(57)【要約】      （修正有）【課題】発光効率、駆動電圧、駆動耐久性等の素子性能が向上し、素子劣化時の色度変化を抑制することができる有機電界発光素子の提供。【解決手段】陽極２と陰極１０の間に、少なくとも１層の発光層６と、該発光層の陰極側に隣接する陰極側隣接層７と、を少なくとも含む有機層を有してなり、前記発光層が赤色燐光発光材料と、アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物の少なくとも１種からなるホスト材料とを含有し、前記陰極側隣接層が、非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物の少なくとも１種を含有する有機電界発光素子である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極の間に、少なくとも１層の発光層と、該発光層の陰極側に隣接する陰極側隣接層と、を少なくとも含む有機層を有してなり、
前記発光層が赤色燐光発光材料と、アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物の少なくとも１種からなるホスト材料とを含有し、
前記陰極側隣接層が、非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物の少なくとも１種を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
発光層及び陰極側隣接層におけるアントラセン誘導体骨格を有する化合物が、下記一般式（Ｉ）で表される請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化１０５】
2011151108.tif 000112
ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０の芳香族環から誘導される基である。前記芳香族環は、１又は２以上の置換基で置換されていてもよい。前記置換基は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシ基から選ばれる。前記芳香族環が２以上の置換基で置換されている場合、前記置換基は同一であっても、異なっていてもよく、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。
Ｒ１からＲ８は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシ基から選ばれる。また、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。
【請求項３】
発光層及び陰極側隣接層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が、下記一般式（ＩＩ）で表される請求項１から２のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【化１０６】
2011151108.tif 000113
ただし、前記一般式（ＩＩ）中、Ａｒ１ａ及びＡｒ２ａは、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基を表す。
Ｌは、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
ｍは０〜２の整数、ｎｂは１〜４の整数、ｓは０〜２の整数、ｔは０〜４の整数である。
また、Ｌ又はＡｒ１ａは、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ又はＡｒ２ａは、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
ただし、ｎｂ＋ｔが偶数のとき、Ａｒ１ａ、Ａｒ２ａ、Ｌは下記（１）又は（２）を満たす。
（１）Ａｒ１ａ≠Ａｒ２ａ（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）
（２）Ａｒ１ａ＝Ａｒ２ａの時
（２−１）ｍ≠ｓ及び／又はｎｂ≠ｔ、又は
（２−２）ｍ＝ｓかつｎｂ＝ｔの時、
（２−２−１）Ｌ、又はピレンが、それぞれＡｒ１ａ及びＡｒ２ａ上の異なる結合位置に結合しているか、
（２−２−２）Ｌ、又はピレンが、Ａｒ１ａ及びＡｒ２ａ上の同じ結合位置に結合している場合、Ｌ、又はＡｒ１ａ及びＡｒ２ａのピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。
【請求項４】
発光層及び陰極側隣接層におけるアントラセン誘導体骨格を有する化合物が無置換のアントラセン誘導体骨格を有する化合物であり、
発光層及び陰極側隣接層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が無置換のピレン誘導体骨格を有する化合物である請求項１から３のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
陰極側隣接層における非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物が、孤立電子対を有しない非含窒素アントラセン誘導体化合物であり、陰極側隣接層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が、孤立電子対を有しないピレン誘導体骨格を有する化合物である請求項１から４のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
発光層におけるアントラセン誘導体骨格が、孤立電子対を有しない非含窒素アントラセン誘導体化合物であり、発光層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が、孤立電子対を有しないピレン誘導体骨格を有する化合物である請求項１から５のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
赤色燐光発光材料が、中心金属がルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金の少なくともいずれかである有機金属錯体である請求項１から６のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
陰極側隣接層の厚みが、１ｎｍ〜１０ｎｍである請求項１から７のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子（以下、「有機エレクトロルミネッセンス素子」、「有機ＥＬ素子」と称することもある）に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は、自発光、高速応答などの特長を持ち、フラットパネルディスプレイなどへの適用が期待されており、特に、正孔輸送性の有機薄膜（正孔輸送層）と電子輸送性の有機薄膜（電子輸送層）とを積層した２層型（積層型）のものが報告されて以来、１０Ｖ以下の低電圧で発光する大面積発光素子として関心を集めている。積層型の有機電界発光素子は、正極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／負極、を基本構成とし、このうち発光層は、前記２層型の場合のように、前記正孔輸送層又は前記電子輸送層にその機能を兼ねさせてもよい。
【０００３】
このような有機電界発光素子において、発光効率、駆動電圧、駆動耐久性等の素子性能の向上を図るため、種々の検討がなされている。
例えば特許文献１では、燐光発光性ドーパントと組み合わされて燐光発光材料を構成するホスト材料として、数多くのピレン骨格やアントラセン骨格を有する縮合芳香族環化合物が提案されている。この特許文献１の実施例８６には、発光層のホスト材料としてアントラセン骨格を有する化合物が用いられ、発光層の陰極側隣接層に含窒素アントラセン化合物が用いられている。
また、特許文献２には、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた有機薄膜層とを備え、前記有機薄膜層は、置換又は無置換の多環式縮合芳香族骨格部を有する第一の多環式縮合芳香族化合物と、燐光発光を示す第一の燐光発光材料と、を有する発光層と、前記発光層の前記陰極側に、置換又は無置換の多環式縮合芳香族骨格部を有する第二の多環式縮合芳香族化合物を含有する有機層とを備えた有機電界発光素子が提案されている。
【０００４】
しかしながら、これらの先行技術文献に記載の技術をそれぞれ単独で用いた場合には、発光層と陰極側隣接層の界面劣化が生じ、この界面劣化は、キャリアバランスを大きく変えるため発光分布が変わり、素子劣化時の色度変化が生じるという課題がある。したがって、素子劣化時の色度変化を抑制することができ、発光効率、駆動電圧、駆動耐久性等の素子性能の向上を達成できる有機電界発光素子の速やかな提供が望まれているのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１６６９３号公報
【特許文献２】特開２００９−１４７３２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、発光効率、駆動電圧、駆動耐久性等の素子性能が向上し、素子劣化時の色度変化を抑制することができる有機電界発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するため本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物を、発光層のホスト材料及び発光層の陰極側隣接層材料の両方に用いることにより、発光効率、駆動電圧、駆動耐久性等の素子性能が向上すると共に、素子劣化時の色度変化を抑制することができることを知見した。
【０００８】
本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
＜１＞  陽極と陰極の間に、少なくとも１層の発光層と、該発光層の陰極側に隣接する陰極側隣接層と、を少なくとも含む有機層を有してなり、
前記発光層が赤色燐光発光材料と、アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物の少なくとも１種からなるホスト材料とを含有し、
前記陰極側隣接層が、非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物の少なくとも１種を含有することを特徴とする有機電界発光素子である。
＜２＞  発光層及び陰極側隣接層におけるアントラセン誘導体骨格を有する化合物が、下記一般式（Ｉ）で表される前記＜１＞に記載の有機電界発光素子である。
【化１】
2011151108.tif 000003
ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０の芳香族環から誘導される基である。前記芳香族環は、１又は２以上の置換基で置換されていてもよい。前記置換基は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシ基から選ばれる。前記芳香族環が２以上の置換基で置換されている場合、前記置換基は同一であっても、異なっていてもよく、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。
Ｒ１からＲ８は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシ基から選ばれる。また、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。
＜３＞  発光層及び陰極側隣接層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が、下記一般式（ＩＩ）で表される前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
【化２】
2011151108.tif 000004
ただし、前記一般式（ＩＩ）中、Ａｒ１ａ及びＡｒ２ａは、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基を表す。
Ｌは、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
ｍは０〜２の整数、ｎｂは１〜４の整数、ｓは０〜２の整数、ｔは０〜４の整数である。
また、Ｌ又はＡｒ１ａは、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ又はＡｒ２ａは、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
ただし、ｎｂ＋ｔが偶数のとき、Ａｒ１ａ、Ａｒ２ａ、Ｌは下記（１）又は（２）を満たす。
（１）Ａｒ１ａ≠Ａｒ２ａ（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）
（２）Ａｒ１ａ＝Ａｒ２ａの時
（２−１）ｍ≠ｓ及び／又はｎｂ≠ｔ、又は
（２−２）ｍ＝ｓかつｎｂ＝ｔの時、
（２−２−１）Ｌ、又はピレンが、それぞれＡｒ１ａ及びＡｒ２ａ上の異なる結合位置に結合しているか、
（２−２−２）Ｌ、又はピレンが、Ａｒ１ａ及びＡｒ２ａ上の同じ結合位置に結合している場合、Ｌ、又はＡｒ１ａ及びＡｒ２ａのピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。
＜４＞  発光層及び陰極側隣接層におけるアントラセン誘導体骨格を有する化合物が無置換のアントラセン誘導体骨格を有する化合物であり、
発光層及び陰極側隣接層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が無置換のピレン誘導体骨格を有する化合物である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
＜５＞  陰極側隣接層における非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物が、孤立電子対を有しない非含窒素アントラセン誘導体化合物であり、陰極側隣接層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が、孤立電子対を有しないピレン誘導体骨格を有する化合物である前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
