(57)【要約】【課題】スマートカット法で圧電複合基板を製造する際に、圧電基板の周囲の数箇所を固定治具で固定しても、圧電基板を問題なく剥離できる圧電デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】圧電デバイスは、以下のようにして製造される。圧電基板の周囲の固定治具を取り付ける部位に凹部を形成し、複数の凹部のそれぞれに固定治具を取り付けて圧電基板を固定し、圧電基板のイオン注入面からイオンを注入して、圧電基板内にイオン注入層を形成し、圧電基板のイオン注入面に支持体を接合し、イオン注入層が形成された圧電基板を加熱して圧電基板から圧電薄膜を剥離し、圧電薄膜と支持体とからなる複合圧電基板を生成する。凹部がイオン非注入部となり、剥離する部分はイオンが注入されるので、薄膜の分離を確実に行うことができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体に支持された圧電薄膜を備える圧電デバイスの製造方法であって、
イオン注入面から注入されるイオンによりイオン注入層が形成される圧電基板に対して、前記イオン注入面におけるイオンが注入されないイオン非注入部に対応する領域に、前記イオン注入面を基準にして前記イオン注入層よりも深い凹部を生成する凹部形成工程と、
前記凹部および前記イオン注入層を形成後の圧電基板の前記イオン注入面に支持体を接合する接合工程と、
前記支持体が接合された圧電基板から圧電薄膜を加熱剥離する剥離工程と、
を有する圧電デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記凹部に固定治具を取り付けて前記圧電基板を固定する固定工程と、
前記イオン注入面からイオンを注入して、前記圧電基板内に前記イオン注入層を形成するイオン注入工程と、
を有し、
前記固定工程の前段に前記凹部形成工程を有し、前記イオン注入工程の後段に前記接合工程を有する、請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記イオン注入面の外周部に固定治具を取り付けて前記圧電基板を固定する固定工程と、
前記イオン注入面からイオンを注入して、前記圧電基板内にイオン注入層を形成するイオン注入工程と、
を有し、前記イオン注入工程の後段に前記凹部形成工程を有する、請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記凹部形成工程は、
フォトリソグラフィ法により非マスク部を形成する工程と、
エッチングにより前記非マスク部に凹部を形成する工程と、
を備えた請求項１乃至３のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記圧電基板は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムを材料とする請求項１乃至４のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、圧電単結晶の薄膜を用いた圧電デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、圧電性を有する単結晶材料を用いた圧電デバイスが製造および使用されている。その中で、圧電デバイスとしてＳＡＷやＦ−ＢＡＲ等があるが、高周波のラム波デバイスに対応する等の理由により、圧電体をさらに薄膜化してなる極薄膜型圧電デバイスが多く開発されている。このような極薄膜型圧電デバイスを形成するための圧電薄膜の製造方法は複数あるが、例えば、特許文献１に示すように方法が考案されている。
【０００３】
特許文献１に記載の複合圧電基板の製造方法は、いわゆるスマートカット法を用いたものである。スマートカット法では、圧電材料として、例えば、ＬｉＮｂＯ３［ニオブ酸リチウム］の基板（以下、ＬＮ基板と称する。）またはＬｉＴａＯ３［タンタル酸リチウム］の基板（以下、ＬＴ基板と称する。）を用いて、以下の工程により複合圧電基板を生成する。
【０００４】
（１）圧電基板に所定条件でイオン注入を行うことで、圧電基板の表面からの圧電薄膜を形成したい深さの位置にイオン注入層を形成する。
（２）イオン注入層が形成された圧電基板に支持体を接合する。
（３）この圧電基板と支持体とからなる複合部材を加熱することで、当該イオン注入層を剥離面として圧電薄膜を圧電基板から剥離する。
