(57)【要約】【課題】半導体ウェーハのダイシングの際に、粘接着剤層付き半導体チップへの切削屑の付着を抑制でき、ダイシングの後に、粘接着剤層付き半導体チップを無理なくピックアップできるダイシング−ダイボンディングテープを提供する。【解決手段】粘接着剤層３と、該粘接着剤層３に積層された非粘着層４とを備え、非粘着層４が、アクリル系ポリマーと、反応性二重結合基を表面に有するフィラーとを含有する組成物を架橋させた架橋体により形成されているダイシング−ダイボンディングテープ１。【選択図】図１
2011054707.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘接着剤層と、該粘接着剤層に積層された非粘着層とを備え、
前記非粘着層が、アクリル系ポリマーと、反応性二重結合基を表面に有するフィラーとを含有する組成物を架橋させた架橋体により形成されている、ダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項２】
前記組成物が、アクリル基と反応可能な二重結合を有し、かつ重量平均分子量が１００〜５００００の範囲内にあるオリゴマーをさらに含有する、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項３】
前記オリゴマーが、ポリエーテル骨格、ポリエステル骨格、ブタジエン骨格、ポリウレタン骨格、シリケート骨格、イソプレン骨格、ポリアルキル骨格、ポリアクリロニトリル骨格、ポリカーボネート骨格及びジシクロペンタジエン骨格からなる群から選択された少なくとも１種の骨格を有する、請求項２に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項４】
前記フィラーの平均粒径が、０．１〜１０μｍの範囲内にある、請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項５】
前記非粘着層の前記粘接着剤層が積層されている面とは反対側の面に積層されたダイシングフィルムをさらに備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層の、前記非粘着層が積層されている面とは反対側の面に、半導体ウェーハを接合する工程と、
前記ダイシング−ダイボンディングテープに接合された半導体ウェーハを前記粘接着剤層ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
ダイシング後に、前記半導体チップが接合された前記粘接着剤層を前記非粘着層から剥離し、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、半導体チップの製造方法。
【請求項７】
ダイシング後に、前記粘接着剤層と前記非粘着層との間の剥離力を変化させることなく、半導体チップが取り出される、請求項６に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの製造に用いられるダイシング−ダイボンディングテープに関し、より詳細には、半導体ウェーハに接合され、ダンシング時及びダイボンディング時に用いられるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェーハから半導体チップを切り出し、基板等に実装するために、ダイシング−ダイボンディングテープが用いられている。ダイシング−ダイボンディングテープでは、ダイボンディングフィルムの一方の面に半導体ウェーハが貼り付けられており、ダイボンディングフィルムの他方の面にダイシングフィルムが貼り付けられている。ダイシングの際には、半導体ウェーハがダイボンディングフィルムごとダイシングされる。ダイシング後に、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムがダイシングフィルムから剥離されて、ダイボンディングフィルムごと半導体チップが取り出される。そして、ダイボンディングフィルム側から半導体チップが、基板上に実装される。
【０００３】
例えば、下記の特許文献１には、フィルム状接着剤層の片面に、放射線硬化型粘着剤層を有するダイシングテープが積層されたダイシング−ダイボンディングテープが開示されている。フィルム状接着剤層は、熱可塑性樹脂と、エポキシ樹脂とを含有するフィルム状接着剤により形成されている。ここでは、上記エポキシ樹脂として、３官能以上のエポキシ樹脂と、液状エポキシ樹脂とが用いられている。上記フィルム状接着剤層は、半導体チップの片面に貼り付けられるダイボンディングフィルムに相当する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２９２８２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の放射線硬化型粘着剤層は、ダイシング時には未硬化であるため、比較的柔らかい。このため、ダイシングの際の切削性が十分でなく、ダイシング後に半導体チップをピックアップする際に、ひげ状の切削屑が生じやすかった。このため、半導体チップを確実にピックアップできないことがあった。また、切削屑が、ダイボンディングフィルム又は半導体チップに付着すると、ピックアップされた半導体チップを正しい向きにかつ高精度に実装できないことがあった。
【０００６】
また、放射線を照射しても、上記放射線硬化型粘着剤層の粘着力が十分に低くならないことがあった。粘着力が十分に低められていない放射線硬化型粘着剤層から、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムを剥離しようとした場合、半導体チップに余分な力が加わる。このため、半導体チップが破損するおそれがあった。
【０００７】
本発明の目的は、半導体ウェーハのダイシングの際に、粘接着剤層付き半導体チップへの切削屑の付着を抑制でき、ダイシングの後に、粘接着剤層付き半導体チップを無理なくピックアップできるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法を提供することである。
【０００８】
また、本発明の限定的な目的は、紫外線などの光等を照射する煩雑な作業を必要とすることなく、粘接着剤層付き半導体チップを無理なくピックアップできるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、粘接着剤層と、該粘接着剤層に積層された非粘着層とを備え、前記非粘着層が、アクリル系ポリマーと、反応性二重結合基を表面に有するフィラーとを含有する組成物を架橋させた架橋体により形成されている。粘接着剤層が、ダイボンディングフィルムとして用いられる部分である。すなわち、粘接着剤層が、半導体チップのピックアップ時に、半導体チップとともにピックアップされる部分である。
【００１０】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記組成物は、アクリル基と反応可能な二重結合を有し、かつ重量平均分子量が１００〜５００００の範囲内にあるオリゴマーをさらに含有する。
【００１１】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの他の特定の局面では、前記オリゴマーは、ポリエーテル骨格、ポリエステル骨格、ブタジエン骨格、ポリウレタン骨格、シリケート骨格、イソプレン骨格、ポリアルキル骨格、ポリアクリロニトリル骨格、ポリカーボネート骨格及びジシクロペンタジエン骨格からなる群から選択された少なくとも１種の骨格を有する。
【００１２】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのさらに他の特定の局面では、前記フィラーの平均粒径は、０．１〜１０μｍの範囲内にある。
【００１３】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、半導体ウェーハを半導体チップにダイシングする際、及び、ダイシングされた半導体チップをダイシングされた粘接着剤層とともにピックアップする際に用いられる。
【００１４】
本発明のダイシング−ダイボンディングテープでは、上記非粘着層がダイシング時のダイシングフィルムを兼ねていてもよい。この場合には、本発明のダイシング−ダイボンディングテープに半導体ウェーハを貼り付けて、ダイシングを行うことができる。
【００１５】
また、本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、前記非粘着層の前記粘接着剤層が積層されている面とは反対側の面に積層されたダイシングフィルムがさらに備えられてもよい。この場合には、ダイシングフィルムにより、ダイシングにおけるエクスパンド等がより一層確実に行われ得る。従って、非粘着層には、ダイシングフィルムとしての機能が要求されないので、様々な材料及び組成により非粘着層を自由に設計できる。
【００１６】
