(57)【要約】【課題】多面取りで製造される画像表示装置の切断面からの水分や酸素等のＴＦＴ層への侵入を防止することが可能な画像表示装置及びその製造方法を提供することである。【解決手段】  湾曲可能な透明基板からなる第１基板と、前記第１基板に接着され、その上層に薄膜トランジスタが形成される樹脂フィルム層とを備える画像表示装置であって、前記樹脂フィルムの表面を被う無機膜からなるバリア層を備え、前記バリア層を介して、前記樹脂フィルムの上層及び下層に薄膜層が形成される画像表示装置である。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
湾曲可能な透明基板からなる第１基板と、前記第１基板に接着され、その上層に薄膜トランジスタが形成される樹脂フィルム層とを備える画像表示装置であって、
前記樹脂フィルムの表面を被う無機膜からなるバリア層を備え、
前記バリア層を介して、前記樹脂フィルムの上層及び下層に薄膜層が形成されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタが形成される回路層を備え、
前記樹脂フィルム層の上層に前記バリア層を介して前記回路層が形成され、
前記樹脂フィルム層の下層に前記バリア層を介して第２の樹脂フィルム層が形成されることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記樹脂フィルムは、ポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を有するポリアミドイミド、脂環式構造を有するポリイミド、ポリアミド、及びポリ（ｐ−キシリレン）の内の少なくとも１種の樹脂材料を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記樹脂フィルムの膜厚が１μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３の内の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記バリア層は、酸化シリコン（ＳｉＯ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、及び酸化アルミニウム（ＡｌＯ）の内の少なくとも１種の無機材料を含むことを特徴とする請求項１乃至４の内の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記バリア層の膜厚が、１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５の内の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記第２の樹脂フィルムは、波長２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長の光に対して、透過率が５０％以下であることを特徴とする請求項２乃至６の内の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項８】
波長２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長の前記光は、波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザー光、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー光、ＹＡＧレーザー（波長１０６４ｎｍ）の第３高調波（波長３５５ｎｍ）、又はＹＡＧレーザー（波長１０６４ｎｍ）の第４高調波（波長２６６ｎｍ）であることを特徴とする請求項７に記載の画像表示装置。
【請求項９】
湾曲可能な透明基板からなる第２基板を備え、前記第１基板と前記第２基板との間に、液晶材料が介在していることを特徴とする請求項１乃至８の内の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記回路層の上層に形成され、有機ＥＬ素子が形成される発光層と、
前記発光層の上層に形成され、前記発光層を保護する封止層とを備えることを特徴とする請求項２乃至８の内の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項１１】
第３基板の上層に樹脂フィルムを形成する工程と、前記樹脂フィルムの上層に薄膜トランジスタを含む半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子を形成した前記樹脂フィルムから前記第３基板を剥離する工程とを有する画像表示装置の製造方法であって、
前記樹脂フィルムの上面側に当該樹脂フィルムの厚さよりも浅い溝部を形成する工程と、
前記樹脂フィルムに対し、前記第３基板側から光を照射する工程とを有することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第３基板の上層に樹脂フィルムを形成する工程は、
前記第３基板の上層に第１の樹脂フィルム形成する工程と、
前記第１の樹脂フィルムの上層に無機材料からなるバリア層を形成する工程と、
前記バリア層の上層に第２の樹脂フィルムを形成する工程とを有し、
前記樹脂フィルムの上面側に溝部を形成する工程は、前記第２の樹脂フィルム及び前記バリア層を貫通すると共に、前記溝部の底部に前記第１の樹脂フィルムの一部を残すことを特徴とする請求項１１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記半導体素子の形成される領域の上層に形成される少なくとも一つの表示領域毎に当該画像表示装置を切断する工程を備え、
前記溝部は前記切断位置に重畳して形成されることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置及びその製造方法に係わり、特に、湾曲可能な画像表示装置及びその製造方法に関するものである。に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、液晶を挟持する一対の基板とバックライトから構成され、一対の基板の主面に複数の画素が形成された表示領域を有している。これら画素は、それぞれ、独立に液晶の分子を駆動させる電界を生じさせるように構成され、該液晶の分子の駆動に対応した光透過率を得るようになっている。また、一対の基板に極薄のガラス基板又はプラスチック（樹脂）基板を用い、表示面を湾曲可能とする液晶表示装置も知られている。このような構成からなる液晶表示装置では、優れた耐衝撃性や可とう性（可撓性）を有しており、その実用化が切望されている。
【０００３】
特に、樹脂フィルムを第１基板ＳＵＢ１として用いた液晶表示装置では、図４６に示すように、第１基板ＳＵＢ１の上層にＴＦＴ層ＴＦＴＬが形成される構成となっている。一方、プラスチック基板を第１基板ＳＵＢ１として用いた液晶表示装置では、図４７に示すように、第１基板ＳＵＢ１とＴＦＴ層ＴＦＴＬとの間に樹脂フィルムＦＬＭを有する構成となっている。このとき、第１基板ＳＵＢ１となるプラスチック基板及び樹脂フィルムを透過する水分や酸素の影響により、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの薄膜トランジスタの特性が大きく変動してしまうことが知られている。このため、従来の液晶表示装置では、図４８に示すように、第１基板ＳＵＢ１と樹脂フィルムＦＬＭとの間、及び樹脂フィルムＦＬＭとＴＦＴ層ＴＦＴＬとの間にそれぞれバリア層ＢＲＦを形成することにより、樹脂部材であるプラスチック基板からなる第１基板ＳＵＢ１及び樹脂フィルムＦＬＭを透過する水分や酸素等を遮蔽し、該水分や酸素等がＴＦＴ層ＴＦＴＬに形成される薄膜トランジスタの特性に影響することを防止する構成となっている。このような構成からなる液晶表示装置を形成する樹脂フィルムとして、例えば、特許文献１に記載の透明導電フィルムがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−２５４３０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方、液晶表示装置を含む画像表示装置の製造では、一対のマザー基板（母基板）と称される基板の一方に複数個分の表示装置を形成するために必要となる薄膜トランジスタや電極等を形成し、他方のマザー基板にカラーフィルタ等をそれぞれ別々に形成していた。この後、一対のマザー基板をシール材で固定することによって、一対のマザー基板に複数の表示装置（以下、単位表示装置と記す）を形成した後に、マザー基板を切断して単位表示装置に分離する多面取りで一度に複数個の液晶表示装置を製造している。
