(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳが搭載される半導体基板と高周波動作で使用される電子部品との電磁的な結合を低減しつつ、そのような電子部品をその半導体基板上に形成する。【解決手段】可動電極１２を覆うようにして可動電極１２と間隔を空けて配置された絶縁層１３およびキャップ膜１４を層間絶縁層８上に形成し、可動電極１２の周囲には空洞Ｕを形成し、キャップ膜１４上には導電層１５ａを形成するとともに、層間絶縁層８上には再配線１５ｂが形成され、導電層１５ａにて伝送線路を構成する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に間隔を空けて配置され、前記半導体基板上に支持された可動電極と、
前記半導体基板上に形成され、前記可動電極を駆動する駆動電極と、
前記可動電極上に間隔を空けて配置され、前記半導体基板上に支持されたキャップ層と、
前記キャップ層上に形成された導電層が用いられたインダクタとを備えることを特徴とするマイクロ可動デバイス。
【請求項２】
前記キャップ層上に形成された導電層は、前記キャップ層下の空洞を取り囲むループが形成されるように、前記駆動電極下に形成された導電層と接続されていることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ可動デバイス。
【請求項３】
前記導電層は、前記空洞に螺旋状に巻き付けられていることを特徴とする請求項２に記載のマイクロ可動デバイス。
【請求項４】
半導体基板上に間隔を空けて配置され、前記半導体基板上に支持された可動電極と、
前記半導体基板上に形成され、前記可動電極を駆動する駆動電極と、
前記可動電極上に間隔を空けて配置され、前記半導体基板上に支持されたキャップ層と、
前記キャップ層上に形成された導電層にて構成された伝送線路とを備えることを特徴とするマイクロ可動デバイス。
【請求項５】
半導体基板上に間隔を空けて配置され、前記半導体基板上に支持された可動電極と、
前記半導体基板上に形成され、前記可動電極を駆動する駆動電極と、
前記可動電極上に間隔を空けて配置され、前記半導体基板上に支持されたキャップ層と、
前記キャップ層上に形成された導電層にて構成されたアンテナとを備えることを特徴とするマイクロ可動デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマイクロ可動デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）は、機械要素部品、センサ、アクチュエータ、
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などを同一基板上に集積化することで構成され、プリンタヘッドや圧力センサなどの様々の分野で利用されている（特許文献１）。
【０００３】
ここで、インピーダンス整合器や高周波スイッチなどの高周波デバイスとしてＭＥＭＳを用いた場合、半導体デバイスと比べて損失を極めて低くすることができる上に線形性にも優れているため、次世代無線システムなどへの応用が期待されている。
【０００４】
しかしながら、ＭＥＭＳの高周波動作で使用される伝送線路やインダクタなどは、半導体基板上に形成されるため、半導体基板との間の電磁的な結合が強くなり、損失が大きくなるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−６４９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、ＭＥＭＳが搭載される半導体基板と高周波動作で使用される電子部品との電磁的な結合を低減しつつ、そのような電子部品をその半導体基板上に形成することが可能なマイクロ可動デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、半導体基板上に間隔を空けて配置され、前記半導体基板上に支持された可動電極と、前記半導体基板上に形成され、前記可動電極を駆動する駆動電極と、前記可動電極上に間隔を空けて配置され、前記半導体基板上に支持されたキャップ層と、前記キャップ層上に形成された導電層が用いられたインダクタとを備えることを特徴とするマイクロ可動デバイスを提供する。
【０００８】
本発明の一態様によれば、半導体基板上に間隔を空けて配置され、前記半導体基板上に支持された可動電極と、前記半導体基板上に形成され、前記可動電極を駆動する駆動電極と、前記可動電極上に間隔を空けて配置され、前記半導体基板上に支持されたキャップ層と、前記キャップ層上に形成された導電層にて構成された伝送線路とを備えることを特徴とするマイクロ可動デバイスを提供する。
