(57)【要約】    【課題】  表面が平坦で厚みの薄いプリント配線板を提供する。    【解決手段】  プリント配線板１０は、絶縁層４２がビルドアップ多層配線板の層間樹脂絶縁層を構成する層間樹脂絶縁材からなるため、薄く、搭載するＩＣチップ６０からの熱を効率的に逃がすことができる。導体回路４０Ａ、４０Ｂが、絶縁層４２の第１面４２Ｕ側に埋め込まれ、絶縁層４２の第１面と同一平面に位置し、絶縁層上に凸凹が無くフラットであるため、ＩＣチップ６０を信頼性高く搭載することができる。【選択図】  図５
2011124555.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面、該第１面の反対側の第２面とを有し、第２面に開口する開口部を備える絶縁層と、
前記絶縁層の第１面側に埋め込まれ、絶縁層の第１面と同一平面に位置する第１面と、該第１面とは反対側で、前記開口部により露出される第２面とを備える導体回路と、
前記導体回路の第１面側に形成されている第１表面処理膜と、
前記開口により露出される前記導体回路の第２面上に形成されている第２表面処理膜とを備えるプリント配線板。
【請求項２】
前記第１表面処理膜は、前記導体回路の第１面上に形成されていることを特徴とする請求項１のプリント配線板。
【請求項３】
前記第１表面処理膜の表面は、前記導体回路の第１面と同一平面に位置することを特徴とする請求項１のプリント配線板。
【請求項４】
前記第１表面処理膜及び前記第２表面処理膜は、無電解めっき膜からなる請求項１のプリント配線板。
【請求項５】
前記第１表面処理膜及び前記第２表面処理膜は、ニッケル、パラジウム及び金からなる請求項１のプリント配線板。
【請求項６】
前記導体回路が１層設けられている請求項１のプリント配線板。
【請求項７】
前記導体回路の厚みをａとし、前記絶縁層の厚みをｂとしたとき、０．２＜ａ／ｂ＜０．８となる請求項１のプリント配線板。
【請求項８】
以下の工程を備えるプリント配線板の製造方法：
第１支持体上に導体回路を形成することと、
前記導体回路を覆うように前記第１支持体上に絶縁層を形成することと、
前記導体回路の表面の一部を露出させる開口部を前記絶縁層の内部に形成することと、
前記絶縁層の開口部から露出された前記導体回路の表面上に第１表面処理膜を形成することと、
前記絶縁層上に第２支持体を貼り付けることと、
前記第１支持体を前記絶縁層から剥離することと、
前記第１支持体を剥離した後に露出された前記導体回路の表面上に第２表面処理膜を形成することと、
前記第２支持体を前記絶縁層から剥離することと、
を有するプリント配線板の製造方法。
【請求項９】
前記第１表面処理膜及び前記第２表面処理膜は無電解めっきにより形成される請求項８のプリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
以下の工程を備えるプリント配線板の製造方法：
第１支持体上に第１表面処理膜を形成することと、
前記第１表面処理膜を覆うようにして前記第１支持体上に導体回路を形成することと、
前記導体回路を覆うようにして前記第１支持体上に絶縁層を形成することと、
前記導体回路の表面の一部を露出させる開口部を前記絶縁層の内部に形成することと、
前記絶縁層の開口部から露出された前記導体回路の表面上に第２表面処理膜を形成することと、
前記絶縁層上に第２支持体を貼り付けることと、
前記第１支持体を前記絶縁層から剥離することと、
を有するプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を実装する薄型のプリント配線板、及び、その製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を実装する樹脂製プリント配線板には、放熱性を高めるために薄く形成することが望まれる。特許文献１には、薄型化を目的とし、コア基板を用いない多層回路基板の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３２３６１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１では、厚みのある金属板をエッチング除去するため、製造時間が長くなる傾向があった。また、片側に積層するため、絶縁層の熱膨張係数が導体回路の熱膨張係数と異なることにより、多層回路基板が反り易い。さらに、多層化していくことにより、外部接続端子側の表面のうねりが顕著に成る。半導体素子用パッドが底面に露出するので、層間樹脂層で覆う必要があり、全体の層間樹脂層が厚くなる。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、表面が平坦で厚みの薄いプリント配線板、及び、該プリント配線板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載のプリント配線板は、第１面、該第１面の反対側の第２面とを有し、第２面に開口を備え、層間樹脂絶縁材から成る絶縁層と、
