(57)【要約】【課題】この発明は、簡易な構成および操作でありながら、試料の電気的特性測定電極と測定対象物との間の接触抵抗を測定でき、検査の信頼性を向上できる接触抵抗測定機能を持った半導体特性測定装置を提供する。【解決手段】この発明の接触抵抗測定機能は、測定電極と測定対象物Xとの接触点に非直流を供給する非直流電圧供給器と、測定電極と被測定対象物Xとの接触点における電圧を測定する非直流電圧測定器を有し、リアクタンス型電気結合器で非直流回路を構成し、直流回路はインダクターで非直流を遮断し、非直流による接触抵抗測定回路と、直流による半導体特性測定回路で相互に影響を及ぼさないで半導体特性測定と、探触子と試料との接触抵抗とを同時に測定可能にする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
探触子と被測定対象物との接触抵抗を測定する装置であり、探触子と被測定対象物との接触点に非直流を供給する非直流電圧供給器と、直流の遮断用リアクタンス型電気結合器と、探触子と被測定対象物との接触点における電圧を前記リアクタンス型電気結合器を介して測定する非直流電圧測定器とを備えた接触抵抗測定回路を有する半導体特性測定装置。
【請求項２】
非直流電圧供給器は非直流電圧を供給する電源とこれに接続された前記リアクタンス型電気結合器を介して電圧を印加するもので、前記非直流電圧測定器は前記リアクタンス型電気結合器を介して探触子に接続されている請求項１に記載の接触抵抗測定回路を有する半導体特性測定装置。
【請求項３】
半導体試料に接触させる電圧探触子および電流探触子と、電圧探触子に接続された直流電圧を測定する直流電圧検出器と、電流探触子に接続された直流電流を測定する直流電流検出器と、電圧探触子および電流探触子は非直流成分の遮断用インダクタを介して直流回路を形成し、それぞれ直流電圧検出器および直流電流検出器に接続され半導体試料特性を測定する半導体試料特性測定回路と、電圧探触子または電流探触子と半導体試料表面の接触点に非直流を供給する非直流電圧供給器と、直流の遮断用前記リアクタンス型電気結合器と、電圧探触子及び電流探触子と半導体試料表面の接触点における非直流電圧を前記リアクタンス型電気結合器を介して測定する接触抵抗測定回路とを有する半導体特性測定装置。
【請求項４】
前記非直流電圧供給器および非直流電圧測定器と探触子の接続を切り替えるスイッチを有し、スイッチの切り替えにより各探触子に順次接続して、すべての探触子と半導体試料との接触抵抗を測定できるようになした請求項３に記載の半導体特性測定装置。
【請求項５】
複数の探触子を保持する探触子保持プリント基板を有し、前記接触抵抗測定回路がマイクロプロセッサを含む集積回路と電子部品および電子回路で構成され、探触子保持プリント基板上の探触子の近辺に配置された請求項３または請求項４に記載の半導体特性測定装置。
【請求項６】
有線あるいは無線、赤外線の通信回線を有し、この通信回線で制御情報及び測定情報を交信可能とするようにした請求項５に記載の半導体特性測定装置。
【請求項７】
供給する非直流として正弦波、インパルス、バースト波またはＦＭ波その他の変調波を使用する前記接触抵抗測定回路を持った請求項３から請求項６のいずれかに記載の半導体特性測定装置。
【請求項８】
探触子を着脱可能に保持する複数の探触子レセプタクルと接触抵抗測定回路を有する探触子保持プリント基板であり、探触子と被測定対象物との接触点に非直流を供給する非直流電圧供給器と、直流の遮断用前記リアクタンス型電気結合器と、探触子と被測定対象物の接触点における電圧を前記リアクタンス型電気結合器を介して測定する非直流電圧測定器と非直流成分の遮断用インダクタを備えた接触抵抗測定回路がマイクロプロセッサを含む集積回路と電子部品および電子回路で構成され、探触子保持プリント基板上の探触子の近辺に配置された探触子保持プリント基板。
【請求項９】
