(57)【要約】【課題】パネル部での放熱性能を向上させることができる放射線画像撮影装置を提供する。【解決手段】放射線画像撮影装置としての電子カセッテ２０Ａは、放射線１６を放射線画像に変換する放射線変換パネル９２を収容したパネル部３０と、パネル部３０の一端部に配置されると共に、前記放射線変換パネル９２を制御する制御部３２とを備え、放射線１６の照射面となるパネル部３０の天板４２には、側面４６ｃ、４６ｄに向かって高い熱伝導度を有する熱伝導異方性５０が設けられている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線を放射線画像に変換する放射線変換パネルを収容したパネル部と、
前記パネル部の一端部に配置されると共に、前記放射線変換パネルを制御する制御部と、
を備えた放射線画像撮影装置であって、
前記放射線の照射面となる前記パネル部の天板には、所定の方向に向かって高い熱伝導度を有する熱伝導異方性が設けられていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２】
請求項１記載の放射線画像撮影装置において、
前記天板の熱伝導異方性は、前記制御部が配置される前記パネル部の前記一端部と平行した方向に熱伝導度が高いことを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の放射線画像撮影装置において、
前記天板の熱伝導異方性は、該天板の短辺方向に熱伝導度が高いことを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置において、
前記制御部が配置されない前記パネル部の端部には、前記制御部から離間した状態で前記天板の熱伝導異方性に直交する方向に沿って第１吸熱部材が設けられることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項５】
請求項４記載の放射線画像撮影装置において、
前記第１吸熱部材は、少なくとも前記天板より高い剛性を有することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置において、
前記制御部の端部には、前記天板の熱伝導異方性に直交する方向に沿って第２吸熱部材が設けられることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置において、
前記制御部は、前記パネル部の前記天板とは反対側の裏板に接触して配置されることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項８】
請求項７記載の放射線画像撮影装置において、
前記裏板は、前記天板の熱伝導異方性と直交する方向に高い熱伝導度を有する熱伝導異方性を有することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項９】
請求項８記載の放射線画像撮影装置において、
前記裏板の熱伝導異方性は、前記制御部が配置される前記パネル部の前記一端部から、該一端部と対向する前記パネル部の他端部に向かう方向に高い熱伝導度を有することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の放射線画像撮影装置において、
前記制御部は、前記パネル部の前記一端部に直交する端部にも配置可能であり、
前記裏板を前記放射線の照射面として使用可能であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置において、
前記天板の熱伝導異方性は、異方性ピッチ系炭素繊維によって形成されることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１２】
請求項８〜１０のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置において、
前記天板及び前記裏板の熱伝導異方性は、異方性ピッチ系炭素繊維によって形成されることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１３】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置において、
前記天板の熱伝導異方性は、異方性ピッチ系炭素繊維によって形成され、
前記裏板は、熱伝導異方性を持たず、且つ前記異方性ピッチ系炭素繊維よりも高い強度を持つ材質で形成されることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置において、
前記制御部は、前記天板上に配置されると共に、前記天板の熱伝導異方性は、該天板の前記制御部が配置される部分と配置されない部分との境界線を跨ぐ範囲に設けられることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置において、
前記制御部は、前記パネル部の前記一端部を含む一側面に当接配置され、
前記パネル部の前記一側面に、前記天板の熱伝導異方性と平行する方向に高い熱伝導度を有する熱伝導異方性が設けられていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の放射線画像撮影装置において、
前記制御部は、前記パネル部の前記天板とは反対側の裏板に接触して配置されることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の装置において、
前記放射線変換パネルは、前記放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を前記放射線画像を示す電気信号に変換する固体検出素子と、前記固体検出素子から前記電気信号を読み出すスイッチング素子と、前記固体検出素子及び前記スイッチング素子が形成される基板とを有し、
前記基板は、可撓性を有するプラスチック製の基板であり、前記固体検出素子は、有機光導電体からなり、前記スイッチング素子は、有機半導体材料からなることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１８】
請求項１７記載の装置において、
前記放射線の照射方向に沿って、前記基板、前記スイッチング素子、前記固体検出素子、及び、ＣｓＩからなる前記シンチレータの順に配置されることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線を放射線画像に変換する放射線変換パネルを収容したパネル部と、前記放射線変換パネルを制御する制御部とを有する放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
医療分野において、被写体に放射線を照射し、該被写体を透過した前記放射線を放射線変換パネルに導いて放射線画像を撮影する放射線画像撮影装置が広汎に使用されている。このような放射線画像撮影装置としては、例えば、前記放射線変換パネルとして、前記放射線画像が露光記録される従来からの放射線フイルムや、蛍光体に前記放射線画像としての放射線エネルギを蓄積し、励起光を照射することで前記放射線画像を輝尽発光光として取り出すことのできる蓄積性蛍光体パネルを用いたＣＲ（Ｃｏｍｐｕｔｅｄ  Ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ）システムが知られている。これらの放射線変換パネルは、前記放射線画像が記録された放射線フイルムを現像装置に供給して現像処理を行い、あるいは、前記蓄積性蛍光体パネルを読取装置に供給して読取処理を行うことで、可視画像を得ることができる。
【０００３】
一方、手術室等においては、患者に対して迅速且つ的確な処置を施すため、撮影後の放射線変換パネルから直ちに放射線画像を読み出して高画質で表示できることが要求されている。このような要求に対応するために、放射線変換パネルのＤＲ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ）化が近年急速に進んでおり、例えば、放射線を電気信号に直接変換する固体検出素子を用いた直接変換型の放射線変換パネル、あるいは、放射線を可視光に一旦変換するシンチレータと、前記可視光を電気信号に変換する固体検出素子とを用いた間接変換型の放射線変換パネルを用いたＤＲシステムが開発されている。
【０００４】
ＤＲシステムを構成する放射線画像撮影装置（例えば、電子カセッテ）では、放射線を電気信号に変換するパネル部と、電気信号を処理し、外部機器との信号通信や電源供給等を行う制御部とを有することから、その寸法が厚くなり易く、患者の下への挿入を円滑に行なうことが難しい場合がある。そこで、前記の電子カセッテ等では、患者の下への挿入性を向上させるため、パネル部と制御部とを一体的に並列して配置したコンパクトな薄型構造が考案されている。ところが、このようなＤＲシステムでは、患者が配置されるパネル部に対して発熱体である制御部が並設されるため、該制御部で発生する熱の放熱が問題となる。
【０００５】
例えば、特許文献１には、放射線検出装置において、ＴＦＴ基板温度を測定し、その温度変化に応じたスイッチ素子の駆動電圧を印加することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１８４２１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献１の技術では、単にＴＦＴ基板温度の変化に応じてスイッチ素子の駆動電圧を変更するだけのため、発熱体である制御部からパネル部への入熱への対応等、パネル部での放熱構造については想定されていない。
【０００８】
すなわち、制御部が放射線変換パネルを設けたパネル部と並列構造とされると、患者が制御部に直に接触し、又は該制御部からの発熱がパネル部天板の撮影領域に横臥した患者に違和感を与えることが懸念される。また、ＤＲシステムでは、例えば患者や技師等が天板に手を置いた時等に放射線変換パネルに温度分布が発生し、これが画像ムラの原因となる可能性もある。
【０００９】
本発明は、上記の課題を解消するためになされたものであり、パネル部での放熱性能を向上させることができる放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る放射線画像撮影装置は、放射線を放射線画像に変換する放射線変換パネルを収容したパネル部と、前記パネル部の一端部に配置されると共に、前記放射線変換パネルを制御する制御部とを備えた放射線画像撮影装置であって、前記放射線の照射面となる前記パネル部の天板には、所定の方向に向かって高い熱伝導度を有する熱伝導異方性が設けられていることを特徴とする。
【００１１】
このような構成によれば、被写体が配置される放射線の照射面となる天板に、所定の方向に向かって高い熱伝導度を有する熱伝導異方性が設けられていることにより、パネル部での放熱性能が向上し、制御部で発生した熱を前記熱伝導異方性によって円滑に放熱させることができる。このため、パネル部の内部及び被写体が配置される天板の中央方向（撮影領域）への入熱を可及的に低減することができ、被写体の違和感を防止することができる。
【００１２】
前記天板の熱伝導異方性は、前記制御部が配置される前記パネル部の前記一端部と平行した方向に熱伝導度が高くなるように構成されると、制御部からの熱が天板の中央方向（撮影領域）へと伝熱される前に、パネル部の端部へと円滑に放熱させることができる。
【００１３】
前記天板の熱伝導異方性は、該天板の短辺方向に熱伝導度が高いと、天板での放熱ルートを短くすることができ、放熱効果を一層高めることができる。
【００１４】
前記制御部が配置されない前記パネル部の端部には、前記制御部から離間した状態で前記天板の熱伝導異方性に直交する方向に沿って第１吸熱部材が設けられると、前記熱伝導異方性によって放熱される熱を第１吸熱部材によって吸熱することができ、天板での放熱効果を一層高めることができる。
【００１５】
前記第１吸熱部材は、少なくとも前記天板より高い剛性を有すると、パネル部の側部を該第１吸熱部材で補強することができ、被写体の重みによって、パネル部（天板）が歪むことを防止することができる。
【００１６】
