(57)【要約】【課題】ＭＯＣＶＤ法を用いた化合物半導体の製造において、化合物半導体の結晶をエピタキシャル成長させる基板表面の温度を均一にする。【解決手段】有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置であって、反応容器と、反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように被形成体が載置される保持体と、反応容器内に外部から化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、を備え、保持体は、被形成体が載置される保持体の上面と被形成体の下面とが所定の間隔を保つように被形成体を支持する支持部材を有することを特徴とする化合物半導体の製造装置。【選択図】図３
2011054639.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置であって、
反応容器と、
前記反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように当該被形成体が載置される保持体と、
前記反応容器内に外部から化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、を備え、
前記保持体は、前記被形成体が載置される当該保持体の上面と当該被形成体の下面とが所定の間隔を保つように当該被形成体を支持する支持部材を有する
ことを特徴とする化合物半導体の製造装置。
【請求項２】
前記保持体の前記支持部材は、前記被形成体が載置される当該保持体の周縁部の少なくとも３箇所に嵌め込まれることを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体の製造装置。
【請求項３】
前記保持体の前記支持部材は、前記被形成体が載置される当該保持体の周縁部にリング形状で装着されていることを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体の製造装置。
【請求項４】
前記保持体の前記支持部材は、
前記被形成体の下面の外周端部を支持するための支持面と、
前記支持面に対し所定の角度を成すように形成された傾斜面と、
を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の化合物半導体の製造装置。
【請求項５】
前記支持部材の前記支持面は、前記被形成体が載置された当該保持体の上面と当該支持面に支持された前記被形成体の下面とが接触しないように所定の高さを有することを特徴とする請求項３又は４に記載の化合物半導体の製造装置。
【請求項６】
前記保持体の前記支持部材は、熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の材料からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の化合物半導体の製造装置。
【請求項７】
前記保持体の前記支持部材は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、石英ガラス（ＳｉＯ２）及びジルコニア（Ｚｒ２Ｏ３）からなる群から選ばれた一種からなることを特徴とする請求項６に記載の化合物半導体の製造装置。
【請求項８】
前記化合物半導体が、ＩＩＩ族窒化物半導体であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の化合物半導体の製造装置。
【請求項９】
有機金属気相成長法を用いて反応容器内で化合物半導体の層を被形成体上の被形成面にエピタキシャル成長により形成する化合物半導体の製造方法であって、
保持体に、前記被形成体の外周側面への当該保持体からの熱伝導を抑制する、当該被形成体を支持する支持部材を配置し、さらに、当該被形成体の前記被形成面が上側を向き、且つ、当該被形成体の裏面が当該保持体の上面と接触しないように当該被形成体を載置する工程と、
前記被形成体を載置した前記保持体を反応容器内に回転可能に設置する工程と、
前記保持体を設置した前記反応容器内に前記化合物半導体の原料ガスを供給する工程と、
を有することを特徴とする化合物半導体の製造方法。
【請求項１０】
前記被形成体は、前記保持体の周縁部の少なくとも３箇所に嵌め込まれた前記支持部材上に載置されることを特徴とする請求項９に記載の化合物半導体の製造方法。
【請求項１１】
前記支持部材は、前記被形成体が載置される前記保持体の周縁部にリング形状で装着されていることを特徴とする請求項９に記載の化合物半導体の製造方法。
【請求項１２】
前記支持部材は、熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の材料からなることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の化合物半導体の製造方法。
【請求項１３】
前記支持部材は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、石英ガラス（ＳｉＯ２）及びジルコニア（Ｚｒ２Ｏ３）からなる群から選ばれた一種からなることを特徴とする請求項１２に記載の化合物半導体の製造方法。
【請求項１４】
前記被形成体は、外周側面が前記支持部材と接触しないように当該支持部材上に載置されることを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の化合物半導体の製造方法。
【請求項１５】
前記被形成体を７００℃以上１２００℃以下に加熱することを特徴とする請求項９乃至１４のいずれか１項に記載の化合物半導体の製造方法。
【請求項１６】
前記化合物半導体が、ＩＩＩ族窒化物半導体であることを特徴とする請求項９乃至１５のいずれか１項に記載の化合物半導体の製造方法。
【請求項１７】
