(57)【要約】【課題】基板に疎水性のポリシリコン膜が形成されているとともに、このポリシリコン膜に親水性の自然酸化膜が積層されている場合において、基板の周縁部においてエッチング不良が発生することなく、かつエッチング幅の精度を向上させることができる基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体を提供する。【解決手段】まず、ポリシリコン膜が形成された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ酸を供給することにより基板Ｗの周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる。次に、ポリシリコン膜が露出された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する。このような動作は、基板液処理装置１の制御部５０が回転駆動部２０、フッ酸供給部５４およびフッ硝酸供給部５２を制御することにより行われる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる工程と、
ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する工程と、
を備えたことを特徴とする基板液処理方法。
【請求項２】
基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときよりも遅い回転速度で基板を回転させることを特徴とする請求項１記載の基板液処理方法。
【請求項３】
基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸が基板に供給される箇所よりも基板の径方向外方の箇所にフッ硝酸を供給することを特徴とする請求項１または２記載の基板液処理方法。
【請求項４】
基板を保持する保持部と、
前記保持部を回転させる回転駆動部と、
前記保持部により保持された基板の周縁部にフッ酸を供給するフッ酸供給部と、
前記保持部により保持された基板の周縁部にフッ硝酸を供給するフッ硝酸供給部と、
前記回転駆動部、前記フッ酸供給部および前記フッ硝酸供給部を制御する制御部であって、ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部に前記フッ酸供給部によりフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させ、ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部に前記フッ硝酸供給部によりフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去するよう制御を行う制御部と、
を備えたことを特徴とする基板液処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときよりも遅い回転速度で基板を回転させるよう、前記回転駆動部の制御を行うことを特徴とする請求項４記載の基板液処理装置。
【請求項６】
前記フッ硝酸供給部は、前記フッ酸供給部により基板の周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸が基板に供給される箇所よりも基板の径方向外方の箇所にフッ硝酸を供給するようになっていることを特徴とする請求項４または５記載の基板液処理装置。
【請求項７】
前記フッ硝酸供給部は、前記フッ酸供給部よりも、前記保持部により保持された基板の径方向外方に配置されていることを特徴とする請求項６記載の基板液処理装置。
【請求項８】
基板液処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板液処理装置を制御して基板液処理方法を実行させるものにおいて、
前記基板液処理方法が、
ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる工程と、
ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する工程と、
を備えたことを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリシリコン膜が形成された半導体ウエハ等の基板における周縁部のポリシリコン膜をエッチングにより除去する基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板である半導体ウエハ（以下、単にウエハともいう）に対してゲート電極等を形成するためにポリシリコン膜を形成する工程が存在するが、ウエハのエッジ、ベベル等の周縁部においてひび割れや膜剥がれ等が生じることがあり、このようなひび割れや膜剥がれが生じるとポリシリコン膜がパーティクルとなって半導体デバイスを汚染するおそれがある。
【０００３】
このため、従来から、ウエハの周縁部のポリシリコン膜を除去することが行われている。ポリシリコン膜を除去する際には、従来から、エッチング液としてフッ酸と硝酸の混合液であるフッ硝酸を用いてエッチングする方法が採られており、具体的には、除去したくない部分を保護膜（レジスト、ハードマスク）等で保護して、ウエハの周縁部（エッジおよびベベル）のみを露出してウエハ全体をフッ硝酸に浸漬することが行われていた。
【０００４】
