(57)【要約】【課題】製造歩留まり等の低下を防止しつつ半導体基板の背面側を研削し得る表面保護テープ及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基材フィルム、前記基材フィルム上に配設された中間層、及び前記中間層上に配設された接着層を具備する表面保護テープの前記接着層を半導体基板の一方の主面に接着する工程と、前記表面保護テープを半導体基板に圧着して基材フィルムの表面を半導体基板の表面と平行とした状態に於いて前記中間層を選択的に硬化させる工程と、前記半導体基板の他方の主面を研削する工程と、前記接着層を硬化させる工程と、前記表面保護テープを前記半導体基板から剥離する工程を有することを特徴としている。【選択図】図４
2011054827.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム、前記基材フィルム上に配設された中間層、及び前記中間層上に配設された接着層を具備する表面保護テープの前記接着層を半導体基板の一方の主面に接着する工程と、
前記表面保護テープの前記基材側に平板を押しつけ、前記基材フィルムの表面を平坦にした状態で、前記中間層を選択的に硬化させる工程と、
前記半導体基板の他方の主面を研削する工程と、
前記接着層を硬化させる工程と、
前記表面保護テープを前記半導体基板から剥離する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記中間層は、第１の光硬化性樹脂により形成されており、
前記接着層は、前記第１の光硬化性樹脂と異なる第２の光硬化性樹脂により形成されており、
前記中間層を選択的に硬化させる工程では、前記第１の光硬化性樹脂の硬化波長領域の波長成分を含み、且つ、前記第２の光硬化性樹脂の硬化波長領域の波長成分を含まない光を照射することにより、前記中間層を選択的に硬化させる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の光硬化性樹脂は、可視光により硬化される可視光硬化性樹脂であり、
前記第２の光硬化性樹脂は、紫外光により硬化される紫外光硬化性樹脂であり、
前記中間層を選択的に硬化させる工程では、可視光を照射し、
前記接着層を硬化させる工程では、紫外光を照射する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２又は３記載の半導体装置の製造方法において、
前記平板は、光を透過する材料により形成されており、
前記中間層を選択的に硬化させる工程では、前記平板側から光を照射することにより、前記中間層を硬化させる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板の前記一方の主面には、前記半導体基板の前記一方の主面上に突出する電極が形成されており、
前記中間層の厚さは、前記電極の高さより厚い
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記表面保護テープの前記基材側に前記平板を押しつけた際に、前記中間層及び前記接着層が前記電極の形状に応じて変形する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
基材フィルムと、
前記基材フィルム上に配設された中間層と、
前記中間層上に配設された接着層と
を具備し、
前記中間層は第１の光硬化性樹脂により形成され、前記接着層は前記第１の光硬化性樹脂と異なる第２の光硬化性樹脂により形成されており、
前記第１の光硬化性樹脂の硬化波長領域は、前記第２の光硬化性樹脂の硬化波長領域とは、硬化波長領域が異なる
ことを特徴とする表面保護テープ。
【請求項８】
請求項７記載の表面保護テープにおいて、
前記第１の光硬化性樹脂は、可視光により硬化される可視光硬化性樹脂であり、
前記第２の光硬化性樹脂は、紫外光により硬化される紫外光硬化性樹脂である
ことを特徴とする表面保護テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び表面保護テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高機能化ならびに小型化に伴い、当該電子機器に搭載される半導体装置に対しても高集積化と共に、より小形化が要求されている。
【０００３】
この為、当該半導体装置に適用される半導体集積回路素子（以下半導体素子と称する）も、その小面積化、薄形化が図られている。
【０００４】
当該半導体素子の薄形化の手段としては、一方の主面（表面）に半導体素子が複数個形成された半導体基板（半導体ウエハ）の他方の主面（裏面、電子回路非形成面）を機械的に研削する、所謂バックグラインディング法が適用されている。
【０００５】
かかる背面研削（バックグラインディング）処理の後、当該半導体基板に対してダイシング処理が施され、半導体素子の個片化がなされる。
【０００６】
