(57)【要約】      （修正有）【課題】不純物を含まない良質な薄膜を成膜することができるスパッタリング装置、前記スパッタリング装置を用いた良質な薄膜の作製方法の提供する。【解決手段】半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。【選択図】図１
2011124570.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた第１無機絶縁体層と、
前記第１無機絶縁体層上に設けられた半導体層を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた第２無機絶縁体層と、
前記第２無機絶縁体層上に設けられた第１有機絶縁体層と、
前記第１有機絶縁体層上に設けられた第３無機絶縁体層と、
前記第３無機絶縁体層上に設けられた第１電極層と、
前記第３無機絶縁体層上に設けられ、且つ前記第１電極層の端部を覆う第２有機絶縁体層と、
前記第２有機絶縁体層の上面及び側面を覆う第４無機絶縁体層と、
前記第１電極層上及び前記第４無機絶縁体層上に設けられた発光体を含む有機化合物層と、
前記有機化合物層上に設けられた第２電極層と、
前記第２電極層上に設けられた第５無機絶縁体層と、を有し、
前記半導体層の成膜は、チャンバー内の部品表面が半導体材料を含むターゲット材と同じ材質の溶射物により被覆されたスパッタリング装置において行われ、前記ターゲット材を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加することにより形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１乃至前記第５無機絶縁体層のいずれかは、前記半導体材料の酸化物または前記半導体材料の窒化物であり、
前記第１乃至前記第５無機絶縁体層のいずれかの成膜は、チャンバー内の部品表面が前記ターゲット材と同じ材質の溶射物により被覆されたスパッタリング装置において行われ、前記ターゲット材を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加することにより形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記部品は、ターゲットシールド、防着板、バッキングプレート、整流板、基板ホルダー、ガス導入管、または前記チャンバーの内壁であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記半導体材料はシリコンであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング装置に関する。また、本発明はスパッタリング法による薄膜
の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、絶縁表面上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に代表されるトランジスタを形成し、
該トランジスタとＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子等と組み合わせた画素をマトリ
クス状に配列して、情報を表示する画面を構成する技術の開発が進められている。この画
素は、スパッタリング法やＣＶＤ法などを用いて成膜された薄膜や電極などを有する素子
により構成される。
【０００３】
スパッタリング法を用いて良質な薄膜を成膜するために、反応室、水素ボンベ、真空ポ
ンプ、基板ホルダー及び半導体ターゲットを含み、前記半導体ターゲットと前記基板ホル
ダーが９０ｍｍ以上の距離をおいて相対することを特徴とするスパッタ装置がある（例え
ば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１-１４４０１７号公報（第２、３頁）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法など、プラズマを用いて、化学的又は物理
的な反応を利用すると、成膜工程中におけるダストの発生などの様々な原因により、特性
が良好ではない薄膜が成膜され、製品歩留まりの低下を招いていた。
【０００６】
また、スパッタリング法により形成された膜を分析すると、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、クロム（Ｃｒ）などの不純物が検出された。この不純物が検出された原因として、