請求項９乃至１６のいずれか１項に記載の化合物半導体の製造方法により製造された化合物半導体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物半導体の製造装置、化合物半導体の製造方法及び化合物半導体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、化合物半導体結晶を成長させる方法の一つとして、有機金属気相成長法（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：以下、ＭＯＣＶＤ法と呼ぶ。）が知られている。ＭＯＣＶＤ法を用いた化合物半導体製造装置としては、例えば、特許文献１に、原料ガスが供給される反応管の内部に、化合物半導体結晶の成長対象となる複数の基板を、ＳｉＣで形成されたホルダにそれぞれ結晶の成長面が上方となるように搭載し、ホルダを回転させることで基板を回転させながら結晶成長を行わせる装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１０３７０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＭＯＣＶＤ法を用いた化合物半導体製造装置では、サテライトディスクやウエーハキャリヤ（以下、併せて明細書においてサテライトディスクという。）と呼ばれるホルダ上にサファイア基板等が載置される。そして、装置内に導入された原料ガスが反応することにより生成した化合物半導体の結晶を、サテライトディスクを介して加熱されたサファイア基板上にエピタキシャル成長させている。この場合、サテライトディスクとサファイア基板とが均一に接触しないと、化合物半導体の結晶をエピタキシャル成長させるサファイア基板表面に接触状態に起因する温度差が生じ、そのため、化合物半導体の結晶成長の均一性が低下するという問題がある。
本発明の目的は、ＭＯＣＶＤ法を用いた化合物半導体の製造において、化合物半導体の結晶をエピタキシャル成長させる基板表面の温度分布の変化を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、以下（１）〜（１７）に係る化合物半導体の製造装置、化合物半導体の製造方法及び化合物半導体が提供される。
（１）有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置であって、反応容器と、前記反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように当該被形成体が載置される保持体と、前記反応容器内に外部から化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、を備え、前記保持体は、前記被形成体が載置される当該保持体の上面と当該被形成体の下面とが所定の間隔を保つように当該被形成体を支持する支持部材を有することを特徴とする化合物半導体の製造装置。
（２）前記保持体の前記支持部材は、前記被形成体が載置される当該保持体の周縁部の少なくとも３箇所に嵌め込まれることを特徴とする前項１に記載の化合物半導体の製造装置。
（３）前記保持体の前記支持部材は、前記被形成体が載置される当該保持体の周縁部にリング形状で装着されていることを特徴とする前項１に記載の化合物半導体の製造装置。
（４）前記保持体の前記支持部材は、前記被形成体の下面の外周端部を支持するための支持面と、前記支持面に対し所定の角度を成すように形成された傾斜面と、を有することを特徴とする前項１乃至３のいずれか１項に記載の化合物半導体の製造装置。
（５）前記支持部材の前記支持面は、前記被形成体が載置された当該保持体の上面と当該支持面に支持された前記被形成体の下面とが接触しないように所定の高さを有することを特徴とする前項３又は４に記載の化合物半導体の製造装置。
（６）前記保持体の前記支持部材は、熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の材料からなることを特徴とする前項１乃至５のいずれか１項に記載の化合物半導体の製造装置。
（７）前記保持体の前記支持部材は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、石英ガラス（ＳｉＯ２）及びジルコニア（Ｚｒ２Ｏ３）からなる群から選ばれた一種からなることを特徴とする前項６に記載の化合物半導体の製造装置。
（８）前記化合物半導体が、ＩＩＩ族窒化物半導体であることを特徴とする前項１乃至７のいずれか１項に記載の化合物半導体の製造装置。
（９）有機金属気相成長法を用いて反応容器内で化合物半導体の層を被形成体上の被形成面にエピタキシャル成長により形成する化合物半導体の製造方法であって、保持体に、前記被形成体の外周側面への前記保持体からの熱伝導を抑制する、被形成体を支持する支持部材を配置し、さらに、前記被形成体の前記被形成面が上側を向き、且つ、前記被形成体の裏面が前記保持体の上面と接触しないように前記被形成体を載置する工程と、前記被形成体を載置した前記保持体を反応容器内に回転可能に設置する工程と、前記保持体を設置した前記反応容器内に前記化合物半導体の原料ガスを供給する工程と、を有することを特徴とする化合物半導体の製造方法。
（１０）前記被形成体は、前記保持体の周縁部の少なくとも３箇所に嵌め込まれた支持部材上に載置されることを特徴とする前項９に記載の化合物半導体の製造方法。
（１１）前記支持部材は、前記被形成体が載置される前記保持体の周縁部にリング形状で装着されていることを特徴とする前項９に記載の化合物半導体の製造方法。
（１２）前記支持部材は、熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の材料からなることを特徴とする前項９乃至１１のいずれか１項に記載の化合物半導体の製造方法。
（１３）前記支持部材は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、石英ガラス（ＳｉＯ２）及びジルコニア（Ｚｒ２Ｏ３）からなる群から選ばれた一種からなることを特徴とする前項１２に記載の化合物半導体の製造方法。
（１４）前記被形成体は、外周側面が前記支持部材と接触しないように前記支持部材上に載置されることを特徴とする前項９乃至１３のいずれか１項に記載の化合物半導体の製造方法。
