(57)【要約】      （修正有）【課題】複雑な工程を要することなく、簡易にターボ分子ポンプの内部に付着した付着物を除去することのできる基板処理装置のクリーニング方法を提供する。【解決手段】処理ガス供給機構１０２からの処理ガスの供給を停止する工程と、ターボ分子ポンプ１０３を停止する工程と、真空ポンプ１０４を駆動してターボ分子ポンプ１０３の排気側圧力を低下させつつターボ分子ポンプ１０３を加熱機構１０７によって加熱してターボ分子ポンプ１０３内に付着した付着物を除去する除去工程とを実施する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容して所定の処理を施す処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に所定のガスを供給するガス供給機構と、
前記処理チャンバーに接続され、前記処理チャンバー内を排気するためのターボ分子ポンプと、
前記ターボ分子ポンプを冷却するための冷却機構と、
前記ターボ分子ポンプの排気側に設けられた真空ポンプと
を具備した基板処理装置の前記ターボ分子ポンプ内に付着した付着物を除去するための基板処理装置のクリーニング方法であって、
前記ガス供給機構からのガスの供給を停止する工程と、
前記ターボ分子ポンプを停止する工程と、
前記真空ポンプを駆動して前記ターボ分子ポンプの排気側圧力を低下させつつ前記ターボ分子ポンプを加熱機構によって加熱して前記ターボ分子ポンプ内に付着した付着物を除去する除去工程と
を具備したことを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、
前記冷却機構による前記ターボ分子ポンプの冷却を停止する工程をさらに具備したことを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、
前記処理チャンバーと前記ターボ分子ポンプとの間に設けられた自動圧力制御弁を閉じる工程をさらに具備したことを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか1項記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、
前記真空ポンプによって前記ターボ分子ポンプの排気側圧力を１３３０Ｐａ以下とすることを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項５】
請求項４記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、
前記真空ポンプによって前記ターボ分子ポンプの排気側圧力を１３３Ｐａ以下とすることを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか１項記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、
前記加熱機構による前記ターボ分子ポンプの加熱温度を１２０℃以上とすることを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項７】
請求項１〜５いずれか１項記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、
前記ターボ分子ポンプと前記真空ポンプとの間に、前記ターボ分子ポンプより排気能力の低い第２のターボ分子ポンプを取り付け、前記第２のターボ分子ポンプを運転しつつ前記除去工程を行うことを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項８】
請求項７記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、
前記冷却機構による前記ターボ分子ポンプの冷却を停止するとともに、前記加熱機構による前記ターボ分子ポンプの加熱温度の上限を９０℃とすることを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置のクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ等の基板を基板処理装置の処理チャンバー内に配置し、処理チャンバー内を所定圧力の真空雰囲気として、基板に所定の処理（例えば、エッチングや成膜。）を施すことが行われている。
【０００３】
