(57)【要約】      （修正有）【課題】フリップチップ半導体パッケージ技術において、コストを低減することが可能なパッケージ構造の製造方法を提供する。【解決手段】大きい面積のパッケージ基板２ａ’を複数のパッケージ基板ユニット２ｃを有するパッケージ基板ブロック２ｂに複数切断し、前記の各パッケージ基板ユニット２ｃに半導体チップを載置し、パッケージ材によって固定して保護し、パッケージ構造ユニットを有するパッケージ構造ブロックを複数形成し、前記パッケージ構造ブロックを切断して複数のパッケージ構造ユニットを形成する。【選択図】図１Ｆ
2011054921.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する二つの最外層の表面に複数の金属バンプと絶縁保護層がそれぞれ形成され、前記絶縁保護層に、前記の各金属バンプを対応させて露出させるように複数の開孔が形成される上下一対のパッケージ基板を用意する工程と、
前記上下一対のパッケージ基板を分離させ、前記パッケージ基板を（m × n）のアレイに配列されたパッケージ基板ユニットを有する複数のパッケージ基板ブロックに切断する工程と（m 、nは1以上の整数である）、
前記各パッケージ基板ブロックを第2の搭載板に設ける工程と、
複数のパッケージ構造ユニットを有するパッケージ構造ブロックになるように、前記の各パッケージ基板ユニットに半導体チップが載置され、前記半導体チップが複数の電極パッドを備える作用面を有し、また、前記の各電極パッドを半田材によって前記の各金属バンプに対応して電気的に接続させる工程と、
前記絶縁保護層とそれらの前記半導体チップに、それらの前記半導体チップと前記絶縁保護層との間に充填され前記半田材を覆うパッケージ材を形成する工程と、
前記第2の搭載板を除去する工程と、
それらの前記半導体チップが載置された前記パッケージ構造ブロックを切断して複数の前記パッケージ構造ユニットに分離する工程と、を備えることを特徴とするパッケージ構造の製造方法。
【請求項２】
前記上下一対のパッケージ基板の製造方法において、
両表面に、その表面積より小さい面積を有する剥離層と、前記表面上に位置して前記剥離層の四周を囲んだ接着層と、前記剥離層と前記接着層に設けられた金属層とをそれぞれ備える第1の搭載板を用意する工程と、
前記金属層に電気接触パッドとビルドアップ構造をそれぞれ順次に形成し、前記ビルドアップ構造は、少なくとも一つの誘電体層と、前記誘電体層に形成された回路層と、前記誘電体層に形成され前記回路層と前記電気接触パッドに電気的に接続された複数の導電ビアとを備え、且つ前記ビルドアップ構造の最外層の前記回路層に複数のバンプパッドをさらに備える工程と、
前記ビルドアップ構造の最外層に前記絶縁保護層を形成し、前記絶縁保護層に前記の各バンプパッドを対応させて露出させるように開孔を形成し、前記の各バンプパッドにめっきによって前記の各金属バンプを形成する工程と、を備えることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ構造の製造方法。
【請求項３】
前記パッケージ基板ブロックの製造方法において、
切断ラインが前記剥離層を通るように前記上下一対のパッケージ基板の縁部に沿って切断を行う工程と
前記第1の搭載板と前記剥離層を除去することで、前記上下一対のパッケージ基板を独立した二つのパッケージ基板に分離させる工程と、
前記パッケージ基板を切断して前記金属層を除去し、それらの前記パッケージ基板ブロックを形成する工程と、を備えることを特徴とする請求項2に記載のパッケージ構造の製造方法。
【請求項４】
前記第2の搭載板を除去した後、前記の各パッケージ基板ブロックのそれらの前記電気接触パッドに対応して半田ボールを形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項2に記載のパッケージ構造の製造方法。
【請求項５】
前記パッケージ基板を切断する前に、前記絶縁保護層と前記金属バンプに保護膜を形成し、切断した後、前記保護膜を除去する工程を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のパッケージ構造の製造方法。
【請求項６】
