(57)【要約】【解決手段】シリコン基板の裏面側の少なくとも一部にこれと同じ導電型の拡散層を形成した後、受光面及び裏面上に窒化珪素からなる反射防止膜を形成し、次いで上記拡散層に電気的に接続する裏面電極を形成する太陽電池の製造方法であって、上記反射防止膜をシランガスと、アンモニア又は窒素ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを用いて形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。【効果】本発明によれば、絶縁膜形成工程前の前処理等の別工程を設けることなく、簡単な工程で、パッシベーション効果の優れた窒化珪素膜の形成が可能となり、その結果、生産性よく、高変換効率の太陽電池を提供することができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の裏面側の少なくとも一部にこれと同じ導電型の拡散層を形成した後、受光面及び裏面上に窒化珪素からなる反射防止膜を形成し、次いで上記拡散層に電気的に接続する裏面電極を形成する太陽電池の製造方法であって、上記反射防止膜をシランガスと、アンモニア又は窒素ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを用いて形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】
シリコン基板の受光面側にこれとは異なる導電型の拡散層を形成した後、この受光面上に窒化珪素からなる反射防止膜を形成した後、上記拡散層に電気的に接続する受光面電極を形成する太陽電池の製造方法であって、上記反射防止膜をシランガスと、アンモニア又は窒素ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを用いて形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項３】
シランガスとアンモニア又は窒素ガスとの総流量に対する水素ガスの流量比が０．１〜３倍である請求項１又は２記載の太陽電池の製造方法。
【請求項４】
反射防止膜を、平行平板型プラズマＣＶＤ装置にてプラズマＣＶＤ法により形成する請求項１〜３のいずれか１項記載の太陽電池の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項記載の太陽電池の製造方法により製造されることを特徴とする太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光エネルギーを直接電気エネルギーに変換する太陽電池の製造方法及びこの製造方法によって得られる太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、光エネルギーを電力に変換する半導体素子であり、ｐ−ｎ接合型、ｐｉｎ型、ショットキー型などがあり、特にｐ−ｎ接合型が広く用いられている。また、太陽電池をその基板材料を基に分類すると、シリコン結晶系太陽電池、アモルファス（非晶質）シリコン系太陽電池、化合物半導体系太陽電池の３種類に大きく分類される。シリコン結晶系太陽電池は、更に、単結晶系太陽電池と多結晶系太陽電池に分類される。太陽電池用シリコン結晶基板は、比較的容易に製造できることから、その生産規模は現在最大となっており、今後も更に普及していくものと思われる（例えば、特許文献１：特開平８−０７３２９７号公報）。
【０００３】
太陽電池の出力特性は、一般に、ソーラーシミュレーターを用いて出力電流電圧曲線を測定することにより評価される。この曲線上で出力電流Ｉmaxと出力電圧Ｖmaxとの積、Ｉmax×Ｖmaxが最大となる点を最大出力Ｐmaxとよび、このＰmaxを太陽電池に入射する総光エネルギー（Ｓ×Ｉ：Ｓは素子面積、Ｉは照射する光の強度）で除した値：
η＝｛Ｐmax／（Ｓ×Ｉ）｝×１００（％）
が太陽電池の変換効率ηとして定義される。
【０００４】
変換効率ηを高めるには、短絡電流Ｉsc（電流電圧曲線にてＶ＝０の時の出力電流値）あるいはＶoc（電流電圧曲線にてＩ＝０の時の出力電圧値）を大きくすること、及び出力電流電圧曲線をなるべく角形に近い形状のものとすることが重要である。なお、出力電流電圧曲線の角形の度合いは、一般に、
ＦＦ＝Ｐmax／（Ｉsc×Ｖoc）
