(57)【要約】【課題】ペリクルからのアウトガスや保管時の環境から吸着するガスを低減することにある。【解決手段】ペリクル１を内部に保持するチャンバー３と、このチャンバー３内に雰囲気ガスを導入するガス導入系５と、このガス導入系５を制御することにより、雰囲気ガスを所要のガス流量及び所要のガス圧力に調節してチャンバー３内に導入するコントローラ７とを備えたペリクルの脱ガス装置である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペリクルを内部に保持するチャンバーと、このチャンバー内に雰囲気ガスを導入するガス導入系と、このガス導入系を制御することにより、前記雰囲気ガスを所要のガス流量及び所要のガス圧力に調節して前記チャンバー内に導入するコントローラとを備えたことを特徴とするペリクルの脱ガス装置。
【請求項２】
請求項１に記載のペリクルの脱ガス装置において、
前記チャンバーを加熱するための熱源を有し、前記コントローラの制御指令または自身により、前記チャンバー内のペリクル及び雰囲気ガスのガス温度を制御する加熱手段を設けたことを特徴とするペリクルの脱ガス装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のペリクルの脱ガス装置において、
前記チャンバー内には、前記ペリクルを保持するためのペリクル保持治具を収容することを特徴とするペリクルの脱ガス装置。
【請求項４】
請求項３に記載のペリクルの脱ガス装置において、
前記ペリクル保持治具は、前記ペリクルを載置するための複数の棚を有し、この各棚にはそれぞれ通気窓が形成されていることを特徴とするペリクルの脱ガス装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載のペリクルの脱ガス装置において、
前記ガス導入系は、前記雰囲気ガスを前記チャンバー内に送るためのガス送り配管と、このガス送り配管に設置され、前記コントローラの制御指令のもとに当該ガス送り配管を流れる前記雰囲気ガスのガス流量及びガス圧力を制御するガス導入ユニットとを有し、
前記ガス導入ユニットから安定したガス流量及びガス圧力の雰囲気ガスを前記チャンバーに供給することを特徴とするペリクルの脱ガス装置。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載のペリクルの脱ガス装置において、
前記チャンバーには当該チャンバー内の雰囲気ガスを排気するガス排気系が接続され、
前記ガス排気系は、前記チャンバー内の雰囲気ガスを外部に排気するためのガス排気配管と、このガス排気配管に設置され、前記コントローラの制御指令のもとに排気する前記雰囲気ガスのガス流量及びガス圧力を制御するガス排気ユニットとを有し、
前記ガス排気ユニットから安定したガス流量及びガス圧力の雰囲気ガスを外部に排気することを特徴とするペリクルの脱ガス装置。
【請求項７】
請求項１、請求項２及び請求項５の何れか一項に記載のペリクルの脱ガス装置において、
前記ガス導入ユニットよりも下流側となる前記ガス送り配管に設置され、前記雰囲気ガス中に存在する異物や化学汚染物質を除去するフィルターを設けたことを特徴とするペリクルの脱ガス装置。
【請求項８】
チャンバー内にペリクルを保持させる保持ステップと、このペリクル保持中のチャンバー内に雰囲気ガスを供給するガス供給ステップと、このガス供給ステップで供給された前記雰囲気ガスをチャンバー内に置換した後、前記チャンバー内のペリクル及び前記雰囲気ガスを所定の温度となるように制御する加熱ステップとを有し、
前記ペリクルからのアウトガス及び保管時に環境から吸着したガスの脱ガス化を行うことを特徴とするペリクルの脱ガス方法。
【請求項９】
請求項８に記載のペリクルの脱ガス方法において、
前記ガス供給ステップでは、前記雰囲気ガス中に存在する異物や化学汚染物質を除去し、前記ペリクル保持中のチャンバー内に供給することを特徴とするペリクルの脱ガス方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載のペリクルの脱ガス方法において、
