(57)【要約】  【課題】アクセス装置から高温になった不揮発性記憶装置を取り出したときの支障を回避することと、不揮発性記憶装置への高速なデータの転送とを両立する。  【解決手段】不揮発性記憶装置１００Ａは、データを記憶する不揮発性メモリ１２０と、不揮発性メモリ１２０にデータを読み書きするメモリコントローラ１１０Ａとを備える。メモリコントローラ１１０Ａは、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂが不揮発性記憶装置１００Ａの排出を抑制する排出制御機構２０３を有するかどうかの情報である排出制御情報を取得する情報取得部１０１と、排出制御情報に応じて、データの読み出し又は書き込みのアクセスレートを制御するアクセスレート制御部１０６Ａと、を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクセス装置に装着可能であり、前記アクセス装置からの指示に応じて、データの読み出し及び書き込みを行う不揮発性記憶装置であって、
データを記憶する不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリにデータを読み書きするメモリコントローラと、
を備え、
前記メモリコントローラは、
前記アクセス装置が前記不揮発性記憶装置の排出を抑制する排出制御に関する情報である排出制御情報を取得する情報取得部と、
前記排出制御情報に応じて、データの読み出し又は書き込みのアクセスレートを制御するアクセスレート制御部と、
を有する、
不揮発性記憶装置。
【請求項２】
前記アクセスレート制御部は、
データの読み出し又は書き込み時の前記不揮発性記憶装置の温度を取得する温度取得部と、
前記温度が第１の閾値温度よりも高くなったときに、データの読み出し又は書き込みを停止し、前記温度が、前記第１の閾値温度よりも低い第２の閾値温度を下回ったときにデータの読み出し又は書き込みを再開する温度適応型制御部と、
前記排出制御情報に応じて、前記第１の閾値温度及び前記第２の閾値温度の少なくとも一方の値を異なる値に設定する閾値温度設定部と、
を含む、
請求項１に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３】
前記閾値温度設定部は、
前記アクセス装置が排出制御機構を有しない場合の、前記不揮発性記憶装置の上限温度の限界値である前記第１の閾値温度を、前記アクセス装置が排出制御機構を有する場合の第１の閾値温度よりも低く設定する、
請求項２に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４】
前記アクセスレート制御部は、
前記アクセス装置が排出制御機構を有しない場合は、データの読み出し又は書き込みのアクセスレートを第１のアクセスレートに設定し、
前記アクセス装置が排出制御機構を有する場合は、データの読み出し又は書き込みのアクセスレートを前記第１のアクセスレートよりも高い第２のアクセスレートに設定する、
請求項１に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項５】
請求項１に記載の不揮発性記憶装置を装着可能であり、前記不揮発性記憶装置に対しデータの書き込み及び読み出しを指示するアクセス装置であって、
データの読み出し又は書き込みを開始する前に、前記アクセス装置が前記不揮発性記憶装置の排出を抑制する排出制御に関する情報である排出制御情報を前記不揮発性記憶装置に通知する、
アクセス装置。
【請求項６】
前記排出制御部を備え、
装着された前記不揮発性記憶装置の排出の抑制を開始し、
データの読み出し又は書き込みを終了した後に、前記不揮発性記憶装置の前記温度に関する情報を取得し、
前記温度が所定温度を下回っているかどうかを判断し、
前記所定温度を下回っている場合は前記不揮発性記憶装置の前記排出の抑制を解除する、
請求項５に記載のアクセス装置。
【請求項７】
前記不揮発性記憶装置を冷却するための冷却部、
を更に備える、請求項５に記載のアクセス装置。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の不揮発性記憶装置と、
請求項５〜７のいずれか１項に記載のアクセス装置と、
を備える、不揮発性記憶システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性メモリを備えた半導体メモリカード等の不揮発性記憶装置と、不揮発性記憶装置にアクセスするアクセス装置、及びこれらを含む不揮発性記憶システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
書き換え可能な不揮発性メモリを備える不揮発性記憶装置は、半導体メモリカードを中心にその需要が広まっている。半導体メモリカードは、光ディスクやテープメディア等と比較して高価格なものではある。しかし、半導体メモリカードは、小型・軽量・耐震性・取り扱いの簡便さ等のメリットが大きいので、デジタルスチルカメラや携帯電話等、ポータブル機器の記録媒体としてその需要が広まっており、最近では民生用動画記録機器や放送局向けのプロ用動画記録機器の記録媒体としても利用されるようになってきた。加えて、ポータブル機器だけではなくデジタルテレビやＤＶＤレコーダ等の据え置き機器にも半導体メモリカード用のスロットが標準搭載されている。これによってデジタルスチルカメラで撮影した静止画をデジタルテレビで閲覧したり、民生用動画記録機器で撮影した動画をＤＶＤレコーダへダビングしたりできるようになっている。
【０００３】
この半導体メモリカードは、不揮発性の主記憶メモリとしてフラッシュメモリを備え、それを制御するメモリコントローラを有している。メモリコントローラは、デジタルスチルカメラ本体等のアクセス装置からのデータの読み書き指示に応じて、フラッシュメモリに対するデータの読み書き制御を行うものである。