前記層間樹脂絶縁層の第１面側に埋め込まれ、絶縁層の第１面と同一平面に位置する第１面と、該第１面とは反対側で、前記開口により露出される第２面とを備える導体回路と、
前記導体回路の第１面上に形成されている第１表面処理膜と、
前記開口により露出される前記導体回路の第２面上に形成されている第２表面処理膜とを備えることを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
請求項１の発明では、絶縁層が層間樹脂絶縁材からなるため、薄く、搭載する半導体素子からの熱を効率的に逃がすことができる。導体回路が、絶縁層の第１面側に埋め込まれ、絶縁層の第１面と同一平面に位置し、絶縁層上に凹凸が無くフラットであるため、半導体素子を信頼性高く搭載することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の断面図である。
【図６】図６（Ａ）は図５中のサイクルＣで囲んだ部位を更に拡大して示し、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）の導体回路のＢ矢視図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図８】第２実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【図９】第２実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【図１０】第２実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【図１１】第２実施形態のプリント配線板の断面図である。
【図１２】図１２（Ａ）は図１１中のサイクルＣで囲んだ部位を更に拡大して示し、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）の導体回路のＢ矢視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施形態]
図５、図６を参照して第１実施形態に係るプリント配線板について説明する。図５はプリント配線板の一部断面を示し、図６（Ａ）は図５中のサイクルＣで囲んだ部位を更に拡大して示し、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）の導体回路のＢ矢視図である。
プリント配線板１０は、単層の樹脂製の絶縁層４２から成り、上面（第１面４２Ｕ）側に、パッド用導体回路４０Ａと、配線用導体回路４０Ｂとが形成されている。パッド用導体回路４０Ａと配線用導体回路４０Ｂとの上面（第１面４０Ｕ）は、絶縁層４２の上面と同一平面になるように形成されている。パッド用導体回路４０Ａの上面には、図６（Ａ）中に示すように、ニッケル膜５４、パラジウム膜５５、金膜５６からなる表面処理膜を有するボンディングパッド５７Ｕが形成されている。図６（Ｂ）に示すようにボンディングパッド５７Ｕは矩形に形成されている。
【００１０】
一方、絶縁層４２の下面（第２面４２Ｄ）側には、パッド用導体回路４０Ａの下面（第２面４０Ｄ）側を露出させる開口４２ａが形成されている。該開口４２ａ内のパッド用導体回路４０Ａの下面には、ニッケル膜４４、パラジウム膜４５、金膜５６が順次形成されている。パッド５７Ｄには、ワイヤボンディングが可能であるが、半田バンプを形成することもできる。
【００１１】
図５に示すように、絶縁層４２の第１面４２Ｕ上であって、パッド用導体回路４０Ａの一部及び配線用導体回路４０Ｂの第１面上にＤＡＦ（Die Attach Film）６４を介してメモリー用ＩＣチップ６０が搭載されている。ボンディングパッド５７ＵとＩＣチップ６０の端子６２とは金線からなるボンディングワイヤ６６で接続されている。絶縁層４２の第１面４２Ｕ上に、ＩＣチップ６０を覆うモールド樹脂６８が設けられている。
【００１２】
