(57)【要約】【課題】「混色」の発生を防止すると共に、感度を向上する。【解決手段】各フィルタ層１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂを、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の受光面ＪＳの上方において、垂直方向ｙへ延在させる。そして、遮光部３００を、水平方向ｘに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間であって各フィルタ層１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂの境界部分において、垂直方向ｙへ延在するように形成する。【選択図】図７
2011054911.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の撮像面に設けられており、受光面にて入射光を受光して信号電荷を生成する光電変換部と、
前記撮像面に設けられており、前記入射光が入射し前記受光面へ透過するカラーフィルタと、
前記撮像面に設けられており、前記カラーフィルタを透過した前記入射光の一部を遮光する遮光部と
を具備し、
前記光電変換部は、前記撮像面において複数が第１方向と当該第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに並んでおり、
前記カラーフィルタは、
第１波長帯域において光透過率が高い第１フィルタ層と、
前記第１波長帯域と異なる第２波長帯域において光透過率が高い第２フィルタ層と
を少なくとも含み、前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層とのそれぞれが、前記第１方向に並ぶ複数の光電変換部の受光面の上方において、前記第１方向へ延在すると共に、前記第２方向において互いに隣接して並ぶように設けられており、
前記遮光部は、前記第２方向に並ぶ複数の光電変換部の間であって前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層との境界部分において、前記第１方向へ延在するように形成されている、
固体撮像装置。
【請求項２】
前記遮光部は、前記第１方向に並ぶ複数の光電変換部の間の境界部分において、前記第２方向へ延在する部分を、さらに含むように形成されている、
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記遮光部は、前記第１方向へ延在する部分の幅が、前記第２方向へ延在する部分の幅よりも広くなるように形成されている、
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層は、前記第２方向に並ぶ複数の光電変換部の間の境界部分において、互いに積層する部分を含むように設けられている、
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記遮光部は、前記撮像面にて配置された位置が当該撮像面の中心から離れるに伴って、前記第１方向へ延在する部分の幅が、広くなるように形成されている、
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１フィルタ層および前記第２フィルタ層は、前記撮像面にて配置された位置が当該撮像面の中心から離れるに伴って、当該第１フィルタ層と当該第２フィルタ層とが積層する面が、大きくなるように設けられている、
請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記光電変換部にて生成された信号電荷を読み出して画素信号として信号線へ出力する半導体素子
を含み、
前記半導体素子は、前記基板において前記受光面に対して反対側の面に設けられている、
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記半導体素子は、
前記複数の光電変換部のそれぞれから信号電荷をフローティングディフュージョンへ読み出す複数の転送トランジスタ
を含み、
前記複数の転送トランジスタは、前記第１方向に並ぶ複数の光電変換部から一のフローティングディフュージョンへ前記信号電荷を読み出すように形成されている、
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記第１方向に並ぶ複数の光電変換部において生成された信号電荷が前記一のフローティングディフュージョンにて加算されるように駆動する、
請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第１方向に並ぶ複数の光電変換部において生成された信号電荷による画素信号が、前記信号線において加算されるように駆動する、
請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
半導体基板の撮像面に設けられており、受光面にて入射光を受光して信号電荷を生成する光電変換部と、
前記撮像面に設けられており、前記入射光が入射し前記受光面へ透過するカラーフィルタと、
前記撮像面に設けられており、前記カラーフィルタを透過した前記入射光の一部を遮光する遮光部と
を具備し、
前記光電変換部は、前記撮像面において複数が第１方向と当該第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに並んでおり、
前記カラーフィルタは、
第１波長帯域において光透過率が高い第１フィルタ層と、
前記第１波長帯域と異なる第２波長帯域において光透過率が高い第２フィルタ層と
を少なくとも含み、前記第１フィルタ層が前記第１方向に並ぶ複数の光電変換部の受光面の上方において前記第１方向へ延在すると共に、前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層とが前記第２方向において互いに隣接して並ぶ部分を含むように設けられており、
前記遮光部は、前記第２方向に並ぶ複数の光電変換部の間であって前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層との境界部分に形成されている、
固体撮像装置。
【請求項１２】
前記第１フィルタ層は、前記第１方向と前記第２方向とにおいて前記第２フィルタ層の周辺を囲うように形成されており、
前記遮光部は、前記第１方向および前記第２方向に並ぶ複数の光電変換部の間であって前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層との境界部分に形成されている、
請求項１１に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
半導体基板の撮像面に設けられており、受光面にて入射光を受光して信号電荷を生成する光電変換部と、
前記撮像面に設けられており、前記入射光が入射し前記受光面へ透過するカラーフィルタと、
前記撮像面に設けられており、前記カラーフィルタを透過した前記入射光の一部を遮光する遮光部と
を具備し、
前記光電変換部は、前記撮像面において複数が第１方向と当該第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに並んでおり、
前記カラーフィルタは、
第１波長帯域において光透過率が高い第１フィルタ層と、
前記第１波長帯域と異なる第２波長帯域において光透過率が高い第２フィルタ層と
を少なくとも含み、前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層とのそれぞれが、前記第１方向に並ぶ複数の光電変換部の受光面の上方において、前記第１方向へ延在すると共に、前記第２方向において互いに隣接して並ぶように設けられており、
前記遮光部は、前記第２方向に並ぶ複数の光電変換部の間であって前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層との境界部分において、前記第１方向へ延在するように形成されている、
電子機器。
【請求項１４】
受光面にて入射光を受光して信号電荷を生成する光電変換部を、半導体基板の撮像面に設ける光電変換部形成工程と、
前記入射光が入射して前記受光面へ透過するカラーフィルタを、前記撮像面に設けるカラーフィルタ形成工程と、
前記カラーフィルタを透過した前記入射光の一部を遮光する遮光部を、前記撮像面に設ける遮光部形成工程と
を具備し、
前記光電変換部形成工程では、前記光電変換部が前記撮像面において第１方向と当該第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに並ぶように、前記光電変換部を複数形成し、
前記カラーフィルタ形成工程は、
第１波長帯域において光透過率が高い第１フィルタ層を形成する第１フィルタ層形成ステップと、
前記第１波長帯域と異なる第２波長帯域において光透過率が高い第２フィルタ層を形成する第２フィルタ層形成ステップと
を少なくとも含み、当該第１フィルタ層形成ステップと当該第２フィルタ層形成ステップとにおいては、前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層とのそれぞれが、前記第１方向に並ぶ複数の光電変換部の受光面の上方において、前記第１方向へ延在すると共に、前記第２方向において互いに隣接して並ぶように、前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層とを形成し、
前記遮光部形成工程では、前記第２方向に並ぶ複数の光電変換部の間であって前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層との境界部分において、前記遮光部が前記第１方向へ延在するように、前記遮光部を形成する、
固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどの電子機器は、固体撮像装置を含む。たとえば、固体撮像装置として、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｃｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型イメージセンサ、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）型イメージセンサを含む。
【０００３】
固体撮像装置には、半導体基板の面に複数の画素が配列されている。各画素においては、光電変換部が設けられている。光電変換部は、たとえば、フォトダイオードであり、外付けの光学系を介して入射する光を受光面で受光し光電変換することによって、信号電荷を生成する。
【０００４】
この固体撮像装置においては、たとえば、光電変換部の上方にオンチップレンズが配置されている。そして、この光電変換部とオンチップレンズとの間に、層内レンズを配置することが提案されている。層内レンズは、オンチップレンズを介して入射した光を、効率的に光電変換部へ照射するために、設けられている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００５】
また、カラー画像を撮像する場合においては、カラーフィルタが設けられる。カラーフィルタは、たとえば、ベイヤー配列で３原色のフィルタが配置されている。この他に、画素配列を４５°の角度で傾斜させると共に、赤と青フィルタとを囲うように複数の緑フィルタを配列したクリアビット画素配列が提案されている（たとえば、特許文献２の図５参照）。
【０００６】
固体撮像装置のうち、ＣＭＯＳ型イメージセンサは、光電変換部のほかに、画素トランジスタを含むように、画素が構成されている。画素トランジスタは、光電変換部にて生成された信号電荷を読み出して、信号線へ電気信号として出力するように、複数のトランジスタが構成されている。このため、画素サイズを縮小化するために、複数の光電変換部が、上記の画素トランジスタを共有するように、画素を構成することが提案されている。たとえば、２つ、または、４つの光電変換部で画素トランジスタを共有する技術が提案されている（たとえば、特許文献３〜５参照）。
【０００７】
このように、複数の光電変換部が画素トランジスタを共有する場合には、フローティングディフュージョンにおいて画素信号の加算を行ってデータ出力を実施する「フローティングディフュージョン（ＦＤ）加算」が、駆動動作として実施される場合がある。この他に、垂直信号線（カラム線）において画素信号の加算を行ってデータ出力を実施する「ソースフォロア（ＳＦ）加算」が、駆動動作として実施される場合がある（たとえば、特許文献６参照）。
【０００８】
また、ＣＭＯＳ型イメージセンサにおいては、半導体基板において画素トランジスタや配線が設けられる表面側に対して反対側の裏面側から光を受光する「裏面照射型」が提案されている（たとえば、特許文献７参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００８−１１２９４４号公報
【特許文献２】特開２００６−２１１６３０号公報
【特許文献３】特開２００４−１７２９５０号公報
【特許文献４】特開２００６−１５７９５３号公報
【特許文献５】特開２００６−５４２７６号公報
【特許文献６】特開平０３−２７６６７５号公報
【特許文献７】特開２００３−３１７８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図３２，図３３は、ＣＭＯＳ型イメージセンサ９００の上面図である。
【００１１】
図３２に示すように、ＣＭＯＳ型イメージセンサ９００においては、カラーフィルタ１３０Ｊが設けられる。カラーフィルタ１３０Ｊは、レッドフィルタ層１３０ＲＪとグリーンフィルタ層１３０ＧＪとブルーフィルタ層１３０ＢＪとを含み、それぞれが複数の画素に対応するように配置されている。３原色のフィルタ層１３０ＲＪ，１３０ＧＪ，１３０ＢＪのそれぞれは、たとえば、ベイヤー配列ＢＨで配列されている。
【００１２】
各フィルタ層１３０ＲＪ，１３０ＧＪ，１３０ＢＪの下方には、フォトダイオード（図示なし）が設けられており、入射光は、各フィルタ層１３０ＲＪ，１３０ＧＪ，１３０ＢＪのいずれかを透過後、通常、その直下のフォトダイオードの受光面で受光される。
【００１３】
しかし、入射光が、その受光面に垂直なｚ方向に対して大きく傾斜して入射した場合には、その直下の受光面に入射せずに、本来、他の色の光を受光する他の受光面へ入射する場合がある。たとえば、グリーンフィルタ層１３０ＧＪを透過した光が、その隣のレッドフィルタ層１３０ＲＪやブルーフィルタ１３０ＢＪの受光面へ、入射する場合がある。
【００１４】
この他に、画素の境界付近に入射した光は、オンチップレンズ等の光学部材によって十分に曲げられずに、隣の画素の受光面へ入射してしまう場合がある。たとえば、画素が微細化され、画素サイズを３μｍ以下にする場合には、可視光線の回折によって、この不具合の発生が顕在化する場合がある。
【００１５】
このため、いわゆる「混色」が発生して、撮像したカラー画像において色再現性が低下し、画像品質が低下する場合がある。
【００１６】
