(57)【要約】【課題】保護層より放出される不純ガスによる蛍光体の劣化を抑制するとともに放電特性を安定させ、表示品位の優れたプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】互いに平行な複数の表示電極対と誘電体層と保護層とが形成された前面基板１１と、互いに平行な複数のデータ電極と下地誘電体層と隔壁と蛍光体層とが形成された背面基板１７とを備えたプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、保護層が酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムの少なくとも１つと酸化マグネシウムとを含むとともに、前面基板１１と背面基板１７とを対向配置して封着材２５で封着する封着ステップが、封着材２５を加熱する加熱ステップを備えるとともに、加熱ステップの加熱開始時または加熱途中において対向配置した前面基板１１と背面基板１７とにより形成された放電空間２６内を排気する排気ステップをさらに備えている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに平行な複数の表示電極対と誘電体層と保護層とが形成された前面基板と、互いに平行な複数のデータ電極と下地誘電体層と隔壁と蛍光体層とが形成された背面基板とを備えたプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記保護層が酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムの少なくとも１つと酸化マグネシウムとを含むとともに、前記前面基板と前記背面基板とを対向配置して封着材で封着する封着ステップが、前記封着材を加熱する加熱ステップを備えるとともに、前記加熱ステップの加熱開始時または加熱途中において、対向配置した前記前面基板と前記背面基板とにより形成された空間内を排気する排気ステップをさらに備えたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記排気ステップが、前記前面基板または前記背面基板と前記封着材との隙間から、前記空間内に外気を取り込むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示に用いられるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」と略記する）として代表的な交流面放電型ＰＤＰは、前面基板と背面基板とからなり、それらが対向配置されて周囲が封着されるとともに内部に多数の放電セルが形成された構成になっている。
【０００３】
前面基板は、ガラス基板上に互いに平行な複数の表示電極対と、それら表示電極対を覆うように形成された誘電体層と、さらに誘電体層を覆おうように形成された保護層とにより構成されている。背面基板は、ガラス基板上に互いに平行に形成された複数のデータ電極と、それらデータ電極を覆うように形成された下地誘電体層と、下地誘電体層上に形成された井桁状の隔壁と、さらに下地誘電体層の表面と隔壁の側面に形成された蛍光体層により構成されている。前面基板と背面基板は、表示電極対とデータ電極とが交差するように隔壁を挟んで対向配置されるとともに周囲が封着され、内部に放電空間が形成されている。内部の放電空間には放電ガスが封入され、表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成された構成になっている。このような構成のＰＤＰの各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色、緑色および青色の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
【０００４】
近年、消費電力削減や輝度向上の要望に応えるために、ＰＤＰの構造やＰＤＰを構成する材料などに対する検討が活発になされている。例えば、ＰＤＰに封入されている放電ガスのキセノン（Ｘｅ）分圧を増加させることによりＰＤＰの発光効率が向上することが一般に知られている。しかしながら、単純にキセノン分圧を増加させると放電開始電圧が上昇するとか、放電遅れが大きくなり放電特性が不安定になるという課題があった。
【０００５】
このような放電特性の不安定性を改善するために、保護層に不純物を添加する例などが特許文献１や特許文献２に開示されている。また、これらの保護層の材料は、水、炭酸ガスなどの不純ガスとの反応性が高く、これらの不純ガスを放出して背面基板の蛍光体材料を劣化させるという課題を有する。このような課題を解決するため、封着時の排気プロセスに特徴を有する例が特許文献３に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２６０５３５号公報
