(57)【要約】【課題】加熱にともなうアウトガスの発生を防止しつつ、マスクの洗浄処理を行うことができるマスク洗浄方法及びマスク洗浄装置を提供する。【解決手段】マスク洗浄方法は、基板３０の主面３０ａ上に形成されたマスクパターンを有するマスク膜３２に、マスク膜３２側からエネルギー線を照射して基板３０よりもマスク膜３２の温度を高温とすることによりマスク膜３２の表面を洗浄する工程を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたマスクパターンを有するマスク膜に対し、エネルギー線を照射して前記基板よりも前記マスク膜の温度を高温とすることにより前記マスク膜の表面を洗浄する工程を含むマスク洗浄方法。
【請求項２】
前記基板はペリクルフレーム及び前記ペリクルフレームの上面に接着されたペリクルに囲まれていることを特徴とする請求項１に記載のマスク洗浄方法。
【請求項３】
前記マスク膜の表面を洗浄する工程は、前記エネルギー線として紫外線を用いて前記マスク膜に照射した後、赤外線を用いて前記マスク膜に照射することを特徴とする請求項１又は２に記載のマスク洗浄方法。
【請求項４】
前記ペリクルフレームは吸気開口及び排気開口を有し、前記エネルギー線を照射した後、前記吸気開口からパージガスを前記ペリクル内に導入し、前記ペリクル内の被置換ガスを前記パージガスで置換し、前記ペリクルの側面の排気開口から置換した前記被置換ガスを排出する請求項１〜３のいずれか１項に記載のマスク洗浄方法。
【請求項５】
前記エネルギー線の照射は、前記エネルギー線を集光する集光部を介して行う請求項１〜４のいずれか１項に記載のマスク洗浄方法。
【請求項６】
基板上に形成されたマスクパターンを有するマスク膜に、エネルギー線を照射して前記マスク膜を選択的に加熱する加熱部を備えるマスク洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク洗浄方法及びマスク洗浄装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ペリクルフレームとこのペリクルフレームの上面に接着されたペリクル膜とからなるペリクルを装着したフォトマスクの洗浄方法として、フォトマスクに紫外線を照射してフォトマスクを加熱するとともに、ペリクルフレームに形成されたガス導入孔から水蒸気を添加したエチレングリコールガスを導入し、ペリクルフレームに形成されたガス排出孔からフォトマスク上から分離した異物を含むガスを排出する洗浄方法が知られている。（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかし、このフォトマスクの洗浄方法では、水蒸気を添加することで、ペリクル内が高湿度となり、フォトマスクの表面が酸化され、フォトマスクに形成されたパターンの寸法変動が大きくなる。また、このフォトマスクの洗浄方法では、フォトマスク全体を加熱してしまうので、ペリクルフレームとフォトマスクの間に介在する粘着剤、及びペリクルフレームとペリクル膜の間に介在する接着剤の温度上昇にともなうアウトガスの発生により、フォトマスクの表面に成長性異物が付着する可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−５１９８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、加熱にともなうアウトガスの発生を防止しつつ、マスクの洗浄処理を行うことができるマスク洗浄方法及びマスク洗浄装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、基板上に形成されたマスクパターンを有するマスク膜に対し、エネルギー線を照射して前記基板よりも前記マスク膜の温度を高温とすることにより前記マスク膜の表面を洗浄する工程を含むマスク洗浄方法を提供する。
【０００７】
本発明の他の一態様は、基板上に形成されたマスクパターンを有するマスク膜に、エネルギー線を照射して前記マスク膜を選択的に加熱する加熱部を備えるマスク洗浄装置を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、加熱にともなうアウトガスの発生を防止しつつ、マスクの洗浄処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係るマスク洗浄装置の構成ブロック図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係るマスク洗浄装置による洗浄処理の様子を示す要部断面図である。
