(57)【要約】【課題】層間密着性が高く、耐久性に優れた有機電界発光素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の有機電界発光素子は、一の電極と、少なくとも一層の有機蒸着層と、他の電極とがこの順に形成される有機電界発光素子であって、前記有機蒸着層における前記他の電極側の表面粗さＲａと該有機蒸着層の厚みｔとが、次式、０．０９３＜Ｒａ／ｔ＜０．３４０の関係を満たすことを特徴とする。また、本発明の有機電界発光素子の製造方法は、一の電極と、発光層を含む少なくとも一層の有機蒸着層と、他の電極とがこの順に形成される有機電界発光素子の製造方法であって、前記有機蒸着層における前記他の電極側の表面粗さＲａと該有機蒸着層の厚みｔとが、次式、０．０９３＜Ｒａ／ｔ＜０．３４０の関係を満たすように蒸着を行うことを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一の電極と、少なくとも一層の有機蒸着層と、他の電極とがこの順に形成される有機電界発光素子であって、
前記有機蒸着層における前記他の電極側の表面粗さＲａと該有機蒸着層の厚みｔとが、次式、０．０９３＜Ｒａ／ｔ＜０．３４０の関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
有機蒸着層が、発光層、及び該発光層の隣接層の少なくともいずれかを含む請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
隣接層が正孔輸送層である請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
一の電極が陽極であり、他の電極が陰極である請求項１から３のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
燐光発光材料を発光層に含む請求項２から４のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
燐光発光材料が白金錯体である請求項５に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
有機蒸着層の厚みｔが、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である請求項１から６のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
一の電極と、発光層を含む少なくとも一層の有機蒸着層と、他の電極とがこの順に形成される有機電界発光素子の製造方法であって、
前記有機蒸着層における前記他の電極側の表面粗さＲａと該有機蒸着層の厚みｔとが、次式、０．０９３＜Ｒａ／ｔ＜０．３４０の関係を満たすように蒸着を行うことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐久性に優れた有機電界発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、自発光、高速応答などの特長を持ち、フラットパネルディスプレイへの適用が期待されており、特に、正孔輸送性の有機薄膜（正孔輸送層）と電子輸送性の有機薄膜（電子輸送層）とを積層した２層型（積層型）のものが報告されて以来、１０Ｖ以下の低電圧で発光する大面積発光素子として関心を集めている。
しかしながら、本格的な実施に向けて、素子の耐久性に課題があり、耐久性の向上に向けて種々検討されている。
【０００３】
例えば、発光層を備えた機能層の表面を粗面とすることで素子の耐久性を向上させる有機電界発光素子が開示されている（特許文献１参照）。この有機電界発光素子によれば、粗面により層間の密着性が改善され、耐久性低下の原因となる層の剥離が抑制されるものと考えられる。
しかしながら、この場合、前記機能層が機能層形成材料をインクジェットにより塗布した後、乾燥することで形成されるため、前記機能層を薄層化しづらく、また、素子の性能が前記機能層に残留する溶媒により影響を受けることが懸念されるという問題がある。
【０００４】
また、粗面化させた有機層を有する有機電界発光素子としては、２枚の対向する電極間に導電性キャリアが互いに異なる２層の有機化合物層を異種接合面を介して積層した導電素子であって、異種接合面の粗面度が電極の少なくとも一方の内側表面の粗面度と異なる有機電界発光素子が提案されている（特許文献２参照）。
しかしながら、この有機電界発光素子においては、異種接合面の密着性を改善させる条件が示されておらず、該密着性を向上させることができないという問題がある。
【０００５】
また、このほかにも粗面化させた有機層を有する有機電界発光素子が提案されている（例えば、特許文献３、４参照）。
しかしながら、密着性を向上させる機能層の厚みと粗面の凹凸との適切な条件が開示されておらず、依然として、耐久性に優れた有機電界発光素子としては、満足することができるものが存在しないというのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−３１０７０９号公報
【特許文献２】特開２００３−１１５３８１号公報
【特許文献３】特開２００２−３１３５６７号公報
【特許文献４】特開２００９−０２１３４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、層間密着性が高く、耐久性に優れた有機電界発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するため本発明者らが鋭意検討した結果、以下の知見が得られた。
即ち、蒸着により形成された薄層の有機蒸着層において、該有機蒸着層に表面粗さＲａと該有機層の厚みｔとの比であるＲａ／ｔが特定の値を有すると、前記有機層の表面凹凸に基づき、該層上に配される層との層間密着性が改善され、素子の駆動により経時で生ずると考えられる層の剥離が抑制されるとの知見を得た。更に、予期しないことに、前記Ｒａ／ｔが特定の値を有するときに、経時の電圧上昇率が低く抑えられ、駆動上の耐久性も向上させることができるとの知見を得た。
【０００９】
本発明は、前記本発明者らの知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
＜１＞  一の電極と、少なくとも一層の有機蒸着層と、他の電極とがこの順に形成される有機電界発光素子であって、前記有機蒸着層における前記他の電極側の表面粗さＲａと該有機蒸着層の厚みｔとが、次式、０．０９３＜Ｒａ／ｔ＜０．３４０の関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子である。
＜２＞  有機蒸着層が、発光層、及び該発光層の隣接層の少なくともいずれかを含む前記＜１＞に記載の有機電界発光素子である。
＜３＞  隣接層が正孔輸送層である前記＜２＞に記載の有機電界発光素子である。
＜４＞  一の電極が陽極であり、他の電極が陰極である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
＜５＞  燐光発光材料を発光層に含む前記＜２＞から＜４＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
＜６＞  燐光発光材料が白金錯体である前記＜５＞に記載の有機電界発光素子。
＜７＞  有機蒸着層の厚みｔが、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
