(57)【要約】【課題】転写元基板上に形成された被転写層を転写先基板に転写して半導体装置を製造する際に、転写元基板を容易に剥離できる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】転写元基板１の表面に剥離層２を形成する工程と、前記剥離層２上に被転写層５を形成する工程と、前記転写元基板１の裏面に引っ張り応力を有する剥離助長層６を形成する工程と、前記被転写層５上に転写先基板８を接着する工程と、前記剥離層２に光または熱を照射して前記被転写層５を剥離する工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図６
2011187502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写元基板の表面に剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に被転写層を形成する工程と、
前記転写元基板の裏面に引っ張り応力を有する剥離助長層を形成する工程と、
前記被転写層上に転写先基板を接着する工程と、
前記剥離層に光または熱を照射して前記被転写層を剥離する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
転写元基板表面に剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に被転写層を形成する工程と、
前記転写元基板の裏面に弾性支持体層を形成する工程と、
前記被転写層上に転写先基板を接着する工程と、
前記剥離層に光または熱を照射して前記被転写層を剥離する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記剥離助長層が窒化物からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記弾性支持体層が光透過性を有する樹脂からなることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自由に折り曲げられる電子機器が注目されている。例えば、電子ペーパーに代表されるフレキシブルディスプレイは、携帯時の軽さに加え、衝撃に対する吸収や、手に馴染む柔軟性など、ユビキタス社会の一役を担う電子機器となり得るものである。このような電子機器として、例えば特許文献１〜３に開示されるような転写技術を用いて、可撓性を有するプラスチック基板上に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略記する。）等の薄膜素子を転写したものが知られている。
【０００３】
この転写技術では、まず転写元基板であるガラス基板上に、剥離層を形成し、その上に通常のプロセスを用いて、被転写層である薄膜素子を形成する。そして転写元基板のガラス基板と転写先基板のプラスチック基板とを接着剤により接着し、光、熱等により剥離層と転写元基板との密着力を弱めた後、転写元基板を分離して、転写先基板上に被転写層の薄膜素子を転写する。
【０００４】
また、特許文献４には、転写元基板と転写先基板とを分離する方法として、密着力が低下した剥離層に対して、一方の基板の端部から両基板を離間する方向に力をかけて、両基板を物理的に引き剥がす方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０―１２５９２９号公報
【特許文献２】特開平１０―１２５９３０号公報
【特許文献３】特開平１０―１２５９３１号公報
【特許文献４】特開２００４−２２８３７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記のような手法で剥離を行うと、応力が局所的に集中して、被転写層や転写先基板が破損しやすいという問題があった。この事により、被転写層に含まれる半導体素子の特性が劣化し、又は半導体素子が破壊される事があった。また、転写元基板と転写先基板とを剥離層で剥離させた後、引き剥がすまでの間、両基板は剥離面で密着されているため、一旦剥離した両基板が再付着しまい、引き剥がし難くなるという問題もあった。
【０００７】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、転写元基板上に形成された被転写層を転写先基板に転写して半導体装置を製造する際に、転写元基板を容易に剥離できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体装置の製造方法は、転写元基板の表面に剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に被転写層を形成する工程と、前記転写元基板の裏面に引っ張り応力を有する剥離助長層を形成する工程と、前記被転写層上に転写先基板を接着する工程と、前記剥離層に光または熱を照射して前記被転写層を剥離する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、転写元基板の裏面に形成された剥離助長層の引っ張り応力が転写元基板を被転写層から離間する力として作用するので、被転写層を小さな力で剥離できる。また、剥離助長層の引っ張り応力により、転写元基板は表面側を凸面にして反りを生じるので、一旦剥離した被転写層が転写元基板に再付着することがない。よって、転写元基板を引き剥がす際に、被転写層や転写先基板に過度の応力がかかることがなくなるので、破損を低減でき、半導体装置の製造歩留まりが向上する。
