(57)【要約】【課題】  受信装置において、搬送波周波数帯の近傍周波数を持つ電磁波に影響されて受信信号を誤って復調してしまうことのないようにする能力（妨害波耐性能力）を向上させようとすると、受信する搬送波の電界強度が微弱な場合であっても受信信号を正しく復調することができる能力（弱電界受信能力）が犠牲になってしまう。【解決手段】  受信信号の電界強度が第１の所定強度未満の場合には、整合回路の出力インピーダンスが弱電界受信能力の向上に適する値となり、受信信号の電界強度が第２の所定強度以上の場合には、整合回路の出力インピーダンスが妨害波耐性能力の向上に適する値となることで、妨害波耐性能力を向上させても、弱電界受信能力を犠牲にしない受信装置を提供することができる。【選択図】図１
2011049858.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の周波数帯の電磁波を受信する受信装置であって、
受信信号を伝送する整合回路と、
前記整合回路によって伝送される受信信号を増幅する増幅回路と、
受信信号に基づいて電界強度を測定する電界強度測定回路と、
前記電界強度測定回路の測定する電界強度に応じて、前記整合回路の出力インピーダンスを変更するインピーダンス変更回路とを備え、
前記インピーダンス変更回路は、前記所定の周波数帯における前記整合回路の出力インピーダンスを、前記電界強度測定回路の測定する電界強度が第１の所定強度以上の場合には、前記増幅回路の前記所定の周波数帯における入力インピーダンスと整合しない値とし、当該電界強度が前記第１の所定強度以下である第２の所定強度未満の場合には、前記増幅回路の前記所定の周波数帯における入力インピーダンスと整合する値とすることを特徴とする
受信装置。
【請求項２】
前記インピーダンス変更回路は、前記電界強度が前記第２の所定強度未満から前記第２の所定強度以上に変化した場合において、前記電界強度が前記第１の所定強度未満のときには、前記整合回路の前記所定の周波数帯における出力インピーダンスを、前記増幅回路の前記所定の周波数帯における入力インピーダンスと整合する値とし、前記電界強度が前記第１の所定強度以上から前記第１の所定強度未満に変化した場合において、前記電界強度が前記第２の所定強度以上のときには、前記整合回路の前記所定の周波数帯における出力インピーダンスを、前記増幅回路の前記所定の周波数帯における入力インピーダンスと整合しない値とすることを特徴とする
請求項１記載の受信装置。
【請求項３】
前記整合回路は、受信信号を入力される入力端子と、前記増幅回路に接続する出力端子とを備え、
前記インピーダンス変更回路は、前記入力端子と前記出力端子との間の接続経路上の特定点とグラウンドとの間の接続経路のインピーダンスを変更することで、前記所定の周波数帯における前記整合回路の出力インピーダンスを変更することを特徴とする
請求項１記載の受信装置。
【請求項４】
前記インピーダンス変更回路は、
特定のインピーダンス値を有するインピーダンス素子と、
電気的に導通する状態と電気的に導通しない状態とのいずれか一方の状態となるスイッチとを備え、
前記インピーダンス素子と前記スイッチとは、前記特定点とグラウンドとの間の接続経路上に直列に接続され、
前記インピーダンス変更回路は、前記スイッチの状態を、前記電界強度が前記第１の所定強度以上の場合と、前記第２の所定強度未満の場合とで、互いに異なる状態とすることを特徴とする
請求項３記載の受信装置。
【請求項５】
前記インピーダンス変更回路は、
前記特定点とグラウンドとの間の接続経路上に直列に接続される可変容量キャパシタを備え、
前記インピーダンス変更回路は、前記可変容量キャパシタの静電容量値を、前記電界強度が前記第１の所定強度以上の場合と、前記第２の所定強度未満の場合とで、互いに異なる静電容量値とすることを特徴とする
請求項３記載の受信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受信装置に関し、特に受信信号を増幅回路に導くための整合回路を備える受信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話端末等に代表される受信装置は、受信する電磁波の電界強度が微弱な場合であっても、受信信号を正しく復調することができる能力（以下「弱電界受信能力」という。）の向上が求められている。
この弱電界受信能力を向上させるための技術として、例えば、特許文献１に開示されている技術がある。
【０００３】
一方で、受信装置は、受信する電磁波の電界強度が受信信号を正しく復調するために必要な最低限の電界強度よりも強い場合であっても、受信信号を搬送している搬送波周波数帯近傍の周波数を持つ電磁波（以下「妨害波」という。）に影響されて、受信信号を誤って復調してしまうことがある。
従って、受信装置には、妨害波が含まれていても受信する電磁波を正しく復調することができる能力（以下「妨害波耐性能力」という。）の向上も求められている。
【０００４】
受信装置には、妨害波耐性能力を向上させるために、受信信号を初段の増幅回路に導くための整合回路の出力インピーダンスと、初段の増幅回路の入力インピーダンスとを、意図的にインピーダンスマッチングしない関係にすることで、初段の増幅回路における、受信信号に含まれる妨害波の増幅度を抑えているものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１３１９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、受信信号に含まれる妨害波の増幅度を抑えるということは、同時に、受信信号に含まれる搬送波の増幅度をも抑えてしまうことになるため、このような受信装置は、妨害波耐性能力を向上させるために、弱電界受信能力を犠牲にしている。
そこで、本発明は係る問題に鑑みてなされたものであり、弱電界受信能力を犠牲にすることなく、妨害波耐性能力を向上させることができる受信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明に係る受信装置は、所定の周波数帯の電磁波を受信する受信装置であって、受信信号を伝送する整合回路と、前記整合回路によって伝送される受信信号を増幅する増幅回路と、受信信号に基づいて電界強度を測定する電界強度測定回路と、前記電界強度測定回路の測定する電界強度に応じて、前記整合回路の出力インピーダンスを変更するインピーダンス変更回路とを備え、前記インピーダンス変更回路は、前記所定の周波数帯における前記整合回路の出力インピーダンスを、前記電界強度測定回路の測定する電界強度が第１の所定強度以上の場合には、前記増幅回路の前記所定の周波数帯における入力インピーダンスと整合しない値とし、当該電界強度が前記第１の所定強度以下である第２の所定強度未満の場合には、前記増幅回路の前記所定の周波数帯における入力インピーダンスと整合する値とすることを特徴とする。
【０００８】
ここで、整合回路の出力インピーダンスと増幅回路の入力インピーダンスとが整合しないとは、整合回路の出力インピーダンスと増幅回路の入力インピーダンスとが整合（インピーダンスマッチング）している場合における、増幅回路の増幅率に比べて、増幅率を２ｄＢｍ以上減少させる、整合回路の出力インピーダンスと増幅回路の入力インピーダンスとの関係のことをいう。
【０００９】
ここで増幅率とは、整合回路に所定の周波数帯の信号が入力された場合において、整合回路に入力される入力信号と、増幅回路から出力される、入力信号に対応する出力信号との電力強度の比率のことをいう。
【発明の効果】
【００１０】
上述の構成を備える本発明に係る受信装置は、受信している受信信号の電界強度が第１の所定強度以上の場合には、整合回路の出力インピーダンスと増幅回路の入力インピーダンスとが整合しない値となることで、妨害波耐性能力を向上させ、受信している受信信号の電界強度が第２の所定強度未満の場合には、整合回路の出力インピーダンスと増幅回路の入力インピーダンスとが整合する値となることで、弱電界受信能力を向上させることができるようになる。
【００１１】
