(57)【要約】【課題】メモリの記憶容量を小さく抑えつつ各画素ごとに輝度不均一性を補正できるようにする。【解決手段】対象画素の発光輝度に対し入力信号電圧が線形となる領域において、駆動トランジスタ特性式に基づいて、入力信号電圧に対して乗算器５１Ｒ，５１Ｇ，５１ＢによりΔμ＝１／μ’となるΔμを乗算する。さらに、入力信号領域でΔＶｔｈ＝−Ｖｔｈ’となるΔＶｔｈを加算器５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂにより加算することで入力信号を精度よく補正する。ここで、補正回路５０内にあらかじめ移動度補正値Δμとしきい電圧補正値ΔＶｔｈの相関テーブル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｇを持たせ、移動度補正値Δｕの入力に応じてしきい電圧補正値ΔＶｔｈを生成するようにする。【選択図】図４
2011034004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補正対象の表示パネルを構成する画素の画素回路における駆動トランジスタのチャネル領域のキャリアの移動度及びしきい電圧に起因する輝度の不均一性を画素ごとに補正するための移動度補正値又はしきい電圧補正値の一方を記憶するメモリと、
前記メモリに記憶された前記移動度補正値又は前記しきい電圧補正値を読み出すメモリ読み出し部と、
前記移動度と前記しきい電圧の相関関係に基づいて、前記メモリ読み出し部により読み出された移動度補正値又はしきい電圧補正値から、他方のしきい電圧補正値又は移動度補正値を生成する相関テーブルと、
入力信号を、前記メモリ読み出し部又は前記相関テーブルから供給される移動度補正値を用いて、画素ごとに補正を行う移動度補正手段と、
前記移動度補正手段で補正された入力信号を、前記メモリ読み出し部又は前記相関テーブルから供給されるしきい電圧補正値を用いて、画素ごとに補正を行うしきい電圧補正手段と、
を備える補正回路。
【請求項２】
前記メモリは移動度補正値を記憶し、
前記メモリ読み出し部は、前記メモリに記憶された移動度補正値を読み出し、
前記相関テーブルは、前記メモリ読み出し部により読み出された前記移動度補正値から、しきい電圧補正値を生成し、
前記移動度補正手段は、デジタルの入力信号に、前記メモリ読み出し部又は前記相関テーブルから供給される移動度補正値を乗算して画素ごとに補正する乗算器からなり、
前記しきい電圧補正手段は、前記乗算器から出力される入力信号に、前記メモリ読み出し部又は前記相関テーブルから供給されるしきい電圧補正値を加算して画素ごとに補正を行う加算器と、前記乗算器で補正された入力信号に対して開平演算を行う開平演算器と、を備えてなり、
前記加算器で補正された入力信号をアナログ信号に変換し、前記表示パネルに出力するＤ／Ａ変換器と、を更に備える
請求項１に記載の補正回路。
【請求項３】
前記メモリはしきい電圧補正値を記憶し、
前記メモリ読み出し部は、前記メモリに記憶されたしきい電圧補正値を読み出し、
前記相関テーブルは、前記メモリ読み出し部により読み出された前記しきい電圧補正値から、移動度補正値を生成し、
前記移動度補正手段は、デジタルの入力信号に、前記相関テーブルから供給される移動度補正値を乗算して画素ごとに補正する乗算器からなり、
前記しきい電圧補正手段は、前記開平演算器から出力される入力信号に、前記メモリ読み出し部から供給されるしきい電圧補正値を加算して画素ごとに補正を行う加算器と、前記乗算器で補正された入力信号に対して開平演算を行う開平演算器と、を備えてなり、
前記加算器で補正された入力信号をアナログ信号に変換し、前記表示パネルに出力するＤ／Ａ変換器と、を更に備える
請求項１に記載の補正回路。
【請求項４】
前記相関テーブルは、前記移動度補正値と前記しきい電圧補正値との多項式近似曲線を記憶しており、当該多項式近似曲線に基づいて一方の補正値から他方の補正値が生成される
請求項２又は３に記載の補正回路。
【請求項５】
前記相関テーブルは、前記移動度補正値と前記しきい電圧補正値の相関関係の情報を離散的に記憶しており、その間の前記移動度補正値又は前記しきい電圧補正値は線形補間により生成される
請求項２又は３に記載の補正回路。
【請求項６】
複数の画素を有し、各画素の画素回路が電流駆動方式である表示パネルと、
前記表示パネルを構成する画素の画素回路における駆動トランジスタのチャネル領域のキャリアの移動度及びしきい電圧に起因する輝度の不均一性を画素ごとに補正するための移動度補正値又はしきい電圧補正値の一方を記憶するメモリと、
前記メモリに記憶された前記移動度補正値又は前記しきい電圧補正値を読み出すメモリ読み出し部と、
前記移動度と前記しきい電圧の相関関係に基づいて、前記メモリ読み出し部により読み出された移動度補正値又はしきい電圧補正値から、他方のしきい電圧補正値又は移動度補正値を生成する相関テーブルと、
入力信号を、前記メモリ読み出し部又は前記相関テーブルから供給される移動度補正値を用いて、画素ごとに補正を行う移動度補正手段と、