＜８＞  一の電極と、発光層を含む少なくとも一層の有機蒸着層と、他の電極とがこの順に形成される有機電界発光素子の製造方法であって、前記有機蒸着層における前記他の電極側の表面粗さＲａと該有機蒸着層の厚みｔとが、次式、０．０９３＜Ｒａ／ｔ＜０．３４０の関係を満たすように蒸着を行うことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、従来の前記諸問題を解決することができ、前記目的を達成することができ、層間密着性が高く、耐久性に優れた有機電界発光素子及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の有機電界発光素子の構成例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（有機電界発光素子）
本発明の有機電界発光素子は、一の電極と、発光層を含む少なくとも一層の有機蒸着層と、他の電極とがこの順に形成される有機電界発光素子であって、前記有機蒸着層における前記他の電極側の表面粗さＲａと該有機蒸着層の厚みｔとが、次式、０．０９３＜Ｒａ／ｔ＜０．３４０の関係を満たすものである。
【００１３】
前記Ｒａ／ｔとしては、０．０９３＜Ｒａ／ｔ＜０．３４０の関係を満たすものであれば、特に制限はないが、より耐久性に優れた有機電界発光素子を得る観点からは、０．０９３＜Ｒａ／ｔ＜０．１８０が好ましく、０．０９９＜Ｒａ／ｔ＜０．１１５がより好ましい。
【００１４】
前記表面粗さＲａとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．２７０ｎｍ〜１．８００ｎｍが好ましく、０．２７０ｎｍ〜１．１００ｎｍがより好ましく、０．２９５ｎｍ〜０．３５０ｎｍが特に好ましい。
０．２７０ｎｍ未満であると、層間の剥離が生じやすくなるため素子耐久性が低下し、、１．８００ｎｍを超えると、リークが生じやすくなるため素子信頼性が低下する。
【００１５】
前記厚みｔとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１ｎｍ〜１０ｎｍが好ましく、１ｎｍ〜５ｎｍがより好ましく、１ｎｍ〜３ｎｍが特に好ましい。
１ｎｍ未満であると、十分な密着性が得られず、１０ｎｍを超えると、層が十分に接触せず密着性を得られない。
【００１６】
前記表面粗さＲａ及び厚みｔの測定方法としては、特に制限はなく、種々の測定方法により測定することができるが、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による断面観察法、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、触針式段差計、光干渉プロファイラ等による表面粗さの段差計測法、エリプソメトリー、Ｘ線反射率法等の光学干渉を用いた方法、及び蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）等による元素分析法が挙げられる。
【００１７】
前記Ｒａ／ｔの条件を満たす有機蒸着層としては、真空蒸着の条件を適宜設定して蒸着を行うことで形成することができる。
前記真空蒸着の条件については、その蒸着速度、蒸着源容器、蒸着源温度、基板温度、蒸着源−基板距離、蒸着源と基板面を結ぶ直線が基板面となす角度、蒸着時真空度、蒸着速度などについては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記蒸着源容器としては、例えばアルミナるつぼ、炭化珪素るつぼ、カーボンるつぼ、タングステンボートなどが好適である。前記蒸着源温度は、発光膜材料に応じて適宜選択することができる。前記基板温度としては、２５℃〜１００℃が好ましい。
前記蒸着源−基板距離としては、５ｃｍ〜４０ｃｍが好ましい。
前記蒸着源と基板面を結ぶ直線が基板面に対する法線となす角度としては、０°〜３０°が好ましい。前記蒸着時真空度としては、１×１０−２Ｐａ〜３×１０−８Ｐａであることが好ましい。
【００１８】
蒸着速度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．００５ｎｍ／秒〜０．３００ｎｍ／秒が好ましく、０．０１０ｎｍ／秒〜０．１５０ｎｍ／秒がより好ましく、０．０２０ｎｍ／秒〜０．０８０ｎｍ／秒が特に好ましい。
０．００５ｎｍ／秒未満であると、成膜に時間がかかり、生産性が著しく低下し、０．３００ｎｍ／秒を超えると、速度を一定に保つことが難しく、歩留まり低下を引き起こす。
【００１９】
前記有機機電界発光素子の層構成としては、一の電極と、一層の有機蒸着層と、他の電極とがこの順に形成される有機電界発光素子であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、更に、必要に応じてその他の構成を含む。
【００２０】
前記有機蒸着層としては、前記発光層を含むものであれば、特に制限はないが、前記発光層及び該発光層と隣接する隣接層の少なくともいずれかを含むことが好ましい。
このような層構成であると、耐久性が向上する。
また、前記有機蒸着層としての前記隣接層としては、正孔輸送層であることが好ましい。
このような構成であると、最も剥離しやすい層間の密着性が向上し、耐久性向上の効果が期待できる。
【００２１】
なお、前記一の電極と、前記他の電極との間に配される層としては、少なくとも前記発光層を含み、このほか正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層、電子ブロック層等の有機層を含む。
前記有機層は、真空蒸着法により形成されることが好ましいが、すべての層が前記Ｒａ／ｔの関係を満たす有機蒸着層である必要はなく、前記有機層のうち、１層を前記有機蒸着層として形成してもよく、２層以上を前記有機蒸着層として形成してもよい。
前記有機層の構成としては、特に制限はないが、前記一の電極側から、前記正孔注入層／前記正孔輸送層／前記発光層／前記電子輸送層／電子輸送層の順で形成されることが好ましい。
また、前記一の電極としては、陽極が好ましく、前記他の電極としては、陰極が好ましい。
【００２２】
＜発光層＞
前記発光層は、正孔輸送性ホスト材料及び燐光発光材料を含み、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
【００２３】
前記ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、正孔輸送性ホスト材料が好ましい。
【００２４】
−−正孔輸送性ホスト材料−−
前記正孔輸送性ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、ピラゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、又はそれらの誘導体などが挙げられる。
これらの中でも、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体が好ましく、特に分子内にインドール骨格、カルバゾール骨格、アザインドール骨格、アザカルバゾール骨格、又は芳香族第三級アミン骨格を複数個有するものが好ましい。
また、本発明においてはホスト材料の水素を一部又はすべて重水素に置換したホスト材料を用いることができる（特願２００８−１２６１３０号明細書、特表２００４−５１５５０６号公報）。
【００２５】
このような正孔輸送性ホスト材料としての具体的化合物としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【化１】
2011034810.tif 000002
【００２６】
【化２】
