(57)【要約】【課題】電子部品が搭載された基板の反りを回避又は抑制させることができ、これにより製品の信頼性を向上させることが可能な電子部品内蔵基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】電子部品内蔵基板２は、電子部品５の一側に設けられた第１の樹脂又は樹脂組成物からなる絶縁層２１，３１の一方と、電子部品５の他側に設けられた第２の樹脂又は樹脂組成物からなる絶縁層２１，３１の他方と、電子部品５が内蔵された層と同層に設けられたコア部材６と、絶縁層２１に設けられており且つコア部材に接続された少なくとも１つ以上のビア導体２５と、絶縁層３１に設けられており且つコア部材６に接続された少なくとも１つ以上のビア導体３５とを備えており、絶縁層２１，３１のそれぞれに形成されたビア導体２５，３５の数が、互いに異なるように形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が内蔵された電子部品内蔵基板であって、
前記電子部品の一側に設けられた第１の樹脂又は樹脂組成物からなる第１絶縁層と、
前記電子部品の他側に設けられた第２の樹脂又は樹脂組成物からなる第２絶縁層と、
前記電子部品が内蔵された層と同層に設けられたコア部材と、
前記第１絶縁層に設けられており且つ前記コア部材に接続された少なくとも１つ以上のビア導体と、
前記第２絶縁層に設けられており且つ前記コア部材に接続された少なくとも１つ以上のビア導体と、
を備えており、
前記第１絶縁層に形成された前記ビア導体の数と、前記第２絶縁層に設けられた前記ビア導体の数が、互いに異なる、
電子部品内蔵基板。
【請求項２】
前記コア部材は、前記第１絶縁層に設けられた前記ビア導体、及び／又は、前記第２絶縁層に設けられた前記ビア導体を介して、前記電子部品の一側及び／又は他側に設けられた配線層に接続されている、
請求項１記載の電子部品内蔵基板。
【請求項３】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層のうち厚さが薄い方に設けられた前記ビア導体の数が、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層のうち厚さが厚い方に設けられた前記ビア導体の数よりも多い、
請求項１又は２記載の電子部品内蔵基板。
【請求項４】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層のうち線膨張係数又は熱膨張係数が低い方に設けられた前記ビア導体の数が、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層のうち線膨張係数又は熱膨張係数が高い方に設けられた前記ビア導体の数よりも多い、
請求項１乃至３いずれか１項記載の電子部品内蔵基板。
【請求項５】
前記配線層は、該配線層の少なくとも一部が当該電子部品内蔵基板の面方向における前記コア部材の実装領域よりも外側に延設されている、
請求項２乃至４いずれか１項記載の電子部品内蔵基板。
【請求項６】
前記電子部品は、前記コア部材に接続された前記ビア導体を介して前記コア部材と接続されている、
請求項１乃至５いずれか１項記載の電子部品内蔵基板。
【請求項７】
電子部品が内蔵された電子部品内蔵基板を製造する方法であって、
前記電子部品の一側に第１の樹脂又は樹脂組成物からなる第１絶縁層を設ける工程、
前記電子部品の他側に第２の樹脂又は樹脂組成物からなる第２絶縁層を設ける工程、
前記電子部品が内蔵された層と同層にコア部材を設ける工程、
前記第１絶縁層に、前記コア部材に接続された少なくとも１つ以上のビア導体を設ける工程、及び、
前記第２絶縁層に、前記コア部材に接続された少なくとも１つ以上のビア導体を設ける工程、
を有しており、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層に前記ビア導体を設ける工程においては、前記第１絶縁層に設ける前記ビア導体の数と、前記第２絶縁層に設ける前記ビア導体の数が、互いに異なるように、前記ビア導体を形成する、
電子部品内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の内部に電子部品が埋め込まれた（内蔵された）電子部品内蔵基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント配線基板の高密度実装構造として、配線パターンが形成された導体層と絶縁層とを複数積層した多層構造を用いるとともに、そのプリント配線基板の内部にＩＣ（ベアチップ、ダイ）やＬＳＩ等の能動部品や抵抗、キャパシタ等の受動部品といった電子部品を内蔵させた電子部品内蔵基板が知られている。
【０００３】
かかる電子部品内蔵基板に対しては、近時のエレクトロニクス技術の進歩に伴い、更なる薄層化や高密度化が求められており、そのために基板の剛性や放熱性の向上に対する要求も更に高っている。そのような高い剛性や放熱性を有する電子部品内蔵基板を得るために、例えば、特許文献１に記載された多層基板のように、基板内に内蔵された電子部品の近隣に、補強材として金属製のコア部材を配置させるものが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３１１２４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記従来の積層構造を有する電子部品内蔵基板は、例えば、適宜の支持基板上に、導体層としての配線パターン等をサブトラクティブ法やアディティブ法等によって形成（パターニング）し、その上に絶縁層として適宜の樹脂（下地樹脂）層を設けて電子部品を載置し、それを絶縁層として適宜の樹脂（封入樹脂）層で覆い、更にその上に導体層を形成する、言わば、導体層と絶縁層を交互にビルドアップすることにより作製することができる。この場合、支持基板を後に取り除くようにしてもよいが、製造プロセスを簡略化して製造工数を低減する観点から、そのような特別な支持基板を用いずに、電子部品が載置される絶縁層（下地樹脂層）そのものを支持体として用いることも可能である。
【０００６】
このように、積層構造を有する電子部品内蔵基板を製造する際には、通常、電子部品を挟むように、その上下（両面側）に絶縁層が形成される傾向にあり、それらの絶縁層としては、異なる材質のものを用いたり、同一の材質でも厚さが異なったりする場合があり得る。
【０００７】
すなわち、例えば、上述の如く、電子部品が載置される絶縁層たる下地樹脂層を支持体として用いる場合や、電子部品内蔵基板の薄層化を追求するには、電子部品下に用いられるその絶縁層としては、薄くても、電子部品の実装が安定する比較的硬くて頑強な機械強度に優れる樹脂を用いるとともに、電子部品を封入する絶縁層たる封入樹脂層としては、比較的軟らかい流動性に優れる樹脂を用いることが想定される。
【０００８】
