(57)【要約】【課題】低コスト化を図れるフォースセンサパッケージ及びその製造方法を得る。【解決手段】基板表面に突設した受圧部を介して荷重を受けたときに変位し、該変位量を電気的に検出する複数のピエゾ抵抗素子が形成されたセンサ基板と、複数のピエゾ抵抗素子と電気的に接続する電気配線部が形成されたベース基板とを備え、センサ基板と接合したベース基板をパッケージ基板に接着固定してなるフォースセンサパッケージにおいて、パッケージ基板上のセンサ基板及びベース基板を封止樹脂で覆い、かつ、該封止樹脂表面をセンサ基板表面より低く設けた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に突設した受圧部を介して荷重を受けたときに変位し、該変位量を電気的に検出する複数のピエゾ抵抗素子が形成されたセンサ基板と、前記複数のピエゾ抵抗素子と電気的に接続する電気配線部が形成されたベース基板とを接合したセンサ構造部を有し、このセンサ構造部を、前記ベース基板を介してパッケージ基板に接着固定してなるフォースセンサパッケージにおいて、
前記パッケージ基板上のセンサ基板及びベース基板を封止樹脂で覆い、かつ、該封止樹脂表面をセンサ基板表面より低く設けたことを特徴とするフォースセンサパッケージ。
【請求項２】
請求項１記載のフォースセンサパッケージにおいて、前記ベース基板の電気配線部と前記パッケージ基板をボンディングワイヤーで電気的に接続し、このボンディングワイヤーを前記センサ基板表面より低く設けたフォースセンサパッケージ。
【請求項３】
請求項１または２記載のフォースセンサパッケージにおいて、前記パッケージ基板には、前記センサ構造部を接着固定した面とは反対側の面に、該センサ構造部の接着固定位置と平面的に重複させて、固定用端子が備えられているフォースセンサパッケージ。
【請求項４】
請求項３記載のフォースセンサパッケージにおいて、前記パッケージ基板には、前記固定用端子を備えた面に、該パッケージ基板と外部回路を電気的に接続するためのＳＭＤ端子が複数備えられ、この複数のＳＭＤ端子のいずれかと前記固定用端子を兼用させたフォースセンサパッケージ。
【請求項５】
基板表面に突設した受圧部を介して荷重を受けたときに変位し、該変位量を電気的に検出する複数のピエゾ抵抗素子が形成されたセンサ基板と、前記複数のピエゾ抵抗素子と電気的に接続する電気配線部が形成されたベース基板とを接合してなるセンサ構造部を多数形成する工程と、
前記多数のセンサ構造部を該センサ構造部のベース基板を介してパッケージ基板上に接着固定し、各センサ構造部において前記ベース基板の電気配線部と前記パッケージ基板を電気的に接続する工程と、
前記パッケージ基板上の多数のセンサ基板及びベース基板を封止樹脂で覆い、かつ、該封止樹脂表面をセンサ基板表面よりも低く設ける工程と、
前記パッケージ基板を、１つのセンサ構造部からなるパッケージ単位で切断する工程と、
を有することを特徴とするフォースセンサパッケージの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載のフォースセンサパッケージの製造方法において、前記封止工程は、
モールド金型の下金型に、前記多数のセンサ構造部を接着固定したパッケージ基板を設置するステップと、
モールド金型の上金型の前記パッケージ基板と対向する側の面に、前記受圧部の突出高さより大きな厚さを有する離型フィルムを装着するステップと、
前記上金型を下金型に接近させ、前記離型フィルムを前記多数のセンサ構造部の受圧部及びセンサ基板表面に当接させるステップと、
この当接状態で、前記離型フィルムと前記パッケージ基板との間に生じるキャビティに封止樹脂を充填するステップと、
この封止樹脂の硬化後に、前記離型フィルム及び上下金型を外すステップと、
を有するフォースセンサパッケージの製造方法。
【請求項７】
請求項５または６記載のフォースセンサパッケージの製造方法において、前記ベース基板の電気配線部と前記パッケージ基板をボンディングワイヤーで電気的に接続し、このボンディングワイヤーをセンサ基板表面よりも低く設けるフォースセンサパッケージの製造方法。
【請求項８】
請求項５ないし７のいずれか一項に記載のフォースセンサパッケージの製造方法において、前記パッケージ基板のセンサ構造部を接着固定した面とは反対側の面に、該センサ構造部の接着固定位置と平面的に重複させて、固定用端子を形成するフォースセンサパッケージの製造方法。
【請求項９】
