(57)【要約】【課題】ダブルパターニングを行う際に、生産性を低下させることなく、ウェハ面内における２回目のレジストパターンの線幅のばらつきを低減することができる基板処理方法を提供する。【解決手段】第１のレジスト膜が形成された基板を露光し、露光された基板を現像処理し、現像処理された基板を洗浄処理することによって第１のレジストパターンを形成する第１の処理工程Ｓ１２〜Ｓ１６と、第１のレジストパターンが形成された基板上に第２のレジスト膜を形成し、第２のレジスト膜が形成された基板を露光し、露光された基板を現像処理することによって第２のレジストパターンを形成する第２の処理工程Ｓ１７〜Ｓ２０とを有する。第１の処理工程Ｓ１６における基板を洗浄処理する第１の処理条件と第２のレジストパターンの線幅との関係を示す第１のデータに基づいて、第１の処理条件を決定し、決定した第１の処理条件で一の基板に第１の処理工程Ｓ１６を行う。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理方法において、
第１のレジスト膜が形成された前記基板を露光し、露光された前記基板を現像処理し、現像処理された前記基板を洗浄処理することによって第１のレジストパターンを形成する第１の処理工程と、
前記第１のレジストパターンが形成された前記基板上に第２のレジスト膜を形成し、前記第２のレジスト膜が形成された前記基板を露光し、露光された前記基板を現像処理することによって第２のレジストパターンを形成する第２の処理工程と
を有し、
前記第１の処理工程における前記基板を洗浄処理する第１の処理条件と前記第２のレジストパターンの線幅との関係を示す第１のデータに基づいて、前記第１の処理条件を決定し、決定した前記第１の処理条件で一の基板に前記第１の処理工程を行う基板処理方法。
【請求項２】
前記第１の処理条件は、前記基板を洗浄処理する処理時間である、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記第１のデータは、前記第２のレジストパターンの線幅が一定値に収束する収束時間を含み、
前記第１のデータに基づいて、前記処理時間と前記収束時間とが略等しくなるように、前記処理時間を決定する、請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記第１の処理条件は、前記基板を洗浄処理する洗浄液の温度である、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記第１の処理条件は、前記基板を洗浄処理する洗浄液の流量である、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記第１の処理条件は、前記基板を洗浄処理する洗浄液のｐＨである、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項７】
複数の基板よりなる基板群の各基板に、前記基板毎に前記第１の処理条件を変えて前記第１の処理工程を行い、前記第１の処理工程が行われた前記各基板に前記第２の処理工程を行った後、前記各基板に形成された前記第２のレジストパターンの線幅を測定することによって、前記第１のデータを準備するデータ準備工程を有する、請求項２から請求項６のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記第１のデータは、前記第１の処理条件と前記基板の中央部に形成される前記第２のレジストパターンの線幅との関係を示すものであり、
前記第１のデータと、前記第１の処理条件と前記基板の前記中央部よりも周縁側に形成される前記第２のレジストパターンの線幅との関係を示す第２のデータと、に基づいて、前記中央部に形成される前記第２のレジストパターンの線幅と前記周縁側に形成される前記第２のレジストパターンの線幅とが略等しくなるように、前記第１の処理条件を決定する、請求項２から請求項６のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項９】
複数の基板よりなる基板群の各基板に、前記基板毎に前記第１の処理条件を変えて前記第１の処理工程を行い、前記第１の処理工程が行われた前記各基板に前記第２の処理工程を行った後、前記各基板の前記中央部に形成された前記第２のレジストパターンの線幅を測定することによって、前記第１のデータを準備し、前記各基板の前記中央部よりも周縁側に形成された前記第２のレジストパターンの線幅を測定することによって、前記第２のデータを準備するデータ準備工程を有する、請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記第１のデータは、前記処理時間、及び、前記第１の処理工程における前記基板を洗浄処理する第２の処理条件と、前記第２のレジストパターンの線幅との関係を示すものであり、
前記第１のデータに基づいて、前記処理時間及び前記第２の処理条件を決定し、決定した前記処理時間及び前記第２の処理条件で一の基板に前記第１の処理工程を行う、請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記第２の処理条件は、前記基板を洗浄処理する洗浄液の温度である、請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記第２の処理条件は、前記基板を洗浄処理する洗浄液の流量である、請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記第２の処理条件は、前記基板を洗浄処理する洗浄液のｐＨである、請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
複数の基板よりなる基板群の各基板に、前記基板毎に前記処理時間又は前記第２の処理条件を変えて前記第１の処理工程を行い、前記第１の処理工程が行われた前記各基板に前記第２の処理工程を行った後、前記各基板に形成された前記第２のレジストパターンの線幅を測定することによって、前記第１のデータを準備するデータ準備工程を有する、請求項１０から請求項１３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記第１のデータは、前記処理時間及び前記第２の処理条件と前記基板の中央部に形成される前記第２のレジストパターンの線幅との関係を示すものであり、
前記第１のデータと、前記処理時間及び前記第２の処理条件と前記基板の前記中央部よりも周縁側に形成される前記第２のレジストパターンの線幅との関係を示す第２のデータと、に基づいて、前記中央部に形成される前記第２のレジストパターンの線幅と前記周縁側に形成される前記第２のレジストパターンの線幅とが略等しくなるように、前記処理時間及び前記第２の処理条件を決定する、請求項１０から請求項１３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１６】
複数の基板よりなる基板群の各基板に、前記基板毎に前記処理時間又は前記第２の処理条件を変えて前記第１の処理工程を行い、前記第１の処理工程が行われた前記各基板に前記第２の処理工程を行った後、前記各基板の前記中央部に形成された前記第２のレジストパターンの線幅を測定することによって、前記第１のデータを準備し、前記各基板の前記中央部よりも周縁側に形成された前記第２のレジストパターンの線幅を測定することによって、前記第２のデータを準備するデータ準備工程を有する、請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記第１の処理工程は、
現像処理された前記基板を回転させ、回転する前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給位置を前記基板の中央部側から周縁側に向けて移動させながら、前記洗浄液を前記基板に供給する洗浄液供給工程と、
前記洗浄液供給位置よりも前記基板の回転方向における下流側の位置において、前記基板の周縁側に向けてガスを供給するガス供給工程と
を有し、
前記処理時間は、前記洗浄液供給工程を行う時間を含む、請求項２から請求項１６のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記第１の処理工程は、現像処理された前記基板を回転させ、回転する前記基板の中央部に洗浄液を供給する第１の洗浄液供給工程を有し、
前記処理時間は、前記第１の洗浄液供給工程を行う時間を含む、請求項２から請求項１６のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１９】
前記第１の処理工程は、前記第１の洗浄液供給工程の後、前記洗浄液供給位置を前記基板の前記中央部側から周縁側に向けて移動させながら、前記洗浄液を前記基板に供給する第２の洗浄液供給工程を有し、
前記処理時間は、前記第２の洗浄液供給工程を行う時間を含む、請求項１８に記載の基板処理方法。
【請求項２０】
前記第１の処理工程の後、前記第２の処理工程の前に、前記基板を酸性の処理液により処理する酸性処理液処理工程を有する、請求項１から請求項１９のいずれかに記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造においては、被処理基板である半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」という）上に回路パターンを形成するためのパターニング技術としてフォトリソグラフィが用いられている。フォトリソグラフィを用いた回路パターンの形成は、ウェハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜に光を照射して回路パターンに対応するようにレジスト膜を露光した後、これを現像処理するといった手順で行われる。
【０００３】
半導体デバイスは近時、動作速度の向上等の観点から高集積化の傾向にあるため、フォトリソグラフィを用いたパターニング技術においては、ウェハ上に形成される回路パターンの微細化が要求されている。このため、従来から露光に用いる光を短波長化することが進められているが、４５ｎｍノード以降の超微細な半導体デバイスに十分対応できていないのが現状である。
【０００４】
そこで、４５ｎｍノード以降の超微細な半導体デバイスに対応可能なパターニング技術として、一つの層のパターン形成に際して、フォトリソグラフィによるパターニングを複数回行う技術が提案されている（例えば特許文献１）。この中で、パターニング処理を２回行う技術をダブルパターニングと称している。
【０００５】
また、ダブルパターニングの一つの技術として、ＬＬＥ（リソグラフィ−リソグラフィ−エッチング：Lithography Lithography Etching）がある。ＬＬＥは、１回目のパターニング処理を行って１回目のレジストパターンを形成し、２回目のパターニング処理を行って２回目のレジストパターンを形成し、１回目及び２回目のレジストパターンをマスクとして、エッチングを行うものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−１４７２１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、上述したような、ＬＬＥによるダブルパターニングを行ってレジストパターンを形成する場合、次のような問題がある。
【０００８】
１回目のパターニング処理において、ウェハに１回目のレジスト膜を形成し、露光し、現像処理して１回目のレジストパターンを形成する。そして、２回目のパターニング処理において、１回目のレジストパターンが形成されたウェハに２回目のレジスト膜を形成し、露光し、現像処理して２回目のレジストパターンを形成する。
【０００９】
ここで、１回目のパターニング処理における現像処理の後、洗浄処理を行う。しかし、洗浄処理が不十分であると、２回目のパターニング処理における現像処理において現像不良が発生し、形成される２回目のレジストパターンの線幅がばらつくことがある。特に、２回目のレジストパターンの線幅が、ウェハの中央部と周縁側との間でばらつくことがある。
【００１０】
洗浄処理を十分に行うには、例えば洗浄処理の処理時間を十分長くすればよい。しかしながら、処理時間を十分長くすると、ウェハ１枚を処理するための時間であるいわゆるタクト時間が増大し、単位時間当たりのウェハの処理枚数が減少し、生産性が低下するという問題がある。
【００１１】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、ＬＬＥによるダブルパターニングを行うことによってレジストパターンを形成する際に、生産性を低下させることなく、ウェハ面内における２回目のレジストパターンの線幅のばらつきを低減することができる基板処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の一実施例によれば、基板を処理する基板処理方法において、第１のレジスト膜が形成された前記基板を露光し、露光された前記基板を現像処理し、現像処理された前記基板を洗浄処理することによって第１のレジストパターンを形成する第１の処理工程と、前記第１のレジストパターンが形成された前記基板上に第２のレジスト膜を形成し、前記第２のレジスト膜が形成された前記基板を露光し、露光された前記基板を現像処理することによって第２のレジストパターンを形成する第２の処理工程とを有し、前記第１の処理工程における前記基板を洗浄処理する第１の処理条件と前記第２のレジストパターンの線幅との関係を示す第１のデータに基づいて、前記第１の処理条件を決定し、決定した前記第１の処理条件で一の基板に前記第１の処理工程を行う基板処理方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ＬＬＥによるダブルパターニングを行うことによってレジストパターンを形成する際に、生産性を低下させることなく、ウェハ面内における２回目のレジストパターンの線幅のばらつきを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理システムの構成を示す概略平面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る基板処理システムの構成を示す概略斜視図である。
【図３】現像ユニットを示す縦断面図である。
【図４】現像ユニットを示す概略平面図である。
【図５】現像ユニットに設けられる洗浄液ノズルを示す図である。
【図６】現像ユニットに設けられる洗浄液ノズルを示す平面図である。
【図７】現像ユニットに設けられるガスノズル及びノズル駆動機構を示す側面図である。
【図８】線幅測定装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図９】第１の実施の形態に係る基板処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【図１０】第１の実施の形態に係る基板処理方法の各工程におけるウェハの状態を示す断面図である。
【図１１】第１の実施の形態における洗浄処理工程の各工程におけるウェハの状態を示す平面図である。
【図１２】処理時間と第２のレジストパターンのスペース幅との関係を模式的に示すグラフである。
【図１３】第１の実施の形態及び比較例１に係る基板処理方法を行うことによって得られたウェハ面内における第２のレジストパターンのスペース幅の分布を示す図である。
【図１４】洗浄液の温度又は流量を変更した場合における、処理時間と第２のレジストパターンのスペース幅との関係を示す第１のデータの一例である。
【図１５】洗浄液の温度又は流量を変更した場合における、処理時間と第２のレジストパターンのスペース幅との関係を示す第１のデータの一例である。
