(57)【要約】【課題】ウェーハ面内のバラツキを低減し、製造歩留まりを向上できる半導体製造システムおよび半導体製造装置の制御方法を提供する。【解決手段】半導体製造装置３の処理室３１、３２のいずれかにおいて処理がなされた後、半導体製造装置４の処理室４１、４２、４３のいずれかにおいて処理がなされたウェーハについて、半導体製造装置３、４による処理結果を当該ウェーハの処理経路と対応づけて取得する。取得された処理経路ごとの処理結果に基づいて、半導体製造装置３、４により処理予定の一群のウェーハについて、上記処理経路ごとのウェーハ処理比率を決定する。そして、決定された処理経路ごとのウェーハ処理比率に従って、半導体製造装置３、４において、上記処理予定の一群のウェーハに対する処理を実施する。【選択図】図１
2011003603.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の処理をそれぞれ実施する複数の処理室を備える第１の半導体製造装置と、前記第１の半導体製造装置のいずれかの処理室において第１の処理が完了したウェーハが搬入され、前記第１の処理とは異なる第２の処理をそれぞれ実施する複数の処理室を備える第２の半導体製造装置と、において第１および第２の処理が完了したウェーハについて、前記第１および第２の処理による処理結果を当該ウェーハの処理経路と対応づけて取得する工程と、
前記取得された処理経路ごとの処理結果に基づいて、前記第１および第２の半導体製造装置により処理予定の一群のウェーハについて、前記処理経路ごとのウェーハ処理比率を決定する工程と、
前記決定された処理経路ごとのウェーハ処理比率に従って、前記第１および第２の半導体製造装置において、前記処理予定の一群のウェーハに対する処理を実施する工程と、
を有することを特徴とする、半導体製造装置の制御方法。
【請求項２】
第１の処理をそれぞれ実施する複数の処理室を備える第１の半導体製造装置と、
前記第１の半導体製造装置のいずれかの処理室において第１の処理が完了したウェーハが搬入され、前記第１の処理とは異なる第２の処理をそれぞれ実施する複数の処理室を備える第２の半導体製造装置と、
前記第１および第２の半導体製造装置において、前記第１および第２の処理が完了したウェーハについて、前記第１および第２の処理による処理結果を当該ウェーハの処理経路と対応づけて取得する計測装置と、
前記取得された処理経路ごとの処理結果に基づいて、前記第１および第２の半導体製造装置により処理予定の一群のウェーハについて、前記処理経路ごとのウェーハ処理比率を決定する演算部と、
前記決定された処理経路ごとのウェーハ処理比率に従って、前記第１および第２の半導体製造装置において、前記処理予定の一群のウェーハに対する処理を実施させる指示部と、
を具備する、ことを特徴とする半導体製造システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造システムおよび半導体製造装置の制御方法に関し、特に、同一の工程フローにより処理される被加工体を加工する、複数の処理経路を有する半導体製造ラインに適用される半導体製造システムおよび半導体製造装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウェーハの大口径化、プロセスマージンの縮小に伴い、半導体製造装置においてウェーハに対して実施される処理のウェーハ面内均一性を高めることが重要になっている。ウェーハ面内均一性が低い場合には、製造歩留まりが著しく低下し、製造コストが増大してしまう。
【０００３】
ウェーハ面内均一性を高める従来技術として、例えば特許文献１に開示された技術がある。特許文献１は、プラズマ処理装置における加工精度のウェーハ面内均一性を向上させる技術を開示する。この先行技術では、処理室内でウェーハを載置するステージの外周部に配置されたフォーカスリングの温度を処理室内のガス温度分布に基づいて調節し、プラズマ処理による加工における加工精度の面内均一性を向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２５１８６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来技術によれば、プラズマ処理装置においては、加工精度のウェーハ面内均一性を向上させることが可能である。しかしながら、プラズマ処理とは異なる処理を実施するその他の半導体製造装置については上記従来技術を適用できない。通常、半導体製造ラインには、例えば、露光装置、熱処理装置、ＣＭＰ研磨装置等、プラズマを用いることなく処理を行う半導体製造装置も多数属している。したがって、製造歩留まりの向上や製造コストの低減を実現するためには、これら他の装置においても、ウェーハ面内均一性を高めることが重要である。
