(57)【要約】【課題】  本発明は、複雑な工程を増やすことなく、配線底部のアンダーカットに起因する配線の剥離を防止しつつ、配線の断面形状に起因するインピーダンスの増大も防止することができるサスペンション用フレキシャー基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブを提供することを目的とするものである。【解決手段】  サブトラクティブ法におけるエッチングを、エッチングファクターの値が５より大きい異方性のエッチングにして略矩形状の断面形状を有する配線を形成することにより、上記課題を解決する。【選択図】      図４
2011243256.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板上に形成された絶縁層の上に、複数の並走する配線が形成されているサスペンション用フレキシャー基板において、
前記配線は、その底部にアンダーカットが無く、
前記配線の高さ（Ｈ）、前記配線の底部の幅（Ｂ）、前記配線の上部の幅（Ｔ）の関係が、２Ｈ／（Ｂ−Ｔ）＞５であることを特徴とするサスペンション用フレキシャー基板。
【請求項２】
前記配線のピッチが、３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用フレキシャー基板。
【請求項３】
前記配線の底部の幅（Ｂ）が、１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載のサスペンション用フレキシャー基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のサスペンション用フレキシャー基板を含むことを特徴とするサスペンション。
【請求項５】
請求項４に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有することを特徴とするヘッド付サスペンション。
【請求項６】
請求項５に記載のヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッドと外部回路とを電気的に接続するための配線が一体的に形成されてなるサスペンション用フレキシャー基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。
【０００３】
ハードディスクドライブは磁気記録媒体である磁気ディスク、それを高速回転させるスピンドルモータ、磁気ディスクに対して情報を読取または書込する磁気ヘッド、それを高精度に保持しつつ移動させるための各部品、これらの駆動制御回路および信号処理回路などによって構成されている。
【０００４】
そして、このハードディスクドライブに用いられる磁気ヘッドサスペンションと呼ばれる部品も、従来の金ワイヤ等の信号線を接続するタイプから、ステンレスのばねに直接銅配線等の信号線が形成されている、いわゆるワイヤレスサスペンションと呼ばれる配線一体型（フレキシャー）に移行しつつある。
【０００５】
このようなサスペンション用フレキシャー基板に形成される配線は、通常、一対の配線からなる読取側配線と、一対の配線からなる書込側配線とが、それぞれ絶縁層の同一表面上に形成される。さらに、このような一対の配線は、例えば、差動伝送により電気信号の伝送が行われ、一対の配線間には、分布定数回路としての差動伝送路の特性インピーダンスである差動インピーダンスが存在する。この差動インピーダンスは、磁気ヘッドやプリアンプの低インピーダンス化に伴い、インピーダンスマッチングの観点から、低インピーダンス化することが要求されている。
【０００６】
ここで、上記のサスペンション用フレキシャー基板の製造における配線の形成方法としては、従来フレキシブルプリント配線板の製造に用いられてきたセミアディティブ法と、サブトラクティブ法とが知られている（特許文献１、２）。
【０００７】
例えば、セミアディティブ法は、基板の絶縁層の表面全面に導体薄膜層を形成し、その導体薄膜層上に配線パターンが開口されたレジストパターンを形成し、前記導体薄膜層からの給電による電解めっき法で前記開口に銅などからなる配線を形成し、その後、レジストパターンを除去して導体薄膜層の露出した部分をエッチング除去する方法である。
【０００８】
一方、サブトラクティブ法においては、例えば、金属支持基板、絶縁層、配線用導体層が順次形成された基材の前記配線用導体層の上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンから露出する配線用導体層をエッチングして配線を形成する。
【０００９】
なお、従来、前記配線用導体層としては、圧延銅箔などが用いられてきたが、近年では、主に配線の微細化のため、前記配線用導体層は電解めっき法で形成された電解銅になってきており、前記絶縁層と前記配線用導体層の間には、めっき給電のための導体薄膜層が設けられている。この場合には、配線を形成した後に、露出する不要な導体薄膜層を除去することになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００６−２４５２１号公報
【特許文献２】特開２００７−１９４２６５号公報
