(57)【要約】【課題】分割後半導体ウェーハの片面に粘接着剤層と基材層とをこの順で積層した後、該粘接着剤層と基材層とを引き延ばしたときに、粘接着剤層のみを精度良く切断できるダイシング−ダイボンディングテープを提供する。【解決手段】本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハに積層され、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられる。ダイシング−ダイボンディングテープは、基材層４と、基材層４の第１の表面４ａに積層された粘接着剤層３とを備える。基材層４は、アクリル系ポリマーと、反応性二重結合を有するポリシロキサンとを含む組成物により形成されている。【選択図】図１
2011199015.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハに積層され、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられるダイシング−ダイボンディングテープであって、
基材層と、
前記基材層の第１の表面に積層された粘接着剤層とを備え、
前記基材層が、アクリル系ポリマーと、反応性二重結合を有するポリシロキサンとを含む組成物により形成されている、ダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項２】
前記反応性二重結合を有するポリシロキサンは、（メタ）アクリロイル基を有するポリシロキサンである、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項３】
前記ポリシロキサンの重量平均分子量が、１０００〜３２００である、請求項１又は２に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項４】
前記基材層の前記第１の表面とは反対側の第２の表面に積層されたダイシング層をさらに備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープと、個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハとを用いて、
前記分割後半導体ウェーハの片面に、前記粘接着剤層と前記基材層とをこの順で積層する工程と、
前記粘接着剤層と前記基材層とを引き延ばすことにより、前記粘接着剤層を前記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ前記分割後半導体ウェーハにおける個々の前記半導体チップを離間させる工程と、
前記粘接着剤層が積層された状態で、前記粘接着剤層付き半導体チップを取り出す工程とを備える、粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【請求項６】
前記分割後半導体ウェーハの片面に、保護シートが積層されている積層体を用いて、
前記分割後半導体ウェーハの片面に前記粘接着剤層と前記基材層とを積層した後、かつ前記粘接着剤層と前記基材層とを引き延ばす前に、前記保護シートを前記分割後半導体ウェーハから剥離する工程をさらに備える、請求項５に記載の粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【請求項７】
半導体ウェーハの表面に、該半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、
切り込みが形成された前記半導体ウェーハの表面に保護シートを貼り付ける工程と、
前記保護シートが貼り付けられた前記半導体ウェーハの裏面を研削し、前記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割し、前記積層体を得る工程をさらに備える、請求項６に記載の粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハにおける半導体チップの片面に、該半導体チップを接着させるための粘接着剤層を形成する用途に用いられるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた粘接着剤層付き半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割して、半導体チップを基板等に接着するために、ダイシング−ダイボンディングテープが用いられている。この接着作業を容易にするために、先ダイシング法と呼ばれているダイシング法により半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割した後、ダイシング−ダイボンディングテープを用いて接着剤層付き半導体チップを得る方法が知られている。
【０００３】
上記先ダイシング法では、先ず、半導体ウェーハの表面に、該半導体ウェーハを分割しないように切り込みを形成する。次に、切り込みが形成された半導体ウェーハの表面に、保護シートを貼り付ける。その後、半導体ウェーハの裏面を切り込み部分まで研削して、半導体ウェーハの厚みを薄くし、個々の半導体チップに分割する。個々の半導体チップに分割された分割後半導体ウェーハの表面には、一般的に保護シートが貼り付けられている。
【０００４】
先ダイシング法により得られた分割後半導体ウェーハを用いて、接着剤層付き半導体チップを得るために、ダイシング−ダイボンディングテープが用いられている。例えば、下記の特許文献１，２には、接着シートと基材（ダイシングテープ）とが積層されたダイシング−ダイボンディングテープが開示されている。このダイシング−ダイボンディングテープにおける接着シートは、ダイボンディング層であり、半導体チップに接着剤層を積層して、接着剤層付き半導体チップを得るためのシートである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２６０２０４号公報
【特許文献２】特開２００６−０８０１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１，２に記載のダイシング−ダイボンディングテープを用いて接着剤層付き半導体チップを得る際には、ダイシング−ダイボンディングテープを接着シート側から、分割後半導体ウェーハに貼り付ける。次に、レーザー光を照射したり、加熱又は冷却等したりして、接着シートを改質させる。次に、改質された接着シートと基材とを引き延ばして、該接着シートを分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ個々の半導体チップを離間して、半導体チップの下面に切断された接着剤層を形成する。その後、接着剤層付き半導体チップを基材から剥離して、取り出す。取り出された接着剤層付き半導体チップは、接着剤層側から基板上に実装される。
【０００７】
特許文献１，２に記載のダイシング−ダイボンディングテープでは、基材と接着シートとを引き延ばしたときに、基材が切断されたり、接着シートが所望の位置で適切に切断されなかったりすることがある。例えば、半導体チップの下方に、接着剤層が確実に配置されないことがある。このため、接着剤層付き半導体チップを接着対象部材に積層して接着させた場合に、半導体チップが傾いたり、半導体チップが十分に接着されなかったりする。
【０００８】
本発明の目的は、分割後半導体ウェーハの片面に粘接着剤層と基材層とをこの順で積層した後、該粘接着剤層と基材層とを引き延ばしたときに、粘接着剤層のみを精度良く切断できるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた粘接着剤層付き半導体チップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の広い局面によれば、個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハに積層され、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられるダイシング−ダイボンディングテープであって、基材層と、該基材層の第１の表面に積層された粘接着剤層とを備え、上記基材層が、アクリル系ポリマーと、反応性二重結合を有するポリシロキサンとを含む組成物により形成されている、ダイシング−ダイボンディングテープが提供される。
