(57)【要約】【課題】微細なパターンの形成に好適なパターン形成方法、インプリント用モールド、およびパターン形成体を提供する。【解決手段】パターン１７の角隅部にマイクロトレンチ１８を有するインプリントモールド１６を用いて、壁状の突起２６（微小突起）を有するパターン転写体２０を形成し、該壁状の突起２６を有するパターン転写体２０をエッチングマスクとして基材２１をエッチングすることによって、基材２１に微細なパターン２７を好適に形成することができる。【選択図】図２
2011199136.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリント法によるパターン形成に用いる凹状のパターンを備えたインプリント用モールドであって、前記凹状のパターンの角隅部に凹状のマイクロトレンチを有することを特徴とするインプリント用モールド。
【請求項２】
請求項１に記載のインプリント用モールドの作製方法であって、
基板にハードマスク層を形成し、
前記ハードマスク層をパターニング処理し、
前記インプリント用モールドの凹状のパターンに対応する凸状のパターンの先端角部に、前記インプリント用モールドの凹状のパターンの角隅部における凹状のマイクロトレンチに対応する壁状の突起が形成される所定の条件で、前記パターニングされたハードマスク層をエッチングマスクとする異方性エッチングを前記基板に対して行い、
前記異方性エッチングを行った基板から前記パターニングされたハードマスク層を除去する、
ことを特徴とするインプリント用モールドの作製方法。
【請求項３】
前記基板は、石英基板であり、前記ハードマスク層は、Ｃｒからなる層であることを特徴とする、請求項２に記載のインプリント用モールドの作製方法。
【請求項４】
インプリント用モールドを用いたパターン転写により前記インプリント用モールドのパターンが転写されるパターン転写体であって、
基材と、
前記基材に形成されて、前記インプリント用モールドとして請求項１に記載のインプリント用モールドを用いたパターン転写が行われる被転写層とを備え、
前記被転写層に、前記インプリント用モールドの凹状のパターンに対応する凸状のパターンと、前記凹状のパターンの角隅部における凹状のマイクロトレンチに対応し前記凸状のパターンの先端角部に位置する壁状の突起とが形成されている、
ことを特徴とするパターン転写体。
【請求項５】
前記凸状のパターン及び前記壁状の突起が形成された被転写層は、前記基板の異方性エッチングにおけるエッチングマスクとして使用されることを特徴とする請求項４に記載のパターン転写体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細なパターンの形成に適したインプリント用モールド及びその作製方法、並びに、インプリント用モールドを用いて製造されるパターン転写体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセス等における微細なパターンの形成には、光学的にパターンを転写する方法が用いられている。例えば、ガラスなどの透明基板上にクロム等の不透明材料からなるパターンを形成したフォトマスクを作製し、感光性樹脂を塗布した半導体基板上に直接的にあるいは間接的に乗せ、フォトマスクの背面から光を照射して光の透過部分の樹脂を選択的に感光させることにより、フォトマスクのパターンを基板上に転写することが行われている。この技術を一般にフォトリソグラフィ法と呼んでいる。
【０００３】
しかしながら、このようなパターン形成方法は、形成するパターンのサイズや形状が露光する光の波長に大きく依存するため、特に微細なパターンの転写においては、半導体基板上にパターンを忠実に転写することが困難となっている。
【０００４】
また、光の回折現象による光コントラストの低下や、装置が複雑な機構を必要とするため高価であることも、問題となる。
【０００５】
これらの問題は、半導体デバイスの製造のみならず、ディスプレイや記録メディア、バイオチップ、光デバイス等、フォトリソグラフィ法を用いる様々なパターン形成においても、同様に当てはまる。
【０００６】
微細なパターンの他の形成方法としては、電子線リソグラフィや集束イオンビームリソグラフィーなどがあるが、スループットの悪さや、装置が高価であることが問題である。
【０００７】
