(57)【要約】【課題】効果的に汚染物質の発生を抑制できる反射型マスクを提供する。【解決手段】基板４０上に形成され、入射した入射光を第１方向に反射する第１反射部４１と、第１反射部４１上に形成され、かつ所定のパターンの形状を有し、入射した入射光を第１方向とは異なる第２方向に反射する第２反射部４３とを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のパターンが設けられた反射型マスクであって、
基板上に形成され、入射した入射光を第１方向に反射する第１反射部と、
前記第１反射部上に形成され、かつ前記所定のパターンの形状を有し、入射した前記入射光を前記第１方向とは異なる第２方向に反射する第２反射部とを有することを特徴とする反射型マスク。
【請求項２】
請求項１記載の反射型マスクにおいて、
前記第２反射部の表面は、前記第１反射部の表面に対して傾斜して形成されることを特徴とする反射型マスク。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の反射型マスクにおいて、
前記第１反射部は、前記基板上に形成された第１反射層を有し、
前記第２反射部は、前記第１反射層上に形成され、かつ前記第１反射層の表面に対して傾斜する表面を有する遮光層と、前記遮光層上に形成された第２反射層とを有することを特徴とする反射型マスク。
【請求項４】
請求項３記載の反射型マスクにおいて、
前記第１反射層及び前記第２反射層は、同一の材料で形成されることを特徴とする反射型マスク。
【請求項５】
請求項１又は請求項２記載の反射型マスクにおいて、
前記第１反射部は、前記基板上に形成された第１反射層を有し、
前記第２反射部は、前記第１反射層上に形成され、かつ前記第１反射層の表面に対して傾斜した表面を、露光光を反射可能な鏡面処理した遮光層を有することを特徴とする反射型マスク。
【請求項６】
反射型マスクのパターンを感光性基板に形成する露光方法において、
請求項１から５のいずれか一項に記載の反射型マスクを用い、該マスクに露光光を照射するステップと、
前記反射型マスクの前記第１反射部で反射した前記露光光により前記感光性基板を露光するステップと、
前記反射型マスクの前記第２反射部で反射した前記露光光を前記感光性基板とは異なる位置に照射するステップと、
を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項７】
請求項６記載の露光方法において、
前記第１方向と前記第２方向とがなす角度は、前記第１反射部で反射した前記パターンの像を前記感光性基板に投影させる投影光学系の開口数以上であることを特徴とする露光方法。
【請求項８】
反射型マスクのパターンを感光性基板に形成する露光装置において、
請求項１から５のいずれ一項に記載の反射型マスクに露光光を照射する照明光学系と、
前記反射型マスクの前記第１反射部で第１方向に反射した前記露光光を前記感光性基板に導き、前記感光性基板に前記パターンを投影する投影光学系と、
前記反射型マスクの前記第２反射部で前記第１方向とは異なる方向に反射した前記露光光を、前記感光性基板とは異なる位置で受光する受光装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項８記載の露光装置において、
前記受光装置は、内面がカーボンコートされた筺体を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項８記載の露光装置において、
前記受光装置は、入射した前記露光光を散乱させる散乱面が形成された散乱部材と、散乱した前記露光光の照射量を計測する計測装置と、前記散乱部材と前記計測装置とを収容する筺体とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
請求項８から１０のいずれか一項記載の露光装置において、
前記受光装置は、前記投影光学系内に設けられること特徴とする露光装置。
【請求項１２】
請求項８から１１のいずれか一項に記載の露光装置を用いて感光性基板を露光するステップと、
