(57)【要約】      （修正有）【課題】駆動電圧が低くとも、発光輝度が高く、しかも半減寿命が著しく長い有機電界発光素子を提供する。【解決手段】陽極層１０、有機発光層１２、および陰極層１６を含むとともに、有機発光層と、陰極層との間に無機化合物層１４が設けてある有機電界発光素子１００において、有機発光層が、式（１）および式（２）で表される芳香族アミン化合物、あるいはいずれか一方の芳香族アミン化合物を含有する。2011054981.tif 000023【選択図】図１
2011054981.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも陽極層、有機発光層、および陰極層を含むとともに、当該有機発光層と、陰極層との間に無機化合物層が設けてある有機電界発光素子において、
前記有機発光層が、下記一般式（１）で表される芳香族アミン化合物および下記一般式（２）で表される芳香族アミン化合物、あるいはいずれか一方の芳香族アミン化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【化１４】
2011054981.tif 000019
［一般式（１）中、記号Ａ、ならびに置換基Ａｒ1およびＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数が６〜６０の芳香族基であって、かつ、スチリル基およびアルケニル基を含まない芳香族基であり、また、記号Ａ、ならびに置換基Ａｒ１およびＡｒ２のうち少なくとも一つは、置換もしくは非置換の三環以上の縮合芳香環を含む基であり、縮合数ｐは、１〜６の整数である。］
【化１５】
2011054981.tif 000020
［一般式（２）中、記号Ｂ、ならびに置換基Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数が６〜６０の芳香族基であって、かつ、スチリル基およびアルケニル基を含まない芳香族基であり、また、記号Ｂ、ならびに置換基Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６のうち少なくとも一つは、置換もしくは非置換の三環以上の縮合芳香環を含む基であり、縮合数ｑおよびｒは、１〜６の整数である。］
【請求項２】
前記無機化合物層が、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物、または
Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物を含有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
少なくとも陽極層、有機発光層、および陰極層を含むとともに、当該有機発光層と、陰極層との間に還元性ドーパント含有層が設けてある有機電界発光素子において、
前記有機発光層が、下記一般式（１）で表される芳香族アミン化合物および下記一般式（２）で表される芳香族アミン化合物、あるいはいずれか一方の芳香族アミン化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【化１６】
2011054981.tif 000021
［一般式（１）中、記号Ａ、ならびに置換基Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数が６〜６０の芳香族基であって、かつ、スチリル基およびアルケニル基を含まない芳香族基であり、また、記号Ａ、ならびに置換基Ａｒ１およびＡｒ２のうち少なくとも一つは、置換もしくは非置換の三環以上の縮合芳香環を含む基であり、縮合数ｐは、１〜６の整数である。］
【化１７】
2011054981.tif 000022
［一般式（２）中、記号Ｂ、ならびに置換基Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数が６〜６０の芳香族基であって、かつ、スチリル基およびアルケニル基を含まない芳香族基であり、また、記号Ｂ、ならびに置換基Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６のうち少なくとも一つは、置換もしくは非置換の三環以上の縮合芳香環を含む基であり、縮合数ｑおよびｒは、１〜６の整数である。］
【請求項４】
前記還元性ドーパント層が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの物質を含有することを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記還元性ドーパント層が、一般式Ａ＋Ａｒ７−で表される金属錯体をを含有することを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
［一般式中、記号Ａは、アルカリ金属を表わし、置換基Ａｒ７は、炭素数１０〜４０の芳香族化合物である。］
【請求項６】
前記一般式（１），（２）で表される芳香族アミン化合物が、ピレン、ペリレン、アントラセン、フルオランテン、クリセン、ルビセン、テトラセン、ペンタセン、テトラベンゾフェナントレン、テトラベンゾアントラセン、テトラベンゾフルオレン、ベンゾペリレン、ジベンゾピレン、ジベンゾクリセン、ジベンゾペリレン、ベンゾテトラセン、デカシクレン、アセナフトフルオランテン、およびジベンゾフルオランテン骨格からなる縮合芳香環を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記一般式（１），（２）で表される芳香族アミン化合物において、Ａｒ１〜Ａｒ６の炭素数が６〜４０であり、Ａ及びＢが置換もしくは非置換の三環以上の縮合芳香環を含む基であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記一般式（１），（２）で表される芳香族アミン化合物において、Ａｒ１〜Ａｒ６が、シアノ基、ハロゲン基、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、置換または非置換のアリール基、置換または非置換のアリールオキシ基、ＣＯＯＲで表わされる基（Ｒは水素原子、アルキル基、アリール基、またはアラルキル基である。）、置換または非置換のアルールチオ基を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子と称する場合がある。）に関する。さらに詳しくは、民生用および工業用の表示機器（ディスプレイ）あるいはプリンターヘッドの光源等に好適に用いられる有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子等の注入を容易にするため、電極間に、有機発光層とともに、無機半導体薄膜層を備えた有機電界発光素子が、例えば、特開平２−１３９８９３号公報、特開平２−１９６４７５号公報、特開平２−１９６４７５号公報に開示されている。この公報に開示された有機電界発光素子は、具体的には、陽極上に、カーボン、ゲルマニウム、シリコン、スズ、シリコンカーバイド、チッ化硼素、リン化硼素、チッ化ガリウム等の無機半導体材料から構成された無機半導体薄膜層を備え、さらにその上に有機発光層および陰極を形成してある。
