(57)【要約】【課題】比較的簡便な方法で不揮発性メモリへの記録回数を低減させることが可能な記憶制御装置およびその記憶方法、ならびにそれを備えたイオン発生装置を提供する。【解決手段】ステップＳ６３は、イオン発生装置１００の運転時間が、予め設定された所定の最短時間の倍数であるか否かを判定し、ステップＳ６４は、ステップＳ６３においてイオン発生装置１００の運転時間が所定の最短時間の倍数であると判定された場合には、イオン発生装置１００の運転時間が、予め設定された所定の最長時間の倍数であるか否かを判定し、ステップＳ６５は、ステップＳ６４においてイオン発生装置１００の運転時間が所定の最長時間の倍数ではないと判定された場合には、記録経過時間に所定の最短時間を加えた時間である判定値が、許容誤差よりも大きいか否か、または、判定値が所定の最長時間よりも大きいか否かを判定する。【選択図】図４
2011238115.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録回数が制限されている不揮発性メモリを備え、前記不揮発性メモリに所定のデータを記録するために機器に備えられる記憶制御装置であって、
機器の運転時間が、予め設定された所定の最短時間の倍数であるか否かを判定する第１のステップと、
前記第１のステップにおいて機器の運転時間が前記所定の最短時間の倍数であると判定された場合には、機器の運転時間が、予め設定された所定の最長時間の倍数であるか否かを判定する第２のステップと、
前記第２のステップにおいて機器の運転時間が前記所定の最長時間の倍数ではないと判定された場合には、前記記憶制御装置が運転を開始した後で前記不揮発性メモリに前記所定のデータが記録されてから経過した時間に前記所定の最短時間を加えた時間である判定値が、機器の運転時間に応じて機器の運転時間ごとに予め設定された所定の設定値よりも大きいか否か、または、前記判定値が前記所定の最長時間よりも大きいか否かを判定する第３のステップと、
を実行する判定部と、
前記判定値が前記所定の設定値よりも大きいことを前記判定部が判定する場合、または、前記判定値が前記所定の最長時間よりも大きいことを前記判定部が判定する場合には、前記所定のデータを前記不揮発性メモリに記録する記録部と、
を備えた、記憶制御装置。
【請求項２】
前記判定部は、前記不揮発性メモリへの記録が必要な不定期イベントが発生したか否かを判定し、
前記不定期イベントが発生したことを前記判定部が判定する場合には、前記記録部は、前記不定期イベントに関するデータを前記不揮発性メモリに記録する、
請求項１に記載の記憶制御装置。
【請求項３】
前記不定期イベントが発生したことを前記判定部が判定する場合に、前記判定部は、前記不定期イベントが前記不揮発性メモリに即時に記録することが必要なイベントであるか、または、前記不定期イベントが前記不揮発性メモリに遅延させて記録することが必要なイベントであるかのいずれか一方を判定し、
前記不定期イベントが前記不揮発性メモリに遅延させて記録することが必要なイベントであることを前記判定部が判定する場合には、前記記録部は、予め設定された所定の経過時間を経過した後で、前記不定期イベントのうち遅延させて記録することが必要なイベントとして前記不定期イベントに関するデータを前記不揮発性メモリに記録する、
請求項２に記載の記憶制御装置。
【請求項４】
前記不定期イベントが発生したことを前記判定部が判定する場合には、前記記録部は、前記第１のステップと前記第２のステップと前記第３のステップとの判定結果にかかわらず前記所定のデータと前記不定期イベントに関するデータとを前記不揮発性メモリに記録する、
請求項２または請求項３に記載の記憶制御装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の記憶制御装置と、
イオンを生成するイオン発生器と、
を備えたイオン発生装置。
【請求項６】
記録回数が制限されている不揮発性メモリを備え、前記不揮発性メモリに所定のデータを記録するために機器に備えられる記憶制御装置の記憶方法であって、
機器の運転時間が、予め設定された所定の最短時間の倍数であるか否かを判定する第１のステップと、
前記第１のステップにおいて機器の運転時間が前記所定の最短時間の倍数であると判定された場合には、機器の運転時間が、予め設定された所定の最長時間の倍数であるか否かを判定する第２のステップと、
前記第２のステップにおいて機器の運転時間が前記所定の最長時間の倍数ではないと判定された場合には、前記記憶制御装置が運転を開始した後で前記不揮発性メモリに前記所定のデータが記録されてから経過した時間に前記所定の最短時間を加えた時間である判定値が、機器の運転時間に応じて機器の運転時間ごとに予め設定された所定の設定値よりも大きいか否か、または、前記判定値が前記所定の最長時間よりも大きいか否かを判定する第３のステップと、
前記第３のステップにおいて前記判定値が前記所定の設定値よりも大きいことが判定された場合、または、前記判定値が前記所定の最長時間よりも大きいことが判定された場合には、前記所定のデータを前記不揮発性メモリに記録する第４のステップと、
を備えた、記憶制御装置の記憶方法。
【請求項７】
前記不揮発性メモリへの記録が必要な不定期イベントが発生したか否かを判定する第５のステップと、
前記第５のステップにおいて前記不定期イベントが発生したと判定された場合には、前記不定期イベントに関するデータを前記不揮発性メモリに記録する第６のステップと、
を備えた、
請求項６に記載の記憶制御装置の記憶方法。
【請求項８】
前記第５のステップにおいて前記不定期イベントが発生したと判定された場合に、前記不定期イベントが前記不揮発性メモリに即時に記録することが必要なイベントであるか、または、前記不定期イベントが前記不揮発性メモリに遅延させて記録することが必要なイベントであるか、のいずれか一方を判定する第７のステップと、