【０００６】
しかしながら、このような多面取りによる液晶表示装置の製造では、バリア層が形成されるプラスチック基板及び樹脂フィルムの側面（エッジ部）切断面は切断したままの状態となり、プラスチック基板及び樹脂フィルムの側面が大気中に開放された状態となっている。このために、プラスチック基板及び樹脂フィルムの側面からの水分や酸素をバリアすることができないため、ＴＦＴ層に形成される薄膜トランジスタに大きな特性変動をもたらしてしまうことが懸念されている。
【０００７】
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、多面取りで製造される画像表示装置の切断面からの水分や酸素等のＴＦＴ層への侵入を防止することが可能な画像表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）前記課題を解決すべく、湾曲可能な透明基板からなる第１基板と、前記第１基板に接着され、その上層に薄膜トランジスタが形成される樹脂フィルム層とを備える画像表示装置であって、前記樹脂フィルムの表面を被う無機膜からなるバリア層を備え、前記バリア層を介して、前記樹脂フィルムの上層及び下層に薄膜層が形成される画像表示装置である。
【０００９】
（２）前記課題を解決すべく、第３基板の上層に樹脂フィルムを形成する工程と、前記樹脂フィルムの上層に薄膜トランジスタを含む半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子を形成した前記樹脂フィルムから前記第３基板を剥離する工程とを有する画像表示装置の製造方法であって、前記樹脂フィルムの上面側に当該樹脂フィルムの厚さよりも浅い溝部を形成する工程と、前記樹脂フィルムに対し、前記第３基板側から光を照射する工程とを有する画像表示装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、多面取りで製造される画像表示装置の切断面からの水分や酸素等のＴＦＴ層への侵入を防止することができる。
【００１１】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態１の画像表示装置である液晶表示装置の概略構成を説明するための平面図である。
【図２】本発明の画像表示装置である液晶表示装置における第１基板の詳細構成を説明するための図である。
【図３】本発明の実施形態１の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明の実施形態１の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の実施形態１の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の実施形態１の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】本発明の実施形態１の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図８】本発明の実施形態１の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図９】本発明の実施形態１の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１０】本発明の実施形態１の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１１】本発明の実施形態１の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１２】本発明の実施形態１の液晶表示装置の詳細構成を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の実施形態１の液晶表示装置の工程１−４における斜視図である。
【図１４】本発明の実施形態２の画像表示装置である液晶表示装置の概略構成を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の実施形態２の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１６】本発明の実施形態２の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１７】本発明の実施形態２の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１８】本発明の実施形態２の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１９】本発明の実施形態２の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図２０】本発明の実施形態２の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図２１】本発明の実施形態２の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図２２】本発明の実施形態２の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図２３】本発明の実施形態３の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の概略構成を説明するための断面図である。
【図２４】本発明を半導体装置に適用した場合の構成を説明するための図である。
【図２５】本発明の実施形態３の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図２６】本発明の実施形態３の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図２７】本発明の実施形態３の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図２８】本発明の実施形態３の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図２９】本発明の実施形態３の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図３０】本発明の実施形態３の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図３１】本発明の実施形態３の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図３２】本発明の実施形態３の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図３３】本発明の実施形態３の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図３４】本発明の実施形態４の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の概略構成を説明するための断面図である。