前記露光された感光性基板を処理するステップとを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型マスク、露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路素子の微細化の進展に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、露光光として紫外域の光に代わって、より波長の短いＥＵＶＬ（Extreme UltraViolet：極紫外線）光を用いる手法が注目されている。この種の露光装置では、反射型のオプティカルインテグレータ、反射型のマスクおよび反射型の投影光学系が用いられている（例えば、特許文献１参照）。反射型マスクにおいては、マスク基板上に反射層（例えば多層膜反射層）を形成し、この反射層上にパターン形状に応じた形状の遮光部（光吸収体層）を形成している（例えば特許文献２参照）。
【０００３】
従来、この種の露光装置においては、汚染物質が光学素子の反射面に付着すると反射率が低下することから露光時間が長くなり、スループットが落ちるという問題を生じさせる。特に、露光装置内に設置されるマスクでは、遮光部（非反射面）においてＥＵＶ光が吸収されることで２次電子が大量に放出され、近傍を浮遊しているカーボン系分子を固着させてしまうことから遮光部に付着する汚染物質の量が多い。
そのため、従来では、このような汚染物質の発生を抑えるために、汚染物質の源であるカーボン系分子を低減させるべく、露光装置内の真空度を上げる等の方策が採られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第６，４５２，６６１号公報
【特許文献２】特開平８−１７７１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
上記の真空度としては、一般にはカーボン系分子分圧が１０−８Ｐａ以下であることが求められているが、このような高真空度であってもカーボン系分子を完全に除去することは困難であり、効果的に汚染物質の発生及び付着を抑制する技術の開発が望まれていた。
【０００６】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、効果的に汚染物質の発生を抑制できる反射型マスク、露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の反射型マスクは、所定のパターンが設けられた反射型マスクであって、前記基板上に形成され、入射した入射光を第１方向に反射する第１反射部と、前記第１反射部上に形成され、かつ前記所定のパターンの形状を有し、入射した前記入射光を前記第１方向とは異なる第２方向に反射する第２反射部とを有することを特徴とするものである。
【０００８】
従来では、マスクに入射した入射光をパターン形状に応じた反射部と遮光部とで分離していたが、本発明の反射型マスクでは、入射光を第１方向と第２方向とで反射方向の異なる第１反射部と第２反射部とで分離できるため、遮光部を設ける必要がなくなる。そのため、本発明では、遮光部において入射光が吸収されることで生じる２次電子を抑制して、反射型マスクに付着する汚染物質の量を低減させることが可能となる。
【０００９】
また、本発明の露光方法は、反射型マスクのパターンを感光性基板に形成する露光方法において、先に記載の反射型マスクを用い、該マスクに露光光を照射するステップと、前記反射型マスクの前記第１反射部で反射した前記露光光により前記感光性基板を露光するステップと、前記反射型マスクの前記第２反射部で反射した前記露光光を前記感光性基板とは異なる位置に照射するステップと、を含むことを特徴とするを特徴とするものである。
【００１０】
従って、本発明の露光方法では、反射型マスクに入射した露光光が第２反射部で反射されるため、２次電子が生じることを抑制しつつ、第１反射部で反射した露光光により感光性基板を露光することができる。
【００１１】
そして、本発明の露光装置は、反射型マスクのパターンを感光性基板に形成する露光装置において、先に記載の反射型マスクに露光光を照射する照明光学系と、前記反射型マスクの前記第１反射部で第１方向に反射した前記露光光を前記感光性基板に導き、前記感光性基板に前記パターンを投影する投影光学系と、前記反射型マスクの前記第２反射部で前記第１方向とは異なる方向に反射した前記露光光を、前記感光性基板とは異なる位置で受光する受光装置を有するを特徴とするものである。
【００１２】
