(57)【要約】【課題】レジスト膜のオゾン酸化を抑制して、加工対象物を所望の外形パターンにパターニングすることができる圧電振動片の製造方法及び圧電振動片を提供する。【解決手段】金属膜２０上にフォトレジスト膜２５を塗布するレジスト塗布工程と、フォトレジスト膜２５をプリベークするプリベーク工程と、フォトリソグラフィ技術によってフォトレジスト膜２５をパターニングして、レジストパターン２６を形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターン２６の形成領域以外の領域の金属膜２０を除去して、外形パターンを形成する外形パターン形成工程とを有する圧電振動片の製造方法であって、フォトレジスト膜２５は、ネガレジストからなり、プリベーク工程に先立って、フォトレジスト膜２５上に大気遮断膜４０を形成する遮断膜形成工程を有していることを特徴とする。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工対象物上にレジスト膜を塗布するレジスト塗布工程と、
前記レジスト膜をプリベークするプリベーク工程と、
フォトリソグラフィ技術によって前記レジスト膜をパターニングして、レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンの形成領域以外の領域の前記加工対象物を除去して、外形パターンを形成する外形パターン形成工程とを有する圧電振動片の製造方法であって、
前記レジスト膜は、ネガレジストからなり、
前記プリベーク工程に先立って、前記レジスト膜上に大気遮断膜を形成する遮断膜形成工程を有していることを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項２】
前記大気遮断膜は、ポリビニールアルコールを主成分とする材料で形成されていることを特徴とする請求項１記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項３】
前記外形パターン形成工程の後段で、前記外形パターンをマスクとして、圧電材料からなるウエハをパターニングすることにより、前記圧電振動片の外形を形成する外形形成工程を有していることを特徴とする請求項１または請求項２記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３の何れか１項に記載の圧電振動片の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする圧電振動片。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電振動片の製造方法及び圧電振動片に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが提供されているが、その１つとして、音叉型の圧電振動片を有するものが知られている。この圧電振動片は、平行に配された一対の振動腕部と、これら一対の振動腕部の基端側を一体的に固定する基部とを備え、振動腕部同士が、互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動するものである。
【０００３】
例えば特許文献１〜３には、圧電振動片の製造方法が開示されている。ここで、圧電振動片の外形パターニングについて具体的に説明すると、まず水晶等のウエハに金属膜を成膜した後、金属膜上にレジスト膜を形成する。次に、フォトリソグフラフィ技術によりフォトマスクの遮光膜パターンを介して露光、現像することで、レジスト膜をパターニングし、圧電振動片の外形形状に沿ったレジストパターンを形成する（レジストパターン形成工程）。そして、レジストパターンをマスクとして金属膜をエッチングすることで、レジストパターンで保護された領域以外の金属膜が選択的に除去された金属膜パターンを形成する。その後、金属膜パターンをマスクとしてウエハをエッチングすることで、金属膜パターンで保護された領域以外のウエハが選択的に除去され、圧電振動片の外形形状を形成することができる。
【０００４】
なお、上述したレジストパターン形成工程で用いるレジスト材料としては、レジスト膜とフォトマスクとを密着させた状態で露光を行なうコンタクト露光が可能であること、金属膜との密着性が良いこと、ポジレジストに比べて材料価格が安いこと等から、環化ゴム（例えば、環化イソプレン）を主体にしたゴム系ネガレジストが好適に用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２６１５５７号公報
