(57)【要約】【課題】連続発振型の半導体レーザ光を使用して、光エネルギーの損失を抑制し、短時間で安定した、効率のよい半導体材料の加熱方法及び加熱装置を提供するものである。【解決手段】  半導体レーザ光１を、発熱層２に照射してこの発熱層２を発熱させ、この発熱層２と接する半導体材料４を熱処理する方法において、半導体レーザ光１を発熱層２上をスキャン操作を行わせ、半導体材料４を熱処理するに際し、半導体レーザ光１の折り返し操作が行われる部位Ｐに対応する発熱層２の表面に半導体レーザ光遮蔽板８を配置すると共に、半導体レーザ光遮蔽板８に於けるスキャンされる半導体レーザ光１と対向している端縁部９に沿ってテーパー部１０を設ける半導体材料の熱処理方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ光を、光エネルギーの吸収によって発熱するカーボン層または、カーボンを含む層からなる発熱層に照射してこの発熱層を発熱させ、この発熱層と直接または伝熱層を介して接する半導体材料を熱処理する方法において、前記半導体レーザ光を前記発熱層の所定の領域を往復動させながらスキャン操作を行わせ、前記半導体材料を熱処理するに際し、少なくとも、前記半導体レーザ光の折り返し操作が行われる部位に対応する前記発熱層の表面に半導体レーザ光遮蔽板を配置すると共に、前記半導体レーザ光遮蔽板に於けるスキャンされる前記半導体レーザ光と対向している端縁部に沿ってテーパー部を設けることを特徴とする半導体材料の熱処理方法。
【請求項２】
前記半導体レーザ光遮蔽板を、前記発熱層上の前記半導体レーザ光の空打ち領域部に設ける事を特徴とする請求項１に記載の半導体材料の熱処理方法。
【請求項３】
前記半導体レーザ光遮蔽板として、黒アルマイト処理したアルミニウムを使用することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体材料の熱処理方法。
【請求項４】
前記半導体レーザ光の射出方向軸を、前記発熱層の表面に対して、９０度以外の角度に設定することを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の半導体材料の熱処理方法。
【請求項５】
前記半導体レーザ光として、連続発振型半導体レーザ光を使用する事を特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体材料の熱処理方法。
【請求項６】
半導体レーザ光を、光エネルギーの吸収によって発熱するカーボン層または、カーボンを含む層からなる発熱層に照射して前記発熱層を発熱させ、前記発熱層と直接または伝熱層を介して接する半導体材料を熱処理する方法において、前記半導体レーザ光を前記発熱層の所定の領域を往復動させながらスキャン操作を行わせ、前記半導体材料を熱処理するに際し、少なくとも、前記半導体レーザ光の折り返し操作が行われる部位に対応する前記発熱層の表面に配置される半導体レーザ光遮蔽板であって、前記半導体レーザ光遮蔽板に於けるスキャンされる前記半導体レーザ光と対向している端縁部に沿ってテーパー部が設けられていることを特徴とする半導体レーザ光遮蔽板。
【請求項７】
前記半導体レーザ光遮蔽板は、少なくとも黒アルマイト処理したアルミニウムで構成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ光遮蔽板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は半導体材料を短時間に効率よく熱処理する方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、バイポーラトランジスタ、絶縁ゲート形電界効果トランジスタ（ＭＯＳ型トランジスタ）をはじめとする各種半導体素子、半導体集積回路等の半導体デバイスの製造において、例えば、半導体の結晶欠陥の修復、導入不純物の活性化、非晶質材料からの結晶への相変化などにおいて、熱処理が多く行なわれる。
特に絶縁体または絶縁膜上に形成される薄膜トランジスタにとって、その結晶化技術は重要である。従来の薄膜結晶化技術としては、電気炉を用いて６００℃〜１０００℃の高温で２時間〜２０時間加熱する方法が知られている。（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
