(57)【要約】  【課題】  セラミック基板の貫通孔に貫通導体が配置され、セラミック基板の表面から貫通導体の端面にかけて導体パターンが被着されてなり、導体パターンにおける膨れが抑制された配線基板およびその製造方法を提供する。  【解決手段】  貫通孔１ａを有するセラミック基板１と、セラミック基板１とは別に焼結されて貫通孔１ａ内に配置された貫通導体２と、セラミック基板１の表面から貫通導体２の端面の外周部にかけて被着されたガラス層３と、貫通導体２の端面のガラス層３で覆われた部分よりも内側にのみ被着された下地めっき層４と、セラミック基板１またはガラス層３の表面から下地めっき層４の表面にかけて被着された導体パターン５とを備える配線基板である。ガラス層３により貫通孔１ａの内側面と貫通導体２との間の隙間が塞がれているので、めっき液等の隙間への入り込みが抑制され、めっき液等の気化による導体パターン５の膨れを抑制できる。【選択図】  図１
2011049341.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック焼結体からなり、厚み方向に貫通する貫通孔を有するセラミック基板と、前記セラミック焼結体とは別に焼結された導体からなり、前記貫通孔内に配置された貫通導体と、前記セラミック基板の表面から前記貫通導体の端面の外周部にかけて覆うように被着されたガラス層と、前記貫通導体の端面の前記ガラス層で覆われた部分よりも内側にのみ被着された下地めっき層と、前記セラミック基板または前記ガラス層の表面から前記下地めっき層の表面にかけて覆うように被着された導体パターンとを備えることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
セラミック焼結体からなるセラミック基板を準備するとともに、該セラミック基板に厚み方向に貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記セラミック基板の貫通孔内に金属ペーストを充填し、該金属ペーストを焼結させて貫通導体とした後、前記セラミック基板の表面および前記貫通導体の露出した端面を研磨する工程と、
前記セラミック基板の表面から前記貫通導体の露出した端面の外周部にかけてガラス層を被着させる工程と、
前記貫通導体の露出した端面の前記ガラス層の内側に下地めっき層を被着させた後、前記セラミック基板の表面から前記ガラス層および前記貫通導体の露出した端面にかけて覆うように導体パターンを被着させる工程と
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック焼結体からなるセラミック基板と、セラミック基板を厚み方向に貫通する貫通孔とを備え、貫通孔内に、セラミック基板とは別に焼結された導体からなる貫通導体が配置されてなる配線基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品搭載用等に使用される配線基板として、上面および下面に複数の導体パターンが形成されたセラミック基板と、そのセラミック基板を厚み方向に貫通する貫通孔と、貫通孔内に配置された貫通導体とを備えたものが多用されている。セラミック基板の上下面の導体パターンが、貫通孔が形成された位置で上下に対向して、貫通導体を介して互いに電気的に接続されている。
【０００３】
このような配線基板は、例えばセラミック基板の上面の導体パターンに電子部品の電極や電子部品の電気検査を行なうためのプローブが接続され、下面の導体パターンが回路基板等の外部電気回路基板に接続される。そして、セラミック基板の上面の導体パターンと、貫通導体と、セラミック基板の下面の導体パターンとを介して、電子部品が外部電気回路と電気的に接続され、信号の送受や、電子部品に対する電気的な検査等が行なわれる。
【０００４】
従来、このような配線基板は、一般に、以下の方法で製作されている。すなわち、まず、酸化アルミニウムや酸化ケイ素等の原料粉末を有機溶剤や有機バインダとともにシート状に成形してセラミックグリーンシートを作製し、次に、セラミックグリーンシートに所定の孔あけ加工を施して厚み方向に貫通する貫通孔を形成する。そして、タングステンやモリブデン等の金属粉末を有機溶剤および有機バインダと混練して作製した金属ペーストを貫通孔内に充填した後、これらのセラミックグリーンシートおよび金属ペーストを所定の温度で一体焼成する。以上の工程により、貫通孔内に貫通導体が配置されたセラミック基板が製作される。そして、貫通導体の露出した端面にめっき法によってニッケルや金等の下地めっき層を被着させた後、セラミック基板の表面から貫通導体の端面（下地めっき層が被着されたもの）にかけて覆うようにスパッタリング法等の方法で導体パターンを被着させれば、配線基板が製作される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開2008−147033号公報
