(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体デバイスの製造プロセスにおいて、シリコン酸化膜、窒化シリコン膜、シリコン含有低誘電率膜等のシリコン含有膜のエッチング速度の低下を防ぎ、レジストや下地のシリコンなどに対して、選択的にエッチングすることができるドライエッチングガス及びそれを用いたエッチング方法を提供する。【解決手段】ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２を含むドライエッチングガス。ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２の含有率は、流量比５〜１００％であることが好ましい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２を含むドライエッチングガス。
【請求項２】
ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２の含有率が、流量比５〜１００％である請求項１に記載のドライエッチングガス。
【請求項３】
さらに、Ｆ２及び／又はＮＦ３を含む請求項１又は２に記載のドライエッチングガス。
【請求項４】
さらに、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎ２、Ｈ２及びＮＨ３よりなる群から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１〜３のいずれかに記載のドライエッチングガス。
【請求項５】
さらに、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＣＯＦ２、（ＣＨ３）２Ｃ＝Ｏ、ＣＦ３ＣＦＯＣＦ２、ＣＦ３ＯＣＦ３よりなる群から選ばれる少なくとも１種の酸素含有化合物を含む請求項１〜４のいずれかにドライエッチングガス。
【請求項６】
さらに、ＣＦ４、ｃ−Ｃ４Ｆ８、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦ２、ＣＦ３Ｃ≡ＣＣＦ３、ｃ−Ｃ５Ｆ８、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦＣＦ３、ＣＦ３Ｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１〜５のいずれかに記載のドライエッチングガス。
【請求項７】
ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２、Ａｒ及びＯ２を含むドライエッチングガス。
【請求項８】
ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２、Ａｒ及びＯ２の流量比が、５〜６５％：２０〜９４％：１〜１５％である請求項７に記載のドライエッチングガス。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載のドライエッチングガスのガスプラズマを用いて、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、及びシリコンを含有し且つ比誘電率が１〜４である膜よりなる群から選ばれる少なくとも１種のシリコン系材料を、レジスト、下地又はストッパー膜に対して選択的にエッチングするドライエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドライエッチングガス及びそれを用いたドライエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程におけるドライエッチングプロセスでは、ＣＦ４、環状ｃ−Ｃ４Ｆ８などのドライエッチングガスが使用されている。ＣＦ４は比較的大きなパターンに対して使用され、ｃ−Ｃ４Ｆ８はサブミクロンオーダーの微細なパターンのエッチングに用いられる。これらのエッチングガスはいずれも、単独で使用されることはほとんどなく、Ａｒ、ＣＨ２Ｆ２、Ｏ２などの添加ガスが併用されることが多い。
【０００３】
ＣＦ４を単独で用いると、エッチング速度は向上するが、選択比の改善効果が充分ではないため、ＣＦ４はシリコン酸化膜をエッチングする際に、ＣＨ２Ｆ２などの水素を含有するフルオロカーボンガス等を添加して、レジストに対するエッチングの選択比を向上させる場合がある。しかし、通常添加ガスとして使用されるＣＨ２Ｆ２は、エッチング効果が小さいため、エッチング速度を低下させずに、選択比を向上させることが難しい。
【０００４】
また、分子量の大きいｃ−Ｃ４Ｆ８ガスでは、イオンやラジカルの量的なバランスがとりにくく、径の小さいホールのエッチング速度の低下が起こりやすい。そのため、ホール径が小さく、高アスペクト比コンタクトホール等の微細パターンの形成には、Ａｒを多量に混合したｃ−Ｃ４Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２混合ガス等が用いられている。これは、ｃ−Ｃ４Ｆ８はＡｒを混合しないと、対レジスト選択比、対シリコン選択比が不十分であり、Ｏ２を微量添加しないとパターンサイズによりエッチング速度が異なり、微細なパターニングをする際には、エッチングがストップしてしまうからである。ただし、Ｏ２を添加することで、レジスト、シリコンに対する選択比が低下するという問題点もある。これを防ぐために、ＣＨ２Ｆ２を添加する場合もあるが、この場合もＣＦ４と同様に、エッチング速度が低下してしまう。
