(57)【要約】【課題】配線構造が簡便で信頼性が高く、材料コストおよび加工コストを低くすることができる光電変換装置を提供する。【解決手段】本発明の光電変換装置は、導体部と、この導体部の少なくとも表面に絶縁層が形成された金属基板と、絶縁層上に形成された光電変換デバイスと、光電変換デバイスの正極または負極に接続され、正極または負極の出力を外部に取り出す第１の導電部材と、光電変換デバイスの負極または正極を金属基板の導体部に接続する接電部と、金属基板の導体部に接続され、金属基板の導体部を導体として接電部を介して接続された負極または正極と導通されて、負極または正極の出力を外部に取り出す第２の導電部材とを有する。この第２の導電部材は、金属基板の導体部の任意の位置で接続されている。【選択図】図１
2011077229.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体部と、前記導体部の少なくとも表面に絶縁層が形成された金属基板と、
前記絶縁層上に形成された光電変換デバイスと、
前記光電変換デバイスの正極または負極に接続され、前記正極または前記負極の出力を外部に取り出す第１の導電部材と、
前記光電変換デバイスの負極または正極を前記金属基板の導体部に接続する接電部と、
前記金属基板の前記導体部に接続され、前記金属基板の前記導体部を導体として前記接電部を介して接続された前記負極または前記正極と導通されて、前記負極または前記正極の出力を外部に取り出す第２の導電部材とを有し、
前記第２の導電部材は、前記金属基板の前記導体部の任意の位置で接続されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第１の導電部材と前記第２の導電部材とは近接して設けられている請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記金属基板は、前記導体部の端部に前記絶縁層が形成されておらず、前記光電変換デバイスの正極または負極は、前記導体部の前記端部に前記接電部により接続されている請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記金属基板は、略矩形であり、少なくとも２辺の端部に前記導体部と導通する導体が設けられている請求項１〜３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記金属基板は、略矩形であり、少なくとも２辺の端部に前記絶縁層が形成されていない領域を備える請求項１〜３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記金属基板は、略矩形であり、前記光電変換デバイスは、前記金属基板の辺と平行な電極を備え、前記第２の導電部材の長さは、前記金属基板の辺の長さの１／２以上である請求項１〜５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記金属基板は、略矩形であり、対向する２辺の端部に前記絶縁層が形成されておらず、前記光電変換デバイスは両端部に電極を備え、前記一方の電極が前記一方の辺の導体部に前記接電部で接続されており、前記第２の導電部材は、反対側の前記他方の辺の導体部に接続されており、
前記光電変換デバイスの前記一方の電極が前記金属基板の前記導体部を導体として前記第２の導電部材に導通される請求項１〜６のいずれか１項に記載の光学変換装置。
【請求項８】
前記光電変換デバイスは、複数の光電変換素子が直列に接続されたものであり、前記第２の導電部材が外部に取り出す前記負極または前記正極の電位は、前記光電変換デバイス内の全ての光電変換素子の最高電位と略一致する請求項１〜７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記光学変換デバイスは、太陽電池セルが複数直列に接続された集積型のものである請求項１〜８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記光電変換デバイスは、薄膜型太陽電池セルを有する請求項１〜９に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記光電変換デバイスは、ＣＩＳ系薄膜型太陽電池セル、ＣＩＧＳ系薄膜型太陽電池セル、薄膜シリコン系薄膜型太陽電池セル、ＣｄＴｅ系薄膜型太陽電池セル、III−Ｖ属系薄膜型太陽電池セル、色素増感系薄膜型太陽電池セル、および有機系薄膜型太陽電池セルのいずれか１つの薄膜型太陽電池セルを有する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記光電変換デバイスは、サブストレート型構造の薄膜型太陽電池セルを有する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記金属基板は、両面または片面に絶縁層が形成されている請求項１〜１２のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
前記絶縁層は、酸化アルミニウム、酸化珪素および樹脂のうち、少なくとも１つを含むもので構成されている請求項１〜１３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
前記金属基板は、主成分がアルミニウムである請求項１〜１４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１６】
前記金属基板は、ステンレス鋼板または鋼板を備える請求項１〜１５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１７】
前記金属基板は、ステンレス鋼板または鋼板の少なくとも表面がアルミニウムで覆われている請求項１〜１６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１８】
前記絶縁層は、陽極酸化アルミニウムにより構成されている請求項１〜１７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低コストで信頼性の高い光電変換装置に関し、特に、電極の引き回しに基板の良導体部を用いる光電変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、太陽電池の研究が盛んに行われている。太陽電池を構成する太陽電池モジュールは、光吸収により電流を発生する半導体の光電変換層を裏面電極（下部電極）と透明電極（上部電極）とで挟んだ積層構造の光電変換素子を基板上に多数直列に接続しなる太陽電池サブモジュールを有する。例えば、以下に示すような太陽電池サブモジュールが提案されている。
【０００３】
図１０に示すように、太陽電池モジュール１００においては、太陽電池サブモジュール１０２の裏面にガラス基板１０４を設け、この太陽電池サブモジュール１０２およびガラス基板１０４の表面側に、封止接着層として機能するＥＶＡ樹脂層（エチレンビニルアセテート樹脂層）１０６によりカバーガラス１０８が取り付けられている。また、このガラス基板１０４の裏面側にＥＶＡ樹脂層１０６によりバックシート１１０が取り付けられている。
【０００４】
このバックシート１１０には、更に太陽電池サブモジュール１０２が取り出された内部配線を接続する接電箱１１２が取り付けられる。この接電箱１１２にはケーブル１１４が設けられており、これにより、太陽電池モジュール１００は、外部と接続することができる。
また、太陽電池サブモジュール１０２およびガラス基板１０４にカバーガラス１０８およびバックシート１１０が取り付けられた状態で、シール材１１６を介してフレーム１１８に固定されている。
なお、太陽電池モジュール１００においては、ガラス基板１０４を設けることなく、更にはカバーガラス１０８に代えて保護層を設ける構成のものもある。
【０００５】
太陽電池モジュール１００は、例えば、図１１（ａ）〜（ｄ）に示すようにして製造される。
まず、図１１（ａ）に示すように、光吸収により電流を発生する半導体の光電変換層を裏面電極と透明電極とで挟んだ積層構造の光電変換素子を基板の表面上に多数直列に接続してなる太陽電池サブモジュール１０２を用意する。
次に、図１１（ｂ）に示すように、太陽電池サブモジュール１０２の両端部の各電極の端子に、例えば、銅箔を用いた配線１２０を設ける。そして、両端の配線１２０から、それぞれ、太陽電池サブモジュール１０２の裏面に折り返されて太陽電池サブモジュール１０２の略中央部迄伸びる配線１２２を設ける。この配線１２２は、例えば、銅リボンにより構成される。
【０００６】
次に、図１１（ｃ）に示すように、太陽電池サブモジュール１０２の表面１０２ａ側にＥＶＡ樹脂層１０６およびカバー層１２４を配置し、太陽電池サブモジュール１０２の裏面１０２ｂ側にＥＶＡ樹脂層１０６およびバックシート１１０を配置する。このとき、配線１２２は、裏面側のＥＶＡ樹脂層１０６およびバックシート１１０に設けられた穴（図示せず）から突出している。この状態で真空ラミネート法により、これらを一体化する。
次に、トリミング加工を施し、そして、バックシート１１０から突出している配線１２２を折り返す等して、図１１（ｄ）に示すように、端子箱１１２と接続させて、更に端子箱１１２がバックシート１１０に接着剤等を用いて取り付ける。
【０００７】
また、上述の太陽電池サブモジュール以外にも種々のものが提案されている（特許文献１、２参照）。
特許文献１に記載された太陽電池モジュールにおいては、表面保護部材（ＥＴＦＥ）、接着性樹脂（ＥＶＡ）を重ね合わせ、この上に太陽電池が載置されている。この太陽電池には電力取り出し端子が取り付けられ、半田でリード線と接続されている。この上に接着性樹脂（ＥＶＡ）、切り欠き加工をした裏面保護部材としての鋼板が配置されている。
リード線は、裏面保護部材の切り欠き部において、裏面保護部材の側面を経由して裏面保護部材の非受光面側に引き出されている。裏面保護部材の非受光面に引き出されたリード線は、この裏面保護部材の非受光面に配設された端子箱に導入され、外部出力されるように配線される。このように、特許文献１においても、端子箱は、太陽電池モジュールの裏面側に配置されている。
【０００８】
また、特許文献２に記載された太陽電池モジュールは、太陽電池モジュールで発電された電力を端子部まで導く内部リード線と当該電力を太陽電池モジュールの外部へ取り出すためのケーブルとが、裏面補強板上の接続部で半田付けにより接続されている。このケーブルが、裏面補強板の表面の円筒状に成形された樹脂で固められている。特許文献２の太陽電池モジュールでは、この樹脂が端子部として機能する。このように、特許文献２においても、端子部として機能するものは、太陽電池モジュールの裏面側に配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第３９７２２４５号公報