【０００６】
また、近年、半導体製造装置では、ウェーハ面内均一性向上のために、ウェーハを１枚ずつ処理する枚葉式の処理室が採用されるようになっている。このような半導体製造装置は複数の処理室を備え、処理スループット改善のために同一処理を並行して実施する構成であることも多い。このような、枚葉式の処理室を複数備える半導体製造装置を複数台経由してウェーハが処理される場合、同一の工程フロー、処理条件で処理されるウェーハであっても、処理経路が異なる状況が発生する。このように処理経路が複数存在する場合、処理が完了したウェーハの面内均一性は、処理経路、すなわちウェーハ経由する処理室の組み合わせにも依存することになる。したがって、このような処理経路依存性をも考慮して半導体装置を生産しなければ、ウェーハ面内均一性をより一層高めることは困難である。
【０００７】
本発明は、上記従来の課題を鑑みて提案されたものであって、第１の処理を実施する複数の処理室と、いずれか処理室において第１の処理が完了したウェーハを搬入し、第２の処理を実施する複数の処理室とを備える半導体製造ラインにおいて、ウェーハ面内のバラツキを低減し、製造歩留まりを向上できる半導体製造システムおよび半導体製造装置の制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するために、本発明は、以下の技術的手段を採用している。すなわち、本発明に係る半導体製造装置の制御方法は、まず、第１の処理をそれぞれ実施する複数の処理室を備える第１の半導体製造装置と、第１の半導体製造装置のいずれかの処理室において第１の処理が完了したウェーハが搬入され、第１の処理とは異なる第２の処理をそれぞれ実施する複数の処理室を備える第２の半導体製造装置と、において、第１および第２の処理が完了したウェーハについて、第１および第２の処理による処理結果を当該ウェーハの処理経路と対応づけて取得する。次いで、取得された処理経路ごとの処理結果に基づいて、上記第１および第２の半導体製造装置により処理予定の一群のウェーハについて、上記処理経路ごとのウェーハ処理比率を決定する。そして、決定された処理経路ごとのウェーハ処理比率に従って、第１および第２の半導体製造装置において、上記処理予定の一群のウェーハに対する処理を実施する。
【０００９】
一方、他の観点では、本発明は、上述の制御方法を実現する半導体製造システムを提供することができる。すなわち、本発明に係る半導体製造システムは、第１の処理をそれぞれ実施する複数の処理室を備える第１の半導体製造装置と、第１の半導体製造装置のいずれかの処理室において第１の処理が完了したウェーハが搬入され、第１の処理とは異なる第２の処理をそれぞれ実施する複数の処理室を備える第２の半導体製造装置と、を備える。また、第１および第２の半導体製造装置において、第１および第２の処理が完了したウェーハについて、第１および第２の処理による処理結果を当該ウェーハの処理経路と対応づけて取得する計測装置を備える。演算部は、取得された処理経路ごとの処理結果に基づいて、上記第１および第２の半導体製造装置により処理予定の一群のウェーハについて、上記処理経路ごとのウェーハ処理比率を決定する。そして、指示部は、決定された処理経路ごとのウェーハ処理比率に従って、第１および第２の半導体製造装置において、上記処理予定の一群のウェーハに対する処理を実施させる。
【００１０】
ここで、処理結果とは、第１および第２の処理によりウェーハになされる加工の状態を示す任意の物理量を使用できる。例えば、処理結果として、第１および第２の処理によりウェーハになされる加工のウェーハ面内分布（均一性）することができる。また、処理経路とは、ウェーハが経由した処理室の組み合わせを意味する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、処理経路と、当該処理経路に対応づけられた処理結果とに基づいて、処理予定ウェーハについて処理後に許容される面内均一性が得られるように、ウェーハ処理経路と投入枚数を決定する。その結果、ウェーハ面内のバラツキを低減し、製造歩留まりを向上することできる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態における半導体製造システムを示す構成図