前記第７のステップにおいて前記不定期イベントが前記不揮発性メモリに遅延させて記録することが必要なイベントであると判定された場合には、予め設定された所定の経過時間を経過した後で、前記不定期イベントのうち遅延させて記録することが必要なイベントとして前記不定期イベントに関するデータを前記不揮発性メモリに記録する第８のステップと、
を備えた、
請求項７に記載の記憶制御装置の記憶方法。
【請求項９】
前記第５のステップにおいて前記不定期イベントが発生したと判定された場合には、前記第１のステップと前記第２のステップと前記第３のステップとの判定結果にかかわらず前記所定のデータと前記不定期イベントに関するデータとを前記不揮発性メモリに記録する第９のステップをさらに備えた、
請求項７または請求項８に記載の記憶制御装置の記憶方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には、不揮発性メモリを備えた記憶制御装置およびその記憶方法、ならびにそれを備えたイオン発生装置に関するものであり、特定的には、記録回数が制限されている不揮発性メモリを備えた記憶制御装置およびその記憶方法、ならびにそれを備えたイオン発生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、不揮発性メモリを有する記憶制御装置および記憶制御装置の記憶方法に関して、以下の特許文献に記載されたものが知られている。
【０００３】
例えば特開昭６３−１８１１９０号公報（特許文献１）に記載された記憶装置の記憶方法は、不揮発性メモリのメモリ領域を複数のブロックに分けることにより、記録回数をブロックの数の倍数だけ実質的に増大させるものである。
【０００４】
一方、例えば特開平０２−２７４１１７号公報（特許文献２）に記載された記憶制御装置を備えた携帯用テレビの選局装置は、テレビのチャンネルが選局されてから所定の時間の後に不揮発性メモリへデータを記録する時限回路と、不揮発性メモリへデータを記録することを停止する手段と、を備えている。これら時限回路と停止手段とにより、不揮発性メモリへの記録回数を削減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６３−１８１１９０号公報
【特許文献２】特開平０２−２７４１１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、１０年間連続して機器が運転されるという条件で、運転時間に関して２倍の余裕を持たせることを想定する場合には、不揮発性メモリの容量が運転時間の２０年間分だけ必要であり、例えば特許文献１または特許文献２に記載の記憶方法と記憶制御装置とでは、不揮発性メモリの容量が大幅に不足するときがある。
【０００７】
例えば、不揮発性メモリの容量を大きくすることにより、不揮発性メモリへの記録回数を増加させることが可能である。また、記憶制御装置にバックアップの電源回路を付加することにより、必要なデータのうちの不揮発性メモリに記録される量と、不揮発性メモリへの記録回数とを削減させることができる。しかし、どちらも装置のコストが増加するという問題がある。そのため、不揮発性メモリにおいて、不揮発性メモリの容量を大きくすることなく、且つ、バックアップの電源回路を不要にすることが可能であるような比較的簡便な記憶制御装置および記憶制御装置の記憶方法が望まれていた。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、比較的簡便な方法で不揮発性メモリへの記録回数を低減させることが可能な記憶制御装置およびその記憶方法、ならびにそれを備えたイオン発生装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に従った記憶制御装置は、記録回数が制限されている不揮発性メモリを備え、不揮発性メモリに所定のデータを記録するために機器に備えられる記憶制御装置である。また、この発明に従った記憶制御装置は、判定部と記録部とを備えている。判定部は、第１のステップと第２のステップと第３のステップとを実行する。第１のステップは、機器の運転時間が、予め設定された所定の最短時間の倍数であるか否かを判定するステップである。第２のステップは、第１のステップにおいて機器の運転時間が所定の最短時間の倍数であると判定された場合には、機器の運転時間が、予め設定された所定の最長時間の倍数であるか否かを判定するステップである。第３のステップは、第２のステップにおいて機器の運転時間が所定の最長時間の倍数ではないと判定された場合には、記憶制御装置が運転を開始した後で不揮発性メモリに所定のデータが記録されてから経過した時間に所定の最短時間を加えた時間である判定値が、機器の運転時間に応じて機器の運転時間ごとに予め設定された所定の設定値よりも大きいか否か、または、判定値が所定の最長時間よりも大きいか否かを判定するステップである。記録部は、判定値が所定の設定値よりも大きいことを判定部が判定する場合、または、判定値が所定の最長時間よりも大きいことを判定部が判定する場合には、所定のデータを不揮発性メモリに記録する。
【００１０】
この発明に従った記憶制御装置の記憶方法は、記録回数が制限されている不揮発性メモリを備え、不揮発性メモリに所定のデータを記録するために機器に備えられる記憶制御装置の記憶方法である。また、この発明に従った記憶制御装置の記憶方法は、第１のステップと第２のステップと第３のステップと第４のステップとを備えている。第１のステップは、機器の運転時間が、予め設定された所定の最短時間の倍数であるか否かを判定するステップである。第２のステップは、第１のステップにおいて機器の運転時間が所定の最短時間の倍数であると判定された場合には、機器の運転時間が、予め設定された所定の最長時間の倍数であるか否かを判定するステップである。第３のステップは、第２のステップにおいて機器の運転時間が所定の最長時間の倍数ではないと判定された場合には、記憶制御装置が運転を開始した後で不揮発性メモリに所定のデータが記録されてから経過した時間に所定の最短時間を加えた時間である判定値が、機器の運転時間に応じて機器の運転時間ごとに予め設定された所定の設定値をよりも大きいか否か、または、判定値が所定の最長時間よりも大きいか否かを判定するステップである。第４のステップは、第３のステップにおいて判定値が所定の設定値よりも大きいことが判定された場合、または、判定値が所定の最長時間よりも大きいことが判定された場合には、所定のデータを不揮発性メモリに記録するステップである。
