(57)【要約】      （修正有）【課題】金属ボールの溶融によるベース基板とカバーとの接合を確実にして特性を維持する電子部品用パッケージの封止方法を提供する。【解決手段】いずれも平面視矩形状として外周表面に枠状金属膜６ａ，６ｂを有し、電子素子の配設されるベース基板１と、前記ベース基板１に接合して前記電子素子を密閉封入する平面視矩形状のカバー２とを備え、前記ベース基板１と前記カバー２とを面対向して上下に重ねるとともに、前記ベース基板１及びカバー２の枠状金属膜６ａ，６ｂ間に介在した複数の金属ボールの溶融及び拡散によって前記枠状金属膜６ａ，６ｂ間を接合する電子部品用パッケージの封止方法において、前記複数の金属ボールは少なくとも４個を有して融点が異なる低融点金属ボールと高融点金属ボールからなり、前記低融点金属ボールと高融点金属ボールとが交互に配置された構成とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
いずれも平面視矩形状として外周表面に枠状金属膜を有し、電子素子の配設されるベース基板と、前記ベース基板に接合して前記電子素子を密閉封入するカバーとを備え、前記ベース基板と前記カバーとを面対向して上下に重ねるとともに、前記ベース基板及びカバーの枠状金属膜間に介在した複数の金属ボールの溶融及び拡散によって前記枠状金属膜間を接合する電子部品用パッケージの封止方法において、前記複数の金属ボールは少なくとも４個を有して融点が異なる低融点金属ボールと高融点金属ボールからなり、前記低融点金属ボールと高融点金属ボールとが交互に配置されたことを特徴とする電子部品用パッケージの封止方法。
【請求項２】
請求項１において、前記金属ボールは前記ベース基板又は前記カバーの前記外周表面の４角部に配置され、前記４角部のうちの一組の対角部の金属ボールは他組の対角部の金属ボールよりも融点が低い電子部品用パッケージの封止方法。
【請求項３】
請求項１において、前記ベース基板及びカバーはいずれもこれらを縦横に並べて集合した単一のベース基板ウェハ及びカバーウェハからなり、前記ベース基板ウェハ及びカバーウェハの前記ベース基板及びカバーに相当する矩形状領域の外周表面に設けた枠状金属膜に前記低融点金属ボール及び高融点金属ボールを交互に配置し、前記低融点金属ボール及び高融点金属ボールの溶融及び拡散によって前記ベース基板ウェハとカバーウェハとの枠状金属膜を接合した電子部品用パッケージの封止方法。
【請求項４】
請求項３において、前記ベース基板ウェハ及びカバーウェハの前記ベース基板及びカバーに相当する矩形状領域に設けた枠状金属膜は少なくとも各辺が相互に離間して形成され、前記金属ボールは前記枠状金属膜の４角部がそれぞれ隣接した頂角部領域に配置された電子部品用パッケージの封止方法。
【請求項５】
請求項４において、前記ベース基板ウェハ及びカバーウェハはいずれもガラスとし、前記ベース基板は平板状として前記カバーは凹状とした電子部品用パッケージの封止方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はベース基板とカバーからなる電子部品用パッケージの封止方法を技術分野とし、特に密閉度を確実にして生産性の高い少なくとも水晶片を密閉封入した水晶デバイス用パッケージの封止方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
（発明の背景）
水晶デバイス例えば水晶振動子は周波数制御及び選択素子として知られ、各種の通信機器を含み民生用のデジタル制御機器に不可欠なものとして内蔵される。近年では、需要の増大等に伴って仕様の緩いものではさらなる低廉価を求められ、例えばベース基板をセラミックからガラスとした水晶振動子がある。
【０００３】
（従来技術の一例、特許文献１及び２参照）
