(57)【要約】      （修正有）【課題】高精度かつ長寿命の波長可変干渉フィルター、光センサーおよび分析機器を提供する。【解決手段】波長可変干渉フィルター５では、透光性を有する第一基板５１と、前記第一基板５１の一面側に対向して接合される第二基板５２と、前記第一基板５１の前記一面側に設けられる第一反射膜５６と、前記第二基板５２の前記第一基板５１に対向する第一面Ａに設けられ、ギャップＧを介して前記第一反射膜５６に対向する第二反射膜５７と、前記ギャップＧを可変する可変部５４と、を備えた波長可変干渉フィルター５であって、前記第二基板５２は、前記第一反射膜５６に対向する位置に設けられるとともに、前記第一面Ａから反対の第二面Ｂまでを貫通する光透過口５２１Ａと、前記第二基板５２の前記第一面Ａに設けられ、前記光透過口５２１Ａを閉塞する平板状の透光性部材５８と、を備える。【選択図】図３
2011170137.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する第一基板と、
前記第一基板の一面側に対向して接合される第二基板と、
前記第一基板の前記一面側に設けられる第一反射膜と、
前記第二基板の前記第一基板に対向する第一面に設けられ、ギャップを介して前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、
前記ギャップを可変する可変部と、
を備えた波長可変干渉フィルターであって、
前記第二基板は、
前記第一反射膜に対向する位置に設けられるとともに、前記第一面から反対の第二面までを貫通する光透過口と、
前記第一基板に対向し、前記光透過口を閉塞する平板状の透光性部材と、
を備えることを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項２】
請求項１に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第二反射膜は、前記透光性部材の第一基板に対向する面の面内に配置される
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第二基板の前記第一面には、前記光透過口の開口周縁に沿って、前記透光性部材を収容する凹部が形成され、
前記透光性部材の前記第一基板と対向する平面と、前記第二基板の前記第一面とが面一となる
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記透光性部材は可動イオンを有するガラスにより形成され、
前記第二基板は、導電性を有し、
前記透光性部材と前記第二基板とは陽極接合により接合される
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第一基板は、可動イオンを有するガラスにより形成され、
前記第二基板は、導電性を有し、
前記第一基板と前記第二基板とは陽極接合により接合される
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第二基板がシリコンにより形成される
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターを透過した検査対象光を受光する受光手段と、
を備えることを特徴とする光センサー。
【請求項８】
請求項７に記載の光センサーを具備したことを特徴とする分析機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長可変干渉フィルター、光センサーおよび分析機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、一対のガラス基板の互いに対向する面に、それぞれミラーを対向配置する波長可変干渉フィルターが知られている。このような波長可変干渉フィルターでは、一対のミラー間で光を反射させ、特定波長の光のみを透過させて、その他の波長の光を干渉により打ち消し合わせることで、入射光から特定波長の光のみを透過させる。
また、波長可変干渉フィルターは、一対のミラー間の間隔（ギャップ）を調整することで、透過させる前記特定波長の光の波長を選択する。これには、一対のガラス基板のうち少なくとも一方をエッチングにより加工してダイアフラムを形成し、一対のガラス基板間に、例えば静電アクチュエーターなどの駆動手段を設ける。このような構成では、駆動手段を制御することで、ダイアフラムをガラス基板の積層方向に対して変位させることが可能となり、所望波長の光を選択的に透過させることが可能となる。
しかしながら、上記のように、ガラス基板をエッチングにより加工してダイアフラムを形成する場合、エッチングに要する時間が増大して製造工程が煩雑となる。また、ガラス基板のエッチングでは、エッチング精度もよくないため、ダイアフラムの均一性にばらつきが生じ、分光精度に影響を及ぼしてしまうおそれがある。
【０００３】
これに対して、ガラス基板に代えて、製造時のエッチング時間を短縮し、かつ高精度なエッチング精度が可能なシリコン基板を用いた波長可変干渉フィルターが知られている（例えば、特許文献１参照）。
この特許文献１に記載の波長可変干渉フィルターは、固定基板と可動基板とを接合した波長可変干渉フィルターである。固定基板には、可動基板に対向する面に２つの筒状の凹部が形成され、これらの凹部に、固定反射膜や導電層が形成されている。
また、可動基板は、導電性のシリコン基板により形成され、当該可動基板の略中央に設けられる可動部と、可動部の外周部に設けられて、可動部を変位可能に保持する支持部と、可動部に通電を行う通電部とを備えている。また、シリコン基板は、可視光の透光性を有しないため、可動部の略中央には、内周面が円柱形状の光透過部が形成され、この光透過部にガラスが嵌挿されている。そして、可動部の第１の凹部に対向して固定基板に対向する面には、可動反射膜が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２３６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、可動基板が固定基板側へ撓む際、可動基板の厚み中心位置よりも固定基板側は、面外方向に伸長され、反対側の光入射側は、面内方向に収縮される。
