(57)【要約】【課題】基板上に供給された樹脂の硬化不良の発生を低減するインプリント装置を提供する。【解決手段】基板上の樹脂にパターン面を有するモールドを押し付けた状態で当該樹脂を硬化させることで前記基板上にパターンを形成するインプリントを行うインプリント装置であって、基板上に光硬化型の樹脂を供給する供給部と、前記供給部によって基板上に供給された光硬化型の樹脂に光を照射して当該樹脂を硬化させる照射部と、前記照射部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記供給部が前記基板上に光硬化型の樹脂を供給したときから当該樹脂に前記モールドが接触したときまでの時間が長いほど、インプリントを行う際に樹脂に照射する光の照射量が大きくなるように前記照射部を制御することを特徴とするインプリント装置を提供する。【選択図】図１
2011151093.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の樹脂にパターン面を有するモールドを押し付けた状態で当該樹脂を硬化させることで前記基板上にパターンを形成するインプリントを行うインプリント装置であって、
基板上に光硬化型の樹脂を供給する供給部と、
前記供給部によって基板上に供給された光硬化型の樹脂に光を照射して当該樹脂を硬化させる照射部と、
前記照射部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記供給部が前記基板上に光硬化型の樹脂を供給したときから当該樹脂に前記モールドが接触したときまでの時間が長いほど、インプリントを行う際に樹脂に照射する光の照射量が大きくなるように前記照射部を制御することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記時間と、当該時間に対応する光硬化型の樹脂を硬化させるために必要な前記照射量との関係を表すテーブルを保持し、前記テーブルを参照して前記照射量を決定することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、インプリントを行う際に樹脂に照射する光の照射時間、強度、又は、照射時間及び強度の両方を変更することで前記照射量を制御することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記供給部が前記基板上に光硬化型の樹脂を供給したときから当該樹脂に前記モールドが接触する前までの時間が予め定められた時間を超えた場合に、インプリントを行わずに前記基板上に供給された光硬化型の樹脂に光を照射して当該樹脂を硬化させることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記基板上に供給された光硬化型の樹脂に前記モールドを押し付けた際に前記モールドに働く力を検出するロードセルを更に有し、
前記供給部が前記基板上に光硬化型の樹脂を供給したときから当該樹脂に前記モールドが接触したときまでの時間は、前記基板上に光硬化型の樹脂を供給するための供給指令が前記供給部に入力されてから前記ロードセルが前記モールドに働く力を検出するまでの時間であることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記光硬化型の樹脂は、ラジカル重合型の樹脂であることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記基板上の複数のショット領域のそれぞれに形成された第１のマークと、前記モールドに形成された第２のマークとを検出する検出部を更に有し、
前記複数のショット領域のそれぞれについて、前記複数のショット領域のうち１つのショット領域に対するインプリントを行う前に、前記検出部によって前記第１のマークと前記第２のマークとを検出して前記１つのショット領域と前記モールドとの位置ずれを求め、当該位置ずれに基づいて前記１つのショット領域と前記モールドとの位置合わせを行うことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて樹脂のパターンを基板に形成するステップと、
前記パターンが形成された基板を加工するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、微細なパターンの形成を可能にするインプリント技術は、半導体デバイスを製造するための技術として注目されている。インプリント技術は、シリコンウエハやガラスプレート等の基板上の樹脂に微細なパターンが形成された原版（モールド）を押し付けた状態で、樹脂を硬化させて基板上に微細なパターンを形成する。
