(57)【要約】【課題】小型化を図りつつ、容易に製造することができる加熱装置、ガスセルユニットおよび原子発振器を提供すること。【解決手段】本発明の加熱装置２２は、ガス状のアルカリ金属原子を封入したガスセル２１を加熱する装置であって、基板２２１と、基板２２１上に設けられ、通電により発熱する発熱体２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ、２２２ｄとを有する。この加熱装置２２において、基板２２１は、プリント配線基板であり、発熱体２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ、２２２ｄは、基板２２１上に実装された抵抗器である。【選択図】図１
2011199329.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス状のアルカリ金属原子を封入したガスセルを加熱する加熱装置であって、
基板と、
前記基板上に設けられ、通電により発熱する発熱体とを有することを特徴とする加熱装
置。
【請求項２】
前記基板は、プリント配線基板である請求項１に記載の加熱装置。
【請求項３】
前記発熱体は、前記基板上に実装された抵抗器である請求項２に記載の加熱装置。
【請求項４】
前記基板には、磁界を発生させるコイルが設けられている請求項１ないし３のいずれか
に記載の加熱装置。
【請求項５】
前記コイルは、前記基板に設けられた配線パターンで構成されている請求項４に記載の
加熱装置。
【請求項６】
前記基板は、複数の層を有する多層基板であり、
前記コイルは、前記基板内に設けられた複数層の配線パターンで構成されている請求項
５に記載の加熱装置。
【請求項７】
前記配線パターンは、スパイラル状をなしている請求項５または６に記載の加熱装置。
【請求項８】
前記基板は、前記ガスセル中の前記アルカリ金属原子を励起する励起光に対する光透過
性を有する窓部を有する請求項１ないし７のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項９】
前記窓部は、前記基板に形成された貫通孔である請求項８に記載の加熱装置。
【請求項１０】
前記基板上には、前記貫通孔を覆い、前記励起光に対する光透過性を有する透明基板が
設けられている請求項９に記載の加熱装置。
【請求項１１】
前記基板には、前記基板の温度を検知する温度センサが設けられ、該温度センサの検知
結果に基づいて、前記発熱体への通電が制御される請求項１ないし１０のいずれかに記載
の加熱装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の加熱装置と、
前記加熱装置により加熱され、ガス状のアルカリ金属原子を封入したガスセルとを備え
ることを特徴とするガスセルユニット。
【請求項１３】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の加熱装置と、
前記加熱装置により加熱され、ガス状のアルカリ金属原子を封入したガスセルと、
前記ガスセル中の前記アルカリ金属原子を励起する励起光を出射する光出射部と、
前記ガスセルを透過した前記励起光の強度を検出する光検出部とを備えることを特徴と
する原子発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱装置、ガスセルユニットおよび原子発振器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ルビジウム、セシウム等のアルカリ金属の原子のエネルギー遷移に基づいて発振する原
子発振器は、一般に、光およびマイクロ波による二重共鳴現象を利用したもの（例えば、
特許文献１参照）と、波長の異なる２種類の光による量子干渉効果（ＣＰＴ：Coherent P
opulation Trapping）を利用したもの（例えば、特許文献２参照）とに大別される。
いずれの原子発振器においても、アルカリ金属をガスセル内に緩衝ガスとともに封入し
、そのアルカリ金属をガス状に保つために、ガスセルを所定温度に加熱する必要がある。
【０００３】
例えば、特許文献３に記載の原子発振器では、ガス状の金属原子を封入したガスセルの
外表面上にＩＴＯ等の透明電極材料で構成された膜状の発熱体が設けられ、この発熱体を
通電により発熱させる。これにより、ガスセルを加熱して、ガスセル内の金属原子をガス
状に保つことができる。また、このような膜状の発熱体を用いることにより、ガスセルを
加熱する構造の小型化を図ることができる。
【０００４】
しかしながら、特許文献３に記載の原子発振器では、ガスセルの外表面上に前述したよ
うな透明電極材料を成膜するに際し、その膜厚の制御が難しいと言う問題があった。その
ため、膜状の発熱体の厚さにバラツキが生じやすく、その結果、ガスセル内を安定して加
熱することができない場合があった。
また、透明電極材料で構成された発熱体に対してボンディングワイヤーにより配線を形
成しなければならず、製造工程が複雑化したり、実装性が悪くなったりすると言う問題が
あった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２８４７７２号公報
【特許文献２】米国特許第６８０６７８４号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００６／００２２７６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、小型化を図りつつ、容易に製造することができる加熱装置、ガスセル
ユニットおよび原子発振器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明の加熱装置は、ガス状のアルカリ金属原子を封入したガスセルを加熱する加熱装
置であって、
基板と、
前記基板上に設けられ、通電により発熱する発熱体とを有することを特徴とする。
これにより、小型な加熱装置を実現することができる。また、このような加熱装置は、
基板上に発熱体を実装すると言う比較的簡単な方法により製造することができる。
【０００８】
［適用例２］
本発明の加熱装置では、前記基板は、プリント配線基板であることが好ましい。
プリント配線基板は、各種電子部品を容易に実装することができる。また、プリント配
線基板は、入手が容易であり、そして、安価である。
［適用例３］
本発明の加熱装置では、前記発熱体は、前記基板上に実装された抵抗器であることが好
ましい。