このため、上記特許文献１のような従来の波長可変干渉フィルターでは、光透過部の入射面側において、光透過部内のガラスが径内方向に押圧力を受け、ガラスが破損するおそれがある。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、高精度かつ長寿命の波長可変干渉フィルター、光センサーおよび分析機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の波長可変干渉フィルターでは、透光性を有する第一基板と、前記第一基板の一面側に対向して接合される第二基板と、前記第一基板の前記一面側に設けられる第一反射膜と、前記第二基板の前記第一基板に対向する第一面に設けられ、ギャップを介して前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、前記ギャップを可変する可変部と、を備えた波長可変干渉フィルターであって、前記第二基板は、前記第一反射膜に対向する位置に設けられるとともに、前記第一面から反対の第二面までを貫通する光透過口と、前記第一基板に対向し、前記光透過口を閉塞する平板状の透光性部材と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、可変部により第二基板を撓ませて第一基板へ近づけることにより、第一反射膜と第二反射膜とのギャップが変動する。この際、第二基板が撓むことにより光透過口の形状に歪みが生じることとなる。具体的には、光透過口は第一面側が径大となる方向へ歪み、第二面側が径小となる方向へ歪む。
ここで、第二基板の光透過口の第二面側に透光性部材が設けられている場合、第二基板が撓んで光透過口の第二面側が歪むと側圧を受け、破損するおそれがある。これに対して、本発明では、光透過口の第一面側に板状の透光性部材が設けられている。したがって、透光性部材には、側圧が作用せず、透光性部材が破損する不都合が生じない。このため、波長可変干渉フィルターの製品寿命を長期化することができる。
また、光透過口の第一面側に設けられた透光性部材は、第二基板から引張応力を受けることとなるので、撓みや歪みを生じるおそれがなく、第一反射膜と第二反射膜とを平行に維持できる。このため、波長可変干渉フィルターにより取り出される光の分光分解能を維持でき、良好な分光精度を維持することができる。
【０００９】
本発明では、前記第二反射膜は、前記透光性部材の第一基板に対向する面の面内に配置される構成が好ましい。
【００１０】
この発明によれば、第二反射膜の撓みを防止し、第一反射膜および第二反射膜の平行を維持することができる。すなわち、第二基板が第一基板側に撓むと、透光性部材の第一基板に対向する面（以降、光射出面と称する）と、第二基板の第一面との間に隙間や段差が生じるおそれがある。したがって、第二反射膜が、透光性部材の光射出面から第二基板の第一面に跨って形成されている場合、上記のような隙間や段差により、第二反射膜が歪み、第一反射膜との平行関係が維持できなくなるおそれがある。これに対して、本発明のように、第二反射膜を透光性部材の光射出面の面内に設けることで、上記のような隙間や段差が生じた場合でもその影響を受けることがなく、第二反射膜が撓むことがない。
また、第二基板が撓む際、第一面側は下に凸の二次曲面となるが、透光性部材として、例えばガラスなど、第二基板よりも硬度が大きい素材を用いることで、透光性部材の歪みを効果的に防止することも可能となる。この場合、透光性部材の光射出面内に第二反射膜が配置されることで、第二反射膜の歪みも防止することができ、分光精度の向上を図ることができる。
【００１１】
本発明では、前記第二基板の前記第一面には、前記光透過口の開口周縁に沿って、前記透光性部材を収容する凹部が形成され、前記透光性部材の前記第一基板と対向する平面と、前記第二基板の前記第一面とが面一となる構成が好ましい。
【００１２】
この発明によれば、第二基板の第一面側の光透過口には凹部が形成され、この凹部に透光性部材が収容されるので、透光性部材が第二基板の第一面側から突出しない。このため、第二基板が第一基板側に撓んでいない初期状態において、ギャップの寸法を大きく設定でき、より広い波長域の光を分光させることが可能となる。
【００１３】
本発明では、前記透光性部材は可動イオンを有するガラスにより形成され、前記第二基板は、導電性を有し、前記透光性部材と前記第二基板とは陽極接合により接合される構成が好ましい。
【００１４】
この発明によれば、第二基板と透光性部材とを陽極結合により接合している。陽極接合では、ガラス中の可動イオン（例えばナトリウムイオン）が動き易い高温化で、ガラスに負電圧を印加させることで、ガラス表面から可動イオンを移動させて静電引力を発生させて第二基板と結合させる。このような陽極接合では、第二基板と透光性部材とを強い接合強度で直接接合させることができる。
このため、接着剤などの接合層を介して第二基板および透光性部材を接合する場合などに比べて、第二基板および透光性部材を精度よく平行に接合させることができ、波長可変干渉フィルターにおける分光精度をより向上させることができる。
【００１５】
本発明では、前記第一基板は、可動イオンを有するガラスにより形成され、前記第二基板は、導電性を有し、前記第一基板と前記第二基板とは陽極接合により接合される構成が好ましい。
【００１６】
ここで、第二基板としては、例えばシリコン基板などの導電性金属基板であってもよく、例えば第一基板に接合される面に導電性の膜（例えば金属薄膜）を成膜した基板であってもよい。
この発明によれば、第一基板と第二基板とを陽極結合により接合している。陽極接合では、ガラス中の可動イオン（例えばナトリウムイオン）が動き易い高温化で、ガラスに負電圧を印加させることで、ガラス表面から可動イオンを移動させて静電引力を発生させて第二基板と結合させる。このような陽極接合では、第一基板と第二基板とを強い接合強度で直接接合させることができる。
このため、接着剤などの接合層を介して第一基板および第二基板を接合する場合などに比べて、第一基板および第二基板を精度よく平行に接合させることができ、波長可変干渉フィルターにおける分光精度をより向上させることができる。
【００１７】
本発明では、前記第二基板がシリコンにより形成される構成が好ましい。
【００１８】