請求項８記載のフォースセンサパッケージの製造方法において、前記パッケージ基板のセンサ構造部を接着固定した面とは反対側の面に、該パッケージ基板と外部回路を電気的に接続するためのＳＭＤ端子を複数形成し、この複数のＳＭＤ端子のいずれかを前記固定用端子と兼用に設けるフォースセンサパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷重測定用のフォースセンサパッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、モバイル機器のタッチパネルやコントローラ等のユーザーインターフェースに荷重測定用のフォースセンサが用いられている。フォースセンサは種々あるが、例えば図１１に示されるピエゾ抵抗方式では、ダイヤフラム部を有するシリコン基板１１０と、ダイヤフラム部上に設けた複数のゲージ抵抗からなるブリッジ回路（図示せず）と、ダイヤフラム部上に突設した球体からなる受圧部１１２とを備え、この受圧部１１２を介して受けた荷重に応じてダイヤフラム部が変位し、その変位量に応じてブリッジ回路の出力が変化することから荷重を検出している。従来構造のフォースセンサは、特許文献１にも記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特公平５−７７３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このフォースセンサは、プラスチック製ケース２０１に接着固定し、該ケース２０１に設けたリードフレーム１２６とシリコン基板１１０に形成したブリッジ回路の電極パッドをボンディングワイヤー１４０により接続した後にプラスチック製カバー２０２で覆い、該カバー２０２に設けた穴２０２ａから受圧部１１２のみを露出させることで、センサパッケージとしていた。しかし、プラスチック製ケース２０１及びカバー２０２を用いると、コストがかかりすぎてしまう。
【０００５】
本発明は、低コスト化を図れるフォースセンサパッケージ及びその製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、封止樹脂を用いれば受圧部を露出させた状態でセンサ構造部を覆うパッケージ構造を簡単かつ安価に実現できること、及び、センサ基板を封止樹脂で完全には覆わずにセンサ基板表面と封止樹脂表面の間に段差を設ければセンサ構造部に封止樹脂の影響を与えないことに着目して完成されたものである。
【０００７】
すなわち、本発明は、基板表面に突設した受圧部を介して荷重を受けたときに変位し、該変位量を電気的に検出する複数のピエゾ抵抗素子が形成されたセンサ基板と、前記複数のピエゾ抵抗素子と電気的に接続する電気配線部が形成されたベース基板とを接合したセンサ構造部を有し、このセンサ構造部を、前記ベース基板を介してパッケージ基板に接着固定してなるフォースセンサパッケージにおいて、前記パッケージ基板上のセンサ基板及びベース基板を封止樹脂で覆い、かつ、該封止樹脂表面をセンサ基板表面より低く設けたことを特徴としている。
【０００８】
前記ベース基板の電気配線部と前記パッケージ基板をボンディングワイヤーで電気的に接続する場合は、このボンディングワイヤーを前記センサ基板表面より低く設けることが実際的である。この態様によれば、ボンディングワイヤーは封止樹脂により完全に覆われて保護される。
【０００９】
前記パッケージ基板には、前記センサ構造部を接着固定した面とは反対側の面に、該センサ構造部の接着固定位置と平面的に重複させて、固定用端子が備えられてることが好ましい。この態様によれば、固定用端子を用いてパッケージ基板を固定することができ、荷重を受けるセンサ構造部を安定に支えられる。
【００１０】
また前記パッケージ基板には、前記固定用端子を備えた面に、該パッケージ基板と外部回路を電気的に接続するためのＳＭＤ端子が複数備えられ、この複数のＳＭＤ端子のいずれかと前記固定用端子を兼用させることができる。
【００１１】
また本発明は、製造方法の態様によれば、基板表面に突設した受圧部を介して荷重を受けたときに変位し、該変位量を電気的に検出する複数のピエゾ抵抗素子が形成されたセンサ基板と、前記複数のピエゾ抵抗素子と電気的に接続する電気配線部が形成されたベース基板とを接合してなるセンサ構造部を多数形成する工程と、前記多数のセンサ構造部を該センサ構造部のベース基板を介してパッケージ基板上に接着固定し、各センサ構造部において前記ベース基板の電気配線部と前記パッケージ基板を電気的に接続する工程と、前記パッケージ基板上の多数のセンサ基板及びベース基板を封止樹脂で覆い、かつ、該封止樹脂表面をセンサ基板表面よりも低く設ける工程と、前記パッケージ基板を、１つのセンサ構造部からなるパッケージ単位で切断する工程とを有することを特徴としている。