図６（Ａ）に示すように絶縁層４２は厚みｅ（３０μｍ）に形成されている。導体回路４０Ａ、４０Ｂは厚みｄ（１０μｍ）に形成されている。ボンディングパッド５７Ｕを構成するニッケル膜５４は厚みａ（３μｍ）に、パラジウム膜５５は厚みｂ（０．３μｍ）に、金膜５６は厚みｃ（０．４μｍ）に形成されている。パッド５７Ｄを構成するニッケル膜４４は厚みａ’（３μｍ）に、パラジウム膜４５は厚みｂ’（０．３μｍ）に、金膜４６は厚みｃ’（０．４μｍ）に形成されている。
【００１３】
第１実施形態のプリント配線板では、端子を構成するボンディングパッド５７Ｕ、パッド５７Ｄ（表面処理膜）が無電解ニッケル／パラジウム／金膜からなるため、金線でワイヤボンディングした際の接続信頼性が高い。
【００１４】
次に、第１実施形態のプリント配線板の製造方法について、図１〜図４の製造工程図を参照して説明する。
厚さ０．２〜０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板３０の両面に５〜２５０μｍの銅箔３２がラミネートされている両面銅張積層板３０Ａを出発材料とし、銅箔３２に厚み１００μｍのキャリア銅箔３４を超音波溶接する（図１（Ａ））。キャリア銅箔３４上にＮｉ膜３６をスパッタリングで形成する（図１（Ｂ））。そして、めっきレジスト組成物を被覆し、露光・現像によりパターニングしてめっきレジスト３８を形成する（図１（Ｃ））。めっきレジスト非形成部に電解銅めっきにより導体回路４０Ａ、４０Ｂを形成し、めっきレジストを剥離する（図１（Ｄ））。
【００１５】
導体回路４０Ａ、４０Ｂを埋設するように、Ｎｉ膜３６上にビルドアップ多層配線板の層間樹脂絶縁層を形成するための層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）を載置し、仮圧着して裁断した後、真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより厚さ３０μｍの絶縁層４２を形成した後、レーザにより導体回路４０Ａを露出させる開口４２ａを設ける（図２（Ａ））。ここでは、レーザにより開口を設けたが、露光・現像により開口を設けることもできる。
【００１６】
Ｏ2プラズマにより、開口内の残滓を除去した後、開口４２ａで露出された導体回路４０ａ上に無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきにより、ニッケル膜５４、パラジウム膜５５、金膜５６を形成する（図２（Ｂ））。
【００１７】
樹脂、金属、セラミックのいずれからなる支持体５０を、剥離層４８を介在させて絶縁層４２上に貼り付ける（図２（Ｃ））。キャリア銅箔３４を剥離する（図３（Ａ））。本実施形態では、両面銅張積層板３０Ａを用いて、両面に絶縁層４２を形成するため、上下で応力の加わりかたが均等になり、平坦に絶縁層４２を形成することができる。
【００１８】
銅エッチングにより、キャリア銅箔３４を除去した後、更に、ニッケルエッチングでＮｉスパッタ膜３６を除去し、絶縁層４２を露出させる（図３（Ｂ））。
【００１９】
絶縁層４２上に、めっきレジスト膜５２を形成した後、めっきレジスト膜５２の開口５２ａで露出された導体回路４０上に無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきにより、ニッケル膜５４、パラジウム膜５５、金膜５６を形成する（図３（Ｃ））。その後、めっきレジスト膜５２を除去する（図３（Ｄ））。なお、金膜５６は、置換めっき及び還元めっきにより形成されることが好ましい。これによれば、ニッケル膜５４の腐食を抑制しつつ金膜の厚付けも可能となる。
【００２０】
絶縁層４２の第１面上であって、パッド用導体回路４０Ａの一部及び配線用導体回路４０Ｂの第１面上にＤＡＦ（Die Attach Film）６４を介してメモリー用ＩＣチップ６０を搭載する（図４（Ａ））。導体回路４０Ａ上のニッケル膜５４、パラジウム膜５５、金膜５６からなるボンディングパッド５７Ｕと、ＩＣチップの端子６２とをボンディングワイヤ６６により接続する。絶縁層４２の第１面４２Ｕ上に、ＩＣチップ６０を覆うモールド樹脂６８を設ける（図４（Ｃ））。そして、剥離層４８により支持体５０を分離し、プリント配線板を完成する（図５）。
【００２１】
