(57)【要約】      （修正有）【課題】素子形成領域の外周に補強部を形成したウェハーをより短時間で分割可能なウエハーの加工方法を提供する。【解決手段】ウェハー１に対して、素子９間の各ストリート１０および各ストリート１０の延長線それぞれに沿ってレーザ光を照射し、ウエハー１内部に改質領域を形成する。次に、各ストリート１０の延長線それぞれに沿って補強部７を切削する。補強部７の切削を終えた後、ウェハー１を貼着したダイシングテープをエキスパンドすることで、ウェハー１が改質領域で分断される。これにより、補強部７全体を除去しないでもウェハー１をより容易に分割することが可能になる。【選択図】図９
2011187608.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工対象であるウェハーの少なくとも一方の面の中央部を研削して前記一方の面の中央部に凹部を形成し、前記凹部の外周側にリング状の補強部を形成する研削工程と、
前記研削工程を終えた後に、前記凹部の底面または前記ウェハーの他方の面の中央部に複数の素子を形成する素子形成工程と、
前記素子形成工程を終えた後に、前記複数の素子の各ストリートと前記各ストリートを前記ウェハーの端部まで延長した各延長線とのそれぞれに沿って少なくとも前記凹部の底部にレーザ光を照射し、前記底部の内部に改質領域を形成する改質形成工程と、
前記改質形成工程を終えた後に、前記各延長線それぞれに沿って前記リング状の補強部を切削する切削工程と、含むことを特徴とするウェハーの加工方法。
【請求項２】
加工対象であるウェハーの少なくとも一方の面の中央部を研削して前記一方の面の中央部に凹部を形成し、前記凹部の外周側にリング状の補強部を形成する研削工程と、
前記研削工程を終えた後に、前記凹部の底面または前記ウェハーの他方の面の中央部に形成される複数の素子の各ストリートと前記各ストリートを前記ウェハーの端部まで延長した各延長線とのそれぞれに沿って少なくとも前記凹部の底部にレーザ光を照射し、前記底部の内部に改質領域を形成する改質形成工程と、
前記改質形成工程を終えた後に、前記凹部の底面または前記他方の面の中央部に前記複数の素子を形成する素子形成工程と、
前記素子形成工程を終えた後に、前記各延長線それぞれに沿って前記リング状の補強部を切削する切削工程と、含むことを特徴とするウェハーの加工方法。
【請求項３】
加工対象であるウェハーの少なくとも一方の面の中央部を研削して前記一方の面の中央部に凹部を形成し、前記凹部の外周側にリング状の補強部を形成する研削工程と、
前記研削工程を終えた後に、前記凹部の底面または前記ウェハーの他方の面の中央部に複数の素子を形成する素子形成工程と、
前記素子形成工程を終えた後に、前記複数の素子の各ストリートを前記ウェハーの端部まで延長した各延長線それぞれに沿って前記補強部を切削する切削工程と、
前記切削工程を終えた後に、前記各ストリートと前記各延長線とのそれぞれに沿って少なくとも前記凹部の底部にレーザ光を照射し、前記底部の内部に改質領域を形成する改質形成工程と、を含むことを特徴とするウェハーの加工方法。
【請求項４】
加工対象であるウェハーの少なくとも一方の面の中央部を研削して前記一方の面の中央部に凹部を形成し、前記凹部の外周側にリング状の補強部を形成する研削工程と、
前記研削工程を終えた後に、前記凹部の底面または前記ウェハーの他方の面の中央部に形成される複数の素子の各ストリートを前記ウェハーの端部まで延長した各延長線それぞれに沿って前記補強部を切削する切削工程と、
前記切削工程を終えた後に、前記凹部の底面または前記他方の面の中央部に前記複数の素子を形成する素子形成工程と、
前記素子形成工程を終えた後に、前記各ストリートと前記各延長線とのそれぞれに沿って少なくとも前記凹部の底部にレーザ光を照射し、前記底部の内部に改質領域を形成する改質形成工程と、を含むことを特徴とするウェハーの加工方法。
【請求項５】
加工対象であるウェハーのいずれかの面の全体を研磨する研磨工程と、
前記研磨工程を終えた後に、前記ウェハーの一方の面の中央部を研削して前記一方の面の中央部に凹部を形成し、前記凹部の外周側にリング状の補強部を形成する研削工程と、
前記研削工程を終えた後に、前記凹部の底面または前記ウェハーの他方の面の中央部に複数の素子を形成する素子形成工程と、