この発明によれば、第二基板の材料として、シリコンを選択する。シリコンは、例えばガラスなどに比べて、結晶異方性エッチングにより容易、かつ迅速なエッチングが可能であり、異方性エッチングにより高精度なエッチングを実施できる。したがって、第二基板としてシリコンを選択することで、第二基板をエッチング加工する際、エッチング精度の向上やエッチング時間の短縮を図ることができる。
よって、第二基板の加工が容易となり、波長可変干渉フィルターの生産性を向上させることができる。
【００１９】
本発明の光センサーでは、上記の波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを透過した検査対象光を受光する受光手段と、を備えることを特徴とする。
【００２０】
この発明によれば、上述したように、波長可変干渉フィルターは、第二基板の第二面側の光透過口には、透光性部材が設けられていないので、応力集中により透光性部材が径内方向に押圧力を受け、破損するおそれがなく、透光性部材が撓みや歪みを生じるおそれもなく、第一反射膜と第二反射膜とのギャップに変動をきたすおそれがなく、波長可変干渉フィルターの分光精度を維持することができる。
このような波長可変干渉フィルターから射出される射出光を受光手段により受光することで、光センサーは、検査対象光に含まれる所望波長の光成分の正確な光量を測定することができる。
【００２１】
本発明の分析機器では、上記の光センサーを具備したことを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、波長可変干渉フィルターは、第二基板の第二面側の光透過口には、透光性部材が設けられていないので、応力集中により透光性部材が径内方向に押圧力を受け、破損するおそれがなく、透光性部材が撓みや歪みを生じるおそれがなく、第一反射膜と第二反射膜とのギャップに変動をきたすおそれがなく、波長可変干渉フィルターの分光精度を維持することができ、光センサーの受光手段において、検査対象光に含まれる所望波長光の光量を正確に検出することができる。したがって、処理手段においても、検査対象光に含まれる所望波長の光の正確な光量に基づいて、精度よく分析できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係る一実施形態の分析機器の概略構成を示す図である。
【図２】前記実施形態の波長可変干渉フィルターを構成するエタロンの概略構成を示す平面図である。
【図３】図２においてエタロンをIII-III線で断面した際の断面図である。
【図４】エタロンの第一基板の製造工程を示す図であり、（Ａ）は、第一基板にミラー固定面形成用のレジストを形成するレジスト形成工程の概略図、（Ｂ）は、ミラー固定面を形成する第一溝形成工程の概略図、（Ｃ）は、電極固定面を形成する第二溝形成工程の概略図、（Ｄ）は、ＡｇＣ層を形成するＡｇＣ形成工程の概略図である。
【図５】第二基板の製造工程の概略を示す図であり、（Ａ）は、透光性基材をエッチングすることによりガラス前駆体を形成するガラス前駆体形成工程の概略図、（Ｂ）は、第二基板に形成されたＳｉＯ２エッチングパターンにてＳｉエッチングすることで、凹部を形成する凹部形成工程の概略図、（Ｃ）は、ガラス前駆体と凹部とを嵌合させて第二基板と透光性基材とを陽極接合する陽極接合工程の概略図、（Ｄ）は、第二基板の接合面まで透光性基材を研磨する研磨工程の概略図、（Ｅ）は、第二基板に形成されたＳｉＯ２エッチングパターンにてＳｉエッチングすることで、可動部、連結保持部および光透過口を形成する可動部、連結保持部および光透過口形成工程の概略図、（Ｆ）は、第二変位用電極および可動ミラーを設ける電極・ミラー形成工程の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明に係る一実施形態の測色モジュールについて、図面を参照して説明する。
〔１．分析機器の全体構成〕
図１は、本発明に係る第一実施形態の分析機器の概略構成を示す図である。
この分析機器１は、図１に示すように、被検査対象Ｓに光を射出する光源装置２と、本発明の光センサー３と、分析機器１の全体動作を制御する制御装置４とを備えている。そして、この分析機器１は、光源装置２から射出される光を被検査対象Ｓにて反射させ、反射された検査対象光を光センサー３にて受光し、光センサー３から出力される検出信号に基づいて、検査対象光を分析する分析機器である。
【００２５】
〔２．光源装置の構成〕
光源装置２は、光源２１、複数のレンズ２２（図１には１つのみ記載）を備え、被検査対象Ｓに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ２２には、コリメーターレンズが含まれており、光源装置２は、光源２１から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから被検査対象Ｓに向かって射出する。
【００２６】
〔３．光センサーの構成〕
光センサー３は、図１に示すように、本発明の波長可変干渉フィルターを構成するエタロン５と、エタロン５を透過する光を受光する受光手段としての受光素子３１と、エタロン５で透過させる光の波長を可変する電圧制御手段６と、を備えている。また、光センサー３は、エタロン５に対向する位置に、被検査対象Ｓで反射された反射光（検査対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この光センサー３は、エタロン５により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光のみを分光し、分光した光を受光素子３１にて受光する。
受光素子３１は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、受光素子３１は、制御装置４に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置４に出力する。
【００２７】
（３−１．エタロンの構成）
図２は、本発明の波長可変干渉フィルターを構成するエタロン５の概略構成を示す平面図であり、図３は、エタロン５の概略構成を示す断面図である。なお、図１では、エタロン５に検査対象光が図中下側から入射しているが、図３では、検査対象光が図中左側から入射するものとする。