【特許文献２】特開２００６−２１０４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述のように、従来の太陽電池モジュール１００の電極取り出しは、図１１（ｂ）、図１１（ｄ）に示すように、太陽電池サブモジュール１０２両端の端子部分に金属リボン等をハンダ付け等により接続し、ＥＶＡ層１０６およびバックシート１１０などの絶縁層を間に挟んで折り返して接電箱１１２に接続している。
このため、両端の端子部分から接電箱１１２までの間の配線１２２に用いられる金属リボンの材料が必要となり、コストが嵩むとともに、この金属リボンが侵入した水分等により腐食することが信頼性の低下を招く要因の１つともなっていた。
【００１１】
また、図１０および図１１（ｄ）に示すように、この配線１２２をバックシート１１０等で覆う際に、太陽電池サブモジュール１０２の裏面１０２ｂ全面を覆う必要があり、バックシート１１０等が太陽電池モジュール１００のコストを増加させるものとなっていた。
さらに、図１１（ｂ）に示すように、太陽電池サブモジュール１０２の配線１２２は、裏面１０２ｂ側に折り返して形成するため、手間が掛かかり、加工コストが増加する一要因となっていた。
【００１２】
太陽電池モジュールの薄型化という観点でも、配線１２２の折り返し分、および通常は太陽電池モジュール１００のバックシート１１０の中央部近傍に取り付けられる接電箱１１２の分がモジュール厚の増大を招き、かつ厚さも不均一になる等、付加価値の低減に繋がっていた。
また、特許文献１および特許文献２においても、端子箱、端子部が太陽電池モジュールの裏面に設けられており、太陽電池モジュールの厚さが厚くなり、しかも、端子箱、端子部が出っ張るため、厚さも不均一である。このことが付加価値の低減に繋がっていた。
太陽電池モジュールにおいて、モジュール厚が厚いとＢＩＰＶ（Ｂｕｉｌｄｉｎｇ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ：建材一体型）モジュールに不適であり、高付加価値化が困難であり、更には厚さが不均一であると、輸送時にスペーサが必要となり、輸送コストの増加を招き、ひいては太陽電池モジュールのコストの増加を招くという問題点がある。
【００１３】
本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、配線構造が簡便で信頼性が高い光電変換装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、材料コストおよび加工コストを低くすることができる光電変換装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明は、導体部と、前記導体部の少なくとも表面に絶縁層が形成された金属基板と、前記絶縁層上に形成された光電変換デバイスと、前記光電変換デバイスの正極または負極に接続され、前記正極または前記負極の出力を外部に取り出す第１の導電部材と、前記光電変換デバイスの負極または正極を前記金属基板の導体部に接続する接電部と、前記金属基板の前記導体部に接続され、前記金属基板の前記導体部を導体として前記接電部を介して接続された前記負極または前記正極と導通されて、前記負極または前記正極の出力を外部に取り出す第２の導電部材とを有し、前記第２の導電部材は、前記金属基板の前記導体部の任意の位置で接続されていることを特徴とする光電変換装置を提供するものである。
【００１５】
本発明においては、前記第１の導電部材と前記第２の導電部材とは近接して設けられていることが好ましい。
また、本発明においては、前記金属基板は、前記導体部の端部に前記絶縁層が形成されておらず、前記光電変換デバイスの正極または負極は、前記導体部の前記端部に前記接電部により接続されていることが好ましい。
【００１６】
さらに、本発明においては、前記金属基板は、略矩形であり、少なくとも２辺の端部に前記導体部と導通する導体が設けられていることが好ましい。
さらにまた、本発明においては、前記金属基板は、略矩形であり、少なくとも２辺の端部に前記絶縁層が形成されていない領域を備えることが好ましい。
また、本発明においては、前記金属基板は、略矩形であり、前記光電変換デバイスは、前記金属基板の辺と平行な電極を備え、前記第２の導電部材の長さは、前記金属基板の辺の長さの１／２以上であることが好ましい。
【００１７】
また、本発明においては、前記金属基板は、略矩形であり、対向する２辺の端部に前記絶縁層が形成されておらず、前記光電変換デバイスは両端部に電極を備え、前記一方の電極が前記一方の辺の導体部に前記接電部で接続されており、前記第２の導電部材は、反対側の前記他方の辺の導体部に接続されており、
前記光電変換デバイスの前記一方の電極が前記金属基板の前記導体部を導体として前記第２の導電部材に導通されることが好ましい。
【００１８】
また、本発明においては、前記光電変換デバイスは、複数の光電変換素子が直列に接続されたものであり、前記第２の導電部材が外部に取り出す前記負極または前記正極の電位は、前記光電変換デバイス内の全ての光電変換素子の最高電位と略一致することが好ましい。
ここで、光電変換デバイス内の全ての光電変換素子の最高電位とは、光電変換デバイスの設計上における正極性の最大電圧となる部分を意味するものである。この光電変換素子の最高電位とは、例えば、太陽電池モジュールの場合、多数の直列接続された光電変換素子のうち、正極または負極の最も端部の光電変換素子の正極または負極に相当する。
【００１９】
また、本発明においては、前記光学変換デバイスは、太陽電池セルが複数直列に接続された集積型のものであることが好ましい。
また、本発明においては、例えば、前記光電変換デバイスは、薄膜型太陽電池セルを有する。
また、本発明においては、前記光電変換デバイスは、ＣＩＳ系薄膜型太陽電池セル、ＣＩＧＳ系薄膜型太陽電池セル、薄膜シリコン系薄膜型太陽電池セル、ＣｄＴｅ系薄膜型太陽電池セル、III−Ｖ属系薄膜型太陽電池セル、色素増感系薄膜型太陽電池セル、および有機系薄膜型太陽電池セルのいずれか１つの薄膜型太陽電池セルを有することが好ましい。
また、本発明においては、前記光電変換デバイスは、サブストレート型構造の薄膜型太陽電池セルを有することが好ましい。
【００２０】
また、本発明においては、前記金属基板は、両面または片面に絶縁層が形成されていることが好ましい。
また、本発明においては、前記絶縁層は、酸化アルミニウム、酸化珪素および樹脂のうち、少なくとも１つを含むもので構成されていることが好ましい。
また、本発明においては、前記金属基板は、主成分がアルミニウムであることが好ましい。
また、本発明においては、前記金属基板は、ステンレス鋼板または鋼板を備えることが好ましい。
また、本発明においては、前記金属基板は、ステンレス鋼板または鋼板の少なくとも表面がアルミニウムで覆われていることが好ましい。
また、本発明においては、前記絶縁層は、陽極酸化アルミニウムにより構成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、導体部と、この導体部の少なくとも表面に絶縁層が形成された金属基板と、絶縁層上に形成された光電変換デバイスと、光電変換デバイスの正極または負極に接続され、正極または負極の出力を外部に取り出す第１の導電部材と、光電変換デバイスの負極または正極を金属基板の導体部に接続する接電部と、金属基板の導体部に接続され、金属基板の導体部を導体として接電部を介して接続された負極または正極と導通されて、負極または正極の出力を外部に取り出す第２の導電部材とを有し、第２の導電部材を金属基板の導体部の任意の位置で接続することにより、金属基板の導体部を導体として通電することができ、正極または負極からの出力を取り出す際に、両極性のうち正極または負極側を長く引き回すことがなくなり、配線構造を簡素化できる。このため、光電変換装置全体で、配線長さを短くすることができる。これにより、配線にかかる材料費を抑えることができる。さらには、加工費等のコストも下げることができる。
【００２２】
また、本発明によれば、第２の導電部材を任意の位置にできるため、光電変換装置と外部とを接続する接電箱の位置も、光電変換装置の端部にすることができ、薄型化、厚さの均一化による付加価値を高くでき、更には高い信頼性を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の光電変換装置の第１の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図である。
【図２】本発明の光電変換装置の第２の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図である。
【図３】本発明の光電変換装置の第３の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図である。
【図４】本発明の光電変換装置の第４の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図である。
【図５】本発明の光電変換装置の第５の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図である。
【図６】（ａ）は、本発明の光電変換装置の第６の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図であり、（ｂ）は、本発明の光電変換装置の第６の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的平面図である。
【図７】本発明の光電変換装置の第７の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図である。
【図８】本発明の光電変換装置の第８の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図である。
【図９】本発明の光電変換装置の第９の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図である。
【図１０】従来の太陽電池モジュールを示す模式的断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、従来の太陽電池モジュールの製造方法を工程順に示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、添付の図面に示す実施形態に基づいて、本発明の光電変換装置を詳細に説明する。
