(57)【要約】      （修正有）【課題】電子部品の温度状態をより良好に把握しつつ、実装構造体を小型化させる手段を提供する。【解決手段】配線基板３は、複数の絶縁層１３及び配線部Ｌ２を含む積層体７と、該積層体７の上面に設けられ、電子部品２が搭載される搭載領域と、該搭載領域外に設けられた第１乃至第４外部接続パッド９を備え、配線部は、測定領域と、測定領域の一方端及び第１外部接続パッドを電気的に接続した第１接続領域と、測定領域の一方端及び第２外部接続パッドを電気的に接続した第２接続領域と、測定領域の他方端及び第３外部接続パッドを電気的に接続した第３接続領域と、測定領域の他方端及び第４外部接続パッドを電気的に接続した第４接続領域と、を有し、測定領域は、少なくとも一部が搭載領域の直下に配置されている。【選択図】図２
2011049396.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層及び配線部を含む積層体と、該積層体の上面に設けられ、電子部品が搭載される搭載領域と、該搭載領域外に設けられた第１乃至第４外部接続パッドを備え、
前記配線部は、測定領域と、前記測定領域の一方端及び前記第１外部接続パッドを電気的に接続した第１接続領域と、前記測定領域の前記一方端及び前記第２外部接続パッドを電気的に接続した第２接続領域と、前記測定領域の他方端及び前記第３外部接続パッドを電気的に接続した第３接続領域と、前記測定領域の前記他方端及び前記第４外部接続パッドを電気的に接続した第４接続領域と、を有し、
前記測定領域は、少なくとも一部が前記搭載領域の直下に配置されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記搭載領域内に位置するとともに前記電子部品に電気的に接続される複数の電極パッドを更に備え、
前記測定領域は、少なくとも一部が前記電極パッドの直下に配置されていることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項２に記載の配線基板において、
前記測定領域は、平面視における前記搭載領域の図心に最も近接した前記電極パッドの直下に配置されていることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項２に記載の配線基板において、
前記搭載領域は、平面視にて外周に角部を有し、
前記測定領域は、前記搭載領域の角部に最も近接した前記電極パッドの直下に配置されていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項２に記載の配線基板において、
前記測定領域は、電源電力を伝達する前記電極パッドの直下に配置されていることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１に記載の配線基板において、
前記搭載領域内に位置するとともに前記電子部品に電気的に接続される複数の電極パッドを更に備え、
前記測定領域は、少なくとも一部が隣接する前記電極パッド同士の間に位置する領域の直下に配置されていることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板において、
前記搭載領域内に位置するとともに前記電子部品に電気的に接続される複数の電極パッドと、最上層の絶縁層を上下方向に貫通して前記電極パッドの下面に電気的に接続したビア導体と、を更に備え、
前記測定領域は、少なくとも一部が前記ビア導体の直下に配置されていることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項１に記載の配線基板において、
前記測定領域は、最上層の絶縁層の下面に形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項１に記載の配線基板において、
前記測定領域は、前記第１乃至第４接続領域と同一材料からなることを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
請求項１に記載の配線基板と、
前記配線基板に搭載された電子部品と、
を備えたことを特徴とする実装構造体。
【請求項１１】
請求項１０に記載の実装構造体の前記第１及び第３外部接続パッドを介して前記測定領域に電流を流す工程と、
前記電流が流れている前記測定領域の前記一方端及び前記他方端の間における電位差を、前記第２及び第４外部接続パッドを介して測定する工程と、
