(57)【要約】【課題】容易に製造可能な、両面に配線パターンを有するインターポーザを提供する。【解決手段】インターポーザ１０は、第１の配線基板２０および第２の配線基板３０を備えている。第１および第２の配線基板２０，３０は、一方の面に形成された配線パターン２２，３２と、配線パターン２２，３２と電気的に接続された貫通ビア２５，３５と、貫通ビア２５，３５と電気的に接続され、配線パターン２２，３２が形成された面とは反対側の面に設けられた電極２６，３６と、を有する。第１の配線基板２０の、電極２６が設けられた面と、第２の配線基板３０の、電極３６が設けられた面とは対向している。第１の配線基板２０の電極２６と第２の配線基板３０の電極３６とは互いに電気的に接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に形成された第１の配線パターン、該第１の配線パターンと電気的に接続された第１の貫通ビア、および該第１の貫通ビアと電気的に接続され、前記第１の配線パターンが形成された面とは反対側の面に設けられた第１の電極を有する第１の配線基板と、
一方の面に形成された第２の配線パターン、該第２の配線パターンと電気的に接続された第２の貫通ビア、および該第２の貫通ビアと電気的に接続され、前記第２の配線パターンが形成された面とは反対側の面に設けられた第２の電極を有する第２の配線基板と、を備え、
前記第１の配線基板の、前記第１の電極が設けられた面と、前記第２の配線基板の、前記第２の電極が設けられた面とが対向し、前記第１の電極と前記第２の電極とが互いに電気的に接続されている、インターポーザ。
【請求項２】
前記第１の配線基板と前記第２の配線基板との間の隙間に絶縁性の接着部材が設けられている、請求項１に記載のインターポーザ。
【請求項３】
一方の面に形成された第１の配線パターン、該第１の配線パターンと電気的に接続された第１の貫通ビア、および該第１の貫通ビアと電気的に接続され、前記第１の配線パターンが形成された面とは反対側の面に設けられた第１の電極を有する第１の配線基板と、一方の面に形成された第２の配線パターン、該第２の配線パターンと電気的に接続された第２の貫通ビア、該第２の貫通ビアと電気的に接続され、前記第２の配線パターンが形成された面とは反対側の面に設けられた第２の電極を有する第２の配線基板と、を準備する工程と、
前記第１の配線基板の、前記第１の電極が設けられた面と、前記第２の配線基板の、前記第２の電極が設けられた面とを対向させ、前記第１の電極と前記第２の電極とを互いに電気的に接続する工程と、を含むインターポーザの製造方法。
【請求項４】
前記第１の配線基板および前記第２の配線基板のうちの少なくとも一方を、製品となる領域である複数の製品形成領域が区画されたウエハを使って準備し、
前記ウエハを個々の前記製品形成領域に切断分離する工程をさらに含む、請求項３に記載のインターポーザの製造方法。
【請求項５】
前記第１の配線基板の、前記第１の電極が設けられた面と、前記第２の配線基板の、前記第２の電極が設けられた面との間に、絶縁性の接着部材を充填する工程をさらに含む、請求項３または４に記載のインターポーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面に配線パターンが形成されたインターポーザ、およびそのインターポーザの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＩＣチップのような電子部品とプリント基板（実装基板）との間にインターポーザを介在させ、電子部品とプリント基板とを接合する技術が提案されている。特表２００３−５０３８５５号（以下、特許文献１と呼ぶ。）は、一方の面にのみに配線層が設けられたインターポーザを開示している。インターポーザの他方の面には、外部端子としてのソルダーボールが設けられており、配線層とソルダーボールとは貫通ビアによって電気的に接続されている。
【０００３】
特開２００６−１７３２５１号（以下、特許文献２と呼ぶ。）は、両面に電気回路が形成された配線基板（インターポーザ）を開示している。配線基板には、両面の電気回路を互いに電気的に接続する貫通ビアが形成されている。複雑かつ高密度な配線パターンを実現するためには、インターポーザの両面に配線パターンが形成されていることが好ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００３−５０３８５５号公報