従って、微弱な電磁波の電界強度を第２の所定強度とし、微弱でない電磁波の電界強度を第１の所定強度とすることで、受信する電磁波の電界強度が微弱である場合（第２の所定強度未満の場合）において弱電界受信能力を犠牲にせず、受信する電磁波の電界強度が微弱でない場合（第１の所定強度以上の場合）において従来の受信装置と同等以上に妨害波耐性能力を向上させることができるという効果を有する。
【００１２】
また、前記インピーダンス変更回路は、前記電界強度が前記第２の所定強度未満から前記第２の所定強度以上に変化した場合において、前記電界強度が前記第１の所定強度未満のときには、前記整合回路の前記所定の周波数帯における出力インピーダンスを、前記増幅回路の前記所定の周波数帯における入力インピーダンスと整合する値とし、前記電界強度が前記第１の所定強度以上から前記第１の所定強度未満に変化した場合において、前記電界強度が前記第２の所定強度以上のときには、前記整合回路の前記所定の周波数帯における出力インピーダンスを、前記増幅回路の前記所定の周波数帯における入力インピーダンスと整合しない値とすることを特徴とするとしてもよい。
【００１３】
これにより、整合回路の出力インピーダンスと増幅回路の入力インピーダンスとの関係が、整合する関係から整合しない関係に変化する電界強度の閾値が第１の所定強度となり、整合しない関係から整合する関係に変化する電界強度の閾値が第２の所定強度となる。
従って、受信装置が、電界強度が第１の電界強度と第２の電界強度の間の強度の領域において頻繁に変化するような状況で使用される場合であっても、整合回路の出力インピーダンスと増幅回路の入力インピーダンスとの関係を頻繁に変更することがなくなるため、安定した動作を実現することができるという効果を有する。
【００１４】
また、前記整合回路は、受信信号を入力される入力端子と、前記増幅回路に接続する出力端子とを備え、前記インピーダンス変更回路は、前記入力端子と前記出力端子との間の接続経路上の特定点とグラウンドとの間の接続経路のインピーダンスを変更することで、前記所定の周波数帯における前記整合回路の出力インピーダンスを変更することを特徴とするとしてもよい。
【００１５】
これにより、整合回路の出力インピーダンスを変更するためのインピーダンス変更回路が、整合回路の入力端子と出力端子間の接続経路上に直列に配置されない構成とすることができるため、整合回路を受信信号が伝播する間に、受信信号が減衰する減衰量にほとんど影響することがないように、インピーダンス変更回路を配置することができるという効果を有する。
【００１６】
また、前記インピーダンス変更回路は、特定のインピーダンス値を有するインピーダンス素子と、電気的に導通する状態と電気的に導通しない状態とのいずれか一方の状態となるスイッチとを備え、前記インピーダンス素子と前記スイッチとは、前記特定点とグラウンドとの間の接続経路上に直列に接続され、前記インピーダンス変更回路は、前記スイッチの状態を、前記電界強度が前記第１の所定強度以上の場合と、前記第２の所定強度未満の場合とで、互いに異なる状態とすることを特徴とするとしてもよい。
【００１７】
これにより、例えば、インピーダンス素子として、コンデンサとインダクタとで構成される素子とすれば、インピーダンス変更回路を、いずれも安価で容易に入手することができるスイッチとコンデンサとインダクタとの組み合わせで実現することができるという効果を有する。
また、前記インピーダンス変更回路は、前記特定点とグラウンドとの間の接続経路上に直列に接続される可変容量キャパシタを備え、前記インピーダンス変更回路は、前記可変容量キャパシタの静電容量値を、前記電界強度が前記第１の所定強度以上の場合と、前記第２の所定強度未満の場合とで、互いに異なる静電容量値とすることを特徴とするとしてもよい。
【００１８】
これにより、インピーダンス変更回路の可変容量キャパシタの静電容量を変更することで整合回路の出力インピーダンスを変更することができるようになるため、整合回路の出力インピーダンスを３以上の異なるインピーダンスにすることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】ベースバンド波生成回路の構成を示す構成図
【図２】整合回路１０１の出力インピーダンスと、低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとの関係を示すインピーダンス対応図
【図３】整合関係切り替え動作を示すフローチャート
【図４】ベースバンド波生成回路の構成を示す構成図
【図５】整合回路１０１の出力インピーダンスと、低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとの関係を示すインピーダンス対応図
【図６】整合関係切り替え動作を示すフローチャートその１
【図７】整合関係切り替え動作を示すフローチャートその２
【発明を実施するための形態】
【００２０】
＜実施の形態＞
以下、本発明に係る受信装置の一実施形態として、受信信号の電界強度に応じて、整合回路の出力インピーダンスと高周波増幅回路の入力インピーダンスとが整合する関係（以下「整合関係１」という。）と整合しない関係（以下「整合関係２」という。）とを切り替えて受信する携帯電話端末について説明する。
【００２１】
＜概要＞
本実施の形態に係る携帯電話端末は、２ＧＨｚ帯の搬送波を利用して通信し、受信している受信信号の電界強度として推定される電界強度（以下「受信している受信信号の電界強度」という。）が、弱電界受信能力の向上が必要となる電界強度（例えば、−１０４ｄＢｍ以下）の場合には整合関係１で受信し、妨害波耐性能力の向上が必要となる電界強度（例えば、−９５ｄＢｍ以上）の場合には整合関係２で受信する。
【００２２】
また、本実施の形態に係る携帯電話端末は、整合関係１で受信している場合において、受信している受信信号の電界強度が−９５ｄＢｍ未満から−９５ｄＢｍ以上に変化すると、本実施の形態に係る携帯電話端末は、整合回路の出力インピーダンスと高周波増幅回路の入力インピーダンスとの関係（以下「整合関係」という。）を整合関係１から整合関係２に変更し、整合関係２で受信している場合において、受信信号の電界強度が−１０４ｄＢｍ以上から−１０４ｄＢｍ未満に変化すると、本実施の形態に係る携帯電話端末は、整合関係を整合関係２から整合関係１に変更する。
【００２３】
従って、本実施の形態に係る携帯電話端末は、受信している受信信号の電界強度が、弱電界受信能力の向上が必要となる電界強度では、弱電界受信能力を向上させ、妨害波耐性能力の向上が必要となる電界強度では、妨害波耐性能力を向上させることができる受信装置となっている。
上述の本実施の形態に係る携帯電話端末について、その構成と動作とを順に説明する。
【００２４】
＜構成＞
本実施の形態に係る携帯電話端末の特徴は、受信信号の電界強度に応じて、整合関係１と整合関係２とのいずれか一方の整合関係を選択して受信するという点にある。
この特徴を実現するための構成上の特徴は、アンテナで受信信号を受信してからベースバンド帯域の復調波を示す信号（以下「ベースバンド信号」という。）を出力するまでの部分（以下「ベースバンド信号生成回路」という。）の構成にあるため、ここではベースバンド信号生成回路を中心に説明し、その他の部分（送信回路、受信回路のうちのベースバンド信号生成回路以降の回路、カメラ機能等の各種アプリケーション機能を実現するための回路等）に関しては、通常の携帯電話端末と同様の構成であるため説明を省略する。
【００２５】
以下、ベースバンド信号生成回路の構成について、図面を参照しながら説明する。
図１は、ベースバンド信号生成回路１０００の構成を示す構成図である。
ベースバンド信号生成回路１０００は、基地局から送信される２ＧＨｚ帯の搬送波を受信し、受信した受信信号をベースバンド信号に変換する回路であって、アンテナ１０３、デュプレクサ１０４、整合回路１０１、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１０２、インピーダンス変更回路１０５から構成される。
【００２６】
アンテナ１０３は、２ＧＨｚ帯の搬送波の送受信を行うためのアンテナであって、デュプレクサ１０４と接続する。
デュプレクサ１０４は、アンテナ１０３で受信する受信信号を整合回路１０１に伝送する機能と、図示していない送信回路から入力される送信信号をアンテナ１０３には伝送し、整合回路１０１には伝送しない機能とを有する回路であって、アンテナ１０３と整合回路１０１と図示していない送信回路とに接続する。
