(57)【要約】  【課題】基板検査ユニットを組み込むにあたって占有面積が狭く、不利なレイアウトを避けることができる塗布装置及び現像装置を提供すること。  【解決手段】レジスト膜形成用のブロックまたは現像処理用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、レジスト膜形成用のブロックは、レジスト液を基板に塗布するための液処理ユニット及びレジスト液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、を備える。現像処理用のブロックは、現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを備える。基板検査用のブロックは、基板を検査する基板検査ユニットとこの基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備える。【選択図】図３
2011077549.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を形成する塗布装置において、
ａ．レジスト膜形成用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．レジスト膜形成用のブロックは、レジスト液を基板に塗布するための液処理ユニット及びレジスト液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ．基板検査用のブロックは、基板を検査する基板検査ユニットとこの基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間において、レジスト膜形成用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置され、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージと、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備えていることを特徴とする塗布装置。
【請求項２】
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を形成した後、インターフェイスブロックに受け渡す塗布装置において、
ａ．レジスト膜形成用のブロックと直行搬送ブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．レジスト膜形成用のブロックは、レジスト液を基板に塗布するための液処理ユニット及びレジスト液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ．前記直行搬送ブロックに設けられ、キャリアブロック側からインターフェイスブロックへレジスト膜が形成された基板を直行搬送する搬送手段と、
を備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間において、レジスト膜形成用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージと、各受け渡しステージ及び前記直行搬送ブロックに設けられた搬送手段に対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を設け、
ｅ．前記レジスト膜形成用のブロックに、当該ブロック用の搬送手段により搬送される基板の検査を行う基板検査ユニットが設けられていることを特徴とする塗布装置。
【請求項３】
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を形成した後、インターフェイスブロックに搬送する塗布装置において、
ａ．レジスト膜形成用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．レジスト膜形成用のブロックは、レジスト液を基板に塗布するための液処理ユニット及びレジスト液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ．基板検査用のブロックは、基板を検査する基板検査ユニットとこの基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間において、レジスト膜形成用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージと、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備えていることを特徴とする塗布装置。
【請求項４】
前記レジスト膜形成用のブロックには、塗布液を基板に塗布するための液処理ユニット及び前記塗布液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備えた塗布膜形成用のブロックが積層され、
前記受け渡しステージは、この塗布膜形成用のブロックに対応する高さ位置にも配置されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の塗布装置。
【請求項５】
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す現像装置において、
ａ．現像処理用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．現像処理用のブロックは、現像液を基板に塗布するための液処理ユニットと、この液処理ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ．基板検査用のブロックは、基板を検査する基板検査ユニットとこの基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間において、現像処理用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージと、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備えていることを特徴とする現像装置。
【請求項６】
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を形成する塗布装置において、
ａ．レジスト膜形成用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．レジスト膜形成用のブロックは、レジスト液を基板に塗布するための液処理ユニット及びレジスト液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ．基板検査用のブロックは、基板を検査する基板検査ユニットとこの基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間において、レジスト膜形成用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置され、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージと、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備える塗布装置を用いて塗布処理を行う方法であって、
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、レジスト膜形成用のブロックにて基板にレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜を形成した基板を、基板検査用のブロックに設けられた基板検査ユニットにブロック用の搬送手段により搬送して検査を行う工程と、
この工程で検査された基板をキャリアブロックに受け渡す工程と、
を含むことを特徴とする塗布方法。
【請求項７】
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を形成した後、インターフェイスブロックに受け渡す塗布装置において、
ａ．レジスト膜形成用のブロックと直行搬送ブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．レジスト膜形成用のブロックは、レジスト液を基板に塗布するための液処理ユニット及びレジスト液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ．前記直行搬送ブロックに設けられ、キャリアブロック側からインターフェイスブロックへレジスト膜が形成された基板を直行搬送する搬送手段と、