【０００３】
インプリント技術には、幾つかの樹脂硬化法があり、かかる樹脂硬化法の１つとして光硬化法が従来から提案されている（特許文献１参照）。光硬化法では、紫外線硬化型の樹脂に透明なモールドを押し付けた状態で紫外線を照射し、樹脂を感光及び硬化させてからモールドを剥離（離型）する。光硬化法によるインプリント技術は、比較的容易に温度を制御することができることや透明なモールド越しに基板上のアライメントマークを観察することができることなどから、半導体デバイスの製造に適している。また、光硬化法によるインプリント技術では、紫外線硬化型の樹脂として、主に、ラジカル重合型の樹脂が使用されている（非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００５−５３３３９３号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】「カオチン重合方式を用いたＵＶ硬化型インクジェットインクの開発」  ＫＯＮＩＣＡ  ＭＩＮＯＬＴＡ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ  ＲＥＰＯＲＴ  ＶＯＬ．４  （２００７）、ｐ５７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ラジカル重合型の樹脂は、非特許文献１で説明されているように、空気に接する表面近傍の活性ラジカルが酸素にクエンチされて失活する重合阻害によって樹脂の硬化性が低下するという欠点がある。インプリント技術において、このような酸素による樹脂の硬化阻害が発生すると、硬化不良の樹脂がモールドの離型時にモールドのパターン面に付着し、次のショット領域にパターンを転写する際に悪影響を及ぼしてしまう。特に、特許文献１のように、紫外線硬化型の樹脂を基板上に液滴として吐出する場合、樹脂の総量に対して空気に接する樹脂の面積が大きくなるため、酸素による樹脂の硬化阻害がより重大な問題となる。
【０００７】
そこで、本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、基板上に供給された樹脂の硬化不良の発生を低減する技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上の樹脂にパターン面を有するモールドを押し付けた状態で当該樹脂を硬化させることで前記基板上にパターンを形成するインプリントを行うインプリント装置であって、基板上に光硬化型の樹脂を供給する供給部と、前記供給部によって基板上に供給された光硬化型の樹脂に光を照射して当該樹脂を硬化させる照射部と、前記照射部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記供給部が前記基板上に光硬化型の樹脂を供給したときから当該樹脂に前記モールドが接触したときまでの時間が長いほど、インプリントを行う際に樹脂に照射する光の照射量が大きくなるように前記照射部を制御することを特徴とする。
【０００９】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、例えば、基板上に供給された樹脂の硬化不良の発生を低減する技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示すインプリント装置の動作を説明するためのフローチャートである。
【図３】図２に示すＳ２１２のインプリントを詳細に説明するためのフローチャートである。
【図４】図１に示すインプリント装置の供給部が基板の上に樹脂を供給したときから樹脂にモールドが接触したときまでの時間と、かかる時間に対応する樹脂を硬化させるために必要な照射量との関係を示すグラフである。
【図５】図２に示すＳ２１２のインプリントを詳細に説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１３】
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、基板上の樹脂にパターン面を有するモールドを押し付けた状態で、かかる樹脂を硬化させて基板上にパターンを形成する（以下、「インプリント」と称する）。インプリント装置１は、図１に示すように、基板ステージ１０と、第１の計測部２０と、モールド３０を保持するモールドチャック４２と、モールドステージ４４と、第２の計測部５０とを有する。更に、インプリント装置１は、照射部６０と、モールド駆動部７０と、ギャップセンサ８０と、ロードセル９０と、検出部１００と、供給部１１０と、制御部１２０とを有する。
【００１４】
