(57)【要約】【課題】横方向に一列に配置された基板保持部を備えた複数の液処理部と、これら液処理部に対して共用化され、液処理部の配列方向に沿って設けられた複数の処理液ノズルと、を備えた液処理装置において、前記処理液ノズルから基板への処理液の落下を抑え、歩留りの低下を防ぐことができる液処理装置を提供すること。【解決手段】処理液ノズルの下方にて当該処理液ノズルの配列方向に沿って光軸を形成する光センサと、各処理液ノズルの不使用時に前記光センサにより前記光軸が遮られた状態を検出したときに、処理液の液垂れまたは滴下が発生したと判定し、判定信号を出力する手段と、前記判定信号の出力に基づいて対処動作を行う対処手段と、備えるように装置を構成する。各処理液ノズルが、横方向に配列された各液処理部上を移動するにあたり、基板や基板保持部に処理液が滴下して、正常な処理が妨げられたり、パーティクルとなったりすることが抑えられる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々上側に開口部が形成されたカップの中に基板を水平に保持する基板保持部を設けて構成され、互いに横方向に一列に配置された複数の液処理部と、
これら複数の液処理部に対して共用化され、基板に夫々異なる種類の処理液を供給するために、前記液処理部の配列方向に沿って支持体に設けられた複数の処理液ノズルと、
前記処理液ノズルを待機させるために設けられたノズルバスと、
前記液処理部の各々の上方領域と前記ノズルバスとの間で、前記支持体を介して各処理液ノズルを液処理部の列に沿って移動させるための支持体駆動機構と、
各処理液ノズルの下方にて当該処理液ノズルの配列方向に沿って光軸を形成する光センサと、
各処理液ノズルの不使用時に前記光センサにより前記光軸が遮られた状態を検出したときには、処理液の液垂れまたは滴下が発生したと判定し、判定信号を出力する手段と、
前記判定信号の出力に基づいて対処動作を行う対処手段と、
を備えたことを特徴とする液処理装置。
【請求項２】
前記対処手段は、処理液ノズルの先端部を撮像する撮像手段と、
この前記撮像手段による撮像結果に基づき、どの処理液ノズルに液垂れまたは処理液の滴下が発生したかを判断する判断手段と、
を備え、前記判定信号の出力に基づいて判断手段による判断が行われることを特徴とする請求項１記載の液処理装置。
【請求項３】
前記対処手段は、前記液処理部の配列方向の延長線上か、その配列方向における液処理部間に設けられた排液領域と、
その排液領域に前記判断手段により、液垂れまたは処理液の滴下が発生したと判断された処理液ノズルから処理液の吐出を行うように制御信号を出力する制御手段と、
を備えることを特徴とする請求項２記載の液処理装置。
【請求項４】
前記排液領域は前記ノズルバスにより構成されることを特徴とする請求項３記載の液処理装置。
【請求項５】
前記対処手段は、各処理液ノズルからの液垂れ及び落下した液滴を受けるための液受け部材と、
液垂れまたは滴下が検出されたときにその液受け部材を、液処理ノズルの下方で液を受けるための液受け領域へ、その液受け領域の外側の退避領域から移動させる移動手段と、を備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の液処理装置。
【請求項６】
前記対処手段は、支持体駆動機構の移動及び処理液ノズルからの処理液の吐出を停止させる停止手段を備えることを特徴とする請求項１記載の液処理装置。
【請求項７】
前記対処手段は、アラーム発生手段を備えることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の液処理装置。
【請求項８】
前記支持体駆動機構は前記支持体を昇降させるように構成され、前記光センサは、当該支持体駆動機構に対して固定された固定部に設けられていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載の液処理装置。
【請求項９】
各々上側に開口部が形成されたカップの中に基板を水平に保持する基板保持部を備え、互いに横方向に一列に配置された複数の液処理部に対して共用化され、前記液処理部の配列方向に沿って支持体に設けられた複数の処理液ノズルから基板に夫々異なる種類の処理液を供給する工程と、
ノズルバスに処理液ノズルを待機させる工程と、
支持体駆動機構により前記液処理部の各々の上方領域と前記ノズルバスとの間で、前記支持体を介して各処理液ノズルを液処理部の列に沿って移動させる工程と、
光センサにより各処理液ノズルの下方にて処理液ノズルの配列方向に沿って光軸を形成する工程と、
各処理液ノズルの不使用時に前記光センサにより前記光軸が遮られた状態を検出したときには、処理液の液垂れまたは滴下が発生したと判定し、判定信号を出力する工程と、
前記判定信号の出力に基づいて対処動作を行う対処手段と、
を備えたことを特徴とする液処理方法。
【請求項１０】
前記対処動作を行う工程は、撮像手段により処理液ノズルの先端部を撮像する工程と、
前記撮像手段による撮像結果に基づき、どの処理液ノズルに液垂れまたは処理液の滴下が発生したかを判断手段により判断する工程と、
前記判定信号の出力に基づいて判断手段による判断が行われる工程と、
を含むことを特徴とする請求項９記載の液処理方法。
【請求項１１】
前記液処理部の配列方向の延長線上か、その配列方向における液処理部間に設けられた排液領域に前記判断手段により液垂れまたは処理液の滴下が起きたと判断された処理液ノズルから処理液の吐出を行う工程と、
そのように処理液の吐出を行うために制御手段から制御信号を出力する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１０記載の液処理方法。
【請求項１２】
前記対処出力を発する工程は、
撮像手段により処理液ノズルの先端部を撮像する工程と、
判断手段により前記処理液の液垂れまたは滴下が検出されたときにのみ前記撮像手段による撮像に基づき、どの処理液ノズルに液垂れまたは処理液の滴下が発生したかを判断する工程と、
液垂れまたは処理液の滴下が起きたと判断された処理液ノズルから前記排液領域へ処理液を吐出するように制御手段により制御信号を出力する工程と、を含むことを特徴とする請求項１１記載の液処理方法。
【請求項１３】
前記対処出力を発する工程は、
液受け部材により各処理液ノズルからの液垂れ及び落下した液滴を受けるための工程と、
液垂れまたは滴下が検出されたときにその液受け部材を、移動手段により液処理ノズルの下方で液を受けるための液受け領域へ、その液受け領域の外側の退避領域から移動させる工程と、
を含むことを特徴とする請求項９ないし１２のいずれか一つに記載の液処理方法。
【請求項１４】
基板に対する液処理を行う液処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項９ないし１３のいずれか一つに記載の液処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理液を供給して液処理を行う液処理装置、液処理方法及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。このような処理は、一般にレジストの塗布、現像を行う塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
【０００３】