【特許文献２】特開平１１−３３９６６５号公報
【特許文献３】特開平５−２１１０３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献３に記載の方法によれば、封着材が軟化点に達してから排気を行うため、封着材軟化点以前で酸化マグネシウムなどの複合酸化膜からなる保護層より排出された水、炭酸ガスなどの不純ガスの作用により封着材軟化点温度域での蛍光体劣化が生じ、放電特性も不安定化していた。
【０００８】
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、不純ガスによる蛍光体の劣化を抑制するとともに放電特性を安定させ、表示品位の優れたＰＤＰを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するため、本発明のＰＤＰの製造方法は、互いに平行な複数の表示電極対と誘電体層と保護層とが形成された前面基板と、互いに平行な複数のデータ電極と下地誘電体層と隔壁と蛍光体層とが形成された背面基板とを備えたＰＤＰの製造方法であって、保護層が酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムの少なくとも１つと酸化マグネシウムとを含むとともに、前面基板と背面基板とを対向配置して封着材で封着する封着ステップが、封着材を加熱する加熱ステップを備えるとともに、加熱ステップの加熱開始時または加熱途中において対向配置した前面基板と背面基板とにより形成された空間内を排気する排気ステップをさらに備えている。
【００１０】
このような方法によれば、高輝度、低電圧駆動の保護層を実現するとともに、封着工程時の昇温に伴い保護層から排出される水、炭酸ガスなどの不純ガスを排出して、不純ガスによる蛍光体の劣化を抑制するとともに放電特性を安定させ、表示品位の優れたＰＤＰを実現することができる。
【００１１】
さらに、排気ステップが、前面基板または背面基板と封着材との隙間から、空間内に外気を取り込むことが望ましい。このような方法によれば、ＰＤＰのすべての周辺部から外気が取り込まれ不純ガスが部分的に残留するのを防ぐことができるので、蛍光体の劣化を全面にわたって抑制することができる。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように、本発明のＰＤＰの製造方法によれば、高輝度、低電圧駆動で、蛍光体の劣化を抑制した表示品位の優れたＰＤＰを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態におけるＰＤＰの製造方法により製造されるＰＤＰの構造を示す分解斜視図
【図２】同製造方法を示すフローチャート
【図３】同製造方法に用いる加熱装置を示す図
【図４】同加熱装置の加熱炉の温度プロファイルを示す図
【図５】実施の形態におけるＰＤＰの製造方法におけるＰＤＰ内部へのガスの流れを示す図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態によるＰＤＰの製造方法について、図面を用いて説明する。
【００１５】
（実施の形態）
図１は実施の形態におけるＰＤＰの製造方法により製造されるＰＤＰの構造を示す分解斜視図である。図１に示すように、ＰＤＰ１０は、前面基板１１と背面基板１７とから構成されている。
【００１６】
図１において、ガラス製の前面基板１１上には、走査電極１２と維持電極１３とで対をなす表示電極対１４が互いに平行に複数対形成されている。この走査電極１２および維持電極１３は、走査電極１２−維持電極１３−維持電極１３−走査電極１２の配列で繰り返すパターンで形成されている。走査電極１２は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの導電性金属酸化物からなる幅の広い透明電極１２ａの上に、導電性を高めるために銀（Ａｇ）などの金属を含む幅の狭いバス電極１２ｂを積層して形成されている。維持電極１３も同様に、幅の広い透明電極１３ａの上に幅の狭いバス電極１３ｂを積層して形成されている。さらに、表示電極対１４を覆うように誘電体層１５および保護層１６が形成されている。誘電体層１５は、膜厚が約４０μｍの酸化ビスマス系低融点ガラスまたは酸化亜鉛系低融点ガラスで形成されている。
【００１７】
保護層１６は、誘電体層１５をイオンスパッタから保護するとともに放電開始電圧などの放電特性を安定させるために設けられている。本実施の形態では、膜厚が約０．８μｍで、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）の少なくとも１つと酸化マグネシウム（ＭｇＯ）とを含む材料を用いている。
