(57)【要約】【課題】半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗（接触抵抗及び素材抵抗）が低いこと」、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」及び「機械加工が容易であること」の５つの要求をすべて満たすことが可能なコンタクトピンを提供する。【解決手段】本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン２０」は、ピン先端部２２を半田ボールに押し当てて用いるコンタクトピンであって、Ｓｉ（ケイ素）の含有量が２〜５重量％の範囲内にあり、かつ、不純物としてのＣ（炭素）の含有量が０．０３重量％以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたコンタクトピン本体３０と、コンタクトピン本体３０の表面に形成され、コンタクトピン本体３０よりも高い導電率を有する貴金属めっき層３２とを備える。【選択図】図１
2011220846.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピン先端部を半田ボールに押し当てて用いるコンタクトピンであって、
Ｓｉ（ケイ素）の含有量が２〜５重量％の範囲内にあり、かつ、不純物としてのＣ（炭素）の含有量が０．０３重量％以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたコンタクトピン本体と、
前記コンタクトピン本体の表面に形成され、前記コンタクトピン本体よりも高い導電率を有する貴金属めっき層とを備えることを特徴とする高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン。
【請求項２】
前記コンタクトピン本体は、前記コンタクトピン素材に機械加工を施したものに時効硬化処理を施すことによって硬化されたものであることを特徴とする請求項１に記載の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン。
【請求項３】
ピン先端割れ構造を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン。
【請求項４】
前記高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、不純物としてのＣ（炭素）の含有量が０．０１５重量％以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン。
【請求項５】
前記高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、不純物としてのＯ（酸素）の含有量が０．００５重量％以下であり、かつ、不純物としてのＳ（硫黄）の含有量が０．０２重量％以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であることを特徴とする請求項４に記載の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン。
【請求項６】
前記高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、電気炉又は転炉で溶製した鉄基合金を真空雰囲気下で精錬することにより製造された高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であることを特徴とする請求項５に記載の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン。
【請求項７】
前記高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、Ｓｉ（ケイ素）が３．４０〜３．８０重量％、Ｃｒ（クロム）が１０．２０〜１０．６０重量％、Ｎｉ（ニッケル）が６．４０〜６．６０重量％、Ｍｎ（マンガン）が０．８０〜１．００重量％、Ｃｕ（銅）が０．９０〜１．１０重量％、Ｃｏ（コバルト）が４．８０〜５．００重量％、Ｍｏ（モリブデン）が１．４０〜１．６０重量％、Ｎｂ（ニオブ）が３重量％以下、Ｔａ（タンタル）が３重量％以下、Ｔｉ（チタン）が０．６０〜０．８０重量％、Ｗ（タングステン）が４重量％以下、Ｖ（バナジウム）が４重量％以下、Ｂ（ホウ素）が０．０１重量％以下、Ｍｇ（マグネシウム）が０．０１０重量％以下、Ｃａ（カルシウム）が０．０１重量％以下、希土類元素が０．０１重量％以下で、残部がＦｅ（鉄）と不純物とからなる鉄基合金であって、不純物としてのＣ（炭素）が０．０２重量％以下、Ｐ（リン）が０．０３重量％以下、Ｓ（硫黄）が０．０３重量％以下、Ａｌ（アルミニウム）が０．０３重量％以下、Ｎ（窒素）が０．０５重量％以下、Ｏ（酸素）が０．００５重量％以下、Ｈ（水素）が０．０００３重量％以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であることを特徴とする請求項６に記載の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピンに関する。
【背景技術】
【０００２】
コンタクトピンは、半導体ウェハー、半導体チップその他の電気製品の電気的特性の検査に用いるコンタクトプローブに用いるための部材である。従来、このようなコンタクトピンとしては、「半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗（接触抵抗及び素材抵抗）が低いこと」、「耐食性（又は耐酸化性）が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」、「機械加工が容易であること」などの要求を満たす観点から、「ベリリウム銅（ＢｅＣｕ）からなる母材の表面に貴金属（めっき層（例えば金めっき層、ニッケル下地金めっき層、ロジウムめっき層））が形成されたコンタクトピン（例えば、非特許文献１及び特許文献１参照。）」、「ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）からなる母材の表面に貴金属めっき層が形成されたコンタクトピン（例えば、非特許文献１参照。）」、「ＳＫ材からなる母材の表面に貴金属めっき層が形成されたコンタクトピン（例えば、非特許文献１参照。）」、「タングステン（Ｗ）からなるコンタクトピン（例えば、特許文献２参照。）」などが用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−８５８８７号公報
【特許文献２】特開２００６−９８２７４号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】「半導体用プローブ(Double Ended Probes)」、［online］、テスプロ株式会社、［平成２２年３月２６日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：http://test-probe.jp/01/15/cat67/028mm032mm.html、http://test-probe.jp/01/15/cat66/010mm026mm.html、http://125.206.116.137/01/15/cat/sds-020-33l.html＞