【図１６】洗浄液の温度又は流量を変更した場合における、処理時間と第２のレジストパターンのスペース幅との関係を示す第１のデータの一例である。
【図１７】第１の実施の形態の第１の変形例に係る基板処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【図１８】処理時間と第２のレジストパターンのスペース幅との関係を模式的に示すグラフである。
【図１９】第１の実施の形態の第２の変形例に係る基板処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【図２０】洗浄液の温度と第２のレジストパターンのスペース幅との関係を模式的に示すグラフである。
【図２１】洗浄液の流量と第２のレジストパターンのスペース幅との関係を模式的に示すグラフである。
【図２２】洗浄液のｐＨと第２のレジストパターンのスペース幅との関係を模式的に示すグラフである。
【図２３】第１の実施の形態の第３の変形例に係る基板処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【図２４】処理時間及び洗浄液の温度と第２のレジストパターンのスペース幅との関係を模式的に示すグラフである。
【図２５】処理時間及び洗浄液の流量と第２のレジストパターンのスペース幅との関係を模式的に示すグラフである。
【図２６】処理時間及び洗浄液のｐＨと第２のレジストパターンのスペース幅との関係を模式的に示すグラフである。
【図２７】第１の実施の形態の第４の変形例に係る基板処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【図２８】第２の実施の形態に係る基板処理方法の洗浄処理工程における各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【図２９】第２の実施の形態における洗浄処理工程の各工程におけるウェハの状態を示す斜視図である。
【図３０】第２の実施の形態の変形例における洗浄処理工程の各工程におけるウェハの状態を示す斜視図である。
【図３１】第２の実施の形態の変形例及び比較例２に係る基板処理方法を行うことによって得られたウェハ面内における第２のレジストパターンのスペース幅の分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
（第１の実施の形態）
始めに、図１から図１４を参照し、第１の実施の形態に係る基板処理方法、その基板処理方法を適用した基板処理システムについて説明する。
【００１７】
最初に、図１及び図２を参照し、本実施の形態に係る基板処理システムについて説明する。この基板処理システムは、塗布現像装置に露光装置を接続したものである。
【００１８】
図１は、本実施の形態に係る基板処理システムの構成を示す概略平面図である。図２は、本実施の形態に係る基板処理システムの構成を示す概略斜視図である。
【００１９】
基板処理システムは、キャリア載置部Ｂ１、処理部Ｂ２、インターフェイス部Ｂ３、露光部Ｂ４を有する。
【００２０】
キャリア載置部Ｂ１は、キャリアステーション２０、開閉部２１及び受け渡し手段Ａ１を有する。キャリアステーション２０は、ウェハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリアＣ１を搬入出するための載置部２０ａを備えている。開閉部２１は、キャリアステーション２０から見て前方の壁面に設けられている。受け渡し手段Ａ１は、開閉部２１を介してキャリアＣ１からウェハＷを取り出すためのものである。
【００２１】
また、図２に示すように、例えばキャリア載置部Ｂ１の下部には基板処理システムの全体を制御する本体制御部１０が設けられている。また、図１及び図２に示すように、例えばキャリア載置部Ｂ１には、ウェハＷ上のレジストパターンの線幅を測定する線幅測定装置１１０が設けられている。本体制御部１０及び線幅測定装置１１０の詳細は後述する。
【００２２】
処理部Ｂ２は、筐体２２にて周囲を囲まれており、キャリア載置部Ｂ１の奥側に接続されている。処理部Ｂ２は、棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３、液処理ユニットＵ４、Ｕ５及び主搬送手段Ａ２、Ａ３を有する。棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３と主搬送手段Ａ２、Ａ３とは、キャリア載置部Ｂ１から見て手前から順に交互に配列して設けられている。
【００２３】
棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３は、加熱・冷却系のユニットを多段化したものである。棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３は、液処理ユニットＵ４、Ｕ５で行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば１０段に積層して構成されている。各種ユニットには、ウェハＷを加熱（ベーク）する加熱ユニット、ウェハＷを冷却する冷却ユニット等が含まれる。
【００２４】
主搬送手段Ａ２、Ａ３は、区画壁２３により囲まれる空間内に設けられている。主搬送手段Ａ２は、棚ユニットＵ１、Ｕ２、液処理ユニットＵ４の各ユニット間のウェハＷの受け渡しを行うものである。主搬送手段Ａ３は、棚ユニットＵ２、Ｕ３、液処理ユニットＵ５の各ユニット間のウェハＷの受け渡しを行うものである。
【００２５】
また、処理部Ｂ２には、各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニット２４、２５が設けられている。
【００２６】
液処理ユニットＵ４、Ｕ５は、図２に示すように、例えば、レジスト液や現像液などの薬液収納部２６の上に、塗布ユニット（ＣＯＴ）２７、現像ユニット（ＤＥＶ）２８、反射防止膜形成ユニット（ＢＡＲＣ）、トップコート膜形成ユニット（ＴＣ）等が複数段例えば５段に積層して構成されている。
【００２７】
インターフェイス部Ｂ３は、第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂを有する。第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂは、処理部Ｂ２と露光部Ｂ４との間に前後に設けられている。第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂには、それぞれ、第１の基板搬送部３１Ａ及び第２の基板搬送部３１Ｂが設けられている。第１の搬送室３Ａには、棚ユニットＵ６、バッファカセットＣ０及び基板洗浄装置４が設けられている。棚ユニットＵ６は、露光されたウェハＷを露光後ベーク処理（ＰＥＢ処理）する加熱ユニット（ＰＥＢ）及び冷却プレートを有する高精度温調ユニットなどを上下に積層して構成されている。
【００２８】
また、露光部Ｂ４は、処理部Ｂ２における棚ユニットＵ３の奥側に、インターフェイス部Ｂ３を介して接続されている。
【００２９】
次に、図３から図７を参照し、現像ユニット（ＤＥＶ）２８について説明する。図３は、現像ユニットを示す縦断面図である。図４は、現像ユニットを示す概略平面図である。図５は、現像ユニットに設けられる洗浄液ノズルを示す図である。図５（ａ）は、洗浄液ノズルを示す斜視図であり、図５（ｂ）は、洗浄液ノズルの下部分を斜め下方から見た図である。図６は、現像ユニットに設けられる洗浄液ノズルを示す平面図である。図７は、現像ユニットに設けられるガスノズル及びノズル駆動機構を示す側面図である。
【００３０】
図３及び図４に示すように、現像ユニット（ＤＥＶ）２８は、ケース４１、シャッタ４２、カップ４３、ウェハ保持部４４、排出路４５、支持ピン４６、現像液ノズル５、洗浄液ノズル６、ガスノズル７及び制御部１００を有する。
【００３１】
ケース４１は、装置の外装体を構成するものである。シャッタ４２は、ケース４１に設けられており、ウェハＷの搬送口を開閉するものである。カップ４３は、ケース４１内に配置されている。ウェハ保持部４４は、カップ４３内に鉛直軸周りに回転自在に設けられている。ウェハ保持部４４は、ウェハＷを回転自在に水平に保持するものである。ウェハ保持部４４は駆動部４４ａを有する。駆動部４４ａは、ウェハ保持部４４を回転させるものである。排出路４５は、カップ４３の底部に接続されている。排出路４５は、図示しない排気手段により排気されており、途中に気液分離部が配置されている。支持ピン４６は、ウェハＷを支持して昇降するための例えば３本の支持ピンである。支持ピン４６は、昇降部材４６ａ及び昇降機構４６ｂを有する。昇降部材４６ａは、支持ピン４６を保持するものである。昇降機構４６ｂは昇降部材４６ａを昇降させるものである。
【００３２】
現像液ノズル５は、ウェハＷの表面に現像液を供給するものである。図５を用いて後述する洗浄液ノズル６と同様に、現像液ノズル５は、帯状の吐出口例えばスリット状の吐出口を備えている。現像液ノズル５の上部には、現像液供給管５３が接続されている。また、現像液供給管５３は、図３に示すように、バルブや流量調整部などを含む供給機器群５４を介して現像液を供給する現像液供給源５５に接続されている。
【００３３】
現像液ノズル５は、図４に示すように、アーム５６に取り付けられており、アーム５６がＸ方向及び上下に移動できるようになっている。アーム５６は、図７を用いて後述するアーム７６と同様に、Ｌ字型に屈曲しており、駆動機構５７によりケース４１の底部のガイドレール５７ａに沿って（Ｘ方向に）直線移動できるように構成されている。また、例えば駆動機構５７に含まれる昇降機構により、アーム５６は、上下に移動できるように構成されている。
【００３４】
洗浄液ノズル６は、ウェハＷの表面に洗浄液を供給するものである。図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、洗浄液ノズル６は、角筒状の本体部６１の下部分６１ａが屈曲していてその下端面に形成された例えばスリット状の吐出口６２からウェハＷの表面に対して斜めから洗浄液を供給するように構成されている。なお吐出口６２としては、スリット状のものに限らず本体部６１の下部分６１ａの長さ方向に沿って多数の例えば丸形の小径の孔を複数並べたものであってもよい。
【００３５】
洗浄液ノズル６の本体部６１の上部には、図５（ａ）に示すように、洗浄液供給管６３が接続されている。また、洗浄液供給管６３は、図３に示すように、バルブや流量調整部などを含む供給機器群６４を介して洗浄液例えば純水を供給する洗浄液供給源６５に接続されている。
【００３６】
洗浄液ノズル６の本体部６１は、図６に示すように、背面の支持部６１ｂを介して鉛直軸周りにその向きが調整できるようにアーム６６に接続されている。アーム６６は、図７を用いて後述するアーム７６と同様に、Ｌ字型に屈曲しており、図４に示すように、駆動機構６７によりケース４１の底部のガイドレール５７ａに沿って（Ｘ方向に）直線移動できるように構成されている。また、例えば駆動機構６７に含まれる昇降機構により、アーム６６は、上下に移動できるように構成されている。
【００３７】
アーム６６のＸ方向の移動により、洗浄液ノズル６の吐出口６２は、ウェハ保持部４４に吸着保持されたウェハＷの中央部からウェハＷの周縁側までＸ方向に移動することができる。そして本体部６１は、吐出口６２がＸ方向からウェハＷの回転方向である時計回りの方向に少し向いた状態でアーム６６に対して取り付けられている。
【００３８】
ガスノズル７は、ウェハＷの表面に不活性ガスを供給する、すなわち、吹き付けるものである。ガスノズル７も、図５及び図６に示す洗浄液ノズル６の構造と同じ構造を有している。また、ガスノズル７は、本体部７１を有しており、本体部７１は、図７に示すように、Ｌ字状に屈曲しているアーム７６に取り付けられている。ガスノズル７は、アーム７６が、駆動機構７７によりＸ方向及び上下に移動できるとともに、さらに、前後（Ｙ方向）にも移動できる点において、洗浄液ノズル６と異なっている。すなわち、駆動機構７７は、Ｘ方向移動体７７ａ及びＹ方向移動体７７ｂを有する。そして、アーム７６は、Ｘ方向移動体７７ａによりガイドレール５７ａに沿ってＸ方向に移動できるように構成されるとともに、Ｙ方向移動体７７ｂによりＸ方向移動体７７ａに対して前後（Ｙ方向）に沿って移動できるように構成されている。
【００３９】
また、図７において、７２は吐出口、７３はガス供給管、図３において、７４は供給機器群、７５は例えば不活性ガスである窒素ガスを供給するためのガス供給源である。
【００４０】
また、制御部１００は、コンピュータ及び記憶部を有する。制御部１００は、図３及び図４に示すように、駆動機構５７、６７、７７、ウェハ保持部４４の回転駆動を行う駆動部４４ａ及び供給機器群５４、６４、７４などを制御するための制御信号を、図示しない記憶部内に格納されたプログラムに従って出力する機能を有する。
【００４１】
次に、図８を参照し、線幅測定装置１１０について説明する。図８は、線幅測定装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【００４２】
線幅測定装置１１０は、例えば図８に示すように、ウェハＷを水平に載置する載置台１１１と、光学式表面形状測定計１１２を備えている。載置台１１１は、例えばＸ−Ｙステージになっており、水平方向の２次元方向に移動できる。光学式表面形状測定計１１２は、例えば、光照射部１１３、光検出部１１４及び算出部１１５を備えている。光照射部１１３は、ウェハＷに対して斜方向から光を照射する。光検出部１１４は、光照射部１１３から照射されウェハＷで反射した光を検出する。算出部１１５は、当該光検出部１１４の受光情報に基づいてウェハＷ上のレジストパターンの線幅ＣＤを算出する。線幅測定装置１１０は、例えばスキャトロメトリ（Scatterometry）法を用いてレジストパターンの線幅を測定するものである。スキャトロメトリ法を用いる場合、算出部１１５において、光検出部１１４により検出されたウェハＷの面内の光強度分布と、予め記憶されている仮想の光強度分布とを照合する。そして、その照合された仮想の光強度分布に対応するレジストパターンの線幅ＣＤを求めることにより、レジストパターンの線幅ＣＤを測定できる。
【００４３】
また、線幅測定装置１１０は、光照射部１１３及び光検出部１１４に対してウェハＷを相対的に水平移動させることによって、ウェハＷの面内の複数の測定点における線幅を測定することができる。
【００４４】
例えば、複数のウェハＷよりなるウェハ群の各ウェハＷに、ウェハＷ毎に現像ユニット（ＤＥＶ）２８による洗浄処理の処理時間ｔ等の第１の処理条件を変えて１回目のパターニング処理を行うことによって１回目のレジストパターン（第１のレジストパターン）Ｐ１を形成する。その後、１回目のパターニング処理を行った各ウェハＷに２回目のパターニング処理を行うことによって２回目のレジストパターン（第２のレジストパターン）Ｐ２を形成する。そして、形成された第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２を、線幅測定装置１１０を用いて測定する。線幅測定装置１１０の測定結果は、例えば算出部１１５から後述する本体制御部１０に出力される。これにより、処理時間ｔ等の第１の処理条件と、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２との関係を示す第１のデータが準備される。
【００４５】