前記雰囲気ガスとしては、Ｎ2及び希ガスなどの不活性ガス、Ｏ2及びＨ2Ｏなどの活性ガス、空気であることを特徴とするペリクルの脱ガス方法。
【請求項１１】
請求項８ないし請求項１０の何れか一項に記載のペリクルの脱ガス方法において、
前記ペリクル保持中のチャンバー内に供給する雰囲気ガスを所要のガス流量及びガス圧力となるように制御することを特徴とするペリクルの脱ガス方法。
【請求項１２】
請求項８ないし請求項１０の何れか一項に記載のペリクルの脱ガス方法において、
前記チャンバー内の雰囲気ガスを所要の流量及び圧力で外部に排気させることを特徴とするペリクルの脱ガス方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載する前記雰囲気ガスのチャンバー内供給と、請求項１２に記載する前記雰囲気ガスの外部排気とを繰り返し、任意のタイミングで前記チャンバー内を所要の雰囲気に置換することを特徴とするペリクルの脱ガス方法。
【請求項１４】
請求項８に記載のペリクルの脱ガス方法において、
前記チャンバーには、それぞれ通気窓を設けた各棚に前記ペリクルを載置したペリクル保持治具を収容し、前記ペリクルと前記棚の間の空間が通気可能な状態に設定されていることを特徴とするペリクルの脱ガス方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ペリクルから排出されるアウトガス及び保存環境から吸着するガスを低減するためのペリクルの脱ガス装置及びその脱ガス方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や液晶表示素子の製造工程の１つであるフォトリソグラフィ工程では、ガラス板表面にクロムやモリブデンやケイ素及びその酸化物や窒化物を蒸着したものをパターニングしたフォトマスクを回路原版として使用している。このフォトマスクに光を照射し、レジスト塗布したシリコンウェハや液晶板上に回路パターンを転写している。
【０００３】
しかし、光の照射時にフォトマスク上に異物が付着していると、照射光の吸収，散乱，回折が起こり、形成されたマスクパターンとは異なる回路パターンがシリコンウェハや液晶板上に転写され、製品の歩留まり低下を引き起こす問題がある。
【０００４】
そこで、フォトマスク製造工程では、フォトマスクを洗浄して異物が無い状態にした後、当該フォトマスクに目的波長の光を透過させる，いわゆる異物防護冶具であるペリクルによりパターンを覆うように貼り付ける方法が行われている。
【０００５】
従来の一般的なペリクルは、アルミニウムなどの金属及びその酸化物からなるフレームに、アクリル系樹脂やフッ素ポリマーからなる接着剤を用い、セルロースやフッ素ポリマーからなるメンブレン（ペリクル膜）を接着したもので、このペリクルをアクリル系樹脂やシリコーン樹脂からなる接着剤でフォトマスクに接着させる。
【０００６】
ところで、近年，ＬＳＩなどの半導体素子では、パターンの微細化に伴って、リソグラフィの露光波長が、ｇ線（436nm）からｉ線（365nm）、krFエキシマレーザー（248nm）、ArFエキシマレーザー（193nm）と、短波長化の方向に移行してきている。
【０００７】
しかし、露光波長が短波長化すると、照射エネルギーが増加し、フォトマスク上及びペリクル上、またはフォトマスクとペリクルに囲まれた空間内に存在する各種物質の化学反応が促進され、成長性の異物が生成する。この成長性異物がフォトマスク上及びペリクル上に凝集したものは、クモリもしくはヘイズと呼ばれ、パターニングの観点から非常に問題視されている。特に、エキシマレーザーでは、露光雰囲気中に存在する酸素がオゾンに変化することから、各種物質の酸化反応が促進され、著しくフォトマスクの品質を低下させてしまう。
【０００８】
そこで、従来、ヘイズの原因となり得るペリクル部材からのアウトガスに下限値を設けて低減する技術が提案されている（特許文献１）。
【０００９】
また、ペリクル付フォトマスク全体をガス置換可能としたユニットを有する露光装置ならびにその露光方法が提案されている。この露光装置及び露光方法では、露光中もフォトマスク上及びペリクル上、またはフォトマスクとペリクルに囲まれた空間を常に不活性ガスでパージする方法である（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−３３３９１０号公報