かかる背面研削は、被処理半導体基板の一方の主面（表面、半導体素子形成面）に、表面保護テープを貼り付けた後、当該半導体基板の他方の主面（裏面、電子回路非形成面）に対して研削用砥石を用いて実施される。
【０００７】
所定の厚さまで研削処理された被処理半導体基板に対しては、被研削面（裏面、電子回路非形成面）にダイシングテープが貼り付けられ、一方、前記表面保護テープが剥離された後、ダイシング処理が実施される。
【０００８】
半導体基板の背面研削処理工程の一例を、図７に示す。
【０００９】
研削処理の対象とする半導体基板１１は、その一方の主面（表面、半導体素子形成面）に、外部接続用端子として所謂バンプ電極１２が複数個配設されている。
【００１０】
尚、当該一方の主面（表面、半導体素子形成面）に於ける、トランジスタなどの機能素子、配線層、ならびに絶縁層については、図示することを省略している。
【００１１】
即ち、当該半導体基板１１の一方の主面は、当該バンプ電極１２の存在により、平坦面ではない。
【００１２】
そして、当該半導体基板１１の一方の主面に対して、基材フィルム２１上に樹脂層２２が配設された表面保護テープ２０を配置する（図７（ａ）参照）。
【００１３】
当該表面保護テープ２０に於ける樹脂層２２の厚さは、前記バンプ電極１２の高さよりも大なる厚さとされる。
【００１４】
そして、当該半導体基板１１の一方の主面に、表面保護テープ２０を圧着して貼り付ける（図７（ｂ）参照）。
【００１５】
しかる後、研削装置に於けるステージ（基盤）３１上に、当該半導体基板１１を、前記表面保護テープ２０の基材フィルム２１を接して載置する。
【００１６】
そして、当該半導体基板１１の他方の主面（裏面、電子回路非形成面）に対して、研削用砥石３２を用いて研削処理を行う（図７（ｃ）参照）。
【００１７】
図７（ｃ）に於いて、研削時の加圧方向を、矢印Ｐをもって示している。
【００１８】
かかる研削処理により、半導体基板１１は、所定の厚さまで薄形化される。
【００１９】
当該研削処理の後、薄形化された半導体基板１１Ａから、表面保護テープ２０が剥離・除去される（図７（ｄ）参照）。
【００２０】
しかしながら、この様に、一方の主面（表面、半導体素子形成面）に外部接続用端子としてバンプ電極１２が配設され、且つ背面研削処理により薄形化された半導体基板１１Ａは、表面保護テープ２０の剥離・除去の際、或いはダイシング処理の際などに、不要な割れ（クラック）を生ずる確率が高いことが判明した。
【００２１】
当該半導体基板１１Ａの割れは、当然半導体装置の製造歩留りを低下せしめる。
【００２２】
特許文献１にあっては、前記表面保護テープを、基材フィルムと中間層と粘着剤層から構成すること、ならびに当該表面保護テープを粘着層により半導体基板の主面に貼り付け、前記中間層を加熱により軟化・硬化させて前記バンプ電極の有する高さを吸収して後、半導体基板の他方の主面を研削することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２３】
【特許文献１】特開２００５−４８０３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
発明者らが鋭意検討したところ、前述の図７（ｄ）に示される如く、当該半導体基板１１Ａに於いて、その一方の主面（表面、半導体素子形成面）に外部接続用端子として所謂バンプ電極１２が配設された箇所に対応するところの、他方の主面（裏面、電子回路非形成面）には、肉薄部（凹部）１３が形成されており、当該肉薄部１３が割れを生ずる部位となることが判明した。
【００２５】
この様に、半導体基板１１Ａに於いて、バンプ電極１２が配設された箇所に対応する他方の主面（裏面、電子回路非形成面）に生ずる肉薄部１３は、背面研削処理の際に印可される加圧力がバンプ電極１２に対応する領域に大きく加わる結果、生ずるとみられる。
【００２６】
即ち、バンプ電極１２が形成されている箇所においては半導体基板１１に局所的に大きな圧力が加わる一方、他の領域に於いては半導体基板１１に加わる圧力が小さく、結果として、当該バンプ電極１２が配置されている部位に対応する箇所に、選択的に肉薄部１３が形成されてしまうと考えられる。
【００２７】
なお、半導体基板１１Ａに割れを生じなくとも、その裏面に肉薄部１３が形成されることは好ましくない。
【００２８】
即ち、当該バンプ電極１２を具備する半導体素子は、通常フリップチップボンディング法により所定の基板に実装されるが、半導体素子の裏面に凹部１３が形成されていると、当該半導体素子の裏面に対して荷重と熱を加えても、バンプ電極１２に熱が十分に伝わらず、接続不良を招く恐れがある。
【００２９】
前記特許文献１にあっては、前記表面保護テープを、基材フィルムと中間層と粘着剤層から構成することが開示されているが、その中間層の形態の変化は加熱により行われている。
【００３０】
また、粘着剤層の粘着性については、検討されていない。
【００３１】
従って、半導体基板の背面研削の後、当該表面保護テープを、半導体基板の一方の主面（表面、半導体素子形成面）から剥離する際に、バンプ電極などにダメージを与える、或いは粘着物の残渣を生ずる恐れがある。
【００３２】