【００１１】
この発明によれば、予め定められた一定の時間間隔で不揮発性メモリに所定のデータを記録する場合と比べ、不揮発性メモリに所定のデータを記録する時間間隔を広げることができる。このように、この発明によれば、不揮発性メモリに所定のデータを記録する時間間隔を広げるといった比較的簡便な方法により、不揮発性メモリへの記録回数を低減させることができる。これにより、予め定められた一定の時間間隔にて不揮発性メモリに所定のデータを記録するときと同じ容量の不揮発性メモリを用いる場合には、不揮発性メモリへ所定のデータを記録することが可能な絶対時間が延長される。そのため、不揮発性メモリを備えた機器の運転時間を増大させることができる。一方、不揮発性メモリを備えた記憶制御装置の寿命として不揮発性メモリへ記録することが可能な絶対時間が十分に満足されている場合は、不揮発性メモリの容量を削減させることができる。そのため、記憶制御装置には、より廉価な不揮発性メモリを選択することができる。
【００１２】
この発明に従った記憶制御装置では、判定部は、不揮発性メモリへの記録が必要な不定期イベントが発生したか否かを判定し、不定期イベントが発生したことを判定部が判定する場合には、記録部は、不定期イベントに関するデータを不揮発性メモリに記録することが好ましい。
【００１３】
この発明に従った記憶制御装置の記憶方法は、第５のステップと第６のステップとを備えていることが好ましい。第５のステップは、不揮発性メモリへの記録が必要な不定期イベントが発生したか否かを判定するステップである。第６のステップは、第５のステップにおいて不定期イベントが発生したと判定された場合には、不定期イベントに関するデータを不揮発性メモリに記録するステップである。
【００１４】
この発明に従った記憶制御装置によれば、不定期にイベントが発生する記憶制御装置において、予め定められた一定の時間間隔にて不揮発性メモリに所定のデータを記録する場合と比べ、不揮発性メモリに所定のデータを記録する時間間隔を広げることができる。これにより、不定期にイベントが発生する記憶制御装置において、不揮発性メモリに所定のデータが記録されるときの記録回数を低減させることができる。
【００１５】
この発明に従った記憶制御装置では、判定部は、不定期イベントが発生したことを判定部が判定する場合に、不定期イベントが不揮発性メモリに即時に記録することが必要なイベントであるか、または、不定期イベントが不揮発性メモリに遅延させて記録することが必要なイベントであるかのいずれか一方を判定することが好ましい。また、記録部は、不定期イベントが不揮発性メモリに遅延させて記録することが必要なイベントであることを判定部が判定する場合には、予め設定された所定の経過時間を経過した後で、不定期イベントのうち遅延させて記録することが必要なイベントとして不定期イベントに関するデータを不揮発性メモリに記録することが好ましい。
【００１６】
この発明に従った記憶制御装置の記憶方法は、第７のステップと第８のステップとを備えていることが好ましい。第７のステップは、第５のステップにおいて不定期イベントが発生したと判定された場合に、不定期イベントが不揮発性メモリに即時に記録することが必要なイベントであるか、または、不定期イベントが不揮発性メモリに遅延させて記録することが必要なイベントであるか、のいずれか一方を判定するステップである。第８のステップは、第７のステップにおいて不定期イベントが不揮発性メモリに遅延させて記録することが必要なイベントであると判定された場合には、予め設定された所定の経過時間を経過した後で、不定期イベントのうち遅延させて記録することが必要なイベントとして不定期イベントに関するデータを不揮発性メモリに記録するステップである。
【００１７】
この発明に従った記憶制御装置によれば、不定期にイベントが発生する記憶制御装置において、不定期に発生するイベントに関するデータを、不揮発性メモリに即時に記録することが必要なイベントと、遅延させて記録することが必要なイベントとに区別して記録することができる。これにより、不揮発性メモリに即時に記録することが必要なイベントと、遅延させて記録することが必要なイベントとが発生する記憶制御装置において、不揮発性メモリに所定のデータが記録されるときの記録回数を低減させることができる。また、遅延させて記録することが必要なイベントは、所定の経過時間が経過した時点で不揮発性メモリに記録される。つまり、短時間に複数回発生するような記録に不必要なイベントに関するデータは、不揮発性メモリに記録されない。そのため、その記録に不必要なイベントが発生する度に記録される場合と異なり、不揮発性メモリへの記録回数が低減される。
【００１８】
この発明に従った記憶制御装置では、記録部は、不定期イベントが発生したことを判定部が判定する場合には、第１のステップと第２のステップと第３のステップとの判定結果にかかわらず所定のデータと不定期イベントに関するデータとを不揮発性メモリに記録することが好ましい。
【００１９】
この発明に従った記憶制御装置の記憶方法は、第９のステップをさらに備えていることが好ましい。第９のステップは、第５のステップにおいて不定期イベントが発生したと判定された場合には、第１のステップと第２のステップと第３のステップとの判定結果にかかわらず所定のデータと不定期イベントに関するデータとを不揮発性メモリに記録するステップである。
【００２０】
この発明に従った記憶制御装置によれば、不定期に発生するイベントの発生時に、所定のデータを記録することができるため、所定のデータの精度を向上させることができる。したがって、不揮発性メモリに所定のデータが記録されるときの記録回数を低減させることができ、且つ、所定のデータの精度を向上させることができる。
【００２１】
