(57)【要約】【課題】精度良くレジスト膜にパターンを転写し、所望の寸法のレジストパターンをレジスト膜に形成する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上方にレジスト膜を形成する工程と、光源から照射される露光用光をフォトマスクに入射することによりレジスト膜を露光する第１露光工程と、光源から照射される露光用光をフォトマスクに斜めに入射することによりレジスト膜を露光する第２露光工程と、レジスト膜を現像してレジスト膜にレジストパターンを形成する工程と、レジスト膜に溶剤を塗布して熱処理を行い、レジスト膜を膨潤させることによりレジスト膜に形成されたレジストパターンの寸法を縮小する工程と、を備える。【選択図】図１
2011077374.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上方にレジスト膜を形成する工程と、
光源から照射される露光用光をフォトマスクに入射することにより前記レジスト膜を露光する第１露光工程と、
前記光源から照射される露光用光を前記フォトマスクに斜めに入射することにより前記レジスト膜を露光する第２露光工程と、
前記レジスト膜を現像して前記レジスト膜にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジスト膜に溶剤を塗布して熱処理を行い、前記レジスト膜を膨潤させることにより前記レジスト膜に形成されたレジストパターンの寸法を縮小する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１露光工程の際の露光量及び前記第２露光工程の際の露光量を調整することにより、前記レジスト膜に形成されたレジストパターンの寸法を均一化することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記フォトマスクは、密パターン及び孤立パターンを含むマスクパターンが形成されていることを特徴とする請求項１又２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１露光工程で用いられる照明形状は小シグマ照明であり、前記第２露光工程で用いられる照明形状は、輪帯照明、二重極照明、四重極照明及び八重極照明の何れか一つを含むことを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの高速化、高密度化の要求に答えるため、半導体基板上に非常に小さいサイズのデバイスパターンを形成することが要求されている。デバイスパターンは、半導体基板上にレジスト膜を形成し、光リソグラフィ加工を用いてレジストパターンが形成されたレジスト膜をマスクにしてエッチング加工を行うことで形成される。半導体デバイスの微細化は、光リソグラフィに用いられる露光装置の光源波長を短波長化することにより実現される。
【０００３】
現在量産されている半導体デバイスの寸法ルールは９０ｎｍ以下レベルにまで達している。この値は、光リソグラフィに用いられる露光装置の光源波長の半分以下である。例えば、光リソグラフィの光源として使用されるフッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザーの波長は１９３ｎｍである。更には、寸法ルール５０ｎｍ以下の半導体デバイスも現在精力的に開発されている。変形照明、光近接補正（Optical Proximity Correction、ＯＰＣ）、位相シフト型マスク等を用いた露光方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２３３４２９号公報
【特許文献２】特開平０９−５５３５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
光リソグラフィによりフォトマスク（レチクル）に形成されたパターンを半導体基板上のレジスト膜に転写する際、所望のパターン寸法が解像限界を超える場合がある。この場合、回析等による光近接効果の影響で半導体基板上のレジスト膜に転写されたパターンの形状が変化したり、或いは転写パターンが解像しない問題がある。本件は、精度良くレジスト膜にパターンを転写し、所望の寸法のレジストパターンをレジスト膜に形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本件の一観点による半導体装置の製造方法は、基板上方にレジスト膜を形成する工程と、光源から照射される露光用光をフォトマスクに入射することにより前記レジスト膜を露光する第１露光工程と、前記光源から照射される露光用光を前記フォトマスクに斜めに入射することにより前記レジスト膜を露光する第２露光工程と、前記レジスト膜を現像して前記レジスト膜にレジストパターンを形成する工程と、前記レジスト膜に溶剤を塗布して熱処理を行い、前記レジスト膜を膨潤させることにより前記レジスト膜に形成されたレジストパターンの寸法を縮小する工程と、を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本件によれば、精度良くレジスト膜にパターンを転写し、所望の寸法のレジストパターンをレジスト膜に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】露光装置１の全体構成図である。
【図２Ａ】孤立パターンが形成されたフォトマスク７の上面図である。
【図２Ｂ】図２Ａのフォトマスク７を用いて露光を行った場合のレジスト膜１０の上面図である。
【図３Ａ】密パターンが形成されたフォトマスク７の上面図である。
【図３Ｂ】図３Ａのフォトマスク７を用いて露光を行った場合のレジスト膜１０の上面図である。
【図４】小シグマ照明の模式図である。
【図５】輪帯照明の模式図である。
【図６】輪帯照明により、図２Ａのフォトマスクを用いて露光を行った場合のレジスト膜１０の上面図である。
【図７Ａ】小シグマ照明を用いて、レジスト膜１０を露光した場合のCD-FOCUS曲線を示す図である。
【図７Ｂ】輪帯照明を用いて、レジスト膜１０を露光した場合のCD-FOCUS曲線を示す図である。
【図８Ａ】孤立パターン及び密パターンの両方が形成されたフォトマスク７を示す図である。
【図８Ｂ】図８Ａのフォトマスク７を用いて露光を行った場合のレジスト膜１０の上面図である。
【図９】図８Ａに示すフォトマスク７を用いて、レジスト膜１０を２重露光した場合のCD-FOCUS曲線を示す図である。
【図１０Ａ】レジスト膜１０を２重露光した場合における輪帯照明の露光量と密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量との関係を示す図である。
【図１０Ｂ】レジスト膜１０を２重露光した場合における小シグマ照明の露光量と密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量との関係を示す図である。
【図１１Ａ】レジスト膜１０を２重露光した場合における輪帯照明の露光量と孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量との関係を示す図である。
