(57)【要約】【課題】  製造工程時に使用する装置から溶出する鉄イオンに代表される金属イオンに由来するパーティクルに対して優れた洗浄性を有するとともに、適度なエッチング性を有することで基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、かつ再付着防止性に優れた磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することを目的とする。【解決手段】  オキシカルボン酸（Ａ）とｐＨ６．０における三価の鉄イオンに対するキレート安定度定数の対数値が７．０以上であって該オキシカルボン酸以外のキレート剤（Ｂ）およびアルカノールアミン（Ｃ）を必須成分として含有することを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤である。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
オキシカルボン酸（Ａ）、ｐＨ６．０における三価の鉄イオンに対するキレート安定度定数の対数値が７．０以上であって該オキシカルボン酸（Ａ）以外のキレート剤（Ｂ）、及びアルカノールアミン（Ｃ）を必須成分として含有することを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項２】
キレート剤（Ｂ）とアルカノールアミン（Ｃ）との当量比［Ｂ］／［Ｃ］が０．１〜５である請求項１記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項３】
更に、アニオン性界面活性剤（Ｄ１）及び／又は非イオン性界面活性剤（Ｄ２）を含有する請求項１又は２記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
【請求項４】
該アニオン性界面活性剤（Ｄ１）が高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ１１）である請求項３記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。  
【請求項５】
請求項１〜４いずれか記載の磁気ディスク基板用洗浄剤を用いて洗浄した磁気ディスク基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク基板用洗浄剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク用基板の洗浄技術において、近年の磁気ディスクの高記録密度化に伴い、製造時における基板上に残存する微量のパーティクル（例えば砥粒、研磨剤のくず）や不純物（例えば洗浄剤残さ、大気中からのゴミ）が磁気ディスクの性能や歩留まりに大きく影響するため、それを極力低減することが極めて重要になってきている。特に洗浄の対象となるパーティクルがより微粒子化してきており、従来以上にディスク用基板表面に残存しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。
このため、これらのパーティクルによる汚染を防止する方法として、界面活性剤を用いて、パーティクルの除去性を向上させる方法が提案されている（特許文献１、２）。
【０００３】
しかし、上記の特許文献１、２では基板表面を鏡面仕上げする工程およびテクスチャリングする工程の際に使用する研磨剤や研磨屑が基板表面に強固に付着し、洗浄工程で十分に除去できないといった問題がある。
【０００４】
これらの研磨材や研磨屑に代表されるパーティクルを十分に除去する方法としてキレート剤を用いて、基板表面を僅かにエッチングし、パーティクルを液中に分散させ、更に液中に分散したパーティクルを基板表面に再付着しないようにする方法が提案されている（特許文献３）。
【０００５】
しかし、特許文献３では、キレート剤を用いることで研磨材や研磨屑由来のパーティクルの再付着防止性は改善できるものの、製造工程で使用する装置表面もわずかにエッチングしてしまい、その結果装置から溶出する金属イオン由来のパーティクル除去性が不十分であり、洗浄性は不十分となるといった問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−４３７９１号公報
【特許文献２】特開２００２−２１２５９７号公報
【特許文献３】特開２００９−２８０８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、製造工程時に使用する装置から溶出する鉄イオンに代表される金属イオンに由来するパーティクルに対して優れた洗浄性を有するとともに、適度なエッチング性を有することで基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、かつ再付着防止性に優れた磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することにある。  
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは上記課題を解決する磁気ディスク基板用洗浄剤を得るべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。   
すなわち本発明は、オキシカルボン酸（Ａ）、ｐＨ６．０における三価の鉄イオンに対するキレート安定度定数の対数値が７．０以上であって該オキシカルボン酸以外のキレート剤（Ｂ）、及びアルカノールアミン（Ｃ）を必須成分として含有することを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の洗浄剤は、磁気ディスクの製造工程において問題となる研磨剤や研磨屑などの微小なパーティクルの洗浄性にすぐれるとともに製造装置から溶出する鉄イオンに代表される金属イオン由来の微細なパーティクルの洗浄性に優れ、製造時の歩留まり向上や短時間かつ効率的な洗浄ができるという効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の磁気ディスク基板用の洗浄剤は、オキシカルボン酸（Ａ）と、オキシカルボン酸の化学構造（カルボキシル基と水酸基の両方を有する）ではないキレート剤（Ｂ）及びアルカノールアミン（Ｃ）の３成分を必須成分とし、このキレート剤（Ｂ）はｐＨ６．０における三価の鉄イオンに対するキレート安定度定数の常用対数値が７．０以上であることを特徴とする。