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、コンタクトピンは、繰り返し使用によりピン先端部が酸化したり、繰り返し使用によりピン先端部に半田が付着して汚損されたりして接触不良になり易いことから、定期的にワイヤーブラシによるクリーニング工程を実施する必要がある。しかしながら、「ベリリウム銅（ＢｅＣｕ）からなる母材の表面に貴金属めっき層が形成されたコンタクトピン」においては、母材の硬度が低いため、上記クリーニング工程によりピン先端部が摩耗してしまい、コンタクトピンの寿命が短いという問題がある。
【０００６】
また、「ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）からなる母材の表面に貴金属めっき層が形成されたコンタクトピン」又は「ＳＫ材からなる母材の表面に貴金属めっき層が形成されたコンタクトピン」においては、母材の耐食性がそれほど高くないため、繰り返し使用により接触抵抗が高くなり、安定した検査ができなくなるという問題がある。
【０００７】
また、ピン先端部を半田ボールに押し当てて用いるコンタクトピンにおいては、半田ボールとの安定した接触を担保するため、ピン先端割れ構造（例えばピン先端四つ割れ構造）を有する。しかしながら、「タングステン（Ｗ）からなるコンタクトピン」においては、硬度が高すぎて機械加工が容易ではなく、上記したピン先端割れ構造を形成することが困難であるという問題がある。また、素材価格が高いという問題もある。
【０００８】
すなわち、従来のコンタクトピンにおいては、「半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗（接触抵抗及び素材抵抗）が低いこと」、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」及び「機械加工が容易であること」の５つの要求をすべて満たすことはできなかった。
【０００９】
そこで、本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたもので、「半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗（接触抵抗及び素材抵抗）が低いこと」、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」及び「機械加工が容易であること」の５つの要求をすべて満たすことが可能なコンタクトピンを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
［１］本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」は、ピン先端部を半田ボールに押し当てて用いるコンタクトピンであって、Ｓｉ（ケイ素）の含有量が２〜５重量％の範囲内にあり、かつ、不純物としてのＣ（炭素）の含有量が０．０３重量％以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたコンタクトピン本体と、前記コンタクトピン本体の表面に形成され、前記コンタクトピン本体よりも高い導電率を有する貴金属めっき層とを備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」によれば、コンタクトピン本体が、「表面に不動態膜が形成されることに起因して半田との親和性が低い」ステンレス鋼と同様に「表面に不動態膜が形成される」高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、「半田ボールからの離型性が良いこと」という要求を満たす。
【００１２】
また、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」によれば、ワイヤーブラシによるクリーニング工程を実施した後には、ピン先端部においては貴金属めっき層が除去されてコンタクトピン本体が露出することになるが、当該コンタクトピン本体が、Ｓｉ（ケイ素）の含有量が２〜５重量％の範囲内にあり、かつ、不純物としてのＣ（炭素）の含有量が０．０３重量％以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、後述する試験例からも明らかなように、コンタクトピン本体の耐食性が高く接触抵抗が低い値で安定している。その結果、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」は、「コンタクトピンの耐食性が高く接触抵抗が低い値で安定していること」という要求を満たす。
【００１３】
これは、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」で用いる「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼」が、耐食性を付与するＳｉ（ケイ素）を２〜５重量％含有するものであるため、通常のステンレス鋼よりも耐食性が高く、さらには、表面に形成される不動態膜が電気を通す性質を有するため、長期間使用しても、接触抵抗が低い値で安定するからである。
【００１４】
また、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」によれば、コンタクトピン本体が、Ｓｉ（ケイ素）の含有量が２〜５重量％の範囲内にあり、かつ、不純物としてのＣ（炭素）の含有量が０．０３重量％以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、上述したように、コンタクトピンの接触抵抗が低い値で安定している。また、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」によれば、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するため、ワイヤーブラシによるクリーニング工程を実施した後であっても、上記したコンタクトピン本体の表面にはピン先端部を除いて、コンタクトピン本体よりも高い導電率を有する貴金属めっき層が形成されているため、素材抵抗も低い。その結果、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」は、「電気抵抗（接触抵抗及び素材抵抗）が低いこと」という要求を満たす。
【００１５】
また、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」によれば、コンタクトピン本体が、Ｓｉ（ケイ素）の含有量が２〜５重量％の範囲内にあり、かつ、不純物としてのＣ（炭素）の含有量が０．０３重量％以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、時効硬化処理を実施した後のビッカース硬さＨｖを７００程度にまで高くすることが可能となることから、時効硬化処理を実施した後のコンタクトピンにおいては「母材の硬度が高いこと」という要求を満たす。
