(57)【要約】【課題】優れた発光特性を備え、高温駆動時の色変化を抑制し、発光効率に優れた有機電界発光素子の提供。有機電界発光素子に有用な組成物及び発光層の提供。有機電界発光素子を含む発光装置及び照明装置を提供すること。【解決手段】基板上に、一対の電極と、該電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層とを有する有機電界発光素子であって、  前記発光層に一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表される特定のモノアニオン性の２座配位子と分子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体を含有し、かつ  発光層と陰極の間に挟持される層に以下の一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。2011049511.tif 000059  （一般式（１）中、Ｃｚは置換若しくは無置換のアリールカルバゾリル基又はカルバゾリルアリール基を表す。Ｌは単結合、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、又は置換若しくは無置換の芳香族へテロ環を表す。Ａは置換若しくは無置換の窒素含有芳香族へテロ６員環であり、ｐ、ｑはそれぞれ独立に１〜６の整数である。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、一対の電極と、該電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層とを有する有機電界発光素子であって、  
前記発光層に下記一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表されるモノアニオン性の２座配位子と分子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体を含有し、かつ
発光層と陰極との間にさらに有機層を有し、該有機層に以下の一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【化１】
2011049511.tif 000051
（一般式（Ａ１）〜（Ａ４）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
【化２】
2011049511.tif 000052
（一般式（１）中、Ｃｚは置換若しくは無置換のアリールカルバゾリル基又はカルバゾリルアリール基を表す。Ｌは単結合、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、又は置換若しくは無置換の芳香族へテロ環を表す。Ａは置換若しくは無置換の窒素含有芳香族へテロ６員環であり、ｐ、ｑはそれぞれ独立に１〜６の整数である。）
【請求項２】
一般式（１）で表される化合物が、一般式（２）で表される化合物である請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化２】
2011049511.tif 000053
（一般式（２）中、Ｃｚは置換若しくは無置換のアリールカルバゾイル基又は置換若しくは無置換のカルバゾイルアルキレン基を表す。Ｌは、単結合、置換若しくは無置換のアリール、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基又は置換若しくは無置換の芳香族ヘテロ環を表し、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｘ１、Ｘ２又はＸ３の炭素原子と連結する。Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に置換又は無置換のアリール、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３はそれぞれ独立に窒素原子又は置換基を有してもよい炭素原子を表す。ｐ及びｑはそれぞれ独立に１〜６の整数を表す。）
【請求項３】
一般式（１）で表される化合物が、一般式（３）で表される化合物である請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化３】
2011049511.tif 000054
（一般式（３）中、Ｘ４及びＸ５はそれぞれ独立に窒素原子又は置換基を有してもよい炭素原子を表し、Ｘ４及びＸ５のいずれか一方は窒素原子であり、他方は置換基を有してもよい炭素原子を表す。Ｌ’は、単結合、置換若しくは無置換のアリール、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基又は置換若しくは無置換の芳香族ヘテロ環を表す。Ｒ１〜Ｒ５はそれぞれ独立に置換基を表し、ｎ１〜ｎ５はそれぞれ独立に０〜５の整数を表し、ｐ’及びｑ’はそれぞれ独立に１〜４の整数を表す。）
【請求項４】
前記燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ１−１）又は（Ａ２−１）で表されるモノアニオン性の２座配位子と分子量４０以上の金属を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化４】
2011049511.tif 000055
（一般式（Ａ１−１）及び（Ａ２−２）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
【請求項５】
前記燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ１−２）又は（Ａ２−２）で表されるモノアニオン性の２座配位子と分子量４０以上の金属を含むことを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子。
【化５】
2011049511.tif 000056
（一般式（Ａ１−２）及び（Ａ２−２）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
【請求項６】
前記燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ１−３）又は（Ａ２−３）で表されるモノアニオン性の２座配位子と分子量４０以上の金属を含むことを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子。
【化６】
2011049511.tif 000057
（一般式（Ａ１−３）及び（Ａ２−３）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
【請求項７】
前記燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ９）で表されるイリジウム錯体であることを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光素子。
【化７】
2011049511.tif 000058
（一般式（Ａ９）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ−Ｙはモノアニオン性の二座配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。）
【請求項８】
一般式（１）で表される化合物が、炭素原子、水素原子、窒素原子のみからなることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
一般式（１）で表される化合物の分子量が４５０以上８００以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項１０】
一般式（１）で表される化合物の膜状態での最低励起三重項Ｔ１エネルギーが２．６１ｅＶ以上３．５１ｅＶ以下であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項１１】
一般式（１）で表される化合物が前記発光層と隣接する層に含まれることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項１２】
極大発光波長が４００ｎｍ以上４６５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項１３】
前記発光層における発光材料の含有量が１０質量％以上３０質量％以下であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項１４】
前記一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表されるモノアニオン性の２座配位子と分子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体を含有する薄膜と一般式（１）で表される化合物を含有する薄膜とを積層した積層膜。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。
【請求項１６】
請求項１〜１３のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。
【請求項１７】
請求項１〜１３のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子（以下、「素子」、「有機ＥＬ素子」ともいう）に関し、特に高輝度での耐久性に優れた有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は、低電圧駆動で高輝度の発光が得られることから、近年活発な研究開発が行われている。一般に有機電界発光素子は、発光層を含む有機層及び該層を挟んだ一対の電極から構成されており、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が発光層において再結合し、生成した励起子のエネルギーを発光に利用するものである。
【０００３】
近年、燐光発光材料を用いることにより、素子の高効率化が進んでいる。例えば、燐光発光材料としてイリジウム錯体や白金錯体などを用い、発光効率及び耐熱性が向上した有機電界発光素子が研究されている。
また、発光材料をホスト材料中にドープした発光層を用いるドープ型素子が広く採用されている。
また、特許文献１には青発光可能で、耐久性に優れ、発光スペクトルがシャープであり低消費電力な素子を得ることを目的として縮環型燐光発光材料を用いる発明についての記載がある。しかし、該縮環型燐光発光材料を用いた場合、外部量子効率が低いという問題があった。
一方、ホスト材料の開発も盛んに行われており、例えば特許文献２には高効率及び長寿命の素子の作製を目的として、芳香族多環縮環系材料をホスト材料に用いる発明が開示されている。また、特許文献２にはカルバゾール骨格を有する電子輸送材料を用いた発明についての記載があるが、概して酸化に弱いカルバゾール基の導入は素子の寿命を短くすることに繋がるため好ましくないことが記載されている。
また、従来の素子の発光効率は十分ではなく、更に、電子輸送層の膜厚に発光効率が依存する場合があり改善が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００８／２９７０３３号明細書
【特許文献２】特開２００９−９９７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献２に記載があるように、酸化に弱いカルバゾール基の導入は、素子の耐久性にとって好ましくないことが知られており、本発明の態様はその常識に照らした場合、耐久性の向上に効果があることは期待できなかった。
また、従来の素子の発光効率は十分ではなく、更に、電子輸送層の膜厚に発光効率が依存する場合があり改善が求められている。
しかしながら、本発明者らは、カルバゾール基を含む本発明のホスト材料を、特定の縮環型燐光発光材料と組み合わせた場合に、発光効率に優れるだけでなく、発光効率の電子輸送層膜厚依存性が改善されることを見出した。
すなわち、本発明の目的は、優れた発光効率を示し、電子輸送層の膜厚による発光効率の依存性が小さい有機電界発光素子の提供にある。
また、本発明の別の目的は有機電界発光素子を含む発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
すなわち、本発明は下記の手段により達成された。
〔１〕
基板上に、一対の電極と、該電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層とを有する有機電界発光素子であって、
前記発光層に下記一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表されるモノアニオン性の２座配位子と原子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体を含有し、かつ
発光層と陰極との間に更に有機層を有し、該有機層に以下の一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【０００７】
【化１】
2011049511.tif 000002
【０００８】
（一般式（Ａ１）〜（Ａ４）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
【０００９】
【化２】
2011049511.tif 000003
【００１０】
（一般式（１）中、Ｃｚは置換若しくは無置換のアリールカルバゾリル基又はカルバゾリルアリール基を表す。Ｌは単結合、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、又は置換若しくは無置換の芳香族へテロ環を表す。Ａは置換若しくは無置換の窒素含有芳香族へテロ６員環であり、ｐ、ｑはそれぞれ独立に１〜６の整数である。Ｃｚ、Ａは各々複数存在する場合、同一でも異なっていても良い。）
〔２〕
一般式（１）で表される化合物が、一般式（２）で表される化合物である〔１〕に記載の有機電界発光素子。
【００１１】
【化３】
2011049511.tif 000004
【００１２】
（一般式（２）中、Ｃｚは置換若しくは無置換のアリールカルバゾイル基又は置換若しくは無置換のカルバゾイルアルキレン基を表す。Ｌは、単結合、置換若しくは無置換のアリール、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基又は置換若しくは無置換の芳香族ヘテロ環を表し、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｘ１、Ｘ２又はＸ３の炭素原子と連結する。Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に置換又は無置換のアリール、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３はそれぞれ独立に窒素原子又は置換基を有してもよい炭素原子を表す。ｐ及びｑはそれぞれ独立に１〜６の整数を表す。）
