(57)【要約】【課題】熱伝導性および密着性の両方に優れた絶縁層を有する電子回路基板を提供する。【解決手段】金属ベース１０１、無機フィラーを含有する第２樹脂層１０２、無機フィラーを含有しない第２樹脂層１０３および配線パターン形成用の金属箔１０４を積層することにより、電子回路基板１００を構成する。第２樹脂層１０３は、無機フィラーを含有しないので、金属箔１０４との密着性を向上させることができる。また、第１樹脂層１０２および第２樹脂層１０３を同じ樹脂で形成することにより、両者間の密着性を向上させることができる。さらに、金属箔１０４上に第２樹脂層１０３用の第１塗膜を形成し、溶媒除去工程を経ずに第１樹脂層１０２用の第２塗膜を形成し、その後、これら第１塗膜および第２塗膜に対して同時に溶媒除去工程を施す。これにより、第１樹脂層１０２と第２樹脂層１０３との間の密着性をさらに向上させることができる。【選択図】図１
2011124550.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱用基板と、該放熱用基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられた配線パターン形成用の導電箔とを有する電子回路基板であって、
前記絶縁層が、
前記放熱用基板上に形成された、無機フィラーを含有する第１樹脂層と、
該第１樹脂層と前記導電箔との間に、これらと直接接するように形成された、無機フィラーを含有しない第２樹脂層と
を有することを特徴とする電子回路基板。
【請求項２】
前記第１樹脂層が、前記無機フィラーを５０〜８０体積％含有することを特徴とする請求項１に記載の電子回路基板。
【請求項３】
前記絶縁層の樹脂が液晶ポリエステルであることを特徴とする請求項１または２に記載の電子回路基板。
【請求項４】
放熱用基板と、該放熱用基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられた配線パターン形成用の導電箔とを有する電子回路基板の製造方法であって、
前記絶縁層の形成工程が、
前記導電箔の表面に、溶媒と樹脂とを含み且つ無機フィラーを含まない第１塗膜を形成する第１工程と、
該第１塗膜の表面に、前記溶媒、前記樹脂および前記無機フィラーを含む第２塗膜を形成する第２工程と、
前記第１塗膜および前記第２塗膜に含まれる前記溶媒を同時に除去する第３工程と
を含むことを特徴とする電子回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放熱用基板を用いた電子回路基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、金属等で形成した放熱用基板と樹脂等で形成した絶縁層とを用いた電子回路基板が知られている。図２は、かかる電子回路基板２００の構造例を示す断面図である。
【０００３】
図２の例では、金属ベース２０１上に絶縁層２０２が形成され、さらに、配線パターンとしての金属箔２０３が形成されている。電子回路基板２００上には、ＩＣ（集積回路）、トランジスタ等の複数の電子部品２０５を用いて実装回路２０４が設けられる。各電子部品２０５は、金属箔２０３で形成された配線パターンと電気的に接続される。実装回路２０４は動作時に発熱するが、この熱は、電子部品２０５から直接放熱されるほか、絶縁層２０２を介して金属ベース２０１に伝導し、この金属ベース２０１からも放熱される。このため、金属ベース２０１を使用した電子回路基板２００では、高い放熱効果を得ることができる。
【０００４】
このような電子回路基板２００においては、金属ベース２０１の放熱効果を十分に発揮させるために、絶縁層２０２の熱伝導性を十分に高くすることが望まれる。熱伝導性に優れた絶縁層２０２を得る技術としては、例えば、特許文献１〜３に開示された技術が知られている。
【０００５】
特許文献１および２には、無機フィラーを含有させることによって熱伝導性を向上させた絶縁膜が開示されている。
【０００６】
また、特許文献３には、無機フィラーの含有率が高い層と低い層とを設けることにより、熱伝導性および絶縁性の両方を向上させた絶縁膜が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平４−３２３８８９号公報（段落〔０００４〕の欄）
【特許文献２】特開平５−１６７２１２号公報（段落〔０００６〕の欄）
【特許文献３】特開平６−３１０８２５号公報（段落〔００１７〕の欄）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ここで、絶縁膜に無機フィラーを含有させる場合、この無機フィラーの含有量が多いほど熱伝導性が向上する。このため、優れた熱伝導性を得るためには、可能な限り大量の無機フィラーを絶縁膜に含有させることが望ましい。
【０００９】
しかしながら、無機フィラーを含有する絶縁膜を絶縁層２０２として使用する場合、この絶縁層２０２と金属箔２０３との密着性が低下するという欠点が生じる。このような欠点は、無機フィラーの含有量が多い場合ほど顕著となる。