前記素子形成工程を終えた後に、前記複数の素子の各ストリートと前記各ストリートを前記ウェハーの端部まで延長した各延長線とのそれぞれに沿って前記いずれかの面側から前記凹部の底部および前記補強部にレーザ光を照射し、前記凹部の底部および前記補強部の内部に改質領域を形成する改質形成工程と、を含むことを特徴とするウェハーの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハーの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ウェハーの加工方法としては、例えば、特許文献１に記載の技術がある。
特許文献１に記載の技術では、まず、ウェハーの裏面の中央部を研削し、中央部に凹部を形成し、かつ凹部の外周側にリング状の補強部を形成する。続いて、膜形成工程等の追加加工をウェハーに施した後、ウェハーの補強部を除去する。補強部の除去は、補強部の裏面と凹部の底部とが面一になるように補強部の裏面全体を研削して行う。続いて、設定した分割予定ラインに沿ってウェハーを切削し、ウェハーを分割する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１９３７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の技術では、補強部の裏面全体を研削することで補強部を除去していた。それゆえ、補強部の除去に多くの時間を要する可能性があった。その結果、ウェハーの分割に長時間を要する可能性があった。
本発明は、上記のような点に着目し、ウェハーをより容易に分割可能とすることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様は、
加工対象であるウェハーの少なくとも一方の面の中央部を研削して前記一方の面の中央部に凹部を形成し、前記凹部の外周側にリング状の補強部を形成する研削工程と、前記研削工程を終えた後に、前記凹部の底面または前記ウェハーの他方の面の中央部に複数の素子を形成する素子形成工程と、前記素子形成工程を終えた後に、前記複数の素子の各ストリートと前記各ストリートを前記ウェハーの端部まで延長した各延長線とのそれぞれに沿って少なくとも前記凹部の底部にレーザ光を照射し、前記底部の内部に改質領域を形成する改質形成工程と、前記改質形成工程を終えた後に、前記各延長線それぞれに沿って前記リング状の補強部を切削する切削工程と、含むことを特徴とする。
【０００６】
また、他の態様は、
加工対象であるウェハーの少なくとも一方の面の中央部を研削して前記一方の面の中央部に凹部を形成し、前記凹部の外周側にリング状の補強部を形成する研削工程と、前記研削工程を終えた後に、前記凹部の底面または前記ウェハーの他方の面の中央部に形成される複数の素子の各ストリートと前記各ストリートを前記ウェハーの端部まで延長した各延長線とのそれぞれに沿って少なくとも前記凹部の底部にレーザ光を照射し、前記底部の内部に改質領域を形成する改質形成工程と、前記改質形成工程を終えた後に、前記凹部の底面または前記他方の面の中央部に前記複数の素子を形成する素子形成工程と、前記素子形成工程を終えた後に、前記各延長線それぞれに沿って前記リング状の補強部を切削する切削工程と、含むことを特徴とする。
このような構成により、ウェハーに対して、素子の各ストリートおよび各延長線それぞれに沿って改質領域が形成され、各延長線それぞれに沿って補強部が切削される。それゆえ、補強部の切削を終えた後、ウェハーに力を加えることで、ウェハーが改質領域で分断される。これにより、ウェハーをより容易に分割できる。
【０００７】
また、他の態様は、
加工対象であるウェハーの少なくとも一方の面の中央部を研削して前記一方の面の中央部に凹部を形成し、前記凹部の外周側にリング状の補強部を形成する研削工程と、前記研削工程を終えた後に、前記凹部の底面または前記ウェハーの他方の面の中央部に複数の素子を形成する素子形成工程と、前記素子形成工程を終えた後に、前記複数の素子の各ストリートを前記ウェハーの端部まで延長した各延長線それぞれに沿って前記補強部を切削する切削工程と、前記切削工程を終えた後に、前記各ストリートと前記各延長線とのそれぞれに沿って少なくとも前記凹部の底部にレーザ光を照射し、前記底部の内部に改質領域を形成する改質形成工程と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