【特許文献２】特開２００４−１２０３５１号公報
【特許文献３】特開２００９−８８７５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、レジストパターン形成工程において上述したネガレジストを使用する場合には、以下のような問題が生じる。
レジストパターン形成工程では通常、ネガレジストの塗布後、露光前にネガレジスト中の有機溶剤を蒸発させるプリベーク工程を行う。この場合、プリベーク中やプリベーク後に大気中のオキシダント物質（主にオゾン（Ｏ3））と、ネガレジスト中の環化ゴムとが反応する（オゾン酸化する）という問題がある。具体的には、まずプリベークによってネガレジスト中の感光剤が熱分解されることで、環化ゴムとの重合反応が起き、環化ゴムが不安定な状態となる。これにより、大気中のオゾンと環化ゴムとが反応して、ネガレジストの表層部分に現像液難溶化層が形成されてしまう。通常、ネガレジストにおける未露光部分は現像液に浸漬させることで簡単に溶解できるが、ネガレジストの表層に難溶化層が形成されてしまうと、未露光部であっても溶解せずに、薄膜として残存するという問題がある。
その結果、レジストパターンを所望の形状に形成することができず、この影響がレジストパターンの形状が転写される金属膜パターンにも生じる。これにより、その後のウエハの外形パターニング時にウエハを所望の形状に形成できないという問題がある。
【０００７】
そこで、本発明は、上述した問題に鑑みてなされたものであり、レジスト膜のオゾン酸化を抑制して、加工対象物を所望の外形パターンにパターニングすることができる圧電振動片の製造方法及び圧電振動片を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
本発明に係る圧電振動片の製造方法は、加工対象物上にレジスト膜を塗布するレジスト塗布工程と、前記レジスト膜をプリベークするプリベーク工程と、フォトリソグラフィ技術によって前記レジスト膜をパターニングして、レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンの形成領域以外の領域の前記加工対象物を除去して、外形パターンを形成する外形パターン形成工程とを有する圧電振動片の製造方法であって、前記レジスト膜は、ネガレジストからなり、前記プリベーク工程に先立って、前記レジスト膜上に大気遮断膜を形成する遮断膜形成工程を有していることを特徴とている。
【０００９】
この構成によれば、プリベーク工程前にレジスト膜上に大気遮断膜を形成しておくことで、大気（主にオゾン）が大気遮断膜により遮断され、大気がレジスト膜に到達し難くなる。これにより、プリベーク工程においてレジスト膜中の感光剤が熱分解してレジスト膜が不安定な状態になったとしても、レジスト膜のオゾン酸化を抑制することができる。したがって、プリベーク後にレジスト膜の表層部分に難溶化層が形成されるのを抑制することができる。
よって、レジストパターンの形成時（レジスト膜の現像時）において、未露光部分のレジスト膜を確実に除去して、レジストパターンを所望の形状に形作ることができる。そして、レジストパターンによってパターニングされる加工対象物も、所望の外形パターンにパターニングすることができる。その結果、歩留まりを向上させるとともに、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動片を提供することができる。
【００１０】
また、前記大気遮断膜は、ポリビニールアルコールを主成分とする材料で形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、大気遮断膜にポリビニールアルコール（ＰＶＡ）を主成分とする材料を採用することで、高い大気遮断性を発揮し、レジスト膜のオゾン酸化を抑制することができる。また、ＰＶＡは透明材料であるため、紫外線透過率が高い。そのため、大気遮断膜による紫外線の吸収を抑制し、レジストパターンの解像度の低下を抑制することができる。また、ＰＶＡは、ネガレジストからなるレジスト膜上に塗布可能であるため、レジスト膜との混合を防ぎ、これによってもレジストパターンの解像度の低下を抑制することができる。
このようなＰＶＡは、市場において容易に調達することができるので、大気遮断膜に要する材料コストを可能な限り抑制することができる。
【００１１】