エタロン５は、図２に示すように、平面正方形状の板状の光学部材であり、一辺が例えば１０ｍｍに形成されている。このエタロン５は、図３に示すように、固定基板５１、および可動基板５２を備えている。固定基板５１は、例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。これらの中でも、固定基板５１の構成材料としては、例えばナトリウムやカリウムなどのアルカリ金属を含有したガラスが好ましく、このようなガラスにより固定基板５１を形成することで、後述する固定ミラー５６や、各電極の密着性や、基板同士の接合強度を向上させることが可能となる。また、可動基板５２の構成材料としては、導電性材料を用い、例えば、シリコンを用いることが好ましい。シリコンにより可動基板５２を構成することで、エッチング精度の向上やエッチング時間の短縮が可能となる。そして、これらの２つの基板５１，５２は、外周部近傍に形成される接合面５１３，５２３が、陽極接合されることで、一体的に構成されている。
【００２８】
また、固定基板５１と、可動基板５２との間には、本発明の第一反射膜としての固定ミラー５６および第二反射膜としての可動ミラー５７が設けられる。ここで、固定ミラー５６は、固定基板５１の可動基板５２に対向する面に固定され、可動ミラー５７は、可動基板５２の固定基板５１に対向する面に固定されている。また、これらの固定ミラー５６および可動ミラー５７は、ギャップとしてのミラー間ギャップＧを介して対向配置されている。
さらに、固定基板５１と可動基板５２との間には、固定ミラー５６および可動ミラー５７の間のミラー間ギャップＧの寸法を調整するための可変部としての静電アクチュエーター５４が設けられている。
【００２９】
（３−１−１．固定基板の構成）
固定基板５１は、厚みが例えば５００μｍに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、図３に示すように、固定基板５１には、エッチングにより電極形成溝５１１およびミラー固定部５１２が形成される。
電極形成溝５１１は、図２に示すようなエタロン５を厚み方向から見た平面視（以降、エタロン平面視と称す）において、平面中心点を中心とした円形に形成されている。ミラー固定部５１２は、前記平面視において、電極形成溝５１１の中心部から可動基板５２側に突出して形成される。
【００３０】
電極形成溝５１１は、ミラー固定部５１２の外周縁から、当該電極形成溝５１１の内周壁面までの間に、リング状の電極固定面５１１Ａが形成され、この電極固定面５１１Ａに第一変位用電極５４１が形成される。また、第一変位用電極５４１の外周縁の一部からは、図２に示すようなエタロン平面視において、エタロン５の一頂点（図２に示す例では、左下方向）に向かって、第一変位用電極引出部５４１Ａがそれぞれ延出して形成されている。さらに、これらの第一変位用電極引出部５４１Ａの先端には、第一変位用電極パッド５４１Ｂがそれぞれ形成され、これらの第一変位用電極パッド５４１Ｂが電圧制御手段６に接続される。
【００３１】
ミラー固定部５１２は、上述したように、電極形成溝５１１と同軸上で、電極形成溝５１１よりも小さい径寸法となる円柱状に形成されている。なお、本実施形態では、図３に示すように、ミラー固定部５１２の可動基板５２に対向するミラー固定面５１２Ａが、電極固定面５１１Ａよりも可動基板５２に近接して形成される例を示すが、これに限らない。電極固定面５１１Ａおよびミラー固定面５１２Ａの高さ位置は、ミラー固定面５１２Ａに固定される固定ミラー５６、および可動基板５２に形成される可動ミラー５７の間のミラー間ギャップＧの寸法、第一変位用電極５４１およびこの第一変位用電極５４１に対向する可動基板５２の間の寸法、固定ミラー５６や可動ミラー５７の厚み寸法により適宜設定されるものであり、上記のような構成に限られない。例えばミラー５６，５７として、誘電体多層膜ミラーを用い、その厚み寸法が増大する場合、電極固定面５１１Ａとミラー固定面５１２Ａとが同一面に形成される構成や、電極固定面５１１Ａの中心部に、円柱凹溝上のミラー固定溝が形成され、このミラー固定溝の底面にミラー固定面５１２Ａが形成される構成などとしてもよい。
【００３２】
また、ミラー固定部５１２のミラー固定面５１２Ａは、エタロン５を透過させる波長域をも考慮して、溝深さが設計されることが好ましい。例えば、本実施形態では、固定ミラー５６および可動ミラー５７の間のミラー間ギャップＧの初期値（第一変位用電極５４１および第二変位用電極５４２間に電圧が印加されていない状態のミラー間ギャップＧの寸法）が４５０ｎｍに設定され、第一変位用電極５４１および第二変位用電極５４２間に電圧を印加することにより、ミラー間ギャップＧが例えば２５０ｎｍになるまで可動ミラー５７を変位させることが可能となっており、これにより、第一変位用電極５４１および第二変位用電極５４２間の電圧を可変することで、可視光全域の波長の光を選択的に分光させて透過させることが可能となる。この場合、固定ミラー５６および可動ミラー５７の膜厚およびミラー固定面５１２Ａや電極固定面５１１Ａの高さ寸法は、ミラー間ギャップＧを２５０ｎｍ〜４５０ｎｍの間で変位可能な値に設定されていればよい。
【００３３】
そして、ミラー固定面５１２Ａには、直径が約３ｍｍの円形状に形成される固定ミラー５６が固定されている。この固定ミラー５６は、ＡｇＣ単層により形成されるミラーであり、スパッタリングなどの手法によりミラー固定面５１２Ａに形成される。
なお、本実施形態では、固定ミラー５６として、エタロン５で分光可能な波長域として可視光全域をカバーできるＡｇＣ単層のミラーを用いる例を示すが、これに限定されず、例えば、エタロン５で分光可能な波長域が狭いが、ＡｇＣ単層ミラーよりも、分光された光の透過率が大きく、透過率の半値幅も狭く分解能が良好な、例えばＴｉＯ２−ＳｉＯ２系誘電体多層膜ミラーを用いる構成としてもよい。ただし、この場合、上述したように、固定基板５１のミラー固定面５１２Ａや電極固定面５１１Ａの高さ位置を、固定ミラー５６や可動ミラー５７、分光させる光の波長選択域などにより、適宜設定する必要がある。
【００３４】
さらに、固定基板５１は、可動基板５２に対向する上面とは反対側の下面において、固定ミラー５６に対応する位置に図示略の反射防止膜（ＡＲ）が形成されている。この反射防止膜は、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成され、固定基板５１の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。