【特許文献２】特開2009−59744号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来技術の配線基板およびその製造方法においては、焼成時にセラミックグリーンシートが収縮し、この収縮率を高い精度で制御することや収縮の偏りを抑制すること等が難しいため、貫通導体の位置の精度を高くすることが難しいという問題点があった。
【０００７】
このような問題点に対して、まずセラミック焼結体からなるセラミック基板であって、セラミックグリーンシートの段階で貫通孔を形成していないものを準備し、このセラミック基板にドリル加工等の機械的な加工やレーザ加工等の方法で貫通孔を、位置の精度を高くして形成し、その後、貫通孔に金属ペーストを充填して、この金属ペーストを焼結させるようにして作製した配線基板、およびそのような配線基板の製造方法が考えられる。
【０００８】
しかしながら、セラミック焼結体からなる貫通孔内に金属ペーストを充填し、この金属ペーストをセラミックグリーンシートとの一体焼成ではなく別に焼結させた場合には、セラミック基板に形成した貫通孔内に隙間なく金属ペーストを充填することが難しいことや、金属ペーストが焼結時に収縮すること等に起因して、貫通孔の内側面と貫通導体との間に隙間が発生しやすいという問題点が新たに生じることがわかってきた。
【０００９】
このような隙間が発生すると、この隙間内に、下地めっき層を被着させる際のめっき液等の液体成分が入り込んで、導体パターンが被着された後も残留する可能性がある。そして、このような液体成分が残留していると、配線基板に電子部品を接続するための熱処理等で熱が加わった際に、液体成分が気化し、この気化成分の圧力により導体パターンに膨れ等の不具合が発生してしまう。
【００１０】
本発明は上記従来の技術の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、セラミック焼結体からなるセラミック基板に形成した貫通孔に貫通導体が配置され、セラミック基板の表面から下地めっき層が被着された貫通導体の端面にかけて導体パターンが被着されてなる配線基板において、導体パターンに膨れ等の不具合が発生することが効果的に抑制された配線基板、およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の配線基板は、セラミック焼結体からなり、厚み方向に貫通する貫通孔を有するセラミック基板と、前記セラミック焼結体とは別に焼結された導体からなり、前記貫通孔内に配置された貫通導体と、前記セラミック基板の表面から前記貫通導体の端面の外周部にかけて覆うように被着されたガラス層と、前記貫通導体の端面の前記ガラス層で覆われた部分よりも内側にのみ被着された下地めっき層と、前記セラミック基板または前記ガラス層の表面から前記下地めっき層の表面にかけて覆うように被着された導体パターンとを備えることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の配線基板の製造方法は、セラミック焼結体からなるセラミック基板を準備するとともに、該セラミック基板に厚み方向に貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記セラミック基板の貫通孔内に金属ペーストを充填し、該金属ペーストを焼結させて貫通導体とした後、前記セラミック基板の表面および前記貫通導体の露出した端面を研磨する工程と、
前記セラミック基板の表面から前記貫通導体の露出した端面の外周部にかけてガラス層を被着させる工程と、