このような基板処理装置では、処理チャンバーの排気部にターボ分子ポンプ（Turbo Molecular Pump）を設け、このターボ分子ポンプの下流側にドライポンプ等を設けた構成とすることが知られている。このような構成とした場合、ターボ分子ポンプ内に流入したガスやパーティクル等によってターボ分子ポンプの内部の回転翼等に異物が付着する場合がある。この場合、処理チャンバーとターボ分子ポンプとの間にガスやパーティクル等を捕捉するデポトラップ（コールドトラップ等）を設ければよいが、装置の構造上処理チャンバーとターボ分子ポンプとの間にデポトラップを設けることが困難な場合があり、また、このような位置にデポトラップを設けることは、真空度を高めるという観点からは好ましくない。
【０００４】
また、この場合、ターボ分子ポンプを加熱して異物の付着を防止することも考えられるが、ターボ分子ポンプでは、動作中は動翼が高速回転しており、その温度を上げ過ぎると動翼がクリープ現象を起こすため、ターボ分子ポンプを一定温度（例えば１２０℃）以上に加熱することは、好ましくない。このため、従来からターボ分子ポンプの内部の付着物を除去するための各種のクリーニング方法が提案されている。その一つとして、例えば、付着物に向けて、付着物を気化させる気化ガスを供給して付着物を除去する技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２４８８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したとおり、従来からターボ分子ポンプの内部をクリーニングする各種の方法が提案されている。しかしながら、例えば、プラズマエッチング装置では、形成するパターンが、５６ｎｍから４３ｎｍさらに３２ｎｍ等に微細化されるに従って、その工程は複雑化しており、例えばデポ物を付着させつつエッチングする工程等のため、ターボ分子ポンプの内部に付着する付着物の量が増加する傾向にある。このため、複雑な工程を要することなく、簡易にターボ分子ポンプの内部に付着した付着物を除去することのできる基板処理装置のクリーニング方法の開発が望まれていた。
【０００７】
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、複雑な工程を要することなく、簡易にターボ分子ポンプの内部に付着した付着物を除去することのできる基板処理装置のクリーニング方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る基板処理装置のクリーニング方法は、基板を収容して所定の処理を施す処理チャンバーと、前記処理チャンバー内に所定のガスを供給するガス供給機構と、前記処理チャンバーに接続され、前記処理チャンバー内を排気するためのターボ分子ポンプと、前記ターボ分子ポンプを冷却するための冷却機構と、前記ターボ分子ポンプの排気側に設けられた真空ポンプとを具備した基板処理装置の前記ターボ分子ポンプ内に付着した付着物を除去するための基板処理装置のクリーニング方法であって、前記ガス供給機構からのガスの供給を停止する工程と、前記ターボ分子ポンプを停止する工程と、前記真空ポンプを駆動して前記ターボ分子ポンプの排気側圧力を低下させつつ前記ターボ分子ポンプを加熱機構によって加熱して前記ターボ分子ポンプ内に付着した付着物を除去する除去工程とを具備したことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、複雑な工程を要することなく、簡易にターボ分子ポンプの内部に付着した付着物を除去することのできる基板処理装置のクリーニング方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置のクリーニング方法を説明するための図。
【図２】本発明の他の実施形態に係る基板処理装置のクリーニング方法を説明するための図。
【図３】図１の基板処理装置の要部構成を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施形態について説明する。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置のクリーニング方法を実施する基板処理装置の構成を模式的に示すものである。図１に示すように、基板処理装置１００は、処理チャンバー１０１を具備している。この処理チャンバー１０１は、内部を気密に閉塞可能とされており、この中に半導体ウエハ等の基板を収容して、この基板に所定の処理を施すようになっている。
【００１３】
