(57)【要約】【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板を提供するものである。【解決手段】本発明の一実施形態にかかる配線基板３は、第１樹脂層１０ａと、該第１樹脂層１０ａ上面に部分的に形成された導電層１１と、第１樹脂層１０ａ上面に形成されるとともに導電層１１の側面及び上面に被着された第２樹脂層１０ｂと、を備え、導電層１１は、銅からなる第１導電層１１ａと、該第１導電層１１ａと第１樹脂層１０ａとの間に介され、両者に当接した銅とスズとの合金からなる接着層１１ｂと、を有し、接着層１１ｂが第１導電層よりも厚みが小さい。【選択図】  図２
2011049289.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１樹脂層と、該第１樹脂層上面に部分的に形成された導電層と、前記第１樹脂層上面に形成されるとともに前記導電層の側面及び上面に被着された第２樹脂層と、を備え、
前記導電層は、銅からなる第１導電層と、該第１導電層と前記第１樹脂層との間に介され、両者に当接した銅とスズとの合金からなる接着層と、を有し、
前記接着層が前記第１導電層よりも厚みが小さいことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記導電層の下面は、前記接着層により被覆されていることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板において、
前記接着層のスズは、有機珪素化合物を介して前記第１樹脂層の樹脂と化学的に結合していることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第１樹脂層は、樹脂とフィラーとを含み、
前記第１樹脂層は、前記導電層と当接する上面に前記フィラーを含まない樹脂部を有することを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１に記載の配線基板と、
前記配線基板上に搭載され、前記導電層と電気的に接続された電子部品と、
を備えたことを特徴とする実装構造体。
【請求項６】
交互に積層された複数の樹脂層及び導電層を備え、
最上層の前記樹脂層上面に形成された導電層は、銅からなる第１導電層と、該第１導電層と前記最上層の樹脂層との間に介され、両者に当接した銅とスズとの合金からなる接着層と、を有し、
前記接着層が前記第１導電層よりも厚みが小さいことを特徴とする配線基板。
【請求項７】
導電体の銅からなる下面にスズを被着させる工程と、
前記導電体のスズが被着した下面を、未硬化の樹脂材料を含む第１樹脂層前駆体に当接させる工程と、
前記導電体及び前記第１樹脂層前駆体を加熱して前記樹脂材料を硬化させることにより、導電層と、該導電層が上面に接着した第１樹脂層を形成する工程と、
前記第１樹脂層上に、前記導電層を取り囲むように第２樹脂層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の配線基板の製造方法において、
前記スズを被着させる工程は、
前記導電体下面の銅をスズに置換することにより、導電体の下面にスズを被着させる工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の配線基板の製造方法において、
第１樹脂層を形成する工程は、
前記導電体及び前記第１樹脂層前駆体を加熱して、前記導電体の下面にて銅とスズとを合金化させつつ前記樹脂材料を硬化させることにより、下面に銅とスズとの合金からなる接着層を有する導電層と、該導電層が上面に接着した第１樹脂層を形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の配線基板の製造方法により得られた配線基板に、電子部品を搭載するとともに、該電子部品を前記導電層に電気的に接続させる工程を備えたことを特徴とする実装構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）等に使用される配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。
【０００３】
特許文献１には、第１樹脂層と、該第１樹脂層上面に部分的に形成された銅からなる導電層と、前記第１樹脂層上面に形成されるとともに前記導電層を取り囲む第２樹脂層と、を備えた配線基板が記載されている。
【０００４】