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法は、転写元基板表面に剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に被転写層を形成する工程と、前記転写元基板の裏面に弾性支持体層を形成する工程と、前記被転写層上に転写先基板を接着する工程と、前記剥離層に光または熱を照射して前記被転写層を剥離する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、被転写層から転写元基板を剥離して、引き剥がす際に局所的に集中する応力を、転写元基板の裏面に形成された弾性支持体層によって、分散させることができる。また、弾性支持体層によって、転写元基板の取り扱い性も向上する。
【００１２】
また、弾性支持体層を熱硬化性樹脂製や光硬化性樹脂製とし、剥離層に光や熱を照射する際に、これらの樹脂を硬化させると、硬化収縮による引っ張り応力を有した弾性支持体層が転写元基板の裏面に形成される。この引っ張り応力が転写元基板を被転写層から離間する力として作用するので、被転写層を小さな力で剥離できる。また、弾性支持体層の引っ張り応力により、転写元基板は表面側を凸面にして反りを生じるので、一旦剥離した転写元基板が被転写層に再付着することがない。
よって、被転写層や転写先基板に過度の応力がかかることがなくなり、破損を低減できるので、半導体装置の製造歩留まりが向上する。
【００１３】
また、剥離助長層が窒化物からなることが好ましい。
本発明によれば、剥離助長層が引っ張り応力を作用させる窒化物からなることにより、転写元基板の剥離を助長させることができる。
【００１４】
また、弾性支持体層が光透過性を有する樹脂からなることが好ましい。
本発明によれば、弾性支持体層が光透過性を有する樹脂からなることから、レーザー光の照射による収縮によって、転写元基板の剥離を助長させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法を示す工程図。
【図２】図１に続く工程図。
【図３】図２に続く工程図。
【図４】図３に続く工程図。
【図５】図４に続く工程図。
【図６】図５に続く工程図。
【図７】第１実施形態による半導体装置の概略断面図。
【図８】本発明に係る半導体装置の製造方法を示す工程図。
【図９】図８に続く工程図。
【図１０】図９に続く工程図。
【図１１】図１０に続く工程図。
【図１２】図１１に続く工程図。
【図１３】図１２に続く工程図。
【図１４】第２実施形態による半導体の概略断面図。
【図１５】弾性支持体層の概略平面図。
【図１６】弾性支持体層の概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。
本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００１７】
[第１実施形態]
以下、本発明の係る実施形態として半導体装置の製造方法について説明する。
（剥離層形成工程）
図１〜図６はいずれも、本実施形態の半導体装置１０の製造方法を工程順に示す概略断面図である。はじめに図１に示すように、透明性を有する転写元基板１を用意した後、その表面１ａに剥離層２を形成する。転写元基板１は、半導体装置１０の構成要素ではなく、ＴＦＴ４を転写先基板８上に転写する工程のみに用いられる部材である。具体的には、歪点が３５０℃以上のものが好ましく、５００℃以上のものがより好ましい。このようなものとしては、例えば石英ガラスの他、ソーダガラス、等の耐熱性ガラス等が使用可能である。
【００１８】
この転写元基板１の厚さには、大きな制限要素はないが、０．１ｍｍ〜５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることがより好ましい。転写元基板１の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると剥離助長層６の引っ張り応力で反りを生じさせられない上に、基材の透過率が低い場合に照射光の減衰を招くからである。
【００１９】
剥離層２は、照射される光を吸収し、その層および／または界面において剥離（以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う。）を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、光の照射により、アブレーションが生じて層内剥離および／または界面剥離に至るものが良い。ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（剥離層２の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、剥離層２の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。さらに、光の照射により、剥離層２から気体が放出され、分離硬化が発現される場合もある。すなわち、剥離層２に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、剥離層２が光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出されて分離に寄与する場合とがある。
