(57)【要約】【課題】  基板と、前記基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法において、基板の熱劣化や熱ひずみを十分に抑制しつつ、透明導電膜の抵抗率を短時間で効率よく且つ十分に低下させることが可能な透明導電膜の改質方法を提供すること。【解決手段】  基板と、該基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法であって、前記透明導電膜にフラッシュランプを用いて光照射量が２〜２５Ｊ／ｃｍ２であるフラッシュ光を照射して前記透明導電膜を加熱することによりアニール処理を施すことを特徴とする透明導電膜の改質方法。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法であって、前記透明導電膜にフラッシュランプを用いて光照射量が２〜２５Ｊ／ｃｍ２であるフラッシュ光を照射して前記透明導電膜を加熱することによりアニール処理を施すことを特徴とする透明導電膜の改質方法。
【請求項２】
前記フラッシュ光の光パルス持続時間が０．１〜１０ｍｓｅｃであることを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜の改質方法。
【請求項３】
前記透明導電膜が、真空蒸着法、スパッタ法、イオンビーム法、常圧化学気相成長法、減圧化学気相成長法、プラズマ化学気相成長法、光化学気相成長法及びプラズマ重合法からなる群から選択させる少なくとも一つの成膜法により前記基板上に形成されたものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の透明導電膜の改質方法。
【請求項４】
基板上に、真空蒸着法、スパッタ法、イオンビーム法、常圧化学気相成長法、減圧化学気相成長法、プラズマ化学気相成長法、光化学気相成長法及びプラズマ重合法からなる群から選択される少なくとも一つの成膜法により亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜を形成する工程と、
前記透明導電膜にフラッシュランプを用いて光照射量が２〜２５Ｊ／ｃｍ２であるフラッシュ光を照射して前記透明導電膜を加熱することによりアニール処理を施す工程と、
を含むことを特徴とする透明導電膜付基板の製造方法。
【請求項５】
前記フラッシュ光の光パルス持続時間が０．１〜１０ｍｓｅｃであることを特徴とする請求項４に記載の透明導電膜付基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子やタッチパネル等に用いられる透明導電膜付基板における透明導電膜を改質してその抵抗率を低下させる方法、並びにその方法を用いた透明導電膜付基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電膜は、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ、無機ＥＬディスプレイ等のディスプレイの電極、タッチパネルの電極、窓ガラスの熱線反射膜、帯電防止膜等に広く用いられている。そのような透明導電膜としては、ＺｎＯ−ＳｎＯ2系の膜が知られており、特開２００７−３１４３６４号公報（特許文献１）には、ＺｎＯとＳｎＯ2とを混合・焼成して得られた焼成粉末をターゲットとし、スパッタリングにより成膜して、ＺｎＯ−ＳｎＯ2系の透明導電性非晶質膜を得る技術が開示されている。
【０００３】
このような成膜により得られた膜の抵抗率が不十分である場合、成膜後に加熱炉を用いてアニール処理することにより改質し、低抵抗化する技術が一般的に知られている。しかしながら、従来のアニール処理による透明導電膜の改質は、処理に時間がかかり生産効率の点で必ずしも十分な方法ではなかった。