【特許文献２】特開２００２−１９６４７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、特許文献１に記載される技術によれば、ペリクル部材そのもののアウトガスを低減することから、ヘイズの抑制に有効な手段となるが、フォトマスク製造工程でのペリクル部材の保管時に工程雰囲気中などから新たに吸着されるガス成分については制御することができない。
【００１２】
また、特許文献２に記載される技術では、ペリクル部材やフォトマスク部材に親和性、吸着性のある化学物質を不活性パージガスで完全に置換することが難しい上、装置の開発や改造にコストがかかるため、未だ実用の域に達していない。結果、フォトマスク上及びペリクル上の成長性異物は撲滅されていない。
【００１３】
そこで、生成した成長性異物を除去するには、フォトマスクからペリクルを剥がし、フォトマスクを洗浄する必要がある。
【００１４】
以上のような作業は、半導体素子や液晶表示素子の製造工程における生産能力を低下させ、更には製造コストの増加を招くといった問題がある。
【００１５】
本発明は上記事情に鑑みて成されたものであって、ペリクル部材から発生するアウトガスやペリクル部材保管時に環境から吸着する吸着ガスを確実に脱ガスし低減するペリクルの脱ガス装置及びその脱ガス方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明は、ペリクルを内部に保持するチャンバーと、このチャンバー内に雰囲気ガスを導入するガス導入系と、このガス導入系を制御することにより、前記雰囲気ガスを所要のガス流量及び所要のガス圧力に調節して前記チャンバー内に導入するコントローラとを備え、ペリクルを内部に保持するチャンバーを通してペリクルを熱し、ペリクルからのアウトガスやペリクル部材保管時に環境から吸着するガスを離脱させるようにするペリクルの脱ガス装置である。
【００１７】
また、本発明に係るペリクルの脱ガス装置は、チャンバーを加熱するための熱源を有し、前記コントローラの制御指令または自身により、前記チャンバー内のペリクル及び雰囲気ガスのガス温度を制御する加熱手段を付加し、ペリクルからのアウトガス及び保管時に環境から吸着したガスの脱ガス化を行う構成である。
【００１８】
前記チャンバー内には、ペリクルを保持するためのペリクル保持治具を収容することを特徴とする。ペリクル保持治具としては、ペリクルを載置するための複数の棚を有し、この各棚にはそれぞれ通気窓を形成されている。
【００１９】
また、前記ガス導入系としては、雰囲気ガスをチャンバー内に送るためのガス送り配管と、このガス送り配管に設置され、コントローラの制御指令のもとに当該ガス送り配管を流れる雰囲気ガスのガス流量及びガス圧力を制御するガス導入ユニットとを有し、このガス導入ユニットから安定したガス流量及びガス圧力の雰囲気ガスを前記チャンバーに供給する構成である。
【００２０】
また、本発明に係るペリクルの脱ガス装置は、チャンバーにはチャンバー内の雰囲気ガスを排気するガス排気系を接続する。このガス排気系は、チャンバー内の雰囲気ガスを外部に排気するためのガス排気配管と、このガス排気配管に設置され、コントローラの制御指令のもとに排気する雰囲気ガスのガス流量及びガス圧力を制御するガス排気ユニットとを有し、ガス排気ユニットから安定したガス流量及びガス圧力の雰囲気ガスを外部に排気する構成である。
【００２１】
また、本発明に係るペリクルの脱ガス装置は、前記ガス導入ユニットよりも下流側となる前記ガス送り配管にフィルターを設置し、雰囲気ガス中に存在する異物や化学汚染物質を除去するものである。
【００２２】
次に、本発明に係るペリクルの脱ガス方法は、チャンバー内にペリクルを保持させる保持ステップと、このペリクル保持中のチャンバー内に雰囲気ガスを供給するガス供給ステップと、このガス供給ステップで供給された前記雰囲気ガスをチャンバー内に置換した後、前記チャンバー内のペリクル及び前記雰囲気ガスを所定の温度となるように制御する加熱ステップとを有し、ペリクルからのアウトガス及び保管時に環境から吸着したガスの脱ガス化を行う方法である。
