(57)【要約】  【課題】可撓性フィルムをベースとするプローブカードは、微細ピッチで電気検査用バンプを配置できるが、従来主流のカンチレバー方式などのニードルを利用する方式に比べて、検査対象の配線基板の高さばらつきおよび電気検査用バンプの高さばらつきを吸収する能力に劣る。可撓性フィルムをベースとするプローブカードの高さばらつき吸収能力を高め、安定したコンタクトを得る。  【解決手段】可撓性フィルムの一方の面に配線と電気検査用バンプを備え、可撓性フィルムの他の面に弾性材を当接させ、さらに前記弾性材のもう一方の面に剛体を当接させたプローブカードの可撓性フィルムの厚みを従来よりも薄くして、裏面に当接させた弾性材の柔軟性をより発揮させる。【選択図】図１
2011099805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性フィルムの一方の面に配線と電気検査用バンプを備え、前記可撓性フィルムの他の面に弾性材が当接し、さらに前記弾性材の他の面に剛体が当接しており、前記可撓性フィルムの厚みが６μｍ以上１５μｍ以下であるプローブカード。
【請求項２】
前記バンプ配列の最短ピッチが６０μｍ以下である請求項１記載のプローブカード。
【請求項３】
少なくとも電気検査用バンプが配置された領域で、バンプ間のプローブカード表面が前記可撓性フィルム表面である請求項１または２記載のプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細ピッチの電気検査に適したプローブカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit）製造において、検査工程の効率向上、パッケージ化の効率向上または、ベアチップの良否判定を目指して、ウエハのままで個々のＬＳＩに高度な電気検査をすべく、多ピンかつ微細ピッチのプローブカードが求められている。また、液晶ディスプレイにおいて、大画面、高精細化が進められ、液晶ディスプレイおよび可撓性フィルム基板に実装された液晶ディスプレイ用ドライバーＩＣの検査工程でも多ピンかつ微細ピッチのプローバによる電気検査が求められている。
【０００３】
プローバカードは、金属ニードル製のカンチレバーが一般的であるが、微細化および多ピン化の求めに対して、金属製のニードルを手作業で固定する製造方法では、位置精度が確保できず、微細ピッチ化において限界が近づいている。これに対して、可撓性フィルムをベースにして、フォトリソグラフィーを利用して、配線とバンプを形成したフィルムプローブカードが有力視されている。フィルムプローブカードは、一括露光するために、高位置精度を得やすいが、カンチレバー方式に比べて、検査対象の配線基板の高さばらつきおよび電気検査用バンプの高さばらつきを吸収する能力に劣る課題がある。
【０００４】
フィルムプローブカードに高さばらつき吸収能力を付与するために、配線とバンプを形成した可撓性フィルム基板と剛体基板の間に弾性異方導電膜を介在させる提案がある（特許文献１参照）。しかしながらこの方法は、比較的高価な異方導電膜を使用するため、コストアップになることと、繰り返し使用による異方導電膜の劣化（抵抗値の増加）が課題とされ、対策の一つとして、バンプを等方性弾性導電体で形成する提案がされている（特許文献２参照）。しかし、高さがある弾性導電体のバンプを微細ピッチで作製することは難しい。
【０００５】
液晶ディスプレイ用ドライバーＩＣは、半導体素子の中でも入出力チャンネル数が多く、電気検査のためのプローブカードに特に微細ピッチが求められる。中大型液晶ディスプレイでは、液晶ディスプレイ用ドライバーＩＣは可撓性フィルム基板に接合されてから、さらに、可撓性フィルム基板が液晶ディスプレイパネルに接合される使われ方が一般的である。電気検査は、ウエハ状態のドライバーＩＣに対してと、可撓性フィルムに接合後のＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）に対して実施される。ＣＯＦでの検査は、幅１０ｍｍ〜２０ｍｍのドライバーＩＣからの出力配線をファンアウトして、幅４０ｍｍ程度まで拡げ、可撓性フィルム基板に設けられた８０μｍ×１５０μｍ程度のテスト用パッドにカンチレバー式ニードル先端を押し当てることで電気的接続を得ている。液晶ディスプレイへのＣＯＦ実装時には、テストパッドは切り離され廃棄される。すなわち、テストパッドはテストだけのためにあり、最終製品にはならない。多ピン化に伴い、テストパッドの数が増大して可撓性フィルム回路基板の１０％程度を占めるようになってきており、テストパッドを廃止して、液晶ディスプレイと接合する直接２０μｍ〜３０μｍの配線（アウターリード）にプローブカードを接触させて電機検査したいとの要求が強まっている。すなわち、電気検査のテストパッドレス化が求められている。
