(57)【要約】【課題】発生した電荷を効率よく電極へ移動させることが可能な光導電層を製造する。【解決手段】放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する無機半導体粒子からなる光導電層の製造方法であって、無機半導体粒子とバインダーとを分散した分散液１を仮支持体２上に塗布して塗布膜３を形成し、塗布膜３を真空乾燥した後、プレスする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する無機半導体粒子からなる光導電層の製造方法であって、前記無機半導体粒子とバインダーとを分散した分散液を仮支持体上に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜を真空乾燥した後、プレスすることを特徴とする光導電層の製造方法。
【請求項２】
前記無機半導体粒子がＢｉ12ＭＯ20（ただし、ＭはＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）粒子であることを特徴とする請求項１記載の光導電層の製造方法。
【請求項３】
前記プレスがホットプレスまたはカレンダーであることを特徴とする請求項１または２記載の光導電層の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線撮像パネルを構成する光導電層の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
今日、医療診断等を目的とするＸ線（放射線）撮影において、Ｘ線画像情報記録手段として放射線検出器（半導体を主要部とするもの）を用いて、この放射線検出器により被写体を透過したＸ線を検出して被写体に関するＸ線画像を表す画像信号を得るＸ線撮影装置が各種提案、実用化されている。
【０００３】
この装置に使用される放射線検出器としても、種々の方式が提案されている。例えば、Ｘ線を電荷に変換する電荷生成プロセスの面からは、Ｘ線が照射されることにより蛍光体から発せられた蛍光を光導電層で検出して得た信号電荷を蓄電部に一旦蓄積し、蓄積電荷を画像信号（電気信号）に変換して出力する光変換方式（間接変換方式）の放射線検出器、あるいは、Ｘ線が照射されることにより光導電層内で発生した信号電荷を電荷収集電極で集めて蓄電部に一旦蓄積し、蓄積電荷を電気信号に変換して出力する直接変換方式の放射線検出器等がある。この直接変換方式における放射線検出器は、放射線光導電層と電極を主要部とするものである。
【０００４】
一方、蓄積された電荷を外部に読み出す電荷読出プロセスの面からは、読取光（読取用の電磁波）を検出器に照射して読み出す光読出方式のものや、蓄電部と接続されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ：thin film transistor）を走査駆動して読み出すＴＦＴ読出方式のもの等がある。
【０００５】
上記種々の方式の放射線検出器に用いられる光導電層をより低コストで製造する方法として、放射線光伝導を起こす無機粒子をポリマーを結合材として有機溶媒とともに分散し、これを塗布、乾燥して製膜するという方法があり、例えば特許文献１には、ＴＦＴ付き基板上にＸ線光導電層を塗布する例が開示されている。また、特許文献２にはＨｇＩ2をポリマーで、特許文献３にはＰｂＯをポリイミドをバインダーに用いてＸ線光導電層を製造する方法がそれぞれ記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２１１８３２号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００５／０１１８５２７号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００７／０１２２５４３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、これらの塗布法による放射線光導電層は、バインダーが絶縁体として機能するために放射線光導電層で発生した電荷が電極まで到達しにくいという問題があった。