(57)【要約】【課題】マルチドメイン構造の残留磁化状態のマスター担体との密着時のズレに伴うマスター担体の凹領域に対応する磁気記録媒体の初期磁化方向と逆方向への反転現象を抑制し、転写パターンの分離度を向上し、高品質な磁気転写を可能とする。【解決手段】初期磁化工程と密着工程と磁気転写工程と剥離工程とを含み、密着工程は、マスター担体20に対し初期磁化工程における磁気記録媒体10の初期磁化方向と同方向に密着時磁界を印加しながら、マスター担体20と磁気記録媒体10とを密着させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体の磁性層を、該磁性層の表面に垂直な一方向である初期磁化方向に初期磁界を印加して初期磁化させる初期磁化工程と、
該初期磁化工程後の前記磁気記録媒体に対して、垂直磁気異方性の磁性層を表面に有するパターン状の凸部を備えた磁気転写用マスター担体を密着させる密着工程と、
前記磁気記録媒体と前記マスター担体とを密着させた状態で、前記初期磁化方向と逆方向に記録用磁界を印加し、前記磁気記録媒体に磁気情報を転写する磁気転写工程と、
前記磁気記録媒体と密着した前記マスター担体を、前記磁気記録媒体から剥離する剥離工程とを含む磁気転写方法において、
前記密着工程は、前記マスター担体に対し前記初期磁化方向と同方向に密着時磁界を印加しながら、該マスター担体と前記磁気記録媒体とを密着させることを特徴とする磁気転写方法。
【請求項２】
前記密着工程で印加する密着時磁界の磁界強度が、前記マスター担体の磁性層の飽和磁界Ｈｓの０．１倍以上であることを特徴とする請求項1記載の磁気転写方法。
【請求項３】
前記剥離工程は、前記マスター担体に対し前記初期磁化方向と逆方向に剥離時磁界を印加しながら、該マスター担体と前記磁気記録媒体を剥離することを特徴とする請求項１または２記載の磁気転写方法。
【請求項４】
前記剥離時磁界の磁界強度が、前記磁気記録媒体の磁性層の反転磁界Ｈｎの１．２倍未満であることを特徴とする請求項３記載の磁気転写方法。
【請求項５】
前記剥離時磁界の磁界強度が、前記マスター担体の磁性層の飽和磁界Ｈｓの０．１０倍以上であることを特徴とする請求項３または４記載の磁気転写方法。
【請求項６】
前記剥離工程の後に、前記マスター担体から剥離した前記磁気記録媒体に対し前記初期磁化方向と同方向に、磁界強度が前記磁気記録媒体の磁性層の反転磁界Ｈｎの２倍以下である追加磁界を印加する追加磁化工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項記載の磁気転写方法。
【請求項７】
前記追加磁界の磁界強度が、前記磁気記録媒体の磁性層の反転磁界Ｈｎ以下であることを特徴とする請求項６記載の磁気転写方法。
【請求項８】
前記追加磁界の磁界強度が、前記磁気記録媒体の磁性層の保磁力Ｈｃの０．１倍以上であることを特徴とする請求項６または７記載の磁気転写方法。
【請求項９】
請求項1から８いずれか１項記載の磁気転写方法により磁気情報を転写して磁気記録媒体を製造することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体特に垂直磁気記録媒体に情報を磁気転写する磁気転写方法および前記磁気転写方法を用いた磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体においては一般に、情報量の増加に伴い、多くの情報を記録する大容量で、安価で、かつ、好ましくは短時間で必要な箇所が読み出せる、いわゆる高速アクセスが可能な媒体が望まれている。それらの一例としてハードディスク装置やフレキシブルディスク装置に用いられる高密度磁気記録媒体（磁気ディスク媒体）が知られ、その大容量化を実現するためには、狭いトラック幅で正確に磁気ヘッドを走査する、いわゆるトラッキングサーボ技術が大きな役割を担っている。このトラッキングサーボを行うために、ディスク中に、ある間隔でトラッキング用のサーボ信号、アドレス情報信号、再生クロック信号等が、いわゆるプリフォーマットとして記録されている。
【０００３】
このプリフォーマットを正確にかつ効率よく行う方法として、マスター担体が担持するサーボ信号等の情報を磁気記録媒体へ磁気的に転写する磁気転写方法がある（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００４】
この磁気転写は、例えば、磁気ディスク媒体等の磁気記録媒体（スレーブ媒体）に転写すべき情報に対応する、少なくとも凸部表面に磁性層を備えた凹凸パターンを表面に有するマスター担体を用意し、このマスター担体と磁気記録媒体を密着させた状態で、記録用磁界（転写用磁界）を印加することにより、マスター担体の凹凸パターンが担持する情報（例えばサーボ信号）に対応する磁化パターンを磁気記録媒体に転写するもので、マスター担体と磁気記録媒体との相対的な位置を変化させることなく静的に記録を行うことができ、正確なプリフォーマット記録が可能であり、しかも記録に要する時間も極めて短時間であるという利点を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−６５９１０号公報
【特許文献２】特開２００９−１４６５５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１，２に開示された磁気転写方法においては、凹凸パターンを有するマスター担体を磁性層が初期磁化方向に一様に垂直磁化された磁気記録媒体に密着させた状態で、初期磁化方向とは反対方向の記録用磁界を印加すると、磁束密度は、マスター担体の凸領域と磁気記録媒体が接触している領域では大きく、この記録用磁界により、磁気記録媒体の磁性層のうちマスター担体の凸領域と接触している部分の磁性層の磁化向きが記録用磁界の方向に揃い、初期磁化の方向と逆方向に反転されて、磁気記録媒体の磁性層に磁気情報が転写される。このため、これまでは高飽和磁化を有する磁性材料が積極的にマスター担体の磁性層材料として使用されてきた。
【０００７】
ところで、上記マスター担体の磁性層は、数十ナノメータ程度であり、非常に薄い。そのため記録用磁界を印加すると、磁性層内に強い反磁界が発生する。反磁界が強くなると、高飽和磁化特性を有する磁性材料を使用しても、実効的な磁性層への印加磁界が減少し、凹凸磁性層は未飽和状態となる。そのため、記録用磁界強度を確保する目的で印加磁界をより高め、実効的な磁性層への印加磁界を高めることで磁性層を飽和状態に近づけようとしても、印加磁界を高めることによる磁性層の磁化増加率は、印加磁界強度と比例関係にあるため、実質的に低飽和磁化材料に強磁界を印加した状態と同等な状況となる。その結果、マスター担体の凸部上の磁場強度は強くなり、磁気記録媒体の磁化は、ほぼ飽和した状態となるが、凹部に対応する領域の磁界強度も強くなり、凹凸間の磁界強度差が小さくなる。そして、凹凸間の磁界強度差が小さい状態でサーボ情報等を磁気記録媒体に転写すると、磁化されるべきでない凹部対応領域で磁化反転が発生し、その記録信号の品位が劣化し、問題となる。
【０００８】
上記問題の発生を抑制するためには、少なくとも記録用磁界を印加した状態においては、マスター担体の磁性層自身が所望の磁界強度にて飽和した状態となり、磁化値が大きくなっている必要がある。特に、磁気記録媒体を磁化するのに最低限必要な強さの記録用磁界によって、マスター担体の磁性層自身の磁化値を充分に大きくすることができれば、凹凸間の転写磁界強度差を大きくすることができ、好ましいと言える。
【０００９】
上記観点から、マスター担体の磁性層の材料として、磁性層の面に対し、垂直な方向に磁気異方性を有する材料を用いると、印加する記録用磁界の強さを最低限に抑えつつ、磁性層の磁化値を容易に大きくできるものと考えられる。つまり、見掛け上の磁化曲線が図４に示すような特性を示す磁性材料の使用が好ましいものである。
【００１０】
しかしながら、マスター担体の磁性層を構成する材料として、単に、垂直磁気異方性を有する材料を選択しても、その磁性層は外部磁界が印加されていない状態ではマルチドメイン構造となるということが判明した。このマルチドメイン構造は、図７Ｂに示すように、マスター担体２０の磁性層４８の残留磁化状態が、上向きの磁化と下向きの磁化とが混在している状態であり、部分的に磁化の向きが異なっている。（なお、図７Ａ〜図７Ｃに示される磁気記録媒体１０およびマスター担体２０の構造の詳細は、後述の図２Ａ〜図２Ｃの説明を参照されたい。）
【００１１】