（１５）前記被形成体を７００℃以上１２００℃以下に加熱することを特徴とする前項９乃至１４のいずれか１項に記載の化合物半導体の製造方法。
（１６）前記化合物半導体が、ＩＩＩ族窒化物半導体であることを特徴とする前項９乃至１５のいずれか１項に記載の化合物半導体の製造方法。
（１７）前項９乃至１６のいずれか１項に記載の化合物半導体の製造方法により製造された化合物半導体。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、ＭＯＣＶＤ法を用いた化合物半導体の製造装置又は製造方法において、サファイア基板等の被形成体を載置する保持体は、前記被形成体が載置される当該保持体の上面と当該被形成体の下面とが所定の間隔を保つように当該被形成体を支持する支持部材を有することにより、化合物半導体の結晶をエピタキシャル成長させる基板表面の温度分布を低減（緩和）することができる。
すなわち、当該支持部材を有しない場合は、化合物半導体の結晶をエピタキシャル成長させる被形成体の下面（基板裏面）と被形成体が載置される保持体の上面との間の接触状態等に起因して基板表面の温度分布が発生するが、前述の支持部材を保持体と被形成体との間に備えることにより、基板表面の温度分布を低減又は抑制させることができる。
また、本発明によれば、基板を載置する保持体（サテライトディスク）の表面に温度分布があった場合でも、前述の支持部材を有することにより、直接保持体に接している場合に比べて、保持体の表面の温度分布の影響を受けにくい。
また、化合物半導体をエピタキシャル成長させる時に反りが残る基板を使用する場合でも、同様に前述の支持部材を有することにより、保持体の上面との接触状態に起因する温度分布を抑制させることができる。
以上の効果により、前記化合物半導体が、化合物半導体からなる発光層が形成された時にウェーハ面内（積層半導体ウェーハ面内）の発光波長標準偏差（σ）の変化が低減される効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置の断面構成を示す概略図の一例である。
【図２】図１に示すＭＯＣＶＤ装置のＩＩ−ＩＩ断面から見た平面図である。
【図３】（ａ）は、駒形形状の支持部材を装着した基板保持体の上面図であり、（ｂ）は、化合物半導体基板を載置した場合の（ａ）のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）の支持部材が装着された部分の拡大断面図である。
【図４】（ａ）は、リング形状の支持部材を装着した基板保持体の上面図であり、（ｂ）は、化合物半導体基板を載置した場合の（ａ）のＩＶＢ−ＩＶＢ断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）の支持部材が装着された部分の拡大断面図である。
【図５】ＭＯＣＶＤ装置を用いて製造される積層半導体ウェーハの断面図の一例である。
【図６】積層半導体ウェーハにさらに加工を施すことによって得られる発光素子チップの断面図の一例である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することが出来る。また、使用する図面は、本実施の形態を説明するための一例であり、実際の大きさを表すものではない。
【０００９】
＜ＭＯＣＶＤ装置＞
図１は、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置１の断面構成を示す図である。図２は、図１に示すＭＯＣＶＤ装置１のＩＩ−ＩＩ断面図である。
ＭＯＣＶＤ装置１は、例えば、ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶をエピタキシャル成長させるための基板１１０（後述する図５参照）や、さらにその上に、予め任意の組成の化合物半導体層を少なくとも１層形成してなる化合物半導体基板（一例として後述する化合物半導体基板４０も挙げられ、本明細書ではこれらを被形成体ともいう）を任意に選ぶことができる。例えば、化合物半導体基板４０を用いる場合には、その結晶成長面が上方を向くように配置し、且つ、エピタキシャル成長を行わせる結晶の原料となる原料ガスを、化合物半導体基板４０の上方から供給する、所謂、縦型の構成を有している。
【００１０】
ＭＯＣＶＤ装置１は、内部に反応室が形成される反応容器１０と、反応容器１０の反応室内に配置される支持体２０とを備えている。反応容器１０は、円筒状の形状を有し上方に向かう開口が形成されるとともに、その内部に支持体２０を収容する収容部１１と、円板状の形状を有しこの収容部１１の上部に取り付けられる蓋部１２とを備える。
【００１１】
収容部１１および蓋部１２は、ステンレス等の金属にて構成されている。また、蓋部１２は、収容部１１に対して開閉自在に取り付けられており、収容部１１に対して閉じられた場合には、収容部１１とともに反応室を形成する。なお収容部１１と蓋部１２とが対向する部位には、図示しないＯリング等のシール材が取り付けられている。
【００１２】
蓋部１２の中央部には、外部に設けられたガス供給機構（図示せず）から反応室内部に原料ガスを供給するための貫通孔が形成されている。貫通孔には供給管１３が接続されている。蓋部１２の中央部から偏倚した位置には、外部から反応室内部を観察するための貫通孔も形成されている。
収容部１１の底面には、反応室内に供給された原料ガスを反応室の外部に排出するための複数の排気管が貫通形成されている。収容部１１の底面中央部には、後述する軸２１を通すための貫通孔が形成されている。
【００１３】
支持体２０は円板状の形状を有し、一方の面（表面）が上方を向き、且つ、他方の面（裏面）が下方を向くように、収容部１１内に配置されている。支持体２０は、カーボン（Ｃ）で形成された基材の外側に、炭化珪素（ＳｉＣ）によるコーティングを施したもので構成されている。支持体２０の表面側には、それぞれ円形状を有する６個の凹部が、円周方向に等間隔に形成されている。支持体２０の裏面側には、その中央部から下方に向かう金属製の軸２１が取り付けられている。軸２１は、収容部１１の底面中央部に設けられた貫通孔を介して反応容器１０の外部に突出している。支持体２０は、反応容器１０の外部から軸２１に駆動力を与えることにより、図２に示す矢印Ａ方向に回転するようになっている。支持体２０の内部には、支持体２０に設けられた６個の凹部の底面に向けて窒素Ｎ２を供給するためのガス供給口（図示せず）が形成されている。