【００２７】
整合回路１０１は、デュプレクサ１０４から入力される受信信号を、ＲＦＩＣ１０２に伝送する回路であって、デュプレクサ１０４とＲＦＩＣ１０２とインピーダンス変更回路１０５とに接続する。
整合回路１０１は、第１のインダクタ１１１と第１のキャパシタ１１２と第２のインダクタ１１３と入力端子１１７と出力端子１１８とから構成され、各要素間の接続関係は、図１に示す通りである。
【００２８】
第１のインダクタ１１１、第２のインダクタ１１３のインダクタンスは、それぞれ、１．８ｎＨ、８．２ｎＨであって、第１のキャパシタ１１２のキャパシタンスは１００ｐＦである。
ＲＦＩＣ１０２は、整合回路１０１から入力される受信信号を、ベースバンド信号に変換する機能と、入力される受信信号に基づいて、アンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定する機能とを有する半導体集積回路であって、整合回路１０１とインピーダンス変更回路１０５と図示していないベースバンドＩＣとに接続する。
【００２９】
ＲＦＩＣ１０２は、低雑音増幅回路（LNA: Low Noise Amplifier）１２１とベースバンド信号変換回路１２２とＲＳＳＩ（Received Signal Strength Indication）値測定回路１２３とから構成される。
低雑音増幅回路１２１は、２ＧＨｚ帯の周波数領域における入力インピーダンスが29.024+j29.300Ωである雑音指数の小さい高周波増幅回路であって、入力される受信信号を増幅して、ベースバンド信号変換回路１２２とＲＳＳＩ値測定回路１２３とに出力する。
【００３０】
ベースバンド信号変換回路１２２は、低雑音増幅回路１２１で増幅された受信信号（以下「増幅信号」という。）を、ベースバンド信号に変換して、ベースバンドＩＣへ出力する。
ＲＳＳＩ値測定回路１２３は、内蔵するタイマで時刻を計測しながら、低雑音増幅回路１２１から入力される増幅信号の強度を、１００ｍｓ毎に測定し、測定した増幅信号の強度からアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定し、推定した電界強度を、ｄＢｍを単位としたデジタル値である電界強度信号としてインピーダンス変更回路１０５に出力する。
【００３１】
ＲＳＳＩ値測定回路１２３は、予め実験に基づいて、入力される信号の強度からアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を正しく推定することができるように、電界強度信号を算出するために使用する表、又は、数式を構成する係数群の値が定められている。
インピーダンス変更回路１０５は、ＲＦＩＣ１０２から入力される電界強度信号に応じて、整合回路１０１の出力端子１１８における出力インピーダンスを変更することで、整合関係を整合関係１と整合関係２とのいずれか一方に変更する回路であって、ＲＦＩＣ１０２と整合回路１０１とに接続する。
【００３２】
ここで、整合回路１０１の出力端子１１８における出力インピーダンスとは、仮に、アンテナ１０３とデュプレクサ１０４とが接続し、デュプレクサ１０４と整合回路１０１とが接続し、インピーダンス変更回路１０５と整合回路１０１とが接続し、出力端子１１８の先に何も接続していないとした場合の、出力端子１１８からアンテナ１０３側を見た２ＧＨｚ帯の周波数帯におけるインピーダンスである。
【００３３】
インピーダンス変更回路１０５は、切替信号生成回路１５１とスイッチ１５４と第３のインダクタ１５５と第２のコンデンサ１５６とから構成されている。
切替信号生成回路１５１は、図示していないマイクロプロセッサとメモリとから構成され、ＲＦＩＣ１０２から入力されるデジタル値である電界強度信号をラッチする機能と、ラッチしている電界強度信号に応じて以下のような切替信号を出力する機能と、出力する切替信号をラッチする機能とを有する回路である。
【００３４】
切替信号生成回路１５１は、ＲＦＩＣ１０２から入力された電界強度信号の示す電界強度が−９５ｄＢｍ以上の場合には、切替信号として“High”（例えば、３．３Ｖの電位の信号）を出力し、−１０４ｄＢｍ以下の場合には、“Low”（例えば、０Ｖの電位の信号）を出力し、切替信号として“High”を出力している場合において、入力された電界強度信号の示す電界強度が−１０４ｄＢｍ以上から−１０４ｄＢｍ未満に変化すると、切替信号を“High”から“Low”に変更し、切替信号として“Low”を出力している場合において、入力された電界強度信号の示す電界強度が−９５ｄＢｍ未満から−９５ｄＢｍ以上に変化すると、切替信号を“Low”から“High”に変更する。
【００３５】
スイッチ１５４と第３のインダクタ１５５と第２のコンデンサ１５６とは図１に示す通りに直列に接続される。
スイッチ１５４は、切替信号生成回路１５１から入力される切替信号が“High”である場合には導通状態となり、“Low”である場合には非導通状態となる、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタスイッチであって、第３のインダクタのインダクタンスは６．８ｎＨであって、第２のキャパシタのキャパシタンスは１００ｐＦである。
【００３６】
上述のように構成されるインピーダンス変更回路１０５によって、整合回路１０１は、２ＧＨｚ帯の周波数領域における出力端子１１８の出力インピーダンスは、切替信号生成回路１５１から入力される切替信号が“High”である場合には17.097+j34.559Ωとなり、切替信号が“Low”である場合には29.024+j29.300Ωとなる。
図２は、２ＧＨｚ帯の周波数領域における、整合回路１０１の出力インピーダンスと、低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとの関係を示す図であって、切替信号が“High”の場合と“Low”の場合とのそれぞれについて、両者がインピーダンスマッチングしている関係にあるか否かを示している。
【００３７】
図２に示すとおり、切替信号が“High”の場合には、２ＧＨｚ帯の周波数領域において、整合回路１０１の出力インピーダンスと、低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとの関係は、インピーダンスマッチングしている関係となり、切替信号が“Low”の場合には、整合回路１０１の出力インピーダンスと、低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとの関係は、インピーダンスマッチングしていない関係になる。
【００３８】
本実施の形態に係る携帯電話端末は、整合回路１０１の出力インピーダンスと、低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとの関係を、整合する関係と整合しない関係との切り替えを行うことで、弱電界受信能力の向上に適するように受信する場合と、妨害波耐性能力の向上に適するように受信する場合とを切り替える携帯電話端末である。
以下、その原理について説明する。
【００３９】
２ＧＨｚ帯の周波数領域において、整合回路１０１の出力インピーダンスと、低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとの関係が、インピーダンスマッチングしている関係であれば、整合回路１０１が出力する受信信号の２ＧＨｚ帯の周波数成分の信号は減衰することなく低雑音増幅回路１２１に入力される。
従って、本実施の形態に係る携帯電話端末は、切替信号生成回路１５１が出力する切替信号が“High”の場合には、搬送波の周波数帯である２ＧＨｚ帯の周波数成分の受信信号を減衰させることなく低雑音増幅回路１２１に入力させることができるため、弱電界受信能力を向上させることができる。
【００４０】
２ＧＨｚ帯の周波数領域において、整合回路１０１の出力インピーダンスと、低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとの関係が、インピーダンスマッチングしていない関係であれば、整合回路１０１が出力する受信信号の２ＧＨｚ帯の周波数成分の信号は減衰して低雑音増幅回路１２１に入力される。
