(57)【要約】【課題】シフトレジスタ内蔵方式の表示装置においては、低温になると、シフトレジスタ回路に含まれるトランジスタのオン電流が減少し、当該トランジスタが適切に動作しない場合があり、結果として、適切なゲート信号を供給することができないという課題がある。【解決手段】温度情報を取得し、当該温度情報に基づいて、ゲート制御信号におけるロー電圧線、及び／または、ハイ電圧線の電圧振幅を切り換える。【選択図】図６
2011170300.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１のトランジスタを含み、かつ、少なくとも１の電圧信号に応じてゲート信号を出力するシフトレジスタ回路と、表示装置制御回路の温度情報を取得する温度情報取得手段と、取得された温度情報に基づいて、前記少なくとも１の電圧信号の電圧を切り換える電圧切替手段を有する表示装置制御回路。
【請求項２】
前記表示装置制御回路は、更に、第１の閾値温度を保持する第１の閾値保持手段を有し、前記電圧切替手段は、前記取得された温度情報が前記第１の閾値温度より高い温度から前記第１の閾値より低い温度になったことを示した場合に、前記少なくとも１の電圧信号線の電圧を切り換えることを特徴とする請求項１記載の表示装置制御回路。
【請求項３】
前記表示装置制御回路は、更に、第２の閾値温度を保持する第２の閾値保持手段を有し、前記電圧切替手段は、前記取得された温度情報が前記第２の閾値温度より低い温度から前記第２の閾値より高い温度になったことを示した場合に、前記少なくとも１の電圧信号の電圧を、切替前の前記少なくとも１の電圧信号に切り換えることを特徴とする請求項２記載の表示装置制御回路。
【請求項４】
前記ゲート信号線駆動回路は、更に、シフト電圧を保持するシフト電圧保持手段を含み、前記電圧切替手段は、前記少なくとも１の電圧信号の電圧を、前記シフト電圧分変化させた電圧に切り換えることを特徴とする請求項２記載の表示装置制御回路。
【請求項５】
前記電圧信号は、ロー電圧線の電圧信号を含むことを特徴とする請求項１乃至４記載の表示装置制御回路。
【請求項６】
前記電圧信号は、ハイ電圧線の電圧信号を含むことを特徴とする請求項１乃至４記載の表示装置制御回路。
【請求項７】
前記少なくとも１の電圧信号は、ロー電圧線の電圧信号及びハイ電圧線の電圧信号を含み、前記表示制御装置は、更に、第１の閾値温度を保持する閾値保持手段を有し、前記電圧切替手段は、前記測定された温度が前記第１の閾値温度より高い温度から、前記第１の閾値温度より低い温度になったことを示した場合に、前記ロー電圧線の電圧信号を低くし、かつ、ハイ電圧線の電圧信号を高くするように切り換えることを特徴とする請求項１記載の表示装置制御回路。
【請求項８】
前記表示装置制御回路は、更に、第２の閾値温度を保持する閾値保持手段有し、前記電圧切替手段は、前記測定された温度が前記第２の閾値温度より低い温度から、前記第２の閾値温度より高い温度になったことを示した場合に、それぞれ切替前の前記ロー電圧線及び前記ハイ電圧線の電圧とすることを特徴とする請求項６記載の表示装置制御回路。
【請求項９】
前記表示装置制御回路は、更に、前記取得された温度情報に基づいて、画素領域のコモン信号線の電圧を切り替えるコモン電圧切替手段を有することを特徴とする請求項１記載の表示装置制御回路。
【請求項１０】
前記表示装置制御回路は、更に、第１の閾値温度を保持する第１の閾値保持手段を有し、前記コモン電圧切替手段は、前記取得された温度情報が、前記第１の閾値温度より高い温度から、前記第１の閾値温度より低い温度になったことを示した場合に、前記コモン信号線の電圧を切り換えることを特徴とする請求項９記載の表示装置制御回路。
【請求項１１】
前記表示装置制御回路は、更に、第２の閾値温度を保持する第２の閾値保持手段を有し、前記コモン電圧切替手段は、前記測定された温度が前記第２の閾値温度より低い温度から、前記第２の閾値温度より高い温度になったことを示した場合に、前記コモン信号線の電圧を、前記コモン信号線の電圧を切り換える前のコモン信号線の電圧とすることを特徴とする請求項１０記載の表示装置制御回路。
【請求項１２】
前記表示装置制御回路は、更に、コモン信号線の電圧のコモンシフト電圧を保持するコモンシフト電圧保持手段を含み、前記コモン電圧切替手段は、前記コモン電圧信号の電圧を、前記コモンシフト電圧分変化させた電圧に切り換えることを特徴とする請求項９記載の表示装置制御回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の制御回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の液晶表示装置においては、ゲート信号線を走査するゲート信号線駆動回路に備えられたシフトレジスタ回路が、表示画面の画素領域に配置される薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、ＴＦＴと記す）と同一基板上に形成される、いわゆるシフトレジスタ内蔵方式が採用される場合がある。従来技術に係るシフトレジスタ回路は、例えば、特許文献１及び特許文献２に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−９５１９０号公報
【特許文献２】特開２００８−１２２９３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のようなシフトレジスタ内蔵方式の表示装置においては、低温になると、シフトレジスタ回路に含まれるトランジスタのオン電流が減少し、当該トランジスタが適切に動作しない場合があり、結果として、適切なゲート信号を供給することができないという課題がある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みて、温度情報を取得し、当該温度情報に基づいて、ゲート制御信号におけるロー電圧線、及び／または、ハイ電圧線の電圧振幅を切り換えることにより、特に低温において、適切なゲート信号を供給可能な表示装置制御回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明に係る表示装置制御回路は、少なくとも１のトランジスタを含み、少なくとも１の電圧信号に応じてゲート信号を出力するシフトレジスタ回路と、表示装置制御回路の温度情報を取得する温度情報取得手段と、取得された温度情報に基づいて、前記少なくとも１の電圧信号の電圧を切り換える電圧切替手段を有する。
