(57)【要約】【課題】露光不良を抑制できる、ステージ装置、露光装置、クリーニング方法及びデバイス製造方法を提供すること。【解決手段】基板ステージ２の基板保持部５（上面５ａ、表面Ｐ１ａおよび先端部Ｐ１ｂ）に、フィルム部材７が配置してある。フィルム部材７は、上面５ａ、表面Ｐ１ａおよび先端部Ｐ１ｂから着脱することが可能である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状部材を保持する保持部を備えたステージ装置であって、
前記保持部の少なくとも一部を着脱可能なフィルム部材で覆ったステージ装置。
【請求項２】
前記フィルム部材の少なくとも一部は、前記保持部に保持された前記板状部材に対向する請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記保持部は、前記保持部に保持された前記板状部材と前記フィルム部材との間に形成される第１空間の気体を吸引するための吸引口を有し、
前記第１空間の気体は、前記フィルム部材に形成された貫通孔を介して前記吸引口から吸引される請求項２に記載のステージ装置。
【請求項４】
前記フィルム部材は、互いに離脱可能な複数の層を有する請求項１〜３の何れか一項に記載のステージ装置。
【請求項５】
前記フィルム部材の剛性は、前記板状部材の剛性よりも低い請求項１〜４の何れか一項に記載のステージ装置。
【請求項６】
マスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系を含む露光装置であって、請求項１〜５の何れか一項に記載のステージ装置を備えた露光装置。
【請求項７】
前記板状部材は、前記マスクまたは前記基板を含む請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の露光装置のクリーニング方法であって、前記保持部から前記フィルム部材を着脱することを含むクリーニング方法。
【請求項９】
請求項６または請求項７に記載の露光装置を用いて、基板を露光することと、前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステージ装置、露光装置、クリーニング方法及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。露光装置のマスクと基板の少なくとも一方を保持する保持部が汚染されると、例えば基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生し、その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。そのため、例えば下記特許文献に開示されているような、露光装置内のマスクと基板の少なくとも一方を保持する保持部をクリーニングする技術が案出されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許第５５５９５８２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
露光不良の発生を抑制するために、保持部をクリーニングすることは有効である。そのため、露光装置内の保持部を良好にクリーニングする技術の案出が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様に従えば、板状物体を保持する保持部を備えたステージ装置であって、保持部の少なくとも一部を着脱可能なフィルム部材で覆ったステージ装置が提供される。
【０００６】
本発明の第２の態様に従えば、マスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系を含む露光装置であって、第１の態様のステージ装置を備えた露光装置が提供される。
【０００７】
本発明の第３の態様に従えば、第２の態様の露光装置のクリーニング方法であって、フィルム部材を着脱することを含むクリーニング方法が提供される。
本発明の第４の態様に従えば、第２の態様の露光装置を用いて、基板を露光することと、前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、露光不良の発生を抑制できる。また、本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１０】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと露光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板ステージ２に保持されている基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、を備えている。
【００１１】
本実施形態において、露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式である。