近年、静止画や動画等のＡＶコンテンツの高品質化、すなわち１コンテンツあたりのデータサイズの大容量化に対応するために、半導体メモリカードの大容量化のニーズが高まっている。それに伴い、半導体メモリカードに記録したＡＶコンテンツを、ハードディスクレコーダやパーソナルコンピュータに内蔵されたハードディスクやＤＶＤレコーダ等の記録媒体にダビングする際、半導体メモリカードからより高速にデータを読み出せる性能が求められている。また、ハードディスク等の記録媒体に記憶されたＡＶコンテンツを半導体メモリカードにダビングする際、半導体メモリカードに対してより高速にデータを書き込める性能が求められている。つまり、記録したデータを記録媒体間で高速にダビングすることによって、ユーザの待ち時間を短くすることが今後重要となる。
【０００４】
ところが一般的に、高速でデータを読み書きすると、主にフラッシュメモリの発熱によって半導体メモリカードの表面温度が非常に高くなる。そこで、フラッシュメモリの発熱を抑制し、且つ高速でデータを読み書きできる不揮発性記憶装置、アクセス装置、及び不揮発性記憶システムが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第０８／０９３６０６号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記の従来技術には次のような問題点がある。
従来技術では、不揮発性記憶装置を取り扱う上で支障がある温度の下限を示す極限温度（以降はＴｒｉｓｋと記述）を定義し、不揮発性記憶装置がデータの読み書きを行うときにＴｒｉｓｋよりも温度が高くならないように制御する。この方法は、不揮発性記憶装置が常に排出され得る状況にある場合に有効である。しかし、アクセス装置が不揮発性記憶装置の排出を制御することができる場合には、動作温度をＴｒｉｓｋ以下に抑えることでデータの読み書き速度の低下を招くので好ましくない。
本発明は、上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、不揮発性記憶装置の排出の管理と高速なデータ転送とを両立させる不揮発性記憶装置、アクセス装置、及び不揮発性記憶システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の発明は、アクセス装置に装着可能であり、アクセス装置からの指示に応じて、データの読み出し及び書き込みを行う不揮発性記憶装置であって、データを記憶する不揮発性メモリと、不揮発性メモリにデータを読み書きするメモリコントローラと、を備える。
メモリコントローラは、情報取得部と、アクセスレート制御部と、を有する。情報取得部は、アクセス装置が不揮発性記憶装置の排出を抑制する排出制御に関する情報である排出制御情報を取得する。アクセスレート制御部は、排出制御情報に応じて、データの読み出し又は書き込みのアクセスレートを制御する。
ここでは、アクセス装置が不揮発性記憶装置の排出制御情報に応じて、データの読み出し又は書き込みのアクセスレートを制御することにより、不揮発性記憶装置の排出による支障を回避しつつ、高速なデータ転送を可能にする。
【０００８】
第２の発明は、第１の発明であって、アクセスレート制御部は、温度取得部と、温度適応型制御部と、閾値温度設定部と、を含む。温度取得部は、データの読み出し又は書き込み時の不揮発性記憶装置の温度を取得する。温度適応型制御部は、温度が第１の閾値温度よりも高くなったときに、データの読み出し又は書き込みを停止し、温度が、第１の閾値温度よりも低い第２の閾値温度を下回ったときにデータの読み出し又は書き込みを再開する。閾値温度設定部は、排出制御情報に応じて、第１の閾値温度及び第２の閾値温度の少なくとも一方の値を異なる値に設定する。
ここで、温度取得部は、例えば、温度センサにより温度を計測すること、アクセスレートや周囲温度等に応じて温度を算出すること、或いはアクセス装置から温度情報を取得すること等を含む。
【０００９】
ここでは、アクセス装置が不揮発性記憶装置の排出制御情報に応じて、閾値温度を変更し、その閾値温度に応じてデータの読み出し又は書き込みを停止したり或いは再開したりする制御を行う。これにより、不揮発性記憶装置の排出の管理をしつつ、高速なデータ転送を可能にする。
第３の発明は、第２の発明であって、閾値温度設定部は、アクセス装置が排出制御機構を有しない場合の、不揮発性記憶装置の上限温度の限界値である第１の閾値温度を、アクセス装置が排出制御機構を有する場合の第１の閾値温度よりも低く設定する。
ここで、不揮発性記憶装置の上限温度の限界値とは、例えば、高温になった不揮発性記憶装置が排出されても支障がないことを保障する温度の上限値である。
ここでは、不揮発性記憶装置が排出制御機構を有しない場合は、閾値温度を、危険回避を保障する温度とし、排出制御機構を有する場合は、前記温度より高く設定する。これにより、排出制御機構を有する場合、すなわち不揮発性記憶装置の排出が抑制されている場合は、高速データ転送を実現することができる。
【００１０】
第４の発明は、第１の発明であって、アクセスレート制御部は、アクセス装置が排出制御機構を有しない場合は、データの読み出し又は書き込みのアクセスレートを第１のアクセスレートに設定し、アクセス装置が排出制御機構を有する場合は、データの読み出し又は書き込みのアクセスレートを第１のアクセスレートよりも高い第２のアクセスレートに設定する。
ここでは、不揮発性記憶装置が排出制御機構を有する場合において、排出制御機構を有しない場合よりもアクセスレートを高く設定することにより、不揮発性記憶装置を排出したときの支障を回避しつつ、高速なデータ転送を可能にする。
第５の発明は、第１の発明の不揮発性記憶装置を装着可能であり、同不揮発性記憶装置に対しデータの書き込み及び読み出しを指示するアクセス装置である。アクセス装置は、データの読み出し又は書き込みを開始する前に、アクセス装置が不揮発性記憶装置の排出を抑制する排出制御に関する情報である排出制御情報を不揮発性記憶装置に通知する。
【００１１】
ここでは、アクセス装置が排出制御に関する情報を不揮発性記憶装置に通知することにより、不揮発性記憶装置を排出したときの支障を回避しつつ、高速なデータ転送を可能にする。
第６の発明は、第５の発明であって、アクセス装置は排出制御部を備える。更にアクセス装置は、装着された不揮発性記憶装置の排出の抑制を開始し、データの読み出し又は書き込みを終了した後に、不揮発性記憶装置の温度に関する情報を取得し、温度が所定温度を下回っているかどうかを判断し、同所定温度を下回っている場合は不揮発性記憶装置の排出の抑制を解除する。