特に、撮像領域の周辺部分において、入射光の主光線の角度が大きく傾斜することに起因して、このような不具合の発生が多くなる。この他に、カラーフィルタから受光面までの距離が長い場合においても、これと同様な不具合が生ずる場合がある。
【００１７】
このような不具合の発生を抑制するために、図３３に示すように、各フィルタ層１３０ＲＪ，１３０ＧＪ，１３０ＢＪの境界部分に対応するように、その下方に遮光膜ＳＭを設けることが提案されている。（図３３の点線は、各フィルタ層１３０ＲＪ，１３０ＧＪ，１３０ＢＪの境界）
【００１８】
しかしながら、この場合には、遮光膜ＳＭによって入射光の一部が遮光されて、フォトダイオードの受光面へ入射する光の量が減少することになるので、感度の低下が生じ、画像品質が低下する場合がある。
【００１９】
したがって、本発明は、撮像画像の画像品質を向上可能な、固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の固体撮像装置は、半導体基板の撮像面に設けられており、受光面にて入射光を受光して信号電荷を生成する光電変換部と、前記撮像面に設けられており、前記入射光が入射し前記受光面へ透過するカラーフィルタと、前記撮像面に設けられており、前記カラーフィルタを透過した前記入射光の一部を遮光する遮光部とを具備し、前記光電変換部は、前記撮像面において複数が第１方向と当該第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに並んでおり、前記カラーフィルタは、第１波長帯域において光透過率が高い第１フィルタ層と、前記第１波長帯域と異なる第２波長帯域において光透過率が高い第２フィルタ層とを少なくとも含み、前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層とのそれぞれが、前記第１方向に並ぶ複数の光電変換部の受光面の上方において、前記第１方向へ延在すると共に、前記第２方向において互いに隣接して並ぶように設けられており、前記遮光部は、前記第２方向に並ぶ複数の光電変換部の間であって前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層との境界部分において、前記第１方向へ延在するように形成されている。
【００２１】
本発明の固体撮像装置は、半導体基板の撮像面に設けられており、受光面にて入射光を受光して信号電荷を生成する光電変換部と、前記撮像面に設けられており、前記入射光が入射し前記受光面へ透過するカラーフィルタと、前記撮像面に設けられており、前記カラーフィルタを透過した前記入射光の一部を遮光する遮光部とを具備し、前記光電変換部は、前記撮像面において複数が第１方向と当該第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに並んでおり、前記カラーフィルタは、第１波長帯域において光透過率が高い第１フィルタ層と、前記第１波長帯域と異なる第２波長帯域において光透過率が高い第２フィルタ層とを少なくとも含み、前記第１フィルタ層が前記第１方向に並ぶ複数の光電変換部の受光面の上方において前記第１方向へ延在すると共に、前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層とが前記第２方向において互いに隣接して並ぶ部分を含むように設けられており、前記遮光部は、前記第２方向に並ぶ複数の光電変換部の間であって前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層との境界部分に形成されている。
【００２２】
本発明の電子機器は、半導体基板の撮像面に設けられており、受光面にて入射光を受光して信号電荷を生成する光電変換部と、前記撮像面に設けられており、前記入射光が入射し前記受光面へ透過するカラーフィルタと、前記撮像面に設けられており、前記カラーフィルタを透過した前記入射光の一部を遮光する遮光部とを具備し、前記光電変換部は、前記撮像面において複数が第１方向と当該第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに並んでおり、前記カラーフィルタは、第１波長帯域において光透過率が高い第１フィルタ層と、前記第１波長帯域と異なる第２波長帯域において光透過率が高い第２フィルタ層とを少なくとも含み、前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層とのそれぞれが、前記第１方向に並ぶ複数の光電変換部の受光面の上方において、前記第１方向へ延在すると共に、前記第２方向において互いに隣接して並ぶように設けられており、前記遮光部は、前記第２方向に並ぶ複数の光電変換部の間であって前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層との境界部分において、前記第１方向へ延在するように形成されている。
【００２３】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、受光面にて入射光を受光して信号電荷を生成する光電変換部を、半導体基板の撮像面に設ける光電変換部形成工程と、前記入射光が入射して前記受光面へ透過するカラーフィルタを、前記撮像面に設けるカラーフィルタ形成工程と、前記カラーフィルタを透過した前記入射光の一部を遮光する遮光部を、前記撮像面に設ける遮光部形成工程とを具備し、前記光電変換部形成工程では、前記光電変換部が前記撮像面において第１方向と当該第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに並んぶように、前記光電変換部を複数形成し、前記カラーフィルタ形成工程は、第１波長帯域において光透過率が高い第１フィルタ層を形成する第１フィルタ層形成ステップと、前記第１波長帯域と異なる第２波長帯域において光透過率が高い第２フィルタ層を形成する第２フィルタ層形成ステップとを少なくとも含み、当該第１フィルタ層形成ステップと当該第２フィルタ層形成ステップとにおいては、前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層とのそれぞれが、前記第１方向に並ぶ複数の光電変換部の受光面の上方において、前記第１方向へ延在すると共に、前記第２方向において互いに隣接して並ぶように、前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層とを形成し、前記遮光部形成工程では、前記第２方向に並ぶ複数の光電変換部の間であって前記第１フィルタ層と前記第２フィルタ層との境界部分において、前記遮光部が前記第１方向へ延在するように、前記遮光部を形成する。
【００２４】
本発明においては、第１フィルタ層が第１方向に並ぶ複数の光電変換部の受光面の上方において第１方向へ延在すると共に、第１フィルタ層と第２フィルタ層とが第２方向において互いに隣接して並ぶ部分を含むように設ける。そして、遮光部については、その第２方向に並ぶ複数の光電変換部の間であって第１フィルタ層と第２フィルタ層との境界部分に形成する。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、撮像画像の画像品質を向上可能な、固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本発明にかかる実施形態１において、カメラ４０の構成を示す構成図である。
【図２】図２は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の全体構成を示すブロック図である。
【図３】図３は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の回路構成の要部を示す図である。
【図４】図４は、本発明にかかる実施形態１において、画素Ｐから信号を読み出す際に、各部へ供給するパルス信号を示すタイミングチャートである。
【図５】図５は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の要部を示す図である。
【図６】図６は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の要部を示す図である。
【図７】図７は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の要部を示す図である。
【図８】図８は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の要部を示す図である。
【図９】図９は、本発明にかかる実施形態１において、遮光部３００の部分を拡大して示す断面図である。
【図１０】図１０は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図１４】図１４は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図１５】図１５は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図１６】図１６は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図１７】図１７は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図１８】図１８は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図１９】図１９は、本発明にかかる実施形態５において、固体撮像装置１ｅの要部を示す図である。
【図２０】図２０は、本発明にかかる実施形態５において、固体撮像装置１ｅの要部を示す図である。
【図２１】図２１は、本発明にかかる実施形態６において、固体撮像装置１ｆの要部を示す図である。
【図２２】図２２は、本発明にかかる実施形態７において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図２３】図２３は、本発明にかかる実施形態７において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図２４】図２４は、本発明にかかる実施形態７において、固体撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図２５】図２５は、本発明にかかる実施形態７の変形例において、固体撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図２６】図２６は、本発明にかかる実施形態７の変形例において、固体撮像装置の動作を模式的に示す図である。
【図２７】図２７は、本発明にかかる実施形態７の変形例において、固体撮像装置の動作を模式的に示す図である。
【図２８】図２８は、本発明にかかる実施形態８において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図２９】図２９は、本発明にかかる実施形態８において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図３０】図３０は、本発明にかかる実施形態８において、固体撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図３１】図３１は、本発明にかかる実施形態の変形例において、画素配列を示す図である。
【図３２】図３２は、ＣＭＯＳ型イメージセンサ９００の上面図である。
【図３３】図３３は、ＣＭＯＳ型イメージセンサ９００の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２８】
なお、説明は、下記の順序で行う。
１．実施形態１（各色のフィルタと遮光部がストライプ状（長手方向が垂直方向）の場合）
２．実施形態２（各色のフィルタと遮光部がストライプ状（長手方向が水平方向）の場合）
３．実施形態３（各色のフィルタがストライプ状（長手方向が水平方向）であって、遮光部が格子状の場合）
４．実施形態４（各色のフィルタと遮光部がストライプ状（長手方向が垂直方向）であって、その一部が互いに積層されている場合）
５．実施形態５（遮光部が撮像面の位置に応じて異なる場合）
６．実施形態６（各色のフィルタ層の積層面が撮像面の位置に応じて異なる場合）
７．実施形態７（垂直方向においてＦＤ加算する場合）
８．実施形態８（垂直方向においてＳＦ加算する場合）
９．その他
【００２９】
＜１．実施形態１＞
（Ａ）装置構成
（Ａ−１）カメラの要部構成
図１は、本発明にかかる実施形態１において、カメラ４０の構成を示す構成図である。
【００３０】
図１に示すように、カメラ４０は、固体撮像装置１と、光学系４２と、制御部４３と、信号処理回路４４とを有する。各部について、順次、説明する。
【００３１】
固体撮像装置１は、光学系４２を介して入射する光（被写体像）を撮像面ＰＳから受光して光電変換することによって、信号電荷を生成する。ここでは、固体撮像装置１は、制御部４３から出力される制御信号に基づいて駆動する。具体的には、信号電荷を読み出して、ローデータとして出力する。
【００３２】
本実施形態においては、図１に示すように、固体撮像装置１は、撮像面ＰＳの中心部分においては、光学系４２から出射される主光線Ｈ１が、撮像面ＰＳに対して垂直な角度で入射する。一方で、撮像面ＰＳの周辺部分においては、主光線Ｈ２が、固体撮像装置１の撮像面ＰＳに対して垂直な方向に対して傾斜した角度で入射する。
【００３３】
光学系４２は、結像レンズや絞りなどの光学部材を含み、入射する被写体像による光Ｈを、固体撮像装置１の撮像面ＰＳへ集光するように配置されている。
【００３４】
本実施形態においては、光学系４２は、光軸が固体撮像装置１の撮像面ＰＳの中心に対応するように設けられている。このため、光学系４２は、図１に示すように、固体撮像装置１の撮像面ＰＳの中心部分に対しては、撮像面ＰＳに垂直な角度で主光線Ｈ１を出射する。一方で、撮像面ＰＳの周辺部分に対しては、撮像面ＰＳに垂直な方向に対して傾斜した角度で主光線Ｈ２を出射する。これは、絞りによって形成される射出瞳距離が有限であることに起因する。
【００３５】
制御部４３は、各種の制御信号を固体撮像装置１と信号処理回路４４とに出力し、固体撮像装置１と信号処理回路４４とを制御して駆動させる。
【００３６】
信号処理回路４４は、固体撮像装置１から出力されたローデータについて信号処理を実施することによって、被写体像についてデジタル画像を生成するように構成されている。
【００３７】
（Ａ−２）固体撮像装置の要部構成
固体撮像装置１の全体構成について説明する。
【００３８】
図２は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の全体構成を示すブロック図である。図３は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の回路構成の要部を示す図である。
【００３９】
本実施形態の固体撮像装置１は、ＣＭＯＳ型イメージセンサであり、図２に示すように、基板１０１を含む。この基板１０１は、たとえば、シリコンからなる半導体基板であり、図２に示すように、基板１０１の面においては、撮像領域ＰＡと、周辺領域ＳＡとが設けられている。
【００４０】