そこで、近年、インプリント法と呼ばれる、簡便でありながら従来の方法よりも微細なパターンを忠実に転写可能な技術が提案されている（非特許文献１）。代表的なインプリント法として、主に熱インプリント法と光インプリント法がある。
【０００８】
以下、熱インプリント法の一例について図６を参照して説明する。
まず、凹凸の形状を有する金属等のモールド２１０を作製する（図６（ａ））。
次に、パターンを形成しようとする基材２１１上に、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル、ガラス転移温度１０５℃）などの熱可塑性樹脂を塗布し樹脂層２１２を形成する（図６（ｂ））。
次に、樹脂層２１２を形成した基材２１１を樹脂のガラス転移点以上に加熱し、樹脂層２１２を軟化させる。
次に、基材２１１の樹脂層２１２を塗布した面側にモールド２１０の凹凸面側が対向するようにモールド２１０と基材２１１を接触させ、加圧する（図６（ｃ））。
次に、加圧したまま基材温度をガラス転移点以下まで下げて樹脂層２１２を硬化させ、モールド２１０を剥離する。
以上より、基材２１１上の樹脂層には、モールド２１０の凹凸パターンに対応する樹脂パターン２１３が形成される（図６（ｄ））。
このとき、モールド２１０の凸部に相当する部分が、基材２１１上に薄い残膜２１４として残る。そこで、Ｏ２  ＲＩＥ（酸素リアクティブイオンエッチング）法等により残膜の樹脂２１４を除去し、基材２１１表面を露出させる（図６（ｅ））。
次に、樹脂パターン２１３をマスクとして基材２１１のエッチングを行って、樹脂パターン２１３が転写されたパターン２１８を有する基材２１５を作製したり（図６（ｆ））、Ａｌ等をリフトオフして、配線に利用したりする。
【０００９】
次に、光インプリント法の一例について図７を参照して説明する（特許文献１参照）。
まず、石英などの光透過性を有する材料からなり表面に凹凸の形状を有するモールド２２０を作製する（図７（ａ））。
次に、基材２２１上に粘度の低い液体状の光硬化性樹脂を塗布して樹脂層２２２を形成し（図７（ｂ））、モールド２２０の凹凸面を樹脂層２２２と接触させる（図７（ｃ））。
次に、基材２２１上の樹脂層２２２とモールド２２０が接触した状態でモールド２２０の裏面から光を照射し、光硬化性樹脂２２２を硬化させ、モールド２２０を剥離する。
以上より、基材２２１上の樹脂層には、モールド２２０の凹凸パターンに対応する樹脂パターン２２３が形成される（図７（ｄ））。
このとき、モールド２２０の凸部に相当する部分が、基材２２１上に薄い残膜２２４として残る。そこで、Ｏ２  ＲＩＥ法等により残膜の樹脂２２４を除去し、基材２２１表面を露出させる（図７（ｅ））。
次に、樹脂パターン２２３をマスクとして基材２２１のエッチングを行って、樹脂パターン２２３が転写されたパターン２２８を有する基材２２５を作製したり（図７（ｆ））、Ａｌ等をリフトオフして、配線に利用したりする。
【００１０】
上述の熱インプリント法および光インプリント法において、Ｏ２  ＲＩＥ法による残膜除去（図６（ｅ）および図７（ｅ））の際、残しておくべき樹脂パターン２１３，２２３もダメージを受ける。このとき、樹脂パターン２１３，２２３の肩部分のほうが平坦部よりも速くエッチングが進行するため、樹脂パターン２１３，２２３の膜厚が減少するばかりでなく、樹脂パターン２１３，２２３の矩形性が損なわれて、変形した樹脂パターン２１７，２２７となる（図４（ａ））。
【００１１】
また、樹脂パターン２１３，２２３をマスクとして基材２１１，２２１のエッチングを行う場合（図６（ｆ）および図７（ｆ））、樹脂パターン２１３，２２３の肩部分のほうが平坦部よりも速くエッチングが進行するため、樹脂パターン２１３，２２３の膜厚が減少するばかりでなく、樹脂パターン２１３，２２３の矩形性が損なわれて、変形した樹脂パターン２１７，２２７となる（図４（ｂ））。
【００１２】
矩形性が損なわれて、変形した樹脂パターン２１７，２２７をエッチングマスクとして基材２１１，２２１のエッチングを行うと、基材２１１，２２１に形成されるパターン２１８，２２８の形状が悪化したり、寸法精度が低下したりする（図４（ｃ））。
【００１３】
このように、樹脂パターン２１３，２２３の膜厚が減少したり、矩形性が損なわれたりしても、樹脂パターン２１３，２２３の高さを高くすれば、基材２１１，２２１に形成されるパターン２１８，２２８の形状悪化や寸法精度悪化を低減することができる（図５（ａ））。
【００１４】