妨害波耐性能力を向上させるためには、低雑音増幅回路１２１に入力される妨害波の電力強度の絶対値を小さくすることが有効であるため、妨害波耐性能力を向上させることができるが、同時に、搬送波も減衰させることになる。
【００４１】
妨害波の減衰量を大きくすれば、妨害波耐性能力を向上させることができるが、同時に搬送波の減衰量も大きくなってしまうので、減衰量を大きくしすぎると、必要な弱電界受信能力を満たさなくなってしまう場合が起こる。
つまり、妨害波の減衰量は、受信している受信信号の電界強度が−９５ｄＢｍ以上である場合においては、必要な妨害波耐性能力を満たして、かつ、必要な弱電界受信能力を満たしている減衰量になっていることが必要である。
【００４２】
従って、本実施の形態に係る携帯電話端末は、後述の実験を行い、受信している受信信号の電界強度が−９５ｄＢｍ以上強度である場合において、必要な妨害波耐性能力を満たして、かつ、必要な弱電界受信能力を満たすような、妨害波の減衰量を決定し、その決定した減衰量になるように、インダクタ１１１、１１３、１１５のインダクタンスと、キャパシタ１１２、１１６のキャパシタンスを決定している。
【００４３】
ここで、受信している受信信号の電界強度が−９５ｄＢｍである場合における、本実施の形態に係る携帯電話端末に必要な妨害波耐性能力（以下「必要妨害波耐性能力」という。）は、アンテナ１０３に、搬送波の電界強度に比べて例えば３０ｄＢ弱い強度であって、搬送波の周波数の例えば±０．１％の周波数の妨害波を与えたときに、本実施の形態に係る携帯電話端末が、受信信号を誤って復調してしまうエラーレートが例えば０．５％以下になる妨害波耐性能力である。
【００４４】
また、受信している受信信号の電界強度が−９５ｄＢｍ以上である場合における、本実施の形態に係る携帯電話端末に必要な弱電界受信能力（以下「必要弱電界受信能力」という。）は、受信信号を誤って復調してしまうエラーレートが０．５％以下になる弱電界受信能力である。
従って、この場合には、必要妨害波耐性能力を満たしていれば、必然的に必要弱電界受信能力を満たしていることになる。
【００４５】
妨害波耐性能力を決定する実験者は、２１００ＭＨｚの搬送波と、２０９８ＭＨｚの妨害波と、２１０２ＭＨｚの妨害波とを用いて、整合回路１０１の出力インピーダンスを少しずつ変更しながら、様々な強度の搬送波と妨害波とをアンテナ１０３に与え、本実施の形態に係る携帯電話端末が、受信する搬送波を誤って復調してしまうエラーレートを計測していく。
【００４６】
実験者は、計測結果から、必要妨害波耐性能力を満たし、かつ、必要弱電界受信能力を満たしている整合回路１０１の出力インピーダンスを抽出し、抽出した整合回路１０１の出力インピーダンスを基にして、対応する妨害波の減衰量を計算する。
本実施の形態に係る携帯電話端末は、必要妨害波耐性能力を満たし、かつ、必要弱電界能力を満たす時の妨害波の減衰量の範囲中で、最も受信信号を誤って復調してしまうエラーレートが低くなる（最も妨害波耐性能力が高くなる）減衰量を選択することが望ましい。
【００４７】
例えば、本実施の形態に係る携帯電話端末は、一例として、必要妨害波耐性能力を満たし、かつ、必要弱電界能力を満たす時の妨害波の減衰量の範囲が、２ｄＢｍ〜１０ｄＢｍであって、３ｄＢｍであるときが最も受信信号を誤って復調してしまうエラーレートが低くなる減衰量であるものとする。
そのため、本実施の形態に係る携帯電話端末は、妨害波の減衰量が３ｄＢｍになるように、インダクタ１１１、１１３、１１５のインダクタンスと、キャパシタ１１２、１１６のキャパシタンスとが決定される。
【００４８】
もっとも、上記のように、本実施の形態に係る携帯電話端末では、妨害波の減衰量に応じて、インダクタ１１１、１１３、１１５のインダクタンスと、キャパシタ１１２、１１６のキャパシタンスとが決定されるものであり、これらインダクタ１１１、１１３、１１５のインダクタンスと、キャパシタ１１２、１１６のキャパシタンスとは、上記のように、妨害波の減衰量が３ｄＢｍになる場合に限定されるものではない。
【００４９】
さらに、本実施の形態に係る携帯電話端末は、必要妨害波耐性能力を満たしている場合であれば、必要弱電界能力をみたすときの妨害波の減衰量の範囲中で、最も減衰量の少ない減衰量を選択するとしても良い。
＜動作＞
上述の本実施の形態に係る携帯電話端末の特徴的な動作は、受信信号の電界強度に応じて、整合関係を整合関係１から整合関係２、もしくは、整合関係２から整合関係１に切り替えるといった、整合関係を切り替える動作（以下「整合関係切り替え動作」という。）であるため、以下、この整合関係切り替え動作について説明する。
【００５０】
整合関係切り替え動作以外の動作については、一般的な携帯電話端末の動作と特徴的な違いはないため、説明を省略する。
図３は、整合関係切り替え動作のフローチャートである。
ＲＳＳＩ値測定回路１２３は、アンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定し（ステップＳ３００）、ｄＢｍを単位としたデジタル値を電界強度信号として切替信号生成回路１５１に出力する。
【００５１】
切替信号生成回路１５１は、電界強度信号を受け取ると、切替信号として“Low”を出力している場合、すなわち、実施の形態に係る携帯電話端末は、整合関係１で受信している場合（ステップＳ３１０：Ｙｅｓ）において、受け取った電界強度信号が−９５ｄＢｍ以上を示す信号であるとき（ステップＳ３２０：Ｙｅｓ）には、切替信号を“High”に変更、すなわち、本実施の形態に係る携帯電話端末は、整合関係を、整合関係１から整合関係２に変更し（ステップＳ３３０）、電界強度信号が−９５ｄＢｍ以上を示す信号でないとき（ステップＳ３２０：Ｎｏ）には、切替信号を変更しない、すなわち、本実施の形態に係る携帯電話端末は、整合関係を変更しない。
【００５２】
また、切替信号生成回路１５１は、電界強度信号を受け取ると、切替信号として“High”を出力している場合、すなわち、本実施の形態に係る携帯電話端末は、整合関係２で受信している場合（ステップＳ３１０：Ｎｏ）において、受け取った電界強度信号が−１０４ｄＢｍ以下を示す信号であるとき（ステップＳ３５０：Ｙｅｓ）には、切替信号を“Low”に変更、すなわち、本実施の形態に係る携帯電話端末は、整合関係を、整合関係２から整合関係１に変更し（ステップＳ３６０）、電界強度信号が−１０４ｄＢｍ以下を示す信号でないとき（ステップＳ３５０：Ｎｏ）には、切替信号を変更しない、すなわち、本実施の形態に係る携帯電話端末は、整合関係を変更しない。
【００５３】
ステップＳ３３０の処理が終了したとき、ステップＳ３２０において電界強度信号が−９５ｄＢｍ以上を示す信号でないとき、ステップＳ３６０の処理が終了したとき、又は、ステップＳ３５０において電界強度信号が−１０４ｄＢｍ以下を示す信号でないときには、ＲＳＳＩ値測定回路１２３は、前回アンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定してから１００ｍｓ経過する（ステップＳ３４０）と、再びステップＳ３００に戻ってアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定する。
【００５４】
以下、切替信号生成回路１５１が切替信号として“Low”を出力している場合において、アンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度が、−９７ｄＢｍから−９３ｄＢｍに変化した後、１０分間後に電界強度が−１００ｄＢｍとなり、さらに、−１０６ｄＢｍに変化したときにおける、本実施の形態に係る携帯電話端末の具体的動作について説明する。
【００５５】
切替信号生成回路１５１が“Low”信号を出力している場合、すなわち、本実施の形態に係る携帯電話端末が整合関係１で受信している場合において、ＲＳＳＩ値測定回路１２３はアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定し（ステップＳ３００）、−９７ｄＢｍであるため、電界強度信号として−９７ｄＢｍを示す信号を出力する。
切替信号生成回路１５１は、“Low”を出力中（ステップＳ３１０：Ｙｅｓ）に−９７ｄＢｍを示す電界強度信号を受け取り、−９５ｄＢｍ以上ではない（ステップＳ３２０：Ｎｏ）ので、切替信号として“Low”を出力し続ける。