（４）その後、圧電薄膜に対して各種のパターン電極を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００９／０８１６５１号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１は、従来の圧電デバイスの製造工程図である。スマートカット法では、圧電基板３０１にイオンビーム３２１を照射してイオン注入を行う前に、図１（Ａ）に示すように圧電基板３０１の周囲の数箇所（図では３箇所）を固定治具３１１Ａ〜固定治具３１１Ｃで固定する。このように圧電基板３０１を治具で固定すると、図１（Ｂ）に示すように、イオン注入時には、固定治具３１１Ａ〜固定治具３１１Ｃにより圧電基板３０１の一部においてイオンビームが遮蔽されてイオンを注入できない。そのため、図１（Ｃ）に示すように、支持基板３０５に圧電基板３０１を接合してから圧電薄膜３０３を剥離する際には、イオン注入層３０２の部分は問題なく剥離する。しかし、圧電基板３０１のイオンを注入できなかった部分は剥離せずに、図１（Ｄ）に示すように圧電基板３０１が支持基板３０５とともに破損したり、図１（Ｅ）に示すように圧電薄膜３０３が途中で折れて端部３０１Ａが凸状になったりするという問題があった。
【０００７】
そこで、この発明は、スマートカット法で圧電複合基板を製造する際に、圧電基板の周囲の数箇所を固定治具で固定しても、圧電基板を問題なく剥離できる圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、圧電デバイスの製造方法に関するものである。この圧電デバイスの製造方法は、凹部形成工程と、接合工程と、剥離工程と、を有する。凹部形成工程は、イオン注入面から注入されるイオンによりイオン注入層が形成される圧電基板に対して、前記イオン注入面におけるイオンが注入されないイオン非注入部に対応する領域に、前記イオン注入面を基準にして前記イオン注入層よりも深い凹部を生成する。接合工程は、凹部およびイオン注入層を形成後の圧電基板の前記イオン注入面に支持体を接合する。剥離工程は、支持体が接合された圧電基板から圧電薄膜を加熱剥離する。
【０００９】
圧電基板を治具で固定すると、イオン注入時には、圧電基板の注入面の一部が固定治具で遮蔽されるため、この部分はイオンを注入できずイオン非注入部となる。この製造方法では、圧電基板のイオン注入面におけるイオンが注入されないイオン非注入部に対応する領域に、イオン注入面を基準にしてイオン注入層よりも深い凹部を生成する。このため、イオン注入面の凹部を形成していない他の部分はイオン注入部となり、また、凹部はイオン注入面を基準にしてイオン注入層よりも深いので、剥離工程において、圧電薄膜の加熱剥離を確実に行うことができる。また、イオンの非注入部のみを掘り込んで凹部を形成するので、分離後に素子となる圧電薄膜の有効領域を最大限に得ることができる。さらに、圧電基板のイオン非注入部も圧電膜剥離後に凸部とならないので、剥離後に残る基板の再利用が可能となる。
【００１０】
この発明においては、固定工程と、イオン注入工程を有する。固定工程は、凹部に固定治具を取り付けて圧電基板を固定する。イオン注入工程は、イオン注入面からイオンを注入して、前記圧電基板内に前記イオン注入層を形成する。そして、固定工程の前段に凹部形成工程を有し、イオン注入工程の後段に接合工程を有する。
【００１１】
この製造方法では、凹部形成工程と、固定工程と、イオン注入工程と、接合工程と、剥離工程と、をこの順に行う。この製造方法では、イオン注入面の凹部を形成する部分をイオン非注入部とすることができ、イオン注入面の他の部分はイオン注入部となるので、圧電薄膜の分離を確実に行うことができる。
【００１２】
この発明においては、固定工程と、イオン注入工程を有する。固定工程は、凹部に固定治具を取り付けて圧電基板を固定する。イオン注入工程は、イオン注入面からイオンを注入して、前記圧電基板内に前記イオン注入層を形成する。そして、イオン注入工程の後段に凹部形成工程を有する。
【００１３】
この製造方法では、固定工程と、イオン注入工程と、凹部形成工程と、接合工程と、剥離工程と、をこの順に行う。この製造方法では、圧電基板の注入面の一部が固定治具で遮蔽されてイオンを注入できないイオン非注入部に凹部を形成することにより、従来使用していた固定治具を改造することなく、剥離の際にはイオン非注入部が除去されているので、薄膜の分離を確実に行うことができる。
【００１４】
この発明においては、凹部形成工程は、フォトリソグラフィ法により非マスク部を形成する工程と、エッチングにより非マスク部に凹部を形成する工程と、を備えている。この製造方法では、フォトリソグラフィ法により非マスク部を形成することで、凹部を精度良く形成できる。また、凹部を形成する非マスク部以外はレジストでマスクされるので、エッチングにより凹部を形成する際に圧電基板の表面へのダメージを抑制できる。