【図３５】本発明の実施形態４の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図３６】本発明の実施形態４の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図３７】本発明の実施形態４の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図３８】本発明の実施形態４の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図３９】本発明の実施形態４の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図４０】本発明の実施形態４の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図４１】本発明の実施形態４の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図４２】本発明の実施形態４の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図４３】本発明を半導体装置に適用した場合の構成を説明するための図である。
【図４４】従来の液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図４５】従来の液晶表示装置の製造方法を用いた場合の断面図である。
【図４６】従来の液晶表示装置の概略構成を説明するための図である。
【図４７】従来の液晶表示装置の概略構成を説明するための図である。
【図４８】従来の液晶表示装置の概略構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。
【００１４】
〈実施形態１〉
〈全体構成〉
図１は本発明の実施形態１の画像表示装置である液晶表示装置の概略構成を説明するための平面図である。ただし、Ｘ、ＹはそれぞれＸ軸、Ｙ軸を示す。なお、以下の説明では、第１基板ＳＵＢ１としてプラスチック基板を用いる場合について説明するが、これに限定されることはなく、第１基板ＳＵＢ１として、樹脂フィルムを用いる構成であってもよい。
【００１５】
図１に示す実施形態１の液晶表示装置は、薄膜トランジスタＴＦＴや画素電極等が形成される第１基板（ＴＦＴ側基板）ＳＵＢ１と、該第１基板ＳＵＢ１に対向して配置され、カラーフィルタ（着色層）やブラックマトリクス（遮光層）等が形成される第２基板（対向基板）ＳＵＢ２と、該第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とで挟持される図示しない液晶とで構成される液晶表示パネルＰＮＬを有し、該液晶表示パネルＰＮＬと光源となる図示しないバックライトユニットとを組み合わせることにより、液晶表示装置ができる。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との固定（固着）及び２枚の基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２で挟持される液晶の封止は、表示領域ＡＲの周辺に形成されるシール材ＳＬで固定され、液晶も封止される構成となっている。なお、以下の説明では、液晶表示パネルＰＮＬの説明においても、液晶表示装置と記す。
【００１６】
第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２としては、例えば周知のプラスチック（樹脂）基板で形成される。このように、実施形態１では、プラスチック（樹脂）基板を用いているので、軽量で、耐衝撃性及び可とう性等に優れた液晶表示装置を提供できる。また、実施形態１の液晶表示装置では、液晶が封入された領域の内で表示画素（以下、画素と略記する）の形成される領域が表示領域ＡＲとなる。従って、液晶が封入されている領域内であっても、画素が形成されておらず表示に係わらない領域は表示領域ＡＲとはならない。
【００１７】
さらには、実施形態１の液晶表示装置では、薄膜トランジスタＴＦＴとして低温ポリシリコンＴＦＴ（ＬＴＰＳ）を用いており、図中上部の第１基板ＳＵＢ１上に映像信号駆動回路（ドレインドライバ）ＤＤＲが形成されており、図中左側の第１基板ＳＵＢ１上に走査信号駆動回路（ゲートドライバ）ＧＤＲが形成される構成となっている。なお、以下の説明においては、ドレインドライバＤＤＲとゲートドライバＧＤＲとを特に区別する必要がない場合には、単に駆動回路（ドライバ）と略記する。
【００１８】
図１に示すように実施形態１の液晶表示装置では、第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面であって表示領域ＡＲ内には、図中Ｘ方向に延在しＹ方向に並設される走査線（ゲート線）ＧＬが形成されている。また、図中Ｙ方向に延在しＸ方向に並設される映像信号線（ドレイン線）ＤＬが形成されている。
【００１９】
ドレイン線ＤＬとゲート線ＧＬとで囲まれる矩形状の領域は画素が形成される領域を構成し、これにより、各画素は表示領域ＡＲ内においてマトリックス状に配置される構成となる。また、この画素の領域には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれかの図示しないカラーフィルタが形成される構成となっている。特に、実施形態１の表示装置においては、Ｘ軸方向すなわちゲート線ＧＬの延在方向に隣接配置されるＲＧＢの各画素でカラー表示用の単位画素を形成する構成となっている。ただし、カラー表示用の単位画素の構成はこれに限定されるものではない。また、第２基板ＳＵＢ２には、ゲート線ＧＬの延在方向のブラックマトリクスと配向膜とが形成される構成となっている。
【００２０】
また、各画素は例えば図１中丸印Ａの部分の拡大図Ａ’に示すように、ゲート線ＧＬからの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸと、コモン線ＣＬに接続され映像信号の電位に対して基準となる電位を有する基準信号が供給される共通電極ＣＴとを備えている。画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの間には、第１基板ＳＵＢ１の面に平行な成分を有する電界が生じ、この電界によって液晶の分子を駆動させるようになっている。このような液晶表示装置は、いわゆる広視野角表示ができるものとして知られ、このような液晶への電界の印加の特異性から、ＩＰＳ方式、あるいは横電界方式と称される。なお、拡大図Ａ’に示す共通電極ＣＴの構成では、画素毎に独立して形成される共通電極ＣＴにコモン信号線ＣＬを介して基準信号を入力する構成としたが、これに限定されることはなく、例えば複数の画素に跨って平面状に共通電極ＣＴを形成してもよい。
【００２１】
実施形態１では、各ドレイン線ＤＬ及び各ゲート線ＧＬはその端部においてシール材ＳＬを越えてそれぞれ延在され、ドレインドライバＤＤＲ又はゲートドライバＧＤＲにそれぞれ接続される構成となっている。ここで、実施形態１においては、前述するように第１基板ＳＵＢ１上に液晶表示装置用のドライバであるドレインドライバＤＤＲやゲートドライバＧＤＲがＬＴＰＳで形成される構成となっている。
【００２２】
一方、外部からの制御信号をドレインドライバＤＤＲ及びゲートドライバＧＤＲへ入力する信号線は、当該ドレインドライバＤＤＲやゲートドライバＧＤＲと共に第１基板に形成される。また、該信号線の他端は第１基板の対向面側（液晶面側）に形成される電極端子ＴＲＭに接続される構成となっており、該電極端子ＴＲＭを介して外部からの制御信号が液晶表示装置に入力される。従って、実施形態１では、電極端子ＴＲＭが形成される側においては、第２基板は第１基板よりも後退した形状となっている。すなわち、電極端子ＴＲＭの上方は開放される構成となっており、該電極端子ＴＲＭに図示しないフレキシブル配線基板を周知の異方性導電膜を用いて接続することによって、外部から液晶表示装置への制御信号を入力する構成としている。
【００２３】
なお、実施形態１の液晶表示装置では、ドレインドライバＤＤＲ及びゲートドライバＧＤＲを第１基板ＳＵＢ１上にＬＴＰＳで形成する構成としたが、これに限定されることはない。例えば、半導体チップからなる半導体装置でドレインドライバ及びゲートドライバを形成し、この半導体チップを第１基板ＳＵＢ１に搭載してもよい。または、例えばテープキャリア方式やＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）方式で形成した半導体装置の一辺を第１基板ＳＵＢ１に接続させるようにしてもよい。