【００１８】
このような保護層１６を構成する金属酸化膜のエネルギー準位は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）との合成された性質を有することとなる。したがって、保護層１６のエネルギー準位も酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単体と酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）単体との間に存在し、オージェ効果により他の電子が獲得するエネルギー量が真空準位を超えて放出されるに十分な量とすることができる。その結果、保護層１６では、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単体と比較して、良好な二次電子放出特性が発揮することができ、結果として、放電維持電圧を低減することができる。
【００１９】
保護層１６をこのような構成とすることにより、放電ガスのキセノン分圧を高めて高輝度としても低電圧駆動で、なおかつ放電特性を極めて安定化することができる。しかし、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）は比較的安定した材料であるが、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）はいずれも大気中の水分や炭酸ガスなどの不純物と反応してこれらの不純ガスを取り込む傾向がある。それらの不純ガスが封着・排気工程の昇温によって放出され、蛍光体層２３を劣化させるという課題がある。
【００２０】
一方、ガラス製の背面基板１７上には、銀を主成分とする導電性材料からなる互いに平行な複数のデータ電極１８が形成され、データ電極１８を覆うように下地誘電体層１９が形成されている。下地誘電体層１９は、誘電体層１５と同様の材料であってもよいが、可視光反射層としての働きも兼ねるように酸化チタン（ＴｉＯ2）粒子を混合した材料であってもよい。下地誘電体層１９上には井桁状の隔壁２０が形成され、下地誘電体層１９の表面と隔壁２０の側面とには、赤色、緑色、青色各色の蛍光体層２３が形成されている。隔壁２０は、例えば低融点ガラス材料を用いて約０．１２ｍｍの高さに形成されている。蛍光体層２３は、青色蛍光体としてＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕを、緑色蛍光体としてＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎを、赤色蛍光体として（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕなどをそれぞれ用いて約１５μｍの膜厚に形成されている。
【００２１】
前面基板１１と背面基板１７は、表示電極対１４とデータ電極１８とが交差するように、隔壁２０を挟んで対向配置され、その画像表示領域外部である周囲をガラスフリットからなる封着材によって封着され内部に放電空間が形成されている。封着材の詳細については後述する。放電空間にはキセノン（Ｘｅ）などを含む放電ガスが約６×１０4Ｐａの圧力で封入されている。放電空間は隔壁２０によって複数の区画に仕切られており、表示電極対１４とデータ電極１８とが交差する部分に放電セル２４が形成されている。そしてこれらの放電セル２４が放電、発光することにより画像が表示される。なお、ＰＤＰ１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、隔壁２０の形状がストライプ状であってもよい。
【００２２】
次に、ＰＤＰ１０の製造方法について説明する。図２は、実施の形態におけるＰＤＰの製造方法を示すフローチャートである。以下フローチャートに従って説明する。
（１）前面基板作製ステップ（Ｓ１）
まず、前面基板１１を作製するステップ（Ｓ１）について説明する。ガラス製の前面基板１１上に薄膜プロセスなどを用いて、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの導電性金属酸化物からなる幅の広い透明電極１２ａ、１３ａを形成し、フォトリソグラフィ法などを用いて互いに平行な複数のライン状にパターニングする。次に、透明電極１２ａ、１３ａ上に銀などの導電性の良い材料を含むペーストをスクリーン印刷でライン状に形成し、これを所定の温度で焼成して固化し走査電極１２と維持電極１３を形成する。走査電極１２と維持電極１３とは対をなし表示電極対１４を構成している。次に、表示電極対１４を覆うように酸化ビスマス系低融点ガラスなどを含むペーストをダイコート法などで塗布し、その後これを焼成して固化し誘電体層１５を形成する。次に、誘電体層１５を覆うように酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）のうち少なくとも１つと酸化マグネシウム（ＭｇＯ）とからなる保護層１６を真空蒸着法により形成する。以上の工程により次に前面基板１１が完成する。
