(57)【要約】【課題】バリの発生や突出を抑えること。【解決手段】放熱板５の方向Ｙのライン５ａの幅の中心５ｃは、配線基板１の方向Ｙのライン１ａの幅の中心１ｃに対して、方向Ｘに設定距離ＳＬだけずれている。工程（Ｓ５）では、ブレード６により方向Ｙのライン５ａを切断し、ブレード６により方向Ｘとは逆方向に向かって、方向Ｘのライン５ａを切断する。工程（Ｓ７）では、その厚みがブレード６の厚みよりも薄いブレード９により、方向Ｘ、Ｙのライン１ａに従って樹脂封止体（１〜５）を切断する。本発明では、工程（Ｓ５、Ｓ７）により、配線基板１から放熱板５へのバリやその逆のバリの発生を抑えることができ、ブレード９の厚みをブレード６の厚みよりも薄くして、中心５ｃを中心１ｃに対して方向Ｘに設定距離ＳＬだけずらすことにより、配線基板からバリが突出するのを抑えることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板上に複数の半導体チップが搭載され、複数の前記半導体チップの上方に放熱板が配置されて樹脂封止された樹脂封止体を前記半導体チップ毎に個片化する半導体装置の製造方法であって、
第１方向及び前記第１方向に垂直な第２方向に延びた配線基板切断ラインと、前記半導体チップが搭載された複数の有効領域とを有する前記配線基板に対し、前記半導体チップの上方に前記放熱板を配置する工程と、
前記配線基板と前記放熱板との間に封止樹脂を供給して前記半導体チップが封止された樹脂封止体を形成する工程と、
前記第２方向の前記配線基板切断ラインの幅の中心から第１方向に設定距離だけ幅の中心が離れた前記第２方向の放熱板切断ラインに沿って、第１ブレードにより前記樹脂封止体の前記放熱板側から前記放熱板を切断する工程と、
前記第２方向の放熱板切断ラインに沿って前記第１ブレードにより前記樹脂封止体の前記放熱板側から前記放熱板を切断する工程の後に、前記第１方向の放熱板切断ラインに沿って、前記第１方向とは逆方向に向かって、前記第１ブレードにより前記樹脂封止体の前記放熱板側から前記放熱板を切断する工程と、
前記樹脂封止体の前記配線基板側から、前記第１ブレードよりもブレードが薄い第２ブレードにより、前記第１方向及び前記第２方向の前記配線基板切断ラインに沿って、前記配線基板と前記封止樹脂とを切断する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記樹脂封止体の前記配線基板側から前記第２ブレードにより前記第１方向及び前記第２方向の前記配線基板切断ラインに沿って前記配線基板と前記封止樹脂とを切断する工程の後の個片化された前記樹脂封止体の前記放熱板の中心は、個片化された前記樹脂封止体の前記配線基板の中心に対し、前記第１方向と逆方向に前記設定距離だけ離れている
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記設定距離は、前記第１方向の放熱板切断ラインに沿って前記第１ブレードにより前記樹脂封止体の前記放熱板側から前記放熱板を切断する工程によって前記第１方向と逆方向に向かって前記放熱板の端部に形成されるバリの長さと、前記第１ブレードのブレード厚と、前記第２ブレードのブレード厚とに基づいて決定される
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記設定距離をＳＬとし、前記バリの長さをＢＵとし、前記バリが第１方向と逆方向に向かって前記放熱板の端部から突出するのを許容できる長さをＢＵｏｋとし、前記第１ブレードのブレード厚をＡとし、前記第２ブレードのブレード厚をＢとしたときに、前記設定距離ＳＬは、
ＳＬ＝ＢＵ−ＢＵｏｋ−（Ａ−Ｂ）／２
により表される
請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記バリの長さをＢＵとし、前記バリが第１方向と逆方向に向かって前記放熱板の端部から突出するのを許容できる長さをＢＵｏｋとし、前記第１ブレードのブレード厚をＡとし、前記第２ブレードのブレード厚をＢとしたときに、前記第１ブレードのブレード厚と前記第２ブレードのブレード厚との差は、
Ａ−Ｂ≧ＢＵ−ＢＵｏｋ
により表される
請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１方向の放熱板切断ラインの幅の中心は、前記第１方向の前記配線基板切断ラインの幅の中心に一致する
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂封止体の前記配線基板側から前記第２ブレードにより前記第１方向及び前記第２方向の前記配線基板切断ラインに沿って前記配線基板と前記封止樹脂とを切断する工程は、前記第１方向の放熱板切断ラインに沿って前記第１ブレードにより前記樹脂封止体の前記放熱板側から前記放熱板を切断する工程の後に行われる
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記樹脂封止体の前記配線基板の前記有効領域の裏面にボール状電極群を形成する工程
を更に具備する請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記ボール状電極群を形成する工程は、
前記第１方向の放熱板切断ラインに沿って前記第１ブレードにより前記樹脂封止体の前記放熱板側から前記放熱板を切断する工程と、前記樹脂封止体の前記配線基板側から前記第２ブレードにより前記第１方向及び前記第２方向の前記配線基板切断ラインに沿って前記配線基板と前記封止樹脂とを切断する工程との間に行われる
請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１ブレードは、前記第２ブレードよりも粗い砥粒が配置されている
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
配線基板上に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップの上方に配置された放熱板と、