【００２０】
剥離層２の組成としては、例えば、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）が採用され、また、当該非晶質シリコン中に水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層２に内圧が発生し、これが剥離を促進するので好ましい。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。
【００２１】
この他の剥離層２の材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｇｄ若しくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
【００２２】
剥離層２の厚さは、剥離目的や剥離層２の構成等により異なるが、できるだけ均一の厚さであるのが好ましい。剥離層２の厚さとしては、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、１ｎｍ〜１μｍ程度であるのがさらに好ましい。剥離層２の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じるからであり、剥離層２の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層２の残渣を除去するのに時間を要する場合がある。
【００２３】
剥離層２の形成方法は、均一な厚みで剥離層２を形成可能な方法であればよく、剥離層２の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
【００２４】
特に剥離層２の組成が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また、剥離層２をゾルゲル法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
【００２５】
（被転写層形成工程）
次に、図２に示すように、剥離層２上に被転写層５を形成する。被転写層５は、例えば、ＴＦＴ、ダイオード、抵抗、インダクタ、キャパシタ、その他能動素子、受動素子を問わない単体の素子、一定の機能を奏するように素子が集積された集積回路等の回路（チップ）、さらに複数の素子の組み合わせからなる回路の一部、集積回路等の回路を１以上組み合わせて一定の機能を奏するように構成された装置の全体または一部であってもよく、その構成や形状、大きさに限定はない。
【００２６】
本実施形態では、被転写層５は、絶縁体層３上に形成されたＴＦＴ４であり、これらは公知の薄膜形成技術によって形成する。
ＴＦＴ４は、絶縁体層３の上に積層されたシリコン層４１と、このシリコン層４１の表面を覆うように形成されたゲート絶縁層４２と、各電極とから構成される。ゲート絶縁層４２はＳｉＯ２やＳｉＮを主体とした絶縁体からなり、このゲート絶縁層４２を挟んでシリコン層４１の上にはゲート電極４３が形成されている。ゲート電極４３の直下のシリコン層４１には、図示しないチャネル領域が形成されている。さらに、ゲート絶縁層４２およびゲート電極４３を覆うように、シリコン層４１の全面には、ＳｉＯ２を主体とする層間絶縁層４４が形成されている。また、図示しないが、シリコン層４１にはそれぞれソース領域とドレイン領域とが形成されている。この各領域には、ゲート絶縁層４２と層間絶縁層４４とにわたって開孔するコンタクトホールが形成されており、それぞれがソース電極４５およびドレイン電極４６に接続されている。なお、本実施形態はトップゲート構造であるが、これに限定されるものではなく、ボトムゲート構造であってもよい。
【００２７】
（剥離助長層形成工程）
次に、図３に示すように、転写元基板１の裏面１ｂに剥離助長層６を形成する。この剥離助長層６は、引っ張り応力を有するように成膜されるものであり、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）膜などである。剥離助長層６の形成には、公知の薄膜形成法が利用でき、例えば窒化ケイ素は、ケイ素供給源としてシラン（ＳｉＨ４）またはジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）を、窒素供給源として窒素ガス（Ｎ２）またはアンモニア（ＮＨ３）を用いたＣＶＤ法によって形成でき、原料供給ガスの供給比、ガス圧力、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の成膜条件を適宜設定することによって、膜厚と引っ張り応力とを調整する。
なお、本工程の工程順は、被転写層形成工程後であれば特に限定されるものではなく、後述の接合工程後であってもよい。
【００２８】
（接合工程）
次に、図４に示すように、接着層７を介して被転写層５を転写先基板８に接着する。
接着層７を構成する接着剤の好適な例としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤などの各種硬化接着剤が挙げられる。これら硬化型接着剤を使用する場合、例えば、被転写層５上に硬化型接着剤を塗布し、その上に転写先基板８を接合した後、硬化型接着剤の特性に応じた硬化方法により、上記硬化型接着剤を硬化させて、被転写層５と転写先基板８とを接着し、固定する。
