(57)【要約】【課題】イオンビームの拡散影響によるイオン注入のむらを抑制するだけでなく、ウエハのスキャン速度を高速化及び高分解能化可能にして、ウエハのイオン注入時間を短縮して生産性を向上させるとともに、イオン注入の均一性を向上させる。【解決手段】ウエハＷが載置されるウエハホルダ２と、ウエハホルダ２が接続され、ウエハホルダ２を照射領域Ｐを横切るように移動させる多段直列に設けられた複数のスライド機構３１、３２と、スライド機構３１、３２をＸ方向に沿った回転軸Ｌ周りに回転させて、ウエハホルダ２に載置されたウエハＷに対するイオンビームＩＢの照射角度αを調整する回転機構４とを具備する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
進行方向と実質的に直交する平面内におけるＸ方向の寸法が当該Ｘ方向と実質的に直交するＹ方向の寸法よりも大きいリボン状のイオンビームの照射領域、又はスポット状のイオンビームをＸ方向に走査することにより形成される照射領域を横切るようにウエハを移動させるウエハスキャン装置であって、
前記ウエハが載置されるウエハホルダと、
前記ウエハホルダが接続され、当該ウエハホルダを前記照射領域を横切るように移動させる多段直列に設けられた複数のスライド機構と、
前記複数のスライド機構をＸ方向に沿った中心軸周りに回転させて、前記ウエハホルダに載置されたウエハに対するイオンビームの照射角度を調整する回転機構とを具備し、
前記各スライド機構のスライド方向が、前記ウエハホルダの載置面に沿った方向と略一致するように設けられているウエハスキャン装置。
【請求項２】
前記各スライド機構のスライド速度が異なり、前記複数のスライド機構の一部又は全部を駆動してそれらのスライド速度を合成することにより前記ウエハホルダの移動速度を定める請求項１記載のウエハスキャン装置。
【請求項３】
前記複数のスライド機構のいずれか１つのスライド速度が、前記ウエハをスキャンするにあたっての所定のスキャン速度を規定するものであり、その他のスライド機構のスライド速度により前記イオンビームの変動分に応じた速度調整を行う請求項１又は２記載のウエハスキャン装置。
【請求項４】
請求項１、２又は３記載のウエハスキャン装置を用いたイオン注入装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオンビームの照射領域を横切るようにウエハを移動させるウエハスキャン装置及び当該ウエハスキャン装置を用いたイオン注入装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
イオン注入装置としては、特許文献１に示すように、注入チャンバ内においてイオンビームを一方向（例えばＸ方向）に往復走査するとともに、ウエハをイオンビームの走査方向と略直交する方向（例えばＹ方向）に機械的に往復走査させることによって、ウエハの前面に均一にイオン注入を行うものがある。このイオン注入装置においては、ウエハを保持するウエハホルダと、当該ウエハホルダを前記注入チャンバ内で往復移動させるホルダ駆動機構とを有するウエハスキャン装置が用いられている。
【０００３】
またイオン注入装置においては、特許文献２に示すように、ウエハに対してイオンビームを所定のチルト角で注入するためにウエハホルダの角度を調整する角度調整機構（チルト角設定モータ）を有するものがある。このイオン注入装置は、チルト角設定モータによりウエハホルダを所定角度に調整した後に、往復駆動機構によりウエハホルダを所定方向に往復駆動するように構成されている。ここで、往復駆動機構は、イオンビームの走査方向（Ｘ方向）に略垂直な方向（Ｙ方向）にウエハを移動させるように構成されている（図６参照）。
【０００４】
上記のイオン注入装置を用いて所定のチルト角（０度を除く）でウエハに対してイオン注入を行う場合には、上記のようにイオンビームの走査方向（Ｘ方向）に略垂直な方向（Ｙ方向）に往復移動させることから、図６に示すように、注入チャンバのイオンビーム導入部とイオンビームが照射される照射位置（注入位置）との距離が、同一のウエハにおいて変化してしまう。そうすると、イオンビームの拡散特性から、ウエハの各部において注入されるイオン注入量が異なる結果となる。この問題は、ウエハサイズが大型化すればするほど顕著となる。