第７図は一従来例を説明する図で、同図（ａ）は水晶振動子の断面図、同図（ｂ）はベース基板の平面図、同図（ｃ）は水晶片の平面図である。
【０００４】
水晶振動子はいずれも同一成分のガラスとして平面視矩形状としたベース基板１とカバー２とからなるパッケージ３に水晶片４を密閉封入してなる。ここでは、ベース基板１は平板状とし、カバー２は凹状とする（凹状カバー）。ベース基板１の内底面の一端側には一対の水晶保持端子５を、内底面の表面外周には枠状金属膜６ａを有する。ベース基板１の外底面の両端側には表面実装用の実装端子７を有する。
【０００５】
そして、一対の水晶保持端子５はベース基板１の貫通電極８を経て外底面の実装端子７と電気的に接続する。貫通電極８は予め設けられた貫通孔内に金属を充填して気密にする。これらの回路パターンは例えばＣrを下地としてＡuを積層する。なお、ベース基板１は平板状とすることから、例えばエッチングによって凹状とした場合に比較し、表面を平坦として回路パターンの形成を容易にする。
【０００６】
水晶片４は例えばＡＴカットとして両主面に励振電極４ａを有し、一端部両側に引出電極４ｂを延出する。引出電極４ｂの延出した水晶片４の一端部両側は導電性接着剤９等によって内底面の水晶保持端子５に固着され、電気的・機械的に接続する。そして、凹状カバー２の開口端面にはベース基板１の金属膜に対応して枠状金属膜６ｂを有し、例えば予め枠状に成形されたＡuＳnやＡuＧeからなる共晶合金１０を溶着等によって接合する。
【０００７】
そして、ベース基板１に対する水晶片４の固着後に、共晶合金１０が設けられた凹状カバー２の開口端面をベース基板１の枠状金属膜６ａに当接して加熱し、共晶合金１０を再溶融する。これにより、ベース基板１に凹状カバー２を接合して水晶片４を密閉封入したパッケージ３、即ち表面実装用の水晶振動子を形成する。これらの場合、例えばベース基板１や凹状カバー２はこれらが縦横に並べられて集合した単一のベース基板ウェハ及び凹状カバーウェハからなり、水晶片４の固着後にこれらを接合した後、個々のパッケージ３に分割される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第３６２１４３５号公報
【特許文献２】特開２００９−１９４０９１号公報
【特許文献３】国際公開ＷＯ２００８／１４００３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
（従来技術の問題点）
しかしながら、上記構成の水晶振動子では、共晶合金１０を枠状に成形して接合するので、生産性の悪い問題があった。このことから、例えば特許文献３では、共晶合金１０の溶融金属を例えばベース基板１の外周に滴下して金属ボールを形成し、これにより生産性を高めることを開示している。なお、この例では、ベース基板１を凹状としてカバー２を平板状とし、上記構成とは逆にする。そして、多数の凹部をマトリクス状に有するベース基板ウェハとカバーウェハとを一体化した後、個々のパッケージに分割する。
【００１０】
例えば第８図（特許文献３の第２図に相当）に示したように、ベース基板ウェハ１Ａの各ベース基板１に相当する領域が隣接する４箇所の頂角部に、共晶合金１０の溶融金属を滴下して金属ボール１０Ａを形成する。カバーウェハ２Ａの各カバー２に相当する領域の表面外周には、４箇所の頂角部を含めた枠状金属膜（不図示）を有する。なお、第８図（ａ）はベース基板ウェハの平面図、同図（ｂ）は電子素子を省略した同側面図である。
【００１１】
そして、ベース基板ウェハ１Ａにカバーウェハ２Ａを対面し、各頂角部同士を位置決めして当接する。そして、ベース基板ウェハ１Ａの各頂角部に固定された金属ボール１０Ａを再溶融する。これにより、金属ボール１０Ａが各頂角部から矢印で示すように各辺の枠状金属膜上に溢れ浸透（拡散）して両者を接合し、パッケージウェハ３Ａを形成する。その後、パッケージウェハ３Ａを個々のパッケージ３に分割することを開示している。