【００１２】
前記封止工程は、モールド金型の下金型に、前記多数のセンサ構造部を接着固定したパッケージ基板を設置するステップと、モールド金型の上金型の前記パッケージ基板と対向する側の面に、前記受圧部の突出高さより大きな厚さを有する離型フィルムを装着するステップと、前記上金型を前記下金型に接近させ、前記離型フィルムを前記多数のセンサ構造部の受圧部及びセンサ基板表面に当接させるステップと、この当接状態で、前記離型フィルムと前記パッケージ基板との間に生じるキャビティに封止樹脂を充填するステップと、この封止樹脂の硬化後に、前記離型フィルム及び上下金型を外すステップとを有することが好ましい。この一括モールド工程によれば、単一のパッケージ基板上で多数のセンサ構造部を同時に封止でき、生産性が向上する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、パッケージ基板上のセンサ基板及びベース基板を覆う封止樹脂の表面をセンサ基板表面より低く設けたので、受圧部がパッケージ表面に露出するパッケージ構造を容易かつ安価で実現でき、かつ、封止樹脂がセンサ特性に悪影響を及ぼすこともない。これにより、低コスト化を図れるフォースセンサパッケージ及びその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明を適用したフォースセンサパッケージの一実施形態を示す断面図である。
【図２】同フォースセンサパッケージを示す外観斜視図である。
【図３】センサ基板の裏面（接合面）を示す平面図である。
【図４】ベース基板の表面（接合面）を示す平面図である。
【図５】パッケージ基板の外面の端子部を示す平面図である。
【図６】パッケージ端子の変形例（ａ）〜（ｃ）を示す平面図である。
【図７】本発明によるフォースセンサパッケージの製造方法の一工程を示す断面図である。
【図８】図７の次工程を示す断面図である。
【図９】図８の次工程を示す断面図である。
【図１０】図９の次工程を示す断面図である。
【図１１】従来構造のフォースセンサパッケージを示す（ａ）斜視図、（ｂ）断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１は本発明を適用したフォースセンサパッケージの一実施形態を示す断面図、図２はフォースセンサパッケージを示す外観斜視図、図３はセンサ基板の裏面（ベース基板との接合面）を示す平面図、図４はベース基板の表面（センサ基板との接合面）を示す平面図、図５はパッケージ基板の外面の端子部を示す平面図である。
【００１６】
フォースセンサパッケージ１は、ピエゾ抵抗方式のフォースセンサを封止樹脂５０で封止したモールドパッケージであって、パッケージ基板３０上に、対をなすセンサ基板１０とベース基板２０を接合してなるセンサ構造部を備えている。
【００１７】
センサ基板１０は、平面矩形状で巨視的に見て凹凸のない一定厚さのシリコン基板からなり、その基板中央部が荷重を受けて変位する変位部１１を構成している。センサ基板表面１０ａには、図１、図２に示されるように、外部からの荷重を受ける受圧部１２が設けられている。受圧部１２は、変位部１１の上に隆起した円柱状の凸受圧部であり、その上面周縁に丸め加工（Ｒ加工）が施されていると好ましい。この受圧部１２は、ニッケル合金またはシリコン（センサ基板１０と同一材質）からなる。受圧部１２は省略可能であるが、変位部１１上に受圧部１２を設けることでセンサ感度を安定させることができる。一方、センサ基板裏面１０ｂには、図１、図３に示されるように、歪検出素子としての複数のピエゾ抵抗素子１３と、変位部１１を変位自在に支持する支持部（センサ側支持部）１４と、複数のピエゾ抵抗素子１３と電気的に接続した複数の電気接続部（センサ側電気接続部）１５と、ピエゾ抵抗素子１３と電気接続部１５間を接続する回路配線部１６とが設けられている。図３は、ピエゾ抵抗素子１３、支持部１４、電気接続部１５及び回路配線部１６の平面的な位置関係を示すもので、全てを実線で描いている。
【００１８】