第１実施形態のプリント配線板の製造方法では、両面銅張積層板３０Ａ上のＮｉスパッタ膜３６に導体回路４０Ａ、４０Ｂを形成し、該Ｎｉスパッタ膜３６上に層間樹脂絶縁材を用いて絶縁層４２を形成し、支持体５０を貼り付ける。両面銅張積層板３０Ａと支持体５０とでサンドイッチした状態で硬化させるので、薄い層間樹脂絶縁材からフラットな絶縁層４２を形成することが可能である。そして、両面銅張積層板３０Ａを剥離し支持体５０で支持した状態で、絶縁層４２上にＩＣチップ６０を搭載し、絶縁層４２上にＩＣチップ６０を覆うモールド樹脂６８を設け、モールド樹脂６８及びＩＣチップ６０で強度が取れる状態にしてから、支持体５０を剥離する。このため、機械的な強度の無い薄い絶縁層４２を設けることが可能となり、更に、表面の強度を保つためのソルダーレジスト層が不要に成り、プリント配線板の厚みを薄くすることで、ＩＣチップ６０からの熱を効率的に逃がすことができる。導体回路４０Ａ、４０Ｂが、絶縁層４２の第１面側に埋め込まれ、絶縁層４２の第１面と同一平面に位置し、絶縁層４２上に凹凸が無くフラットであるため、ＩＣチップ６０を信頼性高く搭載することができる。
【００２２】
[第２実施形態]
図１１、図１２を参照して第２実施形態に係るプリント配線板について説明する。図１１はプリント配線板の一部断面を示し、図１２（Ａ）は図１１中のサイクルＣで囲んだ部位を更に拡大して示し、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）の導体回路のＢ矢視図である。
プリント配線板１０は、単層の樹脂製の絶縁層４２から成り、上面（第１面４２Ｕ）側に、パッド用導体回路４０Ａと、配線用導体回路４０Ｂとが形成されている。パッド用導体回路４０Ａと配線用導体回路４０Ｂとの上面（第１面４０Ｕ）は、絶縁層４２の上面と同一平面になるように形成されている。パッド用導体回路４０Ａの上面には、図１２（Ａ）中に示すように、ニッケル膜５４、パラジウム膜５５、金膜５６からなる表面処理膜が形成されている。ボンディングパッド５７Ｕの上面は、パッド用導体回路４０Ａの上面（第１面４０Ｕ）、及び、絶縁層４２の上面と同一平面になるように形成されている。図１２（Ｂ）に示すようにボンディングパッド５７Ｕは矩形に形成されている。
【００２３】
一方、絶縁層４２の下面（第２面４２Ｄ）側には、パッド用導体回路４０Ａの下面（第２面４０Ｄ）側を露出させる開口４２ａが形成されている。該開口４２ａ内のパッド用導体回路４０Ａの下面には、ニッケル膜４４、パラジウム膜４５、金膜４６からなる表面処理膜を有するパッド５７Ｄが形成されている。パッド５７Ｄは、ワイヤボンディングが可能であるが、半田バンプを形成することもできる。
【００２４】
図１１に示すように、絶縁層４２の第１面上であって、パッド用導体回路４０Ａの一部及び配線用導体回路４０Ｂの第１面上にＤＡＦ（Die Attach Film）６４を介してメモリー用ＩＣチップ６０が搭載されている。ボンディングパッド５７ＵとＩＣチップ６０の端子６２とは金線からなるボンディングワイヤ６６で接続されている。絶縁層４２の第１面４２Ｕ上に、ＩＣチップ６０を覆うモールド樹脂６８が設けられている。
【００２５】
図１２（Ａ）に示すように絶縁層４２は厚みｅ（３０μｍ）に形成されている。導体回路４０Ａ、４０Ｂは厚みｄ（１０μｍ）に形成されている。ボンディングパッド５７Ｕを構成するニッケル膜５４は厚みａ（３μｍ）に、パラジウム膜５５は厚みｂ（０．３μｍ）に、金膜５６は厚みｃ（０．４μｍ）に形成されている。パッド５７Ｄを構成するニッケル膜４４は厚みａ’（３μｍ）に、パラジウム膜４５は厚みｂ’（０．３μｍ）に、金膜４６は厚みｃ’（０．４μｍ）に形成されている。
【００２６】
第２実施形態のプリント配線板では、絶縁層４２が層間樹脂絶縁材からなるため、薄く、搭載するＩＣチップ６０からの熱を効率的に逃がすことができる。導体回路４０Ａ、４０Ｂが、絶縁層４２の第１面４２Ｕ側に埋め込まれ、絶縁層４２の第１面と同一平面に位置し、絶縁層上に凸凹が無くフラットであるため、ＩＣチップを信頼性高く搭載することができる。
【００２７】
第２実施形態のプリント配線板では、ニッケル膜５４、パラジウム膜５５、金膜５６からなるボンディングパッド５７Ｕが導体回路４０Ａの第１面と同一平面に位置し、絶縁層４２上に凸凹が無くフラットであるため、ＩＣチップ等の半導体素子を信頼性高く搭載することができる。
【００２８】
次に、第２実施形態のプリント配線板の製造方法について、図７〜図１０の製造工程図を参照して説明する。
厚さ０．２〜０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板３０の両面に５〜２５０μｍの銅箔３２がラミネートされている両面銅張積層板３０Ａを出発材料とし、銅箔３２に厚み１００μｍのキャリア銅箔３４を超音波溶接する（図７（Ａ））。キャリア銅箔３４上にＮｉ膜３６をスパッタリングで形成する（図７（Ｂ））。
【００２９】