この発明に従った記憶制御装置は、イオンを生成するイオン発生器を備えたイオン発生装置に備えられていることが好ましい。
【００２２】
この発明に従ったイオン発生装置は、予め定められた一定の時間間隔にて不揮発性メモリに所定のデータを記録する場合と比べ、不揮発性メモリへの記録回数が低減されている。そのため、イオン発生装置の運転時間を増大させることができる。また、不揮発性メモリを備えたイオン発生装置には、より廉価な不揮発性メモリを選択することができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように、この発明によれば、比較的簡便な方法で不揮発性メモリへの記録回数を低減させることが可能な記憶制御装置およびその記憶方法、ならびにそれを備えたイオン発生装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】この発明に係る記憶制御装置を備えたイオン発生装置の制御ブロック図である。
【図２】イオン発生装置の状態遷移図である。
【図３】イオン発生装置の運転時の制御フローチャートである。
【図４】不揮発性メモリへデータを記録するときの判断処理のフローチャートである。
【図５】イオン発生装置の運転時間と、運転時間に応じて運転時間ごとに予め設定された所定の設定値との一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
記憶制御装置の運転積算時間等のデータを記憶する手段には、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、またはマイクロコンピュータ内蔵のフラッシュメモリ等の不揮発性メモリが従来から利用されている。例えばフラッシュメモリの記録可能回数は、１万回程度である。不揮発性メモリは記録可能回数が制限されており、不揮発性メモリへのデータの記録回数が、この記録可能回数を超える場合がある。そのため、一定の絶対時間において不揮発性メモリへのデータの記録回数が多い場合には、不揮発性メモリを使用することができる絶対時間が短縮されてしまう。逆に、一定の絶対時間において不揮発性メモリへのデータの記録回数が低減される場合には、不揮発性メモリを使用することができる絶対時間が延長される。
【００２６】
一方、本願発明者は、不揮発性メモリに所定のデータを記録する時間間隔が広げられる場合には、一定の絶対時間において不揮発性メモリへのデータの記録回数を低減することができると考えた。これにより、本願発明者は、比較的簡便な方法で不揮発性メモリへの記録回数を低減させることが可能な記憶制御装置およびその記憶方法について発明するに至った。
【００２７】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２８】
以下では、記憶制御装置を備えた機器の一例として、制御装置６を備えたイオン発生装置１００について説明する。制御装置６は、記憶制御装置の一例である。なお、記憶制御装置を備えた機器は、イオン発生装置１００に限定されず、他の装置であってもよい。記憶制御装置を備えた機器は、例えば、扇風機であってもよく、エアコン等の空気調和機であってもよく、冷蔵庫であってもよく、電気掃除機であってもよく、洗濯機であってもよく、冷却庫であってもよく、または乾燥機のいずれか等であってもよい。また、記憶制御装置を備えた機器は、扇風機、エアコン等の空気調和機、冷蔵庫、電気掃除機、洗濯機、冷却庫、または乾燥機のいずれか等にイオン発生装置１００が備えられたものであってもよい。記憶制御装置を備えた機器は、さらに例えば、プリンタであってもよい。記憶制御装置を備えた機器は、いわゆる消耗品を備えた機器に適している。
【００２９】
図１に示すように、イオン発生装置１００は、イオンを生成するイオン発生器１と、制御装置６とを備えている。本実施形態に係るイオン発生装置１００は、発生したイオンを吹き出させる送風機２と、発生したイオンを検出するイオン検出器３と、操作部４０を有する操作装置４と、表示部５０を有する表示装置５とを備えている。送風機２は、ファン２０と、ファン２０を駆動させるファンモーター２１とを有している。イオン発生器１と送風機２とイオン検出器３と操作装置４と表示装置５との作動は、制御装置６によって制御されている。
【００３０】
制御装置６は、制御部（ＭＰＵ）６０と不揮発性メモリ６１とを有している。ＭＰＵ６０は、例えばマイクロコンピュータによって構成されている。ＭＰＵ６０は、イオン発生装置１００の運転履歴と、電源がＯＦＦされる前のイオン発生装置１００の状態等とを、所定のデータとして不揮発性メモリ６１に記録している。
【００３１】
制御装置６は、判定部６２と記録部６３とを有している。不揮発性メモリ６１には、イオン発生装置１００の運転に必要なデータが記録されている。不揮発性メモリ６１にデータが記録される回数は、無限ではなく、制限されている。なお、不揮発性メモリ６１にデータが記録される回数を記録回数と称する。判定部６２は、図３または図４に示すようなイオン発生装置１００の運転に必要な制御に関する判定を判断している。記録部６３は、判定部６２の判定結果に基づき、イオン発生装置１００の運転に必要なデータを不揮発性メモリ６１に記録している。
【００３２】
図２は、イオン発生装置１００の状態の遷移図である。イオン発生装置１００は、イオン発生装置１００の状態として、運転停止中Ａ１と運転中Ａ２と待機停止中Ａ３の３つの状態を有している。電源がＯＮされるときには、イオン発生装置１００の状態が運転停止中Ａ１の状態となる。運転停止中Ａ１の状態において運転切換ボタンが押下されると、運転停止中Ａ１の状態から運転中Ａ２の状態となる。イオン発生装置１００は、運転モードとして、風量の小さい弱運転Ａ２１と風量の大きい強運転Ａ２２と運転停止中Ａ１との３つのモードを有している。運転中Ａ２の状態において、運転切換ボタンが押下されるごとに、弱運転Ａ２１、強運転Ａ２２、運転停止中Ａ１の順に運転モードが切り換えられる。運転中Ａ２の状態であるときに電源がＯＦＦされる場合には、待機停止中Ａ３の状態となる。待機停止中Ａ３の状態であるときに電源がＯＮされる場合には、運転が停止される前の運転モードで運転が再開される。