本発明に係る半導体チップの製造方法は、本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層の、前記非粘着層が積層されている面とは反対側の面に、半導体ウェーハを接合する工程と、前記ダイシング−ダイボンディングテープに接合された半導体ウェーハを前記粘接着剤層ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、ダイシング後に、前記半導体チップが接合された前記粘接着剤層を前記非粘着層から剥離し、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える。
【００１７】
本発明に係る半導体チップの製造方法では、ダイシング後に、前記粘接着剤層と前記非粘着層との間の剥離力を変化させることなく、半導体チップが取り出されることが好ましい。本発明では、ダイシング後に、剥離力を変化させなくても、粘接着剤層付き半導体チップを無理なく取り出すことができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、粘接着剤層と非粘着層とを備えているため、例えば、該粘接着剤層の非粘着層が積層されている側とは反対側の面に半導体ウェーハを接合し、本発明の半導体チップの製造方法に従ってダイシング工程を行い、ダイシング後に、半導体チップが接合された粘接着剤層を非粘着層から剥離し、半導体チップを粘接着剤層ごと取り出すことにより、粘接着剤層付き半導体チップを製造できる。
【００１９】
また、本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、上記非粘着層が、アクリル系ポリマーと、反応性二重結合基を表面に有するフィラーとを含有する組成物を架橋させた架橋体により形成されているため、ダイシングの際に、切削屑の発生及びフィラーの飛散を抑制できる。このため、粘接着剤層付き半導体チップに、切削屑又はフィラーが付着するのを抑制できる。また、ダイシング後に、例えば非粘着層の剥離力を変化させなくても、粘接着剤層付き半導体チップを、非粘着層から無理なく剥離できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図である。
【図２】図２は、本発明の別の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図である。
【図３】図３は、半導体チップの製造に用いられる半導体ウェーハを示す平面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法の一例を説明するための図である。半導体ウェーハがステージ上に置かれた状態を示す正面断面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法の一例を説明するための図である。粘接着剤層に半導体ウェーハを接合するときの状態を示す正面断面図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法の一例を説明するための図である。粘接着剤層に半導体ウェーハが接合された状態を示す正面断面図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法の一例を説明するための図である。粘接着剤層付き半導体ウェーハが裏返されて別のステージ上に置かれた状態を示す正面断面図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体装置を製造する方法の一例を説明するための図である。粘接着剤層が接合された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程を段階的に示す部分切欠正面断面図である。
【図９】図９は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて製造された半導体チップを示す正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２２】
図１（ａ）及び（ｂ）に、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図で示す。
【００２３】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型フィルム２を有する。離型フィルム２の上面２ａに、ダイボンディングフィルムとしての粘接着剤層３と、非粘着層４と、ダイシングフィルム５とがこの順に積層されている。非粘着層４の一方の面４ａに、粘接着剤層３が貼り付けられている。非粘着層４の一方の面４ａとは反対側の他方の面４ｂに、ダイシングフィルム５が貼り付けられている。
【００２４】
粘接着剤層３、非粘着層４及びダイシングフィルム５の平面形状は、円形である。
【００２５】
粘接着剤層３の径は、非粘着層４の径と異なってもよい。非粘着層４の径は、粘接着剤層３の径よりも大きいことが好ましい。非粘着層４の外周側面は、粘接着剤層３の外周側面よりも外側に張り出していることが好ましい。また、非粘着層４の外周側面は、粘接着剤層３により覆われていないことが好ましい。
【００２６】
これらの場合には、粘接着剤層３に半導体ウェーハを接合する際に、非粘着層４が設けられている位置に対応する部分に半導体ウェーハを正確に位置合わせできる。また、半導体ウェーハを粘接着剤層３により一層確実に接合できる。
【００２７】
ダイシングフィルム５の径は、粘接着剤層３及び非粘着層４の径よりも大きい。このように、ダイシングフィルム５の径は、粘接着剤層３及び非粘着層４の径よりも大きいことが好ましい。ダイシングフィルム５の外周側面は、粘接着剤層３及び非粘着層４の外周側面よりも外側に張り出していることが好ましい。これらの場合には、ダイシングフィルム５にダイシングリングをより一層確実に貼り付けることができる。また、粘接着剤層３に、半導体ウェーハを正確に位置合わせして貼り付けることができる。さらに、ダイシングリングと半導体ウェーハとを異なる層に貼り付けることができるので、粘接着剤層３とダイシングフィルムとをそれぞれ最適な材料により構成できる。このため、切削性及びピックアップ性と、ダイボンディング後の接合信頼性とを高くすることができる。
【００２８】
粘接着剤層３の離型フィルム２が貼り付けられた表面３ａは、半導体ウェーハが貼り付けられる面である。
【００２９】
ダイシングフィルム５は、基材５ａと、基材５ａの片面に積層された粘着剤層５ｂとを有する。非粘着層４の他方の面４ｂに、ダイシングフィルム５が粘着剤層５ｂ側から貼り付けられている。ダイシングフィルム５は、非粘着層４を介して粘接着剤層３に間接的に貼り付けられている。
【００３０】
ダイシングフィルム５の延長部５ｃの片面が、粘着剤層５ｂにより離型フィルム２の上面２ａに貼り付けられている。すなわち、粘接着剤層３及び非粘着層４の外周側面よりも外側の領域で、ダイシングフィルム５が離型フィルム２の上面２ａに貼り付けられている。
【００３１】
ダイシングフィルム５が延長部５ｃを有するのは、粘接着剤層３の表面３ａに半導体ウェーハを接合する際に、粘接着剤層３の外周側面よりも外側に位置する延長部５ｃの粘着剤層５ｂに、ダイシングリングを貼り付けるためである。
【００３２】
図１（ｂ）に示すように、長尺状の離型フィルム２の上面２ａに、粘接着剤層３、非粘着層４及びダイシングフィルム５を有する複数の積層体が等間隔に配置されている。また、離型フィルム２の上面２ａに保護シート６、７が設けられている。保護シート６、７が設けられている場合には、ダイシング−ダイボンディングテープ１が例えばロール状に巻回されたときに、ダイシングフィルム５に加わる圧力が、保護シート６、７によって軽減される。なお、保護シート６、７は設けられなくてもよい。
【００３３】
離型フィルムの厚み又は形状は特に限定されない。例えば正方形の離型フィルムが用いられてもよい。離型フィルムの上面に、粘接着剤層、非粘着層及びダイシングフィルムを有する１つの積層体のみ配置されてもよい。また、上記積層体及び離型フィルムは、ロール状に巻回されていなくてもよい。また、粘接着剤層、非粘着層及びダイシングフィルムの厚み及び形状も特に限定されない。
【００３４】
本実施例形態のダイシング−ダイボンディングテープ１の特徴は、非粘着層４が、アクリル系ポリマーと、反応性二重結合基を表面に有するフィラーとを含有する組成物を架橋させた架橋体により形成されていることにある。
【００３５】
上記フィラーの表面に存在する上記反応性二重結合基は、上記組成物の架橋の際に、アクリル系ポリマーとの架橋反応にも利用され、フィラーが架橋構造に取り込まれる。そのため、切削の際にフィラーが非粘着層から飛散して、半導体チップを汚染することを防止する効果がある。上記組成物がアクリル系ポリマーを含有することにより、非粘着層４の貯蔵弾性率及び破断伸度等を容易に制御でき、ピックアップ性を高くすることができる。
【００３６】
非粘着層４の２３℃における貯蔵弾性率は、１〜１０００ＭＰａの範囲にあることが好ましい。貯蔵弾性率が１ＭＰａ未満であると、エキスパンド性が低下することがあり、１０００ＭＰａを超えると、ピックアップ性が低下することがある。上記貯蔵弾性率は、より好ましくは１０〜１０００ＭＰａである。
【００３７】