【０００６】
また、テストパッドを使って電気検査すると、ＣＯＦのテスト後、配線を切断して、テストパッド部分を切り離すのであるが、このとき、配線の金属小片が発生し、液晶ディスプレイパネルとＣＯＦとの間に混入して欠陥の原因となることが問題になっている。テストパッドレス化により、この問題を解決することもでき、生産性向上の点でも効果が大きい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１３８７１９号公報
【特許文献２】特開２００６−１０５９３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述のように、２０μｍ〜３０μｍピッチの配線に安定してプロービングする技術は提案されていない。本発明は、可撓性フィルムをベースとするプローブカードの高さばらつきの吸収能力を高め、微細ピッチで、かつ安定したコンタクトを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
すなわち本発明は、可撓性フィルムの一方の面に配線と電気検査用バンプを備え、前記可撓性フィルムの他の面に弾性材が当接し、さらに前記弾性材の他の面に剛体が当接しており、前記可撓性フィルムの厚みが６μｍ以上１５μｍ以下であるプローブカードである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、微細ピッチのプロービングを実現し、テストパッドレス化を果たすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明のプローブカードの断面図
【図２】本発明のプローブカードの図１と直角方向の断面図
【図３】本発明のプローブカードでフィルム回路基板を検査する方法の説明図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
図１は、本発明の好適な実施形態の一例を示した概略図である。図２は、図１と直角方向の断面図である。可撓性フィルム１上に、配線５と検査対象と電気的接続するためのバンプ２が設けられている。バンプの数は、検査対象に合わせて設計されるが、液晶ディスプレイドライバーにおいては、１０００ピンを超えるものが製造されようとしている。このような製品の電気検査において、テストパッドレスを実現するには、２０μｍ〜３０μｍピッチのアウターリードに電気検査用バンプを安定して接触させることが求められる。アウターリードは１ｍｍ〜数ｍｍの直線部分をもっていることが一般的であるので、バンプは２段の千鳥配置とすることが好ましい。２段の千鳥配置とすると、２０μｍ〜３０μｍピッチのアウターリードに対して、その倍のピッチである４０μｍ〜６０μｍピッチでバンプを配置すれば良い。アウターリードの直線部分に収めることができれば、３段以上の千鳥配置も可能であるが、２次元で平坦性や位置精度が求められ、かえって安定接触が難しくなることがある。
【００１３】
配線は、バンプとプローブカード外に設置されたテスターと信号を授受する働きをする。配線のバンプ設置端部と反対側の端部はファンアウトされて、ポゴピンやソケットなどでテスターからの配線と結合される。
【００１４】
可撓性フィルムは、バンプ形成面とは反対の面に、弾性材３が当接され、さらに、弾性材の可撓性フィルムと当接した面とは反対面は剛体４に当接される。弾性材としては、ゴム、発泡プラスチックが挙げられるが、形状回復性や圧力応答性の点で、非発泡材料が好ましい。弾性材の弾性率は１MＰａから１０MＰａの広い範囲で選択することができるが、柔らかすぎると、背面の剛体からの加圧が、バンプに伝わりにくく、一方、固すぎると、高さばらつき吸収に支障がでるため、７Ｍｐａから１０Ｍｐａの範囲が好ましい。また、弾性材の厚みは、厚すぎると、背面の剛体からの加圧が、バンプに伝わりにくく、一方、薄すぎると、高さばらつき吸収に支障がでるため、０．２ｍｍから１ｍｍの範囲であることが好ましい。弾性材は、可撓性フィルム１もしくは剛体４にライニングされても良いし、単に重ね合わされるのでも良い。弾性材料をバンプ位置だけに配置する提案もあるが、微細ピッチでは、弾性材料をそのように微細ピッチで配置することは困難であること、また、品種ごとに配置を変えた弾性材料シートを作製する必要があることから、生産での採用は現実的ではない。
