(57)【要約】【課題】半導体装置の広幅の配線におけるディッシングの抑制と、抵抗の抑制と、を両立させる。【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された配線層絶縁膜９と、を有している。配線層絶縁膜９には、第１配線用配線溝１１と、第１配線用配線溝１１よりも広幅の第２配線用配線溝１２と、が形成されている。第１配線用配線溝１１内には第１配線２１が、第２配線用配線溝１２内には第２配線２２が、それぞれ形成されている。第２配線用配線溝１２の底面の少なくとも一部分は、絶縁膜（例えば、絶縁膜４及びエッチングストッパー膜５）によって、第２配線用配線溝１２の上端に達しない高さで第１配線用配線溝１１の底面よりもかさ上げされた、かさ上げ部１５となっている。【選択図】図１
2011199165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された配線層絶縁膜と、
前記配線層絶縁膜に形成された第１配線用配線溝と、
前記配線層絶縁膜に前記第１配線用配線溝よりも広幅に形成された第２配線用配線溝と、
前記第１配線用配線溝内に形成された第１配線と、
前記第２配線用配線溝内に形成された第２配線と、
を有し、
前記第２配線用配線溝の底面の少なくとも一部分は、絶縁膜によって、前記第２配線用配線溝の上端に達しない高さで前記第１配線用配線溝の底面よりもかさ上げされた、かさ上げ部となっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記かさ上げ部は、前記第２配線用配線溝の幅方向における両端部以外の位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記かさ上げ部は、前記第２配線用配線溝の幅方向における両端間に亘って連続的に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記配線層絶縁膜は、
第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、の積層膜であり、
前記第１絶縁膜の少なくとも最上層部は、前記第２絶縁膜とはエッチング選択比が異なり、
前記かさ上げ部は、前記第１絶縁膜により構成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１絶縁膜は、第３絶縁膜と、前記第３絶縁膜上に形成された第４絶縁膜と、の積層膜であり、
前記第４絶縁膜は、前記第２絶縁膜とはエッチング選択比が異なり、且つ、前記第３絶縁膜ともエッチング選択比が異なることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基板上に配線層絶縁膜を形成する工程と、
前記配線層絶縁膜に、第１配線用配線溝と、前記第１配線用配線溝よりも広幅の第２配線用配線溝と、を形成する工程と、
前記第１配線用配線溝内には第１配線を、前記第２配線用配線溝内には第２配線を、それぞれ形成する工程と、
を有し、
前記第１及び第２配線用配線溝を形成する前記工程では、前記第２配線用配線溝の底面の少なくとも一部分が、絶縁膜によって、前記第２配線用配線溝の上端に達しない高さで前記第１配線用配線溝の底面よりもかさ上げされた、かさ上げ部となるようにし、
前記第１及び第２配線を形成する工程では、前記第１及び第２配線用配線溝内に配線材料を堆積させた後で、前記第１及び第２配線用配線溝からはみ出た前記配線材料を研磨して除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１及び第２配線用配線溝を形成する前記工程では、前記かさ上げ部を、前記第２配線用配線溝の幅方向における両端部以外の位置に形成することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１及び第２配線用配線溝を形成する前記工程では、前記第２配線用配線溝をその幅方向に複数に分割された溝として形成し、これら複数に分割された溝のうちの両端の溝間に残る前記配線層絶縁膜を低くさせるエッチングを行って、該配線層絶縁膜を当初よりも薄い膜厚で第２配線用配線溝内に残留させることにより、前記かさ上げ部を形成することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１及び第２配線用配線溝を形成する前記工程では、前記かさ上げ部を、前記第２配線用配線溝の幅方向における両端間に亘って連続的に形成することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記配線層絶縁膜を形成する工程では、前記配線層絶縁膜を、第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、の積層膜として形成し、
前記第１絶縁膜の少なくとも最上層部は、前記第２絶縁膜とはエッチング選択比が異なり、
前記第１及び第２配線用配線溝を形成する前記工程では、前記第１配線用配線溝は前記第１および第２絶縁膜をエッチングにより除去することによって形成し、前記第２配線用配線溝の前記かさ上げ部は前記第２絶縁膜をエッチングにより除去することによって形成することを特徴とする請求項６乃至９の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の溝配線形成プロセスは、絶縁膜に溝を形成する工程と、配線を構成する配線材料を溝内に埋め込む工程と、溝からはみ出た配線材料をＣＭＰ等により研磨する工程と、を含む。このような溝配線形成プロセスにおいては、配線の表面の高さが中央部において低くなる、いわゆるディッシングの問題が生じることがある。ディッシングは、特に、配線の幅が広い場合に生じやすい。
【０００３】
このような課題に鑑みなされた技術としては、特許文献１の技術がある。特許文献１には、広幅の配線用の配線溝の中央部にスリット溝パターンを形成することによって、広幅の配線の中央部のめっき膜厚を厚く形成でき、ディッシングを抑制できる旨の記載がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２１７２４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の技術では、広幅の配線用の配線溝のスリット溝パターンの間隔には、配線溝の上端に達する高さの絶縁層が残留する。このため、これら絶縁層の分だけ導体が占める領域が減少し、広幅の配線の抵抗が上昇してしまう。或いは、所望の抵抗値の配線を形成するには配線幅を大きくする必要がある。
