(57)【要約】【課題】ピクセル発光部の膜厚を均一に形成し、画素定義膜からのアウトガスによる発光部の劣化を防止できる有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板１００と、基板１００上にピクセル２３０ごとに形成される第１電極２３１と、隣り合う第１電極２３１の間に位置する第１画素定義膜２１９ａ’、及び第１画素定義膜２１９ａ’と第１電極２３１の外郭部とを覆う第２画素定義膜２１９ｂ’を備える画素定義膜２１９’と、第１電極２３１の上部に形成され、発光層を備える中間層２３３と、第１電極２３１に対向して位置する第２電極２３５と、を備えることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上にピクセルごとに形成される第１電極と、
隣り合う前記第１電極の間に位置する第１画素定義膜、及び前記第１画素定義膜と前記第１電極の外郭部とを覆う第２画素定義膜を備える画素定義膜と、
前記第１電極の上部に形成され、発光層を備える中間層と、
前記第１電極に対向して位置する第２電極と、
を備えることを特徴とする、有機発光ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記第２画素定義膜は、中央部に開口を備えることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項３】
前記第１画素定義膜は、有機膜で形成されることを特徴とする、請求項１または２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項４】
前記第１画素定義膜は、ポリアクリル、ポリイミド、ポリアミド（ＰＡ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つで形成されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項５】
前記第１画素定義膜は、０．２μｍ〜３μｍの厚さに形成されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記第２画素定義膜は、無機膜で形成されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項７】
前記第２画素定義膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯｘ、Ｔｂ４Ｏ７、Ｙ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｐｒ２Ｏ３からなる群から選択される一つで形成されることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項８】
前記第２画素定義膜は、０．１μｍ〜１μｍの厚さに形成されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項９】
基板上にピクセルごとに第１電極を形成する工程と、
隣り合う前記第１電極の間に位置する第１画素定義膜を形成する工程と、
前記第１画素定義膜と前記第１電極の外郭部とを覆う第２画素定義膜を形成する工程と、
前記第１電極の上部に発光層を備える中間層を形成する工程と、
前記第１電極に対向して第２電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする、有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２画素定義膜の中央部に開口を形成する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記開口は、フォトリソグラフィ工程によって形成されることを特徴とする、請求項１０に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１画素定義膜は、有機膜で形成されることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１画素定義膜は、ポリアクリル、ポリイミド、ポリアミド（ＰＡ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つで形成されることを特徴とする、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１画素定義膜は、０．２μｍ〜３μｍの厚さに形成されることを特徴とする、請求項９〜１３のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２画素定義膜は、無機膜で形成されることを特徴とする、請求項９〜１４のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第２画素定義膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯｘ、Ｔｂ４Ｏ７、Ｙ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｐｒ２Ｏ３からなる群から選択される一つで形成されることを特徴とする、請求項９〜１５のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２画素定義膜は、０．