【図１１Ｂ】レジスト膜１０を２重露光した場合における小シグマ照明の露光量と孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量との関係を示す図である。
【図１２Ａ】レジスト膜１０を２重露光した場合における輪帯照明の露光量と密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法との関係を示す図である。
【図１２Ｂ】レジスト膜１０を２重露光した場合における小シグマ照明の露光量と密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法との関係を示す図である。
【図１３Ａ】レジスト膜１０を２重露光した場合における輪帯照明の露光量と孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法との関係を示す図である。
【図１３Ｂ】レジスト膜１０を２重露光した場合における小シグマ照明の露光量と孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法との関係を示す図である。
【図１４】シングル露光又は２重露光を行った場合における密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法を示す図である。
【図１５Ａ】半導体装置の製造方法の工程図（その１）である。
【図１５Ｂ】半導体装置の製造方法の工程図（その２）である。
【図１５Ｃ】半導体装置の製造方法の工程図（その３）である。
【図１５Ｄ】半導体装置の製造方法の工程図（その４）である。
【図１５Ｅ】半導体装置の製造方法の工程図（その５）である。
【図１６】変形照明の照明形状の例を示す図である。
【図１７】変形照明の照明形状の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態（以下、実施形態という）に係る半導体装置の製造方法について具体例を挙げて説明する。
【００１０】
図１は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法において用いられる露光装置１の全体構成図である。露光装置１として、縮小率１／４倍（マスクパターンの寸法：転写パターンの寸法＝４：１）の液浸縮小投影系を使用する。露光装置１は、光源２、露光量制御機構３、レンズ４、照明形状設定機構５、集光レンズ６、フォトマスク（レチクル）７及び投影レンズ８を備える。
【００１１】
光源２として、例えば、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）を用いる。光源２から照射された露光用光は、露光量制御機構３及びレンズ４を介して、照明形状設定機構５に到達する。露光量制御機構３は、露光の際の露光量を制御する。照明形状設定機構５は、露光の際に使用される小シグマ照明や変形照明等の照明形状を切り換える。
【００１２】
照明形状設定機構５を通過した露光用光は、集光レンズ６を介してフォトマスク７に集光される。フォトマスク７を通過した露光用光は、投影レンズ８を介して、投影レンズ８の下に設置される半導体基板（ウェハ）９面上に集光され、半導体基板９の上方に形成されたレジスト膜１０が露光される。投影レンズ８は、例えば、開口率（ＮＡ）が１．３のレンズを用いる。半導体基板９の上方に形成されたレジスト膜１０が露光されることにより、フォトマスク７に形成されたマスクパターンが、半導体基板９の上方に形成されたレジスト膜１０に転写される。マスクパターンが転写されたレジスト膜１０を現像することにより、レジスト膜１０にレジストパターン１１が形成される。
【００１３】
不図示の水供給機構により投影レンズ８と半導体基板９との間に水が供給されることにより、投影レンズ８と半導体基板９との間に水が満たされる。投影レンズ８と半導体基板９との間に水を供給し、投影レンズ８と半導体基板９との間に水を満たす機構を備える露光装置１を液浸露光装置と呼ぶ。本実施形態では、露光装置１は液浸露光装置を使用するが、露光装置１は投影レンズ８と半導体基板９との間に水を満たす機構を備えないドライ露光装置であってもよい。また、露光装置１は、不図示の溶媒供給機構により投影レンズ８と半導体基板９との間に他の溶媒を供給し、投影レンズ８と半導体基板９との間に他の溶媒を満たす機構を備えてもよい。
【００１４】
図２Ａは、孤立パターンが形成されたフォトマスク７の上面図である。孤立パターン（疎パターン）とは、パターン同士のピッチが大きいパターン配置をいう。本実施形態では、パターン同士のピッチが１０００ｎｍであるパターン配置を孤立パターンとして説明するが、孤立パターンのピッチはこれに限定されるものではない。
【００１５】
図２Ｂは、図２Ａのフォトマスク７を用いて半導体基板９の上方に形成されたレジスト膜１０を露光し、レジスト膜１０を現像した後のレジスト膜１０の上面図である。本実施形態では、レジスト膜１０の未露光部分をパターンとして残すポジ型レジスト膜を使用している。図２Ｂに示すように、一つのホール（開口）のパターンがレジスト膜１０に形成されている。すなわち、図２Ａのフォトマスク７に形成された孤立パターンが、図２Ｂのレジスト膜１０に転写され、孤立パターンに対応するレジストパターン１１がレジスト膜１０に形成される。
【００１６】
図３Ａは、密パターンが形成されたフォトマスク７の上面図である。密パターンとは、パターン同士のピッチが小さいパターン配置をいう。本実施形態では、パターン同士のピッチが１２０ｎｍであるパターン配置を密パターンとして説明するが、密パターンのピッチはこの値に限定されるものではない。
【００１７】
図３Ｂは、図３Ａのフォトマスク７を用いて半導体基板９の上方に形成されたレジスト膜１０を露光し、レジスト膜１０を現像した後のレジスト膜１０の上面図である。図３Ｂに示すように、複数のホール（開口）のパターンがレジスト膜１０に形成されている。す
なわち、図３Ａのフォトマスク７に形成された密パターンが、図３Ｂのレジスト膜１０に転写され、密パターンに対応するレジストパターン１１がレジスト膜１０に形成される。
【００１８】
図４は、図２Ｂ及び図３Ｂに示すレジストパターン１１の形成時における露光に使用された照明形状を模式的に示す図である。図４に示す照明形状は、小シグマ照明と呼ばれ、通過光量を十分に絞り込んだ小径の照明パターン２０Ａを形成する照明である。照明形状設定機構５により、光源２から照射された露光用光の中央部分を選択的に通過させることで照明パターン２０Ａが形成される。図４の小シグマ照明は、シグマ０．２の照明形状である。
【００１９】