【０００５】
また、従来からドライエッチングガスとして使用されているＣＦ４、ＣＨ２Ｆ２、ｃ−Ｃ４Ｆ８等の飽和フルオロカーボンガスは地球温暖化効果の高いガスであり、ドライエッチング後の排ガスを地球温暖化しなくなる物質まで分解する必要がある。そのため、排ガスの分解工程においても、多量のエネルギーを使用する。
【０００６】
一方、特許文献１では、二重結合に直接結合したＣＦ３ＣＦフラグメントを有するガスを含むことで、微細なパターンを形成する場合にも、エッチング速度が低下せず、高アスペクト比の微細パターンを形成できるドライエッチングガスが開示されている。しかし、特許文献１でエッチング速度を向上させるためにパーフルオロ系のガスしか意図しておらず、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２については、考慮の対象となっていなかった。
【０００７】
そのため、充分なエッチング速度とレジスト、シリコンに対する選択比の両方を満たし、しかも地球温暖化に影響の小さいガスはこれまで、見出されていなかった。
【特許文献１】再表２００２／０２１５８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、半導体デバイスの製造プロセスにおいて、シリコン酸化膜等のシリコン含有膜のエッチング速度が低下することを防ぎ、レジストや下地のシリコンなどに対して、選択的にエッチングすることができるドライエッチングガス及びそれを用いたエッチング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２を必須成分として含むことで、エッチング速度とレジスト、シリコンに対する選択比を両立させることができることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は以下の構成からなる。
【００１０】
項１．ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２を含むドライエッチングガス。
【００１１】
項２．ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２の含有率が、流量比５〜１００％である項１に記載のドライエッチングガス。
【００１２】
項３．さらに、Ｆ２及び／又はＮＦ３を含む項１又は２に記載のドライエッチングガス。
【００１３】
項４．さらに、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎ２、Ｈ２及びＮＨ３よりなる群から選ばれる少なくとも１種を含む項１〜３のいずれかに記載のドライエッチングガス。
【００１４】
項５．さらに、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＣＯＦ２、（ＣＨ３）２Ｃ＝Ｏ、ＣＦ３ＣＦＯＣＦ２、ＣＦ３ＯＣＦ３よりなる群から選ばれる少なくとも１種の酸素含有化合物を含む項１〜４のいずれかにドライエッチングガス。
【００１５】
項６．さらに、ＣＦ４、ｃ−Ｃ４Ｆ８、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦ２、ＣＦ３Ｃ≡ＣＣＦ３、ｃ−Ｃ５Ｆ８、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦＣＦ３、ＣＦ３Ｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含む項１〜５のいずれかに記載のドライエッチングガス。
【００１６】
項７．ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２、Ａｒ及びＯ２を含むドライエッチングガス。
【００１７】
項８．ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２、Ａｒ及びＯ２の流量比が、５〜６５％：２０〜９４％：１〜１５％である項７に記載のドライエッチングガス。
【００１８】
項９．項１〜８のいずれかに記載のドライエッチングガスのガスプラズマを用いて、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、及びシリコンを含有し且つ比誘電率が１〜４である膜よりなる群から選ばれる少なくとも１種のシリコン系材料を、レジスト、下地又はストッパー膜に対して選択的にエッチングするドライエッチング方法。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のドライエッチングガス及びドライエッチング方法を用いれば、エッチング速度の低下を抑えるとともに、シリコン酸化膜等のシリコン含有膜を、レジストや下地のシリコン等に対して、選択的にエッチングすることができる。特に、径の小さいホールのエッチング速度の低下を抑制する効果もある。
【００２０】
これまで、複数のガスを混合して、エッチング速度と選択比のバランスをとっていたが、本発明のエッチングガスは、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２を単独で用いても、他のガスと混合して用いても、容易にエッチングと選択比のバランスをとることができる。
【００２１】