従って、本発明の露光装置では、反射型マスクに入射した露光光が第２反射部で反射されるため、２次電子が生じることを抑制しつつ、第１反射部で反射した露光光を投影光学系により感光性基板に導いて露光することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明では、汚染物質の発生を効果的に抑制することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態の一例の露光装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】レチクルの断面図及び製造手順を示す図である
【図３】露光装置における要部詳細図である。
【図４】レチクルＲの別形態を示す断面図である。
【図５】受光装置の別形態を示す断面図である。
【図６】本発明のマイクロデバイス製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図７】マイクロデバイス製造工程のステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の反射型マスク、露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法の実施の形態を、図１ないし図７を参照して説明する。
図１は、本実施形態の露光光（照明光）ＥＬとして波長が１００ｎｍ以下で、例えば３〜５０ｎｍ程度の範囲内の１１ｎｍ又は１３ｎｍ等のＥＵＶ光（Extreme Ultraviolet Light）を用いる露光装置（ＥＵＶ露光装置）１００の全体構成を概略的に示す断面図である。
【００１６】
図１において、露光装置１００は、露光光ＥＬを発生するレーザプラズマ光源１０と、露光光ＥＬでレチクル（反射型マスク）Ｒを照明する照明光学系ＩＬＳと、レチクルＲを保持して移動するレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲのパターン面（レチクル面）に形成されたパターンの像を、レジスト（感光材料）が塗布されたウエハ（感光性基板）Ｗ上に投影する投影光学系ＰＯとを備えている。さらに、露光装置１００は、ウエハＷを保持して移動するウエハステージＷＳＴと、装置全体の動作を統括的に制御するコンピュータを含む主制御系３１等とを備えている。
【００１７】
本実施形態では、露光光ＥＬとしてＥＵＶ光が使用されているため、照明光学系ＩＬＳ及び投影光学系ＰＯは、特定のフィルタ等（不図示）を除いて複数のミラー（反射光学部材）より構成され、レチクルＲも反射型である。これらのミラーの反射面及びレチクル面には、ＥＵＶ光を反射する多層の反射膜が形成されている。なお、レチクルＲの詳細については後述する。
【００１８】
また、露光光ＥＬの気体による吸収を防止するため、露光装置１００はほぼ全体として箱状の真空チャンバ１内に収容され、真空チャンバ１内の空間を排気管３２Ａａ，３２Ｂａ等を介して真空排気するための大型の真空ポンプ３２Ａ，３２Ｂ等が備えられている。さらに、真空チャンバ１内で露光光ＥＬの光路上の真空度をより高めるために複数のサブチャンバ（不図示）も設けられている。一例として、真空チャンバ１内の気圧は１０−５Ｐａ程度、真空チャンバ１内で投影光学系ＰＯを収納するサブチャンバ（不図示）内の気圧は１０−５〜１０−８Ｐａ程度である。
【００１９】
以下、図１において、ウエハステージＷＳＴが載置される面（真空チャンバ１の底面）の法線方向にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で図１の紙面に垂直な方向にＸ軸を、図１の紙面に平行な方向にＹ軸を取って説明する。本実施形態では、レチクル面上での露光光ＥＬの照明領域２７Ｒは、Ｘ方向に細長い円弧状であり、露光時にレチクルＲ及びウエハＷは投影光学系ＰＯに対してＹ方向（走査方向）に同期して走査される。
【００２０】
先ず、レーザプラズマ光源１０は、高出力のレーザ光源（不図示）と、このレーザ光源から真空チャンバ１の窓部材１５を介して供給されるレーザ光を集光する集光レンズ１２と、キセノン又はクリプトン等のターゲットガスを噴出するノズル１４と、回転楕円面状の反射面を持つ集光ミラー１３とを備えた、ガスジェットクラスタ方式の光源である。レーザプラズマ光源１０から放射された露光光ＥＬは、集光ミラー１３の第２焦点に集光する。その第２焦点に集光した露光光ＥＬは、凹面ミラー２１を介してほぼ平行光束となり、露光光ＥＬの照度分布を均一化するための一対のフライアイ光学系２２及び２３からなるオプティカル・インテグレータに導かれる。フライアイ光学系２２及び２３のより具体的な構成及び作用については、例えば米国特許第６，４５２，６６１号明細書に開示されている。