前記移動度補正手段で補正された入力信号を、前記メモリ読み出し部又は前記相関テーブルから供給されるしきい電圧補正値を用いて、画素ごとに補正を行うしきい電圧補正手段と、を備えてなる補正回路と、
を含む表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示素子をマトリクス状に配列して形成した表示装置における表示の不均一性の補正を行う補正回路及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、画素として自発光素子である有機ＥＬ素子が用いられている。マトリクス状に配置された各有機ＥＬ素子、すなわち各発光素子の輝度レベル（階調）は、それに流れる電流値によって制御可能であり、いわゆる電流制御型（電流駆動方式）であるという点で液晶表示装置などの電圧制御型とは大きく異なる。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、その駆動方式として単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがあるが、現在はアクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、各画素回路内部の発光素子に流れる電流を、画素回路内部に設けた能動素子によって制御するものである。一般に能動素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が適用され、その機能から駆動トランジスタと呼ばれる。
【０００４】
ＴＦＴがマトリクス状に配置されたＴＦＴパネルでは、画素ごとの入力信号の電位と発光輝度との関係は、その画素の駆動トランジスタにおけるゲート印加電圧とドレイン電流との関係に相当する（例えば、特許文献１を参照）。
【０００５】
駆動トランジスタの動作特性は以下の式で表される。
Ｉｄｓ＝（１／２）μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）２  ・・・・式（１）
【０００６】
この駆動トランジスタの動作特性を表した式１において、Ｉｄｓはソース／ドレイン間に流れるドレイン電流を表わしており、画素回路では発光素子に供給される出力電流である。Ｖｇｓはソースを基準としてゲートに印加されるゲート印加電圧を表わしており、画素回路では上述した入力電位である。Ｖｔｈはトランジスタのしきい電圧である。また、μはトランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜内のキャリアの移動度を表わしている。その他Ｗはチャネル幅を表わし、Ｌはチャネル長を表わし、Ｃｏｘはゲート容量を表わしている。
【０００７】
一般にポリシリコンなどの半導体薄膜で構成されたＴＦＴには、しきい電圧Ｖｔｈと移動度μ（Ｖ−Ｉ特性）にばらつきがある（例えば、特許文献１，３を参照）。このしきい電圧Ｖｔｈと移動度μのばらつきによって画素ごとに輝度むらが発生し、色むらや表示むらの原因となる。
【０００８】
現在、ポリシリコンＴＦＴのシリコン膜の形成においては、非結晶のシリコンをレーザーによって結晶化させるレーザーアニール方式が一般的である。ただし、この際作成される結晶質半導体膜は、複数の結晶粒が集合した構造であり、その結晶粒の位置や大きさに規則性を持たせることは不可能であった（例えば、特許文献４を参照）。そして、この結晶粒の分布特性は上記トランジスタのチャネル領域のキャリアの移動度としきい電圧の両方に影響を与える（例えば、特許文献４、非特許文献１を参照）。
【０００９】
輝度むらを信号処理により補正する場合、従来は、この二つの値をそれぞれ求め、補正する方法が一般的であった（特許文献１−３を参照）。２つの画素において、しきい電圧がＶｔｈ’ずれ、かつ移動度がμ’倍された場合の入力信号電圧に対する発光輝度の関係を表した特性曲線の一例を、図１に示す。図１において、横軸は入力電圧信号Ｖ、縦軸は出力電流Ｉ（出力輝度に対応）を表している。図中、破線で示したある画素の特性曲線２ａは、隣接する画素の特性曲線１に対してしきい電圧がＶｔｈ’（左右方向への矢印部分）ずれ、かつ移動度が１／μ’ずれた曲線の例である。また特性曲線２は、特性曲線２ａに対して移動度をμ’倍したのに相当する（上方向の矢印部分）ように出力電流Ｉを補正した場合の曲線の例である。
【００１０】
この場合、対象画素の発光輝度に対し入力信号電圧が線形となる領域（例えば一点鎖線近傍）において、式（１）を根拠として、Δμ＝１／μ’となるΔμを乗算し、入力信号領域でΔＶｔｈ＝−Ｖｔｈ’となるΔＶｔｈを加算することで精度よく補正が行える。
【００１１】
図２に、しきい電圧と移動度の補正を実現するための回路例を示す。
図２に示す補正回路２０は、あらかじめメモリ２２ａに記憶した移動度、及びメモリ２５ｂに記憶したしきい電圧の補正データに基づいて輝度データを補正し、表示パネル１０（ＴＦＴパネル）に供給するように構成されている。
【００１２】
