(57)【要約】【課題】張り出し部のワイヤボンディング時のクラックや配線不良を抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】基板１０に一段目半導体チップ１１を搭載し、裏面に接着剤１６Ｂが塗布された第２の半導体チップ１２を、縁部が第１の半導体チップ１１の縁部から張り出すように第１の半導体チップ１１に搭載し、第２の半導体チップ１２の上面をコレット３０にて押圧して、第１の半導体チップ１１の上面と第２の半導体チップ１２の裏面とを固着するとともに、第２の半導体チップ１２の張り出し部１２ｂを基板１０側にしならせて、接着剤１６Ｂを基板１０に接触させて、接着剤１６Ｂを張り出し部と基板１０との間に延ばし硬化させる。その後、張り出し部１２ｂに設けられたボンディングパッドと基板１０に設けられたボンディングパッドとをワイヤボンディングする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に搭載された少なくとも１枚の第１の半導体チップと、
縁部を前記第１の半導体チップの縁部から張り出して前記第１の半導体チップ上に搭載された第２の半導体チップと、
前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップと間に挟まれて層を成すとともに、前記第２の半導体チップの張り出し部の先端部において前記第２の半導体チップと前記基板との間に延び、前記第１の半導体チップの上面と前記第２の半導体チップの裏面とを固着するとともに、前記張り出し部の先端部を前記基板から支持する接着剤と、
前記第２の半導体チップの前記張り出し部に設けられたボンディングパッドと前記基板に設けられたボンディングパッドとを電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記第１の半導体チップ、前記第２の半導体チップ、前記接着剤及び前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、を備えた
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に搭載された第３の半導体チップと、
縁部を前記第３の半導体チップの縁部から後退させて前記第３の半導体チップ上に搭載された第１の半導体チップと、
前記後退したのと同じ側で後退と反対に縁部を前記第１の半導体チップの縁部から張り出して前記第１の半導体チップ上に搭載された第２の半導体チップと、
前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップと間に挟まれて層を成すとともに、前記第２の半導体チップの張り出し部の先端部において前記第２の半導体チップと前記第３の半導体チップ基板との間に延び、前記第１の半導体チップの上面と前記第２の半導体チップの裏面とを固着するとともに、前記張り出し部の先端部を前記第３の半導体チップから支持する接着剤と、
前記第２の半導体チップの前記張り出し部に設けられたボンディングパッドと前記基板に設けられたボンディングパッドとを電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記第１の半導体チップ、前記第２の半導体チップ、前記第３の半導体チップ、前記接着剤及び前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、を備えた
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記接着剤は、前記第２の半導体チップ積層時の粘度が１００〜１００００Ｐａ・ｓの熱硬化樹脂である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の半導体チップの前記基板からの高さが１００μｍ以下であり、
前記第２の半導体チップの厚さが１００μｍ以下であり
前記張り出し部の突出量が１ｍｍ以上である
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
基板に少なくとも１枚の第１の半導体チップを搭載し、
裏面に接着剤が塗布された第２の半導体チップを、縁部が前記第１の半導体チップの縁部から張り出すように前記第１の半導体チップに搭載し、
前記第２の半導体チップの上面をコレットにて押圧して、前記第１の半導体チップの上面と前記第２の半導体チップの裏面とを固着するとともに、前記第２の半導体チップの張り出し部を前記基板側にしならせて、前記接着剤を前記基板に接触させて、前記接着剤を前記張り出し部と前記基板との間に延ばし、
