(57)【要約】【課題】半導体チップ上に形成された個々の半導体素子部を均一かつ効率的に冷却し、これにより、半導体素子部の信頼性の向上と波長特性の偏差の縮小とを実現可能とした半導体素子モジュールを提供する。【解決手段】第１の所定間隔Ｐ１で配列された複数の半導体素子部１１を有する半導体チップ１２と、冷却流体が流通する複数の小流路１３が第２の所定間隔Ｐ２で形成された流路１４を内部に有する冷却体１５とを備え、小流路１３の位置と半導体素子部１１の位置とが対応するように半導体チップ１２が冷却体１５上に搭載された構成により、小流路１３を流通する冷却流体が半導体チップ１２上に形成された個々の半導体素子部１１を均一かつ効率的に冷却し、半導体素子部１１の信頼性の向上と波長特性の偏差の縮小とを実現可能とする。【選択図】図２
2011199117.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の所定間隔で配列された複数の半導体素子部を有する半導体チップと、冷却流体が流通する複数の小流路が第２の所定間隔で形成された流路を内部に有する冷却体とを備え、前記小流路の位置と前記半導体素子部の位置とが対応するように前記半導体チップが前記冷却体上に搭載された半導体素子モジュール。
【請求項２】
隣接する前記小流路の中心位置の間隔と、隣接する前記半導体素子部の中心位置の間隔とが同じである請求項１記載の半導体素子モジュール。
【請求項３】
前記冷却体の前記半導体チップが搭載される面に、前記半導体チップを前記冷却体上に搭載する際の位置決め部を形成した請求項２記載の半導体素子モジュール。
【請求項４】
前記小流路の幅は前記流路の最大幅よりも小さく、前記小流路の長さは前記半導体素子部の長さよりも長い請求項２記載の半導体素子モジュール。
【請求項５】
前記小流路の幅は前記半導体素子部の幅より小さい請求項４記載の半導体素子モジュール。
【請求項６】
前記半導体チップおよび前記冷却体は長方形状であって、前記半導体チップの長手方向は前記半導体素子部の長手方向と同じ方向であり、前記半導体素子部の長手方向と直交する方向は前記半導体チップの短手方向と同じ方向であり、前記半導体チップの短手方向の長さは前記冷却体の短手方向の長さより短い請求項５記載の半導体素子モジュール。
【請求項７】
前記半導体素子部が半導体レーザーダイオード素子であり、前記半導体チップがアレイ状に複数の前記半導体レーザーダイオード素子が配列されたレーザーダイオードチップである請求項１記載の半導体素子モジュール。
【請求項８】
前記半導体レーザーダイオード素子の長さは少なくとも３ｍｍであり、前記半導体レーザーダイオード素子の数は少なくとも１０個である請求項７記載の半導体素子モジュール。
【請求項９】
第１の所定間隔で配列された複数の半導体素子部を有する半導体チップを、冷却流体が流通する複数の小流路が第２の所定間隔で形成された流路を内部に有する冷却体上に搭載する半導体素子モジュールの実装方法であって、前記冷却体の前記半導体チップが搭載される面に、前記半導体チップを前記冷却体上に搭載する際の位置決め部を有し、前記位置決め部を基準にして前記半導体チップを前記冷却体上に搭載することにより、前記小流路の位置と前記半導体素子部の位置とが対応するように前記半導体チップを前記冷却体上に搭載する半導体素子モジュールの実装方法。
【請求項１０】
隣接する前記小流路の中心位置の間隔と、隣接する前記半導体素子部の中心位置の間隔とが同じである請求項９記載の半導体素子モジュールの実装方法。
【請求項１１】
前記小流路の幅は前記流路の最大幅よりも小さく、前記小流路の長さは前記半導体素子部の長さよりも長い請求項１０記載の半導体素子モジュールの実装方法。
【請求項１２】
前記小流路の幅は前記半導体素子部の幅より小さい請求項１１記載の半導体素子モジュールの実装方法。
【請求項１３】
前記半導体チップおよび前記冷却体は長方形状であって、前記半導体チップの長手方向は前記半導体素子部の長手方向と同じ方向であり、前記半導体素子部の長手方向と直交する方向は前記半導体チップの短手方向と同じ方向であり、前記半導体チップの短手方向の長さは前記冷却体の短手方向の長さより短い請求項１２記載の半導体素子モジュールの実装方法。