そして、図７Ａに示すような初期磁化工程において表面に垂直な一方向に印加された初期磁界Ｈｉによって初期磁化された磁気記録媒体１０と、上記マルチドメイン構造のマスター担体２０との密着工程を示す図７Ｂにおいて、鎖線で示すように、マスター担体２０の凸部４４の磁性層４８と接触または近接した磁気記録媒体１０の磁性層１６は、マルチドメイン構造に対応して一部が初期磁化方向と逆方向に磁化が反転される不必要な転写が起こる。その後、密着用の押圧力が作用しマスター担体２０および磁気記録媒体１０の変形（平坦化）などに伴って、密着に応じて凸部４４の接触位置にナノメートルオーダーの微小な横方向のズレが発生すると、上記の不必要な転写により反転した部分が凹部４６と対向する位置に移動する。この凹部対応領域は、図７Ｃに示すような磁気転写工程において作用する記録用磁界Ｈｄの強度が、凸領域に比べて小さくなることにより、その部分の反転磁化ｓがこの転写工程の後においても残留し、これにより転写パターンの分離度が悪くなり、転写品質を低下させ、転写信号においては初期化側信号欠落の要因となっている。
【００１２】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、マスター担体と磁気記録媒体との密着時に不必要な転写が起こらないようにして、マスター担体の凹凸パターンにおける凹領域に対応する磁気記録媒体の密着時の接触位置のズレに伴う初期磁化の乱れを抑制し、転写記録された磁化パターンの分離度が良好であり、さらに高品質な磁気転写を可能とする磁気転写方法および該転写方法を用いた磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の磁気転写方法は、磁気記録媒体の磁性層を、該磁性層の表面に垂直な一方向である初期磁化方向に初期磁界を印加して初期磁化させる初期磁化工程と、
該初期磁化工程後の前記磁気記録媒体に対して、垂直磁気異方性の磁性層を表面に有するパターン状の凸部を備えた磁気転写用マスター担体を密着させる密着工程と、
前記磁気記録媒体と前記マスター担体とを密着させた状態で、前記初期磁化方向と逆方向に記録用磁界を印加し、前記磁気記録媒体に磁気情報を転写する磁気転写工程と、
前記磁気記録媒体と密着した前記マスター担体を、前記磁気記録媒体から剥離する剥離工程とを含む磁気転写方法において、
前記密着工程は、前記マスター担体に対し前記初期磁化方向と同方向に密着時磁界を印加しながら、該マスター担体と前記磁気記録媒体とを密着させることを特徴とするものである。
【００１４】
その際、前記密着工程で印加する密着時磁界の磁界強度が、前記マスター担体の磁性層の飽和磁界Ｈｓの０．１倍以上であることが好ましい。
【００１５】
また、前記剥離工程は、前記マスター担体に対し前記初期磁化方向と逆方向に剥離時磁界を印加しながら、該マスター担体と前記磁気記録媒体を剥離することが好ましい。
【００１６】
その際、前記剥離時磁界の磁界強度が、前記磁気記録媒体の磁性層の反転磁界Ｈｎの１．２倍未満であることが好適である。さらに、前記剥離時磁界の磁界強度が、前記マスター担体の磁性層の飽和磁界Ｈｓの０．１倍以上であることが好ましい。
【００１７】
また、前記剥離工程の後に、前記マスター担体から剥離した前記磁気記録媒体に対し前記初期磁化方向と同方向に、磁界強度が前記磁気記録媒体の磁性層の反転磁界Ｈｎの２倍以下である追加磁界を印加する追加磁化工程をさらに備えることが好ましい。特に、上記剥離工程で前記マスター担体に対し前記初期磁化方向と逆方向に剥離時磁界を印加しながら、該マスター担体と前記磁気記録媒体を剥離することに加えて、剥離後の磁気記録媒体に上記追加磁界を印加することが好ましい。
【００１８】
その際、前記追加磁界の磁界強度が、前記磁気記録媒体の磁性層の反転磁界Ｈｎ以下であることが好適である。さらに、前記追加磁界の磁界強度が、前記磁気記録媒体の磁性層の保磁力Ｈｃの０．１倍以上であることが好ましい。
【００１９】
上記「反転磁界Ｈｎ」とは、前記磁気記録媒体の磁性層のカーループ(図５参照)における反転開始時の磁界Ｈの大きさである。
【００２０】
上記「初期磁化方向」とは、磁気記録媒体の表面の鉛直方向に対して±１０°以内であることを意味し、磁気記録媒体の表面の鉛直方向に対して±７°以内であることを含む。また、「初期磁化方向と逆方向」とは、初期磁化の真逆方向のみならず、初期磁化の真逆方向に対して±７°傾斜した方向をも含む。
【００２１】
上記「密着」とは、必ずしも両者が完全に密着した状態のみならず、一様な間隔で近接して配された状態をも含むもので、さらに、両者の間に本発明の磁化工程に影響を与えないような物質などをはさむ状態も含むものである。
【００２２】
上記磁気記録媒体としては、具体的にはハードディスク、フレキシブルディスクなどの円盤状磁気記録媒体が挙げられる。また、本発明の磁気転写用マスター担体において、凸部表面の磁性層は、軟磁性もしくは半硬質磁性であることが望ましい。また、転写記録する磁気情報としては、例えば、サーボ信号が好適である。
【００２３】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上記本発明の磁気転写方法により磁気情報を転写して磁気記録媒体を製造することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の磁気転写方法によれば、磁気記録媒体の磁性層を、該磁性層の表面に垂直な一方向である初期磁化方向に初期磁界を印加して初期磁化させる初期磁化工程と、該初期磁化工程後の前記磁気記録媒体に対して、垂直磁気異方性の磁性層を表面に有するパターン状の凸部を備えた磁気転写用マスター担体を密着させる密着工程と、前記磁気記録媒体と前記マスター担体とを密着させた状態で、前記初期磁化方向と逆方向に記録用磁界を印加し、前記磁気記録媒体に磁気情報を転写する磁気転写工程と、前記磁気記録媒体と密着した前記マスター担体を、前記磁気記録媒体から剥離する剥離工程とを含む磁気転写方法において、前記密着工程は、前記マスター担体に対し前記初期磁化方向と同方向に密着時磁界を印加しながら、該マスター担体と前記磁気記録媒体とを密着させることにより、密着時におけるマスター担体には密着時磁界が作用していることでマスター担体の磁化状態は初期磁化方向と同方向に揃って、前述のマルチドメイン構造になっておらず、磁気記録媒体の磁性層には密着初期の接触または近接に伴う不要な反転が発生せず、その後の密着に伴う凸部の接触位置のズレに起因する、凹部対応領域（非転写領域）の初期磁化の乱れが発生せず、転写した磁化パターンの分離度が良好であり、さらに高品質な磁気転写を行うことができるものである。
【００２５】
特に、前記密着工程で印加する密着時磁界の磁界強度が、前記マスター担体の磁性層の飽和磁界Ｈｓの０．１倍以上であると、密着時におけるマスター担体の磁性層がマルチドメイン構造となるのを確実に阻止して、凹部対応領域における初期化側信号の欠落を有効に防止でき、非転写領域における不要な転写を減少させることができ、マスター担体に形成されている凹凸パターン形状に正確に対応して磁化パターンを磁気記録媒体に磁気転写することができる。この結果、信号特性が向上してサーボ信号の場合には良好なトラッキングサーボ機能を発揮することができることになる。
【００２６】
また、前記剥離工程が、前記マスター担体に対し前記初期磁化方向と逆方向に剥離時磁界を印加しながら、該マスター担体と前記磁気記録媒体を剥離するようにした場合には、マスター担体の磁性層における磁化状態を一方向に向いたままにし、部分的に反転するのを防止することができ、その結果、磁気記録媒体が剥離された際にも、初期磁化が反転された転写領域に磁化の乱れが発生するのが防止でき、磁気記録媒体上に形成された転写信号の品位を向上することができる。
【００２７】
特に、前記剥離時磁界の磁界強度が、前記磁気記録媒体の磁性層の反転磁界Ｈｎの１．２倍未満であると、この初期磁化方向と逆方向に印加する剥離時磁界によって、非転写領域の初期磁化が不要に反転することを防止でき、転写した磁化パターンの分離度が良好であり、さらに高品質な磁気転写を行うことができるものである。
【００２８】
さらに、前記剥離時磁界の磁界強度が、前記マスター担体の磁性層の飽和磁界Ｈｓの０．１倍以上であると、上記密着時磁界の場合と同様に、剥離時におけるマスター担体の磁性層がマルチドメイン構造となるのを確実に阻止して、凸部対応領域における転写側信号の欠落を有効に防止でき、転写領域における不要な反転を減少させることができ、マスター担体に形成されている凹凸パターン形状に正確に対応して磁化パターンを磁気記録媒体に磁気転写することができる。
【００２９】
また、前記剥離工程の後に、前記マスター担体から剥離した前記磁気記録媒体に対し前記初期磁化方向と同方向に、磁界強度が前記磁気記録媒体の磁性層の反転磁界Ｈｎの２倍以下である追加磁界を印加する追加磁化工程をさらに備えると、マスター担体の凹凸パターンにおける凹領域に対応する磁気記録媒体の非転写領域内で、保磁力または反転磁界が低い部分が転写時に不本意に転写側に反転した部分を含めて磁化反転領域を減少させることができ、その結果、磁化パターンの分離度の低下の原因である転写側に反転した磁気反転領域を減少させることより、転写した磁化パターンの分離度が良好であり、高品質な磁気転写を行うことができる。
【００３０】
特に、上記剥離工程で前記マスター担体に対し前記初期磁化方向と逆方向に剥離時磁界を印加しながら、該マスター担体と前記磁気記録媒体を剥離することに加えて、剥離後の磁気記録媒体に上記追加磁界を印加すると、両工程での初期磁化の乱れをより一層防止することができ、相乗効果を得ることができる。