また、一般に放射線光導電層中の無機半導体粒子の表面はポテンシャルが高く、粒子同士を物理的に接合しても、ポテンシャル障壁が存在する。この障壁がじゃまになって、電界を印加しても、無機半導体粒子で発生した電荷が電極まで到達する間に死滅したり、トラップに捉えられたりして、感度（発生電荷）が低くなる傾向があると考えられる。
【０００８】
本発明者が鋭意検討したところ、塗布法により光導電層を製造する工程を従来とは異なるものとすることにより、光導電層で発生した電荷を効率よく電極へ移動させることが可能な光導電層を製造できることがわかった。本発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、光導電層で発生した電荷を効率よく電極へ移動させることが可能な光導電層の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の光導電層の製造方法は、放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する無機半導体粒子からなる光導電層の製造方法であって、前記無機半導体粒子とバインダーとを分散した分散液を仮支持体上に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜を真空乾燥した後、プレスすることを特徴とするものである。  
前記無機半導体粒子はＢｉ12ＭＯ20（ただし、ＭはＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）粒子であることが好ましい。  
前記プレスはホットプレスまたはカレンダーであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の光導電層の製造方法は、無機半導体粒子とバインダーとを分散した分散液を仮支持体上に塗布して塗布膜を形成し、形成した塗布膜を真空乾燥した後、プレスするので、光導電層で発生した電荷を効率よく電極へ移動させることが可能なものとすることができる。詳細な作用機序は必ずしも明らかではないが、塗布膜を真空乾燥することによって、無機半導体微粒子に何らかの好影響を与え、真空乾燥後のプレスによって、放射線光導電層中の空隙が減少して、無機半導体粒子の粒子間の接触が良好になる結果、発生電荷量の向上に寄与するものであると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の光導電層の製造方法の工程を示す概略模式図である。
【図２】実施例で用いた剪断型攪拌機を備えた製造装置の概略断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の光導電層の製造方法を、図面を参照して説明する。図１は本発明の光導電層の製造方法の工程を示す概略模式図である。まず、無機半導体粒子とバインダーとを分散した分散液１を準備する（図１(a)）。無機半導体微粒子としては、元素の原子番号が小さく、かつ密度が高いものが好ましく、例えば、ＣｄＴｅ（密度５．９ｇ／ｃｍ3）、ＺｎがドープされたＣｄＴｅ（ＣｄＺｎＴｅ、以下、ＣＺＴともいう）、ＨｇＩ2（密度６．４ｇ／ｃｍ3），ＰｂＩ2（密度６．２ｇ／ｃｍ3），ＰｂＯ（密度９．８ｇ／ｃｍ3）、Ｂｉ12ＭＯ20（ＭはＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）、ＢｉＩ3などの主元素が高原子番号を有し、かつ密度の高い無機半導体微粒子を用いることができる。中でも、Ｂｉ12ＭＯ20は安定性が高く、放射線吸収が高いため好ましい。
【００１３】