前記制御部の端部には、前記天板の熱伝導異方性に直交する方向に沿って第２吸熱部材が設けられてもよい。そうすると、制御部で発生する熱を当該制御部の端部に放熱させ、該第２吸熱部材で吸熱することができ、その放熱性能を一層向上させることができる。
【００１７】
前記制御部は、前記パネル部の前記天板とは反対側の裏板に接触して配置されてもよい。これにより、制御部の発熱を裏板へと円滑に放熱させることができる。
【００１８】
前記裏板は、前記天板の熱伝導異方性と直交する方向に高い熱伝導度を有する熱伝導異方性を有するとよい。これにより、制御部で発生する熱を裏板全面に円滑に放熱させることができる。
【００１９】
この際、前記裏板の熱伝導異方性は、前記制御部が配置される前記パネル部の前記一端部から、該一端部と対向する前記パネル部の他端部に向かう方向に高い熱伝導度を有していると、制御部で発生する熱を裏板全面へと一層円滑に放熱させることができる。
【００２０】
前記制御部は、前記パネル部の前記一端部に直交する端部にも配置可能であり、前記裏板を前記放射線の照射面として使用可能であると、被写体の状態に応じた縦横撮影が可能となり当該装置の汎用性を向上させることができる。
【００２１】
前記天板の熱伝導異方性は、異方性ピッチ系炭素繊維によって形成されてもよく、前記天板及び前記裏板の熱伝導異方性が、異方性ピッチ系炭素繊維によって形成されてもよい。
【００２２】
前記天板の熱伝導異方性は、異方性ピッチ系炭素繊維によって形成され、前記裏板は、熱伝導異方性を持たず、且つ前記異方性ピッチ系炭素繊維よりも高い強度を持つ材質で形成されていると、当該装置の強度を一層高めることができる。
【００２３】
前記制御部は、前記天板上に配置されると共に、前記天板の熱伝導異方性は、該天板の前記制御部が配置される部分と配置されない部分との境界線を跨ぐ範囲に設けられていてもよい。これにより制御部からの熱を円滑に放熱させることができると共に、天板の撮影領域には例えば剛性の高い材質を用いることもでき、その強度を高めることができる。
【００２４】
前記制御部は、前記パネル部の前記一端部を含む一側面に当接配置され、前記パネル部の前記一側面に、前記天板の熱伝導異方性と平行する方向に高い熱伝導度を有する熱伝導異方性が設けられていると、制御部からの熱を一層円滑に放熱させることができる。
【００２５】
この際、前記制御部は、前記パネル部の前記天板とは反対側の裏板に接触して配置されると、制御部からの熱を裏板にも放熱させることができる。
【００２６】
なお、上述した放射線画像撮影装置において、前記放射線変換パネルは、前記放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を前記放射線画像を示す電気信号に変換する固体検出素子と、前記固体検出素子から前記電気信号を読み出すスイッチング素子と、前記固体検出素子及び前記スイッチング素子が形成される基板とを有し、前記基板は、可撓性を有するプラスチック製の基板であり、前記固体検出素子は、有機光導電体からなり、前記スイッチング素子は、有機半導体材料からなることが望ましい。
【００２７】
これにより、前記基板に前記固体検出素子及び前記スイッチング素子を低温成膜することが可能になると共に、前記放射線変換パネル、及び、該放射線変換パネルを収容する前記パネル部の薄型化や軽量化も可能となる。また、可撓性を有する前記基板を用いることにより、前記放射線変換パネル、及び、該放射線変換パネルを収容する前記パネル部も可撓性を有することが可能となり、この結果、前記被写体から前記パネル部に荷重が加わった際の前記放射線変換パネルの破損等の発生を回避することができる。
【００２８】
この場合、前記放射線の照射方向に沿って、前記基板、前記スイッチング素子、前記固体検出素子、及び、ＣｓＩからなる前記シンチレータの順に配置すれば、高画質の放射線画像を得ることが可能になる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、被写体が配置される放射線の照射面となる天板に、所定の方向に向かって高い熱伝導度を有する熱伝導異方性が設けられていることにより、制御部で発生した熱を前記熱伝導異方性によって円滑に放熱させることができる。このため、パネル部の内部及び被写体が配置される天板の中央方向（撮影領域）への入熱を可及的に低減することができ、被写体の違和感を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】第１実施形態に係る電子カセッテが適用される放射線画像撮影システムの構成図である。
【図２】図１の電子カセッテの斜視図である。
【図３】図１の電子カセッテの側面断面図である。
【図４】放射線変換パネルにおける画素の配列と、画素とカセッテ制御部との間の電気的接続とを模式的に示す説明図である。
【図５】図１の電子カセッテのブロック図である。
【図６】図１の電子カセッテの平面図である。
【図７】図１の電子カセッテを用いた撮影手順の一例を示すフローチャートである。
【図８】第１実施形態に係る電子カセッテの変形例に係る電子カセッテの平面図である。
【図９】第２実施形態に係る電子カセッテの平面図である。
【図１０】図９の電子カセッテに被写体が配置された状態を示す説明図である。
【図１１】図１１Ａは、第３実施形態に係る電子カセッテの平面図であり、図１１Ｂは、図１１Ａの電子カセッテの側面図である。
【図１２】第４実施形態に係る電子カセッテの斜視図である。
【図１３】図１２の電子カセッテの側面断面図である。
【図１４】第４実施形態に係る電子カセッテの変形例に係る電子カセッテの底面図である。
【図１５】第５実施形態に係る電子カセッテの平面図である。
【図１６】図１５の電子カセッテの底面図である。
【図１７】第６実施形態に係る電子カセッテの平面図である。
【図１８】第７実施形態に係る電子カセッテの斜視図である。
【図１９】第８実施形態に係る電子カセッテの斜視図である。
【図２０】第１実施形態に係る電子カセッテの別の変形例に係る電子カセッテの平面図である。
【図２１】第２実施形態に係る電子カセッテの変形例に係る電子カセッテの底面図である。
【図２２】変形例に係る放射線検出器の３画素分の構成を概略的に示す図である。
【図２３】図２２に示すＴＦＴ及び電荷蓄積部の概略構成図である。
【図２４】被写体と撮影台との間にパネル部を挿入している状態を示す正面図である。
【図２５】図２５Ａは、ＩＳＳ方式の放射線変換パネルが撓んだ状態を示す説明図であり、図２５Ｂは、ＩＳＳ方式の放射線変換パネルに対する放射線の照射を示す説明図である。
【図２６】図２６Ａは、ＩＳＳ方式の放射線変換パネルが撓んだ状態を示す説明図であり、図２６Ｂは、ＩＳＳ方式の放射線変換パネルに対する放射線の照射を示す説明図である。
【図２７】図２７Ａは、ＰＳＳ方式の放射線変換パネルが撓んだ状態を示す説明図であり、図２７Ｂは、ＰＳＳ方式の放射線変換パネルに対する放射線の照射を示す説明図である。
【図２８】図２８Ａは、ＰＳＳ方式の放射線変換パネルが撓んだ状態を示す説明図であり、図２８Ｂは、ＰＳＳ方式の放射線変換パネルに対する放射線の照射を示す説明図である。
【図２９】図２９Ａ〜図２９Ｃは、図２６Ａ、図２６Ｂ、図２８Ａ及び図２８Ｂの放射線変換パネルの製造工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明に係る放射線画像撮影装置の好適な実施形態について、添付の図面を参照しながら以下詳細に説明する。
【００３２】
先ず、第１実施形態に係る放射線画像撮影装置としての電子カセッテ２０Ａについて説明する。
【００３３】
図１に示すように、放射線画像撮影システム１０は、ベッド等の撮影台１２に横臥した患者等の被写体１４に対して、撮影条件に従った線量からなる放射線１６を照射する放射線源１８と、被写体１４を透過した放射線１６を検出して放射線画像に変換する電子カセッテ２０Ａと、放射線源１８及び電子カセッテ２０Ａを制御するコンソール２２と、放射線画像を表示する表示装置２４とを備える。
【００３４】
コンソール２２と、放射線源１８、電子カセッテ２０Ａ及び表示装置２４との間は、例えば、ＵＷＢ（Ｕｌｔｒａ  Ｗｉｄｅ  Ｂａｎｄ）、ＩＥＥＥ８０２．１１．ａ／ｇ／ｎ等の無線ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）又はミリ波等を用いた無線通信により信号の送受信が行われる。なお、ケーブルを用いた有線通信により信号の送受信を行ってもよいことは勿論である。
【００３５】
また、コンソール２２には、病院内の放射線科において取り扱われる放射線画像やその他の情報を統括的に管理する放射線科情報システム（ＲＩＳ）２６が接続され、また、ＲＩＳ２６には、病院内の医事情報を統括的に管理する医事情報システム（ＨＩＳ）２８が接続される。
【００３６】
第１実施形態に係る電子カセッテ２０Ａは、撮影台１２と被写体１４との間に配置されるパネル部３０と、該パネル部３０上に配置された制御部３２とを備える可搬型の電子カセッテである。
【００３７】
図２及び図３に示すように、パネル部３０は、放射線１６を透過可能な材料からなる略矩形状の筐体４０を有する。筐体４０は、被写体１４が横臥する上面となる天板（フロントプレート）４２と、天板４２とは反対側の背面となる裏板（バックプレート）４３とを有する扁平な箱状であり、天板４２は放射線１６が照射される照射面となる。該照射面となる天板４２の略中央部には、被写体１４の撮影領域及び撮影位置を示すガイド線４４が形成されている。ガイド線４４の外枠が、放射線１６の照射野を示す撮影可能領域（撮影領域）３６になる。また、ガイド線４４の中心位置（十字状に交差する２本のガイド線４４の交点）は、該撮影可能領域３６の中心位置であると共に、電子カセッテ２０Ａの幾何学的な中心位置とされる。
【００３８】
制御部３２は、放射線１６に対して非透過性の材料からなる略直方体形状からなる箱状の筐体６０を有する。該筐体６０は、筐体４０の側面４６ｂ側において、矢印Ｙ方向（側面４６ａ、４６ｂに平行な方向）に沿って延在している。すなわち、図１〜図３に示すように、筐体４０の照射面である天板４２における撮影可能領域３６外の側面４６ｂ側に制御部３２が配設されている。なお、矢印Ｘ２方向の側面４６ｂと対向する側面４６ａには、例えば、当該電子カセッテ２０Ａを持ち運ぶための把持部となる取っ手（図示せず）を設けてもよい。
【００３９】
この場合、筐体６０の内部には、パネル部３０を制御するカセッテ制御部（パネル制御部）６６と、バッテリ等の電源部６８と、コンソール２２との間で無線による信号の送受信が可能な通信部７０とが配置されている。電源部６８は、パネル部３０に電力供給を行う一方で、カセッテ制御部６６及び通信部７０に対しても電力供給を行う。
【００４０】
制御部３２の矢印Ｙ２方向側（側面４６ｄ側）の側面８０には、外部の電源から電源部６８に対して充電を行なうためのＡＣアダプタの入力端子８３と、外部機器との間で情報の送受信が可能なインターフェース手段としてのＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）端子８５と、ＰＣカード等のメモリカード８７を装填するためのカードスロット８９とが設けられている。
【００４１】
一方、パネル部３０の内部には、図３に示すように、放射線源１８から被写体１４に放射線１６を照射した際に、被写体１４による放射線１６の散乱線を除去するグリッド９０、被写体１４を透過した放射線１６を検出する放射線変換パネル９２、及び、放射線１６のバック散乱線を吸収する鉛板９４が、被写体１４側の照射面である天板４２に対して順に配設される。この場合、グリッド９０、放射線変換パネル９２及び鉛板９４は、平面視で、撮影可能領域３６と略一致する。なお、天板４２をグリッド９０として構成してもよい。
【００４２】
放射線変換パネル９２としては、例えば、被写体１４を透過した放射線１６をシンチレータにより可視光に一旦変換し、変換した前記可視光をアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等の物質からなる固体検出素子（以下、画素ともいう。）により電気信号に変換する間接変換型の放射線変換パネルや、放射線１６の線量をアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）等の物質からなる固体検出素子により電気信号に直接変換する直接変換型の放射線変換パネルを採用することができる。