【００１５】
可撓性フィルムを剛体および弾性体と固定する方法は、特に限定されないが、図２では、接着層６で可撓性フィルムを剛体４に固定した例を示した。可撓性フィルムには、寸法精度を損なわない範囲で、張力を加え、たるみがないようにする。接着層による固定の他には、可撓性フィルム周縁から、機械的に可撓性フィルムに張力を加えつつ固定する方法がある。
【００１６】
本発明では、可撓性フィルムの厚みが６μｍ以上１５μｍ以下であることが重要である。従来、フィルムプローブカードの可撓性フィルムとしては、腰があり、シート状で取り扱いやすいことから、ポリイミドフィルム“ＵＰＩＬＥＸ”７５Ｓ（厚み７５μｍ）が使われることが多かった。フォトリソグラフィーに対する耐熱性があることから、ポリイミドフィルムが好適に用いられるが、ポリカーボネート、ポリエーテルサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミド、液晶ポリマーなどのフィルムも採用することができる。
【００１７】
本発明は、前記バンプ配列の最短ピッチが６０μｍ以下である場合に特に効果がある。すなわち、本発明者らが、検討したところ、７５μｍ厚みの可撓性フィルムは、弾性材の柔軟性を６０μｍピッチ以下で配置されたバンプにまで伝えるためには柔軟性が不足していることが明らかになった。本願比較例４に記載するように、６０μmに至らないピッチでは、厚さ７５μｍの可撓性フィルムを使っても検査には支障がない。検査対象の高さばらつき、フィルムプローブカードのバンプ高さばらつきの大きなうねりには、可撓性フィルムの厚みが大きくとも弾性体の柔軟性で追随することができるが、隣接するバンプ間で検査対象＋バンプ高さの和の差を埋めるには、可撓性フィルムの柔軟性が支配的に効いていることを見出した。すなわち、配線ピッチが６０μｍ以下になると、弾性材の弾性率を変化させても７５μｍのポリイミドフィルムを使用していると、可撓性フィルム上に形成されたバンプの追従性がほとんど変わらないのである。本発明者らが検討したところ、可撓性フィルムの厚みが、２５μｍから７５μｍの間では、可撓性フィルムの厚みを変えても可撓性フィルム上に形成されたバンプの追従性がほとんど変わらなかった。
【００１８】
隣接するバンプ間で検査対象＋バンプ高さの和がどれくらいかは、採用する生産技術によって異なるが、ファインピッチパターン形成に優れているセミアディティブ法を採用した場合は、比較的大きく、０．５μｍになることがある。フィルムプローブカードは、隣接するバンプ間で、０．５μｍの高さばらつきを吸収する能力があることが望ましい。０．５μｍの高さばらつきを吸収するためには、可撓性フィルムの厚みは１５μｍ以下であることが重要であり、１０μｍ以下であることがさらに好ましい。一方、バンプの位置精度を維持するためには、可撓性フィルムの厚みは大きい方が有利であるため、プローブカードに求められる位置精度を得るために、可撓性フィルムの厚みは６μｍ以上であることが重要である。
【００１９】
バンプおよび配線をフォトリソグラフィーで形成するためや高絶縁性被覆材を形成するために、可撓性フィルムには、１６０℃程度の耐熱性が求められ、ポリイミドフィルムが好適に採用される。ポリイミドフィルムの弾性率は、６Ｇｐａから１０ＧＰａの範囲であるが、この範囲の中でもより柔軟であることが好ましい。
【００２０】
弾性材３の背面に配置された剛体４は、被検査体との平行を確保するために、弾性材当接面の平坦性が重要である。また、加圧によりプローブカード全体が撓まない程度の厚みを付与する。剛体としては、金属、プラスチック、セラミックスなどが採用できる。平坦性を確保するためには、金属、セラミックスが好ましい。
【００２１】