【００３１】
その際、前記追加磁界の磁界強度が、前記磁気記録媒体の磁性層の反転磁界Ｈｎの２倍以下、特に１倍以下であると、転写時の記録用磁界の印加によって反転した転写領域の磁化が初期磁化方向に戻ることが防止でき、目的とする磁気情報の転写が維持できる。
【００３２】
また、前記追加磁界の磁界強度が、前記磁気記録媒体の磁性層の保磁力Ｈｃの０．１倍以上であると、非転写領域における磁化反転領域を有効に減少させることができ、マスター担体に形成されている凹凸パターン形状に正確に対応して磁化パターンを磁気記録媒体に磁気転写することができる。
【００３３】
一方、本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、上記のような磁気転写方法によって優れた信号特性を有するサーボ信号等の磁気情報を転写形成することにより、良好なトラッキングサーボ機能を得ることができ、磁気転写方法によって短時間にプリフォーマット処理が実施され、磁気記録媒体の低廉化を図ることが可能となる。
【００３４】
また、上記のような本発明によれば、磁気転写後の磁気記録媒体の磁性層においては、マスター担体の凸部に対応する転写領域および凹部に対応する非転写領域のいずれの磁化状態においても、乱れが少なく安定した磁気転写が実行できるために、マスター担体の磁性層およびそのパターン形状に要求される特性が緩和され、品質等の誤差に対する許容度が高まり、多少の不均一性を有していても良好な転写品質を確保できることから、マスター担体の作製が容易で製造コストの低減化を図ることができる。磁気記録媒体の品質に対しても同様の効果が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施形態に係る磁気転写方法の各工程（Ａ）〜（Ｅ）を順に示す説明図である。
【図２Ａ】初期磁化工程における磁界の印加と磁気記録媒体の磁性層の磁化状態を示す説明図である。
【図２Ｂ】密着工程における磁界の印加と磁気記録媒体の磁性層およびマスター担体の磁性層の磁化状態を示す説明図である。
【図２Ｃ】磁気転写工程における磁界の印加と磁気記録媒体の磁性層およびマスター担体の磁性層の磁化状態を示す説明図である。
【図３】密着工程および磁気転写工程などに用いる磁気印加装置の概略構成図である。
【図４】マスター担体における磁性層の磁気特性を示す磁化曲線の模式図である
【図５】磁気記録媒体における磁性層の磁気特性を示すカーループの模式図である。
【図６】実験例の評価基準において、磁気記録媒体に転写された信号の欠落例を示す転写信号の再生波形図である。
【図７Ａ】従来の初期磁化工程における磁界の印加と磁気記録媒体の磁性層の磁化状態を示す説明図である。
【図７Ｂ】従来の密着工程における磁界の印加と磁気記録媒体の磁性層およびマスター担体の磁性層の磁化状態を示す説明図である。
【図７Ｃ】従来の磁気転写工程における磁界の印加と磁気記録媒体の磁性層およびマスター担体の磁性層の磁化状態を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
先ず、図１（Ａ）〜（Ｅ）を用いて垂直磁気記録の磁気転写技術の概要を説明する。図１（Ａ）〜（Ｅ）は、垂直磁気記録の磁気転写方法の工程を示す説明図である。図１（Ａ）〜（Ｅ）において、符号１０は被転写用の磁気ディスクとしての磁気記録媒体（垂直磁気記録媒体用の磁気記録媒体であって、垂直磁気記録媒体ともいう）、符号２０は磁気転写用マスター担体としてのマスター担体を表す。
【００３７】
図１（Ａ）に示すように、磁気記録媒体１０のディスク平面に対し、垂直な一方向である初期磁化方向(図で下向き)に初期磁界Ｈｉを印加して、該磁気記録媒体１０を初期磁化する（初期磁化工程）。
【００３８】
初期磁化を行った後、図１（Ｂ）に示すように、マスター担体２０に対し、このマスター担体２０に密着させる磁気記録媒体１０における上記初期磁化方向と同方向(図で下向き)に密着時磁界Ｈｍを印加しながら、この凹凸パターンを有するマスター担体２０と前記初期磁化後の磁気記録媒体１０とを密着させる（密着工程）。
【００３９】
さらに、磁気記録媒体１０とマスター担体２０を密着させた後、図１（Ｃ）に示すように、上記初期磁化方向と逆方向(図で上向き)に記録用磁界Ｈｄを印加して、該磁気記録媒体１０にマスター担体２０の凹凸パターンに応じた磁化パターンを転写記録する（磁気転写工程）。
【００４０】
上記磁気転写工程の後、図１（Ｄ）に示すように、前記マスター担体２０に対し初期磁化方向と逆方向(図で上向き)に剥離時磁界Ｈｈを印加しながら、密着しているマスター担体２０と磁気記録媒体１０を剥離する（剥離工程）。
【００４１】
続いて、図１（Ｅ）に示すように、剥離後の磁気記録媒体１０に、初期磁化方向と同方向(図で下向き)に追加磁界Ｈａを印加して追加磁化を行う（追加磁化工程）。
【００４２】
本発明は、上記密着工程（Ｂ）において密着時磁界Ｈｍを印加しながらマスター担体２０に磁気記録媒体１０を密着させることを特徴とするものであり、初期磁化工程（Ａ）での初期磁界Ｈｉの印加および磁気転写工程（Ｃ）での記録用磁界Ｈｄの印加は必須の要件であるが、剥離工程（Ｄ）での剥離時磁界Ｈｈの印加および追加磁化工程（Ｅ）での追加磁界Ｈａの印加は、さらに好適な本発明の磁気転写方法を実施するために採用するものである。
【００４３】
つまり、本発明においては、第１の態様としては、初期磁化工程（Ａ）で磁気記録媒体１０に初期磁界Ｈｉを印加し、密着工程（Ｂ）において密着時磁界Ｈｍをマスター担体２０に印加しながら磁気記録媒体１０と密着させ、磁気転写工程（Ｃ）で記録用磁界Ｈｄを印加して情報を磁気転写した後、剥離するものである。
【００４４】
第２の態様としては、初期磁化工程（Ａ）で磁気記録媒体１０に初期磁界Ｈｉを印加し、密着工程（Ｂ）において密着時磁界Ｈｍをマスター担体２０に印加しながら磁気記録媒体１０と密着させ、磁気転写工程（Ｃ）で記録用磁界Ｈｄを印加して情報を磁気転写した後、剥離工程（Ｄ）で剥離時磁界Ｈｈをマスター担体２０に印加しながら磁気記録媒体１０を剥離するものである。
【００４５】
第３の態様としては、初期磁化工程（Ａ）で磁気記録媒体１０に初期磁界Ｈｉを印加し、密着工程（Ｂ）において密着時磁界Ｈｍをマスター担体２０に印加しながら磁気記録媒体１０と密着させ、磁気転写工程（Ｃ）で記録用磁界Ｈｄを印加して情報を磁気転写した後、剥離工程（Ｄ）では剥離時磁界Ｈｈを印加することなくマスター担体２０と磁気記録媒体１０を剥離し、剥離後の磁気記録媒体１０に追加磁化工程（Ｅ）で追加磁界Ｈａを印加するものである。
【００４６】
第４の態様としては、初期磁化工程（Ａ）で磁気記録媒体１０に初期磁界Ｈｉを印加し、密着工程（Ｂ）において密着時磁界Ｈｍをマスター担体２０に印加しながら磁気記録媒体１０と密着させ、磁気転写工程（Ｃ）で記録用磁界Ｈｄを印加して情報を磁気転写した後、剥離工程（Ｄ）で剥離時磁界Ｈｈをマスター担体２０に印加しながら磁気記録媒体１０を剥離し、剥離後の磁気記録媒体１０に追加磁化工程（Ｅ）で追加磁界Ｈａを印加するものである。
【００４７】
次に、上記磁気転写方法をさらに詳細に説明する。図２Ａ〜Ｃは、上記磁気転写方法における、初期磁化工程（Ａ）、密着工程（Ｂ）および磁気転写工程（Ｃ）における磁界の印加と磁気記録媒体１０の磁性層１６およびマスター担体２０の磁性層４８の磁化状態を示す説明図である。なお、この図２Ａ〜Ｃは模式的に層構成を示しており、実際の寸法とは異なる厚さ、凹凸形状に示している。
【００４８】
マスター担体２０は、基材４２と、磁性層４８とを備える。基材４２および磁性層４８は、凸部４４および凹部４６（スペース）を構成する。すなわち、凸部４４は、基材４２による凸部の表層に磁性層４８を有する。また、凸部４４に、後述する保護層、潤滑剤層、下地層等を設けた場合は、これらの保護層、潤滑剤層、下地層等も凸部４４に含まれるものとする。なお、本実施形態においては、製造が容易である等の理由により、凸部４４以外にも磁性層４８が形成されているが、凸部４４のみに磁性層４８が形成されていてもよい。
【００４９】
凸部４４に形成される磁性層４８は、転写信号に対応するビット部となる。このビット部は、初期磁化を反転させる部分であり、転写部に相当する。なお、凹部４６は、磁化反転しない非転写部に相当する。
【００５０】
＜初期磁化工程＞
前述のように、初期磁化工程（Ａ）は、磁気記録媒体１０の磁性層１６を、その表面に垂直な一方向である初期磁化方向に初期磁化させる工程である。なお、垂直方向とは、磁気記録媒体１０の表面の鉛直方向に対して±１０°以内であることを意味し、磁気記録媒体１０の表面の鉛直方向に対して±７°以内であることが好ましい。
【００５１】
図２Ａに示すように、この初期磁化工程により、磁気記録媒体１０の磁性層１６は、垂直方向の一方向（図で下向き）に印加された初期磁界Ｈｉにより、この磁気記録媒体１０の表面に垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性層１６が初期磁界Ｈｉと同方向に初期磁化される。