【０００９】
本発明の一態様によれば、半導体基板上に間隔を空けて配置され、前記半導体基板上に支持された可動電極と、前記半導体基板上に形成され、前記可動電極を駆動する駆動電極と、前記可動電極上に間隔を空けて配置され、前記半導体基板上に支持されたキャップ層と、前記キャップ層上に形成された導電層にて構成されたアンテナとを備えることを特徴とするマイクロ可動デバイスを提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ＭＥＭＳが搭載される半導体基板と高周波動作で使用される電子部品との電磁的な結合を低減しつつ、そのような電子部品をその半導体基板上に形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係るマイクロ可動デバイスの概略構成を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第２実施形態に係るマイクロ可動デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）は、本発明の第３実施形態に係るマイクロ可動デバイスの概略構成を示す断面図、図３（ｂ）は、本発明の第３実施形態に係るマイクロ可動デバイスの概略構成を示す平面図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の第４実施形態に係るマイクロ可動デバイスの概略構成を示す断面図、図４（ｂ）は、本発明の第４実施形態に係るマイクロ可動デバイスの概略構成を示す平面図である。
【図５】図５（ａ）は、本発明の第５実施形態に係るマイクロ可動デバイスの概略構成を示す断面図、図５（ｂ）は、本発明の第５実施形態に係るマイクロ可動デバイスの概略構成を示す平面図である。
【図６】図６は、本発明の第６実施形態に係るマイクロ可動デバイスが適用される送信機の概略構成を示すブロック図である。
【図７】図７（ａ）は、本発明の第７実施形態に係るマイクロ可動デバイスの概略構成を示す断面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）の導電層５１、５２のレイアウト構成を示す平面図、図７（ｃ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ´線に沿って切断した斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態に係るマイクロ可動デバイスについて図面を参照しながら説明する。
【００１３】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るマイクロ可動デバイスの概略構成を示す断面図である。
図１において、半導体基板１上には、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極４が形成されている。そして、ゲート電極４の両側に配置された不純物拡散層２が半導体基板１に形成されることで、電界効果トランジスタを含む集積回路が構成されている。また、半導体基板１上には、ゲート電極４を絶縁する層間絶縁層５、６が形成され、層間絶縁層６上には配線７が形成されている。配線７上には層間絶縁層８が形成され、層間絶縁層８上には、接地線９ａ、９ｂ、駆動電極９ｃ、９ｄおよび信号線９ｅが形成されている。なお、接地線９ａ、９ｂ、駆動電極９ｃ、９ｄおよび信号線９ｅは、層間絶縁層８上で互いに並列して配置することができる。また、信号線９ｅの膜厚は、接地線９ａ、９ｂおよび駆動電極９ｃ、９ｄの膜厚よりも大きくすることができる。また、信号線９ｅは、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号などの高周波信号を伝送することができる。層間絶縁層８上には、接地線９ａ、９ｂ、駆動電極９ｃ、９ｄおよび信号線９ｅが覆われるようにして絶縁層１０が形成されている。
【００１４】
そして、駆動電極９ｃ、９ｄおよび信号線９ｅと交差するようにして、駆動電極９ｃ、９ｄおよび信号線９ｅと間隔を空けて配置された可動電極１２が接地線９ａ、９ｂ上に支持されている。ここで、可動電極１２は接地線９ａ、９ｂと接続されている。
【００１５】
そして、可動電極１２を覆うようにして可動電極１２と間隔を空けて配置された絶縁層１３およびキャップ膜１４が層間絶縁層８上に形成されることで、可動電極１２の周囲には空洞Ｕが形成されている。なお、絶縁層１３には、キャップ膜１４下に空洞Ｕを形成するための犠牲層を除去する開口部１３ａが形成されている。
