(57)【要約】【課題】電界発光素子の構成部材から生じた水分や酸素等が、発光層を含む有機化合物層に拡散して電界発光素子特性を劣化させる現象を抑制すると共に、電極間の短絡による発光不良を防ぐ電界発光表示装置を提供する。【解決手段】基板と、光反射層と金属酸化物層からなる下部電極と、有機化合物層と、上部電極と、がこの順に積層された電界発光素子を有する電界発光表示装置であって、金属酸化物層は、電気抵抗の異なる２つの金属酸化物層で構成され、電気抵抗の高い金属酸化物層は、電気抵抗の低い金属酸化物層の外周に接しており、電気抵抗の低い金属酸化物層は、金属酸化物層成膜後に電気抵抗を低くしたことを特徴とする電界発光表示装置。【選択図】図１
2011070987.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に複数配置され、光反射層と金属酸化物層からなる下部電極と、少なくとも発光層を含む有機化合物層と、上部電極と、がこの順に積層された電界発光素子を有する電界発光表示装置であって、
前記金属酸化物層は、電気抵抗の異なる２つの金属酸化物層で構成され、電気抵抗の高い金属酸化物層は、電気抵抗の低い金属酸化物層の外周に接しており、前記電気抵抗の低い金属酸化物層は、前記金属酸化物層成膜後に電気抵抗を低くしたことを特徴とする電界発光表示装置。
【請求項２】
前記光反射層の端面は、前記電気抵抗の高い金属酸化物層と接し、前記電気抵抗の低い金属酸化物層には接していないことを特徴とする請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項３】
基板と、
該基板上に複数配置され、光反射層と金属酸化物層からなる下部電極と、少なくとも発光層を含む有機化合物層と、上部電極と、がこの順に積層された電界発光素子を有する電界発光表示装置の製造方法であって、
前記製造方法は、前記光反射層の端面を除く前記光反射層上に位置する前記金属酸化物層を還元性ガスあるいはプラズマ雰囲気中に曝露して、曝露前より電気抵抗を低くする処理工程を含むことを特徴とする電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界発光素子の劣化を進行させる原因のひとつとして、発光層を含む有機化合物層への水分や酸素などのガス成分の浸入が知られている。該有機化合物層に水分やガス成分が浸入した箇所は非発光状態となり、発光輝度の低下、発光効率の低下、非発光画素の発生などの劣化が進行する。そのため電界発光素子は、ガス透過性の低い材料もしくは構造体で封入／封止することにより周辺環境から浸入する該電界発光素子への水分やガス成分を極めて小さく抑えこんでいる。
【０００３】
しかし、電界発光素子の構成部材に樹脂材料を用いる場合には、樹脂材料に含まれる水分やガス成分が問題となる。封止された電界発光素子の内部で樹脂材料から水分やガス成分が放出されると、周辺環境から浸入した場合と同様に、電界発光素子の劣化が進行する。
【０００４】
特許文献１の電界発光表示装置では、樹脂材料からなる画素間分離膜に対して、基板加熱、減圧雰囲気による脱水・脱ガス処理を施した後、有機発光層が形成されている。即ち画素間分離膜が保持している水分やガス成分の一部は、基板加熱と減圧雰囲気により画素間分離膜から除去される。この一連の処理は有機発光層に侵入する水分やガス成分を極力少なくし、発光素子の劣化を抑制することを目的としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３５３１５９７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１における基板加熱及び減圧雰囲気による処理手段も、画素間分離膜内部で強く吸着している水分やガス成分に対しては、素子劣化を軽減する効果に留まる。
【０００７】
また、電界発光素子の作製後に、該電界発光素子自体の発光に伴う熱や光、該電界発光素子の使用環境も、構成部材の材料分解を促して、新たな水分やガス成分を発生させる。これらの水分やガス成分もまた、発光素子に侵入すると、輝度の低下、発光効率の低下、非発光画素の発生などの劣化を進行させる。
