(57)【要約】      （修正有）【課題】欠陥検査パターン回路に関し、ｐ側コンタクト及びｎ側コンタクトのいずれのコンタクト不良も検出可能にする。【解決手段】ｐ型半導体基板１と、少なくとも２つのｐ型ウエル領域２，４と、少なくとも１つのｎ型ウエル領域３と、ｐ型ウエル領域の一つに設けた第１のｐ+型活性領域６と、他のｐ型ウエル領域４に設けたｎ+型活性領域８と、ｎ型ウエル領域３に設けた第２のｐ+型活性領域７と、第１のｐ+型活性領域６に設けたコンタクトプラグ１０と、ｎ+型活性領域８及び第２のｐ+型活性領域７に設けた各一対のコンタクトプラグ１２，１３と、各コンタクトプラグを、第１のｐ+型活性領域６に設けたコンタクトプラグ１０から順に上下互いに接続してコンタクトチェーンを形成する配線１５，１６，１７とを有する欠陥検査パターン回路におけるｎ型ウエル領域３の体積を第１のｐ+型活性領域６を形成したｐ型ウエル領域２の体積より小さくする。【選択図】図１
2011054752.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型半導体基板と、
前記ｐ型半導体基板に設けた少なくとも２つのｐ型ウエル領域と少なくとも１つのｎ型ウエル領域と、
前記ｐ型ウエル領域の一つに設けた第１のｐ+ 型活性領域と、
前記ｐ+ 型活性領域を設けたｐ型ウエル領域以外の他のｐ型ウエル領域に設けたｎ+ 型活性領域と、
前記ｎ型ウエル領域に設けた第２のｐ+ 型活性領域と、
前記第１のｐ+ 型活性領域に設けたコンタクトプラグと、
前記ｎ+ 型活性領域及び第２のｐ+ 型活性領域に設けた各一対のコンタクトプラグと、  前記各コンタクトプラグを、前記第１のｐ+ 型活性領域に設けたコンタクトプラグから順に上下互いに接続してコンタクトチェーンを形成するように上側で前記コンタクトプラグを接続する配線と
を有する欠陥検査パターン回路であって、
前記ｎ型ウエル領域の体積を前記第１のｐ+ 型活性領域を形成したｐ型ウエル領域の体積より小さくしたことを特徴とする欠陥検査パターン回路。
【請求項２】
前記ｎ型ウエル領域の体積を、前記第２のｐ+ 型活性領域に設けたコンタクトプラグの電子線照射に伴う二次電子放出によるコントラストが予め設定した判定基準に対して暗状態と判定可能な大きさとすることを特徴とする請求項１に記載の欠陥検査パターン回路。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の欠陥検査パターン回路をチップ内に有する半導体ウェーハ。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の欠陥検査パターン回路をチップ間のスクライブ領域に有する半導体ウェーハ。
【請求項５】
ｐ型半導体基板と、
前記ｐ型半導体基板に設けた少なくとも２つのｐ型ウエル領域と少なくとも１つのｎ型ウエル領域と、
前記ｐ型ウエル領域の一つに設けた第１のｐ+ 型活性領域と、
前記ｐ+ 型活性領域を設けたｐ型ウエル領域以外の他のｐ型ウエル領域に設けたｎ+ 型活性領域と、
前記ｎ型ウエル領域に設けた第２のｐ+ 型活性領域と、
前記第１のｐ+ 型活性領域に設けたコンタクトプラグと
前記ｎ+ 型活性領域及び第２のｐ+ 型活性領域に設けた各一対のコンタクトプラグと
前記各コンタクトプラグを、前記第１のｐ+ 型活性領域に設けたコンタクトプラグから順に上下互いに接続してコンタクトチェーンを形成するように上側で前記コンタクトプラグを接続する配線と
を有する欠陥検査パターン回路であって、
前記ｎ型ウエル領域の体積を前記第１のｐ+ 型活性領域を形成したｐ型ウエル領域の体積より小さくした欠陥検査パターン回路の前記ｐ型半導体基板を接地した状態で前記各コンタクトプラグ及び配線に電子線を照射する工程と、
前記配線からの２次電子を検出する工程と、
前記検出した２次電子の量から明暗のコントラストを求める工程と、
