(57)【要約】【課題】分断の精度を向上させることにより、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な有機ＥＬ装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】有機ＥＬ装置を形成するためのマザー基板１００Ｍの第１主面Ｓ１側に直線状に外部応力を印加する工程と、マザー基板１００Ｍの第１主面Ｓ１とは反対側の第２主面Ｓ２側に外部応力が印加された直線に沿ってガイドクラックＧＬを直線状に形成する工程と、マザー基板１００Ｍの第２主面Ｓ２側にガイドクラックＧＬに沿ってレーザ光ＬＡを照射する工程と、レーザ光ＬＡが照射されたマザー基板１００Ｍの第２主面Ｓ２側にガイドクラックＧＬに沿って冷却する工程と、を備えている。【選択図】      図３
2011126732.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ装置を形成するためのマザー基板の第１主面側に直線状に外部応力を印加する工程と、
前記マザー基板の前記第１主面とは反対側の第２主面側に前記外部応力が印加された直線に沿ってガイドクラックを直線状に形成する工程と、
前記マザー基板の第２主面側に前記ガイドクラックに沿ってレーザ光を照射する工程と、
前記レーザ光が照射された前記マザー基板の第２主面側に前記ガイドクラックに沿って冷却する工程と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
さらに、前記レーザ光を照射する工程の前に、前記マザー基板の第２主面側に前記マザー基板の端部の近傍の前記外部応力が印加された直線上に前記マザー基板をスクライブするための起点になる初期クラックを形成する工程を備え、
前記レーザ光は初期クラックの近傍に照射されることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記初期クラックは、点状または前記ガイドクラックより短い直線状に形成されたことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記初期クラックは、前記マザー基板の端部より内側に形成されたことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
さらに、前記マザー基板の第１主面側に有機ＥＬ素子を形成する工程と、
前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
前記外部応力を印加する工程において、前記マザー基板を支持部材によって支持するとともに、前記マザー基板の第１主面側に応力印加部材のエッジを接触させることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示素子として有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置が注目されている。この有機ＥＬ素子は、自発光性素子であるため、バックライトを必要とせず薄型軽量化が可能である。さらに、有機ＥＬ素子は、高速応答、広視野角、低消費電力の特徴を有している。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置において、大型のマザー基板を分断して製造する方法が広く採用されている。例えば、特許文献１には、ガラス基板の分断方法として、ガラス基板の分断予定線に沿ってクラックを形成し、分断予定線に沿ってレーザ光を照射して加熱し、加熱されたガラス基板を予定分断線に沿って急冷し、クラックを進展させガラス基板を分断する技術は開示されている。
【０００４】
マザー基板の温度分布は、マザー基板の位置によって異なることがあり、マザー基板にレーザ光を照射し冷却しても、予定分断線に対してずれてクラックが進展してしまうことがあり、予定分断線に対してずれてマザー基板が分断されてしまうことがあり、マザー基板の分断の精度が低下してしまうことがある。したがって、表示パネルの外形寸法が不均一になってしまうことがあり、製造歩留まりの低下を招く恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２５６１５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、分断の精度を向上させることにより、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な有機ＥＬ装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様によれば、有機ＥＬ装置を形成するためのマザー基板の第１主面側に直線状に外部応力を印加する工程と、前記マザー基板の前記第１主面とは反対側の第２主面側に前記外部応力が印加された直線に沿ってガイドクラックを直線状に形成する工程と、前記マザー基板の第２主面側に前記ガイドクラックに沿ってレーザ光を照射する工程と、前記レーザ光が照射された前記マザー基板の第２主面側に前記ガイドクラックに沿って冷却する工程と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、分断の精度を向上させることにより、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な有機ＥＬ装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の一実施態様における有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子を含むアレイ基板の構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示したフローチャートである。