【００１２】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態において、マスクＭは、例えばガラス板等の透明板にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成された透過型マスクである。この透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばハーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。
【００１３】
照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を露光光ＥＬで照明する。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレ−ザ光を用いる。
マスクステ−ジ１は、マスクＭの裏面Ｍｂ（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステ−ジ１は、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。Ｘ軸方向、及びＹ軸方向におけるマスクステージ１の位置情報は、レーザ干渉計を含む干渉計システム（不図示）で計測される。また、マスクステージ１に保持されたマスクＭの裏面Ｍｂの位置情報が、フォーカス・レベリング検出システム（不図示）に検出される。
【００１４】
投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパタ−ンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５または１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸とほぼ平行である。
【００１５】
基板ステ−ジ２は、基板Ｐの表面Ｐａ（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステ−ジ２は、基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。  Ｘ軸方向、及びＹ軸方向における基板ステ−ジ２の位置情報は、レ−ザ干渉計を含む干渉計システム（不図示）で計測される。また、基板ステ−ジ２に保持された基板Ｐの表面Ｐａの位置情報が、フォ−カス・レベリング検出システム（不図示）に検出される。
本実施形態において、基板Ｐは、デバイスを製造するための円形の基板であり、感光材（フォトレジスト）Ｒｇの膜を含む。
次に、図２および図３を参照しながら本実施形態に係る基板ステージ２に関して説明する。
【００１６】
図２は、基板ステージ２の一部を示す側断面図である。図３は、本実施形態に係る基板ステージ２を上方（＋Ｚ側）から見た平面図である。図２は、図３のＡ−Ｂに沿ったステージ２の側断面図である。なお、図３においては、後述する第１ピン部材Ｐ１を図示していない。
基板ステージ２は、ステージ本体ＳＴと、基板Ｐを保持する基板保持部５と、ステージ表面２ａとを含む。なお、図２においては、基板保持部５に基板Ｐが保持されている。
本実施形態において、ステージ本体ＳＴは、図３に示すように、ＸＹ平面において、矩形であり、図２に示すように、Ｚ軸方向に厚さを有するプレート状の部材である。基板保持部５は、図３に示すように、ＸＹ平面において、ステージ本体ＳＴの表面２ａにほぼ中央に形成された円形部分である。また、本実施形態において、基板保持部５は、基板Ｐの表面ＰａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを脱着可能に保持することができる。
【００１７】
本実施形態において、基板保持部５は、第１リム部Ｒ１と、第１リム部Ｒ１に囲まれた上面５ａと、上面５ａに設けられた吸引口４と、上面５ａに設けられた第１ピン部材Ｐ１を含む。
第１リム部Ｒ１は、図３に示すように、円形の環状である。第１リム部Ｒ１は、裏面Ｐｂと接触する接触面Ｒ１ａと、上面５ａの周囲に設けられた内側側面Ｒ１ｂと、外側側面Ｒ１ｃとを含む。内側側面Ｒ１ｂは、上面５ａの外縁に沿って環状に形成され、Ｚ軸方向とほぼ平行に上面５ａから接触面Ｒ１ａまで延びている。外側側面Ｒ１ｃは、内側側面Ｒ１に沿って円形の環状に形成され、Ｚ軸方向とほぼ平行に、表面２ａから接触面Ｒ１ａまで延びている。本実施形態において、基板保持部５の外縁は、第１リム部Ｒ１の外側側面Ｒ１ｃで画定される。
【００１８】
基板保持部５は、上面５ａに設けられた複数の吸引口４を含む。本実施形態において、複数の吸引口４は、上面５ａの中心に対する複数の放射方向のうち、互いに１２０°の角度を有する３つの放射方向に沿って配置されている。３つの放射方向のそれぞれには、４個の吸引口４が設けられている。なお、吸引口４の数は４個に限られない。また、吸引口４の配置の方向は、３方向に限られないし、複数の吸引口４が放射方向に沿って配置されていなくてもよい。吸引口４のそれぞれは、ステージ本体ＳＴの内部に設けられ、Ｚ軸方向とほぼ平行に延びる吸引流路４ａと連通する。吸引流路４ａは、図２に示すように、真空システム８に接続可能である。
【００１９】
