(57)【要約】【課題】簡易な構成で、発電効率を向上させながら、さらなる低コスト化を図ることのできる色素増感型太陽電池を提供すること。【解決手段】作用電極２と、作用電極２と間隔を隔てて対向配置される対極３と、作用電極２および対極３間に充填される電解質４とを備える色素増感型太陽電池１において、対極３に、波長４００〜７５０ｎｍの範囲における少なくとも１つの波長の光に対する反射率が３０％以上であるカソード側基板８を設ける。【選択図】図１
2011054434.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作用電極と、
前記作用電極と間隔を隔てて対向配置される対極と、
前記作用電極および前記対極間に充填される電解質とを備える色素増感型太陽電池であって、
前記対極は、波長４００〜７５０ｎｍの範囲における少なくとも１つの波長の光に対する反射率が３０％以上である基板を備えていることを特徴とする、色素増感型太陽電池。
【請求項２】
前記基板が、液晶ポリマーから形成されるフレキシブルフィルムであることを特徴とする、請求項１に記載の色素増感型太陽電池。
【請求項３】
前記基板が、微粉状充填剤が分散されたフレキシブルフィルムであることを特徴とする、請求項１または２に記載の色素増感型太陽電池。
【請求項４】
前記微粉状充填剤が、酸化チタンであることを特徴とする、請求項３に記載の色素増感型太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、色素増感型太陽電池、詳しくは、簡易な構成で発電効率が向上された太陽電池として好適に用いられる色素増感型太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、色素増感半導体を用いた色素増感型太陽電池が、量産化および低コスト化の観点から、シリコン系太陽電池に替わる新たな太陽電池として提案されている。
色素増感型太陽電池は、通常、光増感作用を有する作用電極（アノード）と、作用電極と間隔を隔てて対向配置される対向電極（対極、カソード）と、２つの電極間に充填される電解液とを備えている。色素増感型太陽電池では、太陽光の照射に基づいて作用電極に発生する電子が、配線を介して対極に移動するとともに、２つの電極間の電解液において、電子が授受される。
【０００３】
このような色素増感型太陽電池において、作用電極は、基板（アノード側基板）、その表面に積層される透明導電性膜およびその表面に積層され、色素を吸着した色素増感半導体からなり、対向電極は、基板（カソード側基板）、その表面に積層される導電性膜およびその表面に積層される触媒層からなる。
また、発電効率の向上の観点から、アノード側基板の上側または下側に、光反射層または光散乱反射層を設けることにより、作用電極を透過し、対向電極に至った太陽光を、光反射層または光散乱反射層において反射させて、反射させた光を、作用電極において、再度、電子の発生に供することが提案されている（例えば、特許文献１および２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１５８３７９号公報
【特許文献２】特開２０００−３４８７８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１および２の色素増感型太陽電池では、光反射層や光散乱反射層を別途設ける必要があり、対向電極の構成が複雑化するという不具合がある。また、光反射層や光散乱反射層の製造工程を別途必要とするので、製造コストが増大するという不具合がある。
本発明の目的は、簡易な構成で、発電効率を向上させながら、さらなる低コスト化を図ることのできる色素増感型太陽電池を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の色素増感型太陽電池は、作用電極と、前記作用電極と間隔を隔てて対向配置される対極と、前記作用電極および前記対極間に充填される電解質とを備える色素増感型太陽電池であって、前記対極は、波長４００〜７５０ｎｍの範囲における少なくとも１つの波長の光に対する反射率が３０％以上である基板を備えていることを特徴としている。
【０００７】
また、本発明の色素増感型太陽電池では、前記基板が、液晶ポリマーから形成されるフレキシブルフィルムであることが好適である。
また、本発明の色素増感型太陽電池では、前記基板が、微粉状充填剤が分散されたフレキシブルフィルムであることが好適であり、また、前記微粉状充填剤が、酸化チタンであることが好適である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の色素増感型太陽電池によれば、対極が、特定波長の光に対する反射率が特定範囲である基板を備えている。そのため、特定波長の光を含む太陽光を、対極において、効率よく反射させることができ、反射された太陽光を、作用電極における電子の発生に再度供することができる。その結果、発電効率を向上させることができる。
さらに、基板の反射率が特定範囲にあるので、別途、光反射層または光散乱反射層などを設けることなく、簡易な構成で、発電効率を増大させることができる。そのため、光反射層または光散乱反射層の製造工程を省くことができるので、簡易な構成で、発電効率を向上させながら、さらなる低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の色素増感型太陽電池の一実施形態（触媒層から露出するカソード側基板が電解質と接触する態様）の断面図を示す。
【図２】図１に示す色素増感型太陽電池の対極（カソード側基板、カソード側導電層および触媒層を備える態様）の断面図を示す。
【図３】本発明の色素増感型太陽電池の他の実施形態の対極（カソード側基板およびカソード側導電層を備える態様）の断面図を示す。
【図４】本発明の色素増感型太陽電池の他の実施形態（カソード側基板および電解質間にカソード側導電層が介在する態様）の断面図を示す。
【図５】本発明の色素増感型太陽電池の他の実施形態（触媒層から露出するカソード側基板の上面左側部分が電解質と接触し、カソード側導電層および触媒層の右側面が封止層と接触する態様）の断面図を示す。
【図６】本発明の色素増感型太陽電池の他の実施形態（触媒層から露出するカソード側基板の上面左側部分が電解質と接触し、触媒層の右側面が封止層と接触する態様）の断面図を示す。
【図７】本発明の色素増感型太陽電池の他の実施形態（アノード側導電層およびカソード側導電層が集電配線に接続される態様）の断面図を示す。