【００５２】
上記磁気記録媒体１０の初期磁化は、磁気記録媒体１０の表面に対し垂直な一方向である初期磁化方向に垂直磁界を印加することができる装置（例えば図３に示す磁界印加装置）により初期磁界Ｈｉを発生させることにより行う。具体的には、初期磁界Ｈｉとして磁気記録媒体１０の保磁力Ｈｃ以上の強度の磁界を発生させることにより行う。なお、この初期磁化工程は、磁化範囲（磁界印加範囲）が狭い場合には、磁気記録媒体１０を磁界印加手段に対し相対的に回転させて全面を初期磁化してもよい。
【００５３】
また、磁気記録媒体１０を初期磁化するための印加磁界には、一方向に継続的に一定磁界を印加する直流磁界と、一方向の磁界を保ちつつ磁界の大きさが周期的に変動する交流磁界があり、初期磁界Ｈｉは直流磁界および交流磁界のいずれでもよい。
【００５４】
＜密着工程＞
前述のように、密着工程（Ｂ）は、前記初期磁化工程後の磁気記録媒体１０に対して、磁気転写用マスター担体２０を密着させる工程である。そして、マスター担体２０と、初期磁化工程後の磁気記録媒体１０とを重ね合わせて両者を密着させる際に、初期磁化方向と同方向に密着時磁界Ｈｍを印加しながら両者を密着させる。
【００５５】
この密着時磁界Ｈｍの印加方向についても、「初期磁化方向と同方向」とは、磁気記録媒体の表面の鉛直方向に対して±１０°以内であることを意味し、磁気記録媒体の表面の鉛直方向に対して±７°以内であることを含むものである。
【００５６】
この密着工程では、マスター担体２０の突起状パターン（凹凸パターン）の形成されている面と、磁気記録媒体１０の磁性層１６の形成されている面とを所定の押圧力で密着させる。
【００５７】
図２Ｂに示すように、この密着工程により、上記マスター担体２０に初期磁化方向と同方向（図で下向き）に密着時磁界Ｈｍを印加しながら、磁気記録媒体１０の磁性層１６とマスター担体２０の凹凸パターン面とが密着されることにより、上記密着時磁界Ｈｍが印加されているマスター担体２０の磁性層４８は、その密着時磁界Ｈｍの方向すなわち初期磁界と同方向に揃って磁化されている。
【００５８】
したがって、このマスター担体２０の磁性層４８と磁気記録媒体１０の磁性層１６とは同じ方向に磁化されていることで、両者の密着過程においてその接触または近接位置にナノメートルオーダーの微小なズレが発生しても、磁気記録媒体１０の磁性層１６における初期磁化に乱れが発生することはない。
【００５９】
つまり、本発明の密着工程を示す図２Ｂに対し、密着時磁界Ｈｍを印加しない従来の密着工程を示す図７Ｂにおいては、磁界が印加されていないマスター担体２０の磁性層４８は、上向きの磁化と下向きの磁化とが混在しているマルチドメイン構造になっており、このマスター担体２０の凸部４４の磁性層４８と接触または近接した磁気記録媒体１０の磁性層１６はマルチドメイン構造に対応して一部が初期磁化方向と逆方向に磁化が反転（転写）される。
【００６０】
そして、鎖線で示すように密着に応じて凸部４４の接触位置にナノメートルオーダーの微小なズレが発生すると、反転した部分が凹部４６と対向する位置に移動し、その部分の反転磁化ｓが転写工程（図２Ｃ）の後においても残留し、転写品質の劣化を招いていた現象を、上記密着時磁界Ｈｍを印加しながらマスター担体２０と磁気記録媒体１０とを密着させることによって防止することができる。より具体的には、磁気転写完了時における初期化側の信号波形、すなわち磁気記録媒体１０上に形成された転写信号波形のうちマスター担体２０の凹部４６に対応する信号波形の劣化を低減することができる。
【００６１】
磁気記録媒体１０には、マスター担体２０に密着させる前に、グライドヘッド、研磨体等により、表面の微少突起又は付着塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシング等）が必要に応じて施される。
【００６２】
なお、密着工程は、図１（Ｂ）に示すように、磁気記録媒体１０の片面のみにマスター担体２０を密着させる場合と、両面に磁性層が形成された磁気記録媒体について、両面からマスター担体を密着させる場合とがある。後者の場合では、両面を同時転写することができる利点がある。
【００６３】
＜磁気転写工程＞
前述のように、磁気転写工程（Ｃ）は、磁気記録媒体１０とマスター担体２０とを密着させた状態で、初期磁化方向と逆方向の記録用磁界Ｈｄを印加し、磁気記録媒体１０に磁気情報を転写記録する工程である。なお、初期磁化方向と逆方向とは、初期磁化方向の真逆方向のみならず、初期磁化の真逆方向に対して±７°傾斜した方向をも含む。
【００６４】
図２Ｃに示すように、この磁気転写工程により、磁気記録媒体１０とマスター担体２０とを密着させたものについて、記録用磁界Ｈｄを印加すると、磁束は、マスター担体２０の凸部４４と磁気記録媒体１０が接触している領域ではその磁束密度が高められて大きくなり、記録用磁界Ｈｄにより、マスター担体２０の磁性層４８の磁化向きが初期磁化から反転して記録用磁界Ｈｄの方向に揃い、磁気記録媒体１０の磁性層に磁気情報が転写される。一方、マスター担体２０の凹部４６は、記録用磁界Ｈｄの印加によって生じる磁束が凸部４４に比べて小さく、磁気記録媒体１０の磁性層１６の磁化向きが変わることはなく、初期磁化の状態を保ったままである。これにより、磁気記録媒体１０の磁性層１６には、サーボ信号等の磁気パターンの情報が、初期磁化方向と逆方向の磁化となる記録磁化として記録される。
【００６５】
図３は、磁気転写に用いられる磁気転写装置の一例について示したものである。磁気転写装置は、コア６２にコイル６３が巻きつけられた電磁石からなる磁界印加手段６０を有するものであり、このコイル６３に電源より電流を流すことによりギャップ６４において、密着させたマスター担体２０の磁性層４８と磁気記録媒体１０の磁性層１６に対し垂直に磁界を発生する構造になっている。発生する磁界の向きは、コイル６３に流す電流の向きによって変えることができる。従って、この磁気転写装置によって、磁気記録媒体１０の初期磁化を行うことも、磁気転写を行うことも、密着時磁界を印加することも、剥離時磁界を印加することも、さらに、追加磁化を行うことも可能である。
【００６６】
上記磁気転写装置により密着工程で密着時磁界Ｈｍを印加した後、磁気転写を行う場合には、磁界印加手段６０のコイル６３に、密着工程においてコイル６３に流した電流の向きと逆向きの電流を流す。これにより、初期磁化方向と逆方向に記録用磁界Ｈｄを発生させることができる。
【００６７】
磁気転写は、磁気記録媒体１０およびマスター担体２０を密着させたものの全体に、磁界印加手段６０によって一度に１回の記録用磁界Ｈｄ（転写用垂直磁界）を印加することにより、マスター担体２０に記録されている突起状のパターンからなる情報を磁気記録媒体１０の磁性層１６に全面同時に転写することが可能である。
【００６８】
また、記録用磁界Ｈｄの印加範囲が部分的な場合には、磁気記録媒体１０およびマスター担体２０を密着させたものを不図示の回転手段により回転させつつ記録用磁界Ｈｄを印加し、マスター担体２０に記録されている突起状のパターンからなる情報を、順次全面について磁気記録媒体１０の磁性層１６に磁気転写するように磁気転写装置を構成してもよい。なお、この構成以外にも、磁界印加手段を回転させる機構を設け、磁気記録媒体１０およびマスター担体２０に対し、相対的に回転させる手法であってもよい。
【００６９】
本実施形態では、記録用磁界Ｈｄは、本実施の形態に用いられる磁気記録媒体１０の磁性層１６を構成する磁性材料の保磁力Ｈｃの６０〜１３０％、好ましくは、７０〜１２０％の強度の磁界を印加することにより磁気転写を行う。印加された記録用磁界Ｈｄは、マスター担体２０の凹凸パターンによって凸部４４に作用する磁界が高められることにより、保磁力Ｈｃよりも大きな磁界となって、初期磁化方向と逆方向に磁化反転が起きる。
【００７０】
また、記録用磁界Ｈｄとしては、一方向に継続的に一定磁界を印加する直流磁界と、一方向の磁界を保ちつつ磁界の大きさが周期的に変動する交流磁界のいずれも用いることができる。
【００７１】
また、マスター担体２０の凹凸パターンが図２Ｃのポジパターンと逆の凹凸形状のネガパターンの場合であっても、初期磁界Ｈｉの方向および記録用磁界Ｈｄ方向を上記と逆方向にすることによって同様の情報を磁気的に転写記録することができる。なお、初期磁界Ｈｉおよび記録用磁界Ｈｄは、磁気記録媒体１０の保磁力、マスター担体２０および磁気記録媒体１０の比透磁率等を勘案して定められた値を採用する必要がある。
【００７２】
＜剥離工程＞
前述のように、剥離工程（Ｄ）は、磁気転写後、密着している磁気記録媒体１０をマスター担体２０から剥離する工程である。
【００７３】