【０００３】
また、発光輝度を高めるために、特開平１０−８８１２０号公報や、特開２０００−１５０１６１号公報において、正孔注入層／発光層／電子注入層の構造を有する電界発光素子が開示されており、より具体的には、発光材料として正孔輸送性のアミン系材料を使用するとともに、電子注入層にトリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（Ａｌｑ）や、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（ｐ−シアノフェノラート）ガリウム等が用いられていた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特開平２−１３９８９３号公報や特開平２−１９６４７５号公報等に開示された有機電界発光素子においては、無機半導体薄膜層を設けたことにより、陰極から注入された電子の移動度が相対的に低下し、そのため発光効率が低下するという問題が見られた。すなわち、本来、有機発光層の中央付近で電子と正孔とが再結合することにより効率的に発光することが望まれるのに対して、無機半導体薄膜層を設けたことにより、無機半導体薄膜層付近で再結合して容易に消光したり、あるいは再結合性が低下したために、有機電界発光素子の有機発光層における発光輝度が低下するという問題が見られた。
【０００５】
また、特開平１０−８８１２０号公報や、特開２０００−１５０１６１号公報に開示された有機電界発光素子においては、電子注入層に使用したＡｌｑ等の電子注入性材料が容易に劣化して、半減寿命が短いという問題が見られた。
【０００６】
そこで、本発明の発明者らは上記問題を鋭意検討したところ、有機発光層と、陰極層との間に無機化合物層を設けるとともに、有機発光層に特定の芳香族アミン化合物を使用することにより（第１の発明）、また、有機発光層と、陰極層との間に還元性ドーパント含有層を設けるとともに、有機発光層に特定の芳香族アミン化合物を使用することにより（第２の発明）、さらにまた、有機発光層と、陰極層との間に特定の電子注入層を設けるとともに、有機発光層に特定の芳香族アミン化合物を使用することにより（第３の発明）、低電圧（例えば、直流１０Ｖ）の印加であっても高い発光輝度が得られ、しかも著しく半減寿命を長くできることを見出した。
【０００７】
すなわち、本発明は、駆動電圧が低くとも、発光輝度が高く、しかも半減寿命が著しく長い有機電界発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、
少なくとも陽極層、有機発光層、および陰極層を含むとともに、当該有機発光層と、陰極層との間に無機化合物層が設けてある有機電界発光素子（第１の発明の構成）、および、
少なくとも陽極層、有機発光層、および陰極層を含むとともに、当該有機発光層と、陰極層との間に還元性ドーパント含有層が設けてある有機電界発光素子（第２の発明の構成）において、
それぞれの有機発光層に、下記一般式（１）で表される芳香族アミン化合物および下記一般式（２）で表される芳香族アミン化合物、あるいはいずれか一方の芳香族アミン化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子が提供され、上述した課題を解決することができる。
【０００９】
また、本発明の別の態様によれば、少なくとも陽極層、有機発光層、および陰極層を含むとともに、当該有機発光層と、陰極層との間にエネルギーギャップが２．７ｅＶ以上の炭化水素化合物であって、アントラセン核またはフルオランテン核を有する炭化水素化合物を含有する電子注入層が設けてある有機電界発光素子（第３の発明の構成）において、有機発光層に下記一般式（３）で表される芳香族アミン化合物および下記一般式（４）で表される芳香族アミン化合物、あるいはいずれか一方の芳香族アミン化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子が提供され、上述した課題を解決することができる。
【００１０】
すなわち、第１〜第３の発明の構成において、発光材料として、三環以上の縮合芳香環を含む芳香族アミン化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子が提供される。
【化１】
2011054981.tif 000003
［一般式（１）中、記号Ａ、ならびに置換基Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数が６〜６０の芳香族基であって、かつ、スチリル基およびアルケニル基を含まない芳香族基であり、また、記号Ａ、ならびに置換基Ａｒ１およびＡｒ２のうち少なくとも一つは、置換もしくは非置換の三環以上の縮合芳香環を含む基であり、縮合数ｐは、１〜６の整数である。］
【化２】
2011054981.tif 000004
［一般式（２）中、記号Ｂ、ならびに置換基Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数が６〜６０の芳香族基であって、かつ、スチリル基およびアルケニル基を含まない芳香族基であり、また、記号Ｂ、ならびに置換基Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６のうち少なくとも一つは、置換もしくは非置換の三環以上の縮合芳香環を含む基であり、縮合数ｑおよびｒは、１〜６の整数である。］
【化３】
2011054981.tif 000005
［一般式（３）中、記号Ａ、ならびに置換基Ａｒ７およびＡｒ８は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数が６〜６０の芳香族基であり、また、記号Ａ、ならびに置換基Ａｒ７およびＡｒ８のうち少なくとも一つは、置換もしくは非置換の三環以上の縮合芳香環を含む基であり、縮合数ｐは、１〜６の整数である。］
【化４】
2011054981.tif 000006
［一般式（４）中、記号Ｂ、ならびに置換基Ａｒ９、Ａｒ１０、Ａｒ１１およびＡｒ１２は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数が６〜６０の芳香族基であり、また、記号Ｂ、ならびに置換基Ａｒ９、Ａｒ１０、Ａｒ１１およびＡｒ１２のうち少なくとも一つは、置換もしくは非置換の三環以上の縮合芳香環を含む基であり、縮合数ｑおよびｒは、１〜６の整数である。］
【００１１】
尚、前記一般式（１）〜（４）で表される芳香族アミン化合物において、Ａｒ１〜Ａｒ１２はそれぞれ同一でも異なっても良く、好ましくは、炭素数が６〜４０である。また、好ましくは、Ａ及びＢは、置換もしくは非置換の三環以上の縮合芳香環を含む。