抵抗器は、通電により発熱する。したがって、抵抗器を発熱体として用いることができ
る。また、抵抗器は、プリント配線基板上に容易に実装することができる。また、抵抗器
は、入手が容易であり、そして、安価である。
【０００９】
［適用例４］
本発明の加熱装置では、前記基板には、磁界を発生させるコイルが設けられていること
が好ましい。
これにより、ガスセル中のアルカリ金属に磁界を印加することにより、アルカリ金属の
縮退していた異なるエネルギー状態間のギャップを拡げて、分解能を向上させることがで
きる。その結果、原子発振器の発振周波数の精度を高めることができる。また、このよう
なコイルは、加熱装置の小型化を図りつつ、基板に簡単に設けることができる。
【００１０】
［適用例５］
本発明の加熱装置では、前記コイルは、前記基板に設けられた配線パターンで構成され
ていることが好ましい。
これにより、加熱装置の小型化を図りつつ、コイルを基板に簡単に設けることができる
。
【００１１】
［適用例６］
本発明の加熱装置では、前記基板は、複数の層を有する多層基板であり、
前記コイルは、前記基板内に設けられた複数層の配線パターンで構成されていることが
好ましい。
これにより、コイルの巻数を簡単に増やすことができる。
【００１２】
［適用例７］
本発明の加熱装置では、前記配線パターンは、スパイラル状をなしていることが好まし
い。
これにより、コイルの巻数を簡単に増やすことができる。
［適用例８］
本発明の加熱装置では、前記基板は、前記ガスセル中の前記アルカリ金属原子を励起す
る励起光に対する光透過性を有する窓部を有することが好ましい。
これにより、ガスセルの光が入射または出射する部位近傍を効率的に加熱することがで
きる。
【００１３】
［適用例９］
本発明の加熱装置では、前記窓部は、前記基板に形成された貫通孔であることが好まし
い。
これにより、基板に窓部を簡単に形成することができる。
［適用例１０］
本発明の加熱装置では、前記基板上には、前記貫通孔を覆い、前記励起光に対する光透
過性を有する透明基板が設けられていることが好ましい。
これにより、ガスセルに対する励起光の入射および出射を許容しつつ、発熱体の熱を透
明基板を介してガスセルの光が入射または出射する部位に効率的に伝達させることができ
る。
【００１４】
［適用例１１］
本発明の加熱装置では、前記基板には、前記基板の温度を検知する温度センサが設けら
れ、該温度センサの検知結果に基づいて、前記発熱体への通電が制御されることが好まし
い。
これにより、ガスセル内のアルカリ金属原子を所望の温度に維持することができる。ま
た、このような温度センサは、基板上に簡単に実装することができる。
【００１５】
［適用例１２］
本発明のガスセルユニットは、本発明の加熱装置と、
前記加熱装置により加熱され、ガス状のアルカリ金属原子を封入したガスセルとを備え
ることを特徴とする。
これにより、小型化で、かつ、製造が容易なガスセルユニットを提供することができる
。
【００１６】
［適用例１３］
本発明の原子発振器は、本発明の加熱装置と、
前記加熱装置により加熱され、ガス状のアルカリ金属原子を封入したガスセルと、
前記ガスセル中の前記アルカリ金属原子を励起する励起光を出射する光出射部と、
前記ガスセルを透過した前記励起光の強度を検出する光検出部とを備えることを特徴と
する。
これにより、小型化で、かつ、製造が容易な原子発振器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る原子発振器の概略構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示す原子発振器に備えられたガスセル内のアルカリ金属のエネルギー状態を説明するための図である。
【図３】図１に示す原子発振器に備えられた光出射部および光検出部について、光出射部からの２つの光の周波数差と、光検出部の検出強度との関係を示すグラフである。
【図４】図１に示す原子発振器に備えられたガスセルユニットの概略構成を示す斜視図である。
【図５】図４に示すガスセルユニットを示す断面図である。
【図６】図４、５に示すガスセルユニットに備えられた加熱装置のガスセル側の構成を示す図である。
【図７】図４、５に示すガスセルユニットに備えられた加熱装置のガスセルとは反対側の構成を示す図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係るガスセルユニットを示す断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係るガスセルユニットを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の加熱装置、ガスセルユニットおよび原子発振器を添付図面に示す実施形
態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る原子発振器の概略構成を示すブロック図、図２は
、図１に示す原子発振器に備えられたガスセル内のアルカリ金属のエネルギー状態を説明
するための図、図３は、図１に示す原子発振器に備えられた光出射部および光検出部につ
いて、光出射部からの２つの光の周波数差と、光検出部の検出強度との関係を示すグラフ
、図４は、図１に示す原子発振器に備えられたガスセルユニットの概略構成を示す斜視図
、図５は、図４に示すガスセルユニットを示す断面図、図６は、図４、５に示すガスセル
ユニットに備えられた加熱装置のガスセル側の構成を示す図、図７は、図４、５に示すガ
スセルユニットに備えられた加熱装置のガスセルとは反対側の構成を示す図である。なお
、説明の便宜上、図１については、後述する絶縁層２３６の図示を省略し、図７について
は、後述する絶縁層２２６の図示を省略している。
【００１９】
（原子発振器）
まず、原子発振器の全体構成を簡単に説明する。なお、以下では、量子干渉効果を利用
した原子発振器に本発明を適用した場合を一例として説明するが、本発明は、これに限定
されるものでななく、二重共鳴効果を利用した原子発振器にも適用可能である。
図１に示す原子発振器１は、ガス状のアルカリ金属を封入したガスセル２１および加熱
装置２２、２３を備えるガスセルユニット２と、光出射部３と、光検出部４と、制御部５
とを有している。
【００２０】
ガスセル２１の内部には、ガス状のルビジウム、セシウム、ナトリウム等のアルカリ金
属が封入されている。なお、ガスセルユニット２については、後に詳述する。
アルカリ金属は、図２に示すように、３準位系のエネルギー準位を有しており、エネル