【００１０】
近年、実装回路２０４が高密度化する傾向にあり、このため、電子回路基板２００の配線パターンは微細化する傾向にある。配線パターンが微細化するほど、パターン形成時に金属箔２０３が剥がれやすくなってしまう。そのため、絶縁層２０２と金属箔２０３との密着性の向上に対する要求が高まっている。その一方で、実装回路２０４が高密度化するほど、放熱量も増大するため、優れた熱伝導性を確保する必要がある。
【００１１】
そこで、本発明は、このような事情に鑑み、熱伝導性および密着性の両方に優れた絶縁層を有する電子回路基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
かかる目的を達成するため、本発明者は、電子回路基板の絶縁層の構造および製造方法について検討し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
すなわち、請求項１に記載の発明は、放熱用基板と、該放熱用基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられた配線パターン形成用の導電箔とを有する電子回路基板であって、前記絶縁層が、前記放熱用基板上に形成された、無機フィラーを含有する第１樹脂層と、該第１樹脂層と前記導電箔との間に、これらと直接接するように形成された、無機フィラーを含有しない第２樹脂層とを有する電子回路基板としたことを特徴とする。
【００１４】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の構成に加え、前記第１樹脂層が、前記無機フィラーを５０〜８０体積％含有することを特徴とする。
【００１５】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の構成に加え、前記絶縁層の樹脂が液晶ポリエステルであることを特徴とする。
【００１６】
さらに、請求項４に記載の発明は、放熱用基板と、該放熱用基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられた配線パターン形成用の導電箔とを有する電子回路基板の製造方法であって、前記絶縁層の形成工程が、前記導電箔の表面に、溶媒と樹脂とを含み且つ無機フィラーを含まない第１塗膜を形成する第１工程と、該第１塗膜の表面に、前記溶媒、前記樹脂および前記無機フィラーを含む第２塗膜を形成する第２工程と、前記第１塗膜および前記第２塗膜に含まれる前記溶媒を同時に除去する第３工程とを含む電子回路基板の製造方法としたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１の発明によれば、無機フィラーを含有する第１樹脂層と無機フィラーを含有しない第２樹脂層とで絶縁層を構成するとともに、第２樹脂層と導電箔とが直接接するように形成したので、これら第２樹脂層と導電箔との密着性を向上させることができる。
【００１８】
請求項２の発明によれば、第１樹脂層が無機フィラーを５０〜８０体積％含有するので、第１樹脂層と第２樹脂層との間の密着性を十分に高くすることができる。
【００１９】
請求項３の発明によれば、前記絶縁層の樹脂を液晶ポリエステルとしたので、優れた熱伝導性を得ることができる。
【００２０】
請求項４の発明によれば、第１塗膜上に第２塗膜を形成した後で両塗膜の溶媒を同時に除去することにより、無機フィラーを含む層と含まない層とを一体に形成するので、これらの層の密着性を十分に高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電子回路基板の構造を示す断面図である。
【図２】従来の電子回路基板の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
［発明の実施の形態１］
【００２３】
図１には、本発明の実施の形態１を示す。この実施の形態１では、放熱用基板の一例として金属ベース１０１を用い、導電箔の一例として金属箔１０４を用いている。
＜電子回路基板の構造＞
【００２４】
この実施の形態１の電子回路基板１００は、図１に示すように、金属ベース１０１、第１樹脂層１０２、第２樹脂層１０３および金属箔１０４が順に積層された積層構造を有している。ここで、第１樹脂層１０２および第２樹脂層１０３が絶縁層１０５を構成している。
【００２５】
金属ベース１０１（本発明の放熱用基板に相当）は、例えばアルミニウム、銅、ステンレス等またはこれらの合金等からなる金属板で形成される。金属ベース１０１としては、従来と同じものを使用することができる。金属ベース１０１の厚さは、例えば２ｍｍである。金属ベース１０１は平板である必要はなく、例えば曲げ加工することも可能である。
【００２６】