しかしながら、このような手法は、エッチングする部分に合わせて保護膜を形成する必要があるので、工程が煩雑になり、工程数が増加してしまう。また、ポリシリコン膜のカット幅の調整が容易ではないという問題がある。
【０００５】
これに対して、ポリシリコン膜を除去する技術ではないが、特許文献１には、ウエハに膜を形成した後、ウエハを回転させながらベベル部分に薬液を供給してベベル部分をエッチングにより除去する技術が提案されており、これをウエハの周縁部に形成されたポリシリコン膜のエッチングに適用することが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３１９８５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ウエハに疎水性のポリシリコン膜が形成されているとともに、このポリシリコン膜に親水性の自然酸化膜が積層されている場合、特許文献１に開示された方法を用いてウエハの周縁部にフッ硝酸を供給したときには、ポリシリコン膜のエッチング不良の発生を十分に抑制することができず、また、エッチング幅の精度が悪いということがわかった。
【０００８】
本発明は、ウエハに疎水性のポリシリコン膜が形成されているとともに、このポリシリコン膜に親水性の自然酸化膜が積層されている場合において、ウエハの周縁部においてエッチング不良が発生することなく、かつエッチング幅の精度を向上させることができる基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の基板液処理方法は、ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる工程と、ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
本発明の基板液処理方法においては、基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときよりも遅い回転速度で基板を回転させるようになっていてもよい。
【００１１】
本発明の基板液処理方法においては、基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸が基板に供給される箇所よりも基板の径方向外方の箇所にフッ硝酸を供給するようになっていてもよい。
【００１２】
本発明の基板液処理装置は、基板を保持する保持部と、前記保持部を回転させる回転駆動部と、前記保持部により保持された基板の周縁部にフッ酸を供給するフッ酸供給部と、前記保持部により保持された基板の周縁部にフッ硝酸を供給するフッ硝酸供給部と、前記回転駆動部、前記フッ酸供給部および前記フッ硝酸供給部を制御する制御部であって、ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部に前記フッ酸供給部によりフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させ、ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部に前記フッ硝酸供給部によりフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去するよう制御を行う制御部と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の基板液処理装置においては、前記制御部は、基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときよりも遅い回転速度で基板を回転させるよう、前記回転駆動部の制御を行うようになっていてもよい。
【００１４】
本発明の基板液処理装置においては、前記フッ硝酸供給部は、前記フッ酸供給部により基板の周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸が基板に供給される箇所よりも基板の径方向外方の箇所にフッ硝酸を供給するようになっていてもよい。
【００１５】
この場合、前記フッ硝酸供給部は、前記フッ酸供給部よりも、前記保持部により保持された基板の径方向外方に配置されていてもよい。
【００１６】
本発明の記憶媒体は、基板液処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板液処理装置を制御して基板液処理方法を実行させるものにおいて、前記基板液処理方法が、ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる工程と、ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する工程と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体によれば、基板に疎水性のポリシリコン膜が形成されているとともに、このポリシリコン膜に親水性の自然酸化膜が積層されている場合において、基板の周縁部においてエッチング不良が発生することなく、かつエッチング幅の精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態における基板液処理装置の概略縦断面図である。
【図２】図１に示す基板液処理装置の制御ブロック図である。
