(57)【要約】      （修正有）【課題】重なり露光される隣接したストライプの境界領域で照射量精度を向上する、複数ビームレットを含む電子ビームリソグラフィ方法を提供する。【解決手段】露光ストライプで構成された画像画素の列であるストライプ（ｓ１、ｓ２）は、隣接したストリップに対するそれらの境界で、相互に重ねられた重複した縁（ｍ１２、ｍ２１）を備えるので、名目上の重複した縁（ｍ２１）の画像画素の位置は、対応している重複した縁（ｍ１２）の画像画素と重なる、または、本質的に一致する。重複した縁（ｍ２１）の露光の間、前記重複した縁の画像画素の第１の部分集合（ｎ１）は、所望のパターンに関して相補的な部分集合である第２の部分集合（ｎ２）のそれらが露光しない一方で、露光する；これに反して、対応している重複した縁（ｍ１２）の露光の間、第１の部分集合の画像画素に対応する画像画素は露光しないが、第２の部分集合の画像画素に対応するものは露光する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子によって形成されるエネルギー放射のビームでターゲットに照射する方法であって、
次のステップ：−該放射を透過する複数の開口を有するパターン定義手段（１０２）を提供するステップと、
−該開口を通って該パターン定義手段を横断し、対応している複数のビームレットから構成されるパターニングされたビーム（ｐｂ）を形成する照明ワイドビーム（ｌｂ）によって該パターン定義手段を照明するステップと、
−該パターニングされたビームを該ターゲット（１４、４１）の場所上へパターン画像（４３）を作るステップであり、該パターン画像が、該ターゲット上の対応する数の画像画素（ｐ１、ｐｘ）上へ撮像される該複数の開口の少なくとも一部の画像を含むステップと、
−連続した露光で該領域をカバーするストライプ（４２；ｓ１、ｓ２、ｓ３）を定めるビーム露光が実行される該領域の上の通路に沿って該ターゲット上の該パターン画像の動きを作成する該ターゲットと該パターン定義手段との間で相対的な動きを生成するステップと、を含み、
該ストライプ（ｓ１、ｓ２、ｓ３）は、隣接したストライプに対するそれらの境界で、重複した縁（ｍ１２、ｍ２１、ｍ３２）を含み、該ストライプの各々の該重複した縁（ｍ２１）は、隣接したストライプの対応している該重複した縁（ｍ１２）との空間的な重複がもたらされ、そこで、該重複した縁（ｍ２１）の画像画素の名目上の位置は、該対応する重複した縁（ｍ１２）の対応する画像画素の名目上の位置と重なり、
該重複した縁の露光の間、該重複した縁の画像画素の第１の部分集合（ｎ１）が露光し、該重複した縁の画像画素の第２の部分集合（ｎ２）が露光せず、一方で、該対応する重複した縁の露光の間、該第１の部分集合の画像画素に対応する該対応する重複した縁の画像画素は露光せず、該第２の部分集合の画像画素に対応する該対応する重複した縁の画像画素は露光する、方法。
【請求項２】
前記第１および第２の部分集合（ｎ１、ｎ２）が、前記重複した縁の中で前記ターゲットに生成される画素パターンの前記画像画素（Ｎ１）の数に関して相補的である、請求項１の方法。
【請求項３】
前記第１の部分集合の画像画素の数と、該第１および第２の部分集合の画像画素の数の総計との間で形成される比率は、前記それぞれのストライプを定める前記通路の方向に横断する方向に沿って前記重複した縁の外側の境界の方へ減少する、請求項１の方法。
【請求項４】
前記比率が前記重複した縁における連続的な小領域の列で段階に減少する、請求項３の方法。
【請求項５】
前記連続的な小領域の数は、少なくとも２、例えばｎ２−１（ｎ≧２）または２２ｉ−１（ｉ≧１）である。請求項４の方法。
【請求項６】
前記比率が０より大きく１未満の少なくとも２つの異なる値を有し、異なる値の数は好ましくはｎ２−１または２２ｉ−１である、請求項３の方法。
【請求項７】
前記比率が前記それぞれの重複した縁または小領域内で均一のサイズのサンプリング・セルに関して表される、請求項３または４の方法。
【請求項８】
前記サンプリング・セルが隣接した画像画素のブロックである、請求項６の方法。
【請求項９】
前記重複した縁（ｍ２１）と対応する重複した縁（ｍ１２）間の前記空間重複は、該重複した縁（ｍ２１）の画像画素の名目上の位置が該対応する重複した縁（ｍ１２）の対応する画像画素の名目上の位置に本質的に一致するようにされる、請求項１の方法。
【請求項１０】
前記ターゲットの上に形成される開口の前記画像が、各々のストライプ内で画像画素の隣接した位置の間の距離より大きい幅を有する、請求項１の方法。
【請求項１１】
隣接した画像画素の位置の間の距離に関して表される場合の前記開口の画像の幅は、少なくとも２、例えば２Ｎ（Ｎ≧１）である整数部分を有する請求項１１の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビームが複数のサブビーム（‘ビームレット’）で構成される例えば荷電粒子の形でエネルギー放射のビームでターゲットに照射するための改良された方法に関するものである。さらに詳細には、ターゲットを照射または露光するために用いるビームは、前記（粒子）放射を透過する複数の開口を有するパターン定義手段で定められ、照明ワイドビームで前記パターン定義手段を照らすことによって、後者は、開口を通じてパターン定義手段を横断し、対応する複数のビームレットで構成されるパターニングされたビーム（‘マルチビーム’）を形成する；このパターニングされたビームはターゲットの場所上で画像に形成され、その画像は複数の開口の少なくとも一部の画像を含む；さらに前記ターゲットとパターン定義手段との間の相対的な動きは、ビーム露光が実行される領域上の通路に沿ってターゲット上に前記パターン画像の動きを作成するように生成され、この領域をカバーしている多くのストライプを定める。ストライプは、隣接したストライプでのそれらの境界で、隣接したストライプのそれぞれの対応する重複した縁で空間的な重複がもたらされる重複した縁を含む。
【背景技術】
【０００２】
この種類のおよび関連する粒子ビーム装置のマルチビームの方法は、関連した従来技術としてここに本開示に組み込まれたものとする出願人／譲受人の米国特許第６，７６８，１２５号において開示される。その特許は、荷電粒子リソグラフィおよび処理方法と、マルチビーム直接書込み概念を実現させ、荷電粒子の単一の供給源から引き出される粒子ビームを組み立てるためにパターン定義（ＰＤ）装置としてプログラム可能な開口プレートシステム（ＡＰＳ）を使用するＰＭＬ２（「投影マスクレス・リソグラフィ」の省略）と呼ばれる装置とを記載する。
