(57)【要約】【課題】記録層の凹部や凸部の幅が比較的大きい領域と記録層の凹部や凸部の幅が比較的小さい領域とが混在する場合でも、表面の粗さの差を充分に抑制できることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】記録層３２を第１マスク層２２に基づいてエッチングして凹凸パターンに加工する工程と記録層３２及び第１マスク層２２の上に充填材３６を成膜して凹凸パターンの凹部を充填する工程との間に、第１マスク層２２に対するエッチングレートが記録層３２に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録要素３２Ａ（記録層３２の凸部）の上に第１マスク層２２が残存するように記録要素３２Ａの上の第１マスク層２２の一部を除去する工程を設けた。【選択図】図８
2011028815.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、記録層及びマスク層を有してなる被加工体の前記マスク層を所定の凹凸パターンに対応するパターンに加工する前段マスク層加工工程と、
前記記録層に対するエッチングレートが前記マスク層に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記記録層を前記マスク層に基づいてエッチングして前記凹凸パターンに加工する記録層加工工程と、
前記マスク層に対するエッチングレートが前記記録層に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記記録層の凸部の上に前記マスク層が残存するように前記記録層の凸部の上の前記マスク層の一部を除去する後段マスク層加工工程と、
前記記録層及び前記マスク層の上に前記マスク層の材料と異なる充填材を成膜して前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、
前記記録層の凸部の上に残存する前記マスク層の少なくとも一部が露出するように前記充填材のうち前記記録層の凸部の上に形成された余剰部分の少なくとも一部をドライエッチング法により除去する充填材エッチング工程と、
前記マスク層に対するエッチングレートが前記充填材に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記マスク層を除去して表面を平坦化するマスク層除去工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記後段マスク層加工工程において前記マスク層と化学的に反応して前記マスク層を除去する性質を有する反応ガスを用いるドライエッチング法が用いられることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記マスク層の材料は炭素を主成分とする材料であり、
前記後段マスク層加工工程においてフッ素系ガス、塩素系ガス及び窒素系ガスのいずれかのガスを含む反応ガスを用いるドライエッチング法が用いられることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項２において、
前記マスク層の材料は炭素を主成分とする材料であり、
前記後段マスク層加工工程において酸素系ガスを含む反応ガスを用いるドライエッチング法が用いられることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
基板、記録層及びマスク層を有してなる被加工体の前記マスク層を所定の凹凸パターンに対応するパターンに加工する前段マスク層加工工程と、
前記記録層に対するエッチングレートが前記マスク層に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記記録層を前記マスク層に基づいてエッチングして前記凹凸パターンに加工する記録層加工工程と、
前記マスク層に対するエッチングレートが前記記録層に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記記録層の凸部の上に前記マスク層が残存するように前記記録層の凸部の上の前記マスク層の一部を除去する後段マスク層加工工程と、
前記記録層及び前記マスク層の上に前記マスク層の材料と異なる充填材を成膜して前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、
前記マスク層に対するエッチングレートが前記充填材に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記充填材のうち前記記録層の凸部の上に形成された余剰部分及び前記マスク層を除去して表面を平坦化するマスク層除去工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されているが、ヘッドの加工限界、磁界の広がりに起因する、記録対象のトラックに隣りあう他のトラックへの誤った情報の記録やクロストーク等の問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきている。
【０００３】
これに対し、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、記録層が凹凸パターンで形成されたディスクリートトラックメディアやパターンドメディアが提案されている。ディスクリートトラックメディアの記録層はデータ領域の部分がトラックに対応した凹凸パターンで形成される。又、パターンドメディアの記録層はデータ領域の部分が記録ビットに対応した凹凸パターンで形成される。尚、ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアについては記録層のサーボ領域の部分をサーボパターンに対応した凹凸パターンで形成することも提案されている。
【０００４】
一方、ハードディスク等の磁気記録媒体は、表面の凹凸が大きいとヘッドスライダの浮上高さが不安定になるという問題があるため、ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアについては凹凸パターンの記録層の上に充填材を成膜して記録層の凹部を充填材で充填し、余剰の充填材を除去して記録層の表面を平坦化することが提案されている。充填材を成膜する手法としてはスパッタリング法等を用いることができる。又、余剰の充填材を除去する手法としてはＩＢＥ（イオンビームエッチング）やＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドライエッチングを用いることができる。充填材は凹凸パターンの記録層に倣って凹凸パターンで成膜されるが、ドライエッチングは凸部に対するエッチングレートが凹部に対するエッチングレートよりも高い傾向があるため、ドライエッチングにより表面を充分に平坦化することが期待されていた。
【０００５】
しかしながら、ドライエッチングでは幅が狭い凸部に対するエッチングレートが、幅が広い凸部に対するエッチングレートよりも高い傾向があるため、記録層の凸部の幅が比較的大きい領域と記録層の凸部の幅が比較的小さい領域とが混在する場合、いずれか一方の領域を充分に平坦化することはできても両方の領域を充分に平坦化することができない場合があった。例えばディスクリートトラックメディアやパターンドメディアでは上記のように記録層のサーボ領域の部分をサーボパターンに相当する凹凸パターンで形成することが提案されており、サーボ領域における記録層の凸部や凹部の幅はデータ領域における記録層の凸部や凹部の幅よりも大きいことが多い。このため、サーボ領域又はデータ領域のいずれか一方の領域において表面を充分に平坦化するようにエッチング時間等の条件を設定すると、他方の領域ではエッチングが不足又は過剰となり表面を充分に平坦化できない場合があった。
【０００６】
これに対し、記録層の凸部の上に暫定下地材が形成された被加工体の上に充填材を成膜して凹部を充填し、凸部を凹部よりも選択的に速く除去する傾向があるドライエッチング法を用いて暫定下地材の少なくとも側面が露出するように余剰の充填材を除去し、更に暫定下地材に対するエッチングレートが充填材に対するエッチングレートよりも高いエッチング法により暫定下地材を除去する手法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このように、暫定下地材に対するエッチングレートが充填材に対するエッチングレートよりも高いエッチング法により暫定下地材を選択的に除去することで、凹部の充填材の加工を抑制しつつ暫定下地材、又は暫定下地材と充填材で構成された総ての凸部を、その幅に拘わらず短時間で除去できるので、記録層の凹部や凸部の幅が比較的大きい領域と記録層の凹部や凸部の幅が比較的小さい領域とが混在する場合でも、表面の粗さの差が生じにくく表面を充分に平坦化できると考えられていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開2006−196143号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のような暫定下地材を利用した手法でも、記録層の凹部や凸部の幅が比較的大きい領域と記録層の凹部や凸部の幅が比較的小さい領域とが混在する場合、表面の粗さの差を充分に抑制できず表面を充分に平坦化できないことがあった。
【０００９】
本発明は、以上の問題に鑑みてなされたものであって、記録層の凹部や凸部の幅が比較的大きい領域と記録層の凹部や凸部の幅が比較的小さい領域とが混在する場合でも、表面の粗さの差を充分に抑制できることができる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、記録層をマスク層に基づいてエッチングして凹凸パターンに加工する工程と記録層及びマスク層の上に充填材を成膜して凹凸パターンの凹部を充填する工程との間に、マスク層に対するエッチングレートが記録層に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録層の凸部の上にマスク層が残存するように記録層の凸部の上のマスク層の一部を除去する工程を設けたことにより上記目的を達成する。