で定義されるフィルファクタ（曲線因子）により評価でき、このＦＦの値が１に近いほど出力電流電圧曲線が理想的な角形に近づき、変換効率ηも高められることを意味する。
【０００５】
上記変換効率ηを向上させるには、キャリアの表面再結合を低減させることが重要である。シリコン結晶系太陽電池においては、太陽光の入射光によって光生成した少数キャリアが、主に拡散によってｐ−ｎ接合面へ到達した後、受光面及び裏面に取り付けられた電極から多数キャリアとして外部へ取り出され、電気エネルギーとなる。
その際、電極面以外の基板表面に存在する界面準位を介して、本来電流として取り出すことのできたキャリアが再結合して失われることがあり、変換効率ηの低下に繋がる。
【０００６】
そこで、高効率太陽電池においては、シリコン基板の受光面及び裏面を、電極とのコンタクト部を除いて絶縁膜で保護し、シリコン基板と絶縁膜との界面におけるキャリア再結合を抑制し、変換効率ηの向上が図られている。このような絶縁膜として、窒化珪素膜が有用な膜として使われている。その理由は、窒化珪素膜は、結晶系シリコン太陽電池の反射防止膜としての機能と同時に、シリコン基板表面及び内部のパッシベーション効果にも優れているためである。
【０００７】
窒化珪素膜は、従来、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、触媒ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学気相蒸着法）によって形成されている。これらの中で最も一般的に普及しているのは、プラズマＣＶＤ法である。図１は、一般にダイレクトプラズマＣＶＤと呼ばれる平行平板型プラズマＣＶＤ装置を模式的に示すものである。図１に示すＣＶＤ装置１０は、成膜室１を有し、この成膜室１内には、所定位置にシリコン基板２を載置するためのトレー３、このトレーを一定温度に保つためのヒーターブロック４、及びヒーターブロックの温度を制御する温度制御手段５が配設されている。また、成膜室１には、反応性ガスである所定の成膜用ガスを成膜室内に導入する成膜用ガス導入路６、導入されたガスにエネルギーを与えてプラズマを発生させる高周波電源７、及び排気装置８が備えられている。
【０００８】
上記ＣＶＤ装置にて絶縁膜を成膜する場合、成膜用ガス導入路６によって所定の成膜用ガスを所定の流量で成膜室１内に導入した後、高周波電源７を動作させて高周波電界を設定する。この操作により、高周波放電が発生して成膜用ガスがプラズマ化し、プラズマによって生じる反応を利用して、シリコン基板２の表面に絶縁膜が成膜される。例えば、窒化珪素膜を成膜する場合には、成膜用ガスとしてシランとアンモニアの混合ガスを成膜用ガス導入路６から成膜室１内へ導入し、プラズマ中でのシランの分解反応等を利用して窒化珪素膜を成膜する。
【０００９】
プラズマＣＶＤ法は、プロセス温度が４００℃程度と比較的低温であっても高い成膜速度を有するため、太陽電池の絶縁膜形成プロセスで多用されている。しかし、プラズマ中で生成される高エネルギー荷電粒子が、成膜した膜やシリコン基板表面にダメージを与えやすいため、得られる窒化珪素膜は界面準位密度が多くなり、十分なパッシベーション効果が得られない問題があった。そのためパッシベーション効果の向上には、水素等によるダングリングボンド（未結合手）の封止を図る必要があった。
【００１０】
このような問題に対して、例えば、特許文献２（特開２００９−１１７５６９号公報）には、表面波プラズマによる窒化珪素膜の成膜前に、前処理としてアンモニアガスを用いたプラズマ処理を行うことでパッシベーション効果が向上することが報告されている。また、特許文献３（特開２００９−１３００４１号公報）においては、窒化珪素膜の成膜前に、水素ガスとアンモニアガスとを含む混合ガスを用いて形成されるプラズマによって処理することでパッシベーション効果が向上することが報告されている。
しかしながら、上記方法においては、何れも、絶縁膜形成プロセスとは別のプロセスを要するため、製造コストが高くなり、また、生産性向上が難しいという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平８−０７３２９７号公報
【特許文献２】特開２００９−１１７５６９号公報