【図３】図１に示す基板液処理装置によるウエハの処理方法を示すフローチャートである。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、図３に示すようなウエハの処理方法における、ウエハの表面における各薬液またはリンス液が供給される領域をそれぞれ示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１乃至図４は、本実施の形態による基板液処理装置および基板液処理方法を示す図である。より詳細には、図１は、本実施の形態における基板の液処理装置の概略縦断面図であり、図２は、図１に示す基板液処理装置の制御ブロック図である。また、図３は、図１に示す基板液処理装置によるウエハの処理方法を示すフローチャートである。また、図４（ａ）〜（ｃ）は、図３に示すようなウエハの処理方法における、ウエハの表面における各薬液またはリンス液が供給される領域をそれぞれ示す説明図である。
【００２０】
図１に示すように、基板液処理装置１は、半導体ウエハ等の基板Ｗ（以下、ウエハＷともいう）を略水平状態に保持する保持部１０と、保持部１０から下方に延びる回転軸１２と、回転軸１２を介して保持部１０を回転させる回転駆動部２０とを備えている。保持部１０は、当該保持部１０上に載置されたウエハＷを例えば真空吸着により保持するようになっている。
【００２１】
図１に示すように、回転軸１２は鉛直方向に延びるようになっている。回転駆動部２０は、回転軸１２の下端部の周縁外方に配置されたプーリ２４と、プーリ２４に巻き掛けられた駆動ベルト２６と、この駆動ベルト２６に駆動力を付与することによってプーリ２４を介して回転軸１２を回転させるモータ２２とを有している。また、プーリ２４よりも上方の箇所における回転軸１２の周縁外方にはベアリング１４が配置されている。
【００２２】
保持部１０により保持されたウエハＷの周囲には、当該ウエハＷを覆うようなチャンバー２が設けられている。チャンバー２の上部（天井部分）には、Ｎ２ガス（窒素ガス）等のガスを自然流下によりダウンフローでウエハＷに送るような上部開口４が形成されている。また、チャンバー２の下部（底部分）には、上部開口４からダウンフローで送られたガスをチャンバー２内から排気するための下部開口５が形成されている。また、チャンバー２の側部には、チャンバー２内にウエハＷを搬入したりチャンバー２内からウエハＷを搬出したりする搬送アームを通過させるための側部開口３が形成されている。側部開口３は、当該側部開口３に設けられたシャッター３ａにより開閉自在となっている。
【００２３】
また、図１に示すように、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部に各種薬液やリンス液を供給するためのノズル３０、３３、３６が並列状態で一体的に設けられている。より具体的には、３つのノズル３０、３３、３６のうちウエハＷの径方向における最も外側（ウエハＷの中心から最も遠い側）にあるフッ硝酸供給ノズル３０は、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給するようになっている。また、３つのノズル３０、３３、３６のうちウエハＷの径方向においてフッ硝酸供給ノズル３０よりも内側にあるフッ酸供給ノズル３３は、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部にフッ酸を供給するようになっている。また、３つのノズル３０、３３、３６のうちウエハＷの径方向における最も内側（ウエハＷの中心から最も近い側）にあるリンス液供給ノズル３６は、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部に純水等のリンス液を供給するようになっている。
【００２４】
フッ硝酸供給ノズル３０には、フッ硝酸供給管３１を介してフッ硝酸供給源３２が接続されており、フッ硝酸供給源３２からフッ硝酸供給管３１を介してフッ硝酸供給ノズル３０にフッ硝酸が供給されるようになっている。また、フッ硝酸供給管３１には、フッ硝酸供給ノズル３０へのフッ硝酸の供給の有無や供給量を制御するバルブ３１ａが設けられている。これらのフッ硝酸供給ノズル３０、フッ硝酸供給管３１、バルブ３１ａ、およびフッ硝酸供給源３２により、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給するフッ硝酸供給部５２が構成されている。
【００２５】
フッ酸供給ノズル３３には、フッ酸供給管３４を介してフッ酸供給源３５が接続されており、フッ酸供給源３５からフッ酸供給管３４を介してフッ酸供給ノズル３３にフッ酸が供給されるようになっている。また、フッ酸供給管３４には、フッ酸供給ノズル３３へのフッ酸の供給の有無や供給量を制御するバルブ３４ａが設けられている。これらのフッ酸供給ノズル３３、フッ酸供給管３４、バルブ３４ａ、およびフッ酸供給源３５により、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部にフッ酸を供給するフッ酸供給部５４が構成されている。
【００２６】
リンス液供給ノズル３６には、リンス液供給管３７を介してリンス液供給源３８が接続されており、リンス液供給源３８からリンス液供給管３７を介してリンス液供給ノズル３６に純水等のリンス液が供給されるようになっている。また、リンス液供給管３７には、リンス液供給ノズル３６へのリンス液の供給の有無や供給量を制御するバルブ３７ａが設けられている。これらのリンス液供給ノズル３６、リンス液供給管３７、バルブ３７ａ、およびリンス液供給源３８により、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部に純水等のリンス液を供給するリンス液供給部５６が構成されている。
