(57)【要約】【課題】インプリントテンプレートを比較的低いコストで作成する。【解決手段】無機剥離層とインプリント可能な媒体の層とを有する基板を用いてインプリントテンプレートを形成する方法が開示される。この方法は、マスタインプリントテンプレートを用いてインプリント可能な媒体にパターンをインプリントするステップと、インプリント可能な媒体を固化させるステップと、インプリント可能な媒体と無機剥離層とをエッチングして無機剥離層内にパターンを形成するステップとを含む。【選択図】図２
2011073444.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機剥離層とインプリント可能な媒体の層とを有する基板を用いてインプリントテンプレートを形成する方法であって、
マスタインプリントテンプレートを用いて前記インプリント可能な媒体にパターンをインプリントするステップと、
前記インプリント可能な媒体を固化させるステップと、
前記インプリント可能な媒体と前記無機剥離層とをエッチングして前記無機剥離層内にパターンを形成するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記無機剥離層上にハードマスクが配置され、前記方法が前記ハードマスクをエッチングするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ハードマスクが、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷＳｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｓｉ又はＴｉのうちの１つから形成される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記インプリント可能な媒体の層の下に接着層が配置され、前記方法が前記接着層をエッチングするステップをさらに含む、前記請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記マスタインプリントテンプレートが、石英、溶融シリカ、ガラス、ＹＡＧ又はＣａＦ２から形成される、前記請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記基板が、石英、溶融シリカ、ガラス、ＹＡＧ又はＣａＦ２から形成される、前記請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記無機剥離層が、ＳｉＮｘ、ＡｌＮｘ、ＴｉＮｘ、ＴｉＯｘ、ＡｌＯｘ、ＴａＯｘ、又はＧａＮｘのうちの１つから形成される、前記請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記エッチングが、前記基板に達するまで前記無機層を貫通しない、前記請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
エッチングを用いて前記ハードマスクを除去するステップをさらに含む、前記請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
基板と無機剥離層とを備えるインプリントテンプレートであって、前記無機剥離層内にパターンが存在し、エッチングを用いて前記無機剥離層内に前記パターンが形成されるインプリントテンプレート。
【請求項１１】
前記基板がパターニングされていない、請求項１０に記載のインプリントテンプレート。
【請求項１２】
前記基板が、石英、溶融シリカ、ガラス、ＹＡＧ又はＣａＦ２から形成される、請求項１０又は１１に記載のインプリントテンプレート。
【請求項１３】
前記無機剥離層が、ＳｉＮｘ、ＡｌＮｘ、ＴｉＮｘ、ＴｉＯｘ、ＡｌＯｘ、ＴａＯｘ、又はＧａＮｘのうちの１つから形成される、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載のインプリントテンプレート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、インプリントリソグラフィでの使用に好適なインプリントテンプレートを形成する方法と、インプリントリソグラフィでの使用に好適なインプリントテンプレートに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ分野では、所与の基板領域上のフィーチャの密度を増大するために、リソグラフィパターン内のフィーチャのサイズを低減するという従来からの要望がある。フォトリソグラフィ分野では、小さいフィーチャへの努力によってコスト高ではあるが液浸リソグラフィ及び極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィなどの技術が開発されてきた。
