(57)【要約】【課題】有機ＥＬ装置の材料コストを低減する。【解決手段】支持基板の上に有機ＥＬ素子が形成されたアレイ基板をステージ上に載置し、封止膜形成材料と溶媒との混合物を収容したキャピラリを、前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子が形成された側に対向配置し、前記アレイ基板が載置された前記ステージと前記混合物との間に電圧を印加し、前記キャピラリから前記混合物の液滴を前記アレイ基板に向けてスプレーし、帯電した前記液滴を静電気力により捕集して前記有機ＥＬ素子を被覆する封止膜を形成する、ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板の上に有機ＥＬ素子が形成されたアレイ基板をステージ上に載置し、
封止膜形成材料と溶媒との混合物を収容したキャピラリを、前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子が形成された側に対向配置し、
前記アレイ基板が載置された前記ステージと前記混合物との間に電圧を印加し、
前記キャピラリから前記混合物の液滴を前記アレイ基板に向けてスプレーし、
帯電した前記液滴を静電気力により捕集して前記有機ＥＬ素子を被覆する封止膜を形成する、
ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
前記混合物に含まれる溶媒は、第１蒸発速度の第１溶媒と、第１蒸発速度よりも速い第２蒸発速度の第２溶媒と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記封止膜形成材料は、窒素を含む無機ポリマーであり、硬化させることによって酸素及びケイ素が主成分である無機化合物に転化する材料であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
支持基板の上に有機ＥＬ素子が形成されたアレイ基板が載置されるステージと、
封止膜形成材料と溶媒との混合物を収容するとともに、前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子が形成された側に対向配置された１個以上のキャピラリと、
前記アレイ基板が載置された前記ステージと、前記キャピラリに収容された前記混合物との間に電圧を印加する電圧印加装置と、
前記ステージ、前記キャピラリ、及び、前記電圧印加装置を制御するコントローラと、を備え、
前記電圧印加装置によって電圧が印加されたのに基づいて、前記キャピラリから前記混合物の液滴を前記アレイ基板に向けてスプレーし、帯電した前記液滴を静電気力により捕集して前記有機ＥＬ素子を被覆する封止膜を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造装置。
【請求項５】
さらに、前記有機ＥＬ素子上の前記液滴を硬化させる硬化装置を備えたことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造装置。
【請求項６】
前記コントローラは、前記液滴をスプレーするエリアに合わせて、前記ステージ及び前記キャピラリの少なくとも一方を制御してアレイ基板を走査することを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置の製造方法、及び、有機ＥＬ装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。この有機ＥＬ素子は、水分や酸素の影響により劣化しやすい薄膜を含んでいる。このため、有機ＥＬ素子が大気に曝されないように気密に封止する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２５１４１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、有機ＥＬ装置の材料コストを低減することが可能な有機ＥＬ装置の製造方法、及び、有機ＥＬ装置の製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、
支持基板の上に有機ＥＬ素子が形成されたアレイ基板をステージ上に載置し、封止膜形成材料と溶媒との混合物を収容したキャピラリを、前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子が形成された側に対向配置し、前記アレイ基板が載置された前記ステージと前記混合物との間に電圧を印加し、前記キャピラリから前記混合物の液滴を前記アレイ基板に向けてスプレーし、帯電した前記液滴を静電気力により捕集して前記有機ＥＬ素子を被覆する封止膜を形成する、ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法が提供される。
【０００６】
また、本実施形態によれば、