【００１１】
発明者らは本発明に想到する過程において、記録層の凹部や凸部の幅が比較的大きい領域と記録層の凹部や凸部の幅が比較的小さい領域とが混在する場合、上記の従来の手法を用いても表面の粗さの差を充分に抑制できず表面を充分に平坦化できなかった原因について鋭意研究した。その結果、凹凸パターンの記録層に倣って凹凸パターンで形成された充填材をエッチングする工程において、サーボ領域のような凹部の幅が比較的大きい領域では充填材の凹部のエッチングレートが比較的高い一方、データ領域のような凹部の幅が比較的小さい領域では充填材の凹部のエッチングレートが比較的低いことがわかった。即ち、凸部だけでなく凹部もその幅によりエッチングレートに差があることがわかった。アスペクト比（凹部の深さ／凹部の幅）が大きい凹部は、充填材をエッチングする工程において加工用ガスが照射される際に凹部の底が隣接する凸部の陰になりやすく、加工用ガスが凹部の底に入りにくいため充填材の凹部のエッチングレートが比較的低いと考えられる。尚、加工用ガスが被加工体の表面に対して垂直に（凹部の深さの方向に平行に）照射されても、やはり凹部のアスペクト比が大きい程、凹部のエッチングレートが低い傾向があった。これは加工用ガスが被加工体の表面に対して垂直に照射されても一部のガスは垂直な方向から傾斜して照射され、このような傾斜して照射されるガスがアスペクト比が大きい凹部の底に入りにくいためと考えられる。記録層の凸部の上に暫定下地材が形成された被加工体の上に充填材を成膜する場合、記録層の凸部の上に暫定下地材が形成されていない場合よりも、暫定下地材の厚さの分だけ充填材の凹部の深さが深くなり充填材の凹部のアスペクト比がそれだけ大きくなる。従って、充填材の凹部が特にエッチングされにくかったと考えられる。
【００１２】
サーボ領域のような凹部の幅が比較的大きく凹部のエッチングレートが比較的高い領域に合わせてエッチングを停止すると、データ領域のような凹部の幅が比較的小さく凹部のエッチングレートが比較的低い領域では充填材の凹部のエッチングが不充分となる。一方、データ領域のような凹部の幅が比較的小さく凹部のエッチングレートが比較的低い領域に合わせてエッチングを停止すると、サーボ領域のような凹部の幅が比較的大きく凹部のエッチングレートが比較的高い領域では充填材の凹部を過度にエッチングしてしまうことになる。従って、記録層の凹部や凸部の幅が比較的大きい領域と記録層の凹部や凸部の幅が比較的小さい領域とが混在する場合、表面の粗さの差を充分に抑制できず表面を充分に平坦化できなかったと考えられる。
【００１３】
これに対し、記録層をマスク層に基づいてエッチングして凹凸パターンに加工する工程と記録層及びマスク層の上に充填材を成膜して凹凸パターンの凹部を充填する工程との間に、マスク層に対するエッチングレートが記録層に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録層の凸部の上にマスク層が残存するように記録層の凸部の上のマスク層の一部を除去する工程を設けることにより、記録層及びマスク層の上に成膜される充填材の凹部のアスペクト比を小さく抑制でき、充填材をエッチングする工程において充填材の凹部の底が隣接する凸部の陰になることを抑制できる。従って、凹部の幅が比較的小さい領域において充填材の凹部のエッチングレートが低くなることを抑制でき、データ領域のような凹部の幅が比較的小さい領域における充填材の凹部のエッチングレートを、サーボ領域のような凹部の幅が比較的大きい領域における充填材の凹部のエッチングレートに近づけることができる。
【００１４】
尚、ドライエッチングでは凸部の中央部よりも凸部の端部が速く除去される傾向があるので、記録層の凸部の上のマスク層をエッチングする工程においてマスク層の端部がマスク層の中央部よりも速く除去されマスク層の中央部のエッチング量が少ない場合もある。このような場合、記録層及びマスク層の上に成膜される充填材の凹部の深さは必ずしも充分に減少しないが、記録層の凸部の上のマスク層の端部が除去されることにより、充填材をエッチングする工程において充填材の凹部の底が隣接する凸部の陰になりにくくなる。従って、この場合も充填材の凹部のエッチングレートの低下を抑制する効果が得られる。
【００１５】
更に、充填材をエッチングした後、マスク層に対するエッチングレートが充填材に対するエッチングレートよりも高いエッチング法によりマスク層を選択的に除去することで、凹部の充填材の加工を抑制しつつ、マスク層、又はマスク層とその上に残存する充填材で構成された総ての凸部を、その幅に拘わらず短時間で除去できる。
【００１６】
従って、記録層の凹部や凸部の幅が比較的大きい領域と記録層の凹部や凸部の幅が比較的小さい領域とが混在する場合でも、表面の粗さの差を充分に抑制できる。
【００１７】
尚、記録層の上に成膜するマスク層の厚さを初めから薄く抑制すれば、記録層を凹凸パターンに加工する工程と充填材を成膜する工程との間に、ドライエッチング法によりマスク層の一部を除去する工程を設けなくても、記録層及びマスク層の上に成膜される充填材の凹部の底が隣接する凸部の陰になることを抑制しうる。しかしながら、上記のようにドライエッチングでは凸部の中央部よりも凸部の端部が速く除去される傾向があるため、マスク層の厚さを初めから薄く抑制して記録層をエッチングすると、記録層をエッチングする工程の途中で（凸部の）マスク層の端部が消失してその下の記録層がエッチングされ、記録層の凸部の幅が目標の幅よりも細くなったり、記録層の凸部の側面が目標の形状よりも傾斜した形状に加工されてしまうという問題がある。又、（凸部の）マスク層の端部が完全に消失しない場合でも、記録層をエッチングする工程の途中で（凸部の）マスク層の端部が過度に薄くなると、記録層の凸部の側面が目標の形状よりも傾斜した形状に加工されてしまうことがある。
【００１８】
これに対し、記録層をマスク層に基づいてエッチングして凹凸パターンに加工する工程の後に、マスク層に対するエッチングレートが記録層に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録層の凸部の上にマスク層が残存するように記録層の凸部の上のマスク層の一部を除去することにより、記録層の凸部の形状を目標の形状に保持しつつ、マスク層及び記録層の上に成膜される充填材をエッチングする工程において充填材の凹部の底が隣接する凸部の陰になることを抑制できる。
【００１９】
即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。
【００２０】
（１）基板、記録層及びマスク層を有してなる被加工体の前記マスク層を所定の凹凸パターンに対応するパターンに加工する前段マスク層加工工程と、前記記録層に対するエッチングレートが前記マスク層に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記記録層を前記マスク層に基づいてエッチングして前記凹凸パターンに加工する記録層加工工程と、前記マスク層に対するエッチングレートが前記記録層に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記記録層の凸部の上に前記マスク層が残存するように前記記録層の凸部の上の前記マスク層の一部を除去する後段マスク層加工工程と、前記記録層及び前記マスク層の上に前記マスク層の材料と異なる充填材を成膜して前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記記録層の凸部の上に残存する前記マスク層の少なくとも一部が露出するように前記充填材のうち前記記録層の凸部の上に形成された余剰部分の少なくとも一部をドライエッチング法により除去する充填材エッチング工程と、前記マスク層に対するエッチングレートが前記充填材に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記マスク層を除去して表面を平坦化するマスク層除去工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２１】
（２）  （１）において、前記後段マスク層加工工程において前記マスク層と化学的に反応して前記マスク層を除去する性質を有する反応ガスを用いるドライエッチング法が用いられることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２２】
（３）  （２）において、前記マスク層の材料は炭素を主成分とする材料であり、前記後段マスク層加工工程においてフッ素系ガス、塩素系ガス及び窒素系ガスのいずれかのガスを含む反応ガスを用いるドライエッチング法が用いられることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２３】
（４）  （２）において、前記マスク層の材料は炭素を主成分とする材料であり、前記後段マスク層加工工程において酸素系ガスを含む反応ガスを用いるドライエッチング法が用いられることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２４】
（５）基板、記録層及びマスク層を有してなる被加工体の前記マスク層を所定の凹凸パターンに対応するパターンに加工する前段マスク層加工工程と、前記記録層に対するエッチングレートが前記マスク層に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記記録層を前記マスク層に基づいてエッチングして前記凹凸パターンに加工する記録層加工工程と、前記マスク層に対するエッチングレートが前記記録層に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記記録層の凸部の上に前記マスク層が残存するように前記記録層の凸部の上の前記マスク層の一部を除去する後段マスク層加工工程と、前記記録層及び前記マスク層の上に前記マスク層の材料と異なる充填材を成膜して前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記マスク層に対するエッチングレートが前記充填材に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記充填材のうち前記記録層の凸部の上に形成された余剰部分及び前記マスク層を除去して表面を平坦化するマスク層除去工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２５】