第１樹脂層１０２は、無機フィラーを含む樹脂層である。この実施の形態１では、第１樹脂層１０２の樹脂として液晶ポリエステルを使用する。液晶ポリエステルを使用することにより、優れた熱伝導性を得ることができる。また、無機フィラーとしては、後述するようなものが使用できる。第１樹脂層１０２の厚さは、例えば１００μｍである。無機フィラーの含有量は、例えば５０〜８０体積％とすることが望ましい。無機フィラーが少なすぎると第１樹脂層１０２の熱伝導性が不十分となり、また、無機フィラーが多すぎると第１樹脂層１０２と第２樹脂層１０３との間で剥がれが生じやすくなるからである。
【００２７】
第２樹脂層１０３は、無機フィラーを含まない樹脂層である。この実施の形態１では、優れた熱伝導性を得るために、第２樹脂層１０３の樹脂として液晶ポリエステルを使用する。熱伝導性のさらなる向上のためには、第２樹脂層１０３を薄くすることが望ましく、従って、例えば５μｍ以下とすることが望ましい。その一方で、第２樹脂層１０３と金属箔１０４との密着性を十分に高くするためには、第２樹脂層１０３の厚さを金属箔１０４の凹凸よりも十分に厚くすることが望ましく、従って、例えば０．１μｍ以上とすることが望ましい。
【００２８】
なお、第１樹脂層１０２、第２樹脂層１０３を形成するための絶縁材料は、異なる材料であってもよいが、この実施の形態１では両方とも同一の液晶ポリエステル組成物を使用する。異なる材料を使用する場合は、第１樹脂層１０２と第２樹脂層１０３との間での剥がれに対する強度が十分に高くなるように、これら絶縁材料を選択することが望ましい。
【００２９】
金属箔１０４（本発明の導電箔に相当）としては、例えば銅箔などが使用される。金属箔１０４には、例えばエッチング等により、実装回路の配線パターンが形成される。そして、この配線パターンを用いて、電子回路基板１００上に、図２と同様の電子部品２０５が実装される（図１では示さず）。金属箔１０４としては、従来と同じものを使用することができる。金属箔１０４の厚さは、例えば７０μｍである。
【００３０】
以下、この実施の形態１の主要構成について詳細に説明する。
＜液晶ポリエステル＞
【００３１】
液晶ポリエステルは、溶融時に光学異方性を示し、４５０℃以下の温度で異方性溶融体を形成するものである。この実施の形態１では、液晶ポリエステルを溶媒に溶解して得た溶液を用いて、第１樹脂層１０２および第２樹脂層１０３を形成する。
【００３２】
この液晶ポリエステルは、下式（１）で示される構造単位（以下、構造単位（１）という。）と、下式（２）で示される構造単位（以下、構造単位（２）という。）と、下式（３）で示される構造単位（以下、構造単位（３）という。）とを含み、かつ、全構造単位の合計含有量（液晶ポリエステルを構成する各構造単位の質量を各構造単位の式量で割ることにより、各構造単位の含有量を物質量相当量（モル）として求め、それらを合計した値）に対して、構造単位（１）の含有量が３０〜８０モル％、構造単位（２）の含有量が３５〜１０モル％、構造単位（３）の含有量が３５〜１０モル％であることが好ましい。
（１）−Ｏ−Ａｒ1 −ＣＯ−
（２）−ＣＯ−Ａｒ2 −ＣＯ−
（３）−Ｘ−Ａｒ3 −Ｙ−
【００３３】
ここで、Ａｒ1 は、１，４−フェニレン、２，６−ナフタレンまたは４，４’−ビフェニレンを表す。また、Ａｒ2 は、１，４−フェニレン、１，３−フェニレンまたは２，６−ナフタレンを表す。さらに、Ａｒ3 は、１，４−フェニレンまたは１，３−フェニレンを表す。また、Ｘは、−ＮＨ−を表し、Ｙは、−Ｏ−または−ＮＨ−を表す。
【００３４】
構造単位（１）は芳香族ヒドロキシ酸由来の構造単位、構造単位（２）は芳香族ジカルボン酸由来の構造単位、構造単位（３）は芳香族ジアミン、ヒドロキシル基（水酸基）を有する芳香族アミン、芳香族アミノ酸由来の構造単位であるが、これらの代わりに、それらのエステル形成性誘導体を用いてもよい。
【００３５】
カルボン酸のエステル形成性誘導体としては、例えば、カルボキシル基がポリエステルを生成する反応を促進するような酸塩化物、酸無水物などの反応活性が高い誘導体となっているもの、カルボキシル基がエステル交換反応によりポリエステルを生成するようなアルコール類やエチレングリコールなどとエステルを形成しているものなどが挙げられる。
【００３６】
フェノール性ヒドロキシル基（フェノール性水酸基）のエステル形成性誘導体としては、例えば、エステル交換反応によりポリエステルを生成するように、フェノール性ヒドロキシル基がカルボン酸類とエステルを形成しているものなどが挙げられる。
【００３７】
アミノ基のエステル形成性誘導体としては、例えば、エステル交換反応によりポリエステルを生成するように、アミノ基がカルボン酸類とエステルを形成しているものなどが挙げられる。
【００３８】
本発明に使用される液晶ポリエステルの繰り返し構造単位としては、下記のものを例示することができるが、これらに限定されるものではない。
【００３９】
