(57)【要約】【課題】たとえガラス基板を薄型化してもＴＦＴ回路層にクラックが生じるのを回避させた表示装置の提供。【解決手段】液晶を挟持して対向配置される一対の基板とを具備し、  一対の前記基板のうちの一方の基板の液晶側の面にＴＦＴ回路層が形成され、  少なくとも前記一方の基板はガラスで構成され、ＴＦＴ回路層は前記一方の基板上に樹脂層を介在させて形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板とを具備し、
前記第１基板の前記液晶側の面にＴＦＴ回路層が形成されている液晶表示装置であって、
少なくとも前記第１基板はガラスで構成され、前記ＴＦＴ回路層は前記第１基板上に第１樹脂層を介在させて形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１基板は、前記第１樹脂層と反対側の面に第２樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１基板は、その板厚が０．２ｍｍ以下となっていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１基板は、その板厚が０．１ｍｍ以下となっていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２基板はガラスで構成され、前記第２基板の前記液晶と反対側の面に第３樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１基板および前記第２基板は、前記第１基板に対して前記ＴＦＴ回路層が形成されている方向に凸となるように湾曲されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
基板の一方の面に、少なくとも、ＴＦＴ回路層、前記ＴＦＴ回路層によって駆動される複数の有機ＥＬ素子、封止板とが順次重ねられて構成される有機ＥＬ表示装置であって、
少なくとも前記基板はガラスで構成され、前記ＴＦＴ回路層は前記基板上に第１樹脂層を介在させて形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
前記基板は、前記第１樹脂層と反対側の面に第２樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記基板は、その板厚が０．２ｍｍ以下となっていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記基板は、その板厚が０．１ｍｍ以下となっていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記封止板はガラスで構成され、前記封止板の前記有機ＥＬ素子と反対側の面に第３樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記基板および前記封止板は、前記基板に対して前記ＴＦＴ回路層が形成されている方向に凸となるように湾曲されていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に、ガラス基板面に表示部が形成される表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば液晶表示装置（パネル）は、液晶を挟持して対向配置される一対のガラス基板の液晶側の面に表示部を備えて構成されている。一対のガラス基板は液晶表示装置の外囲器として機能し、表示部には液晶を一構成要素とする多数の画素がマトリックス状に配置されて形成されている。
【０００３】
ここで、一対のガラス基板のうち一方の基板（第１基板）側の表示部は、各画素に、少なくも薄膜トランジスタ、画素電極を備える電子回路を構成し、金属層、半導体層、酸化金属層、絶縁層等を所定のパターン、所定の順序で積層させた積層体によって構成されている。以下、説明の便宜上、このような積層体をＴＦＴ回路層と称する。
【０００４】
そして、近年では、液晶表示装置の奥行きの厚さを小さくするため、一対のガラス基板をそれぞれ互いに貼り合わせた後に、液晶と反対側の面をエッチング液に浸積させることによって、各基板を薄型化するようになってきている。