【請求項１４】
前記半導体素子部が半導体レーザーダイオード素子であり、前記半導体チップがアレイ状に複数の前記半導体レーザーダイオード素子が配列されたレーザーダイオードチップである請求項９記載の半導体素子モジュールの実装方法。
【請求項１５】
前記半導体レーザーダイオード素子の長さは少なくとも３ｍｍであり、前記半導体レーザーダイオード素子の数は少なくとも１０個である請求項１４記載の半導体素子モジュールの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、アレイ状レーザーダイオードチップと水冷式ヒートシンクとから構成される半導体素子モジュールおよび半導体素子モジュールの実装方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、レーザーダイオードチップの高光出力化技術の進歩は進展が著しい。特に、アレイ状レーザーダイオードチップは、複数のレーザーダイオード素子をアレイ状に配置して１チップ当りの光出力の向上を図っている。また、個々のダイオード素子の高光出力化も進展している。
【０００３】
一方で、レーザーダイオード素子は、電気−光変換効率が５０％程度であり、電力ロスは発熱として消費され、光出力時にはレーザーダイオードチップの温度上昇を招く。当該発熱は、レーザーダイオードチップの信頼性劣化の要因となり、出力光の波長特性にも影響を与える。
【０００４】
従って、レーザーダイオードチップの温度上昇を避けるために、レーザーダイオードチップは、空冷や水冷式の熱伝導に優れた銅などで形成された金属製ヒートシンク上に、熱伝導の良い金属半田にて接合し実装され、モジュール化されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
また、従来のアレイ状レーザーダイオードモジュール装置に用いられる、放熱性の高い水冷式ヒートシンクは、レーザーダイオードチップを搭載する部位の直下に冷却用の冷媒溶液を流すための流路を構成している。この流路によって、レーザーダイオードチップより発生した熱を効率よく冷媒液で取り除く技術が一般的である。このヒートシンクをマイクロチャンネル型ヒートシンクと称しており、冷却に用いている。マイクロチャンネル型ヒートシンクの冷却性能は、主として冷媒液の流速によって決まる。そのため、冷媒溶液の通過する水路の設計が重要である。
【０００６】
図３（ａ）は、上記従来のマイクロチャンネル型ヒートシンクの構造を示す上面から見た概要図であって、図３（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。ヒートシンク１は、冷媒溶液の入水口２と、レーザーダイオードチップを搭載部位の直下に設けられた冷媒溶液の流速を高めるための冷媒溶液を複数に分流する微細な流路３と、複数の流路３を形成するための隔壁リブ４と、冷媒溶液の排水口５とを備える。
【０００７】
以上のように構成されたマイクロチャンネル型ヒートシンクについて、その動作を説明する。各々の流路３は、入水口２や排水口５に比べて流路断面積が小さい。これにより、通過する冷媒溶液の流速が早くなる。従って、溶媒液への伝熱性を向上させ、搭載されるレーザーダイオードチップに対する高い放熱性を保持している（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−１４０８７７号公報
【特許文献２】特開２００５−２１７２１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図４（ａ）は、従来のアレイ状レーザーダイオードチップをマイクロチャンネル型ヒートシンク上に実装した状態を示す要部平面概要図である。図４（ｂ）は、同要部正面概要図である。図４（ａ）、（ｂ）において、従来のアレイ状レーザーダイオードチップ７は長方形である。レーザーダイオード素子６は、レーザー共振部６ａの長さＲ１１（共振器長）の方向が長手方向である。レーザーダイオード素子６の長手方向がアレイ状レーザーダイオードチップ７の短手方向である。レーザー光は、矢印で示す方向８から出射される。また、アレイ状レーザーダイオードチップ７の長手方向であるレーザーダイオードチップ幅方向に複数のレーザーダイオード素子６を形成している。