【００５６】
従って、本実施の形態に係る携帯電話端末は整合関係を変更することはない。
ＲＳＳＩ値測定回路１２３は、前回アンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定してから１００ｍｓ経過する（ステップＳ３４０）と、再びアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定し（ステップＳ３００）、−９３ｄＢｍに変化していることがわかるので、電界強度信号として−９３ｄＢｍを示す信号を出力する。
【００５７】
切替信号生成回路１５１は、“Low”を出力中（ステップＳ３１０：Ｙｅｓ）に−９３ｄＢｍを示す電界強度信号を受け取り、−９５ｄＢｍ以上である（ステップＳ３２０：Ｙｅｓ）ので、切替信号を“Low”から“High”に変更する（ステップＳ３３０）。
従って、本実施の形態に係る携帯電話端末は、整合関係を、整合関係１から整合関係２に変更して受信する。
【００５８】
このとき、整合回路１０１の出力インピーダンスと、低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとの関係は、インピーダンスマッチングしている関係から、インピーダンスマッチングしていない関係へと変更されるため、低雑音増幅回路１２１の出力する増幅信号の強度は３ｄＢｍ減衰することになり、ＲＳＳＩ値測定回路１２３が推定するアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度は、−９６ｄＢｍに変化していることになる。
【００５９】
しかしながら、ＲＳＳＩ値測定回路１２３が推定するアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度は、−１０４ｄＢｍ以下ではないため、整合関係を変更することはない。
１０分経過後、切替信号生成回路１５１は“High”信号を出力している、すなわち、本実施の形態に係る携帯電話端末が整合関係２で受信している状態で、ＲＳＳＩ値測定回路１２３はアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定し（ステップＳ３００）、−１００ｄＢｍ（アンテナ１０３で受信している受信信号は−９７ｄＢｍであるが、整合関係が整合関係２であるので、整合関係１である場合に比べて、低雑音増幅回路１２１の出力する増幅信号の強度が３ｄＢ減衰しており、ＲＳＳＩ値測定回路１２３は、実際より３ｄＢ少ない−１００ｄＢｍと推定するため）であるため、電界強度信号として−１００ｄＢｍを示す信号を出力する。
【００６０】
切替信号生成回路１５１は、“High”を出力中（ステップＳ３１０：Ｎｏ）に−１００ｄＢｍを示す電界強度信号を受け取り、−１０４ｄＢｍ以下ではない（ステップＳ３５０：Ｎｏ）ので、切替信号として“High”を出力し続ける。
従って、本実施の形態に係る携帯電話端末は整合関係を変更することはない。
ＲＳＳＩ値測定回路１２３は、前回アンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定してから１００ｍｓ経過する（ステップＳ３４０）と、再びアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定し（ステップＳ３００）、−１０６ｄＢｍ（アンテナ１０３で受信している受信信号は−１０３ｄＢｍ）に変化していることがわかるので、電界強度信号として−１０６ｄＢｍを示す信号を出力する。
【００６１】
切替信号生成回路１５１は、“High”を出力中（ステップＳ３１０：Ｎｏ）に−１０６ｄＢｍを示す電界強度信号を受け取り、−１０４ｄＢｍ以下である（ステップＳ３２０：Ｙｅｓ）ので、切替信号を“High”から“Low”に変更する（ステップＳ３６０）。
従って、本実施の形態に係る携帯電話端末は、整合関係を、整合関係２から整合関係１に変更して復調を行う。
【００６２】
このとき、整合回路１０１の出力インピーダンスと、低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとの関係は、インピーダンスマッチングしていない関係から、インピーダンスマッチングしている関係へと変更されるため、低雑音増幅回路１２１の出力する増幅信号は減衰しないことになり、ＲＳＳＩ値測定回路１２３が推定するアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度は、−１０３ｄＢｍに変化していることになる。
【００６３】
しかしながら、ＲＳＳＩ値測定回路１２３が推定するアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度は、−９５ｄＢｍ以上ではないため、整合関係を変更することはない。
＜変形例＞
上述した実施の形態では、受信している受信信号の電界強度に応じて、整合関係を、整合関係１と整合関係２とのいずれか一方を選択して受信する携帯電話端末の例について説明したが、変形例では、受信している受信信号の電界強度に応じて、整合関係を、整合関係１と、受信している受信信号の電界強度が、例えば−９５ｄＢｍ以上−８５ｄＢｍ未満の場合において、妨害波耐性能力向上に適する整合関係（以下「整合関係３」という。）と、受信信号の電界強度が、例えば−７５ｄＢｍ以上の場合において、妨害波耐性能力向上に適する整合関係（以下「整合関係４」という。）の３つの整合関係のうちの１つの整合関係を選択して受信する携帯電話端末の例について説明する。
【００６４】
＜概要＞
本変形例に係る携帯電話端末は、２ＧＨｚ帯の搬送波を利用して通信し、受信している受信信号の電界強度が、−１０４ｄＢｍ以下の場合には整合関係１で受信し、−９５ｄＢｍ以上−８５ｄＢｍ未満の場合には整合関係３で受信し、−７５ｄＢｍ以上の場合には整合関係４で受信する。
【００６５】
また、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係１又は３で受信している場合において、受信している受信信号の電界強度が−７５ｄＢｍ未満から−７５ｄＢｍ以上に変化すると、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係を整合関係１又は３から整合関係４に変更し、整合関係１又は４で受信している場合において、受信している受信信号の電界強度が、−９５ｄＢｍ未満もしくは−８５ｄＢｍ以上から、−９５ｄＢｍ以上−８５ｄＢｍ未満に変化すると、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係を整合関係１又は４から整合関係３に変更し、整合関係３又は４で受信している場合において、受信している受信信号の電界強度が−１０４ｄＢｍ以上から−１０４ｄＢｍ未満に変化すると、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係を整合関係３又は４から整合関係１に変更する。
【００６６】
上述の本変形例に係る携帯電話端末について、その構成と動作とを、主として実施の形態に係る携帯電話端末との相違点を中心に説明する。
＜構成＞
図４は、ベースバンド信号生成回路２０００の構成を示す構成図である。
ベースバンド信号生成回路２０００は、基地局から送信される２ＧＨｚ帯の搬送波を受信し、受信した受信信号をベースバンド信号に変換する回路であって、アンテナ１０３、デュプレクサ１０４、整合回路１０１、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１０２、インピーダンス変更回路４０５から構成される。
【００６７】
アンテナ１０３、デュプレクサ１０４、整合回路１０１、ＲＦＩＣ１０２は、前述の実施の形態と同じものであるので、説明を省略する。
インピーダンス変更回路４０５は、ＲＦＩＣ１０２から入力される電界強度信号に応じて、整合回路１０１の出力端子１１８における出力インピーダンスを変更することで、整合関係を整合関係１と整合関係２とのいずれか一方に変更する回路であって、ＲＦＩＣ１０２と整合回路１０１とに接続する。
【００６８】
インピーダンス変更回路１０５は、制御電圧生成回路４５１とチョークコイル４５７と可変容量キャパシタ４５４とから構成されている。