【００１５】
この発明においては、圧電基板は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムを材料とする。タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムを材料とする圧電基板は、もろく割れやすいが、この製造方法では、イオン非注入部に凹部を形成するので、イオン注入後に加熱剥離する際に圧電基板が割れることが無く、スムーズに剥離できる。また、剥離後の圧電基板を再利用できるので、１枚の圧電基板から複数の圧電デバイスを製造でき、高価な圧電基板を節約できる。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、スマートカット法で圧電複合基板を製造する際に、圧電基板の周囲の数箇所を固定治具で固定してイオン非注入部ができたとしても、圧電基板を問題なく剥離できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】従来の圧電デバイスの製造工程図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る薄膜型圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
【図３】図２に示す製造フローで形成される薄膜型圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【図４】図２に示す製造フローで形成される薄膜型圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【図５】図２に示す製造フローで形成される薄膜型圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【図６】図２に示す製造フローで形成される薄膜型圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る薄膜型圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
【図８】図７に示す製造フローで形成される薄膜型圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【図９】図７に示す製造フローで形成される薄膜型圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の第１実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、フローチャート図に示す工程に沿って、圧電デバイスの製造過程の模式図を参照して説明する。以下の説明では、圧電デバイスとして、圧電単結晶性材料（以下、圧電単結晶基板と称する。）を用いたＦ−ＢＡＲ用の薄膜型圧電デバイスを例に説明する。
【００１９】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る薄膜型圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図３〜図６は、図２に示す製造フローで形成される薄膜型圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【００２０】
本実施形態では、圧電単結晶基板の周囲を固定治具で固定する前に、固定治具を取り付ける凹部を圧電単結晶基板に形成する。まず、所定の厚みの圧電単結晶基板１を用意する。  図３（Ａ）に示すように、メンブレン構造を構成する際に空隙側となる、圧電単結晶基板１の一方面１２にレジスト膜１４を形成する（図２：Ｓ１０１）。
【００２１】
図３（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法により、一方面１２の外周部において、レジスト膜１４に非マスク部１５Ａ〜非マスク部１５Ｃを形成する（図２：Ｓ１０２）。非マスク部１５Ａ〜非マスク部１５Ｃは、前記の凹部を作成するためのもので、固定治具を凹部に挿入できるように、固定治具の先端部とほぼ同じサイズである。上記のようにフォトリソグラフィ法を用いることで、非マスク部を精度良く形成できる。
【００２２】