第１及び第２樹脂層と、導電層と、は異なる熱膨張率を有する。このため、配線基板に電子部品を実装する際や実装構造体を使用する際に、配線基板に熱が印加されると、熱膨張率の違いに起因して第１及び第２樹脂層と導電層との間に熱応力が印加され、第１樹脂層及び第２樹脂層が剥離することがある。その結果、第１樹脂層上面と導電層下面との間に剥離が生じやすくなり、配線基板の電気的信頼性が低下しやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−１１６１７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態にかかる配線基板は、第１樹脂層と、該第１樹脂層上面に部分的に形成された導電層と、前記第１樹脂層上面に形成されるとともに前記導電層の側面及び上面に被着された第２樹脂層と、を備え、前記導電層は、銅からなる第１導電層と、該第１導電層と前記第１樹脂層との間に介され、両者に当接した銅とスズとの合金からなる接着層と、を有し、前記接着層が前記第１導電層よりも厚みが小さい。
【０００８】
本発明の一形態にかかる配線基板は、交互に積層された複数の樹脂層及び導電層を備え、最上層の前記樹脂層上面に形成された導電層は、銅からなる第１導電層と、該第１導電層と前記最上層の樹脂層との間に介され、両者に当接した銅とスズとの合金からなる接着層と、を有し、前記接着層が前記第１導電層よりも厚みが小さい。
【０００９】
本発明の一形態にかかる配線基板の製造方法は、導電体の銅からなる下面にスズを被着させる工程と、前記導電体のスズが被着した下面を、未硬化の樹脂材料を含む第１樹脂層前駆体に当接させる工程と、前記導電体及び前記第１樹脂層前駆体を加熱して前記樹脂材料を硬化させることにより、導電層と、該導電層が上面に接着した第１樹脂層を形成する工程と、前記第１樹脂層上に、前記導電層を取り囲むように第２樹脂層を形成する工程と、を備えている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一形態にかかる配線基板及びその製造方法によれば、導電層の電気伝導度を高めつつ、第１樹脂層と導電層との接着強度を高めることができる。その結果、信号伝送特性及び電気的信頼性に優れた配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態にかかる実装構造体の断面図である。
【図２】図１に示した実装構造体のＲ１部分を拡大して示した断面図である。
【図３】図１に示した実装構造体のＲ２部分を拡大して示した断面図である。
【図４】図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図５】図４に示した導電体のＲ３部分を拡大して示した断面図である。
【図６】図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図７】図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、図６のＲ４部分を拡大して示した断面図である。
【図８】図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、図６のＲ４部分に対応した部分を拡大して示した断面図である。
【図９】図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、図６のＲ４部分に対応した部分を拡大して示した断面図である。
【図１０】図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、図６のＲ４部分に対応した部分を拡大して示した断面図である。
【図１１】図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、図６のＲ４部分に対応した部分を拡大して示した断面図である。
【図１２】図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、図６のＲ４部分に対応した部分を拡大して示した断面図である。
【図１３】図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】
図１に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２及び配線基板３を含んでいる。
【００１４】
電子部品２は、例えばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板３に半田等のバンプ４を介してフリップチップ実装されている。この電子部品２は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。電子部品２としては、例えば、平均厚み、すなわち厚みの平均値が０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下のものを使用することができる。
