(57)【要約】【課題】ＡＦセンサにおいて、焦点位置を検出するためのリニアセンサ内での結像位置のずれに起因するフォーカス精度の低下を抑える。【解決手段】ＣＣＤリニアセンサは、基線方向に沿って並んだ複数の画素を備える。複数の画素は、光電荷を基線に対して一方側に配置された第１シフトレジスタに送る第１画素群と、第１画素群と交番的に配置され、光電荷を基線に対して他方側に配置された第２シフトレジスタに送る第２画素群とを含む。第１画素群の画素は、一方側に向って深くなるポテンシャル勾配を有する受光領域を備える。第２画素群の画素は、他方側に向って深くなるポテンシャル勾配を有する受光領域を備える。第１画素群の受光領域と第２画素群の受光領域は基線方向から見て重なる重なり領域を有する。ＣＣＤリニアセンサは更に、第１画素群の画素と、隣接する第２画素群の画素とが生成する電荷を合成して出力する合成部を備える。【選択図】図９
2011124326.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基線方向に沿って並んだ複数の画素を具備し、
前記複数の画素は、
受光した光に応答して電荷を生成して前記基線に対して一方側に配置された第１シフトレジスタに送る第１画素群と、
前記第１画素群と交番的に配置され、受光した光に応答して電荷を生成して前記基線に対して他方側に配置された第２シフトレジスタに送る第２画素群とを含み、
前記第１画素群に属する各々の画素は、前記一方側に向って深くなるポテンシャル勾配を有する受光領域を備え、
前記第２画素群に属する各々の画素は、前記他方側に向って深くなるポテンシャル勾配を有する受光領域を備え、
前記第１画素群の前記受光領域と前記第２画素群の前記受光領域は前記基線方向から見て重なる重なり領域を有し、
更に、前記第１画素群に属する各々の画素と、隣接する前記第２画素群に属する画素とが生成する電荷を合成して出力する合成部
とを具備するＣＣＤリニアセンサ。
【請求項２】
請求項１に記載されたＣＣＤリニアセンサであって、
前記重なり領域において、前記第１画素群に属する任意の画素のポテンシャルと、前記第２画素群に属し前記任意の画素に隣接する画素のポテンシャルとの和は、前記基線方向に垂直な方向に沿って一定であり、
前記複数の画素の各々の前記重なり領域に対して前記垂直な方向に位置する両端は遮光部材によって覆われる
ＣＣＤリニアセンサ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載されたＣＣＤリニアセンサであって、
前記複数の画素のうちの隣接する画素はチャネルストップ領域によって仕切られ、
前記第１画素群に属する各々の画素は、長手方向が前記基線方向に垂直であり且つ受光した光に応答して前記第１シフトレジスタに送る電荷を生成するフォトダイオードを備え、
前記第１画素群の前記フォトダイオードの前記受光領域は、前記長手方向の中心軸上の不純物濃度と異なる不純物濃度を有し前記中心軸の両側に配置された第１画素添加領域を備え、
前記第１画素群の前記ポテンシャル勾配は、前記第１画素添加領域以外の領域の幅が前記一方側に向って大きくなるように前記第１画素添加領域が形成されることによって形成され、
前記第２画素群に属する各々の画素は、前記第１画素群の前記フォトダイオードと長手方向が同じであり且つ受光した光に応答して前記第２シフトレジスタに送る電荷を生成するフォトダイオードを備え、
前記第２画素群の前記フォトダイオードの前記受光領域は、前記長手方向の中心軸上の不純物濃度と異なる不純物濃度を有し前記中心軸の両側に配置された第２画素添加領域を備え、
前記第２画素群の前記ポテンシャル勾配は、前記第２画素添加領域以外の領域の幅が前記一方側と反対方向である他方側に向って大きくなるように前記第２画素添加領域が形成されることによって形成される
ＣＣＤリニアセンサ。
【請求項４】