図３（Ｃ）に示すように、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching：リアクティブ・イオン・エッチング）法により、非マスク部１５Ａ〜非マスク部１５Ｃを掘り込んで凹部１６Ａ〜凹部１６Ｃを形成し、続いてレジスト膜１４を全て除去する（図２：Ｓ１０３）。凹部１６Ａ〜凹部１６Ｃは、一方面１２（イオン注入面）を基準にして、後述するステップＳ１０５において形成するイオン注入層１００よりも深く生成する。凹部を形成する非マスク部以外はレジストでマスクされるので、エッチングにより凹部を形成する際に圧電基板の表面へのダメージを抑制できる。
【００２３】
図３（Ｄ）、図３（Ｅ）に示すように、凹部１６Ａ〜凹部１６Ｃに固定治具２１Ａ〜固定治具２１Ｃを取り付けて、圧電単結晶基板１を固定する（図２：Ｓ１０４）。
【００２４】
図３（Ｅ）に示すように、一方面１２（イオン注入面に相当）側から水素イオンを注入して、圧電単結晶基板１内にイオン注入層１００を形成する（図２：Ｓ１０５）。例えば、圧電単結晶基板１にＬＴ基板を用いて、注入エネルギー１５０ｋｅＶ、ドーズ量（イオン注入密度）９．０×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２で水素イオン注入を行うと、一方面１２から深さ約１μｍの位置に水素イオンが分布するイオン注入層１００が形成される。なお、圧電単結晶基板１には、ＬＴ基板以外に、ＬＮ基板、ＬＢＯ（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）基板やランガサイト（Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４）基板を用いても良く、それぞれの基板に応じた条件でイオン注入を行う。また、基板の種類に応じて、注入イオンをヘリウムイオンやアルゴンイオンなどに変更すると良い。
【００２５】
上記の工程では、先にステップＳ１０４〜ステップＳ１０５を行い、続いてステップＳ１０１〜Ｓ１０３を行うようにしても良い。すなわち、先に図１（Ａ）に示すように圧電単結晶基板１を固定治具で固定して、図１（Ｂ）に示すようにイオン注入を行う。続いて、図３（Ａ）に示すように、圧電単結晶基板１の一方面１２にレジスト膜１４を形成する。さらに、圧電単結晶基板１の一方面１２の固定治具２１Ａ〜２１Ｃが重なってイオンを注入できなかった部位に、フォトリソグラフィ法により非マスク部１５Ａ〜非マスク部１５Ｃを形成する。そして、図３（Ｃ）に示すように、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching：リアクティブ・イオン・エッチング）法により、非マスク部１５Ａ〜非マスク部１５Ｃを掘り込んで凹部１６Ａ〜凹部１６Ｃを形成し、続いてレジスト膜１４を全て除去する。これにより、固定治具を改造することなく、剥離時に圧電基板に破損や折れが発生するのを防止できる。
【００２６】
図４（Ａ）に示すように、イオン注入層１００を形成後の圧電単結晶基板１の一方面１２に所定の厚みの下部電極２０を形成する（図２：Ｓ１０６）。電極材料は、要求されるデバイスの特性に合わせＭｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｎｉ、もしくはそれらの多層構造にすると良い。また、電極材料の種類に応じて、ＥＢ蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等を用いて形成すると良い。
【００２７】
下部電極２０が形成された一方面１２上に、拡散防止層３０Ａを形成する（図２：Ｓ１０７）。拡散防止層３０Ａには、ＳｉＮ等の犠牲層材料と圧電膜、下部電極２０との拡散を抑制する材料を選択すると良い。
【００２８】
拡散防止層３０Ａの上部に犠牲層４０、犠牲層４１を形成する（図２：Ｓ１０８）。犠牲層４０、犠牲層４１には、後述する除去処理により、拡散防止層３０Ａに影響を与えることなく犠牲層４０、犠牲層４１のみを除去可能な材質であれば良い。犠牲層４０、犠牲層４１の材料としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、ＺｎＯ、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＯ２などを用いる。犠牲層４０、犠牲層４１は、材料の種類に応じて、ＥＢ蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等により形成すると良い。
【００２９】
犠牲層４０と犠牲層４１の上部にメンブレン支持層３２Ｂを形成し、メンブレン支持層３２Ｂの表面をＣＭＰ（Chemical Mechanical Planarization：化学機械研磨）等により平坦化する（図２：Ｓ１０９）。メンブレン支持層３２Ｂの材料としては、ＳｉＯ２やＳｉＮなどを用いる。また、膜剥がれの要因となる薄膜の応力はできるだけ低く抑えると良い。