(１)ターゲットとターゲットシールド間、ターゲットと防着板間においてマイクロアーク
（プラズマ中の局在的・瞬間的な異常放電）が生じ、チャンバー内の壁面に堆積した薄膜
の剥離による微細なダスト（パーティクル）の発生、(２)ターゲットシールド、防着板付
近までプラズマが生じたことによる発生、(３)環境汚染による発生などが考えられる。特
にＴＦＴにおいて活性層としての役割を担うシリコンは、ＴＦＴの特性を左右するため、
不純物を含まない良質の膜が求められていた。
【０００７】
そこで本発明は、上述の実情を鑑み、不純物を含まない良質な薄膜を成膜することがで
きるスパッタリング装置を提供することを課題とする。また前記スパッタリング装置を用
いた良質な薄膜の作製方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ターゲットシールド、防着板（以下シールドと総称）の表面、バッキングプ
レート、基板ホルダー及びシャッターの表面、チャンバー内の壁面などから発生する不純
物を抑制するために、前記部品の表面や前記壁面をターゲット材と同じ材質、ターゲット
材の酸化物又は窒化物からなる溶射物で被覆したスパッタリング装置を提供する。例えば
、シリコンに代表される半導体材料をターゲット材とし、前記部品の表面や前記壁面を前
記半導体材料、前記半導体材料の酸化物又は窒化物からなる溶射物で被覆したスパッタリ
ング装置を提供する。
なお前記部品の表面を全て溶射物により被覆しなくてもよく、プラズマに晒される箇所
のみを溶射物により被覆してもよい。また、前記部品のうち、ターゲットシールドのみ、
防着板のみ、又はターゲットシールド及び防着板のみの表面を溶射物により被覆してもよ
い。
また本発明は、ターゲット材と、溶射物に被覆された部品を具備し、前記ターゲット材
と相対して設けられた基板上に形成される薄膜が前記溶射物と同じ材質、酸化物又は窒化
物であるスパッタリング装置を提供する。例えば、シリコンに代表される半導体材料をタ
ーゲット材とし、シールドの表面を前記半導体材料、前記半導体材料の酸化物又は窒化物
で被覆する。そして、ターゲット材と相対して設けられた基板上に形成される薄膜は、前
記半導体材料と同じ材質、前記半導体材料の酸化物又は窒化物であるスパッタリング装置
を提供する。
さらに本発明は、半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材
質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲
気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材と同じ材質、前記ターゲット材の酸化物
又は前記ターゲット材の窒化物からなる薄膜の作製方法を提供する。
なお、成膜する薄膜が半導体の場合、ターゲット材と溶射物は同じ材質（半導体）であ
る必要がある。成膜する薄膜が半導体材料の酸化物である場合、ターゲット材と溶射物は
、半導体材料又は半導体材料の酸化物である必要がある。成膜する薄膜が半導体材料の窒
化物である場合、ターゲット材と溶射物は、半導体材料又は半導体材料の窒化物である必
要がある。
【０００９】
上記のように、溶射物を設ける本発明では、シールドなどの部品の表面からシールド材
が飛散することを防止することができる。また、本発明では、成膜する薄膜にシールド材
が混入しても、当該薄膜には悪影響を及ぼさない。従って、本発明により、不純物を含ま
ない良質な薄膜を成膜するスパッタリング装置を提供することができる。また本発明のス
パッタリング装置を用いて、良質な薄膜の作製方法を提供することができる。さらに、本
発明によれば、良質の薄膜を歩留まりよく成膜することが可能であり、さらに当該薄膜を
用いた素子の生産性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、不純物元素を含まない良質な薄膜を成膜するスパッタリング装置を提供
することができる。また本発明のスパッタリング装置を用いて、良質な薄膜の作製方法を
提供することができる。さらに、本発明によれば、良質の薄膜を歩留まりよく成膜するこ
とが可能であり、さらに薄膜を用いた素子の生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明のスパッタリング装置を示す図。
【図２】マルチチャンバーを示す図。
【図３】実験データを示す図。
【図４】実験データを示す図。
【図５】本発明が適用される表示装置の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明のスパッタリング装置の構成について、図１を用いて説明する。