バインダーとしては、アクリル系有機樹脂、ポリイミド、ＢＣＢ（ベンゾジクロブテン）、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミドが好ましく挙げられる。特に、アクリル系有機樹脂、ポリカーボネートが好ましく、中でもポリカーボネートが特に好ましい。バインダーに対する無機半導体粒子の体積比は、バインダーおよび無機半導体粒子の種類、後述する溶媒の種類、真空乾燥の温度や時間等にもよるが、８５％以下であることが好ましく、８０％以下であることがより好ましい。
【００１４】
分散液には分散液調製用に溶剤を用いることができ、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール、メチレンクロライド、エチレンクロライド、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの塩素含有炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル、トルエン等が好適に挙げられ、上記の溶剤は単独で、あるいは適宜混合して用いることができる。
【００１５】
次に、分散液１を仮支持体２上に流す（図１(b)）。仮支持体としては、例えばガラス、金属板、あるいは従来の放射線写真法における増感紙（または増感用スクリーン）の支持体として用いられている各種の材料、あるいは放射線像変換パネルの支持体として用いられている公知の材料から任意に選ぶことができる。具体的には、セルロースアセテート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリカーボネート等のプラスチック物質のフィルム、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔等の金属シート、通常の紙、バライタ紙、レジンコート紙、二酸化チタン等の顔料を含有するビグメント紙、ポリビニルアルコール等をサイジングした紙、アルミナ、ジルコニア、マグネシア、チタニア等のセラミックスの板あるいはシート等を挙げることができる。
【００１６】
なお、後述するように仮支持体上に分散液を塗布し、真空乾燥の後、仮支持体から剥がして塗布膜とするため、仮支持体の表面には予め離型剤を塗布しておき、形成された塗布膜が剥がしやすくなるようにしておくことが好ましい。この離型剤の塗布膜は、例えばジメチルシリコーンをトルエンに溶解した液を、仮支持体上にスピンコートやドクターブレードを用いて塗布し、乾燥することによって形成できる。  
続いて、図１(c)に示すように、仮支持体上の分散液を、公知のディップ法、スプレー塗布法、バーコーター塗布法、ギーサー塗布法等の塗布法により塗布膜３とする。
【００１７】
塗布膜３を形成した後、これを真空乾燥する（図１(d)）。真空乾燥の到達真空度は１５００Ｐａ以下であることが好ましく、１０００Ｐａ以下であることがより好ましい。１５００Ｐａよりも圧力が高いと、無機半導体微粒子に何らかの好影響を与えることができないため好ましくない。真空乾燥時間は溶媒が完全に蒸発する時間とすることが好ましく、真空乾燥の温度は室温から溶媒の沸点の温度の範囲内で任意に選ぶことができる。
【００１８】
次に、真空乾燥した塗布膜３´に対してプレスを行う。なお、このプレスは、上記真空乾燥を行った後、直ちにおこなってもよいし、数日間放置してから行ってもかまわない。プレスはホットプレス（図１(e)）あるいはカレンダー（図１(f)）により行うことができる。ホットプレスは相対する金属板４の間に塗布膜３´を挟んで、温度をかけてプレスする方法であり、プレス圧は２００〜２０００ｋｇ／ｃｍ2が好ましく、３００〜１５００ｋｇ／ｃｍ2がさらに好ましい。プレス温度は、プレス圧やプレス時間にもよるが、１０℃〜２００℃が好ましく、２０℃〜１８０℃がさらに好ましい。プレス時間は、プレス圧やプレス温度にもよるが、１０秒〜１時間が好ましく、３０秒〜３０分がさらに好ましい。
