(57)【要約】【課題】樹脂封止の際に、半導体チップの表面電極および裏面電極がモールド樹脂で覆われないようにする。【解決手段】樹脂封止を行うモールド金型の下型５２の凹部５３に低弾性緩衝シート４０を設置してから半導体チップ１０を搭載した金属フレーム１５を半導体チップ１０の表側を下にして設置する。これにより、電極が形成されている半導体チップ１０の表側の面と金属フレーム１５の立設部１７の端面とが低弾性緩衝シート４０に密着された状態になる。したがって、この状態で、溶融したモールド樹脂の注入を行ったとしても、その密着部にモールド樹脂が浸入することはなくなるので、その後の酸化膜の除去および電極の形成の工程を確実に行うことができる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属フレームのチップ搭載面の少なくとも一方の辺縁に半導体チップの裏面電極に電気的に接続される立設部を有し、前記半導体チップの表面電極の面と前記立設部の端面とが同一平面上にある半導体装置の製造方法において、
前記金属フレームの前記チップ搭載面に導電性接着剤を供給する工程と、
前記導電性接着剤の上に前記半導体チップを搭載する工程と、
前記導電性接着剤を加熱溶融して前記半導体チップの表面高さおよび傾きを修正しながら前記半導体チップを前記金属フレームの前記チップ搭載面に接合する工程と、
モールド金型の下型の底面に低弾性緩衝シートを設置する工程と、
前記低弾性緩衝シートの上に前記立設部の端面を下にした前記金属フレームを設置する工程と、
モールド金型を型締めして前記表面電極および前記立設部の端面を除く前記半導体チップおよび前記金属フレームの外囲を樹脂封止して外囲の樹脂の表面を前記表面電極および前記立設部の端面と同一平面にする工程と、
前記表面電極および前記立設部の端面の酸化膜を除去する工程と、
前記表面電極および前記立設部の端面に電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記低弾性緩衝シートは、ゴムシートである請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記電極を形成する工程は、はんだプリフォーム、金属再配線および金属めっきの少なくとも１つによって行う請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属フレームは、前記チップ搭載面の一方の辺縁に前記チップ搭載面から前記立設部の上端面までの高さが少なくとも前記半導体チップの厚さよりも高くして断面Ｌ字状に形成されている請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属フレームは、厚みが均一の金属板を屈曲して前記チップ搭載面の両側の辺縁に前記立設部が形成され、前記チップ搭載面から前記立設部の上端面までの高さが少なくとも前記半導体チップの厚さよりも高くして断面Ｕ字状に形成されている請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記金属フレームは、前記立設部が形成されている辺縁に隣接した辺縁の方向に複数の前記チップ搭載面が一体に形成された多連構造のものを使用し、前記電極を形成する工程の後に前記半導体チップ間を切断して固片化するようにした請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
金属フレームのチップ搭載面の少なくとも一方の辺縁に半導体チップの裏面電極に電気的に接続される立設部を有し、前記半導体チップの表面電極の面と前記立設部の端面とが同一平面上にある半導体装置において、
前記表面電極および前記立設部の端面を除く前記半導体チップおよび前記金属フレームの外囲が樹脂封止され、樹脂の表面が前記表面電極および前記立設部の端面の表面と同一平面上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特にパワー半導体チップの表面電極とその裏面電極に接合された金属フレームの一端の電極とが同一平面上に配列された構造を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワー半導体チップを搭載した半導体装置では、半導体チップの表面電極と外部リード端子との間は、一般にボンディングワイヤで配線接続している。これに対し、パッケージの小型化、大電流化、低抵抗化の要求に応じ、配線ワイヤの太線化・複数本化、または、銅材料のコネクタ（接続子）を用いた配線構造のものが知られている。