本発明の洗浄剤、またはこれを必要により水で希釈して得られる洗浄液は、磁気ディスク用基板の洗浄に好適に使用でき、磁気ディスク用アルミニウム基板及びガラス基板に好適に使用できる。
【００１１】
本発明の洗浄剤は、オキシカルボン酸（Ａ）、キレート剤（Ｂ）及びアルカノールアミン（Ｃ）を含有することで金属イオンに由来するパーティクルに対して優れた洗浄性を有するとともに、適度なエッチング性を有することで基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、かつ再付着防止性に優れ効果を発揮することができる。
【００１２】
本発明に用いられるオキシカルボン酸（Ａ）は、少なくとも１個の水酸基、及び少なくとも１個のカルボキシル基を分子内に有する化合物であり、乳酸、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、サリチル酸、ヘプトン酸、リンゴ酸、没食子酸等；並びにこれらのアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アミン塩等である。
【００１３】
磁気ディスク基板の製造装置等から溶出してくる鉄イオンは、水溶液中の水酸化物イオンと結合することで水酸化第一鉄を形成した後、水中の酸素と反応することで水酸化第二鉄として沈殿物を生じてしまう。オキシカルボン酸はこの水酸化第一鉄へ吸着することで水酸化第一鉄を安定化させ、水酸化第二鉄の析出を抑制することができる。
この観点から使用時の洗浄液中のオキシカルボン酸（Ａ）の含有量は、０．０００１重量％〜１重量％である。好ましくは、０．０００２重量％〜０.３重量％、更に好ましくは０．０００２重量％〜０．１重量％である。
【００１４】
本発明の洗浄剤は、キレート剤を含有することで平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を有することで微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮することができる。
なかでもｐＨ６．０における三価の鉄イオンに対するキレート安定度定数の対数値が７．０以上であってオキシカルボン酸（Ａ）以外の本発明のキレート剤（Ｂ）を含有することにより、製造装置から溶出する金属イオン由来のパーティクルの再付着防止を抑制することができる。
キレート効率の指標として一般的にキレート安定度定数の常用対数値が用いられ、この値が大きいほどキレート安定性は高いといえる。キレート安定度定数としては、以下の式で表される。
【００１５】
【数１】
2011227984.tif 000002
【００１６】
［M］：金属イオン濃度、［L］：錯体濃度、［MLｎ］：キレート錯体
ｎ：金属イオンと反応する錯体の数
【００１７】
キレート剤（Ｂ）としては三価の鉄イオンに対するキレート安定度定数の対数値が７．０以上のキレート剤であり、好ましくは９．０以上である。
三価の鉄イオンに対するキレート安定度定数の対数値が小さすぎると、鉄イオンを充分に捕捉することができず、満足のいく安定性が得られない。なお、キレート安定度定数の対数値の上限値は特に制限されるものではないが、通常三価の鉄イオンでは３０以下である。
【００１８】
本発明に用いられるキレート剤（Ｂ）としては、ｐＨ６．０でキレート安定度定数の対数値が７．０以上のキレート剤のうち、カルボキシル基を分子内に含有するキレート剤（Ｂ１）、ホスホン酸基又はリン酸基を分子内に含有するキレート剤（Ｂ２）、その他のキレート剤（Ｂ３）が挙げられる。
【００１９】
カルボキシル基を分子内に含有するキレート剤（Ｂ１）としては、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）、１，２−ジアミノシクロヘキサンテトラ酢酸（ＤＣＴＡ）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（ＴＴＨＡ）（塩）、ニトリロ酸酢酸（ＮＴＡ）（塩）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸（塩）及びグルタミン酸（塩）、ピロメリット酸（塩）、ベンゾポリカルボン酸（塩）、シクロペンタンテトラカルボン酸（塩）等、カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネート及び酒石酸ジサクシネート等、マレイン酸誘導体、シュウ酸（塩）、マロン酸（塩）、コハク酸（塩）、グルタル酸（塩）、アジピン酸（塩）等が挙げられる。
【００２０】
ホスホン酸基又はリン酸基を分子内に含有するキレート剤（Ｂ２）としては、メチルジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）（ＨＥＤＰ）、ニトリロトリスメチレンホスホン酸（塩）（ＮＴＭＰ）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリアミノトリエチルアミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１、２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びテトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）、メタリン酸（塩）、ピロリン酸（塩）、トリポリリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）等
【００２１】
その他のキレート剤（Ｂ３）としては、フッ酸（塩）、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，３−プロパンジアミン及びＮ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，４−ブタンジアミン等が挙げられる。
