(57)【要約】【課題】電子部品へ他の電子部品や検査器具を確実に接続することが可能な導電性基板を提供する。【解決手段】導電性基板１は、基板としてのアルミナ自立基板２と、導電体６とを備える。アルミナ自立基板２は、２つの主表面を有し、当該２つの主表面のうちの一方から他方へ到達する複数の貫通孔５が形成され、アルミナからなる。導電体６は、貫通孔５の内部に配置され、上記２つの主表面のうちの一方から他方まで延在する。導電体６は、基板の内部において分岐している。アルミナ自立基板２の厚みは２３０μｍ以上である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの主表面を有し、前記２つの主表面のうちの一方から他方へ到達する複数の貫通孔が形成された、アルミナからなる基板と、
前記貫通孔の内部に配置され、前記２つの主表面のうちの一方から他方まで延在する導電体とを備え、
前記貫通孔は前記基板の内部において単一孔であるか、あるいは少なくとも前記２つの主表面のうちの一方に相対的に近い領域で分岐しており、
前記導電体は前記貫通孔の形状に応じて単一線状あるいは分岐した形状を有しており、
前記基板の厚みは２３０μｍ以上である、導電性基板。
【請求項２】
前記貫通孔は前記基板の内部において前記２つの主表面のうちの少なくとも一方に相対的に近い領域で分岐しており、
前記導電体は、前記２つの主表面のうちの少なくとも一方に相対的に近い領域で分岐している、請求項１に記載の導電体基板。
【請求項３】
前記導電体は、前記２つの主表面のうちの少なくとも一方に露出する部分が３次元多孔構造を有している、請求項１または２に記載の導電性基板。
【請求項４】
前記貫通孔は前記基板の内部において形成された前記単一孔であり、
前記導電体は、前記単一線状の形状を有している、請求項１に記載の導電性基板。
【請求項５】
前記貫通孔のアスペクト比が１００００以上である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性基板。
【請求項６】
上記導電体を構成する材料は、導電性金属、導電性無機材料、導電性有機材料からなる群から選択される少なくとも１つである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性基板。
【請求項７】
前記導電体は、複数の材料層を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性基板。
【請求項８】
前記導電体は、前記貫通孔の内部に充填されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性基板。
【請求項９】
前記導電体は、前記貫通孔の内部において前記基板の厚さ方向における導電性を維持しつつ空隙を形成するように構成されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性基板。
【請求項１０】
前記導電体は、前記２つの主表面のうち少なくとも一方に露出する前記貫通孔の開口端部内部を充填するように形成されている、請求項９に記載の導電性基板。
【請求項１１】
前記導電体は、前記２つの主表面のうちの少なくとも一方から突出する突出部を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の導電性基板。
【請求項１２】
前記２つの主表面のうちの少なくとも一方上に形成され、前記複数の貫通孔の内部に配置された前記導電体のうちの少なくとも一部と電気的に接続された導電性被覆層をさらに備える、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の導電性基板。
【請求項１３】
請求項１に記載の導電性基板と、
前記導電性基板の前記２つの主表面のうちの少なくとも一方において、前記導電体と電極を介して電気的に接続された他の基板とを備え、
前記電極において、前記導電性基板の前記導電体に接触する接触部は、前記主表面に形成された前記複数の貫通孔のうち少なくとも３つを覆うように形成されている、導電性基板アセンブリ。
【請求項１４】
請求項１に記載の導電性基板の製造方法であって、
２つの主表面を有し、前記２つの主表面のうちの一方から他方へ到達する複数の貫通孔が形成された、アルミナからなる基板を準備する工程と、
前記貫通孔の内部に配置され、前記２つの主表面のうちの一方から他方まで延在する導電体を形成する工程とを備える、導電性基板の製造方法。
【請求項１５】
前記導電体を形成する工程は、
前記導電体または前記導電体を構成する元素を含有する処理液に前記基板を浸漬する工程と、
前記浸漬する工程の後、前記処理液から取出した前記基板を熱処理することにより、前記貫通孔の内部に残存した前記処理液から前記導電体を形成する工程とを含む、請求項１４に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項１６】
前記導電体膜を形成する工程では、前記浸漬する工程と前記処理液から前記導電体膜を形成する工程とを複数回繰り返す、請求項１５に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項１７】
前記導電体膜を形成する工程は、
前記導電体または前記導電体を構成する元素を含有する処理液に前記基板を浸漬した状態で、前記処理液に対する電解処理を行なうことにより、前記貫通孔の内部において前記処理液から前記導電体を形成する工程を含む、請求項１４に記載の導電性基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、導電性基板、導電性基板アセンブリ、および導電性基板の製造方法に関し、より特定的には、複数の貫通孔が形成されたアルミナからなる基板を用いた導電性基板、導電性基板アセンブリ、および導電性基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品の接続部材や検査用コネクタとして、異方性の導電性基板が知られている。また、この異方性の導電性基板は、近年、電子装置のコンパクト化の追求として、３次元積層回路（たとえば、回路基板自体に内部に電磁気的あるいは光学的機能を有する領域を構成し、ミクロンレベルの間隔で複数の基板を立体的に積層させることにより大幅なダウンサイジングを行う）への展開など、将来的にも非常に期待できる分野に係わるものである。
【０００３】
たとえば、特開２００８−２７０１５７号公報（以下、特許文献１と呼ぶ）では、絶縁性基板としての陽極酸化アルミナ板のナノホール閉孔を貫通化し、当該貫通化したナノホール（以降、貫通孔とも記す）の内部に導電体を配置し、当該導電体が陽極酸化アルミナ板の２つの主表面から露出している異方性の導電性基板およびその製造方法が開示されている。
【０００４】
また、特開２００５−８５６３４号公報（以下、特許文献２と呼ぶ）では、絶縁性のフィルム基板中に、当該フィルム基板を貫通するように複数の導電体からなる導通路が形成され、当該導通路は互いに絶縁されており、また当該導通路の平面配置は千鳥配列となっている異方性の導電性部材が開示されている。
【０００５】
また、特開２０００−１２６１９号公報（以下、特許文献３と呼ぶ）では、接着性の絶縁材料からなるフィルム中に、当該フィルムを貫通するように複数の導電体からなる導通路が形成され、当該導通路は互いに絶縁されており、導通路の径が１０μｍ〜３０μｍであって、隣接する導通路の間隔が上記径の０．５倍〜３倍である異方性の導電性フィルムが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２７０１５７号公報
【特許文献２】特開２００５−８５６３４号公報
【特許文献３】特開２０００−１２６１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上述した従来の異方性の導電性基板や導電性部材においては、以下のような問題があった。すなわち、いずれの導電性部材においても、導電体はベースとなる絶縁性の基板やフィルム中にそれぞれが独立した１本の線状に延びるように配置されている。そのため、当該導電体が途中で断線するといった異常が発生した場合には、当該導電体により絶縁性の基板の表裏面間の導通を図ることはできなくなる。また、途中の断線であるのかそれ以外の要因であるのかは、例えば、Ｘ線透過法などの非破壊調査であっても、さらに、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）などを用いた破壊調査であっても解明は困難を極める。また、導電性部材を介して電子部品と接続されるべき他の電子部品や検査器具と導電性部材の導電体との接触不良などが起きるといった場合もある。この結果、当該導電性部材を電子部品の接続部材や検査用コネクタとして用いる場合に、電子部品へ他の電子部品や検査器具を確実に接続することが困難になる場合があった。
【０００８】
この発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、この発明の目的は、電子部品へ他の電子部品や検査器具を確実に接続することが可能な導電性基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に従った導電性基板は、基板と、導電体とを備える。基板は、２つの主表面を有し、当該２つの主表面のうちの一方から他方へ到達する複数の貫通孔が形成され、アルミナからなる。導電体は、貫通孔の内部に配置され、上記２つの主表面のうちの一方から他方まで延在する。貫通孔は基板の内部において単一孔であるか、あるいは少なくとも２つの主表面のうちの一方に相対的に近い領域で分岐している。導電体は貫通孔の形状に応じて単一線状あるいは分岐した形状を有している。基板の厚みは２３０μｍ以上である。また、基板の厚みは好ましくは３００μｍ以上、さらに好ましくは４００μｍ以上である。
【００１０】
このようにすれば、導電体が基板の内部において分岐している場合、分岐した先の部分（導電体が２本以上のほぼ平行に延びる複数の導電体部分となっている部分）において、導電体部分の一部に断線などが発生しても、他の導電体部分を介して導電体全体としての導通を維持することができる。この結果、当該導電性基板を介して電子部品への他の電子部品や検査器具の接続を確実に行なうことができる。
【００１１】
また、導電体が分岐している場合であって、分岐した先の部分が基板の主表面の一方に露出している場合、１つの導電体が上記主表面の複数箇所において露出した導電体部分と電気的に接続された状態となる。このため、導電性基板と接続される検査機器などの電極と、当該導電体とを接続する場合に、複数の導電体部分のうちの一部と検査機器などの電極との間の接続に不具合が発生しても、複数の導電体部分のうちの他の一部と当該電極とが電気的に接続されていれば、当該電極と導電体との導通を確保することができる。
【００１２】
また、基板の厚みが２３０μｍ以上であるので、自立膜としての導電性基板の取扱いが容易である。すなわち、基板の厚みが十分厚く、導電性基板自体で十分その形状を維持できるので、形状維持のためのサポート材などを導電性基板に接続する必要が無い。また、上述のように基板の厚みが２３０μｍ以上となっていることから、上記導電性基板はその形状を外部のサポート無しに維持できる、いわゆる自立基板となっている。なお、この基板の厚みが好ましくは３００μｍ以上、さらに好ましくは４００μｍ以上であると曲げ強度が膜厚とともにさらに高くなるため、外部負荷応力に対して形状維持する耐力が大きくなり、用途展開が広くなる。但し、厚みの上限は用途、要求性能、陽極酸化処理を含む各製造工程における製造能力、トータルコストなどを考慮して選択すればよい。このため、電子部品へ当該導電性基板を介して他の電子部品や検査器具を接続するときに、当該導電性基板が変形することにより当該接続がうまくいかない、といった問題の発生を抑制できる。
【００１３】