基板保持部５は、上面５ａに所定の間隔で設けられ、基板Ｐの裏面Ｐｂを支持する複数の第１ピン部材Ｐ１を含む。第１ピン部材Ｐ１のそれぞれは、上面５ａから＋Ｚ方向に突出しており、先端部Ｐ１ｂと、上面５ａから先端部Ｐ１ｂまで延びる表面Ｐ１ａとを含む。基板保持部５には、例えば、欧州特許出願公開第１７１３１１５号明細書に記載されているピンチャック構造を用いることができる。
【００２０】
次に、図４を参照しながら、基板保持部５の少なくとも一部を覆うフィルム部材７に関して説明する。図４（ａ）は、本実施形態に係るフィルム部材７の一例を示す平面図である。図４（ｂ）および図４（ｃ）は、本実施形態に係るフィルム部材７の一例を示す側断面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＣ−Ｄに沿ったフィルム部材７の側断面図である。図４（ｃ）は、図４（ａ）のＥ−Ｆに沿ったフィルム部材７の側断面図である。なお、説明を簡単にするために、露光装置ＥＸの説明で使用したＸＹＺ直交座標系を参照しつつフィルム部材７を説明する。
【００２１】
本実施形態において、フィルム部材７は、図４に示すように、ＸＹ平面において、円形状であり、Ｚ軸方向に厚さを有するフィルム状の部材である。また、本実施形態において、フィルム部材７には、樹脂系素材を用いる。樹脂系素材としては、フッ素系樹脂を含む。本実施形態において、フィルム部材７は、テフロン（登録商標）で形成されている。また、例えば、ＰＦＡ（Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）、ＰＴＦＥ（Poly tetra fluoro ethylene），ＰＥＥＫ（polyetheretherketone）のフッ素系樹脂で、フィルム部材７を形成しても構わない。本実施形態では、フィルム部材７の剛性は、基板Ｐの剛性よりも低い。
【００２２】
本実施形態においては、フィルム部材７は、円形の表面７ａと、裏面７ｂと、表面７ａと裏面７ｂの周囲の外側側面７ｃと、表面７ａに設けられた複数の貫通孔７ｄとを含む。本実施形態において、複数の貫通孔７ｄは、表面７ａの中心に対する複数の放射方向のうち、互いに１２０°の角度を有する３つの放射方向に沿って配置されている。３つの放射方向のそれぞれには、４個の貫通孔７ｄが設けられている。なお、貫通孔７ｄの数は４個に限られない。また、貫通孔７ｄの配置の方向は、３方向に限られないし、複数の貫通孔７ｄが放射方向に沿って配置されていなくてもよい。すなわち、貫通孔７ｄの配置および数は、基板保持部５の吸引口４の配置及び数に合わせて設ければよい。
【００２３】
貫通孔７ｄのそれぞれは、フィルム部材７の内部に設けられ、Ｚ軸方向とほぼ平行に延びる貫通流路７ｅを含む。貫通流路７ｅの端部には、表面７ａに口７ｆが配置され、裏面７ｂに口７ｇが配置されている。フィルム部材７は、口７ｇのそれぞれが上面５ａに設けられた吸引口４と接続されるように基板保持部５に離脱可能に取り付けられる。本実施形態において、貫通孔７ｄのサイズ（直径）および形状は、吸引口４のサイズ及び形状とほぼ同じである。なお、貫通孔7ｄのサイズおよび形状は、吸引口４のサイズ及び形状と異なっていても構わない。なお、本実施形態において、フィルム部材７の厚さは、５ミクロンである。なお、フィルム部材７の厚さは、５ミクロンよりも薄くても構わない。
【００２４】
次に、図２および図３参照しながら、基板保持部５にフィルム部材７が着脱可能に配置されている状態を説明する。
基板保持部５にフィルム部材７が載置された状態において、図２に示すように、フィルム部材７の裏面７ｂは、基板保持部５の上面５ａ、第１ピン部材Ｐ１の表面Ｐ１ａおよび先端部Ｐ１ｂと接触し、外側側面７ｃは、第１リム部Ｒ１の内側側面Ｒ１ｂと接触する。すなわち、本実施形態においては、フィルム部材７は、上面５ａおよび表面Ｐ１ａおよび先端部Ｐ１ｂおよび内側側面Ｒ１ｂの一部を覆うことが可能である。また、基板保持部５にフィルム部材７が載置されると、図３に示すように、貫通孔７ｄと吸引口４とが連通する。本実施形態において、フィルム部材７は変形可能であり、上面５ａと裏面７ｂとの間、及び内側側面Ｒ１ｂと外側側面７ｃとの間に隙間ができないように、基板保持部５にフィルム部材７を配置することができる。
また、基板保持部５に配置したフィルム部材７は、基板保持部５から離脱することが可能である。
【００２５】
次に、図２を参照しながら、基板保持部５にフィルム部材７が載置された状態で、基板Ｐが保持された状態に関して説明する。図２に示すように、基板Ｐの裏面Ｐｂは、フィルム部材７の表面７ａの一部（第１ピン部材１Ｐの先端部１Ｐｂを覆う部分）と接触する。また、基板Ｐの裏面Ｐｂは、フィルム部材７の表面７ａの残りの部分（裏面Ｐｂと接触していない部分）と第１空間Ｓ１を介して対向する。上述したように、貫通孔７ｄと吸引口４とが連通するので、真空システム８により、第１空間Ｓ１の気体を貫通孔７ｄを介して吸引（排気）することによって、基板Ｐが、一部がフィルム部材７で覆われた基板保持部５上に保持（固定）される。また、真空システム８による吸引動作を停止することにより、基板Ｐを基板保持部５から外すことが可能になる。
