(57)【要約】【課題】スクライブ処理を削減し、信頼性の高い太陽電池を提供する。【解決手段】基板と、第１電極層と、半導体層と、第２電極層を備えた太陽電池の製造方法であって、前記基板上に前記第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、前記第１電極層の一部を除去して、前記第１電極層を分割する第１電極層分割工程と、を含み、前記第１電極層形成工程の前に、前記第１電極層の一部が除去される部分に対応する前記基板の表面部分に第１犠牲層を形成する第１犠牲層形成工程を有し、前記第１電極層形成工程では、前記基板上及び前記第１犠牲層上に前記第１電極層を形成し、前記第１電極層分割工程では、前記第１犠牲層上とともに、前記第１犠牲層上に形成された前記第１電極層を除去する。【選択図】図２
2011066045.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、第１電極層と、半導体層と、第２電極層を備えた太陽電池の製造方法であって、
前記基板上に前記第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、
前記第１電極層の一部を除去して、前記第１電極層を分割する第１電極層分割工程と、を含み、
前記第１電極層形成工程の前に、前記第１電極層の一部が除去される部分に対応する前記基板の表面部分に第１犠牲層を形成する第１犠牲層形成工程を有し、
前記第１電極層形成工程では、前記基板上及び前記第１犠牲層上に前記第１電極層を形成し、
前記第１電極層分割工程では、前記第１犠牲層とともに、前記第１犠牲層上に形成された前記第１電極層を除去することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】
基板と、第１電極層と、半導体層と、第２電極層を備えた太陽電池の製造方法であって、
前記基板上に前記第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、
前記第１電極層上に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層の一部を除去して、前記半導体層を分割する半導体層分割工程と、を含み、
前記半導体層形成工程の前に、前記半導体層の一部が除去される部分に対応する前記第１電極層の表面部分に第２犠牲層を形成する第２犠牲層形成工程を有し、
前記半導体層形成工程では、前記第１電極層上及び前記第２犠牲層上に前記半導体層を形成し、
前記半導体層分割工程では、前記第２犠牲層とともに、前記第２犠牲層上に形成された前記半導体層を除去することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項３】
基板と、第１電極層と、半導体層と、第２電極層を備えた太陽電池の製造方法であって、
前記基板上に前記第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、
前記第１電極層上に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層上に前記第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、
前記第２電極層の一部を除去して、前記第２電極層を分割する第２電極層分割工程と、を含み、
前記第２電極層形成工程の前に、前記第２電極層の一部が除去される部分に対応する前記第１電極層の表面部分に第３犠牲層を形成する第３犠牲層形成工程を有し、
前記第２電極層形成工程では、前記半導体層上及び前記第３犠牲層上に前記第２電極層を形成し、
前記第２電極層分割工程では、前記第３犠牲層とともに、前記第３犠牲層上に形成された前記第２電極層を除去することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法において、
前記第１〜第３犠牲層形成工程では、前記第１〜第３犠牲層の材料となるネガ型感光性樹脂を塗布し、塗布された前記ネガ型感光性樹脂を乾燥して、前記第１〜第３犠牲層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法において、