【００１２】
しかし、この場合には、４箇所の頂角部に固定された金属ボール１０Ａが溶融して各辺の中央領域に向かって拡散する際、枠状金属膜６から内外に流出し、ときには電子素子上に飛散することがあった。これは、例えばベース基板ウェハ１Ａ及びカバーウェハ２Ａの板面の反り（湾曲）等を矯正するカバーウェハ上方からの押圧力に起因して、溶融金属が枠状金属膜上から溢れる。したがって、これらの場合には、接合界面での溶融金属不足を生じての封止不良や、飛散による特性不良を引き起こす問題があった。特に、電子素子を水晶片とした場合は、封止不良による気密漏れや水晶片に対する異物の付着は、致命的な欠陥となる。
【００１３】
（発明の目的）
本発明は、金属ボールの溶融によるベース基板とカバーとの接合を確実にして特性を維持する電子部品用パッケージの封止方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、特許請求の範囲（請求項１）に示したように、いずれも平面視矩形状として外周表面に枠状金属膜を有し、電子素子の配設されるベース基板と、前記ベース基板に接合して前記電子素子を密閉封入するカバーとを備え、前記ベース基板と前記カバーとを面対向して上下に重ねるとともに、前記ベース基板及びカバーの枠状金属膜間に介在した複数の金属ボールの溶融及び拡散によって前記枠状金属膜間を接合する電子部品用パッケージの封止方法において、前記複数の金属ボールは少なくとも４個を有して融点が異なる低融点金属ボールと高融点金属ボールからなり、前記低融点金属ボールと高融点金属ボールとが交互に配置された構成とする。
【発明の効果】
【００１５】
このような構成であれば、先ず、高融点金属ボールと交互に配置された低融点金属ボールが溶融し、高融点金属ボールは低融点金属ボールの融点では溶融せずに固相状態を維持する。したがって、低融点金属ボールの溶融時には、高融点金属ボールの高さによって、ベース基板とカバーとの枠状金属膜は互いに離間する。
【００１６】
これにより、例えばベース基板を下側とし、カバーを上側として上下に重ねた場合には、ベース基板の枠状金属膜上を低融点金属ボールの溶融金属が、交互に配置された高融点金属ボールまでの間を拡散する。したがって、低融点金属ボールの溶融金属は従来のように反対方向からの溶融金属と合流（衝突）することも、カバーの自重等による圧力を受けず、ベース基板の枠状金属膜上をスムーズに拡散する。
【００１７】
次に、高融点金属ボールの溶融によって、高融点金属ボールの溶融金属が低融点金属ボールの溶融金属上を這いながら拡散する。この場合、低融点金属ボールはすでに溶融して拡散しているので、従来のときよりも、高融点金属ボールの間の距離は長くなる。したがって、互いに反対方向からの高融点金属ボールの溶融金属は合流しても急激な増量とはならない。
【００１８】
これらのことから、低融点及び高融点金属ボールの溶融金属が枠状金属膜から容器内外へ流出したり、電子素子へ飛散したりすることを防止する。これにより、電子部品用パッケージの封止を確実にして電子部品の特性を良好に維持できる。
【００１９】
（実施態様項）
本発明の請求項２では、請求項１において、前記金属ボールは前記ベース基板又は前記カバーの前記外周表面の４角部に配置され、前記４角部のうちの一組の対角部の金属ボールは他組の対角部の金属ボールよりも融点が低いとする。この場合、先ず、一組の対角部の低融点金属ボールが溶融してそれぞれ隣接する辺の枠状金属膜に拡散し、全辺の枠状金属膜上に拡散する。次に、他組の対角部の高融点金属ボールが溶融してそれぞれ隣接する辺に拡散する。これにより、他組の対角部の高融点金属ボールが全辺に拡散した低融点金属ボール上に拡散される。したがって、低融点及び高融点金属ボールによる溶融金属はいずれも直線上を拡散するので、請求項１での容器内外への流出や、電子素子への飛散をさらに防止する。