以上のように構成された基板処理システムで行われるウェハ処理は、図１に示す本体制御部１０によって制御されている。本体制御部１０は、線幅測定装置１１０によるウェハＷ上のレジストパターンの線幅測定も制御している。本体制御部１０は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えた汎用コンピュータにより構成され、記憶されたプログラムを実行してウェハ処理や線幅測定を制御できる。なお、本体制御部１０のプログラムは、コンピュータ読み取り可能な記録媒体により本体制御部１０にインストールされたものであってもよい。
【００４６】
次に、図９から図１１を参照し、本実施の形態に係る基板処理システムを用いた基板処理方法について説明する。図９は、本実施の形態に係る基板処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。図１０は、本実施の形態に係る基板処理方法の各工程におけるウェハの状態を示す断面図である。図１１は、本実施の形態における洗浄処理工程の各工程におけるウェハの状態を示す平面図である。
【００４７】
図９に示すように、本実施の形態に係る基板処理方法は、データ準備工程（ステップＳ１１）、第１の処理工程（ステップＳ１２〜ステップＳ１６）及び第２の処理工程（ステップＳ１７〜ステップＳ２０）を有する。第１の処理工程（ステップＳ１２〜ステップＳ１６）は、第１の塗布処理工程（ステップＳ１２）、第１の露光工程（ステップＳ１３）、第１の加熱処理工程（ステップＳ１４）、第１の現像処理工程（ステップＳ１５）及び洗浄処理工程（ステップＳ１６）を有する。第２の処理工程（ステップＳ１７〜ステップＳ２０）は、第２の塗布処理工程（ステップＳ１７）、第２の露光工程（ステップＳ１８）、第２の加熱処理工程（ステップＳ１９）及び第２の現像処理工程（ステップＳ２０）を有する。
【００４８】
始めに、データ準備工程（ステップＳ１１）を行う。データ準備工程（ステップＳ１１）では、洗浄処理工程（ステップＳ１６）におけるウェハＷを洗浄処理する第１の処理条件と第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´との関係を示す第１のデータを準備する。
【００４９】
第１の処理条件として、ウェハＷを洗浄処理する処理時間ｔ、洗浄液の温度Ｔ、流量Ｆ、ｐＨ等を用いることができる。また、以下では、第１の処理条件として、ウェハＷを洗浄処理する処理時間ｔを用いる例について説明する。
【００５０】
複数のウェハＷよりなるウェハ群の各ウェハＷに、後述する第１の塗布処理工程（ステップＳ１２）から第１の現像処理工程（ステップＳ１５）を行った後、ウェハＷ毎に処理時間ｔを変えて、後述する洗浄処理工程（ステップＳ１６）を行う。その後、後述する第２の塗布処理工程（ステップＳ１７）から第２の現像処理工程（ステップＳ２０）を行うことによって、図１０を用いて後述するように、ウェハＷ上に第１のレジストパターンＰ１及び第２のレジストパターンＰ２を形成する。そして、形成された第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´を、線幅測定装置１１０を用いて測定する。これにより、処理時間ｔと第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´との関係を示す第１のデータを準備する。
【００５１】
なお、第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´は、本発明における第２のレジストパターンの線幅に相当する。
【００５２】
次に、一のウェハＷに第１の処理工程（ステップＳ１２〜ステップＳ１６）を行う。
【００５３】
まず、一のウェハＷに第１の塗布処理工程（ステップＳ１２）を行う。第１の塗布処理工程（ステップＳ１２）では、一のウェハＷにレジストを塗布処理することによって、第１のレジスト膜１３３を形成する。図１０（ａ）は、第１の塗布処理工程（ステップＳ１２）におけるウェハの状態を示す。
【００５４】
第１の塗布処理工程（ステップＳ１２）を行う前に、予め、表面に被エッチング膜１３１が形成されたウェハ１３０（ウェハＷ）上に下部反射防止膜１３２を形成しておく。
【００５５】
外部から複数のウェハＷが収納されたキャリアＣ１がキャリア載置部Ｂ１に搬入され、受け渡し手段Ａ１によりキャリアＣ１内から１枚のウェハＷが取り出され、処理部Ｂ２へ搬入される。処理部Ｂ２へ搬入されたウェハＷは、棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニットを介して主搬送手段Ａ２へ受け渡される。主搬送手段Ａ２へ受け渡されたウェハＷは、液処理ユニットＵ４の反射防止膜形成ユニット（ＢＡＲＣ）内へ搬入される。反射防止膜形成ユニット（ＢＡＲＣ）内へ搬入されたウェハＷは、表面に被エッチング膜１３１が形成されたウェハ１３０（ウェハＷ）上に、下部反射防止膜（ＢＡＲＣ）１３２が形成される。
【００５６】
下部反射防止膜（ＢＡＲＣ）１３２が形成されたウェハ１３０（ウェハＷ）は、棚ユニットＵ２の一段をなす受け渡しユニットを介し、主搬送手段Ａ２により、塗布ユニット（ＣＯＴ）２７内に搬入される。塗布ユニット（ＣＯＴ）２７内に搬入されたウェハ１３０（ウェハＷ）は、下部反射防止膜（ＢＡＲＣ）１３２の上層に第１のレジスト膜１３３が形成される。
【００５７】
第１のレジスト膜１３３を形成するのに用いられるレジストの一例は化学増幅型レジストである。具体的な一例として、本例では、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）を光源に用いた露光に対応可能な化学増幅型のポジレジストを用いることができる。
【００５８】
なお、第１のレジスト膜１３３の上層に上部反射防止膜（ＴＡＲＣ）が形成されてもよい。
【００５９】
第１のレジスト膜１３３が形成されたウェハＷは、棚ユニットＵ２の一段をなす加熱ユニットに搬入され、所定の温度でベーク処理がなされる。ベーク処理を終えたウェハＷは、棚ユニットＵ２の一段をなす冷却ユニットにて冷却された後、主搬送手段Ａ３により、棚ユニットＵ３の受け渡しユニットに搬入される。以上により、１回目の塗布処理が終了する。
【００６０】
次に、一のウェハＷに第１の露光工程（ステップＳ１３）を行う。第１の露光工程（ステップＳ１３）では、第１のレジスト膜１３３が形成された一のウェハＷを露光する。図１０（ｂ）は、第１の露光工程（ステップＳ１３）におけるウェハの状態を示す。
【００６１】
棚ユニットＵ３の受け渡しユニットに搬入されたウェハＷは、第１の基板搬送部３１Ａ及び第２の基板搬送部３１Ｂにより、第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂを介し、露光部Ｂ４に搬入される。そして、露光部Ｂ４内で１回目の露光が行われる。
【００６２】
露光部Ｂ４内の図示しない露光装置では、ウェハＷの表面と隙間をあけて対向するように図示しないレンズが配置されており、レンズとウェハＷの表面との間に純水を供給して液膜（純水膜）を形成する。そして図示しない光源からレンズ及び液膜を透過してウェハＷに光が照射されることにより、所定の回路パターンがレジストに転写される。また、露光装置を横方向にスライド移動させて光を照射する動作を繰り返し、ウェハＷの表面に所定の回路パターンを順次転写することにより、ウェハＷの全面に回路パターンが露光される。
【００６３】
１回目の露光が施されるとき、図１０（ｂ）に示すように、第１のレチクルＲ１を用いて第１のレジスト膜１３３の選択された部分を露光し、例えばアルカリ性の溶剤等よりなる現像液に対して選択的に可溶化させた可溶部１３３ａを発生させる。可溶部１３３ａを選択的に発生させることで、第１のレジスト膜１３３中に、現像液に対して可溶な可溶部１３３ａ及び不溶な不溶部１３３ｂよりなる第１のパターンＰ１を得る。
【００６４】
ここでは、例えば、ラインが配列したパターンを有する第１のレチクルＲ１を用い、第１のパターンＰ１を得る。図１０（ｂ）に示すように、第１のパターンＰ１の線幅Ｌ１及びスペース幅ＳＰ１のそれぞれを、例えば３２ｎｍ及び３２ｎｍとすることができる。
【００６５】
次に、一のウェハＷに第１の加熱処理工程（ステップＳ１４）を行う。第１の加熱処理工程（ステップＳ１４）では、一のウェハＷを加熱処理する。図１０（ｃ）は、第１の加熱処理工程（ステップＳ１４）におけるウェハの状態を示す。
【００６６】
１回目の露光が終了したウェハＷは、第２の基板搬送部３１Ｂにより露光部Ｂ４から取り出され、基板洗浄装置４により基板の表面の水滴の除去が行われ、その後棚ユニットＵ６の一段をなす加熱ユニット（ＰＥＢ）に搬入される。
【００６７】
加熱ユニット（ＰＥＢ）では、搬送されたウェハＷが、図示しない冷却プレート、図示しない昇降ピンを介し、図示しない熱板上に載置され、ウェハＷの加熱処理（露光後ベーク処理）が開始される。所定時間経過後、ウェハＷが昇降ピンによって熱板から離隔され、ウェハＷの加熱処理が終了する。その後、ウェハＷは、昇降ピンから冷却プレートに受け渡されて冷却され、冷却プレートから加熱ユニット（ＰＥＢ）の外部に搬送される。
【００６８】
第１の加熱処理工程（ステップＳ１４）を行うことにより、不溶部１３３ｂの可溶部１３３ａへの変化が促進される。従って、図１０（ｃ）に示すように、第１のパターンＰ１の線幅Ｌ１は、若干減少してＬ１´となり、第１のパターンＰ１のスペース幅ＳＰ１は、若干増大してＳＰ１´となる。
【００６９】
次に、一のウェハＷに第１の現像処理工程（ステップＳ１５）及び洗浄処理工程（ステップＳ１６）を連続して行う。図１０（ｄ）は、第１の現像処理工程（ステップＳ１５）及び洗浄処理工程（ステップＳ１６）が行われた後のウェハの状態を示す。
【００７０】
始めに、第１の現像処理工程（ステップＳ１５）を行う。第１の現像処理工程（ステップＳ１５）では、第１の加熱処理工程（ステップＳ１４）が行われた一のウェハＷを現像処理する。
【００７１】
第１の加熱処理工程（ステップＳ１４）が終了したウェハＷは、第１の基板搬送部３１Ａにより加熱ユニット（ＰＥＢ）から搬出され、棚ユニットＵ３の一段をなす受け渡しユニットを介し、主搬送手段Ａ３に受け渡される。そしてこの主搬送手段Ａ３により現像ユニット（ＤＥＶ）２８内に搬入される。
【００７２】
現像ユニット（ＤＥＶ）２８では、シャッタ４２が開き、１回目の加熱処理が終了したウェハＷを載せた主搬送手段Ａ３がケース４１内に進入し、支持ピン４６の昇降により主搬送手段Ａ３のウェハＷを受け取ってウェハ保持部４４に受け渡す。次いで主搬送手段Ａ３が退避してシャッタ４２が閉じられアーム５６が駆動され、そして、現像液ノズル５からの現像液の供給位置の中心がウェハＷの中央部例えば中心に位置するように、現像液ノズル５の位置が、ウェハＷの中央部上に設定される。
【００７３】
その後、ウェハＷを鉛直軸周りに回転させると共に、現像液ノズル５の吐出口から現像液を帯状に吐出しながら、現像液ノズル５をウェハＷの中央部上から周縁側に移動させる。これにより、ウェハＷに現像液を供給する現像液供給位置をウェハＷの中央部から周縁側に移動させることができ、ウェハＷの表面全体に螺旋状に現像液が供給される。ウェハＷの表面に現像液ノズル５から現像液を供給することによって、一のウェハＷ上の第１のレジスト膜１３３が現像処理される。現像液として、例えばＴＭＡＨ（TetraMethyl Ammonium Hydroxide）等のアルカリ性の溶剤を用いることができる。
【００７４】
このようにして第１の現像処理工程（ステップＳ１５）が行われた後、洗浄処理工程（ステップＳ１６）を行う。洗浄処理工程（ステップＳ１６）では、第１のデータに基づいて処理時間ｔを決定し、決定した処理時間ｔで、第１の現像処理工程（ステップＳ１５）に引き続き、一のウェハＷを洗浄処理することによって、第１のレジストパターンＰ１を形成する。また、洗浄処理工程（ステップＳ１６）では、洗浄液供給工程とともに、ガス供給工程を行う。洗浄液供給工程では、現像処理されたウェハＷを回転させ、回転するウェハＷに洗浄液を供給する洗浄液供給位置をウェハＷの中央部側から周縁側に向けて移動させながら、洗浄液をウェハＷに供給する。ガス供給工程では、移動する洗浄液供給位置よりもウェハＷの回転方向における下流側の位置において、ウェハＷの周縁側に向けてガスを供給する。
【００７５】
なお、処理時間ｔは、洗浄液供給工程を行う時間を含むものとする。また、第１のデータに基づいて処理時間ｔを決定する方法については、後で説明する。
【００７６】
具体的には、まず、現像液ノズル５をウェハＷ上から待避させる。そして、図１１（ａ）に示すように、洗浄液ノズル６がウェハＷに洗浄液を供給する洗浄液供給位置が、ウェハＷの中央部上にあるように、洗浄液ノズル６の位置が設定される。このとき洗浄液ノズル６は、前述したように、吐出口６２がＸ方向からウェハＷの回転方向である時計回りの方向に少し向いた状態にある。 
また、ガスノズル７がウェハＷにガスを供給するガス供給位置が、吐出口６２より少し洗浄液ノズル６のスキャン方向の上流側（図１１（ａ）の右側）にあり、かつ、ウェハＷの回転方向における少し下流側にあるように、ガスノズル７の位置が設定される。このとき、ガスノズル７は、アーム７６に駆動される。また、ガスノズル７の吐出口７２は、洗浄液ノズル６の吐出口６２と同じ向きに向いた状態である。
【００７７】
そして、ウェハＷを例えば５００ｒｐｍ以下例えば２００ｒｐｍの回転数で時計回りに回転させ、次いで、洗浄液を洗浄液ノズル６の吐出口６２から例えば２５０ｍｌ／分の流量で吐出する。これにより洗浄液は、細い帯状となってウェハＷの中心を含む領域である中央部に、斜め上方から衝突する。そして、同時に、ガスノズル７の吐出口７２から窒素ガスを噴射する。ウェハＷは時計方向に回転しているため、ウェハＷ上に供給された洗浄液は遠心力により中心から外に広がろうとする力とウェハＷと共に回転しようとする力が働いて渦巻き流が形成される。図１１（ａ）の鎖線で示す部分は、ガスの噴射がない場合において、洗浄液ノズル６からウェハＷの中心に洗浄液を吐出した直後の稲穂状の液流を示している。
【００７８】
一方、ガスノズル７からも同時に窒素ガスが噴射され、洗浄液供給位置よりも下流側の液流に対して外側に向けて窒素ガスが例えば５ｌ／分の流速で吹き付けられるときは、図１１（ａ）の実線で示すように、稲穂状の液流がウェハＷの周縁側に押しやられる。
【００７９】
この状態で、洗浄液ノズル６は、例えば１５ｍｍ／秒のスキャン速度でＸ方向に沿ってかつ洗浄液が吐出する側に向けて、すなわち図１１（ａ）では左側に向けて移動する。また、ガスノズル７も、洗浄液ノズル６とほぼ同じ方向に同じ速度で移動する。ただし、ガスノズル７は、駆動機構７７によりＸ方向に移動するだけでなく、少しＹ方向でかつガスが噴射する側に向けて、すなわち前方側に向けても移動する。これにより、洗浄液が供給される洗浄液供給位置と、窒素ガスが供給されるガス供給位置とは、ウェハＷの周縁側に近付くにつれて互いに離れていく。
【００８０】
図１１（ｂ）は、洗浄液ノズル６及びガスノズル７が、それぞれ洗浄液及び窒素ガスを供給しながら移動する様子を示している。洗浄液ノズル６から吐出され時計回りの方向に沿って稲穂状に伸びる洗浄液の液流に対して、ガスノズル７から外側に向いたガス流が吹き付けられ、洗浄液の液流が外側に押しやられながら、両ノズル５、６がウェハＷの周縁に向かって（外側に）移動していく。この結果、ウェハＷ上にリング状の洗浄液の塗布領域２００が形成されると共に、そのリングの内縁が外側に向かって広がり、即ち乾燥領域３００が外側に向かって広がる。こうして洗浄液ノズル６及びガスノズル７がウェハＷの周縁側までスキャンされる。
【００８１】
上記したように、第１の現像処理工程（ステップＳ１５）及び洗浄処理工程（ステップＳ１６）を行うことにより、第１のレジスト膜１３３の可溶部１３３ａを溶解除去し、図１０（ｄ）に示すように、不溶部１３３ｂのみが残り、第１のレジストパターンＰ１が形成される。
【００８２】