【０００７】
また、本発明に係る表示装置制御回路の一態様では、前記表示装置制御回路は、更に、第１の閾値温度を保持する第１の閾値保持手段を有し、前記電圧切替手段は、前記取得された温度情報が前記第１の閾値温度より高い温度から前記第１の閾値より低い温度になったことを示した場合に、前記少なくとも１の電圧信号線の電圧を切り換えてもよい。
【０００８】
また、本発明に係る表示装置制御回路の一態様では、前記表示装置制御回路は、更に、第２の閾値温度を保持する第２の閾値保持手段を有し、前記電圧切替手段は、前記取得された温度情報が前記第２の閾値温度より低い温度から前記第２の閾値より高い温度になったことを示した場合に、前記少なくとも１の電圧信号の電圧を、切替前の前記少なくとも１の電圧信号に切り換えてもよい。
【０００９】
また、本発明に係る表示装置制御回路の一態様では、前記ゲート信号線駆動回路は、更に、シフト電圧を保持するシフト電圧保持手段を含み、前記電圧切替手段は、前記少なくとも１の電圧信号の電圧を、前記シフト電圧分変化させた電圧に切り換えてもよい。
【００１０】
また、本発明に係る表示装置制御回路の一態様では、前記電圧信号は、ロー電圧線の電圧信号を含んでもよい。
【００１１】
また、本発明に係る表示装置制御回路の一態様では、前記電圧信号は、ハイ電圧線の電圧信号を含んでもよい。
【００１２】
また、本発明に係る表示装置制御回路の一態様では、前記少なくとも１の電圧信号は、ロー電圧線の電圧信号及びハイ電圧線の電圧信号を含み、前記表示制御装置は、更に、第１の閾値温度を保持する閾値保持手段を有し、前記電圧切替手段は、前記測定された温度が前記第１の閾値温度より高い温度から、前記第１の閾値温度より低い温度になったことを示した場合に、前記ロー電圧線の電圧信号を低くし、かつ、ハイ電圧線の電圧信号を高くするように切り換えてもよい。
【００１３】
また、本発明に係る表示装置制御回路の一態様では、前記表示装置制御回路は、更に、第２の閾値温度を保持する閾値保持手段有し、前記電圧切替手段は、前記測定された温度が前記第２の閾値温度より低い温度から、前記第２の閾値温度より高い温度になったことを示した場合に、それぞれ切替前の前記ロー電圧線及び前記ハイ電圧線の電圧としてもよい。
【００１４】
また、本発明に係る表示装置制御回路の一態様では、前記表示装置制御回路は、更に、前記取得された温度情報に基づいて、画素領域のコモン信号線の電圧を切り替えるコモン電圧切替手段を有してもよい。
【００１５】
また、本発明に係る表示装置制御回路の一態様では、前記表示装置制御回路は、更に、第１の閾値温度を保持する第１の閾値保持手段を有し、前記コモン電圧切替手段は、前記取得された温度情報が、前記第１の閾値温度より高い温度から、前記第１の閾値温度より低い温度になったことを示した場合に、前記コモン信号線の電圧を切り換えてもよい。
【００１６】
また、本発明に係る表示装置制御回路の一態様では、前記表示装置制御回路は、更に、第２の閾値温度を保持する第２の閾値保持手段を有し、前記コモン電圧切替手段は、前記測定された温度が前記第２の閾値温度より低い温度から、前記第２の閾値温度より高い温度になったことを示した場合に、前記コモン信号線の電圧を、前記コモン信号線の電圧を切り換える前のコモン信号線の電圧としてもよい。
【００１７】
また、本発明に係る表示装置制御回路の一態様では、前記表示装置制御回路は、更に、コモン信号線の電圧のコモンシフト電圧を保持するコモンシフト電圧保持手段を含み、前記コモン電圧切替手段は、前記コモン電圧信号の電圧を、前記コモンシフト電圧分変化させた電圧に切り換えてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
温度情報を取得し、当該温度情報に基づいて、ゲート信号におけるロー電圧線、及び／または、ハイ電圧線の電圧振幅を切り換えることにより、特に低温において適切なゲート信号を供給可能な表示装置制御回路を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態に係る表示装置を示す概略図である。
【図２】図１に示したＴＦＴ基板上に形成された画素回路の概念図である。
【図３】図２に示したシフトレジスタ回路のブロック図である。
【図４】図３に示したｎ番目の基本回路の回路図である。
【図５】本発明の実施の形態におけるｎ番目の基本回路１１３−ｎのノードＮ１、Ｎ２の時間的な変化を示した図である。
【図６】本発明の実施の形態における電圧切換部を示す概略図である。
【図７】本発明の実施の形態において、温度下降時閾値温度より温度が低くなった場合のロー電圧線ＶＧＬの電圧とハイ電圧線ＶＧＨの電圧の振幅の幅を示す図である。
【図８】本発明の変形例を説明するための図である。
【図９（Ａ）】本発明の実施の形態または変形例におけるプリチャージ動作を説明するための図である。
【図９（Ｂ）】本発明の実施の形態または変形例におけるプリチャージ動作を説明するための図である。
【図９（Ｃ）】本発明の実施の形態または変形例におけるプリチャージ動作を説明するための図である。
【図９（Ｄ）】本発明の実施の形態または変形例におけるプリチャージ動作を説明するための図である。
【図９（Ｅ）】本発明の実施の形態または変形例におけるプリチャージ動作を説明するための図である。
【図９（Ｆ）】本発明の実施の形態または変形例におけるプリチャージ動作を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１は、本発明の実施の形態に係る表示装置を示す概略図である。図１に示すように、例えば、表示装置１００は、ＴＦＴ等（図示せず）が形成されたＴＦＴ基板１０２と、当該ＴＦＴ基板１０２に対向し、カラーフィルタ（図示せず）が設けられたフィルタ基板１０１を有する。また、表示装置１００は、ＴＦＴ基板１０２及びフィルタ基板１０１に挟まれた領域に封入された液晶材料（図示せず）と、ＴＦＴ基板１０２のフィルタ基板１０１側と反対側に接して位置するバックライト１０３を有する。
【００２１】
図２は、ＴＦＴ基板１０２上に形成された画素回路の概念図である。図２に示すように、ＴＦＴ基板１０２は、図２の横方向に略等間隔に配置した複数のゲート信号線１０５と、図２の縦方向に略等間隔に配置した複数の映像信号線１０７を有する。また、ゲート信号線１０５は、シフトレジスタ回路１０４に接続され、また、映像信号線１０７は、ドライバ１０６に接続される。