【００２１】
図１において、フライアイ光学系２３の反射面の近傍の面は、照明光学系ＩＬＳの瞳面であり、この瞳面又はこの近傍の位置に開口絞りＡＳが配置されている。開口絞りＡＳは、種々の形状の開口を有する複数の開口絞りを代表的に表している。主制御系３１の制御のもとで、開口絞りＡＳを交換することによって、照明条件を通常照明、輪帯照明、２極照明、又は４極照明等に切り換えることができる。
【００２２】
開口絞りＡＳを通過した露光光ＥＬは、一度集光した後に曲面ミラー２４に入射し、曲面ミラー２４で反射された露光光ＥＬは、凹面ミラー２５で反射された後、ブラインド板２６Ａの円弧状のエッジ部で−Ｙ方向の端部が遮光された後、レチクルＲのパターン面に対して、斜め下方から、均一な照度分布を有する円弧状の照明領域２７Ｒで照明する。曲面ミラー２４と凹面ミラー２５とからコンデンサ光学系が構成されている。コンデンサ光学系によって、第２フライアイ光学系２３を構成する多数の反射ミラー要素からの光がレチクル面を重畳的に照明することによって、レチクル面に照明領域２７Ｒが形成される。なお、図１の例では、曲面ミラー２４は凸面ミラーであるが、曲面ミラー２４を凹面ミラーより構成し、その分だけ凹面ミラー２５の曲率を小さくするようにしてもよい。凹面ミラー２１、フライアイ光学系２２，２３、開口絞りＡＳ、曲面ミラー２４、及び凹面ミラー２５を含んで照明光学系ＩＬＳが構成されている。なお、照明光学系ＩＬＳの構成は任意であり、例えば露光光ＥＬのレチクル面に対する入射角をさらに小さくするために、例えば凹面ミラー２５とレチクルＲとの間にミラーを配置してもよい。
【００２３】
レチクルＲの照明領域２７Ｒで反射した露光光ＥＬは、ブラインド板２６Ｂの円弧状のエッジ部で＋Ｙ方向の端部が遮光された後、投影光学系ＰＯに入射する。投影光学系ＰＯを通過した露光光ＥＬは、ウエハＷ上の露光領域（照明領域２７Ｒと共役な領域）２７Ｗに投影される。なお、ブラインド板２６Ａ，２６Ｂは、例えば照明光学系ＩＬＳ内のレチクル面との共役面の近傍に配置してもよい。
【００２４】
次に、レチクルＲは、レチクルステージＲＳＴの底面に静電チャックＲＨを介して吸着保持されている。レチクルステージＲＳＴは、レーザ干渉計（不図示）の計測値及び主制御系３１の制御情報に基づいて、真空チャンバ１の外面のＸＹ平面に平行なガイド面に沿って、例えば磁気浮上型２次元リニアアクチュエータよりなる駆動系（不図示）によってＹ方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Ｘ方向及びθｚ方向（Ｚ軸回りの回転方向）等にも微小量駆動される。レチクルステージＲＳＴを真空チャンバ１側に覆うようにパーティション８が設けられ、パーティション８内は不図示の真空ポンプによって大気圧と真空チャンバ１内の気圧との間の気圧に維持されている。
【００２５】
続いて、図２を参照して、レチクルＲについて説明する。
図２（ａ）は、レチクルＲの断面図である。なお、図２（ａ）では、図１に示したレチクルとは上下を逆にして図示している。
この図に示すレチクルＲは、例えば石英ガラスで形成されたレチクル基板４０上に多層反射膜で形成された第１反射層（第１反射部）４１と、この第１反射層４１上に形成され第１反射層４１の表面４１ａに対して角度θで傾斜する表面４２ａを有する遮光層４２と、上記第１反射層４１と同一の材料の多層反射膜で遮光層４２上に表面４２ａに沿って形成され、第１反射層４１の表面４１ａに対して角度θで傾斜する表面４３ａを有する第２反射層（第２反射部）４３とを有している。
【００２６】
第１反射層４１の表面４１ａと遮光層４２の表面４２ａとが成す角度θは、後述する投影光学系ＰＯの開口数以上に設定される。具体的には、第１反射層４１の表面４１ａは静電チャックＲＨによる保持面と平行に形成されており、図３の光路図に示すように、レチクルＲに入射した露光光ＥＬが、実線で示すように、ミラーＭ１〜Ｍ６で反射した後にウエハＷの表面を照射する方向（第１方向）に反射する。
一方、第２反射層４３は、レチクルＲに入射した露光光ＥＬが、破線で示すように、ミラーＭ１〜Ｍ６で反射した後に、ウエハＷとは異なる位置に配置された受光装置４５に入射する方向（第２方向）に反射する角度θで第１反射層４１の表面４１ａに対して傾斜している。
【００２７】