【００１０】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、上記反応性二重結合を有するポリシロキサンは、（メタ）アクリロイル基を有するポリシロキサンである。
【００１１】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの他の特定の局面では、上記ポリシロキサンの重量平均分子量は、１０００〜３２００である。
【００１２】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのさらに他の特定の局面では、上記基材層の上記第１の表面とは反対側の第２の表面に積層されたダイシング層がさらに備えられる。
【００１３】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法は、本発明に従って構成されたダイシング−ダイボンディングテープと、個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハとを用いて、上記分割後半導体ウェーハの片面に、上記粘接着剤層と上記基材層とをこの順で積層する工程と、上記粘接着剤層と上記基材層とを引き延ばすことにより、上記粘接着剤層を上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ上記分割後半導体ウェーハにおける個々の上記半導体チップを離間させる工程と、上記粘接着剤層が積層された状態で、上記粘接着剤層付き半導体チップを取り出す工程とを備える。
【００１４】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法のある特定の局面では、上記分割後半導体ウェーハの片面に、保護シートが積層されている積層体を用いて、上記分割後半導体ウェーハの片面に上記粘接着剤層と上記基材層とを積層した後、かつ上記粘接着剤層と上記基材層とを引き延ばす前に、上記保護シートを上記分割後半導体ウェーハから剥離する工程がさらに備えられる。
【００１５】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法の他の特定の局面では、半導体ウェーハの表面に、該半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、切り込みが形成された上記半導体ウェーハの表面に保護シートを貼り付ける工程と、上記保護シートが貼り付けられた上記半導体ウェーハの裏面を研削し、上記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割し、上記積層体を得る工程がさらに備えられる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、基材層と、該基材層の第１の表面に積層された粘接着剤層とを備えており、上記基材層が、アクリル系ポリマーと、反応性二重結合を有するポリシロキサンとを含む組成物により形成されているので、分割後半導体ウェーハの片面に上記粘接着剤層と上記基材層とを積層した後、該粘接着剤層と基材層とを引き延ばしたときに、分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って、粘接着剤層のみを精度良く切断できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は、粘接着剤層付き半導体チップを製造する際に用いられる積層体を得る各工程の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１９】
（ダイシング−ダイボンディングテープ）
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、上記硬化性組成物により形成された粘接着剤層と、該粘接着剤層の片面に積層された基材層とを備える。
【００２０】
上記基材層は、アクリル系ポリマーと、反応性二重結合を有するポリシロキサンとを含む組成物により形成されている。この組成物により上記基材層が形成されていることによって、分割後半導体ウェーハの片面に上記粘接着剤層と上記基材層とを積層した後、該粘接着剤層と基材層とを引き延ばしたときに、上記基材層が切断されたり、割れたりせずに、分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って、粘接着剤層のみを精度良く切断することが可能になる。なお、上記分割後半導体ウェーハの片面に積層された粘接着剤層と基材層とを引き延ばしたときに、該粘接着剤層のみが切断される性質を割裂性と呼ぶことがある。
【００２１】
割裂性を確保するには、基材層の弾性率を低くして引き延ばしを可能にする必要がある。しかし、単に基材層の弾性率を下げると、粘接着剤層と基材層との剥離力が高くなり、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性が低くなる。また、基材層の極性が高い場合も、同じ原因により粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性が低くなる傾向がある。特定の上記ポリシロキサンの使用により、基材層の弾性率を低くすることができるだけでなく、極性を低くすることもできるので、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を十分に高くすることができる。
【００２２】
図１（ａ）及び（ｂ）に、本発明の第１の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す。図１（ａ）は部分切欠平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分切欠正面断面図である。
【００２３】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型層２を有する。離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３と、基材層４と、ダイシング層５とがこの順に積層されている。粘接着剤層３の片面である第１の表面３ａに、基材層４が積層されている。基材層４の第１の表面４ａが粘接着剤層３に貼り付けられており、基材層４の第１の表面４ａとは反対側の第２の表面４ｂがダイシング層５に貼り付けられている。粘接着剤層３の第１の表面３ａとは反対側の第２の表面３ｂは、半導体ウェーハが貼り付けられる面である。
【００２４】
長尺状の離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を有する複数の積層物が等間隔に配置されている。該積層物の側方において、離型層２の上面２ａに保護シートが設けられていてもよい。
【００２５】
粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５の平面形状は円形である。平面視において、粘接着剤層３は、離型層２、基材層４及びダイシング層５よりも小さい。平面視において、基材層４は、離型層２及びダイシング層５よりも小さい。平面視において、ダイシング層５は、離型層２よりも小さい。離型層２は、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５の外周側面よりも側方に張り出している領域を有する。
【００２６】
本実施形態では、基材層４は、非粘着性を有する。このため、粘接着剤層３付き半導体チップを基材層４から容易に剥離できる。
【００２７】
上記「非粘着性」には、表面が粘着性を有さないだけでなく、表面を指で触ったときにくっつかない程度の粘着性を有する場合も含まれることとする。具体的には、「非粘着」とは、基材層の非粘着を有する部分をステンレス板に貼り付けて、基材層を３００ｍｍ／分の剥離速度で剥離したときに、粘着力が０．０５Ｎ／２５ｍｍ幅以下であることを意味する。
【００２８】