【００１６】
これは、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」で用いる「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼」が、耐食性を付与するＳｉ（ケイ素）を２〜５重量％含有するものであるため、Ｃ（炭素）含有率を０．０３重量％以下と極めて低い値にしても母材の硬度を高くすることが可能となるからである。
【００１７】
さらにまた、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」によれば、コンタクトピン本体が、Ｓｉ（ケイ素）の含有量が２〜５重量％の範囲内にあり、かつ、不純物としてのＣ（炭素）の含有量が０．０３重量％以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、時効硬化処理を実施する前のビッカース硬さＨｖを４００程度とすることが可能となる。このため、時効硬化処理を実施する前に機械加工を実施することとすれば容易に機械加工を実施することが可能となることから、「機械加工が容易であること」という要求を満たす。
【００１８】
その結果、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」は、「半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗（接触抵抗及び素材抵抗）が低いこと」、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」及び「機械加工が容易であること」の５つの要求をすべて満たすことが可能なコンタクトピンとなる。
【００１９】
［２］本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」においては、前記コンタクトピン本体は、前記コンタクトピン素材に機械加工を施したものに時効硬化処理を施すことによって硬化されたものであることが好ましい。
【００２０】
このような構成とすることにより、ピン先端割れ構造を有するピン先端部を、比較的硬度の低い状態のコンタクトピン素材に対して機械加工を施すことにより形成することが可能となる。
【００２１】
［３］本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」においては、ピン先端割れ構造を有することが好ましい。
【００２２】
このような構成とすることにより、半田ボールに押し当てて使用するのに好適な構造のコンタクトピンとすることが可能となる。また、接触点が増えるため、接触抵抗をより一層低減することが可能となる。
【００２３】
［４］本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」においては、不純物としてのＣ（炭素）の含有量が０．０１５重量％以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であることが好ましい。
【００２４】
このような方法とすることにより、コンタクトピンの耐食性をより一層高くすることが可能となり、ひいては接触抵抗の安定性をより一層高くすることが可能となる。
【００２５】
［５］本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」においては、前記高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、不純物としてのＯ（酸素）の含有量が０．００５重量％以下であり、かつ、不純物としてのＳ（硫黄）の含有量が０．０２重量％以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であることが好ましい。
【００２６】
このような構成とすることにより、コンタクトピンの耐食性をより一層高くすることが可能となり、ひいては接触抵抗の安定性をより一層高くすることが可能となる。
【００２７】
［６］本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」においては、前記高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、電気炉又は転炉で溶製した鉄基合金を真空雰囲気下で精錬することにより製造された高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であることが好ましい。
【００２８】
このような構成とすることにより、より一層不純物含有量の少ない高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材を用いることが可能となることから、コンタクトピンの耐食性をより一層高くすることが可能となり、ひいては接触抵抗の安定性をより一層高くすることが可能となる。
【００２９】
［７］本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」においては、前記高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、Ｓｉ（ケイ素）が３．４０〜３．８０重量％、Ｃｒ（クロム）が１０．２０〜１０．６０重量％、Ｎｉ（ニッケル）が６．４０〜６．６０重量％、Ｍｎ（マンガン）が０．８０〜１．００重量％、Ｃｕ（銅）が０．９０〜１．１０重量％、Ｃｏ（コバルト）が４．８０〜５．００重量％、Ｍｏ（モリブデン）が１．４０〜１．６０重量％、Ｎｂ（ニオブ）が３重量％以下、Ｔａ（タンタル）が３重量％以下、Ｔｉ（チタン）が０．６０〜０．８０重量％、Ｗ（タングステン）が４重量％以下、Ｖ（バナジウム）が４重量％以下、Ｂ（ホウ素）が０．０１重量％以下、Ｍｇ（マグネシウム）が０．０１０重量％以下、Ｃａ（カルシウム）が０．０１重量％以下、希土類元素が０．０１重量％以下で、残部がＦｅ（鉄）と不純物とからなる鉄基合金であって、不純物としてのＣ（炭素）が０．０２重量％以下、Ｐ（リン）が０．０３重量％以下、Ｓ（硫黄）が０．０３重量％以下、Ａｌ（アルミニウム）が０．０３重量％以下、Ｎ（窒素）が０．０５重量％以下、Ｏ（酸素）が０．００５重量％以下、Ｈ（水素）が０．０００３重量％以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であることが好ましい。
【００３０】
このような構成とすることにより、「半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗（接触抵抗及び素材抵抗）が低いこと」、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」及び「機械加工が容易であること」の５つの要求をすべて満たすことが可能なコンタクトピンとして最適な材料からなるコンタクトピンとなる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】実施形態１に係るコンタクトピン２０を説明するために示す図。
【図２】実施形態１におけるコンタクトピンの製造工程を示すフローチャート。