表示パネル１０は、ＲＧＢの各色ごとの画素を有しており、画素毎の輝度についての電圧信号である入力データ（画素データ：輝度データ）は、ＲＧＢの各色ごとに別に入力され、各色ごとの表示が行える。また、表示エリアのドットの座標を（Ｘ，Ｙ）のように表記する。
【００１３】
Ｒデータは乗算器２１Ｒ、Ｇデータは乗算器２１Ｇ、Ｂデータは乗算器２１Ｂに供給される。この乗算器２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂには、メモリ読み出し部２２が座標信号（Ｘ座標，Ｙ座標）に基づいてメモリ２２ａから読み出した、移動度のばらつきを画素毎に補正する補正値Δμが供給される。
【００１４】
この乗算器２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの出力は、平方根を求める開平演算部２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂに供給される。開平演算部２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの出力は、加算器２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂに供給される。
【００１５】
この加算器２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂには、メモリ読み出し部２５が（Ｘ座標，Ｙ座標）に基づいてメモリ２５ａから読み出した、しきい電圧のばらつきを画素毎に補正する補正値ΔＶｔｈが供給される。
【００１６】
そして、加算器２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂの出力は、Ｄ／Ａ変換器２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂに供給され、ここでアナログのデータ信号に変換され、表示パネル１０の各色ごとの入力端子に供給される。そこで、各画素において、有機ＥＬ素子が画素毎に各色の補正されたデータ信号に応じた電流で駆動される。
【００１７】
このようにして、製造上の問題により有機ＥＬ素子に発生する輝度不均一性を補正することができる。しかし、上述のとおり、移動度μおよびしきい電圧Ｖｔｈについての二つの補正値を画素ごとにメモリに格納しておく必要があるが、画素数によっては、このデータサイズは非常に大きくなってしまい、問題となっている。
【００１８】
この問題を解決するため、特許文献２には、画素数の多い表示パネルにおいて、表示エリアを小エリアに分割して、小エリア毎に電流を測定し、表示エリア全体の傾向を算出して表示エリア全体を補正する係数を算出する、または小エリア毎に補正を行うことも提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１９】
【特許文献１】特開２００６−８４８９９号公報
【特許文献２】特開２００４−２６４７９３号公報
【特許文献３】特開２００７−１８８７６号公報
【特許文献４】特開２００８-２５２１０１号公報
【非特許文献】
【００２０】
【非特許文献１】「統計的解析によるＰｏｌｙ−Ｓｉ  ＴＦＴの結晶粒界の影響の評価」、電子情報通信学会技術研究報告．ＶＬＤ，ＶＬＳＩ設計技術、社団法人電子情報通信学会、２００２年９月２３日、第１０２巻（第３４４号）、ｐ．２５−３０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
しかしながら、特許文献２に記載された技術は、表示パネルを小エリアに分割し、小エリア単位で表示パネル全体の傾向を算出するものであるから、各画素ごとの補正を精度良く行うことができない。また、小エリア単位で補正を行うようにした場合、メモリの記憶容量は小さく抑えられるが、やはり各画素ごとの補正を精度良く行うことができない。
【００２２】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、メモリの記憶容量を小さく抑えつつ各画素ごとに輝度不均一性を補正できるようにする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本願出願人は、上記特許文献４のようにして作成された実際のＴＦＴにおいて、移動度としきい電圧を測定してみると、そのどちらも結晶粒の分布に依存するためと推測されるが、そのばらつきの方向にはある程度の相関が見られることに気づいた。図３は、しきい電圧Ｖｔｈと移動度μの相関の一例を示したものである。図３によれば、移動度μが小さいとしきい電圧Ｖｔｈが大きく、移動度μが大きくなるにつれてしきい電圧Ｖｔｈが下がるという相関が見られる。
【００２４】
そこで、この相関を利用し、しきい電圧補正値ΔＶｔｈをメモリに持たず、移動度補正値Δμの値から予め用意した相関テーブルを用いて補正回路内で生成させることを考える。
【００２５】
すなわち、本発明の補正回路の一側面は、
補正対象の表示パネルを構成する画素の画素回路における駆動トランジスタのチャネル領域のキャリアの移動度及びしきい電圧に起因する輝度の不均一性を画素ごとに補正するための移動度補正値又はしきい電圧補正値の一方を記憶するメモリと、