ダイシング層５は、基材５Ａと、基材５Ａの片面に積層された粘着剤層５Ｂとを有する。ダイシング層５は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも側方に張り出している領域を有する。ダイシング層５は粘着剤層５Ｂ側から、張り出している領域において離型層２の上面２ａに貼り付けられており、かつ中央の領域において基材層４の第２の表面４ｂに貼り付けられている。ダイシングリングは、ダイシング層５の粘着剤層５Ｂに貼り付けられる。
【００２９】
図２は、本発明の第２の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す図である。図２（ａ）は部分切欠平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分切欠正面断面図である。
【００３０】
図２（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１１は、基材層及びダイシング層が異なること以外は、ダイシング−ダイボンディングテープ１と同様に構成されている。
【００３１】
ダイシング−ダイボンディングテープ１１は、基材層１２と、ダイシング層１３とを備える。離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３と、基材層１２と、ダイシング層１３とがこの順に積層されている。粘接着剤層３の片面である第１の表面３ａに、基材層１２が積層されている。基材層１２の第１の表面１２ａが粘接着剤層３に貼り付けられており、基材層１２の第１の表面１２ａとは反対側の第２の表面１２ｂがダイシング層１３に貼り付けられている。
【００３２】
基材層１２及びダイシング層１３の平面形状は円形である。平面視において、粘接着剤層３は、離型層２、基材層１２及びダイシング層１３よりも小さい。平面視において、基材層１２の大きさは、ダイシング層１３の大きさとほぼ等しい。平面視において、基材層１２及びダイシング層１３は、離型層２よりも小さい。離型層２は、粘接着剤層３、基材層１２及びダイシング層１３の外周側面よりも側方に張り出している領域を有する。
【００３３】
本実施形態では、基材層１２は、非粘着性を有する非粘着部１２Ａを有する。非粘着部１２Ａは、基材層１２の中央の領域に設けられている。非粘着部１２Ａは、粘接着剤層３の半導体ウェーハが貼り付けられる位置に対応する部分に設けられている。非粘着部１２Ａの平面形状は、円形である。平面視において、非粘着部１２Ａは粘接着剤層３よりも大きい。従って、非粘着部１２Ａは、粘接着剤層３の外周側面よりも側方に張り出している領域を有する。このため、分割後半導体ウェーハの片面に粘接着剤層３を貼り付ける際に、粘接着剤層３の非粘着部１２Ａが貼り付けられている部分に、分割後半導体ウェーハを正確に位置合わせすることができる。貼り付けの後には、分割後半導体ウェーハに貼り付けられた粘接着剤層３の第２の表面３ｂに非粘着部１２Ａを確実に配置できる。このため、粘接着剤層３の切断の後に、粘接着剤層３付き半導体チップを、基材層１２の非粘着部１２Ａから容易に剥離できる。このため、生産ロスを低減でき、歩止まりを向上できる。
【００３４】
基材層１２は、非粘着部１２Ａの外側部分の領域に、粘着性を有する粘着部１２Ｂを有する。粘着部１２Ｂは環状である。基材層１２は粘接着剤層３を被覆している。基材層１２の非粘着部１２Ａが粘接着剤層３の第１の面３ａに貼り付けられており、基材層１２の粘着部１２Ｂが離型層２の上面２ａに貼り付けられている。粘接着剤層３の表面の全体に、基材層１２の非粘着部１２Ａが積層されている。粘接着剤層３の表面に粘着部１２Ｂは積層されていない。ダイシングリングは、基材層１２の粘着部１２Ｂに貼り付けられる。
【００３５】
基材層１２の非粘着部１２Ａと粘着部１２Ｂとは一体的に形成されている。非粘着部１２Ａと粘着部１２Ｂとは、同じ材料により形成されており、異なる材料により形成されてはいない。
【００３６】
ダイシング層１３は、基材のみで構成されており、粘着剤層を有さない。ダイシング層１３にかえて、ダイシング層５を用いてもよい。
【００３７】
離型層２は、例えば、離型フィルムである。離型層２は、粘接着剤層３の半導体ウェーハが貼り付けられる第２の表面３ｂを保護するために用いられる。なお、離型層２は、必ずしも用いられていなくてもよい。
【００３８】
離型層２を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、及びポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。
【００３９】
離型層２の表面は離型処理されていてもよい。離型層は単層であってもよく、複数層であってもよい。離型層が複数層である場合には、各層は異なる樹脂により形成されていてもよい。
【００４０】
離型層２の取扱い性又は剥離性をより一層高める観点からは、離型層２の厚みは、１０〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４１】
粘接着剤層３は、半導体チップのダイボンディングに用いられる層である。粘接着剤層３は、半導体チップを基板又は他の半導体チップ等に接着するために用いられる。
【００４２】
粘接着剤層３は、例えば適宜の硬化性樹脂を含む硬化性樹脂組成物、又は熱可塑性樹脂等により形成される。硬化前の上記硬化性樹脂組成物は柔らかいので、外力により容易に変形する。粘接着剤層３付き半導体チップを得た後に、得られた粘接着剤層３付き半導体チップを粘接着剤層３側から基板等の接着対象部材に積層する。その後、熱又は光のエネルギーを与えて、粘接着剤層３を硬化させることにより、粘接着剤層３を介して、接着対象部材に半導体チップを強固に接合させることができる。上記硬化性樹脂にかえて、熱可塑性樹脂を用いてもよい。
【００４３】
上記硬化性樹脂は特に限定されない。上記硬化性樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。上記硬化性樹脂としては、熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂等が挙げられる。
【００４４】
上記熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂及びポリウレタン樹脂等が挙げられる。上記光硬化性樹脂としては、例えば感光性オニウム塩等の光カチオン触媒により重合するエポキシ樹脂、及び感光性ビニル基を有するアクリル樹脂等が挙げられる。また、上記硬化性樹脂として、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル酸メチル又はホットメルト型接着樹脂が好適に用いられる。上記ホットメルト型接着樹脂としては、アクリル酸ブチル等を主なモノマー単位とするポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂等が挙げられる。
【００４５】
上記エポキシ樹脂は、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂であることが好ましい。上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は特に限定されない。上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂としては、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、及び３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。
【００４６】
上記硬化性樹脂とともに、上記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーを用いてもよい。上記エポキシ基を有する高分子ポリマーとしては、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂及びエポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４７】
