(57)【要約】【課題】温度による閾値変化の影響を低減出来る半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】電荷蓄積層を備え直列接続されたメモリセルＭＴと、前記直列接続の一端の前記メモリセルＭＴのドレインにソースが接続された第１選択トランジスタＳＴ１と、前記直列接続の他端の前記メモリセルＭＴのソースにドレインが接続された第２選択トランジスタＳＴ２と、半導体基板の温度をモニタする温度モニタ回路２１と、読み出し時において、ソース線ＳＬに電圧Ｖsourceを印加するソース線電圧制御回路２２とを具備し、ソース線電圧制御回路２２は、温度の上昇に応じてソース線ＳＬと半導体基板４２との間の電位差が増大し、且つ第２選択トランジスタＳＴ２のソース４７と半導体基板４２との間が逆バイアスとなるように、電圧Ｖsourceを印加する。【選択図】図１
2011028827.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成され、電荷蓄積層と制御ゲートとを含む積層ゲートを備え、電流経路が直列接続された、データ保持可能なｎ個（ｎは２以上の自然数）のメモリセルと、
前記半導体基板上に形成され、前記直列接続の一端に位置する前記メモリセルのドレインにソースが接続された第１選択トランジスタと、
前記半導体基板上に形成され、前記直列接続の他端に位置する前記メモリセルのソースにドレインが接続された第２選択トランジスタと、
前記第２選択トランジスタのソースに接続されたソース線と、
前記半導体基板の温度をモニタする温度モニタ回路と、
前記データの読み出し時において、前記ソース線に電圧を印加するソース線電圧制御回路と
を具備し、前記ソース線電圧制御回路は、前記温度モニタ回路によってモニタされた前記温度の上昇に応じて、前記ソース線と前記半導体基板との間の電位差が増大するように、且つ前記第２選択トランジスタの前記ソースと前記半導体基板との間のバイアスが逆バイアスとなるように、前記電圧を前記ソース線に印加する
ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記ソース線電圧制御回路は、前記温度が所定の電圧を越える温度範囲において、前記温度と共に増加する前記電圧を、前記ソース線に印加する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記電圧は、前記温度の上昇に従ってステップ状に増加する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
半導体基板上に形成され、電荷蓄積層と制御ゲートとを含む積層ゲートを備え、電流経路が直列接続された、データ保持可能なｎ個（ｎは２以上の自然数）のメモリセルと、
前記半導体基板上に形成され、前記直列接続の一端に位置する前記メモリセルのドレインにソースが接続された第１選択トランジスタと、
前記半導体基板上に形成され、前記直列接続の他端に位置する前記メモリセルのソースにドレインが接続された第２選択トランジスタと、
前記第１選択トランジスタのドレインに接続されたビット線と、
前記データの読み出し時において、前記メモリセルから前記ビット線に読み出されたデータをセンスするセンスアンプと、
前記半導体基板の温度をモニタする温度モニタ回路と、
前記データの読み出し時において、前記温度モニタ回路によってモニタされた前記温度の上昇に応じて、前記センスアンプにおけるセンスレベルを制御するセンスレベル制御回路と
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項５】
前記センスアンプは、前記ビット線に流れる電流をセンスし、
前記センスレベル制御回路は、前記センスアンプにおける前記電流のセンスレベルを制御する
ことを特徴とする請求項４記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記センスレベル制御回路は、前記温度の上昇に応じて、前記電流のセンスレベルを上昇させる
ことを特徴とする請求項５記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
半導体基板上に形成され、電荷蓄積層と制御ゲートとを含む積層ゲートを備え、電流経路が直列接続された、データ保持可能なｎ個（ｎは２以上の自然数）のメモリセルと、
前記半導体基板上に形成され、前記直列接続の一端に位置する前記メモリセルのドレインにソースが接続された第１選択トランジスタと、
前記半導体基板上に形成され、前記直列接続の他端に位置する前記メモリセルのソースにドレインが接続された第２選択トランジスタと、
前記第１選択トランジスタのドレインに接続されたビット線と、
前記第２選択トランジスタのソースに接続されたソース線と、
前記データの読み出し時において、前記メモリセルから前記ビット線に読み出されたデータをセンスするセンスアンプと、
前記半導体基板の温度をモニタする温度モニタ回路と、
前記データの読み出し時において、前記ソース線に電圧を印加するソース線電圧制御回路と
前記データの読み出し時において、前記温度モニタ回路によってモニタされた前記温度の上昇に応じて、前記センスアンプにおけるセンスレベルを制御するセンスレベル制御回路と
を具備し、前記ソース線電圧制御回路は、前記温度モニタ回路によってモニタされた前記温度の上昇に応じて、前記ソース線と前記半導体基板との間の電位差が増大するように、且つ前記第２選択トランジスタの前記ソースと前記半導体基板との間のバイアスが逆バイアスとなるように、前記電圧を前記ソース線に印加する
ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項８】
前記センスレベル制御回路は、前記温度モニタ回路でモニタされた温度に応じたダミー電流を生成するダミー電流生成回路と、
前記ダミー電流生成回路で生成された前記ダミー電流をセンスするダミーセンスアンプと
を備え、前記センスアンプのセンス終了タイミングは、前記ダミーセンスアンプのセンス終了タイミングに応じて決定される
ことを特徴とする請求項４または７記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
前記ダミー電流生成回路は、温度の上昇に従って、前記ダミー電流の値を大きくする
ことを特徴とする請求項８記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記センスアンプは、前記ビット線に流れる電流に応じて放電される第１ノードの電位に基づいてデータを判別し、
前記ダミーセンスアンプは、前記ダミー電流に応じて放電される第２ノードの電位に基づいてデータを判別し、
前記センス終了タイミングは、前記第１、第２ノードにおける放電を停止するタイミングである
ことを特徴とする請求項８記載の半導体記憶装置。
【請求項１１】
前記第１ノードの放電開始から放電終了までの期間は、温度の上昇に従って短くされる
ことを特徴とする請求項１０記載の半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記センスレベル制御回路は、前記温度モニタ回路でモニタされた温度に応じて基準電流を生成する基準電流生成回路を更に備え、
前記ダミー電流生成回路は、前記基準電流を元にして、複数の値に設定可能な前記ダミー電流を生成する
ことを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＮＡＮＤ型不揮発性メモリの用途は拡大し、そのメモリ容量も１Ｇバイトを超えて増大の一途を辿っている。しかし、メモリ容量の増大によりメモリセルが微細化すると、デバイス形状の加工精度限界、近接効果、そして不純物ばらつきなどにより、セルトランジスタの閾値ばらつきが問題となってくる。特に、１つのメモリセルに３値以上のデータを記憶する多値技術（Multi-Level Technology）を用いたＮＡＮＤ型不揮発性メモリでは、狭い電圧範囲に３つ以上の閾値分布を設定しなければならず、これらの閾値分布間のマージンが狭いので、上述の閾値ばらつきは本質的に深刻な問題である。
【０００３】
上記閾値のばらつきの対策については、従来、種々の提案がなされている（例えば特許文献１〜４参照）。しかしながら、温度による閾値の変化には十分に対応出来ないおそれがある、という問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−０１２１５１号公報
【特許文献２】特開２００１−３５７６８７号公報
【特許文献３】特開２００２−０２５２８５号公報
【特許文献４】特開２００９−５２２７０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、温度による閾値変化の影響を低減出来る半導体記憶装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明の一態様に係る半導体記憶装置は、半導体基板上に形成され、電荷蓄積層と制御ゲートとを含む積層ゲートを備え、電流経路が直列接続された、データ保持可能なｎ個（ｎは２以上の自然数）のメモリセルと、前記半導体基板上に形成され、前記直列接続の一端に位置する前記メモリセルのドレインにソースが接続された第１選択トランジスタと、前記半導体基板上に形成され、前記直列接続の他端に位置する前記メモリセルのソースにドレインが接続された第２選択トランジスタと、前記第２選択トランジスタのソースに接続されたソース線と、前記半導体基板の温度をモニタする温度モニタ回路と、前記データの読み出し時において、前記ソース線に電圧を印加するソース線電圧制御回路とを具備し、前記ソース線電圧制御回路は、前記温度モニタ回路によってモニタされた前記温度の上昇に応じて、前記ソース線と前記半導体基板との間の電位差が増大するように、且つ前記第２選択トランジスタの前記ソースと前記半導体基板との間のバイアスが逆バイアスとなるように、前記電圧を前記ソース線に印加する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、温度による閾値変化の影響を低減出来る半導体記憶装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】この発明の第１実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリのブロック図。
【図２】この発明の第１実施形態に係るメモリセルアレイの回路図。
【図３】この発明の第１実施形態に係るＮＡＮＤセルユニットの平面図。
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿った断面図。
【図５】この発明の第１実施形態に係るメモリセルトランジスタの閾値分布を示すグラフ。
【図６】この発明の第１実施形態に係る基板・ソース間電圧制御回路の発生する電圧を示すグラフ。
【図７】この発明の第１実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリの、読み出し動作時における回路図。
【図８】この発明の第１実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリの、書き込み動作時におけるワード線電圧のグラフ。