2011034810.tif 000003
【００２７】
【化３】
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【００２８】
【化４】
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【００２９】
【化５】
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【００３０】
前記正孔輸送性ホスト材料の含有量は、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、１０質量％〜９９質量％であることが好ましく、１０質量％〜９０質量％がより好ましく、２０質量％〜９０質量％が更に好ましい。
【００３１】
＜燐光発光材料＞
前記燐光発光材料としては、一般に、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体を挙げることができる。前記遷移金属原子としては、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金などが挙げられる。これらの中でも、レニウム、イリジウム、白金が好ましく、イリジウム、白金がより好ましい。
【００３２】
前記ランタノイド原子としては、例えばランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムなどが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、ガドリニウムが好ましい。
錯体の配位子としては、例えば、Ｇ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ等著，Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｐｅｒｇａｍｏｎ  Ｐｒｅｓｓ社１９８７年発行、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著，「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社、１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、芳香族炭素環配位子（例えば、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、又はナフチルアニオンなど）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、又はフェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子など）、アルコラト配位子（例えば、フェノラト配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。
【００３３】
前記錯体は、化合物中に遷移金属原子を１つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。これらの中でも、発光材料の具体例としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【化６】
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【化７】
2011034810.tif 000008
【化８】
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【００３４】
前記燐光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、下記一般式（２）、（３）及び（４）のいずれかで表される化合物であることが好ましい。
【化９】
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ただし、前記一般式（２）、（３）及び（４）中、ｎは、１〜３の整数を表す。Ｘ−Ｙは、二座配位子を表す。環Ａは、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環構造を表す。Ｒ１１は、置換基を表し、ｍ１は、０〜６の整数を表す。ｍ１が２以上の場合には隣接するＲ１１どうしが結合して窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環を形成してもよく、該環は更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ1２は、置換基を表し、ｍ２は、０〜４の整数を表す。ｍ２が２以上の場合には隣接するＲ１２どうしが結合して窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環を形成してもよく、該環は更に置換基により置換されていてもよい。なお、Ｒ１１とＲ１２とが結合して窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環を形成してもよく、該環は更に置換基により置換されていてもよい。
【００３５】
前記環Ａは、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環構造を表し、５員環、６員環などが好適に挙げられる。該環は置換基で置換されていてもよい。
【００３６】
Ｘ−Ｙは、二座配位子を表し、二座のモノアニオン性配位子などが好適に挙げられる。
前記二座のモノアニオン性配位子としては、例えば、ピコリナート（ｐｉｃ）、アセチルアセトナート(ａｃａｃ)、ジピバロイルメタナート（ｔ−ブチルａｃａｃ）などが挙げられる。
上記以外の配位子としては、例えば、Ｌａｍａｎｓｋｙらの国際公開ＷＯ０２／１５６４５号パンフレットの８９頁〜９１頁に記載の配位子が挙げられる。
【００３７】
前記Ｒ１１及びＲ１２における置換基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、シクロアルキル基、窒素原子又は硫黄原子を含んでいてもよいアリール基、窒素原子又は硫黄原子を含んでいてもよいアリールオキシ基を表し、これらは更に置換されていてもよい。
前記Ｒ１１及びＲ１２は、互いに隣接するものどうしで結合して、窒素原子、硫黄原子又は酸素原子を含んでいてもよい環を形成してもよく、５員環、６員環などが好適に挙げられる。該環は更に置換基で置換されていてもよい。
【００３８】
前記一般式（２）、（３）、及び（４）のいずれかで表される具体的化合物としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【化１０】
2011034810.tif 000011
【化１１】
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【化１２】
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【化１３】
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【化１４】
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【化１５】
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【化１６】
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【化１７】