【００３５】
（３−１−２．可動基板の構成）
可動基板５２は、厚みが例えば２００μｍに形成されるシリコン基材をエッチングにより加工することで形成される。
具体的には、可動基板５２には、図２に示すような平面視において、基板中心点を中心とした円形の可動部５２１と、可動部５２１と同軸であり可動部５２１を保持する連結保持部５２２と、を備えている。
【００３６】
図３に示すように、可動部５２１は、連結保持部５２２よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板５２の厚み寸法と同一寸法である２００μｍに形成されている。また、可動基板５２としてシリコン基材を用いたが、これに限らず、導電性を有し、エッチングによる形成加工が容易な基材であればいずれでも構わない。
【００３７】
また、可動部５２１には、図２に示すような平面視において、可動部５２１と同軸である光透過口５２１Ａを有している。この光透過口５２１Ａは、可動基板５２の第一面Ａ側から第二面Ｂ側まで連通している。そして、この光透過口５２１Ａの第一面Ａ側には、透光性部材としてのガラス５８を収容する凹部５２Ａが形成されている。このガラス５８は、固定ミラー５６と平行する光入射面５８Ａおよび固定ミラーと平行する光射出面５８Ｂを有する平板状に形成され、陽極接合により凹部５２Ａの底面に接合されている。
【００３８】
ガラス５８の厚み寸法としては、２０〜５０μｍが好ましく、より好ましくは３５μｍである。ガラス５８の厚み寸法が２０μｍ未満である場合、光透過口５２１Ａの第一面側が径外方向に引っ張られた際、ガラス５８に撓みは発生しないが、引張力により破損するおそれがある。
一方、ガラス５８の厚み寸法が５０μｍより大きい場合、ガラス５８が撓むおそれがある。すなわち、ガラス５８の光入射面５８Ａが凹部５２Ａの底面に接合される構成では、可動基板５２の撓みにより、ガラス５８の光入射面５８Ａに径外方向への引張力が作用する。ここで、ガラス５８の厚み寸法が５０μｍ以下である場合、ガラス５８の光入射面５８Ａに作用する引張力が、光射出面５８Ｂ側にも伝搬され、光入射面５８Ａと光射出面５８Ｂとがほぼ同等だけ伸長し、ガラス５８の撓みがほぼ０となる。一方、ガラス５８の厚み寸法が５０μｍより大きい場合、光射出面５８Ｂ側まで引張力が作用せず、光入射面５８Ａ側のみが伸長され、全体として光透過口５２１Ａ側に凸状に撓むおそれがある。
これに対して、ガラス５８の厚み寸法を２０〜５０μｍに形成することで、上述のようなガラス５８の破損や撓みなどといった不都合を回避できる。
【００３９】
また、ガラス５８は、耐熱性の硬質ガラスであることが好ましく、具体的には、熱伝導率が１．０（Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１）以上であることが好ましい。すなわち、ガラス５８を陽極接合により可動基板５２に接合する際、ガラス５８を約４００度に加熱する加熱工程が必要となる。したがって、この加熱工程に耐えられる熱伝導率を有していることが好ましく、熱伝導率が１．０（Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１）以上のガラス５８が用いられる。
また、陽極接合を用いずにガラス５８を可動基板５２に接合する場合も考えられるが、熱伝導率が１．０（Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１）未満のガラス５８では、上述のように、引張力が加えられた際に破損する確立が高くなる。
このような耐熱性のガラス５８としては、例えば、パイレックスガラス（コーニング・ガラス社の登録商標）などが挙げられる。なお、透光性部材としては、ガラス５８に限られず、例えば可動基板５２から伝達される引張力により破損や変形せず、可動基板５２に対して良好な密着接合強度で接合することが可能な透明樹脂材等を用いてもよい。
【００４０】
また、ガラス５８の光射出面５８Ｂの面内には、可動ミラー５７が設けられ、上記した固定ミラー５６と可動ミラー５７とにより、平行した一対のミラー５６，５７が構成される。また、本実施形態では、可動ミラー５７と固定ミラー５６との間のミラー間ギャップＧは、初期状態において、４５０ｎｍに設定されている。
ここで、この可動ミラー５７は、上述した固定ミラー５６と同一の構成のミラーが用いられ、本実施形態では、ＡｇＣ単層ミラーが用いられる。また、ＡｇＣ単層ミラーの膜厚寸法は、例えば０．０３μｍに形成されている。
【００４１】
さらに、可動部５２１は、ミラー可動面５２１Ｂとは反対側の上面において、可動ミラー５７に対応する位置に図示略の反射防止膜（ＡＲ）が形成されている。この反射防止膜は、固定基板５１に形成される反射防止膜と同様の構成を有し、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成される。
【００４２】
連結保持部５２２は、可動部５２１の周囲を囲うダイアフラムであり、例えば厚み寸法が５０μｍに形成されている。また、第二変位用電極５４２は、可動基板５２の第二面Ｂ側の一頂点（図２に示す例では、右上方向）に設けられている。
【００４３】
（３−２．電圧制御手段の構成）
電圧制御手段６は、上記エタロン５とともに、本発明の波長可変干渉フィルターを構成する。この電圧制御手段６は、制御装置４から入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５４の第一変位用電極５４１および第二変位用電極５４２に印加する電圧を制御する。
なお、第一変位用電極パッド５４１Ｂの数を１つとしたが、これに限らず、２つ以上設けてもよい。この場合、１つを印加電極として用い、その他を検出用電極としても用いることができる。また、第二変位用電極５４２についてもこれと同様である。
【００４４】
〔４．制御装置の構成〕
制御装置４は、分析機器１の全体動作を制御する。
この制御装置４としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置４は、図１に示すように、光源制御部４１、光センサー制御部４２、および光処理部４３などを備えて構成されている。