【０００３】
[0003]  ますます関心が寄せられている潜在的にコスト高でない小さいフィーチャ（例えば、ナノメートルサイズのフィーチャ又はサブミクロンサイズのフィーチャ）を得る方法が、一般に「スタンプ」（多くの場合、インプリントテンプレート又はインプリントリソグラフィテンプレートと呼ばれる）を用いて基板上にパターンを転写するいわゆるインプリントリソグラフィである。インプリントリソグラフィの利点は、フィーチャの解像度が、例えば、放射源の放射波長又は投影システムの開口数によって制限されないということである。逆に、解像度は、主としてインプリントテンプレート上のパターンの密度によって制限される。
【０００４】
[0004]  インプリントリソグラフィは、パターン形成する基板の表面上のインプリント可能な媒体のパターン形成工程を含む。パターン形成は、インプリント可能な媒体がパターン形成された表面の凹部に流入し、パターン形成された表面上の突起によって脇に押しのけられるように、インプリントテンプレートのパターン形成された表面とインプリント可能な媒体の層とを貼り合わせる（例えば、インプリントテンプレートをインプリント可能な媒体に近づけるか、又はインプリント可能な媒体をインプリントテンプレートに近づけるか、あるいはその両方を互いに近づけることで）ステップを含んでいてもよい。凹部は、インプリントテンプレートのパターン形成された表面のパターンフィーチャを画定する。通常、パターン形成された表面とインプリント可能な媒体とが貼り合わされた時にインプリント可能な媒体は流動可能である。インプリント可能な媒体のパターニングに続けて、例えば、インプリント可能な媒体を化学線に当てることで、インプリント可能な媒体は、好適には非流動又は凍結状態（すなわち、固定状態）にされる。次に、インプリントテンプレートのパターン形成された表面とパターン形成されたインプリント可能な媒体は分離される。次に、通常、基板とパターン形成されたインプリント可能な媒体は、さらに処理されて基板のパターン形成又は別のパターン形成が実行される。インプリント可能な媒体は、通常、パターン形成する基板の表面上に液滴の形態で提供されるが、代わりに、スピンコーティングなどを用いて提供してもよい。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]  電子ビーム（ｅビーム）書込みを用いてインプリントテンプレートを形成することが慣例になっている。この方法から発生する問題の１つとして、ｅビーム書込みを用いたインプリントテンプレート形成は遅く、及び／又は高価になる場合がある。
【０００６】
[0006]  一態様によれば、無機剥離層とインプリント可能な媒体の層とを有する基板を用いてインプリントテンプレートを形成する方法であって、マスタインプリントテンプレートを用いてインプリント可能な媒体にパターンをインプリントするステップと、インプリント可能な媒体を固化させるステップと、インプリント可能な媒体と無機剥離層とをエッチングして無機剥離層内にパターンを形成するステップとを含む方法が提供される。
【０００７】
[0007]  一態様によれば、基板と無機剥離層とを備えるインプリントテンプレートであって、無機剥離層内にパターンが存在し、エッチングを用いて無機剥離層内にパターンが形成されるインプリントテンプレート。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
[0008]  以下、添付の図面を参照しながら、本発明の特定の実施形態について説明する。
【図１ａ】[0009]ホットインプリントリソグラフィの例の略図である。
【図１ｂ】[0009]ＵＶインプリントリソグラフィの例の略図である。
【図２】[0010]本発明のある実施形態によるインプリントテンプレートを形成する方法の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[0011]  インプリントリソグラフィの方法の例を図１ａ〜図１ｂに概略的に示す。
【００１０】