前記配線基板と前記放熱板との間に供給され、前記半導体チップを封止するための封止樹脂と
を具備し、
前記放熱板の中心は、前記配線基板の中心に対して、第１方向に設定距離だけずれている
半導体装置。
【請求項１２】
前記配線基板の裏面に形成されたボール状電極群
を更に具備する請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記配線基板と前記半導体チップとを電気的に接続し、前記配線基板と前記放熱板との間の前記封止樹脂により前記半導体チップと共に前記樹脂封止体に封止されるワイヤ
を更に具備する請求項１１又は１２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の一形態として、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプがある。この半導体装置は、配線基板と、半導体チップと、ワイヤと、封止樹脂と、放熱板｛ヒートスプレッダー（Ｈｅａｔ  Ｓｐｒｅａｄｅｒ）｝と、ボール状電極群とを具備している。
【０００３】
半導体パッケージの製造方法として、ＭＡＰ（Ｍｏｌｄ  Ａｒｒａｙ  Ｐａｃｋａｇｅ）方式が知られている。配線基板の表面上には、半導体チップが搭載される。配線基板の表面上でワイヤボンディングが行われ、ワイヤを介して配線基板と半導体チップとが電気的に接続される。半導体チップの上方には、配線基板の表面と対向するように、放熱板が配置される。配線基板と放熱板との間には、封止樹脂が供給される。封止樹脂が硬化したとき、配線基板と放熱板との間の封止樹脂により半導体チップ及びワイヤが封止された樹脂封止体が形成される。配線基板の裏面にはボール状電極群が形成される。
【０００４】
その後、円盤状のブレードにより、樹脂封止体（配線基板、半導体チップ、ワイヤ、封止樹脂及び放熱板）が配線基板側から切断される。樹脂封止体がマトリクス状に切断されたとき、樹脂封止体から複数の半導体装置（配線基板、半導体チップ、ワイヤ、封止樹脂、放熱板及びボール状電極群）が切り分けられる。
【０００５】
ＭＡＰ方式に関連する技術として、特許文献１（特開平１１−２１４５９６号公報）が挙げられる。また、特許文献２（特開２００６−２９４８３２号公報）には、ヒートスプレッダーの形成方法に関する技術が記載されている。
【０００６】
特許文献３（特開２００３−２４９５１２号公報）の段落［００５５］には、円盤状のブレードを用いて樹脂封止体ごと切断することが記載されている。また、特許文献４（特開２０００−１８３２１８号公報）、特許文献５（特開２００３−３７２３６号公報）、及び特許文献６（特開平４−３０７９６１号公報）にも、切断に関する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−２１４５９６号公報
【特許文献２】特開２００６−２９４８３２号公報
【特許文献３】特開２００３−２４９５１２号公報
【特許文献４】特開２０００−１８３２１８号公報
【特許文献５】特開２００３−３７２３６号公報
【特許文献６】特開平４−３０７９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、樹脂封止体（配線基板、半導体チップ、ワイヤ、封止樹脂及び放熱板）をブレードによって配線基板側から一度に切断した場合、放熱板（例えば、銅）は軟らかく展性があるため、切断面（端部）にはバリが発生してしまう。このバリは導電性のため、バリ又は剥がれたバリの破片が半導体装置に付着したまま実装ボードに実装すると電極間や実装ボードの配線間でショートする可能性がある。従って、バリが突出するのを抑える必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以下に、発明を実施するための形態で使用される符号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を記載する。この符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための形態の記載との対応を明らかにするために付加されたものであり、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１０】
本発明は、配線基板（１）上に複数の半導体チップ（２）が搭載され、複数の半導体チップ（２）の上方に放熱板（５）が配置されて樹脂封止された樹脂封止体を半導体チップ（２）毎に個片化する半導体装置の製造方法であって、次の工程を有する。
本発明の半導体装置の製造方法は、
１）  第１方向（Ｘ）及び第１方向（Ｘ）に垂直な第２方向（Ｙ）に延びた配線基板切断ライン（１ａ）と、半導体チップ（２）が搭載された複数の有効領域（１ｂ）とを有する配線基板（１）に対し、半導体チップ（２）の上方に放熱板（５）を配置する工程（Ｓ３）と、
２）  配線基板（１）と放熱板（５）との間に封止樹脂（４）を供給して半導体チップ（２）が封止された樹脂封止体を形成する工程（Ｓ３）と、
３）  第２方向（Ｙ）の配線基板切断ライン（１ａ）の幅の中心（１ｃ）から第１方向（Ｘ）に設定距離（ＳＬ）だけ幅の中心（５ｃ）が離れた第２方向（Ｙ）の放熱板切断ライン（５ａ）に沿って、第１ブレード（６）により樹脂封止体の放熱板（５）側から放熱板（５）を切断する工程（Ｓ５）と、
４）  上記工程（Ｓ５）の後に、第１方向（Ｘ）の放熱板切断ライン（５ａ）に沿って、第１方向（Ｘ）とは逆方向に向かって、第１ブレード（６）により樹脂封止体の放熱板（５）側から放熱板（５）を切断する工程（Ｓ５）と、
５）  樹脂封止体の配線基板（１）側から、第１ブレード（６）よりもブレードが薄い第２ブレード（９）により、第１方向（Ｘ）及び第２方向（Ｙ）の配線基板切断ライン（１ａ）に沿って、配線基板（１）と封止樹脂（４）とを切断する工程（Ｓ７）と
を有する。