また、電子部品が載置される絶縁層たる下地樹脂層において、電子部品の実装密着性向上の観点からは、比較的柔らかい、低温でも弾性の低い材料を選択的に用い、電子部品を封入する絶縁層たる封入樹脂層としては、封入する際に、電子部品との熱収縮量差から生じる電子部品と樹脂界面に発生する応力を低減することを目的に、フィラー含有量の多い低熱膨張材を用いることも想定される。
【０００９】
また、例えば、電子部品の上層側に形成される配線パターンの構造に因っては、或いは、電子部品の封止をより確実ならしめる場合には、電子部品が載置される絶縁層たる下地樹脂層の厚さよりも、電子部品を封入する絶縁層たる封入樹脂層の厚さが大きくなることも考えられる。
【００１０】
しかし、本発明者が鋭意研究を行った結果、下地樹脂層と封入樹脂層とで、このように材質や厚さが異なると、上記従来の如く電子部品と同層に補強材として金属製のコア部材を配置させたとしても、製造される半導体内蔵基板に凹状の反りが不可避的に生じてしまう可能性が高いことが判明した。つまり、電子部品内蔵基板を製造する際には、通常、樹脂層に対する加熱・加圧処理等が施され、また完成した電子部品内蔵基板は、後工程にて基板上への部品搭載や、基板自体のマザーボードへの搭載などのリフロー工程が必須であり、これらの工程においては、下地樹脂層と封入樹脂層の材質が異なると、両者の厚さがたとえ同じであったとしても、線膨張係数又は熱膨張係数が異なることに起因して、熱処理後の冷却時の面方向における収縮長さに差異が生じてしまい、電子部品内蔵基板の端部が、線膨張係数又は熱膨張係数が比較的大きい樹脂層側に曲がって近接するように凹んでしまう反りが生じ得る。
【００１１】
一方、下地樹脂層と封入樹脂層の厚さが異なると、両者の材質が同じであったり、材質が異なっていても線膨張係数又は熱膨張係数が同等であったりしても、熱処理後の冷却時における全体の収縮量が厚さによって異なってしまうので、この場合にも、面方向における収縮長さに差異が生じてしまう。すなわち、比較的厚くて体積が大きい樹脂層の方が、全体の収縮量が多くなり、結果として、電子部品内蔵基板の面方向における収縮長さが大きくなるので、電子部品内蔵基板は、その比較的厚い樹脂層側が凹むように反ってしまう。
【００１２】
また、それらの条件が重なる場合、すなわち、下地樹脂層と封入樹脂層の材質や線膨張係数又は熱膨張係数が異なり、且つ、両者の厚さが異なる場合には、そのような電子部品内蔵基板に生じ得る反りの程度は一層顕著になってしまう構成が想起される。そして、電子部品内蔵基板の薄型化及び高密度実装を進める上では、構造上、このような基板の反りが顕著となる傾向にある（例えば、上述したように、下地樹脂層に硬い薄い層を用い、且つ、比較的軟らかい封入樹脂層側を多層にして下地樹脂層よりも厚く形成する場合や、下地樹脂層を柔らかい厚い樹脂にして実装密着性を上げて、且つ、硬くて熱膨張の少ない封入樹脂層を用いて形成する場合等が挙げられる。）。
【００１３】
そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、電子部品が搭載された基板の反りを回避又は抑制させることができ、これにより、製品の信頼性を向上させることが可能な電子部品内蔵基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明による電子部品内蔵基板は、電子部品が内蔵されたものであって、電子部品の一側に設けられた第１の樹脂又は樹脂組成物からなる第１絶縁層と、電子部品の他側に設けられた第２の樹脂又は樹脂組成物からなる第２絶縁層と、電子部品が内蔵された層と同層に設けられたコア部材と、第１絶縁層に設けられており且つコア部材に接続された少なくとも１以上のビア導体と、第２絶縁層に設けられており且つコア部材に接続された少なくとも１以上のビア導体とを備えており、第１絶縁層に形成されたビア導体の数と、第２絶縁層に設けられたビア導体の数が、互いに異なるものである。
【００１５】
また、電子部品が平板状であって、一方面側及び他方面側が所定の視認方向において、例えば上下（天地）の関係にある場合、本発明による電子部品内蔵基板は、電子部品の上側及び下側のいずれか一方側に、第１絶縁層及び第２絶縁層のいずれか一方が形成されており、電子部品の上側及び下側の他方側に、第１絶縁層及び第２絶縁層の他方が形成されており、電子部品が内蔵された層と同層には、コア部材が設けられており、電子部品及びコア部材を挟んで電子部品内蔵基板の厚さ方向における上側及び下側（すなわち、第１絶縁層及び第２絶縁層）に、コア部材に接続されたビア導体が各々形成されており、電子部品及びコア部材の上側に形成されたビア導体の数と、電子部品及びコア部材の下側に形成されたビア導体の数とが、互いに異なるように形成されるものと表現することもできる。
【００１６】
なお、本明細書において、「電子部品内蔵基板」とは、電子部品が内蔵された単位基板である個別基板（個片、個品）のみではなく、その個別基板を複数有する集合基板（ワークボード、ワークシート）を含む概念であり、その「電子部品」とは、その種類は特に制限されず、例えば、通常の電子機器に用いられるＩＣチップ等の半導体装置といった能動部品、より具体的には、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＤＳＰ（Digital Signal Processor）のように動作周波数が非常に高いデジタルＩＣ、又は、高周波増幅器やアンテナスイッチ、高周波発振回路といったアナログＩＣ等や、受動部品が挙げられる。また、「コア部材」とは、電子部品内蔵基板の機械強度を向上させる構造体を意味し、単一の部材であっても、複数の部材からなるものであってもよい。
【００１７】
また、電子部品及びコア部材は、第１絶縁層及び第２絶縁層のいずれか一方の内部に配置されていてもよく（この場合、第１絶縁層及び第２絶縁層は、上述した「下地樹脂層」と「封入樹脂層」に相当する。）、又は、電子部品の一部及び／又はコア部材の一部が第１絶縁層及び第２絶縁層のいずれか一方の内部に配置され、且つ、電子部品及び／又はコア部材の残部が第１絶縁層及び第２絶縁層の他方の内部に配置されていてもよく、さらには、電子部品及びコア部材が、第１絶縁層と第２絶縁層との間（例えば、第１絶縁層と第２絶縁層との間に設けられた別の絶縁層の内部）に配置されていてもよい。さらに、電子部品とコア部材とが同層に設けられるとは、それらの部材が載置される（下地となる）層が共通している場合の他、電子部品内蔵基板における厚さ方向において、電子部品とコア部材の高さ位置（レベル）が完全に同一でなくてもよい。この場合、電子部品及びコア部材が、例えば、第１絶縁層及び第２絶縁層のいずれか一方の内部に封入されている限りにおいては、電子部品とコア部材の高さ位置が全く異なっていてもよい。
【００１８】