ギー準位の異なる２つの基底状態（基底状態１、２）と、励起状態との３つの状態をとり
得る。ここで、基底状態１は、基底状態２よりも低いエネルギー状態である。
【００２１】
このようなガス状のアルカリ金属に対して  周波数の異なる２種の共鳴光１、２を前述
したようなガス状のアルカリ金属に照射すると、共鳴光１の周波数ω１と共鳴光２の周波
数ω２との差（ω１−ω２）に応じて、共鳴光１、２のアルカリ金属における光吸収率（
光透過率）が変化する。
そして、共鳴光１の周波数ω１と共鳴光２の周波数ω２との差（ω１−ω２）が基底状
態１と基底状態２とのエネルギー差に一致したとき、基底状態１、２から励起状態への励
起がそれぞれ停止する。このとき、共鳴光１、２は、いずれも、アルカリ金属に吸収され
ずに透過する。このような現象をＣＰＴ現象または電磁誘起透明化現象（ＥＩＴ：Electr
omagnetically Induced Transparency）と呼ぶ。
【００２２】
光出射部３は、ガスセル２１中のアルカリ金属原子を励起する励起光を出射するもので
ある。
より具体的には、光出射部３は、周波数の異なる２種の光（共鳴光１および共鳴光２）
を出射するものである。
共鳴光１の周波数ω１は、ガスセル２１中のアルカリ金属を前述した基底状態１から励
起状態に励起し得るものである。
【００２３】
また、共鳴光２の周波数ω２は、ガスセル２１中のアルカリ金属を前述した基底状態２
から励起状態に励起し得るものである。
光検出部４は、ガスセル２１を透過した共鳴光１、２の強度を検出するものである。
例えば、前述した光出射部３が共鳴光１の周波数ω１を固定し、共鳴光２の周波数ω２
を変化させていくと、共鳴光１の周波数ω１と共鳴光２の周波数ω２との差（ω１−ω２
）が基底状態１と基底状態２とのエネルギー差に相当する周波数ω０に一致したとき、光
検出部４の検出強度は、図３に示すように、急峻に上昇する。このような急峻な信号をＥ
ＩＴ信号として検出する。このＥＩＴ信号は、アルカリ金属の種類によって決まった固有
値をもっている。したがって、このようなＥＩＴ信号を用いることにより、発振器を構成
することができる。
【００２４】
制御部５は、加熱装置２２、２３および光出射部３を制御する機能を有する。
このような制御部５は、光出射部３の共鳴光１、２の周波数を制御する周波数制御回路
５１と、ガスセル２１中のアルカリ金属の温度を制御する温度制御回路５２と、ガスセル
２１に印加する磁界を制御する磁界用電源回路５３とを有する。
周波数制御回路５１は、前述した光検出部４の検出結果に基づいて、光出射部３から出
射される共鳴光１、２の周波数を制御する。より具体的には、周波数制御回路５１は、前
述した光検出部４によって検出された（ω１−ω２）が前述したアルカリ金属固有の周波
数ω０となるように、光出射部３から出射される共鳴光１、２の周波数を制御する。
【００２５】
また、温度制御回路５２は、後述する加熱装置２２、２３のセンサ部２２３、２３３の
検出結果に基づいて、後述する加熱装置２２、２３の発熱部２２２、２３２への通電を制
御する。
また、磁界用電源回路５３は、ガスセル２１中のアルカリ金属に印加される磁界が一定
となるように、後述する加熱装置２２、２３のコイル部２２５、２３５への通電を制御す
る。
【００２６】
（ガスセルユニット）
ここで、ガスセルユニット２について詳述する。
ガスセルユニット２は、ガスセル２１と、ガスセル２１を挟持するように設けられた１
対の加熱装置２２、２３とを有している。本実施形態では、ガスセルユニット２は、図５
に示すように、ガスセル２１を中心として、励起光の入射側と出射側とで対称となるよう
に構成されている。
【００２７】
［ガスセル］
ガスセル２１は、１対の板状部２１１、２１２と、これらの間に設けられたスペーサ２
１３とを有している。
板状部２１１、２１２は、それぞれ、前述した光出射部３からの励起光に対する透過性
を有している。
【００２８】
本実施形態では、板状部２１１、２１２は、それぞれ、円板状をなしている。なお、板
状部２１１、２１２の形状は、前述したものに限定されず、例えば、四角板状をなしてい
てもよい。
このような板状部２１１、２１２を構成する材料は、前述したような励起光に対する透
過性を有していれば、特に限定されないが、ガラス材料、水晶等が挙げられる。
また、スペーサ２１３は、前述した１対の板状部２１１、２１２間に空間Ｓを形成する
ものである。
【００２９】
本実施形態では、スペーサ２１３は、円筒状をなしている。また、スペーサ２１３の直
径は、前述した板状部２１１、２１２の直径と等しくなっている。なお、スペーサ２１３
の形状は、前述したものに限定されず、例えば、横断面が四角筒状をなしていてもよい。
また、スペーサ２１３は、各板状部２１１、２１２に対して気密的に接合されている。
これにより、１対の板状部２１１、２１２間の空間Ｓを気密空間とすることができる。
このようなスペーサ２１３を構成する材料は、特に限定されず、金属材料、樹脂材料等
であってもよく、板状部２１１、２１２と同様にガラス材料、水晶等であってもよい。
【００３０】
［加熱装置］
加熱装置２２、２３は、それぞれ、前述したガスセル２１（より具体的にはガスセル２
１中のアルカリ金属）を加熱する機能を有する。これにより、ガスセル２１中のアルカリ
金属をガス状に維持することができる。
また、本実施形態では、加熱装置２２、２３は、それぞれ、前述したガスセル２１（よ
り具体的にはガスセル２１中のアルカリ金属）に磁界を印加する機能をも有する。これに
より、ガスセル２１中のアルカリ金属のエネルギー準位間（特に、前述した基底状態１や
基底状態２の縮退）のエネルギーギャップを拡げることができる。
【００３１】
本実施形態では、加熱装置２２、２３は、ガスセル２１を挟むように設けられ、ガスセ
ル２１を介して対称となるように配置されている。
このような加熱装置２２は、基板２２１と、基板２２１の一方の面（図５にて右側の面
）上に設けられた発熱部２２２、センサ部２２３および透明基板２２４と、基板２２１の
他方の面（図５にて左側の面）上に設けられたコイル部２２５と、コイル部２２５を覆う
絶縁層２２６とを有している。
【００３２】
このような加熱装置２２は、小型なものとなり、また、基板２２１上に発熱体を実装す
ると言う比較的簡単な方法により製造することができる。
同様に、加熱装置２３は、基板２３１と、基板２３１の一方の面（図５にて左側の面）
上に設けられた発熱部２３２、センサ部２３３および透明基板２３４と、基板２３１の他