【００１９】
カレンダーは塗布膜３´をフイルム５（例えばＰＥＴ等）の間にはさみ、２本のロール６の間を通すことによって、塗布膜３´をプレスする方法であり、プレスする力は塗布膜３´をロール６間を通す速度にもよるが、５０〜５００ｋｇ／ｃｍが好ましく、７５〜３７５ｋｇ／ｃｍがさらに好ましい。プレス速度はプレスする力にもよるが、０．０１〜１０ｍ／分が好ましく、０．０２〜５ｍ／分がさらに好ましい。
【００２０】
上記プレス工程におけるプレス圧が小さすぎると、放射線光導電層中の空隙が減らず、無機半導体粒子の粒子間の接触が悪くなり好ましくない。一方、プレス圧が大きすぎると無機半導体粒子が壊れてしまい好ましくない。
【００２１】
本発明の製造方法によって製造される光導電層は、放射線を直接電荷に変換し電荷を蓄積する直接変換方式の放射線撮像パネルに適用することができ、放射線としてはＸ線の他、γ線、α線などについて使用することが可能である。また、本発明の製造方法によって製造される光導電層は、放射線の照射により発生した電荷を蓄積し、その蓄積した電荷を薄膜トランジスタ（thin film transistor：ＴＦＴ）などの電気的スイッチを１画素ずつＯＮ・ＯＦＦすることにより読み取る方式（以下、ＴＦＴ方式という）にも、光の照射により電荷を発生する半導体材料を利用した放射線画像検出器により読み取る、いわゆる光読取方式にも用いることができる。
【００２２】
前者のＴＦＴ方式の放射線撮像パネルとしては、例えば特開２００６−９６５５７号の［００６７］〜［００７３］に記載されているものが挙げられ、図６に示される放射線撮像パネルの放射線光導電層１０４に、本発明の製造方法によって製造される光導電層を使用することができる。また、後者の光読取方式に用いられる放射線撮像パネルとしては、例えば特開２００６−９６５５７号の［００５１］〜［００６６］に記載されているものが挙げられ、図１に示される放射線撮像パネルの記録用放射線導電層２に、本発明の製造方法によって製造される光導電層を使用することができる。  
以下に本発明の光導電層の製造方法の実施例を示す。
【実施例１】
【００２３】
（Ｂｉ12ＳｉＯ20粒子の作製）
硝酸ビスマス・五水塩（Ｂｉ（ＮＯ3）3・５Ｈ2Ｏ：純度９９．９％）４８２ｇを８００ｍｌ、１Ｎ硝酸水溶液に溶解し、これに水を加えて１０００ｍｌとして添加液ａを調整した。別に、メタケイ酸カリウム１２．９ｇと水酸化カリウム３２５ｇを水に溶解し１０００ｍｌとし添加液ｂを調整した。一方、メタケイ酸カリウム７．７ｇと水酸化カリウム２８１ｇを水に溶解して５０００ｍｌとし母液を調整した。
【００２４】
図２に示す剪断型攪拌機を備えた製造装置２１を用いてＢｉ12ＳｉＯ20粒子を作製した。図２に示す製造装置２１はアルカリ性溶液とビスマス化合物溶液とを攪拌混合して反応を行う反応漕２２、反応漕２２を加温および保温するジャケット２３、アルカリ性溶液が注入される溶液漕２４、ビスマス化合物溶液が注入される溶液漕２５、溶液漕４および５の各々から反応漕２２へアルカリ性溶液およびビスマス化合物溶液を送液する送液流路２６および２７、反応漕２２内の溶液を攪拌する剪断型攪拌機２８、この剪断型攪拌機２８を駆動するモーター２９からなる装置である。
【００２５】
製造装置２１の反応漕２２に上記で調整した母液を注入し、送液漕２４に添加液ａを送液漕２５に添加液ｂをそれぞれ注入した。ジャケット２３により母液を加熱して母液の温度を９０℃とした。モーター２９の回転速度を毎分４０００回転に設定して剪断型攪拌機２８により母液を攪拌した。このときの攪拌羽根の周速度は３．５ｍ／秒であった。この状態を維持して、送液漕２４から添加液ａを送液漕２５から添加液ｂをそれぞれ毎分２０ｍｌの速度で反応漕２２に添加した。添加終了後、更に３０分間攪拌を継続した後、常温まで冷却し生成した薄黄色の分散物を濾過した。濾過後、０．１Ｎの水酸化カリウム溶液で３回、さらに水で数回洗浄した後、エタノール洗浄してＢｉ12ＳｉＯ20の粒子を得た。