【００１６】
キャップ膜１４上には導電層１５ａが形成されるとともに、層間絶縁層８上には再配線１５ｂが形成され、導電層１５ａにて伝送線路が構成されている。なお、この伝送線路は、ストリップ線路であってもよいし、マイクロストリップ線路であってもよい。また、再配線１５ｂは、キャップ膜１４に形成された開口部１４ａおよび層間絶縁層８に形成された開口部８ａを介して配線７に接続されている。なお、導電層１５ａは、再配線１５ｂを介して、接地線９ａ、９ｂ、駆動電極９ｃ、９ｄ、信号線９ｅまたは配線７に接続するようにしてもよい。
【００１７】
導電層１５ａおよび再配線１５ｂ上には保護膜１６が形成され、保護膜１６には再配線１５ｂを露出させる開口部１６ａが形成されている。そして、突出電極１７が開口部１６ａを介して再配線１５ｂに接続されている。
【００１８】
なお、配線７、接地線９ａ、９ｂ、駆動電極９ｃ、９ｄ、信号線９ｅおよび可動電極１２の材料は、例えば、ＡｌやＣｕなどの金属を用いることができる。また、導電層１５ａおよび再配線１５ｂの材料は、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉなどの金属を用いることができる。また、層間絶縁層５、６、８および絶縁層１０、１３の材料は、例えば、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの無機膜を用いることができる。キャップ膜１４および保護膜１６の材料は、例えば、ポリイミド、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール）、エポキシ、フェーノール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）またはフッソ樹脂などの有機膜を用いることができる。なお、キャップ膜１４としては、湿気の侵入を抑制するために、必要に応じて無機防湿膜を用いるようにしてもよい。また、突出電極１７としては、例えば、Ａｕバンプ、半田材などで被覆されたＣｕバンプやＮｉバンプ、あるいはハンダボールなどを用いることができる。
【００１９】
そして、高周波信号が信号線９ｅに入力されるとともに、駆動信号が駆動電極９ｃ、９ｄに入力される。そして、駆動信号によって駆動電極９ｃ、９ｄが高電位になると、可動電極１２が駆動電極９ｃ、９ｄに引き寄せられ、信号線９ｅが可動電極１２を介して接地線９ａ、９ｂと容量カップリングする。すると、高周波信号が接地線９ａ、９ｂに流れ、信号線９ｅによる高周波信号の伝送が遮断される。
【００２０】
一方、駆動信号によって駆動電極９ｃ、９ｄが低電位になると、可動電極１２と駆動電極９ｃ、９ｄとの間の静電引力が低下し、可動電極１２と信号線９ｅとの間隔が大きくなる。このため、高周波信号が接地線９ａ、９ｂに流れることなく、信号線９ｅにて伝送される。
【００２１】
ここで、キャップ膜１４上の導電層１５ａにて伝送線路を形成することにより、空洞Ｕの分だけ伝送線路と半導体基板１との間の電磁的な結合を弱めることができる。このため、ＭＥＭＳが形成された半導体基板１上に伝送線路が混載された場合においても、損失が増大するのを抑制することができる。例えば、配線７にて伝送線路を形成した場合、半導体基板１との間の電磁的な結合が強いため、損失が−０．５ｄＢ程度となるが、導電層１５ａにて伝送線路を形成した場合、半導体基板１との間の電磁的な結合が弱くなり、損失が−０．２ｄＢ程度となった。
【００２２】
（第２実施形態）
図２は、本発明の第２実施形態に係るマイクロ可動デバイスの製造方法を示す断面図である。
次に、図２（ａ）において、半導体基板１上には、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極４が形成されている。また、ゲート電極４の両側に配置された不純物拡散層２が半導体基板１に形成されている。さらに、半導体基板１上には、ゲート電極４を絶縁する層間絶縁層５、６が形成され、層間絶縁層６上には配線７が形成され、配線７上には層間絶縁層８が形成されている。
【００２３】
そして、ＣＶＤなどの方法を用いることで、層間絶縁層８を半導体基板１上に形成する。そして、スパッタまたは蒸着などの方法を用いることで、層間絶縁層８上に金属膜を形成する。そして、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて金属膜をパターニングすることで、接地線９ａ、９ｂ、駆動電極９ｃ、９ｄおよび信号線９ｅを形成する。
【００２４】