本発明によれば、放熱板（５）側から放熱板（５）を第１ブレード（６）で切断し、第１ブレード（６）よりもブレードが薄い第２ブレード（９）で配線基板（１）側から配線基板（１）を切断しているので、配線基板（１）から放熱板（５）に向かう方向に発生する放熱板（５）のバリと放熱板（５）から配線基板（１）に向かう方向に発生する放熱板（５）のバリを抑制できる。
同時に、第２方向（Ｙ）の配線基板切断ライン（１ａ）の幅の中心（１ｃ）から第１方向（Ｘ）に設定距離（ＳＬ）だけ幅の中心（５ｃ）をずらした第２方向（Ｙ）の放熱板切断ライン（５ａ）に沿って放熱板（５）を第１ブレード（６）により切断し、第１ブレード（６）よりもブレードが薄い第２ブレード（９）で第２方向（Ｙ）の配線基板切断ライン（１ａ）に沿って配線基板（１）を切断しているので、第２方向（Ｙ）の放熱板切断ライン（５ａ）に沿って放熱板（５）を切断したときに放熱板（５）端部に発生したバリが配線基板（１）から突出するのを抑えることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、放熱板の切断時に、放熱板から配線基板に向かう放熱板のバリと配線基板から放熱板に向かう放熱板のバリを抑制すると同時に、放熱板のバリが配線基板から突出するのを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の実施形態による半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態による半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図であり、配線基板１の上面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図であり、配線基板１及び半導体チップ２の断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明の実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図であり、配線基板１、半導体チップ２及びワイヤ３の断面図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、本発明の実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図であり、樹脂封止体（配線基板１、半導体チップ２、ワイヤ３、封止樹脂４及び放熱板５）のＹ方向から見た透視断面図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、本発明の実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図であり、放熱板５の上面図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、本発明の実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図であり、放熱板５の第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａが切断されるときの順番（最初の切断方向、最後の切断方向）を表す樹脂封止体の上面図である。
【図３Ｇ】図３Ｇは、本発明の実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図であり、放熱板５の第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａが切断されるときの樹脂封止体のＹ方向から見た透視断面図である。
【図３Ｈ】図３Ｈは、本発明の実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図であり、樹脂封止体とボール状電極群８とのＹ方向から見た透視断面図である。
【図３Ｉ】図３Ｉは、本発明の実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図であり、配線基板１の第２方向Ｙの配線基板切断ライン１ａが切断されるときの樹脂封止体とボール状電極群８とのＹ方向から見た透視断面図である。
【図３Ｊ】図３Ｊは、本発明の実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図であり、半導体装置（配線基板１、半導体チップ２、ワイヤ３、封止樹脂４、放熱板５及びボール状電極群８）のＹ方向から見た透視断面図である。
【図３Ｋ】図３Ｋは、図３Ｆにおけるバリ近傍の拡大図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の比較例の樹脂封止体のＹ方向から見た透視断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明の比較例において、放熱板５の第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａが切断されるときの順番（最初の切断方向、最後の切断方向）を表す樹脂封止体の上面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、本発明の比較例において、放熱板５の第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａが切断されるときの樹脂封止体のＹ方向から見た透視断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、本発明の比較例において、樹脂封止体とボール状電極群８とのＹ方向から見た透視断面図である。
【図４Ｅ】図４Ｅは、本発明の比較例において、配線基板１の第２方向Ｙの配線基板切断ライン１ａが切断されるときの樹脂封止体とボール状電極群８とのＹ方向から見た透視断面図である。