【特許文献３】特開２００９−１３００４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、生産性に優れ、パッシベーション効果の高い絶縁膜を有する太陽電池の製造方法及びこの製造方法により製造される高変換効率の太陽電池を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、特にｎ型のシリコン基板の裏面側の少なくとも一部にこれと同じ導電型の拡散層（ｎ型拡散層）を形成した後、受光面及び裏面上に窒化珪素からなる反射防止膜を形成し、次いで上記ｎ型拡散層に電気的に接続する裏面電極を形成して太陽電池を製造するに際し、又は特にｐ型のシリコン基板の受光面側にこれとは異なる導電型の拡散層（ｎ型拡散層）を形成した後、この受光面上に窒化珪素からなる反射防止膜を形成した後、上記ｎ型拡散層に電気的に接続する受光面電極を形成して太陽電池を製造するに際し、上記反射防止膜を、シランガス、アンモニア又は窒素ガスを含む混合ガスに水素ガスを添加したガスを用いて形成することで、水素によるシリコン基板表面のパッシベーション効果により、生産性に優れ、パッシベーション効果の高い窒化珪素絶縁膜が得られ、高効率な太陽電池を製造することができることを見出し、本発明をなすに至った。
【００１４】
従って、本発明は、下記の太陽電池の製造方法及び太陽電池を提供する。
請求項１：
シリコン基板の裏面側の少なくとも一部にこれと同じ導電型の拡散層を形成した後、受光面及び裏面上に窒化珪素からなる反射防止膜を形成し、次いで上記拡散層に電気的に接続する裏面電極を形成する太陽電池の製造方法であって、上記反射防止膜をシランガスと、アンモニア又は窒素ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを用いて形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
請求項２：
シリコン基板の受光面側にこれとは異なる導電型の拡散層を形成した後、この受光面上に窒化珪素からなる反射防止膜を形成した後、上記拡散層に電気的に接続する受光面電極を形成する太陽電池の製造方法であって、上記反射防止膜をシランガスと、アンモニア又は窒素ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを用いて形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
請求項３：
シランガスとアンモニア又は窒素ガスとの総流量に対する水素ガスの流量比が０．１〜３倍である請求項１又は２記載の太陽電池の製造方法。
請求項４：
反射防止膜を、平行平板型プラズマＣＶＤ装置にてプラズマＣＶＤ法により形成する請求項１〜３のいずれか１項記載の太陽電池の製造方法。
請求項５：
請求項１〜４のいずれか１項記載の太陽電池の製造方法により製造されることを特徴とする太陽電池。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、窒化珪素膜形成工程前の前処理等の別工程を設けることなく、簡単な工程で、パッシベーション効果の優れた窒化珪素膜の形成が可能となり、その結果、生産性よく、高変換効率の太陽電池を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】平行平板型プラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略図である。
【図２】本発明の太陽電池の製造工程の一例を示す概略図である。（Ａ）は基板、（Ｂ）は基板裏面にｎ型拡散層を形成した状態、（Ｃ）は基板表面にｐ型拡散層を形成した状態、（Ｄ）は基板表裏面に反射防止膜（窒化珪素膜）を形成した状態、（Ｅ）はフィンガー電極及び裏面電極を形成した状態、（Ｆ）はバスバー電極を形成した状態をそれぞれ示す。
【図３】本発明の太陽電池の製造工程の他の例を示す概略図である。（Ａ）は基板、（Ｂ）は基板表面にｎ型拡散層を形成した状態、（Ｃ）は基板表面に反射防止膜（窒化珪素膜）を形成した状態、（Ｄ）はフィンガー電極、裏面電極及びバスバー電極を形成した状態をそれぞれ示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の太陽電池の製造方法を図面を参照して説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図２，３は、本発明の太陽電池の製造方法における一実施形態の製造工程を示す概略図である。以下、各工程について詳細に説明する。