【図２】本発明の一実施形態における処理経路決定処理を示すフロー図
【図３】本発明の一実施形態における加工精度表の一例を示す図
【図４】本発明の一実施形態における優先度・処理可否判定表の一例を示す図
【図５】本発明の一実施形態における処理比率決定処理を示すフロー図
【図６】本発明の一実施形態における処理比率表の一例を示す図
【図７】本発明の一実施形態における投入枚数決定処理を示すフロー図
【図８】本発明の一実施形態における投入枚数表の一例を示す図
【図９】本発明の一実施形態における加工後状態表の一例を示す図
【図１０】本発明の一実施形態における加工精度表更新処理を示すフロー図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明の一実施形態における半導体製造システムを示す構成図である。当該半導体製造システム１００は、半導体製造ライン１１０における生産を管理するホストコンピュータやＭＥＳ（Manufacturing Execution System）等の管理装置１と、経路決定装置２を備える。半導体製造ライン１１０には、複数台の半導体製造装置が属している。なお、図１では、複数台の半導体製造装置のうち、第１の半導体製造装置３、第２の半導体製造装置４および計測装置５のみを図示している。なお、管理装置１、経路決定装置２、第１の半導体製造装置３、第２の半導体製造装置４および計測装置５は、ネットワーク回線６を介して接続されており、相互にデータの送受が可能に構成されている。
【００１５】
図１に示すように、第１の半導体製造装置３は、複数の枚葉式処理室（ここでは、処理室３１、３２）を備え、それぞれの処理室において、管理装置１等により指定された処理を投入されたロットに対して実行する。図１の例では、処理室３１、３２は、例えば、同一の構造（同一の仕様）を有しており、いずれの処理室３１、３２も指定された処理を同様に実行する能力を有している。なお、各処理室３１、３２へのウェーハの搬入出や各処理室３１、３２における処理は、第１の半導体製造装置３が備える装置制御部３５の指示に基づいて実施される。
【００１６】
同様に、第２の半導体製造装置４は、複数の枚葉式処理室（ここでは、処理室４１、４２、４３）を備え、それぞれの処理室において、管理装置１等により指定された処理を投入されたロットに対して実行する。図１の例では、処理室４１、４２、４３は、例えば、同一の構造（同一の仕様）を有しており、いずれの処理室４１〜４３も指定された処理を同様に実行する能力を有している。なお、各処理室４１〜４３へのウェーハの搬入出や各処理室４１〜４３における処理は、第２の半導体製造装置４が備える装置制御部４５の指示に基づいて実施される。
【００１７】
計測装置５は、第１の半導体製造装置３の処理室３１、３２のいずれかにおいて処理がなされた後、半導体製造装置４の処理室４１、４２、４３のいずれかにおいて処理がなされた各ウェーハについて、半導体製造装置３、４による処理結果（加工精度）を計測する。
【００１８】
なお、本実施形態では、第１の半導体製造装置３は、例えば各処理室３１、３２においてそれぞれウェーハに対して成膜を行う。また、第２の半導体製造装置４は各処理室４１〜４３においてそれぞれウェーハ上に成膜された膜の平坦化を行う。この場合、計測装置５は、例えば、光学膜厚測定器である。すなわち、計測装置５は、第１の半導体製造装置３のいずれかの処理室３１、３２において成膜された後、第２の半導体製造装置４のいずれかの処理室４１、４２、４３において平坦化されたウェーハの処理結果である膜厚を測定する。
【００１９】
一方、経路決定装置２は、データ取得部２１、記憶部２２、選定部２３、演算部２４および指示部２５を備える。データ取得部２１は、計測装置５が取得した処理結果と、その処理結果が測定されたウェーハの処理経路とが対応づけられたデータを取得する。
【００２０】
