂの量が増加してくると、突起部１５ｅ１，１５ｅ２に案内されずに、キャビティ２０９内を側面部１５ｂの外周に沿ってベント部２０６側に（図１１中、矢印Ｂ１，Ｂ２方向に）、流動する封止用樹脂１６ｂの量も増加する。
【００６２】
側面部１５ｂの外周に沿った封止用樹脂１６ｂの矢印Ｂ１，Ｂ２方向の流動は、突起部１５ｅ３，１５ｅ４により抑制される。また、流動が抑制された封止用樹脂１６ｂの一部の量は開口部１５ｃ２，１５ｃ４から放熱部材１５の内部に流入する。なお、この時、封止用樹脂１６ｂの流動を抑制し、開口部１５ｃ２，１５ｃ４から放熱部材１５の内部に流入させるために、突起部１５ｅ３，１５ｅ４の面は矢印Ａに対して垂直になるように配置されていることが望ましい（図１１）。
【００６３】
そして、開口部１５ｃ３とベント部２０６との間の領域辺りにおける、封止用樹脂１６ｂの流動の回り込みが防止されて、半導体素子１３及び放熱部材１５が均一に封止される（図１２及び図１３）。
【００６４】
半導体素子１３及び放熱部材１５を封止した封止用樹脂１６ｂは、上記エポシキ樹脂のような通常のものであれば１００秒程度で、速硬化性のものであれば２５秒程度でそれぞれ固化する。
【００６５】
なお、当該封止用樹脂１６ｂのキャビティ２０９内への流入に伴い、キャビティ２０９内にあったガスは、ベント部２０６から排出される。
次いで、上部金型２１１を上昇させて型開きを行って、主面上に搭載された複数の半導体素子１３、ボンディングワイヤ１４、放熱部材１５が封止された配線基板１１０を成形金型２１０から取り出す。
【００６６】
このとき、キャビティ２０９内の封止用樹脂１６ｂのみならず、カル部２０２、ランナ部２０３に充填されている封止用樹脂も固化されており、キャビティ２０９内の封止用樹脂１６ｂからそれぞれ分離・除去される。ランナ部２０３に充填されている封止用樹脂は、金（Ａｕ）めっきを施された不要樹脂除去用パターン１１３上に形成されるため、当該分離・除去を容易に行うことができる。
【００６７】
このようにして配線基板１１０に搭載された半導体素子１３、ボンディングワイヤ１４、放熱部材１５を封止用樹脂１６ｂにより樹脂封止した後に、配線基板１１０を恒温槽等により加熱して、封止用樹脂１６ｂを完全硬化する。封止用樹脂１６ｂの材料に因るが、加熱温度および時間は、例えば、約１７５℃、約４時間としてもよい。
【００６８】
次いで、配線基板１１０に対して以下のようなダイシング処理が行われる。
図１４は実施の形態における半導体素子の封止形態を説明するための模式図、図１５は実施の形態のはんだボールが配設された配線基板の側面模式図、図１６は実施の形態の配線基板のダイシング処理を説明するための側面模式図である。
【００６９】
樹脂封止処理が完了すると、半導体素子１３及び放熱部材１５が搭載された配線基板１１０の一方の主面には、放熱部材１５の上部平板状部１５ｄが露出されて封止樹脂１６が形成される（図１４）。
【００７０】
当該配線基板１１０の封止樹脂１６が形成されない他方の主面に格子状に配設された電極端子に、外部接続用電極端子としてはんだボール１７を配設する（図１５）。
はんだボール１７が配設された配線基板１１０はダイシング装置３００にセットされる。ダイシング装置３００は、配線基板１１０がセットされるテーブル（図示を省略）と、シャフト３０２に軸支されたダイシングブレード３０１とを有する。
【００７１】
ダイシング装置３００のステージにセットされた配線基板１１０は、高速回転するダイシングブレード３０１により、その厚さ方向にスリット１１１ａ，１１１ｂに沿って切断・分離（ダイシング）されて、図１及び図２に示される、個々の半導体装置１０となる（図１６）。
【００７２】