【００２０】
同請求項３では、請求項１において、前記ベース基板及びカバーはいずれもこれらを縦横に並べて集合した単一のベース基板ウェハ及びカバーウェハからなり、前記ベース基板ウェハ及びカバーウェハの前記ベース基板及びカバーに相当する矩形状領域の外周表面に設けた枠状金属膜に前記低融点金属ボール及び高融点金属ボールを交互に配置し、前記低融点金属ボール及び高融点金属ボールの溶融及び拡散によって前記ベース基板ウェハとカバーウェハとの枠状金属膜を接合する。これによれば、ベース基板及びカバーはいずれもこれらを集合したベース基板ウェハ及びカバーウェハからなり、これらを接合して電子素子の密閉封入されたパッケージウェハを形成して個々に分割すればよいので、生産性を高められる。
【００２１】
同請求項４では、請求項３において、前記ベース基板ウェハ及びカバーウェハの前記ベース基板及びカバーに相当する矩形状領域に設けた枠状金属膜は少なくとも各辺が相互に離間して形成され、前記金属ボールは前記枠状金属膜の４角部がそれぞれ隣接した頂角部領域に配置される。これにより、ベース基板ウェハとカバーウェハとを接合したパッケージウェハの分割時には、縦横の分割ライン上に金属膜がないので分割作業を容易にする。そして、１個の金属ボールが４つの角部が隣接する頂角部領域に配置されるので、１個の金属ボールは４個分に相当して作業性を高められる。
【００２２】
同請求項５では、請求項４において、前記ベース基板ウェハ及びカバーウェハはいずれもガラスとし、前記ベース基板は平板状として前記カバーは凹状とする。これにより、請求項４での枠状金属膜を離間した効果が顕著になる。また、特に、ベース基板をガラスとすることにより安価にできる。そして、ベース基板を平板状とするので、ベース基板自体及び回路パターンの形成を容易にする。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施形態を説明する図で、同図（ａ）はベース基板の例えば４個分としたベース基板ウェハの図で、同図（ｂ）は同凹状カバーウェハの平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態を説明する図で、同図（ａ）は金属ボールを配置したベース基板ウェハの図で、同図（ｂ）はベース基板ウェハと凹状カバーウェハとを重ねた一部拡大のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態の変形例を説明するベース基板ウェハの平面図である。
【図４】本発明の第１実施形態の変形例を説明するベース基板ウェハの平面図である。
【図５】本発明の第１実施形態の変形例を説明するベース基板の平面図である。
【図６】本発明の第１実施形態の変形例を説明する一部拡大断面図である。
【図７】従来例の水晶振動子を説明する図で、同図（ａ）は同断面図、同図（ｂ）はベース基板の平面図、同図（ｃ）は水晶片の平面図である。
【図８】従来例の電子部品用パッケージの封止方法を説明する図で、同図（ａ）はベース基板ウェハの平面図、同図（ｂ）は電子素子を省略した同側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
（請求項３、４、５に相当）
以下、本発明の一実施形態を水晶振動子を例として第１図（ベース基板ウェハ及び凹状カバーウェハの平面図）によって説明する。なお、前従来例と同一部分には同番号を付与してその説明は簡略又は省略する。
【００２５】
