(57)【要約】【課題】比較的安価であって、かつ、ある程度品質も確保した内蔵メモリを提供することを目的とする。【解決手段】データを記憶する複数のメモリと、メモリへのデータの記録、若しくメモリ内に格納されているデータの読み出しをするためにメモリへ電圧をかける第１の電圧手段と、第１の電圧手段がメモリにかける電圧よりも高い電圧をメモリにかける第２の電圧手段と、自装置の使用が開始されてから所定の要件を満たすまでは、第１の電圧手段が複数のメモリのうちの一部のメモリへ電圧をかけるのに応じて、一部のメモリ以外のメモリのうちの全部又は一部のメモリに電圧をかけるよう第２の電圧手段を制御する制御手段と、を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記憶する複数のメモリと、
前記メモリへのデータの記録、若しく前記メモリ内に格納されているデータの読み出しをするために前記メモリへ電圧をかける第１の電圧手段と、
前記第１の電圧手段が前記メモリにかける電圧よりも高い電圧を前記メモリにかける第２の電圧手段と、
自装置の使用が開始されてから所定の要件を満たすまでは、前記第１の電圧手段が前記複数のメモリのうちの一部のメモリへ電圧をかけるのに応じて、前記一部のメモリ以外のメモリのうちの全部又は一部のメモリに電圧をかけるよう前記第２の電圧手段を制御する制御手段と、を備える、
内蔵メモリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は内蔵メモリに関し、特に、撮像装置等の電子機器に内蔵される内蔵メモリに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、バーンイン・テストを行う半導体集積回路の試験方法を開示する。半導体集積回路の出荷前にバーンイン・テストを行うことにより、半導体集積回路内の不良な領域を予めアクセスできない領域とすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１６７６００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、内蔵メモリ等の半導体集積回路に対して、バーンイン・テストを出荷前に行うと、その分だけ出荷までに時間がかかることとなる。結果として、内蔵メモリ等の半導体集積回路のコストも高くなってしまう。
【０００５】
本発明は、比較的安価であって、かつ、ある程度品質も確保した内蔵メモリを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明にかかる内蔵メモリは、データを記憶する複数のメモリと、メモリへのデータの記録、若しくメモリ内に格納されているデータの読み出しをするためにメモリへ電圧をかける第１の電圧手段と、第１の電圧手段がメモリにかける電圧よりも高い電圧をメモリにかける第２の電圧手段と、自装置の使用が開始されてから所定の要件を満たすまでは、第１の電圧手段が複数のメモリのうちの一部のメモリへ電圧をかけるのに応じて、一部のメモリ以外のメモリのうちの全部又は一部のメモリに電圧をかけるよう第２の電圧手段を制御する制御手段と、を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、比較的安価であって、かつ、ある程度品質も確保した内蔵メモリを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】デジタルビデオカメラ１００の構成を示すブロック図
【図２】内蔵メモリ２４０の構成を説明するための模式図
【図３】アクセスするチップの選択動作を説明するためのフローチャート
【図４】チップへのアクセス動作を説明するための模式図
【図５】チップへのアクセス動作を説明するための模式図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
〔１．実施の形態１〕
〔１−１．構成〕
〔１−２−１．電気的構成〕