この塗布、現像装置にはウエハに処理液を供給して液処理を行う各種の液処理モジュールが設けられている。この液処理モジュールとしてはウエハに例えばレジストを塗布するレジスト塗布モジュール（レジスト塗布装置）がある。レジスト塗布モジュールはウエハを保持するスピンチャックと、そのスピンチャックに保持されたウエハを囲むように設けられた排液手段及び排気手段を備えたカップとからなる塗布処理部と、を備える。また、レジスト塗布モジュールは、ウエハにレジストを吐出するためのレジスト吐出ノズルと、前記レジスト供給前にウエハに処理液例えばシンナーを吐出して前記レジストの濡れ性を向上させるためのシンナー吐出ノズルと、を備えている。これらレジスト吐出ノズル及びシンナー吐出ノズルはそれらを支持するアームに取り付けられ、前記カップ上と、各ノズルを待機させるためにカップの外側に設けられたノズルバスとの間を移動する。
【０００４】
ところで近年は、多品種少量生産の要請から濃度や成分の異なる複数種類のレジストを使い分ける場合がある。レジストをそのように使い分けるために、互いに異なる種類のレジストを夫々供給するための複数のラインに夫々接続された複数のレジスト吐出ノズルを、前記アームが処理を切り替えるたびに持ち替えることが考えられる。しかし、装置構成を簡素化する目的からそれら複数のレジスト吐出ノズルと、シンナー吐出ノズルとを一つにまとめた集合ノズルを一つのアームに取り付けて駆動させる構造とする場合がある。
【０００５】
さらに、装置構成を簡素化するために単一のレジスト塗布モジュール内においては例えば前記カップを備えた塗布処理部が横並びで複数個設けられる場合がある。この場合、これら各塗布処理部とノズルバスとは例えば直線上に配設され、各塗布処理部に対して共通化された前記アームが、ノズルバスとカップ間とを移動しながらレジスト塗布処理を行う。スループット向上のため、前記アームが移動開始点から終了点までを最短距離で移動することが求められるので、塗布処理部及びノズルバスの配列方向と平行に直線状に移動する。従って、このように構成されたレジスト塗布モジュールでは、その構造上各ノズルがカップ上を横切ることになる。
【０００６】
ところで、各ノズルをウエハ上に移動させてから直ちにレジスト及びシンナーの吐出を開始するためには、ノズルの先端近くまでこれらの液を満たしておく必要がある。しかし、このように液が満ちた状態で上記のように構成されたレジスト塗布モジュールのノズルを移動させると、アーム駆動時に発生する振動や、レジスト及びシンナーを供給するラインの内圧変動などによって、移動途中の目的外の位置で各ノズルの先端から液垂れひいては液滴落下が生じてしまうおそれがある。そして、上記のように各ノズルがカップ上を横切るときにスピンチャックや処理前または処理済みのウエハ上に液滴が落下すると、スピンチャックの汚れによりパーティクルが発生したり、製品ウエハの塗布不良を引き起こして歩留りが低下してしまうおそれがある。
【０００７】
特許文献１、特許文献２には塗布時、移動中のノズルから吐出される薬液状態を光学センサ、カメラ方式で夫々監視することが記載されている。ただし、これらは薬液の吐出状態や吐出のタイミングの異常を検知することが目的であり、また、薬液状態の監視区域は薬液吐出中及びその前後に限定される。従って、それらの光学センサ及びカメラはカップ外において移動中のノズルを監視するものではない。また、特許文献１、２には異常発生時における上記の液滴落下の回避手段について記載されていない。従ってこれらの特許文献１、２は、上記の問題を解決できるものはない。また、特許文献３はノズルがカップ間を移動する場合におこる問題については記載されておらず、既述の問題を解決するには不十分である。また、特許文献４は上記の問題を解決するために常時カメラによる解析を行わなければならず、プログラムに負荷がかかってしまうおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−３０７４６５
【特許文献２】特開２００２−３１６０８０
【特許文献３】特開２００８−３１３８２２
【特許文献４】特開２００８−１３５６７９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、横方向に一列に配置された基板保持部を備えた複数の液処理部と、これら液処理部に対して共用化され、液処理部の配列方向に沿って設けられた複数の処理液ノズルと、を備えた液処理装置において、前記処理液ノズルから基板への処理液の落下を抑え、歩留りの低下を防ぐことができる液処理装置、液処理方法及び記憶媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の液処理装置は、各々上側に開口部が形成されたカップの中に基板を水平に保持する基板保持部を設けて構成され、互いに横方向に一列に配置された複数の液処理部と、
これら複数の液処理部に対して共用化され、基板に夫々異なる種類の処理液を供給するために、前記液処理部の配列方向に沿って支持体に設けられた複数の処理液ノズルと、
前記処理液ノズルを待機させるために設けられたノズルバスと、
前記液処理部の各々の上方領域と前記ノズルバスとの間で、前記支持体を介して各処理液ノズルを液処理部の列に沿って移動させるための支持体駆動機構と、
各処理液ノズルの下方にて当該処理液ノズルの配列方向に沿って光軸を形成する光センサと、
各処理液ノズルの不使用時に前記光センサにより前記光軸が遮られた状態を検出したときには、処理液の液垂れまたは滴下が発生したと判定し、判定信号を出力する手段と、
前記判定信号の出力に基づいて対処動作を行う対処手段と、
を備えたことを特徴とする。
【００１１】
前記対処手段は、処理液ノズルの先端部を撮像する撮像手段と、この前記撮像手段による撮像結果に基づき、どの処理液ノズルに液垂れまたは処理液の滴下が発生したかを判断する判断手段と、を備え、前記判定信号の出力に基づいて判断手段による判断が行われてもよく、その場合、前記対処手段は、前記液処理部の配列方向の延長線上か、その配列方向における液処理部間に設けられた排液領域と、その排液領域に前記判断手段により、液垂れまたは処理液の滴下が発生したと判断された処理液ノズルから処理液の吐出を行うように制御信号を出力する制御手段と、
を備えていてもよい。
【００１２】
例えば前記対処手段は、各処理液ノズルからの液垂れ及び落下した液滴を受けるための液受け部材と、液垂れまたは滴下が検出されたときにその液受け部材を、液処理ノズルの下方で液を受けるための液受け領域へ、その液受け領域の外側の退避領域から移動させる移動手段と、を備えていてもよく、前記対処手段は、支持体駆動機構の移動及び処理液ノズルからの処理液の吐出を停止させる停止手段を備えていてもよい。また、前記対処手段は、アラーム発生手段を備えていてもよい。前記支持体駆動機構は前記支持体を昇降させるように構成され、前記光センサは、例えば当該支持体駆動機構に対して固定された固定部に設けられている。
【００１３】
本発明の基板処理方法は、各々上側に開口部が形成されたカップの中に基板を水平に保持する基板保持部を備え、互いに横方向に一列に配置された複数の液処理部に対して共用化され、前記液処理部の配列方向に沿って支持体に設けられた複数の処理液ノズルから基板に夫々異なる種類の処理液を供給する工程と、
ノズルバスに処理液ノズルを待機させる工程と、
支持体駆動機構により前記液処理部の各々の上方領域と前記ノズルバスとの間で、前記支持体を介して各処理液ノズルを液処理部の列に沿って移動させる工程と、
光センサにより各処理液ノズルの下方にて処理液ノズルの配列方向に沿って光軸を形成する工程と、
各処理液ノズルの不使用時に前記光センサにより前記光軸が遮られた状態を検出したときには、処理液の液垂れまたは滴下が発生したと判定し、判定信号を出力する工程と、