このように本実施の形態では、放熱部材１５において、封止用樹脂１６ｂが流入される開口部１５ｃ１の両端部に突起部１５ｃ１，１５ｃ２を形成し、開口部１５ｃ２，１５ｃ４の矢印Ａ（図１０）方向下流側の端部に突起部１５ｃ４，１５ｃ３を形成した。
【００７３】
これにより、当該放熱部材１５が配設された配線基板１１０に流入された封止用樹脂１６ｂは未充填部を発生せずに、図１及び図２に示されるように、均一に充填された封止樹脂１６で封止された半導体装置１０が得られる。
【００７４】
即ち、本実施の形態の樹脂封止方法によれば、ゲート部２０４から注入された封止用樹脂１６ｂの多くの量が、突起部１５ｅ１，１５ｅ２に案内されて、開口部１５ｃ１から放熱部材１５の内部に流入する。さらに、側面部１５ｂの外周に沿った、封止用樹脂１６ｂのベント部２０６側への流動が突起部１５ｅ３，１５ｅ４により抑制されると共に、当該封止用樹脂１６ｂの一部の量が開口部１５ｃ４，１５ｃ２に流入する。
【００７５】
従って、封止用樹脂１６ｂの未充填部の発生が防止され、均一に充填された封止樹脂１６により半導体素子１３及び放熱部材１５が封止されるため、局所的に水分が溜まらなくなり、局所的に応力が集中しなくなる。また、封止樹脂１６は均一であるために、封止樹脂１６における熱の伝搬性の低下も抑制される。
【００７６】
この結果、個々の半導体装置１０の信頼性を高めることができる。
次に、上記実施の形態の変形例として突起部または開口部を変える形態を示す。
＜変形例１＞
変形例１では、上記放熱部材１５において突起部１５ｃに代わって、別の突起部が形成された放熱部材２５について説明する。
【００７７】
図１７は実施の形態の変形例１の放熱部材の斜視模式図、図１８は実施の形態の変形例１の半導体装置の配線基板に配設された放熱部材の透視的平面模式図である。なお、図１７及び図１８の矢印Ａは封止用樹脂の流入方向を表している。図１８の封止樹脂１６が形成された半導体装置２０については、図１の半導体装置１０を参照することができる。
【００７８】
放熱部材２５は、上記放熱部材１５と同様に、開口孔が形成された鍔状基部１５ａと、当該開口孔の周縁部に形成された円筒状の側面部１５ｂ及び側面部１５ｂの開口端を塞ぐように形成された上部平板状部１５ｄを具備する凸部１５ｆとを有する。また、上部平板状部１５ｄの下部と側面部１５ｂとで囲まれた空間に通じる開口部１５ｃ（開口部１５ｃ１〜１５ｃ４）が側面部１５ｂに形成されている。
【００７９】
そして、放熱部材２５では、開口部１５ｃ１の両端部近傍の鍔状基部１５ａ上にブロック状の突起部２５ｅ１，２５ｅ２が形成されている。また、開口部１５ｃ２，１５ｃ４の矢印Ａ方向下流側の端部近傍の鍔状基部１５ａ上にブロック状の突起部２５ｅ３，２５ｅ４がそれぞれ形成されている。なお、突起部２５ｅ１，２５ｅ２は、図１８に示されるように、ハ字状に配置され、封止用樹脂１６ｂの注入口側を向いた面２５ｅ１ａ，２５ｅ２ａが最も面積が広いことが望ましい。また、突起部２５ｅ３，２５ｅ４は、図１８に示されるように、矢印Ａと垂直である面２５ｅ３ａ，２５ｅ４ａが最も面積が広いことが望ましい。
【００８０】
当該突起部２５ｅ１〜２５ｅ４は、鍔状基部１５ａ上の上記箇所に対して押し出し加工によって形成される。または、鍔状基部１５ａの当該箇所に対して金属、セラミックス材料または樹脂等で構成されたブロック状の部材を接着剤または溶接により固着させても構わない。
【００８１】
当該突起部２５ｅ１〜２５ｅ４を押し出し加工によって形成する場合、上部平板状部１５ｄ及び放熱部材１５の側面部１５ｂをプレス成形法を用いて形成する際に、同時に当該突起部２５ｅ１〜２５ｅ４を形成することができる。このため、上記実施の形態にて説明した、側面部１５ｂから板片を切り起こすことで羽状の突起部１５ｅ１〜１５ｅ４を形成する方法に比べて、放熱部材２５を簡易に形成することができる。