対向する二つの最外層の表面に複数のバンプパッドが形成され、前記の各最外層の表面及びバンプパッドに絶縁保護層が形成され、前記絶縁保護層に前記の各バンプパッドを対応させて露出させるように複数の開孔が形成される上下一対のパッケージ基板を用意する工程と、
前記上下一対のパッケージ基板を分離させ、前記パッケージ基板を（m × n）のアレイに配列されたパッケージ基板ユニットを複数のパッケージ基板ブロックに切断する工程と（m 、nは1以上の整数である）、
前記パッケージ基板ブロックを前記第2の搭載板に設ける工程と、
前記の各開孔におけるバンプパッドに半田バンプを形成する工程と、
複数のパッケージ構造ユニットを有するパッケージ構造ブロックになるように、前記の各パッケージ基板ユニットに半導体チップを載置し、前記半導体チップに複数の電極パッドを備える作用面を有し、また、前記の各電極パッドを前記の各半田バンプによって前記の各バンプパッドに対応して電気的に接続させる工程と、
前記絶縁保護層とそれらの前記半導体チップに、それらの前記半導体チップと前記絶縁保護層との間に充填されそれらの前記半田バンプを覆うパッケージ材を形成する工程と、
前記第2の搭載板を除去する工程と、
それらの前記半導体チップが載置された前記パッケージ構造ブロックを切断して複数の前記パッケージ構造ユニットに分離させる工程と、備えることを特徴とするパッケージ構造の製造方法。
【請求項７】
前記上下一対のパッケージ基板の製造方法において、
両表面に、その表面積より小さい面積を有する剥離層と、前記表面上に位置して前記剥離層の四周を囲んだ接着層と、前記剥離層と前記接着層に設けられた金属層をそれぞれ備える第1の搭載板を用意する工程と、
前記金属層に複数の電気接触パッドとビルドアップ構造をそれぞれ順次に形成し、前記ビルドアップ構造は、少なくとも一つの誘電体層と、前記誘電体層に形成された回路層と、前記誘電体層に形成され前記回路層と前記電気接触パッドに電気的に接続された複数の導電ビアとを備え、且つ前記ビルドアップ構造の最外層の前記回路層に複数のバンプパッドをさらに備える工程と、
前記ビルドアップ構造の最外層に前記絶縁保護層を形成し、前記絶縁保護層に前記の各バンプパッドを対応させて露出させるように開孔を形成する工程と、を備えることを特徴とする請求項6に記載のパッケージ構造の製造方法。
【請求項８】
前記パッケージ基板ブロックの製造方法において、
切断ラインが前記剥離層を通るように前記上下対になるのパッケージ基板の縁部に沿って切断を行う工程と
前記第1の搭載板と剥離層を除去することで、前記上下一対のパッケージ基板を独立した二つのパッケージ基板に分離させる工程と、
前記パッケージ基板を切断して前記金属層を除去し、それらの前記パッケージ基板ブロックを形成する工程と、を備えることを特徴とする請求項7に記載のパッケージ構造の製造方法。
【請求項９】
前記第2の搭載板を除去した後、前記の各パッケージ基板ブロックのそれらの前記電気接触パッドに対応して半田ボールを形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項7に記載のパッケージ構造の製造方法。
【請求項１０】
それらの前記半田バンプは、印刷または半田ボールのマウント、そして半田リフローによって形成されることを特徴とする請求項6に記載のパッケージ構造の製造方法。
【請求項１１】
前記上下一対のパッケージ基板を切断する前に、前記絶縁保護層と前記バンプパッドに保護膜を形成し、切断した後、前記保護膜を除去する工程を更に含むことを特徴とする請求項6に記載のパッケージ構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ構造の製造方法に関し、特に全体の製造能力を高めてコストを低減できるものに関する。
【背景技術】
【０００２】
現行のフリップチップ（flip chip）半導体パッケージ技術では、半導体チップの作用面に複数の電極パッドが設けられ、頂面に複数の電気接触パッドを有するパッケージ基板が提供され、前記各電極パッドに対応する電気接触パッドの間が半田バンプによって電気的に接続される。
【０００３】
従来のワイヤーボンディング（wire bonding）技術に比べ、フリップチップ技術では、半導体チップとパッケージ基板の間を、普通の金線によらず、直接半田バンプによって電気的に接続させる。フリップチップ技術のメリットはパッケージ密度を高めてパッケージ素子のサイズを抑制でき、また、フリップチップ技術は長さが長い金線を用いることを必要とせず、電気抵抗を低減して電気機能を向上させることができる。