前記コントラストから各コンタクトプラグの接触不良を判定する工程と
を備えたことを特徴とする欠陥検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は欠陥検査パターン回路、半導体ウェーハ及び欠陥検査方法に関するものであり、例えば、ｐ側コンタクト及びｎ側コンタクトの両方におけるコンタクトオープン等のコンタクト不良を精度良く検出するためのコンタクトチェーンに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高集積度化及び微細化に伴って、例えば、ソース・ドレイン領域に対するコンタクトホールの径も小径化してきている。このようなコンタクトホールの小径化にともなって、コンタクト不良の発生が問題になっている。特に、コンタクトホールにＷやＣｕ等のプラグ形成導体が充分に埋め込まれずに、ボイドが発生したりするコンタクトオープンがコンタクト不良として問題になる。
【０００３】
このようなコンタクト不良を検出するためには、コンタクトプラグを形成した試料に電子線を照射してコンタクトプラグからの２次電子を検出し、この２次電子の量による明るさのコントラストを取得して欠陥を判断することができる。
【０００４】
図１０は、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）式欠陥検査におけるボルテージコントラストの原理的説明図であり、ここでは、ｐ型シリコン基板５１にｎ型ウエル領域５２及びｐ型ウエル領域５３を設け、ｎ型ウエル領域５２にはｐ+ 型活性領域５４を形成し、一方、ｐ型ウエル領域５３にはｎ+ 型活性領域５５及びｐ+ 型活性領域５６を設けている。なお、ｐ+ 型活性領域５４はｐチャネル型トランジスタのソース・ドレイン領域に相当し、ｎ+ 型活性領域５５がｎチャネル型トランジスタのソース・ドレイン領域に相当し、ｐ+ 型活性領域５６が基板コンタクト領域に相当する。
【０００５】
そして、これらの活性領域に対して層間絶縁膜５７にコンタクトホールを設け、このコンタクトホールをバリアメタルを介してＷを埋め込むことによってＷプラグ５８〜６０を形成している。
【０００６】
このような試料に対して電子線を照射すると、各Ｗプラグ５８〜６０からは２次電子が放出される。この時、各Ｗプラグ５８〜６０の各活性領域に対するコンタクトが不十分であったり、或いは、コンタクトせずにオープンになっている場合には、２次電子が充分に放出されず、コントラストは暗状態（Ｄａｒｋ）となる。
【０００７】
一方、各Ｗプラグ５８〜６０の各活性領域に対するコンタクトが十分であれば、２次電子が充分放出されるため、コントラストは明状態（Ｂｒｉｇｈｔ）となる。例えば、ｐ型ウエル領域５３に形成したｐ+ 型活性領域５６に対するＷプラグ６０には電子はｐ型ウエル領域５３を介して接地しているｐ型シリコン基板５１から充分に供給される。また、ｎ型ウエル領域５２に形成したｐ+ 型活性領域５４に対するＷプラグ５８には電子は相対的面積の大きいｎ型ウエル領域５２から充分に供給される。
【０００８】
しかし、ｐ型ウエル領域５３に形成したｎ+ 型活性領域５５に対するＷプラグ５９においては、Ｗプラグ５９の表面から２次電子が放出されると、ダイオードの整流作用によってｐ型シリコン基板５１側から電子が供給されない。したがって、Ｗプラグ５９のコントラストは暗状態（Ｄａｒｋ）となり、このＷプラグ５９が正常なのか或いは不良なのかの判定ができなくなる。
【０００９】
図１１は、この様なプラグのコントラストの原理を纏めた図である。図に示すようにｎ型ウエル領域に形成されたｐ+ 型活性領域に接続するＷプラグは、２段目の図に示すように、ｐｎ接合容量を介して２つのダイオードが対向して接続した等価回路となる。したがって、ｎ型ウエル領域が電子を供給するのに充分な大きさを有している場合には、コントラストは明状態（Ｂｒｉｇｈｔ）となる。但し、コンタクトオープンの場合にはＷプラグに電子が供給されないのでコントラストは暗状態（Ｄａｒｋ）となる。