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【化１８】
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【化１９】
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【化２０】
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【化２１】
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【化２２】
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【化２３】
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【化２４】
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【化２５】
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【化２６】
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【化２７】
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【化２８】
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【化２９】
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【化３０】
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【化３１】
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【化３２】
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【化３３】
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【化３４】
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【化３５】
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【００３９】
前記燐光発光材料の含有量は、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、０．５質量％〜３０質量％であることが好ましく、０．５質量％〜２０質量％がより好ましく、３質量％〜１０質量％が更に好ましい。
前記含有量が、０．５質量％未満であると、発光効率が小さくなることがあり、３０質量％を超えると、燐光発光材料自身の会合により、発光効率が低下することがある。
【００４０】
前記発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
【００４１】
前記発光層の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、２ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、発光効率の観点から、３ｎｍ〜２００ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍが更に好ましい。また、前記発光層は１層であっても２層以上であってもよい。
【００４２】
本発明の有機電界発光素子は、陽極及び陰極の間に、発光層を含む有機層を有してなり、目的に応じてその他の層を有していてもよい。
前記有機層は、少なくとも前記発光層を有し、電子輸送層、電子注入層、更に必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、などを有していてもよい。
【００４３】
＜正孔注入層、正孔輸送層＞
前記正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。該正孔注入層及び正孔輸送層は、単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
これらの層に用いられる正孔注入材料、又は正孔輸送材料としては、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
前記正孔注入材料又は正孔輸送材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４４】
前記正孔輸送材料の具体的な化合物としては、特に制限はないが、前記正孔輸送性ホスト材料の具体的な化合物が挙げられる。
また、前記正孔輸送材料を前記Ｒａ／ｔの関係を満たす前記有機蒸着層として、形成する場合には、以下に示す具体的な化合物を用いて形成することが好ましい。
【００４５】
【化３６】
2011034810.tif 000037
【００４６】
前記正孔注入層、及び正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。
前記電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
前記無機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば塩化第二鉄、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモン等のハロゲン化金属；五酸化バナジウム、三酸化モリブデン等の金属酸化物、などが挙げられる。
前記有機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基等を有する化合物；キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレン、などが挙げられる。
これらの電子受容性ドーパントは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
前記電子受容性ドーパントの使用量は、特に制限はなく、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料又は正孔注入材料に対して０．０１質量％〜５０質量％が好ましく、０．０５質量％〜３０質量％がより好ましく、０．１質量％〜３０質量％が更に好ましい。
【００４７】
前記正孔注入層及び正孔輸送層の厚さは、１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜２５０ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍが更に好ましい。
【００４８】
＜電子注入層、電子輸送層＞
前記電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
【００４９】
前記電子注入層あるいは電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることができる。前記電子注入層、あるいは電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉなどのアルカリ金属、Ｍｇなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が４．２ｅＶ以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、およびＹｂなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