尚、本出願において、「凹凸パターンの記録層」とは、連続記録層が所定のパターンで分割され記録要素を構成する凸部が相互に完全に分離した記録層の他、データ領域では相互に分離した凸部同士がデータ領域とサーボ領域との境界付近等では連続している記録層、又、例えば螺旋状の渦巻き形状の記録層のように基板の上の一部に連続して形成される記録層、凹部が記録層の上面と下面の間の位置まで形成されて底部において連続した記録層も含む意義で用いることとする。
【００２６】
又、本出願において「エッチングレート」という用語は、単位時間当たりの加工量という意義で用いることとする。
【００２７】
又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、記録層の凹部や凸部の幅が比較的大きい領域と記録層の凹部や凸部の幅が比較的小さい領域とが混在する場合でも、表面の粗さの差が充分に抑制された磁気記録媒体を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る被加工体の出発体の構造を模式的に示す側断面図
【図２】同被加工体を加工して得られる磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図３】同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図４】レジスト層にパターンが転写された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図５】第１マスク層がパターンに加工された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図６】記録層が凹凸パターンに加工された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図７】記録要素の上の第１マスク層の一部が除去された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図８】充填材が成膜された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図９】余剰の充填材のエッチングにより記録要素の上の第１マスク層が露出した前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１０】余剰の充填材のエッチングにより記録要素の上の第１マスク層が露出した前記被加工体の他の形状の例を模式的に示す側断面図
【図１１】余剰の充填材のエッチングにより記録要素の上の第１マスク層が露出した前記被加工体の他の形状の例を模式的に示す側断面図
【図１２】第１マスク層が除去されて充填材及びストップ膜の表面が平坦化された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１３】ストップ膜が除去された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１４】本発明の第２実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図１５】本発明の第３実施形態に係る記録層が凹凸パターンに加工された被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１６】本発明の第４実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００３１】
本発明の第１実施形態は、基板１２、連続膜の記録層３２及び第１マスク層２２等を有してなる図１に示されるような被加工体１０の出発体に加工を施すことにより、連続膜の記録層３２を第１マスク層２２層に基づいてエッチングして図２に示されるような凹凸パターンの記録層３２を有する磁気記録媒体３０を製造する方法に関するものであり、記録層３２を第１マスク層２２に基づいてエッチングして凹凸パターンに加工する工程と記録層３２及び第１マスク層２２の上に充填材３６を成膜して記録層３２の凹凸パターンの凹部を充填する工程との間に、第１マスク層２２に対するエッチングレートが記録層３２に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録要素３２Ａ（記録層３２の凸部）の上に第１マスク層２２が残存するように記録要素３２Ａの上の第１マスク層２２の一部を除去する工程を設けたことを特徴としている。
【００３２】
被加工体１０の出発体は、基板１２、軟磁性層１６、配向層１８、（凹凸パターンに加工される前の連続膜の）記録層３２、ストップ膜３５、第１マスク層２２、第２マスク層２４、樹脂層２６を有し、これらの層がこの順で基板１２の上に形成された構成である。
【００３３】
基板１２の材料は、ガラス、Ａｌ２Ｏ３等である。軟磁性層１６は、厚さが５０〜３００ｎｍである。軟磁性層１６の材料としてはＦｅ合金、Ｃｏ合金等を用いることができる。配向層１８は、厚さが２〜４０ｎｍである。配向層１８の材料としては非磁性のＣｏＣｒ合金、Ｔｉ、Ｒｕ、ＲｕとＴａの積層体、ＭｇＯ等を用いることができる。
【００３４】
記録層３２は、厚さが５〜３０ｎｍである。記録層３２の材料としてはＣｏＣｒＰｔ合金等のＣｏＰｔ系合金、ＦｅＰｔ系合金、これらの積層体、ＳｉＯ２等の酸化物系材料のマトリックス中にＣｏＣｒＰｔ等の強磁性粒子を含ませた材料等を用いることができる。
【００３５】
ストップ膜３５は、厚さが１〜１０ｎｍである。ストップ膜３５の材料としては、Ｔａ等を用いることができる。
【００３６】
第１マスク層２２は、厚さが３〜５０ｎｍである。第１マスク層２２の材料としては、例えばＣＶＤ法等により成膜されるＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）と呼称される硬質炭素膜やスパッタリング法等で成膜される炭素膜のような炭素が主成分である材料を用いることができる。
【００３７】
第２マスク層２４は、厚さが３〜３０ｎｍである。第２マスク層２４の材料としては、Ｎｉ、Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ｔａ等を用いることができる。樹脂層２６は、厚さが３０〜３００ｎｍである。樹脂層２６の材料としては、紫外線硬化性樹脂、各種フォトレジスト材料等を用いることができる。
【００３８】
磁気記録媒体３０は、垂直記録型のディスクリートトラックメディアであり、記録層３２のデータ領域の部分は、径方向に微細な間隔で多数の同心円弧状の記録要素３２Ａに分割された凹凸パターン形状である。記録要素３２Ａの間の凹部は充填材３６で充填されている。又、記録要素３２Ａ及び充填材３６の上には保護層３８、潤滑層４０がこの順で形成されている。又、記録層３２のサーボ領域の部分は所定のサーボパターンに対応する凹凸パターンで形成されている。サーボ領域における記録層３２の凸部や凹部の幅は大部分がデータ領域における記録層の凸部や凹部の幅よりも大きい。
【００３９】
充填材３６としては、例えばＳｉＯ２を用いることができる。保護層３８は、厚さが１〜５ｎｍである。保護層３８の材料としては、ＤＬＣを用いることができる。潤滑層４０は、厚さが１〜２ｎｍである。潤滑層４０の材料としてはＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）を用いることができる。
【００４０】
以下、図３に示すフローチャートに沿って、被加工体１０の加工方法について説明する。
【００４１】
まず、図１に示される被加工体１０の出発体を用意する（Ｓ１０２：被加工体の出発体用意工程）。被加工体１０の出発体は基板１２の上に、軟磁性層１６、配向層１８、（凹凸パターンに加工される前の連続膜の）記録層３２、ストップ膜３５、第１マスク層２２、第２マスク層２４をこの順でスパッタリング法により形成し、更に樹脂層２６をスピンコート法で塗布することにより得られる。
【００４２】
次に、図４に示されるように、被加工体１０の出発体の樹脂層２６を記録層３２の凹凸パターンに対応するパターンに加工する（Ｓ１０４：樹脂層加工工程）。具体的には、転写装置（図示省略）を用いてインプリント法により樹脂層２６に所定のサーボパターン及びトラックパターンに相当する凹凸パターンを転写する。尚、樹脂層２６を露光・現像して、樹脂層２６を記録層３２の凹凸パターンに対応するパターンに加工してもよい。
【００４３】
次に、Ａｒガスを用いたＩＢＥにより、第２マスク層２４を樹脂層２６に基づいてエッチングし、第２マスク層２４を記録層３２の凹凸パターンに対応するパターンに加工する（Ｓ１０６：第２マスク層加工工程）。入射角は例えば９０°に設定する。尚、本出願において「ＩＢＥ」という用語は、例えばイオンミリング等の、イオン化したガスを被加工体に照射して加工対象物を除去する加工方法の総称という意義で用いることとする。又、本出願において「入射角」とは、被加工体の表面に対する入射角度であって、被加工体の表面とイオンビームの中心軸とが形成する角度という意義で用いることとする。例えば、イオンビームの中心軸が被加工体の表面に対して垂直である場合は入射角は９０°であり、イオンビームの中心軸が被加工体の表面と平行である場合は入射角は０°である。尚、樹脂層加工工程（Ｓ１０４）においてインプリント法を用いる場合、凹部底部に樹脂層２６が残存するが、この工程（Ｓ１０６）において、樹脂層２６における凹部底部の部分も除去する。
【００４４】
次に、図５に示されるように、Ｏ２又はＯ３ガスを用いたＲＩＥにより、第１マスク層２２を第２マスク層２４に基づいてエッチングし、第１マスク層２２を記録層３２の凹凸パターンに対応するパターンに加工する（Ｓ１０８：前段第１マスク層加工工程（前段マスク層加工工程））。尚、本出願では、希ガスのように加工対象物と化学的に反応しないガスを用いる場合でも、ＲＩＥ装置を用いてエッチングを行う場合には「ＲＩＥ」という用語を用いることとする。