次に、ＣＶＤなどの方法を用い、接地線９ａ、９ｂ、駆動電極９ｃ、９ｄおよび信号線９ｅ上に絶縁層１０を形成する。そして、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて絶縁層１０をパターニングすることで、接地線９ａ、９ｂを露出させる開口部１０ａを絶縁層１０に形成する。
【００２５】
次に、図２（ｂ）に示すように、塗布法などの方法を用いることで、感光性ポリイミドやＳＯＧなどの犠牲膜１１ａを絶縁層１０上に形成する。そして、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて犠牲膜１１ａをパターニングすることで、開口部１０ａを介して接地線９ａ、９ｂを露出させる。
【００２６】
次に、スパッタまたは蒸着などの方法を用いることで、犠牲膜１１ａ上に金属膜を形成する。そして、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて金属膜をパターニングすることで、開口部１０ａを介して接地線９ａ、９ｂに接続された可動電極１２を犠牲膜１１ａ上に形成する。
次に、塗布法などの方法を用いることで、感光性ポリイミドやＳＯＧなどの犠牲膜１１ｂを可動電極１２上に形成する。そして、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて犠牲膜１１ａ、１１ｂを島状にパターニングすることで、可動電極１２の周囲の空洞Ｕのみに犠牲膜１１ａ、１１ｂが残るようにする。
【００２７】
次に、ＣＶＤなどの方法を用いることで、犠牲膜１１ａ、１１ｂ上に絶縁層１３を形成する。そして、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて絶縁層１３をパターニングすることで、開口部１３ａを絶縁層１３に形成する。
【００２８】
次に、図２（ｃ）に示すように、ウェットエッチングなどの方法を用いることで、犠牲膜１１ａ、１１ｂを半導体基板１上から除去し、可動電極１２の周囲に空洞Ｕを形成する。そして、ＣＶＤまたは塗布法などの方法を用いることで、絶縁層１３上にキャップ層１４を形成する。そして、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてキャップ層１４をパターニングすることで、開口部１４ａをキャップ層１４に形成する。
【００２９】
次に、図２（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて層間絶縁層８をパターニングすることで、開口部１４ａを介して配線７を露出させる開口部８ａを層間絶縁層８に形成する。そして、スパッタまたは蒸着などの方法を用いることで、キャップ層１４上に金属膜を形成する。そして、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて金属膜をパターニングすることで、キャップ膜１４上に導電層１５ａを形成するとともに、層間絶縁層８上に再配線１５ｂを形成する。
【００３０】
次に、図１に示すように、導電層１５ａおよび再配線１５ｂ上に保護膜１６を形成した後、開口部１６ａを介して再配線１５ｂに接続された突出電極１７を形成する。
【００３１】
（第３実施形態）
図３（ａ）は、本発明の第３実施形態に係るマイクロ可動デバイスの概略構成を示す断面図、図３（ｂ）は、本発明の第３実施形態に係るマイクロ可動デバイスの概略構成を示す平面図である。
図３において、このマイクロ可動デバイスでは、図１の導電層１５ａの代わりに導電層２１がキャップ膜１４上に形成されることにより、インダクタが空洞Ｕ上に構成されている。なお、このインダクタは、再配線１５ｂを介して配線７に接続するようにしてもよい。
【００３２】
これにより、ＭＥＭＳが形成された半導体基板１上にインダクタを混載した場合においても、空洞Ｕの分だけインダクタと半導体基板１との間の電磁的な結合を弱めることができ、損失が増大するのを抑制することができる。例えば、配線７にてインダクタを形成した場合、半導体基板１との間の電磁的な結合が強いため、共振周波数が１３ＧＨｚ程度となったのに対し、導電層２１にてインダクタを形成した場合、半導体基板１との間の電磁的な結合が弱くなり、半導体基板１に流れるエディ電流が減少することから、共振周波数が２０ＧＨｚ程度となった。
【００３３】
（第４実施形態）
図４（ａ）は、本発明の第４実施形態に係るマイクロ可動デバイスの概略構成を示す断面図、図４（ｂ）は、本発明の第４実施形態に係るマイクロ可動デバイスの概略構成を示す平面図である。
図４において、このマイクロ可動デバイスでは、図１の導電層１５ａの代わりに導電層３１がキャップ膜１４上に形成されることにより、アンテナが空洞Ｕ上に構成されている。なお、このアンテナは、再配線１５ｂを介して配線７に接続するようにしてもよい。