本実施の形態にかかるデジタルビデオカメラ１００の電気的構成について図１を用いて説明する。図１は、デジタルビデオカメラ１００の構成を示すブロック図である。デジタルビデオカメラ１００は、１又は複数のレンズからなる光学系１１０により形成された被写体像をイメージセンサー１４０で撮像する。イメージセンサー１４０で生成された映像データは、画像処理部１６０で各種処理が施され、内蔵メモリ２４０に格納される。以下、デジタルビデオカメラ１００の構成を詳細に説明する。
【００１０】
光学系１１０は、ズームレンズやフォーカスレンズから構成される。ズームレンズを光軸に沿って移動させることにより、被写体像の拡大、縮小をすることができる。また、フォーカスレンズを光軸に沿って移動させることにより、被写体像のピントを調整することができる。
【００１１】
レンズ駆動部１２０は、光学系１１０に含まれる各種レンズを駆動する。例えばズームレンズを駆動するズームモータや、フォーカスレンズを駆動するフォーカスモータがこれにあたる。
【００１２】
絞り３００は、使用者の設定に応じて若しくは自動で、開口部の大きさを調整し、透過する光の量を調整する。
【００１３】
イメージセンサー１４０は、光学系１１０で形成された被写体像を撮像して、映像データを生成する。イメージセンサー１４０は、露光、転送、電子シャッターなどの各種動作を行う。
【００１４】
Ａ／Ｄコンバータ１５０は、イメージセンサー１４０で生成されたアナログ映像データをデジタル映像データに変換する。
【００１５】
画像処理部１６０は、イメージセンサー１４０で生成された映像データに対して各種処理を施す。画像処理部１６０は、イメージセンサー１４０で生成された映像データに対して処理を施し、表示モニタ２２０に表示するための映像データを生成したり、内蔵メモリ２４０に格納するための映像データを生成したりする。例えば、画像処理部１６０は、イメージセンサー１４０で生成された映像データに対してガンマ補正やホワイトバランス補正、傷補正などの各種処理を行う。また、画像処理部１６０は、イメージセンサー１４０で生成された映像データに対して、AVCHD規格等の国際標準規格に準拠した圧縮形式等により映像データを圧縮する。画像処理部１６０は、ＤＳＰやマイコンなどでも実現可能である。
【００１６】
コントローラー１８０は、全体を制御する制御手段である。コントローラー１８０は、半導体素子などで実現可能である。コントローラー１８０は、ハードウェアのみで構成してもよいし、ハードウェアとソフトウェアとを組み合わせることにより実現してもよい。コントローラー１８０は、マイコンなどで実現できる。
【００１７】
カードスロット１９０は、メモリカード２００を着脱可能である。カードスロット１９０は、機械的及び電気的にメモリカード２００と接続可能である。メモリカード２００は、フラッシュメモリや強誘電体メモリなどを内部に含み、画像処理部１６０で生成された映像データ等のデータを格納可能である。
【００１８】
内蔵メモリ２４０は、フラッシュメモリや強誘電低メモリなどで構成される。内蔵メモリ２４０は、画像処理部１６０で生成された映像データ等のデータを格納可能である。
【００１９】
操作部材２１０は、使用者からの操作を受け付けるユーザーインターフェースの総称である。例えば、使用者からの操作を受け付ける十字キー、決定釦、モードダイヤル、記録開始釦等がこれにあたる。
【００２０】
表示モニタ２２０は、イメージセンサー１４０で生成した映像データが示す映像（スルー映像）や、メモリカード２００から読み出した映像データが示す映像を表示可能である。また、表示モニタ２２０は、デジタルビデオカメラ１００の各種設定を行うための各種メニュー画面等も表示可能である。
【００２１】
〔１−２−２．内蔵メモリの構成〕
内蔵メモリ２４０の構成について図２を用いて詳細に説明する。図２は、内蔵メモリ２４０の構成を説明するための模式図である。
【００２２】
ＮＡＮＤ−０〜ＮＡＮＤ−７は、それぞれフラッシュメモリに代表される半導体不揮発性メモリである。大容量の内蔵メモリを構成する為に複数チップのフラッシュメモリで内蔵メモリを構成する。本実施の形態では８チップのフラッシュメモリで内蔵メモリ２４０を構成する。