【０００８】
そこで、本発明は、電界発光素子の構成部材から生じた水分や酸素等が発光層を含む有機化合物層に拡散して電界発光素子特性を劣化させる現象を抑制すると共に、電極間の短絡による発光不良を防ぐ電界発光表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、基板と、該基板上に複数配置され、光反射層と金属酸化物層からなる下部電極と、少なくとも発光層を含む有機化合物層と、上部電極と、がこの順に積層された電界発光素子を有する電界発光表示装置であって、前記金属酸化物層は、電気抵抗の異なる２つの金属酸化物層で構成され、電気抵抗の高い金属酸化物層は、電気抵抗の低い金属酸化物層の外周に接しており、前記電気抵抗の低い金属酸化物層は、前記金属酸化物層成膜後に電気抵抗を低くしたことを特徴とする電界発光表示装置を提供するものである。
【００１０】
また、本発明は、基板と、該基板上に複数配置され、光反射層と金属酸化物層からなる下部電極と、少なくとも発光層を含む有機化合物層と、上部電極と、がこの順に積層された電界発光素子を有する電界発光表示装置の製造方法であって、前記製造方法は、前記光反射層の端面を除く前記光反射層上に位置する前記金属酸化物層を還元性ガスあるいはプラズマ雰囲気中に曝露して、曝露前より電気抵抗を低くする処理工程を含むことを特徴とする電界発光表示装置の製造方法を提供するものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の電界発光表示装置及びその製造方法によれば、電界発光素子の構成部材から生じた水分や酸素等が発光層を含む有機化合物層に拡散して電界発光素子特性を劣化させる現象を抑制すると共に、電極間の短絡による発光不良を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施例１の電界発光表示装置を示す図である。
【図２−１】実施例１の電界発光表示装置の製造工程を示す図である。
【図２−２】実施例１の電界発光表示装置の製造工程を示す図である。
【図３】実施例２の電界発光表示装置を示す図である。
【図４−１】実施例２の電界発光表示装置の製造工程を示す図である。
【図４−２】実施例２の電界発光表示装置の製造工程を示す図である。
【図４−３】実施例２の電界発光表示装置の製造工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明は、基板と、該基板上に複数配置され、光反射層と金属酸化物層からなる下部電極と、少なくとも発光層を含む有機化合物層と、上部電極と、がこの順に積層された電界発光素子を有する電界発光表示装置及びその製造方法である。
【００１４】
本発明の電界発光表示装置は、光反射層、金属酸化物層及び有機化合物層が次のような構成をとることを特徴とする。その構成とは、金属酸化物層が、電気抵抗の異なる２つの金属酸化物層で構成され、電気抵抗の高い金属酸化物層が、電気抵抗の低い金属酸化物層の外周に接している構成である。また、電気抵抗の低い金属酸化物層は、金属酸化物層成膜後に電気抵抗を低くしたことを特徴とする。
【００１５】
本発明の電界発光表示装置の製造方法は、光反射層の端面を除く光反射層上の金属酸化物層を還元性ガスあるいはプラズマ雰囲気中に曝露し、光反射層の端面を除く光反射層上の金属酸化物層の電気抵抗を曝露前より低くする処理工程を含むことを特徴とする。
【００１６】
本発明の下部電極は、光反射層と金属酸化物層の順で積層された構成から成る。
【００１７】
光反射層は下部電極の構成部品の一つであり、薄膜トランジスタとコンタクトホールを通じて接続される。光反射層は可視波長域に対する反射性が高く、かつ電気抵抗の低い特性の材料が好ましい。具体的には、銀、アルミニウム、マグネシウム、珪素、クロム等の金属単体あるいは前記金属を主成分とする合金等が挙げられる。
【００１８】
金属酸化物層は、該層が還元処理された部位において下部電極の構成部品の一つとなり、また該層が未還元の部位において上部電極と光反射層との電気短絡を防ぐ機能を担う。金属酸化物層は可視波長域に対する透過性を持ち、かつ該層への還元処理あるいは不純物添加により電気抵抗値を大きく制御できる特性の材料が好ましい。具体的にはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）等の公知の透光性酸化物半導体を使用することができる。