方の面（図５にて右側の面）上に設けられたコイル部２３５と、コイル部２３５を覆う絶
縁層２３６とを有している。
このような加熱装置２３も、小型なものとなり、また、基板２３１上に発熱体を実装す
ると言う比較的簡単な方法により製造することができる。
【００３３】
以下、加熱装置２２の各部を詳細に説明する。なお、加熱装置２３の構成については、
加熱装置２２の構成と同様であるため、その説明を省略する。
基板２２１は、樹脂材料、ガラス材料、金属材料等のうち１種または２種以上を組み合
わせて構成されている。
特に、基板２２１は、プリント配線基板であるのが好ましい。プリント配線基板は、各
種電子部品を容易に実装することができる。また、プリント配線基板は、入手が容易であ
り、そして、安価である。
【００３４】
かかるプリント基板としては、特に限定されず、リジット基板、フレキシブル基板のい
ずれであってもよいが、紙繊維、ガラス繊維等の繊維基材に、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂等の樹脂材料（特に硬化性樹脂）を含浸してなるリジット基板を用いるのが好ましい
。このようなリジット基板は、一般に、耐熱性に優れている。したがって、このようなリ
ジット基板を用いた基板２２１は、耐久性に優れたものとなる。また、リジット基板は一
般に剛性が比較的高く変形しづらいため、加熱装置２２の不本意な変形を防止し、その結
果、ガスセル２１を安定的に加熱することができる。
【００３５】
また、かかるプリント配線基板は、単層であってもよいし、多層であってもよい。
このような基板２２１には、その中央部に、厚さ方向に貫通する貫通孔２２１１が形成
されている。
この貫通孔２２１１は、前述した光出射部３からの励起光に対する光透過性を有する窓
部を構成する。また、この貫通孔２２１１は、ガスセル２１に入射する励起光が透過する
ものである。これにより、基板２２１がガスセル２１の板状部２１１に対面する場合であ
っても、励起光に対する光透過性を有する材料で基板２２１を構成する必要がないため、
前述したようなプリント配線基板を用いて基板２２１を構成することができる。
【００３６】
このような窓部（貫通孔２２１１）を基板２２１に設けることにより、ガスセル２１の
板状部２１１に基板２２１を対面させても、光出射部３からガスセル２１に励起光を照射
することができる。そのため、ガスセル２１の光が入射する部位近傍を効率的に加熱する
ことができる。
なお、加熱装置２３の基板２３１にも、その中央部に、厚さ方向に貫通する貫通孔２３
１１が形成され、この貫通孔２３１１は、前述した光出射部３からの励起光に対する光透
過性を有する窓部を構成するが、この貫通孔２３１１は、ガスセル２１から出射（ガスセ
ル２１を透過）した励起光が透過するものである。
【００３７】
また、このような窓部を貫通孔２２１１で構成することにより、基板２２１に窓部を簡
単に形成することができる。
また、基板２２１上（より具体的には、基板２２１のガスセル２１側の面上）には、貫
通孔２２１１を覆い、光出射部３からの励起光に対する光透過性を有する透明基板２２４
が設けられている。これにより、ガスセル２１に対する励起光の入射を許容しつつ、発熱
部２２２の熱を透明基板２２４を介してガスセル２１の光が入射する部位に効率的に伝達
させることができる。
【００３８】
この透明基板２２４は、ガスセル２１の板状部２１１に密着している。これにより、ガ
スセル２１の板状部２１１を均一に加熱することができる。
また、透明基板２２４のガスセル２１側の面には、ガスセル２１との密着性を向上させ
る処理が施されているのが好ましい。このような処理としては、例えば、平滑化処理、シ
リコーンオイル、フッ素系オイル等の耐光性および耐熱性に優れた液体を塗布する処理等
が挙げられる。
【００３９】
また、本実施形態では、透明基板２２４が平面視にて四角形（より具体的には長方形）
をなしている。なお、透明基板２２４の平面視形状は、四角形に限定されず、例えば、円
形であってもよい。
また、透明基板２２４は、その中心が前述した貫通孔２２１１の中心と一致するように
配置されている。これにより、発熱部２２２からの熱をガスセル２１に均一に伝達するこ
とができる。
【００４０】
このような透明基板２２４の構成材料としては、前述したような光透過性を有するとと
もに発熱部２２２からの熱に対する耐熱性を有するものであれば、特に限定されないが、
ガラス材料、水晶等が挙げられる。
また、透明基板２２４の厚さは、ガスセル２１の板状部２１１の厚さや発熱部２２２の
発熱量等によって異なり、特に限定されないが、発熱部２２２からの熱をガスセル２１の
板状部２１１に均一化して伝達し得るように、ある程度厚いことが好ましい。
【００４１】
このような透明基板２２４の周囲には、発熱部２２２が設けられている。
発熱部２２２は、基板２２１のガスセル２１側の面上に設けられている。これにより、
発熱部２２２の熱をガスセル２１に効率的に伝達することができる。
このような発熱部２２２は、４つの発熱体２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ、２２２ｄで
構成されている。
【００４２】
この４つの発熱体２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ、２２２ｄは、平面視したときに、前
述した基板２２１の貫通孔２２１１に対して対称となるように配置されている。具体的に
は、４つの発熱体２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ、２２２ｄは、前述した基板２２１の４
つの角部に対応して配置されている。これにより、発熱体２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ
、２２２ｄからの熱を均一にガスセル２１に伝達することができる。
【００４３】
本実施形態では、発熱体２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ、２２２ｄは、それぞれ、基板
２２１上に実装（より具体的には、表面実装）された抵抗器（チップ部品）である。抵抗
器は、通電により発熱する。したがって、抵抗器を発熱体として用いることができる。ま
た、抵抗器は、プリント配線基板上に容易に実装することができる。また、抵抗器は、入
手が容易であり、そして、安価である。
【００４４】
より具体的に説明すると、図６に示すように、発熱体２２２ａは、基板２２１上に設け
