(57)【要約】【課題】可撓性を有する表示装置における湾曲時の表示信頼性を確保し、発熱を抑制することが可能な、表示装置を提供する。【解決手段】可撓性を有する基板と、基板に配列された複数の発光素子を有し、映像信号に応じた画像を表示する表示部と、基板の表面又は裏面の少なくともいずれかに設けられ、基板の湾曲状態を検知する変位センサと、変位センサにより基板の湾曲が検知された場合に、発光素子の共通カソード電極のカソード電位を制御する電位制御部と、を備える、表示装置が提供される。【選択図】図１
2011099923.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する基板と、
前記基板に配列された複数の発光素子を有し、映像信号に応じた画像を表示する表示部と、
前記基板の表面又は裏面の少なくともいずれかに設けられ、前記基板の湾曲状態を検知する変位センサと、
前記変位センサにより前記基板の湾曲が検知された場合に、前記発光素子の共通カソード電極のカソード電位を制御する電位制御部と、
を備える、表示装置。
【請求項２】
前記表示部はアクティブマトリクス駆動方式によって駆動し、
前記電位制御部は、
前記変位センサにより前記基板の湾曲が検知された場合に、湾曲量に応じたカソード電位制御量を決定するカソード電位演算部と、
前記カソード電位演算部が決定したカソード電位制御量に基づいて前記発光素子の共通カソード電極のカソード電位を発生させるカソード電位制御部と、
を備える、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記カソード電位演算部は、変位センサの出力とカソード電位制御量との関係を規定したルックアップテーブルに基づいてカソード電位制御量を決定する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記電位制御部は、前記カソード電位制御部の温度を測定する温度センサを更に備え、
前記カソード電位演算部は、前記湾曲量及び前記温度センサが測定した前記カソード電位制御部の温度に基づいてカソード電位制御量を決定する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記電位制御部は、前記発光素子を駆動させる駆動トランジスタを飽和領域で動作させるカソード電位の範囲内で、前記基板の湾曲状態に応じてカソード電位を制御する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記カソード電位演算部は、前記変位センサの出力値が所定のしきい値以下の場合は前記カソード電位制御量を０とする、請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記カソード電位演算部は、前記基板が湾曲する場合と、湾曲した前記基板が平面に復帰する場合とで、異なるルックアップテーブルに基づいて前記カソード電位制御量を演算する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項８】
前記変位センサは、ＩＴＯ又はＩＺＯからなる一対の透明電極を有し、前記一対の透明電極間の抵抗値の変化に基づいて、前記基板の湾曲状態を検知する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
映像信号に応じた画像を表示する表示部が設けられた、可撓性を有する基板の湾曲状態を検知する検知ステップと、
前記検知ステップにおいて前記基板の湾曲が検知された場合に、前記発光素子の共通カソード電極のカソード電位を制御する電位制御ステップと、
を備える、表示装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及び表示装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時においては、表示装置における表示素子の信頼性を確保することは非常に重要な課題となっている。特に、構造的なメカニカルな信頼性や表示性能に関する信頼性の確保は、従来と変わらず必要不可欠な項目である。
【０００３】
例えば下記の特許文献１には、電流量の温度上昇による素子の寿命劣化を抑制するために、映像データなどのデバイスの表示状態を判断できるデータから画像の状況を判断し、過電流を抑制するように点灯する水平走査線を制御する手法が提案されている。
【０００４】