【００８２】
なお、当該放熱部材２５についても、０．２ｍｍ〜０．４ｍｍ程度の厚さであって、銅、アルミニウム、タングステン、モリブデン、鉄及びこれらのいずれかからなる合金材料等の金属材料、または窒化アルミニウム、アルミシリコンカーバイド等の板状部材で構成されている。特に、加工性及び熱伝導性の高さから銅合金材を用いることが好ましい。また、突起部２５ｅ１〜２５ｅ４及び封止処理で露出される上部平板状部１５ｄは、表面保護のためにニッケルめっき処理を施しても構わない。
【００８３】
また、半導体装置２０の配線基板１１上に放熱部材２５が配設される際には、放熱部材２５の開口部２５ｃ１〜２５ｃ４は半導体素子１３の頂点にそれぞれ対向している（図１８）。
【００８４】
当該放熱部材２５を、上記実施の形態と同様に、配線基板１１０に配設して、封止用樹脂で封止処理並びにダイシング処理を行うことで半導体装置２０が得られる。
このような変形例１では、放熱部材２５において、封止用樹脂１６ｂが流入される開口部１５ｃ１の両端部近傍の鍔状基部１５ａ上にブロック状の突起部２５ｅ１，２５ｅ２を形成し、開口部１５ｃ２，１５ｃ４の矢印Ａ方向下流側の端部近傍の鍔状基部１５ａ上にブロック状の突起部２５ｅ４，２５ｅ３を形成した。
【００８５】
これにより、上記実施の形態と同様に、当該放熱部材２５が配設された配線基板１１０に流入された封止用樹脂１６ｂに未充填部が発生されずに、図１に示されるように、封止用樹脂１６ｂが均一に充填された封止樹脂１６で封止された半導体装置２０が得られる。
【００８６】
即ち、本変形例１の樹脂封止方法によれば、ゲート部２０４から注入された封止用樹脂１６ｂの多くの量が、突起部２５ｅ１，２５ｅ２に案内されて、開口部１５ｃ１から放熱部材１５の内部に流入する。さらに、側面部１５ｂの外周に沿った、封止用樹脂１６ｂのベント部２０６側への流動が突起部２５ｅ３，２５ｅ４により抑制されると共に、当該封止用樹脂１６ｂの一部の量が開口部１５ｃ４，１５ｃ２に流入する。
【００８７】
従って、封止用樹脂１６ｂの未充填部の発生が防止され、均一に充填された封止樹脂１６により半導体素子１３及び放熱部材１５が封止されるため、局所的に水分が溜まらなくなり、局所的に応力が集中しなくなる。また、封止樹脂１６は均一であるために、封止樹脂１６における熱の伝搬性の低下も抑制される。
【００８８】
この結果、当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
＜変形例２＞
変形例２では、上記放熱部材１５の開口部１５ｃの開口面積を広げた放熱部材３５について説明する。
【００８９】
図１９は実施の形態の変形例２の放熱部材の斜視模式図、図２０は実施の形態の変形例２の半導体装置の配線基板に配設された放熱部材の透視的平面模式図、図２１は実施の形態の変形例２の半導体装置の断面模式図である。なお、図１９及び図２０の矢印Ａは封止用樹脂の流入方向を表している。図２０の封止樹脂１６が形成された半導体装置３０については、図１の半導体装置１０を参照することができる。図２１は封止樹脂１６が形成された図２０の一点鎖線Ｘ−Ｘ’における断面図である。
【００９０】
放熱部材３５は、上部平板状部１５ｄの下部と側面部１５ｂとで囲まれた空間に通じる開口部３５ｃ１〜３５ｃ４が側面部１５ｂから鍔状基部１５ａに渡って形成されている。
また、当該開口部３５ｃ１〜３５ｃ４は、上記実施の形態で説明した、側面部１５ｂ及び鍔状基部１５ａに対する切り起し加工によって形成することができる。なお、当該開口部３５ｃ１〜３５ｃ４は、放熱部材３５の強度が著しく低下しない程度に鍔状基部１５ａ側に広げることができる。また、放熱部材３５の開口部３５ｃ１〜３５ｃ４以外の構成並びに形成方法は上記放熱部材１５と同様である。