【００１８】
（１）基板
図２，３に示すように、本発明において用いられるシリコン基板１１はｎ型でもｐ型でもよく、図２（Ａ）にｎ型シリコン基板を、図３（Ａ）にｐ型シリコン基板を示す。シリコン単結晶基板の場合、チョクラルスキー（ＣＺ）法及びフロートゾーン（ＦＺ）法のいずれの方法によって作製されていてもよい。シリコン基板の比抵抗は、高性能の太陽電池を作る点から、０．１〜２０Ω・ｃｍが好ましく、０．５〜２．０Ω・ｃｍがより好ましい。シリコン基板としては、比較的高いライフタイムが得られる点から、リンドープｎ型単結晶シリコン基板が好ましい。リンドープのドーパント濃度は１×１０15ｃｍ-3〜５×１０16ｃｍ-3が好ましい。
【００１９】
（２）ダメージエッチング／テクスチャ形成
例えば、シリコン基板１１を水酸化ナトリウム水溶液に浸し、スライスによるダメージ層をエッチングで取り除く。この基板のダメージ除去は、水酸化カリウム等の強アルカリ水溶液を用いてもよく、フッ硝酸等の酸水溶液でも同様の目的を達成することが可能である。
ダメージエッチングを行った基板１１に、ランダムテクスチャを形成する。太陽電池は通常、表面（受光面）に凹凸形状を形成するのが好ましい。その理由は、可視光域の反射率を低減させるために、できる限り２回以上の反射を受光面で行わせる必要があるためである。凹凸形状を形成する一つ一つの山のサイズは１〜２０μｍ程度が好ましい。代表的な表面凹凸構造としては、Ｖ溝、Ｕ溝が挙げられる。これらは、研削機を利用して形成可能である。また、ランダムな凹凸構造を作るには、水酸化ナトリウムにイソプロピルアルコールを加えた水溶液に浸すウェットエッチングや、他には、酸エッチングやリアクティブ・イオン・エッチング等を用いることができる。なお、図２，３中では両面に形成したテクスチャ構造は微細なため省略する。
【００２０】
（３）ｎ型拡散層形成
図２に示すように、シリコン基板１１がｎ型の場合は、裏面にドーパントを含む塗布剤を塗布した後に熱処理を行うことで、ｎ型拡散層１３を裏面側の少なくとも一部に、特に裏面全面に形成する［図２（Ｂ）］。また、図３に示すように、シリコン基板がｐ型の場合は、受光面にドーパントを含む塗布剤を塗布した後に熱処理を行うことで、ｎ型拡散層１３を受光面に形成する［図３（Ｂ）］。ドーパントはリンが好ましい。ｎ型拡散層１３の表面ドーパント濃度は、１×１０18ｃｍ-3〜５×１０20ｃｍ-3が好ましく、５×１０18ｃｍ-3〜１×１０20ｃｍ-3がより好ましい。
熱処理後、シリコン基板１１に付いたガラス成分はガラスエッチング等により洗浄する。
【００２１】
（４）ｐ型拡散層形成
図２（Ｃ）に示すように、ｎ型拡散層形成と同様の処理を受光面で行い、ｐ型拡散層１２を受光面全体に形成する。受光面にドーパントを含む塗布剤を塗布して熱処理を行い、ｐ型拡散層を形成するが、ドーパントはボロンが好ましく、また、ｐ型拡散層１２の表面ドーパント濃度は、１×１０18ｃｍ-3〜５×１０20ｃｍ-3が好ましく、更には５×１０18ｃｍ-3〜１×１０20ｃｍ-3がより好ましい。
【００２２】
（５）ｐｎ接合分離
プラズマエッチャーを用い、ｐｎ接合分離を行う。このプロセスでは、プラズマやラジカルが受光面や裏面に侵入しないよう、サンプルをスタックし、その状態で端面を数ミクロン削る。接合分離後、基板に付いたガラス成分、シリコン粉等はガラスエッチング等により洗浄する。
【００２３】
（６）反射防止膜形成
引き続き、太陽光の光を有効的にシリコン基板内に取り込むために、シリコン基板表面及び裏面の両方［図２（Ｄ）］又は受光面［図３（Ｃ）］に、反射防止膜である窒化珪素膜１４を形成する。この窒化珪素膜は、シリコン基板表面及び内部のパッシベーション膜としても機能する。窒化珪素膜の形成方法としては、平行平板型プラズマＣＶＤ装置等を用いたプラズマＣＶＤ法により形成するのが好ましい。本発明においては、成膜用ガスとして、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6等のシランガス、アンモニア（ＮＨ3）又は窒素（Ｎ2）ガス、及び水素（Ｈ2）ガスを用いる。シラン、アンモニア又は窒素に、水素を加えることでより高い基板表面のパッシベーション効果が得られる。