請求項３に記載されたＣＣＤリニアセンサであって、
前記基線方向に沿って、前記第１画素群に属する任意の画素の前記第１画素添加領域の幅と、前記第２画素群に属し前記任意の画素に隣接する画素の前記第２画素添加領域の幅との和は、前記長手方向に沿って一定である
ＣＣＤリニアセンサ。
【請求項５】
請求項１又は２に記載されたＣＣＤリニアセンサであって、
前記複数の画素のうちの隣接する画素はチャネルストップ領域によって仕切られ、
前記第１画素群に属する各々の画素は、長手方向が前記基線方向に垂直であり且つ受光した光に応答して前記第１シフトレジスタに送る電荷を生成するフォトダイオードを備え、
前記第１画素群の前記ポテンシャル勾配と前記第２画素群の前記ポテンシャル勾配とは、前記チャネルストップ領域が前記基線に平行な方向から傾いた方向に延長するように形成されることによって形成される
ＣＣＤリニアセンサ。
【請求項６】
請求項５に記載されたＣＣＤリニアセンサであって、
前記基線方向に沿って、前記第１画素群に属する任意の画素の前記チャネルストップ領域以外の領域の幅と、前記第２画素群に属し前記任意の画素に隣接する画素の前記チャネルストップ領域以外の領域の幅との和は、前記長手方向に沿って一定である
ＣＣＤリニアセンサ。
【請求項７】
等価面の後方に配置された集光レンズと、
前記集光レンズの後方側に、所定の基線上に並んで配置された第１セパレータレンズと第２セパレータレンズと、
前記第１セパレータレンズの後方に配置され、前記基線方向に並んだ複数の画素を有する基準部用リニアセンサと、
前記第２セパレータレンズの後方に配置され、前記基線方向に並んだ複数の画素を有する参照部用リニアセンサと、
前記基準部用リニアセンサにおける結像位置と前記参照部用リニアセンサにおける結像位置とに基づいて被写体の距離を検出する焦点検出部とを具備し、
前記基準部用リニアセンサと前記参照部用リニアセンサとは、それぞれ請求項１から６のいずれかに記載されたＣＣＤリニアセンサの構成を有する
オートフォーカスセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＣＣＤリニアセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、デジタル一眼レフカメラなどの光学機器においては、位相差検出方式の自動焦点検出に基づいて自動合焦（オートフォーカス）が行われる。そのために、リニアセンサ対を有するオートフォーカスセンサ（ＡＦセンサ）が用いられる。
【０００３】
図１は、被写体像の焦点状態を検出するためのＡＦセンサの構成例を示す。ＡＦセンサ２０２は、集光レンズ２１ａ、一対のセパレータレンズ２１ｂ−１、２１ｂ−２、一対のリニアセンサ（基準部用リニアセンサ２０１ｃと参照部用リニアセンサ２０１ｄ）で構成される。一対のセパレータレンズ２１ｂ−１、２１ｂ−２は、光学的に互いに同じ性質のレンズである。一対のセパレータレンズ２１ｂ−１、２１ｂ−２は、集光レンズ２１ａの光軸に対して対称的に配置される。それらの光路は基線方向に基線長だけ離れて互いに平行である。
【０００４】
一対のリニアセンサ２０１ｃ、２０１ｄは、それぞれ、一対のセパレータレンズ２１ｂ−１、２１ｂ−２と同じ基線方向に沿って複数の画素が並べられたリニアセンサである。セパレータレンズ２１ｂ−１とリニアセンサ２０１ｃとからなる基準部用光学系と、セパレータレンズ２１ｂ−２とリニアセンサ２０１ｄとからなる参照部用光学系とは、互いに光学的に同じ性質を有する。
【０００５】
等価面１４Ａ上の被写体像は、集光レンズ２１ａおよび一対のセパレータレンズ２１ｂ−１、２１ｂ−２によって分割されて一対のリニアセンサ２０１ｃ、２０１ｄ上に再結像する。各リニアセンサ２０１ｃ、２０１ｄに対する被写体像の入射位置は、被写体像が合焦、前ピン、後ピンのいずれかによって異なる。ここで合焦とは、被写体像が等価面１４Ａ上に正確に結像していることを意味する。前ピンとは被写体像が等価面１４Ａより前方に結像していることを意味する。後ピンとは被写体像が等価面１４Ａより後方に結像していることを意味する。