【００１９】
本発明で用いる還元性ガス及び還元性プラズマとは、金属酸化物中に酸素空乏の生成を促す気体をいう。還元性ガスとして、例えば水素ガスが挙げられる。
【００２０】
本発明において、低抵抗化された金属酸化物層の直上にホール注入層を形成してもよい。ホール注入層としては、有機材料や導電性酸化物等を用いることが可能である。
【実施例】
【００２１】
以下、本発明の実施例及び本発明の製造方法によって製造される電界発光表示装置の具体的な態様について詳細に説明する。
【００２２】
＜実施例１＞
図１は、本発明の製造方法で製造される電界発光表示装置の第一の態様を示す断面模式図である。
【００２３】
図１の電界発光表示装置１００は、基板１０上に、光反射層１０７と、金属酸化物層１０９並びに１１０と、有機化合物層１１２と、上部電極１１３と、の順に積層されてなる電界発光素子１１が形成されている。また、図１の電界発光表示装置１００は、平面的に見ると、発光領域１ａと画素間領域１ｂとで構成されている。
【００２４】
基板１０は、ガラス等からなる基材１０１と、基材１０１上に設けられる薄層トランジスタ（ＴＦＴ）１０２並びに配線１０３と、基材１０１とＴＦＴ１０２と配線１０３上に設けられる絶縁層１０４と、からなる。なおＴＦＴ１０２の上部は、コンタクトホール１０６ａによって絶縁層１０４から露出している。
【００２５】
平坦化層１０５は、基材１０１上のＴＦＴ１０２、配線１０３や絶縁層１０４を形成したときに生じる凹凸を平坦化するために設けられる。
【００２６】
光反射層１０７は平坦化層１０５上に設けられる。光反射層１０７は、コンタクトホール１０６ａを介してＴＦＴ１０２と電気接続されている。
【００２７】
金属酸化物層１０９及び１１０はその作製の過程で、光反射層１０７及び平坦化層１０５上に、可視波長域の透過性を持ち、かつ電気抵抗値の高い金属酸化物層を成膜する工程を経る。金属酸化物層を成膜する方法は、スパッタ法、真空蒸着法等の公知の方法を採用できる。
【００２８】
電気抵抗の高い金属酸化物層１０９は、白点線で示される光反射層の端面１０７ａを含む画素間領域１ｂに当たる部位に形成される。
【００２９】
一方、電気抵抗の低い金属酸化物層１１０は、光反射層１０７上で、かつ発光領域１ａに当たる部位に形成される。電気抵抗の低い金属酸化物層１１０は、光反射層１０７及び平坦化層１０５上への金属酸化物層の形成後、還元性ガス雰囲気あるいはプラズマ状態での還元処理によって、所望領域の電気抵抗を低下させる。本発明の電界発光表示装置において、電界発光素子の発光領域１ａは電気抵抗の低い金属酸化物層１１０の形状によって規定される。従来の電界発光表示装置において電界発光素子の発光領域を規定する機能は、画素間分離膜によって果たされている。
【００３０】
従って本発明の電界発光表示装置１００は、上記の手段により金属酸化層の電気抵抗の制御と発光領域の規定を行うため、画素間分離膜は必要なくなる。
【００３１】
本発明の電界発光表示装置１００は画素間分離膜を含まない構成であるため、発光層を含む有機化合物層に対して、電界発光素子を構成する部材から生ずる水分や酸素等の拡散経路は閉ざされており、電界発光素子特性の劣化を抑制する。
【００３２】
さらに、従来の電界発光表示装置において、下部電極と画素間分離膜との境界部の段差によって発光層を含む有機化合物層の蒸着不良を生じやすい。
【００３３】
一方、本発明の電界発光表示装置１００において、電界発光素子の発光領域１ａと画素間領域１ｂとの境界部、即ち金属酸化物層１０９と１１０との段差はなく、両層に跨って蒸着される有機化合物層１１２の蒸着欠陥が生じにくい。
【００３４】
このように金属酸化物層成膜後に該層の電気抵抗を制御する構成は、発光寿命特性に優れ、下部及び上部電極間の短絡による発光不良が少ない電界発光表示装置を提供できる。
【００３５】