【００２２】
シフトレジスタ回路１０４は、複数のゲート信号線１０５それぞれに対応する複数の基本回路（図示せず）を有する。なお、各基本回路は、ドライバ１０６からの制御信号１１５に応じて、１フレーム期間のうち、対応するゲート走査期間（信号ハイ期間）にはハイ電圧となり、それ以外の期間（信号ロー期間）にはロー電圧となるゲート信号を、対応するゲート信号線１０５に出力するが、詳細には後述する。
【００２３】
ゲート信号線１０５及び映像信号線１０７によりマトリクス状に区画された各画素領域１３０は、それぞれ、ＴＦＴ１０９、画素電極１１０、及び、コモン電極１１１を有する。ここで、ＴＦＴ１０９のゲートは、ゲート信号線１０５に接続され、ソース又はドレインの一方は、映像信号線１０７に接続され、他方は、画素電極１１０に接続される。コモン電極１１１は、コモン信号線１０８に接続される。なお、画素電極１１０とコモン電極１１１は、互いに対向する。
【００２４】
次に、上記のように構成された画素回路の動作について説明する。ドライバ１０６は、コモン信号線１０８を介して、コモン電極１１１に、基準電圧を印加する。また、ドライバ１０６により制御されるシフトレジスタ回路１０４は、ゲート信号線１０５を介して、ＴＦＴ１０９のゲート電極に、ゲート信号を出力する。更に、ドライバ１０６は、ゲート信号が出力されたＴＦＴ１０９に、映像信号線１０７を介して、映像信号の電圧を供給し、当該映像信号の電圧は、更に、ＴＦＴ１０９を介して、画素電極１１０に印加する。この際、画素電極１１０とコモン電極１１１との間に電位差が生じる。
【００２５】
そして、ドライバ１０６が画素電極１１０とコモン電極１１１との間に生じる電位差を制御することにより、画素電極１１０とコモン電極１１１の間に挿入された液晶材料の液晶分子の配光等を制御する。ここで、液晶材料には、バックライト１０３からの光が案内されていることから、上記のように液晶分子の配光等を制御することにより、バックライト１０３からの光の量を調節でき、結果として、画像を表示することができる。
【００２６】
図３は、シフトレジスタ回路１０４のブロック図である。なお、図３においては、ｎ番目の基本回路を、基本回路１１３−ｎとして示す。図３に示すように、シフトレジスタ回路１０４は、奇数番目の基本回路１１３を図３の右側に、偶数番目の基本回路を図３の左側に有する。また、シフトレジスタ回路１０４は、奇数番目の基本回路と偶数番目の基本回路との間に画素領域１２０を有し、複数のゲート線１０５にそれぞれに対応するゲート信号Ｇｎを出力するが、詳細には下記に述べる。なお、画素領域１２０とは、図２に示した上記画素回路のうち、両端に位置するシフトレジスタ回路１０４の間の領域に対応する。
【００２７】
各基本回路１１３は、例えば、図３の基本回路１１３−１に示すように、入力端子ＩＮ１、ＩＮ２、ＩＮ３、ＩＮ４、ＩＮ５、ＩＮ６と、出力端子ＯＵＴ、ＯＵＴ２を有する。ドライバ１０６は、当該入力端子ＩＮ１、ＩＮ２、ＩＮ３、ＩＮ４、ＩＮ５、ＩＮ６に、制御信号１１５を入力する。
【００２８】
ここで、制御信号１１５は、例えば、奇数番目の基本回路１１３に入力する、４相の互いに位相の異なる基本クロック信号Ｖｎ，Ｖｎ＋２，Ｖｎ＋４，Ｖｎ＋６、ハイ電圧線ＶＧＨ、ロー電圧線ＶＧＬ、補助信号ＶＳＴ１を含む。また、制御信号１１５は、例えば、偶数番目の基本回路１１３に入力する、４相の互いに位相の異なる基本クロック信号Ｖｎ＋１，Ｖｎ＋３，Ｖｎ＋５，Ｖｎ＋７、ハイ電圧線ＶＧＨ、ロー電圧線ＶＧＬ、補助信号ＶＳＴ２を含む。
【００２９】
そして、例えば、ｎ番目の基本回路１１３−ｎの入力端子ＩＮ１、ＩＮ２には、それぞれ基本クロック信号Ｖｎ、Ｖｎ＋２を入力する。また、ｎ番目の基本回路１１３−ｎの入力端子ＩＮ３には、ｎ−２番目の基本回路１１３−（ｎ−２）からのゲート信号Ｇｎ−２を入力し、入力端子ＩＮ４には、ｎ＋２番目の基本回路１１３−（ｎ＋２）からのゲート信号Ｇｎ＋２を入力する。
【００３０】
なお、１番目の基本回路１１３−１及び２番目の基本回路１１３−２の入力端子ＩＮ３には、対応するゲート信号がないため、それぞれ補助信号ＶＳＴ１、ＶＳＴ２を入力する。同様に、例えば、８００の基本回路がある場合を想定すると、７９９目の基本回路１１３−７９９及び８００番目の基本回路１１３−８００の入力端子ＩＮ４には、８０１番目のダミー回路のゲート信号Ｇ８０１及び８０２番目のダミー回路のゲート信号Ｇ８０２を、それぞれ入力し、８０１番目の基本回路１１３−８０１及び８０２番目の基本回路１１３−８０２の入力端子ＩＮ４には補助信号ＶＳＴ１、ＶＳＴ２を入力する。
【００３１】
ｎ番目の基本回路１１３−ｎの入力端子ＩＮ５には、ｎ−２番目の基本回路１１３−（ｎ−２）の出力端子ＯＵＴ２からの出力信号を入力する。なお、１番目の基本回路１１３−１及び２番目の基本回路１１３−２の入力端子ＩＮ５には、対応するノードＮ１の電圧がないため、補助信号ＶＳＴ１、ＶＳＴ２を、それぞれ、入力する。
【００３２】
ｎ番目の基本回路１１３−ｎの入力端子ＩＮ６には、ｎが奇数の場合は補助信号ＶＳＴ１を、ｎが偶数の場合は補助信号ＶＳＴ２が入力する。
【００３３】
一方、ｎ番目の基本回路１１３−ｎの出力端子ＯＵＴは、ｎ番目の基本回路１１３−ｎのゲート信号Ｇｎを出力する。また、ｎ番目の基本回路１１３−ｎの出力端子ＯＵＴ２は、ｎ番目の基本回路１１３−ｎのノードＮ１の電圧を出力する。
【００３４】
図４は、ｎ番目の基本回路の回路図である。図５は、ｎ番目の基本回路１１３−ｎのノードＮ１、Ｎ２の時間的な変化を、入力信号である基本クロック信号と、基本回路１１３のゲート信号やノードＮ１とともに示したものである。以下、図５に示す各信号の時間変化とともに、基本回路１１３の構成及び動作について説明する。
【００３５】
図４に示すように、トランジスタＴ４Ａのゲートには、入力端子ＩＮ５が接続されており、ｎ−２番目の基本回路１１３−（ｎ−２）の出力端子ＯＵＴ２が出力するノードＮ１の電圧Ｎ１ｎ−２が入力端子ＩＮ５に入力される。トランジスタＴ４Ａは、図５に示す期間Ｐ１に、ｎ−２番目の基本回路１１３−（ｎ−２）のノードＮ１の電圧Ｎ１ｎ−２がハイ電圧となるので、期間Ｐ１に、オンされる。トランジスタＴ４Ａがオンされると、トランジスタＴ４Ａの入力側には、ロー電圧線ＶＧＬが接続されているので、ロー電圧線ＶＧＬのロー電圧がノードＮ２に印加される。
【００３６】