基板ステージ１０は、基板チャック１２と、微動ステージ１４と、ＸＹステージ１６とを含む。基板チャック１２は、基板ＳＴを保持し、微動ステージ１４の上に配置される。微動ステージ１４は、基板ＳＴのθ（ｚ軸周りの回転）方向の位置を調整（補正）する機能、基板ＳＴのｚ軸方向の位置を調整する機能及び基板ＳＴの傾きを調整する機能を有し、ＸＹステージ１６の上に配置される。ＸＹステージ１６は、ｘ軸方向及びｙ軸方向の２つの軸に沿って基板ＳＴを駆動して、基板ＳＴを所定の位置に位置決めする。
【００１５】
第１の計測部２０は、レーザ干渉計２２と、微動ステージ１４の上に配置されてレーザ干渉計２２からの光を反射する干渉計ミラー２４とを含み、微動ステージ１４の位置、即ち、基板ＳＴの位置を計測する。
【００１６】
モールド３０は、照射部６０からの光を透過する材料で構成され、基板ＳＴに転写すべきパターン（凹凸パターン）が形成されたパターン面を有する。モールド３０は、機械的保持機構（不図示）を介して、モールドステージ４４の上に配置されたモールドチャック４２に固定される。
【００１７】
モールドステージ４４は、モールド３０（モールドチャック４２）のθ（ｚ軸周りの回転）方向の位置を調整（補正）する機能及びモールド３０の傾きを調整する機能を有する。
【００１８】
第２の計測部５０は、レーザ干渉計５２と、モールドチャック４２の側面に配置されてレーザ干渉計５２からの光を反射する干渉計ミラー５４とを含み、モールドチャック４２の位置、即ち、モールド３０の位置を計測する。なお、モールドチャック４２の側面に干渉計ミラー５４を配置するのではなく、モールドチャック４２の側面を反射面とすることも可能である。
【００１９】
照射部６０は、光源６２と、コリメータレンズ６４とを含み、光源６２からの光（例えば、紫外光）を、コリメータレンズ６４を介して、基板ＳＴの上に供給（塗布）された樹脂に照射する。後述するように、本実施形態では、基板ＳＴの上に供給される樹脂は光硬化型の樹脂であるため、かかる樹脂は照射部６０からの光の照射によって硬化する。なお、モールドチャック４２及びモールドステージ４４のそれぞれには、照射部６０からの光を通過させる開口が設けられている。
【００２０】
モールド駆動部７０は、ガイドバー７２と、ガイドプレート７４と、アクチュエータ７６とを含む。ガイドバー７２は、その一端がモールドステージ４４に固定され、他端がガイドプレート７４に固定される。アクチュエータ７６は、例えば、エアシリンダ又はリニアモータで構成され、ガイドバー７２を上下方向（ｚ軸方向）に駆動する。モールド駆動部７０は、モールド３０を下方向に駆動することによって、基板ＳＴの上の樹脂にモールド３０を押し付ける。また、モールド駆動部７０は、モールド３０を上方向に駆動することによって、基板ＳＴの上の樹脂からモールド３０を剥離（離型）する。
【００２１】
ギャップセンサ８０は、例えば、静電容量センサで構成され、基板チャック１２に保持された基板ＳＴの高さ（平坦度）を計測する。
【００２２】
ロードセル９０は、モールドチャック４２に配置され、基板ＳＴの上の樹脂にモールド３０を押し付けた際にモールド３０に働く力と、基板ＳＴの上の樹脂からモールド３０を剥離する際にモールド３０に働く力とを検出する。なお、本実施形態では、ロードセル９０は、モールドチャック４２に配置されているが、モールドステージ４４に配置してもよい。
【００２３】
検出部１００は、基板ＳＴに形成された（基板上の複数のショット領域のそれぞれに形成された）アライメントマーク（第１のマーク）と、モールド３０に形成されたアライメントマーク（第２のマーク）とを検出する。また、検出部１００は、微動ステージ１４に載置された基準マーク台上の基準マークＲＭも検出する。検出部１００は、例えば、ＴＴＭ（スルー・ザ・モールド）アライメントスコープで構成される。
【００２４】
供給部１１０は、樹脂を液滴として吐出する複数のディスペンサヘッドを含み、基板ＳＴの上（即ち、インプリントすべきショット領域）に樹脂を供給（塗布）する機能を有する。具体的には、供給部１１０を構成するディスペンサヘッドから樹脂を吐出しながら基板ステージ１０を駆動することで、基板ＳＴの上に樹脂を塗布することが可能となる。なお、本実施形態では、供給部１１０は、光硬化型の樹脂、詳細には、ラジカル重合型の樹脂を供給する。
【００２５】