【図８】各実施例および各比較例のカソード側基板の波長３００〜８００ｎｍの光に対する反射率のグラフを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は、本発明の色素増感型太陽電池の一実施形態（触媒層から露出するカソード側基板が電解質と接触する態様）の断面図、図２は、図１に示す色素増感型太陽電池の対極（カソード側基板、カソード側導電層および触媒層を備える態様）の断面図を示す。
図１において、この色素増感型太陽電池１は、作用電極２（アノード）と、作用電極２と厚み方向（図１における上下方向）において間隔を隔てて対向配置される対極（カソード、対向電極）３と、作用電極２および対極３間に充填される電解質４とを備えている。
【００１１】
作用電極２は、光増感作用を有しており、略平板形状に形成されている。作用電極２は、アノード側基板５、その下に積層されるアノード側導電層６、および、その下に積層される色素増感半導体層７を備えている。
アノード側基板５は、透明であり、平板形状に形成されており、例えば、ガラス基板などのリジッド板や、プラスチックフィルムなどのフレキシブルフィルム（後述する液晶ポリマーフィルム、充填剤分散フィルムおよび充填剤分散液晶ポリマーフィルムを除く）などの、絶縁板や絶縁フィルムから形成されている。
【００１２】
プラスチックフィルムのプラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート（ＰＥＮ）などのポリエステル系樹脂（後述するサーモトロピック液晶ポリエステルやサーモトロピック液晶ポリエステルアミドを除く）、例えば、ポリアクリレート、ポリメタクリレートなどのアクリル系樹脂、例えば、ポリエチレン（ＰＥ。例えば、高密度ＰＥ、低密度ＰＥなど。）、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体などのオレフィン系樹脂、例えば、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体などのビニル系樹脂、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミドなどのイミド系樹脂、例えば、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホンなどのエーテル系樹脂などが挙げられる。これらプラスチック材料は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００１３】
アノード側基板５の厚みは、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜４００μｍである。
また、アノード側基板５は、太陽光（具体的には、可視光など）に対する透過性を有しており、具体的には、波長４００〜７５０ｎｍの範囲における少なくとも１つの波長の光に対する透過率が、例えば、７０％以上、好ましくは、８０％以上、さらに好ましくは、９０％以上であり、通常、９９．９％以下である。
【００１４】
アノード側導電層６は、例えば、透明導電薄膜からなり、アノード側基板５の下面全面に形成されている。
透明導電薄膜を形成する導電材料としては、例えば、金、銀、銅、白金、ニッケル、錫、アルミニウムなどの金属材料、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺＯ）などの金属酸化物（複合酸化物）材料、例えば、カーボンなどの炭素材料などが挙げられる。これら導電材料は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００１５】
アノード側導電層６の抵抗率は、例えば、１．０×１０−２Ω・ｃｍ以下、好ましくは、１．０×１０−３Ω・ｃｍ以下である。
また、アノード側導電層６の厚みは、例えば、０．０１〜１００μｍ、好ましくは、０．１〜１０μｍである。
また、アノード側導電層６は、波長４００〜７５０ｎｍの範囲における少なくとも１つの波長の光に対する透過率が、例えば、７０％以上、好ましくは、８０％以上、さらに好ましくは、９０％以上であり、通常、９９．９％以下である。
【００１６】
色素増感半導体層７は、アノード側導電層６の下面の幅方向（図１における左右方向）途中に形成され、すなわち、アノード側導電層６の幅方向両端部が露出するように形成されている。
色素増感半導体層７は、色素増感半導体粒子がシート（フィルム）状に積層されることにより形成されており、そのような色素増感半導体粒子は、例えば、金属酸化物からなる多孔質の半導体粒子に、色素が吸着されている。
【００１７】
金属酸化物としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ストロンチウム、酸化インジウム、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブテン、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化銀などが挙げられる。好ましくは、酸化チタンが挙げられる。
【００１８】
色素は、例えば、太陽光、具体的には、波長４００〜７５０ｎｍの範囲の光を含む可視光に対して吸収ピークを有する物質であり、具体的には、例えば、ルテニウム錯体、コバルト錯体などの金属錯体、例えば、シアニン、メロシアニン、フタロシアニン、クマリン、リボフラビン、キサンテン、トリフェニルメタン、アゾ、キノンなどの有機系色素などが挙げられる。好ましくは、ルテニウム錯体、メロシアニンが挙げられる。
【００１９】
色素増感半導体粒子の平均粒子径は、１次粒子径で、例えば、５〜２００ｎｍ、８〜１００ｎｍである。
また、色素増感半導体層７の厚みは、例えば、０．４〜１００μｍ、好ましくは、０．５〜５０μｍ、さらに好ましくは、０．５〜１５μｍである。
また、色素増感半導体層７は、波長４００〜７５０ｎｍの範囲における少なくとも１つの波長の光に対する透過率が、例えば、９０％以下、好ましくは、７０％以下、通常、５０％以下である。
【００２０】
作用電極２の厚みは、例えば、５〜１０００μｍ、好ましくは、１０〜５００μｍである。
また、作用電極２の、波長４００〜７５０ｎｍの範囲における少なくとも１つの波長の光に対する透過率は、色素増感半導体層７のアノード側基板５に対する面積割合に応じて、適宜選択されるが、例えば、３０％以上、好ましくは、５０％以上、さらに好ましくは、７０％以上であり、通常、９９．９％以下である。
【００２１】
対極３は、後で詳述するが、略平板形状に形成されている。
電解質４は、例えば、それが溶媒に溶解された溶液（電解液）や、あるいは、その溶液がゲル化されたゲル電解質として調製されている。