次に、本発明のプローブカードの製造方法の一例を説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。
【００２２】
厚さ１２．５μｍのポリイミドフィルム“ＫＡＰＴＯＮ”のカットシートを紫外線硬化型粘着材を介して１．１ｍｍのガラス基板に貼り合わせる。次に、紫外線硬化型粘着材に紫外線を照射して、粘着材を硬化、架橋して、耐熱性、耐薬品性を付与する。スパッタリング法で、該ポリイミドフィルム上に、厚さ１５ｎｍのニッケル−クロム層（ニッケル：クロム＝８０：２０）と厚さ８０ｎｍの銅層を連続して積層する。次に、ドライ厚み１５μｍになるようフォトレジストをコーティングし、８０℃で乾燥する。プローブカードの引き回し配線パターンを露光した後、アルカリで現像し、フォトレジスト開口部に電解めっきで厚さ８μｍのニッケルを析出させる。さらに、フォトレジストをドライ厚み１０μｍになるようフォトレジストをコーティングし、８０℃で乾燥する。プローブカードのバンプパターンを露光した後、アルカリで現像し、フォトレジスト開口部に電解めっきで厚さ６μｍのニッケルを析出させる。バンプは、先に形成した配線の上に配置し、バンプ高さは、配線高さを含めて、１４μｍである。フォトレジスト層に紫外線を照射してから、２層のフォトレジストをアルカリで剥離する。配線間に現れた銅層／ニッケル−クロム層をエッチング除去する。かくして、ポリイミドフィルム上に配線とバンプを形成する。
【００２３】
さらに、必要に応じて、配線間および配線上の一部に絶縁被覆層を形成しても良いが、バンプ間に絶縁被覆層を配置するとプローブカードの柔軟性が低下し、被検査体の配線およびバンプの高さばらつきを吸収する能力が低下する方向である。したがって、バンプ配置位置から離れた配線間には絶縁被覆層を設ける一方、バンプ間には絶縁被覆層を設けないことが好ましい。すなわち、バンプ間のプローブカード表面が前記可撓性フィルム表面であることが好ましい。
【００２４】
絶縁被覆層の厚みは、配線間の絶縁性を高めるために厚い方が好ましく、一方、厚すぎると柔軟性が低下する他、印刷から硬化までの間に印刷エッジからの流れ出しが大きくなり、印刷精度が低下する。感光性材料の場合は、絶縁被覆層の厚みが大きすぎると、解像度が低下する他、現像に負荷がかかり装置サイズや薬液使用量の点で不利である。従って、５μｍから２５μｍの範囲であることが好ましい。
【００２５】
ＳＵＳ製ブロックに厚さ０．５ｍｍのゴムをライニングする。次に、ポリイミドフィルムをガラスから剥離し、ゴム上に配置するとともに、ポリイミドフィルムの一部を図２のようにＳＵＳ製ブロック（剛体４）に接着剤で固定する。接着剤でＳＵＳ製ブロックに固定された部分に配置する可撓性フィルム上の配線を広幅にして、外部との電気接続のためのポゴピンなどとの接触確保を容易にする。かくして、プローブカードを得る。
【００２６】
次に、本発明のプローブカードの使用方法の一例について、図３を用いて説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。
【００２７】
検査対象である、回路パターン８が形成された可撓性フィルム回路基板を準備する。ファインピッチ配線で採用されるセミアディティブ法では、回路パターンの配線間には高さばらつきがあることが多く、図３では、８ｂが周囲の配線に対して高い例を示している。可撓性フィルム７は仮着用の紫外線硬化型粘着剤層１０を介してガラス基板９に仮着され、ガラス基板９は真空吸着テーブル１１に固定される。
【００２８】
プローブカードのバンプ２と配線８を相対して、図示されないカメラ、画像解析装置、プローブカード位置微調機構を使って、位置合わせし、図示されていない加圧機構で剛体４を駆動し、バンプと配線を接触させる。加圧機構は圧力上限を設定して、全てのバンプと配線が導通するようにするとともに、過大な圧力が加わって変形、破壊されないようにする。加圧機構で剛体４を駆動する代わりに、真空吸着テーブル１１を駆動して、バンプ２と配線８を接触させることもできる。
【実施例】
【００２９】
以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３０】
実施例１
厚さ１２．５μｍのポリイミドフィルム（“ＫＡＰＴＯＮ”５０ＥＮ  東レデュポン（株）製）を１００×１００ｍｍに切り出した。
【００３１】
