(57)【要約】【課題】種々の半導体チップをダイシングテープから容易に剥がして確実にピックアップすることのできる半導体チップのピックアップ装置を提供する。【解決手段】半導体チップ１が接着されたダイシングテープ２を搭載面Ｔの上に載せ、吸着溝Ｍ２でダイシングテープ２を下面側から吸着保持する保持台１０と、保持台１０の内部に設けられ、ダイシングテープ２を下面側から貫通して半導体チップ１を突き上げる突き上げピン２０と、ダイシングテープ２の上面側から半導体チップ１を吸着保持する吸着コレット３０とを有してなり、搭載面Ｔにおいて、ピン穴吸着溝Ｍ２ａの最短幅Ｗが、半導体チップ１の辺の長さＬｃより小さく設定されてなり、ピン穴吸着溝Ｍ２ａの半導体チップ１の直下で占める面積Ｓｍａが、半導体チップ１の面積Ｓｃの３０％以上に設定されてなるピックアップ装置１００とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシング後の半導体チップをダイシングテープから剥がしてピックアップする半導体チップのピックアップ装置であって、
前記半導体チップが接着された前記ダイシングテープを基盤部の平坦な搭載面の上に載せ、該搭載面に形成されている吸着溝でダイシングテープを下面側から真空吸引して、ダイシングテープを吸着保持する保持台と、
前記保持台の内部に設けられ、前記基盤部を貫通するピン穴を通って上昇し、前記ダイシングテープを下面側から貫通して前記半導体チップを突き上げる突き上げピンと、
前記突き上げピンの上方に設けられ、前記ダイシングテープの上面側から前記半導体チップを吸着保持する吸着コレットとを有してなり、
前記搭載面において、前記ピン穴に連結する前記吸着溝（以下、ピン穴吸着溝という）の最短幅が、前記半導体チップの四角形の直交する２辺のいずれかより小さく設定されてなり、該ピン穴吸着溝の半導体チップの直下で占める面積が、半導体チップの面積の３０％以上に設定されてなることを特徴とする半導体チップのピックアップ装置。
【請求項２】
前記搭載面において、前記ピン穴吸着溝の前記半導体チップの直下で占める面積が、半導体チップの面積の４０％以上に設定されてなることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップのピックアップ装置。
【請求項３】
前記半導体チップの直交する２辺のいずれかの長さと前記最短幅の差が、０．２ｍｍ以上に設定されてなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体チップのピックアップ装置。
【請求項４】
前記半導体チップを前記ピン穴吸着溝の外周で保持できるように、前記搭載面における該ピン穴吸着溝の形状が、半導体チップの形状より小さく設定されてなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体チップのピックアップ装置。
【請求項５】
前記ピン穴吸着溝の前記搭載面における形状が、四角形であることを特徴とする請求項４に記載の半導体チップのピックアップ装置。
【請求項６】
前記ピン穴吸着溝が、前記搭載面と直交する方向に、前記基盤部を貫通してなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体チップのピックアップ装置。
【請求項７】
前記半導体チップの面積が、４ｍｍ２以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体チップのピックアップ装置。
【請求項８】
前記突き上げピンが、前記半導体チップに対して複数本配置されてなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体チップのピックアップ装置。
【請求項９】
前記突き上げピンが、前記半導体チップに対して４本配置されてなることを特徴とする請求項８に記載の半導体チップのピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシング後の半導体チップをダイシングテープから剥がしてピックアップする、半導体チップのピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイシング後の半導体チップをダイシングテープから剥がしてピックアップする半導体チップのピックアップ装置が、例えば、特開平６−２７５６６号公報（特許文献１）、特開平８−７８４４２号公報（特許文献２）および特開平１１−２６５９２７号公報（特許文献３）に開示されている。
【０００３】
図１３は、半導体チップの従来のピックアップ装置の一例を示した図で、図１３（ａ）は、ピックアップ装置９０の模式的な断面図であり、図１３（ｂ）は、ピックアップ装置９０の要部である保持台９の上面図である。尚、図１３（ａ）は、図１３（ｂ）における一点鎖線Ａ−Ａでの断面に対応している。また、図１４は、図１３のピックアップ装置９０にワークを搭載したときの状態を示す図で、図１４（ａ）は、ワークを搭載したピックアップ装置９０の模式的な断面図であり、図１４（ｂ）は、保持台９とワークの配置関係を示した上面図である。尚、図１４（ｂ）では、図を見やすくするために吸着コレット３０の図示を省略し、半導体チップ１を透明の太線枠で図示している。
【０００４】
図１３に示す半導体チップのピックアップ装置９０は、ダイシング後の半導体チップをダイシングテープから剥がしてピックアップする装置である。図１４に示すように、ピックアップ装置９０のワークは、太線で示したダイシング後の半導体チップ１がダイシングテープ２に貼り合わされた状態にある。尚、図１４では、図を見やすくするために１個の半導体チップ１を図示しているが、実際のワークでは、図１４に示す四角形の半導体チップ１の周りに、ウエハから切断される複数個の同じ半導体チップ１が行列状に配置された状態にある。
【０００５】
図１３に示すピックアップ装置９０は、保持台９、突き上げピン２０および吸着コレット３０を有している。
【０００６】
