(57)【要約】【課題】  本発明は、フリットガラスとベース基板との密着度を向上できる発光装置を提供する。【解決手段】  ディスプレイ装置１０は、ベース基板２０と、ＯＬＥＤ３０と、キャップ基板４０と、ベース基板２０において少なくともＯＬＥＤ３０を囲む部位に設けられ、低反応性と低透水性とを有する密着層６０と、６０密着層とキャップ基板４０との間に設けられてＯＬＥＤ３０を囲み、密着層６０とキャップ基板４０とに密着してＯＬＥＤ３０を封止するフリットガラス５０とを備える。【選択図】図２
2011070796.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方の主面に設けられる発光素子と、
前記基板の前記主面に対向して配置されるキャップ基板と、
前記基板の前記主面において少なくとも前記発光素子を囲む部分に設けられ、低反応性と低透水性とを有する密着層と、
前記密着層と前記キャップ基板側との間に設けられて前記発光素子を囲み、前記密着層と前記キャップ基板側とに密着して前記発光素子を封止するフリットガラスと
を具備することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記密着層は、金属酸化膜である
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記金属酸化膜は、酸化アルミニウム膜である
ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記密着層は、前記発光素子を覆う
ことを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
基板の一方の主面に発光素子を設ける工程と、
キャップ基板側に枠状にフリットガラスを供給する工程と、
前記フリットガラスを前記キャップ基板に密着させる工程と、
前記基板の前記主面において前記発光素子を囲む部分に、低反応性と低透水性とを有する密着層を設ける工程と、
焼成処理後の前記キャップ基板を、前記フリットガラスによって形成される枠内に前記発光素子が収容されるとともに前記フリットガラスが前記密着層と接触するように前記基板に重ねる工程と、
前記フリットガラスと前記密着層とを密着させる工程と
を具備することを特徴とする発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機エレクトロルミネッセンスを発光素子として備える発光装置の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）を発光素子として備えるディスプレイなどの発光装置は、当該発光素子が設けられるベース基板と、発光素子の水分劣化を防止するための防止構造とを備えている。防止構造として、ベース基板に対向して配置されるキャップ基板と、これらベース基板とキャップ基板とを張り合わせるフリットガラスとを備える。フリットガラスによって、ベース基板とキャップ基板との間に発光素子を収容する空間が規定される（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
フリットガラスは、ベース基板およびキャップ基板上に、ＯＬＥＤを囲むように枠状に形成されている。
【０００４】
この種の発光装置の製造手順としては、まず、キャップ基板にフリットガラスがバインダに分散されたペーストをディスペンサなどで塗布する。フリットガラスが塗布されたキャップ基板を、約４００度で焼成する。このことによって、フリットガラス内のバインダなどが燃焼（酸化）・除去されるとともに、フリットガラスが溶融・一体化され、ガラスの枠が残る。
【０００５】
ついで、ＯＬＥＤが設けられたベース基板に、溶融して一体化したフリットガラスが設けられたキャップ基板を重ね、キャップ基板越しにレーザ光をフリットガラスに照射し、フリットガラスを溶融させてフリットガラスとベース基板とを接着する。これは、ＯＬＥＤが熱に弱く、それゆえ、フリットガラス部のみを局所的に加熱する必要があるためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２００６−５２４４１９号公報