【０００３】
粒子リソグラフィおよび処理は、例えばウエハー基板のような半導体生産およびターゲットの微細構造の用途において用いられる。本発明に関して‘ターゲット’および‘基板’という語は、意味の違いなしで用いられる。特にイオンビーム照射によるダイレクト・パターニングは、特に３２ｎｍおよび２２ｎｍのノードおよびそれ以下の高解像度のナノスケール装置の将来の工業的な製造のために有望な概念である。好ましくは、ＰＤ装置は、プログラム可能な複数の開口の装置である。プログラム可能な複数の開口プレートに基づくマルチビーム投影光学系の実施により、収束単一ビームのシステムと比較して、達成可能な生産性の有意な改良が可能になる。改良された生産性の理由は、まず複数のビームを用いたプロセスの平行構造であり、第２に同じ解像度で基板に撮像される電流の増加である。両方とも、ビームにおいてかなり減少したクーロン相互作用によって可能になる。さらに、投影光学系に関係する中程度の電流密度は、前駆体ガスがビームに誘発された化学プロセスのために使われる時プロセス速度の改良につながる。収束ビーム・システムと比較して、また、極端なビーム強度による加熱効果の減少も防ぐことができる。
【０００４】
米国特許第６，７６８，１２５号および関連した従来技術で開示されたＰＭＬ２レイアウトのようなマルチビーム・レイアウトにおいて、粒子ビームは、ターゲット上の複数の画素を露光させるために用いられる。この開示において「画素」という表現は、物理的な（いわゆる）露光グリッドの単一のグリッド位置のために使われる、すなわち、ターゲットへ移されるときに所望のパターンを最終的に生成する個々の露光によってターゲットが露光されるグリッドである。定義上、画素は同じ幾何学的なスポットサイズを有するが、異なる照射量を得るために露光してもよい（０から１００％まで変化する）。画素の場所での各々の露光スポットは、ターゲットの上のＰＤ装置における対応している開口の撮像の結果である。画素に関連した露光スポットサイズはまた、物理的な露光グリッドのピッチより大きい（すなわち、画素が互いに隣に配置されるピッチより大きい）；露光スポットのサイズがこのピッチのおよそ倍数にある場合、出願人／譲受人の米国特許第７，２７５，７１４号において広範囲に議論される、かみ合わせグリッドについてのことも言うことができる。さらに一般に、いくつかのビームは、冗長な書込みモードが使われる場合、１つの画素の照射量に関与する。しかしながら、以下に記載される本発明の方法は、露光グリッド内の個々の画素の幾何学的な実現および配置から独立していることが強調される。
【０００５】
物理的に、画素露光は、例えば、特定時間の間のその画素の位置の個々のビームレットをスイッチ‘オン’および‘オフ’にすることによって生成される（選択されたビームレットをスイッチ‘オン’および‘オフ’にする方法は、さらに以下に記載する）。ターゲット上の画素の位置は、ターゲットに露光されるすべての領域をカバーするように連続的な画素露光サイクルの間で移動される。したがって、一連の画素露光サイクルは、ターゲット上のストライプの露光につながる。従来技術において、平行のストライプは、ターゲットに露光されないいかなる画素も除外しないように通常左右に書かれる。そのような進行の例は、図面において左に向っているスキャン方向で３つの隣接したストライプが示される図５に示される。これらのストライプは、露光されるターゲット上のすべての領域をカバーするためにそれらの側で当接する。
【０００６】
この方針は、しかしながら、計測学におけるエラーによって生じる撮像エラーに非常に影響されやすい。例えば図６にて図示したように、すでにスキャン方向の小さなずれは、露光されていないターゲット上のくさび形の領域を残し、他の領域は二重露光を有する。同じように、他の片寄り（図示せず）によって問題が生じる：例えば、ターゲットで作成される目盛係数の片寄り（光学縮小の小さな片寄りのような）、および／または、横方向の置き誤り（すなわち、隣接したストライプと関連するスキャン方向に横断する移動）は、類似した効果、すなわち、追加の露光隙間または二重露光を生じる。また、特異な縦の移動（すなわち、隣接したストライプと関連する１つのストライプの移動）はそれによって二重のまたは行方不明の露光が生じないにも関わらず問題があり、それによって、パターンにおいて不必要なずれがおそらく生じる。ストライプの相互の整列におけるそのようなエラーは、一般に境界エラーと呼ばれる。ストライプ毎の境界エラーが適当な計測学的方法によって最小化される一方で、避けられない計測学誤差のために、残りの境界エラーは発生する可能性がある。
【０００７】
電子ビーム・リソグラフィの方法は、ストライプの境界が各々の境界で隣接したストライプと重なるためにストライプは延長される米国特許第７，１２９，０２４号（Ｋｉ）において議論される。ストライプは、それから電子ビームを用いて、連続して露光する。電子ビームの照射量をスキャンするストライプの延長された領域内において、ストライプの延長されない領域の電子ビームのスキャン照射量より少ない。また、米国特許第６，２５８，５１１号（Ｏｋｉｎｏ）は、半分の露光時間の分量で露光して、相互に重なり合ったサブフィールドの使用を記載する。
【０００８】
この重なり合う方法は、電子ビーム露光スキャン照射量を変化させるまたは露光時間を減らすことのどちらによっても、ターゲット上の画素に伝えられる照射量に関してビームの調整を必要とする。ビームの照射量を変化させる前者の方法は、画素全体の集合が同時に露光するマルチビーム構成のビームレットの一部において可能ではない。画素の部分だけのための露光時間の変種は、ブランキング・システムの制御論理の費用の増加により可能である。
【０００９】
例えば米国特許第７，３６８，７３８号において提案されるグレースケールの方法は、ビーム照射量の変種を模倣するために使うことができた。グレースケールはパターンにおけるまたは全く露光するまたは全く露光しない画素の可能性に関連するが、ターゲット上の画素の部分的な露光を使用することによって中間の値（‘グレー値’）を有することができる。しかしながら、ストライプを重ねるためのグレースケールの使用は、ターゲット上の実際のグレースケールの実現と、特に広範囲でグレースケールを使用するパターンの場合、干渉する可能性がある。したがって、マルチビーム露光方法におけるグレースケールの使用の代替的な方法が追求される。
【００１０】