本発明は、製造歩留まり等の低下を防止しつつ、半導体基板の背面を研削し得る半導体装置の製造方法、ならびに当該製造方法に適用する表面保護テープを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
本発明によれば、基材フィルム、前記基材フィルム上に配設された中間層、及び前記中間層上に配設された接着層を具備する表面保護テープの前記接着層を半導体基板の一方の主面に接着する工程、前記表面保護テープを半導体基板に圧着して基材フィルムの表面を半導体基板の表面と平行とした状態に於いて前記中間層を選択的に硬化させる工程、前記半導体基板の他方の主面を研削する工程、前記接着層を硬化させる工程、及び前記表面保護テープを前記半導体基板から剥離する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００３４】
また、本発明によれば、基材フィルムと、前記基材フィルム上に配設された中間層と、前記中間層上に配設された接着層とを具備し、前記中間層は第１の光硬化性樹脂により形成され、前記接着層は前記第１の光硬化性樹脂と異なる第２の光硬化性樹脂により形成されており、前記第１の光硬化性樹脂と前記第２の光硬化性樹脂は、硬化波長領域が異なることを特徴とする表面保護テープが提供される。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、表面保護テープを被処理半導体基板に押圧することにより、少なくともその中間層をバンプ等突起状の電極の形状に応じて変形させ、当該突起状の電極と半導体基板の表面との段差を吸収して、表面保護テープの基材フィルムの表面を平坦な状態、即ち半導体基板の表面と平行な状態とする。
【００３６】
基材フィルムの表面を平坦にされた状態をもって中間層を硬化させることにより、当該基材フィルム表面の平坦性が維持される。
【００３７】
表面保護テープの基材フィルムの表面が平坦であり、且つ半導体基板の表面と平行な状態であって、しかも中間層が硬化されているため、半導体基板の裏面側を研削する際に、砥石の荷重が被処理半導体基板に均一に加わる。
【００３８】
これにより、当該半導体基板の裏面を研削する際、半導体基板の裏面に、突起状の電極に対応する凹部（肉薄部）が生ずることを防止することができる。
【００３９】
そして、当該中間層の硬化する際、接着層を硬化させることなく、当該中間層のみを選択的に硬化するため、接着層の有する接着力は低下せず、研削処理の際、被処理半導体基板は当該表面保護テープにより確実に支持される。
【００４０】
更に、被処理半導体基板から表面保護テープを剥離する際、接着層を硬化させて接着力を低下させることにより、剥離は容易になされ、且つ接着層が突起状の電極の表面、半導体基板の表面などに残存することが防止される。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施形態による表面保護テープの構成を示す断面図である。
【図２】本発明による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図３】本発明による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図４】本発明による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図５】本発明による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図６】本発明による半導体装置の製造方法に於ける変形実施形態を示す工程断面図である。
【図７】従来の半導体基板の背面研削工程の一例を示す工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
［第１の実施の形態］
本発明による半導体装置の製造方法、ならびに当該製造方法に適用される表面保護テープの一つの実施の形態について、図１乃至図５を用いて説明する。
【００４３】
（表面保護テープ）
まず、本実施の形態に於ける表面保護テープの構成について、図１を用いて説明する。
【００４４】
本実施形態に於ける表面保護テープ５０は、図１に示される如く、基材フィルム５１と、当該基材フィルム５１の一方の主面上に配設された中間層５２、ならびに当該中間層５２上に配設された接着層（粘着層）５３を具備している。
【００４５】
当該基材フィルム５１の材料としては、紫外光（紫外線）或いは可視光を透過し得る材料が用いられる。
【００４６】
紫外光或いは可視光を透過し得ることにより、当該表面保護テープ５０の基材フィルム５１側から、紫外光或いは可視光を照射した際に、紫外光或いは可視光が、中間層５２及び／或いは接着層５３に達することを可能とする。
【００４７】
尚、表面保護テープ５０に紫外光等を照射した際に、基材フィルム５１が中間層５２から剥離してしまうのを防止するため、基材フィルム５１の材料として、紫外光等が照射された際に中間層５２に対する密着性の低下を招くことの少ない材料を用いることが好ましい。
