(57)【要約】【課題】半導体レーザ素子が大型化するのを抑制するとともに、発光部間隔が大きくなるのを抑制しながら、生産性を向上させることが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】この３波長半導体レーザ装置１は、青紫色半導体レーザ素子１０と、２波長半導体レーザ素子２０と、サブマウント２とを備えている。２波長半導体レーザ素子２０の半導体基板２１の、青紫色半導体レーザ素子１０に対向配置される側面２１ｃは、サブマウント２から離れるにしたがって青紫色半導体レーザ素子１０との距離が大きくなるように形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体レーザ素子と、
前記第１半導体レーザ素子に隣接して配置されるとともに、モノリシック型の多波長半導体レーザ素子である第２半導体レーザ素子と、
前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子がジャンクションダウンで搭載される搭載部材とを備え、
前記第２半導体レーザ素子は、半導体基板を含み、
前記第２半導体レーザ素子の半導体基板の側面のうち、前記第１半導体レーザ素子に対向配置される側面は、前記搭載部材から離れるにしたがって前記第１半導体レーザ素子との距離が大きくなるように、前記半導体基板の主面の法線方向に対して傾斜していることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第１半導体レーザ素子は、レーザ光を出射する第１発光部を有し、
前記第１発光部は、前記第１半導体レーザ素子の中心よりも前記第２半導体レーザ素子側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第２半導体レーザ素子は、互いに異なる波長のレーザ光をそれぞれ出射する第２発光部および第３発光部を有し、
前記第２発光部と前記第３発光部との中心は、前記第２半導体レーザ素子の半導体基板の主面の中心よりも前記第１半導体レーザ素子側に位置していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第１半導体レーザ素子は、レーザ光を出射する第１発光部を有し、
前記第２半導体レーザ素子は、互いに異なる波長のレーザ光をそれぞれ出射する第２発光部および第３発光部を有し、
前記第２発光部は、前記第３発光部と前記第１半導体レーザ素子の第１発光部との間に配置され、
前記第１半導体レーザ素子の第１発光部と前記第２半導体レーザ素子の第２発光部との距離は、前記第２半導体レーザ素子の前記第２発光部と前記第３発光部との距離以下の大きさであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第２半導体レーザ素子の半導体基板は、主面がオフ角度を有するオフ基板を含み、
前記第２半導体レーザ素子の半導体基板の前記側面は、劈開面であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記第１半導体レーザ素子は、窒化物半導体基板を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記第２半導体レーザ素子の半導体基板は、ＧａＡｓ基板を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記第１半導体レーザ素子は、青紫色半導体レーザ素子を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記第２半導体レーザ素子は、赤外半導体レーザ素子部と、赤色半導体レーザ素子部とを含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体レーザ装置に関し、特に、複数の半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１には、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）およびＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）の記録・再生などに用いられる２波長の発光素子（多波長半導体レーザ素子）と、ＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ（登録商標））の記録・再生などに用いられる１波長の発光素子（半導体レーザ素子）と、これらが搭載される支持基体（搭載部材）とを備えた半導体発光装置（半導体レーザ装置）が開示されている。