グレー値を使用することに関して、本発明の基礎をなすマルチビーム・システムの状況は、従来の単一のビーム・システム（例えばガウスビームまたは可変に成形されたビーム・システム）のそれと異なることを指摘する価値がある。単一ビーム・システムにおいて、照射量調整（ショット当たりのグレイ・レベル）は、通常非常に細かいステップで実行され、一方で、生産性のための基本的な制限は、限定されたビーム偏向速度および精度から生じる。マルチビーム照射装置において、ビーム当たりの可能なグレーレベルの数は、パターン定義装置の外部のデータレートに関連がある全体のデータレート制約により（概して、平行ビームの数およびトグル速度に従い１５−１５０Ｇｂｉｔ／ｓの全体速度に変換するビーム当たり４ビットから８ビットまで）、一般に限定されなければならない。ＰＭＬ２のようなマルチビーム照射装置の固有の制限条件のため、パターン端の細かい配置およびＣＤ制御は、例えば米国特許第７，２７５，７１４号に記載されるようにグレーレベル書込み方針によって達成されなければならない。さらに（レジストの追加の露光を生じさせる粒子の前後の散在による）いわゆる近接効果を考慮するため、グレーレベルはまた、局所的な照射量修正を実行することによって、近接効果を修正するために活用される。それゆえに、マルチビーム照射装置の場合には、従来技術に記載される方法と同様に部分的な露光を模倣するため、ストライプの重なり合う領域を実現させるのにグレーレベルを使用するよりはむしろ、上述した調整のためのグレーレベルの利用できる数を保存することが非常に要求される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】米国特許第６，７６８，１２５号公報
【特許文献２】米国特許第７，２７５，７１４号公報
【特許文献３】米国特許第７，１２９，０２４号公報
【特許文献４】米国特許第６，２５８，５１１号公報
【特許文献５】米国特許第７，３６８，７３８号公報
【発明の概要】
【００１２】
本発明は、そのような避けられない境界エラーの衝撃を減らすために重なり合うストライプの使用を改良し、従来技術の欠点を防ぎ、特にＰＭＬ２構成において使用されるマルチビーム露光方針によって提供される特別な可能性を活用することを目的とする。
【００１３】
この目的は、始めに説明された方法から始まり、隣接したストライプへのそれらの境界で露光ストライプが重複した縁を含み、ストライプの各々の重複した縁に、隣接したストライプの対応している重複した縁で、本発明の以下の方法によって空間的な重複がもたらされて達成される：重複した縁の画像の画素の名目上の位置は、対応している重複した縁において対応している画像の画素の名目上の位置と重なっている。さらに（第１の）重複した縁の露光の間、重複した縁の画像の画素の第１の部分集合が露光し、一方で同じ重複した縁における画像の画素の第２の部分集合は露光しない；対応している重複した縁（すなわち、第１の重複した縁と重ねる他のストライプの第２の重複した縁）の露光の間、（第１の重複した縁の）前記第１の部分集合の画像の画素に対応するこの第２の重複した縁の画像の画素は露光しないが、前記第２の部分集合の画像の画素に対応するこの第２の重複した縁の画像の画素は露光する。
【００１４】
この方法は、重なった縁内でパターンを同じに保つため、従来技術の原理から逸脱する；むしろ、いくつかの画素は１つのストライプ（重複した縁）の露光の間のみ露光し、他の画素は他の隣接したストライプ（対応している重複した縁）の露光の間のみ露光する。縁の重複によって遂行される２つのパターン構成要素の重ね合せによって、元々のストライプは回復される。境界エラーが発生する場合には、２つのパターン構成要素は必ずしも一致していないが、粒子−光学系の固有のぼやけのために、結果として生じるパターンは、名目上のパターンと比較すると、小さな変形のみを含んで生成される。実際、重なり合いによって生成される結果として生じるパターンは構成要素パターン間の中間であり、連続的に、ストライプの主な部分の両方のパターンの部分を連結する。したがって、本発明は、境界エラーの結果として従来技術の方法によって発生したストライプの境界での突然のオフセットを防止するのに役立つ。
【００１５】
本発明の方法は、第１のストライプまたは第２のストライプの露光の実行のどちらでも重なった領域内ですべての画素が露光する必要がないことに注目する価値がある；特に、露光するパターンがいかなる照射量なしでも残る領域および／または個々の画素を規定する場合、両方の実行で露光しない画素が存在する。
【００１６】
本発明の方法は、隣接した露光ストライプ間の移行を実現させるための単純な手順を提供し、ＡＰＳシステムの付加された複雑性のためのニーズを負わせない。実際、本発明は、パターンの特定の部分が単に消されることを必要とする。その部分に関する選択は、パターンのレイアウトおよび露光ストライプへの分割の間、前もって作成されることができる。特に、この方法は、パターンのグレー値の処理に影響を及ぼさない。
【００１７】
本発明のさらなる態様において、第１および第２の部分集合は、重複した縁内でターゲットに生成されている画素パターンにおける画像の画素の数に関して相補的である。
【００１８】
本発明の方法の好都合な展開において、第１および第２の部分集合の画像の画素の数の総計に対する第１の部分集合の画像の画素の数の比率は（すなわち、ｎ１／（ｎ１＋ｎ２））、それぞれのストライプを定める通路の方向に横断する方向に沿って、重複した縁の外側の境界の方へ向かって減少する。この比率は、重複した縁の連続的な小領域の列で段階的な方法で減少する可能性がある。これらの連続的な小領域の数は、一般に２から始まっているいかなる値であってもよく、適切な値は、例えば、ｎ２−１（ｎ≧２）または２２ｉ−１（ｉ≧１）である。
【００１９】
一般に比率は、重複した縁の内で、０より大きく、１未満である少なくとも２つの異なる値をとり、すでに言及されたように、異なる値の数は、例えば、ｎ２−１または２２ｉ−１である。
【００２０】
この比率は、それぞれの重複した縁または小領域内で均一のサイズのサンプリング・セルに関して表されるように最適にすることができる。これらのサンプリング・セルは例えば、矩形ブロックまたは正方形ブロックのように隣接した画像画素のブロックである。
【００２１】
さらに、名目上の位置が少なくとも本質的に、すなわち、光学系の撮像解像度の下の小さなずれ、特にターゲット上のパターンの許容可能な配置エラーの下にあるずれを省いて、一致するような方法で重なり合う重複した縁において含まれる画素間の重複を実現させることは、好都合である。許容可能な配置エラーの典型的な値は、３ｎｍである。
【００２２】