半導体チップのピックアップ時の温度における非粘着層４の破断伸度は、５〜１００％の範囲内にあることが好ましい。上記破断伸度が５％未満であると、非粘着層４の取り扱い性が低くなることがある。上記破断伸度が１００％を超えると、ダイシングに際し、切削屑が生じやすくなることがある。上記破断伸度のより好ましい下限は１０％であり、より好ましい上限は５０％である。
【００３８】
上記「貯蔵弾性率」とは、厚さ０．５ｍｍ、幅５ｍｍ及び長さ３ｃｍに非粘着層４を切り出し、アイティ計測社製ＤＶＡ−２００を用いて、１０Ｈｚ及び歪み０．１％の条件で測定した場合の貯蔵弾性率の値を意味する。
【００３９】
上記「ピックアップ時の温度」とは、半導体チップをピックアップする工程で、ダイシング後の半導体チップを突き上げピンにより突き上げる際の半導体チップの温度を熱電対により測定した値である。ピックアップ時の温度は、２０〜２５℃の範囲内にあることが好ましい。
【００４０】
上記「破断伸度」とは、ＪＩＳ  Ｋ７１２７に準拠して、オリエンテック社製ＲＴＣ−１３１０Ａを用いて、引張速度３００ｍｍ／分の条件で、非粘着層４単体を引っ張り、破断点における伸度を測定することにより得られた値を意味する。
【００４１】
ダイシング−ダイボンディングテープ１では、粘接着剤層３と非粘着層４との剥離力は、１〜１５Ｎ／ｍの範囲内にあることが好ましく、１〜８Ｎ／ｍの範囲内にあることがより好ましい。上記剥離力がこれらの好ましい範囲内にあると、剥離力を低下させなくても、粘接着剤層３を非粘着層４から容易に剥離できる。さらに、半導体ウェーハをダイシングする際、又は半導体チップを取り出す際に、半導体チップが破損し難くなる。上記剥離力が高すぎると、ダイシング時にチップ飛びが起こりやすい。上記剥離力が低すぎると、半導体チップが接合された粘接着剤層３の非粘着層４からの剥離が困難となる。
【００４２】
上記剥離力は、以下の方法により求められる。ダイシング−ダイボンディングテープ１の粘接着剤層３の、非粘着層４が貼り付けられた面と反対側の面に、ステンレス板を貼り付け、充分に接合して、試験体を得る。得られた試験体を、粘接着剤層３が下方に、非粘着層４が上方に位置するように固定する。この状態で、粘接着剤層３と非粘着層４との界面に対して１８０度方向に力を非粘着層４に加えて、非粘着層４を粘接着剤層３から剥離する。このときの剥離に要した力を島津製作所製ＡＧＳ−１００Ｄ等を用いて測定し、測定された値を剥離力とする。
【００４３】
ダイシング−ダイボンディングテープ１では、上記特定の架橋体により形成された非粘着層４が用いられているため、剥離力を上記特定の範囲内に制御できる。非粘着層４は、剥離力を調整する剥離力調整層として用いられ得る。
【００４４】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、ダイシングフィルム５が省略されて、非粘着層４がダイシングフィルムを兼ねてもよい。
【００４５】
もっとも、ダイシングの際に、半導体チップの飛び等をより一層効果的に防止できるので、非粘着層４の粘接着剤層３が貼り付けられた面とは反対側の面にダイシングフィルム５が貼り付けられていることが好ましい。この場合には、ダイシングの際に、非粘着層４にエクスパンド性等が要求されないため、非粘着層４を構成する材料及び組成をより広い範囲から選択できる。
【００４６】
（非粘着層４を構成する材料、及び非粘着層４の詳細）
非粘着層４は、アクリル系ポリマーと、反応性二重結合基を表面に有するフィラーとを含有する組成物を架橋させた架橋体により形成されている。
【００４７】
上記組成物は、樹脂分として、アクリル系ポリマーを含有する。組成物中の樹脂分の合計１００重量％中に、アクリル系ポリマーは５０重量％以上の割合で含有されることが好ましい。
【００４８】
また、アクリル系ポリマーを選択することにより、非粘着層４の極性を低くしたり、上記貯蔵弾性率又は上記破断伸度を上記特定の範囲内に容易に制御したりすることができる。
【００４９】
上記アクリル系ポリマーは特に限定されない。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーとして、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが好適に用いられる。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが用いられた場合には、非粘着層４の極性を十分に低くすることができ、非粘着層４の表面エネルギーを低くすることができ、かつ粘接着剤層３の非粘着層４からの剥離性を高くすることができる。上記アルキル基の炭素数が１８を超えると、非粘着層の製造が困難になることがある。上記アルキル基の炭素数は、６以上であることが好ましい。この場合には、非粘着層４の極性をより一層低くすることができる。上記「（メタ）アクリル酸」とは、メタクリル酸又はアクリル酸を意味する。
【００５０】
上記アクリル系ポリマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを主モノマーとして用いて得られたポリマーであることが好ましい。上記アクリル系ポリマーは、上記主モノマーと、官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させて得られた（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることがより好ましい。上記アクリル系ポリマーの重量平均分子量は２０万〜２００万程度であることが好ましい。
【００５１】
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは特に限定されない。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する一級又は二級のアルキルアルコールと、（メタ）アクリル酸とのエステル化反応により得られた（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーであることが好ましい。
【００５２】
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとして、具体的には、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル又は（メタ）アクリル酸ラウリル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５３】
上記官能基含有モノマーとして、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル又は（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等の水酸基含有モノマーが挙げられる。
【００５４】
上記他の改質用モノマーは特に限定されない。上記他の改質用モノマーは、カルボキシル基を含有するモノマーではないことが好ましい。カルボキシル基を含有するモノマーが用いられた場合、非粘着層４の極性が高くなり、この結果、ピックアップ性が低下することがある。
【００５５】
上記アクリル系ポリマーは、反応性二重結合を有する硬化型アクリル系ポリマーであることが好ましい。この場合には、該硬化型アクリル系ポリマーを含有する組成物を架橋させた架橋体の架橋密度を高くすることができる。上記硬化型アクリル系ポリマーとして、反応性二重結合を側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有する硬化型アクリル系ポリマー等が挙げられる。
【００５６】
上記アクリル系ポリマーに反応性二重結合を導入する方法は、特に制限されない。分子設計が容易であるため、上記反応性二重結合は、側鎖に導入されていることが好ましい。例えば、アクリル系ポリマーに官能基含有モノマーを共重合させた官能基含有アクリル系ポリマーを用意した後に、この官能基（以下、官能基Ａともいう）と反応し得る官能基（以下、官能基Ｂともいう）、及び反応性二重結合の両方を有する化合物（以下、化合物Ｃともいう）を、反応性二重結合が残存するように、上記官能基含有アクリル系ポリマーに縮合反応又は付加反応によって導入する方法が挙げられる。
【００５７】
上記官能基Ａと官能基Ｂとの組合せの例として、カルボキシル基とエポキシ基、カルボキシル基とアジリジル基、又は水酸基とイソシアネート基等の組合せが挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも、反応を容易に制御できるため、水酸基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせでは、どの官能基を上記官能基含有アクリル系ポリマーが含有してもよく、またどの官能基を上記化合物Ｃが含有してもよい。水酸基を有する官能基含有アクリル系ポリマーと、イソシアネート基を有する上記化合物の組合せが好ましい。
【００５８】
上記イソシアネート基及び反応性二重結合を有するイソシアネート化合物として、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、１，１−ビス（アクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート、又はｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。