制御部１２０は、ＣＰＵやメモリを含み、インプリント装置１の各部を制御して、インプリント装置１を動作させる。なお、インプリント装置１の各部とは、例えば、微動ステージ１４、ＸＹステージ１６、レーザ干渉計２２及び５２、モールドステージ４４、光源６２、アクチュエータ７６、ギャップセンサ８０、ロードセル９０、検出部１００、供給部１１０などを含む。後述するように、制御部１２０は、供給部１１０が基板ＳＴの上に樹脂を供給したときから、かかる樹脂にモールド３０が接触したときまでの時間が長いほど、インプリントを行う際に樹脂に照射する光の照射量が大きくなるように照射部６０を制御する。また、制御部１２０は、供給部１１０が基板ＳＴの上に樹脂を供給したときから、かかる樹脂にモールド３０が接触する前までの時間が予め定めたれた時間を超えた場合に、インプリントを行わずに樹脂に光を照射するように照射部６０を制御する。この際、制御部１２０は、供給部１１０が基板ＳＴの上に樹脂を供給したときからの時間を計測する計測部としても機能する。
【００２６】
以下、インプリント装置１の動作について説明する。ここでは、複数の基板ＳＴに対して、同一のモールド３０を用いて、あるレイヤのパターンを形成するインプリントを行う場合について説明する。図２は、インプリント装置１の動作を説明するためのフローチャートである。
【００２７】
図２を参照するに、Ｓ２０２では、インプリント装置１にモールド３０を搬入し、かかるモールド３０をモールドチャック４２に固定する。Ｓ２０４では、モールド３０のアライメント（位置合わせ）を行う。具体的には、検出部１００によって、モールド３０に形成されたアライメントマークと、微動ステージ１４に載置された基準マーク台上の基準マークＲＭとを同時に検出する。そして、検出部１００の検出結果に基づいて、モールドステージ４４によってモールド３０の位置を調整する（特に、モールド３０のθ（ｚ軸周りの回転）方向の位置合わせを行う）。
【００２８】
Ｓ２０６では、インプリント装置１に基板ＳＴを搬入し、かかる基板ＳＴを基板チャック１２に保持させる。Ｓ２０８では、ＸＹステージ１６によって基板ＳＴを駆動させながら、ギャップセンサ８０によって基板ＳＴの全面の高さ（平坦度）を計測する。なお、ギャップセンサ８０による計測結果は、インプリントを行う（モールド３０を樹脂に押し付ける）際において、装置の基準平面に対して基板ＳＴ（のショット領域）を位置合わせするために使用される。
【００２９】
Ｓ２１０では、基板ＳＴのプリアライメントを行う。具体的には、プリアライメント計測部（不図示）によって基板ＳＴに形成されたプリアライメントマークを計測して、インプリント装置１に対する基板ＳＴのｘ軸方向及びｙ軸方向の位置ずれを求める。そして、インプリント装置１に対する基板ＳＴの位置ずれに基づいて、微動ステージ１４やＸＹステージ１６によって基板ＳＴの位置を調整する。
【００３０】
Ｓ２１２では、基板ＳＴの上の複数のショット領域のそれぞれに対して、モールド３０のパターンを形成するインプリントを行う。なお、Ｓ２１２のインプリントについては、後で詳細に説明する。Ｓ２１４では、複数のショットの全てに対してインプリントが行われた基板ＳＴをインプリント装置１から搬出する。
【００３１】
Ｓ２１６では、インプリントを行うべき基板ＳＴが存在するかどうかを判定する。インプリントを行うべき基板ＳＴが存在する場合には、Ｓ２０６に移行して、かかる基板ＳＴをインプリント装置１に搬入する。一方、インプリントを行うべき基板ＳＴが存在しない場合には、Ｓ２１８において、モールド３０をインプリント装置１から搬出して、動作を終了する。
【００３２】
ここで、図３を参照して、図２に示すＳ２１２のインプリントについて詳細に説明する。Ｓ３０２では、ＸＹステージ１６によって基板ＳＴを駆動して、インプリントを行うべきショット領域（以下、「目的ショット領域」とする）を供給部１１０の下に配置する。
【００３３】
Ｓ３０４では、供給部１１０によって基板ＳＴの上の目的ショット領域に樹脂を供給すると共に、制御部１２０によって供給部１１０が基板ＳＴの上に樹脂を供給したときからの時間の計測を開始する。具体的には、制御部１２０は、基板ＳＴの上に樹脂を供給するための供給指令を供給部１１０に入力したときから時間の計測を開始する。
【００３４】
Ｓ３０６では、ＸＹステージ１６によって基板ＳＴを駆動して、目的ショット領域をモールド３０（のパターン面）に対向する位置に配置する。この際、ギャップセンサ８０による計測結果を用いて、微動ステージ１４によって基板ＳＴのｚ軸方向の位置及び傾きを調整して、装置の基準平面に対する目的ショット領域の位置合わせも行う。
【００３５】
Ｓ３０８では、モールド３０と基板ＳＴとのアライメント（位置合わせ）を行う。具体的には、検出部１００によって、モールド３０に形成されたアライメントマークと、基板ＳＴの上の目的ショット領域に形成されたアライメントマークとを同時に検出する。そして、検出部１００の検出結果に基づいて、モールド３０と基板ＳＴとの相対的な位置ずれ（ｘ軸方向、ｙ軸方向及びθ方向の位置ずれ）を求め、かかる位置ずれが低減するように、モールド３０の位置や基板ＳＴの位置を調整する。