【０００３】
しかし、配線ワイヤの太線化・複数本化には、パッケージサイズからボンディングに必要なスペースを確保しなければならないため、パッケージの小型化に限界がある。また、コネクタ（接続子）を用いた配線構造では、接続配置や寸法の変更があると、それ専用の接続子が必要になることから、多種類の接続子を用意しておく必要があり、新規に生産する生産設備においてもコストアップの要因になる。
【０００４】
このような配線構造の半導体装置に対してパッケージサイズのさらなる小型化を図った半導体装置が提案されている。たとえば、半導体チップの裏面電極をリードフレームに接合し、その接合部から延出されたリードフレームの延出部を半導体チップの表面電極と同一平面上に位置するように屈曲させて電極とする構造のものが知られている（たとえば、特許文献１参照）。この半導体チップおよびリードフレームは、同一平面上の半導体チップの表面電極とリードフレームの電極とが露出する状態で外囲が樹脂封止され、半導体チップの表面側で、外部の基板に表面実装可能にしたパッケージとなっている。これにより、パッケージのさらなる小型化を可能にしている。また、配線に細いワイヤを用いていないので、大電流化および低抵抗化を可能にしている。
【０００５】
また、パッケージサイズを小型化した半導体装置として、電極を除くリードフレームの外囲を樹脂封止するのではなく、リードフレームの半導体チップが接合されている面と反対側の面が外部に露出するように樹脂封止した構造のものも知られている（たとえば、特許文献２参照）。これにより、パッケージのさらなる小型化を可能にしている。
【０００６】
上記の何れのパッケージも、同一平面上に位置する電極の領域を除いて樹脂封止されるが、その樹脂封止は、半導体チップが接合されたリードフレームをモールド金型に設置し、そこに溶融した樹脂を流入させることによって行われる。
【０００７】
電極を有する側の半導体チップの表面を下にしてモールド金型の凹設下型の底面に載置するとき、半導体チップの表面電極とリードフレームの電極とが正確に同一平面上に位置していないと、モールド金型との間に隙間が生じてそこに樹脂が浸入することがある。そこで、モールド金型に設置する前に、半導体チップをリードフレームに接合しているはんだを再溶融して、半導体チップの表面電極の面がリードフレームの電極の面に位置するようにあらかじめ調整している。なお、モールド金型との間の隙間が１００マイクロメートル以下の場合は、モールド樹脂の粘度、充填材の調整などにより、隙間への浸入防止が可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−２５１８６９号公報（図１）
【特許文献２】特開２００３−２５８１７７号公報（図６）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、モールド金型に設置する前に半導体チップの表面電極の位置調整を行ったとしても、モールド金型との間の隙間が１００マイクロメートルよりも大きくなって、モールド樹脂が浸入してしまうことがあるという問題点があった。
【００１０】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、半導体チップの表面電極とリードフレームの電極とが正確に同一平面上になくても、モールド成形時にモールド樹脂の浸入がないようにした半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明では上記の課題を解決するために、金属フレームのチップ搭載面の少なくとも一方の辺縁に半導体チップの裏面電極に電気的に接続される立設部を有し、前記半導体チップの表面電極の面と前記立設部の端面とが同一平面上にある半導体装置の製造方法において、前記金属フレームの前記チップ搭載面に導電性接着剤を供給する工程と、前記導電性接着剤の上に前記半導体チップを搭載する工程と、前記導電性接着剤を加熱溶融して前記半導体チップの表面高さおよび傾きを修正しながら前記半導体チップを前記金属フレームの前記チップ搭載面に接合する工程と、モールド金型の下型の底面に低弾性緩衝シートを設置する工程と、前記低弾性緩衝シートの上に前記立設部の端面を下にした前記金属フレームを設置する工程と、モールド金型を型締めして前記表面電極および前記立設部の端面を除く前記半導体チップおよび前記金属フレームの外囲を樹脂封止して外囲の樹脂の表面を前記表面電極および前記立設部の端面と同一平面にする工程と、前記表面電極および前記立設部の端面の酸化膜を除去する工程と、前記表面電極および前記立設部の端面に電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１２】