本来、密集したパターン同士が繋がらずに、レジストパターン１１がレジスト膜１０に形成されなければならない。図３Ａのフォトマスク７を用いて、小シグマ照明でレジスト膜１０を露光した場合、図３Ｂに示すように、密集したパターン同士が繋がるように、レジストパターン１１がレジスト膜１０に形成される。小シグマ照明によって、孤立パターンに対応するレジストパターン１１をレジスト膜１０に形成することは可能である。しかし、小シグマ照明によって密パターンに対応するレジストパターン１１をレジスト膜１０に形成しようとすると、十分な光強度が得られず、レジストパターン１１が解像しない。小シグマ照明は、光源２から照射された露光用光を図３Ａのフォトマスク７に垂直に入射する。図３Ａのフォトマスク７の密パターンではパターンエッジの回折光の広がり（回折角θ）が大きくなり、回折光が投影レンズ８の開口を越えるとレジストパターン１１が解像しない。
【００２０】
図５に示す照明形状は、輪帯照明と呼ばれる変形照明であり、輪帯形状をした照明パターン２０Ｂを形成する照明である。照明形状設定機構５により、光源２から照射された露光用光の輪帯部分を選択的に通過させることで照明パターン２０Ｂが形成される。図５の輪帯照明は、アウターシグマ０．９、インナーシグマ０．５の照明形状である。図６は、輪帯照明により、図２Ａのフォトマスク７を用いて半導体基板９の上方に形成されたレジスト膜１０を露光し、レジスト膜１０を現像した後のレジスト膜１０の上面図である。図６に示すように、密集したパターン同士が繋がらずに、密パターンに対応するレジストパターン１１がレジスト膜１０に形成されている。
【００２１】
輪帯照明は、光源２から照射された露光用光を図３Ａのフォトマスク７に斜めに入射する。そのため、斜入射の露光用光が図３Ａのフォトマスク７を通過した際、パターンエッジの回折光が強調され十分な光強度が得られる。したがって、輪帯照明は、図３Ａのように密パターンが形成されたフォトマスク７を用いたレジスト膜１０の露光に有効な照明形状である。
【００２２】
ところが、実際の半導体デバイスには、孤立パターンと密パターンとが形成される。したがって、小シグマ照明又は輪帯照明のどちらかを用いてレジスト膜１０を露光することにより、孤立パターン及び密パターンに対応するレジストパターン１１をレジスト膜１０に形成することになる。
【００２３】
図７Ａは、小シグマ照明を用いて、レジスト膜１０を露光した場合のCD-FOCUS曲線を示す図である。図７Ａの横軸は、露光時のフォーカス（焦点）ずれを数値（μｍ）で示しており、中央（０μｍ）がフォーカスずれの無いベストフォーカスである。図７Ａの縦軸は、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法（μｍ）を示している。ここでは、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の形状はホール形状であり、レジストパターン１１の寸法は、ホールの直径の寸法である。
【００２４】
図７Ａの黒四角（■）は、図３Ａに示す孤立パターンが形成されたフォトマスク７を用
いてレジスト膜１０を露光した場合において、露光時のフォーカスずれに対して、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法をプロットしたものである。図７Ａに示すように、ベストフォーカスの場合、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法は０．０６μｍであるが、フォーカスずれが大きくなるとレジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法は小さくなる。図７Ａにおいて、CD-FOCUS曲線の曲率が大きい程、フォーカスマージンが大きくなることを示している。
【００２５】
図７Ａの黒丸（●）は、図２Ａに示す密パターンが形成されたフォトマスク７を用いてレジスト膜１０を露光した場合において、露光時のフォーカスずれに対して、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法をプロットしたものである。図７Ａに示すように、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法は０μｍであり、小シグマ照明では、密パターンに対応するレジストパターン１１をレジスト膜１０に形成することができない。すなわち、密パターンに対応するレジストパターン１１が解像しない。
【００２６】
図７Ｂは、輪帯照明を用いて、レジスト膜１０を露光した場合のCD-FOCUS曲線を示す図である。図７Ｂの横軸は、露光時のフォーカス（焦点）ずれを数値（μｍ）で示しており、中央（０μｍ）がフォーカスずれの無いベストフォーカスである。図７Ｂの縦軸は、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法（μｍ）を示している。ここでは、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の形状はホール形状であり、レジストパターン１１の寸法は、ホールの直径の寸法である。
【００２７】
図７Ｂの白四角（□）は、図３Ａに示す孤立パターンが形成されたフォトマスク７を用いてレジスト膜１０を露光した場合において、露光時のフォーカスずれに対して、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法をプロットしたものである。図７Ｂに示すように、ベストフォーカスの場合、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法は０．０６μｍであるが、フォーカスずれが大きくなるとレジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法は急峻に小さくなる。図７Ｂにおいて、CD-FOCUS曲線の曲率が小さい程、フォーカスマージンが小さいことを示している。
【００２８】
図７Ｂの白丸（○）は、図３Ａに示す孤立パターンが形成されたフォトマスク７を用いてレジスト膜１０を露光した場合において、露光時のフォーカスずれに対して、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法をプロットしたものである。図７Ｂに示すように、ベストフォーカスの場合、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法は０．０６μｍであるが、フォーカスずれが大きくなるとレジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法は小さくなる。図７Ｂにおいて、CD-FOCUS曲線の曲率が大きい程、フォーカスマージンが大きくなることを示している。
【００２９】
したがって、図７Ａに示すように、小シグマ照明では密パターンが解像せず、図７Ｂに示すように、輪帯照明では孤立パターンの露光時に十分なフォーカスマージンが得られない。つまり、孤立パターン及び密パターンに対応するレジストパターン１１をレジスト膜１０に形成する場合に、十分なフォーカスマージンを得られる照明条件がないということである。また、図７Ａ及び図７Ｂは、レジスト膜１０に形成するレジストパターン１１の寸法を６０ｎｍとする場合のフォーカスマージンを示している。レジスト膜１０に形成するレジストパターン１１の寸法を更に微細な５０ｎｍとする場合、フォーカスマージンが大きく低下し、孤立パターン及び密パターンに対応するレジストパターン１１をレジスト膜１０に精度よく形成することができない。
