(57)【要約】【課題】導体パターンの形成時に生じる廃棄物の量を従来よりも大幅に低減して、歩留まりを高めることができると共に、少ない工程数で比抵抗の低い導体パターンを容易に大きな面積に形成することができる導電性ペーストを提供する。【解決手段】導電性ペーストに関する。金属ナノワイヤと、ガラス転移温度（Ｔｇ）が０〜２５０℃のバインダー樹脂とを含有する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ナノワイヤと、ガラス転移温度（Ｔｇ）が０〜２５０℃のバインダー樹脂とを含有することを特徴とする導電性ペースト。
【請求項２】
金属ナノワイヤの平均直径が１０〜８００ｎｍであり、平均長さが０．２〜１００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の導電性ペースト。
【請求項３】
バインダー樹脂がセルロース誘導体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の導電性ペースト。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の導電性ペーストを用いて形成されていることを特徴とする導体パターン。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の導電性ペーストが所定形状で基材に印刷された後にプレスして形成されていることを特徴とする導体パターン。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の導電性ペーストが所定形状で基材に印刷された後に加熱加湿処理して形成されていることを特徴とする導体パターン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイ、ＰＤＰ、タッチパネル、有機ＥＬ、太陽電池等において、透明電極等の導体パターンを形成するのに用いられる導電性ペースト、及びこの導電性ペーストを用いて形成された透明電極等の導体パターンに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶ディスプレイ、ＰＤＰ、タッチパネル、有機ＥＬ、太陽電池等の分野においては、透明電極等の導体パターンは次のようにして形成されている。まずガラス板等の基材に蒸着やスパッタリングによりＩＴＯ被膜（インジウム・スズ酸化物からなる薄膜）等の透明導電膜を設ける。その後、この透明導電膜をフォトリソグラフィ及びエッチングにより所定形状にパターニングすることによって、透明電極等の導体パターンを形成することができる（例えば、特許文献１−３参照）。
【０００３】
しかし、従来の導体パターンは、比較的小さな面積に形成することはできても、ＩＴＯ被膜で形成されているので、比抵抗が高いものであり、大きな面積に形成することができないという問題がある。
【０００４】
また従来の導体パターンは、フォトリソグラフィ及びエッチングにより形成されているが、このような方法では工程数が多い上に、多量の廃棄物が生じてしまい、歩留まりが低くなるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−１４７６３９号公報
【特許文献２】特開平６−１１００８３号公報
【特許文献３】特開２００２−３３４８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、導体パターンの形成時に生じる廃棄物の量を従来よりも大幅に低減して、歩留まりを高めることができると共に、少ない工程数で比抵抗の低い導体パターンを容易に大きな面積に形成することができる導電性ペースト及び導体パターンを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の請求項１に係る導電性ペーストは、金属ナノワイヤと、ガラス転移温度（Ｔｇ）が０〜２５０℃のバインダー樹脂とを含有することを特徴とするものである。
【０００８】
請求項２に係る発明は、請求項１において、金属ナノワイヤの平均直径が１０〜８００ｎｍであり、平均長さが０．２〜１００μｍであることを特徴とするものである。
【０００９】
請求項３に係る発明は、請求項１又は２において、バインダー樹脂がセルロース誘導体であることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の請求項４に係る導体パターンは、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の導電性ペーストを用いて形成されていることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の請求項５に係る導体パターンは、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の導電性ペーストが所定形状で基材に印刷された後にプレスして形成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の請求項６に係る導体パターンは、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の導電性ペーストが所定形状で基材に印刷された後に加熱加湿処理して形成されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の請求項１に係る導電性ペーストによれば、導体パターンの形成時に生じる廃棄物の量を従来よりも大幅に低減して、歩留まりを高めることができると共に、少ない工程数で比抵抗の低い導体パターンを容易に大きな面積に形成することができるものである。
