(57)【要約】【課題】炭化珪素ＭＯＳＦＥＴにおいて、炭化珪素層とゲート絶縁膜との界面に発生する界面準位を十分に低減できず、キャリアの移動度が低下する場合があった。【解決手段】この発明に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素層上に接して二酸化珪素で構成されるゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、前記ゲート絶縁膜形成工程後に、一酸化窒素または一酸化二窒素とトランス−１，２−ジハロゲノエチレンとを含有するガス中で前記ゲート絶縁膜が形成された前記炭化珪素層を加熱処理する窒化工程とを備える。【選択図】  図６
2011049368.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素層上に接して二酸化珪素で構成されるゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、
前記ゲート絶縁膜形成工程後にトランス−１，２−ジハロゲノエチレンと一酸化窒素または一酸化二窒素とを含有するガス中で前記ゲート絶縁膜が形成された前記炭化珪素層を熱処理する窒化工程と
を備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項２】
トランス−１，２−ジハロゲノエチレンの２つのハロゲン基は、クロロ基ないしブロモ基のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項３】
窒化工程は、前記炭化珪素層を１１００℃以上の温度で窒化することを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項４】
窒化工程は、一酸化窒素または一酸化二窒素に対するトランス−１，２−ジハロゲノエチレンのモル比が０．０２以上で窒化することを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項５】
ゲート絶縁膜形成工程は、炭化珪素層を熱酸化する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項６】
ゲート絶縁膜形成工程は、化学的もしくは物理的気相成長法によりゲート絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項７】
窒化工程は、トランス−１，２−ジハロゲノエチレンと一酸化窒素または一酸化二窒素とを含有するガス中でゲート絶縁膜が形成された炭化珪素層を熱処理した後に、前記ゲート絶縁膜が形成された前記炭化珪素層の温度を下げた後に、前記トランス−１，２−ジハロゲノエチレンと一酸化窒素または一酸化二窒素とを含有するガスの供給を停止することを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、炭化珪素半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、炭化珪素半導体層と二酸化珪素ゲート絶縁膜との界面準位密度を低減することにより、チャネル移動度を向上させオン抵抗を低下させた炭化珪素半導体装置の製造方法に係る。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素は優れた物性値を有するため、その特性を生かして高耐圧で低損失なパワーデバイスへの適用が期待されている。
炭化珪素を炭化珪素半導体装置の一種である炭化珪素縦型金属−酸化膜−半導体電界効果型トランジスタ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＭＯＳＦＥＴ）に適用する場合、炭化珪素の上に二酸化珪素などのゲート絶縁膜を形成する。
【０００３】