【００３０】
例えば、デザインルールが緩やかである場合、小シグマ照明又は変形照明のどちらかを用いて露光を行い、孤立パターン及び密パターンの両方をレジスト膜１０に転写しても、未解像やフォーカスマージンの低下は許容範囲として許される。そのため、デザインルー
ルが緩やかである場合、小シグマ照明又は変形照明のどちらかを用いて露光を行い、孤立パターン及び密パターンの両方をレジスト膜１０に転写することができる。しかし、レジスト膜１０に形成されるレジストパターン１１の寸法が６０ｎｍである場合は、小シグマ照明又は変形照明の一方のみを用いると、孤立パターン及び密パターンの両方をレジスト膜１０に精度よく転写することができない。また、レジスト膜１０に形成されるレジストパターン１１の寸法が更に微細である場合についても、小シグマ照明又は変形照明の一方のみを用いると、孤立パターン及び密パターンの両方をレジスト膜１０に精度よく転写することができない。
【００３１】
図８Ａは、孤立パターン及び密パターンの両方が形成されたフォトマスク７を示す図である。図８Ｂは、図８Ａのフォトマスク７を用いて半導体基板９の上方に形成されたレジスト膜１０を露光し、レジスト膜１０を現像した後のレジスト膜１０の上面図である。図８Ｂに示すレジスト膜１０は、最初に小シグマ照明で露光され、次に輪帯照明で露光されている。なお、図８Ｂに示すレジスト膜１０は、最初に輪帯照明で露光され、次に小シグマ照明で露光されてもよい。すなわち、図８Ｂに示すレジスト膜１０は、小シグマ照明及び輪帯照明を用いて２重露光が行われている。
【００３２】
図８Ｂに示すように、孤立パターン及び密パターンに対応するレジストパターン１１がレジスト膜１０に形成されているが、密集したパターン同士は繋がっておらず、孤立パターン及び密パターンに対応するレジストパターン１１が解像している。
【００３３】
図９は、図８Ａに示すフォトマスク７を用い、小シグマ照明及び輪帯照明を用いて２重露光を行い、孤立パターン及び密パターンに対応するレジストパターン１１をレジスト膜１０に形成した場合のCD-FOCUS曲線を示す図である。図９の横軸は、露光時のフォーカス（焦点）ずれを数値（μｍ）で示しており、中央（０μｍ）がフォーカスずれの無いベストフォーカスである。図９の縦軸は、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法（μｍ）を示している。ここでは、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の形状はホール形状であり、レジストパターン１１の寸法は、ホールの直径の寸法である。
【００３４】
図９の黒四角（■）は、小シグマ照明による露光時のフォーカスずれに対して、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法をプロットしたものである。小シグマ照明を用いてレジスト膜１０を露光することで、図９に示すように、孤立パターン転写時におけるCD-FOCUS曲線の曲率が大きくなり、フォーカスマージンが大きくなる。
【００３５】
図９の白丸（○）は、輪帯照明による露光時のフォーカスずれに対して、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法をプロットしたものである。輪帯照明を用いてレジスト膜１０を露光することで、図９に示すように、密パターン転写時におけるCD-FOCUS曲線の曲率が大きくなり、フォーカスマージンが大きくなる。
【００３６】
このように、小シグマ照明及び輪帯照明を用いてレジスト膜１０を２重露光すると、孤立パターン及び密パターンに対応するレジストパターン１１をレジスト膜１０に形成する際に十分なフォーカスマージンを得ることができる。
【００３７】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、小シグマ照明及び変形照明を用いてレジスト膜１０を２重露光し、孤立パターン及び密パターンの両方をレジスト膜１０に転写する。小シグマ照明及び変形照明を用いてレジスト膜１０を２重露光することにより、孤立パターン及び密パターンの両方がレジスト膜１０に精度良く転写される。そして、レジスト膜１０を現像することにより、孤立パターン及び密パターンに対応するレジストパターン１１をレジスト膜１０に形成することができる。
【００３８】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、半導体基板９の上方に形成されているレジスト膜１０にレジストパターン１１を形成した後、レジスト膜１０の表面を覆うようにシュリンク剤を塗布する。
【００３９】
レジスト膜１０の表面にシュリンク剤を塗布した後、レジスト膜１０をベークする。例えば、レジスト膜１０が形成されている半導体基板９を約１４０℃で所定時間加熱する。シュリンク剤が塗布されたレジスト膜１０をベークすることにより、シュリンク剤がレジスト膜１０に吸収されることでレジスト膜１０が膨潤（増大）する。レジスト膜１０が膨潤することにより、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法が縮小する。シュリンク剤は、ベーク後にレジスト膜１０を膨潤させる機能を有する水溶性の溶剤を用いることができるが、ベーク後にレジスト膜１０を膨潤させる機能を有する溶剤であれば、シュリンク剤として水溶性以外の溶剤を用いてもよい。本実施形態では、レジスト膜１０の表面にシュリンク剤を塗布し、レジスト膜１０をベークする処理をシュリンク剤処理という。
【００４０】
なお、シュリンク剤がレジスト膜１０に吸収されることでレジスト膜１０が膨潤する。このため、シュリンク剤は、レジスト膜１０を膨潤させるという観点からはレジスト膜１０の膨潤剤として機能する。また、レジスト膜１０が膨潤することにより、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法が縮小する。このため、シュリンク剤は、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法を縮小させるという観点からはレジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法を縮小させる縮小剤として機能する。
【００４１】
ここで、レジスト膜１０を露光する際の露光量と、シュリンク剤処理によるレジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法の縮小量との関係について説明する。レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法の縮小量は、シュリンク剤処理前のレジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法と、シュリンク剤処理後のレジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法との差分である。