また、本発明では、金属フレームのチップ搭載面の少なくとも一方の辺縁に半導体チップの裏面電極に電気的に接続される立設部を有し、前記半導体チップの表面電極の面と前記立設部の端面とが同一平面上にある半導体装置において、前記表面電極および前記立設部の端面を除く前記半導体チップおよび前記金属フレームの外囲が樹脂封止され、樹脂の表面が前記表面電極および前記立設部の端面の表面と同一平面上に形成されていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１３】
このような半導体装置およびその製造方法によれば、半導体チップを搭載した金属フレームをモールド金型に設置する前に、あらかじめ、低弾性緩衝シートを設置するようにした。これにより、電極が形成される半導体チップの表側の面および立設部の端面は、低弾性緩衝シートにほぼ密着されるので、それらの間にモールド樹脂の浸入が確実に防止され、樹脂の表面が表面電極および立設部の端面の表面と同一平面上に形成された半導体装置となる。
【発明の効果】
【００１４】
上記構成の半導体装置およびその製造方法は、モールド金型に低弾性緩衝シートを設置してから半導体チップを搭載した金属フレームを設置しているので、半導体チップの表面高さおよび傾きの修正をしても半導体チップの表面電極とリードフレームの電極とが正確に同一平面上になくても、それらの面へのモールド樹脂の浸入が確実に防止できるという利点がある。
【００１５】
また、低弾性緩衝シートがモールド金型を型締めするときの衝撃を吸収することができるので、樹脂封止する工程において、半導体チップに損傷を与えることがないというという利点もある。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明による半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
【図２】半導体装置の構成要素を示した図であって（Ａ）は半導体チップの一例を示す平面図、（Ｂ）は金属フレームの一例を示す平面図、（Ｃ）は（Ｂ）のａ−ａ矢視断面図である。
【図３】半導体チップの金属フレームへの搭載例を示す図であって、（Ａ）は接着剤を供給した金属フレームを示す平面図、（Ｂ）は半導体チップを搭載した金属フレームを示す平面図である。
【図４】半導体チップの表面高さおよび傾きの修正方法を例示する部分断面図である。
【図５】樹脂封止の工程を説明する図であって、（Ａ）は低弾性緩衝シートの設置状態を示す図、（Ｂ）は半導体チップを搭載した金属フレームの設置状態を示す図、（Ｃ）は金属フレームを設置したモールド金型を示す断面図である。
【図６】樹脂封止された金属フレームを示す図であって、（Ａ）はモールド金型から取り出した金属フレームを示す図、（Ｂ）は金属フレームおよび半導体チップの電極面を覆う酸化膜を除去した状態を示す図、（Ｃ）金属フレームおよび半導体チップの電極を形成した状態を示す図である。
【図７】固片化した半導体装置を示す図であって、（Ａ）は多連金属フレームを切断により固片化した状態を示す図、（Ｂ）は完成した半導体装置の断面図である。
【図８】別の形状の金属フレームを用いた半導体装置を示す断面図である。
【図９】半導体チップの電極形成の変形例を示す図であって、（Ａ）は金属再配線膜を有する半導体チップの断面図、（Ｂ）は金属再配線膜を有する別の半導体チップの断面図、（Ｃ）は電極をめっき処理した半導体チップの断面図、（Ｄ）は電極をめっき処理した別の半導体チップの断面図である。
【図１０】別の構成の半導体装置およびその実装方法を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、実装配線基板への表面実装を実現することができるパワー半導体のような小型化された半導体装置の製造に適用した場合を例に図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
図１は本発明による半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