【００４８】
このような観点から、基材フィルム５１の材料としては、例えばポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。
【００４９】
また、当該基材フィルム５１の厚さは、例えば２０〜５０μｍとされる。
【００５０】
勿論、当該基材フィルム５１の厚さは、この範囲に限定されるものではなく、表面保護テープ５０が貼り付けられる半導体基板上に配設されているバンプ電極（突起電極）の形状及び寸法、ならびに中間層５２、或いは接着層５３の厚さなどに応じて適宜選択される。
【００５１】
また、前記中間層５２の材料としては、硬化させる前の段階に於いて、比較的変形し易い材料が選択される。
【００５２】
これは、バンプ電極など突起状の電極が形成された半導体基板上に表面保護テープ５０を貼り付ける際に、当該バンプ電極などの形状に対応して、変形可能であることが必要とされることによる。
【００５３】
当該中間層５２の材料としては、後述する接着層５３の硬化波長領域（硬化波長域、硬化波長帯域）とは異なる波長（波長域）の光により硬化させ得る光硬化性樹脂が選択される。
【００５４】
これにより、当該中間層５２の硬化波長領域に含まれる波長の光が照射されることにより、接着層５３の硬化を招くことなく、当該中間層５２のみを選択的に硬化させることができる。
【００５５】
即ち、接着層５３の材料として、紫外光（紫外線）により硬化する紫外光硬化性樹脂を適用する場合、当該中間層５２の材料としては、例えば可視光硬化性樹脂を選択する。
【００５６】
可視光硬化性樹脂は、可視光を照射することにより硬化させ得る樹脂である。
【００５７】
当該中間層５２の硬化波長領域を、例えばλａ＝５００ｎｍ〜λｂ＝６００ｎｍとする。
【００５８】
この時、硬化波長領域λａ〜λｂは、樹脂中に含有させる光重合開始剤の種類・配合等により適宜設定することが可能である。
【００５９】
例えば、λａ〜λｂの波長領域の光に対して高い感度が得られる光重合開始剤を樹脂中に含有させることにより、硬化波長領域がλａ〜λｂの光硬化性樹脂を得ることが可能である。
【００６０】
中間層５２の硬化波長領域が５００ｎｍ〜６００ｎｍである場合、当該中間層５２の硬化を行う為の光として、例えばピーク波長λ１が５３２ｎｍ付近の光を用いることができる。
【００６１】
勿論、ピーク波長λ１が５３２ｎｍ付近の光に限定されるものではなく、上記硬化波長領域λａ〜λｂ内の波長成分を含む光を照射すれば、中間層５２を硬化させることは可能である。
【００６２】
但し、当該中間層５２を硬化させる際に、接着層５３が硬化されるのを回避すべく、できるだけ当該接着層５３の硬化波長領域成分を含まない光を適用することが必要である。
【００６３】
当該中間層５２の厚さは、半導体基板上に形成されているバンプ電極による凹凸（段差）に対して十分に厚いことが好ましい。
【００６４】
これは、当該バンプ電極により生じている半導体基板表面の凹凸を、当該中間層５２により吸収・解消して、前記基材フィルム５１の表面を十分に平坦にすることを可能とするためである。
【００６５】
即ち、中間層５２の厚さは、バンプ電極等に起因する半導体基板上の凹凸の最大の高さより厚いものとされる。
【００６６】
この為、当該中間層５２の厚さは、バンプ電極による凹凸（段差）に対応して、例えば３０〜３００μｍとされる。
【００６７】
勿論、当該中間層５２の厚さは、この範囲に限定されるものではなく、表面保護テープ５０が貼り付けられる半導体基板上のバンプ電極の形状ならびに寸法、基材フィルム５１の厚さ、接着層５３の厚さ等に応じて、適宜選択される。
【００６８】
そして、当該中間層５２を構成する材料の主成分である樹脂としては、例えばアクリル系樹脂を用いることができる。
【００６９】
一方、前記接着層５３の材料としても、硬化させる前の段階に於いては比較的変形し易い材料が選択される。
【００７０】
これは、バンプ電極が形成された半導体基板上に表面保護テープ５０を貼り付けた際に、バンプ電極などの形状に対応して、変形が容易であることが必要とされることによる。
【００７１】
当該接着層５３の材料としては、前記中間層５２の硬化波長領域（硬化波長域、硬化波長帯域）である可視光領域とは異なる波長（波長域）の光、例えば紫外光（紫外線）により硬化させ得る光硬化性樹脂が選択される。
【００７２】
これにより、中間層５２の硬化波長領域に含まれる波長の光（可視光）が照射された場合、当該接着層５３の硬化を生ずることなく、当該中間層５２のみが選択的に硬化される。
【００７３】
この様に、中間層５２を硬化させるための光が照射された際に、接着層５３の硬化を生じさせないことにより、当該表面保護テープ５０の半導体基板主面への接着性が十分維持される。
【００７４】
即ち、接着層５３の硬化波長領域を、例えばλｃ＝２００ｎｍ〜λｄ＝３００ｎｍとする。
【００７５】
この時、接着層５３の硬化波長領域は、樹脂中に含有させる光重合開始剤の種類等により適宜設定することが可能である。
【００７６】