前記判定信号の出力に基づいて対処動作を行う対処手段と、
を備えたことを特徴とする。
【００１４】
例えば、前記対処動作を行う工程は、撮像手段により処理液ノズルの先端部を撮像する工程と、
前記撮像手段による撮像結果に基づき、どの処理液ノズルに液垂れまたは処理液の滴下が発生したかを判断手段により判断する工程と、
前記判定信号の出力に基づいて判断手段による判断が行われる工程と、を含んでいてもよく、前記液処理部の配列方向の延長線上か、その配列方向における液処理部間に設けられた排液領域に前記判断手段により液垂れまたは処理液の滴下が起きたと判断された処理液ノズルから処理液の吐出を行う工程と、
そのように処理液の吐出を行うために制御手段から制御信号を出力する工程と、を含んでいてもよい。
【００１５】
また、前記対処出力を発する工程は、液受け部材により各処理液ノズルからの液垂れ及び落下した液滴を受けるための工程と、液垂れまたは滴下が検出されたときにその液受け部材を、移動手段により液処理ノズルの下方で液を受けるための液受け領域へ、その液受け領域の外側の退避領域から移動させる工程と、を含んでいてもよい。
【００１６】
本発明の記憶媒体は、基板に対する液処理を行う液処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上述の液処理方法を実施するためのものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、液処理部の配列方向に沿って設けられた処理液ノズルの下方にて当該処理液ノズルの配列方向に沿って光軸を形成する光センサと、各処理液ノズルの不使用時に前記光センサにより前記光軸が遮られた状態を検出したときには、処理液の液垂れまたは滴下が発生したと判定し、判定信号を出力する手段と、前記判定信号の出力に基づいて対処動作を行う対処手段と、を備えている。従って、各処理液ノズルが、横方向に配列された各液処理部上を移動するにあたり、基板や基板保持部に処理液が滴下して、正常な処理が妨げられたり、パーティクルとなったりすることが抑えられる。その結果として歩留りの低下が抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係るレジスト塗布装置の斜視図である。
【図２】前記レジスト塗布装置の平面図である。
【図３】前記レジスト塗布装置の塗布処理部の構成図である。
【図４】前記レジスト塗布装置のレジスト供給部の斜視図である。
【図５】前記レジスト供給部のアームの先端側の平面図である。
【図６】前記アームの裏面側の斜視図である。
【図７】前記アームの集合ノズルから液垂れが発生した状態を示す説明図である。
【図８】レジストがウエハに塗布される工程を示した工程図である。
【図９】前記レジスト塗布装置の制御部の構成図である。
【図１０】ノズルバスへの薬液吐出が行われる様子を示した説明図である。
【図１１】異常時におけるアームの位置と、アームが移動するノズルバスとの関係を示した説明図である。
【図１２】異常時における動作を示したフローチャートである。
【図１３】他の実施形態のレジスト供給部を示した斜視図である。
【図１４】前記レジスト供給部の側面図である。
【図１５】前記レジスト塗布装置を備えた塗布、現像装置の平面図である。
【図１６】前記塗布、現像装置の斜視図である。
【図１７】前記塗布、現像装置の縦断平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（第１の実施形態）
本発明の液処理装置の一例であるレジスト塗布装置１について、その斜視図、上面図である図１、図２を夫々参照しながら説明する。レジスト塗布装置１は３つの塗布処理部１１ａ、１１ｂ、１１ｃと、レジスト供給部３と、レジスト膜の周縁部除去機構６１ａ、６１ｂ、６１ｃと、レジスト供給部３の各ノズルを待機させるためのノズルバス３０と、を備えている。また、図示は省略しているが、各塗布処理部１１上には下方に向けてガスを供給し、下方に向かう気流（ダウンフロー）を発生するためのガス供給部が設けられている。
【００２０】
塗布処理部１１ａ〜１１ｃは横方向に一列に配列されている。各塗布処理部１１ａ〜１１ｃは各々同様に構成されており、ここでは塗布処理部１１ａを例に挙げて、その縦断側面を示した図３も参照しながら説明する。塗布処理部１１ａは夫々ウエハＷの裏面中央部を吸着して水平に保持する基板保持部であるスピンチャック１２ａを備え、スピンチャック１２ａは回転軸１３ａを介して回転駆動機構１４ａと接続されている。スピンチャック１２ａは、回転駆動機構１４ａを介してウエハＷを保持した状態で鉛直軸回りに回転自在に構成されており、その回転軸上にウエハＷの中心が位置するように設定されている。回転駆動機構１４ａは後述の制御部７からの制御信号を受けてスピンチャック１２ａの回転速度を制御する。
【００２１】
スピンチャック１２ａの周囲にはスピンチャック１２ａ上のウエハＷを囲むようにして上方側に開口部２０ａを備えたカップ２１ａが設けられており、カップ２１ａの側周面上端側は内側に傾斜した傾斜部２２ａを形成している。カップ２１ａの底部側には例えば凹部状をなす液受け部２３ａが設けられている。液受け部２３ａは、隔壁２４ａによりウエハＷの周縁下方側に全周に亘って外側領域と内側領域とに区画されている。外側領域の底部には貯留したレジストなどのドレインを排出するための排液口２５ａが設けられ、内側領域の底部には処理雰囲気を排気するための排気口２６ａ，２６ａが設けられている。
【００２２】
排気口２６ａ，２６ａには排気管２７ａの一端が接続されており、排気管２７ａの他端は、排気ダンパ２８ａを介して例えばレジスト塗布装置１が設置された工場の排気路に接続されている。排気ダンパ２８ａは、制御部７からの制御信号を受けてカップ２１ａ内の排気量を制御する。
【００２３】
図中１５ａは、昇降自在に構成された昇降ピンであり、カップ２１ａ内に３本設けられている（図１及び図３では便宜上２本のみ表示している）。レジスト塗布装置１にウエハＷを搬送する図示しない基板搬送手段の動作に応じて、制御部７から出力された制御信号に応じて昇降機構１６ａが昇降ピン１５ａを昇降させ、その基板搬送手段とスピンチャック１２ａとの間でウエハＷが受け渡される。
【００２４】
塗布処理部１１ｂ、１１ｃについて塗布処理部１１ａの各部に対応する部分については、塗布処理部１１ａの説明で用いた数字と同じ数字を用い、且つａの代わりにｂ、ｃを夫々付して各図中に示している。また、各塗布処理部１１ａ〜１１ｃの各カップは、後述のように液垂れ発生時に各カップ間にてその液垂れを起こしているノズルから液の吐出処理を行い、液垂れ除去を行うために間隔をおいて配列されている。
【００２５】
次に、レジスト供給部３の構成について図４も参照しながら説明する。レジスト供給部３は、駆動機構（支持体駆動機構）３２と、駆動機構３２から水平方向に伸びる支持体であるアーム３３と、集合ノズル４０と、固定部材であるブラケット５０と、を備えている。図中３Ａは駆動機構３２を支持する基台であり、塗布処理部１１ａ〜１１ｃの配列方向に伸長したガイド３１を備えている。駆動機構３２は、ガイド３１の長さ方向に沿って移動する。集合ノズル４０は、アーム３３の先端部をなすノズルヘッド３４の下側に支持されており、濃度や成分の異なる１０種類のレジストを夫々供給する１０本のレジスト吐出ノズル４１と、ウエハＷ上でレジストを広がり易くするための処理液例えばシンナーを供給するシンナー吐出ノズル４２と、からなる。ここではレジスト及びシンナーを総称して薬液と呼ぶ。各ノズル４１、４２は、アーム３３によるこれらノズル４１，４２の移動方向と並行に配列されている。