【発明の効果】
【００１２】
第１の発明によれば、無機化合物から構成された電子注入層を備えた場合であっても、発光材料として、三環以上の縮合芳香環を含む芳香族アミン化合物を使用することにより、電子と正孔とが有機発光層において有効に再結合することができるようになり、駆動電圧が低くとも、高い発光輝度、例えば５００ｃｄ／ｍ２以上の値が得られるとともに、半減寿命が著しく長い、例えば２，０００時間を超える有機電界発光素子を提供することができるようになった。
また、第２の発明によれば、還元性ドーパント含有層を備えるとともに、有機発光層に三環以上の縮合芳香環を含む芳香族アミン化合物を使用することにより、同様に、駆動電圧が低くとも、高い発光輝度が得られるとともに、半減寿命が著しく長い有機電界発光素子を提供することができるようになった。
さらに、第３の発明によれば、電子注入層に特定の炭化水素化合物を使用するとともに、有機発光層に三環以上の縮合芳香環を含む芳香族アミン化合物を使用することにより、同様に、駆動電圧が低くとも、高い発光輝度が得られるとともに、半減寿命が著しく長い有機電界発光素子を提供することができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、第１の実施形態における有機電界発光素子の断面図である。
【図２】図２は、第２の実施形態における有機電界発光素子の断面図である。
【図３】図３は、第３の実施形態における有機電界発光素子の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について具体的に説明する。なお、参照する図面は、この発明が理解できる程度に各構成成分の大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあるに過ぎない。したがって、この発明は図示例にのみ限定されるものではない。また、図面では、断面を表すハッチングを省略する場合がある。
【００１５】
［第１の実施形態］
まず、図１を参照して、本発明の有機電界発光素子における第１の実施形態について説明する。図１は、有機電界発光素子１００の断面図であり、陽極層１０、有機発光層１２、無機化合物層１４および陰極層１６を、基板上（図示せず。）に順次に積層した構造を有していることを表している。
以下、第１の実施形態における特徴的な部分である有機発光層１２および無機化合物層１４について中心に説明する。したがって、その他の構成部分、例えば、陽極層１０や陰極層１６の構成や製法については簡単に説明するものとし、言及していない部分については、有機電界発光素子の分野において一般的に公知な構成や製法を採ることができる。
【００１６】
（１）有機発光層
(i)種類１
有機発光層に、上述した一般式（１）および一般式（２）で表される芳香族アミン化合物を使用する。この理由は、このように三環以上の縮合芳香環を含む芳香族アミン化合物を含有することにより、無機化合物層を設けた場合、１０Ｖ程度の低電圧において優れた発光輝度が得られるためである。
また、上記一般式（１）および一般式（２）で表される芳香族アミン化合物は、スチリル基およびアルケニル基を含む置換基を含まないことを特徴としている。
この理由は、このような置換基を含まないことにより、より有機電界発光素子の半減寿命を長くすることができるためである。
【００１７】
さらに一般式（１）においては、Ａｒ１とＡｒ２とを同一とし、また一般式（２）においては、Ａｒ３とＡｒ５とを同一かつＡｒ４とＡｒ６とを同一とすることで上記芳香族アミン化合物を対称構造とすることができる。
この結果として、対称構造のアリールアミノ基が置換された三環以上の縮合芳香環を含む芳香族アミン化合物を含有することにより、半減寿命を著しく長くすることができる。
【００１８】
また、上述した一般式（１）および一般式（２）で表される芳香族アミン化合物に含まれる縮合芳香環としては、ピレン、ペリレン、アントラセン、フルオランテン、クリセン、ルビセン、テトラセン、ペンタセン、テトラベンゾフェナントレン、テトラベンゾアントラセン、テトラベンゾフルオレン、ベンゾペリレン、ジベンゾピレン、ジベンゾクリセン、ジベンゾペリレン、ベンゾテトラセン、デカシクレン、アセナフトフルオランテン、およびジベンゾフルオランテン等の骨格部位を含む三環以上の縮合芳香環が挙げられる。
また、これらのうち、より好ましい縮合芳香環として、ピレン、ペリレン、アントラセン、フルオランテン、クリセン、ルビセン、テトラセン、ペンタセン、テトラベンゾフェナントレン、テトラベンゾアントラセン、テトラベンゾフルオレン、ベンゾペリレン、ジベンゾピレン、ジベンゾクリセン、ジベンゾペリレン、ベンゾテトラセン、デカシクレン、アセナフトフルオランテン、およびジベンゾフルオランテン骨格等が挙げられる。
【００１９】
(ii)種類2
また、上述した一般式（１）および一般式（２）で表される芳香族アミン化合物において、置換基を有することも好ましく、具体的に、シアノ基、ハロゲン基、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、置換または非置換のアリール基、置換または非置換のアリールオキシ基、ＣＯＯＲで表わされる基（Ｒは水素原子、アルキル基、アリール基、またはアラルキル基である。）、置換または非置換のアルールチオ基等が挙げられる。
【００２０】
これらのうち、好ましい置換基として、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン基；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルヘキシル基等の炭素数１〜８の直鎖、分岐または環状のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、シクロヘキシルメチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基等の炭素数１〜８の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基；フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等の炭素数６〜１０の置換または非置換のアリール基；ＣＯＯＲで表される基（Ｒは水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルヘキシル基等の炭素数１〜８の直鎖、分岐または環状のアルキル基；フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等の炭素数６〜１０の置換または非置換のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、２−メチルベンジル基、３−メチルベンジル基、４−メチルベンジル基、３−フルオロベンジル基、２−クロロベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メトキシベンジル基等の炭素数７〜１０の置換または非置換のアラルキル基である。）が挙げられる。