【０００６】
図２に示されるように、前ピンの場合は被写体像は合焦の場合よりも一対のリニアセンサ２０１ｃ、２０１ｄの内側に入射する。前ピンの場合は被写体像は合焦の場合よりも一対のリニアセンサ２０１ｃ、２０１ｄの外側に入射する。合焦位置からのずれ量（デフォーカス量）も、一対のリニアセンサ上への被写体像の結像位置の合焦時からのずれ量によって判断できる。焦点検出部２２は、一対のリニアセンサ２０１ｃ、２０１ｄのそれぞれの結像位置に基づいて相関計算を行って、被写体の距離に対応するデフォーカス量を求める。そのデフォーカス量に基づいて、２像の間隔が合焦状態の間隔になるようにレンズの移動などを行うことで、自動合焦が行われる。
【０００７】
この方式におけるフォーカス精度はリニアセンサの画素ピッチと基線長に依存する。一般的には画素ピッチが狭く、基線長が大きい方がフォーカス精度を高くできる。但し、基線長が増大するとチップサイズや光学ユニットのサイズも増大する。そのためカメラの大きさを抑えたい場合は、画素ピッチの縮小が適している。
【０００８】
画素ピッチを縮小するためには、各画素の基線長方向の長さが縮小される。しかし感度を維持するために、受光面の基線長に垂直な方向のサイズは基線長方向よりも大きく形成される。そのため各画素の受光部は細長い形状（幅が例えば１０ｕｍ、長さが例えば２００ｕｍ程度）に形成される。
【０００９】
このように細長い受光部を有するリニアセンサにおいては、受光部から水平シフトレジスタ部へ信号電荷を転送するときに、電荷が受光部に残るという問題がある。更に、信号電荷の読み出しに際して時間がかかるとういう問題がある。従って、そのような問題を生じることなく、フォーカス精度を向上する手法が要求される
【００１０】
かかる要求を解決するための手法の一例が、特許文献１に記載されている。この文献に記載されたリニアセンサの構成図を図３に示す。図３に示されるように、リニアセンサ１１９において、チャネルストップ領域１０１と例えばＡｌ等による遮光層とで区画された受光部１０３が一方向に複数配列される。その受光部１０３を含む電荷蓄積部１０４の両側にそれぞれ読み出しゲート部１０５Ａ及び１０５Ｂを介してＣＣＤ構造の水平シフトレジスタ部１０６Ａ及び１０６Ｂが設けられる。１つおきの受光部１０３の信号電荷ｅ１が水平シフトレジスタ部６Ａに読み出される。他の１つおきの受光部１０３の信号電荷ｅ２が水平シフトレジスタ部６Ｂに読み出される。
【００１１】
さらに、それぞれの電荷蓄積部１０４の中間部に例えば濃度の弱いボロンを打ち込んで不純物導入領域１１７を形成する。この形成は、対応する水平シフトレジスタ部１０６Ａ及び１０６Ｂに向かって徐々に幅広となる領域部１１６を残すように行われる。
【００１２】
領域部１１６の幅Ｗの小さいところでは不純物導入領域１１７の電界の影響を強く受けてポテンシャルが浅くなる。幅Ｗの大きいところでは不純物導入領域１１７の電界の影響が弱くポテンシャルが深くなる。このような狭チャネル効果により、中間部では電荷読み出し方向に向かってポテンシャルが徐々に深くなるようなポテンシャル勾配が生じる。その結果、読み出し電界が向上する。このような構成により、電荷蓄積部１０４からシフトレジスタ部１０６Ａ及び１０６Ｂへの信号電荷の完全転送が可能となり、且つ、読み出し時間の短縮が図られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特許第３１２０４８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら上記のようなリニアセンサにおいては、画素内の感度が不均一となるという問題がある。不純物導入領域１１７は相対的に感度が低い領域である。図３の例では、この不純物導入領域１１７がテーパ状に形成されている。その結果、受光面内で基線と垂直な方向の入射位置に依存して、同一の光量を受光した場合に生成される電荷量が異なる。これが不均一の原因である。図４は図３の受光部１０３内における線Ａ−Ａ’及び線Ｂ−Ｂ’の領域の感度分布を示す。不純物導入領域１１７が最も感度が低く、読み出し方向に向かって感度が高くなっている。