保持台９は、図１４に示すように、半導体チップ１が接着されたダイシングテープ２を載せるための基盤部１１を有する台で、平坦な搭載面Ｔには、同心円状および放射状に形成された吸着溝Ｍ１が設けられている。吸着溝Ｍ１は、基盤部１１に形成された穴１２で保持台９の内部空間と連通しており、排気口１３には真空ポンプ（図示省略）が接続される。尚、後述のピン穴１４に連結した搭載面Ｔの中央にある吸着溝Ｍ１ａは、搭載面Ｔと直交する方向に基盤部１１を貫通して、保持台９の内部空間と連通している。ピックアップ装置９０では、図１４に示すように、吸着溝Ｍ１を介して搭載面Ｔの上に載せられたダイシングテープ２を下面側から真空吸引して、ダイシングテープ２を吸着保持する。
【０００７】
突き上げピン２０は、ダイシングテープ２を貫通して破り、半導体チップ１を下方から突き上げてダイシングテープ２から剥がすためのものである。突き上げピン２０は、保持台９の内部に設けられ、基盤部１１を貫通するピン穴１４を通って上昇し、ダイシングテープ２を下面側から貫通して、半導体チップ１を突き上げる。
【０００８】
吸着コレット３０は、突き上げピン２０の上方に設けられており、ダイシングテープ２の上面側から半導体チップ１を吸着保持する。吸着コレット３０は、突き上げピン２０と連動して半導体チップ１を上方へ引っ張り、半導体チップ１をピックアップする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平６−２７５６６号公報
【特許文献２】特開平８−７８４４２号公報
【特許文献３】特開平１１−２６５９２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図１５は、図１３と図１４に示したピックアップ装置９０の問題点を説明する図で、半導体チップ１のピックアップ動作中の様子を示した図である。
【００１１】
ピックアップ装置９０の正常動作では、図１５中に点線で示したように、ダイシングテープ２が搭載面Ｔに吸着保持されたまま、突き上げピン２０が上昇してダイシングテープ２を破る。半導体チップ１は、突き上げピン２０に突き上げられてダイシングテープ２から剥がれ、吸着コレット３０でピックアップされる。しかしながら、半導体チップ１の形状やサイズは種々であり、半導体チップ１の下方におけるダイシングテープ２の吸着力が小さいと、ダイシングテープ２の吸着力が突き上げピン２０の突き上げ力に負けてしまう。この場合には、図１５に示すようにダイシングテープ２が保持台９の搭載面Ｔから持ち上がり、半導体チップ１がダイシングテープ２から剥がれずに、吸着コレット３０が半導体チップ１をピックアップできないという問題が発生する。
【００１２】
そこで本発明は、ダイシング後の半導体チップをダイシングテープから剥がしてピックアップする半導体チップのピックアップ装置であって、種々のサイズの半導体チップをダイシングテープから容易に剥がして確実にピックアップすることのできる半導体チップのピックアップ装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１に記載の発明は、ダイシング後の半導体チップをダイシングテープから剥がしてピックアップする半導体チップのピックアップ装置であって、前記半導体チップが接着された前記ダイシングテープを基盤部の平坦な搭載面の上に載せ、該搭載面に形成されている吸着溝でダイシングテープを下面側から真空吸引して、ダイシングテープを吸着保持する保持台と、前記保持台の内部に設けられ、前記基盤部を貫通するピン穴を通って上昇し、前記ダイシングテープを下面側から貫通して前記半導体チップを突き上げる突き上げピンと、前記突き上げピンの上方に設けられ、前記ダイシングテープの上面側から前記半導体チップを吸着保持する吸着コレットとを有してなり、前記搭載面において、前記ピン穴に連結する前記吸着溝（以下、ピン穴吸着溝という）の最短幅が、前記半導体チップの四角形の直交する２辺のいずれかより小さく設定されてなり、該ピン穴吸着溝の半導体チップの直下で占める面積が、半導体チップの面積の３０％以上に設定されてなることを特徴としている。
【００１４】
ダイシング後の半導体チップをダイシングテープから剥がしてピックアップする従来のピックアップ装置においては、種々の形状やサイズの半導体チップに対応するため、ダイシングテープを吸着保持するための吸着溝が、突き上げピンを中心として保持台の搭載面にできるだけ分散するように配置されていた。このような従来のピックアップ装置にあっては、比較的小さなサイズの半導体チップをピックアップする場合、ダイシングテープが保持台の搭載面から持ち上がって、該半導体チップがダイシングテープから剥がれず、ピックアップできないという問題が発生する。
【００１５】
上記不具合は、半導体チップの下方におけるダイシングテープの吸着力が小さいため、突き上げピンの突き上げ力に負けてしまうことで起きる。従来のピックアップ装置による予備的な試験によれば、上記不具合が発生する要因は、半導体チップを接着しているダイシングテープの接着力と半導体チップの下方で吸着溝が発生する吸着力のバランス関係にあると考えられ、ダイシングテープの接着力のほうが吸着溝の吸着力より大きい場合に上記不具合が発生すると考えられる。
【００１６】
このため、上記半導体チップのピックアップ装置においては、半導体チップがダイシングで四角形に切り出されることから、搭載面において、ピン穴吸着溝の最短幅を半導体チップの四角形の直交する２辺のいずれかより小さく設定して該半導体チップを保持可能にすると共に、該ピン穴吸着溝の半導体チップの直下で占める面積を該半導体チップの面積の３０％以上に設定して、十分な吸着力が得られるようにしている。このように設定されるピン穴吸着溝によって、半導体チップを突き上げる突き上げピンの周りで、半導体チップに対するダイシングテープの接着力に打ち勝つ十分な吸着力が得られることとなり、ダイシングテープから半導体チップを容易に剥がすことができ、比較的小さなサイズの半導体チップであっても確実にピックアップすることができる。
【００１７】