複数のピエゾ抵抗素子１３は、変位部１１の周縁部に沿って、隣り合う素子同士が９０°異なる位相（互いに直交する位置関係）で配置されている。受圧部１２で受けた荷重により変位部１１が変位すると、その変位量に応じて複数のピエゾ抵抗素子１３の電気抵抗が変化し、この複数のピエゾ抵抗素子１３によって構成されたブリッジ回路の中点電位が変化し、この中点電位がセンサ出力として公知の測定装置に出力される。
【００１９】
支持部１４は、センサ基板裏面１０ｂに突出形成され、変位部１１の周縁部に沿って配置した複数のピエゾ抵抗素子１３よりも基板周縁側（外側）で、かつ、少なくとも一部が複数のピエゾ抵抗素子１３と平面的に重複するように位置している。本実施形態の支持部１４は、図３に示すように平面環状（閉じた内周エッジを有する平面形状）をなし、変位部１１の平面中心に関して対称な位置関係にあるので変位部１１を安定に支持することができる。この支持部１４は、下地層とＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｆｅ、Ａｕのいずれかまたは２つ以上を含む合金または２層以上の積層膜からなる金属接合層との積層構造で形成されている。支持部１４の平面形状は閉じた形状であれば任意である。
【００２０】
複数の電気接続部１５は、上記支持部１４と同様にセンサ基板裏面１０ｂに突出形成され、該支持部１４よりもさらに基板周縁側（外側）に位置している。本実施形態では図３に示すように、各電気接続部１５が円柱状をなし、平面矩形状をなすセンサ基板裏面１０ｂの４つの角部にそれぞれ配置されている。複数の電気接続部１５は、センサ基板１０の対角線上で対向する一対が変位部１１の平面中心に関して対称な位置関係にあるので、変位部１１を安定に支持することができる。各電気接続部１５は、下地層と、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｆｅ、Ａｕのいずれかまたは２つ以上を含む合金または２層以上の積層膜からなる金属接合層との積層構造で形成されている。この複数の電気接続部１５は、センサ基板裏面１０ｂに形成された回路配線部１６を介して、複数のピエゾ抵抗素子１３と電気的に接続されている。複数のピエゾ抵抗素子１３と回路配線部１６は、絶縁膜１７により覆われてセンサ基板裏面１０ｂに露出しない。この複数の電気接続部１５の平面形状も任意である。
【００２１】
ベース基板２０は、平面矩形状で巨視的に見て凹凸のない一定厚さのシリコン基板からなり、センサ基板１０を接合して支持する支持基板である。このベース基板２０は、図４に示すように、センサ基板１０との接合面となる表面２０ａに、センサ基板１０の支持部１４に対応する平面環状（閉じた内周エッジを有する平面形状）の支持部２４と、センサ基板１０の複数の電気接続部１５に対応する円柱状の複数の電気接続部２５と、各電気接続部２５から引き出した電気配線の端部にワイヤーボンディング可能に形成した複数の電極パッド２６とを備えている。センサ基板１０との電気配線部は、電気接続部２５及び複数の電極パッド２６により構成されている。支持部２４及び複数の電気接続部２５は、ベース基板表面２０ａに突出形成されていて、センサ基板１０の支持部１４及び複数の電気接続部１５と同様に、下地層と、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｆｅ、Ａｕのいずれかまたは２つ以上を含む合金または２層以上の積層膜からなる金属接合層との積層構造で形成されている。電極パッド２６は、下地層と、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｆｅ、Ａｕのいずれかまたは２つ以上を含む合金または２層以上の積層膜からなる金属接合層と、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｌ等からなるメッキ金属層とによる積層構造で形成されている。支持部２４、複数の電気接続部２５及び電極パッド２６の各々の下地層及び金属接合層は同時に形成されたものである。
【００２２】
上記センサ基板１０とベース基板２０は、互いの支持部１４、２４及び互いの複数の電気接続部１５、２５を接合することにより一体化されて、センサ構造部を形成する。このセンサ構造部は、ベース基板２０がパッケージ基板３０上にダイボンディングされ、ベース基板２０に設けた複数の電極パッド２６がボンディングワイヤー４０によってパッケージ基板３０の複数の中継電極パッド３６にそれぞれ接続され、この複数の中継電極パッド３６を介して、パッケージ基板３０の外面（センサ構造部を接着固定した面とは反対側の面）に設けた複数のＳＭＤ端子３１と電気的に接続されている。すなわち、センサ構造部は、パッケージ基板３０を介して外部実装可能な状態となっている。