本発明の方法は、露光スポット、すなわち、ターゲットの上に形成された開口の画像が、各々のストライプ内の画像画素の隣接した位置の間の距離よりも大きい幅を有するかみ合わせグリッドを実現させる配置と結合して特に利点を有する（米国特許第７，２７５，７１４号参照）。この場合は、上述のサンプリング・セルを選択する適切な方法として、セルは、ターゲット上の単一の露光スポットによってカバーされる画素の数に対応する数の画素を含む可能性がある。隣接した画像の画素の位置の間の距離に関して表される場合、露光スポットの幅はその整数部分（または整数におよそ等しい値）が少なくとも２、例えば２Ｎ（Ｎ≧１）である値を有する。
【００２３】
本発明は、粒子ビームの実施態様で機能的なだけではなく、ＥＵＶまたはＸ線システム、または一般に、十分にエネルギー性である電磁放射を用いる、または、ターゲットを露光および／または組み立てるのに適切な周波数を有するシステムにも適切である。後者の場合、パターン定義手段は、開口よりもむしろ前記放射を反射するように構成される複数のミラー素子を有し、パターン定義手段の前記ミラー素子で放射を反射することにより、対応している複数のこの放射のビームレットからなるパターニングされたビームは形成され、ターゲットに撮像されて、そこでパターン画像は、ミラー素子の画像によって形成される。ビームレット（スイッチ・オン／オフ）のブランキングはそれからミラー素子を傾けることによって達成される。粒子放射の代わりに電磁気放射を使用するシステムの本発明の実施は、特に、重複した縁を備える露光ストライプに沿ってターゲットを露光させ、上記で概説され、以下に詳細に説明されるように部分集合による別々のストリップの画素を露光させる方針に関して、完全に類似していることが明確であることが言える。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
以下では、本発明は図面に関してさらに詳細に記載される：
【図１】図１は、長手方向の断面における本発明に適した粒子ビーム露光装置の概要を示す；
【図２】図２は、ターゲットへの露光ストライプ書込み方針を示す；
【図３】図３は、ずらされた線へ画像の分野において同時に露光する主たる画素の配置を示す；
【図４】図４は、矩形のグリッドによる主たる画素の他の配置を示す；
【図５】図５は、続く図面の参照として隣接したストライプの書込みを示す；
【図６】図６は、図５のストライプの可能なずれを示す；
【図７】図７は、本発明の重複した縁を有するストライプを示す；
【図８】図８は、本発明の画素露光の段階的な代替によって実行される露光断片の変種を示す；
【図９】図９は、図８の重複した縁の露光断片の変種を示す；
【図１０】図１０は、本発明がどのようにきちんと並んでいない隣接したストライプの効果を軽減するのに役立つかを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下において議論される本発明の好ましい実施態様は、大幅に削減した投影系を有する上述した米国特許第６，７６８，１２５号および米国特許公開第２００９／０２００４９５  Ａ１号にて開示したように、ＰＭＬ２タイプの粒子ビーム露光装置およびそのパターン定義（ＰＤ）システムの展開である。以下では、本発明に関連する限り、最初に装置の技術的な背景が議論され、それから、本発明の実施態様が詳述される。本発明は、単に発明の可能な実施態様の例を表すのみである以下の実施態様またはＰＤシステムの特定のレイアウトに制限されず；むしろ、本発明は、粒子ビームおよびマルチビーム・パターニングを同様に使用する他のタイプの処理システムに適していると認識されるべきである。
【００２６】
ＰＭＬ２システム
本発明を使用している投影マスクレス・リソグラフィ粒子ビーム処理装置ＰＭＬ２の図式的な概要は、図１に示される。以下では、本発明を開示するために必要であるので、それらの細部のみが与えられる；明確性のため、構成要素は図１のサイズに示されない、特に粒子ビームの横の幅は誇張される。詳細については、粒子ビーム装置およびＰＤ手段の全体的なレイアウトに関する教示が参照によってここに含まれる米国特許第６，７６８，１２５号および米国特許公開第２００９／０２００４９５  Ａ１号が参照される。
【００２７】
すでに言及されたように、粒子供給源によって生成された粒子ビームは、ＰＭＬ２システムにおいて使われる。照明荷電粒子光学系は、ターゲット表面に投影されるビーム・パターンを定めるため、ビームで、規則的なアレイの開口を有するＰＤ手段を照らす広いビームを作る。各々の開口によって小さなビーム（また‘ビームレット’と呼ばれる）が定められ、開口を通じた各々のビームの通過は、可能にする（‘スイッチ・オン’）、または、開口および／またはターゲットの方への次の光学縮小荷電粒子投影光学によりビームの粒子の通過を効果的に停止させる（‘スイッチ・オフ’）ために制御される。開口アレイに広がるビームは、開口の空間配置によって表されるようにパターン情報を持つパターニングされた粒子ビームを形成する。パターニングされたビームはそれから、ターゲット（例えば半導体基板）上へ、光学縮小荷電粒子光学的投影系によって投影され、そこで対応するビームが偏向しないそれらの開口の画像は、照射された部分でターゲットを修正するために形成される。ビームによって形成された画像は、各々のダイ領域の上で直線の通路に沿って動かされる；この（大規模な）動作は、おそらく投影系の微調整により、通常ターゲット段階の連続的な動作によって達成される。スキャン方向に対して垂直方向におけるビームの追加のスキャニングは、例えば、スキャニング段階の横の移動の動作エラーを補正し、さらに特別の露光技術の場合で、近距離にのみ実行される（以下の図４に関するものを参照のこと）。
【００２８】
装置１００の主な構成要素は、―この例で図１において垂直に下方へ動くリソグラフィ・ビームｌｂ、ｐｂの方向で―照明システム１０１、ＰＤシステム１０２、投影系１０３、および、ターゲットまたは基板１４を有するターゲット・ステーション１０４である。荷電粒子光学系１０１、１０３は、静電および／または電磁レンズを使用して実現する。装置１００の荷電粒子光学パーツ１０１，１０２，１０３は、装置の光軸に沿ったビームｌｂ、ｐｂの妨げられない伝播を確実にするため、高真空で保持される真空ハウジング（図示せず）において含まれる。
【００２９】