【００３０】
支持基板３０Ｂ（支持体に相当）を準備する。支持基板３０Ｂの材料としては、ＬＴ（ＬｉＴａＯ３）、ＬＮ（ＬｉＮｂＯ３）、Ｓｉ、ガラス等を用いる。そして、メンブレン支持層３２Ｂと支持基板３０Ｂを、清浄化接合技術を用いて真空中で直接接合して、図４（Ｃ）に示すように、複合圧電基板２を生成する（図２：Ｓ１１０）。清浄化接合とは、真空中でＡｒイオン等を照射して接合面を活性化させた状態で接合するものであり、加熱を必要としない接合方法である。
【００３１】
複合圧電基板２を減圧雰囲気中で加熱する（図２：Ｓ１１１）。このとき、水素イオンを注入したイオン注入層（ＬＴ基板の表面から１μｍの深さ）に、表面に沿ってマイクロキャビティが発生し、加熱によりこのキャビティが成長し、図４（Ｄ）に示すように、１μｍの厚みの圧電薄膜１０を含む複合圧電基板２と、圧電単結晶基板（ＬＴ基板）１（不図示）に分離する。前記のように、ステップＳ３において圧電単結晶基板１の外周部に凹部１６Ａ〜凹部１６Ｃを形成しているので、圧電単結晶基板１が破損することなくスムーズに圧電薄膜１０が分離する。
【００３２】
複合圧電基板２の圧電薄膜１０の表面と、圧電薄膜１０を剥離した圧電単結晶基板１の表面は、二乗平均粗さ（ＲＭＳ粗さ）が約１〜１０ｎｍであり荒れている。そのため、ＣＭＰにより１００ｎｍ程度研磨して平滑化し鏡面を形成する（図２：Ｓ１１２）。このように圧電体表面を鏡面とすることで、圧電デバイスの特性を良化できる。
【００３３】
圧電薄膜１０を剥離した圧電単結晶基板１は、別の複合圧電基板２を作成するための素材として再利用する。
【００３４】
複合圧電基板２には、圧電性回復のための基板加熱処理を行う（図２：Ｓ１１３）。例えば、圧電薄膜１０の他方面１３上に、塩化リチウム溶液等の導電性を有する液体を塗布し、液状の分極用上面電極５０（不図示）を形成する。そして、当該分極用上面電極５０と犠牲層４０，４１とを電界印加回路５５（不図示）で接続し、パルス電界を印加する。これにより、分極用上面電極５０と犠牲層４０，４１との間、特に分極用上面電極５０と犠牲層４０との間の圧電薄膜１０が分極処理される。
【００３５】
イオン注入により受けた結晶のひずみを緩和するためには、４５０℃以上での加熱が望ましい。また、結晶ひずみをとるためには、分極の解消を避けるためにキューリー温度より１００℃以上低くすることが望ましい。圧電薄膜１０がＬＴ基板の場合には、この工程によって、イオン注入時にＬｉのサイトに置換された注入イオンＨ＋が抜け、そのサイトにＬｉが復帰することで圧電性が回復する。
【００３６】
圧電薄膜１０の他方面１３上に、上部電極６０やパッド電極６１等の上面電極パターンを形成する（図２：Ｓ１１４）。電極材料は下部電極２０と同様に、要求されるデバイスの特性に合わせ選択すると良い。
【００３７】
次に、図５（Ａ）に示すように、上部電極６０が形成された圧電薄膜１０の表面にレジスト膜７０を形成する（図２：Ｓ１１５）。そして、フォトリソグラフィ技術を用いて、図５（Ｂ）に示すように、レジスト膜７０に、犠牲層４０，４１を除去するためのエッチング窓７１を形成する（図２：Ｓ１１６）。なお、図５では、エッチング窓を犠牲層４０の箇所にのみ形成しているが、犠牲層４１における隣り合う圧電デバイス間となる位置にさらにエッチング窓を形成するようにしても良い。
【００３８】
次に、エッチング窓７１からエッチングガスまたはエッチング液を導入することで、図５（Ｃ）に示すように犠牲層４０、犠牲層４１を除去する（図５：Ｓ１１７）。これにより、単体の薄膜型圧電デバイスの下部電極２０および上部電極６０が形成される領域に対応する犠牲層４０が形成された空間は、空隙８０となる。ウエットエッチング液またはエッチングガスは、圧電メンブレンや上部電極６０や下部電極２０に対して影響を与えないものを選択すると良い。
【００３９】
犠牲層４０，４１の除去を行った後、図５（Ｄ）に示すようにレジスト膜７０の除去を行う（図１：Ｓ１１８）。
【００４０】
次に、図６（Ａ）に示すように、パッド電極６１上にバンプ９０を形成する（図１：Ｓ１１９）。そして、図６（Ｂ）に示すように、マルチ状態から個別の薄膜型圧電デバイスを切り出す。このような製造工程により、Ｆ−ＢＡＲタイプの薄膜型圧電デバイスを製造できる。
【００４１】
次に、本発明の第２の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、フローチャート図に示す工程に沿って、圧電デバイスの製造過程の模式図を参照して説明する。
【００４２】
以下の説明では、圧電デバイスとして、圧電単結晶性材料（以下、圧電単結晶基板と称する。）の両表面に振動変位を持ち、面方向に伝搬する波を発生する板波デバイスを例に説明する。