第１反射層４１及び第２反射層４３を形成する多層反射膜としては、真空に対する屈折率が異なる２種類の物質、例えばモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）とを交互に積層した構成や、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）等の物質と、Ｓｉ、ベリリウム（Ｂｅ）、４ホウ化炭素（Ｂ４Ｃ）等の物質とを組み合わせた構成のものを用いることができる。遮光層４２としては、ニッケル、銀、金、銅、カドニウム、コバルト、クロム、マンガン、シリコン及びこれらの合金を用いることができる。
【００２８】
また、レチクルＲには、第２反射層４３及び遮光層４２を貫通して第１反射層４１を露出させる開口部４４がパターニングされて形成されている。この開口部４４の形状によってレチクルＲのパターン形状、すなわちウエハＷに転写されるパターン形状が規定される。
【００２９】
レチクルＲのパターン面側には、レチクル面に対して例えば斜めに計測光を照射して、レチクル面のＺ方向の位置（Ｚ位置）を計測する光学式のレチクルオートフォーカス系（不図示）が配置されている。主制御系３１は、走査露光中にレチクルオートフォーカス系の計測値に基づいて、例えばレチクルステージＲＳＴ内のＺ駆動機構（不図示）を用いてレチクルＲのＺ位置を許容範囲内に設定する。
【００３０】
投影光学系ＰＯは、一例として、６枚のミラーＭ１〜Ｍ６及び受光装置４５を不図示の鏡筒で保持することによって構成され、物体（レチクルＲ）側に非テレセントリックで、像（ウエハＷ）側にテレセントリックの反射系であり、投影倍率は１／４倍等の縮小倍率である。レチクルＲの照明領域２７Ｒで反射された露光光ＥＬが、投影光学系ＰＯを介してウエハＷ上の露光領域２７Ｗに、レチクルＲのパターンの一部の縮小像を形成する。
【００３１】
投影光学系ＰＯにおいて、レチクルＲからの露光光ＥＬは、ミラーＭ１で上方（＋Ｚ方向）に反射され、続いてミラーＭ２で下方に反射された後、ミラーＭ３で上方に反射され、ミラーＭ４で下方に反射される。次にミラーＭ５で上方に反射された露光光ＥＬのうち、レチクルＲの第１反射層４１で反射された露光光ＥＬは、ミラーＭ６で下方に反射されて、ウエハＷ上にレチクルＲのパターンの一部の像を形成し、レチクルＲの第２反射層４３で反射された露光光ＥＬは、ミラーＭ６で下方に反射されて、受光装置４５に入射する（図３参照）。一例として、ミラーＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ６は凹面鏡であり、他のミラーＭ５は凸面鏡である。
【００３２】
受光装置４５としては、ここでは開口部４６ａを有し内面がカーボンコートされた筺体４６が用いられている。開口部４６ａの開口径は、集光する露光光ＥＬの集光径以上に形成されている。また、筺体４６内部の奥行き（露光光ＥＬが入射する方向の長さ）は、開口部４６の開口径に対して十分大きな長さ（例えば開口径の１０倍以上）に設定されている。
【００３３】
一方、ウエハＷは、静電チャック（不図示）を介してウエハステージＷＳＴ上に吸着保持されている。ウエハステージＷＳＴは、ＸＹ平面に沿って配置されたガイド面上に配置されている。ウエハステージＷＳＴは、レーザ干渉計（不図示）の計測値及び主制御系３１の制御情報に基づいて、例えば磁気浮上型２次元リニアアクチュエータよりなる駆動系（不図示）によってＸ方向及びＹ方向に所定ストロ−クで駆動され、必要に応じてθｚ方向等にも駆動される。
【００３４】
ウエハステージＷＳＴ上のウエハＷの近傍には、例えばレチクルＲのアライメントマークの像を検出する空間像計測系２９が設置され、空間像計測系２９の検出結果が主制御系３１に供給されている。主制御系３１は、空間像計測系２９の検出結果から投影光学系ＰＯの光学特性（諸収差、あるいは波面収差等）を求めることができ、一例としてその光学特性が所定の許容範囲内に維持されるように、ミラーＭ１等の反射面の形状（面形状）を、不図示の駆動装置を用いてアクティブに制御する。なお、その光学特性は、テストプリント等で求めることも可能である。さらに、露光光ＥＬの照射熱によるミラーＭ１等の面形状の変形は予測できるため、露光中の面形状の変形を相殺するようにミラーＭ１等の面形状をアクティブに制御することも可能である。
【００３５】