前記メモリに記憶された前記移動度補正値又は前記しきい電圧補正値を読み出すメモリ読み出し部と、
前記移動度と前記しきい電圧の相関関係に基づいて、前記メモリ読み出し部により読み出された移動度補正値又はしきい電圧補正値から、他方のしきい電圧補正値又は移動度補正値を生成する相関テーブルと、
入力信号を、前記メモリ読み出し部又は前記相関テーブルから供給される移動度補正値を用いて、画素ごとに補正を行う移動度補正手段と、
前記移動度補正手段で補正された入力信号を、前記メモリ読み出し部又は前記相関テーブルから供給されるしきい電圧補正値を用いて、画素ごとに補正を行うしきい電圧補正手段と、
を備える。
【００２６】
本発明の一側面においては、表示パネルの画素に発生する輝度不均一性を画素ごとに補正することができる。また、各画素の画素回路での補正処理に用いる移動度補正値又はしきい電圧補正値の一方のみをメモリに記憶し、他方の補正値は相関テーブルを参照して補正回路内で作成するようにしたので、新たにメモリの記憶容量を必要としない。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、メモリの記憶容量を小さく抑えつつ各画素ごとに輝度不均一性を補正できるので、精度良く表示むらが抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】２つの画素における入力信号電圧と発光輝度の関係の一例を示すグラフである。
【図２】しきい電圧と移動度の補正を実現するための回路例を示す。
【図３】しきい電圧と移動度の相関を示すグラフである。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るしきい電圧と移動度を補正するための回路例を示す図である。
【図５】多項式近似による補間演算を説明するためのグラフである。
【図６】線形補間によってしきい移動度補正値Δμからしきい電圧補正値ΔＶｔｈを生成する方法を説明するためのグラフである。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るしきい電圧と移動度を補正するための回路例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明を実施するための形態の例について、添付図面を参照しながら説明する。説明は下記の順に行う。
１．第１の実施の形態（相関テーブル：ΔμからΔＶｔｈを発生させる場合の例）
２．第２の実施の形態（相関テーブル：ΔＶｔｈからΔμを発生させる場合の例）
【００３０】
＜１．第１の実施の形態＞
【００３１】
上記式（１）によれば、電流駆動方式のアクティブマトリクス型ＴＦＴパネルにおいて、画素回路内の駆動トランジスタのドレイン電流（出力電流Ｉ）は、移動度μに比例し、かつ、ゲート印加電圧Ｖｇｓとしきい電圧Ｖｔｈの差の２乗に比例する。すなわち、駆動トランジスタのドレイン電流（出力電流Ｉ）の精度は、移動度μの精度と、ゲート印加電圧Ｖｇｓとしきい電圧Ｖｔｈの差の２乗の精度に依存する。
そこで、本発明では、このような駆動トランジスタの出力電流の特性を考慮して移動度μ及びしきい電圧Ｖｔｈの補正値を決定し、その補正値を用いて入力信号に対し式（１）を逆算するように補正処理を行い、その出力をＴＦＴパネルの各画素に供給する。
【００３２】
すなわち、本発明の第１の実施の形態では、対象画素の発光輝度に対し入力信号電圧が線形となる領域において、式（１）を根拠として、入力信号電圧に対してΔμ＝１／μ’となるΔμを乗算する。さらに、入力信号領域でΔＶｔｈ＝−Ｖｔｈ’となるΔＶｔｈを加算することで入力信号を精度よく補正する。ここで、補正回路内にあらかじめ移動度補正値Δμとしきい電圧補正値ΔＶｔｈの相関テーブル（ＬＵＴ：ルックアップテーブル）を持たせ、移動度補正値Δｕの入力に応じてしきい電圧補正値ΔＶｔｈを生成するようにする。
【００３３】
図４は、本発明の表示装置の第１の実施の形態として、有機ＥＬ表示装置に適用した場合の構成例を示すものである。本実施の形態の有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１０と補正回路５０を備えて構成され、あらかじめ記憶した移動度及びしきい電圧の補正データに基づいて輝度データを補正し、表示パネル１０に供給するように構成されている。
【００３４】
表示パネル１０は、ＲＧＢ（赤、緑、青）の各色ごとの画素を有しており、画素毎の輝度についての電圧信号である入力データ（画素データ：輝度データ）は、ＲＧＢの各色ごとに別に入力され、各色ごとの表示が行える。ＲＧＢの各データは、一例としてそれぞれ８ビットの輝度データであり、１画素はＲＧＢの３色のドット（サブ画素）から構成することができる。また、表示エリアのドットの座標を（Ｘ，Ｙ）のように表記する。
【００３５】