【０００６】
このように、溝配線におけるディッシングの抑制と、溝配線の抵抗の抑制と、を両立させることは困難だった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された配線層絶縁膜と、
前記配線層絶縁膜に形成された第１配線用配線溝と、
前記配線層絶縁膜に前記第１配線用配線溝よりも広幅に形成された第２配線用配線溝と、
前記第１配線用配線溝内に形成された第１配線と、
前記第２配線用配線溝内に形成された第２配線と、
を有し、
前記第２配線用配線溝の底面の少なくとも一部分は、絶縁膜によって、前記第２配線用配線溝の上端に達しない高さで前記第１配線用配線溝の底面よりもかさ上げされた、かさ上げ部となっていることを特徴とする半導体装置を提供する。
【０００８】
この半導体装置によれば、広幅の第２配線用配線溝の底面が絶縁膜によって部分的に第１配線用配線溝よりもかさ上げされている。これにより、第２配線用配線溝の幅方向における中央部での配線材料の膜厚不足が抑制され、広幅の第２配線におけるディッシングの発生が抑制された構造の半導体装置を提供することができる。よって、第２配線と、該第２配線に接続されるビアとの接続不良を低減できる。
また、第２配線用配線溝は、第２配線用配線溝の上端に達しない高さでかさ上げされているので、第２配線の少なくとも上端部は、容易に、該第２配線の幅方向における両端間に亘って連続的に形成することができる。このため、第２配線の少なくとも上端部において、導体が占める領域を確保でき、第２配線の抵抗増大を抑制することができる。また、所望の抵抗値の第２配線を形成する場合における配線幅を抑制することができる。
このように、広幅の第２配線におけるディッシングの抑制と、第２配線の抵抗の抑制と、を両立させることができる。
【０００９】
また、本発明は、半導体基板上に配線層絶縁膜を形成する工程と、
前記配線層絶縁膜に、第１配線用配線溝と、前記第１配線用配線溝よりも広幅の第２配線用配線溝と、を形成する工程と、
前記第１配線用配線溝内には第１配線を、前記第２配線用配線溝内には第２配線を、それぞれ形成する工程と、
を有し、
前記第１及び第２配線用配線溝を形成する前記工程では、前記第２配線用配線溝の底面の少なくとも一部分が、絶縁膜によって、前記第２配線用配線溝の上端に達しない高さで前記第１配線用配線溝の底面よりもかさ上げされた、かさ上げ部となるようにし、
前記第１及び第２配線を形成する工程では、前記第１及び第２配線用配線溝内に配線材料を埋め込んだ後で、前記第１及び第２配線用配線溝からはみ出た前記配線材料を研磨して除去することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、広幅の第２配線におけるディッシングの抑制と、第２配線の抵抗の抑制と、を両立させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の要部の断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置の要部の平面構造を示す図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図５】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図６】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図７】第２の実施形態に係る半導体装置の要部の断面図である。
【図８】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図９】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図１０】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図１１】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図１２】第３の実施形態に係る半導体装置の要部の断面図である。
【図１３】第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図１４】第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図１５】第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図１６】第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図１７】第４の実施形態に係る半導体装置の要部の断面図である。
【図１８】第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図１９】第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図２０】第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【図２１】第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。
【００１３】
〔第１の実施形態〕
図１は第１の実施形態に係る半導体装置１００の要部の断面図、図２は半導体装置１００の要部の平面構造を示す図である。
【００１４】
本実施形態に係る半導体装置１００は、半導体基板（以下、単に基板）１と、基板１上に形成された配線層絶縁膜９と、を有している。配線層絶縁膜９には、第１配線用配線溝１１と、第１配線用配線溝１１よりも広幅の第２配線用配線溝１２と、が形成されている。第１配線用配線溝１１内には第１配線２１が、第２配線用配線溝１２内には第２配線２２が、それぞれ形成されている。そして、第２配線用配線溝１２の底面の少なくとも一部分は、絶縁膜（例えば、絶縁膜４及びエッチングストッパー膜５）によって、第２配線用配線溝１２の上端に達しない高さで第１配線用配線溝１１の底面よりもかさ上げされた、かさ上げ部１５となっている。以下、詳細に説明する。