厚さ１．１ｍｍ、１００×１００ｍｍのソーダライムガラスにワイヤーバーで、紫外線硬化型粘着剤“ＳＫダイン”ＳＷ−１６Ａ（綜研化学（株）製）と硬化剤Ｌ４５（綜研化学（株）製）を１００：３（重量比）で混合したものを塗布し、８０℃で２分間乾燥した。乾燥後の粘着剤層厚みを３μｍとした。次いで粘着剤層に、空気遮断用フィルム（ポリエステルフィルム上に離型容易なシリコーン樹脂層を設けたフィルム）を貼り付けて１週間放置した。ガラス上の空気遮断用フィルムを剥がしてから、フィルムに応力が掛からないように貼り付けができるラミネーター装置で粘着剤層に上記のポリイミドフィルムを貼り付けた。その後、ガラス基板側から紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ２照射し、粘着剤層を硬化した。スパッタ装置で、ポリイミドフィルム上に厚さ１５ｎｍのクロム：ニッケル＝２０：８０（重量比）の合金膜と厚さ８０ｎｍの銅膜をこの順に積層した。
【００３２】
銅膜上にポジ型フォトレジストをスピナーで塗布して８０℃で１０分間乾燥した。フォトレジストにフォトマスクを介してプローブカードの配線パターンを露光、現像して、めっき膜が不要な部分に厚さ１５μｍのフォトレジスト層を形成した。配線パターンは接触安定性を検査するために、以下のようにした。配線／間隙＝１２．５μｍ／１２．５μｍ（２５μｍピッチ）で配線を平行に１，２８０本並べたものを対称に２セット配置した（図２の５ａ、５ｂ）。１，２８０本の配線群の幅は、３２ｍｍである。配線の一端にはバンプを積層し、他端は、全幅を約４５ｍｍに拡大して、配線ピッチを３５μｍ（配線／間隙＝２０μｍ／１５μｍ）にした。１００ｍｍ×１００ｍｍの基板に４個のプローブカードパターンを配置した。次いで、上記銅膜を電極として厚さ８μｍのニッケル層を電解めっきで形成した。さらに、ポジ型フォトレジストをワイヤーバーで塗布して８０℃で１０分間乾燥した。フォトレジストにフォトマスクを介してプローブカードのバンプパターンを露光、現像して、めっき膜が不要な部分に厚さ１０μｍのフォトレジスト層を形成した。次いで、上記ニッケル膜上に厚さ６μｍのニッケル層を電解めっきで形成した。バンプは、先に形成した配線の上に二段千鳥状に配置し、バンプ高さは配線高さを含めて、１４μｍとした。２５μｍピッチの配線上に、二段千鳥でバンプを配置したため、バンプのピッチは５０μｍである。隣接するバンプを千鳥状にずらす距離を３００μｍとした。バンプ形状は、幅１０μｍ、長さ８０μｍとした。フォトレジスト層に紫外線を照射してから、２層のフォトレジスト層を剥離した。配線間に現れた銅層／ニッケル−クロム層を過酸化水素−硫酸系水溶液により除去した。
【００３３】
厚さ１５ｍｍのＳＵＳ製ブロックに弾性率９ＭＰａ、厚さ０．５ｍｍのＮＢＲゴムをライニングした。次に、ガラス上のポリイミドフィルムを４個に切り分けてから、ガラスから剥離した。剥離したポリイミドフィルムをゴム上に配置するとともに、ポリイミドフィルムに張力を加えつつ、その一部を図２のようにＳＵＳ製ブロックに接着剤で固定した。接着剤でＳＵＳ製ブロックに固定された部分に配置する可撓性フィルム上の配線を広幅にして、外部との電気接続のためのポゴピンなどとの接触確保を容易にする。かくして、プローブカードを得る。プローブカードの外縁の３５μｍピッチの配線にピン型プローブを接触させてテスターへ繋げた。
【００３４】
接触安定性を調べるためのフィルム回路基板の配線パターンは以下のようにした。配線／間隙＝１２．５μｍ／１２．５μｍ（２５μｍピッチ）で配線を平行に１，２８０本並べたものを対称に２セット配置する。バンプと接触させる側とは反対側の配線端は、１，２８０本を結線した。バンプと接触させる方の端は、オープンとした。プローブカードとフィルム回路基板を接触させて、１，２８０本×２セットの個々の配線間の導通を調べることにより、フィルム回路基板の配線とバンプの接触をモニタすることができる。
【００３５】