【００２６】
また、アーム３３は駆動機構３２により昇降自在に構成されており、図５（ａ）、図５（ｂ）はアーム３３が夫々上昇位置、下降位置にある状態を示している。各塗布処理部１１ａ〜１１ｃ、周縁部除去機構６１ａ〜６１ｃ及びノズルバス３０との干渉を防ぐためにアーム３３はこのように上昇した状態で横方向に移動し、集合ノズル４０から薬液をウエハＷに供給するときにはミストの発生を抑えるために、ウエハＷとノズル４１、４２との間の距離が所定の大きさになるように下降位置へと移動する。
【００２７】
各ノズル４１、４２は鉛直下方に開口した薬液の吐出口を備えている。各ノズル４１、４２は駆動機構３２の横方向の移動により、ウエハＷの中心部上に移動することができ、鉛直軸周りに回転するウエハＷの中心部に各吐出口から薬液を吐出する。吐出された薬液は遠心力によりウエハＷの周縁部へと展伸するいわゆるスピンコーティングによってウエハＷ表面全体に塗布される。
【００２８】
図３中４３は薬液供給ユニットである。薬液供給ユニット４３は、各ノズル４１，４２に夫々供給する薬液が貯留されたタンクと、タンク内を加圧して当該タンク内の薬液をノズルへ送液するための送液手段と、を備えた薬液供給機構４４により構成されており、薬液供給機構４４はノズル４１，４２と同じ数である１１基設けられている。図中４５はノズル４１，４２と各薬液供給機構４３とを接続する薬液供給ラインであり、各薬液供給ライン４５にはバルブ４６を含む流量制御部４７が介設されている。制御部７からの制御信号を受けて各バルブ４６の開閉が制御され、１０種類のレジストとシンナーとを切り替えてウエハＷに供給することができるようになっている。
【００２９】
図６は、アーム３３の裏面を示しており、当該アーム３３の裏面側には画像を取得するためのイメージセンサ（撮像手段）であるカメラ３５と、光源３６とが設けられている。カメラ３５は例えば広角レンズを備え、ノズル４１，４２の配列方向と略直交する方角からこれらノズル４１，４２の先端部を撮像し、液垂れ及び液滴落下を起こしたノズルを特定できるようになっている。撮像を行う際に光源３６はノズル４１，４２を照らす。カメラ３５はレジスト塗布処理中、制御部７に常時画像を送信しているが、その画像データの解析は、後述の解析プログラムを実行することによるＣＰＵ７４の負荷を抑えるために、液垂れ及び液滴落下が検出されたときにのみ行われる。
【００３０】
ここで、液垂れとはノズルの先端より下方に薬液が露出した状態を意味し、液滴落下（処理液の滴下）とはこの液垂れが成長した結果、前記先端より薬液が分離した状態を意味する。また、制御部７は、例えばアーム３３の先端側から見て左から順にＮｏ．１、Ｎｏ．２・・・Ｎｏ．１１というようにノズル番号を付して、その番号毎に後述するように異常の発生状況を管理している。
【００３１】
続いてブラケット５０について説明する。ブラケット５０の基部側は駆動機構３２に固定されており、ブラケット５０の先端側はアーム３３に沿って伸びている。ブラケット５０の先端部５１は図５（ａ）（ｂ）に示すようにアーム３３の先端側から見て、ノズルヘッド３４を左右に挟む側板５２ａ，５２ｂを備えている。側板５２ａ、５２ｂには、互いに対となる投光部５３ａ、受光部５３ｂにより構成された透過型の光学センサ（光センサ）５３が設けられている。従って、アーム３３が上記のように図１中Ｙ方向（塗布処理部１１ａ〜１１ｂの配列方向）及び高さ方向（Ｚ方向）に移動できるのに対し、光学センサ５３は駆動機構３２の移動に従ってＹ方向にアーム３３と一体で移動するが、Ｚ方向には移動しない。薬液をウエハＷに吐出する際に光学センサ５３もアーム３３と一緒に下降して、ウエハＷとの距離が近くなると、薬液の跳ね返りによって投光部５３ａ、５３ｂが汚れる結果、投光量及び受光量が低下するおそれがある。従って、このようにアーム３３の下降にかかわらず光学センサ５３が下降しない構成とすることで、液垂れ及び液滴落下の誤検知となるリスクが低下するため好ましい。
【００３２】
アーム３３が上昇位置に位置しているときには、投光部５３ａ及び受光部５３ｂはノズル４１，４２よりも下方に位置しており、図５（ａ）中鎖線の矢印で示すように投光部５３ａから受光部５３ｂにノズル４１，４２の配列方向に沿って、これらノズル４１、４２の先端の下方を通過するように光が照射され、図中に鎖線の矢印で示す光軸Ｌ１が形成される。投光部５３ａとしては、レジストが感光するリスクを抑えるために可視光など長波長域の光を照射するものが好ましい。また、そのように照射される光としてはレーザの様に指向性の高いものであればさらに良い。光軸Ｌ１と、ノズル４１，４２の下端との間の距離Ｌは例えば０．５ｍｍ〜１．５ｍｍである。
【００３３】
受光部５３ｂは、その受光する光量に応じた出力信号を制御部７に送信する。図５（ｂ）に示すようにアーム３３が上昇位置に位置するときに液垂れＤが生じたり液滴落下が起きたりすると、その薬液が投光部５３ａから受光部５３ｂへ照射された光を遮り、受光部５３ｂが受光する光量が低下し、その低下に応じて受光部５３ｂが出力する前記信号が変化する。
【００３４】
続いて塗布膜周縁部除去機構６１ａ〜６１ｃについて説明する。塗布膜周縁部除去機構６１ａ〜６１ｃは、塗布処理部１１ａ〜１１ｃの夫々のウエハＷに形成されたレジスト膜の周縁部を除去しての当該周縁部の膜の剥がれを防止するために設けられている。各塗布膜周縁部除去機構６１ａ〜６１ｃは、レジストの溶剤であるシンナーをウエハＷ周縁部に供給するシンナー吐出ノズル６２と、当該シンナー吐出ノズル６２を保持するアーム６３と、アーム６３を保持する駆動機構６４と、を備えている。駆動機構６４は、アーム６３を昇降させると共にガイド６５に沿ってＹ方向に移動する。図中６６ａ〜６６ｃは、上側が開口したカップ状に形成されたノズルバスであり、塗布処理部１１ａ〜１１ｃの列に沿って設けられている。各シンナー吐出ノズル６２は、処理を行わないときに夫々ノズルバス６６ａ〜６６ｃ内に収納されて待機し、処理を行うときに対応する塗布処理部１１ａ〜１１ｃのウエハＷの周縁部上に移動する。
【００３５】
ノズルバス３０は、集合ノズル４０が移動するＹ方向の一端側に設けられており、上側が開口したカップ状に形成されている。集合ノズル４０はウエハＷに処理を行わないときには、このノズルバス３０内に収納されて待機する。また、液垂れ及び液滴落下が検出されたときには排液領域をなすこれらのノズルバス３０、６６ａ〜６６ｃ内に薬液が吐出される場合があり、ノズルバス３０、６６ａ〜６６ｃ内にはその吐出された薬液を排液する図示しない排液路が設けられている。
【００３６】
続いて、レジスト塗布装置１によりウエハＷにレジストを塗布する工程について説明する。塗布装置１の外部の搬送手段によって例えば塗布処理部１１ａに搬送されたウエハＷは、昇降ピン１５ａを介してスピンチャック１２ａに受け渡される。その後、ノズルバス３０にて待機している集合ノズル４０がアーム３３を介して上昇し、当該ノズルバス３０から出た後、Ｙ方向に移動して、シンナー吐出ノズル４２がウエハＷの中心部上に位置したら（図８（ａ））、アーム３３が下降する。このアーム３３の移動動作と並行して、スピンチャック１２ａを回転させ、その回転中のウエハＷ上にシンナーを供給する。シンナーがスピンコーティングされた後、当該処理にて用いられるレジスト吐出ノズル４１がウエハＷの中心部上に位置するように、アーム３３がＹ方向に移動する。この移動動作と並行して、ウエハＷの回転数が上昇し、ウエハＷ上にレジストＲが供給され、スピンコーティングにより、ウエハＷ表面全体にレジストＲが塗布される（図８（ｂ））。