支持基板の上に有機ＥＬ素子が形成されたアレイ基板が載置されるステージと、封止膜形成材料と溶媒との混合物を収容するとともに、前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子が形成された側に対向配置された１個以上のキャピラリと、前記アレイ基板が載置された前記ステージと、前記キャピラリに収容された前記混合物との間に電圧を印加する電圧印加装置と、前記ステージ、前記キャピラリ、及び、前記電圧印加装置を制御するコントローラと、を備え、前記電圧印加装置によって電圧が印加されたのに基づいて、前記キャピラリから前記混合物の液滴を前記アレイ基板に向けてスプレーし、帯電した前記液滴を静電気力により捕集して前記有機ＥＬ素子を被覆する封止膜を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本実施態様における有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置において有機ＥＬ素子を備えたアレイ基板の一例を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、本実施形態で適用可能な有機ＥＬ装置の製造装置の構成を概略的に示す図である。
【図４】図４は、本実施形態で適用可能な有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図であり、アレイ基板をステージ上に載置した状態を示す図である。
【図５】図５は、本実施形態で適用可能な有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図であり、ステージ上に載置されたアレイ基板に向けて混合物をスプレーした状態を示す図である。
【図６】図６は、本実施形態で適用可能な有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図であり、アレイ基板のアクティブエリアに封止膜を形成した状態を示す図である。
【図７】図７は、本実施形態の封止膜と、比較例の封止膜との封止性能を比較した結果を示す図である。
【図８】図８は、本実施形態の封止膜と、比較例の封止膜とのそれぞれの材料使用量及び膜応力の差異を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００９】
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置の一例として、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【００１０】
すなわち、有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１を備えている。この表示パネル１は、アレイ基板１００及び対向基板２００を備えている。アレイ基板１００は、画像を表示する略矩形状のアクティブエリア１０２において、マトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えている。対向基板２００は、アクティブエリア１０２において、アレイ基板１００に備えられた有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合っている。この対向基板２００は、ガラスやプラスチックなどの光透過性を有する絶縁基板である。
【００１１】
これらのアレイ基板１００及び対向基板２００は、例えば、アクティブエリア１０２を囲む枠状に形成されたシール部材３００によって貼り合わせされている。シール部材３００は、例えば、樹脂材料や、フリットガラスなどによって形成されている。
【００１２】
また、アレイ基板１００は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを駆動するのに必要な駆動ＩＣチップやフレキシブル配線基板（例えば、フレキシブル・プリンテッド・サーキット）などの各種信号源を実装するための実装部１３０を備えている。この実装部１３０には、図示しない複数のパッドが形成されている。
【００１３】
図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置において有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えたアレイ基板１００の構成の一例を概略的に示す断面図である。
【００１４】
このアレイ基板１００は、支持基板１１０の上に形成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤなどを備えている。ここでの支持基板１１０は、ガラスやプラスチックなどの光透過性を有する絶縁基板を用いて形成され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを駆動するのに必要なスイッチング素子を含む各種素子が形成されたものであり、詳細な説明は省略する。