[0012]  図１ａは、いわゆるホットインプリントリソグラフィ（又はホットエンボス）の一例を示す。典型的なホットインプリント工程では、テンプレート２が、基板６の表面に提供された熱硬化性又は熱可塑性のインプリント可能な媒体４内にインプリントされる。インプリント可能な媒体４は、例えば樹脂であってもよい。インプリント可能な媒体は、例えばスピンコーティングし、基板表面に、又は図示の例のように、基板６の平坦化及び転写層８に焼成してもよい。熱硬化性ポリマー樹脂を使用する場合、樹脂はテンプレートに接触すると、テンプレート上に形成されたパターンフィーチャ内に流入する程度に十分に流動可能な状態になるような温度に加熱される。次に、樹脂の温度は、上昇して樹脂を熱硬化（架橋結合）させ、樹脂は固体化し所望のパターンを不可逆的に採用する。次に、テンプレート２を除去してパターン形成された樹脂を冷却することができる。熱可塑性ポリマー樹脂の層を使用するホットインプリントリソグラフィでは、熱可塑性樹脂が加熱されてテンプレート２によるインプリントの直前に自由に流動可能な状態になる。場合によって、熱可塑性樹脂を樹脂のガラス転移温度より大幅に高い温度まで上昇させる必要がある。テンプレートは流動性樹脂に押しつけられ、次にガラス転移温度より下の温度まで冷却され、その間、テンプレート２が所定位置でパターンを硬化させる。その後、テンプレートは除去される。パターンは、インプリント可能な媒体の残りの層から浮き彫りになったフィーチャからなり、次に、残りの層は、適切なエッチング工程によって除去され、パターンフィーチャだけが後に残される。ホットインプリントリソグラフィ工程で使用される熱可塑性ポリマー樹脂の例は、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリスチレン、ポリ（ベンジルメタクリレート）、又はポリ（シクロヘキシルメタクリレート）である。ホットインプリントの詳細情報については、例えば、米国特許第４，７３１，１５５号及び米国特許第５，７７２，９０５号を参照されたい。
【００１１】
[0013]  図１ｂは、紫外線（ＵＶ）放射を透過する透明な又は半透明のテンプレートとインプリント可能な媒体としてのＵＶ硬化性液体（本明細書では「ＵＶ」という用語が便宜上使用されているが、インプリント可能な媒体を硬化させる任意の適切な化学線を含むものと解釈すべきである）の使用を含むＵＶインプリントリソグラフィの一例を示す。ＵＶ硬化性液体は、多くの場合、ホットインプリントリソグラフィで使用される熱硬化性又は熱可塑性樹脂よりも粘性が低く、したがって、はるかに速く移動してテンプレートのパターンフィーチャを充填することができる。図１ａの工程と同様の方法で石英テンプレート１０が、ＵＶ硬化性樹脂１２に当てられる。しかし、ホットインプリントの場合と異なり、熱又は温度サイクリングを用いるのではなく、石英テンプレート１０を通してインプリント可能な媒体１２上に印加されるＵＶ放射１４でインプリント可能な媒体１２を硬化させることでパターンは固まる。テンプレート１０を除去した後で、インプリント可能な媒体１２はエッチングされる。ＵＶインプリントリソグラフィによって基板をパターン形成する特定の方法は、いわゆるステップアンドフラッシュインプリントリソグラフィ（ＳＦＩＬ）である。ＳＦＩＬは、従来、ＩＣ製造で使用されている光ステッパと類似の方法で基板を細かいステップでパターン形成するために使用することができる。ＵＶインプリントの詳細情報については、例えば、米国特許出願公開第２００４−０１２４５６６号、米国特許第６，３３４，９６０号、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ０２／０６７０５５号、及び「Ｍｏｌｄ−ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｎａｎｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：Ａ  ｐｒｏｃｅｓｓ  ｆｏｒ  ｒｅｌｉａｂｌｅ  ｐａｔｔｅｒｎ  ｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ」、Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１４（６），１９９６年１１月／１２月と題されたＪ．Ｈａｉｓｍａ氏の論文を参照されたい。
【００１２】
[0014]  また、上記インプリント技術の組合せも可能である。例えば、インプリント可能な媒体の加熱及びＵＶ硬化の組合せを記述する米国特許出願公開第２００５−０２７４６９３号を参照されたい。
【００１３】