【図９】この発明の第１実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリの、書き込み動作時における回路図。
【図１０】メモリセルトランジスタの閾値分布を示すグラフ。
【図１１】制御ゲート電圧とセル電流の関係を示すグラフ。
【図１２】制御ゲート電圧とセル電流の関係を示すグラフ。
【図１３】この発明の第１実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおける、ソース線電圧とＳ−ファクターとの関係を示すダイアグラム。
【図１４】この発明の第２実施形態に係るチャージポンプ回路の回路図。
【図１５】この発明の第２実施形態に係る基板・ソース間電圧制御回路の発生する電圧を示すグラフ。
【図１６】この発明の第２実施形態に係る基板・ソース間電圧制御回路の発生する電圧を示すグラフ。
【図１７】この発明の第２実施形態に係る基板・ソース間電圧制御回路の発生する電圧を示すグラフ。
【図１８】この発明の第３実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリのブロック図。
【図１９】この発明の第３実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリの、温度に対するセンスレベルの変化を示すグラフ。
【図２０】制御ゲート電圧とセル電流の関係を示すグラフ。
【図２１】制御ゲート電圧とセル電流の関係を示すグラフ。
【図２２】制御ゲート電圧とセル電流の関係を示すグラフ。
【図２３】この発明の第４実施形態に係るセンスアンプの回路図。
【図２４】この発明の第４実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおける、データの読み出し時における各種信号のタイミングチャート。
【図２５】この発明の第４実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリの、温度に対するセンスレベルの変化を示すグラフ。
【図２６】この発明の第５実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリのブロック図。
【図２７】この発明の第６実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリのブロック図。
【図２８】第６実施形態に係るラッチタイミング生成回路の回路図。
【図２９】第６実施形態に係るデータ読み出し時における各種信号のタイミングチャート。
【図３０】第６実施形態に係るデータ読み出し時における各種信号のタイミングチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、この発明の実施形態を、図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００１０】
［第１の実施形態］  
この発明の第１の実施形態に係る半導体記憶装置について、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを例に挙げて説明する。
【００１１】
＜ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの全体構成について＞  
まず、本実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリの全体構成について、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリの概略構成を示すブロック図である。図示するようにＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０は、メモリセルアレイ１１、データラッチ／センスアンプ１２（以下センスアンプ１２と呼ぶ）、Ｉ／Ｏバッファ１３、アドレスバッファ１４、ロウデコーダ１５、カラムデコーダ１６、ワード線ドライバ１７、基板電圧制御回路１８、電圧発生回路１９、制御回路２０、温度モニタ回路２１、基板・ソース間電圧制御回路２２、及びセレクタ２４を備えている。これらは、同一の半導体基板上に集積形成されている。
【００１２】
メモリセルアレイ１１は、各々がデータ保持可能な複数のメモリセルトランジスタの集合であるメモリブロックＢＫ１〜ＢＫｊ（ｊは１以上の自然数）を備えている。メモリブロックは複数のＮＡＮＤセルを備える。以下では、メモリブロックＢＫ〜ＢＫｊを区別しない場合には、一括してメモリブロックＢＫと呼ぶ。メモリセルアレイ１１の詳細については後述する。
【００１３】
センスアンプ１２は、データの読み出し及びプログラム時にデータをラッチする機能を有し、例えば、フリップフロップ回路を含んで構成される。そしてデータの読み出し及びベリファイ時には、メモリセルトランジスタから読み出されたデータをセンス及び増幅して、これを保持する。またデータのプログラム時には、メモリセルトランジスタにプログラムすべきデータを一時的に保持し、これをメモリセルトランジスタに転送する。
【００１４】
Ｉ／Ｏ（Input/Output）バッファ１３は、データのインターフェイス回路として機能する。すなわちデータの読み出し時には、センスアンプ１２に保持されたデータを受信して、これを外部へ出力する。またデータの書き込み時には、外部からデータを受信して、これをセンスアンプ１２に転送する。
【００１５】
アドレスバッファ１４は、アドレス信号のインターフェイス回路として機能する。すなわち、データの読み出し時及び書き込み時において、メモリセルアレイ１１におけるメモリブロックＢＫを指定するブロックアドレスと、メモリブロックＢＫ内におけるページを指定するページアドレスと、列を指定するカラムアドレスとを受信する。そしてブロックアドレス及びページアドレス（これをまとめてロウアドレスと呼ぶことがある）をロウデコーダ１５へ転送し、カラムアドレスをカラムデコーダ１６へ転送する。
【００１６】
ロウデコーダ１５は、アドレスバッファ１４からブロックアドレスを受信し、これをデコードして、メモリセルアレイ１１におけるいずれかのメモリブロックＢＫを選択する。更にアドレスバッファ１４からページアドレスを受信し、これをデコードして、選択されたメモリブロックＢＫにおけるいずれかのページ（ワード線）を選択する。
【００１７】
ワード線ドライバ１７は、ロウデコーダ１５によって選択されたメモリブロックのワード線に、必要な電圧を印加する。
【００１８】
カラムデコーダ１６は、アドレスバッファ１４からカラムアドレスを受信し、これをデコードして、メモリセルアレイ１１の列方向（ビット線）を選択する。
【００１９】
基板電圧制御回路１８は、上記半導体基板の電圧を制御する。より具体的には、メモリセルトランジスタが形成されるｐ型ウェル領域（バックゲート）に対して、必要な電圧を印加する。例えば、基板電圧制御回路１８は、読み出し及び書き込み時には、ｐ型ウェル領域に対して０Ｖを印加し、消去時には例えば１５Ｖ以上４０Ｖ以下の、正の高電圧を印加する。
【００２０】
電圧発生回路１９は、データの読み出し時、書き込み時、及び消去時に必要な電圧を生成する。
【００２１】
セレクタ２４は、電圧発生回路１９で生成された複数の電圧のうち、動作モードや選択されたワード線の位置等の情報に基づいて、選択されたブロック内の各ワード線に供給すべき電圧を選択する。
【００２２】
温度モニタ回路２１は、本ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０が形成された半導体基板の温度を測定する。そして、その測定結果を基板・ソース間制御回路２２へ供給する。
【００２３】
基板・ソース間電圧制御回路２２は、上記半導体基板と、メモリセルアレイのソース線との間の電位差を制御する。より具体的には、メモリセルアレイのソース線に対して電圧を印加する。この際基板・ソース間電圧制御回路２２は、制御回路２０の制御に基づき、温度モニタ回路２１から与えられる情報に応じて、ソース線に印加する電圧を制御する。
【００２４】
制御回路２０は、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０全体の動作を司る。より具体的には、基板電圧制御回路１８、電圧発生回路１９、及び基板・ソース間電圧制御回路２２の動作を制御する。
【００２５】
＜メモリセルアレイ１１について＞  
次に、上記メモリセルアレイ１１の詳細について、図２を用いて説明する。図２は、メモリセルアレイ１１の一部領域の回路図である。
【００２６】
図示するようにメモリセルアレイ１１は、複数のメモリブロックＢＫを備えている。各メモリブロックＢＫはそれぞれ、複数のＮＡＮＤセル２３を備えている。ＮＡＮＤセル２３の各々は、例えば３２個のメモリセルトランジスタＭＴ０〜ＭＴ３１と、選択トランジスタＳＴ１、ＳＴ２とを含んでいる。以下、メモリセルトランジスタＭＴ０〜ＭＴ３１を区別しない場合には、一括してメモリセルトランジスタＭＴと呼ぶことにする。メモリセルトランジスタＭＴは、半導体基板上にゲート絶縁膜を介在して形成された電荷蓄積層（例えば浮遊ゲート）と、電荷蓄積層上にゲート間絶縁膜を介在して形成された制御ゲートとを有する積層ゲート構造を備えている。なお、メモリセルトランジスタＭＴの個数は３２個に限られず、８個や１６個、６４個、１２８個、２５６個等であってもよく、その数は限定されるものではない。また、電荷蓄積層は絶縁物を材料に用いて形成されても良い。メモリセルトランジスタＭＴは、隣接するもの同士でソース、ドレインを共有している。そして、選択トランジスタＳＴ１、ＳＴ２間に、その電流経路が直列接続されるようにして配置されている。直列接続されたメモリセルトランジスタＭＴの一端側のドレインは選択トランジスタＳＴ１のソースに接続され、他端側のソースは選択トランジスタＳＴ２のドレインに接続されている。
【００２７】
同一行にあるメモリセルトランジスタＭＴの制御ゲートはワード線ＷＬ０〜ＷＬ３１のいずれかに共通接続され、同一行にあるメモリセルの選択トランジスタＳＴ１、ＳＴ２のゲートは、それぞれセレクトゲート線ＳＧＤ、ＳＧＳに共通接続されている。なお説明の簡単化のため、以下ではワード線ＷＬ０〜ＷＬ３１を、単にワード線ＷＬと呼ぶことがある。
【００２８】
またメモリセルアレイ１１において、メモリブロックＢＫはワード線ＷＬに直交する方向に配列されており、同一列にある選択トランジスタＳＴ１のドレインは、ビット線ＢＬ０〜ＢＬｎ（ｎは自然数）に共通接続される。すなわち、ビット線ＢＬ０〜ＢＬｎは、複数のメモリブロックＢＫ間で、選択トランジスタＳＴ１のドレインを共通接続する。ビット線ＢＬ０〜ＢＬｎについても、単にビット線ＢＬと呼ぶことがある。選択トランジスタＳＴ２のソースはソース線ＳＬに共通接続される。
【００２９】
なお、同一のワード線ＷＬに接続された複数のメモリセルトランジスタＭＴには一括してデータが書き込まれ、また読み出され、この単位はページと呼ばれる。更に、同一のメモリブロックＢＫ内にある複数のＮＡＮＤセル２３は、一括してデータが消去される。
【００３０】
次に、上記メモリセルアレイ１１の備えるＮＡＮＤセル２３の構成について、図３及び図４を用いて説明する。図３はＮＡＮＤセル２３のビット線方向に沿った平面図であり、図４は図３におけるＡ−Ａ’線に沿った断面図である。図３及び図４では、１つのＮＡＮＤセル２３についてのみ図示している。