【０００５】
なお、本願発明に関連する文献としては下記特許文献１がある。特許文献１は、液晶表示装置の一対のガラス基板を、上述のように薄膜化した後に、各ガラス基板の液晶と反対側の面に、たとえば樹脂材からなる基板補強層を接着させた構成が開示されている。基板補強層の接着によって、薄型化された各基板に、曲げあるいは衝撃に対して耐性を持たせるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２８０５４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上述のように各基板を薄型化させた液晶表示装置は、第１基板の液晶側の面に形成された前記ＴＦＴ回路層にクラックが生じ易くなることが確認された。
【０００８】
本発明者等が、この原因を追及した結果、ガラスからなる第１基板にＴＦＴ回路層を形成した段階で、ＴＦＴ回路層には第１基板からの影響を受けて引張残留応力が、第１基板にはＴＦＴ回路層から影響を受けて圧縮残留応力が発生し、第１基板を薄型化させることによって、第１基板に若干の反りが生じるからであることが判明した。この場合、第１基板をたとえば水平状態に戻すような力が働いた際には、ＴＦＴ回路層にはさらに大きな応力が発生し、前記ＴＦＴ回路層にクラックを生じせしめることになる。
【０００９】
なお、このようにＴＦＴ回路層にクラックが生じる現象は、前記特許文献１に示すように、一対のガラス基板の液晶と反対側の面のそれぞれに基板補強層を接着させた構成の場合であっても同様に起こることが確かめられる。
【００１０】
本発明の目的は、たとえガラス基板を薄型化してもＴＦＴ回路層にクラックが生じるのを回避させた表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の表示装置は、ガラス基板とりＴＦＴ回路層との間に樹脂層を介在させて構成するようにしたものである。
【００１２】
本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。
【００１３】
（１）本発明の表示装置は、液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板とを具備し、
前記第１基板の前記液晶側の面にＴＦＴ回路層が形成されている液晶表示装置であって、
少なくとも前記第１基板はガラスで構成され、前記ＴＦＴ回路層は前記第１基板上に第１樹脂層を介在させて形成されていることを特徴とする。
【００１４】
（２）本発明の表示装置は、（１）において、前記第１基板は、前記第１樹脂層と反対側の面に第２樹脂層が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
（３）本発明の表示装置は、（１）において、前記第１基板は、その板厚が０．２ｍｍ以下となっていることを特徴とする。
【００１６】
（４）本発明の表示装置は、（１）において、前記第１基板は、その板厚が０．１ｍｍ以下となっていることを特徴とする。
【００１７】
（５）本発明の表示装置は、（１）において、前記第２基板はガラスで構成され、前記第２基板の前記液晶と反対側の面に第３樹脂層が形成されていることを特徴とする。
【００１８】
（６）本発明の表示装置は、（１）において、前記第１基板および前記第２基板は、前記第１基板に対して前記ＴＦＴ回路層が形成されている方向に凸となるように湾曲されていることを特徴とする。
【００１９】
（７）本発明の表示装置は、基板の一方の面に、少なくとも、ＴＦＴ回路層、前記ＴＦＴ回路層によって駆動される複数の有機ＥＬ素子、封止板とが順次重ねられて構成される有機ＥＬ表示装置であって、
少なくとも前記基板はガラスで構成され、前記ＴＦＴ回路層は前記基板上に第１樹脂層を介在させて形成されていることを特徴とする。
【００２０】
（８）本発明の表示装置は、（７）において、前記基板は、前記第１樹脂層と反対側の面に第２樹脂層が形成されていることを特徴とする。
【００２１】
（９）本発明の表示装置は、（７）において、前記基板は、その板厚が０．２ｍｍ以下となっていることを特徴とする。