洗浄処理工程（ステップＳ１６）が行われた後、洗浄液ノズル６及びガスノズル７は、上昇してカップ４３の上方から退避する。また、洗浄処理が行われたウェハＷは、ウェハＷの搬入と逆の動作で主搬送手段Ａ３により搬出される。主搬送手段Ａ３により搬出されたウェハＷは、加熱ユニット→冷却ユニットの順序で搬送され、ポストベーク処理等の所定の処理が行われる。こうして第１のレジストパターンＰ１が形成された一のウェハＷを、棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニットに搬送する。以上により、１回目の現像処理が終了する。
【００８３】
次に、一のウェハＷに第２の処理工程（ステップＳ１７〜ステップＳ２０）を行う。
【００８４】
まず、一のウェハＷに第２の塗布処理工程（ステップＳ１７）を行う。第２の塗布処理工程（ステップＳ１７）では、一のウェハＷにレジストを塗布処理し、第２のレジスト膜１３５を形成する。図１０（ｅ）及び図１０（ｆ）は、第２の塗布処理工程（ステップＳ１７）におけるウェハの状態を示す。
【００８５】
まず、棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニット内のウェハＷを、主搬送手段Ａ２により、棚ユニットＵ１〜Ｕ３のいずれかに含まれる加熱ユニット→冷却ユニット→キュアユニットの順序で搬送する。そして、１回目の塗布・露光・現像処理で形成したパターンの洗浄処理および表面処理、例えば紫外線照射によるキュア処理を行う。これにより、２回目の塗布処理の際にパーティクルが付着したりリーチングを引き起こしたりすることを防止する。図１０（ｅ）に示すように、キュア処理が行われた第１のレジストパターンＰ１では、表面１３４がキュア処理されている。そして、その後、ウェハＷを棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニットに戻す。
【００８６】
続いて、棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニットのウェハＷを主搬送手段Ａ２により、塗布ユニット（ＣＯＴ）２７→加熱ユニット→冷却ユニットの順序で搬送し、順次所定の処理を行う。これにより、図１０（ｆ）に示すように、第１のレジストパターンＰ１が形成されているウェハＷ上に、第２のレジスト膜１３５が形成される。
【００８７】
第２のレジスト膜１３５を形成するのに用いられるレジストの一例も化学増幅型レジストであり、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）を光源に用いた露光に対応可能な化学増幅型のポジレジストを用いることができる。なお、第２のレジスト膜１３５の上層にも上部反射防止膜（ＴＡＲＣ）が形成されてもよい。
【００８８】
そして、第２のレジスト膜１３５が形成されたウェハＷを、主搬送手段Ａ３により、棚ユニットＵ３の受け渡しユニットに搬入する。以上により、２回目の塗布処理が終了する。
【００８９】
次に、一のウェハＷに第２の露光工程（ステップＳ１８）を行う。第２の露光工程（ステップＳ１８）では、第２のレジスト膜１３５が形成された一のウェハＷを露光する。図１０（ｇ）は、第２の露光工程（ステップＳ１８）におけるウェハＷの状態を示す。
【００９０】
棚ユニットＵ３の受け渡しユニットに搬入されたウェハＷは、第１の基板搬送部３１Ａ及び第２の基板搬送部３１Ｂにより、第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂを介し、露光部Ｂ４に搬入される。そして、露光部Ｂ４内で２回目の露光が行われる。
【００９１】
２回目の露光が施されるとき、図１０（ｇ）に示すように、第２のレチクルＲ２を用いて第２のレジスト膜１３５の選択された部分を露光し、例えばアルカリ性の溶剤等よりなる現像液に対して選択的に可溶化させた可溶部１３５ａを発生させる。可溶部１３５ａを選択的に発生させることで、第２のレジスト膜１３５中に、現像液に対して可溶な可溶部１３５ａ及び不溶な不溶部１３５ｂよりなる第２のパターンＰ２を得る。
【００９２】
ここでは、例えば、ラインが配列したパターンを有する第２のレチクルＲ２を用い、第２のパターンＰ２を得る。図１０（ｇ）に示すように、第２のパターンＰ２の線幅Ｌ２及びスペース幅ＳＰ２のそれぞれを、例えば３２ｎｍ及び３２ｎｍとすることができる。
【００９３】
次に、一のウェハＷに第２の加熱処理工程（ステップＳ１９）を行う。第２の加熱処理工程（ステップＳ１９）では、一のウェハＷを加熱処理する。図１０（ｈ）は、第２の加熱処理工程（ステップＳ１９）におけるウェハの状態を示す。
【００９４】
２回目の露光が終了したウェハＷは、第２の基板搬送部３１Ｂにより露光部Ｂ４から取り出され、基板洗浄装置４により基板の表面の水滴の除去が行われ、その後棚ユニットＵ６の一段をなす加熱ユニット（ＰＥＢ）に搬入される。そして、１回目の加熱処理と同様にして、２回目の加熱処理が行われる。
【００９５】
第２の加熱処理工程（ステップＳ１９）を行うことにより、不溶部１３５ｂの可溶部１３５ａへの変化が促進される。従って、図１０（ｈ）に示すように、第２のパターンＰ２の線幅Ｌ２は、若干減少してＬ２´となり、第２のパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２は、若干増大してＳＰ２´となる。
【００９６】
次に、一のウェハＷに第２の現像処理工程（ステップＳ２０）を行う。第２の現像処理工程（ステップＳ２０）では、第２の加熱処理工程（ステップＳ１９）が行われた一のウェハＷを現像処理することによって、第２のレジストパターンＰ２を形成する。図１０（ｉ）は、第２の現像処理工程（ステップＳ２０）におけるウェハの状態を示す。
【００９７】
第２の加熱処理工程（ステップＳ１９）が終了した一のウェハＷは、第１の基板搬送部３１Ａによって加熱ユニット（ＰＥＢ）から搬出され、主搬送手段Ａ３に受け渡され、現像ユニット（ＤＥＶ）２８内に搬入される。そして、現像ユニット（ＤＥＶ）２８内で、一のウェハＷ上の第２のレジスト膜１３５が現像処理される。２回目の現像処理においても、例えばＴＭＡＨ等のアルカリ性の溶剤を用いて、第２のレジスト膜１３５の可溶部１３５ａを溶解除去することにより、図１０（ｉ）に示すように、不溶部１３５ｂのみが残り、第２のレジストパターンＰ２が形成される。また、第２の現像処理工程（ステップＳ２０）の後、図示しない２回目の洗浄処理工程を行ってもよい。
【００９８】
第２のレジストパターンＰ２が形成されたウェハＷは、主搬送手段Ａ３により現像ユニット（ＤＥＶ）２８から搬出され、加熱ユニット→冷却ユニットの順序で搬送され、ポストベーク処理等の所定の処理が行われる。こうして第２のレジストパターンＰ２が形成された一のウェハＷを、棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニットに搬送する。以上により、２回目の現像処理が終了する。
【００９９】
２回目の現像処理が終了した棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニット上のウェハＷは、必要に応じて例えば線幅測定装置１１０でレジストパターンの線幅の測定を行った後、載置部２０ａ上の元のキャリアＣ１へと戻される。
【０１００】
なお、２回目の現像処理まで行って、本実施の形態に係る基板処理方法が終了したウェハＷは、図１０（ｊ）に示すように、基板処理システムと別に設けられたエッチング装置において、被エッチング膜１３１に対してエッチングを行うことができる。
【０１０１】
次に、図１２を参照し、洗浄処理工程（ステップＳ１６）における処理時間ｔを決定する方法について説明する。
【０１０２】
図１２は、処理時間と第２のレジストパターンのスペース幅との関係を模式的に示すグラフである。
【０１０３】
洗浄処理工程（ステップＳ１６）における処理時間ｔが短いときは、第２の加熱処理工程（ステップＳ１９）を行った後の第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´は、処理時間ｔが長いときに比べ、ＳＰ２´が小さい。これは、例えば、第１の現像処理工程（ステップＳ１５）においてウェハＷに供給された現像液が十分除去されておらず、ウェハＷ表面にアルカリ性の溶剤である現像液が残留していること、によるものである。
【０１０４】
また、洗浄処理工程（ステップＳ１６）における処理時間ｔが十分長いときは、更に処理時間ｔを増やしても第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´は変化しない。これは、例えば、第１の現像処理工程（ステップＳ１５）においてウェハＷに供給された現像液が略完全に除去されており、ウェハＷ表面に現像液が残留していないこと、によるものである。
【０１０５】
従って、処理時間ｔと第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´（ＣＤ２）との関係は、図１２に示すように、処理時間ｔが短いうちは、処理時間ｔの増加に伴ってスペース幅ＳＰ２´（ＣＤ２）が増加し、ある時間ｔ１で一定値ＣＤ０に飽和する。
【０１０６】
一方、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２をスペース幅ＳＰ２´ではなく線幅Ｌ２´と定義するときは、処理時間ｔと第２のレジストパターンＰ２の線幅Ｌ２´（ＣＤ２）との関係は、処理時間ｔが短いうちは、処理時間ｔの増加に伴って線幅Ｌ２´（ＣＤ２）が減少し、ある時間ｔ１で一定値ＣＤ０に落ち着く。すなわち、この場合も、線幅ＣＤ２は、処理時間ｔの増加に伴って変化し、ある収束時間ｔ１で一定値ＣＤ０に収束する。
【０１０７】
処理時間ｔが収束時間ｔ１より小さいときは、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２を、洗浄処理を十分長い時間行ったときに得られる本来の値である一定値ＣＤ０にすることができない。また、処理時間ｔが収束時間ｔ１より小さいときは、線幅ＣＤ２が処理時間ｔに依存し、安定しないため、ウェハ間又はウェハ面内における線幅ＣＤ２のばらつきが大きくなるおそれがある。
【０１０８】
一方、処理時間ｔが収束時間ｔ１より大きいときは、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２を本来の値である一定値ＣＤ０にすることができる。また、処理時間ｔが収束時間ｔ１より大きいときは、線幅ＣＤ２が処理時間ｔに依存せず、安定しているため、ウェハ間又はウェハ面内における線幅ＣＤ２のばらつきを低減することができる。
【０１０９】
本実施の形態では、予め第１のデータを準備することにより、収束時間ｔ１を正確に求めることができる。従って、処理時間ｔと収束時間ｔ１とが略等しくなるように、処理時間ｔを決定することにより、処理時間ｔを長くすることなく、ウェハＷの面内における２回目のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２のばらつきを低減することができる。
【０１１０】
次に、図１３を参照し、予め第１のデータを準備しない例を比較例１として、ウェハ面内における第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２の分布を比較した結果を説明する。
【０１１１】
図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、それぞれ本実施の形態及び比較例１に係る基板処理方法を行うことによって得られたウェハ面内における第２のレジストパターンのスペース幅の分布を示す図である。なお、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）では、スペース幅の分布は、略等しい上限値及び下限値の間でグレースケールにより示されている。
【０１１２】
比較例１では、図１３（ｂ）に示すように、ウェハＷの中央部においてスペース幅ＳＰ２´（線幅ＣＤ２）が小さい領域（色の濃い領域）が観察されており、ウェハＷの全面に亘り略等しい値を示していない。従って、比較例１では、ウェハＷの中央部において、洗浄処理が十分行われていないものと考えられる。
【０１１３】
一方、本実施の形態では、図１３（ａ）に示すように、ウェハＷの中央部においてスペース幅ＳＰ２´（線幅ＣＤ２）が小さい領域（色の濃い領域）は観察されず、ウェハＷの全面に亘り略等しい値を示している。従って、本実施の形態では、ウェハＷの中央部においても、洗浄処理が十分行われているものと考えられる。
【０１１４】
また、スペース幅ＳＰ２´（線幅ＣＤ２）のばらつき（ＣＤ３σ）は、本実施の形態における値が、比較例１における値よりも小さくなった。従って、本実施の形態によれば、ウェハＷの面内におけるスペース幅ＳＰ２´（線幅ＣＤ２）のばらつきも低減できる。
【０１１５】
洗浄処理工程において、洗浄液を供給しながら、洗浄液供給位置よりもウェハＷの回転方向における下流側で周縁側に向けてガスを供給する場合、ウェハＷの周縁側と比べ、ウェハＷの中央部における洗浄液の供給量が少なくなるおそれがある。従って、本実施の形態により、処理時間ｔを長くすることなく、ウェハ面内における第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２のばらつきを低減できる効果が大きい。
【０１１６】
本実施の形態では、洗浄処理工程（ステップＳ１６）における洗浄液の温度Ｔを上昇させるか、洗浄液の流量Ｆを増加させることによって、収束時間ｔ１を更に短くすることができる。
【０１１７】
図１４から図１６は、洗浄液の温度又は流量を変更した場合における、処理時間と第２のレジストパターンのスペース幅との関係を示す第１のデータの一例である。図１４は洗浄液の温度が２３℃、流量が３５０ｍｌの場合を示し、図１５は、洗浄液の温度が５０℃、流量が３５０ｍｌの場合を示し、図１６は、洗浄液の温度が２３℃、流量が８００ｍｌの場合を示している。
【０１１８】
図１４から図１６では、処理時間ｔは略等しい最大値で規格化して示している。また、左側の縦軸は、ウェハ面内における第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´（線幅ＣＤ２）の平均値（線幅平均値）ＣＤａｖｅを示している。また、右側の縦軸は、ウェハ面内における第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´（線幅ＣＤ２）のばらつき（線幅ばらつき）ＣＤ３σを示している。
【０１１９】
図１４では、線幅平均値ＣＤａｖｅは、処理時間ｔの増加に伴って増加し、規格化された処理時間ｔが０．５０から１．００の間で収束している。また線幅ばらつきＣＤ３σも、処理時間ｔの増加に伴って減少し、規格化された処理時間ｔが０．５０から１．００の間で収束している。
【０１２０】
また、図１５では、線幅平均値ＣＤａｖｅは、処理時間ｔの増加に伴って増加し、規格化された処理時間ｔが０．２５付近で収束している。また線幅ばらつきＣＤ３σも、処理時間ｔの増加に伴って減少し、規格化された処理時間ｔが０．２５付近で収束している。
【０１２１】
更に図１６では、線幅平均値ＣＤａｖｅは、処理時間ｔの増加に伴って増加し、規格化された処理時間ｔが０．２５付近で収束している。また線幅ばらつきＣＤ３σも、処理時間ｔの増加に伴って減少し、規格化された処理時間ｔが０．２５付近で収束している。
【０１２２】
図１４と図１５とを比較すると、洗浄液の温度Ｔを常温よりも高い温度に上昇させることによって、収束時間ｔ１をより短くでき、処理時間ｔを更に短くしつつ、ウェハ面内における２回目のレジストパターンの線幅のばらつきを低減できることが分かる。
【０１２３】