【００１３】
ターゲット１９は、バッキングプレートを介して冷媒２４により冷却（水冷）されてい
る。永久磁石１８はターゲット面と平行な方向に円運動又は直線運動することにより対向
する基板表面に膜厚の均一性の良い被膜の形成を可能とする。シャッター１４は成膜開始
前後に開閉し、放電初期のプラズマが不安定な状態のときにおける被膜の形成を防止する
。
基板保持手段１１はホルダー２５が上下して基板を載置並びに背面板１３に固定する。
背面板１３内には加熱手段１２としてシーズヒーターが埋め込まれ、さらに加熱された希
ガスを基板２２の裏側から導入して均熱性を高めている。ガス導入手段１０からはガス導
入管２６を介して、希ガスの他に成膜する膜に合わせたガスが導入され、室内の圧力はコ
ンダクタンスバルブ２０により制御される。整流板２１は室内でのスパッタガスの流れを
整流する目的で設けられている。ターゲット１９は高周波電源に接続され、高周波電力を
印加することによりスパッタリングがなされる。仕切弁１５は、複数の処理室を備えたマ
ルチタスク型の製造装置に組み込んだ際、他の成膜室と連結するときに用いられる。
【００１４】
防着板１６、ターゲットシールド１７は、基板２２とターゲット１９の付近に配置され
、スパッタリングされたターゲット１９のスパッタ粒子が飛散して、チャンバー内の内壁
が汚染されることを防止する。防着板１６及びターゲットシールド１７は、一般にステン
レス材などを用いることが多い。
本発明では、バッキングプレート、シャッター１４、防着板１６及びターゲットシール
ド１７、チャンバーの内壁などの部品の表面を溶射物により被覆する。詳しくは、プラズ
マ溶射法などの公知の溶射法を用いて、１０〜３００μｍの厚さ（好ましくは５０〜１５
０μｍ）に被覆する。なお前記部品の表面の全てを溶射物で被覆する必要はなく、プラズ
マに晒される箇所のみを溶射物により被覆してもよい。また、前記部品のうち、ターゲッ
トシールドのみ、防着板のみ、又はターゲットシールド及び防着板のみの表面を溶射物に
より被覆してもよい。
【００１５】
そして本発明では、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加してスパッタリング法に
より成膜する。例えば、酸化シリコン膜は、シリコンをターゲットとし、シリコンの溶射
物で被覆されたシールドを用いて、酸素又は酸素と希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を
印加して成膜する。窒化シリコン膜は、シリコンをターゲットとし、シリコンの溶射物で
被覆されたシールドを用いて、窒素又は窒素と希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加
して形成する。
【００１６】
なお、金属と比較して比抵抗の高いシリコンをターゲットとするので、低電圧で放電を
発生し維持するには高周波電力を印加することが望ましく、適用する電力周波数は１ＭＨ
ｚ以上１２０ＭＨｚ以下、好ましくは１０ＭＨｚ以上６０ＭＨｚ以下の周波数とする。周
波数の増加に従って成膜の機構はより化学的反応が優先的となり、緻密で下地へのダメー
ジが少ない膜形成が期待できる。基板２２の加熱温度は、特に加熱せずに室温の状態で成
膜してもよいが、下地との密着性をより高めるには１００〜３００℃、好ましくは１５０
〜２００℃に加熱すると良好な密着性が得られる。
【００１７】
また図２には、第１〜第３の成膜室３１〜３３と、基板の取り出しを行う取出室３４と
、ロード室３６とが搬送室３５を中心に配置されたマルチチャンバーを示す。図１に示し
たスパッタリング装置は、第１〜第３の成膜室３１〜３３のいずれかに配置される。各成
膜室３１〜３３及び取出室３４と搬送室３５とは、搬送口４０ａ〜４０ｅを介して設置さ
れている。成膜時にはマルチチャンバーは減圧状態に保たれる。
【００１８】
なお本形態では、マグネトロンスパッタリング装置を一例としてあげたが、本発明はこ
れに限定されず、イオンビームスパッタ法を用いたスパッタリング装置等にも適用しても
よい。
【実施例１】
【００１９】
本発明のシリコン溶射をしたシールドを有するスパッタリング装置を用いて成膜した窒
化シリコン膜と、シリコン溶射をしていないシールドを有するスパッタリング装置を用い
て成膜した窒化シリコン膜の各々に含有するＦｅ濃度をＳＩＭＳ（二次イオン質量分析法
）により調べた結果について図３、４を用いて説明する。
【００２０】