このように、電子部品の一側（コア部材の一側でもある）に設けられた第１絶縁層が第１の樹脂又は樹脂組成物で形成されており、また、電子部品の他側（コア部材の一側でもある）に設けられた第２絶縁層が第２の樹脂又は樹脂組成物で形成されているので、製造時の加熱・加圧処理等や表面部品搭載時などのリフロー工程などの熱印加工程が実施されると、第１絶縁層及び第２の絶縁層ともに熱膨張し、冷却時には収縮する。よって、先述した如く、電子部品内蔵基板の面方向（第１絶縁層と第２絶縁層の延在方向）における第１絶縁層の収縮長さ（面方向における収縮量）と第２絶縁層の収縮長さが異なる場合、従来の構成では、その収縮長さが大きい絶縁層側が凹むように、基板全体に反りが生じてしまう。換言すれば、第１絶縁層及び第２絶縁層に熱応力が印加され、その応力を開放するために形状歪みを生じ、第１絶縁層及び第２絶縁層のそれぞれの歪みによる形状変化（収縮長さ）に差異があると、基板全体に不可避的に反りが生起されてしまう。
【００１９】
これに対し、本発明の電子部品内蔵基板の構成においては、第１絶縁層及び第２絶縁層のそれぞれに、少なくとも１つ以上のビア導体が、例えば、第１絶縁層及び第２絶縁層の少なくとも一部を貫通するように形成されているので、ビア導体が言わば楔（くさび）又はアンカーとして機能することにより、第１絶縁層及び第２絶縁層の収縮による形状歪みが抑制（規制）される。すなわち、ビア導体が楔となることにより、第１絶縁層及び第２絶縁層に印加される熱応力に対抗する言わば何らかの抗力がそれらの絶縁層に作用して収縮が抑えられる。
【００２０】
しかも、本発明の電子部品内蔵基板は、単にビア導体が形成されているだけではなく、第１絶縁層に設けられたビア導体の数と、第２絶縁層に設けられたビア導体の数が、互いに異なるように形成されている。この場合、第１絶縁層及び第２絶縁層のうち、面方向における収縮長さが大きい方の絶縁層に楔としてのビア導体を多く設けるのではなく、逆に、面方向における収縮長さが小さい方の絶縁層に設けられたビア導体の数をより多くすることにより、第１絶縁層及び第２絶縁層の収縮の程度の差異に起因して生じる電子部品内蔵基板の反りが抑制され得る。ただし、作用はこれらに限定されない。
【００２１】
すなわち、例えば、第１絶縁層の面方向における収縮長さが、第２絶縁層の面方向における収縮長さよりも小さい場合、第１絶縁層側が凹むような基板の反りが生じ易い傾向にあるが、第２絶縁層に設けられたビア導体の数をより多くすることにより、第１絶縁層の剛性（機械強度）がより増大されることから、電子部品内蔵基板には、第１絶縁層が凹むような熱応力の開放を妨げるように、第２の絶縁層が第１の絶縁層を引っ張る言わば引張応力が作用する（ただし、作用はこれに限定されない。）。
【００２２】
よって、本発明による電子部品内蔵基板の構成によれば、上記従来の構成で生じ得たような基板の反り（形状変化、変形）の発生が、効果的に回避又は抑制される。したがって、搬送や裁断（切断）、ビルドアップ、表面実装等の製造加工時のハンドリングを正確且つ簡便に行なうことができ、これにより、製造加工時の不具合の発生が抑制され、その結果、実装信頼性が向上されるとともに、製品歩留まりが向上されて生産性を高めることができる。
【００２３】
また、コア部材は、第１絶縁層に設けられたコア部材、及び／又は、第２絶縁層に設けられたビア導体を介して、電子部品の一側及び／又は他側に設けられた配線層に接続されていることが好ましい。
【００２４】
かかる構成においては、コア部材に接続されたビア導体が配線層に接続されており、その配線層が、例えば、いわゆるパッドやランドを介したグランドパターンのような、電子部品内蔵基板の面内においてある程度の有効面積（実装領域）を有するように形成されたものであれば、ビア導体自体がその配線層に固定されることにより、ビア導体の楔やアンカーとしての機能が増強され、第１絶縁層及び第２絶縁層の熱応力による収縮（熱収縮）が、配線層の実装領域全体に亘って抑制され易くなる。換言すれば、第１絶縁層及び第２絶縁層の熱収縮に対するビア導体の抗力が増大され、電子部品内蔵基板全体の剛性が高められる。また、ビア導体の楔やアンカーとしての機能が更に強化されるので、上述した基板の形状変化を抑制する引張応力も増大され得る。それらの結果、基板の反りの発生を更に抑制することができる。ただし、作用機序はこれらに限定されない。
【００２５】
また、かかる効果を更に高める観点から、ビア導体に接続された配線層を、電子部品内蔵基板の面方向におけるコア部材の実装領域よりも外側に延設すると更に好適である。
【００２６】
ここで、先に述べたとおり、本発明者の知見によれば、従来の下地樹脂層と封入樹脂層のように積層された複数の絶縁層の材質や厚さが互いに異なると、熱膨張後の面方向における各絶縁層の収縮長さに差異が生じることに起因して、基板の反りが生じ得る。
【００２７】
そこで、第１絶縁層及び第２絶縁層のうち厚さが薄い方に設けられたビア導体の数が、第１絶縁層及び第２絶縁層のうち厚さが厚い方に設けられたビア導体の数よりも多くなるように形成されていることが好ましい。
【００２８】
このように第１絶縁層及び第２絶縁層の厚さが異なると、それらの材質（全体的な組成）が同じであったり、或いは、それらの材質が異なったりしていても、それぞれの線膨張係数又は熱膨張係数（樹脂組成物として樹脂以外のフィラー等が多く含まれている場合、その絶縁層全体としての熱膨張率）が同等である場合、基板は、厚さが厚い絶縁層側へ引っ張られ、基板の反りが発生する傾向にある。すなわち、第１絶縁層及び第２絶縁層の線膨張係数又は熱膨張係数が同等であっても、厚さが厚い方の絶縁層における熱膨張後の収縮体積（熱収縮体積）が、より大きいので、電子部品内蔵基板の面方向における収縮長さが比較的大きくなってしまう。これに対し、上述の如く、厚さが薄い方の絶縁層に設けられたビア導体の数が、厚さが厚い方に設けられたビア導体の数よりも多くなるようにすれば、厚さが厚い絶縁層側へ凹むような熱収縮を阻害するように、厚さが薄い方の絶縁層が、厚さが厚い絶縁層を引っ張るように作用する引張応力が生じるので、基板の反りといった形状変化を有効に抑制することができる。
【００２９】
或いは、同じ理由により、第１絶縁層及び第２絶縁層のうち線膨張係数又は熱膨張係数が低い（小さい）方に設けられたビア導体の数が、第１絶縁層及び第２絶縁層のうち線膨張係数又は熱膨張係数が高い（大きい）方に設けられたビア導体の数よりも多くなるように形成されていても好適である。
【００３０】
さらに、電子部品を、コア部材に接続されたビア導体を介してコア部材と接続する構成とすることがより好ましい。
【００３１】