補正回路５０は、乗算器５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂと、メモリ読み出し部５２と、メモリ５２ａと、開平演算部５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂと、加算器５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂと、相関テーブル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂと、Ｄ／Ａ変換器５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂを備えてなる。
【００３６】
乗算器５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂは、ＲＧＢの各色ごとに設けられ、入力された映像データのうちＲデータが乗算器５１Ｒ、Ｇデータが乗算器５１Ｇ、Ｂデータが乗算器５１Ｂに供給される。この乗算器５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂには、メモリ読み出し部５２から駆動トランジスタの移動度のばらつきを画素毎に補正する移動度補正値Δμ（＝１／μ´）が供給される。
【００３７】
メモリ読み出し部５２は、座標信号（Ｘ座標，Ｙ座標）に基づいて、メモリ５２ａから移動度のばらつきを画素毎に補正する移動度補正値Δμを読み出し、乗算器５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂにそれぞれ供給する。また、メモリ読み出し部５２は、読み出した画素毎の移動度補正値Δμを、乗算器５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂにそれぞれ供給する。移動度補正値Δμは、例えば表示パネル１０の左上隅等の特定の画素の画素回路の駆動トランジスタの移動度を基準に、全画素について決定してもよい。メモリ５２ａは、画素毎に各色の移動度補正値Δμを保存できる記憶容量があればよく、例えばフラッシュメモリ、ＥＥＰＲＯＭなどの不揮発性メモリを適用することができる。
【００３８】
なお、メモリ読み出し部５２に入力される座標信号は、図示しない座標発生部により、入力データの垂直同期信号、水平同期信号、および画素データに同期したクロックに基づき、ＲＧＢの入力データ（画素データ）に同期して生成される。そして、このようにして生成された座標信号がメモリ読み出し部５２に供給される。
【００３９】
乗算器５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂは、入力された映像データのＲデータ，Ｇデータ，Ｂデータ（入力信号電圧）に、メモリ読み出し部５２から供給される各色の移動度補正値Δμ（＝１／μ´）をそれぞれ乗算する。そして、その乗算結果は出力として、平方根を求める開平演算部５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂに供給される。
【００４０】
開平演算部５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂで各色の入力信号電圧の平方根が求められた後、出力として加算器５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂに供給される。この加算器５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂには、各色の相関テーブル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂから駆動トランジスタのしきい電圧のばらつきを画素毎に補正するしきい電圧補正値ΔＶｔｈ（＝−Ｖｔｈ´）が供給される。
【００４１】
相関テーブル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂは、移動度μとしきい電圧Ｖｔｈの相関を利用して、メモリ読み出し部５２から供給される移動度補正値Δμから各色ごとにしきい電圧補正値ΔＶｔｈを生成し、それぞれを加算器５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂに供給する。相関テーブル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂは、例えば表示装置が備える図示しないマイクロプロセッサ内のメモリに格納することができる。あるいは、表示装置内に設けられている任意のメモリを他の機能と共用してもよい。
【００４２】
この相関テーブル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂは、ＲＧＢの同時アクセスを考慮し、ＲＧＢの色ごとに独立で持つようにする。しかし、相関テーブル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂのデータ内容に関しては、ＲＧＢ独立に求めても、同じ値を入れてもよい。この相関テーブル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂに格納するデータ内容（補正値）及びその補正値の求め方は後述する。