[0015]  図２は、本発明のある実施形態によるインプリントテンプレートを形成する方法を概略的に示す。
【００１４】
[0016]  図２ａを参照すると、石英基板２０は、無機剥離層２１（例えば、シリコン窒化物）を備える。無機剥離層２１は、例えば、化学蒸着、物理蒸着、又は原子層堆積によって塗布することができる。無機剥離層２１上にハードマスク２２（例えば、Ｃｒ）が提供される。ハードマスク２２上に接着層２３（例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＤＭＳ）が提供される。
【００１５】
[0017]  図２ｂを参照すると、接着層２３上にインプリント可能な媒体２４の層が提供される。次に、インプリントテンプレート２５がインプリント可能な媒体２４の層に接触する。以後、インプリントテンプレート２５をマスタインプリントテンプレート２５と呼ぶ。インプリント可能な媒体２４は、マスタインプリントテンプレート２５の最下面に提供されたパターンの凹部内に流入する。次に、インプリント可能な媒体２４は、例えばインプリント可能な媒体を化学線に当てることで硬化する。あるいは、例えばインプリント可能な媒体を加熱又は冷却することでインプリント可能な媒体２４を固化させることもできる。
【００１６】
[0018]  図２ｃを参照すると、マスタインプリントテンプレートは、インプリント可能な媒体２４から離れる。図２ｃから分かるように、インプリント可能な媒体２４は、マスタインプリントテンプレートによって形成されたパターンを保持している。
【００１７】
[0019]  図２ｄを参照すると、インプリント可能な媒体２４と接着層２３がエッチングされる。ブレークスルーエッチングと呼ばれるエッチングは、インプリント可能な媒体２４と接着層２３とを貫通してエッチングを行うが、望ましくはハードマスク２２に達したところで終了する。このエッチングは、例えば適当なガス（例を後述する）を用いるドライエッチングであってもよい。このエッチングは異方性であり、例えば、図２ｄの実質的に垂直方向にだけ施されるエッチングである。エッチングの結果、マスタインプリントテンプレート２５によって形成されるパターンに対応するパターンがインプリント可能な媒体２４と接着層２３内に残される。
【００１８】
[0020]  図２ｅを参照すると、次に第２のエッチングが実行される。ハードマスクエッチングと呼ばれるこの第２のエッチングで、インプリント可能な媒体２４と接着層２３に覆われていないハードマスク２２の部分がエッチングされる。こうして、マスタインプリントテンプレート２５によって形成されたパターンがハードマスク２２内にエッチングされる。ハードマスク２２を貫通するエッチングは、ハードマスクを通って無機剥離層２１へ達する。このエッチングで無機剥離層２１へのエッチングも可能であり、それによって、無機剥離層内にパターンが形成される。このエッチングは、例えば適当なガス（例を後述する）を用いるドライエッチングであってもよい。このエッチングは異方性であり、例えば、図２ｅの実質的に垂直方向にだけ施されるエッチングである。
【００１９】
[0021]  図２ｆを参照すると、第３のエッチングが実行される。この第３のエッチングで、ハードマスク２２に覆われていない無機剥離層２１の部分がエッチングされる。このエッチングは、無機剥離層２１を貫通せず、無機剥離層の途中までを部分的にエッチングする。このエッチングは、例えば適当なガス（例を後述する）を用いるドライエッチングであってもよい。このエッチングは異方性であり、例えば、図２ｆの実質的に垂直方向にだけ施されるエッチングである。エッチングの結果、図２ｆから分かるように、無機剥離層２１内にパターンがエッチングされる。無機剥離層２１内に形成されたパターンは、インプリント可能な媒体２４内のマスタインプリントテンプレート２５によって形成されたパターンに対応する。
【００２０】
[0022]  図２ｆに関連して説明したエッチングを実行する前にインプリント可能な媒体２４を除去してもよい。これは、例えば、ドライエッチング又はウェットエッチングを用いて実行することができる。
【００２１】
[0023]  図２ｇを参照すると、第４のエッチングが実行される。この第４のエッチングで、ハードマスク２２と、接着層２３とインプリント可能な媒体２４の残りの部分がすべて除去される。このエッチングは、例えば適当な液体（例を後述する）を用いるウェットエッチングであってもよい。このエッチングは等方性であってもよい。このエッチングは、例えば、ハードマスク２２を溶解してハードマスクを除去し、それによって接着層２３とインプリント可能な媒体２４の残りの部分をすべて除去することができる。