ノードＮ１ハイ電圧供給回路１５に含まれるトランジスタＴ１のゲートには、入力端子ＩＮ３が接続される。したがって、ｎ−２番目の基本回路１１３−（ｎ−２）のゲート信号Ｇｎ−２が入力端子ＩＮ３に入力される。トランジスタＴ１は、図５に示す期間Ｐ２にｎ−２番目の基本回路１１３−（ｎ−２）のゲート信号Ｇｎ−２がハイ電圧となるので、期間Ｐ２にオンされる。トランジスタＴ１がオンされると、トランジスタＴ１の入力側には、ハイ電圧線ＶＧＨが接続されているので、ハイ電圧線ＶＧＨのハイ電圧がノードＮ１に印加される。
【００３７】
ここで、期間Ｐ２において、図５に示す通り、ｎ−２番目の基本回路１１３−（ｎ−２）のノードＮ１の電圧Ｎ１ｎ−２がハイ電圧で維持されており、トランジスタＴ４Ａはオン状態で維持されている。また、期間Ｐ２においてトランジスタＴ４もオンされる。ノードＮ２ロー電圧供給回路１４に含まれるトランジスタＴ４のゲートには、ノードＮ１が接続されており、期間Ｐ２において、ノードＮ１はハイ電圧となるからである。上記のように、期間Ｐ２において、２個のトランジスタＴ４、Ｔ４Ａが共にオンされる。よって、ロー電圧線ＶＧＬのロー電圧がノードＮ２に印加される。トランジスタＴ４及びＴ４Ａの入力側には、ロー電圧線ＶＧＬが接続されているからである。
【００３８】
ハイ電圧印加スイッチング回路１２は、トランジスタＴ５を有する。トランジスタＴ５の入力側には、入力端子ＩＮ１が接続されており、基本クロック信号Ｖｎが入力端子ＩＮ１に入力される。ここで、期間Ｐ３において、ノードＮ１はハイ電圧で維持されているので、トランジスタＴ５はオン状態で維持されている。したがって、図５に示すように、信号ハイ期間である期間Ｐ３において、基本クロック信号Ｖｎはハイ電圧となっているので、期間Ｐ３に、出力端子ＯＵＴより、ハイ電圧となるゲート信号Ｇｎが出力される。
【００３９】
しかしながら、実際には、トランジスタＴ１に、閾値電圧Ｖｔｈが存在するために、期間Ｐ２において、ノードＮ１の電圧は、ハイ電圧線ＶＧＨのハイ電圧から、トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈを減じた電圧となる。当該電圧では、信号ハイ期間である期間Ｐ３において、トランジスタＴ５を十分にオンすることが出来ない場合があり得る。
【００４０】
そこで、ハイ電圧印加スイッチング回路１２において、昇圧容量Ｃ１がトランジスタＴ５と並列に接続する。当該昇圧容量Ｃ１により、期間Ｐ３にはゲート信号Ｇｎ−２がロー電圧に変化しトランジスタＴ１がオフされるが、ノードＮ１をハイ電圧に維持することが可能となり、トランジスタＴ５をオン状態に保つことができる。このとき、出力端子ＯＵＴに、入力端子ＩＮ１に入力される基本クロック信号Ｖｎのハイ電圧が印加され、昇圧容量Ｃ１の容量カップリングにより、ノードＮ１を更に高電圧に昇圧することができる。これは、いわゆるブートストラップ電圧と呼ばれるものであり、当該ブートストラップ電圧により、トランジスタＴ５を十分にオンすることができる。
【００４１】
また、期間Ｐ３においては、図５に示す通り、ｎ−２番目の基本回路１１３−（ｎ−２）のノードＮ１の電圧Ｎ１ｎ−２はロー電圧となり、トランジスタＴ４Ａはオフされる。しかし、ｎ番目の基本回路１１３−ｎのノードＮ１は、上記ブートストラップ電圧により昇圧された高い電圧となっており、ノードＮ２ロー電圧供給回路１４に備えられるトランジスタＴ４はオン状態で維持される。よって、トランジスタＴ４Ａがオフされた後も、ノードＮ２はロー電圧に維持される。
【００４２】
トランジスタＴ９の入力側には、ロー電圧線ＶＧＬが接続されている。また、トランジスタＴ９のゲートには入力端子ＩＮ４が接続され、当該入力端子ＩＮ４には、ｎ＋２番目の基本回路１１３−（ｎ＋２）からのゲート信号Ｇｎ＋２が入力される。
【００４３】
ここで、図５に示す通り、期間Ｐ４に、ゲート信号Ｇｎ＋２がハイ電圧となるので、トランジスタＴ９はオンされる。よって、ロー電圧線ＶＧＬのロー電圧がノードＮ１に印加される。これにより、トランジスタＴ５はオフされる。また、同時に、トランジスタＴ４もオフされる。
【００４４】
また、図４に示す通り、ロー電圧線ＶＧＬとハイ電圧線ＶＧＨの間には、保持容量Ｃ３及びトランジスタＴ３が直列に接続されている。トランジスタＴ３の出力端子と保持容量Ｃ３の正極は、ノードＮ２に接続されている。保持容量のＣ３の負極にはロー電圧線ＶＧＬが、トランジスタＴ３の入力側にはハイ電圧線ＶＧＨが、それぞれ接続されている。トランジスタＴ３のゲートには、入力端子ＩＮ２が接続され、入力端子ＩＮ２に基本クロック信号Ｖｎ＋２が入力される。
【００４５】
ここで、期間Ｐ４には、基本クロック信号Ｖｎ＋２がハイ電圧となるので、期間Ｐ４に、トランジスタＴ３はオンされ、ノードＮ２の電圧をハイ電圧に変化させる。同時に、保持容量Ｃ３がハイ電圧に充電される。
【００４６】
期間Ｐ５には、基本クロック信号Ｖｎ＋２がロー電圧となり、トランジスタＴ３がオフされるが、保持容量Ｃ３により、ノードＮ２の電圧はハイ電圧で維持される。また、基本クロック信号Ｖｎ＋２は、周期的にハイ電圧となり、保持容量Ｃ３を周期的に充電し続けるので、ノードＮ２の電圧を安定的にハイ電圧に維持することができる。
【００４７】
更に、図４に示すように、ｎ番目の基本回路１１３−ｎは、トランジスタＴ３と並列に、トランジスタＴ１０を有する。トランジスタＴ１０のゲートには、入力端子ＩＮ６が接続され、上述の補助信号ＶＳＴが入力端子ＩＮ６に入力される。したがって、上記のようにトランジスタＴ３が定期的にオンされることにより、保持容量Ｃ３を周期的に充電し続けることに加えて、補助信号ＶＳＴがハイ電圧になる毎に、トランジスタＴ１０がオンされ、これによっても、保持容量Ｃ３は充電される。
【００４８】
なお、補助信号ＶＳＴは、上述の通り、ｎが奇数の場合は補助信号ＶＳＴ１を、ｎが偶数の場合は補助信号ＶＳＴ２を表す。ｎが奇数となるｎ番目の基本回路１１３−ｎは、補助信号ＶＳＴ１がハイ電圧になるタイミングで、また、ｎが偶数となるｎ番目の基本回路１１３−ｎは、補助信号ＶＳＴ２がハイ電圧になるタイミングで、それぞれ、一斉に、それぞれの基本回路１１３におけるＴ１０を介して、保持容量Ｃ３を充電する。これにより、例えば、補助信号ＶＳＴを、１フレーム期間中における表示領域に書き込む期間以外の時間である帰線期間等においてハイ電圧にすることにより、より安定的にノードＮ２をハイ電圧に維持することが出来る。
【００４９】