【００２４】
〈第１基板の詳細構成〉
図２は本発明の画像表示装置である液晶表示装置における第１基板の詳細構成を説明するための図である。ただし、図中に示す太い点線の矢印は大気中の水分Ｈ２Ｏや酸素Ｏ２等の侵入経路の一例を示し、図中に示す細い点線の矢印はバリア層で遮蔽された水分Ｈ２Ｏや酸素Ｏ２等を示す。また、説明を簡単にするために、以下の説明では、薄膜トランジスタＴＦＴや画素電極等を含む薄膜領域をＴＦＴ層ＴＦＴＬと記す。
【００２５】
図２に示すように、実施形態１の液晶表示装置における第１基板ＳＵＢ１では、第１基板ＳＵＢ１の上面すなわち図示しない液晶と対向する対向面側にはバリア層ＢＲＦが形成され、該バリア層ＢＲＦの上面に樹脂フィルムＦＬＭが形成されている。また、該樹脂フィルムＦＬＭの上面にバリア層ＢＲＦが形成され、該バリア層ＢＲＦの上面にＴＦＴ層ＴＦＴＬが形成されている。さらには、実施形態１の樹脂フィルムＦＬＭでは、その側面部にもバリア層ＢＲＦが形成されている。すなわち、実施形態１の第１基板ＳＵＢ１では、樹脂フィルムＦＬＭがバリア層ＢＲＦに包まれ、該バリア層ＢＲＦに包まれた樹脂フィルムＦＬＭが第１基板ＳＵＢ１とＴＦＴ層ＴＦＴＬとの間に形成される構成となっている。
【００２６】
このような構成とすることにより、実施形態１の液晶表示装置の裏面側すなわちプラスチック基板からなる第１基板ＳＵＢ１を透過した後に樹脂フィルムＦＬＭに侵入しようとする大気中の水分Ｈ２Ｏや酸素Ｏ２等は、当該第１基板ＳＵＢ１と樹脂フィルムＦＬＭとの間の領域に形成されるバリア層ＢＲＦで遮断され、樹脂フィルムＦＬＭ側に侵入することを防止できる。同様にして、実施形態１の液晶表示装置の側面側すなわち大気中から樹脂フィルムＦＬＭに侵入しようとする水分Ｈ２Ｏや酸素Ｏ２等は、樹脂フィルムＦＬＭの側面部分に形成されるバリア層ＢＲＦによって遮断されることとなるので、樹脂フィルムＦＬＭ側に侵入することを防止できる。さらには、実施形態１の液晶表示装置では、樹脂フィルムＦＬＭとＴＦＴ層ＴＦＴＬとの間にもバリア層ＢＲＦが形成される構成となっている。従って、例えば、第１基板ＳＵＢ１と樹脂フィルムＦＬＭとの間の領域に形成されるバリア層ＢＲＦ又は樹脂フィルムＦＬＭの側面部分に形成されるバリア層ＢＲＦを水分Ｈ２Ｏや酸素Ｏ２等の一部が透過した場合であっても、樹脂フィルムＦＬＭとＴＦＴ層ＴＦＴＬとの間のバリア層ＢＲＦが透過した水分Ｈ２Ｏや酸素Ｏ２等のＴＦＴ層ＴＦＴＬへの侵入を遮断することができる。すなわち、実施形態１の液晶表示装置では、第１基板ＳＵＢ１の上面側（対向面側）に形成される樹脂フィルムＦＬＭの外周面の全ての面をバリア層ＢＲＦで被う構成となっているので、大気中の水分Ｈ２Ｏや酸素Ｏ２等がＴＦＴ層ＴＦＴＬへ侵入することを遮断することができる。その結果、ＴＦＴ層ＴＦＴＬに形成される薄膜トランジスタＴＦＴの特性変動を抑制することが可能となり、画素毎の表示輝度のバラつき等を抑えることができるので、液晶表示装置の表示品質を向上させることができる。
【００２７】
〈製造方法〉
次に、図３〜図１１に本発明の実施形態１の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図、図１３に実施形態１の液晶表示装置の工程１−４における斜視図を示し、以下、図３〜図１１及び図１３に基づいて、実施形態１の液晶表示装置の製造方法を説明する。なお、各薄膜の形成は公知のフォトリソグラフィ技術により可能となるので、その形成方法の詳細な説明は省略する。
【００２８】
ただし、以下の説明では、マザー基板となるガラス基板からなる第３基板ＳＵＢ３上にＴＦＴ層ＴＦＴＬを形成した後に、該ＴＦＴ層ＴＦＴＬを剥離しプラスチック基板である第１基板ＳＵＢ１に接着させるいわゆる剥離方式を用いて、液晶表示装置を形成する場合について説明するが、これに限定されることはない。他の技術を用いた場合であっても本願発明は適用可能である。
【００２９】
工程１−１（図３）
まず、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの形成用の基材となるガラス基板からなる第３基板ＳＵＢ３の表面に樹脂フィルムＦＬＭ１を形成する。このときの樹脂フィルムＦＬＭ１の膜厚は、後述する溝部（凹部）ＣＰの形成に必要な膜厚で十分となる。また、樹脂フィルムＦＬＭ１は、後に詳述するレーザー光の照射により、第３基板ＳＵＢ３から剥離可能な性質を有する周知の樹脂部材で形成する。さらには、第３基板ＳＵＢ３はマザー基板（母基板）であり、当該第３基板ＳＵＢ３から複数個分の液晶表示装置が形成される大きさを有している。
【００３０】
このとき、第３基板ＳＵＢ３としては、ガラス基板に限定されることはなく、石英基板、シリコン基板（例えば、Ｓｉウエハ）、金属基板等が挙げられる。ただし、裏面からの光照射等を行えるといった意味で、透明なガラス基板及び石英基板等が好ましい。また本発明では、後の工程で、第３基板ＳＵＢ３を樹脂フィルムＦＬＭ１から剥離する。従って、第３基板ＳＵＢ３は影響を受けず、再生が可能であり、液晶表示装置のコストの低減につながる。
【００３１】
また、樹脂フィルムＦＬＭ１の材料部材としては、ポリベンゾオキサゾール、脂環式構造を有するポリアミドイミド、脂環式構造を有するポリイミド、ポリアミド及びポリ（ｐ−キシリレン）から選択される樹脂材料を含むものが好ましいが、これらの材料を単独で含んでいてもよいし、組み合わせて含んでいてもよい。これらの樹脂材料を含む樹脂フィルムＦＬＭ１は、フィルム自身がある程度の強度を有することから、第３基板ＳＵＢ３上に形成した後に、フィルム単体として剥離することができる。従って、その上にＴＦＴ層ＴＦＴＬを形成した後に剥がした場合でも、破壊が起きにくく有利である。
【００３２】
また、樹脂フィルムＦＬＭ１としては、膜厚が１μｍ以上３０μｍ以下であり、好ましくは３μｍ以上２５μｍ以下であり、より好ましくは４．５μｍ以上１５μｍ以下である。このような膜厚とすることにより、樹脂の吸収による透過率の低下が防止されるため透明性に優れ、かつフィルムとしての力学的な強度をも有することができる。
【００３３】
また、樹脂フィルムＦＬＭ１としては、可視光の領域、特に波長４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の光の透過率が８０％以上であり、好ましくは９０％以上であり、より好ましくは９５％以上である。このように可視光の透過率が高い樹脂フィルムは、光を効率的に透過することができるからである。
【００３４】
さらには、樹脂フィルムＦＬＭ１としては、３％重量減少温度が３００℃以上、好ましくは１％重量減少温度が３００℃以上であることが好適である。
【００３５】
工程１−２（図４）
次に、樹脂フィルムＦＬＭ１の上面を被うようにして、例えば窒化シリコン膜等を積層しバリア層（第１のバリア層）ＢＲＦを形成する。ただし、バリア層ＢＲＦとしては窒化シリコン膜に限定されることはなく、他の薄膜であってもよい。
【００３６】
例えば、バリア層ＢＲＦとしては、酸化シリコン（ＳｉＯ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）及び酸化アルミニウム（ＡｌＯ）から選ばれる少なくとも１種を含むものが好ましい。これらを単独で含んでいてもよいし、組み合わせて含んでいてもよい。
【００３７】
また、バリア層ＢＲＦの厚さは、通常、１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であり、好ましくは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。さらには、バリア層ＢＲＦは単層でもよいし、必要に応じては２層以上を重ねて用いてもよい。
【００３８】
バリア層ＢＲＦを形成する方法としては、スパッタ、反応性プラズマ蒸着、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤなどが挙げられる。このとき、バリア層ＢＲＦは、有機物である樹脂フィルムＦＬＭ１の上層に形成するので、形成温度は低温である方が樹脂フィルムＦＬＭ１のダメージを小さくできる。具体的には、バリア層ＢＲＦは、１００℃以下で形成できるものが好ましい。
