(57)【要約】【課題】ハードディスクドライブ磁気媒体用の部分酸化キャップ層を提供する。【解決手段】部分酸化キャップ層を有する垂直磁気記録媒体は、第２酸化物層を第１キャップ層と結合して単一の部分酸化キャップを形成する。部分酸化層の酸化部分および非酸化部分は、同じターゲットからスパッタリングされ、金属元素の組成が同じである。酸化部分のＭｓは非酸化部分の約２倍である。酸化部分は、厚さが約５〜２５Åの範囲である。層組成はＣｏＰｔＣｒＢＴａを含むことができ、Ｃｒのａｔ％は約１８〜２４％、Ｐｔは約１３〜２０％、Ｂは約４〜１０％、Ｔａが約０〜２％である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟磁性裏打ち層と、
交換ブレーク層と、
酸化物層と、
前記酸化物層の上に設けられ、単一の部分酸化キャップを形成するように酸化部分が非酸化キャップ部分と一体化した部分酸化キャップ層と、
カーボンオーバーコートと、を含む基板を具備する磁気媒体。
【請求項２】
前記部分酸化キャップ層がＣｒ合金を含み、
前記交換ブレーク層がＮｉＷＣｒのテンプレート層およびＲｕ層を含み、
前記酸化物層が少なくとも１つの酸化物層を含み、
前記酸化部分が前記非酸化キャップ部分の下方に位置する請求項１に記載の磁気媒体。
【請求項３】
前記部分酸化キャップ層がＣｏＰｔＣｒＢＴａを含み、
前記カーボンオーバーコートの真下の前記部分酸化キャップ層の上に第２キャップ層をさらに具備する請求項１に記載の磁気媒体。
【請求項４】
前記部分酸化キャップ層が、約１８〜２４ａｔ％のＣｒと、約１３〜２０ａｔ％のＰｔと、約４〜１０ａｔ％のＢと、約０〜２ａｔ％のＴａとを含む請求項１に記載の磁気媒体。
【請求項５】
前記部分酸化キャップ層が、約１９〜２１ａｔ％のＣｒと、約１７〜２０ａｔ％のＰｔと、約６〜８ａｔ％のＢと、約０〜１ａｔ％のＴａとを含む請求項１に記載の磁気媒体。
【請求項６】
前記部分酸化キャップ層の前記非酸化キャップ部分が、酸素なしでスパッタリングされ、
前記非酸化キャップ部分の飽和磁化値が約３００ｅｍｕ／ｃｃ未満であり、
前記酸化部分の飽和磁化値は、約４００〜５００ｅｍｕ／ｃｃである請求項１に記載の磁気媒体。
【請求項７】
前記酸化部分の飽和磁化値は、前記非酸化キャップ部分の飽和磁化値の約１．５〜２倍である請求項６に記載の磁気媒体。
【請求項８】
前記部分酸化キャップ層の前記酸化部分の厚さが約０．５〜２．５ｎｍであり、
前記部分酸化キャップ層の前記非酸化キャップ部分の厚さが約０．５〜５ｎｍである請求項１に記載の磁気媒体。
【請求項９】
前記部分酸化キャップ層の前記酸化部分の厚さが約１〜２ｎｍであり、
前記部分酸化キャップ層の前記非酸化キャップ部分の厚さが約３〜４ｎｍである請求項１に記載の磁気媒体。
【請求項１０】
前記部分酸化キャップ層の前記酸化部分および前記非酸化キャップ部分が、同じターゲットからスパッタリングされ、金属元素の組成が同じである請求項１に記載の磁気媒体。
【請求項１１】
前記部分酸化キャップ層がＣｏＰｔ１８Ｃｒ２０Ｂ６を含み、
前記非酸化キャップ部分の飽和磁化値が約２５０ｅｍｕ／ｃｃであり、
前記非酸化キャップ部分が酸化した後の飽和磁化値が約４５０ｅｍｕ／ｃｃである、請求項１に記載の磁気媒体。
【請求項１２】
前記第２キャップ層の厚さが約１ｎｍであり、
前記部分酸化キャップ層がＣｏＰｔ１８Ｃｒ２０Ｂ７から形成される請求項３に記載の磁気媒体。
【請求項１３】
データを記録する垂直磁気記録媒体を備えたディスクと、磁気読取りヘッドを有し、かつ前記ディスクに記録されたデータを読み取るために前記ディスクに対して移動可能なアクチュエータと、を具備したハードディスクドライブであって、