厚さ１．１ｍｍ、１００×１００ｍｍのソーダライムガラスにワイヤーバーで、紫外線硬化型粘着剤“ＳＫダイン”ＳＷ−１６Ａ（綜研化学（株）製）と硬化剤Ｌ４５（綜研化学（株）製）を１００：３（重量比）で混合したものを塗布し、８０℃で２分間乾燥した。乾燥後の粘着剤層厚みを３μｍとした。次いで粘着剤層に、空気遮断用フィルム（ポリエステルフィルム上に離型容易なシリコーン樹脂層を設けたフィルム）を貼り付けて１週間放置した。ガラス上の空気遮断用フィルムを剥がしてから、フィルムに応力が掛からないように貼り付けができるラミネーター装置（図示せず）で粘着剤層にポリイミドフィルムを貼り付けた。その後、ガラス基板側から紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ２照射し、粘着剤層を硬化した。スパッタ装置で、ポリイミドフィルム上に厚さ１５ｎｍのクロム：ニッケル＝２０：８０（重量比）の合金膜と厚さ８０ｎｍの銅膜をこの順に積層した。
【００３６】
銅膜上にポジ型フォトレジストをスピナーで塗布して８０℃で１０分間乾燥した。フォトレジストにフォトマスクを介してプローブカードの配線パターンを露光、現像して、めっき膜が不要な部分に厚さ２０μｍのフォトレジスト層を形成した。上記銅膜を電極として厚さ８μｍの銅層を電解めっきで形成した。電解めっきの電流密度は０．８Ａ／ｄｍ２とした。フォトレジスト層に紫外線を照射してから、フォトレジスト層を剥離した。配線間に現れた銅層／ニッケル−クロム層を過酸化水素−硫酸系水溶液により除去した。次いで、無電解めっきで銅配線表面に厚さ０．４μｍの錫を析出させた。さらに、１２０℃で２時間アニールした。かくして、ガラス基板に仮着されたフィルム回路基板を得た。隣接する配線間には、最大で０．５μｍの高さ差があった。フィルム回路基板は、電気検査後、ガラス基板から剥離する。
【００３７】
プロービングする部分の配線ピッチが２５μｍの可撓性フィルム回路基板を真空吸着テーブルに固定した。プローブカードと可撓性フィルム回路基板を位置合わせし、プローブカードのＳＵＳ製ブロックをシリンダーで押し、両者を接触させた。１，２８０本×２セットの個々の配線間の導通を調べることにより、フィルム回路基板の配線とバンプの接触を調べたところ、全ての配線とバンプ間で電気導通がとれた。
【００３８】
実施例２
プローブカードのポリイミドフィルムを厚さ７．５μｍのポリイミドフィルム（“ＫＡＰＴＯＮ”３０ＥＮ  東レデュポン（株）製）としたこと以外は実施例１と同様にして、プローブカードとフィルム回路基板を作製した。
【００３９】
プローブカードと可撓性フィルム回路基板を位置合わせし、プローブカードのＳＵＳ製ブロックをシリンダーで押し、両者を接触させた。１，２８０本×２セットの個々の配線間の導通を調べることにより、フィルム回路基板の配線とバンプの接触を調べたところ、全ての配線とバンプ間で電気導通がとれた。
【００４０】
実施例３
フィルム回路基板の電解銅めっきの電流密度を１．４Ａ／ｄｍ２と大きくして、ガラス基板に仮着されたフィルム回路基板の隣接する配線間に、最大で１μｍの高さ差があるサンプルを得た。それ以外は、実施例２と同様にして、プローブカードとフィルム回路基板を作製した。
【００４１】
プローブカードと可撓性フィルム回路基板を位置合わせし、プローブカードのＳＵＳ製ブロックをシリンダーで押し、両者を接触させた。１，２８０本×２セットの個々の配線間の導通を調べることにより、フィルム回路基板の配線とバンプの接触を調べたところ、全ての配線とバンプ間で電気導通がとれた。
【００４２】
実施例４
ＳＵＳ製ブロックにライニングするＮＢＲゴムの厚みを１ｍｍとしたこと以外は実施例１と同様にして、プローブカードとフィルム回路基板を作製した。
【００４３】
プローブカードと可撓性フィルム回路基板を位置合わせし、プローブカードのＳＵＳ製ブロックをシリンダーで押し、両者を接触させた。１，２８０本×２セットの個々の配線間の導通を調べることにより、フィルム回路基板の配線とバンプの接触を調べたところ、全ての配線とバンプ間で電気導通がとれた。
【００４４】
比較例１
プローブカードのポリイミドフィルムを厚さ７５μｍのポリイミドフィルム（“ＵＰＩＬＥＸ”７５Ｓ  宇部興産（株）製）としたこと以外は実施例１と同様にして、プローブカードとフィルム回路基板を作製した。
【００４５】
プローブカードと可撓性フィルム回路基板を位置合わせし、プローブカードのＳＵＳ製ブロックをシリンダーで押し、両者を接触させた。１，２８０本×２セットの個々の配線間の導通を調べることにより、フィルム回路基板の配線とバンプの接触を調べたところ、隣接配線間で０．５μｍの高さ差がある部分では、配線とバンプ間で電気導通がとれなかった。