制御電圧生成回路４５１は、図示していないマイクロプロセッサとメモリとＤＡ（Digital Analog）変換器とから構成され、ＲＦＩＣ１０２から入力されるデジタル値である電界強度信号をラッチする機能と、ラッチしている電界強度信号に応じてプロセッサとメモリとで以下のような電圧となる制御信号を出力する機能と、出力する制御信号の電圧を保持する機能とを有する回路である。
【００６９】
制御電圧生成回路４５１は、ＲＦＩＣ１０２から入力された電界強度信号の示す電界強度が−７５ｄＢｍ以上の場合には、制御信号として“High”（例えば、３．３Ｖの電位の信号）を出力し、−９５ｄＢｍ以上−８５ｄＢｍ未満の場合には、制御信号として“Middle”（例えば、２．０Ｖの電位の信号）を出力し、−１０４ｄＢｍ未満の場合には、制御信号として“Low”（例えば０Ｖの電位の信号）を出力する。
【００７０】
また、制御電圧生成回路４５１は、制御信号として“Low”又は“Middle”を出力している場合において、電界強度信号の示す電界強度が−７５ｄＢｍ未満から−７５ｄＢｍ以上に変化すると、制御信号を“Low”又は“Middle”から“High”に変更し、制御信号として“Low”又は“High”を出力している場合において、電界強度信号の示す電界強度が、−９５ｄＢｍ未満もしくは−８５ｄＢｍ以上から、−９５ｄＢｍ以上−８５ｄＢｍ未満に変化すると、制御信号を“Low”又は“High”から“Middle”に変更し、制御信号として“Middle”又は“High”を出力している場合において、電界強度信号の示す電界強度が、−１０４ｄＢｍ以上から−１０４ｄＢｍ未満に変化すると、制御信号を“Middle”又は“High”から“Low”に変更する。
【００７１】
チョークコイル４５７は、交流成分の電流を遮断し、直流成分の電流のみを透過するインダクタであって、制御電圧生成回路４５１と可変容量キャパシタ４５４と接続する。
可変容量キャパシタ４５４は、２つの端子（アノード、カソード）間の電圧に応じて、その容量値を変えるバリキャップダイオードであって、静電容量値は、制御電圧生成回路から入力される制御信号が“High”すなわち、３．３Ｖの場合には１０ｐＦ、制御電圧生成回路から入力される制御信号が“Middle”すなわち、２．０Ｖの場合には５ｐＦ、制御電圧生成回路から入力される制御信号が“Low”すなわち、０Ｖの場合には０ｐＦとなり、チョークコイル４５７とグラウンドとに接続する。
【００７２】
上述のように構成されるインピーダンス変更回路４０５によって、２ＧＨｚ帯の周波数領域における出力端子１１８の出力インピーダンスは、制御電圧生成回路４５１から入力される制御信号が“High“である場合には3.9423+j6.9355Ωとなり、制御信号が”Middle“である場合には31.924+j10.395Ωとなり、制御信号が“Low“である場合には29.024+j29.300Ωとなる。
【００７３】
図５は、２ＧＨｚ帯の周波数領域における、整合回路１０１の出力インピーダンスと、低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとの関係を示す図であって、制御信号が“High”の場合と“Middle”の場合と“Low”の場合とのそれぞれについて、両者がインピーダンスマッチングしている関係にあるか否かを示している。
図５に示すとおり、制御信号が“Low”の場合には、２ＧＨｚ帯の周波数領域において、整合回路１０１の出力インピーダンスと、低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとの関係は、インピーダンスマッチングしている関係となり、制御信号が“Middle”と“High”の場合には、整合回路１０１の出力インピーダンスと、低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとの関係は、インピーダンスマッチングしていない関係になる。
【００７４】
本変形例に係る携帯電話端末は、整合回路１０１の出力インピーダンスと、低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとの関係を、整合する関係と２種類の整合しない関係との切り替えを行うことで、弱電界受信能力の向上に適するように受信する場合と、受信している受信信号の電界強度が、−９５ｄＢｍ以上−８５ｄＢｍ未満の場合において妨害波耐性能力の向上に適するように受信する場合と、−７５ｄＢｍ以上の場合において妨害波耐性能力の向上に適するように受信する場合とを切り替える携帯電話端末である。
【００７５】
本変形例に係る携帯電話端末は、実施の形態で説明した、受信信号を誤って復調してしまうエラーレートが最も低くなる、妨害波の減衰量を決定する実験によって、受信している受信信号の電界強度が−９５ｄＢｍ以上−８５ｄＢｍ未満の場合においては、妨害波の減衰量が２ｄＢｍになるときに最も受信信号を誤って復調してしまうエラーレートが低くなり、受信している受信信号の電界強度が−７５ｄＢｍ以上の場合においては、妨害波の減衰量が４ｄＢになるときに最も受信信号を誤って復調してしまうエラーレートが低くなることが決定されている。
【００７６】
従って、本変形例に係る携帯電話端末は、制御信号が“Middle”の場合には、妨害波の減衰量が２ｄＢとなり、制御信号が“High”の場合には、妨害波の減衰量が４ｄＢとなり、制御信号が“Low”の場合には、整合関係が整合関係１となるように、インダクタ１１１、１１３のインダクタンスと、キャパシタ１１２のキャパシタンス、及び、可変容量キャパシタ４５４のアノード、カソード間にかかる電圧、すなわち、制御信号の示す電位が決定されている。
【００７７】
＜動作＞
上述の本変形例に係る携帯電話端末の特徴的な動作は、実施の形態と同様に、整合関係の切り替えにあるため、以下、この整合関係切り替え動作について説明し、整合関係切り替え動作以外の動作については説明を省略する。
図６、図７は、整合関係切り替え動作のフローチャートである。
【００７８】
ＲＳＳＩ値測定回路１２３は、アンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定し（ステップＳ６００）、ｄＢｍを単位としたデジタル値を電界強度信号として制御電圧生成回路４５１に出力する。
制御電圧生成回路４５１は、電界強度信号を受け取ると、制御信号として“Low”を出力している場合、すなわち、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係１で受信している場合（ステップＳ６１０：Ｙｅｓ）において、受け取った受信信号が−９５ｄＢｍ以上を示す信号であるとき（ステップＳ６２０：Ｙｅｓ）には、受け取った電界強度信号が−７５ｄＢｍ以上を示す信号であれば（ステップＳ６３０：Ｙｅｓ）、制御信号を“High”に変更、すなわち、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係を、整合関係１から整合関係４に変更し（ステップＳ６４０）、電界強度信号が−７５ｄＢｍ以上を示す信号でなければ（ステップＳ６３０：Ｎｏ）、制御信号を“Middle”に変更、すなわち、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係を、整合関係１から整合関係３に変更する（ステップＳ６５０）という動作を行う。
【００７９】
ステップＳ６２０において、受け取った受信信号が−９５ｄＢｍ以上を示す信号でないとき（ステップＳ６２０：Ｎｏ）には、制御信号を変更することはしない、すなわち、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係を変更しない。
また、制御電圧生成回路４５１は、電界強度信号を受け取ると、制御信号として“Low”を出力せずに（ステップＳ６１０：Ｎｏ）、“Middle”を出力している場合（ステップＳ７００：Ｙｅｓ）、すなわち、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係３で受信している場合において、受け取った受信信号が−１０４ｄＢｍ以下を示す信号であるとき（ステップＳ７１０：Ｙｅｓ）には、制御信号を“Low”に変更（ステップＳ７２０）、すなわち、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係を整合関係３から整合関係１に変更するという動作を行う。