しかしながら、樹脂パターン２１３，２２３の高さを高くするためには、この樹脂パターン２１３，２２３を形成するために用いるモールド２１０，２２０に形成する凹凸パターンの高さを高くしなければならない。モールド２１０，２２０に形成する凹凸パターンの幅を変えずに高さを高くすると、凹凸パターンのアスペクト比が高くなり、アスペクト比が高い凹凸パターンをインプリント法を用いて樹脂層２１２，２２２に転写すると、転写の際に樹脂がモールド２１０，２２０の凹凸パターンに十分に充填されず、樹脂パターン２１３，２２３が変形してしまったり（図５（ｂ））、モールド２１０，２２０を樹脂層２１２，２２２から剥離する際に樹脂パターン２１３，２２３が破壊されたりする（図５（ｃ））など、転写不良が生じやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２０００−１９４１４２号公報
【非特許文献】
【００１６】
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．６７，ｐ．３３１４（１９９５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、上述したようなパターン形成方法の問題を解決するためになされたものであり、微細なパターンの形成に好適なインプリント用モールド及びその作製方法、並びに、インプリント用モールドを用いて製造されるパターン転写体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の請求項１に係る発明は、インプリント法によるパターン形成に用いる凹状のパターンを備えたインプリント用モールドであって、前記凹状のパターンの角隅部に凹状のマイクロトレンチを有することを特徴とするインプリント用モールドである。
【００１９】
本発明の請求項２に係る発明は、請求項１に記載のインプリント用モールドの作製方法であって、基板にハードマスク層を形成し、前記ハードマスク層をパターニング処理し、前記インプリント用モールドの凹状のパターンに対応する凸状のパターンの先端角部に、前記インプリント用モールドの凹状のパターンの角隅部における凹状のマイクロトレンチに対応する壁状の突起が形成される所定の条件で、前記パターニングされたハードマスク層をエッチングマスクとする異方性エッチングを前記基板に対して行い、前記異方性エッチングを行った基板から前記パターニングされたハードマスク層を除去することを特徴とするインプリント用モールドの作製方法である。
【００２０】
本発明の請求項３に係る発明は、前記基板は、石英基板であり、前記ハードマスク層は、Ｃｒからなる層であることを特徴とする、請求項２に記載のインプリント用モールドの作製方法である。
【００２１】
本発明の請求項４に係る発明は、インプリント用モールドを用いたパターン転写により前記インプリント用モールドのパターンが転写されるパターン転写体であって、基材と、前記基材に形成されて、前記インプリント用モールドとして請求項１に記載のインプリント用モールドを用いたパターン転写が行われる被転写層とを備え、前記被転写層に、前記インプリント用モールドの凹状のパターンに対応する凸状のパターンと、前記凹状のパターンの角隅部における凹状のマイクロトレンチに対応し前記凸状のパターンの先端角部に位置する壁状の突起とが形成されていることを特徴とするパターン転写体である。
【００２２】
本発明の請求項５に係る発明は、請求項４に記載のパターン転写体インプリント用モールドを用いて転写したパターン形成体であって、前記凸状のパターン及び前記壁状の突起が形成された被転写層は、前記基板の異方性エッチングにおけるエッチングマスクとして使用されることを特徴とするパターン転写体である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、微細なパターンの形成に好適なインプリント用モールド及びその作製方法、並びに、インプリント用モールドを用いて製造されるパターン転写体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施例に係るインプリント用モールド作製方法の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施例に係るインプリント用モールドを用いたパターン形成方法の一例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の効果を示す概略断面図である。