また、基板の材料が樹脂等の有機物である場合には、アニール処理によって基板にかかる熱により、基板が変形したり樹脂が変質し劣化したりしてしまうという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３１４３６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、基板と、前記基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法において、基板の熱劣化や熱ひずみを十分に抑制しつつ、透明導電膜の抵抗率を短時間で効率よく且つ十分に低下させることが可能な透明導電膜の改質方法、並びにその方法を用いた透明導電膜付基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、基板と、前記基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法において、前記透明導電膜にフラッシュランプを用いて光照射量が２〜２５Ｊ／ｃｍ２であるフラッシュ光を照射して前記透明導電膜を加熱することによりアニール処理を施すことによって、基板の熱劣化や熱ひずみを十分に抑制しつつ、透明導電膜の抵抗率を短時間で効率よく且つ十分に低下させることが可能となることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明の透明導電膜の改質方法は、基板と、該基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法であって、前記透明導電膜にフラッシュランプを用いて光照射量が２〜２５Ｊ／ｃｍ２であるフラッシュ光を照射して前記透明導電膜を加熱することによりアニール処理を施すことを特徴とする方法である。
【０００８】
また、本発明の透明導電膜の改質方法においては、前記透明導電膜が、真空蒸着法、スパッタ法、イオンビーム法、常圧化学気相成長法、減圧化学気相成長法、プラズマ化学気相成長法、光化学気相成長法及びプラズマ重合法からなる群から選択される少なくとも一つの成膜法により基板上に形成されたものであることが好ましい。
【０００９】
本発明の透明導電膜付基板の製造方法は、基板上に、真空蒸着法、スパッタ法、イオンビーム法、常圧化学気相成長法、減圧化学気相成長法、プラズマ化学気相成長法、光化学気相成長法及びプラズマ重合法からなる群から選択される少なくとも一つの成膜法により亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜を形成する工程と、
前記透明導電膜にフラッシュランプを用いて光照射量が２〜２５Ｊ／ｃｍ２であるフラッシュ光を照射して前記透明導電膜を加熱することによりアニール処理を施す工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
【００１０】
さらに、本発明の透明導電膜の改質方法及び透明導電膜付基板の製造方法においては、前記フラッシュ光の光パルス持続時間が０．１〜１０ｍｓｅｃであることが好ましい。
【００１１】
なお、本発明の透明導電膜の改質方法によれば、基板と、前記基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法において、透明導電膜の抵抗率を効率よく且つ十分に低下させることが可能であり、しかも基板の熱劣化や熱ひずみを十分に抑制することが可能となる。すなわち、本発明においては、フラッシュランプを用いて光照射量が２〜２５Ｊ／ｃｍ２であるフラッシュ光を照射することによって透明導電膜を加熱するというアニール処理を透明導電膜に施しており、このようなフラッシュランプによるアニール処理においては、フラッシュランプが照射される表面近傍に集中的にエネルギーを供給することができるため、透明導電膜付基板の表面に存在する透明導電膜に集中的にエネルギーが供給され、そのエネルギーにより透明導電膜中に最適な量のキャリヤを形成することができる。そのため、従来のような加熱炉によるアニール処理と比較して短時間で効率よく透明導電膜にエネルギーを供給することができ、透明導電膜の抵抗率を効率よく且つ十分に低下させることができる。また、このようなフラッシュランプによるアニール処理においては、フラッシュランプが照射される表面近傍以外の部分である基板に不要なエネルギーが供給されることを十分に防止しうるため、基板の熱劣化や熱ひずみを十分に抑制することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、基板と、前記基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法において、基板の熱劣化や熱ひずみを十分に抑制しつつ、透明導電膜の抵抗率を短時間で効率よく且つ十分に低下させることが可能な透明導電膜の改質方法、並びにその方法を用いた透明導電膜付基板の製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。
【００１４】