【００１５】
配線基板３は、コア基板５とコア基板５の両側に形成された一対の配線層６とを含んでいる。
【００１６】
コア基板５は、配線基板３の強度を高めつつ一対の配線層６間の導通を図るものであり、平均厚みが例えば０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に形成されている。このコア基板５は、基体７、スルーホールＴ、スルーホール導体８、及び絶縁体９を含んでいる。
【００１７】
基体７は、例えば樹脂により形成され、樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等を使用することができる。
【００１８】
また、基体７は、樹脂に被覆された基材を含んでも構わない。基材としては、繊維により構成された織布若しくは不織布又は繊維を一方向に配列したものを使用することができる。繊維としては、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維又は金属繊維等を使用することができる。また、基体７の熱膨張率は、例えば１ｐｐｍ／℃以上１６ｐｐｍ／℃以下に設定されている。かかる熱膨張率は、ＩＳＯ１１３５９‐２：１９９９に準ずる。
【００１９】
基体７には、該基体７を厚み方向（Ｚ方向）に貫通する複数のスルーホールＴが設けられており、スルーホールＴの内壁に沿ってスルーホール導体８が円筒状に形成されている。スルーホール導体８は、コア基板５の上下の配線層６を電気的に接続するものであり、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料により形成されたものを使用することができる。円筒状のスルーホール導体８の内部には、絶縁体９が柱状に形成されている。絶縁体９は、後述するビア導体１２の支持面を形成するものであり、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。
【００２０】
一方、コア基板５の両側には、上述した如く、一対の配線層６が形成されている。配線層６は、複数の樹脂層１０と、基体７上又は樹脂層１０間又は樹脂層１０上に形成された複数の導電層１１と、樹脂層１０を貫通する複数のビア孔Ｖと、ビア孔Ｖの内部に形成された複数のビア導体１２と、を含んでいる。導電層１１及びビア導体１２は、互いに電気的に接続されており、配線部を構成している。この配線部は、接地用配線、電力供給用配線及び／又は信号用配線を含む。
【００２１】
複数の樹脂層１０は、導電層１１を支持する支持部材として機能するだけでなく、導電層１１同士の短絡を防ぐ絶縁部材として機能するものであり、平均厚みが例えば１０μｍ以上５０μｍ以下となるように形成されている。樹脂層１０としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができ、熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上６０ｐｐｍ／℃以下に設定されたものを使用することができる。
【００２２】
樹脂層１０は、フィラー１３を含有していることが望ましい。その結果、樹脂層１０の熱膨張率を低減させることができる。フィラー１３としては、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、又は水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、等のセラミック材料により形成されたものを用いることができ、熱膨張率が例えば−５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下に設定されたものを用いることができる。
【００２３】
なお、図２に示すように、ある１層の樹脂層１０を第１樹脂層１０ａとし、該第１樹脂層１０上面に形成された樹脂層１０を第２樹脂層１０ｂとする。
【００２４】
複数の導電層１１は、樹脂層１０を介して厚み方向（Ｚ方向）に互いに離間しており、平均厚みが、例えば２μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。導電層１１は、図２に示すように、銅からなる第１導電層１１ａと、該第１導電層１１ａと第１樹脂層１０ａとの間に介され、両者に当接した銅とスズとの合金からなる接着層１１ｂと、を含む。第１導電層１１ａにおける銅の含有量は、例えば９９％以上に設定されている。また、接着層１１ｂにおける銅の含有量は、例えば１％以上７０％以下に設定されており、接着層１１ｂにおけるスズの含有量は、例えば３０％以上９９％以下に設定されている。また、導電層１１の熱膨張率は、例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２５】
