(57)【要約】【課題】定在波比を改善して、広帯域化した高周波パッケージを提供する。【解決手段】面部３、凹部４、切欠き部２７，２８を有する導電部材２と、導電部材２の凹部４内の一部の空間を囲む誘電体部材７及び誘電体部材７に設けられる高周波デバイス５を有するパッケージ６と、高周波デバイス５と接続する信号リード１５，２１と、信号リード１５，２１に接触するマイクロストリップ線路パターン１６，２２、およびマイクロストリップ線路パターン１６，２２と誘電体１７，２３を介して対向する接地導体１８，２４からなるマイクロストリップ線路を有する基板１４，２０と、基板１４，２０の接地導体１８，２４に接触し、切欠き部２７，２８に配置されるグラウンドリード２５，２６とを備え、グラウンドリード２５，２６はパッケージ６の信号リード１５，２１の直下に設けられ、信号リード１５，２１とともに基板１４，２０を挟む。【選択図】図１
2011187550.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面部、この面部に設けられた凹部、およびこの凹部に形成された切欠き部を有する導電部材と、
この導電部材の前記凹部内の一部の空間を囲む誘電体部材及びこの誘電体部材に設けられる高周波デバイスを有するパッケージと、
このパッケージから引き出され、前記高周波デバイスと接続する信号リードと、
この信号リードに接触するマイクロストリップ線路パターン、およびこのマイクロストリップ線路パターンと誘電体を介して対向し前記導電部材の面部に接触する接地導体からなるマイクロストリップ線路を有する基板と、
この基板の前記接地導体に接触し、前記切欠き部に配置されるグラウンドリードと、を備え、
このグラウンドリードは前記パッケージの前記信号リードの直下に設けられ、この信号リードとともに前記基板を挟むことを特徴とする高周波パッケージ。
【請求項２】
前記信号リードはリードフォーミングを施されたことを特徴とする請求項１記載の高周波パッケージ。
【請求項３】
前記信号リードに接触する他のマイクロストリップ線路パターン、および前記他のマイクロストリップ線路パターンと他の誘電体を介して対向し前記導電部材の面部に接触する他の接地導体からなる他のマイクロストリップ線路を有する付属基板を更に備えたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の高周波パッケージ。
【請求項４】
前記パッケージより引き出され、前記高周波デバイスへのバイアスを印加するバイアスリードが更に設けられ、前記バイアスリードはリードフォーミングを施されたことを特徴とする請求項１記載の高周波パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、金属製ベースプレートおよびこの金属製プレート上に配置した矩形枠状の誘電体フレームなどから構成された高周波パッケージが知られている（例えば特許文献１参照）。特許文献１に記載の高周波パッケージは、誘電体フレームで囲まれたその内側の金属製ベースプレート上に回路部品を配置している。また、高周波パッケージを高出力電力増幅デバイスに用いた装置が提案されている。
【０００３】
マイクロ波帯やミリ波帯といった高周波帯域に使用される半導体装置用の従来のパッケージの構造例を図５に示す。図５（ａ）は高周波パッケージの平面図であり、図５（ｂ）は高周波パッケージのＤＤ′線での正面断面図である。金属製のケース５０には、面部５１に凹部５２が形成されており、この凹部５２に、高周波デバイス５３を内蔵したパッケージ５４が収容される。パッケージ５４は、パッケージ筐体５５と、このパッケージ筐体５５を覆う上蓋５６とを有する。パッケージ筐体５５は一部に矩形枠状の誘電体フレームを含む。上蓋５６、底部５７及び壁部５８によって高周波デバイス５３は外囲され封止される。
【０００４】
パッケージ５４の入出力側にはそれぞれ、信号電力を内外に伝送させるためのフィードスルー部５９が設けられている。いずれのフィードスルー部５９も、誘電体基板６０と、面部５１上のマイクロストリップ線路基板６１と、誘電体基板６０及びマイクロストリップ線路基板６１間を導通させる信号リード６２とのそれぞれに接続されている。この信号リード６２の左側一端はマイクロストリップ線路基板６１の線路パターン６３に接続されている。信号リード６２の右側一端は壁部５８を貫通して高周波デバイス５３に接続されている。マイクロストリップ線路基板６１は、線路パターン６３、この線路パターン６３の下方の別の誘電体基板６４、及びこの誘電体基板６４の裏面側のグラウンドパターン６５からなる。