【０００４】
従来のフリップチップパッケージ構造の製造方法は、まず、コア板を用意し、前記コア板に複数のソルダバンプパッドを有するビルドアップ構造と絶縁保護層が順次に形成される。前記絶縁保護層に複数の開孔が形成され、前記各ソルダバンプパッドを前記各開孔に対応させて露出させる。前記ビルドアップ構造に露出されたソルダバンプパッドに表面処理層が形成され、一つのパッケージ基板が形成される。次に、前記パッケージ基板を複数のパッケージ基板ユニットまたは複数のパッケージ基板ユニットを含む複数のパッケージ基板ストリップに切断する。最後に、パッケージ工場に搬送し、その後のダイボンディング、パッケージング、及び／またはダイシング(singulation)等の工程を行う。
【０００５】
ただし、前記パッケージ基板を複数のパッケージ基板ユニットに切断した後に、ダイボンディングやパッケージ工程を行う場合、一回につき単一のパッケージ基板ユニットのみに対して各工程が行われるため、製造能力が低下し、工程の全体コストが増加する。前記パッケージ基板を複数のパッケージ基板ユニットまたはパッケージ基板ストリップに切断した後、ダイボンディング、パッケージ、及びダイシング等の工程を行う場合、パッケージ基板ストリップが保留する外縁は有効面積の多くを占めるため、全体コストが増加して材料の浪費をもたらす。一方、パッケージ基板の全体厚さがますます薄くなるに従って、パッケージ基板ユニットまたはパッケージ基板ストリップに対してダイボンディングまたはパッケージ等の工程を行うことは、いっそう困難となっている。
【０００６】
しかし、パッケージ基板を複数のパッケージ基板ユニットまたは複数のパッケージ基板ストリップに切断せず、パッケージ基板にダイボンディング、パッケージ、及びダイシング等の工程を直接に行う場合、大型の製造工程機械の購入を必要とするため、全設備コストが増加する。そして、大面積のパッケージ基板のアラインメント精密度が低いため、最後のパッケージ構造ユニットに大きな工程誤差が発生し、全体の歩留まりに影響を及ぼしている。
【０００７】
従って、従来技術のパッケージ構造の製造方法における工程の複雑化による製造能力の低下、及び廃材の過剰な占用比例による全体コストの増加を、如何にして回避するかが、当業界において解決すべき極めて重要な課題となっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前記従来技術の様々な不具合に鑑み、本発明の主な目的は、全体の製造能力を高めてコストを低減できるパッケージ構造の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記及びその他の目的を達成するために、本発明は、対向する二つの最外層の表面に複数の金属バンプと絶縁保護層がそれぞれ形成され、前記絶縁保護層に、前記の各金属バンプを対応させて露出させるように、複数の開孔が形成される上下一対のパッケージ基板を用意する工程と、前記上下一対のパッケージ基板を分離させ、パッケージ基板を（m × n）のアレイに配列されたパッケージ基板ユニットを有する複数のパッケージ基板ブロックに切断する工程と（m 、nは1以上の整数である）、前記各パッケージ基板ブロックを第2の搭載板に設ける工程と、複数のパッケージ構造ユニットを有するパッケージ構造ブロックになるように、前記の各パッケージ基板ユニットに半導体チップが載置され、前記半導体チップが複数の電極パッドを備える作用面を有するようにする工程と、また、前記の各電極パッドを半田材によって前記の各金属バンプに対応して電気的に接続させる工程と、前記絶縁保護層とそれらの半導体チップに、それらの半導体チップと絶縁保護層との間に充填され前記半田材を覆うパッケージ材を形成する工程と、前記第2の搭載板を除去する工程と、それらの半導体チップが載置されたパッケージ構造ブロックを切断して複数のパッケージ構造ユニットに分離する工程と、を備えることを特徴とするパッケージ構造の製造方法を提供する。
【００１０】