或いは、パルスレーザを用いて半導体薄膜を短時間溶融して固化結晶化する技術、および半導体表面に生じるリッジを抑制しながらレーザアニールを行なう技術が知られている。（例えば特許文献２参照）。
これらの結晶化技術は、大面積にわたって良質の多結晶シリコン膜を形成するのに用いられている方法である。
【０００４】
その他、半導体膜や、薄膜トランジスタ等の製造に於いて、光吸収性のある発熱層を使用して半導体レーザ光による半導体膜や、薄膜トランジスタ等の加熱処理に関して、種々の条件を規定した発明が、特開２００４−１３４５７７号公報（特許文献３）及び本願出願人が出願したＷＯ２００７／１４８４７６号公報（特許文献４）等に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２１０６３１号公報
【特許文献２】特開２００４−３１１６１５号公報
【特許文献３】特開２００４−１３４５７７号公報
【特許文献４】ＷＯ２００７／１４８４７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
然しながら、例えば特許文献１に開示の技術等にあっては、高温長時間の加熱を必要とし、エネルギー消費が大きく、製造時間も長くコストがかかるという問題がある。
一方、例えば特許文献２に記載の技術のように半導体レーザ光を使用するという方法では、シリコン薄膜半導体表面での光反射によるエネルギー損失が大きいという問題がある。
【０００７】
さらに、先行技術として、特許文献３或は特許文献４に示される様に、カーボン層またはカーボンを含む層からなる光吸収による発熱層を使用し、この層をパルス的若しくは連続的な光照射により加熱することにより、間接的にシリコン膜を加熱する方法が提案されている。
【０００８】
しかし、これらの先行技術においては、上記の問題を解決する有力な手段ではあるが、極端に短時間のパルス光照射の場合、断熱的な反応により、アブレーションと呼ばれる、カーボンを含有する薄膜破壊により、却って熱伝達に支障をきたす場合があり、又、連続状半導体レーザ光を使用する場合には、半導体レーザ光が半導体層面或は、その上に被覆される発熱層の表面からの戻り反射光の量が大きくなることから、半導体レーザ光の発振機構に悪影響を与え、安定した半導体レーザ光を得る事が出来なくなり、その結果、半導体材料の加熱処理が不均一となり、最終製品の品質の斑が発生するという問題があった。
又、上記の環境では、光エネルギーの損失が大きくなると言う問題もあった。
【０００９】
一方、特許文献４に示す様な、スキャンされる半導体レーザ光のストロークが折り返される部位では、半導体レーザ光のスキャン速度が低下すると共に、かなりの時間、半導体レーザ光がその折り返し部位に留まる事になる為、前記折り返し部位の加熱温度が上昇して、発熱層の破壊やクラック発生という問題が生じるが、特許文献４に示す様に、適宜の半導体レーザ光遮蔽板を前記折り返し部位に配置して、前記折り返し部位に半導体レーザ光が照射されないようにする技術にあっては、前記半導体レーザ光が前記発熱層の表面で反射した戻り光が、前記半導体レーザ光遮蔽板の側壁部に当たり、多重反射が発生して、前記発熱層を過剰に発熱させたり、前記発熱層と前記側壁部を破壊すると言う問題が発生している。
【００１０】
更に、前記半導体レーザ光遮蔽板の材質には、熱伝導性の良い金属材料が使用されるが、代表的な材料として、アルミニウムが使用される。
然しながら、半導体レーザ光遮蔽板の材質にアルミニウムが使用されると、前記半導体レーザ光遮蔽板上を半導体レーザ光が通過移動する際、相当量の半導体レーザ光が反射によって半導体レーザ光発生回路に戻されることになるので、その結果、半導体レーザ光の発振状態が不安定となり、半導体層の加熱処理に不安定さと不均一性を与える事になると言う問題もある。
【００１１】
その為、本願発明の目的は、上記事情に鑑みてなされたもので、連続発振型の半導体レーザ光を使用して、光エネルギーの損失を抑制し、短時間で安定した、効率のよい半導体材料の加熱方法及び加熱装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願発明は、上記のような課題を解決するため、基本的には、以下に示す様な技術構成を採用するものである。