（２）背面基板作製ステップ（Ｓ２）
次に、背面基板１７を作製するステップ（Ｓ２）について説明する。ガラス製の背面基板１７上に銀などの導電性の良い材料を含むペーストを、スクリーン印刷を用いて形成し、これを所定の温度で焼成して固化しデータ電極１８を形成する。次に、データ電極１８を覆うように酸化ビスマス系低融点ガラスと酸化チタン粒子とを含むペーストをダイコート法などで塗布し、その後これを焼成して固化し下地誘電体層１９を形成する。次に下地誘電体層１９上に低融点ガラスやフィラーなどを含むペーストを塗布して、これをフォトリソグラフィ法やサンドブラスト法を用いて井桁状にパターニングし、その後、これを焼成して固化し隔壁２０を形成する。次に、下地誘電体層１９の表面と隔壁２０の側面に赤色、緑色、青色各色の蛍光体材料を含む蛍光体ペーストを印刷法などにより塗布し、その後、これを乾燥、焼成することにより蛍光体層２３を形成する。以上の工程により背面基板１７が完成する。
（３）封着材塗布ステップ（Ｓ３）
次に、封着材を塗布するステップ（Ｓ３）について説明する。封着材塗布ステップ（Ｓ３）は、前面基板１１、背面基板１７の少なくとも一方の周囲に封着材を塗布し、その後、封着材の樹脂成分などを除去するために３５０℃程度の温度で仮焼成する工程である。
【００２３】
保護層１６に含まれる、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）は仮焼成で劣化しやすいので、封着材の塗布は保護層１６を備える前面基板１１側にではなく、背面基板１７側に行うことが好ましい。封着材としては、酸化ビスマスや酸化バナジウムを主成分としたガラスフリットを用いることができる。酸化ビスマスを主成分とするガラスフリットとしては、例えば、Ｂｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＲＯ−ＭＯ系（ここでＲは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇのいずれかであり、Ｍは、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｆｅのいずれかである）のガラス材料に、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、コージライトなどの酸化物からなるフィラーを加えたものである。酸化バナジウムを主成分とするガラスフリットとしては、例えば、Ｖ2Ｏ5−ＢａＯ−ＴｅＯ−ＷＯ系のガラス材料に、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、コージライトなどの酸化物からなるフィラーを加えたものである。
（４）封着ステップ（Ｓ４）、排気ステップ（Ｓ５）、放電ガス供給ステップ（Ｓ６）
封着ステップ（Ｓ４）は、前面基板１１と背面基板１７とを貼り付けて封着するステップである。また、排気ステップ（Ｓ５）は、前面基板１１と背面基板１７が封着されて形成された放電空間内の空気や不純ガスを排気して真空にするステップである。さらに、放電ガス供給ステップ（Ｓ６）は放電空間に放電ガスを供給するステップである。
【００２４】
図３は、実施の形態におけるＰＤＰ１０の製造方法で用いる加熱装置３０を示す図である。加熱炉３１の内部には、前面基板１１と、封着材２５が仮焼成された背面基板１７とが隔壁２０を挟んで対向配置されクリップ（図示せず）などで仮固定されたＰＤＰ１０が設置される。また加熱炉３１の内部にはＰＤＰ１０を加熱するためのヒータ３２が設けられている。背面基板１７の隅部にはＰＤＰ１０の放電空間２６に連通する吸排気孔１７ａが形成され、これに吸排気用の吸排気用ガラス管２７が接続されている。背面基板１７と吸排気用ガラス管２７との接合面にも仮焼成されたガラス管用の封着材２８が配置されている。吸排気用ガラス管２７には配管３３が接続されている。配管３３は、バルブ３４を介して排気装置３５に、バルブ３６を介して放電ガス供給装置３７に、バルブ３８を介して置換ガス供給装置３９に、それぞれ接続されている。さらに配管３３は、圧力計４０が設けられている。
【００２５】