【図３Ａ】図３Ａ（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る洗浄処理に関する工程を示す図である。
【図３Ｂ】図３Ｂ（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る洗浄処理に関する工程を示す図である。
【図４】図４は、紫外線照射時のマスク膜の酸化に関するグラフである。
【図５】図５は、ペリクル付きマスク全体を加熱した際に発生するアウトガス発生量に関する表である。
【図６】図６は、発生したアウトガスの成分表である。
【図７】図７は、変形例に係るマスク洗浄装置の要部断面図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施の形態に係るマスク洗浄システムの概略図である。
【図９】図９は、本発明の第３の実施の形態に係る露光装置の概略図である。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[第１の実施の形態]
（マスク洗浄装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るマスク洗浄装置の構成ブロック図であり、図２は、本発明の第１の実施の形態に係るマスク洗浄装置による洗浄処理の様子を示す要部断面図である。マスク洗浄装置１は、例えば、露光装置に用いられるマスク３の洗浄を行うものであり、図１に示すように、第１の加熱部１２と、第２の加熱部１４と、パージ部１６と、駆動部１８と、記憶部２０と、入力部２２と、出力部２４と、制御部１００とを備えて概略構成されている。まず、マスク３の構成から説明する。
【００１１】
マスク３は、例えば、多諧調マスクであるハーフトーンマスクであり、図２に示すように、基板３０の主面３０ａ側にマスク膜３２が形成されている。このマスク膜３２は、ペリクル４によって覆われている。なお、マスク３は、ハーフトーンマスクに限定されず、多諧調マスクであるグレイトーンマスク、２階調マスクであり、Ｃｒ等によりマスクパターンを形成するバイナリーマスク、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）リソグラフィ法に用いられる反射型マスク等でも良い。
【００１２】
基板３０は、例えば、Ｓｉを主成分とするＳｉ系基板である。
【００１３】
マスク膜３２は、例えば、ＳｉＮを主成分とする膜である。マスク膜３２には、マスクパターンが形成されている。
【００１４】
ペリクル４は、マスク膜３２に埃等が付着するのを防止するものであり、基板３０上に粘着剤４０を介して設けられたペリクルフレーム４２と、ペリクルフレーム４２上に、接着剤４４を介して設けられたペリクル膜４６と、を備えて概略構成されている。
【００１５】
粘着剤４０は、例えば、耐光性が高く、発生ガスが少ないシリコーン等が用いられる。
【００１６】
ペリクルフレーム４２は、例えば、Ａｌ合金又は合成樹脂等から形成されている。このペリクルフレーム４２には、例えば、少なくとも１つの吸気開口４８と、吸気開口４８と対向するペリクルフレーム４２に形成される少なくとも１つの排気開口５０を備えている。吸気開口４８及び排気開口５０には、例えば、埃等を防ぐフィルタが設けられている。吸気開口４８及び排気開口５０は、ペリクルフレーム４２にそれぞれ２つ以上形成されることが望ましい。
【００１７】
また、吸気開口４８及び排気開口５０は、例えば、パージ部１６に接続され、パージ部１６から送り出されたパージガス６が、この吸気開口４８からペリクル４と基板３０によって囲まれた内部空間４００に流入し、内部空間４００内の被置換ガス７を、排気開口５０から排出させる。被置換ガス７とは、例えば、内部空間４００内の雰囲気である。
【００１８】
ペリクル膜４６は、露光光の吸収が無く、露光光の透過率が高い（９９％以上）ものが望ましく、例えば、フッ素系有機化合物等が用いられる。
【００１９】
接着剤４４は、例えば、高い接着強度を有するアクリル樹脂やフッ素樹脂等が用いられる。
【００２０】
マスク洗浄装置１の第１の加熱部１２は、例えば、第１の照射部１２０と、第１の集光部１２２とを備えて概略構成されている。
【００２１】