撮像領域ＰＡは、図２に示すように、矩形形状であり、複数の画素Ｐが水平方向ｘと垂直方向ｙとのそれぞれに、配置されている。つまり、画素Ｐがマトリクス状に並んでいる。そして、撮像領域ＰＡにおいては、その中心が、図１に示した光学系４２の光軸に対応するように配置されている。
【００４１】
この撮像領域ＰＡは、図１に示した撮像面ＰＳに相当する。このため、上述したように、撮像領域ＰＡにて中心部分に配置された画素Ｐにおいては、撮像領域ＰＡの面に対して垂直な角度で主光線（図１のＨ１）が入射する。一方で、撮像領域ＰＡにて周辺部分に配置された画素Ｐにおいては、撮像領域ＰＡの面に対して垂直な方向に対して傾斜した角度で主光線（図１のＨ２）が入射する。
【００４２】
撮像領域ＰＡにおいて設けられた画素Ｐは、図３に示すように、フォトダイオード２１と、転送トランジスタ２２と、増幅トランジスタ２３と、選択トランジスタ２４と、リセットトランジスタ２５とを含む。つまり、フォトダイオード２１と、このフォトダイオード２１から信号電荷を読み出す動作を実施する画素トランジスタとを含むように、画素Ｐが設けられている。
【００４３】
画素Ｐにおいて、フォトダイオード２１は、被写体像による光を受光し、その受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成し蓄積する。フォトダイオード２１は、図３に示すように、転送トランジスタ２２を介して、増幅トランジスタ２３のゲートに接続されている。そして、フォトダイオード２１においては、増幅トランジスタ２３のゲートに接続されているフローティングディフュージョンＦＤへ、その蓄積した信号電荷が、転送トランジスタ２２によって出力信号として転送される。
【００４４】
画素Ｐにおいて、転送トランジスタ２２は、フォトダイオード２１にて生成された信号電荷を、増幅トランジスタ２３のゲートへ電気信号として出力するように構成されている。具体的には、転送トランジスタ２２は、図３に示すように、フォトダイオード２１とフローティングディフュージョンＦＤとの間において介在するように設けられている。そして、転送トランジスタ２２は、転送線２６からゲートに転送信号が与えられることによって、フォトダイオード２１において蓄積された信号電荷を、フローティングディフュージョンＦＤに出力信号として転送する。
【００４５】
画素Ｐにおいて、増幅トランジスタ２３は、転送トランジスタ２２から出力された電気信号を増幅して出力するように構成されている。具体的には、増幅トランジスタ２３は、図３に示すように、ゲートがフローティングディフュージョンＦＤに接続されている。また、増幅トランジスタ２３は、ドレインが電源電位供給線Ｖｄｄに接続され、ソースが選択トランジスタ２４に接続されている。増幅トランジスタ２３は、選択トランジスタ２４がオン状態になるように選択されたときには、撮像領域ＰＡ以外に設けられている定電流源（図示なし）から定電流が供給されて、ソースフォロアとして動作する。このため、増幅トランジスタ２３では、選択トランジスタ２４に選択信号が供給されることによって、フローティングディフュージョンＦＤから出力された出力信号が増幅される。
【００４６】
画素Ｐにおいて、選択トランジスタ２４は、選択信号が入力された際に、増幅トランジスタ２３によって出力された電気信号を、垂直信号線２７へ出力するように構成されている。具体的には、選択トランジスタ２４は、図３に示すように、選択信号が供給されるアドレス線２８にゲートが接続されている。選択トランジスタ２４は、選択信号が供給された際にはオン状態になり、上記のように増幅トランジスタ２３によって増幅された出力信号を、垂直信号線２７に出力する。
【００４７】
画素Ｐにおいて、リセットトランジスタ２５は、増幅トランジスタ２３のゲート電位をリセットするように構成されている。具体的には、リセットトランジスタ２５は、図３に示すように、リセット信号が供給されるリセット線２９にゲートが接続されている。また、リセットトランジスタ２５は、ドレインが電源電位供給線Ｖｄｄに接続され、ソースがフローティングディフュージョンＦＤに接続されている。そして、リセットトランジスタ２５は、リセット線２９からリセット信号がゲートに供給された際に、フローティングディフュージョンＦＤを介して、増幅トランジスタ２３のゲート電位を、電源電位にリセットする。
【００４８】
周辺領域ＳＡは、図２に示すように、撮像領域ＰＡの周囲に位置している。そして、この周辺領域ＳＡにおいては、周辺回路が設けられている。
【００４９】
具体的には、図２に示すように、垂直駆動回路１３と、カラム回路１４と、水平駆動回路１５と、外部出力回路１７と、タイミングジェネレータ（ＴＧ）１８と、シャッター駆動回路１９とが、周辺回路として設けられている。
【００５０】
垂直駆動回路１３は、図２に示すように、周辺領域ＳＡにおいて、撮像領域ＰＡの側部に設けられており、撮像領域ＰＡの画素Ｐを行単位で選択して駆動させるように構成されている。具体的には、垂直駆動回路１３は、図３に示すように、垂直選択手段２１５を含み、第１の行選択ＡＮＤ端子２１４と第２の行選択用ＡＮＤ端子２１７と第３の行選択用ＡＮＤ端子２１９とが、画素Ｐの行に対応するように、複数、設けられている。
【００５１】
垂直駆動回路１３において、垂直選択手段２１５は、たとえば、シフトレジスタを含み、図３に示すように、第１の行選択ＡＮＤ端子２１４と第２の行選択用ＡＮＤ端子２１７と第３の行選択用ＡＮＤ端子２１９に電気的に接続されている。垂直選択手段２１５は、画素Ｐの各行を、順次、選択して駆動させるように、第１の行選択ＡＮＤ端子２１４と第２の行選択用ＡＮＤ端子２１７と第３の行選択用ＡＮＤ端子２１９とへ制御信号を出力する。
【００５２】
垂直駆動回路１３において、第１の行選択ＡＮＤ端子２１４は、図３に示すように、一方の入力端が、垂直選択手段２１５に接続されている。そして、他方の入力端は、転送信号を供給するパルス端子２１３に接続されている。そして、出力端は、転送線２６に接続されている。
【００５３】
垂直駆動回路１３において、第２の行選択用ＡＮＤ端子２１７は、図３に示すように、一方の入力端が、垂直選択手段２１５に接続されている。そして、他方の入力端は、リセット信号を供給するパルス端子２１６に接続されている。そして、出力端は、リセット線２９に接続されている。
【００５４】
垂直駆動回路１３において、第３の行選択用ＡＮＤ端子２１９は、図３に示すように、一方の入力端が、垂直選択手段２１５に接続されている。そして、他方の入力端は、選択信号を供給するパルス端子２１８に接続されている。そして、出力端は、アドレス線２８に接続されている。
【００５５】
カラム回路１４は、図２に示すように、周辺領域ＳＡにおいて、撮像領域ＰＡの下端部に設けられており、列単位で画素Ｐから出力される信号について信号処理を実施する。カラム回路１４は、図３に示すように、垂直信号線２７に電気的に接続されており、垂直信号線２７を介して出力される信号について信号処理を実施する。ここでは、カラム回路１４は、ＣＤＳ（Ｃｏｒｒｅｌａｔｅｄ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ；相関二重サンプリング）回路（図示なし）を含み、固定パターンノイズを除去する信号処理を実施する。
【００５６】
水平駆動回路１５は、図２に示すように、カラム回路１４に電気的に接続されている。水平駆動回路１５は、たとえば、シフトレジスタを含み、カラム回路１４にて画素Ｐの列ごとに保持されている信号を、順次、外部出力回路１７へ出力させる。
【００５７】
外部出力回路１７は、図２に示すように、カラム回路１４に電気的に接続されており、カラム回路１４から出力された信号について信号処理を実施後、外部へ出力する。外部出力回路１７は、ＡＧＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｇａｉｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路１７ａとＡＤＣ回路１７ｂとを含む。外部出力回路１７においては、ＡＧＣ回路１７ａが信号にゲインをかけた後に、ＡＤＣ回路１７ｂがアナログ信号からデジタル信号へ変換して、外部へ出力する。
【００５８】
タイミングジェネレータ１８は、図２に示すように、垂直駆動回路１３、カラム回路１４、水平駆動回路１５，外部出力回路１７，シャッター駆動回路１９のそれぞれに電気的に接続されている。タイミングジェネレータ１８は、各種のタイミング信号を生成し、垂直駆動回路１３、カラム回路１４、水平駆動回路１５，外部出力回路１７，シャッター駆動回路１９に出力することで、各部について駆動制御を行う。
【００５９】
シャッター駆動回路１９は、画素Ｐを行単位で選択して、画素Ｐにおける露光時間を調整するように構成されている。
【００６０】
上記のほかに、周辺領域ＳＡでは、垂直信号線２７へ定電流を供給するためのトランジスタ２０８が、複数の垂直信号線２７のそれぞれに対応して複数形成されている。このトランジスタ２０８は、ゲートが定電位供給線２１２に接続されており、定電位供給線２１２によって一定の電位がゲートに印加されて、一定の電流を供給するように動作する。このトランジスタ２０８は、選択された画素の増幅トランジスタ２３に定電流を供給して、ソースフォロアとして機能させる。これにより、増幅トランジスタ２３の電位と、ある一定の電圧差をもつ電位が、垂直信号線２７に、現れるようになる。
【００６１】
図４は、本発明にかかる実施形態１において、画素Ｐから信号を読み出す際に、各部へ供給するパルス信号を示すタイミングチャートである。図４においては、（ａ）が選択信号を示し、（ｂ）がリセット信号を示し、（ｃ）が転送信号を示している。
【００６２】
まず、図４に示すように、第１の時点ｔ１において、選択信号をハイレベルにして、選択トランジスタ２４を導通状態にする。そして、第２の時点ｔ２において、リセット信号をハイレベルにして、リセットトランジスタ２５を導通状態にする。これにより、増幅トランジスタ２３のゲート電位をリセットする。
【００６３】
つぎに、第３の時点ｔ３において、リセット信号をローレベルにして、リセットトランジスタ２５を非導通状態にする。そして、この後、リセットレベルに対応した電圧を、カラム回路１４へ読み出す。
【００６４】
つぎに、第４の時点ｔ４において、転送信号をハイレベルにして、転送トランジスタ２２を導通状態にし、フォトダイオード２１において蓄積された信号電荷を増幅トランジスタ２３のゲートへ転送する。
【００６５】
つぎに、第５の時点ｔ５において、転送信号をローレベルにして、転送トランジスタ２２を非導通状態にする。そして、この後、蓄積された信号電荷の量に応じた信号レベルの電圧を、画素信号としてカラム回路１４へ読み出す。
【００６６】
カラム回路１４においては、先に読み出したリセットレベルと、後に読み出した信号レベルとを差分処理を実施する。これにより、画素Ｐごとに設けられた各トランジスタのＶｔｈのバラツキ等によって発生する固定的なパターンノイズが、画素信号においてキャンセルされる。
【００６７】
上記のように画素を駆動する動作は、各トランジスタ２２，２４，２５の各ゲートが、水平方向ｘに並ぶ複数の画素からなる行単位で接続されていることから、その行単位にて並ぶ複数の画素について同時に行われる。具体的には、上述した垂直駆動回路１３によって供給される選択信号によって、水平ライン（画素行）単位で垂直な方向に順次選択される。そして、タイミングジェネレータ１８から出力される各種タイミング信号によって各画素のトランジスタが制御される。これにより、各画素における出力信号が垂直信号線２７を通して画素列毎にカラム回路１４に読み出される。
【００６８】
そして、カラム回路１４にて蓄積された信号が、水平駆動回路１５によって選択されて、外部出力回路１７へ順次出力される。
【００６９】
（Ａ−３）固体撮像装置の詳細構成
本実施形態にかかる固体撮像装置１の詳細内容について説明する。
【００７０】
図５〜図８は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の要部を示す図である。
【００７１】
ここで、図５は、撮像領域ＰＡに設けられた画素Ｐの断面を模式的に示している。また、図６は、撮像領域ＰＡに設けられた画素Ｐの上面を模式的に示している。そして、図７は、カラーフィルタ１３０の上面を示しており、図８は、遮光部３００の上面を示している。
【００７２】
図５に示すように、固体撮像装置１は、「裏面照射型」であって、基板１０１の裏面側から各部を介して入射する光Ｈを受光して撮像を実施するように構成されている。固体撮像装置１は、基板１０１を含む。
【００７３】
固体撮像装置１において、基板１０１は、シリコン半導体基板であって、フォトダイオード２１と、画素トランジスタ５０と、カラーフィルタ１３０と、オンチップレンズ１４０と、遮光部３００とが設けられている。基板１０１は、たとえば、ＣＭＰによって研磨されて、厚さが１〜２０μｍになるように形成されている。
【００７４】
固体撮像装置１においては、図５に示すように、基板１０１の内部にフォトダイオード２１が形成されている。また、基板１０１の表面（図５では下面）側に、画素トランジスタ５０が形成されている。また、基板１０１において、画素トランジスタ５０が形成された面とは反対側の裏面（図５では上面）側に、カラーフィルタ１３０とオンチップレンズ１４０と遮光部３００とが形成されている。
【００７５】
各部の詳細について、順次、説明する。
【００７６】
（Ａ−３−１）フォトダイオードについて
固体撮像装置１において、フォトダイオード２１は、図５，図６に示すように、基板１０１の内部に設けられている。
【００７７】
このフォトダイオード２１は、図２において示した複数の画素Ｐのそれぞれに対応するように、複数が、基板１０１の面において配置されている。つまり、フォトダイオード２１は、撮像面（ｘｙ面）において、複数が水平方向ｘと、この水平方向ｘに対して直交する垂直方向ｙとのそれぞれに等間隔で並ぶように設けられている。
【００７８】
各フォトダイオード２１は、入射光を受光面ＪＳで受光し光電変換することによって信号電荷を生成するように構成されている。具体的には、フォトダイオード２１は、図５に示すように、ｐ＋領域２１ｐとｎ領域２１ｎａとｎ＋領域２１ｎｂとを含み、各領域２１ｐ，２１ｎａ，２１ｎｂが、基板１０１のｐウェル中において、裏面側から表面側へ向かって順次設けられている。
【００７９】
そして、各フォトダイオード２１は、図６に示すように、転送トランジスタ２２が隣接して設けられており、蓄積した信号電荷が、転送トランジスタ２２によって、フローティングディフュージョンＦＤへ転送される。
【００８０】
（Ａ−３−２）画素トランジスタについて
固体撮像装置１において、画素トランジスタ５０は、図５，図６に示すように、基板１０１の表面側（図５では下面）に設けられている。画素トランジスタ５０は、活性化領域が基板１０１に形成されており、ゲート電極が、たとえば、ポリシリコンを用いて形成されている。
【００８１】
図６に示すように、画素トランジスタ５０は、転送トランジスタ２２と増幅トランジスタ２３と選択トランジスタ２４とリセットトランジスタ２５とを含む。転送トランジスタ２２と増幅トランジスタ２３と選択トランジスタ２４とリセットトランジスタ２５との各部は、図３で示した回路を構成しており、フォトダイオード２１から信号電荷を読み出して画素信号として垂直信号線２７へ出力するように駆動する。
【００８２】