【特許文献３】特開２００５−１５８８４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上述のセミアディティブ法では、図５（ａ）に示すように、導体薄膜層２２Ａ上に形成したレジストパターン２５が、導体薄膜層２２Ａに接触する底部に向かうに従って幅広となる裾引き部を生じるため、電解めっきによりレジストパターンの開口に形成される配線２１の断面形状は、図５（ｂ）に示すように、導体薄膜２２に接触する底部に、下方に向かうに従って幅狭となるアンダーカット部２６を生じる。
【００１２】
そのため、導体薄膜層の露出する部位をエッチングにより除去すると、このアンダーカット部２６に起因して、配線２１の底部の導体薄膜２２は、配線２１の内側に大きくえぐられるようにエッチングされる。そうすると、絶縁層２３と導体薄膜２２との密着力が大幅に低下して、絶縁層２３から導体薄膜２２および配線２１が剥離するという不具合を生じる。
【００１３】
この導体薄膜２２および配線２１の剥離を防止する方法として、配線形成後に金属薄膜を全面に形成し、この金属薄膜を形成する金属で、前記アンダーカット部２６を充填する方法が提案されている（特許文献３）。しかしながら、このような方法では、複雑な工程が増えることになり、生産性が劣るという不具合がある。
【００１４】
一方、上述のサブトラクティブ法であれば、図６（ａ）に示すように、レジストパターン３５の開口に露出する配線用導体層をエッチングして配線３１を形成するため、上述のようなアンダーカット部を生じるという不具合は発生せず、密着力の強い配線を得ることができる。
【００１５】
しかしながら、従来のエッチングにおいては、エッチングファクター（Ｅｆ）の値が小さい等方性のエッチングになりやすく、図６（ｂ）に示すように、形成される配線の断面形状は、配線上部の幅が配線底部の幅よりも小さな台形状になり易く、これに伴って、配線間の断面積も、理想的な矩形断面をした配線間の断面積よりも大きくなってしまい、その結果、配線間容量を小さくしてしまう傾向があった。
【００１６】
ここで、上記のエッチングファクター（Ｅｆ）は、サイドエッチングの程度を表す因子であり、配線用導体層１１Ａの厚さをＨ、エッチング加工により形成された配線の底部の幅をＢ、前記配線の上部の幅をＴとした場合に、Ｅｆ＝２Ｈ／（Ｂ−Ｔ）の式から求められる。
【００１７】
つまり、配線用導体層１１Ａの厚さ（配線１１の高さ）Ｈが一定の場合、このエッチングファクター（Ｅｆ）の値が大きくなるほど、サイドエッチングの程度は小さくなることを示している。従来の等方性の傾向が強いエッチング条件で形成された配線３１は、サイドエッチングの程度が大きく、その断面は２Ｈ／（Ｂ−Ｔ）＜３．５となる形状であった。
【００１８】
それゆえ、サブトラクティブ法で形成された配線は、配線ピッチが同じ場合（通常、配線底部の幅と配線底部間の幅が１：１に設計されている）、セミアディティブ法で形成された配線よりも配線間容量が小さくなり、配線のインピーダンスが大きくなってしまうという傾向があった。
【００１９】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、複雑な工程を増やすことなく、配線底部のアンダーカットに起因する配線の剥離を防止しつつ、配線の断面形状に起因するインピーダンスの増大も防止することができるサスペンション用フレキシャー基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明者は、種々研究した結果、サブトラクティブ法におけるエッチングをより異方性のエッチングとする条件を見出し、形成される配線の上部の幅と底部の幅との差を小さくすることにより、複雑な工程を増やすことなく配線底部のアンダーカット発生を防止し、かつ、低インピーダンス化を実現することができることを見出して本発明を完成したものである。
【００２１】
すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、金属支持基板上に形成された絶縁層の上に、複数の並走する配線が形成されているサスペンション用フレキシャー基板において、前記配線は、その底部にアンダーカットが無く、前記配線の高さ（Ｈ）、前記配線の底部の幅（Ｂ）、前記配線の上部の幅（Ｔ）の関係が、２Ｈ／（Ｂ−Ｔ）＞５であることを特徴とするサスペンション用フレキシャー基板である。
【００２２】
また、本発明の請求項２に係る発明は、前記配線のピッチが、３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用フレキシャー基板である。
【００２３】
また、本発明の請求項３に係る発明は、前記配線の底部の幅（Ｂ）が、１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載のサスペンション用フレキシャー基板である。
【００２４】
また、本発明の請求項４に係る発明は、請求項１〜３のいずれかに記載のサスペンション用フレキシャー基板を含むことを特徴とするサスペンションである。
【００２５】
また、本発明の請求項５に係る発明は、請求項４に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有することを特徴とするヘッド付サスペンションである。
【００２６】