【００４３】
図７は、本発明の第２実施形態に係る薄膜型圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図８、図９は、図７に示す製造フローで形成される薄膜型圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【００４４】
第２実施形態に係る圧電デバイスの製造方法では、イオン注入層１００を形成するまでの工程（ステップＳ２０１〜Ｓ２０５）が、第１実施形態に係る圧電デバイスの製造方法のステップＳ１０１〜Ｓ１０５と同じである。
【００４５】
すなわち、図３（Ａ）に示したように、圧電単結晶基板１の一方面１２にレジスト膜１４を形成する（図７：Ｓ２０１）。
【００４６】
図３（Ｂ）に示したように、フォトリソグラフィ法により、一方面１２の外周部において、レジスト膜１４に非マスク部１５Ａ〜非マスク部１５Ｃを形成する（図７：Ｓ２０２）。非マスク部１５Ａ〜非マスク部１５Ｃは、前記の凹部を作成するためのもので、固定治具を凹部に挿入できるように、固定治具の先端部とほぼ同じサイズである。上記のようにフォトリソグラフィ法を用いることで、非マスク部を精度良く形成できる。
【００４７】
図３（Ｃ）に示したように、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法により、非マスク部１５Ａ〜非マスク部１５Ｃに凹部１６Ａ〜凹部１６Ｃを形成し、レジスト膜１４を除去する（図７：Ｓ２０３）。凹部１６Ａ〜凹部１６Ｃは、一方面１２（イオン注入面）を基準にして、後述するステップＳ２０５において形成するイオン注入層１００よりも深く生成する。凹部を形成する非マスク部以外はレジストでマスクされるので、エッチングにより凹部を形成する際に圧電基板の表面へのダメージを抑制できる。
【００４８】
図３（Ｄ）、図３（Ｅ）に示したように、凹部１６Ａ〜凹部１６Ｃに固定治具２１Ａ〜固定治具２１Ｃを取り付けて、圧電単結晶基板１を固定する（図７：Ｓ２０４）。
【００４９】
図３（Ｅ）に示したように、一方面１２側から水素イオンを注入して、圧電単結晶基板１内にイオン注入層１００を形成する（図７：Ｓ２０５）。
【００５０】
上記の工程では、第１実施形態と同様に、先にステップＳ２０４〜ステップＳ２０５を行い、続いてステップＳ２０１〜Ｓ２０３を行うようにしても良い。
【００５１】
図８（Ａ）に示したように、圧電単結晶基板１の一方面１２に所定の厚みの犠牲層４５を形成する（図７：Ｓ２０６）。犠牲層４５の材料としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、ＺｎＯ、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＯ２などを、材料種に合わせＥＢ蒸着、スパッタリング、ＣＶＤを用いて形成すると良い。
【００５２】
図８（Ｂ）に示すように、犠牲層４５と圧電単結晶基板１の一方面１２上にメンブレン支持層３３Ｂを形成し、ＣＭＰにより平坦化処理を行う（Ｓ２０７）。このときメンブレン支持層３３Ｂとしては、ＳｉＯ２やＳｉＮなどを用いる。メンブレン支持層３３Ｂは、減圧雰囲気下で形成される。膜剥がれの要因となる薄膜の応力はできるだけ低く抑えると良い。
【００５３】
図８（Ｃ）に示すように、メンブレン支持層３３Ｂに支持基板３５Ｂを貼り合わせる（図７：Ｓ２０８）。
【００５４】
次に、図８（Ｄ）に示すように、メンブレン支持層３３Ｂおよび支持基板３５Ｂが配設された圧電単結晶基板１からなる複合圧電基板３を加熱し、イオン注入層１００を剥離面とした剥離を行う（図７：Ｓ２０９）。これにより、支持基板３５Ｂに支持され、メンブレン支持層３３Ｂが配設された犠牲層４５付きの圧電薄膜１０と、圧電単結晶基板（ＬＴ基板）１（不図示）に分離する。この際、減圧雰囲気下で加熱すれば、加熱温度を低くすることができる。
【００５５】
次に、このように剥離形成した圧電薄膜１０の他方面１３と、圧電薄膜１０を剥離した圧電単結晶基板１の表面をＣＭＰ処理等により研磨して表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるように平坦化する（図７：Ｓ２１０）。これにより、弾性波デバイスの特性を良化させることができる。
【００５６】
圧電薄膜１０を剥離した圧電単結晶基板１は、別の複合圧電基板３を作成するための素材として再利用する。
【００５７】