【図４】従来のパターン形成方法における問題点を示す概略断面図である。
【図５】従来のパターン形成方法における問題点を示す概略断面図である。
【図６】熱インプリント法によるパターン形成方法を示す断面工程図である。
【図７】光インプリント法によるパターン形成方法を示す断面工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明について、図面を参照して説明を行う。
【００２６】
まず、本発明の一実施形態に係るインプリント用モールドの作製方法について説明する。
【００２７】
図１（ａ）に示すように、基板１１上にハードマスク層１２を形成する。ハードマスク層１２の形成方法としては、ハードマスク層１２に選択した材料に応じて、適宜公知の薄膜形成技術を用いて形成して良い。例えば、スパッタリング法などを用いて良い。
【００２８】
基板１１は、用途に応じて適宜選択して良い。例えば、シリコン基板、石英基板、サファイア基板、ＳＯＩ基板などを好適に用いて良い。
【００２９】
ハードマスク層１２は、後述する異方性エッチングを行う工程において、選択した基板１１に対してエッチング選択比が高い材料であれば良い。
【００３０】
ここで、例えば、基板１１として石英基板を用いた場合、ハードマスク層１２にはＣｒ（クロム）からなる層を用いることが好ましい。
【００３１】
石英基板は、一般的な露光光に対して透過性を有しており、特に光インプリント法に用いるインプリントモールドや、フォトマスクなどの製造工程に、本発明の実施の形態のパターン形成方法を用いる場合に好適である。
【００３２】
ハードマスク層１２にはＣｒからなる層を用いることで、後述するハードマスク層１２のパターニングを行う工程において、一般的なエッチング条件において、ハードマスク層１２を基板１１に対してエッチング選択比を高く設定することができる。
【００３３】
次に、ハードマスク層１２のパターニングを行う。ハードマスク層１２のパターニングを行う方法としては、レジスト膜を用いたリソグラフィを用いる。例えば、ハードマスク層１２のパターニングは、ハードマスク層１２上にレジスト膜１３を形成する（図１（ａ））。次に、レジスト膜１３をパターニングし、レジストパターン１４を形成する（図１（ｂ））。次に、レジストパターン１４をエッチングマスクとしてエッチングを行うことにより、ハードマスク層１２のパターニングを行い、ハードマスク層１２のパターン１５を形成する（図１（ｃ））。ハードマスク層１２のパターニングを行った後は、レジストパターン１４を洗浄して剥離する。
【００３４】
次に、基板１１上のハードマスク層１２のパターン１５が形成された側から、基板１１に異方性エッチングを行う（図１（ｄ））。エッチングとしては、適宜公知のエッチング方法を用いて良く、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを用いて行っても良い。
【００３５】
このとき、基板１１に形成される凹状のパターン１７（請求項中の凹状のパターンに相当）の底の角隅部にマイクロトレンチ（微小凹部）１８（請求項中の凹状のマイクロトレンチに相当）が形成される条件で、エッチングを行う。エッチング条件は、パターン１７の角隅部にマイクロトレンチ１８が形成される条件であれば、用いたハードマスク層１２および基板１１に応じて、適宜調節して良い。具体的には、例えば、実施例の欄において後述するエッチング条件を採用することができる。
【００３６】
次に、ハードマスク層１２のパターン１５を洗浄して剥離することにより、インプリントモールド１６（請求項中のインプリント用モールドに相当）が作製される（図１（ｅ））。
【００３７】
なお、離型性向上のために、インプリントモールド１６のパターン１７が形成された面に離型性向上のための表面処理を行っても良い。例えば、フッ素ポリマー加工やプラズマ処理などを行っても良い。
【００３８】
次に、本発明の一実施形態に係るパターン転写体の作製方法について説明する。