【００２２】
キレート剤（Ｂ）が塩を形成する場合、その塩としては、特に限定は無い。
例えば、上記に例示した酸の１級アミン（メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等）塩；２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等）塩；３級アミン｛トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン並びに１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等｝塩；アミジン｛１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、１，６（４）−ジヒドロピリミジン等｝塩、アルカリ金属（ナトリウムカチオン及びカリウムカチオン等）塩、アンモニウム塩及び第４級アンモニウム（テトラアルキルアンモニウム等）塩が挙げられる。
また、これらは単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００２３】
キレート剤（Ｂ）のうちで、パーティクル除去性の観点から好ましいのは、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）［１８．９］、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）［２１．５］、ニトリロ酸酢酸（ＮＴＡ）［１４．３］、ニトリロトリスメチレンホスホン酸（ＮＴＭＰ）［７．４６］、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）［９．７９］、ピロリン酸［１９．４］、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン［１０．０以上］等；及びこれらの塩である。なお、［  ］内にｐＨ６．０での三価の鉄イオンとのキレート安定度定数の対数値｛『Ｃｏｍｐｌｅｘａｔｉｏｎ  ｉｎ  Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ』（１９６３）Ａｎｄｅｒｓ  Ｒｉｎｇｂｏｍ著、又はキレスト社カタログ値｝を示した。更に好ましいのは、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）、ニトリロ酸酢酸（ＮＴＡ）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）及びこれらの塩である。
【００２４】
本発明において、キレート剤（Ｂ）は、ｐＨ６．０における三価の鉄イオンに対する安定度定数の対数値が７．０以上のキレート剤を併用することで装置由来の金属イオンの再析出防止に優れ、基板のエッチング性コントロール及び洗浄性能を発揮することができる。
【００２５】
この観点から、使用時の洗浄液中のキレート剤（Ｂ）の含有量は０．０１重量％〜２重量％である。好ましくは、０．０２重量％〜１重量％、更に好ましくは０．０４重量％〜０．５重量％である。
【００２６】
また、洗浄性の観点からオキシカルボン酸（Ａ）とキレート剤（Ｂ）を、（Ａ）／（Ｂ）の重量比で０．００５〜３．０含有することが好ましい。０．００５未満では、装置から溶出する金属イオン由来のパーティクルの再析出が起こりやすい。一方、３．０を超える場合は、オキシカルボン酸が過剰であり、研磨剤由来のパーティクルの洗浄性が劣る傾向にある。
【００２７】
本発明に用いられるアルカノールアミン（Ｃ）としては、炭素数２〜６の脂肪族アルカノールアミン［モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、 ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、モノ−ｎ−プロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジ−ｎ−プロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリ−ｎ−プロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、及びＮ−（アミノエチル）エタノールアミン等］が挙げられる。
原理は明確ではないが、アルカノールアミン（Ｃ）を添加することにより、水酸化第一鉄を安定化させ、水酸化鉄の析出を抑制する事ができるため、微細なパーティクルの洗浄性に優れる。特に、オキシカルボン酸（Ａ）、キレート剤（Ｂ）及びアルカノールアミン（Ｃ）を併用することで、再析出防止性に大きな効果が発揮される。
【００２８】
この観点から、使用時の洗浄液中のアルカノールアミン（Ｃ）の含有量は０．０１重量％〜２重量％である。好ましくは、０．０２重量％〜１重量％、更に好ましくは０．０４重量％〜０．５重量％である。
【００２９】
キレート剤（Ｂ）の当量に対するアルカノールアミン（Ｃ）の当量比率［Ｂ］／［Ｃ］は、再析出防止性の観点から好ましくは０．１〜５であり、更に好ましくは、０．２〜３である。
アルカノールアミンは中和塩の状態になっていないことが洗浄性の観点から好ましく、洗浄剤を調製する際には、オキシカルボン酸(Ａ)やキレート剤（Ｂ）の中和には後述するｐＨ調整剤（Ｅ）を用い、最後にアルカノールアミンを配合することが好ましい。
【００３０】
本発明の洗浄剤は、オキシカルボン酸（Ａ）、キレート剤（Ｂ）、及びアルカノールアミン（Ｃ）を必須成分とするが、これらにさらに界面活性剤（Ｄ）を含有することで、平坦性を損ねることなく微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮することができる。
【００３１】
このような目的で併用する界面活性剤（Ｄ）としては、アニオン性界面活性剤（Ｄ１）、非イオン性界面活性剤（Ｄ２）カチオン性界面活性剤（Ｄ３）及び両性界面活性剤（Ｄ４）が挙げられる。