そして、この磁気転写工程後の剥離工程においては、初期磁化方向と逆方向に剥離時磁界Ｈｈを印加しながらマスター担体２０と磁気記録媒体１０とを剥離するものである。この剥離時磁界Ｈｈの印加により、マスター担体２０の磁性層４８の磁化が一方向を向くため、磁気転写完了時における転写側の信号波形（磁気記録媒体１０上に形成された転写信号波形のうちマスター担体の凸部に対応する信号波形）への影響をなくすことができる。この剥離時磁界Ｈｈを印加する理由も、上記マスター担体２０の磁性層４８がマルチドメイン構造である点に基づいている。
【００７４】
つまり、図２Ｃの磁気転写工程の状態から、磁気記録媒体１０を剥離する前にマスター担体２０の磁性層４８に対して磁界を印加していない状態となると、その磁化状態は図７Ｂに示すような上向きと下向きの混在したマルチドメイン構造となり、凸部４４に対応する磁気記録媒体１０の磁性層１６の一部が初期磁化方向に反転することが発生する可能性がある。それを防止するために、初期磁化方向と逆方向（記録用磁界Ｈｄと同方向）に剥離時磁界Ｈｈを印加しながら剥離することにより、凸部４４に対応する転写領域の磁化乱れが防止できる。
【００７５】
その際、マスター担体２０より剥離された磁気記録媒体１０に強い剥離時磁界Ｈｈつまり初期磁化方向と逆方向の磁界が加わると、凹部４６に対応して非反転状態であった領域の一部が転写方向に反転するおそれがあるので、その強度は後述のように規定される。なお、剥離時磁界Ｈｈの印加における初期磁化方向と逆方向とは、初期磁化方向の真逆方向のみならず、初期磁化の真逆方向に対して±１５°傾斜した方向をも含む。
【００７６】
剥離工程における磁界印加は、マスター担体２０の磁性層４８の残留磁化制御に有効であり、この効果により、磁気記録媒体１０上に形成された転写信号波形における転写側の信号波形への影響をなくすことができる。剥離工程での磁界印加によるマスター担体磁性層の残留磁化制御は、マスター担体の磁性層が垂直磁化膜であるときに顕著に効果があるが、特にこれに限定されず、マスター担体の磁性層が無配向膜、面内磁気異方性膜の場合にも効果がある。
【００７７】
前記剥離時磁界Ｈｈの強度は、磁気記録媒体１０の磁性層１６における反転磁界Ｈｎの１．２倍未満であることが好ましい。剥離時磁界Ｈｈの強度が磁気記録媒体１０の反転磁界Ｈｎの１．２倍以上であると、磁気記録媒体上に形成された転写信号の振幅が大きく減少してしまうことがある。
【００７８】
なお、磁気記録媒体の反転磁界Ｈｎの強度は、公知のカー効果測定装置により測定できる。すなわち磁界を挿引しながらカー回転角を測定した場合、図５のようなカーループを得ることができ、図５中に示すカーループにおける反転開始時の磁界Ｈの大きさである反転磁界Ｈｎが測定できる。
【００７９】
また、前記剥離時磁界Ｈｈの強度が、マスター担体２０における磁性層４８の飽和磁界Ｈｓの強度の０．１０倍以上であることが好ましい。剥離時磁界Ｈｈの強度が、マスター担体における磁性層の飽和磁界Ｈｓの０．１倍未満であると、信号欠落を十分減少することができないことがある。なお、マスター担体における磁性層の飽和磁界Ｈｓの強度は、前述のように公知の振動試料型磁力計を用いて得られる磁化曲線から、図４のように求められる。
【００８０】
＜追加磁化工程＞
前述のように追加磁化工程（Ｅ）は、磁気転写後の磁気記録媒体１０に初期磁化方向と同方向に追加磁界Ｈａを印加する工程であり、磁気記録媒体１０の表面に対し垂直磁界を印加することができる装置（例えば、図３の磁気転写装置等）により追加磁界Ｈａを発生させることにより行う。
【００８１】
この剥離後の追加磁化工程では、上記磁気転写工程においてマスター担体２０の凹部４６に対応する磁気記録媒体１０の磁性層１６は、理想的には転写方向には磁化反転せずに初期磁化状態を維持するものであるが、実際にはその磁性層における磁気特性のバラツキ等によって部分的に保磁力Ｈｃまたは反転磁界Ｈｎの低い部分があり、記録用磁界Ｈｄの印加によって凹部４６に発生する弱い磁界によって初期磁化方向とは逆方向に磁化反転したものを、再度初期磁化の方向に戻すように磁化させるために、初期磁化方向と同方向に追加磁界Ｈａを印加するものである。追加磁界Ｈａの印加により、磁気転写完了時における初期化側の信号波形、すなわち磁気記録媒体１０上に形成された転写信号波形のうちマスター担体２０の凹部４６に対応する信号波形の劣化を低減することができる。
【００８２】
その際、追加磁界Ｈａの磁界強度が大きくなると、記録用磁界Ｈｄの印加によって凸部４４に対応する領域が初期磁化方向と逆方向に転写反転した領域の一部が、初期磁化方向に反転して転写領域の乱れを招くことになるので、その強度が後述のように規定される。
【００８３】
上記追加磁界Ｈａの磁界強度は、磁気記録媒体１０の磁性層１６における反転磁界Ｈｎの２倍以下である。これにより、マスター担体２０の凹部４６に対応する非転写領域内において、磁性層１６が転写方向に反転している初期磁化の乱れを減少することができ、かつ、凸部４４に対応する転写領域内において、磁気記録媒体１０の磁性層４８が転写方向に磁化している状態を維持することができるため、転写された磁化パターンの分離度がさらに良好であり、高品質な磁気転写を実施することができる。
【００８４】
さらに、追加磁化工程で印加する磁界を上記反転磁界Ｈｎの１倍以下にすると、より弱い磁界を使用することで、転写領域内において、磁気記録媒体の磁性層が転写方向に磁化している状態をより維持することができるため、転写された磁化パターンの分離度がより一層良好となり、高品質な磁気転写を実施することができる。
【００８５】
また、上記追加磁界Ｈａの強度を、磁気記録媒体１０の磁性層１６における保磁力Ｈｃの０．１倍以上にすることにより、転写領域内の磁化反転領域の磁化向きを維持しつつ、非転写領域の反転部位を十分初期磁化方向に戻すことができるため、転写された磁化パターンの分離度が良好であり、高品質な磁気転写を実施することができる。
【００８６】
なお、この追加磁化工程は、磁気記録媒体１０のみに対して行ってもよいし、上記効果を得られる範囲で、磁気記録媒体１０を含む他のものに対して行ってもよい。具体的には、他の材料や媒体を、磁気記録媒体に塗布、付加、重ね合わせ、張り合わせ等を行ったものに対して、追加磁化工程を行ってもよい。
【００８７】
また、この追加磁化工程は、磁気記録媒体１０を磁界印加手段に対し相対的に回転させることにより行ってもよい。また、追加磁界Ｈａとしては、一方向に継続的に一定磁界を印加する直流磁界と、一方向の磁界を保ちつつ磁界の大きさが周期的に変動する交流磁界のいずれも用いることができる。
【００８８】
＜マスター担体の説明＞
上記マスター担体２０の基材４２は、ガラス、ポリカーボネート等の合成樹脂、ニッケル、アルミニウム等の金属、シリコン、カーボン等の公知の材料を用いて製造される。
【００８９】
また、マスター担体２０の磁性層４８の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒなどが好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。磁性層４８の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、通常、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度である。また、磁性層４８の形成方法としては、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、例えば、スパッタリング法、電着（電着法）等により行うことができる。
【００９０】
基材４２と磁性層４８間に磁性層配向用の結晶配向層、軟磁性下地層を適宜形成してもよい。特に軟磁性下地層は単層、あるいは複数層にて構成してもよい。
【００９１】
上記磁性層４８は、垂直磁気異方性を有することが好ましい。なお、磁性層４８が「垂直磁気異方性を有する」とは、公知の磁気トルクメーターを用いて測定した垂直磁気異方性エネルギーが５×１０５ｅｒｇ／ｃｍ３以上である場合を「垂直磁気異方性を有する」とする。
【００９２】
また、上記マスター担体２０の磁性層４８を構成する磁性材料として好適な磁化曲線を図４に示している。磁性材料の特性としては、磁化曲線における飽和磁化Ｍｓが、５００ｅｍｕ／ｃｃ以上であることが好ましい。飽和磁化Ｍｓが５００ｅｍｕ／ｃｃ未満であると、垂直磁気異方性を有し、磁性層の磁化が飽和した状態にあるにもかかわらず、凹凸間の転写磁界強度差を確保できず、充分な転写特性を確保できないことがある。
【００９３】
また、磁性層４８の磁性材料の特性としては、核生成磁界Ｈｎｍが正値（Ｈｎｍ＞０）であることが好ましい。核生成磁界Ｈｎｍが、Ｈｎｍ≦０であると、磁気転写終了後、記録用磁界Ｈｄを除去した後にも磁性層から大きな磁界が発生することとなり、重ね記録が起こり、所望の信号を記録できないことがある。なお、該磁性層の核生成磁界Ｈｎｍは、記録用磁界Ｈｄの印加磁界強度以下であることが好ましく、磁性層の飽和磁化Ｍｓを有効に活用できる。
【００９４】