【０００４】
この半導体発光装置では、２波長の発光素子と１波長の発光素子とが積層された状態で支持基体に搭載されている。具体的には、２波長の発光素子の発光点（発光部）側と１波長の発光素子の発光点側とが向かい合うようにして、１波長の発光素子上に２波長の発光素子が搭載されている。そして、１波長の発光素子の裏面側（発光点とは反対側）が支持基体に実装されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３２７９０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１では、１波長の発光素子（半導体レーザ素子）上に２波長の発光素子（多波長半導体レーザ素子）を接合するために、絶縁層の蒸着や接着層の蒸着などの複数のプロセスが必要であり、半導体発光装置（半導体レーザ装置）の生産性が低下するという問題点がある。
【０００７】
半導体発光装置の生産性を良くするためには、２波長の発光素子と１波長の発光素子とを積層せず、各発光素子を、並べて支持基体に実装する方法も考えられる。この場合、２波長の発光素子の発光点（特に、１波長の発光素子と反対側に配置された発光点）と、１波長の発光素子の発光点との距離が大きくなりやすいという問題点がある。上記発光点間の距離が大きくなった場合、発光点から出射した光が照射されるレンズなどの光学部材を、２波長の発光素子用と１波長の発光素子用とに共用化するのが困難になるので、１つの半導体発光装置に２波長の発光素子と１波長の発光素子とを搭載する利点が弱くなる。
【０００８】
また、上記特許文献１では、１波長の発光素子上に２波長の発光素子を搭載するので、１波長の発光素子上に、２波長の発光素子が搭載される電極を形成する必要があるとともに、その電極に外部接続用のワイヤをボンディングする必要がある。このため、電極を十分な大きさに形成する必要があり、１波長の発光素子を、少なくとも２波長の発光素子よりも大きい面積を有するように形成する必要がある。これにより、１波長の発光素子が大型化するという問題点がある。
【０００９】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、半導体レーザ素子が大型化するのを抑制するとともに、発光部間隔が大きくなるのを抑制しながら、生産性を向上させることが可能な半導体レーザ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面による半導体レーザ装置は、第１半導体レーザ素子と、第１半導体レーザ素子に隣接して配置されるとともに、モノリシック型の多波長半導体レーザ素子である第２半導体レーザ素子と、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子がジャンクションダウンで搭載される搭載部材とを備え、第２半導体レーザ素子は、半導体基板を含み、第２半導体レーザ素子の半導体基板の側面のうち、第１半導体レーザ素子に対向配置される側面は、搭載部材から離れるにしたがって第１半導体レーザ素子との距離が大きくなるように、半導体基板の主面の法線方向に対して傾斜している。
【００１１】
この一の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子を、ジャンクションダウンで搭載部材に搭載することによって、第１半導体レーザ素子の発光部と搭載部材との距離を小さくすることができるとともに、第２半導体レーザ素子の発光部と搭載部材との距離を小さくすることができる。これにより、第１半導体レーザ素子の発光部と第２半導体レーザ素子の発光部との間の相対距離のうち、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の厚み方向の距離を小さくすることができる。また、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子をジャンクションアップで搭載部材に搭載する場合に比べて、第１半導体レーザ素子の発光部および第２半導体レーザ素子の発光部の高さ位置の誤差を非常に小さく抑えることができる。また、第１半導体レーザ素子の発光部および第２半導体レーザ素子の発光部で発生する熱を搭載部材に効率よく伝達することができるので、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の放熱性を向上させることができる。
【００１２】