前記接着剤の硬化後、前記第２の半導体チップの前記張り出し部に設けられたボンディングパッドと前記基板に設けられたボンディングパッドとをワイヤボンディングし、
前記第１の半導体チップ、前記第２の半導体チップ、前記接着剤及びボンディングワイヤを樹脂封止する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記コレットの押圧部を弾性部材で作製する
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の半導体チップの上面全体をコレットにて押圧して、前記第１の半導体チップの上面と前記第２の半導体チップの裏面とを固着した後、前記コレットを移動させて前記コレットの外周端部で張り出し部を押圧することで、前記第２の半導体チップの張り出し部を前記基板側にしならせて、前記接着剤を前記基板に接触させる
ことを特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体チップを基板上に積層する半導体装置に関し、特に張り出し部を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の半導体チップを基板上に積層する半導体装置においては、一段目半導体チップより二段目半導体チップが大きい場合など、二段目半導体チップの縁部が一段目半導体チップから張り出す場合がある。そして、このような張り出し部にボンディングパッドが設けられているとき、ワイヤボンディングするためのキャピラリーチューブがボンディングパッドに接触すると、その押圧力により張り出し部が撓み、張り出し部が折れてしまったり（クラックの発生）、折れないながらも張り出し部が不安定となることで配線不良を引き起こすことがあった。
【０００３】
これに対して、従来、基板と半導体チップの張り出し部との間に樹脂をポッティングして、この樹脂にて張り出し部を支持するという提案がされている。この提案によれば、張り出し部に設けられたボンディングパッドに結線しようとするとき、キャピラリーチューブがボンディングパッドに接触しても張り出し部が撓まないので、良好にワイヤボンディンングすることができる（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、上記従来の、基板と張り出し部との間に樹脂をポッティングする方法においては、非常に狭い隙間の中に樹脂を吐出しなければならず技術的に難しいことに加えて、それを実現する機能部を付加的に装備しなければならないため、装置が高価になりコストが向上するので改善が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３４０４１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、特に特別な機能部を装備することなく、張り出し部のワイヤボンディング時のクラックや配線不良を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、基板と、前記基板上に搭載された少なくとも１枚の第１の半導体チップと、縁部を前記第１の半導体チップの縁部から張り出して前記第１の半導体チップ上に搭載された第２の半導体チップと、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップと間に挟まれて層を成すとともに、前記第２の半導体チップの張り出し部の先端部において前記第２の半導体チップと前記基板との間に延び、前記第１の半導体チップの上面と前記第２の半導体チップの裏面とを固着するとともに、前記張り出し部の先端部を前記基板から支持する接着剤と、前記第２の半導体チップの前記張り出し部に設けられたボンディングパッドと前記基板に設けられたボンディングパッドとを電気的に接続するボンディングワイヤと、前記第１の半導体チップ、前記第２の半導体チップ、前記接着剤及び前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【０００８】