照明システム１０１は例えば、電子またはイオン源１１、仮想線源の場所を定める抽出器配置、イオンビームを使用する場合には粒子フィルタとして使われる一般的なブランカー１２、および、集光レンズシステム１３により実現された照明荷電粒子光学を含む。使用されるイオンは例えば、水素イオンまたは重イオンである；この開示における文脈において、重イオンはＣより重い要素のイオン、例えばＯ、Ｎ、または、希ガスＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅを指す。イオンは別として、粒子は電子銃から発された）電子である、または、一般に他の電気的に満たされた粒子を同様に使うことができる。
【００３０】
粒子供給源１１は、例えばΔＥ＝１ｅＶの比較的小さなエネルギーの広がりで、概して数ｋｅＶの定められた（運動）エネルギーを有する（例えばＰＤシステム１０２で５ｋｅＶ）水素またはＡｒ＋イオンのような、主に特定の種類のエネルギー性電子またはイオンを発する。速度／エネルギーに依存するフィルタ１２は、供給源１１においても作成される他の不必要な粒子の種類をろ過するのに役立つ；フィルタ１２はまた、ビームレットの再配置の間、全体としてビームを消すために用いられる。粒子光学集光レンズシステム１３によって、供給源１１から発される荷電粒子は、広い領域のリソグラフィ・ビームｌｂとして役立つ本質的にテレセントリックなビームに作られる。
【００３１】
リソグラフィ・ビームｌｂはそれから、その位置を保つために必要な装置と共にＰＤシステム１０２を形成するＰＤ装置に照射する。ＰＤ装置はリソグラフィ・ビームｌｂの通路における特別な位置で保持されて、したがって複数の開口２１によって形成される開口パターンに照射する。すでに言及されたように、各々の開口は、ターゲットに届くようにビームレットがそれぞれの開口を通過させるため「スイッチ・オン」または「開く」ことができる；開口は、入射ビームを透過すると言える。別に開口は、「スイッチ・オフ」または「閉じる」ことができ、その場合、それぞれのビームレットのビーム経路は、それがターゲットに届く前に吸収されるまたはビーム経路から別途取り除かれる方法で（例えば、横断方向の電圧が適用される偏向器電極によって）影響を受ける；したがって、開口は効果的に非透過であるまたはビームを通さない。スイッチ・オンの開口のパターンは、これらの開口が、開口から（すなわち、図１において、ＰＤシステム１０２の下で）現れるパターニングされたビームｐｂに作られるビームｌｂを透過するＰＤ装置の唯一の部分であるので、基板に露光するパターンによって選択される。特にそのメクラプレートに関するＰＤ装置の構成および動作は、以下に詳細に議論される。図１において、５つのビームレットのみがパターニングされたビームｐｂに示され、一方で、ビームレットの実際の数が非常に大きいすなわち、概して数千であることは、明確である；示されるビームレットの中で、それが吸収プレート１７に吸収されるので、左から二番目のものはスイッチ・オフされて表され；スイッチ・オンされた他のビームレットは、プレート１７の中央開口を通過し、したがってターゲット上へ投影される。
【００３２】
パターニングされたビームｐｂによって表されるパターンはそれから、スイッチ・オンの開口の画像を形成するところで基板１４の上の荷電粒子光学的投影系１０３によって投影される。投影系１０３は、例えば２００倍の光学縮小を実行する。基板１４は例えば、粒子高感度レジスト層によってカバーされるシリコン・ウエハーである。ウエハー１４は、ターゲット・ステーション１０４のウエハー・ステージ（図示せず）によって保持されて配置される。二次放射のための検出器１５は、ビームに関して基板の適当な位置決めを検出するために用いることができる。
【００３３】
投影系１０３は例えば、それぞれ交差ｃ１、ｃ２を有して２つの連続的な荷電粒子光学的プロジェクタ・ステージから構成される。プロジェクタを実現させるために用いる電界レンズ３０は、静電撮像システムの技術的な実現は従来の技術では周知であるので象徴的な形状のみで図１に示され；本発明の他の実施態様において、磁気および／または電磁レンズもまた適切である様に含まれる。第１のプロジェクタ・ステージは、第２のプロジェクタ・ステージによって基体表面上へ順番に撮像される中間の画像へＰＤ装置の開口の平面を撮像する。両方のステージは、交差ｃ１、ｃ２による光学縮小撮像を使用する；したがって、中間の画像が逆転される一方、基板に作成される最終的な画像は垂直である（逆転されない）。光学縮小率は両方のステージにおいて約１４倍であり、全体的な２００倍の光学縮小につながる。この光学縮小は、ＰＤ装置の小型化の問題の質を引き上げるリソグラフィ構成では特に適切である。荷電粒子光学レンズは主に静電電極から構成されるが、磁気レンズが使われてもよい。
【００３４】
光学系のさらなる詳細は、上記の引用された従来技術において見つけることができる。
【００３５】
小さな横の移動、すなわち光軸ｃｘに対して垂直な方向に沿った移動を画像に導入する手段として、偏向手段１６は、プロジェクタ・ステージの一方または両方において提供される。そのような偏向手段は例えば、米国特許第６，７６８，１２５号において議論されるように多重極電極システムとして実現することができる。加えて、軸方向の磁気のコイルは、必要な所で基板平面のパターンの回転を生成するために用いられる。横の偏向は、通常パターニングされたビームｂｐの横の幅と比較してとても小さく、多くの場合、単一のビームレット、または隣接したビームレットの間の距離の数桁の幅であるが、ビーム幅の下の少なくとも一桁分である、（この文脈において、ビームレットの間の横の距離がビームｂｐの全幅より相当小さいと認識されるべきである）。
【００３６】
露光ストライプを用いたパターン書込み
ＰＤシステム１０２において形成されるパターンによって、任意のビーム・パターンが生成され、基板へ移されることができる。
【００３７】
図２を参照すると、例えば、レジストでカバーされたウエハー４１として示される、ターゲット上のＰＤシステム１０２によって形成される画像領域ｍｆは、通常ターゲットより小さい定形のサイズを有する。したがって、絶え間なくターゲット上のビームの位置を変えるようにターゲットが入射ビーム下で動く所で、スキャニング・ストライプ露光方針は利用される：ビームは、ターゲット表面を通じて効果的にスキャンされる。図示した実施態様において、（大規模な）動きをもたらすのはターゲットであるので、ビーム−スキャニング方針は大規模な動きのために必要とされない；本発明のためのみに、ターゲット上の画像領域ｍｆの相対運動が関連することが強調される。
【００３８】