【特許文献２】特開２００６−１７３２５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
貫通ビアは、インターポーザに例えばエッチングによって貫通孔を形成し、当該貫通孔に導体を充填することによって作られる。インターポーザの厚みが厚いと、貫通孔の形成が困難になるという問題がある。また、深い貫通孔の内部に導体を充填することは困難であるという問題もある。このように、貫通ビアの形成のために、インターポーザは、ある程度薄いことが好ましい。しかしながら、薄いインターポーザでは、インターポーザの機械的強度が低下し、インターポーザの両面に配線パターンを形成することが困難になる。
【０００６】
また、インターポーザの一方の面のみに配線パターンが設けられている場合、配線パターンとインターポーザとの間の熱膨張係数の差異のため、インターポーザが反ってしまう。インターポーザの反りは、インターポーザが薄いほど大きくなる。インターポーザの反りを抑制するためには、インターポーザの厚みを十分厚くすることが考えられる。しかしながら、上述したように、厚いインターポーザに貫通ビアを形成することは困難である。
【０００７】
このように、両面に配線パターンが形成されたインターポーザを製造することは困難である。したがって、両面に配線パターンが形成された改良されたインターポーザ、およびその製造方法が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一態様におけるインターポーザは、第１の配線基板および第２の配線基板を備えている。第１の配線基板は、一方の面に形成された第１の配線パターンと、第１の配線パターンと電気的に接続された第１の貫通ビアと、第１の貫通ビアと電気的に接続され、第１の配線パターンが形成された面とは反対側の面に設けられた第１の電極と、を有する。第２の配線基板は、一方の面に形成された第２の配線パターンと、第２の配線パターンと電気的に接続された第２の貫通ビアと、第２の貫通ビアと電気的に接続され、第２の配線パターンが形成された面とは反対側の面に設けられた第２の電極と、を有する。第１の配線基板の、第１の電極が設けられた面と、第２の配線基板の、第２の電極が設けられた面とは対向している。第１の電極と第２の電極とは互いに電気的に接続されている。
【０００９】
一態様におけるインターポーザの製造方法では、まず、第１の配線基板と第２の配線基板とを準備する。第１の配線基板は、一方の面に形成された第１の配線パターン、該第１の配線パターンと電気的に接続された第１の貫通ビア、および該第１の貫通ビアと電気的に接続され、第１の配線パターンが形成された面とは反対側の面に設けられた第１の電極を有する。第２の配線基板は、一方の面に形成された第２の配線パターン、該第２の配線パターンと電気的に接続された第２の貫通ビア、該第２の貫通ビアと電気的に接続され、第２の配線パターンが形成された面とは反対側の面に設けられた第２の電極を有する。そして、第１の配線基板の、第１の電極が設けられた面と、第２の配線基板の、第２の電極が設けられた面とを対向させ、第１の電極と第２の電極とを互いに電気的に接続する。
【発明の効果】
【００１０】
上記のインターポーザは、一方の面に配線パターンが形成された２つの配線基板を互いに接合することで製造することができる。これにより、単一の基板の両面に配線パターンを形成する必要がないため、インターポーザを容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態におけるインターポーザの製造方法を示す工程図である。
【図２】図１に示すインターポーザを構成する配線基板の製造方法を示す工程の一部を示す図である。
【図３】図２の工程に続いて行われる工程を示す図である。
【図４】電子部品が搭載されたインターポーザの概略断面図である。
【図５】半導体チップが搭載されたインターポーザの概略断面図である。
【図６】第１の実施形態におけるインターポーザの別の例を示す概略断面図である。
【図７】第２の実施形態における、インターポーザの製造方法を示す工程図である。
【図８】第３の実施形態における、インターポーザの製造方法を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１（ａ）〜図１（ｃ）は、第１の実施形態におけるインターポーザの製造方法を示しており、図１（ｃ）はインターポーザの概略断面図を示している。
【００１３】