ここで、処理結果とは、第１の半導体製造装置３および第２の半導体製造装置４による処理の加工精度を示す情報であれば、任意の物理量を使用することができる。また、処理経路とは第１の半導体製造装置３において処理に使用された処理室と第２の半導体製造装置４において処理に使用された処理室の組み合わせを指し、第１および第２の半導体製造装置３、４において処理された各ウェーハにそれぞれ１の処理経路が定まる。本実施形態では、第１の半導体製造装置３は２つの処理室３１、３２を有し、第２の半導体製造装置４は３つの処理室４１〜４３を有しているので、計６通りの処理経路が存在する。なお、以下では、処理経路を示す符号として「Ｐｊｋ」を使用する。ここで、第１の半導体製造装置３の処理室３１で処理された場合はｊ＝１であり、処理室３２で処理された場合はｊ＝２である。また、第２の半導体製造装置４の処理室４１で処理された場合はｋ＝１であり、処理室４２で処理された場合はｋ＝２であり、処理室４３で処理された場合はｋ＝３である。
【００２１】
また、特に限定されないが、計測装置５が取得した処理結果と、その処理結果が測定されたウェーハの処理経路との対応づけは、計測装置５が行ってもよく、また、データ取得部２１が行ってもよい。前者の場合、例えば、計測装置５が処理結果を測定するときに、管理装置１から測定対象ウェーハの処理経路の情報を取得し、当該対応づけを行う。また、後者の場合、例えば、計測装置５が処理結果を測定した際に、ウェーハを特定するためのウェーハＩＤと測定結果とを対応づけて管理装置１等に出力し、データ取得部２１が管理装置１から、測定結果とウェーハＩＤにより特定されるウェーハの処理経路の情報を取得し、当該対応づけを行う。データ取得部２１は、取得したデータを記憶部２２に格納する。選定部２３、演算部２４および指示部２５については、以下で詳述する。
【００２２】
上述の構成を有する半導体製造システム１００は、以下の手順により、第１および第２の半導体製造装置３、４において処理予定のウェーハ群（以下、処理予定ロットという。）の処理経路を決定する。図２は本実施形態における処理経路決定処理を示すフロー図である。当該処理は、例えば、第１および第２の半導体製造装置３、４において処理予定ロットを第１の半導体製造装置３へ搬入する指示が、管理装置１から製造ライン１１０へ出力されたタイミング等に実行される。
【００２３】
図２に示すように、経路決定装置２が処理経路決定処理を開始すると、計測装置５が取得した処理結果と、その処理結果が測定されたウェーハの処理経路とが対応づけられたデータをデータ収集部２１が取得する。データ収集部２１は、取得した処理経路Ｐｊｋごとの加工精度の情報に基づいて加工精度表３００を作成し、記憶部２２に記憶する（ステップＳ２０１）。
【００２４】
図３は、加工精度表３００の一例を示す図である。図３に示すように、加工精度表３００は、処理経路Ｐｊｋと加工精度とを対応づけて記録するテーブルである。図３の例では、加工精度として、第１の半導体製造装置３および第２の半導体製造装置４における処理が完了したウェーハにおける処理結果の面内均一性を採用している。すなわち、第１の半導体製造装置３が備える処理室３１、３２のいずれかにおいて成膜された後、第２の半導体製造装置４が備える処理室４１〜４３のいずれか１つにおいて平坦化（研磨）されることでウェーハ上に形成された膜の、膜厚のウェーハ面内のバラツキ（均一性）を加工精度としている。なお、均一性とは、ウェーハ上の複数点でそれぞれ取得した膜厚の分散や標準偏差、あるいはレンジ（最大値と最小値の差分）により表現することができる。本実施形態では、各ウェーハの面内の複数点において測定された膜厚に基づいて、膜厚測定値のレンジ／（膜厚測定値の平均値×２）×１００により算出される値を均一性（％）と定義している。なお、第１の半導体製造装置３において形成される膜が絶縁膜である場合、計測装置５である光学式膜厚測定器により当該絶縁膜の膜厚を測定可能である。なお、このような膜厚は、ウェーハ上に形成される製品チップの領域から直接計測してもよく、また、ウェーハ上の複数点に配置されたＰＣＭ（Process Control Monitor）パターンに含まれる膜厚測定用パターンから計測してもよい。
【００２５】