ここでは、アクセス装置が排出制御部を有する場合、不揮発性記憶装置の排出による支障を回避できる確実なタイミングで、不揮発性記憶装置の排出を行うことができる。
【００１２】
第７の発明は、第５の発明であって、アクセス装置は不揮発性記憶装置を冷却するための冷却部を更に備える。
ここでは、アクセス装置が冷却部を備えることによって、不揮発性記憶装置の排出の待ち時間を短縮することができる。
第８の発明は、第１〜第４の発明のいずれか１つの不揮発性記憶装置と、第５〜第７の発明のいずれか１つのアクセス装置と、を備える不揮発性記憶システムである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、不揮発性記憶装置の温度管理と、高速なデータ転送と、が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態における不揮発性記憶システムの全体構成を示すブロック図
【図２】上記実施形態に係るメモリコントローラの初期化処理及び読み書き動作を示すフローチャート
【図３】上記実施形態に係るアクセス装置の読み書き動作及び排出動作を示すフローチャート
【図４】上記実施形態においてアクセス装置に接続された場合の不揮発性記憶装置の温度変化を表すグラフ
【図５】上記実施形態においてアクセス装置に接続された場合の不揮発性記憶装置の温度変化を表すグラフ
【図６】本発明の第２実施形態における不揮発性記憶システムの全体構成を示すブロック図
【図７】上記実施形態に係るメモリコントローラの読み書き動作を示すフローチャート
【図８】上記実施形態においてアクセス装置に接続された場合の不揮発性記憶装置の温度変化を表すグラフ
【図９】本発明の第３実施形態における不揮発性記憶システムの全体構成を示すブロック図
【図１０】本発明の第４実施形態における不揮発性記憶システムの全体構成を示すブロック図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照しながら説明する。
（第１実施形態）
＜１．１．不揮発性記憶システム１の構成＞
本発明の第１実施形態における不揮発性記憶システム１の構成について、図１を用いて説明する。
本実施形態の不揮発性記憶システム１は、不揮発性記憶装置１００Ａと、不揮発性記憶装置１００Ａが装着されるアクセス装置２００Ａ又は２００Ｂとを含む。なお、不揮発性記憶装置１００Ａは、後述するロック機構を備えるアクセス装置２００Ａとロック機構を備えないアクセス装置２００Ｂのいずれにも装着可能に構成されている。
＜１．１．１．アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂの構成＞
アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂは、例えば、デジタルスチルカメラや携帯電話等のポータブル機器、ビデオカメラ等の動画記録機器、デジタルテレビやＤＶＤレコーダ等の据え置き機器等、半導体メモリカードを記録媒体として装着可能な機器や装置である。
【００１６】
アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂは、不揮発性記憶システム１に関する情報を表示する表示部２０１と、制御部２０２と、排出抑制部(排出制御機構・排出制御部)２０３とを含む。制御部２０２は、不揮発性記憶装置１００Ａにアクセスしてデータを書き込んだり読み出したりすると共に、不揮発性記憶装置１００Ａから受信した情報のうち必要な情報を表示部２０１に表示するよう制御するものである。
排出抑制部２０３は、装着された不揮発性記憶装置１００Ａがデータの書き込みや読み出しによって高温となり支障があるとき等に不揮発性記憶装置１００Ａの排出を抑制するロック機構であり、制御部２０２によって制御される。
アクセス装置２００Ｂは、表示部２０１と、制御部２０２とを含む。アクセス装置２００Ｂは、排出抑制部２０３、すなわちロック機構を含まない
＜１．１．２．不揮発性記憶装置１００Ａの構成＞
次に、不揮発性記憶装置１００Ａについて説明する。
【００１７】
不揮発性記憶装置１００Ａは、上述したロック機構を備えるアクセス装置２００Ａとロック機構を備えないアクセス装置２００Ｂのいずれにも装着可能なように構成されている。
図１に示すように不揮発性記憶装置１００Ａは、メモリコントローラ１１０Ａと、フラッシュメモリ群である不揮発性メモリ１２０とを含む。
メモリコントローラ１１０Ａは、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂとの通信を行うホストインターフェース（ホストＩＦ）（情報取得部）１０１と、バッファ１０２と、読み書き制御部１０３と、ＣＰＵ１０４と、アドレス管理部１０５と、アクセスレート制御部１０６Ａとを含む。
バッファ１０２は、ＲＡＭ等で構成され、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂから転送されたデータ、あるいは不揮発性メモリ１２０から読み出されたデータを一時的に保持する。アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂとメモリコントローラ１１０Ａ間のデータ転送と、メモリコントローラ１１０Ａと不揮発性メモリ１２０間のデータ転送の単位の違いを吸収するのに利用される。
【００１８】
読み書き制御部１０３は、アドレス管理部１０５が指定した物理アドレスに基づいてバッファ１０２に一時的に保持されたデータを不揮発性メモリ１２０に書き込む。更に、読み書き制御部１０３は、不揮発性メモリ１２０からデータを読み出し、該データを一時的にバッファ１０２に保持する。
ＣＰＵ１０４は、内部にプログラム用ＲＯＭや作業用のＲＡＭ等を含み、メモリコントローラ１１０Ａ全体を制御するものである。
アドレス管理部１０５は、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂのアクセスに伴って転送された論理アドレスを不揮発性メモリ１２０の物理アドレスに変換し、不揮発性メモリ１２０の記録状態等を管理するブロックである。なお、アドレス管理方法については一般的な技術を用いて実現できるので、説明を省略する。
【００１９】