を備えたことを特徴とする電位差測定方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電位差測定方法により測定された電位差の測定値を用いて、前記測定領域の温度を算出する工程を備えたことを特徴とする温度測定方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載の実装構造体と、
前記実装構造体の前記第１及び第３外部接続パッドに電気的に接続された電流供給部と、
前記実装構造体の前記第２及び第４外部接続パッドに電気的に接続された電位差検出部と、
を備えたことを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）等に使用される配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。
【０００３】
特許文献１には、配線基板と、配線基板に実装された電子部品と、電子部品表面に配置された、ダイオード、サーミスタ又は熱電対のいずれかの温度測定手段と、を備えた実装構造体が記載されている。
【０００４】
このように、電子部品の温度測定が可能な実装構造体を得るため、実装構造体に温度測定手段を設けた場合、実装構造体の構成要素が増加し、実装構造体が大型化しやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１１４５７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、電子部品の温度状態をより良好に把握しつつ、実装構造体を小型化させる要求に応える配線基板を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態にかかる配線基板は、複数の絶縁層及び配線部を含む積層体と、該積層体の上面に設けられ、電子部品が搭載される搭載領域と、該搭載領域外に設けられた第１乃至第４外部接続パッドを備え、前記配線部は、測定領域と、前記測定領域の一方端及び前記第１外部接続パッドを電気的に接続した第１接続領域と、前記測定領域の前記一方端及び前記第２外部接続パッドを電気的に接続した第２接続領域と、前記測定領域の他方端及び前記第３外部接続パッドを電気的に接続した第３接続領域と、前記測定領域の前記他方端及び前記第４外部接続パッドを電気的に接続した第４接続領域と、を有し、前記測定領域は、少なくとも一部が前記搭載領域の直下に配置されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一形態にかかる配線基板によれば、電子部品の搭載領域直下に設けた測定領域の電位差を測定することにより、電子部品の温度状態を良好に把握できる。その結果、電子部品の温度状態を良好に把握でき、且つ、小型の実装構造体を構成する配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１ａは本発明の第１実施形態に係る実装構造体の電極パッドを透視した上面図であり、図１ｂは図１ａのI−I線に沿う断面図である。
【図２】図２ａは図１ａのII−II線に沿う断面図であり、図２ｂは図２ａに示した実装構造体の要部（実線で囲んだ領域）を拡大して示した断面図である。
【図３】図１ａに示した実装構造体に含まれる配線基板の測定領域を含む導電層を透視した上面図である。
【図４】図４ａは本発明の第２実施形態に係る実装構造体の断面図であり、図４ｂは図４ａに示した実装構造体の要部（実線で囲んだ領域）を拡大して示した断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る実装構造体に含まれる配線基板の測定領域を含む導電層を透視した上面図である。
【図６】図６ａは図５のIII−III線に沿う実装構造体の断面図であり、図６ｂは図６ａに示した実装構造体の要部（実線で囲んだ領域）を拡大して示した断面図である。
【図７】本発明の第４実施形態に係る実装構造体に含まれる配線基板の測定領域を含む導電層を透視した上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１実施形態）
以下に、本発明の第１実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１１】
図１乃至図３に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２及び配線基板３を含んでいる。
【００１２】