即ち、本願発明の第１の態様としては、半導体レーザ光を、光エネルギーの吸収によって発熱するカーボン層または、カーボンを含む層からなる発熱層に照射してこの発熱層を発熱させ、この発熱層と直接または伝熱層を介して接する半導体材料を熱処理する方法において、前記半導体レーザ光を前記発熱層の所定の領域を往復動させながらスキャン操作を行わせ、前記半導体材料を熱処理するに際し、少なくとも、前記半導体レーザ光の折り返し操作が行われる部位に対応する前記発熱層の表面に半導体レーザ光遮蔽板を配置すると共に、前記半導体レーザ光遮蔽板に於けるスキャンされる前記半導体レーザ光と対向している端縁部に沿ってテーパー部を設けることを特徴とする半導体材料の熱処理方法であり、又、第２の態様としては、半導体レーザ光を、光エネルギーの吸収によって発熱するカーボン層または、カーボンを含む層からなる発熱層に照射して前記発熱層を発熱させ、前記発熱層と直接または伝熱層を介して接する半導体材料を熱処理する方法において、前記半導体レーザ光を前記発熱層の所定の領域を往復動させながらスキャン操作を行わせ、前記半導体材料を熱処理するに際し、少なくとも、前記半導体レーザ光の折り返し操作が行われる部位に対応する前記発熱層の表面に配置される半導体レーザ光遮蔽板であって、前記半導体レーザ光遮蔽板に於けるスキャンされる前記半導体レーザ光と対向している端縁部に沿ってテーパー部が設けられていることを特徴とする半導体レーザ光遮蔽板である。
【発明の効果】
【００１３】
本願発明は、上記した様な基本的な技術構成を採用しているので、連続発振型の半導体レーザ光を使用して、光エネルギーの損失を抑制し、短時間で安定した、効率のよい半導体材料の加熱方法及び加熱装置が得られる他、前記した、半導体レーザ光遮蔽板の端縁部で発生する戻りレーザ光の多重反射に起因する前記発熱層の過剰加熱や前記発熱層や前記半導体レーザ光遮蔽板の端縁部の側壁面部等による品質の低下を確実に防止でき、又、前記半導体レーザ光遮蔽板の表面からの戻りレーザ光に起因する半導体レーザ光の不安定化による光エネルギーの損失や品質の劣化が発生しない効率的な半導体材料の加熱方法及び加熱装置が安価にえられるのである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本願発明に係る半導体材料の加熱方法の一実施例を示す図である。
【図２】図２は、本願発明に係る半導体レーザ光の操作パターンの一例を示す図である。
【図３】図３は、本願発明に係る半導体レーザ光の操作パターンの他の例を示す図である。
【図４】図４は、本願発明に係る半導体レーザ光遮蔽板の配置状況の一例を示す図である。
【図５】図５は、本願発明に係る半導体レーザ光遮蔽板の断面構造の一例を示す断面図である。
【図６】図６は、本願発明に係る半導体レーザ光遮蔽板の配置構成の他の例を示す平面図である。
【図７】図７は、本願発明の効果を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に本発明に係る第１の態様である半導体材料の加熱方法の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。
即ち、図１は、本願発明に於ける半導体材料の加熱方法の一具体例を示す図であり、図中、半導体レーザ光１を、光エネルギーの吸収によって発熱するカーボン層または、カーボンを含む層からなる発熱層２に照射してこの発熱層２を発熱させ、この発熱層２と直接または伝熱層３を介して接する適宜の支持基板５上に保持されている半導体材料４を熱処理する方法において、前記半導体レーザ光１を前記発熱層２の所定の領域６を往復動させながらスキャン操作を行わせ、前記半導体材料４を熱処理するに際し、少なくとも、前記半導体レーザ光１の折り返し操作が行われる部位７に対応する前記発熱層２の表面に半導体レーザ光遮蔽板８を配置すると共に、前記半導体レーザ光遮蔽板８に於けるスキャンされる前記半導体レーザ光１と対向している端縁部９に沿ってテーパー部１０を設けることを特徴とする半導体材料の熱処理方法が示されている。
【００１６】
本願発明に於いて使用される前記半導体材料は、特に限定されるものではないが、例えば、単結晶や多結晶等のシリコン膜に適宜の不純物が含まれているものや、バイポーラトランジスタ、絶縁ゲート形電界効果トランジスタ（ＭＯＳ型トランジスタ）をはじめとする各種半導体素子、半導体集積回路等の半導体デバイスが含まれるものである。
【００１７】
そして、本願発明に於ける前記加熱処理の目的は、シリコン等の基板内への不純物の拡散や、非晶質半導体より結晶性半導体への相変化や、不純物の活性化、結晶性の回復、ｐｎ接合形成、ＭＯＳ型トランジスタなどにおける絶縁膜改質等が達成しようとするものである。