また、他の態様は、
加工対象であるウェハーの少なくとも一方の面の中央部を研削して前記一方の面の中央部に凹部を形成し、前記凹部の外周側にリング状の補強部を形成する研削工程と、前記研削工程を終えた後に、前記凹部の底面または前記ウェハーの他方の面の中央部に形成される複数の素子の各ストリートを前記ウェハーの端部まで延長した各延長線それぞれに沿って前記補強部を切削する切削工程と、前記切削工程を終えた後に、前記凹部の底面または前記他方の面の中央部に前記複数の素子を形成する素子形成工程と、前記素子形成工程を終えた後に、前記各ストリートと前記各延長線とのそれぞれに沿って少なくとも前記凹部の底部にレーザ光を照射し、前記底部の内部に改質領域を形成する改質形成工程と、を含むことを特徴とする。
このような構成により、各延長線それぞれに沿って補強部が切削され、素子の各ストリートおよび各延長線それぞれに沿ってウェハーに改質領域が形成される。それゆえ、補強部の切削を終えた後、ウェハーに力を加えることで、ウェハーが改質領域で分断される。これにより、ウェハーをより容易に分割できる。
【０００９】
また、他の態様は、
加工対象であるウェハーのいずれかの面の全体を研磨する研磨工程と、前記研磨工程を終えた後に、前記ウェハーの一方の面の中央部を研削して前記一方の面の中央部に凹部を形成し、前記凹部の外周側にリング状の補強部を形成する研削工程と、前記研削工程を終えた後に、前記凹部の底面または前記ウェハーの他方の面の中央部に複数の素子を形成する素子形成工程と、前記素子形成工程を終えた後に、前記複数の素子の各ストリートと前記各ストリートを前記ウェハーの端部まで延長した各延長線とのそれぞれに沿って前記いずれかの面側から前記凹部の底部および前記補強部にレーザ光を照射し、前記凹部の底部および前記補強部の内部に改質領域を形成する改質形成工程とを含むことを特徴とする。
このような構成により、素子の各ストリートおよび各延長線それぞれに沿ってウェハーに改質領域が形成される。それゆえ、ウェハーに力を加えることで、ウェハーが補強部ごと改質領域で分断される。これにより、ウェハーをより容易に分割できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】研削工程の内容を説明するための図である。
【図２】研削工程の内容を説明するための図である。
【図３】研削工程の内容を説明するための図である。
【図４】素子形成工程の内容を説明するための図である。
【図５】改質形成工程の内容を説明するための図である。
【図６】改質形成工程の内容を説明するための図である。
【図７】切削工程の内容を説明するための図である。
【図８】切削工程の内容を説明するための図である。
【図９】切削工程の内容を説明するための図である。
【図１０】切削工程の内容を説明するための図である。
【図１１】研磨工程の内容を説明するための図である。
【図１２】改質形成工程の内容を説明するための図である。
【図１３】比較例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に、本発明に係る実施形態について図面を参照して説明する。
（第１実施形態）
本実施形態では、ウェハーを加工し、チップを製造する方法について説明する。ここで、ウェハーとしては、エッチドウェハー、およびミラードウェハー等が挙げられる。
まず、加工対象であるウェハーの表面の中央部を研削してウェハーの中央部に凹部を形成し、凹部の外周側にリング状の補強部を形成する研削工程を実行する。
【００１２】
図１〜図３は、研削工程の内容を説明するための図である。
図１に示すように、ウェハー１の研削方法としては、研削装置２を用いる方法を採用できる。研削装置２とは、ウェハー１を保持するチャックテーブル３、およびチャックテーブル３によって保持されたウェハー１に対して研削加工を実行する研削機構４を備える装置である。また、チャックテーブル３は、研削加工の実行中、ウェハー１の表面を研削機構４に対向させてウェハー１を保持し、ウェハー１の表面の中心を通りかつウェハー１の表面と垂直な方向の軸である回転軸を中心として回転する。ウェハー１の表面とは、ウェハー１が有する２つの平面のうち、保持された状態で研削機構４に対向する面である。そして、研削装置２は、ウェハー１をチャックテーブル３に保持させる。これにより、ウェハー１の表面が研削砥石６と対向する。続いて、研削装置２は、チャックテーブル３に回転を開始させる。これにより、ウェハー１の中心を通りかつウェハー１の表面と垂直な軸を中心としてチャックテーブル３とともにウェハー１が回転する。