【００２３】
前記ガス供給ステップでは、雰囲気ガス中に存在する異物や化学汚染物質を除去し、ペリクル保持中のチャンバー内に供給することを特徴とする。
【００２４】
なお、雰囲気ガスとしては、Ｎ2及び希ガスなどの不活性ガス、Ｏ2及びＨ2Ｏなどの活性ガス、空気であることを特徴とする。
【００２５】
このペリクルの脱ガス方法では、ペリクル保持中のチャンバー内に供給する雰囲気ガスを所要のガス流量及びガス圧力となるように制御し、一方、チャンバー内の雰囲気ガスを所要の流量及び圧力で外部に排気させることを特徴とする。
【００２６】
また、ペリクルの脱ガス方法では、チャンバー内に、それぞれ通気窓を設けた各棚にペリクルを載置したペリクル保持治具を収容し、ペリクルと棚の間の空間が通気可能な状態に設定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、ペリクルからのアウトガスやペリクル部材保管時に環境から吸着するガスを低減できるペリクルの脱ガス装置及びその脱ガス方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明に係るペリクルの脱ガス装置の一実施の形態を示す構成図。
【図２】ペリクルの一構成例を示す図。
【図３】ペリクル保持治具の一構成例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。  
図１は本発明に係るペリクルの脱ガス装置の一実施の形態を示す構成図である。
【００３０】
このペリクルの脱ガス装置は、ペリクル１を保持するペリクル保持治具２を収容するチャンバー３と、チャンバー３を加熱するための加熱装置４と、ガス導入系５と、ガス排気系６と、これら加熱装置４、ガス導入系５及びガス排気系６を制御するコントローラ７とによって構成される。
【００３１】
チャンバー３は、ペリクル１を保持したペリクル保持治具２を保持可能な構造となっている。例えばチャンバー３内に保持台を設けるとか、ペリクル保持治具２を保持するための保持フレームが設けられている。また、チャンバー３は、チャンバー自身からガスを発しないよう、また劣化強度を促進させない観点から、金属または石英で構成するのが望ましい。
【００３２】
チャンバー３には吸気口３ａ及び排気口３ｂが設けられる。チャンバー３の吸気口３ａは排気口３ｂより下方に位置するように設けるのが望ましい。
【００３３】
チャンバー３の吸気口３ａ側にはガス導入系５が接続される。ガス導入系５は、吸気口３ａに接続されるガス送り配管５１と、ガス送り配管５１に設置され、雰囲気ガスを導入するガス導入ユニット５２と、このガス導入ユニット５２から受け取る雰囲気ガス中の異物や化学汚染物質を除去してチャンバー３内に供給するフィルター５３とを備える。
【００３４】
チャンバー３の排気口３ｂにはガス排気系６が接続される。ガス排気系６は、排気口３ｂに接続されるガス排気配管６１と、このガス排気配管６１に設置され、チャンバー３から雰囲気ガスを排気するガス排気ユニット６２とを備える。
【００３５】
コントローラ７は、チャンバー３内に導入する雰囲気ガスの流量、気圧及び温度を監視制御する。コントローラ７は、ガス導入ユニット５２及びガス排気ユニット６２を制御し、チャンバー３内に所望の雰囲気ガス流量を導入し、かつ、チャンバー３内を所望のガス気圧となるように制御する。また、コントローラ７は、加熱装置４を介してチャンバー３内のガス温度ひいてはペリクル１の温度を可変制御する役割を持っている。
【００３６】
図２はペリクル１の一構成例を示す図である。  
ペリクル１は、所定の間隔を有して配置される２つのフレーム１ａ，１ａにメンブレン（ペリクル膜）１ｂを接着剤１ｃにて貼り付けたものである。このペリクル１は、ペリクルフレーム１ａ，１ａのメンブレン１ｂとは反対面部に接着剤１ｄを付してフォトマスクに貼り付けられる。
【００３７】
図３は、ペリクル保持治具２の一構成例を示す図であって、チャンバー３内に収容される。  