電子部品２は、例えばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板３にバンプ４を介してフリップチップ実装されている。この電子部品２は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。電子部品２としては、例えば、平均厚み、すなわち厚みの平均値が０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下のものを使用することができる。
【００１３】
バンプ４は、例えば鉛、錫、銀、金、銅、亜鉛、ビスマス、インジウム又はアルミニウム等を含む半田等の導電材料により構成されており、熱伝導率が例えば１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上４５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下に設定されている。かかる熱伝導率は、ＪＩＳＲ１６１１‐１９９７に準ずる。
【００１４】
配線基板３は、コア基板５とコア基板５の両側に形成された一対のビルドアップ部６とを含む積層体７と、積層体７の上面に形成された複数の電極パッド８と、積層体７の下面に形成された複数の外部接続パッド９と、積層体７の上面に形成された搭載領域Ｍと、を含んでいる。
【００１５】
コア基板５は、配線基板３の強度を高めつつ一対のビルドアップ部６間の導通を図るものであり、平均厚みが例えば０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に形成されている。このコア基板５は、基体１０、スルーホール導体１１、及び絶縁体１２を含んでいる。
【００１６】
基体１０は、例えば樹脂により形成され、樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等を使用することができる。また、基体１０は、樹脂に被覆された基材を含んでも構わない。基材としては、繊維により構成された織布若しくは不織布又は繊維を一方向に配列したものを使用することができる。繊維としては、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維又は金属繊維等を使用することができる。
【００１７】
また、基体１０の熱膨張率は、例えば１ｐｐｍ／℃以上１６ｐｐｍ／℃以下に設定されている。かかる熱膨張率は、ＩＳＯ１１３５９‐２：１９９９に準ずる。また、基体１０の熱伝導率は、例えば１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下に設定されている。
【００１８】
基体１０には、該基体１０を厚み方向（Ｚ方向）に貫通する複数のスルーホール導体１１が円筒状に形成されている。スルーホール導体１１は、コア基板５の上下のビルドアップ部６を電気的に接続するものであり、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料により形成されたものを使用することができ、熱伝導率が例えば１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上４５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下設定されている。
【００１９】
円筒状のスルーホール導体１１の内部には、絶縁体１２が柱状に形成されている。絶縁体１２は、後述するビア導体１５の支持面を形成するものであり、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。
【００２０】
一方、コア基板５の両側には、上述した如く、一対のビルドアップ部６が形成されている。ビルドアップ部６は、複数の絶縁層１３と、基体１０上又は絶縁層１３間又は絶縁層１３上に形成された複数の導電層１４と、絶縁層１３を貫通する複数のビア導体１５と、を含んでいる。
【００２１】
複数の絶縁層１３は、導電層１４を支持する支持部材として機能するだけでなく、導電層１４同士の短絡を防ぐ絶縁部材として機能するものであり、平均厚みが例えば１０μｍ以上３０μｍ以下となるように形成されている。絶縁層１３としては、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができ、熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上４０ｐｐｍ／℃以下に設定され、熱伝導率が例えば１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下に設定されている。
【００２２】