電解質４は、必須成分として、ヨウ素、および／または、ヨウ素およびヨウ素化合物の組み合わせ（レドックス系）を含んでいる。
【００２２】
ヨウ素化合物としては、例えば、ヨウ化リチウム（ＬiＩ）、ヨウ化ナトリウム（ＮaＩ）、ヨウ化カリウム（ＫＩ）、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）、ヨウ化カルシウム（ＣａＩ２）などの金属ヨウ化物、例えば、テトラアルキルアンモニウムヨーダイド、イミダゾリウムヨーダイド、ピリジニウムヨーダイドなどの有機４級アンモニウムヨウ化物塩などが挙げられる。
【００２３】
また、電解質４は、任意成分として、例えば、臭素などのハロゲン（ヨウ素を除く）、例えば、臭素および臭素化合物の組み合わせなどの、ハロゲンおよびハロゲン化合物の組み合わせ（ヨウ素およびヨウ素化合物の組み合わせを除く）を含んでいてもよい。
溶媒としては、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、メチルエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネ−ト化合物、例えば、酢酸メチル、プロピオン酸メチル、ガンマ−ブチロラクトンなどのエステル化合物、例えば、ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、１，３−ジオキソシラン、テトラヒドロフラン、２−メチルーテトラヒドラフランなどのエーテル化合物、例えば、３−メチル−２−オキサゾジリノン、２−メチルピロリドンなどの複素環化合物、例えば、アセトニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリル、３−メトキシプロピオニトリルなどのニトリル化合物、例えば、スルフォラン、ジメチルスルフォキシド、ジメチルフォルムアミドなどの非プロトン性極性化合物などの有機溶媒や、水などの水性溶媒が挙げられる。好ましくは、有機溶媒、さらに好ましくは、ニトリル化合物が挙げられる。
【００２４】
電解質の含有割合は、電解液１００重量部に対して、例えば、０．００１〜１０重量部、好ましくは、０．０１〜１重量部である。また、電解質の分子量によるが、電解質の濃度を、規定度で、例えば、０．００１〜１０Ｍ、好ましくは、０．０１〜１Ｍに設定することができる。
ゲル電解質は、電解液に公知のゲル化剤などの適宜の割合で配合することによって調製される。
【００２５】
ゲル化剤としては、例えば、天然高級脂肪酸、アミノ酸化合物などの多糖類などの低分子ゲル化剤、例えば、ポリビニリデンフロオライド、ビニリデンフロオライド−ヘキサフルオロプロピレン共重合体などのフッ素系高分子や、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコールなどのビニル系高分子などの高分子ゲル化剤などが挙げられる。
この電解質４の充填厚みは、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、５〜１００μｍである。
【００２６】
また、電解質４は、波長４００〜７５０ｎｍの範囲における少なくとも１つの波長の光に対する透過率が、例えば、５％以上であり、通常、９５％以下である。
また、この色素増感型太陽電池１には、電解質４を作用電極２および対極３間に封止するための封止層１１が設けられている。
封止層１１は、色素増感型太陽電池１の幅方向両端部において、作用電極２および対極３間にわたって充填されている。また、封止層１１は、色素増感半導体層７の両外側に隣接配置されている。
【００２７】
封止層１１を形成する封止材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイソブチレン系樹脂、ホットメルト樹脂、ガラスフリットなどが挙げられる。
封止層１１の厚み（上下方向長さ）は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、５〜１００μｍ、さらに好ましくは、１０〜５０μｍである。
そして、図１および図２において、対極３は、基板としてのカソード側基板８を備えている。
【００２８】
カソード側基板８としては、例えば、液晶ポリマーから形成されるフレキシブルフィルム（以下、液晶ポリマーフィルムという。）や、微粉状充填剤が分散されたフレキシブルフィルム（以下、充填剤分散フィルムという。）が挙げられる。
液晶ポリマーとしては、例えば、以下の［１］〜［４］で例示する化合物およびその誘導体を原料として合成されるサーモトロピック液晶ポリエステルやサーモトロピック液晶ポリエステルアミドなどが挙げられる。
【００２９】
［１］芳香族または脂肪族ジヒドロキシ化合物（代表例を、下記式（１）〜（７）に示す。）
【００３０】
【化１】
2011054434.tif 000003
【００３１】
（式（１）中、Ｘは、水素原子またはハロゲン原子などの原子、あるいは、低級アルキル基またはフェニル基などの基を示す。）
【００３２】
【化２】
2011054434.tif 000004
【００３３】
【化３】
2011054434.tif 000005
【００３４】
【化４】
2011054434.tif 000006
【００３５】
（式（４）中、Ｙは、−Ｏ−、−ＣＨ２−または−Ｓ−などの基を示す。）
【００３６】
【化５】
2011054434.tif 000007
【００３７】
【化６】
2011054434.tif 000008
【００３８】
【化７】
2011054434.tif 000009
【００３９】
（式（７）中、ｎは、２〜１２の整数を示す。）
［２］芳香族または脂肪族ジカルボン酸（代表例を、下記式（８）〜（１４）に示す。）
【００４０】
【化８】
2011054434.tif 000010
【００４１】
【化９】
2011054434.tif 000011
【００４２】
【化１０】
2011054434.tif 000012
【００４３】
【化１１】
2011054434.tif 000013
【００４４】
【化１２】
2011054434.tif 000014
【００４５】
【化１３】
2011054434.tif 000015
【００４６】
【化１４】
2011054434.tif 000016
【００４７】
（式（１４）中、ｎは、２〜１２の整数を示す。）
［３］芳香族ヒドロキシカルボン酸（代表例を、下記式（１５）〜（１８）に示す。）
【００４８】
【化１５】
2011054434.tif 000017
【００４９】
（式（１５）中、Ｘは、水素原子またはハロゲン原子などの原子、あるいは、低級アルキル基またはフェニル基などの基を示す。）
【００５０】
【化１６】