また、本発明の一態様によれば、基板と、前記基板上に搭載された第３の半導体チップと、縁部を前記第３の半導体チップの縁部から後退させて前記第３の半導体チップ上に搭載された第１の半導体チップと、前記後退したのと同じ側で後退と反対に縁部を前記第１の半導体チップの縁部から張り出して前記第１の半導体チップ上に搭載された第２の半導体チップと、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップと間に挟まれて層を成すとともに、前記第２の半導体チップの張り出し部の先端部において前記第２の半導体チップと前記第３の半導体チップ基板との間に延び、前記第１の半導体チップの上面と前記第２の半導体チップの裏面とを固着するとともに、前記張り出し部の先端部を前記第３の半導体チップから支持する接着剤と、前記第２の半導体チップの前記張り出し部に設けられたボンディングパッドと前記基板に設けられたボンディングパッドとを電気的に接続するボンディングワイヤと、前記第１の半導体チップ、前記第２の半導体チップ、前記第３の半導体チップ、前記接着剤及び前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【０００９】
また、本発明の一態様によれば、基板に少なくとも１枚の第１の半導体チップを搭載し、裏面に接着剤が塗布された第２の半導体チップを、縁部が前記第１の半導体チップの縁部から張り出すように前記第１の半導体チップに搭載し、前記第２の半導体チップの上面をコレットにて押圧して、前記第１の半導体チップの上面と前記第２の半導体チップの裏面とを固着するとともに、前記第２の半導体チップの張り出し部を前記基板側にしならせて、前記接着剤を前記基板に接触させて、前記接着剤を前記張り出し部と前記基板との間に延ばし、前記接着剤の硬化後、前記第２の半導体チップの前記張り出し部に設けられたボンディングパッドと前記基板に設けられたボンディングパッドとをワイヤボンディングし、前記第１の半導体チップ、前記第２の半導体チップ、前記接着剤及びボンディングワイヤを樹脂封止することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、張り出し部のワイヤボンディング時のクラックや配線不良が抑制された信頼性の高い半導体装置を提供することができるという効果を奏する。
【００１１】
また、本発明によれば、特に特別な機能部を装備することなく、張り出し部のワイヤボンディング時のクラックや配線不良を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、実施の形態１の半導体装置の構造を示す横断面図。
【図２】図２は、図１の半導体装置の製造工程のうち一段目半導体チップの上に二段目半導体チップ１２をダイボンディングする様子を示す横断面図。
【図３】図３は、二段目半導体チップを一段目半導体チップに押圧する際、二段目半導体チップの張り出し部がしなる様子を示す横断面図。
【図４】図４は、接着剤が硬化するとともに、一段目半導体チップを張り出し部と反対側でワイヤボンディングを行う様子を示す横断面図。
【図５】図５は、図４の張り出し部を図４の矢印Ｂの方向から見た側面図。
【図６】図６は、二段目半導体チップを張り出し部側でワイヤボンディングを行う様子を示す横断面図。
【図７】図７は、実施の形態１の他の例を示す図４の矢印Ｂの方向から見た側面図。
【図８】図８は、実施の形態２の半導体装置を示す二段目半導体チップをダイボンディングした状態の横断面図。
【図９】図９は、実施の形態２の張り出し部のしならせ方を示す横断面図。
【図１０】図１０は、実施の形態３の半導体装置の半導体チップが積層された状態を示す横断面図。
【図１１】図１１は、実施の形態４の半導体装置の半導体チップが積層された状態を示す横断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１の半導体装置の構造を示す横断面図である。半導体装置５０は、配線基板或いはリードフレームである基板１０と、基板１０上に搭載された一段目半導体チップ（第１の半導体チップ）１１と、縁部を一段目半導体チップ１１の一方の縁部から張り出す（オーバーハングする）ようにして一段目半導体チップ１１上に搭載された二段目半導体チップ（第２の半導体チップ）１２とを有している。一段目半導体チップ１１及び二段目半導体チップ１２は、ともに１辺が約８ｍｍの正方形で厚さが約６０μｍである。二段目半導体チップ１２の張り出し部（オーバーハング部）１２ｂの突出量Ｗが１ｍｍ程度である。
【００１４】