【００１５】
図１に示すように、基板１には、トランジスタ等の素子（図示略）が形成され、基板１上には層間絶縁膜２が形成されている。この層間絶縁膜２上には、エッチングストッパー膜３を介して、配線層絶縁膜９が形成されている。
【００１６】
配線層絶縁膜９は、例えば、絶縁膜４と、この絶縁膜４上に形成されたエッチングストッパー膜５と、このエッチングストッパー膜５上に形成された絶縁膜６と、の３層の積層構造となっている。なお、絶縁膜４とエッチングストッパー膜５とにより第１絶縁膜が構成され、絶縁膜６により第２絶縁膜が構成されている。
【００１７】
エッチングストッパー膜５は、絶縁膜６とはエッチング選択比が異なる。エッチングストッパー膜５は、絶縁膜４ともエッチング選択比が異なる。更に、絶縁膜４は、エッチングストッパー膜３とはエッチング選択比が異なり、エッチングストッパー膜３は、層間絶縁膜２とはエッチング選択比が異なる。
【００１８】
第１配線用配線溝１１は、その幅方向における両端間に亘って、配線層絶縁膜９の表裏を貫通する深さに形成されている。第１配線用配線溝１１には、バリアメタル７をライナーとして、配線材料８が堆積されている。第１配線用配線溝１１内のバリアメタル７と配線材料８とにより第１配線２１が構成されている。配線材料８は、例えば、銅である。また、バリアメタル７は、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔａ／ＴａＮ積層膜（ＴａＮが下層）或いはＴｉＮ等により構成することができる。
【００１９】
本実施形態の場合、第２配線用配線溝１２の底面は、部分的に、第１配線用配線溝１１の底面よりもかさ上げされている。第２配線用配線溝１２の底面は、配線層絶縁膜９の表裏を貫通する深さ（つまり第１配線用配線溝１１と同じ深さ）に形成されている部分１３、１４と、絶縁膜４及びエッチングストッパー膜５の膜厚分だけかさ上げされている部分（かさ上げ部１５）と、を有している。すなわち、第２配線用配線溝１２の底面の一部分は、絶縁膜（絶縁膜４及びエッチングストッパー膜５）によって、第２配線用配線溝１２の上端に達しない高さで第１配線用配線溝１１の底面よりもかさ上げされた、かさ上げ部１５となっている。
【００２０】
かさ上げ部１５は、第２配線用配線溝１２の幅方向における両端部（部分１３）以外の位置に配置されている。そして、例えば、複数のかさ上げ部１５が、第２配線用配線溝１２の幅方向において間欠的に配置されている。第２配線用配線溝１２の底面において、かさ上げ部１５どうしの間隔の部分は、部分１４である。
【００２１】
ここで、部分１３、１４の幅と、かさ上げ部１５の幅とは、例えば、互いに等しくすることができる。また、これらの幅は、同層に形成される配線のうち、最小幅の配線の幅と等しくすることができる。
【００２２】
このような第２配線用配線溝１２内には、バリアメタル７をライナーとして、配線材料８が堆積されている。そして、第２配線用配線溝１２内のバリアメタル７と配線材料８とにより第２配線２２が構成されている。
【００２３】
また、第２配線２２の少なくとも上端部は、該第２配線２２の幅方向における両端間に亘って連続的に形成されている。そして、第２配線２２の上面は、該第２配線２２の幅方向における両端間に亘って連続的に、平坦に形成されている。
【００２４】
なお、かさ上げ部１５の下側に位置する絶縁膜４およびエッチングストッパー膜５の膜厚の和は、配線層絶縁膜９の膜厚の１／２以下であることが好ましい。このようにすることにより、第２配線２２の少なくとも上半部を、該第２配線２２の幅方向における両端間に亘って連続的に形成することができる。また、かさ上げ部１５の下側に位置する絶縁膜４およびエッチングストッパー膜５の膜厚の和は、配線層絶縁膜９の膜厚の１／１０以上であることが好ましい。このようにすることにより、ディッシングを好適に抑制することができる。
【００２５】
エッチングストッパー膜３、５は、それぞれ、例えば、窒素含有シリコン膜により構成することができる。この窒素含有シリコン膜としては、例えば、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、或いはＳｉ３ＮＯが挙げられる。或いはエッチングストッパー膜３、５は、それぞれ、ＳｉＣにより構成しても良い。
【００２６】
絶縁膜４は、例えば、ＳｉＯ２、或いはＳｉＯＦ等によって構成することができる。ＳｉＯＦの方がＳｉＯ２よりも比誘電率が低いので、絶縁膜４をＳｉＯＦによって構成する方が、配線間容量を低減できる。
【００２７】
一方、絶縁膜６も、例えば、ＳｉＯ２、或いはＳｉＯＦ等により構成することができる。ただし、配線層絶縁膜９の最表層部を構成する絶縁膜６は、フッ素を含有するＳｉＯＦによって構成するよりも、フッ素を含有しないＳｉＯ２によって構成する方が好ましい。
【００２８】
また、層間絶縁膜２も、例えば、ＳｉＯ２、或いはＳｉＯＦ等により構成することができる。
【００２９】
なお、図１においては、配線層を１層のみ示しているが、配線層を２層以上にして良いのは勿論である。すなわち、層間絶縁膜２と基板１との間には、層間絶縁膜２から絶縁膜６までの層構造（第１配線用配線溝１１、第１配線用配線溝１１内のバリアメタル７および配線材料８、第２配線用配線溝１２、第２配線用配線溝１２内のバリアメタル７および配線材料８を含む）と同様の層構造を所望の数だけ繰り返し形成しても良い。
【００３０】
図２に示すように、第１配線２１及び第２配線２２は、それぞれ、基板１（図２には示されていない）に沿って延在している。第１配線２１及び第２配線２２は、図示しないコンタクト或いはビアを介して、トランジスタ等の素子に対して電気的に接続されている。
【００３１】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図３乃至図６は第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための一連の工程図であり、それぞれ断面構造を示す。