【００５９】
また、上記水酸基を有する官能基含有アクリル系ポリマーは、アクリル系ポリマーに、上述の水酸基含有モノマー又は水酸基含有エーテル系化合物を共重合させることにより得られたアクリル系ポリマーであることが好ましい。上記水酸基含有エーテル系化合物として、例えば、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル又はジエチレングルコールモノビニルエーテル等が挙げられる。
【００６０】
上記組成物は、アクリル基と反応可能な二重結合を有し、かつ重量平均分子量が１００〜５００００の範囲内にあるオリゴマーをさらに含有することが好ましい。このオリゴマーの常温での柔軟性は高い。このため、非粘着層４の上記貯蔵弾性率を、１〜４００ＭＰａの範囲内に容易に制御できる。また、非粘着層４の上記破断伸度を、５〜１００％の範囲内に容易に制御できる。上記オリゴマーの重量平均分子量が１００未満であると、オリゴマーの配合による効果が充分に得られないことがある。上記オリゴマーの重量平均分子量が５００００を超えると、半導体チップのピックアップ性が低下することがある。
【００６１】
上記オリゴマーは特に限定されない。上記オリゴマーは、ポリエーテル骨格、ポリエステル骨格、ブタジエン骨格、ポリウレタン骨格、シリケート骨格、イソプレン骨格、ポリアルキル骨格、ポリアクリロニトリル骨格、ポリカーボネート骨格及びジシクロペンタジエン骨格からなる群から選択された少なくとも１種の骨格を有することが好ましい。これらの骨格を有するオリゴマーは柔軟であるため、非粘着層４の上記貯蔵弾性率及び上記破断伸度を制御しやすく、かつピックアップ性を高くすることができる。
【００６２】
上記オリゴマーは、柔軟性を有する骨格を有することが好ましい。柔軟性を有する骨格とは、上記オリゴマーのＴｇが２５℃以下となるような骨格をいう。上記柔軟性を有する骨格は、ポリエーテル骨格又はポリエステル骨格であることが好ましい。
【００６３】
ポリエーテル骨格又はポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーの柔軟性は高い。上記ポリエーテル骨格又はポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーとして、ポリプロピレンオキシドジアクリレート又はポリエーテル系ウレタンアクリルオリゴマー等が挙げられる。これらの市販品として、Ｍ−２２５（東亜合成社製）及びＵＮ−７６００（根上工業社製）等が挙げられる。
【００６４】
アクリル基と反応可能な二重結合は特に限定されない。該二重結合を含む基として、（メタ）アクリル基、ビニル基又はアリル基等が挙げられる。中でも、アクリル基が好ましい。この場合、非粘着層４の上記貯蔵弾性率と上記破断伸度とを、上記特定の範囲内に制御しやすい。
【００６５】
上記アクリル基と反応可能な二重結合は、上記オリゴマー１分子中に２個以上含有されていることが好ましい。
【００６６】
上記アクリル基と反応可能な二重結合を有するオリゴマーは、加熱又は光の照射により、上述のアクリル系ポリマーと架橋する。この架橋により、架橋体中に上記オリゴマーに由来する骨格が取り込まれる。このため、上記貯蔵弾性率又は上記破断伸度を所望の範囲に制御できる。
【００６７】
また、上記アクリル基と反応可能な二重結合は、分子の両末端に２個存在しててもよく、分子鎖中に存在してもよい。分子の両末端に２個のアクリル基が存在するか又は、分子の両末端と、分子鎖中とにアクリル基が存在することが好ましい。
【００６８】
上記ポリエーテル骨格として、例えば、ポリプロピレンオキシド骨格又はポリエチレンオキシド骨格等が挙げられる。
【００６９】
上記ポリエーテル骨格を有し、かつ分子の両末端のみにアクリル基を有するアクリルオリゴマーとして、ポリプロピレンオキシドジアクリレート又はポリエステル系ウレタンアクリルオリゴマー等が挙げられる。これらの市販品として、ＵＡ３４０Ｐ及びＵＡ４２００（以上いずれも新中村化学工業社製）、並びにアロニックスＭ−１６００及びアロニックスＭ−２２０（以上いずれも東亜合成社製）等が挙げられる。
【００７０】
上記アクリルオリゴマーとして、３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーが好適に用いられる。３官能未満のウレタンアクリルオリゴマーの場合には、非粘着層の柔軟性が高くなりすぎて、ダイシング時に切削屑が生じやすくなる。１０官能を超えるウレタンアクリルオリゴマーの場合には、非粘着層がもろくなり、ダイシング時に非粘着層に割れが生じ、飛散して、半導体チップを汚染してしまうことがある。
【００７１】
ポリエーテル骨格とポリウレタン骨格とを有する３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーとして、ポリプロピレンオキシド主鎖のウレタンアクリルオリゴマー等が挙げられる。これらの市販品として、Ｕ−２ＰＰＡ、Ｕ−４ＨＡ、Ｕ−６ＨＡ、Ｕ−１５ＨＡ、ＵＡ−３２Ｐ、Ｕ−３２４Ａ、Ｕ−１０８Ａ、Ｕ−２００ＡＸ、ＵＡ−４４００、ＵＡ−２２３５ＰＥ、ＵＡ−１６０ＴＭ及びＵＡ−６１００（以上いずれも新中村化学工業社製）、並びにＵＮ−７６００、ＵＮ−７７００、ＵＮ−３３３及びＵＮ−１２５５（以上いずれも根上工業社製）等が挙げられる。
【００７２】
上記アクリル系ポリマー１００重量部に対して、上記オリゴマーは１重量部以上の割合で含有されることが好ましい。上記オリゴマーの量が１重量部未満であると、上記オリゴマーの配合による効果が充分に得られないことがある。上記アクリル系ポリマー１００重量部に対して、上記オリゴマーは１００重量部以下の割合で含有されることが好ましい。上記オリゴマーの量が１００重量部を超えると、オリゴマーが溶解せず、非粘着層の製造が困難なことがある。
【００７３】
両末端にアクリル基を有するオリゴマーの場合には、上記アクリル系ポリマー１００重量部に対して、オリゴマーは１〜１００重量部の範囲内で含有されることが好ましく、１〜５０重量部の範囲内で含有されることがより好ましい。
【００７４】
また、多官能のウレタンアクリルオリゴマーの場合には、上記（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、オリゴマーは１〜５０重量部の範囲内で含有されることが好ましく、１〜３０重量部の範囲内で含有されることがより好ましい。
【００７５】
上記組成物に含有される上記反応性二重結合基を表面に有するフィラーは、反応性二重結合基を表面に有していれば特に限定されない。上記反応性二重結合基は、反応性ビニル基であることが好ましい。
【００７６】
上記フィラーは、反応性二重結合基を有する化合物により表面処理されたフィラーであることが好ましい。
【００７７】
フィラー（未処理のフィラー）の材質として、シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、酸化チタン、カーボンブラック、タルク、マイカ又はクレー等が挙げられる。中でも、シリカが好ましい。シリカが持つシラノール基は、シランカップリング剤との結合に有効に作用する。
【００７８】
反応性二重結合基を表面に有するフィラーは、例えば、未処理のフィラーの表面を、反応性二重結合基を有するカップリング剤により表面処理することにより得られる。
【００７９】
上記反応性二重結合基を有するカップリング剤は、特に限定されない。該カップリング剤として、例えば、ビニル基を有するカップリング剤、スチリル基を有するカップリング剤、（メタ）アクリロキシ基を有するカップリング剤が好適に用いられる。上記カップリング剤は、シランカップリング剤であることが好ましい。
【００８０】
上記カップリング剤の具体例として、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン又は３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらの市販品として、例えば、ＫＢＭ−１００３、ＫＢＥ−１００３、ＫＢＭ−１４０３、ＫＢＭ−５０２及びＫＢＭ−５０３、ＫＢＭ−５１０３（以上いずれも信越シリコーン社製）が挙げられる。
【００８１】
上記カップリング剤により上記フィラーを表面処理する方法は特に限定されない。この方法として、例えば、ヘンシェルミキサー又はＶ型ミキサー等の高速攪拌可能なミキサー中に未処理のフィラーを添加し、攪拌しながら、カップリング剤を、直接又は、アルコール水溶液、有機溶媒溶液若しくは水溶液として添加する乾式法が挙げられる。さらに、未処理のフィラーのスラリー中にカップリング剤を添加するスラリー法、未処理のフィラーを乾燥させた後、カップリング剤をスプレー付与するスプレー法等の直接処理法、又は上記組成物の調製時に、未処理のフィラーとアクリル系ポリマーとを混合し、該混合時にカップリング剤を直接添加するインテグレルブレンド法等が挙げられる。
【００８２】