上記硬化性樹脂組成物を硬化させるために、硬化剤が用いられる。硬化剤は特に限定されない。上記硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤もしくはジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、又はカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。上記硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。また、硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤と、硬化促進剤とを併用してもよい。
【００４８】
粘接着剤層３の厚みは特に限定されない。粘接着剤層３の厚みは、１〜１００μｍの範囲内にあることが好ましい。粘接着剤層３の厚みのより好ましい下限は３μｍであり、より好ましい上限は６０μｍである。粘接着剤層３の厚み上記範囲内にあると、粘接着剤層３を介して半導体チップを基板上により一層容易に貼り付けることができ、さらに半導体装置の薄型化に対応できる。
【００４９】
基材層４，１２は、アクリル系ポリマーと、反応性二重結合を有するポリシロキサンとを含む組成物により形成されている。該組成物は、粘着性を有することが好ましい。該組成物は、粘着剤組成物であることが好ましい。上記組成物としては、熱硬化型又は活性エネルギー線硬化型の組成物が挙げられる。基材層４，１２の粘着力を容易に制御できるので、上記組成物は、活性エネルギー線硬化型の組成物であることが好ましい。
【００５０】
基材層４，１２は、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されていることが好ましい。この場合には、粘接着剤層３のみをより一層精度良く切断できる。また、基材層４，１２の極性、弾性率又は破断伸度を容易に制御及び設計できる。
【００５１】
上記アクリル系ポリマーは特に限定されない。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル樹脂架橋体であることが好ましい。上記アクリル系ポリマーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５２】
上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーとして、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが好適に用いられる。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーの使用により、基材層４，１２の極性を充分に低くすることができ、基材層４，１２の表面エネルギーを低くすることができ、かつ粘接着剤層３の基材層４，１２からの剥離性を高くすることができる。上記アルキル基の炭素数が１８を超えると、基材層４，１２の製造が困難になることがある。上記アルキル基の炭素数は、６以上であることが好ましい。この場合には、基材層４，１２の極性をより一層低くすることができる。上記「（メタ）アクリル酸」は、メタクリル酸とアクリル酸とを意味する。
【００５３】
上記アクリル系ポリマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを主モノマーとして用いて得られたポリマーであることが好ましい。上記アクリル系ポリマーは、上記主モノマーと、官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させて得られた（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることがより好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーのアルキル基の炭素数は２以上であることが好ましく、６以上であることが特に好ましい。上記アクリル系ポリマーの重量平均分子量は２０万〜２００万程度である。
【００５４】
上記他の改質用モノマーは特に限定されない。上記他の改質用モノマーは、カルボキシル基を有するモノマーではないことが好ましい。カルボキシル基を有するモノマーが用いられた場合、基材層４，１２の極性が高くなる。この結果、ピックアップ性が低下することがある。
【００５５】
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは特に限定されない。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する一級又は二級のアルキルアルコールと、（メタ）アクリル酸とのエステル化反応により得られた（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーであることが好ましい。
【００５６】
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、具体的には、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル及び（メタ）アクリル酸ラウリル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５７】
上記官能基含有モノマーとしては、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル及び（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等の水酸基含有モノマー等が挙げられる。
【００５８】
上記アクリル系ポリマーは、反応性二重結合を有する硬化型アクリル系ポリマーであることが好ましい。この場合には、該硬化型アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体の架橋密度を高くすることができる。上記硬化型アクリル系ポリマーとして、反応性二重結合を側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有する硬化型アクリル系ポリマー等が挙げられる。
【００５９】
上記アクリル系ポリマーに反応性二重結合を導入する方法は、特に制限されない。分子設計が容易であるため、上記反応性二重結合は、側鎖に導入されていることが好ましい。例えば、アクリル系ポリマーに官能基含有モノマーが共重合された官能基含有アクリル系ポリマーを用意した後に、この官能基（以下、官能基Ａともいう）と反応し得る官能基（以下、官能基Ｂともいう）、及び反応性二重結合の両方を有する化合物（以下、化合物Ｃともいう）を、反応性二重結合が残存するように、上記官能基含有アクリル系ポリマーに縮合反応又は付加反応によって導入する方法が挙げられる。
【００６０】
上記官能基Ａと官能基Ｂとの組合せの例としては、カルボキシル基とエポキシ基、カルボキシル基とアジリジル基、又は水酸基とイソシアネート基等の組合せが挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも、反応を容易に制御できるため、水酸基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせでは、どの官能基を上記官能基含有アクリル系ポリマーが含有していてもよく、またどの官能基を上記化合物Ｃが含有していてもよい。水酸基を有する官能基含有アクリル系ポリマーと、イソシアネート基を有する上記化合物の組合せが好ましい。
【００６１】
上記イソシアネート基及び反応性二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、１，１−ビス（アクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート、又はｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。
【００６２】