【００２２】
（１０）本発明の表示装置は、（７）において、前記基板は、その板厚が０．１ｍｍ以下となっていることを特徴とする。
【００２３】
（１１）本発明の表示装置は、（７）において、前記封止板はガラスで構成され、前記封止板の前記有機ＥＬ素子と反対側の面に第３樹脂層が形成されていることを特徴とする。
【００２４】
（１２）本発明の表示装置は、（７）において、前記基板および前記封止板は、前記基板に対して前記ＴＦＴ回路層が形成されている方向に凸となるように湾曲されていることを特徴とする。
【００２５】
なお、上記した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の表示装置は、たとえガラス基板を薄型化してもＴＦＴ回路層にクラックが生じるのを回避させることができるようになる。
【００２７】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の表示装置の実施例１を示す断面図である。
【図２】本発明の表示装置の実施例１を示す平面図である。
【図３】図４、図５とともに本発明の効果を示す説明図である。
【図４】図３、図５とともに本発明の効果を示す説明図である。
【図５】図３、図４とともに本発明の効果を示す説明図である。
【図６】本発明の表示装置の実施例１における効果を示す説明図である。
【図７】本発明の表示装置の実施例２を示す断面図である。
【図８】本発明の表示装置の実施例２における効果を示す説明図である。
【図９】本発明の表示装置の実施例３を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。
【実施例１】
【００３０】
図２は、本発明の液晶表示装置の実施例１の概略を示す平面図である。図２において、液晶（図示せず）を挟持して対向配置される第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２がある。第２基板ＳＵＢ２は観察者側に配置されるようになっている。第１基板ＳＵＢ１の背面にはバックライト（図示しない）が配置されるようになっている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１よりも若干小さな面積となっており、第１基板ＳＵＢ１の図中下側の辺部ＳＤを露出させるようになっている。第１基板ＳＵＢ１の図中下側の辺部ＳＤには半導体装置（チップ）ＳＥＣが搭載されている。この半導体装置ＳＥＣは後述の表示領域（表示部）ＡＲにおける各画素を駆動する制御回路となっている。第２基板ＳＵＢ２の周辺には、第１基板ＳＵＢ１との固着を図るシール材ＳＬが形成され、このシール材ＳＬは液晶を封止させる機能をも有している。
【００３１】
シール材ＳＬで囲まれた領域は表示領域（表示部）ＡＲとなっている。第１基板ＳＵＢ１の前記表示領域ＡＲにおける液晶側の面（表面）には、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬ、および図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成されている。隣接する一対のゲート信号線ＧＬと隣接する一対のドレイン信号線ＤＬとで囲まれる領域は画素領域を構成するようになっている。これにより、表示領域ＡＲにはマトリックス状に配置された多数の画素を有するようになっている。
【００３２】
各画素領域には、図中の点線楕円枠内の等価回路図である図Ａに示すように、ゲート信号線ＧＬからの信号（走査信号）によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを通してドレイン信号線ＤＬからの信号（映像信号）が供給される画素電極ＰＸと、この画素電極ＰＸとの間に電界を生じさせる対向電極ＣＴとが形成されている。前記電界は第１基板ＳＵＢ１の面に平行な成分を有し、液晶の分子は第１基板ＳＵＢ１の面に水平な状態のままで配向状態が変化するようになっている。この種の液晶表示装置はたとえば横電界方式と称される。なお、対向電極ＣＴはたとえばゲート信号線ＧＬに平行して走行するコモン信号線ＣＬを介して映像信号に対して基準となる基準信号が供給されるようになっている。