【００３７】
前記レジストＲ供給停止後、ウエハＷの回転数を低下させ、レジストＲの厚さを均一にし、次いで再び回転数を上昇させることによりコーティングしたレジストＲを振り切り乾燥して、レジスト膜を形成する。この間、アーム３３が上昇位置に移動した後、ノズルバス３０上へと横方向に移動し、然る後下降して当該ノズルバス３０内で待機する。一方、振り切り乾燥の完了したウエハＷに対しては、そのウエハＷが回転した状態でシンナー吐出ノズル６１からシンナーが供給されて、ウエハＷ周縁部に塗布したレジスト膜が除去される。然る後、レジスト膜の場合と同様にシンナーの振り切り乾燥を行って一連の液処理を完了する。
【００３８】
シンナー吐出ノズル６１を周縁部除去機構６１ａのノズルバス６６ａまで退避させたあと、ウエハＷは昇降ピン１５ａを介して装置１の外部の搬送手段に受け渡され、レジスト塗布装置１から搬出される。こうして各塗布処理部１１ａ〜１１ｃには、例えば予め設定されたウエハＷの搬送サイクルに従って前記搬送手段によりウエハＷが所定の間隔で順次搬送され、アーム３３は塗布処理部１１ａに移動したときと同様に他の塗布処理部にも移動し、同様の処理が行われる。
【００３９】
この例では、アーム３３はノズルバス３０から先にウエハＷが搬送された塗布処理部１１に移動し、そこで液処理を終えた後、一旦ノズルバス３０に戻り、後にウエハＷが搬送された塗布処理部１１に移動する。ただし、ノズルバス３０から一の塗布処理部１１に移動後、ノズルバス３０に戻らず、他の塗布処理部１１に移動して処理を行い、例えば複数回塗布処理部１１間を移動した後、ノズルバス３０に戻るようにアーム３３を動作させてもよい。
【００４０】
このレジスト塗布装置１には、例えばコンピュータからなる対処手段を構成する制御部７が設けられている。制御部７の構成について図９を参照しながら説明する。図中７０はバスであり、制御部７はこれらバス７０に接続された処理プログラム７１、解析プログラム７Ａ、第１のメモリ７２、第２のメモリ７３、ＣＰＵ７４、操作部７５、表示部７６、を備えている。判断手段を構成する解析プログラム７Ａは、異常発生時にカメラ３５から送信された画像の解析処理を行い、処理プログラム７１はそれ以外の処理を行う。
【００４１】
第１のメモリ７２には処理温度、処理時間、各薬液の供給量または電力値などの処理パラメータの値が書き込まれる領域を備えており、ＣＰＵ７２が処理プログラム７１の各命令を実行する際これらの処理パラメータが読み出され、そのパラメータ値に応じた制御信号がこのレジスト塗布装置１の各部に送られる。処理プログラム７１の作用としては、これら処理パラメータの入力操作や表示に関する動作も含まれる。処理プログラム７１及び解析プログラム７Ａは、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）及びメモリーカードなどのコンピュータ記憶媒体により構成されたプログラム格納部７７に格納されて制御部７にインストールされる。
【００４２】
第２のメモリ７３には、カメラ３５から送信される集合ノズル４０先端の画像データと、ユーザがメンテナンスのために利用する後述の各種のデータとが記憶される。記憶された前記画像データについては、第２のメモリ７３の使用容量を抑えるために処理プログラム７１により例えば所定の時間経過後に当該第２のメモリ７３から消去される。操作部７５としてはマウス、キーボードなどにより構成されており、例えば既述の処理パラメータの設定はこの操作部７５により行われる。また、ユーザは液垂れ及び液滴落下が検出されたときに取る対処処置として、薬液のノズルバスへの塗布処理を目的としない吐出処理（ダミーディスペンス）、レジスト塗布装置１での処理の停止のいずれかを行うか、操作部７５から選択できるようになっている。表示部７６は例えばディスプレイとして構成される。
【００４３】
また、制御部７には例えばウエハＷの搬送を制御する上位コンピュータから、レジスト塗布装置１に搬送されるウエハＷのＩＤと、そのウエハＷが搬送されるタイミング及び搬送先の塗布処理部と、塗布されるべきレジストの種類のデータが送信され、そのデータに基づいて処理プログラム７１は、集合ノズル４０を各塗布処理部１１に移動させ、ウエハＷに応じたノズルによりレジスト塗布処理を行う。
【００４４】
バス７０にはアラーム発生部７９が接続されている。このアラーム発生部７９は液垂れ発生及び液滴落下を検出したとき、装置の異常を検出したとき、メンテナンス推奨時期が来たときに夫々アラームを出力する。さらに、バス７０には既述のカメラ３５、光源３６、駆動機構３２、薬液供給ユニット４３、流量制御部４７などが接続されており、ウエハＷへのレジスト塗布処理と、液垂れ及び液滴落下の発生に応じた所定の対処動作とを実行することができるようになっている。
【００４５】
ここで、液垂れ発生及び液滴落下及び、装置の異常の夫々の検出動作と、それらに対応したアラームが発生されるまでの工程とについて説明する。既述のように投光部５３ａから照射される光が遮られ、受光部５３ｂが受光する光量が低下したときに、それに応じた信号（便宜上、光量減少信号と呼ぶ）が受光部５３ｂから出力される。従って、図５（ｂ）に示すようにアーム３３が下降位置にあるときには、処理プログラム７１によりアーム３３をその下降位置に位置させる信号（便宜上、下降信号と呼ぶ）が出力されると共に前記光量減少信号が制御部７に出力される。このときには、処理プログラム７１は液垂れ及び液滴落下の発生が起きたとは判定しない。
【００４６】
そして、図７に示すようにアーム３３が上昇位置にあるときには、処理プログラム７１によりアーム３３をその上昇位置に位置させる信号（便宜上、上昇信号と呼ぶ）が出力される。このように上昇信号を出力しているときに光量減少信号が出力されると、処理プログラム７１は液垂れ及び液滴落下の発生が起きたと判定し、アラーム発生部７９によりその旨を示すアラームを発生させる。アーム３３が上昇位置にあるのは、ノズルバス３０と各塗布処理部１１ａ〜１１ｃとの間で横方向に移動する間及び塗布処理部１１ａ〜１１ｃ、ノズルバス３０上へ夫々移動後下降するまでに待機している間である。従ってこれらの区間において液垂れ及び液滴落下の発生が監視される。そして、このように上昇位置で横方向に移動している間及び上昇位置で待機している間は、ノズル４１、４２は不使用時である。そして、下降信号が出力されたときに、光量減少信号が出力されない場合、処理プログラム７１は装置１の異常と判定し、アラーム発生部７９によりその旨を示すアラームを発生させる。
【００４７】
また、上記のように液垂れ及び液滴落下（異常）の発生を検出したときには、処理プログラム７１は、後に具体的に説明するように異常を起こしていると特定されたノズル４１、４２について、そのノズル番号とその時刻とを対応付けて、第２のメモリ７３に記憶させる。そして、処理プログラム７１は、ノズルごとに過去に異常が起きた時刻について、例えばそれらの時刻の間隔の平均を算出し、その平均を液垂れ及び液滴落下が発生する周期として第２のメモリ７３に記憶させると共に表示部７６に表示する。そして、処理プログラム７１は、最近の異常が起きた時刻にその周期を加えて、次に異常が発生すると予想されるタイミングをノズル毎に算出し、その算出されたタイミングを第２のメモリ７３に記憶させると共に表示部７６に表示する。さらに、処理プログラム７１は、そのように算出されたタイミングが近くなると、メンテナンス推奨時期が来たものとして告知用のアラームをアラーム発生部７９により発生させる。ユーザはそのアラームに基づいて装置１のメンテナンスを行うことができる。