2011054434.tif 000018
【００５１】
【化１７】
2011054434.tif 000019
【００５２】
【化１８】
2011054434.tif 000020
【００５３】
［４］芳香族ジアミン、芳香族ヒドロキシアミンまたは芳香族アミノカルボン酸（代表例を、下記式（１９）〜（２１）に示す。）
【００５４】
【化１９】
2011054434.tif 000021
【００５５】
【化２０】
2011054434.tif 000022
【００５６】
【化２１】
2011054434.tif 000023
【００５７】
また、液晶ポリマーとしては、好ましくは、下記式（２２）で表されるユニットａおよびユニットｂからなる共重合体（１）、下記式（２３）で表されるユニットｃ〜ユニットｅからなる共重合体（２）、下記式（２４）で表されるユニットｆおよびユニットｇからなる共重合体（３）などのパラヒドロキシ安息香酸エステル含有共重合体が挙げられる。
【００５８】
【化２２】
2011054434.tif 000024
【００５９】
【化２３】
2011054434.tif 000025
【００６０】
【化２４】
2011054434.tif 000026
【００６１】
共重合体（１）〜共重合体（３）は、いずれも、例えば、パラヒドロキシ安息香酸５０〜８０モル％を含むモノマーを原料として合成されている。
詳しくは、共重合体（１）は、パラヒドロキシ安息香酸および２，６−ヒドロキシナフトエ酸の重縮合体であって、好ましくは、ユニットａ  ５０〜８０モル％と、ユニットｂ  ２０〜５０モル％とからなっている。
【００６２】
共重合体（２）は、パラヒドロキシ安息香酸、４，４’−ジヒドロキシ−ジフェニルおよびテレフタル酸の重縮合体であって、好ましくは、ユニットｃ  ５０〜８０モル％と、ユニットｄ  １〜４９モル％と、ユニットｅ  １〜４９モル％とからなっている。
共重合体（３）は、パラヒドロキシ安息香酸およびエチレングリコールの重縮合体であって、好ましくは、ユニットｆ  ２０〜５０モル％と、ユニットｇ  ５０〜８０モル％とからなっている。
【００６３】
上記した共重合体（１）〜共重合体（３）は、単独使用または併用することができる。
液晶ポリマーとして、さらに好ましくは、共重合体（１）が挙げられる。
このような液晶ポリマーフィルムは、市販されているものを用いることができ、例えば、ベクスターシリーズ（クラレ社製）、バイアックシリーズ（ジャパンゴアテックス社製）などが用いられる。
【００６４】
また、液晶ポリマーは、その重量平均分子量が、例えば、１００００〜１５００００、好ましくは、２００００〜７００００である。
また、液晶ポリマーは、その融点が、例えば、２５０℃以上、好ましくは２８０℃以上であり、通常、６１０℃以下である。
また、液晶ポリマーフィルムは、吸水率（ＪＩＳ  Ｃ−６４８１、条件：Ｅ−２４／５０＋Ｄ−２４／２３）が、例えば、５％以下、好ましくは、１％以下、さらに好ましくは、０．１％以下であり、通常、０．００１％以上である。
【００６５】
また、液晶ポリマーフィルムは、線膨張係数（５０〜１００℃）が、例えば、１００ｐｐｍ／℃以下、好ましくは、５０ｐｐｍ／℃以下であり、通常、０．１ｐｐｍ／℃以上である。
充填剤分散フィルムは、例えば、樹脂に微粉状充填剤を配合し、微粉状充填剤が配合された充填剤含有樹脂を、シート（フィルム）状に成形することにより得られる。
【００６６】
微粉状充填剤は、例えば、平均粒子径が、例えば、５００ｎｍ以下の充填剤であり、具体的には、例えば、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ケイ素（シリカ、雲母粉、マイカ）、酸化アルミニウム（アルミナ、ベントナイト）などの酸化物、例えば、炭酸カルシウム（例えば、重質炭酸カルシウム、軽質炭酸カルシウム、白艶華など）、炭酸ナトリウムなどの金属炭酸化物、例えば、アルミニウム粉などの金属粉、例えば、タルク、クレー、水酸化アルミニウムなどが挙げられる。
【００６７】
これら微粉状充填剤は、単独使用または２種以上併用することができる。
これら微粉状充填剤のうち、好ましくは、酸化物、好ましくは、酸化チタンが挙げられる。
微粉状充填剤の平均粒子径は、好ましくは、１〜５００ｎｍ、さらに好ましくは、１０〜３００ｎｍである。
【００６８】
また、微粉状充填剤の、波長４００〜７５０ｎｍの範囲における少なくとも１つの波長の光に対する反射率は、例えば、３０％以上、好ましくは、４０％以上、さらに好ましくは、５０％以上、とりわけ好ましくは、６０％以上であり、通常、９０％以下である。微粉状充填剤の反射率が、上記範囲に満たない場合には、カソード側基板８の特定波長における反射率（後述）を特定範囲に設定することができない場合がある。
【００６９】
樹脂としては、上記したアノード側基板５で例示したプラスチック材料と同様の樹脂が挙げられる。好ましくは、ポリエステル系樹脂が挙げられる。
微粉状充填剤の配合割合は、例えば、充填剤含有樹脂１００重量部に対して、例えば、１〜５０重量部、好ましくは、５〜４０重量部、さらに好ましくは、１０〜３０重量部である。
【００７０】
微粉状充填剤の配合割合が、上記した範囲に満たない場合には、カソード側基板８の特定波長における反射率（後述）を特定範囲に設定することができない場合がある。また、微粉状充填剤の配合割合が、上記した範囲を超える場合には、カソード側基板８に柔軟性を十分に付与できない場合がある。
そして、充填剤分散フィルムを作製するには、樹脂に微粉状充填剤を上記した割合で配合して、これらを均一に混合する。各成分を混合するには、上記した成分を、例えば、ミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などによって混練して、混練物を得る。
【００７１】
混練では、必要に応じて、加熱することができ、加熱条件は、例えば、１００℃以上、好ましくは、２００℃以上、通常、４００℃以下である。
続いて、得られた混練物を、例えば、ミキシングロール、カレンダーロール、押出成形、プレス成形などの成形方法によって、シート（フィルム）状に成形する。これにより、充填剤分散フィルムを作製する。
【００７２】
また、充填剤分散フィルムを作製するには、上記した樹脂の原料（モノマー成分）に微粉状充填剤を配合して、その後、原料を重合して、重合体を得、得られた重合体を、上記した成形方法によって、シート（フィルム）状に成形することもできる。この方法では、原料への配合に代えてあるいは原料への配合とともに、微粉状充填剤を、重合中あるいは重合後に配合することもできる。
【００７３】
さらに、カソード側基板８として、液晶ポリマーに微粉状充填剤が分散されたフレキシブルフィルム（以下、充填剤含有液晶ポリマーフィルムという。）を挙げることもできる。