を備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間において、レジスト膜形成用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージと、各受け渡しステージ及び前記直行搬送ブロックに設けられた搬送手段に対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を設け、
ｅ．前記レジスト膜形成用のブロックに、当該ブロック用の搬送手段により搬送される基板の検査を行う基板検査ユニットが設けられている塗布装置を用いて塗布処理を行う方法であって、
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、レジスト膜形成用のブロックにて基板にレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜を形成した基板を、基板検査用のブロックに設けられた基板検査ユニットにブロック用の搬送手段により搬送して検査を行う工程と、
この工程で検査された基板を直行搬送ブロックを通してインターフェイスブロックに搬送する工程と、
を含むことを特徴とする塗布方法。
【請求項８】
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を形成した後、インターフェイスブロックに搬送する塗布装置において、
ａ．レジスト膜形成用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．レジスト膜形成用のブロックは、レジスト液を基板に塗布するための液処理ユニット及びレジスト液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ．基板検査用のブロックは、基板を検査する基板検査ユニットとこの基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間において、レジスト膜形成用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージと、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備えている塗布装置を用いて塗布処理を行う方法であって、
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、レジスト膜形成用のブロックにて基板にレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜を形成した基板を、基板検査用のブロックに設けられた基板検査ユニットに搬送して検査を行う工程と、
この工程で検査された基板を基板検査用のブロックを通してインターフェイスブロックに搬送する工程と、
を含むことを特徴とする塗布方法。
【請求項９】
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す現像装置において、
ａ．現像処理用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．現像処理用のブロックは、現像液を基板に塗布するための液処理ユニットと、この液処理ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ．基板検査用のブロックは、基板を検査する基板検査ユニットとこの基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間において、現像処理用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージと、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備えている現像装置を用いた現像方法において、
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、現像処理用のブロックにて現像処理する工程と、
次いで現像処理後の基板を、前記基板検査用のブロックに設けられた基板検査ユニットにて検査する工程と、
その後基板を前記キャリアブロックに受け渡す工程と、を含むことを特徴とする現像方法。
【請求項１０】
基板にレジスト膜を形成する塗布装置またはレジスト膜が形成された基板を現像する現像装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項６ないし９のいずれか一つに記載の塗布方法または現像方法を実施するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理及び露光後の現像処理を行う塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実施するコンピュータプログラムを含んだ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスの一つとして、基板にレジスト膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程があり、このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われる。  
そしてレジストパターンが形成された基板については、所定の検査、例えばレジストパターンの線幅、レジストパターンと下地パターンとの重なり具合、及び現像欠陥などの検査が行われ、合格と判定された基板のみが次工程に送られる。このような基板の検査は、塗布、現像装置とは別個に設けられたスタンドアローンの検査装置により行われる場合が多いが、塗布、現像装置内に基板検査装置を設けるいわゆるインラインシステムを採用した方が便利である。
【０００３】
特許文献１には、このようなインラインシステムを採用した塗布、現像装置が記載されている。この装置は、図１４に示すようにキャリアブロックＰ１の奥側に処理ブロックＰ２及びインターフェイスブロックＰ３が接続されて構成され、インターフェイスブロックＰ３には露光装置Ｐ４が接続されている。キャリアブロックＰ１は、基板を複数枚収納したキャリア１０が搬入されるキャリアステージ１１と、キャリアステージ１１上のキャリア１０との間で基板の受け渡しを行う受け渡しアーム１２とを備えている。キャリア１０内の基板は受け渡しアーム１２を介して処理ブロックＰ２に搬入され、ここでレジスト膜が形成され、その後インターフェイスブロックＰ３を介して露光装置Ｐ４内に搬入されて露光が行われる。露光後の基板はインターフェイスブロックＰ３を介して処理ブロックＰ２内に搬入され、ここで現像処理が行われ、受け渡しアーム１２に受け渡される。
【０００４】
そしてキャリアブロックＰ１の側方には基板検査ユニット１３が設けられており、現像処理された基板は受け渡しアーム１２から中間ステージ１５及び専用のアーム１４を介して基板検査ユニット１３に搬入され、既述の所定の検査が行われる。検査が行われた基板は逆の経路で受け渡しアーム１２に受け渡され、元のキャリア１０内に戻される。
【０００５】
ところで、基板検査ユニット１３をキャリアブロックＰ１以外に接続すると、例えば基板検査ユニット１３をインターフェイスブロックＰ３に設けようとすると、現像後の基板がインターフェイスブロックＰ３側に戻る格好になるので、搬送が複雑になり、搬送効率の低下を招くことになるし、またインターフェイスブロックＰ３には、露光装置との間の処理速度の差異を吸収するためのバッファカセットや基板を露光装置の温度に高精度に設定する温度調整ユニットなどが配置されるためスペースが不足し、仮に基板検査ユニットを配置するとインターフェイスブロックＰ３が大型化する。また基板検査ユニット１３を処理ブロックＰ２に設けることはスペース的にも搬送経路の点でも無理がある。
【０００６】
このようなことから、基板検査ユニット１３をキャリアブロックＰ１に接続しているが、この構成の大きな利点としては、処理ブロックＰ２のメンテナンスなどにより塗布、現像処理を休止しているときでも、キャリアブロックＰ１を通じて外部からの基板を基板検査ユニット１３に搬入することができるので、いわば基板検査ユニット１３を単独で使用できる点が挙げられる。
【０００７】
しかしながら基板検査ユニット１３をキャリアブロックＰ１の側方に接続すると、基板検査ユニット１３が横に飛び出してしまうため、クリーンルーム内に設置するにあたってスペース効率が悪く、周辺機器などの配置やメンテナンススペースの確保などの点からも扱いにくい構造といえる。特に基板が大型化すると、例えば基板である半導体ウエハ（以下ウエハという）のサイズが１２インチ以上ともなる大型のものになってくると、基板検査ユニット１３の平面構造が大きくなって、横への飛び出し部分が大きくなり、益々不利になってくる。