前記第１〜第３犠牲層形成工程では、前記第１〜第３犠牲層とともに除去される前記各層の厚みよりも厚い前記第１〜第３犠牲層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、光エネルギーを電気エネルギーに変換するものであり、使用される半導体によって様々な種類の構成が提案されている。近年では、製造工程が簡単で、高い変換効率が期待できるＣＩＧＳ型の太陽電池が注目されている。ＣＩＧＳ型の太陽電池は、例えば、基板上に形成された第１電極膜と、第１電極膜上に形成された化合物半導体（銅−インジウム−ガリウム−セレン化合物）層を含む薄膜と、当該薄膜上に形成された第２電極膜と、で構成されている。そして、薄膜の一部が除去された溝内に第２電極膜が形成されており、第１電極膜と第２電極膜とが電気的に接続されている。（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３１９６８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の太陽電池では、第１電極膜、薄膜及び第２電極膜の一部を除去してセル毎に分割形成される。この分割処理（スクライブ処理）には、レーザー光照射や金属針等が用いられる。しかしながら、上記レーザー光照射や金属針等によるスクライブ処理では、スクライブ時の強弱の調整が難しいため、例えば、金属針による押圧が強い場合には、下部膜に損傷を与えてしまう場合がある。一方、押圧が弱い場合には、膜を除去しきれず残ってしまい、短絡或いは高抵抗の原因となってしまう。また、スクライブを行う膜の表面部分に凹凸がある場合には、金属針等を押し当てた際に、膜表面部に対して金属針が均等に当接しないため、凹部或いは凸部に応力が集中し、これにより膜等にクラックが発生してしまう、という課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかる太陽電池の製造方法は、基板と、第１電極層と、半導体層と、第２電極層を備えた太陽電池の製造方法であって、前記基板上に前記第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、前記第１電極層の一部を除去して、前記第１電極層を分割する第１電極層分割工程と、を含み、前記第１電極層形成工程の前に、前記第１電極層の一部が除去される部分に対応する前記基板の表面部分に第１犠牲層を形成する第１犠牲層形成工程を有し、前記第１電極層形成工程では、前記基板上及び前記第１犠牲層上に前記第１電極層を形成し、前記第１電極層分割工程では、前記第１犠牲層とともに、前記第１犠牲層上に形成された前記第１電極層を除去することを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、基板上に第１犠牲層が形成された後、基板上及び第１犠牲層上に第１電極層が形成される。そして、第１犠牲層とともに、第１犠牲層上に形成された第１電極層を除去することにより、第１電極層が分割される。すなわち、第１電極層を分割する部分に予め第１犠牲層を設け、リフトオフ法を用いて、第１電極層を分割する。従って、従来のように、レーザー光照射や金属針等を用いたスクライブ処理を行う必要がないので、第１電極層の分割時において、第１電極層や第１電極層の下部材の基板等へのダメージを低減することができる。
【０００８】
［適用例２］本適用例にかかる太陽電池の製造方法は、基板と、第１電極層と、半導体層と、第２電極層を備えた太陽電池の製造方法であって、前記基板上に前記第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、前記第１電極層上に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層の一部を除去して、前記半導体層を分割する半導体層分割工程と、を含み、前記半導体層形成工程の前に、前記半導体層の一部が除去される部分に対応する前記第１電極層の表面部分に第２犠牲層を形成する第２犠牲層形成工程を有し、前記半導体層形成工程では、前記第１電極層上及び前記第２犠牲層上に前記半導体層を形成し、前記半導体層分割工程では、前記第２犠牲層とともに、前記第２犠牲層上に形成された前記半導体層を除去することを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、第１電極層上に第２犠牲層が形成された後、第１電極層上及び第２犠牲層上に半導体層が形成される。そして、第２犠牲層とともに、第２犠牲層上に形成された半導体層を除去することにより、半導体層が分割される。すなわち、半導体層を分割する部分に予め第２犠牲層を設け、リフトオフ法を用いて、半導体層を分割する。従って、従来のように、レーザー光照射や金属針等を用いたスクライブ処理を行う必要がないので、半導体層の分割時において、半導体層や半導体層の下部材の第１電極層等へのダメージを低減することができる。
【００１０】