【００１５】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥ、有機層ＯＲＧ、及び対向電極ＣＥによって構成されている。画素電極ＰＥは、支持基板１１０の上に配置されている。画素電極ＰＥは、例えば陽極に相当する。このような画素電極ＰＥの構造については、特に制限はなく、反射層及び透過層が積層された２層構造であっても良いし、反射層単層、あるいは、透過層単層であっても良いし、さらには、３層以上の積層構造であっても良い。反射層は、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過層は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが対向基板２００の側から光を放射するトップエミッションタイプの場合には、画素電極ＰＥは少なくとも反射層を含んでいる。
【００１６】
有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでいても良い。なお、有機層ＯＲＧの少なくとも一部は、蛍光材料によって形成されていても良いし、燐光材料によって形成されていても良い。また、ここでは、『有機層』と称したが、有機層ＯＲＧが含む発光層、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などの一部が無機系材料によって形成されていても良い。
【００１７】
対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。このような対向電極ＣＥは、例えば半透過層によって形成されている。半透過層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）・銀（Ａｇ）などの導電材料によって形成されている。なお、対向電極ＣＥは、半透過層及び透過層が積層された２層構造であっても良いし、透過層単層構造、または、半透過層単層構造であっても良い。透過層は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成可能である。
【００１８】
対向電極ＣＥの上には、封止膜１１５が配置されている。この封止膜１１５は、水分が浸透しにくい材料（ＳｉＯｘ）によって形成され、特に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがトップエミッションタイプに場合には、封止膜１１５は光透過性を有する材料によって形成される。このような封止膜１１５は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水分の浸透を防止する水分バリア膜として機能する。なお、封止膜１１５は、単層構造であっても良いが、異なる材料からなる層を積層した２層以上の積層構造であっても良い。
【００１９】
なお、図示を省略した対向基板２００は、封止膜１１５の上方に配置される。アレイ基板１００と対向基板２００との間に樹脂層が充填される場合には、樹脂層は封止膜１１５と対向基板２００との間に配置される。樹脂層は、例えば、紫外線硬化型樹脂材料や熱硬化型樹脂材料などによって形成され、特に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがトップエミッションタイプに場合には、樹脂層は光透過性を有する材料によって形成される。
【００２０】
ところで、封止膜１１５を形成する工程より以前に、封止膜１１５の膜厚を大きく越えるようなサイズの異物が存在していた場合、封止膜１１５の一部が異物周辺で途切れてしまい、封止膜１１５が途切れた部分から水分が浸入して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化を招くおそれがある。特に、有機層ＯＲＧは水分に対する耐性が低いため、劣化が進行すると、ダークスポットと称される非発光部が形成され、次第にダークスポットが拡大し、発光に寄与する発光部の面積が低下してしまうことがある。ここで、発光部とは、画素電極ＰＥ、有機層ＯＲＧ、及び、対向電極ＣＥが積層された領域に相当し、画素電極ＰＥ−対向電極ＣＥ間に電流が流れた際に発光する。
【００２１】
通常、大きなサイズの異物は、水洗やブラシ洗浄などの洗浄工程により除去可能であるが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成した後では、有機層ＯＲＧの水分による劣化を防止するため、これらの洗浄工程を適用することは困難である。
【００２２】
したがって、封止膜１１５には、可能性のあるサイズの異物を覆うことが要求される。異物のサイズは、不定であり、また、封止膜１１５の膜厚よりも大きいものも含まれる。このため、封止膜１１５には、水分の透過性の低い材料によって被覆性よく被着させる、つまり、たとえ異物が付着していても、当該異物を隙間なく包み込むことが求められる。
【００２３】
本実施形態では、封止膜１１５を形成するための封止膜形成材料と、比較的低温で蒸発する溶媒とを組み合わせた混合液を用いて、塗布法により二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）に近い性質（つまり、水分透過を抑制する性質）の封止膜１１５を形成する。特に、封止膜形成材料としては、例えば、ポリシラザンや、ポリシロキサンなどのシリカ系材料が好適である。ポリシラザンは、窒素を含む無機ポリマーであり、硬化させることによって酸素及びケイ素を主成分とする無機化合物に転化する材料である。