処理チャンバー１０１には、この処理チャンバー１０１内に所定のガス（処理ガス）を供給するためのガス供給機構１０２が接続されている。また、処理チャンバー１０１の下部には、この処理チャンバー１０１内を所定の真空度に排気するためのターボ分子ポンプ１０３が接続されており、処理チャンバー１０１とターボ分子ポンプ１０３との間には、自動圧力制御弁１０６が介挿されている。
【００１４】
また、ターボ分子ポンプ１０３の排気側には、ドライポンプ（真空ポンプ）１０４が設けられている。さらに、ターボ分子ポンプ１０３には、ターボ分子ポンプ１０３の駆動中に、ターボ分子ポンプ１０３を冷却するための冷却機構１０５が設けられている。なお、処理チャンバー１０１には、基板に所定の処理を施すための機構、例えば、処理ガスをプラズマ化するための機構、基板を加熱又は冷却するための温度調節機構等が設けられている。
【００１５】
上記構成の基板処理装置１００では、処理チャンバー１０１内に半導体ウエハ等の基板を収容し、ターボ分子ポンプ１０３及びドライポンプ１０４によって、処理チャンバー１０１内を所定の真空度に真空引きしながら、ガス供給機構１０２によって、処理チャンバー１０１内に所定のガスを供給して基板に所定の処理を施す。この処理が、例えばプラズマエッチング処理の場合、ガス供給機構１０２から供給されるガスとしては、例えばＡｒ、Ｎ２、Ｏ２、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ４Ｆ８、ＣＯ、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ６、ＣＨ４等が挙げられる。
【００１６】
このように基板処理装置１００において基板の処理、例えばエッチング処理等を行うと、パーティクルや副生成物がターボ分子ポンプ１０３内に侵入してターボ分子ポンプ１０３内に付着する。このターボ分子ポンプ１０３内の付着物を除去するクリーニングを行うために、本実施形態では、ターボ分子ポンプ１０３を加熱するための加熱機構１０７が設けられており、ターボ分子ポンプ１０３とドライポンプ１０４との間には、デポトラップ１０８（コールドトラップ等）が介挿されている。なお、ターボ分子ポンプ１０３の機種によっては、加熱機構を具備したものもあり、この場合は、この加熱機構を用いることができる。
【００１７】
以下、ターボ分子ポンプ１０３内の付着物をクリーニングする方法について説明する。ターボ分子ポンプ１０３内の付着物をクリーニングする際は、ガス供給機構１０２からのガスの供給を停止するとともに、ターボ分子ポンプ１０３を停止する。この時、冷却機構１０５によるターボ分子ポンプ１０３の冷却を停止することが好ましい。また、自動圧力制御弁１０６を閉じることがさらに好ましい。
【００１８】
次に、ドライポンプ（真空ポンプ）１０４を駆動してターボ分子ポンプ１０３の排気側圧力を低下させつつ加熱機構１０７によってターボ分子ポンプ１０３を加熱することによってターボ分子ポンプ１０３内の付着物を除去する除去工程を実施する。
【００１９】
この除去工程では、ターボ分子ポンプ１０３の排気側圧力を少なくとも１３３０Ｐａ（１０Torr）以下とすることが好ましく、１３３Ｐａ（１Torr）以下程度とすることがさらに好ましい。また、加熱機構１０７によるターボ分子ポンプ１０３の加熱温度は、１２０℃以上、例えば１５０℃程度とすることが好ましい。これによって、ターボ分子ポンプ１０３内の付着物を、主に昇華によりガス化して除去することができる。なお、この際、ターボ分子ポンプ１０３から除去された付着物は、デポトラップ１０８によってトラップされ、ドライポンプ１０４中に侵入することを抑制することができる。
【００２０】
基板処理装置１００がプラズマエッチングの場合であって、処理ガスとしてＡｒ、Ｎ２、Ｏ２、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ４Ｆ８、ＣＯ、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ６、ＣＨ４等のガスを使用した場合のターボ分子ポンプ１０３内の付着物について上記のクリーニング工程を実施した。なお、エッチング処理としては、主としてレジストをマスクとしてＳｉＯ２等をエッチングする処理を行った場合であり、ターボ分子ポンプ１０３内の付着物には、元素としてＦ，Ｎ，Ｓｉ，Ｏ，Ｃ，Ｈ等が含まれており、付着物中にはＣとＦとの結合、ＳｉとＦとの結合、ＮとＨとの結合、ＣとＯとの結合、ＳｉとＯとの結合等が含まれている。
【００２１】
