(57)【要約】【課題】タッチパネル機能を有する液晶表示装置において、装置の薄型化及び軽量化を図って、表示品位を向上させる。【解決手段】互いに対向して設けられたアクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０と、両基板の間に設けられた液晶層と、アクティブマトリクス基板２０の液晶層と反対側に設けられたバックライト４３とを備え、対向基板３０は、各辺に沿って反射面を有し、アクティブマトリクス基板２０は、バックライト４３からの光の一部が透過して対向基板３０の隣り合う２辺の反射面に入射するように構成されていると共に、その隣り合う２辺の反射面に入射して反射した第１の反射光Ｌｂが対向基板３０の他の隣り合う２辺の反射面に入射して反射した第２の反射光Ｌｃを受光して受光量を感知する光センサー部Ｓを備えている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクス基板と、
上記アクティブマトリクス基板に対向して矩形状に設けられた対向基板と、
上記アクティブマトリクス基板及び対向基板の間に設けられた液晶層と、
上記アクティブマトリクス基板の上記液晶層と反対側に設けられたバックライトとを備えた液晶表示装置であって、
上記対向基板は、各辺に沿って、上記アクティブマトリクス基板側が外方に位置するように傾斜した反射面を有し、
上記アクティブマトリクス基板は、上記バックライトからの光の一部が透過して上記対向基板の隣り合う２辺の反射面に入射するように構成されていると共に、該隣り合う２辺の反射面に入射して該反射面で反射した第１の反射光が上記対向基板の他の隣り合う２辺の反射面に入射して該反射面で反射した第２の反射光を受光して受光量を感知する光センサー部を備えていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された液晶表示装置において、
マトリクス状に設けられた複数の画素を有し、
上記アクティブマトリクス基板は、上記各画素に薄膜トランジスタを有し、
上記光センサー部は、上記対向基板の他の隣り合う２辺に沿って、複数の薄膜トランジスタを有し、
上記光センサー部の各薄膜トランジスタは、上記各画素の薄膜トランジスタと同一層に同一材料により構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載された液晶表示装置において、
上記光センサー部の各薄膜トランジスタは、ボトムゲート型であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１つに記載された液晶表示装置において、
上記反射面は、４５°の面取り角で面取りされた傾斜面に銀を蒸着して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１つに記載された液晶表示装置において、
上記アクティブマトリクス基板及び対向基板は、枠状のシール材により上記液晶層を封入するように互いに接着され、
上記光センサー部は、上記シール材の内側に該シール材に重ならないように設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、タッチパネル機能を有する液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルは、例えば、液晶表示パネルなどの表示パネルの前面に搭載され、その表面を指やペンなどでタッチすることにより、コンピュータなどの情報処理手段に対話形式で情報を入力するように構成されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、液晶表示パネルの前面に複数の光導波路が設けられ、各光導波路の一端に光センサーが設けられ、光センサーを用いて表示画面上の座標を特定するように構成された液晶表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−９１３４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図８は、抵抗膜方式のタッチパネルを備えた従来の液晶表示装置１７０の断面図である。
【０００６】
液晶表示装置１７０は、図８に示すように、液晶表示モジュール１５０と、液晶表示モジュール１５０の前面に両面接着テープ１５５を介して貼り付けられたタッチパネル１６０とを備えている。
【０００７】
液晶表示モジュール１５０は、画像表示を行う液晶表示パネル（不図示）と、液晶表示パネルにその後面側から面状の光を供給するバックライトユニット（不図示）とを備えている。
【０００８】