上記未処理のフィラー１００重量部を表面処理するカップリング剤の量の好ましい下限は０．１重量部、好ましい上限は１５重量部である。カップリング剤の量が０．１重量部未満であると、上記カップリング剤により未処理のフィラーが充分に表面処理されず、上記フィラーとアクリル系ポリマーとが充分に架橋反応しないことがある。このため、ダイシング時の切削性又はピックアップ時の剥離性が低下することがある。カップリング剤の量が１５重量部を超えると、未反応のカップリング剤が多量に残存することがあり、ピックアップ時の剥離不良の原因になったりする。上記フィラーは、未処理のフィラー１００重量部がカップリング剤０．１〜１５重量部により表面処理されたフィラーであることが好ましい。
【００８３】
上記フィラーの平均粒径は、０．１〜１０μｍの範囲内にあることが好ましく、０．１〜５μｍの範囲内にあることが好ましい。上記フィラーの平均粒径がこれらの好ましい範囲内にある場合、ダイシングの際の切削性をより一層高くすることができる。従って、半導体ウェーハ、又は半導体ウェーハとともに切削される粘接着剤層への切削屑の付着を抑制できる。上記平均粒径が大きすぎると、非粘着層４の面内厚みがばらつくことがある。上記平均粒径が小さすぎると、ダイシング時の切削性を十分に高くすることが困難なことがある。
【００８４】
上記「平均粒径」とは、動的レーザー散乱法によって測定される体積平均径を示す。
【００８５】
上記アクリル系ポリマー１００重量部に対して、上記フィラーは１０〜１００重量部の範囲内で含有されることが好ましい。上記フィラーの量が多すぎると、非粘着層４がエクスパンド時に破断することがある。上記フィラー粒子の量が少なすぎると、切削性が十分に高められないことがある。上記アクリル系ポリマー１００重量部に対して、上記フィラーの好ましい下限は３０重量部であり、好ましい上限は８０重量部である。
【００８６】
上記組成物は、紫外線吸収材を含有してもよい。また、上記組成物は、光反応開始剤及び熱反応開始剤の内の少なくとも一方を含有することが好ましく、光反応開始剤を含有することがより好ましい。
【００８７】
上記光反応開始剤は特に限定されない。上記光反応開始剤として、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を使用できる。また、上記熱反応開始剤は特に限定されない。上記熱反応開始剤として、熱ラジカル発生剤などが挙げられる。
【００８８】
上記光ラジカル発生剤は特に限定されない。上記光ラジカル発生剤の市販品として、例えば、イルガキュア１８４、イルガキュア２９５９、イルガキュア９０７、イルガキュア８１９、イルガキュア６５１、イルガキュア３６９及びイルガキュア３７９（以上、いずれもチバ・スペシャリティーケミカルズ社製）、ベンソインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、並びにルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ  Ｊａｐａｎ社製）等が挙げられる。
【００８９】
上記光カチオン発生剤として、オニウム塩類又は有機金属錯体類を使用できる。上記オニウム塩類として、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ハロニウム塩又は芳香族スルホニウム塩等が挙げられる。上記有機金属錯体類として、鉄−アレン錯体、チタノセン錯体又はアリールシラノール−アルミニウム錯体等が挙げられる。
【００９０】
上記熱ラジカル発生剤として、有機過酸化物又はアゾ化合物等が挙げられる。上記有機過酸化物として、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート又はｔ−アミルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート等が挙げられる。上記アゾ化合物として、２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）又はジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）等が挙げられる。
【００９１】
非粘着層４の厚みは特に限定されない。非粘着層４の厚みは、３０〜１００μｍの範囲内にあることが好ましい。厚みが３０μｍ未満であると、エクスパンド性が不足することがある。厚みが１００μｍを超えると、厚みが不均一になることがある。厚みが不均一であると、ダイシングを適切に行えないことがある。
【００９２】
非粘着層４を作製するには、例えば、上記組成物を、離型フィルム上に塗工し、組成物層を形成する。次に、光の照射及び加熱の内の少なくとも一つの処理を行う。光硬化もしくは熱硬化により、又は光硬化及び熱硬化により、組成物層が硬化（架橋）され、硬化（架橋）した組成物層により形成された非粘着層が得られる。中でも、光硬化を用いることが特に好ましい。
【００９３】
（離型フィルム２）
離型フィルム２は、粘接着剤層３の半導体ウェーハが貼り付けられる面３ａを保護するために用いられる。なお、離型フィルムは、必ずしも用いられなくてもよい。
【００９４】
離型フィルム２として、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。これらのフィルムの片面は、シリコーン離型剤、又は長鎖アルキル基等を有する離型剤等を用いて離型処理されていてもよい。離型フィルム２は、ポリエチレンレフタレートフィルム等の合成樹脂フィルムであることが好ましい。合成樹脂フィルムは、平滑性及び厚み精度等に優れている。
【００９５】
上記離型フィルムは、単層のフィルムであってもよく、上記フィルムが２以上積層された積層フィルムであってもよい。離型フィルムが積層フィルムである場合、上記フィルムのうち異なる２種以上が積層されてもよい。
【００９６】
（粘接着剤層３）
粘接着剤層３は、半導体チップを基板又は他の半導体チップ等に接合するために用いられる。粘接着剤層３は、ダイシングの際に、半導体ウェーハごと切断される。
【００９７】
粘接着剤層３は、例えば適宜の硬化性樹脂を含む硬化性樹脂組成物、又は熱可塑性樹脂等により形成される。硬化前の上記硬化性樹脂組成物は柔らかいので、外力により容易に変形する。また、半導体チップを得た後に、粘接着剤層３に熱又は光のエネルギーを与えて硬化させることにより、粘接着剤層３を介して、基板等の被着体に、半導体チップを強固に接合することができる。
【００９８】
上記硬化性樹脂は特に限定されない。上記硬化性樹脂として、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂等が挙げられる。
【００９９】
上記熱可塑性樹脂は特に限定されない。上記熱可塑性樹脂として、例えばポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂又はポリ酢酸ビニル樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１００】
上記熱硬化性樹脂は特に限定されない。上記熱硬化性樹脂として、例えばエポキシ樹脂又はポリウレタン樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１０１】
上記光硬化性樹脂は特に限定されない。上記光硬化性樹脂として、例えば感光性オニウム塩等の光カチオン触媒により重合するエポキシ樹脂、又は感光性ビニル基を有するアクリル樹脂等が挙げられる。上記光硬化性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１０２】
上記硬化性樹脂として、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル酸メチル又はホットメルト型接着樹脂が好適に用いられる。上記ホットメルト型接着樹脂として、アクリル酸ブチル等を主なモノマー単位とするポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂等が挙げられる。
【０１０３】
粘接着剤層３を形成するための硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂と反応する官能基を有する固形ポリマーと、硬化剤とを含むことが好ましい。この場合には、粘接着剤層３を介して接合された半導体チップと基板との間、又は複数の半導体チップ間の接合信頼性が高くなる。
【０１０４】
上記エポキシ樹脂は特に限定されない。上記エポキシ樹脂は、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂であることが好ましい。多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いると、硬化物は剛直になり、分子の運動が阻害される。このため、硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性が高くなる。
【０１０５】
上記「エポキシ樹脂」とは、一般的には、１分子中にエポキシ基を２個以上もつ分子量３００〜８０００程度の比較的低分子のポリマーもしくはプレポリマー、又は該ポリマーもしくはプレポリマーのエポキシ基の開環反応によって生じた熱硬化性樹脂を意味する。