なお、複数の導電層１１の内、第１樹脂層１０ａ上面に形成された導電層１１は、該第１樹脂層１０ａ上面に部分的に形成されており、第２樹脂層１０ｂに取り囲まれている。
【００２６】
導電層１１に電気的に接続されるビア導体１２は、厚み方向に互いに離間した導電層１１同士を相互に接続するものであり、コア基板５に向って幅狭となる柱状に形成されている。ビア導体１２としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料により形成されたものを使用することができ、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されたものを使用することができる。
【００２７】
ところで、配線基板３に熱が印加された場合、第１樹脂層１０ａ及び第２樹脂層１０ｂと、導電層１１と、の熱膨張率の違いに起因して、第１樹脂層１０ａと第２樹脂層１０ｂとが剥離することがある。また、第１樹脂層１０ａと導電層１１との接着強度を高めるため、第１樹脂層１０ａの表面粗さを大きくすると、第１樹脂層１０ａ上面の凹凸に起因して、平面方向（ＸＹ平面方向）にて隣接する導電層１１同士が短絡しやすくなる。
【００２８】
一方、本実施形態の配線基板３においては、銅からなる第１導電層１１ａと第１樹脂層１０ａとの間に、両者に当接した銅とスズとの合金からなる接着層１１ｂが介されており、接着層１１ｂは第１導電層１１ａよりも厚みが小さい。それ故、スズは樹脂との化学的な親和性が銅よりも高く、電気伝導度が銅よりも低いため、導電層１１の電気伝導度を高めつつ、接着層１１ｂにより導電層１１と第１樹脂層１０ａとの接着強度を高め、導電層１１と第１樹脂層１０ａとの剥離を低減することができる。その結果、信号伝送特性及び電気的信頼性に優れた配線基板３を提供することができる。
【００２９】
また、本実施形態の配線基板３においては、表面粗さを大きくすることなく導電層１１と第１樹脂層１０ａとの接着強度を高めることができるため、第１樹脂層１０ａ上面の表面粗さを低減することができる。それ故、第１樹脂層１０ａ上面の凹凸に起因した平面方向（ＸＹ平面方向）にて隣接する導電層１１同士の短絡を低減できるため、隣接する導電層１１同士をより近接させることにより、高密度配線の配線基板３を提供することができる。
【００３０】
なお、第１樹脂層１０ａの表面粗さは、Ｒａ（算術平均粗さ）が０．１μｍ以上２μｍ以下に設定されていることが望ましい。また、Ｒｚ（十点平均高さ）が０．０２μｍ以上０．５μｍ以下に設定されていることが望ましい。なお、表面粗さは、ＩＳＯ４２８７：１９９７に準ずる。
【００３１】
接着層１１ｂは、平均厚みが例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下に設定されている。また、接着層１１ｂの平均厚みは、導電層１１の平均厚みの例えば０．１％以上１０％以下に設定されている。なかでも、接着層１１ｂは、平均厚みが２０ｎｍ以下に設定されていることが望ましい。その結果、導電層１１と第１樹脂層１０ａとの接着強度を高めつつ、導電層１１の電気伝導率を高めることができる。
【００３２】
接着層１１ｂにおけるスズの含有量は、５％以上５０％以下に設定されていることが望ましい。そその結果、導電層１１と第１樹脂層１０ａとの接着強度を高めつつ、導電層１１の電気伝導率を高めることができる。
【００３３】
導電層１１の下面は、接着層１１ｂにより被覆されていることが望ましい。その結果、導電層１１と第１樹脂層１０ａとの接着強度をより高めることができる。
【００３４】
また、接着層１１ｂのスズは、有機珪素化合物（シランカップリング剤）を介して第１樹脂層１０ａの樹脂と化学的に結合していることが望ましい。その結果、導電層１１と第１樹脂層１０ａとの接着強度をより高めることができる。なお、有機珪素化合物としては、例えば反応性の異なる2種類の官能基を有するものを用いることができ、例えばγ‐グリシドキシプロピルトリメトキシシラン又はN−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等を用いることができる。
【００３５】
また、第１樹脂層１０ａは、導電層１１と当接する上面に、フィラー１３を含まない樹脂部１０ａｚを有することが望ましい。その結果、スズと当接する樹脂の量を増加させることにより、第１樹脂層１０ａと導電層１１との接着強度をより高めることができる。また、樹脂部１０ａｚはフィラー１３を含まないことから絶縁性が高いため、樹脂部１０ａｚにより第１樹脂層１０ａの絶縁性を高め、第１樹脂層１０ａを介した導電層１１同士の短絡を低減できる。なお、樹脂部１０ａｚの平均厚みは、０．１μｍ以上２μｍ以下に設定されていることが望ましい。また、樹脂部１０ａｚの平均厚みは、第１樹脂層１０ａの平均厚みの１％以上５％以下に設定されていることが望ましい。