【００３２】
アニオン性界面活性剤（Ｄ１）としては、高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ１１）、スルホン酸系界面活性剤（Ｄ１２）、硫酸エステル系界面活性剤（Ｄ１３）、脂肪酸系界面活性剤（Ｄ１４）及びリン酸エステル系界面活性剤（Ｄ１５）等が挙げられる。
【００３３】
高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ１１）としては、スルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、ホスホン酸（塩）基、リン酸エステル（塩）基及びカルボン酸（塩）基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有し、３００〜８００，０００の重量平均分子量（以下、Ｍwと略記する。）を有する高分子型アニオン性界面活性剤が挙げられる。
なお、本発明におけるＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として４０℃で測定される。［例えば、装置本体：ＨＬＣ−８１２０（東ソー株式会社製）、カラム：東ソー株式会社製ＴＳＫｇｅｌ α６０００、Ｇ３０００ ＰＷＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．５％酢酸ソーダ・水／メタノール（体積比７０／３０）、溶離液流量：１．０ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：０．２５％の溶離液溶液、注入量：２００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＳＴＡＮＤＡＲＤ ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＯＸＩＤＥ、データ処理ソフト：ＧＰＣ−８０２０ｍｏｄｅｌII（東ソー株式会社製）］。
高分子型アニオン性界面活性剤は、通常、１分子中に少なくとも２個の繰り返し単位を有する。
【００３４】
高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ１１）の具体例としては、以下の（Ｄ１１１）〜（Ｄ１１５）が挙げられる。
スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ１１１）：
ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ｛２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸｝、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／（メタ）アクリル酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩等
【００３５】
硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ１１２）：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝の硫酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル｝、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースの硫酸エステル化物等並びにこれらの塩等
【００３６】
ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ１１３）：
ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物、ポリエチレンイミンポリメチレンホスホン酸及びポリアリルアミンポリメチレンホスホン酸等並びにこれらの塩等
【００３７】
リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ１１４）：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル｝、２−ヒドロキシ
エチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のリン酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル｝、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースのリン酸エステル化物並びにこれらの塩等
【００３８】
カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ１１５）：
ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物、安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物及びこれらの塩等
【００３９】
高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ１１）が塩を形成する場合の塩としては、特に限定は無いが、例えば、上記のキレート剤（Ｂ）で例示した対カチオンとの塩が挙げられる。
これらの塩の中で、基板への金属汚染防止の観点から、好ましいのは１級アミン塩、２級アミン塩、３級アミン塩、アミジン塩、アンモニウム塩及び第４級アンモニウム塩であり、特に好ましいのは３級アミン塩、アミジン塩及び第４級アンモニウム塩である。
【００４０】
高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ１１）のＭｗは、パーティクルの再付着防止性及び低泡性の観点等から、通常３００〜８００，０００、好ましくは６００〜４００，０００、更に好ましくは１，０００〜８０，０００、特に好ましくは２，０００〜４０，０００である。
【００４１】