ターゲットおよびビームの相対的な動きは、一連のストライプｓ０（露光ストライプ、スキャンラインとも呼ばれる）、を形成するように画像領域ｍｆがターゲット４１の表面を通じて動くように実現する。各々のストライプ４２の幅は、スキャン方向ｓｄに対して垂直な画像領域４３の幅ｙ０に対応する。ストライプの完全な集合は、基体表面の全体の領域をカバーする。動きのビーム路程を最小化するため、スキャン方向ｓｄは、１つのストライプから次に交替する（犂耕的な動作）。他の実施態様において、スキャン方向はすべてのストライプで同じであり、例えば、１つのストライプの端部から（図４において左にある）次のストライプ（右の）の開始までの画像の迅速な再配置での図２における右から左の方向である。ストライプ間の再配置は一般に、出願人／譲受人の米国特許公開第２００９／０２００４９５  Ａ１号にて説明したように、ビームの一般的な無力化を用いて実行される。
【００３９】
上記から、画像領域４３が複数のパターン画素ｐｘから構成されることは、明確である。しかしながら、定型数の開口のみがＰＤシステムの開口領域に存在するので、画素ｐｘの部分集合のみが同時に露光することができると認識されるべきである。同時に露光することができる画素は、以下に主たる画素ｐ１と呼ばれる（主たる画素の可能な空間配置について、図３および４を参照のこと）。主たる画素ｐ１はＰＤシステムの開口の画像であるので、それらは（光学系の光学縮小のため）異なるスケールでＰＤシステムの開口手段の開口の空間配置を複写することはいうまでもない。連続的な画素露光サイクルの連続において、画像領域４３は、連続的にターゲット上のすべての画素ｐｘを露光させるように（ターゲットの動き、ビームの動きまたは両方の適当な組合せによって達成される）ターゲット上で取り除かれる。
【００４０】
図３は、パターン画素の基本的な格子の範囲内で、主たる画素ｐ１のグリッドの１つの可能な配置を示す。主たる画素ｐ１は、（スキャン方向ｓｄに平行な線である）各々の画素線においてずらされたグリッドにあり、そこに同じ数の主たる画素ｐ１が存在し、主たる画素ｐ１の位置は、規則的な方法で典型的な実施態様において１つの画素線から次の画素線まで変化する。このレイアウトの利点は、ストライプ全体が矢印線ａ３で示すように線形の動作で進むターゲットに露光する順序で主たる画素ｐ１によって露光することができることである。したがって、スキャン方向ｓｄに沿って線形の方法でターゲット上において画像領域４３を動かすのに十分であり、右上角の３つの主たる画素ｐ１のための矢印線で示すように主たる画素のセットは、スキャン方向に横断方向の画像の余分の動きを必要とせずにすべてのパターン画素ｐｘをカバーする。
【００４１】
図４は、基本的なパターンの画素格子内、すなわち、規則的な矩形のグリッド内での主たる画素ｐ１のグリッドの可能な他の配置を示す；この場合、基本的な格子の３ｘ３間隔を有する正方形のようなグリッド（‘四角形グリッド’）である。この場合、追加の横断方向の動きは、スキャン方向に沿った画像の動作の間作成されるので、主たる画素ｐ１は、ターゲット上のすべてのパターン画素位置ｐｘをカバーすることができる。横断方向の動きは例えば、階段状の矢印線ａ４によって例示されるように偏向手段１６によって提供される。多くの画素が異なる画素線において露光した後、動きは、元々の画素線へ戻る（プラス、間隔が経過した時にもたらされる方向ｓｄに沿った線形の変位）。したがって、横断方向の動きの振幅は小さくすることができる；振幅は、ビームレットのおよその相互の距離であることはいうまでもない。（小さな数、概して２から８によって逓倍されるビームレットの幅と同等である；図３および４において、この数は３である；ターゲット面において、ビームレットの幅も画素ｐ１の幅ｙ１に等しい）。この変形例は、図３で示すずらされたレイアウトと比較すると、ＰＤ装置の開口配置の幾何学的なレイアウトを単純化する。
【００４２】
実際のパターンにおいて、すべての画素が完全な照射量で露光するわけではないが、いくつかの画素は、実際のパターンにしたがって「スイッチ・オフ」されることに注目する価値がある；いかなる主たる画素（または、同等にすべてのビームレット）において、露光するまたはターゲットに組み立てられるパターンによって画素が「スイッチ・オン」または「スイッチ・オフ」されるかにより、１つの画素露光サイクルから次のサイクルまで変化することができる。しかしながら、本発明の説明のため、実際のパターンの実現は無関係である。したがって、以下の説明では、個々の選択されたビームレットがスイッチ・オフされるという事実は、考慮から外される；すべてのビームレットは常に、あたかも露光するパターンが、すべてのターゲット領域をカバーするようにスイッチ・オンされたものとして（ターゲットで作動中である）示される。実際の実施態様において、ビームレットの相当数がターゲットの照射の間にスイッチ・オフされる必要があるパターンが上に重ねられることに留意するべきである。
【００４３】
従来技術による平行ストライプの書込みは、図５および６を参照して上記された。境界エラーが発生するべきときでも、隣接した露光ストライプ間の境界全体の移行の特徴を改良するため、本発明は、重複した縁に基づくが、マルチビーム露光の文脈において改良された方針を使用する露光方法を提案する。
【００４４】
重複した縁
図７は、ストライプ間のそのようなずれの効果を軽減する効率的な方法を示す。重複領域ｍ１２、ｍ２３と呼ばれる縁のような領域においてそれらが重なるようにストライプｓ１、ｓ２、ｓ３は配置される。各々の重複領域の幅はストライプの幅と比較して小さいが、スキャン方向全体にとる画素の幅ｙ１（図３）よりなお大きい。図７において、重複した縁ｍ１２の左端で画素は象徴的に表される；本発明の現実的な実施で、概して数十から数百の範囲で重複した縁の画素線の番号は相当高いということに留意する必要がある。
【００４５】
したがって、ストライプは、少なくとも１つの重複した縁、ストライプのいずれの端にも位置する概して２つの重複した縁を備える。例えば図７において、ストライプｓ２は、隣接したストライプｓ１、ｓ３のそれぞれ同類の重複した縁に各々対応する重複した縁ｍ１２およびｍ２３を加えることによって延長される。隣接したストライプの重複した縁を上に重ね合うことによって、連続的な画像パターンがターゲットに取り戻される。２つの隣接したストライプの重複により定められるターゲット上の重複の範囲内で露光は、２つのストライプの第１のものの重複した縁の露光の間に部分的にもたらされ、第２のものの露光の間に部分的にもたらされる；２つの露光は、ストライプの主要部（すなわち、重なることのないストライプの領域）と同等な完全な露光を作成するために組み合わされる。
【００４６】