【００３９】
工程１−３（図５）
次に、バリア層ＢＲＦの上面を被うようにして、樹脂フィルムＦＬＭ２を形成する。このとき、当該樹脂フィルムＦＬＭ２はマザー基板である第３基板ＳＵＢ３を切り離した際の樹脂フィルムＦＬＭ２となるので、所定の厚さを有する膜厚で形成される。
【００４０】
実施形態１の樹脂フィルムＦＬＭ２としては、熱膨張係数が第３基板ＳＵＢ３と樹脂フィルムＦＬＭ１との間の値にあるものが好ましい。第３基板ＳＵＢ３としてガラス基板やシリコン基板を用いる場合、これらの熱膨張係数は数ｐｐｍ／Ｋの値である。これに対して、樹脂フィルムＦＬＭ１の熱膨張係数は、通常、数十〜１００ｐｐｍ／Ｋとそれより一桁以上大きい。従って、第３基板ＳＵＢ３と樹脂フィルムＦＬＭ１の熱膨張係数の差が大きいために内部に応力が発生したり、樹脂フィルムＦＬＭ１の硬化の際にフィルムに亀裂が入ったりする可能性がある。熱膨張係数の値が第３基板ＳＵＢ３と樹脂フィルムＦＬＭ１との間にあるような樹脂フィルムＦＬＭ２を用いることにより、これらの問題を軽減することができる。
【００４１】
また、樹脂フィルムＦＬＭ２は、単層でも複数層でもよい。例えば、熱膨張係数が序列をなすような樹脂層を重ねて、３層以上とすることも可能である。
【００４２】
また、樹脂フィルムＦＬＭ２は、耐熱性のあるものが望ましく、具体的には、熱膨張係数が１０〜４０ｐｐｍ／Ｋであり、膜厚が１μｍ以上３０μｍ以下であり、１％重量減少温度が３００℃以上であるものが好ましい。樹脂フィルムＦＬＭ２の透過率に関しては、波長４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光の透過率が８０％以上であるような透明なものを用いる。
【００４３】
このような樹脂部材としては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリベンゾオキサゾール、例えば、樹脂フィルムＦＬＭ１と同様の樹脂部材等が挙げられる。
【００４４】
工程１−４（図６、図１３）
次に、周知のエッチングにより、樹脂フィルムＦＬＭ２の表面側から樹脂フィルムＦＬＭ２を貫通し、バリア膜ＢＲＦに到達する溝部（凹部）ＣＰを形成する。このとき、後に詳述するように、溝部ＣＰは第３基板ＳＵＢ３を切断する際の切断線に沿って延在される。また、実施形態１では、溝部ＣＰの深さは樹脂フィルムＦＬＭ１とバリア膜ＢＲＦとの膜厚の合計（すなわち、樹脂フィルムＦＬＭ１の膜厚＋バリア膜ＢＲＦの膜厚）よりも深く、樹脂フィルムＦＬＭ１とバリア膜ＢＲＦと樹脂フィルムＦＬＭ２との膜厚の合計（すなわち、樹脂フィルムＦＬＭ１の膜厚＋バリア膜ＢＲＦの膜厚＋樹脂フィルムＦＬＭ２の膜厚）よりも浅くする。このような深さの溝部ＣＰを形成することによって、樹脂フィルムＦＬＭ１を少し残すように溝部ＣＰを形成する。すなわち、当該工程では、樹脂フィルムＦＬＭ１及びバリア膜ＢＲＦ、並びに樹脂フィルムＦＬＭ２の対向面側の一部をエッチングすることにより、切断線に沿った溝部ＣＰを形成する。これにより、Ｘ方向に延在しＹ方向に並設される溝部ＣＰと、Ｙ方向に延在しＸ方向に並設される溝部ＣＰとに囲まれた樹脂フィルムＦＬＭ２の領域が、図１３に示すように、マトリクス状に形成されることとなる。
【００４５】
工程１−５（図７）
次に、樹脂フィルムＦＬＭ２の上面にバリア層（第２のバリア層）ＢＲＦを形成する。このとき、樹脂フィルムＦＬＭ２の側面にもバリア膜２が形成されるように、第３基板ＳＵＢ３の上面全体にバリア層ＢＲＦを形成する。これにより、樹脂フィルムＦＬＭ２の裏面側のバリア層ＢＲＦすなわち樹脂フィルムＦＬＭ１と樹脂フィルムＦＬＭ２との間のバリア層ＢＲＦ、及び樹脂フィルムＦＬＭ２の表面側のバリア層ＢＲＦすなわち樹脂フィルムＦＬＭ２と後に形成するＴＦＴ層ＴＦＴＬとの間のバリア層ＢＲＦ、並びに溝部ＣＰの側壁面のバリア層ＢＲＦにより、樹脂フィルムＦＬＭ２が被われた樹脂フィルムが形成される。すなわち、樹脂フィルムＦＬＭ２が完全にバリア膜ＢＲＦに囲まれた構造となる。ただし、当該工程１−４で形成するバリア層ＢＲＦも前述する工程１−２と同様の構成のバリア層ＢＲＦとなる。
【００４６】
工程１−６（図８）
次に、バリア膜ＢＲＦの上面の内で、溝部ＣＰを除く領域に周知の薄膜トランジスタや電極等からなるＴＦＴ層ＴＦＴＬを形成する。このＴＦＴ層ＴＦＴＬの形成により、本発明の実施形態１の液晶表示装置に係わる第１基板ＳＵＢ１側の構造が形成される。
【００４７】
工程１−７（図９、図１０）
次に、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの上面すなわち第３基板ＳＵＢ３の上面の内で溝部ＣＰを除く上面領域に配向膜を形成し、所定の配向処理を行う。この後に、カラーフィルタやブラックマトリクスが形成される第２基板ＳＵＢ１のマザー基板と、当該第３基板ＳＵＢ３とを図示しないシール材で固着すると共に液晶を封入する。これにより、表示領域を有する単位表示装置である複数個の液晶表示装置を備える構成が形成される。１枚のマザー基板が形成される。
【００４８】
この後に、例えば第３基板ＳＵＢ３の裏面側すなわち第３基板ＳＵＢ３の図中下側からレーザー光ＬＢを照射することにより、図１０に示すように、第３基板ＳＵＢ３と樹脂フィルムＦＬＭ１との界面で液晶表示装置側と第３基板ＳＵＢ３とを剥離する。
【００４９】
このときのレーザー光ＬＢとしては、第３基板ＳＵＢ３としてガラス基板や石英基板等の透明基板を用いる場合は、これらに対する透過率が９０％以上である波長のレーザー光ＬＢを照射することが好ましい。具体的には、波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザー光や、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー光といったレーザー光、ＹＡＧレーザー（波長１０６４ｎｍ）の第３高調波（波長３５５ｎｍ）や第４高調波（波長２６６ｎｍ）を使うこともできる。レーザー光ＬＢの波長は、波長２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下のものが好ましいが、より好ましくは波長３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。
【００５０】
また、レーザー光ＬＢの代わりに紫外線を照射してもよい。この場合の紫外線としても波長２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下のものが好ましい。具体的には、水銀ランプ、キセノン水銀ランプの輝線であるｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、３１３ｎｍ、２５４ｎｍの光が好ましい。
【００５１】
この波長２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長の光は、第３基板ＳＵＢ３としてのガラス基板を効率的に透過するが、樹脂フィルムＦＬＭ１を透過しにくい場合が多い。また、樹脂フィルムＦＬＭ１に対する透過率が５０％以下となる波長の光であることがより好ましい。樹脂フィルムＦＬＭ１に対する透過率が１０％以下となる波長の光はさらに好ましい。樹脂フィルムＦＬＭ１に対する透過率が低い光は、第３基板ＳＵＢ３の裏面から照射したときに、第３基板ＳＵＢ３と樹脂フィルムＦＬＭ１の界面で吸収されて効率的に働き、剥離が起きやすくなる。
【００５２】
なお、レーザー光ＬＢや紫外線を照射した後に、界面に力をかけて剥離を補助する、あるいは水に浸漬して界面に水を浸入させて剥離を補助する工程を加えることもできる。
【００５３】
工程１−８（図１１）  
次に、プラスチック基板である第１基板ＳＵＢ１と樹脂フィルムＦＬＭ１との間に透明な接着剤を用いた接着層ＢＬを形成し、第１基板ＳＵＢ１と樹脂フィルムＦＬＭ１とを接着する。これにより、表示領域を有する単位表示装置である複数個の液晶表示装置を備える１枚のマザー基板が形成される。この後に、切断線に沿って各液晶表示装置を切断することによって、１枚のマザー基板から複数個の液晶表示装置が形成される。
【００５４】