この発明に従った導電性基板アセンブリは、上記導電性基板と、他の基板とを備える。他の基板は、導電性基板の２つの主表面のうちの少なくとも一方において、導電体と電極を介して電気的に接続される。電極において、導電性基板の導電体に接触する接触部は、当該主表面に形成された複数の貫通孔のうち少なくとも３つを覆うように形成されている。この場合、電極の上記接触部と導電体との接続部は３箇所以上となるため、電極と導電体との接合強度を十分高くすることができる。
【００１４】
この発明に従った導電性基板の製造方法は、上述した本発明に従った導電性基板の製造方法であって、以下の工程を実施する。すなわち、２つの主表面を有し、当該２つの主表面のうちの一方から他方へ到達する複数の貫通孔が形成された、アルミナからなる基板を準備する工程を実施する。そして、貫通孔の内部に配置され、２つの主表面のうちの一方から他方まで延在する導電体を形成する工程を実施する。
【００１５】
このようにすれば、本発明に従った導電性基板を容易に製造することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、電子部品へ他の電子部品や検査器具を確実に接続することが可能な導電性基板を得ることができる。また、本発明によれば、当該導電性基板と他の基板とが確実に接続された導電性基板アセンブリを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明による導電性基板の断面模式図である。
【図２】図１に示した導電性基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】図１に示した本発明による導電性基板の第１の変形例を示す断面模式図である。
【図４】本発明による導電性基板の実施の形態２を示す断面模式図である。
【図５】本発明による導電性基板の実施の形態３を示す断面模式図である。
【図６】本発明による導電性基板の実施の形態４を示す断面模式図である。
【図７】本発明による導電性基板の実施の形態５を示す断面模式図である。
【図８】図７に示した導電性基板１の変形例を示す断面模式図である。
【図９】本発明による導電性基板の実施の形態６を示す断面模式図である。
【図１０】図９に示した導電性基板１の変形例を示す断面模式図である。
【図１１】本発明による導電性基板の実施の形態７を示す断面模式図である。
【図１２】図１１に示した導電性基板の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１３】本発明による導電性基板の実施の形態８を示す断面模式図である。
【図１４】本発明による導電性基板の実施の形態９を示す断面模式図である。
【図１５】本発明による導電性基板の実施の形態１０を示す断面模式図である。
【図１６】図１５に示した導電性基板の変形例を示す断面模式図である。
【図１７】本発明による導電性基板の実施の形態１１を示す断面模式図である。
【図１８】本発明による導電性基板の実施の形態１２を示す断面模式図である。
【図１９】本発明による導電性基板の実施の形態１３を示す断面模式図である。
【図２０】本発明による導電性基板の実施の形態１４を示す断面模式図である。
【図２１】本発明による導電性基板の実施の形態１５を示す断面模式図である。
【図２２】本発明による導電性基板の実施の形態１６を示す断面模式図である。
【図２３】本発明に従った導電性基板を用いた電子部品（導電性基板アセンブリ）としてのアセンブリを示す側面模式図である。
【図２４】導電性基板の表面に集電側検出端子が接続された状態を説明するための模式図である。
【図２５】図２３に示したアセンブリの第１の変形例を示す模式図である。
【図２６】図２３に示した本発明によるアセンブリの第２の変形例を示す模式図である。
【図２７】図２３に示した本発明によるアセンブリの第３の変形例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
【００１９】
（実施の形態１）
図１を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態１を説明する。
【００２０】
図１を参照して、本発明による導電性基板１は、陽極酸化アルミナの自立膜を用いた導電性の基板であって、貫通孔５が形成されたアルミナ自立基板２と、当該貫通孔５の内部に充填された導電体６とを備える。貫通孔５は、相対的に径の大きな貫通孔大径部３と、相対的に径の小さな貫通孔小径部４とからなる。貫通孔大径部３と貫通孔小径部４とは繋がるように配置されている。また、１つの貫通孔大径部３に対して、複数の（図１においては各々２つの）貫通孔小径部４が繋がるようになっている。
【００２１】
このようにすれば、導電体６がアルミナ自立基板２の内部において分岐しているので、分岐した先の部分（導電体６のうち、２本のほぼ平行に延びる貫通孔小径部４の内部に配置された導電体部分）において、導電体６の一部（たとえば一方の貫通孔小径部４に位置する導電体６など導電性基板基板１表面に近いほど外的要因に起因する応力負荷を受けやすい−たとえば、検査用パッドなど当該導電性基板１に接続する部品で使用する為、ハンドリング時に応力集中や繰り返し応力を受けやすい）に断線などが発生しても、他の導電体部分（他方の貫通孔小径部４に位置する導電体６）を介して導電体６全体としての導通を維持することができる。この結果、当該導電性基板１を介して電子部品への他の電子部品や検査器具の接続を確実に行なうことができる。
【００２２】
また、導電体６が分岐しているので、図１の導電性基板１では、１つの導電体６が、当該導電性基板１の下部表面の複数箇所（図１では２箇所）において露出した導電体６の部分（貫通孔小径部４の内部に配置された部分）を含む。このため、導電性基板１と接続される検査機器などの電極を当該下部表面側に接続すれば、導電体６の複数の部分（貫通孔小径部４の内部に配置された部分）の一部と検査機器などの電極との間の接続に不具合が発生しても、導電体６の複数の部分のうちの他の一部と当該電極とが電気的に接続されていれば、当該電極と導電体６との導通を確保することができる。
【００２３】
また、図１に示した導電性基板１では、アルミナ自立基板２の厚みは２３０μｍ以上となっている。このため、自立膜としての導電性基板１の取扱いが容易である。すなわち、アルミナ自立基板２の厚みが十分厚く、導電性基板１自体で十分その形状を維持できるので、形状維持のためのサポート材などを導電性基板１に接続する必要が無い。
【００２４】
図２を参照して、図１に示した導電性基板１の製造方法を説明する。
図２に示すように、図１に示した導電性基板１の製造方法においては、まず基板準備工程（Ｓ１０）を実施する。具体的には、純アルミニウムからなる基板を準備する。準備する基板としては、任意のサイズ、任意の形態のものを用いることができる。たとえば準備する基板として平面形状は実質的に正方形状（たとえば縦６０ｍｍ×横６０ｍｍ）であって板厚が０．２ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０．５ｍｍといったサイズの基板を用いることができる。
【００２５】
次に陽極酸化工程（Ｓ２０）を実施する。具体的には、準備した基板を処理液１０に浸漬する。そして、当該基板を陽極とし、この基板に対向するように陰極を配置し陰極と陽極との間に所定の電圧を負荷する。このようにして、準備した基板に対する陽極酸化処理を行なう。このとき、陽極酸化処理の処理条件を途中で変更することにより、貫通孔大径部３（図１参照）と貫通孔小径部４（図１参照）を順次形成することができる。たとえば、陽極酸化処理の開始時における印加電圧を、当該処理の途中で低下させることにより、形成される貫通孔の径をより小さくすることができる。
【００２６】
なお、ここで用いる処理液としてはたとえば濃度が０．５ｍｏｌ％以上１ｍｏｌ％以下の希硫酸液を用いることができる。また、このときの処理液の処理温度としてはたとえば５℃以上１５℃以下とすることができる。また、上述した陰極としてはたとえばプラチナ（Ｐｔ）からなる板状の電極を用いることができる。このような陽極酸化処理（Ｓ２０）を実施することにより、純アルミニウムからなる基板の表面が陽極酸化処理され、複数の非貫通孔（この過程では表面のみが開孔しているナノホール）が基板の表面に対してほぼ垂直な方向に延びる状態のアルミナ自立基板２（図１参照）となるべきアルミナ層が基板１の表面に形成される。
【００２７】
次に、図２に示すように基板除去工程（Ｓ３０）を実施する。具体的には、上述したアルミナ層が表面に形成された基板において、純アルミニウムからなる部分（アルミナ層になっていない部分）を除去する。この基板除去工程（Ｓ３０）においては、従来周知の任意の方法を用いることができる。たとえば、臭素濃度が５体積％以上１０体積％以下の臭素メタノール混合液を２５℃以下の温度に保持した状態で、当該臭素メタノール混合液にアルミナ層が形成された基板を１時間以上２４時間以下の時間浸漬（あるいは、攪拌を併用しても良い）することにより、当該基板から陽極酸化処理されていないアルミニウムの部分を溶解除去することができる。その後、適宜、貫通孔形成工程（ナノホールがバリア層で閉孔状態になっている裏面側を開孔することで全孔に亘って貫通させるナノホール貫通化処理のみを行なう場合、またはナノホール貫通化処理を行なった後に貫通孔の孔壁を溶解させるナノホールの拡径処理を組合わせる場合がある）を行なった。たとえば当該処理として、作製した陽極酸化アルミナからなる自立基板を、液温が２０℃以下とした、濃度が０．５〜１ｍｏｌ％の希硫酸溶液中に１０分以上浸漬する。この結果、ナノホールが基板主表面の上部表面から下部裏面にまで完全開孔した貫通孔５が形成されたアルミナ自立基板２を得ることができる。
【００２８】
なお、上述した貫通孔形成工程（貫通化およびポアーワイドニング）は周知の処理液を用いて実施することができるため、処理液に応じた条件（濃度、温度、処理時間の組み合わせ）によりアルミナの溶解速度を制御すればよい。そのため、貫通孔形成工程などの条件は、今回の組み合わせ条件に限られることはない。たとえば、量産時において、上記条件は処理コスト（設備、時間など）に合わせて、選択できるものであり、例えば、処理液の温度を５℃以下とすれば（冷却装置が必要にはなるが）、貫通化処理に２０時間程度と長時間必要になるものの、皮膜溶解速度（アルミナの溶解速度）が遅いため、ロッドごとの処理時間の固体差（ばらつき）が発生しにくく、結果的に製品の歩留まりの低下を抑制できる、などのメリットなどがある。
【００２９】
次に、導電体形成工程（Ｓ４０）を実施する。具体的には、アルミナ自立基板２に形成された貫通孔５の内部に、アルミナ自立基板２の表面側から裏面側にまで到達するように導電体６を充填する。この導電体形成工程（Ｓ４０）においては、従来周知の任意の方法を用いて導電体６を形成することができる。たとえば、導電体６となるべき金属を、電着法を用いて貫通孔５の内部に充填してもよい。なお、これらの工程においては適宜、真空ポンプによる脱気処理−ナノホール孔内を排気することによりメッキ液の孔内浸漬性を良くすることができる。この結果、図１に示すような導電性基板１を得ることができる。
【００３０】
なお、導電体６を形成する方法としては、以下のような方法を用いてもよい。すなわち、無電解ニッケルメッキ液にアルミナ自立基板２を浸漬し、当該メッキ液を貫通孔５の内部に導入する。そして、貫通孔５の内壁にニッケルメッキ層を形成することにより導電体６を形成してもよい。
【００３１】
図３を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態１の変形例を説明する。
図３を参照して、導電性基板１は基本的には図１に示した導電性基板と同様の構造を備えるが、貫通孔５の内部の導電体６の形状が異なっている。すなわち、貫通孔５の内部においては、粒状の複数の導電体６が充填されている。隣接する粒状の導電体６は互いに表面を介して接続された状態になっている。このため、導電性基板１の表面（上部表面）から裏面（下面）まで複数の粒状の導電体６が電気的に接続された状態になっている。このような構成の導電性基板１によっても、図１に示した導電性基板１と同様の効果を得ることができる。