また、前記外形パターン形成工程の後段で、前記外形パターンをマスクとして、圧電材料からなるウエハをパターニングすることにより、前記圧電振動片の外形を形成する外形形成工程を有していることを特徴としている。
上述したように、本発明の構成によれば、外形パターンを所望の外形形状に形成することができるので、この外形パターンをマスクとしてウエハをパターニングすることで、圧電振動片を所望の外形形状に形成することができる。その結果、歩留まりを向上させるとともに、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動片を提供することができる。
【００１２】
また、本発明の圧電振動片は、上記本発明の圧電振動片の製造方法を用いて製造されたことを特徴としている。
この構成によれば、上記本発明の圧電振動片の製造方法を用いて製造されているため、圧電振動片を所望の外形形状に形成することができ、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動片を提供することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る圧電振動片の製造方法及び圧電振動片によれば、レジスト膜のオゾン酸化を防止して、加工対象物を所望の外形パターンにパターニングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】圧電振動片を上面から見た平面図である。
【図２】圧電振動片を下面から見た平面図である。
【図３】図１に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図である。
【図４】圧電振動片を製造する際の流れを示すフローチャートである。
【図５】圧電振動片の製造方法を示す工程図であって、ウエハの断面図である。
【図６】圧電振動片の製造方法を示す工程図であって、ウエハの断面図である。
【図７】圧電振動片の製造方法を示す工程図であって、ウエハの断面図である。
【図８】圧電振動片の製造方法を示す工程図であって、ウエハの断面図である。
【図９】圧電振動片の製造方法を示す工程図であって、ウエハの断面図である。
【図１０】圧電振動片の製造方法を示す工程図であって、ウエハの断面図である。
【図１１】圧電振動片の製造方法を示す工程図であって、フォトマスクの平面図である。
【図１２】圧電振動片の製造方法を示す工程図であって、ウエハ上に外形パターンが形成された状態を示すウエハの平面図である。
【図１３】圧電振動片の製造方法を示す工程図であって、図１１のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図１４】圧電振動片の製造方法を示す工程図であって、図１１のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図１５】圧電振動片の製造方法を示す工程図であって、図１１のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図１６】圧電振動片の製造方法を示す工程図であって、図１１のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。
（圧電振動片）
図１は圧電振動片の上面から見た平面図であり、図２は下面から見た平面図である。
本実施形態の圧電振動片１は、例えば、表面実装型のガラスパッケージタイプの圧電振動子や、シリンダーパッケージタイプの圧電振動子等に組み込まれるものであって、図１，図２に示すように、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の圧電板２を備えている。
【００１６】
圧電板２は、平行に配置された一対の振動腕部３，４と、これら一対の振動腕部３，４の基端部側を一体的に固定する基部５とを備えている。また、これら一対の振動腕部３，４の上下面上には、振動腕部３，４の基端部から先端部に向かって、一定幅で縦長の溝部６が形成されている。これら溝部６は、振動腕部３，４の基端部側から中間部を越える範囲に亘って形成されている。これにより、一対の振動腕部３，４は、それぞれ図３に示すように断面Ｈ型となっている。なお、図３は図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００１７】
