(57)【要約】【課題】蛍光体層の発光特性が劣化しにくく、蛍光体層が陽極から剥がれにくい蛍光表示装置を提供する。【解決手段】容器部１の陽極基板２の内面には陽極５が形成される。陽極の上には、接着粒子１２が層状に設けられ、その上に蛍光体層７が形成される。容器部１の陰極基板３の内面にはカーボンナノチューブ９が設けられた陰極８が形成される。接着粒子は、例えば蛍光体の粒径よりも小さい粒径の超微粉シリカからなる。蛍光体層は陽極に接着されるので剥がれにくく、蛍光体層の中には金属酸化物等が含まれていないので電子が射突してもガスが発生しにくく、蛍光体の発光特性の劣化は進みにくい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部が高真空雰囲気とされた容器部と、前記容器部の内面に形成された陽極と、前記陽極に設けられた蛍光体層と、前記容器部内に設けられて電子を放出する陰極とを備え、前記陰極から放出された電子を前記蛍光体層に射突させて前記蛍光体層を発光させる蛍光表示装置において、
前記蛍光体層を構成する蛍光体の粒径よりも小さい粒径であり、前記蛍光体を前記陽極に接着させる接着機能を備えた接着粒子が、前記蛍光体層の中には含まれておらず、前記蛍光体層と前記陽極との間に設けられていることを特徴とする蛍光表示装置。
【請求項２】
前記接着粒子が、超微粉シリカと、超微粉鉛ガラスと、超微粉アルミナから構成される接着粒子群から選択された少なくとも１種類の接着粒子であることを特徴とする請求項１記載の蛍光表示装置。
【請求項３】
前記接着粒子は、前記蛍光体層と前記陽極を物理吸着又は化学吸着により接着させることを特徴とする請求項１記載の蛍光表示装置。
【請求項４】
前記蛍光表示装置がカーボンナノチューブフィールドエミッションディスプレイであることを特徴とする請求項１記載の蛍光表示装置。
【請求項５】
内部を高真空状態とした容器部の内部において陽極の蛍光体層に電子を射突させて発光表示を行なう蛍光表示装置の製造方法において、
前記容器部を構成する基板の内面に陽極を形成し、
前記蛍光体層を構成する蛍光体よりも粒径が小さく、前記蛍光体を前記陽極に接着させる接着機能を備えた接着粒子を含む第１のペーストを前記陽極の表面に塗布して乾燥させ、
前記接着粒子は含まず前記蛍光体を含む第２のペーストを乾燥した前記第１のペーストの上に塗布し、
前記基板を焼成することを特徴とする蛍光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高真空雰囲気の容器部内に蛍光体層を有する陽極と電子を放出する陰極とを備え、陰極から電子を放出して蛍光体層に射突させ、その発光によって表示を行なう蛍光表示装置とその製造方法に係り、特に、容器部内でのガスの放出が少ないために発光特性の劣化が少なく、かつ蛍光体層が陽極から剥がれにくい蛍光表示装置とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高真空雰囲気に保持された容器部の内部に蛍光体層を有する陽極と電子を放出する陰極が設けられており、陰極から電子を放出して蛍光体層に射突させ、その発光によって表示を行なう蛍光表示装置が知られている。このような基本構造を備えた蛍光表示装置としては、陰極にフィラメントを用いて熱電子を放出させるタイプのものや、電界放出によって電子を放出する冷陰極を備えたタイプのもの等が知られており、さらに冷陰極の中には、スピント型の電子放出素子を備えたものや、カーボンナノチューブを利用した電子放出素子を備えたものが知られている。
【０００３】
上述した蛍光表示装置の製造において蛍光体層を形成する手法としては、粒径が３〜１０μｍ程度の蛍光体の粒子を含むペースト（蛍光体ペースト）を用意し、これを印刷法等によって陽極上に所望のパターンで被着形成し、これを焼成して蛍光体層とする方法が知られている。
【０００４】
本願発明者等は、蛍光表示装置の蛍光体層を製造するための材料として、ＺｎＯ：Ｚｎ等の蛍光体の粉末にＩｎ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 等の金属酸化物を添加し、さらに印刷用ビークルを加えた蛍光体ペースト（以後、「従来例の蛍光体ペースト」と呼ぶ。）を製造しており、電子源としてフィラメントを用いたタイプの蛍光表示装置の製造に用いていた。