られた１対の端子２２９１ａ、２２９２ａに電気的に接続されている。ここで、発熱体２
２２ａと１対の端子２２９１ａ、２２９２ａとは、導電性接着剤、半田等を介して接合さ
れている。
同様に、発熱体２２２ｂは、基板２２１上に設けられた１対の端子２２９１ｂ、２２９
２ｂに電気的に接続されている。また、発熱体２２２ｃは、基板２２１上に設けられた１
対の端子２２９１ｃ、２２９２ｃに電気的に接続されている。また、発熱体２２２ｄは、
基板２２１上に設けられた１対の端子２２９１ｄ、２２９２ｄに電気的に接続されている
。
【００４５】
このような端子２２９１ａ、２２９１ｂは、基板２２１上に設けられた電極２２７ａに
配線を介して電気的に接続され、また、端子２２９２ａ、２２９２ｂは、基板２２１上に
設けられた電極２２７ｂに配線を介して電気的に接続されている。これにより、１対の電
極２２７ａ、２２７ｂ間に電圧を印加することにより、発熱体２２２ａ、２２２ｂをそれ
ぞれ発熱させることができる。
【００４６】
同様に、端子２２９１ｃ、２２９１ｄは、基板２２１上に設けられた電極２２７ｅに配
線を介して電気的に接続され、また、端子２２９２ｃ、２２９２ｄは、基板２２１上に設
けられた電極２２７ｆに配線を介して電気的に接続されている。これにより、１対の電極
２２７ｅ、２２７ｆ間に電圧を印加することにより、発熱体２２２ｃ、２２２ｄをそれぞ
れ発熱させることができる。
【００４７】
このような電極２２７ａ、２２７ｂ、２２７ｅ、２２７ｆは、図示しない配線を介して
、前述した温度制御回路５２に電気的に接続されている。
このようなことから、本実施形態では、発熱体２２２ａ、２２２ｂと発熱体２２２ｃ、
２２２ｄとを別々の通電により発熱させることができる。
なお、発熱体２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ、２２２ｄは、前述したようなチップ部品
に限定されず、例えば、基板２２１上に設けられた配線パターンで構成することもできる
。その場合、発熱体を構成する配線パターンは、特に限定されないが、例えば、インジウ
ムティンオキサイド（ＩＴＯ）、カーボン系材料、チタン酸バリウム系セラミック（Ｂａ
ＴｉＯ３）、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金、Ｎｉ−Ｃｒ系合金等が挙げられる。
【００４８】
中でも、発熱体を構成する配線パターン（抵抗パターン）の構成材料としては、Ｆｅ−
Ｃｒ−Ａｌ系合金が好ましい。これにより、発熱体を構成する配線パターンをその発熱に
必要な電気抵抗とすることができる。また、発熱体を構成する配線パターンをＦｅ−Ｃｒ
−Ａｌ系合金を主材料として構成すると、かかる配線パターンを熱処理するだけで、その
外表面に絶縁層を比較的簡単に形成することができる。
また、発熱体を構成する配線パターンの構成材料として、ＩＴＯ、カーボン系材料、Ｂ
ａＴｉＯ３等、自己温度調節機能（ＰＴＣ）を有する材料を用いると、例えばサーモスタ
ット等の温度制御装置等を介することなく温度調節が可能である。また、温度制御装置を
省略することができ、よって、加熱装置の小型化、省電力化を図ることが可能になる。
【００４９】
また、自己温度調節機能を有する材料は、電圧を印加すると、ジュール熱により、当該
材料自体の温度が上昇するが、一旦所定温度に到達すると電気抵抗が急激に高くなり、す
なわち、電流が抑えられ、前記所定温度を維持することができる。このように、自己温度
調節機能を有する材料は、所定温度以上に発熱することが防止され、安全性にも優れてい
る。
【００５０】
このような発熱部２２２の発熱量は、センサ部２２３の検出結果に基づいて制御される
。
センサ部２２３は、２つの温度センサ２２３ａ、２２３ｂで構成されている。
温度センサ２２３ａは、発熱体２２２ａと発熱体２２２ｂとの間に設けられ、また、温
度センサ２２３ｂは、発熱体２２２ｃと発熱体２２２ｄとの間に設けられている。
このような温度センサ２２３ａ、２２３ｂは、それぞれ、基板２２１の温度を検知する
機能を有する。このような温度センサ２２３ａ、２２３ｂの検知結果に基づいて、発熱体
２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ、２２２ｄへの通電が制御される。これにより、ガスセル
２１内のアルカリ金属原子を所望の温度に維持することができる。
【００５１】
温度センサ２２３ａ、２２３ｂとしては、それぞれ、特に限定されず、サーミスタ、熱
電対等の公知の各種温度センサを用いることができる。このような温度センサは、基板２
２１上に簡単に実装することができる。なお、温度センサは、基板２２１上に設けなくて
もよい。
このような端子２２９３ａは、基板２２１上に設けられた電極２２７ｃに配線を介して
電気的に接続され、また、端子２２９４ａは、基板２２１上に設けられた電極２２７ｄに
配線を介して電気的に接続されている。これにより、１対の電極２２７ｃ、２２７ｃを介
して温度センサ２２３ａによる温度検知を行うことができる。
【００５２】
同様に、温度センサ２２３ｂは、基板２２１上に設けられた１対の端子２２９３ｂ、２
２９４ｂに電気的に接続されている。
より具体的に説明すると、図６に示すように、温度センサ２２３ａは、基板２２１上に
設けられた１対の端子２２９３ａ、２２９４ａに電気的に接続されている。ここで、温度
センサ２２３ａと１対の端子２２９３ａ、２２９４ａとは、導電性接着剤、半田等を介し
て接合されている。
【００５３】
同様に、端子２２９３ｂは、基板２２１上に設けられた電極２２７ｇに配線を介して電
気的に接続され、また、端子２２９４ｂは、基板２２１上に設けられた電極２２７ｈに配
線を介して電気的に接続されている。これにより、１対の電極２２７ｇ、２２７ｈを介し
て温度センサ２２３ｂによる温度検知を行うことができる。
このような電極２２７ｃ、２２７ｄ、２２７ｇ、２２７ｈは、図示しない配線を介して
、前述した温度制御回路５２に電気的に接続されている。
【００５４】
そして、温度制御回路５２は、温度センサ２２３ａの検知結果に基づいて、前述した発
熱体２２２ａ、２２２ｂへの通電量を制御する。また、温度制御回路５２は、温度センサ
２２３ｂの検知結果に基づいて、前述した発熱体２２２ｃ、２２２ｄへの通電量を制御す
る。
このように２つの温度センサ２２３ａ、２２３ｂを用いて、発熱体２２２ａ、２２２ｂ
、２２２ｃ、２２２ｄへの通電量を制御することにより、より高精度な温度制御が可能と