以上のように、期間Ｐ３の期間においてのみ、基本クロック信号Ｖｎの電圧のハイ電圧が、出力端子ＯＵＴより、出力され、それ以外の期間においては、ロー電圧が出力端子ＯＵＴより出力される。
【００５０】
具体的には、期間Ｐ２、Ｐ３の期間においては、ノードＮ１はハイ電圧となり、ハイ電圧印加スイッチング素子であるトランジスタＴ５はオンされ、この期間、基本クロック信号Ｖｎの電圧が、出力端子ＯＵＴより、ゲート信号Ｇｎとして出力される。期間Ｐ３において、基本クロック信号Ｖｎはハイ電圧となるので、ゲート信号Ｇｎもこの期間、ハイ電圧になる。なお、期間Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３において、ノードＮ２はロー電圧となり、ロー電圧印加スイッチング素子であるトランジスタＴ６、及び、スイッチング信号供給スイッチング素子であるトランジスタＴ２は、オフされる。
【００５１】
一方、１フレーム期間のうち、期間Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３以外の期間においては、ノードＮ２がハイ電圧で維持され、トランジスタＴ２がオンされ、ノードＮ１はロー電圧で維持される。このとき、トランジスタＴ６がオンされ、ロー電圧線ＶＧＬのロー電圧が、出力端子ＯＵＴより、ゲート信号Ｇｎとして出力される。
【００５２】
上記のように、本実施の形態においては、ｎ−２番目の基本回路１１３−（ｎ−２）のゲート信号Ｇｎ−２等、表示領域などシフトレジスタ回路１０４の外部と直接接続されているような外部信号によってではなく、内部信号であるｎ−２番目の基本回路１１３−（ｎ−２）のノードＮ１の電圧Ｎ１ｎ−２によって、信号ハイ期間に応じて、ｎ番目の基本回路１１３−ｎのノードＮ２がハイ電圧からロー電圧に変化する。
【００５３】
ここで、ノードＮ１の電圧Ｎ１ｎ−２は、ｎ−２番目の基本回路１１３−（ｎ−２）の出力端子ＯＵＴ２より出力し、ｎ番目の基本回路１１３−ｎの入力端子ＩＮ５に入力されている。しかしながら、ノードＮ１の電圧Ｎ１ｎ−２は、シフトレジスタ回路１０４の外部へは出力されておらず、外部とは直接接続されていない。つまり、ノードＮ１の電圧Ｎ１ｎ−２は、いわばシフトレジスタ回路１０４の内部信号であるといえる。
【００５４】
したがって、ゲート信号のように、外部よりノイズ信号が印加されてしまう外部信号ではなく、ノードＮ１の電圧のように、外部に対して直接接続されていないシフトレジスタ回路１０４の内部信号によって、信号ハイ期間に応じて、ｎ番目の基本回路１１３−ｎのノードＮ２がハイ電圧からロー電圧に変化することにより、外部において生じたノイズ信号の影響がノードＮ２に及ぶのを抑制することが出来る。これにより、シフトレジスタ回路１０４を備えるゲート信号線駆動回路が出力するゲート信号のノイズを抑制することができる。結果として、当該ゲート信号線駆動回路を有する表示装置の表示品質を向上することができる。
【００５５】
なお、上記図３乃至５は、シフトレジスタ回路１０４を構成する基本回路１１３の構成及び動作の一例を示したものであって、各基本回路は、ドライバ１０６からの制御信号１１５に応じて、１フレーム期間のうち、対応するゲート走査期間（信号ハイ期間）にはハイ電圧となり、それ以外の期間（信号ロー期間）にはロー電圧となるゲート信号を、対応するゲート信号線１０５に出力するものであれば異なる構成であってもよい。
【００５６】
図６は、本実施の形態におけるロー電圧及びハイ電圧の電圧値を切り換える電圧切換部を示す概略図である。図６に示すように、電圧切換部６００は、ＧＬＦＢ保持部６０１、ＧＨＦＢ保持部６０２、ＶＧＬＳＦＴ保持部６０４、ＶＧＨＳＦＴ保持部６０５、ＵＴＰ保持部６０７、ＤＴＰ保持部６０８、ＴＳＤＣ保持部６０９、ロー電圧切換部６１０、ハイ電圧切換部６１１、温度取得部６１３、制御部６１４を有する。制御部６１４は、温度取得部６１３、各電圧切換部６１０等、各保持部６０１等に接続する。なお、電圧切換部６００は、ドライバ１０６の内部に一体的に形成してもよいし、ドライバ１０６とは別に形成してもよい。
【００５７】
また、下記の説明において、シフトレジスタ回路１０４の基本回路１１３中で示したハイ電圧及びロー電圧は、上記ブートストラップ電圧を除き、下記に述べるロー電圧線ＶＧＬのロー電圧及びハイ電圧線ＶＧＨのハイ電圧に対応するものとする。例えば、上記シフトレジスタ回路１０４の基本回路１１３におけるロー電圧及びハイ電圧は、それぞれ、ロー電圧線ＶＧＬのロー電圧及びハイ電圧線ＶＧＨのハイ電圧、基本クロック信号のＶｎ等のハイ電圧及びロー電圧に略等しい。
【００５８】
ＧＬＦＢ保持部６０１は、ロー電圧線ＶＧＬの設定電圧（ＶＧＬ設定電圧）を保持し、制御部６１４へ出力する。例えば、表１に示すように、ＧＬＦＢ保持部６０１は、複数のロー電圧線ＶＧＬの設定電圧を保持し、当該複数のロー電圧線ＶＧＬの設定電圧は、それぞれ各レジスタ値に対応する。例えば、表１において、レジスタ値５´ｈ７は、ＶＧＬ設定電圧−１０Ｖに対応する。なお、いずれのロー電圧線ＶＧＬの設定電圧を選択するかは、例えば、工場出荷時に上記各レジスタ値を選択することにより決定する。
【００５９】
【表１】
2011170300.tif 000003
【００６０】
ＧＨＦＢ保持部６０２は、ハイ電圧線ＶＧＨの設定電圧（ＶＧＨ設定電圧）を保持し、制御部６１４へ出力する。例えば、表２に示すように、ＧＨＦＢ保持部６０２は、複数のハイ電圧線ＶＧＨの設定電圧を保持し、当該複数のハイ電圧線ＶＧＨの設定電圧は、それぞれ各レジスタ値に対応する。例えば、表２において、レジスタ値５´ｈ４は、ＶＧＨ設定電圧１８Ｖに対応する。なお、いずれのハイ電圧線ＶＧＨの設定電圧を選択するかは、例えば、工場出荷時に上記各レジスタ値を選択することにより決定する。
【００６１】
【表２】
2011170300.tif 000004
【００６２】
ＤＴＰ保持部６０８は、温度下降時の閾値温度を保持し、制御部６１４へ出力する。例えば、表３に示すように、ＤＴＰ保持部６０８は、複数の温度下降時の閾値温度を保持し、当該複数の温度下降時の閾値温度は、それぞれ各レジスタ値に対応する。例えば、表３において、レジスタ値４´ｈ６は、温度下降時の閾値温度−１０℃に対応する。なお、いずれの温度下降時の閾値温度を選択するかは、例えば、工場出荷時に上記各レジスタ値を選択することにより決定する。
【００６３】
【表３】
2011170300.tif 000005
【００６４】