炭化珪素の上に二酸化珪素を形成するには、炭化珪素を熱酸化する方法と炭化珪素上に二酸化珪素の膜をデポジションする方法とがあるが、いずれの方法を用いても、炭化珪素と二酸化珪素との界面に界面準位ができ、この界面準位がＭＯＳＦＥＴの電界効果移動度を炭化珪素バルク中の移動度より低下させることによりＭＯＳＦＥＴのオン動作時の抵抗値を増加させ、損失が増大してしまうことがあった。
炭化珪素と二酸化珪素との界面にできるこのような界面準位を不活性化するため、炭化珪素上に二酸化珪素を形成した後に、一酸化窒素（ＮＯ）ガスや一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）ガス中で高温処理する方法が知られていた。
【０００４】
例えば、炭化ケイ素層と当該炭化ケイ素層上の酸化物層とを備えた炭化ケイ素構造を約１１００℃よりも高いアニール温度で初期滞留時間が少なくとも１１秒となる流量プロファイルを用いて一酸化二窒素ガス中で熱処理をすることによって界面準位を低減できることは、従来から知られていた（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−５１１１０１号（第８〜１５頁）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１には、一酸化二窒素ガスによる窒化の条件を最適化することにより界面準位が低減することは記載されているが、特許文献１に示されるような方法で窒化した場合には、窒化の際に一酸化二窒素ガスが反応して発生する酸素ガスにより炭化珪素が再酸化され、この再酸化により窒化された界面より界面が炭化珪素の内側に進行し、最終的に残る炭化珪素／ゲート絶縁膜界面への窒化が十分になされず、界面準位を十分に低減できない場合があった。
【０００７】
この発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、炭化珪素と二酸化珪素ゲート絶縁膜との界面の準位をより低減させた、キャリアの移動度が高い炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素層上に接して二酸化珪素で構成されるゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、前記ゲート絶縁膜形成工程後にトランス−１，２−ジハロゲノエチレンと一酸化窒素または一酸化二窒素とを含有するガス中で前記ゲート絶縁膜が形成された前記炭化珪素層を加熱処理する窒化工程とを備えたものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、一酸化窒素ガスまたは一酸化二窒素ガスが反応することによって発生する酸素がトランス−１，２−ジハロゲノエチレンと速やかに反応して減少し炭化珪素層の再酸化を抑制できるため、十分に窒化され、炭化珪素層とゲート絶縁膜との界面の準位を十分に低減した、キャリアの移動度が高い炭化珪素半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明の実施の形態１における炭化珪素半導体装置の断面模式図である。
【図２】この発明の実施の形態１における炭化珪素半導体装置の製造方法の一工程を示す断面模式図である。
【図３】この発明の実施の形態１における炭化珪素半導体装置の製造方法の一工程を示す断面模式図である。
【図４】この発明の実施の形態１における炭化珪素半導体装置の製造方法の一工程を示す断面模式図である。
【図５】この発明の実施の形態１における炭化珪素半導体装置の製造方法の一工程を示す断面模式図である。
【図６】この発明の実施の形態１における炭化珪素半導体装置の製造方法における窒化処理を行なう装置を示す模式図である。
【図７】この発明の実施の形態１における炭化珪素半導体装置の製造方法における窒化処理工程の処理概要を示すシーケンス図である。
【図８】この発明の実施の形態１における炭化珪素半導体装置の製造方法の一工程を示す断面模式図である。
【図９】この発明の実施の形態１における炭化珪素半導体装置の製造方法の一工程を示す関係図である。