基板１０と一段目半導体チップ１１、及び一段目半導体チップ１１と二段目半導体チップ１２は、それぞれ両者間に挟まれた接着剤１６Ａ，１６Ｂにより接着されている。そして、特に一段目半導体チップ１１と二段目半導体チップ１２の間に挟まれた接着剤１６Ｂは、両半導体チップ１１，１２間に全体にわたって広がり層を形成するとともに、二段目半導体チップ１２の張り出し部１２ｂの先端近傍において、その一部が二段目半導体チップ１２と基板１０との間に架け渡されるように延びている。すなわち、一段目半導体チップ１１と二段目半導体チップ１２の間に挟まれた接着剤１６Ｂは、両半導体チップ１１,１２の主面間に層を成して広がる接着層形成部１６ａと、二段目半導体チップ１２の張り出し部１２ｂ先端と基板１０との間に壁状に立設する支持部１６ｂとからなる。そして、この接着剤１６Ｂは、接着層形成部１６ａにて、一段目半導体チップ１１の上面と二段目半導体チップ１２の裏面とを固着するとともに、支持部１６ｂにて、張り出し部１２ｂを基板１０から支持する。
【００１５】
各半導体チップ１１，１２の端部には、それぞれ、ボンディングパッド１１ａ，１２ａが設けられており、これらボンディングパッド１１ａ，１２ａは、基板１０に設けられたボンディングパッド１０ａと、ボンディングワイヤ１５にて電気的に接続されている。そして、各半導体チップ１１，１２とボンディングワイヤ１５とが、基板１０上で封止樹脂１７により樹脂封止されている。
【００１６】
次に、本実施の形態の半導体装置５０の製造工程を説明する。図２は、図１の半導体装置の製造工程のうち一段目半導体チップ１１の上に二段目半導体チップ１２のダイボンディングを行う様子を示す横断面図である。図３は、二段目半導体チップ１２を一段目半導体チップ１１に押圧する際、二段目半導体チップ１２の張り出し部１２ｂがしなる様子を示す横断面図である。図４は、接着剤１６Ｂが硬化するとともに、一段目半導体チップ１１を張り出し部１２ｂと反対側でワイヤボンディングを行う様子を示す横断面図である。図５は、図４の張り出し部１２ｂを図４の矢印Ｂの方向から見た側面図である。図６は、二段目半導体チップ１２を張り出し部１２ｂ側でワイヤボンディングを行う様子を示す横断面図である。
【００１７】
図２において、基板１０上には、コレット３０により先に移送された一段目半導体チップ１１がダイボンディングされている。この一段目半導体チップ１１上面に、次に移送された二段目半導体チップ１２がダイボンディングされる。
【００１８】
移送に用いられるコレット３０は、ゴムなどの弾性部材で作製された押圧部３２と、外殻を構成するとともに下面に押圧部３２を固定する外枠３１とを有している。そして、押圧部３２の下面は、半導体チップを吸着把持する吸着面を構成している。この吸着面には複数の吸引口が穿孔されており、押圧部３２には、この吸着面に穿孔された複数の吸引口と、この吸引口から空気を吸い込む吸入通路とからなる吸着構造３３が設けられている。コレット３０は、この吸着構造３３により空気を吸引し、その負圧によって吸着面に半導体チップを吸着把持する。そして、コレット３０は、図示しない駆動手段により、基板１０に対してＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に移動する。
【００１９】
図３において、コレット３０は、二段目半導体チップ１２を一段目半導体チップ１１上に移送し、その後、二段目半導体チップ１２を一段目半導体チップ１１に押し付けて、二段目半導体チップ１２を一段目半導体チップ１１にダイボンディングする。二段目半導体チップ１２の下面には、通常より多い量の接着剤１６Ｂが全面にわたって塗布されている。コレット３０が、二段目半導体チップ１２を一段目半導体チップ１１に押圧すると、押圧部３２の弾性により、二段目半導体チップ１２の張り出し部１２ｂは、図３中矢印Ａに示すようにしなる。そして、張り出し部１２ｂの先端下部の接着剤１６Ｂが基板１０の表面に接触すると、接着剤１６Ｂが基板１０に粘り付く。その後、コレット３０が押圧を止めて上方に退避すると、基板１０側にしなっていた張り出し部１２ｂは解放されて水平に戻る。このとき、接着剤層１６Ｂは、自らの粘着性により張り出し部１２ｂと基板１０とから離れない。そして、接着剤１６Ｂは、張り出し部１２ｂと基板１０との間に架け渡されるようにして延び、支持部１６ｂを形成する。ここで、接着剤１６Ｂとして用いる材料は、加熱すると重合を起こして高分子の網目構造を形成し、硬化して元に戻らなくなる性質を持つ熱硬化樹脂 (Thermosetting resin) で、チップ接続時の粘度が１００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲のものを用いる。コレット３０にて移送する時点では半導体チップ１２の裏面に十分に柔らかい状態で塗布しておき、チップを積層し加圧した後、加熱して硬化させる。