【００４８】
また、処理プログラム７１は、液垂れ及び液滴落下の発生を検出したときに、そのときのアーム３３の位置及びアーム３３の動作方向についてのデータをその異常を起こしたノズルの番号に対応付けて第２のメモリ７３に記憶する。そして、例えば表示部７６にはノズルごとに過去に液垂れ及び液滴落下が起きた位置と、そのときの前記動作方向とが表示され、ユーザは前記メンテナンスを行う際にその表示を参考にして、アームを動作させながらノズルの状態をチェックすることができる。
【００４９】
さらに処理プログラム７１は、液垂れ及び液滴落下検出時において、各塗布処理部１１ａ〜１１ｃのスピンチャック１２ａ〜１２ｃに載置されていたウエハのＩＤを第２のメモリ７３に記憶する。その記憶されたＩＤについても前記表示部７６に表示され、ユーザは例えばレジスト塗布後に行われる検査工程において、その表示に基づいてウエハＷを選択して検査する。
【００５０】
続いて、上記のように液垂れ及び液滴落下が検出されたときに、ユーザの選択によって行われる薬液のノズルバスへの吐出処理（ダミーディスペンス）について説明する。この吐出処理は、撮像により液垂れ及び液滴落下を起こしているノズルを特定し、そのノズルから薬液を吐出させて、吐出口内の薬液を一旦除去して液滴落下を防止すると共に液垂れを押し流して除去する処理である。この処理を行うにあたっては、薬液の吐出を行うまでに液滴が落下することを防ぐために、そのノズルは液垂れが検出された位置から最短距離にあるノズルバス上に移動し、ノズルバスから所定の高さに下降して、図１０に示すように薬液の吐出を行う。具体的に、例えば図１１中の鎖線で囲った領域Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４にアームが位置しているときにノズルに異常が検出された場合、アーム３３はそのノズルが夫々ノズルバス３０、６６ａ、６６ｂ、６６ｃ上に位置するように移動する。図１０では、ノズルバス６６ａに薬液が吐出される様子を示しているが、他のノズルバスにも同様に薬液が吐出される。
【００５１】
次に、上記のようにウエハＷへの塗布処理が行われているときに、液垂れ及び液滴落下が発生した場合の動作について図１２のフローチャートを参照しながら説明する。このとき、ユーザにより前記ノズルバスへの吐出処理を行うように設定され、レジスト塗布装置１における処理の停止は設定されていないものとする。そして、例えば上記のようにノズルバス３０から塗布処理部１１ｂにアーム３３が向かうときに、Ｎｏ.３のノズルに液垂れが発生したものとし、また移動先の塗布処理部１１ｂにおいてはＮｏ.５のノズルでレジストの供給が行われるものとする。上記のように液垂れにより受光部５３ｂが受光する光量が低下し、この受光部５３ｂからの出力信号に基づいて処理プログラム７１が、液垂れ及び液滴落下の発生が起きたと判定し（ステップＳ１）、アラーム発生部８１によりアラームを発生させる（ステップＳ２）。
【００５２】
そして、アラームの発生と並行して、処理プログラム７１による異常の発生の判定がトリガーとなって解析プログラム７Ａが起動し（ステップＳ３）、当該解析プログラム７Ａは、カメラ３５から制御部７に送信され第２のメモリ７３に記憶された画像に基づいて、どのノズルに異常が起きているか判定する（ステップＳ４）。判定後、解析プログラム７Ａの動作が停止すると共にこの判定結果に基づき、処理プログラム７１がこの異常検出時におけるアーム３３位置と、アーム３３の動作方向と、異常検出時の時刻と、についてのデータを、異常が起きていると判定されたＮｏ．３のノズルに対応付けて第２のメモリ７３に記憶する。また、この異常検出時にレジスト塗布装置１に搬送されているウエハＷのＩＤについても第２のメモリ７３に記憶される（ステップＳ５）。
【００５３】
その処理プログラム７１は、今回記憶された異常検出時の時刻と、それまでに第２のメモリ７３に記憶されたＮｏ．３のノズルの異常検出時の時刻とに基づいて、そのＮｏ．３のノズルが異常を起こす周期及び次に異常が起きるタイミングを演算し、その演算結果を表示部７６に表示すると共に、その異常が起きたＮｏ．３のノズルが異常検出直後の塗布処理で使用されるノズルであるかどうか判定する（ステップＳ６）。
【００５４】
この場合は集合ノズル４０の移動先の塗布処理部１１ｂでＮｏ．５のノズルが使用されるので、ステップＳ６で異常検出直後の塗布処理で使用されるノズルではないと判定される。そして、アーム３３はその液垂れ及び液滴落下が検出されたときの位置に対応するノズルバス上に移動する。例えば液垂れ及び液滴落下検出時に図１１の領域Ｔ３にアーム３３が位置しているとすると、アーム３３はその領域Ｔ３に対応したノズルバス６６ｂ上にその異常を起こしたＮｏ．３のノズルが位置するように移動する。そして、ノズルバス６６ｂへ向けてアーム３３が下降し、然る後、異常が起きたＮｏ．３のノズルからノズルバス６６ｂに薬液が吐出される（ステップＳ７）。薬液吐出後、処理プログラム７１はノズルが異常状態から回復したものと判定し、ステップＳ１実行前の動作が再開され、アーム３３は再び塗布処理部１１ｂに移動し、塗布処理が行われる。
【００５５】
ところで、前記ステップＳ６で、異常検出直後の塗布処理で使用されるノズルであると判定された場合には塗布処理部１１ｂへの移動及び通常のレジストの塗布処理が行われ（ステップＳ８）、この塗布処理で異常が起きたノズルから薬液が吐出されることで、液垂れが除去されると共に液滴落下が起こりにくい状態となる。この薬液吐出後、処理プログラム７１はノズルが異常状態から回復したものと判定し、引き続き塗布処理が行われる。このようにステップＳ７、Ｓ８が夫々実行され、塗布処理が継続され、例えば所定の枚数ウエハＷを処理した後、ユーザが例えば操作部７５により装置１を停止させ、メンテナンスを行う。メンテナンス後、例えばユーザは操作部７５から所定の処理を行い、アラームの発生を停止させ、塗布処理を再開させる。
【００５６】
ユーザがノズルバスへの薬液吐出を行うように選択した場合について説明してきたが、そのように選択する代わりに装置１の処理停止が行われるように選択している場合は、上記のステップＳ１〜Ｓ５が実行された後、制御部７がレジスト塗布装置１の各部に制御信号を送信し、駆動機構３１の移動が停止し、塗布処理部１１ａ〜１１ｃで行われている各処理が停止する。また基板搬送手段の動作を制御する制御部に制御信号を送信し、レジスト塗布装置１へのウエハＷの搬送を停止させる。そして、ユーザが装置１のメンテナンスを行った後、例えば操作部７５から所定の処理を行うことで、処理プログラム７１はノズルが異常状態から回復したものと判定し、アラームの発生が停止して塗布処理が再開される。
【００５７】
上記の実施形態によれば、集合ノズル４０の下方にて当該集合ノズル４０を構成するノズル４１、４２の配列方向に沿って光を照射する投光部５３ａと、その光を受光する受光部５３ｂとを備えた光学センサ５３と、光学センサ５３の光軸が遮られた状態を検出したときには薬液の液垂れまたは滴下が発生したと判定する制御部７と、を備え、制御部７は、その判定結果に基づいて、アラームの発生と、ノズルバスへの薬液吐出かあるいは駆動機構３２の停止によるレジスト塗布処理の停止を行っている。従って、集合ノズル４０が、各塗布処理部１１ａ〜１１ｃ上を移動するにあたり、ウエハＷやスピンチャック１２ａ〜１２ｃに薬液が滴下して、正常な処理が妨げられたり、パーティクルとなったりすることが抑えられる。その結果として製品の歩留りの低下を抑えることができる。
【００５８】