このように形成された圧電板２の外表面上には、図１，図２に示すように、一対の励振電極１０，１１及び一対のマウント電極１２，１３が形成されている。このうち、一対の励振電極１０，１１は、電圧が印加されときに一対の振動腕部３，４を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極であり、主に一対の振動腕部３，４の外表面にそれぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。具体的には、図３に示すように、一方の励振電極１０が、主に一方の振動腕部３の溝部６内と他方の振動腕部４の側面上とに形成され、他方の励振電極１１が、主に一方の振動腕部３の側面上と他方の振動腕部４の溝部６内とに形成されている。
【００１８】
また、一対のマウント電極１２，１３は、図１，図２に示すように、基部５の主面及び側面を含む外表面上に形成されており、引き出し電極１６を介して一対の励振電極１０、１１にそれぞれ電気的に接続されている。よって、一対の励振電極１０，１１は、このマウント電極１２，１３を介して電圧が印加されるようになっている。
【００１９】
なお、上述した励振電極１０，１１、マウント電極１２，１３及び引き出し電極１６は、例えば、クロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）との積層膜であり、水晶と密着性の良いクロム膜を下地として成膜した後に、表面に金の薄膜を施したものである。但し、この場合に限られず、例えば、クロムとニクロム（ＮｉＣｒ）との積層膜の表面にさらに金の薄膜を積層しても構わないし、クロム、ニッケル、アルミニウム（Ａｌ）やチタン（Ｔｉ）等の単層膜でも構わない。
【００２０】
また、一対の振動腕部３，４の先端部には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整（周波数調整）を行うための重り金属膜１７（粗調膜１７ａ及び微調膜１７ｂからなる）が形成されている。この重り金属膜１７を利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部３、４の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができるようになっている。
【００２１】
このように構成された圧電振動片１を作動させる場合には、一対の励振電極１０，１１間に所定の駆動電圧を印加して電流を流すことで、一対の振動腕部３，４を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この振動を、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。
【００２２】
（圧電振動片の製造方法）
次に、上述した圧電振動片の製造方法について説明する。以下の説明では、水晶からなるウエハから複数の圧電振動片を製造する場合について説明する。図４は、圧電振動片の製造方法を示すフローチャートであり、図５〜図１６は圧電振動片の製造方法を示す工程図である。
【００２３】
まず、図４，図５に示すように、水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハＳとする。続いて、ウエハＳをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後ポリッシュ等の鏡面加工を行なって、所定の厚みとする（Ｓ１０）。
【００２４】
次に、ウエハＳから複数の圧電振動片１の外形形状をパターニングするための外形パターン２３（図１０参照）を形成する（Ｓ２０）。以下、この工程について、具体的に説明する。
始めに、図５に示すように、ポリッシングが終了したウエハＳを準備した後、ウエハＳの両面に金属膜（加工対象物）２０をそれぞれ成膜する（Ｓ２１）。この金属膜２０は、例えばクロムからなる下地膜２１と、金からなる保護膜２２との積層膜であり、それぞれスパッタリング法や蒸着法等により成膜される。
【００２５】
次に、図６に示すように、金属膜２０上にフォトレジスト膜（レジスト膜）２５を形成する（Ｓ２２）。具体的には、まず金属膜２０上に、スピンコート法等によりレジスト材料を塗布する（レジスト塗布工程）。なお、本実施形態で用いるレジスト材料としては、環化ゴム（例えば、環化イソプレン）を主体にしたゴム系ネガレジストが好適に用いられている。ゴム系ネガレジストは、環化ゴムを有機溶剤に溶解し、さらにビスアジド感光剤を加えて、ろ過し、不純物を除去することで精製されたものである。
【００２６】