なお、洗浄液の温度Ｔは常温よりも高い温度であることが好ましく、３０℃以上の温度であることがより好ましい。
【０１２４】
このように洗浄液の温度Ｔを常温よりも高い温度に上昇させることによって収束時間ｔ１をより短くできることについては、以下のような理由が考えられる。例えば、残留する現像液が洗浄液に溶解する溶解度が増大し、相対的に短い時間でウェハＷ表面から現像液を除去できるためと考えられる。
【０１２５】
また、図１４と図１６とを比較すると、洗浄液の流量Ｆを相対的に大きな流量に増加させることによって、収束時間ｔ１を更に短くすることができ、処理時間ｔを更に短くしつつ、ウェハ面内における２回目のレジストパターンの線幅のばらつきを低減できることが分かる。
【０１２６】
このように洗浄液の流量Ｆを相対的に大きな流量に増加させることによって収束時間ｔ１をより短くできることについては、以下のような理由が考えられる。例えば、残留する現像液がより多くの量の洗浄液と攪拌されるため、相対的に短い時間でウェハＷ表面から現像液を除去できるためと考えられる。
【０１２７】
具体的には、洗浄液の温度Ｔが２３℃、洗浄液の流量Ｆが３５０ｍｌ／分であるときの収束時間ｔ１は、９０秒であり、洗浄液の温度Ｔが５０℃、洗浄液の流量Ｆが５５０ｍｌ／分であるときの収束時間ｔ１は、１０秒であった。従って、洗浄液の温度Ｔを常温よりも高くし、洗浄液の流量Ｔを相対的に大きな流量にすることによって、収束時間ｔ１を相対的に短くすることができる。
【０１２８】
また、洗浄処理工程（ステップＳ１６）では、洗浄液としてｐＨが７よりも小さい酸性の洗浄液を用いてもよい。洗浄液としてｐＨが７よりも小さい酸性の洗浄液を用いることによって、洗浄処理工程（ステップＳ１６）の際に、現像液をウェハの表面に残留する現像液成分を少なくすることができる。ｐＨが７よりも小さい酸性の洗浄液を用いることによって収束時間ｔ１をより短くできることについては、以下のような理由が考えられる。例えば、残留する現像液が酸性の洗浄液により中和されるため、相対的に短い時間でウェハＷ表面から現像液を除去できるためと考えられる。
【０１２９】
酸性の洗浄液としては、無機酸及び有機酸から選ばれるいずれか１種以上の酸をそのまま又は純水等により希釈して用いることができる。
【０１３０】
無機酸としては、塩酸、硝酸、リン酸、硫酸、ホウ酸、及びフッ化水素酸から選ばれるいずれか１種以上を用いることができる。
【０１３１】
有機酸としては、脂肪酸（脂式カルボン酸）、芳香族カルボン酸、オキソカルボン酸から選ばれる１種以上を用いることができる。
【０１３２】
脂肪酸（脂式カルボン酸）としては、ギ(蟻)酸［メタン酸］、酢酸［エタン酸］、プロピオン酸［プロパン酸］、酪酸（ブチル酸）［ブタン酸］、イソ酪酸、吉草酸（バレリアン酸）［ペンタン酸］、イソ吉草酸、カプロン酸［ヘキサン酸］、エナント酸（ヘプチル酸）［ヘプタン酸］、カプリル酸［オクタン酸］、ペラルゴン酸［ノナン酸］、カプリン酸［デカン酸］、ラウリン酸［ドデカン酸］、ミリスチン酸［テトラデカン酸］、ペンタデシル酸［ペンタデカン酸］、パルミチン酸（セタン酸）［ヘキサデカン酸］、マルガリン酸［ヘプタデカン酸］、ステアリン酸［オクタデカン酸］、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ツベルクロステアリン酸［ノナデカン酸］、アラキジン酸［イコサン酸］、アラキドン酸、エイコサペンタエン酸、ベヘン酸［ドコサン酸］、ドコサヘキサエン酸、リグノセリン酸［テトラコサン酸］、セロチン酸［ヘキサコサン酸］、モンタン酸［オクタコサン酸］、及びメリシン酸［トリアコンタン酸］から選ばれるいずれか１種以上を用いることができる。
【０１３３】
芳香族カルボン酸としては、サリチル酸［ヒドロキシ安息香酸］、没食子酸（トリヒドロキシ安息香酸）、安息香酸［ベンゼンカルボン酸］、フタル酸、ケイ（桂）皮酸（β-フェニルアクリル酸）、及びメリト酸（メリット酸、黒鉛酸）［ベンゼンヘキサカルボン酸］から選ばれるいずれか１種以上を用いることができる。
【０１３４】
オキソカルボン酸としては、ピルビン酸（オキソプロピオン酸、α-ケトプロピオン酸、焦性ブドウ酸）を用いることができる。
【０１３５】
また、有機酸としては、その他各種の有機酸を用いることもできる。その他各種の有機酸としては、シュウ酸［エタン二酸］、乳酸（α-ヒドロキシプロパン酸）、酒石酸、マレイン酸、フマル酸（フマール酸、アロマレイン酸、ボレティックアシッド、リケニックアシッド）、マロン酸［プロパン二酸］、コハク酸、リンゴ酸(ヒドロキシコハク酸)、クエン酸、アコニット酸、グルタル酸、アジピン酸［ヘキサン二酸］、アミノ酸、L-アスコルビン酸（ビタミンＣ）から選ばれるいずれか１種以上を用いることができる。
【０１３６】
以上、本実施の形態に係る基板処理方法によれば、第１のデータを準備し、第１のデータに基づいて、ウェハＷを洗浄処理する処理時間ｔを決定する。従って、処理時間ｔと、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２が収束する収束時間ｔ１とが略等しくなるように、処理時間ｔを決定することができる。これにより、処理時間を長くすることなく、ウェハ面内における２回目のレジストパターンの線幅のばらつきを低減することができる。
（第１の実施の形態の第１の変形例）
次に、図１７及び図１８を参照し、第１の実施の形態の第１の変形例に係る基板処理方法について説明する。
【０１３７】
本変形例に係る基板処理方法は、処理時間ｔと、ウェハＷの中央部及び中央部よりも周縁側における第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２−１、ＣＤ２−２との関係に基づいて、処理時間ｔを決定する点で、第１の実施の形態に係る基板処理方法と相違する。
【０１３８】
本変形例でも、第１の実施の形態で説明した基板処理システム、現像ユニット及び線幅測定装置を用いることができる。
【０１３９】
図１７は、本変形例に係る基板処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。図１８は、処理時間と第２のレジストパターンのスペース幅との関係を模式的に示すグラフである。
【０１４０】
図１７に示すように、本変形例に係る基板処理方法は、データ準備工程（ステップＳ３１）、第１の処理工程（ステップＳ３２〜ステップＳ３６）及び第２の処理工程（ステップＳ３７〜ステップＳ４０）を有する。第１の処理工程（ステップＳ３２〜ステップＳ３６）は、第１の塗布処理工程（ステップＳ３２）、第１の露光工程（ステップＳ３３）、第１の加熱処理工程（ステップＳ３４）、第１の現像処理工程（ステップＳ３５）及び洗浄処理工程（ステップＳ３６）を有する。第２の処理工程（ステップＳ３７〜ステップＳ４０）は、第２の塗布処理工程（ステップＳ３７）、第２の露光工程（ステップＳ３８）、第２の加熱処理工程（ステップＳ３９）及び第２の現像処理工程（ステップＳ４０）を有する。
【０１４１】
始めに、データ準備工程（ステップＳ３１）を行う。データ準備工程（ステップＳ３１）では、洗浄処理工程（ステップＳ３６）におけるウェハＷを洗浄処理する処理時間ｔとそれぞれウェハＷの中央部及び中央部よりも周縁側に形成された第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´との関係を示す第１のデータ及び第２のデータを準備する。
【０１４２】
複数のウェハＷよりなるウェハ群の各ウェハＷに、第１の塗布処理工程（ステップＳ３２）から第１の現像処理工程（ステップＳ３５）を行った後、ウェハＷ毎に処理時間ｔを変えて、後述する洗浄処理工程（ステップＳ３６）を行う。その後、後述する第２の塗布処理工程（ステップＳ３７）から第２の現像処理工程（ステップＳ４０）を行うことによって、第１の実施の形態において図１０を用いて説明したように、ウェハＷ上に第１のレジストパターンＰ１及び第２のレジストパターンＰ２を形成する。そして、それぞれウェハＷの中央部及び中央部よりも周縁側に形成された第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´−１、ＳＰ２´−２を、線幅測定装置１１０を用いて測定する。これにより、処理時間ｔと、それぞれウェハＷの中央部及び中央部よりも周縁側に形成された第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´−１、ＳＰ２´−２と、の関係を示す第１のデータ及び第２のデータを準備する。
【０１４３】
なお、第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´−１、ＳＰ２´−２は、本発明における第２のレジストパターンの線幅に相当する。
【０１４４】
次に、一のウェハＷに第１の処理工程（ステップＳ３２〜ステップＳ３６）を行う。このうち、第１の塗布処理工程（ステップＳ３２）から第１の現像処理工程（ステップＳ３５）のそれぞれは、第１の実施の形態における第１の塗布処理工程（ステップＳ１２）から第１の現像処理工程（ステップＳ１５）のそれぞれと同様である。また、洗浄処理工程（ステップＳ３６）についても、第１のデータ及び第２のデータに基づいて処理時間ｔを決定すること以外は、第１の実施の形態における洗浄処理工程（ステップＳ１６）と同様である。なお、洗浄処理工程（ステップＳ３６）における処理時間ｔを決定する方法については、後で説明する。
【０１４５】
次に、一のウェハＷに第２の処理工程（ステップＳ３７〜ステップＳ４０）を行う。第２の処理工程（ステップＳ３７〜ステップＳ４０）は、第１の実施の形態における第２の処理工程（ステップＳ１７〜ステップＳ２０）と同様である。
【０１４６】
次に、洗浄処理工程（ステップＳ３６）における処理時間ｔを決定する方法について説明する。
【０１４７】
第１の実施の形態で説明したように、処理時間ｔが短いうちは、処理時間ｔの増加に伴って第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´（ＣＤ２）が変化し、ある時間で一定値ＣＤ０に飽和する。
【０１４８】
しかし、ウェハＷの中央部と中央部よりも周縁側とでは、洗浄処理工程において供給される洗浄液の供給速度が異なるため、異なる時間で一定値ＣＤ０に収束する。本変形例では、第１の実施の形態と同様に、洗浄液を供給しながら、洗浄液供給位置よりもウェハＷの回転方向における下流側で周縁側に向けてガスを供給する。従って、ウェハＷの中央部よりも周縁側において、ウェハＷの中央部よりも短い時間で一定値ＣＤ０に収束する。即ち、図１８に示すように、ウェハＷの中央部では、収束時間ｔ１で一定値ＣＤ０に収束し、ウェハＷの中央部よりも周縁側では、収束時間ｔ２（＜ｔ１）で一定値ＣＤ０に収束する。
【０１４９】
処理時間ｔが収束時間ｔ２より小さいときは、ウェハＷの中央部及び周縁側のいずれにおいても、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２を、一定値ＣＤ０にすることができず、ウェハ間又はウェハ面内における線幅ＣＤ２のばらつきを低減することができない。
【０１５０】
また、処理時間ｔが周縁側における収束時間ｔ２より大きく中央部における収束時間ｔ１より小さいときは、ウェハＷの周縁側では、線幅ＣＤ２を一定値ＣＤ０にすることができ、ウェハ間又はウェハ面内における線幅ＣＤ２のばらつきを低減することができる。しかし、ウェハＷの中央部では、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２を、一定値ＣＤ０にすることができず、ウェハ間又はウェハ面内における線幅ＣＤ２のばらつきを低減することができない。
【０１５１】
一方、処理時間ｔが収束時間ｔ１より大きいときは、ウェハＷの中央部及び周縁側のいずれにおいても、線幅ＣＤ２を一定値ＣＤ０にすることができ、ウェハ間又はウェハ面内における線幅ＣＤ２のばらつきを低減することができる。
【０１５２】
従って、第１のデータ（収束時間ｔ１）及び第２のデータ（収束時間ｔ２）を準備し、処理時間ｔが収束時間ｔ１及びｔ２のいずれか大きい方と略等しくなるように、処理時間を決定することにより、処理時間ｔを長くすることなく、ウェハＷの中央部及び中央部よりも周縁側における線幅ＣＤ２−１（スペース幅ＳＰ２´−１）、線幅ＣＤ２−２（スペース幅ＳＰ２´−２）のばらつきを低減することができる。
【０１５３】
なお、本変形例では、ウェハを中央部の領域と中央部よりも周縁側の領域とよりなる２領域に分割し、２領域のそれぞれについて処理時間ｔと第２のレジストパターンの線幅との関係を示すデータを準備し、そのデータに基づいて処理時間ｔを決定する例について説明した。しかし、ウェハを分割する領域の数は、２に限定されず、３以上の多数の領域に分割し、その多数の領域のそれぞれについて処理時間ｔと第２のレジストパターンの線幅との関係を示すデータを準備し、そのデータに基づいて処理時間ｔを決定してもよい。これにより、更にウェハ間、ウェハ面内における第２のレジストパターンの線幅のばらつきを低減することができる。
（第１の実施の形態の第２の変形例）
次に、図１９から図２２を参照し、第１の実施の形態の第２の変形例に係る基板処理方法について説明する。
【０１５４】
本変形例に係る基板処理方法は、第１のデータが、第１の処理工程におけるウェハＷを洗浄処理する第１の処理条件であって処理時間以外の条件と、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２との関係を示すものである点で、第１の実施の形態に係る基板処理方法と相違する。
【０１５５】
本変形例でも、第１の実施の形態で説明した基板処理システム、現像ユニット及び線幅測定装置を用いることができる。
【０１５６】
図１９は、本変形例に係る基板処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【０１５７】
図１９に示すように、本変形例に係る基板処理方法は、データ準備工程（ステップＳ１１１）から第２の現像処理工程（ステップＳ１２０）までの工程を有している。第１の塗布処理工程（ステップＳ１１２）から第１の現像処理工程（ステップＳ１１５）までの各工程は、図９を用いて説明した第１の塗布処理工程（ステップＳ１２）から第１の現像処理工程（ステップＳ１５）までの各工程と同様であり、説明を省略する。また、第２の塗布処理工程（ステップＳ１１７）から第２の現像処理工程（ステップＳ１２０）までの各工程は、図９を用いて説明した第２の塗布処理工程（ステップＳ１７）から第２の現像処理工程（ステップＳ２０）までの各工程と同様であり、説明を省略する。
【０１５８】
始めに、データ準備工程（ステップＳ１１１）では、洗浄処理工程（ステップＳ１１６）におけるウェハＷを洗浄処理する第１の処理条件と、第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´との関係を示す第１のデータを準備する。
【０１５９】
複数のウェハＷよりなるウェハ群の各ウェハＷに、第１の塗布処理工程（ステップＳ１１２）から第１の現像処理工程（ステップＳ１１５）を行った後、ウェハＷ毎に第１の処理条件を変えて、洗浄処理工程（ステップＳ１１６）を行う。その後、第２の塗布処理工程（ステップＳ１１７）から第２の現像処理工程（ステップＳ１２０）を行うことによって、第１の実施の形態において図１０を用いて説明したように、ウェハＷ上に第１のレジストパターンＰ１及び第２のレジストパターンＰ２を形成する。そして、形成された第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´を、線幅測定装置１１０を用いて測定する。これにより、第１の処理条件と第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´との関係を示す第１のデータを準備する。