【０１０６】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は特に限定されない。上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂として、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、又は３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂又はナフタレン型エポキシ樹脂が好適に用いられる。
【０１０７】
上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂の具体例として、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等が挙げられる。上記ナフタレン型エポキシ樹脂の具体例として、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリジジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン又は１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等が挙げられる。
【０１０８】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよく、２種類以上が併用されてもよい。また、上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂は、いずれか一方のみが用いられてもよく、両者が併用されてもよい。
【０１０９】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量の好ましい下限は５００であり、好ましい上限は１０００である。上記重量平均分子量が５００未満であると、硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性等を十分に高くすることが困難なことがある。上記重量平均分子量が１０００を超えると、硬化物が剛直になりすぎて、脆くなることがある。
【０１１０】
上記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーは特に限定されない。該高分子ポリマーとして、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基又はエポキシ基等を有するポリマーが挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子ポリマーが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーを用いると、硬化物の可撓性が高くなる。
【０１１１】
また、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂と、エポキシ基を有する高分子ポリマーとが用いられた場合、上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂により硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性が高くなるとともに、上記エポキシ基を有する高分子ポリマーにより硬化物の可撓性が高くなる。
【０１１２】
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは、末端及び側鎖（ペンダント位）の内の少なくとも一方にエポキシ基を有することが好ましい。上記エポキシ基を有する高分子ポリマーの重量平均分子量は、１万〜２００万の範囲内にあることが好ましい。
【０１１３】
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーとして、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂又はエポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、硬化物の機械的強度又は耐熱性を高くすることができるため、エポキシ基含有アクリル樹脂が好適に用いられる。上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは、単独で用いられてもよく、２種類以上が併用されてもよい。
【０１１４】
粘接着剤層３を形成するための硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーを１０〜１００重量部の範囲内で含有することが好ましい。上記エポキシ樹脂１００重量部に対して、上記高分子ポリマーは１５〜５０重量部の範囲内で含有されることが更に好ましい。上記高分子ポリマーの量が多すぎると、流動性が不足して、粘接着剤層３と半導体ウェーハとが充分に密着しなかったり、ダイシング時にひげ状の切削屑が発生しやすくなったりすることがある。上記高分子ポリマーの量が少なすぎると、粘接着剤層３の成形時に外観不良を引き起こすことがある。
【０１１５】
上記硬化剤は特に限定されない。上記硬化剤として、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤もしくはジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、又はカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。上記硬化剤は、単独で用いられてもよく、２種類以上が併用されてもよい。
【０１１６】
上記加熱硬化型硬化剤の具体例として、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物又はトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の酸無水物系硬化剤が挙げられる。なかでも、疎水化されているので、メチルナジック酸無水物又はトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸が好適に用いられる。上記酸無水物系硬化剤は、単独で用いられてもよく、２種類以上が併用されてもよい。
【０１１７】
硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤とともに、硬化促進剤を用いてもよい。
【０１１８】
上記硬化促進剤は特に限定されない。上記硬化促進剤として、例えば、イミダゾール系硬化促進剤又は３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、イミダゾール系硬化促進剤が好適に用いられる。イミダゾール系硬化促進剤が用いられた場合、硬化速度又は硬化物の物性等を容易に調整できる。上記硬化促進剤は、単独で用いられてもよく、２種類以上が併用されてもよい。
【０１１９】
上記イミダゾール系硬化促進剤は特に限定されない。上記イミダゾール系硬化促進剤として、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、又はイソシアヌル酸で塩基性を保護した商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」（四国化成工業社製）等が挙げられる。上記イミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いられてもよく、２種類以上が併用されてもよい。
【０１２０】
酸無水物系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合、酸無水物系硬化剤の添加量を、エポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。酸無水物系硬化剤の添加量が過剰であると、硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出することがある。
【０１２１】
また、アミン系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合、アミン系硬化剤の添加量を、エポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。アミン物系硬化剤の添加量が過剰であると、硬化性樹脂組成物の硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが高く、抽出水が塩基性となり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出することがある。
【０１２２】
（ダイシングフィルム５）
ダイシンフィルム５は、基材５ａと基材５ａの片面に積層された粘着剤層５ｂとを有する。粘着剤層５ｂは、ダイシングリングが貼り付けられるダイシングリング貼付用粘着剤層である。
【０１２３】