接触抵抗測定結果を受け、半導体特性測定結果を補正し、より真値に近い半導体測定結果とする請求項３に記載の半導体特性測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、探触子を測定対象物に接触させてその電気的特性を測定する場合において、その探触子と測定対象物との接触点における接触抵抗を測定する機能を有した装置に関する。特に、半導体試料の特性を測定する場合に適した接触抵抗測定回路を有した装置に関する。  
【背景技術】
【０００２】
探触子を測定対象物に接触させて電流や電圧を測定することは、さまざまな電子素子や電子部品の特性を評価するための品質管理としても広く行われている。特に、太陽電池の分野においては、太陽電池のＩ−Ｖ特性により評価が行われる。この場合、太陽電池の全数検査が行われる。大量の試料を迅速かつ正確に測定するために専用の測定装置が使用されている。
【０００３】
しかし、探触子と測定対象物との接触点で接触抵抗が大きかったりバラツキがあれば、測定される値は不正確となる。
【０００４】
探触子と測定対象物の接触抵抗を測定する技術が、たとえば特許文献１に記載されている。４本の探針を試料に接触させ、電流と電圧を測定することにより抵抗を測定するケルビン法として広く知られているものである。ここで、この特許文献１の００１１段落に発明の実施の形態として記載されているように、直流が使用される。また、特許文献２などにも接触抵抗を測定する発明が提案されているが、この文献の００１６段落に「一定の電流またはゼロから規定値までの電流を分解可能な最小間隔で漸次増加させながら通電する」とされているとおり、電流源から供給されるのは直流である。電流は非直流が使用される場合もあるが原理的に見てリアクタンスが無視できる範囲であり基本的には直流による測定の延長線である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１１５６４２号
【特許文献２】特開２００２−２７７４９４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１や特許文献２に記載された接触抵抗の測定方法によれば、接触抵抗を測定でき、探触子の接触点が劣化しているか接触が良好であるか否かを確かめることができ、半導体試料の特性などについて信頼性の高い評価を行うことができる。しかし、半導体特性測定と接触抵抗の測定では結線方法が異なるため、結線を変えなければならず、両者の測定を同時に行うことができない。したがって、両者の測定には時間が必要となるので、検査にかかる総時間は増加する。接触抵抗の測定と本来の半導体特性測定の切り替えのために、回路などの切り替えが必要となり、この切り替えで接触抵抗そのものが変化する致命的作用が生じる可能性も高まり、再現性低下をまねく。この切り替えのために装置が複雑になり、実用性が低下する。
【０００７】
また、特許文献１や特許文献２の発明では、半導体特性測定をしていない時間に接触抵抗を測定しなければならない。半導体特性測定中における接触抵抗そのものを直接計測することはできない。接触抵抗は探触子の接触点の状態以外にも、たとえば探触子の押しあて方などによって影響を受ける。経時的にも変化する。したがって、特許文献１や特許文献２に記載された発明によって得られた接触抵抗の値と、半導体特性測定中の値との同一性は保証されない。
探触子の結線を半導体試料の特性測定と、試料台と探触子との接触抵抗の測定とに無起電力スイッチで切り換えることは可能だが、太陽電池等の場合は１０Ａ以上と比較的大きい定格電流が求められ、切換えスイッチと回路の大型化は免れ得ない。一方、結線状態を変えることなく同時に測定することは、試料の半導体特性測定と接触抵抗の測定の電気的干渉が生ずるため実現できない。
【０００８】
特許文献１や特許文献２に記載された接触抵抗測定は、検査の信頼性を向上させるための補助的な手段にはなりうるが、常時使用できるようなものではない。結果的に現在の太陽電池セルの特性測定などにおいては、このような接触抵抗測定は実施されておらず、熟練者の経験や過去の劣化の統計的データに基づいて、適切とされる時期に探触子を交換しているのが実状である。しかし、これで接触抵抗による誤差が回避される保証はない。あるいは、まだ正常に使用できる探触子を捨ててしまう非経済的な交換をしている可能性もあり、コストアップの要因ともなっている。