【図４Ｆ】図４Ｆは、本発明の比較例において、半導体装置（配線基板１、半導体チップ２、ワイヤ３、封止樹脂４、放熱板５及びボール状電極群８）の透視断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に添付図面を参照して、本発明の実施形態による半導体装置について詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明の実施形態による半導体装置の構成を示す断面図である。本発明の実施形態による半導体装置は、配線基板１と、半導体チップ２と、ワイヤ３と、封止樹脂４と、放熱板５と、ボール状電極群８とを具備している。
【００１５】
半導体チップ２は、配線基板１の表面上に搭載されている。ワイヤ３は、配線基板１と半導体チップ２とを電気的に接続する。放熱板５は、半導体チップ２の上方に配置されている。封止樹脂４は、配線基板１と放熱板５との間に供給され、半導体チップ２及びワイヤ３を封止する。ボール状電極群８は、配線基板１の裏面に形成されている。放熱板５の（後述の有効領域５ｂの）中心は、配線基板１の（後述の有効領域１ｂの）中心に対して、第１方向Ｘに設定距離ＳＬだけ離れている（ずれている）。なお、図１には放熱板を切断した際に切断面端部に発生するバリを放熱板５の左端部に三角形で示した。また、図示はされていないが、ワイヤ３とボール状電極群８とは配線基板１内に形成された配線を介して電気的に接続されている。
【００１６】
配線基板１としては、例えば、ガラス繊維に樹脂を含浸させた絶縁層と銅配線層とが積層されたガラスエポキシ基板、などが用いられる。配線基板１の板厚は、例えば、０．３〜０．６［ｍｍ］である。
【００１７】
封止樹脂４は、半導体チップ２を保護し、放熱板５を接着する役割を果たしている。封止樹脂４の厚みは、例えば、０．３〜１．２［ｍｍ］である。
【００１８】
放熱板５は、ヒートスプレッダー（Ｈｅａｔ  Ｓｐｒｅａｄｅｒ）ともいい、Ｈ／Ｓｐと表記されることもある。放熱板５は、半導体チップ２により発生した熱を放熱するために設けられている。放熱板５としては、熱伝導性の観点から、金属製の板が好ましく用いられる。より具体的には、放熱板５として、銅、アルミニウム、鉄などが用いられる。放熱板５の厚みは、例えば、０．１〜０．５［ｍｍ］である。また、放熱板表面は被膜を施したものでも良い。例えば、塗膜を施したり、アルマイト処理等の表面処理を行ったりしたものでもよい。
【００１９】
図２は、本発明の実施形態による半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【００２０】
（ステップＳ１；チップマウント工程）
まず、図３Ａに示されるように、配線基板１が用意される。配線基板１は、第１方向Ｘ及び第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙに延びる領域である配線基板切断ライン１ａと、それ以外の領域である有効領域１ｂとを有している。図３Ａでは配線基板切断ライン１ａと有効領域１bとを模式的に示したものであり、配線基板切断ライン１ａと有効領域１ｂとの境界が実際に配線基板上に示されている必要はない。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの配線基板切断ライン１ａは、後述の円盤状のブレード（第１ブレード６）の厚みに対応し、第１ブレード６により切断される領域である。有効領域１ｂは第１ブレード６により配線基板１が切断された後に残る領域である。次に、図３Ｂに示されるように、配線基板１の有効領域１ｂの表面上に、半導体チップ２が搭載される。ここで、配線基板１の上方の方向を第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに垂直な第３方向Ｚとする。ここで“方向”にはその向きも含まれると定義する。
【００２１】
（ステップＳ２；ワイヤボンディング工程）
図３Ｃに示されるように、配線基板１の有効領域１ｂの表面上でワイヤボンディングが行われ、ワイヤ３を介して配線基板１と半導体チップ２とが電気的に接続される。
【００２２】
（ステップＳ３；Ｈ／Ｓｐ形成＋封止工程）
図３Ｄに示されるように、半導体チップ２及びワイヤ３の上方（第３方向Ｚ）には、配線基板１の表面と対向するように、放熱板５が配置される。
【００２３】
図３Ｅに示されるように、放熱板５は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに延びる領域である放熱板切断ライン５ａと、それ以外の領域である有効領域５ｂとを有している。図３Ｅでは、放熱板切断ライン５ａと有効領域５ｂとの境界を模式的に示したものであり、実際に放熱板５上に境界が線等で示されている必要はない。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａは、後述の円盤状のブレード（第２ブレード９）の厚みに対応する領域であり、第２ブレード９により切断される領域である。有効領域５ｂは第２ブレード９により放熱板５が切断された後に残る領域である。第１方向Ｘの放熱板切断ライン５ａの幅の中心５ｃは、第１方向Ｘの配線基板切断ライン１ａの幅の中心１ｃに一致している。図３Ｄに示されるように、第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａの幅の中心５ｃは、第２方向Ｙの配線基板切断ライン１ａの幅の中心１ｃに対して、第１方向Ｘに設定距離ＳＬ（設定ズレ量）だけ離れている（ずれている）。
【００２４】
次に、図３Ｄに示されるように、配線基板１と放熱板５との間には、封止樹脂４が供給される。封止樹脂４が硬化したとき、配線基板１と放熱板５との間の封止樹脂４により半導体チップ２及びワイヤ３が封止された樹脂封止体が形成される。
【００２５】
（ステップＳ４；レーザー捺印工程）
放熱板５の有効領域５ｂの表面には、レーザーにより捺印が形成される。
【００２６】
（ステップＳ５；Ｈ／Ｓｐ切断工程［ハーフカット工程］）
（第１放熱板切断工程）
