(57)【要約】【課題】  モジュール内の電磁波の空間漏洩を抑圧し、電磁シールド性を確保することを目的とする。【解決手段】  半導体素子を収納する多層基板から構成される多層パッケージと、ボールグリッドアレイを介して、上記多層パッケージが接続される多層母基板とを備えて高周波モジュールが構成され、上記多層パッケージは上記半導体素子に接続される垂直給電ビアが設けられ、上記ボールグリッドアレイは接地されたバンプで周囲を囲まれる信号バンプを有し、上記多層母基板は上記ボールグリッドアレイの信号バンプに接続される垂直給電ビアと、当該垂直給電ビアに接続されるトリプレート線路が設けられる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を収納する多層基板から構成される多層パッケージと、
ボールグリッドアレイを介して、上記多層パッケージが接続される多層母基板と、
を備え、
上記多層パッケージは、上記半導体素子に接続される垂直給電ビアが設けられ、
上記ボールグリッドアレイは、接地されたバンプで周囲を囲まれる信号バンプを有し、
上記多層母基板は、上記ボールグリッドアレイの信号バンプに接続される垂直給電ビアと、当該垂直給電ビアに接続されるトリプレート線路が設けられた高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波やミリ波の高周波信号を処理する高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の高周波モジュールは、増幅器を収納した金属でカバーされた多層パッケージと、前後に配置される基板との間で、金ワイヤや金リボンなどによる接続が行われる。この接続部やマイクロストリップ線路から空間漏洩する電磁波が、自身や隣接して配置する回路に結合して誤動作や性能の劣化を起こさないように、モジュール内で十分に電磁シールド性を確保する必要がある。
【０００３】
このような電磁シールド性を確保する方法として、例えば、特許文献１に示すように、金属カバーを用いて閉空間内のカットオフ周波数を高くして、電磁シールド性を確保する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１７０８４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に示す従来の電磁シールド方法では、多層パッケージ数が多い場合に全体を覆うための金属カバーが大きくなるため、接地領域や固定ネジ数の増大に伴ってモジュール寸法が大きくなり、また多層パッケージのサイズが大きい場合、カットオフ周波数を高くすることができない問題があった。
【０００６】
この発明は、係る課題を解決するためになされたものであり、モジュール内の電磁波の空間漏洩を抑圧し、電磁シールド性を確保することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明による高周波モジュールは、半導体素子を収納する多層基板から構成される多層パッケージと、ボールグリッドアレイを介して、上記多層パッケージが接続される多層母基板とを備え、上記多層パッケージは、上記半導体素子に接続される垂直給電ビアが設けられ、上記ボールグリッドアレイは、接地されたバンプで周囲を囲まれる信号バンプを有し、上記多層母基板は、上記ボールグリッドアレイの信号バンプに接続される垂直給電ビアと、当該垂直給電ビアに接続されるトリプレート線路が設けられる。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、半導体素子を収納する多層パッケージと、多層母基板に内蔵するトリプレート線路を、ボールグリッドアレイを構成する信号バンプで接続することにより、電磁波の空間漏洩を抑圧することができるため、高周波信号特性を安定化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】この発明の実施の形態１に係わる高周波モジュールの構成を示す図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係わる高周波モジュールのトリプレート線路の構成を示す図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係わる高周波モジュールの垂直給電部の構成を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１はこの発明に係る実施の形態１による高周波モジュールの構成を示す図であり、図２はこの高周波モジュールのトリプレート線路の構成を示す部分上面視図であり、図３はこの高周波モジュールの垂直給電部の構成を示す部分上面視図である。以下、図について説明する。
【００１１】
図１において、実施の形態１の高周波モジュールは、母基板である多層基板（多層母基板）１０と、多層基板１０に接合される複数の多層パッケージ６を備えている。多層基板１０は、樹脂基板からなるプリント配線板を構成し、表面または裏面に多数の電気部品が実装されている。多層パッケージ６は多層基板１によって構成される。多層基板１は、多層基板１０に複数個実装されても良い。
【００１２】
多層基板１は、複数の絶縁体が積層された例えばセラミック積層体によって構成される。多層基板１は、上面に凹状のキャビティ（空洞）１００が設けられ、キャビティ底面には接地導体層１ａが形成されている。多層基板１は、最上面に接地導体層１ｃと信号導体層１ｂが形成されており、最上面の接地導体層にはシールリング５０が接合されている。シールリング５０の上面には、導体蓋（リッド）６０が接合されている。シールリング５０と導体蓋６０は金属カバー３を構成する。多層基板１の底面には接地導体層１ｄと信号導体層１ｆが形成されている。
【００１３】
多層基板１上面の接地導体層１ａには、キャビティ１００内に収容される、半導体素子を含む電子部品（半導体チップ）である増幅器２が載置されている。増幅器２の上面と多層基板１の信号導体層１ｂとは、金ワイヤや金リボンなどの導電性部材７０により接続されている。なお、増幅器２の上面と多層基板１の信号導体層１ｂとの高さは、同じになるように調整されている。