上記磁性層の飽和磁化Ｍｓ、核生成磁界Ｈｎｍ、飽和磁界Ｈｓは、公知の振動試料型磁力計を用いて求められる。飽和磁化Ｍｓは、振動試料型磁力計を用いて得られる図４の磁化曲線から、飽和磁化値（ｅｍｕ）を求め、この飽和磁化値を、磁性層の体積(ｃｃ)で割ることにより、求められる。核生成磁界Ｈｎｍおよび飽和磁界Ｈｓも同様に、図４の磁化曲線の変化特性から求められる。
【００９５】
上記マスター担体２０の磁性層４８の保磁力Ｈｃは、その値が大きすぎると、磁気転写工程における記録用磁界Ｈｄの印加磁界で該磁性層が磁化しないことになる。また、磁気転写時に大きな記録用磁界Ｈｄを印加することは、凹部領域に作用する磁束も大きくなり、初期磁化を乱すことになるため、磁性層４８の保磁力Ｈｃは、垂直磁気記録媒体１０の磁性層１６の保磁力以下であることが好ましく、具体的には、６ｋＯｅ（４７７．６ｋＡ／ｍ）以下が好ましく、４ｋＯｅ（３１８．４ｋＡ／ｍ）以下が更に好ましい。
【００９６】
マスター担体２０の表面には、機械的、摩擦特性、耐候性を改善するために保護層が形成されている。この保護層の材料としては、硬質な炭素膜が好ましく、スパッタ法により形成した無機カーボン、ダイヤモンドライクカーボン等を用いることができる。この硬質保護層上には、更に、潤滑剤からなる層（潤滑剤層）を形成してもよい。この種の潤滑剤としては、一般的に、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）等のフッ素系樹脂が用いられる。
【００９７】
＜マスター担体の製造方法＞
表面が平滑なシリコンウエハーである原板（Ｓｉ基板）を用意し、この原板の上に、電子線レジスト液をスピンコート法等により塗布して、レジスト層を形成し、ベーキング処理（プレベーク）を行う。
【００９８】
次いで、高精度な回転ステージ又はＸ−Ｙステージを備えた不図示の電子ビーム露光装置のステージ上に原板をセットし、原板を回転させながら、サーボ信号に対応して変調した電子ビームを照射し、レジスト層の略全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に描画露光（電子線描画）する。
【００９９】
レジスト層を現像処理し、露光（描画）部分を除去して、残ったレジスト層による所望厚さの被覆層を形成する。この被覆層が次工程（エッチング工程）のマスクとなる。なお、基板上に塗布されるレジストはポジ型、ネガ型のどちらでも使用可能であるが、ポジ型とネガ型では、露光（描画）パターンが反転することになる。この現像処理の後には、レジスト層と原板との密着力を高めるためにベーキング処理（ポストベーク）を行う。
【０１００】
次いで、レジスト層の開口部より原板を表面より所定深さだけ除去（エッチング）する。このエッチングにおいては、アンダーカット（サイドエッチ）を最小にすべく、異方性のエッチングが望ましい。このような、異方性のエッチングとしては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Reactive Ion Etching）が好ましく採用できる。
【０１０１】
次に、レジスト層を除去する。レジスト層の除去方法は、乾式法としてアッシングが採用でき、湿式法として剥離液による除去法が採用できる。以上のアッシング工程により、所望の凹凸状パターンの反転型が形成された原盤が作製される。
【０１０２】
その後、原盤の表面に均一厚さに導電層を形成する。この導電層の形成方法としては、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、スパッタリング、イオンプレーティングを含む各種の金属成膜法等が適用できる。
【０１０３】
このように、導電膜の層を１層形成すれば、次工程（電鋳工程）の金属の電着が均一に行えるという効果が得られる。導電層としては、Ｎｉを主成分とする膜であることが好ましい。このようなＮｉを主成分とする膜は、形成が容易であり、且つ、硬質であるため、導電膜としてふさわしい。この導電層の膜厚として、特に制限はないが、数十ｎｍ程度が一般的に採用できる。
【０１０４】
次いで、原盤の表面に、電鋳により所望の厚さの金属（ここでは、Ｎｉ）による金属板を積層する（反転板形成工程）。この工程は、電鋳装置の電解液中に原盤を浸し、原盤を陽極とし、陰極との間に通電することにより行われるが、このときの電解液の濃度、ｐＨ、電流のかけ方等は、積層された金属板（基材４２）に歪みのない最適条件で実施されることが求められる。
【０１０５】
そして、上記のようにして金属板の積層された原盤が電鋳装置の電解液から取り出され、剥離槽（図示略）内の純水に浸される。剥離槽内において、金属板を原盤から剥離し、原盤から反転した凹凸状パターンを有する基材４２を得る。
【０１０６】
次いで、基材４２の凹凸表面上に磁性層４８を形成する。該磁性層の材料は、例えば、ＣｏＰｔからなる。該磁性層４８の厚みは、１０ｎｍ〜３２０ｎｍの範囲が好ましく、２０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲がより好ましく、３０ｎｍ〜１００ｎｍが更に好ましい。該磁性層４８は、上記材料のターゲットを用いスパッタリングにより形成される。
【０１０７】
その後、基材４２の内径および外径を、所定のサイズに打抜き加工する。以上のプロセスにより、磁性層４８が設けられた凹凸パターンを有するマスター担体２０が作製される。
【０１０８】
マスター担体２０の表面には、凹凸パターンからなるサーボパターンが形成される。また、図には示さないが、マスター担体２０表面の磁性層４８の上にスパッタリング法によりダイヤモンドライクカーボン等の保護膜（保護層）を設けてもよく、更に、保護膜上に潤滑剤層を設けてもよい。
【０１０９】
該保護層を形成する目的は、マスター担体２０と磁気記録媒体１０とを密着させた際に磁性層４８が傷つきやすく、マスター担体２０として使用できなくなってしまうことを防止するためである。また、潤滑剤層は、磁気記録媒体１０との接触の際に生じる摩擦による傷の発生などを防止し、耐久性を向上させる効果がある。
【０１１０】
具体的には、保護層として、厚さが２〜３０ｎｍのカーボン膜を形成し、更にその上に潤滑剤層を形成した構成が好ましい。また、磁性層４８と、保護層との密着性を強化するため、磁性層４８上にＳｉ等の密着強化層を形成し、その後に保護層を形成してもよい。
【０１１１】
＜磁気記録媒体の説明＞
次に、磁気記録媒体（垂直磁気記録媒体）について説明する。図１、図２において示される磁気記録媒体１０は、例えば、両面または片面に磁気記録層１６が形成されたハードディスク、フレキシブルディスク等の円盤状磁気記録媒体であり、特に、磁気記録層の磁化容易方向が記録面に対して垂直な方向に形成されている垂直磁気記録媒体である。なお、ここでは、基板の片面に磁性層１６を形成した例を示すが、基板の表裏両面に磁性層を形成する態様も可能である。
【０１１２】
磁気記録媒体１０は、ガラスなど非磁性の基板上に、軟磁性層（軟磁性下地層；ＳＵＬ）、非磁性層（中間層）、磁性層（垂直磁気記録層）が順次積層形成された構造からなり、磁性層の上は更に保護層と潤滑層とで覆われている。
【０１１３】
円盤状の基板は、ガラスやアルミニウム等の非磁性材料から構成されており、この基板上に軟磁性層を形成した後、非磁性層と、磁性層を形成する。
【０１１４】
軟磁性層は、磁性層の垂直磁化状態を安定させ、記録再生時の感度を向上させるために有益である。軟磁性層に用いられる材料は、ＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＳｉ合金、ＦｅＡｌ合金、パーマロイなどＦｅＮｉ合金、パーメンジュールなどのＦｅＣｏ合金等の軟磁性材料が好ましい。この軟磁性層は、ディスクの中心から外側に向かって半径方向に（放射状に）磁気異方性が付けられている。
【０１１５】
軟磁性層の厚さは、２０ｎｍ〜２０００ｎｍであることが好ましく、４０ｎｍ〜４００ｎｍであることが更に好ましい。
【０１１６】
非磁性層は、後に形成する磁性層の垂直方向の磁気異方性を大きくする等の理由により設けられる。非磁性層に用いられる材料は、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｔａ、Ｐｔ等が好ましい。非磁性層は、スパッタリング法により上記材料を成膜することにより形成される。非磁性層の厚さは、１０ｎｍ〜１５０ｎｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜８０ｎｍであることが更に好ましい。
【０１１７】