【００１０】
一方、ｐ型ウエル領域に形成されたｎ+ 型活性領域に接続するＷプラグは、２段目の図に示すように、電子の供給の観点からはダイオードが逆方向に接続した等価回路となる。したがって、一旦、Ｗプラグの表面から２次電子が放出されるとダイオードの整流作用によって電流が供給されないので、コントラストは暗状態（Ｄａｒｋ）となる。また、コンタクトオープンの場合にもＷプラグに電子が供給されないのでコントラストは暗状態（Ｄａｒｋ）となる。但し、接合リーク等がある場合には、電子が供給されるので、コントラストは明状態（Ｂｒｉｇｈｔ）となる。
【００１１】
図１２は、電子線を照射したのちのＳＥＭ像であり、上で説明したように、Ｗプラグ５８，６０は明状態（Ｂｒｉｇｈｔ）となり、良不良に拘わらずＷプラグ５９は暗状態（Ｄａｒｋ）となっている。
【００１２】
この様な問題を解決するために、コンタクトチェーンを利用したコンタクト不良検査方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このコンタクトチェーンを利用したコンタクト不良検査方法においては、各活性領域にコンタクトしたプラグを配線でシリーズに接続し、一方の配線端を電源に接続した状態で電子ビームを照射して、コントラストを取得して欠陥を判断する。
【００１３】
図１３は、このようなコンタクトチェーンの一例であり、ｐ型シリコン基板６１にｐ型ウエル領域６２を設け、このｐ型ウエル領域６２にｐ+ 型活性領域６３、ｎ+ 型活性領域６４，６５を設ける。各ｎ+ 型活性領域６４，６５に層間絶縁膜６６を貫通する一対のＷプラグ６７〜７１を設け、このＷプラグ６７〜７１を上下互い違いにＣｕ埋込配線７３〜７５で接続したものである。なお、符号７２はＣｕ埋込配線７３〜７５を埋め込む層間絶縁膜である。
【００１４】
図１３（ａ）に示すように、コンタクト不良がない場合には、電子はｐ型シリコン基板６１を介してＧＮＤから順次供給されるので、電子線照射領域７６におけるＣｕ埋込配線７４，７５のコントラストは明状態（Ｂｒｉｇｈｔ）となる。
【００１５】
一方、図１３（ｂ）に示すように、Ｗプラグ６９にオープン不良がある場合、不良箇所以降には電子が供給されないので、電子線照射領域７６におけるＣｕ埋込配線７４，７５のコントラストは暗状態（Ｄａｒｋ）となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００２−２９６３１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかし、ｎ型ウエル領域に設けたｐ+ 型活性領域に対するコンタクトチェーンの場合には、Ｗプラグにオープン不良があっても、不良が検出できないという問題がある。図１４は、このようなコンタクトチェーンの一例であり、ｐ型シリコン基板８１にｎ型ウエル領域８２及びｐ型ウエル領域８３を設け、このｐ型ウエル領域８３にｐ+ 型活性領域８４を形成する。
【００１８】
一方、ｎ型ウエル領域８２にはｐ+ 型活性領域８５，８６を形成し、このｐ+ 型活性領域８５，８６に層間絶縁膜８７を貫通する一対のＷプラグ８９〜９２を設ける。なお、ｐ+ 型活性領域８４にもＷプラグ８８を設ける。このＷプラグ８８〜９２を上下互い違い接続されたコンタクトチェーンが形成されるようにＣｕ埋込配線９４〜９６で接続したものである。なお、符号９３はＣｕ埋込配線９４〜９６を埋め込む層間絶縁膜である。
【００１９】
図１４（ａ）に示すように、コンタクト不良がない場合には、電子はｐ型シリコン基板８１を介してＧＮＤからｐ+ 型活性領域８４を経由して順次供給されるので、電子線照射領域９７におけるＣｕ埋込配線９５，９６のコントラストは明状態（Ｂｒｉｇｈｔ）となる。
【００２０】