【００２２】
[0024]  図２ｇから分かるように、本発明の実施形態の方法は、パターンを有する石英インプリントテンプレート３０を提供する。石英インプリントテンプレート３０は、パターニングされない石英基板２０と、パターニングされる無機剥離層２１とを含む。これは、石英自体がパターニングされ、無機剥離層がパターン上に実質的に一定の厚さを備えた層として提供される従来の石英インプリントテンプレートとは異なる。
【００２３】
[0025]  無機剥離層２１内に形成されるパターンは、マスタインプリントテンプレート２５のパターンの反転像である。したがって、無機剥離層２１内に所望のパターンを提供するために、マスタインプリントテンプレート２５上に所望のパターンの反転像を提供してもよい。代替構成では、材料層（例えば、インプリント可能な媒体）の１つ以上を配置して、パターンの凹部がエッチングされない反転エッチング工程（反転ＳＦＩＬ、反転トーンエッチング、又はＳＦＩＬ−Ｒとして知られる工程）を支援することができる。これがなされた場合、マスタインプリントテンプレート上のパターンを所望のパターンの反転像ではなく所望のパターンに対応させることができる。
【００２４】
[0026]  この方法は、同じマスタインプリントテンプレート２５を用いて複数回繰り返すことができるため、複数のインプリントテンプレートを形成することができる。同じパターンを有する複数のマスタインプリントテンプレート２５を提供してもよい。
【００２５】
[0027]  本発明のこの実施形態は、無機剥離層２１を備えた複数のインプリントテンプレート３０を形成する方法を提供する。この方法では、インプリントテンプレートを形成する多くの従来技術の方法に見られるように、ｅビーム書込みを用いてインプリントテンプレート３０を形成する必要はない。この方法では、マスタインプリントテンプレート２５を用いてインプリントテンプレート３０のためのパターンが提供される。マスタインプリントテンプレート２５は、任意の好適な方法を用いて形成することができる。例えば、マスタインプリントテンプレート２５は、ｅビーム書込みを用いて形成することができる。これは比較的遅く高価な工程ではあるが、一旦マスタインプリントテンプレート２５が形成されると、マスタインプリントテンプレートを用いて多数のインプリントテンプレート３０を形成することができる。したがって、本発明のこの実施形態によって、無機剥離層を備えた多数のインプリントテンプレートを比較的低いコストで（ｅビーム書込みを用いて各々のインプリントテンプレートに書き込む方法と比較して）作成することができる。例えば、複数のインプリントテンプレートを用いて並列のインプリントを実行することが望まれる場合、これは有用である。予備のインプリントテンプレートのストックを提供することが望めれば有用である。
【００２６】
[0028]  本発明のこの実施形態は、パターニングされた無機剥離層２１を備えたインプリントテンプレート３０を提供する。パターニングされた無機剥離層を提供することは、有機剥離層を提供することよりも有利である。これは、有機剥離層の方が使用中に損傷しやすく、時間と共に摩耗する傾向があるからである。無機剥離層２１は、有機剥離層よりも損傷を受けにくく、はるかに寿命が長いはずである。無機剥離層の１つ又は複数の利点は、例えば、Ｈｏｕｌｅ他、Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ．Ｂ  ２００８  ２６  １３０１、及びＰｒｏｃ．ｏｆ  ＳＰＩＥ  ２００８  Ｖｏｌ．６９２１に記載されている。
【００２７】
[0029]  本発明の実施形態は、インプリントテンプレートのパターニングの前に無機剥離層２１を提供する（インプリントテンプレートのパターニング後に無機剥離層を提供するのではなく）ので有利である。無機剥離層は平坦な表面上に提供されるので、無機剥離層がパターニングされた表面上に提供された場合よりも低い有孔率と低い欠陥とを無機剥離層に提供することが場合によって可能である。
【００２８】
[0030]  図２ｄに関連して上述したブレークスルーエッチングは、インプリント可能な媒体２４と接着層２３とを貫通してエッチングを行うが、ハードマスク２２に達したところで終了する。代替実施形態では、ブレークスルーエッチングはハードマスク２２を貫通してもよい。したがって、図２ｄ及び図２ｅに関連して説明したエッチングを単一のエッチングとして組み合わせることができる。
【００２９】