前記貫通導体の露出した端面の前記ガラス層の内側に下地めっき層を被着させた後、前記セラミック基板の表面から前記ガラス層および前記貫通導体の露出した端面にかけて覆うように導体パターンを被着させる工程とを備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の配線基板によれば、セラミック基板の表面から貫通導体の端面の外周部にかけて覆うように被着されたガラス層を備え、このガラス層で覆われた部分よりも内側にのみ下地めっき層が被着され、さらにセラミック基板またはガラス層の表面から下地めっき層の表面にかけて覆うように導体パターンが被着されていることから、セラミック焼結体からなるセラミック基板に形成された貫通孔の内側面と、セラミック焼結体とは別に焼結された導体からなる貫通導体との間に隙間が生じたとしても、その隙間に、下地めっき層を被着させるためのめっき液等の液体成分が入り込むことは効果的に抑制される。そのため、この液体成分の気化による導体パターンの膨れ等の不具合は効果的に抑制される。
【００１４】
すなわち、セラミック基板の表面から貫通導体の端面の外周部にかけて覆うように被着されたガラス層で覆われた部分よりも内側にのみ下地めっき層が被着されているため、下地めっき層を被着させるときには貫通孔の内側面と貫通導体との間の隙間が生じている可能性がある部分の上端部分がガラス層で覆われている。そのため、上記のような隙間が生じていたとしても、液体の入口となる可能性がある隙間の上端部分がガラス層で覆われているため、隙間内に液体成分が入り込むことが抑制される。
【００１５】
また、本発明の配線基板の製造方法によれば、上記各工程を備え、セラミック基板の表面から貫通導体の露出した端面の外周部にかけてガラス層を被着させた後に、その貫通導体の露出した端面のガラス層の内側にめっき層を被着させることから、上記のような隙間が生じていたとしても、その隙間が、少なくとも液体の入口となる上端部分において、ガラス層で塞がれている。そのため、下地めっき層を被着させる工程において、使用するめっき液等の液体成分が隙間内に入り込むことは効果的に抑制される。そして、その後に、セラミック基板の表面からガラス層および貫通導体の露出した端面にかけて覆うように導体パターンを被着させるため、導体パターンの膨れ等の不具合を生じさせる液体成分の残留を抑制して、導体パターンを被着させることができる。したがって、本発明の製造方法によれば、導体パターンにおける膨れ等の不具合が効果的に抑制された配線基板を製作することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す配線基板の斜視図である。
【図３】図１に示す配線基板の要部を示す要部拡大断面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の配線基板を添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図であり、図２は図１に示す配線基板の斜視図であり、図３は図１に示す配線基板の要部を示す要部断面図である。図１〜図３において、１はセラミック基板、２は貫通導体、３はガラス層、４は下地めっき層、５は導体パターンである。
【００１８】
セラミック基板１は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，ガラスセラミック焼結体，ガラス母材中に結晶成分を析出させた結晶化ガラスまたは雲母やチタン酸アルミニウム等の微結晶焼結体からなる、金属材料とほぼ同等の精密な機械加工が可能なセラミック材料（いわゆるマシナブルセラミックス）等のセラミック材料により形成されている。
【００１９】
セラミック基板１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。すなわち、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末に適当な有機バインダおよび有機溶剤を添加混合して作製したスラリーをドクターブレード法やリップコータ法等のシート成形技術でシート状に成形することによってセラミックグリーンシートを作製して、その後、セラミックグリーンシートを切断加工や打ち抜き加工によって適当な形状および寸法とするとともに、これを約1300〜1500℃の温度で焼成することによって製作することができる。
【００２０】