また、一の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子を、ジャンクションダウンで搭載部材に搭載することによって、第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子とを積層する場合と異なり、第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子とを接合するための複数のプロセスが必要でない。これにより、半導体レーザ装置の生産性が低下するのを抑制することができる。また、一の局面による半導体レーザ装置では、第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子とを積層する場合と異なり、一方の半導体レーザ素子（例えば、第１半導体レーザ素子）を大型化させる必要がないので、半導体レーザ素子が大型化するのを抑制することができる。
【００１３】
また、一の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、第２半導体レーザ素子の半導体基板の側面のうち、第１半導体レーザ素子に対向配置される側面を、搭載部材から離れるにしたがって第１半導体レーザ素子との距離が大きくなるように、半導体基板の主面の法線方向に対して傾斜させる。これにより、第２半導体レーザ素子の側面のうち、第１半導体レーザ素子に対向配置される側面を、搭載部材から離れるにしたがって第１半導体レーザ素子との距離が小さくなるように、半導体基板の主面の法線方向に対して傾斜させる場合に比べて、第１半導体レーザ素子の発光部を、第２半導体レーザ素子の発光部に近づけて配置することができる。このため、第１半導体レーザ素子の発光部と第２半導体レーザ素子の発光部との距離が大きくなるのを抑制することができる。その結果、発光部から出射した光が照射されるレンズなどの光学部材を、第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子とで共用することができるので、部品点数が増加するのを抑制することができるとともに、装置全体が大型化するのを抑制することができる。
【００１４】
上記一の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１半導体レーザ素子は、レーザ光を出射する第１発光部を有し、第１発光部は、第１半導体レーザ素子の中心よりも第２半導体レーザ素子側に配置されている。このように構成すれば、第１半導体レーザ素子の第１発光部を、第２半導体レーザ素子に、より近づけて配置することができる。これにより、第１半導体レーザ素子の第１発光部と第２半導体レーザ素子の発光部との距離が大きくなるのを、より抑制することができる。
【００１５】
上記一の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第２半導体レーザ素子は、互いに異なる波長のレーザ光をそれぞれ出射する第２発光部および第３発光部を有し、第２発光部と第３発光部との中心は、第２半導体レーザ素子の半導体基板の主面の中心よりも第１半導体レーザ素子側に位置している。このように構成すれば、第２半導体レーザ素子の第２発光部および第３発光部を、第１半導体レーザ素子に、より近づけて配置することができる。これにより、第２半導体レーザ素子の第２発光部および第３発光部と第１半導体レーザ素子の発光部との距離が大きくなるのを、より抑制することができる。
【００１６】
上記一の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１半導体レーザ素子は、レーザ光を出射する第１発光部を有し、第２半導体レーザ素子は、互いに異なる波長のレーザ光をそれぞれ出射する第２発光部および第３発光部を有し、第２発光部は、第３発光部と第１半導体レーザ素子の第１発光部との間に配置され、第１半導体レーザ素子の第１発光部と第２半導体レーザ素子の第２発光部との距離は、第２半導体レーザ素子の第２発光部と第３発光部との距離以下の大きさである。このように構成すれば、第１半導体レーザ素子の第１発光部と、第２半導体レーザ素子の第２発光部および第３発光部との距離が大きくなるのを、より抑制することができる。
【００１７】
上記一の局面による半導体レーザ装置において、第２半導体レーザ素子の半導体基板は、主面がオフ角度を有するオフ基板を含み、第２半導体レーザ素子の半導体基板の側面は、劈開面であってもよい。
【００１８】
上記一の局面による半導体レーザ装置において、第１半導体レーザ素子は、窒化物半導体基板を含んでいてもよい。