前記ディスクが、
軟磁性裏打ち層と、交換ブレーク層と、酸化物層と、前記酸化物層の上に設けられ、単一の部分酸化キャップを形成するように酸化部分が非酸化キャップ部分と一体化した部分酸化キャップ層と、カーボンオーバーコートとからなるハードディスクドライブ。
【請求項１４】
前記部分酸化キャップ層がＣｒ合金を含み、
前記交換ブレーク層がＮｉＷＣｒのテンプレート層およびＲｕ層を含み、
前記酸化物層が少なくとも１つの酸化物層を含み、
前記酸化部分が前記非酸化キャップ部分の下方に位置する請求項１３に記載のハードディスクドライブ。
【請求項１５】
前記部分酸化キャップ層がＣｏＰｔＣｒＢＴａを含み、
前記カーボンオーバーコートの真下の前記部分酸化キャップ層の上に第２キャップ層をさらに具備する請求項１３に記載のハードディスクドライブ。
【請求項１６】
前記部分酸化キャップ層が、約１８〜２４ａｔ％のＣｒと、約１３〜２０ａｔ％のＰｔと、約４〜１０ａｔ％のＢと、約０〜２ａｔ％のＴａとを含む請求項１３に記載のハードディスクドライブ。
【請求項１７】
前記部分酸化キャップ層が、約１９〜２１ａｔ％のＣｒと、約１７〜２０ａｔ％のＰｔと、約６〜８ａｔ％のＢと、約０〜１ａｔ％のＴａとを含む請求項１３に記載のハードディスクドライブ。
【請求項１８】
前記部分酸化キャップ層の前記非酸化キャップ部分が、酸素なしでスパッタリングされ、
前記非酸化キャップ部分の飽和磁化値が約３００ｅｍｕ／ｃｃ未満であり、
前記酸化部分の飽和磁化値は、約４００〜５００ｅｍｕ／ｃｃである請求項１３に記載のハードディスクドライブ。
【請求項１９】
前記部分酸化キャップ層の前記酸化部分の厚さが約０．５〜２．５ｎｍであり、
前記部分酸化キャップ層の前記非酸化キャップ部分の厚さが約０．５〜５ｎｍである請求項１３に記載のハードディスクドライブ。
【請求項２０】
前記部分酸化キャップ層の前記酸化部分の厚さが約１〜２ｎｍであり、
前記部分酸化キャップ層の前記非酸化キャップ部分の厚さが約３〜４ｎｍである請求項１３に記載のハードディスクドライブ。
【請求項２１】
前記部分酸化キャップ層がＣｏＰｔ１８Ｃｒ２０Ｂ６を含み、
前記非酸化キャップ部分の飽和磁化値が約２５０ｅｍｕ／ｃｃであり、
前記非酸化キャップ部分が酸化した後の飽和磁化値が約４５０ｅｍｕ／ｃｃであり、
前記第２キャップ層の厚さが約１ｎｍであり、
前記部分酸化キャップ層がＣｏＰｔ１８Ｃｒ１３Ｂ７から形成される請求項１５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項２２】
ハードディスクドライブ用の磁気媒体を製造する方法であって、
（ａ）基板を提供するステップと、
（ｂ）前記基板の上に、少なくとも、軟磁性裏打ち層と、交換ブレーク層と、酸化物層を含む複数の層を形成するステップと、
（ｃ）単一の部分酸化キャップを形成するように酸化部分が非酸化キャップ部分と一体化された部分酸化キャップ層を形成するステップと、
（ｄ）前記部分酸化キャップ層の上にカーボンオーバーコートを形成するステップとを含む方法。
【請求項２３】
前記ステップ（ｃ）は、
アルゴンおよび酸素の混合物をスパッタリングなしで流すことにより、均一に酸素を分散させ前記酸化部分を形成するステップと、
堆積を開始するステップと、
前記酸素流を終了させることにより前記非酸化キャップ部分を完成させることとを含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記ステップ（ｃ）は、
最初に不活性ガスおよび酸素を流すことにより前記酸化部分を成長させるステップと、
前記部分酸化キャップ層の膜成長の中間で酸素流を停止させるステップと、