上記のクリーニングの結果、ターボ分子ポンプ１０３の排気側圧力を１３３Ｐａ（１Torr）、加熱温度を１２０℃とし、上記の除去工程を２時間行った場合、付着物の４０％程度を除去することができた。また、ターボ分子ポンプ１０３の排気側圧力を１３３Ｐａ（１Torr）のまま、加熱温度を１５０℃に上昇させ、さらに上記の除去工程を２時間行った場合、略１００％の付着物を除去することができた。この付着物の減少量は、熱重量分析によって測定した。なお、この場合の付着物は、大気圧では１４０℃付近から昇華が始まり、１３３Ｐａ（１Torr）以下では、１１０℃付近から昇華が始まる。このため、加熱温度を考慮すると、少なくともターボ分子ポンプ１０３の排気側圧力を１３３０Ｐａ（１０Torr）以下とすることが好ましく、１３３Ｐａ（１Torr）以下とすることがさらに好ましい。また、ターボ分子ポンプ１０３の加熱温度は、１２０℃以上とすることか好ましく、１５０℃程度とすることがさらに好ましい。
【００２２】
上記のクリーニング工程を行う頻度は、基板処理装置１００の種類や実施するプロセスによって大きく異なるが、上記のように基板処理装置１００がプラズマエッチングの場合であって、使用する処理ガスが上記のような場合、数年に１回〜数カ月に１回程度となる。以上のように本実施形態では、複雑な工程を要することなく、簡易にターボ分子ポンプ１０３の内部に付着した付着物を除去することができる。
【００２３】
図２は、本発明の他の実施形態に係る基板処理装置のクリーニング方法を実施する基板処理装置の構成を模式的に示すものである。図２に示すように、基板処理装置１００aでは、ターボ分子ポンプ１０３とドライポンプ（真空ポンプ）１０４との間に第２のターボ分子ポンプ１０９を介挿し、この第２のターボ分子ポンプ１０９とドライポンプ（真空ポンプ）１０４を駆動してターボ分子ポンプ１０３のクリーニング（上記した除去工程）を行う。
【００２４】
なお、図２では、第２のターボ分子ポンプ１０９とドライポンプ（真空ポンプ）１０４との間にデポトラップ１０８を設けているが、ターボ分子ポンプ１０３と第２のターボ分子ポンプ１０９との間にデポトラップ１０８を設けてもよい。なお、他の部分については、図１に示した基板処理装置と同様に構成されているので、対応する部分には同一の符号を付して重複した説明は省略する。
【００２５】
本実施形態では、通常時は介挿されていない第２のターボ分子ポンプ１０９を排気系に介挿してターボ分子ポンプ１０３をクリーニングするため、図１に示した実施形態よりも工程数が増加するが、ターボ分子ポンプ１０３の排気側圧力をより低下させることができるので、ターボ分子ポンプ１０３の加熱温度をより低い温度（例えば、８０℃〜９０℃）で、ターボ分子ポンプ１０３中の付着物を除去することができる。さらに、冷却機構１０５によるターボ分子ポンプ１０３の冷却を停止すれば、より効率的にターボ分子ポンプ１０３中の付着物を除去することができる。
【００２６】
図３は、図１、図２に示した基板処理装置の処理チャンバー１０１の部分の構成を、プラズエッチング装置を例にして具体的に示したものである。プラズマエッチング装置２００は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理チャンバー１を有している。この処理チャンバー１は、円筒状とされ、例えばアルミニウム等から構成されている。
【００２７】
処理チャンバー１内には、被処理基板である半導体ウエハＷを水平に支持する載置台２が設けられている。載置台２は例えばアルミニウム等で構成されており、下部電極としての機能を有する。この載置台２は、絶縁板３を介して導体の支持台４に支持されている。また、載置台２の上方の外周には、例えば単結晶シリコンで形成されたフォーカスリング５が設けられている。さらに、載置台２及び支持台４の周囲を囲むように、例えば石英等からなる円筒状の内壁部材３ａが設けられている。
【００２８】
載置台２には、第１の整合器１１ａを介して第１のＲＦ電源１０ａが接続され、また、第２の整合器１１ｂを介して第２のＲＦ電源１０ｂが接続されている。第１のＲＦ電源１０ａは、プラズマ発生用のものであり、この第１のＲＦ電源１０ａからは所定周波数（２７ＭＨｚ以上例えば４０ＭＨｚ）の高周波電力が載置台２に供給されるようになっている。また、第２のＲＦ電源１０ｂは、イオン引き込み用（バイアス用）のものであり、この第２のＲＦ電源１０ｂからは第１のＲＦ電源１０ａより低い所定周波数（１３．５６ＭＨｚ以下、例えば２ＭＨｚ）の高周波電力が載置台２に供給されるようになっている。一方、載置台２の上方には、載置台２と平行に対向するように、上部電極としての機能を有するシャワーヘッド１６が設けられており、シャワーヘッド１６と載置台２は、一対の電極（上部電極と下部電極）として機能するようになっている。