【００３４】
これにより、ＭＥＭＳが形成された半導体基板１上にアンテナを混載した場合においても、空洞Ｕの分だけアンテナと半導体基板１との間の寄生容量を減少させることができ、アンテナの指向性を向上させることができる。
【００３５】
（第５実施形態）
図５（ａ）は、本発明の第５実施形態に係るマイクロ可動デバイスの概略構成を示す断面図、図５（ｂ）は、本発明の第５実施形態に係るマイクロ可動デバイスの概略構成を示す平面図である。
図５において、このマイクロ可動デバイスでは、図１の導電層１５ａの代わりに導電層４１がキャップ膜１４上に形成されている。さらに、導電層４１上には層間絶縁層４２が形成され、層間絶縁層４２上には導電層４３が形成されることで、アンテナが空洞Ｕ上に構成されている。なお、導電層４３は、アンテナのインダクタンスを上昇させるために、空洞Ｕ上に渦巻き状に配置することができる。そして、導電層４３の一端は、層間絶縁層４２に形成された開口部４２ａを介して導電層４１の一端に接続されている。なお、このアンテナは、再配線１５ｂを介して配線７に接続するようにしてもよい。
【００３６】
これにより、キャップ膜１４上に形成された導電層４１、４３を多層化することができ、ＭＥＭＳが形成された半導体基板１上にアンテナを混載した場合においても、空洞Ｕの分だけアンテナと半導体基板１との間の電磁的な結合を弱めつつ、アンテナのインダクタンスを上昇させることができる。
【００３７】
（第６実施形態）
図６は、本発明の第６実施形態に係るマイクロ可動デバイスが適用される送信機の概略構成を示すブロック図である。なお、この送信機は、例えば、２ＧＨｚの無線周波数帯を使用するＢＴ（Ｂｌｕｅ  Ｔｏｏｔｈ）および５ＧＨｚの無線周波数帯を使用するＷＬＡＮに対応しているものとする。
図６において、無線送信機には、ベースバンド帯の送信信号を無線周波数帯にアップコンバートするアップコンバータ１０３、１０４が設けられている。そして、アップコンバータ１０３、１０４の入力は、フィルタ素子１０１、１０２にそれぞれ接続され、アップコンバータ１０３、１０４の出力は、可変利得アンプ１０６およびパワーアンプ１０７を順次介して送信アンテナ１０８に共通に接続されている。
【００３８】
また、パワーアンプ１０７の出力端子には、可変容量１０９とインダクタ１１０との並列回路が接続されている。なお、この可変容量１０９としては、例えば、図３の半導体基板１上に形成されたＭＥＭＳ素子、インダクタ１１０としては、例えば、図３のキャップ膜１４上に形成された導電層２１を用いることができる。あるいは、この可変容量１０９として、例えば、図４の半導体基板１上に形成されたＭＥＭＳ素子、送信アンテナ１０８として、例えば、図４のキャップ膜１４上に形成された導電層３１を用いるようにしてもよい。
【００３９】
そして、２ＧＨｚの無線周波数帯を使用する場合、ベースバンド信号の同相成分Ｉは、フィルタ素子１０１にて不要な周波数成分が除去された後、アップコンバータ１０３に入力される。そして、ベースバンド信号の同相成分Ｉはアップコンバータ１０３にて局部発振信号ＬＩと乗算されることで２ＧＨｚの無線周波数帯にアップコンバートされ、無線周波数信号の同相成分Ｉが生成される。また、ベースバンド信号の直交成分Ｑは、フィルタ素子１０２にて不要な周波数成分が除去された後、アップコンバータ１０４に入力される。そして、ベースバンド信号の直交成分Ｑはアップコンバータ１０４にて局部発振信号ＬＱと乗算されることで２ＧＨｚの無線周波数帯にアップコンバートされ、無線周波数信号の直交成分Ｑが生成される。なお、局部発振信号ＬＩ、ＬＱとしては、周波数が同じで位相が互いに９０°だけずれた信号を用いることができる。
【００４０】
そして、アップコンバータ１０３、１０４にてそれぞれ生成された無線周波数信号の同相成分Ｉおよび直交成分Ｑは、可変利得アンプ１０６およびパワーアンプ１０７にて増幅され、送信アンテナ１０８を介して空間に送信される。ここで、２ＧＨｚの無線周波数帯を使用する場合、可変容量１０９およびインダクタ１１０にて２ＧＨｚの無線周波数帯に対応するようにインピーダンス整合される。
【００４１】