【０００５】
従来、高周波デバイスを筐体に収容するとともに、高周波デバイス及びマイクロストリップラインを筐体に接地するようにしたパッケージに関し、筐体側と高周波パッケージ側の入出力接続点においてグラウンドを連続にして、通過損失を低減させる高周波デバイスパッケージが知られている（例えば特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２６３２６号公報
【特許文献２】特開２００５−２５９８３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、パッケージ筐体５５を凹部５２に収容させる都合上、パッケージ筐体５５の側面部と、凹部５２の立壁部との間に空隙部６６が存在する。上述した従来技術では、凹部深さのため、パッケージ筐体５５のグラウンド面と、マイクロストリップ線路基板６１のグラウンドパターン６５のグラウンド面との距離が離れてしまう。経路Ｌの経路長が大きくなる。側面部及び立壁部間の空隙部分で線路インピーダンスが不連続となり、定在波比（ＳＷＲ）が劣化し、広帯域化が困難となる。
【０００８】
また、パッケージ５４の左方と右方とに空隙部６６が存在すると、凹部深さのため、特性インピーダンスを決める誘電体層（空気）の厚さが急に変化するため、特性インピーダンスの連続性が損なわれる。特性インピーダンスの不連続点では、進行波が反射する。このため、高周波の定在波比が劣化する。定在波比が劣化するため、パッケージ５４の広帯域化は困難となる。
【０００９】
そこで、本発明は、上記の課題に鑑み、高周波デバイスを内蔵したパッケージを導電部材の凹部に収容し、パッケージリードを導電部材上のマイクロストリップ線路基板に接続する構造を有する高周波パッケージにおいて、定在波比を改善することができ、容易に実装を行えるようにした高周波パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような課題を解決するため、本発明の一態様によれば、面部、この面部に設けられた凹部、およびこの凹部に形成された切欠き部を有する導電部材と、この導電部材の前記凹部内の一部の空間を囲む誘電体部材及びこの誘電体部材に設けられる高周波デバイスを有するパッケージと、このパッケージから引き出され、前記高周波デバイスと接続する信号リードと、この信号リードに接触するマイクロストリップ線路パターン、およびこのマイクロストリップ線路パターンと誘電体を介して対向し前記導電部材の面部に接触する接地導体からなるマイクロストリップ線路を有する基板と、この基板の前記接地導体に接触し、前記切欠き部に配置されるグラウンドリードと、を備え、このグラウンドリードは前記パッケージの前記信号リードの直下に設けられ、この信号リードとともに前記基板を挟むことを特徴とする高周波パッケージが提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、パッケージリード部における特性インピーダンスの不連続を低減させることができ、定在波比の改善により、高周波パッケージの高帯域化が行えるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る高周波パッケージの平面図であり、（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る高周波パッケージの正面断面図である。
【図２】（ａ）は導電部材上に凹設された凹部の平面図であり、（ｂ）はパッケージの正面図であり、（ｃ）は高周波パッケージの断面構造を示す図である。
【図３】（ａ）は本発明の第２の実施形態に係る高周波パッケージの平面図であり、（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係る高周波パッケージの正面断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る高周波パッケージのパッケージ正面図である。
【図５】（ａ）は従来の高周波パッケージの平面図であり、（ｂ）は従来の高周波パッケージの正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態に係る高周波パッケージについて、図１乃至図４を参照しながら説明する。尚、各図において同一箇所については同一の符号を付すとともに、重複した説明は省略する。