タッチパネル１６０は、図８に示すように、表面（図中上面）に透明導電膜が設けられたガラス基板１６１と、ガラス基板１６１に対向して配置され、表面（図中下面）に透明導電膜が設けられたフィルム基板１６２と、ガラス基板１６１のフィルム基板１６２側の表面に設けられた複数のドッドスペーサ（不図示）と、ガラス基板１６１及びフィルム基板１６２をその周縁部で貼り合わせるための貼合材１６３とを備えている。
【０００９】
ここで、上記構成の液晶表示装置１７０では、図８に示すように、液晶表示モジュール１５０の外側にタッチパネル１６０を搭載しているので、装置全体の厚さや重量が増大してしまう。
【００１０】
さらに、液晶表示装置１７０では、図８に示すように、周囲からの外光Ｌが、フィルム基板１６２の表面及び裏面、ガラス基板１６１の表面及び裏面、並びに液晶表示モジュール１５０の表面の多くの界面で反射してしまい、また、液晶表示モジュール１５０から出射する表示光がタッチパネル１６０を透過する際に吸収されて輝度が低下してしまうので、表示品位が低下するおそれがある。
【００１１】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、タッチパネル機能を有する液晶表示装置において、装置の薄型化及び軽量化を図って、表示品位を向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は、対向基板の各辺に傾斜した反射面を設け、バックライトからの光の一部を対向基板の隣り合う２辺の反射面、及び他の隣り合う２辺の反射面で順に反射させた反射光をアクティブマトリクス基板に設けた光センサー部で受光するようにしたものである。
【００１３】
具体的に本発明に係る液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板と、上記アクティブマトリクス基板に対向して矩形状に設けられた対向基板と、上記アクティブマトリクス基板及び対向基板の間に設けられた液晶層と、上記アクティブマトリクス基板の上記液晶層と反対側に設けられたバックライトとを備えた液晶表示装置であって、上記対向基板は、各辺に沿って、上記アクティブマトリクス基板側が外方に位置するように傾斜した反射面を有し、上記アクティブマトリクス基板は、上記バックライトからの光の一部が透過して上記対向基板の隣り合う２辺の反射面に入射するように構成されていると共に、該隣り合う２辺の反射面に入射して該反射面で反射した第１の反射光が上記対向基板の他の隣り合う２辺の反射面に入射して該反射面で反射した第２の反射光を受光して受光量を感知する光センサー部を備えていることを特徴とする。
【００１４】
上記の構成によれば、対向基板が、各辺に沿って、アクティブマトリクス基板側が外方に位置するように傾斜した反射面を有し、アクティブマトリクス基板が、バックライトからの光の一部が透過して対向基板の隣り合う２辺の反射面に入射するように構成され、隣り合う２辺の反射面で反射した第１の反射光が対向基板の他の隣り合う２辺の反射面で反射した第２の反射光を受光して受光量を感知する光センサー部を備えているので、対向基板の（液晶層と反対側の）表面をタッチすると、対向基板の他の隣り合う２辺、すなわち、ｘ方向及びｙ方向に沿って配置する光センサー部で感知される受光量が変化することにより、タッチされた位置（ｘ座標及びｙ座標）が検出される。これにより、アクティブマトリクス基板及び対向基板の２枚の基板を用いて、タッチパネル機能を有する液晶表示装置が構成されるので、装置の薄型化及び軽量化が図られると共に、外光が反射する界面が減り、輝度の低下が抑制されるため、表示品位が向上する。したがって、タッチパネル機能を有する液晶表示装置において、装置の薄型化及び軽量化を図って、表示品位を向上させることが可能になる。
【００１５】
マトリクス状に設けられた複数の画素を有し、上記アクティブマトリクス基板は、上記各画素に薄膜トランジスタを有し、上記光センサー部は、上記対向基板の他の隣り合う２辺に沿って、複数の薄膜トランジスタを有し、上記光センサー部の各薄膜トランジスタは、上記各画素の薄膜トランジスタと同一層に同一材料により構成されていてもよい。
【００１６】
上記の構成によれば、光センサー部の各薄膜トランジスタが、各画素の薄膜トランジスタと同一層に同一材料により構成されているので、各画素に薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス基板において、製造工程を追加することなく、光センサー部を設けることが可能になる。
【００１７】
上記光センサー部の各薄膜トランジスタは、ボトムゲート型であってもよい。
【００１８】
上記の構成によれば、光センサー部の各薄膜トランジスタがボトムゲート型であるので、例えば、光センサー部の各薄膜トランジスタを構成する半導体層のチャネル領域に第２の反射光が入射し易くなり、その際に発生する光リーク電流を利用して、タッチされた位置が具体的に検出される。