【００３２】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、先ず、基板１上に配線層絶縁膜９を形成する。次に、配線層絶縁膜９に、第１配線用配線溝１１と、第１配線用配線溝１１よりも広幅の第２配線用配線溝１２と、を形成する。次に、第１配線用配線溝１１内には第１配線２１を、第２配線用配線溝１２内には第２配線２２を、それぞれ形成する。第１及び第２配線用配線溝１１、１２を形成する工程では、第２配線用配線溝１２の底面の少なくとも一部分が、絶縁膜（例えば、絶縁膜４およびエッチングストッパー膜５）によって、第２配線用配線溝１２の上端に達しない高さで第１配線用配線溝１１の底面よりもかさ上げされた、かさ上げ部１５となるようにする。第１及び第２配線２１、２２を形成する工程では、第１及び第２配線用配線溝１１、１２内に配線材料を堆積させた後で、第１及び第２配線用配線溝１１、１２からはみ出た配線材料８を研磨して除去する。以下、詳細に説明する。
【００３３】
先ず、図３（ａ）に示すように、トランジスタ等の素子（図示略）が形成された基板１上に、層間絶縁膜２を形成する。次に、層間絶縁膜２上に、エッチングストッパー膜３と、絶縁膜４と、エッチングストッパー膜５と、絶縁膜６と、をこの順に積層して形成する。
【００３４】
次に、図３（ｂ）に示すように、所定箇所に溝状の開口３１ａ、３１ｂ、３１ｃを有するマスクパターン３１を絶縁膜６上に形成する。開口３１ａは、第１配線用配線溝１１（図１）の形成領域と対応する。また、開口３１ｂは、第２配線用配線溝１２の部分１３（図１）の形成領域と対応し、開口３１ｃは、第２配線用配線溝１２の部分１４（図１）の形成領域と対応する。
【００３５】
次に、図４（ａ）に示すように、マスクパターン３１をマスクとして配線層絶縁膜９をドライエッチングすることにより、配線層絶縁膜９に、開口３１ａと対応する第１配線用配線溝１１と、開口３１ｂと対応する溝状の開口９ｂと、開口３１ｃと対応する溝状の開口９ｃと、を形成する。これら第１配線用配線溝１１、開口９ｂおよび開口９ｃの深さは、配線層絶縁膜９の表裏、すなわち絶縁膜６、エッチングストッパー膜５及び絶縁膜４の積層膜の表裏を貫通し、エッチングストッパー膜３に達する深さとする。なお、絶縁膜６をエッチングするとき、エッチングストッパー膜５をエッチングするとき、及び、絶縁膜４をエッチングするときには、それぞれエッチング対象の膜に適したエッチング条件へ、時系列的に切り替える。絶縁膜４とその下のエッチングストッパー膜３とは、互いにエッチング選択比が異なるので、第１配線用配線溝１１、開口９ｂおよび開口９ｃの底面の位置を、エッチングストッパー膜３の上端付近に容易に制御することができる。
【００３６】
この結果、図４（ａ）に示すように、開口９ｂ、９ｃの間隔には、配線層絶縁膜９がリブ状に残留した状態となる。
【００３７】
次に、マスクパターン３１を除去した後で、図４（ｂ）に示すように、マスクパターン３２を形成する。マスクパターン３２は、第２配線用配線溝１２（図１）の形成領域に残留する配線層絶縁膜９を露出させる開口３２ａを有している。開口３２ａの内周の位置は、図４（ｂ）に示すように、第２配線用配線溝１２の形成領域に残留する配線層絶縁膜９のうち端に位置する配線層絶縁膜９と、第２配線用配線溝１２の形成領域に隣接する配線層絶縁膜９と、の中間位置であることが好ましい。こうすることにより、この後で行うエッチング時に、第２配線用配線溝１２の形成領域に隣接する配線層絶縁膜９をマスクパターン３２によって保護することができる。
【００３８】
次に、マスクパターン３２をマスクとして、第２配線用配線溝１２の形成領域に残留する絶縁膜６をドライエッチングにより除去する（図５（ａ））。ここで、絶縁膜６とその下のエッチングストッパー膜５とは、互いにエッチング選択比が異なるので、容易に、実質的に絶縁膜６のみを除去し、その下のエッチングストッパー膜５および絶縁膜４はリブ状に残留させることができる。こうして、第２配線用配線溝１２のかさ上げ部１５を形成することができる。
【００３９】
このように、第２配線用配線溝１２をその幅方向に複数に分割された溝（開口９ｂ、９ｃ）として形成し、これら複数に分割された溝のうちの両端の溝（開口９ｂ）間に残る配線層絶縁膜９を低くさせるエッチングを行って、配線層絶縁膜９を当初よりも薄い膜厚で第２配線用配線溝１２内に残留させることにより、かさ上げ部１５を形成する。
【００４０】
次に、マスクパターン３２を除去する（図５（ｂ））。これにより、第１配線用配線溝１１よりも広幅の第２配線用配線溝１２が形成される。
【００４１】
ここで、第２配線用配線溝１２の幅方向における両端部は、第１配線用配線溝１１と同じ深さの部分１３であり、かさ上げ部１５は、第２配線用配線溝１２の幅方向における両端部以外の位置に形成される。
また、このように、配線層絶縁膜９を形成する工程では、配線層絶縁膜９を、第１絶縁膜（絶縁膜４およびエッチングストッパー膜５）と、第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜（絶縁膜６）と、の積層膜として形成する。第１絶縁膜の少なくとも最上層部（エッチングストッパー膜５）は、第２絶縁膜とはエッチング選択比が異なる。そして、第１及び第２配線用配線溝１１、１２を形成する工程では、第１配線用配線溝１１は第１および第２絶縁膜をエッチングにより除去することによって形成し、第２配線用配線溝１２のかさ上げ部１５は第２絶縁膜をエッチングにより除去することによって形成する。
【００４２】
次に、図６（ａ）に示すように、第１配線用配線溝１１内、第２配線用配線溝１２内、および、配線層絶縁膜９上に、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔａ／ＴａＮ積層膜（ＴａＮが下層）或いはＴｉＮ等のバリアメタル７を形成する。更に、バリアメタル７上にめっきシード（図示略）を形成した後で、電解めっき法により配線材料（例えば、銅）８を堆積する。配線材料８は、第１配線用配線溝１１および第２配線用配線溝１２のそれぞれ上端よりも上にはみ出る厚さに堆積させる。
【００４３】
ここで、相対的に幅が小さい第１配線用配線溝１１内には、配線材料８を十分な膜厚に容易に形成することができる。一方、第２配線用配線溝１２は、かさ上げ部１５によって部分的にかさ上げされているため、第２配線用配線溝１２内においても、配線材料８を十分な膜厚に容易に形成することができる。