第１の照射部１２０は、例えば、エネルギー線として紫外線１２４をマスク膜３２に照射するように構成されている。この紫外線１２４は、マスク膜３２に付着した異物を分解させる。なお、第１の照射部１２０におけるエネルギー線の照射によって基板３０よりもマスク膜３２の温度が高温となることが好ましく、さらに、マスク膜３２の表面がマスク膜３２の膜中よりも高温となることがより好ましい。この紫外線１２４の波長は、例えば、１００〜３００ｎｍが好ましく、１５０〜２００ｎｍがより好ましい。本実施の形態における紫外線１２４の波長は、例えば、マスク３を用いて露光処理を行うときの露光光の波長である１９３ｎｍが用いられる。
【００２２】
第１の集光部１２２は、例えば、第１の照射部１２０から照射されたエネルギー線を、マスク膜３２に集光するように、複数のレンズ等から構成されている。
【００２３】
第２の加熱部１４は、例えば、第２の照射部１４０と、第２の集光部１４２とを備えて概略構成されている。
【００２４】
第２の照射部１４０は、例えば、エネルギー線として赤外線１４４を、マスク膜３２に照射するように構成されている。この赤外線は、マスク膜３２から分離した異物を蒸発させる。なお、第２の照射部１４０におけるエネルギー線の照射によって基板３０よりもマスク膜３２の温度が高温となることが好ましく、さらに、マスク膜３２の表面がマスク膜３２の膜中よりも高温となることがより好ましい。この赤外線１４４の波長は、例えば、５〜２０μｍが好ましく、１０〜１５μｍがより好ましい。本実施の形態における赤外線１４４の波長は、例えば、マスク膜３２の主成分であるＳｉＮの吸収波長である約１２μｍが用いられる。
【００２５】
第２の集光部１４２は、例えば、第２の照射部１４０から照射されたエネルギー線を、マスク膜３２に集光するように、複数のレンズ等から構成されている。
【００２６】
パージ部１６は、ペリクル４の吸気開口４８及び排気開口５０に接続される。パージ部１６は、吸気開口４８からペリクル４の内部空間４００にパージガス６を送出する。
【００２７】
駆動部１８は、例えば、マスク３が載せられたステージ１８０を駆動する。
【００２８】
記憶部２０は、例えば、ＨＤＤ（Hard disk drive）等から構成され、工程データ２００を記憶する。この工程データ２００は、例えば、洗浄処理に関する各種パラメータ等のデータである。
【００２９】
入力部２２は、例えば、キーボード等の入力装置と接続されている。
【００３０】
出力部２４は、例えば、モニタ等に接続されている。
【００３１】
制御部１００は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）及びＲＯＭ（Read Only Memory）等から構成される。制御部１００は、図２に示すように、第１の加熱部１２、第２の加熱部１４、パージ部１６、駆動部１８、記憶部２０、入力部２２及び出力部２４を制御する。制御部１００は、例えば、記憶部２０から工程データ２００を読み出し、読み出した工程データ２００に基づいて洗浄処理を実行する。以下では、制御部１００は、洗浄処理を実行する際に、工程データ２００を読み出し、読み出した工程データ２００に基づいて第１の加熱部１２等を制御するものとする。
【００３２】
以下に、本実施の形態に係るマスク洗浄装置１の動作の一例について説明する。
【００３３】
（マスク洗浄装置の動作）
図３Ａ（ａ）〜図３Ｂ（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る洗浄処理に関する工程を示す図である。繰り返して露光処理に用いられ、マスク膜３２上に、ヘイズ８が成長したマスク３の洗浄処理について説明する。ここで、ヘイズ８とは、例えば、露光工程において発生する成長性異物のことであり、露光工程の環境雰囲気からマスク膜３２上に付着した微量物質や、ペリクル４を構成する粘着剤４０及び接着剤４４等から発生するアウトガスがマスク膜３２上に付着して成長した異物である。
【００３４】
まず、図３Ａ（ａ）に示すように、露光工程が終了したペリクル４付きマスク３をステージ１８０上に載せ、駆動部１８による駆動によってステージ１８０を第１の加熱部１２下に移動させる。
【００３５】
次に、図３Ａ（ｂ）に示すように、第１の照射部１２０から第１の集光部１２２を介して紫外線１２４をマスク膜３２全体に照射する。このとき、パージガス６として照射波長と同じ吸収波長を持たない低湿度の不活性ガス又は空気が用いられる。このパージガス６は、パージ部１６を介して吸気開口４８から内部空間４００内に送出される。紫外線１２４の照射によってヘイズ８が分解し、マスク膜３２から離れたヘイズ８を含む、内部空間４００の被置換ガス７を排気開口５０から排出する。この紫外線１２４の照射とパージガス６により、マスク膜３２の表面がわずかに酸化され、マスク膜３２に対するヘイズ８の原因物質の付着を防止する。以下に、パージガス６が低湿度であることが望ましい理由について説明する。