図４は、実施の形態における加熱炉３１の温度プロファイルを示す図であり、封着ステップ（Ｓ４）、排気ステップ（Ｓ５）およびそれに続く放電ガス供給ステップ（Ｓ６）での加熱炉３１の温度プロファイルを示している。図４に示すように、加熱炉３１の温度プロファイルを、次の６つの期間に分割している。
期間１：室温から封着材２５の転転移点まで上昇させる期間
期間２：転移点から軟化点まで上昇させる期間
期間３：軟化点から封着温度まで上昇させる期間
期間４：封着温度以上の温度で一定時間保持した後、軟化点まで低下させる期間
期間５：軟化点温度よりやや低い温度で一定時間保持した後、室温まで低下させる期間
期間６：室温まで低下した後の期間
【００２６】
ここで、期間１〜期間４が封着ステップ（Ｓ４）に、期間５が排気ステップ（Ｓ５）に、期間６が放電ガス供給ステップ（Ｓ６）に対応する。ここで、転移点とは、ガラスフリットからなる封着材２５、２８が変形開始する温度を指し、実施の形態における封着材２５、２８の転移点温度は例えば３５０℃程度である。また、軟化点とは、封着材２５、２８が軟化する温度を指し、実施の形態における封着材２５、２８の軟化点温度は、例えば４３０℃程度である。封着温度とは、前面基板１１と背面基板１７とが封着材２５により、また背面基板１７と吸排気用ガラス管２７とが封着材２８により密閉される状態となる温度を指すものである。実施の形態における封着温度は、例えば４９０℃程度である。
【００２７】
図５は、実施の形態におけるＰＤＰ１０の製造方法におけるＰＤＰ１０内部へのガスの流れを示す図である。図５（ａ）〜図５（ｆ）は、それぞれ図４における期間１〜期間６に対応するガスの流れを示している。
【００２８】
以下、図３、図４および図５を用いて封着ステップ（Ｓ３）、排気ステップ（Ｓ４）およびそれに続く放電ガス供給ステップ（Ｓ６）について詳細に説明する。なお、ここでは、吸排気用ガラス管２７の封着に関しては説明を省く。
【００２９】
まず、封着ステップ（Ｓ３）の期間１について図５（ａ）を用いて説明する。
【００３０】
表示電極対１４とデータ電極１８とが直交して対向するように前面基板１１と背面基板１７とを位置決めして重ね合わせる。その後、封着開始（室温）から封着材２５の転移点に至る任意の温度域でバルブ３４を開いて排気装置３５を作動させ、ＰＤＰ１０内の放電空間２６の排気を開始する。この時、放電空間２６は大気圧以下の負圧となり、排気装置３５の能力と均衡のとれた数万Ｐａ程度の圧力となる。また、放電空間２６が大気圧以下の負圧となることにより、ＰＤＰ１０外部の炉内雰囲気ガスが前面基板１１と、背面基板１７の周囲に形成された封着材２５との隙間から矢印Ａに示すように放電空間２６へ流入する状態となる。
【００３１】
ここで、期間１において放電空間２６の排気を開始する理由について説明する。実施の形態では、保護層１６は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の他に、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）のうち少なくとも１つを含んでいる。保護層１６に酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）を含ませることで放電特性が非常に安定するという効果がある。しかしながら、一方でこれらの材料は水、炭酸ガスなどの不純ガスとの反応性が高く、これを化合物などとして取り込む傾向がある。これら化合物を含んだ保護層１６は、炉内温度を室温から転移点温度に上昇させる期間１で水、炭酸ガスなどの不純ガスを放出し、蛍光体層２３の蛍光体を劣化させる作用がある。
【００３２】
すなわち、実施の形態では、封着材２５を加熱する加熱ステップを備えるとともに、加熱ステップの加熱開始時または加熱途中において、期間１において放電空間２６の排気を行う排気ステップを設けている。したがって、前面基板１１と背面基板１７の周囲に形成された封着材２５との隙間から流入する炉内雰囲気ガスによって、保護層１６から放出された不純ガスを流動させて排出することができる。そのために、蛍光体層２３に不純ガスが付着するのを抑制して、蛍光体層２３の劣化を防ぐことができる。また、このように前面基板１１と、背面基板１７に形成された封着材２５との隙間から炉内雰囲気ガスを流入させることで、ＰＤＰ１０のすべての周辺部から均一に外気が取り込まれる。そのため、不純ガスが部分的に残留することがなく、蛍光体の劣化を全面にわたって抑制することができる。
【００３３】
次に、封着ステップ（Ｓ３）の期間２について図５（ｂ）を用いて説明する。
【００３４】
加熱炉３１内部の温度が封着材２５の転移点温度（例えば３５０℃）以上になると、封着材２５が変形し始め、前面基板１１と、背面基板１７上に形成された封着材２５との隙間が徐々に小さくなり、放電空間２６の圧力も例えば数千Ｐａ程度まで徐々に小さくなる。
【００３５】