１μｍ〜１μｍの厚さに形成されることを特徴とする、請求項９〜１６のいずれか１項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法に係り、さらに詳細には、ピクセルの膜厚が均一な有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ディスプレイ装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ：ＯＬＥＤ）は、その駆動方式によって、受動駆動方式のＰＭ（Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ）型と、能動駆動方式のＡＭ（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ）型とに区分される。ＰＭ型ＯＬＥＤ（ＰＭ−ＯＬＥＤ）は、単純に正極と負極とがそれぞれカラム（Ｃｏｌｕｍｎ）とロウ（Ｒｏｗ）とに配列され、負極には、ロウ駆動回路からスキャニング信号が供給され、この時、複数のロウのうち一つのロウのみが選択される。また、カラム駆動回路からは、各画素にデータ信号が入力される。一方、ＡＭ型ＯＬＥＤ（ＡＭ−ＯＬＥＤ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を利用して、各画素当り入力される信号を制御するものであって、大量の信号処理に適して、動画を具現するためのディスプレイ装置として多く使われている。
【０００３】
ＡＭ型発光ディスプレイ装置の薄膜トランジスタの上部には、ＴＦＴを保護する保護膜の役割を行うこともでき、その上面を平坦化させる平坦化膜の役割を行うこともできるパッシベーション膜が形成され、パッシベーション膜の上部には、画素定義膜が形成されている。
【０００４】
前記画素定義膜は、ピクセル間の混色を防止するために高く形成され、画素定義膜の間に形成されるピクセル発光部の膜厚が変わるという問題点がある。また、有機膜で形成された画素定義膜の短期的または長期的な化学分解によって、アウトガスを発生させる恐れがあり、このようなアウトガスがピクセル発光部に流入して発光素子を劣化させることによって、ピクセル収縮（ｐｉｘｅｌ  ｓｈｒｉｎｋａｇｅ）現象または寿命の低下を誘発しうる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２７０１１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、ピクセル発光部の膜厚を均一に形成し、画素定義膜からのアウトガスによる発光部の劣化を防止できる有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を達成するために、本発明の有機発光ディスプレイ装置は、基板と、前記基板上にピクセルごとに形成される第１電極と、隣り合う前記第１電極の間に位置する第１画素定義膜、及び前記第１画素定義膜と前記第１電極の外郭部とを覆う第２画素定義膜とを備える画素定義膜と、前記第１電極の上部に形成され、発光層を備える中間層と、前記第１電極に対向して位置する第２電極と、を備える。
【０００８】
望ましくは、前記第２画素定義膜は、中央部に開口を備えうる。
【０００９】
さらに望ましくは、前記第１画素定義膜は、有機膜で形成でき、ポリアクリル、ポリイミド、ポリアミド（ＰＡ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びフェノール樹脂で形成された群から選択される一つで形成しうる。
【００１０】
さらに望ましくは、前記第１画素定義膜は、０．２μｍ〜３μｍの厚さに形成しうる。
【００１１】
さらに望ましくは、前記第２画素定義膜は、無機膜で形成でき、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯｘ、Ｔｂ４Ｏ７、Ｙ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｐｒ２Ｏ３で形成された群から選択される一つで形成しうる。
【００１２】
さらに望ましくは、前記第２画素定義膜は、０．１μｍ〜１μｍの厚さに形成しうる。
【００１３】
本発明の有機発光ディスプレイ装置の製造方法は、基板上にピクセルごとに第１電極を形成する工程と、隣り合う前記第１電極の間に位置する第１画素定義膜を形成する工程と、前記第１画素定義膜と前記第１電極の外郭部とを覆う第２画素定義膜を形成する工程と、前記第１電極の上部に発光層を備える中間層を形成する工程と、前記第１電極に対向して第２電極を形成する工程と、を含む。
【００１４】
さらに望ましくは、前記第２画素定義膜の中央部に開口を形成する工程と、をさらに含みうる。
【００１５】