この他にも、特開平６−２１２１５３、特開２０００−１９６１４０、特開２００３−６８４６８、特開２００３−２２９２７８、特開２００４−３４２６１４等に記載の材料を用いることが出来る。
【００５０】
前記電子供与性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子供与性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して０．１質量％〜９９質量％であることが好ましく、１．０質量％〜８０質量％であることがさらに好ましく、２．０質量％〜７０質量％であることが特に好ましい。
【００５１】
前記電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
前記電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのがさらに好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのがさらに好ましい。
前記電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００５２】
＜正孔ブロック層、電子ブロック層＞
前記正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が陰極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
前記電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が陽極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
前記正孔ブロック層を構成する化合物としては、例えばＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、などが挙げられる。
前記電子ブロック層を構成する化合物としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが利用できる。
【００５３】
前記正孔ブロック層及び電子ブロック層の厚さは、１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、１ｎｍ〜５０ｎｍであるのがより好ましく、３ｎｍ〜１０ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔ブロック層及び電子ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００５４】
＜電極＞
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極、即ち陽極と陰極とを含む。前記有機電界発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は透明であることが好ましい。通常、陽極は有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、陰極は有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよい。
前記電極としては、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
前記電極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物等が好適に挙げられる。
【００５５】
−陽極−
前記陽極を構成する材料としては、例えば、アンチモン、フッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル等の金属；これらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物；ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質；ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、又はこれらとＩＴＯとの積層物、などが挙げられる。これらの中でも、導電性金属酸化物が好ましく、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが特に好ましい。
【００５６】
−陰極−
前記陰極を構成する材料としては、例えば、アルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
前記アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）を魅する。
【００５７】
前記電極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、例えば公知の真空蒸着法により形成することができる。
【００５８】
＜基板＞
本発明の有機電界発光素子は、基板上に設けられていることが好ましく、電極と基板とが直接接する形で設けられていてもよいし、中間層を介在する形で設けられていてもよい。
前記基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばイットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス（無アルカリガラス、ソーダライムガラス等）等の無機材料；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料、などが挙げられる。
【００５９】
前記基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。基板は透明でも不透明でもよく、透明な場合は無色透明でも有色透明でもよい。
【００６０】
前記基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
前記透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、例えば窒化珪素、酸化珪素等の無機物などが挙げられる。
前記透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
【００６１】
−その他の構成−
前記その他の構成としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、保護層、封止容器、樹脂封止層、封止接着剤などを挙げることができる。
前記保護層、前記封止容器、前記樹脂封止層、前記封止接着剤などの内容としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、特開２００９−１５２５７２号公報等に記載の事項を適用することができる。
【００６２】
図１は、本発明の有機電界発光素子の層構成の一例を示す概略図である。有機ＥＬ素子１０は、ガラス基板１上に形成された陽極２（例えばＩＴＯ電極）と、正孔注入層３と、正孔輸送層４と、発光層５と、電子輸送層６と、電子注入層７と、陰極８（例えばＡｌ−Ｌｉ電極）とをこの順に積層してなる層構成を有する。なお、陽極２（例えばＩＴＯ電極）と陰極８（例えばＡｌ−Ｌｉ電極）とは電源を介して互いに接続されている。
【００６３】