【００９１】
また、半導体装置３０の配線基板１１上に放熱部材３５が配設される際にも、放熱部材３５の開口部３５ｃ１〜３５ｃ４は半導体素子１３の頂点にそれぞれ対向している。
当該放熱部材３５を、上記実施の形態と同様に、配線基板１１０に配設して、封止用樹脂で封止処理並びにダイシング処理を行うことで半導体装置３０が得られる。
【００９２】
このような変形例２では、放熱部材３５において、封止用樹脂１６ｂが流入される開口部３５ｃ１の両端部に突起部１５ｃ１，１５ｃ２を形成し、開口部３５ｃ２，３５ｃ４の矢印Ａ方向下流側の端部に突起部１５ｃ４，１５ｃ３を形成した。さらに、開口部２５ｃ１〜２５ｃ４を側面部１５ｂから鍔状基部１５ａに渡って形成して、放熱部材１５の場合よりも開口面積を拡張した。
【００９３】
これにより、上記実施の形態と同様に、当該放熱部材３５が配設された配線基板１１０に流入された封止用樹脂１６ｂは未充填部を発生せずに、図１及び図２１に示されるように、均一に充填された封止樹脂１６で封止された半導体装置３０が得られる。
【００９４】
即ち、本変形例２の樹脂封止方法によれば、ゲート部２０４から注入された封止用樹脂１６ｂの多くの量が、突起部１５ｅ１，１５ｅ２に案内されて、開口面積が拡張された開口部３５ｃ１から放熱部材１５の内部に流入する。さらに、側面部１５ｂの外周に沿った、封止用樹脂１６ｂのベント部２０６側への流動が突起部３５ｅ３，３５ｅ４により抑制される。このため、開口部３５ｃ１〜３５ｃ４により、放熱部材３５の機械的強度を保持したまま、封止用樹脂１６ｂの放熱部材３５の内部への流入量が増加される。
【００９５】
従って、封止用樹脂１６ｂの未充填部の発生が防止され、均一に充填された封止樹脂１６により半導体素子１３及び放熱部材１５が封止されるため、局所的に水分が溜まらなくなり、局所的に応力が集中しなくなる。また、封止樹脂１６は均一であるために、封止樹脂１６における熱の伝搬性の低下も抑制される。
【００９６】
この結果、当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
＜変形例３＞
変形例３では、上記放熱部材１５の突起部１５ｃに代わって、別の突起部が形成された放熱部材４５について説明する。
【００９７】
まず、放熱部材４５を具備する半導体装置４０について説明する。
図２２は実施の形態の変形例３の半導体装置の平面模式図、図２３は実施の形態の変形例３の半導体装置の断面模式図である。なお、図２３は図２２の一点鎖線ｘ−ｘ’における断面図である。また、図２２の一点鎖線Ｘ−Ｘ’における断面図は、図２を参照することができる。
【００９８】
半導体装置４０は、放熱部材４５の上面（上部平板状部１５ｄ）及び突起部４５ｅ１〜４５ｅ４の上面がそれぞれ露出されて、配線基板１１上の半導体素子１３及び放熱部材４５が封止樹脂１６で封止されている。なお、半導体装置４０の放熱部材４５以外の構成は上記半導体装置１０と同様である。
【００９９】
上記半導体装置１０が具備する放熱部材４５についてさらに説明する。
図２４は実施の形態の変形例３の放熱部材の斜視模式図、図２５は実施の形態の変形例３の半導体装置の配線基板に配設された放熱部材の透視的平面模式図である。なお、図２４及び図２５の矢印Ａは封止用樹脂の流入方向を表している。
【０１００】