【００１５】
このような一画素内に感度分布をもつリニアセンサで構成されるＡＦセンサは、フォーカス精度が落ちる場合がある。以下にフォーカス精度が落ちる場合について説明する。
【００１６】
図５は、基準部用リニアセンサ２０１ｃと参照部用リニアセンサ２０１ｄのそれぞれの受光部３−１〜３−４上に結像した被写体像と、受光部３−１〜３−４に関するＡＦセンサからの出力との関係を示したものである。各受光部は図４のような感度分布を持っているため、被写体像が受光部内の位置ａ１に結像した場合の出力ｂ１の大きさと、位置ａ２に結像した場合の出力ｂ２の大きさは異なる。すなわち、同一受光部内でも被写体像が結像する位置によって出力の大きさが異なることになる。
【００１７】
そのため、仮に被写体像が基準部用リニアセンサ上と参照部用リニアセンサ上で合焦位置に結像したとしても、例えば光学系の機械的誤差などの理由で受光部内の結像位置がずれて、それぞれのリニアセンサの出力の大きさが異なる可能性がある。このような場合、フォーカスのずれなのか、画素内感度のずれのため実際はフォーカスがずれていないのか区別がつかなくなってしまう。その結果、フォーカス精度が低下するという問題が生じる。
【００１８】
この特許文献１では、後述する２画素の合成などの信号電荷の出力方法は言及されていない。しかしながら、仮に２画素分の出力を合成した場合でも、図４のように１つの受光部内で一定の傾きを持った感度分布となっていない。そのため図４のＡＢ−Ａ’Ｂ’に示すように、互いに反対向きの２つの受光部を合わせた感度分布は一定にならない。そのため、やはり上記フォーカス精度低下の問題が生じる。
【００１９】
ＡＦセンサにおいて、基準部用リニアセンサ上と参照部用リニアセンサ上でそれぞれの受光部内の結像位置がずれた場合のフォーカス精度の低下を避ける技術が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
以下に、［発明を実施するための形態］で使用される番号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための形態］との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００２１】
本発明の一側面におけるＣＣＤリニアセンサ（２１ｃ、２１ｄ）は、基線方向（ｘ）に沿って並んだ複数の画素（３）を備える。複数の画素は、受光した光に応答して電荷を生成して基線に対して一方側に配置された第１シフトレジスタ（６Ａ）に送る第１画素群と、第１画素群と交番的に配置され、受光した光に応答して電荷を生成して基線に対して他方側に配置された第２シフトレジスタ（６Ｂ）に送る第２画素群とを含む。第１画素群に属する各々の画素は、一方側に向って深くなるポテンシャル勾配を有する受光領域を備える。第２画素群に属する各々の画素は、他方側に向って深くなるポテンシャル勾配を有する受光領域を備える。第１画素群の受光領域と第２画素群の受光領域は基線方向から見て重なる重なり領域を有する。ＣＣＤリニアセンサは更に、第１画素群に属する各々の画素と、隣接する第２画素群に属する画素とが生成する電荷を合成して出力する合成部（７）を備える。
【００２２】