【図４】図４は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法においてマザー基板に外部応力を印加する工程を概略的に説明するための斜視図、Ｉ−Ｉ線に沿った断面図及びＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図５】図５は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法においてマザー基板にガイドクラックを形成する工程を概略的に説明するための斜視図、Ｉ−Ｉ線に沿った断面図及びＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図６】図６は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法においてマザー基板にレーザ光を照射し、冷却する工程を概略的に説明するための斜視図、Ｉ−Ｉ線に沿った断面図及びＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図７】図７は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法においてマザー基板に初期クラックを形成する工程を概略的に説明するための斜視図、Ｉ−Ｉ線に沿った断面図及びＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
まず、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法により製造される有機ＥＬ装置の一例の構成について図面を参照して説明する。
【００１２】
図１は、有機ＥＬ装置の一例として、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１を備えている。この表示パネル１は、アレイ基板１００及び対向基板２００を備えている。
【００１３】
アレイ基板１００は、画像を表示する略矩形状のアクティブエリア１０２を有している。アレイ基板１００のアクティブエリア１０２には、複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがマトリクス状に配置されている。
【００１４】
対向基板２００は、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２において有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合っている。これらのアレイ基板１００と対向基板２００とは、アクティブエリア１０２を囲む枠状のシール部材３００などによって貼り合わされている。
【００１５】
図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含むアレイ基板１００の断面図である。
【００１６】
アレイ基板１００は、絶縁基板１０１、絶縁基板１０１の上方に形成されたスイッチングトランジスタＳＷ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤなどを有している。絶縁基板１０１の上には、第１絶縁膜１１１が配置されている。第１絶縁膜１１１は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。
【００１７】
第１絶縁膜１１１の上には、スイッチングトランジスタＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。
【００１８】
半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１１２によって被覆されている。また、第２絶縁膜１１２は、第１絶縁膜１１１の上にも配置されている。このような第２絶縁膜１１２は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。
【００１９】
第２絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチングトランジスタＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。ゲート電極Ｇは、第３絶縁膜１１３によって被覆されている。また、第３絶縁膜１１３は、第２絶縁膜１１２の上にも配置されている。このような第３絶縁膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。
【００２０】
第３絶縁膜１１３の上には、スイッチングトランジスタＳＷのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。
【００２１】
これらのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、第４絶縁膜１１４によって被覆されている。また、第４絶縁膜１１４は、第３絶縁膜１１３の上にも配置されている。このような第４絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。
【００２２】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。画素電極ＰＥは、スイッチングトランジスタＳＷのドレイン電極Ｄに接続されている。この画素電極ＰＥは、この例では陽極に相当する。なお、画素電極ＰＥは、２層以上の積層構造であっても良いし、反射電極単層であっても良いし、透過電極単層であっても良い。
【００２３】
第４絶縁膜１１４の上には、隔壁ＰＩが配置されている。この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの周縁に沿って配置されている。また、この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの一部に重なっている。
【００２４】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでも良い。なお、有機層ＯＲＧは、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在していても良い。