図１４（ｂ）に示すように、Ｗプラグ９０にオープン不良がある場合、不良箇所以降にはｐ+ 型活性領域８４を経由しては電子が供給されない。しかし、ｎ型ウエル領域８２自体から電子が供給されるので、Ｃｕ埋込配線９５，９６のコントラストは明状態（Ｂｒｉｇｈｔ）となり、不良の検出ができないという問題がある。
【００２１】
したがって、本発明は、ｐ側コンタクト及びｎ側コンタクトのいずれに対してもコンタクト不良の検出を可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明の一観点からは、ｐ型半導体基板と、前記ｐ型半導体基板に設けた少なくとも２つのｐ型ウエル領域と少なくとも１つのｎ型ウエル領域と、前記ｐ型ウエル領域の一つに設けた第１のｐ+ 型活性領域と、前記ｐ+ 型活性領域を設けたｐ型ウエル領域以外の他のｐ型ウエル領域に設けたｎ+ 型活性領域と、前記ｎ型ウエル領域に設けた第２のｐ+ 型活性領域と、前記第１のｐ+ 型活性領域に設けたコンタクトプラグと、前記ｎ+ 型活性領域及び第２のｐ+ 型活性領域に設けた各一対のコンタクトプラグと、前記各コンタクトプラグを、前記第１のｐ+ 型活性領域に設けたコンタクトプラグから順に上下互いに接続してコンタクトチェーンを形成するように上側で前記コンタクトプラグを接続する配線とを有する欠陥検査パターン回路であって、前記ｎ型ウエル領域の体積を前記第１のｐ+ 型活性領域を形成したｐ型ウエル領域の体積より小さくしたことを特徴とする欠陥検査パターン回路が提供される。
【００２３】
また、本発明の別の観点からは、ｐ型半導体基板と、前記ｐ型半導体基板に設けた少なくとも２つのｐ型ウエル領域と少なくとも１つのｎ型ウエル領域と、前記ｐ型ウエル領域の一つに設けた第１のｐ+ 型活性領域と、前記ｐ+ 型活性領域を設けたｐ型ウエル領域以外の他のｐ型ウエル領域に設けたｎ+ 型活性領域と、前記ｎ型ウエル領域に設けた第２のｐ+ 型活性領域と、前記第１のｐ+ 型活性領域に設けたコンタクトプラグと、前記ｎ+ 型活性領域及び第２のｐ+ 型活性領域に設けた各一対のコンタクトプラグと、前記各コンタクトプラグを、前記第１のｐ+ 型活性領域に設けたコンタクトプラグから順に上下互いに接続してコンタクトチェーンを形成するように上側で前記コンタクトプラグを接続する配線とを有する欠陥検査パターン回路であって、前記ｎ型ウエル領域の体積を前記第１のｐ+ 型活性領域を形成したｐ型ウエル領域の体積より小さくした欠陥検査パターン回路の前記ｐ型半導体基板を接地した状態で前記各コンタクトプラグ及び配線に電子線を照射する工程と、前記配線からの２次電子を検出する工程と、前記検出した２次電子の量から明暗のコントラストを求める工程と、前記コントラストから各コンタクトプラグの接触不良を判定する工程とを備えたことを特徴とする欠陥検査方法が提供される。
【発明の効果】
【００２４】
開示の欠陥検査パターン回路、半導体ウェーハ及び欠陥検査方法によれば、ｐ側コンタクト及びｎ側コンタクトのいずれにコンタクト不良が発生しても、その検出が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施の形態の欠陥検査パターン回路の概念的要部断面図である。
【図２】全てのプラグが正常にコンタクトしている場合の説明図である。
【図３】ｐ側のプラグの少なくとも一方にコンタクト不良があった場合の説明図である。
【図４】ｎ側のプラグの少なくとも一方にコンタクト不良があった場合の説明図である。
【図５】本発明の実施例１の欠陥検査パターン回路の概念的要部断面図である。
【図６】全てのプラグが正常にコンタクトしている場合の説明図である。
【図７】ｐ側のプラグの少なくとも一方にコンタクト不良があった場合の説明図である。
【図８】ｎ側のプラグの少なくとも一方にコンタクト不良があった場合の説明図である。
【図９】各コンタクト状態におけるコントラスト状態を纏めた鳥瞰図である。