＜６＞  発光層におけるアントラセン誘導体骨格が、孤立電子対を有しない非含窒素アントラセン誘導体化合物であり、発光層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が、孤立電子対を有しないピレン誘導体骨格を有する化合物である前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
＜７＞  赤色燐光発光材料が、中心金属がルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金の少なくともいずれかである有機金属錯体である前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
＜８＞  陰極側隣接層の厚みが、１ｎｍ〜１０ｎｍである前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
【０００９】
通常、有機電界発光素子における素子劣化時の色度変化は、発光分布の変化によって引き起こされるが、本発明の有機電界発光素子においては、アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物を、発光層のホスト材料及び発光層の陰極側隣接層材料の両方に用いることで、劣化前後による発光分布の変化が小さくなり、素子劣化時の色度変化を抑制できる。
劣化前後の発光分布変化の要因として、発光層と発光層の陰極側隣接層界面の劣化がある。界面劣化は、キャリアバランスを大きく変えるため発光分布が変わり、その結果、色度変化が引き起こされる。界面劣化の要因としては、燐光発光材料とホスト材料、陰極側隣接層材料との化学反応が指摘されている(Ｓｃｈｏｌｚ  ｅｔ  ａｌ  ２００７、Ｓｃｈｏｌｚ  ｅｔ  ａｌ  ２００９参照)。
本発明の有機電界発光素子においては、アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物（特に窒素がなく、孤立電子対がなく、置換基もない化合物）を、発光層のホスト材料及び発光層の陰極側隣接層材料の両方に用いることで、燐光発光材料とホスト材料及び陰極側隣接層材料間の化学反応が起きにくく、界面劣化が抑制されたものと推測される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、従来における問題を解決することができ、発光効率、駆動電圧、駆動耐久性等の素子性能が向上し、素子劣化時の色度変化を抑制することができる有機電界発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の有機電界発光素子の層構成の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（有機電界発光素子）
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極の間に、少なくとも１層の発光層と、該発光層の陰極側に隣接する陰極側隣接層とを少なくとも含む有機層を有してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
【００１３】
＜発光層＞
前記発光層は、その材料、形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては、膜状、シート状などが挙げられ、また、その平面形状としては、四角形、円形などが挙げられ、前記構造としては、単層構造、積層構造などが挙げられ、前記大きさとしては、用途等に応じて適宜選択することができる。
【００１４】
前記発光層は、赤色燐光発光材料と、ホスト材料とを含有する。
【００１５】
−赤色燐光発光材料−
前記赤色燐光発光材料としては、ピーク波長が、５８０ｎｍ〜６４０ｎｍであるものが好ましい。
前記赤色燐光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば遷移金属原子、ランタノイド原子を含む錯体などが挙げられる。
前記遷移金属原子としては、例えばルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金などが挙げられる。これらの中でも、レニウム、イリジウム、白金が好ましく、イリジウム、白金が特に好ましい。
【００１６】
前記ランタノイド原子としては、例えばランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウム、などが挙げられる。これらの中でも、ネオジム、ユーロピウム、ガドリニウムが特に好ましい。
前記錯体の配位子としては、例えば、Ｇ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ等著，Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｐｅｒｇａｍｏｎ  Ｐｒｅｓｓ社１９８７年発行、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著，「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社、１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、芳香族炭素環配位子（例えば、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、又はナフチルアニオンなど）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、又はフェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子など）、アルコラト配位子（例えば、フェノラト配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子などが挙げられる。これらの中でも、含窒素ヘテロ環配位子が特に好ましい。
【００１７】
前記錯体は、化合物中に遷移金属原子を１つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
前記白金を含む錯体である燐光発光材料の具体的化合物としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【化３】
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【化４】
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【化５】
2011151108.tif 000007
【００１８】
前記イリジウムを含む錯体である燐光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、下記一般式（２）、（３）及び（４）のいずれかで表される化合物であることが好ましい。
【化６】
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ただし、前記一般式（２）、（３）及び（４）中、ｎは、１〜３の整数を表す。Ｘ−Ｙは、二座配位子を表す。環Ａは、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環構造を表す。Ｒ１１は、置換基を表し、ｍ１は、０〜６の整数を表す。ｍ１が２以上の場合には隣接するＲ１１どうしが結合して窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環を形成してもよく、該環は更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ1２は、置換基を表し、ｍ２は、０〜４の整数を表す。ｍ２が２以上の場合には隣接するＲ１２どうしが結合して窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環を形成してもよく、該環は更に置換基により置換されていてもよい。なお、Ｒ１１とＲ１２とが結合して窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環を形成してもよく、該環は更に置換基により置換されていてもよい。
【００１９】
前記環Ａは、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環構造を表し、５員環、６員環などが好適に挙げられる。該環は置換基で置換されていてもよい。
【００２０】
Ｘ−Ｙは、二座配位子を表し、二座のモノアニオン性配位子などが好適に挙げられる。
前記二座のモノアニオン性配位子としては、例えば、ピコリナート（ｐｉｃ）、アセチルアセトナート(ａｃａｃ)、ジピバロイルメタナート（ｔ−ブチルａｃａｃ）などが挙げられる。
上記以外の配位子としては、例えば、Ｌａｍａｎｓｋｙらの国際公開第２００２／１５６４５号パンフレットの第８９頁〜第９１頁に記載の配位子が挙げられる。
【００２１】
前記Ｒ１１及びＲ１２における置換基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、シクロアルキル基、窒素原子又は硫黄原子を含んでいてもよいアリール基、窒素原子又は硫黄原子を含んでいてもよいアリールオキシ基を表し、これらは更に置換されていてもよい。
前記Ｒ１１及びＲ１２は、互いに隣接するものどうしで結合して、窒素原子、硫黄原子又は酸素原子を含んでいてもよい環を形成してもよく、５員環、６員環などが好適に挙げられる。該環は更に置換基で置換されていてもよい。
【００２２】
前記一般式（２）、（３）、及び（４）のいずれかで表される具体的化合物としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【化７】
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【化８】
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【化９】
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【化１０】
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【化１１】
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【化１２】
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【化１３】
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【化１４】
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【化１５】
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【化１６】
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【化１７】
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【化１８】
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【化１９】
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【化２０】
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【化２１】
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【化２２】
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【化２３】
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【化２４】
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【化２５】
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【化２６】
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【化２７】
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【化２８】
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【化２９】
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【化３０】
2011151108.tif 000032
【化３１】
2011151108.tif 000033
【化３２】
2011151108.tif 000034
【００２３】
前記燐光発光材料のその他の例としては、以下のような化合物が挙げられる。
【化３３】
2011151108.tif 000035
【００２４】
前記赤色燐光発光材料の含有量は、発光層を形成する全化合物質量に対して、０．５質量％〜３０質量％であることが好ましく、０．５質量％〜２０質量％がより好ましく、３質量％〜１０質量％が更に好ましい。
前記含有量が、０．５質量％未満であると、発光効率が小さくなることがあり、３０質量％を超えると、燐光発光材料自身の会合により、発光効率が低下することがある。
【００２５】
−ホスト材料−
前記ホスト材料としては、アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物の少なくとも１種からなる化合物が用いられる。
【００２６】
前記アントラセン誘導体骨格を有する化合物としては、下記一般式（Ｉ）で表されるアントラセン誘導体がある。
【化３４】
2011151108.tif 000036
ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０の芳香族環から誘導される基である。前記芳香族環は、１又は２以上の置換基で置換されていてもよい。前記置換基は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシ基から選ばれる。前記芳香族環が２以上の置換基で置換されている場合、前記置換基は同一であっても、異なっていてもよく、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。
Ｒ１からＲ８は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシ基から選ばれる。また、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。