【特許文献２】特開２００３−１２３９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＯＬＥＤなどの有機材料は、水分に弱い。このため、上記のようなフリットガラスによる封止が不十分であると、具体的にはキャップ基板とフリットガラスとの密着が不十分である場合や、ベース基板とフリットガラスとの密着が不十分である場合、水分が浸入する。この結果、ＯＬＥＤが水分によって劣化し、それゆえ、ＯＬＥＤの発光輝度が低下してしまう。
【０００８】
一方、上記構造の発光装置をディスプレイとして用いる場合では、ＯＬＥＤには、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）、陽極、陰極が設けられている。このため、ベース基板の表面には、ＴＦＴの保護膜として窒化珪素の膜が形成されている。このように、ベース基板には当該ベース基板に設けられる素子の保護膜が設けられることがある。
【０００９】
上記の保護膜が形成されたベース基板とフリットガラスとをレーザによって溶着する場合、ベース基板上に形成される窒化珪素膜とフリットガラスとが接触し、フリットガラスにレーザが照射される。
【００１０】
しかしながら、レーザ照射により加熱され溶融したフリットガラスが窒化珪素と溶着する際、窒化珪素とフリットガラスとが反応し、窒化珪素中の窒素が抜けてしまい、界面がもろくなる傾向にある。この結果、ベース基板とフリットガラスとの密着が不十分となりフリットガラスがはがれることがある。
【００１１】
上記はベース基板の保護膜の一例として窒化珪素を用いたが、これに限定されない。窒化珪素のように安定でない物質を保護膜として用いた構造では、保護膜とフリットガラスとが反応し、それゆえ、上記のようにフリットガラスとベース基板との密着が不十分になりフリットガラスがはがれる傾向にある。
【００１２】
ベース基板においてフリットガラスと接触する部分の保護膜を取り除いた後に、フリットガラスをベース基板に溶着する場合であっても、保護膜の取り除きが不十分である場合があり、この結果、フリットガラスとベース基板との密着が不十分になることがある。
【００１３】
本発明は、ベース基板とフリットガラスとの密着度を向上できる発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願の請求項１に係る発光装置は、基板と、前記基板の一方の主面に設けられる発光素子と、前記基板の前記主面に対向して配置されるキャップ基板と、前記基板の前記主面において少なくとも前記発光素子を囲む部位に設けられ、低反応性と低透水性とを有する密着層と、前記密着層と前記キャップ基板側との間に設けられて前記発光素子を囲み、前記密着層と前記キャップ基板側とに密着して前記発光素子を封止するフリットガラスとを備える。
【００１５】
本願の請求項２に係る発光装置は、請求項１に記載の発光装置において、前記密着層は、金属酸化膜である。
【００１６】
本願の請求項３に係る発光装置は、請求項２に記載の発光装置において、前記金属酸化膜は、酸化アルミニウム膜である。
【００１７】
本願の請求項４に係る発光装置は、請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の発光装置において、前記密着層は、前記発光素子を覆う。
【００１８】
本願の請求項５に記載の発光装置の製造方法は、基板の一方の主面に発光素子を設ける工程と、キャップ基板側に枠状にフリットガラスを供給する工程と、前記フリットガラスを前記キャップ基板に密着させる工程と、前記基板の前記主面において前記発光素子を囲む部分に、低反応性と低透水性とを有する密着層を設ける工程と、焼成処理後の前記キャップ基板を、前記枠内に前記発光素子が収容されるとともに前記フリットガラスが前記密着層と接触するように前記基板に重ねる工程と、前記フリットガラスと前記密着層とを密着させる工程とを備える。
【発明の効果】
【００１９】
本発明では、フリットガラスと基板との密着度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るディスプレイ装置を概略的に示す斜視図。
【図２】図１中に示すＦ２−Ｆ２線に沿って示すディスプレイ装置の断面図。
【図３】図１に示されたディスプレイ装置の製造工程において、キャップ基板にフリットガラスを設けられた状態を概略的に説明する斜視図。