【００３６】
また、導電層１１は、第１導電層１１ａ上に銅からなる第２導電層１１ｃを有し、第１導電層１１ａと第２導電層１１ｃとの間には、ニッケルクロム合金、チタン、モリブデン、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ又はタンタル等を含む介在層が介されていることが望ましい。その結果、第１導電層１１ａと第２導電層１１ｃとの接着強度を高め、両者の剥離を抑制することができる。なお、第２導電層１１ｃにおける銅の含有量は、例えば９９％以上に設定されている。
【００３７】
また、導電層１１は、ビア導体１２との角部Ｃに接着層１１ｂを有することが望ましい。その結果、接着層１１により角部Ｃにおける機械的強度が向上するため、導電層１１のクラックを低減することができる。また、角部Ｃにおいて、接着層１１ｂに含まれるスズは、ビア導体１２の銅と金属間化合物を形成していることが望ましい。その結果、角部Ｃにおける導電層１１及びビア導体１２の接着強度を向上させることができ、導電層１１及びビア導体１２の間のクラックを低減できる。
【００３８】
また、図３に示すように、最上層の樹脂層１０上面に形成された導電層１１は、銅からなる第１導電層１１ａと、該第１導電層１１ａと最上層の樹脂層１０との間に介され、両者に当接した銅とスズとの合金からなる接着層１１ｂと、を有する。その結果、上述した如く、接着層１１ｂにより導電層１１と最上層の樹脂層１０ａとの接着強度を高め、導電層１１と最上層の樹脂層１０ａとの剥離を低減することができる。また、最上層の樹脂層１０上面の表面粗さを低減することにより、導電層１１同士の短絡を低減しつつより近接させることができるため、最も高密度配線が要求される最上層の樹脂層１０上面において、高密度配線が可能な配線基板３を提供することができる。
【００３９】
なお、最上層の樹脂層１０上面に形成された導電層１１は、上述した第１樹脂層１０ａ上面に形成された導電層１１と同様の構成を有することが望ましい。また、最上層の樹脂層１０は、上述した第１樹脂層１０ａと同様の構成を有することが望ましい。
【００４０】
かくして、上述した実装構造体１は、配線基板３を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品２を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。
【００４１】
次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図４から図１３に基づいて説明する。
【００４２】
（１）図４ａに示すように、コア基板５を準備する。具体的には、以下のように行う。
【００４３】
まず、基体７を準備する。基体７は、例えば、未硬化樹脂と基材とを含む複数の樹脂シートを積層し、加熱加圧して未硬化樹脂を硬化させることにより、作製することができる。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージ又はＢ‐ステージの状態である。
【００４４】
次に、基体７をその厚み方向に貫通したスルーホールＴを複数形成する。スルーホールＴは、例えばドリル加工やレーザー加工等により形成することができる。
【００４５】
次に、スルーホールＴの内壁に導電材料を被着させて、円筒状のスルーホール導体８を形成する。また、基体７の上面及び下面に導電材料を被着させて、導電材料層を形成する。導電材料の被着は、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により行われる。
【００４６】
次に、円筒状のスルーホール導体８の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体９を形成する。
【００４７】
次に、導電材料を絶縁体９の露出部に被着させた後、導電層材料層をパターニングすることにより、導電層１１を形成する。導電材料の被着は、例えば無電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により被着される。また、導電材料層のパターニングは、例えば、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等を用いて行われる。
【００４８】
以上のようにして、コア基板５を作製することができる。
【００４９】