【００３６】
図４は、紫外線照射時のマスク膜の酸化に関するグラフである。図４は、縦軸が紫外線１２４を照射することによるマスク膜３２の寸法変動を示す酸化膜厚増加量（ｎｍ）であり、横軸がペリクル４の内部空間４００の湿度である。測定条件は、ペリクル４付きマスク３の内部空間４００内の湿度を変更し、変更後の寸法変動を測定した。この測定の結果、図４に示すように、湿度が高くなるにつれてマスク膜３２の酸化による寸法変動が大きくなっている。上述のように、マスク膜３２の表面を酸化することによってヘイズ８の原因物質の付着を防止する観点から、湿度は、図４に示すように、酸化膜厚増加量を１ｎｍ以下に抑えるように１０％以下がより好ましい。
【００３７】
次に、図３Ｂ（ｃ）に示すように、駆動部１８による駆動によってステージ１８０を第２の加熱部１４下に移動させ、第２の照射部１４０から第２の集光部１４２を介して赤外線１４４をマスク膜３２全体に照射する。このとき、パージガス６としてＣＤＡ（Clean Dry Air）又は窒素が用いられる。
【００３８】
先の紫外線１２４の照射によって分解されたヘイズ８は、さらに、赤外線１４４を照射することによって蒸発する。この赤外線１４４の照射によって、マスク膜３２は、例えば、マスク膜３２の耐熱温度である１５０℃近くまで加熱される。以下に、マスク膜３２を加熱する理由について説明する。
【００３９】
図５は、ペリクル付きマスク全体を加熱した際に発生するアウトガス発生量に関する表であり、図６は、発生したアウトガスの成分表である。測定は、ペリクル付きマスクＡ〜Ｅを用意し、それぞれを６０℃、５時間加熱して行った。
【００４０】
上記の測定の結果、ペリクル付きマスク全体を６０℃、５時間加熱した場合、図５に示すように、１１〜１５０μｇのアウトガスが発生することが分かった。このアウトガスがマスク上に付着することで、ヘイズの原因物質となる可能性がある。また、ペリクルの耐熱温度は、粘着剤及び接着剤を含めて６０〜７０℃であり、マスク膜としてのハーフトーン膜の耐熱温度は１５０℃であることから、マスク膜のみであれば１５０℃近くまで加熱することができるが、ペリクル付きマスク全体では、７０℃までしか加熱することができない。さらに、図５に示すように、７０℃で加熱することによって、図６に示すように、ヘイズの原因物質となる可能性が高いアウトガスが発生する。そこで、本実施の形態におけるマスク洗浄装置１では、第２の加熱部１４により、耐熱温度の低い粘着剤４０及び接着剤４４の温度が上昇しないように、マスク膜３２を加熱することで、アウトガスを発生させることなく効果的にマスク膜３２上のヘイズ８を蒸発させ、蒸発したヘイズ８を含む被置換ガス７を排気開口５０から排出する。
【００４１】
次に、内部空間４００の被置換ガス７を排出した後、例えば、マスク３の保管庫に収納して処理を終了する。
【００４２】
以下に、本実施の形態に係るマスク洗浄装置１の動作の変形例について説明する。
【００４３】
（変形例）
図７は、変形例に係るマスク洗浄装置の要部断面図である。この変形例は、マスク膜３２に対する紫外線１２４及び赤外線１４４の照射方法が、第１の実施の形態と異なっている。
【００４４】
第１の実施の形態におけるマスク洗浄装置１は、マスク膜３２全体を一度に加熱するものであったが、本変形例のように、照射範囲を領域１２６として第１及び第２の加熱部１２、１４を走査しても良い。なお、上記のように第１及び第２の加熱部１２、１４が移動することによって走査する構成でも良いし、ステージ１８０が移動することによって走査する構成でも良いし、第１及び第２の加熱部１２、１４とステージ１８０が相対移動することで走査する構成であっても良い。
【００４５】
（第１の実施の形態の効果）
本発明の第１の実施の形態によれば、ペリクル４付きマスク３全体を加熱せず、マスク膜３２を加熱するので、ヘイズ８の原因となるアウトガスの発生を抑えつつ、マスク膜３２上のヘイズ８を取り除くことができる。
【００４６】
また、マスク膜３２を加熱することで、耐熱温度の低い粘着剤４０及び接着剤４４の温度上昇を抑えることができるので、マスク膜３２の耐熱温度近くまで加熱することができ、効果的にヘイズ８を蒸発させることができる。
【００４７】
さらに、紫外線１２４照射時のパージガス６として酸素を含む低湿度の空気が用いられるので、酸素を含む高湿度の空気を用いる場合と比べて、酸化によるマスク膜３２の寸法変動を小さくすることができる。寸法変動が小さいので、半導体装置の製造において、寸法変動による不良が減少し、半導体装置の製造コストを抑え、歩留まりを向上させることができる。