さらに望ましくは、前記開口は、フォトリソグラフィ工程によって形成しうる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、有機画素定義膜の上部に薄い無機画素定義膜を形成することによって、ピクセル発光部の膜厚を均一に形成しうる。また、本発明によれば、有機画素定義膜から発生したアウトガスを容易に放出させることによって、無機画素定義膜の損傷を防止し、発光部の劣化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の望ましい一実施形態による有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の望ましい一実施形態による図１の有機発光ディスプレイ装置の一部を概略的に示す断面図である。
【図３】本発明の望ましい他の実施形態による図１の有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置の画素定義膜を形成する工程を説明する断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置の画素定義膜を形成する工程を説明する断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置の画素定義膜を形成する工程を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１９】
本発明の実施形態を説明する図面において、ある層や領域は、明細書の明確性のために、厚さを拡大して示した。また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分“上に”あるとする時、これは、他の部分“真上（直上）に”ある場合だけでなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。
【００２０】
図１は、本発明の望ましい一実施形態による有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。図２は、本発明の一実施形態による図１の有機発光ディスプレイ装置の一部を概略的に示す断面図である。
【００２１】
図１及び図２を参照すれば、本発明の有機発光ディスプレイ装置は、上面にディスプレイ部１２０が形成された下部基板１００、前記ディスプレイ部１２０の上部を覆う封止基板３００を備える。前記下部基板１００と封止基板３００とは、シーラント４００で合着される。
【００２２】
下部基板１００は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材質で形成されうる。下部基板１００は、必ずしもこれに限定されず、透明なプラスチック材または金属材など、多様な材質の基板を利用しうる。
【００２３】
下部基板１００の上部に備えられたディスプレイ部１２０は、複数のピクセル２３０と、ピクセル２３０と電気的に連結される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）２２０とを備えうる。
【００２４】
各ピクセル２３０は、第１電極２３１、第１電極２３１に対向した第２電極２３５、及び第１電極２３１と第２電極２３５との間に介される中間層２３３を備える。
【００２５】
画素定義膜２１９’は、各ピクセル２３０の隣り合う第１電極２３１の間に備えられて、発光領域を定義する。画素定義膜２１９’は、第１及び第２画素定義膜２１９ａ’，２１９ｂ’を備える。第１画素定義膜２１９ａ’は、第１電極２３１間に形成され、第２画素定義膜２１９ｂ’は、第１電極２３１の外郭部（ｅｄｇｅ）と第１画素定義膜２１９ａ’とを覆うように形成される。
【００２６】
有機発光層をインクジェット、ノズルなどのプリンティング方法を通じて形成するためには、ピクセル間の混色を防止するために、ピクセルの間に高さの高い画素定義膜を形成し、画素定義膜の撥液性表面処理が必要となる。この際、画素定義膜の高さが高い場合、画素定義膜と接触するピクセルの外郭部の膜厚と中心部の膜厚が変わる問題点がある。また、第１電極に印加された電界が第１電極の外郭部に集中するので、外郭部に劣化をもたらすか、または第２電極と第１電極との電気的なショートを誘発する。したがって、このような膜厚の不均一、劣化及び電気的なショートを最小化させる必要がある。
【００２７】
このために、本発明は、有機膜で形成された第１画素定義膜２１９ａ’と無機膜で形成された第２画素定義膜２１９ｂ’とによる層状構造を有する。
【００２８】
前記第１画素定義膜２１９ａ’は、有機膜で形成され、下部膜の平坦化及びピクセル間の混色防止のために、約０．２〜３μｍの厚さを有する。
【００２９】
前記第２画素定義膜２１９ｂ’は、無機膜で薄く形成され、テーパ角度が低ければ低いほど良く、４５°以下に設定することが望ましい。その厚さは、約０．１〜１μｍに設定することが望ましい。
【００３０】
この時、前記第１画素定義膜２１９ａ’の高さによる有機発光層の膜厚段差の均一化のために、前記第１画素定義膜２１９ａ’と前記第２画素定義膜２１９ｂ’とのエッジ間の間隔Ｔは、約１μｍ以上に設定することが望ましく、前記第１電極２３１の開口率及び発光有効領域を考慮して決定しうる。