〔３〕
一般式（１）で表される化合物が、一般式（３）で表される化合物である〔１〕に記載の有機電界発光素子。
【００１３】
【化４】
2011049511.tif 000005
【００１４】
（一般式（３）中、Ｘ４及びＸ５はそれぞれ独立に窒素原子又は置換基を有してもよい炭素原子を表し、Ｘ４及びＸ５のいずれか一方は窒素原子であり、他方は置換基を有してもよい炭素原子を表す。Ｌ’は、単結合、置換若しくは無置換のアリール、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基又は置換若しくは無置換の芳香族ヘテロ環を表す。Ｒ１〜Ｒ５はそれぞれ独立に置換基を表し、ｎ１〜ｎ５はそれぞれ独立に０〜５の整数を表し、ｐ’及びｑ’はそれぞれ独立に１〜４の整数を表す。）
〔４〕
前記燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ１−１）又は（Ａ２−１）で表されるモノアニオン性の２座配位子と分子量４０以上の金属を含むことを特徴とする〔１〕に記載の有機電界発光素子。
【００１５】
【化５】
2011049511.tif 000006
（一般式（Ａ１−１）及び（Ａ２−２）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
〔５〕
前記燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ１−２）又は（Ａ２−２）で表されるモノアニオン性の２座配位子と分子量４０以上の金属を含むことを特徴とする〔４〕に記載の有機電界発光素子。
【００１６】
【化６】
2011049511.tif 000007
【００１７】
（一般式（Ａ１−２）及び（Ａ２−２）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
〔６〕
前記燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ１−３）又は（Ａ２−３）で表されるモノアニオン性の２座配位子と分子量４０以上の金属を含むことを特徴とする〔５〕に記載の有機電界発光素子。
【００１８】
【化７】
2011049511.tif 000008
【００１９】
（一般式（Ａ１−３）及び（Ａ２−３）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
〔７〕
前記燐光性金属錯体が、下記一般式（Ａ９）で表されるイリジウム錯体であることを特徴とする〔６〕に記載の有機電界発光素子。
【００２０】
【化８】
2011049511.tif 000009
【００２１】
（一般式（Ａ９）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ−Ｙはモノアニオン性の二座配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。）
〔８〕
一般式（１）で表される化合物が、炭素原子、水素原子、窒素原子のみからなることを特徴とする〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔９〕
一般式（１）で表される化合物の分子量が４５０以上８００以下であることを特徴とする〔１〕〜〔８〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔１０〕
一般式（１）で表される化合物の膜状態での最低励起三重項Ｔ１エネルギーが２．６１ｅＶ以上３．５１ｅＶ以下であることを特徴とする〔１〕〜〔９〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔１１〕
一般式（１）で表される化合物が前記発光層と隣接する層に含まれることを特徴とする〔１〕〜〔１０〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔１２〕
極大発光波長が４００ｎｍ以上４６５ｎｍ以下であることを特徴とする〔１〕〜〔１１〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔１３〕
前記発光層における発光材料の含有量が１０質量％以上３０質量％以下であることを特徴とする〔１〕〜〔１２〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔１４〕
前記一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表されるモノアニオン性の２座配位子と分子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体を含有する薄膜と一般式（１）で表される化合物を含有する薄膜とを積層した積層膜。
〔１５〕
〔１〕〜〔１３〕のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。
〔１６〕
〔１〕〜〔１３〕のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。
〔１７〕
〔１〕〜〔１３〕のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の有機電界発光素子は、優れた発光効率を示し、光効率の電子輸送層膜厚依存性が小さい有機電界発光素子を提供し得る。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ素子の層構成の一例（第１実施形態）を示す概略図である。
【図２】本発明に係る発光装置の一例（第２実施形態）を示す概略図である。
【図３】本発明に係る照明装置の一例（第３実施形態）を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の一般式の説明における水素原子は同位体（重水素原子等）も含み、また更に置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。
本発明において、上記アルキル基等の置換基の「炭素数」とは、アルキル基等の置換基が他の置換基によって置換されてもよい場合も含み、当該他の置換基の炭素数も包含する意味で用いる。
また、「ヘテロアルキル」基とは少なくとも１つの炭素がＯ、ＮＲ、又はＳに置き換わったアルキル基をいう。
【００２５】
本発明の有機電界発光素子は、基板上に、一対の電極と、該電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層とを有する有機電界発光素子であって、
前記発光層に下記一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表されるモノアニオン性の２座配位子と分子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体を含有し、かつ
有機層のいずれかの層に下記一般式（１）で表される化合物を含有する。
【００２６】
一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表されるモノアニオン性の２座配位子と分子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体（以下、特定燐光性金属錯体と称する場合がある）を用いることにより、優れた発光効率を示し、発光効率の電子輸送層膜厚依存性が小さい有機電界発光素子を得ることができる。
本発明にかかる一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表される配位子を有する燐光性金属錯体を含む発光層と一般式（１）で表される化合物を含む電子輸送層を併用すると、一般式（１）で表される化合物が有する高い最低励起三重項エネルギー（Ｔ１エネルギー）の為に、発光層で生じた励起エネルギーが拡散するのを防ぐことができるため、効率が向上する。更に、一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表される配位子を有する燐光性金属錯体を含む発光層は、あるエネルギーレベルから電子が注入された場合に、正孔と電子のバランスが整うと推測される。そのため発光層に注入される隣接層の電子伝導準位がキャリアバランスの制御に重要となる。一方、素子の発光スペクトルは、発光位置により、干渉により強められる波長が異なることから、キャリアバランスに大きく依存する傾向がある。よって、電子輸送層の膜厚を変化させるとスペクトルが変化することが知られている。ところが、本発明の一般式（１）で表される化合物は、実効的に電子を注入するエネルギーレベルが、本発明の発光層のキャリアバランスをコントロールできるレベルに合致していると推定され、その結果、電子輸送層の膜厚を変化させてもスペクトルが殆ど変化しない結果が得られている。
【００２７】
以下、一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表される２座配位子について説明する。
〔一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表される２座配位子〕
【００２８】
【化９】
2011049511.tif 000010
【００２９】
（一般式（Ａ１）〜（Ａ４）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
【００３０】
該２座配位子は他の配位子と結合して３座、４座、５座、６座の配位子を形成しても良い。
Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑは炭素原子又はヘテロ原子から選ばれ、好ましくは炭素原子又は窒素原子から選ばれる。また、Ｅ１ａとＥ１ｐは異なる原子である事が好ましい。また、該金属錯体は１８π電子構造を有する。
Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅから形成される環は５員のヘテロ環を表し、具体的にはオキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾールなどが挙げられる。好ましくはイミダゾール又はピラゾールであり、より好ましくはイミダゾールである。
Ｅ１ｆ〜Ｅ１ｋ、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｑから形成される環はそれぞれ独立に６員の芳香族炭化水素環、５員又は６員のヘテロ環から選ばれ、例えばベンゼン、オキサゾール、チアゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、フラン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジンなどが挙げられる。
Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に後述の置換基群Ｚから選ばれ、好ましくは水素原子、炭化水素置換基、シアノ基、フルオロ基、ＯＲ２ａ、ＳＲ２ａ、ＮＲ２ａＲ２ｂ、ＢＲ２ａＲ２ｂ、又はＳｉＲ２ａＲ２ｂＲ２ｃである。Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃはそれぞれ独立に炭化水素置換基、又はヘテロ原子で置換された炭化水素置換基であり、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉ、Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃのうちの２つが互いに結合し、飽和又は不飽和の、芳香族環又は非芳香族環を形成していても良い。窒素原子に結合している場合、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは水素原子ではない。
【００３１】
ヘテロ原子とは、炭素原子又は水素原子以外の原子を指す。ヘテロ原子の例として、例えば酸素、窒素、リン、硫黄、セレン、砒素、塩素、臭素、ケイ素、又はフッ素が挙げられる。
【００３２】
置換基群Ｚについて具体的には、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロアリール基以外のヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、重水素原子などが挙げられる。これらの置換基は、更に他の置換基によって置換されてもよい。
【００３３】
ここで、アルキル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ドデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル、１−アダマンチル、トリフルオロメチルなどが挙げられる。
【００３４】
また、アルケニル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、１−プロペニル、１−イソプロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。
【００３５】
また、アルキニル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばエチニル、プロパルギル、１−プロピニル、３−ペンチニルなどが挙げられる。
【００３６】
アリール基とは、芳香族炭化水素モノラジカルを指す。アリール基が置換されている場合、置換基として好ましくはフルオロ基、炭化水素置換基、ヘテロ原子置換炭化水素置換基、シアノ基などが挙げられる。アリール基として好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｏ−メチルフェニル、ｍ−メチルフェニル、ｐ−メチルフェニル、２，６−キシリル、ｐ−クメニル、メシチル、ナフチル、アントラニル、などが挙げられる。
【００３７】
ヘテロアリール基とは、芳香族ヘテロ環状モノラジカルを指す。置換されている場合、置換基として好ましくはフルオロ基、炭化水素置換基、ヘテロ元素置換炭化水素置換基、シアノ基などが挙げられる。ヘテロ環基として例えば、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ピラジル、ピリミジル、トリアジニル、キノリル、イソキノリニル、ピロリル、インドリル、フリル、チエニル、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル、アゼピニルなどが挙げられる。
【００３８】
また、アミノ基としては、好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。
【００３９】
また、アルコキシ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。