本発明の一側面におけるオートフォーカスセンサは、等価面（１４Ａ）の後方に配置された集光レンズ（２１ａ）と、集光レンズの後方側に、所定の基線上に並んで配置された第１セパレータレンズ（２１ｂ−１）と第２セパレータレンズ（２１ｂ−２）と、第１セパレータレンズの後方に配置され、基線方向に並んだ複数の画素を有する基準部用リニアセンサ（２１ｃ）と、第２セパレータレンズの後方に配置され、基線方向に並んだ複数の画素を有する参照部用リニアセンサ（２１ｄ）と、基準部用リニアセンサにおける結像位置と参照部用リニアセンサにおける結像位置とに基づいて被写体の距離を検出する焦点検出部（２２）とを備える。基準部用リニアセンサと参照部用リニアセンサとは、それぞれ本発明の一側面におけるＣＣＤリニアセンサの構成を有する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明により、ＡＦセンサにおいて、基準部用リニアセンサ上と参照部用リニアセンサ上でそれぞれの受光部内の結像位置のずれに起因するフォーカス精度の低下を抑えることを可能とする技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、ＡＦセンサの構成を示す。
【図２】図２は、焦点検出法についての説明図である。
【図３】図３は、リニアセンサの構成を示す。
【図４】図４は、受光部の感度分布を示す。
【図５】図５は、フォーカス精度の低下についての説明図である。
【図６】図６は、カメラの構成を示す。
【図７】図７は、リニアセンサの構成を示す。
【図８】図８は、受光部の感度分布を示す。
【図９】図９は、リニアセンサ上の被写体の位置と、ＡＦセンサからの出力との関係を示す。
【図１０】図１０は、リニアセンサの構成を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図６は、本実施形態におけるＣＣＤリニアセンサ、オートフォーカスセンサを用いたカメラ１０の構成を示す。カメラ１０は、光学系１１と、その光学系１１が結んだ像を銀塩フィルムやイメージセンサを用いて定着する撮像部１３とを備える。
【００２６】
光学系１１と撮像部１３との間の光路上に、光学系１１から入力した光を分岐するためのハーフミラー１２が配置される。ハーフミラー１２によって、入力光の一部はＡＦセンサ２１に導入される。ＡＦセンサ２１は、入力光に基づいて、光学系１１の焦点に関する情報を示す信号を生成する。ＡＦセンサ２１は、その信号によって光学系１１の駆動機構１４を制御して、光学系１１が結ぶ像が撮像部１３の所定位置に合焦させる。図６に示したＡＦセンサ２１は、図１を参照して説明したＡＦセンサ２０２の構成によって実現することができる。但し、図１におけるＡＦセンサ２０２が備えるリニアセンサ２０１ｃ、２０１ｄの構成として、以下に説明するリニアセンサ２１の構成が採用される。
【００２７】
図７は本発明の第１実施形態によるリニアセンサ２１の構成を示す。図７に示すように、画素として複数の受光部３が基線方向に沿って配列されている。各々の受光部３は、チャネルストップ領域１によって隣接する受光部３と仕切られる。各々の受光部３は更に、Ａｌ等によって形成された遮光層２で区画される。遮光層２は、受光部３が形成された層に入射光が到達することを妨げる。
【００２８】
複数の画素は、交番的に配置された第１画素群と第２画素群とからなる。後述するように、第１画素とそれの一方側に隣接する第２画素との２つの画素が実効的に１つの画素として扱われる。各々の画素の受光部３は細長く、長手方向が受光面内で基線方向に垂直である。各受光部３は、水平シフトレジスタ部６Ａ、６Ｂに送る電荷を生成するフォトダイオードを備える。
【００２９】
第１画素群の基線と垂直な方向で遮光層２が形成された方向と反対側である一方側（ｚ軸負方向）に、第１の読み出しゲート部５Ａを介して受光部３で発生した信号電荷を一時的に蓄積するためのメモリ部８Ａが設けられる。さらにメモリ部８Ａに対して一方側（ｚ軸負方向）に、第２の読み出しゲート部９Ａを介して、ＣＣＤ構造の水平シフトレジスタ部６Ａが設けられる。水平シフトレジスタ部６Ａは１つおきの受光部３（第１画素群の画素）の信号電荷を読み出す。