【０００５】
図３は、上記従来例の蛍光体ペーストを用いて蛍光体層を形成した蛍光表示装置の断面図である。この蛍光表示装置はカーボンナノチューブを利用した電子放出素子を備えたタイプである（この蛍光表示装置を「従来例の蛍光表示装置」と呼ぶ。）。蛍光表示装置１０の容器部１は、陽極基板２と陰極基板３を所定間隔をおいて互いに平行に配置し、その周囲を図示しないシール材でシールした薄型パネル状の部材である。陽極基板２の内面には、ＳｉＯ2 層４が形成され、その上に陽極導体５及びこれに接続する配線がアルミニウムで形成されている。陽極導体５の配線は、高温で焼成した活性の低い鉛ガラスであるクロスオーバー６によって被覆されている。この陽極導体５の上面には、前記従来例の蛍光体ペーストを被着して焼成することにより蛍光体層１７が形成されており、従って蛍光体層１７を構成する蛍光体粒子１７ａの間には、Ｉｎ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 等の金属酸化物粒子１７ｂが分散して含まれている。陰極基板３の内面には、透光性の陰極導体８が形成されており、その表面にはカーボンナノチューブ９が設けられて電界放出型の電子放出素子を形成している。ここで、陽極導体５と陰極導体８の間に適当な電位差を与えれば、カーボンナノチューブ９から電子が電界放出され、これが陽極導体５の蛍光体層１７に射突して蛍光体を発光させる。発光表示は陰極基板３を介して観察される。
【０００６】
また、以上説明した技術に関連する先行技術文献として、下記特許文献１には、アルミニウムからなる陽極の上に蛍光体層が形成された蛍光表示装置の一構造例が開示されており、下記特許文献２には、蛍光体層の形成において、特定の金属酸化物を蛍光体に混合して焼成することにより、蛍光体の温度特性を改善した蛍光表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６３−２１２９９２号公報
【特許文献２】特開平１−１８２３９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本願発明者等の研究によれば、従来例の蛍光体ペーストを用いて製造した蛍光表示装置では、容器部内に何らかの原因でガスが発生し、これによって蛍光体層の発光特性が低下する可能性があることが分かってきた。特に、容器部の内容積が小さく、製造工程において容器部内を排気する際のコンダクタンスが小さい冷陰極タイプの蛍光表示装置では、容器部内で発生するガスによる影響が大きい。例えば、図３に示したようなカーボンナノチューブを利用した電子放出素子を有する蛍光表示装置１０（カーボンナノチューブフィールドエミッションディスプレイ）では、容器部１内にガスが発生すると冷陰極であるカーボンナノチューブ９がガスに汚染され、比較的短い時間で発光特性が劣化して十分な輝度が得られなくなってしまう。スピント型の電子放出素子を備えた蛍光表示装置においても、同様の問題が発生する。
【０００９】
本願発明者等は、研究の結果、このようなガス発生の原因を蛍光体に添加した物質にあると考えた。そして、ガス発生の問題がなく、特に容器部の内容積が小さい冷陰極タイプの蛍光表示装置に適した蛍光体ペーストの開発に向けて鋭意努力した結果、従来例を改良した蛍光体ペーストを得た（以後、これを「比較例の蛍光体ペースト」と呼び、これを用いて蛍光表示装置を「比較例の蛍光表示装置」と呼ぶ。）。この比較例の蛍光体ペーストは、ＺｎＯ：Ｚｎ等の蛍光体の粉末に、Ｉｎ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 等の金属酸化物を添加することなく、単に印刷用ビークルとしてエチルセルロースを加えた組成の蛍光体ペーストである。
【００１０】