【図１０】ＳＥＭ式欠陥検査におけるボルテージコントラストの原理的説明図である。
【図１１】プラグのコントラストの原理の説明図である。
【図１２】電子線を照射したのちのＳＥＭ像である。
【図１３】コンタクトチェーンの一例の説明図である。
【図１４】ｎ型ウエル領域に設けたｐ+ 型活性領域に対するコンタクトチェーンの一例の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
ここで、図１乃至図４を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図１は、本発明の実施の形態の欠陥検査パターン回路の概念的要部断面図である。ｐ型半導体基板１に少なくとも第１ｐ型ウエル領域２、ｎ型ウエル領域３及び第２ｐ型ウエル領域４を設け、それらの間を素子分離絶縁膜５で分離する。第１ｐ型ウエル領域２には基板コンタクト部となるｐ+ 型活性領域６を形成するとともに、ｎ型ウエル領域３にはｐ+ 型活性領域７を、また、第２ｐ型ウエル領域４にはｎ+ 型活性領域８を設ける。
【００２７】
層間絶縁膜９を設け、各活性領域に達するコンタクトホールを形成したのち、コンタクトホールをＴｉＮ膜等のバリアメタル膜を介してＷ等で埋め込むことによってプラグ１０〜１４を形成する。この時、ｐ+ 型活性領域７及びｎ+ 型活性領域８には各一対のプラグを形成する。次いで、各プラグを順に一つ置きに接続するように配線１５〜１７を形成する。
【００２８】
この時、ｎ型ウエル領域３の面積は（したがって、体積は）、ｐ+ 型活性領域７に接続するプラグ１１，１２の少なくとも一方にオープン欠陥があった場合に配線１６から得られるコントラストが予め設定した判定基準に対して暗状態になるサイズとする。
【００２９】
図２は、全てのプラグが正常にコンタクトしている場合の説明図であり、図２(ａ)は鳥瞰図であり、図２（ｂ）は要部断面図である。図２（ａ）に示すように、ｐ型半導体基板１をＧＮＤに接続した状態で電子線を照射する。
【００３０】
図２（ｂ）に示すように、全てのプラグが正常にコンタクトしている場合には、電子線照射領域１８における各配線１５〜１７から２次電子が放出されるが、第１ｐ型ウエル領域２に設けたｐ+ 型活性領域６を介してｐ型半導体基板１から電子が供給される。したがって、全ての配線１５〜１７のコントラストは明状態（Ｂｒｉｇｈｔ）となる。
【００３１】
図３は、ｐ側のプラグの少なくとも一方にコンタクト不良があった場合の説明図であり、図３（ａ）は鳥瞰図であり、図３（ｂ）は要部断面図である。図３（ａ）に示すように、ｐ型半導体基板１をＧＮＤに接続した状態で電子線を照射する。図３（ｂ）に示すように、ｐ+ 型活性領域７に設けたプラグ１１，１２の少なくとも一方にコンタクト不良がある場合には、配線１６から２次電子が放出されたのち、充分な電子が供給されないのでコントラストは暗状態（Ｄａｒｋ）となる。
【００３２】
即ち、配線１６から２次電子が放出されたのち、ｎ型ウエル領域３から電子が供給されるが、ｎ型ウエル領域３を配線１６から得られるコントラストが予め設定した判定基準に対して暗状態になるサイズにしているので、コンタクト不良を検出することができる。
【００３３】
図４は、ｎ側のプラグの少なくとも一方にコンタクト不良があった場合の説明図であり、図４（ａ）は鳥瞰図であり、図４（ｂ）は要部断面図である。図４（ａ）に示すように、ｐ型半導体基板１をＧＮＤに接続した状態で電子線を照射する。図４（ｂ）に示すように、ｎ+ 型活性領域８に設けたプラグ１３，１４の少なくとも一方にコンタクト不良がある場合には、配線１７から２次電子が放出されたのち、電子が供給されないので従来のコンタクトチェーンと同様にコントラストは暗状態（Ｄａｒｋ）となる。
【００３４】