【００２６】
上述したように、フィルム部材７の剛性は、基板Ｐの剛性よりも低い。したがって、フィルム部材７の表面７ａの一部と基板Ｐの裏面Ｐｂとが接触するように基板保持部５上に基板Ｐを保持した場合でも、フィルム部材７が変形するので、所望の形状（状態）で基板Ｐを保持することができる。
【００２７】
次に上述の露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。
まず、露光前の基板Ｐは、所定の搬送装置を用いて、基板ステージ２の基板保持部５にロ−ドされる。
次に、基板Ｐの裏面Ｐｂ側の第１空間Ｓ１の気体を、吸引口４を介して真空システム８により吸引し、第１空間Ｓ１を負圧にすることにより、基板Ｐは、基板保持部５に吸着保持される。
【００２８】
照明系ＩＬより露光光ＥＬが射出される。照明系ＩＬより射出された露光光ＥＬは、マスクＭを照明する。マスクＭを介した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬを介して、基板Ｐに照射される。これにより、マスクＭのパタ−ンの像が基板Ｐの表面Ｐａに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。
基板Ｐの露光が終了した後に、所定の搬送装置を用いて、露光後の基板Ｐを基板ステージ２の基板保持部５からアンロ−ドされる。以上により、基板Ｐの露光処理が終了する。
【００２９】
ところで、基板Ｐの交換処理及び基板Ｐの露光処理を含む露光シーケンスにおいて、異物（汚染物、パーティクル）が基板保持部５（上面５ａ、表面Ｐ１ａおよび接触面Ｐ１ｂ）に付着し、基板保持部５が汚染される可能性がある。上面５ａ、表面Ｐ１ａおよび接触面Ｐ１ｂの少なくとも一部が汚染されると、例えば、基板保持部５に保持された基板Ｐの表面Ｐａの形状が変化する可能性がある。あるいは、基板保持部５に付着した異物が再度浮遊し、露光装置ＥＸが汚染される可能性がある。その結果、露光不良が発生する可能性がある。
【００３０】
本実施形態では、上面５ａ、表面Ｐ１ａおよび接触面Ｐ１ｂをフィルム部材７で覆っているので、異物は、表面７ａに付着する。異物は、表面７ａに保持される。さらに、本実施形態では、所定時間間隔毎に、フィルム部材７を、上面５ａ、表面Ｐ１ａおよび接触面Ｐ１ｂから離脱（交換）する。したがって、表面７ａに保持された異物は、フィルム部材７とともに基板保持部５から取り除かれる。すなわち、フィルム部材７を上面５ａから取り除く作業は、基板保持部５のクリーニング作業である。本実施形態では、作業者によりフィルム部材７を基板保持部５からの離脱が行われる。
【００３１】
なお、異物が付着している可能性のあるフィルム部材７を離脱させ後に、上面５ａには、作業者により使用前の新しいフィルム部材７が基板保持部５に配置され、新しいフィルム部材７が配置された基板保持部５を使って、次の露光シーケンスが開始される。
次の露光シーケンスが開始され、露光前の基板Ｐは、新しいフィルム部材７で一部が覆われた基板保持部５に保持される。したがって、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【００３２】
以上、本実施形態では、フィルム部材７を基板保持部５に離脱可能に配置した。したがって、フィルム部材７に保持された異物は、フィルム部材７とともに基板保持部５から取り除くことが可能である。また、基板保持部５を清掃工具でクリーニングする場合、上面５ａの周囲には複数の第１ピン部材Ｐ１があるので、清掃工具が上面５ａに届かず、上面５ａのクリーニングが困難である可能性がある。本実施形態では、フィルム部材７を、基板保持部５の上面５ａに配置したので、上面５ａをクリーニングすることが可能である。したがって、異物に起因する露光不良の発生を抑制することができる。したがって、不良デバイスの発生を抑制できる。
【００３３】
なお、本実施形態では、フィルム部材７は、上面５ａおよび表面Ｐ１ａおよび先端部Ｐ１ｂを覆ったが、その一部でも構わない。例えば、第１リム部Ｒ１近傍の上面５ａのみをフィルム部材７で覆っても構わない。また、フィルム部材７が配置される場所は、上面５ａおよび表面Ｐ１ａおよび先端部Ｐ１ｂに限られない。例えば、外側側面Ｒ１ｃをフィルム部材７で覆うことができる。
【００３４】
なお、フィルム部材７の形成に用いる樹脂系素材は、所望の性能（低発塵性、粘着性、等）によって適宜選択することが可能である。また、フィルム部材７の樹脂系素材に、発塵性の低い部材を用いることで、フィルム部材７からの塵の発生による、露光装置内の汚染を抑制することができる。また、露光装置ＥＸが、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の光路を液体（例えば、純水）で満たした状態で基板Ｐに露光光ＥＬが照射される場合には、フィルム部材７の素材は、その液体に対して撥液性でも構わない。この場合、撥液性の素材は、液体に対する接触角が、例えば９０°以上である。
【００３５】
また、フィルム部材７の表面７ａが粘着性でも構わない。表面７ａが粘着性を有することで、表面７ａに付着した異物が再度離脱することが抑制される。