このように構成すれば、電子部品、ビア導体、及びコア部材が一体に連結された言わばネットワークが形成されることにより、基板の形状変化を引き起こし得る第１絶縁層及び第２絶縁層の収縮に対して、電子部品、ビア導体、及びコア部材全体で抗することにより、その第１絶縁層及び第２絶縁層の収縮をより効果的に押さえ込むことができる。すなわち、第１絶縁層及び第２絶縁層の熱収縮に対するビア導体の抗力が増大され、電子部品内蔵基板全体の剛性が一層高められる。また、ビア導体の楔やアンカーとしての機能が更に一層強化されるので、上述した基板の形状変化を抑制する引張応力も更に増大され得る。したがって、基板の反りの発生を更に一層抑制することができる。ただし、作用機序はこれらに限定されない。なお、この場合、上述した如く、ビア導体が配線層に接続されていれば、より一層効果的に、基板の反りを抑止することができるので、殊に好適である。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の電子部品内蔵基板によれば、電子部品を挟むように設けられた第１絶縁層及び第２絶縁層に形成されたビア導体の数が異なるので、ビア導体の楔又はアンカー効果による抗力により、第１絶縁層及び第２絶縁層の熱収縮が抑制され、さらに、第１絶縁層及び第２絶縁層のうち、電子部品内蔵基板の面方向における収縮長さが小さい方の絶縁層に設けるビア導体の数を、他方の収縮長さが大きい方の絶縁層に設けるビア導体の数よりも多く構成すれば、収縮長さが大きい方の絶縁層側に凹むような形状変形を妨げる方向に基板を引っ張る引張応力を生ぜしめることができるので、基板の反りを回避又は抑制することができ、その結果、製品の信頼性及び生産性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１実施形態による電子部品内蔵モジュール１の構造を概略的に示す断面図である。
【図２】電子部品内蔵基板２を製造する手順の一例を示す工程図である。
【図３】電子部品内蔵基板２を製造する手順の一例を示す工程図である。
【図４】電子部品内蔵基板２を製造する手順の一例を示す工程図である。
【図５】電子部品内蔵基板２を製造する手順の一例を示す工程図である。
【図６】電子部品内蔵基板２を製造する手順の一例を示す工程図である。
【図７】電子部品内蔵基板２を製造する手順の一例を示す工程図である。
【図８】電子部品内蔵基板２を製造する手順の一例を示す工程図である。
【図９】電子部品内蔵基板２を製造する手順の一例を示す工程図である。
【図１０】電子部品内蔵基板２を製造する手順の一例を示す工程図である。
【図１１】電子部品内蔵基板２を製造する手順の一例を示す工程図である。
【図１２】電子部品内蔵基板２における要部の説明図である。
【図１３】電子部品内蔵基板２における要部の説明図である。
【図１４】電子部品内蔵基板２における要部の説明図である。
【図１５】電子部品内蔵基板２Ｂにおける配線層２２’の配置を、基板２の最下層側から平面視した状態で概略的に示した平面図である。
【図１６】電子部品内蔵基板２Ｃの要部を概略的に示す断面図である。
【図１７】電子部品内蔵基板２Ｃの要部を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。
【００３５】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態による電子部品内蔵モジュール１の構造を概略的に示す断面図である。電子部品内蔵モジュール１は、電子部品５及びコア部材６が内蔵されている電子部品内蔵基板２と、電子部品内蔵基板２上に電子部品８とを有する。電子部品内蔵基板２に内蔵される電子部品５は、例えば、ＩＣチップ等の能動部品で構成される電子部品であり、電子部品内蔵基板２上に載置される電子部品８は、例えば、コンデンサ（キャパシタ）、インダクタ、サーミスタ、抵抗等の受動部品で構成される電子部品である。
【００３６】
より具体的には、電子部品５は、例えば、ベアチップ状態の半導体ＩＣ（ダイ）であり、略矩形板状をなす主面５１に多数のランド電極５２（内部電極やバンプ等であってもよい）を有しており、このランド電極５２が、電子部品内蔵基板２の最下層側に向けて配置された、いわゆるフェイスダウンの形態で電子部品内蔵基板２の内部の所定位置に埋設されている。
【００３７】
また、コア部材６は、例えば、その外形が、電子部品５の外形と略相似の略矩形状をなす適宜の金属材料（合金や複合材料を含む）で形成されており、電子部品５の高さと略同程度の高さを有している。このコア部材６を構成する金属材料としては、熱膨張による応力の印加を抑制する観点から、線熱膨張係数が３〜２０（ｐｐｍ／Ｋ）であることが好ましい。かかるコア部材６のより具体的な例としては、ＳＵＳ４００（１１ｐｐｍ／Ｋ）、ＳＵＳ４１０（１１ｐｐｍ／Ｋ）、ＳＵＳ４３０（１０．５ｐｐｍ／Ｋ）、ＳＵＳ６３０（１１ｐｐｍ／Ｋ）、ＳＵＳ６３１（１０ｐｐｍ／Ｋ）、ＳＵＳ３１６(１６ｐｐｍ／Ｋ)、ＳＵＳ３０４（１８ｐｐｍ／Ｋ）、４２アロイ（４．５ｐｐｍ／Ｋ）、インコネル（１４ｐｐｍ／Ｋ）、ニッケル（１２．５ｐｐｍ／Ｋ）、ニッケルクロムモリブデン鋼（１１ｐｐｍ／Ｋ）、鉄（１１ｐｐｍ／Ｋ）、鋳鉄（１０ｐｐｍ／Ｋ）、チタン（９ｐｐｍ／Ｋ）、銅（１８ｐｐｍ／Ｋ）等が挙げられる。
【００３８】
さらに、電子部品８の接合端部８１が電子部品内蔵基板２と接続されることにより、電子部品内蔵モジュール１が構成される。また、電子部品内蔵基板２の最下層には出力端子９（例えば、ＢＧＡ：Ball Grid Array）が設けられており、この出力端子９は、例えば、いわゆるユーザー端子として用いられるものであり、外部素子等と電気的に接続されることにより、電子部品内蔵モジュール１が他の部材、機器、デバイス、装置、システム等に実装される。
【００３９】
またさらに、電子部品内蔵基板２には、その下層から、配線層１２，２２，３２，４２と絶縁層１１，２１，３１，４１とが、交互に積層されるように順次配設されている。上述した電子部品５は、これらの絶縁層のうち、絶縁層２１（第１絶縁層及び第２絶縁層のうちの一方）上に載置され、且つ、絶縁層３１（第１絶縁層及び第２絶縁層のうちの他方）の内部の所定位置に埋設されるように配置されているとともに、その電子部品５の周囲を取り囲むように、任意の形状を有する上述したコア部材６，６が、電子部品５と同層（つまり、絶縁層２１上で且つ絶縁層３１の内部）に配設されている。
【００４０】
また、電子部品内蔵基板２の絶縁層２１，３１には、それらを貫通するスルーホール部７，７が穿設されており、各スルーホール部７の内壁周面には、配線層２２，３２間を電気的に接続する導体がめっき等により形成されており、各スルーホール部７の内部は、絶縁層４１と同種の部材で（絶縁層４１と一体に）充填されている。さらに、配線層１２，２２は、それぞれ、絶縁層１１，２１を貫通するビア１５、及びビア２５，２６（いずれも第１絶縁層及び第２絶縁層のうちの一方に設けられたビア導体）を介して電子部品５と電気的に接続される一方、配線層３２，４２が、絶縁層３１，４１を貫通するビア３５，３６，４５（いずれも第１絶縁層及び第２絶縁層のうちの他方に設けられたビア導体）を介して接続対象である電子部品８，８と電気的に接続されている。
【００４１】
ここで、配線層１２，２２，３２，４２の材質としては、特に制限されず、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、ステンレス鋼（ＳＵＳ材）等の金属導電材料が挙げられ、これらのなかでは、導電率やコストの観点から銅（Ｃｕ）等が好ましい。
【００４２】