【００４５】
次に、図６に示されるように、記録層３２に対するエッチングレートが第１マスク層２２に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録層３２を第１マスク層２２に基づいてエッチングして目的の凹凸パターンに加工する（Ｓ１１０:記録層加工工程）。この際、記録層３２と共にストップ膜３５もエッチングする。又、この工程（Ｓ１１０）では記録要素３２Ａの上（ストップ膜３５の上）に第１マスク層２２が残存するように記録層３２及びストップ膜３５をエッチングする。一方、この工程（Ｓ１１０）において第２マスク層２４は消失する。ドライエッチング法としては、Ａｒガスを用いたＩＢＥを用いることができる。入射角は例えば９０°に設定する。
【００４６】
次に、図７に示されるように、第１マスク層２２に対するエッチングレートが記録層３２に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録要素３２Ａ（記録層３２の凸部）の上に第１マスク層２２が残存するように記録要素３２Ａの上の第１マスク層２２の一部を除去する（Ｓ１１２：後段第１マスク層加工工程（後段マスク層加工工程））。ドライエッチング法としては、第１マスク層２２と化学的に反応して第１マスク層２２を除去する性質を有する反応ガスを用いたＲＩＥを用いることができる。反応ガスは、例えば、Ｏ２、Ｏ３ガス等の酸素系ガス、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６等のフッ素系ガス、Ｃｌ２、ＢＣｌ３等の塩素系ガス、Ｎ２、ＮＨ３等の窒素系ガスのいずれかを含むガスである。反応ガスが酸素系ガスの場合、記録要素３２Ａの側面の部分を酸化させて記録要素３２Ａの側面の部分の保磁力を高めることができる。このように保磁力を高めることで記録対象の記録要素３２Ａに隣り合う他の記録要素３２Ａへの誤った記録を抑制できる。一方、反応ガスがフッ素系ガス、塩素系ガス、窒素系ガスの場合、記録要素３２Ａの側面の磁性を消失させて隣り合う記録要素３２Ａを磁気的に明確に分離することができる。又、例えば記録層加工工程（Ｓ１１０）において記録層３２を完全に分割しないで記録要素３２Ａの間の凹部の底部に記録層３２が残存するように記録層３２をエッチングすることもある。このような場合、記録層３２における凹部の底部に残存する部分の磁性を消失させることで隣り合う記録要素３２Ａを磁気的に明確に分離することができる。記録要素３２Ａの上の第１マスク層２２の端部及び中央部を等しく除去してもよい。又、図７に示されるように、記録要素３２Ａの上の第１マスク層２２の端部を中央部よりも多く除去してもよい。但し、記録要素３２Ａの上の（ストップ膜３５の上面の）全面に第１マスク層２２が残存することが好ましい。
【００４７】
次に、図８に示されるように、バイアススパッタリング法により記録層３２及び第１マスク層２２の上に第１マスク層２２の材料と異なるＳｉＯ２等の充填材３６を成膜して記録層３２の凹凸パターンの凹部を充填する（Ｓ１１４：充填材成膜工程）。充填材３６の粒子は被加工体１０の表面に一様に堆積しようとするので、表面が凹凸形状となる。一方、後段マスク層加工工程（Ｓ１１２）において記録要素３２Ａの上の第１マスク層２２の一部が除去されているので、充填材３６の表面の凹凸はそれだけ抑制される。又、被加工体１０にバイアス電圧を印加することにより、スパッタリングガスは被加工体１０の方向に付勢されて堆積済みの充填材３６に衝突し、堆積済みの充填材３６の一部をエッチングする。このエッチング作用は、堆積済みの充填材３６のうち、突出した部分を他部よりも早く選択的に除去する傾向があるので、この点でも充填材３６の表面の凹凸が抑制される。特に、記録要素３２Ａの上に第１マスク層２２が残存しているので、第１マスク層２２が残存していない記録要素３２Ａの上に充填材３６が堆積する場合よりも、記録要素３２Ａの上の充填材３６の凸部が突出している。従って、記録要素３２Ａの上の充填材３６の凸部を充填材３６の他部よりも早く選択的に除去する作用がそれだけ顕著であり、充填材３６の表面の凹凸を抑制する効果が大きい。成膜作用がエッチング作用を上回ることで表面の凹凸が抑制されつつ充填材３６の成膜が進行する。これにより、図８に示されるように、表面の凹凸がある程度抑制された形状で充填材３６が記録層３２及び第１マスク層２２を覆うように成膜され、記録層３２の凹凸パターンの凹部が充填材３６で充填される。尚、図８は本第１実施形態の理解のため、凹凸形状を実際よりも強調して描いている。
【００４８】
次に、図９に示されるように、記録要素３２Ａ（記録層の凸部）の上に残存する第１マスク層２２の少なくとも一部が露出するように充填材３６のうち記録要素３２Ａ（記録層の凸部）の上に形成された余剰部分の少なくとも一部をドライエッチング法により除去する（Ｓ１１６：充填材エッチング工程）。ドライエッチング法としては、例えばＡｒガスを用いたＩＢＥを用いることができる。入射角は例えば９０°に設定する。
【００４９】
後段マスク層加工工程（Ｓ１１２）において記録要素３２Ａの上の第１マスク層２２の一部が除去され、充填材成膜工程（Ｓ１１４）で成膜された充填材３６の表面の凹凸がそれだけ抑制されているので、充填材３６の凹部の底が隣接する凸部の陰になりにくい。従って、データ領域のような凹部の幅が比較的小さい領域において充填材３６の凹部のエッチングレートが低くなることを抑制でき、データ領域のような凹部の幅が比較的小さい領域における充填材３６の凹部のエッチングレートを、サーボ領域のような凹部の幅が比較的大きい領域における充填材３６の凹部のエッチングレートに近づけることができる。
【００５０】
又、ドライエッチング法は、凸部を凹部よりも選択的に速く除去する傾向があるので、記録要素３２Ａの上に残存する第１マスク層２２を被覆する充填材３６を効率良く除去できる。特に、記録要素３２Ａの上に第１マスク層２２が残存しているので、第１マスク層２２が残存していない記録要素３２Ａの上に充填材３６が堆積している場合よりも、記録要素３２Ａの上の充填材３６の凸部が突出している。従って、充填材３６の凸部を充填材３６の他部よりも早く選択的に除去する作用がそれだけ顕著であり、記録要素３２Ａの上の充填材３６（充填材３６の凸部）を効率良く除去できる。更に、加工用ガスとしてＡｒガスのような希ガスを用いると、異方性エッチング効果が高くなるため、凸部を凹部よりも速く除去する傾向が強まる。
【００５１】
尚、Ａｒガスの入射角は必ずしも９０°に限定されない。例えば、被加工体１０の表面の法線に対して傾斜した方向から被加工体１０にＡｒガスを照射してもよい。このようにすることで、凸部を凹部よりも速く除去する傾向を強め、第１マスク層２２の側面に成膜された充填材３６に対するエッチングレートを高めることができる。
【００５２】
図９に示されるように、記録層３２の凹凸パターンの凹部における充填材３６の上面の高さと、ストップ膜３５の上面の高さと、がほぼ一致したところでエッチングを停止する。記録要素３２Ａの上の余剰の充填材３６は概ね除去される。又、第１マスク層２２は端部が他部よりも速く除去されるが、ストップ膜３５を完全に被覆した状態でストップ膜３５上に残存する。従って、記録要素３２Ａは、第１マスク層２２によりエッチングから保護される。尚、万が一、第１マスク層２２の端部が完全に消失しても、記録要素３２Ａはストップ膜３５によりエッチングから保護される。
【００５３】
Ａｒガスを用いたＩＢＥを用いる場合、ＤＬＣ（第１マスク層２２）のエッチングレートがＳｉＯ２（充填材３６）のエッチングレートよりも低いため、このように記録層３２の凹部における充填材３６の上面の高さとストップ膜３５の上面の高さとがほぼ一致した時点で、第１のマスク層２２はストップ膜３５を完全に被覆した状態で残存する。これに対し、加工用ガスとしてＤＬＣと化学的に反応してＤＬＣを除去する性質を有する反応ガスを用いることで、両者のエッチングレートを等しくしたり、両者のエッチングレートを逆転させることが可能である。例えば、加工用ガスとして、ＡｒガスとＯ２又はＯ３ガスの混合ガスを用い、これらの流量比を調整することにより、両者のエッチングレートを等しくしたり、逆転させることが可能である。
【００５４】
ＤＬＣ（第１マスク層２２）に対するエッチングレートをＳｉＯ２（充填材３６）に対するエッチングレートよりも高くした場合、図１０に示されるように、記録層３２の凹部における充填材３６の上面の高さとストップ膜３５の上面の高さとがほぼ一致した時点で、第１マスク層２２の端部はストップ膜３５の上面まで除去される。このようにすることで、第１のマスク層２２の側面を被覆していた充填材３６が確実に除去される。
【００５５】
このように、第１マスク層２２に対するエッチングレートを充填材３６に対するエッチングレートよりも高くする場合、記録要素３２Ａをエッチングから保護するため、本第１実施形態のように記録要素３２Ａの上面をストップ膜３５で被覆しておくことが特に好ましい。
【００５６】
又、この場合、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）のドライエッチングに対するストップ膜３５のエッチングレートが充填材３６のエッチングレートよりも低ければ、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）におけるエッチングの停止の制御が容易となり、加工精度が向上するので、より好ましい。ストップ膜３５の材料がＴａ、充填材３６の材料がＳｉＯ２であり、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）のドライエッチングがＡｒガスを用いたＩＢＥの場合、ＴａのエッチングレートはＳｉＯ２のエッチングレートよりも低いので、この条件を満たす。
【００５７】