【００２５】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧのみならず隔壁ＰＩも被覆している。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。このような対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。
【００２６】
対向電極ＣＥの上には、保護膜１１５が配置されている。このような保護膜１１５は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。つまり、保護膜１１５は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを覆っている。この保護膜１１５は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水分の浸透を防止する水分バリア膜として機能する。この保護膜１１５は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。
【００２７】
図２では、図示を省略したが、対向基板２００は、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２の最上面に配置された保護膜１１５の上方に位置している。対向基板２００と保護膜１１５との間には隙間が形成されている場合もあるが、対向基板２００と保護膜１１５との間に形成された隙間に樹脂材料などの光透過性を有する材料が充填されていてもよい。
【００２８】
次に、上記した有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例について、主要な製造工程を説明する。図３は、有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示したフローチャートである。
【００２９】
まず、有機ＥＬ装置を形成するためのマザー基板の第１主面側に直線状に外部応力を印加する（ＳＴ１）。
【００３０】
続いて、マザー基板の第１主面とは反対側の第２主面側に外部応力が印加された直線に沿ってガイドクラックを直線状に形成する（ＳＴ２）。
【００３１】
続いて、マザー基板の第２主面側にガイドクラックに沿ってレーザ光を照射する（ＳＴ３）。
【００３２】
続いて、レーザ光が照射されたマザー基板の第２主面側に前記ガイドクラックに沿って冷却する（ＳＴ４）。
【００３３】
次に、上記の各工程についてより詳細に説明する。まず、図４を参照しながら、マザー基板１００Ｍに外部応力を印加する工程（ＳＴ１）について説明する。なお、図中の（ａ）は、マザー基板１００Ｍに外部応力を印加する工程を概略的に説明するための斜視図である。図中の（ｂ）は、（ａ）のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。図中の（ｃ）は、（ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【００３４】
まず、絶縁基板１０１として０．６ｍｍの厚さの無アルカリケイ酸ガラスを適用したアレイ基板１００用のマザー基板１００Ｍを用意する。マザー基板１００Ｍは、第１主面Ｓ１側に第１エリアＭ１及び第２エリアＭ２を有している。ここでは、マザー基板１００Ｍの第１エリアＭ１と第２エリアＭ２との間の予定分断線（図示しない）に沿って分断する工程を説明する。これらの第１エリアＭ１及び第２エリアＭ２のそれぞれは、複数のアレイ基板１００を形成するための領域であっても良いし、１個のアレイ基板１００を形成する領域であっても良い。つまり、第１エリアＭ１及び第２エリアＭ２のそれぞれは、複数のアクティブエリア１０２を有する場合もあるし、１個のアクティブエリア１０２のみを有する場合もある。
【００３５】
マザー基板１００Ｍの第１エリアＭ１及び第２エリアＭ２には、第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４、スイッチングトランジスタＳＷなどが形成されている。なお、第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４は、第１エリアＭ１及び第２エリアＭ２のみならず、第１エリアＭ１及び第２エリア１０２Ｍ２の外側に延在して形成しても良い。
【００３６】
用意されたマザー基板１００Ｍは、支持部材５１０によって支持されている。支持部材５１０は、マザー基板１００Ｍの第１主面Ｓ１側を支持し、第１エリアＭ１及び第２エリアＭ２よりも外側に配置されている。応力印加部材５１２は、マザー基板１００Ｍの第１主面Ｓ１側の第１エリアＭ１と第２エリアＭ２との間の予定分断線に配置されている。この応力印加部材５１２は、例えば楔形状あるいは三角柱状であり、図に示したＸ方向に一直線状に延在している。応力印加部材５１２は、硬質な材料によって形成されている。
【００３７】
外部応力は、応力印加部材５１２における三角形状の断面の頂点部分に相当するエッジをマザー基板１００Ｍの第１主面Ｓ１に接触させることによってＸ方向に沿って直線状に印加される。なお、応力印加部材５１２が接触するマザー基板１００Ｍの表面は、絶縁基板１０１であっても良いし、第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４のいずれであっても良い。
【００３８】
次に、図５を参照しながら、マザー基板１００ＭにガイドクラックＧＬを形成する工程（ＳＴ２）について説明する。なお、図中の（ａ）は、マザー基板１００ＭにガイドクラックＧＬを形成する工程を概略的に説明するための斜視図である。図中の（ｂ）は、（ａ）のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。図中の（ｃ）は、（ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。すなわち、マザー基板１００Ｍの第２主面Ｓ２（すなわち、第１主面Ｓ１とは反対側の面）側に外部応力が印加された直線に沿ってガイドクラックＧＬを直線状に形成する。このガイドクラックＧＬは、マザー基板１００Ｍにおいて応力印加部材５１２と接触している位置の略直上に位置する。
【００３９】