【００１９】
上記一の局面による半導体レーザ装置において、第２半導体レーザ素子の半導体基板は、ＧａＡｓ基板を含んでいてもよい。
【００２０】
上記一の局面による半導体レーザ装置において、第１半導体レーザ素子は、青紫色半導体レーザ素子を含んでいてもよい。
【００２１】
上記一の局面による半導体レーザ装置において、第２半導体レーザ素子は、赤外半導体レーザ素子部と、赤色半導体レーザ素子部とを含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００２２】
以上のように、本発明によれば、半導体レーザ素子が大型化するのを抑制するとともに、発光部間隔が大きくなるのを抑制しながら、生産性を向上させることが可能な半導体レーザ装置を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態による３波長半導体レーザ装置の構造を示した正面図である。
【図２】本発明の一実施形態による３波長半導体レーザ装置の効果を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００２５】
図１を参照して、本発明の一実施形態による３波長半導体レーザ装置１の構造について説明する。なお、３波長半導体レーザ装置１は、本発明の「半導体レーザ装置」の一例である。
【００２６】
本発明の一実施形態による３波長半導体レーザ装置１は、図１に示すように、青紫色半導体レーザ素子１０と、２波長半導体レーザ素子２０と、青紫色半導体レーザ素子１０および２波長半導体レーザ素子２０がジャンクションダウンで搭載されるサブマウント２とを備えている。なお、青紫色半導体レーザ素子１０は、本発明の「第１半導体レーザ素子」の一例であり、２波長半導体レーザ素子２０は、本発明の「第２半導体レーザ素子」の一例である。また、サブマウント２は、本発明の「搭載部材」の一例である。
【００２７】
青紫色半導体レーザ素子１０と２波長半導体レーザ素子２０とは、幅方向（Ｘ方向）に隣接して配置されている。また、青紫色半導体レーザ素子１０は、２波長半導体レーザ素子２０のＸ方向の一方側（Ｘ１方向側）に配置されている。
【００２８】
青紫色半導体レーザ素子１０は、例えば約４０５ｎｍ帯の波長のレーザ光（青紫色のレーザ光）を出射する機能を有し、ＢＤの記録・再生などに用いられる。
【００２９】
また、青紫色半導体レーザ素子１０は、約１００μｍの厚みを有するＧａＮからなる半導体基板１１と、半導体基板１１の主面１１ａ上に形成されたＧａＮ系の半導体層１２と、半導体層１２上に形成された電極層１３とを含んでいる。また、半導体基板１１の裏面上に、図示しない電極層を設けていてもよい。なお、半導体基板１１は、本発明の「窒化物半導体基板」の一例である。
【００３０】
半導体基板１１の主面１１ａは、（０００１）面であり、幅方向（Ｘ方向）に約１００μｍの幅（Ｗ１）を有する。
【００３１】
また、半導体基板１１（青紫色半導体レーザ素子１０）の端面１１ｂ（紙面に平行な面；ＸＹ平面）は、略正方形（または略長方形）に形成されている。この端面１１ｂは、劈開により形成された劈開面である。
【００３２】
また、半導体基板１１の側面１１ｃおよび１１ｄは、半導体基板１１の主面１１ａに対して略垂直（Ｙ方向）に形成されている。この側面１１ｃおよび１１ｄは、ダイシングにより形成されている。
【００３３】
半導体層１２には、紙面に対して垂直な方向（Ｚ方向）に延びる光導波路（図示せず）が形成されている。この光導波路の一方側の端部は、レーザ光を出射する発光部１２ａとなっている。なお、発光部１２ａは、本発明の「第１発光部」の一例である。
【００３４】
ここで、本実施形態では、発光部１２ａは、半導体基板１１の２波長半導体レーザ素子２０側（Ｘ２方向側）の側面１１ｄから約４０μｍの距離Ｗ２だけ離れた位置に配置されている。すなわち、発光部１２ａは、半導体基板１１（青紫色半導体レーザ素子１０）のＸ方向の中心Ｌ１よりも２波長半導体レーザ素子２０側（Ｘ２方向側）に配置されている。
【００３５】
電極層１３は、半田層３を介してサブマウント２の配線部２ａに取り付けられている。２波長半導体レーザ素子２０は、青紫色半導体レーザ素子１０から約３０μｍの距離Ｗ１１を隔てて配置されている。また、２波長半導体レーザ素子２０は、モノリシック型の２波長（多波長）半導体レーザ素子であり、約１００μｍの厚みを有するＧａＡｓからなる半導体基板２１と、半導体基板２１の主面２１ａ上の所定領域に設けられた赤色半導体レーザ素子部３０および赤外半導体レーザ素子部４０とを含んでいる。また、半導体基板２１の裏面上に、図示しない電極層を設けていてもよい。なお、半導体基板２１は、本発明の「ＧａＡｓ基板」の一例である。