又、両者のエッチングレートを等しくした場合、図１１に示されるように、記録層３２の凹部における充填材３６の上面の高さとストップ膜３５の上面の高さとがほぼ一致した時点で、第１マスク層２２はストップ膜３５を完全に被覆した状態で、且つ、端部の厚さがほぼ０となるようにストップ膜３５の上に残存する。このようにすることで、第１マスク層２２の側面を被覆していた充填材３６が確実に除去されると共に第１マスク層２２により記録要素３２Ａをエッチングから保護できる。
【００５８】
次に、図１２に示されるように、第１マスク層２２に対するエッチングレートが充填材３６に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により、第１マスク層２２を除去する（Ｓ１１８：第１マスク層除去工程（マスク層除去工程））。ドライエッチング法としては、例えばＯ２又はＯ３ガスを反応ガスとするＲＩＥを用いることができる。これにより記録層３２の凹凸パターンの凹部に充填された充填材３６の加工を抑制しつつ、記録要素３２Ａ（記録層３２の凹凸パターンの凸部）の上の第１マスク層２２が迅速に除去される。記録要素３２Ａの上の第１マスク層２２は、その幅の差により一時的にエッチングレートの差が生じうるが、短時間で総ての第１マスク層２２が除去される。尚、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）の後も、第１マスク層２２の上に余剰の充填材３６が部分的に残存することがあるが、このような余剰の充填材３６も第１マスク層２２と共に除去される。即ち、第１マスク層２２、又は第１マスク層２２とその上に残存する充填材３６で構成された総ての凸部が、その幅に拘わらず短時間で除去される。又、記録層３２の凹凸パターンの凹部を充填する充填材３６及びストップ膜３５は、第１マスク層２２よりも第１マスク層除去工程（Ｓ１１８）におけるエッチングレートが低いので、これらの上面の高さはほぼ一致した状態に保持される。従って、被加工体１０の表面が平坦化される。
【００５９】
次に、図１３に示されるように、Ａｒガスを用いたＩＢＥにより、ストップ膜３５を除去する（Ｓ１２０：ストップ膜除去工程）。尚、記録層３２の凹部を充填する充填材３６の上部もストップ膜３５と同様に除去される。
【００６０】
次に、ＣＶＤ法により記録要素３２Ａ及び充填材３６の上に保護層３８を形成する（Ｓ１２２：保護層形成工程）。更に、ディッピング法により保護層３８の上に潤滑層４０を形成する（Ｓ１２４：潤滑層形成工程）。これにより、前記図２に示される磁気記録媒体３０が完成する。
【００６１】
以上説明したように、記録層加工工程（Ｓ１１０）と充填材成膜工程（Ｓ１１４）との間に、第１マスク層２２に対するエッチングレートが記録層３２に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録要素３２Ａ（記録層３２の凸部）の上に第１マスク層２２が残存するように記録要素３２Ａの上の第１マスク層２２の一部を除去する後段第１マスク層加工工程（後段マスク層加工工程）(Ｓ１１２)が設けられているので、記録層３２及び第１マスク層２２の上に成膜される充填材３６の凹凸を抑制でき、充填材エッチング工程(Ｓ１１６)において充填材３６の凹部の底が隣接する凸部の陰になることを抑制できる。従って、凹部の幅が比較的小さい領域において充填材３６の凹部のエッチングレートが低くなることを抑制でき、データ領域のような凹部の幅が比較的小さい領域における充填材３６の凹部のエッチングレートを、サーボ領域のような凹部の幅が比較的大きい領域における充填材３６の凹部のエッチングレートに近づけることができる。
【００６２】
尚、ドライエッチングでは凸部の中央部よりも凸部の端部が速く除去される傾向があるので、後段第１マスク層加工工程（Ｓ１１２）において記録層３２の凸部の上の第１マスク層２２の端部が第１マスク層２２の中央部よりも速く除去され第１マスク層２２の中央部のエッチング量が少ない場合もある。このような場合、充填材成膜工程（Ｓ１１４）において記録層３２及び第１マスク層２２の上に成膜される充填材３６の凹部の深さは必ずしも充分に減少しないが、記録層３２の凸部の上の第１マスク層２２の端部が除去されることにより、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）において充填材３６の凹部の底が隣接する凸部の陰になりにくくなる。従って、この場合も充填材３６の凹部のエッチングレートの低下を抑制する効果が得られる。
【００６３】
更に、その後、第１マスク層２２に対するエッチングレートが充填材３６に対するエッチングレートよりも高いエッチング法により第１マスク層２２を選択的に除去することで(Ｓ１１８)、凹部の加工を抑制しつつ、第１マスク層２２、又は第１マスク層２２とその上に残存する充填材３６で構成された総ての凸部を、その幅に拘わらず短時間で除去できる。
【００６４】
又、後段第１マスク層加工工程（Ｓ１１２）において記録層３２の凸部の上の第１マスク層２２の端部が第１マスク層２２の中央部よりも速く除去される場合、第１マスク層２２やその上に成膜される充填材３６で構成される凸部がそれだけ先鋭な形状になる。ドライエッチングに対する凸部のエッチングレートは、凸部の幅が広い程低い傾向がある一方、凸部の形状が先鋭である程エッチングレートが高い傾向があるので、幅が比較的広い凸部が先鋭な形状となることで凸部の除去、平坦化が促進される。
【００６５】
従って、サーボ領域のような記録層３２の凹部や凸部の幅が比較的大きい領域とデータ領域のような記録層３２の凹部や凸部の幅が比較的小さい領域とが混在する場合でも、表面の粗さの差を充分に抑制できる。これにより磁気記録媒体３０の表面を充分に平坦化でき、良好なヘッド浮上特性が確実に得られる。
【００６６】
又、後段第１マスク層加工工程（Ｓ１１２）において反応ガスとして酸素系ガスを用いる場合、記録要素３２Ａの側面の部分を酸化させて記録要素３２Ａの保磁力を高めることができる。このように保磁力を高めることで記録対象の記録要素３２Ａに隣り合う他の記録要素３２Ａへの誤った記録を抑制できる。又、記録層３２の凹部の底部に記録層３２が残存するように記録層３２を加工する場合、反応ガスとしてフッ素系ガス、塩素系ガス、窒素系ガスを用いることで、記録要素３２Ａの側面や記録層３２における凹部の底部に残存する部分の磁性を消失させて隣り合う記録要素３２Ａを磁気的に明確に分離することができる。従って、磁気記録媒体３０は記録・再生特性が良い。
【００６７】
又、記録層３２の凹部の底部に記録層３２が残存するように記録層３２を加工する場合、記録層３２の凹凸の段差が小さく抑制されるので、それだけ平坦化が容易である。
【００６８】
又、記録要素３２Ａがストップ膜３５で被覆された状態で充填材エッチング工程（Ｓ１１６）や第１マスク層除去工程（Ｓ１１８）が実行されるので、これらの工程において記録要素３２Ａの上面がエッチングされることがなく、磁気特性が悪化することがない。即ち、磁気記録媒体３０はこの点でも記録・再生特性が良い。
【００６９】
又、本第１実施形態の磁気記録媒体の製造方法は、いずれの工程においてもドライエッチングを用いているので、ドライエッチングとウェットエッチングを併用する場合よりも生産効率が良い。
【００７０】
尚、本第１実施形態において、第１マスク層２２の材料としてＤＬＣ等の炭素が主成分である材料が例示されているが、記録層加工工程(Ｓ１１０)におけるエッチングレートが記録層３２のエッチングレートよりも低く、後段マスク層加工工程(Ｓ１１２)におけるエッチングレートが記録層３２のエッチングレートよりも高い材料であれば、第１マスク層２２の材料として他の材料を用いてもよい。記録層加工工程(Ｓ１１０)におけるエッチングレートが記録層３２のエッチングレートよりも低く、第１マスク層２２に対するエッチングレートが記録層３２に対するエッチングレートよりも高い第１マスク層２２の材料、記録層加工工程(Ｓ１１０)のドライエッチング法、後段マスク層加工工程（Ｓ１１２）のドライエッチング法の組合わせの例を表１に示す。
【００７１】
【表１】
2011028815.tif 000003
【００７２】
又、本第１実施形態において、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）のドライエッチング法としてＡｒガスやＡｒとＯ２又はＯ３の混合ガスを用いたＩＢＥが例示されているが、Ｋｒ、Ｘｅ等の他の希ガスを用いたＩＢＥを採用してもよく、更に、例えばＯ２、Ｏ３等の酸素系ガス、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６等のハロゲン系の反応ガスを用いたＲＩＥ、反応ガスと希ガスとの混合ガスを用いたＲＩＥ等の他のドライエッチングを採用してもよい。
【００７３】
充填材エッチング工程（Ｓ１１６）のドライエッチング方法、充填材３６の材料、第１マスク層２２の材料の組合わせ、及び充填材エッチング工程（Ｓ１１６）における充填材３６のエッチングレートと第１マスク層２２のエッチングレートの大小関係を表１に併記する。
【００７４】
尚、表１では、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）において加工用ガスを１種類単独で用いる例を示しているが、加工用ガスの入射角を調整したり、酸素系ガスやハロゲンガスのような反応ガスと希ガスとの混合ガスを用い混合比を調整することで、エッチングレートの調整が可能である。例えば、第１マスク層２２に対するエッチングレートと充填材３６に対するエッチングレートの大小関係の調整が可能であり、又、第１マスク層２２に対するエッチングレートと充填材３６に対するエッチングレートとをほぼ等しくすることも可能である。
【００７５】