【００４３】
加算器５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂは、開平演算部５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂから供給されたＲデータ，Ｇデータ，Ｂデータに、相関テーブル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂから供給される各色のしきい電圧補正値ΔＶｔｈ（＝−Ｖｔｈ´）を加算する。
【００４４】
そして、加算器２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂの出力は、Ｄ／Ａ変換器２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂに供給され、ここでアナログのデータ信号に変換され、表示パネル１０の各色ごとの入力端子に供給される。そこで、各画素において、有機ＥＬ素子が画素毎に各色の補正されたデータ信号に応じた電流で駆動される。
【００４５】
このようにして、第１の実施の形態では、製造上の問題により表示パネル１０の有機ＥＬ素子に発生する輝度不均一性を画素ごとに補正することができる。また、各画素の画素回路での補正処理に用いる移動度補正値Δμのみをメモリに記憶し、しきい電圧補正値ΔＶｔｈは相関テーブルを参照して補正回路内で作成するようにしたので、メモリの記憶容量が小さく抑えられる。
【００４６】
ここで、相関テーブル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂに保存するしきい電圧補正値ΔＶｔｈの求め方を説明する。
相関テーブルに記憶させるしきい電圧補正値ΔＶｔｈは基本的には実測値から求めることを考える。しかし、相関テーブルの作成方法として、すべての移動度補正値Δμの入力に対するしきい電圧補正値ΔＶｔｈの出力を決めるためには、移動度補正値Δμがプロットできない部分を補間する必要がある。そこで、移動度補正値Δμとしきい電圧補正値ΔＶｔｈを、図５に示すような２次元グラフにプロットしていき、多項式近似をして補間する方法が考えられる。
【００４７】
さらに、図６のグラフを参照して、相関テーブル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂに格納するしきい電圧補正値ΔＶｔｈの他の求め方を説明する。
すべての移動度補正値Δμの入力に対して相関テーブルを持つのはメモリの記憶容量が大きくなるため好ましくない。そこで、相関テーブルは移動度補正値Δμ及び当該移動度補正値Δμに対するしきい電圧補正値ΔＶｔｈのデータを離散的にメモリに持ち、演算回路で下記演算式（１）に基づいて線形補間を行う方法も考えられる。図６において、相関テーブルに登録された離散的な移動度補正値の例を細線の矢印で表し、離散した移動度補正値の間に入力された移動度補正値Δμを太線の矢印で表してある。なお、演算回路は、図４の相関テーブル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂと加算器５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂの間に設ける。
【００４８】
すなわち、メモリ読み出し部５２から出力される移動度補正値Δμに基づいて、図６に示すように、離散的にメモリ（相関テーブル）に持ったしきい電圧補正値ΔＶｔｈのデータから、移動度補正値Δμの近傍二点のしきい電圧補正値ΔＶｔｈ（ΔＶｔｈ ｎとΔＶｔｈ ｎ＋１）を読み出す。その後、下記演算式（１）にて線形補間を行いしきい電圧補正値ΔＶｔh ｏｕｔを求める。
ΔVth out= (ΔVth n+1 -ΔVth n) * (μdiff/ μsize) + ΔVth n ・・・・（１）
ここで、
Δμ ｄｉｆｆ： 相関テーブルに登録された移動度補正値Δμの近傍のうち小さい方の移動度補正値と移動度補正値Δμとの差
Δμ ｓｉｚｅ： 相関テーブルに登録された移動度補正値Δμの近傍二点の移動度補正値の差
【００４９】
つまり、図６に示すように入力された移動度補正値Δμが間に含まれる２つの移動度補正値に対応する２つのしきい電圧補正値ΔＶｔｈ ｎ，ΔＶｔｈ ｎ＋１を取得する。そして、取得した２つの移動度補正値及び対応する２つのしきい電圧補正値ΔＶｔｈを用いて線形補間を行い、入力された移動度補正値Δμに対応する離散値の間のしきい電圧補正値ΔＶｔh ｏｕｔを求める。その後、加算器５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂにおいて、開平演算部５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂから供給されたＲデータ，Ｇデータ，Ｂデータに、相関テーブル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂから供給される各色のしきい電圧補正値ΔＶｔｈ ｏｕｔが加算される。