【図３】実施形態１におけるコンタクトピンの製造工程を示す斜視図。
【図４】実施形態１に係るコンタクトピンの効果を説明するために示す図。
【図５】試験例１〜４における評価方法を説明するために示す図。
【図６】試験例１〜４における評価結果を示す図。
【図７】試験例５〜８における評価方法を説明するために示す図である。
【図８】試験例５〜８における評価結果を示す図。
【図９】試験例９及び１０における評価結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン（以下、単にコンタクトピンという。）」について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。
【００３３】
［実施形態１］
１．コンタクトピン２０の構成
図１は、実施形態１に係るコンタクトピン２０を説明するために示す図である。図１（ａ）はコンタクトピン２０を構成要素の１つとして備えるコンタクトプローブ１０の正面図であり、図１（ｂ）はコンタクトピン２０の正面図であり、図１（ｃ）はピン先端部２２側から見たコンタクトピン２０の斜視図であり、図１（ｄ）は図１（ｃ）中符号Ｒ１で示す部分を拡大して見た断面図である。なお、図１（ａ）中、符号４０はパイプを示し、符号４２はパイプ中のスプリングを示し、符号５０はストッパを示す。
【００３４】
コンタクトピン２０は、図１（ａ）に示すように、半導体ウェハー、半導体チップその他の電気製品の電気的特性の検査に用いるコンタクトプローブ１０に用いるための部材である。
【００３５】
コンタクトピン２０は、図１（ｂ）に示すように、図示しない検査対象製品における接続部（例えば半田ボール。後述する図４（ｃ）参照。）に押し当てて用いるピン先端部２２と、図示しない検査装置（後述する図５参照。）の接続部との接続に用いるピン基端部２４と、ピン先端部２２及びピン基端部２４を連結する連結部２６と備える。コンタクトピン２０は、図１（ｃ）に示すように、ピン先端割れ構造を有する。コンタクトピン２０の直径は、ピン先端部２２及びピン連結部２６のところで例えば２００μｍ、ピン基端部２４のところで例えば２４０μｍである。コンタクトピン２０の長さは、ピン基端部２４の基端からピン先端部２２の先端までで例えば１４００μｍである。
【００３６】
コンタクトピン２０は、図１（ｄ）に示すように、コンタクトピン本体３０と、コンタクトピン本体３０の表面に形成された貴金属めっき層３２とを備える。
【００３７】
コンタクトピン本体３０は、Ｓｉ（ケイ素）の含有量が２〜５重量％の範囲内にあり、かつ、不純物としてのＣ（炭素）の含有量が０．０３重量％以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものである。高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼としては、有限会社エス・アイ・テクノの高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼（商品名：シリコロイＸＶＩ（エックスブイアイ）、シリコロイは有限会社エス・アイ・テクノの登録商標）を用いる。
【００３８】
シリコロイＸＶＩは、Ｓｉ（ケイ素）が３．４０〜３．８０重量％、Ｃｒ（クロム）が１０．２０〜１０．６０重量％、Ｎｉ（ニッケル）が６．４０〜６．６０重量％、Ｍｎ（マンガン）が０．８０〜１．００重量％、Ｃｕ（銅）が０．９０〜１．１０重量％、Ｃｏ（コバルト）が４．８０〜５．００重量％、Ｍｏ（モリブデン）が１．４０〜１．６０重量％、Ｎｂ（ニオブ）が３重量％以下、Ｔａ（タンタル）が３重量％以下、Ｔｉ（チタン）が０．６０〜０．８０重量％、Ｎｂ（ニオブ）が３重量％以下、Ｔａ（タンタル）が３重量％以下、Ｗ（タングステン）が４重量％以下、Ｖ（バナジウム）が４重量％以下、Ｂ（ホウ素）が０．０１重量％以下、Ｍｇ（マグネシウム）が０．０１０重量％以下、Ｃａ（カルシウム）が０．０１重量％以下、希土類元素が０．０１重量％以下で、残部がＦｅ（鉄）と不純物とからなる鉄基合金であって、不純物としてのＣ（炭素）が０．０２重量％以下、Ｐ（リン）が０．０３重量％以下、Ｓ（硫黄）が０．０３重量％以下、Ａｌ（アルミニウム）が０．０３重量％以下、Ｎ（窒素）が０．０５重量％以下、Ｏ（酸素）が０．００５重量％以下、Ｈ（水素）が０．０００３重量％以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼である。
【００３９】
従って、コンタクトピン２０においては、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、Ｓｉ（ケイ素）の含有量が３．４０〜３．８０重量％であり、かつ、不純物としてのＣ（炭素）の含有量が０．０２重量％以下である。また、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、不純物としてのＯ（酸素）の含有量が０．００５重量％以下であり、かつ、不純物としてのＳ（硫黄）の含有量が０．０２重量％以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼である。また、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、電気炉又は転炉で溶製した鉄基合金を真空雰囲気下で精錬することにより製造された高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼である。
【００４０】
貴金属めっき層３２は、コンタクトピン本体３０よりも高い導電率を有する貴金属からなる。貴金属としては、金を用いる。
【００４１】
２．コンタクトピンの製造方法
図２は、実施形態１におけるコンタクトピンの製造工程を示すフローチャートである。図３は、実施形態１におけるコンタクトピンの製造工程を示す斜視図である。図３（ａ）はコンタクトピン素材準備工程Ｓ１０で準備する線材６０を示す図であり、図３（ｂ）は外形加工工程Ｓ２２終了後における仕掛かり部材６２を示す図であり、図３（ｃ）は図３（ｂ）の拡大図であり、図３（ｄ）は先端四つ割れ加工工程Ｓ２４終了後における仕掛かり部材６４を示す図であり、図３（ｅ）は切り離し工程Ｓ２６終了後における仕掛かり部材６６（これに時効硬化処理を施したものがコンタクトピン本体３０となる。）を示す図であり、図３（ｆ）は金めっき工程Ｓ６０終了後におけるコンタクトピン２０を示す図である。
【００４２】
実施形態１に係るコンタクトピン２０は、図２に示すように、「コンタクトピン素材準備工程」、「機械加工工程」、「第１洗浄工程」、「時効硬化処理工程」、「第２洗浄工程」及び「金めっき工程」をこの順序で実施することにより製造することができる。以下、製造工程毎に説明する。
【００４３】
（１）コンタクトピン素材準備工程Ｓ１０
コンタクトピン素材として、時効硬化処理を施していない高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼（有限会社エス・アイ・テクノの高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼（商品名：シリコロイＸＶＩ））からなる直径１．０ｍｍの線材６０を準備する（図３（ａ）参照。）。線材６０のビッカース硬さＨｖは約４００である。