【００２０】
図４において、二段目半導体チップ１２を一段目半導体チップ１１にダイボンディングして、支持部１６ｂを形成した後、支持部１６ｂと反対側にて、一段目半導体チップ１１と基板１０とのワイヤボンディングを行う。このワイヤボンディングが行われている間に接着剤１６Ｂの硬化が進み十分硬くなる。この状態においては、図４及び図５に示すように、張り出し部１２ｂの先端と基板１０との間に硬化した支持部１６ｂが辺に沿って断続的に壁状に立設している状態である。なお、接着剤１６Ｂの硬化に関しては、ダイボンディング後にオーブン等で加熱することにより熱硬化を進めてもよい。
【００２１】
次いで、図６に示すように、張り出し部１２ｂ側において、張り出し部１２ｂの先端部上面に設けられたボンディングパッド１２ａと基板１０に設けられたボンディングパッド１０ａとをワイヤボンディングする。本実施の形態においては、張り出し部１２ｂの先端部が支持部１６ｂによって基板１０から支持されているので、ワイヤボンディング時にキャピラリーチューブ４０がボンディングパッド１２ａに接触しても張り出し部１２ｂが撓んでしまうことがなく、張り出し部１２ｂのクラックや配線不良を抑制することができる。加えて、張り出し部１２ｂの基板１０に対する傾きの均一性が期待できる。
【００２２】
その後、半導体チップ１１，１２とボンディングワイヤ１５とが、基板１０上で封止樹脂１７により樹脂封止されて、図示しない電極などが設けられて図１の半導体装置５０が完成する。なお、封止樹脂１７は、支持部１６ｂの内側にも回り込んで隙間無く充填される。
【００２３】
このようにして半導体装置５０が作製されるが、どのような場合でも上記手法が適応できるものではない。つまり、二段目半導体チップ１２が所定以上に厚いと良好にしならせることができず、また、二段目半導体チップ１２の基板１０からの高さＨ（図１）が大きかったり、二段目半導体チップ１２の張り出し部１２ｂの突出量Ｗ（図１）が小さかったりすると、二段目半導体チップ１２をしならせても張り出し部１２ｂの先端を基板１０に接触させることができない。すなわち、この製造方法を適用するには、ある程度の二段目半導体チップ１２の薄さと、二段目半導体チップ１２の基板１０に対する低さと、張り出し部１２ｂの突出量とが必要となる。発明者等の実験によると、二段目半導体チップ１２の厚さが１００μｍ程度で、基板１０からの高さＨが１００μｍ程度の場合には、二段目半導体チップ１２の張り出し部１２ｂの突出量Ｗが１ｍｍ以上のときに、上記手法が実現可能であり、同じチップ厚さと高さで、二段目半導体チップ１２の張り出し部１２ｂの突出量Ｗが０．５ｍｍ以下では、上記手法が実現不可能であることが確認されている。
【００２４】
図７は、本実施の形態の他の例を示す図４の矢印Ｂの方向から見た側面図である。接着剤１６Ｂの量を更に多くすると、支持部１６ｂは、張り出し部１２ｂの先端と基板１０との間に連続的に形成される。このように支持部１６ｂが形成されることで、より確実に支持されるので、より良好にワイヤボンディングを行うことができる。
【００２５】
実施の形態２．
図８は、実施の形態２の半導体装置を示す二段目半導体チップをダイボンディングした状態の横断面図である。図９は、実施の形態２の張り出し部のしならせ方を示す横断面図である。図８において、基板１０上には、コレット３０により先に移送された一段目半導体チップ１１がダイボンディングされている。そして、図２に示すように、次に移送した二段目半導体チップ１２をダイボンディングするが、その際に、本実施の形態においては、張り出し部１２ｂがしなって基板１０に接触するまで二段目半導体チップ１２を押圧することをしない。
【００２６】
図９に示すように、本実施の形態においては、コレット３０は、二段目半導体チップ１２が一段目半導体チップ１１に固着する程度に押圧した後、一旦後退（上昇）し、張り出し部１２ｂ上に外周部が来る位置まで水平に移動して、再び下降して外周部で張り出し部１２ｂを押圧してしならせる。張り出し部１２ｂをしならせた後、支持部１６ｂが形成される動作は実施の形態１と同様である。
【００２７】
このような方法によれば、張り出し部１２ｂを確実にしならせることができ、支持部１６ｂを確実に形成することができる。
【００２８】
実施の形態３．