【００４０】
また、アリールオキシ基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。
【００４１】
また、ヘテロ環オキシ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。
【００４２】
また、アシル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。
【００４３】
また、アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。
【００４４】
また、アリールオキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。
【００４５】
また、アシルオキシ基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。
【００４６】
また、アシルアミノ基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。
【００４７】
また、アルコキシカルボニルアミノ基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。
【００４８】
また、アリールオキシカルボニルアミノ基としては、好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。
【００４９】
また、スルホニルアミノ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。
【００５０】
また、スルファモイル基としては、好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。
【００５１】
また、カルバモイル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。
【００５２】
また、アルキルチオ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。
【００５３】
また、アリールチオ基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。
【００５４】
また、ヘテロアリールチオ基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。
【００５５】
また、スルホニル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル、トリフルオロメタンスルホニルなどが挙げられる。
【００５６】
また、スルフィニル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。
【００５７】
また、ウレイド基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。
【００５８】
また、リン酸アミド基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。
【００５９】
また、ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。
【００６０】
また、ヘテロアリール基以外のヘテロ環基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えば、ピペリジル、モルホリノ、ピロリジルなどが挙げられる。
【００６１】
また、シリル基としては、好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、ジメチル‐ｔｅｒｔ−ブチルシリル、ジメチルフェニルシリル、ジフェニル‐ｔｅｒｔ−ブチルシリル、トリフェニルシリル、トリ−１−ナフチルシリル、トリ−２−ナフチルシリルなどが挙げられる。
【００６２】
また、シリルオキシ基としては、好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。
【００６３】
Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは少なくとも１つがアリール基であることが好ましく、母骨格に対し２面角が７０度以上であるアリール基である事が好ましく、下記一般式ｓｓ−１で表される置換基である事がより好ましく、２，６−ジ置換アリール基である事が更に好ましい。特に、Ｒ１ｂがアリール基であることが好ましく、母骨格に対し２面角が７０度以上であるアリール基である事がより好ましく、下記一般式ｓｓ−１で表される置換基である事がさらに好ましく、２，６−ジ置換アリール基である事が最も好ましい。
【００６４】
【化１０】
2011049511.tif 000011
【００６５】
（一般式ｓｓ−１中、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基のいずれかを表す。）
【００６６】
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃが表すアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ドデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル、１−アダマンチル、トリフルオロメチルなどが挙げられ、メチル基、又はイソプロピル基が好ましい。
【００６７】
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃが表すアリール基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｏ−メチルフェニル、ｍ−メチルフェニル、ｐ−メチルフェニル、２，６−キシリル、ｐ−クメニル、メシチル、ナフチル、アントラニル、などが挙げられ、フェニル基、が好ましい。
【００６８】
Ｒａ、Ｒｂの少なくとも１つはアルキル基又はアリール基から選ばれ、Ｒａ、Ｒｂの少なくとも１つはアルキル基から選ばれる事が好ましく、Ｒａ、Ｒｂが共にアルキル基である事が好ましく、Ｒａ、Ｒｂが共にメチル基、又はイソプロピル基である事が最も好ましい。
２，６−ジ置換アリール基として好ましくは２，６−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，４，６−トリイソプロピルフェニル基、２，６−ジメチル−４−フェニルフェニル基、２，６−ジメチル−４−（２，６−ジメチルピリジン−４−イル）フェニル基、２，６−ジフェニルフェニル基、２，６−ジフェニル−４−イソプロピルフェニル基、２，４，６−トリフェニルフェニル基、２，６−ジイソプロピル−４−（４−イソプロピルフェニル）フェニル基、２，６−ジイソプロピル−４−（３，５−ジメチルフェニル）フェニル基、２，６−ジイソプロピル−４−（ピリジン−４−イル）フェニル基、又は２，６−ジ−（３，５−ジメチルフェニル）フェニル基である。
【００６９】
一方で、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは、少なくとも１つがアルキル基である事が好ましく、Ｒ１ｅがアルキル基であることがより好ましい。アルキル基は４以上の炭素原子から成るベンジル位より離れた部位で分岐しているアルキル基であることが好ましく、メチル基又はネオペンチル基である事が好ましく、ネオペンチル基である事がより好ましい。
【００７０】
一方で、Ｒ１ａ及びＲ１ｂの少なくとも１つはアルキル基である事が好ましい。
【００７１】
一方で、Ｒ１ａは電子供与性置換基である事が好ましく、メチル基である事がより好ましい。
【００７２】
炭化水素置換基とは、１価又は２価で、鎖状、分岐又は環状の置換基であり、炭素原子と水素原子のみからなるものをさす。１価の炭化水素置換基の例として例えば、炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、アリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、アリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数６〜１８のアリール基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、アリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換されたアリール基等が挙げられる。
２価の炭化水素基の例として例えば、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、１，２−フェニレン基等が挙げられる。
【００７３】
金属は非放射性かつ原子量４０以上の金属から選ばれるが、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、又はＡｕのいずれかであることが好ましく、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔであることがより好ましく、Ｉｒ、Ｐｔであることが更に好ましく、高い発光効率、高い錯体安定性、発光層内の正孔・電子輸送のキャリアバランス制御の観点からＩｒであることが最も好ましい。
【００７４】
本発明においては、一般式の配位子から成る金属錯体は主配位子若しくはその互変異性体と副配位子若しくはその互変異性体の組み合わせで構成されるか、ｎ＝０の場合、即ち該金属錯体の配位子の全てが主配位子又はその互変異性体で表される部分構造のみで構成されていてもよい。
【００７５】
更に従来公知の金属錯体形成に用いられる、所謂配位子として当該業者が周知の配位子（配位化合物ともいう）を必要に応じて副配位子として有していてもよい。
【００７６】
本発明に記載の効果を好ましく得る観点からは、錯体中の配位子の種類は１〜２種類から構成されることが好ましく、更に好ましくは１種類である。錯体分子内に反応性基を導入する際には合成容易性という観点から配位子が２種類からなることも好ましい。
【００７７】
従来公知の金属錯体に用いられる配位子としては、種々の公知の配位子があるが、例えば、「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社  Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著  １９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社  山本明夫著  １９８２年発行等に記載の配位子（例えば、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロアリール配位子（例えば、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）が挙げられる。好ましくは、ジケトン類あるいはピコリン酸誘導体である。
【００７８】
以下に、副配位子の例を具体的に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【００７９】
【化１１】
2011049511.tif 000012
【００８０】
上記副配位子の例において、Ｍ１は分子量４０以上の金属原子を表す。Ｒｘ、Ｒｙ及びＲｚはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。
【００８１】
一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表されるモノアニオン性の２座配位子は、一般式（Ａ１）又は（Ａ２）で表されるモノアニオン性の２座配位子であることが好ましい。
【００８２】
【化１２】
2011049511.tif 000013
【００８３】
（一般式（Ａ１）及び（Ａ２）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｑはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
【００８４】
一般式（Ａ１）及び（Ａ２）で表されるモノアニオン性の２座配位子は、好ましくは一般式（Ａ１−１）又は（Ａ２−１）で表されるモノアニオン性の２座配位子であることが好ましい。
【００８５】
【化１３】
2011049511.tif 000014
【００８６】
（一般式（Ａ１−１）及び（Ａ２−１）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅ、Ｅ１ｏ〜Ｅ１ｑ、及びＥ１ｌ〜Ｅ１ｎはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
【００８７】
一般式（Ａ１−１）及び（Ａ２−１）中、Ｅ１ａ〜Ｅ１ｅ、Ｅ１ｏ〜Ｅ１ｑ、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｎ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉの定義は、一般式（Ａ１）及び（Ａ２）におけるＥ１ａ〜Ｅ１ｅ、Ｅ１ｏ〜Ｅ１ｑ、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｎ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉと同様であり、好ましいものも同様である。
【００８８】
一般式（Ａ１−１）及び（Ａ２−１）で表されるモノアニオン性の２座配位子は、一般式（Ａ１−２）又は（Ａ２−２）で表されるモノアニオン性の２座配位子であることが好ましい。
【００８９】
【化１４】
2011049511.tif 000015
【００９０】
（一般式（Ａ１−２）及び（Ａ２−２）中、Ｅ１ｏ〜Ｅ１ｑ、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｎはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
【００９１】
一般式（Ａ１−２）及び（Ａ２−２）中、Ｅ１ｏ〜Ｅ１ｑ、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｎ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉの定義は、（Ａ１−１）及び（Ａ２−１）におけるＥ１ｏ〜Ｅ１ｑ、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｎ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉと同様であり、好ましいものも同様である。
【００９２】
一般式（Ａ１−１）及び（Ａ２−１）で表されるモノアニオン性の２座配位子は、一般式（Ａ１−３）又は（Ａ２−３）で表されるモノアニオン性の２座配位子であることが好ましい。