なる。また、ガスセル２１内の温度のバラツキを防止することができる。
【００５５】
一方、図７に示すように、基板２２１のガスセル２１とは反対の面側には、貫通孔２２
１１を囲むようにコイル部２２５が設けられている。
このコイル部２２５は、基板２２１上に設けられたコイルで構成されている。
このようなコイル部２２５は、通電により、磁界を発生させる。これにより、ガスセル
２１中のアルカリ金属に磁界を印加することにより、アルカリ金属の縮退している異なる
エネルギー状態間のギャップを拡げて、分解能を向上させることができる。その結果、原
子発振器１の発振周波数の精度を高めることができる。また、このようなコイル部２２５
を構成するコイルは、加熱装置２２の小型化を図りつつ、基板２２１に簡単に設けること
ができる。
【００５６】
また、コイル部２２５を構成するコイルは、基板２２１に設けられた配線パターンで構
成されている。これにより、加熱装置２２の小型化を図りつつ、コイル部２２５を構成す
るコイルを基板２２１に簡単に設けることができる。
また、かかる配線パターンは、スパイラル状をなしている。これにより、コイル部２２
５を構成するコイルの巻数を簡単に増やすことができる。その結果、コイル部２２５から
効率的に磁界を発生させることができる。
【００５７】
本実施形態では、加熱装置２２のコイル部２２５と加熱装置２３のコイル部２３５とが
、ガスセル２１を介して対向するように配置されている。これにより、ガスセルユニット
２では、これらのコイル部２２５、２３５がヘルムホルツ型のコイルを構成する。
また、このようなコイル部２２５は、通電により発熱する機能をも有する。すなわち、
コイル部２２５は、通電により発熱する発熱体としての機能をも有する。
【００５８】
また、コイル部２２５を構成するコイルの一端は、配線を介して、基板２２１上に設け
られた電極２２８ａに電気的に接続され、また、コイル部２２５を構成するコイルの他端
は、配線を介して、基板２２１上に設けられた電極２２８ｂに電気的に接続されている。
このような１対の電極２２８ａ、２２８ｂは、図示しない配線を介して、前述した、磁
界用電源回路５３に電気的に接続されている。これにより、コイル部２２５を構成するコ
イルに通電を行うことができる。
【００５９】
このようなコイル部２２５を構成するコイルの構成材料としては、導電性を有し、基板
２２１上にパターンニングできるものであれば、特に限定されないが、例えば、銀、銅、
パラジウム、白金、金、または、これらの合金等が挙げられ、これらのうち１種または２
種以上を組み合わせて用いることができる。
このようなコイル部２２５は、絶縁層２２６により覆われている。これにより、コイル
部２２５を構成するコイルの各部が不本意に短絡するのを防止することができる。また、
加熱装置２２の安全性を高めることができる。
【００６０】
絶縁層２２６の構成材料としては、絶縁性を有し、基板２２１上に成膜することができ
るものであれば、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂
材料を用いることができる。
以上説明したような加熱装置２２によれば、小型化を図りつつ、容易に製造することが
できる。
また、このような加熱装置２２を備えるガスセルユニット２によれば、小型化で、かつ
、製造が容易なものとなる。
また、このようなガスセルユニット２を備える原子発振器１によれば、小型化で、かつ
、製造が容易なものとなる。
【００６１】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図８は、本発明の第２実施形態に係るガスセルユニットを示す断面図である。
本実施形態にかかるガスセルユニットは、コイルの構成が異なる以外は、前述した第１
実施形態にかかるガスセルユニットと同様である。
【００６２】
なお、以下の説明では、第２実施形態のガスセルユニットに関し、第１実施形態との相
違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図８において、
前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
図８に示すガスセルユニット２Ａは、ガスセル２１と、ガスセル２１を挟持するように
設けられた１対の加熱装置２２Ａ、２３Ａとを有している。
【００６３】
本実施形態では、ガスセルユニット２Ａは、図８に示すように、ガスセル２１を中心と
して、励起光の入射側と出射側とで対称となるように構成されている。すなわち、本実施
形態では、加熱装置２２Ａ、２３Ａは、ガスセル２１を挟むように設けられ、ガスセル２
１を介して対称となるように配置されている。
以下、加熱装置２２Ａについて説明する。なお、加熱装置２３Ａの構成については、加
熱装置２２Ａの構成と同様であるため、その説明を省略する。
【００６４】
加熱装置２２Ａは、基板２２１Ａと、基板２２１Ａの一方の面（図８にて右側の面）上
に設けられた発熱部２２２、センサ部２２３および透明基板２２４と、基板２２１Ａ内に
埋設されたコイル部２２５Ａとを有している。
基板２２１Ａは、複数の層２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃ、２２１ｄを有する多層基板
（多層配線プリント基板）である。
【００６５】
より具体的には、基板２２１Ａは、層２２１ａ、絶縁層２２６ａ、層２２１ｂ、絶縁層
２２６ｂ、層２２１ｃ、絶縁層２２６ｃ、層２２１ｄ、絶縁層２２６ｄがこの順で積層さ
れている。
層２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃ、２２１ｄは、それぞれ、例えば、紙繊維、ガラス繊
維等の繊維基材に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の樹脂材料（特に硬化性樹脂）を含
浸してなるものである。
【００６６】
また、絶縁層２２６ａ、２２６ｂ、２２６ｃ、２２６ｄの構成材料としては、それぞれ
、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料を用いるこ
とができる。
そして、層２２１ａと絶縁層２２６ａとの間には、コイル２２５ａが設けられ、層２２
１ｂと絶縁層２２６ｂとの間には、コイル２２５ｂが設けられ、層２２１ｃと絶縁層２２
６ｃとの間には、コイル２２５ｃが設けられ、層２２１ｄと絶縁層２２６ｄとの間には、
コイル２２５ｄが設けられている。
【００６７】