また、上記の実施形態においては液垂れ及び液滴の落下が起きたと判定されたときにのみ、解析プログラム７Ａが動作し、カメラ３５から制御部７に送信された画像の解析が行われるので、解析プログラム７Ａの負荷を抑えることができるため好ましい。カメラ３５については上記の例では異常発生時に速やかに撮像を行うためにレジスト塗布処理中は常に電源がオンになっており、画像データは常時制御部７に送信されているが、上記の液垂れ及び液滴の落下が起きたと判定されたときにのみ電源がオンになり、制御部７への画像データの送信が行われてもよい。
【００５９】
また、上記の実施形態では集合ノズル４０を構成する各ノズルの先端を光学センサ５３により一括で監視し、液垂れ及び薬液の落下を検知してアラームを出力する。そして、通常のレジスト塗布処理時には集合ノズル４０を支持するアーム３３の動きは、この光学センサ５３による監視を行うことで影響しないので、このような監視を行うことによるスループットの低下を抑えることができる。また、一対の投光部５３ａ及び受光部５３ｂからなる光学センサ５３で、集合ノズル４０を横断的に一括監視している。このように複数のノズルを一つのセンサで監視する構成とすることで、装置の構成部品点数の増加を抑えることができる。また、上記実施形態では光学センサ５３の取り付け後に処理で使用するノズル及び薬液供給ライン４５の本数が変更されても、監視対象となる空間は変化しないので、光学センサ５３の取り付け位置の変更や調整作業を行う必要が無いので好ましい。また、ノズル毎に異常が起きる周期を算出し、その周期に基づいてアラームを出力しユーザに報知するので、ユーザは適正なメンテナンスのタイミングを知ることができ、その結果としてより確実に歩留りの低下を抑えることができる。
【００６０】
（第２の実施形態）
続いてレジスト塗布装置１の他の実施形態について、第１の実施形態との差異点を中心に説明する。図１３は第２の実施形態におけるレジスト供給部３の斜視図であり、ブラケット５０の先端部５１には例えばシリンダ８２を備えた駆動機構８１が設けられており、シリンダ８２には立て板状の支持部８３が接続され、その支持部８３には液受け部材を構成する受け皿８４が水平に設けられている。
【００６１】
駆動機構８１はブラケット５０に対して固定されており、受け皿８４はＹ方向にアーム３３と一体で動くが、Ｚ方向（上下方向）には動かない。このように受け皿８４をアーム３３と共に下降させないようにすることで、受け皿８４がウエハＷの直上でレジスト塗布装置１のダウンフローを遮り、ウエハＷ上の塗布膜厚やパーティクル発生数に影響を及ぼすことを防いでいる。そして、受け皿８４は駆動機構８１によりＸ方向（アーム３３の伸長方向）に移動自在に構成され、図１４（ａ）に示す集合ノズル４０直下から離れた退避位置と、図１４（ｂ）に示す集合ノズル４０直下の液受け位置との間で移動する。通常、受け皿８４は退避位置にて待機し、アーム３３による集合ノズル４０の昇降を妨げないようになっている。
【００６２】
上記のこの第２の実施形態において、液垂れ及び液滴落下が発生した場合の処理工程について説明する。第１の実施形態と同様にステップＳ１、Ｓ２が行われた後、受け皿８４が液受け位置に移動し、ステップＳ３〜Ｓ６が同様に実施される。そして、ステップＳ６において異常が起きたノズルが次の塗布処理で用いられるノズルではないと判定された場合、受け皿８４が液受け位置に位置したままアーム３３が、ステップＳ１にて異常が検出された位置に対応するノズルバス上に移動する。そして、異常が起きたノズルがノズルバス上に位置すると、受け皿８４が液受け位置から退避位置に移動し、その後アーム３３が下降して、ステップＳ７のノズルバスへの薬液の吐出が行われる。この薬液吐出後、処理プログラム７１はノズルが異常状態から回復したものと判定し、受け皿８４が退避位置に位置したまま、引き続き塗布処理が行われる。
【００６３】
また、ステップＳ６で異常が起きたノズルが次の塗布処理で用いられるノズルであると判定された場合、受け皿８４が液受け位置に位置したままアーム３３が塗布処理部１１に移動する。そして、異常が起きたノズルがその塗布処理部１１のウエハＷ上に位置すると、受け皿８４が液受け位置から退避位置に移動し、ステップＳ８のウエハＷへの通常処理が行われ、プログラム７１はノズルが異常状態から回復したものと判定し、受け皿８４が退避位置に位置したまま、引き続き次のウエハＷの塗布処理が行われる。
【００６４】
この第２の実施形態においては、アラームの出力及び受け皿８４の移動による液滴落下の物理的回避が行われるので、第１の実施形態と同様の効果がある。また、このように異常検出時にのみ液受け位置に受け皿８４を位置させることで、通常の処理時は、アーム３３が昇降する度に受け皿８４がそのアーム３３を回避するために移動する必要がなく、この受け皿８４の移動によるスループットの低下を抑えることができる。集合ノズル４０先端において液垂れが形成された段階で光学センサ５３によりノズルの異常が検出され、液滴が落下するまでの間に受け皿８４がノズル直下に移動していれば問題はないので、このように受け皿８４を通常は退避位置に位置させる構成とすることで十分な効果が得られる。また、第２の実施形態では受け皿８４及びそれを動作させる機構が装置に１つ設けられており、例えばノズルごとに液垂れを防ぐ手段を設けるような場合に比べて装置の部品点数を抑える観点から好ましい。
【００６５】
また、第２の実施形態において、アラーム発生後、例えばノズルバスへの薬液の吐出を行わず、アームが上昇位置にある間は液受け位置に、下降位置にある間は退避位置に夫々位置しているように、アーム３３が昇降する度に受け皿８４を移動させて、塗布処理を行うようにしてもよい。その場合、例えば所定のウエハ枚数を処理した後に、ユーザがメンテナンス作業を行い、ノズルを正常な状態に戻すと共に、そのような受け皿８４の移動動作を解除するように設定してもよい。この場合もノズルが横方向に移動し、各塗布処理部１１上を通過するにあたり、ウエハＷ及びスピンチャック１２への液滴落下を防ぐことができるため有効である。このように第２の実施形態においては、ノズルバスへの薬液の吐出か、メンテナンス作業を行い、ノズル４１、４２が異常状態から正常状態に回復するまで受け皿８４の移動が行われるが、正常状態への回復後には受け皿８４を再び退避位置に移動させて、続けての塗布処理を行うことで、この受け皿８４の移動によるスループットの低下を抑えることができるため好ましい。また、各実施形態において各ノズルバス及び塗布処理部は上記のように直線方向ではなく周方向に配列され、集合ノズル４０を支持したアーム３３がその配列方向に移動する構成であってもよい。また、光学センサとしては透過型のものに限られず、反射型のものを用いて光軸を形成してもよい。
【００６６】
以下、上記のレジスト塗布装置１が組み込まれた塗布、現像装置１１０について説明する。図１５は塗布、現像装置１１０に露光装置Ｃ４が接続されたレジストパターン形成システムの平面図を示しており、図１６は同システムの斜視図である。また、図１７は塗布、現像装置１１０の縦断面図である。この塗布、現像装置１１０にはキャリアブロックＣ１が設けられており、その載置台１１１上に載置された密閉型のキャリアＣから受け渡しアーム１１２がウエハＷを取り出して処理ブロックＣ２に受け渡し、処理ブロックＣ２から受け渡しアーム１１２が処理済みのウエハＷを受け取ってキャリアＣに戻すように構成されている。キャリアＣは多数枚のウエハＷを含み、各ウエハＷは順次処理ブロックＣ２へと搬送される。
【００６７】