構造単位（１）としては、例えば、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸、４−ヒドロキシ−４’−ビフェニルカルボン酸由来の構造単位などが挙げられ、２種以上の前記構造単位が全構造単位中に含まれていてもよい。これらの構造単位の中で、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸由来の構造単位を含む液晶ポリエステルを使用することが好ましい。構造単位（１）は、全構造単位に対して、３０〜８０モル％であることが好ましく、４０〜７０モル％であることがより好ましく、４５〜６５モル％であることがさらに好ましい。構造単位（１）が８０モル％を超えると溶解性が著しく低下する傾向があり、３０モル％未満では液晶性を示さない傾向がある。
【００４０】
構造単位（２）としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸由来の構造単位などが挙げられ、２種以上の前記構造単位が全構造単位中に含まれていてもよい。これらの構造単位の中で、溶解性の観点から、イソフタル酸由来の構造単位を含む液晶ポリエステルを使用することが好ましい。構造単位（２）は、全構造単位に対して、３５〜１０モル％であることが好ましく、３０〜１５モル％であることがより好ましく、２７．５〜１７．５モル％であることがさらに好ましい。構造単位（２）が３５モル％を超えると液晶性が低下する傾向があり、１０モル％未満では溶解性が低下する傾向がある。
【００４１】
構造単位（３）としては、例えば、３−アミノフェノール、４−アミノフェノール、１，４−フェニレンジアミン、１，３−フェニレンジアミン、アミノ安息香酸由来の構造単位などが挙げられ、２種以上の前記構造単位が全構造単位中に含まれていてもよい。これらの構造単位の中で、反応性の観点から４−アミノフェノール由来の構造単位を含む液晶ポリエステルを使用することが好ましい。構造単位（３）は、全構造単位に対して、３５〜１０モル％であることが好ましく、３０〜１５モル％であることがより好ましく、２７．５〜１７．５モル％であることがさらに好ましい。構造単位（３）が３５モル％を超えると液晶性が低下する傾向があり、１０モル％未満では溶解性が低下する傾向がある。
【００４２】
構造単位（３）は、構造単位（２）と実質的に等量用いられることが好ましい。但し、構造単位（３）を構造単位（２）に対して−１０モル％〜＋１０モル％とすることにより、液晶ポリエステルの重合度を制御することもできる。
【００４３】
本発明で使用される液晶ポリエステルの製造方法は、特に限定されない。例えば、構造単位（１）に対応する芳香族ヒドロキシ酸、構造単位（３）に対応するヒドロキシル基を有する芳香族アミン、芳香族ジアミンのフェノール性ヒドロキシル基およびアミノ基を過剰量の脂肪酸無水物によりアシル化してアシル化物を得、得られたアシル化物と構造単位（２）に対応する芳香族ジカルボン酸とをエステル交換（重縮合）して溶融重合する方法などが挙げられる。
【００４４】
アシル化物としては、予めアシル化して得た脂肪酸エステルを用いてもよい（特開２００２−２２０４４４号公報、特開２００２−１４６００３号公報参照）。
【００４５】
アシル化反応においては、脂肪酸無水物の添加量は、フェノール性ヒドロキシル基とアミノ基の合計含有量に対して、１〜１．２倍当量であることが好ましく、より好ましくは１．０５〜１．１倍当量である。脂肪酸無水物の添加量が１倍当量未満では、エステル交換（重縮合）時にアシル化物や原料モノマーなどが昇華して反応系が閉塞しやすくなる傾向があり、逆に、脂肪酸無水物の添加量が１．２倍当量を超える場合には、得られる液晶ポリエステルの着色が著しくなる傾向がある。
【００４６】
アシル化反応は、１３０〜１８０℃で５分〜１０時間反応させることが好ましく、１４０〜１６０℃で１０分〜３時間反応させることがより好ましい。
【００４７】
アシル化反応に使用される脂肪酸無水物は、特に限定されないが、例えば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無水イソ酪酸、無水吉草酸、無水ピバル酸、無水２エチルヘキサン酸、無水モノクロル酢酸、無水ジクロル酢酸、無水トリクロル酢酸、無水モノブロモ酢酸、無水ジブロモ酢酸、無水トリブロモ酢酸、無水モノフルオロ酢酸、無水ジフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、無水グルタル酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、無水β−ブロモプロピオン酸などが挙げられ、これらは２種類以上を混合して用いてもよい。価格と取扱い性の観点から、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無水イソ酪酸が好ましく、より好ましくは、無水酢酸である。
【００４８】
エステル交換においては、アシル化物のアシル基がカルボキシル基の０．８〜１．２倍当量であることが好ましい。
【００４９】
エステル交換は、１３０〜４００℃で０．１〜５０℃／分の割合で昇温しながら行なうことが好ましく、１５０〜３５０℃で０．３〜５℃／分の割合で昇温しながら行なうことがより好ましい。