【００４４】
（２）機械加工工程Ｓ２０
機械加工工程Ｓ２０は、外形加工工程Ｓ２２と先端四つ割れ加工工程Ｓ２４と切り離し工程Ｓ２６とからなる。いずれの加工工程Ｓ２２，Ｓ２４，Ｓ２６とも、線材のビッカース硬さＨｖが約４００であるため、通常の加工装置を用いて容易に加工することができる。
【００４５】
（２−１）外形加工工程Ｓ２２
旋盤加工装置により、線材６０に対して外形加工を施し、仕掛かり部材６２を製造する。仕掛かり部材６２の直径は、ピン先端部２２及びピン連結部２６のところで例えば２００μｍ、ピン基端部２４のところで例えば２４０μｍである（図３（ｂ）及び図３（ｃ）参照。）。
【００４６】
（２−２）先端四つ割れ加工工程Ｓ２４
ＮＣ加工機により、仕掛かり部材６２の一方の端部に先端四つ割れ加工を施し、仕掛かり部材６４を製造する。仕掛かり部材６４は、一方の端部にピン先端四つ割れ構造が形成され、コンタクトピン本体３０とほぼ同一の形状を有する（図３（ｄ）参照。）。
【００４７】
（２−３）切り離し加工工程Ｓ２６
旋盤加工装置により、仕掛かり部材６４を線材６０から切り離し、仕掛かり部材６６を製造する。仕掛かり部材６６は、コンタクトピン本体３０とほぼ同一の形状を有する（図３（ｅ）参照。）。
【００４８】
（３）第１洗浄工程Ｓ３０
遠心バレル研磨及び化学洗浄を実施することにより、仕掛かり部材６６を洗浄する。当該第１洗浄工程Ｓ３０を実施することにより、機械加工工程Ｓ２０で表面に付着することがある加工屑を除去するとともに粗面化することがある表面を平滑化する。
【００４９】
（４）時効硬化処理Ｓ４０
真空熱処理炉に仕掛かり部材６６を入れ、４８０℃の温度で１０時間、仕掛かり部材６４に対して時効硬化処理（析出硬化処理ということもある。）Ｓ４０を施すことにより仕掛かり部材６４の硬度を高くする。本時効硬化処理により、仕掛かり部材６６のビッカース硬さＨｖは、６５０〜７５０の範囲内となり、仕掛かり部材６６がコンタクトピン本体３０となる。
【００５０】
（５）第２洗浄工程Ｓ５０
化学洗浄を実施することにより、コンタクトピン本体３０を洗浄する。当該第２洗浄工程Ｓ５０を実施することにより、コンタクトピン本体３０に時効硬化処理Ｓ４０を施す際に発生することのある表面の汚損を除去する。
【００５１】
（６）金めっき工程Ｓ６０
コンタクトピン本体３０に対して金めっきを施すことにより、コンタクトピン本体３０の表面に貴金属めっき層としての金めっき層３２を形成する（図３（ｆ）参照。）。
【００５２】
以上の工程を経て、実施形態１に係るコンタクトピン２０を製造することができる。
【００５３】
３．コンタクトピンの効果
図４は、実施形態１に係るコンタクトピンの効果を説明するために示す図である。図４（ａ）はワイヤーブラシによるクリーニング工程を実施する前におけるピン先端部の様子を示す図であり、図４（ｂ）はワイヤーブラシによるクリーニング工程を実施した後におけるピン先端部の様子を示す図であり、図４（ｃ）はワイヤーブラシによるクリーニング工程を実施した後におけるコンタクトピン２０と半田ボール７２とが接触している様子を示す図であり、図４（ｄ）は検査時におけるコンタクトピン２０の電気抵抗を説明するために示す図である。
【００５４】
実施形態１に係るコンタクトピン２０によれば、コンタクトピン本体３０が、表面に不動態膜が形成されることに起因して半田との親和性が低い」ステンレス鋼と同様に「表面に不動態膜が形成される」高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、「半田ボールからの離型性が良いこと」という要求を満たす。
【００５５】
また、実施形態１に係るコンタクトピン２０によれば、ワイヤーブラシによるクリーニング工程を実施した後には、ピン先端部２２においては貴金属めっき層３２が除去されてコンタクトピン本体３０が露出することになるが（図４（ｂ）参照。）、当該コンタクトピン本体３０が、Ｓｉ（ケイ素）の含有量が２〜５重量％の範囲内にあり、かつ、不純物としてのＣ（炭素）の含有量が０．０３重量％以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、後述する試験例からも明らかなように、コンタクトピン本体の耐食性が高く接触抵抗が低い値で安定している。その結果、実施形態１に係るコンタクトピン２０は、「コンタクトピンの耐食性が高く接触抵抗が低い値で安定していること」という要求を満たす。
【００５６】
また、実施形態１に係るコンタクトピン２０によれば、コンタクトピン本体３０が、Ｓｉ（ケイ素）の含有量が２〜５重量％の範囲内にあり、かつ、不純物としてのＣ（炭素）の含有量が０．０３重量％以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、上述したように、コンタクトピンの接触抵抗が低い値で安定している。また、実施形態１に係るコンタクトピン２０によれば、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するため、ワイヤーブラシによるクリーニング工程を実施した後であっても、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すように、上記したコンタクトピン本体の表面にはピン先端部を除いて、コンタクトピン本体３０よりも高い導電率を有する貴金属めっき層３２が形成されているため、素材抵抗も低い。その結果、実施形態１に係るコンタクトピン２０は、「電気抵抗（接触抵抗Ｒ１及び素材抵抗Ｒ２（ともに図４（ｄ）参照。））が低いこと」という要求を満たす。
【００５７】
また、実施形態１に係るコンタクトピン２０によれば、コンタクトピン本体３０が、Ｓｉ（ケイ素）の含有量が２〜５重量％の範囲内にあり、かつ、不純物としてのＣ（炭素）の含有量が０．０３重量％以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、時効硬化処理を実施した後のビッカース硬さＨｖを７００程度にまで高くすることが可能となることから、時効硬化処理を実施した後のコンタクトピンにおいては「母材の硬度が高いこと」という要求を満たす。
【００５８】
さらにまた、実施形態１に係るコンタクトピン２０によれば、コンタクトピン本体３０が、Ｓｉ（ケイ素）の含有量が２〜５重量％の範囲内にあり、かつ、不純物としてのＣ（炭素）の含有量が０．０３重量％以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、時効硬化処理を実施する前のビッカース硬さＨｖを４００程度とすることが可能となる。このため、時効硬化処理を実施する前に機械加工を実施することとすれば容易に機械加工を実施することが可能となることから、「機械加工が容易であること」という要求を満たす。
【００５９】
その結果、実施形態１に係るコンタクトピン２０は、「半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗（接触抵抗及び素材抵抗）が低いこと」、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」及び「機械加工が容易であること」の５つの要求をすべて満たすことが可能なコンタクトピンとなる。