また、下記の特許文献２には、表示装置に対する微小な応力による変形を、入射する光の偏光状態の変化として、偏光検出手段の光検出器によって、定量的に変化量を検出することで、屈折率などの光学特性制御を行うものが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１７３１９３号公報
【特許文献２】特開２００７−２４０６１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、表示素子として有機ＥＬ素子を用いた場合では、当該有機ＥＬ素子の両電極間に発生する電圧Ｖｅｌは、駆動電流Ｉｅｌによって変化する。図１８は、有機ＥＬ素子の電流電圧特性の一例を示す説明図である。図１８に示すような特性に基づき、表示素子として有機ＥＬ素子を用いた従来の表示装置においては有機ＥＬ素子の両電極間に発生する電圧Ｖｅｌの最大値を基準にカソード電位を決定する方式が採用されている。これは、有機ＥＬ素子の両電極間に最大電圧が発生する場合であっても、駆動トランジスタが飽和領域で動作するようにカソード電位を決定する方式が採用されていることを意味している。
【０００７】
従って、従来の有機ＥＬ素子を用いた表示装置では、電源電位ＶＤＤは固定であるので、常に一定の電圧（電源電位からカソード電位を引いたもの）が印加される。よって、従来の有機ＥＬ素子を用いた表示装置では、いかなる場合であっても、輝度を低く制御したときであっても、最大電圧が印加された状態であり、図１８に示したように、場合によっては必要の無い無駄な電圧が発生してしまっている。つまり、表示素子に対する制御とは無関係に一定の電圧が印加されてしまっている。
【０００８】
可撓性を有する表示装置では、湾曲時に画面の視認性が低下する場合があり、かかる場合においては湾曲前の状態と同じ品質の画像を表示する意味は低い。しかし、湾曲時に必要の無い電圧を有機ＥＬ素子に印加すると、画面の発熱を招き、表示性能が低下してしまうという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、可撓性を有する表示装置における湾曲時の表示信頼性を確保し、発熱を抑制することが可能な、新規かつ改良された表示装置及び表示装置の制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、可撓性を有する基板と、前記基板に配列された複数の発光素子を有し、映像信号に応じた画像を表示する表示部と、前記基板の表面又は裏面の少なくともいずれかに設けられ、前記基板の湾曲状態を検知する変位センサと、前記変位センサにより前記基板の湾曲が検知された場合に、前記発光素子の共通カソード電極のカソード電位を制御する電位制御部と、を備える、表示装置が提供される。
【００１１】
前記表示部はアクティブマトリクス駆動方式によって駆動し、前記電位制御部は、前記変位センサにより前記基板の湾曲が検知された場合に、湾曲量に応じたカソード電位制御量を決定するカソード電位演算部と、前記カソード電位演算部が決定したカソード電位制御量に基づいて前記発光素子の共通カソード電極のカソード電位を発生させるカソード電位制御部と、を備えていてもよい。
【００１２】
前記カソード電位演算部は、変位センサの出力とカソード電位制御量との関係を規定したルックアップテーブルに基づいてカソード電位制御量を決定してもよい。
【００１３】
前記電位制御部は、前記カソード電位制御部の温度を測定する温度センサを更に備え、前記カソード電位演算部は、前記湾曲量及び前記温度センサが測定した前記カソード電位制御部の温度に基づいてカソード電位制御量を決定してもよい。
【００１４】
前記電位制御部は、前記発光素子を駆動させる駆動トランジスタを飽和領域で動作させるカソード電位の範囲内で、前記基板の湾曲状態に応じてカソード電位を制御してもよい。
【００１５】
前記カソード電位演算部は、前記変位センサの出力値が所定のしきい値以下の場合は前記カソード電位制御量を０としてもよい。
【００１６】
前記カソード電位演算部は、前記基板が湾曲する場合と、湾曲した前記基板が平面に復帰する場合とで、異なるルックアップテーブルに基づいて前記カソード電位制御量を演算してもよい。
【００１７】
前記変位センサは、ＩＴＯ又はＩＺＯからなる一対の透明電極を有し、前記一対の透明電極間の抵抗値の変化に基づいて、前記基板の湾曲状態を検知するようにしてもよい。