【００１４】
支持体２０の表面に設けられた６個の凹部には、それぞれ円形状を有する保持体の一例としての基板保持体３０が取り付けられている。基板保持体３０は、それぞれ、上方を向く面に円形状の凹部が形成されており、各凹部には化合物半導体基板４０が取り付けられている。支持体２０に設けられた凹部と基板保持体３０との間には隙間が形成されており、これら６個の基板保持体３０は、支持体２０に対して着脱自在となっている。
【００１５】
被形成体の一例としての化合物半導体基板４０は、その結晶成長面（結晶の被形成面）が外側に露出するように基板保持体３０の凹部に保持されている。化合物半導体基板４０は、基板保持体３０に対して着脱自在となっている。各基板保持体３０は、それぞれが化合物半導体基板４０を保持した状態で、図示しない貫通孔を介して供給される窒素Ｎ２の流れにより、図２に示す矢印Ｂ方向に回転するようになっている。
【００１６】
ＭＯＣＶＤ装置１の支持体２０の裏面側と収容部１１の底面との間には加熱部５０が設けられている。加熱部５０は、支持体２０および基板保持体３０を介して化合物半導体基板４０を加熱する。加熱部５０は、軸２１を貫通させる穴が形成されたリング状の形状を備えており、その内部にはコイルが収容されている。加熱部５０は、コイルに電流が供給されることにより、支持体２０を構成するカーボンを電磁誘導加熱する。
【００１７】
ＭＯＣＶＤ装置１の蓋部１２の下方且つ支持体２０の上方には保護部材６０が設けられている。保護部材６０は、反応室内に供給される原料ガスの反応によって生成される生成物が、蓋部１２の内壁に付着、堆積するのを防止することにより蓋部１２を保護する。保護部材６０は円形状を有しており、蓋部１２と同様、中央部に外部から反応室の内部に原料ガスを供給するための貫通孔が形成されている。保護部材６０には、蓋部１２と同様、外部から反応室内部を観察するための貫通孔も形成されている。
【００１８】
ＭＯＣＶＤ装置１の支持体２０と保護部材６０との間には排気部材８０が取り付けられている。排気部材８０は、反応室内に供給され、結晶のエピタキシャル成長に使用された原料ガス等を収容部１１の底面に設けられた排出管側へと導く。排気部材８０は、リング状の形状を有している。排気部材８０の内壁は、支持体２０に設けられた６つの凹部よりも外側に位置している。排気部材８０の内壁には、使用後の原料ガス等を外部に排出するための複数の貫通孔（図示せず）が形成されている。排気部材８０は、支持体２０の外周部の縁端側との対向部において、支持体２０の回転を妨げないように構成されている。図２においては、排気部材８０の記載を省略している。
【００１９】
ＭＯＣＶＤ装置１の蓋部１２に設けられた貫通孔の上部には、監視装置９０が取り付けられている。監視装置９０は、蓋部１２および保護部材６０にそれぞれ設けられた貫通孔を介し、反応室の内部の状態、具体的には、基板保持体３０を介して支持体２０に保持された化合物半導体基板４０上にエピタキシャル成長する結晶の状態、化合物半導体基板４０の反りの状態等を監視する。尚、貫通孔を介して監視装置９０に原料ガス等が流入するのを防止するため、監視装置９０から反応室に向けて、例えば、窒素Ｎ２等のパージガスが供給されている。
【００２０】
＜基板保持体＞
図３は、上述したＭＯＣＶＤ装置１で使用される基板保持体３０の構成を説明するための図である。図３（ａ）は、駒形形状の支持部材３２を装着した基板保持体３０の上面図であり、（ｂ）は、化合物半導体基板４０を載置した場合の（ａ）のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）の支持部材３２が装着された部分の拡大断面図である。尚、図３（ａ）は、基板保持体３０に載置された状態の化合物半導体基板４０（図２参照）を点線で示している。
【００２１】
図３（ａ）に示すように、保持体の一例としての基板保持体３０は、円形状の形状を有する基部３０ａと、基部３０ａの表面側中央部に形成された凹部３０ｂとを備えている。凹部３０ｂは円形状を有し、その底面は平坦になっている。凹部３０ｂの直径は、化合物半導体基板４０の直径よりもわずかに大きく設定されている。
【００２２】
基板保持体３０は、構成される本体部３１を有している。本実施の形態において、本体部３１は炭化ケイ素（ＳｉＣ）で構成されている。尚、本体部３１の円周方向外側側面および裏面側に、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）で構成される被覆部を設けてもよい。
【００２３】
基板保持体３０の凹部３０ｂの周縁部の３箇所には、それぞれ駒形形状の支持部材３２が、周縁部に沿って互いに略等間隔を保つように嵌め込まれている。後述するように、基板保持体３０に載置される化合物半導体基板４０は、基部３０ａの表面側中央部に形成された凹部３０ｂの上面と化合物半導体基板４０の下面とが接触しないように３個の支持部材３２によって支持されている。支持部材３２の幅Ｄは、特に限定されないが、１ｍｍ〜５ｍｍの範囲であり、好ましくは、２ｍｍ〜４ｍｍの範囲である。本実施の形態では、支持部材３２の幅Ｄは、３ｍｍである。
【００２４】
図３（ｂ）に示すように、基板保持体３０の凹部３０ｂの周縁部には、支持部材３２が嵌め込まれる溝部３１ａが形成されている。溝部３１ａは、円形状の形状を有する基部３０ａの内側の一部と、基部３０ａの表面側中央部に形成された凹部３０ｂの周縁部の一部とに跨るように形成されている。化合物半導体基板４０は、その周縁部の３箇所が支持部材３２に支持されることにより、凹部３０ｂの上面と接触しない状態で基板保持体３０に載置されている。
【００２５】
図３（ｃ）に示すように、支持部材３２は、化合物半導体基板４０の下面の外周端部を支持する支持面３２１と、支持面３２１に対し所定の角度を成すように傾斜面３２２とを有している。傾斜面３２２は、支持部材３２が嵌め込まれた本体部３１の基部３０ａの内側に向かって溝部３１ａからの高さが緩やかに増大するように傾斜面を形成している。
【００２６】