【００３１】
図示するように、ｐ型半導体基板４０中には、カラム方向に沿ったストライプ形状の素子領域ＡＡが複数形成されている（図３では１つのみ示す）。素子領域ＡＡの周囲は素子分離領域ＳＴＩが取り囲み、この素子分離領域ＳＴＩによって素子領域ＡＡ間は電気的に分離されている。この素子領域ＡＡ上に、メモリセルトランジスタＭＴ及び選択トランジスタＳＴ１、ＳＴ２が形成される。
【００３２】
半導体基板４０の表面領域内にはｎ型ウェル領域４１が形成され、ｎ型ウェル領域４１の表面領域内にｐ型ウェル領域４２が形成されている。ｐ型ウェル領域４２上にはゲート絶縁膜４３が形成され、ゲート絶縁膜４３上に、メモリセルトランジスタＭＴ及び選択トランジスタＳＴ１、ＳＴ２のゲート電極が形成されている。メモリセルトランジスタＭＴ及び選択トランジスタＳＴ１、ＳＴ２のゲート電極は、ゲート絶縁膜４３上に形成された多結晶シリコン層４４、多結晶シリコン層４４上に形成されたゲート間絶縁膜４５、及びゲート間絶縁膜４５上に形成された多結晶シリコン層４６を有している。ゲート間絶縁膜４５は、例えばシリコン酸化膜、またはシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層構造であるＯＮ膜、ＮＯ膜、またはＯＮＯ膜、またはそれらを含む積層構造、またはＴｉＯ２、ＨｆＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＡｌＯｘ、ＨｆＡｌＳｉ膜とシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜との積層構造で形成される。またゲート絶縁膜４３はトンネル絶縁膜として機能するものである。
【００３３】
メモリセルトランジスタＭＴにおいては、多結晶シリコン層４４は浮遊ゲート（ＦＧ）として機能する。他方、多結晶シリコン層４６は、カラム方向に直交するロウ方向で隣接するもの同士で共通接続されており、制御ゲート（ワード線ＷＬ）として機能する。選択トランジスタＳＴ１、ＳＴ２においては、多結晶シリコン層４４、４６はワード線に沿った方向で隣接するもの同士で共通接続されている。そして、多結晶シリコン層４４、４６が、セレクトゲート線ＳＧＳ、ＳＧＤとして機能する。なお、多結晶シリコン層４４のみがセレクトゲート線として機能しても良い。この場合、選択トランジスタＳＴ１、ＳＴ２の多結晶シリコン層４６の電位は、一定の電位、またはフローティングの状態とされる。ゲート電極間に位置するウェル領域４２表面内には、ｎ＋型不純物拡散層４７が形成されている。不純物拡散層４７は隣接するトランジスタ同士で共用されており、ソース（Ｓ）またはドレイン（Ｄ）として機能する。また、隣接するソースとドレインとの間の領域は、電子の移動領域となるチャネル領域として機能する。これらのゲート電極、不純物拡散層４７、及びチャネル領域によって、メモリセルトランジスタＭＴ及び選択トランジスタＳＴ１、ＳＴ２となるＭＯＳトランジスタが形成されている。
【００３４】
半導体基板４０上には、上記メモリセルトランジスタＭＴ及び選択トランジスタＳＴ１、ＳＴ２を被覆するようにして、層間絶縁膜４８が形成されている。層間絶縁膜４８中には、ソース側の選択トランジスタＳＴ２の不純物拡散層（ソース）４７に達するコンタクトプラグＣＰ１が形成されている。そして層間絶縁膜４８上には、コンタクトプラグＣＰ１に接続される金属配線層４９が形成されている。金属配線層４９はソース線ＳＬの一部として機能する。また層間絶縁膜４８中には、ドレイン側の選択トランジスタＳＴ１の不純物拡散層（ドレイン）４７に達するコンタクトプラグＣＰ２が形成されている。そして層間絶縁膜４８上に、コンタクトプラグＣＰ２に接続される金属配線層５０が形成されている。
【００３５】
層間絶縁膜４８上には、金属配線層４９、５０を被覆するようにして、層間絶縁膜５１が形成されている。層間絶縁膜５１中には、金属配線層５０に達するコンタクトプラグＣＰ３が形成されている。そして、層間絶縁膜５１上には、複数のコンタクトプラグＣＰ３に共通に接続された、カラム方向に沿ったストライプ形状の金属配線層５２が形成されている。金属配線層５２はビット線ＢＬとして機能する。
【００３６】
次に、上記メモリセルトランジスタＭＴの閾値分布について図５を用いて説明する。図５は、横軸に閾値電圧Ｖthをとり、縦軸にメモリセルトランジスタＭＴの存在確率を示したグラフである。
【００３７】
図示するように、各々のメモリセルトランジスタＭＴは８値（8-levels）のデータ（３ビットデータ）を保持出来る。すなわちメモリセルトランジスタＭＴは、閾値電圧Ｖthの低い順に“０”、“１”、“２”、“３”、…“７”の８種のデータを保持出来る。メモリセルトランジスタＭＴにおける“０”データの閾値電圧Ｖth０は、Ｖth０＜Ｖ０１である。“１”データの閾値電圧Ｖth１は、Ｖ０１＜Ｖth１＜Ｖ１２である。“２”データの閾値電圧Ｖth２は、Ｖ１２＜Ｖth２＜Ｖ２３である。“３”データの閾値電圧Ｖth３は、Ｖ２３＜Ｖth３＜Ｖ３４である。“４”データの閾値電圧Ｖth４は、Ｖ３４＜Ｖth４＜Ｖ４５である。“５”データの閾値電圧Ｖth５は、Ｖ４５＜Ｖth５＜Ｖ５６である。“６”データの閾値電圧Ｖth６は、Ｖ５６＜Ｖth６＜Ｖ６７である。そして、“７”データの閾値電圧Ｖth７は、Ｖ６７＜Ｖth７である。
【００３８】
そして、例えば電圧Ｖ０１が０Ｖである。すなわち、“０”データの閾値電圧Ｖth０は負の値であり、“１”〜“７”データの閾値電圧Ｖth１〜Ｖth７は正の値である。しかし、０Ｖとなる読み出しレベルはＶ０１に限られるものでは無く、電圧Ｖ１２やまたはＶ２３であっても良い。また、メモリセルトランジスタＭＴが保持可能なデータは上記８値に限らず、例えば２値（１ビットデータ）、４値（２ビットデータ）、または１６値（４ビットデータ）などであっても良い。
【００３９】
＜基板・ソース間電圧制御回路について＞  
次に、上記基板・ソース間電圧制御回路２２の詳細について説明する。前述の通り基板・ソース間電圧制御回路２２は、電圧を発生してこれをソース線ＳＬに供給する。この際、特にデータの読み出し時において、基板・ソース間電圧制御回路２２は、温度モニタ回路２１から与えられる温度情報に基づいて、電圧の値を制御する。すなわち、この温度情報に基づいて、ソース線ＳＬとｐ型ウェル領域４２との間の電位差を制御する。
【００４０】
図６は、データの読み出し時において基板・ソース間電圧制御回路２２の発生する電圧Ｖsourceの温度依存性を示すグラフである。なお、図６ではウェル領域４２の電位が０Ｖである場合を仮定しており、以下ではこの場合について説明する。但し、ウェル領域４２の電位が０Ｖ以外の場合や、ソース線ＳＬと同様に温度と共に可変にされている場合には、基板・ソース間電圧制御回路２２は、Ｖsourceに相当する電位差がウェル領域４２とソース線ＳＬとの間に生じるように、ソース線ＳＬの電位を制御する。
【００４１】
図示するように、基板・ソース間電圧制御回路２２は、温度の上昇と共にＶsourceを増加させる。本実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０の動作温度範囲の最小値をＴminとし、最大値をＴmaxとすると、温度がＴminからＴmaxに上昇するにつれて、Ｖsourceはその最小値Ｖminから最大値Ｖmaxまで連続的に上昇する。
【００４２】
＜データの読み出し動作について＞  
次に、上記構成のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０における、データの読み出し動作について、図７を用いて説明する。図７は、データの読み出し時におけるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０の一部の回路図である。以下では、選択されたあるメモリブロックＢＫにおける１つのＮＡＮＤセル２３に着目し、ワード線ＷＬ１に接続されたメモリセルトランジスタＭＴ１からデータが読み出される場合について説明する。
【００４３】
まず、図示せぬセンスアンプ１２がビット線ＢＬをプリチャージし、ビット線ＢＬの電位をＶＰＲＥ（例えば０．７Ｖ＋Ｖsource）とする。基板電圧制御回路１８は、ウェル領域４２の電位ＶＰＷを０Ｖとする。また温度モニタ回路２１は、半導体基板４０（またはウェル領域４２であっても良い）の温度を検出し、これを基板・ソース間電圧制御回路２２に供給する。この温度情報と図６に示すような関係とに基づいて、ソース間電圧制御回路２２は電圧Ｖsourceを発生し、これをソース線ＳＬに印加する。
【００４４】
更に、ロウデコーダ１５はワード線ＷＬ１を選択し、ワード線ドライバ１７は選択ワード線ＷＬ１に読み出し電圧ＶＣＧＲを印加する。読み出し電圧ＶＣＧＲは、図５に示した８個のレベルのいずれを読み出すかに応じて変化し、例えば“０”レベルであるか“１”レベル以上であるかを判定する際には、電圧ＶＣＧＲとしてＶ０１が選択ワード線ＷＬ１に与えられる。
【００４５】
更にワード線ドライバ１７は、非選択ワード線ＷＬ０、ＷＬ２〜ＷＬ３１に電圧ＶＲＥＡＤを印加する。電圧ＶＲＥＡＤは、保持するデータに関わらずメモリセルトランジスタＭＴをオン状態とする電圧である。
【００４６】
更にワード線ドライバ１７は、セレクトゲート線ＳＧＤ、ＳＧＳに電圧ＶＳＧを印加する。電圧ＶＳＧは、選択トランジスタＳＴ１、ＳＴ２をオン状態とする電圧である。
【００４７】
以上の結果、非選択ワード線ＷＬ０、ＷＬ２〜ＷＬ３１に接続されたメモリセルトランジスタＭＴ０、ＭＴ２〜ＭＴ３１はオン状態となり、チャネルが形成される。また選択トランジスタＳＴ１、ＳＴ２もオン状態とされる。
【００４８】
そして、選択ワード線ＷＬ１に接続されたメモリセルトランジスタＭＴがオン状態となれば、ビット線ＢＬとソース線ＳＬとが電気的に導通状態となる。すなわち、ビット線ＢＬからソース線ＳＬへ電流が流れる。他方、オフ状態であれば、ビット線ＢＬとソース線ＳＬとは電気的に非導通状態となる。すなわち、ビット線ＢＬからソース線ＳＬへは電流は流れない。以上の動作により、全ビット線につき一括してデータが読み出される。
【００４９】
そして、ビット線ＢＬに流れる電流をセンスアンプ１２がセンスし、その電流量がある閾値Ｉthを越えたか否かによって、データを判別する。
【００５０】
＜データの書き込み動作について＞  
次に、データの書き込み動作について説明する。データの書き込み動作は、プログラム動作とベリファイ動作との繰り返しによって行われる。プログラム動作とは、メモリセルトランジスタＭＴの制御ゲート３６とチャネルとの間に電位差を発生させることにより、電荷蓄積層４４に電荷を注入する動作である。またベリファイ動作は、プログラムが行われたメモリセルトランジスタＭＴからデータを読み出すことによって、メモリセルトランジスタＭＴの閾値電圧が所望の値となっているか否かを確認する動作である。
【００５１】