【００１８】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、映像信号に応じた画像を表示する表示部が設けられた、可撓性を有する基板の湾曲状態を検知する検知ステップと、前記検知ステップにおいて前記基板の湾曲が検知された場合に、前記発光素子の共通カソード電極のカソード電位を制御する電位制御ステップと、を備える、表示装置の制御方法が提供される。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように本発明によれば、可撓性を有する表示装置における湾曲時の表示信頼性を確保し、発熱を抑制することが可能な、新規かつ改良された表示装置及び表示装置の制御方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の表側の面を示す平面図である。
【図２】表示装置の断面を示す模式図である。
【図３】変位センサを表示部の裏面側に設けた例を示す図であって、表示装置の裏面を示す平面図である。
【図４】変位センサを表示部の裏面側に設けた例を示す図であって、表示装置の断面を示す模式図である。
【図５】表示装置が湾曲した状態を示す図であって、表示部が設けられた表側の面が凹面となるように湾曲した状態を示す模式図である。
【図６】表示部が設けられた面が凸面となるように湾曲した状態を示す模式図である。
【図７】本実施形態に係る表示装置の機能構成を示すブロック図である。
【図８】本実施形態に係る制御部の機能構成を示すブロック図である。
【図９】抵抗変化量に応じたカソード電位制御量を規定するＬＵＴの一例を示す模式図である。
【図１０】カソード電位制御量を規定するＬＵＴの他の例を示す模式図である。
【図１１】本実施形態にかかるアクティブマトリクス駆動方式からなる画素回路の構成について示す説明図である。
【図１２】本実施形態に係るカソード電位制御部の構成について示す説明図である。
【図１３】消費電力の分配関係を示す説明図である。
【図１４】消費電力の分配比率を示す説明図である。
【図１５】表示装置の断面を示す図であって、変位センサを表示装置の表裏面に設けた構成例を示す模式図である。
【図１６】図１５に示す表示装置が湾曲した状態を示す模式図である。
【図１７】ルックアップテーブルの他の例を示す模式図である。
【図１８】有機ＥＬ素子の電流電圧特性の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２２】
［１．表示装置の構成例］
［２．表示装置の機能ブロック構成］
［３．制御部の機能ブロック構成］
［４．画素回路構成及び周辺回路構成］
［５．変位センサを表裏面に設けた構成例］
［６．ルックアップテーブルの他の例］
【００２３】
［１．表示装置の構成例］
まず、図１及び図２を参照して、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の概略構成について説明する。図１は、表示装置１００の表側の面を示す平面図である。表示装置１００は、後述する半導体層によって構成された、複数の画素がマトリクス状に配列されてなる表示部１１０を備える。表示部１１０は、映像信号に応じて各画素を発光させることにより、静止画や動画などの画像を表示する。
【００２４】
本実施形態では、フレキシブルな特徴をもち合せたゆえに、湾曲作動が自由となりうると当時に湾曲時に呼応して曲がり具合量に対して、固定表示部は、その変位検出量に応じて、表示装置の固定表示画像において、表示部１１０で画像を表示するための画像信号に対する制御を行うことで、固定表示による焼付きを抑制し、表示信頼性を確保する。
【００２５】
図２は、表示装置１００の断面を示す模式図である。図２に示すように、本実施形態においては、第１基板１０２、第２基板１０４、及び変位センサ１０６が積層されて、数十μｍ程度の厚さの極めて薄い表示装置１００が構成される。第１基板１０２は、フレキシブルな基板、たとえば樹脂製のプラスチック基板上に、各画素を構成する表示素子（発光素子）が形成されて構成されたものであり、表示素子は低温プロセスで形成可能な有機半導体あるいは無機半導体の素子を用いることができる。本実施形態では、第１基板１０２には、表示素子として有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子が形成されるものとする。
【００２６】
第２基板１０４は、やはり樹脂性のプラスチック基板からなり、有機半導体あるいは無機半導体からなる表示素子を備える第１基板１０２に対して対向して配置され、表示素子を封止する封止基板としての機能を有する。このように、本実施形態では、第１基板１０２及び第２基板１０４の２種の基板によって半導体層が挟持されることで表示装置１００が構成される。画像が表示される表示部１１０は、第２基板１０４側の面となる。そして、このような構成により、表示装置１００は、数十μｍ程度の厚さで構成され、可撓性を有し、画像を表示した状態で自由に湾曲することができる。