【０１６０】
次に、一のウェハＷに第１の処理工程（ステップＳ１１２〜ステップＳ１１６）を行う。このうち、第１の塗布処理工程（ステップＳ１１２）から第１の現像処理工程（ステップＳ１１５）のそれぞれは、第１の実施の形態における第１の塗布処理工程（ステップＳ１２）から第１の現像処理工程（ステップＳ１５）のそれぞれと同様である。また、洗浄処理工程（ステップＳ１１６）についても、第１のデータに基づいて第１の処理条件を決定すること以外は、第１の実施の形態における洗浄処理工程（ステップＳ１６）と同様である。
【０１６１】
次に、一のウェハＷに第２の処理工程（ステップＳ１１７〜ステップＳ１２０）を行う。第２の処理工程（ステップＳ１１７〜ステップＳ１２０）は、第１の実施の形態における第２の処理工程（ステップＳ１７〜ステップＳ２０）と同様である。
【０１６２】
次に、第１の処理条件の好ましい具体例、及び、洗浄処理工程（ステップＳ１１６）における第１の処理条件を決定する方法について説明する。
【０１６３】
第１の処理条件の一番目の例としては、洗浄液の温度Ｔであることが好ましい。このとき、第１のデータは、洗浄液の温度Ｔが第１の温度Ｔ１よりも低いときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が洗浄液の温度Ｔに伴って変化し、洗浄液の温度Ｔが第１の温度Ｔ１以上であるときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束するような第１の温度Ｔ１であることが好ましい。また、洗浄処理工程（ステップＳ１１６）では、第１のデータに基づいて、洗浄液の温度Ｔと第１の温度Ｔ１とが略等しくなるように、洗浄液の温度Ｔを決定することが好ましい。
【０１６４】
図２０は、洗浄液の温度と第２のレジストパターンのスペース幅との関係を模式的に示すグラフである。
【０１６５】
洗浄処理工程（ステップＳ１１６）における洗浄液の温度Ｔが第１の温度Ｔ１より低いときは、第２の加熱処理工程（ステップＳ１１９）を行った後の第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´は、洗浄液の温度Ｔの低下に伴って小さくなる。これは、例えば、第１の現像処理工程（ステップＳ１１５）においてウェハＷに供給された現像液が十分除去されておらず、ウェハＷ表面にアルカリ性の溶剤である現像液が残留していること、によるものである。
【０１６６】
また、洗浄処理工程（ステップＳ１１６）における洗浄液の温度Ｔが第１の温度Ｔ１以上であるときは、更に洗浄液の温度Ｔを上昇させても第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´は変化しない。これは、例えば、第１の現像処理工程（ステップＳ１１５）においてウェハＷに供給された現像液が略完全に除去されており、ウェハＷ表面に現像液が残留していないこと、によるものである。
【０１６７】
これらは、例えば、前述したように、洗浄液の温度Ｔの上昇に伴って、残留する現像液が洗浄液に溶解する溶解度が増大し、ウェハＷ表面から現像液を十分に除去できたためと考えられる。
【０１６８】
従って、図２０に示すように、洗浄液の温度Ｔが第１の温度Ｔ１より低いときは、洗浄液の温度Ｔの上昇に伴ってスペース幅ＳＰ２´（ＣＤ２）が増加し、第１の温度Ｔ１で一定値ＣＤ０に収束する。そして、洗浄液の温度Ｔを第１の温度Ｔ１以上にすることによって、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２を本来の値である一定値ＣＤ０にすることができ、ウェハＷ間又はウェハＷ面内における線幅ＣＤ２のばらつきを低減することができる。
【０１６９】
また、第１の処理条件の二番目の例としては、洗浄液の流量Ｆであることが好ましい。このとき、第１のデータは、洗浄液の流量Ｆが第１の流量Ｆ１よりも小さいときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が洗浄液の流量Ｆに伴って変化し、洗浄液の流量Ｆが第１の流量Ｆ１以上であるときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束するような第１の流量Ｆ１であることが好ましい。また、洗浄処理工程（ステップＳ１１６）では、第１のデータに基づいて、洗浄液の流量Ｆと第１の流量Ｆ１とが略等しくなるように、洗浄液の流量Ｆを決定することが好ましい。
【０１７０】
図２１は、洗浄液の流量と第２のレジストパターンのスペース幅との関係を模式的に示すグラフである。
【０１７１】
洗浄処理工程（ステップＳ１１６）における洗浄液の流量Ｆが第１の流量Ｆ１より小さいときは、第２の加熱処理工程（ステップＳ１１９）を行った後の第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´は、洗浄液の流量Ｆの減少に伴って小さくなる。これは、例えば、第１の現像処理工程（ステップＳ１１５）においてウェハＷに供給された現像液が十分除去されておらず、ウェハＷ表面にアルカリ性の溶剤である現像液が残留していること、によるものである。
【０１７２】
また、洗浄処理工程（ステップＳ１１６）における洗浄液の流量Ｆが第１の流量Ｆ１以上であるときは、更に洗浄液の流量Ｆを増加させても第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´は変化しない。これは、例えば、第１の現像処理工程（ステップＳ１１５）においてウェハＷに供給された現像液が略完全に除去されており、ウェハＷ表面に現像液が残留していないこと、によるものである。
【０１７３】
これらは、例えば、前述したように、洗浄液の流量Ｆの増加に伴って、残留する現像液がより多くの量の洗浄液と攪拌されるため、ウェハＷ表面から現像液を十分に除去できたためと考えられる。そして、第２の加熱処理工程（ステップＳ１１９）における不溶部１３５ｂの可溶部１３５ａへの変化が現像液残留成分により阻害されないためと考えられる。
【０１７４】
従って、図２１に示すように、洗浄液の流量Ｆが第１の流量Ｆ１より小さいときは、洗浄液の流量Ｆの増加に伴ってスペース幅ＳＰ２´（ＣＤ２）が増加し、第１の流量Ｆ１で一定値ＣＤ０に収束する。そして、洗浄液の流量Ｆを第１の流量Ｆ１以上にすることによって、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２を本来の値である一定値ＣＤ０にすることができ、ウェハＷ間又はウェハＷ面内における線幅ＣＤ２のばらつきを低減することができる。
【０１７５】
更に、第１の処理条件の三番目の例としては、洗浄液のｐＨであることが好ましい。このとき、第１のデータは、洗浄液のｐＨが第１のｐＨよりも大きいときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が洗浄液のｐＨに伴って変化し、洗浄液のｐＨが第１のｐＨ以下であるときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束するような第１のｐＨを含むことが好ましい。また、洗浄処理工程（ステップＳ１１６）では、第１のデータに基づいて、洗浄液のｐＨと第１のｐＨとが略等しくなるように、洗浄液のｐＨを決定することが好ましい。
【０１７６】
図２２は、洗浄液のｐＨと第２のレジストパターンのスペース幅との関係を模式的に示すグラフである。
【０１７７】
洗浄処理工程（ステップＳ１１６）における洗浄液のｐＨが第１のｐＨより大きいときは、第２の加熱処理工程（ステップＳ１１９）を行った後の第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´は、洗浄液のｐＨの増加に伴って小さくなる。これは、例えば、第１の現像処理工程（ステップＳ１１５）においてウェハＷに供給された現像液が十分除去されておらず、ウェハＷ表面にアルカリ性の溶剤である現像液が残留していること、によるものである。
【０１７８】
また、洗浄処理工程（ステップＳ１１６）における洗浄液のｐＨが第１のｐＨ以下であるときは、更に洗浄液のｐＨを減少させても第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´は変化しない。これは、例えば、第１の現像処理工程（ステップＳ１１５）においてウェハＷに供給された現像液が略完全に除去されており、ウェハＷ表面に現像液が残留していないこと、によるものである。
【０１７９】
これらは、例えば、前述したように、洗浄液のｐＨの減少に伴って、残留する現像液がより酸性の強い洗浄液により中和されるため、ウェハＷ表面から現像液を十分に除去できたためと考えられる。
【０１８０】
従って、図２２に示すように、洗浄液のｐＨが第１のｐＨより大きいときは、洗浄液のｐＨの増加に伴ってスペース幅ＳＰ２´（ＣＤ２）が増加し、第１のｐＨで一定値ＣＤ０に収束する。そして、洗浄液のｐＨを第１のｐＨ以下にすることによって、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２を本来の値である一定値ＣＤ０にすることができ、ウェハＷ間又はウェハＷ面内における線幅ＣＤ２のばらつきを低減することができる。
【０１８１】
なお、ｐＨが例えば７より小さい酸性の洗浄液として、第１の実施の形態で例示した各種の酸をそのまま又は希釈して用いることができる。
【０１８２】
本変形例によれば、予め基板処理の他の制約により処理時間をそれ以上短くすることができないときも、洗浄液の温度Ｔ、流量Ｆ、ｐＨを調整することによって、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２を本来の値である一定値ＣＤ０にすることができ、ウェハＷ間又はウェハＷ面内における線幅ＣＤ２のばらつきを低減することができる。
【０１８３】
なお、本変形例でも、第１の実施の形態の第１の変形例で説明したように、第１の処理条件と、ウェハＷの中央部及び中央部よりも周縁側における第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２−１、ＣＤ２−２との関係に基づいて、第１の処理条件を決定してもよい。これにより、ウェハＷの中央部及び中央部よりも周縁側における線幅ＣＤ２−１（スペース幅ＳＰ２´−１）、線幅ＣＤ２−２（スペース幅ＳＰ２´−２）のばらつきを低減することができる。
（第１の実施の形態の第３の変形例）
次に、図２３から図２６を参照し、第１の実施の形態の第３の変形例に係る基板処理方法について説明する。
【０１８４】
本変形例に係る基板処理方法は、第１のデータが、処理時間ｔ、及び、第１の処理工程におけるウェハＷを洗浄処理する第２の処理条件と、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２との関係を示すものである点で、第１の実施の形態に係る基板処理方法と相違する。
【０１８５】
本変形例でも、第１の実施の形態で説明した基板処理システム、現像ユニット及び線幅測定装置を用いることができる。
【０１８６】
図２３は、本変形例に係る基板処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【０１８７】
図２３に示すように、本変形例に係る基板処理方法は、データ準備工程（ステップＳ１３１）から第２の現像処理工程（ステップＳ１４０）までの工程を有している。第１の塗布処理工程（ステップＳ１３２）から第１の現像処理工程（ステップＳ１３５）までの各工程は、図９を用いて説明した第１の塗布処理工程（ステップＳ１２）から第１の現像処理工程（ステップＳ１５）までの各工程と同様であり、説明を省略する。また、第２の塗布処理工程（ステップＳ１３７）から第２の現像処理工程（ステップＳ１４０）までの各工程は、図９を用いて説明した第２の塗布処理工程（ステップＳ１７）から第２の現像処理工程（ステップＳ２０）までの各工程と同様であり、説明を省略する。
【０１８８】
始めに、データ準備工程（ステップＳ１３１）では、洗浄処理工程（ステップＳ１３６）におけるウェハＷを洗浄処理する処理時間ｔ及び第２の処理条件と、第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´との関係を示す第１のデータを準備し、準備した第１のデータに基づいて、処理時間ｔ及び第２の処理条件を決定する。
【０１８９】
複数のウェハＷよりなるウェハ群の各ウェハＷに、第１の塗布処理工程（ステップＳ１３２）から第１の現像処理工程（ステップＳ１３５）を行った後、ウェハＷ毎に処理時間ｔ及び第２の処理条件を変えて、洗浄処理工程（ステップＳ１３６）を行う。その後、第２の塗布処理工程（ステップＳ１３７）から第２の現像処理工程（ステップＳ１４０）を行うことによって、第１の実施の形態において図１０を用いて説明したように、ウェハＷ上に第１のレジストパターンＰ１及び第２のレジストパターンＰ２を形成する。そして、形成された第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´を、線幅測定装置１１０を用いて測定する。これにより、処理時間ｔ及び第２の処理条件と、第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´との関係を示す第１のデータを準備する。
【０１９０】
次に、一のウェハＷに第１の処理工程（ステップＳ１３２〜ステップＳ１３６）を行う。このうち、第１の塗布処理工程（ステップＳ１３２）から第１の現像処理工程（ステップＳ１３５）のそれぞれは、第１の実施の形態における第１の塗布処理工程（ステップＳ１２）から第１の現像処理工程（ステップＳ１５）のそれぞれと同様である。また、洗浄処理工程（ステップＳ１３６）についても、決定した処理時間ｔおよび第２の処理条件で一のウェハに洗浄処理すること以外は、第１の実施の形態における洗浄処理工程（ステップＳ１６）と同様である。
【０１９１】
次に、一のウェハＷに第２の処理工程（ステップＳ１３７〜ステップＳ１４０）を行う。第２の処理工程（ステップＳ１３７〜ステップＳ１４０）は、第１の実施の形態における第２の処理工程（ステップＳ１７〜ステップＳ２０）と同様である。
【０１９２】
次に、データ準備工程（ステップＳ１３１）における処理時間ｔ及び第２の処理条件を決定する方法について説明する。
【０１９３】
データ準備工程（ステップＳ１３１）において、ウェハＷ毎に処理時間ｔ及び第２の処理条件を変える方法としては、限定されない。
【０１９４】
例えば、最初にデータ準備工程（ステップＳ１３１）を行い、処理時間ｔと第２の処理条件のそれぞれを任意に変えたマトリクス状の条件データに対応した第１のデータを準備し、準備した第１のデータに基づいて処理時間ｔ及び第２の処理条件を決定してもよい。
【０１９５】
また、異なる複数の第２の処理条件のそれぞれについて第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束する収束時間ｔ１を求めてもよい。このときは、第１のデータは、異なる複数の第２の処理条件と、それぞれの第２の処理条件に対応した収束時間ｔ１を含む。
【０１９６】
あるいは、初めに処理時間ｔを第１の時間ｔ１１に固定した状態で第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束するように第２の処理条件を最適値に最適化してもよい。そして、第２の処理条件を最適値に最適化した状態で第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束する収束時間ｔ１を求めてもよい。このときは、第１のデータは、第２の処理条件の最適値と、収束時間ｔ１を含む。以下、第１のデータが、第２の処理条件の最適値と、収束時間ｔ１を含む例について、第２の処理条件の好ましい具体例を述べた上で説明する。