セラミック基板１は、例えば四角板状や円板状等であり、例えば上面が、実装や電気チェックを行なう電子部品（図示せず）を搭載（電子部品を配線基板に電気的および機械的に接続して電子装置とするための実装、または電子部品に対して電気的なチェックを施すための一時的な載置）するための部位として使用される。電子部品としては、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路素子およびＬＥＤ（発光ダイオード）やＰＤ（フォトダイオード），ＣＣＤ（電荷結合素子）等の光半導体素子を含む半導体素子，弾性表面波素子や水晶振動子等の圧電素子，容量素子，抵抗器，半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等の種々の電子部品が挙げられる。
【００２１】
また、セラミック基板１は、例えば下面が、プリント回路基板等の外部電気回路基板（図示せず）に対向して搭載（電子装置の外部電気回路基板に対する実装、または電子部品に対して電気的なチェックを施すための一時的な載置）される。
【００２２】
セラミック基板１には、厚み方向に貫通する貫通孔１ａが形成されており、貫通孔１ａ内に、銀や銅，パラジウム，金，白金，タングステン，モリブデン，マンガン等の金属材料またはこれらの金属材料の合金材料からなる貫通導体２が配置されている。貫通導体２の形状は、例えば直径が約100〜700μｍ程度の円柱状等である。
【００２３】
また、セラミック基板１の上面および下面には、それぞれ導体パターン５が形成されている。導体パターン５は、例えば電子部品と電気的に接続されて、この電子部品に対する信号の送受や、電子部品に対する電気的なチェックを行なうためのプローブを接続するための端子や、外部電気回路に対する電気的な接続のための端子等として機能する。
【００２４】
そして、セラミック基板１の上下面の導体パターン５は、それぞれ後述する下地めっき層４を介して貫通導体２と電気的に接続され、下地めっき層４および貫通導体２を介して互いに上下に電気的に接続されている。
【００２５】
すなわち、このような配線基板において、例えば、セラミック基板１の上面の導体パターン５に電子部品の電極や電子部品の電気検査を行なうためのプローブ（図示せず）が接続され、下面の導体パターン５が回路基板等の外部電気回路基板に接続される。そして、セラミック基板１の上面の導体パターン５と、貫通導体２（および下地めっき層４）と、セラミック基板１の下面の導体パターン５とを介して、電子部品が外部電気回路と電気的に接続され、信号の送受や、電子部品に対する電気的なチェック等が行なわれる。なお、電子部品に対する電気的なチェックは、例えば半導体集積回路素子の集積回路が正常に作動するか否かの検査である。この場合には、半導体基板（シリコンウエハ等）に形成された多数の半導体集積回路素子（図示せず）に対して、個片に切断する前に一括して検査を行なうために、例えば図２に示したような配線基板が、半導体基板と同じ程度の大きさのセラミック母基板（図示せず）に配列形成されたものが使用される。この場合の配線基板（多数個配列された配線基板）は、いわゆるプローブカードとして使用することができる。
【００２６】
本発明の配線基板において、貫通導体２は、セラミック焼結体からなるセラミック基板１とは別に焼結された導体により形成されている。つまり、この貫通導体２は、従来の一般的な技術である、セラミックグリーンシート（図示せず）に形成した貫通孔（図示せず）内に金属ペーストを充填して一体焼成する方法で形成したものではなく、セラミック焼結体からなるセラミック基板１に貫通孔１ａを形成し、この貫通孔１ａ内に金属ペースト等の未焼結の導体材料を充填し、この金属ペースト等を焼結させて形成したものである。
【００２７】
このような貫通導体２によれば、セラミック焼結体からなるセラミック基板１に、例えばドリルを用いた機械的な孔あけ加工やレーザ光による孔あけ加工で、位置の精度を高くして貫通孔１ａを形成することができるので、貫通導体２について、セラミック基板１における位置の精度が高いものとすることができる。すなわち、セラミック基板１は、すでに焼結しているため、焼成時の収縮等に起因する寸法の変化が発生しない。また、機械的な孔あけ加工やレーザ光による孔あけ加工は、画像処理装置等で加工位置を高い精度で決めることができる。そのため、セラミック基板１において貫通孔１ａの位置精度を高くすることができ、これに応じて貫通導体２の位置精度を高くすることができる。
【００２８】
また、本発明の配線基板において、セラミック基板１の表面から貫通導体２の端面の外周部にかけて覆うようにガラス層３が被着されており、貫通導体２の端面のガラス層３で覆われた部分よりも内側にのみ下地めっき層４が被着されている。そして、セラミック基板１またはガラス層３の表面から下地めっき層４の表面にかけて覆うように導体パターン５が被着されている。