インプリントモールド１６を作製したならば、インプリントモールド１６に形成したパターン１７を、熱インプリント法または光インプリント法により、基材２１上の被転写樹脂層２２（請求項中の被転写層に相当）に転写する（図２(ａ)〜（ｄ））。これにより、図２（ｄ）または（ｅ）に示す樹脂パターン２３（請求項中の凸状のパターンに相当）を有するパターン転写体２０が得られる。基材２１は、用途に応じて適宜選択して良い。基材２１としては、例えば、シリコンウェハなどを好適に用いることができる。被転写樹脂層２２としては、後述する基材２１のエッチングを行う工程におけるエッチング選択比が高い樹脂を、選択したインプリント方法に応じて適宜選択して良い。例えば、インプリントモールド１６を作製するための基板１１に石英を選択した場合、被転写樹脂層２２には、紫外線硬化樹脂からなる層を用いることが好ましい。
【００３９】
次に、基材２１上に残った樹脂の残膜２４を除去する（図２（ｅ））。残膜除去としては、適宜公知の方法を用いて良く、たとえば、Ｏ２  ＲＩＥ法などを用いて行っても良い。また、残膜除去の条件は、用いた樹脂に応じて、適宜調節して良い。
【００４０】
このとき、樹脂パターン２３の先端角部には、インプリントモールド１６に形成したマイクロトレンチ１８に対応する微小突起２６（請求項中の壁状の突起に相当）が形成されているため、樹脂パターン２３がＯ２  ＲＩＥ法によって受けるダメージを軽減することができる。このため、図３（ａ）に示すように、基材２１上に矩形性を損なわずに樹脂パターン２３を形成することができる。
【００４１】
次に、樹脂パターン２３をエッチングマスクとして、基材２１に異方性エッチングを行う（図２（ｆ））。エッチングとしては、適宜公知のエッチング方法を用いて良く、例えば、ドライエッチングなどを用いて行っても良い。また、エッチングの条件は、用いた樹脂および基材に応じて、適宜調節して良い。
【００４２】
このとき、樹脂パターン２３の先端角部には、インプリントモールド１６に形成したマイクロトレンチ１８に対応する微小突起２６が形成されているため、樹脂パターン２３がエッチングによって受けるダメージを軽減することができる。このため、図３（ｂ）に示すように基材２１に精度良くパターン２７を形成することができる。
【実施例】
【００４３】
以下、本発明の実施例のパターン形成方法について、図１および図２を参照して、光インプリント法を用いてパターン形成を行う場合の一例を挙げながら説明を行う。本発明の実施例のパターン形成方法は、下記実施例に限定されるものではない。
【００４４】
まず、基板１１には、石英基板を用いた。石英基板上にハードマスク層１２としてＣｒ膜３０ｎｍ厚を製膜したＣｒ層を形成し、Ｃｒ層上にポジ型レジストＦＥＰ−１７１（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）２００ｎｍ厚をコートしレジスト膜１３とした（図１（ａ））。
【００４５】
次に、電子線描画装置にて、レジスト膜１３に対して電子線をドーズ１０μＣ／ｃｍ２  で照射した後、現像液を用いた現像処理、リンス、およびリンス液の乾燥を行い、レジストパターン１４を得た（図１（ｂ））。ここで、現像液にはＴＭＡＨ水溶液、リンス液には純水を用いた。
【００４６】
次に、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたドライエッチングによってＣｒ層のエッチングを行い、Ｃｒパターン１５を得た（図１（ｃ））。このとき、Ｃｒ層のエッチングの条件は、Ｃｌ２  流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２  流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＩＣＰパワー３００Ｗ、ＲＩＥパワー３０Ｗとした。
【００４７】
次に、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたドライエッチングによって石英基板のエッチングを行った（図１（ｄ））。このとき、石英基板のエッチングの条件は、Ｃ４  Ｆ８  流量２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  流量１０ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力５Ｐａ、ＩＣＰパワー１２０Ｗ、ＲＩＥパワー５０Ｗであった。
【００４８】
次に、残存したＣｒ層のウェット剥離洗浄を行った（図１（ｅ））。
【００４９】
以上より、パターン凹部にマイクロトレンチが形成された光インプリント用の石英モールド１６を作製することができた。
【００５０】
次に、石英モールド１６を用いて、基材上の樹脂に光インプリントを行い、基材のパターニングを行った。
【００５１】