【００４２】
図１０Ａは、小シグマ照明及び輪帯照明を用いてレジスト膜１０を２重露光した場合において、輪帯照明の露光量に対して、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量（Srink量）をプロットしたものである。小シグマ照明の露光量は一定としてい
る。図１０Ａの横軸は、輪帯照明の露光量（Ｊ／ｍ2）を示している。図１０Ａの縦軸は
、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量（ｎｍ）を示している。
【００４３】
図１０Ａに示すように、輪帯照明の露光量が変化しても、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量はほとんど変化していない。すなわち、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量は、輪帯照明の露光量に依存しない。
【００４４】
図１０Ｂは、小シグマ照明及び輪帯照明を用いてレジスト膜１０を２重露光した場合において、小シグマ照明の露光量に対して、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量（Srink量）をプロットしたものである。輪帯照明の露光量は一定としてい
る。図１０Ｂの横軸は、小シグマ照明の露光量（Ｊ／ｍ2）を示している。図１０Ｂの縦
軸は、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量（ｎｍ）を示している。
【００４５】
図１０Ｂに示すように、小シグマ照明の露光量が０Ｊ／ｍ2の場合、密パターンに対応
するレジストパターン１１の寸法の縮小量は０ｎｍ付近である。図１０Ｂに示すように、小シグマ照明の露光量が増加するに伴い、密パターンに対応するレジストパターン１１の
寸法の縮小量は増加している。すなわち、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量は、小シグマの露光量に依存する。小シグマ照明の露光量を制御することにより、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量を制御することができる。
【００４６】
図１１Ａは、小シグマ照明及び輪帯照明を用いてレジスト膜１０を２重露光した場合において、輪帯照明の露光量に対して、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量（Srink量）をプロットしたものである。小シグマ照明の露光量は一定として
いる。図１１Ａの横軸は、輪帯照明の露光量（Ｊ／ｍ2）を示している。図１１Ａの縦軸
は、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量（ｎｍ）を示している。
【００４７】
図１１Ａに示すように、輪帯照明の露光量が変化しても、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量はほとんど変化していない。すなわち、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量は、輪帯照明の露光量に依存しない。
【００４８】
図１１Ｂは、小シグマ照明及び輪帯照明を用いてレジスト膜１０を２重露光した場合において、小シグマ照明の露光量に対して、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量（Srink量）をプロットしたものである。輪帯照明の露光量は一定として
いる。図１１Ｂの横軸は、小シグマ照明の露光量（Ｊ／ｍ2）を示している。図１１Ｂの
縦軸は、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量を示している。
【００４９】
図１１Ｂに示すように、小シグマ照明の露光量が０Ｊ／ｍ2の場合、孤立パターンに対
応するレジストパターン１１の寸法の縮小量は０ｎｍ付近である。図１１Ｂに示すように、小シグマ照明の露光量が増加するに伴い、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量は増加している。すなわち、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量は、小シグマ照明の露光量に依存する。小シグマ照明の露光量を制御することにより、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量を制御することができる。
【００５０】
レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法の縮小量が大きい場合、レジスト膜１０の露光時に大きい寸法でレジスト膜１０にレジストパターン１１を形成することができる。レジスト膜１０の露光時に大きい寸法でレジスト膜１０にレジストパターン１１を形成する場合、より大きいフォーカスマージンを得ることができる。すなわち、密パターン及び孤立パターンをレジスト膜に精度良く転写でき、密パターン及び孤立パターンに対応するレジストパターン１１をレジスト膜に精度良く形成できる。
【００５１】
例えば、シュリンク剤処理後のレジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法が５０ｎｍ、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法の縮小量が１０ｎｍの場合、露光により直径の寸法が６０ｎｍのレジストパターン１１をレジスト膜１０に形成すればよい。そのため、小シグマ照明及び輪帯照明を用いた２重露光を行う場合、直径の寸法が６０ｎｍのレジストパターン１１をレジスト膜１０に形成する場合のフォーカスマージンで露光を行うことができる。そして、シュリンク剤処理後には直径の寸法が５０ｎｍのレジストパターン１１をレジスト膜１０に形成することができる。
【００５２】
上記では、小シグマ照明及び輪帯照明を用いた２重露光を行う例を示したが、本実施形態はこれに限られない。２重露光を行う照明形状の少なくとも一方にシグマ０．５未満の照明形状が含まれていれば、他の照明形状を用いてもよい。２重露光を行う照明形状の少なくとも一方にシグマ０．５未満の照明形状が含まれていれば、シュリンク剤処理によるレジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法の縮小量を所望の値に制御でき
る。
【００５３】
次に、レジスト膜１０を露光する際の露光量と、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法の変化量との関係について説明する。
【００５４】
図１２Ａは、小シグマ照明及び輪帯照明を用いてレジスト膜１０を２重露光した場合において、輪帯照明の露光量に対して、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法をプロットしたものである。小シグマ照明の露光量は一定としている。図１２Ａの横軸は、輪帯照明の露光量（Ｊ／ｍ2）を示している。図１２Ａの縦軸は、密パターンに対応す