【図４】ベース基板に絶縁層が設けられた状態を概略的に示す斜視図。
【図５】図４中に示すＦ５−Ｆ５線に沿って示すベース基板の断面図。
【図６】密着層が形成されたベース基板に、焼成処理後のキャップ基板を重ね合わせる工程を示す概略図。
【図７】フリットガラスにレーザを照射する工程を示す概略図。
【図８】図１に２点鎖線で示されるＦ８の範囲を拡大して示す平面図。
【図９】本発明の第２の実施形態に係るディスプレイ装置を、各構成要素が積層される方向に断面した状態を示す断面図。
【図１０】図９に示されたキャップ基板に密着層が形成された状態を示す概略図。
【図１１】本発明の第３の実施形態に係るディスプレイ装置を、各構成要素が積層される方向に断面した状態を示す断面図。
【図１２】本発明の第４の実施形態に係るディスプレイ装置を、各構成要素が積層される方向に断面した状態を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の第１の実施形態に係る発光装置を、図１〜８を用いて説明する。図１は、本実施形態のディスプレイ装置１０を概略的に示す斜視図ある。ディスプレイ装置１０は、本発明の発光装置の一例である。
【００２２】
図２は、図１中に示すＦ２−Ｆ２線に沿って示すディスプレイ装置１０の断面図である。図１，２に示すように、ディスプレイ装置１０は、ベース基板２０と、発光素子と、キャップ基板４０と、フリットガラス５０と、密着層６０となどを備えている。図２は、これら構成要素が積層される方向にディスプレイ装置１０を断面している。
【００２３】
ベース基板２０は、一例として無アルカリガラスから形成されており、平面形状が四角の平板状である。ベース基板２０は、第１の主面２１と、これと対向する第２の主面２２とを有している。ベース基板２０は、本発明で言う基板の一例である。
【００２４】
発光素子は、一例としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）３０が用いられる。ＯＬＥＤ３０は、ベース基板２０の第１の主面２１上に配置されて固定されている。図２に一部を示すように、ＯＬＥＤ３０は、第１の主面２１の周縁２３から内側に配置されており、ＯＬＥＤ３０との周縁２３との間に隙間が規定されている。
【００２５】
ＯＬＥＤ３０には、図示しないが、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）、陰極、陽極などが設けられており、ベース基板２０の端部２４には複数の端子２５が設けられている。このため、ＯＬＥＤ３０のＴＦＴの保護のために、ベース基板２０の表面にはこれらＯＬＥＤ３０とＴＦＴと端子２５との全域（ベース基板２０の第１の主面２１の全域）を覆う保護膜２６が形成されている。保護膜２６の材料としては、一例として窒化珪素が用いられている。
【００２６】
キャップ基板４０とフリットガラス５０とは、発光素子としてのＯＬＥＤ３０を封止するために用いられる。キャップ基板４０は、一例としてアルカリガラスから構成される。キャップ基板４０は、平面形状が四角である平板形状である。キャップ基板４０は、ベース基板２０と対向するように配置される。キャップ基板４０は、ベース基板２０において端子２５が設けられる端部２４を除いた部分と重なるとともに、当該除いた部分と略同じ大きさであって略同じ形状である。
【００２７】
フリットガラス５０は、ベース基板２０とキャップ基板４０との間を封止する。フリットガラス５０については、後で詳細に説明する。
【００２８】
密着層６０は、ベース基板２０上に設けられている。具体的には、ベース基板２０において保護膜２６上に設けられて保護膜２６（ベース基板２０）に固定されており、ＯＬＥＤ３０を囲む部分全域に連続した環状に形成されている。
【００２９】
密着層６０は、低反応性（化学的に安定している性質）と低透水性（水が通らないこと、または、水が通りにくい性質）とを有する材料で形成されている。低反応性と低透水性とを有する材料として、金属の酸化膜が用いられる。金属の酸化膜の一例として、酸化アルミニウムの膜が用いられている。
【００３０】
図２に示すように、キャップ基板４０は、密着層６０の全域と対向するように配置されている。キャップ基板４０と密着層６０との間には、フリットガラス５０が設けられている。密着層６０は、ベース基板２０においてフリットガラス５０と対向する範囲全域に形成されている。