【００２７】
このようなアントラセン誘導体の具体例としては、下記式で表される化合物などが挙げられる。
【化３５】
2011151108.tif 000037
【化３６】
2011151108.tif 000038
【００２８】
また、前記一般式（Ｉ）で表されるアントラセン誘導体は、例えば、下記一般式（３）で表される非対称型アントラセンであってもよい。
【００２９】
【化３７】
2011151108.tif 000039
ただし、前記一般式（３）中、Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数６から５０の芳香族環基である。
Ｒ１からＲ１０は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６から５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の核炭素数５から５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１から５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１から５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６から５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５から５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５から５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１から５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基から選ばれる。
Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ複数であっても良く、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。
ただし、前記一般式（３）において、中心のアントラセンの９位及び１０位に、前記アントラセン上に示すＸ−Ｙ軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。
【００３０】
このような非対称型アントラセン誘導体として、例えば、下記のようなものが挙げられる。
【化３８】
2011151108.tif 000040
【化３９】
2011151108.tif 000041
【化４０】
2011151108.tif 000042
【化４１】
2011151108.tif 000043
【化４２】
2011151108.tif 000044
【化４３】
2011151108.tif 000045
【００３１】
また、前記一般式（Ｉ）で表されるアントラセン誘導体は、下記一般式（４）で表されるビスアントラセン誘導体であってもよい。
【化４４】
2011151108.tif 000046
ただし、前記一般式（４）中、Ａｎｔは、アントラセン誘導体であり、置換されていてもよい。Ｒは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６から５０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５から５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１から５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３から５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１から５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６から５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５から５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５から５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１から５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシ基から選ばれる。また、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。Ｋは０から９の整数である。
【００３２】
このようなビスアントラセン誘導体として、例えば、下記式のようなものが挙げられる。    
【化４５】
2011151108.tif 000047
【化４６】
2011151108.tif 000048
【００３３】
また、前記一般式（Ｉ）で表されるアントラセン誘導体として、下記一般式（５）で表されるベンズアントラセン誘導体であってもよい。
【化４７】
2011151108.tif 000049
ただし、前記一般式（５）中、Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６から５０の芳香族環基である。
Ｒ１からＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６から５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の核炭素数５から５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１から５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１から５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６から５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５から５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５から５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１から５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基から選ばれる。
Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ複数であっても良く、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。
【００３４】
このようなベンズアントラセン誘導体として、例えば、下記のようなものが挙げられる。
【化４８】
2011151108.tif 000050
【００３５】
前記発光層におけるアントラセン誘導体骨格を有する化合物としては、無置換の（置換基を有さない）アントラセン誘導体骨格を有する化合物であることが、劣化前後の色度変化を抑制する点で特に好ましい。
前記発光層におけるアントラセン誘導体骨格を有する化合物としては、非含窒素であることが好ましく、孤立電子対を有しないことが、劣化前後の色度変化を抑制する点で特に好ましい。
【００３６】
前記ピレン誘導体骨格を有する化合物としては、下記一般式（ＩＩ）で表されるピレン誘導体が挙げられる。
【化４９】
2011151108.tif 000051
ただし、前記一般式（ＩＩ）中、Ａｒ１ａ及びＡｒ２ａは、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基を表す。
Ｌは、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
ｍは０〜２の整数、ｎｂは１〜４の整数、ｓは０〜２の整数、ｔは０〜４の整数である。
また、Ｌ又はＡｒ１ａは、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ又はＡｒ２ａは、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
ただし、ｎｂ＋ｔが偶数のとき、Ａｒ１ａ、Ａｒ２ａ、Ｌは下記（１）又は（２）を満たす。
（１）Ａｒ１ａ≠Ａｒ２ａ（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）
（２）Ａｒ１ａ＝Ａｒ２ａの時
（２−１）ｍ≠ｓ及び／又はｎｂ≠ｔ、又は
（２−２）ｍ＝ｓかつｎｂ＝ｔの時、
（２−２−１）Ｌ、又はピレンが、それぞれＡｒ１ａ及びＡｒ２ａ上の異なる結合位置に結合しているか、
（２−２−２）Ｌ、又はピレンが、Ａｒ１ａ及びＡｒ２ａ上の同じ結合位置に結合している場合、Ｌ、又はＡｒ１ａ及びＡｒ２ａのピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。
【００３７】
このようなピレン誘導体化合物として、例えば、下記のようなものが挙げられる。
【化５０】
2011151108.tif 000052
【化５１】
2011151108.tif 000053
【化５２】
2011151108.tif 000054
【化５３】
2011151108.tif 000055
【００３８】
前記発光層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物としては、無置換の（置換基を有さない）ピレン誘導体骨格を有する化合物であることが、劣化前後の色度変化を抑制する点で特に好ましい。
前記発光層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物としては、孤立電子対を有しないことが、劣化前後の色度変化を抑制する点で特に好ましい。
【００３９】
前記ホスト材料の含有量は、前記発光層を形成する全化合物質量に対して、１０質量％〜９９．９質量％であることが好ましく、２０質量％〜９９．５質量％がより好ましく、３０質量％〜９９質量％が更に好ましい。
【００４０】
前記発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
前記発光層は、特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができるが、例えば、蒸着法、スパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式、などにより好適に形成することができる。
【００４１】
前記発光層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、２ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、発光効率の観点から、３ｎｍ〜２００ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍが更に好ましい。また、前記発光層は１層であっても２層以上であってもよい。
【００４２】
＜陰極側隣接層＞
前記陰極側隣接層は、発光層と陰極側で隣接する有機層である。
前記陰極側隣接層は、非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物の少なくとも１種を含有することが好ましい。
前記ピレン誘導体骨格としては、前記発光層におけるホスト材料の上記一般式（ＩＩ）で表されるピレン誘導体骨格を有する化合物を用いることができる。
前記非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物としては、前記発光層におけるホスト材料の上記一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、非含窒素化合物を用いることができる。
陰極側隣接層の非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物及び前記ピレン誘導体骨格を有する化合物は、無置換の（置換基を有さない）アントラセン誘導体骨格を有する化合物であることが、劣化前後の色度変化を抑制する点で特に好ましい。
陰極側隣接層の非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物は、孤立電子対を有しないことが、劣化前後の色度変化を抑制する点で特に好ましい。
【００４３】
ここで、前記陰極側隣接層に好適に用いられるピレン誘導体骨格を有する化合物の具体例について以下に挙げるが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【化５４】
2011151108.tif 000056
【化５５】
2011151108.tif 000057
【化５６】
2011151108.tif 000058
【化５７】
2011151108.tif 000059
【化５８】
2011151108.tif 000060
【００４４】
ここで、前記陰極側隣接層に好適に用いられる非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物の具体例について以下に挙げるが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【化５９】
2011151108.tif 000061
【化６０】
2011151108.tif 000062
【００４５】
前記陰極側隣接層は、特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができるが、例えば、蒸着法、スパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式、などにより好適に形成することができる。
前記陰極側隣接層の厚みは、１ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましく、２ｎｍ〜５ｎｍであることがより好ましい。前記厚みが、１ｎｍ未満であると、陰極側隣接層を形成できず、高効率化や高耐久性化の効果が十分ではないことがあり、１０ｎｍを超えると、陰極側隣接層の電子移動度が高い場合、有機電界発光素子として高電圧化してしまうことがある。
【００４６】
＜電子輸送層＞
前記電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。
【００４７】