（２）図４ｂに示すように、導電層１１上に、未硬化の第１樹脂層前駆体１０ａｘを形成する。第１樹脂層樹脂層１０ａｘは、例えば、未硬化の樹脂を導電層１１上に配置し、該樹脂を加熱することにより形成される。かかる加熱は、樹脂の硬化開始温度未満で行われることが望ましい。
【００５０】
（３）図４ｃ及び図５に示すように、銅はく１１ｄと、銅はく１１ｄの下面に形成されたニッケルクロム合金、チタン、モリブデン、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ又はタンタル等からなる介在層１１ｅと、介在層１１ｅの下面に形成された銅からなる第１導電層１１ａと、第１導電層の下面に形成されたスズからなる接着層１１ｂと、を有する導電体１１ｘを準備する。具体的には以下のように行う。
【００５１】
まず、銅はく１１ｄを準備する。次に、スパッタリング法又は蒸着法等により、銅はく１１ｄの下面に介在層１１ｅを形成する。次に、スパッタリング法、蒸着法又は無電解めっき法等により、介在層１１ｅの下面に第１導電層１１ａを形成する。次に、置換めっき法により、第１導電層１１ａの下面の銅をスズに置換し、接着層１１ｂを形成する。次に、シランカップリング剤で処理することにより、接着層１１ｂの下面に有機珪素化合物を化学的に結合させる。
【００５２】
ここで、置換めっき法を用いて接着層１１ｂを形成することにより、接着層１１ｂの平均厚みを、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、更には２０ｎｍ以下と薄く形成することができるため、配線基板３の導電層１１と第１樹脂層１０ａとの接着強度を高めつつ、導電層１１に含まれる銅の割合を高めて、導電層１１の電気伝導性を高めることができる。また、置換めっき法を用いて接着層１１ｂを形成することにより、接着層１１ｂの平均厚みをより均一に形成することができるため、接着層１１の下面をより平坦に形成することができる。また、置換めっき法を用いて接着層１１ｂを形成することにより、第１導電層１１ａの下面全体を接着層１１ｂにより被覆することができるため、導電体１１ｘにおける第１導電層１１ａの銅の酸化や局部的な孔食を抑制できる。
【００５３】
以上のようにして、導電体１１ｘを作製することができる。
【００５４】
（４）図６乃至９に示すように、第１導電層１１ａが接着層を介して接着した第１樹脂層１０ａを形成する。具体的には、以下のように行う。
【００５５】
まず、図６及び図７に示すように、導電体１１ｘの接着層１１ｂを第１樹脂層前駆体１０ａｘに当接させる。次に、図８に示すように、導電体１１ｘ及び第１樹脂層前駆体１０ａｘを第１樹脂層前駆体１０ａｘの樹脂の硬化開始温度以上熱分解温度未満にて上下方向に加熱加圧することにより、第１樹脂層前駆体１０ａｘの樹脂を硬化させて第１樹脂層１０ａにするとともに第１樹脂層１０ａに接着層１１ｂを介して導電体１１ｘを接着させる。次に、図９に示すように、水溶液を用いた湿式法により銅はく１１ｄをエッチングした後、異なる水溶液を用いた湿式法により介在層１１ｅをエッチングして、第１樹脂層１０ａ上に形成された第１導電層１１ａ及び接着層１１ｂから銅はく１１ｄ及び介在層１１ｅを除去する。
【００５６】
なお、湿式法に用いる水溶液としては、塩酸及び硫酸の混合液、過酸化水素水及び水酸化ナトリウム水溶液の混合液、塩化第２鉄水溶液、塩化第２銅水溶液又は硫酸銅水溶液等、エッチングする金属に適した水溶液を適宜選択して用いることができる。また、硬化開始温度は、樹脂が、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＣ‐ステージの状態となる温度である。また、熱分解温度は、ＩＳＯ１１３５８：１９９７に準ずる熱重量測定において、樹脂の質量が５％減少する温度である。
【００５７】
ここで、図７及び図８に示すように、第１樹脂層前駆体１０ａｘを上下方向に加熱加圧した際、第１樹脂層前駆体１０ａｘの樹脂が流動するとともにフィラーが沈下するため、導電体１１ｘと当接する第１樹脂層１０ａの上面にフィラー１３を含まない樹脂部１０ａｚを形成することができる。
【００５８】
また、第１樹脂層前駆体１０ａｘを上下方向に加熱加圧した際、接着層１１ｂに含まれるスズと、接着層１１ｂに当接した第１導電層１１ａの下面に含まれる銅と、が合金化するため、接着層１１ｂは、スズと銅の合金により形成される。
【００５９】
また、介在層１１ｅをエッチングした際、第１導電層１０ａ上面に微量の介在層１１ｅが残存することがある。残存した介在層１１ｅは、配線基板３の導電層１１において、第１導電層１０ａと第２導電層１０ｂとの間に介された介在層を構成する。
【００６０】
以上のようにして、第１導電層１１ａが接着層１１ｂを介して上面に接着した第１樹脂層１０ａを形成することができる。