【００５０】
なお、相関テーブルに格納する補正値は、ＴＦＴの製造プロセスに依存する。そのため、相関テーブルに格納する補正値を表示パネルごとに決めるのではなく、ＴＦＴの製造プロセスごとに求めておくことで簡単化することもできる。
【００５１】
＜２．第２の実施の形態＞
本発明の第２の実施の形態では、しきい電圧補正値ΔＶｔｈをメモリに記憶しておき、相関テーブルを利用してしきい電圧補正値ΔＶｔｈの入力に応じて移動度補正値Δμを生成するようにする。
【００５２】
図７は、本発明の第２の実施の形態に係るしきい電圧と移動度を補正するための回路例を示す図である。この図７において、図４と対応する部分には同一符号を付している。説明は、図４と異なる部分を中心に行い、図４と対応する部分の詳細な説明は省略する。
【００５３】
図７において有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１０と補正回路５０Ａを備えて構成されている。補正回路５０Ａは、乗算器５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂと、メモリ読み出し部６５と、メモリ６５ａと、開平演算部５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂと、加算器５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂと、相関テーブル６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂと、Ｄ／Ａ変換器５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂを備えてなる。
【００５４】
乗算器５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂは、入力された映像データのうちＲデータが乗算器５１Ｒ、Ｇデータが乗算器５１Ｇ、Ｂデータが乗算器５１Ｂに供給される。この乗算器５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂには、相関テーブル６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂから駆動トランジスタの移動度のばらつきを画素毎に補正する移動度補正値Δμ（＝１／μ´）が供給される。
【００５５】
相関テーブル６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂは、移動度μとしきい電圧Ｖｔｈの相関を利用して、メモリ読み出し部６５から供給されるしきい電圧補正値ΔＶｔｈから各色ごとに移動度補正値Δμを生成し、それぞれを乗算器５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂに供給する。相関テーブル６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂは、図４の場合と同様に、例えば表示装置が備える図示しないマイクロプロセッサ内のメモリに格納することができる。あるいは、表示装置内に設けられている任意のメモリを他の機能と共用してもよい。
【００５６】
また、相関テーブル６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂは、図４の場合と同様に、ＲＧＢの同時アクセスを考慮し、ＲＧＢの色ごとに独立で持つようにする。しかし、相関テーブル６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂのデータ内容に関しては、ＲＧＢ独立に求めても、同じ値を入れてもよい。この相関テーブル６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂに格納するデータ内容（補正値）及びその補正値の求め方は、第１の実施の形態での方法を利用できる。
【００５７】
メモリ読み出し部６５は、座標信号（Ｘ座標，Ｙ座標）に基づいて、メモリ６５ａからしきい電圧のばらつきを画素毎に補正するしきい電圧補正値ΔＶｔｈを読み出し、相関テーブル６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂにそれぞれ供給する。また、メモリ読み出し部６５は、読み出した画素毎のしきい電圧補正値ΔＶｔｈ（＝−Ｖｔｈ´）を、加算器５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂにそれぞれ供給する。メモリ６５ａは、画素毎に各色のしきい電圧補正値ΔＶｔｈを保存できる記憶容量があればよく、例えばフラッシュメモリ、ＥＥＰＲＯＭなどの不揮発性メモリを適用することができる。
【００５８】
なお、メモリ読み出し部６５に入力される座標信号は、図４と同様に、図示しない座標発生部により、ＲＧＢの入力データ（画素データ）に同期して生成される。