有機化合物層１１２は、各画素における電気抵抗の低い金属酸化物層１１０の全域及びその外周の電気抵抗の高い金属酸化物層１０９を覆って設けられる。有機化合物層１１２は、少なくとも発光層を有しており、その層構成については限定されない。
【００３６】
上部電極１１３は、電気抵抗の高い金属酸化物層１０９、有機化合物層１１２及びコンタクトホール１０６ｂ上の導電層１０８ａ並びに１１１ａを覆って設けられる。
【００３７】
図１の電界発光表示装置１００は、封止ガラス１１６の脚部にシール剤１１５を塗布して、該脚部が電界発光表示装置１００の表示領域外に配置されるよう封止ガラス１１６と貼り合せて、表示装置自体を封止している。
【００３８】
封止ガラス１１６は、電界発光素子１１を大気中の酸素、水分から保護するため、掘り込み部に吸湿剤１１５が塗布される。
【００３９】
次に、図１の電界発光表示装置の具体的な製造方法を説明する。
【００４０】
［工程１：ＴＦＴ及び絶縁保護層の形成］
ガラス等からなる基材１０１上にＴＦＴ１０２及び配線１０３を形成した後、ＴＦＴ１０２の上部以外の部分を埋めるように、絶縁層１０４を形成する。ここでＴＦＴ１０２、配線１０３及び絶縁層１０４の形成方法としては公知の方法を採用することができる。
【００４１】
［工程２：平坦化層の形成］
ＴＦＴ１０２、配線１０３及び絶縁層１０４を覆うように平坦化層１０５となる薄膜を形成する。平坦化層１０５となる薄膜はオリゴマー材料をスピンコート法で基板１０上に塗布した後、このオリゴマー材料を焼成・硬化することにより形成される。オリゴマー材料は例えばフォトニーズ（フォトニーズは東レ株式会社の商品名）、オプトマー（オプトマーはＪＳＲ株式会社の商品名）、Ｖ−２５９ＰＡ（Ｖ−２５９ＰＡは新日鐵化学株式会社の商品名）等が挙げられる。平坦化層１０５となる薄膜を形成するときは、焼成・硬化の工程が終わった後、基板１０の表面を水洗し、１Ｐａ以下の減圧環境下で保管するのが好ましい。
【００４２】
［工程３：コンタクトホールの形成］
ＴＦＴ１０２と反射層１０７、及び上部電極１１３と電界発光表示装置の外部電源との通電を図るため、平坦化層１０５にコンタクトホール１０６ａ、１０６ｂ及び１０６ｃを形成する。
【００４３】
まず、平坦化層１０５上にフォトレジストをスピンコート法により１μｍの厚さで成膜する。このフォトレジスト層に対して、コンタクトホール１０６ａ、１０６ｂ及び１０６ｃを配置する部位が開口部となる露光並びに現像処理を行う。このように作成したフォトレジスト層をマスクとして、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）により、平坦化層１０５へのドライエッチング処理を行い、その後フォトレジスト層をウェットプロセスで取り除く。
【００４４】
［工程４：光反射層及びコンタクトホール金属層の形成］
コンタクトホール１０６ａ、１０６ｂ及び１０６ｃを形成した後、光反射層１０７及びコンタクトホール金属層１０８ａ及び１０８ｂを所望の位置に所望の形状で形成する。
【００４５】
まず、図２−１（ａ）に示すように、スパッタ法によりアルミニウム及び珪素合金からなる金属層２０１を形成した。金属層２０１の膜厚は特に限定されないが、好ましくは１００ｎｍ程度である。
【００４６】
次に金属層２０１上にフォトレジストをスピンコート法により１μｍの厚さで成膜する。このフォトレジスト層に対して、光反射層１０７、コンタクトホール金属層１０８ａ及び１０８ｂを配置する部位が被覆部となるよう露光並びに現像処理を行う。
【００４７】
続いてウェットエッチングで、光反射層１０７、コンタクトホール金属層１０８ａ及び１０８ｂの形状を形成して、その後フォトレジスト層を取り除く。
【００４８】
［工程５：金属酸化物層の成膜］
光反射層１０７、コンタクトホール金属層１０８ａ及び１０８ｂを形成した後、図２−１（ｂ）に示すように、金属酸化物層３０１を成膜する。金属酸化物層３０１は、平坦化層１０５及び光反射層１０７を覆うように成膜する。また後述する金属酸化物層３０１の低電気抵抗化処理を行うならば、コンタクトホール金属層１０８ａ及び１０８ｂ上を覆って形成してよい。金属酸化物層３０１は、ＺｎＯ焼結ターゲット及びＡｌ2Ｏ3焼結ターゲットを用いた酸素ガス雰囲気のＡｒスパッタによって、ＺｎＯ：Ａｌ2Ｏ3膜を基板３０上に堆積した。成膜時の条件は下記のとおりである。