ここで、期間２において、放電空間２６の排気を継続する理由について説明する。期間１における放電空間２６の圧力を期間２においてさらに小さくなることにより、前面基板１１に形成されている保護層１６より放出される水、炭酸ガスなどの不純ガスの排出効果を上げ、蛍光体層２３の蛍光体の劣化をさらに防ぐことができる。
【００３６】
次に、封着ステップ（Ｓ３）の期間３について図５（ｃ）を用いて説明する。
【００３７】
加熱炉３１内部の温度が封着材２５の軟化点温度以上になると、前面基板１１と、背面基板１７上に形成された封着材２５とが完全に密閉し、ＰＤＰ１０の放電空間２６内のガスが排出される。
【００３８】
次に、封着ステップ（Ｓ３）の期間４について図５（ｄ）を用いて説明する。
【００３９】
加熱炉３１内部の温度が封着温度以上の温度となる直前に、バルブ３４を閉じ排気装置３５による排気を終了する。それと同時に、バルブ３８を開き置換ガス供給装置３９より酸素などの置換ガスを例えば１万〜８万Ｐａ程度の圧力でＰＤＰ１０内の放電空間２６に流入させる。実施の形態においては、置換ガスは、例えば、Ｏ２：５０％の混合ガスであり、所定の気圧は１万〜８万Ｐａである。しかし、置換ガスはこれに限定されるものではなく、例えば、Ｎｅ：５０％のガスであってもよい。また、期間３から期間５までＰＤＰ１０内の排気を継続させてもよい。
【００４０】
次に、排気ステップ（Ｓ４）の期間５について図５（ｅ）を用いて説明する。
【００４１】
加熱炉３１内部の温度が軟化点温度以下になると、バルブ３８を閉じるとともにバルブ３４を開いて排気装置３５を作動させ放電空間２６のガスを排気して真空状態にする。そしてヒータ３２を制御して加熱炉３１内部の温度を所定の時間保持しながら、排気を継続して行う。その後、ヒータ３２をオフにして加熱炉３１内部の温度を室温まで低下させる。この間も継続して排気を行い真空状態に保つ。
【００４２】
次に、放電ガス供給ステップ（Ｓ５）の期間６について図５（ｆ）を用いて説明する。
【００４３】
期間６は、真空排気されたＰＤＰ１０の放電空間２６にネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）を主成分とする放電ガスを供給する工程である。加熱炉３１内部の温度が室温まで低下した後、バルブ３４を閉じて排気装置３５を停止するとともにバルブ３６を開いて放電ガス供給装置３７から放電ガスを所定の圧力となるように供給する。実施の形態においては、放電ガスは、例えば、Ｘｅ：１０％、Ｎｅ：９０％の混合ガスであり、所定の気圧は６×１０4Ｐａである。しかし、放電ガスはこれに限定されるものではなく、例えば、Ｘｅ：５０％のガスであってもよい。その後、吸排気用ガラス管２７を加熱封止（チップオフ）する。以上のようにしてＰＤＰ１０が完成する。
【００４４】
以上述べたように、本発明のＰＤＰの製造方法によれば、封着ステップ時の昇温に伴い保護層１６から排出される水、炭酸ガスなどの不純ガスを、流入する外気により流動させて排出するので、不純ガスによる蛍光体の劣化を抑制するとともに放電特性を安定させ、表示品位の優れたＰＤＰを実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
以上のように本発明によるＰＤＰの製造方法は、高輝度、低電圧駆動で、なおかつ放電特性の安定したＰＤＰを実現し、薄型表示装置などに有用である。
【符号の説明】
【００４６】
１０    ＰＤＰ
１１    前面基板
１２    走査電極
１２ａ，１３ａ  透明電極
１２ｂ，１３ｂ  バス電極
１３    維持電極
１４    表示電極対
１５    誘電体層
１６    保護層
１７    背面基板
１７ａ  吸排気孔
１８    データ電極
１９    下地誘電体層
２０    隔壁
２３    蛍光体層
２４    放電セル
２５，２８  封着材
２６    放電空間
２７    吸排気用ガラス管
３０    加熱装置
３１    加熱炉
３２    ヒータ
３３    配管
３４，３６，３８  バルブ
３５    排気装置
３７    放電ガス供給装置
３９    置換ガス供給装置
４０    圧力計
【図１】
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【図２】
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【図３】
2011187354.tif 000005
【図４】
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【図５】
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