前記電子輸送層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、下記構造式で表される２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロイン；ＢＣＰ）、ＢＣＰにＬｉをドープしたもの、下記構造式で表されるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ）等の８−キノリノール又はその誘導体を配位子とする有機金属錯体、下記構造式で表されるＢＡｌｑ（Ｂｉｓ−（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）−４−（ｐｈｅｎｙｌ−ｐｈｅｎｏｌａｔｅ）−ａｌｕｍｉｎｉｕｍ  （ＩＩＩ））等のキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体、などが挙げられる。
【００４８】
【化６１】
2011151108.tif 000063
【化６２】
2011151108.tif 000064
【化６３】
2011151108.tif 000065
【００４９】
前記電子輸送層は、例えば、蒸着法、湿式製膜法、電子ビーム法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、分子積層法、ＬＢ法、印刷法、転写法、などの上述した方法により好適に形成することができる。
前記電子輸送層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜５０ｎｍがより好ましい。
前記電子輸送層は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
【００５０】
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極の間に、少なくとも１層の発光層と、該発光層の陰極側に隣接する陰極側隣接層とを少なくとも含む有機層を有してなり、前記陰極側隣接層の陰極側に隣接する電子輸送層、更に必要に応じてその他の層を有していてもよい。
前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば電子注入層、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、などが挙げられる。
【００５１】
−電子注入層−
前記電子注入層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。
前記電子注入層は、１種又は２種以上の材料からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
前記電子注入層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
【００５２】
−正孔注入層、正孔輸送層−
前記正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。該正孔注入層及び正孔輸送層は、単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
これらの層に用いられる正孔注入材料又は正孔輸送材料としては、低分子化合物であっても高分子化合物でもよく、無機化合物あってもよい。
前記正孔注入材料又は正孔輸送材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、三酸化モリブデンなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００５３】
前記正孔注入層及び正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。
前記電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
前記無機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば塩化第二鉄、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモン等のハロゲン化金属；五酸化バナジウム、三酸化モリブデン等の金属酸化物、などが挙げられる。
前記有機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基等を有する化合物；キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレン、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記電子受容性ドーパントの使用量は、特に制限はなく、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料又は正孔注入材料に対して０．０１質量％〜５０質量％が好ましく、０．０５質量％〜３０質量％がより好ましく、０．１質量％〜３０質量％が更に好ましい。
【００５４】
前記正孔注入層及び正孔輸送層は、特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができるが、例えば、蒸着法、スパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布法、転写法、印刷法、インクジェット方式、などにより好適に形成することができる。
前記正孔注入層及び正孔輸送層の厚みは、１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜２５０ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍが更に好ましい。
【００５５】
−電子ブロック層−
前記電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が陽極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
前記電子ブロック層を構成する化合物としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが利用できる。また、前記電子ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
前記電子ブロック層は、特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができるが、例えば、蒸着法、スパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布法、転写法、印刷法、インクジェット方式、などにより好適に形成することができる。
前記電子ブロック層の厚みは、１ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、１ｎｍ〜５０ｎｍがより好ましく、３ｎｍ〜１０ｎｍが更に好ましい。
【００５６】
＜電極＞
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極、即ち陽極と陰極とを含む。前記有機電界発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は透明であることが好ましい。通常、陽極は有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、陰極は有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよい。
前記電極としては、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
前記電極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物等が好適に挙げられる。
【００５７】
−陽極−
前記陽極を構成する材料としては、例えば、アンチモン、フッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル等の金属；これらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物；ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質；ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、又はこれらとＩＴＯとの積層物、などが挙げられる。これらの中でも、導電性金属酸化物が好ましく、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが特に好ましい。
【００５８】
−陰極−
前記陰極を構成する材料としては、例えば、アルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属、アルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が特に好ましい。
前記アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）を意味する。
【００５９】
前記電極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、例えば印刷方式、コーティング方式等の湿式方式；真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式；ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、などが挙げられる。これらの中でも、前記電極を構成する材料との適性を考慮し、適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料としてＩＴＯを選択する場合には、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って形成することができる。陰極の材料として金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って形成することができる。
【００６０】
なお、前記電極を形成する際にパターニングを行う場合は、フォトリソグラフィー等による化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザー等による物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００６１】
＜基板＞
本発明の有機電界発光素子は、基板上に設けられていることが好ましく、電極と基板とが直接接する形で設けられていてもよいし、中間層を介在する形で設けられていてもよい。
前記基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばイットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス（無アルカリガラス、ソーダライムガラス等）等の無機材料；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料、などが挙げられる。
【００６２】
前記基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。基板は透明でも不透明でもよく、透明な場合は無色透明でも有色透明でもよい。
【００６３】
前記基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
前記透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、例えば窒化珪素、酸化珪素等の無機物などが挙げられる。
前記透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
【００６４】
−保護層−
有機電界発光素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
前記保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばＩｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属；ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物；ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ等の金属窒化物；ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質、などが挙げられる。
【００６５】
前記保護層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法などが挙げられる。
【００６６】
−封止容器−
本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体が封止されていてもよい。更に、前記封止容器と有機電界発光素子の間の空間には、水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。
前記水分吸収剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム、などが挙げられる。
前記不活性液体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばパラフィン類、流動パラフィン類；パーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤；塩素系溶剤、シリコーンオイル類、などが挙げられる。
【００６７】
−樹脂封止層−
本発明の有機電界発光素子は、大気からの酸素や水分による素子性能劣化を樹脂封止層により封止することで抑制することが好ましい。
前記樹脂封止層の樹脂素材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、ゴム系樹脂、エステル系樹脂、などが挙げられる。これらの中でも、水分防止機能の点からエポキシ樹脂が特に好ましい。前記エポキシ樹脂の中でも熱硬化型エポキシ樹脂、又は光硬化型エポキシ樹脂が好ましい。
【００６８】
前記樹脂封止層の作製方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、樹脂溶液を塗布する方法、樹脂シートを圧着又は熱圧着する方法、蒸着やスパッタリング等により乾式重合する方法、などが挙げられる。
【００６９】
−封止接着剤−
前記封止接着剤は、端部よりの水分や酸素の侵入を防止する機能を有する。