【００５９】
乗算器５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂは、入力された映像データのＲデータ，Ｇデータ，Ｂデータ（入力信号電圧）に、相関テーブル６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂから供給される各色の移動度補正値Δμをそれぞれ乗算する。そして、その乗算結果は出力として、平方根を求める開平演算部５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂに供給される。
【００６０】
開平演算部５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂで各色の入力信号電圧の平方根が求められた後、出力として加算器５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂに供給される。この加算器５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂには、メモリ読み出し部６５から駆動トランジスタのしきい電圧のばらつきを画素毎に補正するしきい電圧補正値ΔＶｔｈが供給される。
【００６１】
加算器５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂは、開平演算部５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂから供給されたＲデータ，Ｇデータ，Ｂデータに、メモリ読み出し部６５から供給される各色のしきい電圧補正値Δμを加算する。
【００６２】
そして、加算器２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂの出力は、Ｄ／Ａ変換器２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂに供給され、ここでアナログのデータ信号に変換され、表示パネル１０の各色ごとの入力端子に供給される。そこで、各画素において、有機ＥＬ素子が画素毎に各色の補正されたデータ信号に応じた電流で駆動される。
【００６３】
上述したとおり第２の実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、製造上の問題により表示パネル１０の有機ＥＬ素子に発生する輝度不均一性を画素ごとに補正することができる。また、各画素の画素回路での補正処理に用いる移動度補正値Δμのみをメモリに記憶し、しきい電圧補正値ΔＶｔｈは相関テーブルを参照して補正回路内で作成するようにしたので、メモリの記憶容量が小さく抑えられる。
【００６４】
なお、以上に述べた実施の形態は、本発明を実施するための好適な形態の具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されている。ただし、本発明は、以上の実施の形態の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施の形態に限られるものではない。したがって、本発明は、上述した実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変形、変更が可能である。
【００６５】
例えば、上述した実施の形態では、本発明の表示装置を有機ＥＬ表示装置に適用した例を説明したが、電流駆動方式のアクティブマトリクス型ＴＦＴパネルを備えた表示装置であればこの例に限られるものではない。
【００６６】
例えば、上述した回路構成及び一連の処理は、ハードウェアにより実行させることもできるし、ソフトウェアにより実行させることもできる。また、これらの処理を実行する機能はハードウェアとソフトウェアの組み合わせによっても実現できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００６７】
１０…表示パネル、５０…補正回路、５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂ…乗算器、５２…メモリ読み出し部、５２ａ…メモリ、５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂ…開平演算器、５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂ…加算器、５５Ｒ，５５Ｒ，５５Ｂ…相関テーブル、５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂ…Ｄ／Ａ変換器、６２Ｒ，６２Ｒ，６２Ｂ…相関テーブル、６５…メモリ読み出し部、６５ａ…メモリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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