【００６０】
また、実施形態１に係るコンタクトピン２０によれば、コンタクトピン本体３０が、コンタクトピン素材に機械加工を施したものに時効硬化処理を施すことによって硬化されたものであるため、ピン先端割れ構造を有するピン先端部を、比較的硬度の低い状態のコンタクトピン素材に対して機械加工を施すことにより形成することが可能となる。
【００６１】
また、実施形態１に係るコンタクトピン２０によれば、ピン先端割れ構造（ピン先端四つ割れ構造）を有するため、図４（ｃ）に示すように、半田ボールに押し当てて使用するのに好適な構造のコンタクトピンとすることが可能となる。また、接触点が増えるため、接触抵抗をより一層低減することが可能となる。
【００６２】
また、実施形態１に係るコンタクトピン２０によれば、不純物としてのＣ（炭素）の含有量が０．０１５重量％以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であるため、コンタクトピンの耐食性をより一層高くすることが可能となり、ひいては接触抵抗の安定性をより一層高くすることが可能となる。
【００６３】
また、実施形態１に係るコンタクトピン２０によれば、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼が、不純物としてのＯ（酸素）の含有量が０．００５重量％以下であり、かつ、不純物としてのＳ（硫黄）の含有量が０．０２重量％以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であるため、コンタクトピンの耐食性をより一層高くすることが可能となり、ひいては接触抵抗の安定性をより一層高くすることが可能となる。
【００６４】
また、実施形態１に係るコンタクトピン２０によれば、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼が、電気炉又は転炉で溶製した鉄基合金を真空雰囲気下で精錬することにより製造された高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であるため、より一層不純物含有量の少ない高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材を用いることが可能となることから、コンタクトピンの耐食性をより一層高くすることが可能となり、ひいては接触抵抗の安定性をより一層高くすることが可能となる。
【００６５】
さらにまた、実施形態１に係るコンタクトピンによれば、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼が、Ｓｉ（ケイ素）が３．４０〜３．８０重量％、Ｃｒ（クロム）が１０．２０〜１０．６０重量％、Ｎｉ（ニッケル）が６．４０〜６．６０重量％、Ｍｎ（マンガン）が０．８０〜１．００重量％、Ｃｕ（銅）が０．９０〜１．１０重量％、Ｃｏ（コバルト）が４．８０〜５．００重量％、Ｍｏ（モリブデン）が１．４０〜１．６０重量％、Ｎｂ（ニオブ）が３重量％以下、Ｔａ（タンタル）が３重量％以下、Ｔｉ（チタン）が０．６０〜０．８０重量％、Ｗ（タングステン）が４重量％以下、Ｖ（バナジウム）が４重量％以下、Ｂ（ホウ素）が０．０１重量％以下、Ｍｇ（マグネシウム）が０．０１０重量％以下、Ｃａ（カルシウム）が０．０１重量％以下、希土類元素が０．０１重量％以下で、残部がＦｅ（鉄）と不純物とからなる鉄基合金であって、不純物としてのＣ（炭素）が０．０２重量％以下、Ｐ（リン）が０．０３重量％以下、Ｓ（硫黄）が０．０３重量％以下、Ａｌ（アルミニウム）が０．０３重量％以下、Ｎ（窒素）が０．０５重量％以下、Ｏ（酸素）が０．００５重量％以下、Ｈ（水素）が０．０００３重量％以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であるため、「半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗（接触抵抗及び素材抵抗）が低いこと」、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」及び「機械加工が容易であること」の５つの要求をすべて満たすことが可能なコンタクトピンとして最適な材料からなるコンタクトピンとなる。
【００６６】
［実施形態２］
実施形態２に係るコンタクトピン２０ａ（図示せず。）は、基本的には実施形態１に係るコンタクトピン２０と同様の構成を有するが、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の組成が実施形態１に係るコンタクトピン２０の場合と異なる。すなわち、実施形態２に係るコンタクトピン２０ａにおいては、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼として、有限会社エス・アイ・テクノの高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼（商品名：シリコロイＡ２）を用いる。
【００６７】
シリコロイＡ２は、Ｓｉ（ケイ素）が３．００〜５．００重量％、Ｃｒ（クロム）が１０．００〜１３．００重量％、Ｎｉ（ニッケル）が６．００〜７．００重量％、Ｍｎ（マンガン）が０．５０〜１．５０重量％、Ｃｕ（銅）が０．８０〜１．２０重量％、Ｍｏ（モリブデン）が０．３０〜１．００重量％、Ｎｂ（ニオブ）が０．３０〜１．００重量％、残部がＦｅ（鉄）と不純物とからなる鉄基合金であって、不純物としてのＣ（炭素）が０．０２重量％以下、Ｐ（リン）が０．０４重量％以下、Ｓ（硫黄）が０．０３重量％以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼である。
【００６８】
このように、実施形態２に係るコンタクトピン２０ａは、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の組成が実施形態１に係るコンタクトピン２０の場合とは異なるが、Ｓｉ（ケイ素）の含有量が２〜５重量％の範囲内にあり、かつ、不純物としてのＣ（炭素）の含有量が０．０３重量％以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたコンタクトピン本体と、コンタクトピン本体の表面に形成され、コンタクトピン本体よりも高い導電率を有する貴金属めっき層とを備えるため、実施形態１に係るコンタクトピン２０の場合と同様に、「半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗（接触抵抗及び素材抵抗）が低いこと」、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」及び「機械加工が容易であること」の５つの要求をすべて満たすことが可能なコンタクトピンとなる。
【００６９】
なお、実施形態２に係るコンタクトピン２０ａは、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の組成以外の点においては実施形態１に係るコンタクトピン２０と同様の構成を有するため、実施形態１に係るコンタクトピン１０が有する効果のうち該当する効果を有する。
