(57)【要約】【課題】  外部端子と積層体内部の導体が確実に導通接続された電子部品を提供し、該電子部品の製造方法において、工程を簡略化し、生産性を向上させる。【解決手段】  本発明の電子部品は、樹脂絶縁層と内部導体パターンと導体板が積み重ねられた積層体を備えており、前記導体板はその一部が前記積層体の表面より外部に突出されており、前記内部導体パターンとは異なる材料で、かつ、Ａｇに比べて半田喰われが生じ難い材料で構成されている。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂絶縁層と内部導体パターンと導体板が積み重ねられた積層体を備え、
前記導体板はその一部が前記積層体の表面より外部に突出されており、
前記内部導体パターンとは異なる材料で、
かつ、Ａｇに比べて半田喰われが生じ難い材料で構成されていること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記導体板が内部導体パターンとしての機能を有していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記導体板の前記積層体の外部への突出部が、前記積層体の表面に沿って折り曲げられていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記導体板の前記積層体の外部への突出部が、前記積層体の表面に沿って前記積層体の実装面方向に折り曲げられ、
前記積層体の実装面を含む面内にて更に折り曲げられていること、
を特徴とする請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記導体板の前記積層体の外部への突出部が、前記積層体の実装面から突出され、
前記積層体の実装面に沿って折り曲げられていること、
を特徴とする請求項３に記載の電子部品。
【請求項６】
前記導体板の前記積層体の外部への突出部が、前記積層体の表面に沿って前記積層体の実装面とは逆の方向に折り曲げられており、
該突出部と該表面の隙間に、前記積層体の表面の少なくとも一部を覆う導電性のシールドケースの端部が挟み込まれていること、
を特徴とする請求項３に記載の電子部品。
【請求項７】
前記導体板の前記積層体の外部への突出部が複数あり、該複数の突出部が前記積層体の積層方向から平面視したときに互いに重なっていないこと、
を特徴とする請求項１乃至６の内いずれか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
内部導体パターンが樹脂絶縁層上に形成されている第１の集合基板と、
前記内部導体パターンとは異なる材料で、かつ、Ａｇに比べて半田喰われが生じ難い材料で構成されている導体板が、樹脂絶縁層上に形成されている第２の集合基板とを準備する工程と、
前記第１の集合基板と前記第２の集合基板を積み重ねることで積層集合体を形成する工程と、
前記積層集合体における所定の樹脂部分を除去することによって、前記導体板が外部に突出されるように、前記積層集合体を積層体に個片化する工程と、
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項９】
内部導体パターンが樹脂絶縁層上に形成されている第１の集合基板と、
前記内部導体パターンとは異なる材料で、かつ、Ａｇに比べて半田喰われが生じ難い材料で構成されている導体板が、樹脂絶縁層上に形成されている第２の集合基板とを準備する工程と、
前記第１の集合基板を分割することで第１の基板に個片化する工程と、
前記第２の集合基板の所定の樹脂部分を除去することによって、前記導体板が外部に突出されるように、前記第２の集合基板を第２の基板に個片化する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板を積み重ねることで積層体を形成する工程と、
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記所定の樹脂部分の除去がレーザ加工またはサンドブラスト加工によって行われることを特徴とする請求項８または９に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記導体板の前記積層体の外部への突出部が複数あり、該複数の突出部が前記積層体の積層方向から平面視したときに互いに重ならないように形成されていること、