スパッタ時真空度：１．１×１０-2Ｐａ（８．０×１０-５Ｔｏｒｒ）
酸素ガス量：１ｓｃｃｍ
【００４９】
金属酸化物層３０１となる薄膜の膜厚は特に限定されるものではないが、好ましくは、１４０ｎｍ程度である。
【００５０】
［工程６：金属酸化物層の低電気抵抗化処理］
電界発光表示装置の発光領域を定めると共に、光反射層１０７と上部電極１１３との間の短絡を防ぐ目的で、光反射層１０７上の金属酸化物層３０１に対して、以下に示す低抵抗化処理を施す。
【００５１】
まず、図２−１（ｃ）に示すように、金属酸化物層３０１上にフォトレジストをスピンコート法により１μｍの厚さで成膜する。このフォトレジスト層に対して、発光領域となる部位が開口部となる露光並びに現像処理を行う。つまり、発光領域となる部位４ａはフォトレジスト層が除かれ、画素間領域となる部位４ｂはフォトレジスト層４０１が残される。また工程５において金属酸化物層３０１がコンタクトホール金属層１０８ａ及び１０８ｂ上を覆う構成を採用した場合は、コンタクトホール金属層１０８ａ及び１０８ｂの直上が開口部と成るよう、フォトレジスト層に対して露光並びに現像処理を行う。
【００５２】
図２−１（ｄ）は、金属酸化物層への還元処理による低電気抵抗化を行っている基板を示す断面図である。
【００５３】
フォトレジスト層に対する露光及び現像処理後、図２−１（ｄ）に示すように、上記の基板を下記の条件で水素ガスプラズマ雰囲気に投入して、還元処理した。ただし本発明は下記条件に限定されるものではない。
処理雰囲気ガスの圧力：２００Ｐａ
パワー密度：５０ｍＷ／ｃｍ2
還元処理時間：１分
【００５４】
金属酸化物層の低電気抵抗化処理を行った後、フォトレジスト層を除去する。
【００５５】
図２−２（ｅ）は金属酸化物層の低電気抵抗化処理を施した基板の断面図である。
【００５６】
還元処理後、図２−２（ｅ）に示すように、電気抵抗の低い金属酸化物層１１０、１１１ａ並びに１１１ｂが形成される。図２−２（ｅ）に示すように、電気抵抗の低い金属酸化物層１１０は光反射層の端面１０７ａを覆わず、電気抵抗の高い金属酸化物層１０９は光反射層の端面１０７ａを覆う構造と成っている。前述の金属酸化物層１０９及び１１０は、金属酸化物層３０１に対する還元処理の有無による電気抵抗特性のみが異なり、金属酸化物層１０９と１１０との間に形状の段差は生じていない。従って後述する有機化合物層の蒸着において、有機化合物層が各画素における電気抵抗の低い金属酸化物層１１０の全域及びその外周の電気抵抗の高い金属酸化物層１０９を覆うことで、上部電極との短絡を防ぐことが出来る。
【００５７】
［工程７：有機化合物層の形成］
金属酸化物層の低抵抗化処理を行った後、図２−２（ｆ）に示すように、有機化合物層１１２を形成する。有機化合物層１１２の形成方法として、具体的には、以下に示す方法が挙げられるが、本発明はこれに限定されない。
【００５８】
まず電気抵抗の低い金属酸化物層１１０に下記式（１）に示される化合物を成膜して、正孔輸送層を形成する。
【００５９】
【化１】
2011070987.tif 000003
【００６０】
次に、ホストである下記式（２）に示される化合物及びドーパントである下記式（３）に示される化合物を共蒸着して発光層を形成する。
【００６１】
【化２】
2011070987.tif 000004
【００６２】
次に、２，９−ビス［２−（９，９’−ジメチルフルオレニル）］−１，１０−フェナントロリンを成膜して電子輸送層を積層する。
【００６３】
次に、Ａｌ及びＬｉを共蒸着して電子注入層を形成する。
【００６４】
以上のようにして正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層してなる有機化合物層１１２が形成される。
【００６５】
有機化合物層１１２は発光領域ごとに発光色が異なるように有機化合物層を塗り分けて成膜してもよい。このとき各発光領域における発光層から発する光の発光色が、色の三原色（赤、緑及び青の組あるいはシアン、マゼンタ及びイエローの組）であると、フルカラーの電界発光表示装置を製造することが可能となる。
【００６６】