【００３１】
中間層２３３は、基板全面、または図２に示したように、各ピクセル別に積層形成されうる。中間層２３３は、第１電極２３１の上部を覆い、第１電極２３１の外郭部で第２画素定義膜２１９ｂ’と接触する。この時、第１電極２３１の外郭部には、第１画素定義膜２１９ａ’と第２画素定義膜２１９ｂ’とのエッジが一定間隔で離隔されており、中間層２２３は、薄い第２画素定義膜２１９ｂ’と接触するため、中間層２３３の中央部と外郭部との膜厚の段差が最小化しうる。
【００３２】
中間層２３３は、少なくとも有機発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）を備え、それ以外に、正孔注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）のうちいずれか一つ以上の層をさらに備えうる。
【００３３】
ディスプレイ部１２が備えられた下部基板１００は、シーラント４００によって封止基板３００と合着される。この封止基板３００も、ガラス材基板だけでなく、アクリルのような多様なプラスチック材基板を使用することができ、さらに、金属板を使用することもできる。シーラント４００としては、ガラスフリットが使われうる。
【００３４】
図３は、本発明の望ましい他の実施形態による図１の有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。図３は、画素定義膜２１９の構造を除いては、図２の有機発光ディスプレイ装置と同一であるので、同一構成についての詳細な説明は、省略する。
【００３５】
図３を参照すれば、画素定義膜２１９は、有機膜で形成された第１画素定義膜２１９ａと、無機膜で形成された第２画素定義膜２１９ｂとを備える。
【００３６】
前記第１画素定義膜２１９ａは、有機膜で形成され、下部膜の平坦化及びピクセル間の混色防止のために、約０．２〜３μｍの厚さを有する。
【００３７】
前記第２画素定義膜２１９ｂは、無機膜で薄く形成され、テーパ角度が低ければ低いほど良く、４５°以下に設定することが望ましい。その厚さは、約０．１〜１μｍに設定することが望ましい。
【００３８】
この際、前記第１画素定義膜２１９ａの高さによる有機発光層の膜厚段差の均一化のために、前記第１画素定義膜２１９ａと前記第２画素定義膜２１９ｂとのエッジ間の間隔Ｔは、約１μｍ以上に設定することが望ましく、前記第１電極２３１の開口率及び発光有効領域を考慮して決定しうる。
【００３９】
中間層２３３は、基板全面、または各ピクセルごとに積層形成されうる。中間層２３３は、第１電極２３１の上部を覆い、第１電極２３１の外郭部で第２画素定義膜２１９ｂと接触する。この時、第１電極２３１の外郭部には、第１画素定義膜２１９ａと第２画素定義膜２１９ｂとのエッジが一定間隔で離隔されており、中間層２２３は、薄い第２画素定義膜２１９ｂと接触するため、中間層２３３の中央部と外郭部の膜厚段差が最小化しうる。
【００４０】
第２画素定義膜２１９ｂには、有機膜である第１画素定義膜２１９ａの短期的または長期的な化学分解によって発生するアウトガスを排出させるための開口２１８が形成されうる。これは、製造工程中に高温熱処理によって、第１画素定義膜２１９ａから発生するアウトガスによって、第２画素定義膜２１９ｂにクラックが発生するか、または穴が生じる現象が発生しうる。したがって、本発明は、第２画素定義膜２１９ｂの中央部に開口２１８を形成して、製造工程中でのアウトガスの放出を容易にする。
【００４１】
図４から図６は、本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置の画素定義膜２１９を形成する工程を説明する断面図である。
【００４２】
図４を参照すれば、ＴＦＴ  ２２０が形成された下部基板１００の上部に、ＴＦＴ  ２２０と電気的に連結される第１電極２３１を形成し、次いで、隣り合う第１電極２３１の間に第１画素定義膜２１９ａを形成する。
【００４３】
下部基板１００は、画像が下部基板１００の方向に具現される背面発光型である場合には、透明な材質で形成せねばならない。しかし、画像が下部基板１００の逆方向に具現される前面発光型である場合には、必ずしも透明な材質で形成する必要はない。この場合、金属で下部基板１００を形成しうる。金属で下部基板１００を形成する場合、下部基板１００は、炭素鋼（ｃａｒｂｏｎ  ｓｔｅｅｌ）、鉄、クロム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレススチール（ＳＵＳ）、インバー合金（Ｉｎｖａｒ  ａｌｌｏｙ）、インコネル合金（Ｉｎｃｏｎｅｌ  ａｌｌｏｙ）及びコバール合金（Ｋｏｖａｒ  ａｌｌｏｙ）からなる群から選択された一つ以上を含みうるが、これらに限定されるものではない。下部基板１００は、金属フォイルで形成しうる。
【００４４】
下部基板１００の上面には、不純物イオンの拡散を防止し、水分や外気の浸透を防止し、表面を平坦化するためのバリヤ層及び／またはバッファ層のような絶縁層２１１が形成されうる。