【００１３】
また、研削機構４には、先端部がチャックテーブル３に対向して配されチャックテーブル３の回転軸と平行な軸を中心として回転するスピンドル５、スピンドル５の先端に装着されスピンドル５とともに回転する研削砥石６が設けられている。また、スピンドル５の回転軸は、チャックテーブル３の回転軸、つまり、保持されているウェハー１の回転軸から当該ウェハー１の半径方向に偏心して配されている。ウェハー１の回転軸からスピンドル５の回転軸までの偏心距離は、研削砥石６の半径の長さとする。また、図２に示すように、研削砥石６の直径は、ウェハー１の半径をｒとし、ウェハー１の半径方向におけるリング状の補強部７の幅をｄとした場合ｒ―ｄとする。そして、研削装置２は、チャックテーブル３によるウェハー１の回転が開始されると、スピンドル５に回転を開始させる。これにより、スピンドル５とともに研削砥石６が回転する。すなわち、ウェハー１および研削砥石６のそれぞれが回転した状態となる。続いて、研削装置２は、スピンドル５をウェハー１側に移動させる。これにより、ウェハー１に研削砥石６が接触し、研削砥石６によってウェハー１の表面が研削される。ここで、研削砥石６の直径はｒ−ｄであり、スピンドル５の回転軸、つまり、研削砥石６の回転軸はウェハー１の回転軸から（ｒ−ｄ）/２偏心している。それゆえ、研削砥石６は、ウェハー１の表面の中央部から半径ｒ−ｄの円形状の領域にのみ接触する。これにより、図３に示すように、ウェハー１の中央部のみが研削され、ウェハー１の中央部に凹部８が形成される。また、凹部８の外周側に、凹部８の底面との間で生じた段差によってリング状の補強部７が形成される。
【００１４】
また、研削装置２は、ウェハー１の研削を終えると、チャックテーブル３からウェハー１が取り外される。その際、ウェハー１の外周側に補強部７が形成されているため、ウェハー１の表面全てを研削する方法と比較すると、ウェハー１の取り外しが容易となる。続いて、研削装置２は、ウェハー１の裏面を図示しないダイシングテープに貼着する。ウェハー１の裏面とは、ウェハー１が有する２つの平面のうち、ウェハー１の表面と反対側の面である。ダイシングテープとは、粘着剤を片面に有するシート状の部材である。
なお、本実施形態では、ウェハー１の表面の中央部のみを研削する例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、ウェハー１の表面の中央部の研削に加え、ウェハー１の裏面の中央部も研削する構成とすることもできる。
【００１５】
次に、研削工程を終えると、ウェハー１の凹部８の底面の中央部に複数の素子を形成する素子形成工程を実行する。ここで、素子としては、集積回路(Integrated Circuit)や、大規模集積回路(Large Scale Integration)等が挙げられる。
図４は、素子形成工程の内容を説明するための図である。
素子９の形成方法としては、図示しないウェハープロセス用処理装置を用いる方法を採用できる。ウェハープロセス用処理装置とは、ウェハー１に対して、ウェハー１の酸化、フォトレジスト塗布、ウェハー１表面へのパターン形成、エッチング、酸化・拡散・ＣＶＤ・イオン注入、平坦化、電極形成、およびウェハー１検査等のウェハー処理を実行する装置である。そして、ウェハープロセス用処理装置は、研削工程を終えたウェハー１にウェハー処理を実行し、図４に示すように、ウェハー１の凹部８の底面の中央部にマトリクス状に配された複数の素子９を形成する。また、凹部８の底面に、各素子９の外形を表す輪郭線に沿って格子状に配されたストリート１０を形成する。その際、ウェハー１の外周側に補強部７が形成されているため、ウェハー１のハンドリングが容易となる。