【００４３】
なお、被写体１４を透過した放射線１６を、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）又はガドリニウム・オキサイド・サルファ（ＧＯＳ）から構成されるシンチレータにより可視光に一旦変換し、変換した前記可視光を固体検出素子（画素）により電気信号に変換する間接変換型の放射線変換パネル（放射線検出器）には、表面読取方式の放射線検出器と裏面読取方式の放射線検出器とがある。このうち、表面読取方式であるＩＳＳ（Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｓｉｄｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式の放射線検出器は、放射線１６の照射方向に沿って、固体検出素子及びシンチレータが順に配置された構成を有する。また、裏面読取方式であるＰＳＳ（Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ  Ｓｉｄｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式の放射線検出器は、放射線１６の照射方向に沿って、シンチレータ及び固体検出素子が順に配置された構成を有する。
【００４４】
また、パネル部３０の内部では、放射線変換パネル９２がフレキシブル基板９６を介して駆動回路部９８と電気的に接続され、該駆動回路部９８は、筐体６０の底面に形成された図示しない孔部を貫通するフレキシブル基板１００を介してカセッテ制御部６６と電気的に接続されている。従って、駆動回路部９８は、カセッテ制御部６６からの制御信号（アドレス信号）に従って放射線変換パネル９２を駆動制御すると共に、放射線変換パネル９２から放射線画像を読み出してカセッテ制御部６６に出力する。また、電源部６８は、フレキシブル基板１００を介して駆動回路部９８に電力供給を行うことにより、該駆動回路部９８からフレキシブル基板９６を介して放射線変換パネル９２を駆動させる。
【００４５】
なお、図３では、パネル部３０の矢印Ｘ２方向側（側面４６ｂ側）に駆動回路部９８が配置されている場合を図示している。但し、パネル部３０内には、実際上、側面４６ｃ、４６ｄ（矢印Ｘ方向）に沿って他の駆動回路部も配置されるが、第１実施形態では、説明の容易化のため、該他の駆動回路部の図示を省略する。
【００４６】
図４において模式的に示すように、放射線変換パネル９２では、多数の画素１５０が図示しない基板上に配列され、さらに、これらの画素１５０に対して駆動回路部９８からフレキシブル基板９６を介し制御信号を供給する多数のゲート線１５２と、多数の画素１５０から出力される電気信号を読み出してフレキシブル基板９６を介し駆動回路部９８に出力する多数の信号線１５４とが配列されている。
【００４７】
次に、一例として、間接変換型の放射線変換パネル９２を採用した場合の電子カセッテ２０Ａの回路構成及びブロック図に関し、図５を参照しながら詳細に説明する。
【００４８】
放射線変換パネル９２は、可視光を電気信号に変換するａ−Ｓｉ等の物質からなる各画素１５０が形成された光電変換層を、行列状のＴＦＴ１５６のアレイの上に配置した構造を有する。この場合、駆動回路部９８を構成するバイアス回路１６０からバイアス電圧が供給される各画素１５０では、可視光を電気信号（アナログ信号）に変換することにより発生した電荷が蓄積され、各列毎にＴＦＴ１５６を順次オンにすることにより前記電荷を画像信号として読み出すことができる。
【００４９】
各画素１５０に接続されるＴＦＴ１５６には、列方向と平行に延びるゲート線１５２と、行方向と平行に延びる信号線１５４とが接続される。各ゲート線１５２は、ゲート駆動回路１５８に接続され、各信号線１５４は、マルチプレクサ１７０に接続される。ゲート線１５２には、列方向に配列されたＴＦＴ１５６をオンオフ制御する制御信号がゲート駆動回路１５８から供給される。この場合、ゲート駆動回路１５８には、カセッテ制御部６６からアドレス信号が供給される。
【００５０】
また、信号線１５４には、行方向に配列されたＴＦＴ１５６を介して各画素１５０に保持されている電荷が流出する。この電荷は、増幅器１６４によって増幅される。増幅器１６４には、サンプルホールド回路１６６を介してマルチプレクサ１７０が接続される。マルチプレクサ１７０は、信号線１５４を切り替えるＦＥＴ（電界効果トランジスタ）スイッチ１６８と、１つのＦＥＴスイッチ１６８をオンにする選択信号を出力するマルチプレクサ駆動回路１６２とを備える。マルチプレクサ駆動回路１６２には、カセッテ制御部６６からアドレス信号が供給される。ＦＥＴスイッチ１６８には、Ａ／Ｄ変換器１７２が接続され、Ａ／Ｄ変換器１７２によってデジタル信号に変換された放射線画像がカセッテ制御部６６に供給される。
【００５１】
なお、スイッチング素子として機能するＴＦＴ１５６は、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｓｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサ等、他の撮像素子と組み合わせて実現してもよい。さらにまた、ＴＦＴで言うところのゲート信号に相当するシフトパルスにより電荷をシフトしながら転送するＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサに置き換えることも可能である。
【００５２】
カセッテ制御部６６は、アドレス信号発生部１８０と、画像メモリ１８２と、カセッテＩＤメモリ１８４とを備える。
【００５３】
アドレス信号発生部１８０は、ゲート駆動回路１５８及びマルチプレクサ駆動回路１６２に対してアドレス信号を供給する。画像メモリ１８２は、放射線変換パネル９２によって検出された放射線画像を記憶する。カセッテＩＤメモリ１８４は、電子カセッテ２０Ａを特定するためのカセッテＩＤ情報を記憶する。
【００５４】
ところで、このようなＤＲシステムを構成する電子カセッテ２０Ａでは、被写体１４の下への挿入を容易にすると共に、その可搬性や取扱性の向上のため、従来のＣＲシステムと同等以上の軽量化・薄型化が要求されており、例えば、パネル部３０は制御部３２よりも相当に薄型化される（図３参照）。このようにパネル部３０が薄く構成されると、該パネル部３０では、天板４２と放射線変換パネル９２が接触するような構造となり、例えば、患者や技師が天板に手等を置いた時に該放射線変換パネル９２に温度分布が発生し、これが画像ムラの原因となる可能性がある。また、筐体６０内に発熱源となる電源部６８等を配置した制御部３２が放射線変換パネル９２と並列されているため、該制御部３２で発生した熱が天板４２の撮影領域に横臥した被写体１４に違和感を与える可能性がある。すなわち、制御部３２には、放射線変換パネル９２を制御するための電子部品が搭載されたカセッテ制御部６６、バッテリ等の電源部６８、及び、外部との通信を行うための通信部７０が搭載されており、カセッテ制御部６６、電源部６８及び通信部７０から発生する熱により制御部３２の温度が上昇し、その熱が撮影可能領域３６側へと伝達される可能性がある。
【００５５】
そこで、第１実施形態の電子カセッテ２０Ａでは、パネル部３０の天板４２に所定の方向に向かって高い熱伝導度を有する熱伝導異方性を付与し、該天板４２での放熱性能を向上させ、制御部３２で発生する熱の被写体１４側（撮影可能領域３６側）への伝達を可及的に抑制する構造を設けている。
【００５６】
すなわち、図６に示すように、電子カセッテ２０Ａでは、パネル部３０の一端部に制御部３２を並列に配置した並列構造とし、天板４２の略全面には、制御部３２が配置されない側面４６ｃ、４６ｄに向かう方向（Ｙ方向）に高い熱伝導度を有する熱伝導異方性５０が設けられている。
【００５７】
この熱伝導異方性５０は、例えば、天板４２の構成材料に炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ）を用いることで良好な熱伝導性とその異方性とを有して形成することができる。熱伝導異方性５０を天板４２に形成可能な炭素繊維強化プラスチックの一例としては、石油や石炭、コールタール等の副生成物であるピッチを高温で炭化させ、グラファイトの結晶成長度を高めて熱伝導を高くした異方性ピッチ系炭素繊維（メソフェーズピッチ系炭素繊維）の長繊維タイプが挙げられる。長繊維タイプの異方性ピッチ系炭素繊維は、金属と同等以上の熱伝導性と異方性とを有するため、天板４２への熱伝導異方性５０の付与に好適である。
【００５８】
なお、図６は、理解の容易のため、天板４２に設けられた熱伝導異方性５０を所定ピッチで並列して模式的に図示したものであり、実際には、当該熱伝導異方性５０は、例えば上記の炭素繊維強化プラスチックで形成された天板４２に含まれる炭素繊維の配列によってその繊維の方向に高い熱伝導度を有して形成されることから、図６の図示よりも狭い微小なピッチで配列されると共に、平面方向（２次元方向）のみならず、厚み方向（３次元方向）にも設けられる。
【００５９】
一方、裏板４３としては、例えば、熱伝導異方性のない通常の炭素繊維強化プラスチックや、ＰＡＮ（ポリアクリロニトリル）系炭素繊維を用いると、十分な強度を得ることができる。
【００６０】
第１実施形態に係る電子カセッテ２０Ａを含む放射線画像撮影システム１０は、基本的には以上のように構成されるものであり、次にその動作について、図７のフローチャートを参照しながら説明する。
【００６１】
先ず、医師又は技師である使用者は、病院内の放射線科等の所定の保管場所から撮影台１２まで電子カセッテ２０Ａを運搬する。この場合、電子カセッテ２０Ａは、電源部６８がカセッテ制御部６６にのみ電力供給を行って該カセッテ制御部６６のみが動作しているスリープ状態である。
【００６２】
続いて、図７のステップＳ１において、使用者は、被写体１４の撮影部位の放射線画像を撮影するための撮影準備を行う。
【００６３】
先ず、使用者は、制御部３２及び天板４２を上方に向けた状態で電子カセッテ２０Ａを撮影台１２に配置した後に、図示しない電源スイッチを投入する。これにより、カセッテ制御部６６は、電源部６８に対して、該カセッテ制御部６６に加え、通信部７０及びパネル部３０にも電力供給を行うように制御する。この結果、電源部６８は、通信部７０及びパネル部３０への電力供給を開始し、通信部７０は、コンソール２２との間での無線による信号の送受信が可能となる。また、パネル部３０の駆動回路部９８は、電源部６８からの電力供給によって起動し、バイアス回路１６０は、バイアス電圧を各画素１５０に供給して、該各画素１５０を電荷蓄積が可能な状態に至らせる。この結果、電子カセッテ２０Ａは、スリープ状態からアクティブ状態に移行する。
【００６４】
次に、使用者は、コンソール２２を操作することにより、撮影対象である被写体１４に関わる被写体情報等の撮影条件（例えば、放射線源１８の管電圧や管電流、放射線１６の曝射時間）を登録する。撮影部位や撮影方法が予め決まっている場合に、使用者は、これらの撮影条件も登録しておく。
【００６５】
続いて、使用者は、放射線源１８と放射線変換パネル９２との間の撮影間距離をＳＩＤ（線源受像画間距離）に調整する一方で、照射面である天板４２上に被写体１４を配置させて、被写体１４の撮影部位が撮影可能領域３６に入り、且つ、該撮影部位の中心位置が撮影可能領域３６の中心位置と略一致するように、該被写体１４の位置決め（ポジショニング）を行う。
【００６６】
このようにして撮影準備が完了した後のステップＳ２において、使用者がコンソール２２又は放射線源１８に備わる図示しない曝射スイッチを投入する。コンソール２２に曝射スイッチが備わっている場合には、曝射スイッチの投入後、コンソール２２から無線通信によって撮影条件が放射線源１８に送信される。また、放射線源１８に曝射スイッチが備わっている場合には、曝射スイッチの投入後、放射線源１８から無線通信によりコンソール２２に対して撮影条件の送信が要求され、該コンソール２２は、放射線源１８からの送信要求に応じて、前記撮影条件を無線通信により放射線源１８に送信する。
【００６７】
放射線源１８は、撮影条件を受信すると、該撮影条件に従って、所定の線量からなる放射線１６を所定の曝射時間だけ被写体１４に照射する。放射線１６は、被写体１４を透過してパネル部３０内の放射線変換パネル９２に至る。