続いて、圧電薄膜１０、メンブレン支持層３３Ｂ、支持基板３５Ｂからなる複合圧電基板３の上下面に分極用電極を形成し、所定電圧を印加することで分極処理を行い、圧電薄膜１０の圧電性を回復させる（図７：Ｓ２１１）。この際、犠牲層４５を導電性材料として、分極用電極に利用しても良い。
【００５８】
ここまでの工程を経た時点で、この複合体に対してアニール処理を行う（図７：Ｓ２１２）。このようなアニール処理を行うことで、イオン注入工程で結晶ダメージを受けた圧電薄膜１０の結晶性を回復でき、圧電薄膜１０の伸びや反りが抑制される。これにより、後の犠牲層４５の除去工程で空隙８５が形成されても、当該空隙８５と接する圧電薄膜１０の部分（圧電メンブレン部分）の破損を抑制することができる。
【００５９】
次に、図８（Ｅ）に示すように、圧電薄膜１０の他方面１３上に、ＩＤＴ電極５０Ｐ、引き回し電極５１Ｌ１，５１Ｌ２（不図示）、およびパッド電極５１Ｕ，５１ＵＤ，５１Ｃ（不図示）を形成する（図７：Ｓ２１３）。電極材料は要求されるデバイスの特性に合わせＡｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、もしくはそれらの多層構造にすると良い。材料種に合わせＥＢ蒸着、スパッタリング等を用いて形成すると良い。
【００６０】
図９（Ａ）に示すように、スパッタリング、フォトリソグラフィ、ドライエッチング等を用いて各パッド電極５１Ｕ，５１ＵＤ，５１Ｃ上および空隙８５を除く圧電薄膜１０の他方面１３上に、所定膜厚からなる保護層（誘電体層）７５を形成する。この場合、少なくともＩＤＴ電極５０Ｐが保護層７５で覆われるようにする。また、各パッド電極５１Ｕ，５１ＵＤ，５１Ｃは保護層７５から露出するように形成する（図７：Ｓ２１４）。
【００６１】
次に、図９（Ａ）に示すように、犠牲層４５を除去するためのエッチング窓７６を、圧電薄膜１０に形成する（図７：Ｓ２１５）。この際、エッチング窓７６は圧電薄膜１０における犠牲層４５の形成領域の端部近傍に形成される。エッチング窓７６は、例えばフォトリソグラフィを利用したドライエッチングにより形成される。このドライエッチングには、ＮＬＤ（Ｎｅｕｒａｌ  Ｌｏｏｐ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）−ＲＩＥや、ＳＷＰ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｗａｖｅ  Ｐｌａｓｍａ）−ＲＩＥを用いると良い。
【００６２】
次に、エッチング窓７６を介してエッチングガスもしくはエッチング液を流入させることで、犠牲層４５を除去する（図７：Ｓ２１６）。これにより、犠牲層４５が形成された空間は、図９（Ｂ）に示すような空隙８５となる。
【００６３】
そして、各パッド電極５１Ｕ，５１ＵＤ，５１Ｃ上にバンプを形成し、当該バンプ上に半田ボール９５を形成する（図７：Ｓ２１７）。このようにして、ラム波や板波などを用いた弾性波デバイスの圧電デバイスを形成する。
【００６４】
以上のような製造方法を用いることで、上述の圧電薄膜１０、メンブレン支持層３３Ｂおよび支持基板３５Ｂが層構成され、メンブレン構造を有する圧電デバイスを、高信頼性で優れた特性で製造できる。さらに、当該圧電デバイスを、工程負荷を増大させることなく製造することができる。
【００６５】
また、圧電基板の材料としてタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムを使用した場合、圧電基板はもろく割れやすい。しかし、上記の製造方法では、イオン非注入部に凹部を形成するので、イオン注入後に加熱剥離する際に圧電基板が割れることが無く、スムーズに剥離できる。また、上記のように剥離後の圧電基板を再利用できるので、１枚の圧電基板から複数の圧電デバイスを製造でき、高価な圧電基板を節約できる。
【００６６】
なお、本発明の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法は、Ｆ−ＢＡＲや板波デバイスの他にも、各種圧電デバイスに適用することが可能である。例えば、圧電振動モーター、ジャイロ等にも適用できる。
【符号の説明】
【００６７】
１−圧電単結晶基板、２，３−複合圧電基板、１０−圧電薄膜、１５Ａ〜１５Ｃ−非マスク部、１６Ａ〜１６Ｃ−凹部、２０−下部電極、２１Ａ〜２１Ｃ−固定治具、３０Ａ−拡散防止層、４０，４１，４５−犠牲層、６０−上部電極、７０−レジスト膜、７１，７６−エッチング窓、７５−保護層、９０−バンプ、１００−イオン注入層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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