【０００５】
このような問題を解決するため、特許文献３には、注入チャンバのイオンビーム導入部と注入位置とを一定に保つことができる加工物支持構造体（ウエハスキャン装置）が開示されている。
【０００６】
しかしながら、上記のイオン注入装置は、単一の直動駆動系によって構成されているため、イオンビーム変動に対する応答が、そのモータ等のアクチュエータの速度分解能によって制限されてしまい、より高い均一性を実現するにあたって阻害要因の一つになっていた。また、モータ等のアクチュエータの速度限界のため、注入時間の短縮が難しく、生産性を向上させることに難がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２３５６８２号公報
【特許文献２】特開２００８−６６６６４号公報
【特許文献３】特表２００６−５１８９１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで本発明は、上記問題点を一挙に解決するためになされたものであり、種々のチルト角においてウエハに照射されるイオンビームの拡散影響によるイオン注入のむらを抑制するだけでなく、ウエハのスキャン速度を高速化及び高分解能化可能にして、ウエハのイオン注入時間を短縮して生産性を向上させるとともに、イオン注入の均一性を向上させることをその主たる課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
すなわち本発明に係るウエハスキャン装置は、進行方向と実質的に直交する平面内におけるＸ方向の寸法が当該Ｘ方向と実質的に直交するＹ方向の寸法よりも大きいリボン状のイオンビームの照射領域、又はスポット状のイオンビームをＸ方向に走査することにより形成される照射領域を横切るようにウエハを移動させるウエハスキャン装置であって、前記ウエハが載置されるウエハホルダと、前記ウエハホルダが接続され、当該ウエハホルダを前記照射領域を横切るように移動させる多段直列に設けられた複数のスライド機構と、前記複数のスライド機構をＸ方向に沿った回転軸周りに回転させて、前記ウエハホルダに載置されたウエハに対するイオンビームの照射角度を調整する回転機構とを具備し、前記各スライド機構のスライド方向が、前記ウエハホルダの載置面に沿った方向と略一致するように設けられていることを特徴とする。
【００１０】
このようなものであれば、ウエハホルダを複数段直列接続された複数のスライド機構によりスライド移動させるように構成しているので、ウエハホルダに載置されたウエハの移動速度を単一のスライド機構により構成した場合に比べて格段に速くすることができる。したがって、イオン注入時間を短縮することができ、生産性を向上させることができる。
【００１１】
また、単一のスライド機構を用いた場合には、そのアクチュエータの速度分解能によってイオン注入の均一性が制限されてしまうが、複数のスライド機構を用いることによって、各スライド機構を構成するアクチュエータの速度分解能を適宜選択することによって、イオンビームの変動に応じてウエハの移動速度を制御することが可能になる。これにより、イオン注入の均一性を向上させることができる。このように本発明によれば、ウエハのスキャン速度の高速化とスキャン速度の高分解能化との両立を簡単に実現することができる。
【００１２】
さらに、各スライド機構のスライド方向が、ウエハホルダの載置面に沿った方向と略一致するように設けられており、回転機構が、複数のスライド機構をＸ方向に沿った回転軸周りに回転させることにより、注入チャンバのイオン導入部と照射領域（注入位置）との距離を、ウエハの往復移動中において同一にするができ、イオン注入におけるイオンビームの拡散影響を無視することができる。
【００１３】
複数のスライド機構のスライド速度を異ならせることにより、ウエハの移動速度の自由度を増すとともに、１つのスライド機構では得られない移動速度を実現するためには、前記各スライド機構のスライド速度が異なり、前記複数のスライド機構の一部又は全部を駆動してそれらのスライド速度を合成することにより前記ウエハホルダの移動速度を定めることが望ましい。
【００１４】