このような欠陥検査パターン回路は、製品ウェーハのチップ間のスクライブ領域に形成しても良いし、或いは、ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ  Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｇｒｏｕｐ）のチップ内に形成しても良い。
【実施例１】
【００３５】
以上を前提として、次に、図５乃至図９を参照して、本発明の実施例１の欠陥検査パターン回路を説明する。図５は、本発明の実施例１の欠陥検査パターン回路の概念的要部断面図である。ｐ型シリコン基板２１に第１ｐ型ウエル領域２２、複数のｎ型ウエル領域２３，２４及び複数の第２ｐ型ウエル領域２５，２６を交互に設け、それらの間を素子分離絶縁膜２７で分離する。なお、図においては、ｎ型ウエル領域２３，２４及び第２ｐ型ウエル領域２５，２６を２つ図示しているが、実際には多数のウエル領域を形成する。
【００３６】
次いで、第１ｐ型ウエル領域２２には基板コンタクト部となるｐ+ 型活性領域２８を形成するとともに、ｎ型ウエル領域２３，２４にはｐ+ 型活性領域２９，３０を、また、第２ｐ型ウエル領域２５，２６にはｎ+ 型活性領域３１，３２を設ける。次いで、各活性領域の表面にＣｏシリサイド或いはＮｉシリサイド等からなるシリサイド層３３を形成する。
【００３７】
次いで、ＳｉＯ2 膜等からなる層間絶縁膜３４を設け、各活性領域に達するコンタクトホールを形成したのち、コンタクトホールをＴｉＮ膜を介してＷで埋め込むことによってＷプラグ３５〜４３を形成する。この時、ｐ+ 型活性領域２９，３０及びｎ+ 型活性領域３１，３２には各一対のＷプラグを形成する。次いで、ポーラスシリカ膜等からなる配線形成用の層間絶縁膜４４を形成したのち、各Ｗプラグを順に一つ置きに接続するようにＣｕ埋込配線４５〜４９を形成する。
【００３８】
この時、ｎ型ウエル領域２３，２４の面積は、ｐ+ 型活性領域２９（３０）に接続するＷプラグ３６，３７（４０，４１）の少なくとも一方にオープン欠陥があった場合に配線４６（４８）から得られるコントラストが予め設定した判定基準に対して暗状態になるサイズとする。
【００３９】
図６は、全てのプラグが正常にコンタクトしている場合の説明図であり、図６（ｂ）は要部断面図であり、図６（ａ）は鳥瞰図である。図６（ａ）に示すように、ｐ型シリコン基板２１をＧＮＤに接続した状態で電子線を照射する。
【００４０】
図６（ｂ）に示すように、全てのプラグが正常にコンタクトしている場合には、電子線照射領域５０における各Ｃｕ埋込配線４５〜４９から２次電子が放出されるが、第１ｐ型ウエル領域２２に設けたｐ+ 型活性領域２８を介してｐ型シリコン基板２１から電子が供給される。したがって、全てのＣｕ埋込配線４５〜４９のコントラストは明状態（Ｂｒｉｇｈｔ）となる。尚、図６に開示される実施例の変形例として、ｐ型ウエル領域２５、２６をｎ型ウエル領域に変更し、ｎ+型活性領域３１、３２をｐ+型活性領域に変更してもよい。
【００４１】
図７は、ｐ側のプラグの少なくとも一方にコンタクト不良があった場合の説明図であり、図７（ｂ）は要部断面図であり、図７（ａ）は鳥瞰図である。図７（ａ）に示すように、ｐ型シリコン基板２１をＧＮＤに接続した状態で電子線を照射する。
【００４２】
図７（ｂ）に示すように、ｐ+ 型活性領域３０に設けたＷプラグ４０，４１の少なくとも一方にコンタクト不良がある場合には、配線４８から２次電子が放出されたのち、充分な電子が供給されないのでコントラストは暗状態（Ｄａｒｋ）となる。
【００４３】
したがって、図６（ａ）と図７（ａ）のコントラスト状態を対比することによって、ｐ+ 型活性領域３０に設けたプラグ４０，４１の少なくとも一方にコンタクト不良があることを検出することができる。なお、ｐ+ 型活性領域２９に設けたプラグ３６，３７の少なくとも一方にコンタクト不良がある場合には配線４６のコントラストが暗状態（Ｄａｒｋ）となる。尚、図６に開示される実施例の変形例として上記した、ｐ型ウエル領域２５、２６をｎ型ウエル領域に変更し、ｎ+型活性領域３１、３２をｐ+型活性領域に変更した場合も、図７のようにｐ側のプラグの少なくとも一方にコンタクト不良があった場合は、図７（ａ）に示すコントラストと同じコントラストが得られる。