この半導体装置の製造方法では、半導体装置として、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）素子のような半導体チップを搭載し、同一平面上に電極が配置されているパワー半導体を例に説明する。
【００１９】
まず、半導体チップを搭載するチップ搭載面およびチップ裏面電極を構成する立設部を有する金属フレームを用意し、そのチップ搭載面に高融点はんだのような導電性接着剤を供給する（ステップＳ１）。
【００２０】
次に、金属フレームの導電性接着剤の上に半導体チップを搭載し（ステップＳ２）、導電性接着剤を加熱溶融して半導体チップの表面高さおよび傾きを修正しながら半導体チップを金属フレームのチップ搭載面に接合する（ステップＳ３）。
【００２１】
次に、モールド金型の下型の凹部底面に低弾性緩衝シートを設置（ステップＳ４）、その低弾性緩衝シートの上に、金属フレームに接合された半導体チップをフェイスダウンで設置する（ステップＳ５）。
【００２２】
次に、モールド金型を型締めして溶融したモールド樹脂を注入し、半導体チップおよび金属フレームの外囲を樹脂封止する（ステップＳ６）。このとき、半導体チップの表面電極および金属フレームの立設部の端面は、低弾性緩衝シートに密着されているため、モールド樹脂が浸入することがなく、被覆されることはない。また、樹脂の面は、半導体チップの表面電極を有する面および金属フレームの立設部の端面と同一平面になるよう形成される。
【００２３】
次に、半導体チップの表面電極および金属フレームの立設部の端面にできた酸化膜を水素還元雰囲気にて除去し（ステップＳ７）、そこに実装配線基板との接続のための電極をたとえばはんだプリフォームにより形成する（ステップＳ８）。これによって、表面実装用の半導体装置が完成する。
【００２４】
次に、以上に説明した半導体装置の各製造工程の具体例について説明する。なお、以下の図面において、同一または均等の構成要素については同じ符号を付し、一度説明した構成要素の再度の説明は省略する。
【００２５】
図２は半導体装置の構成要素を示した図であって（Ａ）は半導体チップの一例を示す平面図、（Ｂ）は金属フレームの一例を示す平面図、（Ｃ）は（Ｂ）のａ−ａ矢視断面図である。
【００２６】
この実施の形態では、図２の（Ａ）に示したように、半導体チップ１０として、その表面側にソース電極１１およびゲート電極１２が形成され、裏面側には、ドレイン電極が形成されたパワーＭＯＳＦＥＴ素子としている。半導体チップ１０において、ソース電極１１およびゲート電極１２は、アルミニウム（Ａｌ）によって形成され、裏面側の電極は、金（Ａｕ）／ニッケル（Ｎｉ）またはクロム（Ｃｒ）／銅（Ｃｕ）によって形成されている。表面側のソース電極１１およびゲート電極１２を除く部分は、ポリイミド、シリコーン樹脂などの有機物または窒化けい素（ＳｉＮ）、二酸化けい素（ＳｉＯ2）などの無機物による保護膜によって被覆されている。
【００２７】
金属フレーム１５は、図２の（Ｂ）および（Ｃ）に示したように、６つの半導体装置を同時に製造することができるよう６連のものが使用されている。金属フレーム１５は、半導体チップ１０が搭載されるチップ搭載面１６と、このチップ搭載面１６の一方の辺縁に一体に形成されてチップ裏面電極を構成する立設部１７とを備え、断面Ｌ字状に形成されている。チップ搭載面１６から立設部１７の上端面までの高さは、半導体チップ１０の厚さよりも高く形成されている。
【００２８】
図３は半導体チップの金属フレームへの搭載例を示す図であって、（Ａ）は接着剤を供給した金属フレームを示す平面図、（Ｂ）は半導体チップを搭載した金属フレームを示す平面図である。
【００２９】
半導体装置の製造は、図３の（Ａ）に示したように、金属フレーム１５のチップ搭載面１６に高融点はんだ２０を供給することによって開始される。次に、高融点はんだ２０の上に半導体チップ１０を搭載し、加熱により高融点はんだ２０を溶融して半導体チップ１０を金属フレーム１５に仮に接合する。
【００３０】
図４は半導体チップの表面高さおよび傾きの修正方法を例示する部分断面図である。
高融点はんだ２０を溶融するだけで金属フレーム１５に接合された半導体チップ１０は、その表面側の保護膜の面がチップ搭載面１６に平行になることはなく、また、金属フレーム１５の立設部１７の上端面と同じ高さ位置になることもない。
【００３１】
そのため、高さ・傾き修正治具３０を用い、溶融した高融点はんだ２０の上に載っている半導体チップ１０を上から押えていく。高さ・傾き修正治具３０は、金属フレーム１５の立設部１７の上端面まで降下することができ、その状態で高融点はんだ２０が冷えて固まると、半導体チップ１０の表面側の保護膜の面は、チップ搭載面１６に平行な状態で、かつ、立設部１７の上端面と同じ高さ位置に修正されることになる。