【００６８】
ステップＳ３において、放射線変換パネル９２が間接変換型の放射線変換パネルである場合に、該放射線変換パネル９２を構成するシンチレータは、放射線１６の強度に応じた強度の可視光を発光し、光電変換層を構成する各画素１５０は、可視光を電気信号に変換し、電荷として蓄積する。次いで、各画素１５０に保持された被写体１４の放射線画像である電荷情報は、カセッテ制御部６６を構成するアドレス信号発生部１８０からゲート駆動回路１５８及びマルチプレクサ駆動回路１６２に供給されるアドレス信号に従って読み出される。
【００６９】
すなわち、ゲート駆動回路１５８は、アドレス信号発生部１８０から供給されるアドレス信号に対応するゲート線１５２に接続されたＴＦＴ１５６のゲートに制御信号を供給する。一方、マルチプレクサ駆動回路１６２は、アドレス信号発生部１８０から供給されるアドレス信号に従って、選択信号を出力してＦＥＴスイッチ１６８を順次切り替え（順次オンオフして）、ゲート駆動回路１５８によって選択されたゲート線１５２に接続される各画素１５０に保持された電荷情報としての放射線画像を信号線１５４を介して順次読み出す。
【００７０】
選択されたゲート線１５２に接続された各画素１５０から読み出された放射線画像は、各増幅器１６４によって増幅された後、各サンプルホールド回路１６６によってサンプリングされ、ＦＥＴスイッチ１６８を介してＡ／Ｄ変換器１７２に供給され、デジタル信号に変換される。デジタル信号に変換された放射線画像は、カセッテ制御部６６の画像メモリ１８２に一旦記憶される（ステップＳ４）。同様にして、ゲート駆動回路１５８は、アドレス信号発生部１８０から供給されるアドレス信号に従って、制御信号を出力するゲート線１５２を順次切り替え、各ゲート線１５２に接続されている各画素１５０に保持された電荷情報である放射線画像を信号線１５４を介して読み出し、ＦＥＴスイッチ１６８及びＡ／Ｄ変換器１７２を介してカセッテ制御部６６の画像メモリ１８２に記憶させる（ステップＳ４）。
【００７１】
画像メモリ１８２に記憶された放射線画像は、カセッテＩＤメモリ１８４に記憶されたカセッテＩＤ情報と共に、通信部７０を介して無線通信によりコンソール２２に送信される。コンソール２２は、受信した放射線画像に対して所定の画像処理を行い、画像処理後の放射線画像を無線通信により表示装置２４に送信する。表示装置２４は、受信した放射線画像を表示する（ステップＳ５）。
【００７２】
使用者が表示装置２４に表示された放射線画像を視認して、適切な被写体１４の放射線画像が得られたことを確認し、被写体１４に対する撮影が完了した後は、先ず、電子カセッテ２０Ａの前記電源スイッチをオフにする。これにより、カセッテ制御部６６は、電源部６８に対してカセッテ制御部６６にのみ電力供給を行うように制御し、電源部６８は、通信部７０及びパネル部３０に対する電力供給を直ちに停止して、カセッテ制御部６６に対してのみ電力供給を行う。この結果、電子カセッテ２０Ａは、アクティブ状態からカセッテ制御部６６のみが動作可能なスリープ状態に移行する。そこで、使用者は、電子カセッテ２０Ａを把持して病院内の放射線科等の所定の保管場所にまで運搬・保管することができる。
【００７３】
以上のような第１実施形態に係る電子カセッテ２０Ａでは、制御部３２をパネル部３０に並列したコンパクトな構造を採用しており、被写体１４と撮影台１２との間への設置が容易で、被写体１４に与える構造的な影響も少ないものとなっている。しかも、発熱体である制御部３２と被写体１４が配置されるパネル部３０とを並列しながらも、天板４２にＹ方向に向かう方向の熱伝導度が高い熱伝導異方性５０（図６参照）を設けている。
【００７４】
従って、図６中の矢印Ｈ１に示すように、制御部３２で発生した熱は、パネル部３０の側面４６ｃ、４６ｄ側へと円滑に導かれ、バツ印付き矢印Ｈ０に示すように被写体１４が配置される天板４２の中央方向（撮影可能領域３６）にはほとんど伝達されず、前記熱をＹ方向両端側に円滑に放熱させることができ、被写体１４が違和感を受けることを防止できる。すなわち、仮に、天板４２が、その熱伝導度の方向性について特に考慮されない構造（熱伝導度について等方性を有する構造）である場合には、天板４２で熱がたまり易く、円滑な放熱が難しい場合があるが、電子カセッテ２０Ａのように天板４２に熱伝導異方性５０を設けることで、パネル部３０での放熱性能が向上し、熱を所定の方向へと円滑に放熱することができる。
【００７５】
天板４２の熱伝導異方性５０は、制御部３２が配置されるパネル部３０の一端部（側面４６ｂ）と平行した方向に高い熱伝導度を有するため、制御部３２からの熱が天板４２の中央方向（撮影可能領域３６）へと伝熱される前に、パネル部３０の端部（側面４６ｂ、４６ｃ）へと円滑に放熱させることができる。
【００７６】
また、図６から諒解されるように、電子カセッテ２０Ａでは、天板４２に設けられる熱伝導異方性５０は、短辺方向（Ｙ方向）に沿う方向、つまり天板４２の長辺方向に向かって設けられている。これにより、天板４２での熱の放出ルートを可及的に短くすることができ、放熱効果を一層高めることができる。従って、天板４２上に手等を置いた際にも、その熱が図６中の矢印Ｈ２に示すように放熱されるため、パネル部３０の温度分布による画像ムラを防止することができる。さらに、電子カセッテ２０Ａでは、天板４２の略全面に熱伝導異方性５０を付与しているため、天板４２に接触した被写体１４からの発熱を有効に放熱することができ、該被写体１４からの熱が放射線変換パネル９２に影響を及ぼすことを抑制することができる。
【００７７】
なお、電子カセッテ２０Ａは、その使用条件等によっては、天板４２に設けられる熱伝導異方性５０は、短辺方向（Ｙ方向）に沿う方向（天板４２の長辺方向）ではなく、図８に示すように長辺方向（Ｘ方向）に沿う方向（天板４２の短辺方向）に設けた電子カセッテ（放射線画像撮影装置）２０Ｂとして構成してもよい。この電子カセッテ２０Ｂでは、制御部３２がパネル部３０の長辺に並列して設けられているため、被写体１４が長尺な場合等に有効である。
【００７８】
次に、第２実施形態に係る電子カセッテ２０Ｃについて説明する。
【００７９】
なお、電子カセッテ２０Ｃにおいて、第１実施形態に係る電子カセッテ２０Ａと同一又は同様な構成要素には同一の参照符号を付し、同一又は同様な機能及び効果を奏するものとして詳細な説明を省略し、以下の各実施形態についても同様とする。
【００８０】
図９に示すように、電子カセッテ（放射線画像撮影装置）２０Ｃは、制御部３２が配置されないパネル部３０の端部である側面４６ｃ、４６ｄに沿って一対の吸熱部材（第１吸熱部材）８１、８１を配置した点で、第１実施形態に係る電子カセッテ２０Ａと異なる。
【００８１】
吸熱部材８１は、例えば炭素繊維強化プラスチックで構成される天板４２よりも剛性の高い材質、例えばステンレス等の金属によって形成されることにより、高い剛性と吸熱作用とを有する。吸熱部材８１は、天板４２に設けられた熱伝導異方性５０の方向と直交する方向（Ｘ方向）に沿って延在しており、制御部３２とは離間している（図９中の距離Ｌ参照）。
【００８２】
従って、電子カセッテ２０Ｃでは、吸熱部材８１を設けたことにより、天板４２の熱伝導異方性５０によって、パネル部３０の側面４６ｃ、４６ｄに向けて放熱された熱が吸熱部材８１によって吸熱されるため、天板４２での放熱効果を一層高めることができる。
【００８３】
なお、上記のように、天板４２を長繊維タイプの異方性ピッチ系炭素繊維で形成する場合、この長繊維タイプの異方性ピッチ系炭素繊維は、繊維軸方向の引張強度は強いが、垂直方向の荷重には若干弱いという特性を有する。そこで、電子カセッテ２０Ｃでは、パネル部３０の両側部が高剛性の吸熱部材８１で補強されるため、図１０に示すように、被写体１４の重みによって、パネル部３０（天板４２）が矢印θ方向に歪むことを防止することができ、当該電子カセッテ２０Ｃの耐久性や強度を高めることができる。また、パネル部３０の両側部を吸熱部材８１で補強したことにより、繊維軸方向に対して垂直方向に被写体１４が配置される場合でも、撮影台１２と被写体１４との間にパネル部３０を挿入させやすくなる。
【００８４】
次に、第３実施形態に係る電子カセッテ２０Ｄについて説明する。
【００８５】
図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、第３実施形態に係る電子カセッテ（放射線画像撮影装置）２０Ｄは、制御部３２のパネル部３０側ではない端部（Ｙ１、Ｙ２方向側の端部）に一対の吸熱部材（第２吸熱部材）８２、８２を配置した点で、第１実施形態に係る電子カセッテ２０Ａと異なる。
【００８６】
吸熱部材８２は、上記第２実施形態に係る電子カセッテ２０Ｃの吸熱部材８１と略同様な構造でよく、例えばステンレス等の金属によって形成されることにより、高い剛性と吸熱作用とを有する。吸熱部材８２は、天板４２に設けられた熱伝導異方性５０の方向（Ｙ方向）と直交する方向（Ｘ方向）に沿って延在している。
【００８７】
従って、電子カセッテ２０Ｄでは、制御部３２の下面が、その下に設けられて熱伝導異方性５０（図１１Ａ中に破線で示す熱伝導異方性５０参照）を持つ天板４２に接触していることから、制御部３２で発生する熱を当該制御部３２の端部に放熱させ（図１１Ａ中の矢印Ｈ３参照）、吸熱部材８２で吸熱することができ、その放熱性能を一層向上させることができる。しかも、天板４２の熱伝導異方性５０によって、パネル部３０の側面４６ｃ、４６ｄに向けて放熱された熱の一部も吸熱部材８２によって吸熱されるため、天板４２での放熱効果を一層高めることができ、特に制御部３２での発熱量が増加する傾向にある動画撮影で有効となる。なお、当該電子カセッテ２０Ｄについて、図１１Ａ中に２点鎖線で示すように、吸熱部材８２と共に、図９に示す吸熱部材８１を設けて構成することも勿論可能である。
【００８８】
次に、第４実施形態に係る電子カセッテ２０Ｅについて説明する。
【００８９】
図１２及び図１３に示すように、第４実施形態に係る電子カセッテ（放射線画像撮影装置）２０Ｅは、第１実施形態に係る電子カセッテ２０Ａ（２０Ｂ）のパネル部３０に代えて、制御部３２に接触しない天板４２ａを有するパネル部３０ａを備えた構成からなる。
【００９０】
パネル部３０ａは、放射線１６を透過可能な材料からなる略矩形状の筐体４０ａを有する。筐体４０ａは、天板４２ａに比べてＸ方向に長く突出した裏板４３ａを有し、裏板４３ａの天板４２ａの端部からＸ２方向に突出した部分に制御部３２が配置されている。制御部３２は、裏板４３ａと接触し、天板４２ａとは接触していない。
【００９１】
従って、電子カセッテ２０Ｅでは、制御部３２で発生する熱が天板４２ａを介して被写体１４へと伝達されることを一層確実に防止することができ、該熱は裏板４３ａへと放熱することができる（図１３中の矢印Ｈ４参照）。
【００９２】
そこで、裏板４３ａの構成材料としては、上記した天板４２と略同様に、炭素繊維強化プラスチックを用いることで良好な熱伝導性を得ることができる。裏板４３ａとしては、例えば、アクリル繊維から作られるＰＡＮ（ポリアクリロニトリル）系炭素繊維を用いると、十分な強度と十分な放熱性とを両立することができるため好ましい。
【００９３】
なお、電子カセッテ２０Ｅは、図１４に示すように、裏板４３ａに代えて、熱伝導異方性５２が設けられた裏板４３ｂを用いた電子カセッテ（放射線画像撮影装置）２０Ｆとして構成してもよい。
【００９４】
裏板４３ｂの熱伝導異方性５２は、上記した天板４２の熱伝導異方性５０と略同様であり、例えば異方性ピッチ系炭素繊維の長繊維タイプで形成するとよい。この裏板４３ｂの熱伝導異方性５２は、制御部３２が配置されるパネル部３０ａの一端部（Ｘ２側の側面４６ｂ）から、該一端部と対向する他端部（Ｘ１側の側面４６ａ）に向かう方向、つまり、制御部３２の長手方向（Ｙ方向）に直交する方向（Ｘ方向）に沿って高い熱伝導度を有する。これにより、制御部３２で発生する熱を裏板４３ｂ全面に円滑に放熱させることができ（図１４中の矢印Ｈ４参照）、被写体１４への入熱を一層確実に防止し、その違和感を一層確実に抑えることができる。
【００９５】