【０００８】
また特許文献２には、キャリアブロックと処理ブロックとの間に基板検査ユニットを配置した検査ブロックを設けている構成が記載されているが、このようなレイアウトは、処理ブロックのレイアウトも含めて広い設置スペースが必要になり、また検査ブロックに設けられる基板の搬送機構がキャリアステーションと処理ブロックとの間の受け渡しを行うと共に検査ユニットへの基板の搬送も行うので当該搬送機構の負担が大きくなるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−３３２６６号公報（段落００９５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板検査ユニットを組み込むにあたって、占有面積が狭く不利なレイアウトを避けることができる塗布、現像装置を提供することにあり、また他の目的は、塗布、現像装置を運転し、処理後の基板の検査を行うにあたり、スループットの向上を図れる塗布、現像方法及びその方法を実施するコンピュータプログラムを含んだ記憶媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の塗布、現像装置は、キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ．複数の塗布膜形成用のブロックと現像処理用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．各塗布膜形成用のブロックは、塗布液を基板に塗布するための液処理ユニット及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備えると共に、複数の塗布膜形成用のブロックの少なくとも一つは、レジスト液塗布用の液処理ユニットを含み、
ｃ．現像処理用のブロックは、露光された基板を加熱処理するための加熱ユニット及び現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間に、複数の塗布膜形成用のブロック、現像処理用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージからなる棚状の受け渡しステージ群と、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を設け、
ｅ．前記塗布膜形成用のブロック、現像処理用のブロックの少なくともいずれか一方に各ブロックの基板搬送手段により搬送される基板の検査を行う基板検査ユニットが設けられていることを特徴とする。
【００１２】
この装置において例えば塗布膜形成用のブロックには、レジスト膜形成後の基板を検査するための基板検査ユニットが設けられ、現像処理用のブロックには、現像処理後の基板を検査する基板検査ユニットが設けられ、また例えば塗布膜形成用のブロック及び／または現像処理用のブロックの搬送手段は、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ向かって設けられた基板搬送用の通路を移動し、液処理ユニットと加熱処理ユニットを含む処理ユニットとが前記搬送用通路を挟んで夫々設けられ、基板検査ユニットは、液処理ユニット及び処理ユニット側の少なくとも一方に設けられててもよい。
【００１３】
他の発明の塗布、現像装置は、キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ．複数の塗布膜形成用のブロックと現像処理用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．各塗布膜形成用のブロックは、塗布液を基板に塗布するための液処理ユニット及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備えると共に、複数の塗布膜形成用のブロックの少なくとも一つは、レジスト液塗布用の液処理ユニットを含み、
ｃ．現像処理用のブロックは、露光された基板を加熱処理するための加熱ユニット及び現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｄ．基板検査用のブロックは、基板を検査する複数の基板検査ユニットとこれら基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え
ｅ．キャリアブロックと処理ブロックとの間に、複数の塗布膜形成用のブロック、現像処理用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージからなる棚状の受け渡しステージ群と、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備えていることを特徴とする。
【００１４】
上記塗布、現像装置において、基板検査用のブロックは、レジスト膜形成後の基板を検査するための基板検査ユニットと現像処理後の基板を検査するための基板検査ユニットと、を備え、レジスト膜形成後の基板は、基板検査ユニットで検査された後、当該基板検査用のブロックを通ってインターフェイスブロックに搬送されてもよい。
【００１５】
これらの塗布、現像装置において、キャリアブロック側からインターフェイスブロックへ塗布膜が形成された基板を直行搬送する搬送手段が設けられた直行搬送ブロックが処理ブロックに更に積層されていてもよい。
【００１６】
本発明の塗布、現像方法は、
ａ．複数の塗布膜形成用のブロックと現像処理用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．各塗布膜形成用のブロックは、塗布液を基板に塗布するための液処理ユニット及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備えると共に、複数の塗布膜形成用のブロックの少なくとも一つは、レジスト液塗布用の液処理ユニットを含み、
ｃ．現像処理用のブロックは、露光された基板を加熱処理するための加熱ユニット及び現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｄ．キャリアブロックと処理ブロックとの間に、複数の塗布膜形成用のブロック、現像処理用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージからなる棚状の受け渡しステージ群と、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を設け、
ｅ．前記塗布膜形成用のブロックには、レジスト膜形成後の基板を検査するための基板検査ユニットが設けられ、現像処理用のブロックには、現像処理後の基板を検査する基板検査ユニットが設けられて、
ｆ．キャリアブロック側からインターフェイスブロックへ塗布膜が形成された基板を直行搬送する搬送手段が設けられた直行搬送ブロックが処理ブロックに更に積層された
塗布、現像装置を用いて塗布、現像を行う方法であって、
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、塗布膜形成用のブロックにて基板にレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜を形成した基板を塗布膜形成用のブロックに設けられた基板検査ユニットにブロック用搬送手段により搬送して検査を行う工程と、
この工程で検査された基板を直行搬送ブロックを通してインターフェイスブロックに搬送する工程と、
露光後の基板を現像処理用のブロックにて現像処理する工程と、
次いで現像処理後の基板を、現像処理用のブロックに設けられた基板検査ユニットにて検査する工程と、
その後基板を前記キャリアブロックに受け渡す工程と、を含むことを特徴とする。
【００１７】
また他の発明の塗布、現像方法は、
ａ．複数の塗布膜形成用のブロックと現像処理用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．各塗布膜形成用のブロックは、塗布液を基板に塗布するための液処理ユニット及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備えると共に、複数の塗布膜形成用のブロックの少なくとも一つは、レジスト液塗布用の液処理ユニットを含み、
ｃ．現像処理用のブロックは、露光された基板を加熱処理するための加熱ユニット及び現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｄ．基板検査用のブロックは、レジスト塗布後の基板を検査する検査ユニット及び現像処理後の基板を検査する基板検査ユニットと、これら基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え