【００９３】
【化１５】
2011049511.tif 000016
【００９４】
（一般式（Ａ１−３）及び（Ａ２−３）中、Ｅ１ｏ〜Ｅ１ｑ及びＥ１ｌ〜Ｅ１ｎはそれぞれ独立に炭素原子又はヘテロ原子を表す。Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）
【００９５】
一般式（Ａ１−３）及び（Ａ２−３）中、Ｅ１ｏ〜Ｅ１ｑ、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｎ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉの定義は、（Ａ１−１）及び（Ａ２−１）におけるＥ１ｏ〜Ｅ１ｑ、Ｅ１ｌ〜Ｅ１ｎ及びＲ１ａ〜Ｒ１ｉと同様であり、好ましいものも同様である。
【００９６】
一般式（Ａ１−３）及び（Ａ２−３）で表されるモノアニオン性の２座配位子と分子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体は、一般式（Ａ９）で表される燐光性金属錯体であることが好ましい。
【００９７】
【化１６】
2011049511.tif 000017
【００９８】
（一般式（Ａ９）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｘ−Ｙは副配位子を表す。ｎは１から３の整数を表す。）
【００９９】
一般式（Ａ９）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉの定義は、（Ａ１−３）及び（Ａ２−３）におけるＲ１ａ〜Ｒ１ｉと同様であり、好ましいものも同様である。
Ｘ−Ｙは副配位子を表し、ｎは１から３の整数を表し、好ましくはｎ＝３である。副配位子として具体的には前記で挙げた例と同様の配位子を好適に用いる事ができ、好ましくはアセチルアセトナト配位子又は置換されたアセチルアセトナト配位子類縁体である。
【０１００】
一般式（Ａ９）で表される金属錯体は、一般式（Ａ１０）で表される金属錯体であることが好ましい。
【０１０１】
【化１７】
2011049511.tif 000018
【０１０２】
一般式（Ａ１）及び（Ａ２）は、より具体的には以下のような構造が好ましく、中でも（Ｘ−６４）〜（Ｘ−６８）が最も好ましい。
【０１０３】
【化１８】
2011049511.tif 000019
【０１０４】
【化１９】
2011049511.tif 000020
【０１０５】
【化２０】
2011049511.tif 000021
【０１０６】
【化２１】
2011049511.tif 000022
【０１０７】
【化２２】
2011049511.tif 000023
【０１０８】
【化２３】
2011049511.tif 000024
【０１０９】
Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは一般式（Ａ１）と同義であり、全て水素原子である事が好ましい。
【０１１０】
一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表されるモノアニオン性の２座配位子と分子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体は、例えば、ＵＳ２００７／０１９０３５９やＵＳ２００８／０２９７０３３に記載の方法など、種々の手法で合成できる。
例えば、配位子、又はその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、若しくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、若しくは、塩基非存在下、室温以下、若しくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。具体的には、ＸＭ−６４は、７−メチルイミダゾフェナントリジンを出発原料として、ＵＳ２００７／０１９０３５９の、［０１３２］〜［０１３４］に記載の合成法にて合成することができる。また、ＸＭ−６３は、ＵＳ２００８／０２９７０３３の［０２８１］〜［０２８７］に記載の合成法にて合成することができる。
前記特定燐光性金属錯体を、前記一般式（１）で表される化合物と併用することで、より外部量子効率に優れた有機電界発光素子を得ることができる。本発明の発光層における特定燐光性金属錯体の含有量は発光層中１〜３０質量％であることが好ましく、５〜２０質量％であることがより好ましい。
【０１１１】
以下、一般式（１）で表される化合物について説明する。
〔一般式（１）で表される化合物〕
【０１１２】
【化２４】
2011049511.tif 000025
【０１１３】
一般式（１）中、Ｃｚは置換若しくは無置換のアリールカルバゾリル基又はカルバゾリルアリール基、Ｌは単結合、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、又は置換若しくは無置換の芳香族へテロ環、Ａは置換若しくは無置換の窒素含有芳香族へテロ６員環であり、ｐ、ｑはそれぞれ独立に１〜６の整数である。
【０１１４】
以下、一般式（１）で表される化合物について説明する。
Ｃｚは、置換若しくは無置換のアリールカルバゾリル基又はカルバゾリルアリール基である。
アリールカルバゾリル基及びカルバゾリルアリール基におけるアリール基は、炭素数６〜３０が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基、フルオレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられ、これらのうち、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基が好ましく、フェニル基、ビフェニル基がより好ましい。
アリールカルバゾリル基及びカルバゾリルアリール基におけるカルバゾール環（カルバゾリル基）上でのアリール基の置換位置は、特に限定されないが、化学的安定性やキャリア輸送性の観点から、アリール基がカルバゾール環の２位、３位、６位、７位又は９位に置換していることが好ましく、カルバゾール環の３位、６位又は９位に置換していることがより好ましく、カルバゾール環の９位（Ｎ位）に置換していることが最も好ましい。
Ｃｚがアリールカルバゾリル基の場合、特に限定されないが、化学的安定性やキャリア輸送性の観点から、アリールカルバゾリル基のカルバゾール環の２位、３位、６位、７位又は９位（Ｎ位）でＬと連結することが好ましく、カルバゾール環の３位、６位位又は９位（Ｎ位）でＬと連結することがより好ましく、カルバゾール環の９位（Ｎ位）でＬと連結することが最も好ましい。
また、Ｃｚとしてはカルバゾリルアリール基であることが好ましい。
【０１１５】
Ａは、置換若しくは無置換の窒素含有ヘテロ芳香族６員環であり、好ましくは炭素数２〜４０の窒素含有ヘテロ芳香族６員環である。Ａは複数の置換基を有してもよく、置換基が互いに結合して環を形成してもよい。
窒素含有ヘテロ芳香族６員環又は窒素含有ヘテロ芳香族６員環を含む窒素含有ヘテロ芳香族環としては、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、トリアジン、アザインドリジン、インドリジン、プリン、プテリジン、β−カルボリン、ナフチリジン、キノキサリン、ターピリジン、ビピリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、イミダゾピリジン等が挙げられ、これらのうち、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジンがより好ましく、ピリジン、ピリミジンが更に好ましく、ピリミジンが最も好ましい。
【０１１６】
Ｌは、単結合、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のヘテロ芳香族環である。Ｌが有する置換基としては、前記置換基群Ａとしてあげたものが適用でき、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ピリジル基、ピリミジル基、チエニル基、フルオロ基、シアノ基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロフェニル基、トリフェニルシリル基、トリメチルシリル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、ブチル基、フェニル基、ピリジル基、ピリミジル基、フルオロ基、シアノ基、トリフルオロメチル基であり、更に好ましくはメチル基、フェニル基、フルオロ基である。  アリーレン基としては、炭素数６〜３０のアリーレン基が好ましく、例えば、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アントラニレン基、フェナンスリレン基、ビレニレン基、クリセニレン基、フルオランテニレン基、パーフルオロアリーレン基等が挙げられ、これらのうちフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、パーフルオロアリーレン基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基がより好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基が更に好ましい。
シクロアルキレン基としては、炭素数５〜３０のシクロアルキレン基が好ましく、例えばシクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基などが挙げられ、これらのうちシクロペンチレン基、シクロヘキシレン基が好ましく、シクロへキシレン基がより好ましい。
ヘテロ芳香族環としては、炭素数２〜３０のヘテロ芳香族環が好ましく、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル−１−インドリル基、４−ｔ−ブチル−１−インドリル基、２−ｔ−ブチル−３−インドリル基、４−ｔ−ブチル−３−インドリル基等が挙げられ、これらのうち、ピリジニル基、キノリル基、インドリル基、カルバゾリル基が好ましく、ピリジニル基、カルバゾリル基がより好ましい。
Ｌとしては、単結合、フェニレン基、ビフェニレン基、シクロへキシレン基、シクロへキシレン基、ピリジニル基、カルバゾリル基が好ましく、単結合、フェニレン基、ビフェニレン基がより好ましく、単結合、フェニレン基が更に好ましい。
【０１１７】
また、上記一般式（１）におけるＣｚ、Ａの置換基としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、カルバゾリル基、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、シリル基、トリフルオロメチル基、カルボニル基、カルボキシル基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のアリールアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族基、置換若しくは無置換の芳香族ヘテロ環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシ基等が挙げられる。これらのうち、フッ素原子、メチル基、パーフルオロフェニレン基、フェニル基、ナフチル基、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、アダマンチル基、ベンジル基、ニトロ基、シアノ基、シリル基、トリフルオロメチル基、カルバゾリル基及びこれらのみの組み合わせからなる基が好ましく、フッ素原子、メチル基、フェニル基、ピリジル基、ピリミジル基、シアノ基、シリル基、カルバゾリル基、及びこれらのみの組み合わせからなる基がより好ましく、フェニル基、ピリジル基、ピリミジル基、カルバゾリル基、及びこれらのみの組み合わせからなる基が更に好ましく、フェニル基が最も好ましい。また、置換基を複数有する場合、該置換基は互いに結合して環を形成してもよい。
【０１１８】
ｐ、ｑは、それぞれ独立に１〜６の整数であり、それぞれ１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましく、１〜２であることが更に好ましい。
【０１１９】
一般式（１）で表される化合物は、以下の一般式（２）で表される化合物であることがより好ましい。
【０１２０】
【化２５】
2011049511.tif 000026
【０１２１】
一般式（２）中、式中、Ｃｚは置換若しくは無置換のアリールカルバゾリル基又はカルバゾリルアリール基を表す。Ｌは単結合、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、又は置換若しくは無置換の芳香族へテロ環を表し、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｘ１、Ｘ２又はＸ３の炭素原子と連結する。Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に置換又は無置換のアリール、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３はそれぞれ独立に窒素原子又は置換基を有してもよい炭素原子を表す。ｐ及びｑはそれぞれ独立に１〜６の整数を表す。
【０１２２】
一般式（２）について説明する。
一般式（２）中、Ｃｚ、Ｌ、ｐ及びｑの定義は、一般式（１）におけるＣｚ、Ｌ、ｐ及びｑと同様であり、好ましいものも同様である。
Ａｒ１、Ａｒ２はそれぞれ独立に置換又は無置換のアリール基、アリーレン基、又は芳香族へテロ環基である。
アリール基は置換又は無置換の炭素数６〜３０のものが好ましく、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ビレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、パーフルオロアリール基等が挙げられ、これらのうちフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、パーフルオロアリール基が好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基がより好ましく、フェニル基、ビフェニル基が更に好ましい。
アリーレン基としては置換又は無置換の炭素数６〜３０のものが好ましく、具体例や好ましい基は前述の一般式（１）におけるＬの説明で挙げたものと同様である。芳香族へテロ環基としては、置換又は無置換の炭素数２〜３０のものが好ましく、具体例や好ましい基は前述の一般式（１）におけるＬの説明で挙げたものと同様である。これらに置換基が結合する場合、置換基の具体例や好ましい基は前述の一般式（１）におけるＣｚ、Ａの置換基として挙げたものと同様である。