図１は、本発明の光電変換装置の第１の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図である。
本実施形態においては、光電変換装置として、太陽電池サブモジュールを例にして説明する。なお、本発明においては、光電変換装置は、太陽電池サブモジュールに限定されるものではない。
【００２５】
図１に示すように、本発明の第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０は、例えば、略長方形状の金属基板１２を有する。この金属基板１２は、例えば、ステンレス鋼板（導体部）１４を芯材として、その表面１４ａおよび裏面１４ｂにアルミニウム層（導体部）１６、１７が形成されている。このため、金属基板１２の表面および裏面は、それぞれアルミニウム層１６、１７の表面となる。
この金属基板１２のアルミニウム層１６、１７には、それぞれ絶縁層１８、１９が形成されており、金属基板１２の両面に絶縁層１８、１９が形成されている。絶縁層１８は、表面側のアルミニウム層１６の両端部１６ａ、１６ｂには形成されていない。また、絶縁層１９も、裏面側のアルミニウム層１７の両端部１７ａ、１７ｂには形成されていない。
【００２６】
このような絶縁層１８、１９が形成されていない領域は、絶縁層１８、１９を形成した後、例えば、レーザースクライブにより絶縁層１８、１９を除去することにより、形成することができる。
また、陽極酸化により絶縁層１８、１９を形成する場合、金属基板１２の両端部および側面部をマスクして絶縁層１８、１９が形成されていない領域を形成することができる。
本実施形態においては、絶縁層１８の表面１８ａに、例えば、後述する光電変換素子（太陽電池セル）３０が複数、直列に接続されて形成されている。複数の直列に接続された光電変換素子３０により、いわゆる集積型の光電変換デバイス３１が構成される。
【００２７】
図１に示す太陽電池サブモジュール１０は、サブストレート型と呼ばれるものであり、太陽電池サブモジュール１０に設けられる後述の光電変換素子３０は薄膜型のものである。この太陽電池サブモジュール１０は、絶縁層１８の表面１８ａに裏面電極２０と光電変換層２２とバッファ層２４と透明電極２６とが順次積層されており、裏面電極２０、光電変換層２２、バッファ層２４および透明電極２６により光電変換素子３０が構成されている。
【００２８】
裏面電極２０は、隣り合う裏面電極２０と分離溝（Ｐ１）２３を設けて絶縁層１８の表面１８ａに形成されている。分離溝（Ｐ１）２３を埋めつつ光電変換層２２が裏面電極２０の上に形成されている。この光電変換層２２の表面にバッファ層２４が形成されている。これらの光電変換層２２とバッファ層２４とは、裏面電極２０にまで達する溝（Ｐ２）２５により、他の光電変換層２２とバッファ層２４と離間されている。この溝（Ｐ２）２５は、裏面電極２０の分離溝（Ｐ１）２３とは異なる位置に形成されている。
【００２９】
また、この溝（Ｐ２）２５を埋めつつバッファ層２４の表面に透明電極２６が形成されている。
透明電極２６、バッファ層２４および光電変換層２２を貫き裏面電極２０に達する開口溝（Ｐ３）２７が形成されている。各光電変換素子３０は、裏面電極２０と透明電極２６により、直列に接続されている。本実施形態においては、図１に示す左側の端部の裏面電極２１は、絶縁層１８が形成されていない端部１６ｂに接続されており、裏面電極２１は金属基板１２と導通されている。この裏面電極２１が、本発明の接電部に相当するものである。
【００３０】
本実施形態の光電変換素子３０は、集積型のＣＩＧＳ系光電変換素子（ＣＩＧＳ系太陽電池セル）と呼ばれるものであり、例えば、裏面電極２０がモリブデン電極で構成され、光電変換層２２がＣＩＧＳで構成され、バッファ層２４がＣｄＳで構成され、透明電極２６がＺｎＯで構成される。
なお、光電変換素子３０は、図示はしないが、金属基板１２の辺に平行に、一方向に長いものである。このため、裏面電極２１等も金属基板１２の辺に平行な一方向に長い電極である。
【００３１】
図１に示すように、右側の端の裏面電極２０ａの上に形成された光電変換素子３０の透明電極２６の表面２６ａに第１の導電部材３２が接続されている。この第１の導電部材３２は、後述するように、負極からの出力を外部に取り出すためのものである。
第１の導電部材３２は、細長い帯状の部材であり、金属基板１２の辺に平行に一方向に伸びて接続されている。第１の導電部材３２は、例えば、銅リボン３２ａがインジウム銅合金の被覆材３２ｂで被覆されたものである。この第１の導電部材３２は、例えば、超音波半田により光電変換素子３０の透明電極２６の表面２６ａに接続される。
【００３２】
また、絶縁層１８が形成されていない端部１６ａに、第２の導電部材３４が接続されており、第２の導電部材３４は金属基板１２と導通されている。第２の導電部材３４は、裏面電極２１と金属基板１２（アルミニウム層１６およびステンレス鋼板１４）を導体として接続されている。この第２の導電部材３４は、後述するように、正極からの出力を外部に取り出すためのものである。第２の導電部材３４も、第１の導電部材３２と同様に細長い帯状の部材であり、金属基板１２の辺に平行に一方向に伸びて接続されている。これら第１の導電部材３２と第２の導電部材３４は隣接して、かつ略平行に配置されている（図６（ｂ）参照）。
【００３３】
第２の導電部材３４は、第１の導電部材３２と同様の構成のものであり、例えば、銅リボン３４ａがインジウム銅合金の被覆材３４ｂで被覆されたものである。
第１の導電部材３２と第２の導電部材３４とは、錫メッキ銅リボンでもよい。また、第１の導電部材３２および第２の導電部材３４、それぞれの接続も超音波半田に限定されるものではなく、例えば、導電性接着剤、導電性テープを用いて接続してもよい。
【００３４】
なお、本実施形態の光電変換素子３０は、例えば、公知のＣＩＧＳ系の太陽電池の製造方法により製造することができる。また、裏面電極２０の分離溝（Ｐ１）２３、裏面電極２０にまで達する溝（Ｐ２）２５、裏面電極２０に達する開口溝（Ｐ３）２７は、レーザースクライブまたはメカニカルスクライブにより形成することができる。
【００３５】
光電変換素子３０に、透明電極２６側から光が入射されると、この光が透明電極２６およびバッファ層２４を通過し、光電変換層２２で起電力が発生し、例えば、透明電極２６から裏面電極２０に向かう電流が発生する。なお、図１に示す矢印は、電流の向きを示すものであり、電子の移動方向は、電流の向きとは逆になる。このため、図１中、左側の端の裏面電極２１が正極（プラス極）になり、右側の端の裏面電極２０ａが負極（マイナス極）になる。
【００３６】
本実施形態においては、裏面電極２１を金属基板１２のアルミニウム層１６に接続させて更に第２の導電部材３４を金属基板１２のアルミニウム層１６に接続させている。これにより、裏面電極２１と第２の導電部材３４との間を金属基板１２のアルミニウム層１６およびステンレス鋼板１４を導体として導通することができる。また、第１の導電部材３２を透明電極２６に接続している。これにより、太陽電池サブモジュール１０で発生した電力を、隣接した第１の導電部材３２と第２の導電部材３４から、太陽電池サブモジュール１０の外部に取り出すことができる。なお、第１の導電部材３２が負極であり、第２の導電部材３４が正極である。また、第１の導電部材３２と第２の導電部材３４とは極性が逆であってもよく、光電変換素子３０の構成、太陽電池モジュール１０構成等に応じて、適宜変わるものである。
ここで、太陽電池サブモジュール１０の表面側とは、電力を得るための光を受ける側の面のことであり、裏面側とは、その表面の反対側のことである。
【００３７】
本実施形態においては、第２の導電部材３４は、直列接続された光電変換素子３０の正極側の端部の光電変換素子３０に、金属基板１２を介して接続されている。このため、第２の導電部材３４は、光電変換デバイス３１内の全ての光電変換素子３０の最高電位のものに接続されている。これにより、第２の導電部材３４から取り出される電位は、最高電位となる。
【００３８】
本実施形態では、金属基板１２、例えば、アルミニウム層１６およびステンレス鋼板１４を導体として利用している。金属基板１２は、ステンレス鋼板１４とアルミニウム層１６、１７のクラッド基板であるものの、ステンレス鋼板１４およびアルミニウム層１６、１７は、いずれも導電率が十分に高いため、太陽電池サブモジュール１０で発生した電流を金属基板１２で消耗することがない。
【００３９】
上述のように、本実施形態においては、太陽電池サブモジュール１０で発生した電力を、隣接した第１の導電部材３２と第２の導電部材３４から取り出すことができるため、従来のように、太陽電池サブモジュールの両端に設けられた端子から配線を折り返して、中央にまで引き回すことが不要となり、しかも、配線長さを短くすることができる。このため、配線構造を簡素化することができる。これにより、配線にかかる材料費を抑えることができる。さらには、配線を形成する際の手間も省けるため、加工費、太陽電池モジュール敷設作業費等のコストを下げることができる。
【００４０】
また、本実施形態によれば、配線構造を簡素化できるため、太陽電池サブモジュールを備える太陽電池モジュールの品質および信頼性を向上させることができる。更には、隣接した第１の導電部材３２と第２の導電部材３４を引き回すことができるため、太陽電池モジュールの接電箱の取付位置も、従来のように、太陽電池モジュールの中央ではなく、角部周辺にすることができる。このため、美観上も優れたものとなり、太陽電池モジュールの高付加価値化ができる。
このように、接電箱の取付位置を角部周辺にすることができるため、太陽電池モジュールを薄型化、または厚さの均一化による高付加価値化が図れるとともに、薄型化、または厚さの均一化により、作業性が向上し高信頼性化につながる。
【００４１】
図１に示す本実施形態の太陽電池サブモジュール１０は、例えば、以下のようにして、太陽電池モジュールにすることができる。
太陽電池サブモジュール１０の表面側に、封止接着層、水蒸気バリア層（保護層）および表面保護層（保護層）を配置して、太陽電池サブモジュール１０の裏面側に封止接着層およびバックシート（保護層）を配置して、例えば、真空ラミネート法により、ラミネート加工して一体化することにより、太陽電池モジュールが得られる。
なお、バックシートには穴が予め設けられており、第１の導電部材３２と、第２の導電部材３４とをバックシートから突出させておき、太陽電池モジュール１０で得られた電力を、太陽電池モジュール１０の外部に取り出すための接電箱と接続する。