又、本第１実施形態において、充填材３６がＳｉＯ２、第１マスク層２２の材料がＤＬＣであり、又、第１マスク層除去工程（Ｓ１１８）のドライエッチング法がＯ２又はＯ３ガスを反応ガスとするＲＩＥである例が示されているが、第１マスク層２２に対するエッチングレートが充填材３６に対するエッチングレートよりも高い組合わせを選択すれば、充填材３６の材料、第１マスク層２２の材料、第１マスク層除去工程（Ｓ１１８）のドライエッチング法は特に限定されない。例えば、充填材３６として、他の酸化物、ＴｉＮ等の窒化物、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ等の非磁性の金属、ＴｉＳｉ、ＴａＳｉ、Ｓｉ等の他の非磁性材料を用いてもよい。又、用途に応じて、充填材３６として軟磁性材料等を用いてもよい。又、第１マスク層２２の材料として金属材料や、フォトレジストのような樹脂等を用いてもよい。又、ドライエッチング法として、反応ガスとしてハロゲン系ガスを用いるドライエッチングを用いてもよい。充填材３６、第１マスク層２２の材料、第１マスク層除去工程（Ｓ１１８）のドライエッチング法として好ましい組合わせの例を表１に併記する。
【００７６】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
【００７７】
前記第１実施形態では、余剰の充填材３６、第１マスク層２２を充填材エッチング工程（Ｓ１１６）、第１マスク層除去工程（Ｓ１１８）の２工程で除去しているのに対し、図１４のフローチャートに示されるように、本第２実施形態では、第１マスク層除去工程（Ｓ２０２）だけで余剰の充填材３６、第１マスク層２２を除去することを特徴としている。他の工程については前記第１実施形態と同様であるので説明を適宜省略する。
【００７８】
本第２実施形態の第１マスク層除去工程（Ｓ２０２）では、前記図８に示されるように、充填材３６が成膜されて記録層３２の凹部が充填された状態で、第１マスク層２２と化学的に反応して第１マスク層を除去する性質を有する反応ガスを用い、第１マスク層２２に対するエッチングレートが充填材３６に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により、充填材３６の余剰部分及び第１マスク層２２を除去する。
【００７９】
このようなドライエッチング法としては、例えば、加工用ガスとしてＡｒガスとＯ２又はＯ３ガスの混合ガスを用いるＲＩＥを挙げることができる。混合ガスの流量比を調整することにより、充填材３６、第１マスク層２２のエッチングレートを調節することができる。具体的には、ＡｒガスとＯ２ガスとの比率を３（Ａｒ）：２（Ｏ２）程度、又はこれよりもＯ２の比率を高めることで、ＳｉＯ２に対するエッチングレートよりもＤＬＣに対するエッチングレートを高めることができる。尚、加工用ガスの入射角により、エッチングレートは若干変動する。
【００８０】
記録層３２の凹部における充填材３６の上面の高さとストップ膜３５の上面の高さとがほぼ一致したところでドライエッチングを停止する。これにより、前記図１２に示されるように、記録要素３２Ａの上の余剰の充填材３６及び第１マスク層２２は完全に除去され、表面が平坦化される。
【００８１】
尚、記録要素３２Ａの上の第１マスク層２２が完全に除去されてから微小時間内に、記録層３２の凹部を充填する充填材３６の上面がストップ膜３５の上面とほぼ一致するように、記録要素３２Ａの上に残存させる第１マスク層２２の厚さ及び充填材３６の成膜厚さを予め調整しておく。
【００８２】
第１マスク層除去工程（Ｓ２０２）のドライエッチングに対するストップ膜３５のエッチングレートが、充填材３６のエッチングレートよりも低ければ、凹部を充填する充填材３６の上面とストップ膜３５の上面とがほぼ一致するように制御することが容易である。ストップ膜３５の材料がＴａ、充填材３６がＳｉＯ２、第１マスク層除去工程（Ｓ２０２）のドライエッチングがＡｒガスとＯ２又はＯ３ガスの混合ガスを用いる反応性イオンビームエッチングである場合、ＴａのエッチングレートはＳｉＯ２のエッチングレートよりも低いので、この条件を満たしている。
【００８３】
このように、第１マスク層２２及び余剰の充填材３６を一工程で除去できるので、生産効率の向上を図ることができる。
【００８４】
尚、本第２実施形態において、充填材３６がＳｉＯ２、第１マスク層２２の材料がＤＬＣであり、又、第１マスク層除去工程（Ｓ２０２）において、充填材３６に対するエッチングレートよりも第１マスク層２２に対するエッチングレートが高く、Ｏ２又はＯ３を含む加工用ガスを用いる反応性イオンビームエッチングを用いる例が示されているが、充填材３６に対するエッチングレートよりも第１マスク層２２に対するエッチングレートが高い組合わせを選択すれば、充填材３６、第１マスク層２２の材料、第１マスク層除去工程（Ｓ２０２）のドライエッチング方法は特に限定されない。好ましい組合わせの例を表２に示す。
【００８５】
【表２】
2011028815.tif 000004
【００８６】
尚、表２では、１種類の加工用ガスを単独で用いる例を示しているが、第１マスク層２２に対するエッチングレートと充填材３６に対するエッチングレートとの大小関係が逆転しない範囲で、上記第１実施形態のように酸素系ガスやハロゲン系ガスのような反応ガスと希ガスとの混合ガスを用いてもよい。
【００８７】
又、前記第１実施形態の充填材エッチング工程（Ｓ１１６）や前記第２実施形態の第１マスク層除去工程（Ｓ２０２）の途中で加工用ガスの種類を変更してもよい。例えば、第１実施形態の充填材エッチング工程（Ｓ１１６）又は第２実施形態の第１マスク層除去工程（Ｓ２０２）を２つの工程に分けて、前の工程では加工用ガスとしてＡｒガス等の希ガスを用いて第１マスク層２２に対するエッチングレートが充填材３６に対するエッチングレートと同等、又はこれよりも低くなるようにし、後の工程でＡｒガスとＯ２、Ｏ３ガス等の第１マスク層２２と化学的に反応するガスとの混合ガスを用いて第１マスク層に対するエッチングレートが充填材に対するエッチングレートよりも高くなるようにしてもよい。又、第１実施形態の充填材エッチング工程（Ｓ１１６）や第２実施形態の第１マスク層除去工程（Ｓ２０２）で加工用ガスとして複数のガスからなる混合ガスを用い、これらの工程の途中で混合ガスの比率を徐々に変えていくようにしてもよい。例えば、これらの工程において加工用ガスとして希ガスとＯ２又はＯ３ガスとの混合ガスを用い、Ｏ２又はＯ３ガスの流量比を徐々に高めていくようにしてもよい。
【００８８】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
【００８９】
前記第１及び第２実施形態では図６に示されるように記録層加工工程（Ｓ１１０）の終了時において第２マスク層２４が消失しているのに対し、本第３実施形態では図１５に示されるように記録層加工工程（Ｓ１１０）の終了時において記録要素３２Ａの上（の第１マスク層２２の上）に第２マスク層２４が残存しており、この記録要素３２Ａの上に残存する第２マスク層２４が第１マスク層２２と共に後段第１マスク層加工工程（Ｓ１１２）において除去されることを特徴としている。他の工程については前記第１及び第２実施形態と同様であるので説明を適宜省略する。
【００９０】
例えば、第２マスク層２４の材料がＴａであり、前段第１マスク層加工工程（Ｓ１０８）においてＯ２又はＯ３ガスのような酸化性のガスが用いられ、記録層加工工程（Ｓ１１０）においてＡｒガスを用いたＩＢＥで記録層３２がエッチングされる場合、図１５に示されるように記録層加工工程（Ｓ１１０）の終了時において記録要素３２Ａの上に第２マスク層２４が残存する。前段第１マスク層加工工程（Ｓ１０８）において第２マスク層２４の表面が酸化されることにより、Ａｒガスを用いたＩＢＥに対するエッチングレートが著しく高くなり、記録層加工工程（Ｓ１１０）の終了時において記録要素３２Ａの上に第２マスク層２４が残存すると考えられる。
【００９１】
尚、前段第１マスク層加工工程（Ｓ１０８）において凹部のストップ膜３５も加工用ガスに一時的に晒されるが、ストップ膜３５の材料がＴａであっても、凹部のストップ膜３５は記録層加工工程（Ｓ１１０）において容易に除去される。凹部のストップ膜３５は第２マスク層２４よりも加工用ガスに晒される時間が短いため、Ａｒガスを用いたＩＢＥに対するエッチングレートの増加が防止又は抑制されると考えられる。
【００９２】
このように、記録層加工工程（Ｓ１１０）の終了時において記録要素３２Ａの上の第１マスク層２２の上に第２マスク層２４が残存するので、第１マスク層２２の形状は記録層加工工程（Ｓ１１０）において前段第１マスク層加工工程（Ｓ１０８）で形成されたパターンの形状に保持され、記録層３２はこのパターンの形状に沿ってエッチングされる。
【００９３】
尚、記録層加工工程（Ｓ１１０）の終了時まで記録要素３２Ａの上の第１マスク層２２の上に第２マスク層２４が存在するため、記録層加工工程（Ｓ１１０）において第２マスク層２４も記録層３２をエッチングするためのマスクの役割を担うが、第２マスク層２４と記録層３２との間に第２マスク層２４よりも厚い第１マスク層２２が存在することにより、記録要素３２Ａの側面を（被加工体１０の表面に対して）垂直に近い形状に加工できる。従って、本第３実施形態のように記録層加工工程（Ｓ１１０）の終了時において第１マスク層２２の上に第２マスク層２４が残存する場合でも、記録層加工工程（Ｓ１１０）において第１マスク層２２は記録層３２をエッチングするためのマスクの役割を担う。即ち、記録層加工工程（Ｓ１１０）において記録層３２は第１マスク層２２に基づいてエッチングされる。
【００９４】
後段第１マスク層加工工程（Ｓ１１２）において、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６等のフッ素系ガスや、Ｃｌ２、ＢＣｌ３等の塩素系ガスのようなハロゲン系のガスを用いることで、記録要素３２Ａの上に残存する第２マスク層２４を除去すると共に記録要素３２Ａの上の第１マスク層２２の一部を除去することができる。
【００９５】
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
【００９６】
前記第３実施形態では、記録要素３２Ａの上に残存する第２マスク層２４が第１マスク層２２と共に後段第１マスク層加工工程（Ｓ１１２）において除去されるのに対し、本第４実施形態では図１６のフローチャートに示されるように記録層加工工程（Ｓ１１０）と後段第１マスク層加工工程（Ｓ１１２）との間に、記録要素３２Ａの上に残存する第２マスク層２４を除去する第２マスク層除去工程（Ｓ３０２）が設けられたことを特徴としている。他の工程については前記第３実施形態と同様であるので説明を適宜省略する。