ｅ．キャリアブロックと処理ブロックとの間に、複数の塗布膜形成用のブロック、現像処理用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージからなる棚状の受け渡しステージ群と、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備えている塗布、現像装置を用いて塗布、現像を行う方法であって、
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、塗布膜形成用のブロックにて基板にレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜を形成した基板を、基板検査用のブロックに設けられた基板検査ユニットにブロック用搬送手段により搬送して検査を行う工程と、
この工程で検査された基板を基板検査用のブロックを通してインターフェイスブロックに搬送する工程と、
露光後の基板を現像処理用のブロックにて現像処理する工程と、
次いで現像処理後の基板を、前記基板検査用のブロックに設けられた基板検査ユニットにて検査する工程と、
その後基板を前記キャリアブロックに受け渡す工程と、を含むことを特徴とする。
【００１８】
更に他の発明の塗布、現像方法は、
ａ．複数の塗布膜形成用のブロックと現像処理用のブロックと基板検査用のブロックとを互いに積層して処理ブロックを構成し、
ｂ．各塗布膜形成用のブロックは、塗布液を基板に塗布するための液処理ユニット及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備えると共に、複数の塗布膜形成用のブロックの少なくとも一つは、レジスト液塗布用の液処理ユニットを含み、
ｃ．現像処理用のブロックは、露光された基板を加熱処理するための加熱ユニット及び現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｄ．基板検査用のブロックは、レジスト塗布後の基板を検査する検査ユニット及び現像処理後の基板を検査する基板検査ユニットと、これら基板検査ユニットに基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備え
ｅ．キャリアブロックと処理ブロックとの間に、複数の塗布膜形成用のブロック、現像処理用のブロック、基板検査用のブロックに夫々対応する高さ位置に配置された、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための複数の受け渡しステージからなる棚状の受け渡しステージ群と、各受け渡しステージに対して基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な上下搬送手段と、を備え、
ｆ．キャリアブロック側からインターフェイスブロックへ塗布膜が形成された基板を直行搬送する搬送手段が設けられた直行搬送ブロックが処理ブロックに更に積層された塗布、現像装置を用いて塗布、現像を行う方法であって、
キャリアによりキャリアブロックに搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、塗布膜形成用のブロックにて基板にレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜を形成した基板を、基板検査用のブロックに設けられた基板検査ユニットにブロック用搬送手段により搬送して検査を行う工程と、
この工程で検査された基板を直行搬送ブロックを通してインターフェイスブロックに搬送する工程と、
露光後の基板を現像処理用のブロックにて現像処理する工程と、
次いで現像処理後の基板を、前記基板検査用のブロックに設けられた基板検査ユニットにて検査する工程と、
その後基板を前記キャリアブロックに受け渡す工程と、を含むことを特徴とする。
【００１９】
本発明の記憶媒体は、基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を現像処理する塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、既述の塗布、現像方法を実施するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、各々基板検査ユニットが設けられた塗布膜形成用のブロック及び現像処理用のブロックを上下に積層することで基板検査ユニットが塗布、現像装置本体から横へ飛び出すといった不利な装置レイアウトとならず、無理のないレイアウトを実現でき、また装置の設置スペースも小さくて済む。
また他の発明によれば、基板検査ユニットが設けられた基板検査用のブロックを、塗布膜形成用のブロック及び現像処理用のブロックに積層しているため、先の発明と同様に不利なレイアウトとはならず、また装置の設置スペースをより一層小さくできる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明に係る塗布、現像装置の実施の形態を示す平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置を示す斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。
【図４】前記塗布、現像装置の現像を行うＤＥＶ層及びウエハの直行搬送を行う搬送ブロックの斜視図である。
【図５】前記塗布、現像装置のウエハの搬送経路を示す模式図である。
【図６】本発明の他の実施の形態に係る塗布、現像装置を示す斜視図である。
【図７】前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。
【図８】前記塗布、現像装置の検査ブロックの横断平面図である。
【図９】前記塗布、現像装置のウエハの搬送経路を示す模式図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施の形態に係る塗布、現像装置を示す斜視図である。
【図１１】前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。
【図１２】前記塗布、現像装置の検査ブロックの横断平面図である。
【図１３】前記塗布、現像装置のウエハの搬送経路を示す模式図である。
【図１４】塗布、現像装置の従来例を示す略解平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明に係る塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムの実施の形態について説明する。図１は、このシステムの一実施の形態における平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この塗布、現像装置は、基板例えばウエハであるウエハＷが１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば４個のブロックＢ１〜Ｂ４及び搬送ブロックＭ１を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。
【００２３】
前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述するＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に対応する受け渡しステージＴＲＳ１、搬送ブロックＭ１に対応する受け渡しステージＴＲＳ１Ｂ及びＢＣＴ層Ｂ３に対応する受け渡しステージＴＲＳ３の間でウエハＷの受け渡しを行うように進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。
【００２４】
キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４により周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では下方側から、現像処理を行うための第１の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ２、搬送ブロックＭ１、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）の形成処理を行うための第３の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３、レジスト液の塗布処理を行うための第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４として割り当てられている。これら単位ブロックＢ１〜Ｂ４及び搬送ブロックＭ１はキャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側へ向かって伸びている。