図４は、上記比較例の蛍光表示装置２０の断面図である。この蛍光表示装置２０はカーボンナノチューブ９を利用した電子放出素子を備えたタイプであり、その構造は図３に示した従来例の蛍光表示装置と蛍光体層以外は同様であり、対応する部分については図３と同一の符号を付して説明を省略する。但し、従来例の蛍光表示装置１０と異なり、比較例の蛍光表示装置２０は、蛍光体層２７にＩｎ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 等の金属酸化物を含んでいない。
【００１１】
この比較例の蛍光体ペーストによれば、蛍光表示装置の容器部内でガスが発生することはなく、特に容器部１の内容積が小さい冷陰極タイプの比較例の蛍光表示装置２０に使用しても発光特性については問題がないことが確認されたが、蛍光体層２７の陽極導体５に対する付着力が十分でなく、使用中に蛍光体層２７が陽極導体５から剥がれてしまい、発光表示ができなくなってしまうという他の致命的な問題が発生することが分かった。
【００１２】
本発明は、従来の技術やこれを改良した技術において本願発明者等が発見した問題点を解決するために、本願発明者等の新たな知見に基づいてなされたものであり、容器部内でガスが発生しにくいためにガスに起因する蛍光体層の発光特性の劣化が少なく、また蛍光体層が陽極に確実に被着しているため、陽極から剥がれにくい蛍光表示装置とその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１に記載された蛍光表示装置は、内部が高真空雰囲気とされた容器部と、前記容器部の内面に形成された陽極と、前記陽極に設けられた蛍光体層と、前記容器部内に設けられて電子を放出する陰極とを備え、前記陰極から放出された電子を前記蛍光体層に射突させて前記蛍光体層を発光させる蛍光表示装置において、
前記蛍光体層を構成する蛍光体の粒径よりも小さい粒径であり、前記蛍光体を前記陽極に接着させる接着機能を備えた接着粒子が、前記蛍光体層の中には含まれておらず、前記蛍光体層と前記陽極との間に設けられていることを特徴としている。
【００１４】
請求項２に記載された蛍光表示装置は、請求項１記載の蛍光表示装置において、
前記接着粒子が、超微粉シリカと、超微粉鉛ガラスと、超微粉アルミナから構成される接着粒子群から選択された少なくとも１種類の接着粒子であることを特徴としている。
【００１５】
請求項３に記載された蛍光表示装置は、請求項１記載の蛍光表示装置において、
前記接着粒子は、前記蛍光体層と前記陽極を物理吸着又は化学吸着により接着させることを特徴としている。
【００１６】
請求項４に記載された蛍光表示装置は、請求項１記載の蛍光表示装置において、
前記蛍光表示装置がカーボンナノチューブフィールドエミッションディスプレイであることを特徴としている。
【００１７】
請求項５に記載された蛍光表示装置の製造方法は、
内部を高真空状態とした容器部の内部において陽極の蛍光体層に電子を射突させて発光表示を行なう蛍光表示装置の製造方法において、
前記容器部を構成する基板の内面に陽極を形成し、
前記蛍光体層を構成する蛍光体よりも粒径が小さく、前記蛍光体を前記陽極に接着させる接着機能を備えた接着粒子を含む第１のペーストを前記陽極の表面に塗布して乾燥させ、
前記接着粒子は含まず前記蛍光体を含む第２のペーストを乾燥した前記第１のペーストの上に塗布し、
前記基板を焼成することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１に記載された蛍光表示装置によれば、接着粒子が蛍光体と陽極を確実に接着させるので、使用中に蛍光体層が陽極から剥がれることはない。また、接着粒子が蛍光体層の中に含まれていないので、使用中に蛍光体層に射突する電子が接着粒子に当ってガスを発生するという不都合な現象は発生せず、そのようなガスによる発光特性の劣化が起こることはない。
【００１９】
請求項２に記載された蛍光表示装置によれば、請求項１記載の蛍光表示装置による効果を、接着粒子としての超微粉シリカと、超微粉鉛ガラスと、超微粉アルミナのいずれによっても達成できる。
【００２０】
請求項３に記載された蛍光表示装置によれば、請求項１記載の蛍光表示装置による効果を、分子間力によって接着粒子が蛍光体層と陽極に物理吸着し、又は蛍光体層を焼成する際に組成が変化した接着粒子が蛍光体層と陽極に化学吸着することにより達成できる。
【００２１】