また、本発明に係る前記パッケージ構造の製造方法では、前記上下一対のパッケージ基板の製造方法において、両表面に、その表面積より小さい面積を有する剥離層と、前記表面上に位置して前記剥離層の四周を囲んだ接着層と、前記剥離層と接着層に設けられた金属層とをそれぞれ備える第1の搭載板を用意する工程と、前記金属層に複数の電気接触パッドとビルドアップ構造をそれぞれ順次に形成し、前記ビルドアップ構造は、少なくとも一つの誘電体層と、前記誘電体層に形成された回路層と、前記誘電体層に形成され前記回路層と電気接触パッドに電気的に接続された複数の導電ビアとを備え、且つ前記ビルドアップ構造の最外層の回路層に複数のソルダバンプパッドをさらに備える工程と、前記ビルドアップ構造の最外層に前記絶縁保護層を形成し、且つ前記絶縁保護層に前記の各ソルダバンプパッドを対応させて露出させるように開孔を形成し、前記の各ソルダバンプパッドにめっきによって前記の各金属バンプを形成する工程と、を備える。
【００１１】
また、本発明は、前述の製造方法において、パッケージ基板ブロックの製造方法は、切断ラインが前記剥離層を通るように前記上下一対のパッケージ基板の縁部に沿って切断を行う工程と、第1の搭載板と剥離層を除去することで、前記上下一対のパッケージ基板を独立した二つのパッケージ基板に分離させる工程と、前記パッケージ基板を切断して前記金属層を除去し、それらの前記パッケージ基板ブロックを形成する工程と、を備える。
【００１２】
また、本発明は、前記パッケージ構造の製造方法において、前記第2の搭載板を除去した後、前記各パッケージ基板ブロックのそれらの前記電気接触パッドに対応して半田ボールを形成する工程を更に含む。
【００１３】
また、本発明は、前述の製造方法において、前記パッケージ基板を切断する前に、前記絶縁保護層と金属バンプに保護膜を形成し、切断した後、前記保護膜を除去する工程を更に含む。
【００１４】
また、本発明は、対向する二つの最外層の表面に複数のソルダバンプパッドが形成され、前記の各最外層の表面及びソルダバンプパッドに絶縁保護層が形成され、且つ前記絶縁保護層に、前記各ソルダバンプパッドを対応させて露出させるように、複数の開孔が形成される上下一対のパッケージ基板を用意する工程と、前記上下一対のパッケージ基板を分離させ、パッケージ基板を（m × n）のアレイに配列されたパッケージ基板ユニットを有する複数のパッケージ基板ブロックに切断する工程と（m 、nは1以上の整数である）、前記各パッケージ基板ブロックを第2の搭載板に設ける工程と、前記各開孔におけるソルダバンプパッドに半田バンプを形成する工程と、複数のパッケージ構造ユニットを有するパッケージ構造ブロックになるように、前記の各パッケージ基板ユニットに半導体チップを載置し、前記半導体チップが複数の電極パッドを備える作用面を有し、また、前記の各電極パッドを前記の各半田バンプによって前記の各ソルダバンプパッドに対応して電気的に接続させる工程と、前記絶縁保護層とそれらの半導体チップに、それらの半導体チップと該絶縁保護層との間に充填されそれらの前記半田バンプを覆うパッケージ材を形成する工程と、前記第2の搭載板を除去する工程と、それらの半導体チップが載置されたパッケージ構造ブロックを切断して複数のパッケージ構造ユニットに分離させる工程と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、前述のように、前記上下一対のパッケージ基板の製造方法において、両表面に、その表面積より小さい面積を有する剥離層と、当該表面上に位置して前記剥離層の四周を囲んだ接着層と、前記剥離層と接着層に設けられた金属層をそれぞれ備える第1の搭載板を用意する工程と、前記金属層に複数の電気接触パッドとビルドアップ構造をそれぞれ順次に形成し、前記ビルドアップ構造は、少なくとも一つの誘電体層と、前記誘電体層に形成された回路層と、前記誘電体層に形成され前記回路層と前記電気接触パッドに電気的に接続された複数の導電ビアとを備え、且つ前記ビルドアップ構造の最外層の回路層に複数のソルダバンプパッドをさらに備える工程と、前記ビルドアップ構造の最外層に前記絶縁保護層を形成し、且つ前記絶縁保護層に前記の各ソルダバンプパッドを対応させて露出させるように開孔を形成する工程と、を備える。
【００１６】
また、前述の製造方法におけるパッケージ基板ブロックの製造方法は、切断ラインが前記剥離層を通るように前記上下一対のパッケージ基板の縁部に沿って切断を行う工程と、第1の搭載板と剥離層を除去することで、前記上下一対のパッケージ基板を独立した二つのパッケージ基板に分離させる工程と、前記パッケージ基板を切断して前記金属層を除去し、それらの前記パッケージ基板ブロックを形成する工程と、を備える。