【００９７】
このように後段第１マスク層加工工程（Ｓ１１２）とは別に第２マスク層除去工程（Ｓ３０２）が設けられているので、後段第１マスク層加工工程（Ｓ１１２）における加工用ガスの種類等のエッチング条件を、第２マスク層２４の除去を考慮することなく、記録要素３２Ａの上の第１マスク層２２の一部を除去するための好適な条件に設定できる。
【００９８】
図１６は便宜上、図３に示される前記第１実施形態に係る製造方法と同様に充填材エッチング工程（Ｓ１１６）と第１マスク層除去工程（Ｓ１１８）とが別々に設けられた例であるが、図１４に示される前記第２実施形態に係る製造方法と同様に、第１マスク層除去工程（Ｓ２０２）が充填材エッチング工程を兼ねるようにしてもよい。
【００９９】
尚、前記第１〜第４実施形態において、ストップ膜３５の材料の例としてＴａが示されているが、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）、第１マスク層除去工程（Ｓ１１８、Ｓ２０２）におけるエッチングレートが低い材料であれば、ストップ膜３５の材料として他の非磁性材を用いてもよい。
【０１００】
又、前記第１、第３及び第４実施形態において、ストップ膜３５は、充填材エッチング工程用ストップ膜と第１マスク層除去工程用ストップ膜とを兼ねているが、充填材エッチング工程用のストップ膜と第１マスク層除去工程用のストップ膜を別々に形成してもよい。又、前記第１、第３及び第４実施形態において、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）、第１マスク層除去工程（Ｓ１１８）のいずれか一方のエッチングによる記録層３２のダメージだけが問題とされ、他方のエッチングによる記録層３２のダメージは問題とされない場合には、エッチングによる記録層３２のダメージが問題とされる工程のエッチングだけに対してエッチングレートが低い材料をストップ膜３５の材料として用いてもよい。
【０１０１】
又、前記第１〜第４実施形態において、第１マスク層除去工程（Ｓ１１８、Ｓ２０２）と保護層形成工程（Ｓ１２２）との間にストップ膜除去工程（Ｓ１２０）が設けられ、記録要素３２Ａの上のストップ膜３５が除去されてから保護層３８が形成されているが、記録・再生特性に及ぼす影響が小さければ、ストップ膜除去工程（Ｓ１２０）を省略し、ストップ膜３５の上に保護層３８を形成してもよい。ストップ膜３５は第１マスク層除去工程（Ｓ１１８、Ｓ２０２）のエッチングに対するエッチングレートが低いので、それだけ膜厚を薄くすることができ、例えば２ｎｍ以下の薄いストップ膜３５が記録要素３２Ａ上に残存しても記録・再生特性に及ぼす影響は小さい。
【０１０２】
又、例えば第１マスク層２２により記録要素３２Ａをエッチングから充分に保護できる場合や、第１マスク層除去工程（Ｓ１１８、Ｓ２０２）等のエッチングにより記録要素３２Ａが受ける影響が充分に小さいような場合にはストップ膜３５は省略してもよい。この場合、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）又は第１マスク層除去工程（Ｓ２０２）において記録層３２の凹部を充填する充填材３６の上面と記録要素３２Ａの上面とが一致するように余剰の充填材３６をエッチングすればよい。
【０１０３】
又、ストップ膜３５を省略し、第１マスク層除去工程（Ｓ１１８、Ｓ２０２）等において記録要素３２Ａの上面がエッチングの影響を受ける場合でも、第１マスク層除去工程（Ｓ１１８、Ｓ２０２）の後に、例えばストップ膜除去工程（Ｓ１２０）と同様に希ガスを用いたＩＢＥにより、第１マスク層除去工程（Ｓ１１８、Ｓ２０２）等においてエッチングの影響を受けた記録要素３２Ａの上面及びその近傍の部分を除去することにより、良好な記録・再生特性が得られる。
【０１０４】
又、前記第１〜第４実施形態において、第１マスク層２２、第２マスク層２４、樹脂層２６を連続膜の記録層３２の上に形成し、３段階のドライエッチングで記録層３２を凹凸パターンに加工しているが、記録層３２を高精度で凹凸パターンに加工できれば、樹脂層、マスク層の材料、積層数、厚さ等は特に限定されない。例えば、前記第１及び第２実施形態において第２マスク層を省略してもよい。又、第２マスク層及び第１マスク層双方を省略して樹脂層を連続の記録層上に直接形成し、樹脂層をマスク層として用いて記録層を凹凸パターンに加工してもよい。即ち、樹脂層がマスク層を兼ねるようにしてもよい。又、ドライエッチングの種類もマスク層の構成に応じて適宜変更することができる。
【０１０５】
又、前記第１〜第４実施形態において、バイアススパッタリング法により充填材３６を成膜しているが、例えば、バイアスパワーを印加しないスパッタリング法や、ＣＶＤ法、ＩＢＤ法等の他の成膜手法を用いて、充填材３６を成膜してもよい。
【０１０６】
又、前記第１、第３及び第４実施形態では充填材成膜工程（Ｓ１１４）の直後に充填材エッチング工程（Ｓ１１６）を実行し、第２実施形態では充填材成膜工程（Ｓ１１４）の直後に第１マスク層除去工程（Ｓ２０２）を実行しているが、充填材３６を成膜した後、充填材３６の上に更に充填材３６とは材質が異なる被覆材を成膜してから充填材エッチング工程（Ｓ１１６）や第１マスク層除去工程（Ｓ２０２）を実行しても良い。この場合、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）（第２実施形態では第１マスク層除去工程（Ｓ２０２））において被覆材に対するエッチングレートが充填材３６に対するエッチングレートよりも低くなるように被覆材の材料やエッチング法を選択することが好ましい。又、この場合、記録層３２の凹部を充填材３６と被覆材の両方で充填しても良い。例えば、充填材成膜工程（Ｓ１１４）において、記録層３２の凹部の深さよりもやや薄い膜厚で充填材３６を凹部内に成膜し、この上に被覆材を成膜することで凹部を充填材３６及び被覆材の両方で充填することができる。
【０１０７】
又、前記第１〜第４実施形態において、記録層３２の下に軟磁性層１６、配向層１８が形成されているが、記録層３２の下の層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば、軟磁性層の下に下地層や反強磁性層を形成してもよい。又、軟磁性層１６、配向層１８のうち一方の層を省略してもよい。又、基板上に記録層を直接形成してもよい。
【０１０８】
又、前記第１〜第４実施形態において、磁気記録媒体３０は記録層３２等が基板１２の片面だけに形成されているが、基板の両面に記録層を備える両面記録式の磁気記録媒体の製造にも、本発明は適用可能である。
【０１０９】
又、前記第１〜第４実施形態において、磁気記録媒体３０は記録層３２のデータ領域の部分がトラックに対応した凹凸パターンで形成されたディスクリートトラックメディアであるが、記録層のデータ領域の部分が記録ビットに対応した凹凸パターンで形成されたパターンドメディアついても本発明は適用可能である。又、例えば螺旋状の渦巻き形状の記録層のように基板の上の一部に連続して形成される記録層を有する磁気記録媒体の製造についても本発明は適用可能である。又、面内記録型の記録層を有する磁気記録媒体の製造に対しても本発明は適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の磁気ディスク、更に、磁気テープ等のディスク形状以外の他の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体の製造に対しても本発明は適用可能である。
【実施例】
【０１１０】
上記第１実施形態のとおり、磁気記録媒体３０の４枚のサンプルＷ１〜Ｗ４を作製した。まず被加工体の出発体用意工程（Ｓ１０２）において、以下の構成の被加工体１０の出発体を用意した。
【０１１１】
基板１２の材料：ガラス
基板１２の直径：４８ｍｍ(１．８９ｉｎｃｈ)
記録層３２の材料：ＣｏＣｒＰｔ合金
記録層３２の厚さ：２０ｎｍ
ストップ膜３５の材料：Ｔａ
ストップ膜３５の厚さ：２ｎｍ
第１マスク層２２の材料：ＤＬＣ
第１マスク層２２の厚さ：３０ｎｍ
第２マスク層２４の材料：Ｎｉ
第２マスク層２４の厚さ：４ｎｍ
樹脂層２６の材料：紫外線硬化性樹脂
樹脂層２６の厚さ：４０ｎｍ
【０１１２】
樹脂層加工工程（Ｓ１０４）では、インプリント法により記録層３２の凹凸パターンに対応するパターンを樹脂層２６に転写した。尚、回転中心から半径１０〜２３ｍｍの環状の領域に限定して該環状の領域の中のデータ領域にトラックピッチが７８ｎｍの凹凸パターンを形成した。又、この環状の領域の中のサーボ領域には５３ＭＨｚの周波数用のサーボパターンに相当する凹凸パターンを形成した。
【０１１３】
第２マスク層加工工程（Ｓ１０６）では、Ａｒガスを用いたＩＢＥにより、第２マスク層２４を樹脂層２６に基づいてエッチングし、第２マスク層２４を記録層３２の凹凸パターンに対応するパターンに加工した。この際、樹脂層２６における凹部底部の部分も除去した。
【０１１４】
前段第１マスク層加工工程（前段マスク層加工工程）（Ｓ１０８）では、Ｏ２ガスを用いたＩＢＥにより、第１マスク層２２を第２マスク層２４に基づいてエッチングし、第１マスク層２２を記録層３２の凹凸パターンに対応するパターンに加工した。
【０１１５】
記録層加工工程（Ｓ１１０）では、Ａｒガスを用いたＩＢＥにより、記録層３２及びストップ膜３５を第１マスク層２２に基づいてエッチングして目的の凹凸パターンに加工した。記録層３２と配向層１８との境界までエッチングが及んだところでエッチングを停止した。尚、この工程の終了時において第２マスク層２４は完全に消失し、第１マスク層２２の上面及び側面が完全に露出していた。残存する第１マスク層２２の厚さは２９ｎｍであり、凹凸の段差は５１ｎｍだった。ＩＢＥの条件は以下のとおりであった。
【０１１６】
ソースパワー：２００Ｗ
グリッド電圧：１０００Ｖ
サプレッサー電圧：−１５００Ｖ
チャンバー内圧力：０．０２Ｐａ
エッチング時間：１６ｓｅｃ
Ａｒガスの入射角：９０°
【０１１７】
尚、この条件下における第１マスク層２２のエッチングレートは０．１ｎｍ／ｓｅｃ以下であり、記録層３２のエッチングレートは１．４ｎｍ／ｓｅｃである。