【００３２】
図５は樹脂封止の工程を説明する図であって、（Ａ）は低弾性緩衝シートの設置状態を示す図、（Ｂ）は半導体チップを搭載した金属フレームの設置状態を示す図、（Ｃ）は金属フレームを設置したモールド金型を示す断面図である。
【００３３】
樹脂封止に使われるモールド金型は、図５の（Ｃ）に示したように、上型５１と下型５２とを有し、下型５２には、半導体チップ１０を接合した金属フレーム１５が収められる凹部５３を有している。
【００３４】
樹脂封止の準備段階として、図５の（Ａ）に示したように、下型５２の凹部５３の底面に低弾性緩衝シート４０を設置する。この低弾性緩衝シート４０は、好ましくはゴムシートとすることができる。半導体チップ１０を接合した金属フレーム１５は、図５の（Ｂ）に示したように、低弾性緩衝シート４０の上に半導体チップ１０の表面側の面を下にして設置される。
【００３５】
その後、モールド金型は、型締めされ、半導体チップ１０および金属フレーム１５とモールド金型との間の隙間に溶融したモールド樹脂が注入される。このとき、金属フレーム１５の半導体チップ１０が搭載されている面と反対側の面と上型５１とは、ほぼ密着され、半導体チップ１０の表側の面および立設部１７の端面と低弾性緩衝シート４０とも、ほぼ密着状態にある。これにより、モールド樹脂は、それらの密着部への流入が防止されることになる。
【００３６】
なお、低弾性緩衝シート４０は、半導体チップ１０の表側の面および立設部１７の端面と低弾性緩衝シート４０との間にモールド樹脂が浸入する隙間をなくすだけでなく、モールド金型を型締めしたときに半導体チップ１０に損傷を与えないという効果もある。
【００３７】
図６は樹脂封止された金属フレームを示す図であって、（Ａ）はモールド金型から取り出した金属フレームを示す図、（Ｂ）は金属フレームおよび半導体チップの電極面を覆う酸化膜を除去した状態を示す図、（Ｃ）金属フレームおよび半導体チップの電極を形成した状態を示す図である。
【００３８】
モールド樹脂が硬化されると、金属フレーム１５は、モールド金型から取り出される。このとき、図６の（Ａ）および（Ｂ）に示したように、金属フレーム１５は、その裏面１６ａおよび立設部１７の端面１７ａを除く外囲がモールド樹脂６０によって覆われ、半導体チップ１０は、図６の（Ｂ）に示したように、表面側の面を除く外囲がモールド樹脂６０によって覆われている。このとき、モールド樹脂６０の表面は、半導体チップ１０のソース電極１１およびゲート電極１２のある側の表面および金属フレーム１５の立設部１７における端面１７ａの表面は、同一平面上になっている。
【００３９】
次に、モールド樹脂６０によって封止された金属フレーム１５および半導体チップ１０は、水素還元雰囲気内に置かれ、図６の（Ｂ）に示したように、半導体チップ１０の表面のソース電極１１およびゲート電極１２および金属フレーム１５の立設部１７の端面１７ａを覆う酸化膜が除去される。
【００４０】
次に、半導体チップ１０の表面側をはんだ槽に浸けて、半導体チップ１０のソース電極１１およびゲート電極１２および金属フレーム１５の立設部１７の端面１７ａにはんだプリフォーム２１を形成し、これによって、実装配線基板との接続のための電極が形成される。
【００４１】
図７は固片化した半導体装置を示す図であって、（Ａ）は多連金属フレームを切断により固片化した状態を示す図、（Ｂ）は完成した半導体装置の断面図である。
最後に、６連に連なった金属フレーム１５は、図７の（Ａ）に示したように、これをダイサーにて切断することにより固片化される。このようにして固片化されることにより、図７の（Ｂ）に示したように、製品となる半導体装置が形成される。この半導体装置によれば、はんだプリフォーム２１を除く半導体チップ１０の電極の表面、金属フレーム１５の立設部１７における端面１７ａの表面、およびモールド樹脂６０の表面は、同一平面上に形成されている。
【００４２】
図８は別の形状の金属フレームを用いた半導体装置を示す断面図である。
この半導体装置は、別の形状の金属フレーム１５ａを用いている。この金属フレーム１５ａは、たとえば厚みが均一の金属板を屈曲して断面Ｕ字状に形成されている。その金属フレーム１５ａの中央部は、半導体チップ１０が搭載されるチップ搭載面１６であり、その両側に立設される立設部１７の少なくとも一方は、チップ裏面電極を構成することになる。このような金属フレーム１５ａを用いて半導体装置を製造する場合も、上述の製造工程と全く同じ工程によって製造することができる。