ここで、ガイドクラックＧＬは、マザー基板１００Ｍの第２主面Ｓ２側の表面を局所的に削り取ることによって形成された数十μｍの微小な深さの窪みに相当するものであり、他の部分と比較してわずかにマザー基板１００Ｍの厚さの薄くなっている部分である。
【００４０】
このようなガイドクラックＧＬは、ホイール５２０によって形成される。ホイール５２０は、待機位置からマザー基板１００Ｍの応力印加部材５１２と接触している位置の直上に向かって降下し、マザー基板１００Ｍの第２主面Ｓ２に接触し、マザー基板１００Ｍの一端部１００Ａから他端部１００Ｂに向かって、例えばマザー基板１００Ｍの表面を数十μｍ削り取るような圧力を印加しながら外部応力が印加された直線に沿ってＸ方向に移動する。これにより、Ｘ方向に沿った直線状のガイドクラックＧＬが形成される。マザー基板１００Ｍの他端部１００Ｂに到達したホイール５２０は、上昇し、マザー基板１００Ｍの第２主面Ｓ２から離間する。なお、ホイール５２０は、降下し最初に接触する位置は一端部１００Ａより内側であってもよく、離間する位置も他端部１００Ｂよりも手前であってもよい。
【００４１】
次に、図６を参照しながら、マザー基板１００Ｍにレーザ光ＬＡを照射する工程（ＳＴ３）及び冷却する工程（ＳＴ４）について説明する。なお、図中の（ａ）は、マザー基板１００Ｍにレーザ光ＬＡを照射し、冷却する工程を概略的に説明するための斜視図である。図中の（ｂ）は、（ａ）のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。図中の（ｃ）は、（ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。すなわち、マザー基板１００Ｍの第２主面Ｓ２側にガイドクラックＧＬに沿ってレーザ光ＬＡを照射し、マザー基板１００Ｍを加熱する。
【００４２】
レーザ光源５３０は、マザー基板１００Ｍの第２主面Ｓ２側に向かってレーザ光ＬＡを照射しながら、マザー基板１００Ｍの一端部１００Ａから他端部１００Ｂに向かってガイドクラックＧＬに沿ってＸ方向に移動する。なお、ここに示した例では、レーザ光源５３０は、出力が約１５０ＷのＣＯ２レーザを適用した。
【００４３】
次に、マザー基板１００Ｍを冷却する。すなわち、レーザ光ＬＡが照射されたマザー基板１００Ｍの第２主面Ｓ２側にガイドクラックＧＬに沿って冷却する。ここでは、マザー基板１００Ｍは、冷却機構５４０によって冷却される。冷却機構５４０は、マザー基板１００Ｍの第２主面Ｓ２側に向かって冷却液ＣＬを放出しながら、マザー基板１００Ｍの一端部１００Ａから他端部１００Ｂに向かってガイドクラックＧＬに沿ってＸ方向に移動する。このような冷却機構５４０は、レーザ光源５３０を追って移動する。このため、レーザ光が照射され加熱された箇所がその直後に冷却される。
【００４４】
これにより、マザー基板１００Ｍには外部応力に加えて熱応力が加わり、マザー基板１００Ｍに形成されたガイドクラックＧＬのクラックがマザー基板１００Ｍの第２主面Ｓ２から厚さ方向に進展し、マザー基板１００Ｍの第１主面Ｓ１まで到達し、マザー基板１００Ｍが分断され、第１エリアＭ１を有する第１基板（図示しない）及び第２エリアＭを有する第２基板（図示しない）が得られる。
【００４５】
次に、第１基板の第１エリアＭ１及び第２基板の第２エリアＭ２にそれぞれ有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成する。その後、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの上に保護膜１１５を形成する。
【００４６】
このような工程を経て、有機ＥＬ表示装置の表示パネル１が製造される。
【００４７】
なお、レーザ光ＬＡを照射する前に、マザー基板１００Ｍの第２主面Ｓ２側にマザー基板１００Ｍの端部１００Ａの近傍に外部応力が印加された直線上に初期クラックＣＲを形成してもよい。この初期クラックＣＲを形成する工程について図７を参照しながら説明する。なお、図中の（ａ）は、マザー基板１００Ｍに初期クラックＣＲを形成する工程を概略的に説明するための斜視図である。図中の（ｂ）は、（ａ）のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。図中の（ｃ）は、（ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【００４８】
この初期クラックＣＲは、ガイドクラックＧＬを形成する前に形成されても良く、ガイドクラックＧＬを形成した後に形成されても良い。この初期クラックＣＲは、マザー基板１００Ｍの端部１００Ａより内側に形成されていることが望ましい。このような初期クラックＣＲは、点状あるいはガイドクラックＧＬより短い微小な長さを持った直線状に形成されている。
【００４９】
ここで、初期クラックＣＲは、マザー基板１００Ｍをスクライブするための起点となり、この初期クラックＣＲからマザー基板１００Ｍの厚み方向にクラックが進展する。初期クラックＣＲは、マザー基板１００Ｍの第２主面Ｓ２の表面を局所的に削り取ることによって形成された微小な深さの窪みに相当する。初期クラックＣＲは、他の部分と比較してわずかにマザー基板１００Ｍの厚さが薄くなっている部分である。
【００５０】
ここでは、図７に示すように、初期クラックＣＲは、ホイール５２０によって形成される。初期クラックＣＲは、マザー基板１００Ｍの端部１００Ａより内側に形成されている。ホイール５２０は、マザー基板１００Ｍの第２主面Ｓ２の端部１００Ａより内側に接触し、１〜１０Ｎの圧力を印加しながら外部応力が印加された直線に沿ってわずかにＸ方向に移動し、マザー基板１００Ｍの第２主面Ｓ２から離れる。なお、初期クラックＣＲを形成するホイール５２０は、ガイドクラックＧＬを形成するホイール５２０と同じであっても良い。
【００５１】
なお、ここでは、マザー基板１００Ｍを分断した後に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、保護膜１１５などを形成しているが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、保護膜１１５などを形成した後にマザー基板１００Ｍを分断しても良い。このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、水分や酸素の影響により劣化しやすい薄膜を含んでいるため、マザー基板１００Ｍを分断する前に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの上に保護膜１１５を形成する必要がある。