アクセスレート制御部１０６Ａは、温度検出部（温度取得部）１１１と、温度適応型制御部１１２と、閾値温度決定部（閾値温度設定部）１１３とを含む。
温度検出部１１１は、サーミスタ等の温度センサを含み、不揮発性記憶装置１００Ａの温度（以下、温度Ｔという）を検出する。
温度適応型制御部１１２は、温度センサで測定された温度Ｔと閾値温度決定部１１３によって決定される第１又は第２の閾値温度とを比較し、その結果を基にしてデータ読み書きの中断やアクセスレートの変更を行うものである。
閾値温度決定部１１３は、排出抑制部２０３を有するアクセス装置２００Ａなのか、排出抑制部２０３を有しないアクセス装置２００Ｂなのかの情報である排出制御情報をアクセス装置２００Ａ又は２００Ｂからの通知によって取得し、その結果を基にして前記第１又は第２の閾値温度を決定する。
【００２０】
＜１．２．不揮発性記憶システム１の動作＞
＜１．２．１．不揮発性記憶装置１００Ａの動作＞
まず、不揮発性記憶装置１００Ａの動作を説明する。
図２は、メモリコントローラ１１０Ａによる初期化処理及びデータの読み書き動作を示すフローチャートである。
≪ステップＳ１０１〜Ｓ１１１≫
不揮発性記憶装置１００Ａの電源投入時の初期化動作は、従来のメモリコントローラと基本的に同様である。アドレス管理部１０５が、不揮発性メモリ１２０に格納されたアドレス管理のためのシステム情報を読み書き制御部１０３を介して読み出し、同システム情報に基づきアドレス管理部１０５内に論理アドレス／物理アドレスの変換テーブル等を構成する。
【００２１】
更に、本実施形態による不揮発性メモリシステム１の特徴として、不揮発性記憶装置１００Ａのメモリコントローラ１１０Ａは、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂから排出抑制部２０３の有無を示す情報である排出制御情報を受信する（Ｓ１０１）。
閾値温度決定部１１３は、ステップＳ１０１において取得した排出制御情報に基づき排出抑制部２０３の有無を判断する（Ｓ１０２）。
排出抑制部２０３が無い場合には、第１の閾値温度Ｔｔｈ１の値をＴｒｉｓｋに、第２の閾値温度Ｔｔｈ２の値をＴｒｉｓｋよりも低い安全温度Ｔｓａｆｅに決定する（Ｓ１０３）。
ここで、Ｔｒｉｓｋは、不揮発性記憶装置１００Ａを排出しても支障が無いと考えられる不揮発性記憶装置の温度の上限限界値とする。また、Ｔｓａｆｅは、好ましい状態で不揮発性記憶装置１００Ａを排出する際の、不揮発性記憶装置１００Ａの温度の上限値である。なお、本実施の形態では、上記のように２つの閾値温度を設定し、それぞれの設定温度の意味を設けているが、閾値温度の設定目的は上記の内容に限定するものではない。閾値温度は、その目的に応じて設定するものであればいずれのものでもよい。
【００２２】
一方、排出抑制部２０３がある場合には、第１の閾値温度Ｔｔｈ１の値をメモリコントローラ１１０Ａが動作可能な温度の上限値であるＴｏｐｅ１に決定する。また、第２の閾値温度Ｔｔｈ２の値をＴｏｐｅ１よりも低い温度であるＴｏｐｅ２に決定する（Ｓ１０４）。なお、一般的にＴｏｐｅ１はＴｒｉｓｋよりも高い温度となる。
以上の処理の後、メモリコントローラ１１０Ａは、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂから、不揮発性メモリ１２０に対する書き込みを指示する書き込みコマンド、もしくは読み出しを指示する読み出しコマンドを待つ（Ｓ１０５）。
メモリコントローラ１１０Ａが書き込みコマンドを受信する場合、ＣＰＵ１０４はコマンドの引数として転送される論理アドレスをアドレス管理部１０５に渡し、アドレス管理部１０５は該論理アドレスに基づき物理ブロックを決定する。更に、ＣＰＵ１０４はアクセス装置２００Ａ又は２００Ｂから転送されるデータをバッファ１０２に格納し、不揮発性メモリ１２０への書き込み単位分のデータの準備が完了したら、読み書き制御部１０３を介して不揮発性メモリ１２０の前記物理ブロックにデータを順次書き込む。（Ｓ１０６）
また、メモリコントローラ１１０Ａが読み出しコマンドを受信する場合、ＣＰＵ１０４は、コマンドの引数として転送される論理アドレスをアドレス管理部１０５に渡す。アドレス管理部１０５は、該論理アドレスに基づき物理ブロックを決定する。ＣＰＵ１０４は読み書き制御部１０３を介して不揮発性メモリ１２０の該物理ブロックにアクセスし、前記論理アドレス以降のデータをバッファ１０２に読み出し、転送単位分のデータの準備が完了したら、データをアクセス装置２００Ａ又は２００Ｂに順次転送する（Ｓ１０６）。
【００２３】
ステップＳ１０６において、不揮発性記憶装置１００Ａからアクセス装置２００Ａ又は２００Ｂに対しある一定のサイズ（例えば１６ｋＢ）のデータ転送が完了したら（Ｓ１０７）、温度適応型制御部１１２は、温度検出部１１１が検出した不揮発性記憶装置１００Ａの温度Ｔと第１の閾値温度Ｔｔｈ１とを比較する（Ｓ１０８）。
なお、前記ある一定のサイズを不揮発性記憶装置１００Ａで使用するファイルシステムのクラスタサイズやブロックサイズ等の、従来のメモリコントローラで使用する単位とすると、設計が容易となる。
ステップＳ１０８で、温度Ｔが第１の閾値温度Ｔｔｈ１より大きいと判断された場合、温度適応型制御部１１２が、読み書き制御部１０３のデータ読み書きを中断させる。
このとき、書き込みコマンド処理中ならば、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂに次のデータ転送を待つように指示するためのビジー情報を送信する（Ｓ１０９）。
【００２４】
温度適応型制御部１１２は、ビジー情報を送信しながら、温度Ｔが第２の閾値温度Ｔｔｈ２を下回ったかどうかを判断する（Ｓ１１０）。
ステップＳ１１０で、温度Ｔが第２の閾値温度Ｔｔｈ２を下回ったと判断されなければステップＳ１０９に戻る。したがって、ステップＳ１１０で温度Ｔが第２の閾値温度Ｔｔｈ２を下回るまでビジー情報が送信される。
一方、読み出しコマンド処理中ならば何もしないで待つ（Ｓ１０９）。
温度適応型制御部１１２は、温度Ｔが第２の閾値温度Ｔｔｈ２を下回ったかどうかを判断する（Ｓ１１０）。ステップＳ１１０で、温度Ｔが第２の閾値温度Ｔｔｈ２を下回ったと判断されなければＳ１０９に戻る。したがって、ステップＳ１１０で温度Ｔが第２の閾値温度Ｔｔｈ２を下回るまで何もしないで待つ。
【００２５】