【００３３】
次に、イオン発生装置１００において不揮発性メモリ６１へ所定のデータが記録されるときの制御について、制御フローチャートを用いて説明する。図３に示すように、ステップＳ１では、電源がＯＮされ、イオン発生装置１００が起動する。イオン発生装置１００が起動したときは、不揮発性メモリ６１に記録されているデータが読まれる。ステップＳ２では、イオン発生装置１００の運転時間が零であることと、イオン発生装置１００の運転積算時間とが設定される。ステップＳ２にて設定されるイオン発生装置１００の運転積算時間は、不揮発性メモリ６１に記録されているデータの値に基づいて設定される。
【００３４】
ここでいうイオン発生装置１００の運転時間とは、イオン発生装置１００の運転が開始されてから現在までの時間のことである。記憶制御装置として、イオン発生装置１００ではなく他の装置が利用されている場合には、運転時間は、他の装置の運転が開始されてから現在までの時間のことである。一方、ここでいうイオン発生装置１００の運転積算時間とは、イオン発生装置１００の運転時間が積算された値のことである。
【００３５】
ステップＳ３では、運転切換ボタンが押下されたか否かが判定され、運転切換ボタンが押下されたときには、ステップＳ４において運転モードが切り換えられる。ステップＳ５では、ステップＳ４において切り換えられた運転モードにて運転される。ステップＳ６では、不揮発性メモリ６１への所定のデータの記録が必要であるか否かが判断される。ステップＳ７では、ステップＳ６の判断に基づき、不揮発性メモリ６１への所定のデータの記録が必要であるか否かが判定される。不揮発性メモリ６１への所定のデータの記録が必要な場合には、ステップＳ８において不揮発性メモリ６１へ所定のデータが記録される。ステップＳ８では、不揮発性メモリ６１に所定のデータが記録されてから現在までに経過した時間は零であることが不揮発性メモリ６１に記録される。以下では、不揮発性メモリ６１に所定のデータが記録されてから現在までに経過した時間のことを記録経過時間と称する。
【００３６】
ステップＳ９において電源がＯＦＦされることなく通電状態である場合には、ステップＳ１０においてイオン発生装置１００の運転時間と運転積算時間と記録経過時間とが更新される。ここでいうイオン発生装置１００の運転時間の『更新』とは、記録経過時間、運転積算時間、または運転時間がカウントされ、運転時間が都度上書きされることである。一方、イオン発生装置１００の運転積算時間の『更新』とは、記録経過時間、運転積算時間、または運転時間がカウントされ、運転積算時間が都度上書きされることである。イオン発生装置１００の記録経過時間の『更新』とは、記録経過時間、運転積算時間、または運転時間がカウントされ、記録経過時間が都度上書きされることである。
【００３７】
次に、不揮発性メモリ６１へ所定のデータが記録されるときの制御のうち、記録の要否を判断する制御について説明する。図４は、図３のステップＳ６に係る記録の要否を判断する制御の制御フローチャートである。
【００３８】
まず、ステップＳ６１では、例えばエラー発生のような、不揮発性メモリ６１に即時に記録することが必要なイベントが発生したか否かが判定される。なお、以下では、不揮発性メモリ６１に即時に記録することが必要なイベントを即時記録イベントと称する。ステップＳ６１において、即時記録イベントが発生したことが判定される場合には、ステップＳ６６に進む。ステップＳ６６では、不揮発性メモリ６１へ所定のデータを記録することが必要であることを示したフラグが立てられる。
【００３９】
ステップＳ６１において、即時記録イベントが発生していないと判定される場合には、ステップＳ６２１に進む。ステップＳ６２１では、不揮発性メモリ６１に遅延させて記録することが必要なイベントが発生したか否かが判定される。不揮発性メモリ６１に遅延させて記録することが必要なイベントの例は、運転切換ボタンの押下である。なお、以下では、不揮発性メモリ６１に遅延させて記録することが必要なイベントを遅延記録イベントと称する。ステップＳ６２１において、遅延記録イベントが発生したことが判定される場合にはステップＳ６２２に進み、遅延記録イベントが発生していないことが判定される場合にはステップＳ６３に進む。ステップＳ６２２では、予め設定された所定の経過時間が経過したか否かが判定される。ステップＳ６２２において、所定の経過時間が経過していないと判定される場合には、ステップＳ６３に進む。ステップＳ６２２において、所定の経過時間が経過したと判定される場合には、ステップＳ６６に進む。ステップＳ６２２では、所定の経過時間を計測している時間が都度更新され、所定の経過時間が経過しているか否かが都度判定されている。ステップＳ６２２において、所定の経過時間を計測している時間が都度更新され、この時間に基づいて所定の経過時間をカウントダウンすることによって所定の経過時間が経過している場合には、ステップＳ６６に進む。
【００４０】
ステップＳ６２１において、遅延記録イベントが発生していないと判定される場合には、ステップＳ６３に進む。ステップＳ６３では、イオン発生装置１００の運転時間が、予め設定された所定の最短時間の間隔と一致するか否かが判定される。所定の最短時間は、例えば５分である。所定の最短時間が５分である場合は、ステップＳ６３では、イオン発生装置１００の運転時間が５分の倍数であるか否かが判定される。ステップＳ６３において、イオン発生装置１００の運転時間が、所定の最短時間の倍数であることが判定される場合には、ステップＳ６４に進む。ステップＳ６３において、イオン発生装置１００の運転時間が、所定の最短時間の倍数ではないことが判定される場合には、ステップＳ６７に進む。ステップＳ６７では、不揮発性メモリ６１へ所定のデータを記録することが不要であることを示したフラグが立てられる。
【００４１】