次に、記憶部２２にデータを格納したデータ収集部２１は、その旨を選定部２３に通知する。当該通知を受信した選定部２３は、加工精度表３００に記録された加工精度に基づいて、各処理経路Ｐｊｋに優先度を付与する（ステップＳ２０２）。図４は、付与された優先度が記録された、優先度・処理可否判定表４００を示す図である。図４に示すように、優先度・処理可否判定表４００は、処理経路Ｐｊｋと、優先度および後述の処理可否判定結果とを対応づけて記録するテーブルであり、記憶部２２に格納される。なお、図４では、理解を容易にするため表中に加工精度を記録しているが、当該項目は優先度・処理可否判定表４００に必須の項目ではない。図４に示すように、本実施形態では、加工精度のよい処理経路（均一性の値が小さい処理経路）から順に、小さな序数（１、２、３、．．．）を優先度として付与している。したがって、優先度の数値が小さいほど優先度が高いことを意味する。図３および図４の例では、処理経路Ｐ２１の均一性が「２％」と最も良いので優先度は「１」となる。また、処理経路Ｐ１１、Ｐ２３の均一性が次いで良いので、優先度は「２」となる。また、処理経路Ｐ１２は均一性が「１５％」と最も悪いので、優先度は「６」となる。
【００２６】
続いて、選定部２３は、処理予定ロットを処理可能な処理経路Ｐｊｋを選定する（ステップＳ２０３）。当該処理可能な処理経路は、処理予定ロットに属する各ウェーハについて、第１および第２の半導体製造装置３、４による処理後に許容される面内均一性が得られる処理経路であり、例えば、処理後に許容されるウェーハの面内均一性の値、あるいは優先度に基づいて導出される。例えば、第１および第２の半導体製造装置３、４による処理後に許容されるウェーハの面内均一性が１０％以下との条件が設定されているとすると、処理経路Ｐ１２は当該条件を満足できない。そのため、選定部２３は、処理経路Ｐ１２を処理不可と判定する。この場合、処理経路Ｐ１１、Ｐ１３、Ｐ２１、Ｐ２２、Ｐ２３が処理可能な処理経路として選定される。また、例えば、第１および第２の半導体製造装置３、４による処理後に許容されるウェーハの面内均一性が１０％以下、かつ優先度が３以下の処理経路Ｐｊｋのみで処理を行うとの条件が設定されたとすると、処理経路Ｐ１２、Ｐ１３、Ｐ２２は当該条件を満足できないため、選定部２３は、処理経路Ｐ１２、Ｐ１３、Ｐ２２を処理不可と判定する。この場合、処理経路Ｐ１１、Ｐ２１、Ｐ２３が処理可能な処理経路として選定される。なお、特に限定されないが、本実施形態では、処理後に許容されるウェーハの面内均一性等の条件は、処理予定ロットごとに管理装置１に予め登録されており、選定部２３が、データ取得部２１を介して管理装置１から取得する構成になっている。
【００２７】
選定部２３は、以上のような選定結果を、処理可否判定結果として、優先度・処理可否判定表４００に記録する。なお、図４は、処理経路Ｐ１２のみが処理不可と判定された場合の事例を示している。
【００２８】
以上のようにして優先度・処理可否判定表４００に選定結果を記録した選定部２３は、その旨を演算部２４に通知する。当該通知を受信した演算部２４は、当該選定結果に基づいて、選択された処理経路ごとにウェーハ処理比率を決定する（ステップＳ２０４）。ウェーハ処理比率とは、処理予定ロットに属する全ウェーハのうち、その処理経路に投入されるウェーハの比率である。
【００２９】
図５は、演算部２４が実行する処理比率決定処理を示すフロー図である。処理比率決定処理を開始した演算部２４は、まず、記憶部２２に格納された優先度・処理可否判定表４００から、処理可否判定結果に基づいて、処理可能な処理経路を抽出する（ステップＳ５０１）。そして、処理可能な処理経路について、加工精度表３００から均一性（加工精度）を読み出し、均一性の総和Ｓを算出する（ステップＳ５０２）。図３および図４の例では、演算部２４は、処理経路Ｐ１２を除いた５つの処理経路Ｐ１１、Ｐ１３、Ｐ２１、Ｐ２２、Ｐ２３の均一性の総和Ｓ＝２５を算出する。
【００３０】
次いで、演算部２４は、処理可能な処理経路として抽出された処理経路について、ウェーハ処理量をそれぞれ算出する（ステップＳ５０３）。ここでウェーハ処理量とは、上記算出した均一性の総和Ｓを各処理経路Ｐｊｋの均一性の値で除算した値である。例えば、処理経路Ｐ１１については、ウェーハ処理量は２５／３＝８．３が算出される。ウェーハ処理量の算出は、抽出された処理可能な処理経路の全てに対して実施される（ステップＳ５０４Ｎｏ、Ｓ５０３）。なお、本実施形態では、ウェーハ処理量は、均一性の逆数を、均一性の総和Ｓにより規格化した値になる。したがって、均一性が高い処理経路ほど大きなウェーハ処理量が算出され、均一性が低い処理経路ほど小さなウェーハ処理量が算出されることになる。
【００３１】