【００３１】
フリットガラス５０は、低温で相手部材に溶着可能な材料から構成されており、酸化バナジウムや酸化ビスマスなどを主成分とした低融点ガラスが用いられている。フリットガラス５０は、密着層６０とキャップ基板４０とに密着しており、これらに固定されている。フリットガラス５０は、環状の密着層６０の全域に設けられており、それゆえ、ＯＬＥＤ３０を囲む環状である。
【００３２】
なお、本実施形態では、フリットガラス５０はキャップ基板４０に直接密着し固定されている。本実施形態では、キャップ基板４０は、本発明で言うキャップ基板側の一例である。
【００３３】
ディスプレイ装置１０では、上記のようにＯＬＥＤ３０が密着層６０とキャップ基板４０とフリットガラス５０とによって封止されることによって、フリットガラス５０とキャップ基板４０とによって規定されるＯＬＥＤ３０の収容空間７０内に外部から水が浸入することが防止される。
【００３４】
本実施形態では、密着層６０と端子２５とは重なっているが、密着層６０と端子２５との間に設けられる保護膜２６が絶縁性を有している。このため、密着層６０が絶縁性を有していなくてもよい。保護膜２６が絶縁性を有していない場合では、密着層６０は低反応性と低透水性とに加えて、さらに絶縁性を有していることが好ましい。または、保護膜２６が絶縁性を有していない場合においては、保護膜とは別途に端子と密着層との間に絶縁層を設けることによって、密着層６０として絶縁性を有していない材料を用いることができる。
【００３５】
つぎに、ディスプレイ装置１０の製造方法を説明する。まず、キャップ基板４０に係る工程を説明する。図３は、キャップ基板４０にフリットガラス５０を設ける工程を示している。まず、図３に示すように、キャップ基板４０においてベース基板２０と対向する第１の主面４１にフリットガラス５０を枠状に供給する。一例として、図示しないディスペンサなどで枠状にフリットガラス５０が供給される。
【００３６】
ついで、キャップ基板４０とフリットガラス５０とを焼成し、フリットガラス５０を一体化するとともにキャップ基板４０に密着させる。焼成温度は、フリットガラス５０がキャップ基板４０に溶着する４００度である。焼成されることによって、フリットガラス５０内のバインダが焼失し、ガラス粉が溶けてキャップ基板４０に溶着されて密着する。
【００３７】
ついで、ベース基板２０に係る工程を説明する。まず、ベース基板２０にＯＬＥＤ３０を設ける。ついで、ベース基板２０に、ＯＬＥＤ３０を覆うように第１の主面２１の全域に保護膜２６を設ける。
【００３８】
ついで、ＯＬＥＤ３０と保護膜２６とが形成されたベース基板２９に密着層６０を設ける。図４は、ベース基板２０に密着層６０が設けられた状態を概略的に示す斜視図である。密着層６０の作成方法の一例として、本実施形態では、スパッタリングが用いられる。以下、スパッタリングの条件を説明する。使用ターゲットは、酸化アルミニウムである。到達真空度は、１．０×１０−４Ｐａ
である。イオン化させた希ガス元素としてアルゴンガスを用いる。さらに、アルゴンガスを供給すると同時に酸素も供給する。このとき、アルゴンガスの流量と酸素の流量との関係は、アルゴンガス流量が３０ｓｃｃｍのとき酸素の流量は０ｓｃｃｍである。または、アルゴンガス流量が２０ｓｃｃｍのとき酸素の流量は、１０ｓｃｃｍである。ｓｃｃｍは、Standard  cc/minで1気圧（1013hPa）、0℃でのcc/minのことである。アルゴンガスのスパッタ圧力は、０．６０Ｐａである。酸素のスパッタ圧力は、０．５７Ｐａである。スパッタパワーは、ＲＦ４００Ｗである。ベース基板２０の温度は、室温である。室温は、一例として２４℃である。密着層６０の厚みは、５０ｎｍである。
【００３９】
なお、上記スパッタリングは、密着層６０の形成方法の一例である。他の形成方法として、化学気相成長法（ＣＶＤ法）やアトミックレイヤーデポジション法（ＡＬＤ法）を用いてもよい。また、スパッタリング法を用いる場合であっても、上記スパッタリングの条件は一例である。他の条件であってもよい。
【００４０】
スパッタリング法にて密着層６０を形成する場合は、ベース基板２０上において（詳細には保護膜２６上において）ＯＬＥＤ３０を囲む環状の部分２７にのみ密着層６０を設けるために、当該部分２７以外の部分（ＯＬＥＤ３０を含む範囲）を覆うマスク（図示せず）が用いられる
