(57)【要約】【課題】ＥＢ描画装置に対し親和性の高い設計データであるか否かを判断することが可能なフォトマスク製造方法を提供する。【解決手段】設計データに対し微小図形処理を行うパラメータを用いてフラクチャすることでＥＢ描画用データを作成し、このフラクチャ時にＥＢ描画用データに生じたスリット状の矩形数をカウントする。さらに、設計データに対しスリット状の矩形へ変換を行うパラメータを用いてフラクチャすることでＥＢ描画用データを作成し、このＥＢ描画用データ中のスリット状の矩形数をカウントする。これらスリット状の矩形数の差分が一定の割合未満であると判断された時はＥＢ描画装置でフォトマスクの製造を開始する構成にした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
設計データに対し微小図形処理を行うパラメータを用いてフラクチャすることでＥＢ画像用データを作成する第１のフラクチャ処理工程と、
前記設計データに対しスリット状の矩形へ変換を行うパラメータを用いてフラクチャすることでＥＢ画像用データを作成する第２のフラクチャ処理工程と、
前記第１のフラクチャ処理工程で作成されたＥＢ画像用データに生じたスリット状の矩形数をカウントする第１のカウント工程と、
前記第２のフラクチャ処理工程で作成されたＥＢ画像用データ中のスリット状の矩形数をカウントする第２のカウント工程と、
前記第１のカウント工程でカウントされたスリット状矩形数と前記第２のカウント工程でカウントされたスリット状矩形数との差分を算出し当該差分が一定の割合以上か未満かを判断する矩形数差分判断工程とを備え、
前記差分が一定の割合未満であると判断された時はＥＢ描画装置でフォトマスクの製造を開始する、
ことを特徴とするフォトマスク製造方法。
【請求項２】
前記差分が一定の割合以上であると判断された時は前記設計データに対し該設計データの修正を行うことを特徴とする請求項１記載のフォトマスク製造方法。
【請求項３】
前記第１のフラクチャ処理工程で作成されたＥＢ画像用データを記憶する第１の記憶工程を備え、前記第１のカウント工程は、前記第１の記憶工程で記憶されたＥＢ画像用データ中のスリット状の矩形数をカウントすることを特徴とする請求項１または２記載のフォトマスク製造方法。
【請求項４】
前記第２のフラクチャ処理工程で作成されたＥＢ画像用データを記憶する第２の記憶工程を備え、前記第２のカウント工程は、前記第２の記憶工程で記憶されたＥＢ画像用データ中のスリット状の矩形数をカウントすることを特徴とする請求項１乃至３に何れか１項記載のフォトマスク製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク製造方法に関し、さらに詳しくは、半導体デバイスパターンを露光するためのフォトマスクを製造する際に使用する可変形成方式電子描画装置に対し親和性の高い設計データであるか否かを判断することが可能なフォトマスク製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセス等の微細加工が要求されるパターンの形成には、レチクルを用いて縮小露光を行うことで半導体基板上にパターンを転写する、いわゆるフォトリソグラフィ法が使われている。
なお、レチクルとは、半導体デバイスの製造工程でウエハ上に高集積な電気回路パターンを露光するために使用されるフォトマスクを指す。
【０００３】
近年、プロセッサやメモリ、システムＬＳＩなどにおいては、高速化と大容量化を図るために電子デバイスの高集積化が進んでいる。そのため、特にＬＳＩ製造時の原版となるレチクルの超微細化に拍車がかかっている。
このようなレチクルを形成する際には、可変成形方式のベクター型電子描画装置（以下、ＥＢ描画装置と略記する）が用いられている。ＥＢ描画装置は、矩形、３０°や４５°等の特定角度の斜め線を有する三角形に成形されたビームを用いて、パターン部のみを走査し描画する装置である。このため、ＥＢ描画装置は、解像性能、描画速度の観点から微細パターンを形成したフォトマスク作成に必要不可欠なものとなっている。
【０００４】