接電箱は、給電ケーブル等が接続され、バックシートの表面に、例えば、シリコン樹脂によって接着封止されて固定される。
【００４２】
封止接着層は、太陽電池サブモジュール１０を封止して保護するとともに、水蒸気バリア層と接着させるためのものである。
この封止接着層は、例えば、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）、またはＰＶＢ（ポリビニルブチラール）が用いられる。
【００４３】
水蒸気バリア層は、太陽電池サブモジュール１０を水分から保護するためのものである。この水蒸気バリア層は、ＰＥＴまたはＰＥＮ等の透明フィルムにＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる無機層が形成されたもの、またはＰＥＴまたはＰＥＮ等の透明フィルムでＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる無機層を挟んだ構成のものが用いられる。
なお、水蒸気バリア層は、水蒸気透過率、酸素透過率等が所定の性能を満たすものであれば、その構成については特に限定されるものではない。
【００４４】
表面保護層は、汚れ等から太陽電池サブモジュール１０を守るとともに、汚れ等による太陽電池サブモジュール１０への入射光量の低下を抑制するものである。この表面保護層としては、例えば、フッ素系樹脂フィルムが用いられる。このフッ素系樹脂としては、例えば、ＥＴＦＥ（エチレンテトラフルオロエチレン）が用いられる。また、表面保護層の厚さは、例えば、２０〜２００μｍである。
【００４５】
太陽電池サブモジュール１０の裏面側に設けられる封止接着層は、表面側に設けられる封止接着層と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
バックシートは、太陽電池モジュール１０を裏側から保護するものである。このバックシート２２には、ＰＥＴまたはＰＥＮ等の樹脂フィルムで、アルミニウム箔を挟んだ構造のものが用いられる。なお、バックシートにおいても、その構成については特に限定されるものではない。
【００４６】
また、本実施形態において、金属基板１２には、上述のように、芯材のステンレス鋼板１４と被覆層のアルミニウム層１６、１７のクラッド基板を用いた。ステンレス鋼板１４としては、例えば、絶縁層、および光電変換素子と材料特性から応力計算結果により適宜選択することができる。光電変換素子全体の熱膨張係数を制御するためにステンレス鋼板１４としては、例えば、オーステナイト系ステンレス鋼（熱膨張係数：１７×１０−６１／℃）、炭素鋼およびフェライト系ステンレス鋼（１０×１０−６１／℃）を用いることができる。
また、金属基板１２は、芯材として、ステンレス鋼板１４以外にも、例えば、軟鋼等の鋼、４２インバー合金、コバール合金（５×１０−６１／℃）、または３６インバー合金（＜１×１０−６１／℃）からなる板材を用いることができる。
【００４７】
ステンレス鋼板１４の厚さは、光電変換素子の製造プロセス時、稼動時のハンドリング性（強度と可撓性）により、任意に設定可能であるが、１０μｍ〜１ｍｍであることが好ましい。
【００４８】
ステンレス鋼板１４の剛性は、塑性変形をしない弾性限界応力が重要であるため、降伏応力若しくは０．２％耐力値によって定義する。ステンレス鋼板１４の０．２％耐力値とその温度依存性は、「鉄鋼材料便覧」，日本金属学会，日本鉄鋼協会編，丸善株式会社、または「ステンレス鋼便覧（第３版）」，ステンレス協会編，日刊工業新聞社に記載されている。鋼の機械加工度と調質にもよるが、ステンレス鋼板１４の０．２％耐力値は室温で２５０〜９００ＭＰａであることが好ましい。そして、光電変換装置における光電変換素子（光電変換デバイス）の製造時は高温（５００℃以上）になるが、鋼の５００℃における耐力は、一般に７０％程度は維持される。一方、アルミニウムの室温における耐力は機械加工度と調質にもよるが３００ＭＰａ以上であるものの、３５０℃以上では１／１０以下に低下する。したがって、高温時の金属基板１２の弾性限界応力および熱膨張は、ステンレス鋼板１４の高温特性が支配的となる。応力計算に必要なアルミニウムとステンレス鋼のヤング率とその温度依存性は、「金属材料の弾性係数」，日本機械学会に記載されている。
【００４９】
アルミニウム層１６、１７には、例えば、日本工業規格（ＪＩＳ）の１０００系純Ａｌ、Ａｌ−Ｍｎ系合金、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｚｒ系合金、Ａｌ-Ｓｉ系合金、およびＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金等のＡｌと他の金属元素との合金を用いることができる（「アルミニウムハンドブック第４版」（１９９０年、軽金属協会発行）を参照）。アルミニウム層１６、１７には、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｎｉ、およびＴｉ等の各種微量金属元素が含まれていてもよい。
【００５０】
アルミニウム層１６、１７の厚さは、光電変換装置の全体の層構成と材料特性から応力計算結果により適宜選択できるが、金属基板１２とした形体において０．１〜５００μｍである。ステンレス鋼板１４と陽極酸化膜からなる絶縁層１８、１９との間にアルミニウム層１６、１７が介在することにより、温度変化によって熱膨張が生じた際の絶縁層１８、１９の応力が緩和される。なお、金属基板１２の絶縁層１８，１９を形成する際、アルミニウム層１６、１７は陽極酸化および陽極酸化の事前洗浄または研磨により厚さが減少するため、それを見越した厚さとしておく必要がある。
【００５１】
アルミニウム層１６、１７は、ステンレス鋼板１４とアルミニウム層１６、１７との密着性を確保することができれば、その形成方法は、特に限定されるものではない。アルミニウム層１６、１７は、例えば、蒸着、スパッタ等の気相成膜法、アルミニウムの溶融金属浴中に浸漬する溶融めっき法、表面清浄化後のロール圧延等による加圧接合等で接合する接合方法により、ステンレス鋼板１４に形成することができる。
なお、溶融めっき法の場合、ステンレス鋼板１４とアルミニウム層１６、１７との界面に、脆弱な金属間化合物ができないようにすること必要である。コストと量産性の観点からアルミニウム層１６、１７の形成方法は、ロール圧延等による加圧接合法が好ましい。
【００５２】
絶縁層１８、１９は、例えば、アルミニウム層１６、１７の陽極酸化による複数の細孔を有する陽極酸化膜である。この陽極酸化膜は高い絶縁性が確保されている。
【００５３】
陽極酸化は、金属基板１２を陽極とし、陰極と共に電解液に浸漬させ、陽極陰極間に電圧を印加することで実施できる。また、陽極酸化は、必要に応じてアルミニウム層１６、１７の表面に洗浄処理・研磨平滑化処理等を施す。陰極としてはカーボンおよびアルミニウム等が使用される。電解質としては制限されず、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸およびアミドスルホン酸等の酸を、１種又は２種以上含む酸性電解液が好ましく用いられる。陽極酸化条件は、使用する電解質の種類にもより特に制限されない。条件としては、例えば、電解質濃度１〜８０質量％、液温５〜７０℃、電流密度０．００５〜０．６０Ａ／ｃｍ２、電圧１〜２００Ｖ、電解時間３〜５００分の範囲にあれば適当である。電解質としては、硫酸、リン酸、シュウ酸、またはこれらの混合液が好ましい。このような電解質を用いる場合、電解質濃度４〜３０質量％、液温１０〜３０℃、電流密度０．０５〜０．３０Ａ／ｃｍ２、および電圧３０〜１５０Ｖが好ましい。
【００５４】
アルミニウム層１６、１７を陽極酸化すると、表面から略垂直方向に酸化反応が進行し、陽極酸化膜が生成する。前述の酸性電解液を用いた場合、陽極酸化膜は、多数の平面視略正六角形状の微細柱状体が隙間なく配列し、各微細柱状体の中心部には微細孔があり、底面は丸みを帯びた形状となる。微細柱状体の底部にはバリア層（通常、厚み０．０２〜０．１ μｍ）が形成される。なお、酸性電解液とは異なり、ホウ酸等の中性電解液で電解処理することで、ポーラスな微細柱状体が配列した陽極酸化膜でなく緻密な陽極酸化膜を得ることが出来る。またバリア層の層厚を大きくする目的で、酸系電解液でポーラスな陽極酸化膜を生成後に、中性電解液で再電解処理するポアフィリング法等も使用可能である。
【００５５】
絶縁層１８、１９の厚さは特に制限されず、絶縁性とハンドリング時の機械衝撃による損傷を防止する表面硬度を有しておれば良いが、厚すぎると可撓性の観点で問題を生じる場合がある。このことから、絶縁層１８、１９の好ましい厚さは０．５〜５０μｍであり、厚さの制御は定電流電解、および定電圧電解とともに、電解時間により制御することができる。
なお、絶縁層１８、１９を陽極酸化法で形成する場合には、ステンレス鋼板１４とアルミニウム層１６、１７との局部電池の形成を防ぐため、金属基板１２（ステンレス鋼板１４）の側面をマスクして絶縁する必要がある。アルミニウム層１６、１７の一方に陽極酸化膜を形成する場合には、金属基板１２（ステンレス鋼板１４）の側面に加えて、アルミニウム層１６、１７の他方の面もマスクして絶縁する必要がある。
【００５６】
また、絶縁層１８、１９は、陽極酸化によるアルミニウム酸化膜に限定されるものではない。絶縁層１８、１９としては、例えば、アルミニウム酸化膜、シリコン酸化膜、高分子を含む樹脂層が挙げられる。絶縁層１８、１９は、例えば、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、またはゾルゲル法により形成することができ、その厚さは、１〜１００μｍであり、望ましくは１０〜５０μｍである。
【００５７】
高分子を含む樹脂層を構成する樹脂としては、例えば、ポリイミドまたは塩化ビニリデンを用いることができる。この高分子を含む樹脂層の形成方法としては、通常の全ての塗布法および配量法、例えば、ナイフ塗布、ローラー塗布、ブラシ塗布を用いることができる。
例えば、樹脂層を構成する樹脂にポリイミドを用いる場合、ポリアミド酸の溶液をコーティング剤として用い、塗布乾燥後に熱処理してイミド化させて絶縁層を形成することができる。
【００５８】
光電変換素子３０において、裏面電極２０および透明電極２６は、いずれも光電変換層２２で発生した電流を取り出すためのものである。裏面電極２０および透明電極２６は、いずれも導電性材料からなる。光入射側の透明電極２６は透光性を有する必要がある。
【００５９】
裏面電極２０は、例えば、Ｍｏ、Ｃｒ、またはＷ、およびこれらを組合わせたものにより構成される。この裏面電極２０は、単層構造でもよいし、２層構造等の積層構造でもよい。