支持部材３２の支持面３２１は、基板保持体３０の凹部３０ｂの上面と化合物半導体基板４０の下面とが接触しないように、溝部３１ａから所定の高さＨを有するように形成されている。また、基板保持体３０の凹部３０ｂの上面と化合物半導体基板４０の下面とは所定の間隔Ｓが保たれる。
本実施の形態では、支持部材３２の支持面３２１の溝部３１ａからの高さＨは、特に限定されないが、０．５ｍｍ〜３ｍｍの範囲であり、好ましくは、１ｍｍ〜２ｍｍの範囲である。また、基板保持体３０の凹部３０ｂの上面と化合物半導体基板４０の下面との間隔Ｓは、特に限定されないが、５０μｍ〜５００μｍの範囲であり、好ましくは、１００μｍ〜３００μｍの範囲である。
【００２７】
また、支持部材３２を構成する材料は、エピタキシャル成長させる温度における熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下のものであることが好ましい。例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、石英ガラス（ＳｉＯ２）、ジルコニア（Ｚｒ２Ｏ３）等が挙げられる。これらの中でも、石英ガラス（ＳｉＯ２）又はジルコニア（Ｚｒ２Ｏ３）は熱伝導性が特に小さく、化合物半導体基板４０と基板保持体３０の間の熱伝導を格別に抑制することが可能となる。
【００２８】
図３（ｃ）に示すように、化合物半導体基板４０の外周端の底面は、支持部材３２の支持面３２１によって支持されている。このとき、石英ガラス（ＳｉＯ２）製の支持部材３２を使用することにより、化合物半導体基板４０の基板保持体３０からの熱伝達が低減する。
さらに、化合物半導体基板４０の外周側面の下部角部は、支持面３２１に対し所定の角度を成すように形成された傾斜面３２２と線接触している。これにより、化合物半導体基板４０の外周側面は基板保持体３０からの接触伝熱が回避され、化合物半導体基板４０の外周側面と基板保持体３０の間の熱伝導が抑制される。
【００２９】
本実施の形態では、上述したように、化合物半導体基板４０の周縁部の３箇所が支持部材３２に支持されることにより、凹部３０ｂの上面と接触しない状態で基板保持体３０に載置されている。これにより、化合物半導体基板４０と基板保持体３０との接触面積が小さくなる。さらに、化合物半導体基板４０の外周側面が傾斜面３２２と線接触していることにより、化合物半導体基板４０の外周側面と基板保持体３０の間の熱伝導が抑制され、接触部付近での温度変化も抑制される。
【００３０】
（支持部材の第２の実施の形態）
図４は、上述したＭＯＣＶＤ装置１で使用される基板保持体３０の第２の実施の形態を説明するための図である。図４（ａ）は、リング形状の支持部材３２Ｌを装着した基板保持体３０の上面図であり、（ｂ）は、化合物半導体基板４０を載置した場合の（ａ）のＩＶＢ−ＩＶＢ断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）の支持部材３２Ｌが装着された部分の拡大断面図である。図３と同じ構成については同じ符号を使用しその説明を省略する。尚、図４（ａ）は、基板保持体３０に載置された状態の化合物半導体基板４０（図２参照）を点線で示している。
【００３１】
図４（ａ）に示すように、基板保持体３０の凹部３０ｂの周縁部には、リング形状の支持部材３２Ｌが装着されている。リング形状の支持部材３２Ｌには、凹部３０ｂの中心方向に突き出すように形成された支持面３２１Ｌを有している。支持面３２１Ｌは、リング形状の支持部材３２Ｌの内周面に沿って互いに略等間隔を保つように、３箇所に形成されている。後述するように、化合物半導体基板４０は、基部３０ａの表面側中央部に形成された凹部３０ｂの上面と化合物半導体基板４０の下面とが接触しないように、３箇所の支持面３２１Ｌによって支持されている。
【００３２】
図４（ｂ）に示すように、基板保持体３０の凹部３０ｂの周縁部には、リング形状の支持部材３２Ｌが嵌め込まれる環状の溝部３１１ａが形成されている。溝部３１１ａは、基板保持体３０の周縁部を切り取り、基板保持体３０の中央部分に形成された凹部３０ｂと段差を有するように形成されている。化合物半導体基板４０は、その周縁部の３箇所が支持部材３２Ｌの支持面３２１Ｌに支持されることにより、凹部３０ｂの上面と接触しない状態で基板保持体３０に載置されている。
【００３３】
図４（ｃ）に示すように、基板保持体３０の凹部３０ｂの周縁部に形成された環状の溝部３１１ａには、さらに、リング形状の支持部材３２Ｌに形成された３箇所の支持面３２１Ｌがそれぞれ嵌め込まれる嵌合部３１１ｂが設けられている。嵌合部３１１ｂは、凹部３０ｂの周縁部から中心方向に向かって、支持部材３２Ｌの支持面３２１Ｌの形状に応じて、内側に削り取られるように形成されている。
また、リング形状の支持部材３２Ｌは、化合物半導体基板４０の下面の外周端部を支持する支持面３２１Ｌと、支持面３２１Ｌに対し所定の角度を成すように傾斜面３２２Ｌとを有している。傾斜面３２２Ｌは、支持部材３２Ｌが嵌め込まれた本体部３１の外側に向かって溝部３１１ａからの高さが緩やかに増大するように傾斜面を形成している。
【００３４】
図４（ｃ）に示すように、化合物半導体基板４０の外周端の底面は、石英ガラス（ＳｉＯ２）製の支持部材３２Ｌの支持面３２１Ｌによって支持されている。
さらに、化合物半導体基板４０の外周側面の下部角部は、支持面３２１Ｌに対し所定の角度を成すように形成された傾斜面３２２Ｌと線接触している。これにより、化合物半導体基板４０の外周側面は基板保持体３０からの接触伝熱が回避され、化合物半導体基板４０の外周側面と基板保持体３０との間の熱伝導が抑制される。特に、本実施の形態では、溝部３１１ａが、基板保持体３０の周縁部を切り取るように形成されているので、リング形状の支持部材３２Ｌの外周縁部は、基板保持体３０と接触しない。これにより、化合物半導体基板４０の外周側面が基板保持体３０から熱的に遮断される効果が増大する。
また、支持部材３２Ｌと支持面３２１Ｌとは一体成形されたものでなくてもよい。例えば、リング状の支持部材に支持面を有する駒形の支持部材を嵌め込んだものでもよい。この場合、支持部材が分割されることにより熱伝導性が低下し、化合物半導体基板４０の外周側面と基板保持体３０との間の熱伝導は更に抑制される。