放熱部材４５では、開口部１５ｃ１の両端部近傍の鍔状基部１５ａ上にブロック状の突起部４５ｅ１，４５ｅ２が形成されている。また、開口部１５ｃ２，１５ｃ４の開口部１５ｃ３側の端部近傍の鍔状基部１５ａ上にブロック状の突起部４５ｅ３，４５ｅ４がそれぞれ形成されている。そして、各突起部４５ｅの鍔状基部１５ａから上面のまでの高さは、鍔状基部１５ａから上部平板状部１５ｄまでの高さと略等しい。なお、突起部４５ｅ１，４５ｅ２は、図２５に示されるように、封止用樹脂１６ｂの注入口側を向いて、ハ字状である面４５ｅ１ａ，４５ｅ２ａを有することが望ましい。また、突起部４５ｅ３，４５ｅ４は、矢印Ａと垂直である面４５ｅ３ａ，４５ｅ４ａを有することが望ましい。
【０１０１】
当該突起部４５ｅ１〜４５ｅ４は、鍔状基部１５ａの所定箇所に対して押し出し加工によって形成される。または、当該突起部４５ｅ１〜４５ｅ４は、鍔状基部１５ａの所定箇所に対して金属、セラミックス材料または樹脂等で構成されたブロック状の部材を接着剤または溶接により固着させても構わない。
【０１０２】
また、当該放熱部材４５は、上記放熱部材１５と同様に、０．２ｍｍ〜０．４ｍｍ程度の厚さであって、銅、アルミニウム、タングステン、モリブデン、鉄及びこれらのいずれかからなる合金材等の金属材料、または窒化アルミニウム、アルミシリコンカーバイド等の板状部材で構成されている。特に、加工性及び熱伝導性の高さから銅合金材を用いることが好ましい。また、突起部４５ｅ１〜４５ｅ４及び樹脂封止処理が施されて露出される上部平板状部１５ｄは、表面保護のためにニッケルめっき処理を施しても構わない。
【０１０３】
半導体装置４０の配線基板１１上に放熱部材４５が配設される際にも、放熱部材４５の開口部１５ｃ１〜１５ｃ４は半導体素子１３の頂点にそれぞれ対向している（図２５）。
なお、放熱部材４５の突起部４５ｅ１〜４５ｅ４以外の構成並びに形成方法は、放熱部材１５と同様である。
【０１０４】
当該放熱部材４５を、上記実施の形態と同様に、配線基板１１０に配設して、封止用樹脂で封止処理並びにダイシング処理を行うことで半導体装置４０が得られる。
このような変形例３では、放熱部材４５において、封止用樹脂１６ｂが流入される開口部１５ｃ１の両端部の鍔状基部１５ａ上にブロック状の突起部４５ｅ１，４５ｅ２を形成し、開口部１５ｃ２，１５ｃ４の流入方向下流側の端部の鍔状基部１５ａ上にブロック状の突起部４５ｅ４，４５ｅ３を形成した。また、突起部４５ｅ１〜４５ｅ４の鍔状基部１５ａから上面までの高さを、鍔状基部１５ａから上部平板状部１５ｄまでの高さと略等しくした。
【０１０５】
これにより、当該放熱部材４５が配設された配線基板１１０に流入された封止用樹脂１６ｂは未充填部を発生せずに、図２２及び図２３（及び図２）に示されるように、均一に充填された封止樹脂１６で封止された半導体装置４０が得られる。
【０１０６】
即ち、本変形例３の樹脂封止方法によれば、ゲート部２０４から注入された封止用樹脂１６ｂの多くの量が、突起部４５ｅ１，４５ｅ２に案内されて、開口部１５ｃ１から放熱部材１５の内部に流入する。さらに、側面部１５ｂの外周に沿った、封止用樹脂１６ｂのベント部２０６側への流動が突起部４５ｅ３，４５ｅ４により抑制される。また、放熱部材４５の上部平板状部１５ｄ及び突起部４５ｅの上面がそれぞれ露出される。
【０１０７】
従って、封止用樹脂１６ｂの未充填部の発生が防止され、均一に充填された封止樹脂１６により半導体素子１３及び放熱部材１５が封止されるため、局所的に水分が溜まらなくなり、局所的に応力が集中しなくなる。また、封止樹脂１６は均一であるために、封止樹脂１６における熱の伝搬性の低下も抑制される。さらに、放熱部材４５の露出面積の増加により、熱放散性が向上する。
【０１０８】
この結果、当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
（付記１）  基板と、
前記基板上に配設された半導体素子と、