インターポーザ１０は、第１の配線基板２０および第２の配線基板３０を備えている。各配線基板２０，３０は、絶縁基材２１，３１と、絶縁基材２１，３１上に配設された配線パターン２２，３２とを有する。絶縁基材２１，３１の材料は、例えばシリコンを用いることができる。なお、後述するように、各配線基板２０，３０の厚みは、１０μｍ以上５０μｍ以下程度であることが好ましい。
【００１４】
第１の配線基板２０の一方の面には、配線パターン（第１の配線パターン）２２が設けられている。第１の配線基板２０の他方の面、つまり配線パターン２２が形成された面とは反対側の面には、内部電極（第１の電極）２６が設けられている。配線パターン２２と内部電極２６とは、第１の配線基板２０に形成された貫通ビア（第１の貫通ビア）２５によって、互いに電気的に接続されている。
【００１５】
第２の配線基板３０の一方の面には、配線パターン（第２の配線パターン）３２が形成されている。第２の配線基板３０の他方の面、つまり配線パターン３２が形成された面とは反対側の面には、内部電極（第２の電極）３６が設けられている。配線パターン３２と内部電極３６とは、第２の配線基板３０に形成された貫通ビア（第２の貫通ビア）３５によって、互いに電気的に接続されている。
【００１６】
第１の配線基板２０の、内部電極２６が設けられた一面と、第２の配線基板３０の、内部電極３６が設けられた一面とは対向している。第１の配線基板２０の内部電極２６と第２の配線基板３０の第２の内部電極２６とは、例えば半田によって互いに電気的に接続されている。
【００１７】
第１の配線基板２０の配線パターン２２と第２の配線基板３０の配線パターン３２とは、外側に向けられている。つまり、インターポーザ１０の両面に配線パターン２２，３２が配設されている。したがって、インターポーザ１０は、高密度な配線が可能であり、高密度実装を必要とするパッケージ基板に好適に用いることができる。
【００１８】
第１の配線基板２０と第２の配線基板３０との接合信頼性を向上させるため、第１の配線基板２０と第２の配線基板３０との間には、絶縁性の接着部材としてのアンダーフィル１２が設けられていることが好ましい。
【００１９】
第１および第２の配線基板２０，３０の、配線パターン２２，３２が形成された面には、外部電極２７，３７が設けられている。第１の配線基板２０の外部電極２７には、例えば半田ボールから成る外部端子１４が設けられている。外部端子１４は、プリント基板（実装用母基板）との接続のために利用される。第２の配線基板３０の外部電極３７は、例えば半導体チップのような電子部品を搭載するために利用される。
【００２０】
次に、上記のインターポーザ１０の製造方法について説明する。まず、上記の第１および第２の配線基板２０，３０を準備する。以下では、配線基板２０，３０を製造する方法の一例について、図２および図３を参照して説明する。図２および図３では、第１の配線基板２０の製造について具体的に示しているが、第２の配線基板３０も同様に製造することができる。
【００２１】
図２（ａ）は、加工前の絶縁基材２１の概略断面図を示している。絶縁基材２１は、例えばシリコンからなる。絶縁基材２１は、製品となる領域である複数の製品形成領域が区画されたウエハ（不図示）を使って準備されることが好ましい。
【００２２】
まず、絶縁基材２１に、アルミニウムや銅等の金属膜２３と、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の絶縁膜２４とによって、少なくとも１層以上の配線パターン２２を形成する。配線パターン２２は、ＬＳＩなどの配線形成に利用される任意の方法で形成される。このようにして、一方の面に配線パターン２２が形成された配線基板２０ができる。図２（ｂ）は、１層の配線パターン２２が形成された絶縁基材２１の概略断面図を示している。この後、配線パターン２２中の金属膜２３と電気的に接続された外部電極２７を取り付ける（図２（ｃ）参照。）。
【００２３】
次に、配線基板２０の、配線パターン２２が形成された面を、接着剤によって支持体４０に貼り付ける。支持体４０は、例えばガラスから構成される。図２（ｄ）は配線基板２０を支持体４０に貼り付ける直前の様子を示しており、図２（ｅ）は配線基板２０を支持体４０に貼り付けた直後の様子を示している。
【００２４】
配線基板２０を支持体４０に貼り付けた後、配線基板２０の、配線パターン２２が形成された面とは反対側の面を研削し、配線基板２０の厚みを調節する（図２（ｆ）参照。）。配線基板２０が薄いほど、後の工程で、孔部を形成する時間が短くて好都合である。しかしながら、配線基板２０が薄すぎると、配線基板２０の強度が低下し、インターポーザを組み立てる際に破損する虞が増す。そこで、配線基板２０の厚みは、１０μｍ以上５０μｍ以下程度であることが好ましい。