アニオン性界面活性剤の内のスルホン酸系界面活性剤（Ｄ１２）としては、炭素数６〜２４のアルコールのスルホコハク酸モノ又はジエステル（塩）、炭素数８〜２４のα−オレフィンのスルホン酸化物（塩）、炭素数８〜１４のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸（塩）及び石油スルホネート（塩）等が挙げられる。
【００４２】
硫酸エステル系界面活性剤（Ｄ１３）としては、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールの硫酸エステル（塩）、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのＡＯ１〜１０モル付加物の硫酸エステル（塩）、硫酸化油（塩）、硫酸化脂肪酸エステル（塩）及び硫酸化オレフィン（塩）等が挙げられる。
【００４３】
脂肪酸系界面活性剤（Ｄ１４）としては、炭素数８〜１８の脂肪酸（塩）及び炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのエーテルカルボン酸（塩）等が挙げられる。
【００４４】
リン酸エステル系界面活性剤（Ｄ１５）としては、炭素数８〜２４の高級アルコールの燐酸モノ又はジエステル（塩）及び炭素数８〜２４の高級アルコールのＡＯ付加物の燐酸モノ又はジエステル（塩）等が挙げられる。
【００４５】
（Ｄ１２）、（Ｄ１３）、（Ｄ１４）及び（Ｄ１５）が塩を形成する場合の対イオンとしては、特に限定は無いが、例えば、上記のキレート剤（Ｂ）で例示したカチオンが挙げられる。
【００４６】
アニオン性界面活性剤（Ｄ１）の内、好ましいのは、再付着防止性の観点から高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ１１）である。
高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ１１）を使用する場合は、必要によりさらにスルホン酸系界面活性剤（Ｄ１２）、硫酸エステル系界面活性剤（Ｄ１３）及び脂肪酸系界面活性剤（Ｄ１４）から選ばれる１種以上を併用してもよい。
【００４７】
本発明の洗浄剤に用いる非イオン性界面活性剤（Ｄ２）としては、アルキレンオキサイド付加型非イオン性界面活性剤（Ｄ２１）及び多価アルコール型非イオン界面活性剤（Ｄ２２）等が挙げられる。
【００４８】
カチオン性界面活性剤（Ｄ３）としては、４級アンモニウム塩型の界面活性剤、アミン系界面活性剤等が挙げられる。
【００４９】
両性界面活性剤（Ｄ４）としては、ベタイン型両性界面活性剤、アミノ酸型両性界面活性剤、アミノスルホン酸塩型両性界面活性剤等が挙げられる。
【００５０】
界面活性剤（Ｄ）のうち、パーティクルの再付着防止性の観点から好ましいのは、アニオン性界面活性剤（Ｄ１）、非イオン性界面活性剤（Ｄ２）及び（Ｄ１）と（Ｄ２）の併用であり、更に好ましいのは高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ１１）である。
【００５１】
使用時の洗浄液中の界面活性剤（D）の含有量は１重量％以下である。好ましくは、０．３重量％以下、更に好ましくは０．１重量％以下である。
【００５２】
本洗浄剤は、洗浄剤の効果を損なわない範囲において、さらにｐＨ調整剤（E）、分散剤（Ｆ）、３価以上の多価アルコール（Ｇ）、水溶性有機溶剤（Ｈ）、その他の添加剤の成分を含有することができる。
【００５３】
本発明の洗浄剤を水を除く配合組成物の濃度を０．０１〜１５重量％になるように希釈水で調整した場合の２５℃でのｐＨは、洗浄性の観点から通常は８．５〜１４．０であり、好ましくは８．５〜１３．５、更に好ましくは８．５〜１３．０である。
【００５４】
ｐＨがこの範囲にあると、基板の平坦性を損ねることなく、適度なエッチング性を有し、また微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮し易くなる。
このようなｐＨ調整剤（E）としては、アルカノールアミン（Ｃ）以外の有機アルカリ（E１）および無機アルカリ（Ｅ２）が挙げられる。
【００５５】
有機アルカリ（E１）としては、第４級アンモニウム塩［テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（以下、ＴＭＡＨと略記）、トリメチルエチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラペンチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラヘキシルアンモニウムハイドロキサイド等］；炭素数１〜８のアルキル基を有する１〜３級のアルキルアミン［メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン等］；炭素数２〜６のアルキレン基を１個以上有する（ポリ）アルキレンポリアミン［エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン等］；環式アミジン化合物〔１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７、１，６−ジアザビシクロ［４，３，０］ノネン−５等〕等が挙げられる。
【００５６】
無機アルカリ（Ｅ２）としては、アンモニア、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等が挙げられる。
【００５７】
ｐＨ調整剤（Ｅ）のうち、洗浄性の観点から、第４級アンモニウム塩、及び無機アルカリが好ましく、更に好ましいのは、ＴＭＡＨ、トリメチルエチルアンモニウムハイドロキサイド、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム及びこれらの併用である。
【００５８】
ｐＨ調整剤（Ｅ）を含有する場合、洗浄性の観点等から、使用時の洗浄液中の含有量は０．０１重量％〜３重量％である。好ましくは、０．０５重量％〜１重量％、更に好ましくは０．１重量％〜０．７重量％である。
【００５９】