上記について図８を用いて簡単に説明する。図８は、書き込み動作時における選択ワード線の電圧の時間変化を示すグラフである。図示するように、まずワード線に電圧ＶＰＧＭが与えられることでプログラム動作が行われ、その結果、電荷蓄積層４４へ電荷が注入される。その後、ベリファイ動作が行われる。すなわち、図５における各読み出しレベル（Ｖ０１、Ｖ１２、Ｖ２３、…Ｖ６７）を選択ワード線ＷＬに印加しつつ、データが読み出される。これにより、メモリセルトランジスタＭＴが所望の閾値に達したか否かが確認される。いずれかのメモリセルトランジスタＭＴが所望の閾値に達していない場合には、電圧ＶＰＧＭをステップアップさせて、再度のプログラム動作及びベリファイ動作が行われる。ベリファイ動作については、上記読み出し動作と同様であるので、ここでの説明は省略する。なお、基板・ソース間電圧制御回路２２は、ベリファイ動作時においても、読み出し動作時と同様に図６に示すような温度依存性を有する電圧Ｖsourceを発生しても良い。勿論、読み出し動作時にはＶsourceに温度依存性を持たせ、ベリファイ動作時には持たせない、という場合であっても良い。
【００５２】
図９は、データのプログラム時におけるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０の一部の回路図である。以下では、読み出し時の説明と同様に、ワード線ＷＬ１に接続されたメモリセルトランジスタＭＴ１にデータをプログラムする場合について説明する。
【００５３】
まず、図示せぬセンスアンプ１２が書き込みデータをビット線ＢＬに転送する。すなわち、電荷蓄積層４４に電荷を注入することによりメモリセルトランジスタＭＴの閾値を上昇させる際には、ビット線ＢＬに書き込み電圧（例えば０Ｖ）を印加する。他方、電荷を注入しない際には、書き込み禁止電圧（例えばＶ１＞０Ｖとする）を印加する。また基板・ソース間電圧制御回路２２及び基板電圧制御回路１８はそれぞれ、ソース線ＳＬ及びウェル領域４２に０Ｖを印加する。
【００５４】
そして、ロウデコーダ１５がワード線ＷＬ１を選択し、ワード線ドライバ１７は選択ワード線ＷＬ１に電圧ＶＰＧＭを印加し、非選択ワード線ＷＬ０、ＷＬ２〜ＷＬ３１に電圧ＶＰＡＳＳを印加する。電圧ＶＰＧＭは、電荷蓄積層４４に電荷を注入するための高電圧（例えば２０Ｖ程度）であり、ＶＰＡＳＳは、保持するデータに関わらずメモリセルトランジスタＭＴをオン状態とする電圧である。
【００５５】
更にワード線ドライバ１７は、セレクトゲート線ＳＧＤ、ＳＧＳに電圧Ｖ２、０Ｖをそれぞれ印加する。電圧Ｖ２は、ビット線ＢＬに書き込み電圧（０Ｖ）が印加されている場合には選択トランジスタＳＴ１をオンさせ、書き込み禁止電圧（Ｖ１）が印加されている場合には選択トランジスタＳＴ１をカットオフさせる電圧である。
【００５６】
以上の結果、ワード線ＷＬ０〜ＷＬ３１に接続された全メモリセルトランジスタＭＴ０〜ＭＴ３１にチャネルが形成される。そして、もしビット線ＢＬに書き込み電圧（０Ｖ）が印加されていれば、選択トランジスタＳＴ１はオン状態となり、メモリセルトランジスタＭＴ１のチャネルに書き込み電圧が転送される。その結果、メモリセルトランジスタＭＴ１では制御ゲート４６とチャネルとの間に大きな電位差が生じ、電荷が電荷蓄積層４４に注入される。他方、ビット線に書き込み禁止電圧Ｖ１が印加されていれば、選択トランジスタＳＴ１はオフ状態となり、メモリセルトランジスタＭＴ１のチャネルは電気的にフローティングとなる。そしてその電位は、制御ゲート４６とのカップリングにより、ほぼＶＰＧＭまで上昇する。その結果、制御ゲート４６とチャネルとの電位差が小さくなり、電荷の電荷蓄積層４４への注入は抑制される。
【００５７】
＜効果＞  
以上のように、この発明の第１の実施形態に係る半導体記憶装置であると、温度による閾値変化の影響を低減出来る。本効果につき、以下詳細に説明する。
【００５８】
背景技術で説明したように、メモリセルトランジスタＭＴの微細化に伴い、種々の要因によるメモリセルトランジスタＭＴの閾値ばらつきが問題となってきている。この閾値のばらつきを低減する技術として、上記のベリファイ技術が知られている。本技術を用いることで、不十分なプログラム量のメモリセルトランジスタＭＴを救済し、閾値ばらつきを十分に小さくなるよう制御できる。  
しかしながら、従来のベリファイ技術では、温度交差の問題への対応が困難であった。
【００５９】
１．温度交差問題について  
温度交差について、図１０を用いて簡単に説明する。図１０は、横軸に閾値電圧をプロットし、縦軸にメモリセルトランジスタＭＴの分布数をプロットしたグラフであり、次の２つの場合におけるメモリセルトランジスタＭＴの閾値分布を示している。  
（１）高温Ｔ２で書き込み（プログラム及びベリファイ）を行い、その後高温Ｔ２で読み出しを行った際に観測されるメモリセルトランジスタＭＴの閾値分布  
（２）高温Ｔ２で書き込みを行い、その後低温Ｔ１（＜Ｔ２）で読み出しを行った際に観測されるメモリセルトランジスタＭＴの閾値分布  
図示するように、書き込み時よりも低い温度で読み出しを行った（２）の場合の閾値分布の幅Ｗ２は、書き込み時と同じ温度で読み出しを行った（１）の場合の閾値分布の幅Ｗ１よりも大きくなる。
【００６０】
これは逆の場合も同様である。つまり、図１０には示していないが、書き込み時よりも高い温度で読み出しを行った閾値分布の幅は、書き込み時と同じ温度で読み出しを行った（１）の場合の閾値分布の幅Ｗ１よりも大きくなる。すなわち、書き込み時と異なる温度で読み出しを行った際には、閾値分布が拡がるという問題がある。これが温度交差問題である。
【００６１】
２．温度交差の原因と、それに起因する問題点  
温度交差の問題は、メモリセルトランジスタＭＴの、制御ゲート電圧に対するセル電流（ドレイン電流）の特性（以下、簡単に電流電圧特性と呼ぶ）の傾きが、温度によって変化することに起因する。この点について図１１を用いて説明する。図１１は、横軸に制御ゲート電圧Ｖcgをプロットし、縦軸にセル電流Ｉcellをプロットしたものであり、低温Ｔ１の場合と高温Ｔ２の場合につき、共にＶsource（ウェル領域４２とソース線ＳＬとの間の電位差）が０Ｖの場合と２Ｖの場合のグラフを示している。
【００６２】
図示するように、メモリセルトランジスタＭＴの電流電圧特性は、セル電流Ｉcellが制御ゲート電圧Ｖcgに応じて変化する領域では、温度が高いほどセル電流Ｉcellが流れやすい。他方、セル電流Ｉcellが制御ゲート電圧Ｖcgにかかわらずほぼ一定となる領域では、温度が低いほどセル電流Ｉcellは大きくなる。
【００６３】
また、セル電流Ｉcellが制御ゲート電圧Ｖcgに応じて変化する領域におけるセル電流Ｉcellの傾きは、低温であるほど大きい。つまり、基板温度が低下する程、セル電流Ｉcellの大きさは制御ゲート電圧Ｖcgによって大きく変化する。
【００６４】
温度交差の問題は、このように電流電圧特性の傾きが高温になるほど小さく、且つベリファイ技術が、電荷蓄積層に蓄えられる電荷分布に転化することにより閾値分布を狭める技術であることに起因している。
【００６５】
つまり、低温で書き込み（プログラム及びベリファイ）を行い、高温で読み出しを行った場合、低温におけるメモリセルトランジスタＭＴの電流電圧特性の傾きは大きいので、電荷蓄積層に蓄えられる電荷の分布は十分に狭い。しかしながら、その後高温で読み出した際には、高温における電流電圧特性の傾きが小さくなるために、閾値分布は大きくなる。つまり、閾値のばらつきが大きくなる。
【００６６】
逆の場合も同様である。高温で書き込み（プログラム及びベリファイ）を行い、低温で読み出しを行った場合、高温におけるメモリセルトランジスタＭＴの電流電圧特性の傾きは小さいので、電荷蓄積層に蓄えられる電荷の分布は広くなる。そのため、その後低温において傾きが大きくなったとしても、もともとの広い電荷分布を保持するため、閾値分布は大きくなる。つまり、閾値のばらつきが大きくなる。特にこの高温で書き込みを行い、低温で読み出しを行った場合の問題点は、従来から広く知られた問題では無く、このような問題への対策は、従来、殆どなされていない。
【００６７】
以上のように、書き込み時の温度と異なる温度で読み出しを行った際に閾値のばらつきが大きくなることは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの信頼性を低下させるおそれがある。特に、各レベルの閾値分布幅を狭くする必要のある多値ＮＡＮＤ型フラッシュメモリでは、非常に大きな問題となり得る。
【００６８】
３．温度交差への考え得る対策  
上記の温度交差の問題を解決するには、低温と高温における電流電圧特性の傾きの差を低減することが必要である。このためには、ソース線ＳＬとウェル領域４２との間に逆バイアスを印加する方法が考え得る。そしてソース線ＳＬとウェル領域４２との間に逆バイアスを加えるには、例えばウェル領域４２に負のバイアスを印加する方法が考え得る。しかし、本方法であると、ソース線ＳＬよりも大きな容量の充電を必要とする。そのため、電圧発生回路１９に使用する面積が大きくなる問題や、限られた面積で電圧発生回路１９を構成した場合に、安定した電圧を供給できないなどの問題が発生する。
【００６９】
４．本実施形態について  
そこで本実施形態では、ソース線ＳＬに電圧Ｖsourceを印加して、ウェル領域４２とソース線ＳＬとの間に電位差を発生させて、ＮＡＮＤセルのソース４７とウェル領域４２との間に逆バイアスを与えている。これにより、低温と高温における電流電圧特性の傾きの差を低減している。
【００７０】
図１１において、黒菱形印と黒三角印との比較、及び白抜き菱形印と白抜き三角印との比較から明らかなように、Ｖsourceを与えることにより、メモリセルトランジスタＭＴの電流電圧特性の傾きを大きくすることが出来る。これは、基板バイアス効果によるものである。
【００７１】
この、Ｖsourceを与えることによる傾きの制御について、より具体的に説明する。図１２は、図１１と同様にメモリセルトランジスタＭＴの電流電圧特性を示しており、低温（Ｔ１）の場合と高温（Ｔ２）の場合で、且つＶsourceが０Ｖである場合を示している。
【００７２】
図示するように、センスアンプ１２におけるデータの判定閾値電流を電流Ｉthと呼ぶことにする。そして、この電流Ｉthから電流値が１桁変化（低下）させるための制御ゲート電圧ΔＶは、スウィング（またはＳファクタ）として知られている。低温ほど傾きは大きいので、他の条件が同じであれば、低温ほどスウィングは小さくなる。
【００７３】
図１３は、低温Ｔ１におけるΔＶを１．００とした際に、高温Ｔ２におけるΔＶが、Ｖsourceによってどのように変化するかを示す表である。図示するように、Ｖsourceが０Ｖの場合には、高温Ｔ２におけるスウィングは、低温Ｔ１の１．５８倍にもなる。しかし、Ｖsourceを増加させるにつれてスウィングは小さくなり、Ｖsourceが１．５Ｖの場合には、高温Ｔ２におけるスウィングは、低温Ｔ１の１．２７倍にまで縮小される。つまり、低温時と高温時とにおける電流電圧特性の違いが、小さくなる。
【００７４】
そして、高温時と低温時との温度差が大きいほど、電流電圧特性の違い（スウィングの差）も大きくなる。従って本実施形態では、ウェル領域４２とソース線ＳＬとの間に電位差を発生させるのみならず、この電位差に温度依存性を持たせている。より具体的には、温度が高くなるほど、上記電位差を大きくしている。すなわち、スウィングの差が小さい場合には電圧Ｖsourceを小さくし、スウィングの差が大きい場合には電圧Ｖsourceを大きくする。これにより、低温時と高温時の電流電圧特性の差を縮小している。
【００７５】