磁性層１６は、垂直磁化膜（磁性膜内の磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向したもの）により形成されており、この磁性層に情報が記録される。磁性層に用いられる材料は、Ｃｏ（コバルト）、Ｃｏ合金（ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＮｉ等）、Ｃｏ合金-ＳｉＯ２、Ｃｏ合金-ＴｉＯ２、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、ＦｅＣｏＮｉ等）等が好ましい。これらの材料は、磁束密度が大きく、成膜条件や組成を調整することにより垂直の磁気異方性を有している。磁性層は、スパッタリング法により上記材料を成膜することにより形成される。磁性層の厚さは、１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、１５ｎｍ〜２００ｎｍであることが更に好ましい。
【０１１８】
次に、上記磁気転写用マスター担体を用いて上記磁気記録媒体へ情報を転写する本発明の磁気転写方法の実施例について説明する。
【０１１９】
［実施例１〜８］
以下のようにしてマスター担体および磁気記録媒体を作製し、磁気転写方法は前述の第１の態様（すなわち剥離時磁界Ｈｈおよび追加磁界Ｈａは印加しない）で行い、密着工程においてマスター担体に対し、下記［表１］に示すように磁界強度を変更した密着時磁界Ｈｍを印加しながら、磁気記録媒体を載置し、その後圧力を印加して密着させた状態で、記録用垂直磁界を印加し、転写後の磁気記録媒体の転写信号の波形の欠落程度を求めた実験結果を示す。なお、密着時磁界Ｈｍを印加しない比較例１および逆方向の密着時磁界Ｈｍを印加した比較例２と対比して示す。
【０１２０】
＜マスター担体の作製＞
８インチのＳｉ（シリコン）ウェハー（基板）上に、電子線レジストを、スピンコート法により、１００ｎｍの厚みで塗布した。塗布後、基板上の該レジストを、回転式電子線露光装置を用いて露光し、露光後の該レジストを現像して、凹凸パターンを有するレジストＳｉ基板を作製した。
【０１２１】
その後、該レジストをマスクとして用い、該基板に対して、反応性イオンエッチング処理を行い、凹凸パターンの凹部を掘り下げた。該エッチング処理後、該基板上に残存するレジストを可溶溶剤で洗浄し、除去した。除去後、該基板を乾燥したものを、マスター担体を調製するための原盤とした。
【０１２２】
メッキ法によるマスター担体中間体（基板）の作製を説明する。上記原盤上に、スパッタ法を用いてＮｉ（ニッケル）導電性膜を２０ｎｍ形成した。該導電性膜を形成した後の原盤を、スルファミン酸Ｎｉ浴に浸漬し、電解メッキにより、２００μｍの厚みのＮｉ膜を形成した。その後、原盤よりＮｉ膜を引き剥がし、洗浄して、Ｎｉ製のマスター担体中間体（基板）を得た。
【０１２３】
磁性層の形成方法を説明する。上記マスター担体中間体上に、スパッタリング法にて、Ｔａ膜からなる下地層を１０ｎｍの厚みに形成し、その後、この下地層の上にＣｏ８０at％Ｐｔ２０at％磁性層を３０ｎｍの厚みに形成して、マスター担体を得た。
【０１２４】
上記下地層（Ｔａ膜）の成膜条件は、ターゲット材料：Ｔａ、ターゲット・基材間の距離：２００ｍｍ、アルゴン圧力：０．５Ｐａ、ＤＣパワー：３５０Ｗである。また、上記磁性層の成膜条件は、ターゲット材料：Ｃｏ８０at％Ｐｔ２０at％、ターゲット・基材間の距離：２００ｍｍ、アルゴン圧力：０．１Ｐａ、ＤＣパワー：１０００Ｗである。このようにして作製したマスター担体２０の磁性層４８（垂直磁化膜）の飽和磁界Ｈｓは５ｋＯｅ（３９８ｋＡ／ｍ）であった。
【０１２５】
本実施例で作製したマスター担体には、スペース部（凹部）とライン部（凸部）が交互に形成されていて、凹凸の周期が１６０ｎｍである転写用のパターンが形成されている。
【０１２６】
＜垂直磁気記録媒体の作製＞
本実施例では、磁気記録媒体１０の基板として、２．５インチ（外径６３．５ｍｍ）のガラス基板上に、スパッタリング法を用いて、軟磁性層、第１非磁性配向層、第２非磁性配向層、磁気記録層および保護層を、この順に形成した。さらに、この該保護層の上に、ディップ法により潤滑剤層を形成した。
【０１２７】
軟磁性層の材料として、ＣｏＺｒＮｂを用いた。該軟磁性層の厚みは、１００ｎｍであった。ガラス基板をＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて配置し、Ａｒガスを０．６Ｐａ圧になるように流入させ、ＤＣ１５００Ｗで成膜した。
【０１２８】
第１非磁性配向層としてＴｉ：５ｎｍ、第２非磁性配向層としてＲｕ：６ｎｍを形成した。第１非磁性配向層は、Ｔｉターゲットと対向配置し、Ａｒガスを０．５Ｐａ圧になるように流入し、ＤＣ１０００Ｗで放電し、５ｎｍの厚さになるように、Ｔｉシード層を成膜した。第１非磁性配向層の形成後にＲｕターゲットと対向させて配置し、Ａｒガスを０．８Ｐａ圧になるように流入させ、ＤＣ９００Ｗで放電し、６ｎｍの厚さになるように第２非磁性配向層を成膜した。
【０１２９】
磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔＯ：１８ｎｍを形成した。ＣｏＣｒＰｔＯターゲットと対向させて配置し、Ｏ２を０．０６％含むＡｒガスを１４Ｐａ圧になるように流入させ、ＤＣ２９０Ｗで放電し磁気記録層を作製した。
【０１３０】
磁気記録層を形成した後に、カーボンターゲットと対向させて配置し、Ａｒガスを０．５Ｐａ圧になるように流入させ、ＤＣ１０００Ｗで放電し、Ｃ保護層（４ｎｍ）を形成した。この磁気記録媒体の保磁力Ｈｃは、５．０ｋＯｅ（３９８ｋＡ／ｍ）、反転磁界Ｈｎは１．２５ｋＯｅ（９９．５ｋＡ／ｍ）とした。
【０１３１】
さらに、磁気記録媒体にディップ法により、ＰＦＰＥ潤滑剤を２ｎｍの厚さで塗布して、垂直磁気記録媒体を調製した。
【０１３２】
＜磁気転写工程＞
上記磁気記録媒体に対して、初期磁化を行った。初期磁化の際に印加する初期磁界Ｈｉの強度（初期磁界強度）は１０ｋＯｅ（７９６ｋＡ／ｍ）であった。
【０１３３】
初期化済み磁気記録媒体に対して、上記マスター担体を対向して配置し、マスター担体に初期磁化方向に密着時磁界Ｈｍを印加しながら、両者を１．５ＭＰａの圧力にて密着させた。この密着工程において印加する密着時磁界を、［実施例１〜８］において後述の［表１］に示すように、１００Ｏｅ（７．９６ｋＡ／ｍ）〜１００００Ｏｅ（７９６０ｋＡ／ｍ）に段階的に変更するとともに、［比較例１］として密着工程での密着時磁界を印加しない場合を、［比較例２］として密着工程で初期磁化方向と逆方向（磁気転写時の記録用磁界の印加方向）に２５０Ｏｅ（１９．９ｋＡ／ｍ）の強度の磁界を印加した場合を対比している。
【０１３４】
なお、下記の［表１］〜［表３］においては、磁界強度の単位を非ＳＩ単位のＯｅ（エルステッド）で表示している。Ｓｉ単位への換算は１Ｏｅ＝７９．６Ａ／ｍによって行えるが、その表記は省略している。
【０１３５】
次に、上記マスター担体と磁気記録媒体とを互いに密着した状態で、記録用磁界Ｈｄを初期磁化方向と逆方向に印加して、磁気転写を行った。磁気転写に用いた記録用磁界の磁界強度は４．７ｋＯｅ（３７４ｋＡ／ｍ）であった。
【０１３６】
＜転写評価＞
磁気転写後の垂直磁気記録媒体に対して、マスター担体の凹凸パターンによって転写された信号の再生波形を検出した。その検出には、リード幅８０ｎｍのＧＭＲヘッドを装着した評価装置（協同電子社製、ＬＳ−９０）を用いた。
【０１３７】
＜評価結果＞
初期化側信号欠落の「評価基準」を説明する。凹凸パターン１００周期分に相当する長さの信号において、初期化側信号が何個欠落したかを評価した。図６に再生波形例の一部を示している。評価基準として、信号振幅の０Ｖ（０％）から初期化側信号ピーク（１００％）間の距離に対し、その７５％以下の強度で信号が欠落している初期化側信号欠落個数をカウントし（図６の場合ａ，ｂ，ｃの３個）、その結果を下記［表１］に示す。
【０１３８】
［表１］における「信号欠落の判断」は、欠落個数が２０個を超える場合を×とし、欠落個数が２０個以下の場合を○、欠落個数が１０個以下の場合を◎、欠落が０個の場合を◎◎（表１にはない）とした。例えば、本発明磁気転写方法で転写記録されるプリフォーマットのサーボ信号の場合、読みとった個々のビット信号を直接使用するものではなく、サーボトラッキングための出力差信号として使用することから、多少の信号欠落が許容されるので上記のような評価となっている。
【０１３９】
【表１】
2011070723.tif 000003
【０１４０】
上記［表１］の結果より、本発明［実施例１〜８］のように密着時に初期磁化方向に密着時磁界Ｈｍを印加すると、磁界を印加しない［比較例１］に比べて、初期化側の信号欠落個数が減少することがわかる。また、密着時における初期磁化方向の磁界強度が大きいほど、つまり［実施例１］から［実施例８］になるに従って、信号欠落個数は減少することがわかる。また、［実施例３〜８］が特に良好な結果が得られていることから、密着時に印加する密着時磁界Ｈｍの磁界強度は、マスター担体の磁性層（垂直磁化膜）の飽和磁界Ｈｓ（本例では５ｋＯｅ）に対して、０．１Ｈｓ以上（５００Ｏｅ以上）が好ましい。
【０１４１】
一方、［比較例２］のように密着時に磁界を転写側（初期磁化方向と逆方向）に印加すると、初期化側の信号欠落個数は増加する。これは、垂直マスター担体の磁性層のドメインが、初期磁化方向と逆方向を向くようになるため、密着時のマスター担体と磁気記録媒体のずれによって生じる磁気記録媒体の凹部に相当する初期磁化側部分の磁化反転が更に顕著になってしまうためと考えられる。