【００２７】
図１及び図２に示すように、第２基板１０４の表面には、透明な電極体、たとえば、ＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などからなる変位センサ１０６が配列されている。変位センサ１０６は、例えば表示部１１０と同じ領域に形成されている。変位センサ１０６は透明な電極体からなり、第１基板１０２の表示素子に各々対向して配列されている。
【００２８】
変位センサ１０６は、例えば既存のタッチパネルの電極と同様に構成され、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明電極からなる２枚の金属薄膜（抵抗膜）が対向して配置され、この１対の金属薄膜が平面領域において例えばマトリクス状に複数配置されている。変位センサ１０６の対向する透明電極は抵抗を有し、一方の電極には所定の電圧が印加され、電極間の抵抗値がモニタされている。このような構成において、表示装置１００が湾曲すると、湾曲した位置で２枚の金属薄膜間の抵抗値が変化し、他方の電極には湾曲に応じた電圧が発生するため、抵抗値の変化を検出することができる。従って、マトリクス状に配置された複数の１対の金属薄膜のうち、抵抗値が変化した金属薄膜を検知することで、変位センサ１０６のどの位置が変位したかを検知することができ、表示部１１０がどの位置で折り曲げられたかを検知できる。また、抵抗値の変化は、表示装置１００の曲がり量が大きくなるほど増大する。このようにして、表示装置１００は、変位センサ１０６にて検出された抵抗変化量を検出し、表示装置１００の曲がり位置、および曲がり量を検出することができる。
【００２９】
図３及び図４は、変位センサ１０６を表示部１１０の裏面側に設けた例を示す模式図である。ここで、図３は表示装置１００の裏面の平面図を示しており、図４は表示装置１００の断面図を示している。図３及び図４に示す構成において、第１基板１０２と第２基板１０４の構成は、図１及び図２の表示装置１００と同様である。この構成例では、図４に示すように、変位センサ１０６は、第１基板１０２の裏面に設けられている。変位センサ１０６を表示部１１０の裏面に設けた場合も、表示部１１０の表面に設けた場合と同様に、抵抗値の変化に応じて表示装置１００の湾曲量、湾曲位置を検出することができる。
【００３０】
以上、本発明の一実施形態にかかる表示装置１００の概略構成について説明した。図１〜図４に示した表示装置１００は、上述したように数十μｍ程度の厚さであり、可撓性を有している。従って、ユーザによって表示装置１００を湾曲させることができる。しかし、表示装置１００が湾曲した状態では、湾曲していない状態と同等の表示状態を維持する可能性が低くなる。表示装置１００の湾曲により表示部１１０の視認性が低下するからである。
【００３１】
図５は、表示装置１００が湾曲した状態を示す模式図であって、表示部１１０が設けられた表側の面が凹面となるように湾曲した状態を示している。また、図６は、表示部１１０が設けられた面が凸面となるように湾曲した状態を示している。
【００３２】
図５及び図６に示すように、表示装置１００が湾曲した状態では、湾曲によって表示部１１０の視認性が低下するため、通常と同じ画像の表示状態を維持する必要性は低くなる。例えば、図５のように、表示画面が凹面となるように湾曲した場合は、表示画面上の画像も湾曲する。また、表面の乱反射等の影響により、平面の場合と比較すると画質も低下する。このため、表示部１１０で画像を表示するために、カソード電位の制御を実行することで、表示素子に対して必要の無い電圧の印加を回避することができる。
【００３３】
特に、図５のように、表示部１１０の表示画面が１８０°程度の角度で屈曲した場合は、外側から表示部１１０の画像が視認できない領域が生じるため、画像信号に対する制御を実行した場合であっても、ユーザに対する違和感を与えることがなくなる。同様に、図６のように、表示部１１０の表示画面が凸面となるように湾曲した場合、表示画面上の画像も湾曲し、画質も低下することから、画像信号に対する制御を行った場合であっても、ユーザに与える違和感を抑えることができる。この場合に、カソード電位の制御を実行することで、表示素子に対して必要の無い電圧の印加を回避することができる。このように、本実施形態では、表示部１１０が湾曲した場合に、湾曲前の状態での画像表示状態を維持する必要性が薄くなることに鑑みて、カソード電位の制御を実行する。これにより、可撓性を有する表示装置１００における湾曲時の表示信頼性を確保することが可能である。