【０００９】
半導体特性測定中に探触子と測定対象物との間の接触抵抗を測定でき、検査にかかる総時間を増加させることなく信頼性を向上させるとともに既存の装置に組み込むことができるように小型化することが求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を克服するために、この発明の半導体特性測定装置は、結線の変更なしで探触子と被測定対象物との接触抵抗と半導体試料の特性とを同時に測定可とする。
【００１１】
本発明は、探触子と試料との接触点の接触抵抗を測定する回路を電気的に干渉が生じないよう非直流による閉ループ回路とし、本来の半導体特性測定回路にはインダクタを挿入することにより、接触抵抗を測定する非直流を遮断し、相互の影響を受けないようにすることで半導体特性測定と接触抵抗測定とを同時に測定可能とする。
本発明は接触抵抗測定のための非直流回路の切換のみで良く、その切り替えスイッチを流れる電流は小さいので、内部抵抗が大きく一般に低インピーダンス回路には使用できない半導体スイッチが使用可能になり、接触抵抗測定回路を探触子近辺に組み込むこともでき、小型化できるため、アナログとデジタル回路を探触子の近辺に配置することが可能となる。配線長が短縮でき非直流で問題となる位相ズレや放射誘導誤差が極限まで低減可能となり、マイクロプロセッサを含んだ集積回路と電子部品および電子回路とを組み込むことで、単独で半導体特性測定中に接触抵抗の測定が可能となる。
【発明の効果】
【００１２】
この発明の接触抵抗測定回路を持った半導体特性測定装置は、探触子と被測定対象物との接触抵抗を測定でき、探触子の劣化などによる接触抵抗の影響による測定誤差を防止することができる。直流の遮断用リアクタンス型結合器は直流が流れない為、直流電流および直流電圧に基づく半導体特性測定に影響を与えない。直流回路と非直流回路は経路が異なり互いに干渉しない独立回路を形成する。したがって、半導体特性測定と同時に接触抵抗を測定することができる。簡易な構成で小型化可能な装置であり、既存の各種特性測定装置に組み込むこともできる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】接触抵抗測定の原理を示す回路図および要素部品である。
【図２】接触抵抗測定回路を持った半導体特性測定装置を示す構成図例である。
【図３】接触抵抗測定回路を持った半導体特性測定装置の表面側を示す回路図例である。
【図４】印加する非直流の一例である正弦波の波形を示す図である。
【図５】接触抵抗測定回路を持った半導体特性測定装置の裏面側を示す回路図例である。
【図６】半導体試料特性測定装置の概要を示すブロック図である。
【図７】集積回路と電子回路を探触子近辺に配置した探触子保持プリント基板例の概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
この発明を実施するための形態について説明する。図１の（Ａ）は、この発明に係る接触抵抗測定の原理を示す回路図である。探触子２０２，２０３と半導体試料などの被測定物Ｘとの接触抵抗３０２，３０３を測定する。
【００１５】
探触子２０２，２０３と被測定物Ｘの接触点３０２，３０３に非直流を印加する非直流電圧供給器６と、探触子２０２，２０３と被測定物Ｘとの接触点３０２，３０３における非直流電圧を測定する非直流電圧測定器５０１，５０２を備える。この発明において、探触子には針状の電極のほかに、広い接触面を有する電極なども含まれる。この図１の（Ａ）では、４本の探触子２０１，２０２，２０３，２０４を示す。
【００１６】