【００１０】
従来の技術では、これらのレーザーダイオード素子６の各々の出力の増加と、形成するレーザーダイオード素子６の数を増すことで、アレイ状レーザーダイオードチップ７としての総出力の増加を図っている。また、従来のアレイ状レーザーダイオードチップ７は長手方向の長さは慣習的にほぼ１０ｍｍに統一されており、１センチレーザーバーと呼ばれる。従って、アレイ状レーザーダイオードチップ７上に形成される等間隔に配置されるレーザーダイオード素子６のピッチは様々である。
【００１１】
一方で、アレイ状レーザーダイオードチップ７は、マイクロチャンネル型のヒートシンク１の内部に形成された流路３の上部に搭載される。すなわち、流路３は、アレイ状レーザーダイオードチップ７の搭載部の直下に形成される。従って、複数の流路３を冷媒溶液が通過することによって、発熱部であるレーザーダイオード素子６を冷却する。流路３の形状は、放熱性と比例関係にある流路３内の流速の向上に着眼して、流路３の形成加工精度とマイクロチャンネル型のヒートシンク１単体の信頼性を考慮して最適なピッチに設計されている。そのため、アレイ状レーザーダイオードチップ７の半田付け実装において、個々のレーザーダイオード素子６の配置とは関係なく実装されることが一般的である。
【００１２】
従って、従来の技術では図４（ａ）、（ｂ）に示すように、マイクロチャンネル型のヒートシンク１にアレイ状レーザーダイオードチップ７を実装した際の、アレイ状レーザーダイオードチップ７上に形成された、個々のレーザーダイオード素子６の位置と、マイクロチャンネル型のヒートシンク１の内部に形成された流路３の位置は必ずしも一致しない。そのため、結果的に、アレイ状レーザーダイオードチップ７に形成されている個々のレーザーダイオード素子６の冷却性は必ずしも均等に成されていない。
【００１３】
一方で近年、新たに開発されているミニアレイレーザーダイオードと呼ばれるアレイ状レーザーダイオードチップは、１センチレーザーバーと呼ばれる従来のアレイ状レーザーダイオードチップに比べて、各々のダイオード素子の光出力が５Ｗ以上と高出力であり、１０素子数以下で構成され、レーザーダイオードチップ幅が短手方向で従来技術の１０ｍｍより短く、共振器長Ｒ１１が３．０ｍｍ以上と従来に比べて長く、共振器長Ｒ１１が長手方向となっている。
【００１４】
このようなミニアレイレーザーダイオードなどと呼ばれるアレイ状レーザーダイオードチップ７においては、個々のアレイ状レーザーダイオードチップ７上に形成された、レーザーダイオード素子６の出力が１センチバーに比べて、相対的に高いため発熱量も多くなり、１センチバーのように個々のレーザーダイオード素子６の位置とマイクロチャンネル型ヒートシンク１の内部に形成された流路３の位置が不一致である場合は、個々のレーザーダイオード素子６に対する冷却性に対し、１センチバーに比べて、より大きな差異を生じるという課題がある。
【００１５】
結果として、個々のダイオード素子６の温度の差異の拡大により、最も冷却性の低いダイオード素子は駆動時の素子温度が上昇することによる、素子の結晶欠陥の増加や光出力部の端面部での故障などを生じ易く、信頼性面で駆動寿命が大きく低下し、アレイ素子全体としての光出力低下や信頼性低下を生じる。また、ダイオード素子は素子温度と出射する光の波長に強い相関があるため、個々のダイオード素子の発する光波長特性の偏差も大きくなる。
【００１６】
本発明は、これらの課題を解決するもので、半導体チップ上に形成された個々の半導体素子部が均一かつ効率的に冷却し、これにより半導体素子部の信頼性の向上と、波長特性の偏差の縮小を実現可能とした半導体素子モジュールおよび半導体素子モジュールの実装方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の半導体素子モジュールは、第１の所定間隔で配列された複数の半導体素子部を有する半導体チップと、冷却流体が流通する複数の小流路が第２の所定間隔で形成された流路を内部に有する冷却体とを備え、前記小流路の位置と前記半導体素子部の位置とが対応するように前記半導体チップが前記冷却体上に搭載された構成を備える。