その結果、プログラム時と読み出し時の温度差によりメモリセルトランジスタＭＴの閾値分布が拡がる温度交差の問題を抑制し、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの信頼性を向上出来る。
【００７６】
また、電圧Ｖsourceとして与える電圧は、温度に応じて必要な分だけで良いので、例えば温度にかかわらず一定の電圧をソース線ＳＬに与えるような場合に比べて、ソース線ＳＬとウェル領域４２との間における必要な電位差を最小限と出来る。よって、ウェル領域４２と不純物拡散層４７との間のｐｎ接合耐圧が低い場合であっても、上記効果が得られる。
【００７７】
［第２の実施形態］  
次に、この発明の第２の実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施形態は、上記第１の実施形態で説明した基板・ソース間電圧制御回路２２に関するものである。以下では、第１の実施形態と異なる点についてのみ説明する。
【００７８】
＜基板・ソース間電圧制御回路の構成例について＞  
基板・ソース線電圧制御回路２２は、温度と共に上昇する電圧Ｖsourceを発生するために、正のチャージポンプ回路を含む。図１４は、本実施形態に係る基板・ソース間電圧制御回路２２の備えるチャージポンプ回路の回路図である。
【００７９】
図示するようにチャージポンプ回路２６は、Ｎ個（Ｎは２以上の自然数）のｎチャネルＭＯＳトランジスタＭ１〜ＭＮ及びキャパシタ素子Ｃ１〜ＣＮを備えている。ＭＯＳトランジスタＭ１〜ＭＮの各々は、ゲートがドレインに接続されており、ドレインがカソードとして機能しソースがアノードとして機能するダイオードと等価である。ＭＯＳトランジスタＭ１〜ＭＮは、電流経路が順次直列接続され、言い換えれば前段のアノードが後段のカソードに接続されるようにして直列接続される。そして、１段目のＭＯＳトランジスタＭ１のドレインには電圧ＶＤＤが印加されている。
【００８０】
奇数段のＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ３、Ｍ５、…のソースには、キャパシタ素子Ｃ１、Ｃ３、Ｃ５、…を介してクロック信号ＣＬＫが入力され、偶数段のＭＯＳトランジスタＭ２、Ｍ４、Ｍ６、…のソースには、キャパシタ素子Ｃ２、Ｃ４、Ｃ６、…を介して反転クロック信号／ＣＬＫが入力される。なお、最終段のＭＯＳトランジスタＭＮのソースに接続されるキャパシタ素子ＣＮは接地されている。
【００８１】
上記構成において、各キャパシタ素子Ｃｉ（ｉは１〜（Ｎ−１）の自然数）の両端電圧をクロック信号ＣＬＫ、／ＣＬＫにより交互にブートすることで、最終段のＭＯＳトランジスタＭＮのソースから、外部電圧ＶＤＤよりも高電圧の正電圧Ｖsourceが出力される。
【００８２】
上記のようなチャージポンプ回路２６を用いることで、図１５に示す電圧Ｖsourceを得ることが出来る。図１５は、温度に対する電圧Ｖsourceの変化を示すグラフである。図示するように、電圧Ｖsourceは温度と共に、階段状にステップアップされる。
【００８３】
上記チャージポンプ回路２６は、温度モニタ回路２１のモニタ結果に制御される。すなわち、温度が低ければチャージポンプ回路２６は昇圧を停止し、高ければ昇圧を開始する。このような動作を行うために、基板・ソース間電圧制御回路２２は、チャージポンプ回路２６の他に、例えば比較器及び制御部を備え得る。制御部は、温度と、その温度に必要な電圧Ｖsourceとの関係（例えば図１５のグラフに相当するテーブル）を保持する。そして温度モニタ回路２１から現在温度を受け取り、当該温度に必要な電圧に応じた信号を出力する。比較器は、この信号と、チャージポンプ回路２６の出力電圧とを比較し、当該出力電圧が必要な電圧に達しているか否かを判定し、その結果を制御部に返す。比較器において比較される出力電圧は、例えば抵抗分割等によって降圧された電圧であっても良い。制御部は、チャージポンプ回路２６の出力電圧が必要な電圧に達していれば、クロック信号ＣＬＫ、／ＣＬＫを停止し、達していなければクロック信号ＣＬＫ、／ＣＬＫを生成する。このような構成によっても、図１５の温度特性が得られる。
【００８４】
また電圧Ｖsourceは、チャージポンプ回路２６の出力そのもので無くても良い。例えば、チャージポンプ回路２６の出力をレギュレータ回路等でレギュレートすることにより、所望の値の電圧Ｖsourceを生成しても良い。
【００８５】
＜電圧Ｖsourceについて＞  
次に、電圧Ｖsourceの別の形態について説明する。図６及び図１５では、電圧Ｖsourceが温度上昇に比例して増加する場合を例に説明したが、このような場合に限定されるものでは無い。その他の例を図１６及び図１７に示す。図１６及び図１７は、電圧Ｖsourceの温度依存性を示すグラフである。図示するように、電圧Ｖsourceと温度との間には比例関係が無くても良く、指数関数や対数関数的に変化しても良い。勿論、これらの例に限らず、図１６及び図１７のような変化で、ステップ状に増加しても良いし、電圧Ｖsourceが温度と共に上昇すれば、限定されるものではない。
【００８６】
［第３の実施形態］  
次に、この発明の第３の実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施形態は、上記第１、第２の実施形態において、温度モニタ回路２１をセンスアンプ１２のセンスレベルの制御に用いるものである。以下では、上記第１、第２の実施形態と異なる点についてのみ説明する。
【００８７】
＜ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの構成について＞  
図１８は、本実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０のブロック図である。図示するように、本実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０は、第１の実施形態で説明した図１の構成において、基板・ソース間電圧制御回路２２を廃し、新たにセンスレベル制御回路２５を設けたものである。
【００８８】
センスレベル制御回路２５はデータの読み出し時において、温度モニタ回路２１から温度情報を受信する。そして、受信した温度情報に基づいて、センスアンプ１２におけるセンスレベルを制御する。すなわち、センスアンプ１２における、メモリセルトランジスタＭＴがオンしたかオフしたかの判断レベル、すなわちデータの判定閾値を、温度に基づいて変化させる。センスレベル制御回路２５によるセンスアンプ１２のセンスレベルの変化を図１９に示す。図１９は、温度とセンスレベルＩthとの関係を示すグラフである。
【００８９】
図示するように、センスレベル制御回路２５は、温度の上昇と共にセンスレベルＩthを上昇させる。すなわち、温度がＴminからＴmaxに上昇するにつれて、Ｉthはその最小値Ｉth_minから最大値Ｉth_maxまで上昇する。
【００９０】
なお、センスレベルＩthの上昇の仕方は、第１、第２の実施形態で説明したＶsourceと同様に、図１５のような階段状に変化しても良いし、または図１６及び図１７のような指数関数や対数関数に従って変化しても良い。すなわち、センスレベルＩthが温度と共に上昇すれば、限定されるものではない。またセンスレベル制御回路２５は、データの読み出し時だけでなく、ベリファイ動作時にも同様の制御を行っても良い。
【００９１】
＜効果＞  
本実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、温度による閾値変化の影響を低減出来る。本効果につき、以下詳細に説明する。
【００９２】
第１の実施形態で説明したように、温度交差によって、メモリセルトランジスタＭＴの閾値はばらつき得る。そしてこれが誤読み出しの原因となり得る。この点について、図２０を用いて説明する。図２０は、高温Ｔ２で書き込みを行ったメモリセルトランジスタＭＴの電流電圧特性であり、低温Ｔ１及び高温Ｔ２時の特性について示している。また図２０では、低温Ｔ１及び高温Ｔ２のそれぞれについて、２本のグラフを示している。この２本のグラフは、メモリセルアレイ１１に含まれるメモリセルトランジスタＭＴのうち、最も特性の良いもの（グラフＡ１、Ａ２）と悪いもの（グラフＢ１、Ｂ２）についてのグラフである。特性の良いものほど、電流電圧特性の傾きは大きくなる。
【００９３】
高温Ｔ２についてのグラフＡ１、Ｂ１で示すように、書き込み動作は、その温度Ｔ２において、書き込み対象となる複数のメモリセルトランジスタＭＴの電流電圧特性が、センスアンプ１２のセンスレベルＩthで交差するように、行われる（交点Ｐ１）。従って、温度Ｔ２でデータを読み出す際には、閾値のばらつきは殆ど無い。
【００９４】
しかし低温Ｔ１では、このメモリセルトランジスタＭＴの電流電圧特性は、グラフＡ２、Ｂ２のように変化し、グラフＡ２、Ｂ２の交点は、よりセル電流Ｉcellの低い位置に移動する。従って、グラフＡ２、Ｂ２の特性を有するメモリセルトランジスタＭＴがセンスレベルＩthを流す制御ゲート電圧Ｖcgは、互いに異なる値となる。すなわち、閾値電圧がばらつく。そのため、ある制御ゲート電圧Ｖcgを与えた場合に、実際には共にオン状態であるにも関わらず、特性の良いメモリセルトランジスタＭＴはオン状態と判定されるが、特性の悪いメモリセルトランジスタＭＴはオフ状態と判定される、等の問題が生じる可能性がある。
【００９５】
この点、本実施形態に係る構成であると、温度に応じてセンスレベルＩthを可変にしている。より具体的には、温度の上昇と共にセンスレベルＩthも上昇させる。従って、上記問題を解決出来る。
【００９６】
図２１は、高温Ｔ２で書き込みを行ったメモリセルトランジスタＭＴの電流電圧特性であり、低温Ｔ１時及び高温Ｔ２時の特性を示している。低温Ｔ１及び高温Ｔ２についての２本のグラフは、図２０と同様に最も特性の良いもの（グラフＡ１、Ａ２）と悪いもの（グラフＢ１、Ｂ２）を示している。
【００９７】
高温Ｔ２における書き込み時には、あるセンスレベルＩthＨでグラフＡ１、Ｂ１が交差（交点Ｐ１）するようにプログラム及びベリファイが行われる。このメモリセルトランジスタＭＴの特性は、低温ではグラフＡ２、Ｂ２のように変化する。すると、温度の低下に伴って、センスレベル制御回路２５はセンスアンプ１２のセンスレベルをＩthＨからＩthＬ（＜ＩthＨ）に低下させる。その結果、閾値のばらつきが低減される。すなわち、温度に関わらずセンスレベルをＩthＨのままで一定した場合には、低温におけるばらつきはΔＶ１となるが、センスレベルをＩthＬに低下させることで、このばらつきをΔＶ２（＜ΔＶ１）にすることが出来る。
【００９８】
図２２は、低温Ｔ１で書き込みを行ったメモリセルトランジスタＭＴの電流電圧特性であり、低温Ｔ１時及び高温Ｔ２時の特性を示している。低温Ｔ１及び高温Ｔ２についての２本のグラフは、図２０と同様に最も特性の良いもの（グラフＡ３、Ａ４）と悪いもの（グラフＢ３、Ｂ４）を示している。
【００９９】
低温Ｔ１における書き込み時には、あるセンスレベルＩthＬでグラフＡ３、Ｂ３が交差（交点Ｐ２）するようにプログラム及びベリファイが行われる。このメモリセルトランジスタＭＴの特性は、高温Ｔ２ではグラフＡ４、Ｂ４のように変化する。すると、温度の上昇に伴って、センスレベル制御回路２５はセンスアンプ１２のセンスレベルをＩthＬからＩthＨ（＞ＩthＬ）に上昇させる。その結果、閾値のばらつきが低減される。すなわち、温度に関わらずセンスレベルをＩthＬのままで一定した場合には、高温におけるばらつきはΔＶ３となるが、センスレベルをＩthＨに上昇させることで、このばらつきをΔＶ４（＜ΔＶ３）にすることが出来る。