非直流電圧供給器６は、測定対象の探触子に非直流を印加する。非直流電圧測定器５０１，５０２はリアクタンス型電気結合器８０１および８０３を介して各々探触子２０１，２０２および２０３，２０４に接続する。この例で使用されているリアクタンス型電気結合器８０１，８０２，８０３はトランスなどの電磁誘導型であるが、図１の（Ｂ）に破線６′で囲んで示したように、コンデンサ８０２′、８０２″等の容量性で非直流電圧供給器６や非直流電圧測定器５０１，５０２を接続し、探触子２０１，２０２，２０３，２０４に流れる直流成分に影響を与えないように構成してもよい。
【００１７】
図１の（Ａ）では、探触子２０１，２０２にリアクタンス型電気結合器８０１を介して非直流電圧測定器５０１が接続されており、探触子２０３，２０４にリアクタンス型電気結合器８０３を介してもう一つの非直流電圧測定器５０２が接続されている。また、探触子２０２，２０３にリアクタンス型電気結合器８０２を介して非直流電圧供給器６が接続されている。
【００１８】
接触抵抗測定の原理を説明する。非直流電圧供給器６よりリアクタンス型電気結合器８０２の一次側に電圧を印加すると、二次側に電圧が誘導され８０２、探触子２０２，３０２，Ｒｘ 2，３０３，探触子２０３、８０２の閉回路に電流ｉが流れる。探触子２０２と試料との接触点３０２においては、接触抵抗３０２によって電圧降下ｉ・Ｒ2が生ずる。探触子２０３と試料との接触点３０３においても同様に、接触抵抗３０３によって電圧降下ｉ・Ｒ 3が生ずる。
【００１９】
接触点３０２における電圧降下ｉ・Ｒ 2は非直流電圧測定器５０１によって測定される。ここで、リアクタンス型電気結合器８０１のインピーダンスは接触抵抗３０１，３０２に比べて十分大きいので、この閉回路８０１−２０１−３０１−３０２−２０２−８０１の電流は十分小さく無視でき、接触抵抗３０１およびＲｘ１における電圧降下は無視できる。また、探触子２０２，２０３の間には被測定物Xの抵抗Ｒｘ 2が存在するが、これによる電圧降下は非直流電圧測定器５０１に影響を与えない。したがって、非直流電圧測定器５０１によって測定される電圧が、接触点３０２の電圧降下電圧となる。電流ｉを知れば、接触抵抗３０２を求めることができる。また、閉回路８０２−２０２−３０２−Ｒｘ 2−３０３−２０３−８０２の経路の任意位置一点で電流ｉを求めることができるし、非直流電源で電流ｉを求めることもできる。接触抵抗３０２がオーミック抵抗である場合には、非直流電圧測定器５０１によって測定される電圧を電流ｉで除すれば算定できる。接触点３０３の接触抵抗３０３も同様に非直流電圧測定器５０２で測定された電圧の値より算出することができる。
【００２０】
直流成分はリアクタンス型電気結合器８０２を通過することができず、一次側に流出することはない。また、被測定物Xや探触子２０１，２０２，２０３，２０４に直流が流れていても、リアクタンス型電気結合器８０１，８０３を通過できず、一次側の非直流電圧測定器５０１，５０２に影響しない。
【００２１】
探触子２０１，２０２，２０３，２０４を使用して被測定物Xの半導体特性測定をする場合、準直流を印加して測定するので、この半導体特性測定をしている時でも、これによって上述の接触抵抗測定は影響を受けない。また、接触抵抗測定が半導体特性測定に影響を与えることもない。この発明の接触抵抗測定は、半導体特性測定と時間をずらして交互に行うことができるが、半導体特性測定と同時に行うことができる。したがって、測定に必要な総時間は増加しない。また、半導体特性測定を行っているまさにその探触子の接触抵抗が測定できる。
【００２２】
より具体的な接触抵抗測定回路の形態について、太陽電池特性測定装置に適用した例を用いて説明する。図２は太陽電池特性測定装置用の接触抵抗測定回路を示す構成図である。ここでは、被測定物Xは太陽電池セルであり、Ｎ型半導体側を上面とし、Ｐ型半導体側を試料台の上に載せる。Ｎ型半導体側の面（表面）には、バスバーと呼ばれる細い帯状の導電膜が設けられている（図示省略）。複数の探触子２１０ k-1，２１０ k，２１０ k+1２１０ k+2をバスバーに機械的に接触させ電気的に導通させる。また、Ｐ型半導体側の面（裏面）にも導電性の膜が設けられており（図示省略）、この導電性の膜が平面状の試料台２２１，２２２に接する。ここで、試料台２２１，２２２も探触子として機能する。