【００３６】
なお、モールド３０と基板ＳＴとのアライメントにおいては、基板ＳＴに形成されたアライメントマークの形状や反射率などに何らの問題があると、アライメントマークの探索やアライメントマークを照明する光の調整などが必要となる。その結果、モールド３０と基板ＳＴとのアライメントに費やされる時間が増加し、基板ＳＴの上に供給された光硬化型の樹脂が空気（酸素）に接している時間も増加することになるため、酸素による樹脂の硬化阻害が発生してしまう。
【００３７】
Ｓ３１０では、モールド駆動部７０によってモールド３０を下方向に駆動する（即ち、モールド３０を下降させる）。Ｓ３１２では、モールドチャック４２に配置されたロードセル９０の出力に基づいて、基板ＳＴの上に供給された樹脂にモールド３０が接触（接液）したかどうかを判定する。基板ＳＴの上に供給された樹脂にモールド３０が接触していないと判定された場合には、かかる判定を継続する。一方、基板ＳＴの上に供給された樹脂にモールド３０が接触したと判定された場合には、Ｓ３１４に移行する。なお、基板ＳＴの上に供給された樹脂にモールド３０が接触すると、モールド３０に働く力が増加するため、ロードセル９０の出力がモールド３０の下降後に増加すれば、基板ＳＴの上に供給された樹脂にモールド３０が接触したと判定することができる。
【００３８】
Ｓ３１４では、制御部１２０によって供給部１１０が基板ＳＴの上に樹脂を供給したときからの時間の計測を終了する。具体的には、制御部１２０は、ロードセル９０がモールド３０に働く力を検出したときに、供給部１１０が基板ＳＴの上に樹脂を供給したときからの時間の計測を終了する。これにより、供給部１１０が基板ＳＴの上に樹脂を供給したときから、かかる樹脂にモールド３０が接触したときまでの時間（即ち、樹脂が空気に接していた時間）が計測される。
【００３９】
Ｓ３１６では、モールドチャック４２に配置されたロードセル９０の出力に基づいて、モールド３０の押し付け力が適切であるかどうかを判定する。モールド３０の押し付け力が適切でない場合には、Ｓ３１８において、基板ＳＴの上に供給された樹脂にモールド３０を接触させた状態を維持したまま、モールド３０の押し付け力が適切になるように調整して、Ｓ３１６に移行する。具体的には、モールド駆動部７０によってモールド３０のｚ軸方向の位置を変更したり、微動ステージ１４によって基板ＳＴのｚ軸方向の位置を変更したりすることによって、モールド３０の押し付け力の調整を行う。一方、モールド３０の押し付け力が適切である場合には、Ｓ３２０に移行する。
【００４０】
Ｓ３２０では、制御部１２０によって、Ｓ３０２からＳ３１４で計測された時間、即ち、供給部１１０が基板ＳＴの上に樹脂を供給したときから、かかる樹脂にモールド３０が接触したときまでの時間に応じて、樹脂に照射する光の照射量を決定する。具体的には、制御部１２０は、図４に示すグラフをテーブルとしてメモリに保持し、かかるテーブルを参照して基板ＳＴの上に供給された樹脂に照射する光の照射量を決定する。図４に示すグラフは、供給部１１０が基板ＳＴの上に樹脂を供給したときから樹脂にモールド３０が接触したときまでの時間と、かかる時間に対応する樹脂を硬化させるために必要な照射量との関係を示している。上述したように、基板ＳＴの上に供給された樹脂が空気に接していた時間が長いほど、酸素による樹脂の硬化阻害が大きくなる。そこで、本実施形態では、供給部１１０が基板ＳＴの上に樹脂を供給したときから、かかる樹脂にモールド３０が接触したときまでの時間が長いほど、樹脂に照射する光の照射量を大きくしている。
【００４１】
Ｓ３２２では、照射部６０によって、基板ＳＴの上に供給された樹脂に光を照射する。この際、制御部１２０は、基板ＳＴの上に供給された樹脂に照射される光の照射量がＳ３２０で決定された照射量となるように、照射部６０が照射する光の照射量を制御する。具体的には、制御部１２０は、基板ＳＴの上に供給された樹脂に照射する光の照射時間、強度、又は、照射時間及び強度の両方を変更することで、照射部６０が照射する光の照射量を制御する。これにより、酸素による樹脂の硬化阻害に起因する樹脂の硬化不良を防止（低減）しながら、樹脂を硬化させることができる。
【００４２】
Ｓ３２４では、モールド駆動部７０によってモールド３０を上方向に駆動して（即ち、モールド３０を上昇させて）、基板ＳＴの上の硬化した樹脂からモールド３０を剥離する。
【００４３】