【００２１】
このような一般式（１）および一般式（２）で表される芳香族アミン化合物のうち、好ましい芳香族アミン化合物として、以下の具体例を挙げることができる。
なお、下記式（５）〜式（１４）で表される芳香族アミン化合物のそれぞれについては、実施例において化合物１〜１０と略記する。
【００２２】
【化５】
2011054981.tif 000007
【化６】
2011054981.tif 000008
【化７】
2011054981.tif 000009
【化８】
2011054981.tif 000010
【００２３】
(iii)電子移動度
有機発光層における有機発光材料の電子移動度を、１×１０−７ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上の値とすることが好ましい。この理由は、電子移動度が、１×１０−７ｃｍ２／Ｖ・ｓ未満の値となると、有機電界発光素子における高速応答が困難となったり、発光輝度が低下する場合があるためである。
したがって、有機発光材料の電子移動度を、１．１×１０−７〜２×１０−６ｃｍ２／Ｖ・ｓの範囲内の値とするのがより好ましく、１．２×１０−７〜１．０×１０−６ｃｍ２／Ｖ・ｓの範囲内の値とするのがさらに好ましい。
また、有機発光層における有機発光材料の正孔移動度よりも、電子移動度を小さくすることが好ましい。この理由は、この逆となると、有機発光層に使用可能な有機発光材料が過度に制限される場合があり、また、発光輝度が低下する場合があるためである。
さらに、有機発光材料の電子移動度を、正孔移動度の１／１，０００よりも大きくすることが好ましい。この理由は、電子移動度が過度に小さくなると、有機発光層の中央付近で正孔と再結合することが困難となり、やはり発光輝度が低下する場合があるためである。
したがって、有機発光層における有機発光材料の正孔移動度（μｈ）と電子移動度（μｅ）とが、μｈ／２＞μｅ＞μｈ／５００の関係を満足するのがより好ましく、μｈ／３＞μｅ＞μｈ／１００の関係を満足するのがさらに好ましい。
【００２４】
(iv)添加剤
また、有機発光層に、発光性ドーパントまたは蛍光性ドーパントを添加することも好ましい。
このような発光性ドーパントまたは蛍光性ドーパントとしては、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤や、スチリルベンゼン系化合物、８−キノリノール誘導体を配位子とする金属錯体等が挙げられる。
また、有機発光層に、一般式（１）および（２）で表わされる芳香族アミン化合物以外の化合物であって、発光性芳香族アミン化合物または蛍光性芳香族アミン化合物を添加することも好ましい。
このような発光性芳香族アミン化合物または蛍光性芳香族アミン化合物としては、例えば、２，７−ビス（ジフェニルアミノ）ナフタレン、２，７−ビス［４’−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル］ナフタレン等が挙げられる。
【００２５】
(v)形成方法
有機発光層を形成する方法は特に制限されるものではないが、例えば、蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。
また、樹脂等の結着剤と有機発光材料とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、有機発光層を形成することができる。
【００２６】
(vi)膜厚
このようにして形成された有機発光層の膜厚については特に制限はなく、状況に応じて適宜選択することができるが、例えば、５ｎｍ〜５μｍの範囲内の値であることが好ましい。この理由は、有機発光層の膜厚が５ｎｍ未満となると、発光輝度や耐久性が低下する場合があり、一方、有機発光層の膜厚が５μｍを超えると、印加電圧の値が高くなる場合があるためである。
したがって、有機発光層の膜厚を１０ｎｍ〜３μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００２７】
（２）無機化合物層
第１の実施形態において、無機化合物層を設けることにより、陰極からの電子の注入性や耐久性に優れた有機電界発光素子とすることができる。また、上述した特定の有機発光層と組み合わせることにより、著しく長寿命であり、しかも低電圧駆動であっても高い発光輝度を得ることができる有機電界発光素子を提供することができる。
【００２８】
(i)種類
無機化合物層を構成する無機化合物として、絶縁体材料または半導体材料を使用することが好ましい。
このような絶縁体材料としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。
より具体的に言えば、好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとして、例えば、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２ＳｅおよびＮａＯが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、およびＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌおよびＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２およびＢｅＦ２といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
また、無機化合物層を構成する半導体材料としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
【００２９】
また、無機化合物層を構成する無機化合物としては、微結晶または非晶質の絶縁性材料であることがより好ましい。この理由は、無機化合物層がこれらの絶縁性材料で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができるためである。
なお、このような微結晶または非晶質の絶縁性材料としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
さらに、無機化合物層に導電性を与え、有機電界発光素子を低電圧化するために導電性化合物を無機化合物層の全体量に対して１〜２０重量％添加することも好ましい。
【００３０】
(ii)電子親和力
また、第１実施形態における無機化合物層の電子親和力を１．８〜３．６ｅＶの範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、かかる電子親和力の値が１．８ｅＶ未満となると、電子注入性が低下し、駆動電圧の上昇や発光効率の低下をまねく場合があるためであり、一方で、かかる電子親和力の値が３．６ｅＶを超えると、発光効率の低い錯体が発生しやすくなる場合があるためである。