なお、本実施形態では、ウェハー１の表面の中央部に凹部８を形成し、凹部８の底面の中央部に複数の素子９を形成する例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、ウェハー１の裏面の中央部に凹部８を形成し、凹部８の底面に代えて、ウェハー１の表面の中央部に複数の素子９を形成する構成とすることもできる。
【００１６】
次に、素子形成工程を終えると、ウェハー１の各ストリート１０、および各ストリート１０の延長線とのそれぞれに沿って凹部８の底部および補強部７にレーザ光を照射し、底部および補強部７の内部に多光子吸収による改質領域を形成する改質形成工程を実行する。ここで、ストリート１０の延長線とは、ストリート１０の端部からそのストリート１０を含む方向にウェハー１の端部まで延長した直線である。また、多光子吸収による改質領域としては、クラック領域、溶融領域、および屈折率変化領域等が挙げられる。
【００１７】
図５および図６は、改質形成工程の内容を説明するための図である。
図５に示すように、レーザ光を照射する方法としては、レーザ照射装置１１を用いる方法を採用できる。レーザ照射装置１１とは、ウェハー１を保持するチャックテーブル１２、およびチャックテーブル１２によって保持されたウェハー１に対してレーザ光を照射するレーザヘッド１３を備える装置である。レーザ光の照射方向は、ウェハー１の表面と垂直な方向とする。また、チャックテーブル３は、レーザ光の照射中、ウェハー１の表面をレーザヘッド１３に対向させてウェハー１を保持し、かつレーザ光がウェハー１のストリート１０およびストリート１０の延長線１４に沿って照射されるように移動する。また、レーザヘッド１３は、凹部８の底部および補強部７の内部のうち、ウェハー１の裏面から設定距離までの範囲に多光子吸収による改質領域が形成されるように、照射するレーザ光の強度や集光状態等を設定する。設定距離とは、ウェハー１の凹部８の底部の厚さ（例えば、１００μm）である。そして、レーザ照射装置１１は、ウェハー１をチャックテーブル１２に保持させる。これにより、ウェハー１の表面がレーザ照射装置１１と対向する。続いて、レーザ照射装置１１は、レーザヘッド１３にレーザ光の照射を開始させ、同時にチャックテーブル３に移動を開始させる。これにより、レーザ光がウェハー１のストリート１０およびストリート１０の延長線１４のそれぞれに沿って照射される。また、照射されたレーザ光が集光されることで、凹部８の底部および補強部７の内部にストリート１０およびストリート１０の延長線１４のそれぞれに沿って多光子吸収による改質領域が形成される。また、レーザ照射装置１１は、レーザ光の照射による改質領域の形成を終えると、チャックテーブル１２からウェハー１が取り外される。その際、ウェハー１の外周側に補強部７が形成されているため、ウェハー１の取り外しが容易となる。
【００１８】
続いて、改質形成工程を終えると、各ストリート１０の延長線１４それぞれに沿って補強部７を切削する切削工程を実行する。
図７〜図１０は、切削工程の内容を説明するための図である。
図７に示すように、補強部７の切削方法としては、切削装置１５を用いる方法を採用できる。切削装置１５とは、ウェハー１を保持するチャックテーブル１６、およびチャックテーブル１６によって保持されたウェハー１の補強部７に対して切削加工を実行する切削機構１７を備える装置である。また、切削機構１７には、チャックテーブル１６に保持されたウェハー１の表面と平行な軸を中心として回転するスピンドル１８、およびスピンドル１８の先端に装着されスピンドル１８とともに回転する切削ブレード１９が設けられている。そして、切削装置１５は、ウェハー１をチャックテーブル１６に保持させる。これにより、ウェハー１の表面が切削機構１７と対向する。続いて、切削装置１５は、スピンドル１８に回転を開始させる。これにより、スピンドル１８とともに切削ブレード１９が回転する。続いて、図８に示すように、切削装置１５は、スピンドル１８を移動させ、切削ブレード１９を延長線１４のそれぞれに沿って補強部７に順次接触させる。これにより、図９のウェハー１の断面図に示すように、切削ブレード１９が補強部７を切削することで、補強部７が延長線１４のそれぞれに沿って切削される。その際、ウェハー１の裏面にダイシングテープに貼付されているため、補強部７を切削された個々のチップが散乱することがない。なお、ウェハー１の補強部７の切削は、図１０に示すように、ウェハー１の補強部７の表面からウェハー１の凹部８の底面と同一の深さまで行う。