［適用例３］本適用例にかかる太陽電池の製造方法は、基板と、第１電極層と、半導体層と、第２電極層を備えた太陽電池の製造方法であって、前記基板上に前記第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、前記第１電極層上に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層上に前記第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、前記第２電極層の一部を除去して、前記第２電極層を分割する第２電極層分割工程と、を含み、前記第２電極層形成工程の前に、前記第２電極層の一部が除去される部分に対応する前記第１電極層の表面部分に第３犠牲層を形成する第３犠牲層形成工程を有し、前記第２電極層形成工程では、前記半導体層上及び前記第３犠牲層上に前記第２電極層を形成し、前記第２電極層分割工程では、前記第３犠牲層とともに、前記第３犠牲層上に形成された前記第２電極層を除去することを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、第１電極層上に第３犠牲層が形成され、半導体層上及び第３犠牲層上に第２電極層が形成される。そして、第３犠牲層とともに、第３犠牲層上に形成された第２電極層を除去することにより、第２電極層が分割される。すなわち、第２電極層を分割する部分に予め第３犠牲層を設け、リフトオフ法を用いて、第２電極層を分割する。従って、従来のように、レーザー光照射や金属針等を用いたスクライブ処理を行う必要がないので、第２電極層の分割時において、第２電極層や第２電極層の下部材の第１電極層等へのダメージを低減することができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例にかかる太陽電池の製造方法の前記第１〜第３犠牲層形成工程では、前記第１〜第３犠牲層の材料となるネガ型感光性樹脂を塗布し、塗布された前記ネガ型感光性樹脂を乾燥して、前記第１〜第３犠牲層を形成することを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、例えば、印刷法やインクジェット法等を用いることにより、容易に第１〜第３犠牲層を形成することができる。
【００１４】
［適用例５］上記適用例にかかる太陽電池の製造方法の前記第１〜第３犠牲層形成工程では、前記第１〜第３犠牲層とともに除去される前記各層の厚みよりも厚い前記第１〜第３犠牲層を形成することを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、第１〜第３犠牲層の厚みに比べ、各層の厚みが薄いため、容易に第１〜第３犠牲層上に形成された層を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】太陽電池の構成を示す断面図。
【図２】太陽電池の製造方法を示す工程図。
【図３】太陽電池の製造方法を示す工程図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材ごとに縮小を異ならせて図示している。
【００１８】
（太陽電池の構成）
まず、太陽電池の構成について説明する。なお、本実施形態では、ＣＩＧＳ型の太陽電池の構成について説明する。図１は、本実施形態にかかる太陽電池の構成を示す断面図である。
【００１９】
図１に示すように、太陽電池１は、基板１０と、基板１０上に形成された下地層１１と、下地層１１上に形成された第１電極層１２と、第１電極層１２上に形成された半導体層１３と、半導体層１３上に形成された第２電極層１４とを含む複数のセル４０の集合体で構成されている。
【００２０】
第１電極層１２は、第１分割溝３１によってセル４０毎に分割され、隣接するセル４０間を跨ぐように形成されている。第１電極層１２上に形成された半導体層１３は、第２分割溝３２によってセル４０毎に分割され、第２電極層１４は、第３分割溝３３によってセル４０毎に分割されている。そして、第１電極層１２と第２電極層１４とが第２分割溝３２を通じて電気的に接続されている。これにより、各セル４０の第２電極層１４と隣接する他のセル４０の第１電極層１２とが接続され、各セル４０が直列接続される。このように、直列接続されたセル４０の数を適宜設定することにより、太陽電池１における所望の電圧を任意に設計変更することが可能となる。
【００２１】
基板１０は、少なくとも第１電極層１２側の表面が絶縁性を有した基板である。具体的には、例えば、ガラス（青板ガラス等）基板、ステンレス基板、ポリイミド基板、カーボン基板等を用いることができる。
【００２２】