【００３５】
＜原料ガス＞
本実施の形態では、ＭＯＣＶＤ装置１を用いて基板１１０（図５参照）上に予め任意の組成の化合物半導体層を形成した化合物半導体基板４０上に、さらにＩＩＩ族窒化物半導体層を形成する。原料としては、ＩＩＩ族の元素を含む有機金属と窒素を含むアンモニアＮＨ３とを使用する。有機金属は主として液体原料であるため、液体状の有機金属に窒素Ｎ２および水素Ｈ２にてバブリングを行い、得られた窒素Ｎ２、水素Ｈ２および有機金属を混合させてなる有機金属ガスＭＯを原料ガスとして供給する。本実施の形態では、供給管１３より有機金属ガスＭＯおよびアンモニアＮＨ３の供給を行う。
【００３６】
有機金属としては、例えば、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）等の有機ガリウム化合物；トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）等の有機アルミニウム化合物；トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリエチルインジウム（ＴＥＩ）等の有機インジウム化合物が挙げられる。
ｎ型のドーパントの原料としては、例えば、モノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）等のシラン化合物；ゲルマンガス（ＧｅＨ４）、テトラメチルゲルマニウム（（ＣＨ３）４Ｇｅ）、テトラエチルゲルマニウム（（Ｃ２Ｈ５）４Ｇｅ）等のゲルマニウム化合物が挙げられる。
ｐ型のドーパントの原料としては、例えば、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）、ビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム（ＥｔＣｐ２Ｍｇ）等の有機マグネシウム化合物が挙げられる。
また、アンモニアに代えて、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）を用いることもできる。なお、上述した有機金属ＭＯ以外にも、他のＩＩＩ属元素を含有させた構成とすることができ、必要に応じてＧｅ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｂｅ等のドーパントを含有させることができる。さらに、意図的に添加した元素に限らず、成膜条件等に依存して必然的に含まれる不純物、並びに原料、反応管材質に含まれる微量不純物を含む場合もある。
【００３７】
＜積層半導体ウェーハ＞
図５は、ＭＯＣＶＤ装置１を用いて製造される積層半導体ウェーハＳＷの一例の断面図を示している。積層半導体ウェーハＳＷを構成する化合物半導体としては、特に限定されるものではなく、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体、ＩＶ−ＩＶ族化合物半導体等が挙げられる。本実施の形態では、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が好ましく、ＩＩＩ族窒化物半導体がより好ましい。以下、ＩＩＩ族窒化物半導体を有する積層半導体ウェーハＳＷを例に挙げて説明する。
【００３８】
この積層半導体ウェーハＳＷは、基板１１０と、基板１１０上に形成された中間層１２０と、中間層１２０の上に順次積層される下地層１３０とｎ型半導体層１４０と発光層１５０とｐ型半導体層１６０とを備えている。本実施の形態では、基板１１０、中間層１２０及び下地層１３０が順次積層されたものを化合物半導体基板４０と称している。
【００３９】
ｎ型半導体層１４０は、下地層１３０側に設けられるｎ型コンタクト層１４０ａと発光層１５０側に設けられるｎ型クラッド層１４０ｂとを有する。発光層１５０は、障壁層１５０ａと井戸層１５０ｂとが交互に積層され、２つの障壁層１５０ａによって１つの井戸層１５０ｂを挟み込んだ構造を有する。ｐ型半導体層１６０は、発光層１５０側に設けられるｐ型クラッド層１６０ａと最上層に設けられるｐ型コンタクト層１６０ｂとを有する。以下の説明においては、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０およびｐ型半導体層１６０を、まとめて化合物半導体層１００と称する。
【００４０】
（基板１１０）
基板１１０は、ＩＩＩ族窒化物半導体とは異なる材料から構成され、基板１１０上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶がエピタキシャル成長される。基板１１０を構成する材料としては、例えば、サファイア、炭化珪素（シリコンカーバイド：ＳｉＣ）、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン、酸化チタン、ハフニウム、タングステン、モリブデン等が挙げられる。これらの中でも、サファイア、炭化珪素が好ましい。本実施の形態では、基板１１０としてサファイアを用いている。
【００４１】
（中間層１２０）
基板１１０はＩＩＩ族窒化物半導体とは異なる材料から構成されるため、バッファ機能を発揮する中間層１２０を基板１１０上に設けておくことが好ましい。単結晶構造を有する中間層１２０を基板１１０上に成膜した場合、中間層１２０のバッファ機能が有効に作用し、中間層１２０上に成膜される下地層１３０と化合物半導体層１００とは、良好な結晶性を持つ結晶膜となる。中間層１２０は、Ａｌを含有することが好ましく、ＩＩＩ族窒化物半導体であるＡｌＮを含むことが特に好ましい。
【００４２】
（下地層１３０）
下地層１３０に用いる材料としては、Ｇａを含むＩＩＩ族窒化物半導体（ＧａＮ系化合物半導体）が用いられる。特に、ＡｌＧａＮ、ＧａＮが好ましい。なお、本明細書中、各元素の組成比を省略して、ＡｌＧａＮやＧａＩｎＮ等といった表記を用いることがある。下地層１３０の膜厚は０．１μｍ以上、好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。
【００４３】
（ｎ型半導体層１４０）