【００２４】
このように、塗布法によって形成された封止膜１１５は、ＣＶＤ法などの成膜方法と比較して、被覆性が良く、容易に異物を包み込むことができる。また、封止膜１１５は、比較的低温で蒸発する溶媒を組み合わせて形成されるため、低温でのキュアが可能となる。このため、このような手法は、高温環境下で劣化しやすい有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを被覆する封止膜１１５の形成に適している。
【００２５】
塗布法の一つであるスピン塗布法では、材料の利用効率が極端に悪く、コストアップの大きな要因となってしまう。また、スピン塗布法などの塗布法によって封止膜１１５を形成した場合、異物を被覆した際に、異物周辺の封止膜１１５には亀裂が発生しやすく、亀裂を通じて外界から浸入した水分によって有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化を招くおそれがある。
【００２６】
このような亀裂の発生原因は以下の通りである。塗布した材料は、液状から固体つまり封止膜１１５に変わる際に成分の一部が脱離する、すなわち、液相を保つための溶媒が蒸発する。このとき、塗布後から固化までの間に蒸発する成分の量が多いほど封止膜１１５に大きな引張り応力が残るため、形成された封止膜１１５にクラックなどの亀裂が入り易い状態となる。ただ、塗布する材料のうちの溶媒の量を減らすと、塗布の際に膜厚の均一性を確保するのがむずかしい。
【００２７】
本実施形態では、封止膜１１５を形成するための塗布法として、エレクトロスプレー・デポジション（ＥＳＤ）法を採用した。
【００２８】
図３は、本実施形態で適用可能な有機ＥＬ装置の製造装置４００の構成を概略的に示す図である。
【００２９】
すなわち、製造装置４００は、コントローラ４１０と、ステージ４２０と、キャピラリ４３０…と、電圧印加装置４４０と、を備えている。コントローラ４１０は、位置情報や塗布量情報などに基づき、ステージ４２０、キャピラリ４３０、電圧印加装置４４０などをそれぞれ制御する。
【００３０】
ステージ４２０は、その表面に金属製の導電層４２０Ａを有している。このようなステージ４２０には、支持基板１１０の上に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤまで形成済みのアレイ基板１００が載置される。このとき、アレイ基板１００は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが形成された側を上に向けて載置される。このステージ４２０は、コントローラ４１０による制御に基づき、Ｘ方向及びＹ方向に移動可能である。
【００３１】
キャピラリ４３０は、封止膜を形成するための封止膜形成材料と溶媒との混合物ＭＸを収容するものである。キャピラリ４３０は、１個以上設置され、図示した例では、２個のキャピラリ４３０がホルダ４３１に保持されている。なお、複数個のキャピラリ４３０を設置する場合には、例えば、ライン状に設置しても良い。キャピラリ４３０の個数が多くなるほど製造時間の短縮が可能であることは言うまでもない。
【００３２】
このようなキャピラリ４３０は、混合物ＭＸを吐出する吐出口４３０Ａをステージ４２０上のアレイ基板１００に向けて配置される。このとき、キャピラリ４３０は、吐出口４３０Ａがアレイ基板１００から例えば約５ｃｍの距離を置くように配置される。このキャピラリ４３０は、コントローラ４１０による制御に基づき、Ｘ方向及びＹ方向に移動可能である。
【００３３】
電圧印加装置４４０は、ステージ４２０の導電層４２０Ａと、キャピラリ４３０に収容された混合物ＭＸとの間に電圧を印加する。このとき、印加すべき電圧は、混合物ＭＸの物性、アレイ基板１００の上に塗布すべき混合物ＭＸの塗布量情報などに応じてコントローラ４１０により適宜設定される。
【００３４】
このような電圧印加装置４４０により、ステージ４２０と混合物ＭＸとの間に高電圧が印加されたのに基づいて、キャピラリ４３０の吐出口４３０Ａから混合物ＭＸの液滴がアレイ基板１００に向けてスプレーされる。このとき、帯電した液滴は静電気力によってアレイ基板１００に捕集される。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、スプレーされた液滴を含む薄膜によって被覆される。
【００３５】
スプレーされた混合物ＭＸの液滴には、溶媒が含まれるが、一部の溶媒は、吐出口４３０Ａからスプレーされた後にアレイ基板１００に到達するまでの間に蒸発しており、アレイ基板１００の上の薄膜に含まれる溶媒の濃度は、キャピラリ４３０に収容されている混合物ＭＸの溶媒濃度よりも低い。
【００３６】
