(57)【要約】【課題】従来に比べて消費電力を削減することができ、省エネルギー化を図ることのできる温度制御システム、温度制御方法、プラズマ処理装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。【解決手段】内部で基板のプラズマ処理を行う処理チャンバーの温度制御部位の温度を制御する温度制御システムであって、前記温度制御部位を加熱する加熱手段と、液体からなる冷媒を循環させて前記温度制御部位を冷却する冷却手段と、前記冷却手段による前記温度制御部位に対する前記冷媒の循環流量を、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させている期間は第１の流量とし、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させていない期間は前記第１の流量より少ない第２の流量に制御する流量制御手段とを具備したことを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部で基板のプラズマ処理を行う処理チャンバーの温度制御部位の温度を制御する温度制御システムであって、
前記温度制御部位を加熱する加熱手段と、
液体からなる冷媒を循環させて前記温度制御部位を冷却する冷却手段と、
前記冷却手段による前記温度制御部位に対する前記冷媒の循環流量を、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させている期間は第１の流量とし、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させていない期間は前記第１の流量より少ない第２の流量に制御する流量制御手段と
を具備したことを特徴とする温度制御システム。
【請求項２】
請求項１記載の温度制御システムであって、
前記流量制御手段は、前記冷媒を循環させる流路に介挿された流路の切り換え弁を作動させて前記冷媒の流路を、前記温度制御部位を通る流路から当該温度制御部位をバイパスする流路に変更して前記冷媒の前記温度制御部位に対する流量を変更する
ことを特徴とする温度制御システム。
【請求項３】
請求項１記載の温度制御システムであって、
前記流量制御手段は、前記冷媒を循環させるポンプの吐出量を変更して前記冷媒の前記温度制御部位に対する流量を変更する
ことを特徴とする温度制御システム。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか１項記載の温度制御システムであって、
前記温度制御部位は、前記処理チャンバー内に設けられ、前記基板が載置される載置台である
ことを特徴とする温度制御システム。
【請求項５】
内部で基板のプラズマ処理を行う処理チャンバーの温度制御部位の温度を、
前記温度制御部位を加熱する加熱手段と、
液体からなる冷媒を循環させて前記温度制御部位を冷却する冷却手段と
によって制御する温度制御システムを用いて制御する温度制御方法であって、
前記冷却手段による前記温度制御部位に対する前記冷媒の循環流量を、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させている期間は第１の流量とし、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させていない期間は前記第１の流量より少ない第２の流量に制御する
ことを特徴とする温度制御方法。
【請求項６】
請求項５記載の温度制御方法であって、
前記流量制御手段は、前記冷媒を循環させる流路に介挿された流路の切り換え弁を作動させて前記冷媒の流路を、前記温度制御部位を通る流路から当該温度制御部位をバイパスする流路に変更して前記冷媒の前記温度制御部位に対する流量を変更する
ことを特徴とする温度制御方法。
【請求項７】
請求項５記載の温度制御方法であって、
前記流量制御手段は、前記冷媒を循環させるポンプの吐出量を変更して前記冷媒の前記温度制御部位に対する流量を変更する
ことを特徴とする温度制御方法。
【請求項８】
請求項５〜７いずれか１項記載の温度制御方法であって、
前記温度制御部位は、前記処理チャンバー内に設けられ、前記基板が載置される載置台である
ことを特徴とする温度制御方法。
【請求項９】
処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に設けられ、基板を載置するための載置台を兼ねた下部電極と、
前記処理チャンバー内に、前記下部電極と対向するように設けられた上部電極と、
前記処理チャンバー内に処理ガスを供給するためのガス供給機構と、
前記下部電極に高周波電力を供給して前記処理ガスをプラズマ化する高周波電力供給機構と、
前記処理チャンバーの温度制御部位を加熱する加熱手段と、
液体からなる冷媒を循環させて前記温度制御部位を冷却する冷却手段と、