Ｎｉ膜３６上に、開口を備えるめっきレジスト膜を形成した後、めっきレジスト膜の開口で露出されたＮｉ膜３６上に無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきにより、ニッケル膜５４、パラジウム膜５５、金膜５６を形成し、めっきレジスト膜５２を除去する（図７（Ｃ））。
【００３０】
そして、めっきレジスト組成物を被覆し、露光・現像によりパターニングしてめっきレジスト３８を形成する（図７（Ｄ））。めっきレジスト非形成部に電解銅めっきにより導体回路４０Ａ、４０Ｂを形成し、めっきレジストを剥離する（図８（Ａ））。
【００３１】
導体回路４０Ａ、４０Ｂを埋設するように、Ｎｉ膜３６上に層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）を載置し、仮圧着して裁断した後、真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより厚さ３０μｍの絶縁層４２を形成した後、レーザにより導体回路４０Ａを露出させる開口４２ａを設ける（図８（Ｂ））。ここでは、レーザにより開口を設けたが、露光・現像により開口を設けることもできる。
【００３２】
Ｏ2プラズマにより、開口内の残滓を除去した後、開口４２ａで露出された導体回路４０ａ上に無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきにより、ニッケル膜５４、パラジウム膜５５、金膜５６を形成する（図８（Ｃ））。
【００３３】
樹脂、金属、セラミックのいずれからなる支持体５０を、剥離層４８を介在させて絶縁層４２上に貼り付ける（図９（Ａ））。キャリア銅箔３４を剥離する（図９（Ｂ））。第２実施形態では、両面銅張積層板３０Ａを用いて、両面に絶縁層４２を形成するため、上下で応力の加わりかたが均等になり、平坦に絶縁層４２を形成することができる。
【００３４】
銅エッチングにより、キャリア銅箔３４を除去した後、更に、ニッケルエッチングでＮｉスパッタ膜３６を除去し、絶縁層４２を露出させる（図９（Ｃ））。
【００３５】
絶縁層４２の第１面上であって、パッド用導体回路４０Ａの一部及び配線用導体回路４０Ｂの第１面上にＤＡＦ（Die Attach Film）６４を介してメモリー用ＩＣチップ６０を搭載する（図１０（Ａ））。導体回路４０Ａ上のニッケル膜５４、パラジウム膜５５、金膜５６からなるボンディングパッド５７Ｕと、ＩＣチップの端子６２とをボンディングワイヤ６６により接続する。絶縁層４２の第１面４２Ｕ上に、ＩＣチップ６０を覆うモールド樹脂６８を設ける（図１０（Ｃ））。そして、剥離層４８により支持体５０を分離し、プリント配線板を完成する（図１１）。
【００３６】
第２実施形態のプリント配線板の製造方法では、第１表面処理膜（ニッケル膜５４、パラジウム膜５５、金膜５６）を形成した後、一面側表面処理膜を覆うように導体回路４０を形成するので、第１表面処理膜（ニッケル膜５４、パラジウム膜５５、金膜５６）が導体回路の第１面と同一平面に位置する。このため、絶縁層上に凹凸が無くフラットになり、半導体素子を信頼性高く搭載することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
上述した実施形態では、ＩＣチップを一つ乗せるプリント配線板を例示したが、本願発明の構成は、複数個のＩＣチップを乗せる場合にも好適に利用できる。
【符号の説明】
【００３８】
１０  プリント配線板
３０  絶縁基板
３２  銅箔
３４  キャリア銅箔
４０Ａ  パッド用導体回路
４０Ｂ  配線用導体回路
４０Ｕ  第１面
４０Ｄ  第２面
４２  樹脂層
４２Ｕ  第１面
４２Ｄ  第２面
４４  ニッケル膜
４５  パラジウム膜
４６  金膜
５０  支持体
５４  ニッケル膜
５５  パラジウム膜
５６  金膜
５７Ｄ  ボンディングパッド
６０  ＩＣチップ
６６  ボンディングワイヤ
６８  モールド樹脂
【図１】
2011124555.tif 000003
【図２】
2011124555.tif 000004
【図３】
2011124555.tif 000005
【図４】
2011124555.tif 000006
【図５】
2011124555.tif 000007
【図６】
2011124555.tif 000008
【図７】
2011124555.tif 000009
【図８】
2011124555.tif 000010
【図９】
2011124555.tif 000011
【図１０】
2011124555.tif 000012
【図１１】
2011124555.tif 000013
【図１２】
2011124555.tif 000014