【００１８】
このような構成により、半導体チップ上に形成された個々の半導体素子部が均一かつ効率的に冷却し、これにより半導体素子部の信頼性の向上と、波長特性の偏差の縮小を実現可能とする。
【発明の効果】
【００１９】
以上のように本発明は、半導体チップ上に第１の所定間隔で形成された半導体素子部の位置と、第２の所定間隔で冷却体に形成された、冷却流体が流通する小流路の位置とが対応するように、前記半導体チップが冷却体上に搭載されている。従って、半導体チップ上に形成された個々の半導体素子部が均一かつ効率的に冷却される。これにより半導体素子部の信頼性の向上と、波長特性の偏差の縮小が実現可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（ａ）本発明の一実施の形態における半導体素子モジュールを示す平面図（ｂ）同半導体素子モジュールを示す正面図（ｃ）同半導体素子モジュールを示す側面図
【図２】（ａ）本発明の一実施の形態における半導体素子モジュールを示す要部平面図（ｂ）同半導体素子モジュールを示す要部正面図
【図３】（ａ）従来の半導体素子モジュールを示す平面概要図（ｂ）図３（ａ）のＡ−Ａ線断面図
【図４】（ａ）従来の半導体素子モジュールを示す要部平面概要図（ｂ）同半導体素子モジュールを示す要部正面概要図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（実施の形態）
以下に、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
【００２２】
図１（ａ）は、本発明の実施の形態における半導体素子モジュールを示す平面図、（ｂ）同半導体素子モジュールを示す正面図、（ｃ）同半導体素子モジュールを示す側面図である。図２（ａ）本発明の実施の形態における半導体素子モジュールを示す要部平面図、（ｂ）は同半導体素子モジュールを示す要部正面図である。
【００２３】
図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、図２（ａ）、（ｂ）において、本実施の形態の半導体素子モジュールは、第１の所定間隔Ｐ１で配列された複数のレーザーダイオード素子部（半導体素子部）１１を有するアレイ状レーザーダイオードチップ（半導体チップ）１２と、冷却流体が流通する複数の狭間隔水路（小流路）１３が第２の所定間隔Ｐ２で形成された流路１４を内部に有するマイクロチャンネル型ヒートシンク（冷却体）１５とを備えている。狭間隔水路１３の位置とレーザーダイオード素子部１１の位置とが対応するようにアレイ状レーザーダイオードチップ１２がマイクロチャンネル型ヒートシンク１５上に搭載されている。隣接する狭間隔水路１３の中心位置の間隔Ｐ２と、隣接するレーザーダイオード素子部１１の中心位置の間隔Ｐ１とは同じである。
【００２４】
マイクロチャンネル型ヒートシンク１５のアレイ状レーザーダイオードチップ１２が搭載される面１６に、アレイ状レーザーダイオードチップ１２をマイクロチャンネル型ヒートシンク１５上に搭載する際のターゲットマーク（位置決め部）１７が２箇所形成されている。
【００２５】
狭間隔水路１３の幅Ｗ２１は流路１４の最大幅Ｗ２２よりも小さく、狭間隔水路１３の長さＬ２はレーザーダイオード素子部１１の長さＬ１よりも長い。狭間隔水路１３の幅Ｗ２１はレーザーダイオード素子部１１の幅Ｗ１１より大きい。
【００２６】
アレイ状レーザーダイオードチップ１２およびマイクロチャンネル型ヒートシンク１５は長方形状であって、アレイ状レーザーダイオードチップ１２の長手方向はレーザーダイオード素子部１１の長手方向（長さＬ１の方向）と同じ方向（図１（ａ）の左右方向）である。レーザーダイオード素子部１１の長手方向と直交する短手方向はアレイ状レーザーダイオードチップ１２の短手方向と同じ方向（図１（ａ）の上下方向）である。アレイ状レーザーダイオードチップ１２の短手方向の長さＷ１２はマイクロチャンネル型ヒートシンク１５の短手方向の長さＷ２３より短い。
【００２７】