また、本発明の請求項６に係る発明は、請求項５に記載のヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブである。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、サスペンション用フレキシャー基板の配線を、サブトラクティブ法により形成するため、セミアディティブ法により形成した配線のようなアンダーカット部が生じるという不具合は発生しない。それゆえ、複雑な工程を増やすことなく、密着信頼性の高い配線を有するサスペンション用フレキシャー基板を得ることができる。
【００２８】
また、本発明によれば、サスペンション用フレキシャー基板の配線を、エッチングファクターの高い異方性のエッチングにより形成するため、形成された配線はその上部の幅と底部の幅との差が小さい略矩形状の断面形状となるため、その配線間容量は大きくなり、低インピーダンス化されたサスペンション用フレキシャー基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の全体像を例示する概略平面図である。
【図２】図１におけるＲ領域のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の配線の断面形状を例示する概略説明図である。
【図４】本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の製造方法の一例を示す製造工程図である。
【図５】従来のセミアディティブ法で形成された配線の形状を説明する概略図であり、（ａ）はレジストパターン形状と配線形状との関係を示す断面図であり、（ｂ）は最終的に得られる配線の形状を示す断面図である。
【図６】従来のサブトラクティブ法で形成された配線の形状を説明する概略図であり、（ａ）はレジストパターン形状と配線形状との関係を示す断面図であり、（ｂ）は最終的に得られる配線の形状を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明のサスペンション用フレキシャー基板について詳細に説明する。
［サスペンション用フレキシャー基板］
図１は、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の全体像を例示する概略平面図である。図１に示されるサスペンション用フレキシャー基板１は、その先端近傍に磁気ヘッドを実装するためのジンバル部２を有しており、ジンバル部２には磁気ヘッドと電気的に接続するための接続端子部が形成されている。
【００３１】
一方、サスペンション用フレキシャー基板１の末端近傍には外部回路と接続するための接続端子部３が形成されており、磁気ヘッドと接続するためのジンバル部２の接続端子部と、外部回路と接続するための接続端子部３とを電気的に接続するように、複数の配線４が形成されている。
【００３２】
図２は、図１におけるＲ領域のＡ−Ａ断面図である。
【００３３】
図２に示すように、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板は、ＳＵＳ等からなる金属支持基板１４と、その金属支持基板１４の上に形成される絶縁層１３と、その絶縁層１３の上に形成される配線１１とを備えている。
【００３４】
なお、図２においては、配線１１に加工される導体層を電解めっきで形成する形態を例示するため、絶縁層１３と配線１１の間には、導体薄膜１２が形成されている。
【００３５】
また、図２においては図示していないが、配線１１を被覆するように絶縁体からなるカバー層が形成されていても良い。
【００３６】
本発明において、配線１１はサブトラクティブ法により形成されるため、配線１１の底部には、セミアディティブ法により形成された配線のようなアンダーカット部は生じない。
【００３７】
それゆえ、上記のアンダーカット部に起因した密着力低下から引き起こされる配線剥離を生じることは無く、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板は、密着信頼性の高い配線を有する構成となっている。
【００３８】
また、本発明において、配線１１はエッチングファクター（Ｅｆ）の値が大きい異方性のエッチングにより形成されるため、形成された配線はその上部の幅と底部の幅との差が小さい略矩形状の断面形状となる。それゆえ、その配線間容量は大きくなり、低インピーダンス化されたサスペンション用フレキシャー基板を得ることができる。
【００３９】
図３は、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の配線の断面形状を示す概略説明図である。
【００４０】
本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の配線１１は、エッチングファクター（Ｅｆ）の値が大きい異方性のエッチングにより形成されるため、図３に示すように、前記配線の高さをＨ、前記配線の底部の幅をＢ、前記配線の上部の幅をＴとした場合に、Ｈの２倍の値を、ＢからＴを引いた値で割った値が５よりも大きい値を有する形状をしている。
【００４１】