ただし、第１基板ＳＵＢ１としては、特に耐熱性は必要としないので、膜厚５０μｍ以上で膜厚５００μｍ以下程度の透明な基板を用いることができる。波長４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の透過率が９０％以上のものが好ましい。実施形態の第１基板ＳＵＢ１の具体例としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホンが挙げられ、新日鐵化学のＨＴ基板等が好ましい。これらの基板であれば、２００℃のプロセスで使用が可能である。シクロオレフィンコポリマーである三井化学のアペル、ＪＳＲのアートン、日本ゼオンのゼオノア等は、透明性が高いが、耐熱性が低いことが知られているが、第１基板ＳＵＢ１への加熱が不要な場合には適用可能である。
【００５５】
図１２は本発明の実施形態１の液晶表示装置の詳細構成を説明するための断面図であり、工程１−１〜１−８により、図１２に示すように、第１基板ＳＵＢ１側から接着層ＢＬ、樹脂フィルムＦＬＭ１、バリア層ＢＲＦ、樹脂フィルムＦＬＭ２、バリア層ＢＲＦ、ＴＦＴ層ＴＦＴＬ、及び配向膜ＯＲＩが順に形成された第１基板ＳＵＢ１が、液晶ＬＣ介して第２基板ＳＵＢと対向配置される液晶表示装置が形成されることとなる。このとき、樹脂フィルムＦＬＭ２の側壁面もバリア層ＢＲＦに被われた構成となるので、大気中の水分Ｈ２Ｏや酸素Ｏ２等がＴＦＴ層ＴＦＴＬへ侵入することを遮断することができる。その結果、ＴＦＴ層ＴＦＴＬに形成される薄膜トランジスタＴＦＴの特性変動を抑制することが可能となり、画素毎の表示輝度のバラつき等を抑えることができるので、第１基板ＳＵＢ１がプラスチックで形成されるフレキシブル液晶表示装置の表示品質を向上させることができる。
【００５６】
なお、実施形態１の液晶表示装置において、図１２に示すとおり、樹脂フィルムＦＬＭ１が残っていても、樹脂フィルムＦＬＭ１が完全に除去されていてもよい。なお、工程１−７におけるレーザー光ＬＢの照射により、樹脂フィルムＦＬＭ１が完全に除去される場合もある。また、なお，樹脂フィルムＦＬＭ１、樹脂フィルムＦＬＭ２、工程２−１で形成するバリア膜ＢＲＦ、工程１−５で形成するバリア膜ＢＲＦ、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、及び第３基板ＳＵＢ３の材料は適宜選択する。
【００５７】
〈効果の説明〉
図４４は従来の液晶表示装置の製造方法を説明するための図であり、図４５は従来の液晶表示装置の製造方法を用いた場合の断面図である。ただし、図４４及び図４５に示す従来の液晶表示装置の製造方法は、特開２００８−２６８６６６号公報に開示される製造方法である。
【００５８】
従来の製造方法では、図４４（ａ）に示すように、基材となる第１基板ＳＵＢ１にガラス基板を用い、図４４（ｂ）に示すように、まず、第１基板ＳＵＢ１の表面に樹脂フィルムＦＬＭ１を形成する。次に、該樹脂フィルムＦＬＭ１をエッチングし、樹脂フィルムＦＬＭ１に第１基板ＳＵＢ１に到達する溝部ＣＰ１を形成する構成となっている。従って、本願発明のように、溝部ＣＰ１を形成した後に、バリア層ＢＲＦを形成した場合、図４５に示すように、該バリア層ＢＲＦは樹脂フィルムＦＬＭ１の上面と側面を被うと共に、溝部ＣＰ１の形成により露出される第１基板ＳＵＢ１の表面にもバリア層ＢＲＦが形成されることとなる。この場合、バリア膜ＢＲＦとガラス基板からなる第１基板ＳＵＢ１との界面では、無機材料と無機材料との組み合わせになってしまうために密着性が良く、第１基板ＳＵＢ１からバリア層ＢＲＦを剥離するのが非常に困難となってしまう。すなわち、樹脂フィルムＦＬＭ１の側面を被うバリア層ＢＲＦを形成することが不可能であるので、前述する課題を解決することができない。同様の理由により、樹脂フィルムＦＬＭ１の裏面側にもバリア層ＢＲＦを形成することが不可能であり、本願明細書に開示するようなバリア性の高い構造のバリア層ＢＲＦを形成することはできない。
【００５９】
〈実施形態２〉
図１４は本発明の実施形態２の画像表示装置である液晶表示装置の概略構成を説明するための断面図である。ただし、実施形態２の液晶表示装置は、第１基板ＳＵＢ１として、第３基板ＳＵＢ３の上層に形成する樹脂フィルムＦＬＭ１を直接用いる、すなわち第３基板ＳＵＢ３上に形成する樹脂フィルムＦＬＭ１を基材とする構成である。
【００６０】
図１４に示すように、実施形態２の液晶表示装置は、第１基板ＳＵＢ１すなわちＴＦＴ層ＴＦＴＬが形成される側の基材として、樹脂フィルムＦＬＭ１を用いる構成となっており、該樹脂フィルムＦＬＭ１の上層にバリア層ＢＲＦが形成され、その上層に樹脂フィルムＦＬＭ２が形成されている。この樹脂フィルムＦＬＭ２の上層と側面にバリア層ＢＲＦが形成され、該バリア層ＢＲＦを介して樹脂フィルムＦＬＭ２の上層にＴＦＴ層ＴＦＴＬが形成されている。このように形成されるＴＦＴ側の基板である樹脂フィルムＦＬＭ１を基材とする基板は、液晶ＬＣを介して第２基板ＳＵＢ２と対向配置される構成となっている。
【００６１】
このように、実施形態２の液晶表示装置においても、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの下層に配置される樹脂フィルムＦＬＭ２の全ての表面がバリア層ＢＲＦに被われ、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの下層に配置されているので、前述する実施形態１の液晶表示装置と同様の効果を得ることができる。
【００６２】
また、実施形態２の液晶表示装置では、樹脂フィルムＦＬＭ１を基材とする構成となっているので、実施形態１の液晶表示装置よりもフレキシブル性が向上できる。
【００６３】
〈製造方法〉
次に、図１５〜図２２に本発明の実施形態２の画像表示装置である液晶表示装置の製造方法を説明するための図を示し、以下、図１５〜図２２に基づいて、実施形態２の液晶表示装置の製造方法を説明する。ただし、実施形態２の液晶表示装置は、前述するように、樹脂フィルムＦＬＭ１を基材とする構成を除く他の構成は、実施形態１の液晶表示装置と同様の構成である。従って、以下の説明では、樹脂フィルムＦＬＭ１を基材とする構成に係わる工程である工程２−１及び工程２−７について詳細に説明する。
【００６４】
工程２−１（図１５）
まず、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの形成用の基材となるガラス基板からなる第３基板ＳＵＢ３の表面に樹脂フィルムＦＬＭ１を形成する。このときの樹脂フィルムＦＬＭ１の膜厚は、基材（支持基板）として使用するに十分な膜厚となるように形成する。
【００６５】
工程２−２（図１６）
前述する実施形態１の工程１−２と同様に、樹脂フィルムＦＬＭ１の上面を被うようにして、バリア層（第１のバリア層）ＢＲＦを形成する。
【００６６】
工程２−３（図１７）
工程１−３と同様に、バリア層ＢＲＦの上面を被うようにして、樹脂フィルムＦＬＭ２を形成する。
【００６７】
工程２−４（図１８）
工程１−４と同様に、周知のエッチングにより、樹脂フィルムＦＬＭ２の表面側から樹脂フィルムＦＬＭ２を貫通し、バリア膜ＢＲＦに到達する溝部（凹部）ＣＰを形成する。工程２−５（図１９）
工程１−５と同様に、樹脂フィルムＦＬＭ２の上面にバリア層（第２のバリア層）ＢＲＦを形成する。
【００６８】
工程２−６（図２０）
工程１−６と同様に、バリア膜ＢＲＦの上面の内で、溝部ＣＰを除く領域に周知の薄膜トランジスタや電極等からなるＴＦＴ層ＴＦＴＬを形成する。
【００６９】
工程２−７（図２１）
工程１−７と同様に、まず、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの上面すなわち第３基板ＳＵＢ３の上面の内で溝部ＣＰを除く上面領域に配向膜を形成し、所定の配向処理を行う。次に、カラーフィルタやブラックマトリクスが形成される第２基板ＳＵＢ１のマザー基板と、当該第３基板ＳＵＢ３とを図示しないシール材で固着すると共に液晶を封入する。これにより、表示領域を有する単位表示装置である複数個の液晶表示装置を１枚のマザー基板に形成する。
【００７０】