ステップＳ６４では、イオン発生装置１００の運転時間が、予め設定された所定の最長時間の間隔と一致するか否かが判定される。所定の最長時間は、例えば６０分である。所定の最長時間が６０分である場合は、ステップＳ６４では、イオン発生装置１００の運転時間が６０分の倍数であるか否かが判定される。ステップＳ６４において、イオン発生装置１００の運転時間が、所定の最長時間の倍数であることが判定される場合には、ステップＳ６６に進む。ステップＳ６４において、イオン発生装置１００の運転時間が、所定の最長時間の倍数ではないことが判定される場合には、ステップＳ６５に進む。
【００４２】
なお、所定の最短時間は５分であることに限定されず、所定の最長時間は６０分であることに限定されない。所定の最短時間と所定の最長時間とは、他の時間にて適宜設定されていてもよい。
【００４３】
ステップＳ６５では、不揮発性メモリ６１にデータが記録されてから現在までに経過した時間である記録経過時間に所定の最短時間を加えた時間が、イオン発生装置１００の運転時間に応じてイオン発生装置１００の運転時間ごとに予め設定された所定の設定値よりも大きいか否かが判定される。なお、以下では、記録経過時間に所定の最短時間を加えた時間のことを判定値と称する。ステップＳ６５では、判定値が所定の最長時間よりも大きいか否かが判定されることにしてもよい。ステップＳ６５において、判定値が所定の設定値よりも大きいことが判定される場合、または、判定値が所定の最長時間よりも大きいことが判定される場合には、ステップＳ６６に進む。ステップＳ６５において、判定値が所定の設定値以下であることが判定される場合、または、判定値が所定の最長時間以下であることが判定される場合には、ステップＳ６７に進む。
【００４４】
なお、即時記録イベントは、エラーが発生していることに限定されない。即時記録イベントは、タイマーによってイオン発生装置１００等の運転が停止されることであってもよい。また、遅延記録イベントは、運転切換ボタンの押下に限定されない。遅延記録イベントは、イオン発生装置１００等のタイマーが設定されるときの操作であってもよい。さらに、遅延記録イベントは、エアコン等の温度または湿度が設定されるときの操作であってもよく、カーナビ等のタッチパネルによるテレビ局またはラジオ局等が選局されるときの操作であってもよい。以下では、即時記録イベントと遅延記録イベントとを有するイベントのことを、不定期イベントと称する。つまり、不定期イベントとは、即時記録イベントと遅延記録イベントとの総称である。
【００４５】
所定の設定値は、イオン発生装置１００の運転時間に応じてイオン発生装置１００の運転時間ごとに予め設定されている。イオン発生装置１００の運転時間に応じてイオン発生装置１００の運転時間ごとに予め設定された所定の設定値のことを、以下では許容誤差と称する。例えば、図５に示すように、イオン発生装置１００の運転時間が１００分であるときの許容誤差は５分で、運転時間が２００分であるときの許容誤差は１０分である。図５に示す例では、許容誤差は、イオン発生装置１００の運転時間の５％で設定されている。ただし、許容誤差は、イオン発生装置１００の運転時間の５％で設定されるものに限定されない。許容誤差は、運転時間に対して他の割合で設定されていてもよく、運転時間ごとに個別の値が設定されていてもよい。記憶制御装置として、イオン発生装置１００ではなく他の装置が利用されている場合には、許容誤差は、他の装置の運転時間に応じて他の装置の運転時間ごとに予め設定されている。
【００４６】
許容誤差がイオン発生装置１００の運転時間の５％で設定されている場合は、イオン発生装置１００の運転時間が９０分であるときに許容誤差は４．５分である。イオン発生装置１００の運転時間に対して厳密に５％で設定されている場合には、イオン発生装置１００の運転時間が１００分未満であるときは許容誤差が５分未満である。５分未満の許容誤差は、不揮発性メモリ６１に記録されるデータの精度に影響がない程に小さい。そのため、イオン発生装置１００の運転時間が１００分未満であるときは、許容誤差は５分で設定されている。
【００４７】
許容誤差は、イオン発生装置１００の運転時間が長くなればなるほど長くなり、１２００分（２０時間）以降は６０分（１時間）である。このように、設定された許容誤差にて記録経過時間の間隔を長くすることにより、イオン発生装置１００を長時間運転する場合の記録回数（不揮発性メモリ６１に所定のデータが記録される回数）を低減させることができる。
【００４８】
前述のように設定された最短時間と最長時間と許容誤差とに基づき、ステップＳ６５の判定を以下のように確認する。
【００４９】
例えば、イオン発生装置１００の運転時間が４４０分であるときを以下に示す。図４のステップＳ６４とステップＳ６６と図３とに示すように、イオン発生装置１００の運転時間が４２０分であるときは、４２０分である運転時間が所定の最長時間の倍数であることにより、不揮発性メモリ６１に所定のデータが記録されている。イオン発生装置１００の運転時間が４４０分であるときは、運転時間が４２０分から２０分だけ経過しているので、記録経過時間は２０分である。また、イオン発生装置１００の運転時間が４４０分であるときは、許容誤差は２２分である。
【００５０】
ステップＳ６５では、記録経過時間に所定の最短時間である５分を加えた時間である判定値が、許容誤差よりも大きいか否か、または、判定値が所定の最長時間である６０分よりも大きいか否かが判定される。すなわち、イオン発生装置１００の運転時間が４４０分であるときは、記録経過時間の２０分に所定の最短時間である５分を加えた時間（判定値）が２５分である。この２５分の判定値が２２分の許容誤差よりも大きいとステップＳ６５において判定され、不揮発性メモリ６１に所定のデータが記録されるようになる。
【００５１】
別の例として、イオン発生装置１００の運転時間が２００分であるときを以下に示す。図４のステップＳ６３〜ステップＳ６５と図３とに基づいた説明のように、イオン発生装置１００の運転時間が１９５分であるときには、不揮発性メモリ６１に所定のデータが記録されている。イオン発生装置１００の運転時間が２００分であるときは、運転時間が１９５分から５分だけ経過しているので、記録経過時間は５分である。また、イオン発生装置１００の運転時間が２００分であるときは、許容誤差が１０分である。イオン発生装置１００の運転時間が２００分であるときは、判定値が１０分である。この１０分の判定値が１０分の許容誤差以下であるとステップＳ６５において判定され、不揮発性メモリ６１には所定のデータが記録されない。