露光の際には、ウエハＷ上のレジストから生じるガスが投影光学系ＰＬのミラーＭ１〜Ｍ６に悪影響を与えないように、ウエハＷはパーティション７の内部に配置される。パーティション７には露光光ＥＬを通過させる開口が形成され、パーティション７内の空間は、真空ポンプ（不図示）により真空排気されている。
ウエハＷ上の１つのショット領域（ダイ）を露光するときには、露光光ＥＬが照明光学系ＩＬＳによりレチクルＲの照明領域２７Ｒに照射され、レチクルＲとウエハＷとは投影光学系ＰＯに対して投影光学系ＰＯの縮小倍率に従った所定の速度比でＹ方向に同期して移動する（同期走査）。このようにして、レチクルパターンはウエハＷ上の一つのショット領域に露光される。その後、ウエハステージＷＳＴを駆動してウエハＷをステップ移動した後、ウエハＷ上の次のショット領域に対してレチクルＲのパターンが走査露光される。このようにステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷ上の複数のショット領域に対して順次レチクルＲのパターンの像が露光される。
【００３６】
続いて、上記のレチクルＲを製造する方法について、図２を参照して説明する。
まず、図２（ｂ）に示すように、イオンビームスパッタリング法等によりレチクル基板４０上に第１反射層４１を全面的に成膜するとともに、第１反射層４１上にめっき法等により遮光層４２を全面的に成膜する。
【００３７】
次に遮光層４２の表面４２ａを、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）と称される表面の平坦化処理により、第１反射層４１の表面４１ａに対して角度θで傾斜させる。そして、遮光層４２の表面４２ａ上に上述したスパッタリング法等により、図２（ｄ）に示すように、表面４２ａに沿って第２反射層４３を成膜する。この後、パターニング用レジスト（不図示）を第２反射層４３上に塗布し、電子線により開口部Ｋの形状に応じてパターン描画処理を行う。そして、レジスト現像後にエッチング処理により、開口部Ｋの位置にある遮光層４２及び第２反射膜４３を除去することにより、図２（ａ）に示した反射型のレチクルＲを得ることができる。
【００３８】
上記のレチクルＲを用いた露光処理においては、図３に示すように、レチクルＲに入射光として入射角αで入射した露光光ＥＬのうち、第１反射層４１の表面４１ａで出射角αで反射した露光光ＥＬは、ミラーＭ１〜Ｍ６を順次反射した後にウエハＷの露光領域Ｗに、開口部Ｋの形状で規定されるパターンの像を結像する。
【００３９】
一方、レチクルＲに入射した露光光ＥＬのうち、第２反射層４３の表面４３ａで出射角β（β＝α−θ）で反射した露光光ＥＬは、ミラーＭ１〜Ｍ６を順次反射した後に開口部４６ａを介して受光装置４５の筺体４６内に入射する。筺体４６の内面はカーボンコートされているため、入射した露光光ＥＬは吸光され、また２次電子を放出することなく捕捉される。
【００４０】
このように、本実施の形態では、レチクルＲに入射した露光光ＥＬは、第１反射層４１及び第２反射層４３の双方で反射されるため、特に遮光部において生じる２次電子の放出を大幅に抑制することができる。そのため、本実施形態では、カーボン系分子が除去しきれない状況であっても、当該カーボン系分子がレチクルＲに固着することで発生する汚染物質を効果的に抑制することが可能になる。特に、本実施形態では、第１反射層４１の表面４１ａに対して第２反射層４３の表面層４３ａを傾斜させるという簡単な構成を採っているため、容易、且つ低コストで汚染物質の発生を効果的に抑制することができる。加えて、本実施形態では、第１反射層４１及び第２反射層４３を同一材料で形成しているため、材料調達に要するコストも低減することができる。
【００４１】
また、本実施形態では、ウエハＷに入射しない露光光ＥＬを受光装置４５によって捕捉するため、この露光光ＥＬが迷光としてウエハＷに対するパターン転写に悪影響を及ぼすことを回避できる。特に、本実施形態では、受光装置４５における筺体４６の内面にカーボンコートを施すことにより、効果的に露光光ＥＬを捕捉することができる。
【００４２】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００４３】
例えば、上記実施形態では、第１反射層４１上に遮光層４２を成膜し、この遮光層４２上に第２反射部としての第２反射層４３を成膜する構成としたが、これに限定されるものではなく、例えば図４に示すように、第１反射層４１の表面４１ａに対して角度θで傾斜する表面４２ａが鏡面処理された金属膜の遮光層４２を第２反射部としてもよい。