【図１０】この発明の実施の形態２における炭化珪素半導体装置の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１の炭化珪素半導体装置の製造方法によって製造される炭化珪素半導体装置の素子構造の断面模式図を図１に示す。炭化珪素半導体装置の一例として、ｎチャネル炭化珪素ＭＯＳＦＥＴの断面構造を示す。本実施の形態においては、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型として説明する。
【００１２】
図１において、ｎ型で低抵抗の炭化珪素基板１の第一の主面上に、ｎ型の炭化珪素ドリフト層２が形成されている。炭化珪素ドリフト層２の表面側のある幅だけ離間した部位には、アルミニウム（Ａｌ）をｐ型不純物として含有するｐ型のベース領域３が形成されている。また、ベース領域３のそれぞれの断面方向の内側の表層部には、窒素（Ｎ）をｎ型不純物として含有する、ｎ型のソース領域４が、ベース領域３より浅く形成されている。
【００１３】
また、ベース領域３およびソース領域４を含む炭化珪素ドリフト層２の表面側には、ベース領域３、ソース領域４の表面側の一部を除き、二酸化珪素で構成されるゲート絶縁膜５が形成されている。さらに、一対のソース領域４間の領域を含む部位に対向するゲート絶縁膜５上の位置には、ゲート電極６が形成されている。また、ゲート絶縁膜５が形成されていないソース領域４の表面にはソース電極７が、また、炭化珪素基板１の第一の主面と反対側の第二の主面、すなわち、裏面側にはドレイン電極８がそれぞれ形成されている。
【００１４】
ここで、図１において、ベース領域３のうちゲート絶縁膜５を介してゲート電極６と対向し、ゲート電極６にオン電圧が印加されたオン動作時に反転層が形成される領域をチャネル領域という。
【００１５】
つづいて、実施の形態１の炭化珪素半導体装置であるｎチャネルＭＯＳＦＥＴの製造方法について、図２〜図９を用いて順に説明する。図２〜図５および図８、図９は、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴの各製造工程における炭化珪素半導体装置の断面模式図である。
まず、ｎ型で低抵抗の炭化珪素基板１の表面上に、図２に示すように、化学気相堆積（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法により、ｎ型の炭化珪素ドリフト層２をエピタキシャル成長する。
【００１６】
次に、炭化珪素ドリフト層２の表面に図示しない注入マスクを形成し、ｐ型の第１不純物であるＡｌをイオン注入する。炭化珪素ドリフト層２のＡｌがイオン注入された領域でｐ型になる領域がベース領域３となる（図３）。
注入マスクを除去後、先の注入マスクとは別の注入マスクをベース領域３の表面に形成し、ｎ型の第２不純物であるＮをイオン注入する。Ｎのイオン注入深さはベース領域３の厚さより浅いものとする。炭化珪素ドリフト層２内のＮが注入された領域のうちｎ型を示す領域がソース領域４となる（図４）。再度注入マスクを除去後、熱処理装置によって、アルゴン（Ａｒ）ガスなどの不活性ガス雰囲気中でアニールを行なう。このアニールにより、イオン注入されたＮ、Ａｌを電気的に活性化させる。
つづいて、図５に示すように、ソース領域４、ベース領域３を含む炭化珪素ドリフト層２（炭化珪素層）の表面を熱酸化して全面に二酸化珪素のゲート絶縁膜５を形成する（ゲート絶縁膜形成工程）。
【００１７】
次に、図６に示すような炉を用いて、図７に示すシーケンスで窒化処理（窒化工程）を行なう。
まず、図６の窒化処理を行なう装置について説明する。
【００１８】
図６は、本発明の実施の形態１における炭化珪素半導体装置の製造方法の一工程である窒化処理を行なう装置である、反応炉および反応炉に反応ガスを供給する装置の模式図である。
図６において、炉１０にガスを共有するガス配管２０は二股に分岐し、一方はそのまま第１ガス導入口２１に、他方は気化器２３を経て第２ガス導入口２２に繋がっている。