【００４３】
図９は半導体チップの電極形成の変形例を示す図であって、（Ａ）は金属再配線膜を有する半導体チップの断面図、（Ｂ）は金属再配線膜を有する別の半導体チップの断面図、（Ｃ）は電極をめっき処理した半導体チップの断面図、（Ｄ）は電極をめっき処理した別の半導体チップの断面図である。
【００４４】
上述の半導体チップ１０は、低コスト化のために、表面側をたとえばポリイミドのような有機保護膜のみで保護した構造を有している。これに対し、図９の（Ａ）に示す半導体チップ１０ａは、アルミニウムのソース電極１１およびゲート電極１２を除く領域は、たとえば窒化けい素（ＳｉＮ）の無機保護膜７０によって被覆されている。無機保護膜７０の上には、ソース電極１１およびゲート電極１２の一部を除く領域がたとえばポリイミドの有機保護膜７１によって被覆されている。そして、有機保護膜７１の上に、所定の大きさを有するたとえば銅（Ｃｕ）の金属再配線膜７２がそれぞれソース電極１１およびゲート電極１２に電極パッドとして電気的に接続された状態で形成されている。これにより、電極パッドは、半導体チップ１０に直接形成されている電極の大きさに制約されることなく、任意の大きさの電極パッドを任意の位置に形成することができ、したがって、はんだ量のコントロールも容易に行うことができるというメリットがある。
【００４５】
また、図９の（Ｂ）に示す半導体チップ１０ｂは、（Ａ）に示す半導体チップ１０ａにおいて、金属再配線膜７２の表面と有機保護膜７１の表面とが同じ平面上に形成されている場合を示している。
【００４６】
一方、図９の（Ｃ）に示す半導体チップ１０ｃは、ソース電極１１およびゲート電極１２のある面が有機保護膜７１によって被覆され、これらソース電極１１およびゲート電極１２は、たとえばニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）／銅（Ｃｕ）などの金属めっき７３によって被覆されている。金属めっき７３により、電極パッドのはんだの濡れ性が良くなるので、はんだプリフォーム２１の形成が容易である。
【００４７】
また、図９の（Ｄ）に示す半導体チップ１０ｄは、（Ｃ）に示す半導体チップ１０ｃにおいて、金属めっき７３の表面と有機保護膜７１の表面とが同じ平面上に形成されている場合を示している。
【００４８】
図１０は別の構成の半導体装置およびその実装方法を示す説明図である。
この半導体装置の半導体チップ１０ｅは、ソース電極１１およびゲート電極１２の電極パッドを銅（Ｃｕ）とし、これにニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）によるめっき処理または有機防錆処理を施したものとすることができ、はんだプリフォームは形成していない。半導体装置は、半導体チップ１０ｅの電極の表面と、金属フレーム１５の立設部１７における端面１７ａの表面と、モールド樹脂６０の表面とが同一の表面上に形成されている。
【００４９】
このような半導体装置をプリント基板８０に実装する場合、プリント配線８１にあらかじめはんだバンプ８２を形成したプリント基板８０を使用することができる。はんだバンプ８２は、予備はんだ、ペースト印刷等によりプリント配線８１の所定位置に形成される。
【００５０】
半導体装置の実装は、半導体装置をフェイスダウンでプリント基板８０のはんだバンプ８２の上に配置し、はんだバンプ８２を加熱溶融することにより、半導体装置をプリント配線８１に接合することによって行われる。
【符号の説明】
【００５１】
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ  半導体チップ
１１  ソース電極
１２  ゲート電極
１５，１５ａ  金属フレーム
１６  チップ搭載面
１６ａ  裏面
１７  立設部
１７ａ  端面
２０  高融点はんだ
２１  はんだプリフォーム
３０  高さ・傾き修正治具
４０  低弾性緩衝シート
５１  上型
５２  下型
５３  凹部
６０  モールド樹脂
７０  無機保護膜
７１  有機保護膜
７２  金属再配線膜
７３  金属めっき
８０  プリント基板
８１  プリント配線
８２  はんだバンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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