を特徴とする請求項８乃至１０の内いずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品およびその製造方法に関し、詳しくは、樹脂絶縁層を介して内部導体パターンが積層されてなる電子部品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、絶縁層と内部導体パターンが交互に積層された積層型の電子部品が種々の用途に広く用いられるに至っている。そして、これまでは、セラミック絶縁層と内部導体パターンが積層された構造を有するセラミック積層型の電子部品が多用されてきたが、近年、樹脂絶縁層と内部導体パターンが積層された構造を有する積層型の電子部品も用いられるに至っている。
【０００３】
ところで、これら積層型の電子部品においては、通常、絶縁層と内部導体パターンを積み重ねて積層体を形成した後、内部導体パターンと導通接続するように外部端子を塗布、スパッタリング、蒸着などによって形成する。特許文献１には、図８に示すような、積層型の電子部品およびその製造方法が開示されている。
【０００４】
図８に記載の電子部品１００の製造方法では、まず、正方形形状を有する絶縁層１０１ａ，１０１ｂの所定の位置に、レーザの照射などによりその厚み方向に貫通してビアホールを形成する。
【０００５】
この後、絶縁層１０１ａ，１０１ｂ上にＡｇを主成分とする導電ペーストをスクリーン印刷し、所望の形状を有する内部導体パターン１０４，引き出し用ビアホール導体１０５ａ，層間接続用ビアホール導体１０５ｂを形成する。
【０００６】
絶縁層１０１ａ，１０１ｂは、例えば図８（Ａ）に示されるような所望の順に積層され、積層体１０９が形成される。これにより、絶縁層１０１ｂに設けられた層間接続用ビアホール導体１０５ｂを介して内部導体パターン１０４が電気的に直列に接続され、絶縁層１０１ｂの積み重ね方向に対して平行な中心軸を有する螺旋状のコイル導体Ｌ１００が形成される。該コイル導体Ｌ１００の両端は引き出し用ビアホール導体１０５ａに電気的に接続され、該引き出し用ビアホール導体１０５ａを介して積層体１０９の両端面に引き出される。引き出し用ビアホール導体１０５ａはコイル導体Ｌ１００の中心軸と平行に配置されており、電子部品１００の実装面１０６の方向にコイル導体Ｌ１００の中心軸からずれて配置されている。
【０００７】
図８（Ｂ）および（Ｃ）に示されるように、積層体１０９の両端面の下部には、実装面１０６へ回り込んで、外部電極端子１０２ａ，１０２ｂがＡｇを主成分とする導電ペーストの塗布によって形成される。外部電極端子１０２ａ，１０２ｂは引き出し用ビアホール導体１０５ａと導通接続するように形成される。図８には図示していないが、外部電極端子１０２ａ，１０２ｂの表面には、はんだ喰われを防止するためにＮｉめっきが施されたのち、Ｓｎめっきが施される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−１３８１２０号公報
【発明の概要】
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上述した従来技術は、絶縁層１０１ａ，１０１ｂを積層することにより積層体１０９を形成した後、外部電極端子１０２ａ，１０２ｂを塗布などの方法により形成するものである。このため、工程が煩雑となり、多大な手間及び労力を要し、生産性を低下させるという問題もあった。さらに、外部電極端子１０２ａ，１０２ｂと引き出し用ビアホール導体１０５ａとの接続部に気泡などの異物が挟み込まれ、外部電極端子１０２ａ，１０２ｂと引き出し用ビアホール導体１０５ａや内部導体パターン１０４との導通接続の信頼性が低下するという問題があった。
【００１１】
そこで、本発明は上記のような問題点を解決するものであり、外部端子と積層体内部の導体が確実に導通接続された電子部品を提供し、該電子部品の製造方法において、工程を簡略化し、生産性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の電子部品は、樹脂絶縁層と内部導体パターンと導体板が積み重ねられた積層体を備え、
前記導体板はその一部が前記積層体の表面より外部に突出されており、前記内部導体パターンとは異なる材料で、かつ、Ａｇに比べて半田喰われが生じ難い材料で構成されていること、を特徴としている。