また、絶縁層１１，２１，３１，４１に用いる樹脂母材料としては、シート状又はフィルム状に成型可能なものであれば特に制限されず使用可能であり、具体的には、例えば、ビニルベンジル樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴレジン）、ポリフェニレンエーテル（ポリフェニレンオキサイド）樹脂（ＰＰＥ，ＰＰＯ）、シアネートエステル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ＋活性エステル硬化樹脂、ポリオレフィン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、（芳香族）ポリエステル樹脂、（芳香族）液晶ポリエステル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、若しくは、アクリルゴム、エチレンアクリルゴム等のゴム材料やゴム成分を一部に含むような樹脂、又は、これらの樹脂に、ガラス繊維、アラミド繊維等の樹脂繊維等を配合した材料、或いは、これらの樹脂をガラスクロス、アラミド繊維、不織布等に含浸させた材料等が挙げられ、これらは、単独で又は複数組み合わせて使用することができ、電気特性、機械特性、吸水性、リフロー耐性等の観点から、適宜選択して用いることができる。
【００４３】
また、これらの樹脂に、適宜のフィラーを添加剤として加えてもよい。かかるフィラーとしては、特に制限されないが、例えば、シリカ、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸アルミウイスカ、チタン酸カリウム繊維、アルミナ、ガラスフレーク、ガラス繊維、窒化タンタル、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、又は、マグネシウム、ケイ素、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、錫、ネオジウム、サマリウム、アルミニウム、ビスマス、鉛、ランタン、リチウム及びタンタルのうち少なくとも１種の金属を含む金属酸化物粉末等が挙げられ、樹脂母材料と同様、これらも、単独で又は複数組み合わせて使用することができ、また、電気特性、機械特性、吸水性、リフロー耐性等の観点から、適宜選択して用いることができる。さらに、これらの樹脂に、安定化剤等の適宜の他の添加剤を加えても構わない。
【００４４】
ここで、本実施形態では、絶縁層２１，３１として、電子部品内蔵モジュール１又は電子部品内蔵基板２の製造時に熱処理（埋め込み又は積層する樹脂材料の硬化やめっき後のアニールなどの）工程を実施したときに、電子部品内蔵基板２の面方向（図示水平方向）における絶縁層２１の収縮長さが、同絶縁層３１の収縮長さよりも短い（小さい）もの、逆言すれば、電子部品内蔵基板２の面方向における絶縁層３１の収縮長さが、同絶縁層２１の収縮長さよりも長い（大きい）ものを例示できる。
【００４５】
より具体的には、絶縁層２１の線膨張係数又は熱膨張係数（収縮率）が、絶縁層３１全体の熱膨張係数（収縮率）よりも低い（小さい）構成、逆言すれば、絶縁層３１の線膨張係数又は熱膨張係数（収縮率）が、絶縁層２１の熱膨張係数（収縮率）よりも高い（大きい）構成を挙げることができる。なお、絶縁層２１，３１の線膨張係数及び熱膨張係数は、それらの樹脂母材料の種類や、それらの樹脂母材料に含まれる上述したフィラー等の添加剤の含有量又は含有割合によって、適宜調整することができる。
【００４６】
例えば、絶縁層２１が、樹脂母材料に無機フィラーを含む樹脂組成物であって、その樹脂母材料の熱膨張係数が５〜２５（ｐｐｍ／Ｋ）であり、且つ、その樹脂母材料に対する無機フィラーの含有割合が７０〜８０ｗｔ％であるものが挙げられる。一方、絶縁層３１も樹脂母材料に無機フィラーを含む樹脂組成物であって、樹脂母材料の熱膨張係数が１５〜  ５０（ｐｐｍ／Ｋ）であり、且つ、樹脂母材料に対する無機フィラーの含有割合が４０〜７５ｗｔ％であるものが挙げられる。
【００４７】
或いは、絶縁層２１，３１の線膨張係数又は熱膨張係数が同等又は略同等であっても、後述する絶縁層２１の厚さ（高さ）ｔ２が絶縁層３１の厚さ（高さ）ｔ３より薄い（小さい；ｔ２＜ｔ３）構成、逆言すれば、絶縁層３１の厚さ（高さ）ｔ３が絶縁層２１の厚さ（高さ）ｔ２より厚い（大きい；ｔ３＞ｔ２）構成が挙げられる。
【００４８】
また、電子部品内蔵基板２に内蔵される電子部品５としては、例えば、ＩＣチップ等の能動部品又はそれを含む電子部品が挙げられ、電子部品内蔵基板２上に載置される電子部品８としては、例えば、コンデンサ（キャパシタ）、インダクタ、サーミスタ、抵抗等の受動部品又はそれを含む電子部品が挙げられる。
【００４９】
次に、図２乃至図１１を参照しながら、上記電子部品内蔵基板２を製造する製造手順の一例について説明する。
【００５０】
まず、任意の形状に形成されたコア部材６を準備する（図２）。次に、電子部品内蔵基板２の最下層側の面に銅箔（配線層２２）が貼付、塗布、蒸着等によって形成された樹脂シート（絶縁層２１）上にコア部材６を接着する（図３）。それから、又は、同時に、樹脂シート（絶縁層２１）上に電子部品５をいわゆるフェイスダウンの形態で接着する（図４）。なお、かかる銅箔付きの樹脂シートとしては、片面ＣＣＬ（Copper Clad Laminate）構造を有するものが挙げられ、金属としては、例えば、上述した配線層１２，２２，３２，４２に用いるものを使用でき、また、樹脂としては、例えば、上述した絶縁層１１，２１，３１，４１に用いるものを使用できる。この場合、予めＣＣＬ構造が形成された樹脂シートを用いてもよく、或いは、予めＣＣＬ構造が形成されていない未硬化又は半硬化状態の樹脂シートを用い、その樹脂シート上に電子部品５及びコア部材６を載置した後、硬化させることにより、それらを樹脂シート（絶縁層２１）上に固定させてもよい。
【００５１】
次いで、電子部品５及びコア部材６が絶縁層２１上に接着固定された状態で、それらの電子部品５及びコア部材６を未硬化又は半硬化の樹脂（絶縁層３１）で封入し、その絶縁層３１上に配線層３２を積層した後、熱プレス等により押圧することにより、絶縁層３１の硬化と同時に、絶縁層２１，３１、配線層３２、電子部品５、及び、コア部材６を互いに密着させる（図５）。
【００５２】
それから、絶縁層２１及び絶縁層３１のそれぞれを貫通するように、レーザ処理、ブラスト処理、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）処理等により、配線層２２及び電子部品５のランド電極５２間、配線層２２及びコア部材６間、配線層３２及びコア部材６間に、ビアホール２５’，２６’，３５’，３６’を形成するとともに、配線層２２，３２間に、レーザ処理、ブラスト処理、ディープ反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）処理等によりにより、スルーホール７’を形成する（図６）。
【００５３】