【００１８】
一方、本願発明に於いて使用される半導体レーザ光１は特に限定されるものではなく、パルス型半導体レーザ光でも連続発振型半導体レーザ光でも使用する事が可能であるが、好ましくは、連続発振型を使用する事である。
本願発明に使用される前記半導体レーザ光は、好ましくは、波長が６００ｎｍ〜２μｍの範囲であり、この半導体レーザ光１をカーボン層またはカーボンを含む層からなる発熱層３に連続的に照射し掃引することにより、発熱層３の同一箇所が例えば、連続的に１００ｎｓ〜１００ｍｓの時間にわたって光照射される事が望ましい。
【００１９】
前記半導体レーザ光１の断面形状も特に限定されるものではないが、少なくとも焦点近傍での前記断面形状は、例えば、円形断面とか矩形断面を有する様に設定する事が出来る。
本願発明に於いては、前記半導体レーザ光１は、図１に示す様に、半導体レーザ光発振装置１１を適宜のスキャン駆動装置の制御に従って、所定の方向１３に沿って往復動する様に構成されると同時に当該往復動方向と直交する方向１４にも移動して、前記発熱層２の特定の領域全体を前記半導体レーザ光１が照射する様に構成されていることが望ましい。
【００２０】
本願発明に於いては、前記半導体レーザ光発振装置１１は、一つであってもよく、必要に応じて複数個の半導体レーザ光発振装置１１を同時に使用するものであっても良い。
係る場合には、前記複数個の半導体レーザ光発振装置１１を、例えば前記半導体レーザ光１のスキャン方向１３と直角の方向に並べて使用する事が望ましい。
【００２１】
又、上記した半導体レーザ光の照射に際し、前記半導体レーザ光が前記発熱層２の表面で反射して発生する戻り光１６、１６’が、前記半導体レーザ光発振装置１１内に入り込み、前記半導体レーザ光発振装置１１の半導体レーザ光発振機能を不安定化するのを防止する為に、前記半導体レーザ光の射出方向軸１５を、前記発熱層２の表面に対して、９０度以外の角度、例えば、前記発熱層２の表面に対する垂直軸に対して何れかの方向に１乃至２度傾斜させて設定しておく事が好ましい。
本願発明における上記半導体レーザ光のスキャンの方法は特に限定されるものではないが、例えば、図２または図３に示した半導体レーザ光のスキャンパターンを採用する事ができる。
【００２２】
この場合、各スキャン操作のピッチは特に特定されるものではないが、前記半導体レーザ光１の径、或は幅を勘案して、先行した半導体レーザ光１の径或は幅の一部が、後行する半導体レーザ光１の径或は幅の一部とが重複する様に設定される事が好ましい。
【００２３】
本願発明に於いては、上記した半導体レーザ光１のスキャン操作に際しては、上記した半導体レーザ光発振装置１１を上記したスキャンパターンに沿って移動させるように構成しても良く、或は、前記発熱層２及び被熱処理材である半導体材料４とが搭載されている基板５を支持している適宜のステージ１７を移動させる事も可能である。
【００２４】
尚、本願発明で使用される発熱層は、特に限定されるものではないが、前記半導体レーザ光１の照射を受けて内部で発熱する機能を有するものであれば、如何なるものでも使用可能であり、一般的には、カーボン粒子を含んだ膜状体が使用される。
【００２５】
一方、本願発明で使用される伝熱層も、特に限定されるものではないが、熱伝導性の高い素材で構成され、厚みが例えば、５ｎｍ乃至１００μｍである膜状体が使用される。
前記伝熱層は、被熱処理材料である半導体材料４が、前記半導体材料に、前記発熱層２に含まれるカーボンが拡散する事を嫌う場合に主に使用される。
【００２６】
次に、本願発明で使用される半導体レーザ光遮蔽板８について説明する。
即ち、図４に示す様に、半導体レーザ光１の掃引方向の折り返し点Ｐ（掃引ラインのエッジ部）では、半導体レーザ光発振装置１１の加速或いは減速領域に当る。そのため、図４に示すように、中心部の速度一定領域ａに比べ、加速または減速領域ｂでスキャン速度が遅くなる。折り返し点Ｐではスキャン速度はゼロである。このため、この部分は不必要に高いエネルギー密度でレーザ光が前記発熱層２に照射されることになる。これを避けるために図４で示すように、スキャン速度の加速または減速領域ｂ、すなわちスキャン速度が変化する領域に半導体レーザ光１が照射されないようにするための半導体レーザ光遮蔽板８を配置し、この状態で半導体レーザ光１を照射することができる。
【００２７】