本実験では、ターゲットシールドのみにシリコンを６０〜８０μｍの厚さになるように
溶射した。溶射方法は、電極間にＡｒ、Ｈｅ、Ｈ2ガスを流し、電圧をチャージすること
によりプラズマを発生させて、シリコンパウダーをターゲットシールドに吹き付けるとい
う方法を採用した。表面荒さはＲａ３．５〜４μｍ、Ｒｚ２１〜２４μｍであった。
【００２１】
図３、４は、データポイントを平滑線でつないだグラフであり、横軸が深さ（μｍ）、
左縦軸がＦｅ濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3）、右縦軸がシリコンの二次イオン強度（ｃｏｕ
ｎｔｓ／ｓｅｃ）である。また図３が本発明であるシリコン溶射有り、図４がシリコン溶
射無しである。
【００２２】
図３、４より、深さが０〜０．０２μｍの範囲においてＦｅの濃度が特に大きく異なっ
ている。つまり、シリコン溶射をしたシールドを有する本発明のスパッタリング装置を用
いて成膜した窒化シリコン膜の方がＦｅの濃度が低く、本発明による効果が特に顕著に表
れていることが分かる。
従って、本発明のスパッタリング装置を用いて薄膜を成膜すると、該薄膜中における不
純物の含有濃度が低減される。そのため、良質な薄膜を成膜することができる。
【実施例２】
【００２３】
本発明の薄膜の作製方法は、液晶表示装置や発光素子を用いた表示装置の作成に適用さ
れる。図５には、一例として、本発明が適用された発光素子を用いた表示装置を示す。
【００２４】
ＴＦＴは画素部３０２とその周辺部に形成される駆動回路部３０１に設けられる。ＴＦ
Ｔのチャネル形成領域を形成する半導体層は、非晶質珪素又は多結晶珪素などが選択可能
であり、本発明はどれを採用しても構わない。
本発明は、活性層として機能する半導体層の形成に適用される。
【００２５】
基板１０１はガラス基板又は有機樹脂基板が採用される。有機樹脂材料はガラス材料と
比較して軽量であり、発光装置自体の軽量化に有効に作用する。発光装置を作製する上で
適用できるものとしては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエ
チレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アラミド等の有機
樹脂材料を用いることができる。ガラス基板は無アルカリガラスと呼ばれる、バリウムホ
ウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスを用いることが望ましい。ガラス基板の厚さ
は０．５〜１．１ｍｍのものが採用されるが、軽量化を目的とすると厚さは薄くする必要
がある。また、さらに軽量化を図るには密度が２．３７ｇ／ｃｍ3と小さいガラスを採用
することが望ましい。
【００２６】
図５は駆動回路部３０１にｎチャネル型ＴＦＴ３０３とｐチャネル型ＴＦＴ３０４が形
成され、画素部３０２にはｎチャネル型の第１ＴＦＴ３０５とｐチャネル型の第４ＴＦＴ
３０６、容量部３０７が形成されている。そして、第４ＴＦＴ３０６は発光素子３０９の
陽極層１２６と接続する構成となっている。
【００２７】
これらのＴＦＴは、窒化珪素又は酸化窒化珪素から成る第１無機絶縁体層１０２上に半
導体層１０３〜１０６、ゲート絶縁膜１０８、ゲート電極１１０〜１１３により構成され
るものである。ゲート電極の上層には、水素を含有する窒化珪素又は酸化窒化珪素からな
る第２無機絶縁体層１１４が形成され、第１無機絶縁体層１０２との組み合わせにより半
導体層に水分や金属などの不純物が拡散して汚染されないようにする保護膜として機能し
ている。
本発明は、第１無機絶縁体層１０２や、第２無機絶縁体層１０２の形成に適用される。
【００２８】
第２無機絶縁体層１１４上には、平坦化膜としてポリイミド、ポリアミド、ポリイミド
アミド、アクリル、ＢＣＢから選択される第１有機絶縁体層１１５が０．５〜１μｍの厚
さで形成されている。第１有機絶縁体層１１５は、スピン塗布法で当該有機化合物を塗布
した後焼成によって形成する。有機絶縁体材料は吸湿性があり、水分を吸蔵する性質を持
っている。その水分が再放出されると、この上層部に形成される発光素子の有機化合物に
酸素を供給して有機発光素子を劣化させる原因となる。水分の吸蔵及び再放出を防ぐため
、第１有機絶縁体層１１５の上に第３無機絶縁体層１１６を５０〜２００ｎｍの厚さで形
成する。第３無機絶縁体層１１６は下地との密着性及びバリア性の観点から緻密な膜とす
る必要があり、好ましくはスパッタリング法で形成される窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化