従来技術において、部分的な露光は、１つのストライプの重複した縁の照射量が完全な露光の二分の一であるように照射量を調整することによって達成されることが提案された；これは、重複した領域で完全な露光を生じるように嵌合する重複した縁の露光量の他の半分と組み合わせられる。さらなる展開において、含まれる値は１になる異なる分数であり、米国特許第７，１２９，０２４号で示すように例えば２５％、５０％および７５％の値で露光量は段階的に変えられる。露光量の調整は、しかしながら本発明の主な焦点を形成するマルチビーム照射装置において実現させるのが困難である。
【００４７】
さらに、すでに議論されたように、従来技術に記載される方法に対応する方法でストライプの重なり合う領域を実現させるためにグレーレベルを使用するよりはむしろ、パターン配置および近接効果の調整のために利用できるグレーレベルの数を保存することは、マルチビーム照射装置の場合非常に要求される。
【００４８】
従来技術とは対照的に、本発明の方法は、それぞれの場所で上に重ねられる（２つの）重複した縁の１つまで重複した領域の各々の画素を割り当てて、ターゲットに露光する画素を分割する。したがって露光する画素のそれぞれの照射量値は、どのストライプが画素を生成するかに関わらず変わらない。
【００４９】
図８は、図７の２つのストライプｓ１、ｓ２の重複した縁ｍ１２、ｍ２１が重複した領域の詳細である本発明の本態様を示す。それに属している重複した縁ｍ２１を含む、ストライプｓ１の間で露光する画素の（画素の露光スポットサイズが図８に示される円より大きい幾何学径を有する点に留意のこと）画素の位置は斜線の円によって表される；それに属している重複した縁ｍ１２を含むストライプｓ２の間で露光する画素（または画素位置）は白い円で表される。図８の一番上の範囲で示されるストライプｓ１の主な領域において、画素は、全体にストライプｓ１によって露光し、一方ストライプｓ２の主な領域の画素、すなわち、図８の一番下の範囲は、全体にストライプｓ２によって露光する。重複した縁ｍ１２、ｍ２１の重ね合せによって形成される重複した領域において、各々の画素は、ストライプｓ１またはストライプｓ２で露光する。ストライプｓ１（斜線の円）に属している画素の頻度は、重複した縁ｍ２１の外縁部の方へ進む場合、すなわち、図面において縁ｍ２１の下部の端の方へ下降する場合に、段階的に減少する。これに反して、ストライプｓ２（白い円）に割り当てられる画素は、ストライプｓ２の主な部分に接近するとますます頻度が高くなる。
【００５０】
変形例において、図８に示される図は、例えば、多くのパターン画素で１つの主たる画素から次の主たる画素（最終的な主たる画素を除外する）までの列ａ３、ａ４において露光するパターン画素を表す主たる画素を示すだけである。各々の円は、それからターゲット上のパターン画素の対応している数を表す。以下では、単純な語‘画素’は、図８の円のいずれの解釈のためにもターゲット上のいずれの種類もの画像画素、すなわち、パターン画素または主たる画素を指すことができる。
【００５１】
本発明によると、ストライプのいずれかによって露光するパターンは同じであるが、各々のストライプの書込みプロセスの間、そのストライプに割り当てられる画素のみが使われる。重複した縁において、すべての重複した縁において、画素は、相補的傾向のストライプのどちらにでも分配されるので、これにより、取り戻される完全なパターンが生じる。
【００５２】
本発明の好都合な展開において、その一端からその他端への重複した縁を交差する場合の画素移行の頻度は段階的である。また、図８から目に見える様に、重複した縁は、以下にグリッド階層と呼ばれる多くの平行した小領域９０１、９０２・・・９１５に分割される。各々のグリッド階層９０１・・・９１５の範囲内で、第２のストライプｓ２に割り当てられるものと比較して、第１のストライプｓ１に割り当てられる画素の比率は本質的に均一であるが、１つのグリッド階層から次のグリッド階層において減少する（または、縁を横切る図８において下方または上方に進むかどうかによって増加する）。概して、グリッド階層の幅ｙ９は、主たる画素ｐ１の隣接したビームの距離に対応する（それは、図８のこの場合４画素であるが、図３および４の例においては３画素である）。
【００５３】
例として、５ｎｍ画素の距離（５ｎｍの物理的なグリッド）および、２０ｎｍの露光スポットサイズを有する、かみ合わせグリッドにおいて、５ｎｍｘ５ｎｍの１６の画素の総数と重複した２０ｎｍｘ２０ｎｍのスポット領域で、最も小さな階層幅ｙ９は、２０ｎｍである。いかなるより大きい階層幅も、例えば、グリッド階層の幅の総計により定められるように対応してより広い長さスケールで境界エラーを消すために同様に選択することができることは明確である。特徴の長さに匹敵する階層幅が大きいほど、重なり合う領域の境界エラーはより小さくなる。
【００５４】
図８において、各々のグリッド階層９０１・・・９１５は４画素の幅（または場合により、４つの主たる画素の幅）であり、各々のグリッド階層の範囲は、左側でマークされる。その形状の追加のラベル「ｎ２／Ｎ１＋ｎ１／Ｎ１」は、均一のサイズのサンプリング・セル９２に基づいて分数として表されるいずれのストライプによっても露光する画素（すなわち、パターン画素または主たる画素）の頻度を与える。画素の数を称するラベルｎ１およびｎ２は、Ｎ１画素を含むサンプリング・セルの画素に関して、それぞれ第１または第２のストライプｓ１、ｓ２に割り当てられる。示される場合において、サンプリング・セルは、各々Ｎ１＝４ｘ４＝１６  画素の正方形のセルである。ストライプは、関連するストリップｓ１の主要部の方へ向かって重複した縁ｍ２１の外側の境界でストライプ９０１から始まって番号をつけられる；したがって、番号付けは、ストリップｓ１に割り当てられる画素の番号ｎ１に対応する。結果的に、第１の（または最も外部の）グリッド・ストライプ９０１は、例えばラベル「１５／１６＋１／１６」に対応し、最後のグリッド（または最も内部の）ストライプ９１５は「１／１６＋１５／１６」に対応する。サンプリング・セル９２の１つの列の輪郭は、破線の正方形として図８に示される。各々のグリッド階層から次の階層まで、ストライプｓ１に割り当てられる画素数は、ちょうど１増加する。グリッド・ストライプの数はしたがって、サンプリング・セル引く（マイナス）１の画素数である（それぞれ、値０およびＮ１がストライプｓ１およびｓ２の主要部に対応するので）。
【００５５】
サンプル・セル９２の形状は例えば正方形のようであるので、その画素数Ｎ１は、概して平方数ｎ２である（ｎ＝２、３、４・・・）。これらのうちで、２の累乗であるｎを有する値が特に関心事であるので、Ｎ１＝２２ｉ（ｉ＝１、２、３・・・）である。言及されるように、グリッド階層の（最大限の）数は、サンプル・セル引く（マイナス）１、すなわちＮ１−１の画素の数である。