【００２６】
（実施例１）
上記で作製したＢｉ12ＳｉＯ20粉末と、ポリカーボネートを６．４％含有するポリカーボネートのクロロベンゼン溶液とを混合した。得られた混合物は均一であり、Ｂｉ12ＳｉＯ20粉末とポリカーボネートの混合物の中でＢｉ12ＳｉＯ20粉末が占める体積比は８０％であった。Ｂｉ12ＳｉＯ20粉末−ポリカーボネート−クロロベンゼン混合溶液をＰＥＴの離型ベースに塗布し、塗布膜を真空乾燥させた。到達真空度は１０００Ｐａであった。クロロベンゼンが蒸発し、乾燥しきる時間は２０分であった。乾燥後、Ｂｉ12ＳｉＯ20粉末−ポリカーボネート混合物を離型ベースから剥離した。Ｂｉ12ＳｉＯ20粉末−ポリカーボネート混合物の一部を切り出して、残留溶剤量を測定したところ０．４９７質量％であった（なお、残留溶剤量は、２００℃で１２時間乾燥させ、乾燥前後の重量減少を乾燥前の質量で割ることにより求めた）。
【００２７】
Ｂｉ12ＳｉＯ20粉末−ポリカーボネート混合物を６０℃、９００ｋｇ／ｃｍ2でホットプレスした。プレス後の混合物の両面に６μｍのＰＥＴフイルムをラミネートし、これをＸ線光導電層とした。石英ガラス基板上に蒸着により作製したＴｉ／Ａｕ電極２枚でＸ線光導電層をはさんで接合させてＸ線撮像パネルの検出部を完成させた。
【００２８】
（実施例２）
６０℃、３００ｋｇ／ｃｍ2でホットプレスする以外は実施例１と同様にしてＸ線撮像パネルの検出部を完成させた。
【００２９】
（実施例３）
６０℃、６００ｋｇ／ｃｍ2でホットプレスする以外は実施例１と同様にしてＸ線撮像パネルの検出部を完成させた。
【００３０】
（実施例４）
６０℃、１２００ｋｇ／ｃｍ2でホットプレスする以外は実施例１と同様にしてＸ線撮像パネルの検出部を完成させた。
【００３１】
（実施例５）
６０℃、１７００ｋｇ／ｃｍ2でホットプレスする以外は実施例１と同様にしてＸ線撮像パネルの検出部を完成させた。
【００３２】
（実施例６）
実施例１において、ホットプレスするかわりにカレンダー装置で６０℃、１００ｋｇ／ｃｍのプレスを行うこと以外は実施例１と同様にしてＸ線撮像パネルの検出部を完成させた。
【００３３】
（実施例７）
実施例１において、真空乾燥の到達真空度を１２００Ｐａにすること以外は実施例１と同様にしてＸ線撮像パネルの検出部を完成させた。
【００３４】
（実施例８）
実施例１において、真空乾燥の到達真空度を８００Ｐａにすること以外は実施例１と同様にしてＸ線撮像パネルの検出部を完成させた。
【００３５】
（比較例１）
実施例１において、Ｂｉ12ＳｉＯ20粉末−ポリカーボネート−クロロベンゼン混合溶液の塗布膜を真空乾燥するかわりに室温で大気圧乾燥した。クロロベンゼンが蒸発し、乾燥しきる時間は１時間で、残留溶剤量は０．５０２質量％であった。乾燥した塗布膜に対してホットプレスすることなく、実施例１と同様にしてＸ線撮像パネルの検出部を完成させた。
【００３６】
（比較例２）
実施例１において、Ｂｉ12ＳｉＯ20粉末−ポリカーボネート−クロロベンゼン混合溶液の塗布膜を真空乾燥するかわりに室温で大気圧乾燥したこと以外は実施例１と同様にしてＸ線撮像パネルの検出部を完成させた。
【００３７】
（比較例３）
実施例１において、乾燥した塗布膜に対してホットプレスを行わなかった以外は実施例１と同様にしてＸ線撮像パネルの検出部を完成させた。
【００３８】
（比較例４）
実施例１において、Ｂｉ12ＳｉＯ20粉末−ポリカーボネート−クロロベンゼン混合溶液の塗布膜を真空乾燥するかわりに６０℃で大気圧乾燥すること以外は実施例１と同様にしてＸ線撮像パネルの検出部を完成させた。なお、この乾燥によりクロロベンゼンが蒸発し、乾燥しきる時間は２０分で、残留溶剤量は０．４８３質量％であった。
【００３９】
（評価）