また、図１４中に２点鎖線で示すように、このような熱伝導異方性５２を有する裏板４３ｂと共に、天板４２ａにも熱伝導異方性５０を設けてもよい。そうすると、熱伝導異方性５０、５２の方向が平面視で直交するため（図１４参照）、例えば熱伝導異方性５０、５２を構成する長繊維タイプの異方性ピッチ系炭素繊維が繊維軸の垂直方向に若干弱い特性を互いに補って、パネル部３０ａの強度を向上させることができる。勿論、このような熱伝導異方性５２は、上記した電子カセッテ２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄの裏板４３に設けてもよい。
【００９６】
次に、第５実施形態に係る電子カセッテ２０Ｇについて説明する。
【００９７】
図１５及び図１６に示すように、第５実施形態に係る電子カセッテ（放射線画像撮影装置）２０Ｇは、側面４６ｂ、４６ｃにそれぞれコネクタ８４、８６を有するパネル部３０ｂと、該コネクタ８４、８６を介してパネル部３０ｂに対して着脱可能な制御部３２ａを有する点で、第１実施形態に係る電子カセッテ２０Ａと異なる。
【００９８】
パネル部３０ｂは、Ｙ方向に沿って高い熱伝導度を有する熱伝導異方性５０を設けた天板４２と（図１５参照）、Ｘ方向に沿って高い熱伝導度を有する熱伝導異方性５２を設けた裏板４３ｂと（図１６参照）を有する。制御部３２ａは、コネクタ８４、８６に接続可能な端子８８を有し、各コネクタ８４、８６に対して取り付けられることでパネル部３０ｂの各側面４６ｂ、４６ｃに対してそれぞれ配置可能である。この際、コネクタ８４、８６は、制御部３２ａの天地方向（上下方向）での接続方向が、互いに逆方向となっている。
【００９９】
従って、電子カセッテ２０Ｇでは、図１５に示すように、天板４２を被写体１４が配置される放射線１６の照射面として用いることができる一方、パネル部３０ｂの上下を反転することで、図１６に示すように、裏板４３ｂを被写体１４が配置される放射線１６の照射面として用いることもできる。これにより、電子カセッテ２０Ｇの短尺方向（Ｙ方向）及び長尺方向（Ｘ方向）をそれぞれ利用し、被写体１４の状態に応じた縦横撮影が可能となり汎用性を向上させることができると共に、いずれの方向での使用であっても熱伝導異方性５０、５２により制御部３２ａからの熱が被写体１４に違和感を与えることを防止することができる。
【０１００】
なお、上記各実施形態では、パネル部３０、３０ａ、３０ｂを構成する天板４２、４２ａの全面（略全面）に熱伝導異方性５０を設ける構成を例示した。ところが、例えば、制御部での発熱量が少ない場合等では、天板の一部のみが熱伝導異方性を有していれば、制御部の発熱を撮影可能領域に伝熱させることなく放熱させることが十分に可能であり、患者である被写体１４への違和感を十分に小さくすることができる。
【０１０１】
そこで、次に、第６実施形態に係る電子カセッテ２０Ｈについて説明する。
【０１０２】
図１７に示すように、第６実施形態に係る電子カセッテ（放射線画像撮影装置）２０Ｈは、一部にのみ熱伝導異方性５０を設けた天板４２ｂを有するパネル部３０ｃを有する点で、第１実施形態に係る電子カセッテ２０Ａと異なる。
【０１０３】
この電子カセッテ２０Ｈでも、図６に示す電子カセッテ２０Ａと同様に、天板４２ｂ上の一端部に制御部３２が配置され、該制御部３２は、図３に示すように、フレキシブル基板１００で下方の駆動回路部９８と電気接続されている。そして、天板４２ｂは、平面視で撮影可能領域３６から外れた部分であって、制御部３２が配置される部分と配置されない部分の境界線９１、つまり制御部３２のＸ１側端面を跨ぐ範囲にＹ方向に高い熱伝導度を有する熱伝導異方性５０が形成されている。
【０１０４】
従って、電子カセッテ２０Ｈでは、熱伝導異方性５０により、制御部３２で発生した熱を円滑に放熱させることができ、さらに、該熱が被写体１４が配置される撮影可能領域３６側に伝達されることを防止し、被写体１４の違和感を防止することができる。
【０１０５】
この際、天板４２ｂのうち、熱伝導異方性５０が設けられるＸ２側の一部は、長繊維タイプの異方性ピッチ系炭素繊維で形成し、撮影可能領域３６が設けられる大部分は、通常の炭素繊維強化プラスチックや、ＰＡＮ（ポリアクリロニトリル）系炭素繊維で形成するとよい。そうすると、上記した熱伝導異方性５０による放熱作用を確保しつつ、被写体１４が配置される撮影可能領域３６部分の天板４２ｂの強度を十分に確保することができ、電子カセッテ２０Ｈの耐久性や強度を一層向上させることができる。勿論、このような一部にのみ熱伝導異方性５０が付与される天板４２ｂを、上記各実施形態の電子カセッテ２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ等に用いてもよい。
【０１０６】
次に、第７実施形態に係る電子カセッテ２０Ｉについて説明する。
【０１０７】
図１８に示すように、第７実施形態に係る電子カセッテ（放射線画像撮影装置）２０Ｉは、側面４６ｂにコネクタ８４を有するパネル部３０ｄと、該パネル部３０ｄに着脱可能な制御部３２ａを有する点で、第６実施形態に係る電子カセッテ２０Ｈと異なる。
【０１０８】
電子カセッテ２０Ｉでは、パネル部３０ｄを構成する天板４２ｃ上の側面４６ｂに沿う一端側にのみＹ方向に高い熱伝導度を有する熱伝導異方性５０が設けられている。制御部３２ａは、端子８８がコネクタ８４に接続されることで側面４６ｂに配置される。
【０１０９】
従って、電子カセッテ２０Ｉでも、熱伝導異方性５０により制御部３２ａからの熱が被写体１４に違和感を与えることを防止することができる。さらに、図１８中に破線で示すように、Ｙ方向に高い熱伝導度を有する熱伝導異方性５０をパネル部３０ｄの側面４６ｂに設けることもできる。そうすると、制御部３２ａの発熱を一層円滑に放熱することができる。この側面４６ｂに設けられる熱伝導異方性５０は、天板４２ｃに設けられる熱伝導異方性５０と平行している。
【０１１０】
勿論、このような制御部３２ａの着脱構造と、熱伝導異方性５０の天板４２ｃ（及び側面４６ｂ）への設置構造は、上記各実施形態の電子カセッテ２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ等に用いてもよい。一方、電子カセッテ２０Ｉについても、天板４２ｃ上の略全面に熱伝導異方性５０を付与した構成とすることも勿論可能である。
【０１１１】
次に、第８実施形態に係る電子カセッテ２０Ｊについて説明する。
【０１１２】
図１９に示すように、第８実施形態に係る電子カセッテ（放射線画像撮影装置）２０Ｊは、コネクタ８４に接続される制御部３２ａを裏板４３ａの一端部上に配置可能なパネル部３０ｅを有する点で、第７実施形態に係る電子カセッテ２０Ｉと異なる。
【０１１３】
電子カセッテ２０Ｊでは、パネル部３０ｅを構成する天板４２ｃ上の側面４６ｂに沿う一端側にのみＹ方向に高い熱伝導度を有する熱伝導異方性５０が設けられている。制御部３２ａは、端子８８がコネクタ８４に接続されることで側面４６ｂに配置されると共に、側面４６ｂからＸ２方向に突出した裏板４３ａ上に配置される。
【０１１４】
従って、電子カセッテ２０Ｊでも、熱伝導異方性５０や裏板４３ａにより制御部３２ａからの熱が被写体１４に違和感を与えることを防止することができる。さらに、電子カセッテ２０Ｊでも、図１９中に破線で示すように、Ｙ方向に高い熱伝導度を有する熱伝導異方性５０をパネル部３０ｅの側面４６ｂに設け、制御部３２ａからの熱を一層円滑に放熱することも可能である。
【０１１５】
また、電子カセッテ２０Ｊでは、裏板４３ａを十分な強度を有するＰＡＮ系炭素繊維等で構成することにより、コネクタ８４を介して接続される制御部３２ａの側面４６ｂ側に対する付け根部分での強度を補強することができ、制御部３２ａを一層安定して装着することができる。勿論、このような制御部３２ａの着脱構造と、裏板４３ａ上への配置構造は、上記各実施形態の電子カセッテ２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ等に用いてもよい。
【０１１６】
なお、本発明は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることは勿論である。
【０１１７】
例えば、上記第１実施形態に係る放射線画像撮影装置としての電子カセッテ２０Ａでは、天板４２の熱伝導異方性５０は、制御部３２が配置されるパネル部３０の一端部（側面４６ｂ）と平行した方向（Ｙ方向）に高い熱伝導度を有する構成を例示したが、図２０に示すように、高い熱伝導度を有する異方性の方向を、Ｘ方向に沿った方向に構成した熱伝導異方性５１を有する天板４２ｄを設けた電子カセッテ（放射線画像撮影装置）２０Ｋとして構成することも可能である。
【０１１８】
この電子カセッテ２０Ｋでは、天板４２ｄの熱伝導異方性５１が制御部３２から撮影可能領域３６に向けた方向に設定されているが、例えば制御部３２の発熱量が小さい構造の電子カセッテ等であれば十分に有効に用いることができる。つまり、天板４２ｄの熱伝導異方性５１により、患者や技師の手等による熱が天板４２ｄに付与された場合であっても、該熱を熱伝導異方性５１によって円滑に放熱することができ（図２０中の矢印Ｈ５参照）、勿論、制御部３２の熱についても同様に放熱可能である。勿論、このような方向を有する熱伝導異方性５１を持つ天板４２ｄは、上記各実施形態の電子カセッテ２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ、２０Ｆ、２０Ｇ等に用いてもよい。
【０１１９】
特に、電子カセッテ２０Ｃ（図９参照）の場合と略同様に、電子カセッテ２０Ｋについても、天板４２ｄの熱伝導異方性５１の方向にある側面４６ａに、吸熱部材８１（図２０中の２点鎖線参照）を設けることも有効である。さらに、電子カセッテ２０Ｅ（図１２参照）のように、制御部３２が天板４２ａと離間した構造の場合にも、制御部３２から撮影可能領域３６への入熱が少ないことから、上記熱伝導異方性５１を有する天板４２ｄを有効に用いることができる。
【０１２０】
また、例えば、上記第２実施形態に係る放射線画像撮影装置としての電子カセッテ２０Ｃの裏板４３に代えて、天板４２の熱伝導異方性５０と同様にＹ方向に沿った方向に高い熱伝導度を持つ熱伝導異方性５３を有する裏板４３ｃを設けた電子カセッテ（放射線画像撮影装置）２０Ｌとして構成することも可能である。
【０１２１】
この電子カセッテ２０Ｌでは、裏板４３ｃの熱伝導異方性５３が、吸熱部材８１に向かう方向に設定されているため、例えば、天板４２の熱伝導異方性５０によって放熱されて吸熱部材８１に吸熱された熱を、裏板４３ｃの熱伝導異方性５３に導いて該裏板４３ｃから放熱させることができる。当然、熱伝導異方性５３により、制御部３２から裏板４３ｃ側に付与される熱を吸熱部材８１へと放熱することもできる。勿論、このような方向を有する熱伝導異方性５３を持つ裏板４３ｃは、上記各実施形態の電子カセッテ２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｄ、２０Ｅ、２０Ｆ、２０Ｇ、２０Ｈ、２０Ｉ、２０Ｊ、２０Ｋ等に用いてもよい。
【０１２２】
特に、電子カセッテ２０Ｅ（図１２参照）の裏板４３ａに代えて、前記熱伝導異方性５３を持つ裏板４３ｃを用い、さらに該電子カセッテ２０Ｅの側面４６ｃ、４６ｄに吸熱部材８１を設けた構成とすれば、制御部３２が設置される裏板４３ｃでの放熱性を一層向上させることができて有効である。
【０１２３】
このように、天板や裏板に形成される熱伝導異方性の方向は、放射線画像撮影装置の使用条件や仕様等に応じて、その放熱性を考慮して適宜設定すればよく、上記のようにＸ方向やＹ方向に沿った方向以外にも、Ｘ方向やＹ方向に交差した方向（平面視で斜め方向）等であってもよい。
【０１２４】
また、例えば、所定の方向に高い熱伝導度を有する熱伝導異方性５０〜５３は、上記のように異方性ピッチ系炭素繊維の材質を用いた構成以外であっても勿論よく、例えば、等方性を有する樹脂材料等に異方性を持たせるように炭素繊維等を含有させて成形したもの等であってもよく、要は、所望の方向への熱伝導異方性を有していればよい。
【０１２５】
なお、通常、熱伝導異方性を有する材料は、設計上の制約が発生するために好ましくないと考えられる場合が多い。ところが、上記実施形態は、熱伝導異方性がある方向に限れば、放熱効果が高いという熱伝導異方性を有する材料の特徴を有効に活用したものである。
【０１２６】