例えば、λｃ〜λｄの波長領域の光に対して高い感度が得られる光重合開始剤を樹脂中に含有させることにより、硬化波長領域がλｃ〜λｄの光硬化性樹脂を得ることが可能である。
【００７７】
接着層５３の硬化波長領域が例えば２００〜３００ｎｍの場合には、接着層５３を硬化させるために照射する光として、ピーク波長λ２が２５４ｎｍ付近の光を用いることができる。
【００７８】
勿論、ピーク波長λ２が２５４ｎｍ付近の光に限定されるものではなく、上記波長領域λｃ〜λｄ内の波長成分を含む光を照射すれば、接着層５３を硬化させることが可能である。
【００７９】
また、当該接着層５３の厚さは、例えば５〜３０μｍとされる。
【００８０】
勿論、当該接着層５３の厚さは、かかる値に限定されるものではなく、表面保護テープ５０が貼り付けられる半導体基板上のバンプ電極の形状ならびに寸法、基材フィルム１１の厚さ、中間層５２の厚さ等に応じて、適宜選択される。
【００８１】
当該接着層５３の主成分である樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂を用いることができる。
【００８２】
そして、前記基材フィルム５１、中間層５２、ならびに接着層５３からなる表面保護テープ５０は、その全厚さを例えば２６０μｍ程として形成される。
【００８３】
尚、当該中間層５２と接着層５３との間に於ける硬化波長領域の相違は、前術の如き可視光と紫外光（紫外線）との組み合わせに限られるものではない。
【００８４】
可視光と赤外光（赤外線）との組み合わせ、或いは紫外光（紫外線）と赤外光（赤外線）との組み合わせであっても良い。
【００８５】
更に、可視光域などに於ける、長波長光と短波長光との組み合わせであっても良い。
【００８６】
尚、この時、それぞれの光は、他方の波長領域の光を含むことをできるだけ避けるものとする。
【００８７】
何れの硬化波長領域の組み合わせであっても、前記中間層５２に対する硬化波長領域光の照射の際に、接着層５３に硬化を生ずることなく、また当該接着層５３に対する硬化波長領域光の照射の際に、当該接着層５３の硬化が速やかになされる様に、それぞれの樹脂材料が選択される。
【００８８】
（半導体装置の製造方法）
次に、前記表面保護テープ５０を適用しての半導体装置の製造方法について、図２乃至図６を用いて説明する。
【００８９】
まず、一方の主面に、複数個の半導体素子１０１が形成された半導体基板１００を用意する（図２（ａ）参照）。
【００９０】
当該半導体基板１００としては、シリコン（Ｓｉ）基板、或いはガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板が適用される。
【００９１】
所謂ウエハープロセスが適用されて、当該半導体基板１００の一方の主面（表面）には、トランジスタなどの能動素子、抵抗素子或いは容量素子などの受動素子、ならびにこれらの機能素子を相互に接続して電子回路を形成する配線層を含む半導体素子１０１が複数個形成されている。
【００９２】
前記配線層は、通常、層間絶縁層を介して相互に絶縁された多層配線層構造とされている。
【００９３】
そして、最上層の配線層を覆う絶縁層上には電極端子が配設され、当該電極端子には外部接続用電極として、バンプ電極が配設されている（図示せず）。
【００９４】
当該バンプ電極として所謂半田バンプが適用される場合、その径は２０μｍ〜２００μｍの範囲から選択される。そして、当該半田バンプの高さは、当該バンプ径にほぼ対応している。
【００９５】
当該半導体基板１００の他方の主面（裏面）に対して研削処理（バックグラインディング）を行おうとする場合、当該半導体基板１００の一方の主面（表面、電子回路形成面）に対して、前記表面保護テープ５０を貼り付ける（図２（ｂ）参照）。
【００９６】
当該表面保護テープ５０は、予め、被処理半導体基板の径（例えば３００ｍｍΦ）を超える幅を有し、且つ長尺状に形成されている。
【００９７】
当該表面保護テープ５０は、その接着層５３を、バンプ電極１０２が配設された半導体基板１００の一方の主面（表面、電子回路形成面）に対向させた状態（図２（ｃ）参照）をもって、ローラー７１により当該半導体基板１００の一方の主面に押しつけられ、両者は貼り付けられる。
【００９８】
即ち、当該半導体基板１００の一方の主面に於ける半導体素子領域１０１のそれぞれに配設された半田バンプ電極１０２と、表面保護テープ５０の接着層５３とが対向した状態をもって、ローラー７１により貼り付けられる。
【００９９】
尚、ここでは、当該半導体基板１００に形成された複数個の半導体素子領域は具示しない。
【０１００】
貼り付け後、当該半導体基板１００の周囲に位置する表面保護テープ５０は、切断除去される。
【０１０１】
ローラー７１により押圧され、半導体基板１００の一方の主面に於ける複数個の半導体素子領域のそれぞれに配設された半田バンプ電極１０２上を覆って貼り付けられた表面保護テープ５０の上面、即ち基材フィルム５１の上面には、半田バンプ電極１０２に対応する凸部を含んだ凹凸が生じている（図３（ａ）参照）。
【０１０２】
次いで、一方の主面に表面保護テープ５０が貼り付けられた半導体基板１００を、ステージ（基盤）２０１上に載置する（図３（ｂ）参照）。