フォトマスクを用いたフォトリソグラフィは、形成するパターンのサイズや形状が露光する光の波長に大きく依存する。例えば、昨今の先端半導体デバイスの製造においては、露光波長が１５０ｎｍ以上であるのに対し、最小線幅は４５ｎｍ以下となってきており、光の回折現象による解像限界に達している。レジストの解像度を上げるために、近接効果補正（ＯＰＣ：Optical Proximity Correction）や位相シフトマスクまたは変形照明等の超解像技術が用いられている。
【０００５】
可変成形方式のＥＢ描画装置において、必要に応じてＯＰＣ処理されたフォトマスク用データは、まず、図形の重なり部分を消去するため輪郭抽出がなされた後、所定のアルゴリズムに従い水平、垂直方向に分割線が入れられて四角形以下の矩形群に再分割処理されることで、描画データとなる（以下、このデータ処理プロセスをフラクチャと標記する）。
多角形を矩形に分割するための分割線は、多角形の頂点を通る場合が多い。特に斜め線を含む多角形の設計データに対してフラクチャを行うと、垂直、水平方向の分割線と斜め線が交差する部分で三角形や台形が発生することになる。こうして作成された矩形群のみを含む描画データを基に、可変成形方式のＥＢ描画装置は描画可能な大きさの矩形ショット（最大１辺数μｍ）を敷き詰めるように基板上に描画していく。
【０００６】
フラクチャにおいて、アウトラインに接する矩形が微小な幅を持つ矩形とならないように、隣接している部分の中心近傍で分割を行って微小図形を抑制することが主流である（例えば、非特許文献１のＰ１２あるいは非特許文献２のＰ８を参照）。この機能はアウトライン上の向かい合うエッジの頂点のＸ座標またはＹ座標に微小な差異がある時に必ず生じる。
例えば、アウトライン上の向かい合うエッジの頂点１２と１３が図２に示すようにアウトライン上でＹ方向に数グリッド分の差異がある場合には、照射パターンは図２に示す矩形１４と１５に分割される。これらの分割はアグレッシブなＯＰＣ補正が施されているフォトマスク用データでは膨大に存在する。
【０００７】
このような矩形の増加を防ぐためにＯＰＣ後の図形を加工することが一般的に行われている（例えば、特許文献１参照）。また、フラクチャにおいて作られる矩形数が増えないようなハンドクラフトも行われている（例えば、特許文献２参照）。これらは同等の性能を得られるレベルで図形を単純化したものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】http://www.selete.co.jp/2005/Data/200410/0410e01.PDF
【非特許文献２】http://www.edsfair.com/2007/pdf/SP_Session3-1.pdf
【特許文献１】特許第３５３５３９９号公報
【特許文献２】特開２００８−９６４８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述のフラクチャにおいて作られる矩形数の増加を抑制させたデータの確認は、ＥＢ描画装置で描画するフォトマスク用データを目視で行っている。そのため、フォトマスクを製造する際、ＥＢ描画装置に対し親和性の低いデータでフォトマスクを製造するとフォトマスク描画に時間を要し、製造コストが増えるという問題がある。また、局所的にＥＢ描画装置に対し親和性の低いパターン群があった場合、局所的なデータ量が増大し、ＥＢ描画装置にデータがロードできず、エラーを起こすことがある。
【００１０】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたもので、目視確認ではなくフラクチャのパラメータを変更することによって変化するスリット状の矩形数の差分を確認することで矩形数の増加を抑制させたデータ加工が施されているかを確認し、ＥＢ描画装置に対し親和性の高い設計データであるか否かを判断することが可能なフォトマスク製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために請求項１の発明は、フォトマスク製造方法であって、設計データに対し微小図形処理を行うパラメータを用いてフラクチャすることでＥＢ画像用データを作成する第１のフラクチャ処理工程と、前記設計データに対しスリット状の矩形へ変換を行うパラメータを用いてフラクチャすることでＥＢ画像用データを作成する第２のフラクチャ処理工程と、前記第１のフラクチャ処理工程で作成されたＥＢ画像用データに生じたスリット状の矩形数をカウントする第１のカウント工程と、前記第２のフラクチャ処理工程で作成されたＥＢ画像用データ中のスリット状の矩形数をカウントする第２のカウント工程と、前記第１のカウント工程でカウントされたスリット状矩形数と前記第２のカウント工程でカウントされたスリット状矩形数との差分を算出し当該差分が一定の割合以上か未満かを判断する矩形数差分判断工程とを備え、前記差分が一定の割合未満であると判断された時はＥＢ描画装置でフォトマスクの製造を開始することを特徴とする。