基板１０１において画素トランジスタ５０が形成された裏面側には、図５に示すように、配線部１１０が設けられている。配線部１１０は、図５に示すように、絶縁層１１０ｚと配線１１０ｈとを含む。
【００８３】
配線部１１０において、絶縁層１１０ｚは、基板１０１の裏面を被覆するように形成されている。絶縁層１１０ｚは、光を透過する光透過性材料で形成されている。たとえば、絶縁層１１０ｚは、シリコン酸化膜で形成されている。そして、配線１１０ｈは、絶縁層１１０ｚ内において、アルミニウムなどの金属材料によって複数が形成されている。各配線１１０ｈは、図３にて示した、転送線２６，アドレス線２８，垂直信号線２７，リセット線２９などの配線として機能するように、各素子に電気的に接続されている。
【００８４】
そして、図５に示すように、配線部１１０の表面には、支持板ＳＪが接着層によって貼り付けられる。
【００８５】
（Ａ−３−３）カラーフィルタについて
固体撮像装置１において、カラーフィルタ１３０は、図５に示すように、基板１０１にて配線部１１０が形成された表面側に対して反対の裏面側に設けられている。ここでは、カラーフィルタ１３０は、光透過材料で形成された層間絶縁膜ＳＺ上に形成されている。
【００８６】
このカラーフィルタ１３０は、被写体像による入射光が入射して、フォトダイオード２１の受光面ＪＳへ透過するように構成されている。たとえば、カラーフィルタ１３０は、着色顔料とフォトレジスト樹脂とを含む塗布液を、スピンコート法などのコーティング方法によって塗布して塗膜を形成後、リソグラフィ技術によって、その塗膜をパターン加工して形成される。
【００８７】
図７に示すように、カラーフィルタ１３０は、レッドフィルタ層１３０Ｒと、グリーンフィルタ層１３０Ｇと、ブルーフィルタ層１３０Ｂとを含む。レッドフィルタ層１３０Ｒとグリーンフィルタ層１３０Ｇとブルーフィルタ層１３０Ｂとのそれぞれは、カラーフィルタ１３０として、各画素Ｐに対応するように複数が設けられている。
【００８８】
本実施形態においては、レッドフィルタ層１３０Ｒとグリーンフィルタ層１３０Ｇとブルーフィルタ層１３０Ｂとのそれぞれは、図７に示すように、色ごとにストライプ状に並んで配置されている。ここでは、レッドフィルタ層１３０Ｒとグリーンフィルタ層１３０Ｇとブルーフィルタ層１３０Ｂとのそれぞれは、垂直方向ｙへ延在している。そして、レッドフィルタ層１３０Ｒとグリーンフィルタ層１３０Ｇとブルーフィルタ層１３０Ｂとのそれぞれは、水平方向ｘで規定される各幅ｄＧ，ｄＲ，ｄＢが、画素Ｐの幅と同じになるように形成されている（ｄＧ＝ｄＲ＝ｄＢ）。
【００８９】
具体的には、カラーフィルタ１３０において、レッドフィルタ層１３０Ｒは、図７に示すように、撮像面（ｘｙ面）において、垂直方向ｙへ延在するように形成されている。ここでは、レッドフィルタ層１３０Ｒは、垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐを被覆するように形成されている。そして、レッドフィルタ層１３０Ｒは、水平方向ｘにおいて、グリーンフィルタ層１３０Ｇとブルーフィルタ層１３０Ｂとに挟まれるように配置されている。このレッドフィルタ層１３０Ｒは、赤色に対応する波長帯域（たとえば、６２５〜７４０ｎｍ）において光透過率が高くなるように、構成されている。
【００９０】
カラーフィルタ１３０において、グリーンフィルタ層１３０Ｇは、図７に示すように、撮像面（ｘｙ面）において、垂直方向ｙへ延在するように形成されている。ここでは、グリーンフィルタ層１３０Ｇは、レッドフィルタ層１３０Ｒの場合と同様に、垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐを被覆するように形成されている。そして、グリーンフィルタ層１３０Ｇは、水平方向ｘにおいて、レッドフィルタ層１３０Ｒとブルーフィルタ層１３０Ｂとに挟まれるように配置されている。このグリーンフィルタ層１３０Ｇは、緑色に対応する波長帯域（たとえば、５００〜５６５ｎｍ）において光透過率が高くなるように構成されている。
【００９１】
カラーフィルタ１３０において、ブルーフィルタ層１３０Ｂは、図７に示すように、撮像面（ｘｙ面）において、垂直方向ｙへ延在するように形成されている。ここでは、ブルーフィルタ層１３０Ｂは、レッドフィルタ層１３０Ｒおよびグリーンフィルタ層１３０Ｇの場合と同様に、垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐを被覆するように形成されている。そして、ブルーフィルタ層１３０Ｂは、水平方向ｘにおいて、レッドフィルタ層１３０Ｒとグリーンフィルタ層１３０Ｇとに挟まれるように配置されている。このブルーフィルタ層１３０Ｂは、青色に対応する波長帯域（たとえば、４５０〜４８５ｎｍ）において光透過率が高くなるように構成されている。
【００９２】
各フィルタ層１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂにおいては、垂直方向ｙへ延在する部分の幅が、たとえば、０．５〜５μｍになるように形成されている。
【００９３】
（Ａ−３−４）オンチップレンズについて
固体撮像装置１において、オンチップレンズ１４０は、図５に示すように、基板１０１の裏面側に設けられている。ここでは、オンチップレンズ１４０は、カラーフィルタ１３０の上面において光透過材料で形成された平坦化膜ＨＴの上面に、設けられている。そして、オンチップレンズ１４０は、複数の画素Ｐのそれぞれに対応するように、複数が設けられている。
【００９４】
このオンチップレンズ１４０は、各画素Ｐのフォトダイオード２１の受光面ＪＳへ入射光を集光するように構成されている。具体的には、オンチップレンズ１４０は、フォトダイオード２１の受光面ＪＳへ向かう方向にて、中心が縁よりも厚く形成されている。
【００９５】
（Ａ−３−５）遮光部について
固体撮像装置１において、遮光部３００は、図５に示すように、基板１０１の裏面側に設けられている。遮光部３００は、複数の画素Ｐの間において、基板１０１の裏面へ入射する光Ｈを遮光するように構成されている。つまり、遮光部３００は、遮光材料を用いて、複数の画素Ｐの間に介在するように複数が設けられている。たとえば、遮光部３００は、アルミニウムやタングステンなどの金属材料を用いて形成される。
【００９６】
具体的には、図８に示すように、遮光部３００は、ストライプ状に形成されている。ここでは、遮光部３００は、水平方向ｘに並ぶ複数の画素Ｐの境界部分において、垂直方向ｙへ延在しており、複数が水平方向ｘにて等間隔に並んでいる。これに対して、遮光部３００は、垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐの境界部分においては、設けられていない。
【００９７】
すなわち、遮光部３００は、各色のフィルタ層１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂの延在方向（長手方向）に対して垂直な方向であって、各色のフィルタ層１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂが並ぶ方向（ｙ方向）に、複数が並ぶように設けられている。
【００９８】
遮光部３００においては、垂直方向ｙへ延在する部分の幅が、たとえば、０．１〜１μｍになるように形成されている。
【００９９】
この遮光部３００は、図５に示すように、基板１０１の裏面を被覆する層間絶縁膜ＳＺ内に形成されている。
【０１００】
図９は、本発明にかかる実施形態１において、遮光部３００の部分を拡大して示す断面図である。
【０１０１】
図９に示すように、層間絶縁膜ＳＺは、シリコン酸化膜ＳＺａと、カラーフィルタ密着層ＳＺｂとを含む。遮光部３００は、シリコン酸化膜ＳＺａ上において、金属膜をパターン加工することで設けられる。そして、遮光部３００は、表面がカラーフィルタ密着層ＳＺｂで被覆されている。そして、カラーフィルタ密着層ＳＺｂ上には、前述のカラーフィルタ１３０が設けられている。
【０１０２】
（Ｂ）製造方法
以下より、上記の固体撮像装置１を製造する製造方法の要部について説明する。ここでは、固体撮像装置１においてカラーフィルタ１３０を形成する工程について詳細に説明する。
【０１０３】
図１０と図１１は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。図１０と図１１とのそれぞれは、図７と同様に、上面を示している。
【０１０４】
（Ｂ−１）グリーンフィルタ層１３０Ｇの形成
まず、図１０に示すように、グリーンフィルタ層１３０Ｇを形成する。
【０１０５】
ここでは、グリーンフィルタ層１３０Ｇの形成に先立って、基板１０１の表面側に各部を設けると共に、基板１０１の裏面側においてグリーンフィルタ層１３０Ｇの下層に位置する部材を形成する。つまり、図５などにて示したように、フォトダイオード２１、画素トランジスタ５０、遮光部３００などの各部を形成する。
【０１０６】
遮光部３００については、図８に示したように、水平方向ｘに並ぶ複数の画素Ｐの境界部分において、垂直方向ｙへ延在するように形成する。そして、図９に示したように、層間絶縁膜ＳＺで遮光部３００を被覆する。
【０１０７】
この後、グリーンフィルタ層１３０Ｇの形成について実施する。
【０１０８】
ここでは、図１０に示すように、グリーンフィルタ層１３０Ｇが垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐを被覆して延在するように、グリーンフィルタ層１３０Ｇを形成する。
【０１０９】
グリーンフィルタ層１３０Ｇの形成においては、たとえば、フォトリソグラフィ技術を用いる。まず、たとえば、緑色の顔料とアクリル系の感光性樹脂とを含む塗布液を、スピンコート法によって塗布後、プリベーク処理することで、感光性樹脂膜（図示なし）を形成する。つぎに、露光処理を実施する。この露光処理の実施においては、図１０に示したグリーンフィルタ層１３０Ｇのようなパターン像を、感光性樹脂膜へ露光する。そして、その露光処理が実施された感光性樹脂膜について現像処理を実施する。これにより、図１０に示すように、その感光性樹脂膜をグリーンフィルタ層１３０Ｇへパターン加工する。
【０１１０】
（Ｂ−２）レッドフィルタ層１３０Ｒの形成
つぎに、図１１に示すように、レッドフィルタ層１３０Ｒを形成する。
【０１１１】
ここでは、図１１に示すように、レッドフィルタ層１３０Ｒが垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐを被覆して延在するように、レッドフィルタ層１３０Ｒを形成する。
【０１１２】
レッドフィルタ層１３０Ｒの形成においては、グリーンフィルタ層１３０Ｇの場合と同様に、フォトリソグラフィ技術を用いる。まず、たとえば、赤色の顔料とアクリル系の感光性樹脂とを含む塗布液を、スピンコート法によって塗布後、プリベーク処理することで、感光性樹脂膜（図示なし）を形成する。つぎに、露光処理を実施する。この露光処理の実施においては、図１１に示したレッドフィルタ層１３０Ｒのようなパターン像を、感光性樹脂膜へ露光する。そして、その露光処理が実施された感光性樹脂膜について現像処理を実施する。これにより、図１１に示すように、その感光性樹脂膜をレッドフィルタ層１３０Ｒへパターン加工する。
【０１１３】
（Ｂ−３）ブルーフィルタ層１３０Ｂの形成
つぎに、図７に示したように、ブルーフィルタ層１３０Ｂを形成する。
【０１１４】
ここでは、図７に示すように、ブルーフィルタ層１３０Ｂが垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐを被覆して延在するように、ブルーフィルタ層１３０Ｂを形成する。
【０１１５】
ブルーフィルタ層１３０Ｂの形成においては、グリーンフィルタ層１３０Ｇおよびレッドフィルタ層１３０Ｒの場合と同様に、フォトリソグラフィ技術を用いる。まず、たとえば、青色の顔料とアクリル系の感光性樹脂とを含む塗布液を、スピンコート法によって塗布後、プリベーク処理することで、感光性樹脂膜（図示なし）を形成する。つぎに、露光処理を実施する。この露光処理の実施においては、図７に示したブルーフィルタ層１３０Ｂのようなパターン像を、感光性樹脂膜へ露光する。そして、その露光処理が実施された感光性樹脂膜について現像処理を実施する。これにより、図７に示すように、その感光性樹脂膜をブルーフィルタ層１３０Ｂへパターン加工する。
【０１１６】
（Ｂ−４）その他の部材の形成
この後、図５等に示したように、平坦化膜ＨＴ，オンチップレンズ１４０の形成を実施し、固体撮像装置１を完成させる。
【０１１７】
平坦化膜ＨＴの形成においては、たとえば、アクリル系の熱硬化性樹脂を、カラーフィルタ１３０の上面を被覆するようにスピンコート法によって塗布する。その後、熱処理を実施することで、平坦化膜ＨＴを形成する。
【０１１８】
また、オンチップレンズ１４０の形成においては、たとえば、感光性樹脂をスピンコート法によって、平坦化膜ＨＴの上面に塗布し、ベーク処理することで、感光性樹脂膜（図示なし）を形成する。つぎに、その感光性樹脂膜に露光処理と現像処理とを順次実施して、断面が矩形形状のレジストパターン（図示なし）を形成する。その後、そのレジストパターンについて熱リフロー処理を実施する。これにより、レジストパターンを溶融させて、半球状のオンチップレンズ１４０が形成される。
【０１１９】
（Ｃ）まとめ
以上のように、本実施形態において、固体撮像装置１は、裏面照射型であって、画素トランジスタ５０と配線部１１０が基板１０１において受光面ＪＳに対して反対側の面に設けられている。
【０１２０】
そして、カラーフィルタ１３０を構成する各フィルタ層１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂは、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の受光面ＪＳの上方において、垂直方向ｙへ延在するように形成されている。これと共に、各フィルタ層１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂは、水平方向ｘにおいて、互いに隣接して並ぶように設けられている。そして、遮光部３００は、水平方向ｘに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間であって各フィルタ層１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂの境界部分において、垂直方向ｙへ延在するように形成されている。
【０１２１】
本実施形態では、各フィルタ層１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂは、垂直方向ｙへ延在しており、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１のそれぞれは、同一の色成分の光が受光面ＪＳへ入射する。このため、この垂直方向ｙでは、画素Ｐの境界部分に遮光部３００を設けなくても、「混色」が生じないので、遮光部３００の面積を減少させることができる。よって、画素Ｐの開口率を向上可能であるので、高感度化を実現することが容易に可能である。
【０１２２】
特に、画素Ｐの開口の幅を３μｍ以下にした場合には、可視光線の回折効果によってオンチップレンズによる集光が十分に機能せずに高感度化が困難であるが、本実施形態では、上記のように、画素Ｐを微細化した場合においても高感度化を実現できる。