図５は、図４中に示すＦ５−Ｆ５線に沿って示すベース基板２０の断面図である。図５に示すように、スパッタリングによってベース基板２０（詳細には保護膜２６上）に密着層６０が設けられる。
【００４１】
アルゴンガスに加えて酸素も供給されることによって、酸化アルミニウムとアルゴンガスとの衝突の際に酸化アルミニウムから酸素が抜けることがあっても、酸素が再び供給されるようになる。なお、上述のキャップ基板４０に係る工程と、ベース基板２０に係る工程との順番は、どちらが先であってもよい。本実施形態では、一例として、キャップ基板４０に係る工程を先に説明している。
【００４２】
ついで、図６に示すように、密着層６０が形成されたベース基板２０に、焼成処理後のキャップ基板４０を重ね合わせる。このとき、溶融されて一体化したフリットガラス５０が密着層６０と接触するように、かつ、フリットガラス５０によって形成される枠の内側にＯＬＥＤ３０が収容されるように、キャップ基板４０とベース基板２０とが重ね合わされる。フリットガラス５０においてベース基板２０側と対向する面５１の全域は、密着層６０に面接触する。
【００４３】
ついで、図７に示すように、フリットガラス５０を密着層６０に密着するために、フリットガラス５０にレーザＬが照射される。図１は、ディスプレイ装置１０を示すとともに、フリットガラス５０にレーザＬを照射する際の製造工程も示す。図１に示すように、レーザ照射装置９０からレーザＬがキャップ基板４０側から照射される。レーザＬは、図中１点鎖線で示すように、フリットガラス５０と密着層６０とに沿って、環状に照射される。
【００４４】
図８は、図１に２点鎖線で示されるＦ８の範囲を拡大して示している。図８は、キャップ基板４０の角部４２でのレーザＬの移動を示している。図８に示すように、角部４２では、レーザＬの進行方向が略９０度変化する。このため、角部４２へのレーザ照射時間は、他の直線部分４３よりも長くなる傾向にある。フリットガラス５０に対するレーザＬの照射時間が均等になるように、角部４２では、レーザＬの移動速度が他の直線部分４３に比べて早くなっている。図８では、１つの角部４２について説明しているが、ほかの角部においても同様である。
【００４５】
レーザＬによってフリットガラス５０が溶け、この結果、フリットガラス５０が密着層６０に密着する。保護膜２６にフリットガラス５０が直接溶着する場合では、保護膜２６を構成する窒化珪素がフリットガラス５０と反応し、それゆえ、フリットガラス５０と密着層６０との界面８０がもろくなる。この結果、ベース基板２０とフリットガラス５０との密着が不十分になる傾向にある。保護膜として、窒化珪素のように安定していない材料が用いられると、保護膜２６とフリットガラス５０とが反応し、それゆえ、界面８０がもろくなる傾向にある。
【００４６】
しかしながら、密着層６０は、化学的に安定な（低反応性を有する）酸化アルミニウムである。このため、フリットガラス５０が密着層６０に溶着する際に、密着層６０がフリットガラス５０と反応し、それゆえ、界面８０がもろくなることがない。また、密着層６０として酸化物が用いられるので、密着層６０とフリットガラス５０との結合構造として、酸素を介した結合も生じるので、高い密着性が得られる。
【００４７】
さらに、スパッタリングの際に、酸素を供給して形成した密着層６０を構成する酸化アルミニウムでは、スパッタリング時に生じる酸素空孔が添加された酸素で補填されるため化学量論組成であるＡｌ２Ｏ３に近づき、化学的安定度が増すとともに酸素の抜けが抑制されているので、酸素を介した結合も充分に生じる。
【００４８】
このように構成されるディスプレイ装置１０では、ベース基板２０においてフリットガラス５０と対向する部位に密着層６０が形成されており、フリットガラス５０とベース基板２０とは密着層６０を介して互いに密着される。密着層６０が、低反応性（化学的に安定であること）と低透水性（水を通さないこと、または、水を通しにくいこと）を有する物質から構成されているので、当該密着層６０とフリットガラス５０との密着度を向上することができる。この結果、収容空間７０内への水分の浸入を防止できるので、ＯＬＥＤ３０の劣化を防ぎ、それゆえ、ディスプレイ装置１０の寿命を長くすることができる。