［工程８：上部電極の成膜］
有機化合物層形成後、図２−２（ｇ）に示すように、有機化合物層１１２上に上部電極１１３を形成する。本実施例において、上部電極１１３の構成材料は、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透光性を有する電極材料である。ここで上部電極１１３となる薄膜を形成する方法としては、スパッタ法、真空蒸着法等の公知の方法を採用することができる。
【００６７】
［工程９：封止］
上部電極１１３を成膜した構成を、乾燥窒素（露点−７０℃以下の水分量雰囲気）で満たされたグローブボックス内に移動して、封止する。
【００６８】
電界発光表示装置を封止する具体的な方法として、まず封止ガラス１１６を電界発光表示装置１００にかぶせてから、該封止ガラスの脚部に水分を遮断する硬化樹脂を塗布して、該電界発光表示装置と該封止ガラスとを貼り合せる。ここで封止ガラス１１６は、ガラス基板を凹型に切削した部材である。
【００６９】
封止ガラス１１６は乾燥空気と純水の混合流体を用いた２流体洗浄処理でガラス表面の異物を除き、次いで乾燥空気を吹き付けて該封止ガラスに付着した水分を除去する。さらに電界発光表示装置１００内に大気中の水分を浸入させない目的で、好ましくは、封止ガラス１１６の凹面側であって脚部近傍に吸湿剤１１５を塗布する。
【００７０】
一方、封止ガラス１１６を電界発光表示装置１００の上に配置する際に、その該封止ガラスの凹面側は基板の発光面側を対向させるようにすることが好ましい。
【００７１】
また封止ガラス１１６を電界発光表示装置１００の上に配置する際に、該封止ガラスの脚部は、装置の表示領域外に配置されるようにすることが好ましい。封止ガラス１１６の脚部に塗布する硬化樹脂１１４として、例えば、紫外線硬化樹脂や熱硬化性樹脂等が挙げられる。
【００７２】
以上のプロセスによって作製された電界発光表示装置１００に電圧を印加すると、低抵抗化処理された領域１ａでの点灯が認められた。
【００７３】
＜実施例２＞
以下に述べる実施例２は、実施例１の変形例である。具体的には、工程４、５及び６を下記の通りに変更した以外は実施例１と同様の方法により電界発光表示装置を作製した。
【００７４】
図３は、本発明の製造方法で製造される電界発光表示装置の第二の態様を示す断面模式図である。
【００７５】
［工程４：光反射層、コンタクトホール金属層及び補助配線の形成］
コンタクトホール５０６ａ，５０６ｂ及び５０６ｃを形成した後、光反射層５０７、コンタクトホール金属層５０８ａ並びに５０８ｂ、及び補助配線５０９を所望の位置に所望のパターンで形成する。ここで補助配線５０９は、上部電極５１５の電気抵抗によって電界発光表示装置５００の発光画素間に電流量の差異が生じて、その結果電界発光表示装置５００の発光画素間の輝度ムラとなる現象を抑制するために設けられる。
【００７６】
まず、図４−１（ａ）に示すように、基板５０に対して、スパッタ法によりアルミニウム及び珪素合金からなる金属層６０１を形成した。金属層６０１の膜厚は特に限定されないが、好ましくは１００ｎｍ程度である。
【００７７】
次に金属層６０１上にフォトレジスト層６０２をスピンコート法により１μｍの厚さで成膜する。このフォトレジスト層６０２に対して、光反射層５０７、コンタクトホール金属層５０８ａ並びに５０８ｂ、及び補助配線５０９を配置する部位が被覆部となるよう露光並びに現像処理を行う。
【００７８】
続いてウェットエッチングで、光反射層５０７、コンタクトホール金属層５０８ａ並びに５０８ｂ、及び補助配線５０９の形状を形成して、その後フォトレジスト層を取り除く（図４−１（ｂ））。
【００７９】
［工程５：金属酸化物層の成膜］
光反射層５０７、コンタクトホール金属層５０８ａ並びに５０８ｂ、及び補助配線５０９を形成した後、図４−１（ｃ）に示すように、金属酸化物層７０１を成膜する。金属酸化物層７０１は、平坦化層５０５及び光反射層５０７及び補助配線５０９を覆うように成膜する。また実施例１と同様に、後述する金属酸化物層７０１の低電気抵抗化処理を行うならば、コンタクトホール金属層５０８ａ並びに５０８ｂ上を覆って形成してよい。金属酸化物層７０１の成膜条件並びに膜厚は実施例１の金属酸化物層３０１と同じである。