この後に、第３基板ＳＵＢ３の裏面側すなわち第３基板ＳＵＢ３の図中下側からレーザー光ＬＢを照射することにより、第３基板ＳＵＢ３と樹脂フィルムＦＬＭ１との界面で液晶表示装置側と第３基板ＳＵＢ３とを剥離する。
【００７１】
工程２−８（図２２）  
工程２−７の液晶表示装置側と第３基板ＳＵＢ３との剥離により、図２２に示すように、第２基板ＳＵＢ２に対向する基板を樹脂フィルムＦＬＭ１とする表示領域を有する単位表示装置である複数個の液晶表示装置のマザー基板が形成される。この後に、切断線に沿って各液晶表示装置を切断することによって、１枚のマザー基板から複数個の図１４に示す液晶表示装置が形成される。
【００７２】
このように実施形態２の液晶表示装置の製造工程においても、工程２−４で溝部ＣＰを形成した後に、工程２−５でバリア層ＢＲＦを形成する構成となっているので、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの下層すなわち樹脂フィルムＦＬＭ１側に配置される樹脂フィルムＦＬＭ２の全面を被うバリア層ＢＲＦを形成することが可能となる。その結果、前述した効果を得ることが可能となる。
【００７３】
〈実施形態３〉
図２３は本発明の実施形態３の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の概略構成を説明するための断面図である。ただし、実施形態３の有機ＥＬ表示装置は、ＴＦＴ層ＴＦＴＬが形成される側すなわち第１基板ＳＵＢ１の側が観察側となるボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置の場合について説明するが、本願発明は発光層ＯＬＥＤで発光された照射光がＴＦＴ層ＴＦＴＬを通過しないトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置にも適用可能である。なお、図２３においては、封止層ＳＴＦの上層に形成される保護膜ＰＡＳについては省略している。
【００７４】
図２３に示すように、実施形態３の有機ＥＬ表示装置は、基材となるプラスチック基板が第１基板ＳＵＢ１となり、該第１基板ＳＵＢ１の上層に樹脂フィルムＦＬＭ１が形成され、該樹脂フィルムＦＬＭ１の上層にバリア層〈第１のバリア層〉ＢＲＦが形成され、その上層に樹脂フィルムＦＬＭ２が形成されている。該樹脂フィルムＦＬＭ２の上層と側面にバリア層〈第２のバリア層〉ＢＲＦが形成され、該バリア層ＢＲＦを介して樹脂フィルムＦＬＭ２の上層にＴＦＴ層ＴＦＴＬが形成されている。該ＴＦＴ層ＴＦＴＬの上層に発光層ＯＬＥＤが形成され、該発光層ＯＬＥＤの上層に封止層ＳＴＦが形成されている。
【００７５】
このように、実施形態３の有機ＥＬ表示装置においても、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの下層に配置される樹脂フィルムＦＬＭ２の全ての表面がバリア層ＢＲＦに被われ、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの下層に配置されているので、前述する実施形態１と同様に、プラスチック基板からなる第１基板ＳＵＢ１を透過した後に樹脂フィルムＦＬＭ２に侵入しようとする大気中の水分Ｈ２Ｏや酸素Ｏ２等は、当該第１基板ＳＵＢ１と樹脂フィルムＦＬＭ２との間の領域に形成されるバリア層ＢＲＦで遮断され、樹脂フィルムＦＬＭ２側に侵入することを防止できる。同様にして、実施形態３の有機ＥＬ表示装置の側面側すなわち大気中から樹脂フィルムＦＬＭ２に侵入しようとする水分Ｈ２Ｏや酸素Ｏ２等は、樹脂フィルムＦＬＭ２の側面部分に形成されるバリア層ＢＲＦによって遮断されることとなるので、樹脂フィルムＦＬＭ２側に侵入することを防止できる。さらには、実施形態３の有機ＥＬ表示装置では、樹脂フィルムＦＬＭ２とＴＦＴ層ＴＦＴＬとの間にもバリア層ＢＲＦが形成される構成となっている。従って、例えば、第１基板ＳＵＢ１と樹脂フィルムＦＬＭ２との間の領域に形成されるバリア層ＢＲＦ又は樹脂フィルムＦＬＭ２の側面部分に形成されるバリア層ＢＲＦを水分Ｈ２Ｏや酸素Ｏ２等の一部が透過した場合であっても、樹脂フィルムＦＬＭ２とＴＦＴ層ＴＦＴＬとの間のバリア層ＢＲＦが透過した水分Ｈ２Ｏや酸素Ｏ２等のＴＦＴ層ＴＦＴＬへの侵入を遮断することができる。
【００７６】
このように、実施形態３の有機ＥＬ表示装置においても、第１基板ＳＵＢ１の上面側（対向面側）に形成される樹脂フィルムＦＬＭ２の外周面の全ての面をバリア層ＢＲＦで被う構成となっているので、大気中の水分Ｈ２Ｏや酸素Ｏ２等がＴＦＴ層ＴＦＴＬへ侵入することを遮断することができる。その結果、ＴＦＴ層ＴＦＴＬに形成される薄膜トランジスタＴＦＴの特性変動を抑制することが可能となり、画素毎の表示輝度のバラつき等を抑えることができるので、有機ＥＬ表示装置の表示品質を向上させることができる。
【００７７】
〈製造方法〉
次に、図２５〜図３３に本発明の実施形態３の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図を示し、以下、図２５〜図３３に基づいて、実施形態３の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する。ただし、実施形態３の有機ＥＬ表示装置では、
ＴＦＴ層ＴＦＴＬの上層に形成される保護層ＰＡＳを形成するまでの工程（工程３−１〜３−６）は実施形態１と同様である。従って、以下の説明では、保護膜ＰＡＳの形成に係わる工程である工程３−７以降について詳細に説明する。
【００７８】
工程３−１（図２５）
まず、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの形成用の基材となるガラス基板からなる第３基板ＳＵＢ３の表面に樹脂フィルムＦＬＭ１を形成する。
【００７９】
工程３−２（図２６）
前述する実施形態１の工程１−２と同様に、樹脂フィルムＦＬＭ１の上面を被うようにして、バリア層（第１のバリア層）ＢＲＦを形成する。
【００８０】
工程３−３（図２７）
工程１−３と同様に、バリア層ＢＲＦの上面を被うようにして、樹脂フィルムＦＬＭ２を形成する。
【００８１】
工程３−４（図２８）
工程１−４と同様に、周知のエッチングにより、樹脂フィルムＦＬＭ２の表面側から樹脂フィルムＦＬＭ２を貫通し、バリア膜ＢＲＦに到達する溝部（凹部）ＣＰを形成する。工程３−５（図２９）
工程１−５と同様に、樹脂フィルムＦＬＭ２の上面にバリア層（第２のバリア層）ＢＲＦを形成する。
【００８２】
工程３−６（図３０）
工程１−６と同様に、バリア膜ＢＲＦの上面の内で、溝部ＣＰを除く領域に周知の薄膜トランジスタや電極等からなるＴＦＴ層ＴＦＴＬを形成する。
【００８３】
工程３−７（図３１、図３２）
まず、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの上面に図示しない発光層ＯＬＥＤや封止層ＳＴＦを形成し、この後に第３基板ＳＵＢ３の上面に保護膜ＰＡＳを形成する。次に、第３基板ＳＵＢ３の裏面側すなわち第３基板ＳＵＢ３の図中下側からレーザー光ＬＢを照射することにより、第３基板ＳＵＢ３と樹脂フィルムＦＬＭ１との界面で有機ＥＬ表示装置側と第３基板ＳＵＢ３とを剥離し、図３２に示す有機ＥＬ表示装置を得る。
【００８４】
工程３−８（図３３）  
次に、プラスチック基板である第１基板ＳＵＢ１と樹脂フィルムＦＬＭ１との間に接着層ＢＬを形成し、第１基板ＳＵＢ１と樹脂フィルムＦＬＭ１とを接着する。これにより、発光層ＯＬＥＤが形成される表示領域を有する単位表示装置である複数個の有機ＥＬ表示装置を備える１枚のマザー基板が形成される。この後に、切断線に沿って各有機ＥＬ表示装置を切断することによって、１枚のマザー基板から複数個の有機ＥＬ表示装置が形成される。
【００８５】
このように実施形態３の有機ＥＬ表示装置の製造工程においても、工程３−４で溝部ＣＰを形成した後に、工程３−５でバリア層ＢＲＦを形成する構成となっているので、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの下層すなわち第１基板ＳＵＢ１側に配置される樹脂フィルムＦＬＭ２の全面を被うバリア層ＢＲＦを形成することが可能となる。その結果、前述した効果を得ることが可能となる。
【００８６】