ここで、図７に示すように、フォトレジスト膜２５上に大気遮断膜４０を形成する（Ｓ２３）。具体的には、乾燥前のフォトレジスト膜２５上にスピンコート法等により大気遮断膜４０の構成材料を塗布する。この大気遮断膜４０の構成材料としては、大気透過性が低く、後述する露光工程においてフォトレジスト膜２５に充分に紫外線が露光される程度に紫外線透過率が高い材料を選択することが好ましい。また、乾燥前のフォトレジスト膜２５上に塗布可能な材料（フォトレジスト膜２５に混ざり難い材料）を選択することが好ましい。このような条件の満たす材料として、ポリビニールアルコール（ＰＶＡ）やポリ塩化ビニリデン、ポリアクリロニトリル等を採用することが可能であり、本実施形態ではＰＶＡが好適に用いられている。
【００２７】
そして、大気遮断膜４０の構成材料の塗布後、フォトレジスト膜２５及び大気遮断膜４０が積層された状態で、両者をプリベークして乾燥させることで、厚さがともに７０００Å程度のフォトレジスト膜２５及び大気遮断膜４０が形成される。なお、プリベークをホットプレートで行う場合には１２０℃〜１３０℃、オーブンで行う場合には８０℃〜９０℃程度で行うことが好ましい。
【００２８】
そして、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトレジスト膜２５を所望のレジストパターン２６（図９参照）にパターニングする（Ｓ２４：レジストパターン形成工程）。具体的には、図８，図１１に示すように、フォトマスク３０を大気遮断膜４０上にセットする。フォトマスク３０は、ガラス等の光透過性を有する基板３１の主面３１ａ上に、クロム等の遮光性を有する遮光膜パターン３５が形成されたものである。遮光膜パターン３５は、フォトレジスト膜２５をパターニングするためのものであり、基板３１の主面３１ａ上において圧電振動片１の外形に相当する領域を除く領域に形成されている。すなわち、基板３１の主面３１ａ上において、圧電振動片１の外形に相当する領域には遮光膜パターン３５が形成されていない開口部が複数形成されており、これら開口部が圧電振動片１の外形形状を有する外形相当領域３３となっている。
そして、このように形成されたフォトマスク３０の主面３１ａ側を大気遮断膜４０に向けた状態でセットする。この時、ウエハＳとフォトマスク３０との位置合わせをした状態で、遮光膜３２と大気遮断膜４０とが密着するようにセットする。
【００２９】
続いて、フォトマスク３０を介してフォトレジスト膜２５をコンタクト露光する（Ｓ２４Ａ）。具体的には、ウエハＳの両面側から紫外線Ｂを露光すると、フォトマスク３０を透過してフォトレジスト膜２５が露光される。この際、遮光膜パターン３５の開口部（外形相当領域３３）領域に入射した紫外線Ｂのみが、基板３１を透過してフォトレジスト膜２５に露光される。この時、フォトレジスト膜２５とフォトマスク３０との間には、大気遮断膜４０が形成されているが、大気遮断膜４０は紫外線透過率の高い膜のため、紫外線Ｂは吸収されることなくフォトレジスト膜２５に露光される。すると、紫外線Ｂが露光された領域のフォトレジスト膜２５のみが、硬化することになる。露光が終了したら、フォトマスク３０を取り除く。なお、取り除いたフォトマスク３０は別工程において洗浄され、次に搬送されるウエハＳの露光工程に繰り返し使用されることになる。なお、万が一フォトマスク３０上に大気遮断膜４０が付着物として付着した場合であっても、水により簡単に溶解除去することができる。
【００３０】
次いで、図９に示すように、フォトマスク３０を取り除いた後、フォトレジスト膜２５の現像を行う（Ｓ２４Ｂ）。具体的には、ウエハＳを現像液に浸漬することで、紫外線Ｂが露光されていない領域のフォトレジスト膜２５のみが選択的に除去される。すなわち、現像後の金属膜２０上には、圧電振動片１の外形形状にフォトレジスト膜２５が残存した状態のレジストパターン２６が複数形成される。なお、この現像工程において、露光部分及び未露光部分に関わりなく、フォトレジスト膜２５上に形成された大気遮断膜４０は全て除去される。
【００３１】
そして、図１０に示すように、レジストパターン２６をマスクとしてエッチング加工（例えば、ウェットエッチング）を行い、マスクされていない金属膜２０（外形相当領域の金属膜２０）を選択的に除去する（Ｓ２５：外形パターン形成工程）。その後、図１２，図１３に示すように、エッチング加工後にフォトレジスト膜２５のレジストパターン２６を除去する。これにより、金属膜２０を、圧電振動片１の外形形状と同等の形状を有する外形パターン２３として形成することができる。すなわち、一対の振動腕部３，４及び基部５の外形形状に倣って、金属膜２０をパターニングすることができる。またこの際、ウエハＳ上に形成する複数の圧電振動片１の数だけ、一括してパターニングを行う。