上記各実施形態は、光読出方式の放射線変換パネルを利用して放射線画像を取得する構造の放射線画像撮影装置（例えば、電子カセッテ）にも適用することが可能である。この光読出方式の放射線変換パネルでは、各固体検出素子に放射線が入射すると、その線量に応じた静電潜像が固体検出素子に蓄積記録される。静電潜像を読み取る際には、放射線変換パネルに読取光を照射し、発生した電流の値を放射線画像として取得する。なお、放射線変換パネルは、消去光を放射線変換パネルに照射することで、残存する静電潜像である放射線画像を消去して再使用することができる（特開２０００−１０５２９７号公報参照）。
【０１２７】
上記した電子カセッテ２０Ａ等では、血液やその他の雑菌が付着するのを防止するために、例えば、装置全体を防水性、密閉性を有する構造とし、必要に応じて殺菌洗浄することにより、１つの電子カセッテ２０Ａ等を繰り返し続けて使用することも可能となる。
【０１２８】
また、上記した電子カセッテ２０Ａ等は、医療機関内の必要な箇所に配置された図示しないクレードルによって電源部６８に対する充電を行うことも可能である。この場合、電子カセッテ２０Ａ等のＵＳＢ端子８５と前記クレードルとの間を図示しないＵＳＢケーブルで接続して行えばよい。
【０１２９】
電源部６８の充電だけでなく、前記クレードルの無線通信機能又は有線通信機能を用いて、医療機関内のコンソール２２やＲＩＳ２６との間で必要な情報の送受信を行うようにしてもよい。送受信する情報には、電子カセッテ２０Ａ等の画像メモリ１８２に記録された放射線画像を含めることができる。前記クレードルに表示部を配設し、この表示部に対して、電子カセッテ２０Ａ等の充電状態や、電子カセッテ２０Ａ等から取得した放射線画像を含む必要な情報を表示させるようにしてもよい。また、複数の前記クレードルをネットワークに接続し、各クレードルに接続されている電子カセッテ２０Ａ等の充電状態をネットワークを介して収集し、使用可能な充電状態にある電子カセッテ２０Ａ等の所在を確認できるように構成することもできる。
【０１３０】
さらに、上記各実施形態に係る放射線画像撮影装置は、医療機関内での放射線画像の撮影に限らず、災害現場、在宅看護の現場、さらには、検診車に搭載して、健康診断における被写体の撮影にも適用することが可能である。さらに、各実施形態は、このような医療関連の放射線画像の撮影に限定されるものではなく、例えば、各種の非破壊検査における放射線画像の撮影にも適用可能であることは勿論である。
【０１３１】
また、放射線変換パネル９２は、図２２及び図２３に示す変形例に係る放射線検出器６００であってもよい。なお、図２２は、変形例に係る放射線検出器６００の３つの画素部分の構成を概略的に示した断面模式図である。
【０１３２】
放射線検出器６００は、絶縁性の基板６０２上に、スイッチング素子を含む信号出力部６０４、固体検出素子を含むセンサ部６０６、及び、シンチレータ６０８が順次積層して形成されており、信号出力部６０４及びセンサ部６０６により画素部が構成されている。画素部は、基板６０２上に行列状に配列されており、各画素部における信号出力部６０４とセンサ部６０６とが重なりを有するように構成されている。
【０１３３】
シンチレータ６０８は、センサ部６０６上に透明絶縁膜６１０を介して形成され、放射線１６を光に変換して発光する蛍光体を成膜したものである。なお、図２２において、例えば、上方（基板６０２が位置する側とは反対側）を天板４２、４２ａ〜４２ｄ（図２、図３、図６及び図８〜図２１参照）側とした場合、上方から放射線１６が入射してくれば、放射線検出器６００は、ＰＳＳ方式の放射線検出器として機能し、シンチレータ６０８の蛍光体は、入射した放射線１６を光に変換して発光する。
【０１３４】
シンチレータ６０８が発する光の波長域は、可視光域（波長３６０ｎｍ〜８３０ｎｍ）であることが好ましく、この放射線検出器６００によってモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。
【０１３５】
シンチレータ６０８に用いる蛍光体としては、具体的には、放射線１６としてＸ線を用いて撮像する場合、ＣｓＩを含むものが好ましく、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４２０ｎｍ〜６００ｎｍにあるＣｓＩ（Ｔｌ）（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）を用いることが特に好ましい。なお、ＣｓＩ（Ｔｌ）の可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。
【０１３６】
シンチレータ６０８は、例えば、蒸着基体に柱状結晶構造のＣｓＩ（Ｔｌ）を蒸着して形成してもよい。このように蒸着によってシンチレータ６０８を形成する場合、蒸着基体は、Ｘ線の透過率、コストの面からＡｌがよく使用されるがこれに限定されるものではない。なお、シンチレータ６０８としてＧＯＳを用いる場合、樹脂ベースにＧＯＳを塗布し、その後、ＴＦＴアクティブマトリクス基板の表面に貼り合わせるとよい。これにより、万が一、ＧＯＳの塗布が失敗してもＴＦＴアクティブマトリックス基板を温存することができる。
【０１３７】
センサ部６０６は、上部電極６１２、下部電極６１４、及び、該上部電極６１２と該下部電極６１４の間に配置された光電変換膜６１６を有している。
【０１３８】
上部電極６１２は、シンチレータ６０８により生じた光を光電変換膜６１６に入射させる必要があるため、少なくともシンチレータ６０８の発光波長に対して透明な導電性材料で構成することが好ましく、具体的には、可視光に対する透過率が高く、抵抗値が小さい透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  Ｏｘｉｄｅ）を用いることが好ましい。なお、上部電極６１２としてＡｕ等の金属薄膜を用いることもできるが、透過率を９０％以上得ようとすると抵抗値が増大し易いため、ＴＣＯの方が好ましい。例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯ２等を好ましく用いることができ、プロセス簡易性、低抵抗性、透明性の観点からはＩＴＯが最も好ましい。なお、上部電極６１２は、全画素部で共通の一枚構成としてもよく、画素部毎に分割してもよい。
【０１３９】
光電変換膜６１６は、有機光導電体（ＯＰＣ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｐｈｏｔｏ  Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ）を含み、シンチレータ６０８から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。有機光導電体（有機光電変換材料）を含む光電変換膜６１６であれば、可視光域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ６０８による発光以外の電磁波が光電変換膜６１６によって吸収されることが殆どなく、放射線１６が光電変換膜６１６で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。なお、光電変換膜６１６は、有機光導電体に代えてａ−Ｓｉを含むように構成してもよい。この場合、幅広い吸収スペクトルを持ち、シンチレータ６０８による発光を効率的に吸収することができる。
【０１４０】
光電変換膜６１６を構成する有機光導電体は、シンチレータ６０８で発光した光を最も効率よく吸収するために、そのピーク波長が、シンチレータ６０８の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光導電体の吸収ピーク波長とシンチレータ６０８の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ６０８から発せられた光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光導電体の吸収ピーク波長と、シンチレータ６０８の放射線１６に対する発光ピーク波長との差が、１０ｎｍ以内であることが好ましく、５ｎｍ以内であることがより好ましい。
【０１４１】
このような条件を満たすことが可能な有機光導電体としては、例えば、キナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えば、キナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は５６０ｎｍであるため、有機光導電体としてキナクリドンを用い、シンチレータ６０８の材料としてＣｓＩ（Ｔｌ）を用いれば、上記ピーク波長の差を５ｎｍ以内にすることが可能となり、光電変換膜６１６で発生する電荷量を略最大にすることができる。
【０１４２】
センサ部６０６は、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、及び、層間接触改良部位等の積み重ね若しくは混合により形成される有機層を含んで構成される。前記有機層は、有機ｐ型化合物（有機ｐ型半導体）又は有機ｎ型化合物（有機ｎ型半導体）を含有することが好ましい。
【０１４３】
有機ｐ型半導体は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体（化合物）であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、２つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。従って、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。
【０１４４】
有機ｎ型半導体は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体（化合物）であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、２つの有機化合物を接触させて用いたときに、電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。従って、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。
【０１４５】
この有機ｐ型半導体及び有機ｎ型半導体として適用可能な材料、及び、光電変換膜６１６の構成については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に記載されているため説明を省略する。なお、光電変換膜６１６は、さらに、フラーレン若しくはカーボンナノチューブを含有させて形成してもよい。
【０１４６】
光電変換膜６１６の厚みは、シンチレータ６０８からの光を吸収する点では膜厚は大きいほど好ましいが、ある程度以上厚くなると、光電変換膜６１６の両端から印加されるバイアス電圧により光電変換膜６１６に発生する電界の強度が低下して電荷が収集できなくなるため、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは、５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、特に好ましくは８０ｎｍ以上２００ｎｍ以下にするのがよい。
【０１４７】
光電変換膜６１６は、全画素部で共通の一枚構成であるが、画素部毎に分割してもよい。下部電極６１４は、画素部毎に分割された薄膜とする。但し、下部電極６１４は、全画素部で共通の一枚構成であってもよい。下部電極６１４は、透明又は不透明の導電性材料で構成することができ、Ａｌ、銀等を好適に用いることができる。なお、下部電極６１４の厚みは、例えば、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることができる。
【０１４８】
センサ部６０６では、上部電極６１２と下部電極６１４との間に所定のバイアス電圧を印加することで、光電変換膜６１６で発生した電荷（正孔、電子）のうちの一方を上部電極６１２に移動させ、他方を下部電極６１４に移動させることができる。本変形例に係る放射線検出器６００では、上部電極６１２に配線が接続され、この配線を介してバイアス電圧が上部電極６１２に印加されるものとする。また、バイアス電圧は、光電変換膜６１６で発生した電子が上部電極６１２に移動し、正孔が下部電極６１４に移動するように極性が決められているものとするが、この極性は逆であっても良い。