【００３２】
また、図３に示した導電性基板１の製造方法は、基本的には図２に示した導電性基板の製造方法と同様であるが、導電体形成工程（Ｓ４０）における導電体６の形成方法が異なっている。すなわち、図３に示した導電性基板１の製造方法では、図２に示した工程（Ｓ１０）〜工程（Ｓ３０）までを実施したあと、工程（Ｓ４０）として、まず微細な導電性金属粉末（たとえば直径が１ｎｍ以上５ｎｍ以下のＡｕ粉末）を含有する処理液（たとえば導電性金属粉末を含有するトルエンなどの有機溶媒）を準備する。当該処理液にアルミナ自立基板２を浸漬して貫通孔５の内部に当該処理液を充填する。その後、アルミナ自立基板２を真空中または不活性ガス雰囲気中で所定温度に加熱し、貫通孔５の内部で導電性金属粉末が互いに接続固定された状態とする。この結果、導電性金属粉末（つまり図３の粒状の導電体６）の結合体（焼結体）として導電体６が構成される。
【００３３】
（実施の形態２）
図４を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態２を説明する。
【００３４】
図４を参照して、本発明による導電性基板１は、基本的には図１に示した導電性基板１と同様の構造を備えるが、導電性基板１の一方の主表面上においてアルミナからなる３次元網目構造層１５が形成されている点が異なっている。この３次元多孔構造に相当する３次元網目構造層１５においては、微細な貫通孔が網目状に形成されている。この貫通孔の内部には、貫通孔５の内部と同様に導電体６が充填されている。つまり、３次元網目構造層１５では、導電体６も３次元網目構造を有している。図４に示した導電性基板１においては、貫通孔小径部４よりも相対的に大きな径を有する貫通孔大径部３に連なるように３次元網目構造層１５が配置されている。このような構造の導電性基板１によっても、図１に示した導電性基板と同様の効果を得ることができる。さらに、図４に示した導電性基板１では、３次元網目構造層１５の表面において極めて小さな孔径の導電体６の部分が分散して露出しているため、検査機器などの電極と導電体６との接続をより確実に行なうことができる。
【００３５】
図４に示した導電性基板１の製造方法は、基本的に図２に示した導電性基板の製造方法と同様であるが、陽極酸化工程（Ｓ２０）の後に３次元網目構造層を形成する工程を実施する点が異なっている。この３次元網目構造層を形成する工程は、独立した工程として実施してもよいし、陽極酸化工程（Ｓ２０）や基板除去工程（Ｓ３０）において当該３次元網目構造層を形成する工程を実施してもよい。この３次元網目構造層を形成する工程においては、任意の方法を用いることができる。たとえば、基板除去工程（Ｓ３０）において、処理液を所定の温度に（たとえば臭素メタノール混合液の温度を室温（２０℃程度）に保持することにより、下地のアルミニウムからなる部分を除去すると共に、３次元網目構造層１５を構成する３次元網目構造のアルミナ層を得ることができる。また、陽極酸化工程（Ｓ２０）において、当該陽極酸化処理が終わった後、基板を処理液に浸漬した状態で、処理液の温度を常温（室温、たとえば２０℃〜３０℃）にし、電極間に電圧を印加しない状態（無負荷電圧状態）にすることで、３次元網目構造層１５を構成する３次元網目構造のアルミナ層を得ることができる。さらに、陽極酸化工程（Ｓ２０）が完了した後、当該アルミナ自立基板２を別の処理液（たとえば陽極酸化工程（Ｓ２０）において用いられた処理廃液（希硫酸廃液））に常温下で浸漬する、という方法を用いてもよい。
【００３６】
（実施の形態３）
図５を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態３を説明する。
【００３７】
図５に示した導電性基板１は、基本的には図４に示した導電性基板１と同様の構造を備えるが、３次元網目構造層１５の配置が異なっている。具体的には、図５に示した導電性基板１においては、貫通孔大径部３よりも相対的に小きな径を有する貫通孔小径部４に連なるように３次元網目構造層１５が配置されている。３次元網目構造層１５では、図４に示した導電性基板１と同様に、導電体６も３次元網目構造を有している。３次元網目構造層１５を構成する導電体６は、貫通孔小径部４の内部に充填された導電体６と電気的に接続された状態になっている。
【００３８】
このような構造の導電性基板１によっても、図４に示した導電性基板１と同様の効果を得ることができる。また、図５に示した導電性基板１は、基本的に図４に示した導電性基板１と同様の製造方法を用いて製造することができる。
【００３９】
（実施の形態４）
図６を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態４を説明する。
【００４０】
図６を参照して、導電性基板１は、基本的には図４に示した導電性基板１と同様の構成を備えるが、導電性基板の表面および裏面の両方の主表面に３次元網目構造層１５が配置されている点が異なる。２つの主表面上に配置された３次元網目構造層１５において、３次元網目構造を有する導電体は、それぞれ貫通孔５の内部に充填された導電体６と電気的に接続される。このような構造の導電性基板１によっても、図４および図５に示した導電性基板１と同様の効果を得ることができる。
【００４１】
（実施の形態５）
図７を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態５を説明する。
【００４２】
図７を参照して、本発明による導電性基板１は、基本的には図４に示した導電性基板１と同様の構造を備えるが、貫通孔５の構成が異なっている。すなわち、図７に示した導電性基板１では、アルミナからなる自立基板の一方の主表面（３次元網目構造層１５が形成された側の主表面）から反対側の主表面にかけて延びるように複数の貫通孔５が形成されている。貫通孔５はそれぞれほぼ全長に亘って同じ径を有している。すなわち、図４などに示したように径の異なる貫通孔大径部３および貫通孔小径部４を有するといった構成ではなく貫通孔５はほぼ全長に亘って同じ径を有する。この貫通孔５の内部には導電体６が充填された状態になっている。そして、３次元網目構造層１５に含まれる３次元網目構造の導電体６は、ほぼ同じ径の貫通孔５の内部に充填された導電体６と接続されている。つまり、異なる観点から言えば、導電体６は、貫通孔５の内部に位置する部分から、３次元網目構造層１５において分岐している（貫通孔５の内部の１つの導電体６が３次元網目構造層１５において複数本の（３次元網目構造を有する）導電体６の部分に分岐している）。このような構成の導電性基板１によっても、図４に示した導電性基板１と同様の効果を得ることができる。
【００４３】
図８を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態５の変形例を説明する。
図８を参照して、導電性基板１は、基本的には図７に示した導電性基板１と同様の構造を備えるが、貫通孔５の内部の導電体６の形態が異なっている。すなわち、図８に示した導電性基板１においては、貫通孔５の内部には、当該貫通孔５の内壁に沿って導電体６が所定の厚みだけ堆積した状態で形成されている。そして、貫通孔５のほぼ中央部には、貫通孔５の延在方向に沿って延びるように空孔８が形成された状態となっている。
【００４４】
なお、３次元網目構造層１５においては、アルミナからなる層に３次元網目構造を有する貫通孔（網目状孔）が多数形成され、当該網目状孔の内部に導電体６が形成されている。導電体６は、網目状孔の内部を充填していてもよいが、貫通孔５の内部と同様に、その中央部に空孔（空隙）が形成されていてもよい。なお、電気的に接続状態が維持されていれば貫通した空孔、断裂した空孔であっても十分機能を有している。さらに、貫通空孔の場合、導電体を形成後、空孔内に例えば有機樹脂などを浸漬、真空吸引などで内部充填させることも可能であり、これにより基板強度を向上させることも出来る。
【００４５】
このように空孔８が形成されていても、３次元網目構造層１５における網目状孔や貫通孔５の内壁に沿って導電体６が延在するように形成されているため、図７に示した導電性基板１と同様に、３次元網目構造層１５の表面に露出した導電体６と、アルミナからなる自立基板２の裏面側（３次元網目構造層１５が形成された側の主表面と反対側の主表面）に露出する導電体６とを電気的に接続された状態とすることができる。
【００４６】
なお、図８に示した導電性基板１は、基本的には図４、図５、図７に示した導電性基板１と同様の方法により製造することができるが、導電体形成工程（４０）（図２参照）において、空孔８を有するように導電体６が形成されている。具体的には、たとえば無電解ニッケルメッキ液を用いて、貫通孔５の内壁上に導電体層を成長させることにより、空孔８を有する導電体６を形成することができる。この場合、図８に示した導電性基板１における導電体６の形成に要する時間を、図７に示した導電性基板１の導電体６の形成に要する時間より短くできる。したがって、導電性基板１の製造に要する時間を短縮できる。
【００４７】
（実施の形態６）
図９を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態６を説明する。
【００４８】
図９を参照して、本発明による導電性基板１は、基本的には図７に示した導電性基板１と同様の構造を備えるが、導電性基板の一方の主表面のみではなく両方の主表面にそれぞれ３次元網目構造層１５が形成されている点が異なっている。両方の３次元網目構造層１５における網目状の貫通孔（網目状孔）の内部およびアルミナ自立基板２を貫通するように形成された貫通孔５の内部をそれぞれ充填するように導電体６が形成されている。このようにしても、図７に示した導電性基板１と同様に、一方の主表面に形成された３次元網目構造層１５の表面に露出する導電体６と、反対側の主表面に形成された３次元網目構造層１５の表面に露出した導電体６とを貫通孔５の内部に充填された導電体６を介して電気的に接続された状態とすることができる。この結果、図６に示した導電性基板１と同様の効果を得ることができる。また、図９に示した導電性基板１は、基本的には図６に示した導電性基板１の製造方法と同様の製造方法を用いて製造することができる。
【００４９】
図１０を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態６の変形例を説明する。
図１０を参照して、本発明による導電性基板１は、基本的には図９に示した導電性基板１と同様の構造を備えるが、貫通孔５の内部における導電体６の構成が異なっている。すなわち、図１０に示した導電性基板１においては、貫通孔５の内部においては導電体６が貫通孔５の内壁に沿って延びるように形成されており、貫通孔５の中央部には、貫通孔５の延在方向に沿って延びるように空孔８が形成されている。なお、３次元網目構造層１５における貫通孔内部においては導電体が当該貫通孔内を充填するように形成されているが、３次元網目構造層１５においても導電体６内部に空孔が形成されていてもよい。このような構成によっても、図９に示した導電性基板１と同様の効果を得ることができる。また、図１０に示した導電性基板１の製造方法は、基本的に図９に示した導電性基板１の製造方法と同様であるが、導電体形成工程（Ｓ４０）において、たとえば無電解ニッケルメッキ液を用いて、導電体中に空孔８が形成されるように導電体６を形成している。
【００５０】
（実施の形態７）
図１１を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態７を説明する。
【００５１】
図１１を参照して、本発明による導電性基板１は、基本的には図１に示した導電性基板１と同様の構造を備えるが、導電性基板の一方の主表面１７および当該一方の主表面と反対側に位置する他方の主表面１８において導電体６の一部が主表面１７、１８から突出した状態となっている。このようにすれば、主表面１７、１８から突出した導電体６の部分が、他の部材（たとえば他の基板や検査機器など）の表面に形成された電極と容易に接触することになる。この結果、図１に示した導電性基板１と同様の効果を得られるとともに、当該導電性基板１と他の部材との導通を容易に図ることができる。