前記冷却手段による前記温度制御部位に対する前記冷媒の循環流量を、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させている期間は第１の流量とし、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させていない期間は前記第１の流量より少ない第２の流量に制御する流量制御手段と
を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項９記載のプラズマ処理装置であって、
前記流量制御手段は、前記冷媒を循環させる流路に介挿された流路の切り換え弁を作動させて前記冷媒の流路を、前記温度制御部位を通る流路から当該温度制御部位をバイパスする流路に変更して前記冷媒の前記温度制御部位に対する流量を変更する
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】
請求項９記載のプラズマ処理装置であって、
前記流量制御手段は、前記冷媒を循環させるポンプの吐出量を変更して前記冷媒の前記温度制御部位に対する流量を変更する
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１２】
請求項９〜１１いずれか１項記載のプラズマ処理装置であって、
前記温度制御部位は、前記下部電極である
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１３】
コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に請求項５から請求項８いずれか１項記載の温度制御方法が行われるように温度制御システムを制御することを特徴とするコンピュータ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度制御システム、温度制御方法、プラズマ処理装置及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置の製造工程等においては、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板等の基板を、プラズマを用いて処理するプラズマ処理装置、例えば、プラズマエッチング装置が使用されている。
【０００３】
上記のようなプラズマエッチング装置としては、例えば、処理チャンバー内に、基板が載置される載置台を兼ねた下部電極と、この下部電極と対向するように配置された上部電極とが配置され、これらの電極間に高周波電力を印加して処理ガスのプラズマを発生させる構成のものが知られている。
【０００４】
このようなプラズマエッチング装置では、処理チャンバーの各部の温度が、処理の状態に影響を与える。このため、処理チャンバーの各部の温度を制御することが行われている。このような処理チャンバーの各部の温度を制御する方法としては、冷媒を流して冷却するチラーと、抵抗加熱ヒータ等の加熱手段の双方を設け、加熱と冷却とを同時に行うことによって、所望温度に制御する技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３４２７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように、従来からプラズマエッチング装置等の処理チャンバーの温度を制御する温度制御システムとして、チラーによる冷却とヒータによる加熱を同時に行って、所定温度に制御する温度制御システムが知られている。
【０００７】
しかしながら、近年、地球温暖化の抑制等のため、省エネルギー化が求められており、温度制御システムにおいても、さらに省エネルギー化することのできる温度制御システムの開発が求められている。
【０００８】
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、従来に比べて消費電力を削減することができ、省エネルギー化を図ることのできる温度制御システム、温度制御方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の温度制御システムの一態様は、内部で基板のプラズマ処理を行う処理チャンバーの温度制御部位の温度を制御する温度制御システムであって、前記温度制御部位を加熱する加熱手段と、液体からなる冷媒を循環させて前記温度制御部位を冷却する冷却手段と、前記冷却手段による前記温度制御部位に対する前記冷媒の循環流量を、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させている期間は第１の流量とし、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させていない期間は前記第１の流量より少ない第２の流量に制御する流量制御手段とを具備したことを特徴とする。