【００２５】
前記ＤＥＶ層Ｂ１、Ｂ２が現像処理用のブロック、ＢＣＴ層Ｂ３及びＣＯＴ層Ｂ４が感光材料例えばレジストからなる塗布膜を形成するための塗布膜形成用のブロックに夫々相当する。ＤＥＶ層Ｂ２と搬送ブロックＭ１との間、搬送ブロックＭ１とＢＣＴ層Ｂ３との間、ＢＣＴ層Ｂ３とＣＯＴ層Ｂ４との間は夫々仕切り板（ベース体）４６により区画されている。
【００２６】
続いて第１〜第４のブロックＢ（Ｂ１〜Ｂ４）の構成について説明するが本実施形態においてこれらのブロックＢ１〜Ｂ４には共通部分が多く含まれており、各ブロックＢは略同様のレイアウトで構成されている。そこでＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２を例として図１、図４を参照しながら説明する。このＤＥＶ層Ｂ１の中央部には、横方向、詳しくはＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の長さ方向（図中Ｙ方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とを接続するためのウエハＷの搬送用通路Ｒ１が形成されている。
【００２７】
この搬送用通路Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見て、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側には、液処理ユニットとして現像液の塗布処理を行うための複数個の塗布部を備えた現像ユニット３１，３２が互いに積層され、搬送用通路Ｒ１に沿って設けられている。なおＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２はこの実施形態においては互いに仕切られておらず、一体的に形成されているが、便宜上現像ユニット３１を含む水平領域をＤＥＶ層Ｂ１，現像ユニット３２を含む水平領域をＤＥＶ層Ｂ２と称する。
【００２８】
現像ユニット３１，３２は夫々露光後のウエハＷに現像処理を行うための液処理ユニットとして構成されており、筺体３０を備え、各筺体３０内には複数個例えば３個の現像部３３が配置されている。現像部３３はウエハＷを保持して回転させるウエハ保持部と、このウエハ保持部を囲むカップ３４などを備えており、不図示の薬液ノズルから現像液がウエハＷ表面に供給され、現像液の液膜を形成されて現像処理が行われる。その後図示しない洗浄液供給機構からの洗浄液によりウエハＷ表面の現像液が洗い流され、続いてウエハＷが回転されて乾燥されることにより現像処理が終了する。なお図中３０ａはウエハＷの搬送口である。
【００２９】
またＤＥＶ層Ｂ１の手前側から奥側に向かって左側には、現像ユニット３１，３２にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の熱系処理ユニット及びウエハＷに対して所定の検査を行う検査ユニットを多段化した３個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３が順に搬送用通路Ｒ１に沿って設けられている。即ち現像ユニット３１，３２と棚ユニットＵ１〜Ｕ３とが搬送用通路Ｒ１を介して対向して配列されている。またこれら棚ユニットＵ１〜Ｕ３の下層には排気ユニット３５が設けられている。排気ユニット３５は搬送用通路Ｒ１に面して開口された吸引口３６を備えており、この吸引口３６を介して搬送用通路Ｒ１の排気を行う。なお図中４７は装置の床板である。
【００３０】
上述の熱系処理ユニットの中には、例えば露光後のウエハＷを加熱処理したり、現像処理後のウエハＷを乾燥させるために加熱処理したりする加熱ユニットや、加熱ユニットにおける処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット等が含まれている。なおこの実施形態では例えば前記棚ユニットＵ１として加熱ユニット４１が３段に積層され、棚ユニットＵ２として冷却ユニット４２が３段に積層されている。
【００３１】
棚ユニットＵ３は、例えば２段に積層された、現像処理後のウエハＷの検査を行う基板検査ユニット４３により構成される。各基板検査ユニット４３は、現像処理の不具合及び欠陥を検出するための欠陥検査装置、基板表面の異物を検査する異物検査装置、基板上に形成されたレジスト膜のパターンの線幅（ＣＤ）を測定するための線幅測定装置、露光後の基板とフォトマスクとの重ね合わせ精度を検査するための重ね合わせ検査装置、現像処理後の基板に残存するレジスト残渣を検出するための残渣検査装置、露光装置にて生じるパターンの位置ずれを検出するためのデフォーカス検査装置などの検査装置が夫々ユニット化されたものであり、所望の検査の種類に応じて選択される。なお実際には各検査ユニット４３の配置数及び配置レイアウトは、所望の検査の種類や配置できるスペースに応じて決められることになる。
【００３２】
加熱ユニット４１、冷却ユニット４２、検査ユニット４３は夫々筺体を備え、各筺体の搬送用通路Ｒ１に面した前面にはウエハＷの受け渡しを行うための搬送口４０が開口している。
【００３３】
図中Ａ１は前記搬送用通路Ｒ１に設けられたウエハＷのブロック用の搬送手段であるメインアームであり、このメインアームＡ１は、棚ユニットＵ１〜Ｕ３の各処理ユニット４１，４２及び検査ユニット４３、現像ユニット３１，３２、後述する棚ユニットＵ５の受け渡しステージ及び棚ユニットＵ６の受け渡しステージとの間でウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。メインアームＡ１は例えばウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２枚のアーム体５１，５２及びこれらアーム体５１，５２を支持する搬送基体を備えており、アーム体５１，５２は、搬送基体５３上を独立して進退自在に構成されている。図中５４，５５はこの搬送基体５３をガイドするためのガイドレールである。ガイドレール５４はガイドレール５５に係止されており、搬送基体５３はこのガイドレール５４、５５に沿って昇降自在、移動自在、また鉛直軸周りに回転自在に構成されている。
【００３４】
次に搬送ブロックＭ１について図１、図３及び図４を参照しながら説明する。この搬送ブロックＭ１はＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２とＢＣＴ層Ｂ３との間に設けられ、当該搬送ブロックＭ１においてウエハＷは、キャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側へ直行して搬送される。この搬送ブロックＭ１はＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の搬送用通路Ｒ１及びＢＣＴ層Ｂ３の搬送用通路Ｒ１とは夫々仕切り板により仕切られた搬送領域Ｍ２と直行搬送手段であるシャトルアーム６とを含んでいる。なお図示の便宜上図４において前記仕切り板４６は省略している。
【００３５】
シャトルアーム６は例えば移動部６Ａと駆動部６Ｂとにより構成され、移動部６Ａは例えば搬送用通路Ｒ１と並行する搬送領域Ｍ２に沿って移動できるように設けられている。移動部６Ａは例えばウエハＷの裏面側周縁領域を支持するためのアーム体６１を備えており、このアーム体６１は搬送基体６２上を進退自在に構成されている。また搬送基体６２は、移動基体６３上に鉛直軸回りに回転自在に設けられている。なお大きさに限定されなければ、搬送基体６２を昇降させる機構が設けられていてもよい。図中６４は、駆動部６Ｂに設けられたガイドレールであり、搬送領域Ｍ２に沿って伸びており、前記移動部６Ａを横方向にガイドする役割を有する。移動部６Ａは後述の棚ユニットＵ５に設けられた受け渡しステージＴＲＳ１Ｂと棚ユニットＵ６に設けられた受け渡しステージＴＲＳ６Ｂとの間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００３６】
搬送用通路Ｒ１及び搬送領域Ｍ２におけるキャリアブロックＳ１と隣接する領域は、第１のウエハ受け渡し領域Ｒ２となっていて、この領域Ｒ２には、図１及び図３に示すようにメインアームＡ１と、シャトルアーム６の移動部６Ａと、トランスファーアームＣとがアクセスできる位置に棚状の受け渡しステージ群を構成する棚ユニットＵ５が設けられると共にこの棚ユニットＵ５に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在の上下搬送手段である受け渡しアームＤ１が設けられている。