【００４４】
次に、第１配線用配線溝１１および第２配線用配線溝１２からはみ出している配線材料８およびバリアメタル７をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈ）により除去し、配線層絶縁膜９の上面を露出させる（図６（ｂ））。こうして、第１配線用配線溝１１には第１配線２１を、第２配線用配線溝１２には第１配線２１よりも広幅の第２配線２２を、それぞれ形成することができる。
【００４５】
以上のような第１の実施形態によれば、広幅の第２配線用配線溝１２の底面が絶縁膜（絶縁膜４及びエッチングストッパー膜５）によって部分的に第１配線用配線溝１１よりもかさ上げされている。これにより、第２配線用配線溝１２の幅方向における中央部での配線材料８の膜厚不足が抑制され、広幅の第２配線２２におけるディッシングの発生が抑制された構造の半導体装置１００を提供することができる。よって、第２配線２２と、該第２配線２２に接続されるビア（図示略）との接続不良を低減できる。
【００４６】
また、第２配線用配線溝１２は、第２配線用配線溝１２の上端に達しない高さでかさ上げされ、第２配線２２の少なくとも上端部は、該第２配線２２の幅方向における両端間に亘って連続的に形成されている。このため、広幅配線に複数のスリット溝パターンを形成し、これらスリット溝パターンの間隔に配線溝の上端に達する高さの絶縁膜が存在し、広幅配線がその幅方向において複数に分割されている場合と比べて、第２配線の少なくとも上端部において導体が占める領域を十分に確保でき、第２配線２２の抵抗増大を抑制することができる。これにより、広幅配線がその幅方向において複数に分割されている場合と比べて、所望の抵抗値の第２配線２２を形成する場合における配線幅を抑制することができる。
【００４７】
このように、広幅の第２配線２２におけるディッシングの抑制と、第２配線２２の抵抗の抑制と、を両立させることができる。
【００４８】
また、第２配線２２の上面が、該第２配線２２の幅方向における両端間に亘って連続的に、平坦に形成されているので、広幅配線がその幅方向において複数に分割されている場合と比べて、第２配線２２に接続されるビア（図示略）の配置の自由度を高めることができる。
【００４９】
また、かさ上げ部１５は、第２配線用配線溝１２の幅方向における両端部（部分１３）以外の位置に配置されているので、配線材料８の膜厚不足の懸念が少ない両端部（部分１３）では、第２配線用配線溝１２の深さ（第２配線２２の厚さ）を十分に確保でき、第２配線２２の抵抗を極力抑制することができる。
【００５０】
また、配線層絶縁膜９は、第１絶縁膜（絶縁膜４およびエッチングストッパー膜５）と、第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜（絶縁膜６）と、の積層膜であり、第１絶縁膜の少なくとも最上層部（エッチングストッパー膜５）は、第２絶縁膜とはエッチング選択比が異なる。そして、かさ上げ部１５は、第１絶縁膜により構成されている。このため、エッチングによって第２絶縁膜のみを選択的に除去し、かさ上げ部１５を容易に形成することができる。換言すれば、かさ上げ部１５の高さを第１絶縁膜の成膜厚さによって制御できるため、その高さ制御を容易に行うことができる。
【００５１】
より具体的には、第１絶縁膜は、第３絶縁膜（絶縁膜４）と、第３絶縁膜上に形成された第４絶縁膜（エッチングストッパー膜５）と、の積層膜であり、第４絶縁膜は、第２絶縁膜（絶縁膜６）とはエッチング選択比が異なり、且つ、第３絶縁膜ともエッチング選択比が異なる構成となっている。これにより、エッチングによって第２絶縁膜のみを選択的に除去し、かさ上げ部１５を容易に形成することができるとともに、かさ上げ部１５におけるかさ上げ量を十分に確保することができる。
【００５２】
〔第２の実施形態〕
図７は第２の実施形態に係る半導体装置２００の要部の断面図である。本実施形態に係る半導体装置２００は、以下に説明する点でのみ上記の第１の実施形態に係る半導体装置１００と相違し、その他の点では半導体装置１００と同様に構成されている。
【００５３】
本実施形態の場合、かさ上げ部１５は、第２配線用配線溝１２の幅方向における両端間に亘って連続的に形成されている。これにより、第２配線用配線溝１２の底面は平坦となっている。また、第２配線２２の厚さは、該第２配線２２の幅方向における両端間に亘って一定であり、且つ、該第２配線２２の幅方向における両端間に亘って、第１配線２１よりも薄くなっている。
【００５４】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図８乃至図１１は第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための一連の工程図であり、それぞれ断面構造を示す。
【００５５】
先ず、図８（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様に、基板１上に、層間絶縁膜２、エッチングストッパー膜３、絶縁膜４、エッチングストッパー膜５および絶縁膜６を形成する。
【００５６】
次に、図８（ｂ）に示すように、所定箇所に溝状の開口３３ａを有するマスクパターン３３を絶縁膜６上に形成する。開口３３ａは、第１配線用配線溝１１（図７）の形成領域と対応する。
【００５７】
次に、図９（ａ）に示すように、マスクパターン３３をマスクとして配線層絶縁膜９をドライエッチングすることにより、開口３３ａと対応する第１配線用配線溝１１を形成する。第１配線用配線溝１１の深さは、配線層絶縁膜９の表裏、すなわち絶縁膜６、エッチングストッパー膜５及び絶縁膜４の積層膜の表裏を貫通し、エッチングストッパー膜３に達する深さとする。なお、絶縁膜６をエッチングするとき、エッチングストッパー膜５をエッチングするとき、及び、絶縁膜４をエッチングするときには、それぞれエッチング対象の膜に適したエッチング条件へ、時系列的に切り替える。絶縁膜４とその下のエッチングストッパー膜３とは、互いにエッチング選択比が異なるので、第１配線用配線溝１１の底面の位置を、エッチングストッパー膜３の上端付近に容易に制御することができる。