【００１０】
本発明の温度制御方法の一態様は、内部で基板のプラズマ処理を行う処理チャンバーの温度制御部位の温度を、前記温度制御部位を加熱する加熱手段と、液体からなる冷媒を循環させて前記温度制御部位を冷却する冷却手段とによって制御する温度制御システムを用いて制御する温度制御方法であって、前記冷却手段による前記温度制御部位に対する前記冷媒の循環流量を、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させている期間は第１の流量とし、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させていない期間は前記第１の流量より少ない第２の流量に制御することを特徴とする。
【００１１】
本発明のプラズマ処理装置の一態様は、処理チャンバーと、前記処理チャンバー内に設けられ、基板を載置するための載置台を兼ねた下部電極と、前記処理チャンバー内に、前記下部電極と対向するように設けられた上部電極と、前記処理チャンバー内に処理ガスを供給するためのガス供給機構と、前記下部電極に高周波電力を供給して前記処理ガスをプラズマ化する高周波電力供給機構と、前記処理チャンバーの温度制御部位を加熱する加熱手段と、液体からなる冷媒を循環させて前記温度制御部位を冷却する冷却手段と、前記冷却手段による前記温度制御部位に対する前記冷媒の循環流量を、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させている期間は第１の流量とし、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させていない期間は前記第１の流量より少ない第２の流量に制御する流量制御手段とを具備したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、従来に比べて消費電力を削減することができ、省エネルギー化を図ることのできる温度制御システム、温度制御方法、プラズマ処理装置及びコンピュータ記憶媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマエッチング装置の構成を示す図。
【図２】図１のプラズマエッチング装置のヒータの構成を示す図。
【図３】本発明の一実施形態に係る温度制御システムの構成を示す図。
【図４】本発明の他の実施形態に係る温度制御システムの構成を示す図。
【図５】本発明の一実施形態に係る温度制御方法を示すフローチャート。
【図６】本発明の他の実施形態に係る温度制御方法を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施形態について説明する。
【００１５】
図１は、本実施形態に係るプラズマエッチング装置の構成を示すものである。まず、図１を参照してプラズマエッチング装置の構成について説明する。
【００１６】
プラズマエッチング装置１は、電極板が上下平行に対向し、プラズマ形成用電源が接続された容量結合型平行平板エッチング装置として構成されている。
【００１７】
プラズマエッチング装置１は、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等からなり円筒形状に成形された処理チャンバー２を有しており、この処理チャンバー２は接地されている。処理チャンバー２内の底部には、セラミックなどの絶縁性の材料から円筒状に形成された支持部材３を介して、被処理基板、例えば半導体ウエハＷを載置するための略円柱状のサセプタ（載置台）５が設けられている。このサセプタ５は、下部電極の役割を果たすものであり、サセプタ５には、ハイパスフィルター（ＨＰＦ）６が接続されている。
【００１８】
サセプタ５の内部には、冷媒室７が設けられており、この冷媒室７には、冷媒が冷媒導入管８を介して導入されて循環し冷媒排出管９から排出される。また、サセプタ５には、ヒータ４が設けられている。そして、冷媒室７を循環する冷媒の冷熱と、ヒータ４から発せられる熱がサセプタ５を介して半導体ウエハＷに対して伝熱され、これにより半導体ウエハＷが所望の温度に制御される。
【００１９】
サセプタ５は、その上側中央部が凸状の円板状に成形され、その上に半導体ウエハＷと略同形の静電チャック１１が設けられている。静電チャック１１は、絶縁材の間に電極１２を配置して構成されている。そして、電極１２に接続された直流電源１３から例えば１．５ｋＶの直流電圧が印加されることにより、例えばクーロン力によって半導体ウエハＷを静電吸着する。
【００２０】
ヒータ４は、静電チャック１１の絶縁材の中に封入された、例えばスパイラル状の抵抗発熱線からなり、本実施形態では、図２に示すように、サセプタ５の半径方向において、内側発熱線４ａと、外側発熱線４ｂとに２分割されている。内側発熱線４ａ及び外側発熱線４ｂは、夫々図１に示す絶縁被覆された給電線（または給電棒）を介してフィルタユニット７１、及び電気ケーブルを介して処理チャンバー２の外部に設けられたヒータ電源７３に電気的に接続されている。フィルタユニット７１は、プラズマ処理のために印加される高周波電力を除去するためのものである。