本発明の透明導電膜の改質方法は、基板と、該基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法であって、前記透明導電膜にフラッシュランプを用いて光照射量が２〜２５Ｊ／ｃｍ２であるフラッシュ光を照射して前記透明導電膜を加熱することによりアニール処理を施すことを特徴とする方法である。
【００１５】
また、本発明の透明導電膜付基板の製造方法は、基板上に、真空蒸着法、スパッタ法、イオンビーム法、常圧化学気相成長法、減圧化学気相成長法、プラズマ化学気相成長法、光化学気相成長法及びプラズマ重合法からなる群から選択される少なくとも一つの成膜法により亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜を形成する工程と、
前記透明導電膜にフラッシュランプを用いて光照射量が２〜２５Ｊ／ｃｍ２であるフラッシュ光を照射して前記透明導電膜を加熱することによりアニール処理を施す工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
【００１６】
本発明に用いられる基板は、発光素子やタッチパネル等において透明導電膜を形成するための支持基板となるものである。このような基板の材質は、得られる透明導電膜付基板の用途に応じて適宜選択されるため特に限定されないが、得られる透明導電膜付基板を発光素子等に用いる場合には、例えば、ガラス、シリコン、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられる。また、本発明においては、基板の熱劣化や熱ひずみを十分に抑制することができることから、基板の材質として、ガラス等の無機物と比較して耐熱性が低い熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の樹脂（有機物）を好適に使用することできる。
【００１７】
前記基板の厚みは、得られる透明導電膜付基板の用途に応じて適宜選択されるため特に限定されないが、得られる透明導電膜付基板を発光素子等に用いる場合には、一般的には５０μｍ〜５ｍｍの範囲内であり、１００μｍ〜２ｍｍであることが好ましい。
【００１８】
本発明にかかる透明導電膜は、亜鉛と錫との複合酸化物からなるものである。かかる複合酸化物における亜鉛（Ｚｎ）と錫（Ｓｎ）との組成比は、得られる透明導電膜付基板の用途に応じて適宜選択されるため特に限定されるものではないが、より比抵抗に優れる透明導電膜が得られる傾向にあるという観点から、Ｓｎ原子とＺｎ原子との合計量に対するＳｎ原子の量の比（原子比、Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｚｎ））が０．５０〜０．９５の範囲であることが好ましく、０．５０〜０．９０の範囲であることがより好ましく、０．６０〜０．９０の範囲であることがさらにより好ましく、０．６０〜０．８０の範囲であることが特に好ましい。
【００１９】
また、本発明にかかる透明導電膜を構成する亜鉛と錫との複合酸化物においては、第３成分（亜鉛化合物及び錫化合物のいずれでもない元素）がさらに含有（ドープ）されていてもよい。このような第３成分（ドーパント）としては、Ｉｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｆ、Ｔｉ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ等が挙げられる。さらに、前記複合酸化物がこのような第３成分を含有している場合は、前記複合酸化物における第３成分の含有量が、金属原子換算で、１０ａｔ％以下であることが好ましい。
【００２０】
前記透明導電膜の厚みは、得られる透明導電膜付基板の用途に応じて適宜選択されるため特に限定されないが、得られる透明導電膜付基板を発光素子等に用いる場合には、２０ｎｍ〜２μｍであることが好ましく、３０〜５００ｎｍであることがより好ましい。
【００２１】
前記透明導電膜のアニール処理による改質前の表面抵抗率は特に限定されるものではないが、３０００Ω／□以下程度であることが好ましく、１５００Ω／□以下程度であることがより好ましく、１０００Ω／□以下程度であることがさらにより好ましい。なお、表面抵抗率は、ＪＩＳ  Ｋ７１４９に記載の４探針法による抵抗率試験法に準拠した方法により測定することができる。
【００２２】