充填剤含有液晶ポリマーフィルムにおいて、液晶ポリマーとしては、上記した液晶ポリマーと同様のものが挙げられ、また、微粉状充填剤としては、上記した微粉状充填剤と同様のものが挙げられる。
【００７４】
充填剤含有液晶ポリマーフィルムにおいて、微粉状充填剤の配合割合は、液晶ポリマー１００重量部に対して、例えば、１〜５０重量部、好ましくは、５〜４０重量部、さらに好ましくは、１０〜３０重量部である。
充填剤含有液晶ポリマーフィルムは、上記した充填剤分散フィルムの作製と同様にして作製することができる。
【００７５】
また、上記により成形したフィルムを、必要に応じて、延伸することもできる。未延伸のフィルムが長尺状に成形されている場合には、長尺方向の延伸倍率が、例えば、１．１〜５倍、幅方向（長尺方向に直交する方向）の延伸倍率が、例えば、１．１〜５倍となるように、延伸する。
このようにして得られるカソード側基板８の厚みは、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍ、さらに好ましくは、１２〜５０μｍである。カソード側基板８の厚みが上記範囲に満たない場合には、作業性が低下する場合があり、カソード側基板８の厚みが上記範囲を超える場合には、コストが増大する場合がある。
【００７６】
そして、このカソード側基板８は、太陽光（具体的には、可視光など）に対する反射性を有しており、具体的には、波長４００〜７５０ｎｍの範囲における少なくとも１つの波長の光に対する反射率が３０％以上である。
より具体的には、カソード側基板８の、波長４００〜７５０ｎｍの範囲における少なくとも１つの波長の光に対する反射率が、好ましくは、３５％以上、さらに好ましくは、４０％以上、とりわけ好ましくは、４５％以上であり、通常、９０％以下である。
【００７７】
上記した波長の光に対する反射率が上記範囲に満たない場合には、上記した波長の光を、カソード側基板８において、効率よく反射させることができず、そのため、発電効率を効率よく増大させることができない。
カソード側基板８の反射率は、例えば、分光光度計などによって、測定することができる。
【００７８】
また、対極３は、具体的には、導電層としてのカソード側導電層９と、触媒層１０とをさらに備えている。
カソード側導電層９は、カソード側基板８の上に形成されており、具体的には、導電薄膜からなり、カソード側基板８の上面の幅方向途中（中央部）に形成されている。詳しくは、カソード側導電層９は、厚み方向に投影したときに、色素増感半導体層７に含まれており、カソード側基板８の幅方向両側部分が露出するように形成されている。
【００７９】
また、カソード側導電層９の面積は、封止層１１（後述）より内側のカソード側基板８の面積に対して、例えば、１〜１００％、好ましくは、１〜９５％である。
カソード側導電層９を形成する導電材料としては、上記したアノード側導電層６を形成する導電材料と同様の導電材料が挙げられ、好ましくは、金、銀、銅、白金、ニッケル、錫、ＩＴＯ、ＦＴＯ、カーボンが挙げられる。このような導電材料であれば、電子が効率よく授受される利点がある。
【００８０】
これら導電材料は、単独使用または２種以上併用することができる。
カソード側導電層９の抵抗率は、例えば、１．０×１０−２Ω・ｃｍ以下、好ましくは、１．０×１０−３Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは、１．０×１０−５Ω・ｃｍ以下である。
また、カソード側導電層９の厚みは、例えば、０．１〜１００μｍ、好ましくは、１〜５０μｍである。カソード側導電層９の厚みが上記範囲に満たない場合には、導電性が過度に低下する（抵抗率が過度に増大する）場合があり、カソード側導電層９の厚みが上記範囲を超える場合には、コストが増大したり、薄型化が困難となる場合がある。
【００８１】
また、カソード側導電層９の、波長４００〜７５０ｎｍの範囲における少なくとも１つの波長の光に対する反射率が、例えば、１％以上、好ましくは、５％以上、さらに好ましくは、１０％以上であり、通常、９９％以下である。あるいは、カソード側導電層９の、波長４００〜７５０ｎｍの範囲における少なくとも１つの波長の光に対する透過率が、例えば、０％以上、好ましくは、１０％以上、さらに好ましくは、２０％以上であり、通常、９５％以下である。
【００８２】
また、カソード側導電層９の反射率が上記範囲内にある場合には、カソード側導電層９によって、特定波長の光を効率よく反射させて、発電効率を向上させることができる場合がある。
カソード側導電層９の透過率が上記範囲内にある場合には、カソード側導電層９によって、特定波長の光を効率よく透過させて、カソード側導電層９に被覆されるカソード側基板８の上面に至る光を効率よく反射させて、発電効率を向上させることができる場合がある。
【００８３】
触媒層１０は、カソード側導電層９の上に形成されており、具体的には、カソード側基板８の上において、カソード側導電層９の表面（上面および幅方向両側面）を被覆するように形成されている。
また、触媒層１０は、厚み方向に投影したときに、色素増感半導体層７に含まれており、幅方向一側面が、色素増感半導体層７の幅方向一側面およびカソード側導電層９の幅方向一側面間に位置し、幅方向他側面が、色素増感半導体層７の幅方向他側面およびカソード側導電層９の幅方向他側面間に位置している。
【００８４】
また、触媒層１０の面積は、封止層１１より内側のカソード側基板８の面積に対して、例えば、１〜１００％、好ましくは、５〜１００％である。また、触媒層１０の面積は、カソード側導電層９の面積に対して、例えば、１０〜５００％、好ましくは、５０〜５００％である。
触媒層１０を形成する材料としては、例えば、白金、ルテニウム、ロジウムなどの貴金属材料、例えば、ポリジオキシチオフェン、ポリピロールなどの導電性有機材料、例えば、カーボンなどの炭素材料などが挙げられる。好ましくは、白金、カーボンが挙げられる。これらの材料であれば、電子が効率よく授受される利点がある。
【００８５】
これら材料は、単独使用または２種以上併用することができる。
触媒層１０の厚みは、例えば、５０ｎｍ〜１００μｍ、好ましくは、１００ｎｍ〜５０μｍである。触媒層１０の厚みが上記範囲に満たない場合には、電解質４における電解質による酸化還元反応の促進を十分に図れず、発電効率が低下する場合がある。触媒層１０の厚みが上記範囲を超える場合には、コストが増大する場合がある。
【００８６】