【００１４】
（第１の実施形態）
図１（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る高周波パッケージの平面図である。図１（ｂ）は本実施形態に係る高周波パッケージの正面断面図であり、図１（ａ）のＡＡ′線で切断したときの断面構造が示されている。高周波パッケージ１は、凹部を有する金属製の導電部材と、誘電体フレーム（誘電体部材）と、この誘電体フレーム上に設けられた半導体回路と、この半導体回路に対して入力信号を供給し、半導体回路から出力信号を出力する高周波入出力端子とを有する高周波半導体パッケージである。
【００１５】
ケース２は高周波信号用の接地導体（導電部材）であり、アルミニウムや銅などが用いられる。ケース２には、このケース２の面部３に対して所定深さにまで凹状にザグリ加工された凹部４が形成されており、この凹部４に、高周波デバイス５を収容した状態で封止されるパッケージ６が収容されている。パッケージ６は、パッケージ厚みを有するパッケージ筐体７と、このパッケージ筐体７と対を成し、高周波デバイス５を封止する上蓋８とを有する。
【００１６】
一例として、パッケージ筐体７は一部に矩形枠状の誘電体フレームを含むものを用いる。パッケージ筐体７は丸形で表した穴からのケース２へのネジ留めにより固定される。それぞれ一部に誘電体部材を含む上蓋８、底部９及び壁部１０によって高周波デバイス５が外囲される。パッケージ６は、凹部４内の一部の空間を囲む誘電体部材及びこの誘電体部材に設けられる高周波デバイスを内包して構成される。
【００１７】
また、パッケージ６には、信号を内外に伝送させるためのフィードスルー部１１、１２が設けられている。図中左側のフィードスルー部１１は、誘電体基板１３と、面部３上に設けられたマイクロストリップ線路基板１４（基板）と、誘電体基板１３及びマイクロストリップ線路基板１４の間を導通させる信号リード１５とを有する。この信号リード１５の左側一端はマイクロストリップ線路基板１４の線路パターン１６（マイクロストリップ線路パターン）に接続されている。信号リード１５の右側一端は信号電極３０に接続される。信号電極３０は壁部１０の導体部分と短絡せずに貫通等することによって図示しないボンディングワイヤを介して高周波デバイス５に接続されている。
【００１８】
マイクロストリップ線路基板１４は、線路パターン１６と、この線路パターン１６の裏面側に設けられた誘電体基板１７（誘電体）と、この誘電体基板１７の裏面側に設けられたグラウンドパターン１８（接地導体）とからなる。誘電体基板１３、１７には例えばアルミナが用いられる。信号リード１５には例えばコバールが用いられる。
【００１９】
右側のフィードスルー部１２も、誘電体基板１９と、面部３上のマイクロストリップ線路基板２０（基板）と、誘電体基板１９及びマイクロストリップ線路基板２０間を導通させる信号リード２１（マイクロストリップ線路パターン）とを有する。信号リード２１の右側一端はマイクロストリップ線路基板２０の線路パターン２２（マイクロストリップ線路パターン）に接続されている。信号リード２１の左側一端は信号電極３１に接続される。この信号電極３１は高周波デバイス５にワイヤボンディングにより接続される。マイクロストリップ線路基板２０は、線路パターン２２と、この線路パターン２２の裏面側の誘電体基板２３（誘電体）と、この誘電体基板２３の裏面側のグラウンドパターン２４（接地導体）とからなる。誘電体基板１９、２３には例えばアルミナが用いられる。信号リード２１には例えばコバールが用いられる。
【００２０】
マイクロストリップ線路基板１４の線路パターン１６と、マイクロストリップ線路基板２０の線路パターン２２とは、高周波デバイス５と接続するマイクロストリップ線路である。マイクロストリップ線路基板１４のグラウンドパターン１８と、マイクロストリップ線路基板２０のグラウンドパターン２４とは、誘電体基板１７、２３を挟んで信号リード１５、２１と対向配置された接地導体である。
【００２１】
本実施形態では、グラウンドパターン１８に接続されるグラウンドリード２５が信号リード１５の直下に設けられており、グラウンドパターン２４に接続されるグラウンドリード２６が信号リード２１の直下に設けられている。各グラウンドリード２５、２６はパッケージ筐体７からこのパッケージ筐体７外方へ引き出される。グラウンドリード２５、２６の各他端はマイクロストリップ線路基板１４、２０の下面側に半田付けされる。
【００２２】