その後、形成されたビアホール２５’，２６’，３５’，３６’及びスルーホール７’にめっき等を施して、ビア２５，２６，３５，３６及びスルーホール部７の内壁周面の導体を形成し（図７）、さらに、配線層２２の前駆体（膜）である銅箔、及び、配線層３２の前駆体（膜）である金属箔をエッチング等によりパターニングして配線パターン（配線層２２，３２）を形成する（図８）。次いで、パターニングされた配線層２２，３２上に、絶縁層１１，４１、及び配線層１２，４２を順次配し、再び熱プレス等で押圧することにより、絶縁層１１，２１，３１，４１の硬化と同時に配線層１２，２２，３２，４２、絶縁層１１，２１，３１，４１、及び電子部品５間の密着や、配線層１２，２２，３２，４２、絶縁層１１，２１，３１，４１、及びコア部材６間の密着を行う（図９）。そして、絶縁層１１，４１のそれぞれを貫通するようにビアホールを形成し、さらに、めっき等を施してビア１５，４５を形成した後（図１０）、配線層１２，４２の前駆体（膜）である金属箔をエッチング等によりパターニングして配線パターン（配線層１２，４２）を形成し、電子部品内蔵基板２を得る（図１１）。
【００５４】
このようにして形成された電子部品内蔵基板２の最上面（最上層）に保護膜１０を塗布した後、半田付け等の処理を用い、接合端部８１を介して各受動部品８を載置して固定し、また、電子部品内蔵基板２の最下面（最下層）に保護膜１０を塗布した後、出力端子９を設け、全体として回路を構成することにより、電子部品内蔵モジュール１を得る（図１）。
【００５５】
このような構成を有する本実施形態の電子部品内蔵モジュール１では、先述したとおり、例えば、絶縁層３１の線膨張係数又は熱膨張係数が、絶縁層２１の線膨張係数又は熱膨張係数よりも高く、又は、絶縁層３１中に含有される無機フィラーＦ３量が、絶縁層２１中に含有される無機フィラーＦ２量よりも少ない場合、図１２において電子部品内蔵基板２における要部の状態（断面図）を示すように、ビルドアップ時の加熱・加圧処理に際して、絶縁層３１が絶縁層２１よりも収縮し（すなわち、絶縁層３１の面方向における収縮長さが、絶縁層２１の面方向における収縮長さよりも大きくなり）、電子部品内蔵基板２の反りが電子部品内蔵基板２の最下層側から最上層側に向かって凹状に発生することが判明した（図１２）。
【００５６】
また、絶縁層３１の線膨張係数又は熱膨張係数が、絶縁層２１の線膨張係数又は熱膨張係数と同等、又は、絶縁層３１中に含有される無機フィラーＦ３量が、絶縁層２１中に含有される無機フィラーＦ２量と同量であっても、絶縁層２１の厚さ（高さ）ｔ２が絶縁層３１の厚さ（高さ）ｔ３より薄い（小さい；ｔ２＜ｔ３）構成の場合には、絶縁層３１が絶縁層２１よりも収縮し（すなわち、絶縁層３１の面方向における収縮長さが、絶縁層２１の面方向における収縮長さよりも大きくなり）、電子部品内蔵基板２の反りが、その最下層側から最上層側に向かって凹状に発生することが判明した（図１３）。なお、図１３において、絶縁層２１の厚さ（高さ）ｔ２は、電子部品５の主面５１から配線層２２までの距離を示し、絶縁層３１の厚さ（高さ）ｔ３は、コア部材６の裏面から配線層３２までの距離を示す。
【００５７】
さらにまた、これらの条件が重なる場合、すなわち、絶縁層３１の線膨張係数又は熱膨張係数が、絶縁層２１の線膨張係数又は熱膨張係数よりも高く、又は、絶縁層３１中に含有される無機フィラーＦ３量が、絶縁層２１中に含有される無機フィラーＦ２量よりも少ない場合、且つ、絶縁層２１の厚さ（高さ）ｔ２が絶縁層３１の厚さ（高さ）ｔ３より薄い（小さい；ｔ２＜ｔ３）構成の場合には、電子部品内蔵基板２の反りが基板２の最下層側から最上層側に向かって、より顕著に凹状に発生することも判明した。
【００５８】
また、これらの実際の実施形態ではこれらの条件がさらに複雑に重なり合う場合も多く、例えば絶縁層３１の線膨張係数又は熱膨張係数が、絶縁層２１の線膨張係数又は熱膨張係数よりも高く、又は、絶縁層３１中に含有される無機フィラーＦ３量が、絶縁層２１中に含有される無機フィラーＦ２量よりも少ない場合、且つ絶縁層２１の厚さ（高さ）ｔ２が絶縁層３１の厚さ（高さ）ｔ３より厚い（大きい；ｔ２＞ｔ３）構成の場合など反り方向が一見してどちらの方向がわかりづらい場合もある。その場合、事前に、電子部品５が収容されていない平面状のコア部材の両面に、各絶縁層材料を目的の厚みとなるように形成して熱硬化し、冷却時の反り方向と、さらに熱処理した際の反りの発生方向を確認しておくことで、同じ構造における電子部品内蔵基板２の反り方向を把握することができる。
【００５９】
このような電子部品内蔵基板２の反りが凹状に発生することを回避するため、本実施形態においては、絶縁層２１，３１のそれぞれに、ビア２５，２６，３５，３６を形成する（図６及び図７）。形成されたビア２５，２６，３５，３６は、先述したとおり、楔又はアンカーとして機能する。しかも、絶縁層２１に設けられ、且つコア部材６に接続されるビア２５の数と、絶縁層３１に設けられ、且つコア部材６に接続されるビア３５の数とが、互いに異なるように形成する。このように、本実施形態における電子部品内蔵基板２は、絶縁層２１及び絶縁層３１のうち、絶縁層３１の面方向における収縮長さが、絶縁層２１に比して大きいため、面方向における収縮長さがより小さい絶縁層２１に設けられたビア２５の数が、絶縁層３１に設けられたビア３５の数より多くなるように形成されている（図１４）。
【００６０】
なお、図１４においては、絶縁層３１の線膨張係数又は熱膨張係数が、絶縁層２１の線膨張係数又は熱膨張係数よりも高く、又は、絶縁層３１中に含有される無機フィラーＦ３量が、絶縁層２１中に含有される無機フィラーＦ２量よりも少ない場合、且つ、絶縁層２１の厚さ（高さ）ｔ２が絶縁層３１の厚さ（高さ）ｔ３より薄い（小さい；ｔ２＜ｔ３）構成の場合における、電子部品内蔵基板２の状態を示す。
【００６１】
或いは、本実施形態においては、電子部品内蔵基板２内において、コア部材６に接続され且つ絶縁層２１の単位体積（単位面積、又は単位長）当たりに形成されるビア２５の密度が、コア部材６に接続され且つ絶縁層３１の単位体積（単位面積、又は単位長）当たりに形成されるビア３５の密度より高く（大きく）なるように、電子部品内蔵基板２を形成するようにしてもよい。
【００６２】
かかる構成例としては、例えば、絶縁層２１に形成されるビア２５と、絶縁層３１に形成されるビア３５との数が同数である場合であっても、絶縁層２１に形成されるビア２５の径（面積）が、絶縁層３１に形成されるビア３５の径（面積）より大きくなるように形成する構成が挙げられ、このようにしても、絶縁層２１が絶縁層３１を引っ張る引張応力が作用するので、電子部品内蔵基板２の反りを回避することができる。
【００６３】
さらに、コア部材６に接続され、且つ、絶縁層２１に形成されるビア２５は、配線層２２と接続され、この配線層２２が、電子部品内蔵基板２の面内においてある程度の有効面積を有するように形成されている。このように形成されたものであれば、ビア２５が配線層２２に固定されるので、ビア２５の楔やアンカーとしての機能がより一層強化される。
【００６４】