図１０は、実施の形態３の半導体装置の半導体チップが積層された状態を示す横断面図である。図１０において、本実施の形態の半導体装置は、３層に積層された半導体チップ１１，１２，１３を有している。すなわち、二段目半導体チップ（第１の半導体チップ）１２の上に三段目半導体チップ（第２の半導体チップ）１３が積層されている。二段目半導体チップ１２と三段目半導体チップ１３との間には、接着剤１６Ｃが挟まれている。そして、支持部１６ｂは、三段目半導体チップ１３の張り出し部１３ｂと基板１０との間の接着剤１６Ｃの一部が延びて形成されている。本実施の形態においては、一段目半導体チップ１１と二段目半導体チップ１２が第１の半導体チップに相当し、三段目半導体チップ１３が第２の半導体チップに相当する。
【００２９】
このように、上記半導体チップの基板１０からの高さＨ、及び張り出し部１２ｂの突出量Ｗの条件が満たされれば、二段目半導体チップ１２に限らず、三段目や四段目の半導体チップの張り出し部に支持部１６ｂを形成することができる。
【００３０】
実施の形態４．
図１１において、本実施の形態の半導体装置は、３層に積層された半導体チップ１１，１２，１３を有している。基板１０上に一段目半導体チップ（第３の半導体チップ）１１が搭載されている。一段目半導体チップ１１上に、縁部を一段目半導体チップ１１の縁部から後退させて（引き込ませて）二段目半導体チップ（第１の半導体チップ）１２が搭載されている。そして、二段目半導体チップ１２上に三段目半導体チップ（第２の半導体チップ）１３が搭載されている。三段目半導体チップ１３は、二段目半導体チップ１２が後退したのと同じ側で、後退と反対に、縁部を二段目半導体チップ１２の縁部から張り出す（オーバーハングする）ようにして二段目半導体チップ１２上に搭載されている。
【００３１】
基板１０と一段目半導体チップ１１、一段目半導体チップ１１と二段目半導体チップ１２、及び二段目半導体チップ１２と三段目半導体チップ１３は、それぞれ両者間に挟まれた接着剤１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃにより接着されている。そして、特に二段目半導体チップ１２と三段目半導体チップ１３の間に挟まれた接着剤１６Ｃは、両半導体チップ１２，１３間に全体にわたって広がり層を形成するとともに、三段目半導体チップ１３の張り出し部１３ｂの先端近傍において、その一部が三段目半導体チップ１３と一段目半導体チップ１１との間に架け渡されるように延びている。すなわち、二段目半導体チップ１２と三段目半導体チップ１３の間に挟まれた接着剤１６Ｃは、両半導体チップ１２，１３の主面間に層を成して広がる接着層形成部１６ａと、三段目半導体チップ１３の張り出し部１３ｂ先端と一段目半導体チップ１１との間に壁状に立設する支持部１６ｂとからなる。接着剤１６Ｃは、接着層形成部１６ａにて、二段目半導体チップ１２の上面と三段目半導体チップ１３の裏面とを固着するとともに、支持部１６ｂにて、張り出し部１３ｂを一段目半導体チップ１１から支持する。
【００３２】
このように、支持する半導体チップから支持される半導体チップまでの高さＨ、及び張り出し部の突出量Ｗの条件が満たされれば、基板１０と半導体チップ１２の間に限らず、積層された任意の２枚の半導体チップ間に支持部１６ｂを形成することができる。すなわち、本実施の形態においては、三段目半導体チップ１３の張り出し部１３ｂ先端と一段目半導体チップ１１との間に支持部１６ｂが形成されているが、例えば、四段目と二段目、四段目と一段目の半導体チップ間に支持部１６ｂが形成されてもよい。
【符号の説明】
【００３３】
１０  基板
１０ａ，１１ａ，１２ａ  ボンディングパッド
１１  一段目半導体チップ
１２  二段目半導体チップ
１２ｂ，１３ｂ  張り出し部
１３  三段目半導体チップ
１５  ボンディングワイヤ
１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ  接着剤
１６ａ  接着層形成部
１６ｂ  支持部
１７  封止樹脂
３０  コレット
３１  外枠
３２  押圧部
３３  吸着構造
４０  キャピラリーチューブ
４９，５０  半導体装置
【図１】
2011054725.tif 000003
【図２】
2011054725.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2011054725.tif 000008
【図７】
2011054725.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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