全処理経路についてウェーハ処理量を算出した演算部２４は、次に、処理可能な処理経路についてウェーハ処理量の総和Ｓ２を算出する（ステップＳ５０４Ｙｅｓ、Ｓ５０５）。上述の事例では、演算部２４は、処理経路Ｐ１２を除いた５つの処理経路Ｐ１１、Ｐ１３、Ｐ２１、Ｐ２２、Ｐ２３のウェーハ処理量の総和Ｓ２＝３５を算出する。
【００３２】
続いて、演算部２４は、抽出された各処理経路について、ウェーハ処理比率を算出する（ステップＳ５０６）。上述のように、ウェーハ処理比率とは、上記算出したウェーハ処理量の総和Ｓ２に対する各処理経路Ｐｊｋのウェーハ処理量の比率である。例えば、処理経路Ｐ１１については、ウェーハ処理比率は８．３／３５＝０．２４（＝２４％）が算出される。演算部２４は、当該ウェーハ処理比率の算出を、抽出した処理可能な処理経路の全てに対して実施する（ステップＳ５０７Ｎｏ、Ｓ５０６）。また、処理可能な処理経路の全てに対してウェーハ処理比率の算出を完了した演算部２４は、処理比率決定処理を終了する（ステップＳ５０７Ｙｅｓ）。
【００３３】
本実施形態では、演算部２４は、以上のようにして算出したウェーハ処理量およびウェーハ処理比率を、処理比率表６００として記憶部２２に記録する。図６は、当該処理比率表６００の一例を示す図である。図６に示すように、処理比率表６００は、各処理経路Ｐｊｋと、ウェーハ処理量およびウェーハ処理比率とを対応づけて記録するテーブルである。また、図６の例では、演算部２４は、処理不可能な処理経路（ここでは、処理経路Ｐ１２）のウェーハ処理比率として「０」を記録している。なお、図６では、理解を容易にするため表中に加工精度を示しているが、当該項目は処理比率表６００に必須の項目ではない。
【００３４】
以上のようにして処理経路ごとのウェーハ処理比率を算出した演算部２４は、その旨を指示部２５に通知する。当該通知を受信した指示部２５は、算出されたウェーハ処理比率に従って、上記処理予定ロットに対する処理を、第１の半導体製造装置３および第２の半導体製造装置に実施させる（ステップＳ２０５）。本実施形態では、演算部２４からの通知を受信した指示部２５は、まず、演算部２４が算出したウェーハ処理比率に従って処理経路ごとに投入するウェーハ投入枚数を決定する。図７は、指示部２５が実行する投入枚数決定処理を示すフロー図である。投入枚数決定処理を開始した指示部２５は、処理予定ロットに属するウェーハの枚数を取得する（ステップＳ７０１）。特に限定されないが、本実施形態では、指示部２５は、管理装置１から当該情報を取得する構成になっている。また、ここでは、処理予定ロットのウェーハ枚数が１２枚であるとする。
【００３５】
次いで、指示部２５は、取得したウェーハ枚数と、記憶部２２に格納された処理比率表６００に記録されている処理可能な各処理経路Ｐｊｋのウェーハ処理比率とを積算することにより、各処理経路Ｐｊｋに投入すべきウェーハ枚数を決定する（ステップＳ７０２）。例えば、処理経路Ｐ１１については、指示部２５は、０．２４×１２＝３枚をウェーハ投入枚数として算出する。指示部２５は、当該ウェーハ投入枚数の算出を、処理可能な処理経路の全てに対して実施する（ステップＳ７０３Ｎｏ、Ｓ７０４）。また、処理可能な処理経路の全てに対してウェーハ投入枚数の算出を完了した指示部２５は、投入枚数決定処理を終了する（ステップＳ７０３Ｙｅｓ）。なお、上述のように、本実施形態では、処理比率表６００に、処理不可能な処理経路のウェーハ処理比率として「０」が記録されているため、全処理経路のウェーハ処理比率と、処理予定ロットのウェーハ枚数とを積算することで、処理可能な処理経路に対するウェーハ投入枚数を算出することができる。
【００３６】
本実施形態では、指示部２５は、以上のようにして算出したウェーハ投入枚数を、投入枚数表８００として保持する。図８は、当該投入枚数表８００の一例（処理予定ロットのウェーハ枚数が１２枚の場合）を示す図である。図８に示すように、投入枚数表８００は、投入予定ロットについて、各処理経路Ｐｊｋと、ウェーハ投入枚数とを対応づけて記録するテーブルである。なお、図８では、理解を容易にするため表中に加工精度、ウェーハ処理量およびウェーハ処理比率を示しているが、当該項目は投入枚数表８００に必須の項目ではない。
【００３７】