【００５０】
アシル化して得た脂肪酸エステルとカルボン酸とをエステル交換させる際には、ル・シャトリエ‐ブラウンの法則（平衡移動の原理）により、平衡を移動させるため、副生する脂肪酸と未反応の脂肪酸無水物は、蒸発させるなどして系外へ留去することが好ましい。
【００５１】
なお、アシル化反応、エステル交換は、触媒の存在下に行なってもよい。この触媒としては、従来からポリエステルの重合用触媒として公知のものを使用することができ、例えば、酢酸マグネシウム、酢酸第一錫、テトラブチルチタネート、酢酸鉛、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、三酸化アンチモンなどの金属塩触媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、Ｎ−メチルイミダゾールなどの有機化合物触媒などを挙げることができる。これらの触媒の中で、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、Ｎ−メチルイミダゾールなどの窒素原子を２個以上含む複素環状化合物が好ましく使用される（特開２００２−１４６００３号公報参照）。
【００５２】
かかる触媒は、通常、モノマー類の投入時に投入され、アシル化後も除去することは必ずしも必要ではなく、この触媒を除去しない場合にはそのままエステル交換を行なうことができる。
【００５３】
エステル交換による重縮合は、通常、溶融重合により行なわれるが、溶融重合と固相重合とを併用してもよい。固相重合は、溶融重合工程からポリマーを抜き出し、その後、粉砕してパウダー状もしくはフレーク状にした後、公知の固相重合方法により行うことが好ましい。具体的には、例えば、窒素などの不活性雰囲気下、２０〜３５０℃で１〜３０時間固相状態で熱処理する方法などが挙げられる。固相重合は、攪拌しながら行ってもよく、攪拌することなく静置した状態で行っても構わない。なお、適当な攪拌機構を備えることにより、溶融重合槽と固相重合槽とを同一の反応槽とすることもできる。固相重合後、得られた液晶ポリエステルは、公知の方法によりペレット化し、成形してもよい。
【００５４】
液晶ポリエステルの製造は、例えば、回分装置、連続装置等を用いて行うことができる。
＜溶媒＞
【００５５】
第１樹脂層１０２および第２樹脂層１０３の液晶ポリエステル溶液に用いる溶媒は、非プロトン性溶媒であることが好ましい。この溶媒としては、液晶ポリエステルが溶解するものが望ましいが、溶解しないものも使用できる。溶媒の使用量は、特に限定されるものでなく、用途に応じて適宜選択することができるが、溶媒１００質量部に液晶ポリエステル０．０１〜１００質量部を使用することが好ましい。液晶ポリエステルが０．０１質量部未満であると、溶液粘度が低すぎて均一に塗工できない傾向があり、逆に、液晶ポリエステルが１００質量部を超えると、高粘度化する傾向がある。作業性や経済性の観点からは、溶媒１００質量部に対して、液晶ポリエステルが１〜５０質量部であることより好ましく、２〜４０質量部であることがさらに好ましい。
【００５６】
非プロトン性溶媒としては、例えば、１−クロロブタン、クロロベンゼン、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、１，１，２，２−テトラクロロエタンなどのハロゲン系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチルなどのエステル系溶媒、γ−ブチロラクトンなどのラクトン系溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネート系溶媒、トリエチルアミン、ピリジンなどのアミン系溶媒、アセトニトリル、サクシノニトリルなどのニトリル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、テトラメチル尿素、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド系溶媒、ニトロメタン、ニトロベンゼンなどのニトロ系溶媒、ジメチルスルホキシド、スルホランなどのスルフィド系溶媒、ヘキサメチルリン酸アミド、トリｎ−ブチルリン酸などのリン酸系溶媒などが挙げられる。
【００５７】
これらの中で、ハロゲン原子を含まない溶媒が環境への影響面から好ましく使用され、双極子モーメントが３以上５以下の溶媒が溶解性の観点から好ましく使用される。具体的には、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、テトラメチル尿素、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド系溶媒、γ−ブチロラクトンなどのラクトン系溶媒がより好ましく使用され、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンがさらに好ましく使用される。