ＵＴＰ保持部６０７は、温度上昇時の閾値温度を保持し、制御部６１４へ出力する。例えば、表４に示すように、ＵＴＰ保持部６０７は、複数の温度上昇時の閾値温度を、選択されたＤＴＰレジスタ値からの行方向への変化分（加算する温度）として保持し、当該変化分は、それぞれ各レジスタ値に対応する。
【００６５】
例えば、当該レジスタ値０は、ＤＴＰレジスタに対応する温度＋５℃、当該レジスタ値１は、ＤＴＰレジスタに対応する温度＋１０℃に対応する。なお、いずれの変化分を選択するかは、例えば、工場出荷時に上記レジスタ値０または１を選択することにより決定する。
【００６６】
【表４】
2011170300.tif 000006
【００６７】
ＴＳＤＣ保持部６０９は、温度取得部６１３の温度取得機能をオンにするかオフにするかに関する情報を保持し、制御部６１４へ出力する。具体的には、例えば、表５に示すように、レジスタ値０は、オフを示し、レジスタ値１は、オンを示す。なお、当該レジスタ値の設定は、上記レジスタ値を選択することにより、工場出荷時に行ってもよいし、また、当該表示装置１００が、例えば、折りたたみ式携帯電話等に実装される場合には、当該折りたたみ式携帯電話を開いた場合等、表示画面がユーザーに観察される必要がある場合等種々のタイミング等で、レジスタ値が０から１に設定されるようにしてもよい。
【００６８】
【表５】
2011170300.tif 000007
【００６９】
温度取得部６１３は、例えば、バイポーラトランジスタや温度センサ等により構成され、電圧切換部６００の温度情報を取得し、制御部６１４へ出力する。具体的には、温度取得部６１３は、例えば、１フレーム期間毎に温度情報を取得し制御部６１４へ出力する。また、温度取得部６１３は、ＴＳＤＣ保持部６０９のレジスタ値に応じて、制御部６１４により、オンにするかオフにするかが選択される。なお、温度取得部６１３は、図６に示すように、電圧切換部６００と一体的に形成してもよいし、別個に形成してもよい。更に、温度情報の取得は、１フレーム期間毎に限らず、異なる期間毎等であってもよい。
【００７０】
ＶＧＬＳＦＴ保持部６０４は、温度情報が温度下降時閾値温度よりも低くなった場合の、ロー電圧線ＶＧＬの電圧の変化分（ＶＧＬシフト電圧）を保持し、制御部６１４へ出力する。例えば、表６に示すように、ＶＧＬＳＦＴ保持部６０４は、複数のロー電圧線ＶＧＬの電圧の変化分を保持し、当該複数の複数のロー電圧線ＶＧＬの電圧の変化分は、それぞれ各レジスタ値に対応する。例えば、表６において、レジスタ値３´ｈ１は、ＧＬＦＢレジスタ値により設定されたＶＧＬ設定電圧−２Ｖに対応する。
【００７１】
【表６】
2011170300.tif 000008
【００７２】
なお、いずれの複数のロー電圧線ＶＧＬの電圧の変化分を選択するかは、例えば、工場出荷時に上記各レジスタ値を選択することにより決定する。また、複数のロー電圧線ＶＧＬの電圧の変化分は、例えば、表６の第２列に示すように、具体的な値を保持してもよいし、また、表６の第３列に示すように、選択されているＧＬＦＢレジスタ値からの行方向への変化分（ステップ数）として保持してもよい。
【００７３】
ＶＧＨＳＦＴ保持部６０５は、温度情報が温度上昇時閾値温度よりも低くなった場合の、ハイ電圧線ＶＧＨの電圧の変化分（ＶＧＨシフト電圧）を保持し、制御部６１４へ出力する。例えば、表７に示すように、ＶＧＨＳＦＴ保持部６０５は、複数のハイ電圧線ＶＧＨの電圧の変化分を保持し、当該複数のハイ電圧線ＶＧＨの電圧の変化分は、それぞれ各レジスタ値に対応する。例えば、表７において、レジスタ値３´ｈ１は、ＧＨＦＢレジスタ値により設定されたＶＧＨ設定電圧＋２Ｖに対応する。
【００７４】
【表７】
2011170300.tif 000009
【００７５】
なお、いずれの複数のハイ電圧線ＶＧＨの電圧の変化分を選択するかは、例えば、工場出荷時に上記各レジスタ値を選択することにより決定する。また、複数のハイ電圧線ＶＧＨの電圧の変化分は、例えば、表７の第２列に示すように、具体的な値を保持してもよいし、また、選択されているＧＨＦＢレジスタ値からの行方向への変化分（ステップ数）として保持してもよい。また、上記ＶＧＬシフト電圧またはＶＧＨシフト電圧は、特許請求の範囲に記載のシフト電圧に対応する。
【００７６】
ロー電圧切換部６１０は、制御部６１４からのロー電圧制御信号に応じて、ロー電圧線ＶＧＬの電圧を切り換え、当該切り換えたロー電圧を、ロー電圧線ＶＧＬへ出力する。ハイ電圧切換部６１１は、制御部６１４からのハイ電圧制御信号に応じて、ハイ電圧線ＶＧＨの電圧を切り換え、当該切り換えたハイ電圧を、ハイ電圧線ＶＧＨへ出力する。
【００７７】
次に、当該電圧切換部６００の動作について説明する。具体的には、例えば、ＶＧＨ設定電圧を１８Ｖ（ＧＨＦＢレジスタ値が５´ｈ４）、ＶＧＬ設定電圧を−８Ｖ（ＧＬＦＢレジスタ値が５´ｈ３）、温度下降時閾値温度を−１０℃（ＤＴＰレジスタ値が４´ｈ６）、温度上昇時の閾値温度の変化分を５℃（ＵＴＰレジスタ値が０、−１０℃＋５℃＝−５℃）、ＶＧＨＳＦＴ保持部６０５のＶＧＨシフト電圧を＋１Ｖ（ＶＧＨＳＦＴレジスタ値が３´ｈ０）、ＶＧＬＳＦＴ保持部６０４のＶＧＬシフト電圧を−２Ｖ（ＶＧＬＳＦＴレジスタ値が３´ｈ１、−２Ｖシフト）に設定する場合を用いて、下記に説明する。
【００７８】
温度取得部６１３により取得された温度が、温度下降時閾値温度より高い温度から、温度下降時閾値温度より低い温度となった場合、つまり、−１０℃より高い温度から−１０℃以下の温度になった場合、制御部６１４は、上記ＶＧＬＳＦＴ保持部６０４に設定されたＶＧＬシフト電圧（−２Ｖ）に応じて、ＶＧＬ設定電圧を−８Ｖから−１０Ｖに切り換えるよう、ロー電圧切換部６１０に指示し、ロー電圧切換部６１０は、ロー電圧線ＶＧＬの電圧を−８Ｖから−１０Ｖに切り換える。
【００７９】
また、制御部６１４は、上記ＶＧＨＳＦＴ保持部６０５に設定されたＶＧＨシフト電圧（＋１Ｖ）に応じて、ＶＧＨ設定電圧を１８Ｖから１９Ｖに切り換えるよう、ハイ電圧切換部６１１に指示し、ハイ電圧切換部６１１は、ハイ電圧線ＶＧＨの電圧を１８Ｖから１９Ｖに切り換える。
【００８０】
つまり、図７に示すように、制御部６１４は、温度下降時閾値温度より温度が低くなった場合には、ロー電圧線ＶＧＬの電圧とハイ電圧線ＶＧＨの電圧の振幅の幅を大きくする。なお、図７（Ａ）は、温度が−１０℃より高い場合の振幅を示し、図７（Ｂ）は温度が−１０℃以下の場合の振幅を示す。このように、本実施の形態における表示装置１００は、低温において、ドライバ１０６からの制御信号１１５の電圧振幅を大きくすることによりシフトレジスタ回路１０４に含まれるトランジスタＴ１のオン電流が減少することを防止することができる。加えて図４のＩＮ１から入力されるＶｎの電圧振幅も大きくなるためより適切なゲート信号Ｇｎを供給することができる。