【００４９】
つぎに、本発明の第２の実施形態に係るディスプレイ装置１０を、図９を用いて説明する。なお、第１の実施形態と同様の機能を有する構成は同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態では、キャップ基板４０においてフリットガラス５０と対向する部位に密着層１００が形成される。他の構造は、第１の実施形態と同様であってよい。上記異なる構造を説明する。
【００５０】
図９は、本実施形態のディスプレイ装置１０を、各構成要素が積層される方向に断面した状態を示す断面図である。図９に示すように、キャップ基板４０においてフリットガラス５０と対向する部位には、密着層１００が形成されている。密着層１００は、第１の実施形態で説明された、ベース基板２０に設けられる密着層６０と同じであってよい。具体的には、密着層１００を構成する材料や形成方法が、密着層６０と同じであってよい。つまり、密着層１００は、低反応性と低透水性とを有する材料で構成される。低反応性と低透水性とを有する材料の一例は、金属酸化物である。本実施形態では、金属酸化物として、酸化アルミニウムが用いられる。なお、第１の実施形態と同様に、密着層として絶縁性が要求される際には、密着層は、上記性質に加えて、さらに絶縁性を有する材料で構成される。
【００５１】
本実施形態では、フリットガラス５０は、密着層１００を介してキャップ基板４０に密着する。このため、キャップ基板４０に設けられる密着層１００は、本発明で言うフリットガラスが密着されるキャップ基板側の一例である。
【００５２】
フリットガラス５０は、キャップ基板４０の密着層１００に溶着することによって液密に密着する。キャップ基板４０に設けられる密着層１００は、フリットガラス５０においてキャップ基板４０に対向する面５２の全域と面接触する大きさと幅とを有している。
【００５３】
つぎに、ディスプレイ装置１０の製造方法を説明する。なお、第１の実施形態と同様の工程は、説明を省略する。本実施形態では、キャップ基板４０に係る工程が第１の実施形態と異なる。他の工程は第１の実施形態と同様であってよい。上記異なる工程を説明する。
【００５４】
まず、図１０に示すように、キャップ基板４０に密着層１００を形成する。密着層１００に形成方法の一例は、第１の実施形態で説明されたスパッタリングであってよい。このとき、フリットガラス５０と対向しない部分に密着層１００が形成されないようにマスク（図示せず）が用いられる。密着層１００が形成された後は、当該密着層１００上にフリットガラス５０が設けられる。以降の工程は、第１の実施形態と同様であってよい。
【００５５】
本実施形態では、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、キャップ基板４０の材質に関わらず、化学的に安定した密着層１００を介してフリットガラス５０が溶着されるので、フリットガラス５０とキャップ基板４０との密着度を向上することができる。
【００５６】
つぎに、本発明の第３の実施形態に係るディスプレイ装置を、図１１を用いて説明する。なお、第１の実施形態と同様の効果を有する構成は、第１の実施形態と同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態では、ベース基板２０において密着層６０の形成される範囲が第１の実施形態と異なる。他の構造は、第１の実施形態と同様であってよい。上記異なる構造を説明する。
【００５７】
図１１は、本実施形態のディスプレイ装置１０を、各構成要素の積層方向に断面した状態を示す断面図である。図１１に示すように、本実施形態では、密着層６０は、ベース基板２０の第１の主面２１の全域に形成される。このため、密着層６０は、図に示すように、フリットガラス５０と対向する範囲に加えて、ＯＬＥＤ３０の全ても覆う。
【００５８】
本実施形態では、第１の実施形態の効果に加えて、さらに以下の効果を得ることができる。
【００５９】
本実施形態では、密着層６０の製造工程において、ＯＬＥＤ３０に密着層６０が形成されることを防ぐマスクを用いること必要がないので、製造効率が向上し、それゆえ、製造コストが向上する。
【００６０】
また、密着層６０は、低透水性（水を通さない、または水を通しにくい性質）を有しているので、水分からＯＬＥＤ３０を保護する保護膜として機能する。この結果、水分によるＯＬＥＤ３０の劣化を抑制することができる。