【０１０３】
当該ステージ（基盤）２０１は、少なくともその上面がアルミニウム、或いはステンレススチールなどをもって形成され、当該上面の平坦度は５μｍ程度に設定される。
【０１０４】
当該ステージ（基盤）２０１は、被処理半導体基板１００を吸着・保持するための減圧吸引機構を具備している（図示せず）。
【０１０５】
一方、当該ステージ（基盤）２０１の上方には、加圧用治具として、加圧用平板２０２が配設されている。
【０１０６】
そして、表面保護テープ５０側から、当該加圧用平板２０２をもって押圧（矢印Ｐ１）し、前記表面保護テープ５０の上面を平坦なものとする（図３（ｃ）参照）。
【０１０７】
この時、前記半田バンプ電極１０２に対応して表面保護テープ５０に生じていた凹凸は、中間層５２の圧縮・変形により吸収されて、当該表面保護テープ５０の基材フィルム５１の表面は平坦化される。
【０１０８】
加圧用平板２０２により表面保護テープ５０を押圧する際の圧力は、例えば０．１〜１ＭＰａ程度とされる。これにより、表面保護テープ５０は圧縮され、その総厚は例えば２００μｍ程度となる。
【０１０９】
かかる状態に於いて、表面保護テープ５０の中間層５２に対し光を照射（矢印Ｌ１）して、当該中間層５２を硬化せしめる（図４（ａ）参照）。
【０１１０】
即ち、半導体基板１００上に貼り付けられた表面保護テープ５０に対して加圧用平板２０２により押圧しつつ、当該中間層５２を硬化させる光を当該加圧用平板２０２側から照射する。
【０１１１】
換言すれば、基材フィルム５１の表面を平坦にした状態で、中間層５２を硬化させるための光を加圧用平板２０２側から照射する。
【０１１２】
前述の如く、当該中間層５２として、可視光により硬化される材料を選択している場合には、可視光を、加圧用平板２０２、基材フィルム５１を通して中間層５２に照射し、当該中間層５２を硬化せしめる。
【０１１３】
中間層５２の硬化波長領域が５００〜６００ｎｍの場合には、当該中間層５２を硬化させる光として、ピーク波長λ１が例えば５３２ｎｍ付近の光を用いることができ、またその光量は、２００〜５００ｍＷ／ｃｍ２程度とされる。
【０１１４】
勿論、当該中間層５２として、紫外光により硬化される材料を選択している場合には、紫外光を、加圧用平板２０２、基材フィルム５１を通して照射し、当該中間層５２を硬化せしめる。
【０１１５】
かかる場合には、接着層５３の硬化波長領域を、紫外光とは異なるものとすることが必要となる。
【０１１６】
従って、加圧用平板２０２としては、ガラス板など、前記中間層５２を硬化させる光が透過することができる材料が適用され、その厚さも５〜２０ｍｍ程とされる。そして、その表面即ち表面保護テープ５０の基材フィルム５１に接する面の平坦度は、５μｍ以下とされる。
【０１１７】
これにより、基材フィルム５１の表面平坦度は、５μｍ以下となる。
【０１１８】
当該表面保護テープ５０の中間層５２を硬化させるための光源としては、ピーク波長が例えば２６６ｎｍ付近、３６５ｎｍ付近、５３２ｎｍ付近の波長光を発する高圧水銀ランプを用いることができる。
【０１１９】
そして、カットオフ波長が例えば４２２ｎｍ程度の短波長カットフィルタを適用することにより、ピーク波長λ１が例えば５３２ｎｍ付近の光を得る。
【０１２０】
これにより、前記中間層５２の硬化画なされる一方、接着層５３の硬化を招来しない。
【０１２１】
尚、ランプ（光源）は、高圧水銀ランプに限定されるものではなく、フィルタとの組み合わせにより必要とする波長の光を得ることができるのであれば、ハロゲンランプ或いはキセノンランプなどを適用することもできる。
【０１２２】
また、フィルタとしては、少なくとも接着層５３の硬化波長領域の波長成分を遮断し得るフィルタを用いる。
【０１２３】
即ち、複数のピーク波長光を発する光源とフィルタとの組み合わせにより得られた光を適用することによっても、接着層５３の硬化を生ずることなく、中間層５２を選択的に硬化させることができる。
【０１２４】
かかる選択された波長を有する光の照射により、接着層５３の硬化を生ずることなく、中間層５２が選択的に硬化される。
【０１２５】
当該接着層５３の接着力（粘着力）は低下していないため、表面保護テープ５０が半導体基板１００に確実に貼り付けられた状態が維持される。
【０１２６】
この様な加圧ならびに光の照射によって、表面保護テープ５０に於ける中間層５２の変形・硬化がなされたならば、前記加圧用平板２０２を除去し、半導体基板１００とその一方の主面上に貼り付けられた表面保護テープ５０との一体物を、ステージ（基盤）２０１上からとり外す（図４（ｂ）参照）。
【０１２７】
この時、当該半導体基板１００とその一方の主面上に貼り付けられた表面保護テープ５０との一体物にあっては、表面保護テープ５０に於ける基材フィルム５１の表面は平坦化されており、且つ半導体基板１００の一方の主面と平行している。
【０１２８】
当該表面保護テープ５０に於ける中間層５２が硬化しているため、加圧用平板２０２を表面保護テープ５０上から除去した後も、基材フィルム５１の表面は平坦な状態は維持される。