光源制御部４１は、光源装置２に接続されている。そして、光源制御部４１は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置２に所定の制御信号を出力し、光源装置２から所定の明るさの白色光を射出させる。
光センサー制御部４２は、光センサー３に接続されている。そして、光センサー制御部４２は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光センサー３にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を光センサー３に出力する。これにより、光センサー３の電圧制御手段６は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター５４への印加電圧を設定する。
【００４５】
ここで、本実施形態では、静電アクチュエーター５４により可動基板５２を撓ませて固定基板５１へ近づけることにより、固定ミラー５６と可動ミラー５７とのミラー間ギャップＧが変動する。この際、可動基板５２が撓むことにより光透過口５２１Ａの形状に歪みが生じることとなる。具体的には、光透過口５２１Ａは第一面Ａ側が径大となる方向へ歪み、第二面Ｂ側が径小となる方向へ歪む。
このとき、可動基板５２の第二面Ｂ側の光透過口５２１Ａには、ガラス５８が設けられていないので、光透過口５２１Ａが径小となる方向へ歪んだとしても何ら規制を受けることなく歪む。また、光透過口５２１Ａの第一面Ａ側に設けられた平板状のガラス５８は、可動基板５２から引張応力を受けることとなるので、撓みや歪みを生じることがない。
【００４６】
〔５．エタロンの製造方法〕
次に、上記エタロン５の製造方法について、図面に基づいて説明する。
（５−１．固定基板の製造）
図４は、エタロン５の第一基板の製造工程を示す図であり、（Ａ）は、固定基板５１にミラー固定面５１２Ａ形成用のレジストを形成するレジスト形成工程の概略図、（Ｂ）は、ミラー固定面５１２Ａを形成する第一溝形成工程の概略図、（Ｃ）は、電極固定面５１１Ａを形成する第二溝形成工程の概略図、（Ｄ）は、ＡｇＣ層を形成するＡｇＣ形成工程の概略図である。
【００４７】
固定基板５１を製造するためには、まず、図４（Ａ）に示すように、固定基板５１の製造素材であるガラス基板にレジスト６１を形成し（レジスト形成工程）、図４（Ｂ）に示すように、ミラー固定面５１２Ａを含む第一溝６２を形成する（第一溝形成工程）。
具体的には、レジスト形成工程では、接合面５１３にレジスト６１を形成する。そして、第一溝形成工程では、レジスト６１が形成されない接合面５１３以外の部分をエッチングし、ミラー固定面５１２Ａを含む第一溝６２を形成する。
【００４８】
また、第一溝６２の形成後、この第一溝６２のミラー固定面５１２Ａの形成位置にレジスト６１を形成し、さらにエッチングを実施する（第二溝形成工程）。これにより、図４（Ｃ）に示すように、電極形成溝５１１、およびミラー固定部５１２が形成される。
【００４９】
この後、固定基板５１のレジスト６１を除去し、可動基板５２に対向する面にＡｇＣ薄膜６３を例えば厚み寸法が３０ｎｍとなるように形成する（ＡｇＣ形成工程）。また、ＡｇＣ形成工程では、形成されたＡｇＣ薄膜６３上の、固定ミラー５６の形成部分、および第一変位用電極５４１の形成部分にそれぞれレジスト６１を形成する。
そして、レジスト６１が設けられていない部分のＡｇＣ薄膜６３を除去することで、図４（Ｄ）に示すように、固定ミラー５６、および第一変位用電極５４１が形成される（ＡｇＣ除去工程）。
以上により、固定基板５１が形成される。
【００５０】
（５−２．可動基板の製造）
次に、可動基板５２の製造方法について説明する。
図５は、第二基板の製造工程の概略を示す図であり、（Ａ）は、透光性基材をエッチングすることによりガラス前駆体を形成するガラス前駆体形成工程の概略図、（Ｂ）は、第二基板に形成されたＳｉＯ２エッチングパターンにてＳｉエッチングすることで、凹部を形成する凹部形成工程の概略図、（Ｃ）は、ガラス前駆体と凹部とを嵌合させて第二基板と透光性基材とを陽極接合する陽極接合工程の概略図、（Ｄ）は、第二基板の接合面まで透光性基材を研磨する研磨工程の概略図、（Ｅ）は、第二基板に形成されたＳｉＯ２エッチングパターンにてＳｉエッチングすることで、可動部、連結保持部および光透過口を形成する可動部、連結保持部および光透過口形成工程の概略図、（Ｆ）は、第二変位用電極および可動ミラーを設ける電極・ミラー形成工程の概略図である。
【００５１】
可動基板５２の製造では、まず、図５（Ａ）に示すように、ガラス基板５８０の透光性部材としてのガラス５８に相当する部分にレジスト膜を形成し、このレジスト膜が形成されない部分をエッチングし、後にガラス５８となるガラス前駆体５８１を形成する（ガラス前駆体形成工程）。
【００５２】
次に、図５（Ｂ）に示すように、可動基板５２の製造素材であるシリコン基板の第一面Ａの表面を酸化処理し、酸化シリコン膜を形成する。また、シリコン基板は結晶方位（１００）のシリコン基板を使用し、シリコン基板の厚みは、可動ミラー５７の撓みを抑制するために、０．５ｍｍ以上であることが望ましい。そして、可動基板５２の凹部５２Ａに対応する位置の酸化シリコン膜を除去し、可動基板５２を露出させる。酸化シリコン膜の除去は、緩衝フッ酸溶液等を用いたウェットエッチングで行うことができる。この後、可動基板５２をエッチングすることで、凹部５２Ａを形成する（凹部形成工程）。このエッチングは、水酸化カリウム水溶液等によりシリコン基板をエッチングすることができる。また、シリコン基板は結晶方位（１００）であり、エッチングされることで、内周面が柱状で、底面が第一面Ａと平行する凹部５２Ａが形成される。
【００５３】
この凹部形成工程の後、図５（Ｃ）に示すように、この凹部５２Ａが形成された可動基板５２と、ガラス前駆体５８１が形成されたガラス基板５８０とを対向させ、可動基板５２とガラス基板５８０とを陽極接合等によって接合する（陽極接合工程）。陽極接合によって接合する場合には、例えば、ガラス基板５８０を図示しない直流電源のマイナス端子、可動基板５２を図示しない直流電源のプラス端子にそれぞれ接続する。その後、ガラス基板５８０を例えば３００℃に加熱しながら電圧、例えば５００Ｖを印加すると、この加熱によって、ガラス基板５８０中の可動イオンが移動しやすくなる。この可動イオンの移動により、ガラス基板５８０の接合面５８３はマイナスに帯電し、可動基板５２の接合面５２３はプラスに帯電する。この結果、ガラス基板５８０と可動基板５２とは強固に接合される。