【００５８】
次に、マスクパターン３３を除去した後で、図９（ｂ）に示すように、所定箇所に溝状の開口３４ａを有するマスクパターン３４を絶縁膜６上に形成する。ここで、マスクパターン３３は第１配線用配線溝１１を閉塞する。開口３４ａは、第２配線用配線溝１２（図７）の形成領域と対応する。
【００５９】
次に、図１０（ａ）に示すように、マスクパターン３４をマスクとして配線層絶縁膜９の絶縁膜６をドライエッチングすることにより、開口３４ａと対応する第２配線用配線溝１２を形成する。第２配線用配線溝１２の深さは、絶縁膜６の表裏を貫通し、エッチングストッパー膜５に達する深さとする。絶縁膜６とその下のエッチングストッパー膜５とは、互いにエッチング選択比が異なるので、第２配線用配線溝１２の底面の位置を、エッチングストッパー膜５の上端付近に容易に制御することができる。
【００６０】
ここで、第１配線用配線溝１１の底面は、エッチングストッパー膜３の上端付近であるのに対し、第２配線用配線溝１２の底面は、エッチングストッパー膜５の上端付近である。このため、第２配線用配線溝１２は、その幅方向における両端間に亘って、絶縁膜４およびエッチングストッパー膜５の膜厚分だけ、第１配線用配線溝１１よりもかさ上げされている。すなわち、本実施形態では、かさ上げ部１５が、第２配線用配線溝１２の幅方向における両端間に亘って連続的に形成される。
【００６１】
次に、図１０（ｂ）に示すように、マスクパターン３４を除去する。
【００６２】
次に、図１１（ａ）に示すように、上記の第１の実施形態と同様に、第１配線用配線溝１１内、第２配線用配線溝１２内、および、配線層絶縁膜９上にバリアメタル７を形成し、バリアメタル７上にめっきシード（図示略）を形成した後で、電解めっき法により配線材料（例えば、銅）８を堆積する。
【００６３】
ここで、相対的に幅が小さい第１配線用配線溝１１内には、配線材料８を十分な膜厚に容易に形成することができる。一方、第２配線用配線溝１２は、かさ上げ部１５によって全体的にかさ上げされているため、第２配線用配線溝１２内においても、配線材料８を十分な膜厚に容易に形成することができる。
【００６４】
次に、上記の第１の実施形態と同様に、第１配線用配線溝１１および第２配線用配線溝１２からはみ出している配線材料８およびバリアメタル７をＣＭＰにより除去し、配線層絶縁膜９の上面を露出させる（図１１（ｂ））。こうして、第１配線用配線溝１１には第１配線２１を、第２配線用配線溝１２には第１配線２１よりも広幅の第２配線２２を、それぞれ形成することができる。
【００６５】
以上のような第２の実施形態によれば、広幅の第２配線用配線溝１２の底面が絶縁膜（絶縁膜４及びエッチングストッパー膜５）によって、その幅方向における両端間に亘って第１配線用配線溝１１よりもかさ上げされている。これにより、第２配線用配線溝１２の幅方向における中央部での配線材料８の膜厚不足が抑制され、広幅の第２配線２２におけるディッシングの発生が抑制された構造の半導体装置１００を提供することができる。よって、第２配線２２と、該第２配線２２に接続されるビア（図示略）との接続不良を低減できる。
【００６６】
また、第２配線用配線溝１２は、第２配線用配線溝１２の上端に達しない高さでかさ上げされ、第２配線２２の少なくとも上端部は、該第２配線２２の幅方向における両端間に亘って連続的に形成されている。このため、第２配線２２の少なくとも上端部において、導体が占める領域を確保でき、第２配線２２の抵抗増大を抑制することができる。また、所望の抵抗値の第２配線２２を形成する場合における配線幅を抑制することができる。
【００６７】
このように、広幅の第２配線２２におけるディッシングの抑制と、第２配線２２の抵抗の抑制と、を両立させることができる。
【００６８】
また、第２配線２２の上面が、該第２配線２２の幅方向における両端間に亘って連続的に、平坦に形成されているので、広幅配線がその幅方向において複数に分割されている場合と比べて、第２配線２２に接続されるビア（図示略）の配置の自由度を高めることができる。
【００６９】
また、配線層絶縁膜９は、第１絶縁膜（絶縁膜４およびエッチングストッパー膜５）と、第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜（絶縁膜６）と、の積層膜であり、第１絶縁膜の少なくとも最上層部（エッチングストッパー膜５）は、第２絶縁膜とはエッチング選択比が異なる。そして、かさ上げ部１５は、第１絶縁膜により構成されている。このため、エッチングによって第２絶縁膜のみを選択的に除去し、かさ上げ部１５を容易に形成することができる。
【００７０】
より具体的には、第１絶縁膜は、第３絶縁膜（絶縁膜４）と、第３絶縁膜上に形成された第４絶縁膜（エッチングストッパー膜５）と、の積層膜であり、第４絶縁膜は、第２絶縁膜（絶縁膜６）とはエッチング選択比が異なり、且つ、第３絶縁膜ともエッチング選択比が異なる構成となっている。これにより、エッチングによって第２絶縁膜のみを選択的に除去し、かさ上げ部１５を容易に形成することができるとともに、かさ上げ部１５におけるかさ上げ量を十分に確保することができる。
【００７１】
〔第３の実施形態〕
図１２は第３の実施形態に係る半導体装置３００の要部の断面図である。本実施形態に係る半導体装置３００は、以下に説明する点でのみ上記の第１の実施形態に係る半導体装置１００と相違し、その他の点では半導体装置１００と同様に構成されている。
【００７２】
上記の第１の実施形態では、第１絶縁膜が絶縁膜４およびエッチングストッパー膜５の二層構造であったのに対し、本実施形態では、第１絶縁膜がエッチングストッパー膜５の一層構造となっている。なお、上記の第１の実施形態では、エッチングストッパー膜５とは別にエッチングストッパー膜３を設けていたが、本実施形態では、エッチングストッパー膜３も省略することができる。従って、エッチングストッパー膜５の下層には、層間絶縁膜２が隣接している。
【００７３】