裏面電極２０は、厚さが１００ｎｍ以上であることが好ましく、０．４５〜１．０μｍであることがより好ましい。
また、裏面電極２０の形成方法は、特に制限されるものではなく、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等の気相成膜法により形成することができる。
【００６０】
透明電極２６は、例えば、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｓｂ等が添加されたＺｎＯ、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、またはＳｎＯ２およびこれらを組合わせたものにより構成される。この透明電極２６は、単層構造でもよいし、２層構造等の積層構造でもよい。また、透明電極２６の厚さは、特に制限されるものではなく、０．３〜１μｍが好ましい。
また、透明電極２６の形成方法は、特に制限されるものではなく、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等の気相成膜法により形成することができる。
【００６１】
バッファ層２４は、透明電極２６の形成時の光電変換層２２を保護すること、透明電極２６に入射した光を光電変換層２２まで透過させるために形成されている。
このバッファ層２４は、例えば、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＺｎＭｇＯ、またはＺｎＳ（Ｏ、ＯＨ）およびこれらの組合わせたものにより構成される。
バッファ層２４は、厚さが、０．０３〜０．１μｍが好ましい。また、このバッファ層２４は、例えば、ＣＢＤ（ケミカルバス）法により形成される。
【００６２】
光電変換層２２は、透明電極２６およびバッファ層２４を通過して到達した光を吸収して電流が発生する層である。本実施形態において、光電変換層２２の構成は、特に制限されるものではなく、例えば、少なくとも１種のカルコパイライト構造の化合物半導体である。また、光電変換層２２は、Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とからなる少なくとも１種の化合物半導体であってもよい。
【００６３】
さらに光吸収率が高く、高い光電変換効率が得られることから、光電変換層２２は、ＣｕおよびＡｇからなる群より選択された少なくとも１種のＩｂ族元素と、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選択された少なくとも１種のＩＩＩｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択された少なくとも１種のＶＩｂ族元素とからなる少なくとも１種の化合物半導体であることが好ましい。この化合物半導体としては、ＣｕＡｌＳ２、ＣｕＧａＳ２、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＡｌＳｅ２、ＣｕＧａＳｅ２、ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）、ＡｇＡｌＳ２、ＡｇＧａＳ２、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＡｌＳｅ２、ＡｇＧａＳｅ２、ＡｇＩｎＳｅ２、ＡｇＡｌＴｅ２、ＡｇＧａＴｅ２、ＡｇＩｎＴｅ２、Ｃｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）、Ｃｕ（Ｉｎ１−ｘＡｌｘ）Ｓｅ２、Ｃｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）（Ｓ、Ｓｅ）２、Ａｇ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２、およびＡｇ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）（Ｓ、Ｓｅ）２等が挙げられる。
【００６４】
光電変換層２２は、ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）、および／又はこれにＧａを固溶したＣｕ（Ｉｎ、Ｇａ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）を含むことが特に好ましい。ＣＩＳおよびＣＩＧＳはカルコパイライト結晶構造を有する半導体であり、光吸収率が高く、高い光電変換効率が報告されている。また、光照射等による効率の劣化が少なく、耐久性に優れている。
【００６５】
光電変換層２２には、所望の半導体導電型を得るための不純物が含まれる。不純物は隣接する層からの拡散、および／又は積極的なドープによって、光電変換層２２中に含有させることができる。光電変換層２２中において、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族半導体の構成元素および／又は不純物には濃度分布があってもよく、ｎ型、ｐ型、およびｉ型等の半導体性の異なる複数の層領域が含まれていても構わない。
例えば、ＣＩＧＳ系においては、光電変換層２２中のＧａ量に厚み方向の分布を持たせると、バンドギャップの幅／キャリアの移動度等を制御でき、光電変換効率を高く設計することができる。
【００６６】
光電変換層２２は、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族半導体以外の１種又は２種以上の半導体を含んでいてもよい。Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族半導体以外の半導体としては、Ｓｉ等のＩＶｂ族元素からなる半導体（ＩＶ族半導体）、ＧａＡｓ等のＩＩＩｂ族元素およびＶｂ族元素からなる半導体（ＩＩＩ−Ｖ族半導体）、およびＣｄＴｅ等のＩＩｂ族元素およびＶＩｂ族元素からなる半導体（ＩＩ−ＶＩ族半導体）等が挙げられる。光電変換層２２には、特性に支障のない限りにおいて、半導体、所望の導電型とするための不純物以外の任意成分が含まれていても構わない。
また、光電変換層２２中のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族半導体の含有量は、特に制限されるものではない。光電変換層２２中のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族半導体の含有量は、７５質量％以上が好ましく、９５質量％以上がより好ましく、９９質量％以上が特に好ましい。
【００６７】
本実施形態の光電変換層２２をＣＩＧＳ層とした場合、ＣＩＧＳ層の成膜方法としては、１）多源同時蒸着法、２）セレン化法、３）スパッタ法、４）ハイブリッドスパッタ法、及び５）メカノケミカルプロセス法等が知られている。
【００６８】
１）多源同時蒸着法としては、
３段階法（J.R.Tuttle et.al,Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,Vol.426(1996)p.143.等）と、ＥＣグループの同時蒸着法（L.Stolt et al.：Proc.13th ECPVSEC(1995,Nice)1451.等）とが知られている。
前者の３段階法は、高真空中で最初にＩｎ、Ｇａ、及びＳｅを基板温度３００℃で同時蒸着し、次に５００〜５６０℃に昇温してＣｕ及びＳｅを同時蒸着後、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｅをさらに同時蒸着する方法である。後者のＥＣグループの同時蒸着法は、蒸着初期にＣｕ過剰ＣＩＧＳ、後半でＩｎ過剰ＣＩＧＳを蒸着する方法である。
【００６９】
ＣＩＧＳ膜の結晶性を向上させるため、上記方法に改良を加えた方法として、
ａ）イオン化したＧａを使用する方法（H.Miyazaki, et.al, phys.stat.sol.(a),Vol.203（2006）p.2603.等）、
ｂ）クラッキングしたＳｅを使用する方法（第６８回応用物理学会学術講演会 講演予稿
集（２００７秋 北海道工業大学）７Ｐ−Ｌ−６等）、
ｃ）ラジカル化したＳｅを用いる方法（第５４回応用物理学会学術講演会 講演予稿集
（２００７春 青山学院大学）２９Ｐ−ＺＷ−１０等）、
ｄ）光励起プロセスを利用した方法（第５４回応用物理学会学術講演会 講演予稿集（２００７春  青山学院大学）２９Ｐ−ＺＷ−１４等）等が知られている。
【００７０】
２）セレン化法は２段階法とも呼ばれ、最初にＣｕ層／Ｉｎ層または（Ｃｕ−Ｇａ）層／Ｉｎ層等の積層膜の金属プレカーサをスパッタ法、蒸着法、または電着法などで成膜し、これをセレン蒸気またはセレン化水素中で４５０〜５５０℃程度に加熱することにより、熱拡散反応によってＣｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２等のセレン化合物を生成する方法である。この方法を気相セレン化法と呼ぶ。このほか、金属プリカーサ膜の上に固相セレンを堆積し、この固相セレンをセレン源とした固相拡散反応によりセレン化させる固相セレン化法がある。
【００７１】
セレン化法においては、セレン化の際に生ずる急激な体積膨張を回避するために、金属プリカーサ膜に予めセレンをある割合で混合しておく方法（T.Nakada et.al,, Solar Energy Materials and Solar Cells 35(1994)204-214.等）、及び金属薄層間にセレンを挟み（例えばＣｕ層／Ｉｎ層／Ｓｅ層…Ｃｕ層／Ｉｎ層／Ｓｅ層と積層する）多層化プリカーサ膜を形成する方法（T.Nakada et.al,, Proc. of 10th European Photovoltaic Solar Energy Conference(1991)887-890. 等）が知られている。
【００７２】
また、グレーデッドバンドギャップＣＩＧＳ膜の成膜方法として、最初にＣｕ−Ｇａ合金膜を堆積し、その上にＩｎ膜を堆積し、これをセレン化する際に、自然熱拡散を利用してＧａ濃度を膜厚方向で傾斜させる方法がある（K.Kushiya et.al, Tech.Digest 9th Photovoltaic Science and Engineering Conf. Miyazaki, 1996(Intn.PVSEC-9，Tokyo，1996)p.149.等）。
【００７３】
３）スパッタ法としては、
ＣｕＩｎＳｅ２多結晶をターゲットとした方法、Ｃｕ２ＳｅとＩｎ２Ｓｅ３をターゲットとし、スパッタガスにＨ２Ｓｅ／Ａｒ混合ガスを用いる２源スパッタ法（J.H.Ermer,et.al, Proc.18th IEEE Photovoltaic SpecialistsConf.(1985)1655-1658.等）、および