前記封止接着剤の材料としては、前記樹脂封止層で用いる材料と同じものを用いることができる。これらの中でも、水分の侵入防止の点からエポキシ系の接着剤が好ましく、光硬化型接着剤あるいは熱硬化型接着剤が特に好ましい。
前記封止接着剤にフィラーを添加することも好ましい。前記フィラーとしては、例えばＳｉＯ２、ＳｉＯ（酸化ケイ素）、ＳｉＯＮ（酸窒化ケイ素）、ＳｉＮ（窒化ケイ素）等の無機材料が好ましい。該フィラーの添加により、封止接着剤の粘度が上昇し、加工適正が向上し、及び耐湿性が向上する。
前記封止接着剤は、乾燥剤を含有してもよい。前記乾燥剤としては、例えば酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、などが挙げられる。前記乾燥剤の添加量は、前記封止接着剤に対し０．０１質量％〜２０質量％が好ましく、０．０５質量％〜１５質量％がより好ましい。前記添加量が、０．０１質量％未満であると、乾燥剤の添加効果が薄れることになり、２０質量％を超えると、封止接着剤中に乾燥剤を均一分散させることが困難になることがある。
本発明においては、前記乾燥剤の入った封止接着剤をディスペンサー等により任意量塗布し、塗布後第２基板を重ねて、硬化させることにより封止することができる。
【００７０】
図１は、本発明の有機電界発光素子の層構成の一例を示す概略図である。有機ＥＬ素子１１は、ガラス基板１上に形成された陽極２（例えばＩＴＯ電極）と、正孔注入層３と、正孔輸送層４と、電子ブロック層５と、発光層６と、陰極側隣接層（正孔ブロック層）７と、電子輸送層８と、電子注入層９と、陰極１０（例えばＡｌ−Ｌｉ電極）とをこの順に積層してなる層構成を有する。なお、陽極２（例えばＩＴＯ電極）と陰極１０（例えばＡｌ−Ｌｉ電極）とは電源を介して互いに接続されている。
【００７１】
−駆動−
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によりアクティブマトリックスへ適用することができる。薄膜トランジスタの活性層としてアモルファスシリコン、高温ポリシリコン、低温ポリシリコン、微結晶シリコン、酸化物半導体、有機半導体、カーボンナノチューブ等を適用することができる。
本発明の有機電界発光素子は、例えばＷＯ２００５／０８８７２６号パンフレット、特開２００６−１６５５２９号公報、米国特許出願公開２００８／０２３７５９８Ａ１明細書などに記載の薄膜トランジスタを適用することができる。
【００７２】
本発明の有機電界発光素子は、特に制限はなく、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板、ＩＴＯ層、有機層の屈折率を制御する、基板、ＩＴＯ層、有機層の厚みを制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。
本発明の有機電界発光素子からの光取り出し方式は、トップエミッション方式であってもボトムエミッション方式であってもよい。
【００７３】
本発明の有機電界発光素子は、共振器構造を有してもよい。例えば、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明又は半透明電極、発光層、及び金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、透明基板上に、透明又は半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、２つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長の得るのに最適な値となるよう調整される。第１の態様の場合の計算式は、特開平９−１８０８８３号公報に記載されている。第２の態様の場合の計算式は、特開２００４−１２７７９５号公報に記載されている。
【００７４】
−用途−
本発明の有機電界発光素子は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
前記有機ＥＬディスプレイをフルカラータイプのものとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、２０００年９月号、３３〜３７ページに記載されているように、色の３原色（青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ））に対応する光をそれぞれ発光する有機ＥＬ素子を基板上に配置する３色発光法、白色発光用の有機電界発光素子による白色発光をカラーフィルターを通して３原色に分ける白色法、青色発光用の有機電界発光素子による青色発光を色素層を通して赤色（Ｒ）及び緑色（Ｇ）に変換する色変換法、などが知られている。また、上記方法により得られる異なる発光色の有機電界発光素子を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色の平面型光源を得ることができる。例えば、青色及び黄色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、青色、緑色、赤色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、などが挙げられる。
【実施例】
【００７５】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００７６】
（比較例１−１）
−有機電界発光素子の作製−
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を厚み７０ｎｍにスパッタ法により形成した。次に、このＩＴＯ付きガラス基板を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。
なお、以下の実施例及び比較例における蒸着速度は、特に断りのない場合は０．１ｎｍ／秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。また、以下の各層厚みは水晶振動子を用いて測定した。
【００７７】
まず、陽極（ＩＴＯ）上に、下記構造式で表されるＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミン）に、ＭｏＯ３を３０質量％ドープした正孔注入層を厚みが３０ｎｍになるように真空蒸着法により形成した。
【化６４】
2011151108.tif 000066
【００７８】
次に、正孔注入層上に、正孔輸送層として上記構造式で表されるＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミン）を厚みが１０ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
次に、ホスト材料である下記構造式で表される化合物Ｊと、該化合物Ｊに対して下記構造式で表される赤色燐光発光材料１（ピーク波長６２８ｎｍ）を８質量％ドープした発光層を厚みが３０ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
【化６５】
2011151108.tif 000067
【化６６】
2011151108.tif 000068
【００７９】
次に、発光層上に、陰極側隣接層として下記構造式で表される化合物Ｆを、厚みが５ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
【化６７】
2011151108.tif 000069
【００８０】
次に、陰極側隣接層上に、電子輸送層として上記構造式で表される化合物Ｆを、厚みが４５ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
次に、電子輸送層上に、電子注入層としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）を、厚みが１ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
次に、電子注入層上に、陰極としてパタ−ニングしたマスク（発光領域が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、金属アルミニウムを厚み１００ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶、及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ株式会社製）を用いて封止した。以上により、比較例１−１の有機電界発光素子を作製した。
【００８１】
（比較例１−２）
−有機電界発光素子の作製−
比較例１−１において、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Ｆを、下記構造式で表される化合物２ａ−１に代えた以外は、比較例１−１と同様にして、比較例１−２の有機電界発光素子を作製した。
【化６８】
2011151108.tif 000070
【００８２】
（比較例１−３）
−有機電界発光素子の作製−
比較例１−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Ｊを上記構造式で表される化合物２ａ−１に代えた以外は、比較例１−１と同様にして、比較例１−３の有機電界発光素子を作製した。
【００８３】
（実施例１−１）
−有機電界発光素子の作製−
比較例１−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Ｊを上記構造式で表される化合物２ａ−１に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Ｆを、上記構造式で表される化合物２ａ−１に代えた以外は、比較例１−１と同様にして、実施例１−１の有機電界発光素子を作製した。
【００８４】
（比較例２−１）
−有機電界発光素子の作製−
比較例１−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Ｊを下記構造式で表される化合物Ｋに代えた以外は、比較例１−１と同様にして、比較例２−１の有機電界発光素子を作製した。
【化６９】
2011151108.tif 000071
【００８５】
（比較例２−２）
−有機電界発光素子の作製−
比較例１−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Ｊを上記構造式で表される化合物Ｋに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Ｆを、下記構造式で表される化合物２ａ’−５５に代えた以外は、比較例１−１と同様にして、比較例２−２の有機電界発光素子を作製した。
【化７０】
2011151108.tif 000072
【００８６】
（比較例２−３）
−有機電界発光素子の作製−
比較例１−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Ｊを上記構造式で表される化合物２ａ’−５５に代えた以外は、比較例１−１と同様にして、比較例２−３の有機電界発光素子を作製した。
【００８７】
（実施例２−１）
−有機電界発光素子の作製−
比較例１−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Ｊを上記構造式で表される化合物２ａ’−５５に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Ｆを、上記構造式で表される化合物２ａ’−５５に代えた以外は、比較例１−１と同様にして、実施例２−１の有機電界発光素子を作製した。
【００８８】
（比較例３−１）
−有機電界発光素子の作製−
比較例１−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Ｊを下記構造式で表されるｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Ｆを、下記構造式で表される化合物Ｉに代えた以外は、比較例１−１と同様にして、比較例３−１の有機電界発光素子を作製した。
【化７１】
2011151108.tif 000073
【化７２】
2011151108.tif 000074
【００８９】
（比較例３−２）
−有機電界発光素子の作製−
比較例１−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Ｊを上記構造式で表されるｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Ｆを、下記構造式で表される化合物２ａ’−５９に代えた以外は、比較例１−１と同様にして、比較例３−２の有機電界発光素子を作製した。
【化７３】
2011151108.tif 000075
【００９０】
（比較例３−３）
−有機電界発光素子の作製−
比較例１−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Ｊを上記構造式で表される化合物２ａ’−５９に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Ｆを、上記構造式で表される化合物Ｉに代えた以外は、比較例１−１と同様にして、比較例３−３の有機電界発光素子を作製した。
【００９１】
（実施例３−１）
−有機電界発光素子の作製−
比較例１−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Ｊを上記構造式で表される化合物２ａ’−５９に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Ｆを、上記構造式で表される化合物２ａ’−５９に代えた以外は、比較例１−１と同様にして、実施例３−１の有機電界発光素子を作製した。
【００９２】
（比較例４−１）
比較例１−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Ｊを上記構造式で表されるｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Ｆを、上記構造式で表される化合物Ｉに代えた以外は、比較例１−１と同様にして、比較例４−１の有機電界発光素子を作製した。
【００９３】
（比較例４−２）
比較例１−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Ｊを上記構造式で表されるｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Ｆを、下記構造式で表される化合物３ａに代えた以外は、比較例１−１と同様にして、比較例４−２の有機電界発光素子を作製した。
【化７４】
2011151108.tif 000076