【００１７】
前記パッケージ構造の製造方法において、前記第2の搭載板を除去した後、前記の各パッケージ基板ブロックのそれらの前記電気接触パッドに対応して半田ボールを形成する工程を更に含む。
【００１８】
それらの前記パッケージ構造の製造方法において、それらの半田バンプは、印刷または半田ボールのマウント、そして半田リフローによって形成される。
また、前記パッケージ構造の製造方法において、前記上下一対のパッケージ基板を切断する前に、前記絶縁保護層とバンプパッドに保護膜を形成し、切断した後、前記保護膜を除去する工程を更に含む。
【発明の効果】
【００１９】
上記のように、本発明のパッケージ構造の製造方法は、まず、パッケージ基板を、適宜な面積に、且つ複数のパッケージ基板ユニットを有する複数のパッケージ基板ブロックに切断し、次に、前記各パッケージ基板ユニットに半導体チップが載置され、パッケージ材によって固定と保護され、最後に、複数のパッケージ構造ユニットに切断することであるのが分かる。従来技術に比して、本発明のパッケージ構造の製造方法は、パッケージ基板の製造及び半導体チップのパッケージングを統合し、各パッケージ基板ブロックにおける全てのパッケージ基板ユニットに対して半導体チップのパッケージングを一度に行い、工程を簡略化させ、全体の製造能力を高めることができる。また、本発明のパッケージ基板ブロックの面積が適切であるため、各パッケージ基板ブロックにおける各パッケージ基板ユニットの工程においてのアラインメント誤差を低減して工程の精密度と歩留まりを向上させることが可能である。従って、本発明のパッケージ構造の製造方法は、製造能力と歩留まりが高いというメリットを有する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１Ａ】本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第１実施例を模式的に示した断面図である。
【図１Ｂ】本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第１実施例を模式的に示した断面図である。
【図１Ｃ】本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第１実施例を模式的に示した断面図である。
【図１Ｄ】本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第１実施例を模式的に示した断面図である。
【図１Ｅ】本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第１実施例を模式的に示した断面図である。
【図１Ｆ】図１Ｅの平面図である。
【図１Ｇ】本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第１実施例を模式的に示した断面図である。
【図１Ｈ】本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第１実施例を模式的に示した断面図である。
【図１Ｉ】本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第１実施例を模式的に示した断面図である。
【図２Ａ】本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第２実施例を模式的に示した断面図である。
【図２Ｂ】本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第２実施例を模式的に示した断面図である。
【図２Ｃ】本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第２実施例を模式的に示した断面図である。
【図２Ｄ】本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第２実施例を模式的に示した断面図である。
【図２Ｅ】本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第２実施例を模式的に示した断面図である。