【００１２】
請求項２の発明は、請求項１記載のフォトマスク製造方法において、前記差分が一定の割合以上であると判断された時は前記設計データに対し該設計データの修正を行うことを特徴とする。
【００１３】
請求項３の発明は、請求項１または２記載のフォトマスク製造方法において、前記第１のフラクチャ処理工程でフラクチャされた画像データを記憶する第１の記憶工程を備え、前記第１のカウント工程は、前記第１の記憶工程で記憶された画像データ中のスリット状の矩形数をカウントすることを特徴とする。
【００１４】
請求項４の発明は、請求項１乃至３に何れか１項記載のフォトマスク製造方法において、前記第２のフラクチャ処理工程でフラクチャされた画像データを記憶する第２の記憶工程を備え、前記第２のカウント工程は、前記第２の記憶工程で記憶された画像データ中のスリット状の矩形数をカウントすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のフォトマスク製造方法によれば、フラクチャされた画像データ上で矩形数の増加を抑制させたデータ加工が施されているかを確認し、差分が一定の割合以上であると判断された時はマスク製造前に設計データの修正を行うことが可能になる。これにより、フォトマスク描画時間を短縮でき、製造コストを低減できる。
また、本発明によれば、スリット状の矩形数が莫大に増加している局所を見つけ出し、修正を行うことでＥＢ描画装置のエラーを事前に回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明にかかるフォトマスク製造方法の実施例の要部構成を示すブロック図である。
【図２】微小図形処理によって作られる矩形を説明する図である。
【図３】本発明にかかるフォトマスク製造方法で対象となる矩形の説明図である。
【図４】本発明にかかるフォトマスク製造方法で判断するスリット状の形状の拡大図である。
【図５】本発明のフォトマスク製造方法でスリット状の形状になるようしたＥＢ描画用データの図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（実施の形態）
以下、本発明にかかるフォトマスク製造方法の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
本発明のフォトマスク製造方法を実施するためのデータ処理方式は、大別してフォトマスク製造用の設計データを記憶する設計データ記憶手段１と、通常の微小図形処理を行う第１のパラメータ２と、スリット状の矩形を生成する第２のパラメータ３と、第１のパラメータ２を用いてフラクチャすることでＥＢ描画用データを作成する第１のフラクチャ処理装置４と、スリット状の矩形へ変換を行う第２のパラメータ３を用いてフラクチャことでＥＢ描画用データを作成する第２のフラクチャ処理装置５と、第１のフラクチャ処理装置４で作成されたＥＢ描画用データを記憶する第１の記憶手段６と、第２のフラクチャ処理装置５で作成されたＥＢ描画用データを記憶する第２の記憶手段７と、第１の記憶手段６の画像データ中からスリット状の矩形数をカウントする第１のカウンター８と、第２の記憶手段７の画像データ中からスリット状の矩形数をカウントする第２のカウンター９と、矩形数の差分判断手段１０と、ＥＢ描画装置１１とから構成される。
なお、設計データ記憶手段１に記憶されている設計データは矩形数の増加を抑制させるデータ加工または配慮が行われているか否か不明な設計データが記憶されている。
【００１８】