【００１９】
上記反射面は、４５°の面取り角で面取りされた傾斜面に銀を蒸着して形成されていてもよい。
【００２０】
上記の構成によれば、対向基板の各辺の反射面が、４５°の面取り角で面取りされた傾斜面に銀を蒸着して形成されているので、第１の反射光及び第２の反射光が、傾斜面の表面の銀の蒸着膜で具体的に反射することになる。
【００２１】
上記アクティブマトリクス基板及び対向基板は、枠状のシール材により上記液晶層を封入するように互いに接着され、上記光センサー部は、上記シール材の内側に該シール材に重ならないように設けられていてもよい。
【００２２】
上記の構成によれば、アクティブマトリクス基板の光センサー部が（遮光性を有する）シール材の内側にシール材に重ならないように設けられているので、具体的に、バックライトからの光がアクティブマトリクス基板及び液晶層を介して対向基板の隣り合う２辺の反射面に入射し、対向基板の他の隣り合う２辺の反射面で反射した第２の反射光が液晶層を介してアクティブマトリクス基板の光センサー部に入射することになる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、対向基板の各辺に傾斜した反射面が設けられ、バックライトからの光の一部を対向基板の隣り合う２辺の反射面及び他の隣り合う２辺の反射面で順に反射させた反射光をアクティブマトリクス基板に設けられた光センサー部で受光するので、装置の薄型化及び軽量化を図って、表示品位を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示装置５０の平面図である。
【図２】図１中のI−I線に沿った液晶表示装置５０の断面図である。
【図３】液晶表示装置５０を構成する液晶表示パネル４０の断面図である。
【図４】液晶表示装置５０の等価回路図である。
【図５】液晶表示装置５０における外光Ｌの反射を示す説明図である。
【図６】液晶表示装置５０の製造方法を示すフローチャートである。
【図７】液晶表示装置５０の製造方法を示す説明図である。
【図８】従来の液晶表示装置１７０の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２６】
図１は、本実施形態の液晶表示装置５０の平面図であり、図２は、図１中のII−II線に沿った液晶表示装置５０の断面図である。また、図３は、液晶表示装置５０を構成する液晶表示パネル４０の断面図であり、図４は、液晶表示装置５０の回路構成を示す等価回路図である。さらに、図５は、液晶表示装置５０における外光Ｌの反射を示す説明図である。
【００２７】
液晶表示装置５０は、図１及び図２に示すように、画像表示を行う液晶表示パネル４０と、液晶表示パネル４０の後面側に設けられ、液晶表示パネル４０の画像表示を行う表示領域Ｄに拡散板などの複数の光学シート４４を介して光を供給するためのバックライトユニット４３とを備えている。ここで、液晶表示パネル４０及びバックライトユニット４３は、図１及び図２に示すように、断面略コ字状に形成された筐体３９の内部に収容されている。また、液晶表示パネル４０は、図２に示すように、両面接着テープ４７を介して、筐体３９の内部に固定されている。
【００２８】
液晶表示パネル４０は、図１、図２及び図３に示すように、互いに対向して配置するように矩形状に設けられたアクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０と、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０の間に設けられた液晶層２５と、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０を互いに接着すると共にアクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０の間に液晶層２５を封入するために枠状に設けられたシール材２６とを備えている。ここで、液晶表示パネル４０の表面及び裏面には、一定方向のみに振動する光を透過させるための偏光板４６ａ及び４６ｂがそれぞれ貼り付けられている。
【００２９】