【００５４】
陽極接合工程の後、図５（Ｄ）に示すように、ガラス基板５８０の研磨を行う（ガラス基板研磨工程）。研磨量としては、可動基板５２の第一面Ａが露出するまで行う。具体的には、光射出面５８Ｂと第一面Ａとが面一となるように研磨し、その表面粗さＲａは１ｎｍ以下にする。
【００５５】
ガラス基板研磨工程後、図５（Ｅ）に示すように、可動基板５２表面に酸化シリコン膜７１を形成し、可動基板５２の光透過口５２１Ａおよび連結保持部５２２に対応する位置の酸化シリコン膜７１を除去し、エッチングパターン７２を形成して可動基板５２を露出させる。この後、可動基板５２をエッチングすることで、光透過口５２１Ａおよび連結保持部５２２を形成する（光透過口・連結保持部形成工程）。また、連結保持部５２２をダイアフラムとして作用させるためには、その厚みを０．１ｍｍ程度までエッチングする必要がある。例えば０．５ｍｍの石英基板の一部を緩衝フッ酸溶液で０．１ｍｍまでエッチングする場合、５０時間以上必要である。これに対し、シリコン基板を水酸化カリウム水溶液でエッチングすると２．５時間程度で処理することが可能である。このことから可動基板５２にシリコン基板を使用することは非常に有益である。
【００５６】
最後に、図５（Ｆ）に示すように、光透過口５２１Ａおよび連結保持部５２２が形成された可動基板５２表面の酸化シリコン膜をすべて除去し、可動基板５２の第二面Ｂに第二変位用電極５４２を設け、ミラー可動面５２１Ｂに可動ミラー５７を設ける（電極、ミラー形成工程）。これにより、可動基板５２が形成される。
【００５７】
（５−３．エタロンの製造）
次に、上述のように製造された固定基板５１および可動基板５２を用いたエタロン５の製造について説明する。
エタロン５の製造では、固定基板５１および可動基板５２を接合する接合工程を実施する。この接合工程では、固定基板５１の接合面５１３と可動基板５２の接合面５２３とを対向させた状態で、固定基板５１と可動基板５２とを陽極接合等によって接合する。
【００５８】
陽極接合によって接合する場合には、例えば、固定基板５１を図示しない直流電源のマイナス端子、可動基板５２を図示しない直流電源のプラス端子にそれぞれ接続する。その後、固定基板５１を加熱しながら電圧を印加すると、この加熱によって、固定基板５１中のナトリウムイオンが移動しやすくなる。このナトリウムイオンの移動により、固定基板５１の接合面５１３はマイナスに帯電し、可動基板５２の接合面５２３はプラスに帯電する。この結果、固定基板５１と可動基板５２とは強固に接合される。
【００５９】
なお、本実施形態では、透光性部材としてガラス５８を用いたが、これに限らず、透明樹脂材を用いてもよく、透光性を有する部材であればいずれでもよい。
また、本実施形態では、可動基板５２としてシリコン基材を用いたが、これに限らず、導電性を有し、エッチングによる形成加工が容易な基材であればいずれでも構わない。
【００６０】
〔６．第一実施形態の作用効果〕
本実施形態では、静電アクチュエーター５４により可動基板５２を撓ませて固定基板５１へ近づけることにより、固定ミラー５６と可動ミラー５７とのミラー間ギャップＧが変動する。この際、可動基板５２が撓むことにより光透過口５２１Ａの形状に歪みが生じることとなる。具体的には、光透過口５２１Ａは第一面Ａ側が径大となる方向へ歪み、第二面Ｂ側が径小となる方向へ歪む。
この際、可動基板５２の第二面Ｂ側の光透過口５２１Ａには、ガラス５８が設けられていないので、光透過口５２１Ａが径小となる方向へ歪んだとしても何ら規制を受けることなく歪むことができるので、ガラス５８が径内方向に押圧力を受け、破損する不都合が生じるおそれがない。このため、エタロン５の長寿命化を図ることができる。
また、光透過口５２１Ａの第一面Ａ側に設けられた平板状のガラス５８は、可動基板５２から引張応力を受けることとなるので、撓みや歪みを生じるおそれがなく、固定ミラー５６と可動ミラー５７とのミラー間ギャップＧに変動をきたすおそれがない。このため、エタロン５の分光精度を維持することができる。
したがって、本実施形態では、高精度かつ長寿命のエタロン５を得ることができる。
【００６１】
本実施形態では、可動ミラー５７の撓みを防止し、固定ミラー５６および可動ミラー５７の平行を維持することができる。すなわち、可動基板５２が固定基板５１側に撓むと、ガラス５８の光射出面５８Ｂと、可動基板５２の第一面Ａとの間に隙間や段差が生じるおそれがある。したがって、可動ミラー５７が、ガラス５８の光射出面５８Ｂから可動基板５２の第一面Ａに跨って形成されている場合、上記のような隙間や段差により、可動ミラー５７が歪み、固定ミラー５６との平行関係が維持できなくなるおそれがある。これに対して、本実施形態のように、可動ミラー５７をガラス５８の光射出面５８Ｂの面内に設けることで、上記のような隙間や段差が生じた場合でもその影響を受けることがなく、可動ミラー５７が撓むことがない。
また、可動基板５２が撓む際、第一面Ａ側は下に凸の二次曲面となるが、透光性部材として、例えばガラス５８など、可動基板５２よりも硬度が大きい素材を用いることで、透光性部材の光射出面５８Ｂや光入射面５８Ａの歪みを効果的に防止することも可能となる。この場合、透光性部材の光射出面５８Ｂ内に可動ミラー５７が配置されることで、可動ミラー５７の歪みも防止することができ、分光精度の向上を図ることができる。
【００６２】
本実施形態では、第一面Ａ側の光透過口５２１Ａには凹部５２Ａが形成され、この凹部５２Ａにガラス５８が収容されるので、ガラス５８が可動基板５２の第一面Ａ側から突出しない。このため、可動基板５２が固定基板５１側に撓んでいない初期状態において、ミラー間ギャップＧの寸法を大きく設定でき、より広い波長域の光を分光させることが可能となる。
【００６３】
本実施形態では、可動基板５２とガラス５８とを別途組み上げる場合、固定ミラー５６と平行な光射出面５８Ｂを形成するために、可動基板５２の第一面Ａを固定ミラー５６と平行に形成し、その後、さらに可動基板５２に設けられるガラス５８を固定ミラー５６と平行になるように取り付けることになる。しかし、本実施形態では、光射出面５８Ｂと、可動基板５２の第一面Ａとが面一となっているので、例えば、可動基板５２にガラス５８を取り付けた後、第一面Ａおよび光射出面５８Ｂが固定ミラー５６と平行になるように研磨するような場合、可動基板５２とガラス５８とをそれぞれ固定ミラー５６に平行となるよう取り付ける必要がなく、固定ミラー５６と平行になるよう研磨するだけでよい。したがって、エタロン５を容易に製造することができ、生産性を向上させることができる。