複数の導電層１４は、厚み方向に互いに離間するとともに基体１０上及び絶縁層１３上に間隙を空けて配置されており、平均厚みが例えば３μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。導電層１４としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料により形成されたものを使用することができ、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定され、熱伝導率が例えば１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上４５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下に設定されている。
【００２３】
導電層１４に電気的に接続されるビア導体１５は、厚み方向に互いに離間した導電層１４同士を相互に接続するものであり、コア基板５に向って幅狭となる柱状に形成されている。ビア導体１５としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料により形成されたものを使用することができ、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定され、熱伝導率が例えば１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上４５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下に設定されている。
【００２４】
上述したコア基板５及び一対のビルドアップ部６は積層体７を構成しており、該積層体７の上面には、すなわち、コア基板５上方に位置するビルドアップ部６の上面には、複数の電極パッド８が形成されている。複数の電極パッド７は、電子部品２の支持部及び電子部品２との電気的接続部として機能するものであり、平面視にて例えば円状に形成されている。電極パッド８としては、構成材料、厚み又は熱膨張率等が上述した導電層１４と同様のものを用いることができる。また、複数の電極パッド８は、例えば正方形状となるように配列されている。
【００２５】
かかる複数の電極パッド７上にバンプ４を介して電子部品２は搭載され、複数の電極パッド７は積層体７の上面にて電子部品２の搭載領域Ｍを構成する。すなわち、搭載領域Ｍは、図４に示したように、配列した複数の電極パッド８の内、最外周に位置する電極パッド８の外側を結んだ仮想線Ｉにより取り囲まれた領域である。
【００２６】
また、積層体７の下面、すなわち、コア基板５下方に位置するビルドアップ部６の下面には、複数の外部接続パッド９が形成されている。複数の外部接続パッド９は、外部回路との電気的接続部として機能するものであり、平面視にて例えば円状に形成されている。外部接続パッド９としては、構成材料、厚み又は熱膨張率等が上述した導電層１４と同様のものを用いることができる。なお、外部接続パッド９は、第１外部接続パッド９ａ、第２外部接続パッド９ｂ、第３外部接続パッド９ｃ、第４外部接続パッド９ｄを有する。
【００２７】
ところで、スルーホール導体１１、導電層１４及びビア導体１５は、互いに電気的に接続されており、配線部を構成しており、積層体７は配線部を含む。配線部は、第１配線部Ｌ１と第２配線部Ｌ２とを有する。
【００２８】
図２に示すように、第１配線部Ｌ１は、電極パッド８と外部接続パッド９とを電気的に接続するものであり、接地用配線、電力供給用配線及び／又は信号用配線として機能するものである。
【００２９】
一方、本実施形態の配線基板３においては、図３及び図４に示すように、第２配線部Ｌ２は、第１外部接続パッド９ａ、第２外部接続パッド９ｂ、第３外部接続パッド９ｃ及び第４外部接続パッド９ｄの四端子を電気的に接続するものである。
【００３０】
第２配線部Ｌを構成する導電層１４は、測定領域１１ａ、第１接続領域１１ｂ１、第２接続領域１１ｂ２、第３接続領域１１ｂ３及び第４接続領域１１ｂ４を有する。
【００３１】
測定領域１１ａは、一方端１１ａ１及び他方端１１ａ２を有する細長形状の領域であり、直線状である。測定領域１１ａの一方端１１ａ１には、第１接続領域１１ｂ１及び第２接続領域１１ｂ２が接続されており、測定領域１１ａの他方端１１ａ２には、第３接続領域１１ｂ３及び第３接続領域１１ｂ２が接続されている。
【００３２】
第１接続領域１１ｂ１は、測定領域１１ａの一方端１１ａ１及び第１外部接続パッド９ａを電気的に接続するものである。また、第２接続領域１１ｂ２は、測定領域１１の一方端１１ａ１及び第２外部接続パッド９ｂを電気的に接続するものである。また、第３接続領域１１ｂ３は、測定領域１１ａの他方端１１ａ２及び第３外部接続パッド９ｃを電気的に接続するものである。また、第４接続領域１１ｂ４は、測定領域１１ａの他方端１１ａ２及び第４外部接続パッド９ｄを電気的に接続するものである。