【００５２】
図１２を参照して、図１１に示した導電性基板の製造方法を説明する。
図１２に示した導電性基板の製造方法において、基板準備工程（Ｓ１０）、陽極酸化工程（Ｓ２０）、基板除去工程（Ｓ３０）、導電体形成工程（Ｓ４０）はすべて図２に示した導電性基板の製造方法と同様である。但し、図１２に示した導電性基板の製造方法においては、導電体形成工程（Ｓ４０）を実施した後、後処理工程（Ｓ５０）を実施する点が異なっている。具体的には、導電体６を形成した後、アルミナ自立基板２の主表面１７、１８を後退させる（すなわちアルミナ自立基板２の主表面１７、１８を（所定の厚さだけ）部分的に除去する）処理を行なう。たとえば、アルミナ自立基板２を溶解する薬液に導電性基板１を浸漬するといった処理を行なう。この結果、アルミナ自立基板２の厚みは工程（Ｓ５０）を実施する前より薄くなる。そして、アルミナ自立基板２の主表面１７、１８が後退することにより導電体６の両端部が表面１７、１８から突出した状態となる。このようにして、図１１に示す導電性基板を得ることができる。
【００５３】
（実施の形態８）
図１３を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態８を説明する。
【００５４】
図１３を参照して、本発明による導電性基板１は、基本的には図１に示した導電性基板１と同様の構造を備えるが、貫通孔５の内部に充填された導電体６の構成が異なっている。すなわち、図１３に示した導電性基板１においては、貫通孔５の内部に、アルミナ自立基板２の１つの主表面に近い領域に導電体６ｂ、６ｃの層が形成され、貫通孔５の内周側（すなわち導電体６ｂ、６ｃによって挟まれた領域）に、導電体６ｂ、６ｃとは異なる材質あるいは異なる密度を有する導電体６ａが配置されている点が異なっている。導電体６ａ〜６ｃは互いに電気的に接続された状態になっている。このようにしても、図１に示した導電性基板と同様の効果を得ることができる。さらに、検査機器などの電極と接触する部分である導電体６ｂ、６ｃについては、たとえば耐磨耗性の高い材料を用い、導電体６ａについては別の特性を有する材料（たとえば導電性の相対的に良好な材料）を用いる、といった対応が可能になる。
【００５５】
図１３に示した導電性基板１は、基本的には図１に示した導電性基板１の製造方法と同様の製造方法によって形成することができるが、導電体６を形成する工程が異なっている。たとえば、以下のような方法で導電体６を形成することができる。すなわち、図２に示した導電性基板の製造方法を実施した後、アルミナ自立基板２の主表面に露出する導電体６の表面層を導電体６の材質のみが溶解される所定の薬液などにより溶解する。そして、導電体６ｂ、６ｃとなるべき別の導電体（アルミナ自立基板２の厚み方向中央部に位置する導電体６ａとは異なる材質の導電体）を新たに貫通孔５の開口端部付近（薬液で導電体６が除去された領域）に形成する。
【００５６】
あるいは、図２に示した導電性基板の製造方法を実施した後、表面に導電体６ａと合金を構成できる異種導電性元素を、例えばＣＶＤなど化学蒸着法あるいは真空蒸着、スパッタ蒸着などの物理蒸着法により表面蒸着した後、不活性ガス等、適当なガス雰囲気下で適当な時間の合金化熱処理を行うことにより、表面拡散で導電体６の表面近傍では合金化を進行させることが出来る。この結果、最終的に導電体が孔中央部と表面近傍部で組成の異なる導電体６ａ〜６ｃからなる導電体６を形成することができる。また、あるいは、図２に示した導電性基板の製造方法を実施した後、表面に所定の元素、例えば、窒素、Ｓｉ元素などをイオン注入すれば導電体６の表面近傍では注入イオンの元素濃度が高くなる。この結果、導電体の結晶格子に歪が導入されることとなり、導電体６の表面硬度を上げることが出来るので、結果的に耐摩耗性を向上させることができる。
【００５７】
このようにして、導電体６ａ〜６ｃからなる導電体６を形成することができる。
（実施の形態９）
図１４を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態９を説明する。
【００５８】
図１４を参照して、本発明による導電性基板１は、基本的には図１３に示した導電性基板１と同様の構造を備えるが、導電体６の一部分を構成する導電体６ａの構成が異なっている。すなわち、図１４に示した導電性基板１においては、貫通孔５の内部に充填された導電体６ａが、貫通孔５の延在方向に延びる空孔８をその中央部に備えている。導電体６ａは、貫通孔５の内壁に沿って延在するように形成されている。図では空孔は均一な配置、寸法で描画されているが、当然、任意の配置、寸法、個数（密度）であっても、導電体６ａの両端に亘って電気的に接続されていることが維持されていれば、このような導電体６ａによっても、貫通孔５の両端の開口部近傍に位置する導電体６ｂ、６ｃを互いに電気的に接続することができる。そして、図１４に示した導電性基板１は、図１３に示した導電性基板１と同様の効果を得ることができる。
【００５９】
図１４に示した導電性基板１の製造方法は、基本的に図１３に示した導電性基板１の製造方法と同様であるが、導電体６ａの製造方法が一部異なる。すなわち、導電体６ａを形成するときに、空孔８が形成されるように（たとえば無電解ニッケルメッキ液などを用いて）導電体６ａを形成する。あるいは、極端な場合として無空孔型の導電体の製造工程で何らかの原因で導電体に空孔が発生した基板を流用活用するといった低コスト化が可能でもある。このようにして、図１４に示した導電性基板１を得ることができる。
【００６０】
（実施の形態１０）
図１５を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態１０を説明する。
【００６１】
図１５を参照して、本発明による導電性基板１の実施の形態１０は、基本的には図１に示した導電性基板１と同様の構成を備えるが、貫通孔５の形状が異なっている。すなわち、図１５に示した導電性基板１においては、アルミナ自立基板２の２つの主表面近傍において相対的に小さな径を有する貫通孔小径部４が分岐形成されている。そして、この両端の貫通孔小径部４を繋ぐように、相対的に大きな径を有する貫通孔大径部３が形成されている。図１５に示した導電性基板１においては、一方の主表面（図１５における上部表面）近傍に形成された複数（図１５では２つ）の貫通孔小径部４と連通するように１つの貫通孔大径部３が形成され、他方の主表面（図１５における下部表面）近傍においては同様に上述した貫通孔大径部３と繋がるように複数の貫通孔小径部４が形成されている。貫通孔小径部４と貫通孔大径部３とは、ほぼ同じ方向に延びている。この貫通孔５の内部には導電体６が充填された状態になっている。
【００６２】
このような構成の導電性基板１によっても、図１に示した導電性基板と同様の効果を得ることができる。また、図１５に示した導電性基板１の製造方法は、基本的に図１に示した導電性基板１の製造方法と同様であるが、陽極酸化工程（Ｓ２０）における条件が異なっている。具体的には、陽極酸化処理を行なうときの印加電圧を、形成される貫通孔５の径が図１５に示すように変化するように変更する。たとえば、最初に、印加電圧を（貫通孔小径部４が形成されるような）初期値から途中で高くし、一定時間そのまま保持することにより貫通孔大径部３を形成した後、再び印加電圧を上記初期値へと低下させて他端側の貫通孔４を形成する、という操作を行なう。このようにして、貫通孔５の形状を制御して図１５に示した導電性基板１を得ることができる。
【００６３】
図１６を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態１０の変形例を説明する。
図１６を参照して、導電性基板１は、基本的には図１５に示した導電性基板１と同様の構造を備えるが、貫通孔５の内部に配置された導電体６の構成が異なっている。すなわち、図１６に示した導電性基板１において、貫通孔５の内部においては、当該貫通孔５の内周に沿って延びるように導電体６が形成されるとともに、貫通孔５のほぼ中央部に空孔８が形成されている。当該空孔８は貫通孔５の延びる方向に沿って延びている。このような構造によっても、図１５に示した導電性基板１と同様の効果を得ることができる。さらに、導電体６の形成に要する時間を、図１５に示した導電性基板１の製造方法における当該時間より短くすることができる。なお、当然ながら空孔８は導電体６の両端に亘って電気的に接続されていれば任意の寸法、形態、個数（密度）に係わらず所望の性能を保持できる。
【００６４】
（実施の形態１１）
図１７を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態１１を説明する。
【００６５】
図１７を参照して、導電性基板１は基本的には図１５に示した導電性基板１と同様の構造を備えるが、アルミナ自立基板２の一方の主表面側に３次元網目構造層１５が形成されている点が異なっている。この３次元網目構造層１５においては、貫通孔５に連なる複数の網目状の貫通孔が形成されている。３次元網目構造層１５に形成された３次元構造の貫通孔の内部には、導電体６が充填された状態になっている。つまり、３次元網目構造層１５における導電体６も、３次元網目構造を有する。３次元網目構造層１５内に配置された導電体６は、貫通孔５の内部に配置された導電体と電気的に接続された状態になっている。このようにすれば、図１５に示した導電性基板１によって得られる効果に加えて、図４に示した導電性基板１によって得られる効果も得ることができる。
【００６６】
また、図１７に示した導電性基板１の製造方法は、基本的には図１５に示した導電性基板１の製造方法と同様であるが、３次元網目構造層１５を形成する工程をさらに実施する点が異なっている。３次元網目構造層１５を形成する工程としては、基本的には図４に示した導電性基板１の製造方法における３次元網目構造層１５を形成する工程と同様の工程を用いることができる。
【００６７】
（実施の形態１２）
図１８を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態１２を説明する。
【００６８】
図１８を参照して、導電性基板１は、基本的には図１７に示した導電性基板１と同様の構造を備えるが、３次元網目構造層１５が図１８における上面および下面の両方に形成されている点が異なっている。それぞれの３次元網目構造層１５においては、形成されている網目状の貫通孔の内部に導電体６が充填された状態となっている。つまり、３次元網目構造層１５における導電体６も、３次元網目構造を有する。そして、それぞれの３次元網目構造層１５における貫通孔の内部に充填された導電体６は、貫通孔５の内部に充填された導電体６と電気的に接続された状態となっている。このため、図１８に示した導電性基板１は、図１５に示した導電性基板１により得られる効果に加えて、図６に示した導電性基板と同様の効果を得ることができる。
【００６９】
（実施の形態１３）
図１９を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態１３を説明する。
【００７０】
図１９を参照して、本発明による導電性基板１は、基本的には図１５に示した導電性基板と同様の構成を備えるが、導電体６の両端部がアルミナ自立基板２の主表面１７、１８から突出した状態になっている点が図１４に示した導電性基板１とは異なっている。この結果、図１５に示した導電性基板１による効果を得られるとともに、導電性基板１と他の部材との導通をより容易に図ることができる。
【００７１】
図１９に示した導電性基板１の製造方法は、基本的に図１５に示した導電性基板１の製造方法と同様であるが、図１２に示した製造方法と同様に、基板準備工程（Ｓ１０）〜導電体形成工程（Ｓ４０）を実施した後にアと処理工程（Ｓ５０）を実施する点が異なっている。アと処理工程（Ｓ５０）では、図１４に示した導電性基板１の製造方法と同様に、アルミナ自立基板２の主表面１７、１８を後退させる処理を行なう。このようにして、図１９に示す導電性基板１を得ることができる。