【０１２９】
次いで、当該半導体基板１００とその一方の主面上に貼り付けられた表面保護テープ５０との一体物を、背面研削装置のステージ（基盤）３０１上に載置する（図４（ｃ）参照）。
【０１３０】
この時、当該表面保護テープ５０に於ける前記基材フィルム１１を、当該ステージ（基盤）３０１の上面に接して載置する。
【０１３１】
即ち、前記半導体基板１００の他方の主面（裏面、電子回路非形成面）が上面とされて載置される。
【０１３２】
そして、当該半導体基板１００とその一方の主面上に貼り付けられた表面保護テープ５０との一体物は、背面研削装置のステージ（基盤）３０１に設けられた吸着装置（図示せず）により、吸着保持される。
【０１３３】
しかる後、当該半導体基板１００の他方の主面（裏面、電子回路非形成面）に対して、研削用砥石３０２を用いて研削処理を施し、当該半導体基板１００を所望の厚さまで薄化する（図５（ａ）参照）。
【０１３４】
図５（ａ）に於いて、研削時の加圧方向を、矢印Ｐ２をもって示している。
【０１３５】
当該半導体基板１００の他方の主面（裏面、電子回路非形成面）に対する研削処理は、半導体基板１００とその一方の主面上に貼り付けられた表面保護テープ５０との一体物を吸着保持するステージ（基盤）３０１の回転、ならびに研削砥石３０２の加圧・回転を伴って行われる。
【０１３６】
かかる研削処理工程に於いて、半導体基板１００とその一方の主面上に貼り付けられた表面保護テープ５０との一体物に対しては、その積層方向に圧力が加わるが、当該半導体基板１００に於けるバンブ電極１０２の高さは表面保護テープ５０の中間層１２により吸収されており、且つ当該中間層５２は硬化している。
【０１３７】
従って、研削時の加圧力は、半導体基板１００の他方の主面（裏面、電子回路非形成面）全面に、均等に印可される。
【０１３８】
即ち、バンブ電極１０２の存在の有無に関係すること無く、もって半導体基板１００の他方の主面には、当該バンブ電極１０２の存在に対応する肉薄部の発生を生ずることなく、平坦な被研削面が形成される。
【０１３９】
そして、当該半導体基板１００が所望の厚さとされたならば、当該背面研削処理は終了する。
【０１４０】
しかる後、当該半導体基板１００とその一方の主面上に貼り付けられた表面保護テープ５０との分離処理を行う。
【０１４１】
即ち、表面保護テープ５０に於ける接着層５３の接着力を低下させることにより、表面保護テープ５０を半導体基板１００の表面から剥離可能とする。
【０１４２】
前述の如く、当該接着層５３として、紫外光により硬化される材料を選択している場合には、紫外光を、基材フィルム５１、中間層５２を通して照射（矢印Ｌ２）し、当該接着層５３を硬化せしめる（図５（ｂ）参照）。
【０１４３】
即ち、接着層５３の硬化波長領域が２００〜３００ｎｍの場合には、当該接着層５３を硬化させる光として、ピーク波長λ２が例えば２６６ｎｍ付近の光を適用することができ、またその光量は、２００〜５００ｍＷ／ｃｍ２程度とされる。
【０１４４】
当該接着層５３を硬化させるための光源としても、ピーク波長が例えば２６６ｎｍ付近、３６５ｎｍ付近、５３２ｎｍ付近の波長光を発する高圧水銀ランプを用いることができる。
【０１４５】
そして、カットオフ波長が例えば３００ｎｍ程度の長波長カットフィルタを適用することにより、ピーク波長λ２が例えば２６６ｎｍ付近の光を得る。
【０１４６】
これにより、当該接着層５３の硬化がなされる。
【０１４７】
尚、ランプ（光源）は、高圧水銀ランプに限定されるものではなく、フィルタとの組み合わせにより必要とする波長の光を得ることができるのであれば、ハロゲンランプ或いはキセノンランプなどを適用することもできる。
【０１４８】
また、当該接着層５３の硬化の際に、前記中間層１２の硬化が進行することにより問題を生ずる可能性が有る場合には、照射光の波長領域を選択することにより、当該中間層１２の硬化の進行を防止する。
【０１４９】
しかる後、かかる紫外光の照射処理により硬化して接着力が低下された接着層５３を具備する表面保護テープ５０が、半導体基板１００の一方の主面から剥離される。
【０１５０】
これにより、当該一方の主面にバンプ電極が配設され、且つ厚さが所定の厚さに減じられた半導体基板１００が得られる（図５（ｃ）参照）。
【０１５１】
次いで、当該半導体基板１００の他方の主面（裏面、被研磨面）に対し、ダイシングテープ（図示せず）が粘り付けされた後、当該半導体基板１００に対しダイシング処理が施され、当該半導体基板１００は個々の半導体素子１０１に分離（個片化）される（図示せず）。
【０１５２】
当該半導体素子１０１は、それぞれ、一方の主面（電子回路形成面）にバンプ電極１０２が配設されている。
【０１５３】
尚、半導体基板裏面へのダイシングテープの貼り付けは、当該半導体基板の背面研削処理の後、前記表面保護テープ５０を剥離する前に行っても良い。
【０１５４】
この様に、本実施の形態にあっては、半導体素子の外部接続用端子として所謂バンプ電極１０２など突起状の電極が配設された半導体基板の裏面を研削する際に適用される表面保護テープ５０として、基材フィルム５１、中間層５２、接着層５３からなる３層構造体を適用している。