【００４５】
前記絶縁層２１１上に、駆動回路としてＴＦＴ  ２２０を形成する。本実施形態では、ＴＦＴの一例であって、トップゲート方式のＴＦＴを示している。しかし、これと異なり、他の構造のＴＦＴが備えられることもある。
【００４６】
前記絶縁層２１１上にＴＦＴの活性層２２１が半導体材料によって形成され、これを覆うように、ゲート絶縁膜２１３が形成される。活性層２２１は、アモルファスシリコンまたはポリシリコンのような無機材半導体や有機半導体が使われることができ、ソース領域、ドレイン領域、及びこれら間のチャネル領域を有する。
【００４７】
ゲート絶縁膜２１３上には、ゲート電極２２７が備えられ、これを覆うように、層間絶縁膜２１５が形成される。そして、層間絶縁膜２１５上には、ソース及びドレイン電極２２３がコンタクトホール２２５を通じて活性層２２１と連結され、これを覆うように、平坦化膜２１７が順次に備えられる。
【００４８】
前述したようなＴＦＴの積層構造は、必ずしもこれに限定されず、多様な構造のＴＦＴがいずれも適用可能である。
【００４９】
前記平坦化膜２１７の上部には、ピクセルごとに第１電極２３１が形成され、ビアホ―ル２２９を通じてソース及びドレイン電極２２３と電気的に連結される。
【００５０】
第１電極２３１は、アノード電極またはカソード電極の機能を行い、透明電極または反射型電極で備えられうる。透明電極で備えられる時には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で備えられ、反射型電極で備えられる時には、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒまたはこれらの化合物で形成された反射膜と、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で形成された透明膜とを備えうる。
【００５１】
第１電極２３１は、電極層の形成後、フォトレジストの塗布、露光、現像、エッチング、及びフォトレジスト剥離などの一連の工程で進められるフォトリソグラフィ工程を通じてパターニングされうる。
【００５２】
第１電極２３１の間に、第１電極２３１の側面と外郭部との一部と接触する第１画素定義膜２１９ａが形成される。
【００５３】
第１画素定義膜２１９ａは、アウトガシング（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）特性が優秀であり、絶縁特性のある材料で形成されうる。例えば、第１画素定義膜２１９ａは、有機系であって、ポリアクリル、ポリイミド、ポリアミド（ＰＡ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つで形成されうる。
【００５４】
第１画素定義膜２１９ａは、スピンコーティング、スロットコーティングなどのコーティング法によって膜を形成した後、フォトリソグラフィ工程を通じて、前記第１電極２３１を露出させるようにパターニングされうる。また、第１画素定義膜２１９ａは、インクジェットなどの方法でパターニングされうる。
【００５５】
第１画素定義膜２１９ａは、図面に示したように、第１電極２３１の外郭部の側面及び外郭部の上部の一部を覆うように形成し、必要に応じて、第１電極２３１の外郭部から単純接触して、側面を覆うように形成するか、または第１電極２３１の外郭部から数μｍほど離隔して形成することもできる。この時、前記第１電極２３１の表面を最大限広く露出させることが望ましい。
【００５６】
第１画素定義膜２１９ａの厚さは、約０．２μｍ〜３μｍの範囲内で設定されることが望ましい。
【００５７】
図５を参照すれば、第１画素定義膜２１９ａの上部に第２画素定義膜２１９ｂを形成する。
【００５８】
第２画素定義膜２１９ｂは、絶縁特性を有するＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯｘ、Ｔｂ４Ｏ７、Ｙ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｐｒ２Ｏ３から選択された無機材料で形成されうる。
【００５９】
第２画素定義膜２１９ｂは、スパッタ法、化学真空蒸着（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、蒸着法によって、第１電極２３１と第１画素定義膜２１９ａとを覆うように膜を形成した後、フォトリソグラフィ工程を通じて、前記第１電極２３１を露出させるようにパターニングされうる。この時、前記第１電極２３１の表面を最大限広く露出させて、有機発光素子の開口率を高める。
【００６０】
第２画素定義膜２１９ｂは、テーパ角度が低ければ低いほど良く、約０．１μｍ〜１μｍの厚さに薄く形成することが望ましい。
【００６１】
第１画素定義膜２１９ａの高さによる有機発光層の膜厚段差の均一化のために、第１画素定義膜２１９ａと第２画素定義膜２１９ｂのエッジとの間隔Ｔは、約１μｍ以上に設定することが望ましい。
【００６２】