【図２Ｆ】本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第２実施例を模式的に示した断面図である。
【図２Ｇ】本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第２実施例を模式的に示した断面図である。
【図２Ｈ】本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第２実施例を模式的に示した断面図である。
【００２１】
図1A乃至図1Ｉは本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第1実施例を模式的に示した断面図である。図1Ｆは図1Eの平面図である。
図2A乃至図2Hは、本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第2実施例を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、特定の具体的な実施例により本発明の実施形態を説明する。当業者は本明細書に開示されている内容から本発明のその他のメリット及び効果を容易に理解できる。
[第1実施例]
図1A乃至図1Ｉは本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第1実施例を模式的に示した断面図である。図1Ｆは図1Eの平面図である。
【００２３】
図1Aに示すように、両表面には、剥離層211と、接着層212と、金属層221とをそれぞれ有した第1の搭載板20aを用意する。そして、前記剥離層211の面積は前記第1の搭載板20aの面積より小さい。前記接着層212は、前記第1の搭載板20a上に位置し、前記剥離層211の四周を囲んで形成されている。前記金属層221は、前記剥離層211と接着層212の上に設けられている。前記剥離層211は離型膜であってもよい。前記金属層221を形成する材質は銅であってもよいし、めっき工程においてのシード層（seed layer）として用いられてもよい。
【００２４】
図1Bに示すように、前記第1の搭載板20aの両表面にある金属層221には、複数の電気接触パッド222とビルドアップ構造23がそれぞれ順次に形成される。前記ビルドアップ構造23は、少なくとも一つの誘電体層231と、前記誘電体層231に形成される回路層233と、前記誘電体層231に形成され、前記回路層233と電気接触パッド222を電気的に接続する複数の導電ビア232とを備える。そして、前記ビルドアップ構造23の最外層の回路層233には複数のソルダバンプパッド234をさらに備える。また、前記ビルドアップ構造23の最外層に絶縁保護層25が形成され、且つ前記絶縁保護層25に前記各バンプパッド234を対応させて露出させるように開孔250が複数形成される。次に、前記各バンプパッド234にめっきによって、例えば、銅である金属バンプ24が形成され、上下一対のパッケージ基板2aになる。そして、前記絶縁保護層25と金属バンプ24に保護膜27が形成される。
【００２５】
図1Cに示すように、上下一対のパッケージ基板2aの縁部に沿って第1回の切断を行い、且つ切断端部28が前記剥離層211を通り、それによって前記接着層212を除去する。
図1Dに示すように、前記第1の搭載板20aと剥離層211を除去し、前記上下一対のパッケージ基板2aを独立した二つのパッケージ基板2a’に分離させる。
【００２６】
図1Eと図1Ｆ（図1Ｆは図1Eの平面図）に示すように、前記各パッケージ基板2a’に第2回の切断を行い、（m × n）アレイに配列されたパッケージ基板ユニット2cを有する複数のパッケージ基板ブロック2bを形成する（m 、nは1以上の整数である）。本実施例では、mは6 、nは5であるが、これに限られない。
【００２７】
図1Ｇに示すように、保護膜27と金属層221を除去し、前記パッケージ基板ブロック2bを第2の搭載板20bに置く。前記各電気接触パッド222が前記第2の搭載板20bに結合され、また、前記各金属バンプ24は露出される。
【００２８】