また、触媒層１０の、波長４００〜７５０ｎｍの範囲における少なくとも１つの波長の光に対する反射率が、例えば、０％以上、好ましくは、１０％以上、さらに好ましくは、２０％以上であり、通常、９５％以下である。あるいは、触媒層１０の、波長４００〜７５０ｎｍの範囲における少なくとも１つの波長の光に対する透過率が、例えば、０％以上、好ましくは、１０％以上、さらに好ましくは、２０％以上であり、通常、９５％以下である。
【００８７】
また、触媒層１０の反射率が上記範囲内にある場合には、触媒層１０によって、特定波長の光を効率よく反射させて、発電効率を向上させることができる場合がある。
触媒層１０の透過率が上記範囲内にある場合には、触媒層１０によって、特定波長の光を効率よく透過させて、触媒層１０に被覆されるカソード側基板８の上面に至る光を効率よく反射させて、発電効率を向上させることができる場合がある。
【００８８】
対極３の厚みは、例えば、１０〜１０００μｍ、好ましくは、１０〜５００μｍである。
そして、この色素増感型太陽電池１を製造するには、まず、作用電極２、対極３および電解質４をそれぞれ用意（あるいは作製）する。
作用電極２は、アノード側基板５、アノード側導電層６、および、色素増感半導体層７を厚み方向下方に向かって順次積層することにより、作製する。
【００８９】
電解質４は、上記した電解液あるいはゲル状電解質として調製する。
対極３を作製するには、まず、カソード側基板８を用意あるいは作製する。
次いで、必要により、カソード側基板８の上面を、プラズマ処理あるいは物理蒸着法により、表面処理する。これら表面処理は、単独または２種以上併用することができる。
プラズマ処理としては、例えば、窒素プラズマ処理が挙げられる。窒素プラズマ処理の条件を以下に記載する。
【００９０】
圧力（減圧度）          ：０．０１〜１００Ｐａ、好ましくは、０．０５〜１０Ｐａ
導入窒素流量            ：１０〜１０００ＳＣＣＭ（ｓｔａｎｄａｒｄ  ｃｃ／ｍｉｎ）好ましくは、１０〜３００ＳＣＣＭ
処理温度                ：０〜１５０℃、好ましくは、０〜１２０℃
電力                    ：３０〜１８００Ｗ、好ましくは、１５０〜１２００Ｗ
処理時間                ：０．１〜３０分間、好ましくは、０．１５〜１０分間
窒素プラズマ処理により、カソード側基板８の上面が窒化される。
【００９１】
物理蒸着法としては、例えば、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリングなどが挙げられ、好ましくは、スパッタリングが挙げられる。
スパッタリングとしては、例えば、ニッケル、クロムなどの金属をターゲットとする金属スパッタリングが挙げられる。金属スパッタリングにより、カソード側基板８の上面に、金属薄膜（図示せず）が形成される。金属薄膜の厚みは、例えば、１〜１０００ｎｍ、好ましくは、１０〜５００ｎｍである。
【００９２】
上記した表面処理によって、カソード側導電層９のカソード側基板８に対する密着性を向上させることができる。
次いで、カソード側導電層９を、カソード側基板８の上に形成する。
カソード側導電層９は、例えば、印刷法、スプレー法、物理蒸着法、アディティブ法、サブトラクティブ法などによって、上記したパターンに形成する。
【００９３】
印刷法では、例えば、上記した導電材料の微粒子を含むペーストを、カソード側基板８の上面に、上記したパターンでスクリーン印刷する。
スプレー法では、例えば、まず、上記した導電材料の微粒子を公知の分散媒で分散させた分散液を調製する。また、所定のパターンに開口されたマスクによってカソード側基板８の上面を被覆する。その後、カソード側基板８およびマスクの上方から、調製した分散液を噴き付ける（スプレーする）。その後、マスクを除去し、分散媒を蒸発させる。
【００９４】
物理蒸着法としては、好ましくは、スパッタリングが用いられる。具体的には、所定のパターンに開口されたマスクによってカソード側基板８の上面を被覆した後、例えば、金属材料や金属酸化物材料をターゲットとしてスパッタリングし、その後、マスクを除去する。
アディティブ法では、例えば、まず、カソード側基板８の上面に、図示しない導体薄膜（種膜）を形成する。導体薄膜は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングにより、クロム薄膜を積層する。なお、導体薄膜の形成は、上記した表面処理（物理蒸着法）によって金属薄膜がすでに形成されている場合には、カソード側基板８の表面処理を兼ねることができる。
【００９５】
次いで、この導体薄膜の上面に、上記したパターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の上面に、電解めっきにより、カソード側導電層９を形成する。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の導体薄膜を除去する。
サブトラクティブ法では、例えば、まず、カソード側基板８の上面に、上記した導電材料からなる導体箔が予め積層されている２層基材（銅張２層基材など）を用意し、その導体箔の上に、ドライフィルムレジストを積層した後、露光および現像し、上記したカソード側導電層９と同一パターンのエッチングレジストを形成する。その後、エッチングレジストから露出する導体箔を、例えば、塩化第二鉄水溶液などのエッチング液を用いて化学エッチングした後、エッチングレジストを除去する。
【００９６】
なお、２層基材の用意では、カソード側基板８の上面に、導体箔を熱融着により接着したり、あるいは、カソード側基板８と導体箔との間に、公知の接着剤層を介在させることもできる。
なお、上記したサブトラクティブ法によるカソード側導電層９の形成において、銅張２層基材としては、市販品を用いることができ、例えば、液晶ポリマーフィルムの上面に、銅箔が予め積層されている液晶ポリマー銅張積層板として、ＥＳＰＡＮＥＸ  Ｌシリーズ（標準タイプ／Ｐタイプ、新日鐵化学社製）、バイアック−アールエフクラッドシリーズ（ジャパンゴアテックス社製）などが用いられる。
【００９７】
次いで、触媒層１０を、カソード側基板８の上に、カソード側導電層９を被覆するように形成する。
触媒層１０は、例えば、印刷法、スプレー法、物理蒸着法などの公知の方法によって、上記したパターンに形成する。印刷法、スプレー法、物理蒸着法は、上記した方法に準じて実施できる。
【００９８】
触媒層１０を貴金属から形成する場合には、好ましくは、物理蒸着法（例えば、真空蒸着、スパッタリングなど）が用いられ、触媒層１０を導電性有機化合物や炭素材料から形成する場合には、印刷法やスプレー法が用いられる。
これにより、対極３を作製する。