【０１２３】
したがって、本実施形態は、「混色」の発生を防止可能であり、感度を向上可能であるので、撮像画像の画像品質を向上させることができる。
【０１２４】
＜２．実施形態２＞
（Ａ）装置構成など
図１２と図１３は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０１２５】
ここで、図１２は、図７と同様に、カラーフィルタ１３０ｂの上面を示している。また、図１３は、図８と同様に、遮光部３００ｂの上面を示している。
【０１２６】
図１２と図１３に示すように、本実施形態においては、カラーフィルタ１３０ｂが、実施形態１と異なる。また、遮光部３００ｂが、実施形態１と異なる。この点およびこれに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０１２７】
（Ａ−１）カラーフィルタについて
カラーフィルタ１３０ｂは、図１２に示すように、実施形態１の場合と同様に、レッドフィルタ層１３０Ｒｂと、グリーンフィルタ層１３０Ｇｂと、ブルーフィルタ層１３０Ｂｂとを含む。レッドフィルタ層１３０Ｒｂとグリーンフィルタ層１３０Ｇｂとブルーフィルタ層１３０Ｂｂとのそれぞれは、図１２に示すように、色ごとにストライプ状に並んで配置されている。
【０１２８】
しかし、本実施形態では、レッドフィルタ層１３０Ｒｂとグリーンフィルタ層１３０Ｇｂとブルーフィルタ層１３０Ｂｂとのそれぞれは、実施形態１の場合と異なり、水平方向ｘに延在している。つまり、レッドフィルタ層１３０Ｒｂとグリーンフィルタ層１３０Ｇｂとブルーフィルタ層１３０Ｂｂとのそれぞれは、長手方向が、垂直方向ｙではなく、水平方向ｘである。
【０１２９】
具体的には、カラーフィルタ１３０ｂにおいて、レッドフィルタ層１３０Ｒｂは、図１２に示すように、水平方向ｘに並ぶ複数の画素Ｐを被覆するように形成されている。そして、レッドフィルタ層１３０Ｒｂは、垂直方向ｙにおいて、グリーンフィルタ層１３０Ｇｂとブルーフィルタ層１３０Ｂｂとに挟まれるように配置されている。
【０１３０】
カラーフィルタ１３０ｂにおいて、グリーンフィルタ層１３０Ｇｂは、図１２に示すように、レッドフィルタ層１３０Ｒｂの場合と同様に、水平方向ｘに並ぶ複数の画素Ｐを被覆するように形成されている。そして、グリーンフィルタ層１３０Ｇｂは、垂直方向ｙにおいて、レッドフィルタ層１３０Ｒｂとブルーフィルタ層１３０Ｂｂとに挟まれるように配置されている。
【０１３１】
カラーフィルタ１３０ｂにおいて、ブルーフィルタ層１３０Ｂｂは、図１２に示すように、レッドフィルタ層１３０Ｒｂおよびグリーンフィルタ層１３０Ｇｂの場合と同様に、水平方向ｘに並ぶ複数の画素Ｐを被覆するように形成されている。そして、ブルーフィルタ層１３０Ｂｂは、垂直方向ｙにおいて、レッドフィルタ層１３０Ｒｂとグリーンフィルタ層１３０Ｇｂとに挟まれるように配置されている。
【０１３２】
（Ａ−２）遮光部について
遮光部３００ｂは、図１３に示すように、実施形態１の場合と同様に、ストライプ状に形成されている。
【０１３３】
しかし、本実施形態では、実施形態１の場合と異なり、遮光部３００ｂは、垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐの境界部分において、水平方向ｘへ延在しており、複数が垂直方向ｙにて等間隔に並んでいる。そして、遮光部３００ｂは、水平方向ｘに並ぶ複数の画素Ｐの境界部分においては、設けられていない。
【０１３４】
すなわち、遮光部３００ｂは、各色のフィルタ層１３０Ｒｂ，１３０Ｇｂ，１３０Ｂｂの延在方向（長手方向）に対して垂直な方向であって、各色のフィルタ層１３０Ｒｂ，１３０Ｇｂ，１３０Ｂｂが並ぶ方向（ｘ方向）に、複数が並ぶように設けられている。
【０１３５】
（Ｂ）まとめ
以上のように、本実施形態において、カラーフィルタ１３０ｂを構成する各フィルタ層１３０Ｒｂ，１３０Ｇｂ，１３０Ｂｂは、水平方向ｘに並ぶフォトダイオード２１の受光面ＪＳの上方において、水平方向ｘへ延在するように形成されている。これと共に、各フィルタ層１３０Ｒｂ，１３０Ｇｂ，１３０Ｂｂは、垂直方向ｙにおいて、互いに隣接して並ぶように設けられている。そして、遮光部３００ｂは、水平方向ｘに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間であって各フィルタ層１３０Ｒｂ，１３０Ｇｂ，１３０Ｂｂの境界部分において、水平方向ｘへ延在するように形成されている。
【０１３６】
本実施形態では、各フィルタ層１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂは、水平方向ｘへ延在しており、水平方向ｘに並ぶフォトダイオード２１のそれぞれは、同一の色成分の光が受光面ＪＳへ入射する。このため、この水平方向ｘでは、画素Ｐの境界部分に遮光部３００ｂを設けなくても、「混色」が生じないので、遮光部３００ｂの面積を減少させることができる。よって、実施形態１の場合と同様に、画素Ｐの開口率を向上可能であるので、高感度化を実現することが容易に可能である。
【０１３７】
したがって、本実施形態は、「混色」の発生を防止可能であり、感度を向上可能であるので、撮像画像の画像品質を向上させることができる。
【０１３８】
＜３．実施形態３＞
（Ａ）装置構成など
図１４と図１５は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０１３９】
ここで、図１４は、図１３と同様に、遮光部３００ｃの上面を示している。また、図１５は、図１４に対して、カラーフィルタ１３０ｂを併記した上面を示している。図１５では、カラーフィルタ１３０ｂについて一点鎖線で示している。
【０１４０】
図１４と図１５とに示すように、本実施形態においては、遮光部３００ｃが、実施形態２と異なる。この点およびこれに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態２と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０１４１】
本実施形態の遮光部３００ｃは、図１４に示すように、実施形態２の場合と同様に、水平方向ｘへ延在する部分３００ｘを含む。遮光部３００ｃにおいて、水平方向ｘへ延在する部分３００ｘは、垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐの境界部分において、複数が垂直方向ｙにて等間隔に並ぶように設けられている。
【０１４２】
しかし、実施形態２の場合と異なり、遮光部３００ｃは、図１４に示すように、水平方向ｘへ延在する部分３００ｘの他に、垂直方向ｙへ延在する部分３００ｙを含む。この垂直方向ｙへ延在する部分３００ｙは、水平方向ｘに並ぶ複数の画素Ｐの境界部分において、複数が水平方向ｘにて等間隔に並ぶように設けられている。
【０１４３】
つまり、遮光部３００ｃは、図１４に示すように、水平方向ｘへ延在する部分３００ｘと、垂直方向ｙへ延在する部分３００ｙとが互いに交差しており、格子状に形成されている。
【０１４４】
図１５に示すように、遮光部３００ｃの上方においては、実施形態２と同様に、カラーフィルタ１３０ｂが設けられている。ここでは、カラーフィルタ１３０ｂは、レッドフィルタ層１３０Ｒｂとグリーンフィルタ層１３０Ｇｂとブルーフィルタ層１３０Ｂｂを含み、各フィルタ層１３０Ｒｂ，１３０Ｇｂ，１３０Ｂｂは、水平方向ｘへ延在している。つまり、各フィルタ層１３０Ｒｂ，１３０Ｇｂ，１３０Ｂｂのそれぞれは、長手方向が、垂直方向ｙではなく、水平方向ｘである。
【０１４５】
そして、図１５に示すように、遮光部３００ｃは、垂直方向ｙへ延在する部分３００ｙの幅ｄｙが、水平方向ｘへ延在する部分３００ｘの幅ｄｘよりも狭くなるように形成されている。すなわち、遮光部３００ｃは、各延在部分３００ｘ，３００ｙのうち、各フィルタ層１３０Ｒｂ，１３０Ｇｂ，１３０Ｂｂの延在方向（長手方向）に複数が並ぶ延在部分３００ｙの幅が、他方の延在部分３００ｘの幅よりも狭くなるように形成されている。
【０１４６】
（Ｂ）まとめ
以上のように、本実施形態では、実施形態２と同様に、カラーフィルタ１３０ｂが形成されている。そして、遮光部３００ｃは、実施形態２と同様に、水平方向ｘに並ぶ各フィルタ層１３０Ｒｂ，１３０Ｇｂ，１３０Ｂｂの境界部分において、水平方向ｘへ延在する部分３００ｘを含むように形成されている。これと共に、遮光部３００ｃは、垂直方向ｙに並ぶ複数のフォトダイオードの間の境界部分において、垂直方向ｙへ延在する部分３００ｙを、さらに含むように形成されている。
【０１４７】
さらに、本実施形態においては、遮光部３００ｃは、水平方向ｘへ延在する部分３００ｘの幅が、垂直方向ｙへ延在する部分３００ｙの幅よりも広くなるように形成されている。
【０１４８】
本実施形態では、実施形態２と同様に、各フィルタ層１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂは、水平方向ｘへ延在しており、水平方向ｘに並ぶフォトダイオード２１のそれぞれは、同一の色成分の光が受光面ＪＳへ入射する。これに対して、垂直方向ｙでは、各フィルタ層１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂが、順次、並んで配置されている。このため、水平方向ｘでは、垂直方向ｙと比べて、画素Ｐの間での「混色」の発生が少ないので、遮光部３００ｃの面積を減少させることができる。よって、実施形態２の場合と同様に、画素Ｐの開口率を向上可能であるので、高感度化を実現することが容易に可能である。
【０１４９】
したがって、本実施形態は、「混色」の発生を防止可能であり、感度を向上可能であるので、撮像画像の画像品質を向上させることができる。
【０１５０】
＜４．実施形態４＞
（Ａ）装置構成など
図１６は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０１５１】
ここで、図１６は、図７と同様に、カラーフィルタ１３０ｄの上面を示している。図１６では、上層部分の端部を太い直線で示し、下層部分の端部を太い一点鎖線で示している。
【０１５２】
図１６に示すように、本実施形態においては、カラーフィルタ１３０ｄが、実施形態１と異なる。この点およびこれに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０１５３】
カラーフィルタ１３０ｄは、図１６に示すように、実施形態１の場合と同様に、レッドフィルタ層１３０Ｒｄと、グリーンフィルタ層１３０Ｇｄと、ブルーフィルタ層１３０Ｂｄとを含む。そして、レッドフィルタ層１３０Ｒｄとグリーンフィルタ層１３０Ｇｄとブルーフィルタ層１３０Ｂｄのそれぞれは、垂直方向ｙへ延在するように形成されている。
【０１５４】
しかし、実施形態１の場合と異なり、レッドフィルタ層１３０Ｒｄとグリーンフィルタ層１３０Ｇｄとブルーフィルタ層１３０Ｂｄのそれぞれは、図１６に示すように、一部が他のフィルタ層とオーバーラップするように形成されている。また、レッドフィルタ層１３０Ｒｄとグリーンフィルタ層１３０Ｇｄとブルーフィルタ層１３０Ｂｄのそれぞれは、水平方向ｘで規定される各部の横幅ｄＧｄ，ｄＲｄ，ｄＢｄが、画素Ｐの横幅よりも広くなるように形成されている（ｄＧｄ＝ｄＲｄ＝ｄＢｄ）。
【０１５５】
具体的には、グリーンフィルタ層１３０Ｇｄは、水平方向ｘにおいて、レッドフィルタ層１３０Ｒｄまたはブルーフィルタ層１３０Ｂｄの一部にオーバーラップするように形成されており、これにより、オーバーラップ領域ＯＬｇｒ，ＯＬｂｇが構成されている。ここでは、オーバーラップ領域ＯＬｇｒ，ＯＬｂｇにおいて、グリーンフィルタ層１３０Ｇｄの上層に、レッドフィルタ層１３０Ｒｄ、または、ブルーフィルタ層１３０Ｂｄが積層されるように構成されている。
【０１５６】
また、レッドフィルタ層１３０Ｒｄは、水平方向ｘにおいて、グリーンフィルタ層１３０Ｇｄまたはブルーフィルタ層１３０Ｂｄの一部にオーバーラップするように形成されており、これにより、オーバーラップ領域ＯＬｇｒ，ＯＬｒｂが構成されている。ここでは、オーバーラップ領域ＯＬｇｒにおいて、レッドフィルタ層１３０Ｒｄの下層に、グリーンフィルタ層１３０Ｇｄが位置するように、積層されている。また、オーバーラップ領域ＯＬｒｂにおいて、レッドフィルタ層１３０Ｒｄの上層に、ブルーフィルタ層１３０Ｂｄが位置するように積層されている。
【０１５７】
そして、ブルーフィルタ層１３０Ｂｄは、水平方向ｘにおいて、レッドフィルタ層１３０Ｒｄまたはグリーンフィルタ層１３０Ｇｄの一部にオーバーラップするように形成されており、これにより、オーバーラップ領域ＯＬｒｂ，ＯＬｂｇが構成されている。ここでは、オーバーラップ領域ＯＬｒｂにおいて、ブルーフィルタ層１３０Ｂｄの下層にレッドフィルタ層１３０Ｒｄが位置するように積層されている。また、オーバーラップ領域ＯＬｂｇにおいて、ブルーフィルタ層１３０Ｂｄの下層に、グリーンフィルタ層１３０Ｇｄが位置するように積層されている。
【０１５８】
このように、本実施形態のカラーフィルタ１３０ｄは、水平方向ｘにおいて、異なる色のフィルタ層１３０Ｒｄ，１３０Ｇｄ，１３０Ｂｄが、オーバーラップしたオーバーラップ領域ＯＬｇｒ，ＯＬｒ，ＯＬｂｇを含む。
【０１５９】
ここでは、各フィルタ層１３０Ｒｄ，１３０Ｇｄ，１３０Ｂｄは、水平方向ｘにおいて隣接する他の画素Ｐの上方にてオーバーラップする幅ｄｇ，ｄｒ，ｄｂが、互いに同じになるように形成されている。
【０１６０】
（Ｂ）製造方法
以下より、上記の固体撮像装置を製造する製造方法の要部について説明する。ここでは、固体撮像装置においてカラーフィルタ１３０ｄを形成する工程について詳細に説明する。
【０１６１】
図１７と図１８は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。図１７と図１８とのそれぞれは、図１６と同様に、上面を示している。
【０１６２】
（Ｂ１）グリーンフィルタ層の形成
まず、図１７に示すように、グリーンフィルタ層１３０Ｇｄを形成する。
【０１６３】
ここでは、図１７に示すように、実施形態１の場合と同様に、グリーンフィルタ層１３０Ｇｄが垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐを被覆して延在するように、グリーンフィルタ層１３０Ｇｄを形成する。このグリーンフィルタ層１３０Ｇｄの形成においては、実施形態１と同様に、たとえば、フォトリソグラフィ技術を用いる。
【０１６４】
本実施形態においては、実施形態１の場合と異なり、グリーンフィルタ層１３０Ｇｄの横幅ｄＧｄが画素Ｐの横幅よりも広くなるように、グリーンフィルタ層１３０Ｇｄを形成する。
【０１６５】
（Ｂ２）レッドフィルタ層の形成
つぎに、図１８に示すように、レッドフィルタ層１３０Ｒｄを形成する。
【０１６６】
ここでは、図１８に示すように、レッドフィルタ層１３０Ｒｄが垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐを被覆して延在するように、レッドフィルタ層１３０Ｒｄを形成する。このレッドフィルタ層１３０Ｒｄの形成においては、実施形態１と同様に、たとえば、フォトリソグラフィ技術を用いる。
【０１６７】