すなわち、配線１１は、前記配線の高さ（Ｈ）、前記配線の底部の幅（Ｂ）、前記配線の上部の幅（Ｔ）の関係が、２Ｈ／（Ｂ−Ｔ）＞５を満たす形状である。
【００４２】
このような形状とすることにより、並走する配線間の断面積を、配線ピッチが同じ場合の、従来の台形状の断面形状を有する配線間の断面積よりも小さくすることができ、その結果、配線間容量は大きくなり、低インピーダンス化されたサスペンション用フレキシャー基板を得ることができる。
【００４３】
また、本発明においては、配線１１は上述のような略矩形状の断面形状となるため、従来の断面形状が台形状の配線に比べ、配線の高密度化、微細化に適している。
【００４４】
具体的に説明すると、従来の断面形状が台形状の配線においては、配線の幅（ライン幅）と配線間隔（スペース幅）が１：１の配線パターンを得たい場合には、レジストパターンにおいては、サイドエッチングを考慮して、ライン幅よりもスペース幅（開口幅）を狭くする必要があり（例えば、ライン幅：スペース幅＝３：１）、配線ピッチが小さくなるにつれ、このスペース幅のより小さいレジストパターンを形成することが困難になっていた。
【００４５】
一方、断面形状が矩形状の配線であれば、サイドエッチングの影響は小さくなるため、レジストパターンにおいても、スペース幅をライン幅と同程度の大きさにすることが可能となり、配線ピッチが小さくなっていく場合でも、レジストパターンを形成することが容易になる。
【００４６】
そのため、本発明によれば、例えば、配線のピッチが３０μｍ以下、または、配線の底部の幅（Ｂ）が１５μｍ以下のような高密度配線、微細配線の要求にも十分に対応可能となる。
【００４７】
次に、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板について、構成ごとに説明する。
［金属支持基板］
金属支持基板１４の材料としては、ばね性を有していれば特に限定されるものではないが、例えばＳＵＳ、４２アロイ、銅、銅合金等を挙げることができ、中でもＳＵＳが好ましい。上記金属支持基板１４の厚さは、例えば１２μｍ〜７６μｍの範囲内であり、中でも１４μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。
［絶縁層］
絶縁層１３の材料としては、所望の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばポリイミド等を挙げることができる。また、絶縁層１３の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。また、絶縁層１３の厚さは、例えば５μｍ〜２０μｍの範囲内、中でも８μｍ〜１２μｍの範囲内であることが好ましい。
［導体薄膜］
導体薄膜１２は、絶縁層１３と配線１１との間にあり、配線１１を形成するための配線用導体層を電解めっき法により形成する場合に存在するものである。より詳しくは、配線１１を形成するための配線用導体層を電解めっき法により形成する場合に、絶縁層１３の上にめっき給電のシード層として導体薄膜層が形成され、前記配線用導体層をエッチング加工して配線１１を形成した後に、露出する前記導体薄膜層をエッチング除去して、導体薄膜１２が形成される。
【００４８】
導体薄膜１２の形成方法、材料等は、公知の技術を用いることができ、特に限定されるものではない。例えば、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕをスパッタ成膜することにより形成することができる。
【００４９】
本発明においては、例えば、下層にＣｒ単体、若しくはＮｉ−Ｃｒを８〜６０ｎｍの厚さで成膜し、上層にＣｕを５０〜２００ｎｍの厚さで成膜して導体薄膜１２とすることができる。
［配線］
配線１１は、所望の導電性を有するものであれば、特に限定されるものではないが、その材料としては、通常、Ｃｕが用いられる。
【００５０】
配線１１の厚さとしては、例えば４μｍ〜１８μｍの範囲内、中でも５μｍ〜１２μｍの範囲内であることが好ましい。配線の厚さが小さすぎると、充分な低インピーダンス化を図ることができない可能性があり、配線の厚さが大きすぎると、エッチング加工が困難になることや、サスペンション用フレキシャー基板の剛性が高くなり過ぎる可能性があるからである。
【００５１】
配線１１の線幅としては、例えば５μｍ〜５０μｍの範囲内である。配線の線幅が小さすぎると、所望の導電性を得ることができない可能性があり、配線の線幅が大きすぎると、サスペンション用フレキシャー基板の充分な高密度化を図ることができない可能性があるからである。
［カバー層］
電気信号の減衰や配線の腐食による劣化を抑制するため、配線１１は絶縁層からなるカバー層で覆われていても良い。ただし、サスペンション用フレキシャー基板の反りの発生を抑制するために、カバー層は必要な部位にのみ形成されていることが好ましい。
【００５２】
カバー層の材料としては、特に限定されず、公知の材料を使うことができ、例えばポリイミドを挙げることができる。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば２μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。
［金属めっき層］