イオン注入におけるウエハの移動速度の制御を簡単にするためには、前記複数のスライド機構のいずれか１つのスライド速度が、前記ウエハをスキャンするにあたっての所定のスキャン速度を規定するものであり、その他のスライド機構のスライド速度により前記イオンビームの変動分に応じた速度調整を行うことが望ましい。これならば、イオンビームが一定の場合には所定の１つのスライド機構を制御すれば良く、イオンビームに変動がある場合にのみその他のスライド機構を制御して当該変動分に応じた速度変化を与えればよい。
【発明の効果】
【００１５】
このように構成した本発明によれば、種々のチルト角においてウエハに照射されるイオンビームの拡散影響によるイオン注入のむらを抑制するだけでなく、ウエハのスキャン速度を高速化及び高分解能化可能にして、ウエハのイオン注入時間を短縮して生産性を向上させるとともに、イオン注入の均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係るイオン注入装置の全体構成を示す模式図である。
【図２】同実施形態のイオンビーム及びウエハスキャン装置の動作を説明する模式図である。
【図３】同実施形態のチルト角及び往復移動機構を示す模式図である。
【図４】同実施形態のウエハスキャン装置を示す模式的断面図である。
【図５】同実施形態の制御装置の機能構成図である。
【図６】従来の所定チルト角を有するイオン注入を示す模式図である。
【００１７】
以下に本発明に係るイオン注入装置の一実施形態について図面を参照して説明する。
【００１８】
本実施形態に係るイオン注入装置１００は、図１に示すように、イオンビームＩＢの進行方向をＺ方向とし、Ｚ方向と実質的に直交する面内において互いに実質的に直交する２方向をＸ方向及びＹ方向とした場合において、電界又は磁界によりイオンビームＩＢをＸ方向に走査することによって、Ｘ方向の寸法がＹ方向の寸法よりも大きいリボン状の形を有するリボン状のイオンビームＩＢを生成し、このリボン状のイオンビームＩＢを注入チャンバ１０７内に導入して、当該注入チャンバ１０７内におけるイオンビームＩＢが入射される注入位置で、ウエハＷをＹ方向に機械的に往復移動することにより、ウエハＷにイオンビームＩＢを入射させてイオン注入を行うものである。
【００１９】
なお、ウエハＷは、例えばシリコン基板等の半導体基板、ガラス基板、その他の基板である。その平面形状は、本実施形態では概略円形であるが、その他、矩形であっても良いし、その他の形状であっても良い。
【００２０】
具体的にこのものは、図１に示すように、リボン状のビームの元になるイオンビームを発生させるイオン源１０１と、このイオン源１０１から射出されるイオンビームから所定のイオン種のイオンビームを選別して導出する分析電磁石１０２と、この分析電磁石１０２から導出されたイオンビームを所定のエネルギになるように加減速する加減速器１０３と、この加減速器１０３から導出されるイオンビームから所定のエネルギのイオンビームを選別して導出するエネルギ分離器１０４と、このエネルギ分離器１０４から導出されたイオンビームを電界又は磁界によってＸ方向に往復走査する走査器１０５と、この走査器１０５から導出されたイオンビームの平行走査を行って、リボン状の形をしているイオンビームＩＢを形成するビーム平行化器１０６とを備えている。なお、平行走査とは、イオンビームを、イオンビームの進行方向Ｚに平行またはほぼ平行な状態を保ちつつＸ方向に走査することである。
【００２１】
ビーム平行化器１０６から導出されたリボン状のイオンビームＩＢは、真空に排気される注入チャンバ１０７内において、ウエハスキャン装置２００のウエハホルダ２に保持されているウエハＷに照射され、それによってウエハＷにイオン注入が行われる。この際、ウエハＷは、図２に示すように、ウエハスキャン装置２００によって、Ｙ方向に往復移動される。このウエハＷの往復移動とリボン状のイオンビームＩＢの照射によって、ウエハＷの全面にイオン注入を行うことができる。通常、ウエハＷの全面にイオン注入を行うために、イオンビームＩＢのＸ方向の寸法は、ウエハＷのＸ方向の寸法よりも若干大きくしている。
【００２２】
なお、イオンビームＩＢを上記のようにＸ方向に走査する代わりに、イオン源１０２からＸ方向の寸法がＹ方向の寸法よりも大きいリボン状の形をしているイオンビームを発生させて、それをウエハＷまで輸送してウエハＷに入射させるようにしても良い。すなわち、Ｘ方向の走査を経ることなくリボン状の形をしているイオンビームを用いても良い。