分散剤（Ｆ）としては、従来から微粒子の分散剤として使用されているもの、多糖類及びその誘導体（ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩、カチオン化デンプン等）；ポバール等が挙げられる。なお前記（Ｄ１１）も分散剤としての効果を有する。
【００６０】
本発明の洗浄剤は、３価以上の多価アルコール（Ｇ）を含有することにより基板の腐食を防止する効果が向上する。
【００６１】
３価以上の多価アルコール（Ｇ）としては、脂肪族多価アルコール、脂肪族多価アルコールの脱水縮合物、糖類、糖アルコール、トリスフェノール、これらのアルキレンオキシド（炭素数２〜４）付加物（付加モル数１〜７モル）等が挙げられる。
【００６２】
本発明の洗浄剤は、水溶性有機溶剤（Ｈ）を含有することにより洗浄剤中の成分が基板表面に残留することを防止することで洗浄性が更に向上する。
水溶性有機溶剤（Ｈ）としては、２０℃における水に対する溶解度（ｇ／１００ｇＨ2
Ｏ）が３以上、好ましくは１０以上の有機溶剤が挙げられる。
一価アルコール、多価アルコール、アルコール以外の水溶性有機溶媒が挙げられる。
【００６３】
本発明の洗浄剤は、その他の添加剤として、酸化防止剤［フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤等］；防錆剤［ベンゾトリアゾール等］；緩衝剤［有機酸、無機酸及びこれらの塩等］；消泡剤［シリコーン消泡剤等］；防腐剤［トリアジン誘導体、イソチアゾリン誘導体等］、ハイドロトロープ剤［トルエンスルホン酸（塩）、キシレンスルホン酸（塩）等］等を適宜添加することができる。
【００６４】
本発明の洗浄剤の水を除く組成物の含量は、運搬効率の観点からは、通常は洗浄剤全量に対して、０．１〜１００重量％であり、好ましくは０．２〜９０重量％、更に好ましくは０．５〜７０重量％、特に好ましくは１．０〜５０重量％である。
また、本発明の電子材料用洗浄剤に使用される水としては、超純水(電気抵抗率１８ＭΩ・ｃｍ以上）、イオン交換水（導電率０．２μＳ／ｃｍ以下）、逆浸透膜を通した水、蒸留水が挙げられる。
【００６５】
本発明の洗浄剤を必要により希釈して得られる上記洗浄液は、磁気ディスク用基板の洗浄に好適に使用でき、磁気ディスク用アルミニウム基板及びガラス基板に好適に使用できる。
【００６６】
本発明の磁気ディスク基板の洗浄方法は、上記の洗浄液中で磁気ディスク基板を洗浄する洗浄方法である。
洗浄対象物（汚れ）は、無機パーティクル｛研磨剤（コロイダルシリカ、アルミナ、酸化セリウム、ダイヤモンド等）、研磨屑、製造装置から溶出する金属イオンの析出物等｝等の無機物が挙げられる。
【００６７】
本発明の洗浄方法は、パーティクルの除去性に極めて優れていることから、磁気ディスクの製造工程の内、研磨剤又は研磨屑等のパーティクルが発生する工程や高度な清浄度が要求される工程で行うことが好ましく、研削工程後の洗浄工程、研磨工程後の洗浄工程、テクスチャリング工程後の洗浄工程及び／又は成膜工程（例えば、下地層、磁性層及び保護層等をスパッタリング装置により成膜する工程）前の洗浄工程での洗浄方法として適用することが好ましい。
前記研磨工程が、研磨剤としてはシリカや酸化セリウムなどを用いる研磨工程である場合や前記テクスチャリング工程でダイヤモンドを用いる場合に、本発明の洗浄方法の効果が特に発揮されやすい。
【００６８】
本発明の洗浄方法における洗浄方式としては、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる少なくとも１種の洗浄方式が挙げられ、いずれの方式であっても本発明の洗浄方法の効果が発揮されやすい。
【００６９】
本発明の洗浄液を使用する際の洗浄温度（℃）としては、洗浄性の観点から、通常は１０〜８０℃であり、好ましくは１５〜７０℃、更に好ましくは２０〜６０℃である。
【００７０】
本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、前記洗浄方法で磁気ディスク基板を洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。
【実施例】
【００７１】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部、％は重量％を示す。
なお、以下において超純水は比抵抗値が１８ＭΩ・ｃｍ以上のものを使用した。
【００７２】
［製造例１］
攪拌付き反応容器にナフタレンスルホン酸２１部、超純水を１０部仕込み、撹拌下、反応容器内の温度を８０℃に保ちながら、３７％ホルムアルデヒド８部を３時間かけて滴下した。
滴下終了後、１０５℃に昇温して２５時間反応した後、室温まで冷却して水浴中、２５℃に調整しながらＤＢＵを徐々に加え、ｐＨ６．５に調整した。超純水を加えて固形分を４０％にして、アニオン性界面活性剤であるナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のＤＢＵ塩（Ｄ１−１）の４０％水溶液を得た。なお、（Ｄ１−１）のＭｗは５，０００であった。
【００７３】
［製造例２］
温度調節及び攪拌が可能な反応容器にイソプロピルアルコール３００部、超純水１００部を仕込み、窒素置換後、７５℃に昇温した。撹拌下で、アクリル酸の７５％水溶液４０７部及びジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレートの１５％イソプロピルアルコール溶液９５部を３．５時間かけて同時に滴下した。滴下終了後、７５℃で５時間撹拌した後、反応容器内が固化しないように超純水を間欠的に投入し、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去した。  
得られたポリアクリル酸水溶液にＤＢＵ約４５０部を加えてｐＨが７．０になるまで中和し、超純水で濃度４０％になるように調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリアクリル酸ＤＢＵ塩（Ｄ１−２）の４０％水溶液を得た。なお、（Ｄ１−２）のＭｗは１０，０００であった。
【００７４】
［製造例３］