【００１９】
次に、切削工程を終えると、ウェハー１を分割する分割工程を実行する。
ウェハー１の分割方法としては、ダイシングテープをエキスパンドする方法を採用できる。エキスパンドとは、ダイシングテープを放射状に引き延ばす動作である。これにより、ウェハー１が、多光子吸収による改質領域、つまり、各素子９の輪郭線の位置で分断される。その結果、ウェハー１が個々の素子からなるチップに分割される。分断された個々のチップは、ダイシングテープに貼付されているため散乱することがない。
【００２０】
次に、分割工程を終えると、チップをピックアップするピックアップ工程が行われる。
チップのピックアップ方法としては、ダイシングテープを引き延ばし、チップ同士の間隔を広げた後に、吸着具で各チップを吸着する方法を採用できる。これにより、ピックアップの際に、隣接するチップ同士の接触によるチップの破損を防止できる。
このように、本実施形態では、ウェハー１に対して、素子９の各ストリート１０および各ストリート１０の延長線１４それぞれに沿って改質領域を形成する。また、各ストリート１０の延長線それぞれに沿って補強部７を切削する。それゆえ、補強部７の切削を終えた後、ウェハー１を貼着したダイシングテープをエキスパンドすることで、ウェハー１が改質領域で分断される。これにより、ウェハー１をより容易に分割できる。
【００２１】
また、例えば、素子９間も切削ブレード１９で切削する方法に比べ、ウェハー１にかかる力を低減できる。それゆえ、ウェハー１の分割の際に、チップの破損を防止できる。また、隣接する素子９間の間隔を切削ブレード１９による切削幅よりも狭くすることができる。それゆえ、一枚のウェハー１により多くの素子９を形成できる。
また、例えば、凹部８の底部の厚さが１００μｍ以下である場合には、いわゆる１パスのレーザ光で改質領域を形成できる。それゆえ、装置負荷も増大せずに済む。
【００２２】
（応用例）
なお、本実施形態では、素子形成工程、改質形成工程、および切削工程を順に実行する例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、各工程の順番を入れ替え、改質形成工程、素子形成工程、および切削工程の順に実行する構成とすることもできる。同様に、研削工程、素子形成工程、および切削工程の順に実行する構成や、切削工程、素子形成工程、および改質形成工程の順に実行する構成とすることもできる。
【００２３】
また、ウェハー１の凹部８に加え、補強部７にも改質領域を形成する例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、凹部８の底部の厚さが十分に薄い場合（例えば、数十μm）には、ウェハー１の凹部８にのみ改質領域を形成し、補強部７への改質領域の形成を省略する構成とすることもできる。そのようにすれば、ダイシングテープがエキスパンドされ、ウェハー１が改質領域で分断が進むと、分断の進展によって補強部７も分断され、ウェハー１が個々の素子からなるチップに分割される。
【００２４】
（第２実施形態）
次に、本発明に係る第２の実施形態について図面を参照して説明する。
なお、前記第１の実施形態と同様な構成等については、同一の符号を付して説明する。
本実施形態では、研削工程の前にウェハー１の表面全体を研磨する研磨工程を実行する点と、改質形成工程の内容と、切削工程を省略する点と、が前記第１実施形態と異なる。本実施形態は、エッチドウェハー、つまり、薬品による表面処理が行われる前の、表面が比較的粗いウェハー１を使用する場合に有効である。
【００２５】
図１１は、研磨工程の内容を説明するための図である。
ウェハー１の研磨方法としては、研磨装置２０を用いる方法を採用できる。研磨装置２０は、研削装置２と同様の装置を用いる。但し、研削砥石６としては、図１１に示すように、ウェハー半径ｒと同じ直径の砥石を用いる。ウェハー１の研磨は、レーザ照射装置１１が照射したレーザ光がウェハー１の内部に多光子吸収による改質領域を形成できる状態になるまで行う。例えば、２０００番の砥石で研磨することで実現できる。
【００２６】
図１２は、改質形成工程の内容を説明するための図である。