ただし、前述する工程３−７において、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの上面に発光層ＯＬＥＤや封止層ＳＴＦを形成しないで第３基板ＳＵＢ３の上面に保護膜ＰＡＳを形成することによって、図２４に示すように、ＴＦＴ層ＴＦＴＬからなる半導体装置を形成することも可能となる。このときの半導体装置においても、基材となる第１基板ＳＵＢ１の上層に樹脂フィルムＦＬＭ１、バリア層〈第１のバリア層〉ＢＲＦ、樹脂フィルムＦＬＭ２、バリア層〈第２のバリア層〉ＢＲＦ、ＴＦＴ層ＴＦＴＬが順に形成されると共に、樹脂フィルムＦＬＭ２の側面部にもバリア層ＢＲＦが形成されるので、半導体装置を構成する薄膜トランジスタの特性の変動を抑制することが可能となる。
【００８７】
〈実施形態４〉
図３４は本発明の実施形態４の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の概略構成を説明するための断面図である。ただし、実施形態４の液晶表示装置は、実施形態２と同様に、第１基板ＳＵＢ１の代わりに第３基板ＳＵＢ３の上層に形成する樹脂フィルムＦＬＭ１を表示装置の基材として用いる構成である。
【００８８】
図３４に示すように、実施形態４の有機ＥＬ表示装置は、実施形態２の表示装置と同様に、ＴＦＴ層ＴＦＴＬが形成される側の基材として、樹脂フィルムＦＬＭ１を用いる構成となっており、該樹脂フィルムＦＬＭ１の上層にバリア層ＢＲＦが形成され、その上層に樹脂フィルムＦＬＭ２が形成されている。この樹脂フィルムＦＬＭ２の上層と側面にバリア層ＢＲＦが形成され、該バリア層ＢＲＦを介して樹脂フィルムＦＬＭ２の上層にＴＦＴ層ＴＦＴＬが形成されている。また、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの上層に発光層ＯＬＥＤが形成され、該発光層ＯＬＥＤの上層に封止層ＳＴＦが形成されている。
【００８９】
このように、実施形態４の有機ＥＬ表示装置においても、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの下層に配置される樹脂フィルムＦＬＭ２の全ての表面がバリア層ＢＲＦに被われ、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの下層に配置されているので、前述する実施形態１〜３の画像表示装置と同様の効果を得ることができる。
【００９０】
また、実施形態４の有機ＥＬ表示装置では、樹脂フィルムＦＬＭ１を基材とする構成となっているので、実施形態３の有機ＥＬ表示装置よりもフレキシブル性が向上できる。
【００９１】
〈製造方法〉
次に、図３５〜図４２に本発明の実施形態４の画像表示装置である有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための図を示し、以下、図３５〜図４２に基づいて、実施形態４の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する。ただし、実施形態４の有機ＥＬ表示装置は、前述するように、樹脂フィルムＦＬＭ１を基材とする構成を除く他の構成は、実施形態３の有機ＥＬ表示装置と同様の構成である。従って、以下の説明では、樹脂フィルムＦＬＭ１を基材とする構成に係わる工程である工程４−１及び工程４−７について詳細に説明する。
【００９２】
工程４−１（図３５）
まず、前述する工程２−１と同様に、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの形成用の基材となるガラス基板からなる第３基板ＳＵＢ３の表面に樹脂フィルムＦＬＭ１を形成する。
【００９３】
工程４−２（図３６）
前述する実施形態１の工程３−２と同様に、樹脂フィルムＦＬＭ１の上面を被うようにして、バリア層（第１のバリア層）ＢＲＦを形成する。
【００９４】
工程４−３（図３７）
工程３−３と同様に、バリア層ＢＲＦの上面を被うようにして、樹脂フィルムＦＬＭ２を形成する。
【００９５】
工程４−４（図３８）
工程３−４と同様に、周知のエッチングにより、樹脂フィルムＦＬＭ２の表面側から樹脂フィルムＦＬＭ２を貫通し、バリア膜ＢＲＦに到達する溝部（凹部）ＣＰを形成する。
【００９６】
工程４−５（図３９）
工程３−５と同様に、樹脂フィルムＦＬＭ２の上面にバリア層（第２のバリア層）ＢＲＦを形成する。
【００９７】
工程４−６（図４０）
工程３−６と同様に、バリア膜ＢＲＦの上面の内で、溝部ＣＰを除く領域に周知の薄膜トランジスタや電極等からなるＴＦＴ層ＴＦＴＬを形成する。
【００９８】
工程４−７（図４１）
工程３−７と同様に、まず、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの上面に図示しない発光層ＯＬＥＤや封止層ＳＴＦを形成し、この後に第３基板ＳＵＢ３の上面に保護膜ＰＡＳを形成する。次に、第３基板ＳＵＢ３の裏面側すなわち第３基板ＳＵＢ３の図中下側からレーザー光ＬＢを照射することにより、第３基板ＳＵＢ３と樹脂フィルムＦＬＭ１との界面で有機ＥＬ表示装置側と第３基板ＳＵＢ３とを剥離する。
【００９９】
工程４−８（図４２）  
工程４−７の有機ＥＬ表示装置側と第３基板ＳＵＢ３との剥離により、図４２に示すように、基板を樹脂フィルムＦＬＭ１とする表示領域を有する単位表示装置である複数個の液晶表示装置のマザー基板が形成される。この後に、切断線に沿って各有機ＥＬ表示装置を切断することによって、１枚のマザー基板から複数個の有機ＥＬ表示装置が形成される。
【０１００】
このように実施形態４の液晶表示装置の製造工程においても、工程４−４で溝部ＣＰを形成した後に、工程４−５でバリア層ＢＲＦを形成する構成となっているので、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの下層すなわち樹脂フィルムＦＬＭ１側に配置される樹脂フィルムＦＬＭ２の全面を被うバリア層ＢＲＦを形成することが可能となる。その結果、前述した効果を得ることが可能となる。
【０１０１】
また、実施形態４の構成においても前述する実施形態３と同様に、前述する工程４−７において、ＴＦＴ層ＴＦＴＬの上面に発光層ＯＬＥＤや封止層ＳＴＦを形成しない構成とすることによって、図４３に示すように、ＴＦＴ層ＴＦＴＬからなる半導体装置を形成することが可能となる。このときの半導体装置においても、第１基板ＳＵＢ１の代わりに基材となる樹脂フィルムＦＬＭ１の上層に、バリア層〈第１のバリア層〉ＢＲＦ、樹脂フィルムＦＬＭ２、バリア層〈第２のバリア層〉ＢＲＦ、ＴＦＴ層ＴＦＴＬが順に形成されると共に、樹脂フィルムＦＬＭ２の側面部にもバリア層ＢＲＦが形成されるので、半導体装置を構成する薄膜トランジスタの特性の変動を抑制することが可能となる。
【０１０２】
なお、本発明の実施形態１、２では、画像表示装置としてＩＰＳ方式の液晶表示装置に本願発明を適用した場合について説明したが、これに限定されることはなく、ＴＮ方式やＶＡ方式の液晶表示装置にも適用可能である。
【０１０３】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【符号の説明】
【０１０４】
ＰＮＬ……液晶表示パネル、ＳＵＢ１……第１基板、ＳＵＢ２……第２基板
ＧＬ……ゲート線、ＤＬ……ドレイン線、ＣＬ……コモン線、ＰＸ……画素電極
ＣＴ……共通電極、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＡＲ……表示領域、ＳＬ……シール材
ＴＲＭ……電極端子、ＤＤＲ……映像信号駆動回路（ドレインドライバ）
ＧＤＲ……走査信号駆動回路（ゲートドライバ）、ＬＢ……レーザー光
ＦＬＭ、ＦＬＭ１、ＦＬＭ２……樹脂フィルム、ＢＲＦ……バリア層、ＰＡＳ……保護膜
ＴＦＴＬ……ＴＦＴ層、ＳＵＢ３……第３基板、ＣＰ、ＣＰ１……溝部、ＬＣ……液晶
ＯＲＩ……配向膜、ＢＬ……接着層、ＯＬＥＤ……発光層、ＳＴＦ……封止層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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