したがって、無機化合物層の電子親和力を、１．９〜３．０ｅＶの範囲内の値とすることがより好ましく、２．０〜２．５ｅＶの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
また、無機化合物層と有機発光層との電子親和力の差を１．２ｅＶ以下の値とすることが好ましく、０．５ｅＶ以下の値とすることがより好ましい。この理由は、かかる電子親和力の差が小さいほど、電子注入層から有機発光層への電子注入が容易となり、高速応答可能な有機電界発光素子とすることができるためである。
【００３１】
(iii)エネルギーギャップ
また、第１実施形態における無機化合物層のエネルギーギャップ（バンドギャップエネルギー）を２．７ｅＶ以上の値とすることが好ましく、３．０ｅＶ以上の値とすることがより好ましい。
この理由は、かかるエネルギーギャップの値を２．７ｅＶ以上とすることにより、正孔が有機発光層を超えて無機化合物層に移動することが少なくなるためである。したがって、正孔と電子との再結合の効率が向上し、有機電界発光素子の発光輝度が高まるとともに、電子注入層等が発光することを回避することができる。
【００３２】
(iv)構造
また、無機化合物層の構造についても特に制限されるものではなく、例えば、一層構造であっても良く、あるいは、二層構造または三層構造であっても良い。
また、無機化合物層の厚さについても特に制限されるものではないが、例えば０．１ｎｍ〜１，０００ｎｍの範囲内の値とするのが好ましい。この理由は、かかる無機化合物層の厚さが０．１ｎｍ未満となると、電子注入性が低下したり、あるいは機械的強度が低下する場合があるためであり、一方、無機化合物層の厚さが１，０００ｎｍを超えると高抵抗となり、有機電界発光素子の高速応答が困難となったり、あるいは製膜に長時間を要する場合があるためである。
したがって、無機化合物層の厚さを０．５〜１００ｎｍの範囲内の値とするのがより好ましく、１〜５０ｎｍの範囲内の値とするのがさらに好ましい。
【００３３】
(v)形成方法
無機化合物層の形成方法についても、均一な厚さを有する薄膜層として形成することができる方法であれば特に制限されるものではないが、例えば、蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。
【００３４】
（３）電極
(i)陽極層
陽極層としては、仕事関数の大きい（例えば、４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気電導性化合物またはこれらの混合物を使用することが好ましい。具体的には、インジウムチンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウム銅、スズ、酸化亜鉛、金、白金、パラジウム等の一種を単独で、または二種以上を組み合わせて使用することができる。
また、陽極層の厚さについても特に制限されるものではないが、１０〜１，０００ｎｍの範囲内の値とするのが好ましく、１０〜２００ｎｍの範囲内の値とするのがより好ましい。
さらに、陽極層に関しては、有機発光層から発射された光を外部に有効に取り出すことができるように、実質的に透明、より具体的には、光透過率が１０％以上の値であることが好ましい。
【００３５】
(ii)陰極層
一方、陰極層には、仕事関数の小さい（例えば、４．０ｅＶ未満）金属、合金、電気電導性化合物またはこれらの混合物を使用することが好ましい。具体的には、マグネシウム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、セシウム、銀等の一種を単独で、または二種以上を組み合わせて使用することができる。
また陰極層の厚さも特に制限されるものではないが、１０〜１，０００ｎｍの範囲内の値とするのが好ましく、１０〜２００ｎｍの範囲内の値とするのがより好ましい。
なお、陰極層に関しても、有機発光層から発射された光を外部に有効に取り出すことができるように、実質的に透明、より具体的には、光透過率が１０％以上の値であることが好ましい。
【００３６】
（４）正孔注入輸送層
第１の実施形態において、図示はしないが、陽極層と有機発光層との間に、正孔注入輸送層を設けることが好ましい。この理由は、かかる正孔注入輸送層を設けることにより、正孔をスムーズに注入する機能を発揮することができる一方、注入された正孔を効率的に輸送することができるためである。したがって、正孔注入輸送層を設けることにより、正孔の注入および有機発光層への移動が容易となり、有機電界発光素子の高速応答が可能となる。
また、正孔注入輸送層は、有機材料または無機材料で形成してあることが好ましい。好ましい有機材料としては、例えば、フタロシアニン化合物、ジアミン化合物、含ジアミンオリゴマーおよび含チオフェンオリゴマーをあげることができる。また、好ましい無機材料としては、例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、α−ＳｉＣ、マイクロクリスタルシリコン（μＣ−Ｓｉ）、μＣ−ＳｉＣ、II−VI族化合物、III−Ｖ族化合物、非晶質炭素、結晶質炭素およびダイヤモンドをあげることができる。
【００３７】
（５）封止層
また、図１には示さないが、有機電界発光素子への水分や酸素の侵入を防止するための封止層を、有機電界発光素子全体を覆うように設けることも好ましい。
好ましい封止層の材料としては、テトラフルオロエチレンと、少なくとも一種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体；共重合主鎖中に環状構造を有する合フッ素共重合体；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリユリア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレンまたはクロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体；吸収率１％以上の吸水性物質；吸水率０．１％以下の防湿性物質；Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属；ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物；ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物；パーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、パーフルオロポリエーテル等の液状フッ素化炭素；および当該液状フッ素化炭素に水分や酸素を吸着する吸着剤を分散させた組成物等が挙げられる。
【００３８】
［第２の実施形態］
次に、図２を参照して、この発明の第２の実施形態について説明する。図２は、第２の実施形態における有機電界発光素子１０２の断面図であり、陽極層１０、有機発光層１２、還元性ドーパント含有層２２、および陰極層１６を順次に積層した構造を有している。