【００３６】
半導体基板２１の主面２１ａは、幅方向（Ｘ方向）に、約２００μｍの幅（Ｗ２１）を有する。また、半導体基板２１は、オフ基板であり、半導体基板２１の主面２１ａは、（１００）面から［０１１］方向に約１３°のオフ角度で傾斜した面である。なお、［０１１］方向は、Ｘ方向に対して約１３°傾斜した方向である。
【００３７】
また、本実施形態では、半導体基板２１（２波長半導体レーザ素子２０）の端面２１ｂ（紙面に平行な面；ＸＹ平面）は、略平行四辺形に形成されている。具体的には、半導体基板２１の側面２１ｃおよび２１ｄは、サブマウント２から離れるにしたがって青紫色半導体レーザ素子１０との距離が大きくなるように、半導体基板２１の主面２１ａの法線方向（Ｙ方向）に対して所定の角度α（＝約１３°）傾斜している。
【００３８】
また、半導体基板２１の端面２１ｂは、劈開により形成された劈開面である。また、半導体基板２１の側面２１ｃおよび２１ｄも、端面２１ｂと同様、劈開により形成された劈開面である。
【００３９】
赤色半導体レーザ素子部３０は、例えば約６６０ｎｍ帯の波長のレーザ光（赤色のレーザ光）を出射する機能を有し、ＤＶＤの記録・再生などに用いられる。赤外半導体レーザ素子部４０は、例えば約７８５ｎｍ帯の波長のレーザ光（赤外のレーザ光）を出射する機能を有し、ＣＤの記録・再生などに用いられる。
【００４０】
また、赤色半導体レーザ素子部３０は、半導体基板２１の主面２１ａ上のＸ１方向側の部分に形成されており、赤外半導体レーザ素子部４０は、半導体基板２１の主面２１ａ上のＸ２方向側の部分に形成されている。また、赤色半導体レーザ素子部３０および赤外半導体レーザ素子部４０は、Ｘ方向に所定の間隔を隔てて配置されている。
【００４１】
また、赤色半導体レーザ素子部３０は、半導体基板２１の側面２１ｃから所定の間隔を隔てて配置されている。また、赤外半導体レーザ素子部４０は、半導体基板２１の側面２１ｄから所定の間隔を隔てて配置されている。
【００４２】
また、赤色半導体レーザ素子部３０は、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層３１と、半導体層３１上に形成された電極層３２とを含んでいる。
【００４３】
半導体層３１には、紙面に対して垂直な方向（Ｚ方向）に延びる光導波路（図示せず）が形成されている。この光導波路の一方側の端部は、レーザ光を出射する発光部３１ａとなっている。なお、発光部３１ａは、本発明の「第２発光部」の一例である。
【００４４】
発光部３１ａは、半導体基板２１のＸ１方向側の側面２１ｃから約４０μｍ離れた位置に配置されている。また、発光部３１ａは、青紫色半導体レーザ素子１０の発光部１２ａと、赤外半導体レーザ素子部４０の後述する発光部４１ａとの間に配置されている。
【００４５】
電極層３２は、半田層３を介してサブマウント２の配線部２ｂに取り付けられている。
【００４６】
赤外半導体レーザ素子部４０は、ＡｌＧａＡｓ系の半導体層４１と、半導体層４１上に形成された電極層４２とを含んでいる。
【００４７】
半導体層４１には、紙面に対して垂直な方向（Ｚ方向）に延びる光導波路（図示せず）が形成されている。この光導波路の一方側の端部は、レーザ光を出射する発光部４１ａとなっている。なお、発光部４１ａは、本発明の「第３発光部」の一例である。
【００４８】
発光部４１ａは、半導体基板２１のＸ２方向側の側面２１ｄから約５０μｍ離れた位置に配置されている。このため、本実施形態では、発光部３１ａと発光部４１ａとの中心Ｐ１は、半導体基板２１の主面２１ａのＸ方向の中心Ｌ１１よりも青紫色半導体レーザ素子１０側（Ｘ１方向側）に位置している。
【００４９】
また、本実施形態では、発光部３１ａと青紫色半導体レーザ素子１０の発光部１２ａとの距離Ｗ３１は、約１１０μｍであり、発光部３１ａと発光部４１ａとの距離Ｗ３２も、約１１０μｍである。すなわち、本実施形態では、発光部３１ａと青紫色半導体レーザ素子１０の発光部１２ａとの距離Ｗ３１は、発光部３１ａと発光部４１ａとの距離Ｗ３２と同じ大きさである。
【００５０】
電極層４２は、半田層３を介してサブマウント２の配線部２ｃに取り付けられている。      
【００５１】
サブマウント２は、青紫色半導体レーザ素子１０および２波長半導体レーザ素子２０が電気的に接続されるとともに、青紫色半導体レーザ素子１０および２波長半導体レーザ素子２０で発生する熱を放熱する機能を有する。
【００５２】