以上のようにして、上記構成のピックアップ装置は、ダイシング後の半導体チップをダイシングテープから剥がしてピックアップする半導体チップのピックアップ装置であって、種々のサイズの半導体チップをダイシングテープから容易に剥がして確実にピックアップすることのできるピックアップ装置とすることができる。
【００１８】
上記ピックアップ装置においては、請求項２に記載のように、前記搭載面において、前記ピン穴吸着溝の前記半導体チップの直下で占める面積が、半導体チップの面積の４０％以上に設定されてなることがより好ましい。この場合には、ダイシングテープの接着力に対して半導体チップの下方におけるピン穴吸着溝の吸着力をより大きく確保することができるため、上記不具合をより確実に抑制して、半導体チップをダイシングテープからより確実にピックアップすることができる。
【００１９】
上記ピックアップ装置においては、請求項３に記載のように、前記半導体チップの直交する２辺のいずれかの長さと前記最短幅の差が、０．２ｍｍ以上に設定されてなることが好ましい。
【００２０】
これによれば、半導体チップが接着されたダイシングテープを搭載面の上に載せる際の位置決め精度が緩和されて搭載が容易になると共に、ダイシングテープに接着されている半導体チップを安定的に保持することができる。これによって、上記位置決めばらつきに伴う半導体チップのピン穴吸着溝への引き込みを防止することができ、より安定的にピックアップすることができる。
【００２１】
上記ピックアップ装置においては、請求項４に記載のように、前記半導体チップを前記ピン穴吸着溝の外周で保持できるように、前記搭載面における該ピン穴吸着溝の形状が、半導体チップの形状より小さく設定されてなることが好ましい。
【００２２】
これによって、半導体チップをより安定的に保持できると共に、半導体チップを突き上げる突き上げピンの周りで、該ピン穴吸着溝を介したダイシングテープの大きな吸着力を得ることができる。
【００２３】
また、この場合には請求項５に記載のように、ダイシングで切り出される半導体チップが四角形であることから、前記ピン穴吸着溝の前記搭載面における形状も、四角形であることが好ましい。これによって、半導体チップを該ピン穴吸着溝の外周に沿った所定の幅で安定的に保持できると共に、搭載面における該ピン穴吸着溝の面積を広くできるため、該ピン穴吸着溝を介したダイシングテープの吸着力を最大化させることができる。
【００２４】
上記ピックアップ装置においては、請求項６に記載のように、前記ピン穴吸着溝が、前記搭載面と直交する方向に、前記基盤部を貫通してなることが好ましい。
【００２５】
これによれば、ピン穴吸着溝の排気経路の開口面積が最大となるため、該ピン穴吸着溝の排気速度が上り、ダイシングテープの保持に要する時間を短くすることができる。
【００２６】
上記ピックアップ装置は、特に請求項７に記載のように、前記半導体チップの面積が、４ｍｍ２以下である場合に好適である。
【００２７】
突き上げピンを中心として吸着溝が保持台の搭載面にできるだけ分散するように配置されている従来のピックアップ装置にあっては、特に面積が４ｍｍ２以下の小さなサイズの半導体チップをピックアップする場合に、不具合が発生し易い。これに対して、ピン穴吸着溝の半導体チップの直下で占める面積が３０％以上に設定されてなる上記ピックアップ装置によれば、面積が４ｍｍ２以下の小さなサイズの半導体チップであっても、確実にピックアップすることができる。
【００２８】
上記ピックアップ装置は、請求項８に記載のように、前記突き上げピンが、前記半導体チップに対して複数本配置されてなる構成としてもよい。突き上げピンを複数本とすることで、特に大きなサイズや縦横比の大きな半導体チップの場合に、安定的に突き上げてピックアップすることができる。
【００２９】
この場合、大きなサイズや縦横比の大きな半導体チップを安定的に突き上げるには、請求項９に記載のように、前記突き上げピンが、前記半導体チップに対して４本配置されてなる構成が好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】従来のピックアップ装置９０を用い、図１５の不具合の発生状況を調べた結果である。（ａ）は、保持台９と半導体チップ１の配置関係のパラメータである吸着溝面積率Ｋを説明する図であり、（ｂ）は、サイズの異なる各半導体チップ１の吸着溝面積率Ｋとピックアップ結果をまとめて示した図である。
【図２】本発明に係る半導体チップのピックアップ装置の一例を示した図で、（ａ）は、ピックアップ装置１００の模式的な断面図であり、（ｂ）は、ピックアップ装置１００の要部である保持台１０の上面図である。
【図３】図２のピックアップ装置１００にワークを搭載したときの状態を示す図で、（ａ）は、ワークを搭載したピックアップ装置１００の模式的な断面図であり、（ｂ）は、保持台１０とワークの配置関係を示した上面図である。
【図４】ピックアップ装置１００による、半導体チップ１のピックアップ動作中の様子を示した図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、ピックアップ試験に用いたピン穴吸着溝Ｍ２ａ〜Ｍ５ａを示した上面図である。
【図６】図５（ａ）〜（ｄ）に示した各ピン穴吸着溝Ｍ２ａ〜Ｍ５ａの保持台を用いて半導体チップ１のピックアップ試験を行い、ピン穴吸着溝面積率Ｋｐと半導体チップ１のピックアップ率の関係をまとめた図である。
【図７】図５（ａ）に示した半導体チップ１をピン穴吸着溝Ｍ２ａの外周で保持するタイプにおいて、支持幅Ｌを変えたときのピックアップ試験を行い、支持幅Ｌと半導体チップ１のピックアップ率の関係をまとめた図である。
【図８】別のピックアップ装置の例を示した図で、（ａ）は、ピックアップ装置１００ａの模式的な断面図であり、（ｂ）は、ピックアップ装置１００ａの要部である保持台１０ａの上面図である。