るレジストパターン１１の寸法（μｍ）を示している。ここでは、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の形状はホール形状であり、レジストパターン１１の寸法は、ホールの直径の寸法である。
図１２Ａに示すように、輪帯照明の露光量が増加するに伴い、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法が大きくなる。すなわち、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法は、輪帯照明の露光量に依存する。
【００５５】
図１２Ｂは、小シグマ照明及び輪帯照明を用いてレジスト膜１０を２重露光した場合において、小シグマ照明の露光量に対して、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法をプロットしたものである。輪帯照明の露光量は一定としている。図１２Ｂの横軸は、小シグマ照明の露光量（Ｊ／ｍ2）を示している。図１２Ｂの縦軸は、密パターンに対
応するレジストパターン１１の寸法（μｍ）を示している。ここでは、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の形状はホール形状であり、レジストパターン１１の寸法は、ホールの直径の寸法である。図１２Ｂに示すように、小シグマ照明の露光量が変化しても、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法はほとんど変化していない。すなわち、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法は、小シグマ照明の露光量に依存しない。
【００５６】
図１３Ａは、小シグマ照明及び輪帯照明を用いてレジスト膜１０を２重露光した場合において、輪帯照明の露光量に対して、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法をプロットしたものである。小シグマ照明の露光量は一定としている。図１３Ａの横軸は、輪帯照明の露光量（Ｊ／ｍ2）を示している。図１３Ａの縦軸は、孤立パターンに対
応するレジストパターン１１の寸法（μｍ）を示している。ここでは、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の形状はホール形状であり、レジストパターン１１の寸法は、ホールの直径の寸法である。
【００５７】
図１３Ａに示すように、輪帯照明の露光量が変化しても、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法はほとんど変化していない。すなわち、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法は、輪帯照明の露光量に依存しない。
【００５８】
図１３Ｂは、小シグマ照明及び輪帯照明を用いてレジスト膜１０を２重露光した場合において、小シグマ照明の露光量に対して、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法をプロットしたものである。輪帯照明の露光量は一定としている。図１３Ｂの横軸は、小シグマ照明の露光量（Ｊ／ｍ2）を示している。図１３Ｂの縦軸は、孤立パターン
に対応するレジストパターン１１の寸法（μｍ）を示している。ここでは、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の形状はホール形状であり、レジストパターン１１の寸法は、ホールの直径の寸法である。図１３Ｂに示すように、小シグマ照明の露光量が増加するに伴い、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法が大きくなる。すなわち、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法は、小シグマ照明の露光量に依存する。
【００５９】
図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量は、輪帯照明の露光量に依存しないが、小シグマの露光量に依存する。図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法の縮小量は、輪帯照明の露光量に依存しないが、小シグマ照明の露光量に依存する。図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法は、輪帯照明の露光量に依存するが、小シグマ照明の露光量に依存しない。図１３Ａ及び図１３Ｂに示すように、孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法は、輪帯照明の露光量に依存しないが、小シグマ照明の露光量に依存する。これらの結果から、２重露光時に小シグマ照明と輪帯照明との露光量比を変更（調整）することで、密パターンに対応するレジストパターン１１と孤立パターンに対応するレジストパターン１１との寸法差を制御することができる。すなわち、２重露光の際に小シグマ照明及び輪帯照明の露光量を調整することにより、密パターン及び孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法を均一化することができる。また、２重露光の際に小シグマ照明及び輪帯照明の露光量を調整することにより、密パターン及び孤立パターンに対応するレジストパターン１１の寸法を所望の寸法とすることができる。
【００６０】
図１４は、シングル露光又は２重露光を行った場合における密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法を示す図である。図１４の縦軸は、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法（μｍ）を示している。ここでは、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の形状はホール形状であり、レジストパターン１１の寸法は、ホールの直径の寸法である。
【００６１】
図１４の（１）シングル露光は、輪帯照明を用いてレジスト膜１０を露光し、レジスト膜１０を現像した場合である。図１４の（２）シングル露光＋シュリンク剤処理は、輪帯照明を用いてレジスト膜１０を露光し、レジスト膜１０を現像した後、シュリンク剤処理を行った場合である。図１４の（３）２重露光は、小シグマ照明及び輪帯照明を用いてレジスト膜１０を２重露光し、レジスト膜１０を現像した場合である。図１４の（４）２重露光＋シュリンク剤処理は、小シグマ照明及び輪帯照明を用いてレジスト膜１０を２重露光し、レジスト膜１０を現像した後、シュリンク剤処理を行った場合である。
【００６２】