アクティブマトリクス基板２０は、図３及び図４に示すように、表示領域Ｄにおいて、ガラス基板などの絶縁基板１０ａ上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１と、各ゲート線１１の間にそれぞれ設けられ、互いに平行に延びる複数の容量線（不図示）と、各ゲート線１１と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１４と、各ゲート線１１及び各ソース線１４の交差部分にそれぞれ設けられた複数の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、「ＴＦＴ」と称する）５ａと、各ＴＦＴ５ａを覆うように設けられた層間絶縁膜１５と、層間絶縁膜１５上にマトリクス状に設けられた複数の画素電極１６と、各画素電極１６を覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。また、アクティブマトリクス基板２０は、図１及び図２に示すように、表示領域Ｄの外側の枠状の非表示領域において、その隣り合う２辺に沿って設けられた光センサー部Ｓ（Ｓｘ及びＳｙ）を備えている。さらに、アクティブマトリクス基板２０の対向基板３０から露出する端子領域Ｔには、各ゲート線１１が接続されたゲート駆動回路Ｃａ、各ソース線１４が接続されたソース駆動回路Ｃｂ、並びに後述する光センサー用信号線１１ｃ及び１４ｃが接続された位置検出回路Ｃｄが搭載されている。ここで、アクティブマトリクス基板２０（及びそれを備えた液晶表示装置５０）では、複数の画素電極１６（複数の画素Ｐ）がマトリクス状に配置することにより、表示領域Ｄが矩形状に規定されている。
【００３０】
ＴＦＴ５ａは、図３に示すように、絶縁基板１０ａ上に設けられたゲート電極１１ａと、ゲート電極１１ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上でゲート電極１１ａに対応する位置に島状に設けられた半導体層１３ａと、半導体層１３ａ上で互いに対峙するように設けられたソース電極１４ａａ及びドレイン電極１４ａｂとを備えている。ここで、ゲート電極１１ａは、ゲート線１１の側方に突出した部分であり、ソース電極１４ａａは、ソース線１４の側方への突出した部分である。また、ドレイン電極１４ａｂは、層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホール（不図示）を介して画素電極１６に接続されていると共に、各容量線に重なることにより補助容量６ａを構成している。さらに、半導体層１３ａは、チャネル領域（不図示）を有する下層の真性アモルファスシリコン層（不図示）と、その真性アモルファスシリコン層のチャネル領域が露出するように設けられた上層のｎ＋アモルファスシリコン層（不図示）とを備えている。
【００３１】
光センサー部Ｓは、図３及び図４に示すように、ＴＦＴ５ａと同一層に同一材料によりそれぞれ形成された複数のＴＦＴ５ｂと、各ＴＦＴ５ｂにそれぞれ接続された複数のコンデンサー６ｂとを備え、シール材２６の内側にシール材２６に重ならないように設けられている。
【００３２】
ＴＦＴ５ｂは、図３に示すように、絶縁基板１０ａ上に設けられたゲート電極１１ｂと、ゲート電極１１ｂを覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上でゲート電極１１ｂに対応する位置に島状に設けられた半導体層１３ｂと、半導体層１３ｂ上で互いに対峙するように設けられたソース電極１４ｂａ及びドレイン電極１４ｂｂとを備えている。
【００３３】
ゲート線１１の延びる方向（ｘ方向）に沿った光センサー部Ｓｘに配置する各ＴＦＴ５ｂでは、図４に示すように、ゲート電極１１ｂがソース線１４に接続され、ソース電極１４ｂａが光センサー用信号線１１ｃに接続され、ドレイン電極１４ｂｂがコンデンサー６ｂに接続されている。
【００３４】
ソース線１４の延びる方向（ｙ方向）に沿った光センサー部Ｓｙに配置する各ＴＦＴ５ｂでは、図４に示すように、ゲート電極１１ｂがゲート線１１に接続され、ソース電極１４ｂａが光センサー用信号線１４ｃに接続され、ドレイン電極１４ｂｂがコンデンサー６ｂに接続されている。
【００３５】
対向基板３０は、図３に示すように、ガラス基板などの絶縁基板１０ｂ上に格子状に設けられたブラックマトリクス（不図示）並びにそのブラックマトリクスの各格子間にそれぞれ設けられた赤色層、緑色層及び青色層などの着色層（不図示）を有するカラーフィルター層２１と、カラーフィルター層２１を覆うように設けられた共通電極２２と、共通電極２２上に設けられたフォトスペーサ（不図示）と、共通電極２２を覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。
【００３６】