温度調節及び還流が可能な攪拌付き反応容器にエチレンジクロライド１００部を仕込み、攪拌下、窒素置換した後に９０℃まで昇温し、エチレンジクロライドを還流させた。スチレン１２０部と、予め２，２’−アゾビスイソブチロニトリル１．７部をエチレンジクロライド２０部に溶かした開始剤溶液を、それぞれ別々に６時間かけて反応容器内に滴下し、滴下終了後更に１時間重合を行った。
重合後、窒素シール下で２０℃に冷却した後、温度を２０℃にコントロールしながら無水硫酸１０５部を１０時間かけて滴下し、滴下終了後更に３時間スルホン化反応させた。反応後、溶媒を留去し固化させた後、超純水３４５部を投入して溶解し、ポリスチレンスルホン酸水溶液を得た。
得られたポリスチレンスルホン酸水溶液に２５％ＴＭＡＨ水溶液約４００部を加えてｐＨが７．０になるまで中和し、超純水で濃度４０％になるように調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリスチレンスルホン酸トリメチルアンモニウム塩（Ｄ１−３）の４０％水溶液を得た。なお、（Ｄ１−３）のＭｗは、４０，０００、スルホン化率は９７％であった。
【００７５】
［製造例４］
撹拌および温度調節機能の付いたステンレス製オートクレーブに、ラウリルアルコール１８６部（１．０モル）、水酸化カリウム０．５部を投入し、混合系内を窒素で置換した後、減圧下で、１２０℃にて１時間脱水を行った。次いでエチレンオキサイド８８部（２．０モル）を１５０℃にて、ゲージ圧が０．１〜０．３ＭＰａとなるように１０時間かけて導入した。反応物をガラス容器に移し、温度を２０℃に保ちながら、クロルスルホン酸１２０部（１．０３モル）を徐々に滴下し、２時間脱塩酸を行った後、水酸化ナトリウム４１．２部（１．０３モル）を水１１１０部に溶解した水溶液で硫酸化物を中和し、ラウリルアルコールエチレンオキシド２モル付加物の硫酸エステルナトリウム塩（Ｄ１−４）の２５％水溶液を得た。
【００７６】
［製造例５］
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアルコールを２００部（１．１モル）、２５％ＴＭＡＨ水溶液を１０部（０．０２７モル）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。ＥＯ４３０部（９．８モル）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成した。さらに、２．６ｋＰａ以下の減圧下に、１５０℃で２時間撹拌して、残存するＴＭＡＨを分解して除去し、非イオン性界面活性剤であるラウリルアルコールＥＯ９モル付加物（Ｄ２−１）６３０部を得た。
【００７７】
［製造例６］
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアミンを１８５部（１．０モル）、２５％ＴＭＡＨ水溶液を３．６部（０．０１モル）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。ＥＯ２６４部（６．０モル）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成した。
さらに、２．６ｋＰａ以下の減圧下、１５０℃で２時間撹拌して、残存するＴＭＡＨを分解して除去し、非イオン性界面活性剤であるラウリルアミンＥＯ６モル付加物（Ｄ２−２）４４５部を得た。
【００７８】
実施例１〜１５及び比較例１〜１２
表１と表２に記載の配合部数の各配合成分を、超純水、オキシカルボン酸（Ａ）、キレート剤（Ｂ）、ｐＨ調整剤（Ｅ）、その他の添加剤、界面活性剤（Ｄ）、アルカノールアミン（Ｃ）の順で均一撹拌・混合して実施例１〜１５及び比較例１〜１２の洗浄剤を作製した。
【００７９】
【表１】
2011227984.tif 000003
【００８０】
【表２】
2011227984.tif 000004
【００８１】
なお、表１、２中のキレート剤（Ｂ）、アルカノールアミン（Ｃ）、アルカリ成分（Ｅ）の略号とそのキレート安定度定数の対数値は下記の通りである。
（Ｂ−１）：１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）［キレート安定度定数の対数値９．８］
（Ｂ−２）：エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）［１８．９］
（Ｂ−３）：ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）［２１．５］
（Ｂ−４）：ニトリロトリスメチレンホスホン酸（ＮＴＭＰ）［７．５］
（Ｂ’−１）：N,N'-ビス（2-ヒドロキシベンジリデン）エチレンジアミン（サレン）［１０以上］
（Ｂ’−２）酢酸［６．０］ 
（Ｃ−１）：モノエタノールアミン（ＭＥＡ）
（Ｃ−２）：ジエタノールアミン（ＤＥＡ）
（Ｃ−３）：イソプロパノールアミン（ＭＩＰＡ）
（Ｅ−３）：テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（ＴＭＡＨ）
【００８２】
得られた洗浄剤の内、実施例１〜７および比較例１〜６の洗浄剤は超純水で５０倍希釈して性能評価のための洗浄液とし、以下の方法で、ｐＨ、水酸化鉄再析出防止性（洗浄性−１）、シリカ洗浄性（洗浄性−２）、アルミナの洗浄性(洗浄性−３)、ＮｉＰ基板のエッチング性［Niイオン含量（ｐｐｂ）］を評価した。
その結果を表１に示す。
また、実施例８〜１５および比較例７〜１２の洗浄剤は、超純水で２０倍希釈して性能評価のための洗浄液とし、以下の方法で、ｐＨ、水酸化鉄再析出防止性（洗浄性−４）、シリカ洗浄性（洗浄性−５）、酸化セリウムの洗浄性（洗浄性−６）、ガラス基板のエッチング性［Ｓｉ含量（ｐｐｂ）］を評価した。
その結果を表２に示す。
【００８３】
＜ｐＨの測定方法＞
洗浄液のｐＨを２５℃でｐＨメーター（東亜ディーケーケー社製ＨＭ−３０Ｒ）で測定した。
【００８４】
＜水酸化第二鉄の再析出防止性（洗浄性−１）の評価方法＞
硫酸第一鉄・一水和物３．０ｇをイオン交換水１７gで溶解させ、５％Ｆｅ(ＩＩ）イオン水溶液を作成し、２５℃に保持した。