図１４の（１）シングル露光,（２）シングル露光＋シュリンク剤処理では、密パター
ンに対応するレジストパターン１１の寸法は共に約５０ｎｍである。したがって、輪帯照明を用いたシングル露光では、シュリンク剤処理を行っても、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法に変化がない。
【００６３】
図１４の（３）２重露光では、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法は約５５ｎｍである。図１４の（４）２重露光＋シュリンク剤処理では、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法は約５０ｎｍである。したがって、小シグマ照明及び輪帯照明を用いた２重露光では、シュリンク剤処理を行うことにより、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法が縮小（シュリンク）する。
【００６４】
図１４の（２）シングル露光＋シュリンク剤処理,（４）２重露光＋シュリンク剤処理
では、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法は共に約５０ｎｍである。図１４の（１）シングル露光では、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法は約５０ｎｍである。これに対して、図１４の（３）２重露光では、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法は約５５ｎｍであり、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法は、図１４の（１）シングル露光より大きい。すなわち、小シグマ照明及び輪帯照明を用いた２重露光をレジスト膜１０に行った後、シュリンク剤処理を行うと、密パターンに対応するレジストパターン１１の寸法が縮小する。したがって、小シグマ照明及び輪帯照明を用いた２重露光をレジスト膜１０に行った後、シュリンク剤処理を行う場合、
シュリンク剤処理によるレジストパターン１１の寸法の縮小分について、露光後の狙い値を大きくすることができる。
【００６５】
露光後の狙い値を大きくすると、露光時のフォーカスマージンは増加する。したがって、図１４の（４）２重露光＋シュリンク剤処理の場合、図１４の（２）シングル露光＋シュリンク剤処理の場合に比べて、同じ寸法のレジストパターン１１をレジスト膜１０に形成する場合でもより大きなフォーカスマージンを得ることができる。
【００６６】
図１５Ａから図１５Ｅは、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程図である。図１５Ａから図１５Ｅを参照して、半導体基板９上に配線パターンを形成する実施例を説明する。まず、図１５Ａに示すように、下層配線層３０が形成された半導体基板９を用意する。半導体基板９は、例えば、シリコン基板である。下層配線層３０は、例えば、ＳｉＯＣであり、下層配線層３０の膜厚は、例えば、１５０ｎｍである。
【００６７】
次いで、図１５Ａに示すように、下層配線層３０の上に薄膜３１を形成する。薄膜３１は、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）であり、薄膜３１の膜厚は、例えば、３０ｎｍである。次に、図１５Ａに示すように、薄膜３１の上に有機系の反射防止膜３２を形成する。反射防止膜３２は、例えば、ノボラック樹脂等であり、反射防止膜３２の膜厚は、例えば、８０ｎｍである。
【００６８】
そして、図１５Ａに示すように、反射防止膜３２の上にレジスト膜１０を形成する。レジスト膜１０は、例えば、有機系のポジ型の化学増幅型レジストであり、レジスト膜１０の膜厚は、例えば、１８０ｎｍである。
【００６９】
次に、図１５Ｂに示すように、密パターン及び孤立パターンを含むマスクパターンが形成されたフォトマスク７を用いて、レジスト膜１０を露光する。フォトマスク７は、石英基板４０及び遮光体膜４１を備えている。遮光体膜４１は、例えば、ＭｏＳｉを材料とする。フォトマスク７は、遮光体膜４１の膜厚を調整することにより、光源２から照射される露光用光の９４％を遮光し、露光用光の６％を透過するハーフトーンマスクを用いている。図示しないが、石英基板４０を彫り込むことで露光用光の位相を１８０°反転させている。また、フォトマスク７として、露光部の透過率がほとんど０のバイナリマスクを使用してよい。
【００７０】
フォトマスク７を用いて、小シグマ照明及び輪帯照明によりレジスト膜１０を２重露光することにより、図１５Ｂに示すように、レジスト膜１０に潜像４２が形成される。潜像４２は、レジスト膜１０を現像した後にレジストパターン（転写パターン）となる部分である。小シグマ照明は、シグマ０．２、露光量１００Ｊ／ｍ2の条件で露光を行い、輪帯
照明は、アウターシグマ０．９、インナーシグマ０．５、露光量２５０Ｊ／ｍ2の条件で
露光を行う。
【００７１】
次いで、レジスト膜１０を現像する。レジスト膜１０を現像することにより、図１５Ｃに示すように、孤立パターン及び密パターンに対応するレジストパターン１１Ａがレジスト膜１０に形成される。図１５Ｃでは、孤立パターン及び密パターンに対応するレジストパターン１１Ａの寸法は約６０ｎｍである。レジストパターン１１Ａの形状がホール形状である場合、レジストパターン１１Ａの寸法は、ホールの直径である。
【００７２】
そして、レジスト膜１０の表面を覆うようにシュリンク剤を塗布する。次に、レジスト膜１０をベークする。例えば、レジスト膜１０が形成されている半導体基板９を約１４０℃で所定時間加熱する。シュリンク剤が塗布されたレジスト膜１０をベークすることにより、レジスト膜１０が膨潤し、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１Ａの寸
法が縮小する。レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１Ａの寸法が縮小することにより、図１５Ｄに示すように、レジスト膜１０にレジストパターン１１Ｂが形成される。図１５Ｄでは、縮小後のレジストパターン１１Ｂの寸法は約５０ｎｍである。また、必要に応じて、残存するシュリンク剤を洗浄により除去する。
【００７３】
次に、レジスト膜１０をマスクにして、薄膜３１及び反射防止膜３２をエッチングすることにより、レジストパターン１１Ｂに対応する溝を薄膜３１及び反射防止膜３２に形成する。次いで、反射防止膜３２及びレジスト膜１０を除去する。そして、薄膜３１をマスクにして、下層配線層３０をエッチングすることにより、図１５Ｅに示すように、下層配線層３０に配線パターン５０を形成する。
【００７４】
配線パターン５０の寸法は約５０ｎｍであり、露光時におけるレジストパターン１１Ａの寸法である約６０ｎｍよりも微細である。配線パターン５０に配線用のメタルを形成することにより、微細な寸法の配線を半導体基板９上に形成することができる。２重露光の際に小シグマ照明及び輪帯照明の露光量を調整することにより、レジストパターン１１Ａ及び１１Ｂの寸法を所望の寸法とすることができる。その結果、配線パターン５０の寸法を所望の寸法とすることができるとともに、半導体基板９上に形成する配線の寸法を所望の寸法とすることができる。