【００２７】
並列状態で一体的に設けられた３つのノズル３０、３３、３６には、ノズル駆動機構３９が設けられている。ノズル駆動機構３９により、３つのノズル３０、３３、３６が一体的に移動させられるようになっている。
【００２８】
図２に示すように、基板液処理装置１には、当該基板液処理装置１の各構成要素の制御を行う制御部５０が設けられている。具体的には、制御部５０には、保持部１０、回転駆動部２０、フッ硝酸供給部５２、フッ酸供給部５４、リンス液供給部５６、およびノズル駆動機構３９がそれぞれ接続されている。そして、制御部５０は、当該制御部５０に接続された各構成要素に対して制御信号を送ることにより、各構成要素の制御を行うようになっている。制御部５０による各構成要素の制御の具体的な内容については後述する。
【００２９】
本実施の形態において、制御部５０には、基板液処理装置１で実行される各種処理を制御部５０による制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて基板液処理装置１の各構成要素に処理を実行させるためのプログラム（すなわち、レシピ）が記憶された記憶媒体６０が接続されている。記憶媒体６０は、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリー、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭなどのディスク状記憶媒体、その他の公知な記憶媒体から構成され得る。そして、必要に応じて、任意のレシピを記憶媒体６０から呼び出して制御部５０に実行させることで、制御部５０の制御下で、基板液処理装置１での所望の処理が行われる。
【００３０】
次に、上述のような基板液処理装置１の動作（ウエハＷの処理方法）について、図３に示すフローチャートおよび図４に示す説明図を用いて説明する。なお、以下に示すような基板液処理装置１の動作は、記憶媒体６０に記憶されたプログラム（レシピ）に従って、制御部５０が基板液処理装置１の各構成要素を制御することにより行われる。
【００３１】
まず、基板液処理装置１の外部から図示しない搬送アームによりチャンバー２の側部開口３を介してチャンバー２内にウエハＷを搬送する。具体的には、搬送アームによりチャンバー２内の保持部１０上にウエハＷを載置させる（図３のＳＴＥＰ１参照）。ここで、搬送アームにより保持部１０上に載置されるウエハＷは、ポリシリコン膜および自然酸化膜が積層状態で表面に形成されたものとなっている（より詳細には、ウエハＷの表面にポリシリコン膜が形成され、このポリシリコン膜に自然酸化膜が積層されている）。なお、ポリシリコン膜は疎水性のものであり、自然酸化膜は親水性のものである。
【００３２】
次に、回転駆動部２０により、鉛直方向に延びる軸線を中心として回転軸１２を回転させる。このことにより、保持部１０により保持されたウエハＷが回転される。このときに、モータ２２から駆動ベルト２６を介してプーリ２４に駆動力が付与されることによって回転軸１２が回転される。
【００３３】
そして、保持部１０により保持されたウエハＷが回転している状態で、フッ酸供給部５４によりウエハＷの周縁部にフッ酸を供給する。具体的には、フッ酸供給源３５からフッ酸供給管３４を介してフッ酸供給ノズル３３にフッ酸を供給し、フッ酸供給ノズル３３からウエハＷの周縁部にフッ酸を吐出させる。この際に、ウエハＷを高速（例えば、１０００ｒｐｍ）で回転させる。このことにより、ウエハＷの周縁部に形成された自然酸化膜がエッチング除去される（図３のＳＴＥＰ２参照）。このようにして、ウエハＷに形成されたポリシリコン膜が露出されることとなる。ウエハＷを高速で回転させる利点として、自然酸化膜に対するエッチングの幅の制御を容易かつ精度良く行うことができるということが挙げられる。ウエハＷの表面に供給されたフッ酸は、ウエハＷの回転による遠心力によってウエハＷから周方向外方に流されることとなる。
【００３４】
なお、フッ酸供給部５４によりウエハＷの周縁部にフッ酸を供給する工程において、ウエハＷにおけるフッ酸が供給される領域は、図４（ａ）の参照符号４０で示すような領域となる。
【００３５】
フッ酸供給部５４によりウエハＷの周縁部に供給されるフッ酸の濃度は、自然酸化膜を短時間でエッチングでき、かつポリシリコン膜を完全に露出させるような濃度に設定されている。具体的には、フッ酸の濃度は例えば１〜５０％の範囲内の大きさに設定されている。このことにより、フッ酸供給部５４によりウエハＷの周縁部にフッ酸を供給した際に、ポリシリコン膜は除去されることなく自然酸化膜のみが除去されることとなる。
【００３６】
次に、保持部１０により保持されたウエハＷが回転している状態で、フッ硝酸供給部５２によりウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する。具体的には、フッ硝酸供給源３２からフッ硝酸供給管３１を介してフッ硝酸供給ノズル３０にフッ硝酸を供給し、フッ硝酸供給ノズル３０からウエハＷの周縁部にフッ硝酸を吐出させる。このことにより、ウエハＷの周縁部に形成されたポリシリコン膜がエッチング除去される（図３のＳＴＥＰ３参照）。ウエハＷの表面に供給されたフッ硝酸は、ウエハＷの回転による遠心力によってウエハＷから周方向外方に流されることとなる。