【００３３】
第２配線部Ｌは、上述した構成を用いた四端子法により、測定領域１１ａの一方端１１ａ１及び他方端１１ｂ２の間の電位差を測定することができる。さらに、かかる測定領域１１ａの電位差の測定値から、測定領域１１ａの温度を算出することができる。
【００３４】
四端子法を用いた、測定領域１１ａにおける電位差及び温度の測定方法は、具体的には以下のように行うことができる。
【００３５】
まず、電源及び電位差計を準備し、第１外部接続パッド９ａ及び第３外部接続パッド９ｃを電源に電気的に接続するとともに、第２外部接続パッド９ｂ及び第４外部接続パッド９ｄを電位差計に電気的に接続する。
【００３６】
次に、電源を用いて、第１外部接続パッド９ａ、第１接続領域１１ｂ１、測定領域１１ａ、第３測定領域１１ｂ３及び第３外部接続パッド９ｃに直流の定常電流を流しつつ、電位差計を用いて、第２外部接続パッド９ｂ及び第４外部接続パッドの間の電位差を測定する。かかる定常電流は、電流が例えば１ｍＡ以上１００ｍＡ以下に設定され、電圧が例えば１Ｖ以上５Ｖ以下に設定されている。
【００３７】
ここで、第２接続領域１１ｂ２には電流が流れないため、第２外部接続パッド９ｂ及び第１測定領域１１ａの一方端１１ａ１の間は等電位となる。同様に、第４接続領域１１ｂ４には電流が流れないため、第４外部接続パッド９ｄ及び第１測定領域１１ａの他方端１１ａ２の間は等電位となる。したがって、第２外部接続パッド９ｂ及び第４外部接続パッドの間の電位差を、測定領域１１ａにおける一方端１１ａ１及び他方端１１ａ２の間の電位差とみなすことができるため、測定領域１１ａにおける電位差を精度良く測定することができる。
【００３８】
次に、かかる電位差の測定値を用いて、以下の数式１より測定領域１１ａの体積抵抗率を算出する。なお、数式１は、測定領域１１ａにおいて、体積抵抗率をρとし、電位差をＶとし、電流をＩとし、長手方向（Ｘ方向）の長さをＬとし、幅（Ｙ方向）をＷとし、上下方向（Ｚ方向）への厚みをＴとする。
【００３９】
【数１】
2011049396.tif 000003
【００４０】
ここで、体積抵抗率は、物質に固有の値であり、温度に比例する。したがって、測定領域に含まれる材料を特定することにより、体積抵抗率から温度を算出することができる。なお、測定領域に含まれる材料は、例えば従来周知のX線光電子分析法により特定することができる。
【００４１】
以上のようにして、本実施形態の配線基板３は、測定領域１１ａにおける電位差を測定することができ、ひいては測定領域１１ａの温度を把握することができる。
【００４２】
ところで、バンプ４及び電極パッド８を構成する導電材料は、熱伝導率が樹脂材料及び大気と比較して高い。それ故、実装構造体１を使用する際、作動した電子部品２内部の回路で生じた熱が、バンプ４及び電極パッド８を介して配線基板３に効率良く伝導する。
【００４３】
一方、本実施形態の配線基板３においては、測定領域１１ａの少なくとも一部が搭載領域Ｍの直下に配置されている。それ故、電子部品２内部の回路で生じた熱が熱伝導率の高いバンプ４及び電極パッド８を介して搭載領域Ｍ直下の測定領域１１ａに効率良く伝導するため、上述した方法を用いて測定領域１１ａの温度を把握することにより、電子部品２の温度を良好に把握することができる。また、配線基板３により電子部品２の温度を把握できるため、実装構造体１に温度測定用の構成要素を付加することなく電子部品２の温度を把握することができる。したがって、電子部品２内の温度を良好に把握でき、且つ、小型の実装構造体１を提供することができる。
【００４４】
また、実装構造体１に温度測定用の構成要素を付加する必要がないため、例えば温度測定用手段を電子部品２の表面に配置することにより生じる電子部品２のクラックを低減し、信頼性に優れた実装構造体１を提供することができる。
【００４５】
測定領域１１ａは、図に示すように、少なくとも一部が電極パッド８の直下に位置することが望ましい。その結果、測定領域１１ａを電極パッド８に近接させることができ、ひいては電子部品２内部の回路で生じた熱が電極パッド８を介して測定領域１１ａに効率良く伝導するため、電子部品２の温度をより良好に把握することができる。
【００４６】
測定領域１１ａが直下に位置する電極パッド８は、複数の電極パッド８の内、平面視における搭載領域Ｍの図心に最も近接したものであることが望ましい。その結果、熱が発散しにくい搭載領域Ｍの平面視における図心に測定領域１１ａを近接させることができ、ひいては電子部品２の温度をより良好に把握することができる。
【００４７】