【０１９７】
第２の処理条件の一番目の例としては、洗浄液の温度Ｔであることが好ましい。このとき、第１のデータは、処理時間ｔが第１の時間ｔ１１である場合において、洗浄液の温度Ｔが第１の温度Ｔ１よりも低いときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が洗浄液の温度Ｔに伴って変化し、洗浄液の温度Ｔが第１の温度Ｔ１以上であるときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束するような第１の温度Ｔ１を含むことが好ましい。また、第１のデータは、洗浄液の温度Ｔが第１の温度Ｔ１である場合において、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束する収束時間ｔ１を含むことが好ましい。また、データ準備工程（ステップＳ１３１）では、第１のデータに基づいて、洗浄液の温度Ｔと第１の温度Ｔ１とが略等しくなるように、洗浄液の温度Ｔを決定し、処理時間ｔと収束時間ｔ１とが略等しくなるように、処理時間ｔを決定することが好ましい。
【０１９８】
図２４は、処理時間及び洗浄液の温度と第２のレジストパターンのスペース幅との関係を模式的に示すグラフである。
【０１９９】
図２４に示すように、横軸を処理時間ｔ、縦軸を洗浄液の温度Ｔとするとき、処理時間ｔが短く洗浄液の温度Ｔが低い領域Ｉでは、処理時間ｔを短くするほど、また、洗浄液の温度Ｔを低下させるほど、形成された第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´が小さくなる。一方、処理時間ｔが長く洗浄液の温度Ｔが高い領域IIでは、処理時間ｔを長くしても、また、洗浄液の温度Ｔを上昇させても、形成された第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´は変化せず、一定値ＣＤ０に収束する。すなわち領域IIは、第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´が一定になる領域である。
【０２００】
従って、初めに処理時間ｔが第１の時間ｔ１１である場合（直線Ｌ１上）において、洗浄液の温度Ｔが第１の温度Ｔ１よりも低いときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が洗浄液の温度Ｔに伴って変化し、洗浄液の温度Ｔが第１の温度Ｔ１以上であるときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束するような第１の温度Ｔ１を求める。そして次に、洗浄液の温度Ｔが第１の温度Ｔ１である場合（直線Ｌ２上）において、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束する収束時間ｔ１を求める。
【０２０１】
これにより、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´（ＣＤ２）を本来の値である一定値ＣＤ０にすることができ、ウェハＷ間又はウェハＷ面内における線幅ＣＤ２のばらつきを低減することができる。また、洗浄液の温度Ｔを変更することにより、収束時間ｔ１を更に短くすることができる。
【０２０２】
また、第２の処理条件の二番目の例としては、洗浄液の流量Ｆであることが好ましい。このとき、第１のデータは、処理時間ｔが第１の時間ｔ１１である場合において、洗浄液の流量Ｆが第１の流量Ｆ１よりも小さいときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が洗浄液の流量Ｆに伴って変化し、洗浄液の流量Ｆが第１の流量Ｆ１以上であるときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束するような第１の流量Ｆ１を含むことが好ましい。また、第１のデータは、洗浄液の流量Ｆが第１の流量Ｆ１である場合において、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束する収束時間ｔ１を含むことが好ましい。また、データ準備工程（ステップＳ１３１）では、第１のデータに基づいて、洗浄液の流量Ｆと第１の流量Ｆ１とが略等しくなるように、洗浄液の流量Ｆを決定し、処理時間ｔと収束時間ｔ１とが略等しくなるように、処理時間ｔを決定することが好ましい。
【０２０３】
図２５は、処理時間及び洗浄液の流量と第２のレジストパターンのスペース幅との関係を模式的に示すグラフである。
【０２０４】
図２５に示すように、横軸を処理時間ｔ、縦軸を洗浄液の流量Ｆとするとき、処理時間ｔが短く洗浄液の流量Ｆが小さい領域Ｉでは、処理時間ｔを短くするほど、また、洗浄液の流量Ｆを減少させるほど、形成された第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´が小さくなる。一方、処理時間ｔが長く洗浄液の流量Ｆが大きい領域IIでは、処理時間ｔを長くしても、また、洗浄液の流量Ｆを増加させても、形成された第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´は変化せず、一定値ＣＤ０に収束する。すなわち領域IIは、第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´が一定になる領域である。
【０２０５】
従って、初めに処理時間ｔが第１の時間ｔ１１である場合（直線Ｌ１上）において、洗浄液の流量Ｆが第１の流量Ｆ１よりも小さいときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が洗浄液の流量Ｆに伴って変化し、洗浄液の流量Ｆが第１の流量Ｆ１以上であるときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束するような第１の流量Ｆ１を求める。そして次に、洗浄液の流量Ｆが第１の流量Ｆ１である場合（直線Ｌ２上）において、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束する収束時間ｔ１を求める。
【０２０６】
これにより、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´（ＣＤ２）を本来の値である一定値ＣＤ０にすることができ、ウェハＷ間又はウェハＷ面内における線幅ＣＤ２のばらつきを低減することができる。また、洗浄液の流量Ｆを変更することにより、収束時間ｔ１を更に短くすることができる。
【０２０７】
更に、第２の処理条件の三番目の例としては、洗浄液のｐＨであることが好ましい。このとき、第１のデータは、処理時間ｔが第１の時間ｔ１１である場合において、洗浄液のｐＨが第１のｐＨよりも大きいときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が洗浄液のｐＨに伴って変化し、洗浄液のｐＨが第１のｐＨ以下であるときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束するような第１のｐＨを含むことが好ましい。また、第１のデータは、洗浄液のｐＨが第１のｐＨである場合において、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束する収束時間ｔ１を含むことが好ましい。また、データ準備工程（ステップＳ１３１）では、第１のデータに基づいて、洗浄液のｐＨと第１のｐＨとが略等しくなるように、洗浄液のｐＨを決定し、処理時間ｔと収束時間ｔ１とが略等しくなるように、処理時間ｔを決定することが好ましい。
【０２０８】
なお、第１のｐＨを例えば７とするときは、処理時間ｔが第１の時間ｔ１１である場合において、洗浄液のｐＨが第１のｐＨよりも大きくアルカリ性であるときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が洗浄液のｐＨに伴って変化する。そして、洗浄液のｐＨが第１のｐＨ以下であり酸性であるときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束する。
【０２０９】
図２６は、処理時間及び洗浄液のｐＨと第２のレジストパターンのスペース幅との関係を模式的に示すグラフである。
【０２１０】
図２６に示すように、横軸を処理時間ｔ、縦軸を洗浄液のｐＨとするとき、処理時間ｔが短く洗浄液のｐＨが大きい領域Ｉでは、処理時間ｔを短くするほど、また、洗浄液のｐＨを増加させるほど、形成された第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´が小さくなる。一方、処理時間ｔが長く洗浄液のｐＨが小さい領域IIでは、処理時間ｔを長くしても、また、洗浄液のｐＨを減少させても、形成された第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´は変化せず、一定値ＣＤ０に収束する。すなわち領域IIは、第２のレジストパターンＰ２のスペース幅ＳＰ２´が一定になる領域である。
【０２１１】
従って、初めに処理時間ｔが第１の時間ｔ１１である場合（直線Ｌ１上）において、洗浄液のｐＨが第１のｐＨよりも大きいときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が洗浄液のｐＨに伴って変化し、洗浄液のｐＨが第１のｐＨ以下であるときに第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束するような第１のｐＨを求める。そして次に、洗浄液のｐＨが第１のｐＨである場合（直線Ｌ２上）において、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´が一定値に収束する収束時間ｔ１を求める。
【０２１２】
これにより、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´（ＣＤ２）を本来の値である一定値ＣＤ０にすることができ、ウェハＷ間又はウェハＷ面内における線幅ＣＤ２のばらつきを低減することができる。また、洗浄液のｐＨを変更することにより、収束時間ｔ１を更に短くすることができる。
【０２１３】
なお、ｐＨが例えば７より小さい酸性の洗浄液として、第１の実施の形態で例示した各種の酸をそのまま又は希釈して用いることができる。
（第１の実施の形態の第４の変形例）
次に、図２７を参照し、第１の実施の形態の第４の変形例に係る基板処理方法について説明する。
【０２１４】
本変形例に係る基板処理方法は、第１の処理工程の後、第２の処理工程の前に、ウェハＷを酸性の処理液により処理する酸性処理液処理工程を有する点で、第１の実施の形態に係る基板処理方法と相違する。
【０２１５】
本変形例でも、第１の実施の形態で説明した基板処理システム、現像ユニット及び線幅測定装置を用いることができる。
【０２１６】
ただし、本変形例では、図５を用いて説明した洗浄液ノズル６に、図示しない処理液供給管を介し、図示しない酸性処理液供給源を接続してもよい。あるいは、洗浄液ノズル６と別に図示しない酸性処理液ノズルを設けてもよく、酸性処理液ノズルに図示しない処理液供給管を介し、図示しない酸性処理液供給源を接続してもよい。
【０２１７】
図２７は、本変形例に係る基板処理方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【０２１８】
図２７に示すように、本変形例に係る基板処理方法は、データ準備工程（ステップＳ１５１）から第２の現像処理工程（ステップＳ１６１）までの工程を有している。データ準備工程（ステップＳ１５１）から洗浄処理工程（ステップＳ１５６）までの各工程は、図９を用いて説明したデータ準備工程（ステップＳ１１）から洗浄処理工程（ステップＳ１６）までの各工程と同様であり、説明を省略する。また、第２の塗布処理工程（ステップＳ１５８）から第２の現像処理工程（ステップＳ１６１）までの各工程は、図９を用いて説明した第２の塗布処理工程（ステップＳ１７）から第２の現像処理工程（ステップＳ２０）までの各工程と同様であり、説明を省略する。
【０２１９】
本変形例では、洗浄処理工程（ステップＳ１５６）の後、第２の塗布処理工程（ステップＳ１５８）の前に、酸性処理液処理工程（ステップＳ１５７）を行う。酸性処理液処理工程（ステップＳ１５７）では、ウェハＷを例えばｐＨが７よりも小さい酸性の処理液により処理する。
【０２２０】
なお、ｐＨが例えば７より小さい酸性の処理液として、第１の実施の形態で例示した各種の酸を用いることができる。
【０２２１】
酸性の処理液のウェハＷへの供給方法は、例えば以下のようにしてもよい。洗浄液ノズル６に、処理液供給管を介して酸性処理液供給源を接続しているときは、酸性処理液供給源から洗浄液ノズル６を介して酸性の処理液を供給することによって、ウェハＷを酸性の処理液により処理してもよい。あるいは、洗浄液ノズル６とは別に設けた酸性処理液ノズルに処理液供給管を介して酸性処理液供給源を接続しているときは、酸性処理液供給源から酸性処理液ノズルを介して酸性の処理液を供給することによって、ウェハＷを酸性の処理液により処理してもよい。
【０２２２】
酸性処理液処理工程（ステップＳ１５７）においてｐＨが７よりも小さい酸性の処理液により処理することによって、ウェハＷ表面に残留する現像液成分を少なくすることができる。そして、第２の加熱処理工程（ステップＳ１６０）における不溶部１３５ｂの可溶部１３５ａへの変化を促進することができる。これにより、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＳＰ２´（ＣＤ２）を本来の値である一定値ＣＤ０にすることができ、ウェハＷ間又はウェハＷ面内における線幅ＣＤ２のばらつきを低減することができる。また、収束時間ｔ１を更に短くすることができる。
（第２の実施の形態）
次に、図２８及び図２９を参照し、第２の実施の形態に係る基板処理方法について説明する。
【０２２３】
本実施の形態に係る基板処理方法は、洗浄処理において、ウェハＷの全面に洗浄液を供給した後、ウェハＷの中央部に洗浄液の乾燥の起点を形成する点で、第１の実施の形態に係る基板処理方法と相違する。
【０２２４】
本実施の形態でも、第１の実施の形態で説明した基板処理システム、現像ユニット及び線幅測定装置を用いることができる。
【０２２５】
ただし、本実施の形態では、図５を用いて説明したスリット状の吐出口６２を有する洗浄液ノズル６に代え、円筒状の洗浄液ノズル６ａを用いてもよい。後述する図２９において、円筒状の洗浄液ノズル６ａを用いてウェハＷに洗浄液を供給する様子を示している。
【０２２６】
また、本実施の形態では、図４及び図５を用いて説明した現像ユニットにおいて、ガスノズルはなくてもよい。
【０２２７】
図２８は、本実施の形態に係る基板処理方法の洗浄処理工程における各工程の手順を説明するためのフローチャートである。図２９は、本実施の形態における洗浄処理工程の各工程におけるウェハの状態を示す斜視図である。
【０２２８】
本実施の形態に係る基板処理方法は、第１の実施の形態に係る基板処理方法において、洗浄処理工程（ステップＳ１６）を変更したものである。そのため、洗浄処理工程以外の工程（ステップＳ１１〜ステップＳ１５、ステップＳ１７〜ステップＳ２０）についての説明は省略する。
【０２２９】
本実施の形態に係る基板処理方法における洗浄処理工程は、第１の洗浄液供給工程（ステップＳ５１）、第２の洗浄液供給工程（ステップＳ５２）、供給停止工程（ステップＳ５３）及び乾燥工程（ステップＳ５４）を有する。