【００２１】
サセプタ５、静電チャック１１には、半導体ウエハＷの裏面に、伝熱媒体（例えばＨｅガス等）を供給するためのガス通路１４が形成されており、この伝熱媒体を介してサセプタ５の冷熱及び熱が半導体ウエハＷに伝達され半導体ウエハＷが所定の温度に維持されるようになっている。
【００２２】
サセプタ５の上端周縁部には、静電チャック１１上に載置された半導体ウエハＷを囲むように、環状のフォーカスリング１５が配置されている。このフォーカスリング１５は、例えば、シリコン等から構成されており、エッチングの面内均一性を向上させる作用を有する。
【００２３】
サセプタ５の上方には、このサセプタ５と平行に対向して上部電極２１が設けられている。この上部電極２１は、絶縁材２２を介して、処理チャンバー２の上部に支持されている。上部電極２１は、電極板２４と、この電極板２４を支持する導電性材料からなる電極支持体２５とによって構成されている。電極板２４は、例えば、導電体または半導体で構成され、多数の吐出孔２３を有する。この電極板２４は、サセプタ５との対向面を形成する。
【００２４】
上部電極２１における電極支持体２５の中央にはガス導入口２６が設けられ、このガス導入口２６には、ガス供給管２７が接続されている。さらにこのガス供給管２７には、バルブ２８、並びにマスフローコントローラ２９を介して、処理ガス供給源３０が接続されている。処理ガス供給源３０から、プラズマエッチング処理のための処理ガスが供給される。
【００２５】
処理チャンバー２の底部には排気管３１が接続されており、この排気管３１には排気装置３５が接続されている。排気装置３５はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、処理チャンバー２内を所定の減圧雰囲気、例えば１Ｐａ以下の所定の圧力まで真空引き可能なように構成されている。また、処理チャンバー２の側壁にはゲートバルブ３２が設けられており、このゲートバルブ３２を開いた状態で半導体ウエハＷが隣接するロードロック室（図示せず）との間で搬送されるようになっている。
【００２６】
上部電極２１には、第１の高周波電源４０が接続されており、その給電線には整合器４１が介挿されている。また、上部電極２１にはローパスフィルター（ＬＰＦ）４２が接続されている。この第１の高周波電源４０は、例えば、５０〜１５０ＭＨｚの範囲の周波数の高周波電力を出力するよう構成されている。このように周波数の高い高周波電力を上部電極２１に印加することにより、処理チャンバー２内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマを形成することができる。
【００２７】
下部電極としてのサセプタ５には、第２の高周波電源５０が接続されており、その給電線には整合器５１が介挿されている。この第２の高周波電源５０は、第１の高周波電源４０より低い周波数の高周波電力を出力するものであり、このような低い周波数の高周波電力を印加することにより、被処理基板である半導体ウエハＷに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。第２の高周波電源５０の周波数としては、２０ＭＨｚ以下の程度のものが用いられる（本実施形態では１３．５６ＭＨｚ）。
【００２８】
上記構成のプラズマエッチング装置１は、制御部６０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部６０には、ＣＰＵを備えプラズマエッチング装置１の各部を制御するプロセスコントローラ６１と、ユーザインターフェース部６２と、記憶部６３とが設けられている。
【００２９】
ユーザインターフェース部６２は、工程管理者がプラズマエッチング装置１を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマエッチング装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００３０】
記憶部６３には、プラズマエッチング装置１で実行される各種処理をプロセスコントローラ６１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース部６２からの指示等にて任意のレシピを記憶部６３から呼び出してプロセスコントローラ６１に実行させることで、プロセスコントローラ６１の制御下で、プラズマエッチング装置１での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００３１】