【０１４９】
各画素部を構成するセンサ部６０６は、少なくとも下部電極６１４、光電変換膜６１６、及び、上部電極６１２を含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜６１８及び正孔ブロッキング膜６２０の少なくともいずれかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。
【０１５０】
電子ブロッキング膜６１８は、下部電極６１４と光電変換膜６１６との間に設けることができ、下部電極６１４と上部電極６１２との間にバイアス電圧を印加したときに、下部電極６１４から光電変換膜６１６に電子が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。
【０１５１】
電子ブロッキング膜６１８には、電子供与性有機材料を用いることができる。実際に電子ブロッキング膜６１８に用いる材料は、隣接する電極の材料及び隣接する光電変換膜６１６の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上電子親和力（Ｅａ）が大きく、且つ、隣接する光電変換膜６１６の材料のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）と同等のＩｐ若しくはそれより小さいＩｐを持つものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開２００９−３２８５４号公報に詳細に記載されているため説明を省略する。
【０１５２】
電子ブロッキング膜６１８の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させると共に、センサ部６０６の光電変換効率の低下を防ぐため、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下にするのがよい。
【０１５３】
正孔ブロッキング膜６２０は、光電変換膜６１６と上部電極６１２との間に設けることができ、下部電極６１４と上部電極６１２との間にバイアス電圧を印加したときに、上部電極６１２から光電変換膜６１６に正孔が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。
【０１５４】
正孔ブロッキング膜６２０には、電子受容性有機材料を用いることができる。正孔ブロッキング膜６２０の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させると共に、センサ部６０６の光電変換効率の低下を防ぐため、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下にするのがよい。
【０１５５】
実際に正孔ブロッキング膜６２０に用いる材料は、隣接する電極の材料及び隣接する光電変換膜６１６の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）が大きく、且つ、隣接する光電変換膜６１６の材料の電子親和力（Ｅａ）と同等のＥａ若しくはそれより大きいＥａを持つものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開２００９−３２８５４号公報に詳細に記載されているため説明を省略する。
【０１５６】
なお、光電変換膜６１６で発生した電荷のうち、正孔が上部電極６１２に移動し、電子が下部電極６１４に移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜６１８と正孔ブロッキング膜６２０との位置を逆にすれば良い。また、電子ブロッキング膜６１８と正孔ブロッキング膜６２０とは両方設けなくてもよく、いずれかを設けておけば、ある程度の暗電流抑制効果を得ることができる。
【０１５７】
図２３に示すように、信号出力部６０４は、各画素部の下部電極６１４に対応して基板６０２の表面に設けられており、下部電極６１４に移動した電荷を蓄積する蓄積容量６２２と、前記蓄積容量６２２に蓄積された電荷を電気信号に変換して出力するＴＦＴ６２４とを有している。蓄積容量６２２及びＴＦＴ６２４の形成された領域は、平面視において、下部電極６１４と重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素部における信号出力部６０４とセンサ部６０６とが厚さ方向で重なりを有することとなる。蓄積容量６２２及びＴＦＴ６２４を下部電極６１４によって完全に覆うように信号出力部６０４を形成すれば、放射線検出器６００（画素部）の平面積を最小にすることができる。
【０１５８】
蓄積容量６２２は、基板６０２と下部電極６１４との間に設けられた絶縁膜６２６を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する下部電極６１４と電気的に接続されている。これにより、下部電極６１４で捕集された電荷を蓄積容量６２２に移動させることができる。
【０１５９】
ＴＦＴ６２４は、ゲート電極６２８、ゲート絶縁膜６３０、及び、活性層（チャネル層）６３２が積層され、さらに、活性層６３２上にソース電極６３４とドレイン電極６３６とが所定の間隔を開けて形成されている。活性層６３２は、例えば、ａ−Ｓｉや非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブ等により形成することができる。なお、活性層６３２を構成する材料は、これらに限定されるものではない。
【０１６０】
活性層６３２を構成可能な非晶質酸化物としては、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも１つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｏ系）が好ましく、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも２つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系）がより好ましく、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含む酸化物が特に好ましい。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、ＩｎＧａＺｎＯ４がより好ましい。なお、活性層６３２を構成可能な非晶質酸化物は、これらに限定されるものではない。
【０１６１】
活性層６３２を構成可能な有機半導体材料としては、フタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。なお、フタロシアニン化合物の構成については、特開２００９−２１２３８９号公報に詳細に記載されているため説明を省略する。
【０１６２】
ＴＦＴ６２４の活性層６３２を非晶質酸化物や有機半導体材料、カーボンナノチューブで形成したものとすれば、Ｘ線等の放射線１６を吸収せず、あるいは、吸収したとしても極めて微量に留まるため、信号出力部６０４におけるノイズの発生を効果的に抑制することができる。
【０１６３】
また、活性層６３２をカーボンナノチューブで形成した場合、ＴＦＴ６２４のスイッチング速度を高速化することができ、また、可視光域での光の吸収度合の低いＴＦＴ６２４を形成できる。なお、カーボンナノチューブで活性層６３２を形成する場合、活性層６３２に極微量の金属性不純物の混入するだけで、ＴＦＴ６２４の性能は著しく低下するため、遠心分離等により極めて高純度のカーボンナノチューブを分離・抽出して形成する必要がある。
【０１６４】
ここで、上述した非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブや、有機光導電体は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、基板６０２としては、半導体基板、石英基板、及び、ガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。
【０１６５】
また、有機光導電体から光電変換膜６１６を形成し、有機半導体材料からＴＦＴ６２４を形成することにより、プラスチック製の可撓性基板（基板６０２）に対して光電変換膜６１６及びＴＦＴ６２４を低温成膜することが可能となると共に、放射線検出器６００全体の薄型化及び軽量化を図ることができる。これにより、放射線検出器６００を収容するパネル部３０、３０ａ〜３０ｅ（図１〜図３、図５、図６及び図８〜図２１参照）の薄型化及び軽量化も可能となる。また、可撓性を有する基板６０２を用いることにより、放射線変換パネル９２、及び、該放射線変換パネル９２を収容するパネル部３０、３０ａ〜３０ｅの筐体４０、４０ａも可撓性を有することが可能となり、この結果、被写体１４からパネル部３０、３０ａ〜３０ｅに荷重が加わった際の放射線変換パネル９２の破損等の発生を回避することができる。
【０１６６】
特に、天板４２、４２ａ〜４２ｄをピッチ系炭素繊維で形成した場合、該天板４２、４２ａ〜４２ｄは、ピッチ系炭素繊維の繊維軸方向に対して垂直に歪みやすいが、可撓性を有しているため、上記の効果が容易に得られる。
【０１６７】
なお、基板６０２には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。
【０１６８】
また、アラミドは、２００℃以上の高温プロセスを適用できるために、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバＩＣの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ＩＴＯやガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して基板６０２を形成してもよい。
【０１６９】
バイオナノファイバは、バクテリア（酢酸菌、Ａｃｅｔｏｂａｃｔｅｒ  Ｘｙｌｉｎｕｍ）が産出するセルロースミクロフィブリル束（バクテリアセルロース）と透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅５０ｎｍと可視光波長に対して１／１０のサイズで、且つ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を６０％〜７０％も含有しながら、波長５００ｎｍで約９０％の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数（３ｐｐｍ〜７ｐｐｍ）を有し、鋼鉄並の強度（４６０ＭＰａ）、高弾性（３０ＧＰａ）で、且つ、フレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて基板６０２を薄く形成できる。
【０１７０】
本変形例では、基板６０２上に、信号出力部６０４、センサ部６０６及び透明絶縁膜６１０を順に形成し、当該基板６０２上に光吸収性の低い接着樹脂等を用いてシンチレータ６０８を貼り付けることにより放射線検出器６００を形成している。
【０１７１】
上述した変形例に係る放射線検出器６００では、光電変換膜６１６を有機光導電体により構成すると共に、ＴＦＴ６２４の活性層６３２を有機半導体材料で構成しているので、該光電変換膜６１６及び信号出力部６０４で放射線１６が吸収されることは殆どない。これにより、放射線１６（図１及び図３参照）に対する感度の低下を抑えることができる。
【０１７２】
ＴＦＴ６２４の活性層６３２を構成する有機半導体材料や光電変換膜６１６を構成する有機光導電体は、いずれも低温での成膜が可能である。このため、基板６０２を放射線１６の吸収が少ないプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成することができる。これにより、放射線１６に対する感度の低下を一層抑えることができる。
【０１７３】