媒体堆積を継続することにより前記非酸化キャップ部分を完成させるステップと、
前記ＣｏＰｔ１８Ｃｒ１３Ｂ７および４０ｓｃｃｍのアルゴンガスを用いて、前記部分酸化キャップ層の上に、厚さが約１ｎｍの第２キャップ層を形成するステップをさらに含む請求項２２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、ハードディスクドライブに関し、特に、ハードディスクドライブ用の部分酸化キャップ層を備えた垂直磁気記録媒体に対する改良されたシステム、方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気媒体における垂直記録は、今日、ハードディスクドライブ業界の標準技術である。垂直記録は、長手媒体またはパターンド媒体等の以前の技術に比較して面密度が高い。しかしながら、面密度が高くなると、媒体構造は、多くの追加の層によってより複雑になる。一般に、層の数が増加すると、より新しくかつより高価な製造器具が必要となり、それによって媒体の製造コストが高くなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
媒体製造においてコスト削減が非常に優先すべき事項であるため、複雑な媒体構造に対して、層製造チャンバが少ない古い製造器具を利用することが、コストを削減する有効な方法である。媒体における二重キャップ構造には、この利点を実現するために追加のプロセスチャンバが必要である。媒体における複数の酸化物層が、高い信号対雑音低減（ＳＮＲ）とともに優れた熱安定性を同時に達成することができることも既知である。ハードディスクドライブ用の磁気媒体の層をより有効にかつ効率的に製造する改良されたシステム、方法および装置が望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
部分酸化キャップ層を備えたハードディスクドライブ磁気媒体用のシステム、方法および装置の実施形態を開示する。媒体は、第２酸化物層を第１キャップ層と結合して、単一の部分酸化キャップを形成する。この設計により、媒体の性能を犠牲にすることなく、媒体を製造するために必要なプロセスチャンバの数が減少する。本発明は、垂直磁気記録媒体に適しており、長手媒体またはパターンド媒体にも好適である。
【０００５】
部分酸化キャップステーションにおいて、最初に、不活性ガスおよび酸素混合物を流すことにより、底部酸化物部分を成長させる。そして、膜成長の中間で、気体において酸素流を停止する。媒体堆積を継続することにより、層は非酸化キャップ層として完成する。部分酸化層に対する材料選択には、ＣｏＰｔＣｒＢＴａ等のＣｒ合金があってもよく、ＣｏＰｔＣｒＢＴａの場合、Ｃｒのａｔ％は約１８〜２４％、Ｐｔは約１３〜２０％、Ｂは約４〜１０％、Ｔａは約０〜２％である。他の実施形態では、材料は、約１９〜２１％のＣｒ、約１７〜２０％のＰｔ、約６〜８％のＢおよび０〜１％のＴａを含む。酸素なしでスパッタリングされる層部分の飽和磁化（Ｍｓ）値は、この利点を達成するために約３００ｅｍｕ／ｃｃ未満を含む。Ｍｓ値は、非酸化部分では約４００〜５００ｅｍｕ／ｃｃまで上昇する。実施形態によっては、キャップ層の酸化部分は約０．５〜２．５ｎｍ厚さであり、非酸化キャップの厚さは約０．５〜５ｎｍである。さらに他の実施形態では、酸化物部分は約１〜２ｎｍ厚さであり、非酸化キャップ部分は約３〜４ｎｍ厚さである。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】左側が従来の一種の磁気媒体、右側が本発明によって構成された磁気媒体の実施形態の概略図である。