【図９】（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ、ピン穴吸着溝Ｍ６ａ〜Ｍ１１ａを示した上面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ、別のピン穴吸着溝Ｍ１２ａ〜Ｍ１７ａを示した上面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、別のピン穴吸着溝Ｍ１８ａ〜Ｍ２１ａを示した上面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ、別のピン穴吸着溝Ｍ２２ａ〜Ｍ２６ａを示した上面図で、半導体チップ１，１ａ〜１ｃに対する突き上げピン２０を４本としている。
【図１３】半導体チップの従来のピックアップ装置の一例を示した図で、（ａ）は、ピックアップ装置９０の模式的な断面図であり、（ｂ）は、ピックアップ装置９０の要部である保持台９の上面図である。
【図１４】図１３のピックアップ装置９０にワークを搭載したときの状態を示す図で、（ａ）は、ワークを搭載したピックアップ装置９０の模式的な断面図であり、（ｂ）は、保持台９とワークの配置関係を示した上面図である。
【図１５】図１３と図１４に示したピックアップ装置９０の問題点を説明する図で、半導体チップ１のピックアップ動作中の様子を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明は、ダイシング後の半導体チップをダイシングテープから剥がしてピックアップする、半導体チップのピックアップ装置に関する。
【００３２】
最初に、従来のピックアップ装置について、図１５で説明した不具合の発生状況およびその要因について検討した結果を説明しておく。
【００３３】
図１は、図１３と図１４に示した従来のピックアップ装置９０を用い、サイズ（辺の長さＬｃ）の異なる正方形の半導体チップ１をそれぞれピックアップして、図１５の不具合の発生状況を調べた結果である。図１（ａ）は、保持台９と半導体チップ１の配置関係のパラメータである吸着溝面積率Ｋを説明する図である。尚、図１（ａ）は、図１４（ｂ）にあるダイシングテープ２の図示を省略して、保持台９の平坦な搭載面Ｔ、吸着溝Ｍ１、突き上げピン２０および半導体チップ１の配置関係を見易くした図となっている。また、図１（ｂ）は、サイズの異なる各半導体チップ１の吸着溝面積率Ｋとピックアップ結果をまとめて示した図である。
【００３４】
図１（ａ）に示すように、中心が突き上げピン２０の直上に位置するように半導体チップ１を配置して、サイズの異なる各半導体チップ１のピックアップ試験を実施した。また、図１（ｂ）に示したピックアップ試験の評価結果をまとめるにあたっては、半導体チップ１の面積をＳｃ、半導体チップ１の直下に含まれる吸着溝Ｍ１の面積をＳｍとして、（Ｓｍ／Ｓｃ）×１００で吸着溝面積率Ｋを定義している。
【００３５】
先に説明したように、図１５の不具合は、半導体チップ１の下方におけるダイシングテープ２の吸着力が小さいため、突き上げピン２０の突き上げ力に負けてしまうことで起きる。この不具合の要因は、半導体チップ１を接着しているダイシングテープ２の接着力と半導体チップ１の下方で吸着溝Ｍ１が発生する吸着力のバランス関係にあると考えられ、ダイシングテープ２の接着力のほうが吸着溝Ｍ１の吸着力より大きいと図１５の不具合が発生すると考えられる。半導体チップ１を接着しているダイシングテープ２の接着力と半導体チップ１の下方で吸着溝Ｍ１が発生する吸着力は、それぞれ、半導体チップ１の面積Ｓｃと半導体チップ１の直下に含まれる吸着溝Ｍ１の面積Ｓｍに比例する値である。このため、これらの比である吸着溝面積率Ｋで、図１（ｂ）のピックアップ評価結果をまとめている。
【００３６】
図１（ｂ）において、×印の点が図１５の不具合が多く発生した試料であり、白抜きの三角印の点が図１５の不具合が時々発生した試料であり、白抜きの丸印の点が図１５の不具合が発生しなかった試料である。図１（ｂ）にみられるように、従来のピックアップ装置９０による試験では、２ｍｍ角以下の比較的小さなサイズ（吸着溝面積率Ｋ：３０％以下）の半導体チップ１の試料で、図１５の不具合が多発した。また、吸着溝面積率Ｋが３０％より大きく４０％より小さい試料では、図１５の不具合が時々発生し、吸着溝面積率Ｋが４０％以上の試料では図１５の不具合が発生しなかった。
【００３７】
以上の従来のピックアップ装置９０を用いた予備的な試験から、図１５の不具合を抑制するためには、２ｍｍ角以下の比較的小さなサイズの半導体チップ１についても、３０％以上の吸着溝面積率Ｋ、できれば４０％以上の吸着溝面積率Ｋを確保することが重要であることがわかる。
【００３８】
次に、上記予備的な試験結果を基にして発明された、本発明に係る半導体チップのピックアップ装置の実施形態を、図に基づいて説明する。
【００３９】
図２は、本発明に係る半導体チップのピックアップ装置の一例を示した図で、図２（ａ）は、ピックアップ装置１００の模式的な断面図であり、図２（ｂ）は、ピックアップ装置１００の要部である保持台１０の上面図である。尚、図２（ａ）は、図２（ｂ）における一点鎖線Ｂ−Ｂでの断面に対応している。また、図２に示すピックアップ装置１００において、図１３に示したピックアップ装置９０と同様の部分については、同じ符号を付した。
【００４０】
図３は、図２のピックアップ装置１００にワークを搭載したときの状態を示す図で、図３（ａ）は、ワークを搭載したピックアップ装置１００の模式的な断面図であり、図３（ｂ）は、保持台１０とワークの配置関係を示した上面図である。尚、図３（ｂ）では、図を見やすくするために吸着コレット３０の図示を省略し、半導体チップ１を透明の太線枠で図示している。また、図４は、ピックアップ装置１００による、半導体チップ１のピックアップ動作中の様子を示した図である。
【００４１】
ピックアップ装置１００についての図２〜図４は、それぞれ、従来のピックアップ装置９０についての図１３〜図１５に対応した図となっている。図２〜図４に示すピックアップ装置１００は、図１３〜図１５に示したピックアップ装置９０と比較して、以下に示すように、保持台１０の搭載面Ｔにおいて、中央にあるピン穴１５に連結した吸着溝（以下、ピン穴吸着溝という）Ｍ２ａだけが異なった形状およびサイズとなっている。