【００２４】
成膜ガス条件は、成膜室の形状及び大きさにより適宜設定すればよいが、例えば、サイズ約１０ｃｍ×１０ｃｍ〜１６ｃｍ×１６ｃｍのシリコン基板１〜５０枚程度の表面に窒化珪素膜を成膜する場合、シラン５０〜５００ｓｃｃｍ、アンモニア又は窒素５０〜２，０００ｓｃｃｍ、及び水素１０〜８，０００ｓｃｃｍの範囲であるのが好ましい。特にシラン２００〜５００ｓｃｃｍ、アンモニア又は窒素１，５００〜１，８００ｓｃｃｍ、及び水素１，０００〜２，０００ｓｃｃｍの範囲であるのがより好ましい。ガス流量が上記範囲より少なすぎると均一な窒化珪素膜が形成できない場合があり、多すぎると材料ガスが無駄になる場合がある。
【００２５】
また、シランガスとアンモニア又は窒素ガスとの流量比は、１：１０〜１：３が好ましく、より好ましくは１：６〜１：４である。この割合が小さすぎると形成された窒化珪素膜の屈折率が高くなりすぎる場合があり、大きすぎると低くなりすぎる場合がある。また、シランガスとアンモニア又は窒素ガスとの総流量に対する水素ガスの割合は、０．１〜３倍であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１倍である。水素ガスの割合が少なすぎると高いパッシベーション効果が得られない場合があり、多すぎると無駄になる場合がある。
【００２６】
この場合、装置内の圧力１０〜１００Ｐａ、温度２５０〜６００℃が好ましく、処理時間は材料ガスの流量比等により異なるが、形成される窒化珪素膜の膜厚が６０〜１００ｎｍになる範囲であるのが好ましい。このような成膜条件で平行平板型プラズマＣＶＤ装置等により窒化珪素膜を形成することで、パッシベーション効果が優れた窒化珪素膜を形成することができる。
【００２７】
窒化珪素膜の厚さは、膜の反射率やシリコン基板表面形状により適宜設定すればよく、通常６０〜１００ｎｍ程度、特に７０〜９０ｎｍ程度の厚さであることが好ましい。
【００２８】
（７）電極形成
スクリーン印刷装置等を用い、受光面側及び裏面側に、例えば銀を含むペーストをｐ型拡散層及びｎ型拡散層上に印刷し、櫛形電極パターン状１５（１６）に塗布して乾燥させる［図２（Ｅ），図３（Ｄ）］。特にシリコン基板にｐ型を使用する場合は、裏面側にアルミニウム（Ａｌ）粉末を有機バインダで混合したペーストをスクリーン印刷し、乾燥させて裏面電極１６を形成することが好ましい。次いで、受光面及び裏面の両方に［図２（Ｆ）］又は受光面に［図３（Ｄ）］銀ペースト等でバスバー電極１７をスクリーン印刷等により形成する。最後に、焼成炉において、５００〜９００℃で１〜３０分焼成を行い、ｐ型拡散層又はｎ型拡散層と電気的に接続する、フィンガー電極１５、裏面電極１６、及びバスバー電極１７を形成する。なお、図２（Ｆ）ではフィンガー電極１５、裏面電極１６が拡散層１２，１３と、図３（Ｄ）ではフィンガー電極１５は拡散層１３と接続されていないように示されているが、焼成によりファイヤースルーされ、実際は拡散層と接続されている。
【実施例】
【００２９】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００３０】
［実施例１］
図２に示すように、結晶面方位（１００）、１５．６５ｃｍ角、２００μｍ厚、アズスライス比抵抗２Ω・ｃｍ（ドーパント濃度７．２×１０15ｃｍ-3）リンドープｎ型単結晶シリコン基板１１を、水酸化ナトリウム水溶液に浸してダメージ層をエッチングで取り除き、水酸化カリウム水溶液にイソプロピルアルコールを加えた水溶液に浸してアルカリエッチングすることでテクスチャ形成を行った［図２（Ａ）］。
得られたシリコン基板１１の裏面に、リンドーパントを含む塗布剤を塗布した後に、９００℃，１時間熱処理を行い、ｎ型拡散層１３を裏面に形成した［図２（Ｂ）］。熱処理後、基板に付いたガラス成分は高濃度フッ酸溶液等により除去後、洗浄した。
引き続き、受光面にボロンドーパントを含む塗布剤を塗布した後に、１，０００℃，１時間熱処理を行い、ｐ型拡散層１２を受光面全体に形成した［図２（Ｃ）］。
次に、プラズマエッチャーを用い、ｐｎ接合分離を行った。プラズマやラジカルが受光面や裏面に侵入しないよう、対象をスタックした状態で端面を数ミクロン削った。その後、基板に付いたガラス成分を高濃度フッ酸溶液により除去後、洗浄した。
【００３１】