図２（ａ）はケース２上に凹設された凹部４の平面図である。図２（ｂ）はパッケージ６の正面図である。図２（ｃ）はこのパッケージ６が凹部４に収容されたときの図２（ａ）のＢＢ′線で切断した高周波パッケージ１の断面構造を示す図である。これらの図中、同じ符号を付した要素どうしは同じ要素を表す。既述の符号はそれらと同じ要素を表す。３４はネジ留め固定用の穴を表す。
【００２３】
凹部４には切欠き部２７、２８が凹部長さ方向（同図左右方向）に沿って並設されている。凹部底面２９はパッケージ６の実装面である。凹部底面２９から起立して四方に立壁部が形成されており、凹部長さ方向で対面する２つの立壁部にそれぞれ切欠き部２７、２８が形成されている。マイクロストリップ線路基板１４、２０の下面から下方に突起する突起物がケース面３に突き当たることなく凹部４内に収容可能になっている。
【００２４】
グラウンドリード２５、２６はいずれもピン状のリードピンである。グラウンドリード２５、２６には薄板片状の金属片あるいは細線状リードが用いられてもよい。図２（ｂ）、図２（ｃ）に示すように、グラウンドリード２５の上面と、パッケージ筐体７の誘電体基板１３の下面とは例えばろう付けにより固定され電気的に接続される。グラウンドリード２５の上面と、マイクロストリップ線路基板１４のグラウンドパターン１８の下面とは半田付けされる。
【００２５】
グラウンドリード２６の上面と、パッケージ筐体７の誘電体基板１９の下面とはろう付けなどにより電気的に接続される。グラウンドリード２６の上面と、マイクロストリップ線路基板２０のグラウンドパターン２４の下面とは半田付けされる。
【００２６】
誘電体基板１３、１９の上にはそれぞれ信号電極３０、３１が設けられている。信号電極３０、３１はいずれも、内部の高周波デバイス５とワイヤボンディングにより結線されている。この結線は壁部１０の図示しない貫通口を経由した配線により行われる。パッケージ筐体７が誘電体フレームの積層構造などを有する場合、層間配線により結線してもよい。
【００２７】
本実施形態では、信号電極３０に信号リード１５が接続されており、信号電極３１に信号リード２１が接続されている。信号リード１５、２１は熱膨張、収縮の機械ストレスを吸収するため、それぞれリードフォーミング３２、３３を施されている。
【００２８】
また、パッケージ６が凹部４に収容される際、グラウンドリード２５、２６は、これらのグラウンドリード２５、２６にそれぞれ位置決め形成されてある切欠き部２７、２８に収容されるようにされている。マイクロストリップ線路基板１４は、信号リード１５と、この信号リード１５の直下に位置し切欠き部２７に配置されるグラウンドリード２５とによって挟まれている。マイクロストリップ線路基板２０は、信号リード２１と、この信号リード２１の直下に位置し切欠き部２８に配置されるグラウンドリード２６とによって挟まれるようになっている。
【００２９】
上述の構成を有する高周波パッケージ１（図１）において右側のフィードスルー部１２は高周波信号が入力される入力端子側に接続され、左側のフィードスルー部１１は出力端子側に接続される。
【００３０】
本発明を図１に示す。本発明では、入力側ではパッケージ６のＲＦ用の信号リード２１と、この信号リード２１の直下に設けられたグラウンドリード２６とが、マイクロストリップ線路基板２０を上下に挟む。この構造により信号リード２１と高周波グラウンドとの距離が一定に保たれ、線路インピーダンスの不連続を減らすことができ、定在波比を改善することができる。出力側においても、信号リード１５と、グラウンドリード２５とがマイクロストリップ線路基板１４を上下に挟む構造によって、信号リード１５及び高周波グラウンド間の距離が電力伝送方向に沿って一定に保たれる。
【００３１】
高周波信号の信号パターンと、この高周波信号のグラウンドパターンとの間の間隔が電力進行方向に沿って等間隔である場合、この方向での誘電体層の厚さの変化を少なくさせることができ、特性インピーダンスの不連続を改善することができる。従って本実施形態に係る高周波パッケージ１では入出力部の定在波比が従来例に比較して改善する。高周波パッケージ１を用いた送受信モジュールは広帯域化を行える。
【００３２】