【００４２】
図２に示す半導体チップのピックアップ装置１００は、図１３に示したピックアップ装置９０と同様に、ダイシング後の半導体チップ１をダイシングテープ２から剥がしてピックアップする半導体チップのピックアップ装置であって、保持台１０、突き上げピン２０および吸着コレット３０を有している。
【００４３】
ピックアップ装置１００の保持台１０は、図３に示すように、半導体チップ１が接着されたダイシングテープ２を基盤部１１の平坦な搭載面Ｔの上に載せ、該搭載面Ｔに形成されている吸着溝Ｍ２でダイシングテープ２を下面側から真空吸引して、ダイシングテープを吸着保持する。ピックアップ装置１００の突き上げピン２０は、保持台１０の内部に設けられ、図４に示すように、基盤部１１を貫通するピン穴１５を通って上昇し、ダイシングテープ２を下面側から貫通して半導体チップ１を突き上げる。また、ピックアップ装置１００の吸着コレット３０は、突き上げピン２０の上方に設けられ、図４に示すように、ダイシングテープ２の上面側から半導体チップ１を吸着保持する。
【００４４】
一方、図２のピックアップ装置１００において保持台１０の搭載面Ｔに形成されている吸着溝Ｍ２は、図１３のピックアップ装置９０において保持台９の搭載面Ｔに形成されている吸着溝Ｍ１と比較して、中央にあるピン穴吸着溝の形状とサイズが異なっている。図２のピックアップ装置１００では、正方形の半導体チップ１に対応し正方形の大きなピン穴吸着溝Ｍ２ａが形成されているのに対し、図１３のピックアップ装置９０では、ピン穴１４に連結する円形の小さなピン穴吸着溝Ｍ１ａが形成されている。
【００４５】
また、ピックアップ装置１００では、図３（ｂ）に示すように、保持台１０の搭載面Ｔにおいて、ピン穴吸着溝Ｍ２ａの最短幅Ｗが、正方形の半導体チップ１の辺の長さＬｃより小さく設定されている。尚、図２と図３に示す保持台１０は、正方形の半導体チップ１に対応して設定されているが、ダイシングによって切り出される半導体チップが一般的に長方形である場合には、ピン穴吸着溝の最短幅Ｗを、該長方形の半導体チップの直交する２辺のいずれかより小さく設定する。また、ピックアップ装置１００では、図３（ｂ）に示すように、保持台１０の搭載面Ｔにおいて、ピン穴吸着溝Ｍ２ａの半導体チップ１の直下で占める面積Ｓｍａが、半導体チップ１の面積Ｓｃの３０％以上に設定されている。すなわち、図３（ｂ）に示すピン穴吸着溝面積率Ｋｐ＝（Ｓｍａ／Ｓｃ）×１００が、Ｋｐ≧３０である。
【００４６】
図１３〜図１５で説明したように、ダイシング後の半導体チップ１をダイシングテープ２から剥がしてピックアップする従来のピックアップ装置９０においては、種々の形状やサイズの半導体チップ１に対応するため、ダイシングテープ２を吸着保持するための吸着溝Ｍ１が、突き上げピン２０を中心として保持台９の搭載面Ｔにできるだけ分散するように配置されていた。このような従来のピックアップ装置９０にあっては、比較的小さなサイズの半導体チップ１をピックアップする場合、図１５に示したダイシングテープ２が保持台９の搭載面Ｔから持ち上がって、該半導体チップ１がダイシングテープ２から剥がれず、ピックアップできないという問題が発生する。
【００４７】
上記不具合は、半導体チップ１の下方におけるダイシングテープ２の吸着力が小さいため、突き上げピン２０の突き上げ力に負けてしまうことで起きる。前述したように、図１に示した従来のピックアップ装置９０による予備的な試験によれば、上記不具合が発生する要因は、半導体チップ１を接着しているダイシングテープ２の接着力と半導体チップ１の下方で吸着溝Ｍ１が発生する吸着力のバランス関係にあると考えられ、ダイシングテープ２の接着力のほうが吸着溝Ｍ１の吸着力より大きい場合に上記不具合が発生すると考えられる。
【００４８】
このため、図２〜図４に示した半導体チップ１のピックアップ装置１００においては、半導体チップ１がダイシングで四角形に切り出されることから、搭載面Ｔにおいて、ピン穴吸着溝Ｍ２ａの最短幅Ｗを半導体チップ１の四角形の直交する２辺のいずれかより小さく設定して該半導体チップ１を保持可能にすると共に、該ピン穴吸着溝Ｍ２ａの半導体チップ１の直下で占める面積Ｓｍａを該半導体チップ１の面積Ｓｃの３０％以上に設定して十分な吸着力が得られるようにしている。このように設定されるピン穴吸着溝Ｍ２ａによって、半導体チップ１を突き上げる突き上げピン２０の周りで、半導体チップ１に対するダイシングテープ２の接着力に打ち勝つ十分な吸着力が得られることとなり、ダイシングテープ２から半導体チップ１を容易に剥がすことができ、比較的小さなサイズの半導体チップ１であっても確実にピックアップすることができる。
【００４９】
以上のようにして、上記構成のピックアップ装置１００は、ダイシング後の半導体チップをダイシングテープから剥がしてピックアップする半導体チップのピックアップ装置であって、種々のサイズの半導体チップをダイシングテープから容易に剥がして確実にピックアップすることのできるピックアップ装置とすることができる。
【００５０】
次に、上記ピックアップ装置１００におけるピン穴吸着溝Ｍ２ａの最短幅Ｗの設定条件（Ｗ＜Ｌｃ）とピン穴吸着溝面積率Ｋｐの設定条件（Ｋｐ≧３０）を導き出した、ピックアップ試験について説明する。このピックアップ試験は、図１の従来のピックアップ装置９０を用いたピックアップ試験において不具合が多発した１．４ｍｍ角の半導体チップ１に対して、形状とサイズの異なる各種ピン穴吸着溝により、該半導体チップ１のピックアップ率を評価したものである。
【００５１】
図５（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、上記ピックアップ試験に用いたピン穴吸着溝Ｍ２ａ〜Ｍ５ａを示した上面図で、半導体チップ１の支持幅Ｌと図３（ｂ）で説明したピン穴吸着溝面積率Ｋｐが示されている。尚、図５は、図３（ｂ）にあるダイシングテープ２の図示を省略して、各保持台の平坦な搭載面Ｔ、ピン穴吸着溝Ｍ２ａ〜Ｍ５ａ、突き上げピン２０および半導体チップ１の配置関係を見易くした図となっている。また、図５（ａ）〜（ｄ）では、ピン穴吸着溝Ｍ２ａ〜Ｍ５ａの半導体チップ１の外側における形状はそれほど重要でないため、半導体チップ１の内側における形状（半導体チップ１の直下に位置する形状）だけが示されている。