Ｃｕターゲットと、Ｉｎターゲットと、ＳｅまたはＣｕＳｅターゲットとをＡｒガス中でスパッタする３源スパッタ法（T.Nakada,et.al, Jpn.J.Appl.Phys.32(1993)L1169-L1172.等）が知られている。
【００７４】
４）ハイブリッドスパッタ法としては、前述のスパッタ法において、ＣｕとＩｎ金属は直流スパッタで、Ｓｅのみは蒸着とするハイブリッドスパッタ法（T.Nakada,et.al., Jpn.Appl.Phys.34(1995)4715-4721.等）が知られている。
【００７５】
５）メカノケミカルプロセス法は、ＣＩＧＳの組成に応じた原料を遊星ボールミルの容器に入れ、機械的なエネルギーによって原料を混合してＣＩＧＳ粉末を得、その後、スクリーン印刷によって基板上に塗布し、アニールを施して、ＣＩＧＳの膜を得る方法である（T.Wada et.al, Phys.stat.sol.(a), Vol.203（2006）p2593等）。
【００７６】
その他のＣＩＧＳ成膜法としては、スクリーン印刷法、近接昇華法、ＭＯＣＶＤ法、及びスプレー法などが挙げられる。例えば、スクリーン印刷法またはスプレー法等で、Iｂ族元素、IIIｂ族元素、及びVIｂ族元素を含む微粒子膜を基板上に形成し、熱分解処理（この際、VIｂ族元素雰囲気での熱分解処理でもよい）を実施するなどにより、所望の組成の結晶を得ることができる（特開平９−７４０６５号公報、特開平９−７４２１３号公報等）。
【００７７】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図２は、本発明の光電変換装置の第２の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図である。
なお、本実施形態において、図１に示す第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００７８】
図２に示すように、本実施形態の太陽電池サブモジュール１０ａは、第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０（図１参照）に比して、金属基板１２ａの構成が異なり、それ以外の構成は、第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０（図１参照）と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
【００７９】
図２に示す本実施形態の太陽電池サブモジュール１０ａにおいては、金属基板１２ａは、ステンレス鋼板１４の表面１４ａおよび裏面１４ｂだけなく側面１４ｃもアルミニウム層３６により覆われている。すなわち、ステンレス鋼板１４の全面にアルミニウム層３６が形成されている。このアルミニウム層３６は、第１の実施形態のアルミニウム層１６と同様の構成とすることができる。このため、アルミニウム層３６の詳細な説明は省略する。
【００８０】
本実施形態においては、アルミニウム層３６のステンレス鋼板１４の表面１４ａ上に相当する領域に絶縁層１８が形成されており、ステンレス鋼板１４の裏面１４ｂ上に相当する領域にも絶縁層１９が形成されている。
この金属基板１２ａにおいても、第１の実施形態と同様に、絶縁層１８は、アルミニウム層３６のステンレス鋼板１４の表面１４ａ側の両端部３６ａ、３６ｂには形成されていない。また、絶縁層１９も、ステンレス鋼板１４の裏面１４ｂ側の両端部３６ｃ、３６ｄには形成されていない。
絶縁層１８が形成されていないアルミニウム層３６のステンレス鋼板１４の表面１４ａ側の一方の端部３６ａに第２の導電部材３４が形成されている。また、絶縁層が形成されていない他方の端部３６ｂに裏面電極２１が接続されている。
【００８１】
図２に示すように、本実施形態においては、ステンレス鋼板１４が全面、アルミニウム層３６に覆われているため、第１の実施形態に比して、絶縁層１８、１９として、陽極酸化膜を形成する際に、ステンレス鋼板１４が電解液を接触することがない。このため、電解液とステンレス鋼板１４とが反応することがなく、更にはステンレス鋼板１４と電解液とが接触すると、陽極酸化処理時に、電流を大きくする必要があるが、それもない。
なお、本実施形態の金属基板１２ａにおいては、例えば、ステンレス鋼板１４を、アルミニウム層３６の組成を有する溶融金属浴中に浸漬させて、溶融メッキすることによりステンレス鋼板１４全面にアルミニウム層３６を形成する。
【００８２】
さらには、本実施形態においては、第１の実施形態に比して、金属基板１２ａの構成が異なるだけであるため、本実施形態についての詳細な説明は省略するが、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８３】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
図３は、本発明の光電変換装置の第３の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図である。
なお、本実施形態において、図１に示す第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００８４】
図３に示すように、本実施形態の太陽電池サブモジュール１０ｂは、第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０（図１参照）に比して、金属基板１２ｂの構成が異なり、それ以外の構成は、第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０（図１参照）と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
【００８５】
図３に示す本実施形態の太陽電池サブモジュール１０ｂにおいては、金属基板１２ｂは、ステンレス鋼板１４の表面１４ａ、すなわち、片面だけにアルミニウム層１６が形成されており、このアルミニウム層１６に絶縁層１８が形成されている。
本実施形態の金属基板１２ｂにおいては、例えば、アルミニウム層１６の絶縁層１８を形成する領域以外をマスクして、陽極酸化を行い、片面だけに絶縁層１８を形成する。
本実施形態においては、第１の実施形態に比して、金属基板１２ｂの構成が異なるだけであるため、本実施形態についての詳細な説明は省略するが、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８６】
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。
図４は、本発明の光電変換装置の第４の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図である。
なお、本実施形態において、図１に示す第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００８７】
図４に示すように、本実施形態の太陽電池サブモジュール１０ｃは、第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０（図１参照）に比して、金属基板１２ｃの構成が異なり、それ以外の構成は、第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０（図１参照）と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
【００８８】
図４に示す本実施形態の太陽電池サブモジュール１０ｃにおいては、金属基板１２ｃは、アルミニウム基板３８だけで構成されており、このアルミニウム基板３８の表面３８ａと裏面３８ｂとに、それぞれ、陽極酸化膜からなる絶縁層１８、１９が形成されている。
本実施形態においても、絶縁層１８は、アルミニウム基板３８の表面３８ａ側の両側端部３９ａ、３９ｂには形成されていない。
また、絶縁層１９は、アルミニウム基板３８の裏面３８ｂ側の両側端部３９ｃ、３９ｄには形成されていない。
【００８９】
このような絶縁層１８、１９が形成されていない領域は、絶縁層１８、１９を形成した後、例えば、レーザースクライブにより絶縁層１８、１９を除去することにより形成することができる。
また、陽極酸化により、絶縁層１８、１９を形成する場合、金属基板１２ｃの両端部および側面部をマスクして絶縁層１８、１９を形成させないようにしても、絶縁層１８、１９が形成されていない領域を形成することができる。
【００９０】
図４の左端の裏面電極２１は、アルミニウム基板３８の絶縁層１８が形成されていない端部３９ｂに接続されており、裏面電極２１はアルミニウム基板３８と導通されている。
また、絶縁層１８が形成されていないアルミニウム基板３８の端部３９ａに第２の導電部材３４が接続されており、第２の導電部材３４はアルミニウム基板３８と導通されている。このように、本実施形態においても、金属基板１２ｃを導体として、裏面電極２１から第２の導電部材３４に電流が流れる。この場合においても、第１の導電部材３２が、負極であり、第２の導電部材３４が正極である。
本実施形態の金属基板１２ｃにおいては、例えば、アルミニウム層１６の絶縁層１８、１９を形成する領域以外をマスクして、陽極酸化を行い、絶縁層１８、１９を形成する。
【００９１】
本実施形態においては、第１の実施形態に比して、金属基板１２ｃの構成が異なるだけであるため、本実施形態についての詳細な説明は省略するが、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態においては、金属基板１２ｃに、アルミニウム基板３８を用いているため、製造工程、使用環境などにおいて、耐熱性を要求されない場合に好適である。
また、金属基板１２ｃは、単板構造でクラッド構造ではないため、第１の実施形態に比して、材料コストを抑えることができる。
【００９２】
本実施形態のアルミニウム基板３８には、例えば、日本工業規格（ＪＩＳ）の１０００系純Ａｌ、Ａｌ−Ｍｎ系合金、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｚｒ系合金、Ａｌ-Ｓｉ系合金、およびＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金等のＡｌと他の金属元素との合金を用いることができる（「アルミニウムハンドブック第４版」（１９９０年、軽金属協会発行）を参照）。アルミニウム基板３８には、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｎｉ、およびＴｉ等の各種微量金属元素が含まれていてもよい。