上記組成物に含まれている上記反応性二重結合を有するポリシロキサンは、反応性二重結合を有する有機基を、側鎖に有していてもよく、末端に有していてもよい。上記ポリシロキサンは、反応性二重結合を有する有機基を、片末端のみに有していてもよく、両末端に有していてもよい。割裂性をより一層高める観点からは、上記ポリシロキサンは、側鎖、両末端、又は側鎖と両末端とに、上記反応性二重結合を有する有機基を含むことが好ましい。上記ポリシロキサンは、反応性二重結合を有するように変性された変性ポリシロキサンである。
【００６３】
両末端に上記反応性二重結合を有する有機基を含むポリシロキサンの一例として、下記式（１）で表されるポリシロキサンが挙げられる。
【００６４】
【化１】
2011199015.tif 000003
【００６５】
上記式（１）中、ｎはポリシロキサンにおける繰り返し構造単位の数を表し、Ｒ１及びＲ２は反応性二重結合を有する有機基を表す。
【００６６】
側鎖に上記反応性二重結合を有する有機基を含むポリシロキサンの一例として、下記式（２）で表されるポリシロキサンが挙げられる。
【００６７】
【化２】
2011199015.tif 000004
【００６８】
上記式（２）中、ｎ及びｍはそれぞれポリシロキサンにおける繰り返し構造単位の数を表し、Ｒは反応性二重結合を有する有機基を表す。
【００６９】
片末端に上記反応性二重結合を有する有機基を含むポリシロキサンの一例として、下記式（３）で表されるポリシロキサンが挙げられる。
【００７０】
【化３】
2011199015.tif 000005
【００７１】
上記式（３）中、ｎはポリシロキサンにおける繰り返し構造単位の数を表し、Ｒ１は反応性二重結合を有さない有機基を表し、Ｒ２は反応性二重結合を有する有機基を表す。
【００７２】
側鎖及び両末端に上記反応性二重結合を有する有機基を含むポリシロキサンの一例として、下記式（４）で表されるポリシロキサンが挙げられる。
【００７３】
【化４】
2011199015.tif 000006
【００７４】
上記式（４）中、ｎ及びｍはそれぞれポリシロキサンにおける繰り返し構造単位の数を表し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ反応性二重結合を有する有機基を表す。
【００７５】
割裂性をより一層高める観点からは、上記反応性二重結合は、炭素−炭素二重結合であることが好ましい。
【００７６】
割裂性をより一層高める観点からは、上記反応性二重結合を有するポリシロキサンは、（メタ）アクリロイル基を有するポリシロキサンであることが好ましい。（メタ）アクリロイル基は、反応性二重結合を有する。（メタ）アクリロイル基は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを意味する。
【００７７】
上記ポリシロキサンの重量平均分子量は５００〜１００００であることが好ましい。上記ポリシロキサンの重量平均分子量のより好ましい下限は１０００、より好ましい上限は３２００である。上記ポリシロキサンの重量平均分子量が上記下限及び上限を満たすと、割裂性をより一層高めることができる。
【００７８】
上記ポリシロキサンの反応性二重結合の官能基当量は、１〜２０であることが好ましい。上記官能基当量のより好ましい下限は２、より好ましい上限は３である。上記官能基当量が上記下限及び上限を満たすと、割裂性をより一層高めることができる。
【００７９】
上記組成物において、上記アクリル系ポリマー１００重量部に対して、上記ポリシロキサンの含有量は０．５〜１０重量部であることが好ましい。上記ポリシロキサンの含有量のより好ましい下限は１．３重量部、より好ましい上限は２．０重量部である。上記ポリシロキサンの含有量が上記下限及び上限を満たすと、割裂性をより一層高めることができる。
【００８０】
上記組成物は、アクリル基と反応可能な二重結合を有し、かつ重量平均分子量が１００〜５０，０００の範囲内にあるオリゴマーをさらに含んでいてもよい。
【００８１】
上記組成物は、紫外線吸収剤を含んでいてもよい。また、組成物は、活性エネルギー線反応開始剤及び熱反応開始剤の内の少なくとも一方を含むことが好ましく、活性エネルギー線反応開始剤を含むことがより好ましい。活性エネルギー線反応開始剤は、光反応開始剤であることが好ましい。
【００８２】
上記活性エネルギー線には、紫外線、電子線、α線、β線、γ線、Ｘ線、赤外線及び可視光線が含まれる。これらの活性エネルギー線のなかでも、硬化性に優れ、かつ硬化物が劣化し難いため、紫外線又は電子線が好ましい。
【００８３】
上記光反応開始剤は特に限定されない。上記光反応開始剤として、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を使用できる。また、上記熱反応開始剤は特に限定されない。上記熱反応開始剤としては、熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記組成物には、粘着力を制御するためにイソシアネート系架橋剤を添加してもよい。
【００８４】
上記光ラジカル発生剤は特に限定されない。上記光ラジカル発生剤の市販品としては、例えば、イルガキュア１８４、イルガキュア２９５９、イルガキュア９０７、イルガキュア８１９、イルガキュア６５１、イルガキュア３６９及びイルガキュア３７９（以上、いずれもチバ・ジャパン社製）、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、並びにルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ  Ｊａｐａｎ社製）等が挙げられる。
【００８５】
上記光カチオン発生剤として、オニウム塩類又は有機金属錯体類を使用できる。上記オニウム塩類としては、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ハロニウム塩及び芳香族スルホニウム塩等が挙げられる。上記有機金属錯体類としては、鉄−アレン錯体、チタノセン錯体及びアリールシラノール−アルミニウム錯体等が挙げられる。
【００８６】
上記熱ラジカル発生剤としては、有機過酸化物及びアゾ化合物等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート及びｔ−アミルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）及びジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）等が挙げられる。
【００８７】
基材層４，１２を活性エネルギー線硬化型の組成物により形成する場合には、組成物に対する活性エネルギー線の照射量を部分的に調整することにより、基材層４，１２の粘着性を部分的に異ならせることができる。基材層が非粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線の照射量を多くすればよい。基材層が粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線を照射しなかったり、活性エネルギー線の照射量を少なくしたりすればよい。
【００８８】
粘接着剤層３のみをより一層精度良く切断する観点からは、基材層４，１２の２５℃での破断応力は、０．９Ｎ／１０ｍｍ以下であることが好ましい。基材層４，１２の上記破断応力は特に限定されないが、０．５Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましい。
【００８９】
粘接着剤層３のみをより一層精度良く切断する観点からは、基材層４，１２の２５℃での破断伸度は、２２．５％以上であることが好ましい。
【００９０】
粘接着剤層３のみをより一層精度良く切断する観点からは、２５℃における基材層に亀裂が生じる伸度（亀裂震度）は３４．５％以上であることが好ましい。
【００９１】
粘接着剤層３のみをより一層精度良く切断する観点からは、基材層４，１２の２５℃での上記弾性率は、１１．０ＭＰａ以下であることが好ましい。
【００９２】
粘接着剤層３のみをより一層精度良く切断し、かつ粘接着剤層３付き半導体チップのピックアップ性をより一層高める観点からは、基材層４及び基材層１２の非粘着部１２Ａの粘接着剤層３からの剥離する際の２５℃での剥離力は、４２ｍＮ／２５ｍｍ〜８０ｍＮ／２５ｍｍであることが好ましい。
【００９３】