このような還元性ドーパント含有層（界面層と称する場合もある。）は、電子注入性を高める機能を有している。したがって、還元性ドーパント含有層を設けることにより、電子の注入および有機発光層への移動が容易となり、有機電界発光素子の高速応答が可能となる。
以下、第２の実施形態における特徴的な部分である還元性ドーパント含有層について中心的に説明するものであり、有機発光層およびその他の構成部分については、第１の実施形態と同様の構成とすることができる。
【００３９】
（１）種類
還元性ドーパントは、芳香族環化合物に対し還元性を有するものであれば特に制限されるものではないが、具体的に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの物質であることが好ましい。
これらのうち、好ましいアルカリ金属としては、例えば、Ｌｉ（リチウム、仕事関数：２．９３ｅＶ）、Ｎａ（ナトリウム、仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（カリウム、仕事関数：２．３ｅＶ）、Ｒｂ（ルビジウム、仕事関数：２．１６ｅＶ）およびＣｓ（セシウム、仕事関数：１．９５ｅＶ）等が挙げられる。なお、括弧内の仕事関数の値は、化学便覧（基礎編ＩＩ、Ｐ４９３、日本化学会編）に記載されたものであり、以下同様である。
【００４０】
また、好ましいアルカリ土類金属としては、例えば、Ｃａ（カルシウム、仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｍｇ（マグネシウム、仕事関数：３．６６ｅＶ）、Ｂａ（バリウム、仕事関数：２．５２ｅＶ）、およびＳｒ（ストロンチウム、仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）が挙げられる。なお、ストロンチウムの仕事関数の値は、フィジィックス  オブ  セミコンダクターデバイス（Ｎ．Ｙ．ワイロー１９６９年、Ｐ３６６）に記載されたものである。
【００４１】
また、好ましい希土類金属としては、例えば、Ｙｂ（イッテルビウム、仕事関数：２．６ｅＶ）、Ｅｕ（ユーロビウム、仕事関数：２．５ｅＶ）、Ｇｄ（ガドニウム、仕事関数：３．１ｅＶ）およびＥｎ（エルビウム、仕事関数：２．５ｅＶ）が挙げられる。
また、好ましいアルカリ金属酸化物としては、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、ＮａＦ、およびＮａＯが挙げられる。
また、好ましいアルカリ土類金属酸化物としては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＭｇＯ、およびこれらを混合したＢａｘＳｒ１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）や、ＢａｘＣａ１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）が挙げられる。
また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦおよびＫＦといったフッ化物のほかに、ＬｉＣｌ、ＫＣｌおよびＮａＣｌが挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２およびＢｅＦ２といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
【００４２】
さらに、好ましい還元性ドーパントとして、芳香族化合物がアルカリ金属に配位した金属錯体も挙げられる。このような金属錯体として、例えば、下記一般式（１５）で表される化合物が挙げられる。
Ａ＋Ａｒ７−…（１５）
［一般式（１５）中、記号Ａは、アルカリ金属を表わし、置換基Ａｒ７は、炭素数１０〜４０の芳香族化合物である。］
ここで、一般式（１５）で表される金属錯体中に含まれる芳香族化合物としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、ジフェニルアントラセン、ターフェニル、クォーターフェニル、キンクフェニル、セクシフェニル、キノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリンおよびこれらの誘導体が挙げられる。
なお、これらの芳香族化合物がヒドロキシ体の場合には、前記一般式（１５）において、Ａ＋と水酸基のＨ（プロトン）が交換する形で配位する。
【００４３】
また、還元性ドーパントの添加量を、還元性ドーパント含有層を構成する材料全体を１００重量％としたときに、０．０１重量％以上の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる還元性ドーパントの添加量が、０．０１重量％未満となると、添加効果が発現せず、有機ＥＬ素子の発光輝度が低下したり、寿命が短くなる場合があるためである。
したがって、発光輝度や寿命のバランスがより良好となる観点から、還元性ドーパントの添加量を０．２重量％以上の値とすることがより好ましい。
なお、還元性ドーパントを単独で使用して陰極層と有機発光層との界面に配置してもよい。
また、還元性ドーパント含有層に、還元性ドーパントと、芳香族環化合物との混合物を使用する場合、かかる還元性ドーパントと芳香族環化合物との混合比率を１：２０〜２０：１（モル比）の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる混合比率がこれらの範囲外となると、有機ＥＬ素子の発光輝度が低下したり、寿命が短くなる場合があるためである。
したがって、芳香族環化合物と還元性ドーパントとの混合比率を１：１０〜１０：１（モル比）の範囲内の値とすることがより好ましく、１：５〜５：１の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００４４】
（２）構造
また、還元性ドーパント含有層は、一層構造に限らず、例えば、二層構造またはそれ以上の多層構造とすることも好ましい。
また、還元性ドーパント含有層の厚さについても特に制限されるものではないが、例えば還元性ドーパントと、芳香族環化合物との混合物を使用する場合、０．１〜１５ｎｍの範囲内の値とすることが好ましく、０．１〜８ｎｍの範囲内の値とすることがより好ましい。一方、還元性ドーパントを単独で使用する場合、還元性ドーパント含有層の厚さを０．０５〜３ｎｍの範囲内の値とすることが好ましく、０．１〜１ｎｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
さらに、還元性ドーパント含有層を、均一または不均一に分散させて、非連続の還元性ドーパント含有層として、島状に形成することも好ましいし、あるいは、均一または不均一な厚さを有する連続の還元性ドーパント含有層とすることも好ましい。