【００３３】
なお、ゲート信号線ＧＬ、ドレイン信号線ＤＬ、およびコモン信号線ＣＬは、それぞれ図示しない引き出し線によって前記半導体装置ＳＥＣに接続され、ゲート信号線ＧＬには走査信号、ドレイン信号線ＤＬには映像信号、コモン信号線ＣＬには基準信号が供給されるようになっている。
【００３４】
図１は、図２のI−I線における断面図である。図１において、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２は液晶ＬＣを挟持して対向配置されている。そして、第１基板ＳＵＢ１の液晶ＬＣ側の面には樹脂層（第１樹脂層）ＲＳＬ１が形成され、この樹脂層ＲＳＬ１の上面にＴＦＴ回路層ＣＲＬが形成されている。
【００３５】
第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２はガラスで形成され、それらの板厚は、たとえば０．２ｍｍ以下となっている。この場合、第１基板ＳＵＢ１の膜厚をたとえば０．２ｍｍ〜０．１ｍｍの範囲で形成することにより、非湾曲の薄型パネルを構成することができ、たとえば０．１ｍｍ以下で形成することにより、湾曲可能なフレキシブルパネルを構成することができる。
【００３６】
ＴＦＴ回路層ＣＲＬは、所定のパターンで形成された金属層、半導体層、酸化金属層、絶縁層等を所定の順序で積層させた積層体によって形成され、図２に示した回路を構成するようになっている。金属層はたとえばＣｒ、Ａｌ等からなり、ゲート信号線ＧＬ、ドレイン信号線ＤＬを構成するようになっている。半導体層はたとえばアモルファスシリコン等からなり、薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層を構成するようになっている。酸化金属層はたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなり、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴを構成するようになっている。絶縁層はたとえばシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜等からなり、ゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬとの層間絶縁膜あるいは画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの層間絶縁膜を構成するようになっている。このように構成されるＴＦＴ回路層ＣＲＬは、主に無機材料層を積層されて構成される。なお、このＴＦＴ回路層ＣＲＬの液晶ＬＣと接触する面には、液晶の分子の初期配向方向を決定させる配向膜（図示せず）が形成されている。
【００３７】
そして、ＴＦＴ回路層ＣＲＬは、前記第１基板ＳＵＢ１に形成された樹脂層ＰＳＬ１の上面に形成されることにより、前記ＴＦＴ回路層ＣＲＬにクラックが発生するのを回避できるようになっている。この理由については後述する。
【００３８】
なお、図１において、第２基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、たとえばカラーフィルタ層ＣＦが形成されている。表示領域ＡＲに表示される画層をカラー化するためである。なお、第２基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、カラーフィルタＣＦの他に、ブラックマトリックス、平坦化膜等が形成される場合もあるが、この図１ではそれらを省略して示している。
【００３９】
図３は、前記ＴＦＴ回路層ＣＲＬにクラックが発生し難くなる理由を示した説明図である。図３では、第１基板ＳＵＢ１とＴＦＴ回路層ＣＲＬに前記樹脂層ＣＲＬが形成されていない場合を示している。
【００４０】