【００２３】
表面（上面）側について説明する。この部分の詳細説明である図３は太陽電池セル特性測定装置の、探触子２１０k-1，２１０ k，２１０ k+1，２１０ k+2を示す。このうちの最低１本が電圧探触子として使用され、残りが電流探触子として使用される。ここでは、接触抵抗が測定される部分の４本のみを図示しているが、図示されていない探触子も存在する。隣り合う２本の探触子で構成される対に対して、それぞれに非直流電圧測定器５１，５２がリアクタンス型電気結合器８１ k-1，８１ k，８１ k+1，８１ k+2を介してクロスポイントスイッチで接続されている。また、１台の非直流電圧供給器６１が設けられており、切り替えスイッチ９ k-1，９ k，９ k+1，９ k+2によって選択されたリアクタンス型電気結合器に接続されるようになっている。リアクタンス型電気結合器８１ k-1，８１ k，８１ k+1，８１ k+2は非直流電圧供給器６１と非直流電圧測定器５１，５２を交互に結合する。
【００２４】
非直流電圧測定器５１，５２は、電圧を増幅する増幅器１００，１０１と、増幅器１００，１０１の出力電圧をデジタル値に変換するＡＤコンバータ１１０，１１１により構成することができる。このようにして、デジタル値にし計算処理をすることが出来る。また、処理方式やアルゴリズムを外部との通信回線から指示変更したり、外部で処理もできる。
【００２５】
各探触子２１０ k-1，２１０ k，２１０ k+1，２１０ k+2は非直流の遮断用インダクタ１２ k-1，１２ k，１２ k+1，１２ k+2が設けられ、このインダクタは太陽電池セル特性測定装置のための電流や電圧を測定する直流回路を構成する。
【００２６】
ここでは、探触子２１０ kおよびその隣の探触子２１０ k+1の接触抵抗を測定する場合について説明する。切り替えスイッチ９ kを接続状態にし、他のスイッチ９ k-1，９ k+1，９ k +2を遮断する。これにより、非直流電圧供給器６１からの電圧が８１kを介して、探触子２１０ k，２１０ k+1に印加される。
【００２７】
このスイッチ操作で、非直流電圧供給器６１からリアクタンス型電気結合器８１kの端子１―２を介して、非直流電圧を探触子２１０ k，２１０ k+1に印加する。このとき接触抵抗３１０kの電圧降下電圧はリアクタンス型電気結合器８１k-1の端子３−４に誘起される。図４はこの非直流電圧の波形の例を示す図である。ここでは例として正弦波を使用している。この発明においては、電圧は正弦波に限定されるわけではなく、たとえば非直流電圧としてＦＭ，ＰＭ，インパルスを使用しパルス圧縮等データ処理技術を使用しＳＮＲを向上させるようにしてもよい。
【００２８】
図３で探触子２１０ k，２１０ k+1の接触点３１０ k，３１０ k+1に電流ｉが流れる。その接触抵抗３１０k，３１０k+1に電圧降下が発生する。この電圧はリアクタンス型電気結合器８１ k-1，８１ k+1，クロスポイントスイッチ１３ k-2，１３ k-1，１３ k+2，１３ k+3を介して増幅器１００，１０１で増幅されＡＤコンバータ１１０，１１１によりデジタル値に変換される。この接触点３１０ k，３１０ k+1の電圧降下電圧と電流ｉにより接触抵抗３１０k，３１０k+1が求められる。なお、ここには図示していないが、非直流電圧供給器として使用する過渡電圧の供給器に電流検出機能を持たせ電流値ｉを知ることもできる。
【００２９】
探触子２１０ k，２１０ k+1についての接触抵抗測定が終了すると、切り替えスイッチ９ kを遮断する。次に、切換えスイッチ９k+1を接続し測定対象である探触子の対２１０ k+1，２１０ k+2に非直流電圧を印加し、リアクタンス型電気結合器８１ k，８１ k+2につながるクロスポイントスイッチ１３k，１３k+1，１３k+4，１３k+5を接続する。以下、同様な工程によってすべての探触子２１０ k-1，２１０ k，２１０ k+1，２１０ k+2の接触抵抗３１０k-1，３１０k，３１０k+1，３１０k+2を順次測定する。