炉１０においては、基板３０が設置されるボート１１が管状の反応管１４の内部のボート台１２上に設けられ、反応管１４の外周にはヒーター１３が設けられている。反応管１４にはガス配管２０からガスが供給され、ガス配管２０の反対側の下流側にはガスが流れ出るガス排出口１５が設けられている。また、ガス配管２０には、ガス配管２０の温度を調整するための配管保温器２６が設けられている。
気化器２３においては、第２ガス供給口２２から供給されたガスが温調用浴槽２５によって温度管理された環境下でバブリング液２４を通ってガス配管２０に流せるように構成されている。本実施の形態においては、バブリング液２４としてトランス−１，２−ジクロロエチレンなどのトランス−１，２−ジハロゲノエチレンを用いる。
【００１９】
次に、図７を用いて窒化処理のシーケンスを説明する。図７は、窒化工程の主なシーケンスを記したシーケンス図である。
まず、図５で示した段階まで処理した基板３０を図６で説明した炉１０内に導入し、第１ガス導入口２１からＡｒガスまたは窒素ガスなどの不活性ガスを供給する。次に、配管保温器２６および温調用浴槽２３を昇温する（温度調整開始）。つづいて、ヒーター１３に電力を供給して反応管１０４の内部の温度を１２５０℃程度に昇温する。ボート１１に載せた基板３０の温度が所定の温度になると、実際の窒化反応処理を開始する。
【００２０】
ここでは、トランス−１，２−ジハロゲノエチレンとしてトランス−１，２−ジクロロエチレンを、また、窒化用ガスとして一酸化二窒素ガスを用いた場合で実際の窒化反応処理の工程を説明する。
基板３０の温度が所定の温度のなった後、第１ガス導入口２１および第２ガス導入口２２から一酸化二窒素ガスを供給し、一酸化二窒素ガスとトランス−１，２−ジクロロエチレンとの混合ガスを反応管１４に供給する。この混合ガスが供給され、基板３０の温度がゲート絶縁膜５である二酸化珪素膜と炭化珪素との界面が窒化される温度であれば、窒化反応が起こり、界面準位が減少する。このとき、一酸化二窒素ガスが窒化反応によって分解して発生する酸素ガスは、混合ガスに含まれているトランス−１，２−ジクロロエチレンと反応して二酸化炭素ガスおよび塩化水素ガスに変換される。この内、酸素を含む二酸化炭素ガスは、安定性の高いガスであり、炭化珪素膜を酸化し、二酸化珪素膜と炭化珪素膜との界面を進行させることはほとんどない。
【００２１】
このように、窒化反応処理を所定の時間行なった後、反応管１４の内部の温度を窒化されない温度にまで降下させる。その後、第１ガス導入口２１および第２ガス導入口２２からの一酸化二窒素ガスの供給を停止する。つづけて、ヒーター１３の出力を低下させ、炉１０を室温まで低下させる。配管保温器２６および温調用浴槽２３を降温（温度調整終了）させ、不活性ガスの供給を止め、基板３０を取り出す。
【００２２】
次に、図８に示すように、ゲート絶縁膜５の上に、導電性を有する多結晶珪素膜を減圧ＣＶＤ法により形成し、これをパターニングすることによりゲート電極６を形成する。ゲート電極６は、一対のベース領域３およびソース領域４が両端部に位置し、一対のベース領域３の間の炭化珪素ドリフト層２が中央に位置するような形状にパターニングされる。
その後、ソース領域４を露出させるようにゲート絶縁膜５に開口し、この開口部上に、膜形成およびパターニングにより、図９に示すように、ソース電極７を形成する。最後に、炭化珪素基板１の裏面側にドレイン電極８を形成して、図１に示すｎチャネルＭＯＳＦＥＴの主要部が完成する。
【００２３】
このようにして製造した炭化珪素半導体装置の一種である炭化珪素ＭＯＳＦＥＴは、炭化珪素層とゲート絶縁膜との界面の準位が十分に低く、高い移動度の値を示す。したがって、オン抵抗の低い炭化珪素ＭＯＳＦＥＴを製造することができる。
【００２４】
ここで、トランス−１，２−ジクロロエチレンを加えて窒化処理を行なうことの効果について、あらためて説明しておく。