【００７０】
［試験例］
以下、試験例により本発明をさらに具体的に説明する。
【００７１】
１．試験例１〜４（環境信頼性試験１）
試験例１〜４は、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」に用いる高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼が「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」という要件を満たすことを示す試験例である。
【００７２】
１−１．試料の調整
有限会社エス・アイ・テクノから購入した高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼（商品名：シリコロイＸＶＩ）を幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ、厚さ４ｍｍの大きさの試験片に調製した後、表面を清浄化して、試験例１とした。また、有限会社エス・アイ・テクノから購入した高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼（商品名：シリコロイＡ２）を幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ、厚さ４ｍｍの大きさの試験片に調製した後、表面を清浄化して、試験例２とした。また、ステンレス鋼ＳＵＳ３０４を幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ、厚さ４ｍｍの大きさの試験片に調製した後、表面を清浄化して、試験例３とした。また、ステンレス鋼ＳＵＳ３０４を幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ、厚さ４ｍｍの大きさの試験片に調製した後、表面を清浄化し、さらには接触抵抗が極めて低い金めっきを表面に施して、試験例４とした。試験例１及び２が実施例であり、試験例３が比較例であり、試験例４が対照例である。
【００７３】
１−２．評価方法
図５は、試験例１〜４における評価方法を説明するために示す図である。
試験例１〜４についての評価は、図５に示すように、環境信頼性試験のための熱処理の前後における試験例１〜４に係る試験片Ｗの表面に対して、市販の「ベリリウム銅（ＢｅＣｕ）からなる母材の表面に金めっき層が形成されたコンタクトピン１２０」を所定の圧力条件下（３０ｇ、６０ｇ、９０ｇ）で押し付けたときの抵抗を測定することにより行った。すなわち、試験例１〜３においては、図５（ａ）に示すように、コンタクトピン１２０と、ステンレス鋼（高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼又は通常のステンレス鋼）とが接触する条件のもとで抵抗を測定することとなり、試験例４においては、図５（ｂ）に示すように、コンタクトピン１２０と金めっき層とが接触する条件のもとで抵抗を測定することとなる。
【００７４】
熱処理は、試験例１〜４に係る試験片を１５０℃の乾燥機に１００時間静置することにより行った。また、抵抗の測定は、アデックス株式会社の接触抵抗計（ＬＣＲメーター／商品名：ＡＸ−２２１Ｎ）を用いて行った。圧力の設定は、株式会社イマダの圧力測定器（フォースゲージ／商品名：Ｚ２−２Ｎ）を用いて行った。なお、市販のコンタクトピン１２０としては、ピン先端割れ構造を有していないものを用いた。
【００７５】
１−３．評価結果
図６は、試験例１〜４における評価結果を示す図である。
図６からも分かるように、試験例３の場合には、どの圧力条件のもとにおいても熱処理によって抵抗が大きく増加している（例えば、９０ｇの圧力条件の場合でも０．１６Ωも増加している。）のに対して、試験例１及び２の場合には、どの圧力条件のもとにおいても熱処理によって抵抗がそれほど増加していない（例えば、３０ｇの圧力条件の場合でも０．０５Ω（試験例１）又は０．０７Ω（試験例２）しか増加していない。）。この結果から、試験例１及び２に係る試験片（高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼）は、試験例３に係る試験片（通常のステンレス鋼）と比較して、熱処理によっても抵抗の変化が小さく、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」という要件を満たすことが明らかとなった。
【００７６】
２．試験例５〜８（電気抵抗試験）
試験例５〜８は、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」で採用するハイブリッド構造が「電気抵抗（接触抵抗及び素材抵抗）が低いこと」という要件を満たすことを示す試験例である。
【００７７】
２−１．試料の調整
有限会社エス・アイ・テクノから購入した高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼（商品名：シリコロイＸＶＩ）からコンタクトピン本体を作製した後、表面を清浄化して、試験例５とした。また、試験例５と同じ構成のコンタクトピン本体の全表面に金めっきを施したものを試験例６とした。また、有限会社エス・アイ・テクノから購入した高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼（商品名：シリコロイＡ２）からコンタクトピン本体を作製した後、表面を清浄化して、試験例７とした。また、試験例７と同じ構成のコンタクトピン本体の全表面に金めっきを施したものを試験例８とした。試験例５及び７が比較例であり、試験例６及び８が実施例である。なお、各試験例とも、コンタクトピン本体として、ピン先端割れ構造を有していないコンタクトピンを作製した。
【００７８】
２−２．評価方法
図７は、試験例５〜８における評価方法を説明するために示す図である。
試験例５〜８についての評価は、図７に示すように、上記した試験例４に係る試験片と同じ構成の平板（ステンレス鋼ＳＵＳ３０４を幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ、厚さ４ｍｍの大きさの素材に調製した後、表面を清浄化し、さらには接触抵抗が極めて低い金めっきを表面に施したもの）に対して、試験例５〜８に係るコンタクトピンを所定の圧力条件下（３０ｇ）で押し付けたときの抵抗を測定することにより行った。すなわち、試験例５及び７においては、電流は、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン本体を流れるのに対して、試験例６及び８においては、電流は、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン本体を流れるに加えて当該コンタクトピン本体よりも高い導電率を有する金めっき層をも流れることとなる。
【００７９】
抵抗の測定は、アデックス株式会社の接触抵抗計（ＬＣＲメーター／商品名：ＡＸ−２２１Ｎ）を用いて行った。圧力の設定は、株式会社イマダの圧力測定器（フォースゲージ／商品名：Ｚ２−２Ｎ）を用いて行った。