ステップＳ１１０で温度Ｔが第２の閾値温度Ｔｔｈ２を下回ったと判断されれば、ＣＰＵ１０４は、メモリコントローラ１１０Ａがアクセス装置２００Ａ又は２００Ｂからの転送終了コマンドを受信したかどうかを判断する（Ｓ１１１）。転送終了コマンドを受信した場合は、ステップＳ１０５に移り、次の読み書き指示を待つ。
一方、転送終了コマンドを受信しなかった場合は、ステップＳ１０６に移り、データの書き込み又は読み出しの処理を継続する。
＜１．２．２．アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂの動作＞
次にアクセス装置２００Ａ又は２００Ｂの動作を説明する。図３は、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂの読み書き動作及び排出動作を示すフローチャートである。
≪ステップＳ２０１〜Ｓ２１１≫
アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂに不揮発性記憶装置１００Ａが装着された後、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂが排出抑制部２０３を備えているかどうかを判断する（Ｓ２０１）。
【００２６】
排出抑制部２０３を備えているアクセス装置２００Ａである場合には不揮発性記憶装置１００Ａの排出の抑制を開始する（Ｓ２０２）。
不揮発性記憶装置１００Ａの初期化処理の手順は従来のアクセス装置と基本的に同様である。アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂは、不揮発性記憶装置１００Ａに対して初期化処理の開始を指示するコマンド等を送信する。更に、本実施形態による不揮発性記憶システム１の特徴として、アクセス装置２００Ａは、排出抑制部２０３に関する情報である排出制御情報を不揮発性記憶装置１００Ａに通知する（Ｓ２０３）。
その後、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂの制御部２０２は、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂが実現する機能に応じて不揮発性記憶装置１００Ａへのデータの読み書きの必要性を判断する（Ｓ２０４）。
【００２７】
アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂは、ステップＳ２０４の判断結果に応じて不揮発性記憶装置１００Ａに読み出しコマンドを発行したり、書き込みコマンドを発行して書き込みデータを転送したりする（Ｓ２０５）。
アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂは、ユーザからの指示等によって、装着された不揮発性記憶装置１００Ａを排出する必要が発生したかどうかを判断する（Ｓ２０６）。
ステップＳ２０６において、排出する必要があると判断された場合、アクセス装置が排出抑制部２０３を備えているアクセス装置２００Ａである場合には（Ｓ２０７）、アクセス装置２００Ａは不揮発性記憶装置１００Ａに対して情報取得用のコマンドの発行等を行い不揮発性記憶装置１００Ａの温度Ｔに関する情報を取得する（Ｓ２０８）。
ステップＳ２０８において取得された不揮発性記憶装置１００Ａの温度Ｔに関する情報に基づき、不揮発性記憶装置１００Ａの排出の抑制を解除できるかを判定する（Ｓ２０９）。
【００２８】
例えば、ステップＳ２０９において、アクセス装置２００Ａは、ステップＳ２０８で温度Ｔと閾値温度Ｔｒｉｓｋとを取得する。ステップＳ２０８で取得された温度Ｔが閾値温度Ｔｒｉｓｋを下回っているか否か、すなわち、不揮発性記憶装置１００Ａを排出しても支障が生じないかという情報を取得し、ステップＳ２０９で支障が生じないならば排出の抑制を解除できると判定する。
排出可能と判断した場合には、排出抑制部２０３による排出の抑制は解除され（Ｓ２１０）、不揮発性記憶装置１００Ａが排出される（Ｓ２１１）。
一方、排出抑制部２０３を備えていないアクセス装置２００Ｂである場合には、不揮発性記憶装置１００Ａは排出要求後に即座に排出される（Ｓ２１１）。
＜１．３．不揮発性記憶システム１の動作による温度変化＞
次に、以上で述べた不揮発性記憶システム１の動作による不揮発性記憶装置１００Ａの温度上昇について説明する。
【００２９】
図４及び図５は、読み書き処理に対応する不揮発性記憶装置１００Ａの温度Ｔの時間特性を表すグラフを示す。図４は、不揮発性記憶装置１００Ａが排出抑制部２０３を有するアクセス装置２００Ａに装着された場合のグラフであり、図５は、排出抑制部２０３を有しないアクセス装置２００Ｂに装着された場合のグラフである。
いずれの場合も、読み書き処理の開始時刻ｔ０における温度Ｔは不揮発性記憶システム１の周囲温度ＴＥと等しい。その後、読み書き処理に伴う不揮発性メモリ１２０での電力消費による発熱が主要因となって、温度Ｔが上昇していく。温度Ｔが第１の閾値温度Ｔｔｈ１（Ｔｏｐｅ１）に達する時刻ｔ１の時点で、図２におけるステップＳ１０８の判定により、データの読み書き処理が中断されるため、温度Ｔが低下し始める。温度Ｔが第２の閾値温度Ｔｔｈ２（Ｔｏｐｅ２）を下回った時刻ｔ２で、データの読み書き処理が再開され、再び温度Ｔが上昇し始める。
【００３０】
データの読み書き処理が中断される時間帯が少ないほど高速なデータ読み書きが可能となる。従って、排出抑制部２０３を有するアクセス装置２００Ａは、排出抑制部２０３を有しないアクセス装置２００Ｂに比べ、第１の閾値温度Ｔｔｈ１に達するまでの時間が長い分だけ高速なデータ転送が可能となる。
また、一般的に温度Ｔと周囲温度ＴＥとの温度差が大きいほど放熱効率が高まるため、第１の閾値温度Ｔｔｈ１がより高いアクセス装置２００Ａのほうが放熱に有利である。従って、第１の閾値温度Ｔｔｈ１と第２の閾値温度Ｔｔｈ２との温度差が同じである場合、データの読み書き処理が中断された後にデータの読み書き処理が再開されるまでの時間（ｔ２−ｔ１）は、アクセス装置２００Ａの方がアクセス装置２００Ｂよりも短縮できる。従って、アクセス装置２００Ａのほうが高速なデータ転送が可能となる。
【００３１】