また、対向基板３０は、各辺に沿って、図３に示すように、アクティブマトリクス基板２０側が外方に位置するように４５°に傾斜した反射面Ｒを有している。ここで、反射面Ｒの表面には、図３に示すように、銀薄膜などの反射膜２３が蒸着されている。また、バックライトユニット４３からの光の一部Ｌａは、図２に示すように、対向基板３０の隣り合う２辺（図１中の左辺及び下辺）の反射面Ｒに入射して、その反射面Ｒで反射した第１の反射光Ｌｂが対向基板３０（絶縁基板１０ｂ）内を伝搬した後に、対向基板３０の他の隣り合う２辺（図１中の右辺及び上辺）の反射面Ｒに入射して、その反射面Ｒで反射した第２の反射光Ｌｂがアクティブマトリクス基板２０上の光センサー部Ｓに入射するようになっている。そして、光センサー部Ｓでは、各ＴＦＴ５ｂに接続されたコンデンサー６ｂに所定量の電荷を予め蓄積させておき、第２の反射光ＬｂがＴＦＴ５ｂの半導体層ｂのチャネル領域に入射する際に発生する光リーク電流に起因して減少した電荷量を測定することにより、受光量の変化を感知することができるので、このような構成のＴＦＴ５ｂ及びコンデンサー６ｂのペアをｘ方向及びｙ方向に沿って複数の配列させて、光センサー部Ｓｘ及びＳｙにおいて、順次個別に動作させることにより、タッチされた位置（ｘ座標及びｙ座標）を検出することができる。
【００３７】
液晶層２５は、電気光学特性を有するネマチックの液晶材料などにより構成されている。
【００３８】
バックライトユニット４３は、例えば、複数のＬＥＤ（light-emitting diode）が１列に設けられた光源４１と、光源４１からの線状の光を表面から面状に出射させるための導光板４２と、光源４１を囲むと共に導光板４２の底面を覆うように設けられた反射シート（不図示）とを備えている。
【００３９】
上記構成の液晶表示装置５０は、ゲート駆動回路Ｃａ及びソース駆動回路Ｃｂを介して、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０の間の液晶層２５に所定の電圧を印加して、液晶層２５の配向状態を変えることにより、各画素Ｐ毎に液晶表示パネル４０内を透過するバックライトユニット４３からの光の透過率を調整して、画像表示を行うと共に、液晶表示パネル４０（の偏光板４６ａ）の表面がタッチされることにより、アクティブマトリクス基板２０に設けられた光センサー部Ｓで感知する受光量に変化が生じ、その受光量の変化に基づいて位置検出回路Ｃｄがタッチされた位置を検出するように構成されている。
【００４０】
次に、本実施形態の液晶表示装置５０を製造する方法について図６及び図７を用いて説明する。ここで、図６及び図７は、液晶表示装置５０の製造方法を示すフローチャート及び説明図である。なお、本実施形態の製造方法は、図６及び図７に示すように、アクティブマトリクス母基板作製工程、対向母基板作製工程、基板貼合工程、基板分断工程、基板研磨工程及び反射膜蒸着工程を備える。
【００４１】
＜アクティブマトリクス母基板作製工程＞
まず、ガラス基板などの大型の絶縁基板（１０ａ）の基板全体に、スパッタリング法により、例えば、チタン膜、アルミニウム膜及びチタン膜などを順に成膜し、その後、フォトリソグラフィを用いてパターニングして、各表示領域Ｄ毎に、ゲート線１１、ゲート電極１１ａ及び１１ｂ、光センサー用信号線１１ｃ並びに容量線を厚さ４０００Å程度に形成する。
【００４２】
続いて、ゲート線１１、ゲート電極１１ａ及び１１ｂ、光センサー用信号線１１ｃ並びに容量線が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、例えば、窒化シリコン膜などを成膜し、ゲート絶縁膜１２を厚さ４０００Å程度に形成する。
【００４３】
さらに、ゲート絶縁膜１２が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ法により、例えば、アモルファスシリコン膜、及びリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜を連続して成膜し、その後、各表示領域Ｄ毎に、フォトリソグラフィを用いてゲート電極１１ａ及び１１ｂ上に島状にパターニングして、厚さ１５００Å程度のアモルファスシリコン層、及び厚さ５００Å程度のｎ＋アモルファスシリコン層が積層された半導体層形成層を形成する。
【００４４】
そして、上記半導体層形成層が形成された基板全体に、スパッタリング法により、例えば、アルミニウム膜及びチタン膜などを順に成膜し、その後、フォトリソグラフィを用いてパターニングして、各表示領域Ｄ毎に、ソース線１４、ソース電極１４ａａ及び１４ｂａ、ドレイン電極１４ａｂ及び１４ｂｂ、光センサー用信号線１４ｃを厚さ２０００Å程度に形成する。
【００４５】
続いて、ソース電極１４ａａ及び１４ｂａ、並びにドレイン電極１４ａｂ及び１４ｂｂをマスクとして上記半導体層形成層のｎ＋アモルファスシリコン層をエッチングすることにより、チャネル領域をパターニングして、各表示領域Ｄ毎に、半導体層１３ａ及びそれを備えたＴＦＴ５ａ、並びに半導体層１３ｂ及びそれを備えたＴＦＴ５ｂを形成する。
【００４６】
さらに、ＴＦＴ５ａ及び５ｂが形成された基板全体に、スピンコート法により、例えば、アクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することにより、各表示領域Ｄ毎に、ドレイン電極１４ａｂ上にコンタクトホールを有する層間絶縁膜１５を厚さ２μｍ程度に形成する。