本発明にかかる透明導電膜付基板は、前記基板と、前記基板上に形成された前記透明導電膜とを備えるものである。前記透明導電膜付基板は、前記基板上に前記透明導電膜を形成することにより得ることができ、このように基板上に透明導電膜を形成させる成膜法としては、表面抵抗率が前記上限以下となるような透明導電膜を形成することが可能な成膜法を採用することが好ましい。基板上に透明導電膜を形成させる成膜法としては、一般的に、真空蒸着法、スパッタ法、イオンビーム法、常圧化学気相成長法（常圧ＣＶＤ）、減圧化学気相成長法（減圧ＣＶＤ）、プラズマ化学気相成長（プラズマＣＶＤ）、光化学気相成長法（光ＣＶＤ）、プラズマ重合法、ゾル−ゲル法、塗布熱分解法、微粒子分散法等が採用されているが、本発明においては、得られる透明導電膜の表面抵抗率の観点から、真空蒸着法、スパッタ法、イオンビーム法等の物理気相成長法（ＰＶＤ）；常圧化学気相成長法、減圧化学気相成長法、プラズマ化学気相成長法、光化学気相成長法、プラズマ重合法等の化学気相成長法（ＣＶＤ）からなる群から選択される少なくとも一つの成膜法を採用することが好ましく、スパッタ法を採用することがより好ましい。
【００２３】
本発明においては、前記透明導電膜にフラッシュランプを用いて光照射量が２〜２５Ｊ／ｃｍ２であるフラッシュ光を照射して前記透明導電膜を加熱することによりアニール処理を施す。前記アニール処理に用いるフラッシュランプとしては、ランプのフラッシュ光の波長が透明導電膜の材料である亜鉛と錫との複合酸化物の吸収波長と一部重複するものを適宜選択して使用することができるが、かかる複合酸化物の吸収波長である３００〜４００ｎｍの波長領域においてフラッシュ光を発するランプを使用することが好ましい。このようなフラッシュランプとしては、例えば、キセノンランプが挙げられる。また、前記アニール処理を施す際の雰囲気は特に限定されないが、アルゴン、窒素等の不活性ガスの雰囲気とすることが好ましい。
【００２４】
前記アニール処理におけるフラッシュ光の光照射量は２〜２５Ｊ／ｃｍ２であることが必要であり、２〜２０Ｊ／ｃｍ２であることがより好ましい。かかる光照射量が２Ｊ／ｃｍ２未満では、透明導電膜の抵抗率を十分に低下させることができない。他方、かかる光照射量が２５Ｊ／ｃｍ２を超えると、透明導電膜が結晶化してしまい、抵抗率が却って上昇してしまう。したがって、本発明においてはかかる光照射量を前記範囲内とすることによって、透明導電膜の抵抗率を十分に低下させつつ、基板の熱劣化や熱ひずみをより十分に抑制することが可能となる。また、このような光照射量は、前記光パルス持続時間やフラッシュアニール装置の種類等に応じて調節することができる。なお、本明細書において、フラッシュ光の光照射量とは、フラッシュランプの入力エネルギー（単位：Ｊ）をフラッシュランプが照射される面積（単位：ｃｍ２）で除した値のことをいう。
【００２５】
また、前記アニール処理におけるフラッシュ光の光パルス持続時間は０．１〜１０ｍｓｅｃであることが好ましく、０．１〜０．９ｍｓｅｃであることがより好ましい。かかる光パルス持続時間が０．１ｍｓｅｃ未満では、光パルス持続時間自体のコントロールが困難となり、例えばアニール処理のロットごとに抵抗率が低下する度合いのバラツキが生じるといった不都合が生じ易くなる傾向にある。他方、かかる光パルス持続時間が１０ｍｓｅｃを超えると、フラッシュ光により透明導電膜以外の部分である基板にも不要なエネルギーが供給されるため、基板の熱劣化や熱ひずみを十分に抑制することが困難となる傾向にある。
【００２６】
また、前記アニール処理を施した際には、前記透明導電膜は通常１５０〜６００℃に加熱される。前記アニール処理においては、基板の熱劣化や熱ひずみを十分に抑制しつつ透明導電膜を改質するという観点から、透明導電膜の温度は２００〜３００℃となるように、光照射量や光パルス持続時間を調整することが好ましい。
【００２７】
本発明においては、前記アニール処理による改質後の透明導電膜の表面抵抗率が、改質前の透明導電膜の表面抵抗率の１／２以下の値となっていることが好ましい。また、前記アニール処理による改質後の透明導電膜の表面抵抗率は、得られる透明導電膜付基板の用途に応じて適宜選択されるため特に限定されるものではないが、１０００Ω／□以下であることが好ましく、５００Ω／□以下であることがより好ましい。
【００２８】