【００２５】
次に、配線基板２０に孔部４２を形成する（図３（ａ）参照）。具体的には、配線基板２０の、配線パターン２２が形成されていない方の面に、ドライエッチング用のマスクパターン（不図示）をレジスト等によって形成し、エッチチングによって配線基板２０に孔部４２を形成する。孔部４２は、絶縁基材２１および配線パターン２２の絶縁膜２４を通って金属膜２３に達する。孔部４２の形成後、上記のマスクパターンを除去する。
【００２６】
次に、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の絶縁膜４４を、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によって、孔部４２の側壁に堆積する（図３（ｂ）参照。）。次に、スパッタによって、孔部４２の側壁にシード膜４６を形成する（図３（ｃ）参照。）。シード膜４６としては、例えばＴｉ／Ｃｕを用いることができる。
【００２７】
その後、孔部４２の部分のみが開口しためっきレジスト４８を、配線基板２０上に形成し、貫通ビア２５となるべき導体（例えばＣｕ）を、電気めっきによって孔部４２の内部に充填する。貫通ビア２５の形成後、貫通ビア２５の表面に内部電極２６を作る。内部電極２６は、例えば、Ｓｎ−Ａｇのような半田を電気めっきによって２〜３μｍ程度塗布することによって作られる（図３（ｄ）参照。）。次に、レジスト４８を剥離して、シード膜４６をウエットエッチングで除去する（図３（ｅ）参照。）。その後、配線基板２０を支持体４０から剥離する（（図３（ｆ）参照。））。
【００２８】
複数の製品形成領域を有するウエハの状態で上記の一連の工程を実施した場合、製品形成領域毎にウエハを切断分離する工程を実行する。このようにして、一方の面に形成された配線パターン２２、配線パターン２２と電気的に接続された貫通ビア２５、および貫通ビア２５と電気的に接続され、配線パターン２２が形成された面とは反対側の面に設けられた内部電極２６を有する配線基板２０を製造することができる。
【００２９】
上記のようにして、第１の配線基板２０と第２の配線基板３０とが準備される。次に、第１の配線基板２０の、内部電極２６が設けられた面と、第２の配線基板３０の、内部電極３６が設けられた面とを対向させ、第１の配線基板２０の内部電極２６と第２の配線基板３０の内部電極３６とを互いに電気的に接続する（図１（ａ）および図１（ｂ）参照。）。このように、２つの配線基板２０，３０の配線パターン２２，３２は、外側に向けて配される。
【００３０】
次に、図１（ｃ）に示すように、第１の配線基板２０の、内部電極２６が設けられた面と、第２の配線基板３０の、内部電極３６が設けられた面との間の隙間に、絶縁性の接着部材としてのアンダーフィル１２を充填することが好ましい。これにより、第１の配線基板２０と第２の配線基板３０との間の接続信頼性を向上させることができる。これに代えて、アンダーフィル１２は、第１の配線基板２０と第２の配線基板３０とを接合する前に、一方の配線基板に塗布しておいても良い。
【００３１】
次に、第１の配線基板２０の外部電極２７に外部端子１４を搭載する（図１（ｃ）参照。）。外部端子１４は、例えば半田ボールを用いることができる。
【００３２】
インターポーザ１０は、半導体チップのような電子部品を搭載し、プリント基板（実装用母基板）に接続されるパッケージ基板として利用することができる。この場合、第１の配線基板２０に設けられた外部端子１４がプリント基板に接続される。また、第２の配線基板３０に設けられた外部電極３７には電子部品が接続される。
【００３３】
上述したように、単一の基板の両面に配線パターンを形成する作業は困難であり、歩留まりが低下することがある。これに対し、本実施形態では、一方の面に配線パターンを有する２つの配線基板２０，３０を互いに接合することで、両面に配線パターン２２，３２を有するインターポーザ１０を容易に製造することができる。また、各々の配線基板２０，３０は薄くても良いため、貫通ビア２５，３５の形成も容易である。
【００３４】
第１の配線基板２０の配線パターン２２と、第２の配線基板３０の配線パターン３２とは逆に向けられ、インターポーザの材料構成は対称になる。そのため、第１の配線基板２０の反りの方向と、第２の配線基板３０の反りの方向は逆になる。したがって、一方の配線基板が他方の配線基板の反りを抑制し、インターポーザ１０全体の反りが抑制される。各々の配線基板２０，３０が薄くても、インターポーザ１０の反りは小さくなるという利点がある。