この場合、反射率は多層反射膜よりも劣る可能性はあるが、元々第２反射部で反射する露光光ＥＬはウエハＷへのパターン転写に寄与せず、また、鏡面処理を施さない遮光層と比較して、露光光ＥＬに対する反射率が向上することにより２次電子の放出量を低減することができ、汚染物質の発生を抑制することが可能になる。
【００４４】
また、上記実施形態では、受光装置４５として内面にカーボンコートが施された筺体４６を用いる構成としたが、この他に、例えば図５に示すように、内部に散乱面４７ａを有する散乱部材４７と、散乱した露光光の照射量を計測する計測装置４８とが設けられた筺体４９を有し、開口部４９ａを介して露光光ＥＬを入射させる構成としてもよい。この構成では、入射した露光光ＥＬが散乱面４７ａで散乱することで空間的に積分し内壁全面を均一光にし、計測装置４８が計測した照射量を主制御装置３１に出力する。主制御装置３１では、予め計測装置４８の計測結果とウエハＷに照射される露光光ＥＬの光量との相関関係、すなわちレチクルＲの第２反射部で反射した露光光ＥＬの光量と、レチクルＲの第１反射部で反射した露光光ＥＬの光量との相関関係を求めて記憶しておき、計測装置４８の計測結果をモニターすることにより、ウエハＷに対する露光光ＥＬの照射量をモニターすることができる。そのため、経時変化等により、ウエハＷに対する露光光ＥＬの照射量が変動した場合には、光源１０の出力を上げたり、露光処理を停止させてメンテナンス処理に移行させる等、迅速な対応が可能になる。
【００４５】
上記各実施形態の感光性基板としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００４６】
露光装置１００としては、レチクルＲとウエハＷとを同期移動してレチクルＲのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、レチクルＲとウエハＷとを静止した状態でレチクルＲのパターンを一括露光し、ウエハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明はウエハＷ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００４７】
また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのレチクルのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。
【００４８】
露光装置１００の種類としては、ウエハＷに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００４９】
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図６は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００５０】
まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
【００５１】
次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００５２】
図７は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。  
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００５３】
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００５４】
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。
【符号の説明】
【００５５】
４０…レチクル基板（基板）、  ４１…第１反射層（第１反射部）、  ４２…遮光層、  ４３…第２反射層（第２反射部）、  ４５…受光装置、  ４７…散乱部材、  ４７ａ…散乱面、  １００…露光装置、  ＩＬＳ…照明光学系、  ＰＯ…投影光学系、  Ｒ…レチクル（反射型マスク）、  Ｗ…ウエハ（感光性基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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