【００１３】
また、本発明の電子部品は、前記導体板が内部導体パターンとしての機能を有していることが好ましい。
【００１４】
また、本発明の電子部品は、前記導体板の前記積層体の外部への突出部が、前記積層体の表面に沿って折り曲げられていることが好ましい。
【００１５】
また、本発明の電子部品は、前記導体板の前記積層体の外部への突出部が、前記積層体の表面に沿って前記積層体の実装面方向に折り曲げられ、前記積層体の実装面を含む面内にて更に折り曲げられていることが好ましい。
【００１６】
また、本発明の電子部品は、前記導体板の前記積層体の外部への突出部が、前記積層体の実装面から突出され、前記積層体の実装面に沿って折り曲げられていることが好ましい。
【００１７】
また、本発明の電子部品は、前記導体板の前記積層体の外部への突出部が、前記積層体の表面に沿って前記積層体の実装面とは逆の方向に折り曲げられており、
該突出部と該表面の隙間に、前記積層体の表面の少なくとも一部を覆う導電性のシールドケースの端部が挟み込まれていることが好ましい。
【００１８】
また、本発明によれば、内部導体パターンが樹脂絶縁層上に形成されている第１の集合基板と、前記内部導体パターンとは異なる材料で、かつ、Ａｇに比べて半田喰われが生じ難い材料で構成されている導体板が、樹脂絶縁層上に形成されている第２の集合基板とを準備する工程と、前記第１の集合基板と前記第２の集合基板を積み重ねることで積層集合体を形成する工程と、前記積層集合体における所定の樹脂部分を除去することによって、前記導体板が外部に突出されるように、前記積層集合体を積層体に個片化する工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法が提供される。
【００１９】
また、本発明によれば、内部導体パターンが樹脂絶縁層上に形成されている第１の集合基板と、前記内部導体パターンとは異なる材料で、かつ、Ａｇに比べて半田喰われが生じ難い材料で構成されている導体板が、樹脂絶縁層上に形成されている第２の集合基板とを準備する工程と、前記第１の集合基板を分割することで第１の基板に個片化する工程と、前記第２の集合基板の所定の樹脂部分を除去することによって、前記導体板が外部に突出されるように、前記第２の集合基板を第２の基板に個片化する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板を積み重ねることで積層体を形成する工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法が提供される。
【００２０】
また、本発明によれば、前記所定の樹脂部分の除去がレーザ加工またはサンドブラスト加工によって行われることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
以上のように本発明によれば、樹脂絶縁層と内部導体パターンと導体板が積み重ねられた積層体を備え、前記導体板はその一部が前記積層体の表面より外部に突出されることで突出部を形成しており、該突出部が外部端子として機能する。このため、外部端子と積層体内部の導体が確実に導通接続された電子部品を得ることが可能となる。
【００２２】
また、積層体を形成した後に、積層体の表面の所定の位置に外部端子を塗布、スパッタリング、蒸着などの方法により形成する必要がないため、工程が簡略化され、生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１の実施の形態による電子部品の製造方法を説明するためのもので、同図（Ａ）はパターニングおよびビアホール導体の形成が行われる前の樹脂配線層の外観斜視図、同図（Ｂ）はパターニングおよびビアホール導体の形成が行われた後の樹脂配線層（第１の集合基板）の外観斜視図、同図（Ｃ）はパターニングおよびビアホール導体の形成が行われた後の樹脂配線層（第１の集合基板）の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による電子部品の製造方法を説明するためのもので、同図（Ａ）はパターニング前の樹脂配線層の外観斜視図、同図（Ｂ）はパターニング後の樹脂配線層（第２の集合基板）の外観斜視図、同図（Ｃ）はパターニング後の樹脂配線層（第２の集合基板）の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