以上説明した本発明の透明導電膜の改質方法及び透明導電膜付基板の製造方法によれば、基板の熱劣化や熱ひずみを十分に抑制しつつ、透明導電膜の抵抗率を短時間で効率よく且つ十分に低下させることが可能となる。また、本発明の透明導電膜の改質方法は、基板の熱劣化や熱ひずみを十分に抑制しつつ、透明導電膜を改質することができるため、ガラス等の無機物と比較して耐熱性が低い熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の樹脂（有機物）からなる基板を備える透明導電膜付基板の改質方法として特に好適な方法である。さらに、本発明の透明導電膜の改質方法及び透明導電膜付基板の製造方法により得られる透明導電膜付基板は、抵抗率が十分に低い透明導電膜を備えるものであるため、タッチパネル用透明導電膜付基板として特に好適に使用することができる。
【実施例】
【００２９】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、透明導電膜の表面抵抗率は以下の方法により測定した。
【００３０】
（i）表面抵抗率
ＪＩＳ  Ｋ７１４９に記載の４探針法による抵抗率試験法に準拠して、表面抵抗測定器（三菱化学社製、製品名「Ｌｒｅｓｔａ  ＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６１０」）を用いて、透明導電膜の表面抵抗率（単位：Ω／□）を測定した。
【００３１】
（実施例１）
酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ、株式会社高純度化学製、純度９９．９９％）及び酸化錫粉末（ＳｎＯ2、株式会社高純度化学製、純度９９．９９％）を、Ｚｎ：Ｓｎ（原子比）が２０：８０となるように秤量し、直径５ｍｍのジルコニア製ボールを用いて乾式ボールミルにより混合した。得られた混合粉末をアルミナ製ルツボに入れて空気雰囲気中において９００℃で５時間保持して仮焼した後、さらに直径５ｍｍのジルコニア製ボールを用いて乾式ボールミルにより粉砕した。得られた粉末を、金型を用いて一軸プレスにより５００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で円板状に成形した。さらに成形体を冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）を用いて２０００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で加圧した後、酸素雰囲気中において常圧で１２００℃で５時間保持して焼成して焼結体を得た。得られた焼結体を加工して直径３インチのスパッタリング用ターゲットとして用い、スパッタリング装置（徳田製作所製、ＣＦＳ−４ＥＳ−２３１）内に設置し、さらに支持体としてガラス基板を用い、その基板をスパッタリング装置内に設置した。次いで、Ａｒ−酸素混合ガス（酸素濃度０．２体積％）雰囲気中で、圧力０．５Ｐａ、基板温度２６５℃、電力５０Ｗの条件でスパッタリングを行い、基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜（改質前）を得た。
【００３２】
得られた改質前の透明導電膜の電気特性を測定したところ、表面抵抗率は３４０Ω／□であった。
【００３３】
次に、改質前の透明導電膜付基板の透明導電膜の表面に、ウシオ電機社製のフラッシュ照射実験装置（ＳＵＳ３６７）を用いてフラッシュ光を照射し、透明導電膜にフラッシュランプによるアニール処理を施して改質後の透明導電膜付基板を得た。なお、アニール処理におけるフラッシュ光の光パルス持続時間は０．２ｍｓｅｃ、電圧９５０Ｖであった。また、アニール処理に用いたフラッシュランプの光照射量は１７．５Ｊ／ｃｍ２であった。また、アニール処理を行った雰囲気は窒素中であった。
【００３４】
かかる改質後の透明導電膜付基板における透明導電膜の表面抵抗率を測定したところ、表面抵抗率は１７０Ω／□であった。したがって、本発明の透明導電膜の改質方法によれば、短時間のアニール処理により、透明導電膜の表面抵抗率を１／２以下の値まで十分に低下させることができることが確認された。
【００３５】
（比較例１）
実施例１と同様にして得られた改質前の透明導電膜付基板を、内容積１３．４Ｌの管状型電気炉〔(株)モトヤマ製〕中に配置し、窒素ガスを１．５Ｌ／分の流量で流通させながら、昇温速度３００℃／時間で室温（約２５℃）から３００℃まで昇温し、３００℃で１時間保持することにより加熱処理を施した。かかる加熱処理後の透明導電膜付基板における透明導電膜の電気特性を測定したところ、表面抵抗率は２００Ω／□であり、かかるアニール処理では透明導電膜の表面抵抗率を１／２以下の値まで十分に低下させることができなかった。