【００７２】
（実施の形態１４）
図２０を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態１４を説明する。
【００７３】
図２０を参照して、本発明による導電性基板１は、基本的には図１５に示した導電性基板１と同様の構造を備えるが、導電体６の構成が異なっている。具体的には、図２０に示した導電性基板１においては、アルミナ自立基板２の主表面に近い領域に位置する導電体６ｂ、６ｃと、貫通孔５の内部において導電体６ｂ、６ｃの間に挟まれた領域に位置する導電体６ａとが異なる組成または異なる密度を有するように構成されている。このようにすれば、図１５に示した導電性基板１による効果に加えて、図１３に示した導電性基板１と同様の効果を得ることができる。
【００７４】
なお、図２０に示した導電性基板１の製造方法は、基本的に図１５に示した導電性基板１の製造方法と同様であるが、導電体６の製造方法が異なる。つまり、図２０に示した導電性基板１における導電体６の製造方法は、図１３に示した導電性基板１における導電体６の製造方法と同様である。
【００７５】
（実施の形態１５）
図２１を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態１５を説明する。
【００７６】
図２１を参照して、本発明による導電性基板１は、基本的には図２０に示した導電性基板と同様の構成を備えるが、貫通孔５の内部において導電体６ｂ、６ｃの間に挟まれた位置に配置された導電体６ａの構成が異なっている。具体的には、図２１に示した導電性基板１においては、導電体６ａは貫通孔５の内壁に沿って配置されており、貫通孔５のほぼ中央部に空孔８が形成されている。空孔８は貫通孔５の延在方向に沿って延びるように形成されている。このような構成によっても、図２０に示した導電性基板１と同様の効果を得ることができる。
【００７７】
図２１に示した導電性基板１の製造方法は、基本的には図２０に示した導電性基板１の製造方法と同様であるが、導電体６ａの製造方法が異なっている。導電体６ａの製造方法は、基本的に図１４における導電体６ａの製造方法と同様である。
【００７８】
（実施の形態１６）
図２２を参照して、本発明による導電性基板の実施の形態１６を説明する。
【００７９】
図２２を参照して、本発明による導電性基板１は、基本的には図１に示した導電性基板１と同様の構成を備えるが、貫通孔５の形状が図１に示した導電性基板１とは異なっている。すなわち、図２２に示した導電性基板１に形成された貫通孔５は途中で分岐しておらず、単一の線状に延びるように形成されている。この導電性基板１の厚みは図１に示した導電性基板１と同様に２３０μｍ以上となっている。そのため、厚みが相対的に薄い導電性基板などと比べて曲げ強度が高くなっている。このため、電子部品へ当該導電性基板１を介して他の電子部品や検査器具を接続するときに、当該導電性基板１が変形することにより当該接続がうまくいかない、といった問題の発生を抑制できる。
【００８０】
なお、図２２に示した導電性基板１では、導電体６の構成として図３、図８、図１３、図１４、図１９〜図２１などに示す構成を適用してもよい。
【００８１】
（実施の形態１７）
図２３を参照して、本発明によるアセンブリ２０の構成を説明する。
【００８２】
図２３を参照して、本発明によるアセンブリ２０は、第１の集電側基板２１と第２の集電側基板２２との間に本発明による導電性基板１が配置された構成となっている。第１および第２の集電側基板２１、２２と導電性基板１とは集電側検出端子２３により電気的に接続されている。なお、導電性基板１では、図示していないが先に説明した実施の形態１〜１６で示した各種の貫通孔５が形成され、当該貫通孔５の内部には導電体６（図１参照）が形成されている。
【００８３】
次に、図２４を参照して、集電側検出端子２３と導電性基板１の表面に露出する導電体６との関係を説明する。図２４を参照して、導電性基板１の主表面には貫通孔５の開口部が形成されている。この貫通孔５内部には導電体６が充填された状態となっている。そして、導電性基板１の表面に接触するように上述した集電側検出端子２３が配置されている。集電側検出端子２３の平面形状はほぼ円形状である。また、貫通孔５の平面形状もほぼ円形状であると考える。
【００８４】
ここで、貫通孔５の平均径をｄ、集電側検出端子２３の直径をＤ、集電側検出端子２３の間のピッチ（隣接する集電側検出端子２３の中心点間の距離）をＬ1、Ｌ2とする。なお、ここでピッチＬ1とピッチＬ2とは、隣接する集電側検出端子２３の中心を結ぶ線分のうち互いに直交するものの長さに対応している。このように考えた場合、上記ピッチＬ1、Ｌ2は、１．５Ｄ以上とし、また集電側検出端子２３の直径Ｄは貫通孔５の平均直径ｄの３倍以上であることが好ましい。このようにすれば、集電側検出端子２３によって覆われる領域内に少なくとも３個以上の貫通孔５（すなわち少なくとも３個以上の導電体６）を配置することができる。この結果、集電側検出端子２３と導電体６との接続をより確実に行なうことができる。また、上述した集電側検出端子２３の直径Ｄは０．１μｍ以上、好ましくは０．２５μｍ以上、より好ましくは０．５０μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上とする。
【００８５】
図２３に示したアセンブリ２０の製造方法は、以下のような方法を用いることができる。すなわち、まず本発明による導電性基板１および第１、第２の集電側基板２１、２２を準備する工程（第１工程）を実施する。その後、導電性基板１と第１、第２の集電側基板２１、２２とを接続する工程（第２工程）を実施する。第２工程では、導電性基板１の主表面に露出する導電体６と、第１、第２の集電側基板２１、２２の集電側検出端子２３とを熱融着、超音波接合、溶融ハンダ接合、紫外線硬化型導電性ペーストや導電性接着剤などを介した接合など任意の方法により電気的に接続する。このようにして、図２３に示すアセンブリ２０を得ることができる。
【００８６】
図２５を参照して本発明によるアセンブリの第１の変形例を説明する。
図２５を参照して、アセンブリ２０は基本的には図２３に示したアセンブリ２０と同様の構成を備えるが、集電側検出端子２３と導電性基板１との接続部の構造が異なっている。すなわち、図２５に示したアセンブリ２０においては集電側検出端子２３と導電性基板１との間に導電性の材料からなる接続層２４が配置されている。接続層２４の材料としては、導電性を有する任意の材料（たとえば導電性の接着剤、あるいは、溶融ハンダ材料など各種適用できる、但し、接合条件としてはアルミナ基板および孔内導電材が侵食しない、または、融解しない処理を選択する）を用いることができる。このようにすれば、集電側検出端子２３と導電性基板１の主表面に露出する導電体との接続を、接続層２４を用いてより確実に行なうことができる。
【００８７】
図２５に示したアセンブリ２０の製造方法は、基本的に図２３に示したアセンブリ２０の製造方法と同様である。ただし、第１工程において、導電性基板１の主表面に、集電側検出端子２３と接触する領域へ予め接続層２４を形成しておく。この結果、図２５に示すアセンブリ２０を製造することができる。なお、接続層２４は、上述した第１工程において、集電側検出端子２３の表面に予め形成しておいてもよい。
【００８８】
なお、上述した図２３、図２５に示したアセンブリ２０においては、導電性基板１として図１〜図２２に示したいずれの導電性基板１を適用してもよい。
【００８９】
図２６を参照して、本発明によるアセンブリの第２の変形例を説明する。
図２６に示したアセンブリ２０は、基本的には図２３に示したアセンブリと同様の構成を備えるが、導電性基板１の構成および第２の集電側基板２２の構成が異なっている。具体的には、図２６に示したアセンブリ２０においては、図４、図５、図７、図８、図１７などに示すように、導電性基板１がアルミナ自立基板２と、当該アルミナ自立基板２の主表面に形成された３次元網目構造層１５とを備えている。なお、導電性基板１では、図示していないが貫通孔５が形成され、当該貫通孔５の内部および３次元網目構造層１５における網目構造の貫通孔の内部には導電体が形成されている。そして、３次元網目構造層１５と対向する第２の集電側基板２２と、導電性基板１との間を接続する集電側検出端子２３の径は、第１の集電側基板２１と導電性基板１とを接続する集電側検出端子２３の径よりも小さくなっている。これは、３次元網目構造層１５の表面において、表面積の極めて小さな導電体の一部が分散して露出しているため、集電側検出端子２３を小さくすることが可能となっているためである。このようなアセンブリ２０によっても、図２３に示したアセンブリ２０と同様の効果を得ることができる。
【００９０】
図２７を参照して、図２３に示したアセンブリの第３の変形例を説明する。
図２７に示したアセンブリ２０は、基本的には図２３に示したアセンブリ２０と同様の構造を備えるが、導電性基板１の構成および集電側検出端子２３のサイズが異なっている。具体的には、図２７に示したアセンブリ２０においては、導電性基板１が、図６、図９、図１８に示すように、アルミナ自立基板２と、当該アルミナ自立基板２の２つの主表面上に形成された２つの３次元網目構造層１５とを備えている。そして、第１および第２の集電側基板２１、２２と導電性基板１とを接続する集電側検出端子２３の径は、図２３に示した集電側検出端子２３の径よりも小さくなっている。このような構成においても、図２３に示したアセンブリと同様の効果を得ることができる。
【００９１】
なお、上述した導電性基板１の製造方法における導電体の形成工程については、任意の方法を適用することができる。たとえば、導電体としては、様々な導電性物質（例えば、Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｐｂなどをベースとした各種金属系材料、カーボンフィラー、金属材料/無機材料ウィスカー）を用いることができる。そして、これらの導電性物質のうち金属系材料では、適当な酸系またはアルカリ系溶媒に溶解して各種金属めっき液として使用するメッキ法、あるいは、ナノ粉末にして適当な酸系またはアルカリ系溶媒に均一分散した処理液を用いて浸漬-熱処理を組み合わせた方法などを適用してナノホール内に所定の導電体を形成させる。すなわち、アルミナ自立基板を当該処理液に適当な処理温度および所定時間（たとえば５分〜数時間）浸漬した後、所定の熱処理条件で熱処理する（たとえば５００℃以下で加熱処理する）ことで、導電性物質を貫通孔５の内部において加熱析出させてもよい。また、上記熱処理においては、一旦、加熱温度を数百℃として加熱処理を行なうことで、貫通孔の内部に微細な結晶粒（成長核）を核生成してもよい。この場合、当該アルミナ自立基板を再度処理液中に浸漬することで、上記生成核をトリガーとして容易に成長させることができる。
【００９２】
また、上述した（金属）ナノ粒子以外に、金属酸化物ナノ粒子、導電性複合酸化物ナノ粒子等も適宜、溶媒中に均一分散した処理液とすることができる。このような処理液を用いる導電体の形成方法としては、以下のような方法が考えられる。たとえば、処理液にアルミナ自立基板２を浸漬して貫通孔５の内部に上記金属酸化物ナノ粒子または導電性複合酸化物ナノ粒子を充填する。そして、当該アルミナ自立基板２に対して熱処理を行なう。この熱処理時の雰囲気として、還元雰囲気(例えば、水素ガス）を用いることで、上記ナノ粒子の還元焼結反応を起こすことができる。この結果、導電性のナノ粒子が結合した導電体６を形成することができる。
【００９３】
以下、上述した実施の形態と一部重複する部分もあるが、本発明の特徴的な構成を列挙する。
【００９４】