さらにまた、ビア２５が接続されている配線層２２は、電子部品５に接続され、且つ、絶縁層２１に形成されるビア２６にも接続されていることが好ましい。このようにすれば、配線層２２を介して、電子部品５、ビア２５，２６、及び、コア部材６が一体に連結されるため、絶縁層２１，３１のそれぞれの収縮をより一層押さえ込むことができる。
【００６５】
このように、絶縁層２１，３１のそれぞれに形成されたビア２５，２６，３５，３６は、楔又はアンカーとして機能することにより、絶縁層２１及び絶縁層３１に印加される熱応力に対抗する抗力がそれらの絶縁層２１，３１に作用し、それらの絶縁層２１，３１の収縮を抑えることができる。しかも、絶縁層２１に設けられ、且つコア部材６に接続されるビア２５の数と、絶縁層に設けられ、且つコア部材６に接続されるビア３５の数とが、互いに異なるように形成されるので、絶縁層２１及び絶縁層３１の収縮の差異に起因して生じる電子部品内蔵基板２の反りを有効に抑制することができる。
【００６６】
（第２実施形態）
図１５は、電子部品内蔵基板２Ｂにおける配線層２２’の配置を、電子部品内蔵基板２Ｂの下層側から平面視した状態で概略的に示した平面図である。第２実施形態による電子部品内蔵基板２Ｂは、配線層２２’の実装面積が第１実施形態の配線層２２と異なること以外は、上述した第１実施形態の電子部品内蔵モジュール１における電子部品内蔵基板２と同様に構成されたものである。
【００６７】
この第２実施形態における配線層２２’を形成する製造工程（断面視において図８と同様）において、配線層２２’は、配線層２２’の少なくとも一部が電子部品内蔵基板２Ｂの面方向におけるコア部材６の実装領域６０のそれぞれの端部６１，６２より外側に延設されている。
【００６８】
より具体的には、配線層２２’は、電子部品内蔵基板２Ｂの面方向に対して、コア部材６が実装される実装領域６０の端部６１から電子部品内蔵基板２Ｂの端部２４側まで延設されている。また、配線層２２’は、電子部品内蔵基板２Ｂの面方向に対して、コア部材６が実装される実装領域６０の端部６２から電子部品内蔵基板２Ｂの中央側に、より望ましくは電子部品５の実装領域５０と重なるように延設されている。
【００６９】
第１実施形態で説明したのと同様に、電子部品内蔵基板２Ｂの面方向における絶縁層３１の収縮長さが絶縁層２１の収縮長さより大きい場合には、従前の構成では、絶縁層側が凹むような電子部品内蔵基板２Ｂの反りが生じ得るが、本実施形態の配線層２２’のように、電子部品内蔵基板２Ｂの面方向におけるコア部材６の実装領域６０のそれぞれの端部６１，６２よりも外側に延設することにより、配線層２２’の実装領域全体に亘って、絶縁層２１及び絶縁層３１の熱収縮に対するビア２５，３５の抗力が増大され、その結果、電子部品内蔵基板２Ｂの反りの発生を更に有効に抑制することができる。
【００７０】
そして、発明者の知見によれば、配線層２２’が形成される実装領域は、コア部材６と接続されるビア２５の径（コア部材６と接続する側の径）の面積に対し、５倍以上の面積を有していると、電子部品内蔵基板２Ｂの反りの発生をより確実に抑制できることが確認された。
【００７１】
さらに、第１実施形態と同様、配線層２２’が、電子部品５に接続され、且つ、絶縁層２１に形成されるビア２６にも接続されていれば、配線層２２’を介して、電子部品５、ビア２５，２６、及び、コア部材６が一体に連結されるため、絶縁層２１及び絶縁層３１の収縮をより一層押さえ込むことができる。しかも、絶縁層２１に形成されているビア２５の数は、絶縁層３１に形成されているビア３５の数より多いので、絶縁層２１が絶縁層３１を引っ張る引張応力が配線層の実装領域全体に亘って作用する。
【００７２】
また、配線層２２’と同様に、絶縁層３１上に形成される配線層（図示せず）の少なくとも一部が、電子部品内蔵基板２Ｂの面方向におけるコア部材６の実装領域６０のそれぞれの端部６１，６２よりも外側に延設されていてもよい。絶縁層３１上に形成される配線層（図示せず）が、電子部品５に接続され、且つ、絶縁層３１に形成されるビア３６にも接続されていれば、絶縁層３１上に形成される配線層を介して、電子部品５、ビア３５，３６、及び、コア部材６が一体に連結されるため、絶縁層２１及び絶縁層３１の収縮を上下の配線層によって押さえ込むことができる。
【００７３】
このように、本実施形態によれば、第１実施形態の効果に加えて、配線層２２’が電子部品内蔵基板２Ｂの面方向におけるコア部材６の実装領域６０のそれぞれの端部６１，６２よりも外側に延設されているので、言わば、配線層２２’の実装領域全体に亘って引張応力を発生させることができ、これにより、基板２Ｂの反りの発生を更に抑制することができる。
【００７４】
（第３実施形態）
図１６及び図１７は、電子部品内蔵基板２Ｃの要部を概略的に示す断面図である。第３実施形態による電子部品内蔵基板２Ｃは、絶縁層２１’，３１’を構成する樹脂材料が異なること以外は、上述した第１実施形態の電子部品内蔵モジュール１と同様に構成されたものである。
【００７５】
この第３実施形態の電子部品内蔵基板２Ｃは、絶縁層３１’の線膨張係数又は熱膨張係数（収縮率）が、絶縁層２１’全体の熱膨張係数（収縮率）よりも低い（小さい）構成、逆言すれば、絶縁層２１’の線膨張係数又は熱膨張係数（収縮率）が、絶縁層３１’の熱膨張係数（収縮率）よりも高い（大きい）構成を有している。なお、絶縁層２１’，３１’の線膨張係数及び熱膨張係数は、それらの樹脂母材料の種類や、それらの樹脂母材料に含まれる上述したフィラー等の添加剤の含有量又は含有割合によって、適宜調整することができる。
【００７６】
例えば、絶縁層２１’が、樹脂母材料に無機フィラーを含む樹脂組成物であって、その樹脂母材料の熱膨張係数が１５〜１００（ｐｐｍ／Ｋ）であり、且つ、その樹脂母材料に対する無機フィラーの含有割合が２０〜７５ｗｔ％であるものが挙げられる。一方、絶縁層３１’も樹脂母材料に無機フィラーを含む樹脂組成物であって、樹脂母材料の熱膨張係数が５〜２５（ｐｐｍ／Ｋ）であり、且つ、樹脂母材料に対する無機フィラーの含有割合が６０〜８０ｗｔ％であるものが挙げられる。
【００７７】
このように、絶縁層２１’の線膨張係数又は熱膨張係数が、絶縁層３１’の線膨張係数又は熱膨張係数よりも高く、又は、絶縁層２１’中に含有される無機フィラーＦ２’量が、絶縁層３１’中に含有される無機フィラーＦ３’量よりも少ない場合、図１６において電子部品内蔵基板２Ｃにおける要部の状態（断面図）を示すように、ビルドアップ時の加熱・加圧処理や表面部品搭載時などのリフロー処理に際して、絶縁層２１’が絶縁層３１’よりも収縮し（すなわち、絶縁層２１’の面方向における収縮長さが、絶縁層３１’の面方向における収縮長さよりも大きくなり）、電子部品内蔵基板２Ｃの反りが電子部品内蔵基板２Ｃの最下層側から最上層側に向かって凸状に発生することが判明した（図１６）。
【００７８】