また、フィルム部材７の裏面７ｂが粘着性でも構わない。裏面７ｂが粘着性を有することで、クリーニング作業時以外に、フィルム部材７が上面５ａから離脱することが抑制される。
【００３６】
なお、フィルム部材７の形成する素材に、多孔質部材を用いても構わない。多孔質部材には、表面７ａと裏面７ｂとを連通する複数の貫通孔（貫通流路）が複数設けられている。多孔質部材の複数の貫通孔を介して、真空システム８により第１空間Ｓ１の気体を吸引（排気）しても構わない。この場合、表面７ａに形成される貫通孔の外形は、異物の外形よりも小さいことが望ましい。すなわち、表面７ａに付着した異物が、吸引口４、吸引流路４ａ、真空システム８の少なくとも一部に吸引されることを抑制することができる。
なお、フィルム部材７が、互いに離脱可能な複数の層を有する構造であっても構わない。互いに離脱可能な複数の層を有することで、使用前の新しいフィルム部材７を基板保持部５に配置する作業を行うことなく、複数回、異物が付着していない表面７ａを露出させることが可能である。
【００３７】
なお、上述の実施形態では、所定時間間隔毎に、作業者によりフィルム部材７の離脱が実施されたが、これに限られず、所定枚数の基板Ｐの露光が完了する毎に露光装置のメンテナンスとして、作業者によりフィルム部材７の離脱を実施してもよい。あるいは、表面７ａの異物に関する情報を入手し、その情報を元に適宜フィルム部材７を離脱させても構わない。異物に関する情報は、異物の有無、異物の位置、異物の数、異物の大きさの少なくとも一つを含む。異物に関する情報は、顕微鏡などを用いて入手する。また、異物に関する情報は、基板Ｐの表面Ｐａの情報を含む。すなわち、基板Ｐの裏面Ｐｂとフィルム部材７の表面７ａとの間に異物がある場合、基板Ｐの表面Ｐａの平坦度が変化するので、基板保持部５に保持された基板Ｐの表面Ｐａの位置情報（形状）を計測することによって、表面７ａの異物の状態を入手することができる。
【００３８】
なお、上述の実施形態では、作業者によりフィルム部材７の離脱の実施を行ったが、離脱の方法はこれに限られない。例えば、露光装置内に、使用後のフィルム部材７を基板保持部５から離脱する装置と、使用前のフィルム部材７を基板保持部５に配置する装置の少なくとも一方を備えても構わない。
【００３９】
また、基板保持部５から離脱したフィルム部材７を、フィルム部材７の裏面７ｂが＋Ｚ軸方向を含むように裏返して、基板保持部５に再度配置しても構わない。裏面７ｂが露出しても異物が付着していないので、異物に起因する露光不良を抑制することができる。
上述の実施形態の基板保持部５は、基板Ｐを減圧吸着方式で、基板ステージ２に保持したが、例えば、静電吸着方式を用いて、あるいは減圧吸着方式と静電吸着方式を併用して、基板Ｐを基板ステージ２に保持してもよい。すなわち、静電吸着などの他の方式で基板Ｐを保持する場合でも、基板保持部の少なくとも一部にフィルム部材７を配置することとしても構わない。
【００４０】
また、図５に示したように、ピンチャック部材は、＋Ｚ軸方向と−Ｚ軸方向の両面設けたプレート部材Ｔを用いても構わない。
図５は、本実施形態に係るプレート部材Ｔの一部を示す側断面図である。図６は、本実施形態に係るプレート部材Ｔを上（＋Ｚ軸方向）から見た図である。図５は、図６のＧ−Ｈの沿った側断面図である。図６は、ピン部材Ｐ１が省略されている。
【００４１】
本実施形態において、プレート部材Ｔは、図５および図６に示すように、ＸＹ平面において、円形状であり、Ｚ軸方向に厚さを有するプレート状の部材である。プレート部材Ｔは、表面Ｔａと、表面Ｔａに設けられた第１ピン部材Ｐ１と、裏面Ｔｂと、裏面Ｔｂに設けられた第２ピン部材Ｐ２と、表面Ｔａの周囲に側面Ｔｃとを含む。側面Ｔｃは、表面Ｔａの外縁に沿って円形状に形成され、Ｚ軸方向とほぼ平行に、表面Ｔａから裏面Ｔｂまで延びている。本実施形態において、プレート部材Ｔの外縁は、側面Ｔｃで画定されている。
【００４２】
プレート部材Ｔは、表面Ｔａに設けられた複数の吸引口Ｔｄを含む。吸引口Ｔｄは、表面Ｔａの中心近傍から、３方向に配置されている。３方向のそれぞれには、４個の吸引口Ｔｄを含む。なお、吸引口Ｔｄの数は、４個に限られない。また、吸引口Ｔｄの配置の方向は、３方向に限られない。吸引口Ｔｄのそれぞれは、プレート部材Ｔの内部に設けられ、Ｚ軸方向とほぼ平行に延びる吸引流路Ｔｅと連通する。吸引流路Ｔｅは、表面Ｔａから裏面Ｔｂまで延びている。すなわち、吸引流路Ｔｅは、プレート部材Ｔの内部を貫通している。したがって、プレート部材Ｔを有する基板保持部５に基板Ｐを載置した場合でも、真空システム８は、第１空間Ｓ１の気体を吸引口Ｔｄを介して吸引（排気）することが可能である。
【００４３】
本実施形態においては、プレート部材Ｔを裏返すことによって、プレート部材Ｔの表面Ｔａと裏面Ｔｂの一方が＋Ｚ方向を向いている状態から他方の面が＋Ｚ方向を向いている状態に変えることができる。例えば、＋Ｚ方向を向いているプレート部材Ｔの表面Ｔａに異物が付着した場合に、裏面Ｔｂが＋Ｚ方向を向くようにプレート部材Ｔを裏返すことによって、そのプレート部材を使い続けることができる。