また、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２は大気寿命が短く、分解しやすいガスであるため、地球温暖化への影響が小さく、排ガスの分解工程におけるエネルギー消費量も少ない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明のドライエッチングガスは、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２を含む。
【００２３】
本発明で使用するＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２は、二重結合を有しており、プラズマ中で二重結合が解離しやすいため、エッチングに必要なラジカルやイオンの発生を制御しやすい。本発明において、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２中のＣＦ３ＣＦフラグメントからは、ＣＦ３＋イオンとＣＦ３ＣＦフラグメントに由来するラジカルを選択的に発生する。
【００２４】
ＣＦ３＋イオンはエッチング効率を向上させ、低いバイアス電力でのエッチングが可能となるので、レジストやシリコンなどの下地に与えるダメージも少ない。ここで、ＣＦ３ＣＦフラグメントから発生するラジカルで密度が高く平坦なフルオロカーボンポリマー膜に由来するエッチング反応し、エッチング物質の反応効率を向上させるとともに、保護膜を形成する。
【００２５】
また、二重結合を有するもう一方のフラグメントであるＣＨ２もまたプラズマ中でカーボンリッチな強固な膜を堆積させ保護膜を形成する。
【００２６】
これらの保護膜は、エッチングマスクであるレジストや下地のシリコン、Ａｌ、Ｃｕ等の金属等を保護し、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又はシリコンを含有する低誘電率膜等のシリコン系材料の選択的エッチングに寄与する。
【００２７】
エッチング効率の高いＣＦ３＋イオンを、ＣＦ３ＣＦフラグメント由来のラジカルにより形成される平坦で密度の高い膜や、ＣＨ２ラジカルにより形成されるカーボンリッチな強固な膜に入射させることにより、エッチングのバランスをとり、ホール又はライン等のサイズにエッチング速度の依存が小さい、選択性の高いエッチングを実現することができる。
【００２８】
また、本発明で使用するＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２は、温暖化係数が小さく、大気寿命が短く分解しやすいため、地球温暖化への影響が小さく、排ガスの分解工程におけるエネルギー消費量も少ない。
【００２９】
本発明のドライエッチングガスは、さらに、以下のような添加ガスと混合して用いることもできる。
【００３０】
Ｆ２、ＮＦ３等のフッ素源となるガスを微量添加すすることにより、ＣＨ２フラグメントの一部をフッ素化して、ＣＨＦ、ＣＦ２などを生成させることにより、エッチング速度を向上させることができる。
【００３１】
Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ等の希ガスを添加した場合には、プラズマの電子温度及び電子密度を変化させることができ、フルオロカーボンラジカルやフルオロカーボンイオンのバランスをコントロールして、エッチングの適正な条件を決めることができる。また、その希釈効果でラジカル量を減らすことにより、ホール内でのエッチング速度の減少を抑える効果がある。
【００３２】
Ｎ２、Ｈ２、ＮＨ３を添加することで、低誘電率膜のエッチングにおいて良好なエッチング形状を得ることができる。
【００３３】
酸素化合物として、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＣＯＦ２、（ＣＨ３）２Ｃ＝Ｏ等のケトン、ＣＦ３ＣＦＯＣＦ２等のエポキサイド、ＣＦ３ＯＣＦ３等のエーテルのような酸素を含んだガスを添加することもできる。これらの酸素化合物を添加することで、発生した酸素ラジカルが、分子中の二重結合に作用し、プラズマを発生させやすくするとともに、高分子ラジカルを分解し、微細パターンをエッチングする際、エッチング速度が低下すること（マイクロローディング効果という）を抑制し、エッチングがストップするのを防ぐ効果がある。
【００３４】
さらに、他のエッチングガスを添加することにより、その効果を付与することもできる。他のエッチングガスとしては、ＣＦ４、ｃ−Ｃ４Ｆ８、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦ２、ＣＦ３Ｃ≡ＣＣＦ３、ｃ−Ｃ５Ｆ８、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦＣＦ３、ＣＦ３Ｉ等のドライエッチングで使用されるガスであれば制限されない。好ましくは、地球温暖化効果が小さい不飽和化合物及びヨウ素化合物であり、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦ２、ＣＦ３Ｃ≡ＣＣＦ３、ｃ−Ｃ５Ｆ８、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦＣＦ３、ＣＦ３Ｉ等である。
【００３５】
これらの添加ガス成分のなかでも、好ましい添加ガス成分は、Ａｒ、Ｆ２、Ｎ２、Ｏ２、ＣＯ、ＣＦ４、ｃ−Ｃ４Ｆ８、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦ２、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦＣＦ３等が挙げられる。