図３Ｆと図３Ｇとに示されるように、樹脂封止体（配線基板１、半導体チップ２、ワイヤ３、封止樹脂４及び放熱板５）のうちの放熱板５を第１方向Ｘに分断するために、円盤状のブレードである第１ブレード６により、第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａに沿って放熱板が切断される。切断される方向は、第２方向Ｙ（図中の矢印の向き；図の左側から右側に向かって）でも、第２方向Ｙとは逆方向（図の右側から左側に向かって）でもよい。ここで、第１ブレード６の厚みの中心と第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａの幅の中心５ｃとが一致した状態で、第１ブレード６により放熱板５が切断される。
【００２７】
（第２放熱板切断工程）
次に、図３Ｆに示されるように、樹脂封止体のうちの放熱板５を第２方向Ｙに分断するために、第１ブレード６により、第１方向Ｘとは逆方向に向かって（図の下側から上側に向かって）、第１方向Ｘの放熱板切断ライン５ａに沿って、放熱板５が切断される。ここで、第１ブレード６の厚みの中心と第１方向Ｘの放熱板切断ライン５ａの幅の中心５ｃとが一致して、第１ブレード６により放熱板５が切断される。
【００２８】
Ｈ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）において、第１ブレード６には、展性がある放熱板５を削ることが求められる。そこで、第１ブレード６の目詰まりを防ぐために、第１ブレード６の刃先には、第２ブレード９よりも粗い（サイズが大きい）砥粒（例えば、ダイアモンド粒）が配置されたブレードが用いられる（図示しない）。また、砥粒が熱硬化性樹脂により刃先に結着したタイプのブレードが用いられる。また、第１ブレード６の刃先の形状は、丸くなっていてもよい（図示しない）。また、第１ブレード６の刃先の形状は、先端が先鋭であってもよく、先端がＶ字形状であってもよい（図示しない）。
【００２９】
また、Ｈ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）において、樹脂封止体が放熱板５側から削られる深さＤ［ｍｍ］は、配線基板１に到達しないような深さであることが好ましい。例えば、「放熱板５の板厚［ｍｍ］＋０．２［ｍｍ］」以下の深さが好ましい（図示しない）。既述のように、第１ブレード６としては、砥粒が密に配置されたブレードが用いることが好ましい。そのようなブレード６を用いて、封止樹脂４を大量に削ると、第１ブレード６が目詰まりしてしまうことがある。深さＤが、「放熱板５の板厚［ｍｍ］＋０．２［ｍｍ］」以下であれば、第１ブレード６により封止樹脂４が削られる量を十分に少なくすることができ、第１ブレード６の目詰まりを防止できる。
【００３０】
（ステップＳ６；ボールマウント工程）
図３Ｈに示されるように、樹脂封止体の裏面が上向きになるように、樹脂封止体が配置される。樹脂封止体の配線基板１の有効領域１ｂの裏面には、ボール状電極群８が形成される。
【００３１】
ここで、第１ブレード６により樹脂封止体に加えられる力が原因でボール状電極群８がつぶれてしまうことを防止するために、ボールマウント工程（ステップＳ６）は、Ｈ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）の後に実施されることが好ましい。
【００３２】
（ステップＳ７；配線基板切断工程）
図３Ｉに示されるように、樹脂封止体を第１方向Ｘに分断するために、円盤状のブレードである第２ブレード９により、第２方向Ｙの配線基板切断ライン１ａに沿って、配線基板１と封止樹脂４とが切断される。ここで、切断方向は、第２方向Ｙであっても逆方向であっても構わない。なお、第２ブレード９の厚みの中心と第２方向Ｙの配線基板切断ライン１ａの幅の中心１ｃとが一致した状態で、第２ブレード９により配線基板１と封止樹脂４とが切断される。
【００３３】
次に、樹脂封止体を第２方向Ｙに分断するために、第２ブレード９により、第１方向Ｘの配線基板切断ライン１ａに沿って、配線基板１と封止樹脂４とが切断される。ここで、切断方向は第１方向Ｘであっても逆方向であっても構わない。また、第１方向Ｘの配線基板切断ライン１ａに沿って切断した後に、第２方向Ｙの配線基板切断ライン１ａに沿って切断するのでも構わない。この工程により、樹脂封止体が半導体チップ毎に個片化されることになる。ここで、第２ブレード９の厚みの中心と第１方向Ｘの配線基板切断ライン１ａの幅の中心１ｃとが一致した状態で、第２ブレード９により配線基板１と封止樹脂４とが切断される。
【００３４】
配線基板切断工程（ステップＳ７）において、第２ブレード９には、配線基板１及び封止樹脂４を削ることが求められる。第２ブレード９として第１ブレード６と同じタイプのブレードを用いると、砥粒が粗いため、封止樹脂４の切断面が粗くなってしまう。そのため、第２ブレード９としては、第１ブレード６よりも細かい（サイズが小さい）砥粒（例えば、ダイアモンド粒）が配置されたブレードが、好ましく用いられる。
【００３５】
また、第１ブレード６と第２ブレード９とは、厚み（幅）が異なっていることが好ましい。具体的には、後の工程で用いられるブレードの方が、先の工程で用いられるブレードよりも、刃厚が薄いことが好ましい。即ち、本発明において、第２ブレード９のブレード（刃）は、第１ブレード６のブレード（刃）よりも薄いことが好ましい。第１ブレード６のブレード厚がＡ（図示しない）であるとする。このとき、Ｈ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）により、溝幅がほぼＡの溝が形成される。また、第２ブレード９のブレード厚がＢ（図示しない）であるとする。ＢがＡよりも小さい場合、配線基板切断（ステップＳ７）において第２ブレード９の位置が多少ずれていたとしても、バリを発生させずに樹脂封止体を切断することができる。放熱板５の切断面は、配線基板１の切断面よりも内側にあるためである。
【００３６】