基材層４，１２の厚みは特に限定されない。基材層４，１２の厚みは、１〜１００μｍの範囲内にあることが好ましい。基材層４，１２の厚みのより好ましい下限は５μｍであり、より好ましい上限は６０μｍである。基材層４，１２の厚みが薄すぎると、エクスパンド性が不足することがある。基材層４，１２の厚みが厚すぎると、厚みが不均一になり、ダイシングを適切に行えないことがある。
【００９４】
ダイシング層５，１３は、例えば、ダイシングフィルムである。ダイシング層５の基材５Ａ及びダイシング層１３の材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、及びポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系樹脂が好適に用いられる。
【００９５】
ダイシング層５の粘着剤層５Ｂの材料としては、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤又はゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、アクリル系粘着剤又はゴム系粘着剤が好ましく、アクリル系粘着剤がより好ましく、感圧タイプのアクリル系粘着剤がさらに好ましい。アクリル系粘着剤を用いた場合には、粘着剤層５Ｂの基材層４への貼着力、及び粘着剤層５Ｂのダイシングリングからの剥離性を高めることができる。さらに、粘着剤層５Ｂの製造コストを低くすることができる。
【００９６】
ダイシング層５，１３の厚みは特に限定されない。ダイシング層５，１３の厚みは、１０〜２００μｍの範囲内であることが好ましい。ダイシング層５，１３の厚みのより好ましい下限は６０μｍ、より好ましい上限は１５０μｍである。ダイシング層５，１３の厚みが上記範囲内であると、離型層２からの剥離性及びダイシング層５，１３のエクスパンド性をより一層高くすることができる。なお、ダイシング層５の厚みは、基材層５Ａと粘着剤層５Ｂとの合計の厚みを示す。
【００９７】
ダイシング−ダイボンディングテープ１，１１では、ダイシング層５，１３が用いられている。ダイシング層５，１３が省略されて、基材層４，１２がダイシング層を兼ねていてもよい。特に、ダイシング−ダイボンディングテープ１１では、基材層１２の粘着部１２Ｂにダイシングリングを貼り付けることができるため、ダイシング層１３にダイシングリングを貼り付ける必要がない。ダイシング層１３にダイシングリングを貼り付ける必要がないので、ダイシング層１３は粘着力を有していなくてもよい。従って、ダイシング層１３を構成する材料及び組成をより広い範囲から選択できる。
【００９８】
（粘接着剤層付き半導体チップの製造方法）
次に、図１（ａ），（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合の粘接着剤層付き半導体チップの製造方法の一例を以下説明する。
【００９９】
先ず、ダイシング−ダイボンディングテープ１と、積層体２１とを有する。
【０１００】
図３（ｄ）に示すように、積層体２１は、保護シート２２と、保護シート２２の片面２２ａに積層されている分割後半導体ウェーハ２３とを有する。保護シート２２は、分割後半導体ウェーハ２３の片面である表面２３ａに積層されている。分割後半導体ウェーハ２３は個々の半導体チップに分割されている。分割後半導体ウェーハ２３の平面形状は円形である。
【０１０１】
積層体２１は、図３（ａ）〜（ｄ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。
【０１０２】
先ず、図３（ａ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａを用意する。半導体ウェーハ２３Ａは分割前半導体ウェーハである。半導体ウェーハ２３Ａの平面形状は円形である。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、マトリックス状にストリートによって区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。
【０１０３】
図３（ｂ）に示すように、用意した半導体ウェーハ２３Ａを表面２３ａ側からダイシングする。ダイシングの後、半導体ウェーハ２３Ａは分断されていない。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、個々の半導体チップに分割するための切り込み２３ｃが形成されている。ダイシングは、例えば、高速回転するブレードを備えるダイシング装置等を用いて行われる。
【０１０４】
次に、図３（ｃ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａに、保護シート２２を貼り付ける。その後、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂを研削し、半導体ウェーハ２３Ａの厚みを薄くする。ここでは、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削している。このようにして、図３（ｄ）に示す積層体２１を得ることができる。
【０１０５】
半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削することが好ましい。研削は、例えば研削磁石等を備えるグラインダなどの研削機を用いて行われる。研削時には、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには保護シート２２が貼り付けられているので、回路に研削屑が付着しない。また、研削後に半導体ウェーハ２３Ａが個々の半導体チップに分割されても、複数の半導体チップがばらばらにならずに保護シート２２に貼り付けられたままである。
【０１０６】
積層体２１を得た後、図４（ａ）に示すように、積層体２１を保護シート２２側からステージ２５上に載せる。ステージ２５上には、分割後半導体ウェーハ２３の外周側面から一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２６が設けられている。ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した粘接着剤層３の第２の面３ｂを、分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに貼り付ける。これにより、分割後半導体ウェーハ２３の片面である裏面２３ｂに、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とをこの順で積層する。また、露出したダイシング層５の粘着剤層５Ｂをダイシングリング２６に貼り付ける。
【０１０７】
次に、図４（ｂ）に示すように、粘接着剤層３が貼り付けられた分割後半導体ウェーハ２３をステージ２５から取り出して、裏返す。このとき、ダイシングリング２６を粘着剤層５Ｂに貼り付けた状態で取り出す。取り出した分割後半導体ウェーハ２３を表面２３ａが上方になるように裏返して、別のステージ２７上に載せる。
【０１０８】
次に、図５（ａ）に示すように、分割後半導体ウェーハ２３の表面２３ａから保護シート２２を剥離する。分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを積層した後、かつ粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを引き延ばす前に、保護シート２２は剥離される。保護シート２２を剥離する際に、剥離を容易にするために、必要に応じて、保護シート２２を加熱してもよい。ただし、保護シート２２を加熱する際に、粘接着剤層３を改質しないほうが好ましい。
【０１０９】
次に、図５（ｂ）に示すように、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを引き延ばして、粘接着剤層をのみを切断する。このとき、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃに沿って切断し、かつ分割後半導体ウェーハ２３における個々の半導体チップを離間させる。粘接着剤層３は、分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに貼り付けられているため、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃに沿って、すなわちダイシングラインに沿って、粘接着剤層３を切断できる。粘接着剤層３の切断の後に、粘接着剤層３には切断部分３ｃが形成される。