続いて、図１に示す平行平板型ＣＶＤ装置を用い、成膜用ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）、アンモニア及び水素の混合ガスを使用して、受光面側ｐ型拡散層１２及び裏面ｎ型拡散層１３上に誘電体膜である窒化珪素膜１４を積層した［図２（Ｄ）］。この膜厚は７０ｎｍであった。成膜条件は、モノシラン：アンモニア：水素＝１：４：２．５（ｓｃｃｍ）の混合比で、装置内圧力９０Ｐａ、温度４５０℃、時間３分であった。
最後に、受光面側及び裏面側にそれぞれ銀ペーストを電極印刷し、乾燥後、８００℃で２０分焼成を行い、フィンガー電極１５、裏面電極１６及びバスバー電極１７を形成した［図２（Ｅ），（Ｆ）］。
【００３２】
［実施例２］
図３に示すように、実施例１と同様のシリコン基板１１にｐ型単結晶シリコン基板を使用し、実施例１同様、水酸化ナトリウム水溶液に浸してダメージ層をエッチングで取り除き、水酸化カリウム水溶液にイソプロピルアルコールを加えた水溶液に浸してアルカリエッチングすることでテクスチャ形成を行った［図３（Ａ）］。
得られたシリコン基板１１の受光面に、リンドーパントを含む塗布剤を塗布した後に、８００℃で１時間熱処理を行い、ｎ型拡散層１３を形成した［図３（Ｂ）］。熱処理後、基板に付いたガラス成分は高濃度フッ酸溶液等により除去後、洗浄した。
【００３３】
次に、図１に示す平行平板型ＣＶＤ装置を用い、成膜用ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）、アンモニア及び水素の混合ガスを使用して、受光面側ｎ型拡散層１３上に誘電体膜である窒化珪素膜１４を積層した［図３（Ｃ）］。この膜厚は９０ｎｍであった。成膜条件は、モノシラン：アンモニア：水素＝１：４：２．５（ｓｃｃｍ）の混合比で、装置内圧力９０Ｐａ、温度４５０℃、時間３分であった。
引き続き、受光面側及び裏面側にそれぞれ銀ペースト及びアルミニウムペーストを電極印刷し、乾燥後、８００℃で２０分焼成を行い、フィンガー電極１５、裏面電極１６及びバスバー電極１７を形成した［図３（Ｄ）］。
【００３４】
［比較例１］
窒化珪素膜形成時、成膜用ガスとして水素の代わりに窒素を用いた以外は、実施例１と同様な方法にて作製した［図２（Ａ）〜（Ｆ）］。
即ち、図１に示す平行平板型プラズマＣＶＤ装置により、窒化珪素膜１４を受光面側ｐ型拡散層１２、及び裏面ｎ型拡散層１３上に形成する際の成膜用ガスとして、モノシラン、アンモニア及び窒素の混合ガスを用いて形成した。
【００３５】
［比較例２］
窒化珪素膜形成時、成膜用ガスとして水素の代わりに窒素を用いた以外は、実施例２と同様な方法にて作製した［図３（Ａ）〜（Ｄ）］。
即ち、図１に示す平行平板型プラズマＣＶＤ装置により、シリコン窒化膜１４を受光面側ｎ型拡散層１３上に形成する際の成膜用ガスとして、モノシラン、アンモニア及び窒素の混合ガスを用いて形成した。
【００３６】
実施例１，２及び比較例１，２で得られた太陽電池を、２５℃の雰囲気の中、ソーラーシミュレーター（光強度：１ｋＷ／ｍ2，スペクトル：ＡＭ１．５グローバル）の下で電流電圧特性を測定した。結果を表１に示す。なお、表中の数字は、実施例１，２及び比較例１，２で作製したセルそれぞれ１０枚の平均値である。
【００３７】
【表１】
2011187858.tif 000002
【００３８】
上記のように、実施例１，２による太陽電池は、窒化珪素膜がシランガスと、アンモニア又は窒素ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを用いて形成されることで、パッシベーション効果が優れた窒化珪素膜が形成され、高い変換効率の太陽電池が得られた。
【符号の説明】
【００３９】
１    成膜室
２    シリコン基板
３    トレー
４    ヒーターブロック
５    温度制御手段
６    成膜用ガス導入路
７    高周波電源
８    排気装置
１０  ＣＶＤ装置
１１  シリコン基板（ｎ型又はｐ型）
１２  ｐ型拡散層
１３  ｎ型拡散層
１４  反射防止膜（窒化珪素膜）
１５  フィンガー電極
１６  裏面電極
１７  バスバー電極
【図１】
2011187858.tif 000003
【図２】
2011187858.tif 000004
【図３】
2011187858.tif 000005