【００２３】
ボンディングワイヤー４０は、センサ基板表面１０ａよりも低く設けてある。ボンディングワイヤー４０は、ベース基板２０の電極パッド２６との接続側に、ベース基板表面２０ａから１００〜１５０μｍ程度起立する湾曲部を有しており、該湾曲部でその表面高さが最も高くなる。これに対し、センサ基板１０の基板厚さは、ベース基板２０との表面高さの差が２００〜２５０μｍ程度となるように設定してある。
【００２４】
パッケージ基板３０の外面には、図５に示すように、パッケージ端子として上記複数のＳＭＤ端子３１と固定用端子（半田付け端子）３２が形成されている。複数のＳＭＤ端子３１は平面矩形状をなすパッケージ基板３０の角部にそれぞれ配置され、固定用端子３２は、複数のＳＭＤ端子３１で囲まれた中央部に設けられ、図５の破線で示すセンサ構造部（ベース基板２０）の接着固定位置と平面的に重複している。固定用端子３２を用いてパッケージ基板３０を固定することで、外部からの荷重を受けるセンサ構造部を安定に支えられる。固定用端子３２は、グランド端子として用いてもよい。
【００２５】
パッケージ基板３０の外面に設けるパッケージ端子の配置態様は、適宜変形可能である。図６はパッケージ端子の変形例を示している。図６（ａ）は破線で示されるセンサ構造部（ベース基板２０）の接着固定位置を図５の実施例と９０°異ならせた変形例、図６（ｂ）は図５のＳＭＤ端子３１ｘと固定用端子３２を連続させ、ＳＭＤ端子と固定用端子の両方を兼ねた兼用端子３３を設けた変形例、図６（ｃ）は図６（ａ）のＳＤＭ端子３１ｘと固定用端子３２を連続させ、ＳＭＤ端子と固定用端子の両方を兼ねた兼用端子３３を設けた変形例である。
【００２６】
封止樹脂５０は、その封止樹脂表面５０ａがセンサ基板表面１０ａよりも１０〜１００μｍ程度低くなるように設定され、パッケージ基板３０上のセンサ基板１０及びベース基板２０を覆っている。すなわち、パッケージ表面には受圧部１２を含むセンサ基板表面１０ａのみが露出する。封止樹脂５０をセンサ基板表面１０ａより低く設けることで、該センサ基板表面１０ａにおいてセンサ基板１０の基板周縁が開放されるので、封止樹脂５０によって変位部１１の変位を妨げることがなく、また、封止樹脂５０の硬化時に生じる圧縮応力によってセンサ基板１０を歪ませ、該歪みによりセンサ特性（センサ感度及びブリッジ回路の出力ゼロ点）が変動してしまうという事態を回避できる。
【００２７】
また、封止樹脂５０により、センサ基板１０とベース基板２０の接合及びベース基板２０とパッケージ基板３０の接合が強化されるとともに、センサ基板表面１０ａより低く設けたボンディングワイヤー４０は完全に覆われて露出せず、配線接続の信頼性を確保できる。
【００２８】
次に、図７〜図１０を参照し、本発明によるフォースセンサパッケージの製造方法について説明する。図７〜図１０は、フォースセンサパッケージの製造方法の一工程を示す断面図である。
【００２９】
先ず、上述の受圧部１２、複数のピエゾ抵抗素子１３、支持部１４、複数の電気接続部１５、回路配線部１６及び絶縁膜１７を形成したセンサ基板１０（図３）と、上述の支持部２４、複数の電気接続部２５及び複数の電極パッド２６を形成したベース基板２０（図４）を互いの支持部１４、２４及び複数の電気接続部１５、２５を平面的に一致させて接合し、センサ構造部を多数形成する。本実施形態の支持部１４、２４は平面環状で形成してあるので、接合により支持部１４、２４で囲まれた空間が封止される。
【００３０】
次に、上述の複数のＳＭＤ端子３１、固定用端子３２及び複数の中継電極パッド３６からなるパッケージ構造部を多数形成した単一のパッケージ基板（図１及び図５）を用意する。
【００３１】
次に、図７に示すように、多数のセンサ構造部をパッケージ基板３０上に接着固定し、ベース基板２０の複数の電極パッド２６とパッケージ基板３０の複数の中継電極パッド３６をボンディングワイヤー４０により電気的に接続する。ここで、センサ構造部の接着固定は、ベース基板２０をパッケージ基板３０に接着固定することで行う。また、ボンディングワイヤー４０は、その表面高さをセンサ基板表面１０ａより低くなるように設ける。本実施形態では、ボンディングワイヤー４０をベース基板２０の電極パッド２６との接続側で該ベース基板表面２０ａから上方に１００〜１５０μｍ程度起立させて接続するが、ベース基板２０とセンサ基板１０の表面高さの差を２００〜２５０程度確保してあるので、ボンディングワイヤー４０の高さはセンサ基板表面１０ａよりも確実に低くなる。