【００２３】
次に本実施形態のイオン注入装置１００におけるステージ装置たるウエハスキャン装置２００について説明する。
【００２４】
ウエハスキャン装置２００は、図２、図３及び図４に示すように、ウエハＷを保持するとともに当該ウエハＷを往復移動（スキャン）するものであり、静電チャック機能を有するウエハホルダ２と、当該ウエハホルダ２をＹ方向成分を含む方向（図２はＹ方向の場合を示す。）に往復移動するための往復移動機構３と、当該往復移動機構３をＸ方向に沿った中心軸Ｌ周りに回転させることにより、往復移動機構３に接続されたウエハホルダ２上のウエハＷのチルト角αを調整する回転機構４とを備えている。ここで、チルト角αとは、ウエハＷの表面に立てた垂線とイオンビームＩＢとのなす角度であり、チルト角αが０度の場合には、ウエハＷはＹ方向に往復移動することになる。
【００２５】
往復移動機構３は、図２等に示すように、注入チャンバ１０７内において、イオンビームＩＢの照射領域Ｐを横切る方向にウエハホルダ２を往復移動させるものである。照射領域ＰはウエハＷへのイオン注入が行われる位置であり、本実施形態ではイオンビームの断面形状と同一、つまりＸ方向の寸法がＹ方向の寸法よりも大きい長尺状をなす。この照射領域Ｐにおいて、往復移動機構３は、ウエハホルダ３を当該照射領域Ｐの長手方向（Ｘ方向）に略直交する短手方向（Ｙ方向成分を含む方向）を横切るように往復移動させる。
【００２６】
具体的に往復移動機構３は、図３及び図４に示すように、ウエハホルダ３及び注入チャンバ１０７の間に介在して設けられた２つのスライド機構３１、３２を２段に直列接続して構成されるものであり、ウエハホルダ２が接続されて、当該ウエハホルダ２をその載置面２Ａに沿った方向に往復移動させるための第１のスライド機構３１と、当該第１のスライド機構３１が接続されて、当該第１のスライド機構３１をウエハホルダ２の載置面２Ａに沿った方向に往復移動させるための第２のスライド機構３２とを備えている。なお、各スライド機構３１、３２は、独立に動作可能に構成されている。
【００２７】
第１のスライド機構３１は、ボールねじ機構を用いたものであり、ボールねじ機構のナット部（不図示）が設けられたスライド部材３１１と、ボールねじ機構のねじ軸３１ａ及びこのねじ軸３１ａを回転駆動するための駆動モータ３１ｂが設けられたベース部材３１２とを備えている。また、第２のスライド機構３２も、第１のスライド機構３１と同様に、ボールねじ機構のナット部（不図示）が設けられたスライド部材３２１と、ボールねじ機構のねじ軸３２ａ及びこのねじ軸３２ａを回転駆動するための駆動モータ３２ｂが設けられたベース部材３２２とを備えている。なお、駆動モータ３１ｂ、３２ｂは、後述する制御装置１０８によりその回転が制御される。
【００２８】
そして、第１のスライド機構３１のスライド部材３１１にはウエハホルダ２が接続されており、第１のスライド機構３１のベース部材３１２には、第２のスライド機構３２のスライド部材３２１が接続されている。また、第２のスライド機構３２のベース部材３２２には、回転機構４が接続されている。
【００２９】
また、第１のスライド機構３１のねじ軸３１ａのピッチを、第２のスライド機構３２のねじ軸３２ａのピッチよりも小さくすることにより、第１のスライド機構３１によるスライド速度を、第２のスライド機構３２のスライド速度よりも低速且つ高分解能としている。なお、第２スライド機構３２の駆動モータ３２ｂは、ベース部材３２２に形成された駆動モータ収容部３２２ｓ内に収容されており、そのモータ３２ｂの駆動軸３２ｂ１は、駆動モータ収容部３２２ｓの側壁との間で軸シール３２３によって気密にシールされている。
【００３０】
回転機構４は、図４に示すように、往復移動機構３と注入チャンバ１０７との間に介在して設けられており、本実施形態では第２のスライド機構３２と注入チャンバ１０７との間に設けられている。この回転機構４は、Ｘ方向に沿った中心軸Ｌを中心として、往復移動機構３及びウエハホルダ２を回転させるものである。具体的な構成としては、第２のスライド機構３２に接続された回転軸４１と、当該回転軸４１を回転させる駆動部４２と、第２のスライド機構３２の回転移動を案内するガイド部４３とを備えている。