【００６１】
（５）図１０乃至図１３ａに示すように、導電層１１及びビア導体１２を形成する。具体的には、以下のように行う。
【００６２】
まず、図１０に示すように、第１樹脂層１０ａ、第１導電層１１ａ及び接着層１１ｂにビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖ内にコア基板５上の導電層１１の少なくとも一部を露出させる。ビア孔Ｖの形成は、例えば、レーザー加工により行うことができる。レーザー加工の際に生じる炭化した樹脂は、デスミア処理を行うことにより除去することができる。
【００６３】
次に、図１１に示すように、第１導電層１１ａ上に第２導電層１１ｃを形成するとともに、ビア孔Ｖにビア導体１２を形成する。第２導電層１１ｃ及びビア導体１２は、例えば無電解めっきを行った後、電気めっきを行うことにより形成することができる。また、第２導電層１１Ｃは、例えばレジストを用いることにより、所望の形状に形成する。
【００６４】
次に、図１２及び図１３ａに示すように、露出した第１導電層１１ａ及び接着層１１ｂをエッチングして除去することにより、所望の形状の導電層１１を形成することができる。かかるエッチングは、例えば湿式法により行うことができ、かかる湿式法に用いる水溶液としては、塩酸及び硫酸の混合液、過酸化水素水及び水酸化ナトリウム水溶液の混合液、塩化第２鉄水溶液、塩化第２銅水溶液又は硫酸銅水溶液等、エッチングする金属に適した水溶液を適宜選択して用いることができる。
【００６５】
ここで、ビア孔Ｖ形成の際、接着層１１ｂがビア孔Ｖ内壁の上部に露出する。それ故、ビア孔Ｖにビア導体１２を形成すると、配線基板３の製造工程又は電子部品２の実装工程等における加熱により、角部Ｃにおいて接着層１１ｂのスズがビア導体１２の銅と金属間化合物を形成するため、接着層１１ｂとビア導体１２との接着強度を向上させることができる。
【００６６】
また、第１導電層１１ａ及び接着層１１ｂをエッチングする際、接着層１１ｂはスズを含むことから、銅からなる第１導電層１１ａと比較してエッチングに対する耐性が高いため、導電層１１下面の面積をより大きく形成することができ、導電層１１と第１樹脂層１０ａとの接着強度を高めることができる。
【００６７】
以上のようにして、導電層１１及びビア導体１２を形成することができる。
【００６８】
（６）図１３ｂに示すように、（２）乃至（５）の工程を繰り返すことにより、第２樹脂層１０ｂ、導電層１１及びビア導体１２を形成することにより、配線層６を形成する。
【００６９】
以上のようにして、配線基板３を作製することができる。
【００７０】
（７）配線基板３にバンプ４を介して電子部品２をフリップチップ実装することにより、図１に示す実装構造体１を作製することができる。
【００７１】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
【００７２】
例えば、上述した実施形態において、２層の樹脂層により配線層を形成した構成を例に説明したが、樹脂層は３層以上であっても構わない。
【符号の説明】
【００７３】
１        実装構造体
２        電子部品
３        配線基板
４        バンプ
５        コア基板
６        配線層
７        基体
８        スルーホール導体       
９        絶縁体
１０      樹脂層
１０ａ    第１樹脂層
１０ａｘ  第１樹脂層前駆体
１０ａｙ  樹脂部
１０ｂ    第２樹脂層
１１      導電層
１１ａ    第１導電層
１１ｂ    接着層
１１ｃ    第２導電層
１１ｄ    銅はく
１１ｅ    介在層
１１ｘ    導電体
１２      ビア導体
１３      フィラー
Ｔ        スルーホール
Ｖ        ビア孔   
Ｃ        角部
【図１】
2011049289.tif 000003
【図２】
2011049289.tif 000004
【図３】
2011049289.tif 000005
【図４】
2011049289.tif 000006
【図５】
2011049289.tif 000007
【図６】
2011049289.tif 000008
【図７】
2011049289.tif 000009
【図８】
2011049289.tif 000010
【図９】
2011049289.tif 000011
【図１０】
2011049289.tif 000012
【図１１】
2011049289.tif 000013
【図１２】
2011049289.tif 000014
【図１３】
2011049289.tif 000015