による電子部品の製造方法を説明するためのもので、同図（Ａ）は積層後の積層集合体の断面図、同図（Ｂ）は前記積層集合体の一方の表面からレーザビームを照射した後の積層集合体の状態を示す断面図、同図（Ｃ）は前記積層集合体が切断により個片化されることで得られる積層体の断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による電子部品の構成を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態による電子部品の変形例の構成を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態による電子部品の構成を示すためのもので、同図（Ａ）は分解斜視図、同図（Ｂ）は構成を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態による電子部品の構成を模式的に示すための断面図である。
【図８】従来の電子部品の構成を示すためのものであり、同図（Ａ）は分解斜視図、同図（Ｂ）は外観斜視図、同図（Ｃ）は構成を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下において、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
【００２５】
（実施の形態１）
図１は、本発明の第１の実施の形態による第１の集合基板の製造方法を説明するための図である。同図（Ａ）はパターニングおよびビアホール導体の形成が行われる前の樹脂配線層の外観斜視図である。同図（Ｂ）はパターニングおよびビアホール導体の形成が行われた後の樹脂配線層（第１の集合基板）の外観斜視図、同図（Ｃ）はパターニングおよびビアホール導体の形成が行われた後の樹脂配線層（第１の集合基板）の断面図である。図２は、本発明の第１の実施の形態による第２の集合基板の製造方法を説明するための図である。同図（Ａ）はパターニング前の樹脂配線層の外観斜視図、層図（Ｂ）はパターニング後の樹脂配線層（第２の集合基板）の外観斜視図、同図（Ｃ）はパターニング後の樹脂配線層（第２の集合基板）の断面図である。図３は、本発明の第１の実施の形態による、電子部品の製造方法を説明するための図である。同図（Ａ）は積層後の積層集合体の断面図、同図（Ｂ）は前記積層集合体の一方の表面からレーザビームを照射した後の積層集合体の状態を示す断面図、同図（Ｃ）は前記積層集合体が切断により個片化されることにより得られる積層体の断面図である。図４は、本発明の第１の実施の形態による、電子部品の構成を模式的に示す断面図である。図５は、本発明の第１の実施の形態による電子部品の変形例の構成を模式的に示す断面図である。
【００２６】
以下に、図１を参照しながら、第１の集合基板の製造方法について説明する。
まず、エポキシ系樹脂や液晶ポリマー系樹脂などからなる樹脂絶縁層１１と、銅などの材料からなる内部導体板１４が準備される。前記樹脂絶縁層１１と前記内部導体板１４の表面が粗化処理され、前記樹脂絶縁層１１と前記内部導体板１４の粗化処理面同士を熱圧着にて接着することにより、パターニング前の内部導体板１４が樹脂絶縁層１１の表面に配設された樹脂配線層１０が用意される。
【００２７】
前記樹脂絶縁層１１上の前記内部導体板１４がエッチングされることにより、図１（Ｂ）および（Ｃ）に示すような、所望のパターンの内部導体パターン１４’が樹脂絶縁層１１の表面に形成される。なお、予めパターニングされた内部導体パターンを樹脂絶縁層に張り付けるようにすることも可能である。
【００２８】
次に、レーザ加工により、樹脂絶縁層１１の所定の位置にビアホール用貫通孔を形成する。なお、レーザ加工においては、内部導体パターン１４’が形成されていない方の面からレーザを照射して、内部導体パターン１４’の裏面に達するようにビアホール用貫通孔が形成される。これにより、ビアホール用貫通孔が形成された樹脂絶縁層１１の表面に、内部導体パターン１４’が、その一部が前記ビアホール用貫通孔を覆うように配設される。
【００２９】
次に、印刷などにより前記ビアホール用貫通孔に銀を主成分とする導電性ペーストを充填して固化させることにより、ビアホール導体１５が形成される。以上のようにして、第１の集合基板１０’が得られる。