−駆動−
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によりアクティブマトリックスへ適用することができる。薄膜トランジスタの活性層としてアモルファスシリコン、高温ポリシリコン、低温ポリシリコン、微結晶シリコン、酸化物半導体、有機半導体、カーボンナノチューブ等を適用することができる。
本発明の有機電界発光素子は、例えば国際公開２００５／０８８７２６号パンフレット、特開２００６−１６５５２９号公報、米国特許出願公開２００８／０２３７５９８号明細書などに記載の薄膜トランジスタを適用することができる。
【００６４】
本発明の有機電界発光素子は、特に制限はなく、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板、ＩＴＯ層、有機層の屈折率を制御する、基板、ＩＴＯ層、有機層の厚みを制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。
本発明の有機電界発光素子からの光取り出し方式は、トップエミッション方式であってもボトムエミッション方式であってもよい。
【００６５】
本発明の有機電界発光素子は、共振器構造を有してもよい。例えば、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明又は半透明電極、発光層、及び金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、透明基板上に、透明又は半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、２つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長を得るのに最適な値となるよう調整される。第１の態様の場合の計算式は、特開平９−１８０８８３号公報に記載されている。第２の態様の場合の計算式は、特開２００４−１２７７９５号公報に記載されている。
【００６６】
−用途−
本発明の有機電界発光素子は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
前記有機ＥＬディスプレイをフルカラータイプのものとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、２０００年９月号、３３〜３７ページに記載されているように、色の３原色（青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ））に対応する光をそれぞれ発光する有機ＥＬ素子を基板上に配置する３色発光法、白色発光用の有機電界発光素子による白色発光をカラーフィルターを通して３原色に分ける白色法、青色発光用の有機電界発光素子による青色発光を蛍光色素層を通して赤色（Ｒ）及び緑色（Ｇ）に変換する色変換法、などが知られている。
【００６７】
（有機電界発光素子の製造方法）
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、一の電極と、発光層を含む少なくとも一層の有機蒸着層と、他の電極とがこの順に形成される有機電界発光素子の製造方法であって、前記有機蒸着層における前記他の電極側の表面粗さＲａと該有機蒸着層の厚みｔとが、次式、０．０９３＜Ｒａ／ｔ＜０．３４０の関係を満たすように蒸着を行うことを含み、必要に応じてその他の工程を含む。
【００６８】
前記一の電極と、発光層を含む少なくとも一層の有機蒸着層と、他の電極とがこの順に形成される有機電界発光素子、前記他の電極側の表面粗さＲａと該有機蒸着層の厚みｔとが、次式、０．０９３＜Ｒａ／ｔ＜０．３４０の関係を満たす前記有機蒸着層、及び具体的な蒸着方法については、本発明の前記有機電界発光素子について説明した事項のすべてを適用することができる。
【００６９】
前記その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機電界発光素子の製造方法として、公知の事項すべてを適用することができる。
【実施例】
【００７０】
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００７１】
（実施例１）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のガラス基板を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。このガラス基板上に真空蒸着法により以下の層を蒸着した。
蒸着は、真空蒸着装置（トッキ社製）を用いて行い、蒸着速度は特に断りのない限り０．２ｎｍ／秒で行った。蒸着速度と、各蒸着層の厚みとは、蒸着源から基板までの距離と同じ距離に設置された水晶振動子に堆積する蒸着材料の蒸着速度を膜厚モニター（アルバック社製、ＣＲＴＭ−９０００）で測定した。
また、蒸着層表面の表面粗さＲａは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ、キーエンス社製、ＶＮ−８０００）により、２μｍ×２μｍの測定領域をタッピングモードで５回測定を行ったのち、平均値をＲａとした。
【００７２】
前記ガラス基板上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を厚み１００ｎｍで蒸着し、陽極を形成した。
該陽極上に２−ＴＮＡＴＡ（４，４’，４’’−Ｔｒｉｓ（Ｎ−（２−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ−ａｍｉｎｏ）−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）を厚み４０ｎｍで蒸着し、正孔注入層を形成した。
該正孔注入層上に、α−ＮＰＤ（Ｂｉｓ［Ｎ−（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）を厚み７ｎｍで蒸着し、第１の正孔輸送層を形成した。
該第１の正孔輸送層上に、下記正孔輸送材料１を目的の表面粗さが得られるように蒸着速度を０．０５ｎｍ／秒とし、厚み３ｎｍで蒸着して、第２の正孔輸送層を形成した。
該第２の正孔輸送層上に、下記ホスト材料１と、下記燐光発光材料１とを厚み３０ｎｍで蒸着し、下記ホスト材料１に対して下記燐光発光材料を１５質量％ドープした発光層を形成した。
なお、発光層が形成される側の第２の正孔輸送層の表面粗さＲａの測定は、前記形成方法と同様にして、第２の正孔輸送層まで形成したものを作製し、これを前記原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による測定用試料としている。
【００７３】
−正孔輸送材料１−
【化３７】
2011034810.tif 000038
【００７４】
−ホスト材料１−
【化３８】
2011034810.tif 000039
【００７５】
−燐光発光材料１−
【化３９】
2011034810.tif 000040
【００７６】
前記発光層上に、ＢＡｌｑ（Ｂｉｓ−（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）−４−（ｐｈｅｎｙｌ）−ｐｈｅｎｏｌａｔｅ−ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（III））を厚み３０ｎｍで蒸着し、第１の電子輸送層を形成した。
該第１の電子輸送層上に、ＬｉＦを厚み１ｎｍで蒸着し、第２の電子輸送層を形成した。