【００４４】
なお、フィルム部材７で、表面Ｔａ、第１ピン部材Ｐ１、裏面Ｔｂ、第２ピン部材Ｐ２の少なくとも一つの少なくとも一部を覆っても構わない。
【００４５】
また、表面Ｔａと裏面Ｔｂの形状及び／又は第１ピン部材Ｐ１および第２ピン部材Ｐ２の配置を異ならせることによって、第１ピン部材Ｐ１の先端部で規定される基板保持面の形状と、第２ピン部材Ｐ２の先端部で規定される基板保持面の形状とを異ならせても構わない。例えば、図５において、第１ピン部材Ｐ１の先端部で規定される基板保持面の形状を＋Ｚ軸方向に凸状にし、第２ピン部材Ｐ２の先端部で規定される基板保持面の形状を＋Ｚ軸方向に凹状にしても構わない。例えば、基板Ｐの裏面Ｐｂの形状が＋Ｚ軸方向に凹状の場合、第１ピン部材Ｐ１に基板Ｐを載置することで、裏面Ｐｂと第１ピン部材Ｐ１が効率良く接触して基板を保持することができる。すなわち、基板Ｐの裏面Ｐｂの形状にしたがって、表面Ｔａおよび裏面Ｔｂのどちらを＋Ｚ方向にむけるかどうかを選択することができる。
【００４６】
また、基板保持部５と異なる部位、例えば、マスクＭを保持するマスク保持部にフィルム部材７を配置して、マスク保持部をクリーニングするようにしても構わない。
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００４７】
なお、露光装置ＥＸとしては、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置を用いたが、これに限らない。例えば、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）のにも適用することができる。
【００４８】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００４９】
また、例えば対応米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００５０】
更に、例えば対応米国特許第６８９７９６３号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。
更に、例えば対応米国特許出願公開第２００５／０２１９４８８号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１５号明細書、米国特許出願公開第２００７／０２７３８５６号明細書等に開示されているように、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置にも適用できる。
【００５１】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。
【００５２】
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、反射型マスクでも構わない。また、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。
可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（DigitalMicro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。
【００５３】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【００５４】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００５５】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図７に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【００５６】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る基板ステージ２の一例の一部を示す側断面図である。
【図３】本実施形態に係る基板ステージ２の一例を示す平面図である。
【図４】（ａ）本実施形態に係るフィルム部材７の一例を示す平面図である。        （ｂ）本実施形態に係るフィルム部材７の一例を示す側断面図である。        （ｃ）本実施形態に係るフィルム部材７の一例の一部を示す側断面である。
【図５】本実施形態に係るプレート部材Ｔの一例の一部を示す側断面図である。
【図６】本実施形態に係るプレート部材Ｔの一例を示す平面図である。
【図７】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００５８】
２---基板ステージ、５---基板保持部、７---フィルム部材、５ａ---上面、Ｐ１---第１ピン部材、Ｐ１ａ---表面、Ｐ１ｂ---接触面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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