【００２９】
ガラス層３は、後述するように貫通孔１ａの内側面と貫通導体２との間に生じている可能性がある隙間Ｓの上端部分を塞ぐためのものである。下地めっき層４は、電解めっき法や無電解めっき法（いわゆる湿式めっき法）により被着されたニッケルめっき層や金めっき層等（個々のめっき層は図示せず）であり、貫通導体２に対する導体パターン５の被着強度を高めるためのものである。導体パターン５は、前述したように、配線基板に電子部品や外部電気回路等を電気的に接続するためのものである。
【００３０】
このような配線基板によれば、上記のガラス層３を備えていることから、セラミック焼結体からなるセラミック基板１に形成された貫通孔１ａの内側面と、セラミック焼結体とは別に焼結された導体からなる貫通導体２との間に隙間Ｓが生じていたとしても、その隙間Ｓの少なくとも上端部分はガラス層３により覆われている。図３に示す例では、隙間Ｓの中にもガラス層３を構成するガラスの一部が入り込んでいる。
【００３１】
そして、貫通導体２の端面の、ガラス層３で覆われた部分よりも内側にのみ下地めっき層が被着され、さらにセラミック基板１またはガラス層３の表面から下地めっき層４の表面にかけて覆うように導体パターン５が被着されていることから、上記の隙間Ｓに、下地めっき層４を被着させるためのめっき液等の液体成分が入り込むことは効果的に抑制され、さらに、この液体成分の気化による導体パターン５の膨れ等の不具合が効果的に抑制される。
【００３２】
すなわち、セラミック基板１の表面から貫通導体２の端面の外周部にかけて覆うように被着されたガラス層３で覆われた部分よりも内側にのみ下地めっき層４が被着されているため、下地めっき層４を被着させるときには貫通孔１ａの内側面と貫通導体２との間の隙間Ｓが生じている可能性がある部分の上端部分がガラス層３で覆われている。そのため、上記のような隙間Ｓが生じていたとしても、液体の入口となる可能性がある隙間Ｓの上端部分がガラス層３で覆われていることになり、隙間Ｓ内に液体成分が入り込むことが抑制される。
【００３３】
ガラス層３を構成するガラス材料としては、例えば、ホウケイ酸系ガラスを主成分とし、酸化ビスマスや酸化亜鉛等の成分を添加した、軟化点が400〜500℃程度のガラス材料を用いることができる。
【００３４】
このようなガラス層３は、導体パターン５における膨れ等の不具合を効果的に抑制する上で、その厚みが約20μｍ以上であることが好ましく、セラミック基板１や貫通導体２に対する被着強度や経済性等を考慮すれば、厚みが約20〜100μｍ程度の範囲であることが好ましい。
【００３５】
また、平面視におけるガラス層３の被着の範囲は、少なくとも貫通導体２の外周の全周に沿った環状や枠状の範囲とする必要があり、上記のように導体パターン５における膨れ等の不具合を効果的に抑制する上で、貫通導体２の外周から外側に約20μｍ以上の幅の範囲とすることが好ましい。また、後の工程で下地めっき層４を被着させるために貫通導体２の端面を露出させておく必要があるので、環状等のガラス層３の内周は、そのような下地めっき層４の被着が容易に行なえる程度に貫通導体２の端面が露出する位置までに留めておくことが好ましい。例えば、下地めっき層４の被着が後述するように無電解ニッケルめっき法による場合であれば、貫通導体２の露出する端面は、直径が約50μｍ以上の円形状等に設定すればよい。
【００３６】
ガラス層３は、上記のような条件を持たすものであれば、図４（ａ）に示すように導体パターン５で全部が覆われていてもよく、図４（ｂ）に示すようにセラミック基板１の表面（上面等）の全面等の広い範囲に広がっていてもよい。なお、図４（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。図４において図１〜図３と同様の部位には同様の符号を付している。
【００３７】
例えば、導体パターン５をガラス層３に比べて大きくして電子部品やプローブ等との接続をしやすくするような場合には、図４（ａ）に示すような例が有効であり、ガラス層３のセラミック基板１に対する被着面積を大きくして被着の強度を高めるような場合には、図４（ｂ）に示すような例が有効である。
【００３８】
また、セラミック基板１および貫通導体２の露出する端面は、ガラス層３が被着される前に研磨加工（平面研削やラップ研磨等）が施されて、表面の平坦性が高くされたものでもよい。このように平坦性を高くしておけば、導体パターン５の表面をより平坦なものとすることができる。