【００７５】
ライン形状が形成されたフォトマスク７を用いることにより、レジスト膜１０にライン形状のレジストパターン１１を形成することで、下層配線層３０にライン形状の配線パターン５０を形成してもよい。また、ホール形状及びライン形状が形成されたフォトマスク７を用いることにより、レジスト膜１０にホール形状及びライン形状のレジストパターン１１を形成することで、下層配線層３０にホール形状及びライン形状の配線パターン５０を形成してもよい。
【００７６】
小シグマ照明及び輪帯照明によりレジスト膜１０を２重露光することにより、密パターン及び孤立パターンに対応するレジストパターン１１をレジスト膜１０に形成し、シュリンク剤処理を行う。シュリンク剤処理を行うことにより、レジスト膜１０に形成されたレジストパターン１１の寸法が縮小し、露光時のレジストパターン１１の寸法よりも微細な寸法のレジストパターン１１をレジスト膜１０に形成することができる。
【００７７】
小シグマ照明及び輪帯照明を用いて２重露光を行う例を説明したが、本実施形態はこれに限られない。輪帯照明に代えて他の変形照明と、小シグマ照明とにより２重露光を行ってもよい。図１６及び図１７に変形照明の照明形状の例を示す。また、輪帯照明と他の変形照明を組み合わせた照明と、小シグマ照明とにより２重露光を行ってもよい。
【００７８】
図１６の（Ａ）に示す照明形状は、二重極照明と呼ばれる変形照明であり、照明パターン２０Ｃを形成する照明である。照明形状設定機構５により、光源２から照射された露光用光を扇形に通過させることで照明パターン２０Ｃが形成される。図１６の（Ｂ）に示す照明形状は、二重極照明と呼ばれる変形照明であり、照明パターン２０Ｄを形成する照明である。照明形状設定機構５により、光源２から照射された露光用光を円形に通過させることで照明パターン２０Ｄが形成される。二重極照明は、光源２から照射された露光用光をフォトマスク７に斜めに入射する。図１６の（Ａ）及び（Ｂ）の二重極照明は、アウターシグマ０．９、インナーシグマ０．６の照明形状である。
【００７９】
図１６の（Ｃ）に示す照明形状は、八重極照明と呼ばれる変形照明であり、照明パターン２０Ｅを形成する照明である。照明形状設定機構５により、光源２から照射された露光用光を扇形に通過させることで照明パターン２０Ｅが形成される。図１６の（Ｄ）に示す照明形状は、八重極照明と呼ばれる変形照明であり、照明パターン２０Ｆを形成する照明
である。照明形状設定機構５により、光源２から照射された露光用光を円形に通過させることで照明パターン２０Ｆが形成される。八重極照明は、光源２から照射された露光用光をフォトマスク７に斜めに入射する。図１６の（Ｃ）及び（Ｄ）の八重極照明は、アウターシグマ０．９、インナーシグマ０．６５の照明形状である。
【００８０】
図１７の（Ａ）に示す照明形状は、四重極照明と呼ばれる変形照明であり、照明パターン２０Ｇを形成する照明である。照明形状設定機構５により、光源２から照射された露光用光を扇形に通過させることで照明パターン２０Ｇが形成される。図１７の（Ｂ）に示す照明形状は、四重極照明と呼ばれる変形照明であり、照明パターン２０Ｈを形成する照明である。照明形状設定機構５により、光源２から照射された露光用光を扇形に通過させることで照明パターン２０Ｈが形成される。四重極照明は、光源２から照射された露光用光をフォトマスク７に斜めに入射する。図１７の（Ａ）及び（Ｂ）の四重極照明は、アウターシグマ０．８５、インナーシグマ０．５５の照明形状である。
【００８１】
図１７の（Ｃ）に示す照明形状は、四重極照明と呼ばれる変形照明であり、照明パターン２０Ｉを形成する照明である。照明形状設定機構５により、光源２から照射された露光用光を扇形に通過させることで照明パターン２０Ｉが形成される。図１７の（Ｄ）に示す照明形状は、四重極照明と呼ばれる変形照明であり、照明パターン２０Ｊを形成する照明である。照明形状設定機構５により、光源２から照射された露光用光を扇形に通過させることで照明パターン２０Ｊが形成される。図１７の（Ｃ）及び（Ｄ）の四重極照明は、アウターシグマ０．９５、インナーシグマ０．７の照明形状である。
【００８２】
図１７の（Ｅ）に示す照明形状は、四重極照明と輪帯照明とを組み合わせた変形照明であり、照明パターン２０Ｋを形成する照明である。照明形状設定機構５により、光源２から照射された露光用光を扇形及び輪帯形に通過させることで、照明パターン２０Ｋが形成される。図１７の変形照明はアウターシグマ０．８５、インナーシグマ０．５５の四重極照明とアウターシグマ０．８５、インナーシグマ０．７０の輪帯照明を組み合わせた照明形状である。
【符号の説明】
【００８３】
１  露光装置
２  光源
３  露光量制御機構
４  レンズ
５  照明形状設定機構
６  集光レンズ
７  フォトマスク（レチクル）
８  投影レンズ
９  半導体基板
１０  レジスト膜
１１  レジストパターン
２０  照明パターン
３０  下層配線層
３１  薄膜
３２  反射防止膜
４０  石英基板
４１  遮光体膜
４２  潜像
５０  配線パターン
【図１】
2011077374.tif 000003
【図２Ａ】
2011077374.tif 000004
【図２Ｂ】
2011077374.tif 000005
【図３Ａ】
2011077374.tif 000006
【図３Ｂ】
2011077374.tif 000007
【図４】
2011077374.tif 000008
【図５】
2011077374.tif 000009
【図６】
2011077374.tif 000010
【図７Ａ】
2011077374.tif 000011
【図７Ｂ】
2011077374.tif 000012
【図８Ａ】
2011077374.tif 000013
【図８Ｂ】
2011077374.tif 000014
【図９】
2011077374.tif 000015
【図１０Ａ】
2011077374.tif 000016
【図１０Ｂ】
2011077374.tif 000017
【図１１Ａ】
2011077374.tif 000018
【図１１Ｂ】
2011077374.tif 000019
【図１２Ａ】
2011077374.tif 000020
【図１２Ｂ】
2011077374.tif 000021
【図１３Ａ】
2011077374.tif 000022
【図１３Ｂ】
2011077374.tif 000023
【図１４】
2011077374.tif 000024
【図１５Ａ】
2011077374.tif 000025
【図１５Ｂ】
2011077374.tif 000026
【図１５Ｃ】
2011077374.tif 000027
【図１５Ｄ】
2011077374.tif 000028
【図１５Ｅ】
2011077374.tif 000029
【図１６】
2011077374.tif 000030
【図１７】
2011077374.tif 000031