下地層１１は、基板１０上に形成された絶縁性を有する層であり、例えば、ＳｉＯ2（酸化珪素）を主成分とする絶縁層やフッ化鉄層を設けることができる。当該下地層１１は、絶縁性を有するとともに、基板１０と基板１０上に形成された第１電極層１２との密着性を確保する機能も有している。なお、基板１０自体に上記特性を有している場合には、下地層１１を省略することができる。
【００２３】
第１電極層１２は、下地層１１上に形成されている。第１電極層１２は、導電性を有し、例えば、モリブデン（Ｍｏ）等を用いることができる。
【００２４】
半導体層１３は、第１半導体層１３ａと第２半導体層１３ｂとで構成されている。第１半導体層１３ａは、第１電極層１２上に形成され、銅（Ｃｕ）・インジウム（Ｉｎ）・ガリウム（Ｇａ）・セレン（Ｓｅ）を含むｐ型半導体層（ＣＩＧＳ半導体層）である。
【００２５】
第２半導体層１３ｂは、第１半導体層１３ａ上に形成され、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化インジウム（ＩｎＳ）等のｎ型半導体層である。
【００２６】
第２電極層１４は、透明性を有する電極層であり、例えば、ＺｎＯＡｌ等の透明電極体（ＴＣＯ：Transparent  Conducting  Oxides）、ＡＺＯ等である。第２電極層１４は、第２半導体層１３ｂ上及び第２分割溝３２内に形成され、第１電極層１２と第２電極層１４とが電気的に接続される。
【００２７】
上記のように構成されたＣＩＧＳ型の太陽電池１に、太陽光等の光が入射されると、半導体層１３内で電子（−）と正孔（＋）の対が発生し、電子（−）と正孔（＋）は、ｐ型半導体層（第１半導体層１３ａ）とｎ型半導体層（第２半導体層１３ｂ）との接合面で、電子（−）がｎ型半導体層に集まり、正孔（＋）がｐ型半導体層に集まる。その結果、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に起電力が発生する。この状態で、第１電極層１２と第２電極層１４に外部導電線を接続することにより、電流を外部に取り出すことができる。
【００２８】
（太陽電池の製造方法）
次に、太陽電池の製造方法について説明する。なお、本実施形態では、ＣＩＧＳ型の太陽電池の製造方法について説明する。図２及び図３は、本実施形態にかかる太陽電池の製造方法を示す工程図である。
【００２９】
図２（ａ）の下地層形成工程では、ステンレスの基板１０の一方面にフッ化鉄からなる下地層１１を形成する。フッ化鉄からなる下地層１１は、熱処理によって、ステンレスの基板１０とフッ素ガスを反応させることにより形成することができる。なお、基板１０自体に上記下地層効果を有している場合には、下地層形成工程を省略することができる。
【００３０】
図２（ｂ）の第１犠牲層形成工程では、第１電極層１２の一部が除去される部分に対応する下地層１１の表面部分に第１犠牲層５１を形成する。すなわち、図１に示すように、第１電極層１２がセル４０単位で分割される第１分割溝３１領域であって、下地層１１の表面部分に第１犠牲層５１を形成する。具体的には、印刷法やインクジェット法等を用いて、第１犠牲層５１の材料となるリフトオフ法用のネガ型感光性樹脂を下地層１１の表面部分に塗布する。そして、塗布されたネガ型感光性樹脂を乾燥し、第１犠牲層５１を形成する。
【００３１】
ネガ型感光性組成物としては、例えば、環化イソプレンゴムとビスアジド化合物の混合物、ポリビニルフェノール樹脂とアジド化合物の混合物、光重合性オレフィンを有する可溶性ポリイミド、ベンゾフェノン骨格を有し、かつ窒素原子が結合する芳香環のオルソ位にアルキル基を有する自己増感型ポリイミド、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、アルキルエーテル化メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、アルキルエーテル化ベンゾグアナミン樹脂、ユリア樹脂、アルキルエーテル化ユリア樹脂、ウレタン−ホルムアルデヒド樹脂、レゾール型フェノールホルムアルデヒド樹脂、アルキルエーテル化レゾール型フェノールホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂と、光照射により酸を発生する酸発生剤の混合物、等を用いる事ができる。
【００３２】
なお、形成された第１犠牲層５１の厚みが、次工程における第１電極層１２の厚みよりも厚くなるように形成する。例えば、第１電極層１２の厚みよりも１．５倍程厚くなるように第１犠牲層５１を形成する。このため、ネガ型感光性樹脂の塗布量等を適宜調整する。
【００３３】
図２（ｃ）の第１電極層形成工程では、下地層１１上及び第１犠牲層５１上に第１電極層１２を形成する。具体的には、スパッタ法によって第１電極層１２となるモリブデン（Ｍｏ）層を形成する。