【００３７】
この棚ユニットＵ５において、搬送ブロックＭ１に対応する高さ位置には受け渡しステージ１Ｂが、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に対応する高さ位置には例えば２基の受け渡しステージＴＲＳ１が夫々設けられており、受け渡しステージＴＲＳ１ＢにはトランスファーアームＣ、前記シャトルアーム６の移動部６Ａ及び受け渡しアームＤ１がアクセスできるように構成されている。受け渡しステージＴＲＳ１にはメインアームＡ１、トランスファーアームＣ及び受け渡しアームＤ１が夫々アクセスできるように構成されている。
【００３８】
各受け渡しステージＴＲＳ１及び受け渡しステージＴＲＳ１Ｂは例えば方形の筺体を備え、それらの各筺体内にはウエハＷを載置することでウエハＷの温度を予定した温度に調節する機構を備えたステージが設けられており、また当該ステージ上を突没自在なピンが設けられている。そして各受け渡しステージは、例えば筺体の各アームに向かう側面に設けられた搬送口を介して各アームが前記筺体内に進入し、前記ピンを介してステージから浮いたウエハＷの裏面を各アームが保持することができる、または前記ピンを介してプレート上に各アームにより搬送されたウエハＷが載置されるような構造を備えている。
【００３９】
なおこの例では図３に示すようにＢＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４に対応する高さ位置には各２基の受け渡しステージＴＲＳ３，ＴＲＳ４が設けられている。各ＴＲＳ３，４はすべて既述のＴＲＳ１のような構造を有しており、受け渡しステージＴＲＳ３，ＴＲＳ４は、各ＢＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４に設けられたメインアームＡ３，Ａ４及び受け渡しアームＤ１とウエハＷの受け渡しができるように構成されている。また受け渡しステージＴＲＳ３にはこれらのアームの他にトランスファーアームＣともウエハＷの受け渡しができるように構成されている。ところで各ＴＲＳの数は限定されるものではなく、各ブロックに対応して２基以上設けられていてもよい。
【００４０】
前記受け渡しアームＤ１はＢ１からＢ４の各層を移動して、各層に設けられた受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ４，ＴＲＳ１Ｂに対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。また前記受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ１Ｂは、この例ではトランスファーアームＣとの間でウエハＷの受け渡しが行われるように構成されている。
【００４１】
ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の搬送用通路Ｒ１及び搬送ブロックＭ１の搬送領域Ｍ２におけるインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域は、第２のウエハ受け渡し領域Ｒ３となっていて、この領域Ｒ３には、図３に示すように棚状の受け渡しステージ群を構成する棚ユニットＵ６が設けられている。棚ユニットＵ６の搬送ブロックＭ１に対応する高さ位置には受け渡しステージＴＲＳ６Ｂが、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に対応する高さ位置にはＴＲＳ６が夫々設けられており、受け渡しステージＴＲＳ６Ｂはシャトルアーム６とインターフェイスアームＩとの間で夫々ウエハＷの受け渡しを行う。
【００４２】
また受け渡しステージＴＲＳ６はメインアームＡ１及びインターフェイスアームＩとの間で夫々ウエハＷの受け渡しを行う。受け渡しステージＴＲＳ６Ｂ，ＴＲＳ６は例えば既述の受け渡しステージＴＲＳ１，１Ｂと同様の構造を有しており、ウエハＷの冷却機能を備え、受け渡されたウエハＷの温調管理ができるように構成されている。
【００４３】
また処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＩが備えられている。このインターフェイスアームＩは、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
なお既述の受け渡しアームＤ１も、鉛直軸回りに回転しない他はインターフェイスアームＩと同様に構成されている。
【００４４】
このインターフェイスアームＩは、処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間に介在するウエハＷの搬送手段をなすものであり、搬送ブロックＭ１に対応する受け渡しステージＴＲＳ６ＢからウエハＷを受け取り、露光装置Ｓ４へ搬入する一方で、露光装置Ｓ４からウエハＷを受け取り、受け渡しステージＴＲＳ６に受け渡すように構成されている。
【００４５】
次にＢＣＴ層Ｂ３及びＣＯＴ層Ｂ４について簡単に説明する。ＢＣＴ層Ｂ３及びＣＯＴ層Ｂ４は、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２と略同様に構成されており、差異としては液処理ユニットの薬液として現像液の代わりに反射防止膜形成用の薬液あるいはレジスト膜形成用の薬液（レジスト液）が用いられる点、薬液の塗布の手法が異なる点が挙げられ、また各棚ユニットを構成する加熱系、冷却系のユニットにおける処理条件が異なる点などが挙げられる。またインターフェイスＳ３側に棚ユニットＵ６が配置されておらず、例えば図３に示すように搬送用通路Ｒ１とウエハ受け渡し領域Ｒ３に相当する領域とを区画するように遮蔽板４８が設けられている。
【００４６】
その他の差異点としてＢＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４には夫々１基の排気ユニット３５が設けられ、各排気ユニット３５の上層には搬送用通路Ｒ１に沿って例えば４基の棚ユニットが設けられ、これらの棚ユニットは夫々上下に２個積層された処理ユニットにより構成されている。またＣＯＴ層Ｂ４の棚ユニットを構成する処理ユニットとしては既述の冷却ユニット及び加熱ユニットの他にウエハＷに対して疎水化処理を行うユニット、ウエハＷの周縁部を露光する周縁露光ユニット及びレジスト膜形成後のウエハＷの検査を行う基板検査ユニットが含まれている。
【００４７】
このＣＯＴ層Ｂ４の基板検査ユニットとしては、例えば欠陥検査装置、レジストの膜厚を測定するための膜厚測定装置、塗布斑表面検査装置、基板に付着したパーティクル（異物）数を検出するための表面異物装置、ウエハの反りのデータを取得する基板反り検査装置、レジスト塗布後のウエハＷ表面にレジスト液中の気泡や異物によって発生するコメットを検出するためのコメット検出装置、ウエハＷ表面から飛び出したレジスト液の溶剤がウエハＷに再付着するスプラッシュバックを検出するスプラッシュバック検出装置、レジスト液の塗布ムラを検出するための塗布ムラ検出装置等の装置をユニット化したものの中から所望の検査に応じて選択される。
【００４８】
またその他にＣＯＴ層Ｂ４の棚ユニットを構成する処理ユニットとしてはウエハＷにレーザーによる処理を施して所定の識別コードを作成する基板識別タイトル露光機やウエハＷのアライメントマークを被覆しているレジストをレーザーによる処理を行うことで昇華させて当該マークを露出させるレーザーアブレーション装置などの処理装置をユニット化したものを設けてもよく、以降これらのユニット化された処理装置も既述の夫々所定の検査を行うためのユニット化された装置に含めて基板検査ユニットと称する。
【００４９】
この塗布、現像装置は、例えばコンピュータからなるプログラム格納部を有する制御部１００を備えている。プログラム格納部には後述するようなこの塗布、現像装置の作用、つまりウエハＷの処理、ウエハＷの受け渡し、搬送経路のレシピの管理などが実施されるように命令が組まれた例えばソフトウエアからなるコンピュータプログラムが格納される。そして当該プログラムが制御部１００に読み出されることにより制御部１００はこの塗布、現像装置の作用を制御する。なおこのプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記録媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００５０】