以上のようにして処理経路ごとにウェーハ投入枚数を決定した指示部２５は、当該ウェーハ投入枚数に従って、第１の半導体製造装置３および第２の半導体製造装置に処理を実施させる（ステップＳ２０５）。本実施形態では、指示部２５が、管理装置１へ、決定した処理経路ごとのウェーハ投入枚数を通知する。当該通知を受けた管理装置１は、通知された情報に基づいて、上記予定ロットに属する各ウェーハの搬送経路を決定し、第１の半導体製造装置３の装置制御部３５および第２の半導体製造装置４の装置制御部４５に、当該搬送経路での処理の実行を指示する。
【００３８】
なお、指示部２５は、第１の半導体製造装置３の装置制御部３５および第２の半導体製造装置４の装置制御部４５に、直接指示を行ってもよい。この場合、指示部２５は、まず、第１の半導体製造装置３の装置制御部３５に、処理室３１で処理すべきウェーハ枚数と、処理室３２で処理すべきウェーハ枚数とを指示する。図８の例では、処理経路Ｐ１１の投入枚数と処理経路Ｐ１３の投入枚数の和が、処理室３１で処理すべきウェーハ枚数になる。同様に、処理経路Ｐ２１の投入枚数と、処理経路Ｐ２２の投入枚数と、処理経路Ｐ２３の投入枚数の和が、処理室３２で処理すべきウェーハ枚数になる。また、指示部２５は、第２の半導体製造装置４の装置制御部４５に、第１の半導体製造装置３の処理室３１で処理されたウェーハのうち処理室４１〜４３のそれぞれで処理すべきウェーハ枚数、および第１の半導体製造装置３の処理室３２で処理されたウェーハのうち処理室４１〜４３のそれぞれで処理すべきウェーハ枚数を指示する。図８の例では、処理室３１で処理されたウェーハ４枚のうち、処理室４１で処理すべきウェーハ枚数は３枚、処理室４２で処理すべきウェーハ枚数は０枚、処理室４３で処理すべきウェーハ枚数は１枚である。また、処理室３２で処理されたウェーハ９枚のうち、処理室４１で処理すべきウェーハ枚数は４枚、処理室４２で処理すべきウェーハ枚数は１枚、処理室４３で処理すべきウェーハ枚数は３枚である。以上のような指示を受けた装置制御部３５、４５は、当該指示に従ってウェーハの振り分けを行い、処理を実施する。
【００３９】
以上のようにして、第１および第２の半導体製造装置３、４における処理が完了すると、当該ウェーハ群は計測装置５に搬入され、処理結果（加工精度）が計測され、処理が終了する（ステップＳ２０６）。
【００４０】
なお、計測装置５により新たな処理結果が計測されると、その後、データ取得部２１がデータを取得する際に、当該新たな処理結果により加工精度表３００は更新されることになる。以下、当該更新処理について簡単に説明する。
【００４１】
例えば、計測装置５が、処理結果とウェーハの処理経路との対応づけを行う構成である場合、計測装置５は、計測装置５が備える図示しない記憶部に、計測した処理結果を、測定されたウェーハの処理経路と対応づけて記録する。図９は、計測装置５が記録する加工後状態表９００の一例を示す図である。図９に示すように、加工後状態表９００は、各処理経路Ｐｊｋと、処理結果（加工精度）と、そのウェーハの処理順を示す情報を対応づけて記録するテーブルである。なお、図９では、ウェーハの処理順を示す情報としてロット内での処理完了順を示しているが、例えば、タイムスタンプ等の処理順を示すことができる任意のデータを採用することができる。一方、データ取得部２１が、処理結果とウェーハの処理経路との対応づけを行う構成である場合、上記加工後状態表９００は、データ取得部２１において作成される。なお、図９に例示する加工後状態表９００は、後述のソート処理が実施された状態を示している。
【００４２】
データ取得部２１は、上述のデータ取得の際に、当該加工後状態表９００に基づいて加工精度表３００を更新する。図１０は、本実施形態における加工精度表更新処理を示すフロー図である。まず、データ取得部２１は、加工後状態表９００を処理順（ここでは昇順）にソートする（ステップＳ１００１）。そして、データ取得部２１は、各処理経路について最新の加工精度データを加工後状態表９００から抽出する。図９の例では、昇順でソートされているため表中の下方ほど新しいデータになる。最新の加工精度データを抽出したデータ取得部２１は当該データを加工精度表３００の対応する処理経路と対応づけて記録する（Ｓ１００２）。データ取得部２１は、当該加工精度の更新を、加工精度表３００の処理経路の全てに対して実施する（ステップＳ１００３Ｎｏ、Ｓ１００２）。また、処理経路の全てに対して加工精度の更新を完了したデータ取得部２１は、加工精度表更新処理を終了する（ステップＳ１００３Ｙｅｓ）。