【００３４】
［２．表示装置の機能ブロック構成］
以下に具体的な制御手法について説明する。図７は、本実施形態に係る表示装置１００の機能構成を示すブロック図である。以下、図７を用いて表示装置１００の機能ブロック構成について説明する。
【００３５】
図７に示したように、本実施形態に係る表示装置１００は、マトリクス状に画素回路１０３が形成された第１基板１０２と、変位センサ１０６と、走査線ドライバ１２２と、データ線ドライバ１２４と、制御部１３０と、を含んで構成される。第１基板１０２については説明済みであるので、ここでは変位センサ１０６、走査線ドライバ１２２、データ線ドライバ１２４、及び制御部１３０の機能について説明する。
【００３６】
変位センサ１０６は、上述したように透明のＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜などからなり、ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜は抵抗を有している。対向する２枚の抵抗膜の内、１枚の抵抗膜に対して電圧を印加しておくと、ユーザが表示部１１０に対して操作した位置に応じた電圧が対向するもう１枚の抵抗膜にも発生する。この電圧を検知することにより、変位センサ１０６は、アナログ量として操作位置を検出することが可能となる。従って、表示部１１０の湾曲量を変位センサ１０６でアナログ量として検出することで、制御部１３０における、表示部１１０が湾曲しているかどうかの判断に用いることができる。
【００３７】
走査線ドライバ１２２は、画素回路１０３への信号データの書き込みタイミングを与えるためのデバイスである。データ線ドライバ１２４は、表示素子１０３の信号データの書き込み処理を実行するデバイスである。走査線ドライバ１２２及びデータ線ドライバ１２４により、表示素子１０３への信号データの書き込みが行われ、表示素子１０３による画像の表示が可能となる。
【００３８】
制御部１３０は、走査線ドライバ１２２に対する制御を実行するものであり、特に、変位センサ１０６が検出した抵抗変化量に応じて、表示素子１０３の共通カソード電位を制御するものである。
【００３９】
以上、図７を用いて表示装置１００の機能ブロック構成について説明した。次に、本実施形態にかかる制御部１３０の構成について説明する。
【００４０】
［３．制御部の機能ブロック構成］
図８は、本実施形態にかかる制御部１３０の機能ブロック構成について示す説明図である。以下、図８を用いて本実施形態にかかる制御部１３０の機能ブロック構成について説明する。
【００４１】
図８に示した制御部１３０の機能ブロックは、センサ、回路などのハードウェア、または中央演算処理装置（ＣＰＵ）とこれを機能させるためのソフトウェア（プログラム）によって構成される。図８に示したように、制御部１３０は、抵抗検出部１３２と、抵抗比較部１３４と、カソード電位演算部１３６と、温度センサ１３７と、カソード電位制御部１３８と、を備える。
【００４２】
抵抗検出部１３２は、変位センサ１０６から出力される抵抗値を検出するものである。抵抗検出部１３２が検出した抵抗値は抵抗比較部１３４に送られる。
【００４３】
抵抗比較部１３４は、表示装置１００が湾曲していない平面の状態での基準抵抗値と、抵抗検出部１３２にて検出された抵抗値を比較するものである。抵抗比較部１３４で抵抗値を比較して、抵抗値の変化量を算出することで、表示装置１００がどの程度湾曲しているかどうかを検出することができる。抵抗比較部１３４で算出した抵抗値の変化量の情報は、カソード電位演算部１３６に送られる。
【００４４】
抵抗比較部１３４は、抵抗変化量が検出された場合は、その変化量をカソード電位演算部１３６へ出力する。抵抗変化量が検出されなかった場合、すなわち、抵抗検出部１３２にて検出された抵抗値と基準抵抗値との間に差がない場合は、表示装置１００が湾曲していないため、抵抗変化量はカソード電位演算部１３６には出力されない。
【００４５】
カソード電位演算部１３６は、抵抗比較部１３４で算出した抵抗値の変化量を用いて、後段のカソード電位制御部１３８におけるカソード電位制御処理に用いるカソード電位制御量を決定して出力するものである。温度センサ１３７は、カソード電位制御部１３７の温度を計測し、計測した温度の情報をカソード電位演算部１３６に送るものである。カソード電位制御部１３８は、カソード電位演算部１３６が決定したカソード電位制御量を用いてカソード電位の制御を実行するものである。
【００４６】