請求項４に記載された蛍光表示装置は、容器部の内容積が小さく、製造工程において容器部内を排気する際のコンダクタンスが小さいカーボンナノチューブフィールドエミッションディスプレイであるため、蛍光体層の中に電子線の射突によるガス発生の原因となる物質がない請求項１記載の蛍光表示装置の構造は、発光特性を劣化させないために特に有効である。
【００２２】
請求項５に記載された蛍光表示装置の製造方法によれば、陽極と蛍光体層の間に接着粒子が介在して蛍光体層を陽極に確実に接着するとともに、蛍光体層中には接着粒子が含まれない蛍光表示装置を製造できる。従って、当該蛍光表示装置の使用中には蛍光体層が陽極から剥がれることはなく、また接着粒子が蛍光体層の中に含まれていないので、使用中に蛍光体層に射突する電子が接着粒子に当ってガスを発生するという不都合な現象は発生せず、そのようなガスによる発光特性の劣化が起こることもない。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態に係る蛍光表示装置の断面図、（ｂ）は（ａ）における蛍光体層付近の拡大断面図である。
【図２】実施形態の蛍光表示装置と、従来例の蛍光表示装置と、比較例の蛍光表示装置について、使用時間とエミッション残存率の関係を示した図である。
【図３】本願発明者等が案出した従来例の蛍光体ペーストを用いて製造した従来例の蛍光表示装置の断面図である。
【図４】本願発明者等が案出した比較例の蛍光体ペーストを用いて製造した比較例の蛍光表示装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１は、本発明の第１実施形態に係る蛍光表示装置１１の断面図である。まず、図１を参照して第１実施形態に係る蛍光表示装置１１の構造を説明する。
この蛍光表示装置１１はカーボンナノチューブ９を利用した電子放出素子を備えたタイプである。蛍光表示装置１１の容器部１は、陽極基板２と陰極基板３を所定間隔をおいて互いに平行に配置し、その周囲を図示しないシール材で封止した薄型パネル状の部材である。
【００２５】
陽極基板２の内面には、ＳｉＯ2 層４が形成され、その上に陽極導体５及びこれに接続する配線がアルミニウムで形成されている。陽極導体５の配線は、高温で焼成した活性の低い鉛ガラスであるクロスオーバー６によって被覆されている。互いに隣接する配線と配線の間を通常の鉛ガラスで覆った場合には、その鉛ガラス内で鉛が樹状に伸びて配線と配線を導通させてしまう鉛樹が発生することがあるが、このクロスオーバー６はこのような現象を防止する。また、図中には表れないが、配線が容器部１のシール部で封着用の鉛ガラスに接触していると、これによって酸化されて断線してしまう所謂シール食われが発生することがあるが、このクロスオーバー６はこのような現象も防止する。
【００２６】
この陽極導体５の上面には、陽極導体５と後述する蛍光体層７とを接着するための機能性材料である接着粒子１２が設けられている。図１（ａ）中の蛍光体層７の部分を拡大した同図（ｂ）に示すように、接着粒子１２は、平坦な陽極導体５の表面に部分的な凹凸を形成するように、陽極導体５の上面の一部に点々と配置されることにより、蛍光体層７と陽極導体５の電気的導通を妨げることなく、蛍光体層７を陽極導体５に対して高い強度で付着させている。接着粒子１２は、その粒径が少なくとも蛍光体層７の蛍光体の粒径よりも小さく、かつ蛍光体層７の焼成温度において組成が変化することにより蛍光体層７と陽極導体５に化学吸着して両者を接着させるか、又は分子間力によって蛍光体層７と陽極導体５に物理吸着して両者を接着させる機能を有していることが必要である。
【００２７】