【００３０】
接触抵抗測定と同時に、探触子２１０ k-1，２１０ k，２１０ k+1，２１０ k+2によって太陽電池セルのＩ−Ｖ特性を計測していてもよい。非直流電圧供給器６１より供給された非直流電圧はインダクタ１２ k-1，１２ k，１２ k+1，１２ k+2を通過することができない。一方、Ｉ−Ｖ特性測定のための電気は準直流であり、この電気（直流）はインダクタ１２ k-1，１２ k，１２k+1，１２ k+2を通過して、太陽電池セル特性測定を可能とする。
【００３１】
図２の裏面（下面）側について説明する。この部分の回路図例である図５は、太陽電池セル特性測定装置用の試料台での太陽電池裏面の接触抵抗測定の概念を示す。この面においては、太陽電池セルを保持する試料台が探触子となる。この例では、試料台は２つの部分２２１，２２２に分割されている。この試料台２２１，２２２は太陽電池セルとの接触面が広く、良好に接触するものではあるが、長期間の使用によって摩耗が生じ、接触抵抗が増加することがある。
【００３２】
そこで、太陽電池裏面側にも接触抵抗測定を適用する。非直流電圧供給器６２をリアクタンス型電気結合器８２を介して試料台の２つの部分２２１，２２２に接続する。試料台は２つの部分２２１，２２２の間に電圧測定用探触子２２３が設けられている。試料台２２１と探触子２２３の間に非直流電圧測定器５２１を、試料台２２２と探触子２２３の間に非直流電圧測定器５２２を設ける。探触子２２３，探触子２２４との間に非直流電圧測定器５２３を設ける。
【００３３】
非直流電圧供給器６２より非直流電圧がリアクタンス型電気結合器８２の一次側に電圧を印加すると、二次側に電圧が誘導されリアクタンス型電気結合器８２，試料台２２１，３２１，太陽電池セル，３２２，試料台２２２，リアクタンス型電気結合器８２の閉回路に電流ｉが流れる。試料台２２１と太陽電池セルとの接触点３２１においては、接触抵抗３２１によって電圧降下ｉ・Ｒ1が生ずる。試料台２２２と太陽電池セルとの接触点３２２においても同様に、接触抵抗３２２によって電圧降下ｉ・Ｒ 2が生ずる。接触点３２１における電圧降下ｉ・Ｒ 1は非直流電圧測定器５２１によってＶ521が測定される。電流ｉを知れば、接触抵抗３２１を求めることができる。しかし、Ｖ521は接触点３２１における電圧降下ｉ・Ｒ 1と、太陽電池セル抵抗の電流ｉによる電圧降下ΔＶ1との合計である。接触点３２２も同様に非直流電圧測定器５２２でＶ522が測定された電圧の値より算出することができる。ΔＶ2も太陽電池セル抵抗の電流ｉによる電圧降下である。各電圧は下式
Ｖ521＝ｉＲ1＋ΔＶ1    （１）
Ｖ522＝ｉＲ2＋ΔＶ2    （２）
となる。
探触子２２４は太陽電池セルの電圧降下ΔＶ1，ΔＶ2を知るためのものである。探触子２２４は探触子２２３とは電位の異なる部位に設置し、太陽電池セルの抵抗による電圧降下を評価する。
非直流電圧計５２３の値Ｖ523とΔＶ1，ΔＶ2との相関係数ｋ1，ｋ2をあらかじめ求めておくと、ΔＶ1，ΔＶ2は下式
ΔＶ1＝ｋ1Ｖ523    （３）
ΔＶ2＝ｋ2Ｖ523    （４）
で求まり、式（１），（２）から
ｉＲ1＝Ｖ521−ΔＶ1＝Ｖ521−ｋ1Ｖ523   （５）
ｉＲ2＝Ｖ522−ΔＶ2＝Ｖ522−ｋ2Ｖ523   （６）
によりｉＲ1，ｉＲ2が求まり接触抵抗３２１，３２２の値が求まる。
【００３４】
また、リアクタンス型電気結合器８２の二次側コイルの中点端子より太陽電池裏面電極へ直流を流すようにする。この二次側コイルの非直流成分は閉ループとなり、直流成分へは影響しない。直流は太陽電池セル特性測定装置へ流れる。太陽電池セル特性測定装置は太陽電池の負荷となっており、裏面からの電流が表面のバイアス電源へ流れる。
【００３５】
図６は、太陽電池セル特性測定装置の概要を示すブロック図である。
試料台部２１は図５で示した回路構成になっている。