【００６１】
さらに、フリットガラス５０にレーザＬを照射する際のＯＬＥＤ３０の劣化を抑制することができる。この点について具体的に説明する。フリットガラス５０にレーザＬが照射されると、フリットガラス５０内に残っている水分やバインダが外部に放出されることがある。このように放出された水分やバインダがＯＬＥＤ３０に触れることによって、ＯＬＥＤ３０が劣化することが考えられる。
【００６２】
しかしながら、密着層６０がＯＬＥＤ３０の全てを覆うことによって劣化することが抑制される。
【００６３】
また、本実施形態では、密着層６０として透明な酸化アルミニウムの膜が用いられている。このため、ディスプレイ装置１０は、キャップ基板４０側から光を取り出すトップエミッションタイプとして用いることができる。
【００６４】
なお、第１の主面２１の全域に形成されない場合であっても、フリットガラス５０と対向する範囲および当該範囲の内側（ＯＬＥＤ３０の全て）を覆うように形成されていれば、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６５】
つぎに、本発明の第４の実施形態に係るディスプレイ装置を、図１２を用いて説明する。なお、第３の実施形態と同様の機能を有する構成は、第３の実施形態と同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態では、キャップ基板４０に、第２の実施形態で説明されたように密着層１００が設けられる。他の構造は、第３の実施形態と同様であってよい。上記異なる構造を説明する。
【００６６】
図１２は、本実施形態のディスプレイ装置１０を、各構成要素の積層方向に断面した状態を示す断面図である。図１２に示すように、キャップ基板４０においてベース基板２０に対応する第１の主面４１の全面には密着層１００が形成されている。
【００６７】
本実施形態では、第３の実施形態の効果に加えて、第２の実施形態の効果を得ることができる。なお、本実施形態では、キャップ基板４０に形成される密着層１００は、第１の主面４１の全域を覆っているが、例えば、密着層１００は、第２の実施形態と同様に、フリットガラス５０と対向する範囲にのみ形成されてもよい。
【００６８】
なお、第１〜４の実施形態では、本発明の発光装置の一例としてディスプレイ装置を用いた。しかしながら、これに限定されない。発光装置の他の例としては、発光素子を備える照明装置であってもよい。要は、発光素子を備える装置であれば、本発明を用いることができる。
【００６９】
また、第１〜４の実施形態では、ベース基板２０が保護膜２６を有し、密着層６０が保護膜２６に形成されている。しかしながら、保護膜２６が形成されていなくもてもよい。例えば、保護膜２６がベース基板２０の表面全体に形成された後、フリットガラス５０が形成される部分のみ保護膜２６が取り除かれる構造であってもよい。この場合であっても、低反応性を有する密着層６０が形成されることによって、ベース基板２０とフリットガラス５０との密着度が向上する。
【００７０】
また、第１〜４の実施形態では、密着層６０，１００は酸化アルミニウムから構成されているが、例えば、酸化チタンから構成されてもよい。
【００７１】
この発明は、上述した実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上述した実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、上述した実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除しても良い。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００７２】
１０…ディスプレイ装置（発光装置）、２０…ベース基板（基板）、２１…第１主面（主面）、２７…囲む部分、３０…ＯＬＥＤ（発光素子）、４０…キャップ基板、５０…フリットガラス、６０…密着層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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