【００３６】
（比較例２）
実施例１と同様にして得られた改質前の透明導電膜付基板を、内容積１３．４Ｌの管状型電気炉〔(株)モトヤマ製〕中に配置し、窒素ガスを１．５Ｌ／分の流量で流通させながら、昇温速度３００℃／時間で室温（約２５℃）から３００℃まで昇温し、３００℃で２０分間保持することにより加熱処理を施した。かかる加熱処理後の透明導電膜付基板における透明導電膜の電気特性を測定したところ、表面抵抗率は２３０Ω／□であり、かかるアニール処理では透明導電膜の表面抵抗率を１／２以下の値まで十分に低下させることができなかった。
【００３７】
（比較例３）
実施例１と同様にして得られた改質前の透明導電膜付基板を、内容積１３．４Ｌの管状型電気炉〔(株)モトヤマ製〕中に配置し、窒素ガスを１．５Ｌ／分の流量で流通させながら、昇温速度３００℃／時間で室温（約２５℃）から６００℃まで昇温し、６００℃で１時間保持することにより加熱処理を施した。かかる加熱処理後の透明導電膜付基板における透明導電膜は結晶化しており、電気特性を測定することはできなかった。
【００３８】
（比較例４）
実施例１と同様にして得られた改質前の透明導電膜付基板の透明導電膜の表面に、ウシオ電機社製のフラッシュ照射実験装置（ＳＵＳ３６７）を用いてフラッシュ光を照射し、透明導電膜にフラッシュランプによるアニール処理を施して改質後の透明導電膜付基板を得た。なお、アニール処理におけるフラッシュ光の光パルス持続時間は１．０ｍｓｅｃ、電圧９５０Ｖであった。また、アニール処理に用いたフラッシュランプの光照射量は２８．５Ｊ／ｃｍ２であった。また、アニール処理を行った雰囲気は窒素中であった。
【００３９】
かかる改質後の透明導電膜付基板における透明導電膜は結晶化しており、電気特性を測定することはできなかった。
【００４０】
（実施例２）
酸化亜鉛粉末酸化錫粉末との混合比をＺｎ：Ｓｎ（原子比）が５０：５０となるようにした以外は実施例１と同様にして、基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜（改質前）を得た。得られた改質前の透明導電膜の電気特性を測定したところ、表面抵抗率は１３００Ω／□であった。
【００４１】
次に、改質前の透明導電膜付基板の透明導電膜の表面に、実施例１と同様にしてフラッシュランプによるアニール処理を施して改質後の透明導電膜付基板を得た。かかる改質後の透明導電膜付基板における透明導電膜の表面抵抗率を測定したところ、表面抵抗率は５５０Ω／□であった。したがって、本発明の透明導電膜の改質方法によれば、短時間のアニール処理により、透明導電膜の表面抵抗率を１／２以下の値まで十分に低下させることができることが確認された。
【００４２】
（実施例３）
酸化亜鉛粉末酸化錫粉末との混合比をＺｎ：Ｓｎ（原子比）が６７：３３となるようにした以外は実施例１と同様にして、基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜（改質前）を得た。得られた改質前の透明導電膜の電気特性を測定したところ、表面抵抗率は２４００Ω／□であった。
【００４３】
次に、改質前の透明導電膜付基板の透明導電膜の表面に、実施例１と同様にしてフラッシュランプによるアニール処理を施して改質後の透明導電膜付基板を得た。かかる改質後の透明導電膜付基板における透明導電膜の表面抵抗率を測定したところ、表面抵抗率は５００Ω／□であった。したがって、本発明の透明導電膜の改質方法によれば、短時間のアニール処理により、透明導電膜の表面抵抗率を１／２以下の値まで十分に低下させることができることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
以上説明したように、本発明によれば、基板と、前記基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法において、基板の熱劣化や熱ひずみを十分に抑制しつつ、透明導電膜の抵抗率を短時間で効率よく且つ十分に低下させることが可能な透明導電膜の改質方法、並びにその方法を用いた透明導電膜付基板の製造方法を提供することが可能となる。
【００４５】
したがって、本発明の透明導電膜の改質方法は、発光素子やタッチパネル等に用いられる透明導電膜付基板における透明導電膜を改質してその抵抗率を低下させる方法として有用である。