[0031]  図２ｆに関連して説明したエッチングは、無機剥離層２１内にエッチングを行う。場合によっては、このエッチングを図２ｅに関連して説明したハードマスク２２内へのエッチングと組み合わせることができる。場合によっては、図２ｄ、図２ｅ及び図２ｆに関連して説明したエッチングを単一のエッチングとして組み合わせることができる。
【００３０】
[0032]  接着層２３は、インプリント可能な媒体２４の保持を支援するように意図されている。例えば、接着層２３は、マスタインプリントテンプレート２５がインプリント可能な媒体から除去された時にインプリント可能な媒体２４が確実に所定位置にあることを支援することができる。場合によっては、ハードマスク２２へのインプリント可能な媒体２４の接着は接着層２３が必要ない程度に十分に強力であってもよい。
【００３１】
[0033]  接着層２３は、例えば、ハードマスク２２上にスピンコーティングされたポリマーであってもよく、又は、例えば、ハードマスク上に単一層として塗布されるＨＤＭＳであってもよい。
【００３２】
[0034]  ハードマスク２２は、無機剥離層２１よりもエッチング速度が遅い（又は無機剥離層のエッチング中に全くエッチングを行わない）材料から形成されてもよい。したがって、ハードマスク２２によって、ハードマスク２２が存在しなかった場合と比較して深さが大きい無機剥離層２１内に複数のフィーチャを形成することができる。したがって、本発明の実施形態ではハードマスクを省略できるが、これによって無機剥離層２１内に形成されるフィーチャの深さが制限されることがある。
【００３３】
[0035]  ハードマスク２２は、例えば、Ｃｒから形成されてもよく、その場合、図２ｅに関連して言及したハードマスクエッチングは、例えば、酸素／塩素プラズマ（Ｏ２／Ｃｌ２）を使用することができる。ハードマスク２２は、例えば、Ｍｏから形成されてもよく、その場合、ハードマスクエッチングは、例えば、ＣＦ４／Ｏ２プラズマを使用することができる。ハードマスク２２は、例えば、ＷＳｉから形成されてもよく、その場合、ハードマスクエッチングは、例えば、フッ素ベースであってもよい。ハードマスク２２は、例えば、Ｗから形成されてもよく、その場合、ハードマスクエッチングは、例えば、ＳＦ６又はＳＦ６／Ｏ２を使用することができる。ハードマスク２２は、例えば、Ａｌから形成されてもよく、この場合、ハードマスクエッチングは、例えば、塩素ベースであってもよい。ハードマスク２２は、例えば、Ｔｉから形成されてもよく、その場合、ハードマスクエッチングは、例えば、Ａｒ／ＣＨＦ３を使用することができる。
【００３４】
[0036]  ハードマスク２２を溶解するためにウェットエッチング液が使用される場合、ウェットエッチング液はハードマスクを形成するために使用される材料によって変わる。ハードマスクが、例えば、Ｃｒから形成される場合、ウェットエッチングは、例えば、ＨＣｌ又は酢酸／セリンアンモニウム硝酸塩の混合物を使用することができる。ハードマスクが、例えば、Ｗから形成される場合、ウェットエッチングは、例えば、フェリシアニドと亜リン酸の混合物を使用することができる。ハードマスクが、例えば、Ａｌから形成される場合、ウェットエッチングは、例えば、Ｈ３ＰＯ４ＨＮＯ３と酢酸の混合物を使用することができる。ハードマスクが、例えば、Ｔｉから形成される場合、ウェットエッチングは、例えば、ＨＦとＨ２ＳＯ４を使用することができる
【００３５】
[0037]  無機剥離層は、化学的に不活性であってもよい。無機剥離層は、機械的に不活性であってもよい。無機剥離層は、セラミック（例えば、金属酸化物又は金属窒化物）から形成することができる。
【００３６】
[0038]  無機剥離層２１は、例えば、ＳｉＮｘから形成されてもよく、その場合、図２ｆに関連して言及した無機剥離層のエッチングは、例えば、ＳＦ６又はＳＦ６／Ｏ２を使用することができる。無機剥離層２１は、例えば、ＡｌＮｘから形成されてもよく、その場合、無機剥離層のエッチングは、例えば、ＢＣｌ３／Ｃｌ２／Ａｒを使用することができる。無機剥離層２１は、例えば、ＴｉＮｘから形成されてもよく、その場合、無機剥離層のエッチングは、例えば、Ａｒ／ＣＨＦ３、Ａｒ／Ｃｌ２、Ａｒ／ＢＣｌ３を使用することができる。無機剥離層２１は、例えば、ＴｉＯｘ、ＡｌＯｘ、又はＴａＯｘから形成されてもよく、その場合、無機剥離層のエッチングは、例えば、ＣＦ４を使用することができる。無機剥離層２１は、例えば、ＧａＮｘから形成されてもよく、その場合、無機剥離層のエッチングは、例えば、Ａｒ／ＢＣｌ３／Ｃｌ２を使用することができる。