Ｓ３２６では、基板ＳＴの上の全てのショット領域に対してインプリントを行ったかどうかを判定する。基板ＳＴの上の全てのショット領域に対してインプリントを行っていない場合には、Ｓ３０２に移行し、ＸＹステージ１６によって基板ＳＴを駆動して、インプリントを行うべき次のショット領域（目的ショット領域）を供給部１１０の下に配置する。一方、基板ＳＴの上の全てのショット領域に対してインプリントを行った場合には、Ｓ３２８に移行する。Ｓ３２８では、ＸＹステージ１６によって基板ＳＴを駆動して、インプリント装置１から基板ＳＴを搬出するための搬出位置に基板ＳＴを配置する。
【００４４】
本実施形態のインプリント装置１では、インプリントを行う際に、基板ＳＴの上に樹脂を供給したときから、かかる樹脂にモールド３０が接触したときまでの時間（即ち、樹脂が空気に接していた時間）に応じて、樹脂に照射する光の照射量を制御している。従って、インプリント装置１は、酸素による樹脂の硬化阻害に起因する樹脂の硬化不良を防止すると共に、モールド３０のパターン面に付着した硬化不良の樹脂によるパターンの転写不良の拡大を防止することができる。
【００４５】
なお、光硬化型の樹脂が空気に接していた時間が著しく長い場合には、樹脂に照射する光の照射量を大きくしても硬化不良が発生してしまったり、スループットの低下を招いてしまったりする。このような場合には、図５に示すように、Ｓ２１２のインプリントを行えばよい。図５は、図２に示すＳ２１２のインプリントを詳細に説明するためのフローチャートである。但し、図５に示すＳ５０２乃至Ｓ５２８は、図３に示すＳ３０２乃至Ｓ３２８と同じであるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００４６】
Ｓ５４２では、Ｓ５０４で計測を開始した時間（即ち、供給部１１０が基板ＳＴの上に樹脂を供給したときから、かかる樹脂にモールド３０が接触する前までの時間）が予め定められた時間を超えているかどうかを判定する。なお、予め定められた時間には、スループットの観点から１つのショット領域に対してインプリントを行う際に許容される最大時間などが設定される。
【００４７】
Ｓ５０４で計測を開始した時間が予め定められた時間を超えていない場合には、Ｓ５１０に移行する。一方、Ｓ５０４で計測を開始した時間が予め定められた時間を超えている場合には、Ｓ５４４に移行する。
【００４８】
Ｓ５４４では、モールド３０を下降させずに（即ち、インプリントを行わずに）、照射部６０によって、基板ＳＴの上に供給された樹脂に光を照射する。この際、制御部１２０は、基板ＳＴの上に供給された樹脂を硬化させるために必要な照射量となるように、照射部６０が照射する光の照射量を制御する。但し、モールド３０を樹脂に接触させていないため、基板ＳＴの上に供給された樹脂を完全に硬化させる必要はなく、基板ＳＴの駆動によって樹脂が基板ＳＴの上を移動しない程度に硬化させればよい。
【００４９】
Ｓ５４６では、基板ＳＴの上の目的ショット領域に対してインプリントを行っていない（即ち、目的ショット領域にパターンが形成されていない）旨を通知して、Ｓ５２６に移行する。
【００５０】
このように、供給部１１０が基板ＳＴの上に樹脂を供給したときから、かかる樹脂にモールド３０が接触する前までの時間が予め定められた時間を超えた場合には、インプリントを行わずに基板ＳＴの上の樹脂に光を照射して樹脂を硬化させる。これにより、スループットの低下を防止すると共に、モールド３０のパターン面に硬化不良の樹脂が付着することを防止することができる。
【００５１】
また、本実施形態では、モールド３０と基板ＳＴとのアライメントにおいて、ダイバイダイアライメント方式を採用しているが、グローバルアライメント方式を採用してもよい。
【００５２】
物品としてのデバイス（半導体デバイス、液晶表示素子等）の製造方法は、インプリント装置１を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。かかる製造方法は、パターンが転写された基板をエッチングするステップを更に含む。なお、かかる製造方法は、パターンドットメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンが転写された基板を加工する他の加工ステップを含む。
【００５３】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図１】
2011151093.tif 000003
【図２】
2011151093.tif 000004
【図３】
2011151093.tif 000005
【図４】
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【図５】
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