前記処理ブロックＣ２は、図１６に示すようにこの例では現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト膜の塗布を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うための第４のブロック（ＩＴＣ層）Ｂ４を、下から順に積層して構成されている。
【００６８】
処理ブロックＣ２の各層は平面視同様に構成されている。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３を例に挙げて説明すると、ＣＯＴ層Ｂ３は塗布膜としてレジスト膜を形成するためのレジスト塗布モジュール１１３と、このレジスト塗布モジュール１１３にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理モジュール群を構成する棚ユニットＵ１〜Ｕ４と、前記レジスト塗布モジュールと加熱・冷却系の処理モジュール群との間に設けられ、これらの間でウエハＷの受け渡しを行う搬送アームＡ３と、により構成されている。このレジスト塗布モジュール１１３が既述のレジスト塗布装置１に、搬送アームＡ３が既述の基板搬送手段に相当する。
【００６９】
前記棚ユニットＵ１〜Ｕ４は搬送アームＡ３が移動する搬送領域Ｒ１に沿って配列され、夫々上記の加熱モジュール、冷却モジュールが積層されることにより構成される。加熱モジュールは載置されたウエハを加熱するための加熱板を備えており、冷却モジュールは載置されたウエハを冷却するための冷却板を備えている。
【００７０】
第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第４のブロック（ＩＴＣ層）Ｂ４については、前記レジスト塗布モジュールに相当する反射防止膜形成モジュール、保護膜形成モジュールが夫々設けられ、これらモジュールにおいてレジストの代わりに塗布液として反射防止膜形成用の薬液、保護膜形成用の薬液が夫々ウエハＷに供給されることを除けばＣＯＴ層Ｂ３と同様の構成である。
【００７１】
第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１については一つのＤＥＶ層Ｂ１内にレジスト塗布モジュールに対応する現像モジュールが２段に積層されており、各現像モジュール１１３は夫々既述の現像装置２に相当し、共通の筐体内に３基の現像処理部や既述の各ノズルを含んでいる。また、ＤＥＶ層Ｂ１にはこの現像モジュール１１３の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理モジュール群を構成する棚ユニットＵ１〜Ｕ４が設けられている。そしてＤＥＶ層Ｂ１内には、これら２段の現像モジュールと、前記加熱・冷却系の処理モジュールとにウエハＷを搬送するための搬送アームＡ１が設けられている。つまり２段の現像モジュールに対して搬送アームＡ１が共通化されている構成となっている。
【００７２】
更に処理ブロックＣ２には、図１５及び図１７に示すように棚ユニットＵ５が設けられ、キャリアブロックＣ１からのウエハＷは前記棚ユニットＵ５の一つの受け渡しユニット、例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の対応する受け渡しユニットＣＰＬ２に順次搬送される。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２内の搬送アームＡ２は、この受け渡しユニットＣＰＬ２からウエハＷを受け取って各ユニット（反射防止膜形成モジュール及び加熱・冷却系の処理ユニット群）に搬送し、これらユニットにてウエハＷには反射防止膜が形成される。
【００７３】
その後、ウエハＷは棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＢＦ２、受け渡しアームＤ１、棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＣＰＬ３に搬送され、そこで例えば２３℃に温度調整された後、搬送アームＡ３を介して第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に搬入され、レジスト塗布モジュールにてレジスト膜が形成される。更にウエハＷは、搬送アームＡ３→棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＢＦ３→受け渡しアームＤ１を経て棚ユニットＵ５における受け渡しユニットＢＦ３に受け渡される。なおレジスト膜が形成されたウエハＷは、第４のブロック（ＩＴＣ層）Ｂ４にて更に保護膜が形成される場合もある。この場合は、ウエハＷは受け渡しユニットＣＰＬ４を介して搬送アームＡ４に受け渡され、保護膜の形成された後搬送アームＡ４により受け渡しユニットＴＲＳ４に受け渡される。
【００７４】
一方ＤＥＶ層Ｂ１内の上部には、棚ユニットＵ５に設けられた受け渡し部１１５から棚ユニットＵ６に設けられた受け渡し部１１６にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトル１１７が設けられている。レジスト膜や更に保護膜の形成されたウエハＷは、受け渡しアームＤ１を介して受け渡しユニットＢＦ３、ＴＲＳ４から受け渡し部１１５に受け渡され、ここからシャトル１１７により棚ユニットＵ６の受け渡し部１１６に直接搬送され、インターフェイスブロックＣ３に取り込まれることになる。なお図１７中のＣＰＬが付されている受け渡しユニットは温調用の冷却ユニットを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しユニットは複数枚のウエハＷを載置可能なバッファユニットを兼ねている。
【００７５】
次いで、ウエハＷはインターフェイスアーム１１８により露光装置Ｃ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われた後、棚ユニットＵ６の受け渡しユニットＴＲＳ６に載置されて処理ブロックＣ２に戻される。戻されたウエハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１にて現像処理が行われ、搬送アームＡ１により棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＴＲＳ１に受け渡される。その後、受け渡しアーム１１２を介してキャリアＣに戻される。
【００７６】
本発明の液処理装置を上記の例ではレジスト塗布装置として構成しているが、例えばこの塗布、現像装置１に設けられた現像モジュール、反射防止膜形成モジュールとして構成し、レジストの代わりに各モジュールに対応する薬液を吐出するものであってもよいし、それ以外の処理液を基板に供給する装置として本発明を構成してもよい。
【符号の説明】
【００７７】
１      レジスト塗布装置
１１ａ〜１１ｃ    塗布処理部
１２ａ〜１２ｃ    スピンチャック
２１ａ〜２１ｃ    開口部
３          レジスト供給部
３０        ノズルバス
３３      アーム
４０      集合ノズル
４１      レジスト吐出ノズル
４２      シンナー吐出ノズル
５０      ブラケット
５３      光学センサ
６６ａ〜６６ｃ    ノズルバス
７          制御部
７１        処理プログラム
７Ａ        解析プログラム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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