【００４５】
（３）形成方法
また、還元性ドーパント含有層の形成方法としては、例えば、抵抗加熱蒸着法により還元性ドーパントを蒸着しながら、界面領域を形成する芳香族環化合物、発光材料、電子注入材料を同時蒸着させて、これらの材料中に還元性ドーパントを分散させることが好ましい。
【００４６】
［第３の実施形態］
次に、図３を参照して、この発明の第３の実施形態について説明する。図３は、第３の実施形態における有機電界発光素子１０４の断面図であり、陽極層１０、有機発光層１２、電子注入層２４、および陰極層１６を順次に積層した構造を有している。
そして、電子注入層に、エネルギーギャップが２．７ｅＶ以上の炭化水素化合物であって、アントラセン核またはフルオランテン核を有する炭化水素化合物を含有し、かつ、有機発光層に、一般式（３）で表される芳香族アミン化合物および一般式（４）で表される芳香族アミン化合物、あるいはいずれか一方の芳香族アミン化合物を含有することを特徴としている。一般式（３）および一般式（４）で表される芳香族アミン化合物は、前述した一般式（１）および一般式（２）で表される芳香族アミン化合物において、スチリル基およびアルケニル基を含んでもよい化合物である。前述した一般式（１）および一般式（２）で表される芳香族アミン化合物の説明及び例示は、一般式（３）および一般式（４）で表される芳香族アミン化合物にも適用できる。
以下、第３の実施形態における特徴的な部分である電子注入層および有機発光層について中心的に説明するものであり、その他の構成部分については、第１の実施形態や第２の実施形態と同様の構成とすることができる。
【００４７】
（１）電子注入層
(i)種類
電子注入層に、エネルギーギャップが２．７ｅＶ以上の炭化水素化合物であって、アントラセン核またはフルオランテン核を有する炭化水素化合物を使用する。この理由は、炭化水素化合物のエネルギーギャップが２．７ｅＶ未満となると、炭化水素化合物自身が発光するため、有機電界発光素子の発光効率が低下する場合があるためである。
また、アントラセン核またはフルオランテン核を有する炭化水素化合物を使用するのは、これらの化合物が電子の移動性に優れており、有機電界発光素子の発光効率を高めるためである。
【００４８】
このようなアントラセン核を有する炭化水素化合物として、好適には、下記一般式（１６）で表わされる化合物を挙げることができる。
【化９】
2011054981.tif 000011
［一般式（１６）中、Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは非置換の炭素数７〜３０のアリールアルキル基、非置換の炭素数５〜３０の単環基、置換もしくは非置換の炭素数１０〜３０の縮合多環基、または置換もしくは非置換の炭素数５〜３０の複素環基であり、Ａｒ１３およびＡｒ１４は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基であり、その置換基としては、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは非置換の炭素数７〜３０のアリールアルキル基、非置換の炭素数５〜３０の単環基、置換もしくは非置換の炭素数１０〜３０の縮合多環基、置換もしくは非置換の炭素数５〜３０の複素環基、または置換もしくは非置換の炭素数４〜４０のアルケニル基であり、ｘおよびｚは０から３の整数であり、ｙは１〜２の整数である。］
【００４９】
また、フルオランテン核有する炭化水素化合物として、好適には、下記一般式（１７）で表わされる化合物を挙げることができる。
【化１０】
2011054981.tif 000012
［一般式（１７）中、Ｒ１１〜Ｒ２０ならびにＡｒ１５は、それぞれ一般式（１６）のＲ１〜Ｒ１０ならびにＡｒ１３およびＡｒ１４の内容と同様であり、ｖおよびｗは１〜３の整数である。］
【００５０】
(ii)厚さ
また、電子注入層の厚さについても特に制限されるものではないが、１〜５０ｎｍの範囲内の値とすることが好ましく、２〜３０ｎｍの範囲内の値とすることがより好ましく、３〜２５ｎｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、かかる電子注入層の厚さが、１ｎｍ未満となると、電子注入性の改良効果が発現しない場合があり、一方、かかる電子注入層の厚さが、５０ｎｍを超えると、有機ＥＬ素子の発光輝度が低下したり、半減寿命が短くなる場合があるためである。
【００５１】
（２）有機発光層
有機発光層に、上述した一般式（３）および一般式（４）で表される芳香族アミン化合物を使用する。この理由は、このように三環以上の縮合芳香環を含む芳香族アミン化合物を含有することにより、電子注入層を設けた場合、１０Ｖ程度の低電圧において優れた発光輝度が得られるためである。
また、上記芳香族アミン化合物が有する置換基にスチリル基およびアルケニル基を含む場合であっても、上述のように電子注入層に特定の構造を有する炭化水素化合物を使用することにより、半減寿命を著しく長くすることができるようになる。
なお、第３の実施形態における有機発光層の種類、電子移動度、添加剤、形成方法、および膜厚については、第１の実施形態と同様の構成とすることができる。
【実施例】
【００５２】
［実施例１］
（１）有機電界発光素子の作製
厚さ１．１ｍｍ、縦２５ｍｍ、横７５ｍｍの透明なガラス基板上に、陽極層として厚さ７５ｎｍのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）からなる透明電極を形成した後、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、さらに、Ｎ２（窒素ガス）雰囲気中で乾燥させた後、ＵＶ（紫外線）およびオゾンを用いて１０分間洗浄した。
次いで、透明電極付きガラス基板を、真空蒸着装置の蒸着槽内の基板ホルダーに装着するとともに、真空槽内の真空度を、１×１０−３Ｐａに減圧した後、以下の蒸着条件で、陽極層上に、正孔注入層、有機発光層、無機化合物層および陰極層を順次に積層して有機電界発光素子を作製した。
【００５３】
正孔注入層：  ４，４’−ビス−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）−４"−
フェニル−トリフェニルアミン（ＴＰＤ７４）
蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ．
厚さ８０ｎｍ
有機発光層：  ３，１１−ビス（ジフェニルアミノ）−７，１４−ジフェニル
−アセナフト（１，２−ｋ）フルオランテン（化合物８）
蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ．
厚さ５０ｎｍ
無機化合物層：ＬｉＦ
蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ．
厚さ１ｎｍ
陰極層：      Ａｌ
蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ．
厚さ２００ｎｍ
【００５４】
（２）有機電界発光素子の評価
得られた有機電界発光素子における陰極層と陽極層との間に、６Ｖの直流電圧を印加したところ、発光輝度が５４０ｃｄ／ｃｍ２であり、発光色は橙色であることを確認した。
また、初期発光輝度を５００ｃｄ／ｃｍ２として、定電流駆動させたところ、半減寿命は３，２００時間であった。得られた結果を表１に示す。
【００５５】
［実施例２〜６］
実施例２〜６においては、発光材料として、実施例１の化合物８の代わりに化合物５（実施例２）、化合物６（実施例３）、化合物９（実施例４）、化合物１０（実施例５）、および化合物１（実施例６）を用いたほかは、実施例１と同様に有機電界発光素子を作製した。そして、陰極層と陽極層との間に、５．５Ｖあるいは６Ｖの直流電圧を印加して評価した。
その結果、それぞれ表１に示す発光色が観察され、発光輝度は３１０〜７２０ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は２，１００〜３，７００時間であった。
得られた結果を表１に示す。
【００５６】
【表１】
2011054981.tif 000013
【００５７】
［比較例１〜３］
比較例１〜３においては、実施例１の無機化合物の代わりにトリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（Ａｌｑ）からなる厚さ２０ｎｍの電子輸送層を設けるとともに、発光材料として、比較例１では化合物１を用い、比較例２では化合物６を用い、比較例３では化合物４を用いたほかは、実施例１と同様に有機電界発光素子を作製した。そして、陰極層と陽極層との間に、５．５Ｖの直流電圧を印加して評価した。
その結果、それぞれ表２に示す発光色が観察され、発光輝度は２５０〜４７０ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は７００〜１，６００時間であった。得られた結果を表２に示す。
【００５８】
【表２】
2011054981.tif 000014
【００５９】
［実施例７］
実施例７においては、発光材料として、実施例１の化合物８の代わりに化合物１を用い、無機化合物層の代わりに、化合物１と、還元性ドーパントである金属リチウム（Ｌｉ）との混合物（混合モル比１：１）からなる厚さ２０ｎｍの界面層（還元性ドーパント含有層）を設けたほかは、実施例１と同様に有機電界発光素子を作製した。そして、陰極層と陽極層との間に、５．５Ｖの直流電圧を印加して評価した。
その結果、橙色の発光が観察され、発光輝度は６１０ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は２，８００時間であった。得られた結果を表３に示す。
【００６０】
［実施例８］
実施例８においては、発光材料として、実施例１の化合物８の代わりに化合物１を用い、無機化合物層の代わりに、界面領域に還元性ドーパントとして下記式（１８）で表わされるリチウム金属錯体（化合物１１と称する。）からなる厚さ１ｎｍの界面層（還元性ドーパント含有層）を設けたほかは、実施例１と同様に有機電界発光素子を作製した。そして、陰極層と陽極層との間に、６．５Ｖの直流電圧を印加して評価した。
その結果、青緑色の発光が観察され、発光輝度は５３０ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は３，３００時間であった。得られた結果を表３に示す。
【化１１】
2011054981.tif 000015
【００６１】
［実施例９］
実施例９においては、実施例８の還元性ドーパントのかわりに、モノ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）リチウム錯体（Ｌｉ（ｄｐｍ）と称する。）からなる厚さ１ｎｍの界面層（還元性ドーパント含有層）を設けたほかは、実施例８と同様に有機電界発光素子を作製した。そして、陰極層と陽極層との間に、６．５Ｖの直流電圧を印加して評価した。
その結果、橙色の発光が観察され、発光輝度は４７０ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は３，０００時間であった。得られた結果を表３に示す。
【００６２】
［実施例１０］
実施例１０においては、発光材料として、実施例８の還元性ドーパントのかわりに、化合物１と、還元性ドーパントであるＬｉ（ｄｐｍ）との混合物（混合モル比１：１）からなる厚さ５ｎｍの界面層（還元性ドーパント含有層）を設けたほかは、実施例８と同様に有機電界発光素子を作製した。そして、陰極層と陽極層との間に、６．５Ｖの直流電圧を印加して評価した。
その結果、橙色の発光が観察され、発光輝度は５８０ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は３，９００時間であった。得られた結果を表３に示す。
【００６３】
［参考例１］
参考例１においては、実施例１の無機化合物層の代わりに、下記式（１９）で表わされるフェニルアントラセン系化合物（化合物１２と称する、エネルギーギャップ３．０ｅＶ）と、還元性ドーパントである金属リチウム（Ｌｉ）との混合物（混合モル比１：１）からなる厚さ２０ｎｍの電子注入層を設けたほかは、実施例１と同様に有機電界発光素子を作製した。そして、陰極層と陽極層との間に、６．５Ｖの直流電圧を印加して評価した。
その結果、青緑色の発光が観察され、発光輝度は４３０ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は２，６００時間であった。得られた結果を表３に示す。
【化１２】
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【００６４】
［参考例２］
参考例２においては、発光材料として、実施例１の化合物８の代わりに化合物１を用い、無機化合物層の代わりに、下記式（２０）で表わされるフルオランテン系化合物（化合物１３と称する、エネルギーギャップ２．８ｅＶ）と、還元性ドーパントである金属リチウム（Ｌｉ）との混合物（混合モル比１：１）からなる厚さ２０ｎｍの電子注入層を設けたほかは、実施例１と同様に有機電界発光素子を作製した。そして、陰極層と陽極層との間に、６．５Ｖの直流電圧を印加して評価した。
その結果、青緑色の発光が観察され、発光輝度は５３０ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は３，８００時間であった。
【化１３】
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【００６５】
【表３】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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