実施例１〜７および比較例１〜６の洗浄液１００ｇに上記の５％Ｆｅ(ＩＩ)イオン水溶液を撹拌しながら８０ｍｇ添加した。Ｆｅ(ＩＩ)イオン水溶液を添加する前のｐＨになるように水酸化ナトリウム水溶液で調製した後、２５℃で１時間静置し、液の外観を観察した。１時間静置後、混合液を観察し、固形物の析出がないか目視で確認した。固形物が析出する場合は沈殿が見られる。
固形物の析出がない場合は、８０ｍｇの５％Ｆｅ(ＩＩ)イオン水溶液を追加し１時間静置後に同様に観察した。固形物の析出が見られるまで上記操作を繰り返し、固形物の析出が見られた重量（ｍｇ）を、再析出防止性として下記評価基準で評価した。
[水酸化第二鉄の再析出防止性の評価基準]
４：３２０ｍｇ添加で析出あり
３：２４０ｍｇ添加で析出あり
２：１６０ｍｇ添加で析出あり
１：８０ｍｇ添加で析出あり
【００８５】
＜シリカの洗浄性（洗浄性−２）の評価方法＞
研磨剤として市販のコロイダルシリカスラリー（粒径約３０ｎｍ）１００部及び発泡ウレタン製の研磨シートを用いて、３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用基板を研磨した。超純水で表面をすすぎ、窒素でブローして乾燥させることにより、試験用の汚染基板を作製した。
【００８６】
実施例１〜７および比較例１〜６の洗浄液１，０００ｇを１Ｌガラス製ビーカーにとり、作製した汚染基板を浸漬し、超音波洗浄機（２００ｋＨｚ）内で、３０℃、５分間洗浄を行った。洗浄後、基板を取り出し、超純水で再び１分間リンスを行った後、窒素ガスでブローして乾燥し、アルミ基板表面を表面検査装置（ビジョンサイテック社製「Ｍｉｃｒｏ−Ｍａｘ  ＶＭＸ−６１００」）で観察し、パーティクル付着数を数えた。
また、洗浄液の代わりにブランクとして超純水で同様に試験した。
その際のブランクのパーティクル付着数は３５０個であった。
以下の評価基準で洗浄性試験を評価し、評価結果を表１に示した。
なお、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１，０００（ＨＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
【００８７】
[洗浄性試験の評価基準]
５：パーティクル付着数がブランクの１／１００未満
４：パーティクル付着数がブランクの１／１００〜１／２０
３：パーティクル付着数がブランクの１／２０〜１／５
２：パーティクル付着数がブランクの１／５〜１／２                     
１：パーティクル付着数がブランクの１／２以上
【００８８】
＜アルミナの洗浄性（洗浄性−３）の評価方法＞
洗浄性−２の評価方法において、研磨剤としてコロイダルシリカスラリーを市販のアルミナスラリー（フジミインコーポレーティド社製、ＣＥＰＯＬ−１２０）に変更した以外は洗浄性−２と同様にして評価した。
【００８９】
＜ＮｉＰ基板のエッチング性＞
５０ｍｌのポリプロピレン製容器に実施例１〜７および比較例１〜６の洗浄液１０ｇをとり、２３℃に温調した後、ＮｉＰ（ニッケルリンめっき）基板を入れ、２０分静置した。試験溶液を２ｍｌ採取し、ＩＣＰ発光分析装置（ＶＡＲＩＡＮ社製、Ｖａｒｉａｎ７３０−ＥＳ）で洗浄剤中のＮｉイオン含量を測定した。
なお、予め試験前の洗浄液についても同様にＮｉイオン含量を測定しておき、その差を求めることで試験溶液中に溶出したＮｉイオン含量（ｐｐｂ）を求めた。この溶出したＮｉイオン含量が多いほど、エッチング性は高い。
【００９０】
＜水酸化第二鉄の再析出防止性（洗浄性−４）の評価方法＞
洗浄性−１の評価方法において、洗浄液を実施例８〜１５および比較例７〜１２の洗浄液に変更した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。
判定基準も洗浄性−１と同様である。
【００９１】
＜シリカの洗浄性（洗浄性−５）の評価方法＞
洗浄性−２の評価方法において、基板を３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク基板を２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板に変更し洗浄液を実施例８〜１５および比較例７〜１２の洗浄液に変更した以外は洗浄性−２と同様にして評価した。
＜酸化セリウムの洗浄性（洗浄性−６）の評価方法＞
洗浄性−５の評価方法において、研磨剤としてコロイダルシリカスラリーを市販の酸化セリウム（フジミインコーポレーティド社製、ＣＥＰＯＬ−１２０）に変更し洗浄液を実施例８〜１５および比較例７〜１２の洗浄液に変更した以外は洗浄性−５と同様にして評価した。
【００９２】
＜ガラス基板のエッチング性＞
５０ｍｌのポリプロピレン製容器に実施例８〜１５および比較例７〜１２の洗浄液１０ｇをとり、２３℃に温調した後、ガラス基板を入れ、２０分静置した。試験溶液を２ｍｌ採取し、ＩＣＰ発光分析装置（ＶＡＲＩＡＮ社製、Ｖａｒｉａｎ７３０−ＥＳ）で洗浄剤中のＳｉイオン含量を測定した。
なお、予め試験前の洗浄液についても同様にＳｉイオン含量を測定しておき、その差を求めることで試験溶液中に溶出したＳｉイオン含量（ｐｐｂ）を求めた。この溶出したＳｉイオン含量が多いほど、エッチング性は高い。
【００９３】
表１、２で明らかなように、本発明のオキシカルボン酸（Ａ）、キレート剤（Ｂ）及びアルカノールアミン（Ｃ）を含有する実施例１〜１５はいずれも、装置から溶出する金属イオン等に由来するパーティクルの洗浄性が優れていることがわかる。
一方、オキシカルボン酸（Ａ）、キレート剤（Ｂ）、及びアルカノールアミン（Ｃ）を併用しない比較例１、２、４〜８、１０〜１２は、装置から溶出する金属イオン等に由来するパーティクルの再析出防止性が十分でない。
またｐＨ６．０における三価の鉄イオンに対する安定度定数の対数値が７．０よりも小さい比較例３、９は鉄イオン由来パーティクルの洗浄性が劣る。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本発明の洗浄剤は、磁気ディスク基板上のパーティクルの洗浄性に優れているため、磁気ディスク基板（アルミ基板及びガラス基板等）を製造する工程の洗浄剤として有効に使用することができる。