【００３９】
下地めっき層４は、前述したようにニッケルめっき層や金めっき層等からなり、例えば厚みが約１〜５μｍのニッケルめっき層と、厚みが約0.5〜５μｍの金めっき層とが、貫通導体２の端面のガラス層３で覆われた部分の内側にのみ順次被着されて形成されている。この下地めっき層４の被着は、無電解めっき法や電解めっき法によって行なわれる。
【００４０】
導体パターン５は、例えば、銅や銀，パラジウム，金，白金，アルミニウム，クロム，ニッケル，コバルト，チタン，タングステン，モリブデン，マンガン等の金属材料またはこれらの金属材料の合金材料からなる。
【００４１】
このような金属材料は、例えば、スパッタリング法や蒸着法，めっき法等の方法でセラミック基板１やガラス層３の表面および貫通導体２の端面（実際には下地めっき層４の表面）に被着させることができる。
【００４２】
具体的には、まずセラミック基板１やガラス層３の表面および貫通導体２の端面等の全面に、クロムやモリブデン，チタン等からなる密着金属層５ａと、その上に被着された銅等の金属薄膜層とで構成される主導体層５ｂとを無電解めっき法やスパッタリング法等によって形成し、その後、フォトリソグラフィ法を用いて導体パターン５となる部分を覆うようにレジストパターン（図示せず）を形成した後、レジストパターンで覆われていない余分な密着金属層５ａおよび主導体層５ｂをケミカルエッチング法やドライエッチング法等で除去し、その後、レジストパターンを除去する方法で、所定の導体パターン５を形成することができる。密着金属層５ａの厚みは、例えば0.1〜0.5μｍ程度であり、主導体層５ｂの厚みは、例えば10〜20μｍ程度である。
【００４３】
このような導体パターン５は、前述したように電子部品や外部電気回路基板、または電子部品の電気的なチェックに電気的に接続されるプローブ等が接続される部分であり、例えば円形状や楕円形状のパターンで形成されている。
【００４４】
次に、本発明の配線基板の製造方法について図５を参照しつつ説明する。図５（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明の配線基板の製造方法を工程順に示す上面図である。図５において図１〜図３と同様の部位には同様に符号を付している。
【００４５】
まず、図５（ａ）に示すように、セラミック焼結体からなるセラミック基板１を準備するとともに、そのセラミック基板１に厚み方向に貫通する貫通孔１ａを形成する。
【００４６】
セラミック基板１は、例えば上記のような酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料であり、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、酸化アルミニウムや酸化ケイ素，酸化カルシウム等の原料粉末に有機溶剤およびバインダを添加して、ドクターブレード法やリップコータ法等の成形法でシート状に成形した後、これを約1300〜1600度で焼成する方法で準備することができる。
【００４７】
貫通孔１ａは、例えば前述したような、ドリルを用いた機械的な孔あけ加工やレーザ光による孔あけ加工等の方法で形成することができる。例えば、貫通導体２が前述したように直径が約100〜700μｍ程度の円柱状であれば、この形状に応じた開口寸法になるように、ドリルの直径やレーザ光の照射範囲等を調整して孔あけ加工を行なう。
【００４８】
次に、図５（ｂ）に示すように、セラミック基板１の貫通孔１ａ内に金属ペースト２ａを充填し、この金属ペースト２ａを焼結させて貫通導体２とした後、セラミック基板１の表面および貫通導体２の露出した端面を研磨する。
【００４９】
金属ペースト２ａは、例えば前述した銀等の金属材料の粉末に有機溶剤および有機バインダ等を添加し、混練して作製する。また、貫通孔１ａ内への金属ペースト２ａの充填は、例えばスクリーン印刷法等の印刷法で貫通孔１ａの上側から金属ペースト２ａを貫通孔１ａ内に押し入れる方法によって行なうことができる。この場合、貫通孔１ａの下側から真空吸引を行なう方法を併用したり、金属ペースト２ａの粘度を調整したりして、金属ペースト２ａの充填をしやすくしてもよい。
【００５０】
金属ペースト２ａの焼結は、例えば銀のペーストの場合であれば、酸化雰囲気中、約850℃程度の温度で、金属ペースト２ａを貫通孔１ａに充填したセラミック基板１を加熱すれば行なうことができる。
【００５１】