測定領域１１ａが直下に位置する電極パッド８は、複数の電極パッド８の内、高周波数、高速伝送又は大電流の電流が流れる電極パッド８であることが望ましい。その結果、高周波数、高速伝送又は大電流に起因して電子部品２内の発熱量が大きい回路にバンプ４を介して接続された電極パッド８に測定領域１１ａを近接させることができ、ひいては電子部品２内の高温となる箇所の温度を良好に把握することができる。
【００４８】
ここで、測定領域１１ａが直下に位置する電極パッド８が信号用電極パッド８である場合、該信号用電極パッド８はクロック信号が伝達されるものであることが望ましい。その結果、高周波数に起因して発熱量の大きいクロック回路にバンプ４を介して接続された電極パッド８に測定領域１１ａを近接させることができる。
【００４９】
また、より望ましくは、信号用電極パッド８は入出力データが伝達されることが望ましい。その結果、高速伝送及び大電流に起因してより発熱量の大きいデータ入出力回路にバンプ４を介して接続された電極パッド８に測定領域１１ａを近接させることができる。
【００５０】
さらに望ましくは、測定領域１１ａが直下に位置する電極パッド８が電源電力を伝達する電力供給用電極パッド８であることが望ましい。その結果、電子部品２内にて信号用回路よりも大電流が流れて最も発熱量が大きい電力供給用回路にバンプ４を介して接続された電力供給用電極パッド８に測定領域１１ａを近接させることができ、ひいては電子部品２内の最も高温となる箇所の温度を感度良く検出することができる。
【００５１】
測定領域１１ａは、コア基板５上面に形成されたビルドアップ部６に形成されていることが望ましい。その結果、測定領域１１ａを電子部品２により近接させることができる。
【００５２】
また、測定領域１１ａは、最上層の絶縁層１３の下面に形成されていることが望ましい。その結果、測定領域１１ａを電子部品２により近接させることができる。
【００５３】
測定領域１１ａは、第１乃至第４接続領域１１ｂ１乃至４と同一材料からなることが望ましい。その結果、配線基板３に熱が印加された際、測定領域１１ａと第１乃至第４接続領域１１ｂ１乃至４とが接続する一方端１１ａ１及び他方端１１ａ２に印加される熱応力を低減し、第２配線部Ｌ２における電気的信頼性を向上させることができる。
【００５４】
また、第２配線部Ｌ２を構成するスルーホール導体１１、導電層１４及びビア導体１５は、第１配線部Ｌ１と同一材料からなることが望ましい。その結果、配線基板３内における熱膨張率又は剛性等の特性をより均一にし、配線基板３の歪みや反りを低減することができる。
【００５５】
測定領域１１ａは一方端１１ａ１及び他方端１１ａ２を有する細長形状であるため、抵抗値をより大きくすることができる。それ故、抵抗値と電位差は比例することから、電位差を大きくすることにより、測定領域１１ａにおける温度変化に伴う電位差の変化を感度良く検出することができ、ひいては電子部品２の温度をより良好に把握することができる。
【００５６】
測定領域１１ａは、幅又は厚みが第１乃至第４測定領域１１ｂ１乃至４よりも小さいことが望ましい。その結果、測定領域１１ａの抵抗値をより大きくすることができる。
【００５７】
測定領域１１ａは、長さが１００μｍ以上１０００μｍ以下、幅が１０μｍ以上１００μｍ以下、厚みが５μｍ以上２０μｍ以下に設定された細長形状であることが望ましい。その結果、電子部品２の温度を良好に把握することができる。
【００５８】
かくして、上述した実装構造体１は、配線基板３を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品２を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。さらに、作動時における電子部品２の温度を良好に把握することができるため、作動中の温度に応じて電子部品２を制御することにより、熱による電子部品２の故障を低減し、実装構造体１の信頼性を高めることができる。
【００５９】
また、上述した実装構造体１と、上述した電源と同様の機能を有する電流供給部と、上述した電位差計と同様の機能を有する電位差検出部と、上述した温度測定方法と同様に電位差から温度を算出する温度算出部と、を備えた電子装置は、作動中の温度に応じて電子部品２を制御することができる。
【００６０】
また、上述した、実装構造体１、電流供給部及び電位差検出部と、電位差検出部により測定した電位差を用いて電子部品２の動作を制御する電子部品制御部と、を備えた電子装置は、熱による電子部品２の故障を低減する機能を設けることができる。
【００６１】
次に、上述した実装構造体１の製造方法を説明する。
【００６２】
（１）コア基板５を準備する。具体的には、以下のように行う。