図４及び図５において、温度Ｔが最も高温となる時刻ｔｘに不揮発性記憶装置１００Ａの排出要求があったとする。排出抑制部２０３を有するアクセス装置２００Ａは図４に示すように温度Ｔが閾値温度Ｔｒｉｓｋを超えているため、図３のステップＳ２０８〜Ｓ２０９の処理により温度Ｔが閾値温度Ｔｒｉｓｋを下回るまで不揮発性記憶装置１００Ａの排出を抑制する。これによって不揮発性記憶装置を排出することによる支障を回避することができる。
一方、排出抑制部２０３を有しないアクセス装置２００Ｂは、図５に示すように温度Ｔが閾値温度Ｔｒｉｓｋを超えないよう制御されているので、不揮発性記憶装置１００Ａの排出を抑制できなくても、排出時の支障を回避できる。
なお、アクセス装置２００Ａは、図４に示すように、温度Ｔが最も高温となる時刻ｔｘの後に、温度Ｔが閾値温度Ｔｒｉｓｋになる時刻ｔｙまでの排出を待たなければならない。この時間（ｔｙ−ｔｘ）はデータ転送速度を低下させる要因となる。しかし、時間（ｔｙ−ｔｘ）は、周囲温度ＴＥとの差が大きく効率的な放熱が期待できるために比較的短い時間であり、かつ、この待ち時間は不揮発性記憶装置１００Ａを排出する際の１回しか発生しないため、特に転送するデータが多い場合には影響が少ない。
【００３２】
更に、アクセス装置２００Ａが不揮発性記憶装置１００Ａを冷却するための冷却部を搭載すれば、排出時の待ち時間（ｔｙ−ｔｘ）を短縮することが可能である。
＜１．４．第１実施形態の効果＞
以上のように、本実施形態によれば、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂが不揮発性記憶装置１００Ａの排出制御機構を有するか否かを判断し、その結果に応じて閾値温度を変更し、温度と閾値温度との比較結果に応じてデータの読み出し又は書き込みを停止したり再開したりする制御を行う。これにより、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂから不揮発性記憶装置１００Ａを排出することによる支障を回避するとともに、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂが排出抑制部２０３を有する場合は、排出抑制部２０３を有しない場合よりも高速なデータの読み書きを実現できる。
【００３３】
従って、高温の不揮発性記憶装置を排出することでの支障と、高速なデータ読み書きとの両立を行う手段を提供することが可能となる。
また、本実施形態は、特に大容量化及び高速化が進むフラッシュメモリを用いた半導体記録媒体において特に有効である。
なお、本実施形態では、アクセス装置の排出制御機構の有無でデータ転送の制御を行う場合を示したが、アクセス装置の情報を排出制御機構の有無のみに限定するものではない。その他の情報として、アクセス装置の排出構造に関する情報、排出の制御方法、又は、不揮発性記憶装置に対する冷却能力の大きさ等の情報であってもよい。つまり、アクセス装置の排出に関する情報であればいずれの情報であってもよい。
（第２実施形態）
＜２．１．不揮発性記憶システム２の構成＞
本発明の第２実施形態における不揮発性記憶システム２の構成について、図６を用いて説明する。なお、第１実施形態と同様の部分については同一の符号を付している。
【００３４】
本実施形態の不揮発性記憶システム２は、不揮発性記憶装置１００Ｂと、不揮発性記憶装置１００Ｂが装着されるアクセス装置２００Ａ又は２００Ｂとを含む。
＜２．１．１．アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂの構成＞
アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂは第１実施形態のものと同様である。
＜２．１．２．不揮発性記憶装置１００Ｂの構成＞
本実施形態の不揮発性記憶装置１００Ｂは、第１実施形態と同様に、ロック機構を備えるアクセス装置２００Ａとロック機構を備えないアクセス装置２００Ｂのいずれにも装着可能なように構成されている。
不揮発性記憶装置１００Ｂは、メモリコントローラ１１０Ｂと、第１実施形態と同様の不揮発性メモリ１２０とを含む。
【００３５】
メモリコントローラ１１０Ｂは、アクセスレート制御部１０６Ｂが温度検出や比較を行なわない点で、第１実施形態のメモリコントローラ１１０Ａとは異なる。
アクセスレート制御部１０６Ｂは、排出抑制部２０３を有するアクセス装置２００Ａなのか、排出抑制部２０３を有しないアクセス装置２００Ｂなのかをアクセス装置からの通知によって取得し、その結果を基にしてアクセスレートの変更を行うものである。
＜２．２．不揮発性記憶システム２の動作＞
＜２．２．１．不揮発性記憶装置１００Ｂの動作＞
まず、不揮発性記憶装置１００Ｂの動作を説明する。
図７は、メモリコントローラ１１０Ｂによる初期化処理及びデータの読み書き動作を示すフローチャートである。
【００３６】
≪ステップＳ３０１〜Ｓ３０７≫
電源投入時の初期化動作は，従来のメモリコントローラと基本的に同様である。アドレス管理部１０５が、不揮発性メモリ１２０に格納されたアドレス管理のためのシステム情報を読み書き制御部１０３を介して読み出し、同システム情報に基づきアドレス管理部１０５内に論理物理変換テーブル等を構成する。
更に、本実施形態による不揮発性メモリシステム２の特徴として、不揮発性記憶装置１００Ｂのメモリコントローラ１１０Ｂは、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂから排出抑制部２０３に関する情報である排出制御情報を受信する（Ｓ３０１）。
アクセスレート制御部１０６Ｂは、ステップＳ３０１において取得した排出制御情報に基づき排出抑制部２０３の有無を判断する（Ｓ３０２）。
【００３７】
排出抑制部２０３が無い場合には、読み書き制御部１０３が不揮発性メモリ１２０にアクセスする速度を低速モードに設定し（Ｓ３０３）、排出抑制部２０３がある場合には高速モードに設定する（Ｓ３０４）。
以上の処理の後、メモリコントローラ１１０Ｂは、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂからの書き込みを指示する書き込みコマンド、もしくは読み出しを指示する読み出しコマンドを待つ（Ｓ３０５）。