【００８１】
また、温度取得部６１３により取得された温度が、温度上昇時閾値温度より低い温度から、温度上昇時閾値温度より高い温度になった場合、つまり、例えば、−５℃より低い温度から−５℃以上の温度になった場合、制御部６１４は、ＶＧＬ設定電圧を−１０Ｖから−８Ｖに切り換えるよう、ロー電圧切換部６１０に指示し、ロー電圧切換部６１０は、ロー電圧線ＶＧＬの電圧を−１０Ｖから−８Ｖに切り換える。また、制御部６１４は、ＶＧＨ設定電圧を１９Ｖから１８Ｖに切り換えるよう、ハイ電圧切換部６１１に指示し、ハイ電圧切換部６１１は、ハイ電圧線ＶＧＨの電圧を１９Ｖから１８Ｖに切り換える。
【００８２】
つまり、温度上昇時閾値温度以上の温度となった場合には、ロー電圧線ＶＧＬ及びハイ電圧線ＶＧＨの電圧の設定を上記切り換え前の状態に戻す。これにより、温度が再度上昇した場合にロー電圧線ＶＧＬ及びハイ電圧線ＶＧＨの電圧の設定が、上記低温時の設定に切り換えられたままの状態になることを防ぐことができる。
【００８３】
上記のように、温度情報に基づいて、ゲート制御信号におけるロー電圧線、及び／または、ハイ電圧線の電圧振幅を切り換えることにより、特に低温において、適切なゲート信号を供給可能な表示装置制御回路を提供することができる。
【００８４】
なお、本実施の形態は、図６に示した構成に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、図６で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【００８５】
[変形例]
図８は、本発明の変形例を説明するための図である。本変形例では、電圧切換部６００が、更に、制御部６１４にそれぞれ接続されたＶＣＭ保持部６０３、ＳＦＴＣ保持部６０６、コモン電圧切換部６１２を有する点が、上記実施の形態と異なる。その他の点は、上記実施の形態と同様であり、同様である点については説明を省略する。
【００８６】
ＶＣＭ保持部６０３は、コモン信号線１０８の設定電圧（ＶＣＯＭ電圧）を保持し、制御部６１４へ出力する。例えば、表８に示すように、ＶＣＭ保持部６０３は、複数のコモン信号線１０８の設定電圧を保持し、当該複数のコモン信号線１０８の設定電圧は、それぞれ各レジスタ値に対応する。なお、いずれのコモン信号線１０８の設定電圧を選択するかは、例えば、上記各レジスタ値を選択することにより工場出荷時に決定する。また、例えば、表８において、レジスタ値７´ｈ８６は、ＶＣＯＭ電圧−０．５１０Ｖに対応する。
【００８７】
【表８】
2011170300.tif 000010
【００８８】
ＳＦＴＣ保持部６０６は、温度取得部６１３で取得された温度が温度下降時閾値温度よりも低くなった場合の、コモン信号線１０８の電圧の変化分（ＶＣＯＭシフト電圧）を保持し、制御部６１４へ出力する。例えば、表９に示すように、ＳＦＴＣ保持部６０６は、複数のコモン信号線１０８の電圧の変化分を保持し、当該複数の複数のコモン信号線１０８の電圧の変化分は、それぞれ各レジスタ値に対応する。例えば、表９において、レジスタ値４´ｈＢは、設定されたＶＣＯＭ電圧−０．４９５Ｖ、つまり、選択されたＶＣＯＭレジスタ値に対応する温度を行方向に−３３ステップ移動した温度に対応する。
【００８９】
【表９】
2011170300.tif 000011
【００９０】
なお、いずれの複数のコモン信号線１０８の電圧の変化分を選択するかは、例えば、工場出荷時に上記各レジスタ値を選択することにより決定する。また、複数のコモン信号線１０８の電圧の変化分は、例えば、表９の第２列に示すように、具体的な値を保持してもよいし、また、選択されているＶＣＭレジスタ値からの行方向への変化分（ステップ数）として保持してもよい。また、当該ＶＣＯＭシフト電圧は、特許請求の範囲に記載のコモンシフト電圧に対応する。
【００９１】
コモン電圧切換部６１２は、制御部６１４からのコモン電圧制御信号に応じて、コモン信号線１０８の電圧を切り換え、当該切り換えたコモン電圧を、コモン信号線１０８へ出力する。
【００９２】
次に、本変形例の動作について説明する。本変形例においては、常温時の飛び込み電圧を基準に設定されたコモン電圧の最適値を、低温での飛び込み電圧を考慮したコモン電圧の最適値に変更する。なお、各温度におけるコモン電圧の最適値は、常温で表示画面上にフリッカがでない値として設定されるものである。
【００９３】
ここで、飛び込み電圧とは、ロー電圧線ＶＧＬの電圧とハイ電圧線ＶＧＨの電圧の振幅の幅とパネルの寄生容量により発生する電圧をいう。具体的には、例えば、図２に示したＴＦＴ１０９のソースゲート間には、寄生容量Ｃｇｓが、画素電極とコモン電極には、保持容量Ｃｓｔｇが存在するため、Ｃｇｓ／（Ｃｓｔｇ＋Ｃｇｓ）×（ＶＧＨ−ＶＧＬ）の飛び込み電圧が発生する。そのため例えば図７に示すように常温時にロー電圧線ＶＧＬの電圧とハイ電圧線ＶＧＨの電圧の振幅を２６Ｖ，低温時の振幅を２９Ｖと設定した場合，常温に対して低温では飛び込み電圧が大きくなる。常温時のコモン電圧の最適値は常温での飛び込み電圧に合わせて設定しているため，このままのコモン電圧では低温時に飛び込み電圧が大きくなるとフリッカが発生する。したがって、本変形例では、常温時に設定されているコモン電圧の最適値を、低温時の飛び込み電圧を考慮したコモン電圧の最適値に変更する。
【００９４】
詳細には、上記実施の形態例での設定に加えて、常温におけるコモン電圧を−０．５１Ｖ（ＶＣＯＭレジスタ値が７´ｈ８６）、ＶＣＯＭシフト電圧を−４９５ｍＶ（＋３３ステップ）と設定する場合を用いて下記に説明する。
【００９５】
温度下降時閾値温度より高い温度から、温度下降時閾値温度より低い温度となった場合、つまり、−１０℃より高い温度から−１０℃以下の温度になった場合、制御部６１４は、表８及び９に基づき、ＶＣＯＭ設定電圧を−０．５１Ｖから−１.００５Ｖに切り換えるよう、コモン電圧切換部６１２に指示し、コモン電圧切換部６１２は、コモン信号線１０８の電圧を−０．５１０Ｖから−１．００５Ｖに切り換える。なお、温度が再度上昇した場合、例えば、温度が温度上昇時閾値温度よりも高い温度となった場合にも、同様に、コモン設定電圧を温度下降時前の設定電圧に戻すことはいうまでもない。