【０１１８】
後段第１マスク層加工工程（後段マスク層加工工程）（Ｓ１１２）では、Ｏ２ガスを用いたＲＩＥにより、記録要素３２Ａの上の第１マスク層２２の一部を除去した。この工程の終了時において残存する第１マスク層２２の厚さは１９ｎｍだった。凹凸の段差は４１ｎｍだった。ＲＩＥの条件は以下のとおりであった。
【０１１９】
ソースパワー：１０００Ｗ
バイアス電圧：２０Ｖ
チャンバー内圧力：２．０Ｐａ
エッチング時間：１０ｓｅｃ
【０１２０】
尚、この条件下における第１マスク層２２のエッチングレートは１．０ｎｍ／ｓｅｃ、記録層３２のエッチングレートは０．１ｎｍ／ｓｅｃ以下である。
【０１２１】
充填材成膜工程（Ｓ１１４）では、バイアススパッタリング法により記録層３２及び第１マスク層２２の上にＳｉＯ２の充填材３６を成膜して記録層３２の凹凸パターンの凹部を充填材３６で充填した。成膜された充填材３６の厚さ（記録層３２の凹部に成膜された部分の厚さ）は５０ｎｍだった。バイアススパッタの条件は以下のとおりであった。
【０１２２】
ソースパワー：５００Ｗ
バイアス電圧：１６Ｖ
チャンバー内圧力：９．０Ｐａ
成膜時間：１３０ｓｅｃ
【０１２３】
充填材エッチング工程（Ｓ１１６）では、Ａｒガスを用いたＩＢＥにより充填材３６のうち記録要素３２Ａ（記録層の凸部）の上に形成された余剰部分をドライエッチング法により除去した。充填材３６のうち記録要素３２Ａの上に形成された余剰部分はこの工程の終了時において完全に除去され、記録要素３２Ａの上に残存していた第１マスク層２２の上面及び側面は完全に露出していた。データ領域において記録要素３２Ａの間の凹部を充填する充填材３６の上面と記録要素３２Ａの上のストップ膜３５の上面とがほぼ一致した時点でエッチングを停止した。ＩＢＥの条件は以下のとおりであった。
【０１２４】
ソースパワー：２００Ｗ
グリッド電圧：５００Ｖ
サプレッサー電圧：−５００Ｖ
チャンバー内圧力：０．０１Ｐａ
エッチング時間：２００ｓｅｃ
Ａｒガスの入射角：９０°
【０１２５】
第１マスク層除去工程（Ｓ１１８）では、Ｏ２ガスを用いたＲＩＥにより第１マスク層２２を除去した。この工程の終了時においてもデータ領域において記録要素３２Ａの間の凹部を充填する充填材３６の上面と記録要素３２Ａの上のストップ膜３５の上面とがほぼ一致していた。ＲＩＥの条件は以下のとおりであった。
【０１２６】
ソースパワー：１０００Ｗ
バイアス電圧：２０Ｖ
チャンバー内圧力：２．０Ｐａ
エッチング時間：２６ｓｅｃ
【０１２７】
尚、この条件下における第１マスク層２２のエッチングレートは０．７ｎｍ／ｓｅｃ、充填材３６のエッチングレートは０．１ｎｍ／ｓｅｃ以下である。
【０１２８】
ストップ膜除去工程（Ｓ１２０）では、Ａｒガスを用いたＩＢＥによりストップ膜３５を除去した。又、記録層３２の凹部を充填する充填材３６の上部もストップ膜３５と同様に除去した。ＩＢＥの条件は以下のとおりであった。
【０１２９】
ソースパワー：２００Ｗ
グリッド電圧：５００Ｖ
サプレッサー電圧：−５００Ｖ
チャンバー内圧力：０．０２Ｐａ
エッチング時間：１４ｓｅｃ
Ａｒガスの入射角：９０°
【０１３０】
保護層形成工程（Ｓ１２２）では、ＣＶＤ法により記録要素３２Ａ及び充填材３６の上面にＤＬＣの保護層３８を形成した。成膜された保護層３８の厚さは３ｎｍだった。
【０１３１】
このように保護層３８が形成された磁気記録媒体３０の４枚のサンプルＷ１〜Ｗ４の表面の凹凸の段差をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により測定した。尚、保護層３８の上に潤滑層４０は形成しなかった。測定対象位置は回転中心から半径１６ｍｍの位置であった。データ領域の測定位置における記録要素３２Ａの径方向の幅（上面のレベルにおける幅）は５５ｎｍ、記録要素３２Ａの間の凹部の径方向の幅（記録要素３２Ａの上面のレベルにおける幅）は２３ｎｍだった。又、サーボ領域の測定位置における１ｂｉｔ部の凸部の周方向の長さは５７ｎｍ、２ｂｉｔ部の凸部の周方向の長さは１１４ｎｍだった。又、サーボ領域の測定位置における１ｂｉｔ部の凹部の周方向の長さも５７ｎｍ、２ｂｉｔ部の凹部の周方向の長さも１１４ｎｍだった。サンプルＷ１〜Ｗ４におけるデータ領域、サーボ領域の１ｂｉｔ部、サーボ領域の２ｂｉｔ部の凹凸の段差を表３に示す。又、サンプルＷ１〜Ｗ４におけるサーボ領域の２ｂｉｔ部の凹凸の段差とデータ領域の凹凸の段差との差を表３に併記する。
【０１３２】
【表３】
2011028815.tif 000005
［比較例］
【０１３３】
上記実施例に対し、記録層加工工程（Ｓ１１０）と充填材エッチング工程（Ｓ１１６）との間で、後段第１マスク層加工工程（後段マスク層加工工程）（Ｓ１１２）を行わなかった。即ち、被加工体１０の表面の凹凸の段差が５１ｎｍの状態で、被加工体１０の表面に充填材３６を成膜した。又、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）では、実施例と同様にデータ領域において記録要素３２Ａの間の凹部を充填する充填材３６の上面と記録要素３２Ａの上のストップ膜３５の上面とがほぼ一致した時点でエッチングを停止したが、充填材３６のエッチングに要した時間は実施例の２００ｓｅｃよりも長い２３９ｓｅｃだった。これら以外は上記実施例と同じ条件で上記実施例と同様に磁気記録媒体３０の４枚のサンプルＣ１〜Ｃ４を作製し、サンプルＣ１〜Ｃ４の表面の凹凸の段差をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により測定した。測定結果を表３に併記する。
【０１３４】
表３に示されるように、実施例のサンプルＷ１〜Ｗ４、比較例のサンプルＣ１〜Ｃ４のいずれについてもデータ領域の凹凸の段差は０．２ｎｍ以下であり、データ領域は充分に平坦化されていた。
【０１３５】
又、実施例のサンプルＷ１〜Ｗ４、比較例のサンプルＣ１〜Ｃ４のいずれについてもサーボ領域の凹凸の段差は、データ領域の凹凸の段差よりも大きかった。充填材成膜工程（Ｓ１１４）で成膜された充填材３６のサーボ領域における凹部の幅がデータ領域における凹部の幅よりも大きく、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）において充填材３６のサーボ領域における凹部のエッチングレートがデータ領域における凹部のエッチングレートよりも高かったため、サーボ領域では充填材３６の凹部が過剰にエッチングされたと考えられる。
【０１３６】
一方、実施例のサンプルＷ１〜Ｗ４のサーボ領域の凹凸の段差は、比較例のサンプルＣ１〜Ｃ４のサーボ領域の凹凸の段差よりも著しく小さかった。実施例では後段第１マスク層加工工程（後段マスク層加工工程）（Ｓ１１２）において記録要素３２Ａの上の第１マスク層２２の一部が除去されて充填材成膜工程（Ｓ１１４）で成膜された充填材３６の凹凸が抑制され、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）において充填材３６の凹部の底が隣接する凸部の陰になりにくかったと考えられる。従って、実施例は比較例よりも、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）における充填材３６のサーボ領域における凹部のエッチングレートとデータ領域における凹部のエッチングレートとの差が小さかったと考えられる。これにより、実施例のサンプルＷ１〜Ｗ４のサーボ領域の凹凸の段差が、比較例のサンプルＣ１〜Ｃ４のサーボ領域の凹凸の段差よりも、著しく小さく抑制されたと考えられる。
【０１３７】
即ち、記録層加工工程（Ｓ１１０）と充填材成膜工程（Ｓ１１４）との間に、後段第１マスク層加工工程（後段マスク層加工工程）（Ｓ１１２）を設けることにより、記録層の凹部や凸部の幅が比較的大きい領域と記録層の凹部や凸部の幅が比較的小さい領域とが混在する場合でも、表面の粗さの差を充分に抑制できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１３８】
本発明は、例えば、ディスクリートトラックメディア、パターンドメディア等の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体を製造するために利用することができる。
【符号の説明】
【０１３９】
１０…被加工体
１２…基板
１６…軟磁性層
１８…配向層
２２…第１マスク層
２４…第２マスク層
２６…樹脂層
３０…磁気記録媒体
３２…記録層
３２Ａ…記録要素
３５…ストップ膜
３６…充填材
３８…保護層
４０…潤滑層
Ｓ１０２…被加工体の出発体用意工程
Ｓ１０４…樹脂層加工工程
Ｓ１０６…第２マスク層加工工程
Ｓ１０８…前段第１マスク層加工工程（前段マスク層加工工程）
Ｓ１１０…記録層加工工程
Ｓ１１２…後段第１マスク層加工工程（後段マスク層加工工程）
Ｓ１１４…充填材成膜工程
Ｓ１１６…充填材エッチング工程
Ｓ１１８、Ｓ２０２…第１マスク層除去工程（マスク層除去工程）
Ｓ１２０…ストップ膜除去工程
Ｓ１２２…保護層形成工程
Ｓ１２４…潤滑層形成工程
Ｓ３０２…第２マスク層除去工程
【図１】
2011028815.tif 000006
【図２】
2011028815.tif 000007
【図３】
2011028815.tif 000008
【図４】
2011028815.tif 000009
【図５】
2011028815.tif 000010
【図６】
2011028815.tif 000011
【図７】
2011028815.tif 000012
【図８】
2011028815.tif 000013
【図９】
2011028815.tif 000014
【図１０】
2011028815.tif 000015
【図１１】
2011028815.tif 000016
【図１２】
2011028815.tif 000017
【図１３】
2011028815.tif 000018
【図１４】
2011028815.tif 000019
【図１５】
2011028815.tif 000020
【図１６】
2011028815.tif 000021