また、温度差が大きい環境で高周波パッケージ１が使用されるという状況では部品の熱膨張や収縮が生じる。信号リード１５、２１には、左右方向の引っ張り力、圧縮力や上下方向の剪断力、あるいはリード芯周りのねじれ力等が加わることがある。リードフォーミング３２、３３により、これらの残留応力は吸収される。何らリードフォーミングが施されていないと、半田結合にクラックが生じる場合がある。信号リード１５又は信号リード２１が加わる力によりこの信号リード１５又は信号リード２１の半田付け箇所にクラックが入ってしまい、断線するおそれがある。リードフォーミング３２、３３を施すことにより、引っ張り力等が信号リード１５、２１に加わったときでも半田クラックを生じにくくさせることができる。このようにして、信号リード１５、２１にリードフォーミング３２、３３が形成されることによって、熱膨張収縮等の機械的ストレスを吸収することができるようになる。
【００３３】
また、高周波パッケージ１では、パッケージ筐体７のグラウンド面と、マイクロストリップ線路基板１４、２０のグラウンド面とが近い距離内で配線されるため、従来例で生じるパッケージ側グラウンド面、マイクロストリップ線路基板側グラウンド面間での配線経路の遠回りがなくなる。
【００３４】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、パッケージ６の入出力側にマイクロストリップ線路基板１４、２０が一枚ずつ接続されていたが、パッケージ６の入出力側にマイクロストリップ線路基板が入出力側にそれぞれ二枚ずつ設けられてもよい。本発明の第２の実施形態に係る高周波パッケージは、第１の実施形態に係る高周波パッケージ１に、他のマイクロストリップ線路を更に備えて構成される。
【００３５】
図３（ａ）は本実施形態に係る高周波パッケージの平面図である。図３（ｂ）は本実施形態に係る高周波パッケージの正面断面図であり、図３（ａ）のＣＣ′線で切断したときの断面構造が示されている。図３に示す符号のうち、上述した符号と同じ符号を有する要素はそれらと同じ要素を表す。切欠き部２７、２８の切欠きの度合いは適宜変更されて表示されている。
【００３６】
高周波パッケージ１Ａは高周波半導体パッケージであり、高周波デバイス５をケース２の凹部４に収容し、この高周波デバイス５に対して入力信号を供給し、高周波デバイス５から出力信号を出力する入出力端子を設けた構造を有する。
【００３７】
左側のフィードスルー部１１には、マイクロストリップ線路基板１４の基板構造と実質同じ基板構造を有するパッケージ付属基板３５（付属基板）が接続されている。パッケージ付属基板３５及びマイクロストリップ線路基板１４の間を接続する信号リード１５のリード長は適宜合わせられている。パッケージ付属基板３５は、線路パターン１６、誘電体基板１７、及びグラウンドパターン１８からなる。
【００３８】
信号リード１５の左側一端はマイクロストリップ線路基板１４の線路パターン１６に接続されている。リードフォーミング３２の右方に位置する信号リード１５の途中部はパッケージ付属基板３５の線路パターン１６に接続されている。信号リード１５の右側一端は信号電極３０に接続される。信号電極３０は壁部１０の貫通等により高周波デバイス５に接続される。
【００３９】
また、右側のフィードスルー部１２には、マイクロストリップ線路基板２０の基板構造と実質同じ基板構造を有するパッケージ付属基板３６（付属基板）が接続されている。パッケージ付属基板３６及びマイクロストリップ線路基板２０の間を接続する信号リード２１のリード長は適宜合わせられている。パッケージ付属基板３６は、線路パターン２２、誘電体基板２３、及びグラウンドパターン２４からなる。
【００４０】
信号リード２１の右側一端はマイクロストリップ線路基板２０の線路パターン２２に接続されている。リードフォーミング３３の左方に位置する信号リード２１の途中部はパッケージ付属基板３６の線路パターン２２に接続されている。信号リード２１の左側一端は信号電極３１に接続される。信号電極３１は壁部１０の貫通等により高周波デバイス５に接続される。
【００４１】
本実施形態でも、左側のパッケージ付属基板３５のグラウンドパターン１８にグラウンドリード２５が接続されている。このグラウンドリード２５は信号リード１５の直下に位置する。右側のパッケージ付属基板３６のグラウンドパターン２４にグラウンドリード２６が接続されており、このグラウンドリード２６は信号リード２１の直下に位置する。グラウンドリード２５、２６はパッケージ筐体７からこのパッケージ筐体７外方へ引き出される。グラウンドリード２５の他端はパッケージ付属基板３５のグラウンドパターン１８に半田付けされる。グラウンドリード２６の他端はパッケージ付属基板３６のグラウンドパターン２４に半田付けされる。
【００４２】