カソード電位演算部１３６においては、抵抗変化量に応じて制御すべきカソード電位制御量が予めルックアップテーブル（ＬＵＴ）として格納されている。図９は、ルックアップテーブルとして格納される、抵抗変化量とカソード電位制御量との関係の一例を示す説明図である。図９に示したように、本実施形態では、予め格納されたデータを用いて、カソード電位制御量制御を行うものとする。図９に示すように、抵抗変化量が少ない場合は、カソード電位制御量の値が小さく設定される。そして、抵抗変化量が大きくなる程、例えばカソード電位制御量は指数関数的に大きくなるように設定される。これにより、表示部１１０の曲がりが少ない場合は、表示部１１０の表示性能を大きく制御する必要が無いので、カソード電位制御量を小さくする。なお、抵抗変化量が小さい所定の範囲では出力制御を実行しないようにしても良い。例えば、図９に示すように、抵抗変化量が小さい所定の範囲ではカソード電位は制御しないようにし、抵抗変化量がある所定のしきい値Ｔｈを超えた場合からカソード電位の制御を開始するようにルックアップテーブルを規定してもよい。
【００４７】
図１０は、カソード電位制御量を規定するＬＵＴの他の例を示す模式図である。図１０に示す例では、変位センサ１０６により検出された電圧値（抵抗値に相当する値）と、カソード電位制御部１３８の駆動温度の測定値と、カソード電位制御量との関係を規定している。変位センサ１０６の一方の透明電極に所定の電圧を印加した場合に、表示装置１００が湾曲していない状態での他方の電極の電圧値を基準電圧とすると、湾曲量が大きくなるほど、変位センサ１０６の他方の電極の基準電圧に対する電圧値は増加する。従って、変位センサ１０６の他方の電極の基準電圧に対する電圧値を図１０のＬＵＴに当てはめることで、カソード電位制御量を求めることができる。
【００４８】
また、図１０に示したように、ＬＵＴにはカソード電位制御部１３８の駆動温度の測定値がカソード電位に対応して記録されている。図１０に示した例では、カソード電位制御部１３８の測定温度が仮に１０℃だった場合には３Ｖのカソード電位値が対応付けられており、４５℃だった場合には１．５Ｖのカソード電位値が対応付けられている。
【００４９】
以上、本実施形態にかかる制御部１３０の構成について説明した。次に、本実施形態に係る、アクティブマトリクス駆動方式からなる画素回路構成及び周辺回路構成について説明する。
【００５０】
［４．画素回路構成及び周辺回路構成］
図１１は、本実施形態に係る、アクティブマトリクス駆動方式からなる画素回路１０３の構成について示す説明図である。以下、図１１を用いて画素回路１０３の構成について説明する。
【００５１】
図１１に示したように、画素回路１０３は、書き込み用トランジスタＴ１と、電流駆動トランジスタＴ２と、電荷保持のためのキャパシタＣと、表示素子である有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、を含んで構成される。
【００５２】
書き込み用トランジスタＴ１は、表示部１１０に供給される映像データに対応する信号データＶｓｉｇのキャパシタＣへの書き込みを制御するためのものである。書き込み用トランジスタＴ１の開閉動作は、走査線ドライバ１２２からの書き込み信号ＷＳによって制御される。書き込み用トランジスタＴ１が閉まっている期間において、データ線ドライバ１２４から供給される信号データＶｓｉｇがキャパシタＣへ書き込まれる。
【００５３】
電流駆動トランジスタＴ２は、キャパシタＣに書き込まれた信号データＶｓｉｇに応じた駆動電流を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給するものである。
【００５４】
カソード電位制御部１３８は、変位センサ１０６が検出した抵抗変化量に応じて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電位Ｖｃａｔｈｏｄｅを反比例の線形で制御するものである。従って、カソード電位制御部１３８は、変位センサ１０６が検出した抵抗変化量が大きいほど、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電位Ｖｃａｔｈｏｄｅを小さくするように制御する。ただし、駆動トランジスタＴ２は飽和領域で駆動することとする。これは。非飽和領域で駆動トランジスタＴ２を駆動させた場合は、画素内のピーク輝度が映像データの最大信号レベルよりも小さくなってしまうためである。
【００５５】
以上、図１１を用いて本実施形態に係る画素回路１０３の構成について説明した。もちろん、画素回路の構成はかかる例に限定されないことは言うまでも無く、有機ＥＬ素子を発光させるためのトランジスタやキャパシタの構成は図１１に示したもの以外のものであってもよい。次に、カソード電位制御部１３８の構成について説明する。