【０１００】
なお、図２１及び図２２では、ばらつき（ΔＶ２、ΔＶ４）がゼロになるようにセンスレベルを変えることが望ましいが、必ずしもゼロにならなくても、図１９のようにセンスレベルを変えることで、十分な効果が得られる。
【０１０１】
［第４の実施形態］  
次に、この発明の第４の実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施形態は、上記第３の実施形態におけるセンスアンプ１２の構成に関するものである。従って、以下ではセンスアンプ以外についての説明は省略する。
【０１０２】
図２３はセンスアンプ１２の回路図であり、図２３に示す構成がビット線ＢＬ毎に設けられる。図示するようにセンスアンプ１２は、ｎチャネルＭＯＳトランジスタ６１〜６８、ｐチャネルＭＯＳトランジスタ６９〜７２、キャパシタ素子７３、及びラッチ回路７４を備えている。
【０１０３】
ＭＯＳトランジスタ６１は、電流経路の一端が対応するビット線ＢＬに接続され、他端がセンスアンプ１２におけるノードＣＯＭ２に接続され、ゲートに信号ＢＬＣが印加される。
【０１０４】
ＭＯＳトランジスタ７０は、電流経路の一端がノードＣＯＭ２に接続され、他端が電圧ＶＳＳ（例えば０Ｖ）の印加されるノードＮ＿ＶＳＳに接続され、ゲートがノードＬＡＴに接続される。ＭＯＳトランジスタ６６は、電流経路の一端がノードＣＯＭ２に接続され、他端がノードＮ＿ＶＳＳに接続され、ゲートがノードＩＮＶに接続される。ＭＯＳトランジスタ６９は、電流経路の一端がノードＣＯＭ２に接続され、他端がノードＣＯＭ１に接続され、ゲートがノードＩＮＶに接続される。ＭＯＳトランジスタ６５は、電流経路の一端がノードＣＯＭ２に接続され、他端がノードＣＯＭ１に接続され、ゲートがノードＬＡＴに接続される。ＭＯＳトランジスタ６７は、電流経路の一端がノードＣＯＭ１に接続され、他端がノードＮ＿ＶＳＳに接続され、ゲートに信号ＳＥＴが入力される。ＭＯＳトランジスタ６２は、電流経路の一端がノードＮ＿ＶＤＤに接続され、他端がノードＣＯＭ１に接続され、ゲートに信号ＢＬＸが入力される。ノードＮ＿ＶＤＤは、電源電圧ＶＤＤ（正の電圧）が印加される。ＭＯＳトランジスタ６３は、電流経路の一端がノードＳＥＮに接続され、他端がノードＣＯＭ１に接続され、ゲートに信号ＸＸＬが入力される。ＭＯＳトランジスタ６４は、電流経路の一端がノードＮ＿ＶＤＤに接続され、他端がノードＳＥＮに接続され、ゲートに信号ＨＬＬが入力される。キャパシタ素子７３は、一方の電極がノードＳＥＮに接続され、他方の電極がノードＮ＿ＶＳＳに接続される。ＭＯＳトランジスタ６８は、電流経路の一端がノードＩＮＶに接続され、他端がノードＮ＿ＶＳＳに接続され、ゲートに信号ＲＳＴ＿ＮＣＯが入力される。ＭＯＳトランジスタ７１は、電流経路の一端がノードＩＮＶに接続され、ゲートがノードＳＥＮに接続される。ＭＯＳトランジスタ７２は、電流経路の一端がノードＮ＿ＶＤＤに接続され、他端がＭＯＳトランジスタ７１の電流経路の他端に接続され、ゲートに信号ＳＴＢｎが入力される。
【０１０５】
ラッチ回路７４は、ＭＯＳトランジスタ６８、７１の接続ノードであるノードＩＮＶにおけるデータをラッチする。すなわちラッチ回路７４は、ｎチャネルＭＯＳトランジスタ７５〜７７及びｐチャネルＭＯＳトランジスタ７８〜８０を備えている。
【０１０６】
ＭＯＳトランジスタ７５は、電流経路の一端がノードＩＮＶに接続され、ゲートに信号ＳＴＢｎが入力される。ＭＯＳトランジスタ７６は、電流経路の一端がノードＮ＿ＶＳＳに接続され、他端がＭＯＳトランジスタ７５の電流経路の他端に接続され、ゲートがノードＬＡＴに接続される。ＭＯＳトランジスタ７９は、電流経路の一端がノードＩＮＶに接続され、ゲートがノードＬＡＴに接続される。ＭＯＳトランジスタ７８は、電流経路の一端がノードＮ＿ＶＤＤに接続され、他端がＭＯＳトランジスタ７９の電流経路の他端に接続され、ゲートに信号ＲＳＴ＿ＰＣＯが入力される。ＭＯＳトランジスタ７７は、電流経路の一端がノードＮ＿ＶＳＳに接続され、他端がノードＬＡＴに接続され、ゲートがノードＩＮＶに接続される。ＭＯＳトランジスタ８０は、電流経路の一端がノードＮ＿ＶＤＤに接続され、他端がノードＬＡＴに接続され、ゲートがノードＩＮＶに接続される。
【０１０７】
上記の信号ＳＥＴ、ＲＳＴ＿ＮＣＯは、リセット動作時において“Ｈ”とすることが可能とされ、これによりノードＣＯＭ１、ＩＮＶは“Ｌ”レベル（０Ｖ）とされ、ノードＬＡＴは“Ｈ”レベル（ＶＤＤ）とされる。他方、通常動作時には“Ｈ”レベルとされ、ＭＯＳトランジスタ６７、６８はオフ状態とされる。また信号ＲＳＴ＿ＰＣＯは、リセット動作時に“Ｈ”とすることが可能とされ、通常動作時には“Ｌ”レベルとされる。
【０１０８】
次に、データの読み出し時における上記構成のセンスアンプの動作について説明する。
【０１０９】
（ＣＡＳＥ Ｉ）  
まず、メモリセルトランジスタＭＴがオン状態となる場合を、ＣＡＳＥ Ｉとして、以下説明する。  
初めにビット線ＢＬがプリチャージされる。以下では、プリチャージレベルＶＰＲＥが０．７Ｖである場合を仮定する。
【０１１０】
プリチャージにあたって、ＭＯＳトランジスタ６２がオン状態とされる。すると、ＮＡＮＤセルは導通状態にあるから、ＭＯＳトランジスタ６２、６５、６９、６１の電流経路及びノードＣＯＭ１、ＣＯＭ２を介して、ビット線ＢＬに電流が流れる。なお、初期状態においてＭＯＳトランジスタ６６、７０はオフ状態である（ＩＮＶ＝“Ｌ”、ＬＡＴ＝“Ｈ”）。その結果、ビット線ＢＬの電位は０．７Ｖ程度となる。すなわち、ビット線ＢＬからソース線ＳＬに電流を流しながら、ビット線ＢＬの電位は０．７Ｖに固定される。また、ＭＯＳトランジスタ６４がオン状態とされることで、キャパシタ素子７３が充電され、ノードＳＥＮの電位は２．５Ｖ程度となる。ＭＯＳトランジスタ７１、７２、６３はオフ状態である。
【０１１１】
次に、ノードＳＥＮのディスチャージが行われる。すなわち、ＭＯＳトランジスタ６４がオフ状態とされ、ＭＯＳトランジスタ６３がオン状態とされる。すると、ノードＳＥＮからビット線ＢＬに流れる電流によって、ノードＳＥＮが放電され、その電位は約０．９Ｖ程度に低下する。
【０１１２】
引き続き、ノードＳＥＮのディスチャージが行われる。しかし、ノードＣＯＭ１の電位が０．９Ｖ以下に低下しようとすると、ＭＯＳトランジスタ６２が電流を供給しはじめる。その結果、ノードＣＯＭ１の電位は０．９Ｖに維持される。
【０１１３】
次に、データのセンスが行われる。すなわち、ＭＯＳトランジスタ７２がオン状態とされる。また、ノードＳＥＮの電位が０．９Ｖであるので、ＭＯＳトランジスタ７１がオン状態となる。よって、ラッチ回路７４は電圧ＶＤＤを保持する。すなわち、ノードＩＮＶ＝“Ｈ”となり、ノードＬＡＴ＝“Ｌ”となる。その結果、ＭＯＳトランジスタ６６、７０がオン状態、ＭＯＳトランジスタ６５、６９がオフ状態となる。よって、ビット線ＢＬからノードＮ＿ＶＳＳに電流が流れ、ビット線ＢＬの電位は０Ｖとなる。
【０１１４】
（ＣＡＳＥ II）  
次に、メモリセルトランジスタＭＴがオフ状態となる場合をＣＡＳＥ IIとして、以下説明する。  
この場合、ビット線ＢＬに電流は流れず、０．７Ｖ一定となる。そしてノードＳＥＮの電位は、約２．５Ｖを維持する。従って、ＭＯＳトランジスタ７１はオフ状態となり、ラッチ回路７４は０Ｖを保持する。すなわち、ＩＮＶ＝“Ｌ”、ＬＡＴ＝“Ｈ”のままである。
【０１１５】
上記構成のセンスアンプ１２において、電流センスレベルＩthを変えるには、例えばＭＯＳトランジスタ７１の閾値レベルを変えることによって実現出来る。そのためには、例えばＭＯＳトランジスタのバックゲートバイアスを制御しても良い。この場合、温度上昇に従ってバックゲートバイアスを増加させ、ＭＯＳトランジスタ７１の閾値レベルを上昇させれば良い（オンさせにくくする）。これによってセンスレベルＩthが上昇することになる。
【０１１６】
または、信号ＢＬＣを制御しても良い。すなわち、温度上昇に従って信号ＢＬＣを低下させても良い。信号ＢＬＣが低下することで、ビット線ＢＬ（すなわちノードＳＥＮ）には電流が流れにくくなるため、センスレベルＩthが上昇することになる。
【０１１７】
更に別の方法では、センスアンプ１２内に抵抗素子を設け、この抵抗素子に流れる電流が温度によって変化することを利用しても良い。
【０１１８】
また、上記説明ではセンスレベルとして電流Ｉthを挙げて説明した。しかし、これは電圧で説明することも出来る。図２４は、データの読み出し時における選択ワード線ＷＬ、ノードＳＥＮ、及びソース線ＳＬの電位を示すタイミングチャートである。
【０１１９】
図示するように、ノードＳＥＮの電位は２．５Ｖに設定された後、ＭＯＳトランジスタ６４がオフ状態とされることで、電位が低下する。この時、ノードＳＥＮの電位がどこまで低下すればＭＯＳトランジスタ７１がオンするか、という電圧値ＶＳＥＮthが、センスアンプ１２のセンスレベルに相当する。従って、このＶＳＥＮthを温度と共に変化させれば良い。なお、ノードＳＥＮの電位が２．５Ｖに設定される前に、ワード線ＷＬに電圧ＶＣＧＲが印加されても良い。
【０１２０】
温度に対するＶＳＥＮthの特性を図２５に示す。図示するように、温度ＴminからＴmaxに上昇するに従って、ＶＳＥＮthは、その最大値ＶＳＥＮth_maxから最小値ＶＳＥＮth_minに向かって低下される。上記の信号ＢＬＣやバックゲートバイアスを制御することは、ＶＳＥＮthを図２５のように変化させることに相当する。
【０１２１】
［第５の実施形態］
次に、この発明の第５の実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施形態は、上記第１、第２の実施形態のいずれかと、第３、第４の実施形態のいずれかとを組み合わせたものである。
【０１２２】
図２６は、本実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０のブロック図である。図示するように、本実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０は、第１の実施形態で説明した図１の構成に、第３の実施形態において図１８を用いて説明したセンスレベル制御回路２５を追加したものである。各回路ブロックの動作は、第１乃至第４の実施形態で説明した通りである。
【０１２３】
本実施形態に係る構成であると、第１、第２の実施形態で説明した効果と、第３、第４の実施形態で説明した効果とを、併せて得られる。すなわち、例えばソース線ＳＬの電位に温度依存性を持たせるのみでは効果が十分で無いような場合であっても、センスレベルに温度依存性を持たせることで、閾値電圧のばらつきによる悪影響を、十分に抑制出来るようになる。逆もまた同様である。
【０１２４】
［第６実施形態］  
次に、この発明の第６の実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施形態は、上記第４実施形態において述べた方法と異なる方法によって、センスアンプ１２のセンスレベルＩthに温度依存性を持たせる方法に関するものである。以下では第３、第４実施形態と異なる点についてのみ説明する。