【００２３】
例えば４GBのフラッシュメモリを８チップ使用すると総容量３２GBの内蔵メモリを実現する事ができる。ＮＡＮＤコントローラー２５８は、マイコンあるいは専用ＬＳＩで構成される。通常、コントローラー１８０を構成するマイコン等は、直接複数チップのフラッシュメモリに対して書込み読出しを制御する機能を有さない、ＮＡＮＤコントローラー２５８は、コントローラー１８０からの指示に基づいて、複数チップのフラッシュメモリ（ＮＡＮＤ−０〜ＮＡＮＤ−７）へのデータの書込み・読出しを制御する。
【００２４】
〔１−３．動作〕
〔１−３−１．アクセスするチップの選択動作〕
内蔵メモリ２４０内の複数のチップのうち、アクセスするチップを選択するための動作について図３を用いて説明する。図３は、アクセスするチップの選択動作を説明するためのフローチャートである。
【００２５】
デジタルビデオカメラ１００は、撮影した映像を内蔵メモリに記録する場合、内蔵メモリ２４０に電源を供給する（Ｓ１００）。内蔵メモリ２４０への電源の供給が開始されると、フラッシュメモリが使用された累積時間を計測する為に、ＮＡＮＤコントローラー２５８は、コントローラー１８０から内蔵メモリ２４０に与えられるコマンド数のカウントを開始する（Ｓ１０１）。コマンドには、例えば初期化コマンド、ＷＲＩＴＥコマンド、ＲＥＡＤコマンドなどがあるが、それらコマンドのいずれかあるいは全てをカウントする事によってフラッシュメモリの使用された累積時間を計測する事ができる。また、デジタルビデオカメラ１００は、カウント数をフラッシュメモリチップのいずれかに記録する事ができる。
【００２６】
最初に内蔵メモリ２４０を使用し始める場合において、カウント数が所定数に達していない場合、デジタルビデオカメラ１００は、ＮＡＮＤ−０チップ２５０だけを使用してデータの書込み・読出しを行なう（Ｓ１０２）。ここで、データの書込み・読出しは、ＮＡＮＤコントローラー２５８がチップに対して電圧を５（Ｖ）かけるように制御することにより行われる。
【００２７】
コントローラー１８０からコマンドが発行されるのに応じて、ＮＡＮＤコントローラー２５８は、ＮＡＮＤ−０チップに対してデータの書込み・読出しを行い、ＮＡＮＤ−１〜７のチップに対してＥｒａｓｅ処理を実行する（Ｓ１０３）。ここで、ＮＡＮＤメモリのＥｒａｓｅ処理には一般的にＲｅａｄ処理よりもかなり高い電圧をメモリーセルに供給する必要があり、またＲｅａｄがブロック単位で制御するのに対してＥｒａｓｅ処理はより大きなアクセスブロックに対して制御する事ができる。この2点においてＥｒａｓｅ処理が前述のバーンイン処理に適している。Ｅｒａｓｅ処理は、ＮＡＮＤコントローラー２５８がチップ上の昇圧回路２５９に対して電圧を２０（Ｖ）かけるように制御することにより行われる。チップのうち不良な領域は、Ｅｒａｓｅ処理を複数回受け付けることにより、データの書込みを受け付けないようになる。このように、実際にチップを使用する前にチップへのアクセスを行い、不良領域についてデータの書込みを受け付けないようにし、チップの品質を向上する処理をバーンイン（Ｂｕｒｎ ｉｎ）処理という。
【００２８】
実行されたコマンド数が所定数に達した場合には（Ｓ１０４）、ＮＡＮＤコントローラー２５８は、書込み・読出しを行うフラッシュメモリのチップ数を増やす（Ｓ１０５）。例えば、使用するチップを１個から２個に増やす際の所定数を１００回とし、使用するチップを２個から４個に増やす際の所定数を１０００回とし、使用するチップを４個から８個に増やす際の所定数を１００００回とする。
【００２９】
この場合、実行されたコマンド数が１００回に達した場合、ＮＡＮＤコントローラー２５８は、使用するフラッシュメモリチップをＮＡＮＤ−０とＮＡＮＤ−１との２チップに増やす。この際、ＮＡＮＤコントローラー２５８は、ＮＡＮＤ−１〜７のチップに対して、１００回のＥｒａｓｅ処理が実行していることとなる。
【００３０】