【００３１】
中心軸Ｌは図３及び図４に示すように、所定位置にあるウエハＷの略中心を通るように設定されているが、これに限られない。また、回転軸４１は円筒形状をなすものであり、第２のスライド機構３２のベース部材３２２に形成された駆動モータ収容部３２２ｓと連通しており、これによって駆動モータ収容部３０２ｓ内が大気開放されている。さらに、駆動部４２は、注入チャンバ１０７外に設けられ、回転軸４１は軸シール４４を介して注入チャンバ１０７内に挿入されている。この回転機構４により、ウエハＷに立てた垂線とイオンビームＩＢとがなす角度であるチルト角αを調整可能にしている。
【００３２】
このように載置面２Ａに沿った方向にスライド方向が設定されたスライド機構３１、３２を回転機構４により回転させる構成により、チルト角α（０度も含む）を有するウエハＷにイオン注入のスキャン過程において、図３に示すように、イオンビーム導入部１０７Ｈと注入位置（照射領域Ｐ）との距離Ｘが一定となる。これによって、ウエハＷ各部におけるイオンビームＩＢの拡散影響から生じるイオン注入むらを低減することができる。
【００３３】
次に、往復移動機構３を制御するための制御装置１０８の機能について説明する。
【００３４】
具体的に制御装置１０８は、注入チャンバ１０７内に設けられイオンビームＩＢのビーム量を検出するビーム量検出部１０９からの検出信号を受信して、当該検出信号より得られるイオンビームの変動量に基づいて、第１のスライド機構３１及び第２のスライド機構３２の駆動モータ３ｂをフィードバック制御するものである。
【００３５】
なお、制御装置１０８は、例えばパーソナルコンピュータ等の汎用コンピュータであり、構造的にはＣＰＵ、メモリ、入出力インタフェース、ディスプレイ、入力手段等を備える。そして、前記メモリに所定のプログラムをインストールし、そのプログラムに基づいてＣＰＵや周辺機器が協働することにより、第１のスライド機構３１及び第２のスライド機構３２のフィードバック制御機能を発揮する。
【００３６】
その機能構成としては、図５に示すように、イオンビームＩＢの増減量を算出するビーム増減量算出部１１と、当該増減量算出部１１により得られたビーム増減量に基づいて、調整すべきスキャン速度の増減量を算出する速度増減量算出部１２と、第１のスライド機構３１のスライド速度Ｖ３１及び第２のスライド機構３２のスライド速度Ｖ３２を検出してウエハＷのスキャン速度（合成速度Ｖｓｃａｎ＝Ｖ３１＋Ｖ３２）を検出する実速度検出部１３と、当該実速度検出部１３により得られたスキャン速度Ｖｓｃａｎと基準速度Ｖｒｅｆとを比較する速度比較部１４と、当該速度比較部１４からの比較結果、基準速度Ｖｒｅｆ及び速度増減量から目標スキャン速度ＶＴを算出する目標速度算出部１５と、当該目標速度算出部１５により得られた目標スキャン速度ＶＴから、第１のスライド機構３１及び第２のスライド機構３２のスライド速度ＶＴ３１、ＶＴ３２を分配する速度分配部１６と、当該速度分配部１６により得られた分配速度ＶＴ３２となるように第２のスライド機構３２の駆動モータ３ｂを制御する第２駆動モータ制御部１７と、前記速度分配部１６により得られた分配速度ＶＴ３１となるように第１のスライド機構３１の駆動モータ３ｂを制御する第１駆動モータ制御部１８とを備えている。
【００３７】
このとき速度分配部１６における速度分配の具体例としては、第２のスライド機構３２により基準となる所定のスキャン速度を実現し、イオンビームＩＢの変動量より得られる速度増減量を第１のスライド機構３１により実現するように分配することが考えられる。本実施形態では、第１のスライド機構３１のボールねじのピッチが、第２のスライド機構３２のボールねじのピッチよりも小さいので、このように分配することによって、大きな変動に対して第２のスライド機構３２で対応し、小さな変動に対して第１のスライド機構３１で対応することができ、イオンビームＩＢの変動量に応じて高精度に速度調整できるようになり、イオン注入の均一性を向上させることができる。例えば、第２スライド機構３２により合成速度Ｖｓｃａｎに対して１０％刻みで応答し、第１のスライド機構３１により合成速度Ｖｓｃａｎに対して０．１％刻みで応答することが考えられる。また、両方のスライド機構３１、３２を同時に駆動することによって、ウエハＷのスキャン速度Ｖｓｃａｎを高速にすることができ、生産性を向上させることもできる。