また、絶縁層２１’の線膨張係数又は熱膨張係数が、絶縁層３１’の線膨張係数又は熱膨張係数と同等、又は、絶縁層２１’中に含有される無機フィラーＦ２’量が、絶縁層３１’中に含有される無機フィラーＦ３量と同量であっても、図１７において電子部品内蔵基板２Ｃにおける要部の状態（断面図）を示すように、絶縁層３１’の厚さ（高さ）ｔ３’が絶縁層２１’の厚さ（高さ）ｔ２’より薄い（小さい；ｔ２＜ｔ３）構成の場合には、絶縁層２１’が絶縁層３１’よりも収縮し（すなわち、絶縁層２１’の面方向における収縮長さが、絶縁層２１’の面方向における収縮長さよりも大きくなり）、電子部品内蔵基板２Ｃの反りが基板２Ｃの最下層側から最上層側に向かって凸状に発生することが判明した（図１７）。
【００７９】
さらにまた、これらの条件が重なる場合、すなわち、絶縁層２１’の線膨張係数又は熱膨張係数が、絶縁層３１’の線膨張係数又は熱膨張係数よりも高く、又は、絶縁層２１’中に含有される無機フィラーＦ２’量が、絶縁層３１’中に含有される無機フィラーＦ３量よりも少ない場合、且つ、絶縁層３１’の厚さ（高さ）ｔ３が絶縁層２１’の厚さ（高さ）ｔ２よりも薄い（小さい；ｔ２＞ｔ３）構成の場合には、電子部品内蔵基板２Ｃの反りが基板２Ｃの最下層側から最上層側に向かって、より顕著に凸状に発生することも確認された。
【００８０】
このように、電子部品内蔵基板２Ｃの反りが凸状に発生することを回避するため、本実施形態においては、絶縁層２１’，３１’のそれぞれに、ビア２５，２６，３５，３６を形成する（図６及び図７）。形成されたビア２５，２６，３５，３６は、先述したとおり、楔又はアンカーとして機能する。しかも、絶縁層２１’に設けられ、且つコア部材６に接続されるビア２５の数と、絶縁層３１’に設けられ、且つコア部材６に接続されるビア３５の数とが、互いに異なるように形成する。このように、本実施形態における電子部品内蔵基板２は、絶縁層２１’及び絶縁層３１’のうち、絶縁層２１’の面方向における収縮長さが、絶縁層３１’に比して大きいため、面方向における収縮長さがより小さい絶縁層３１’に設けられたビア３５の数が、絶縁層２１’に設けられたビア２５の数より多くなるように形成されている（図１６，図１７）。
【００８１】
そして、第２実施形態と同様に、配線層３２が電子部品内蔵基板２Ｃの面方向におけるコア部材６の実装領域６０のそれぞれの端部６１，６２より外側に延設されれば、配線層３２の実装領域全体に亘って引張応力を発生させることができ、これにより、基板２Ｃの反りの発生を更に抑制することができる。
【００８２】
なお、配線層３２は、電子部品５の端子面側とは反対側に形成されるため、必要とされる配線パターンの数が絶縁層２１’下に形成される配線層２２に比して少なくてよい。このように、配線パターンの設計自由度が比較的高いため、コア部材６はビア３５，配線層３２を介してグランドラインと接続することができ、その結果、ビア３５及び配線層３２は、ノイズ（例えば、電子部品内蔵基板２で発生する高周波ノイズや、外部から電子部品内蔵基板２に入射する高周波ノイズ等）を遮蔽又は抑制する機能を発現することもできる。
【００８３】
このように、第３実施形態によっても、絶縁層２１’，３１’のそれぞれに形成されたビア２５，２６，３５，３６が、楔又はアンカーとして機能することにより、絶縁層２１’，３１’のそれぞれに印加される熱応力に対抗する抗力がそれらの絶縁層２１’，３１’に作用して収縮を抑えることができる。しかも、絶縁層３１’に設けられ、且つコア部材６に接続されるビア３５の数が、絶縁層２１’に設けられ、且つコア部材６に接続されるビア２５の数より多く形成されるので、絶縁層２１’，３１’の収縮の差異に起因して生じる電子部品内蔵基板２Ｃの反りを有効に抑制することができる。
【００８４】
なお、上述したとおり、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない限度において様々な変形が可能である。例えば、先述した第１から第３実施形態において、基板２，２Ｂ，２Ｃの反りを抑制する側に設けるビア２５，３５の数は、基板２，２Ｂ，２Ｃの反りが発生する側に設けるビア２５，３５の数に比して１．２倍以上となるように形成することが好ましい。
【００８５】
また、先述した第１から第３実施形態において、基板２，２Ｂ，２Ｃの反りを抑制するビア２５，３５は、基板２，２Ｂ，２Ｃの面方向に対し、コア部材６を実装する実装領域６０内に一列に配置するより、該実装領域６０内に複数の列が画成されるように配置し、これにより、ビア２５，３５を均一に分散配置せしめることが好ましい。特に、基板２，２Ｂ，２Ｃの反りを抑制するビア２５，３５を実装領域６０内に、複数列（例えば２列）形成する場合には、各列におけるビア２５，３５が交互（互い違い）に配置されるように設けることが好ましい。
【００８６】
さらにまた、先述した第１から第３実施形態において、ビア２５，３５の形状は、配線層２２，２２’，３２からコア部材６に向かって先細りとなる円錐状をなしているが、これらは、例えば、四角等の角錐状をなしていてもよく、或いは、錐状でなくてもよく、その外形状は特に制限されない。また、ビア２５，３５の形状は、図７等に示したように、ビア２５，３５がビアホール全体に充填されている場合だけではなく、ビア２５，３５の内壁面に沿ってのみ充填されている場合でもよく、少なくともビアボール２５’，３５’の内壁面と内底面とに連続したビア２５，３５が形成されていればよい。
【００８７】
さらに、先述した第１から第３実施形態において、コア部材６は、基板２，２Ｂ，２Ｃの中央に配置された電子部品５を取り囲むように配置されているが、必ずしも電子部品５を取り囲む必要はなく、コア部材６を配置しない領域を有していてもよい。この場合には、絶縁層２１，２１’及び絶縁層３１，３１’を貫通するスルーホール部７を形成させることが好ましい。また、電子部品５も、基板２，２Ｂ，２Ｃの必ずしも中央に配置される必要はなく、基板２，２Ｂ，２Ｃの端部に配置してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
以上説明したとおり、本発明の電子部品内蔵基板は、電子部品が搭載された基板の反りを回避又は抑制することができ、これにより、製品の信頼性や生産性を向上させることが可能となるので、電子部品を内蔵する機器、装置、システム、各種デバイス等、特に小型化及び高性能化が要求されるもの、及び、それらの製造に広く且つ有効に利用することができる。
【符号の説明】
【００８９】
１…電子部品内蔵モジュール、２，２Ｂ，２Ｃ…電子部品内蔵基板、１１，４１…絶縁層、２１，２１’…絶縁層（第１絶縁層及び第２絶縁層のうちの一方）、３１，３１’…絶縁層（第１絶縁層及び第２絶縁層のうちの他方）、１２，２２，２２’，３２，４２…配線層、２５，２６，３５，３６…ビア（ビア導体）、６’…ビアホール、５…電子部品、６…コア部材、７…スルーホール部、７’…スルーホール、８…受動部品、ｔ２，ｔ２’，ｔ３，ｔ３’…絶縁層の厚さ、Ｆ２，Ｆ２’，Ｆ３，Ｆ３’…無機フィラー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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