金属めっき層は、接続端子部における配線１１の露出表面に形成され、磁気ヘッドや外部回路との電気的接続の向上や、露出する配線の腐食からの保護を目的とするものである。
【００５３】
金属めっき層は、電解めっき法により形成され、その材料としては、サスペンション用フレキシャー基板の端子部を形成し得るものであれば、特に制限されることなく使用することができ、例えば、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ａｕ（金）などが用いられる。
【００５４】
また、金属めっき層は、多層として形成してもよく、例えば、電解Ｎｉめっきと電解Ａｕめっきとを順次実施して、下層にＮｉ、上層にＡｕの多層構造とすることができる。Ｎｉ層の厚さは、例えば、０．１〜３μｍ程度であり、Ａｕ層の厚さは、例えば、０．３〜５μｍ程度である。
［サスペンション用フレキシャー基板の製造方法］
次に、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の製造方法について説明する。
【００５５】
図４は、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の製造方法の一例を示す模式的製造工程図であり、図２に示すように、配線の長手方向に垂直な断面を模式的に示すものである。本発明において、配線１１はサブトラクティブ法により形成される。
【００５６】
本発明のサスペンション用フレキシャー基板の製造方法においては、まず、図４（ａ）に示すように、金属支持基板１４、絶縁層１３、配線用導体層１１Ａが順次形成された基材を用意する。なお、図４においては、配線用導体層１１Ａを電解めっきで形成する形態を例示するため、絶縁層１３と配線用導体層１１Ａの間には、めっき給電用の導体薄膜層１２Ａが形成されている。
【００５７】
次に、配線用導体層１１Ａの上にドライフィルムレジストをラミネートし、露光、現像を行うことにより、配線パターンに対応したレジストパターン１５を形成する（図４（ｂ））。
【００５８】
次に、図４（ｃ）に示すように、レジストパターン１５の開口から露出する配線用導体層１１Ａをエッチングし、配線１１を形成する。
【００５９】
配線の断面形状を略矩形状にするために、前記エッチングに用いるエッチング液は、塩化第二鉄を主成分とする水溶液に、添加物としてエチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドの少なくとも１つをアミン類化合物の活性化水素に付加した化合物を含むものを用いることが好ましく、さらに、前記添加物が、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドをエチレンジアミンの活性化水素にブロック付加又はランダム付加した化合物であることが、より好ましい。前記添加物は、Ｃｕに対して親和性を有し、サイドエッチングを抑制する効果を奏する。
【００６０】
また、前記エッチングは、スプレー方式のエッチングであり、スプレー圧が０．０１〜０．１ＭＰａであることが好ましい。
【００６１】
上記のようなエッチングにより、エッチングファクター（Ｅｆ）の値が５より大きくなる異方性エッチングを行うことができる。
【００６２】
なお、本発明において、配線１１はサブトラクティブ法により形成されるため、配線１１の底部には、セミアディティブ法により形成された配線のようなアンダーカット部は生じない。それゆえ、このアンダーカット部に起因した密着力低下から引き起こされる配線剥離も生じることは無く、本発明に係る製造方法により製造されたサスペンション用フレキシャー基板は、密着信頼性の高い配線を有する構成となる。
【００６３】
最後に、図４（ｄ）に示すように、レジストパターン１５を剥離し、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板を得る。
【００６４】
なお、図４においては図示していないが、配線１１を被覆するようにカバー層を形成しても良い。カバー層は、例えば非感光性ポリイミドをフォト製版することにより形成することができる。
【００６５】
上述のように、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の製造方法によれば、サスペンション用フレキシャー基板の配線を、エッチングファクター（Ｅｆ）が５より大きい異方性のエッチングにより形成できるため、形成された配線は略矩形状の断面形状となり、その配線間容量を大きくすることができるため、低インピーダンス化されたサスペンション用フレキシャー基板を得ることができる。
【００６６】
また、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の製造方法によれば、サスペンション用フレキシャー基板の配線を、サブトラクティブ法により形成するため、セミアディティブ法により形成した配線のようなアンダーカット部が生じるという不具合は発生しない。それゆえ、複雑な工程を増やすことなく、密着信頼性の高い配線を有するサスペンション用フレキシャー基板を得ることができる。
［サスペンション］
次に、本発明に係るサスペンションについて説明する。
【００６７】