【００３６】
本発明のドライエッチングガスにおいては、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２を流量比５〜１００％含むことが好ましい。また、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２と添加ガス成分からなる混合ガスを使用する場合、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２を流量比５％程度以上、添加ガス成分の少なくとも１種を流量比９５％程度以下使用する。好ましくは、ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２を流量比２０〜９５％ 程度、添加ガス成分の少なくとも１種のガスを流量比５〜８０％程度使用する。
【００３７】
ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２と添加ガス成分とを併用する場合の本発明の好ましいエッチングガス及びその流量比を以下に示す。
・ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２／Ｆ２
流量比：９０〜９９．９％（好ましくは９５〜９９．５％）／０．１〜１０％（好ましくは０．５〜５％）
・ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２／Ｆ２／Ａｒ
流量比：５〜５０％（好ましくは５〜４０％）／０．１〜１０％（好ましくは０．５〜５％）／４０〜９４．９％（好ましくは５５〜９４．５％）
・ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２／ｃ−Ｃ４Ｆ８／Ｏ２
流量比：３０〜８４％（好ましくは４０〜７０％）／１５〜５０％（好ましくは２０〜４０％）／１〜１５％（好ましくは３〜１０％）
・ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２／ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦ２
流量比：５〜５０％（好ましくは５〜４０％）／５０〜９５％（好ましくは６０〜９５％）
・ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２／Ａｒ
流量比：５〜７０％（好ましくは１０〜５０％）／３０〜９５％（好ましくは５０〜９０％）
・ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２／Ａｒ／Ｏ２
流量比：５〜６５％（好ましくは５〜５０％）／２０〜９４％（好ましくは４５．５〜９４．５％）／１〜１５％（好ましくは３〜１０％）
・ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２／ＣＦ３ＣＦ＝ＣＦ２／Ａｒ／Ｏ２
流量比：５〜２０％／５〜４０％（好ましくは５〜２０％）／３０〜８９％（好ましくは４０〜８０％）／１〜１５％（好ましくは３〜１０％）
・ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２／ＣＦ４／Ｏ２
流量比：５〜３０％（好ましくは１０〜２５％）／５５〜９４％（好ましくは６０〜８０％）／１〜１５％（好ましくは３〜１０％）
【００３８】
本発明のＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２を含むドライエッチングガスによれば、エッチングする酸化シリコン膜、窒化シリコン膜や、シリコンを含有する低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）等のシリコン系材料を、レジスト、ポリシリコン等のマスク、シリコン、シリサイド、金属窒化物等の下地、窒化シリコン膜、炭化シリコン膜等のストッパー膜等に対して選択的にエッチングすることが可能である。
【００３９】
ここで、Ｌｏｗ−ｋ膜は、比誘電率が１〜４程度のものである。
【００４０】
Ｌｏｗ−ｋ膜としては、特に制限されないが、例えば、フッ素を含むシリコン酸化膜（ＦＳＧ膜）も包含され、比誘電率が１〜４程度、好ましくは２〜４程度、より好ましくは２〜３程度の絶縁膜を意味する。このＬｏｗ−ｋ膜は、主として塗布又はプラズマＣＶＤにより生成される。
【００４１】
Ｌｏｗ−ｋ膜の具体例としては、ＬＫＤシリーズ（商品名、ＪＳＲ（株）製）、ＨＳＧシリーズ（商品名、日立化成工業（株）製）、Ｎａｎｏｇｌａｓｓ（商品名、Ｈｏｎｅｙｗｅｌｌ社製）、ＩＰＳ（商品名、触媒化成工業（株）製）、Ｚ３Ｍ（商品名、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ社製）、ＸＬＫ（商品名、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ社製）、ＦＯｘ（商品名、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ社製）、Ｏｒｉｏｎ（商品名、Ｔｒｉｃｏｎ社製）、ＮＣＳ（商品名、触媒化成工業（株）製）、ＳｉＬＫ（商品名、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ社製）等の無機ＳＯＧ（ＨＳＧ：水素化シルセスキオキサン）、有機ＳＯＧ膜（ＭＳＱ膜：メチルシルセスキオキサン膜）、ポリアリルエーテル等を主成分とする有機ポリマー膜とよばれる塗布膜や、Ｂｌａｃｋ  Ｄｉａｍｏｎｄ（商品名、アプライドマテリアルズ社製）、コーラル（商品名、Ｎｏｖｅｌｌｕｓ社製）、オーロラ（商品名、ＡＳＭ社製）に代表されるプラズマＣＶＤ膜等が挙げられる。