配線基板切断工程（ステップＳ７）が実施されて、樹脂封止体が切断されたとき、図３Ｊに示されるように、樹脂封止体から複数の半導体装置（配線基板１、半導体チップ２、ワイヤ３、封止樹脂４、放熱板５及びボール状電極群８）が切り分けられる。この結果、複数の半導体装置の各々において、放熱板５の有効領域５ｂの中心は、配線基板１の有効領域１ｂの中心に対して、第１方向Ｘ（図の左から右に向かう方向）に設定距離ＳＬだけずれることになる。
【００３７】
レーザー捺印工程（ステップＳ４）は、上述の順番に限定されず、Ｈ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）の前に実施されるのではなく、後に実施されてもよい。例えば、配線基板切断工程（ステップＳ７）の後に実施されてもよい。
【００３８】
［第１の作用］
Ｈ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）と配線基板切断工程（ステップＳ７）とを実施する理由について説明する。
【００３９】
まず、樹脂封止体を配線基板１側から一度に切断した場合について考える。この場合、樹脂封止体の放熱板５はブレードとの摩擦力により、放熱板５には配線基板１側から放熱板５側に向かう応力が働く。放熱板５の封止樹脂４に接触していない側には放熱板５の変形を遮るものがないため、放熱板５には、配線基板１側から放熱板５側に向かう方向に、バリが形成され易くなる。
【００４０】
これに対して、本発明では、Ｈ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）により、放熱板５の第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａが削られる。この工程において、放熱板５が引っ張られる方向には、封止樹脂４が設けられている。封止樹脂４により、放熱板５が押さえられるので、放熱板５の変形は少ない。また、Ｈ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）において放熱板５の第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａが削られるので、配線基板切断工程（ステップＳ７）では、放熱板５は、全く削られる必要がないか、一部が削られるだけでよい。従って、放熱板５において、遮るものがない方向（配線基板１側から放熱板５側に向かう方向）に向かって削られる量を少なくすることができる。その結果、配線基板１側から放熱板５側に向かって、放熱板５の端部にバリが発生するのを抑えることができる。
【００４１】
逆に、樹脂封止体を放熱板５側から一度に切断した場合について考える。この場合、ブレードは、先端部分で放熱板５に接触してから、配線基板１の表面に達するまで押し込まれる。この間、放熱板５には、ブレードとの摩擦力により引っ張られ、放熱板５側から配線基板１側に向かう応力が働く。ブレードは深く押し込まれるので、放熱板５に加わる力の量も大きくなる。そのため、放熱板５が引っ張られる方向には封止樹脂４が設けられているにも関わらず、放熱板５が変形し、放熱板５側から配線基板１側に向かって放熱板の端部にバリが発生してしまうことがある。
【００４２】
これに対して、本発明では、配線基板切断工程（ステップＳ７）により配線基板１と封止樹脂４とが切断されるため、Ｈ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）では放熱板５及び一部の封止樹脂４を切断すればよいので、放熱板５に加わる力を減らすことができる。その結果、放熱板の端部でバリが発生するのを抑制することができる。
【００４３】
［第１の効果］
このように、本発明の実施形態による半導体装置によれば、Ｈ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）と配線基板切断工程（ステップＳ７）とを実施することにより、第３方向Ｚ（配線基板１から放熱板５）へのバリや、第３方向Ｚとは逆の方向（放熱板５から配線基板１）へのバリの発生を抑えることができる。通常、バリが発生すると、製品安全性の観点からバリを除去する必要がある。一方、本発明では、第３方向Ｚ又は第３方向Ｚとは逆の方向へのバリの発生が抑制されるため、バリの除去工程が不要となる。そのため、ブレードでの切断工程が２回必要となるが、バリ除去工程が不要のため工程数増加とはならない。
【００４４】
［第２の作用］
第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａの幅の中心５ｃが、第２方向Ｙの配線基板切断ライン１ａの幅の中心１ｃに対してずらしている理由について説明する。
【００４５】
（比較例）
はじめに、本発明の比較例として、図４Ａのように、第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａの幅の中心５ｃが、第２方向Ｙの配線基板切断ライン１ａの幅の中心１ｃと一致している場合について説明する。
この場合、チップマウント工程（ステップＳ１）からレーザー捺印工程（ステップＳ４）まで実施され、図４Ｂと図４Ｃとに示されるように、Ｈ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）が実施される。次に、図４Ｄに示されるように、ボールマウント工程（ステップＳ６）が実施され、図４Ｅに示されるように、配線基板切断（ステップＳ７）が実施される。樹脂封止体（配線基板１、半導体チップ２、ワイヤ３、封止樹脂４及び放熱板５）がマトリクス状に切断されたとき、図４Ｆに示されるように、樹脂封止体から複数の半導体装置（配線基板１、半導体チップ２、ワイヤ３、封止樹脂４、放熱板５及びボール状電極群８）が切り分けられる。複数の半導体装置の各々において、放熱板５の有効領域５ｂの中心は、配線基板１の有効領域１ｂの中心に一致している。
【００４６】