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３は、それぞれ独立に、窒素原子若しくは置換基を有してもよい炭素原子を表す。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３のうち、０〜２個が窒素原子である場合が好ましく、０〜１個が窒素原子である場合がより好ましく、１個が窒素原子である場合が最も好ましい。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３のいずれかに窒素原子が含まれる場合、Ｘ１及びＸ３のいずれか一方が窒素原子であることが好ましい。一般式（２）におけるＸ１〜Ｘ３を含む環がピリジン又はピリミジンを表すことが好ましく、ピリミジンを表すことがより好ましい。炭素原子に結合する置換基の具体例や好ましい基は前述の一般式（１）におけるＣｚ、Ａの置換基として挙げたものと同様である。また、一般式（２）においてＬの連結位置は特に限定されないが、化学的安定性やキャリア輸送性の観点からＡｒ１の炭素原子と連結することが好ましい。
【０１２３】
一般式（１）で表される化合物は、以下の一般式（３）で表される化合物であることがより好ましい。
【０１２４】
【化２６】
2011049511.tif 000027
【０１２５】
一般式（３）中、Ｘ４、Ｘ５はそれぞれ独立に窒素原子若しくは置換基を有してもよい炭素原子を表し、Ｘ４又はＸ５のいずれか一方は窒素原子であり、他方は置換基を有してもよい炭素原子である。Ｌ’は単結合、置換若しくは無置換のアリール基若しくはアリーレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、又は置換若しくは無置換の芳香族へテロ環を表す。Ｒ１〜Ｒ５はそれぞれ独立に置換基を表す。ｎ１〜ｎ５はそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。ｐ’、ｑ’はそれぞれ独立に１〜４の整数を表す。
【０１２６】
一般式（３）について説明する。
Ｘ４、Ｘ５はそれぞれ独立に窒素原子若しくは置換基を有してもよい炭素原子を表す。Ｘ４又はＸ５のいずれか一方は窒素原子であり、他方は置換基を有してもより炭素原子であることが好ましい。一般式（３）におけるＸ４及びＸ５を含む環がピリジン又はピリミジンを表すことが好ましく、ピリミジンを表すことがより好ましい。炭素原子に結合する置換基の具定例や好ましい基は前述の一般式（１）におけるＣｚ、Ａの置換基として挙げたものと同様である。
Ｌ’の定義は、前述の一般式（１）におけるＬと同様であり、好ましい基もＬと同様である。Ｌ’は、一般式（３）中の含窒素ヘテロ芳香族構造においてベンゼン環と連結している。
Ｒ１〜Ｒ５はそれぞれ独立に置換基を表す。置換基の具体例は前述の一般式（１）におけるＣｚ、Ａの置換基として挙げたものと同様である。Ｒ１〜Ｒ６として好ましくは、フッ素原子、メチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、アダマンチル基、シアノ基、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリフルオロメチル基、カルバゾリル基であり、より好ましくは、フッ素原子、メチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、ピリジル基、シアノ基、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリフルオロメチル基、カルバゾリル基であり、更に好ましくはフッ素原子、メチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、シアノ基、シリル基、トリフェニルシリル基、トリフルオロメチル基、カルバゾリル基であり、更に好ましくはフッ素原子、ｔ−ブチル基、フェニル基、シアノ基、トリフェニルシリル基、カルバゾリル基である。Ｒ１〜Ｒ５が複数のとき、複数のＲ１〜Ｒ５はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎ１〜ｎ５はそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。それぞれ０〜２であることが好ましく、０〜１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｐ’、ｑ’はそれぞれ独立に１〜４の整数を表す。それぞれ１〜３であることが好ましく、１〜２であることがより好ましい。
【０１２７】
一般式（１）で表される化合物は、炭素原子、水素原子及び窒素原子のみからなる場合が最も好ましい。
【０１２８】
一般式（１）で表される化合物の分子量は４００以上１０００以下であることが好ましく、４５０以上８００以下であることがより好ましく、５００以上７００以下であることが更に好ましい。
【０１２９】
一般式（１）で表される化合物の膜状態での最低励起三重項（Ｔ１）エネルギーは２．６１ｅＶ（６２ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上３．５１ｅＶ（８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以下であることが好ましく、２．６９ｅＶ（６３．５ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上３．５１ｅＶ（８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以下であることがより好ましく、２．７６ｅＶ（６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上３．５１ｅＶ（８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ）であることが更に好ましい。
【０１３０】
一般式（１）で表される化合物のガラス転移温度（Ｔｇ）は８０℃以上４００℃以下であることが好ましく、１００℃以上４００℃以下であることがより好ましく、１２０℃以上４００℃以下であることが更に好ましい。
【０１３１】
一般式（１）が水素原子を有する場合、同位体（重水素原子等）も含む。この場合化合物中の全ての水素原子が同位体に置き換わっていてもよく、また一部が同位体を含む化合物である混合物でもよい。
以下に、一般式（１）で表される化合物の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、下記具体例中のＰｈはフェニル基を表す。
【０１３２】
【化２７】
2011049511.tif 000028
【０１３３】
【化２８】
2011049511.tif 000029
【０１３４】
【化２９】
2011049511.tif 000030
【０１３５】
【化３０】
2011049511.tif 000031
【０１３６】
【化３１】
2011049511.tif 000032
【０１３７】
【化３２】
2011049511.tif 000033
【０１３８】
【化３３】
2011049511.tif 000034
【０１３９】
【化３４】
2011049511.tif 000035
【０１４０】
【化３５】
2011049511.tif 000036
【０１４１】
【化３６】
2011049511.tif 000037
【０１４２】
上記一般式（１）で表される化合物として例示した化合物は、国際公開第０３／０８０７６０号パンフレットに記載の方法や、国際公開第０３／０７８５４１号パンフレットに記載の方法、国際公開第０５／０８５３８７号パンフレットに記載の方法等、種々の方法で合成できる。
例えば、上記例示化合物４は、ｍ−ブロモベンゾアルデヒドを出発原料に用い、国際公開第０５／０８５３８７号パンフレット段落［００７４］−［００７５］（４５頁、１１行〜４６頁、１８行）に記載の方法で合成することができる。上記例示化合物４５の化合物は、３，５−ジブロモベンゾアルデヒドを出発原料に用い、国際公開第０３／０８０７６０号パンフレットの４６頁、９行〜４６頁、１２行に記載の方法で合成することができる。また、上記例示化合物７７の化合物は、Ｎ−フェニルカルバゾールを出発原料に用い、国際公開第０５／０２２９６２号パンフレットの１３７頁、１０行〜１３９頁、９行に記載の方法で合成することができる。
【０１４３】
本発明において、一般式（１）で表される化合物は、その用途が限定されることはなく、有機層内のいずれの層に含有されてもよい。一般式（１）で表される化合物の導入層としては、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれか、若しくは複数に含有されるのが好ましい。
本発明では、高温駆動時の色度変化をより抑えるために、一般式（１）で表される化合物を発光層又は発光層に隣接する層のいずれかに含有されることが好ましく、発光層に隣接する層に含有されることがより好ましい。また、一般式（１）で表される化合物を発光層及び隣接する層の両層に含有させてもよい。
一般式（１）で表される化合物を発光層中含有させる場合、本発明の一般式（１）で表される化合物は発光層の全質量に対して０．１〜９９質量％含ませることが好ましく、１〜９５質量％含ませることがより好ましく、１０〜９５質量％含ませることがより好ましい。
【０１４４】
本発明は、一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表されるモノアニオン性の２座配位子と分子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体を含有する薄膜と一般式（１）で表される化合物を含有する薄膜とを積層した積層膜にも関する。このような積層膜により、優れた発光効率を示し、膜厚による発光効率の依存性が小さい有機電界発光素子を提供することができる。
【０１４５】
〔有機電界発光素子〕
本発明の素子について詳細に説明する。
本発明の有機電界発光素子は、基板上に、一対の電極と、該電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層とを有する有機電界発光素子であって、
前記発光層に一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表されるモノアニオン性の２座配位子と分子量４０以上の金属を含む燐光性金属錯体を含有し、かつ発光層と陰極の間に挟持された有機層のいずれかの層に一般式（１）で表される化合物を含有する。
【０１４６】
本発明の有機電界発光素子において、発光層は有機層であり、発光層と陰極の間に少なくとも一層の有機層を含むほか、更に複数の有機層を有していてもよい。
発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明若しくは半透明であることが好ましい。
図１は、本発明に係る有機電界発光素子の構成の一例を示している。図１に示される本発明に係る有機電界発光素子１０は、支持基板１２上において、陽極４と陰極９との間に発光層６が挟まれている。具体的には、陽極４と陰極９との間に正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、正孔ブロック層７、及び電子輸送層８がこの順に積層されている。
【０１４７】
＜有機層の構成＞
前記有機層の層構成としては、特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記透明電極上に又は前記背面電極上に形成されるのが好ましい。この場合、有機層は、前記透明電極又は前記背面電極上の前面又は一面に形成される。
有機層の形状、大きさ、及び厚み等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【０１４８】
具体的な層構成として、下記が挙げられるが本発明はこれらの構成に限定されるものではない。
・陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極、
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極。
有機電界発光素子の素子構成、基板、陰極及び陽極については、例えば、特開２００８−２７０７３６号公報に詳述されており、該公報に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０１４９】
＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
＜陽極＞
陽極は、通常、有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
＜陰極＞
陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
【０１５０】
基板、陽極、陰極については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔００７０〕〜〔００８９〕に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０１５１】
＜有機層＞
本発明における有機層について説明する。
【０１５２】
−有機層の形成−
本発明の有機電界発光素子において、各有機層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。
【０１５３】
（発光層）
＜発光材料＞
本発明における発光材料は前記特定燐光性金属錯体であることが好ましい。
【０１５４】
発光層中の発光材料は、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜５０質量％含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有されることが好ましく、２質量％〜４０質量％含有されることがより好ましい。
【０１５５】
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、２ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、中でも、外部量子効率の観点で、３ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
【０１５６】
本発明の素子における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは一種であっても二種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は一種であっても二種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。更に、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
また、発光層は一層であっても二層以上の多層であってもよい。また、それぞれの発光層が異なる発光色で発光してもよい。