【００３７】
[0039]  上記の例で、基板２０は石英から形成される。しかし、基板は、任意の好適な材料から形成されてもよい。例えば、基板は、溶融シリカ、ガラス、ＹＡＧ又はＣａＦ２から形成されてもよい。
【００３８】
[0040]  マスタインプリントテンプレート２５は、例えば、石英、溶融シリカ、ガラス、ＹＡＧ又はＣａＦ２から形成されてもよい。マスタインプリントテンプレート２５は、無機剥離層を含んでいてもよい。
【００３９】
[0041]  インプリント可能な媒体２４は、例えば、シリコンを含む材料又はシリコンを含まない材料であってもよい。インプリント可能な媒体は、例えば、ＳＦＩＬレジストであってもよい。
【００４０】
[0042]  本発明のある実施形態は、米国特許出願公開第２００８／００１１９３４号に記載の方法とは１つ又は複数の点で異なる。例えば、ＵＳ２００８／００１１９３４号では、パターンがゾル−ゲル内にインプリントされ、次にゾル−ゲルが硬化する。本発明のある実施形態は、パターンをインプリント可能な媒体内にインプリントし、次にパターンを無機剥離層内にエッチングする。ゾル−ゲルは、硬化時に寸法が変化しやすく、これは、例えば、ゾル−ゲル内に形成されたパターン上の２点間の距離が所望の距離と異なるということを意味する場合がある。無機剥離層２１はエッチング時点で固体であるため、この問題は本発明のある実施形態によって回避することができる。
【００４１】
[0043]  ゾル−ゲル層内にパターンを形成するためにＵＳ２００８／００１１９３４号で使用されるパターンはＰＤＭＳであってもよい。ＰＤＭＳパターンの不要な寸法変化が起こる可能性がある。この問題は、マスタインプリントテンプレートが石英（又は例えばＰＤＭＳより寸法変化を起こしにくい何か別の材料）から形成される本発明のある実施形態によって回避することができる。
【００４２】
[0044]  ゾル−ゲル内への有機化合物の拡散によって引き起こされる膨張によって、ゾル−ゲル層内に形成されたパターンの寸法変化が起こる場合がある。この問題は、マスタインプリントテンプレートが石英（又は何か別の無機材料）及び／又は無機剥離層（又はゾル−ゲルと比較して有機化合物の拡散による膨張を起こしにくいその他の材料）の使用から形成される本発明のある実施形態によって回避することができる。
【００４３】
[0045]  ゾル−ゲルを用いてインプリントテンプレートを形成する方法の別の問題は、ゾル−ゲルが極めて柔軟であるということである。これとは対照的に、本発明のある実施形態を用いて形成されるインプリントテンプレートは、ゾル−ゲルよりも柔軟でない。したがって、本発明のある実施形態を用いて形成されるインプリントテンプレートを用いてより高精度のパターニングを達成することができる。
【００４４】
[0046]  本発明のある実施形態を用いて形成されるインプリントテンプレートは、例えば、電子デバイス及び集積回路などのデバイスの製造に使用することができる。本発明のある実施形態を用いて形成されるインプリントテンプレートは、例えば、集積光システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、有機発光ダイオードなどの製造に使用することができる。
【００４５】
[0047]  上述し図示した実施形態は、その性質が例示的なものであって制限するものではない。好ましい実施形態だけが図示され説明されており、特許請求の範囲に記載する本発明の範囲を逸脱することなく、すべての変更及び修正は保護されることが望ましいことを理解されたい。説明内の「好適な」、「好適には」、「好ましい」又は「より好ましい」などの用語の使用は、そのように記載された特徴が望ましいことを示すが、必ずしも必要ではなく、そのような特徴を有さない実施形態も添付の特許請求の範囲に定義する本発明の範囲内に含まれることを理解されたい。特許請求の範囲に関して、「ある」、「少なくとも１つの」、又は「少なくとも一部」などの用語は、添付の特許請求の範囲で、特に断りのない限り、特許請求の範囲をそのような特徴に限定する意図がない特徴に先行するものである。「少なくとも一部」及び／又は「一部」といった言語が使用される場合には、その要素は、特に断りのない限り、一部及び／又は要素全体を含むことができる。
【図１ａ】
2011073444.tif 000003
【図１ｂ】
2011073444.tif 000004
【図２】
2011073444.tif 000005
【外国語明細書】
2011073444000001.pdf