【０２３０】
洗浄処理工程において、始めに、第１の洗浄液供給工程（ステップＳ５１）を行う。第１の洗浄液供給工程（ステップＳ５１）では、現像処理されたウェハＷを回転させ、回転するウェハＷの中央部に洗浄液を供給する。図２９（ａ）は、第１の洗浄液供給工程（ステップＳ５１）におけるウェハの状態を示す。
【０２３１】
図２９（ａ）に示すように、洗浄液ノズル６ａの位置をウェハＷの中心部上に設定し、ウェハ保持部４４を１０００ｒｐｍの回転数で回転させながら、洗浄液ノズル６ａからウェハＷの中心部に洗浄液例えば純水を例えば５００ｍｌ／分の流量で例えば５秒間吐出する。これにより洗浄液が遠心力によりウェハＷの中心部から周縁に向かって広がりウェハＷの表面全体に液膜が形成される。
【０２３２】
次に、第２の洗浄液供給工程（ステップＳ５２）を行う。第２の洗浄液供給工程（ステップＳ５２）では、回転するウェハＷに洗浄液を供給する洗浄液供給位置をウェハＷの中央部から周縁側に向けて移動させながら、洗浄液をウェハＷに供給する。図２９（ｂ）は、第２の洗浄液供給工程（ステップＳ５２）におけるウェハの状態を示す。
【０２３３】
図２９（ｂ）に示すように、ウェハ保持部４４を１５００ｒｐｍ以上例えば２０００ｒｐｍの回転数で回転させる。そして、ウェハ保持部４４を回転させた状態で、洗浄液を例えば２５０ｍｌ／分の流量で吐出しながら洗浄液ノズル６ａをウェハＷの中心部から予め設定された位置に向かって例えば２０ｍｍ／秒の移動速度で移動させる。このように洗浄液供給位置をウェハＷの中心部から周縁側に移動させることにより、乾燥領域３００がウェハＷの中心部に発生する。すなわち、ウェハＷの中心部に今まで供給されていた洗浄液がなくなるので、液膜がウェハＷの中心部から乾き始め、乾燥領域３００がウェハＷの中心部に発生する。そしてその乾燥領域３００がウェハＷの周縁側に広がっていく。
【０２３４】
次に、供給停止工程（ステップＳ５３）を行う。供給停止工程（ステップＳ５３）では、洗浄液の供給を停止する。図２９（ｃ）は、供給停止工程（ステップＳ５３）におけるウェハの状態を示す。
【０２３５】
図２９（ｃ）に示すように、ウェハＷの中心部から予め設定された距離だけ周縁側に離れた位置において、洗浄液ノズル６ａからの洗浄液の供給を停止する。ここでいう「予め設定された距離」とは、例えば５０ｍｍ〜９５ｍｍであることが好ましい。洗浄液の供給を停止する際の洗浄液ノズル６ａの位置（洗浄液供給位置）がウェハＷの中心部から離れすぎると、洗浄液に作用する遠心力が大きくなって液流が乱れ、ウェハＷ上の溶解生成物やパーティクルである異物がウェハＷ上に残留するおそれが大きくなるためである。一方、洗浄液の供給を停止する際の洗浄液ノズル６ａの位置（洗浄液供給位置）がウェハＷの中心部に近すぎると、乾燥領域３００が直ぐにウェハＷの周縁側に到達してしまい、ウェハＷの周縁側に洗浄液を十分に行き渡らせることができなくなってしまうからである。
【０２３６】
なお、本実施の形態における処理時間は、第１の洗浄液供給工程を行う時間及び第２の洗浄液供給工程を行う時間を含むものとする。
【０２３７】
次に、乾燥工程（ステップＳ５４）を行う。乾燥工程（ステップＳ５４）では、ウェハＷを振り切り乾燥する。図２９（ｄ）及び図２９（ｅ）は、乾燥工程（ステップＳ５４）におけるウェハの状態を示す。
【０２３８】
供給停止工程（ステップＳ５３）を行い、そして、洗浄液ノズル６ａの洗浄液の吐出を停止した後は、そのままの回転数（この例では２０００ｒｐｍの回転数）でウェハＷを回転させる。これにより、図２９（ｄ）に示すように、乾燥領域３００が外側に向かって広がる。このように乾燥領域３００が広がっていくと、乾燥領域３００の外縁、即ち洗浄液の内縁が液の蒸発によりその界面が外側に押されて上に盛り上がり、ウェハＷと液との界面に潜んでいる異物が掻き上げられて当該界面から離脱し、ウェハＷの外まで運ばれやすくなる。
【０２３９】
そして、更に、乾燥領域３００がウェハＷの周縁まで広がった後、図２９（ｅ）に示すように、洗浄液ノズル６ａをウェハＷ上から退避させると共に、ウェハＷの回転による遠心力によりウェハＷ上の液滴を振り切って乾燥を行ってもよい。乾燥工程（ステップＳ５４）におけるウェハＷの回転数は例えば２０００〜２５００ｒｐｍであることが好ましい。
【０２４０】
洗浄処理工程において、回転するウェハＷに洗浄液を供給する洗浄液供給位置をウェハＷの中央部から周縁側に向けて移動させながら、洗浄液をウェハＷに供給する場合、ウェハＷの周縁側と比べ、ウェハＷの中央部における洗浄液の供給量が少なくなるおそれがある。従って、本実施の形態により、第１のデータを準備し、第１のデータに基づいて、洗浄処理の処理時間を決定することにより、処理時間ｔと、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２が収束する収束時間ｔ１とが略等しくなるように、処理時間ｔを決定することができる。これにより、処理時間ｔを長くすることなく、ウェハ面内における第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２のばらつきを低減することができる。
【０２４１】
なお、本実施の形態では、図３及び図４を用いて説明した現像ユニット（ＤＥＶ）２８において、ガスノズルがない例について説明した。しかし、ウェハＷの中央部に乾燥の起点を形成するために、図３及び図４を用いて説明したガスノズル７を備えてもよい。また、第２の洗浄液供給工程（ステップＳ５２）又は供給停止工程（ステップＳ５３）において、ガスノズル７からウェハＷの中央部にガスを供給し、ウェハＷの中央部に乾燥の起点を形成するようにしてもよい。
【０２４２】
また、本実施の形態でも、第１の実施の形態の第１の変形例と同様に、処理時間ｔと、それぞれウェハＷの中央部及び周縁側における第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２−１、ＣＤ２−２との関係に基づいて、処理時間ｔを決定するようにしてもよい。
【０２４３】
また、本実施の形態でも、第１の実施の形態の第２の変形例と同様に、第１の処理条件として、処理時間ｔ以外の条件、例えば洗浄液の温度Ｔ、流量Ｆ、ｐＨを用いてもよい。このときは、図２８における第１の現像処理工程（ステップＳ１５）に代え、図１９における第１の現像処理工程（ステップＳ１１５）とし、図２８における第２の塗布処理工程（ステップＳ１７）に代え、図１９における第２の塗布処理工程（ステップＳ１１７）とする。
【０２４４】
また、本実施の形態でも、第１の実施の形態の第３の変形例と同様に、第１のデータが、処理時間ｔ、及び、第１の処理工程におけるウェハＷを洗浄処理する第２の処理条件と、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２との関係を示すものであってもよい。そして、第２の処理条件として、例えば洗浄液の温度Ｔ、流量Ｆ、ｐＨを用いてもよい。このときは、図２８における第１の現像処理工程（ステップＳ１５）に代え、図２３における第１の現像処理工程（ステップＳ１３５）とし、図２８における第２の塗布処理工程（ステップＳ１７）に代え、図２３における第２の塗布処理工程（ステップＳ１３７）とする。
【０２４５】
また、本実施の形態でも、第１の実施の形態の第４の変形例と同様に、第１の処理工程の後、第２の処理工程の前に、ウェハＷを酸性の処理液により処理する酸性処理液処理工程を行ってもよい。このときは、図２８における第１の現像処理工程（ステップＳ１５）に代え、図２７における第１の現像処理工程（ステップＳ１５５）とし、図２８における第２の塗布処理工程（ステップＳ１７）に代え、図２７における酸性処理液処理工程（ステップＳ１５７）とする。また、酸性の処理液として、第１の実施の形態で例示した各種の酸をそのまま又は希釈して用いることができる。
（第２の実施の形態の変形例）
次に、図３０及び図３１を参照し、第２の実施の形態の変形例に係る基板処理方法について説明する。
【０２４６】
本変形例に係る基板処理方法は、洗浄処理において、ウェハＷに洗浄液を供給する洗浄液供給位置を移動させない点で、第２の実施の形態に係る基板処理方法と相違する。
【０２４７】
本変形例でも、第２の実施の形態と同様に、第１の実施の形態で説明した基板処理システム、現像ユニット及び線幅測定装置を用いることができる。
【０２４８】
ただし、第２の実施の形態と同様に、図５を用いて説明したスリット状の吐出口６２を有する洗浄液ノズル６に代え、円筒状の洗浄液ノズル６ａを用いてもよい。後述する図３０において、円筒状の洗浄液ノズル６ａを用いてウェハＷに洗浄液を供給する様子を示している。
【０２４９】
また、本変形例でも、第２の実施の形態と同様に、図３及び図４を用いて説明した現像ユニットにおいて、ガスノズルはなくてもよい。
【０２５０】
図３０は、本変形例における洗浄処理工程の各工程におけるウェハの状態を示す斜視図である。
【０２５１】
本変形例に係る基板処理方法は、第１の実施の形態に係る基板処理方法において、洗浄処理工程（ステップＳ１６）を変更したものである。そのため、洗浄処理工程以外の工程（ステップＳ１１〜ステップＳ１５、ステップＳ１７〜ステップＳ２０）についての説明は省略する。
【０２５２】
更に、本変形例に係る基板処理方法における洗浄処理工程は、第２の実施の形態に係る基板処理方法における洗浄処理工程において、第２の洗浄液供給工程（ステップＳ５２）、を除いたものである。すなわち、本変形例に係る基板処理方法における洗浄処理工程は、第２の実施の形態における第１の洗浄液供給工程（ステップＳ５１）、供給停止工程（ステップＳ５３）及び乾燥工程（ステップＳ５４）を有する。
【０２５３】
始めに、第２の実施の形態と同様に、第１の洗浄液供給工程（ステップＳ５１）を行う。図３０（ａ）は、第１の洗浄液供給工程（ステップＳ５１）におけるウェハの状態を示す。
【０２５４】
次に、供給停止工程（ステップＳ５３）を行う。供給停止工程（ステップＳ５３）では、洗浄液ノズル６ａがウェハＷの中央部上にある状態で、洗浄液の供給を停止する。図３０（ｂ）は、供給停止工程（ステップＳ５３）におけるウェハの状態を示す。
【０２５５】
図３０（ｂ）に示すように、洗浄液ノズル６ａがウェハＷの中央部上にある状態で洗浄液ノズル６ａからの洗浄液の供給を停止する。また、洗浄液の供給を停止することにより、乾燥領域３００がウェハＷの中心部に発生する。
【０２５６】
次に、乾燥工程（ステップＳ５４）を行う。乾燥工程（ステップＳ５４）では、ウェハＷを振り切り乾燥する。図３０（ｃ）は、乾燥工程（ステップＳ５４）におけるウェハの状態を示す。
【０２５７】
なお、本変形例における処理時間は、第１の洗浄液供給工程を行う時間を含むものとする。
【０２５８】
本変形例でも、第１の実施の形態と同様に、予め第１のデータを準備することにより、収束時間ｔ１を正確に求めることができる。従って、処理時間ｔと収束時間ｔ１とが略等しくなるように、処理時間ｔを決定することにより、処理時間ｔを長くすることなく、ウェハＷの面内における２回目のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２のばらつきを低減することができる。
【０２５９】
一方、予め第１のデータを準備しない例を比較例２として、以下において、ウェハＷの面内における第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２の分布を比較した結果を説明する。
【０２６０】
図３１（ａ）及び図３１（ｂ）は、それぞれ本変形例及び比較例２に係る基板処理方法を行うことによって得られたウェハ面内における第２のレジストパターンのスペース幅の分布を示す図である。なお、図３１（ａ）及び図３１（ｂ）では、スペース幅の分布は、略等しい上限値及び下限値の間でグレースケールにより示されている。
【０２６１】
比較例２では、図３１（ｂ）に示すように、ウェハＷの全面に亘り略等しい値を示しておらず、洗浄処理が十分行われていないものと考えられる。一方、本変形例では、図３１（ａ）に示すように、ウェハＷの全面に亘り略等しい値を示しており、洗浄処理が十分行われているものと考えられる。
【０２６２】
また、スペース幅ＳＰ２´（線幅ＣＤ２）のばらつき（ＣＤ３σ）は、本変形例における値が、比較例２における値よりも小さくなった。従って、本変形例によれば、ウェハＷの面内におけるスペース幅ＳＰ２´（線幅ＣＤ２）のばらつきも低減できる。
【０２６３】
洗浄処理工程において、回転するウェハＷの中央部に洗浄液を供給する場合、ウェハＷの周縁側と、ウェハＷの中央部との間で、洗浄液の供給量が異なるときがある。従って、本変形例により、第１のデータを準備し、第１のデータに基づいて、洗浄処理の処理時間を決定することによって、処理時間ｔと、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２が収束する収束時間ｔ１とが略等しくなるように、処理時間ｔを決定することができる。これにより、処理時間ｔを長くすることなく、ウェハ面内における第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２のばらつきを低減することができる。
【０２６４】
なお、本変形例でも、第１の実施の形態の第１の変形例と同様に、処理時間ｔと、それぞれウェハＷの中央部及び周縁側における第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２−１、ＣＤ２−２との関係に基づいて、処理時間ｔを決定するようにしてもよい。
【０２６５】
また、本変形例でも、第１の実施の形態の第２の変形例と同様に、第１の処理条件として、処理時間ｔ以外の条件、例えば洗浄液の温度Ｔ、流量Ｆ、ｐＨを用いてもよい。
【０２６６】
また、本変形例でも、第１の実施の形態の第３の変形例と同様に、第１のデータが、処理時間ｔ、及び、第１の処理工程におけるウェハＷを洗浄処理する第２の処理条件と、第２のレジストパターンＰ２の線幅ＣＤ２との関係を示すものであってもよい。そして、第２の処理条件として、例えば洗浄液の温度Ｔ、流量Ｆ、ｐＨを用いてもよい。
【０２６７】
また、本変形例でも、第１の実施の形態の第４の変形例と同様に、第１の処理工程の後、第２の処理工程の前に、ウェハＷを酸性の処理液により処理する酸性処理液処理工程を行ってもよい。酸性の処理液として、第１の実施の形態で例示した各種の酸をそのまま又は希釈して用いることができる。
【０２６８】
以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【０２６９】
なお、第１の実施の形態から第２の実施の形態の変形例では、洗浄液供給位置をウェハの中央部から周縁側に移動しながら、ガス供給位置をウェハの中央部側から周縁側に移動させる例、あるいは、洗浄液供給位置をウェハの中央部から移動しない例、について説明した。しかし、その他各種の洗浄処理工程について、第１のデータを準備し、第１のデータに基づいて、洗浄処理の処理時間を決定してもよい。
【０２７０】
また、本発明は、半導体基板、ガラス基板その他の各種基板を処理する工程を含む装置に適用することが可能である。
【符号の説明】
【０２７１】
１３３  第１のレジスト膜
１３５  第２のレジスト膜
ＣＤ１、ＣＤ２  線幅
Ｐ１  第１のレジストパターン
Ｐ２  第２のレジストパターン
ｔ  処理時間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図１３】
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【図３１】
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