【００３４】
図２（ｄ）の第１電極層分割工程では、第１電極層１２の一部を除去し、第１電極層１２をセル４０単位に分割する。具体的には、太陽電池１の中間物をリフトオフ法用の剥離液に浸漬等して、第１犠牲層５１とともに、第１犠牲層５１上に形成された第１電極層１２を剥離（除去）する。
【００３５】
剥離液としては、アルカリ性水溶液が望ましく、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液、ＫＯＨ水溶液、オゾン水等を用いる事ができる。そして、第１電極層１２の一部が除去された部分には、第１分割溝３１が形成される。
【００３６】
図２（ｅ）の第２犠牲層形成工程では、半導体層１３の一部が除去される部分に対応する第１電極層１２の表面部分に第２犠牲層５２ａ，５２ｂを形成する。具体的には、印刷法やインクジェット法等を用いて、第２犠牲層５２の材料となるリフトオフ法用のネガ型感光性樹脂を第１電極層１２の表面部分に塗布する。そして、塗布されたネガ型感光性樹脂を乾燥し、第２犠牲層５２ａ，５２ｂを形成する。ネガ型感光性樹脂としては、第１犠牲層形成工程において説明した同様の感光性樹脂を用いることができる。なお、形成された第２犠牲層５２ａ，５２ｂの厚みが、次工程における半導体層１３の厚みよりも厚くなるように形成する。例えば、半導体層１３の厚みよりも１．５倍程厚くなるように第２犠牲層５２ａ，５２ｂを形成する。このため、ネガ型感光性樹脂の塗布量等を適宜調整する。
【００３７】
次に、半導体層形成工程について説明する。半導体層形成工程は、第１半導体層形成工程と、第２半導体層形成工程とで行われる。図２（ｆ）の第１半導体層形成工程では、まず、第１電極層１２上、第１分割溝３１内及び第２犠牲層５２ａ，５２ｂ上に、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）をスパッタ法等で付着させ、プリカーサーを形成する。そして、当該プリカーサーをセレン化水素雰囲気で加熱（セレン化）して、ｐ型半導体層（ＣＩＧＳ）の第１半導体層１３ａを形成する。
【００３８】
図３（ｇ）の第２半導体層形成工程では、第１半導体層１３ａ上にＣｄＳ、ＺｎＯやＩｎＳ等によりｎ型半導体層の第２半導体層１３ｂを形成する。第２半導体層１３ｂは、スパッタ法等によって形成することができる。
【００３９】
図３（ｈ）の半導体層分割工程では、半導体層１３の一部を除去し、半導体層１３をセル４０単位に分割する。具体的には、太陽電池１の中間物をリフトオフ法用の剥離液に浸漬等して、第２犠牲層５２ａ，５２ｂとともに、第２犠牲層５２ａ，５２ｂ上に形成された半導体層１３を剥離（除去）する。剥離液としては、第１犠牲層形成工程において説明した同様の溶液を用いることができる。そして、半導体層１３の一部が除去された部分には、半導体層１３がセル４０単位で分割される第２分割溝３２と、次工程における第２電極層１４をセル４０毎に分割するための予備溝３５が形成される。
【００４０】
図３（ｉ）の第３犠牲層形成工程では、第２電極層１４の一部が除去される部分に対応する第１電極層１２の表面部分、すなわち、予備溝３５に第３犠牲層５３を形成する。具体的には、印刷法やインクジェット法等を用いて、第３犠牲層５３の材料となるリフトオフ法用のネガ型感光性樹脂を第１電極層１２の表面部分に塗布する。そして、塗布されたネガ型感光性樹脂を乾燥し、第３犠牲層５３を形成する。ネガ型感光性樹脂としては、第１犠牲層形成工程において説明した同様の感光性樹脂を用いることができる。なお、形成された第３犠牲層５３の厚みが、次工程における第２電極層１４の厚みよりも厚くなるように形成する。例えば、第２電極層１４の厚みよりも１．５倍程厚くなるように第３犠牲層５３を形成する。このため、ネガ型感光性樹脂の塗布量等を適宜調整する。
【００４１】
図３（ｊ）の第２電極層形成工程では、半導体層１３、第２分割溝３２内及び第３犠牲層５３上に第２電極層１４を形成する。例えば、第２電極層となるＺｎＯＡｌ等の透明電極（ＴＣＯ）をスパッタ法等で形成する。
【００４２】
図３（ｋ）の第２電極層分割工程では、第２電極層１４の一部を除去し、第２電極層１４をセル４０単位に分割する。具体的には、太陽電池１の中間物をリフトオフ法用の剥離液に浸漬して、第３犠牲層５３とともに、第３犠牲層５３上に形成された第２電極層１４を剥離（除去）する。剥離液としては、第１犠牲層形成工程において説明した同様の溶液を用いることができる。第２電極層１４の一部が除去された部分には、第２電極層１４がセル４０単位で分割される第３分割溝３３が形成される。
【００４３】