【図２】本発明による方法に対する時間の経過による気体の組成および流れのグラフである。
【図３】磁気媒体の製造中のその磁気特性と気体流量との関係を示すグラフである。
【図４】磁気媒体の製造中のその他の磁気特性と気体流量との関係を示すグラフである。
【図５】磁気媒体の製造中のその信号対雑音比と気体流量との関係を示すグラフである。
【図６】磁気媒体の製造中のその磁気コア幅と気体流量との関係を示すグラフである。
【図７】磁気媒体の信号対雑音比と酸化層厚さとの関係を示すグラフである。
【図８】本発明によって構成されたハードディスクドライブの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
図１〜図８は、部分酸化キャップ層を備えたハードディスクドライブ磁気媒体（たとえば、垂直磁気記録媒体、すなわちＰＭＲ）用のシステム、方法および装置の実施形態を示す。たとえば、垂直媒体の非酸化キャップ層と完全酸化底部層との間に部分酸化層を設けることができる。
【０００８】
図１は、左側が、従来の一種の磁気媒体１１、右側が、本発明によって構成された磁気媒体２１の実施形態の概略図を示す。媒体１１は、２つの異なる種類の酸化物層１３、１５とともに、２つの異なる種類のキャップ層１７、１９を有している。その構造には、合計４つのプロセスチャンバを用いる製造が必要である。対照的に、媒体２１は、部分酸化キャップ層２３として製造される結合された酸化物・キャップ分配層を有している。層２３の製造により、媒体性能を犠牲にすることなく、従来技術による方法に比較して、必要なプロセスチャンバの数が１つ減少する。
【０００９】
たとえば、一実施形態では、媒体２１を、第１酸化物層２５まで従来の媒体堆積を行うことを含む方法によって製造してもよい。部分酸化キャップ層ステーションにおいて、最初に混合気体（たとえばアルゴンおよび酸素）を流して、底部酸化部分２７を成長させる。そして、層２３の膜成長の中間近くで、混合気体において酸素流を終了させる。媒体堆積を継続することにより、層２３には、非酸化部分２９も形成される。
【００１０】
実施形態によっては、部分酸化キャップ層２３に対して選択される材料は、Ｃｒ濃度を含む。たとえば、ＣｏＰｔＣｒＢＴａを用いてもよく、Ｃｒは約１８〜２４ａｔ％、Ｐｔは約１３〜２０ａｔ％、Ｂは約４〜１０ａｔ％、Ｔａは約０〜２ａｔ％であってもよい。さらに他の実施形態では、層は、Ｃｒを１９〜２１ａｔ％、Ｐｔを１７〜２０ａｔ％、Ｂを６〜８ａｔ％、Ｔａを０〜１ａｔ％含む。酸素なしでスパッタリングされる部分２９のＭｓ値は、この利益を得るために３００ｅｍｕ／ｃｃ未満である。層２３が酸化すると、Ｍｓ値は４００〜５００ｅｍｕ／ｃｃまで上昇する。
【００１１】
実施形態によっては、層２３の酸化部分２７は、厚さが約０．５〜２．５ｎｍであってもよく、非酸化キャップ部分２９は、厚さが約０．５〜５ｎｍである。他の実施形態では、酸化物部分２７は、厚さが約１〜２ｎｍであり、非酸化キャップ部分２６は、厚さが約３〜４ｎｍである。
【００１２】
１つの応用例では、部分酸化キャップ層２３の材料は、ＣｏＰｔ１８Ｃｒ２０Ｂ６を含む。酸素なしでスパッタリングされる材料のＭｓ値は約２５０ｅｍｕ／ｃｃであるが、一旦酸化すると、約４５０ｅｍｕ／ｃｃまで上昇する。これは、酸素によって、Ｃｒ偏析が促進され、高Ｃｏ濃度の粒子がもたらされるためである。酸化物部分の厚さは１．５ｎｍであってもよく、非酸化物部分の厚さは４．５ｎｍであってもよく、任意の第２キャップ層３１は、厚さが約１ｎｍであり、ＣｏＰｔ１８Ｃｒ１３Ｂ７から形成される。本方法は、この第２キャップ層３１に対して、４０ｓｃｃｍＡｒガスにおいて酸素（たとえば５％）＋Ａｒ混合気体流を停止させることを含んでもよい。