詳細には、マイクロチャンネル型ヒートシンク１５は半田付け実装するための水冷ヒートシンクである。ターゲットマーク１７は、アレイ状レーザーダイオードチップ１２をマイクロチャンネル型ヒートシンク１５に半田実装するに際して位置決めするために用いられる。面１６の一部は、アレイ状レーザーダイオードチップ１２がマイクロチャンネル型ヒートシンク１５に半田付け実装されている接合面１６ａである。マイクロチャンネル型ヒートシンク１５は冷却溶媒の入水口１８および排水口１９を有する。冷却溶媒は、マイクロチャンネル型ヒートシンク１５の内部に形成された流路１４を通水する。図２（ａ）に示すように、流路１４の端部は最大幅Ｗ２２を有し、排水口１９方向に向かって幅が小さくなっている。流路１４の端部は、冷却溶媒の流速を高めるために設けられた狭間隔水路１３を形成するための隔壁リブ２０を有している。レーザーダイオード素子部１１の内部には、レーザー光が共振する方向と長さを備えた共振器が形成されている。従って、共振器の長さは、アレイ状レーザーダイオードチップ１２の長手方向の長さと同じである。アレイ状レーザーダイオードチップ１２の端面からは矢印２１方向にレーザー光が出射される。
【００２８】
本実施の形態の高出力のアレイ状レーザーダイオードチップ１２は、ミニアレイレーザーダイオードなどと呼ばれ、各々のダイオード素子部１１の出力が５Ｗ以上で従来よりも高出力である。アレイ状レーザーダイオードチップ１２は、レーザーダイオード素子部１１の数が１０素子以下で構成されている。本実施の形態では、４素子で構成されている。アレイ状レーザーダイオードチップ１２の幅は、短手方向である。アレイ状レーザーダイオードチップ１２の幅（短手方向）は、１０ｍｍよりも小さくレーザー光の集光に有利である。
【００２９】
すなわち、アレイ状レーザーダイオードチップ１２の短手方向の１０ｍｍよりも小さい範囲にレーザーダイオード素子部１１が配列されている。レーザーダイオード素子部１１に形成された共振器長は一般的な１センチレーザーバーの最大寸法である３．０ｍｍに比べて長い。さらに、レーザーダイオード素子部１１に形成された共振器の長手方向は、アレイ状レーザーダイオードチップ１２の長手方向と同じ方向である。
【００３０】
このように本実施の形態によれば、できる限りチップ幅を１０ｍｍよりも短くして光学系による集光を有利としており、また共振器長を１センチバーよりも長くして必要な放熱性を確保可能な半導体素子モジュールとしている。
【００３１】
マイクロチャンネル型ヒートシンク１５の流路１４、狭間隔水路１３およびターゲットマーク１７は、素材である熱伝導性に優れた銅などの金属から形成される。冷却溶媒を通すための内部の流路１４は、化学的エッチング法や研削法にて形成される。流路１４とターゲットマーク１７の位置関係を予め設計して、アレイ状レーザーダイオードチップ１２の接合面１６ａに、化学的エッチング法や研削法などの上記と同様の方法で、流路１４および狭間隔水路１３の形成と同時にターゲットマーク１７を形成する。
【００３２】
マイクロチャンネル型ヒートシンク１５のアレイ状レーザーダイオードチップ１２の接合面１６ａには蒸着法などにより、アレイ状レーザーダイオードチップ１２とマイクロチャンネル型ヒートシンク１５を所定の温度に加熱溶融、凝固することで接合可能な金属膜１６ｂが形成されている。
【００３３】
アレイ状レーザーダイオードチップ１２上に形成するレーザーダイオード素子部１１の幅Ｗ１１は、マイクロチャンネル型ヒートシンク１５内部の冷却溶媒が通水する狭間隔水路１３の幅Ｗ２１よりも狭い。レーザーダイオード素子部１１の長さＬ１は、狭間隔水路１３の長さＬ２よりも短い。複数のレーザーダイオード素子部１１が形成されたピッチＰ１は、複数の狭間隔水路１３が形成されたピッチＰ２と同じである。アレイ状レーザーダイオードチップ１２の外形寸法に対して、各々のレーザーダイオード素子部１１が形成される位置は常に一定となるように設計、製造される。
【００３４】
以上のように形成されたマイクロチャンネル型ヒートシンク１５上に、アレイ状レーザーダイオードチップ１２を半田付け実装する。アレイ状レーザーダイオードチップ１２とマイクロチャンネル型ヒートシンク１５の半田付け実装は次のようにして行う。アレイ状レーザーダイオードチップ１２の外形寸法の４つの角の内の１ないし２ヵ所とマイクロチャンネル型ヒートシンク１５上に形成されたターゲットマーク１７とを光学的手段などによって位置認識する位置合わせ機能を用いる。