【００５２】
図５（ａ）のピン穴吸着溝Ｍ２ａは、搭載面Ｔにおいて、四角形の形状を有している。図５（ａ）のピン穴吸着溝Ｍ２ａでは、半導体チップ１を該ピン穴吸着溝Ｍ２ａの外周全体で保持できるように、搭載面Ｔにおけるピン穴吸着溝Ｍ２ａの形状は、半導体チップ１の形状より小さく設定されている。これによって、半導体チップ１を安定的に保持できると共に、半導体チップ１を突き上げる突き上げピン２０の周りで、該ピン穴吸着溝Ｍ２ａを介したダイシングテープ２の大きな吸着力を得ることができる。
【００５３】
また、図５（ｂ）のピン穴吸着溝Ｍ３ａは、半導体チップ１が対向する２辺の全長で支持される形状となっている。図５（ｃ）のピン穴吸着溝Ｍ４ａは、半導体チップ１が対向する２辺の一部で支持される形状となっている。図５（ｄ）のピン穴吸着溝Ｍ５ａは、半導体チップ１が対向する２辺の一方の辺における中央部ともう一方の辺における両端部で支持される形状となっている。図５（ｂ）〜図５（ｄ）に示すピン穴吸着溝Ｍ３ａ〜Ｍ５ａについても、半導体チップ１の保持の安定性は図５（ａ）のピン穴吸着溝Ｍ２ａに劣るものの、該ピン穴吸着溝Ｍ３ａ〜Ｍ５ａを介したダイシングテープ２の大きな吸着力を得ることが可能である。
【００５４】
図６は、図５（ａ）〜（ｄ）に示した各ピン穴吸着溝Ｍ２ａ〜Ｍ５ａの保持台を用いて半導体チップ１のピックアップ試験を行い、ピン穴吸着溝面積率Ｋｐと半導体チップ１のピックアップ率の関係をまとめた図である。
【００５５】
図６に示すように、ピン穴吸着溝面積率Ｋｐが３０％以上の保持台については、図１のピックアップ試験において不具合が多発した１．４ｍｍ角の小さな半導体チップ１であっても、１００％のピックアップ率（図１５の不具合発生率が０％）が得られた。この評価結果を基にして、図２〜図４に示すピックアップ装置１００において、先の図３（ｂ）で説明したピン穴吸着溝面積率Ｋｐ＝（Ｓｍａ／Ｓｃ）×１００≧３０の設定条件が導き出された。
【００５６】
尚、図６の試験においては、ピン穴吸着溝面積率Ｋｐが３０％以上の保持台で、１００％のピックアップ率が得られることから、この試験結果は、図１の従来のピックアップ装置９０を用いた試験において吸着溝面積率Ｋが３０％より大きい試料で図１５の不具合が少なくなったことに対応していると考えられる。すなわち、半導体チップ１の形状やサイズが任意であっても、その面積に対して３０％以上の吸着溝面積率Ｋが得られれば、半導体チップ１を接着しているダイシングテープ２の接着力に対して半導体チップ１の下方で吸着溝が発生する吸着力が十分大きくなり、確実にピックアップできるようになると考えられる。
【００５７】
従って、図１の従来のピックアップ装置９０を用いた試験において吸着溝面積率Ｋが４０％より大きい試料で図１５の不具合が発生していないことから、図２〜図４に示したピックアップ装置１００においても、搭載面Ｔにおいて、ピン穴吸着溝Ｍ２ａの半導体チップ１の直下で占める面積Ｓｍａが、半導体チップ１の面積Ｓｃの４０％以上に設定されてなることがより好ましい。この場合には、ダイシングテープ２の接着力に対して半導体チップ１の下方におけるピン穴吸着溝Ｍ２ａの吸着力をより大きく確保することができるため、上記図１５の不具合をより確実に抑制して、半導体チップ１をダイシングテープ２からより確実にピックアップすることができる。
【００５８】
また、図２〜図４に示したピックアップ装置１００は、従来のピックアップ装置９０を用いた図１の試験において不具合が多発した、２ｍｍ角以下の小さな半導体チップ１、すなわち、面積が４ｍｍ２以下の小さな半導体チップ１に好適である。図１３に示した突き上げピン２０を中心として吸着溝Ｍ１が保持台９の搭載面Ｔにできるだけ分散するように配置されている従来のピックアップ装置９０にあっては、特に面積が４ｍｍ２以下の小さなサイズの半導体チップ１をピックアップする場合に、図１５に示した不具合が発生し易い。これに対して、図２と図３に示すピン穴吸着溝Ｍ２ａの半導体チップ１の直下で占める面積が３０％以上に設定されたピックアップ装置１００によれば、面積が４ｍｍ２以下の小さなサイズの半導体チップ１であっても、確実にピックアップすることができる。
【００５９】
図７は、図５（ａ）に示した半導体チップ１をピン穴吸着溝Ｍ２ａの外周で保持するタイプにおいて、支持幅Ｌを変えたときのピックアップ試験を行い、支持幅Ｌと半導体チップ１のピックアップ率の関係をまとめた図である。
【００６０】
図７に示すように、支持幅Ｌが０．１ｍｍより小さな場合、言い換えれば半導体チップ１の辺の長さＬｃとピン穴吸着溝Ｍ２ａの最短幅Ｗの差が０．２ｍｍより小さく設定されている場合には、半導体チップ１の保持が不安定となり、ピックアップ率が１００％より低下した。特に支持幅Ｌが０．０５ｍｍ以下になると、ピン穴吸着溝Ｍ２ａに対する半導体チップ１の位置決めばらつきで、半導体チップ１が接着されたダイシングテープ２の一端がピン穴吸着溝Ｍ２ａに引き込まれてズレ落ち、半導体チップ１が傾いて正常にピックアップできなくなる不具合が増加した。
【００６１】
従って、図７の結果からわかるように、図２〜図４に示したピックアップ装置１００においても、半導体チップ１の辺の長さＬｃとピン穴吸着溝Ｍ２ａの最短幅Ｗの差が０．２ｍｍ以上に設定されていることが好ましい。また、ダイシングによって切り出される半導体チップが一般的に長方形である場合には、半導体チップの直交する２辺のいずれかの長さとピン穴吸着溝の最短幅の差が、０．２ｍｍ以上に設定されていることが好ましい。
【００６２】
これによれば、半導体チップ１が接着されたダイシングテープ２を搭載面の上に載せる際の位置決め精度が緩和されて搭載が容易になると共に、ダイシングテープ２に接着されている半導体チップ１を安定的に保持することができる。これによって、上記位置決めばらつきに伴う半導体チップ１のピン穴吸着溝Ｍ２ａへの引き込みを防止することができ、より安定的にピックアップすることができる。