【００５２】
なお、ここでは、０．６ｍｍの厚さのガラスを適用した場合を説明したが、０．１ｍｍ〜１．４ｍｍの厚さのガラスも適用することができる。
【００５３】
ところで、マザー基板１００Ｍの分断工程の前の製造工程、例えば、スイッチングトランジスタＳＷの形成工程により、マザー基板１００Ｍの温度分布は、マザー基板１００Ｍの位置によって異なることがあり、マザー基板１００Ｍにレーザ光ＬＡを照射し冷却しても、予定分断線に対してずれてクラックが進展してしまうことがあり、予定分断線に対して最大で１２０μｍ程度ずれてマザー基板１００Ｍが分断されてしまうことがある。
【００５４】
これに対して、本実施の形態において、マザー基板１００Ｍの温度分布がマザー基板１００Ｍの位置によって異なっていても、ガイドクラックＧＬが形成されており、マザー基板１００Ｍの第１主面Ｓ１側から外部応力が印加されているため、予定分断線に対してずれることなくマザー基板１００Ｍの厚さ方向に第２主面Ｓ２から第１主面Ｓ１まで進展し、予定分断線に沿ってマザー基板１００Ｍを精度よく分断することができる。これによって、マザー基板１００Ｍの分断の精度を向上することが可能となる。
【００５５】
また、レーザ光ＬＡを照射し冷却した際に、初期クラックＣＲの近傍でマザー基板１００Ｍが予定分断線に対してずれて部分的にフルカットされてしまうことがあり、フルカットされた近傍ではクラックがガイドクラックＧＬに対してずれて進展してしまうことがある。
【００５６】
これに対して、本実施の形態において、ガイドクラックＧＬが形成されており、マザー基板１００Ｍの第１主面Ｓ１側から外部応力が印加されているため、レーザ光ＬＡを照射し冷却した際に、初期クラックＣＲの近傍においてもクラックが予定分断線に対してずれることなくマザー基板１００Ｍの厚さ方向に第２主面Ｓ２から第１主面Ｓ１まで進展し、ガイドクラックＧＬに沿ってマザー基板１００Ｍを精度よく分断することができる。これによって、マザー基板１００Ｍの分断の精度を向上することが可能となり、外形寸法の均一にすることができる。
【００５７】
以上、本実施の形態によれば、分断の精度を向上し、製造歩留まりの低下を抑制することができる。
【００５８】
また、本実施の形態において、マザー基板１００Ｍの第１主面Ｓ１側から外部応力が印加されているため、初期クラックＣＲを形成せずに、ガイドクラックＧＬを形成することができる。したがって、初期クラックＣＲを形成することによってマザー基板１００Ｍの端面に発生するマイクロクラックの発生を低減することができる。
【００５９】
また、本実施の形態において、ガイドクラックＧＬや初期クラックＣＲは、マザー基板１００Ｍの第２主面Ｓ２側に形成され、スイッチングトランジスタＳＷや有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、マザー基板１００Ｍの第１主面Ｓ１側に形成されるため、ガイドクラックＧＬや初期クラックＣＲを形成する際に生じるガラスくずなどがスイッチングトランジスタＳＷや有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに付着することを抑制することが可能である。第２主面Ｓ２側にガイドクラックＧＬが表層数十μmとガラス端面に発生するマイクロクラックを微小に制御していることから、通常ホイールで分断した場合のガラス屑が第１主面Ｓ１側に付着するリスクをより低減することが可能となる。さらに、有機ＥＬ装置の製造工程において、ガラスに起因した異物の発生を低減することができる。
【００６０】
さらに、本実施の形態において、レーザ光ＬＡは、マザー基板１００Ｍの第２主面Ｓ２側に照射され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、マザー基板１００Ｍの第１主面Ｓ１側に形成されるため、レーザ光ＬＡを照射しても、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに与える影響を小さくすることができる。
【００６１】
さらに、本実施の形態において、初期クラックＣＲがマザー基板１００Ｍの端部１００Ａより内側に形成されているため、初期クラックＣＲを形成した際にマザー基板１００Ｍに発生するバリやカケを微小にすることが可能となり、さらに、製造歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【００６２】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００６３】
本実施形態は、有機ＥＬ装置として、有機ＥＬ表示装置について説明したが、有機ＥＬ照明や有機ＥＬプリンターヘッドなどにも利用可能である。
【００６４】
本実施形態では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは対向基板２００を介して光を放射するトップエミッションタイプであっても良いし、アレイ基板１００の絶縁基板１０１を介して光を放射するボトムエミッションタイプであっても良い。
【００６５】
また、本実施形態は、有機ＥＬ装置の製造方法として、有機ＥＬ装置のアレイ基板の分断を説明したが、この例に限らず、液晶表示装置のアレイ基板の分断にも適用することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１００Ｍ…マザー基板  Ｓ１…第１主面  Ｍ１…第１アクティブエリア  １０２Ｍ２…第２アクティブエリア  Ｓ２…第２主面  ＧＬ…ガイドクラック  ＬＡ…レーザ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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