なお、前記樹脂絶縁層１１は、前記第１の集合基板１０’が切断により個片化される際に除去される部分（除去部１３）を一部分に有している。
【００３０】
以下に、図２を参照しながら、第２の集合基板の製造方法について説明する。
まず、エポキシ系樹脂や液晶ポリマー系樹脂などからなる樹脂絶縁層２１と、前記内部導体板１４とは異なる材料であり、かつ、銀に比べて半田喰われが生じ難い材料である、ベリリウム銅などの材料からなる導体板２２が準備される。前記樹脂絶縁層２１と前記導体板２２の表面が粗化処理され、前記樹脂絶縁層２１と前記導体板２２の粗化処理面同士を熱圧着にて接着することにより、パターニング前の導体板２２が樹脂絶縁層２１の表面に配設された樹脂配線層２０が用意される。
【００３１】
前記樹脂絶縁層２１上の前記導体板２２がエッチングされることにより、図２（Ｂ）および（Ｃ）に示すような、所望のパターンの導体板２２’が樹脂絶縁層２１の表面に形成された第２の集合基板２０’が得られる。なお、予めパターニングされた導体板を樹脂絶縁層に張り付けるようにすることも可能である。
【００３２】
なお、前記樹脂絶縁層２１は、前記第２の集合基板２０’が切断により個片化される際に除去される部分（除去部２３）を一部分に有している。前記所望のパターンの導体板２２’の一部分は、前記樹脂絶縁層２１上において前記除去部２３上に突出されており、突出部２２”を形成している。
【００３３】
次に、前記第１の集合基板１０’と前記第２の集合基板２０’、および、導体を備えていない樹脂絶縁層３１が所定の順に積層され、熱圧着されることで、図３（Ａ）に示すような積層集合体３０が形成される。前記樹脂絶縁層３１は、切断により個片化される際に除去される部分（除去部３３）を一部分に有している。前記積層集合体３０は、前記除去部１３，２３，３３が積層方向から見て重なるように積層される。
【００３４】
前記積層集合体３０がレーザ加工によって切断されることにより、図３（Ｃ）に示すような個片化された積層体３９が得られる。この切断工程は、前記積層集合体３０の所定の樹脂部分である前記除去部１３，２３，３３が除去されることにより行われる。
【００３５】
より詳細には、まず、図３（Ａ）に示すように、前記積層集合体３０の積層方向と垂直な一方の表面３６ａからレーザビーム３７ａを照射する。このとき、レーザビーム３７ａの照射方向から見て前記導体板２２’の裏側に位置する樹脂部分は、前記導体板２２’がレーザビーム３７ａを遮るため、レーザビーム３７ａが照射されず、除去されずに残る。このため、図３（Ｂ）に示すように、前記積層集合体３０の所定の樹脂部分である前記除去部１３，２３，３３の内の一部分が除去されずに残っている状態の積層集合体３０’が得られる。
【００３６】
次に、図３（Ｂ）に示すように、前記積層集合体３０’の積層方向と垂直な表面の内、前記表面３６ａと対向する表面３６ｂからレーザビーム３７ｂを照射する。これにより、除去すべき所定の樹脂部分である前記除去部１３，２３，３３は全て除去され、前記積層集合体３０’は個片化された積層体３９に切断される。
前記積層集合体３０を形成している前記第２の集合基板２０’においては、除去部２３に位置する樹脂部分が除去され、図３（Ｃ）に示すように、前記突出部２２”が前記積層体３９の表面より外部に突出される。
【００３７】
次に、図４に示すように、前記突出部２２”は、前記積層体３９の表面に沿って前記積層体３９の実装面３６ａ’の方向に折り曲げられ、さらに、前記実装面３６ａ’を含む面内にて前記積層体３９側に折り曲げられることにより、外部端子とされる。以上により、電子部品４０が得られる。
【００３８】
また、図５に示すように、前記突出部２２”は、前記積層体３９の表面に沿って前記積層体３９の実装面３６ａ’の方向に折り曲げられ、さらに、前記実装面３６ａ’を含む面内にて前記積層体３９とは逆側に折り曲げられることにより、外部端子とされてもよい。以上により、電子部品５０が得られる。
【００３９】
なお、前記積層集合体の切断はレーザ加工に限るものではなく、サンドブラスト加工やウォータージェット加工やウェットブラスト加工（砥粒と水とを空気圧により噴射させる方法）などを用い、導体板を残して所定の樹脂部分が除去されることで行われてもよい。
【００４０】
また、本実施の形態では積層集合体を形成した後にこれが切断され、個片化されることで積層体を得た。しかし、前記第１の集合基板１０’や前記第２の集合基板２０’、および、前記樹脂絶縁層３１が切断され、個片化された後に、積層されることで積層体が形成されてもよい。