【００９６】
上記のように、本変形例においては、温度情報に基づいて、ゲート制御信号におけるロー電圧線、及び／または、ハイ電圧線の電圧振幅を切り換えることにより、特に低温において、適切なゲート信号を供給可能な表示装置制御回路を提供することができる。また、ハイ電圧線及びロー電圧線の電圧振幅に加えて、コモン信号線１０８の電圧を切り換えることで、上記のような飛び込み電圧を考慮したコモン電圧の最適値に変更し、表示画面の質を更に向上することができる。
【００９７】
なお、本変形例は、図８に示した構成に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、図８で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【００９８】
また、上記実施の形態または変形例において、上記ドライバ１０６は、下記のＧＮＤプリチャージ電圧及びＶｃｉプリチャージ電圧を映像信号線１０７に供給するように構成してもよい。具体的には、例えば、ドライバ１０６は、画素データに応じて、ＧＮＤプリチャージ及びＶｃｉプリチャージを行うプリチャージ電圧供給駆動回路（図示せず）を有してもよい。この場合、上記表示装置１００の駆動方法はいわゆるドット反転法を使用することを想定する。また、下記の説明における画素データとは、上記ドライバ１０６から映像信号線１０７に供給される映像信号に対応する。
【００９９】
ここで、ＧＮＤプリチャージとは、例えば、図９（Ａ）乃至（Ｆ）に示すように、ある画素の表示を白から黒に変化させる際、映像信号線１０７の電圧をＧＮＤの電圧にする動作をいう。当該ＧＮＤプリチャージによれば、消費電力として計測される映像信号線１０７で駆動するより、消費電力として計測されないＧＮＤの電圧を用いて電圧を変化させることができることから、消費電力を少なくすることができる。
【０１００】
また、Ｖｃｉプリチャージとは、白または黒表示の電圧以下の電圧であるＶｃｉプリチャージ電圧を供給するプリチャージ電圧供給駆動回路を用いて、上記ＧＮＤプリチャージの後、映像信号線１０７に当該Ｖｃｉプリチャージ電圧を用いて、映像信号に応じた電圧を印加する動作をいう。具体的には、例えば、ノーマリーブラックパネルを使用する場合において、白を表示する際の電圧が、例えば、−５Ｖまたは＋５Ｖである場合、その約半分の電圧である−２．５Ｖまたは＋２．５Ｖ程度のＶｃｉプリチャージ電圧を供給するプリチャージ電圧供給駆動回路を用いて、上記ＧＮＤプリチャージの後、映像信号に応じた電圧を映像信号線１０７に印加する動作をいう。
【０１０１】
また、当該Ｖｃｉプリチャージは、画素データに応じてオンするかオフするかを選択できるようにする。具体的には、例えば、図９（Ａ）乃至（Ｆ）に示すように、画素データの階調値が８ビットで構成される場合を用いて説明する。なお、図９（Ａ）乃至（Ｃ）は、画素データが負極から正極に変化する場合のドライバ１０６から映像信号線１０７に供給される出力波形を示し、図９（Ｄ）乃至（Ｆ）は、画素データが正極から負極に変化する場合のドライバ１０６から映像信号線１０７に供給される出力波形を示す。
【０１０２】
図９（Ａ）及び（Ｄ）に示すように、最上位ビットの値が１から０に変化する場合、例えば、映像信号Ｄ[７：０]が負極１１１１１１１１（白）から正極００００００００（黒）に変化する場合には、上記Ｖｃｉプリチャージをオフにする。なお、Ｖｃｉプリチャージがオフの場合は、白を表示する際の電圧、例えば、−５Ｖまたは＋５Ｖを用いて、映像信号に応じた電圧を映像信号線１０７に印加することはいうまでもない。一方、図９（Ｂ）及び（Ｅ）に示すように、最上位ビットの値が１から変化しない場合、例えば、画素データＤ[７：０]が負極１１１１１１１１（白）から正極１１１１１１１１（黒）に変化する場合には、上記Ｖｃｉプリチャージをオンにする。
【０１０３】
つまり、画素の階調値がある閾値、例えば、１２８付近より高いか低いかにより、上記Ｖｃｉプリチャージ動作のオンオフを切り換える。なお、上記画素の階調値の閾値は、液晶表示パネルの特性等により調整されることはいうまでもない。
【０１０４】
したがって、図９（Ｃ）及び（Ｆ）に示すように、常にＧＮＤプリチャージ及びＶｃｉプリチャージする場合に比べ、より低消費電力にて、各画素を駆動することが可能となる。
【０１０５】
なお、本発明は、上記実施の形態及び変形例に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態及び変形例で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【０１０６】
また、特許請求の範囲に記載の表示装置制御回路は、例えば、上記実施の形態または変形例に記載の表示装置１００におけるドライバ１０６及びシフトレジスタ回路１０４に相当する。
【符号の説明】
【０１０７】
１０１  フィルタ基板、１０２  ＴＦＴ基板、１０３  バックライト、１０４  シフトレジスタ回路、１０５  ゲート信号線、１０６  ドライバ、１０７  映像信号線、１０８  コモン信号線、１０９  ＴＦＴ、１１０  画素電極、１１１  コモン電極、１１３  基本回路、Ｇｎ，Ｇｏｕｔ  ゲート信号、ＩＮ１，ＩＮ２，ＩＮ３，ＩＮ４，ＩＮ５，ＩＮ６，ＩＮ７  入力端子、Ｎ１，Ｎ２，Ｎ２Ａ，Ｎ２Ｂ  ノード、ＯＵＴ，ＯＵＴ２  出力端子、ＶＧＨ  ハイ電圧線、ＶＧＬ  ロー電圧線、Ｖｎ  基本クロック信号。
【図１】
2011170300.tif 000012
【図２】
2011170300.tif 000013
【図３】
2011170300.tif 000014
【図４】
2011170300.tif 000015
【図５】
2011170300.tif 000016
【図６】
2011170300.tif 000017
【図７】
2011170300.tif 000018
【図８】
2011170300.tif 000019
【図９（Ａ）】
2011170300.tif 000020
【図９（Ｂ）】
2011170300.tif 000021
【図９（Ｃ）】
2011170300.tif 000022
【図９（Ｄ）】
2011170300.tif 000023
【図９（Ｅ）】
2011170300.tif 000024
【図９（Ｆ）】
2011170300.tif 000025