上記構成のプラズマエッチング装置１によって、半導体ウエハＷのプラズマエッチングを行う場合、まず、半導体ウエハＷは、ゲートバルブ３２が開放された後、図示しないロードロック室から処理チャンバー２内へと搬入され、静電チャック１１上に載置される。そして、直流電源１３から直流電圧が印加されることによって、半導体ウエハＷが静電チャック１１上に静電吸着される。次いで、ゲートバルブ３２が閉じられ、排気装置３５によって、処理チャンバー２内が所定の真空度まで真空引きされる。
【００３２】
その後、バルブ２８が開かれ、処理ガス供給源３０から所定の処理ガスが、マスフローコントローラ２９によってその流量を調整されつつ、処理ガス供給管２７、ガス導入口２６を通って上部電極２１の中空部へと導入され、さらに電極板２４の吐出孔２３を通って、図１の矢印に示すように、半導体ウエハＷに対して均一に吐出される。
【００３３】
そして、処理チャンバー２内の圧力が、所定の圧力に維持される。その後、第１の高周波電源４０から所定の周波数の高周波電力が上部電極２１に印加される。これにより、上部電極２１と下部電極としてのサセプタ５との間に高周波電界が生じ、処理ガスが解離してプラズマ化する。
【００３４】
他方、第２の高周波電源５０から、上記の第１の高周波電源４０より低い周波数の高周波電力が下部電極であるサセプタ５に印加される。これにより、プラズマ中のイオンがサセプタ５側へ引き込まれ、イオンアシストによりエッチングの異方性が高められる。
【００３５】
そして、所定のプラズマエッチング処理が終了すると、高周波電力の供給及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハＷが処理チャンバー２内から搬出される。
【００３６】
図３は、上記構成のプラズマエッチング装置１の処理チャンバー２の温度を制御する本発明の一実施形態に係る温度制御システム１００の構成を示すものである。この温度制御システム１００は、ＣＰＵ及びメモリ等を有し、予めインストールされたプログラムなどに応じて動作する温度コントローラ１０１を具備しており、この温度コントローラ１０１の制御の下で、処理チャンバー２の温度制御部位の温度を制御するようになっている。
【００３７】
本実施形態では、プラズマエッチング装置１の処理チャンバー２のサセプタ（載置台）５が温度制御部位であって、このサセプタ５の温度を制御する場合を例として説明する。サセプタ５には、前述したとおり抵抗発熱線等からなるヒータ４が設けられており、ヒータ４の上に静電チャック１１が設けられている。この静電チャック１１は、その上に載置された半導体ウエハを静電的に吸着するためのものである。また、サセプタ５には、サセプタ５の温度（本実施形態では、静電チャック１１の裏面側の温度）を測定するための温度計１０２が設けられている。
【００３８】
また、サセプタ５の内部には、冷媒室７が設けられており、この冷媒室７には、液体の冷媒が冷媒導入管８を介して導入されて循環し、冷媒排出管９から排出されるようになっている。冷媒導入管８及び冷媒排出管９は、冷媒を所定温度に冷却するための冷却機構と冷媒を循環させるためのポンプを具備したチラー１１０に接続されている。本実施形態では、冷媒導入管８に流路切り換え機構としての三方弁１１１が介挿されており、この三方弁１１１と冷媒排出管９とを連通するようにバイパス配管１１２が設けられている。
【００３９】
温度コントローラ１０１は、温度計１０２の温度測定信号に基づいてヒータ電源７３からヒータ４に供給する電力を制御する。また、温度コントローラ１０１は、三方弁１１１の駆動を制御して、チラー１１０からの冷媒が、サセプタ５の冷媒室７に流されている状態と、サセプタ５をバイパスさせてバイパス配管１１２に流されている状態とに切り替えるようになっている。なお、図３では、ヒータ電源７３及びフィルタユニット７１を１つのみ示してあるが、実際には図１に示した２つのヒータ電源７３を制御する。
【００４０】
温度コントローラ１０１には、図１に示したプロセスコントローラ６１からの制御信号が入力されるようになっている。そして、プラズマエッチング装置１が、処理チャンバー２内でプラズマを発生させてプラズマ処理を実行しているプラズマ処理実行状態か、それとも、プラズマを発生させず待機状態（アイドル状態）であるかを検知できるようになっている。
【００４１】
そして、図５のフローチャートに示すように、温度コントローラ１０１は、プラズマエッチング装置１が待機状態か否かを判断し（ステップ３０１）、プラズマエッチング装置１が待機状態の場合は、三方弁１１１をバイパス配管１１２側に接続する（ステップ３０２）。これによって、チラー１１０からの冷媒が、サセプタ５の冷媒室７に流れず、これをバイパスさせるバイパス配管１１２に流れるようにする。
【００４２】
一方、プラズマエッチング装置１が待機状態ではない場合、すなわちプラズマ処理実行状態の場合は、三方弁１１１をサセプタ５側に接続する（ステップ３０３）。これによって、チラー１１０からの冷媒が、サセプタ５の冷媒室７に流れるようにする。
【００４３】