本実施形態では、上記のように、青紫色半導体レーザ素子１０および２波長半導体レーザ素子２０を、ジャンクションダウンでサブマウント２に搭載することによって、青紫色半導体レーザ素子１０の発光部１２ａとサブマウント２との距離を小さくすることができるとともに、２波長半導体レーザ素子２０の発光部３１ａおよび４１ａとサブマウント２との距離を小さくすることができる。これにより、青紫色半導体レーザ素子１０および２波長半導体レーザ素子２０の各発光部（１２ａ、３１ａおよび４１ａ）同士のＹ方向（青紫色半導体レーザ素子１０および２波長半導体レーザ素子２０の厚み方向）の距離を最小限に抑えることができ、各発光部（１２ａ、３１ａおよび４１ａ）同士の距離を抑えることができる。また、青紫色半導体レーザ素子１０および２波長半導体レーザ素子２０をジャンクションアップでサブマウント２に搭載する場合に比べて、各発光部（１２ａ、３１ａおよび４１ａ）の高さ位置（Ｙ方向の位置）の誤差を非常に小さく抑えることができる。また、各発光部（１２ａ、３１ａおよび４１ａ）で発生する熱をサブマウント２に効率よく伝達することができるので、青紫色半導体レーザ素子１０および２波長半導体レーザ素子２０の放熱性を高くすることができる。
【００５３】
また、本実施形態では、上記のように、青紫色半導体レーザ素子１０および２波長半導体レーザ素子２０を、ジャンクションダウンでサブマウント２に搭載することによって、青紫色半導体レーザ素子１０と２波長半導体レーザ素子２０とを積層する場合と異なり、青紫色半導体レーザ素子１０と２波長半導体レーザ素子２０とを接合するための複数のプロセスが必要でない。これにより、３波長半導体レーザ装置１の生産性が低下するのを抑制することができる。また、本実施形態では、青紫色半導体レーザ素子１０と２波長半導体レーザ素子２０とを積層する場合と異なり、一方の半導体レーザ素子（例えば、青紫色半導体レーザ素子１０）を大型化させる必要がないので、半導体レーザ素子（例えば、青紫色半導体レーザ素子１０）が大型化するのを抑制することができる。
【００５４】
また、本実施形態では、上記のように、２波長半導体レーザ素子２０の半導体基板２１の側面２１ｃおよび２１ｄを、サブマウント２から離れるにしたがって青紫色半導体レーザ素子１０との距離が大きくなるように、半導体基板２１の主面２１ａの法線方向に対して傾斜させる。これにより、半導体基板１１および２１の裏面側では、側面１１ｄと側面２１ｃとの距離を大きくすることができ、サブマウント２へ青紫色半導体レーザ素子１０および２波長半導体レーザ素子２０を搭載する際の作業性が向上する。また、例えば図２に示すように、２波長半導体レーザ素子１２０の半導体基板１２１の側面１２１ｃおよび１２１ｄを、サブマウント２から離れるにしたがって青紫色半導体レーザ素子１１０との距離が小さくなるように、半導体基板１２１の主面１２１ａの法線方向に対して傾斜させる場合に比べて、青紫色半導体レーザ素子１０の発光部１２ａを、２波長半導体レーザ素子２０の発光部３１ａおよび４１ａに近づけて配置することができる。このため、青紫色半導体レーザ素子１０の発光部１２ａと、２波長半導体レーザ素子２０の発光部３１ａおよび４１ａとの距離が大きくなるのを抑制することができる。その結果、発光部１２ａ、３１ａおよび４１ａから出射した光が照射されるレンズなどの光学部材（図示せず）を、青紫色半導体レーザ素子１０と２波長半導体レーザ素子２０とで共用することができるので、部品点数が増加するのを抑制することができるとともに、装置全体が大型化するのを抑制することができる。
【００５５】
なお、図２に示した構造では、青紫色半導体レーザ素子１１０の発光部１１２ａと、２波長半導体レーザ素子１２０の赤色半導体レーザ素子部１４０の発光部１４１ａとの距離Ｗ１０１は、青紫色半導体レーザ素子１１０と２波長半導体レーザ素子１２０とが接触するのを防ぐ必要があるため、容易に小さくすることはできない。このため、発光部１１２ａ、１３１ａおよび１４１ａから出射した光が照射されるレンズなどの光学部材（図示せず）を共用することは、困難である。
【００５６】
また、本実施形態では、上記のように、発光部１２ａを、青紫色半導体レーザ素子１０の中心Ｌ１よりも２波長半導体レーザ素子２０側に配置することによって、青紫色半導体レーザ素子１０の発光部１２ａを、２波長半導体レーザ素子２０に、より近づけて配置することができる。これにより、青紫色半導体レーザ素子１０の発光部１２ａと２波長半導体レーザ素子２０の発光部３１ａおよび４１ａとの距離が大きくなるのを、より抑制することができる。
【００５７】