【００３０】
第２画素群の基線に垂直な方向で遮光層２が形成された方向と反対側である他方側（ｚ軸正方向）に、第１の読み出しゲート部５Ｂを介して受光部３で発生した信号電荷を一時的に蓄積するためのメモリ部８Ｂが設けられる。さらにメモリ部８Ｂに対して他方側（ｚ軸正方向）に、第２の読み出しゲート部９Ｂを介して、ＣＣＤ構造の水平シフトレジスタ部６Ｂが設けられる。水平シフトレジスタ部６Ｂは他の１つおきの受光部３（第２画素群の画素）の信号電荷を読み出す。
【００３１】
第１画素群の各受光部３には、その長手方向の中心軸の高感度領域の両側に、第１画素添加領域が設定される。第１画素添加領域には、例えば濃度の薄いボロンが注入されることにより、中心軸上よりも不純物濃度が高い不純物導入領域１７が形成される。この形成は、各受光部３に対応する第１の読み出しゲート部５Ａに向かって徐々に幅広となる高感度領域を残すように行われる。
【００３２】
第２画素群の各受光部３には、その長手方向の中心軸の高感度領域の両側に、第２画素添加領域が設定される。第２画素添加領域には、例えば濃度の薄いボロンが注入されることにより、中心軸上よりも不純物濃度が高い不純物導入領域１７が形成される。この形成は、各受光部３に対応する第１の読み出しゲート部５Ｂに向かって徐々に幅広となる高感度領域を残すように行われる。
【００３３】
不純物導入領域１７によって、各受光部３内にポテンシャル勾配が形成される。第１画素群の受光部３は上記一方側に向って深くなるポテンシャル勾配を有する。第２画素群の受光部３は上記他方側に向って深くなるポテンシャル勾配を有する。受光部３内にポテンシャル勾配を形成することで、受光部が細長い場合でも読み出し電界が向上する。そのため信号電荷の完全転送が可能となり、且つ読み出し時間の短縮が図られる。
【００３４】
図８は図７の受光部３内における線Ｃ−Ｃ’及び線Ｄ−Ｄ’の領域の感度分布を示した図である。不純物導入領域１７は相対的に感度が低い領域である。そのため、１つの受光部３内には、不純物導入領域１７の間隔が狭い領域が最も感度が低く、読み出し方向に向かって感度が高くなるような感度分布が形成される。
【００３５】
不純物導入領域１７は、１つの受光部３内では感度分布の傾きが一定となるように構成される。第１画素群の受光部３と第２画素群の受光部３とは、基線方向から見て重なる重なり領域を有する。この重なり領域において、図７のＥ−Ｅ’のように基線方向に沿った第１画素添加領域の幅と、それに隣接する第２画素添加領域の幅との和は、受光部３の長手方向に沿って一定である。さらに、各画素の重なり領域に対して基線方向に垂直な方向の両端は遮光用の部材である遮光層２によって覆われる。
【００３６】
このような構成により、第１画素群に属する任意の画素のポテンシャルと、第２画素群に属しその任意の画素に隣接する画素のポテンシャルとの和が、基線方向に垂直な方向に沿って一定となるように形成される。その結果、互いに反対向きの隣接する２つの受光部３の感度を合成することにより、感度を受光部内の位置によらず一定とすることができる（図８のＣＤ−Ｃ’Ｄ’）。
【００３７】
水平シフトレジスタ部６Ａ及び６Ｂにそれぞれ読み出された信号電荷は共通の電荷検出部７に転送される。電荷検出部７では、水平シフトレジスタ部６Ａ及び６Ｂからそれぞれ転送されてきた各画素の信号電荷を２画素分合成して出力する。すなわち、互いに読み出し方向が反対である２つの受光部（第１画素群と第２画素群）で１つの実効的な画素を形成する。この場合、受光部３のピッチを２画素分合成しない場合のピッチの１／２とすることで、同一の解像度を実現することができる。
【００３８】
図９は基線長だけ離して配置された基準部用リニアセンサ２１ｃと参照部用リニアセンサ２１ｄの各受光部３−１ａ，ｂ〜３−４ａ，ｂ上に結像した被写体像と、受光部３−１ａ，ｂ〜３−４ａ，ｂに関するＡＦセンサからの出力との関係を示したものである。