次に、図５（ｃ）に示すように、セラミック基板１の表面から貫通導体２の露出した端面の外周部にかけてガラス層３を被着させる。
【００５２】
ガラス層３は、例えば前述したようなホウケイ酸−酸化ビスマス−酸化亜鉛系等のガラス材料の粉末を有機溶剤とともにペースト状としたガラスペースト（図示せず）をセラミック基板１の表面から貫通導体２の露出した端面の外周部にかけてスクリーン印刷法等の方法で塗布し、その後、このガラス材料の軟化点（400〜500℃等）にまで加熱する方法で被着させることができる。
【００５３】
次に、図５（ｄ）に示すように、貫通導体２の露出した端面のガラス層３の内側に下地めっき層４を被着させた後、セラミック基板１の表面からガラス層３および貫通導体２の露出した端面にかけて覆うように導体パターン５を被着させる。
【００５４】
下地めっき層４は、前述したようにニッケルや金等のめっき層であり、電解めっき法や無電解めっき法によって、貫通導体２の露出した端面のガラス層３の内側に被着させることができる。
【００５５】
下地めっき層４は、例えば貫通導体２の端面側から順にニッケルめっき層（図示せず）および金めっき層（図示せず）を無電解めっき法で被着させる場合であれば、次のようにして被着させることができる。すなわち、前の工程でガラス層３を被着させたセラミック基板１を、硫酸ニッケル−リン系の無電解ニッケルめっき液とシアン系の無電解金めっき液とに順次浸漬するとともに、それぞれのめっき液中で所定の時間、めっき層となるニッケルおよび金をそれぞれ還元析出させれば、ニッケルめっき層と金めっき層とを順次被着させることができる。
【００５６】
導体パターン５は、例えば密着金属層５ａと主導体層５ｂとを備えた薄膜導体層からなり、スパッタリング法や蒸着法，めっき法等の方法で被着させることができる。
【００５７】
このような導体パターン５は、例えば、まずセラミック基板１やガラス層３の表面および貫通導体２の端面等の全面に、クロム，モリブデンまたはチタン等からなる密着金属層５ａをスパッタリング法で被着させ、その上に銅等の主導体層５ｂを無電解めっき法やスパッタリング法で被着させて形成することができる。この場合、導体パターン５は、レジストパターン（図示せず）を形成して、余分な部分をケミカルエッチング法やドライエッチング法等で除去する方法で所定のパターンとするようにしてもよい。
【実施例】
【００５８】
酸化アルミニウム質焼結体からなるセラミック基板に直径が約300μｍの貫通孔をドリル加工で形成し、この貫通孔内に銀の金属ペーストを充填して、約850℃で焼結させて貫通導体を形成した。ガラス層は、ホウケイ酸−酸化ビスマス−酸化亜鉛ガラスを用い、約20μｍの厚みで、貫通導体の外周の内側および外側にそれぞれ約25μｍの幅で被着させた。下地めっき層は、無電解めっき法でニッケルめっき層（厚みが約3μｍ）および金めっき層（厚みが約１μｍ）を被着させた。導体パターンは、直径が約150μｍの円形状で、スパッタリング法および電解めっき法により、厚みが約0.2μｍのチタン層（密着金属層）および厚みが約10μｍの銅層（主導体層）の順に被着させて形成した。このようにして、本発明の実施例の配線基板を得た。
【００５９】
この実施例の配線基板について、約300℃に加熱した後、導体パターンにおける膨れの有無を外観検査により確認した。各配線基板は導体パターンを1500個有しているものを用い、配線基板の個数は２個とした。また、比較例として、ガラス層を被着させない配線基板を、ガラス層以外の条件は上記の実施例と同様にして２個作製し、この比較例についても導体パターンにおける膨れの有無を外観により確認した。
【００６０】
その結果、実施例の配線基板では導体パターンにおける膨れの発生が見られなかったのに対し、比較例の配線基板では１個の配線基板において２つの導体パターンに、他の１個の配線基板において１つの導体パターンに、それぞれ膨れが発生していた。
【００６１】
以上の結果により、本発明の配線基板およびその製造方法における、導体パターンの膨れを抑制する効果を確認することができた。
【符号の説明】
【００６２】
１・・・セラミック基板
１ａ・・貫通孔
２・・・貫通導体
３・・・ガラス層
４・・・下地めっき層
５・・・導体パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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