【００８０】
２−３．評価結果
図８は、試験例５〜８の試験例についての評価結果を示す表である。
図８からも分かるように、試験例６及び８においては、試験例５及び７におけるよりも抵抗が大きく低減していることがわかった（ともに０．１１Ω低減している。）。この結果から、試験例６及び８に係るコンタクトピン（高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン）は、試験例５及び７に係るコンタクトピン（高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなり、ハイブリッド構造を有しないコンタクトピン）との比較から、「電気抵抗（接触抵抗及び素材抵抗）が低いこと」という要件を満たすことが明らかとなった。
【００８１】
３．試験例９及び１０（環境信頼性試験２）
試験例９及び１０は、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」が「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」及び「電気抵抗（接触抵抗及び素材抵抗）が低いこと」という２つの要件を満たすことを示す試験例である。
【００８２】
３−１．試料の調整
有限会社エス・アイ・テクノから購入した高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼（商品名：シリコロイＸＶＩ）からコンタクトピン本体を作製し、表面を清浄化した後、表面に金めっきを施したものを試験例９とした。また、有限会社エス・アイ・テクノから購入した高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼（商品名：シリコロイＡ２）からコンタクトピン本体を作製し、表面を清浄化した後、表面に金めっきを施したものを試験例１０とした。試験例９及び１０は実施例である。
【００８３】
３−２．評価方法
試験例９及び１０についての評価は、上記した試験例４に係る試験片と同じ構成の平板（ステンレス鋼ＳＵＳ３０４を幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ、厚さ４ｍｍの大きさの素材に調製した後、表面を清浄化し、さらには接触抵抗が極めて低い金めっきを表面に施したもの）に対して、環境信頼性試験のための熱処理の前後における試験例９及び１０に係るコンタクトピンを所定の圧力条件下（３０ｇ、６０ｇ、９０ｇ）で押し付けたときの抵抗を測定することにより行った。
【００８４】
熱処理は、試験例９及び１０に係るコンタクトピンを１５０℃の乾燥機に１００時間静置することにより行った。また、抵抗の測定は、アデックス株式会社の接触抵抗計（ＬＣＲメーター／商品名：ＡＸ−２２１Ｎ）を用いて行った。圧力の設定は、株式会社イマダの圧力測定器（フォースゲージ／商品名：Ｚ２−２Ｎ）を用いて行った。
【００８５】
３−３．評価結果
図９は、試験例９及び１０の試験例についての評価結果を示す表である。
図９からも分かるように、試験例９及び１０のいずれの場合にも、どの圧力条件のもとにおいても熱処理によって抵抗がそれほど増加していない（例えば、３０ｇの圧力条件の場合でも０．０３Ω（試験例９）又は０．０１Ω（試験例１０）しか増加していない。）。また、試験例９及び１０のいずれの場合にも、どの圧力条件のもとにおいても抵抗の絶対値が低い（例えば、３０ｇの圧力条件の場合でも０．１７Ω（試験例９）又は０．１８Ω（試験例１０）である。）。これらの結果から、試験例９及び１０に係るコンタクトピン（高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン）は、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」及び「電気抵抗（接触抵抗及び素材抵抗）が低いこと」という２つの要件を満たすことが明らかとなった。
【００８６】
以上、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」を上記の各実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。
【００８７】
（１）上記各実施形態においては、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼として、有限会社エス・アイ・テクノの高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼（商品名：シリコロイＸＶＩ及びシリコロイＡ２）を用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。上記以外の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼を用いても良い。
【００８８】
（２）上記各実施形態においては、コンタクトピン本体３０の表面に形成する貴金属めっき層として、金めっき層を用いたが、本発明は、これに限定されるものではない。上記貴金属めっき層として、金以外の貴金属からなる貴金属めっき層を用いも良い。
【００８９】
（３）上記各実施形態においては、コンタクトピン本体３０の表面に直接貴金属めっき層を形成したが、本発明は、これに限定されるものではない。コンタクトピン本体３０の表面に下地めっき層（例えば銅めっき層）を介して貴金属めっき層を形成しても良い。
【００９０】
（４）上記各実施形態においては、上記した製造方法によりコンタクトピン２０，２０ａを製造したが、本発明は、これに限定されるものではない。上記各実施形態におけるのと異なる製造方法を用いても良い。
【００９１】
（５）上記試験例９及び１０においては、ピン先端割れ構造を有しないコンタクトピン（すなわち接触点が１つのコンタクトピン）を用いて環境信頼性試験を行ったが、もちろん、ピン先端割れ構造を有するコンタクトピンを用いて環境信頼性試験を行ってもよく、その場合には、接触点が増え、より一層低い接触抵抗、ひいてはより一層低い電気抵抗が得られると予想される。
【符号の説明】
【００９２】
１０…コンタクトプローブ、２０…コンタクトピン、２２…ピン先端部、２４…ピン基端部、２６…ピン連結部、３０…コンタクトピン本体、３２…貴金属めっき層、４０…パイプ、４２…スプリング、５０…ストッパ、６０…線材、６２，６４，６６…仕掛かり部材、７０…被検査装置、７２…半田ボール、８０…検査装置、１００，１０２，２００…接触抵抗評価系、１１０、２１２…半田、１１２，１２２，２１４，２２０…接続ライン、１２０…コンタクトピン、１３０…接触抵抗計、２１０…平板、Ｗ…各試験例
【図１】
2011220846.tif 000003
【図２】
2011220846.tif 000004
【図３】
2011220846.tif 000005
【図４】
2011220846.tif 000006
【図５】
2011220846.tif 000007
【図６】
2011220846.tif 000008
【図７】
2011220846.tif 000009
【図８】
2011220846.tif 000010
【図９】
2011220846.tif 000011