【００６３】
次に、図２〜図４に示したピックアップ装置１００の変形例について説明する。
【００６４】
図８は、別のピックアップ装置の例を示した図で、図８（ａ）は、ピックアップ装置１００ａの模式的な断面図であり、図８（ｂ）は、ピックアップ装置１００ａの要部である保持台１０ａの上面図である。尚、図８（ａ）は、図８（ｂ）における一点鎖線Ｃ−Ｃでの断面に対応している。また、図８に示すピックアップ装置１００ａにおいて、図２に示したピックアップ装置１００と同様の部分については、同じ符号を付した。
【００６５】
図２のピックアップ装置１００においては、保持台１０の搭載面Ｔに形成されているピン穴吸着溝Ｍ２ａが、搭載面Ｔと直交する方向に、基盤部１１を貫通している。これに対して、図８のピックアップ装置１００ａにおいては、保持台１０ａの搭載面Ｔに、同じ形状とサイズのピン穴吸着溝Ｍ２ｂが形成されている。しかしながら、該ピン穴吸着溝Ｍ２ｂは搭載面Ｔと直交する方向に基盤部１１を貫通しておらず、突き上げピン２０の周りには、基盤部１１を貫通する小さな口径のピン穴１５ａが形成されている。
【００６６】
半導体チップ１が接着されたダイシングテープ２の吸着保持に要する時間を短くするには、図２のピックアップ装置１００のように、ピン穴吸着溝Ｍ２ａが、搭載面Ｔと直交する方向に、基盤部１１を貫通していることが好ましい。これによれば、ピン穴吸着溝Ｍ２ａの排気経路の開口面積が最大となるため、該ピン穴吸着溝Ｍ２ａの排気速度が上り、ダイシングテープ２の保持に要する時間を短くすることができる。これに対して、図８のピックアップ装置１００ａのように、突き上げピン２０の周りに小さな口径のピン穴１５ａを形成した場合には、ピン穴吸着溝Ｍ２ａの排気速度が低くなるものの、ピン穴１５ａを突き上げピン２０の保護管とすることができる。
【００６７】
図９（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ、ピン穴吸着溝Ｍ６ａ〜Ｍ１１ａを示した上面図である。図９は、図５と同様に、ダイシングテープ２の図示を省略して、搭載面Ｔ、ピン穴吸着溝Ｍ６ａ〜Ｍ１１ａ、突き上げピン２０および半導体チップ１の配置関係を見易くした図となっている。
【００６８】
図９（ａ）のピン穴吸着溝Ｍ６ａは、搭載面Ｔにおいて、角が丸められた四角形の形状を有している。図９（ｂ）のピン穴吸着溝Ｍ７ａは、搭載面Ｔにおいて、楕円形状を有している。図９（ｃ）のピン穴吸着溝Ｍ８ａは、搭載面Ｔにおいて、円形状を有している。図９（ｄ）のピン穴吸着溝Ｍ９ａは、搭載面Ｔにおいて、多角形の形状を有している。図９（ｅ）のピン穴吸着溝Ｍ１０ａは、搭載面Ｔにおいて、十字形の形状を有している。図９（ｆ）のピン穴吸着溝Ｍ１１ａは、搭載面Ｔにおいて、菱形の形状を有している。
【００６９】
図９（ａ）〜（ｆ）に示すピン穴吸着溝Ｍ６ａ〜Ｍ１１ａは、いずれも、図５（ａ）に示した搭載面Ｔにおいて四角形の形状を有するピン穴吸着溝Ｍ２ａと同様に、半導体チップ１をピン穴吸着溝Ｍ６ａ〜Ｍ１１ａの外周全体で保持できるように、搭載面Ｔにおける該ピン穴吸着溝Ｍ６ａ〜Ｍ１１ａの形状が、半導体チップの形状より小さく設定されている。これによって、半導体チップ１を安定的に保持できると共に、半導体チップ１を突き上げる突き上げピン２０の周りで、該ピン穴吸着溝Ｍ６ａ〜Ｍ１１ａを介したダイシングテープ２の大きな吸着力を得ることができる。
【００７０】
図５（ａ）のピン穴吸着溝Ｍ２ａと図９（ａ）〜（ｆ）のピン穴吸着溝Ｍ６ａ〜Ｍ１１ａを較べると、ダイシングで切り出される半導体チップが四角形であることから、吸着力を最大化できるという点では、図５（ａ）のピン穴吸着溝Ｍ２ａのように、ピン穴吸着溝の搭載面Ｔにおける形状も、半導体チップと同じ四角形であることが好ましい。これによって、半導体チップを該ピン穴吸着溝の外周に沿った所定の幅で安定的に保持できると共に、搭載面Ｔにおける該ピン穴吸着溝の面積を広く設定して、該ピン穴吸着溝を介したダイシングテープの吸着力を最大化させることができる。一方、半導体チップの縦横比、サイズおよび厚さ等によっては、該半導体チップを安定的に保持するため、図９（ａ）〜（ｆ）のピン穴吸着溝Ｍ６ａ〜Ｍ１１ａの中から好ましい形状を選択するようにしてもよい。
【００７１】
図１０（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ、別のピン穴吸着溝Ｍ１２ａ〜Ｍ１７ａを示した上面図である。
【００７２】
図１０（ａ）のピン穴吸着溝Ｍ１２ａでは、搭載面Ｔの支持部が半導体チップ１の４辺のほとんどを支持する形状となっている。図１０（ｂ）のピン穴吸着溝Ｍ１３ａでは、搭載面Ｔの支持部が半導体チップ１の３辺を支持する形状となっている。図１０（ｃ）のピン穴吸着溝Ｍ１４ａでは、搭載面Ｔの支持部が半導体チップ１の４つの角部を支持する形状となっている。図１０（ｄ）のピン穴吸着溝Ｍ１５ａでは、搭載面Ｔの支持部が半導体チップ１の４辺の一部を支持するように配置された形状となっている。図１０（ｅ）のピン穴吸着溝Ｍ１６ａでは、搭載面Ｔの支持部が半導体チップ１の３辺の一部を支持するように配置された形状となっている。図１０（ｆ）のピン穴吸着溝Ｍ１７ａでは、搭載面Ｔの支持部が半導体チップ１の２辺の一部を支持するように配置された形状となっている。
【００７３】
図１０（ａ）〜（ｆ）に示すピン穴吸着溝Ｍ１２ａ〜Ｍ１７ａは、いずれも、図９に示したピン穴吸着溝Ｍ６ａ〜Ｍ１１ａのように半導体チップ１を外周全体で保持するものではないが、図５（ｂ）〜（ｄ）に示したピン穴吸着溝Ｍ３ａ〜Ｍ５ａと同様で、ダイシングテープ２の大きな吸着力を得ることができる。
【００７４】
図１１（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、別のピン穴吸着溝Ｍ１８ａ〜Ｍ２１ａを示した上面図である。
【００７５】