この発明に従った導電性基板１は、基板としてのアルミナ自立基板２と、導電体６とを備える。アルミナ自立基板２は、２つの主表面１７、１８を有し、当該２つの主表面１７、１８のうちの一方から他方へ到達する複数の貫通孔５が形成され、アルミナからなる。導電体６は、貫通孔５の内部に配置され、上記２つの主表面１７、１８のうちの一方から他方まで延在する。貫通孔５はアルミナ自立基板２の内部において単一孔（図２２参照）であるか、あるいは少なくとも２つの主表面１７、１８のうちの一方に相対的に近い領域で分岐している。導電体６は貫通孔５の形状に応じて単一線状あるいは分岐した形状を有している。アルミナ自立基板２の厚みは２３０μｍ以上である。
【００９５】
このようにすれば、導電体６がアルミナ自立基板２の内部において分岐している場合、分岐した先の部分（導電体６が２本以上のほぼ平行に延びる複数の導電体部分となっている部分）において、導電体部分の一部に断線などが発生しても、他の導電体部分を介して導電体６全体としての導通を維持することができる。この結果、当該導電性基板１を介して電子部品への他の電子部品や検査器具の接続を確実に行なうことができる。
【００９６】
また、導電体６が分岐している場合であって、分岐した先の部分がアルミナ自立基板２の主表面の一方に露出している場合、１つの導電体６が上記主表面の複数箇所において露出した導電体部分と電気的に接続された状態となる。このため、導電性基板１と接続される検査機器などの電極（たとえば集電側検出端子２３）と、当該導電体６とを接続する場合に、複数の導電体部分のうちの一部と検査機器などの電極との間の接続に不具合が発生しても、複数の導電体部分のうちの他の一部と当該電極とが電気的に接続されていれば、当該電極と導電体６との導通を確保することができる。
【００９７】
また、アルミナ自立基板２の厚みが２３０μｍ以上であるので、自立膜としての導電性基板１の取扱いが容易である。すなわち、アルミナ自立基板２の厚みが十分厚く、導電性基板１自体で十分その形状を維持できるので、形状維持のためのサポート材などを導電性基板１に接続する必要が無い。また、上述のようにアルミナ自立基板２の厚みが２３０μｍ以上となっていることから、上記導電性基板１はその形状を外部のサポート無しに維持できる、いわゆる自立基板となっている。このため、電子部品へ当該導電性基板１を介して他の電子部品や検査器具を接続するときに、当該導電性基板１が変形することにより接続がうまくいかない、といった問題の発生を抑制できる。
【００９８】
上記導電性基板１において、アルミナ自立基板２の厚みは２３０μｍ以上、より好ましくは３００μｍ以上、さらに好ましくは４００μｍ以上である。この場合、導電性基板１の形状を確実に維持することができるので、その取扱いがより容易になる。但し、厚みの上限は用途、要求性能、陽極酸化処理を含む各製造工程における製造能力、トータルコストなどを考慮して選択すればよい。
【００９９】
上記導電性基板１において、複数の貫通孔５はアルミナ自立基板２においてランダム配置されていてもよい。この場合、アルミナ自立基板２において貫通孔５を所定の配置（たとえば三角格子状、あるいは正方格子状の配置）に形成する場合に比べて、貫通孔５の製造工程を簡略化できるので、導電性基板１の製造コストや検査コストを低減することができる。すなわち、特許文献１に開示されるように、アルミナからなる基板に複数の貫通孔を規則的に形成するためには、アルミニウムからなる基板表面を陽極酸化処理した後、当該陽極酸化処理された層（ナノホールが形成されたアルミナ層）を一度溶解除去してから、再度陽極酸化処理を行なうといった工程、あるいは、アルミニウム基板の表面に事前に複数の窪みを所定の間隔および配列で形成させるといった工程を行ってから陽極酸化処理を実施する必要がある。しかし、本発明による導電性基板１では、貫通孔５をランダム配置としていることから、上記のようなアルミナ層の溶解〜陽極酸化処理の再実施、あるいは事前の窪み形成〜陽極酸化処理の実施といった工程を行なう必要が無い。
【０１００】
上記導電性基板１において、貫通孔５はアルミナ自立基板２の内部において２つの主表面１７、１８のうちの少なくとも一方に相対的に近い領域で分岐しており、導電体６は、図１などに示すように、上記２つの主表面のうちの少なくとも一方に相対的に近い領域で分岐していてもよい。この場合、１つの導電体６が上記２つの主表面のうちの一方側における複数箇所で露出した導電体部分（導電体の分岐した部分）と電気的に接続された状態となる。このため、検査機器などを導電性基板１の上記２つの主表面のうちの一方側に接続する場合、複数の導電体部分のうちの一部と検査機器などの電極との間の接続に不具合が発生しても、複数の導電体部分のうちの他の一部と当該電極とが電気的に接続されていれば、当該電極と導電体６との導通を確保することができる（つまり、容易に代替導通路を確保することができる）。
【０１０１】
また、上記のように２つの主表面のうちの一方において１つの導電体６が分岐した複数の導電体部分が配置されているため、検査機器などの電極と導電体６との間を流れる電流値が一定の値である場合、１つの導電体部分当たりの入力（あるいは出力）電流値を小さくできる。このため、検査機器の電極と１つの導電体６とが１箇所で接触している場合より、導電体６と電極との接触抵抗による発生するジュール熱の発生箇所を分散することができる。また、異なる観点から言えば、１つの導電体部分と検査機器などの電極との接触部において発生する（接触抵抗による）ジュール熱の発生量を、導電体６と電極とが１箇所だけで接触している場合より小さくできる。このため、当該ジュール熱の基板を介した放熱をよりスムーズに行なうことができる。したがって、ジュール熱に起因する熱サイクルで導電性基板１の熱膨張・収縮により、検査機器などの電極と導電性基板１との接続部における不良（たとえば当該熱膨張・収縮に起因して発生する応力が作用して電極と導電体との接続部が外れる、などの不良）が発生する確率を低減できる。このため、検査機器などと導電性基板１とをより確実に接続することができる。
【０１０２】
上記導電性基板１において、２つの主表面のうち一方側において露出する複数の導電体６の部分は、上記分岐している部分と分岐していない部分との境界部である分岐点を介して、２つの主表面のうち他方側において露出する１つの導電体の部分（分岐していない部分）と電気的に接続されていてもよい。この場合、２つの主表面のうちの一方側から、複数の導電体６の部分を介して入力された複数の電気信号（電流）を、他方側の１つの導電体の部分へ出力する（つまり複数の電気信号を合成した１つの信号として出力する）ことができる。また、電流を上述した方向とは逆方向に流せば、他方側の１つの導電体６の部分から入力した電気信号を、一方側の複数の導電体６の部分へ並列に出力することができる。
【０１０３】
上記導電性基板１において、導電体６は、２つの主表面のうちの少なくとも一方に露出する部分が３次元多孔構造としての３次元網目構造層１５を有していてもよい。この場合、３次元網目構造を有する導電体部分が露出するアルミナ自立基板２の主表面では、当該３次元網目構造を有する導電体部分が配置された領域全体を電極端子部として利用できる。このため、たとえば検査機器などの複数の電極を１つの導電体６に接続する、といった構成を容易に実現できる。また、３次元網目構造層１５に含まれる３次元網目構造を有する導電体６は、導電性基板１に形成された複数の導電体と電気的に接続された状態とすることができる。この場合、３次元網目構造層１５が形成される領域の面積を十分大きくすれば（たとえば導電性基板１の主表面全体に３次元網目構造層１５を形成すれば）、検査機器などの所定の表面に形成されたすべての電極を、３次元網目構造となった導電体部分を介して複数の導電体６と接続することができる。なお、３次元多孔構造としては、上記のように微細な孔が網目状に形成された構成以外であって、小さな空隙が多数集合・接続されたような構造（たとえばスポンジのような多孔質構造）など、多数の空隙が３次元的に集積した構造を含む。
【０１０４】
また、３次元網目構造層１５では、いわば極めて小さな径の導電体部分が導電性基板１の主表面に高い密度で分散して露出した状態になっている。このため、検査機器などの電極と導電体６との接続において、一部の導電体部分と電極との接続部に不良が発生しても、他の導電体部分と電極とが導通していれば、当該電極と導電体６との電気的接続をより確実に維持することができる。
【０１０５】
上記導電性基板１において、導電体６は、図５などに示すように、２つの主表面のうち少なくとも一方側で分岐するとともに、当該分岐した導電体６の部分のうち上記主表面に露出する部分が３次元網目構造を含んでいてもよい。この場合、上述のように、検査機器などの複数の電極を１つの導電体に接続する、といった構成を容易に実現できる。また、導電体６が分岐した部分を含むので、当該分岐した部分の一部において導電体６の断線などの不良が発生しても、分岐した部分の他の一部を介して導電体６全体としての導通を確保することができる。
【０１０６】
また、上記導電性基板１において、図２２に示すように、貫通孔５はアルミナ自立基板２の内部において形成された単一孔であってもよく、導電体６は、単一線状の形状を有していてもよい。
【０１０７】
上記導電性基板１において、貫通孔５のアスペクト比は１００００以上であってもよい。また、上記導電体６のアスペクト比が１００００以上であってもよい。この場合、導電性基板１の主表面において露出する導電体６の幅（径）を極めて小さくすることになるので、導電性基板１と接続する対象である電子機器や検査機器の電極が小型化した場合であっても、容易に当該電極と導電体６とを接続することができる。
【０１０８】
上記導電性基板１において、貫通孔５または導電体６のアスペクト比は１００００以上５００００以下、より好ましくは１２０００以上３００００以下である。
【０１０９】
なお、ここで導電体６のアスペクト比とは、導電性基板１の主表面において露出している導電体６の平均径と導電性基板１の厚みとの比（導電性基板１の厚み）／（導電体６の平均径）を意味し、また、貫通孔５のアスペクト比とは、導電性基板１の主表面における貫通孔５の平均径と導電性基板１の厚みとの比（導電性基板１の厚み）／（貫通孔５の平均径）を意味する。また、平均径とは、周知の各種計算方法（個数平均径、長さ平均径、面積平均径、などがある）が選択でき、同一方法を設定しておけば基板間の相対比較についても十分適用できる。例えば、導電性基板１の主表面における複数（たとえば５個）の導電体６または貫通孔５について、それぞれの導電体６または貫通孔５の最も広い径を測定し、その測定値の平均を算出、あるいは、円形近似による平均値を統計的に算出すれば良い。これは、陽極酸化処理で形成されるナノホールは母材であるアルミニウム板に組織異方性があったり多数の材料欠陥があったりするような場合を除いて孔径は処理条件（特に処理電圧）に強い相関を有しているからである。
【０１１０】
上記導電性基板１において、導電体６を構成する材料は、導電性金属、導電性無機材料、導電性有機材料からなる群から選択される少なくとも１つであってもよい。これらの材料を用いることで導電体を容易に形成できる。
【０１１１】
なお、ここで導電性金属としては、たとえば金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉛（Ｐｂ）など良導性を有する元素をベースとして用いることができる。また、導電性無機材料としは、酸化亜鉛などの酸化物、カーボンからなる部材（カーボンファイバー、カーボンナノチューブなど）やウィスカー状の導電性金属などを用いることができる。また、導電性有機材料としては、たとえばポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリンなどの導電性高分子などを用いることができる。
【０１１２】
上記導電性基板１において、導電体６は、図１３などに示すように、アルミナ自立基板２の厚み方向において電気的には接続されている積層した複数の材料層（導電体６ａ〜６ｃ）を含んでいてもよい。この場合、導電体６の場所により材質を変更することができる。そのため、当該導電体６の場所ごとに要求される特性にあわせて、材料を選択することができる。
【０１１３】