上記実施例および比較例で作製したＸ線撮像パネル検出部の両電極間に３０００Ｖの電圧を印加した後に１ｍＲ相当のＸ線（タングステン菅球、７０ｋＶ圧）を０．１秒間で露光した。この時に電極間にながれた光電流を電流増幅器で電圧に変換し、デジタルオシロスコープで測定した。得られた電流・時間カーブより、Ｘ線照射時間の範囲において積分し、Ｘ線光導電層の面積当たりの発生電荷量として換算した。評価結果を、粒子の体積比、乾燥条件、残存溶剤量、プレス条件とともに表１に示す。なお、発生電荷量は比較例１の発生電荷量を１００とした相対値で示した。
【００４０】
なお、実施例１〜６および比較例１〜４の電極をつけていない状態のシート（Ｘ線光導電層）について、その面積と膜厚から体積を算出するとともに、各シートの重量を測定し、仕込み比から算出したバインダー重量値を引き、得られた体積と重量から密度（ｇ／ｃｍ3）を算出した。Ｂｉ12ＳｉＯ20のバルク密度９．１４（ｇ／ｃｍ3）から、充填率（サンプルの密度／９．１４）を計算した。各サンプルの膜厚は２００〜６００μｍであった。
【００４１】
【表１】
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【００４２】
表１に示すように、残存溶剤量は真空乾燥した実施例１〜６で０．４９７質量％、大気中室温乾燥した比較例１および２で０．５０２質量％と殆ど同じ残存溶剤量であったが、発生電荷量においては大きな有意差となった。とりわけ、実施例１と比較例２はプレス条件が同じで、乾燥条件のみが異なるものであるが、実施例１の発生電荷量は比較例２の３倍以上も得られた。塗布による発生電荷量は無機半導体微粒子の充填率の差によって決まるものであると考えられるが、実施例１と比較例２は充填率に大差はない。また、実施例１、７、８を比較すると真空乾燥の到達真空度が低いほど感度が高い。このことから真空乾燥は残存溶剤量に影響するのではなく、無機半導体微粒子に何らかの好影響を与える結果、発生電荷量の向上に寄与するものであると考えられる。なお、実施例６はカレンダー処理によって圧力をかけたものであるが、カレンダー処理でも同様に発生電荷量の向上が認められた。
【００４３】
また、ホットプレス圧を高くしていくと発生電荷量も高くなるが、実施例１〜５では圧力が９００ｋｇ／ｃｍ2である実施例１で一番高い発生電荷量となっており、圧力が１２００ｋｇ／ｃｍ2である実施例４、圧力が１７００ｋｇ／ｃｍ2である実施例５では、実施例１よりも発生電荷量は低下した。これは、圧力が高くなりすぎると塗布膜中の無機半導体微粒子が破壊されることによるものであると考えられる。
【００４４】
（Ｂｉ12ＧｅＯ20粒子の作製）
酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）粉末と酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2）粉末をモル比６：１となるように配合し、酸化ジルコニウムボールを用いてエタノール中でボールミル混合を行った。これを回収して乾燥した後、８００℃で８時間の仮焼成を行って酸化ビスマスと酸化ゲルマニウムの固相反応によりＢｉ12ＧｅＯ20粉末を得た。このＢｉ12ＧｅＯ20粉末を乳鉢で粗く粉砕して粒径を１５０μｍ以下とした後、酸化ジルコニウムボールを用いてエタノール中、ボールミルで粉砕、分散を行った。これを乾燥させたものをＢｉ12ＧｅＯ20粉末として使用した。
【００４５】
（実施例１１）
実施例１において、Ｂｉ12ＳｉＯ20粒子の代わりに上記で作製したＢｉ12ＧｅＯ20粒子を使用した以外は実施例１と同様にして放射線検出器を完成させた。
【００４６】
（実施例１２）
実施例１１でホットプレスするかわりにカレンダー装置で６０℃１００ｋｇ／ｃｍのプレスを行った以外は実施例１１と同様にしてＸ線撮像パネルの検出部を完成させた。
【００４７】
（比較例１１）
比較例１において、Ｂｉ12ＳｉＯ20粒子の代わりに上記で作製したＢｉ12ＧｅＯ20粒子を使用した以外は比較例１と同様にして放射線検出器を完成させた。
【００４８】
（発生電荷量の測定）