【００６３】
まず、例えば未硬化樹脂と基材とを含む複数の樹脂シートを積層し、加熱加圧して未硬化樹脂を硬化させることにより、基体１０を作製する。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージ又はＢ‐ステージの状態である。次に、例えばドリル加工やレーザー加工等により、基体１０を厚み方向に貫通したスルーホールを複数形成する。次に、例えば無電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、スルーホールの内壁に導電材料を被着させて、円筒状のスルーホール導体１１を形成する。また、基体１０の上面及び下面に導電材料を被着させて、導電材料層を形成する。次に、円筒状のスルーホール導体１１の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体１２を形成する。次に、導電材料を絶縁体１２の露出部に被着させた後、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等により、導電層材料層をパターニングして導電層１４を形成する。
【００６４】
以上のようにして、コア基板５を作製することができる。
【００６５】
（２）コア基板５の両側に一対のビルドアップ部６を形成し、電極パッド８及び外部接続パッド９を形成することにより、配線基板３を作製する。具体的には、以下のように行う。
【００６６】
まず、未硬化の樹脂を導電層１４上に配置し、樹脂を加熱して流動密着させつつ、更に加熱して樹脂を硬化させることにより、導電層１４上に絶縁層１３を形成する。次に、例えばＹＡＧレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置により、絶縁層１３にビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖ内に導電層１４の少なくとも一部を露出させる。次に、例えばセミアディティブ法、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法等により、ビア孔Ｖにビア導体１３を形成するとともに絶縁層１３の上面に導電層１４を形成する。
【００６７】
かかる工程を繰り返すことにより、ビルドアップ部６を形成することができる。なお、最上層及び最下層の絶縁層１３に導電層１４を形成する際、導電層１４と同様に電極パッド８及び外部接続パッド９を形成することができる。
【００６８】
以上のようにして、配線基板３を作製することができる。
【００６９】
（３）電極パッド８上にバンプ４を形成し、バンプ４を介して、配線基板３に電子部品２をフリップチップ実装することにより、図１乃至４に示す実装構造体１を作製できる。
【００７０】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る配線基板を備えた実装構造体を、図に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
【００７１】
第２実施形態は第１実施形態と異なり、測定領域１１ａＡが直下に配置した電極パッド８Ａの下面に、最上層の絶縁層１３Ａを上下方向に貫通したビア導体１５Ａが電気的に接続しており、測定領域１１ａＡの少なくとも一部が該ビア導体１５Ａの直下に配置されている。その結果、電子部品２Ａの熱がビア導体１５Ａを介して測定領域１１ａＡに効率良く伝導されるため、電子部品２Ａの温度を感度良く測定することができる。
【００７２】
測定領域１１ａＡとビア導体１５Ａとの間には、１層の絶縁層１３Ａが介されていることが望ましい。その結果、電子部品２Ａの熱がビア導体１５ａＡを介して測定領域１１ａＡに効率良く伝導されるため、電子部品２Ａの温度を感度良く測定することができる。
【００７３】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る配線基板を備えた実装構造体を、図に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
【００７４】
第３実施形態は第１実施形態と異なり、測定領域１１ａＢの少なくとも一部が、隣接する電極パッド８Ｂ同士の間に位置する領域の直下に配置されている。その結果、隣接する２つの電極パッド８Ｂを介して電子部品２Ｂの熱が測定領域１１ａＢに効率良く伝導されるため、電子部品２Ｂの温度を感度良く測定することができる。
【００７５】