図１２に示すように、凹部８の底部および補強部７の内部に改質領域を形成する方法としては、第１実施形態と同様に、レーザ照射装置１１を用いる方法を採用できる。但し、補強部７の内部への改質領域の形成は、補強部７の内部に厚さ方向にわたって設定した複数の位置それぞれに、ストリート１０およびストリート１０の延長線１４それぞれに沿った改質領域を形成することで行う。そして、レーザ照射装置１１は、ウェハー１をチャックテーブル１２に保持させる。これにより、ウェハー１の表面がレーザ照射装置１１と対向する。続いて、レーザ照射装置１１は、レーザヘッド１３にレーザ光の照射を開始させ、同時にチャックテーブル３に移動を開始させる。これにより、レーザ光がウェハー１のストリート１０およびストリート１０の延長線のそれぞれに沿って照射される。ここで、補強部７の表面は、レーザ照射装置１１が照射したレーザ光がウェハー１の内部に多光子吸収による改質領域を形成できる状態に研磨されている。それゆえ、照射されたレーザ光がウェハー１の表面、つまり、凹部８の底面および補強部７の表面を透過して集光されることで、凹部８の底部および補強部７の内部にストリート１０およびストリート１０の延長線１４のそれぞれに沿って多光子吸収による改質領域が形成される。
【００２７】
このように、本実施形態では、ウェハー１の凹部８の底部に対して、素子９間の各ストリート１０および各ストリート１０の延長線それぞれに沿って改質領域を形成する。また、補強部７に対して、各ストリート１０の延長線それぞれに沿って改質領域を形成する。それゆえ、ウェハー１を貼着したダイシングテープをエキスパンドすることで、ウェハー１が改質領域で分断される。これにより、ウェハー１をより容易に分割できる。
【００２８】
また、例えば、素子９間や補強部７を切削ブレード１９で切削する方法に比べ、ウェハー１にかかる力を低減できる。それゆえ、ウェハー１の分割の際に、チップの破損を防止できる。また、隣接する素子９間の間隔を切削ブレード１９による切削幅よりも狭くすることができる。それゆえ、一枚のウェハー１により多くの素子９を形成できる。
また、例えば、素子９間や補強部７を切削ブレード１９で切削する方法と異なり、切り屑の除去や切削箇所の冷却のためにウェハー１に水を供給せずに済む。それゆえ、例えば、水に触れると不具合が生じる素子９を有するチップの製造に好適である。
【００２９】
また、本実施形態では、研削工程の前にウェハー１の表面全体を研磨するようにした。それゆえ、レーザ光が補強部７の表面を透過し、レーザ光を補強部７の内部に集光できる。これにより、補強部７の内部に多光子吸収による改質領域を容易に作成できる。
図１３は、比較例を説明するための図である。
例えば、研削工程の前にウェハー１の表面全体を研磨しない場合には、補強部７の表面が比較的荒れている。そのため、図１３に示すように、レーザ光が補強部７の表面で拡散し、レーザ光を補強部７の内部に集光できない。それゆえ、補強部７の内部に内部改質領域を形成できず、ダイシングテープをエキスパンドしてもウェハー１を分割できない。また、この状態でチップをピックアップしようとすると、チップ間に隙間がないため、チップ同士が擦れチッピングによる素子不良や異物発生による素子不良が起きる。
【００３０】
（応用例）
なお、本実施形態では、ウェハー１の表面全体を研磨し、ウェハー１の表面側から凹部８の底部および補強部７にレーザ光を照射する例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、ウェハー１の裏面全体を研磨し、ウェハー１の裏面側から凹部８の底部および補強部７にレーザ光を照射する構成とすることもできる。
【符号の説明】
【００３１】
１はウェハー、２は研削装置、３はチャックテーブル、４は研削機構、５はスピンドル、６は研削砥石、７は補強部、８は凹部、９は素子、１０はストリート、１１はレーザ照射装置、１２はチャックテーブル、１３はレーザヘッド、１４は延長線、１５は切削装置、１６はチャックテーブル、１７は切削機構、１８はスピンドル、１９は切削ブレード、２０は研磨装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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