【００４１】
以上のように本実施の形態によれば、樹脂絶縁層上に形成されている導体板の積層体からの突出部を外部端子とするため、外部端子と積層体内部の導体が確実に導通接続された電子部品を得ることができる。
【００４２】
また、積層体を形成した後に、積層体の表面の所定の位置に外部端子を塗布、スパッタリング、蒸着などの方法により形成する必要がないため、工程が簡略化され、生産性が向上する。
【００４３】
また、銀に比べて半田喰われが生じ難い材料からなる導体板の積層体からの突出部を外部端子とするため、外部端子の表面に、はんだ喰われを防止するためのめっきを施す必要がない。このため、工程が簡略化され、生産性が向上する。
【００４４】
（実施の形態２）
図６は、本発明の第２の実施の形態による電子部品の構成を示すためのもので、同図（Ａ）は分解斜視図、同図（Ｂ）は構成を模式的に示す断面図である。
【００４５】
本実施の形態の、樹脂絶縁層６１ｂと内部導体パターン６４とビアホール導体６５ｂを有する第１の集合基板（図６では、個片化された基板の状態で図示している）や、樹脂絶縁層６１ｃ，６１ｄと所望のパターンの導体板６２ｃ，６２ｄを有する第２の集合基板６０ｃ，６０ｄ（図６では、個片化された基板の状態で図示している）は、実施の形態１と同様の方法・手順で作製されることから、ここでは重複を避けるため、詳しい説明は省略する。
【００４６】
なお、第２の集合基板６０ｄにはビアホール導体６５ｄが形成されている。ビアホール導体６５ｄは以下のようにして形成される。
まず、レーザ加工により、所望のパターンの導体板６２ｄが表面に配設された樹脂絶縁層６１ｄの所定の位置にビアホール用貫通孔を形成する。なお、レーザ加工においては、導体板６２ｄが形成されていない方の面からレーザを照射して、導体板６２ｄの裏面に達するようにビアホール用貫通孔が形成される。これにより、ビアホール用貫通孔が形成された樹脂絶縁層６１ｄの表面に、導体板６２ｄが、その一部が前記ビアホール用貫通孔を覆うように配設される。
次に、印刷などにより前記ビアホール用貫通孔に銀を主成分とする導電性ペーストを充填して固化させることにより、ビアホール導体６５ｄが形成される。
【００４７】
次に、前記第２の集合基板６０ｃ，６０ｄと前記第１の集合基板、および、導体を備えていない樹脂絶縁層６１ａが所定の順に積層され、熱圧着されることで積層集合体が形成される。これにより、前記樹脂絶縁層６１ｂ，６１ｄに設けられた前記ビアホール導体６５ｂ，６５ｄを介して前記内部導体パターン６４と所望のパターンの前記導体板６２ｃ，６２ｄが電気的に直列に接続される。このようにして、樹脂絶縁層６１ｂの積み重ね方向に対して平行な中心軸を有する螺旋状のコイル導体Ｌ６０が形成される。
【００４８】
次に、前記積層集合体がレーザ加工によって切断されることにより、図６（Ｂ）に示すような、コイル導体Ｌ６０を内部に有する個片化された積層体が得られる。この切断工程は、実施の形態１と同様の方法・手順で、前記積層集合体の所定の樹脂部分が除去されることにより行われる。本実施の形態においては、この切断工程により、所望のパターンの導体板６２ｃ，６２ｄの突出部６２ｃ’，６２ｄ’が前記積層体の実装面６６から外部に突出される。
【００４９】
なお、前記突出部６２ｃ’，６２ｄ’は前記積層集合体の積層方向から平面視したときに重ならないように形成されている。このため、前記積層集合体の積層方向からのレーザビームの照射にて、前記所定の樹脂部分は全て除去される。よって、前記突出部の間の所定の樹脂部分を、前記積層集合体の積層方向からのレーザビームの照射とは別の方法を用いて別途除去する必要がないため、工程が簡略化され、生産性が向上する。
【００５０】
次に、図６（Ｂ）に示すように、前記突出部６２ｃ’，６２ｄ’は、前記積層体の実装面に沿って折り曲げられることにより、外部端子とされる。以上により、電子部品６０が得られる。
【００５１】
以上のように本実施の形態によれば、実施の形態１と同様の作用効果を奏することができる。更に、電子部品６０は、前記コイル導体Ｌ６０の中心軸と垂直な前記積層体の端面に外部端子が形成されていないため、コイル導体Ｌ６０が発生する磁束と外部端子の間に不必要な電磁気的結合が生じない。このため、電子部品６０は良好な高周波特性が得られる。
【００５２】
（実施の形態３）