【０１５７】
＜ホスト材料＞
【０１５８】
本発明に用いられるホスト材料として、以下の化合物を含有していても良い。例えば、ピロール、インドール、カルバゾール（例えばＣＢＰ（４，４´−ジ（９−カルバゾイル）ビフェニル））、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体及びそれらの誘導体（置換基や縮環を有していてもよい）等を挙げることができる。
【０１５９】
本発明における発光層において、前記ホスト材料三重項最低励起エネルギー（Ｔ１エネルギー）が、前記燐光発光材料のＴ１エネルギーより高いことが色純度、発光効率、駆動耐久性の点で好ましい。
【０１６０】
また、本発明におけるホスト化合物の含有量は、特に限定されるものではないが、発光効率、駆動電圧の観点から、発光層を形成する全化合物質量に対して１５質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。
【０１６１】
（蛍光発光材料）
本発明に使用できる蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の錯体やピロメテン誘導体の錯体に代表される各種錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
【０１６２】
（燐光発光材料）
本発明に使用できる燐光発光材料としては、一般式（１）で表される化合物の他、例えば、ＵＳ６３０３２３８Ｂ１、ＵＳ６０９７１４７、ＷＯ００／５７６７６、ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／０８２３０、ＷＯ０１／３９２３４Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２Ａ１、ＷＯ０２／０２７１４Ａ２、ＷＯ０２／１５６４５Ａ１、ＷＯ０２／４４１８９Ａ１、ＷＯ０５／１９３７３Ａ２、特開２００１−２４７８５９、特開２００２−３０２６７１、特開２００２−１１７９７８、特開２００３−１３３０７４、特開２００２−２３５０７６、特開２００３−１２３９８２、特開２００２−１７０６８４、ＥＰ１２１１２５７、特開２００２−２２６４９５、特開２００２−２３４８９４、特開２００１−２４７８５９、特開２００１−２９８４７０、特開２００２−１７３６７４、特開２００２−２０３６７８、特開２００２−２０３６７９、特開２００４−３５７７９１、特開２００６−２５６９９９、特開２００７−１９４６２、特開２００７−８４６３５、特開２００７−９６２５９号公報等の特許文献に記載の燐光発光化合物などが挙げられ、中でも、更に好ましい発光性ドーパントとしては、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｃｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｗ錯体、Ｒｈ錯体、Ｒｕ錯体、Ｐｄ錯体、Ｏｓ錯体、Ｅｕ錯体、Ｔｂ錯体、Ｇｄ錯体、Ｄｙ錯体、及びＣｅ錯体が挙げられる。特に好ましくは、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、又はＲｅ錯体であり、中でも金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、又はＲｅ錯体が好ましい。更に、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点で、３座以上の多座配位子を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、又はＲｅ錯体が特に好ましい。
【０１６３】
燐光発光材料の含有量は、発光層中に、発光層の総質量に対して、０．１質量％以上５０質量％以下の範囲が好ましく、０．２質量％以上５０質量％以下の範囲がより好ましく、０．３質量％以上４０質量％以下の範囲が更に好ましく、１０質量％以上３０質量％以下の範囲が最も好ましい。
【０１６４】
本発明に用いることのできる燐光発光材料（特定燐光性金属錯体及び／又は併用する燐光発光材料）の含有量は、発光層の総質量に対して、０．１質量％以上５０質量％以下の範囲が好ましく、１質量％以上４０質量％以下の範囲がより好ましく、５質量％以上３０質量％以下の範囲が最も好ましい。特に５質量％以上３０質量％以下の範囲では、その有機電界発光素子の発光の色度は、燐光発光材料の添加濃度依存性が小さい。
本発明の有機電界発光素子は、上記特定燐光性金属錯体の少なくとも一種を該発光層の総質量に対して５〜３０質量％含有することが最も好ましい。
【０１６５】
有機電界発光素子は、有機層のいずれかの層が更に、炭化水素化合物を含むことが好ましく、発光層が炭化水素化合物を含むことがより好ましい。
また、炭化水素化合物は下記一般式（ＶＩ）で表される化合物であることが好ましい。
一般式（ＶＩ）で表される化合物を発光材料とともに適切に用いることにより、材料分子間の相互作用を適切に制御し、隣接分子間のエネルギーギャップ相互作用を均一にすることで駆動電圧を更に低下させることが可能となる。
また、有機電界発光素子において用いられる、一般式（ＶＩ）で表される化合物は、化学的な安定性に優れ、素子駆動中における材料の分解等の変質が少なく、当該材料の分解物による、有機電界発光素子の効率低下や素子寿命の低下を防ぐことが出来る。
一般式（ＶＩ）で表される化合物について説明する。
【０１６６】
【化３７】
2011049511.tif 000038
【０１６７】
一般式（ＶＩ）中、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ１０、Ｘ４〜Ｘ１５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。
【０１６８】
一般式（ＶＩ）の、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ１０、Ｘ４〜Ｘ１５で表されるアルキル基は、アダマンタン構造、アリール構造で置換されていてもよく、炭素数１〜７０が好ましく、炭素数１〜５０がより好ましく、炭素数１〜３０が更に好ましく、炭素数１〜１０がより更に好ましく、炭素数１〜６が特に好ましく、炭素数２〜６の直鎖のアルキル基が最も好ましい。
【０１６９】
一般式（ＶＩ）の、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ１０、Ｘ４〜Ｘ１５で表されるアルキル基としては、例えば、ｎ−Ｃ５０Ｈ１０１基、ｎ−Ｃ３０Ｈ６１基、３−（３，５，７−トリフェニルアダマンタン−１−イル）プロピル基（炭素数３１）、トリチル基（炭素数１９）、３−（アダマンタン−１−イル）プロピル基（炭素数１３）、９−デカリル基（炭素数１０）、ベンジル基（炭素数７）、シクロヘキシル基（炭素数６）、ｎ−ヘキシル基（炭素数６）、ｎ−ペンチル基（炭素数５）、ｎ−ブチル基（炭素数４）、ｎ−プロピル基（炭素数３）、シクロプロピル基（炭素数３）、エチル基（炭素数２）、メチル基（炭素数１）などが挙げられる。
【０１７０】
一般式（ＶＩ）の、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ１０、Ｘ４〜Ｘ１５で表されるアリール基は、アダマンタン構造、アルキル構造で置換されていてもよく、炭素数６〜３０が好ましく、炭素数６〜２０がより好ましく、炭素数６〜１５が更に好ましく、炭素数６〜１０が特に好ましく、炭素数６が最も好ましい。
【０１７１】
一般式（ＶＩ）の、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ１０、Ｘ４〜Ｘ１５で表されるアリール基としては、例えば、１−ピレニル基（炭素数１６）、９−アントラセニル基（炭素数１４）、１−ナフチル基（炭素数１０）、２−ナフチル基（炭素数１０）、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基（炭素数１０）、２−ｍ−キシリル基（炭素数８）、５−ｍ−キシリル基（炭素数８）、ｏ−トリル基（炭素数７）、ｍ−トリル基（炭素数７）、ｐ−トリル基（炭素数７）、フェニル基（炭素数６）などが挙げられる。
【０１７２】
一般式（ＶＩ）のＲ４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ１０は、水素原子であっても、アルキル基であっても、アリール基であってもよいが、前述の高いガラス転移温度が好ましい観点から、少なくともひとつはアリール基であることが好ましく、少なくともふたつはアリール基であることがより好ましく、３ないし４つがアリール基であることが特に好ましい。
【０１７３】
一般式（ＶＩ）の、Ｘ４〜Ｘ１５は、水素原子であっても、アルキル基であっても、アリール基であってもよいが、水素原子、又はアリール基であることが好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
【０１７４】
本発明における一般式（ＶＩ）で表される化合物の分子量は、有機電界発光素子を真空蒸着プロセスや溶液塗布プロセスを用いて作成するので、蒸着適性や溶解性の観点から、２０００以下であることが好ましく、１２００以下であることがより好ましく、１０００以下であることが特に好ましい。また、蒸着適性の観点では、分子量が小さすぎると蒸気圧が小さくなり、気相から固相への変化がおきず、有機層を形成することが困難となるので、２５０以上が好ましく、３５０以上がより好ましく、４００以上が特に好ましい。
【０１７５】
一般式（ＶＩ）で表される化合物は、室温（２５℃）において固体であることが好ましく、室温（２５℃）から４０℃の範囲において固体であることがより好ましく、室温（２５℃）から６０℃の範囲において固体であることが特に好ましい。
室温（２５℃）において固体を形成しない一般式（ＶＩ）で表される化合物を用いる場合は、他の材料と組み合わせることにより、常温で固相を形成させることができる。
【０１７６】
一般式（ＶＩ）で表される化合物は、その用途が限定されることはなく、有機層内のいずれの層に含有されてもよい。本発明における一般式（ＶＩ）で表される化合物の導入層としては、後述の発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれか、若しくは複数に含有されるのが好ましく、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれか、若しくは複数に含有されるのがより好ましく、発光層、正孔注入層、正孔輸送層のいずれか、若しくは複数に含有されるのが特に好ましく、発光層に含むことが最も好ましい。
【０１７７】
一般式（ＶＩ）で表される化合物を、有機層中で用いる場合は、一般式（ＶＩ）で表される化合物の含量は、電荷輸送性を抑制しない程度の量に制限して用いる必要があり、一般式（ＶＩ）で表される化合物は０．１〜７０質量％含まれることが好ましく、０．１〜３０質量％含まれることがより好ましく、０．１〜２５質量％含まれることが特に好ましい。
また、一般式（ＶＩ）で表される化合物を、複数の有機層に用いる場合はそれぞれの層において、上記の範囲で含有することが好ましい。
【０１７８】
一般式（ＶＩ）で表される化合物は、いずれかの有機層に、一種類のみを含有していてもよく、複数の一般式（ＶＩ）で表される化合物を任意の割合で組み合わせて含有していてもよい。
【０１７９】
一般式（ＶＩ）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、以下に限定されるものではない。
【０１８０】
【化３８】
2011049511.tif 000039
【０１８１】
【化３９】
2011049511.tif 000040
【０１８２】
【化４０】
2011049511.tif 000041
【０１８３】
【化４１】
2011049511.tif 000042
【０１８４】
一般式（ＶＩ）で表される化合物は、アダマンタン、若しくは、ハロゲン化アダマンタンと、ハロゲン化アルキル若しくは、アルキルマグネシウムハライド（グリニヤー試薬）を適当に組み合わせることによって合成できる。例えば、インジウムを用いて、ハロゲン化アダマンタンと、ハロゲン化アルキルをカップリングすることができる（文献１）。また、ハロゲン化アルキルをアルキル銅試薬に変換し、芳香族化合物のグリニヤー試薬とカップリングすることもできる（文献２）。また、ハロゲン化アルキルを、適当なアリールホウ酸とパラジウム触媒を用いてカップリングすることもできる（文献３）。
文献１：Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．  ３９，  １９９８，  ９５５７−９５５８．
文献２：Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．  ３９，  １９９８，  ２０９５−２０９６．
文献３：Ｊ．  Ａｍ．  Ｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．  １２４，  ２００２，  １３６６２−１３６６３．
【０１８５】
アリール基を有するアダマンタン骨格は、アダマンタン、若しくは、ハロゲン化アダマンタンと、対応するアレーンやアリールハライドを適当に組み合わせることにより合成できる。
【０１８６】
なお、上記に示した製造方法において、定義された置換基が、ある合成方法の条件下で変化するか、又は該方法を実施するのに不適切な場合、官能基の保護、脱保護（例えば、プロテクティブ・グループス・イン・オーガニック・シンセシス（Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ
Ｇｒｏｕｐｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）、グリーン（Ｔ．  Ｗ．
Ｇｒｅｅｎｅ）著、ジョン・ワイリー・アンド・サンズ・インコーポレイテッド（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ  Ｉｎｃ．）（１９８１年）等）等の手段により容易に製造が可能である。また、必要に応じて適宜置換基導入等の反応工程の順序を変化させることも可能である。
【０１８７】
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
【０１８８】
−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
本発明に関し、有機層として、電子受容性ドーパントを含有する正孔注入層又は正孔輸送層を含むことが好ましい。
−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。本発明における電子注入層、電子輸送層のうち少なくとも一層には、一般式（１）で表される化合物が含まれる。一般式（１）で表される化合物の電子注入層、電子輸送層における含率は、３０％以上１００％以下であることが好ましく、５０％以上１００％以下であることがより好ましく、７０％以上１００％以下であることが更に好ましい。