基材５ａは特に限定されない。基材５ａの具体例として、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系フィルムが好適に用いられる。
【０１２４】
粘着剤層５ｂは、非粘着層４とダイシングフィルムとの剥離力が、粘接着剤層３と非粘着層４との剥離力よりも大きくなるように構成されていることが好ましい。粘着剤層５ｂは特に限定されない。粘着剤層５ｂを構成する粘着剤の具体例として、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤又はゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、感圧タイプのアクリル系粘着剤が好ましい。感圧タイプのアクリル系粘着剤が用いられた場合、ダイシングリングを粘着剤層５ｂからより一層容易に剥離できる。さらに、粘着剤層５ｂのコストを低減できる。
【０１２５】
図２に、本発明の別の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図で示す。
【０１２６】
図２に示すダイシング−ダイボンディングテープ１５は、離型フィルム２、粘接着剤層３、非粘着層４及びダイシングフィルム１６がこの順で積層された積層体である。すなわち、ダイシング−ダイボンディングテープ１５は、ダイシングフィルムの構成が異なること以外はダイシング−ダイボンディングテープ１と同様に構成されている。ダイシング−ダイボンディングテープ１５では、上述したダイシングフィルム５と異なり、粘着剤層が設けられていないダイシングフィルム１６が用いられている。
【０１２７】
ダイシングフィルムは、粘着剤層を有しなくてもよい。ダイシングフィルムが粘着剤層を有しない場合には、ダイシングフィルムが、例えば粘着力を有する材料により構成される。
【０１２８】
次に、上述したダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合の半導体チップの製造方法の一例を図３〜図９を用いて、以下説明する。
【０１２９】
先ず、上述したダイシング−ダイボンディングテープ１と、半導体ウェーハ２１とを用意する。
【０１３０】
図３に示すように、半導体ウェーハ２１の平面形状は円形である。半導体ウェーハ２１の表面２１ａには、図示しないが、ストリートによってマトリックス状に区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。半導体ウェーハ２１は、所定の厚みとなるように裏面２１ｂが研磨されている。
【０１３１】
半導体ウェーハ２１の厚みは、３０μｍ以上であることが好ましい。半導体ウェーハ２１の厚みが３０μｍよりも薄いと、研削時又はハンドリング時に、クラック等が発生し、半導体チップが破損することがある。
【０１３２】
なお、後述するダイシング時に、マトリックス状に区画された各領域ごとに半導体ウェーハ２１が分割される。
【０１３３】
図４に示すように、半導体ウェーハ２１を裏返して、裏返された半導体ウェーハ２１をステージ２２上に載せる。すなわち、半導体ウェーハ２１を表面２１ａ側からステージ２２上に載せる。ステージ２２上には、半導体ウェーハ２１の外周側面２１ｃから一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２３が設けられている。ダイシングリング２３の高さは、半導体ウェーハ２１と、粘接着剤層３と、非粘着層４との合計厚みと等しいか、もしくはわずかに低い。
【０１３４】
次に、ダイシング−ダイボンディングテープ１の粘接着剤層３の面３ａに半導体ウェーハ２１を接合する。図５に、粘接着剤層３に半導体ウェーハ２１を接合するときの状態を正面断面図で示す。
【０１３５】
ダイシングフィルム５は、粘接着剤層３及び非粘着層４の外周側面よりも外側に延びている延長部５ｃを有する。図５に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型フィルム２を剥離し、粘接着剤層３の表面３ａと、ダイシングフィルム５の延長部５ｃの粘着剤５ｂとを露出させる。
【０１３６】
離型フィルム２を剥離した後、又は離型フィルム２を剥離しながら、露出したダイシングフィルム５の延長部５ｃの粘接着剤層５ｂを、ダイシングリング２３上に貼り付ける。さらに、露出した粘接着剤層３を、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂに接合する。
【０１３７】
図６に、粘接着剤層３に半導体ウェーハ２１が接合された状態を正面断面図で示す。
【０１３８】
半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂ全体に、粘接着剤層３が接合されている。半導体ウェーハ２１に余計な力が加わらないように、ダイシングフィルム５の延長部５ｃは、ダイシングリング２３に支持されている。
【０１３９】
次に、図７に正面断面図で示すように、粘接着剤層３が接合された半導体ウェーハ２１をステージ２２から取り出し、裏返す。このとき、ダイシングリング２３がダイシングフィルム５に貼り付けられた状態で取り出される。取り出された半導体ウェーハ２１を表面２１ａが上方になるように裏返して、別のステージ２４上に載せる。
【０１４０】
次に、粘接着剤層３が接合された半導体ウェーハ２１をダイシングし、個々の半導体チップに分割する。
【０１４１】
粘接着剤層３が接合された半導体ウェーハ２１をダイシングし、個々の半導体チップ３１に分割する工程を、図８（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。
【０１４２】
図８（ａ）〜（ｄ）は、個々の半導体チップ３１に分割する工程を段階的に示す部分切欠正面断面図である。
【０１４３】
図８（ａ）〜（ｄ）では、ダイシングによる半導体ウェーハ２１の破損を防ぐために、ダイシングは二段階（ステップカット）で行われている。図８（ａ）、（ｂ）にはダイシングの一段階目が示されており、図８（ｃ）、（ｄ）にはダイシングの二段階目が示されている。なお、ダイシング時における半導体ウェーハ２１の破損を防止できれば、ダイシングは一段階で行われてもよい。
【０１４４】
図８（ａ）に示すように、先ず半導体ウェーハ２１の表面２１ａから、例えば半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂに至らない位置まで、ダイシング装置の第１の切断刃４１を挿入する。その後、第１の切断刃４１を抜き去ることにより、図８（ｂ）に示すように、第１の切断部分４２が形成される。
【０１４５】
次に、図８（ｃ）に示すように、ダイシング装置の第１の切断刃４１よりも薄い第２の切断刃４３を、第１の切断部分４２の中央に挿入する。第２の切断刃４３は、第１の切断部分４２よりもさらに深い位置まで挿入される。第２の切断刃４３の挿入深さは、粘接着剤層３を貫通すれば特に限定されない。第２の切断刃４３は、非粘着層４を貫通しない位置、例えば非粘着層４の厚みの半分以下の位置まで挿入されることが好ましい。
【０１４６】
第２の切断刃４３を抜き去ることにより、図８（ｄ）に示すように、第１の切断部分４２よりさらに深い位置に、第１の切断部分４２よりも切断幅が狭い第２の切断部分４４が形成される。
【０１４７】
半導体ウェーハのダイシング方法は特に限定されない。ダイシング方法として、例えば一枚の刃でカットするシングルカット、上述した二枚の刃でカットするステップカット又は二枚の刃でカットするベベルカットなどが挙げられる。ベベルカットでは、半導体ウェーハの表面を切断するために、断面がＶ字形状の刃が用いられる。なかでも、ダイシング時に半導体ウェーハの破損が生じ難いため、ステップカットが好ましい。
【０１４８】
さらに、半導体ウェーハのダイシング方法として、レーザーを照射する方法を用いてもよい。レーザー光の照射により半導体ウェーハを粘接着剤層３ごと切断する場合、レーザー光は非粘着層４に至るように照射される。紫外線硬化型あるいは放射線硬化型の従来のダイシングフィルム等を用いた場合には、レーザー光の照射によりダイシングを行うと、ダイシングフィルムがレーザー光のエネルギーにより反応し、他の層に融着することがあった。この場合には、半導体チップをダイシングフィルムからピックアップできなくなる。
【０１４９】
これに対して、本実施形態では、非粘着層４がレーザー光の照射により反応し難いため、非粘着層４が粘接着剤層３に融着し難い。従って、レーザー光を用いたダイシングを行った場合でも、半導体チップのピックアップを無理なく行うことができる。
【０１５０】
半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した後、ダイシングフィルムを引き延ばして、分割された個々の半導体チップ間の間隔を拡張する。その後、半導体チップが接合された粘接着剤層３を非粘着層４から剥離し、図９に示す半導体チップ３１を取り出す。
【０１５１】
なお、半導体チップが接合された粘接着剤層３を非粘着層４から剥離する方法として、半導体ウェーハの裏面側から、多ピンを用いて突き上げる方法、多段ピンを用いて突き上げる方法、半導体ウェーハの表面側から真空ピールする方法又は超音波振動を利用する方法等が挙げられる。