【００４６】
比較例２
プローブカードのポリイミドフィルムを厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（“ＫＡＰＴＯＮ”１００ＥＮ  東レデュポン（株）製）としたこと以外は実施例１と同様にして、プローブカードとフィルム回路基板を作製した。
【００４７】
プローブカードと可撓性フィルム回路基板を位置合わせし、プローブカードのＳＵＳ製ブロックをシリンダーで押し、両者を接触させた。１，２８０本×２セットの個々の配線間の導通を調べることにより、フィルム回路基板の配線とバンプの接触を調べたところ、隣接配線間で０．５μｍの高さ差がある部分では、配線とバンプ間で電気導通がとれなかった。
【００４８】
比較例３
ＳＵＳ製ブロックにライニングするＮＢＲゴムの厚みを１ｍｍとしたこと以外は比較例２同様にして、プローブカードとフィルム回路基板を作製した。
【００４９】
プローブカードと可撓性フィルム回路基板を位置合わせし、プローブカードのＳＵＳ製ブロックをシリンダーで押し、両者を接触させた。１，２８０本×２セットの個々の配線間の導通を調べることにより、フィルム回路基板の配線とバンプの接触を調べたところ、隣接配線間で０．５μｍの高さ差がある部分では、配線とバンプ間で電気導通がとれなかった。
【００５０】
比較例４
プローブカードのポリイミドフィルムを厚さ７５μｍのポリイミドフィルム（“ＵＰＩＬＥＸ”７５Ｓ  宇部興産（株）製）とした。また、接触安定性を検査するための配線パターンを以下のようにした。配線／間隙＝２０μｍ／２０μｍ（４０μｍピッチ）で配線を平行に８００本並べたものを対称に２セット配置した（図２の５ａ、５ｂ）。８００本の配線群の幅は、３２ｍｍである。配線の一端にはバンプを積層し、他端は、全幅を４４ｍｍに拡大して、配線ピッチを５５μｍ（配線／間隙＝４０μｍ／１５μｍ）にした。また、接触安定性を調べるためのフィルム回路基板の配線パターンも配線／間隙＝２０μｍ／２０μｍ（４０μｍピッチ）で配線を平行に８００本並べたものを対称に２セット配置し、バンプと接触させる側とは反対側の配線端は、８００本を結線した。その他は、実施例１と同様に、プローブカードとフィルム回路基板を作製した。
【００５１】
プローブカードと可撓性フィルム回路基板を位置合わせし、プローブカードのＳＵＳ製ブロックをシリンダーで押し、両者を接触させた。８００本×２セットの個々の配線間の導通を調べることにより、フィルム回路基板の配線とバンプの接触を調べたところ、隣接配線間で０．５μｍの高さ差がある部分も含めて、全ての配線とバンプ間で電気導通がとれた。
【００５２】
比較例５
実施例１と同様にプローブカードの配線とバンプを形成した後、さらに感光性ソルダーレジストを塗布、乾燥し、厚さ１１μｍの絶縁被覆層とした。感光性ソルダーレジストに、フォトマスクを介して露光し、現像して、バンプ部分を開口させた。バンプ部分以外は、絶縁被覆層で覆われている。感光性ソルダーレジスト層を設けたこと以外は、実施例１と同様にして、プローブカードを作製した。
【００５３】
プローブカードと可撓性フィルム回路基板を位置合わせし、プローブカードのＳＵＳ製ブロックをシリンダーで押し、両者を接触させた。１，２８０本×２セットの個々の配線間の導通を調べることにより、フィルム回路基板の配線とバンプの接触を調べたところ、隣接配線間で０．５μｍの高さ差がある部分では、配線とバンプ間で電気導通がとれなかった。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、可撓性フィルム回路基板配線、電子部品もしくは可撓性フィルム回路基板に接続された電子部品の電気検査方法であって、高いプローブ精度を実現し、テストパッドレス化を果たすことを目的とする。
【符号の説明】
【００５５】
１  可撓性フィルム
２  バンプ
３  弾性材
４  剛体
５  配線
６  接着剤層
７  可撓性フィルム
８  配線
９  ガラス基板
１０  粘着剤層
１１  真空吸着ステージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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