本実施形態の場合、第１配線用配線溝１１の形成箇所と、第２配線用配線溝１２の部分１３、１４の形成箇所においては、エッチングストッパー膜５に位置選択的に溝を形成することによって、第１配線用配線溝１１と、第２配線用配線溝１２の部分１３、１４と、の深さを互いに等しくしている。また、第２配線用配線溝１２における部分１３、１４以外の箇所においては、エッチングストッパー膜５に溝を形成せず、第１配線用配線溝１１よりも底面がかさ上げされた、かさ上げ部１５を形成している。なお、本実施形態の場合も、第２配線用配線溝１２の形状は、第１の実施形態と同様である。
【００７４】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図１３乃至図１６は第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための一連の工程図であり、それぞれ断面構造を示す。
【００７５】
先ず、図１３（ａ）に示すように、トランジスタ等の素子（図示略）が形成された基板１上に、層間絶縁膜２を形成する。次に、層間絶縁膜２上に、エッチングストッパー膜５と、絶縁膜６と、をこの順に積層して形成する。
【００７６】
次に、図１３（ｂ）に示すように、所定箇所に溝状の開口３１ａ、３１ｂ、３１ｃを有するマスクパターン３１を絶縁膜６上に形成する。開口３１ａは、第１配線用配線溝１１（図１２）の形成領域と対応する。また、開口３１ｂは、第２配線用配線溝１２の部分１３（図１２）の形成領域と対応し、開口３１ｃは、第２配線用配線溝１２の部分１４（図１２）の形成領域と対応する。
【００７７】
次に、図１４（ａ）に示すように、マスクパターン３１をマスクとして配線層絶縁膜９をドライエッチングすることにより、配線層絶縁膜９に、開口３１ａと対応する第１配線用配線溝１１と、開口３１ｂと対応する溝状の開口９ｂと、開口３１ｃと対応する溝状の開口９ｃと、を形成する。これら第１配線用配線溝１１、開口９ｂおよび開口９ｃの深さは、絶縁膜６の表裏を貫通し、且つ、エッチングストッパー膜５の厚み方向における中程に達する深さとする。なお、絶縁膜６をエッチングするときと、エッチングストッパー膜５をエッチングするときには、それぞれエッチング対象の膜に適したエッチング条件へ、時系列的に切り替える。エッチングストッパー膜５に対するエッチングの深さは、時間により適宜に制御する。
【００７８】
この結果、図１４（ａ）に示すように、開口９ｂ、９ｃの間隔に、配線層絶縁膜９が部分的にリブ状に形成された状態となる。
【００７９】
次に、マスクパターン３１を除去した後で、図１４（ｂ）に示すように、マスクパターン３２を形成する。マスクパターン３２は、第２配線用配線溝１２（図１）の形成領域にリブ状に形成された配線層絶縁膜９を露出させる開口３２ａを有している。開口３２ａの内周の位置は、図１４（ｂ）に示すように、第２配線用配線溝１２の形成領域にリブ状に形成された配線層絶縁膜９のうち端に位置する配線層絶縁膜９と、第２配線用配線溝１２の形成領域に隣接する配線層絶縁膜９と、の中間位置であることが好ましい。こうすることにより、この後で行うエッチング時に、第２配線用配線溝１２の形成領域に隣接する配線層絶縁膜９をマスクパターン３２によって保護することができる。
【００８０】
次に、マスクパターン３２をマスクとして、第２配線用配線溝１２の形成領域に残留する絶縁膜６をドライエッチングにより除去する（図１５（ａ））。ここで、絶縁膜６とその下のエッチングストッパー膜５とは、互いにエッチング選択比が異なるので、容易に、主として絶縁膜６のみを除去し、その下のエッチングストッパー膜５は実質的にこのドライエッチング前の形状で残留させることができる。こうして、第２配線用配線溝１２のかさ上げ部１５を形成することができる。
【００８１】
次に、マスクパターン３２を除去する（図１５（ｂ））。これにより、第２配線用配線溝１２が形成される。
【００８２】
次に、図１６（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様に、第１配線用配線溝１１内、第２配線用配線溝１２内、および、配線層絶縁膜９上にバリアメタル７を形成し、更に、バリアメタル７上にめっきシード（図示略）を形成した後で、電解めっき法により配線材料８を堆積する。
【００８３】
本実施形態の場合も、第２配線用配線溝１２は、かさ上げ部１５によって部分的にかさ上げされているため、第２配線用配線溝１２内においても、配線材料８を十分な膜厚に容易に形成することができる。
【００８４】
次に、第１の実施形態と同様に、第１配線用配線溝１１および第２配線用配線溝１２からはみ出している配線材料８およびバリアメタル７をＣＭＰにより除去し、配線層絶縁膜９の上面を露出させる（図１６（ｂ））。こうして、第１配線用配線溝１１には第１配線２１を、第２配線用配線溝１２には第１配線２１よりも広幅の第２配線２２を、それぞれ形成することができる。
【００８５】
第３の実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００８６】
〔第４の実施形態〕
図１７は第４の実施形態に係る半導体装置４００の要部の断面図である。本実施形態に係る半導体装置４００は、以下に説明する点でのみ上記の第１の実施形態に係る半導体装置１００と相違し、その他の点では半導体装置１００と同様に構成されている。
【００８７】
上記の第１の実施形態では、配線層絶縁膜９が絶縁膜４、エッチングストッパー膜５および絶縁膜６の３層構造であったのに対し、本実施形態では、配線層絶縁膜９が絶縁膜６のみの一層構造となっている。このため、絶縁膜６の下層にはエッチングストッパー膜３が隣接している。絶縁膜６とエッチングストッパー膜３とは、互いにエッチング選択比が異なる。
【００８８】
本実施形態の場合、第２配線用配線溝１２に、部分的に絶縁膜６を残留させることによって、かさ上げ部１５を形成している。かさ上げ部１５において、絶縁膜６は、第２配線用配線溝１２の上端に達しない高さに設定されている。なお、本実施形態の場合も、第２配線用配線溝１２の形状は、第１の実施形態と同様である。
【００８９】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図１８乃至図２１は第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための一連の工程図であり、それぞれ断面構造を示す。
【００９０】