【００４７】
そして、層間絶縁膜１５上の基板全体に、スパッタリング法により、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を成膜し、その後、フォトリソグラフィを用いてパターニングして、各表示領域Ｄ毎に、画素電極１６を厚さ１０００Å程度に形成する。
【００４８】
最後に、画素電極１６が形成された基板全体に、印刷法によりポリイミド樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行って、配向膜を厚さ１０００Å程度に形成する。
【００４９】
以上のようにして、アクティブマトリクス母基板１２０（図７参照）を作製することができる。
【００５０】
＜対向母基板作製工程＞
まず、ガラス基板などの大型の絶縁基板（１０ｂ）の基板全体に、スピンコート法により、例えば、カーボンなどの微粒子が分散されたアクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することにより、各表示領域Ｄ毎に、ブラックマトリクスを厚さ１．５μｍ程度に形成する。
【００５１】
続いて、上記ブラックマトリクスが形成された基板上に、例えば、赤、緑又は青に着色されたアクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することによりパターニングして、各表示領域Ｄ毎に、選択した色の着色層（例えば、赤色層）を厚さ２．０μｍ程度に形成する。さらに、他の２色についても同様な工程を繰り返して、各表示領域Ｄ毎に、他の２色の着色層（例えば、緑色層及び青色層）を厚さ２．０μｍ程度に形成して、カラーフィルター層２１を形成する。
【００５２】
さらに、カラーフィルター層２１が形成された基板上に、スパッタリング法により、例えば、ＩＴＯ膜を成膜して、各表示領域Ｄ毎に、共通電極２２を厚さ１５００Å程度に形成する。
【００５３】
その後、共通電極２２が形成された基板全体に、スピンコート法により、フェノールノボラック系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することにより、各表示領域Ｄ毎に、フォトスペーサ（不図示）を厚さ４μｍ程度に形成する。
【００５４】
最後に、上記フォトスペーサが形成された基板全体に、印刷法によりポリイミド系樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行って、配向膜を厚さ１０００Å程度に形成する。
【００５５】
以上のようにして、対向母基板１３０（図７参照）を作製することができる。
【００５６】
＜基板貼合工程＞
まず、例えば、上記対向母基板作製工程で作製された対向母基板１３０の各表示領域Ｄの周囲に、スクリーン印刷などにより、例えば、紫外線硬化及び熱硬化併用型のシール材２６を枠状に印刷する。
【００５７】
続いて、例えば、シール材２６が印刷された対向母基板１３０の各表示領域Ｄに液晶材料を滴下する。
【００５８】
さらに、真空チャンバーの内部で、液晶材料が滴下された対向母基板１３０とアクティブマトリクス母基板作製工程で作製されたアクティブマトリクス母基板１２０とを互いの各表示領域Ｄが重なり合うように貼り合わせた後に、各シール材２６を硬化させることにより、貼合体１４０（図７参照）を作製する。
【００５９】
＜基板分断工程＞
まず、上記基板貼合工程で作製された貼合体１４０のアクティブマトリクス母基板１２０の表面において、例えば、円盤状の分断刃の刃先を当接させながら、その分断刃を転動させることにより、線状のクラックを形成すると共に、そのクラックを厚さ方向に成長させることにより、アクティブマトリクス母基板１２０を各表示領域Ｄ毎に分断して、アクティブマトリクス基板２０を作製する。
【００６０】
続いて、アクティブマトリクス母基板１２０が分断された貼合体１４０を表裏反転させた後に、対向母基板１３０の外表面において、上記分断刃の刃先を当接させながら、その分断刃を転動させることにより、線状のクラックを形成すると共に、そのクラックを厚さ方向に成長させることにより、対向母基板１３０を各表示領域Ｄ毎に分断して、対向基板（３０）を作製する。
【００６１】
以上のようにして、対向基板（３０）の各辺が面取りされていない液晶表示パネル４０ａを作製することができる。
【００６２】
＜基板研磨工程＞
上記基板分断工程で作製された液晶表示パネル４０ａの対向基板（３０）の４辺の側面をガラス面取り装置を用いて研磨することにより、４５°の面取り角で面取りされた傾斜面を形成する。
【００６３】
＜反射膜蒸着工程＞
上記基板研磨工程で形成された対向基板（３０）の傾斜面に銀薄膜（厚さ１００Å程度）を蒸着して、反射膜２３及びそれを備えた反射面Ｒを形成する。
【００６４】