また、例えば、放射線検出器６００を筐体４０、４０ａ内に配置し、基板６０２を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出器６００自体の剛性を高くすることができるため、筐体４０、４０ａを薄く形成することができる。また、基板６０２を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、前述のように放射線検出器６００自体が可撓性を有するため、筐体４０、４０ａに衝撃が加わった場合でも放射線検出器６００が破損しづらい。
【０１７４】
なお、図２２では、前述のように、一例として、シンチレータ６０８から発光された光を放射線源１８（図１参照）が位置する側とは反対側に位置するセンサ部６０６（光電変換膜６１６）で電荷に変換して放射線画像を読み取る、ＰＳＳ方式の放射線検出器６００を図示している。
【０１７５】
放射線検出器６００は、この構成に限定されることはなく、ＩＳＳ方式の放射線検出器として構成してもよい。この場合、放射線１６の照射方向に沿って、基板６０２、信号出力部６０４、センサ部６０６及びシンチレータ６０８がこの順に積層され、シンチレータ６０８から発光された光を放射線源１８が位置する側のセンサ部６０６で電荷に変換して放射線画像を読み取る。そして、通常、シンチレータ６０８は、放射線１６の照射面側が背面側よりも強く発光するため、ＩＳＳ方式で構成した放射線検出器６００では、ＰＳＳ方式で構成された放射線検出器６００と比較して、シンチレータ６０８で発光された光が光電変換膜６１６に到達するまでの距離を短縮させることができる。これにより、該光の拡散・減衰を抑えることができるので、放射線画像の分解能を高めることができる。
【０１７６】
しかも、上述したプラスチック及び有機系の材料を用いて放射線変換パネル９２（放射線検出器６００）を構成した場合、該放射線変換パネル９２が、放射線１６の照射方向に沿って、基板６０２、ＴＦＴ６２４、光電変換膜６１６、及び、ＣｓＩのシンチレータ６０８の順に配置されたＩＳＳ方式のパネルであれば、高画質の放射線画像が容易に得られる。
【０１７７】
なお、本実施形態では、上述のように、シンチレータ６０８として、ＣｓＩ又はＧＯＳを使用可能である。
【０１７８】
ここで、制御部３２、３２ａのような電気回路部分が発熱する場合、ＧＯＳは、発熱に対する感度変化は生じないが、ＣｓＩでは、温度上昇に伴って感度が低下する（１℃の温度上昇に対して感度が約０．３％程度低下）。
【０１７９】
しかしながら、本実施形態では、シンチレータ６０８を収容するパネル部３０、３０ａ〜３０ｅの筐体４０、４０ａと、制御部３２、３２ａとが別体であると共に、該制御部３２、３２ａは、シンチレータ６０８から離れた状態で筐体４０と連結（接続）されるので、ＣｓＩからなるシンチレータ６０８を用いても、制御部３２、３２ａの発熱に対する感度変化の発生を回避することが可能である。従って、長時間撮影でも、高感度の放射線画像を取得することができる。
【０１８０】
また、本実施形態では、天板４２、４２ａ〜４２ｄが熱伝導異方性を有しているので、制御部３２、３２ａで発生した熱を、ＣｓＩのシンチレータ６０８の周縁部で素早く繊維軸方向に伝熱させることができる。これにより、放射線変換パネル９２（放射線検出器６００）における感度低下領域の拡大を抑えることができる。
【０１８１】
さらに、本実施形態では、放射線変換パネル９２における制御部３２、３２ａから離れた領域の画素１５０の電気信号を読み出して放射線画像を取得してもよい。このように、制御部３２、３２ａ近傍の画素１５０から電気信号を読み出さないようなトリミング処理を行うことにより、制御部３２、３２ａからの熱の影響が抑制された画像を容易に取得することができる。
【０１８２】
さらにまた、本実施形態では、前述のように、パネル部３０が制御部３２よりも薄型化されているので、例えば、図２４に示すように、撮影台１２に横臥した被写体１４の左側を持ち上げた状態で、該被写体１４に沿って制御部３２を湾曲させながら、被写体１４と撮影台１２との間にパネル部３０を容易に挿入することができる。
【０１８３】
ここで、図２４のパネル部３０に収容される放射線変換パネル９２（放射線検出器６００）の構成について、図２５Ａ〜図２８Ｂを参照しながら説明する。
【０１８４】
図２５Ａ及び図２５Ｂの放射線変換パネル９２は、ＩＳＳ方式の放射線検出器であり、放射線１６の照射方向に沿って、信号出力部６０４を含む信号出力層６４０と、センサ部６０６を含む光電変換層６４２と、シンチレータ６０８として機能するＣｓＩのシンチレータ６４４との順に配置されている。シンチレータ６４４は、真空蒸着法を用いてＣｓＩを所定条件で信号出力層６４０及び光電変換層６４２の積層体（センサ基板）に直接蒸着して形成されたものであり、所定条件で光電変換層６４２に蒸着形成された非柱状結晶構造の非柱状部６４６と、非柱状部６４６とは異なる条件で蒸着することにより短冊状に形成された柱状結晶構造の柱状部６４８とから構成される。
【０１８５】
この場合、非柱状部６４６及び柱状部６４８は、一体的に形成されている。また、光電変換層６４２に非柱状部６４６を形成することにより、該非柱状部６４６を形成しない場合と比較して、光電変換層６４２に対するシンチレータ６４４の密着性を向上させることができ、該シンチレータ６４４が光電変換層６４２から剥離することを好適に抑えることができる。なお、非柱状部６４６は、光電変換層６４２の略全面に蒸着されており、その厚みは、光電変換層６４２の撓み（弾性変形）に応じて撓ませることが可能な程度に設定されている。つまり、非柱状部６４６は薄膜状になっている。
【０１８６】
ここで、図２４のようにパネル部３０全体が湾曲すると、シンチレータ６４４を含む放射線変換パネル９２は、図２５Ａのように全体的に撓む。この場合、シンチレータ６４４は、全体的に、柱状部６４８の各柱の間隔が互いに広がる方向に撓むため、各柱同士が接触して折れることを回避することができる。この結果、各柱の折れによる放射線画像の劣化を回避することができる。
【０１８７】
そして、被写体１４と撮影台１２との間にパネル部３０が挿入された後に、放射線源１８から被写体１４を介してパネル部３０に放射線１６が照射されると、図２５Ｂに示すＩＳＳ方式の放射線変換パネル９２において、シンチレータ６４４は、信号出力層６４０及び光電変換層６４２を透過した放射線１６を可視光に変換し、光電変換層６４２は、前記可視光を電気信号に変換した後に電荷として蓄積し、信号出力層６４０は、前記電荷を画像信号として出力することができる。
【０１８８】
なお、ＣｓＩのシンチレータ６４４は、図示しない防湿保護材により封止されており、湿気に弱いＣｓＩを好適に保護することができる。
【０１８９】
また、パネル部３０の両側部に高剛性の吸熱部材８１（図９参照）が配設されていれば、吸熱部材８１は、被写体１４と撮影台１２との間へのパネル部３０の挿入時に、必要以上にパネル部３０（天板４２）が歪むことを防止するためのストッパとして機能するので、ＣｓＩのシンチレータ６４４を用いた場合における柱状部６４８の各柱同士の接触や折れを確実に抑制することができる。
【０１９０】
さらに、熱伝導異方性５０、５１を有する天板４２と放射線変換パネル９２との間に、薄い断熱材を配置すれば、被写体１４の熱を放射線変換パネル９２（信号出力層６４０、光電変換層６４２及びシンチレータ６４４）に伝えることなく、外部に円滑に放熱することができる。
【０１９１】
図２６Ａ及び図２６Ｂに示す放射線変換パネル９２は、ＩＳＳ方式の放射線検出器ではあるが、シンチレータ６４４が接着層６５０を介して光電変換層６４２に間接的に配置されている点で、図２５Ａ及び図２５Ｂの場合とは異なる。この場合、シンチレータ６４４は、柱状部６４８のみから構成されている。また、接着層６５０は、前記可視光を透過可能な接着剤からなることが望ましい。
【０１９２】
図２６Ａ及び図２６Ｂに示す放射線変換パネル９２においても、パネル部３０全体が湾曲して、放射線変換パネル９２が図２６Ａのように全体的に撓んでも、シンチレータ６４４を構成する柱状部６４８の各柱は、互いに間隔が広がる方向に撓むので、各柱同士が接触して折れることを回避することができ、この結果、各柱の折れによる放射線画像の劣化を回避することができる。
【０１９３】
また、図２６Ａ及び図２６Ｂに示す放射線変換パネル９２においても、図２５Ａ及び図２５Ｂの放射線変換パネル９２の他の効果も容易に得られることは勿論である。
【０１９４】
図２７Ａ及び図２７Ｂに示す放射線変換パネル９２は、ＰＳＳ方式の放射線検出器であり、放射線１６の照射方向に対して、シンチレータ６４４、光電変換層６４２及び信号出力層６４０の順に配置されている。すなわち、図２７Ａ及び図２７ＢのＰＳＳ方式の放射線変換パネル９２は、図２５Ａ及び図２５ＢのＩＳＳ方式の放射線変換パネル９２を上下反転させたものである。
【０１９５】
この場合、図２４のようにパネル部３０全体が湾曲すると、放射線変換パネル９２は、図２７Ａのように全体的に撓み、この結果、シンチレータ６４４も全体的に撓む。この場合でも、柱状部６４８を構成する各柱が接触して折れることを回避することができると共に、各柱の折れによる放射線画像の劣化を回避することができる。
【０１９６】
また、被写体１４と撮影台１２との間にパネル部３０が挿入された後に、放射線源１８から被写体１４を介してパネル部３０に放射線１６が照射されると、図２７Ｂに示すＰＳＳ方式の放射線変換パネル９２において、シンチレータ６４４は、放射線１６を可視光に変換し、光電変換層６４２は、前記可視光を電気信号に変換した後に電荷として蓄積し、信号出力層６４０は、前記電荷を画像信号として出力することができる。
【０１９７】
図２８Ａ及び図２８Ｂに示す放射線変換パネル９２は、ＰＳＳ方式の放射線検出器ではあるが、シンチレータ６４４が接着層６５０を介して光電変換層６４２に間接的に配置されている点で、図２７Ａ及び図２７Ｂの場合とは異なる。すなわち、図２８Ａ及び図２８ＢのＰＳＳ方式の放射線変換パネル９２は、図２７Ａ及び図２７ＢのＩＳＳ方式の放射線変換パネル９２を上下反転させたものである。
【０１９８】
この場合、図２４のようにパネル部３０全体が湾曲して、放射線変換パネル９２が図２８Ａのように全体的に撓んでも、シンチレータ６４４も全体的に撓むので、柱状部６４８を構成する各柱が接触して折れることを回避することができると共に、各柱の折れによる放射線画像の劣化を回避することができる。
【０１９９】
なお、図２７Ａ〜図２８Ｂに示す各放射線変換パネル９２においても、図２５Ａ及び図２５Ｂの放射線変換パネル９２の他の効果も容易に得られることは勿論である。
【０２００】
ここで、図２６Ａ、図２６Ｂ、図２８Ａ及び図２８Ｂに示す放射線変換パネル９２は、図２９Ａ〜図２９Ｃに示す順に製造される。
【０２０１】
先ず、図２９Ａに示すように、真空蒸着法により、蒸着基板６５２に剥離層６５４を介してシンチレータ６４４を蒸着形成する。この場合、非柱状部６４６が形成されないような所定の条件で柱状部６４８を形成することにより、シンチレータ６４４を蒸着形成する。
【０２０２】
次に、図２９Ｂに示すように、信号出力層６４０及び光電変換層６４２の積層体（センサ基板）を転写体として、柱状部６４８の先端部分を接着層６５０を介して接着（転写）させる。
【０２０３】
最後に、図２９Ｃに示すように、柱状部６４８の基端部分から剥離層６５４及び蒸着基板６５２を剥離させ、その後、シンチレータ６４４を図示しない防湿保護材で封止することにより放射線変換パネル９２を完成させる。なお、剥離層６５４の剥離方法としては、例えば、蒸着基板６５２を透明基板とし、蒸着基板６５２を介して剥離層６５４に紫外線を照射することによって、柱状部６４８から剥離層６５４を剥離すればよい。
【符号の説明】
【０２０４】
２０Ａ〜２０Ｌ…電子カセッテ        ３０、３０ａ〜３０ｅ…パネル部
３２、３２ａ…制御部                ３６…撮影可能領域
４２、４２ａ〜４２ｄ…天板          ４３、４３ａ〜４３ｃ…裏板
４６ａ〜４６ｄ…側面                ５０〜５３…熱伝導異方性
８１、８２…吸熱部材                ９２…放射線変換パネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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