【００８０】
［工程６：金属酸化物層の低電気抵抗化処理］
電界発光表示装置の発光領域を定めると共に、光反射層５０７と上部電極５１５との間の短絡を防ぐ目的で、光反射層５０７上の金属酸化物層７０１に対して、以下に示す低抵抗化処理を施す。
【００８１】
まず、図４−２（ｄ）に示すように、金属酸化物層７０１上にフォトレジストをスピンコート法により１μｍの厚さで成膜する。このフォトレジスト層に対して、発光領域となる部位並びに補助配線直上の部位が開口部となる露光並びに現像処理を行う。つまり、発光領域となる部位８ａ並びに補助配線直上の部位８ｂはフォトレジスト層が除かれ、画素間領域となる部位８ｃはフォトレジスト層８０１が残される。また工程５において金属酸化物層７０１がコンタクトホール金属層５０８ａ及び５０８ｂ上を覆う構成を採用した場合は、コンタクトホール金属層５０８ａ及び５０８ｂの直上が開口部と成るよう、フォトレジスト層に対して露光並びに現像処理を行う。
【００８２】
図４−２（ｅ）は、金属酸化物層への還元処理による低電気抵抗化を行っている基板を示す断面図である。
【００８３】
フォトレジスト層に対する露光及び現像処理後、図４−２（ｅ）に示すように、上記の基板を水素ガスプラズマ雰囲気に投入して、還元処理した。還元処理条件は実施例１の工程５と同じである。
【００８４】
図４−２（ｆ）は金属酸化物層の低電気抵抗化処理を施した基板の断面図である。
【００８５】
還元処理後、図４−２（ｆ）に示すように、電気抵抗の低い金属酸化物層５１１、５１２ａ並びに５１２ｂ、５１３が形成される。
【００８６】
次に上記の基板上に、電気抵抗の低い金属酸化物層５１１から有機化合物層５１４へのホール注入性を高めるため、インジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を成膜した。
【００８７】
本実施例においてはＩＴＯを厚さ１０ｎｍで形成後に、水素ガスプラズマ雰囲気に投入して還元処理した。還元処理条件は実施例１の工程５と同じである。
【００８８】
金属酸化物層の低電気抵抗化処理を行った後、フォトレジスト層を除去する。
【００８９】
以降の工程は実施例１における工程７から９までを踏襲する。
【００９０】
図４−３（ｇ）及び図４−３（ｈ）は実施例２において、実施例１の工程７及び工程８実施後の構成に各々対応する断面模式図である。
【００９１】
以上のプロセスによって作製された電界発光表示装置に電圧を印加すると、低抵抗化処理された領域５ａの点灯が認められた。
【００９２】
また実施例２の電界発光表示装置５００は、輝度５００ｃｄ／ｍ2における駆動電圧を実施例１の電界発光表示装置１００と比較したところ、ホール注入層の挿入により０．８Ｖ低下させることが出来た。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明の電界発光表示装置は、従来の電界発光素子に用いられていた層や電極形状の加工に要する工程を削減している。その結果、電界発光素子の寿命特性を向上させると共に、電界発光素子における電極形状の加工不良や素子の点灯不良を抑制して、電界発光表示装置の生産性を改善できる。
【符号の説明】
【００９４】
１０，３０，５０：基板、１００，５００：電界発光表示装置、１０７，５０７：光反射層、１０９，３０１，５１０，７０１：電気抵抗の高い金属酸化物層、１１０，５１１：電気抵抗の低い金属酸化物層、１１２，５１４：発光層を含む有機化合物層
【図１】
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【図２−１】
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【図２−２】
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【図３】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図４−３】
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