【００３２】
次いで、図１４に示すように、パターニングされた外形パターン２３をマスクとして、ウエハＳの両面からそれぞれエッチング加工を行う（Ｓ３０）。これにより、外形パターン２３でマスクされていない領域を選択的に除去して、圧電板２の外形形状を形作ることができる。また、本実施形態ように、ウエハＳの両面側からエッチングを行うことで、圧電板２の外形形状を所望の形状に高精度に形成することができる。
【００３３】
続いて、一対の振動腕部３、４の主面上に溝部６を形成する溝部形成工程を行う（Ｓ４０）。具体的には、外形パターン２３（金属膜２０）上にフォトレジスト膜（不図示）を形成する。そして、フォトリソグラフィ技術によって、溝部６の領域を空けるようにフォトレジスト膜をパターニングする。そして、パターニングされたフォトレジスト膜をマスクとしてエッチング加工を行い、外形パターン２３を選択的に除去する。その後、フォトレジスト膜を除去することで、図１５に示すように、既にパターニングされた外形パターン２３を、溝部６の領域を空けた状態でさらにパターニングすることができる。
【００３４】
次いで、この再度パターニングされた外形パターン２３をマスクとして、ウエハＳをエッチング加工した後、マスクとしていた外形パターン２３を除去する。これにより、図１６に示すように、一対の振動腕部３、４の両主面上に溝部６をそれぞれ形成することができる。
なお、複数の圧電板２は、後に行う切断工程を行うまで、図示しない連結部を介してウエハＳに連結された状態となっている。
【００３５】
次いで、複数の圧電板２の外表面上に電極膜をパターニングして、励振電極１０，１１、引き出し電極１６、マウント電極１２，１３をそれぞれ形成する電極形成工程を行う（Ｓ５０）。具体的には、溝部６が形成された圧電板２の外表面に電極膜を、蒸着法やスパッタリング法等により成膜する。次いで、スプレーコート等によりフォトレジスト膜を成膜した後、フォトリソグラフィ技術を用いて露光、現像を行なうことによりフォトレジスト膜をパターニングする。そして、残存したフォトレジスト膜をマスクとして電極膜をエッチング加工して、パターニングする。その後、マスクとしていたフォトレジスト膜を除去することで、上述したような電極を形成することができる。
【００３６】
次いで、電極形成工程が終了した後、一対の振動腕部３，４の先端に周波数調整用の粗調膜１７ａ及び微調膜１７ｂからなる重り金属膜１７（例えば、銀や金等）を形成する（Ｓ６０）。そして、ウエハＳに形成された全ての振動腕部３，４に対して、共振周波数を粗く調整する粗調工程を行う（Ｓ７０）。これは、重り金属膜１７の粗調膜１７ａにレーザー光を照射して一部を蒸発させ、重量を変化させることで行う。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、圧電振動片１をパッケージに実装した後に行う。
【００３７】
そして、最後にウエハＳと圧電板２とを連結していた連結部を切断して、複数の圧電板２をウエハＳから切り離して個片化する切断工程を行う（Ｓ８０）。これにより、１枚のウエハＳから、音叉型の圧電振動片１を一度に複数製造することができる。この時点で、圧電振動片１の製造工程が終了し、図１に示す圧電振動片１を得ることができる。そして、このように製造された圧電振動片１は、表面実装型のガラスパッケージや、シリンダーパッケージに実装されて圧電振動子として使用される。
【００３８】
なお、上述した圧電振動片１は、パッケージへの実装後に電気特性検査を行う。すなわち、圧電振動片１の共振周波数、共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性）等のパラメータを測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチェックする。この際に、異常（上述したパラメータの異常や、動作不能の状態）が検出された圧電振動子は、不良品として除外される。
【００３９】
このように、本実施形態では、フォトレジスト膜２５をプリベークする前段で、フォトレジスト膜２５上に大気遮断膜４０を形成する構成とした。