【０１１０】
なお、本明細書では、粘接着剤層３を引き延ばして切断することを、割裂するともいう。粘接着剤層３を引き延ばして切断する作業（割裂）には、ダイシングも含まれることとし、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３を引き延ばして切断する（割裂する）ために用いることができる。ダイシング−ダイボンディングテープ１は、言い換えれば、割裂−ダイボンディングテープである。
【０１１１】
粘接着剤層３を引き延ばす方法としては、例えば、粘接着剤層３の下方から突き上げて、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５に、図５（ｂ）に示す力Ａを付与する方法が挙げられる。力Ａの付与により、結果として粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５に外側に向かって引っ張られる力Ｂ１，Ｂ２が付与され、粘接着剤層３が引き延ばされる。
【０１１２】
基材層４は、アクリル系ポリマーと、反応性二重結合を有するポリシロキサンとを含む組成物により形成されている。従って、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を引き延ばすことにより、基材層４が切断されることなく、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃに沿って、粘接着剤層３のみを精度良く切断できる。このため、半導体チップの下方において、粘接着剤層３の欠けが生じ難い。粘接着剤層３を精度良く切断できるため、粘接着剤層３付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。粘接着剤層３の欠けが生じ難いので、粘接着剤層付き半導体チップを接着対象部材に積層して接着させた場合に、半導体チップが傾くのを抑制でき、かつ半導体チップの接合信頼性を高めることができる。
【０１１３】
粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを引き延ばす前又は間に、粘接着剤層３を改質しないことが好ましい。粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５を引き延ばす前又は間に、粘接着剤層３を改質するために、粘接着剤層３を加熱及び冷却せず、かつレーザー光を照射しないことが好ましい。粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５を引き延ばす前又は間に、粘接着剤層３を改質するために、粘接着剤層３を加熱（保護シート２２を剥離するための加熱を除く）及び冷却せず、かつレーザー光を照射しないことが好ましい。ただし、粘接着剤層３を改質してもよい。粘接着剤層３を改質しない場合には、粘接着剤層３付き半導体チップの製造効率を高めることができる。
【０１１４】
粘接着剤層３を切断した後、粘接着剤層３が積層された状態で、半導体チップを粘接着剤層３ごと基材層４から剥離して、取り出す。このようにして、粘接着剤層３付き半導体チップを得ることができる。ダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合には、分割後半導体ウェーハ２３が貼り付けられている粘接着剤層３部分の下方には、非粘着性を有する基材層４が位置しているので、粘接着剤層３付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。ダイシング−ダイボンディングテープ１１を用いた場合にも、分割後半導体ウェーハ２３が貼り付けられている粘接着剤層３部分の下方には、基材層１２の非粘着部１２Ａが位置するので、粘接着剤層３付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。粘接着剤層３の切断の後、粘接着剤層３付き半導体チップを基材層４から剥離する前に、ダイシング層５を引き延ばして、個々の半導体チップ間の間隔をさらに拡張してもよい。
【０１１５】
以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
【０１１６】
基材を形成するために、以下の材料を用意した。
【０１１７】
（１）アクリル系ポリマー
アクリル系ポリマーＡ：
（合成例１）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギー社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を３．５重量部反応させて、（メタ）アクリル樹脂架橋体であるアクリル系ポリマーＡ（アクリル共重合体）を得た。得られたアクリル系ポリマーＡの重量平均分子量は７０万であり、酸価は０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
【０１１８】
アクリル系ポリマーＢ：
アクリルモノマーを、２−エチルヘキシルアクリレート９３重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部及びアクリル酸２重量部に変更したこと以外はアクリル系ポリマーＡと同様にして、（メタ）アクリル樹脂架橋体であるアクリル系ポリマーＢを得た。得られたアクリル系ポリマーＢの重量平均分子量は６７万であり、酸価は１．０２（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
【０１１９】
（２）ポリシロキサン
Ｘ−２２−１６４ＡＳ（信越化学工業社製、メタアクリロイル基を両末端に有する、２官能、官能基当量５００、重量平均分子量１０００）
Ｘ−２２−２４４５（信越化学工業社製、アクリロイル基を両末端に有する、２官能、官能基当量１６００、重量平均分子量３２００）
Ｘ−２２−２４０４（信越化学工業社製、メタアクリロイル基を片末端に有する、１官能、官能基当量４２０、重量平均分子量４２０）
Ｘ−２２−２４５８（信越化学工業社製、アクリロイル基を側鎖に有する、２０官能、官能基当量４７０、重量平均分子量９５００）
なお、上記ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。
【０１２０】
（３）ウレタンアクリルオリゴマー
Ｕ−３２４Ａ（新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー）
【０１２１】
（４）光反応開始剤
イルガキュア６５１（光ラジカル発生剤、チバガイギー社製）
【０１２２】
（実施例１）
得られたアクリル系ポリマーＡ１００重量部と、反応性二重結合を有するシリコーン樹脂としてＸ−２２−１６４ＡＳ（信越化学工業社製、メタアクリロイル基を両末端に有する、２官能、官能基当量５００、重量平均分子量１０００）０．５重量部と、光反応開始剤としてのイルガキュア６５１（光ラジカル発生剤、チバガイギー社製）１重量部とを配合し、組成物溶液を得た。この組成物溶液を離型ＰＥＴフィルム上にアプリケーターを用いて塗工し、１１０℃で３分間加熱乾燥し、厚み５０μｍのフィルム状の組成物層を形成した。この組成物層上に離型ＰＥＴフィルムを貼り付けた。その後、上記組成物層に高圧水銀灯下で３６５ｎｍの紫外線を２０００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、基材層を形成した。
【０１２３】