【００２９】
転写先基板８は、被転写層５が転写される対象基板であって、剛性を有している必要はなく、たとえばフレキシブル基板であってもよい。また、図示と異なり、転写先基板８側に接着層７を形成し、その上に被転写層５を接着してもよく、転写先基板８がフレキシブル基板などであり、それ自体が接着機能を有する場合などには、接着層７の形成を省いてもよい。
【００３０】
（剥離工程）
次に、図５に示すように、転写元基板１の裏面側から光を照射する。この光は、転写元基板１を透過した後に剥離層２に照射される。これにより、剥離層２に層内剥離および／または界面剥離が生じ、結合力が減少または消滅する。
【００３１】
剥離層２の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、剥離層２の構成材料にアブレーションが生じること、また、剥離層２に含まれているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものであることが推定される。
【００３２】
剥離層２が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、剥離層２の組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の一つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。
【００３３】
照射する光としては、剥離層２に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザー光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α線、β線、γ線）等が挙げられる。そのなかでも、剥離層２の剥離（アブレーション）を生じさせ易いという点で、レーザー光が好ましい。
【００３４】
（離脱工程）
このようにして、剥離層２の結合力を弱めた後、図６に示すように、転写元基板１に力を加えて剥離層２から転写元基板１を離脱させる。この際に、剥離助長層６の引っ張り応力が、転写元基板１を剥離層２から離脱する力として作用するので、転写元基板１を小さな力で容易に離脱できる。
【００３５】
また、剥離助長層６の引っ張り応力が充分に大きい場合には、転写元基板１が剥離層２側を凸面として反りを生じ、転写元基板１の外周部が剥離層２から離間するので、例えば反り返った外周部を把持すれば、転写元基板１の取り扱い性が向上し、
転写元基板１を容易に剥離層２から離脱することができる。さらに、転写元基板１の反りにより、剥離層２の剥離の後、転写元基板１の剥離層２と密着する領域が減少して、一旦剥離した転写元基板１が剥離層２に再付着することがない。
よって、転写元基板１を剥離層２から離脱させる際に、被転写層５や転写先基板８に過度な応力がかかることがなくなり、被転写層５や転写先基板８の破損を低減できる。
【００３６】
転写元基板１を剥離層２から離脱した後、絶縁体層３上に剥離層２が付着することもある。そのため、残存している剥離層２を、例えば洗浄、エッチング、アッシング、研磨等の方法またはこれらを組み合わせた方法により除去することが好ましい。
このようにして、図７に示すように、ＴＦＴ４が転写先基板８に転写された半導体装置１０が製造できる。
【００３７】
[第２実施形態]
次に、図８〜図１４を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。図８〜図１４はいずれも、本実施形態の半導体装置１１の製造方法を工程順に示す概略断面図であり、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、第１実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００３８】
（弾性支持体層形成工程）
本実施形態では、まず、図８および図９に示すように、第１の実施形態と同様にして、転写元基板１の表面１ａに剥離層２とＴＦＴ４を形成する。この後、図１０に示すように、転写元基板１の裏面１ｂに弾性支持体層９を形成する。本実施形態が第１実施形態と異なるところは、転写元基板１の裏面１ｂに剥離助長層６の代わりに弾性支持体層９を形成したところである。
本工程の工程順は剥離工程前であれば特に限定されるものではなく、被転写層形成工程前に行ってもよく、接合工程後に行ってもよい。
【００３９】
弾性支持体層９は、透明な弾性体のフィルムであって、転写元基板１の裏面１ｂに接着されている。しなやかさを有し、かつ屈曲に対しては大きな曲率半径で変形する硬度を有するものであって、たとえばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。膜厚は特に限定されないが、１００〜７５０μｍ程度が好適である。２５μｍ以下であると、薄すぎて転写元基板１を支持するための機械的強度が足りなく、７５０μｍより厚いと、屈曲し難くなり、しなやかさが得られないためである。
【００４０】
弾性支持体層９は、図示しない接着層によって転写元基板１に接着する。この接着層は、離脱工程で転写元基板１を被転写層５から離脱する際に、弾性支持体層９と転写元基板１とが剥離しないような接着強度を有する膜厚で形成され、具体的には１００μｍ程度である。薄すぎると充分な接着強度が得られずに弾性支持体層９のみが剥離し、また厚すぎると接着層の曲げ強度が大きくなりすぎる。