図1Ｈに示すように、前記パッケージ基板ユニット2c上の前記各金属バンプ24に半導体チップ30を載置し、複数のパッケージ構造ユニット2c’を有するパッケージ構造ブロック2b’を形成する。前記半導体チップ30は複数の電極パッド301を備える作用面30aを有し、前記各電極パッド301が半田材31aによって前記各バンプパッドに対応して電気的に接続される。次に、前記絶縁保護層25とそれらの半導体チップ30に、それらの半導体チップ30と該絶縁保護層25との間に充填され前記半田材31aを覆うパッケージ材32が形成される。そして、第2の搭載板20bを除去して電気接触パッド222を露出させた後、前記電気接触パッド222に半田ボール33を形成し、または前記電気接触パッド222に半田ボール33を形成せずに、ランドグリッドアレイ（Land grid array、LGAと略称する）構造（図示せず）に直接電気的に接続される。
【００２９】
図1Ｉに示すように、第3回の切断を行い、それらの半導体チップ30が載置されたパッケージ構造ブロック2b’を複数のパッケージ構造ユニット2c’に分離させる。
[第2実施例]
図2A乃至図2Hは、本発明に係るパッケージ構造の製造方法の第2実施例を模式的に示した断面図である。
【００３０】
図2Aに示すように、両表面には、剥離層211と、接着層212と、金属層221とをそれぞれ有した第1の搭載板20aを用意する。そして、前記剥離層211の面積は前記第1の搭載板20aの面積より小さい。前記接着層212は、前記第1の搭載板20a上に位置し、前記剥離層211の四周を囲んで形成されている。前記金属層221は、前記剥離層211と接着層212の上に設けられている。前記剥離層211は離型膜であってもよい。前記金属層221を形成する材質は銅であってもよいし、シード層として用いられてもよい。次に、前記第1の搭載板20aの両表面の上方にある金属層221には、複数の電気接触パッド222とビルドアップ構造23がそれぞれ順次に形成される。前記ビルドアップ構造23は、少なくとも一つの誘電体層231と、前記誘電体層231に形成される回路層233と、前記誘電体層231に形成され前記回路層233と電気接触パッド222を電気的に接続する複数の導電ビア232とを備える。そして、前記ビルドアップ構造23の最外層の回路層233には複数のバンプパッド234をさらに備える。そして、前記ビルドアップ構造23の最外層に絶縁保護層25が形成され、且つ前記絶縁保護層25に前記各バンプパッド234を対応させて露出させるように開孔250が複数形成され、上下一対のパッケージ基板2aになる。また、前記絶縁保護層25とバンプパッド234に保護膜27が形成される。
【００３１】
図2Bに示すように、上下一対のパッケージ基板2aの縁部に沿って第1回の切断を行い、切断端部28が前記剥離層211を通り、それによって接着層212を除去する。
図2Cに示すように、前記第1の搭載板20aと剥離層211を除去し、前記上下一対のパッケージ基板2aを独立した二つのパッケージ基板2a’に分離させる。
【００３２】
図2Dに示すように、前記各パッケージ基板2a’に第2回の切断を行い、（m × n）アレイに配列されたパッケージ基板ユニット2cを有する複数のパッケージ基板ブロック2bを形成する（m 、nは1以上の整数である）。
【００３３】
図2Eに示すように、前記保護膜27と金属層221を除去し、前記パッケージ基板ブロック2bを第2の搭載板20bに置く。前記各電気接触パッド222が前記第2の搭載板20bに結合され、また、前記絶縁保護層25は露出される。
【００３４】
図2Fに示すように、前記絶縁保護層25の各開孔250におけるバンプパッド234に半田バンプ31bが形成される。前記半田バンプ31bは、印刷または半田ボールのマウント、そして半田リフローによって形成される。
【００３５】
図2Gに示すように、前記パッケージ基板ユニット2cの前記各バンプパッド234に半導体チップ30が載置され、複数のパッケージ構造ユニット2c’を有するパッケージ構造ブロック2b’になる。前記半導体チップ30に複数の電極パッド301を備える作用面30aを有し、前記各電極パッド301が半田バンプ31bによって前記各バンプパッドに対応して電気的に接続される。次に、前記絶縁保護層25とそれらの半導体チップ30に、それらの半導体チップ30と該絶縁保護層25との間に充填され前記半田バンプ31bを覆うパッケージ材32が形成される。そして、第2の搭載板20bを除去して電気接触パッド222を露出させた後、前記電気接触パッド222に半田ボール33が形成され、または前記電気接触パッド222に半田ボール33を形成せずに、ランドグリッドアレイ（Land grid array、LGAと略称する）構造（図示せず）に直接電気的に接続される。