【００１４】
請求項２に係る発明によれば、導電性ペーストを用いて透明な基材に導体パターンを形成する場合に、導体パターンの導体幅を細くすることができ、基材の透明性を保持しつつ、導体パターンの比抵抗をさらに低くすることができるものである。
【００１５】
請求項３に係る発明によれば、セルロース誘導体によって、さらに比抵抗の低い導体パターンを形成することができるものである。
【００１６】
本発明の請求項４に係る導体パターンによれば、比抵抗が低いものである。
【００１７】
本発明の請求項５に係る導体パターンによれば、プレスによって比抵抗をさらに低くすることができるものである。
【００１８】
本発明の請求項６に係る導体パターンによれば、加熱加湿処理によって比抵抗をさらに低くすることができるものである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００２０】
本発明に係る導電性ペーストは、金属ナノワイヤと、ガラス転移温度（Ｔｇ）が０〜２５０℃のバインダー樹脂とを含有するものである。
【００２１】
金属ナノワイヤとしては、任意のものを用いることができるものであり、その製造方法としては、特に限定されるものではなく、液相法や気相法などの公知の方法を使用することができる。例えば、Ａｇナノワイヤの製造方法としては、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００２，１４，Ｐ８３３〜８３７や、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００２，１４，Ｐ４７３６〜４７４５、特表２００９−５０５３５８号公報等に記載された方法を使用することができ、またＡｕナノワイヤの製造方法としては、特開２００６−２３３２５２号公報等に記載された方法を使用することができ、またＣｕナノワイヤの製造方法としては、特開２００２−２６６００７号公報等に記載された方法を使用することができ、またＣｏナノワイヤの製造方法としては、特開２００４−１４９８７１号公報等に記載された方法を使用することができる。特に、上記のＡｄｖ．Ｍａｔｅｒ．及びＣｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．で報告されたＡｇナノワイヤの製造方法は、水系で簡便にかつ大量にＡｇナノワイヤを製造することができ、また銀の導電率は金属中で最大であることから、本発明で使用する金属ナノワイヤの製造方法として好ましい。
【００２２】
また金属ナノワイヤの平均直径は、透明性の観点から、８００ｎｍ以下であることが好ましく、２００ｎｍ以下であることがより好ましく、導電性の観点から、１０ｎｍ以上であることが好ましい。平均直径が８００ｎｍ以下であれば光透過率の低下を抑えることができるため好ましい。一方、平均直径が１０ｎｍ以上であれば導電体としての機能を有意に発現することができ、平均直径がより大きい方が導電性が向上するため好ましい。従って、金属ナノワイヤの平均直径は、２０〜１５０ｎｍであることがより好ましく、４０〜１５０ｎｍであることが最も好ましい。また金属ナノワイヤの平均長さは、導電性の観点から、０．２μｍ以上であることが好ましく、凝集による透明性への影響から、１００μｍ以下であることが好ましい。金属ナノワイヤの平均長さは、０．５〜５０μｍであることがより好ましく、３〜５０μｍであることが最も好ましい。このように、金属ナノワイヤの平均直径及び平均長さが上記範囲内であることによって、導電性ペーストを用いて透明な基材に導体パターンを形成する場合に、導体パターンの導体幅を細くすることができ、基材の透明性を保持しつつ、導体パターンの比抵抗をさらに低くすることができるものである。
【００２３】
なお、金属ナノワイヤの平均直径及び平均長さは、ＳＥＭやＴＥＭを用いて十分な数の金属ナノワイヤについて電子顕微鏡写真を撮影し、個々の金属ナノワイヤ像の計測値の算術平均から求めることができる。金属ナノワイヤの長さは、本来直線状に伸ばした状態で求めるべきであるが、現実には屈曲している場合が多いため、電子顕微鏡写真から画像解析装置を用いて金属ナノワイヤの投影径及び投影面積を算出し、円柱体を仮定して算出する（長さ＝投影面積／投影径）ものとする。計測対象の金属ナノワイヤ数は、少なくとも１００個以上が好ましく、３００個以上の金属ナノワイヤを計測するのがより好ましい。
【００２４】
また、導電性ペースト全量に対して金属ナノワイヤの含有量は５〜９９質量％であることが好ましく、５０〜９６質量％であることがより好ましく、７０〜９４質量％であることが最も好ましい。金属ナノワイヤの含有量が上記範囲内であることによって、形成される導体パターンに十分な導電性を付与することができるものである。金属ナノワイヤの含有量が１０質量％未満であると、十分な導電性が得られないおそれがあり、逆に、金属ナノワイヤの含有量が９９質量％を超えると、ペーストとしての性状を保てずにパターン印刷ができなくなるおそれがある。