【００４８】
［第２の実施の形態］
第２の実施の形態は、第１の実施の形態に係る洗浄方法を用いたマスク洗浄システムを示している。以下に、第１の実施の形態と同様の機能及び構成を有する部分については、第１の実施の形態と同じ符号を付し、その説明は省略するものとする。
【００４９】
図８は、本発明の第２の実施の形態に係るマスク洗浄システムの概略図である。このマスク洗浄システム９は、図８に示すように、露光装置９０と、加熱及びパージ装置９２と、保管装置９４と、を備えて概略構成されている。
【００５０】
露光装置９０は、ペリクル４付きマスク３を用いて露光処理を行う。
【００５１】
加熱及びパージ装置９２は、洗浄処理を行う装置であり、主に、例えば、第１の実施の形態と同様の構成を有する第１及び第２の加熱部１２、１４及びパージ部１６から概略構成される。エネルギー線の照射は、マスク膜３２全体に対する照射でも、走査しながらの照射でも良い。
【００５２】
保管装置９４は、例えば、洗浄処理が終了したペリクル４付きマスク３を保管する装置である。この保管装置９４は、例えば、加熱及びパージ装置９２と隣接し、外気に触れないように構成される。
【００５３】
以下に、本実施の形態に係るマスク洗浄装置１の動作の一例について説明する。
【００５４】
（第２の実施の形態の動作）
まず、露光装置９０により、所定の回数使用されたペリクル４付きマスク３を加熱及びパージ装置９２に移動させる。
【００５５】
次に、加熱及びパージ装置９２に移動させたペリクル４付きマスク３のマスク膜３２に、第１の加熱部１２から紫外線１２４を照射するとともに、パージ部１６からペリクル４の吸気開口４８を介して内部空間４００内にパージガス６を送出する。パージガス６は、酸素を含む低湿度の空気が用いられる。紫外線１２４の波長は、第１の実施の形態と同じである。
【００５６】
次に、ペリクル４付きマスク３のマスク膜３２に、第２の加熱部１４から赤外線１４４を照射するとともに、パージ部１６からペリクル４の吸気開口４８を介して内部空間４００内にパージガス６を送出する。パージガス６は、ＣＤＡ又は窒素が用いられる。赤外線１４４の波長は、第１の実施の形態と同じである。
【００５７】
次に、内部空間４００内の雰囲気が全てパージガス６によって置換された後、ペリクル４付きマスク３を保管装置９４に移動させて洗浄処理を終了する。
【００５８】
（第２の実施の形態の効果）
本発明の第２の実施の形態によれば、加熱及びパージ装置９２及び保管装置９４は、ペリクル４付きマスク３を移動させる際、洗浄処理後のペリクル４付きマスク３が外気に触れないので、洗浄処理後のペリクル４付きマスク３が外気に触れる場合と比べて、ペリクル４付きマスク３を洗浄処理終了時の状態に保つことができる。
【００５９】
［第３の実施の形態］
第３の実施の形態は、第１の実施の形態に係る洗浄方法を用いた露光装置を示している。
【００６０】
図９は、本発明の第３の実施の形態に係る露光装置の概略図である。この露光装置９Ａは、図９に示すように、露光部９００と、加熱及びパージ部９２０と、保管部９４０と、を備えて概略構成されている。
【００６１】
露光部９００は、ペリクル４付きマスク３を用いて露光処理を行う。
【００６２】
加熱及びパージ部９２０は、洗浄処理を行うものであり、主に、例えば、第１の実施の形態と同様の構成を有する第１及び第２の加熱部１２、１４及びパージ部１６から概略構成される。エネルギー線の照射は、マスク膜３２全体に対する照射でも、走査しながらの照射でも良い。
【００６３】
保管部９４０は、例えば、洗浄処理が終了したペリクル４付きマスク３を保管するものである。この露光部９００、加熱及びパージ部９２０及び保管部９４０は、例えば、露光部９００、加熱及びパージ部９２０、保管部９４０の間をペリクル４付きマスク３が移動する際、外気に触れないように構成される。
【００６４】
以下に、本実施の形態に係るマスク洗浄装置１の動作の一例について説明する。
【００６５】
（第３の実施の形態の動作）
まず、露光部９００により、所定の回数使用されたペリクル４付きマスク３を加熱及びパージ部９２０に移動させる。この移動の際、ペリクル４付きマスク３は外気に曝されない。
【００６６】
次に、加熱及びパージ部９２０に移動させたペリクル４付きマスク３のマスク膜３２に、第１の加熱部１２から紫外線１２４を照射するとともに、パージ部１６からペリクル４の吸気開口４８を介して内部空間４００内にパージガス６を送出する。パージガス６は、酸素を含む低湿度の空気が用いられる。紫外線１２４の波長は、第１の実施の形態と同じである。