ｎ型半導体層１４０は、ｎ型コンタクト層１４０ａおよびｎ型クラッド層１４０ｂから構成される。ｎ型コンタクト層１４０ａとしては、下地層１３０と同様にＧａＮ系化合物半導体が用いられる。下地層１３０およびｎ型コンタクト層１４０ａを構成する窒化ガリウム系化合物半導体は同一組成であることが好ましく、これらの合計の膜厚を０．１μｍ〜２０μｍ、好ましくは０．５μｍ〜１５μｍ、さらに好ましくは１μｍ〜１２μｍの範囲に設定することが好ましい。
【００４４】
ｎ型クラッド層１４０ｂは、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮ等により形成される。これらの構造をヘテロ接合したものや複数回積層した超格子構造を採用してもよい。ｎ型クラッド層１４０ｂとしてＧａＩｎＮを採用した場合には、そのバンドギャップを、発光層１５０のＧａＩｎＮのバンドギャップよりも大きくすることが望ましい。ｎ型クラッド層１４０ｂの膜厚は、好ましくは５ｎｍ〜５００ｎｍ、より好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲である。
【００４５】
（発光層１５０）
発光層１５０は、窒化ガリウム系化合物半導体からなる障壁層１５０ａと、インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる井戸層１５０ｂとが交互に繰り返して積層され、且つ、ｎ型半導体層１４０側及びｐ型半導体層１６０側にそれぞれ障壁層１５０ａが配される順で積層して形成される。本実施の形態において、発光層１５０は、６層の障壁層１５０ａと５層の井戸層１５０ｂとが交互に繰り返して積層され、発光層１５０の最上層及び最下層に障壁層１５０ａが配され、各障壁層１５０ａ間に井戸層１５０ｂが配される構成となっている。
【００４６】
井戸層１５０ｂには、インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体として、例えば、Ｇａ１−ｓＩｎｓＮ（０＜ｓ＜０．４）等の窒化ガリウムインジウムを用いることができる。
また、障壁層１５０ａとしては、例えば、インジウムを含有した窒化ガリウム系化合物半導体からなる井戸層１５０ｂよりもバンドギャップエネルギーが大きいＡｌｃＧａ１−ｃＮ（０≦ｃ≦０．３）等の窒化ガリウム系化合物半導体を好適に用いることができる。
【００４７】
（ｐ型半導体層１６０）
ｐ型半導体層１６０は、ｐ型クラッド層１６０ａおよびｐ型コンタクト層１６０ｂから構成される。ｐ型クラッド層１６０ａとしては、好ましくは、ＡｌｄＧａ１−ｄＮ（０＜ｄ≦０．４）のものが挙げられる。ｐ型クラッド層１６０ａの膜厚は、好ましくは１ｎｍ〜４００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。
ｐ型コンタクト層１６０ｂとしては、ＡｌｅＧａ１−ｅＮ（０≦ｅ＜０．５）を含んでなる窒化ガリウム系化合物半導体層が挙げられる。ｐ型コンタクト層１６０ｂの膜厚は、特に限定されないが、１０ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００４８】
ここで、化合物半導体基板４０は、以下のように製造される。まず、所定の直径と厚さとを有するサファイア製の基板１１０を、図示しないスパッタリング装置にセットする。そして、スパッタリング装置にて、基板１１０上に、Ｖ族元素を含むガスと金属材料とをプラズマで活性化して反応させることにより、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる中間層１２０を形成する。続いて、中間層１２０が形成された基板１１０を、図１に示すＭＯＣＶＤ装置１にセットする。具体的には、中間層１２０が外側に向かうように、各基板１１０を各基板保持体３０にセットし、各基板１１０がセットされた各基板保持体３０を、支持体２０に設けられた各凹部に、中間層１２０が上方を向くように配置する。そして、ＭＯＣＶＤ装置１を用いて中間層１２０の上に下地層１３０の形成を行い、化合物半導体基板４０を得る。
【００４９】
図６は、積層半導体ウェーハＳＷにさらに加工を施すことによって得られる発光素子チップＬＣの断面図を示している。
発光素子チップＬＣにおいては、ｐ型半導体層１６０のｐ型コンタクト層１６０ｂ上に透明正極１７０が積層され、さらにその上に正極ボンディングパッド１８０が形成されるとともに、ｎ型半導体層１４０のｎ型コンタクト層１４０ａに形成された露出領域１４０ｃに負極ボンディングパッド１９０が積層されている。
【００５０】
（透明正極１７０）
透明正極１７０を構成する材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）、ＡＺＯ（ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３）、ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３）等の従来公知の材料が挙げられる。透明正極１７０の構造は特に限定されず、従来公知の構造を採用することができる。透明正極１７０は、ｐ型半導体層１６０上のほぼ全面を覆うように形成しても良く、格子状や樹形状に形成しても良い。
【００５１】
（正極ボンディングパッド１８０）
透明正極１７０上に形成される電極としての正極ボンディングパッド１８０は、例えば、従来公知のＡｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｕ等の材料から構成される。正極ボンディングパッド１８０の構造は特に限定されず、従来公知の構造を採用することができる。正極ボンディングパッド１８０の厚さは、例えば１００ｎｍ〜２０００ｎｍの範囲内であり、好ましくは３００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内である。
【００５２】
（負極ボンディングパッド１９０）