上記のように、本実施形態の温度制御システム１００では、プラズマエッチング装置１が待機状態の際には、サセプタ５の冷媒室７にチラー１１０からの冷媒が流れないように制御することができる。これによって、プラズマエッチング装置１が待機状態であって、サセプタ５にプラズマからの入熱がなく、ヒータ４による加熱のみが行われる際に、チラー１１０からの冷媒によってサセプタ５が冷却されることを抑制することができる。
【００４４】
すなわち、プラズマエッチング装置１が待機状態の際に、チラー１１０からの冷媒によるサセプタ５の冷却と、ヒータ４による加熱とが同時に行われると、ヒータ４への供給電力が増大してしまう。これに対して本実施形態では、プラズマエッチング装置１が待機状態の際に、ヒータ４による加熱のみによって、サセプタ５を所定温度（例えば４０〜６０℃）程度に保持することができ、ヒータ４への供給電力を、冷媒による冷却が行われている場合に比べて抑制することができる。
【００４５】
また、サセプタ５への不所望な冷却が行われないため、ヒータ４の容量を従来に比べて小さくすることが可能となり、ヒータ電源７３及びフィルタユニット７１も小型化することができる。
【００４６】
一方、プラズマエッチング装置１が、プラズマ処理実行状態で、サセプタ５にプラズマからの入熱が有る際には、サセプタ５の冷媒室７にチラー１１０からの冷媒が流れ、冷媒による冷却と、ヒータ４による加熱が同時に行われ、サセプタ５が精度良く所定温度に温度制御されるとともに、迅速にその温度を変更することができる。
【００４７】
図６のフローチャートは、他の実施形態における温度コントローラ１０１による温度制御プロセスを示すものであり、この実施形態は、図５のフローチャートに、ステップ３０３ａを加えたものである。すなわち、この実施形態では、プラズマエッチング装置１が、プラズマ処理実行状態である場合に、ヒータ４がオフの状態でサセプタ５の温度が上昇するか否かを判断し（ステップ３０３ａ）、ヒータ４がオフの状態でサセプタ５の温度が上昇する場合は、三方弁１１１をサセプタ５側に接続する（ステップ３０３）。これによって、チラー１１０からの冷媒が、サセプタ５の冷媒室７に流れ、サセプタ５が冷却されるようにする。
【００４８】
一方、ヒータ４がオフの状態でサセプタ５の温度が上昇しない場合は、三方弁１１１をバイパス配管１１２側に接続する（ステップ３０２）。これによって、チラー１１０からの冷媒が、サセプタ５の冷媒室７に流れず、これをバイパスさせるバイパス配管１１２に流れるようにする。このように、プラズマからの入熱が多く、ヒータ４をオフとしてもサセプタ５の温度が上昇する場合のみチラー１１０からの冷媒による冷却が行われるようにすることによって、サセプタ５の冷却とヒータ４による加熱が同時に行われてヒータ４を加熱するための電力が無駄に使用されることを抑制することかできる。
【００４９】
図４は、他の実施形態に係る温度制御システム１００ａの構成を示すものである。この実施形態に係る温度制御システム１００ａでは、ポンプ１２０、熱交換機１２１、冷媒タンク１２２によって、サセプタ５の冷媒室７に所定温度に冷却した冷媒を流す構成となっている。そして、温度コントローラ１０１ａは、上記した実施形態における三方弁１１１を切り替える代わりに、ポンプ１２０の駆動を制御して上記の実施形態と同様な、サセプタ５の冷媒室７への冷媒の循環状態を実現するものである。この場合、三方弁１１１をバイパス配管１１２側に接続している状態に対応する制御として、ポンプ１２０を停止させてサセプタ５の冷媒室７への冷媒の循環を停止させるか、停止させずに冷媒の流量を減少させるように制御する。
【００５０】
なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能である。例えば、プラズマエッチング装置は、図１に示した平行平板型の上下部高周波印加型に限らず、下部電極にのみ１又は２周波の高周波電力を印加するタイプのプラズマエッチング装置等を使用することができる。また、プラズマエッチング装置に限らず、プラズマを使用する処理装置であれば、本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００５１】
２……処理チャンバー、４……ヒータ、５……サセプタ、７……冷媒室、８……冷媒導入管、９……冷媒排出管、７１……フィルタユニット、７３……ヒータ電源、１００……温度制御システム、１０１……温度コントローラ、１０２……温度計、１１０……チラー、１１１……三方弁、１１２……バイパス配管。
【図１】
2011187758.tif 000003
【図２】
2011187758.tif 000004
【図３】
2011187758.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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