【００３７】
なお、フッ硝酸供給ノズル３０は、保持部１０により保持されたウエハＷの径方向においてフッ酸供給ノズル３３よりも外方に配置されている。このため、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際に、ウエハＷの周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸がウエハＷに供給される箇所よりもウエハＷの径方向外方の箇所にフッ硝酸が供給されることとなる。このことにより、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際に、ウエハＷの周縁部におけるフッ酸が供給された領域４０（図４（ａ）参照）内に、すなわちポリシリコン膜の疎水性面内にフッ硝酸が供給されることとなる。図４（ｂ）に、ウエハＷにおけるフッ硝酸が供給される領域を参照符号４１で示す。図４（ｂ）に示すように、ウエハＷにおけるフッ硝酸が供給される領域４１は、ウエハＷにおけるフッ酸が供給される領域４０内に含まれることとなる。
【００３８】
また、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際に、図３のＳＴＥＰ２に示すようなウエハＷの周縁部にフッ酸を供給するときよりも遅い回転速度でウエハＷを回転させる。より具体的には、ウエハＷを例えば３００ｒｐｍで回転させる。このように、ウエハＷを低速回転させることにより、ウエハＷの周縁部に形成されたポリシリコン膜が接触する時間が長くなるため、ウエハＷの周縁部において部分的にエッチング不良が発生してしまうことを抑制することができる。このため、エッチング処理を行った後にウエハＷの周縁部にポリシリコン膜が部分的に残ってしまうことを抑制することができる。また、ウエハＷを低速で回転させる利点として、ポリシリコン膜は疎水性であるため、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際にフッ硝酸がウエハＷの中心側に入り込むことなく、低速のおかげで、フッ硝酸を長く接液させておくことができる。本発明者らによる実験によれば、ウエハＷの回転速度が比較的速い場合（具体的にはウエハＷの回転速度が例えば５００ｒｐｍ以上である場合）には、ウエハＷの周縁部に形成されたポリシリコン膜にフッ硝酸が接触する時間が短くなるため、ウエハＷの周縁部において部分的にエッチング不良が発生し、エッチング処理を行った後でもウエハＷの周縁部にポリシリコン膜が部分的に残ってしまうことがわかった。
【００３９】
次に、保持部１０により保持されたウエハＷが回転している状態で、リンス液供給部５６によりウエハＷの周縁部に純水等のリンス液を供給する。具体的には、リンス液供給源３８からリンス液供給管３７を介してリンス液供給ノズル３６にリンス液を供給し、リンス液供給ノズル３６からウエハＷの周縁部にリンス液を吐出させる。この際に、ウエハＷを高速（例えば、１０００ｒｐｍ）で回転させる。このことにより、ウエハＷの周縁部のリンス処理が行われる（図３のＳＴＥＰ４参照）。ウエハＷの表面に供給されたリンス液は、ウエハＷの回転による遠心力によってウエハＷから周方向外方に流されることとなる。
【００４０】
なお、リンス液供給ノズル３６は、保持部１０により保持されたウエハＷの径方向においてフッ硝酸供給ノズル３０やフッ酸供給ノズル３３よりも内方に配置されている。このため、ウエハＷの周縁部にリンス液を供給する際に、フッ硝酸やフッ酸がウエハＷに供給される箇所よりもウエハＷの径方向内方の箇所にリンス液が供給されることとなる。このことにより、ウエハＷの周縁部に付着したフッ硝酸やフッ酸は全てリンス液により洗い流されることとなり、ウエハＷのリンス処理が確実に行われる。なお、リンス液供給部５６によりウエハＷの周縁部にリンス液を供給し、ウエハＷのリンス処理を行う工程において、ウエハＷにおけるリンス液が供給される領域は、図４（ｃ）の参照符号４２で示すような領域となる。
【００４１】
その後、保持部１０により保持されたウエハＷを高速で回転させ続けることで、当該ウエハＷの乾燥処理を行う（図３のＳＴＥＰ５参照）。
【００４２】
最後に、チャンバー２の側部開口３を介して搬送アームをチャンバー２内に入れ、この搬送アームにより保持部１０からウエハＷを取り出し、取り出されたウエハＷを基板液処理装置１の外部に搬送する（図３のＳＴＥＰ６参照）。このようにして、ウエハＷの一連の処理が終了する。
【００４３】
以上のように本実施の形態の基板液処理装置１および基板液処理方法によれば、ポリシリコン膜が形成されたウエハＷを回転させながら当該ウエハＷの周縁部にフッ酸を供給することによりウエハＷの周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させ（図３のＳＴＥＰ２参照）、ポリシリコン膜が露出されたウエハＷを回転させながらウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去するようになっている（図３のＳＴＥＰ３参照）。なお、上述のような動作は、基板液処理装置１の制御部５０が回転駆動部２０、フッ酸供給部５４およびフッ硝酸供給部５２を制御することにより行われる。