メモリコントローラ１１０Ｂが書き込みコマンドを受信する場合、ＣＰＵ１０４はコマンドの引数として転送される論理アドレスをアドレス管理部１０５に渡し、アドレス管理部１０５は該論理アドレスに基づき物理ブロックを決定する。更に、ＣＰＵ１０４はアクセス装置２００Ａ又は２００Ｂから転送されるデータをバッファ１０２に格納し、不揮発性メモリ１２０への書き込み単位分のデータの準備が完了したら、読み書き制御部１０３を介して不揮発性メモリ１２０の前記物理ブロックにデータを順次書き込む（Ｓ３０６）。
【００３８】
また、メモリコントローラ１１０Ｂが読み出しコマンドを受信する場合、ＣＰＵ１０４は、コマンドの引数として転送される論理アドレスをアドレス管理部１０５に渡す。アドレス管理部１０５は、該論理アドレスに基づき物理ブロックを決定する。ＣＰＵ１０４は読み書き制御部１０３を介して不揮発性メモリ１２０の該物理ブロックにアクセスし、前記論理アドレス以降のデータをバッファ１０２に読み出し、転送単位分のデータの準備が完了したら、データをアクセス装置２００Ａ又は２００Ｂに順次転送する（Ｓ３０６）。
ステップ３０６の処理において、読み書き制御部１０３は、ステップＳ３０３又はステップＳ３０４で設定された低速モード又は高速モードに応じて、不揮発性メモリ１２０へのアクセスを低速に行なうか、高速に行うかを切り替える。この切り替えは、不揮発性メモリ１２０へのアクセスのクロックの高低を切り替えたり、不揮発性メモリ１２０への並列書き込みの有無を切り替えたりすることで実現できる。
【００３９】
その後、ＣＰＵ１０４は、メモリコントローラ１１０Ｂがアクセス装置２００Ａ又は２００Ｂからの転送終了コマンドを受信したかどうかを判断する（Ｓ３０７）。転送終了コマンドを受信した場合は、ステップＳ３０５に移り、次の読み書き指示を待つ。一方、転送終了コマンドを受信しなかった場合は、ステップＳ３０６に移り、データの書き込み又は読み出しの処理を継続する。
＜２．２．２．アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂの動作＞
本実施形態に係るアクセス装置２００Ａ又は２００Ｂの動作については、第１実施形態の図３のステップＳ２０８〜Ｓ２０９の処理が異なる。
例えば、不揮発性記憶装置１００Ｂは温度情報を持たないので、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂ側で温度検出部を搭載して温度情報を取得し、排出の可否を判断するようにしてもよい。或いは、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂは、ステップＳ２０８〜Ｓ２０９に代えて、温度ＴがＴｒｉｓｋ以下になることが保証できるようになるまで所定の時間待つようにしてもよい。又は、アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂは、冷却部を搭載し、ステップＳ２０８〜Ｓ２０９に代えて、温度ＴがＴｒｉｓｋ以下になることが保証できるようになるまで所定の時間冷却するようにしてもよい。
【００４０】
それ以外の動作については第１実施形態と同様であるので説明を割愛する。
＜２．３．不揮発性記憶システム２の動作による温度変化＞
次に、以上で述べた不揮発性記憶システム２の動作による不揮発性記憶装置１００Ｂの温度上昇について説明する。
図８は、読み書き処理に対応する不揮発性記憶装置１００Ｂの温度Ｔの時間特性を表すグラフを示す。図８のＡは不揮発性記憶装置１００Ｂが排出抑制部２０３を有するアクセス装置２００Ａに装着された場合のグラフであり、Ｂは不揮発性記憶装置１００Ｂが排出抑制部２０３を有しないアクセス装置２００Ｂに装着された場合のグラフである。
不揮発性記憶装置１００Ｂが排出抑制部２０３を有するアクセス装置２００Ａに装着された場合は、ステップＳ３０４の処理により読み書き制御部１０３が高速モードに設定される。そのため、不揮発性メモリ１２０での電力消費による発熱が高めとなり、読み書き処理が進むと温度Ｔは極限温度ＴｍａｘＡに漸近していく。
【００４１】
不揮発性記憶装置１００Ｂが排出抑制部２０３を有しないアクセス装置２００Ｂに装着された場合は、ステップＳ３０３の処理により読み書き制御部１０３が低速モードに設定される。そのため、不揮発性メモリ１２０での電力消費による発熱が低めとなり、読み書き処理が進むと温度Ｔは極限温度ＴｍａｘＢに漸近していく。
ＴｍａｘＡはメモリコントローラ１１０Ｂが動作可能な温度の上限値であるＴｏｐｅ１に、ＴｍａｘＢは不揮発性記憶装置１００Ｂを排出しても支障とならない温度の限界値であるＴｒｉｓｋになるように調整するものとする。
これにより、排出抑制部２０３を有しないアクセス装置２００Ｂに装着された不揮発性記憶装置１００Ｂが排出されても、不揮発性記憶装置を排出することによる支障を回避することができる。また、アクセス装置２００Ａはより高速なデータ転送が可能となるが、上述のとおり、不揮発性記憶装置１００Ｂを排出する場合には温度ＴがＴｒｉｓｋを下回るまで、排出を抑制するため、不揮発性記憶装置を排出することの支障を回避することができる。
【００４２】
＜２．４．第２実施形態の効果＞
本実施形態では、上記第１実施形態の効果に加えて、不揮発性記憶装置１００Ｂにサーミスタ等の温度センサを実装する必要がないため、不揮発性記憶装置１００Ｂを小型化することができ、またコスト面において有利になる。
（第３実施形態）
＜３．１．不揮発性記憶システム３の構成＞
本発明の第３実施形態における不揮発性記憶システム３の構成について、図９を用いて説明する。なお、第１実施形態と同様の部分については同一の符号を付している。
本実施形態の不揮発性記憶システム３は、不揮発性記憶装置１００Ｃと、不揮発性記憶装置１００Ｃが装着されるアクセス装置２００Ａ又は２００Ｂとを含む。
【００４３】
＜３．１．１．アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂの構成＞
アクセス装置２００Ａ又は２００Ｂは第１実施形態のものと同様である。
＜３．１．２．不揮発性記憶装置１００Ｃの構成＞
本実施形態の不揮発性記憶装置１００Ｃは、第１実施形態と同様に、ロック機構を備えるアクセス装置２００Ａとロック機構を備えないアクセス装置２００Ｂのいずれにも装着可能なように構成されている。