以上のようにして、対向基板３０を備えた液晶表示パネル４０を作製することができる。
【００６５】
さらに、液晶表示パネル４０の表面及び裏面に偏光板４６ａ及び４６ｂを貼り付け、ゲート駆動回路Ｃａ、ソース駆動回路Ｃｂ及び位置検出回路Ｃｄが組み込まれたＩＣチップをアクティブマトリクス基板２０の端子領域Ｔに実装した後に、その液晶表示パネル４０をバックライトユニット４３と共に筐体３９の内部に両面接着テープ４７を介して固定することにより、液晶表示装置５０を製造することができる。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示装置５０によれば、対向基板３０が、各辺に沿って、アクティブマトリクス基板２０側が外方に位置するように傾斜した反射面Ｒを有し、アクティブマトリクス基板２０が、バックライトユニット４３からの光の一部Ｌａが透過して対向基板３０の隣り合う２辺の反射面Ｒに入射するように構成され、隣り合う２辺の反射面Ｒで反射した第１の反射光Ｌｂが対向基板３０の他の隣り合う２辺の反射面Ｒで反射した第２の反射光Ｌｃを受光して受光量を感知する光センサー部Ｓを備えているので、対向基板３０の（液晶層２５と反対側の偏光板４６ａの）表面をタッチすると、対向基板３０の他の隣り合う２辺、すなわち、ｘ方向及びｙ方向に沿って配置する光センサー部Ｓ（Ｓｘ及びＳｙ）で感知される受光量が変化することにより、タッチされた位置（ｘ座標及びｙ座標）を検出することができる。これにより、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０の２枚の基板を用いて、タッチパネル機能を有する液晶表示装置５０を構成することができるので、装置の薄型化及び軽量化を図ることができると共に、外光Ｌ（図５参照）が反射する界面が減り、輝度の低下が抑制されるため、表示品位を向上させることができる。したがって、タッチパネル機能を有する液晶表示装置において、装置の薄型化及び軽量化を図って、表示品位を向上させることができる。
【００６７】
本実施形態の液晶表示装置５０によれば、光センサー部Ｓの各ＴＦＴ５ｂが、各画素ＰのＴＦＴ５ａと同一層に同一材料により構成されているので、各画素ＰにＴＦＴ５ａを備えたアクティブマトリクス基板２０において、製造工程を追加することなく、光センサー部Ｓを設けることができる。
【００６８】
本実施形態の液晶表示装置５０によれば、光センサー部Ｓの各ＴＦＴ５ｂがボトムゲート型であるので、光センサー部Ｓの各ＴＦＴ５ｂを構成する半導体層１３ｂのチャネル領域に第２の反射光Ｌｃが入射し易くなり、その際に発生する光リーク電流を利用して、タッチされた位置を検出することができる。
【００６９】
本実施形態の液晶表示装置５０によれば、アクティブマトリクス基板２０の光センサー部Ｓが遮光性を有するシール材２６の内側にシール材２６に重ならないように設けられているので、バックライトユニット４３からの光の一部Ｌａをアクティブマトリクス基板２０及び液晶層２５を介して対向基板３０の隣り合う２辺の反射面Ｒに入射させ、対向基板３０の他の隣り合う２辺の反射面Ｒで反射した第２の反射光Ｌｃを液晶層２５を介してアクティブマトリクス基板２０の光センサー部Ｓに入射させることができる。
【００７０】
本実施形態の液晶表示装置５０では、光センサー部Ｓの受光素子として、ＴＦＴを例示したが、本発明は、薄膜ダイオード（ＴＦＤ）などの受光素子を用いてもよい。
【００７１】
本実施形態では、液晶表示装置として、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置を例示したが、本発明は、パッシブマトリクス駆動方式の液晶表示装置や有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置などの他の表示装置にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
以上説明したように、本発明は、タッチパネル機能を有する液晶表示装置において、装置の薄型化及び軽量化を図って、表示品位を向上させることができるので、モバイル用途の液晶表示装置などについて有用である。
【符号の説明】
【００７３】
Ｌａ    バックライトからの光の一部
Ｌｂ    第１の反射光
Ｌｃ    第２の反射光
Ｐ      画素
Ｒ      反射面
Ｓ      光センサー部
５ａ，５ｂ    ＴＦＴ
２０    アクティブマトリクス基板
２３    反射膜（銀）
２５    液晶層
２６    シール材
３０    対向基板
４３    バックライトユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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