前記基板上に配設され、前記半導体素子を覆い、覆われた前記半導体素子に通じる開口部と、前記開口部または前記開口部近傍に形成された突起部とを有する放熱部材と、
前記半導体素子及び前記放熱部材を封止する封止樹脂と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【０１０９】
（付記２）  前記放熱部材は、前記突起部が前記開口部の端部または前記開口部の端部近傍に形成されていることを特徴とする付記１記載の半導体装置。
（付記３）  前記突起部は押し出し加工によって前記開口部の前記端部近傍に形成されたものであることを特徴とする付記１または２に記載の半導体装置。
【０１１０】
（付記４）  前記突起部は切り起こし加工によって前記開口部の前記端部に形成されたものであることを特徴とする付記１または２に記載の半導体装置。
（付記５）  前記放熱部材は、開口孔が形成された平板状の鍔状基部と、前記開口孔に形成され、前記開口部が側部に形成された円筒状の側面部と、前記側面部の開口端に形成された上部平板状部と、を有することを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０１１１】
（付記６）  前記放熱部材は、前記開口部が前記側面部から前記鍔状基部に渡って形成されていることを特徴とする付記５記載の半導体装置。
（付記７）  前記放熱部材の上面が前記封止樹脂から露出されていることを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０１１２】
（付記８）  前記突起部の上面が前記封止樹脂から露出されていることを特徴とする付記７記載の半導体装置。
（付記９）  開口部と、前記開口部または前記開口部近傍に形成された突起部とを有する放熱部材を、基板に配設された半導体素子を覆って前記開口部が前記半導体素子に通じるように、前記基板に配設する工程と、
封止樹脂を流入し、前記突起部で前記開口部に案内させて、前記封止樹脂で前記半導体素子及び前記放熱部材を封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
【符号の説明】
【０１１３】
１０，２０，３０，４０  半導体装置
１１，１１０  配線基板
１１ａ  搭載領域
１２ａ，１２ｂ  接着剤
１３  半導体素子
１４  ボンディングワイヤ
１５，２５，３５，４５  放熱部材
１５ａ  鍔状基体
１５ｂ  側面部
１５ｃ１，１５ｃ２，１５ｃ３，１５ｃ４，３５ｃ１，３５ｃ２，３５ｃ３，３５ｃ４  開口部
１５ｄ  上部平板状部
１５ｅ１，１５ｅ２，１５ｅ３，１５ｅ４，２５ｅ１，２５ｅ２，２５ｅ３，２５ｅ４，４５ｅ１，４５ｅ２，４５ｅ３，４５ｅ４  突起部
１５ｆ  凸部
１６  封止樹脂
１６ａ  樹脂タブレット
１６ｂ  封止用樹脂
１７  はんだボール
２５ｅ１ａ，２５ｅ２ａ，２５ｅ３ａ，２５ｅ４ａ，４５ｅ１ａ，４５ｅ２ａ，４５ｅ３ａ，４５ｅ４ａ  面
１１１ａ，１１１ｂ  スリット
１１２  インデックス孔
１１３  不要樹脂除去用パターン
２００  樹脂封止装置
２０１  ポット部
２０２  カル部
２０３  ランナ部
２０４  ゲート部
２０５  キャビティ部
２０６  ベント部
２０７  プランジャ
２０８  配置領域
２０９  キャビティ
２１０  成形金型
２１１  上部金型
２１２  下部金型
２２０  充填部
３００  ダイシング装置
３０１  ダイシングブレード
３０２  シャフト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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