一方、５ＧＨｚの無線周波数帯を使用する場合、ベースバンド信号の同相成分Ｉは、フィルタ素子１０１にて不要な周波数成分が除去された後、アップコンバータ１０３に入力される。そして、ベースバンド信号の同相成分Ｉはアップコンバータ１０３にて局部発振信号ＬＩと乗算されることで５ＧＨｚの無線周波数帯にアップコンバートされ、無線周波数信号の同相成分Ｉが生成される。また、ベースバンド信号の直交成分Ｑは、フィルタ素子１０２にて不要な周波数成分が除去された後、アップコンバータ１０４に入力される。そして、ベースバンド信号の直交成分Ｑはアップコンバータ１０４にて局部発振信号ＬＱと乗算されることで５ＧＨｚの無線周波数帯にアップコンバートされ、無線周波数信号の直交成分Ｑが生成される。なお、局部発振信号ＬＩ、ＬＱとしては、周波数が同じで位相が互いに９０°だけずれた信号を用いることができる。
【００４２】
そして、アップコンバータ１０３、１０４にてそれぞれ生成された無線周波数信号の同相成分Ｉおよび直交成分Ｑは、可変利得アンプ１０６およびパワーアンプ１０７にて増幅され、送信アンテナ１０８を介して空間に送信される。ここで、５ＧＨｚの無線周波数帯を使用する場合、可変容量１０９およびインダクタ１１０にて５ＧＨｚの無線周波数帯に対応するようにインピーダンス整合される。
【００４３】
ここで、インダクタ１１０として図３のキャップ膜１４上に形成された導電層２１を用いることで、可変容量１０９とインダクタ１１０とで共振器を構成した場合においても、Ｑ値を高くすることができ、共振器の特性を向上させることができる。すなわち、可変容量１０９のＱ値をＱｃａｐ、インダクタ１１０のＱ値をＱｉｎｄとすると、共振器の実効的なＱ値Ｑｅｆｆは１／Ｑｃａｐ＋１／Ｑｉｎｄで表され、ＭＥＭＳで可変容量１０９を構成した時のＱ値は５ＧＨｚで５０以上ある。一方、図３の配線７にてインダクタ１１０を構成した時のＱ値は１５程度であるため、インダクタ１１０のＱ値で共振器の特性が決定される。このため、インダクタ１１０として図３のキャップ膜１４上に形成された導電層２１を用いることで、インダクタ１１０のＱ値が高くなり、共振器の特性が向上する。
【００４４】
（第７実施形態）
図７（ａ）は、本発明の第７実施形態に係るマイクロ可動デバイスの概略構成を示す断面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）の導電層５１、５２のレイアウト構成を示す平面図、図７（ｃ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ´線に沿って切断した斜視図である。
図７において、このマイクロ可動デバイスでは、図１の導電層１５ａの代わりに導電層５２がキャップ膜１４上に形成されている。また、半導体基板１上において層間絶縁層８下には、配線７とともに、導電層５１が形成されている。そして、導電層５１と導電層５２とが空洞Ｕに螺旋状に巻き付けられるように再配線１５ｂを介して接続されることで、空洞Ｕの周囲にインダクタが構成され、インダクタが半導体基板１上に横たわるように配置されている。
【００４５】
これにより、ＭＥＭＳが形成された半導体基板１上にインダクタを混載した場合においても、インダクタの中心軸を半導体基板１に対して水平に配置することができ、インダクタから発生する電場に起因して半導体基板１に流れるエディ電流を低減することから、損失を低減することができる。例えば、配線７にてインダクタを形成した場合、共振周波数が１３ＧＨｚ程度となったのに対し、導電層５１、５２にてインダクタを形成した場合、共振周波数が２５ＧＨｚ程度となった。また、配線７にてインダクタを形成した場合、Ｑ値は１５程度となったのに対し、導電層５１、５２にてインダクタを形成した場合、Ｑ値は２５程度となった。
【符号の説明】
【００４６】
１  半導体基板、２  不純物拡散層、３  ゲート絶縁膜、４  ゲート電極、５、６、８、４２  層間絶縁層、７  配線、８ａ、１０ａ、１３ａ、１６ａ  開口部、９ａ、９ｂ  接地線、９ｃ、９ｄ  駆動電極、９ｅ  信号線、１０、１３  絶縁層、１１ａ、１１ｂ  犠牲層、１２  可動電極、１４  キャップ層、１５ｂ  再配線、１６  保護膜、１７  突出電極、Ｕ  空洞、１５ａ、２１、３１、４１、４３、５１、５２  導電層、１０１、１０２  フィルタ素子、１０３、１０４  アップコンバータ、１０６  可変利得アンプ、１０７  パワーアンプ、１０８  送信アンテナ、１０９  可変容量、１１０  インダクタ
【図１】
2011150839.tif 000003
【図２】
2011150839.tif 000004
【図３】
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【図４】
2011150839.tif 000006
【図５】
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【図６】
2011150839.tif 000008
【図７】
2011150839.tif 000009