このような基板２２１Ａの中央部には、その厚さ方向に貫通する貫通孔２２１１Ａが形
成されている。そして、この貫通孔２２１１Ａを塞ぐように、透明基板２２４が設けられ
ている。
コイル２２５ａ、２２５ｂ、２２５ｃ、２２５ｄは、それぞれ、基板２２１Ａ内に設け
られた配線パターンで構成されている。
【００６８】
図示しないが、コイル２２５ａとコイル２２５ｂとは、層２２１ｂを貫通する電極を介
して電気的に接続され、コイル２２５ｂとコイル２２５ｃとは、層２２１ｃを貫通する電
極を介して電気的に接続され、コイル２２５ｃとコイル２２５ｄとは、層２２１ｃを貫通
する電極を介して電気的に接続されている。これにより、コイル２２５ａ、２２５ｂ、２
２５ｃ、２２５ｄは、前述した貫通孔２２１１Ａの周囲を巻回するコイルと同様の機能を
発揮することができる。
【００６９】
このようなコイル２２５ａ、２２５ｂ、２２５ｃ、２２５ｄによりコイル部２２５Ａが
構成されている。このようなコイル部２２５Ａは、図示しない配線を介して、磁界用電源
回路５３に電気的に接続され、通電により、磁界を発生させる。これにより、ガスセル２
１中のアルカリ金属に磁界を印加する。
このように、コイル部２２５が基板２２１Ａ内に設けられた複数層の配線パターンで構
成されていることにより、コイル部２２５のコイルの巻数を簡単に増やすことができる。
【００７０】
なお、図８では、各コイル２２５ａ、２２５ｂ、２２５ｃ、２２５ｄは、ループ状に形
成されているが、前述した第１実施形態のコイル部２２５と同様、スパイラル状に巻回さ
れていてもよい。
以上説明したような第２実施形態に係るガスセルユニット２Ａによっても、前述した第
１実施形態のガスセルユニット２と同様の効果を発揮することができる。
【００７１】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図９は、本発明の第３実施形態に係るガスセルユニットを示す断面図である。
本実施形態にかかるガスセルユニットは、コイルの構成が異なる以外は、前述した第１
実施形態にかかるガスセルユニットと同様である。
【００７２】
なお、以下の説明では、第３実施形態のガスセルユニットに関し、第１実施形態との相
違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図９において、
前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
図９に示すガスセルユニット２Ｂは、ガスセル２１と、ガスセル２１を挟持するように
設けられた１対の加熱装置２２Ｂ、２３Ｂと、磁界発生装置２４とを有している。
【００７３】
本実施形態では、ガスセルユニット２Ｂは、図９に示すように、ガスセル２１を中心と
して、励起光の入射側と出射側とで対称となるように構成されている。すなわち、本実施
形態では、加熱装置２２Ｂ、２３Ｂは、ガスセル２１を挟むように設けられ、ガスセル２
１を介して対称となるように配置され、また、磁界発生装置２４は、ガスセル２１のスペ
ーサ２１３の外周面を囲むように設けられている。
【００７４】
以下、加熱装置２２Ｂについて説明する。なお、加熱装置２３Ｂの構成については、加
熱装置２２Ｂの構成と同様であるため、その説明を省略する。
加熱装置２２Ｂは、基板２２１Ｂと、基板２２１Ｂの一方の面（図９にて右側の面）上
に設けられた発熱部２２２、センサ部２２３および透明基板２２４とを有している。
基板２２１Ｂは、樹脂材料、ガラス材料、金属材料等のうち１種または２種以上を組み
合わせて構成されている。また、基板２２１Ｂとしては、紙繊維、ガラス繊維等の繊維基
材に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の樹脂材料（特に硬化性樹脂）を含浸してなる基
板を用いることができる。
【００７５】
このような基板２２１Ｂの中央部には、その厚さ方向に貫通する貫通孔２２１１Ｂが形
成されている。そして、この貫通孔２２１１Ｂを塞ぐように、透明基板２２４が設けられ
ている。
このような１対の加熱装置２２Ｂ、２３Ｂの間には、磁界発生装置２４が設けられてい
る。
【００７６】
この磁界発生装置２４は、基板２４１を有している。
この基板２４１は、複数の層２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃ、２４１ｄ、２４１ｅ、２
４１ｆを有する多層基板（多層配線プリント基板）である。
より具体的には、基板２４１は、層２４１ａ、絶縁層２４３ａ、層２４１ｂ、絶縁層２
４３ｂ、層２４１ｃ、絶縁層２４３ｃ、層２４１ｄ、絶縁層２４３ｄ、層２４１ｅ、絶縁
層２４３ｅ、層２４１ｆ、絶縁層２４３ｆがこの順で積層されている。
【００７７】
層２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃ、２４１ｄ、２４１ｅ、２４１ｆは、それぞれ、例え
ば、紙繊維、ガラス繊維等の繊維基材に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の樹脂材料（
特に硬化性樹脂）を含浸してなるものである。
また、絶縁層２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄ、２４３ｅ、２４３ｆの構成材
料としては、それぞれ、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等
の樹脂材料を用いることができる。
【００７８】
そして、層２４１ａと絶縁層２４３ａとの間には、コイル２４２ａが設けられ、層２４
１ｂと絶縁層２４３ｂとの間には、コイル２４２ｂが設けられ、層２４１ｃと絶縁層２４
３ｃとの間には、コイル２４２ｃが設けられ、層２４１ｄと絶縁層２４３ｄとの間には、
コイル２４２ｄが設けられ、層２４１ｅと絶縁層２４３ｅとの間には、コイル２４２ｅが
設けられ、層２４１ｆと絶縁層２４３ｆとの間には、コイル２４２ｆが設けられている。
このような基板２４１の中央部には、その厚さ方向に貫通する貫通孔２４１１が形成さ
れている。そして、この貫通孔２４１１内にガスセル２１が設けられている。
【００７９】
コイル２４２ａ、２４２ｂ、２４２ｃ、２４２ｄ、２４２ｅ、２４２ｆは、それぞれ、
基板２４１内に設けられた配線パターンで構成されている。
図示しないが、コイル２４２ａとコイル２４２ｂとは、層２４１ｂを貫通する電極を介
して電気的に接続され、コイル２４２ｂとコイル２４２ｃとは、層２４１ｃを貫通する電