上記導電性基板１において、導電体６を構成する複数の材料層は、主表面に露出する導電性無機材料（たとえばカーボンファイバー、カーボンナノチューブなど）または導電性金属のウィスカーからなる表面層（導電体６ｂ、６ｃ）と、当該表面層よりアルミナ自立基板２の内側に配置される導電性金属からなる内側層（導電体６ａ）とを含んでいてもよい。この場合、主表面に露出する表面層（導電体６ｂ、６ｃ）として、曲げ強度、圧縮強度や硬度の相対的に高い材料を用いることで、電極と導電体６との接触や外力に起因する導電体６の変形を抑制できる。また、内側層（導電体６ａ）として導電性金属を用いることで、貫通孔５の内部への導電体６の充填を容易に行なうことができる。この結果、導電体６における断線といった問題の発生を抑制できる。
【０１１４】
また、導電体６が接触する電極材料とのなじみを良くする、さらに電極との接触による導電体６の変形を抑制することで、電極との繰返し接触回数の許容回数を多くする（長寿命化を図る）ように、内側層の材料とは独立して、表面層（導電体６ｂ、６ｃ）の材料を選択することも可能である。
【０１１５】
上記導電性基板１において、導電体６は、貫通孔５の内部に充填されていてもよい。この場合、貫通孔５の内部を充填するように導電体６が形成されているため、導電体６の断線といった可能性を低減できる。
【０１１６】
上記導電性基板１において、導電体は、図３や図４などに示すように、貫通孔５の内部においてアルミナ自立基板２の厚さ方向における導電性を維持しつつ空隙としての空孔８を形成するように構成されていてもよい。この場合、貫通孔５の内部を充填するように導電体６を形成する場合よりも導電体６の形成に要する時間（たとえばメッキ法により導電体６を形成する場合にはメッキ時間）を短くでき、また、導電体６として用いる原材料使用量も低減することができる。このため、貫通孔５を充填するように導電体６を形成する場合より、導電性基板１の製造コストを低減できる。
【０１１７】
上記導電性基板１において、導電体６は、貫通孔５の内壁に沿って延在する一方、空孔８は貫通孔５の中心に配置されていてもよい。この場合、導電体６によりアルミナ自立基板２の２つの主表面の間を導通することができるとともに、導電体６の形成に要する時間を短縮できる。
【０１１８】
上記導電性基板１において、導電体６は、２つの主表面１７、１８のうち少なくとも一方に露出する貫通孔５の開口端部内部を充填するように形成されていてもよい。また異なる観点から言えば、導電体６では、図１４などに示すように、２つの主表面のうち少なくとも一方に露出する部分が貫通孔５の内部を充填するように形成されていてもよい。この場合、たとえば導電体６と電極との接続に熱溶着を用いるときには、主表面に導電体６が露出する部分に空孔８が配置される場合より、導電体６ｂ、６ｃの熱容量を大きくできる。このため、当該熱溶着を行なうときのプロセス条件について余裕を十分にとることができる。
【０１１９】
また、検査機器などの電極と接触する部分である主表面に露出する部分について、導電体６ｂ、６ｃが貫通孔を充填している状態とすることができるので、導電体６と電極との接続をより確実に行なうことができる。
【０１２０】
上記導電性基板１において、導電体６は、図１１などに示すように、２つの主表面のうちの少なくとも一方から突出する突出部を含んでいてもよい。この場合、検査機器などの電極と導電体６との接続をより確実に行なうことができる。また、突出部の高さ（アルミナ自立基板２の主表面に対して垂直な方向における、当該主表面から突出部の最も高い位置までの距離）は、たとえば１００ｎｍ（１０００Å）以上５０μｍ以下とすることができる。あるいは、電極側に相当の凸部を例えば、インクジェット方式などにより噴射形成しても良い。これらの場合、たとえば検査機器などと導電体との接続をワイヤボンディングなどで行なう場合に、突出部の高さが上記数値範囲より低いとボンディング時の局所加熱により当該突出部との接合部が溶損する可能性がある。また、突出部の高さが上記数値範囲より高いと、ワイヤのボンディング時に突出部が挫屈して破損する可能性がある。なお、電極側に凸部を形成した場合は適当に超音波加圧するなどにより接合できる。
【０１２１】
上記導電性基板１は、図２４に示すように、２つの主表面のうちの少なくとも一方上に形成され、複数の貫通孔の内部に配置された導電体のうちの少なくとも一部と電気的に接続された導電性被覆層としての接続層２４をさらに備えていてもよい。この場合、検査機器などの電極（集電側検出端子２３）と導電体６との接続を上記接続層２４を介して行なうことができる。そのため、導電体６の表面や電極表面に凹凸があるような場合であっても、当該凹凸の影響を接続層２４により吸収できる。したがって、検査機器などと導電性基板１との接続をより確実に行なうことができる。
【０１２２】
この発明に従った導電性基板アセンブリであるアセンブリ２０は、上記導電性基板１と、他の基板である第１および第２の集電側基板２１、２２とを備える。第１および第２の集電側基板２１、２２は、導電性基板１の２つの主表面のうちの少なくとも一方において、導電体６と電極（集電側検出端子２３）を介して電気的に接続される。集電側検出端子２３において、導電性基板１の導電体６に接触する接触部は、図２４に示すように、当該主表面にランダム配列で形成された複数の貫通孔５のうち少なくとも３つを覆うように形成されている。この場合、集電側検出端子２３の上記接触部と導電体６との接続部は３箇所以上となるため、集電側検出端子２３と導電体６との接合強度を十分高くすることができる。
【０１２３】
この発明に従った導電性基板の製造方法は、上述した本発明に従った導電性基板１の製造方法であって、以下の工程を実施する。すなわち、２つの主表面を有し、当該２つの主表面のうちの一方から他方へ到達する複数の貫通孔５が形成された、アルミナからなる基板（アルミナ自立基板２）を準備する工程（Ｓ１０〜Ｓ３０）を実施する。そして、貫通孔５の内部に配置され、２つの主表面のうちの一方から他方まで電気的な接続を維持して延在する導電体６を形成する工程（Ｓ４０）を実施する。
【０１２４】
導電体を形成する工程（Ｓ４０）は、導電体または導電体を構成する元素を含有する処理液にアルミナ自立基板２を浸漬する工程と、当該浸漬する工程の後、処理液から取出したアルミナ自立基板２を熱処理することにより、貫通孔の内部に残存した処理液から導電体を形成する工程とを含んでいてもよい。
【０１２５】
また、導電体を形成する工程（Ｓ４０）は、導電体６を含む処理液にアルミナ自立基板２を浸漬する工程と、浸漬する工程の後、処理液から取出したアルミナ自立基板２を熱処理することにより、貫通孔５の内部に導電体６の成長核を生成する工程と、成長核を生成する工程の後、貫通孔５の内部において成長核をさらに成長させる工程とを含んでいてもよい。
【０１２６】
導電体膜を形成する工程（Ｓ４０）では、浸漬する工程と処理液から導電体膜を形成する工程とを複数回繰り返してもよい。
【０１２７】
また、導電体膜を形成する工程（Ｓ４０）は、導電体または導電体を構成する元素を含有する処理液にアルミナ自立基板２を浸漬した状態で、処理液に対する電解処理を行なうことにより、貫通孔５の内部において処理液から導電体６を形成する工程を含んでいてもよい。
【０１２８】
このようにすれば、貫通孔５の孔壁表面に予め成長核を均一形成させることができるため、その後の浸漬で導電体が均一に供給されていくため孔内部を均一に充填させていくことになり、導電体６が形成されるので、アルミナ自立基板２の厚みが厚い場合（つまり貫通孔５の長さが長い場合）でも、貫通孔５の内部において確実に導電体６を形成することができる。この結果、貫通孔５の内部で導電体６が断線するといった可能性を低減できる。
【０１２９】
（実施例）
本発明の効果を確認するため、以下のような実験を行なった。
【０１３０】
（試料の作製）
以下のような方法により、実施例１〜実施例１１の試料および比較例１の試料を作製した。
【０１３１】
（１）  基板準備工程（陽極酸化アルミナ自立基板の作製）
まず、陽極酸化処理を行なう対象となる、純アルミニウム（ＪＩＳ  Ａ１０８５Ｐ）からなる原料基板を準備した。原料基板の寸法・サイズは、縦６０ｍｍ×横６０ｍｍの四角形状であり、厚みが０．５〜１ｍｍとした。
【０１３２】
（２）  陽極酸化工程
処理液として、０．５ｍｏｌ％以上１ｍｏｌ％以下の希硫酸を用いた。処理時の液体温度は５℃以上１５℃以下とした。また、処理液を保持する浴槽内では、処理液が循環するようポンプを配置した。なお、原料基板に対して処理液が斜めに噴き付けられるように、ポンプを配置した。
【０１３３】
陽極酸化処理における陰極としては白金（Ｐｔ）板を用いた。また、陽極としては上述した原料基板を用いた。処理条件について、比較例１、比較例２の試料における単一孔のナノホールを形成する条件としては、負荷電圧を直流パルス２５Ｖ定電圧負荷とし、処理時間を約８〜２５時間（ｈｒ）とした（第１の陽極酸化処理条件）。また、実施例の試料を形成するため、最表面層でナノホールが２分岐以上している複孔タイプを形成する条件としては、上述した第１の陽極酸化処理条件にて陽極酸化処理を行なった後、負荷電圧を８Ｖ定電圧負荷とした（第２の陽極酸化処理条件）、陽極酸化処理を実施した。なお、これら第１および第２陽極酸化処理条件における負荷電圧を変化させることにより、形成されるナノホールの径を変化させることができる。つまり、第２陽極酸化時の負荷電圧を第１陽極酸化時の負荷電圧よりも低くすることによりナノホールの孔径は小さくなる。そのため、負荷電圧を調整することにより、貫通孔の分岐数を２以上にすることは可能である。
【０１３４】
（３）  基板除去工程
上述した陽極酸化処理の後、陽極酸化アルミナからなる自立基板を作製するためには、陽極酸化が進行していない下地アルミニウム残部を除去する必要がある。なお、この処理はナノホール内への導電材充填処理前後いずれの時点でも適用可能である。これには各種方法があるが、今回、一部の試料については、約５〜１０体積％の臭素メタノール混合液を２５℃以下に保持した状態で、当該臭素メタノール混合液に陽極酸化処理を行なった後の基板を浸漬した。浸漬時間は１〜２４時間とした。なお、浸漬時には臭素メタノール混合液を適宜攪拌した。
【０１３５】
また、ナノホール貫通化処理を行なった。具体的には、作製した陽極酸化アルミナからなる自立基板を、事前に開孔側表面を耐食性樹脂シールなどで封止を施して置き、液温が２０℃以下、濃度が０．５〜１ｍｏｌ％の希硫酸溶液中に１０分以上浸漬することで容易に閉孔した部分を溶解除去することができ、良好な貫通孔が得られた。なお、さらに、貫通化後に上記封止用シールを外した状態で浸漬を継続すればナノホール径を広げる処理（周知のポアーワイドニング処理）も可能となりアスペクト比の設定範囲を広く選択することができる。
【０１３６】
さらに、一部の試料（例えば、実施例７、８など）については表面層に３次元網目構造を形成するため、今回は、基板除去工程において臭素メタノール混合液により下地アルミニウムを除去する時に、当該臭素メタノール混合液の温度を室温（約２０℃程度）に保持することにより、３次元網目構造を形成した。
【０１３７】
以上の如く各種処理を選択適用することにより、膜厚が１４３μｍ〜４１３μｍの各種アルミナ自立基板を得た。これらのアルミナ自立基板においては、貫通孔（ナノホール）の形状が異なっている。比較例１および実施例１〜３となるアルミナ自立基板には分岐していない貫通孔（単孔）が形成されている（単純単孔型）。また、実施例４〜６となるアルミナ自立基板については、それぞれ一方の主表面または両方の主表面において相対的に径の小さなナノホールが形成され、当該径の小さなナノホールは内部において相対的に径の大きなナノホールに分岐点を介して接続されている（表面複孔型）。なお、以下では、一方の主表面のみに径の小さなナノホールが形成されている場合を片表面分岐型、両方の主表面において径の小さなナノホールが形成されている場合を両表面分岐型と呼ぶ（実施例４〜６）。
【０１３８】