本実施形態においては、実施形態１の場合と異なり、レッドフィルタ層１３０Ｒｄの横幅ｄＲｄが画素Ｐの横幅よりも広くなるように、レッドフィルタ層１３０Ｒｄを形成する。また、水平方向ｘにおいて、グリーンフィルタ層１３０Ｇｄの一部にオーバーラップするように、レッドフィルタ層１３０Ｒｄを形成する。これにより、図１８に示すように、レッドフィルタ層１３０Ｒｄとグリーンフィルタ層１３０Ｇｄとが積層されたオーバーラップ領域ＯＬｇｒが構成される。
【０１６８】
（Ｂ３）ブルーフィルタ層の形成
つぎに、図１６に示したように、ブルーフィルタ層１３０Ｂｄを形成する。
【０１６９】
ここでは、図１６に示すように、ブルーフィルタ層１３０Ｂｄが垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐを被覆して延在するように、ブルーフィルタ層１３０Ｂｄを形成する。このブルーフィルタ層１３０Ｂｄの形成においては、実施形態１と同様に、たとえば、フォトリソグラフィ技術を用いる。
【０１７０】
本実施形態においては、実施形態１の場合と異なり、ブルーフィルタ層１３０Ｂｄの横幅ｄＢｄが画素Ｐの横幅よりも広くなるように、ブルーフィルタ層１３０Ｂｄを形成する。また、水平方向ｘにおいて、グリーンフィルタ層１３０Ｇｄまたはレッドフィルタ層１３０Ｒｄの一部にオーバーラップするように、ブルーフィルタ層１３０Ｂｄを形成する。これにより、図１６に示すように、レッドフィルタ層１３０Ｒｄとブルーフィルタ層１３０Ｂｄとが積層されたオーバーラップ領域ＯＬｒｂが構成される。さらに、グリーンフィルタ層１３０Ｇｄとブルーフィルタ層１３０Ｂｄとが積層されたオーバーラップ領域ＯＬｂｇが構成される。
【０１７１】
（Ｃ）まとめ
以上のように、本実施形態において、カラーフィルタ１３０ｄを構成する各フィルタ層１３０Ｒｄ，１３０Ｇｄ，１３０Ｂｄは、実施形態１と同様に、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の受光面ＪＳの上方において、垂直方向ｙへ延在している。
【０１７２】
これと共に、各フィルタ層１３０Ｒｄ，１３０Ｇｄ，１３０Ｂｄは、水平方向ｘに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間（画素Ｐの間）の境界部分において、互いに積層する部分を含むように設けられている。
【０１７３】
このため、水平方向ｘにて傾斜して入射した入射光は、各フィルタ層１３０Ｒｄ，１３０Ｇｄ，１３０Ｂｄの積層部分（オーバーラップ領域ＯＬｂｇ，ＯＬｒｂ，ＯＬｇｒ）において、複数の異なる色のフィルタ層を透過する。よって、本実施形態においては、水平方向ｘに並ぶ画素Ｐの間にて生ずる「混色」を効果的に防止することができる。
【０１７４】
したがって、本実施形態は、「混色」の発生を防止可能であり、感度を向上可能であるので、撮像画像の画像品質を向上させることができる。
【０１７５】
なお、上記の実施形態では、各フィルタ層１３０Ｒｄ，１３０Ｇｄ，１３０Ｂｄは、水平方向ｘにおいて隣接する他の画素Ｐの上方にてオーバーラップする幅ｄｇ，ｄｒ，ｄｂが同じであるが、これに限定されない。各幅ｄｇ，ｄｒ，ｄｂが異なっていても良い。この場合には、レッドフィルタ層１３０Ｒｄが水平方向ｘで隣接する他の画素Ｐの上方にてオーバーラップした幅ｄｒが、グリーンフィルタ層１３０Ｇｄにおける幅ｄｇよりも広いことが好ましい。また、グリーンフィルタ層１３０Ｇｄが水平方向ｘで隣接する他の画素Ｐの上方にてオーバーラップした幅ｄｇが、ブルーフィルタ層１３０Ｂｄにおける幅ｄｂよりも広いことが好ましい。つまり、高い波長の光を透過するフィルタ層が水平方向ｘで隣接する他の画素Ｐの上方にてオーバーラップした幅が、低い波長の光を透過するフィルタ層における、その幅よりも広いことが好ましい。これは、高波長の光の方が、低波長の光の場合よりも、受光感度が高いために、「混色」による不具合の発生が大きいためである。
【０１７６】
＜５．実施形態５＞
（Ａ）装置構成など
図１９，図２０は、本発明にかかる実施形態５において、固体撮像装置１ｅの要部を示す図である。
【０１７７】
ここで、図１９は、図２と同様に、固体撮像装置１ｅの全体構成を示すブロック図である。また、図２０は、図１３と同様に、遮光部３００ｅの上面を示している。図２０では、（Ａ）が、図１９に示す撮像領域ＰＡの中央部ＣＢについて示しており、（Ｂ）は、図１９に示す撮像領域ＰＡの側端部ＳＢについて示している。
【０１７８】
図１９，図２０に示すように、本実施形態においては、遮光部３００ｅが、実施形態１と異なる。この点およびこれに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０１７９】
本実施形態の固体撮像装置１ｅは、実施形態１と同様に、ＣＭＯＳ型イメージセンサであり、図１９に示すように、基板１０１を含む。基板１０１の面においては、撮像領域ＰＡと、周辺領域ＳＡとが設けられている。
【０１８０】
しかし、図１９に示すように、撮像領域ＰＡは、実施形態１と異なり、中央部ＣＢと側端部ＳＢとに区分される。
【０１８１】
撮像領域ＰＡにおいて、中央部ＣＢは、図１９に示すように、水平方向ｘにおいて中央部分に位置している。このため、中央部ＣＢに配置された画素Ｐにおいては、撮像領域ＰＡの面に対してほぼ垂直な角度で主光線（図１のＨ１）が入射する。
【０１８２】
一方で、撮像領域ＰＡにおいて、側端部ＳＢは、水平方向ｘにおいて中央部ＣＢを挟むように位置している。このため、側端部ＳＢに配置された画素Ｐにおいては、撮像領域ＰＡの面に対して垂直な方向に対して傾斜した角度で主光線（図１のＨ２）が入射する。
【０１８３】
図２０に示すように、遮光部３００ｅは、実施形態１の場合と同様に、水平方向ｘに並ぶ複数の画素Ｐの境界部分において、垂直方向ｙへ延在しており、複数が水平方向ｘにて等間隔に並んでいる。
【０１８４】
しかし、図２０の（Ａ）と（Ｂ）とを比較して判るように、本実施形態では、遮光部３００ｅは、中央部ＣＢにて垂直方向ｙに延在する部分の横幅ｄｅｃが、側端部ＳＢにて垂直方向ｙに延在する部分の横幅ｄｅｓよりも、狭くなるように形成されている。
【０１８５】
（Ｂ）まとめ
以上のように、本実施形態においては、実施形態１と同様に、カラーフィルタ１３０が設けられている。また、遮光部３００ｅは、実施形態１と同様に、各フィルタ層１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂの境界部分において、垂直方向ｙへ延在するように形成されている。
【０１８６】
ここでは、遮光部３００ｅは、撮像面（ｘｙ面）にて配置された位置が、その撮像面（ｘｙ面）の中心から離れるに伴って、垂直方向ｙへ延在する部分の幅が、広くなるように形成されている。
【０１８７】
上述したように、側端部ＳＢにおいては、傾斜した角度で主光線（図１のＨ２）が入射するので、「混色」が、中央部ＣＢよりも多く発生する。よって、「混色」の異方性に起因する不具合についても、側端部ＳＢの方が、中央部ＣＢよりも多く発生する。
【０１８８】
しかし、本実施形態では、上記のように、撮像領域ＰＡの中央部ＣＢよりも側端部ＳＢにて、遮光部３００ｅの横幅を広くすることによって、中央部ＣＢと側端部ＳＢとの間での「混色」の発生を均一化している。
【０１８９】
したがって、本実施形態においては、実施形態１での効果に加えて、シェーディングの発生を効果的に防止可能であって、画像品質を向上させることができる。
【０１９０】
なお、上記においては、撮像領域ＰＡを中央部ＣＢと側端部ＳＢとに区分し、中央部ＣＢと側端部ＳＢとの２つの部分で、遮光部３００ｅの幅が異なる場合について説明したが、これに限定されない。撮像領域ＰＡを２以上の部分に区分して、各部において、遮光部３００ｅの幅を上記のように変化させてもよい。
【０１９１】
＜６．実施形態６＞
（Ａ）装置構成など
図２１は、本発明にかかる実施形態６において、固体撮像装置１ｆの要部を示す図である。
【０１９２】
ここで、図２１は、図７と同様に、カラーフィルタ１３０ｆの上面を示している。図２１では、（Ａ）が、図１９に示す撮像領域ＰＡの中央部ＣＢについて示しており、（Ｂ）は、図１９に示す撮像領域ＰＡの側端部ＳＢについて示している。
【０１９３】
図２１に示すように、本実施形態においては、カラーフィルタ１３０ｆが、実施形態５と異なる。この点およびこれに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態５と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０１９４】
カラーフィルタ１３０ｆは、図２１に示すように、実施形態１の場合と同様に、レッドフィルタ層１３０Ｒｆと、グリーンフィルタ層１３０Ｇｆと、ブルーフィルタ層１３０Ｂｆとを含む。そして、レッドフィルタ層１３０Ｒｆとグリーンフィルタ層１３０Ｇｆとブルーフィルタ層１３０Ｂｆのそれぞれは、垂直方向ｙへ延在するように形成されている。
【０１９５】
しかし、実施形態１の場合と異なり、レッドフィルタ層１３０Ｒｆとグリーンフィルタ層１３０Ｇｆとブルーフィルタ層１３０Ｂｆのそれぞれは、図２１に示すように、一部が他のフィルタ層とオーバーラップするように形成されている。また、各フィルタ層１３０Ｒｆ，１３０Ｇｆ，１３０Ｂｆは、水平方向ｘで規定される各部の横幅ｄＧｆ，ｄＲｆ，ｄＢｆが、画素Ｐの横幅よりも広くなるように形成されている（ｄＧｆ＝ｄＲｆ＝ｄＢｆ）（実施形態４と同様）。
【０１９６】
ここでは、図２１の（Ａ）と（Ｂ）とを比較して判るように、中央部ＣＢ（図２１（Ａ））と側端部ＳＢ（図２１（Ｂ））とにおいては、カラーフィルタ１３０ｆの構成が、互いに異なっている。
【０１９７】
具体的には、図２１の（Ａ）と（Ｂ）とを比較して判るように、各フィルタ層１３０Ｒｆ，１３０Ｇｆ，１３０Ｂｆは、横幅ｄＧｆ，ｄＲｆ，ｄＢｇが、側端部ＳＢよりも中央部ＣＢで狭くなるように形成されている。
【０１９８】
また、図２１の（Ａ）と（Ｂ）とを比較して判るように、各フィルタ層１３０Ｒｆ，１３０Ｇｆ，１３０Ｂｆのオーバーラップ領域ＯＬｂｇ，ＯＬｒｂ，ＯＬｇｒは、横幅ｄｇｒ，ｄｒｂ，ｄｂｇが、側端部ＳＢよりも中央部ＣＢで狭くなるように形成されている。
【０１９９】
（Ｂ）まとめ
以上のように、本実施形態において、カラーフィルタ１３０ｆを構成する各フィルタ層１３０Ｒｆ，１３０Ｇｆ，１３０Ｂｆは、実施形態５と同様に、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の受光面ＪＳの上方において、垂直方向ｙへ延在している。そして、各フィルタ層１３０Ｒｆ，１３０Ｇｆ，１３０Ｂｆは、水平方向ｘに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間（画素Ｐの間）の境界部分において、互いに積層する部分を含むように設けられている。
【０２００】
ここでは、各フィルタ層１３０Ｒｆ，１３０Ｇｆ，１３０Ｂｆは、撮像面（ｘｙ面）にて配置された位置が、当該撮像面の中心から離れるに伴って、各フィルタ層１３０Ｒｆ，１３０Ｇｆ，１３０Ｂｆが積層する面が、大きくなるように設けられている。
【０２０１】
実施形態５で述べたように、側端部ＳＢと中央部ＣＢとにおいては、「混色」の発生が異なる。
【０２０２】
しかし、本実施形態では、上記のように、撮像領域ＰＡの中央部ＣＢよりも側端部ＳＢにて、各フィルタ層１３０Ｒｆ，１３０Ｇｆ，１３０Ｂｆが積層する面を広くすることによって、中央部ＣＢと側端部ＳＢとの間での「混色」の発生を均一化している。
【０２０３】
したがって、本実施形態においては、実施形態１での効果に加えて、シェーディングの発生を効果的に防止可能であるので、撮像画像の画像品質を更に向上させることができる。
【０２０４】
なお、上記においては、撮像領域ＰＡを中央部ＣＢと側端部ＳＢとに区分し、中央部ＣＢと側端部ＳＢとの２つの部分で、各フィルタ層１３０Ｒｆ，１３０Ｇｆ，１３０Ｂｆが積層する面の大きさが異なる場合について説明したが、これに限定されない。撮像領域ＰＡを２以上の部分に区分して、各部において、各フィルタ層１３０Ｒｆ，１３０Ｇｆ，１３０Ｂｆが積層する面の大きさを上記のように変化させてもよい。
【０２０５】
＜７．実施形態７＞
（Ａ）装置構成など
図２２，図２３は、本発明にかかる実施形態７において、固体撮像装置の要部を示す図である。ここで、図２２は、図６と同様に、画素Ｐの上面を模式的に示している。また、図２３は、回路構成を示している。
【０２０６】
図２２，図２３に示すように、本実施形態においては、画素Ｐを構成する部材の配置と、その回路構成が、実施形態１と異なる。この点およびこれに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０２０７】
図２２，図２３に示すように、本実施形態の固体撮像装置は、実施形態１と同様に、フォトダイオード２１と、画素トランジスタ５０とを含む。
【０２０８】
各部について、順次、説明する。
【０２０９】
（Ａ−１）フォトダイオード２１について
フォトダイオード２１は、図２２に示すように、実施形態１の場合と同様に、複数の画素Ｐのそれぞれに対応するように、複数が配置されている。
【０２１０】
本実施形態においては、図２２と図２３に示すように、各フォトダイオード２１は、転送トランジスタ２２が設けられている。ここでは、図２２，図２３に示すように、４つのフォトダイオード２１（２１Ａ＿１，２１Ａ＿２，２１Ｂ＿１，２１Ｂ＿２）に対応して、４つの転送トランジスタ２２（２２Ａ＿１，２２Ａ＿２，２２Ｂ＿１，２２Ｂ＿２）が一対で設けられている。
【０２１１】
そして、図２２と図２３に示すように、複数のフォトダイオード２１が、１つのフローティングディフュージョンＦＤを共有するように構成されている。ここでは、図２２に示すように、垂直方向ｙに並ぶ一対のフォトダイオード２１（２１Ａ＿１と２１Ａ＿２、または、２１Ｂ＿１，２１Ｂ＿２）が、１つのフローティングディフュージョンＦＤ（ＦＤＡ、または、ＦＤＢ）に対して設けられている。
【０２１２】
また、図２２と図２３に示すように、その複数のフォトダイオード２１からなる組が、増幅トランジスタ２３とリセットトランジスタ２５とを共有するように構成されている。ここでは、垂直方向ｙに並ぶ４つのフォトダイオード２１（２１Ａ＿１，２１Ａ＿２，２１Ｂ＿１，２１Ｂ＿２）の組に対して、増幅トランジスタ２３とリセットトランジスタ２５とのそれぞれが１つずつ設けられている。
【０２１３】
具体的には、図２２に示すように、下方に設けられたフォトダイオード２１Ａ＿１，２１Ａ＿２のそれぞれの間においては、左側部分にフローティングディフュージョンＦＤＡが設けられている。そして、フォトダイオード２１Ａ＿１，２１Ａ＿２のそれぞれと、フローティングディフュージョンＦＤＡとの間においては、転送トランジスタ２２Ａ＿１，２２Ａ＿２のそれぞれが設けられている。そして、フォトダイオード２１Ａ＿１，２１Ａ＿２のそれぞれの間においては、右側部分に増幅トランジスタ２３が設けられている。
【０２１４】
また、図２２に示すように、上方に設けられたフォトダイオード２１Ｂ＿１，２１Ｂ＿２のそれぞれの間においては、左側部分にフローティングディフュージョンＦＤＢが設けられている。そして、フォトダイオード２１Ｂ＿１，２１Ｂ＿２のそれぞれと、フローティングディフュージョンＦＤＢとの間においては、転送トランジスタ２２Ｂ＿１，２２Ｂ＿２のそれぞれが設けられている。そして、フォトダイオード２１Ｂ＿１，２１Ｂ＿２のそれぞれの間においては、右側部分にリセットトランジスタ２５が設けられている。