＜無機フィラー＞
【００５８】
この実施の形態１では、液晶ポリエステル組成物からなる第１樹脂層１０２に、無機フィラーを含有させる。無機フィラーの含有量、粒径などは、特に限定されない。
【００５９】
無機フィラーとしては、その熱伝導率が通常１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、好ましくは３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるものが使用され、例えば、金属酸化物、金属窒化物および金属炭化物から選ばれた１種または２種以上の化合物を使用することができる。無機フィラーは、周期律表第ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ属のそれぞれ第７列までの元素の酸化物、窒化物および炭化物から選択することが望ましい。具体的には、例えば、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化トリウム、酸化亜鉛、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素等の１種類以上を使用できる。
＜他の成分＞
【００６０】
第１樹脂層１０２および第２樹脂層１０３としての液晶ポリエステル組成物には、本発明の目的を損なわない範囲で、カップリング剤、沈降防止剤、紫外線吸収剤、熱安定剤などの添加剤を１種または２種以上含有させてもよい。
【００６１】
また、液晶ポリエステル組成物には、本発明の目的を損なわない範囲で、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリフェニルエーテルおよびその変性物、ポリエーテルイミドなどの熱可塑性樹脂、グリシジルメタクリレートとポリエチレンの共重合体などのエラストマーなどの液晶ポリエステル以外の樹脂を１種または２種以上含有させてもよい。
＜液晶ポリエステル層の製造方法＞
【００６２】
液晶ポリエステル層（すなわち、第１樹脂層１０２および第２樹脂層１０３）の作製にあたっては、まず、液晶ポリエステルを溶媒に溶解して得た溶液を、必要に応じて、フィルターなどによってろ過して溶液中に含まれる微細な異物を除去することにより、第２樹脂層１０３用の液晶ポリエステル溶液を得る。そして、これと同じ液晶ポリエステル溶液に、さらに無機フィラーを加えることにより、第１樹脂層１０２用の液晶ポリエステル溶液を得る。
【００６３】
続いて、第２樹脂層１０３用の液晶ポリエステル溶液（すなわち、無機フィラーを含有しない液晶ポリエステル溶液）を、支持基材（この実施の形態１では金属箔１０４を使用できる）上に、例えば、ローラーコート法、ディップコート法、スプレイコート法、スピナーコート法、カーテンコート法、スロットコート法、スクリーン印刷法等の各種手段により表面が平坦かつ均一となるように流延する。さらに、第１樹脂層１０２用の液晶ポリエステル溶液（すなわち、無機フィラーを含有する液晶ポリエステル溶液）を、同様の方法で、表面が平坦かつ均一となるように流延する。
【００６４】
第１樹脂層１０２用の液晶ポリエステル溶液を流延したときに、無機フィラーが沈降して第２樹脂層１０３用溶液内にまで達すると、第２樹脂層１０３と金属箔１０４との密着性が低下する恐れがある。また、第２樹脂層１０３用溶液内にまでは達しなくても、第２樹脂層１０３との界面付近で第１樹脂層１０２内の無機フィラーの密度が高くなると、第１樹脂層１０２と第２樹脂層１０３との間の密着性が低下する恐れがある。このため、第１樹脂層１０２、第２樹脂層１０３の流延に当たっては、無機フィラーが沈降しないように、液晶ポリエステルの粘度を十分に高くすることが望ましい。このためには、液晶ポリエステル溶液の流延時の温度を十分に低くすることが望ましい。
【００６５】
その後、第１樹脂層１０２および第２樹脂層１０３の溶媒を除去する。この実施の形態１では、第２樹脂層１０３を形成した後で溶媒除去工程を経ずに第１樹脂層１０２を形成し、その後、第１樹脂層１０２および第２樹脂層１０３の溶媒を同時に除去する。このようにして、第１樹脂層１０２および第２樹脂層１０３の液晶ポリエステル溶液を一体的に形成することにより、これら樹脂層１０２、１０３の界面での剥がれが発生し難くなる。
【００６６】
溶媒の除去方法としては溶媒を蒸発させる方法が知られており、溶媒を蒸発させる方法としては、加熱、減圧、通風などの方法が挙げられる。この実施の形態１では、加熱により、溶媒の除去、すなわち液晶ポリエステル組成物の乾燥を行うことが望ましい。加熱による乾燥は、生産効率、取扱い性の点で優れている。また、加熱乾燥に加えて通風乾燥を併用することとすれば、生産効率をさらに高めることができる。
【００６７】
乾燥工程の後、例えば２００〜４００℃で、３０分〜５時間の熱処理工程を行っても良い。
【００６８】