【００３６】
図2Hに示すように、第3回の切断を行い、それらの半導体チップ30と載置されたパッケージ構造ブロック2b’を複数のパッケージ構造ユニット2c’に分離させる。
注意すべきことは、本発明の製造方法において、上下一対のパッケージ基板を上下一対のパッケージ基板ブロックに切断した後、前記各上下一対のパッケージ基板ブロックを独立した二つのパッケージ基板ブロックに分離することができる。その他の工程は前述と同じなので、ここでは詳しい説明を省く。
【００３７】
前述のように、本発明のパッケージ構造の製造方法は、まず、パッケージ基板を複数のパッケージ基板ユニットを有する適宜の面積の複数のパッケージ基板ブロックに切断し、大型機械の使用を回避して製造工程の機具の購入コストを低減することができる。次に、前記各パッケージ基板ユニットに半導体チップが載置され、パッケージ材によって固定と保護を行う。最後に、複数のパッケージ構造ユニットに切断する。従来技術に比して、本発明のパッケージ構造の製造方法は、パッケージ基板の製造及び半導体チップのパッケージングを統合し、各パッケージ基板ブロックにおける全てのパッケージ基板ユニットに対して半導体チップのパッケージングを一度に行うことで、工程を簡約化させ、全体の製造能力を高めることができる。また、本発明のパッケージ基板ブロックの面積が適切であるため、各パッケージ基板ブロックにおける各パッケージ基板ユニットの工程においてのアラインメント誤差を低減して工程の精密度と歩留まりを向上させることができる。従って、本発明のパッケージ構造の製造方法は、製造能力と歩留まりが高いというメリットを有する。
【００３８】
なお、上記の実施例は、本発明の原理及びその効果を例示的に説明するものであり、本発明を限定するものではない。本発明の主旨に逸脱しない範囲において、当業者は前記実施例に対して修正を行うことができ、そうした修正も本発明の特許請求の範囲に含まれる。本発明の技術特徴は特許請求の範囲に記載される。
【符号の説明】
【００３９】
2a、2a’    パッケージ基板
2b        パッケージ基板ブロック
2b’     パッケージ構造ブロック
2c        パッケージ基板ユニット
2c’      パッケージ構造ユニット
20a       第1の搭載板
20b         第2の搭載板
23        ビルドアップ構造
24        金属バンプ
25        絶縁保護層
27        保護膜
28        切断端部
30        半導体チップ
30a       作用面
31a       半田材
31b       半田バンプ
32        パッケージ材
33        半田ボール
211       剥離層
212     接着層
221       金属層
222       電気接触パッド
231       誘電体層
232       導電ビア
233       回路層
234       バンプパッド
250       開孔
301       電極パッド
m、n      1以上の整数
【図１Ａ】
2011054921.tif 000003
【図１Ｂ】
2011054921.tif 000004
【図１Ｃ】
2011054921.tif 000005
【図１Ｄ】
2011054921.tif 000006
【図１Ｅ】
2011054921.tif 000007
【図１Ｆ】
2011054921.tif 000008
【図１Ｇ】
2011054921.tif 000009
【図１Ｈ】
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【図１Ｉ】
2011054921.tif 000011
【図２Ａ】
2011054921.tif 000012
【図２Ｂ】
2011054921.tif 000013
【図２Ｃ】
2011054921.tif 000014
【図２Ｄ】
2011054921.tif 000015
【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
2011054921.tif 000018
【図２Ｈ】
2011054921.tif 000019