水晶振動子は前述したようにいずれもガラスとして平面視矩形状とし、水晶保持端子５、枠状金属膜６ａを有する平板状のベース基板１及び開口端面に枠状金属膜６ｂを有する凹状カバー２からパッケージ３を形成し、励振電極４ａ及び引出電極４ｂを有する水晶片４を密閉封入する。水晶片４の引出電極４ｂの延出した一端部両側は水晶保持端子５に導電性接着剤９によって固着される（前第７図参照）。そして、ベース基板１と凹状カバー２との枠状金属膜６（ａｂ）同士が共晶合金１０からなる金属ボール１０Ａの溶融によって接合され、水晶片４を密閉封入するパッケージ３を形成する（前第８図参照）。
【００２６】
そして、ここでのパッケージ３の封止方法（水晶振動子の製造方法）は、先ず、いずれもガラスからなり、接合後に個々に分割されるベース基板１及び凹状カバー２の集合化されたベース基板ウェハ１Ａ及び凹状カバーウェハ２Ａを形成する。ベース基板ウェハ１Ａは個々のベース基板１に相当する矩形状領域の内底面に貫通電極８を含む水晶保持端子５及び枠状金属膜６ａを、外底面の両端側に不図示の実装端子を形成する。
【００２７】
また、凹状カバーウェハ２Ａは個々の凹状カバー２に相当する矩形状領域内に凹所１１を有し、ベース基板ウェハ１Ａのそれと対向した矩形状金属膜６ｂを各開口端面に有する。ベース基板ウェハ１Ａ及び凹状カバーウェハ２Ａの枠状金属膜６（ａｂ）はいずれも隣接する同士間の各辺が相互に離間して間隙を有する。但し、ベース基板ウェハ１Ａの各ベース基板１に相当する各矩形状領域が隣接する４角部は金属膜６ｘによって共通接続し、金属膜６Ｘ内には窪み１２が形成される。なお、図では金属膜６ｘは便宜的に円環状として示している。これらの加工は、いずれも、フォトリソグラフィック及びエッチング技術によって形成される。ここでは、凹状カバーウェハ２Ａも同様の円環状の金属膜６ｘ及び窪み１２を有する。
【００２８】
次に、ベース基板ウェハ１Ａの各水晶保持端子５に対応して引出電極の延出した水晶片４の一端部両側を導電性接着剤９によって固着する。導電性接着剤９は加熱硬化型とし、仮固着後に一体的に加熱して固着される。そして、この状態で、各水晶片４と電気的に接続した実装端子に測定器からのプローブを当接して振動周波数を測定しながら、例えば励振電極にガスイオンを照射して振動周波数を低い方から高い方に調整する。
【００２９】
次に、ベース基板ウェハ１Ａの各ベース基板１（矩形状領域）の各頂角部領域の環状の金属膜６ｘ内に設けた窪み１２に共晶合金１０例えばＡuＳnからなる金属ボール１０Ａを装填する。この場合、金属ボール１０ＡとしてのＡuＳnはその組成比（重量比）を代えて融点を異ならせた、低融点金属ボール１０Ｌと高融点金属ボール１０Ｈとの２種の材料とする。低融点金属ボール１０Ｌは融点を例えば３００℃とし、高融点金属ボール１０Ｈ他方は融点を３５０℃とする。
【００３０】
そして、ベース基板ウェハ１Ａの各４角部が隣接した頂角部領域のうちの一組の対角部の窪み１２に低融点金属ボール１０Ｌ（３００℃）を、他組の対角部の窪みに高融点金属ボール１０Ｈ（３５０℃）を装填する「第２図（ａ）」。要するに、各４つの頂角部領域では低融点金属ボール１０Ｌと高融点金属ボール１０Ｈとは交互に配置される。
【００３１】
次に、ベース基板ウェハ１Ａを下側として凹状カバーウェハ２Ａを上側として対面するとともに両者の各頂角部領域位置決めする。そして、凹状カバーウェハ２Ａの窪み１２にも低融点及び高融点金属ボール１０Ｌ、１０Ｈを挿入する「第２図（ｂ）」。その後、低融点及び高融点金属ボール１０Ｌ、１０Ｈを介在させて上下に重ねたベース基板ウェハ１Ａと凹状カバーウェハ２Ａとを例えば窒素ガス雰囲気中で加熱する。
【００３２】