また、本実施形態では、上記のように、発光部３１ａと発光部４１ａとの中心Ｐ１は、半導体基板２１の主面２１ａのＸ方向の中心Ｌ１１よりも青紫色半導体レーザ素子１０側に位置している。これにより、２波長半導体レーザ素子２０の発光部３１ａおよび４１ａを、青紫色半導体レーザ素子１０に、より近づけて配置することができる。その結果、２波長半導体レーザ素子２０の発光部３１ａおよび４１ａと青紫色半導体レーザ素子１０の発光部１２ａとの距離が大きくなるのを、より抑制することができる。
【００５８】
なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれる。
【００５９】
例えば、上記実施形態では、第２半導体レーザ素子（多波長半導体レーザ素子）として、２つの半導体レーザ素子部を含む２波長半導体レーザ素子を用いた例について示したが、本発明はこれに限らず、３つ以上の半導体レーザ素子部を含む多波長半導体レーザ素子を用いてもよい。
【００６０】
また、第１半導体レーザ素子として、多波長半導体レーザ素子を用いてもよい。
【００６１】
また、上記実施形態では、第２半導体レーザ素子（多波長半導体レーザ素子）を、赤外のレーザ光を出射する赤外半導体レーザ素子部と、赤色のレーザ光を出射する赤色半導体レーザ素子部とを含むように構成した例について示したが、本発明はこれに限らず、第２半導体レーザ素子を、赤外や赤色以外のレーザ光を出射する半導体レーザ素子部を含むように構成してもよい。
【００６２】
また、上記実施形態では、第１半導体レーザ素子として、青紫色のレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子を用いた例について示したが、本発明はこれに限らず、青紫色以外のレーザ光を出射する半導体レーザ素子を用いてもよい。
【００６３】
また、上記実施形態では、第２半導体レーザ素子（２波長半導体レーザ素子）を、ＧａＡｓからなる半導体基板を用いて形成した場合について示したが、本発明はこれに限らず、ＧａＡｓ以外からなる半導体基板を用いて形成してもよい。
【００６４】
また、上記実施形態では、第１半導体レーザ素子を、ＧａＮからなる半導体基板を用いて形成した場合について示したが、本発明はこれに限らず、ＧａＮ以外からなる半導体基板を用いて形成してもよい。
【００６５】
また、上記実施形態では、２波長半導体レーザ素子の半導体基板の主面を、（１００）面から［０１１］方向に約１３°のオフ角度で傾斜させた例について示したが、本発明はこれに限らず、半導体基板の主面を、約１３°以外のオフ角度で傾斜させてもよい。
【００６６】
また、上記実施形態では、青紫色半導体レーザ素子の発光部１２ａと２波長半導体レーザ素子の発光部３１ａとの距離Ｗ３１を約１１０μｍにするとともに、２波長半導体レーザ素子の発光部３１ａと発光部４１ａとの距離Ｗ３２を約１１０μｍにした例について示したが、本発明はこれに限らず、青紫色半導体レーザ素子の発光部１２ａと２波長半導体レーザ素子の発光部３１ａとの距離Ｗ３１や、２波長半導体レーザ素子の発光部３１ａと発光部４１ａとの距離Ｗ３２を、約１１０μｍ以外の大きさにしてもよい。この場合、距離Ｗ３１およびＷ３２は、約１１０μｍよりも小さい方が好ましい。
【００６７】
また、距離Ｗ３１を、距離Ｗ３２よりも小さくしてもよい。青紫色半導体レーザ素子および２波長半導体レーザ素子のサブマウントに対する搭載精度を向上させれば、青紫色半導体レーザ素子と２波長半導体レーザ素子との距離Ｗ１１をより小さくすることが可能であるので、距離Ｗ３１を、容易に、距離Ｗ３２よりも小さくすることが可能である。
【００６８】
また、上記実施形態では、青紫色半導体レーザ素子および２波長半導体レーザ素子を、サブマウントに搭載した例について示したが、本発明はこれに限らず、青紫色半導体レーザ素子および２波長半導体レーザ素子を、サブマウント以外の搭載部材に搭載してもよい。
【符号の説明】
【００６９】
１  ３波長半導体レーザ装置（半導体レーザ装置）
２  サブマウント（搭載部材）
１０  青紫色半導体レーザ素子（第１半導体レーザ素子）
１１  半導体基板（窒化物半導体基板）
１２ａ  発光部（第１発光部）
２０  ２波長半導体レーザ素子（第２半導体レーザ素子）
２１  半導体基板（ＧａＡｓ基板）
２１ａ  主面
２１ｃ、２１ｄ  側面
３０  赤色半導体レーザ素子部
３１ａ  発光部（第２発光部）
４０  赤外半導体レーザ素子部
４１ａ  発光部（第３発光部）
Ｌ１、Ｌ１１、Ｐ１  中心
Ｗ３１、Ｗ３２  距離
【図１】
2011049293.tif 000003
【図２】
2011049293.tif 000004