このような構成を有する本実施形態に係る高周波パッケージ１Ａは、右方の入力側において信号リード２１と、グラウンドリード２６とが、パッケージ付属基板３６を上下に挟む。信号リード２１とグラウンドリード２６との距離が一定に保たれ、線路インピーダンスの不連続を減らすことができ、定在波比を改善することができる。出力側において、信号リード１５と、グラウンドリード２５とがパッケージ付属基板３５を上下に挟む。信号リード１５及びグラウンドリード２５間の距離が電力伝送方向に沿って一定に保たれる。信号リード１５、２１にリードフォーミング３２、３３が形成されているため、熱膨張収縮等の機械的ストレスを吸収することができるようになる。
【００４３】
本発明のこの実施形態に係る高周波パッケージ１Ａによれば、パッケージ７の下面、即ち裏面を仰向けにした状態でグラウンドリード２６をグラウンドパターン２４に半田付けし、グラウンドリード２５をグラウンドパターン１８に半田付けする。半田付けした後のパッケージ７を表裏反転させて凹部底面２９上に戴置させる。これにより、作業者がパッケージ７裏面側の半田付けする工程を行わなくても済む。パッケージ７の裏面側の接地をとる作業は難しい。高周波パッケージ１Ａによれば、入出力基板をそれぞれ２枚ずつ設けた場合でも、入出力各外側の基板の裏面で接地を取ることが確実に行えるため、従来例よりも定在波比の改善が図れる。
【００４４】
（第３の実施形態）
第１の実施形態及び第２の実施形態において、グラウンドリード２５、２６の端部形状を変更してもよい。図４は本発明の第３の実施形態に係る高周波パッケージのパッケージ正面図であり、パッケージ単体が示されている。既述の符号はそれらと同じ要素を表す。先端部を加工されたピン状又は薄板状のグラウンドリード２５Ａ、２６Ａは、予め屈曲加工されたものがパッケージ筐体７に取付けられる。
【００４５】
このようなグラウンドリード２５Ａを、第１の実施形態に係る高周波パッケージ１のマイクロストリップ線路基板１４と面部３との間に挟み込みした状態で半田付けをする。この後、パッケージ６を上方から押圧することにより、高周波接地が行える高周波パッケージ１Ｂが得られる。先端を屈曲させたグラウンドリード２６Ａの例も同様である。
【００４６】
また、このような屈曲された先端部を有するグラウンドリード２５Ａを、第２の実施形態に係る高周波パッケージ１Ａのパッケージ付属基板３５と面部３との間に挟み込みした状態で半田付けをする。この後、挟み込まれた部分を上方から押圧することにより、高周波接地が行える高周波パッケージ１Ｂが得られる。先端を屈曲させたグラウンドリード２６Ａの例も同様である。
【００４７】
この実施形態に係る高周波パッケージ１Ｂによれば、屈曲加工された形状を有することにより、例えば押し付け固定する部材を別途設けることにより圧着力を高めることができるため、グラウンドリード２５Ａ、２６Ａの接地を一層強化することができる。
【００４８】
（他の実施形態）
図３（ａ）、図３（ｂ）の例では、信号リード１５、２１がともにリードフォーミングを施されていたが、高周波パッケージ１Ａは信号リード１５、２１にリードフォーミングを設けていない場合でも上述した定在波比を改善することができることは言うまでもない。
【００４９】
尚、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。
【００５０】
また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
【符号の説明】
【００５１】
１，１Ａ，１Ｂ…高周波パッケージ、２…ケース（導電部材）、３…面部、４…凹部、５…高周波デバイス、６…パッケージ、７…パッケージ筐体（誘電体部材を含む）、８…上蓋、９…底部、１０…壁部、１１，１２…フィードスルー部、１３…誘電体基板、１４，２０…マイクロストリップ線路基板（基板）、１５，２１…信号リード、１６，２２…線路パターン（マイクロストリップ線路パターン）、１７，２３…誘電体基板（誘電体）、１８，２４…グラウンドパターン（接地導体）、１９…誘電体基板、２５，２６，２５Ａ，２６Ａ…グラウンドリード、２７，２８…切欠き部、２９…凹部底面、３０，３１…信号電極、３２，３３…リードフォーミング、３４…穴、３５，３６…パッケージ付属基板（付属基板）。
【図１】
2011187550.tif 000003
【図２】
2011187550.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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