この場合、低融点金属ボール１０Ｌ（３００℃）と高融点金属ボール１０Ｈ（３５０℃）との融点の間となる３２０℃まで加熱温度を上昇し、先ず、低融点金属ボール１０Ｌを溶融する。これにより、凹状カバーウェハ２Ａの枠状金属膜６ｂと対向した下側のベース基板ウェハ１Ａの枠状金属膜６ａの表面上を、低融点金属ボール１０Ｌの溶融金属が浸透して拡散する。
【００３３】
この例では、各頂角部領域の低融点金属ボール１０Ｌの溶融金属は、矢印で示すように互いに隣接した矩形状領域の枠状金属膜６ａに分流してその表面上を拡散する。そして、隣接する枠状金属膜６ａの各辺間はベース基板ウェハ１Ａのガラスが露出する。なお、溶融金属はガラスの表面上には拡散しない。ここで、各矩形状領域の４角部が隣接した他組の頂角部領域の高融点金属ボール１０Ｈは３００℃よりも融点が高くて溶融せずに固相を維持する。したがって、低融点金属ボール１０Ｌの拡散した溶融金属と凹状カバーウェハ２Ａの枠状金属膜６ｂとは離間して両者間に間隙を有する。
【００３４】
次に、加熱温度を高融点金属ボール１０Ｈの融点以上の例えば３７０℃に上昇させ、他組の対角部（頂角部）の高融点金属ボール１０Ｈを溶融する。これにより、高融点金属ボール１０Ｈは隣接する各辺の低融点金属ボール１０Ｌの溶融金属上を這いながら拡散する。そして、低融点金属ボール１０Ｌの融点以下の温度に戻すことによって各溶融金属が硬化し、ベース基板ウェハ１Ａに凹状カバーウェハ２Ａの各矩形状金属膜６（ａｂ）同士が接合される。そして、ベース基板ウェハ１Ａの各矩形状領域内に収容された水晶片４が、凹状カバーウェハ２の各矩形状領域によって密閉封入されたパッケージウェハが形成される。最後に、パッケージウェハを縦横の切断線（Ｘ−Ｘ、Ｙ−Ｙ）に沿って分割され、個々のパッケージに密閉封入された水晶振動子を得る。
【００３５】
このような構成であれば、一組の頂角部領域からの各辺に対する低融点金属ボール１０Ｌの溶融による拡散後に、高融点金属ボール１０Ｈの溶融金属が低融点金属ボール１０Ｌの溶融金属上を拡散する。したがって、従来例のように、同一融点とした金属ボールを溶融させた場合よりも、容器内外への流出や電子素子への飛散を防止する。これにより、封止を確実にして特性を良好に維持できる。
【００３６】
また、ベース基板１を（ベース基板ウェハ１Ａ）をガラスとするので、従来例の凹状とした積層セラミックに比較して安価にできる。そして、ベース基板１を平板状とするので、ベース基板１自体及び回路パターンの形成を容易にする。なお、ベース基板１はガラスなので、凹状とする場合は、例えばウェットエッチングによる。このため、内底面の平坦化や回路パターンの形成を困難にする。
【００３７】
さらに、ここでは、基本的に、ベース基板ウェハ１Ａ及び凹状カバーウェハ２Ａの枠状金属膜６は隣接する同士間では間隙を有し、各矩形状領域が隣接する４角部のみが円環状の金属膜６ｘで共通接続する。したがって、ベース基板ウェハ１Ａと凹状カバーウェハ２Ａとを接合したパッケージウェハを個々のパッケージに分割する際、隣接する枠状金属膜間のガラス領域を例えばダイシングソウ等によって切断すればよいので、分割作業を基本的に容易にする。
【００３８】
この場合、例えば第３図に示したように、４角部を共通接続する円環状の金属膜６ｘは形成することなく窪み１２のみを設ける。これにより、各矩形状領域間では金属膜による電気的接続をなくして全周にてガラスを露出し、分割作業をさらに容易にすることもできる。但し、この場合でも、頂角部領域の無電極とした窪み１２に位置決めされた低融点金属ボール１０Ｌは、隣接した４角部から枠状金属膜６ａの各辺の表面上を拡散する。
【００３９】
（第１実施形態の変形例）
上記実施形態では低融点及び高融点金属ボール１０Ｌ、１０Ｈを頂角部領域の窪み１２に位置決したが、例えば第４図に示したようにしてもよい。すなわち、矩形状領域の各４角部が隣接した頂角部領域に金属膜６ｙを設けて４角部を共通接続する。そして、従来例で示したように、溶融金属を滴下して図示しない金属ボール１０Ａを形成する。ここでも、低融点及び高融点金属ボール１０Ｌ、１０Ｈを一組及び他組の対角部に配置する。このようにして金属ボールを配置した場合でも、上記同様の効果を奏する。