【００１３】
ここで図２を参照すると、部分酸化キャップの堆積は、最初に、スパッタリングなしにＡｒ＋Ｏ２混合気体４１を流すことを含み得る。これを行うことにより、酸素がチャンバ内で均一に分散し、初期酸化物層２５においてより優れた異方性を発現させる。半秒間遅延後、堆積４３を開始する。さらなる半秒間後、Ａｒ＋Ｏ２気体流を終了させる４５。チャンバ酸素量は急速に減少し、総気体圧力もまた低下する。この設計により、プロセスのリセットに対し、平滑かつ適切に交換結合したキャップ層が促進される。
【００１４】
図３は、キャップを部分的に酸化させる酸素５％混合Ａｒ流量の保磁力（Ｈｃ）に対する依存性のグラフ５１を示す。保磁力は、磁性材料を消磁するために必要な外部磁界である。流量ゼロは、キャップ部分において酸化がないことを意味し、従来のキャップ構造を意味する。Ｈｃは、酸素流量が増大すると上昇する。これは、酸化キャップが、粒子分離を促進し異方性エネルギーＫｕを上昇させることを示す。
【００１５】
図４は、酸素流量の核形成磁界（Ｈｎ）値に対する依存性のグラフ６１を示す。核形成磁界は、磁化を飽和磁化（Ｍｓ）の９０％まで低減するために必要な外部磁界である。Ｈｎ値は、酸素流量が増大すると増大する。それはまた、より優れた熱安定性を得るのにも役立つ。図５は、酸素流量の信号対雑音比（ＳＮＲ）に対する依存性のグラフ７１を示す。それは、ゼロ酸化から４０ｓｃｃｍまで０．８ｄＢ大幅に向上することを示しており、それは最大値を示す。それは、各キャップ材料に対して最適な酸素流量があることを示す。
【００１６】
図６は、酸素流量の磁気コア幅（ＭＣＷ）に対する依存性のグラフ８１を示す。ＭＣＷは、酸素流量が増大すると低減する。酸化部分を変更することにより、ＭＣＷが制御される。図７は、酸化層厚さのＳＮＲに対する依存性のグラフ９１を示す。この例では、総酸化物層厚さが１１０Åで一定に維持されていた。この設計は、０Åから１０Åまでの明確な向上を示し、それが低下する前に最大約２０の安定領域を示している。このグラフ９１は、約１０〜２０Åの範囲に好ましい厚さがあることを示す。
【００１７】
本発明のさらに他の実施形態では、ハードディスクドライブ用の磁気媒体は、上に複数の材料の層が形成された基板３２を備え、複数の層には、軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）３３、反強磁性（ＡＦ）結合層３４、第２ＳＵＬ３５、ＥＢＬのためのテンプレート層３６（たとえば、ＥＢＬ成長のよりすぐれた配向のために、ＮｉＷＣｒ）、交換ブレーク層（ＥＢＬ）または中間層３７（たとえば、Ｒｕ、また、テンプレート層３６およびＥＢＬ層３７ともに、まとめて交換ブレーク層とよぶ場合もある）および１つまたは複数の酸化物層２５がある。酸化物層２５の上に部分酸化キャップ層２３があり、そこでは、単一の部分酸化キャップ層２３を形成するように下部非酸化キャップ層２７が上部非酸化キャップ部分２９と一体化している。実施形態によっては、部分酸化キャップ層２３の上に第２キャップ層３１があり、第２キャップ層３１の上にカーボンオーバーコート（ＣＯＣ）３８がある。
【００１８】
実施形態によっては、部分酸化キャップ層２３は、ＣｏＰｔＣｒＢＴａ等のＣｒ合金を含む。部分酸化キャップ層２３の非酸化キャップ部分２９を、酸素なしでスパッタリングしてもよく、そのＭｓ値は約３００ｃｍｕ／ｃｃ未満であり、Ｍｓ値は、酸化部分の場合約４００〜５００ｅｍｕ／ｃｃまで上昇する。したがって、酸化部分と非酸化キャップ部分との間にＭｓ値の差がある。それらの厚さは、プロセス後に変化しない。酸化部分２７は、Ｍｓが非酸化キャップ部分の約１．５〜２倍であってもよい。