アルミニウム基板３８は、例えば、主成分がアルミニウムであってもよい。この主成分がアルミニウムとは、アルミニウム含有量が９０質量％以上であることをいう。
【００９３】
アルミニウム基板３８の厚さは、例えば、０．１〜１０ｍｍである。なお、アルミニウム基板３８を用いる場合には、絶縁層の形成に際して、陽極酸化、および陽極酸化の事前洗浄または研磨により厚さが減少するため、それを見越した厚さとしておく必要がある。
【００９４】
アルミニウム基板３８を用いた場合、陽極酸化し、更に特定の封孔処理をすることで絶縁層１８、１９を形成することができる。この絶縁層１８、１９の製造工程には、必須の工程以外の各種の工程が含まれていてもよい。
本実施形態において、絶縁層１８、１９は、例えば、付着している圧延油を除く脱脂工程、アルミニウム板の表面のスマットを溶解するデスマット処理工程、アルミニウム板の表面を粗面化する粗面化処理工程、アルミニウム板の表面に陽極酸化皮膜を形成させる陽極酸化処理工程および陽極酸化皮膜のマイクロポアを封孔する封孔処理を経て形成することができる。
【００９５】
次に、本発明の第５の実施形態について説明する。
図５は、本発明の光電変換装置の第５の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図である。
なお、本実施形態において、図１に示す第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００９６】
図５に示すように、本実施形態の太陽電池サブモジュール１０ｄは、第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０（図１参照）に比して、金属基板１２ｄの構成が異なり、それ以外の構成は、第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０（図１参照）と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
【００９７】
図５に示す本実施形態の太陽電池サブモジュール１０ｄにおいては、金属基板１２ｃは、アルミニウム基板３８だけで構成されており、このアルミニウム基板３８の表面３８ａにだけ陽極酸化膜からなる絶縁層１８が形成されている。
本実施形態においても、絶縁層１８は、アルミニウム基板３８の表面３８ａ側の両側端部３９ａ、３９ｂには形成されていない。
絶縁層１８が形成されていない領域は、例えば、絶縁層１８を形成する場合、金属基板１２ｄの表面側の両端部、側面部および裏面をマスクして、陽極酸化により絶縁層１８を形成する。
【００９８】
図５の左端の裏面電極２１は、アルミニウム基板３８の絶縁層１８が形成されていない端部３９ｂに接続されており、裏面電極２１はアルミニウム基板３８と導通されている。
また、絶縁層１８が形成されていないアルミニウム基板３８の端部３９ａに第２の導電部材３４が接続されており、第２の導電部材３４はアルミニウム基板３８と導通されている。
【００９９】
本実施形態においては、第１の実施形態に比して、金属基板１２ｄの構成が異なるだけであるため、本実施形態についての詳細な説明は省略するが、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態においては、金属基板１２ｄに、アルミニウム基板３８を用いているため、製造工程、使用環境などにおいて、耐熱性を要求されない場合に好適である。
また、金属基板１２ｄは、単板構造でクラッド構造ではないため、第１の実施形態に比して、材料コストを抑えることができる。
なお、本実施形態においては、アルミニウム基板３８は、第４の実施形態のアルミニウム基板３８と同じものを用いることができる。
【０１００】
次に、本発明の第６の実施形態について説明する。
図６（ａ）は、本発明の光電変換装置の第６の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図であり、（ｂ）は、本発明の光電変換装置の第６の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的平面図である。
なお、本実施形態において、図１に示す第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【０１０１】
図６（ａ）に示すように、本実施形態の太陽電池サブモジュール１０ｅは、第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０（図１参照）に比して、第１の導電部材３２の形成位置が異なり、それ以外の構成は、第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０（図１参照）と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
【０１０２】
図１に示す第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０では、右側の端の裏面電極２０ａの上に形成された光電変換素子３０の透明電極２６の表面２６ａに第１の導電部材３２が接続されているものの、本実施形態においては、図６（ａ）に示すように、第１の導電部材３２が、右側の端の裏面電極２０ａの上に直接形成されている。
裏面電極２０ａの上に形成された光電変換素子３０を、例えば、レーザースクライブまたはメカニカルスクラブにより取り除いて、裏面電極２０ａを表出させることができる。
【０１０３】
本実施形態においては、第１の実施形態に比して、第１の導電部材３２の形成位置が異なるだけであるため、本実施形態についての詳細な説明は省略するが、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態においては、第１の導電部材３２を裏面電極２０ａの上に直接形成することにより、第１の導電部材３２と第２の導電部材３４との高さを略同じにできる。このため、端子箱につなぐ高さが同じになり、端子箱を薄くできる。また、例えば、図６（ｂ）に示す太陽電池サブモジュール１０ｅを、太陽電池モジュールとして組み立てる場合、第１の導電部材３２と第２の導電部材３４を裏面側に引き回す必要があるが、この引き回しの配線の作業を容易にすることができる。
【０１０４】
また、本実施形態においては、第１の導電部材３２を裏面電極２０ａの上に直接形成したが、上述の第１〜第５の実施形態においても、第１の導電部材３２を裏面電極２０ａの上に直接形成する構成としてもよい。
【０１０５】
次に、本発明の第７の実施形態について説明する。
図７は、本発明の光電変換装置の第７の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図である。
なお、本実施形態において、図１に示す第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【０１０６】
図７に示すように、本実施形態の太陽電池サブモジュール１０ｆは、第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０（図１参照）に比して、金属基板１２ｅの構成、および第２の導電部材３４の配置位置が異なり、それ以外の構成は、第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０（図１参照）と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
【０１０７】
図７に示す本実施形態の太陽電池サブモジュール１０ｆにおいては、金属基板１２ｅは、アルミニウム基板３８だけで構成されており、このアルミニウム基板３８の表面３８ａに、陽極酸化膜からなる絶縁層１８が形成されている。
本実施形態においても、絶縁層１８は、アルミニウム基板３８の表面３８ａ側の両側端部３９ａ、３９ｂには形成されていない。
このような絶縁層１８が形成されていない領域は、絶縁層１８を形成した後、例えば、レーザースクライブにより絶縁層１８を除去することにより、形成することができる。
また、陽極酸化により、絶縁層１８を形成する場合、金属基板１２ｃの両端部、側面部および裏面をマスクしても、絶縁層１８が形成されていない領域を形成することができる。
【０１０８】
図７の左端の裏面電極２１は、アルミニウム基板３８の絶縁層１８が形成されていない端部３９ｂに接続されており、裏面電極２１はアルミニウム基板３８と導通されている。
また、アルミニウム基板３８の裏面３８ｂに第２の導電部材３４が形成されており、第２の導電部材３４はアルミニウム基板３８と導通されている。
【０１０９】
本実施形態においては、第１の実施形態に比して、金属基板１２ｅの構成、および第２の導電部材３４の配置位置が異なるだけであるため、本実施形態についての詳細な説明は省略するが、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態においては、第２の導電部材３４の金属基板１２ｅであるアルミニウム基板３８の裏面３８ｂに設けたことにより、太陽電池モジュールにする際、第１の実施形態では、裏面３８ｂ側に第１の導電部材３２、第２の導電部材３４を引き回すが、本実施形態では、第２の導電部材３４を裏面側に引き回す必要がなく、更に作業性を向上させることができる。さらには、第２の導電部材３４を引き回す必要がないので、配線を短くすることができ、更に材料費を削減することができる。
【０１１０】
また、本実施形態においては、金属基板１２ｅに、アルミニウム基板３８を用いているため、製造工程、使用環境などにおいて、耐熱性を要求されない場合に好適である。
また、金属基板１２ｅは、単板構造でクラッド構造ではないため、第１の実施形態に比して、材料コストを抑えることができる。
なお、本実施形態においては、金属基板の構成は、特に限定されるものではなく、例えば、第１の実施形態の金属基板１２、第２の実施形態の金属基板１２ａ、第３の実施形態の金属基板１２ｂ、第４の実施形態の金属基板１２ｃ、第５の実施形態の金属基板１２ｄを利用することができる。
【０１１１】
次に、本発明の第８の実施形態について説明する。
図８は、本発明の光電変換装置の第８の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図である。
なお、本実施形態において、図１に示す第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【０１１２】