【００２９】
載置台２の上面には、半導体ウエハＷを静電吸着するための静電チャック６が設けられている。この静電チャック６は絶縁体６ｂの間に電極６ａを介在させて構成されており、電極６ａには直流電源１２が接続されている。そして電極６ａに直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によって半導体ウエハＷが吸着されるよう構成されている。
【００３０】
支持台４の内部には、冷媒流路４ａが形成されており、冷媒流路４ａには、冷媒入口配管４ｂ、冷媒出口配管４ｃが接続されている。そして、冷媒流路４ａの中に適宜の冷媒、例えば冷却水等を循環させることによって、支持台４及び載置台２を所定の温度に制御可能となっている。また、載置台２等を貫通するように、半導体ウエハＷの裏面側にヘリウムガス等の冷熱伝達用ガス（バックサイドガス）を供給するためのバックサイドガス供給配管３０が設けられており、このバックサイドガス供給配管３０は、図示しないバックサイドガス供給源に接続されている。これらの構成によって、載置台２の上面に静電チャック６によって吸着保持された半導体ウエハＷを、所定の温度に制御可能となっている。
【００３１】
上記したシャワーヘッド１６は、処理チャンバー１の天壁部分に設けられている。シャワーヘッド１６は、本体部１６ａと電極板をなす上部天板１６ｂとを備えており、絶縁性部材４５を介して処理チャンバー１の上部に支持されている。本体部１６ａは、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなり、その下部に上部天板１６ｂを着脱自在に支持できるように構成されている。
【００３２】
本体部１６ａの内部には、ガス拡散室１６ｃが設けられ、このガス拡散室１６ｃの下部に位置するように、本体部１６ａの底部には、多数のガス通流孔１６ｄが形成されている。また、上部天板１６ｂには、当該上部天板１６ｂを厚さ方向に貫通するようにガス導入孔１６ｅが、上記したガス通流孔１６ｄと重なるように設けられている。このような構成により、ガス拡散室１６ｃに供給された処理ガスは、ガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して処理チャンバー１内にシャワー状に分散されて供給されるようになっている。なお、本体部１６ａ等には、冷媒を循環させるための図示しない配管が設けられており、プラズマエッチング処理中にシャワーヘッド１６を所望温度に冷却できるようになっている。
【００３３】
上記した本体部１６ａには、ガス拡散室１６ｃへ処理ガスを導入するためのガス導入口１６ｇが形成されている。このガス導入口１６ｇにはガス供給配管１５ａが接続されており、このガス供給配管１５ａの他端には、プラズマエッチング用の処理ガスを供給する処理ガス供給源１５が接続されている。
【００３４】
ガス供給配管１５ａには、上流側から順にマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５ｂ、及び開閉弁Ｖ１が設けられている。そして、処理ガス供給源１５からプラズマエッチングのための処理ガスとして、例えばＡｒ、Ｎ２、Ｏ２、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ４Ｆ８、ＣＯ、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ６、ＣＨ４等のガスが、ガス供給配管１５ａを介してガス拡散室１６ｃに供給され、このガス拡散室１６ｃから、ガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して処理チャンバー１内にシャワー状に分散されて供給される。
【００３５】
処理チャンバー１の側壁からシャワーヘッド１６の高さ位置よりも上方に延びるように円筒状の接地導体１ａが設けられている。この円筒状の接地導体１ａは、その上部に天板を有している。
【００３６】
処理チャンバー１の底部には、排気口７１が形成されており、この排気口７１には、排気管７２を介して排気装置７３が接続されている。排気装置７３は、真空ポンプを有しており、この真空ポンプを作動させることにより処理チャンバー１内を所定の真空度まで減圧することができるようになっている。一方、処理チャンバー１の側壁には、ウエハＷの搬入出口７４が設けられており、この搬入出口７４には、当該搬入出口７４を開閉するゲートバルブ７５が設けられている。