【００４２】
なお、酸化シリコン膜、シリコンを含有する低誘電率膜等のシリコン系材料は、ＳｉＯＦ等の酸化シリコン膜中にＦを含有する膜や、窒化シリコン膜等であっても良い。シリコン系材料とは、膜や層構造を持った材料に限らず、シリコンを含む化学的組成を持つ全体がその材料そのもので構成される物質である。例えば、ガラスや石英板などの固体物質がこれに相当する。
【００４３】
好ましいエッチング条件を以下に示す：
＊ 放電電力２００〜３０００Ｗ 、好ましくは４００〜２０００Ｗ ；
＊ バイアス電力２５〜２０００Ｗ 、好ましくは１００〜１０００Ｗ ；
＊ 圧力３０ｍＴｏｒｒ（３．９９Ｐａ） 以下、好ましくは２〜１０ｍＴｏｒｒ（０ ．２６６〜１．３３Ｐａ）；
＊ 電子密度１０９ 〜１０１３ｃｍ−３ 、好ましくは１０１０〜１０１２ｃｍ−３
＊ 電子温度２〜９ｅＶ 、好ましくは３〜８ｅＶ
＊ ウェハー温度−４０〜１００ ℃ 、好ましくは−３０〜５０℃ 。
＊ チャンバー壁温度−３０〜３００ ℃ 、好ましくは２０〜２００℃
【００４４】
放電電力とバイアス電力はチャンバーの大きさや電極の大きさで異なる。小口径ウエハー用の誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチング装置（チャンバー容積３５００ｃｍ３）で酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、シリコンを含有する低誘電率膜等にコンタクトホール等のパターンをエッチングする際のこれらの好ましいエッチング条件は、
＊ 放電電力２００〜１０００Ｗ 、好ましくは３００〜６００Ｗ
＊ バイアス電力５０〜５００Ｗ 、好ましくは１００〜３００Ｗである。
なお、ウェハーが大口径化するとこれらの値も大きくなる。
【実施例】
【００４５】
以下、本発明を、実施例及び比較例を用いて具体的に説明するが、本発明は、これらのみに制限されるものではないことは言うまでもない。
【００４６】
ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）、電子密度８×１０１０〜２×１０１１ｃｍ−３、電子温度５〜７ｅＶのエッチング条件で、Ｓｉ基板上に約１μｍ厚さの酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜のエッチング速度と、さらに酸化シリコン上にホール直径０．２μｍのノボラック系レジストのパターンを有する半導体基板を、深さ約１μｍエッチングした時のエッチング速度の減少率を表１及び２に示した。
【００４７】
【表１】
2011124239.tif 000002
【００４８】
【表２】
2011124239.tif 000003
【００４９】
実施例１は、比較例１よりもＳｉＯ２のエッチング速度は若干低下するものの、そのエッチング速度は充分実用に耐えられる範囲であり、レジストや下地のＳｉに対する選択比が著しく向上している。
【００５０】
実施例２では、微量のＦ２を添加することにより、実施例１よりエッチング速度を増大させ、エッチング速度の減少率を小さくできている。比較例２では、分子中にＣＨ２などの炭化水素フラグメントを持たないので、微量のＦ２を添加すると比較例３よりもさらに選択比が小さくなり、さらに使用しにくい条件となった。実施例３では、さらに、Ａｒを混合してエッチング速度の減少率を改善できた。
【００５１】
実施例４は、本発明で使用するＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２に既存のエッチングガスｃ−Ｃ４Ｆ８とＯ２とを混合して、選択比の低下を防ぎ、エッチング速度の減少率を改善した。比較例４は、本発明で使用するＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２と、分子中に同じＣＨ２の炭化水素フラグメントを含むＣＨ２Ｆ２と比較した結果である。比較例４では、エッチング速度も小さく、エッチング速度の減少率も大きかった。
【００５２】
実施例５は、本発明で使用するＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２と、地球温暖化効果の小さいエッチングガスであるＣＦ３ＣＦ２＝ＣＦ２とを混合した場合である。実施例５は実施例4の場合と同様に、比較例５よりも、エッチング速度とその減少率において優れている。
【００５３】
実施例６は、本発明で使用するＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２と、Ａｒを添加して、実施例７はさらにＯ２を加えることにより、エッチング速度の減少率を改善したものである。これに対して、比較例６は、Ａｒを添加することにより、比較例７よりもエッチング速度の減少率は改善しているものの、実施例６、７には及ばない。
【００５４】
実施例８は、本発明で使用するＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２と、地球温暖化効果の小さいガスであるＣＦ３ＣＦ２＝ＣＦ２ＣＦ３、Ａｒ、Ｏ２を添加することにより、選択比を維持し、エッチング速度の減少率を改善した結果である。