(57)【要約】【課題】従来のレジスト容器の構造は、レジストと空気が常に接触する構造であり、液中欠陥の原因となる。そこで、レジストと空気が接触しない構造レジストの容器を提供すること。【解決手段】フレキシブルな材料からなる真空パックの内部にレジストを充填し、空気を遮蔽するようにしたことを特徴とするレジスト容器であって、前記フレキシブルな材料はレジストに反応する波長帯の光を遮光する材料で、アルミ、アルミナ等であることを特徴とするレジスト容器である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブルな材料からなる真空パックの内部にレジストを充填し、空気を遮蔽するようにしたことを特徴とするレジスト容器。
【請求項２】
前記フレキシブルな材料はレジストに反応する波長帯の光を遮光する材料であることを特徴とする請求項1に記載のレジスト容器。
【請求項３】
前記フレキシブルな材料は、アルミ、アルミナ等であることを特徴とする請求項２に記載のレジスト容器。
【請求項４】
前記真空パックの内壁層がレジストに用いられる有機溶剤と化学反応を起こさない無機材料からなることを特徴とする請求項1に記載のレジスト容器。
【請求項５】
前記無機材料は、アルミ、アルミナ、シリコン、シリカの少なくともいずれかであることを特徴とする請求項４に記載のレジスト容器。
【請求項６】
前記フレキシブルな材料は、レジスト残量を可視可能な半透明な材料からなることを特徴する請求項1に記載のレジスト容器。
【請求項７】
前記可視可能な半透明な材料、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリプロピレン（ＰＰ）、ナイロン（Ｎｙ）の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項６記載のレジスト容器。
【請求項８】
前記真空パックにレジスト吸い上げ用のキャップを設け、レジスト塗布装置のレジスト吐出用ポンプから接続されてくるチユーブを前記キヤツプに被さる形状のジヨイントによって前記キヤツプに接続させるようにしたことを特徴とする請求項1から請求項７のいずれか１項に記載のレジスト容器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトレジスト、電子線レジストを収容する容器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大規模集積回路（LSI）等の半導体デバイスの高集積化に伴い、100nm以下の微細パターンを有する半導体素子や、その原版となるフォトマスクを製造する必要がある。これらのパターンは、基板表面にフォトリソグラフィや電子線リソグラフィ技術によって形成されるため、基板表面上に欠陥の少ないレジスト膜を塗布する技術が要求される。（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
レジスト塗布には、スピンコーティング技術が用いられる。これは、スピンチャックに載置した基板の中央部にレジスト塗布装置を使用してレジスト液を滴下した後、スピンチャックを高速回転させ、遠心力でレジスト液を基板の中央部から周縁部に広げ、基板上の全面にレジスト膜を均一に塗布する方法である。
【０００４】
レジスト塗布装置は、レジスト容器のレジストを一定量ずつ吐出するベローポンプと、チャックに固定した被塗布物の表面に前記レジストを滴下するノズルと、レジストの吐出が停止した場合に、ノズルの内部に吸引するサックバックとから構成される。レジスト瓶は、レジスト吐出用ポンプから接続されてくるチユーブとフィルタを介して接続する。
【０００５】
レジスト瓶には、通常、ガロン瓶、又は、クォート瓶を使用する。このようなレジスト容器は、常に薬液の液面が空気と接触する構造となるため、薬液中に空気が溶け込み、微小な気泡(マイクロバブル) が発生したり、空気中の成分と化学反応を起こすことで、レジストが変質し、異物となる凝集物が発生する。したがって、レジストボトル開封直後より、経時変化でレジスト中の気泡や凝集物（以降、液中欠陥と呼ぶ）の数は増加する。この液中欠陥は、レジスト塗布工程においてコート欠陥の原因となり、これによって、フォトマスクや半導体製造工程等の微細加工分野におけるレジストパターン形成において、致命的な欠陥を引き起こす。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】フォトマスク技術、工業調査会（1996）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このように、従来のレジスト容器の構造は、レジストと空気が常に接触する構造であり、液中欠陥の原因となる。そこで、レジストと空気が接触しない構造のレジスト容器を提供することが本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するための手段として、請求項１に記載の発明は、フレキシブルな材料からなる真空パックの内部にレジストを充填し、空気を遮蔽するようにしたことを特徴とするレジスト容器としたものである。
【０００９】
また、請求項２記載の発明は、前記フレキシブルな材料はレジストに反応する波長帯の光を遮光する材料であることを特徴とする請求項1に記載のレジスト容器としたものである。
【００１０】
また、請求項３記載の発明は、前記フレキシブルな材料は、アルミ、アルミナ等であることを特徴とする請求項２に記載のレジスト容器としたものである。
【００１１】
また、請求項４記載の発明は、前記真空パックの内壁層がレジストに用いられる有機溶剤と化学反応を起こさない無機材料からなることを特徴とする請求項1に記載のレジスト容器としたものである。
【００１２】