【００４３】
なお、加工精度表更新処理は、計測装置５において新たな処理結果が取得される都度、実施されてもよい。この場合、加工精度表３００には常に最新の加工精度データが記録されていることになるため、図２のステップＳ２０１は省略される。
【００４４】
また、上述したデータ取得部２１、選定部２３、演算部２４および指示部２５等は、例えば、専用の演算回路、あるいは、プロセッサとＲＡＭ（Random Access Memory）やＲＯＭ（Read Only Memory）等のメモリとを備えたハードウェア、および当該メモリに格納され、プロセッサ上で動作するソフトウェアにより実現することができる。また、記憶部２２は、例えば、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）等の記憶装置により実現することができる。さらに、上述の各処理もまた、ソフトウェア（プログラム）として実現可能である。
【００４５】
以上説明したように、本発明によれば、半導体製造ラインにおける連続する２つ以上の工程において、面内バラツキ発生を抑制した処理経路を選択して処理を実行することができ、高い精度での処理、製造歩留まりの向上が可能になる。また、本発明では、半導体製造装置の処理条件や処理時のパラメータ値を使用せずに、処理完了後の測定結果のみを使用するため、いかなる半導体製造装置でも適用することができる。また、処理ウェーハの測定結果からは、最新の処理経路の加工精度を随時取得可能なため、評価ウェーハを製品ウェーハの処理前等に流す必要もない。さらに、連続する２つ以上の工程の最終結果のみを参照するため、各半導体製造工程後の単体での設備評価も省略することが可能になる。
【００４６】
なお、本発明は、以上で説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲において、種々の変形および応用が可能である。例えば、上記実施形態では、データ取得部２１、記憶部２２、選定部２３、演算部２４および指示部２５が経路決定装置を構成しているが、これら各部は、管理装置１内に配置されていてもよく、また、半導体製造装置等に分散して配置されていても当然に同様の効果を得ることができる。また、上記実施形態では、単独の計測装置を配した構成を有しているが、当該計測装置は、半導体製造装置等に内臓されていても何ら問題ない。
【００４７】
また、上記実施形態では、個々の半導体製造装置が、同一の処理を実施する複数の処理室を有する事例について説明したが、例えば、個々の半導体製造装置が、同一の処理を実施する複数の半導体製造装置から構成されていてもよい。例えば、単一の処理室を備える複数の半導体製造装置において同一の処理が実施される場合、これら複数台の半導体製造装置を、上述の実施形態における１台の半導体製造装置とみなすことで、本発明を適用可能である。
【００４８】
また、第１および第２の処理の処理条件について複数のレシピ組み合わせが存在する場合には、レシピ種ごとに上述の各テーブルを作成してもよく、異なるレシピ組合わせに対して、共通の上述の各テーブルを使用してもよい。
【００４９】
さらに、上記実施形態の第１の半導体製造装置が、各処理室においてウェーハに対してレジストパターンを形成するリソグラフィー装置であり、第２の半導体製造装置が、各処理室においてパターンエッチングを行うエッチング装置等の他の装置組み合わせであっても、同様の効果を奏することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、ウェーハ面内のバラツキを低減し、製造歩留まりを向上することができ、半導体製造システムおよび半導体製造装置の制御方法として有用である。
【符号の説明】
【００５１】
１  管理装置
２  経路決定装置
３  第１の半導体製造装置
４  第２の半導体製造装置
５  計測装置
６  ネットワーク回線
２１  データ取得部
２２  記憶部
２３  選定部
２４  演算部
２５  指示部
３１、３２  処理室
３５、４５  装置制御部
４１、４２、４３  処理室
１００  半導体製造システム
１１０  半導体製造ライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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