【０１５２】
以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
【０１５３】
非粘着層を作製するために、先ず、以下のアクリル系ポリマーを合成した。
【０１５４】
（アクリル系ポリマー１）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を３．５重量部反応させて、アクリル共重合体（アクリル系ポリマー１）を得た。得られたアクリル系ポリマー１の重量平均分子量は７０万であり、酸価は０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
【０１５５】
また、非粘着層を形成するための組成物を構成する材料として、以下の化合物を用意した。
【０１５６】
（光重合開始剤）
イルガキュア６５１（チバ・ケミカルスペシャリティー社製）
【０１５７】
（表面処理フィラー）
フィラー１（アドマテックス社製、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランにより表面処理されたシリカフィラー、平均粒径：１．０μｍ）
フィラー２（アドマテックス社製、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランにより表面処理されたシリカフィラー、平均粒径：１．０μｍ）
フィラー３（アドマテックス社製、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランにより表面処理されたシリカフィラー、平均粒径：１．０μｍ）
【０１５８】
（オリゴマー）
Ｕ３２４Ａ：新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー（１０官能のウレタンアクリルオリゴマー）、重量平均分子量：１，３００
【０１５９】
（実施例１）
上記アクリル系ポリマー１を１００重量部と、上記フィラー１を５０重量部と、イルガキュア６５１を１重量部と、ウレタンアクリルオリゴマーとしてのＵ３２４Ａを１５重量部とを配合し、酢酸エチルに溶解し、溶液を得た。この溶液を、離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの上にアプリケーターを用いて塗工した。さらに１１０℃のオーブン中で３分間加熱乾燥し、厚み５０μｍのフィルムを形成した。このフィルムに、１６０Ｗの水銀灯２灯を用いて、４０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーとなるように光を照射し、高圧水銀灯下で、３６５ｎｍの紫外線を１０００ｍＪで照射した。このようにして架橋された非粘着層を得た。
【０１６０】
得られた非粘着層を用いて、以下の要領でダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【０１６１】
Ｇ−２０５０Ｍ（日油社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）２５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（ＤＩＣ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ）７５重量部と、ＥＰＲ−４０２３（ＡＤＥＫＡ社製、ＣＴＢＮ変性エポキシ）１５重量部と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）３５重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、ＫＢＭ５７３（信越化学工業社製、２級アミノシラン）４重量部と、ＭＴ−１０（トクヤマ社製、表面疎水化ヒュームドシリカ）４重量部とを配合し、配合物を得た。得られた配合物を溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０重量％となるように添加し、攪拌し、塗液を得た。得られた塗液を離型フィルム上に厚み４０μｍになるように塗工し、１１０℃のオーブン内で３分間加熱乾燥し、離型フィルム上に粘接着剤層を形成した。
【０１６２】
粘接着剤層の離型フィルムが積層されている面とは反対側の面に、上記非粘着層を６０℃でラミネートし、ラミネート体を得た。ラミネート体を円形に切り抜いた後、非粘着層の粘接着剤層が積層されている面とは反対側の面に、ダイシングテープとしてのエレグリップＵＨＰ−０８１０ＦＸ（オレフィン基材（基材の厚み８０μｍ）の片面にアクリル系粘着剤層（粘着剤層の厚み１０μｍ）が形成されたＵＶ硬化型ダイシングテープ、電気化学工業社製）を粘着剤層側から貼り付けた。
【０１６３】
その後、上記粘接着剤層の径よりも大きな径を有するように、ダイシングフィルムを円形に切り抜いた。このようにして、離型フィルム／粘接着剤層／非粘着層／ダイシングフィルムがこの順で積層された４層の積層構造を有するダイシング・ダイボンディングテープを作製した。
【０１６４】
（実施例２）
上記非粘着層の作製に際し、上記フィラー１を上記フィラー２に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【０１６５】
（比較例１）
上記非粘着層の作製に際し、上記フィラー１を配合しなかったこと以外は、実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【０１６６】
（比較例２）
上記非粘着層の作製に際し、上記フィラー１を上記フィラー３に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【０１６７】
（評価）
以下の要領で半導体チップの製造時の評価を行った。
【０１６８】
ダイシング−ダイボンディングテープの離型フィルムを粘接着剤層から剥離し、粘接着剤層を露出させた。露出した粘接着剤層を直径８ｉｎｃｈのシリコンウェーハ（厚み８０μｍ）の一方の面に６０℃の温度でラミネートし、評価サンプルを作製した。
【０１６９】
ダイシング装置ＤＦＤ６５１（ディスコ社製）を用いて、送り速度５０ｍｍ／秒で、評価サンプルを１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングした。ダイシング時のチップ飛び、切削性、及び半導体ウェーハの汚染性を評価した。結果を下記の表１に示す。表１の評価記号の意味は以下の通りである。
【０１７０】
〔チップ飛び〕
○：チップ飛びはなし
△：チップ飛びの半導体チップの個数の割合が１％を超え、１５％未満
×：チップ飛びの半導体チップの個数の割合が１５％を超える
【０１７１】
〔切削性〕
○：ひげ状の切削屑及びクラックは全てなし
△：ひげ状の切削屑及びクラックの内のいずれか１つあり
×：ひげ状の切削屑及びクラックの内のいずれか２つあり
【０１７２】
〔半導体ウェーハ汚染性〕
○：半導体ウェーハの汚染がなし
△：半導体ウェーハの汚染が一部にあり
×：半導体ウェーハの汚染が全面にあり
【０１７３】
ダイシング後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ  Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、ピックアップ温度２３℃の条件で、分割された半導体チップの連続ピックアップを行い、ピックアップの可否を評価した。結果を下記の表１に示す。表１の評価記号の意味は以下の通りである。
【０１７４】
〔ピックアップ性〕
○：ピックアップできなかった半導体チップの個数の割合が１％未満
△：ピックアップできなかった半導体チップの個数の割合が１％を超え、１５％未満
×：ピックアップできなかった半導体チップの個数の割合が１５％を超える
【０１７５】
【表１】
2011054707.tif 000003
【符号の説明】
【０１７６】
１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…離型フィルム
２ａ…上面
３…粘接着剤層
３ａ…表面
４…非粘着層
４ａ…一方の面
４ｂ…他方の面
５…ダイシングフィルム
５ａ…基材
５ｂ…粘接着剤層
５ｃ…延長部
６，７…保護シート
１５…ダイシング−ダイボンディングテープ
１６…ダイシングフィルム
２１…半導体ウェーハ
２１ａ…表面
２１ｂ…裏面
２１ｃ…外周側面
２２…ステージ
２３…ダイシングリング
２４…ステージ
３１…半導体チップ
４１…第１の切断刃
４２…第１の切断部分
４３…第２の切断刃
４４…第２の切断部分
【図１】
2011054707.tif 000004
【図２】
2011054707.tif 000005
【図３】
2011054707.tif 000006
【図４】
2011054707.tif 000007
【図５】
2011054707.tif 000008
【図６】
2011054707.tif 000009
【図７】
2011054707.tif 000010
【図８】
2011054707.tif 000011
【図９】
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