本例では、接着粒子１２として超微粉シリカ（ＳｉＯ2 ）が用いられている。これは、アエロジル（登録商標）として知られている超微粉乾式シリカであり、例えばケイ素塩化物を気化して高温の水素炎中で気相反応させることによりシリカ微粒子を合成して得られるフュームドシリカの一種である。この物質は、アモルファスのガラス状で球状の細孔のない一次粒子からなるが、製造工程で強く結合した立体構造を持つ凝集粒子乃至分子数個のクラスターとして生成される。湿式シリカと比較すると、細孔がないため粒子径に対しての比表面積は小さい。また、乾式シリカであっても、溶融状態から生成するフューズドシリカ粒子とは異なるものである。市販の製品としては、一次粒子径が７ｎｍから４０ｎｍ程度までの親水性のものが知られているが、前述したように本第１実施形態に好適に用いられる接着粒子１２の粒径は蛍光体層７の蛍光体の粒径よりも小さく、例えば８ｎｍ（０．００８μｍ）程度とされている。超微粉乾式シリカは、１００ｇで２リットル程度の容積となる嵩高い粉体である。超微粉乾式シリカは、その表面にシロキサンやシラノール基を有しているので、例えば陽極導体５の表面に超微粉乾式シリカを塗布し、さらにその上に本第１実施形態のようにＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を塗布して５００℃程度で焼成すると、蛍光体からＯを奪ってＳｉＯＨ→ＳｉＯ2 に組成変化するので、その組成変化に起因した化学吸着による強い密着力で蛍光体層７と陽極導体５を接着する。なお、本実施形態では、接着粒子１２である超微粉乾式シリカを介した蛍光体層７と陽極導体５の接着の態様乃至原因は、上述した化学吸着だけではなく、分子間力による物理吸着にもあると考えられる。
【００２８】
前記接着粒子１２の層の上には、蛍光体ペーストを被着して焼成することによりＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体からなる蛍光体層７が形成されている。本例では、蛍光体層７を構成するＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体の粒子の間には、Ｉｎ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 等は一切含まれていない。従って、使用時に電子が蛍光体に射突しても、ガスが発生することはない。
【００２９】
陰極基板３の内面には、透光性の陰極導体８が形成されており、その表面にはカーボンナノチューブ９が設けられて電界放出型の電子放出素子を形成している。
【００３０】
以上の構成において、陽極導体５と陰極導体８の間に適当な電位差を与えれば、カーボンナノチューブ９から電子が電界放出され、これが陽極導体５の蛍光体層７に射突して蛍光体を発光させ、その発光表示は陰極基板３を介して容器部１の外部から観察できる。
【００３１】
次に、第１実施形態に係る蛍光表示装置１１の製造方法を説明する。
前述した接着粒子１２である超微粉シリカ１０ｗｔ％と、テルピネオール９０ｗｔ％を混合し、超音波分散装置によって超音波分散を行い、透明な超微粉シリカビークルを生成する。
【００３２】
前述した超微粉シリカビークルを２ｗｔ％と、エチルセルロースとテルピネオールの混合物であるビークルを９８ｗｔ％の割合で混合し、第１のペーストであるアンダーコートペーストを得る。このアンダーコートペーストには、超微粉シリカが０．２ｗｔ％含まれていることとなる。
【００３３】
一方、蛍光表示装置１１の容器部１の一部を構成する陽極基板２の内面に、０．１μｍ程度の厚さでＳｉＯ2 膜４を形成し、その上に、１μｍ程度の厚さのアルミニウムによって所望のパターンで陽極導体５及び配線を形成する。配線の必要箇所にクロスオーバー６を被着・焼成して形成する。
【００３４】
陽極導体５を覆うようにアンダーコートペーストを塗布し、乾燥する。乾燥してテルピネオールが蒸発し、エチルセルロースと超微粉シリカが残った状態において、０．１μｍ程度の厚さとなる。このアンダーコートペーストの上に、第２のペーストである比較例の蛍光体ペーストを２０μｍ程度の厚さに塗布する。比較例の蛍光体ペーストは、前述したように、ＺｎＯ：Ｚｎ等の蛍光体の粉末に、Ｉｎ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 等の金属酸化物を添加することなく、エチルセルロースを加えた組成のペーストである。
【００３５】