この構成によれば、フォトレジスト膜２５上に大気透過性が低い大気遮断膜４０を塗布しておくことで、大気（主にオゾン）が大気遮断膜４０により遮断され、大気がフォトレジスト膜２５に到達し難くなる。これにより、プリベーク工程においてフォトレジスト膜２５中の感光剤が熱分解して不安定な状態になったとしても、フォトレジスト膜２５のオゾン酸化を抑制することができる。これにより、プリベーク後にフォトレジスト膜２５の表層部分に難溶化層が形成されるのを抑制することができる。
よって、レジストパターン２６の形成時（フォトレジスト膜２５の現像時）において、未露光部分のフォトレジスト膜２５を確実に除去して、レジストパターン２６を所望の形状に形作ることができる。そして、所望のレジストパターン２６を介して金属膜２０をパターニングした後、ウエハＳをパターニングすることで、圧電振動片１を所望の外形形状に形成することができる。その結果、歩留まりを向上させるとともに、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動片１を提供することができる。
【００４０】
また、本実施形態のように、大気遮断膜４０にＰＶＡを採用することで、ＰＶＡは紫外線透過率が高いため、露光時に影響を与えることがなく、レジストパターン２６の解像度の低下を抑制することができる。また、ＰＶＡは透明材料であるため、紫外線透過率が高い。そのため、大気遮断膜４０による紫外線の吸収を抑制し、レジストパターン２６の解像度の低下を抑制することができる。また、ＰＶＡは、フォトレジスト膜２５上に塗布可能であるため、フォトレジスト膜２５との混合を防ぎ、これによってもレジストパターン２６の解像度の低下を抑制することができる。
さらに、ＰＶＡは、市場において容易に調達することができるので、大気遮断膜４０に要する材料コストを可能な限り抑制することができる。
【００４１】
ここで、本実施形態では、露光工程において、フォトマスク３０とフォトレジスト膜２５とが大気遮断膜４０を間に挟んだ状態で間接的に密着することになるので、フォトマスク３０とフォトレジスト膜２５とが直接接することがない。そのため、露光工程後、フォトマスク３０を取り外す際にフォトレジスト膜２５がフォトマスク３０側に付着（いわゆる、スティッキング）することを防止できる。
この場合、大気遮断膜４０はフォトレジスト膜２５よりも展性の高い材料により構成されているため、フォトマスク３０を取り外す際に、大気遮断膜４０がフォトマスク３０にスティッキングすることも抑制できる。
したがって、フォトマスク３０上における保護膜４０との接触面側を付着物の少ない状態に維持することができる。すなわち、レジストパターン２６の欠けや剥離を抑制することができるので、フォトマスク３０とフォトレジスト膜２５との間に露光時の解像度等の低下を防ぐことができる。
これにより、フォトレジスト膜２５をコンタクト露光した場合であっても、レジストパターン２６を所望の形状に確実に形成することができる。
【００４２】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
例えば、上述した実施形態では、露光工程後の現像工程においてウエハＳを現像液に浸漬させることで、フォトレジスト膜２５と大気遮断膜４０を一括して除去する構成について説明したが、現像工程に先立って大気遮断膜４０のみを純水にて除去する工程と、乾燥する工程とを追加しても構わない。この構成によれば、ＰＶＡを確実に除去することができるので、現像工程においてフォトレジスト膜２５のみを速やかに除去することができるとともに、ウエハＳ上で大気遮断膜４０が残存することを確実に防ぐことができる。そのため、不良品の発生を防ぐことができる。
【００４３】
また、上述した実施形態では、音叉型の圧電振動片１を例に挙げて説明したが、音叉型に限られるものではない。例えば、厚み滑り振動片としても構わない。
さらに、上述した実施形態では、圧電振動片の外形パターンを形成する際について説明したが、これに限らず、溝部６の形成時、また電極形成時等、ポジレジストからなるフォトレジスト膜にコンタクト露光を行なってパターニング行う各工程について適用することが可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１…圧電振動片  ３，４…振動腕部  ５…基部  ２０…金属膜（加工対象物）  ２３…外形パターン  ２５…フォトレジスト膜  ２６…レジストパターン  ３５…遮光膜パターン  ４０…大気遮断膜  Ｓ…ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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