【００３５】
例えば、図２において、認識したターゲットマーク１７を右方向に点線で示すように平行移動させた場合のマイクロチャンネル型ヒートシンク１５の端部（面１６の端部）の位置１７ａと、認識したアレイ状レーザーダイオードチップ１２の２つの角Ｃ１、Ｃ２の位置との距離が予め定めた所定の距離となるように位置合わせをする。
【００３６】
このような位置合わせ機能を用いることにより、アレイ状レーザーダイオードチップ１２をマイクロチャンネル型ヒートシンク１５上の所定の位置に精度良く搭載することができる。アレイ状レーザーダイオードチップ１２をマイクロチャンネル型ヒートシンク１５上の所定の位置に搭載した後、半田付け接合装置を用いて実装を行う。半田付け接合装置は、一般に用いられる装置であって、マイクロチャンネル型ヒートシンク１５上に形成された接合用の金属膜１６ｂの溶融、凝固による接合に適した加温、徐冷および加圧を行う機構を備えている。
【００３７】
このような位置合わせ機能と半田付け接合装置を用いて、アレイ状レーザーダイオードチップ１２の上に形成された個々のレーザーダイオード素子部１１と、マイクロチャンネル型ヒートシンク１５であるマイクロチャンネルの冷却溶媒の流速を高めるために設けられる隔壁リブ２０で形成された狭間隔水路１３の位置とを、マイクロチャンネル型ヒートシンク１５上に設けられたターゲットマーク１７を介して合致させて、高出力のアレイ状レーザーダイオードチップ１２をマイクロチャンネル型ヒートシンク１５上に半田付け実装することが可能になる。
【００３８】
本実施の形態のように半田付け実装することで、高出力のアレイ状レーザーダイオードチップ１２上の個々のレーザーダイオード素子部１１にレーザー発振に必要な電流を印加し、発光させた場合に発生する電力ロスに起因した熱量は、各レーザーダイオード素子部１１の直下に設けられた狭間隔水路１３の冷却溶媒によって個別に冷却される。これにより、個々のレーザーダイオード素子部１１の温度は均一に制御され、特定のレーザーダイオード素子部１１の温度上昇を招かない。その結果として、レーザーダイオード素子部１１の故障の原因となる発光中の温度上昇による故障や、ダイオード接合温度に依存して変化するレーザー光の波長特性に偏差が生じない。従って、高信頼性かつ波長線幅の狭い良好な特性の高出力のアレイ状のレーザーダイオードモジュールが得られる。
【００３９】
また、個々のレーザーダイオード素子部１１が、高伝熱金属で形成されるマイクロチャンネル型ヒートシンク１５の狭間隔水路１３上に正確に半田付け実装される。このことで、レーザーダイオード素子部１１と狭間隔水路１３部分で発生する半田付け実装による応力も偏差が生じず、偏差によって引き起こされる、個々のレーザーダイオード素子部１１の発光光の波長などの特性も偏差が少なくなる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明によって、高信頼性と良好な特性を有する高出力アレイ状の半導体素子モジュールを構成することができる。従って、レーザー加工用途の切断、溶接などの加工機への適用が可能となり、高信頼性と良好な特性を実現するための実装方法および装置として産業上有用である。
【符号の説明】
【００４１】
１１    レーザーダイオード素子部（半導体素子部）
１２    アレイ状レーザーダイオードチップ（半導体チップ）
１３    狭間隔水路（小流路）
１４    流路
１５    マイクロチャンネル型ヒートシンク（冷却体）
１６    面
１６ａ    接合面
１６ｂ    金属膜
１７    ターゲットマーク
１８    入水口
１９    排水口
２０    隔壁リブ
２１    レーザー光出射方向
【図１】
2011199117.tif 000003
【図２】
2011199117.tif 000004
【図３】
2011199117.tif 000005
【図４】
2011199117.tif 000006