図８に示すように、本実施形態の太陽電池サブモジュール１０ｇは、第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０（図１参照）に比して、第１の導電部材３２の形成位置、第２の導電部材３４の形成位置、裏面電極４１と金属基板１２との接続位置、および光電変換素子５０の構成が異なり、それ以外の構成は、第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０（図１参照）と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
【０１１３】
図８に示す本実施形態の太陽電池サブモジュール１０ｇの光電変換素子５０は、タンデム型と呼ばれるものであり、裏面電極４０、光電変換層４２および透明電極２６とにより構成されている。また、各光電変換素子５０は、裏面電極４０にまで達する開口溝（Ｐ３）５１により相互に分離されている。
裏面電極４０は、隣り合う裏面電極４０、４１と所定の間隔の分離溝（Ｐ１）４３を設けて絶縁層１８の表面１８ａに形成されており、金属基板１２側から順に、Ａｇ（銀）層４０ａおよびＺｎＯ層４０ｂが積層されて構成されている。透明電極２６は、例えば、ＩＴＯにより構成される。
【０１１４】
光電変換層４２は、例えば、光の吸収特性の異なる２つの光電変換セル４４ａ，４４ｂが積層されたものである。第１の光電変換セル４４ａは、第２の光電変換セル４４ｂよりも金属基板１２側に設けられており、第２の光電変換セル４４ｂに比して波長域が長い吸収特性を有する。
第１の光電変換セル４４ａは、裏面電極４０上に設けられており、金属基板１２側からｎ型半導体層５２、真性半導体層５４ａ、ｐ型半導体層５６が積層されて構成されている。真性半導体層５４ａには、例えば、微結晶シリコン、アモルファスシリコンゲルマニウムが用いられる。
【０１１５】
第２の光電変換セル４４ｂは、第１の光電変換セル４４ａ上に設けられており、金属基板１２側からｎ型半導体層５２、真性半導体層５４ｂ、ｐ型半導体層５６が積層されて構成されている。真性半導体層５４ｂには、例えば、アモルファスシリコンが用いられる。
また、光電変換層４２は、裏面電極４０にまで達する溝（Ｐ２）４５が形成されている。この溝（Ｐ２）４５は透明電極２６に埋められている。
本実施形態においては、光電変換素子５０の透明電極２６側が正極になり、裏面電極４９側が負極になる。すなわち、第１の導電部材３２が負極、第２の導電部材が正極になる。なお、光電変換層４２は、光の吸収特性の異なる２つの光電変換セル４４ａ，４４ｂの積層構造を例示したが、これに限定されるものではなく、３層構造であっても、それ以上であってもよい。
【０１１６】
本実施形態においては、絶縁層１８が形成されていない端部１６ａで、裏面電極４１が金属基板１２に接続されている。
また、本実施形態においては、絶縁層１８が形成されていない端部１６ｂに、電極５８を介して、第２の導電部材３４が金属基板１２に接続されている。これにより、金属基板１２のアルミニウム層１６およびステンレス鋼板１４を導体として、第２の導電部材３４と図８中、右端の光電変換素子５０とが導通される。
【０１１７】
第１の導電部材３２は、図８の左端の裏面電極４０に接続されている。この場合、裏面電極４０上に形成されていた光電変換素子５０を、例えば、レーザースクライブまたはメカニカルスクライブにより取り除いて裏面電極４０を表出させる。
また、電極５８は、裏面電極４０と同様の構成である。なお、第２の導電部材３４は、電極５８を設けることなく、金属基板１２の端部１６ｂに直接形成してもよい。
【０１１８】
本実施形態においては、第１の実施形態に比して、第１の導電部材３２の形成位置、第２の導電部材３４の形成位置、裏面電極４１と金属基板１２との接続位置、および光電変換素子５０の構成が異なるものの、金属基板１２を導体として用いているため、本実施形態についての詳細な説明は省略するが、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態においては、第１の導電部材３２を裏面電極４０の上に直接形成することにより、第１の導電部材３２と第２の導電部材３４との高さを略同じにできる。このため、太陽電池サブモジュール１０ｇを、太陽電池モジュールとして組み立てる場合、第１の導電部材３２と第２の導電部材３４を裏面側に引き回す必要があるが、この引き回しの配線の作業を容易にすることができる。
【０１１９】
本実施形態においては、金属基板１２の構成は、特に限定されるものではなく、例えば、第２の実施形態の金属基板１２ａ、第３の実施形態の金属基板１２ｂ、第４の実施形態の金属基板１２ｃ、第５の実施形態の金属基板１２ｄを利用することができる。
【０１２０】
次に、本発明の第９の実施形態について説明する。
図９は、本発明の光電変換装置の第９の実施形態の太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図である。
なお、本実施形態において、図１に示す第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【０１２１】
図９に示すように、本実施形態の太陽電池サブモジュール１０ｈは、第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０（図１参照）に比して、光電変換素子６０の構成が異なり、それ以外の構成は、第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０（図１参照）と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
【０１２２】
図９に示す本実施形態の太陽電池サブモジュール１０ｈの光電変換素子６０は、光電変換層６２が、ＣｄＴｅ（カドミウム・テルル）型と呼ばれるものであり、第１の実施形態のＣＩＧＳ系の光電変換層２２に比して、組成がＣｄＴｅである点が異なる。それ以外の光電変換素子６０の構成は、第１の実施形態の光電変換素子３０と同様の構成である。このため、その詳細な説明は省略する。
なお、ＣｄＴｅの光電変換層４２は、公知の製造方法により製造することができる。
本実施形態においては、第１の実施形態に比して、光電変換層６２の組成が異なるだけであるため、本実施形態についての詳細な説明は省略するが、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１２３】
上述の各実施形態の太陽電池モジュール１０ａ〜１０ｈにおいては、第１の実施形態の太陽電池サブモジュール１０（図１参照）と同様に、太陽電池サブモジュール１０ａ〜１０ｈの表面側に封止接着層、水蒸気バリア層および表面保護層を配置し、太陽電池サブモジュール１０ａの裏面側に封止接着層およびバックシートを配置して、例えば、真空ラミネート法によりラミネート加工してこれらを一体化し、太陽電池モジュールを得ることができる。
【０１２４】
上述のいずれの実施形態においても、図６（ｂ）に示すように、第１の導電部材３２、および第２の導電部材３４は、互いに平行に、金属基板１２の辺に沿って一方向に長いものである。また、いずれの実施形態でも、図６（ｂ）に示すように、金属基板１２の１つの辺の長さをＬとするとき、少なくとも第２の導電部材３４と導通される裏面電極２１の長さＸは、金属基板１２の辺の長さＬの１／２以上であることが好ましい。これにより、裏面電極２１と金属基板１２との良好な導通を確保することができる。
【０１２５】
また、上述のいずれの実施形態においても、金属基板は、矩形状であり、少なくとも２辺の端部には絶縁層が形成されていない領域があり、金属基板が表出していることが好ましい。この場合、少なくとも２辺とは、対向する２辺であることが好ましい。
さらに、上述のいずれの実施形態においても、金属基板は、矩形状であり、少なくとも２辺の端部には金属基板の導体部に接続された導体が設けられていてもよい。この場合においても、少なくとも２辺とは、対向する２辺であることが好ましい。
【０１２６】
さらに、上述のいずれの実施形態においても、光電変換装置として、太陽電池サブモジュールを例にして、光学変換デバイスとして、複数の光学変換素子（太陽電池セル）が直列に接続された、いわゆる集積型の太陽電池デバイスを例にして説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。本発明においては、例えば、集積型構造を採ることによって増幅作用を持たせた光学センサーであってもよい。また、光電変換デバイスとして、有機ＥＬ発光素子を有するものであってもよく、光電変換装置としては、有機ＥＬディスプレイであってもよい。
さらにまた、上述のいずれの実施形態においても、光電変換デバイスは、薄膜型薄膜太陽電池セル（薄膜型光電変換素子）、集積型太陽電池セル（集積型薄膜光電変換素子）を有するものであってもよい。
【０１２７】
上述のいずれの実施形態においても、太陽電池サブモジュールの光電変換素子の構成は、ＣＩＧＳ系光電変換素子、タンデム構造系光電変換素子、ＣｄＴｅ系光電変換素子に、特に限定されるものではなく、例えば、薄膜シリコン系太陽電池セル（薄膜シリコン系光電変換素子）、色素増感系太陽電池セル（色素増感系光電変換素子）、または有機系太陽電池セル（有機系光電変換素子）であってもよい。
【０１２８】
本発明は、基本的に以上のようなものである。以上、本発明の光電変換装置について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【０１２９】
１０、１０ａ〜１０ｈ  太陽電池サブモジュール
１２  金属基板
１４  ステンレス鋼板
１６、１７  アルミニウム層
１６ａ、１６ｂ  両端部
１８、１９  絶縁層
２０、４０  裏面電極
２２、４２  光電変換層
２４  バッファ層
２６  透明電極
３０、５０、６０  光電変換素子
３２  第１の導電部材
３４  第２の導電部材
３８  アルミニウム基板
５８  電極
【図１】
2011077229.tif 000003
【図２】
2011077229.tif 000004
【図３】
2011077229.tif 000005
【図４】
2011077229.tif 000006
【図５】
2011077229.tif 000007
【図６】
2011077229.tif 000008
【図７】
2011077229.tif 000009
【図８】
2011077229.tif 000010
【図９】
2011077229.tif 000011
【図１０】
2011077229.tif 000012
【図１１】
2011077229.tif 000013