【００５６】
各々のグリッド階層内で、１つのストライプに属している画素は、他のものに属している画素の中で分散する。したがって、重複した縁のそれぞれの画素によってグリッドのかみ合わせとして記載されるものが存在する。
【００５７】
図９は、ストライプｓ１（左側）から始まりストライプｓ２（右側）までの重複した領域全体を進む場合、Ｎ１＝１６での画素の頻度を示す。重複した領域ｍ１２、ｍ２１の画素の頻度は段階的に変化し、段階的および「準連続的な」移行を実現させる。各々のステップは、図８のグリッド階層９０１・・・９１５に対応する。
【００５８】
グリッド階層目盛は１による増加を実行するが、特に、４の増加量（それぞれのストライプの主部分に対応する目盛の最初のおよび最終的な値で３つの中間の値を実現させる例えば目盛０、４、８、１２、１６のようなユニークな増加量の値を使用して、他の目盛も同様に可能であることは明確である。
【００５９】
本発明の実施のための典型的な寸法の１つの例のみを与えるため、４×４画素（ｙ１＝４０ｎｍの幅を有する）を有するサンプル・セルの幅ｙ９＝ｎ・ｙ１は０．１６μｍであり、グリッド階層当たりの１つの画素の増加を有する目盛のためにＮ１＝１６の値を有する重複した縁の幅は（Ｎ１−１）・ｎ・ｙ１＝２．４μｍである。２つの画素の増加では、重複した縁の幅はおよそ半分、すなわち、１．１２μｍである。これにより、各々のグリッド階層が通常パラメータの適切な選択であるサンプル・セルの幅を有するとみなされる。５ｎｍの物理的なグリッド（画素サイズ）および２０ｎｍスポットサイズ、すなわち、上述したかみ合わせグリッドの本発明の実施のための寸法の他の例では、４×４画素を有するサンプル・セルの幅ｙ９＝ｎ・ｙ１（ｙ１＝５ｎｍの幅を有する）はわずか０．０２μｍであり、１つの露光スポットの幾何学径およびＮ１＝１６の値を有する重複した縁の幅は、グリッド階層当たりの１つの画素の増加を有する目盛のために（Ｎ１−１）・ｎ・ｙ１＝０．３０μｍである。
【００６０】
境界エラーの軟化
図１０ａおよび１０ｂは本発明の重複した縁の利点を示す、すなわち、例示的なケースで、隣接したストライプの間で発生する境界エラーは、互いに関連して１つのストライプの小さな変位を引き起こす。図１０ａにおいて、画素が、第１または第２のストライプの斜線のまたは白い円によって示される図８に記載のものと同じ方法で；加えて、完全な正方形および破線の正方形は、見た目のガイドラインとして重複した縁のグリッドを示して、画素の位置は示される。図１０ａにおいて表される画素に加えて、各々のパターン画素は、そのぼやけが図１０ａに示される画素の間の距離である固有のぼやけ（明確性のため図示せず）を有してターゲットに生成されることは、当業者には明確である。（重複しない画素配置においてのものと比較して）境界エラーの衝撃が露光グリッドにおけるより多くのステップに分配することができるので、より平滑化効果に関連するのは、効果的にパターン上の境界エラーの衝撃を減らす露光スポット（画素）を重ねる使用である。その結果、図１０ｂにて示したように、本発明の露光ストライプ間の移行は、小さなステップに境界エラーから「伸びる」、例えば実際の変位オフセットの１／Ｎ１  ＝１／１６  である。したがって、境界エラーによって生じる限界寸法（ＣＤ）におけるエラーは、ストライプの端が関係する境界で局所化されない；むしろ、本発明は重複した縁の範囲の上のエラーを「伸ばす」または「塗る」。例えば図１０ｂに関して、ｘ方向に沿って例えば３２０ｎｍの長さの垂直線（すなわち、スキャン方向に対して垂直に動く）は、ストライプ間の境界を交差させる。例えば２ｎｍの配置エラーを引き起こす境界エラーは（水平なベクトルによる変位）、重複した縁を使用せずに発生する２ｎｍの突然の変位の代わりに、２ｎｍ／１６＝０．２５ｎｍの線の変形に伸ばされる。非常に重要な他の仕様は、ＣＤ制御である。重なり合う領域内に位置する水平な線を他の例（図示せず）として考えると、この線のＣＤは、わずか０．２５ｎｍにより２ｎｍの垂直境界エラーによって変わり、それが２つの階層幅である場合２＊０．２５ｎｍであり、線幅が１つの階層幅よりかなり小さい場合実質的にゼロの値に減少する；この最後の場合は、重大な特徴のための最も一般的な場合である（水平である場合は水平な境界エラーのＣＤエラーはない）。結果的に、本発明による柔らかい境界の方法によって、最終的なターゲットの仕様およびパターン・タイプは、どのように階層幅の必要な値が選択されるかを決定する。この場合、より多くの露光ストライプがすべての基板をカバーするのに必要であるので、より大きい重複は効率を減らすことは明らかである。
【００６１】
要約すると、本発明は、置き誤りおよび／または隣接したストライプ間での異なる計測の「軟化」を達成するため、ストライプの重複した領域の概念の新規な実現を提供する。ストライプ重複は、フェードアウトに類似した１つの階層から他の階層までのグリッド位置の連続した置き換えがある一連のグリッド階層に分割される。隣接したストライプに属する画素グリッドのかみ合わせを実現させる可能性を活用する最高の均質性が達成されるように、置き換えの列は実行される。
【００６２】
本発明の方法の特別な利点は、以下の通りである。
・  追加のグレーレベル補正または適合が必要とされない。いかなる像点ものグレーレベルが、ストライプを露光するための画素の分割との干渉なしで使うことができる。
・  境界エラーの有害反応は、減らされる。これは、境界エラーが一連のセルに分配され、１つのセルにおいて、ビームレット（すなわち、画素）の１つのみまたは小数の位置はセル内の他のビームに関して変えられるという事実の結果である。
・  重大な設計の特徴の局所的均一性における境界エラーの衝撃は、徹底的に減らされる。本発明によると、境界エラーによって非常に小さな局所的パターン変形および配置エラーのみが生じる。
・  本発明は、ストライプ境界全体の短いおよび長い特徴のために機能的である。重複した領域は、可能な最小の階層幅を選択することによって効果的に最小化することができる。
・粒子ビーム・ツールのための境界の仕様は、ＣＤ制御仕様（概して、６シグマで、約３．５ｎｍ）よりも、配置仕様の範囲（概して、３シグマで、１から２ｎｍ）、に縮小することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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