【００５２】
イオン発生装置１００の運転時間が２００分からさらに５分だけ経過し、運転時間が２０５分であるときは、運転時間が１９５分から１０分だけ経過しているので、記録経過時間は１０分である。また、イオン発生装置１００の運転時間が２０５分であるときは、許容誤差は１０．２５分である。イオン発生装置１００の運転時間が２０５分であるときは、判定値が１５分である。この１５分の判定値が１０．２５分の許容誤差よりも大きいとステップＳ６５において判定され、不揮発性メモリ６１に所定のデータが記録されるようになる。
【００５３】
即時記録イベントと遅延記録イベントとの総称である不定期イベントに対し、イオン発生装置１００の運転時間等に基づいたイベントを定期イベントと称する。定期イベントは、イオン発生装置１００の運転時間に限定されない。例えば、定期イベントは、イオン発生部１０が生成するイオン量等を、イオン検知部３０が一定時間ごとに検知するセンサ動作であってもよい。また、定期イベントは、例えばエアコン等の装置の作動に関して、当該装置が設置される室内の温度または湿度を一定時間ごとに検知するセンサ動作であってもよい。
【００５４】
図４のステップＳ６６において、不定期イベント発生時の所定のデータと定期イベント発生時の所定のデータとは、図３のステップＳ８において並行して不揮発性メモリ６１に記録されている。すなわち、ステップＳ６６においてフラグが立てられた場合は、そのフラグが、ステップＳ６１、ステップＳ６２２、ステップＳ６４、またはステップＳ６５の判定結果のうち、どの判定結果によって立てられたフラグであるかにかかわらず、ステップＳ８において定期イベント発生時の所定のデータと不定期イベント発生時の所定のデータとが不揮発性メモリ６１に記録される。このとき、ステップＳ８では、必要最低限のデータが不揮発性メモリ６１に記録される。
【００５５】
必要最低限のデータについて、以下に説明する。不揮発性メモリ６１に記録されるデータの項目は、例えばエラー情報と運転モードと運転積算時間とイオン測定値との４項目である。エラー情報は、例えばエラー番号とエラー詳細ログとで構成されている。例えば運転積算時間の更新時には、運転積算時間だけでなく、運転モードとエラー番号（この番号はエラーがない場合は０である）とが不揮発性メモリ６１に記録される。イオン測定値は、イオン検出部３０（図１参照）によって検出されたイオン発生部１０（図１参照）にて発生するイオンの量等が数値化されたものである。なお、エラー発生時に記録されるエラー情報は、エラー番号とエラー詳細ログとである。しかし、イオン発生装置１００の正常動作での運転積算時間の更新時には、エラーが無い旨を示すエラー番号のみが不揮発性メモリ６１に記録され、エラー詳細ログは不揮発性メモリ６１に記録されない。
【００５６】
全項目についてのデータが不揮発性メモリ６１に記録されることにより、例えばイオン発生装置１００の運転時間に関するデータは、図４に示すステップＳ６５での判定結果によってステップＳ６６にて立てられたフラグに基づいて不揮発性メモリ６１に記録されたデータだけでなく、図４に示すステップＳ６１、ステップＳ６２２、またはステップＳ６４での判定結果によってステップＳ６６にて立てられたフラグに基づいて不揮発性メモリ６１に記録されたデータも利用される。
【００５７】
以上のように、記憶制御装置を備えた機器の一例であるイオン発生装置１００は、制御装置６を備えている。制御装置６は、記憶制御装置の一例である。また、制御装置６は、記録回数が制限され、所定のデータが記録される不揮発性メモリ６１を有している。ＭＰＵ６０は、判定部６２と記録部６３とを有している。判定部６２は、第１のステップであるステップＳ６３（図４参照）と、第２のステップであるステップＳ６４と、第３のステップであるステップＳ６５と、を実行する。ステップＳ６３は、イオン発生装置１００の運転時間が、予め設定された所定の最短時間の倍数であるか否かを判定するステップである。ステップＳ６４は、ステップＳ６３においてイオン発生装置１００の運転時間が所定の最短時間の倍数であると判定された場合には、イオン発生装置１００の運転時間が、予め設定された所定の最長時間の倍数であるか否かを判定するステップである。ステップＳ６５は、ステップＳ６４においてイオン発生装置１００の運転時間が所定の最長時間の倍数ではないと判定された場合には、記録経過時間に所定の最短時間を加えた時間である判定値が、許容誤差よりも大きいか否か、または、判定値が所定の最長時間よりも大きいか否かを判定するステップである。一方、記録部６３は、判定値が所定の設定値よりも大きいことを判定部６２が判定する場合、または、判定値が所定の最長時間よりも大きいことを判定部６２が判定する場合には、所定のデータを不揮発性メモリ６１に記録する。
【００５８】
ここで、５分ごとにデータが記録されるような、バックアップ電源を持たない記憶制御装置の例を以下に説明する。記憶制御装置の１日の平均運転時間を１時間と想定する場合は、記録回数は１２回／日であり、記録回数が１万回に達する時間は８３３日＝２．２５年である。また、記憶制御装置の１日の平均運転時間を８時間と想定する場合は、記録回数は９６回／日であり、記録回数が１万回に達する時間は１０４日＝０．２８年である。また、記憶制御装置を１日中連続して運転した場合は、記録回数が１回／５分（２８８回／日）であるから、記録回数が１万回に達する時間は５万分＝８３３時間＝３４．７日である。
【００５９】
本実施形態に係るイオン発生装置１００を１日中連続して運転する場合は、１２００分以降のときに不揮発性メモリ６１へデータが記録されるのは６０分ごとであるため、記録回数は２４回／日である。また、記録回数が１万回に達する時間は、４１６日＝１．１４年である。