このような基板液処理装置１および基板液処理方法によれば、ウエハＷの周縁部にまずフッ酸を供給することによりウエハＷの周縁部に形成された親水性の自然酸化膜をエッチング除去してこのウエハＷの周縁部において疎水性のポリシリコン膜を露出させることができるので、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給することによりフッ硝酸がウエハＷの中心に向かって浸食することを抑止することができ、このことによりエッチング幅の精度を向上させることができる。また、フッ硝酸がウエハＷの中心に向かって浸食することを抑止することができるようになると、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際にウエハＷを低速回転させることができるようになるのでウエハＷの周縁部において部分的にエッチング不良が発生することを抑止することができるようになる。
【００４４】
本実施の形態の基板液処理装置１および基板液処理方法においては、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際に、ウエハＷの周縁部にフッ酸を供給するときよりも遅い回転速度でウエハＷを回転させるようになっている。具体的には、例えばウエハＷの周縁部にフッ酸を供給する際の回転速度が５００ｒｐｍ以上、より詳細には例えば１０００ｒｐｍであるのに対し、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際のウエハＷの回転速度は例えば３００ｒｐｍとなっている。このように、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際にウエハＷを低速回転させることにより、ウエハＷの周縁部に形成されたポリシリコン膜にフッ硝酸が接触する時間を長くすることができる。このことにより、ウエハＷの周縁部において部分的にエッチング不良が発生してしまうことを抑制することができる。このため、エッチング処理を行った後にウエハＷの周縁部にポリシリコン膜が部分的に残ってしまうことを抑制することができる。
【００４５】
また、本実施の形態の基板液処理装置１および基板液処理方法においては、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際に、ウエハＷの周縁部におけるフッ酸が供給された領域にフッ硝酸を供給するようになっている（図４（ａ）（ｂ）参照）。より詳細には、フッ硝酸供給部５２のフッ硝酸供給ノズル３０が、フッ酸供給部５４のフッ酸供給ノズル３３よりも、保持部１０により保持されたウエハＷの径方向外方に配置されている。このため、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際に、ウエハＷの周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸がウエハＷに供給される箇所（フッ酸供給ノズル３３からウエハＷにフッ酸が供給される箇所）よりもウエハＷの径方向外方の箇所にフッ硝酸を供給するようになっている。このことにより、ウエハＷの表面における、自然酸化膜が除去されてポリシリコン膜が露出された箇所にフッ硝酸を確実に供給することができるようになる。また、この際に、ウエハＷの表面における疎水化された面内にフッ硝酸が確実に供給されるので、フッ硝酸がウエハＷの中心に向かって浸食することをより確実に抑止することができるようになる。
【００４６】
また、ウエハＷの周縁部に供給されるフッ酸の濃度は、自然酸化膜を短時間でエッチングでき、かつポリシリコン膜を完全に露出させるような濃度に設定されている。このため、ウエハＷの周縁部にフッ酸を供給したときに、ウエハＷの表面に形成された自然酸化膜のみを除去することができるようになり、このウエハＷの表面を確実に疎水性の状態とすることができるようになる。
【００４７】
なお、本実施の形態による基板液処理装置および基板液処理方法は、上記の態様に限定されるものではなく、様々の変更を加えることができる。例えば、フッ硝酸供給ノズル３０、フッ酸供給ノズル３３、およびリンス液供給ノズル３６は一体的に設けられていなくともよい。すなわち、各ノズル３０、３３、３６が互いに独立して駆動するようになっていてもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１  基板液処理装置
２  チャンバー
３  側部開口
３ａ  シャッター
４  上部開口
５  下部開口
１０  保持部
１２  回転軸
１４  ベアリング
２０  回転駆動部
２２  モータ
２４  プーリ
２６  駆動ベルト
３０  フッ硝酸供給ノズル
３１  フッ硝酸供給管
３１ａ  バルブ
３２  フッ硝酸供給源
３３  フッ酸供給ノズル
３４  フッ酸供給管
３４ａ  バルブ
３５  フッ酸供給源
３６  リンス液供給ノズル
３７  リンス液供給管
３７ａ  バルブ
３８  リンス液供給源
３９  ノズル駆動機構
４０  フッ酸が供給される領域
４１  フッ硝酸が供給される領域
４２  リンス液が供給される領域
５０  制御部
５２  フッ硝酸供給部
５４  フッ酸供給部
５６  リンス液供給部
６０  記憶媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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