【００３２】
続いて、図８に示すように、多数のセンサ構造部を接着固定したパッケージ基板３０をモールド金型の下金型６１に設置し、上金型６２の該多数のセンサ構造部のセンサ基板１０と対向する面（図の下面）に、シート状の離型フィルム７０を装着する。離型フィルム７０は、弾性変形可能であって、センサ基板表面１０ａに突設した受圧部１２の突出高さよりも大きな厚さを有している。本実施形態では、受圧部１２の突出高さが５０〜１５０μｍ程度であるので、厚さ１００〜３００μｍ程度の離型フィルム７０を用いる。この離型フィルム７０を装着した状態で上下金型６１、６２を押し当てると、パッケージ基板３０上で表面高さが最も高くなる受圧部１２に離型フィルム７０が押し当てられる。上述のように離型フィルム７０の厚さは受圧部１２とセンサ基板表面１０ａの表面高さの差よりも大きいので、離型フィルム７０は、受圧部１２の側面からセンサ基板表面１０ａに沿い、さらにセンサ基板１０の外周ではセンサ基板表面１０ａよりも下方にフィルム下面７０ａが位置する。本実施形態では、フィルム下面７０ａがセンサ基板表面１０ａよりも１０〜１００μｍ程度下方に位置するように、上下金型６１、６２の押圧を調整している。
【００３３】
続いて、モールド金型の下金型６１と上金型６２の間に形成した不図示の樹脂注入口から、図９に示すように離型フィルム６０とパッケージ基板３０との間に生じるキャビティに封止樹脂５０を充填する。封止樹脂５０が硬化したら、上下金型６１、６２とともに離型フィルム７０を外す。封止樹脂５０には、例えばエポキシ系樹脂またはフィラーを混入したエポキシ系樹脂を用いる。上述のように受圧部１２及びセンサ基板表面１０ａには離型フィルム７０が弾性変形した状態で押し当てられ、センサ基板表面１０ａの外周ではフィルム下面７０ａがセンサ基板表面１０ａより下方に位置しているので、センサ基板表面１０ａに封止樹脂５０が入り込むことはなく、封止樹脂表面５０ａはセンサ基板表面１０ａより低くなる。図８〜図１０のトランスファーモールド工程により、単一のパッケージ基板３０上で多数のセンサ基板１０、ベース基板２０及びボンディングワイヤー４０が一括封止され、封止樹脂５０外には受圧部１２を含むセンサ基板表面１０ａのみが露出する。
【００３４】
そして、図１０に示すように、１つのセンサ構造部（対をなすセンサ基板１０とベース基板２０）からなるパッケージ単位でパッケージ基板３０を切断する。これにより、図１に示すフォースセンサパッケージ１が多数同時に得られる。
【００３５】
以上の本実施形態によれば、パッケージ表面に受圧部１２を露出させ、受圧部１２を除くセンサ基板１０、ベース基板２０及びボンディングワイヤー４０を保護して外方に露出させないパッケージ構造を封止樹脂５０により実現しているので、プラスチック製のパッケージケースを用いる従来に比べて、簡単な構成及び製造工程で済み、低コスト化及び生産性の向上を図れる。また本実施形態によれば、封止樹脂表面５０ａをセンサ基板表面１０ａより低く設定したので、封止樹脂５０によって変位部１１の変位を妨げることがなく、また、封止樹脂５０の硬化時に生じる圧縮応力によってセンサ基板１０を歪ませ、該歪みによりセンサ特性が変動してしまうという事態を回避できる。なお、実施形態における各部の寸法例は、現状での一例を示すものであり、この寸法に限定されないことは勿論である。
【符号の説明】
【００３６】
１    センサパッケージ
１０    センサ基板
１０ａ  センサ基板表面
１０ｂ  センサ基板裏面
１１    変位部
１２    受圧部
１３    ピエゾ抵抗素子
１４    支持部
１５    電気接続部
１６    回路配線部
２０    ベース基板
２０ａ  ベース基板表面
２４    支持部
２５    電気接続部
２６    電極パッド
３０    パッケージ基板
３１    ＳＭＤ端子
３２    固定用端子
３６    中継電極パッド
４０    ボンディングワイヤー
５０    封止樹脂
６１    上金型
６２    下金型
７０    離型フィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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