【００６０】
このように、イオン発生装置１００によれば、不揮発性メモリ６１に所定のデータを記録する時間間隔を広げるといった比較的簡便な方法により、不揮発性メモリ６１への記録回数を低減させることができる。これにより、予め定められた一定の時間間隔にて不揮発性メモリに所定のデータを記録するときと同じ容量の不揮発性メモリ６１がイオン発生装置１００に用いられる場合には、不揮発性メモリ６１へ記録することが可能な絶対時間が延長される。そのため、不揮発性メモリ６１を備えたイオン発生装置１００の運転時間を増大させることができる。一方、イオン発生装置１００の寿命として不揮発性メモリ６１へ記録することが可能な絶対時間が十分に満足されている場合は、不揮発性メモリ６１の容量を削減させることができる。そのため、イオン発生装置１００には、不揮発性メモリ６１のうち、より廉価な不揮発性メモリが選択される。
【００６１】
上述のように、イオン発生装置１００では、不揮発性メモリ６１への記録回数を低減させることができる。また、イオン発生装置１００では、不揮発性メモリ６１へ記録される運転積算時間に関するデータの精度を予め設定された許容誤差の値以下に保つことができる。一方、比較的長時間継続してイオン発生装置１００を運転しているときの運転積算時間に関するデータは、不揮発性メモリ６１に記録される際にある程度の誤差が許容される。すなわち、イオン発生装置１００では、比較的長時間継続してイオン発生装置１００を運転しているときは、運転積算時間に関するデータの精度を許容誤差の値以下に保ちつつ不揮発性メモリ６１に記録する際の記録回数を低減させることができる。そのため、イオン発生装置１００では、バックアップ電源とそのための回路とを削減することができる。
【００６２】
以上のように、比較的簡便な方法で不揮発性メモリ６１への記録回数を低減させることが可能な記憶制御装置を備えた機器の一例であるイオン発生装置１００を提供することができる。
【００６３】
また、イオン発生装置１００によれば、エラーまたは運転モードの切り換え等の不定期イベントが発生する。イオン発生装置１００では、不定期イベントが発生する場合でも、予め定められた一定の時間間隔にて不揮発性メモリ６１にデータを記録する場合と比べ、不揮発性メモリ６１に所定のデータを記録する時間間隔を広げることができる。これにより、不定期イベントが発生するイオン発生装置１００において、不揮発性メモリ６１に所定のデータが記録されるときの記録回数を低減させることができる。
【００６４】
エラーまたは運転モードの切り換え等の不定期イベントは、定期イベントに比べて発生する頻度は少ない。しかし、運転モードは、押し間違いまたは設定し直し等のように、短時間に何度も切り換えられることがある。また、図２に示すように、１つの運転切換ボタンによって運転停止から弱運転を経て強運転に順に切り換えられる場合は、強運転を弱運転に切り換えるために運転切換ボタンが短時間に２回押下される。しかしながら、１回目の運転切換ボタンの操作によって設定された運転モードは、２回目の運転モードに移るための運転モードでしかなく、記録される必要はない。特に不揮発性メモリ６１のように記録回数が制限されたメモリは、押し間違いまたは設定し直し等で設定される運転モードを記録しないほうがよい。
【００６５】
イオン発生装置１００では、不定期イベントを、即時記録イベントと遅延記録イベントとに区別して記録することができる。これにより、即時記録イベントと遅延記録イベントとが発生するイオン発生装置１００において、不揮発性メモリ６１に所定のデータが記録されるときの記録回数を低減させることができる。また、遅延記録イベントは、所定の経過時間が経過した時点で不揮発性メモリ６１に記録される。これにより、運転モード等が短時間に複数回切り換えられるような記録に不必要なイベントは、運転切換ボタンが押下される度に記録される場合と異なり、不揮発性メモリ６１への記録回数が低減される。
【００６６】
イオン発生装置１００では、不定期イベントとしてのエラーまたは運転モードの切り換え等の発生時に、定期イベントとしての運転時間に関するデータが記録されることにより、定期イベント発生時のデータの精度を向上させることができる。すなわち、比較的短時間の間にイオン発生装置１００の運転と停止とが何度も繰り返される場合と、運転モードの切り換えの回数が多い場合との記録回数を効果的に低減させることができ、且つ、定期イベント発生時のデータの精度を向上させることができる。
【００６７】
イオン発生装置１００は、予め定められた一定の時間間隔にて不揮発性メモリ６１に所定のデータを記録する場合と比べ、不揮発性メモリ６１への所定のデータの記録回数が低減されている。そのため、イオン発生装置１００の運転時間を増大させることができる。また、イオン発生装置１００には、より廉価な不揮発性メモリ６１を選択することができる。
【００６８】
以上に開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は、以上の実施の形態ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正と変形を含むものである。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は、一般的には、不揮発性メモリを備えた記憶制御装置およびその記憶方法、ならびにそれを備えたイオン発生装置に関するものであり、特定的には、記録回数が制限されている不揮発性メモリを備えた記憶制御装置およびその記憶方法、ならびにそれを備えたイオン発生装置に関して有用である。
【符号の説明】
【００７０】
１：イオン発生器、６：制御装置、６０：制御部（ＭＰＵ）、６１：不揮発性メモリ、６２：判定部、６３：記録部、１００：イオン発生装置。
【図１】
2011238115.tif 000003
【図２】
2011238115.tif 000004
【図３】
2011238115.tif 000005
【図４】
2011238115.tif 000006
【図５】
2011238115.tif 000007