また、請求項５記載の発明は、前記無機材料は、アルミ、アルミナ、シリコン、シリカの少なくともいずれかであることを特徴とする請求項４に記載のレジスト容器としたものである。
【００１３】
また、請求項６記載の発明は、前記フレキシブルな材料は、レジスト残量を可視可能な半透明な材料からなることを特徴する請求項1に記載のレジスト容器としたものである。
【００１４】
また、請求項７記載の発明は、前記可視可能な半透明な材料、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリプロピレン（ＰＰ）、ナイロン（Ｎｙ）の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項６記載のレジスト容器としたものである。
【００１５】
また、請求項８に記載の発明は、前記真空パックにレジスト吸い上げ用のキャップを設け、レジスト塗布装置のレジスト吐出用ポンプから接続されてくるチユーブを前記キヤツプに被さる形状のジヨイントによって前記キヤツプに接続させるようにしたことを特徴とする請求項1から請求項７のいずれか１項に記載のレジスト容器としたものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明におけるレジスト容器は、レジスト中に液中欠陥がないので、基板表面上に欠陥の少ないレジスト膜を塗布でき、良好なレジストパターンを形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明のレジスト容器の構造を模式的に説明する概略図
【図２】レジスト塗布装置の概略図
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明のレジスト容器は、図１に示すように真空パック材１００とレジスト吸い上げ用のキャップ１０１から構成され、レジストは真空パック材１００の内部に充填される。
【００１９】
図２はレジスト塗布装置の概略構造を示す図である。レジスト塗布装置は、レジスト容器２００に収容されたレジストを一定量ずつ吐出するベローポンプ２０１と、チャック２０２に固定した被塗布物２０３の表面に前記レジストを滴下するノズル２０４と、レジストの吐出が停止した場合に、ノズルの内部に吸引するサックバック２０５とから構成されている。レジスト容器は、レジスト吐出用ポンプから接続されてくるチユーブとフィルタ２０６を介して接続される。
【００２０】
以下、本発明の優位性を示す。
【実施例１】
【００２１】
（レジストの液中欠陥測定）
本発明のレジスト容器及び比較用のレジスト瓶に充填させたポジ型化学増幅電子線レジスト（SEBP９０１２、信越化学工業製）に含まれる液中欠陥の個数を液中パーティクルカ
ウンター(リオン株式会社)にて測定した。レジスト瓶開封直後では両者ともに欠陥数はほぼ同数であるが、開封後から６日経過した場合、レジスト瓶の場合、欠陥数は開封直後と比較して約６倍に増加した。一方、本発明のレジスト容器の場合では、ほぼ変化はなかった（表１参照）。
つまり、本発明になるレジスト容器では、経時変化によるレジストの液中欠陥を抑えることができる。
【００２２】
【表１】
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【実施例２】
【００２３】
（レジスト膜の欠陥測定)
本発明のレジスト容器及び比較用のレジスト瓶に充填させたポジ型化学増幅電子線レジスト（ＳＥＢＰ９０１２、信越化学工業製）を各々、レジスト塗布装置へ接続し、ＭｏＳｉバイナリーマスク用ブランク（Ｗ０Ｇ、信越化学工業製）を用い、膜厚１５００Ａでスピンコートし、ＰＡＢ（Ｐｏｓｔ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｂａｋｅ：塗布後ベーク）１３０度６００秒により、レジスト膜を形成した。
【００２４】
本発明のレジスト容器及び比較用のレジスト瓶の場合でのレジスト膜の欠陥をＭ２３５０（レーザーテック）にて、調べたところ、レジスト瓶開封直後では、欠陥検出数はほぼ同数であるが、開封後から６日経過した場合、レジスト瓶の場合では、欠陥検出数は、開封直後と比較して約２倍に増加した。一方、本発明になるレジスト容器の場合では、ほぼ変わらなかった（表２参照）。つまり、本発明における容器では、経時変化によるレジストの液中欠陥を抑えることができる。
【００２５】
【表２】
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【００２６】
また、本発明のレジスト容器及び比較用のレジスト瓶ボトルの場合で、開封直後と開封後３ヶ月でのレジストの感度変動を調べたところ、レジスト瓶ボトルの場合では、３nmの寸法変動(1um,ライン＆スペース)が見られたのに対して、本発明のレジスト容器では、寸法変動は見られなかった。
【００２７】
本発明のレジスト容器にすることで、レジストの感度変動を抑えることができる。つまり、レジストの劣化を抑えることで、レジストの消費期限を延すことができる。
【産業上の利用可能性】
【００２８】
本発明は、半導体デバイスやフォトマスクのレジストパターン形成のためのレジスト以外に、保護膜材料、カラーフィルタ用レジスト、導電材料などの塗布材料の収容に使用することができる。
【符号の説明】
【００２９】
１００・・・真空パック材
１０１・・・レジスト吸い上げ用キャップ
１０２・・・レジスト
２００・・・レジスト容器
２０１・・・ベローポンプ
２０２・・・チャック
２０３・・・被塗布物
２０４・・・ノズル
２０５・・・サックバック
２０６・・・フィルタ
【図１】
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【図２】
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