まず、基材２１にはシリコンウェハを用いた。シリコンウェハ上に紫外線硬化樹脂ＰＡＫ−０１（東洋合成工業社）をスピンコートし、被転写樹脂層２２とした（図２（ｂ））。
【００５２】
次に、シリコンウェハ上の被転写樹脂層２２に、モールド１６のパターンが形成された面が対向するように石英モールド１６を接触させた（図２（ｃ））。
【００５３】
次に、石英モールド１６の裏側から、高圧水銀灯を光源として、２０ｍＪ／ｃｍ２  の露光を行った。
【００５４】
次に、シリコンウェハと石英モールド１６を剥離し、シリコンウェハ上に樹脂パターン２３を得て、パターン転写体２０を作製した（図２（ｄ））。このとき、樹脂パターン上部には、石英モールド１６に形成したマイクロトレンチに対応する微小突起２６が形成された。また、残膜厚は８０ｎｍであった。
【００５５】
次に、Ｏ２  プラズマアッシングによって残膜２４を除去した（図２（ｅ））。このとき、Ｏ２  プラズマアッシングの条件は、Ｏ２  流量５０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＲＦパワー１００Ｗであった。
【００５６】
このとき、残膜２４をＯ２  プラズマアッシングによって除去すると、樹脂パターン２３および微小突起２６の高さが減少したものの、樹脂パターン２３上には微小突起２６が残存していた。以上より、シリコンウェハ上に、微小突起２６を備えた樹脂パターン２３を有するパターン転写体２０を形成することができた。
【００５７】
次に、樹脂パターン２３をエッチングマスクとして、シリコンウェハのエッチングを行った（図２（ｆ））。このとき、シリコンウェハのエッチングの条件は、ＣＦ４  流量３０ｓｃｃｍ、Ｃ４  Ｆ８  流量２０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＩＣＰパワー５００Ｗ、ＲＩＥパワー５０Ｗであった。
【００５８】
このとき、シリコンウェハのエッチングを行うと、微小突起２６は消失し、樹脂パターン２３の高さは減少したが、樹脂パターン２３の矩形性は十分に保たれていた。そのため、シリコンウェハに、寸法精度が高く断面形状が矩形であるパターン２７を形成することができた。
【００５９】
次に、Ｏ２  プラズマアッシング（条件：Ｏ２  流量５０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＲＦパワー１００Ｗ）によって樹脂を剥離した。
【００６０】
以上より、寸法精度が高く断面形状が矩形であるパターン２７が形成されたシリコンウェハ２５を得ることができた。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明のパターン形成方法は、微細なパターンを形成することが求められる広範な分野に利用することが期待される。例えば、パターン形成体として、インプリントモールド、半導体デバイス、光学素子、配線回路（ディアルダマシン構造の配線回路など）、記録デバイス（ハードディスクやＤＶＤなど）、医療検査用チップ（ＤＮＡ分析用途など）、ディスプレイ（拡散板、導光板など）、マイクロ流路などに利用することが期待される。
【符号の説明】
【００６２】
２１０…モールド
２１１…基材
２１２…樹脂層
２１３…樹脂パターン
２１４…残膜
２１５…パターンを有する基材
２１７…変形した樹脂パターン
２１８…パターン
２２０…モールド
２２１…基材
２２２…樹脂層
２２３…樹脂パターン
２２４…残膜
２２５…パターンを有する基材
２２７…変形した樹脂パターン
２２８…パターン
１１…基板
１２…ハードマスク層
１３…レジスト膜
１４…レジストパターン
１５…ハードマスク層のパターン
１６…インプリントモールド
１７…基板のパターン
１８…インプリントモールドのマイクロトレンチ
２０…パターン転写体
２１…基材
２２…樹脂層
２３…樹脂パターン
２４…残膜
２５…矩形のパターンが形成されたシリコンウェハ
２６…微小突起
２７…パターン
【図１】
2011199136.tif 000003
【図２】
2011199136.tif 000004
【図３】
2011199136.tif 000005
【図４】
2011199136.tif 000006
【図５】
2011199136.tif 000007
【図６】
2011199136.tif 000008
【図７】
2011199136.tif 000009