【００３５】
配線パターン２２，３２を構成する金属膜２３および絶縁膜２４は、どのような材料から構成されても良い。たとえば、金属層２３として銅を用い、絶縁層２４としてポリイミドのような有機樹脂を用いても良い。また、絶縁層２４は、絶縁基材２１,３１よりも熱膨張係数が大きい有機樹脂であっても良い。この場合、第１および第２の配線基板２２，３２の端部は、熱により、互いに押し付け合う方向に曲がろうとする。そのため、片面のみに配線パターンを有するインターポーザに比べて、反りの低減の効果がより向上する。
【００３６】
ただし、絶縁膜２４として無機材料を用いると、有機材料を利用した場合よりも配線密度を向上させることができるという利点がある。配線パターン２２，３２や絶縁基材２１，３１の材料は、インターポーザの所望の特性に応じて、適宜選択すれば良い。
【００３７】
インターポーザ１０は、図４に示すように、ＳＩＰの構成部品としても利用することができる。この場合、第２の配線基板３０には、抵抗、コイルおよびコンデンサなどの受動部品や半導体チップなどの電子部品５０が搭載される。具体的には、第２の配線基板３０の外部電極３７に、電子部品５０の外部端子５２が接続される。
【００３８】
図５は、３つの半導体チップ９０ａ〜９０ｄが搭載されたインターポーザ１０を示している。具体的には、電子部品としての半導体チップ９０ａ〜９０ｄは、一方の面に形成された回路パターン９２と、回路パターン９２と電気的に接続された貫通ビア９５と、貫通ビア９５と電気的に接続され、回路パターン９２が形成された面とは反対側の面に設けられた電極９６と、を有する。第２の配線基板３０の、配線パターン３２が形成された面には外部電極３７が設けられており、外部電極３７と半導体チップ９０ａの電極９６とが互いに電気的に接続されている。なお、半導体チップは、インターポーザ１０にいくつ搭載されても良い。
【００３９】
図１に示すインターポーザ１０では、第１の配線基板２０と第２の配線基板３０には、同数の貫通ビア２５，３５が配置されている。しかしながら、図６に示すように、第１の配線基板２０ｂと第２の配線基板３０ｂに形成された貫通ビア２５ｂ，３５ｂの数は異なっていても良い。
【００４０】
インターポーザは、電子部品が搭載される面に、高密度に配列された電極が必要であり、プリント基板などの実装用母基板へ接続される電極は少なくて良いことが多い。このような場合、プリント基板などに接続される、第１の配線基板２０ｂの貫通ビア２５ｂの数は、第２の配線基板３０ｂの貫通ビア３５ｂの数より少なくても良い。この場合、互いに接続される必要がある内部電極２６ｂ，３６ｂ同士のみが接合されていれば良い。
【００４１】
以下、第２の実施形態における、インターポーザの製造方法について説明する。図７は、ＷｏＷ（Wafer on Wafer）方式によってインターポーザを製造する方法を示している。図７（ａ）に示すように、製品形成領域としての複数の第１の配線基板２０が区画された第１のウエハ７０と、製品形成領域としての複数の第２の配線基板３０が区画された第２のウエハ７２とを準備する。各ウエハ７０，７２には、各製品形成領域を区分けするダイシングライン７４が形成されている。
【００４２】
各ウエハ７０，７２に形成された配線基板２０，３０は、図１で説明した配線基板と同様の構成を有する。つまり、各ウエハ７０，７２は、絶縁基材２１，３１と、絶縁基材２１，３１の一方の面に形成された配線パターン２２，３２と、絶縁基材２１，３１を貫通する貫通ビア２５，３５と、を有する。各ウエハ７０，７２の、配線パターン２２，３２が形成された面には外部電極２７，３７が設けられている。各ウエハ７０，７２の、配線パターン２２，３２が形成された面とは反対側の面には、内部電極２６，３６が設けられている。
【００４３】
次に、図７（ｂ）に示すように、一方のウエハ、例えば第１のウエハ７０の、配線パターン２２が形成されていない面に、絶縁性の接着部材としてのアンダーフィル１２を塗布する。なお、アンダーフィルは、スピンコートによって、均一な厚さで形成することができる。
【００４４】
次に、図７（ｃ）に示すように、第１のウエハ７０と第２のウエハ７２とを接合する。この際、各ウエハ７０，７２の配線パターン２２，３２が外側に向けられる。具体的には、第１のウエハ７０の貫通ビア２５上に形成された内部電極（バンプ電極）２６と、第２のウエハ７２の貫通ビア３５上に形成された内部電極３６とを、熱圧着等によって接合する。これにより、第１のウエハ７０と第２のウエハ７２とが互いに電気的に接続される。なお、アンダーフィル１２は、第１のウエハ７０と第２のウエハ７２とを接着すると共に、各ウエハ７０，７２の内部電極２６，３６を保護することができる。