【００４０】
また、これらの例では、４角部が隣接した頂角部領域に低融点及び高融点金属ボール１０Ｌ、１０Ｈを配置したが、例えば第５図（ａ）に示したように、各枠状金属膜６ａの４角部に窪み１２を設けて図示しない低融点及び高融点金属ボール１０Ｌ、１０Ｈを交互に配置してもよい。この場合、第５図（ｂ）に示したように、窪み１２を設けることなく、低融点及び高融点金属ボール１０Ｌ、１０Ｈとなる溶融金属を４角部に交互に滴下して形成してもよい。
【００４１】
そして、この場合「第５図（ａｂ）」には、請求項１及び２で示すように、ベース基板ウェハ１Ａ及び凹状カバーウェハ２Ａから一体的に形成するのではなく、単一のベース基板１及び凹状カバー２から個々のパッケージ３を形成するときでも適用できる。
【００４２】
また、上記実施形態では、ベース基板ウェハ１Ａ及び凹状カバーウェハ２Ａの頂角部領域にいずれも窪み１２を設けたが、例えば第６図に示したように、上側となる凹状カバーウェハ２Ａには窪み１２や４角部を共通接続する金属膜６ｘはなくともよい。この場合、図示しない冶具によってベース基板ウェハ１Ａ及び凹状カバーウェハ２Ａとを位置決めし、低融点金属ボール１０Ｌを加熱することによって、その溶融金属が下側のベース基板ウェハ１Ａの枠状金属膜６ａの表面上を拡散する。
【００４３】
さらに、ベース基板１及び凹状カバー２はいずれもガラスとしたが、例えば水晶やセラミックを含みベース基板１及び凹状カバー２の材質には拘らず、金属ボール１０Ａを用いた溶融による封止方法に基本的に適用できる。そして、ベース基板１を凹状として水晶片４を収容し、カバー２を平板状として接合する場合でも同様に適用できる。
【００４４】
ここで、例えばホウケイ酸ガラスのヌープ硬度は５９０ｋｇ／ｍｍ２である。一方、水晶のヌープ硬度は、ホウケイ酸ガラスより高い７１０〜７９０ｋｍ／ｍｍ２である。したがって、ベース基板１及び凹状カバー２を水晶とした場合は、例えばホウケイ酸ガラスとした場合と比べて、強度を維持した上で小型化・低背化が可能となる。
【符号の説明】
【００４５】
１  ベース基板、１Ａ  ベース基板ウェハ、２  凹状カバー、２Ａ  凹状カバーウェハ、３  パッケージ、３Ａ  パッケージウェハ、４  水晶片、５  水晶保持端子、６  金属膜、７  実装端子、８  貫通電極、９  導電性接着剤、１０  共晶合金、１０Ａ  金属ボール、１０Ｌ  低融点金属ボール、１０Ｈ  高融点金属ボール、１１  凹所、１２  窪み。
【図８】
2011199230.tif 000003
【図１】
2011199230.tif 000004
【図２】
2011199230.tif 000005
【図３】
2011199230.tif 000006
【図４】
2011199230.tif 000007
【図５】
2011199230.tif 000008
【図６】
2011199230.tif 000009
【図７】
2011199230.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月26日(2010.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
ここで、例えばホウケイ酸ガラスのヌープ硬度は５９０ｋｇ／ｍｍ２である。一方、水晶のヌープ硬度は、ホウケイ酸ガラスより高い７１０〜７９０ｋｇ／ｍｍ２である。したがって、ベース基板１及び凹状カバー２を水晶とした場合は、例えばホウケイ酸ガラスとした場合と比べて、強度を維持した上で小型化・低背化が可能となる。