【０１４２】
［実施例９〜１５］
マスター担体および磁気記録媒体は、上記［実施例１〜８］と同様のものを使用し、磁気転写方法は前述の第２の態様（すなわち剥離工程で剥離時磁界Ｈｈを印加するが追加磁界Ｈａは印加しない）で行った実施例である。
【０１４３】
具体的には、磁気記録媒体に対して、初期磁化を行い、その際の初期磁界Ｈｉの磁界強度は前記［実施例１］と同様の１０ｋＯｅであった。密着工程では、１．５ＭＰａの押圧力を加えるとともに、前記［実施例６］と同様に２０００Ｏｅの磁界強度を有する初期磁化方向の密着時磁界Ｈｍをマスター担体に印加しながら磁気記録媒体と密着させた。その後の磁気転写工程は、［実施例１］と同様に４．７ｋＯｅの磁界強度を有する記録用磁界Ｈｄを初期磁化方向とは逆方向に印加して磁気転写を行った。その後の剥離工程においてマスター担体に対し印加する剥離時磁界Ｈｈの磁界強度を、下記［表２］に示すように、［実施例９〜１５］において１００Ｏｅ〜２０００Ｏｅに段階的に変更して、初期磁化方向と逆方向に印加しながら、磁気記録媒体と剥離した。転写後の磁気記録媒体の転写信号の波形の欠落程度および転写信号振幅を求めた実験結果を示す。なお、密着時磁界Ｈｍおよび剥離時磁界Ｈｈを印加しない比較例３と対比して示す。
【０１４４】
＜転写評価＞
磁気転写後の垂直磁気記録媒体に対して、上記［実施例１］と同様の評価装置を用いて、マスター担体の凹凸パターンによって転写された信号の再生波形を検出した。
【０１４５】
＜評価結果＞
この［実施例９〜１５］における評価基準は、初期化側および転写側信号欠落を評価するとともに、転写信号振幅を評価している。
【０１４６】
「初期化側および転写側信号欠落の評価」は、凹凸パターン１００周期分に相当する長さの信号において、初期化側信号および転写側信号が何個欠落したかを評価した。図６に示す再生波形例において、前記と同様に評価基準として、信号振幅の０Ｖ（０％）から初期化側および転写側信号ピーク（１００％）間の距離に対し、その７５％以下の強度で信号が欠落している初期化側および転写側信号の欠落個数をカウントし（図６の場合初期化側がａ，ｂ，ｃの３個、転写側がｄの１個）、その結果を下記［表２］に示す。その「信号欠落の判断」は、欠落個数が２０個を超える場合を×とし、欠落個数が２０個以下の場合を○、欠落個数が１０個以下の場合を◎、欠落が０個の場合を◎◎（表２にはない）とした。
【０１４７】
また、「転写信号振幅の評価」は、転写信号振幅を信号のp-p（ピーク〜ピーク）とし、［比較例３］の信号振幅を１とし、これに対する比率として示した。また、「信号振幅の判断」として信号振幅が０．８を超えるものを◎、０．８以下の場合を○とした。上記信号欠落の判断と組み合わせて、総合判断している。
【０１４８】
【表２】
2011070723.tif 000004
【０１４９】
上記［表２］の結果より、本発明［実施例９〜１５］のように密着時に初期磁化方向に密着時磁界Ｈｍを印加するだけではなく、剥離時に初期磁化方向と逆方向に剥離時磁界Ｈｈを印加すると、両磁界を印加しない［比較例３］に比べて、初期化側の信号欠落個数が減少するとともに、転写側の信号欠落個数を減少させ、より信号品位を向上させることができることがわかる。また、剥離時における初期磁化方向と逆方向の磁界強度が大きいほど、つまり［実施例９］から［実施例１５］になるに従って転写側の信号欠落個数が減少し、特に剥離時磁界Ｈｈの磁界強度がマスター担体の磁性層の飽和磁界Ｈｓ（本例では５ｋＯｅ）に対して、０．１Ｈｓ以上（５００Ｏｅ以上）となる［実施例１１］以上となると、転写側の信号欠落個数が１０個以下となりさらに良好となる一方、その磁界強度が［実施例１４、１５］のように大きくなると、転写信号振幅が小さくなる傾向にあることがわかる。
【０１５０】
そして、上記剥離時に印加する剥離時磁界Ｈｈの磁界強度は、転写信号振幅を必要以上に減少させないため、磁気記録媒体の磁性層の反転磁界Ｈｎ（本例では１．２５ｋＯｅ）に対して、１．２倍未満（１．５ｋＯｅ未満）、つまり［実施例９〜１３］が好ましい範囲となっている。さらに、上記剥離時磁界Ｈｈの磁界強度がマスター担体の磁性層の飽和磁界Ｈｓに対して、０．１Ｈｓ以上となる範囲を加味すると、総合判断に示されるように、［実施例１１〜１３］が最も好ましい範囲となる。
【０１５１】
［実施例１６〜２２］
マスター担体および磁気記録媒体は、上記［実施例１〜１５］と同様のものを使用し、磁気転写方法は前述の第４の態様（すなわち剥離工程で剥離時磁界Ｈｈを印加し、さらに追加工程で追加磁界Ｈａを印加する）で行った実施例である。
【０１５２】
具体的には、磁気記録媒体に対して、初期磁化を行い、その際の初期磁界Ｈｉの磁界強度は前記［実施例１］と同様の１０ｋＯｅであった。密着工程では、１．５ＭＰａの押圧力を加えるとともに、前記［実施例６］と同様に２０００Ｏｅの磁界強度を有する初期磁化方向の密着時磁界Ｈｍをマスター担体に印加しながら磁気記録媒体と密着させた。その後の磁気転写工程は、［実施例１］と同様に４．７ｋＯｅの磁界強度を有する記録用磁界Ｈｄを初期磁化方向とは逆方向に印加して磁気転写を行った。その後の剥離工程においてマスター担体に対し、［実施例１１］と同様に５００Ｏｅの磁界強度を有する剥離時磁界Ｈｈを初期磁化方向とは逆方向に印加しながら、磁気記録媒体と剥離した。その後の追加磁化工程において、剥離後の磁気記録媒体に対し印加する追加磁界Ｈａの磁界強度を、下記［表３］に示すように、［実施例１６〜２２］において２００Ｏｅ〜２５００Ｏｅに段階的に変更して、初期磁化方向に印加して追加磁化を行った。転写後の磁気記録媒体の転写信号の波形の欠落程度および転写信号振幅を求めた実験結果を示す。
【０１５３】
＜転写評価＞
磁気転写後の垂直磁気記録媒体に対して、上記［実施例１］と同様の評価装置を用いて、マスター担体の凹凸パターンによって転写された信号の再生波形を検出した。
【０１５４】
＜評価結果＞
この［実施例１６〜２２］における評価基準は、上記［実施例９〜１５］のものと全く同じであり、同様に初期化側および転写側信号欠落を評価するとともに、転写信号振幅を評価している。これらの評価の具体的な説明を省略する。
【０１５５】
そして、初期化側および転写側信号欠落個数およびその判断、転写信号の振幅およびその判断の結果を下記［表３］に示す。信号欠落および信号振幅の判断は、［表２］における判断と同様である。
【０１５６】
【表３】
2011070723.tif 000005
【０１５７】
上記［表３］の結果より、本発明［実施例１６〜２２］のように密着時に初期磁化方向に密着時磁界Ｈｍを印加するだけではなく、剥離時に初期磁化方向と逆方向に剥離時磁界Ｈｈを印加し、さらに剥離後の磁気記録媒体のみに初期磁化方向の追加磁界Ｈａを印加することで、初期化側の信号欠落個数を更に低減することができる。この追加磁界Ｈａの磁界強度が大きくなると、上記初期化側の信号欠落個数がほぼ０個となるが、転写側の信号欠落個数が増加する傾向にある。転写信号の振幅については、剥離時磁界Ｈｈの磁界強度を［表２］の好ましい範囲に設定していることで良好な特性を維持している。
【０１５８】
そして、上記追加磁界Ｈａの強度は、転写側の信号欠落個数が２０個以下となるよう磁気記録媒体の磁性層の反転磁界Ｈｎ（本例では１．２５ｋＯｅ）に対して、２倍以下（２．５ｋＯｅ以下）が好ましく、特に転写側の信号欠落個数を増加させない点ではこの反転磁界Ｈｎ（本例では１．２５ｋＯｅ）の１倍以下がより好ましい。さらに、追加磁界Ｈａの強度は、初期化側の信号欠落が０となるように、保磁力Ｈｃ（本例では５ｋＯｅ）の０．１倍以上の範囲、つまり［実施例１８〜２０］がより好ましい範囲となっている。
【符号の説明】
【０１５９】
１０    磁気記録媒体
１６    磁性層
２０    マスター担体
４２    基材
４４    凸部
４６    凹部
４８    磁性層
６０    磁界印加手段
６２    コア
６３    コイル
６４    ギャップ
Ｈｉ    初期磁界
Ｈｄ    記録用磁界
Ｈｍ    密着時磁界
Ｈｈ    剥離時磁界
Ｈａ    追加磁界
Ｈｎ    反転磁界
Ｈｓ    飽和磁界
Ｍｓ    飽和磁化
Ｈｃ    保磁力
【図１】
2011070723.tif 000006
【図２Ａ】
2011070723.tif 000007
【図３】
2011070723.tif 000008
【図４】
2011070723.tif 000009
【図５】
2011070723.tif 000010
【図６】
2011070723.tif 000011
【図７Ａ】
2011070723.tif 000012
【図２Ｂ】
2011070723.tif 000013
【図２Ｃ】
2011070723.tif 000014
【図７Ｂ】
2011070723.tif 000015
【図７Ｃ】
2011070723.tif 000016