【００５６】
図１２は、本実施形態に係るカソード電位制御部１３８の構成について示す説明図である。以下、図１２を用いて本実施形態に係るカソード電位制御部１３８の構成について説明する。
【００５７】
カソード電位制御部１３８は、カソード電位設定部１４２と、カソード電位調節部１４４と、を含んで構成される。カソード電位設定部１４２は、図１２に示したように、抵抗Ｒ１、Ｒ２と、オペアンプＯＰ１と、を含んで構成される。カソード電位調節部１４４は、例えば抵抗Ｒ３から構成されるデジタルポテンショメータを用いても良く、カソード電位演算部１３６が決定したカソード電位制御量に基づいてカソード電位を調節するものである。
【００５８】
図１２に示したような構成を有するカソード電位制御部１３８によって、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電位Ｖｃａｔｈｏｄｅの制御を実行する。カソード電位制御部１３８によって、基準カソード電位Ｖｃａｔｈｏｄｅ（ｌ）と、カソード電位調節部１４４から印加される共通カソード電位Ｖｃａｔｈｏｄｅ（ｈ）とが決まり、表示部１１０の共通カソード電極に接続される配線の電位は、共通カソード電位Ｖｃａｔｈｏｄｅ（ｈ）と同電位に制御することができる。
【００５９】
図１３は、カソード電位制御部１３８による、表示部１１０の消費電力とカソード電位制御部１３８の消費電力との分配関係を示す説明図である。図１２に示したように、表示部１１０に印加される電圧、すなわちＶｄｄ−Ｖｃａｔｈｏｄｅ（ｌ）の電圧はほぼ一定値に固定されている。一方、カソード電位制御部１３８によって、湾曲量に応じて、共通カソード電位Ｖｃａｔｈｏｄｅ（ｈ）を変化させることができるので、ＶｄｄからＶｃａｔｈｏｄｅ（ｈ）を引いた電圧と、Ｖｃａｔｈｏｄｅ（ｈ）からＶｃａｔｈｏｄｅ（ｌ）を引いた電圧との比率が、湾曲量に応じて可変制御されることになる。
【００６０】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電位Ｖｃａｔｈｏｄｅ（ｈ）は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの両電極間の電位差Ｖｅｌを打ち消すように設定されている。従って、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極と電源電位ＶＤＤとの間に印加される電圧は、共通カソード電位Ｖｃａｔｈｏｄｅ（ｈ）の可変制御に関係なく、略一定に保たれる。
【００６１】
なお、表示部１１０で消費される電力と、カソード電位制御部１３８で消費される電力との比は、表示部１１０に印加される電圧と、カソード電位制御部１３８に印加される電圧との比に応じて変動することになる。このことは、カソード電位制御部１３８の駆動温度が高くなるほど、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電位Ｖｃａｔｈｏｄｅ（ｈ）を高くして、表示部１１０の消費電力を低減できることを意味する。
【００６２】
従って、カソード電位制御部１３８による有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電位Ｖｃａｔｈｏｄｅ（ｈ）の制御によって、表示部１１０に印加される電圧（ＶＤＤ−Ｖｃａｔｈｏｄｅ（ｈ））のうち、発光制御に必要最低限の電力だけを表示部１１０に印加し、その他の電力をカソード電位制御部１３８に割り当てることができる。結果的に、表示部１１０の消費電力を下げることは、表示部１１０の発熱量を下げる作用となり、よって表示部１１０にマトリクス状に配された発光素子の信頼性を確保することができる。
【００６３】
なお、上述したように、Ｖｄｄ−Ｖｃａｔｈｏｄｅ（ｌ）の電圧は略一定値に固定されているので、表示部１１０の消費電力が下がれば、反対にカソード電位制御部１３８の消費電力が増加することになる。しかし、カソード電位制御部１３８は、表示部１１０の外に構成されるものであるから、表示部１１０の発熱よりも大きく放熱効果が期待でき、結果的に表示装置１００の発熱を容易に抑制できる。図１４は、電源電位ＶＤＤと基準カソード電位Ｖｃａｔｈｏｄｅ（ｌ）との間の、カソード電位制御部１３８の駆動温度に応じた消費電力の分配比率を示す説明図である。カソード電位制御部１３８の駆動温度が低ければ、表示部１１０の消費電力の比率が増加し、カソード電位制御部１３８の駆動温度が高くなるにつれ、表示部１１０の消費電力の比率が減少し、カソード電位制御部１３８の消費電力の比率が増加する。