【００６４】
本実施形態では、可動基板５２とガラス５８とを陽極接合により接合しているので、可動基板５２とガラス５８とを直接接合することができる。このため、接着剤等により接合する場合のような接着層の厚みムラにより可動基板５２とガラス５８とが平行でなくなり、このことにより、固定ミラー５６と可動ミラー５７との平行関係に歪みが生じるおそれがない。したがって、本発明では、分光精度をより一層精度よく維持することができる。
【００６５】
本実施形態では、固定基板５１と可動基板５２とを陽極接合により接合しているので、固定基板５１と可動基板５２とを直接接合することができる。このため、接着剤等により接合する場合のような接着層の厚みムラにより固定基板５１と可動基板５２とが平行でなくなり、このことにより、固定ミラー５６と可動ミラー５７との平行関係に歪みが生じるおそれがない。したがって、本発明では、分光精度をより一層精度よく維持することができる。
【００６６】
本実施形態では、可動基板５２の材料として、シリコンを選択する。シリコンは、例えばガラスなどに比べて、結晶異方性エッチングにより容易、かつ迅速なエッチングが可能であり、異方性エッチングにより高精度なエッチングを実施である。したがって、可動基板５２としてシリコンを選択することで、可動基板５２をエッチング加工する際、エッチング精度の向上やエッチング時間の短縮を図ることができる。
よって、可動基板５２の加工が容易となり、エタロン５の生産性を向上させることができる。
【００６７】
本実施形態では、上述したように、エタロン５は、可動基板５２の第二面Ｂ側の光透過口５２１Ａには、ガラス５８が設けられていないので、応力集中によりガラス５８が径内方向に押圧力を受け、破損するおそれがなく、ガラス５８が撓みや歪みを生じるおそれもなく、固定ミラー５６と可動ミラー５７とのミラー間ギャップＧに変動をきたすおそれがなく、エタロン５の分光精度を維持することができる。
このようなエタロン５から射出される射出光を受光素子３１により受光することで、光センサー３は、検査対象光に含まれる所望波長の光成分の正確な光量を測定することができる。
【００６８】
本実施形態では、エタロン５は、可動基板５２の第二面Ｂ側の光透過口５２１Ａには、ガラス５８が設けられていないので、応力集中によりガラス５８が径内方向に押圧力を受け、破損するおそれがなく、ガラス５８が撓みや歪みを生じるおそれがなく、固定ミラー５６と可動ミラー５７とのミラー間ギャップＧに変動をきたすおそれがなく、エタロン５の分光精度を維持することができ、光センサー３の受光素子３１において、検査対象光に含まれる所望波長光の光量を正確に検出することができる。したがって、制御装置４においても、検査対象光に含まれる所望波長の光の正確な光量に基づいて、精度よく分析できる。
【００６９】
〔変形例〕
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００７０】
可動基板５２として、導電性を有するシリコンにより形成される基板を例示したが、その他の基板にしてもよい。その際に、導電性を有しない基板を用いることもでき、その場合、固定基板５１との接合位置、ガラス５８の接合位置に、鉄膜を成膜することで、例えばＹＡＧレーザー照射による溶融接合によって、可動基板５２と固定基板５１との接合、可動基板５２とガラス５８との接合を実施することができる。その他、可動基板５２が導電性を有しない場合では、例えば接着剤により、可動基板５２と固定基板５１との接合、可動基板５２とガラス５８との接合を実施する構成としてもよい。
【００７１】
分析機器として、検査対象光に含まれる各波長の光量を測定する装置を例としてあげたがその他の装置にも適用できる。例えば、通信手段に用いられる光機器など、各波長の光に光強度に応じたデータを持たせ、光によりデータを通信するシステムにおいて、エタロンにより所定波長の光を抽出し、この光に含まれるデータを読みとる装置、その他、ガスの光吸収波長を検出して、ガスの種別を判別する装置などにも適用することができる。
【００７２】
また、固定基板５１にもシリコン基板を用いて、可動基板同様に、可動ミラーに対応する位置に、光透過口５２１Ａを形成し、光透過口５２１Ａを閉塞する板状のガラスを設ける構成としてもよい。これにより、固定基板５１のエッチング工程が容易となる。固定基板５１のミラー固定部は変位しないため、板状ガラスが可動基板５２に対向する面に設けられていてもよく、固定基板５１のうち光射出側の面に設けられていてもよい。また、光透過口５２１Ａの内部にガラスを嵌挿させる構成としてもよい。
さらに、固定基板５１および可動基板５２の双方に可動部を設け、双方に光透過口５２１Ａを設ける構成としてもよく、この場合、それぞれ互いに対向する面にガラスを形成する。
【００７３】
以上、本発明を実施するための最良の構成について具体的に説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、かつ、説明されているが、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、当業者が様々な変形および改良を加えることができるものである。
【符号の説明】
【００７４】
１…分析機器、３…光センサー、５…エタロン（波長可変干渉フィルター）、３１…受光素子（受光手段）、５１…固定基板（第一基板）、５２…可動基板（第二基板）、５２Ａ…凹部、５４…静電アクチュエーター（可変部）、５６…固定ミラー（第一反射膜）、５７…可動ミラー（第二反射膜）、５８…ガラス（透光性部材）、５８Ａ…光入射面、５８Ｂ…光射出面、５２１Ａ…光透過口、５２２…連結保持部、Ａ…第一面、Ｂ…第二面、Ｇ…ミラー間ギャップ（ギャップ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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