負極ボンディングパッド１９０は、基板１１０上に成膜された中間層１２０および下地層１３０の上にさらに成膜された化合物半導体層１００（ｎ型半導体層１４０、発光層１５０およびｐ型半導体層１６０）において、ｎ型半導体層１４０のｎ型コンタクト層１４０ａに接するように形成される。負極ボンディングパッド１９０を形成する際は、ｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０の一部を除去し、ｎ型コンタクト層１４０ａの露出領域１４０ｃを形成し、この上に負極ボンディングパッド１９０を形成する。負極ボンディングパッド１９０の材料としては、正極ボンディングパッド１８０と同じ組成・構造でもよく、各種組成および構造の負極が周知であり、これら周知の負極を何ら制限無く用いることができ、この技術分野でよく知られた慣用の手段で設けることができる。
【００５３】
（積層半導体ウェーハＳＷの製造方法）
本実施の形態では、前述した基板１１０上に、スパッタ法を用いて、プラズマで活性化して反応した原料を基板１１０上に成膜して中間層１２０を形成する。ここで、Ｖ族元素を窒素とし、中間層１２０を成膜する際のガス中における窒素のガス分率を５０体積％〜９９体積％以下の範囲とするとともに、中間層１２０を単結晶として形成する。次いで、中間層１２０上に、ＭＯＣＶＤ法又はスパッタ法によって下地層１３０を成膜し、化合物半導体基板４０を形成する。
続いて、このように形成した化合物半導体基板４０を使用し、ＭＯＣＶＤ装置１を用いて以下の手順に従い製造される。
初めに、６枚の基板保持体３０の凹部３０ｂに、それぞれ１枚ずつ化合物半導体基板４０を載置し、下地層１３０を外部に露出させる。続いて、６枚の基板保持体３０をＭＯＣＶＤ装置１の支持体２０に設けられた６個の凹部に設置する。その後、保護部材６０が取り付けられた蓋部１２を閉じて収容部１１と蓋部１２とを密着させる。
次に、ガス供給口を介して支持体２０の各凹部の底部に向けて窒素Ｎ２の供給を開始させ、軸２１の回転を開始させる。これに伴い、支持体２０は矢印Ａ方向に回転し、支持体２０に取り付けられた６個の基板保持体３０は矢印Ｂ方向に回転する。
また、加熱部５０のコイルに対する給電が開始され、加熱部５０に流れる電流により、支持体２０が電磁誘導加熱され、支持体２０に保持される６個の基板保持体３０および各基板保持体３０に保持される化合物半導体基板４０が所定の温度に加熱される。
化合物半導体基板４０は、７００℃〜１２００℃の範囲に加熱される。また、化合物半導体基板４０の温度は、それぞれの結晶成長に適した値に調整される。
【００５４】
ＭＯＣＶＤ装置１の反応室では、供給管１３から供給されたｎ型コンタクト層１４０ａ用の有機金属ガスＭＯおよびアンモニアＮＨ３が、加熱される化合物半導体基板４０の近傍で分解し、ｎ型コンタクト層１４０ａ用のＩＩＩ族窒化物半導体が化合物半導体基板４０上に成長する。このとき、ｎ型コンタクト層１４０ａ用のＩＩＩ族窒化物半導体の結晶は、所定の温度に加熱された化合物半導体基板４０の下地層１３０上にエピタキシャルに成長する。
【００５５】
ｎ型コンタクト層１４０ａの形成が完了すると、ＭＯＣＶＤ装置１の反応室では、供給管１３から供給されたｎ型クラッド層１４０ｂ用の有機金属ガスＭＯおよびアンモニアＮＨ３が、加熱される化合物半導体基板４０の近傍で分解し、ｎ型クラッド層１４０ｂ用のＩＩＩ族窒化物半導体がｎ型コンタクト層１４０ａ上に成長する。このとき、ｎ型クラッド層１４０ｂ用のＩＩＩ族窒化物半導体の結晶は、所定の温度に加熱された化合物半導体基板４０の上に形成されたｎ型コンタクト層１４０ａ上にエピタキシャルに成長する。
【００５６】
以後、反応室に供給する有機金属ガスＭＯを順次変更することにより、化合物半導体基板４０上に形成されたｎ型クラッド層１４０ｂには、複数の障壁層１５０ａおよび複数の井戸層１５０ｂを有する発光層１５０、そして、ｐ型クラッド層１６０ａおよびｐ型コンタクト層１６０ｂを有するｐ型半導体層１６０が順次形成される。このような手順を経て、積層半導体ウェーハＳＷを得ることができる。
【００５７】
＜発光素子チップＬＣの製造方法＞
上述したような製膜プロセスが終了すると、支持体２０から基板保持体３０が取り出され、さらに基板保持体３０から積層半導体ウェーハＳＷが取り外される。そして、積層半導体ウェーハＳＷのｐ型半導体層１６０上に透明正極１７０を積層し、その上に正極ボンディングパッド１８０を形成する。また、エッチング等を用いてｎ型コンタクト層１４０ａに露出領域１４０ｃを形成し、この露出領域１４０ｃに負極ボンディングパッド１９０を設ける。その後、基板１１０の中間層１２０の形成面とは反対の面を、所定の厚さになるまで研削及び研磨する。そして、基板１１０の厚さが調整されたウェーハを、例えば３５０μｍ角の正方形に切断することにより、発光素子チップＬＣを得る。
【００５８】
以上、詳述したように、本実施の形態では、化合物半導体基板４０上に化合物半導体層１００をエピタキシャル成長させる際に、化合物半導体基板４０の周縁部の３箇所を支持する支持部材３２を用いることにより、基板保持体３０の上面と接触しない状態で化合物半導体基板４０を載置している。これにより、化合物半導体基板４０と基板保持体３０との接触面積が小さくなり、化合物半導体基板４０の局所的な温度変化を低減（抑制）することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１…ＭＯＣＶＤ装置、１０…反応容器、１１…収容部、１２…蓋部、２０…支持体、３０…基板保持体、３０ａ…基部、３０ｂ…凹部、３１…本体部、３１ａ，３１１ａ…溝部、３２１，３２１Ｌ…支持面、３２２，３２２Ｌ…傾斜面、３２，３２Ｌ…支持部材、４０…化合物半導体基板、５０…加熱部、６０…保護部材、９０…監視装置、１００…化合物半導体層、１１０…基板、１２０…中間層、１３０…下地層、１４０…ｎ型半導体層、１４０ａ…ｎ型コンタクト層、１４０ｂ…ｎ型クラッド層、１５０…発光層、１５０ａ…障壁層、１５０ｂ…井戸層、１６０…ｐ型半導体層、１６０ａ…ｐ型クラッド層、１６０ｂ…ｐ型コンタクト層、１７０…透明正極、１８０…正極ボンディングパッド、１９０…負極ボンディングパッド、ＳＷ…積層半導体ウェーハ、ＬＣ…発光素子チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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