【００６４】
このように、表示部１１０の湾曲量を変位センサ１０６で検出し、湾曲量に応じて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電位を制御する。カソード電位の制御は、カソード電位制御部１３８の温度と、表示部１１０の湾曲量とから、ＬＵＴよりカソード電位制御量を読み出すことによって実行される。このように有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電位を制御することで、各駆動温度での発光動作に最低限必要なカソード電位を決定して、表示部１１０の発熱を抑制して、表示性能を確保することが可能となる。
【００６５】
［５．変位センサを表裏面に設けた構成例］
図１５は、表示装置１００の断面を示す模式図であって、変位センサを表示装置１００の表裏面に設けた構成例を示している。また、図１６は、図１５に示す表示装置１００が湾曲した状態を示す模式図である。図１６の場合、湾曲部において、表示部１１０が設けられていない裏面側の変位センサ１０６の曲率半径は、表示部１１０が設けられている表面側の変位センサ１０６の曲率半径よりも大きくなる。より詳細には、裏面側の変位センサ１０６の曲率半径は、第１基板１０２及び第２基板１０４の厚さ分だけ大きくなる。このため、表面側の変位センサ１０６の湾曲量は裏面側の変位センサ１０６の湾曲量に比べて大きくなり、より湾曲量の大きい表面側の変位センサ１０６の抵抗変化量は、裏面側の変位センサ１０６の抵抗変化量よりも大きくなる。
【００６６】
従って、図１５に示す構成によれば、表裏面の変位センサ１０６により抵抗変化量を検出した場合に、表裏面の抵抗変化量を比較することで、表裏面の何れか一方が凹面で、他方が凸面であることを検出することができる。そして、表面が凹面となる場合は、表面が凸面となる場合に比べて表示部１１０が外側から隠れてしまい、表示部１１０がより認識されにくくなるため、画像信号に対する制御を実行しても、カソード電位の変化によって表示部１１０に表示される画像が目立たなくなり、制御量をより大きくすることが可能となる。一方、表面が凸面となる場合は、画像に湾曲が生じるものの、画像自体は認識できることから、表面が凹面の場合に比べて制御量を少なくすることで、カソード電位の変化を抑えることが可能となる。
【００６７】
［６．ルックアップテーブルの他の例］
図１７は、ルックアップテーブルの他の例を示す模式図である。図１７に示す例では、表示装置１００が折り曲げられる過程と、折り曲げが元に戻る過程とで、抵抗変化量に対する出力制御値が異なるようにしている。
【００６８】
図１７に示すルックアップテーブルにおいて、表示装置１００が折り曲げられる過程における特性曲線（図１７中に実線で示す）は、図９と同様である。一方、折り曲げが元に戻る過程では、図１７において破線で示す特性曲線とし、抵抗変化量が大きい領域では抵抗変化量に対するカソード電位制御値の変化量をより大きくし、抵抗変化量が小さい領域では抵抗変化量に対するカソード電位制御値の変化量をより小さくする。これにより、折り曲げられた状態から平面に復帰する際に、より早い段階でカソード電位を元の状態に戻すことができる。従って、湾曲した表示装置１００が平面に復帰する際に、カソード電位の変化による違和感がユーザに与えられてしまうことを確実に抑止できる。
【００６９】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００７０】
例えば、上記実施形態では、抵抗変化量に応じてカソード電位の制御を行っていたが、本発明はかかる例に限定されない。例えば、表示装置１００の表示面が見えている状態で折り曲げられた場合には、表示装置１００の表示面が見えていない状態に比べて、カソード電位の制御の速度を緩やかにしてもよい。
【符号の説明】
【００７１】
１００    表示装置
１０２    第１基板
１０３    画素回路
１０４    第２基板
１０６    変位センサ
１１０    表示部
１３０    制御部
１３２    抵抗検出部
１３４    抵抗比較部
１３６    カソード電位演算部
１３８    カソード電位制御部
１４２    カソード電位設定部
１４４    カソード電位調節部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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