【００１９】
応用によっては、部分酸化キャップ層の酸化部分は、厚さが約０．５〜２．５ｎｍであり、部分酸化キャップ層の非酸化キャップ部分は、厚さが約０．５〜５ｎｍである。他の実施形態では、酸化部分は、厚さが約１〜２ｎｍであり、非酸化キャップ部分は、厚さが約３〜４ｎｍである。部分酸化キャップ層の酸化部分および非酸化キャップ部分を、同じターゲットからスパッタリングしてもよく、それらの金属元素の組成は同じであり得る。部分酸化キャップ層はＣｏＰｔ１８Ｃｒ２０Ｂ６を含んでいてもよく、非酸化キャップ部分は、Ｍｓ値が約２５０ｅｍｕ／ｃｃであってもよく、非酸化キャップ部分が酸化した後、Ｍｓ値は約４５０ｅｍｕ／ｃｃである。第２キャップ層３１は、厚さが約１ｎｍであってもよく、部分酸化キャップ層を、ＣｏＰｔ１８Ｃｒ１３Ｂ７から形成してもよい。
【００２０】
ハードディスクドライブ用の磁気媒体を製造する方法の実施形態によっては、方法は、基板を提供するステップと、基板の上に本明細書で説明したような複数の層を酸化物層２５（図１）まで形成するステップと、単一の部分酸化キャップを形成するように酸化部分が非酸化キャップ部分と一体化した部分酸化キャップ層を形成するステップと、部分酸化キャップ層の上に第２キャップ層を形成するステップと、第２キャップ層の上にカーボンオーバーコート（ＣＯＣ）を形成するステップとを含む。
【００２１】
他の実施形態では、部分酸化キャップ層は、スパッタリングなしでアルゴンおよび酸素（たとえば５％）の混合物を流すことにより、均一に酸素を分散させ酸化部分を形成するステップと、遅延（たとえば半秒間）後、堆積を開始するステップと、さらなる遅延（たとえばさらに半秒間）後、酸素流を終了させることにより、非酸化キャップ部分を完成するステップとによって形成される。この層を、最初に不活性ガスおよび酸素を流すことにより酸化部分を成長させ、部分酸化キャップ層の膜成長の中間で酸素流を停止し、媒体堆積を継続して非酸化キャップ層を完成させることによって形成してもよい。さらに、第２キャップ層を、ＣｏＰｔ１８Ｃｒ１３Ｂ７および４０ｓｃｃｍのアルゴンガスを用いて、約１ｎｍの厚さで形成してもよい。
【００２２】
図８を参照すると、本発明によって構成されるハードディスクドライブアセンブリ１００の概略図が示されている。ハードディスクドライブアセンブリ１００は、概して、動作中にスピンドルモータ（図示せず）によって高速で回転する垂直磁気記録媒体１０２を含む、１つまたは複数のハードディスクを有している。ここで、磁気記録媒体１０２についてより完全に説明する。ディスク面の一方または両方に形成された同心データトラック１０４は、磁気情報を受け取りかつ格納する。
【００２３】
読取り／書込みヘッド１１０を、アクチュエータアセンブリ１０６によってディスク面にわたって移動させることができ、これにより、ヘッド１１０は、特定のトラック１０４から磁気データを読み出すかまたはそこに磁気データを書き込むことができる。アクチュエータアセンブリ１０６は、ピボット１１４上で枢動することができる。アクチュエータアセンブリ１０６は、サーボ制御として知られる閉ループフィードバックシステムの一部を形成することができる。この閉ループフィードバックシステムは、垂直磁気記録媒体１０２の熱膨張とともに振動および他の外乱を補償するように、読取り／書込みヘッド１１０を動的に位置決めする。サーボ制御システムには、複雑な計算アルゴリズムも含まれており、それは、関連するコンピュータからデータアドレス情報を受け取り、それを垂直磁気記録媒体１０２上の位置に変換し、それに従って読取り／書込みヘッド１１０を移動させる、マイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッサまたはアナログ信号プロセッサ１１６によって実行される。