【００６７】
次に、ペリクル４付きマスク３のマスク膜３２に、第２の加熱部１４から赤外線１４４を照射するとともに、パージ部１６からペリクル４の吸気開口４８を介して内部空間４００内にパージガス６を送出する。パージガス６は、ＣＤＡ又は窒素が用いられる。赤外線１４４の波長は、第１の実施の形態と同じである。
【００６８】
次に、内部空間４００内の雰囲気が全てパージガス６によって置換された後、ペリクル４付きマスク３を保管装置９４に移動させて洗浄処理を終了する。この移動の際、ペリクル４付きマスク３は外気に曝されない。
【００６９】
また、露光装置９Ａは、保管部９４０から露光部９００に、洗浄処理終了後のペリクル４付きマスク３を移動する際も、ペリクル４付きマスク３は外気に曝されない。
【００７０】
（第３の実施の形態の効果）
本発明の第３の実施の形態によれば、露光装置９Ａは、ペリクル４付きマスク３を、露光部９００、加熱及びパージ部９２０、保管部９４０間を移動させる際、ペリクル４付きマスク３が外気に触れないので、移動の際にペリクル４付きマスク３が外気に触れる場合と比べて、ペリクル４付きマスク３のマスク膜３２に対する異物の付着を防ぐことができる。
【００７１】
［第４の実施の形態］
以下に、上記のマスク洗浄装置、マスク洗浄システム又は露光装置によって洗浄処理が行われたペリクル４付きマスク３を用いた半導体装置の製造方法の一例について説明する。
【００７２】
（半導体装置の製造）
図１０（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す要部断面図である。
【００７３】
まず、洗浄処理が終了したペリクル４付きマスク３を用意する。
【００７４】
次に、図１０（ａ）に示すように、半導体基板１０ａ上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等によって被加工膜１０ｂを形成し、形成した被加工膜１０ｂ上に、スピンコート法等によってレジスト膜１０ｃを形成する。
【００７５】
半導体基板１０ａは、例えば、Ｓｉを主成分とするＳｉ系基板である。
【００７６】
被加工膜１０ｂは、例えば、単膜でも良いし、多数の膜が積層された積層膜でも良い。
【００７７】
次に、図１０（ｂ）に示すように、洗浄処理が終了したペリクル４付きマスクを用いたフォトリソグラフィ法によってペリクル４付きマスク３のパターンをレジスト膜１０ｃに潜像形成し、現像処理及びリンス処理等を行ってレジストパターン１０ｄを形成する。
【００７８】
次に、図１０（ｃ）に示すように、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法によってレジストパターン１０ｄをマスクとして被加工膜１０ｂをエッチングし、レジストパターン１０ｄを除去する。続いて、周知の工程を経て、所望の半導体装置を得る。
【００７９】
（第４の実施の形態の効果）
本発明の第４の実施の形態によれば、上記の各実施の形態におけるマスク洗浄装置１、マスク洗浄システム９又は露光装置９Ａを用いて洗浄されたペリクル４付きマスク３によって半導体装置の製造を行うので、上記の各実施の形態におけるマスク洗浄方法を用いない場合と比べて、歩留まりが向上するので、半導体装置の製造コストを抑制することができる。
【００８０】
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々の変形および組み合わせが可能である。
【符号の説明】
【００８１】
１…マスク洗浄装置、３…マスク、４…ペリクル、６…パージガス、７…被置換ガス、８…ヘイズ、９Ａ…露光装置、１２…第１の加熱部、１４…第２の加熱部、３０…基板、３０ａ…主面、３２…マスク膜、４８…吸気開口、５０…排気開口、１２０…第１の照射部、１２２…第１の集光部、１２４…紫外線、１４０…第２の照射部、１４２…第２の集光部、１４４…赤外線、４００…内部空間
【図１】
2011066259.tif 000003
【図２】
2011066259.tif 000004
【図３Ａ】
2011066259.tif 000005
【図３Ｂ】
2011066259.tif 000006
【図４】
2011066259.tif 000007
【図５】
2011066259.tif 000008
【図６】
2011066259.tif 000009
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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