本発明に係るサスペンションは、上述したサスペンション用フレキシャー基板を有し、通常は、さらにロードビームを有する。サスペンション用フレキシャー基板については、上述した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、ロードビームは、一般的なサスペンションに用いられるロードビームと同様のものを用いることができる。
【００６８】
本発明に係るサスペンションにおいては、上述したサスペンション用フレキシャー基板を用いることで、より微細化、あるいは高密度化した配線設計に対応できるものとなる。
［ヘッド付サスペンション］
次に、本発明に係るヘッド付サスペンションについて説明する。本発明に係るヘッド付サスペンションは、上述したサスペンションと、該サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有するものである。
【００６９】
サスペンションについては、上述した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、磁気ヘッドスライダは、一般的なヘッド付サスペンションに用いられる磁気ヘッドスライダと同様のものを用いることができる。
【００７０】
本発明に係るヘッド付サスペンションにおいては、上述したサスペンションを用いることで、より微細化、あるいは高密度化した配線設計に対応できるものとなる。
［ハードディスクドライブ］
次に、本発明に係るハードディスクドライブについて説明する。本発明に係るハードディスクドライブは、上述したヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
【００７１】
本発明に係るハードディスクドライブは、少なくともヘッド付サスペンションを有し、通常は、さらにヘッド付サスペンションがデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク、ディスクを回転させるスピンドルモータ、ヘッド付サスペンションに接続されたアーム、およびヘッド付サスペンションの磁気ヘッドスライダを移動させるボイスコイルモータを有する。ヘッド付サスペンションについては、上述した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００７２】
本発明によれば、上述したヘッド付サスペンションを用いることで、より高性能なハードディスクドライブとすることができる。
【００７３】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００７４】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
金属支持基板１４に厚さ２０μｍのＳＵＳを用い、絶縁層１３に厚さ１０μｍのポリイミドを用い、導体薄膜層１２Ａとして、下層にＣｒを３０ｎｍの厚さでスパッタ成膜し、上層にＣｕを１００ｎｍの厚さでスパッタ成膜した多層膜を用い、配線用導体層１１Ａには、電解めっき法で形成した厚さ９μｍのＣｕを用いた基材を用意し、ドライフィルムレジストを用いて配線ピッチが３０μｍのレジストパターン１５を形成し、レジストパターン１５の開口から露出する配線用導体層１１Ａをスプレーエッチングして、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の配線１１を形成した。
【００７５】
エッチング液には、ＡＤＥＫＡ製アデカプルロニックＴＲ−７０４（エチレンオキサイドおよびプロピレンオキサイドがエチレンジアミンの活性化水素にブロック付加した化合物。分子量５０００、エチレンオキサイド含有量４０重量％）を添加した塩化第二鉄（２．８９重量％）水溶液を用い、スプレーエッチングのスプレー圧は０．０５ＭＰａとした。
【００７６】
その後、レジストパターン１５を剥離し、配線１１の底部の導体薄膜１２を残して、他の露出する導体薄膜層１２Ａをエッチング除去して、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板を得た。
【００７７】
上記により得られた配線１１の断面形状をレーザー顕微鏡により観察し、配線の底部の幅（Ｂ）、配線の上部の幅（Ｔ）を測定した。
【００７８】
観察の結果、配線１１の底部にはアンダーカットは見られず、配線の底部の幅（Ｂ）は１５．０μｍ、配線の上部の幅（Ｔ）は１２．８μｍであった。
【００７９】
配線の高さ（Ｈ）は配線用導体層１１Ａの厚さと同じ９μｍであるため、２Ｈ／（Ｂ−Ｔ）の値、すなわち、エッチングファクター（Ｅｆ）の値は、８．２であった。
【符号の説明】
【００８０】
１  サスペンションフレキシャー用基板
２  ジンバル部
３  接続端子部
４、１１、２１、３１  配線
１１Ａ  配線用導体層
１２、２２、３２  導体薄膜
１２Ａ、２２Ａ、３２Ａ  導体薄膜層
１３、２３、３３  絶縁層
１４、２４、３４  金属支持基板
１５、２５、３５  レジストパターン
２６  アンダーカット部
Ｈ  配線の高さ
Ｔ  配線のトップ幅
Ｂ  配線のボトム幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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