ここで、Ｈ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）では、第１ブレード６により、第１放熱板切断工程において、第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａに沿って、放熱板５が切断される。次に、第２放熱板切断工程において、第１方向Ｘの放熱板切断ライン５ａに沿って、放熱板５が切断される。このとき、放熱板５は第１ブレード６との摩擦力により切断方向に向かう応力が働く。第２放熱板切断工程では、放熱板５の第１方向Ｘの放熱板切断ライン５ａのうちの、第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａが切断された領域には、放熱板５の変形を遮るものがないため、放熱板５には切断方向へのバリが形成され易くなる。このバリは、図４Ｂと図４Ｆとに示されるように、パッケージ（半導体装置）端から突出してしまう。
【００４７】
ここで、第１ブレード６のブレード厚をＡ０とし、第２ブレード９のブレード厚をＢ０とした場合には、配線基板１の切断面と、放熱板５の切断面との間隔Ｃ０は、Ｃ０＝（Ａ０−Ｂ０）／２となるので、バリの長さＢＵよりもＣ０を大きくすれば、バリが配線基板１の端部から突出しなくなるようにも思える。しかし、放熱板５の材料が銅（Ｃｕ）である場合には、このような方法は実際には困難である。放熱板５の材料が銅の場合、バリの長さＢＵはおよそ０．１８ｍｍ程度になる。バリが配線基板１の端部からはみ出してもよい許容値を０．０４ｍｍとすれば、バリが配線基板１の端部からはみ出さないようにするためには、Ｃ０は０．１４ｍｍ程度となるので、第１ブレード６のブレード厚Ａ０は、第２ブレード９のブレード厚Ｂ０よりも０．２８ｍｍ大きくしなければならない。しかし、第１ブレード６のブレード厚Ａ０を極端に大きくすることは、Ｈ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）において樹脂封止体及びブレードに大きな負担がかかってしまう。この場合、放熱板５と封止樹脂４間の剥離や、ブレードの寿命が低下したり、辺磨耗を引き起こしたりする不具合が生じるため、好ましくない。
【００４８】
これに対して、本発明では、第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａの幅の中心５ｃは、第２方向Ｙの配線基板切断ライン１ａの幅の中心１ｃに対して、第１方向Ｘに設定距離ＳＬだけずれている。この場合、チップマウント工程（ステップＳ１）から配線基板切断（ステップＳ７）まで実施されて、樹脂封止体がマトリクス状に切断されたとき、樹脂封止体から複数の半導体装置が切り分けられる。複数の半導体装置の各々において、放熱板５の有効領域５ｂの中心は、配線基板１の有効領域１ｂの中心に対して、最終の切断方向とは逆の方向（第１方向Ｘ）に設定距離ＳＬだけずれている。
【００４９】
本発明に於いても、図３Ｆと図３Ｊとに示されるように、放熱板５にはバリが第１方向Ｘとは逆向きに形成されるが、放熱板５の有効領域５ｂの中心が配線基板１の有効領域１ｂの中心に対して第１方向Ｘに設定距離ＳＬだけずれているため、バリが配線基板の端部から突出するのを抑えることができる。
【００５０】
設定距離ＳＬは、バリの長さＢＵと、第１ブレード６のブレード厚Ａと、第２ブレード９のブレード厚Ｂとに基づいて決定される。ここで、バリが配線基板端部から突出するのを許容できる長さをＢＵｏｋ［ｍｍ］とすると、バリの突出を抑える場合、設定距離ＳＬは、
ＳＬ＝ＢＵ−ＢＵｏｋ−（Ａ−Ｂ）／２
により表される。ここで、数式の導出について図３Ｋを用いて説明する。図３Ｋは、図３Ｆにおけるバリの部分の近傍を拡大した図である。図において、ｅ＝ＢＵ−ＢＵｏｋ、またｅ＝Ａ／２＋ＳＬ−Ｂ／２なので、ＳＬは上記の式のようになる。
【００５１】
ところで、配線基板切断工程（ステップ７）について説明した箇所に於いて記載したように、配線基板切断ライン１ａは、放熱板切断ライン５ａの内側に入っていることが、バリ形成の観点から望ましい。つまり、図３Ｋにおいて、ｄが０以上であることが望ましい。ｄ＝Ａ−Ｂ−ｅ＝Ａ−Ｂ−（ＢＵ−ＢＵｏｋ）なので、次の関係式を満たす必要がある。ｄ≧０であることから、
Ａ−Ｂ≧ＢＵ−ＢＵｏｋ
となる。従って、第２ブレード９のブレード厚Ｂに対して、第１ブレードのブレード厚Ａは、（ＢＵ−ＢＵｏｋ）以上厚い必要がある。ここで、設定距離ＳＬは０以上であることから、ＳＬの式を用いると、
２（ＢＵ−ＢＵｏｋ）≧Ａ−Ｂ
となる。この式と上記の式とから、（Ａ−Ｂ）については、
２（ＢＵ−ＢＵｏｋ）≧Ａ−Ｂ≧ＢＵ−ＢＵｏｋ
の関係を満たす必要がある。
【００５２】
図３Ｆにおいて、放熱板５の材料が銅（Ｃｕ）の場合について、具体的に設定距離ＳＬを計算する場合を以下に示す。放熱板５が銅の場合、先に述べたように、バリの長さＢＵは０．１８ｍｍ程度となる。ここで、バリが配線基板の端部からはみ出しても問題のない許容量を０．０３ｍｍとする。また第２ブレード９のブレード厚Ｂを０．１５ｍｍとする。また、第１ブレード６のブレード厚Ａは０．３７〜１．００ｍｍの範囲とする。ＢＵ−ＢＵｏｋ＝０．１８−０．０３＝０．１５（ｍｍ）となるので、Ａ−Ｂは、０．１５≦Ａ−Ｂ≦０．３０を満たす必要がある。ここで、Ｂ＝０．１５（ｍｍ）なので、０．３０≦Ａ≦０．４５となる。第１ブレード６のブレードを厚くしたくないので、Ａの最小値である０．３７ｍｍを選択する。このとき、Ａ−Ｂ＝０．３７−０．１５＝０．２２となる。よって、設定距離ＳＬは、
ＳＬ＝ＢＵ−ＢＵｏｋ−（Ａ−Ｂ）／２＝０．１５−０．１１＝０．０４
により、０．０４ｍｍとなる。従って、本発明では、図３Ｄと図３Ｆと図３Ｊとに示されるように、放熱板５の有効領域５ｂの中心が配線基板１の有効領域１ｂの中心に対して第１方向Ｘに０．０４ｍｍだけずらすことにより、バリが配線基板の端部から突出するのを抑えることができる。
【００５３】
［第２の効果］
このように、本発明の実施形態による半導体装置によれば、第２ブレード９の厚みを第１ブレード６の厚みよりも薄くして、第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａの幅の中心５ｃを、第２方向Ｙの配線基板切断ライン１ａの幅の中心１ｃに対して、第１方向Ｘに設定距離ＳＬだけずらすことにより、最終の切断方向へのバリの露出を抑えることができる。これにより、本発明では、第１の効果と同様に、バリの除去工程が不要となる。そのため、設定距離ＳＬを設定する作業が必要となるが、バリ除去工程が不要のため工程数増加とはならない。