ここでこの塗布、現像装置における作用について説明する。外部からキャリア２０がキャリアブロックＳ１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣ→棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ３→ＢＣＴ層Ｂ３のメインアームＡ３→冷却ユニット→メインアームＡ３→下部反射防止膜形成ユニット（図示していないが、図４における現像ユニット３１，３２に対応するユニットである）→メインアームＡ３→加熱ユニット→メインアームＡ３→冷却ユニット→メインアームＡ３→棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ３の順序で搬送されて、下部反射防止膜が形成される。
【００５１】
続いて受け渡しステージＴＲＳ３のウエハＷは、受け渡しアームＤ１→ＣＯＴ層Ｂ４の受け渡しステージＴＲＳ４→ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４→冷却ユニット→疎水化処理ユニット→冷却ユニット→メインアームＡ４→レジスト塗布ユニット（図示していないが、図４における現像ユニット３１，３２に対応するユニットである）→メインアームＡ４→加熱ユニットの順序で搬送されて下部反射防止膜の上層にレジスト膜が形成された後、メインアームＡ４により周縁露光ユニットに搬送されて周縁部が露光される。
【００５２】
周縁が露光されたウエハＷの全数あるいはそれらウエハＷの中から選択されたウエハＷが、メインアームＡ４によりＣＯＴ層Ｂ４の各基板検査ユニットに搬送され、順次所定の検査、例えばレジストの膜厚検査やレジスト膜表面のパーティクルの検査などを受けた後、そのメインアームＡ４により棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ４に搬送される。次いで受け渡しステージＴＲＳ４のウエハＷは、受け渡しアームＤ１→受け渡しステージＴＲＳ１Ｂ→シャトルアーム６→受け渡しステージＴＲＳ６Ｂ→インターフェイスアームＩ→露光装置Ｓ４の順に搬送され、露光装置Ｓ４で所定の露光処理が行われる。
【００５３】
露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＩ→受け渡しステージＴＲＳ６→ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２のメインアームＡ１→加熱ユニット４１→メインアームＡ１→冷却ユニット４２→メインアームＡ１→現像ユニット３１（３２）→加熱ユニット４１→冷却ユニット４２の順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷはメインアームＡ１により棚ユニットＵ３の各基板検査ユニット４３に搬送され、順次所定の検査を受けた後に棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ１に搬送され、然る後トランスファーアームＣによりキャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００５４】
図５は以上説明したウエハＷの搬送経路を模式的に示したものである。図中鎖線の矢印で示すように、ウエハＷは塗布膜形成用のブロックＢ３〜Ｂ４間を移動し、塗布膜が形成された後、ＣＯＴ層Ｂ４の基板検査ユニットで露光前の所定の検査を受ける（ステップ１）。その後ウエハＷは、実線の矢印で示すようにシャトルアーム６により処理ブロックＳ２におけるキャリアブロックＳ１側からインターフェイスＳ３側へ搬送ブロックＭ１を経由して搬送され、さらに露光装置Ｓ４に搬送される（ステップ２）。露光処理を受けたウエハＷは点線の矢印で示すように露光装置Ｓ４からＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に搬送され、現像処理を受けた後、基板検査ユニット４３に搬送されて現像後の既述の検査を受け、然る後キャリアブロックＳ１に戻される（ステップ３）。
【００５５】
上述の実施形態の塗布、現像装置によれば、基板検査ユニットが設けられたレジスト膜塗布用の単位ブロックＣＯＴ層Ｂ４、基板検査ユニット４３が設けられた現像処理用の単位ブロックＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２を上下に積層することで各基板検査ユニットが塗布、現像装置本体から横へ飛び出すといった不利な装置レイアウトとならず、無理のないレイアウトを実現でき、また塗布、現像装置の設置スペースも小さくて済む。またＣＯＴ層Ｂ４及びＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２にレジスト膜が形成されたウエハＷをキャリアブロックＳ１側の棚ユニットＵ５からインターフェイスブロックＳ３側の棚ユニットＵ６へ直行搬送する搬送ブロックＭ１が積層されているため、ＣＯＴ層Ｂ４，ＢＣＴ層Ｂ３及びＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の各メインアームＡ１，Ａ３，Ａ４によりインターフェイスブロックＳ３側へウエハＷの搬送を行う必要がなくなり、従って各メインアームＡ１，Ａ３，Ａ４の負荷が低減し、高い搬送効率が得られる結果としてスループットの低下が抑えられる。
【００５６】
なお単位ブロックＢの積層数は４つに限られず、例えば下部反射防止膜、レジスト膜以外の塗布膜を形成するための単位ブロックが設けられていてもよい。各単位ブロックＢ１〜Ｂ４及び搬送ブロックＭ１の積層される順番も上述した順に限られず、例えば単位ブロックＢ３としてＣＯＴ層を、その上層の単位ブロックＢ４としてＢＣＴ層を夫々割り当ててもよい。
【００５７】
なお本発明の直行搬送手段は、処理ブロック側の受け渡しステージからインターフェイスブロックに、塗布あるいは現像を行うためのユニットを介さないで基板を直行して搬送するためのものであり、この直通搬送手段の搬送経路中に例えば上述の実施形態のように基板の受け渡しステージなどが介在している場合であっても、例えばこれらステージ内を介して直行搬送手段とインターフェイスブロック側の搬送手段との間で基板の受け渡しが行われる場合をも含む意味である
【００５８】
続いて塗布、現像装置の第２の実施形態について図６、図７を参照しながら説明する。この塗布、現像装置においてはＣＯＴ層Ｂ４の上方に第５の単位ブロックとして基板検査用の検査ブロックＢ５が積層されている。図８はその検査ブロックＢ５の横断平面図である。検査ブロックＢ５は単位ブロックＢ１〜Ｂ４と略同様に構成されており、ブロックＢ１〜Ｂ５との差異点としては液処理ユニットが設けられておらず、また液処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の熱系処理ユニットが設けられていないことが挙げられる。即ちこの第２の実施形態では第１の実施形態においてＣＯＴ層Ｂ４及びＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２には位置していた基板検査ユニットを、専用検査ブロックの中にまとめて搭載した構成を採用している。
【００５９】
また検査ブロックＢ５には既述の実施形態のＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２と同様に棚ユニットＵ１，Ｕ２が設けられているが、この棚ユニットＵ１，Ｕ２は、例えば２段に積層された既述の基板検査ユニット４３によって構成されており、搬送用通路Ｒ１を挟んでこれら棚ユニットＵ１，Ｕ２と対向するようにレジスト塗布後のウエハＷについて検査を行う各種の基板検査ユニット４４、周縁露光ユニットなどのユニットが例えば当該搬送用通路Ｒ１に沿って複数積層されて設けられている。前記基板検査ユニット４４は、既述の実施形態においてＣＯＴ層Ｂ４に設けられている基板検査ユニットに相当し、既述のユニット化された基板識別タイトル露光装置及びレーザーアブレーション装置などの装置もこの基板検査ユニット４４に含まれる。なおこの実施形態においても基板検査ユニット４３，４４の設置数及び配置レイアウトは所望の検査の種類、設置スペースなどを考慮して任意に決定され、この検査ブロックＢ５に設けられるメインアームＡ５がアクセス可能な位置に配置されるのであればこのような配置例に限られない。
【００６０】
なおこの検査ブロックＢ５には例えば上方から下方へ向けてパーティクルが除去された清浄気体が供給され、この塗布、現像装置が設置されるクリーンルームの圧力よりも若干高い圧力（陽圧）に設定されることで当該ブロック内へ外部から気流が入りこむことが抑制され、そのような気流に乗ってパーティクルが塗布、現像装置内に流入することが抑えられている。
【００６１】