【００９４】
（比較例４−３）
比較例１−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Ｊを上記構造式で表される化合物３ａに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Ｆを、上記構造式で表される化合物Ｉに代えた以外は、比較例１−１と同様にして、比較例４−３の有機電界発光素子を作製した。
【００９５】
（実施例４−１）
比較例１−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Ｊを上記構造式で表される化合物３ａに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Ｆを、上記構造式で表される化合物３ａに代えた以外は、比較例１−１と同様にして、実施例４−１の有機電界発光素子を作製した。
【００９６】
（比較例５−１）
−有機電界発光素子の作製−
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を厚み７０ｎｍにスパッタ法により形成した。次に、このＩＴＯ付きガラス基板を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。
なお、以下の実施例及び比較例における蒸着速度は、特に断りのない場合は０．１ｎｍ／秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。また、以下の各層厚みは水晶振動子を用いて測定した。
【００９７】
まず、陽極（ＩＴＯ）上に、下記構造式で表されるＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミン）に、ＭｏＯ３を３０質量％ドープした正孔注入層を厚みが３０ｎｍになるように真空蒸着法により形成した。
【化７５】
2011151108.tif 000077
【００９８】
次に、正孔注入層上に、正孔輸送層として上記構造式で表されるＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミン）を厚みが１０ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
次に、ホスト材料である下記構造式で表されるＢＡｌｑ〔Ｂｉｓ−（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）−４−（ｐｈｅｎｙｌ−ｐｈｅｎｏｌａｔｅ）−ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（ＩＩＩ）〕と、該ＢＡｌｑに対して下記構造式で表される赤色燐光発光材料２（ピーク波長６２７ｎｍ）を８質量％ドープした発光層を厚みが３０ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
【化７６】
2011151108.tif 000078
【化７７】
2011151108.tif 000079
【００９９】
次に、発光層上に、陰極側隣接層として下記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体（Ａｌｑ）を、厚みが５ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
【化６２】
2011151108.tif 000080
【０１００】
次に、陰極側隣接層上に、電子輸送層として下記構造式で表される化合物Ｇを、厚みが４５ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
【化７８】
2011151108.tif 000081
【０１０１】
次に、電子輸送層上に、電子注入層としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）を、厚みが１ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
次に、電子注入層上に、陰極としてパタ−ニングしたマスク（発光領域が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、金属アルミニウムを厚み１００ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶、及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ株式会社製）を用いて封止した。以上により、比較例５−１の有機電界発光素子を作製した。
【０１０２】
（比較例５−２）
比較例５−１において、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるＡｌｑを、下記構造式で表される化合物２ａ−１に代えた以外は、比較例５−１と同様にして、比較例５−２の有機電界発光素子を作製した。
【化７９】
2011151108.tif 000082
【０１０３】
（比較例５−３）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物２ａ−１に代えた以外は、比較例５−１と同様にして、比較例５−３の有機電界発光素子を作製した。
【０１０４】
（実施例５−１）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物２ａ−１に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体（Ａｌｑ）を、上記構造式で表される化合物２ａ−１に代えた以外は、比較例５−１と同様にして、実施例５−１の有機電界発光素子を作製した。
【０１０５】
（比較例６−１）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、下記構造式で表される４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−ビフェニル（ＣＢＰ）に代えた以外は、比較例５−１と同様にして、比較例６−１の有機電界発光素子を作製した。
【化８０】
2011151108.tif 000083
【０１０６】
（比較例６−２）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−ビフェニル（ＣＢＰ）に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体（Ａｌｑ）を、下記構造式で表される化合物２ａ’−５５に代えた以外は、比較例５−１と同様にして、比較例６−２の有機電界発光素子を作製した。
【化８１】
2011151108.tif 000084
【０１０７】
（比較例６−３）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物２ａ’−５５に代えた以外は、比較例５−１と同様にして、比較例６−３の有機電界発光素子を作製した。
【０１０８】
（実施例６−１）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物２ａ’−５５に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体（Ａｌｑ）を、上記構造式で表される化合物２ａ’−５５に代えた以外は、比較例５−１と同様にして、実施例６−１の有機電界発光素子を作製した。
【０１０９】
（比較例７−１）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−ビフェニル（ＣＢＰ）に代えた以外は、比較例５−１と同様にして、比較例７−１の有機電界発光素子を作製した。
【０１１０】
（比較例７−２）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−ビフェニル（ＣＢＰ）に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体（Ａｌｑ）を、下記構造式で表される化合物２ａ’−５９に代えた以外は、比較例５−１と同様にして、比較例７−２の有機電界発光素子を作製した。
【化８２】
2011151108.tif 000085
【０１１１】
（比較例７−３）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物２ａ’−５９に代え以外は、比較例５−１と同様にして、比較例７−３の有機電界発光素子を作製した。
【０１１２】
（実施例７−１）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物２ａ’−５９に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体（Ａｌｑ）を、上記構造式で表される化合物２ａ’−５９に代えた以外は、比較例５−１と同様にして、実施例７−１の有機電界発光素子を作製した。
【０１１３】
（比較例８−１）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−ビフェニル（ＣＢＰ）に代えた以外は、比較例５−１と同様にして、比較例８−１の有機電界発光素子を作製した。
【０１１４】
（比較例８−２）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−ビフェニル（ＣＢＰ）に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体（Ａｌｑ）を、下記構造式で表される化合物３ａに代えた以外は、比較例５−１と同様にして、比較例８−２の有機電界発光素子を作製した。
【化８３】
2011151108.tif 000086
【０１１５】
（比較例８−３）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物３ａに代えた以外は、比較例５−１と同様にして、比較例８−３の有機電界発光素子を作製した。
【０１１６】
（実施例８−１）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物３ａに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体（Ａｌｑ）を、上記構造式で表される化合物３ａに代えた以外は、比較例５−１と同様にして、実施例８−１の有機電界発光素子を作製した。
【０１１７】
（比較例９−１）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−ビフェニル（ＣＢＰ）に代えた以外は、比較例５−１と同様にして、比較例９−１の有機電界発光素子を作製した。
【０１１８】
（比較例９−２）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−ビフェニル（ＣＢＰ）に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体（Ａｌｑ）を、下記構造式で表される化合物Ａに代えた以外は、比較例５−１と同様にして、比較例９−２の有機電界発光素子を作製した。
【化８４】
2011151108.tif 000087
【０１１９】
（比較例９−３）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ａに代えた以外は、比較例５−１と同様にして、比較例９−３の有機電界発光素子を作製した。
【０１２０】
（実施例９−１）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ａに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体（Ａｌｑ）を、上記構造式で表される化合物Ａに代えた以外は、比較例５−１と同様にして、実施例９−１の有機電界発光素子を作製した。
【０１２１】
（比較例１０−１）
−有機電界発光素子の作製−
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を厚み７０ｎｍにスパッタ法により形成した。次に、このＩＴＯ付きガラス基板を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。
なお、以下の実施例及び比較例における蒸着速度は、特に断りのない場合は０．１ｎｍ／秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。また、以下の各層厚みは水晶振動子を用いて測定した。
【０１２２】
まず、陽極（ＩＴＯ）上に、下記構造式で表される化合物Ｌに、ＭｏＯ３を３０質量％ドープした正孔注入層を厚みが３０ｎｍになるように真空蒸着法により形成した。
【化８５】
2011151108.tif 000088
【０１２３】
次に、正孔注入層上に、正孔輸送層として下記構造式で表されるＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミン）を厚みが１０ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
【化８６】
2011151108.tif 000089
【０１２４】
次に、ホスト材料である下記構造式で表されるＢＡｌｑ〔Ｂｉｓ−（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）−４−（ｐｈｅｎｙｌ−ｐｈｅｎｏｌａｔｅ）−ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（ＩＩＩ）〕と、該ＢＡｌｑに対して下記構造式で表される赤色燐光発光材料３（ピーク波長６２０ｎｍ）を８質量％ドープした発光層を厚みが３０ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
【化８７】
2011151108.tif 000090
【化８８】
2011151108.tif 000091
【０１２５】
次に、発光層上に、陰極側隣接層として上記構造式で表されるＢＡｌｑを、厚みが５ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
【０１２６】
次に、陰極側隣接層上に、電子輸送層として下記構造式で表される化合物Ｉを、厚みが４５ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
【化８９】
2011151108.tif 000092
【０１２７】
次に、電子輸送層上に、電子注入層としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）を、厚みが１ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