このような薄膜を完全に硬化させて封止膜１１５を得るためには、薄膜に含まれる溶媒を除去する必要がある。このとき、除去すべき溶媒の物性や液滴中の溶媒の含有量にもよるが、例えば、８０℃の環境下に３０分程度置くことにより、溶媒が除去され、薄膜が硬化する。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを被覆する所望の封止膜１１５が得られる。なお、このような薄膜を硬化させる硬化装置は、製造装置４００に備えられていても良い。
【００３７】
上述した構成の有機ＥＬ装置の製造装置４００によれば、キャピラリ４３０からスプレーされた液滴がアレイ基板１００の表面に到達する以前に、液滴から溶媒の一部が蒸発するため、アレイ基板１００に形成された薄膜を硬化させる際に、蒸発する溶媒の量が比較的少なく、形成された封止膜１１５に残る引張り応力が小さくなる。このため、形成された封止膜１１５でのクラックなどの亀裂の発生を抑制することが可能となる。したがって、封止性能の高い封止膜１１５を得ることができ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化を抑制することが可能となる。
【００３８】
特に、キャピラリ４３０の吐出口４３０Ａからアレイ基板１００までの距離を５ｃｍ程度確保することにより、スプレーされた液滴から比較的多くの溶媒を蒸発させることが可能となり、ＣＶＤ法などの手法で成膜したのと同様に、膜厚の均一性が高くしかも緻密な薄膜を形成することが可能となる。したがって、同じ膜厚の封止膜１１５であっても、スピン塗布法で形成した封止膜と比較して封止性能が向上し、結果として必要な封止性能を得るための封止膜の膜厚の低減が可能となり、材料コストを削減することができる。
【００３９】
また、上記の製造装置４００によれば、コントローラ４１０は、混合物ＭＸをスプレーするに際して、混合物ＭＸをスプレーすべきエリアの位置情報などに基づいて、ステージ４２０及びキャピラリ４３０の少なくとも一方を制御し、アレイ基板１００を走査することが可能である。これにより、アレイ基板１００のうち、混合物ＭＸをスプレーすべきエリアのみに選択的に薄膜を形成することが可能となる。
【００４０】
このため、封止膜形成材料の使用量をより削減することができ、材料の利用効率をさらに改善することが可能となるとともに、材料コストのさらなる削減が可能となる。例えば、スピン塗布法と比較した場合、本実施形態で適用したＥＳＤ法によれば、封止膜形成材料の使用量は約１／１０程度となる。
【００４１】
また、例えば、アレイ基板１００のうち、実装部１３０への薄膜の形成を行わない設定とすることが可能である。このため、封止膜１１５を形成した後に実装部１３０を露出するためのプロセスが不要となり、信号源を容易に実装することが可能となる。
【００４２】
このようなＥＳＤ法においては、混合物ＭＸをスプレーする雰囲気は、ＣＶＤ法などのように真空である必要はなく、大気中でも可能であるが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが水分により劣化しやすいことから、露点が−５０℃以下の雰囲気に制御されたチャンバ４５０内で混合物ＭＸをスプレーすることがより望ましい。
【００４３】
次に、本実施形態で適用可能な有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
【００４４】
まず、図４に示すように、支持基板１１０の上に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが形成されたアレイ基板１００をステージ４２０の導電層４２０Ａ上に載置する。図示したアレイ基板１００については、アクティブエリア１０２の外側において、支持基板１１０の上に各種パッドを含む実装部１３０が形成されている。
【００４５】
続いて、図５に示すように、封止膜形成材料と溶媒との混合物ＭＸを収容したキャピラリ４３０をアレイ基板１００の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが形成された側に対向配置する。そして、電圧印加装置４４０により、ステージ４２０と混合物ＭＸとの間に電圧を印加し、キャピラリ４３０から混合物ＭＸの液滴をアレイ基板１００に向けてスプレーする。スプレーされた液滴からは、溶媒の一部が蒸発している。
【００４６】
このような液滴の一部は帯電しており、図６に示すように、静電気力によりアレイ基板１００に捕集され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの上に薄膜を形成する。なお、このとき、液滴をスプレーしているキャピラリ４３０に対して、ステージ４２０の上のアレイ基板１００が相対的に移動することにより、アクティブエリア１０２に選択的に薄膜が形成され、実装部１３０は薄膜によって覆われていない。このように形成された薄膜は硬化処理され、封止膜１１５となる。
【００４７】
上述した構成の有機ＥＬ装置によれば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが封止膜１１５によって被覆されており、しかも、封止膜１１５におけるクラックなどの亀裂の発生を抑制できるため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの水分による劣化を抑制することができる。