トランス−１，２−ジハロゲノエチレン、その中でも特に、トランス−１，２−ジクロロエチレン、トランス−１クロロ，２−ブロモエチレンまたはトランス−１，２−ジブロモエチレンは、熱的に安定であり、高温下でも酸素が存在しなければ安定に存在する。この熱的な安定性は、ハロゲン原子がエチレン骨格からσ電子を吸引すると同時にエチレン骨格のπ結合に電子供与することによって、ハロゲン原子がエチレン骨格と強力に結合していて、分子の安定性が高いことに由来する。しかしながら、酸素が存在すると、トランス−１，２−ジハロゲノエチレンのエチレン骨格部の２重結合が酸化され分解反応が促進される。このような性質により、トランス−１，２−ジハロゲノエチレンは、窒化処理中に一酸化二窒素や一酸化窒素などの窒化酸化物の熱分解などにより生成する酸素と効率よく反応することができ、窒化処理中の酸素分圧を低減し、再酸化による界面準位の発生を抑制できる。
【００２５】
トランス−１，２−ジクロロエチレンなどのトランス−１，２−ジハロゲノエチレンを混合した一酸化二窒素ガスまたは一酸化窒素ガスにより二酸化珪素と炭化珪素との界面を窒化することにより、窒化反応後に発生した酸素ガスがトランス−１，２−ジハロゲノエチレンと速やかに反応する。このため、窒化処理中の酸素分圧を低減でき、再酸化による二酸化珪素／炭化珪素界面の酸化の進行を抑制できる。したがって、十分に窒化され界面準位の密度が低下した二酸化珪素／炭化珪素界面を形成することができ、オン抵抗の低い炭化珪素ＭＯＳＦＥＴを得ることができる。また、ここまで説明してきたように、特殊な設備を設けることなく、安価にオン抵抗の低減した炭化珪素ＭＯＳＦＥＴを製造することができる。
【００２６】
なお、一酸化窒素または一酸化二窒素に対するトランス−１，２−ジハロゲノエチレンのモル比には特に制限はないが、酸素との反応速度が低下しない程度の比として０．０２以上のモル比であることが望ましい。モル比がこの範囲に収まるように、第１ガス導入口２１から導入する一酸化窒素または一酸化二窒素の流量と、第２ガス導入口２２から導入する一酸化窒素または一酸化二窒素の流量と、気化器２３の温度をそれぞれ設定すればよい。
【００２７】
また、窒化処理時の反応管１４内部の温度は１１００℃以上が好ましく、さらに１２００以上、１２５０℃以下の範囲であることが好ましい。窒化処理の時間は、処理温度が１２５０℃で１時間以上、１１００℃で３時間以上が好ましい。
さらに、混合ガスを停止する温度は、窒化反応がほとんど起こらない温度であればよく、１０５０℃以下、望ましくは１０００℃以下であることが望ましい。
【００２８】
また、トランス−１，２−ジクロロエチレンの沸点は常圧で５０℃程度であり、トランス−１，２−ジハロゲノエチレンがトランス−１，２−ジクロロエチレンである場合、温調用浴槽２５の温度、配管保温器２６の温度は、温調用浴槽２５に水を入れて温度を例えば３０℃程度に冷却または加熱すればよい。
なお、第１ガス導入口２１および第２ガス導入口２２に供給する一酸化窒素または一酸化二窒素ガスは、それぞれＡｒ、窒素ガスなどの不活性ガスで希釈してもよい。また、第１ガス導入口２１には、不活性ガスで希釈しないガスを供給し、第２ガス導入口２２には希釈用の不活性ガスのみを供給してもよい。さらに、第２ガス導入口２２からＡｒ、窒素ガスなどの不活性ガスを供給してトランス−１，２−ジクロロエチレンを導入してもよい。
【００２９】
このように、反応管１４に供給するガスの一酸化窒素または一酸化二窒素などの窒化ガス、トランス−１，２−ジハロゲノエチレン、Ａｒまたは窒素ガスなどの不活性ガスのガス流量比は、供給ガス種、ガス流量、温調用浴槽２５の温度、配管保温器２６の温度を調整することにより、適宜選択すればよく、上記に説明した条件に限るものではない。
【００３０】
なお、本実施の形態において、ゲート絶縁膜５は、炭化珪素を熱酸化して形成した二酸化珪素膜である例を示したが、ゲート絶縁膜５は、化学的気相成長法または蒸着法、スパッタ法などの物理的気相成長法などで形成した堆積二酸化珪素膜であってもよい。また、前述のゲート絶縁膜形成工程を熱酸化法にて行なう場合は、ゲート絶縁膜形成工程と窒化工程を同一装置で連続的に行なってもよい。
【００３１】
また、炭化珪素基板１としては、第一の主面の面方位が（０００１）面、（０００−１）面、（１１−２０）面などで、４Ｈのポリタイプを有する、ｎ型で低抵抗の、炭化珪素基板１０などであってもよく、また、これらの面方位から傾斜しているものであってもよい。さらに、炭化珪素基板１のポリタイプとしては、６Ｈや３Ｃであってもよい。