【００３７】
図中７６，７７は、着脱自在とされたデポシールドである。デポシールド７６は、処理チャンバー１の内壁面に沿って設けられ、デポシールド７７は、支持台４及び載置台２の周囲を囲むように設けられている。これらのデポシールド７６，７７は、処理チャンバー１内壁等にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止する役割を有している。
【００３８】
上記構成のプラズマエッチング装置は、制御部６０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部６０には、ＣＰＵを備えプラズマエッチング装置の各部を制御するプロセスコントローラ６１と、ユーザインターフェース６２と、記憶部６３とが設けられている。
【００３９】
ユーザインターフェース６２は、工程管理者がプラズマエッチング装置を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマエッチング装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００４０】
記憶部６３には、プラズマエッチング装置で実行される各種処理をプロセスコントローラ６１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース６２からの指示等にて任意のレシピを記憶部６３から呼び出してプロセスコントローラ６１に実行させることで、プロセスコントローラ６１の制御下で、プラズマエッチング装置での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００４１】
このように構成されたプラズマエッチング装置で、半導体ウエハＷに形成された絶縁膜等をプラズマエッチングする手順について説明する。まず、ゲートバルブ７５が開かれ、半導体ウエハＷが図示しない搬送ロボット等により、図示しないロードロック室を介して搬入出口７４から処理チャンバー１内に搬入され、載置台２上に載置される。この後、搬送ロボットを処理チャンバー１外に退避させ、ゲートバルブ７５を閉じる。そして、排気装置７３の真空ポンプにより排気口７１を介して処理チャンバー１内が排気される。
【００４２】
処理チャンバー１内が所定の真空度になった後、処理チャンバー１内には処理ガス供給源１５から所定の処理ガス（エッチングガス）が導入され、処理チャンバー１内が所定の圧力、例えば６．７Ｐａ（５０ｍTorr）に保持され、この状態で第１のＲＦ電源１０ａから載置台２に、周波数が例えば４０ＭＨｚの高周波電力が供給される。また、第２のＲＦ電源１０ｂからは、イオン引き込みのため、載置台２に周波数が例えば２．０ＭＨｚの高周波電力（バイアス用）が供給される。このとき、直流電源１２から静電チャック６の電極６ａに所定の直流電圧が印加され、半導体ウエハＷはクーロン力により吸着される。
【００４３】
この場合に、上述のようにして下部電極である載置台２に高周波電力が印加されることにより、上部電極であるシャワーヘッド１６と下部電極である載置台２との間には電界が形成される。半導体ウエハＷが存在する処理空間には放電が生じ、それによって形成された処理ガスのプラズマにより、半導体ウエハＷ上に形成された絶縁膜等がエッチング処理される。
【００４４】
そして、上記したエッチング処理が終了すると、高周波電力の供給、直流電圧の供給及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハＷが処理チャンバー１内から搬出される。
【００４５】
以上、本発明を実施形態について説明したが、本発明は係る実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは勿論である。例えば、上記の実施形態では、本発明を、プラズマエッチング装置に適用した場合について説明したが、他の基板処理装置、例えば、ＣＶＤ装置等の成膜装置についても、同様にして適用することができる。
【符号の説明】
【００４６】
１００，１００ａ……基板処理装置、１０１……処理チャンバー、１０２……ガス供給機構、１０３……ターボ分子ポンプ、１０４……ドライポンプ（真空ポンプ）、１０５……冷却機構、１０６……自動圧力制御弁、１０７……加熱機構、１０８……デポトラップ、１０９……第２のターボ分子ポンプ。
【図１】
2011151243.tif 000003
【図２】
2011151243.tif 000004
【図３】
2011151243.tif 000005