【００８０】
ステップＳ７１０において、受け取った受信信号が−１０４ｄＢｍ以下を示す信号でないとき（ステップＳ７１０：Ｎｏ）には、電界強度信号が−７５ｄＢｍ以上を示す信号であれば、（ステップＳ７３０：Ｙｅｓ）、制御信号を“High”に変更（ステップＳ７４０）、すなわち、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係を、整合関係３から整合関係４に変更し、電界強度信号が−７５ｄＢｍ以上を示す信号でなければ（ステップＳ７３０：Ｎｏ）、制御信号を変更することはしない、すなわち、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係を変更しない。
【００８１】
さらに、制御電圧生成回路４５１は、電界強度信号を受け取ると、制御信号として“Low”も“Middle”も出力していない場合、つまり、制御信号として“High”を出力している場合（ステップＳ６１０：Ｎｏ、ステップＳ７００：Ｎｏ）、すなわち、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係４で受信している場合において、受け取った受信信号が−１０４ｄＢｍ以下を示す信号であるとき（ステップＳ７５０：Ｙｅｓ）には、制御信号を“Low”に変更（ステップＳ７６０）、すなわち、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係を整合関係４から整合関係１に変更するという動作を行う。
【００８２】
ステップＳ７５０において、受け取った受信信号が−１０４ｄＢｍ以下を示す信号でないとき（ステップＳ７５０：Ｎｏ）には、電界強度信号が−８５ｄＢｍ以上を示す信号であれば、（ステップＳ７３０：Ｙｅｓ）、制御信号を変更せず、すなわち、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係を変更せず、電界強度信号が−８５ｄＢｍ以上を示す信号でなければ（ステップＳ７７０：Ｎｏ）、制御信号を“Middle”に変更する（ステップＳ７８０）、すなわち、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係を、整合関係４から整合関係３に変更するという動作を行う。
【００８３】
ステップＳ６４０の処理が終了したとき、ステップＳ６５０の処理が終了したとき、ステップＳ６２０において電界強度信号が−９５ｄＢｍ以上を示す信号でないとき、ステップＳ７２０の処理が終了したとき、ステップＳ７４０の処理が終了したとき、ステップＳ７３０において電界強度信号が−７５ｄＢｍ以上を示す信号でないとき、ステップＳ７６０の処理が終了したとき、ステップＳ７７０において電界強度信号が−８５ｄＢｍ以上を示す信号であるとき、又は、ステップＳ７８０の処理が終了したときには、ＲＳＳＩ値測定回路１２３は、前回アンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定してから１００ｍｓ経過する（ステップＳ６６０）と、再びステップＳ６００に戻ってアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定する。
【００８４】
以下、制御電圧生成回路４５１が制御信号として“Low”を出力している場合において、アンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度が、−９７ｄＢｍから−９３ｄＢｍに変化した後、しばらくして−７３ｄＢｍに変化し、その後電界強度が急激に弱くなって、−１０７ｄＢｍに変化したときにおける、本変形例に係る携帯電話端末の具体的動作について説明する。
【００８５】
制御電圧生成回路４５１が“Low”信号を出力している場合、すなわち、本変形例に係る携帯電話端末が整合関係１で受信している場合において、ＲＳＳＩ値測定回路１２３はアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定し（ステップＳ６００）、−９７ｄＢｍであるため、電界強度信号として−９７ｄＢｍを示す信号を出力する。
制御電圧生成回路４５１は、“Low”を出力中（ステップＳ６１０：Ｙｅｓ）に−９７ｄＢｍを示す電界強度信号を受け取り、−９５ｄＢｍ以上ではない（ステップＳ６２０：Ｎｏ）ので、制御信号として“Low”を出力し続ける。
【００８６】
従って、本実施の形態に係る携帯電話端末は整合関係を変更することはない。
ＲＳＳＩ値測定回路１２３は、前回アンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定してから１００ｍｓ経過する（ステップＳ６６０）と、再びアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定し（ステップＳ６００）、−９３ｄＢｍに変化していることがわかるので、電界強度信号として−９３ｄＢｍを示す信号を出力する。
【００８７】
制御電圧生成回路４５１は、“Low”を出力中（ステップＳ６１０：Ｙｅｓ）に−９３ｄＢｍを示す電界強度信号を受け取り、−９５ｄＢｍ以上であって（ステップＳ６２０：Ｙｅｓ）−７５ｄＢｍ以上でない（ステップＳ６３０：Ｎｏ）ので、制御信号を“Low”から“Middle”に変更する（ステップＳ６３０）。
従って、本実施の形態に係る携帯電話端末は、整合関係を、整合関係１から整合関係３に変更して受信する。
【００８８】
このとき、整合回路１０１の出力インピーダンスと、低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとの関係は、インピーダンスマッチングしている関係から、インピーダンスマッチングしていない関係へと変更されるため、低雑音増幅回路１２１の出力する増幅信号の強度は２ｄＢｍ減衰することになり、ＲＳＳＩ値測定回路１２３が推定するアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度は、−９５ｄＢｍに変化していることになる。
【００８９】
しかしながら、ＲＳＳＩ値測定回路１２３が推定するアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度は、−１０４ｄＢｍ以下ではなく、かつ、−７５ｄＢｍ以上でないため、整合関係を変更することはない。
その後、制御電圧生成回路４５１は“Middle”信号を出力している、すなわち、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係３で受信している状態で、ＲＳＳＩ値測定回路１２３はアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定し（ステップＳ６００）、−７３ｄＢｍであるため、電界強度信号として−７３ｄＢｍを示す信号を出力する。
【００９０】
制御電圧生成回路４５１は、“Middle”を出力中（ステップＳ６１０：Ｎｏ、ステップＳ７００：Ｙｅｓ）に−７３ｄＢｍを示す電界強度信号を受け取り、−１０４ｄＢｍ以下でなく（ステップＳ７１０：Ｎｏ）−７５ｄＢｍ以上である（ステップＳ７３０：Ｙｅｓ）、ので、制御信号を“Middle”から“High”に変更する（ステップＳ７４０）。
従って、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係を、整合関係３から整合関係４に変更して受信する。
【００９１】
このとき、整合回路１０１の出力インピーダンスと、低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとの関係は、低雑音増幅回路１２１の出力する増幅信号の強度がインピーダンスマッチングしている関係の場合に比べて２ｄＢｍ減衰する関係から、低雑音増幅回路１２１の出力する増幅信号の強度がインピーダンスマッチングしている関係の場合に比べて４ｄＢｍ減衰する関係へと変更されることになり、ＲＳＳＩ値測定回路１２３が推定するアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度は、−７５ｄＢｍに変化していることになる。