窒化アルミニウム、窒化アルミニウム等から選択される無機絶縁材料で形成する。
【００２９】
有機発光素子３０９は、第３無機絶縁体層１１６上に形成される。基板１０１を通して
発光する光を放射する構成の発光装置は、第３無機絶縁体層１１６上に陽極層１２６とし
てＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）層を形成する。ＩＴＯには平坦化や低抵抗化を目的と
して酸化亜鉛又はガリウムが添加されていても良い。配線１１７〜１２５は陽極層１２６
の前に形成し、第３無機絶縁体層１１６上で重ね合わせて電気的接続を形成している。
本発明は、第３無機絶縁体層１１６の形成に適用される。
【００３０】
画素毎を分離する第２有機絶縁体層（隔壁層）１２８はポリイミド、ポリアミド、ポリ
イミドアミド、アクリル、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）から選択される材料により形成
する。これらは熱硬化型又は光硬化型の材料が適用可能である。第２有機絶縁体層（隔壁
層）１２８は当該有機絶縁体材料を０．５〜２μｍの厚さで全面に形成した後、陽極層１
２６に合わせて開口部を形成する。この場合、陽極層１２６の端部を覆うように形成し、
その側壁の傾斜角を３５〜４５度とする。第２有機絶縁体層（隔壁層）１２８は画素部３
０２のみでなく、駆動回路部３０１に渡って延在して形成され、配線１１７〜１２４を覆
って形成することで層間絶縁膜としての機能も兼ね備えている。
【００３１】
有機絶縁体材料は吸湿性があり、水分を吸蔵する性質を持っている。その水分が再放出
されると、発光素子３０９の有機化合物に水分を供給して有機発光素子を劣化させる原因
となる。水分の吸蔵及び再放出を防ぐため、第２有機絶縁体層１２８の上に第４無機絶縁
体層１２９を１０〜１００ｎｍの厚さで形成する。第４無機絶縁体層１２９は窒化物で成
る無機絶縁物材料をもって形成する。具体的には、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化酸
化アルミニウムから選択される無機絶縁物材料により形成する。第４無機絶縁体層１２９
は、第２有機絶縁体層１２８の上面及び側面を覆って形成され、陽極層１２６に重なる端
部をテーパー形状となるように形成する。
【００３２】
有機発光素子３０９は陽極層１２６と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む陰極
層１３１と、その間に形成される発光体を含む有機化合物層１３０で形成される。発光体
を含む有機化合物層１３０は一層又は複数の層が積層されて形成されている。各層はその
目的と機能により、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等と区別
して呼ばれている。これらは、低分子系有機化合物材料、中分子系有機化合物材料、又は
高分子系有機化合物材料のいずれか、或いは、両者を適宣組み合わせて形成することが可
能である。また、電子輸送性材料と正孔輸送性材料を適宜混合させた混合層、又はそれぞ
れの接合界面に混合領域を形成した混合接合を形成しても良い。
【００３３】
陰極層１３１は仕事関数の小さいアルカリ金属又はアルカリ土類金属により形成され、
マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）若しくはカルシウム（Ｃａ）を含む材料を用い
る。好ましくはＭｇＡｇ（ＭｇとＡｇをＭｇ：Ａｇ＝１０：１で混合した材料）でなる電
極を用いれば良い。他にもＭｇＡｇＡｌ電極、ＬｉＡｌ電極、また、ＬｉＦＡｌ電極が挙
げられる。又は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物とアルミニウムなどの低
抵抗金属とを組み合わせて形成しても良い。陰極層１３１は共通電極として複数の画素に
渡って形成され、画素部３０２の外側、或いは画素部３０２と駆動回路部３０１との間で
配線１２０に接続され、外部端子に導かれる。
【００３４】
さらにその上層には、窒化珪素、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、酸化窒化ア
ルミニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなどから選択される材料で第５無機絶
縁体層１３２を形成しても良い。特に、ＤＬＣ膜は酸素、ＣＯ、ＣＯ2、Ｈ2Ｏ等のガスバ