本発明にかかる一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表される配位子を有する燐光性金属錯体を含む発光層と一般式（１）で表される化合物を含む電子輸送層を併用すると、一般式（１）で表される化合物が有する高い最低励起三重項エネルギー（Ｔ１エネルギー）の為に、発光層で生じた励起エネルギーが拡散するのを防ぐことができるため効率が向上する。更に、一般式（Ａ１）〜（Ａ４）で表される配位子を有する燐光性金属錯体を含む発光層は、あるエネルギーレベルから電子が注入された場合に、正孔と電子のバランスが整うと推測される。そのため発光層に注入される隣接層の電子伝導準位がキャリアバランスの制御に重要となる。一方、素子の発光スペクトルは、発光位置により、干渉により強められる波長が異なることから、キャリアバランスに大きく依存する傾向がある。よって、電子輸送層の膜厚を変化させるとスペクトルが変化することが知られている。ところが、本発明の一般式（１）で表される化合物は、実効的に電子を注入するエネルギーレベルが、本発明の発光層のキャリアバランスをコントロールできるレベルに合致していると推定され、その結果、電子輸送層の膜厚を変化させてもスペクトルが殆ど変化しない結果が得られている。
正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１６５〕〜〔０１６７〕に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０１８９】
−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、本発明における一般式（１）で表される化合物のほか、アルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−キノリナト）４−フェニルフェノレート（Ａｌｕｍｉｎｕｍ  （ＩＩＩ）ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）４−ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ（ＢＡｌｑと略記する））等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ（ＢＣＰと略記する））等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１９０】
−電子ブロック層−
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層を構成する有機化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
電子ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１９１】
＜保護層＞
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１６９〕〜〔０１７０〕に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０１９２】
＜封止容器＞
本発明の素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
封止容器については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１７１〕に記載の事項を本発明に適用することができる。
【０１９３】
（駆動）
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書等に記載の駆動方法を適用することができる。
【０１９４】
本発明の発光素子は、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板・ＩＴＯ層・有機層の屈折率を制御する、基板・ＩＴＯ層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。
【０１９５】
本発明の発光素子は、陽極側から発光を取り出す、いわゆるトップエミッション方式であっても良い。
【０１９６】
本発明における有機ＥＬ素子は、共振器構造を有しても良い。例えば、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明又は半透明電極、発光層、及び金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、透明基板上に、透明又は半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、２つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長の得るのに最適な値となるよう調整される。第一の態様の場合の計算式は特開平９−１８０８８３号明細書に記載されている。第２の態様の場合の計算式は特開２００４−１２７７９５号明細書に記載されている。
【０１９７】
本発明の有機電界発光素子の外部量子効率としては、５％以上が好ましく、７％以上がより好ましい。外部量子効率の数値は２０℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、若しくは、２０℃で素子を駆動したときの１００〜３００ｃｄ／ｍ２付近での外部量子効率の値を用いることができる。
【０１９８】
本発明の有機電界発光素子の内部量子効率は、３０％以上であることが好ましく、５０％以上が更に好ましく、７０％以上が更に好ましい。素子の内部量子効率は、外部量子効率を光取り出し効率で除して算出される。通常の有機ＥＬ素子では光取り出し効率は約２０％であるが、基板の形状、電極の形状、有機層の膜厚、無機層の膜厚、有機層の屈折率、無機層の屈折率等を工夫することにより、光取り出し効率を２０％以上にすることが可能である。
【０１９９】
本発明の有機電界発光素子は、３５０ｎｍ以上７００ｎｍ以下に極大発光波長（発光スペクトルの最大強度波長）を有するものが好ましく、より好ましくは３５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下、更に好ましくは４００ｎｍ以上５２０ｎｍ以下、特に好ましくは４００ｎｍ以上４６５ｎｍ以下である。
【０２００】
（本発明の発光素子の用途）
本発明の発光素子は、発光装置、ピクセル、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、又は光通信等に好適に利用できる。特に、照明装置、表示装置等の発光輝度が高い領域で駆動されるデバイスに好ましく用いられる。
【０２０１】
次に、図２を参照して本発明の発光装置について説明する。
本発明の発光装置は、前記有機電界発光素子を用いてなる。
図２は、本発明の発光装置の一例を概略的に示した断面図である。
図２の発光装置２０は、透明基板（支持基板）２、有機電界発光素子１０、封止容器１１等により構成されている。
【０２０２】
有機電界発光素子１０は、基板２上に、陽極（第一電極）３、有機層１１、陰極（第二電極）９が順次積層されて構成されている。また、陰極９上には、保護層１２が積層されており、更に、保護層１２上には接着層１４を介して封止容器１６が設けられている。なお、各電極３、９の一部、隔壁、絶縁層等は省略されている。
ここで、接着層１４としては、エポキシ樹脂等の光硬化型接着剤や熱硬化型接着剤を用いることができ、例えば熱硬化性の接着シートを用いることもできる。
【０２０３】
本発明の発光装置の用途は特に制限されるものではなく、例えば、照明装置のほか、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、電子ペーパ等の表示装置とすることができる。
【０２０４】
（照明装置）
次に、図３を参照して本発明の実施形態に係る照明装置について説明する。
図３は、本発明の実施形態に係る照明装置の一例を概略的に示した断面図である。
本発明の実施形態に係る照明装置４０は、図３に示すように、前述した有機ＥＬ素子１０と、光散乱部材３０とを備えている。より具体的には、照明装置４０は、有機ＥＬ素子１０の基板２と光散乱部材３０とが接触するように構成されている。
光散乱部材３０は、光を散乱できるものであれば特に制限されないが、図３においては、透明基板３１に微粒子３２が分散した部材とされている。透明基板３１としては、例えば、ガラス基板を好適に挙げることができる。微粒子３２としては、透明樹脂微粒子を好適に挙げることができる。ガラス基板及び透明樹脂微粒子としては、いずれも、公知のものを使用できる。このような照明装置４０は、有機電界発光素子１０からの発光が散乱部材３０の光入射面３０Ａに入射されると、入射光を光散乱部材３０により散乱させ、散乱光を光出射面３０Ｂから照明光として出射するものである。
【実施例】
【０２０５】
以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明の範囲は以下の具体例に制限されるものではない。
【０２０６】
例示化合物４、例示化合物４３は、国際公開第０３／０８０７６０号パンフレット、国際公開第０３／０７８５４１号パンフレット、国際公開第０５／０８５３８７号パンフレット、国際公開第０５／０２２９６２号パンフレット等を参考に合成した。例えば、化合物例示化合物４は、ｍ−ブロモベンゾアルデヒドを出発原料に用い、国際公開第０５／０８５３８７号パンフレット［００７４］−［００７５］（４５頁、１１行〜４６頁、１８行）に記載の方法で合成することができる。また化合物例示化合物４５は、３，５−ジブロモベンゾアルデヒドを出発原料に用い、国際公開第０３／０８０７６０号パンフレットの４６頁、９行〜４６頁、１２行に記載の方法で合成することができる。また、化合物例示化合物７７は、Ｎ−フェニルカルバゾールを出発原料に用い、国際公開第０５／０２２９６２号パンフレットの１３７頁、１０行〜１３９頁、９行に記載の方法で合成することができる。
【０２０７】
ＸＭ−６４及びＸＭ−６３は、例えば、ＵＳ２００７／０１９０３５９やＵＳ２００８／０２９７０３３に記載の方法など、種々の手法で合成した。
具体的には、ＸＭ−６４は、７−メチルイミダゾフェナントリジンを出発原料として、ＵＳ２００７／０１９０３５９の、［０１３２］〜［０１３４］に記載の合成法にて合成することができる。また、ＸＭ−６３は、ＵＳ２００８／０２９７０３３の［０２８１］〜［０２８７］に記載の合成法にて合成することができる。
【０２０８】
なお、本明細書中の実施例に用いた有機材料は全て昇華精製したものを用いた。
【０２０９】
〔実施例１〕
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角の酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機層を順次蒸着した。
第１層：ＩＴＯ／ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）：膜厚１０ｎｍ
第２層：ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）：膜厚３０ｎｍ
第３層：ドーパント（１０質量％）、ホスト材料（ｍＣＢＰ）（９０質量％）：膜厚３０ｎｍ
第４層：第一電子輸送材料（ＢＡｌｑ）：膜厚４０ｎｍ
第５層：第二電子輸送材料（Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体））：膜厚０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．２ｎｍ及び金属アルミニウム７０ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
得られた積層体を、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、本発明の素子１を得た。
【０２１０】
〔実施例２〜３３及び比較例１〜４７〕
素子の構成材料を、下記表１〜表４に示すように、材料等を変更する以外は実施例と同様にして各種素子を作製した。表中、膜厚の単位はｎｍである。
【０２１１】
【表１】
2011049511.tif 000043
【０２１２】
【表２】
2011049511.tif 000044
【０２１３】
【表３】
2011049511.tif 000045
【０２１４】
【表４】
2011049511.tif 000046
【０２１５】
（有機電界発光素子の性能評価）
得られた各種素子の性能を評価した。
（ａ）  外部量子効率
東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００を用いて、直流電圧を各素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社製輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。発光スペクトルと発光波長は浜松ホトニクス製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。これらを元に輝度が１０００ｃｄ／ｍ２付近の外部量子効率を輝度換算法により算出した。
【０２１６】
表１〜表４の結果から、一般式（１）で表される化合物を含有する電子輸送層と特定燐光性金属錯体を発光層に用いた本発明の素子は、比較例の素子と比べて、外部量子効率が優れており、かつ、電子輸送層の膜厚に依存しないことが分かる。
【０２１７】
発光装置、表示装置、照明装置の場合、各画素部で高い電流密度を通じて瞬間的に高輝度発光させる必要があり、本発明の発光素子はそのような場合に発光効率が高くなるように設計されているため、有利に利用することができる。
また、本発明の素子は車載用途などの高温環境で使用する際においても発光効率や耐久性にも優れ、発光装置、表示装置、照明装置に好適である。
【０２１８】
上記実施例及び比較例で使用した化合物の構造を以下に示す。
【０２１９】
【化４２】
2011049511.tif 000047
2011049511.tif 000048
【０２２０】
【化４３】
2011049511.tif 000049
【０２２１】
【化４４】
2011049511.tif 000050
【符号の説明】
【０２２２】
２・・・基板
３・・・陽極
４・・・正孔注入層
５・・・正孔輸送層
６・・・発光層
７・・・正孔ブロック層
８・・・電子輸送層
９・・・陰極
１０・・・有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）
１１・・・有機層
１２・・・保護層
１４・・・接着層
１６・・・封止容器
２０・・・発光装置
３０・・・光散乱部材
３０Ａ・・・光入射面
３０Ｂ・・・光出射面
３２・・・微粒子
４０・・・照明装置
【図１】
2011049511.tif 000060
【図２】