該第２の電子輸送層上に、パターニングしたマスク（発光領域が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、金属アルミニウムを厚み７０ｎｍで蒸着し、陰極を形成した。
こうして作製された積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ガラス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、実施例１における有機電界発光素子を製造した。
【００７７】
（実施例２）
実施例１において、正孔輸送材料１に代えて下記正孔輸送材料２を用いて、第２の正孔輸送層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２における有機電界発光素子を製造した。
【００７８】
−正孔輸送材料２−
【化４０】
2011034810.tif 000041
【００７９】
（実施例３）
実施例１において、正孔輸送材料１に代えて下記正孔輸送材料３を用いて、第２の正孔輸送層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例３における有機電界発光素子を製造した。
【００８０】
−正孔輸送材料３−
【化４１】
2011034810.tif 000042
【００８１】
（実施例４）
実施例１において、正孔輸送材料１に代えて下記正孔輸送材料４を用いて、第２の正孔輸送層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例４における有機電界発光素子を製造した。
【００８２】
−正孔輸送材料４−
【化４２】
2011034810.tif 000043
【００８３】
（比較例１）
実施例１において、正孔輸送材料１に代えて下記正孔輸送材料５を用いて、第２の正孔輸送層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１における有機電界発光素子を製造した。
【００８４】
−正孔輸送材料５−
【化４３】
2011034810.tif 000044
【００８５】
（比較例２）
実施例１において、正孔輸送材料１に代えて下記正孔輸送材料６を用いて、第２の正孔輸送層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、比較例２における有機電界発光素子を製造した。
【００８６】
−正孔輸送材料６−
【化４４】
2011034810.tif 000045
【００８７】
（比較例３）
実施例１において、正孔輸送材料１に代えて下記正孔輸送材料７を用いて、第２の正孔輸送層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、比較例３における有機電界発光素子を製造した。
【００８８】
−正孔輸送材料７−
【化４５】
2011034810.tif 000046
【００８９】
（比較例４）
実施例１において、正孔輸送材料１に代えて下記正孔輸送材料８を用いて、第２の正孔輸送層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、比較例４における有機電界発光素子を製造した。
【００９０】
−正孔輸送材料８−
【化４６】
2011034810.tif 000047
【００９１】
（比較例５）
実施例１において、前記正孔輸送材料１の蒸着速度を０．０５ｎｍ／秒に変えて０．００５ｎｍ／秒としたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例５における有機電界発光素子を製造した。
【００９２】
（比較例６）
実施例１において、前記正孔輸送材料１の蒸着速度を０．０５ｎｍ／秒に変えて０．０１ｎｍ／秒としたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例６における有機電界発光素子を製造した。
【００９３】
（比較例７）
実施例１において、前記正孔輸送材料１の蒸着速度を０．０５ｎｍ／秒に変えて０．２５ｎｍ／秒としたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例７における有機電界発光素子を製造した。
【００９４】
（実施例５）
実施例１において、前記正孔輸送材料１の蒸着速度を０．０５ｎｍ／秒に変えて０．２５ｎｍ／秒としたこと、及び第２の正孔輸送層の厚みを３ｎｍに変えて１０ｎｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例５における有機電界発光素子を製造した。
【００９５】
（実施例６）
実施例２において、前記正孔輸送材料２の蒸着速度を０．０５ｎｍ／秒に変えて０．２５ｎｍ／秒としたこと、及び第２の正孔輸送層の厚みを３ｎｍに変えて１０ｎｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例６における有機電界発光素子を製造した。
【００９６】
（実施例７）
比較例３において、前記正孔輸送材料７の蒸着速度を０．０５ｎｍ／秒に変えて０．２５ｎｍ／秒としたこと、及び第２の正孔輸送層の厚みを３ｎｍに変えて１ｎｍとしたこと以外は、比較例３と同様にして、実施例７における有機電界発光素子を製造した。
【００９７】
（比較例８）
比較例１において、前記正孔輸送材料５の蒸着速度を０．０５ｎｍ／秒に変えて０．０２５ｎｍ／秒としたこと、及び第２の正孔輸送層の厚みを３ｎｍに変えて１０ｎｍとしたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例８における有機電界発光素子を製造した。
【００９８】
（比較例９）
比較例３において、前記正孔輸送材料７の蒸着速度を０．０５ｎｍ／秒に変えて０．０２５ｎｍ／秒としたこと、及び第２の正孔輸送層の厚みを３ｎｍに変えて１０ｎｍとしたこと以外は、比較例３と同様にして、比較例９における有機電界発光素子を製造した。
【００９９】
（比較例１０）
実施例３において、前記正孔輸送材料３の蒸着速度を０．０５ｎｍ／秒に変えて０．０２５ｎｍ／秒としたこと、及び第２の正孔輸送層の厚みを３ｎｍに変えて１ｎｍとしたこと以外は、実施例３と同様にして、比較例１０における有機電界発光素子を製造した。
【０１００】
（耐久性試験及び耐久性評価）
実施例１〜７及び比較例１〜１０における有機電界発光素子について、耐久性評価装置（ＥＨＣ社製）を用いて、初期輝度（２，０００ｃｄ／ｍ２）からの輝度半減時間を測定した。
また、耐久性の評価は、特定の比較例における輝度半減時間を１００として基準としたときに、該比較例に対して、該比較例を除く比較例及び実施例における輝度半減時間を相対的に表した数値により評価する。例えば、実施例１は、比較例１の輝度半減時間１００に対して、輝度半減時間が３１３であり、実施例１の有機電界発光素子は、比較例１の有機電界発光素子に対して耐久性が３．１３倍優れている。結果を下記表１〜表３に示す。
【０１０１】
【表１】
2011034810.tif 000048
表１においては、比較例１を輝度半減時間の評価の基準としている。
【０１０２】
【表２】
2011034810.tif 000049
表２においては、比較例８を輝度半減時間の評価の基準としている。
【０１０３】
【表３】
2011034810.tif 000050
表３においては、実施例５、６及び比較例１０、１１において、比較例１０及び比較例１１を輝度半減時間の評価の基準とし、実施例７及び比較例１２において、比較例１２を輝度半減時間の評価の基準としている。
【０１０４】
（電圧上昇率の測定方法及び評価）
実施例１〜４及び比較例１〜４の有機電界発光素子について、以下のように電圧上昇率の測定を行った。