本発明の液晶ポリエステルフィルムは、腐食性が低く、取扱いが容易であり、この組成物を用いて得られる絶縁層は、縦方向（流延方向）と横方向（流延方向に対して直角な方向）の異方性が小さく、機械的強度に優れており、また液晶ポリエステルが本来有する高周波特性、低吸水性などの性能にも優れている。
【実施例】
【００６９】
以下、本発明の実施例について説明する。なお、本発明は実施例に限定されるものではない。
【００７０】
以下、この実施例の評価で使用した実施例サンプルおよび比較例サンプルの製造方法を説明する。
（１）液晶ポリエステルの製造
【００７１】
まず、攪拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計および還流冷却器を備えた反応器に、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸１９７６ｇ（１０．５モル）、４−ヒドロキシアセトアニリド１４７４ｇ（９．７５モル）、イソフタル酸１６２０ｇ（９．７５モル）および無水酢酸２３７４ｇ（２３．２５モル）を仕込んだ。そして、反応器内を十分に窒素ガスで置換した後、窒素ガス気流下で１５分かけて１５０℃まで昇温し、この温度（１５０℃）を保持しつつ３時間還流させた。
【００７２】
その後、留出する副生酢酸および未反応の無水酢酸を留去しながら、１７０分かけて３００℃まで昇温し、トルクの上昇が認められる時点を反応終了とみなし、内容物を取り出した。取り出した内容物を室温まで冷却し、粉砕機で粉砕した後、比較的低分子量の液晶ポリエステルの粉末を得た。得られた粉末の流動開始温度を（株）島津製作所製のフローテスター「ＣＦＴ−５００型」で測定したところ、２３５℃であった。この液晶ポリエステル粉末に、窒素雰囲気において２２３℃、３時間の加熱処理を施すことにより、固相重合を行った。固相重合後の液晶ポリエステルの流動開始温度は２７０℃であった。
（２）液晶ポリエステル溶液の製造
【００７３】
上記（１）で得られた液晶ポリエステル２２００ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）７８００ｇに加え、１００℃で２時間加熱して、液晶ポリエステル溶液を得た。このときの溶液粘度は３２０ｃＰ（センチポアズ）であった。この溶液粘度は、東機産業（株）製のＢ型粘度計「ＴＶＬ−２０型」（ローターＮｏ．２１、回転速度５ｒｐｍ）を用いて、測定温度２３℃で測定したときの値である。
【００７４】
この実施例では、このようにして得た液晶ポリエステル組成物を第２樹脂層１０３用の液晶ポリエステル溶液として使用する。
（３）電子回路基板の製造
【００７５】
上記（２）で得た液晶ポリエステル溶液（固形分２２質量％）に無機フィラーを加え、液晶ポリエステル溶液を遠心脱泡機で５分間攪拌することにより、第１樹脂層１０２用の液晶ポリエステル溶液を調製した。ここでは、以下の２種類の液晶ポリエステル溶液Ａ、Ｂを調製した。
【００７６】
溶液Ａ：無機フィラーとして、体積平均粒径０．３μｍの球状α−アルミナ粉末（住友化学（株）製の酸化アルミニウム「スミコランダムＡＡ−０３」）を用いた。
【００７７】
溶液Ｂ：無機フィラーとして、体積平均粒径５μｍの球状α−アルミナ粉末（住友化学（株）製の酸化アルミニウム「スミコランダムＡＡ−５」）を用いた。
【００７８】
それぞれの液晶ポリエステル溶液で、無機フィラーの充填量は、液晶ポリエステルおよび無機フィラーの総和に対して５０体積％とした。
【００７９】
続いて、これら２種類の液晶ポリエステル溶液Ａ、Ｂを用い、以下のような２種類の実施例サンプルおよび２種類の比較例サンプルを作製した。
＜実施例１＞
【００８０】
まず、厚さ７０μｍの銅箔上に、上記（２）で得た液晶ポリエステル溶液（すなわち、無機フィラーを含有しない液晶ポリエステル溶液）を溶液除去後の厚さが２μｍとなるように塗布し、溶液除去工程を経ることなく、上述の溶液Ａ（すなわち、体積平均粒径０．３μｍの無機フィラーを含有する液晶ポリエステル溶液）を溶液除去後の厚さが１００μｍとなるように塗布した。続いて、これを４０℃で１時間乾燥させたのち、３２０℃で３時間熱処理した。これにより、金属箔１０４、第２樹脂層１０３および第１樹脂層１０２の積層フィルムを得た。
【００８１】
その後、熱伝導率１４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、厚さ２．０ｍｍのアルミニウム合金板（すなわち、金属ベース１０１）をこの積層フィルムに重ね合わせた。このとき、第１樹脂層１０２の表面（すなわち、第２樹脂層１０３が形成されていない面）が、アルミニウム合金板の表面と接するようにした。そして、圧力１９．６ＭＰａ（２００ｋｇｆ／ｃｍ2 ）、温度３４０℃で２０分間の加熱処理を行うことにより、これらアルミニウム合金板と液晶ポリエステルフィルムとを熱接着した。
【００８２】
以上のようにして、実施例１の評価サンプルを完成させた。
＜実施例２＞  
【００８３】