【００１４】
多層基板１底面の接地導体層１ｄには、複数のバンプ１１、１１ｂが接合されている。バンプ１１、１１ｂは、半田バンプや金バンプなどで構成され、多層基板１の底面に設けられたボールグリッドアレイを構成する。複数のバンプ１１、１１ｂはグランドに接続される。また、多層基板１底面の信号導体層１ｆには、信号バンプ１２が接合されている。信号バンプ１２は、半田バンプや金バンプなどで構成される。
【００１５】
多層基板１の内層には、接地導体ビア（ＶＩＡ）４と、導体からなる垂直給電ビア５が設けられている。接地導体ビア（ＶＩＡ）４は、多層基板１の外周を取り囲むように複数個配列されている。導体ビア４は、複数配列されることで擬似的な電磁シールド壁面を構成する。
【００１６】
また、垂直給電ビア５の周囲は、複数個の接地導体ビア（ＶＩＡ）４によって取り囲まれている。垂直給電ビア５は、多層基板１底面の信号導体層１ｆに接続される。また、接地導体ビア（ＶＩＡ）４は、多層基板１底面の接地導体層１ｄに接続される。さらに、多層基板１の外周に配列された接地導体ビア（ＶＩＡ）４は、多層基板１底面の多層基板１の外周側に設けられた接地導体層１ｄに接続される。接地導体層１ｄはグランドに接続される。
【００１７】
多層基板１０は、表面に導体層（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）が設けられ、裏面に接地導体層２１が形成されている。この表面の導体層は、信号導体層２０ａ、２０ｂと、接地導体層２０ｃから形成される。また、多層基板１０は、内層にトリプレート線路導体７と垂直給電ビア９と接地導体ビア８が設けられている。トリプレート線路導体７は、上下面が接地面を構成する導体層２０ｃと接地導体層２１の間に挟まれ、トリプレート線路を構成している。接地導体層２０ｃ、２１はグランドに接続される。
【００１８】
多層基板１０の信号導体層２０ａは、信号バンプ１２に接続されるとともに、導体からなる垂直給電ビア９を介して、トリプレート線路導体７に接続されている。
図２に示すように、トリプレート線路導体７に接続された垂直給電ビア９は、周囲を接地導体ビア８によって馬蹄形状に囲まれている。接地導体層２０ｃは、複数のバンプ１１に接合されている。信号導体層２０ｂは、垂直給電ビア９を介してトリプレート線路導体７に接続されており、外部回路または他の高周波モジュールに接続される外部信号端子を構成している。
【００１９】
図３に示すように、多層基板１および多層基板１０において、信号バンプ１２は、平面内で正方形状に配置されたバンプ１１ｂによって四方向が囲まれることで、擬似的に同軸線路を構成している。また、信号バンプ１２およびバンプ１１ｂによって構成される擬似的な同軸線路は、さらに複数のバンプ１１によって囲まれている。これによって、信号バンプ１２は、グランドに接続された８個のバンプによって周囲を囲まれることとなるので、擬似的な同軸線路からの電磁波の漏洩をより確実に抑えることができる。
【００２０】
実施の形態１による高周波モジュールは以上のように構成され、多層基板１上に増幅器２を搭載し、増幅器２は金属カバー３、接地導体１ａ、１ｄおよび導体ビア４から構成される擬似的な電磁壁で囲まれることによって電磁シールドされる。また、垂直給電ビア５、信号バンプ１２および垂直給電ビア９は垂直給電構造を構成し、導体ビア４、バンプ１１ｂおよび接地導体ビア８によって周囲を囲まれた擬似的な同軸線路を構成する。多層基板１０は、複数のバンプ１１、１１ｂが設けられ、増幅器２が収納され、金属カバー３が接合されて増幅器２を気密封止することで、多層パッケージ６を構成する。多層パッケージ６は、垂直給電ビア５を介して多層基板１の裏面の信号バンプ１２から信号を入力および出力し、内部の増幅器２により入力信号の信号増幅処理を行い、増幅された信号をパッケージ外部に出力する。バンプ１１、１１ｂおよび信号バンプ１２からなるボールグリッドアレイは垂直給電接続部を構成する。多層基板１と多層基板１０の間を接合するバンプ１１はグランドに接続されることで、多層基板１と多層基板１０の間の空隙を通過する高周波信号を抑制する。
【００２１】
また、多層基板１０は、トリプレート線路７を内蔵し、垂直給電ビア９で構成された垂直給電線路とトリプレート線路導体７を介して、基板表面の信号導体層２０ａ、２０ｂから信号を入力および出力する。多層パッケージ６は、その垂直給電接続部を介して多層基板１０に接続され、多層基板１０のトリプレート線路導体７を介して、信号導体層２０ｂとの間で信号の入力および出力を行う。
【００２２】
実施の形態１による高周波モジュールは以上のように構成されているので、多層基板１０内は垂直給電線路に接続されるトリプレート線路導体７が、グランドに囲まれた内層のトリプレート線路を構成しているため、多層基板１０の外部空間への電磁波の漏洩がない。また、ボールグリッドアレイを構成する多層パッケージ６の垂直給電接続部は、グランドに接続された導体ビア４で垂直給電ビア５が覆われているため、金属カバーで遮蔽することなく、外部空間への電磁波の漏洩を抑圧することができる。
【００２３】
また、金属カバーで封止された多層パッケージ６と、母基板の多層基板１０に内蔵するトリプレート線路を、ボールグリッドアレイを構成する垂直給電接続部で接続することにより、電磁波の空間漏洩を抑圧することができるため、ＲＦ（Radio Frequency）信号の通過損失を抑制することで、高周波信号の伝送特性を安定化することが可能となる。
【符号の説明】
【００２４】
１  多層基板、１ａ  接地導体層、１ｂ  信号導体層、１ｃ  接地導体層、１ｄ  接地導体層、２  増幅器、３  金属カバー、４  接地導体ビア、５  垂直給電ビア、６  多層パッケージ、７  トリプレート線路導体、８  接地導体ビア、９  垂直給電ビア、１０  多層基板（多層母基板）、１１  バンプ、１１ｂ  バンプ、１２  信号バンプ、２０ａ  信号導体層、２０ｂ  信号導体層、２０ｃ  接地導体層。
【図１】
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【図２】
2011187812.tif 000004
【図３】
2011187812.tif 000005