図７は、本発明の第３の実施の形態による、電子部品の構成を模式的に示す図である。
【００５３】
本実施の形態の、樹脂絶縁層７１ｂと内部導体パターン７４ｂとビアホール導体７５ｂを有する第１の集合基板（図７では、個片化された基板の状態で図示している）や、樹脂絶縁層７１ｃと所望の形状の導体板７２を有する第２の集合基板（図７では、個片化された基板の状態で図示している）は、実施の形態２と同様の方法・手順で作製されることから、ここでは重複を避けるため、詳しい説明は省略する。
【００５４】
以下に、樹脂絶縁層７１ａと素子搭載用の電極７４ａを有する第３の集合基板（図７では、個片化された基板の状態で図示している）と、樹脂絶縁層７１ｄと外部電極用の電極７４ｄとビアホール導体７５ｄを有する第４の集合基板（図７では、個片化された基板の状態で図示している）の製造方法について説明する。
【００５５】
まず、エポキシ系樹脂や液晶ポリマー系樹脂などからなる樹脂絶縁層７１ａ，７１ｄと、銅などの材料からなる導体板が準備される。前記樹脂絶縁層７１ａ，７１ｄと前記導体板の表面が粗化処理され、前記樹脂絶縁層７１ａ，７１ｄと前記導体板の粗化処理面同士を熱圧着にて接着することにより、パターニング前の導体板が樹脂絶縁層７１ａ，７１ｄの表面に配設された樹脂配線層が用意される。
前記樹脂絶縁層７１ａ，７１ｄ上の前記導体板がエッチングされることにより、図７に示すように、所望の形状の素子搭載用の電極７４ａが前記樹脂絶縁層７１ａの表面に、所望の形状の外部電極用の電極７４ｄが前記樹脂絶縁層７１ｄの表面にそれぞれ形成される。なお、予めパターニングされた素子搭載用の電極や外部電極用の電極を樹脂絶縁層に張り付けるようにすることも可能である。
【００５６】
次に、レーザ加工により、前記樹脂絶縁層７１ａ，７１ｄの所定の位置にビアホール用貫通孔を形成する。なお、レーザ加工においては、前記素子搭載用の電極７４ａや前記外部電極用の電極７４ｄが形成されていない方の面からレーザを照射して、前記素子搭載用の電極７４ａや前記外部電極用の電極７４ｄの裏面に達するようにビアホール用貫通孔が形成される。これにより、ビアホール用貫通孔が形成された前記樹脂絶縁層７１ａ，７１ｄの表面に、前記素子搭載用の電極７４ａや前記外部電極用の電極７４ｄが、その一部が前記ビアホール用貫通孔を覆うように配設される。
【００５７】
次に、印刷などにより前記ビアホール用貫通孔に銀を主成分とする導電性ペーストを充填して固化させることにより、ビアホール導体７５ｄが形成される。なお、前記樹脂絶縁層７１ａに形成されるビアホール導体は図示していない。以上のようにして、第３と第４の集合基板が得られる。
【００５８】
次に、前記第１，第２，第３，第４の集合基板が所定の順に積層され、熱圧着されることで積層集合体が形成される。前記積層工程においては、前記第４の集合基板は、前記積層集合体の最下層に配置され、前記外部電極用の電極７４ｄが形成されている方の表面が積層方向の下側となるように配置される。これによって、前記第４の集合基板の前記外部電極用の電極７４ｄが形成されていない方の表面と前記第１の集合基板の前記内部導体パターン７４ｂが形成されていない方の表面が接着される。また、前記ビアホール導体７５ｂと前記ビアホール導体７５ｄが導通接続される。
【００５９】
また、前記積層工程においては、前記第３の集合基板は、前記積層集合体の最上層に配置され、前記素子搭載用の電極７４ａが形成されている方の表面が積層方向の上側となるように配置される。
【００６０】
次に、前記積層集合体上に素子７７ａ，７７ｂが供給され、前記素子搭載用の電極７４ａに接続して固定されることで実装される。素子７７ａ，７７ｂは、あらかじめ供給されたバンプ７８ｂや接着剤等を介して、前記素子搭載用の電極７４ａに接続される。前記素子７７ａ，７７ｂの実装にはマウンタを用いた。
【００６１】
次に、前記素子７７ａ，７７ｂが実装された前記積層集合体がレーザ加工によって切断されることにより、図７に示すような個片化された積層体が得られる。この切断工程は、実施の形態１と同様の方法・手順で、前記積層集合体の所定の樹脂部分が除去されることにより行われる。本実施の形態においては、この切断工程により、所望の形状の導体板７２の突出部７２’が前記積層体の表面から外部に突出される。
【００６２】