尚、本願発明に係る前記半導体レーザ光遮蔽板８は、用途に応じてビーム速度一定領域ａの一部６’を選択的に被覆して半導体レーザ光１を照射することもできる。例えば、選択的に深いイオン注入を行った後の、活性化アニールなどの場合に適用することができる。
【００２８】
その他、前記半導体レーザ光１のスキャニング操作開始前の、前記半導体レーザ光１が不安定状態にある時期に空打ちを行う前記発熱層２の表面領域（図６の２０）にも本願発明の半導体レーザ光遮蔽板８を配置して使用する事も可能である。
然しながら、上記した様に、前記折り返し部位に半導体レーザ光が照射されないように半導体レーザ光遮蔽板８を配置する技術にあっては、前記半導体レーザ光が前記発熱層の表面で反射した戻り光が、前記半導体レーザ光遮蔽板の側壁部に当たり、多重反射が発生して、前記発熱層を過剰に発熱させたり、前記発熱層と前記側壁部を破壊すると言う問題が発生している。
【００２９】
そこで、本願発明にあっては、図１及び図５に示す様に、前記半導体レーザ光遮蔽板８に於ける、スキャンされる前記半導体レーザ光１と対向している端縁部９に沿ってテーパー部１０を設けることによって、上記した従来からの問題点を回避する事に成功したものである。
【００３０】
本願発明に於ける前記半導体レーザ光遮蔽板８にも受けられる前記テーパー部１０は、スキャンされる前記半導体レーザ光１と対向している端縁部９の上部角部であって、前記半導体レーザ光遮蔽板８の長手方向に沿って設けられるものである。
前記テーパー部１０の長さ或は角度は特に限定されるものではないが、前記テーパー部１０の角度は、前記テーパー部１０の水平面に対して４５度とする事が可能であり、又前記テーパー部１０の形成位置は、前記端縁部９の壁９’の一部から斜め上方に向けて形成されるものであり、前記した戻り光１６が前記端縁部９の壁９’に衝突しない様に形成されているものである。
【００３１】
本願発明に係る前記半導体レーザ光遮蔽板８は、図５乃至図６に示す様に、単に前記発熱層２上に配置されるものではなく、前記した適宜のステージ１７と着脱自在に取り付け可能に構成されており、前記発熱層２と前記半導体材料４との積層体を前記ステージ１７に固定する為のチャック機能を果たす事も出来る。
【００３２】
本願発明に於ける上記半導体レーザ光遮蔽板８の長さや幅は特に限定されるものではなく、使用される半導体材料４の大きさにより又、使用されるステージの大きさにより適宜変更して使用すればよい。
一方、当該側溝蓋体用床版型枠８の幅は、少なくとも図４に示す領域ｂの長さの２倍に設定する事が望ましい。
【００３３】
更に、前記半導体レーザ光遮蔽板８の厚さも特に限定されるものではないが、前記半導体レーザ光遮蔽板８上に半導体レーザ光１が移動してきた際に、前記半導体レーザ光１がデフォーカスするようにする必要があることから、少なくとも１ｍｍの厚みを有することが望ましい。
【００３４】
次に、本願発明に於ける前記半導体レーザ光遮蔽板８の材質について説明する。
上記した通り、半導体レーザ光遮蔽板８の材質にアルミニウムが使用されると、前記半導体レーザ光遮蔽板８上を半導体レーザ光１が通過移動する際、相当量の半導体レーザ光１が反射によって半導体レーザ光発生回路１１に戻されることになるので、その結果、半導体レーザ光１の発振状態が不安定となり、半導体層の加熱処理に不安定さと不均一性を与えるという問題があった。
【００３５】
その為、本願の発明者等は、上記問題を解決する為に鋭意検討した結果、前記半導体レーザ光遮蔽板８として、黒アルマイト処理したアルミニウムを基本的材料として使用することにより、上記問題を解決する事が可能出る事を知徳したものである。
【００３６】
即ち、本願の発明者等は、種々の材料を用いて比較検討した結果、黒アルマイト処理したアルミニウムが、熱伝導性が高く、然もアルミニウム基材の表面前面に微細な凹凸が多数形成されることから、半導体レーザ光１が照射されても、半導体レーザ光１が多方向に反射するため、前記半導体レーザ光１の戻り光が前記半導体レーザ光発生回路１１に戻される確率は極端に低減されることになる。
【００３７】
本願発明に係る第２の態様としては、上記したとおり、半導体レーザ光１を、光エネルギーの吸収によって発熱するカーボン層または、カーボンを含む層からなる発熱層２に照射して前記発熱層２を発熱させ、前記発熱層２と直接または伝熱層３を介して接する半導体材料４を熱処理する方法において、前記半導体レーザ光１を前記発熱層２の所定の領域を往復動させながらスキャン操作を行わせ、前記半導体材料４を熱処理するに際し、少なくとも、前記半導体レーザ光１の折り返し操作が行われる部位Ｐに対応する前記発熱層２の表面に配置される半導体レーザ光遮蔽板８であって、前記半導体レーザ光遮蔽板８に於けるスキャンされる前記半導体レーザ光１と対向している端縁部９に沿ってテーパー部１０が設けられている半導体レーザ光遮蔽板である。