不揮発性記憶装置１００Ｃは、メモリコントローラ１１０Ｃと、第１実施形態と同様の不揮発性メモリ１２０とを含む。
メモリコントローラ１１０Ｃは、アクセスレート制御部１０６Ｃが温度算出部（温度取得部）１１４を有する点で、第１実施形態のメモリコントローラ１１０Ｂとは異なる。
【００４４】
アクセスレート制御部１０６Ｃの温度算出部１１４は、サーミスタ等のセンサを用いるものではなく、読み書きデータの量に応じて不揮発性記憶装置１００Ｃの温度Ｔを擬似的に算出する。例えば、温度算出部１１４は、書き込み時又は読み込み時のアクセスレートとアクセスが行われる時間とに基づき、不揮発性記憶装置１００Ｃの平均上昇温度を求め、周囲温度ＴＥに加算することにより温度Ｔを算出する。
温度算出部１１４以外は第１実施形態のものと同様である。
＜３．２．不揮発性記憶システム３の動作＞
本実施形態における不揮発性記憶システム３は、第１実施形態の温度検出部１１１に代えて温度算出部１１４により温度Ｔを算出する。よって、温度算出部１１４が算出した温度Ｔを用いて、第１実施形態で説明した不揮発性記憶システム１と同様の動作を行う。
【００４５】
＜３．３．第３実施形態の効果＞
本実施形態では、上記第１実施形態の効果に加えて、不揮発性記憶装置１００Ｃにサーミスタ等の温度センサを実装する必要がないため、不揮発性記憶装置１００Ｃを小型化することができ、またコスト面において有利になる。
（第４実施形態）
＜４．１．不揮発性記憶システム４の構成＞
本発明の第４実施形態における不揮発性記憶システム４の構成について、図１０を用いて説明する。なお、第１実施形態と同様の部分については同一の符号を付している。
本実施形態の不揮発性記憶システム４は、不揮発性記憶装置１００Ｄと、不揮発性記憶装置１００Ｄが装着されるアクセス装置２００Ｃ又は２００Ｄとを含む。
【００４６】
＜４．１．１．アクセス装置２００Ｃ又は２００Ｄの構成＞
アクセス装置２００Ｃ又は２００Ｄは第１実施形態のアクセス装置２００Ａ又は２００Ｂに温度出力部２０４を追加したものである。
温度出力部２０４は、不揮発性記憶装置１００Ｄの間近に温度センサを配置し、温度センサが検出した不揮発性記憶装置１００Ｄの温度情報を、制御部２０２及び外部バスを介して不揮発性記憶装置１００Ｄに供給する。温度情報を出力するタイミングはリード及びライトコマンドを実行中に定期的に行うようにする。
その他の構成は第１実施形態と同様である。
＜４．１．２．不揮発性記憶装置１００Ｄの構成＞
一方、不揮発性記憶装置１００Ｄのメモリコントローラ１１０Ｄは、アクセスレート制御部１０６Ｄに温度保持部（温度取得部）１１５を含んでいる。温度保持部１１５は、サーミスタ等のセンサを用いるものではなく、アクセス装置２００Ｃ又は２００Ｄから受信した温度情報を不揮発性記憶装置１００Ｄの温度情報Ｔとして取り扱う。温度保持部１１５以外は第１実施形態のものと同様である。
【００４７】
＜４．２．不揮発性記憶システム４の動作＞
本実施形態における不揮発性記憶システム４は、第１実施形態の温度検出部１１１に代えて、アクセス装置２００Ｃ又は２００Ｄが温度出力部２０４を有し、不揮発性記憶装置１００Ｄが温度保持部１１５を有する点において異なる。よって、アクセス装置２００Ｃ又は２００Ｄから通知される不揮発性記憶装置１００Ｄの温度Ｔを用いて、第１実施形態で説明した不揮発性記憶システム１と同様の動作を行うことができる。
＜４．３．第４実施形態の効果＞
本実施形態では、上記第１実施形態の効果に加えて、不揮発性記憶装置１００Ｄにサーミスタ等の温度センサを実装する必要がないため、不揮発性記憶装置１００Ｄを小型化することができ、またコスト面において有利になる。
【００４８】
（その他の実施形態）
なお、本発明を上記の実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は上記の実施形態に限定されないのはもちろんである。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施変更することができる。例えば、以下のような場合も本発明に含まれる。
（１）上記実施形態において、温度センサを使用する場合、その種類は限定されるものではなく、接触・非接触、サーミスタや熱電対等さまざまなセンサが使用可能である。
（２）上記実施形態において、排出抑制部２０３を有するアクセス装置が装着された不揮発性記憶装置の排出の抑制を開始するタイミングを、装着された不揮発性記憶装置の初期化前としたが、不揮発性記憶装置の温度ＴがＴｒｉｓｋを超える前であれば上記実施形態と同じ効果が期待できる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、半導体メモリカード、半導体メモリカード等の不揮発性記憶装置を使用した静止画記録再生装置や動画記録再生装置、あるいは携帯電話等において有用である。
【符号の説明】
【００５０】
１，２，３，４  不揮発性記憶システム
１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ  不揮発性記憶装置
１０１  ホストインターフェース（情報取得部）
１０２  バッファ
１０３  読み書き制御部
１０４  ＣＰＵ
１０５  アドレス管理部
１０６Ａ，１０６Ｂ，１０６Ｃ，１０６Ｄ  アクセスレート制御部
１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃ，１１０Ｄ  メモリコントローラ
１１１  温度検出部（温度取得部）
１１２  温度適応型制御部
１１３  閾値温度決定部（閾値温度設定部）
１１４  温度算出部（温度取得部）
１１５  温度保持部（温度取得部）
１２０  不揮発性メモリ
２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ，２００Ｄ  アクセス装置
２０１  表示部
２０２  制御部
２０３  排出抑制部（排出制御機構・排出制御部）
２０４  温度出力部
【図１】
2011003018.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2011003018.tif 000011
【図１０】
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