上記の工程を経ることより、複数のセル４０が直列接続されたＣＩＧＳ型の太陽電池１が形成される。
【００４４】
従って、上記の実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００４５】
（１）基板１０に設けられた下地層１１上に第１犠牲層５１を形成した後、下地層１１上及び第１犠牲層５１上に第１電極層１２を形成した。そして、第１犠牲層５１とともに、第１犠牲層５１上に形成された第１電極層１２を除去することにより、第１電極層１２をセル４０単位に分割した。従って、従来のように、レーザー光照射や金属針等を用いたスクライブ処理を行う必要がないので、第１電極層１２の分割時における第１電極層１２や第１電極層１２の下部材の下地層１１や基板１０等へのダメージを低減することができる。
【００４６】
（２）第１電極層１２上に第２犠牲層５２ａを形成した後に、第１電極層１２上及び第２犠牲層５２ａ上に半導体層１３を形成した。そして、第２犠牲層５２ａとともに、第２犠牲層５２ａ上に形成された半導体層１３を除去することにより、半導体層１３をセル４０単位に分割した。従って、従来のように、レーザー光照射や金属針等を用いたスクライブ処理を行う必要がないので、半導体層１３の分割時における半導体層１３や半導体層１３の下部材の第１電極層１２等へのダメージを低減することができる。
【００４７】
（３）第１電極層１２上に第３犠牲層５３を形成した後に、半導体層１３上及び第３犠牲層５３上に第２電極層１４を形成した。そして、第３犠牲層５３とともに、第３犠牲層５３上に形成された第２電極層１４を除去することにより、第２電極層１４をセル４０単位に分割した。従って、従来のように、レーザー光照射や金属針等を用いたスクライブ処理を行う必要がないので、第２電極層１４の分割時における第２電極層１４や第２電極層１４の下部材の第１電極層１２等へのダメージを低減することができる。
【００４８】
なお、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例が挙げられる。
【００４９】
（変形例１）上記実施形態では、第１〜第３犠牲層５１〜５３を形成したが、必ずしも全ての第１〜第３犠牲層５１〜５３を形成しなくてもよい。例えば、第１電極層１２、半導体層１３、第２電極層１４の各層の特性や各層に対するスクライブ性等を考慮し、第１〜第３犠牲層５１〜５３のうち、いずれかの犠牲層を適宜選択して形成してもよい。例えば、第１犠牲層５１を形成し、第１犠牲層５１とともに、第１犠牲層５１上に形成された第１電極層１２を除去することにより、第１電極層１２をセル４０単位に分割し、半導体層１３、第２電極層１４については、金属針やレーザー光照射によって、半導体層１３、或いは第２電極層１４をセル４０単位に分割してもよい。このようにすれば、製造設計の自由度を高めることができる。
【００５０】
（変形例２）上記実施形態では、第２電極層１４側から光を受光するＣＩＧＳ型の太陽電池１の構成等について説明したが、第２電極層１４側からに加え、基板１０側からも受光可能なＣＩＧＳ型の太陽電池１であってもよい。なお、この場合において、基板１０は、透明性を有する基板を用いる。例えば、ガラス基板、ＰＥＴ、有機系透明基板等である。透明性を有する基板を用いることにより、基板１０面からの受光を可能とすることができる。また、第１電極層１２は、透明性を有する電極層とし、例えば、ＺｎＯＡｌ等の透明電極（ＴＣＯ：Transparent  Conducting  Oxides）層とする。透明性を有する電極層を形成することにより、基板１０側からの入射した光を半導体層１３に向けて透過させためである。このようにしても、上記同様の効果を得ることができる。
【００５１】
（変形例３）上記実施形態では、ＣＩＧＳ型の太陽電池１の構成及び製造方法について説明したが、これに限定されない。他の化合物半導体系の太陽電池、例えば、ＣｄＴｅ型の太陽電池に適用してもよい。また、Ｓｉ系の太陽電池、例えば、Ｓｉ薄膜型の太陽電池に適用してもよい。このようにしても、上記同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００５２】
１…太陽電池、１０…基板、１１…下地層、１２…第１電極層、１３…半導体層、１３ａ…第１半導体層、１３ｂ…第２半導体層、１４…第２電極層、３１…第１分割溝、３２…第２分割溝、３３…第３分割溝、３５…予備溝、４０…セル、５１…第１犠牲層、５２ａ，５２ｂ…第２犠牲層、５３…第３犠牲層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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