ペリクル保持治具２は、例えば縦方向に伸びる箱型の外形形状を成す骨組み構造フレーム２ａ内にペリクル１を保持するために複数の棚２ｂ，…が架設され、各棚２ｂ，…及び棚の役割を果す底板２ｃには通気窓２ｄが開けられている。
【００３８】
なお、ペリクル保持治具２としては、骨組み構造フレーム２ａのうち、必要な外面部に壁板材を貼り付け、これら壁板材に通気窓２ｄを開けたものでもよい。
【００３９】
さらに、棚の役割を果す底板２ｃに通気窓２ｄが形成された場合、例えばペリクル保持治具２の底部の４角に所定高さの脚部を取付け、底板２ｃに形成された通気窓２ｄから十分に通気できるような構成とする。
【００４０】
ペリクル保持治具２は、保持治具自身からガスを発しないよう、また自身の劣化強度を促進させない観点から、金属または石英で構成するのが望ましい。
【００４１】
さらに、図１に戻り、ペリクルの脱ガス装置の構成要素について詳細に説明する。  
チャンバー３の内部空間３ｃは所望の流量、気圧及び温度の雰囲気ガスで満たす必要がある。雰囲気ガスは、Ｎ2及び希ガスなどの不活性ガスやＯ2及びＨ2Ｏなどの活性ガスや空気及びそれらの混合ガスである。なお、混合ガスの種類や混合比、その流量、圧力、温度は、対象とするペリクル１の構成部材により、適宜必要に応じて選択することができる。
【００４２】
コントローラ７は、図示されていないが、ガス導入ユニット５２出力側のガス導入配管５１の適宜な位置に設置される流量計，圧力計などから計測値を受け取り、この計測値と予め定める設定値とに基づき、ガス導入ユニット５２を制御し、チャンバー３内へ導入する雰囲気ガスを、設定流量，設定圧力に調節するようにする。そして、設定流量及び設定圧力となった雰囲気ガスは、フィルター５３及び吸気口３ａを経てチャンバー３内に導入する。コントローラ７は、ガス排気ユニット６２を制御し、チャンバー３内の内部空間３ｃから所定の流量及び圧力の雰囲気ガスをガス排気配管６１を経由してチャンバー３外部に排気することができる。
【００４３】
また、コントローラ７は、加熱装置４またはチャンバー３に設置される温度計（図示せず）の計測値と予め定める設定温度とに基づき、加熱装置４を制御し、チャンバー３内の内部空間３ｃの雰囲気ガスを設定温度に加熱することができる。
【００４４】
なお、チャンバー３内の雰囲気ガス温度の制御は、コントローラ７からの制御指令に基づき、加熱装置４自身がチャンバー３の内部空間３ｃの雰囲気ガス温度を取り込み、設定温度となるよう調節してもよい。加熱装置４の熱源としては、電熱線ヒーターを用いるが、ランプヒーターその他の熱源であっても構わない。
【００４５】
次に、ペリクル１の脱ガス処理方法について説明する。  
ペリクル１をペリクル保持治具２の棚２ｂに載せて保持し、チャンバー３に収容する。このとき、チャンバー３にはガス導入系５及びガス排気系６が接続され、コントローラ７による制御指示を受ける状態となっている。
【００４６】
コントローラ７は、ガス導入ユニット５２及びガス排気ユニット６２を制御し、ガス送り配管５１に導入される雰囲気ガスのガス流量、ガス圧力を設定値となるように制御しつつチャンバー３の内部空間３ｃに導入する。また、コントローラ７または加熱装置４は、チャンバー３の内部空間３ｃの雰囲気ガスを設定温度に制御する。
【００４７】
そして、以上のような制御動作を実行することにより、チャンバー３の内部空間３ｃを十分に雰囲気ガスで置換するとともに、加熱装置４によりチャンバー３の内部空間３ｃを加熱していくと、ペリクル１が加熱される。
【００４８】
ここで、ペリクル１が加熱されると、ペリクル部材のアウトガスやペリクル部材の保管時に環境から吸着したガスが脱ガスされる。脱ガスは、ガス排気ユニット６２の制御に従い、排気口３ｂ及びガス排気配管６１を経由し、チャンバー３外に排気される。
【００４９】
なお、脱ガス処理を行う場合、チャンバー３の内部空間３ｃの雰囲気ガスを常に導入し、かつ、排気させた状態にしてもよいが、例えばチャンバー３内に雰囲気ガスを導入後、一旦チャンバー３内を密閉し、ペリクル１を十分に加熱した後、チャンバー３内の雰囲気ガスを排気してもよい。
【００５０】
また、脱ガス処理としては、雰囲気ガスの導入，加熱、排気の一連の処理を予め定めた処理時間内に一度行う場合と、当該処理時間内に複数回行う場合があるが、処理時間内に複数回行う方がペリクル１に接する雰囲気ガスがペリクル１の脱ガスにより汚染されないので好ましい。