第１電極２３１の外郭部で第１画素定義膜２１９ａと第２画素定義膜２１９ｂとのエッジが一定間隔を有し、第２画素定義膜２１９ｂが薄く形成されることによって、第１電極２３１の上部に形成される有機発光層の段差を最小化して、有機発光層の平坦化が可能になる。また、第１電極２３１の段差による有機発光層のショートを防止し、第１電極２３１と有機発光層との接着力を向上させうる。
【００６３】
第２画素定義膜２１９ｂの上部には、開口２１８が形成される。前記開口２１８は、前記第２画素定義膜２１９ｂの中央部に形成され、高温熱処理時、第１画素定義膜２１９ａから発生するアウトガスを容易に排出させることによって、第２画素定義膜２１９ｂの損傷を防止する。
【００６４】
第２画素定義膜２１９ｂの開口２１８は、フォトリソグラフィ工程を通じて形成でき、ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）を利用して形成することもできる。
【００６５】
第２画素定義膜２１９ｂの上部に開口２１８を形成しない場合には、第２画素定義膜２１９ｂの形成後、第１電極２３１の上部に中間層２３３を形成する工程に進む。
【００６６】
図６を参照すれば、前記露出された第１電極２３１の上部に、有機発光層を含む中間層２３３と、中間層２３３の上部に第２電極２３５とを形成する。
【００６７】
中間層２３３は、低分子または高分子有機物で備えられうる。低分子有機物を使用する場合、正孔注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）、有機発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）及び電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）などが単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）を始めとして、多様に適用可能である。これらの低分子有機物は、マスクを利用して真空蒸着の方法で基板前面にまたはピクセル別に形成されうる。
【００６８】
高分子有機物の場合には、ホール輸送層（ＨＴＬ）及び発光層（ＥＭＬ）で備えられた構造を有し、この時、前記ホール輸送層（ＨＴＬ）としてＰＥＤＯＴ（Ｐｏｌｙ（３，４−Ｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））を使用し、発光層（ＥＭＬ）としてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系などの高分子有機物質を使用する。
【００６９】
第２電極２３５は、第１電極２３１に対向して位置し、カソード電極またはアノード電極の機能を行い、基板前面上に蒸着して、すべてのピクセルにわたって相互連結されている共通電極で形成されうる。
【００７０】
第２電極２３５は、透明電極または反射型電極で備えられうるが、透明電極で備えられる時には、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇまたはこれらの化合物が中間層に向かうように蒸着して形成された膜と、その上のＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明な導電性物質で形成された補助電極やバス電極ラインとを備えうる。そして、反射型電極で備えられる時には、前記Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ及びこれらの化合物で形成されうる。
【００７１】
前記のように製造された基板結果物を、ガラス、プラスチックまたは導電性金属からなる封止基板と合着することによって、本発明による有機発光ディスプレイ装置の製造が完成される。
【００７２】
一方、前記実施形態においては、ＡＭ型有機発光ディスプレイ装置に本発明が適用された例を説明したが、ＡＭ型有機発光ディスプレイ装置以外にも、ＰＭ型有機発光ディスプレイ装置など、画素定義膜が備えられるディスプレイ装置ならば、いかなる装置にも本発明が適用されうる。
【００７３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明は、ディスプレイ関連の技術分野に好適に適用可能である。
【符号の説明】
【００７５】
１００    下部基板
２１１    絶縁層
２１３    ゲート絶縁膜
２１５    層間絶縁膜
２１７    平坦化膜
２１９，２１９’    画素定義膜
２１９ａ’，２１９ｂ’    第１及び第２画素定義膜
２２０    ＴＦＴ
２２１    活性層
２２３    ソース及びドレイン電極
２２５    コンタクトホール
２２７    ゲート電極
２２９    ビアホール
２３０    ピクセル
２３１    第１電極
２３３    中間層
２３５    第２電極
３００    封止基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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