第１基板ＳＵＢ１の表面にＴＦＴ回路ＣＲＬを形成した場合、ＴＦＴ回路層ＣＲＬには第１基板ＳＵＢ１から引っ張られる力を受けた状態となる引張残留応力（図中矢印Ａで示す）が、第１基板ＳＵＢ１にはＴＦＴ回路層ＣＲＬから圧縮させられる力を受けた状態となる圧縮残留応力（図中矢印Ｂで示す）が発生するようになる。これにより、第１基板ＳＵＢ１はＴＦＴ回路層ＣＲＬとともに、図３に示すように、ＴＦＴ回路層ＣＲＬ側を凹とする反りを生じるようになる。なお、図３における第１基板ＳＵＢ１の反りは強調して描いている。
【００４１】
このため、第１基板ＳＵＢ１の反りを元に戻すため、図４に示すように、第１基板ＳＵＢ１を水平状態にした場合、ＴＦＴ回路層ＣＲＬは延びようとする結果、より大きな応力が発生し、クラックが発生し易くなる。このことから、ＴＦＴ回路層ＣＲＬ側を凸とするように第１基板ＳＵＢ１を反らせた場合、ＴＦＴ回路層ＣＲＬに、さらにクラックが発生し易くなることはいうまでもない。ＴＦＴ回路層ＣＲＴにクラックが発生した場合、第１基板ＳＵＢ１にもクラックが発生するようになる。
【００４２】
これに対し、図５に示すように、第１基板ＳＵＢ１とＴＦＴ回路層ＣＲＬとの間に樹脂層ＲＳＬ１を介在させることによって、ＴＦＴ回路層ＣＲＬの残留応力は、緩和され、小さくなる。樹脂層ＲＳＬ１の材料は第１基板ＳＵＢ１の材料（ガラス）よりも柔らかいからである。これにより、ＴＦＴ回路層ＣＲＬにクラックが発生し難くなるとともに、第１基板ＳＵＢ１にもクラックが発生し難くなる。この場合、ＴＦＴ回路層ＣＲＬ側を凸とするように第１基板ＳＵＢ１を反らせた場合においても同様である。
【００４３】
図６は、第１基板ＳＵＢ１とＴＦＴ回路層ＣＲＬとの間に樹脂層ＳＲＬ１を形成したものを、ＴＦＴ回路層ＣＲＬにクラックが生じるまで、ＴＦＴ回路層ＣＲＬ側に凸となるように湾曲させた場合を示した図である。なお、第１基板ＳＵＢ１は、その板厚が０．２ｍｍのものを用いた。同様の条件で、第１基板ＳＵＢ１とＴＦＴ回路層ＣＲＬとの間に樹脂層ＳＲＬ１を介在させていないものを、ＴＦＴ回路層ＣＲＬにクラックが生じるまで、ＴＦＴ回路層ＣＲＬ側に凸となるように湾曲させた。この場合、前者は、後者に対し、約１．５倍の湾曲を達成し得ることが確認された。また、第１基板ＳＵＢ１とＴＦＴ回路層ＣＲＬとの間に樹脂層ＳＲＬ１を形成したものに鉄球を落下させて第１基板の強度を考察する試験では、第１基板ＳＵＢ１とＴＦＴ回路層ＣＲＬとの間に樹脂層ＳＲＬ１を介在させていないものに対して、約５倍以上の強度が得られることが確認された。
【実施例２】
【００４４】
上述した実施例１では、第１基板ＳＵＢ１の液晶ＬＣと反対側の面、および第２基板ＳＵＢ２の液晶ＬＣと反対側の面に、それぞれ、基板補強層を形成していない構成としたものである。しかし、図１と対応づけて描いた図７に示すように、第１基板ＳＵＢ１の液晶ＬＣと反対側の面に、樹脂層（第２樹脂層）ＲＳＬ２からなる基板補強層を、第２基板ＳＵＢ２の液晶ＬＣと反対側の面に、樹脂層（第３樹脂層）ＲＳＬ３からなる基板補強層を形成するようにしてもよい。これらの基板補強層によって、薄型化された各基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２に、曲げあるいは衝撃に対して耐性を持たせるようできるようになる。
【００４５】
実施例２においても、第１基板ＳＵＢ１とＴＦＴ回路層ＣＲＬとの間に樹脂層ＲＳＬ１を介在させて構成していることから、実施例１に示したと同様に、ＴＦＴ回路層ＣＲＬのクラック発生を回避させる効果を奏する。
【００４６】
図８は、第１基板ＳＵＢ１とＴＦＴ回路層ＣＲＬとの間に樹脂層ＳＲＬ１を形成し、さらに、第１基板ＳＵＢ１の前記樹脂層ＳＲＬ１と反対側の面に樹脂層ＳＲＬ２を形成したものを、ＴＦＴ回路層ＣＲＬにクラックが生じるまで、ＴＦＴ回路層ＣＲＬ側に凸となるように湾曲させた場合を示した図である。なお、第１基板ＳＵＢ１は、その板厚が０．２ｍｍのものを用いた。同様の条件で、第１基板ＳＵＢ１とＴＦＴ回路層ＣＲＬとの間に樹脂層ＳＲＬ１を介在させていないもの（第１基板ＳＵＢ１の前記樹脂層ＳＲＬ１と反対側の面に樹脂層ＳＲＬ２は形成されている）を、ＴＦＴ回路層ＣＲＬにクラックが生じるまで、ＴＦＴ回路層ＣＲＬ側に凸となるように湾曲させた。この場合、前者は、後者に対し、約１．５倍の湾曲を達成し得ることが確認された。また、第１基板ＳＵＢ１とＴＦＴ回路層ＣＲＬとの間に樹脂層ＳＲＬ１を形成したものに鉄球を落下させて第１基板の強度を考察する試験では、第１基板ＳＵＢ１とＴＦＴ回路層ＣＲＬとの間に樹脂層ＳＲＬ１を介在させていないものに対して、約６倍近くの強度が得られることが確認された。