また図７に示すように棚ユニットＵ５においては検査ブロックＢ５に対応する高さ位置に受け渡しステージＴＲＳ５が設けられており、この受け渡しステージＴＲＳ５にはメインアームＡ５、受け渡しアームＤ１がアクセスできるようになっている。
【００６２】
この塗布、現像装置においてウエハＷは、キャリアブロックＳ１に搬入され、既述の実施形態と同様の経路で搬送されて、その表面に下部反射防止膜、レジスト膜が形成された後、ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４→棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ４→受け渡しアームＤ１→受け渡しステージＴＲＳ５→検査ブロックＢ５のメインアームＡ５→周縁露光ユニット→メインアームＡ５→基板検査ユニット４４に搬送され、各検査ユニット４４で順次所定の検査を受ける。その後ウエハＷは、メインアームＡ５→受け渡しステージＴＲＳ５→受け渡しアームＤ１→受け渡しステージ１Ｂ→シャトルアーム６→受け渡しステージＴＲＳ６Ｂ→インターフェイスアームＩ→露光装置Ｓ４の順に搬送される。
【００６３】
そして露光装置Ｓ４で露光処理を受けたウエハＷは、既述の実施形態の塗布、現像装置と同様の経路で搬送され、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２を通って現像処理を受け、受け渡しステージＴＲＳ１に受け渡された後、受け渡しアームＤ１→受け渡しステージＴＲＳ５→メインアームＡ５→基板検査ユニット４３の順に搬送されて各検査ユニット４３で順次所定の検査を受ける。検査後のウエハＷは、メインアームＡ５→受け渡しステージＴＲＳ５→受け渡しアームＤ１→受け渡しステージＴＲＳ１の順に搬送され、その後既述の実施形態と同様の経路でキャリア２０に戻される。
【００６４】
図９は、以上説明したウエハＷの塗布膜形成後から現像後の検査を受けるまでの搬送経路を模式的に示したものである。ウエハＷは塗布膜形成用のブロックＢ３〜Ｂ４間を移動し、塗布膜が形成された後、図中鎖線の矢印で示すように検査ブロックＢ５に搬送され、この検査ブロックＢ５の基板検査ユニット４４で露光前の所定の検査を受ける（ステップ１）。その後点線の矢印で示すようにウエハＷは、シャトルアーム６により処理ブロックＳ２をキャリアブロックＳ１側からインターフェイスＳ３側へ搬送ブロックＭ１を経由して搬送され、さらに露光装置Ｓ４に搬送される（ステップ２）。露光処理を受けたウエハＷは露光装置Ｓ４からＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に搬送され現像処理を受けた後、基板検査ユニット４３に搬送されて現像後の所定の検査を受け（ステップ３）、その後キャリアブロックＳ１に戻される。
【００６５】
この実施の形態の塗布、現像装置においても、基板検査ユニット４３，４４が設けられた検査ブロックＢ５がＣＯＴ層Ｂ４、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２及び搬送ブロックＭ１に積層されているため先の実施形態の塗布、現像装置と同様に各基板検査ユニットが塗布、現像装置本体から横へ飛び出すといった不利な装置レイアウトとならず、無理のないレイアウトを実現でき、塗布、現像設置の設置スペースも小さくて済む。また搬送ブロックＭ１のシャトルアーム６が、レジスト膜が形成されたウエハＷをキャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側へ搬送するため、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５の負荷が抑えられ、これらのメインアームＡ１〜Ａ５の動作が複雑化することによるスループットの低下が抑えられる。
【００６６】
続いて本発明の塗布、現像装置の第３の実施形態について図１０、図１１を参照しながら説明する。この塗布、現像装置は第２の実施形態の塗布、現像装置と略同様の構成を有するが、搬送ブロックＭ１、棚ユニットＵ５における受け渡しステージＴＲＳ１Ｂ及び棚ユニットＵ６における受け渡しステージＴＲＳ６Ｂが設けられていない。図１２にはこの実施形態における検査ブロックＢ５の横断平面を示している。検査ブロックＢ５のインターフェイスブロックＳ３側は第１の実施形態のＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２と同様にウエハ受け渡し領域Ｒ３として構成され、この領域Ｒ３には棚ユニットＵ６が設けられており、当該棚ユニットＵ６の検査ブロックＢ５に対応する高さ位置には受け渡しステージＴＲＳ７が設けられている。またウエハ受け渡し領域Ｒ３には例えば受け渡しアームＤ１と同様の構成を有する受け渡しアームＤ２が設けられており、この受け渡しアームＤ２は単位ブロックＢ１〜Ｂ５間を昇降し、前記受け渡しステージＴＲＳ７及び受け渡しステージＴＲＳ６にアクセスする。なおこの実施形態においては前記受け渡しアームＤ１が第１の上下搬送手段、受け渡しアームＤ２が第２の上下搬送手段に夫々相当する。
【００６７】
この塗布、現像装置においてウエハＷは、既述の実施形態と同様にキャリアブロックＳ１に搬送され、その表面に下部反射防止膜、レジスト膜が形成されて、検査ブロックＢ５の基板検査ユニット４４で所定の検査を受けた後、メインアームＡ５→受け渡しステージＴＲＳ７→受け渡しアームＤ２→受け渡しステージＴＲＳ６→インターフェイスアームＩ→露光装置Ｓ４の順に搬送されて露光処理を受ける。露光処理を受けたウエハＷは既述の第２の実施形態の塗布、現像装置と同様の経路でＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２を通って検査ブロックＢ５に戻され、各基板検査ユニット４３で既述の検査を受けた後、第２の実施形態のウエハＷと同様の経路を通ってキャリア２０に戻される。
【００６８】
図１３は、以上説明した塗布膜形成後から現像後の検査が行われるまでのウエハＷの搬送経路を模式的に示したものである。ウエハＷは塗布膜形成用のブロックＢ３〜Ｂ４間を移動し、塗布膜が形成された後、図中鎖線の矢印で示すように検査ブロックＢ５に搬送され、そのブロックＢ５の基板検査ユニット４４で露光前の所定の検査を受ける（ステップ１）。その後ウエハＷは、図中実線の矢印で示すように、検査ブロックＢ５をインターフェイスブロックＳ３側へ搬送され、棚ユニットＵ６を経由してそのインターフェイスブロックＳ３、露光装置Ｓ４の順に搬送される（ステップ２）。
【００６９】
露光処理を終えたウエハＷは、図中点線の矢印で示すように露光装置Ｓ４からインターフェイスブロックＳ３を介してＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に搬送され、現像処理を受けた後にＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２内をキャリアブロックＳ１側へと搬送される。然る後ウエハＷは棚ユニットＵ６を経由し、再度検査ブロックＢ５に搬送され検査ブロックＢ５の基板検査ユニット４３にて既述の検査を受けた後（ステップ３）、キャリアブロックＳ１に戻される
【００７０】
このような実施形態によっても、先の実施形態と同様に塗布、現像装置と同様に各基板検査ユニットが塗布、現像装置本体から横へ飛び出すといった不利な装置レイアウトとならず、無理のないレイアウトを実現できる。
【００７１】
なお第２及び第３の実施形態においても各単位ブロックＢは上述した順に積層されることに限られない。例えば基板検査ユニット４３，４４を含む検査ブロックは最上層に設けられることに限られず、最下層に設けられたり各現像用の単位ブロック及び各塗布膜形成用の単位ブロックに上下を挟まれるように設けられていてもよい。
【符号の説明】
【００７２】
Ｗ          半導体ウエハ
２０        キャリア
Ｓ１        キャリアブロック
Ｓ２        処理ブロック
Ｓ３        インターフェイスブロック
Ｓ４        露光装置
Ａ１〜Ａ５  メインアーム
Ｂ１，Ｂ２  ＤＥＶ層
Ｂ３        ＢＣＴ層
Ｂ４        ＣＯＴ層
Ｂ５        検査ブロック
Ｍ１        搬送ブロック
Ｃ          トランファーアーム
Ｄ１，Ｄ２  受け渡しアーム
ＴＲＳ１〜ＴＲＳ７，ＴＲＳ１Ｂ，ＴＲＳ５Ｂ  受け渡しステージ
４３，４４  基板検査ユニット
６          シャトルアーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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