【００４５】
この後、ダイシングライン７４に沿ってウエハ７０，７２を切断分離することで、個々のインターポーザ１０を製造することができる。本実施形態のように、ＷｏＷ方式で一括してインターポーザ１０を製造することで、インターポーザ１０の製造効率を向上することができる。また、ウエハの状態で各製造工程を実施することで、製造工程中の搬送や接合などの処理を効率よく実施することができる。
【００４６】
また、第１のウエハ７０および第２のウエハ７２には、熱により互いに逆向きに曲がろうとする向きに応力が生じるため、インターポーザ１０全体の反りが緩和されるという利点もある。
【００４７】
次に、第３の実施形態におけるインターポーザの製造方法について説明する。図８は、ＣｏＷ（Chip on Wafer）方式で、インターポーザを製造する様子を示している。まず、図８（ａ）に示すように、製品形成領域としての第１の配線基板２０が複数区画されたウエハ７０と、製品形成領域ごとに分離した複数の第２の配線基板３０と、を準備する。第１の配線基板２０および第２の配線基板３０は、第１の実施形態および第２の実施形態で説明したものと同様の構成を有する。ウエハ７０には、各製品形成領域を区分けするダイシングライン７４が形成されている。
【００４８】
次に、図８（ｂ）に示すように、ウエハ７０の、配線パターン２２が形成された面とは反対側の面に、第２の配線基板３０を接合する。具体的には、第２の配線基板３０をウエハ７０にフリップチップボンディングする。これにより、ウエハ７０の貫通ビア２５上に形成された内部電極２６と、第２の配線基板３０の貫通ビア３５上に設けられた内部電極３６とが、熱圧着等により互いに電気的に接続される。
【００４９】
本実施形態では、ウエハ７０を構成する複数の第１の配線基板（製品形成領域）２０のうち、不良の製品形成領域には第２の配線基板３０を搭載しないようにすることができる。これにより、無駄になる材料を低減することができる。
【００５０】
次に、図８（ｃ）に示すように、ウエハ７０と第２の配線基板３０との間の隙間に絶縁性の接着部材としてのアンダーフィル１２を充填する。アンダーフィル１２は、例えば図示しないディスペンサーにより、ウエハ７０の表面に供給する。ウエハ７０表面に供給されたアンダーフィル１２は、毛細管現象により、ウエハ７０と第２の配線基板３０との間の隙間に充填される。アンダーフィル７０は、配線基板２０，３０同士を接着すると共に、配線基板２０，３０に設けられた内部電極２６，３６を保護することができる。これに代えて、アンダーフィル１２がウエハ７０に塗布された後に、ウエハ７０と第２の配線基板３０とを接合しても良い。
【００５１】
ウエハ７０に第２の配線基板３０を接合した後、ウエハ７０をダイシングライン７４に沿って切断して、個々のインターポーザ１０を得ることができる。
【００５２】
第２の実施形態および第３の実施形態のように、第１の配線基板２０および第２の配線基板３０のうちの少なくとも一方を、製品となる領域である複数の製品形成領域が区画されたウエハを使って準備しても良い。この場合、最後に、ウエハを個々の製品形成領域に切断分離する工程をさらに行うことが好ましい。これにより、製造効率を向上させることができる。
【００５３】
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５４】
１０    インターポーザ
１２    アンダーフィル
１４    外部端子
２０    第１の配線基板
２１    絶縁基材
２２    第１の配線パターン
２３    金属膜
２４    絶縁膜
２５    第１の貫通ビア
２６    内部電極（第１の電極）
２７    外部電極
３０    第２の配線基板
３１    絶縁基材
３２    第２の配線パターン
３５    第２の貫通ビア
３６    内部電極（第２の電極）
３７    外部電極
４０    支持体
４２    孔部
４４    絶縁膜
４６    シード膜
４８    めっきレジスト
５０    電子部品
５２    外部端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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