極を介して電気的に接続され、コイル２４２ｃとコイル２４２ｄとは、層２４１ｄを貫通
する電極を介して電気的に接続され、コイル２４２ｄとコイル２４２ｅとは、層２４１ｅ
を貫通する電極を介して電気的に接続され、コイル２４２ｅとコイル２４２ｆとは、層２
４１ｆを貫通する電極を介して電気的に接続されている。これにより、コイル２４２ａ、
２４２ｂ、２４２ｃ、２４２ｄ、２４２ｅ、２４２ｆは、前述した貫通孔２４１１の周囲
を巻回するコイルと同様の機能を発揮することができる。
【００８０】
このようなコイル２４２ａ、２４２ｂ、２４２ｃ、２４２ｄ、２４２ｅ、２４２ｆによ
りコイル部２４２が構成されている。特に、コイル部２４２は、ソレノイド型のコイルを
構成する。このようなコイル部２４２は、図示しない配線を介して、磁界用電源回路５３
に電気的に接続され、通電により、磁界を発生させる。これにより、ガスセル２１中のア
ルカリ金属に磁界を印加する。
【００８１】
以上説明したような第３実施形態に係るガスセルユニット２Ｂによっても、前述した第
１実施形態のガスセルユニット２と同様の効果を発揮することができる。
以上、本発明の加熱装置、ガスセルユニットおよび原子発振器について、図示の実施形
態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
また、本発明の加熱装置、ガスセルユニットおよび原子発振器では、各部の構成は、同
様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加す
ることもできる。
【００８２】
また、本発明の加熱装置、ガスセルユニットおよび原子発振器は、前述した各実施形態
の任意の構成同士を組み合わせるようにしてもよい。
例えば、前述した実施形態では、ガスセルユニットに備えられた２つの加熱装置は互い
に同じ構成である場合を説明したが、ガスセルユニットが２つの加熱装置を有する場合、
一方の加熱装置と他方の加熱装置とが異なる構成であってもよい。
【００８３】
また、ガスセル２１の大きさ、用いるアルカリ金属の種類、加熱装置の発熱量等によっ
ては、加熱装置２２、２３のいずれか一方の加熱装置を省略してもよい。また、ガスセル
ユニットが備える加熱装置の数は、３つ以上であってもよい。
また、前述した実施形態では、加熱装置の基板に貫通孔を設け、その貫通孔を覆うよう
に透明基板を設けた場合を説明したが、これに限定されず、例えば、透明基板を省略して
もよい。この場合、ガスセル２１内を均一に加熱するため、省略した透明基板の厚さ分だ
けガスセル２１の板状部２１１、２１２の厚さを厚くするのが好ましい。
【００８４】
また、加熱装置の基板が励起光に対する光透過性を有する材料で構成されている場合に
は、加熱装置の基板に貫通孔を形成しなくてもよい。
また、前述した実施形態では、ガスセル２１の板状部２１１、２１２に対面するように
加熱装置を配置した構成を説明したが、ガスセルの形状や大きさ等によっては、ガスセル
の側面（例えば、前述したガスセル２１のスペーサ２１３の外周面）に対面するように加
熱装置を配置してもよい。
【００８５】
また、前述した実施形態では、加熱装置が４つの発熱体を備える場合を説明したが、加
熱装置の発熱体の数は、これに限定されず、１〜３つであってもよいし、５つ以上であっ
てもよい。また、ガスセルユニット２が複数の加熱装置を備える場合、加熱装置が備える
発熱体の数、大きさ、種類、形状、位置等は、互いに同じであっても異なっていてもよい
。
また、前述した実施形態では、加熱装置の１つの基板上に２つの温度センサを設けた場
合を説明したが、加熱装置の基板上に設ける温度センサの数は１つであってもよいし、３
つ以上であってもよい。
【符号の説明】
【００８６】
１‥‥原子発振器  ２‥‥ガスセルユニット  ２Ａ‥‥ガスセルユニット  ２Ｂ‥‥ガ
スセルユニット  ３‥‥光出射部  ４‥‥光検出部  ５‥‥制御部  ２１‥‥ガスセル  
２２‥‥加熱装置  ２２Ａ‥‥加熱装置  ２２Ｂ‥‥加熱装置  ２３‥‥加熱装置  ２３
Ａ‥‥加熱装置  ２３Ｂ‥‥加熱装置  ２４‥‥磁界発生装置  ５１‥‥周波数制御回路
５２‥‥温度制御回路  ５３‥‥磁界用電源回路  ２１１‥‥板状部  ２１２‥‥板状
部  ２１３‥‥スペーサ  ２２１‥‥基板  ２２１Ａ‥‥基板  ２２１Ｂ‥‥基板  ２２
１ａ‥‥層  ２２１ｂ‥‥層  ２２１ｃ‥‥層  ２２１ｄ‥‥層  ２２２‥‥発熱部  ２
２２ａ‥‥発熱体  ２２２ｂ‥‥発熱体  ２２２ｃ‥‥発熱体  ２２２ｄ‥‥発熱体  ２
２３‥‥センサ部  ２２３ａ‥‥温度センサ  ２２３ｂ‥‥温度センサ  ２２４‥‥透明
基板  ２２５‥‥コイル部  ２２５Ａ‥‥コイル部  ２２５ａ‥‥コイル  ２２５ｂ‥‥
コイル  ２２５ｃ‥‥コイル  ２２５ｄ‥‥コイル  ２２６‥‥絶縁層  ２２６ａ‥‥絶
縁層  ２２６ｂ‥‥絶縁層  ２２６ｃ‥‥絶縁層  ２２６ｄ‥‥絶縁層  ２２７ａ‥‥電
極  ２２７ｂ‥‥電極  ２２７ｃ‥‥電極  ２２７ｄ‥‥電極  ２２７ｅ‥‥電極  ２２
７ｆ‥‥電極  ２２７ｇ‥‥電極  ２２７ｈ‥‥電極  ２２８ａ‥‥電極  ２２８ｂ‥‥
電極  ２３１‥‥基板  ２３２‥‥発熱部  ２３３‥‥センサ部  ２３４‥‥透明基板  
２３５‥‥コイル部  ２３６‥‥絶縁層  ２４１‥‥基板  ２４１ａ‥‥層  ２４１ｂ‥
‥層  ２４１ｃ‥‥層  ２４１ｄ‥‥層  ２４１ｅ‥‥層  ２４１ｆ‥‥層  ２４２‥‥
コイル部  ２４２ａ‥‥コイル  ２４２ｂ‥‥コイル  ２４２ｃ‥‥コイル  ２４２ｄ‥
‥コイル  ２４２ｅ‥‥コイル  ２４２ｆ‥‥コイル  ２４３ａ‥‥絶縁層  ２４３ｂ‥
‥絶縁層  ２４３ｃ‥‥絶縁層  ２４３ｄ‥‥絶縁層  ２４３ｅ‥‥絶縁層  ２４３ｆ‥
‥絶縁層  ２２１１‥‥貫通孔  ２２１１Ａ‥‥貫通孔  ２２１１Ｂ‥‥貫通孔  ２２９
１ａ‥‥端子  ２２９１ｂ‥‥端子  ２２９１ｃ‥‥端子  ２２９１ｄ‥‥端子  ２２９
２ａ‥‥端子  ２２９２ｂ‥‥端子  ２２９２ｃ‥‥端子  ２２９２ｄ‥‥端子  ２２９
３ａ‥‥端子  ２２９３ｂ‥‥端子  ２２９４ａ‥‥端子  ２２９４ｂ‥‥端子  ２３１
１‥‥貫通孔  ２４１１‥‥貫通孔  Ｓ‥‥空間  ω０‥‥周波数  ω１‥‥周波数  ω
２‥‥周波数
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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