【００４４】
図８は、ｎ側のプラグの少なくとも一方にコンタクト不良があった場合の説明図であり、図８（ｂ）は要部断面図であり、図８（ａ）は鳥瞰図である。図８（ａ）に示すように、ｐ型シリコン基板２１をＧＮＤに接続した状態で電子線を照射する。
【００４５】
図８（ｂ）に示すように、ｎ+ 型活性領域３１に設けたＷプラグ３８，３９の少なくとも一方にコンタクト不良がある場合には、配線４７から２次電子が放出されたのち、電子が供給されないので従来のコンタクトチェーンと同様にコントラストは暗状態（Ｄａｒｋ）となる。
【００４６】
したがって、図６（ａ）と図８（ａ）のコントラスト状態を対比することによって、ｎ+ 型活性領域３１に設けたＷプラグ３８，３９の少なくとも一方にコンタクト不良があることを検出することができる。なお、ｎ+ 型活性領域３２に設けたプラグ４２，４３の少なくとも一方にコンタクト不良がある場合には配線４９のコントラストが暗状態（Ｄａｒｋ）となる。
【００４７】
図９は、以上の結果を纏めた鳥瞰図であり、図９（ａ）が全てのＷプラグが正常な場合を示し、図９（ｂ）は、Ｗプラグ４１がコンタクト不良の場合を示し、図９（ｃ）はＷプラグ３９がコンタクト不良の場合を示している。
【００４８】
以上、説明したように、本発明においては、ｎ型ウエル領域の面積を、コンタクト不良があった場合にコントラストが予め設定した判定基準に対して暗状態になるサイズとしているので、ｐ側コンタクト及びｎ側コンタクトのいずれの不良も検出することができる。
【符号の説明】
【００４９】
１  ｐ型半導体基板
２  第１ｐ型ウエル領域
３  ｎ型ウエル領域
４  第２ｐ型ウエル領域
５  素子分離絶縁膜
６，７  ｐ+ 型活性領域
８  ｎ+ 型活性領域
９  層間絶縁膜
１０〜１４  プラグ
１５〜１７  配線
１８  電子線照射領域
２１  ｐ型シリコン基板
２２  第１ｐ型ウエル領域
２３，２４  ｎ型ウエル領域
２５，２６  第２ｐ型ウエル領域
２７  素子分離絶縁膜
２８，２９，３０  ｐ+ 型活性領域
３１，３２  ｎ+ 型活性領域
３３  シリサイド層
３４  層間絶縁膜
３５〜４３  Ｗプラグ
４４  層間絶縁膜
４５〜４９  Ｃｕ埋込配線
５０  電子線照射領域
５１，６１，８１  ｐ型シリコン基板
５２，８２  ｎ型ウエル領域
５３，６２，８３  ｐ型ウエル領域
５４，５６，６３，８４，８５，８６  ｐ+ 型活性領域
５５，６４，６５  ｎ+ 型活性領域
５７，６６，８７  層間絶縁膜
５８〜６０，６７〜７１，８８〜９２  Ｗプラグ
７２，９３  層間絶縁膜
７３〜７５，９４〜９６  Ｃｕ埋込配線
７６，９７  電子線照射領域
【図１】
2011054752.tif 000003
【図２】
2011054752.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2011054752.tif 000007
【図６】
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【図７】
2011054752.tif 000009
【図８】
2011054752.tif 000010
【図９】
2011054752.tif 000011
【図１０】
2011054752.tif 000012
【図１１】
2011054752.tif 000013
【図１２】
2011054752.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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