【０２１５】
（Ａ−２）画素トランジスタ５０について
画素トランジスタ５０は、図２２と図２３とに示すように、転送トランジスタ２２と、増幅トランジスタ２３と、リセットトランジスタ２５とを含む。また、本実施形態では、選択トランジスタに代わって、選択電源ＳＥＬＶＤＤが設けられている。
【０２１６】
画素トランジスタ５０において、転送トランジスタ２２は、図２２と図２３に示すように、複数の画素Ｐのそれぞれに対応するように、複数が形成されている。
【０２１７】
ここでは、図２２に示すように、垂直方向ｙに並ぶ２つの転送トランジスタ２２Ａ＿１，２２Ａ＿２が、垂直方向ｙに並ぶ２つのフォトダイオード２１Ａ＿１，２１Ａ＿２の間に設けられたフローティングディフュージョンＦＤＡを挟んでいる。そして、図２３に示すように、２つの転送トランジスタ２２Ａ＿１，２２Ａ＿２のそれぞれは、２つのフォトダイオード２１Ａ＿１，２１Ａ＿２のそれぞれから信号電荷をフローティングディフュージョンＦＤＡへ転送するように構成されている。つまり、転送トランジスタ２２Ａ＿１，２２Ａ＿２のそれぞれは、ゲートが転送線２６に電気的に接続されており、転送信号が入力されることによって、信号電荷をフローティングディフュージョンＦＤＡへ転送する。
【０２１８】
また、この上方では、図２２に示すように、垂直方向ｙに並ぶ２つの転送トランジスタ２２Ｂ＿１，２２Ｂ＿２が、垂直方向ｙに並ぶ２つのフォトダイオード２１Ｂ＿１，２１Ｂ＿２の間に設けられたフローティングディフュージョンＦＤＢを挟んでいる。そして、図２３に示すように、２つの転送トランジスタ２２Ｂ＿１，２２Ｂ＿２のそれぞれは、２つのフォトダイオード２１Ｂ＿１，２１Ｂ＿２のそれぞれから信号電荷をフローティングディフュージョンＦＤＢへ転送するように構成されている。つまり、転送トランジスタ２２Ｂ＿１，２２Ｂ＿２のそれぞれは、ゲートが転送線２６に電気的に接続されており、転送信号が入力されることによって、信号電荷をフローティングディフュージョンＦＤＢへ転送する。
【０２１９】
画素トランジスタ５０において、増幅トランジスタ２３とリセットトランジスタ２５とのそれぞれは、図２２と図２３に示すように、複数のフォトダイオード２１からなる組によって、共有されるように構成されている。つまり、図２２と図２３とに示すように、４つのフォトダイオード２１（２１Ａ＿１，２１Ａ＿２，２１Ｂ＿１，２１Ｂ＿２）からなる１組に対して、増幅トランジスタ２３とリセットトランジスタ２５とのそれぞれが１つずつ設けられている。
【０２２０】
ここでは、増幅トランジスタ２３は、図２３に示すように、ゲートが、フローティングディフュージョンＦＤＡ，ＦＤＢに電気的に接続されている。そして、増幅トランジスタ２３は、ソースが垂直信号線２７に電気的に接続されている。また、増幅トランジスタ２３は、ドレインが固定電源Ｖｄｄに電気的に接続されている。
【０２２１】
また、リセットトランジスタ２５は、図２３に示すように、リセット信号ＲＳＴが供給されるリセット線２９にゲートが電気的に接続されている。そして、リセットトランジスタ２５は、ソースがフローティングディフュージョンＦＤＡ，ＦＤＢに電気的に接続されている。そして、リセットトランジスタ２５は、ドレインが、選択電源ＳＥＬＶＤＤに電気的に接続されている。
【０２２２】
また、選択電源ＳＥＬＶＤＤは、選択パルスの場合と同様に、電圧レベルを切り替えることによって、画素Ｐを選択するように駆動する。
【０２２３】
（Ａ−３）動作
本実施形態の固体撮像装置の動作について説明する。
【０２２４】
本実施形態では、複数のフォトダイオード２１において生成された信号電荷をフローティングディフュージョンＦＤで加算して電気信号として出力するように動作する。つまり、「フローティングディフュージョン（ＦＤ）加算」が実施される。
【０２２５】
図２４は、本発明にかかる実施形態７において、固体撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。図２４においては、（ａ）が選択電源の電位（ＳＥＬ）を示し、（ｂ）がリセット信号（ＲＳＴ）を示し、（ｃ）〜（ｆ）が、転送信号（転送１，２，３，４）を示している。ここで、（ｃ）は、転送トランジスタ２２Ａ＿１のゲートへ入力する転送信号（転送１）を示し、（ｄ）は、転送トランジスタ２２Ａ＿２のゲートへ入力する転送信号（転送２）を示している。また、（ｅ）は、転送トランジスタ２２Ｂ＿１のゲートへ入力する転送信号（転送３）を示し、（ｆ）は、転送トランジスタ２２Ｂ＿２のゲートへ入力する転送信号（転送４）を示している。
【０２２６】
まず、図２４に示すように、第１の時点ｔ１においては、選択電源ＳＥＬＶＤＤの電位（ＳＥＬ）を、ローレベルからハイレベルにする。また、リセット信号（ＲＳＴ）をハイレベルにして、リセットトランジスタ２５をオン状態にする。そして、これらと共に、転送信号（転送１，転送２）をハイレベルにして、２つの転送トランジスタ２２Ａ＿１，２２Ａ＿２をオン状態にする。これにより、各フォトダイオード２１Ａ＿１，２１Ａ＿２の電荷を排出して空にする「電子シャッタ動作」を実施する。
【０２２７】
そして、第２の時点ｔ２では、図２４に示すように、リセット信号（ＲＳＴ）および転送信号（転送１，転送２）をローレベルにして、リセットトランジスタ２５および２つの転送トランジスタ２２Ａ＿１，２２Ａ＿２をオフ状態にする。
【０２２８】
そして、図２４に示すように、蓄積期間に進む。蓄積期間では、フォトダイオード２１が光を受光して信号電荷を生成する。そして、フォトダイオード２１では、その受光した光量に応じて信号電荷が蓄積される。
この蓄積期間においては、第３の時点ｔ３にて、リセット信号（ＲＳＴ）をハイレベルにして、リセットトランジスタ２５をオン状態にする。そして、第４の時点ｔ４にて、選択電源ＳＥＬＶＤＤの電位（ＳＥＬ）を、ハイレベルからローレベルにする。その後、第５の時点ｔ５にて、リセット信号（ＲＳＴ）をローレベルにして、リセットトランジスタ２５をオフ状態にする。
この第３の時点ｔ３から第５の時点ｔ５までの間の動作は、この共有単位の動作には関係ない、他の共有単位のリセット動作であり、埋め戻し作業である。
【０２２９】
つぎに、図２４に示すように、第６の時点ｔ６においては、選択電源ＳＥＬＶＤＤの電位（ＳＥＬ）を、ローレベルからハイレベルにする。これと共に、リセット信号（ＲＳＴ）をハイレベルにして、リセットトランジスタ２５をオン状態にする。そして、第７の時点ｔ７において、リセット信号（ＲＳＴ）をローレベルにして、リセットトランジスタ２５をオフ状態にする。
【０２３０】
また、蓄積期間においては、図２４に示すように、第８の時点ｔ８にて、リセット信号（ＲＳＴ）をハイレベルにして、リセットトランジスタ２５をオン状態にする。そして、第９の時点ｔ９にて、選択電源ＳＥＬＶＤＤの電位（ＳＥＬ）を、ハイレベルからローレベルにする。その後、第１０の時点ｔ１０にて、リセット信号（ＲＳＴ）をローレベルにして、リセットトランジスタ２５をオフ状態にする。
この第８の時点ｔ８から第１０の時点ｔ１０までの間の動作は、他の共有単位のリセット動作であり、埋め戻し作業である。
【０２３１】
つぎに、図２４に示すように、第１１の時点ｔ１１においては、選択電源ＳＥＬＶＤＤの電位（ＳＥＬ）を、ローレベルからハイレベルにする。これと共に、リセット信号（ＲＳＴ）をハイレベルにして、リセットトランジスタ２５をオン状態にする。そして、第１２の時点ｔ１２において、リセット信号（ＲＳＴ）をローレベルにして、リセットトランジスタ２５をオフ状態にする。
これにより、フローティングディフュージョンＦＤの電位がリセットされる。そして、図２４に示すように、Ｐ相（プリセット相）において、そのリセット時の電位で信号が出力される。つまり、リセットレベルに対応した電圧を、カラム回路１４（図２参照）へ読み出す。
【０２３２】
つぎに、図２４に示すように、第１３の時点ｔ１３においては、転送信号（転送１，転送２）をハイレベルにして、２つの転送トランジスタ２２Ａ＿１，２２Ａ＿２をオン状態にする。そして、所定の時間が経過後、第１４の時点ｔ１４において、転送信号（転送１，転送２）をローレベルにして、２つの転送トランジスタ２２Ａ＿１，２２Ａ＿２をオフ状態にする。
これにより、２つのフォトダイオード２１Ａ＿１，２１Ａ＿２に蓄積された信号電荷がフローティングディフュージョンＦＤＡへ転送される。そして、図２４に示すように、Ｄ相（データ相）において、そのフローティングディフュージョンＦＤＡの電位で信号が出力される。つまり、２つのフォトダイオード２１Ａ＿１，２１Ａ＿２に蓄積された信号電荷の量に応じた信号レベルの電圧を、カラム回路１４へ読み出す。
【０２３３】
この後、実施形態１の場合と同様に、カラム回路１４において、先に読み出したリセットレベルと、後に読み出した信号レベルとが差分処理される。これにより、画素Ｐごとに設けられた各トランジスタのＶｔｈのバラツキ等によって発生する固定的なパターンノイズが、キャンセルされる。そして、カラム回路１４にて蓄積された信号が、水平駆動回路１５によって選択されて、外部出力回路１７へ順次出力される（図２参照）。
【０２３４】
上記のようにして、「ＦＤ加算」で固体撮像装置の駆動が実施される。
【０２３５】
なお、上記では、２つのフォトダイオード２１Ａ＿１，２１Ａ＿２の間において、「ＦＤ加算」を実施する場合について説明したが、これに限定されない。
【０２３６】
たとえば、４つのフォトダイオード２１Ａ＿１，２１Ａ＿２，２１Ｂ＿１，２１Ｂ＿２の間において、「ＦＤ加算」を実施してもよい。
【０２３７】
図２５は、本発明にかかる実施形態７の変形例において、固体撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。
【０２３８】
図２５では、４つのフォトダイオード２１Ａ＿１，２１Ａ＿２，２１Ｂ＿１，２１Ｂ＿２の間において「ＦＤ加算」を実施する場合を示している。そして、図２５においては、図２４と同様に、（ａ）が選択電源の電位（ＳＥＬ）を示し、（ｂ）がリセット信号（ＲＳＴ）を示し、（ｃ）〜（ｆ）が、転送信号（転送１，２，３，４）を示している。ここでは、（ｃ）は、転送トランジスタ２２Ａ＿１のゲートへ入力する転送信号（転送１）を示し、（ｄ）は、転送トランジスタ２２Ａ＿２のゲートへ入力する転送信号（転送２）を示している。また、（ｅ）は、転送トランジスタ２２Ｂ＿１のゲートへ入力する転送信号（転送３）を示し、（ｆ）は、転送トランジスタ２２Ｂ＿２のゲートへ入力する転送信号（転送４）を示している。
【０２３９】
この場合には、図２５に示すように、第１の時点ｔ１では、図２４の場合と異なり、転送信号（転送３，転送４）についても、ハイレベルにする。つまり、４つの転送トランジスタ２２Ａ＿１，２２Ａ＿２，２２Ｂ＿１，２２Ｂ＿２をオン状態にする。
【０２４０】
また、図２５に示すように、図２４の場合と異なり、第１３の時点ｔ１３では、転送信号（転送３，転送４）についても、ハイレベルにする。つまり、４つの転送トランジスタ２２Ａ＿１，２２Ａ＿２，２２Ｂ＿１，２２Ｂ＿２をオン状態にする。そして、所定の時間が経過後、第１４の時点ｔ１４において、転送信号（転送１，転送２，転送３，転送４）をローレベルにして、４つの転送トランジスタ２２Ａ＿１，２２Ａ＿２，２２Ｂ＿１，２２Ｂ＿２をオフ状態にする。
【０２４１】
上記の点を除いては、図２５に示すように、図２４の場合と同様にして、駆動動作を実施する。
【０２４２】
この他に、さまざまな駆動動作を実施しても良い。
【０２４３】
図２６，図２７は、本発明にかかる実施形態７の変形例において、固体撮像装置の動作を模式的に示す図である。
【０２４４】
ここでは、図２６（Ａ）と（Ｂ）とに示すように、垂直方向ｙにおいて連続して並ぶ、２つ、または、４つの画素Ｐの間で、「ＦＤ加算」を実施する他に、図２６（Ｃ）に示すように、不連続な画素Ｐ間で「ＦＤ加算」を実施しても良い。具体的には、図２６（Ｃ）に示すように、垂直方向ｙに並ぶ画素Ｐを、１つおきに選択して、「ＦＤ加算」を実施しても良い。
【０２４５】
この他に、図２７（Ａ）に示すように、垂直方向ｙに並ぶ画素Ｐを、２つおきに選択して、「ＦＤ加算」を実施しても良い。また、図２７（Ｂ）に示すように、垂直方向ｙにおいて連続して並ぶ３つの画素Ｐの間で、「ＦＤ加算」を実施しても良い。また、図２７（Ｃ）に示すように、水平方向ｘにて並ぶ同色の画素Ｐの間でカラム加算を実施するように、駆動させてもよい。
【０２４６】
（Ｂ）まとめ
以上のように、本実施形態では、実施形態１と同様に、カラーフィルタ１３０を構成する各フィルタ層１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂが、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の受光面ＪＳの上方において、垂直方向ｙへ延在している（図７参照）。
【０２４７】
そして、複数の転送トランジスタ２２が、垂直方向ｙに並ぶ複数のフォトダイオード２１から一のフローティングディフュージョンＦＤへ信号電荷を読み出すように形成されている。そして、その垂直方向ｙに並ぶ複数のフォトダイオード２１において生成された信号電荷がフローティングディフュージョンＦＤにて加算されるように画素Ｐが駆動される。
【０２４８】
このように、縦共有画素であって縦方向で同色配列にしているので、「ＦＤ加算」を実施することが容易にできる。具体的には、一の垂直信号線２７に電気的に接続されている画素Ｐがいずれも同色であるので、垂直方向ｙにおいて自由な組み合わせで画素Ｐ選択することができる。
【０２４９】
したがって、本実施形態においては、実施形態１等の効果に加えて、ＦＤ加算によるノイズの低減を実現可能であるので、撮像画像の画像品質を更に向上させることができる。
【０２５０】
＜８．実施形態８＞
（Ａ）装置構成など
図２８，図２９は、本発明にかかる実施形態８において、固体撮像装置の要部を示す図である。ここで、図２８は、図２２と同様に、画素Ｐの上面を模式的に示している。また、図２９は、回路構成を示している。
【０２５１】
図２８，図２９に示すように、本実施形態においては、画素Ｐを構成する部材の配置と、その回路構成が、実施形態７と異なる。この点およびこれに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態７と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０２５２】
図２８，図２９に示すように、本実施形態の固体撮像装置は、実施形態７と同様に、フォトダイオード２１と、画素トランジスタ５０とを含む。
【０２５３】
各部について、順次、説明する。
【０２５４】
（Ａ−１）フォトダイオード２１について
フォトダイオード２１は、図２８に示すように、実施形態７の場合と同様に、複数の画素Ｐのそれぞれに対応するように、複数が配置されている。
【０２５５】
本実施形態においては、図２８と図２９に示すように、各フォトダイオード２１は、転送トランジスタ２２が設けられている。ここでは、図２８，図２９に示すように、２つのフォトダイオード２１（２１＿１，２１＿２）に対応して、２つの転送トランジスタ２２（２２＿１，２２＿２）が一対で設けられている。
【０２５６】