陽極基板２を５００℃程度の温度で焼成する。焼成により、アンダーコートペーストはエチルセルロースが分解して例えば粒径が０．００８μｍ程度の超微粉シリカのみが残り、蛍光体層７と陽極導体５の電気的導通を妨げない状態で陽極導体５の上面の一部に点々と配置された接着粒子１２となって蛍光体層７を陽極導体５に対して高い強度で付着させる。この接着層の上には、厚さ１５μｍ程度の蛍光体層７が形成される。この焼成工程において、超微粉乾式シリカのシラノール基は、蛍光体からＯを奪ってＳｉＯＨ→ＳｉＯ2 に組成変化するので、強い密着力で蛍光体層７と陽極導体５を接着する。
【００３６】
次に、第１実施形態による効果を、従来例及び比較例と比較して説明する。
図２に示すように、第１実施形態の蛍光表示装置１１（図２中、○で示したポイントを結ぶ「実施形態」のグラフ参照）によれば、点灯時間（横軸：時間［ｈ］）の経過に伴いエミッション残存率（縦軸：［％］）は当初の１００％から徐々に減少していくが、５００時間経過後でも７０％近くのエミッション残存率がある。しかも、使用中に蛍光体層７が陽極導体５から剥がれるといった不具合が生じることはない。
【００３７】
これに対し、従来例の蛍光表示装置１０（図２中、□で示したポイントを結ぶグラフ参照）では、蛍光体層１７中の金属酸化物１７ｂからのガス放出に起因すると考えられるエミッションの低下が顕著であり、５００時間経過後にはエミッション残存率は４０％以下となり実用上必要な性能を満たさない状態となっている。
【００３８】
また、比較例の蛍光表示装置２０（図２中、×で示したポイントを結ぶグラフ参照）では、エミッション残存率の低減率は第１実施形態とほぼ同じであり良好と言えるが、前述したように使用中に蛍光体層２７が陽極導体５から剥がれてしまうという不具合が生じやすく、実用に耐えないという問題がある。
【００３９】
以上のように、第１実施形態の蛍光表示装置１１によれば、超微粉乾式シリカが蛍光体と陽極導体５を分子間力による物理吸着又は組成変化による化学吸着により確実に接着・固定するので、使用中に蛍光体層７が陽極導体５から剥がれることはなく、また蛍光体層７の中には使用中にガスを放出するような異物が含まれていないので、ガス放出による発光特性の劣化が起こる恐れもない。
【００４０】
特に、第１実施形態の蛍光表示装置１１は、陽極基板２と陰極基板３の間隔が例えば３０μｍ程度であり、容器部１の内容積が小さく、製造工程において容器部１内を排気する際のコンダクタンスが小さいカーボンナノチューブフィールドエミッションディスプレイであるため、蛍光体層７の中に電子線の射突によるガス発生の原因となる物質が存在しない本例のような構造は、蛍光体層７の発光特性を劣化させないために特に有効である。
【００４１】
次に、本発明の他の実施形態に係る蛍光表示装置について説明する。
第１実施形態では、接着粒子１２として超微粉シリカ（ＳｉＯ2 ）を用いたが、これに替えて、超微粉鉛ガラス又は超微粉アルミナを用いることもできる。超微粉鉛ガラス又は超微粉アルミナを用いる場合にも、その粒径は蛍光体の粒径よりも小さいことが必要である。また、これを含むアンダーコートペーストの製造方法やビークルに用いる使用材料等は第１実施例と同様である。但し、超微粉鉛ガラスを用いた場合には、これが蛍光体層７と陽極導体５を接着する機能は、超微粉鉛ガラスが溶融することによって接触面積が増え、これによって分子間力による物理吸着が大きく働いていることによるものであり、超微粉アルミナを用いた場合には、これが蛍光体層７と陽極導体５を接着する機能は、第１実施形態の場合と同様の分子間力による物理吸着又は組成が変化することによる化学吸着である。また、接着粒子は１種類に限るものではなく、複数種類の接着粒子を混合して使用してもよい。例えば、超微粉シリカ（ＳｉＯ2 ）と、超微粉鉛ガラスと、超微粉アルミナから任意に選択した２種類以上の超微粉接着粒子を適当な割合で混合して使用してもよい。
【符号の説明】
【００４２】
１…容器部
２…陽極基板
３…陰極基板
５…陽極導体
７…蛍光体層
８…陰極導体
９…カーボンナノチューブ
１０…従来の蛍光表示装置
１１…実施形態の蛍光表示装置
１２…接着粒子
２０…比較例の蛍光表示装置
【図１】
2011049095.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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