実施例１１，１２および比較例１１で作製したＸ線撮像パネルの検出部について、上記と同様の方法で発生電荷量を求めた。結果を表２に示す。なお、発生電荷量は比較例１１の発生電荷量を１００とした相対値で示した。
【００４９】
【表２】
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【００５０】
表２に示すように、Ｂｉ12ＧｅＯ20粒子を用いて製造したＸ線撮像パネルにおいても、Ｂｉ12ＳｉＯ20粒子を用いて製造したＸ線撮像パネルと同様に、残存溶剤量は実施例１１で０．４９７質量％、大気中室温乾燥した比較例１１で０．５０２質量％と殆ど同じであったが、発生電荷量においては大きな有意差となった。
【００５１】
（実施例２１）
実施例１でＢｉ12ＳｉＯ20粉末と、ポリカーボネートを６．４％含有するポリカーボネートのクロロベンゼン溶液とを混合するときの混合比をかえて、Ｂｉ12ＳｉＯ20粉末とポリカーボネートの混合物の中でＢｉ12ＳｉＯ20粉末が占める体積比を８８％にしたこと以外は実施例１と同様にして放射線検出器を完成させた。
【００５２】
（実施例２２）
実施例２１と同様に混合比をかえて、Ｂｉ12ＳｉＯ20粉末とポリカーボネートの混合物の中でＢｉ12ＳｉＯ20が占める体積比を８５％にしたこと以外は実施例２１と同様にして放射線検出器を完成させた。
【００５３】
（実施例２３）
実施例２１と同様に混合比をかえて、Ｂｉ12ＳｉＯ20粉末とポリカーボネートの混合物の中でＢｉ12ＳｉＯ20が占める体積比を７９％にしたこと以外は実施例２１と同様にして放射線検出器を完成させた。
【００５４】
（実施例２４）
実施例２１と同様に混合比をかえて、Ｂｉ12ＳｉＯ20粉末とポリカーボネートの混合物の中でＢｉ12ＳｉＯ20が占める体積比を７２％にしたこと以外は実施例２１と同様にして放射線検出器を完成させた。
【００５５】
（実施例２５）
実施例２１と同様に混合比をかえて、Ｂｉ12ＳｉＯ20粉末とポリカーボネートの混合物の中でＢｉ12ＳｉＯ20が占める体積比を５６％にしたこと以外は実施例２１と同様にして放射線検出器を完成させた。
【００５６】
（発生電荷量の測定）
実施例２１〜２５で作製したＸ線撮像パネルの検出部について、上記と同様の方法で発生電荷量を求めた。結果を表３に示す。なお、発生電荷量は実施例２１の発生電荷量を１００とした相対値で示した。
【００５７】
【表３】
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【００５８】
従来、塗布による光導電層の発生電荷量は無機半導体微粒子の充填率を高めることにより向上できるものと考えられており、充填率を向上させるためには塗布液中の無機半導体微粒子の割合を増やせばよいと考えられたが、表３に示すように、無機半導体微粒子の割合が５６％の実施例２５と７９％の実施例２３では無機半導体微粒子が２０％以上も増えているにもかかわらず、発生電荷量は８％も増えておらず、無機半導体微粒子の割合が８８％の実施例２１では、逆に無機半導体微粒子の割合が５６％の実施例２５の発生電荷量の１／３にも満たなかった。このことから、発生電荷量を高めるためには無機半導体微粒子同士の間隔が重要であり、圧力をかけることが重要であることがわかる。
【００５９】
なお、本実施例では無機半導体微粒子としてＢＭＯを用いたものを例示したが、他のＣｄＴｅ、ＣＺＴ、ＨｇＩ2，ＰｂＩ2，ＰｂＯ、ＢｉＩ3などの主元素が高原子番号を有し、かつ密度の高い無機半導体微粒子を用いることができる。これらの無機半導体微粒子は元素の原子番号が小さく、かつ密度が高い点でもほぼ同等であり、同様の結果を得ることができると推測される。
【符号の説明】
【００６０】
１    分散液
２    仮支持体
３，３´    塗布膜
【図１】
2011054638.tif 000006
【図２】
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