上記構成のデータ処理方式において、第１のフラクチャ処理装置４は、設計データ記憶手段１に格納されている設計データに対し通常の微小図形処理を行う第１のパラメータ２を用いてフラクチャすることでＥＢ描画用データを作成する。作成されたＥＢ描画用データは第１の記憶手段６に記憶される。同様にして、第２のフラクチャ処理装置５は、設計データ記憶手段１に格納されている設計データに対しスリット状の矩形へ変換を行う第２のパラメータ３を用いてフラクチャすることでＥＢ描画用データを作成する。作成されたＥＢ描画用データは第２の記憶手段７に記憶される。
【００１９】
第１のカウンター８は、第２の記憶手段６に記憶されたＥＢ描画用データ内のスリット状の矩形数をカウントする。同様にして、第２のカウンター９は、第２の記憶手段７に記憶されたＥＢ描画用データ内のスリット状の矩形数をカウントする。
矩形数差分判断手段１０では、第１のカウンター８でカウントされたスリット状の矩形数と、第２のカウンター９でカウントされたスリット状の矩形数との差分を算出し、算出された差分が一定の割合以上か未満かを判断する。
ここで、差分が一定の割合を超えている場合、第１の憶手段１に記憶されている設計データはＥＢ描画装置に対し親和性が低いと判断し、設計データの修正を行う。また、差分が一定の割合未満である場合、第１の憶手段１に記憶されている設計データはＥＢ描画装置に対し親和性が高いデータであると判断してＥＢ描画装置１１でフォトマスク製造を開始する。
【００２０】
図３は通常のフラクチャパラメータで変換したＥＢ描画用データである。図３の符号１６に示す部分の拡大図を図４に示す。
通常のフラクチャパラメータでは、図４（ａ）のように微小図形の増加を抑制した矩形群の中で頂点が矩形のアウトライン上に存在せず、Ｘ座標が同じで且つＹ座標の距離が図４（ａ）の符号１９で示すように規定量以下（あるいはＹ座標が同じで且つＸ座標が図４（ａ）の符号１９で示すように規定量以下）になる頂点１７，１８のような箇所が存在する。
【００２１】
そこで、フラクチャパラメータを変更し、このような箇所では微小図形処理を行わず、図４（ｂ）の符号２０で示すようにスリット状の矩形２１となるようにフラクチャすると図３の矩形データ群は図５のような矩形データ群になる。これらの差異は、図３の符号１６で示す付近と図５の符号２２で示す付近しかなく、それら以外は全て同じ矩形群となる。
【００２２】
したがって、これら２つのパラメータでフラクチャされたＥＢ描画用データの相違は、スリット状の矩形数の量だけとなる。矩形数の増加を抑制させたデータ加工が施されていた場合、Ｘ座標が同じで且つＹ座標の距離が図４（ａ）の符号１９で示すように規定量以下（あるいはＹ座標が同じで且つＸ座標が図４の（ａ）符号１９で示すように規定量以下）になる箇所が少ないため、これらのパラメータを変更してもスリット状の矩形数の増加は顕著でない。この特徴を用いてＥＢ描画装置に対し親和性が高い設計データであるか否かを判断する。
【００２３】
このような本実施の形態によれば、フラクチャされた画像データ上で矩形数の増加を抑制させたデータ加工が施されているかを確認し、親和性の高いデータでないと判断すれば、マスク製造前にデータの修正を行うことが可能になる。これにより、フォトマスク描画時間を短縮でき、製造コストを低減できる。
また、本実施の形態によれば、スリット状の矩形数が莫大に増加している局所を見つけ出し、修正を行うことでＥＢ描画装置のエラーを事前に回避することができる。
【００２４】
なお、設計元とＥＢ描画装置を用いてフォトマスクを製造するマスクショップが異なった会社間である場合は、マスクショップが本発明のフォトマスク製造方法にかかるデータ処理方式を用いてフラクチャ処理し、スリット状の矩形数との差分を基に親和性を判断し、親和性が低い場合にマスクショップから設計元に対し設計データの変更を依頼することができる。
【符号の説明】
【００２５】
１…設計データ記憶手段、２…第１のパラメータ、３…第２のパラメータ、４…第１のフラクチャ処理装置、５…第２のフラクチャ処理装置、６…第１の記憶手段、７…第２の記憶手段、８…第１のカウンター、９…第２のカウンター、１０…矩形数差分判断手段、１１…ＥＢ描画装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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