2011049511.tif 000061
【図３】
2011049511.tif 000062
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月22日(2010.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、一対の電極と、該電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層とを有する有機電界発光素子であって、
前記発光層に下記一般式（Ａ９）で表されるイリジウム錯体を含有し、かつ
発光層と陰極との間にさらに有機層を有し、該有機層に以下の一般式（３）で表される化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【化１】
2011049511.tif 000063
（一般式（Ａ９）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は炭化水素基を表す。Ｘ−Ｙはモノアニオン性の二座配位子を表す。ｎは３である。）
【化２】
2011049511.tif 000064
（一般式（３）中、Ｘ４及びＸ５はそれぞれ独立に窒素原子又は炭素原子であり、Ｘ４及びＸ５を含む環はピリジン又はピリミジンである。Ｌ’は、単結合、フェニレン又はビフェニレンを表す。Ｒ１〜Ｒ５はそれぞれ独立にフッ素原子、ｔ−ブチル基、フェニル基、シアノ基、トリフェニルシリル基又はカルバゾリル基を表す。ｎ１〜ｎ５はそれぞれ独立に０又は１を表し、ｐ’及びｑ’はそれぞれ独立に１又は２を表す。）
【請求項２】
前記一般式（Ａ９）のＲ１ａ〜Ｒ１ｉが表す炭化水素基が、炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、もしくはアリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、もしくはアリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数６〜１８のアリール基；又は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、もしくはアリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換されたアリール基である請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
一般式（３）で表される化合物が、炭素原子、水素原子、窒素原子のみからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
一般式（３）で表される化合物の分子量が４５０以上８００以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
一般式（３）で表される化合物の膜状態での最低励起三重項Ｔ１エネルギーが２．６１ｅＶ以上３．５１ｅＶ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
一般式（３）で表される化合物が前記発光層と隣接する層に含まれることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
極大発光波長が４００ｎｍ以上４６５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記発光層における発光材料の含有量が１０質量％以上３０質量％以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
前記一般式（Ａ９）で表されるイリジウム錯体を含有する薄膜と一般式（３）で表される化合物を含有する薄膜とを積層した積層膜。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。
【請求項１２】
請求項１〜７のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
すなわち、本発明は下記の手段により達成された。
〔１〕
有機電界発光素子であって、
前記発光層に下記一般式（Ａ９）で表されるイリジウム錯体を含有し、かつ
発光層と陰極との間にさらに有機層を有し、該有機層に以下の一般式（３）で表される化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【化１】
2011049511.tif 000065
（一般式（Ａ９）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は炭化水素基を表す。Ｘ−Ｙはモノアニオン性の二座配位子を表す。ｎは３である。）
【化２】
2011049511.tif 000066
（一般式（３）中、Ｘ４及びＸ５はそれぞれ独立に窒素原子又は炭素原子であり、Ｘ４及びＸ５を含む環はピリジン又はピリミジンである。Ｌ’は、単結合、フェニレン又はビフェニレンを表す。Ｒ１〜Ｒ５はそれぞれ独立にフッ素原子、ｔ−ブチル基、フェニル基、シアノ基、トリフェニルシリル基又はカルバゾリル基を表す。ｎ１〜ｎ５はそれぞれ独立に０又は１を表し、ｐ’及びｑ’はそれぞれ独立に１又は２を表す。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
〔２〕
前記一般式（Ａ９）のＲ１ａ〜Ｒ１ｉが表す炭化水素基が、炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、もしくはアリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、もしくはアリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数６〜１８のアリール基；又は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、もしくはアリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換されたアリール基である〔１〕に記載の有機電界発光素子。
〔３〕
一般式（３）で表される化合物が、炭素原子、水素原子、窒素原子のみからなることを特徴とする〔１〕又は〔２〕に記載の有機電界発光素子。
〔４〕
一般式（３）で表される化合物の分子量が４５０以上８００以下であることを特徴とする〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔５〕
一般式（３）で表される化合物の膜状態での最低励起三重項Ｔ１エネルギーが２．６１ｅＶ以上３．５１ｅＶ以下であることを特徴とする〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔６〕
一般式（３）で表される化合物が前記発光層と隣接する層に含まれることを特徴とする〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔７〕
極大発光波長が４００ｎｍ以上４６５ｎｍ以下であることを特徴とする〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔８〕
前記発光層における発光材料の含有量が１０質量％以上３０質量％以下であることを特徴とする〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔９〕
前記一般式（Ａ９）で表されるイリジウム錯体を含有する薄膜と一般式（３）で表される化合物を含有する薄膜とを積層した積層膜。
〔１０〕
〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。
〔１１〕
〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。
〔１２〕
〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。
本発明は、上記〔１〕〜〔１２〕に係る発明であるが、以下、それ以外の事項について
も記載している。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月5日(2010.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、一対の電極と、該電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層とを有する有機電界発光素子であって、
前記発光層に下記一般式（Ａ９）で表されるイリジウム錯体を含有し、かつ
発光層と陰極との間にさらに有機層を有し、該有機層に以下の一般式（３）で表される化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【化１】
2011049511.tif 000067
（一般式（Ａ９）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉはそれぞれ独立に水素原子又は炭化水素基を表す。Ｘ−Ｙはモノアニオン性の二座配位子を表す。ｎは３である。）
【化２】
2011049511.tif 000068
（一般式（３）中、Ｘ４及びＸ５はそれぞれ独立に窒素原子又は炭素原子であり、Ｘ４及びＸ５を含む環はピリジン又はピリミジンである。Ｌ’は、単結合、フェニレン又はビフェニレンを表す。Ｒ１〜Ｒ５はそれぞれ独立にフッ素原子、ｔ−ブチル基、フェニル基、シアノ基、トリフェニルシリル基又はカルバゾリル基を表す。ｎ１〜ｎ５はそれぞれ独立に０又は１を表し、ｐ’及びｑ’はそれぞれ独立に１又は２を表す。）
【請求項２】
前記一般式（Ａ９）のＲ１ａ〜Ｒ１ｉが表す炭化水素基が、炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、もしくはアリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、もしくはアリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数６〜１８のアリール基；又は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、もしくはアリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換されたアリール基である請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
一般式（３）で表される化合物が、炭素原子、水素原子、窒素原子のみからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
一般式（３）で表される化合物の分子量が４５０以上８００以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
一般式（３）で表される化合物の膜状態での最低励起三重項Ｔ１エネルギーが２．６１ｅＶ以上３．５１ｅＶ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
一般式（３）で表される化合物が前記発光層と隣接する層に含まれることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
極大発光波長が４００ｎｍ以上４６５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記発光層における発光材料の含有量が１０質量％以上３０質量％以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
請求項１に記載の一般式（Ａ９）で表されるイリジウム錯体を含有する薄膜と請求項１に記載の一般式（３）で表される化合物を含有する薄膜とを積層した積層膜。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。
【請求項１２】
請求項１〜７のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
〔２〕
前記一般式（Ａ９）のＲ１ａ〜Ｒ１ｉが表す炭化水素基が、炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、もしくはアリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、もしくはアリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換された炭素数３〜８のシクロアルキル基；炭素数６〜１８のアリール基；又は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、もしくはアリール基から選ばれる１つ以上の基によって置換されたアリール基である〔１〕に記載の有機電界発光素子。
〔３〕
一般式（３）で表される化合物が、炭素原子、水素原子、窒素原子のみからなることを特徴とする〔１〕又は〔２〕に記載の有機電界発光素子。
〔４〕
一般式（３）で表される化合物の分子量が４５０以上８００以下であることを特徴とする〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔５〕
一般式（３）で表される化合物の膜状態での最低励起三重項Ｔ１エネルギーが２．６１ｅＶ以上３．５１ｅＶ以下であることを特徴とする〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔６〕
一般式（３）で表される化合物が前記発光層と隣接する層に含まれることを特徴とする〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔７〕
極大発光波長が４００ｎｍ以上４６５ｎｍ以下であることを特徴とする〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔８〕
前記発光層における発光材料の含有量が１０質量％以上３０質量％以下であることを特徴とする〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔９〕
前記〔１〕に記載の一般式（Ａ９）で表されるイリジウム錯体を含有する薄膜と前記〔１〕に記載の一般式（３）で表される化合物を含有する薄膜とを積層した積層膜。
〔１０〕
〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。
〔１１〕
〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。
〔１２〕
〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。
本発明は、上記〔１〕〜〔１２〕に係る発明であるが、以下、それ以外の事項について
も記載している。