次に、電子注入層上に、陰極としてパタ−ニングしたマスク（発光領域が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、金属アルミニウムを厚みが１００ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶、及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ株式会社製）を用いて封止した。以上により、比較例１０−１の有機電界発光素子を作製した。
【０１２８】
（比較例１０−２）
比較例１０−１において、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、下記構造式で表される化合物Ａに代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、比較例１０−２の有機電界発光素子を作製した。
【化９０】
2011151108.tif 000093
【０１２９】
（比較例１０−３）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ａに代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、比較例１０−３の有機電界発光素子を作製した。
【０１３０】
（実施例１０−１）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ａに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ａに代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、実施例１０−１の有機電界発光素子を作製した。
【０１３１】
（比較例１１−１）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、下記構造式で表されるｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、下記構造式で表される化合物Ｂに代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、比較例１１−１の有機電界発光素子を作製した。
【化９１】
2011151108.tif 000094
【化９２】
2011151108.tif 000095
【０１３２】
（比較例１１−２）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表されるｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）に代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、比較例１１−２の有機電界発光素子を作製した。
【０１３３】
（比較例１１−３）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ｂに代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、比較例１１−３の有機電界発光素子を作製した。
【０１３４】
（実施例１１−１）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ｂに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ｂに代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、実施例１１−１の有機電界発光素子を作製した。
【０１３５】
（比較例１２−１）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表されるｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、下記構造式で表される化合物Ｃに代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、比較例１２−１の有機電界発光素子を作製した。
【化９３】
2011151108.tif 000096
【０１３６】
（比較例１２−２）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表されるｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）に代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、比較例１２−２の有機電界発光素子を作製した。
【０１３７】
（比較例１２−３）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ｃに代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、比較例１２−３の有機電界発光素子を作製した。
【０１３８】
（実施例１２−１）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ｃに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ｃに代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、実施例１２−１の有機電界発光素子を作製した。
【０１３９】
（比較例１３−１）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表されるｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、下記構造式で表される化合物Ｄに代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、比較例１３−１の有機電界発光素子を作製した。
【化９４】
2011151108.tif 000097
【０１４０】
（比較例１３−２）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表されるｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）に代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、比較例１３−２の有機電界発光素子を作製した。
【０１４１】
（比較例１３−３）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ｄに代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、比較例１３−３の有機電界発光素子を作製した。
【０１４２】
（実施例１３−１）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ｄに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ｄに代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、実施例１３−１の有機電界発光素子を作製した。
【０１４３】
（比較例１４−１）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表されるｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、下記構造式で表される化合物Ｅに代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、比較例１４−１の有機電界発光素子を作製した。
【化９５】
2011151108.tif 000098
【０１４４】
（比較例１４−２）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表されるｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）に代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、比較例１４−２の有機電界発光素子を作製した。
【０１４５】
（比較例１４−３）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ｅに代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、比較例１４−３の有機電界発光素子を作製した。
【０１４６】
（実施例１４−１）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ｅに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ｅに代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、実施例１４−１の有機電界発光素子を作製した。
【０１４７】
（比較例１５−１）
−有機電界発光素子の作製−
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を厚み７０ｎｍにスパッタ法により形成した。次に、このＩＴＯ付きガラス基板を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。
なお、以下の実施例及び比較例における蒸着速度は、特に断りのない場合は０．１ｎｍ／秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。また、以下の各層厚みは水晶振動子を用いて測定した。
【０１４８】
まず、陽極（ＩＴＯ）上に、下記構造式で表される化合物Ｌに、ＭｏＯ３を３０質量％ドープした正孔注入層を厚みが３０ｎｍになるように真空蒸着法により形成した。
【化９６】
2011151108.tif 000099
【０１４９】
次に、正孔注入層上に、正孔輸送層として下記構造式で表されるＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミン）を厚みが１０ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
【化９７】
2011151108.tif 000100
【０１５０】
次に、ホスト材料である下記構造式で表されるｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）と、該ｍＣＰに対して下記構造式で表される赤色燐光発光材料４（ピーク波長６１８ｎｍ）を８質量％ドープした発光層を厚みが３０ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
【化９８】
2011151108.tif 000101
【化９９】
2011151108.tif 000102
【０１５１】
次に、発光層上に、陰極側隣接層として下記構造式で表される化合物２ａ−４８を、厚みが５ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
【化１００】
2011151108.tif 000103
【０１５２】
次に、陰極側隣接層上に、電子輸送層として下記構造式で表される化合物Ｉを、厚みが４５ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
【化１０１】
2011151108.tif 000104
【０１５３】
次に、電子輸送層上に、電子注入層としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）を、厚みが１ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
次に、電子注入層上に、陰極としてパタ−ニングしたマスク（発光領域が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、金属アルミニウムを厚みが１００ｎｍとなるように真空蒸着法により形成した。
以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶、及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ株式会社製）を用いて封止した。以上により、比較例１５−１の有機電界発光素子を作製した。
【０１５４】
（比較例１５−２）
比較例１５−１において、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物２ａ−４８を、下記構造式で表されるＢＡｌｑ〔Ｂｉｓ−（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）−４−（ｐｈｅｎｙｌ−ｐｈｅｎｏｌａｔｅ）−ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（ＩＩＩ）〕に代えた以外は、比較例１５−１と同様にして、比較例１５−２の有機電界発光素子を作製した。
【化１０２】
2011151108.tif 000105
【０１５５】
（比較例１５−３）
比較例１５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）を、上記構造式で表される化合物２ａ−４８に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物２ａ−４８を、上記構造式で表されるＢＡｌｑに代えた以外は、比較例１５−１と同様にして、比較例１５−３の有機電界発光素子を作製した。
【０１５６】
（実施例１５−１）
比較例１５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）を、上記構造式で表される化合物２ａ−４８に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物２ａ−４８を、下記構造式で表される化合物Ｅに代えた以外は、比較例１５−１と同様にして、実施例１５−１の有機電界発光素子を作製した。
【化１０３】
2011151108.tif 000106
【０１５７】
（比較例１６−１）
比較例１５−１において、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物２ａ−４８を、下記構造式で表される化合物２ａ’−６０に代えた以外は、比較例１５−１と同様にして、比較例１６−１の有機電界発光素子を作製した。