このような弾性支持体層９を接着すると、転写元基板１は裏面１ｂが保護されて破損し難くなるので、各工程での転写元基板１の取り扱い性が向上する。
【００４１】
（離脱工程）
ついで、図１１に示す接合工程と、図１２に示す剥離工程とを、実施形態１と同様に行った後、図１３に示す離脱工程を行う。
本実施形態によれば、転写元基板１を被転写層５から離脱する際に局所的に集中する応力を、弾性支持体層９の弾性によって緩和して、転写元基板１の全面に分散させることができる。
【００４２】
より具体的には、例えば、転写元基板１の周縁部を把持して、転写元基板１を被転写層５から離間する方向へ引き剥がすと、把持される周縁部の他、転写元基板１が自重で撓る部位、機械的に引き剥がされる部位等、種々の箇所で応力が局所的に集中することになるが、弾性支持体層９がこれらの応力を吸収、緩和して、弾性支持体層９全体に分散させるわけである。
よって、転写元基板１のみならず、被転写層５や転写先基板８に局所的に過度の応力がかかることがなくなり、転写元基板１を離脱する際の被転写層５や転写先基板８の破損を低減でき、半導体装置の製造歩留まりが向上する。
【００４３】
このようにして転写先基板８に転写された被転写層５に剥離層２が残存する場合には、実施形態１と同様にして、洗浄、除去を行って、図１４に示すような半導体装置１１が得られる。
【００４４】
本実施形態では、弾性支持体層９を透明なフィルムとしたが、弾性支持体層９は転写元基板１上に直接形成してもよい。この場合には、樹脂液を塗布した後、その後何らかの方法によって樹脂液を硬化する。樹脂液の塗布法としては、ディスペンス法、浸漬法、ヘラ等で表面に塗る等どのような方法を用いてもよい。
【００４５】
樹脂膜の種類としては、特に限定されないが、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂であると、剥離工程で用いる光や熱の照射で、剥離層２の剥離と同時に硬化を行えて好適である。例えば、エポキシ樹脂が好適である。エポキシ樹脂を用いると、硬化時の収縮率が大きく、成膜された樹脂膜が大きな引っ張り応力を有するものとなる。
【００４６】
引っ張り応力を有する樹脂で弾性支持体層９を構成すると、この引っ張り応力が転写元基板１を被転写層５から離間する力として作用し、被転写層５を小さな力で離脱できて好適である。また、弾性支持体層９の引っ張り応力で、転写元基板１は表面側を凸面にして反りを生じるので、一旦剥離した転写元基板１が被転写層５に再付着することがない。
【００４７】
弾性支持体層９をエポキシ樹脂のような不透明な樹脂で構成する場合には、転写元基板１の全面に弾性支持体層９を形成すると、剥離層２に光が到達しなくなり、剥離工程で不都合が生じるので、光を透過するための窓部９３を備えたものとする。
【００４８】
図１５および図１６はいずれも転写元基板１の裏面１ｂの概略平面図であって、
光を透過する窓部９３を有し、かつ引っ張り応力を有する弾性支持体層９の実施形態を示すものである。図１５に示す弾性支持体層９１は、転写元基板１の裏面１ｂの周縁部に枠状に形成された樹脂膜であって、その中央部が開口した窓部９３となっている。また、図１６に示す弾性支持体層９２は、スリット状の複数の窓部９３…を有する樹脂膜である。
【００４９】
このような弾性支持体層９１、９２は、いずれも窓部９３…から光を透過できるので、剥離工程で必要とする光の照射が可能である。また、弾性支持体層９１、９２は転写元基板１の周縁部に形成されており、引っ張り応力を転写元基板１の周縁部で特に効率よく作用させることができ、転写元基板１に反りを生じさせ、剥離層２から容易に離脱させることができる。
弾性支持体層９に形成する窓部９３の形状および数は、本実施形態に限定されるものではなく、例えば、窓部９３を円形にしたり、格子状や千鳥に配置してもよい。
【００５０】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもなく、上記各実施形態を組み合わせても良い。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５１】
本発明において転写回数は１回に限られるものではなく、複数回繰り返して行ってもよい。すなわち、被転写層５を、複数箇所に複数回に分けて転写してもよく、一旦転写された被転写層５をさらに別の転写先に転写してもよい。
たとえば、転写先基板８として仮基板と最終基板とを用意し、被転写層５を１回目の転写で仮基板上に転写した後に、２回目の転写で最終基板に転写してもよい。このように２回転写を行うと、被転写層５を転写先基板８上の積層順通りに最終基板上に転写することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１…転写元基板、１ａ…表面、１ｂ…裏面、２…剥離層、４…ＴＦＴ、５…被転写層、６…剥離助長層、８…転写先基板、９…弾性支持体層、１０…半導体装置、１１…半導体装置、９１…弾性支持体層、９２…弾性支持体層。
【図１】
2011187502.tif 000003
【図２】
2011187502.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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