【０１２５】
＜ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの構成について＞  
図２７は、本実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０のブロック図である。図示するように本実施形態に係る構成は、第３実施形態において図１８を用いて説明した構成において、センスレベル制御回路２５が、読み出し制御回路２７及びラッチタイミング生成回路２８を備えるものである。
【０１２６】
ラッチタイミング生成回路２８は、データの読み出し時において、読み出し制御回路２７からデータラッチの開始タイミング情報を受け取り、そして読み出し制御回路２７に対してデータラッチの終了タイミング情報を供給する。より具体的には、開始タイミング情報とは、図２３で説明した構成において信号ＨＬＬを“Ｌ”レベルにする（ネゲートする）タイミング、すなわちノードＳＥＮの放電開始タイミングを示す情報である。また終了タイミング情報とは、信号ＸＸＬを“Ｌ”レベルにする（ネゲートする）タイミング、すなわちノードＳＥＮの放電停止タイミングを示す情報である。
【０１２７】
読み出し制御回路２７は、データの読み出し時において、ラッチタイミング生成回路２８から受信した終了タイミング情報に基づいて、センスアンプ１２に対してデータラッチの終了、すなわちノードＳＥＮの放電終了を命令する。より具体的には、信号ＸＸＬを“Ｌ”レベルにする。
【０１２８】
図２８は、ラッチタイミング生成回路２８の回路図である。図示するようにラッチタイミング生成回路２８は、おおまかには温度情報制御回路２９、ダミー電流生成回路３０、及びダミーセンスアンプ３１を備えている。
【０１２９】
温度情報制御回路２９は、温度モニタ回路２１から与えられる温度情報に基づいて、ある基準電流Ｉxを生成して、これをダミー電流生成回路３０に供給する。温度情報制御回路２９は、比較器３２、ｐチャネルＭＯＳトランジスタ３３、３４、抵抗素子３５、及びｎチャネルＭＯＳトランジスタ３６を備えている。
【０１３０】
比較器３２は、温度モニタ回路２１から与えられ、温度に応じた電流値を有する電流ＩＰＬＳと、基準電流Ｉxとを比較する。そして比較器３２は、電流ＩＰＬＳが基準電流Ｉxより大きい際には“Ｌ”レベルを出力し、そうでない際には“Ｈ”レベルを出力する。すなわち、比較器３２の反転入力端子（−）に電流ＩＰＬＳが入力され、正転入力端子（＋）に電流Ｉxが入力される。
【０１３１】
ＭＯＳトランジスタ３３は、ソースに電源電圧（例えばＶＤＤ）が印加され、ゲートに比較器３２の出力信号が入力され、ドレインが比較器３２の正転入力端子及び抵抗素子３５の一端に接続され、そのゲート幅はＷpである。抵抗素子３５の他端は接地される。そして、抵抗素子３５に流れる電流（ＩＰＬＳ／Ｒ）が基準電流Ｉxとなる。但しＲは抵抗素子３５の抵抗値である。
【０１３２】
ＭＯＳトランジスタ３４は、ソースに電源電圧（例えばＶＤＤ）が印加され、ゲートに比較器３２の出力信号が入力され、ドレインがＭＯＳトランジスタ３６のドレイン及びゲートに接続される。ＭＯＳトランジスタ３４のゲート幅はＷpであり、ＭＯＳトランジスタ３３のゲート幅と等しい。すなわち、ＭＯＳトランジスタ３４はＭＯＳトランジスタ３３と共にカレントミラー回路を構成する。よって、ＭＯＳトランジスタ３４のドレイン電流は基準電流Ｉxに等しい。但し、ＭＯＳトランジスタ３４のゲート幅はＭＯＳトランジスタ３３のゲート幅と異なる場合であっても良い。ＭＯＳトランジスタ３６は、そのゲート幅がＷnであり、ソースは接地される。
【０１３３】
以上の構成により、基準電流Ｉxが電流ＩＰＬＳと等しくなるように、ＭＯＳトランジスタ３３のゲート電位が制御される。すなわち、抵抗素子３５の抵抗値Ｒに基づく基準電流Ｉxは、温度に応じて適切に制御される。そしてＭＯＳトランジスタ３４は、比較器３２から与えられる電圧に応じて、ＭＯＳトランジスタ３６との接続ノードＮ１における電圧を、温度に応じて適切に制御する。
【０１３４】
次にダミー電流生成回路３０について説明する。ダミー電流生成回路３０は、直列接続された２つのＭＯＳトランジスタ３７、３８を含む組を３つ備えている。すなわちダミー電流生成回路３０は、ｎチャネルＭＯＳトランジスタ３７−１〜３７−３、３８−１〜３８−３を備えている。ＭＯＳトランジスタ３７−１〜３７−３はそれぞれゲート幅Ｗn、２Ｗn、４Ｗnを有し、ドレインがノードＮ２に共通接続され、ゲートがノードＮ１に接続されている。すなわち、基準電流Ｉxに応じた電圧が、ゲートに入力される。
【０１３５】
ＭＯＳトランジスタ３８−１〜３８−３はそれぞれ、ゲートに信号Ｂ０〜Ｂ２が入力され、ドレインがＭＯＳトランジスタ３７−１〜３７−３のソースに接続され、ソースが接地されている。信号Ｂ０〜Ｂ２は、例えば制御信号２０によって与えられる。なお、ＭＯＳトランジスタ３８−１〜３８−３のゲート幅は、それぞれＷn、２Ｗn、４Ｗnであっても良いし、または４Ｗnより大きい同一の値であっても良い。ＭＯＳトランジスタ３８−１〜３８−３はスイッチとして十分に機能できれば良い。
【０１３６】
以上の構成により、ノードＮ２に流れるダミー電流ＩＤＵＭは、以下の（１）式で与えられる。  
ＩＤＵＭ＝Ｂ０×Ｉx＋Ｂ１×２Ｉx＋Ｂ２×４Ｉx                （１）
但し、Ｂ０〜Ｂ２はそれぞれ信号Ｂ０〜Ｂ２に対応する。従って、Ｂ０＝“１”、Ｂ１＝Ｂ２＝“０”とされた場合には、ＭＯＳトランジスタ３８−１がオン状態となり、ＭＯＳトランジスタ３８−２、３８−３はオフ状態となるから、ダミー電流ＩＤＵＭ＝Ｉxとなる。また、Ｂ０＝Ｂ１＝Ｂ２＝“１”とされた場合には、ＭＯＳトランジスタ３８−１〜３８−３の全てがオン状態となるから、ダミー電流ＩＤＵＭ＝７Ｉxとなる。つまり、信号Ｂ０〜Ｂ２は、生成されるダミー電流ＩＤＵＭの上限を決めるものであり、また後述するようにセンスアンプ１２におけるセンスレベルＩthを決めるものである。
【０１３７】
なお、ＭＯＳトランジスタ３７、３８の組の数は３個に限らず、４個以上であっても良いし２個であっても良い。例えば、ｉ番目のＭＯＳトランジスタ３７−ｉのゲート幅をＷｉとし、ｉ番目のＭＯＳトランジスタ３８−ｉに信号Ｂｉが入力されるとすれば、以下の（２）式で表される。  
ＩＤＵＭ＝ΣＢｉ×（Ｗｉ／Ｗn）・Ｉx                        （２）  
但しｉ＝０〜Ｎ（Ｎは２以上の自然数）である。
【０１３８】
制御回路２０は、例えば温度が高くなるほどダミー電流ＩＤＵＭが大きくなるように信号Ｂ０〜Ｂ２を制御する。一例としては、ある温度Ｔ１未満ではＢ０＝“１”、Ｂ１＝Ｂ２＝“０”とする。またある温度範囲Ｔ２≦Ｔ＜Ｔ３では、Ｂ０＝Ｂ１＝“１”、Ｂ２＝“０”とする。制御回路２０は、このようなテーブルを予め有していても良い。
【０１３９】
次に、ダミーセンスアンプ３１の構成について説明する。ダミーセンスアンプ３１は、センスアンプ１２と同様に図２３の構成を有している。その動作は第４実施形態で説明した通りであり、ノードＮ２に流れるダミー電流ＩＤＵＭをセンスする。その際、ダミーセンスアンプ３１は、読み出し制御回路２７から与えられた開始タイミング情報に従って信号ＨＬＬを“Ｌ”レベル（ネゲート）とする。そしてダミーセンスアンプ３１は、ある閾値ＶＳＥＮthを用いてデータを判断する。ダミーセンスアンプ３１においては、この閾値ＶＳＥＮthは固定の値である。そして、ノードＳＥＮがＶＳＥＮthに達するタイミングを、終了タイミング情報として読み出し制御回路２７に出力する。
【０１４０】
なお、センスアンプ３１を図２３のラッチ回路７４のみで構成し、ダミー電流ＩＤＵＭが図２３のＭＯＳトランジスタ７１を流れる電流に相当するように構成しても良い。
【０１４１】
＜センスレベルＩthの変更方法について＞  
次に、センスアンプ１２のセンスレベルＩthを温度に応じて変更する方法について説明する。
【０１４２】
図２９は、データの読み出し時におけるワード線ＷＬ、信号ＨＬＬ、ＸＸＬ、及びノードＳＥＮの電位変化を示すタイミングチャートであり、特に選択メモリセルがオン状態となった際の様子を示している。各信号の動きは、ほぼ第４実施形態で説明した図２４の通りである。
【０１４３】
図示するように、時刻ｔ２において制御回路２０は、ノードＳＥＮをディスチャージするために信号ＨＬＬを“Ｌ”レベルとする。これがデータラッチの開始タイミングに相当する。この際、信号ＸＸＬは“Ｈ”レベル（電位ＶＸＸＬ）のままである。従って、ノードＳＥＮの電位はあるレートで低下していく。その後、時刻ｔ３において信号ＸＸＬを“Ｌ”レベルとする。これがデータラッチの終了タイミングに相当する。その結果、ＭＯＳトランジスタ６３はオフ状態となり、ノードＳＥＮの電位はある電位で一定となる。そしてＭＯＳトランジスタ７２がオン状態とされ、ノードＩＮＶ、ＬＡＴにおける電位が、それぞれ“Ｈ”レベル及び“Ｌ”レベルとなる。
【０１４４】
ここで、センスレベルＩthは、図２３のキャパシタ素子７３の容量をＣ（ＳＥＮ）とし、ＭＯＳトランジスタ７１の閾値電圧をＶthpとすると、以下の（３）式で表される。  
Ｉth＝Ｃ（ＳＥＮ）×ΔＶ／ΔＴ                          （３）  
但し、ΔＶ＝｜Ｖthp｜である。
【０１４５】
容量Ｃ（ＳＥＮ）は、通常、配線容量であるので、配線パターンにより自動的に決定される要因である。また閾値電圧Ｖthpを変化させることも容易ではない場合がある。よって本実施形態では、時間ΔＴを変化させる。時間ΔＴは、図２９における時刻ｔ２からｔ３までの期間に相当する。
【０１４６】
そこで本実施形態では、メモリセルアレイ１１におけるビット線ＢＬの放電の開始（データセンスの開始と言うことも出来る）と同時に、ラッチタイミング生成回路２８においてダミーセンスアンプ３１の動作を開始する。このダミーセンスアンプ３１で検知されるダミー電流ＩＤＵＭは、温度モニタ回路２１で検知された温度変化に依存する電流である。その後、ダミーセンスアンプ３１において、放電により電位がセンスレベルＶＳＥＮthに達したタイミングで、センスアンプ１２もビット線ＢＬの放電を終了（データセンスの終了と言うことも出来る）する。
【０１４７】
以上の動作の具体例を、図３０を用いて説明する。図３０は、データの読み出し動作時における、セル電流Ｉcell、センスアンプ１２における信号ＨＬＬ、ＸＸＬ、及びノードＳＥＮの電位と、ダミーセンスアンプ３１におけるダミー電流ＩＤＵＭ、信号ＨＬＬ、及びノードＳＥＮの電位の時間変化を示すタイミングチャートである。なお、以下では説明を簡易にする目的で、ダミーセンスアンプ３１における信号ＨＬＬを信号ＤＨＬＬと呼び、ノードＳＥＮをノードＤＳＥＮと呼ぶことにする。また、ダミーセンスアンプ３１におけるセンスレベルＶＳＥＮthをＶＤＳＥＮthと呼ぶ。
【０１４８】
図示するように、例えば時刻ｔ０においてＩcell及びＩＤＵＭが流れ始めると仮定する。両者が流れ始めるタイミングは同時でも良いし、異なっていても良い。前述の通り、ＩＤＵＭの大きさは、温度及び信号Ｂ０〜Ｂ２によって可変である。以下では、ＩＤＵＭがＩＤＵＭ１、ＩＤＵＭ２、及びＩＤＵＭ３の３つの場合を、それぞれＣＡＳＥ Ｉ、ＣＡＳＥ II、及びＣＡＳＥ IIIとして説明する。但し、ＣＡＳＥ Ｉが温度の最も高い場合であり、次にＣＡＳＥ IIが高く、ＣＡＳＥ IIIが温度の最も低い場合であり、ＩＤＵＭ１＞ＩＤＵＭ２＞ＩＤＵＭ３である。