また、分岐していない単一のナノホールが多孔構造である３次元網目構造層に直接接続されている試料も作製した（表面３次元網目構造型）。以下では、一方の主表面のみに３次元網目構造層が形成されたものを片面３次元網目構造、両方の主表面に３次元網目構造層が形成されたものを両面３次元網目構造と呼ぶ（実施例７、８）。
【０１３９】
また、上述した表面複孔型において３次元網目構造層が形成された試料も作製した（ハイブリッド型）。以下、片表面分岐型で径の小さなナノホールが形成された側の表面に３次元網目構造が形成された構成を、「片面分岐＋３次元網目構造」と表記する（実施例９）。また、両表面分岐型であって、さらに両面に３次元網目構造が形成された構成を、「両面分岐＋３次元網目構造」と表記する（実施例１０）。また、両表面分岐型であって、一方の主表面のみに３次元網目構造が形成された構成を、「片面分岐＋（他面分岐×３次元網目構造）」と表記する（実施例１１）。
【０１４０】
（４）  導電体形成工程
上述した各試料において、形成されたナノホールの内部に導電体を形成する工程を行った。具体的には、第１の方法としてＤＣ電解Ｎｉメッキ法、第２の方法として無電解Ｎｉメッキ法および第３の方法としてナノ粉末法によって導電体をアルミナ自立基板のナノホール内に配置した。まず、第１の方法であるＤＣ電解Ｎｉメッキ処理方法としては、上記の残留Ａｌ下地付き非貫通アルミナの状態に対してはＡｌ下地側を、一方、残留Ａｌ下地を削除したアルミナ自立基板の場合には裏面側に白金（Ｐｔ）板または、カーボン板電極を接地させて一方の電極とし、当該アルミナ自立基板に対向配置する対向電極として白金（Ｐｔ）板からなる電極を用いた。そして、濃度管理した電解メッキ液（硫酸Ｎｉ５０ｇ／ｌと硼酸５０ｇ／ｌ）を、スターラ攪拌した状態で維持し、当該溶液中に上記アルミナ自立基板を無負荷状態で約３０分浸漬した。このようにして、アルミナ自立基板のナノホール内へのメッキ液をなじませた。なお、今回、メッキ処理系は簡易密閉できるように構成し、適宜、簡易真空ポンプによる真空脱気を行い、ナノホール内の気泡を脱泡した。その後、溶液中においてアルミナ自立基板と上記Ｐｔ板からなる電極とを対向配置し、常温、直流電圧８〜１５Ｖを上記電極間に負荷した。このようにして、ナノホールの内部においてＮｉメッキを行った。なお、適宜、メッキ液をサンプリングし、当該メッキ液の硫酸Ｎｉ濃度が１００ｇ／ｌの濃度範囲、ｐＨ≦５に保たれる様に濃度調整を行った。
【０１４１】
なお、この方法ではナノホール内が緻密充填となる基板を作製した（比較例１、実施例４、７〜９）。一方、導電体の充填度を変える方法としては、上記（実施例１）に加えて以下の２種類の方法を検討した。
【０１４２】
まず、一方の方法は、上記第２の方法である無電解Ｎｉメッキ法であり、導電体が貫通孔（ナノホール）の壁面に対してほぼ均一な厚みを有するように、導電体を形成するものである。具体的には、市販の無電解Ｎｉメッキ液を用いて上記第１の方法と同様に簡易密閉型処理装置の浴槽にて、当該無電解Ｎｉメッキ液にアルミナ自立基板を浸漬した。このとき、上記第１の方法と同様に簡易密閉真空脱泡ならびに無電解Ｎｉメッキ液の攪拌を行なった。そして、所定時間の浸漬工程の後、アルミナ自立基板の洗浄、乾燥処理を行なう。このようにして、貫通孔の壁面に導電体のＮｉメッキ層が形成される。
【０１４３】
この処理では、アルミナ自立基板における貫通孔の壁面でのＮｉメッキ厚が所定の値になるまで、浸漬-洗浄-乾燥処理を繰り返す。そして、当該処理中には、適宜、アルミナ自立基板から小片を切り出してＳＥＭによる断面観察を行ない、導電体のＮｉメッキ層の厚みを確認して所定の充填度に設定した（実施例３、６、１０、１１）。
【０１４４】
また、他の方法は、上述した第３の方法であるナノ粉末法であり、図３に示したように、貫通孔５内で微細な粒状の導電体６が電気的に結合短絡した状態を形成するものである。例えば、Ｎｉナノ粉末含有処理液（たとえば、平均粒径３〜５ｎｍのＮｉナノ粉末を、有機溶媒―例えば、トルエン―に均一分散させたもの）を用いる。そして、上記の貫通化処理を行ったアルミナ自立基板の主表面が垂直方向に沿うように、当該アルミナ自立基板を円形処理装置浴槽内に配置する。次に、当該浴槽内に上記Ｎｉナノ粉末分散処理液を満たす。なお、浸漬後に前記同様、一旦、処理装置内を簡易真空ポンプによって真空脱泡を適用する。そして、攪拌手段（たとえば、スターラ攪拌あるいは、テフロン（登録商標）製ダイヤフラム型送液ポンプによる循環など）により上記処理液を常時対流させておく。このとき、処理液の流れ方向が被処理物であるアルミナ自立基板の主表面に垂直になる様にしておく。このようにして、アルミナ自立基板の貫通孔の内部に処理液を充填する。その後、アルミナ自立基板に対して所定の熱処理（たとえば、真空もしくは窒素ガスまたはアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気下で加熱温度５００℃以下、加熱時間を３０〜２時間程度とした熱処理）を行ない、貫通孔の内部においてナノ粉末が互いに結合した状態とした。なお、ナノ粉末の充填度合いは、処理後のアルミナ自立基板の一部を破断取得し、ＳＥＭによる断面観察にて形態を確認し、近似補正計算して決定した。なお、適宜、前記の浸漬〜脱泡〜加熱工程を繰り返すことにより目的の充填度の基板を作製した（実施例２、５）。
【０１４５】
今回、構造起因の特性を比較するため導電体をＮｉとした比較例１、および実施例１〜１１を作製したが、実施例３、６、１０、１１については、上記第２の方法を用いて導電体を形成した。この結果、実施例３、６、１０、１１においては、貫通孔の壁面に沿った金属Ｎｉ膜により導電体が構成された。また、実施例２、５については、上記第３の方法を用いて導電体を形成した。この結果、実施例２、５においては、ナノホール内部に導電性Ｎｉ粒子が充填されたような構成となった。
【０１４６】
このようにして、比較例１、実施例１〜１１の試料を構成する導電性基板を準備した。
（５）  Ａｕ電極パッドの形成
上述のように作製した導電性基板の一方の主表面に、Ａｕパッド剥がし評価用の電極、および導通性評価用の電極を形成した。
【０１４７】
Ａｕパッド剥がし評価用の電極：
導電性基板の一方の主表面において、フォトリソグラフィ法を用いてＡｕパッド剥がし評価用の電極を形成した。具体的には、レジストとしてＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社製ＡＺ５２０６Ｅを用い、当該レジストを上記主表面に塗布した後、露光用の光源としてＤｅｅｐＵＶランプを用いパターン露光を行なった。露光パターンとしては、直径φ１００μｍの円形パターンを用いた。そして、ポストベーク処理、現像処理を行なうことで、上述した円形パターンの平面形状を有する開口パターンが形成されたレジスト膜を得た。当該レジスト膜上および開口パターンの内部に、Ａｕ膜を蒸着した。Ａｕ膜の厚みは約３００ｎｍ（３０００Å）とした。その後、レジスト膜を薬液により除去すると同時に、レジスト膜上に形成されたＡｕ膜を除去した（リフトオフ）。このようにして、導電性基板の主表面における１０ｍｍ×１０ｍｍの領域に、平面形状が円形状（直径φ１００μｍ）のＡｕパッド剥がし評価用の電極を形成した。なおこのＡｕパッド剥がし評価用の電極は、上記１０ｍｍ×１０ｍｍの領域に複数個規則的に配列された状態で形成した。
【０１４８】
導通性評価用の電極：
上述したＡｕパッド剥がし評価用の電極を形成する際、直径φ１０μｍの円形パターンを、上述した直径φ１００μｍの円形パターンが形成される領域とは別の領域に露光により転写した。その後、上述した工程を実施することにより、上記Ａｕパッド剥がし評価用の円形電極（直径φ１００μｍ）と同時に、導通性評価用の円形電極（直径φ１０μｍの電極）を形成した。
【０１４９】
共有Ａｕ電極：
導電性基板において、上記Ａｕパッド剥がし評価用の電極および導通性評価用の電極が形成された一方の主表面とは反対側に位置する他方の主表面に、Ａｕを全面蒸着して共有Ａｕ電極を形成した。この共有Ａｕ電極の厚みは約１００ｎｍ（１０００Å）とした。
【０１５０】
（試験方法）
（１）  剥がし評価
剥し評価では、直径φ１００μｍのＡｕパッド剥がし評価用の電極に、さらに直径φ３０μｍのＡｕワイヤーをワイヤーボンディングすることにより、引張り端末とした。そして、当該引張り端末を、デジタルフォースゲージ付き引張り試験器の測定端子部に接続して導電性基板の表面から離れる方向に応力を加えることで、上記Ａｕパッド剥がし評価用の電極が導電性基板から剥がれるまでのデジタルフォースゲージの最大荷重値を剥がれ強度として測定した。
【０１５１】
（２）  導通性評価
導通性評価では、上記のように作製した導電性基板の共有Ａｕ電極を下面にして、定盤上に設置した配線端子の付いたＣｕ平滑平板に共有Ａｕ電極が接触するように当該導電性基板を定盤上に静置した。そして、定盤の上方に、上下動が可能な可動式ステージを配置し、当該可動式ステージにデジタルフォースゲージを固定した。そして、デジタルフォースゲージの測定軸先端に、導通計の針状測定端子を固定した。このようにして、簡易導通圧測定器を準備した。この簡易導通圧測定器を用いることにより、被測定試料である導電性基板の上面に形成された直径φ１０μｍのＡｕ電極パッド（導通性評価用の電極）の位置を高倍率顕微鏡下で確認しながら、針状測定端子を当該Ａｕ電極パッドにゆっくりと接触させた。そして、導通計の短絡ブザーが反応した時点のデジタルフォースゲージの荷重値を記録した。
【０１５２】
（３）  基板の曲げ強度
常温において、導電性基板の３点曲げ試験を行なうことにより当該基板の特長の１つである曲げ強度について比較した。曲げ試験条件はＪＩＳ  Ｒ１６０１に準拠した常温３点曲げ試験方法（外部支点間距離３０±０．１ｍｍ、幅４ｍｍ）を適用し、汎用曲げ試験機で実施した。
【０１５３】
（結果）
各試料の構成および上記の試験結果を表１に示す。
【０１５４】
【表１】
2011070828.tif 000003
【０１５５】
上記表１より、本発明の導電性基板では、基板厚み（アルミナ膜厚と記載）が厚くなるに従って曲げ強度が高くなっており、ハンドリングにも非常に有利である。  また、比較例と実施例とを比較すると、実施例の方が導通性が良好である（つまり導通に必要な力が小さくてすむ）ことがわかる。また、貫通孔が非分岐である場合（比較例１および実施例１〜３）と分岐させている場合（実施例４〜６）とを比べると後者の方が良く、さらに、３次元網目構造を有する場合（実施例７〜１１）ではより導通性が良好となっていることがわかる。
【０１５６】
また、導通性と同様に、電極の剥がし評価についても、特に、比較例１よりも貫通孔が分岐した場合（実施例４〜６）、さらに３次元網目構造を有する場合（実施例７〜１１）の方がより電極の密着性が優れていることがわかる。
【０１５７】
また、貫通孔内の導電性材料の充填度も緻密（１００％充填）でなくても両面間の導通があれば（例えば、図３に示したように貫通孔内部に導電性材料粒子が充填されたような構成で有っても、あるいは、貫通孔壁に沿った金属膜により導電体が構成された場合であっても）、電気的導通性を確保し、電気信号接続が可能である。
【０１５８】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０１５９】
この発明は、複数の貫通孔が形成されたアルミナからなる基板を用いた導電性基板およびその導電性基板を用いた導電性基板アセンブリに特に有利に適用される。
【符号の説明】
【０１６０】
１  導電性基板、２  アルミナ自立基板、３  貫通孔大径部、４  貫通孔小径部、５  貫通孔、６，６ａ〜６ｃ  導電体、８  空孔、１５  ３次元網目構造層、１７，１８  主表面、２０  アセンブリ、２１，２２  集電側基板、２３  集電側検出端子、２４  接続層。
【図１】
2011070828.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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