また、Ｇ−２０５０Ｍ（日油社製、エポキシ基含有アクリル系高分子ポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（ＤＩＣ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）８０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（ＤＩＣ社製、ナフタレン型エポキシ樹脂）５重量部と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）３５重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部とを配合し、配合物を得た。この配合物をアプリケーターにて厚さ４０μｍになるようにリンテック社製ＰＥＴ３８ＣＳ上に塗布し、１１０℃で３分間加熱乾燥して、粘接着剤層を得た。
【０１２４】
上記基材層の両面に貼り付けられた離型ＰＥＴフィルムの一方を剥がし、直径３０６．８ｍｍの円形の基材層を得た。上記ＰＥＴ３８ＣＳ上の粘接着剤層を直径３０５．８ｍｍの円形に加工した。基材層と粘接着剤層とを、円の中心が合うように貼り合せた。基材層の片面に貼り付けられた離型ＰＥＴフィルムを剥がし、ダイシング層（ＰＥテープ＃６３１８−Ｂ：積水化学工業社製粘着フィルム、厚み７０μｍのポリエチレン基材の片面に、厚み１０μｍのゴム系粘着剤層が形成されている粘着フィルム）を、粘着剤層側から基材層に貼り付けた。また、ダイシング層の粘接着剤層及び基材層の外周側面よりも側方に張り出している領域を、上記ＰＥＴ３８ＣＳ上に貼り付けた。このようにして離型層と粘接着剤層と基材層とダイシング層とがこの順で積層されたダイシング−ダイボンディングテープを得た。
【０１２５】
（実施例２〜９及び比較例１）
基材層を得る際に、上記組成物に使用した材料の種類及び配合量を下記の表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、基材層を形成した。得られた基材層を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを得た。
【０１２６】
（評価）
（１）基材層の破断応力
オートグラフ（オリエンテック社製、ＲＴＣ−１３１０Ａ）を用いて、２５℃、サンプル幅１０ｍｍ、チャック間２５ｍｍ及びクロスヘッドスピード５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で、基材層の破断応力を測定した。
【０１２７】
（２）基材層の破断伸度
オートグラフ（オリエンテック社製、ＲＴＣ−１３１０Ａ）を用いて、２５℃、サンプル幅１０ｍｍ、チャック間２５ｍｍ及びクロスヘッドスピード５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で、基材層の破断伸度を測定した。
【０１２８】
（３）基材層の弾性率
オートグラフ（オリエンテック社製、ＲＴＣ−１３１０Ａ）を用いて、２５℃、サンプル幅１０ｍｍ、チャック間２５ｍｍ及びクロスヘッドスピード５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で、弾性率を測定した。
【０１２９】
（４）基材層の亀裂伸度
基材層の亀裂伸度を測定するために、ダイシング層を基材層に貼り合わせたサンプルを用いた。
【０１３０】
オートグラフ（オリエンテック社製、ＲＴＣ−１３１０Ａ）を用いて、２５℃、ダイシング層を基材層に貼り合せたサンプル幅２５ｍｍ、チャック間５０ｍｍ、クロスヘッドスピード５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で基材層を引き延ばした時に、基材層に亀裂が生じる伸度を測定し、亀裂伸度とした。
【０１３１】
（５）基材層の剥離力
基材層の剥離力を測定するために、基材層を粘接着剤層に貼り合わせたサンプルを用いた。
【０１３２】
オートグラフ（オリエンテック社製、ＲＴＣ−１３１０Ａ）を用いて、２５℃及び粘接着剤層３を基材層に貼り合せたサンプル幅２５ｍｍ、チャック間５０ｍｍ及びクロスヘッドスピード３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、１８０°ピールすることにより、粘接着剤層から基材層を剥離した時の剥離力を測定した。
【０１３３】
（６）粘接着剤層付き半導体チップの製造時の評価
直径３０４．８ｍｍ（１２ｉｎｃｈ）の半導体ウェーハ（シリコンウェーハ、厚み７６．５μｍ）の表面に深さ５０μｍの切り込みを入れた。次に、半導体ウェーハの表面に保護シートとしてのバックグラインディングテープ  イクロスＳＢ１３５Ｓ−ＢＮ（三井化学社製、オレフィンの片面にアクリル系粘着剤が塗布されている）をアクリル系粘着剤側からラミネートした。次に、半導体ウェーハの厚みが３５μｍになるまで半導体ウェーハの裏面を研削した後、ＣＭＰスラリーを用いて、半導体ウェーハの厚みが３０μｍになるまで半導体ウェーハの裏面の鏡面仕上げを行った。このようにして、保護シートと、分割後半導体ウェーハとの積層体を得た。
【０１３４】
次に、実施例及び比較例で得られたダイシング−ダイボンディングテープの離型ＰＥＴフィルムを粘接着剤層及び基材層から剥離して、粘接着剤層と、基材層の外周部分とを露出した。積層体の分割後半導体ウェーハの裏面に、粘接着剤層を６０℃の温度でラミネートし、ダイシング層の粘着剤層をダイシングリングに貼り付けた。
【０１３５】
次に、粘接着剤層が貼り付けられた分割後半導体ウェーハをステージから取り出して、裏返し、別のステージ上に載せた。その後、分割後半導体ウェーハの表面から、６０℃で保護シートを剥離した。このとき、粘接着剤層は改質しなかった。
【０１３６】
ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ  Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、２５℃でエクスパンド量１０ｍｍとして、粘接着剤層と基材層とダイシング層とを引き延ばして、粘接着剤層を切断した。
【０１３７】
粘接着剤層の切断の後に、基材層及び粘着剤層の割裂性（切断状態）を下記の判定基準で判定した。
【０１３８】
［割裂性の判定基準］
○：基材層が切断されておらず、半導体チップの下方において、粘接着剤層に欠けがなく、分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って粘着剤層が切断される
×：基材層が切断された
【０１３９】
次に、割裂後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ  Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、ピックアップ温度２５℃の条件で、２０個の粘接着剤層付き半導体チップを連続してピックアップした。粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を下記の判定基準で判定した。
【０１４０】
［ピックアップ性の判定基準］
○：ピックアップできなかった粘接着剤層付き半導体チップなし
×：ピックアップできなかった粘接着剤層付き半導体チップあり
結果を下記の表１に示す。
【０１４１】
【表１】
2011199015.tif 000007
【符号の説明】
【０１４２】
１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…離型層
２ａ…上面
３…粘接着剤層
３ａ…第１の表面
３ｂ…第２の表面
３ｃ…切断部分
４…基材層
４ａ…第１の表面
４ｂ…第２の表面
５…ダイシング層
５Ａ…基材
５Ｂ…粘着剤層
１１…ダイシング−ダイボンディングテープ
１２…基材層
１２Ａ…非粘着部
１２Ｂ…粘着部
１２ａ…第１の表面
１２ｂ…第２の表面
１３…ダイシング層
２１…積層体
２２…保護シート
２２ａ…片面
２３…分割後半導体ウェーハ
２３Ａ…半導体ウェーハ
２３ａ…表面
２３ｂ…裏面
２３ｃ…切断部分
２５…ステージ
２６…ダイシングリング
２７…ステージ
【図１】
2011199015.tif 000008
【図２】
2011199015.tif 000009
【図３】
2011199015.tif 000010
【図４】
2011199015.tif 000011
【図５】
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