試料台の上部は、探触子を並べて取り付けた探触子保持基板２２があり、図３で示した回路構成になっている。また、太陽電池セルのＩ−Ｖ特性を測定するために、直流電圧を印加するバイアス電源２３、電圧探触子に接続された直流電圧を測定する直流電圧検出器２５、電流探触子に接続された直流電流を測定する直流電流検出器２４が設けられている。また、装置を制御するための制御部２６および通信回路２８、アナログインターフェース２７も備えており、直流電圧検出器２５および直流電流検出器２４が接続されている。
【００３６】
図６において、接触抵抗測定回路は、通信回線２８によって制御部２６に接続されている。この通信回線２８は、有線あるいは無線、赤外線あるいは動力線通信（ＰＬＣ）などにより構成することができ、測定情報の送受信および制御をする。接触抵抗測定回路により測定された接触抵抗の情報は制御部２６へ送られ、内部に記録されるとともに、各種制御、表示、計算処理に利用される。たとえば、制御部２６により、接触抵抗の値により適切に判定をして警告を発したり、探触子の交換を促すことができる。得られたＩ−Ｖ特性と共に接触抵抗情報をその太陽電池セルの特性と共に保存する。接触抵抗の変動を統計処理して探触子の劣化の経時変化等を知ることもできる。さらに、接触抵抗からＩ−Ｖ特性測定値の補正が可能な場合は同測定値を補正することもできる。
【００３７】
太陽電池セル特性測定装置は太陽電池製造の分野においてすでに普及しているので、太陽電池セル特性測定装置自体の説明は省略し、インテリジェントプロープバーと銘々した（００３８段落）接触抵抗測定回路を備えた探触子保持プリント基板について説明をする。
探触子保持プリント基板２２に、探触子の近辺に接触抵抗測定回路がマイクロプロセッサを含む集積回路と電子部品および電子回路で構成され、配置されることにより、接触抵抗測定機能と制御および通信機能を探触子保持基板に一体化することもできる。
【００３８】
図７は、探触子保持プリント基板の例を模式的に示す概念図である。探触子保持プリント基板２２は探触子２１０ k，２１０ k+1を着脱可能に保持する複数の探触子レセプタクル７１０ k，７１０ k+1を備える。探触子保持プリント基板はすでに実用化されているが、この例においては、さらにマイクロプロセッサ３０と半導体集積回路と電子部品および電子回路で構成された接触抵抗測定回路２９が探触子保持プリント基板上の探触子に近接して配置されている。さらにこれを集積化しASIC等で構成し、接触抵抗測定回路２９に、探触子と被測定対象物の接触点に非直流を供給する非直流電圧供給器と、直流の遮断用リアクタンス型電気結合器と、探触子と被測定対象物の接触点における電圧を前記リアクタンス型電気結合器を介して測定する非直流電圧測定器と直流のみを通過させるインダクタを装着することも可能である。
従来の太陽電池セル特性測定装置に対して本発明のインテリジェントプローブバーを簡単に付加することもできる。
前記のように接触抵抗測定回路が探触子保持プリント基板上の探触子に近接してマイクロプロセッサを含む集積回路と電子部品および電子回路で構成され、配置されているプリント基板をインテリジェントプローブバーと銘々する。
【符号の説明】
【００３９】
２０１，２０２，２０３，２０４  探触子
３０１，３０２，３０３，３０４  接触点、接触抵抗
５０１，５０２，５０３  非直流電圧測定器
６．非直流電圧供給器
８０１，８０２，８０３  リアクタンス型電気結合器
１２．インダクタ
２２．測定用回路とマイクロプロセッサを含む集積回路と電子部品および電子回路を実装した探触子保持プリント基板
２３．信号および電源接続用コネクタ
２４．直流電圧検出器
２５．直流電流検出器
２６．測定用制御部
２７．アナログインターフェース
２８．通信回線
２９．接触抵抗測定回路
３０．マイクロプロセッサを含む集積回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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