【００３８】
上記構成の制御装置１０８は、例えばイオンビームＩＢのビーム量（ビーム電流）が増大した場合には、ウエハＷの移動速度（スキャン速度Ｖｓｃａｎ）を上げるように第１のスライド機構３１及び第２のスライド機構３２を制御する。また、制御装置１０８は、例えばビーム量が増大し、ドーズ量が少ない場合には、スキャン速度Ｖｓｃａｎを上げて最低スキャン回数を短時間で満足させるように第１のスライド機構３１及び第２のスライド機構３２を制御する。
【００３９】
＜本実施形態の効果＞
このように構成した本実施形態に係るイオン注入装置１００によれば、ウエハホルダ２を２段直列接続された２つのスライド機構３１、３２によりスライド移動させるように構成しているので、ウエハホルダ２に載置されたウエハＷの移動速度を単一のスライド機構により構成した場合に比べて格段に速くすることができる。したがって、イオン注入時間を短縮することができ、生産性を向上させることができる。
【００４０】
また、単一のスライド機構を用いた場合には、そのアクチュエータの速度分解能によってイオン注入の均一性が制限されてしまうが、２つのスライド機構３１、３２を用いることによって、各スライド機構３１、３２を構成するボールねじ機構（ピッチ及び駆動モータ）の構成を適宜選択することによって、速度分解能を任意に設定することができ、イオンビームＩＢの変動に応じてウエハＷの移動速度Ｖｓｃａｎを制御することが可能になる。これにより、イオン注入の均一性を向上させることができる。
【００４１】
さらに、回転機構４が、複数のスライド機構３１、３２をＸ方向に沿った回転軸周りに回転させることにより、注入チャンバ１０７のイオンビーム導入部と照射領域Ｐ（注入位置）との距離を、ウエハの往復移動中において同一にするができ、イオン注入におけるイオンビームＩＢの拡散影響を無視することができる。
【００４２】
＜その他の変形実施形態＞
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
【００４３】
例えば、前記実施形態の往復移動機構は２つのスライド機構を上下２段に設けて構成されているが、必要とされる速度分解能及びスキャン速度に応じて、スライド機構の数を変更して良く、３つ以上のスライド機構を上下又は左右に多段状に直列接続して構成しても良い。
【００４４】
また、前記実施形態のスライド機構はボールねじ機構を用いたものであったが、その他、リニアモータやシャフトモータなどを用いたものであっても良い。
【００４５】
さらに、前記実施形態の第１のスライド機構及び第２のスライド機構において第１のスライド機構の駆動モータは真空中に配置され、第２のスライド機構の駆動モータは大気中に配された構成としているが、第１のスライド機構の駆動モータ及び第２のスライド機構の駆動モータのいずれも大気中に配置する構成としても良いし、それらを真空中に配置する構成としても良い。
【００４６】
加えて、前記実施形態のイオン注入装置は、リボン状のイオンビームをウエハに照射するものであったが、スポット状のイオンビームを電界または磁界による走査手段によってＸ方向に平行走査すると共に、イオン注入すべきウエハを保持するウエハホルダを、ウエハ駆動機構によって、イオンビームの走査領域内で前記Ｘ方向（例えば水平方向）と実質的に直交するＹ方向（例えば垂直方向）に機械的に走査する構成のものであっても良い。
【００４７】
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４８】
１００・・・イオン注入装置
２００・・・ウエハスキャン装置
Ｗ    ・・・ウエハ
Ｐ    ・・・照射領域
２    ・・・ウエハホルダ
２Ａ  ・・・載置面
３１  ・・・第１のスライド機構
３２  ・・・第２のスライド機構
４    ・・・回転機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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