【００９２】
しかしながら、ＲＳＳＩ値測定回路１２３が推定するアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度は、−８５ｄＢｍ以上のため、整合関係を変更することはない。
その後、制御電圧生成回路４５１は“High”信号を出力している、すなわち、本変形例に係る携帯電話端末は整合関係４で受信している状態で、ＲＳＳＩ値測定回路１２３はアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を推定し（ステップＳ６００）、−１０７ｄＢｍであるため、電界強度信号として−１０７ｄＢｍを示す信号を出力する。
【００９３】
制御電圧生成回路４５１は、“High”を出力中（ステップＳ６１０：Ｎｏ、ステップＳ７００：Ｎｏ）に−１０７ｄＢｍを示す電界強度信号を受け取り、−１０４ｄＢｍ以下である（ステップＳ７１０：Ｙｅｓ）ので、制御信号を“High”から“Low”に変更する（ステップＳ７６０）。
従って、本変形例に係る携帯電話端末は、整合関係を、整合関係４から整合関係１に変更して受信を行う。
【００９４】
このとき、整合回路１０１の出力インピーダンスと、低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとの関係は、低雑音増幅回路１２１の出力する増幅信号の強度がインピーダンスマッチングしている関係の場合に比べて４ｄＢｍ減衰する関係から、インピーダンスマッチングする関係へと変更されることになり、ＲＳＳＩ値測定回路１２３が推定するアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度は、−１０３ｄＢｍに変化していることになる。
【００９５】
しかしながら、ＲＳＳＩ値測定回路１２３が推定するアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度は、−９５ｄＢｍ以上ではないため、整合関係を変更することはない。
＜補足＞
以上、本発明に係る受信装置の一実施形態として、受信信号の電界強度に応じて、整合関係を変更して受信する携帯電話端末について、実施の形態と変形例の例を挙げて説明したが、以下のように変形することも可能であり、本発明は上述した実施の形態で示した通りの受信装置に限られないことはもちろんである。
（１）実施の形態及び変形例において、受信装置として２ＧＨｚ帯の搬送波を利用して通信する携帯電話端末を例として説明したが、整合回路１０１に相当する回路を搭載している受信器であれば、２ＧＨｚ帯以外の周波数帯の搬送波を利用して通信する携帯電話端末であっても構わないし、携帯電話端末以外の受信器、例えば、トランシーバ、ラジオ、テレビ等であっても構わない。
（２）実施の形態及び変形例において、整合回路１０１の構成は、インダクタ１１１、１１３と、キャパシタ１１２が図１に示すように接続された例について説明したが、これ以外の構成であっても構わない。
【００９６】
ただし、整合回路１０１に入力される受信信号を低雑音増幅回路１２１に伝送する機能と、インピーダンス変更回路１０５によって、その出力インピーダンスを変更される機能を有する必要がある。
（３）実施の形態において、インピーダンス変更回路１０５は、切替信号生成回路１５１、スイッチ１５４、インダクタ１５５、コンデンサ１５６が図１に示すように接続された例について説明したが、インピーダンス変更回路１０５の出力インピーダンスを適切に変更する機能があれば、これ以外の構成であっても構わない。
【００９７】
また、スイッチ１５４がオフのときに、インピーダンス変更回路１０５の出力インピーダンスと低雑音増幅回路１２１の入力インピーダンスとが整合する関係になり、オンのときに整合しない関係になるとしたが、スイッチ１５４がオンの時に整合する関係となり、オフの時に整合しない関係になる構成としても構わない。
（４）変形例において、インピーダンス変更回路４０５は、可変容量キャパシタ４５４、チョークコイル４５７が図のように接続された例について説明したが、インピーダンス変更回路１０５の出力インピーダンスを適切に変更する機能があれば、これ以外の構成であっても構わない。
【００９８】
また、制御電圧生成回路４５１が“High”と“Middle”と“Low”との３種類の信号を出力し、“High”の場合に整合関係が整合関係４となり、“Middle”の場合に整合関係が整合関係３となり、“Low”の場合に整合関係が整合関係１となるという例について説明したが、これ以外の組み合わせ、例えば、“High”の場合に整合関係が整合関係１となり、“Middle”の場合に整合関係が整合関係３となり、“Low”の場合に整合関係が整合関係４となるといった、組み合わせであっても構わないし、“High”と“Low”の２種類の信号を出力するという構成にしても構わない。
（５）実施の形態及び変形例において、低雑音増幅回路１２１、ベースバンド信号変換回路１２２、ＲＳＳＩ値測定回路１２３は、ＲＦＩＣ１０２という１つの半導体集積回路に含まれるとしたが、これ以外の構成、例えば、低雑音増幅回路１２１、ベースバンド信号変換回路１２２、ＲＳＳＩ値測定回路１２３は、それぞれ互いに別々の部品であっても構わないし、ＲＦＩＣ１０２が、低雑音増幅回路１２１、ベースバンド信号変換回路１２２、ＲＳＳＩ値測定回路１２３に加えて、さらに他の回路を含んでいる半導体集積回路であっても構わない。
【００９９】
また、ＲＳＳＩ値測定回路１２３が、低雑音増幅回路１２１の出力に接続されて、ＲＦＩＣ１０２に入力される受信信号の電界強度を推定する構成としたが、ＲＳＳＩ値測定回路１２３は、受信装置が受信している受信信号の電界強度を推定する機能を実現できれば、低雑音増幅回路１２１の出力が入力される構成でなくても、他の信号が入力される構成であっても構わない。
（６）実施の形態及び変形例において、ＲＳＳＩ値測定回路１２３は、受信信号の電界強度を１００ｍｓ毎に推定し、ｄＢｍを単位としたデジタル値を電界強度信号として出力するとしたが、受信信号の電界強度を測定する時間間隔がこれ以外の間隔であっても構わないし、ｄＢｍを単位としたデジタル値でない信号を電界強度信号として出力しても構わない。
（７）実施の形態及び変形例において、デュプレクサ１０４と整合回路１０１との間に回路が存在しない構成について説明したが、デュプレクサ１０４と整合回路１０１との間に、ダイプレクサや、トリプレクサを備えている構成の受信装置であっても構わないし、例えば送信回路がない構成であれば、デュプレクサ１０４がない構成の受信装置であっても構わない。
（８）実施の形態において、ＲＳＳＩ値測定回路１２３がアンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を正しく推定するための較正方法について一例を挙げて説明したが、アンテナ１０３で受信している受信信号の電界強度を正しく推定することができるように較正する方法であれば、実施の形態で説明した較正方法以外の較正方法で較正されるとしても構わない。
（９）実施の形態において、受信信号を誤って復調してしまうエラーレートが最も低くなる、妨害波の減衰量を決定するための実験について一例を挙げて説明したが、正しく、受信信号を誤って復調してしまうエラーレートが最も低くなる、妨害波の減衰量を決定することができる実験であれば、実施の形態で説明した実験以外の実験で決定されるとしても構わない。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明は、携帯電話端末等に代表される、受信装置に広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１０１  整合回路
１０２  ＲＦＩＣ
１０３  アンテナ
１０４  デュプレクサ
１０５  インピーダンス変更回路
１２１  低雑音増幅回路
１２２  ベースバンド信号変換回路
１２３  ＲＳＳＩ値測定回路
１５１  切替信号生成回路
４５４  可変容量キャパシタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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