【化１０４】
2011151108.tif 000107
【０１５８】
（比較例１６−２）
比較例１５−１において、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物２ａ−４８を、上記構造式で表されるＢＡｌｑに代えた以外は、比較例１５−１と同様にして、比較例１６−２の有機電界発光素子を作製した。
【０１５９】
（比較例１６−３）
比較例１５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）を、上記構造式で表される化合物２ａ’−６０に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物２ａ−４８を、上記構造式で表されるＢＡｌｑに代えた以外は、比較例１５−１と同様にして、比較例１６−３の有機電界発光素子を作製した。
【０１６０】
（実施例１６−１）
比較例１５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）を、上記構造式で表される化合物２ａ’−６０に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物２ａ−４８を、上記構造式で表される化合物２ａ’−６０に代えた以外は、比較例１５−１と同様にして、実施例１６−１の有機電界発光素子を作製した。
【０１６１】
次に、作製した実施例及び比較例について、以下のようにして、素子性能、及び経時の色度変化を測定した。結果を表１、表２、表３、及び表４に示す。
【０１６２】
＜素子性能＞
−駆動電圧（Ｖ）−
ＫＥＩＴＨＬＥＹ社製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流電流通電時の輝度が１，０００ｃｄでの駆動電圧を計測した。
【０１６３】
−外部量子効率（ＥＱＥ）−
ＫＥＩＴＨＬＥＹ社製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、電流密度２５ｍＡ／ｃｍ２の直流電流を各素子に通電し、発光させた。１，０００ｃｄでの輝度と発光スペクトルを、トプコン社製輝度計ＳＲ−３を用いて測定した。これらの測定結果をもとに、外部量子効率を発光スペクトル換算法により算出した。
【０１６４】
−駆動耐久性（輝度半減時間）−
各有機電界発光素子を、初期輝度５，０００ｃｄ／ｍ２で輝度が半減するまで定電流駆動し、輝度半減期（ｔ５０００）を測定する。５，０００ｃｄ／ｍ２の輝度半減期より、１．５乗則を仮定し、下記式より、１，０００ｃｄ／ｍ２の輝度半減期を算出した。
ｔ１０００＝ｔ５０００×（５，０００ｃｄ／１，０００ｃｄ）１．５
【０１６５】
＜経時の色度変化＞
各有機電界発光素子を、初期輝度３，０００ｃｄで輝度が半減するまで定電流駆動し、初期と半減時の１，０００ｃｄでの色度変化（Δｘ及びΔｙ）をトプコン社製輝度計ＳＲ−３により測定した。なお、色度変化（Δｘ及びΔｙ）が小さいほど経時での色度変化が少ないことを意味する。
【０１６６】
【表１】
2011151108.tif 000108
【０１６７】
【表２】
2011151108.tif 000109
【０１６８】
【表３】
2011151108.tif 000110
【０１６９】
【表４】
2011151108.tif 000111
【産業上の利用可能性】
【０１７０】
本発明の有機電界発光素子は、発光効率、駆動電圧、駆動耐久性等の素子性能が向上し、素子劣化時の色度変化を抑制することができるので、例えば表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信などに好適に用いられる。
【符号の説明】
【０１７１】
１      基板
２      陽極
３      正孔注入層
４      正孔輸送層
５      電子ブロック層
６      発光層
７      陰極側隣接層
８      電子輸送層
９      電子注入層
１０      陰極
１１      有機電界発光素子
【図１】
2011151108.tif 000114
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月5日(2010.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極の間に、少なくとも１層の発光層と、該発光層の陰極側に隣接する陰極側隣接層と、を少なくとも含む有機層を有してなり、
前記発光層が赤色燐光発光材料と、非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物からなるホスト材料とを含有し、
前記陰極側隣接層が、非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物を含有し、かつ前記陰極側隣接層の厚みが１ｎｍ〜１０ｎｍであり、
前記ホスト材料における非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物と、前記陰極側隣接層における非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物とが、同じ化合物であることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
陽極と陰極の間に、少なくとも１層の発光層と、該発光層の陰極側に隣接する陰極側隣接層と、を少なくとも含む有機層を有してなり、
前記発光層が赤色燐光発光材料と、ピレン誘導体骨格を有する化合物からなるホスト材料とを含有し、
前記陰極側隣接層が、ピレン誘導体骨格を有する化合物を含有し、
前記ホスト材料におけるピレン誘導体骨格を有する化合物と、前記陰極側隣接層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物とが、同じ化合物であることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項３】
発光層及び陰極側隣接層における非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物が、下記一般式（Ｉ）で表される請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化１０５】
2011151108.tif 000115
ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０の芳香族環から誘導される基である。前記芳香族環は、１又は２以上の置換基で置換されていてもよい。前記置換基は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシ基から選ばれる。前記芳香族環が２以上の置換基で置換されている場合、前記置換基は同一であっても、異なっていてもよく、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。
Ｒ１からＲ８は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシ基から選ばれる。また、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。
【請求項４】
発光層及び陰極側隣接層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が、下記一般式（ＩＩ）で表される請求項２に記載の有機電界発光素子。
【化１０６】
2011151108.tif 000116
ただし、前記一般式（ＩＩ）中、Ａｒ１ａ及びＡｒ２ａは、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基を表す。
Ｌは、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
ｍは０〜２の整数、ｎｂは１〜４の整数、ｓは０〜２の整数、ｔは０〜４の整数である。
Ｌ又はＡｒ１ａは、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ又はＡｒ２ａは、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
ただし、ｎｂ＋ｔが偶数のとき、Ａｒ１ａ、Ａｒ２ａ、Ｌは下記（１）又は（２）を満たす。
（１）Ａｒ１ａ≠Ａｒ２ａ（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）
（２）Ａｒ１ａ＝Ａｒ２ａの時
（２−１）ｍ≠ｓ及び／又はｎｂ≠ｔ、又は
（２−２）ｍ＝ｓかつｎｂ＝ｔの時、
（２−２−１）Ｌ、又はピレンが、それぞれＡｒ１ａ及びＡｒ２ａ上の異なる結合位置に結合しているか、
（２−２−２）Ｌ、又はピレンが、Ａｒ１ａ及びＡｒ２ａ上の同じ結合位置に結合している場合、Ｌ、又はＡｒ１ａ及びＡｒ２ａのピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。
【請求項５】
発光層及び陰極側隣接層における非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物が、一般式（Ｉ）において、Ｒ１からＲ８が水素原子であり、かつＡｒ１及びＡｒ２が無置換である化合物である請求項３に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
発光層及び陰極側隣接層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が、一般式（ＩＩ）において、（（Ｌ）ｍ−Ａｒ１ａ）ｎｂ及び（（Ｌ）ｓ−Ａｒ２ａ）ｔが結合していない位置が水素原子であり、かつ（（Ｌ）ｍ−Ａｒ１ａ）ｎｂ及び（（Ｌ）ｓ−Ａｒ２ａ）ｔが無置換である請求項４に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
発光層及び陰極側隣接層における非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物が、孤立電子対を有しない非含窒素アントラセン誘導体化合物である請求項３及び５のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
発光層及び陰極側隣接層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が、孤立電子対を有しないピレン誘導体骨格を有する化合物である請求項４及び６のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
赤色燐光発光材料が、中心金属がルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金の少なくともいずれかである有機金属錯体である請求項１から８のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
このようなピレン誘導体化合物として、例えば、下記のようなものが挙げられる。
【化５０】
2011151108.tif 000117
【化５１】
2011151108.tif 000118
【化５２】
2011151108.tif 000119
【化５３】
2011151108.tif 000120
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
ここで、前記陰極側隣接層に好適に用いられるピレン誘導体骨格を有する化合物の具体例について以下に挙げるが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【化５５】
2011151108.tif 000121
【化５８】
2011151108.tif 000122
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
（参考例４−１）
比較例１−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Ｊを上記構造式で表される化合物３ａに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Ｆを、上記構造式で表される化合物３ａに代えた以外は、比較例１−１と同様にして、参考例４−１の有機電界発光素子を作製した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
（参考例８−１）
比較例５−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物３ａに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体（Ａｌｑ）を、上記構造式で表される化合物３ａに代えた以外は、比較例５−１と同様にして、参考例８−１の有機電界発光素子を作製した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
（参考例１１−１）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ｂに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ｂに代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、参考例１１−１の有機電界発光素子を作製した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
（参考例１２−１）
比較例１０−１において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ｃに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるＢＡｌｑを、上記構造式で表される化合物Ｃに代えた以外は、比較例１０−１と同様にして、参考例１２−１の有機電界発光素子を作製した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６６】
【表１】
2011151108.tif 000123
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６７】
【表２】
2011151108.tif 000124
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６８】
【表３】
2011151108.tif 000125