次いで、作用電極２および対極３を、色素増感半導体層７および触媒層１０が隣接するように、封止層１１が設けられる間隔を隔てて対向配置させる。これとともに、封止層１１を、作用電極２および対極３間の幅方向一方側に設け、次いで、電解質４を、作用電極２および対極３間に流し込んだ後、さらに、封止層１１を、作用電極２および対極３間の幅方向他方側に設けることにより、電解質４を封止する。
【００９９】
これにより、色素増感型太陽電池１を製造することができる。
そして、このようにして得られる色素増感型太陽電池１によれば、対極３が、特定波長の光に対する反射率が特定範囲であるカソード側基板８を備えている。そのため、特定波長の光を含む太陽光を、対極３において、効率よく反射させることができ、反射された太陽光を、作用電極２における電子の発生に再度供することができる。その結果、発電効率を向上させることができる。
【０１００】
さらに、カソード側基板８の反射率が特定範囲にあるので、別途、特許文献１または２の光反射層または光散乱反射層などを設けることなく、簡易な構成で、発電効率を増大させることができる。そのため、光反射層または光散乱反射層の製造工程を省くことができるので、簡易な構成で、発電効率を向上させながら、さらなる低コスト化を図ることができる。
【０１０１】
図３は、本発明の色素増感型太陽電池の他の実施形態の対極（カソード側基板およびカソード側導電層を備える態様）の断面図を示す。図４〜図７は、本発明の色素増感型太陽電池の他の実施形態の断面図を示し、図４が、カソード側基板および電解質間にカソード側導電層が介在する態様、図５が、触媒層から露出するカソード側基板の上面左側部分が電解質と接触し、カソード側導電層および触媒層の右側面が封止層と接触する態様、図６が、触媒層から露出するカソード側基板の上面左側部分が電解質と接触し、触媒層の右側面が封止層と接触する態様、図７が、アノード側導電層およびカソード側導電層が集電配線に接続される態様を示す。
【０１０２】
なお、上記した各部に対応する部材については、以降の各図面において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上記した説明では、対極３に、触媒層１０を設けたが、例えば、図３に示すように、触媒層１０を設けることなく、対極３を、カソード側基板８およびカソード側導電層９から形成することもできる。
【０１０３】
さらに、カソード側導電層９が触媒層１０を兼ねることもできる。その場合には、カソード側導電層９は、好ましくは、カーボンなどの炭素材料から形成されている。
また、上記した説明では、カソード側基板８の上面において、カソード側導電層９、触媒層１０および封止層１１から露出する部分が、電解質４に接触しているが、例えば、図４に示すように、カソード側導電層９の幅方向両側面を、封止層１１の内側面と接触させるように形成することにより、カソード側基板８の上面全面を、カソード側導電層９および封止層１１によって被覆することができる。
【０１０４】
図４において、カソード側導電層９は、幅方向において封止層１１間にわたって形成されている。すなわち、カソード側導電層９は、厚み方向に投影したときに、その幅方向両側面が、色素増感半導体層７の幅方向両側面と同一位置に位置している。つまり、カソード側導電層９は、カソード側基板８と、電解質４および触媒層１０との間に介在している。
【０１０５】
触媒層１０は、カソード側導電層９の上面の幅方向途中（中央部）に形成されている。つまり、触媒層１０は、カソード側導電層９の上面の幅方向両端部を露出している。
触媒層１０の面積は、封止層１１より内側のカソード側基板８の面積（つまり、カソード側導電層９の面積）に対して、例えば、５〜９９％、好ましくは、１０〜９０％である。
【０１０６】
また、図５に示すように、カソード側導電層９および触媒層１０の幅方向一方側（右）面を、幅方向一方（右）側の封止層１１の内側（左）面と接触させるように形成することもできる。
図５において、カソード側導電層９の面積は、封止層１１より内側のカソード側基板８の面積に対して、例えば、５〜９５％、好ましくは、５〜９０％である。
【０１０７】
触媒層１０の面積は、封止層１１より内側のカソード側基板８の面積に対して、例えば、１０〜９９％、好ましくは、１０〜９５％である。また、触媒層１０の面積は、カソード側導電層９の面積に対して、例えば、１０１〜１９００％、好ましくは、１０１〜５００％である。
さらに、図６に示すように、触媒層１０の幅方向一方側（右）面を、幅方向一方（右）側の封止層１１の内側（左）面と接触させるように形成することもできる。
【０１０８】
図６において、カソード側導電層９の面積は、封止層１１より内側のカソード側基板８の面積に対して、例えば、１０〜９０％、好ましくは、１５〜８５％である。
触媒層１０の面積は、封止層１１より内側のカソード側基板８の面積に対して、例えば、１５〜９５％、好ましくは、２０〜９５％である。また、触媒層１０の面積は、カソード側導電層９の面積に対して、例えば、１１５〜９５０％、好ましくは、１２０〜８００％である。
【０１０９】
さらにまた、図７に示すように、色素増感半導体層７および触媒層１０を、幅方向に沿って複数設けるとともに、それらの間に集電配線１２に設けることもできる。
各色素増感半導体層７および各触媒層１０は、幅方向に間隔を隔てて整列配置されており、厚み方向に投影したときに、それぞれ、同一位置に位置している。
アノード側導電層６は、アノード側基板５の下面全面に形成されている。
【０１１０】
また、カソード側導電層９は、カソード側基板８の上面全面に形成されている。
集電配線１２は、作用電極２において、アノード側導電層６の下面における各色素増感半導体層７間に複数形成され、各集電配線１２は、幅方向において色素増感半導体層７と間隔を隔てて配置されている。作用電極２における集電配線１２は、アノード側導電層６と電気的に接続されている。
【０１１１】
また、集電配線１２は、対極３において、カソード側導電層９の上面における各触媒層１０間に複数形成され、各集電配線１２は、幅方向において触媒層１０と間隔を隔てて配置されている。対極３における集電配線１２は、カソード側導電層９と電気的に接続されている。
集電配線１２の面積は、封止層１１より内側のカソード側基板８の面積に対して、例えば、１〜５０％、好ましくは、１〜２０％である。
【０１１２】
触媒層１０の面積は、封止層１１より内側のカソード側基板８の面積に対して、例えば、１０〜９５％、好ましくは、２０〜９５％である。また、触媒層１０の面積は、カソード側導電層９の面積（つまり、カソード側基板８の面積）に対して、例えば、１０〜９５％、好ましくは、２０〜９５％である。
集電配線１２を形成する導電材料は、上記した導電材料と同様である。集電配線１２の厚みは、例えば、０．５〜５０μｍ、好ましくは、０．５〜２０μｍである。