隣接する２つの電極パッド８Ｂの一方は、複数の電極パッド８Ｂの内、搭載領域ＭＢの平面視における図心に最も近接したものであることが望ましい。その結果、熱が発散しにくい搭載領域ＭＢの平面視における図心に測定領域１１ａＢを近接させることにより、電子部品２Ｂの温度を感度良く測定することができる。また、熱が発散しにくい搭載領域ＭＢの平面視における図心に最も近接した電極パッド８Ｂを介して、電子部品２Ｂの熱を測定領域１１ａＢに効率良く伝導させることができる。
【００７６】
また、隣接する２つの電極パッド８Ｂの下面それぞれに、最上層の絶縁層１３Ｂを上下方向に貫通したビア導体１５Ｂが電気的に接続している場合、かかるビア導体１５Ｂそれぞれの下端に接続した導電層１４Ｂの間に、測定領域１１ａＢが配置されていることが望ましい。その結果、隣接した２つの電極パッド８Ｂ、ビア導体１５Ｂ及び導電層１４Ｂを介して電子部品２Ｂの熱が測定領域１１ａＢに効率良く伝導されるため、電子部品２Ｂの温度を感度良く測定することができる。
【００７７】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態に係る配線基板を備えた実装構造体を、図に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
【００７８】
第４実施形態は第１実施形態と異なり、測定領域１１ａＣが直下に位置する電極パッド８Ｃは、複数の電極パッド８Ｃの内、搭載領域ＭＣの平面視における角部に最も近接したものである。
【００７９】
ところで、搭載領域ＭＣの平面視における角部に最も近接した電極パッド８Ｃは、配線基板３の反りによる応力が集中しやすいため、該電極パッド８Ｃ上にて、電極パッド８Ｃとバンプ４との接続部又はバンプ４と電子部品２の電極との接続部にクラックが生じやすい。かかるクラックの発生箇所は、クラックの進展に伴い抵抗値が大きくなるため、発熱量が増加しやすい。
【００８０】
一方、本実施形態の配線基板３Ｃにおいては、搭載領域ＭＣの平面視における角部に最も近接した電極パッド８Ｃの直下に測定領域１１ａＣを配置しているため、測定領域１１ａＣによりかかるクラックの発生に起因した発熱を感知することができる。その結果、かかる接続部にて断線が生じる前にクラックの発生を感知することができるため、断線に至る前にクラックに対する処置を行うことや、実装構造体１Ｃを含む電子装置の故障箇所を容易に特定することができる。
【００８１】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
【００８２】
例えば、上述した実施形態において、電子部品に半導体素子を用いた構成を例に説明したが、電子部品としてはコンデンサ等を用いても構わない。
【００８３】
また、上述した実施形態において、３層の絶縁層により配線層を形成した構成を例に説明したが、絶縁層は何層でも構わない。
【００８４】
また、上述した実施形態において、基体及び絶縁層の材料として樹脂を用いた構成を例に説明したが、基体及び絶縁層として、金属材料を樹脂材料で被覆してなるものやセラミックスから形成されたものを使用しても構わない。
【００８５】
また、上述した実施形態において、外部接続パッドが積層体の下面に形成された構成を例に説明したが、外部接続パッドは積層体７上面の搭載領域外にあってもよい。
【００８６】
また、上述した実施形態において、測定領域及び第１乃至第４接続領域が同一層の導電層に形成された構成を例に説明したが、同一の第２配線部内に形成されていればよい。
【００８７】
また、上述した実施形態において、測定領域が直線状である構成を例に説明したが、測定領域は細長形状であればよく、例えば蛇行した形状であることが望ましい。この場合、電極パッドの近傍に測定領域を効率良く配置することができ、電極パッドから測定領域への熱の伝導効率を高め、電子部品の温度測定における感度を高めることができる。
【符号の説明】
【００８８】
１        実装構造体
２        電子部品
３        配線基板
４        バンプ
５        コア基板
６        ビルドアップ部
７        積層体
８        電極パッド
９        外部接続パッド
１０      基体
１１      スルーホール導体       
１２      絶縁体
１３      絶縁層
１４      導電層
１５      ビア導体
Ｍ        搭載領域
Ｌ１      第１配線部
Ｌ２      第２配線部
Ｉ        仮想線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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