【００５４】
なお、本発明では、Ｈ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）を先に実施し、配線基板切断（ステップＳ７）を後に実施している。しかし、これに限定されるものではない。樹脂封止体から複数の半導体装置が切り分けることができればよいので、先に配線基板切断（ステップＳ７）が実施され、その後、Ｈ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）が実施されてもよい。この場合、配線基板切断（ステップＳ７）においては、第２ブレード９が放熱板５まで達しないことが好ましく、Ｈ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）と同様に、ハーフカット工程が実施されてもよい。即ち、樹脂封止体から複数の半導体装置が切り分けることができれば、カットする割合は適宜決めてもよい。
【００５５】
また、本発明では、半導体チップ２と配線基板１とをワイヤ３で接続したＢＧＡタイプの半導体装置を例に挙げて説明した。しかし、これに限定されるものではない。例えば、複数の半導体チップ２を配線基板１に積層したスタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）タイプの半導体装置であってもよいし、複数の半導体チップ２を配線基板１に平置きした平面ＭＣＰタイプの半導体装置であってもよい。スタックドＭＣＰタイプ／平面ＭＣＰタイプの半導体装置では、一つの半導体装置内に複数の半導体チップ２が設けられる。複数の半導体チップ２の各々は、ワイヤ３を介して配線基板１に接続される。
【００５６】
また、本発明では、ＦＣＢＧＡ（Ｆｌｉｐｃｈｉｐ  Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプの半導体装置や、ＣＯＣ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｃｈｉｐ）／ワイヤ混載タイプの半導体装置であってもよい。ＦＣＢＧＡタイプの半導体装置では、半導体チップ２は、電極形成面が配線基板１と対向するように配置される。ＣＯＣ／ワイヤ混載タイプの半導体装置では、その内部に複数の半導体チップ２が設けられる。複数の半導体チップ２は、ワイヤ３を介して配線基板１と接続された第１の半導体チップと、第１の半導体チップ上に形成された第２の半導体チップとを備えている。第２の半導体チップは、電極形成面が第１の半導体チップと対向するように配置される。ＦＣＢＧＡやＣＯＣ／ワイヤ搭載タイプの半導体装置の場合、放熱板５は半導体チップ２の裏面と接していても、また接していなくてもよいが、接していた方が放熱性の観点から好ましい。
【００５７】
また、本発明では、応用として、レーザー捺印工程（ステップＳ４）がＨ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）の前に実施される場合、レーザー捺印工程（ステップＳ４）において、放熱板５の第１方向Ｘ、第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａのうちの一部又は全部がレーザーにより切削されるレーザープリスクライブ工程を追加してもよい。レーザープリスクライブ工程ではレーザーを使用するので、それを実施する時間は短いものではないが、最終の切断方向へのバリの発生を抑制することができる。
【００５８】
また、本発明では、応用として、レーザー捺印工程（ステップＳ４）がＨ／Ｓｐ切断工程（ステップＳ５）の後に実施される場合、レーザー捺印工程（ステップＳ４）において、放熱板５の第１方向Ｘ、第２方向Ｙの放熱板切断ライン５ａのうちの一部又は全部がレーザーにより切削されるレーザーバリ取り工程を追加してもよい。レーザーバリ取り工程ではレーザーを使用するので、それを実施する時間は短いものではないが、最終の切断方向へのバリの発生を抑制することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１    配線基板、
１ａ    配線基板切断ライン、
１ｂ    有効領域、
１ｃ    中心、
２    半導体チップ、
３    ワイヤ、
４    封止樹脂、
５    放熱板、
５ａ    放熱板切断ライン、
５ｂ    有効領域、
５ｃ    中心、
６    第１ブレード、
８    ボール状電極群、
９    第２ブレード、
ＳＬ    設定距離、
Ｘ    第１方向、
Ｙ    第２方向、
Ｚ    第３方向
【図１】
2011187659.tif 000003
【図２】
2011187659.tif 000004
【図３Ａ】
2011187659.tif 000005
【図３Ｂ】
2011187659.tif 000006
【図３Ｃ】
2011187659.tif 000007
【図３Ｄ】
2011187659.tif 000008
【図３Ｅ】
2011187659.tif 000009
【図３Ｆ】
2011187659.tif 000010
【図３Ｇ】
2011187659.tif 000011
【図３Ｈ】
2011187659.tif 000012
【図３Ｉ】
2011187659.tif 000013
【図３Ｊ】
2011187659.tif 000014
【図３Ｋ】
2011187659.tif 000015
【図４Ａ】
2011187659.tif 000016
【図４Ｂ】
2011187659.tif 000017
【図４Ｃ】
2011187659.tif 000018
【図４Ｄ】
2011187659.tif 000019
【図４Ｅ】
2011187659.tif 000020
【図４Ｆ】
2011187659.tif 000021