図９（ａ）〜（ｆ）のピン穴吸着溝Ｍ６ａ〜Ｍ１１ａや図１０（ａ）〜（ｆ）のピン穴吸着溝Ｍ１２ａ〜Ｍ１７ａでは、搭載面Ｔの支持部が主として半導体チップ１の外周を支持するようにしていた。これに対して、図１１（ａ）〜（ｄ）に示すピン穴吸着溝Ｍ１８ａ〜Ｍ２１ａでは、搭載面Ｔの支持部が主として半導体チップ１の内部を支持するようにしている。
【００７６】
図１１（ａ）のピン穴吸着溝Ｍ１８ａでは、搭載面Ｔの支持部が半導体チップ１の４辺の中央部から突き上げピン２０のある中心に向かって支持する形状となっている。図１１（ｂ）のピン穴吸着溝Ｍ１９ａでは、搭載面Ｔの支持部が半導体チップ１の角部から突き上げピン２０のある中心に向かって支持する形状となっている。図１１（ｃ）のピン穴吸着溝Ｍ２０ａでは、搭載面Ｔの支持部が半導体チップ１の対向する２辺の内側において所定の間隔で支持する形状となっている。図１１（ｄ）のピン穴吸着溝Ｍ２１ａでは、搭載面Ｔの支持部が半導体チップ１の対向する２辺の内側で該２辺と所定の角度で交わるように支持する形状となっている。
【００７７】
図１１（ａ）〜（ｄ）のピン穴吸着溝Ｍ１８ａ〜Ｍ２１ａにおいては、半導体チップ１の安定した保持とダイシングテープ２の大きな吸着力の両立が可能である。
【００７８】
上記したピン穴吸着溝Ｍ２ａ〜Ｍ２１ａを有するピックアップ装置は、いずれも、突き上げピン２０が半導体チップ１に対して１本配置される構成としている。しかしながら、これに限らず、突き上げピンが半導体チップに対して複数本配置される構成としてもよい。突き上げピンを複数本とすることで、特に大きなサイズや縦横比の大きな半導体チップの場合に、安定的に突き上げてピックアップすることができる。
【００７９】
この場合、大きなサイズや縦横比の大きな半導体チップを安定的に突き上げるには、突き上げピンが、前記半導体チップに対して４本配置されてなる構成が好ましい。
【００８０】
図１２（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ、別のピン穴吸着溝Ｍ２２ａ〜Ｍ２６ａを示した上面図で、半導体チップ１，１ａ〜１ｃに対する突き上げピン２０を４本としている。
【００８１】
図１２（ａ），（ｂ）は、リニアイメージセンサ等の縦横比の大きな半導体チップ１ａのピックアップを対象としたものである。図１２（ａ）のピン穴吸着溝Ｍ２２ａでは、半導体チップ１ａの４つの角近くにピン穴１５ａを通る突き上げピン２０が配置され、搭載面Ｔの支持部が半導体チップ１ａの対向する短辺を支持する形状となっている。図１２（ｂ）のピン穴吸着溝Ｍ２３ａでは、同じく半導体チップ１ａの４つの角近くにピン穴１５ａを通る突き上げピン２０が配置され、搭載面Ｔの支持部が半導体チップ１ａの４辺の中央を支持する形状となっている。図１２（ｂ）の搭載面Ｔの支持部の配置では、半導体チップ１ａの長辺の中央部を支持できるため、ダイシングテープ２の吸着時における半導体チップ１ａの反り変形を抑制することができる。従って、図１２（ｂ）の支持部の配置は、半導体チップ１ａの厚さが薄い場合に特に適しており、図１２（ａ）の支持部の配置に較べて、半導体チップ１ａの割れや欠けの発生を低減することができる。
【００８２】
図１２（ｃ）は、ＣＣＤ等のサイズの大きな半導体チップ１ｂのピックアップを対象としたものである。図１２（ｃ）のピン穴吸着溝Ｍ２４ａでは、半導体チップ１ｂを４等分した四角形の中心近くにピン穴１５ａを通る突き上げピン２０が配置され、搭載面Ｔの支持部が半導体チップ１ｂの４辺の中央部から中心に向かって支持する形状となっている。図１２（ｃ）の支持部の配置も、半導体チップ１ｂの厚さが薄い場合に特に適しており、支持部が大きな半導体チップ１ｂの中央に位置するので、ダイシングテープ２の吸着時における半導体チップ１ｂの割れや欠けの発生を低減することができる。
【００８３】
また、大きなサイズや縦横比の大きな半導体チップに限らず、ディスクリート素子や小規模ＬＳＩ等の小さな半導体チップに対して、突き上げピンを４本配置するようにしてもよい。図１２（ｄ）のピン穴吸着溝Ｍ２５ａでは、比較的小さな半導体チップ１の４つの角近くにピン穴１５ａを通る突き上げピン２０が配置され、搭載面Ｔの支持部が半導体チップ１の角部と４辺の中央を支持する形状となっている。図１２（ｅ）のピン穴吸着溝Ｍ２６ａでは、縦横比の大きい比較的小さな半導体チップ１ｃの４つの角近くにピン穴１５ａを通る突き上げピン２０が配置され、搭載面Ｔの支持部が半導体チップ１ｃの対向する長辺の大部分を支持する形状となっている。
【００８４】
尚、図１２（ａ）〜（ｅ）に示すピン穴吸着溝Ｍ２２ａ〜Ｍ２６ａのいずれについても、ダイシングテープ２の大きな吸着力を得ることができ、半導体チップ１，１ａ〜１ｃを確実にピックアップできることは言うまでもない。
【００８５】
以上示したように、上記したピン穴吸着溝Ｍ２ａ〜Ｍ２６ａを有する半導体チップのピックアップ装置は、いずれも、ダイシング後の半導体チップをダイシングテープから剥がしてピックアップする半導体チップのピックアップ装置であって、種々のサイズの半導体チップをダイシングテープから容易に剥がして確実にピックアップすることのできる半導体チップのピックアップ装置とすることができる。
【符号の説明】
【００８６】
９０，１００，１００ａ  ピックアップ装置
１，１ａ〜１ｃ  半導体チップ
２  ダイシングテープ
９，１０，１０ａ  保持台
Ｔ  搭載面
Ｍ１，Ｍ２  吸着溝
Ｍ２ａ〜Ｍ２６ａ，Ｍ２ｂ  ピン穴吸着溝
１４，１５，１５ａ  ピン穴
２０  突き上げピン
３０  吸着コレット
【図１】
2011187665.tif 000003
【図２】
2011187665.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011187665.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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