【０１４９】
その後、時刻ｔ２においてセンスアンプ１２の信号ＨＬＬが“Ｌ”レベルとされる。これと同時に、ダミーセンスアンプ３１においても信号ＤＨＬＬが“Ｌ”レベルとされる。このタイミングについての情報は、読み出し制御回路２７からダミーセンスアンプ２８に与えられる。その結果、ノードＳＥＮ、ＤＳＥＮの電位はあるレートに従って低下する。この際、ノードＤＳＥＮの電位の低下するレートは、電流ＩＤＵＭの大きさに依存する。より具体的には、電流ＩＤＵＭが大きいほど、電位は早く低下する。従ってノードＤＳＥＮの電位は、ＣＡＳＥ Ｉでは時刻ｔ３でＶＤＳＥＮthに達する。ＣＡＳＥ IIでは、ＣＡＳＥ IIより遅く時刻ｔ４でＶＤＳＥＮthに達する。ＣＡＳＥ IIIでは、ＣＡＳＥ IIより遅く時刻ｔ５でＶＤＳＥＮthに達する。
【０１５０】
するとダミーセンスアンプ３１は、ノードＤＳＥＮの電位がＶＤＳＥＮthに達したタイミングで、その旨を終了タイミングとして読み出し制御回路２７に通知する。これにより読み出し制御回路２７は、ＣＡＳＥ Ｉでは、時刻ｔ３で信号ＸＸＬを“Ｌ”レベルとし、ＣＡＳＥ IIでは、時刻ｔ４で信号ＸＸＬを“Ｌ”レベルとし、ＣＡＳＥ IIIでは、時刻ｔ５で信号ＸＸＬを“Ｌ”レベルとする。つまり、上記（３）式で説明したΔＴは、図３０に示すように、ＣＡＳＥ ＩではΔＴ１とされ、、ＣＡＳＥ IIではΔＴ２とされ、ＣＡＳＥ IIIでは、ΔＴ３とされ、ΔＴ１＜ΔＴ２＜ΔＴ３である。
【０１５１】
このように、ダミー電流ＩＤＵＭが大きいほど、ΔＴが短くされる。ΔＴが短いほど、ノードＳＥＮの電位は高くなる。つまり、より高い電位を基準にして、センスレベルＶＳＥＮthとの比較が行われる。そしてこのことはセンスレベルＩthが上昇したこと、及び図２５のようにＶＳＥＮthが低下したことと同義である。
【０１５２】
＜効果＞  
以上のように、本実施形態に係る構成であると、温度によって異なる最適なセンスレベルＩthを用いてデータをセンス出来る。よって、温度交差によって増大する閾値分布の拡大を抑制出来る。
【０１５３】
また、本実施形態に係る構成であると、センスアンプ１２の限られた領域に新たな素子を形成する必要が無い。また、センスアンプ１２の内部に新たにウェル領域を形成する必要も無い。更に、ラッチタイミング生成回路２８を構成する要素は、半導体チップ内に少なくとも１つ形成すれば良く、個々のセンスアンプ１２毎に設ける必要はない。よって、チップ面積の増加を最小限に出来る。更に、温度変化に対して非線形に変化する電圧を生成する必要もない。これらの点で、本実施形態に係る構成は、上記第４実施形態で説明した方法に比べて、より好ましいと言うことが出来る。
【０１５４】
また本実施形態によれば、背景技術で述べた幾つかの提案に比べて優れた特性を得ることが出来る。例えば特許文献２記載の方法であると、実際のメモリセルと異なるダミーセルとダミーセンスアンプを使用する。特許文献２記載の構成であると、Ｇバイト級の超微細なＮＡＮＤ型フラッシュメモリでは、加工バラツキの影響を十分に抑制出来ない。よって、温度が変化しても、その影響はメモリセルとダミーセルとで完全に同一ではない。更に、隣接するメモリセル間の影響も考慮に入れることができない。更に、センスするタイミングは製造時に決定されるため、リファレンスとしては必ずしも適していない。
【０１５５】
また特許文献３記載の方法であると、リファレンス電流生成回路で生成した電流とセル電流とをセンスアンプで比較する。しかし、この構成では、メモリセル、リファレンス電流生成回路、及びセンスアンプの温度特性を考慮しなければならず、適切な制御はほぼ不可能である。
【０１５６】
特許文献４記載の方法では、リファレンス電流生成回路を用いることなく、センスアンプに入力されるＳＴＢ信号生成器で使用されるＭＯＳトランジスタの温度特性変化を利用する。しかし、この構成では温度交差の問題には対応できない。
【０１５７】
この点、本実施形態に係る構成であると、これらの問題を解決出来る。すなわち、ダミーセルを使用しないので、加工バラツキの影響や隣接メモリセルの影響を受けることがない。更に、信号Ｂ０〜Ｂ２はプログラマブルである。よって製造後であっても、センスタイミングを最適に調整することが可能である。また、メモリセルの温度特性のみを考慮すれば良く、簡易に且つ高精度に温度交差の問題を解消できる。
【０１５８】
なお、当然ながら本実施形態は第５実施形態にも適用出来る。また、上記実施形態ではデータの読み出し動作を例に挙げて説明したが、書き込み時に行われるベリファイ用のデータ読み出しにも同様に適用できる。更に、センスアンプ１２及びダミーセンスアンプ３１の構成は図２３に示す構成には限らず、例えば電圧をセンスする構成であっても良いし、種々の構成のセンスアンプを採用することが出来る。
【０１５９】
また、図３０における時刻ｔ３、ｔ４、ｔ５を検出する方法も、種々の技術を用いることが出来る。例えば、ダミーセンスアンプ３１においては、時刻ｔ５以降まで信号ＤＨＬＬを“Ｈ”レベルにしておき、また時刻ｔ２の時点で信号ＳＴＢｎを“Ｌ”レベルとしても良い。この場合、ノードＤＳＥＮの電位がＶＤＳＥＮthを下回ると、ノードＩＮＶの電位が“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに変化するので、これを検知しても良い。つまりΔＴは、信号ＨＬＬが“Ｌ”レベルにされた時点から、ダミーセンスアンプ３１におけるノードＩＮＶ、ＬＡＴの電位レベルが“Ｌ”、“Ｈ”レベルからそれぞれ“Ｈ”、“Ｌ”レベルに変化する時点までの期間としても良い。この場合、信号ＤＨＬＬはＨＬＬよりも遅いタイミングで“Ｌ”レベル（ネゲート）とされ、ダミーセンスアンプ３１の信号ＳＴＢｎはセンスアンプ１２の信号ＳＴＢｎよりも早いタイミングで“Ｈ”レベル（アサート）とされる。また図３０では、ノードＤＳＥＮの電位がＶＤＳＥＮthに達すると同時に信号ＸＸＬが“Ｌ”レベルとされる場合について説明したが、必ずしも同時でなくても良い。ノードＤＳＥＮの電位がＶＤＳＥＮthに達するタイミングと、信号ＸＸＬが“Ｌ”レベルとされるタイミングとの間には時間差があっても良い。すなわち、高温になるほど信号ＸＸＬが遅く“Ｌ”レベルとされる構成であれば良い。
【０１６０】
以上のように、この発明の第１乃至第６の実施形態に係る半導体記憶装置であると、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０は、温度モニタ回路２１と、ソース線電圧制御回路２２及び／またはセンスレベル制御回路２５とを備えている。温度モニタ回路２１は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリが集積された半導体チップ（半導体基板４０）の温度をモニタする。ソース線電圧制御回路２２は、データの読み出し時において、ソース線ＳＬに電圧Ｖsourceを印加することによってソース線ＳＬと半導体基板（ウェル領域４２）との間に電位差を発生させる。この際、ソース線電圧制御回路２２は、温度モニタ回路２１によってモニタされた温度の上昇に応じて前記電位差が増大するように、且つ第２選択トランジスタＳＴ２のソースと半導体基板（ウェル領域４２）との間のバイアスが逆バイアスとなるように、電圧Ｖsourceをソース線ＳＬに印加するセンスレベル制御回路２５は、データの読み出し時において、温度モニタ回路２１によってモニタされた温度の上昇に応じて、センスアンプ１２におけるセンスレベルＩthを制御する。
【０１６１】
なお、上記実施形態では、電圧Ｖsourceが正の値である場合を例に説明したが、必ずしも正の値である必要は無い。例えば、ウェル領域４２の電位ＶＰＷによっては、Ｖsourceは０Ｖや負の値であっても良い。つまり、ソース線ＳＬとウェル領域４２との間に温度に応じた電位差が発生すれば良く、この際には図６に示すようにソース線ＳＬの電位がウェル領域４２の電位よりも高ければ良い（選択トランジスタＳＴ２のソース４７とウェル領域４２との間のバイアスが逆バイアスとなれば良い）。そのためには、基板・ソース間電圧制御回路２２は、更に基板電圧制御回路１８がウェル領域４２に与える電位の情報にも基づいて、電圧Ｖsourceの値を制御しても良い。
【０１６２】
また上記実施形態では、センスアンプ１２が電流をセンスする場合について説明したが、電圧をセンスしても良い。すなわち、データの読み出し時においてセンスアンプ１２は、ビット線ＢＬをプリチャージ電位ＶＰＲＥで電気的にフローティングとし、選択ワード線ＷＬに電圧ＶＣＧＲを印加した際のビット線ＢＬの電位変化をセンスしても良い。この場合のビット線ＢＬの電位変化は、図２４におけるノードＳＥＮとして示したものに相当する。そしてこのビット線ＢＬの電位の判定閾値ＶＢＬthを制御しても良い。ＶＢＬthを制御する場合であっても、その制御の仕方は図２５と同様である。
【０１６３】
また、図６、図１６、図１７、図１９、及び図２５では、電圧Ｖsource及びセンスレベルを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの動作保証範囲の全範囲（Ｔmin〜Ｔmax）で変化させる場合を例に説明した。しかし、必ずしも全範囲で変化させなくても良い。例えば、温度の低い範囲では一定とし、ある温度以上の範囲において電圧Ｖsource及びセンスレベルを変化させても良い。逆に、温度の高い範囲では一定とし、ある温度以下の範囲において電圧Ｖsource及びセンスレベルを変化させても良い。
【０１６４】
更に、上記実施形態ではＮＡＮＤ型フラッシュメモリを例に挙げて説明した。しかし、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに限らず、ＮＯＲ型フラッシュメモリ等の他のＥＥＰＲＯＭや、温度による閾値のばらつきが問題となる半導体メモリ全般に適用可能である。
【０１６５】
なお、本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。
【符号の説明】
【０１６６】
１０…ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、１１…メモリセルアレイ、１２…データラッチ／センスアンプ、１３…Ｉ／Ｏバッファ、１４…アドレスバッファ、１５…ロウデコーダ、１６…カラムデコーダ、１７…ワード線ドライバ、１８…基板電圧制御回路、１９…電圧発生回路、２０…制御回路、２１…温度モニタ回路、２２…基板・ソース間電圧制御回路、２３…ＮＡＮＤセル、２４…セレクタ、２５…センスレベル制御回路、２６…チャージポンプ回路、２７…読み出し制御回路、２８…ラッチタイミング生成回路、２９…温度情報制御回路、３０…ダミー電流生成回路、３１…ダミーセンスアンプ、４０…半導体基板、４１、４２…ウェル領域、４３…ゲート絶縁膜、４４、４６…多結晶シリコン層、４５…ゲート間絶縁膜、４７…不純物拡散層、４８、５１…層間絶縁膜、４９、５０、５２…金属配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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