【０１１３】
また、集電配線１２の表面には、電解質４による集電配線１２の腐食を防止するために保護層１３が形成されている。
保護層１３を形成する材料としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂材料、例えば、ニッケル、金などの金属材料が挙げられる。保護層１３の厚みは、例えば、０．５〜３０μｍである。
【０１１４】
この色素増感型太陽電池１では、複数のアノード側導電層６およびカソード側導電層９の電流を、複数の集電配線１２によって集電することによって、発電効率を向上させることができる。
【実施例】
【０１１５】
実施例１
液晶ポリマーフィルム（ベクスター、厚み２５μｍ、クラレ社製）からなるカソード側基板を用意した（図２参照）。
用意したカソード側基板の波長３００〜８００ｎｍの範囲の光に対する反射率を、分光光度計（Ｖ−６７０、日本分光社製）により測定した。それを、図８に示す。
【０１１６】
なお、カソード側基板の融点は２９５℃、吸水率（ＪＩＳ  Ｃ−６４８１、条件：Ｅ−２４／５０＋Ｄ−２４／２３）は０．０４％、線膨張係数（５０〜１００℃）は１７ｐｐｍ／℃である。
次いで、窒素プラズマ処理によって、カソード側基板の上面を窒化処理した。窒素プラズマ処理の条件を以下に記載する。
【０１１７】
圧力（減圧度）          ：１．２Ｐａ
導入窒素流量            ：７０ＳＣＣＭ
処理温度                ：２１℃
電力                    ：２００Ｗ
処理時間                ：０．５分間
次いで、アディティブ法によって、銅からなるカソード側導電層を上記パターンに形成した（図２参照）。
【０１１８】
すなわち、まず、カソード側基板の上面に、クロムスパッタリングにより、厚み１００ｎｍのクロム薄膜からなる導体薄膜を形成した。次いで、この導体薄膜の上面に、上記したパターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の表面に、電解銅めっきにより、厚み１８μｍのカソード側導電層を形成した。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の導体薄膜を除去した。
【０１１９】
カソード側導電層の抵抗率は１．７６×１０−６Ω・ｃｍであった。また、カソード側導電層の面積は、カソード側基板の面積に対して５０％であった。
その後、カソード側基板の上に、カソード側導電層の表面を被覆するパターンで、印刷法によって、カーボンからなる触媒層を形成した。
すなわち、カーボンペーストを上記パターンでスクリーン印刷して、厚み２０μｍの触媒層を形成した（図２参照）。
【０１２０】
触媒層の面積は、カソード側基板の面積に対して６０％であり、カソード側導電層の面積に対して１２０％であった。
これにより、図２に示す厚み６３μｍ対極を作製した。
実施例２
カソード側基板の用意において、液晶ポリマーフィルム（ベクスター、厚み２５μｍ、クラレ社製）に代えて、充填剤分散フィルム（ダイアホイルＷ−１００、厚み５０μｍ、三菱樹脂社製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、対極を作製した。
【０１２１】
なお、この充填剤分散フィルム（ダイアホイルＷ−１００）は、ＰＥＴに酸化チタンが配合されたシートである。
用意したカソード側基板の波長３００〜８００ｎｍの光に対する反射率を、分光光度計（Ｖ−６７０、日本分光社製）により測定した。それを、図８に示す。
また、カソード側基板の吸水率（ＪＩＳ  Ｃ−６４８１、条件：Ｅ−２４／５０＋Ｄ−２４／２３）は０．４％、線膨張係数（５０〜１００℃）は１５ｐｐｍ／℃であった。
【０１２２】
実施例３
液晶ポリマーフィルム（ベクスター、厚み２５μｍ、クラレ社製）に代えて、液晶ポリマーフィルム（バイアック、厚み２５μｍ、ジャパンゴアテックス社製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、対極を作製した。
用意したカソード側基板の波長３００〜８００ｎｍの範囲の光に対する反射率を、分光光度計（Ｖ−６７０、日本分光社製）により測定した。それを、図８に示す。
【０１２３】
また、カソード側基板の吸水率（ＪＩＳ  Ｃ−６４８１、条件：Ｅ−２４／５０＋Ｄ−２４／２３）は０．０４％、線膨張係数（５０〜１００℃）は１６ｐｐｍ／℃である。
比較例１
カソード側基板の用意において、液晶ポリマーフィルム（ベクスター、厚み２５μｍ、クラレ社製）に代えて、ＰＥＴフィルム（品名「テトロン」、厚み２５μｍ、帝人デュポン社製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、対極を作製した。
【０１２４】
用意したカソード側基板の波長３００〜８００ｎｍの範囲の光に対する反射率を、分光光度計（Ｖ−６７０、日本分光社製）により測定した。それを、図８に示す。
また、カソード側基板の吸水率（ＪＩＳ  Ｃ−６４８１、条件：Ｅ−２４／５０＋Ｄ−２４／２３）は０．４％、線膨張係数（５０〜１００℃）は１５ｐｐｍ／℃である。
比較例２
カソード側基板の用意において、液晶ポリマーフィルム（ベクスター、厚み２５μｍ、クラレ社製）に代えて、ＰＥＮフィルム（テオネックス  Ｑ５１、厚み２５μｍ、帝人デュポン社製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、対極を作製した。
【０１２５】
用意したカソード側基板の波長３００〜８００ｎｍの範囲の光に対する反射率を、分光光度計（Ｖ−６７０、日本分光社製）により測定した。それを、図８に示す。
また、カソード側基板の吸水率（ＪＩＳ  Ｃ−６４８１、条件：Ｅ−２４／５０＋Ｄ−２４／２３）は０．３％、線膨張係数（５０〜１００℃）は１３ｐｐｍ／℃である。
表１に、各実施例および各比較例におけるカソード側基板の詳細を示す。
【０１２６】
【表１】
2011054434.tif 000027
【符号の説明】
【０１２７】
１    色素増感型太陽電池
２    作用電極
３    対極
４    電解質
８    カソード側基板
【図１】
2011054434.tif 000028
【図２】
2011054434.tif 000029
【図３】
2011054434.tif 000030
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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