先ず、図１８（ａ）に示すように、トランジスタ等の素子（図示略）が形成された基板１上に、層間絶縁膜２を形成する。次に、層間絶縁膜２上に、エッチングストッパー膜３と、絶縁膜６と、をこの順に積層して形成する。
【００９１】
次に、図１８（ｂ）に示すように、所定箇所に溝状の開口３１ａ、３１ｂ、３１ｃを有するマスクパターン３１を絶縁膜６上に形成する。開口３１ａは、第１配線用配線溝１１（図１７）の形成領域と対応する。また、開口３１ｂは、第２配線用配線溝１２の部分１３（図１７）の形成領域と対応し、開口３１ｃは、第２配線用配線溝１２の部分１４（図１７）の形成領域と対応する。
【００９２】
次に、図１９（ａ）に示すように、マスクパターン３１をマスクとして配線層絶縁膜９をドライエッチングすることにより、配線層絶縁膜９（絶縁膜６）に、開口３１ａと対応する第１配線用配線溝１１と、開口３１ｂと対応する溝状の開口９ｂと、開口３１ｃと対応する溝状の開口９ｃと、を形成する。これら第１配線用配線溝１１、開口９ｂおよび開口９ｃの深さは、絶縁膜６の表裏を貫通し、エッチングストッパー膜５に達する深さとする。絶縁膜６とその下のエッチングストッパー膜３とは、互いにエッチング選択比が異なるので、第１配線用配線溝１１、開口９ｂおよび開口９ｃの底面の位置を、エッチングストッパー膜３の上端付近に容易に制御することができる。
【００９３】
この結果、図１９（ａ）に示すように、開口９ｂ、９ｃの間隔に、配線層絶縁膜９が部分的にリブ状に形成された状態となる。
【００９４】
次に、マスクパターン３１を除去した後で、図１９（ｂ）に示すように、マスクパターン３２を形成する。マスクパターン３２は、第２配線用配線溝１２（図１）の形成領域にリブ状に形成された配線層絶縁膜９を露出させる開口３２ａを有している。
【００９５】
次に、マスクパターン３２をマスクとして、第２配線用配線溝１２の形成領域に残留する絶縁膜６をドライエッチングによって低くさせる加工を行い、低くなった絶縁膜６を残留させる（図２０（ａ））。このとき、残留させる絶縁膜６の高さの制御は、エッチングの時間を適宜に調節することによって行う。こうして、当初よりも低い高さで残留した絶縁膜６によってかさ上げされたかさ上げ部１５を形成することができる。
【００９６】
次に、マスクパターン３２を除去する（図２０（ｂ））。これにより、第２配線用配線溝１２が形成される。
【００９７】
次に、図２１（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様に、第１配線用配線溝１１内、第２配線用配線溝１２内、および、配線層絶縁膜９上にバリアメタル７を形成し、更に、バリアメタル７上にめっきシード（図示略）を形成した後で、電解めっき法により配線材料８を堆積する。
【００９８】
本実施形態の場合も、第２配線用配線溝１２は、かさ上げ部１５によって部分的にかさ上げされているため、第２配線用配線溝１２内においても、配線材料８を十分な膜厚に容易に形成することができる。
【００９９】
次に、第１の実施形態と同様に、第１配線用配線溝１１および第２配線用配線溝１２からはみ出している配線材料８およびバリアメタル７をＣＭＰにより除去し、配線層絶縁膜９の上面を露出させる（図２１（ｂ））。こうして、第１配線用配線溝１１には第１配線２１を、第２配線用配線溝１２には第１配線２１よりも広幅の第２配線２２を、それぞれ形成することができる。
【０１００】
第４の実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。更に、第４の実施形態では、第１の実施形態と比較すると、絶縁膜４及びエッチングストッパー膜５を省略できる分、プロセスコストを低減できるというメリットが得られる。
【０１０１】
なお、上記の第３の実施形態では、第１の実施形態と同様の形状の第２配線用配線溝１２を形成する場合に、第１絶縁膜をエッチングストッパー膜５の一層構造とする例を説明したが、第２の実施形態と同様の形状の第２配線用配線溝１２を形成する場合に、第１絶縁膜をエッチングストッパー膜５の一層構造としても良い。
【０１０２】
同様に、上記の第４の実施形態では、第１の実施形態と同様の形状の第２配線用配線溝１２を形成する場合に、配線層絶縁膜９を絶縁膜６の一層構造とする例を説明したが、第２の実施形態と同様の形状の第２配線用配線溝１２を形成する場合に、配線層絶縁膜９を絶縁膜６の一層構造としても良い。
【符号の説明】
【０１０３】
１ 半導体基板
２ 層間絶縁膜
３ エッチングストッパー膜
４ 絶縁膜
５ エッチングストッパー膜
６ 絶縁膜
７ バリアメタル
８ 配線材料
９ 配線層絶縁膜
９ｂ 開口
９ｃ 開口
１１ 第１配線用配線溝
１２ 第２配線用配線溝
１３ 部分
１４ 部分
１５ かさ上げ部
２１ 第１配線
２２ 第２配線
３１ マスクパターン
３１ａ 開口
３１ｂ 開口
３１ｃ 開口
３２ マスクパターン
３２ａ 開口
３３ マスクパターン
３３ａ 開口
３４ マスクパターン
３４ａ 開口
１００ 半導体装置
２００ 半導体装置
３００ 半導体装置
４００ 半導体装置
【図１】
2011199165.tif 000003
【図２】
2011199165.tif 000004
【図３】
2011199165.tif 000005
【図４】
2011199165.tif 000006
【図５】
2011199165.tif 000007
【図６】
2011199165.tif 000008
【図７】
2011199165.tif 000009
【図８】
2011199165.tif 000010
【図９】
2011199165.tif 000011
【図１０】
2011199165.tif 000012
【図１１】
2011199165.tif 000013
【図１２】
2011199165.tif 000014
【図１３】
2011199165.tif 000015
【図１４】
2011199165.tif 000016
【図１５】
2011199165.tif 000017
【図１６】
2011199165.tif 000018
【図１７】
2011199165.tif 000019
【図１８】
2011199165.tif 000020
【図１９】
2011199165.tif 000021
【図２０】
2011199165.tif 000022
【図２１】
2011199165.tif 000023