次に、図７に示すように、前記積層体の前記素子７７ａ，７７ｂが実装された表面を覆うように導電性のシールドケース７９が供給され、前記導体板７２に接続して固定される。より詳細には、前記シールドケース７９の端部は、前記突出部７２’が前記積層体の表面に沿って前記積層体の実装面７６とは逆の方向に折り曲げられることによって形成された該突出部７２’と該表面の隙間に挟み込まれる。前記シールドケース７９の端部は、あらかじめ供給されたはんだ７８ａ等を介して、前記突出部７２’に接続される。前記シールドケース７９には、ニッケル−鉄合金の表面をニッケルめっきで覆ったものを用いた。以上により、電子部品７０が得られる。
【００６３】
なお、必要に応じて樹脂絶縁層７１ｃには、前記導体板７２をグランドに落とすためのビアホール導体や、前記素子搭載用の電極７４ａと前記内部導体パターン７４ｂを導通接続させるためのビアホール導体等が形成される。
【００６４】
また、本実施の形態では積層集合体に素子７７ａ，７７ｂを実装した後にこれが切断され、個片化されることで積層体が得られたが、前記積層集合体が切断され、個片化された後に、素子７７ａ，７７ｂを実装してもよい。
【００６５】
以上のように本実施の形態によれば、実施の形態１とほぼ同様の作用効果を奏することができる。例えば、樹脂絶縁層上に形成されている導体板の積層体からの突出部をシールドケースを固定するための外部端子とするため、該外部端子やシールドケースと、積層体内部の導体が確実に導通接続された電子部品を得ることができる。
【００６６】
更に、積層体の素子を実装する表面上にシールドケースを固定するための外部端子を形成する必要がない。このため、素子を実装するためのエリアをより広く確保することが可能となる。また、電子部品を小型化することも可能となる。
【符号の説明】
【００６７】
１０，２０                                   樹脂配線層
１０’                                第１の集合基板
１１，２１，３１，６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄ，７１ａ，７１ｂ，７１ｃ，７１ｄ                                 樹脂絶縁層
１３，２３，３３                      除去部
１４                                  内部導体板
１４’，６４，７４ｂ，１０４          内部導体パターン
１５，６５ｂ，６５ｄ，７５ｂ，７５ｄ  ビアホール導体
２０’，６０ｃ，６０ｄ                第２の集合基板
２２，２２’，６２ｃ，６２ｄ，７２    導体板
２２”，６２ｃ’，６２ｄ’，７２’           突出部
３０，３０’                          積層集合体
３６ａ，３６ｂ                        表面
３６ａ’，６６，７６，１０６          実装面
３７ａ，３７ｂ                        レーザビーム
３９，１０９                          積層体
４０，５０，６０，７０，１００        電子部品
７４ａ                                素子搭載用の電極
７４ｄ                                外部電極用の電極
７７ａ，７７ｂ                        素子
７８ａ                                はんだ
７８ｂ                                バンプ
７９                                  シールドケース
１０１ａ，１０１ｂ                    絶縁層
１０２ａ，１０２ｂ                    外部電極端子
１０５ａ                              引き出し用ビアホール導体
１０５ｂ                              層間接続用ビアホール導体
Ｌ６０，Ｌ１００                      コイル導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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