【実施例１】
【００５１】
以下、本発明の実施例について説明する。  
フォトマスク工程内に放置されたペリクル１をペリクル保持治具２にセットし、チャンバー３内に収容する。このとき、チャンバー３にガス導入系５及びガス排気系６が接続されていない場合、チャンバー３にガス導入系５及びガス排気系６を接続し、準備を完了する。
【００５２】
コントローラ７は、ガス導入ユニット５２を制御し、例えば室内空気による室温、流量１Ｌ／分を取り込んでフィルター５３に導入し、異物や化学汚染物質のない状態の空気をチャンバー３に導入する。そして、空気を流した状態にし、加熱装置４にてチャンバー３の内部空間３ｃが４０℃になるように５時間加熱する。
【００５３】
しかる後、ペリクル保持治具２からペリクル１を取り出し、分析用サンプラにて８０℃３０分加熱し、発生したガスを吸着管に吸着させ、加熱脱着式のＧＣ／ＭＳ法で分析を行ったところ、揮発性有機物質の合計は２．９ｕｇだった。
【実施例２】
【００５４】
実施例１と同様に、フォトマスク工程内に放置されたペリクル１をペリクル保持治具２にセットし、チャンバー３内に収容後、当該チャンバー３にガス導入系５及びガス排気系６を接続する。
【００５５】
コントローラ７は、ガス導入ユニット５２を制御し、例えば室内空気による室温、流量１Ｌ／分を取り込んでフィルター５３に導入し、異物や化学汚染物質のない空気をチャンバー３に導入し、しばらく空気を流した後、チャンバー３の吸気口３ａ及び排気口３ｂを閉じ、チャンバー３を密閉状態にする。
【００５６】
以上のような状態において、加熱装置４にてチャンバー３の内部空間３ｃが４０℃になるように１０分間加熱した後、チャンバー３の吸気口３ａ及び排気口３ｂを開け、しばらく空気を流した後、再度チャンバー３を密閉状態にする。そして、再度、加熱装置４にてチャンバー３の内部空間３ｃが４０℃になるように１０分間加熱した。この後、この一連の操作を繰り返し行い、トータル的には２８回繰り返した。
【００５７】
しかる後、ペリクル保持治具２からペリクル１を取り出し、分析用サンプラにて８０℃３０分加熱し、発生したガスを吸着管に吸着させ、加熱脱着式のＧＣ／ＭＳ法で分析を行ったところ、揮発性有機物質の合計は１．８ｕｇだった。
【比較例１】
【００５８】
実施例１，２と同様、フォトマスク工程内に放置されたペリクル１を分析用サンプラにて８０℃３０分加熱し、発生したガスを吸着管に吸着させ、加熱脱着式のＧＣ／ＭＳ法で分析を行ったところ、揮発性有機物質の合計は６．３ｕｇだった。
【００５９】
そこで、以上のような実施例及び比較例をまとめると、図４に示すようなペリクル１枚当りの揮発性有機物質発生量が得られた。
【表１】
2011070009.tif 000003
【００６０】
従って、以上のような実施の形態及び実施例によれば、チャンバー３内でペリクル１を保持し、コントローラ７からの制御指示のもとにガス導入系５から雰囲気ガスを所要のガス流量及びガス圧力に調節してチャンバー３内に導入した後、コントローラ７の制御指令のもとに加熱装置４がチャンバー３内を加熱するので、ペリクル１のペリクル部材から発生するアウトガスやペリクル部材保管時に環境から吸着する吸着ガスを確実に脱ガスすることができる
その他、本発明は、上記実施の形態及び実施例に限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できる。
【符号の説明】
【００６１】
１…ペリクル、１ａ…ペリクルフレーム（ペリクル膜）、１ｃ，１ｄ…接着剤、２…ペリクル保持治具、２ａ…骨組み構造フレーム、２ｂ…棚、２ｄ…通気窓、３…チャンバー、３ａ…吸気口、３ｂ…排気口、３ｃ…チャンバーの内部空間、４…加熱装置、５…ガス導入系、６…ガス排気系、７…コントローラ、５１…ガス送り配管、５２…ガス導入ユニット、５３…フィルター、６１…ガス排気配管、６２…ガス排気ユニット。
【図１】
2011070009.tif 000004
【図２】
2011070009.tif 000005
【図３】
2011070009.tif 000006