【０１５５】
そして、当該表面保護テープ５０を半導体基板の主面（電子回路形成面）上に配置し、当該版を半導体基板の主面に圧着することにより、突起状の電極によってもたらされる凸部を、前記中間層５２の変形により吸収して、基材フィルム５１の表面と当該半導体基板の主面とを実質的に平行なものとする。
【０１５６】
加えて、当該中間層５２に対し、当該中間層５２を硬化させる光エネルギーを照射して、当該中間層５２が固化することにより、面保護テープ５０の基材フィルム５１の表面と半導体基板の主面との平行性は維持される。
【０１５７】
しかも、当該中間層５２が固化されていることにより、かかる状態をもって当該半導体基板の裏面に対して研削処理（バックグライディング処理）が行われた場合、当該半導体基板の裏面には均一な加圧がなされる。
【０１５８】
従って、背面研削処理を行っても、半導体基板には、突起状の電極の存在に対応するところの肉薄部を生ぜず、もって半導体基板、或いは半導体素子に於ける割れを招来しない。
【０１５９】
また、かかる中間層５２の硬化は選択的になされるため、接着層５３の接着力は低下せず、研削処理の際、半導体基板は表面保護テープ５０により確実に支持される。
【０１６０】
そして、当該半導体基板から表面保護テープ５０を剥離する際には、接着層５３を硬化せしめる光エネルギーを照射する。
【０１６１】
これにより、当該接着層５３を硬化させ、その接着力を低下させることにより、当該接着層５３を有する表面保護テープ５０の剥離は容易に行われると共に、当該接着層５３などが突起状の電極、或いは半導体基板などの表面に残存することが防止される。
【０１６２】
従って、バンプ電極凪など突起状の電極を具備する半導体装置の製造歩留りを大きく高めることができる。
【０１６３】
［変形実施の形態］
本発明は、上述の実施の形態に限らず、種々の変形が可能である。
【０１６４】
例えば、前記実施の形態にあっては、半導体基板１００上に配設された突起状の電極が半田バンプ１０２であったが、当該突起状の電極は半田バンプ１０２に限定されるものではない。
【０１６５】
即ち、半導体基板１００に於ける電極端子上に配設される突起状の電極として、所謂ボンディングワイヤを用いて形成されたバンプ電極１０２Ｓが適用される場合がある（図６参照）。
【０１６６】
かかるバンプ電極１０２Ｓは、例えば、金（Ａｕ）線からなるボンディングワイヤの先端に放電によりボールを形成し、当該ボールを半導体基板１００上の電極端子（図示せず）上に熱圧着し、しかる後当該ボールの上部でボンディングワイヤを切断することにより形成される。
【０１６７】
この様なバンプ電極１０２Ｓを適用した半導体装置の製造工程に於ける背面研削処理についても、本発明を適用することができる。
【０１６８】
また、上記実施の形態にあっては、表面保護テープ５０の中間層５２の主成分である樹脂としてアクリル系樹脂を用いる場合を掲げたが、当該中間層５２に用いられる樹脂はアクリル系樹脂に限定されるものではない。
【０１６９】
同様に、接着層５３の主成分である樹脂としてアクリル系樹脂を用いる場合を掲げたが、当該接着層５３に用いられる樹脂もアクリル系樹脂に限定されるものではない。
【０１７０】
一方、上記実施の形態では、表面保護テープ５０の中間層５２として可視光により硬化する樹脂を用い、接着層５３として紫外光により硬化する樹脂を適用する例、或いは表面保護テープ５０の中間層５２として紫外光により硬化する樹脂を用い、接着層５３として可視光により硬化する樹脂を適用する例を掲げたが、中間層５２と接着層５３のいずれにも可視光により硬化する樹脂を用いるようにしてもよい。
【０１７１】
即ち、可視光域内に於いて長波長域の光（赤色系）と短波長域の光（青色系）を選択すると共に、中間層５２、接着層５３に於いてそれぞれ異なる硬化波長領域を持たせることにより、可視光域に於ける光をもって、当該中間層５２、接着層５３をそれぞれ個別に固化させることができる。
【０１７２】
同様に、紫外光域内に於いて長波長域の紫外光と短波長域の紫外光を選択すると共に、中間層５２、接着層５３に於いてそれぞれ異なる硬化波長領域を持たせることにより、紫外光域に於ける光をもって、当該中間層５２、接着層５３をそれぞれ個別に固化させることができる。
【符号の説明】
【０１７３】
１１，１１Ａ，１００・・・半導体基板
１０１・・・・・・半導体素子
１２，１０２・・・バンプ電極
１３・・・・・・・肉薄部
２０，５０・・・・表面保護テープ
２１，５１・・・・基材フィルム
２２・・・・・・・樹脂層
５２・・・・・・・中間層
５３・・・・・・・接着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2011054827.tif 000007
【図６】
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【図７】
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