更にコマンド数のカウントを続け、１０００回のコマンドが実行された場合、ＮＡＮＤコントローラー２５８は、更に使用するフラッシュメモリチップの数を４チップに増やす。この時点で、ＮＡＮＤコントローラー２５８は、ＮＡＮＤ−２〜７のフラッシュメモリチップに対して、１１００回のＥｒａｓｅ処理を実行していることとなる。
【００３１】
更にコマンド数が１００００回に達した場合、ＮＡＮＤコントローラー２５８は、使用するチップ数を８チップ全て使用するように増やす。この時点で、ＮＡＮＤコントローラー２５８は、ＮＡＮＤ−４〜７のフラッシュメモリチップに対して、１１１００回のＥｒａｓｅ処理を実行していることとなる。
【００３２】
８チップ全てが使用されるようになった後は、デジタルビデオカメラ１００は、常に８チップ全てを使用する状態で内蔵メモリ２４０を使用する事となる。
【００３３】
このように、本実施の形態にかかるデジタルカメラ１００は、使用者が使用を開始してから一定期間は内蔵メモリに含まれるチップのうち一部のチップに対して、Ｅｒａｓｅ処理を繰り返す。これにより、デジタルビデオカメラ１００は、内蔵メモリに対するバーンイン処理を事前に実行していない場合においても、内蔵メモリ内の一部のチップに対してバーンイン処理を行うことができ、内臓メモリの特性を安定させることができる。
【００３４】
〔１−３−２．チップへのアクセス動作〕
内蔵メモリ２４０内のチップへのアクセス動作について図４および図５を用いて説明する。図４、図５は、それぞれチップへのアクセス動作を説明するための模式図である。
【００３５】
初期モード（１）は、フラッシュメモリを１チップ使用するモードである。初期モード（１）において、デジタルビデオカメラ１００は、ＮＡＮＤ−０チップ４ＧＢを使用して映像データの書き込み読出しを行なう。この期間において、ＮＡＮＤコントローラー２５８は、コントローラー１８０からコマンドが発行される度、ＮＡＮＤ−１〜７の７チップに対してＥｒａｓｅ処理を実行する。
【００３６】
初期モード（２）は、フラッシュメモリを２チップ使用するモードである。初期モード（２）において、デジタルビデオカメラ１００は、ＮＡＮＤ−０とＮＡＮＤ−１との２チップ、合計８ＧＢを使用して映像データの書込み・読出しを行なう。書込みが行なわれない残りの６チップに対してＥｒａｓｅ処理が行なわれるのは、上述のモードと同じである。この際、ＮＡＮＤ−０とＮＡＮＤ−１のそれぞれ４ＧＢを例えば２ＭＢ単位の小容量ブロックに分割し交互に配置して書込み読み出しを行なう。ＮＡＮＤ−０あるいはＮＡＮＤ−１のいずれかのフラッシュメモリに対しての書込みの集中を防止するためである。これにより、ＮＡＮＤ−０及びＮＡＮＤ−１の品質劣化の程度を低減できる。
【００３７】
初期モード（４）は、フラッシュメモリを４チップ使用するモードである。初期モード（４）において、デジタルビデオカメラ１００は、４チップ１６ＧＢを使用して映像データの書き込み読出しを行なう。書込みが行なわれない残りの４チップに対してＥｒａｓｅ処理が行なわれるのは、上述のモードと同じである。また、ＮＡＮＤ−０〜３の４チップをそれぞれ例えば２ＭＢの小ブロックに分割して交互に配置し、内蔵メモリ２４０の品質劣化の程度を低減する事も上述のモードと同様である。
【００３８】
通常モードは、初期モード（１）〜（４）を終了した後のモードでありフラッシュメモリ８チップ全てを使用して３２ＧＢの内蔵メモリとして映像データの書き込み読出しを行なう。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ等の撮像装置や、カメラ機能付き携帯電話等の電子機器に内蔵可能な内蔵メモリに適用できる。
【符号の説明】
【００４０】
１００    デジタルカメラ
１１０    光学系
１２０    レンズ駆動部
１４０    イメージセンサー
１５０    Ａ／Ｄコンバータ
１６０    画像処理部
１８０    コントローラー
１９０    カードスロット
２００    メモリカード
２１０    操作部材
２２０    表示モニタ
２４０    内蔵メモリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2011034622.tif 000007