【００２４】
特に、読取り／書込みヘッド１１０は、ディスクに記録されたサーボパターンを周期的に参照することにより、正確なヘッド１１０の位置決めを確実にする。サーボパターンを用いて、読取り／書込みヘッド１１０が特定のトラックを正確に追従することを確実にし、かつ１つのトラック１０４から別のトラック１０４までのヘッド１１０の移行を制御し監視することができる。サーボパターンを参照する時、読取り／書込みヘッド１１０はヘッド位置情報を取得する。この位置情報により、制御回路１１６は、後に、いかなる検出エラーも訂正するようにヘッド１１０を再度位置合せすることができる。
【００２５】
サーボパターンを、複数のデータトラック１０４内に埋め込まれた、設計されたサーボセクタ１１２に含めることにより、最適なディスクドライブ性能を得るようにサーボパターンを頻繁にサンプリングすることができる。典型的な垂直磁気記録媒体１０２では、埋め込まれたサーボセクタ１１２は、車輪の中心からのスポークのように、垂直磁気記録媒体１０２の中心から実質的に放射状に延在する。しかしながら、スポークと異なり、サーボセクタ１１２は、読取り／書込みヘッド１１０の動きの範囲に実質的に一致するように較正された、微細な弧状の経路を形成する。
【００２６】
ここに書かれた説明は、例を用いて、最良の形態を含む本発明を開示し、また当業者が本発明を作成し使用することができるようにする。本発明の特許可能な範囲は、特許請求の範囲によって定義されており、当業者に思いつく他の例を含み得る。こうした他の例は、特許請求の範囲の文字通りの言葉とは異ならない構造的要素を有する場合、または特許請求の範囲の文字通りの言葉との相違が実質的でない等価な構造的要素を含む場合、特許請求の範囲内にあるように意図されている。本発明を、その形態のいくつかにおいてのみ示しまたは説明したが、当業者には、それがそのように限定されず、本発明から逸脱することなくさまざまな変更が可能であることが明白なはずである。
【符号の説明】
【００２７】
１１  磁気媒体
１３  酸化物層
１５  酸化物層
１７  キャップ層
１９  キャップ層
２１  磁気媒体
２３  部分酸化キャップ層
２５  第１酸化物層
２７  酸化部分
２９  非酸化キャップ部分
３１  第２キャップ層
３２  基板
３３  軟磁性裏打ち層
３４  反強磁性結合層
３５  第２ＳＵＬ
３６  テンプレート層
３７  交換ブレーク層
３８  カーボンオーバーコート
４１  混合気体
４３  堆積
４５  気体流の終了
５１  酸素混合Ａｒ流量に依存するＨｃのグラフ
６１  酸素流量に依存するＨｎ値のグラフ
７１  酸素流量に依存するＳＮＲのグラフ
８１  酸素流量に依存するＭＣＷのグラフ
９１  ＳＮＲに依存する酸化層厚さのグラフ
１００  ハードディスクドライブアセンブリ
１０２  垂直磁気記録媒体
１０４  トラック
１０６  アクチュエータアセンブリ
１１０  読取り／書込みヘッド
１１２  サーボセクタ
１１４  ピボット
１１６  制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2011034665.tif 000008
【図７】
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【図８】
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