【００３８】
更に、願発明に係る第２の態様としては、上記構成に加えて、前記半導体レーザ光遮蔽板８は、少なくとも黒アルマイト処理したアルミニウムで構成されている半導体レーザ光遮蔽板８である。
此処で、本発明に於ける半導体レーザ光遮蔽板により得られる効果の一例を図７を参照しながら説明する。
【００３９】
即ち、図７は、適宜の支持基板（図示せず）上に表面に発熱層２が配された半導体材料４の積層体の表面の周囲にマスク、即ち半導体レーザ光遮蔽板８がコの字型に配置されている状態の一部を示す平面図である。
そして、３ｍｍ幅のライン状レーザビームをビームスキャン方向に沿って往復移動させながら、上記発熱層２上をレーザビーム照射した。
【００４０】
図７（Ａ）は、上記半導体レーザ光遮蔽板８の上記発熱層２と対向する壁部９が、垂直若しくはやや逆テーパー状に形成された場合の実験例を示すものであり、図７（Ｂ）は、上記壁部９が、４５度の順テーパー状のテーパー部１０が設けられている場合の実験例を示す。
【００４１】
上記結果から明らかな通り、従来例に於いては、上記半導体レーザ光遮蔽板８と接触する上記発熱層２の表面の一部に、上記半導体レーザ光遮蔽板８との接触線に沿って、幾つかの黒化部１８が形成されているのに対し、本発明によるものでは、上記黒化部１８は、全く発生していない事が理解される。
【００４２】
上記黒化部１８は、分析の結果、被過熱部であるシリコン薄膜が溶融して、荒れてしまった箇所を示している。
実験の結果、従来例では、発熱層２の表面の、上記半導体レーザ光遮蔽板８との接触線に沿って、全体的に黒化部１８が形成される事もあった。
即ち、この様な、表面ラフネスが発生した部分は、デバイス化することが不可能となる。
【００４３】
又、バルクシリコンの場合には、このようなエッジラフネス部を起点としてビームのスキャン方向に沿って多数のクラックが走る事が多くなり、又薄膜シリコンでも、クラックが発生する事が多かった。
【００４４】
上記ひび割れの長さは、ビームスキャン方向全体に亘って形成されることが多く、デバイスの作成はさらに困難となる。
これに対し、本願発明では、上記した様な問題点は発生する事がない。
又、本願発明に於ける、アルミニウムに黒アルマイト処理を行う事の効果に関しては、以下の様に考えられる。
【００４５】
即ち、アルミ無垢のマスクを使用した場合、半導体レーザの電極近傍に取り付けた白金温度計の温度が安定しない事が多いが、一方、黒アルマイトマスクを使用した場合、空冷により２５℃で一定となる設定で半導体レーザが安定発振していた同じ条件で、アルミ無垢マスクを使用した場合、発振直後から次第に温度が上昇して３０℃を超えてしまったので、途中でレーザのドライブを中止した。
過温度により半導体レーザ素子が劣化する可能性が高くなる。
又、温度上昇により、レーザパワーが所期の値より低下する事が多かった。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本願発明は、半導体材料の加熱処理工程に有効に使用可能である。
【符号の説明】
【００４７】
１      半導体レーザ光
２      発熱層
３      伝熱層
４      半導体材料
５      支持基板
６      所定の領域
７      折り返し部位
８      半導体レーザ光遮蔽板
９      端縁部
１０    テーパー部
１１    半導体レーザ光発振装置
１３    スキャン方向
１４    スキャン方向と直交する方向
１５    半導体レーザ光の射出方向軸
１６    戻り光
１７    ステージ
１８    黒化部
２０    空打ち領域
【図１】
2011187603.tif 000003
【図２】
2011187603.tif 000004
【図３】
2011187603.tif 000005
【図４】
2011187603.tif 000006
【図５】
2011187603.tif 000007
【図６】
2011187603.tif 000008
【図７】
2011187603.tif 000009