リア性が高いことが知られている。第５無機絶縁体層１３２は、陰極１３１を形成した後
、大気解放しないで連続的に形成することが望ましい。第５無機絶縁体層１３２の下層に
は窒化珪素のバッファ層を設けて密着性を向上させても良い。
【００３５】
また、図示しないが陽極層１２６と発光体を含む有機化合物層１３０との界面に０．５
〜５ｎｍでトンネル電流が流れる程度の厚さの第６無機絶縁体層を形成しておいても良い
。これは陽極表面の凹凸に起因する短絡の防止と、陰極に用いるアルカリ金属等が下層側
に拡散するのを抑止する効果がある。
【００３６】
画素部３０２に形成された第２有機絶縁体層１２８は駆動回路部３０１上に延在し、第
２有機絶縁体層１２８上に形成された第４無機絶縁体層１２９上にシールパターン１３３
が形成される。当該シールパターン１３３は駆動回路部３０１及び当該駆動回路部３０１
と入力端子とを接続する配線１１７と一部又は全部が重なって設けられ、発光装置の額縁
領域（画素部の周辺領域）の面積を縮小させている。
【００３７】
このシールパターン１３３を介して封止板１３４を固着している。封止板１３４にはス
テンレス鋼やアルミニウムなどの金属を用いることができる。また、ガラス基板などを適
用しても良い。シールパターン１３３と封止板１３４で囲まれた内側には、酸化バリウム
などの乾燥剤１３５を封入して水分による劣化を防いでいる。封止板の厚さは３０〜１２
０μｍ程度の有機樹脂材料を使って可撓性を持たせても良い。その表面にはガスバリア層
としてＤＬＣや窒化珪素など無機絶縁体から成る被膜を形成しておいても良い。シールパ
ターンに用いられる材料の一例はエポキシ系接着剤であり、その側面部も無機絶縁体から
成る被膜で覆うことによりその部分から浸透する水蒸気を防ぐことができる。
【００３８】
入力端子部３０８はゲート電極と同一層で形成される配線又は第３無機絶縁体層１１６
上に形成される配線で形成される。図５ではゲート電極と同一層で形成する一例を示し、
導電層１０９と１２７で形成されている。導電層１２７は陽極層１２６と同時に形成され
るものであり、酸化物導電性材料で形成される。実際には表面に露出する部分をこの酸化
物導電性材料で覆うことにより、酸化反応による表面抵抗の増大を防いでいる。
【００３９】
図５で示すように、半導体層１０５、１０６を挟み包むように第１無機絶縁体層１０２
と第２無機絶縁体層１１４とが形成されている。一方、有機発光素子３０９は、第３無機
絶縁体層１１６、第５無機絶縁体層１３２、第４無機絶縁体層１２９とに囲まれている。
即ち、ＴＦＴの半導体層と発光素子は、それぞれ無機絶縁体層で被覆された構造となって
いる。無機絶縁体層は窒化珪素や酸化窒化珪素膜であり、水蒸気やイオン性の不純物に対
してバリア性のある材料を用いている。
【００４０】
第１ＴＦＴ３０５や第４ＴＦＴ３０６に対しナトリウム等のアルカリ金属の汚染源とし
て基板１０１や有機発光素子３０９が考えられるが、第１無機絶縁体層１０２と第２無機
絶縁体層１１４で囲むことによりそれを防ぐことができる。一方、有機発光素子３０９は
酸素や水分を最も嫌うため、それを防ぐために第３無機絶縁体層１１６、第４無機絶縁体
層１２９、第５無機絶縁体層１３２が無機絶縁体材料で形成されその汚染を防いでいる。
また、これらは有機発光素子３０９が有するアルカリ金属元素を外に出さないための機能
も備えている。
【００４１】
上記のように、本発明は、活性層として機能する半導体層や、無機絶縁体層の形成に適
用される。本発明を適用すれば、良質の薄膜を歩留まりよく成膜することが可能であり、
さらに薄膜を用いた素子の生産性を向上させることができる。従って、上記の素子を用い
た表示装置の生産性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００４２】
１０・・・ガス導入手段、１１・・・基板保持手段、１２・・・加熱手段、１３・・・背
面板、１４・・・シャッター、１５・・・仕切弁、１６・・・防着板、１７・・・ターゲ
ットシールド、１８・・・永久磁石、１９・・・ターゲット、２０・・・コンダクタンス
バルブ、２１・・・整流板、２２・・・基板、２３・・・溶射物
【図１】
2011124570.tif 000003
【図２】
2011124570.tif 000004
【図３】
2011124570.tif 000005
【図４】
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【図５】
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