【００３９】
図９において、被写体像が受光部３内の位置ａ３に結像した場合の出力は、その下のグラフの点線で示される。受光部３内の位置ａ４に結像した場合の出力は、その下のグラフの点線で示される。本実施形態によって出力ｂ３及びｂ４を２画素毎に合成したときの最終的な出力はそれぞれ下のグラフの実線で示される。一つの受光部３内では図８のような感度分布を持っているため、点線で示される出力は被写体像が結像する位置に応じて出力の大きさが異なる。しかし向きが反対である２つの受光部３の出力を合成した実線で示された出力は、被写体像が結像する位置によらず一定である。
【００４０】
従って、本実施形態によれば、出力信号の大きさは、被写体像のリニアセンサの基線に垂直な方向の入射位置に依存しない。そのため、例えば光学系の機械的誤差などの理由で、基準部用リニアセンサ上と参照部用リニアセンサ上でそれぞれの受光部内の結像位置がずれた場合でも、フォーカス精度が低下することはない。
【００４１】
図１０は本発明の第２実施形態によるリニアセンサの構成を示したものである。この実施形態においては、隣接する画素を仕切るチャネルストップ領域の形状が第１実施形態と異なる。チャネルストップ領域は、複数の画素が配列される方向である基線方向に平行な方向（各受光部３の長手方向）から傾いた方向に延長するように形成される。
【００４２】
このようなチャネルストップ領域により、実施の第１形態と同様の第１画素群のポテンシャル勾配と第２画素群のポテンシャル勾配とが形成される。そのために、基線方向に沿って、第１画素群に属する任意の画素のチャネルストップ領域以外の領域の幅と、第２画素群に属しその画素に隣接する画素のチャネルストップ領域以外の領域の幅との和は、長手方向に沿って一定であるように形成される。
【００４３】
具体的には、図１０に示すように、テーパ状に形成されたチャネルストップ領域１により、各受光部３が読み出しゲート部５Ａ及び５Ｂに向かって徐々に幅広となるように構成する。チャネルストップ領域１は相対的に感度が低い領域であるため、１つの受光部内では、チャネルストップ領域１の間隔が狭い領域が最も感度が低く、読み出し方向に向かって感度が高くなるような感度分布を持っている。このような構成によっても、隣接する２画素分の出力を合成して実効的な１画素として扱うことにより、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。第２実施形態においては、不純物導入領域１７を形成せずに読み出し電界の向上が図られ、且つフォーカス精度が低下しないので、工程数を削減することができる。
【符号の説明】
【００４４】
１  チャネルストップ領域
２  遮光層
３、３−１〜３−４  受光部
５Ａ、５Ｂ  第１の読み出しゲート部
６Ａ、６Ｂ  水平シフトレジスタ部
７  電荷検出部
８Ａ、８Ｂ  メモリ部
９Ａ、９Ｂ  第２の読み出しゲート部
１０  カメラ
１１  光学系
１２  ハーフミラー
１３  撮像部
１４  駆動機構
１４Ａ  等価面
１７  不純物導入領域
２１  リニアセンサ
２１ａ  集光レンズ
２１ｂ−１、２１ｂ−２  セパレータレンズ
２１ｃ  基準部用リニアセンサ
２１ｄ  参照部用リニアセンサ
２２  焦点検出部
１０１  チャネルストップ領域
１０３  受光部
１０４  電荷蓄積部
１０５Ａ、１０５Ｂ  読み出しゲート部
１０６Ａ、１０６Ｂ  水平シフトレジスタ部
１１６  領域部
１１７  不純物導入領域
１１９  リニアセンサ
２０１ｃ  基準部用リニアセンサ
２０１ｄ  参照部用リニアセンサ
２０２  ＡＦセンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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