そして、図２８と図２９に示すように、垂直方向ｙに並ぶ一対のフォトダイオード２１＿１，２１＿２が、１つのフローティングディフュージョンＦＤに対して設けられている。
【０２５７】
また、図２８と図２９に示すように、垂直方向ｙに並ぶ２つのフォトダイオード２１＿１，２１＿２の組に対して、増幅トランジスタ２３とリセットトランジスタ２５とのそれぞれが１つずつ設けられている。
【０２５８】
具体的には、図２８に示すように、フォトダイオード２１＿１，２１＿２のそれぞれの間においては、左側部分にフローティングディフュージョンＦＤが設けられている。そして、フォトダイオード２１＿１，２１＿２のそれぞれと、フローティングディフュージョンＦＤとの間においては、転送トランジスタ２２＿１，２２＿２のそれぞれが設けられている。そして、フォトダイオード２１＿１，２１＿２のそれぞれの間においては、右側部分にリセットトランジスタ２５が設けられている。そして、フォトダイオード２１＿１，２１＿２の右側部分に増幅トランジスタ２３が設けられている。
【０２５９】
（Ａ−２）画素トランジスタ５０について
画素トランジスタ５０は、図２８と図２９とに示すように、実施形態７の場合と同様に、転送トランジスタ２２と増幅トランジスタ２３とリセットトランジスタ２５とを含む。そして、選択トランジスタに代わって、選択電源ＳＥＬＶＤＤが設けられている。
【０２６０】
画素トランジスタ５０において、転送トランジスタ２２は、図２８に示すように、複数の画素Ｐのそれぞれに対応するように、複数が形成されている。
【０２６１】
ここでは、図２８に示すように、垂直方向ｙに並ぶ２つの転送トランジスタ２２＿１，２２＿２が、垂直方向ｙに並ぶ２つのフォトダイオード２１＿１，２１＿２の間に設けられたフローティングディフュージョンＦＤを挟んでいる。そして、図２９に示すように、２つの転送トランジスタ２２＿１，２２＿２のそれぞれは、２つのフォトダイオード２１＿１，２１＿２のそれぞれから信号電荷をフローティングディフュージョンＦＤへ転送するように構成されている。つまり、転送トランジスタ２２＿１，２２＿２のそれぞれは、ゲートが転送線２６に電気的に接続されており、転送信号が入力されることによって、信号電荷をフローティングディフュージョンＦＤへ転送する。
【０２６２】
画素トランジスタ５０において、増幅トランジスタ２３とリセットトランジスタ２５とのそれぞれは、図２８と図２９とに示すように、２つのフォトダイオード２１＿１，２１＿２からなる組に対して１つずつ設けられている。
【０２６３】
そして、図２９に示すように、上記のように、フォトダイオード２１と画素トランジスタ５０とが構成された組が、複数、設けられている。たとえば、図２９に示すように、上記のように構成されたフォトダイオード２１と画素トランジスタ５０との第１組Ｕ１の上方において隣接するように、第２組Ｕ２が配置されている。
【０２６４】
（Ａ−３）動作
本実施形態の固体撮像装置の動作について説明する。
【０２６５】
本実施形態では、複数のフォトダイオード２１において生成された信号電荷による信号を、垂直信号線２７（図３参照）で加算して出力するように動作する。つまり、いわゆる「ソースフォロア（ＳＦ）加算」が実施される。
【０２６６】
図３０は、本発明にかかる実施形態８において、固体撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。図３０においては、図２４と同様に、（ａ）が選択電源の電位（ＳＥＬ）を示し、（ｂ）がリセット信号（ＲＳＴ）を示し、（ｃ）〜（ｆ）が、転送信号（転送１１，１２，２１，２２）を示している。ここで、（ｃ）は、図２９に示した第１組Ｕ１に含まれる転送トランジスタ２２＿１のゲートへ入力する転送信号（転送１１）を示し、（ｄ）は、同様に、第１組Ｕ１に含まれる転送トランジスタ２２＿２のゲートへ入力する転送信号（転送１２）を示している。また、（ｅ）は、図２９に示した第２組Ｕ２に含まれる転送トランジスタ２２＿１のゲートへ入力する転送信号（転送２１）を示し、（ｆ）は、同様に、第２組Ｕ１に含まれる転送トランジスタ２２＿２のゲートへ入力する転送信号（転送２２）を示している。
【０２６７】
まず、図３０に示すように、第１の時点ｔ１においては、選択電源ＳＥＬＶＤＤの電位（ＳＥＬ）を、ローレベルからハイレベルにする。また、リセット信号（ＲＳＴ）をハイレベルにして、リセットトランジスタ２５をオン状態にする。そして、これらと共に、転送信号（転送１１，転送２１）をハイレベルにして、第１組Ｕ１と第２組Ｕ２とに含まれる一方の転送トランジスタ２２＿１をオン状態にする。これにより、各フォトダイオード２１＿１の電荷を排出して空にする「電子シャッタ動作」を実施する。
【０２６８】
そして、第２の時点ｔ２では、図３０に示すように、リセット信号（ＲＳＴ）および転送信号（転送１１，転送２１）をローレベルにして、リセットトランジスタ２５および２つの転送トランジスタ２２＿１をオフ状態にする。
【０２６９】
そして、図３０に示すように、蓄積期間に進み、実施形態７の場合と同様に、第３の時点ｔ３から第１２の時点ｔ１２までの動作を実施する。
【０２７０】
そして、図３０に示すように、Ｐ相（プリセット相）において、そのリセット時の電位で信号が出力される。つまり、リセットレベルに対応した電圧を、カラム回路１４（図２参照）へ読み出す。
【０２７１】
つぎに、図３０に示すように、第１３の時点ｔ１３においては、転送信号（転送１１，転送２１）をハイレベルにして、第１組Ｕ１と第２組Ｕ２とに含まれる一方の転送トランジスタ２２＿１をオン状態にする。そして、所定の時間が経過後、第１４の時点ｔ１４において、転送信号（転送１１，転送２１）をローレベルにして、２つの転送トランジスタ２２＿１をオフ状態にする。
これにより、各組Ｕ１，Ｕ２のフォトダイオード２１＿１に蓄積された信号電荷がフローティングディフュージョンＦＤへ転送される。そして、図３０に示すように、Ｄ相（データ相）において、そのフローティングディフュージョンＦＤの電位で信号が出力される。ここでは、各組Ｕ１，Ｕ２のフォトダイオード２１＿１に蓄積された信号電荷による信号が、同時に垂直信号線２７に出力されるので、両者が垂直信号線２７で加算されて、カラム回路１４へ出力される。
【０２７２】
この後、実施形態１の場合と同様に、カラム回路１４において、先に読み出したリセットレベルと、後に読み出した信号レベルとが差分処理される。これにより、画素Ｐごとに設けられた各トランジスタのＶｔｈのバラツキ等によって発生する固定的なパターンノイズが、キャンセルされる。そして、カラム回路１４にて蓄積された信号が、水平駆動回路１５によって選択されて、外部出力回路１７へ順次出力される（図２参照）。
【０２７３】
上記のようにして、「ＳＦ加算」で固体撮像装置の駆動が実施される。
【０２７４】
なお、上記では、２つのフォトダイオード２１＿１，２１＿２の間において、「ＳＦ加算」を実施する場合について説明したが、これに限定されない。実施形態７の場合と同様に、さまざまな組み合わせで、「ＳＦ加算」を実施してもよい。
【０２７５】
（Ｂ）まとめ
以上のように、本実施形態では、実施形態１と同様に、カラーフィルタ１３０を構成する各フィルタ層１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂが、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の受光面ＪＳの上方において、垂直方向ｙへ延在している（図７参照）。
【０２７６】
そして、その垂直方向ｙに並ぶ複数のフォトダイオード２１において生成された信号電荷による画素信号が、垂直信号線２７において加算されるように画素Ｐが駆動される。
【０２７７】
本実施形態では、縦共有画素であって縦方向で同色配列にしているので、間引き動作・高速撮像のために実施する「ＳＦ加算」を容易に実施できる。また、一の垂直信号線２７に電気的に接続されている画素Ｐがいずれも同色であるので、垂直方向ｙにおいて自由な組み合わせで画素Ｐを選択することができる。
【０２７８】
したがって、本実施形態においては、実施形態１等の効果に加えて、上記の効果を更に奏することができる。
【０２７９】
＜９．その他＞
本発明の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形例を採用することができる。
【０２８０】
上記の実施形態においては、裏面照射型の固体撮像装置の場合について説明したが、これに限定されない。基板において画素トランジスタが設けられた表面側から入射光を受光する固体撮像装置の場合に、本発明を適用しても良い。
【０２８１】
また、上記の実施形態においては、カメラに本発明を適用する場合について説明したが、これに限定されない。スキャナーやコピー機などのように、固体撮像装置を備える他の電子機器に、本発明を適用しても良い。
【０２８２】
また、上記の実施形態においては、赤，青，緑の３原色のフィルタ層を、ストライプ状に配置する場合について示したが、これに限定されない。
【０２８３】
図３１は、本発明にかかる実施形態の変形例において、画素配列を示す図である。
【０２８４】
．
図３１に示すように、画素配列が、いわゆる「クリアビット」配列である場合に適用しても良い。
【０２８５】
具体的には、図３１に示すように、水平方向ｘと垂直方向ｙとのそれぞれに対して４５°の角度で傾斜した第１および第２の傾斜方向ｋ１，ｋ２のそれぞれに、複数の画素Ｐが配列されている。そして、レッドフィルタ層１３０Ｒとブルーフィルタ層１３０Ｂとが、第１および第２の傾斜方向ｋ１，ｋ２のそれぞれにおいて、１つのグリーンフィルタ層１３０Ｇを介して隣り合うように配置されている。これと共に、レッドフィルタ層１３０Ｒとブルーフィルタ層１３０Ｂとが、水平方向ｘと垂直方向ｙとのそれぞれにおいて、１つのグリーンフィルタ層１３０Ｇを介して隣り合うように配置されている。
【０２８６】
これにより、図３１に示すように、グリーンフィルタ層１３０Ｇは、撮像面（ｘｙ面）において、第１および第２の傾斜方向ｋ１，ｋ２のそれぞれに延在する部分を含むように形成される。そして、グリーンフィルタ層１３０Ｇは、撮像面（ｘｙ面）において、レッドフィルタ層１３０Ｒとブルーフィルタ層１３０Ｂとのそれぞれの周辺を囲うように形成される。
【０２８７】
そして、遮光部３００は、図３１に示すように、グリーンフィルタ層１３０Ｇとレッドフィルタ層１３０Ｒとの境界部分と、グリーンフィルタ層１３０Ｇとブルーフィルタ層１３０Ｂとの境界部分とに形成されている。つまり、撮像面（ｘｙ面）において、レッドフィルタ層１３０Ｒの周辺を囲うように、遮光部３００を形成する。また、撮像面（ｘｙ面）において、ブルーフィルタ層１３０Ｂの周辺を囲うように、遮光部３００を形成する。
【０２８８】
このように、異色のカラーフィルタ間に遮光部３００が形成されるため、上記の実施形態と同様に、「混色」の発生を防止可能であって、撮像画像の画像品質を向上させることができる。
【０２８９】
この他に、画素配列としては、３原色のカラーフィルタを設ける場合の他に、イエロー，マゼンダ，シアンのカラーフィルタを１組とした配列で、カラーフィルタを形成する場合に適用しても良い。つまり、補色系のカラーフィルタの場合に、適用しても良い。
【０２９０】
上記では、２つ、または、４つのフォトダイオードの間において画素トランジスタなどを共有する構成について示したが、これに限定されない。４つを超えるフォトダイオードの間において画素トランジスタなどを共有する場合においても、本発明を適用可能である。つまり、いずれの画素配置においても、適用可能である。
【０２９１】
なお、上記の実施形態において、固体撮像装置１，１ｅ，１ｆは、本発明の固体撮像装置に相当する。
また、上記の実施形態において、フォトダイオード２１は、本発明の光電変換部に相当する。
また、上記の実施形態において、転送トランジスタ２２は、本発明の転送トランジスタに相当する。
また、上記の実施形態において、カメラ４０は、本発明の電子機器に相当する。
また、上記の実施形態において、基板１０１は、本発明の半導体基板に相当する。
また、上記の実施形態において、カラーフィルタ１３０，１３０ｂ，１３０ｄ，１３０ｆは、本発明のカラーフィルタに相当する。
また、上記の実施形態において、ブルーフィルタ層１３０Ｂ，１３０Ｂｂ，１３０Ｂｄ，１３０Ｂｆは、本発明の第１フィルタ層または第２フィルタ層に相当する。
また、上記の実施形態において、グリーンフィルタ層１３０Ｇ，１３０Ｇｂ，１３０Ｇｄ，１３０Ｇｆは、本発明の第１フィルタ層または第２フィルタ層に相当する。
また、上記の実施形態において、レッドフィルタ層１３０Ｒ，１３０Ｒｂ，１３０Ｒｄ，１３０Ｒｆは、本発明の第１フィルタ層または第２フィルタ層に相当する。
また、上記の実施形態において、遮光部３００，３００ｂ，３００ｃ，３００ｅは、本発明の遮光部に相当する。
また、上記の実施形態において、フローティングディフュージョンＦＤ，ＦＤＡ，ＦＤＢは、本発明のフローティングディフュージョンに相当する。
また、上記の実施形態において、受光面ＪＳは、本発明の受光面に相当する。
また、上記の実施形態において、撮像領域ＰＡは、本発明の撮像面に相当する。
また、上記の実施形態において、撮像面ＰＳは、本発明の撮像面に相当する。
また、上記の実施形態において、画素トランジスタ５０は、本発明の半導体素子に相当する。
また、上記の実施形態において、水平方向ｘは、本発明の第１方向または第２方向に相当する。
また、上記の実施形態において、垂直方向ｙは、本発明の第１方向または第２方向に相当する。
【符号の説明】
【０２９２】
１，１ｅ，１ｆ：固体撮像装置、１３：垂直駆動回路、１４：カラム回路、１５：水平駆動回路、１７：外部出力回路、１７ａ：ＡＧＣ回路、１７ｂ：ＡＤＣ回路、１８：タイミングジェネレータ、１９：シャッター駆動回路、２１：フォトダイオード、２２：転送トランジスタ、２３：増幅トランジスタ、２４：選択トランジスタ、２５：リセットトランジスタ、２６：転送線、２７：垂直信号線、２８：アドレス線、２９：リセット線、４０：カメラ、４２：光学系、４３：制御部、４４：信号処理回路、１０１：基板、１１０：配線部、１１０ｈ：配線、１１０ｚ：絶縁層、１３０，１３０ｂ，１３０ｄ，１３０ｆ：カラーフィルタ、１３０Ｂ，１３０Ｂｂ，１３０Ｂｄ，１３０Ｂｆ：ブルーフィルタ層、１３０Ｇ，１３０Ｇｂ，１３０Ｇｄ，１３０Ｇｆ：グリーンフィルタ層、１３０Ｒ，１３０Ｒｂ，１３０Ｒｄ，１３０Ｒｆ：レッドフィルタ層、１４０：オンチップレンズ、２１２：定電位供給線、２１３：パルス端子、２１４：第１の行選択ＡＮＤ端子、２１５：垂直選択手段、２１６：パルス端子、２１７：第２の行選択用ＡＮＤ端子、２１８：パルス端子
２１９：第３の行選択用ＡＮＤ端子、３００，３００ｂ，３００ｃ，３００ｅ：遮光部
ＣＢ：中央部、ＦＤ，ＦＤＡ，ＦＤＢ：フローティングディフュージョン、ＨＴ：平坦化膜、ＪＫ：支持板、ＪＳ：受光面、ＯＬｂｇ，ＯＬｇｒ，ＯＬｒｂ：オーバーラップ領域、Ｐ：画素、ＰＡ：撮像領域、ＰＳ：撮像面、ＰＴｒ：画素トランジスタ、ＳＡ：周辺領域、ＳＢ：側端部、ＳＥＬＶＤＤ：選択電源、ＳＭ：遮光膜、ＳＺ：層間絶縁膜、ｘ：水平方向、ｙ：垂直方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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