【実施例３】
【００４７】
上述した実施例では、液晶表示装置について示したものである。しかし、本発明は、液晶表示装置に限らず、たとえば有機ＥＬ表示装置等の他の表示装置にも適用することができる。
【００４８】
図９は、有機ＥＬ表示装置の構成を、図１、図７に対応づけて示したものである。図９において、まず、ガラスからなる基板ＳＵＢがあり、この基板ＳＵＢの主面には樹脂層（第１樹脂層）ＲＳＬ１が形成され、ＴＦＴ回路層ＣＲＬは、この樹脂層ＲＳＬ１を介在させた前記基板ＳＵＢの上に形成されるようになっている。この樹脂層ＲＳＬ１の機能は、実施例１に示した樹脂層ＲＳＬ１と同様の機能を有するようになる。有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ回路層ＣＲＬは、液晶表示装置のＴＦＴ回路層ＣＲＬに対し、電源供給信号線、および電流制御薄膜トランジスタ等を付加されて構成されている。有機ＥＬ素子は、液晶の場合と異なり、自発光素子として形成され、その発光輝度は電流によって制御されるからである。
【００４９】
ＴＦＴ回路層ＣＲＬの上面には、マトリックス状に配置された複数の有機ＥＬ素子ＥＬが形成され、これら有機ＥＬ素子ＥＬは、前記ＴＦＴ回路ＣＲＬによって独立に駆動されるようになっている。
【００５０】
有機ＥＬ素子ＥＬの上面にはカラーフィルタＣＦが形成され、このカラーフィルタＣＦによって、各有機ＥＬ素子ＥＬによる表示はカラー表示できるようになっている。
【００５１】
一方、基板ＳＵＢと対向して配置される封止板ＳＢがあり、この封止板ＳＢはたとえばガラスから構成され、有機ＥＬ素子ＥＬが外気に晒されるのを回避する機能を有する。この封止板ＳＢは、乾燥剤ＤＳＣを介在させて前記基板ＳＵＢに対して固着されるようになっている。
【００５２】
なお、前記カラーフィルタＣＦ、乾燥剤ＤＳＣは、必須の材料となるものではなく、したがって、これらの材料はなくてもよい。
【００５３】
また、基板の前記樹脂層ＲＳＬ１と反対側の面の面に樹脂層（第２樹脂層）ＲＳＬ２が形成され、封止板ＳＢの前記有機ＥＬ素子ＥＬと反対側の面に樹脂層（第３樹脂層）ＲＳＬ３が形成されているのは、図７に示した場合と同様である。樹脂層ＲＳＬ２によって前記基板ＳＵＢは曲げあるいは衝撃に対して耐性を備え、樹脂層ＲＳＬ３によって前記封止板ＳＢは曲げあるいは衝撃に対して耐性を備えるようになる。この場合、樹脂層ＲＳＬ２、および樹脂層ＲＳＬ３が形成されていなくてもよいことは、実施例１の場合と同様である。
【実施例４】
【００５４】
上述した実施例１、実施例２では、横電界方式と称される液晶表示装置を例に挙げて示したものである。しかし、この方式に限らず、たとえば、ＴＮ（Twisted Nematic）、ＶＡ（Vertical Alignment）等の縦電界方式と称される液晶表示装置にも適用できる。
【００５５】
以上、本発明を実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いてもよい。
【符号の説明】
【００５６】
ＳＵＢ１……第１基板、ＳＵＢ２……第２基板、ＳＬ……シール材、ＡＲ……表示領域（表示部）、ＳＥＣ……半導体装置（チップ）、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＣＬ……コモン信号線、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……対向電極、ＣＲＬ……ＴＦＴ回路層、ＲＳＬ１……樹脂層（第１樹脂層）、ＲＳＬ２……樹脂層（第２樹脂層）、ＲＳＬ３……樹脂層（第３樹脂層）、ＣＦ……カラーフィルタ、ＬＣ……液晶、ＳＵＢ……基板、ＥＬ……有機ＥＬ素子、ＤＳＣ……乾燥剤、ＳＢ……封止板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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