まず、実施例１の場合と同様にして、上記（２）で得た液晶ポリエステル溶液（無機フィラー無し）を溶液除去後の厚さが２μｍとなるように塗布した。そして、溶液除去工程を経ることなく、上述の溶液Ｂ（すなわち、体積平均粒径５μｍの無機フィラーを含有する液晶ポリエステル溶液）を溶液除去後の厚さが１００μｍとなるように塗布した。その後、実施例１の場合と同様にして、実施例２の評価サンプルを完成させた。
＜比較例１＞
【００８４】
まず、上述の溶液Ａを、厚さ７０μｍの銅箔上に、溶液除去後の厚さが１００μｍとなるように塗布し、これを４０℃で１時間乾燥させたのち、３２０℃で３時間熱処理した。
【００８５】
そして、熱伝導率１４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、厚さ２．０ｍｍのアルミニウム合金板をこの積層フィルムに重ね合わせた。このとき、液晶ポリエステルフィルムの表面（銅箔が形成されていない面）が、アルミニウム合金板の表面と接するようにした。そして、圧力１９．６ＭＰａ（２００ｋｇｆ／ｃｍ2 ）、温度３４０℃で２０分間の加熱処理を行うことにより、これらアルミニウム合金板と液晶ポリエステルフィルムとを熱接着した。
【００８６】
これにより、比較例１として、第２樹脂層１０３（すなわち、無機フィラーを含有しない樹脂層）を有さず且つ他の条件は実施例１と同一の評価サンプルを得た。
＜比較例２＞
【００８７】
まず、上述の溶液Ｂを、厚さ７０μｍの銅箔上に、溶液除去後の厚さが１００μｍとなるように塗布した。その後、比較例１の場合と同様にして、比較例２の評価サンプルを作製した。
【００８８】
これにより、比較例２として、第２樹脂層１０３（すなわち、無機フィラーを含有しない樹脂層）を有さず且つ他の条件は実施例２と同一の評価サンプルを得た。
（４）評価試験
【００８９】
以上のようにして得られた電子回路基板に対して、以下のような評価試験を行った。
＜ピール強度試験＞
【００９０】
実施例１、２および比較例１、２の各評価サンプルに対し、金属箔をエッチングすることにより、幅１０ｍｍの導電パターンを形成した。そして、これらの各評価サンプルについて、金属箔が垂直になるように５０ｍｍ／分の速度で引き剥がす際のピール強度（単位：Ｎ／ｃｍ）を測定した。
＜熱抵抗測定＞
【００９１】
実施例１、２および比較例１、２の各評価サンプルを３０ｍｍ×４０ｍｍの基板サイズに作製し、それぞれ金属箔をエッチングすることにより、１４ｍｍ×１０ｍｍのパッド部（電子部品をはんだ付けする部分）用の導電パターンを形成した。そして、各評価サンプルに対して、はんだ付けにより、市販のトランジスタ（（株）東芝製のトランジスタ「ＴＯ−２２０」）を電子部品として実装した。さらに、各評価サンプルを、放熱グリースを介して水冷却装置上に固定した。その後、トランジスタに通電して発熱させ、このときのトランジスタの表面温度および水冷却装置の表面温度を測定した。測定の後、下式を用いて、熱抵抗（単位：℃／Ｗ）を計算した。
【００９２】
（熱抵抗）＝｛（トランジスタの表面温度）−（水冷却装置の表面温度）｝／（負荷電力）
【００９３】
表１は、これら評価試験の結果を示している。
【００９４】
表１に示すように、実施例１のピール強度が２０．７Ｎ／ｃｍであったのに対して、比較例１のピール強度は６．４Ｎ／ｃｍであった。また、実施例２のピール強度が２４．４Ｎ／ｃｍであったのに対して、比較例２のピール強度は２０Ｎ／ｃｍであった。これらの比較結果から、無機フィラーを有さない樹脂層（すなわち、実施の形態１の第２樹脂層１０３）を設けることによってピール強度が向上すること、すなわち、この実施例により、電子回路基板の密着性が向上することが解った。
【００９５】
また、実施例１の熱抵抗が０．２８℃／Ｗであったのに対して、比較例１の熱抵抗は０．２６であった。また、実施例２の熱抵抗が０．３０℃／Ｗであったのに対して、比較例２の熱抵抗は０．２８℃／Ｗであった。これらの比較結果から、無機フィラーを有さない樹脂層を設けても熱抵抗がほとんど悪化しないこと、すなわち、この実施例により、電子回路基板で優れた熱伝導性を得られることが解った。
【００９６】
以上の評価結果からわかるように、この実施例によれば、熱伝導率が高く且つ剥がれ難い電子回路基板を得ることができた。
【００９７】
【表１】
2011124550.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００９８】
本発明は、各種の電気製品や自動車、工作機械その他の装置・機器に組み込まれる電子回路基板に広く適用することができる。
【符号の説明】
【００９９】
１００……電子回路基板
１０１……金属ベース（放熱用基板）
１０２……第１樹脂層
１０３……第２樹脂層
１０４……金属箔（導電箔）
１０５……絶縁層
２００……電子回路基板
２０１……金属ベース
２０２……絶縁層
２０３……金属箔
２０４……実装回路
２０５……電子部品
【図１】
2011124550.tif 000004
【図２】
2011124550.tif 000005