即ち、駆動開始後、安定状態の駆動電圧を測定開始時の電圧（Ｖ０）とし、測定開始から駆動を継続させ１００時間経過時の駆動電圧を測定終了電圧（Ｖ１００ｈ）としたときの比（Ｖ１００ｈ／Ｖ０）に基づき、電圧上昇率を測定した。なお、駆動電圧は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソ−スメジャ−ユニット２４００型を用いて、直流電圧を発光素子に印加し発光させ、駆動１００時間後の電圧を測定した。結果を下記表４に示す。
【０１０５】
【表４】
2011034810.tif 000051
【０１０６】
前記表４に示すように、実施例１〜４の有機電界発光素子においては、比較例１〜４の有機電界発光素子よりも１００時間経過後の電圧上昇率（％）を低く抑えることができている。
【０１０７】
（層間密着性の測定方法及び評価）
実施例１〜４及び比較例１〜４における有機電界発光素子を１００時間駆動させた後、封止缶をはずし、セロハンテープ（「ＣＴ２４」、ニチバン（株）製）によるテープ剥離を行った。テープへの付着物を溶剤に溶かし、高速液体クロマトグラフィーを用いた分析の結果、素子に含まれる有機材料が検出された場合を×、素子に含まれる有機材料が検出されなかった場合を○として、層間の密着性を評価した。結果を下記表５に示す。
【０１０８】
【表５】
2011034810.tif 000052
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明によれば、耐久性に優れた有機電界発光素子及びその製造方法を提供することができるため、有機電界発光素子の実用的な製造分野において好適に利用することができる。
【符号の説明】
【０１１０】
１      基板
２      陽極
３      正孔注入層
４      正孔輸送層
５      発光層
６      電子輸送層
７      電子注入層
８      陰極
１０      有機電界発光素子
【図１】
2011034810.tif 000053
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月23日(2010.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一の電極と、少なくとも一層の有機蒸着層と、他の電極とがこの順に形成される有機電界発光素子であって、
前記有機蒸着層における前記他の電極側の表面粗さＲａと該有機蒸着層の厚みｔとが、次式、０．０９３＜Ｒａ／ｔ＜０．３４０の関係を満たし、前記有機蒸着層の厚みｔが、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
有機蒸着層が、発光層、及び該発光層の隣接層の少なくともいずれかを含む請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
隣接層が正孔輸送層である請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
一の電極が陽極であり、他の電極が陰極である請求項１から３のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
燐光発光材料を発光層に含む請求項２から４のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
燐光発光材料が白金錯体である請求項５に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
正孔輸送層の形成材料が、下記構造式（１）から（５）のいずれかで表される化合物である請求項３から６のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【化１】
2011034810.tif 000054

【化２】
2011034810.tif 000055

【化３】
2011034810.tif 000056

【化４】
2011034810.tif 000057

【請求項８】
一の電極と、発光層を含む少なくとも一層の有機蒸着層と、他の電極とがこの順に形成される有機電界発光素子の製造方法であって、
前記有機蒸着層における前記他の電極側の表面粗さＲａと該有機蒸着層の厚みｔとが、次式、０．０９３＜Ｒａ／ｔ＜０．３４０の関係を満たすように蒸着を行うこととし、前記有機蒸着層の厚みｔが、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
【表２】
2011034810.tif 000058
表２においては、比較例６を輝度半減時間の評価の基準としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
【表３】
2011034810.tif 000059
表３においては、実施例５、６及び比較例８、９において、比較例８及び９を輝度半減時間の評価の基準とし、実施例７及び比較例１０において、比較例１０を輝度半減時間の評価の基準としている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月7日(2010.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一の電極と、少なくとも一層の有機蒸着層と、他の電極とがこの順に形成される有機電界発光素子であって、
前記有機蒸着層における前記他の電極側の表面粗さＲａと該有機蒸着層の厚みｔとが、次式、０．０９３＜Ｒａ／ｔ＜０．３４０の関係を満たし、前記有機蒸着層の厚みｔが、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
有機蒸着層が、発光層、及び該発光層の隣接層の少なくともいずれかを含む請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
隣接層が正孔輸送層である請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
一の電極が陽極であり、他の電極が陰極である請求項１から３のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
燐光発光材料を発光層に含む請求項２から４のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
燐光発光材料が白金錯体である請求項５に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
正孔輸送層の形成材料が、下記構造式（１）から（４）のいずれかで表される化合物である請求項３から６のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【化１】
2011034810.tif 000060
【化２】
2011034810.tif 000061
【化３】
2011034810.tif 000062
【化４】
2011034810.tif 000063
【請求項８】
一の電極と、発光層を含む少なくとも一層の有機蒸着層と、他の電極とがこの順に形成される有機電界発光素子の製造方法であって、
前記有機蒸着層における前記他の電極側の表面粗さＲａと該有機蒸着層の厚みｔとが、次式、０．０９３＜Ｒａ／ｔ＜０．３４０の関係を満たすように蒸着を行うこととし、前記有機蒸着層の厚みｔが、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。