【００３２】
さらに、ゲート電極６の材料は、低抵抗多結晶珪素や低抵抗多結晶炭化珪素などで、その導電型はｎ型でもよくｐ型でもよく、また、Ａｌやチタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）やそれらの窒化物でもよい。ソース電極７とドレイン電極８の材料についてもゲート電極６の材料と同様である。また、電極形成後１０００℃程度でアニールしてもよい。
【００３３】
実施の形態２．
図１０は、この発明の実施の形態２における炭化珪素半導体装置である炭化珪素ＭＯＳＦＥＴの断面模式図である。図１０において、炭化珪素基板１の第一の主面上にｎ型のドリフト層（炭化珪素層）２、ｐ型のベース領域３、ｎ型のソース領域４が、順に積層して形成されている。ｎ型のドリフト層２、ｐ型のベース領域３、ｎ型のソース領域４には、ベース領域３、ソース領域４を貫通してドリフト層２に達するトレンチが設けられており、ドリフト層２、ベース領域３、ソース領域４はいずれも炭化珪素で構成されている。
【００３４】
トレンチの表面およびソース領域４の表面には、ソース領域４の表面側の一部を除き二酸化珪素で構成されるゲート絶縁膜５が形成されている。さらに、ゲート絶縁膜５上の、ドリフト層２、ベース領域３、ソース領域４に対向する位置にはゲート電極６が形成されている。また、ゲート絶縁膜５が形成されていないソース領域４の表面にはソース電極７が、また、炭化珪素基板１の第一の主面と反対側の第二の主面、すなわち、裏面側にはドレイン電極８がそれぞれ形成されている。本実施の形態の炭化珪素ＭＯＳＦＥＴは、構造がトレンチ構造であることの他は、実施の形態１と同様であるので詳細な説明は省略する。
【００３５】
本実施の形態のトレンチ構造の炭化珪素ＭＯＳＦＥＴにおいても、実施の形態１に示した炭化珪素ＭＯＳＦＥＴを製造する場合と同様に、ゲート絶縁膜５形成後に、一酸化窒素ガスまたは一酸化二窒素ガスとトランス−１，２−ジハロゲノエチレンガスとの混合ガスを用いて窒化処理を行なうことにより、炭化珪素層とゲート絶縁膜５との界面にできる界面準位を低減でき、キャリアの電界効果移動度を高くすることができる。
【００３６】
また、炭化珪素ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）においても、本実施の形態の場合と同様にゲート絶縁膜５形成後に、一酸化窒素ガスまたは一酸化二窒素ガスとトランス−１，２−ジハロゲノエチレンガスとの混合ガスを用いて窒化処理を行なうことにより、実施の形態１の場合と同様の効果を奏することができる。
【００３７】
なお、上記実施の形態１および２において、電子をキャリアとするｎ型ＭＯＳＦＥＴの例を示したが、キャリアが正孔のｐ型ＭＯＳＦＥＴであってもよい。
【符号の説明】
【００３８】
１  炭化珪素基板、２  ドリフト層、３  ベース領域、４  ソース領域、５  ゲート絶縁膜、６  ゲート電極、７  ソース電極、８  ドレイン電極、１０  炉、１１  ボート、１２  ボート台、１３  ヒーター、１４  反応管、１５  ガス排出口、２０  ガス配管、２１  第１ガス導入口、２２  第２ガス導入口、２３  気化器、２４  バブリング液（トランス−１，２−ジハロゲノエチレン）、２５  温調用浴槽、２６  配管保温器、３０  基板。
【図１】
2011049368.tif 000003
【図２】
2011049368.tif 000004
【図３】
2011049368.tif 000005
【図４】
2011049368.tif 000006
【図５】
2011049368.tif 000007
【図６】
2011049368.tif 000008
【図７】
2011049368.tif 000009
【図８】
2011049368.tif 000010
【図９】
2011049368.tif 000011
【図１０】
2011049368.tif 000012