【００４８】
図７は、封止膜形成材料としてポリシロキサンを用いてＥＳＤ法により形成した封止膜（本実施形態）と、封止膜形成材料としてポリシラザンを用いてＥＳＤ法により形成した封止膜（本実施形態）と、封止膜形成材料としてポリシラザンを用いてスピン塗布法により形成した封止膜（比較例）との封止性能を比較した結果を示す図である。図中の縦軸は、水分透過量（ｇ／ｍ２ｄａｙ）を示している。
【００４９】
ポリシラザンを用いてＥＳＤ法により形成した封止膜１１５の水分透過量は、ポリシロキサンを用いてＥＳＤ法により形成した封止膜１１５の水分透過量よりも少ない傾向を呈する。このため、本実施形態において、封止膜形成材料としては、ポリシラザンがより好ましい。
【００５０】
また、ポリシラザンを用いてＥＳＤ法により形成した封止膜（本実施形態）１１５の水分透過量は、ポリシラザンを用いてスピン塗布法により形成した封止膜（比較例）の水分透過量よりもバラツキが小さい。これは、スピン塗布法と比較して、ＥＳＤ法によって形成した封止膜１１５の膜厚均一性が高いことに起因している。つまり、封止膜形成材料として、ポリシラザンを選択し、しかも、ＥＳＤ法によって封止膜１１５を形成することにより、封止性能をよりいっそう向上することが可能となる。
【００５１】
次に、塗布方法による材料使用量の差異及び形成された封止膜の膜応力の差異について説明する。
【００５２】
図８は、スピン塗布法によって形成した封止膜（比較例）と、ＥＳＤ法によって形成した封止膜（本実施形態）とのそれぞれの材料使用量及び膜応力の差異を説明するための図である。図示した例では、７３０ｍｍ×９２０ｍｍの長方形状の基板上に１μｍの膜厚の封止膜を形成した場合の材料使用量及び膜応力の測定結果が示されている。
【００５３】
なお、塗布方法にかかわらず、封止膜形成材料としてポリシラザンを用いている。また、スピン塗布法及びＥＳＤ法（１種溶媒）については、ポリシラザンと１種類の溶媒とを混合した同一の混合物ＭＸを用いて封止膜を形成した。ＥＳＤ法（２種溶媒）については、ポリシラザンと２種類の溶媒（すなわち、第１蒸発速度の第１溶媒と、第１蒸発速度よりも速い第２蒸発速度の第２溶媒とからなり、混合物中において第２溶媒の含有率の方が第１溶媒の含有率よりも多い）とを混合した混合物ＭＸを用いて封止膜を形成した。
【００５４】
図示したように、混合物ＭＸの材料使用量については、ＥＳＤ法（１種溶媒及び２種溶媒）によって封止膜を形成する本実施形態においては、スピン塗布法によって封止膜を形成する比較例と比較して、大幅に削減できることが確認された。
【００５５】
また、図示したように、膜応力については、ＥＳＤ法（１種溶媒）によって形成された本実施形態の封止膜においては、スピン塗布法によって形成された比較例の封止膜と比較して、低減できることが確認された。また、ＥＳＤ法（２種溶媒）によって形成された封止膜においては、ＥＳＤ法（１種溶媒）によって形成された封止膜と比較して、さらに膜応力を低減できることが確認された。これは、ＥＳＤ法（２種溶媒）で適用した混合物ＭＸに含まれる溶媒のうち、比較的蒸発速度が速い第２溶媒の割合が多いため、スプレーされた直後に第２溶媒が蒸発し、アレイ基板１００に達した液滴によって形成される薄膜の溶媒濃度が極めて低いことに起因している。
【００５６】
このように、蒸発速度が異なる２種類の溶媒を組み合わせて混合物ＭＸを形成することにより、蒸発速度が速い溶媒はスプレーされた直後に蒸発する一方で、蒸発速度が遅い溶媒は液相を保つ役割を担い良好な被覆性を維持することが可能となる。
【００５７】
以上説明したように、本実施形態によれば、有機ＥＬ装置の材料コストを低減することができる。
【００５８】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００５９】
本実施形態は、有機ＥＬ装置として、有機ＥＬ表示装置について説明したが、有機ＥＬ照明や有機ＥＬプリンターヘッドなどにも利用可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１…表示パネル
１００…アレイ基板  １１０…支持基板  １３０…実装部
ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子
１１５…封止膜
４００…製造装置  ４１０…コントローラ  ４２０…ステージ
４３０…キャピラリ  ４４０…電圧印加装置
４５０…チャンバ
【図１】
2011238560.tif 000003
【図２】
2011238560.tif 000004
【図３】
2011238560.tif 000005
【図４】
2011238560.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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