【００２５】
また、ガラス転移温度（Ｔｇ）が０〜２５０℃のバインダー樹脂としては、特に限定されるものではなく、適宜のものを用いることができる。ガラス転移温度（Ｔｇ）が０〜２５０℃のバインダー樹脂を用いれば、加熱して乾燥する際に樹脂が軟化又は溶融するなどして金属ナノワイヤが導通状態となるのを促進するので、導体パターンの導電性を向上させることができるものである。特に、導電性ペーストを基材に印刷や塗布した後、後述のようにプレスや加熱加湿処理等により導体パターンを形成した場合、ガラス転移温度が上記範囲内にあるバインダー樹脂が軟化又は溶融しやすくなり、導体パターンの導電性をさらに向上させることができるものである。しかし、バインダー樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）が０℃未満であると、印刷後の導体パターンが脆く、崩れやすくなり、逆にバインダー樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）が２５０℃を超えると、溶解度が低くなりすぎて、バインダー樹脂を溶剤に溶解させることができず、ペースト状にすることができない。なお、バインダー樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、示差走査熱分析（ＤＳＣ）により測定することができる。
【００２６】
具体的には、ガラス転移温度（Ｔｇ）が０〜２５０℃のバインダー樹脂としては、例えば、セルロース誘導体、ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂などや、−ＣＯＣ−骨格、−ＣＯＯ−骨格などを含むこれらの樹脂の誘導体などを用いることができる。その中でもバインダー樹脂としては、セルロース誘導体を用いるのが好ましい。このようにセルロース誘導体をバインダー樹脂として用いると、導電性ペーストを基材に印刷や塗布した後、後述のようにプレスや加熱加湿処理等により導体パターンを形成した場合、バインダー樹脂であるセルロース樹脂が軟化又は溶融して金属ナノワイヤ間から排出されやすくなり、結果として金属ナノワイヤ同士の接触点や接触面積が増加することによって、さらに比抵抗が低く、導電性がより高い導体パターンを形成することができるものである。
【００２７】
ここで、セルロース誘導体は、セルロース系樹脂であり、そのガラス転移温度（Ｔｇ）は０〜２５０℃である。このようなセルロース誘導体としては、特に限定されるものではないが、エチルセルロース（Ｔｇ：１４０〜１６０℃）、セルロースアセテートブチレート：ブチル基／水酸基＝５２．０／１．８（Ｔｇ：１０１℃）、セルロースアセテートブチレート：ブチル基／水酸基＝４６．０／４．８（Ｔｇ：１３６℃）、セルロースアセテートブチレート：ブチル基／水酸基＝１７．０／１．１（Ｔｇ：１６１℃）などの有機基が導入されたセルロースを用いるのが好ましい。このようなセルロース誘導体を用いることにより、導体パターンの導電性をさらに向上させることができるものである。
【００２８】
また、導電性ペースト全量に対してガラス転移温度（Ｔｇ）が０〜２５０℃のバインダー樹脂の含有量は０．１〜５０質量％であることが好ましく、０．２〜３０質量％であることがより好ましく、０．２〜１０質量％であることが最も好ましい。バインダー樹脂の含有量が上記範囲内であることによって、印刷しやすいペースト性状を得ることができると共に、形成される導体パターンに十分な導電性を付与することができるものである。バインダー樹脂の含有量が０．１質量％未満であると、ペーストとしての性状を得ることができないおそれがあり、逆に、バインダー樹脂の含有量が５０質量％を超えると、金属ナノワイヤの含有比率が相対的に低くなり十分な導電性を得ることができないおそれがある。
【００２９】
また、導電性ペーストにおいて、金属ナノワイヤと、ガラス転移温度（Ｔｇ）が０〜２５０℃のバインダー樹脂との混合比は質量比で５０：５０〜９９：１であることが好ましい。金属ナノワイヤとバインダー樹脂との混合比が上記範囲内であることによって、さらに印刷しやすいペースト性状を得ることができると共に、形成される導体パターンに十分な導電性を付与することができるものである。金属ナノワイヤの含有量が上記範囲よりも少ないと、十分な導電性が得られないおそれがあり、逆に、金属ナノワイヤの含有量が上記範囲よりも多いと、バインダー樹脂の含有量が少なくなり、ペーストとしての性状を得ることができないおそれがある。
【００３０】
そして、導電性ペーストは、好ましくは適宜の溶剤に金属ナノワイヤとガラス転移温度（Ｔｇ）が０〜２５０℃のバインダー樹脂とを分散させることによって調製することができる。この場合、溶剤としては、金属ナノワイヤの分散性が良好で揮発性のあるものを用いるのが好ましく、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、酢酸エチル、シクロヘキサノン、トルエン、キシレン、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、１−（２−メトキシ−２−メチルエトキシ）−２−プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、及び水等を用いることができ、これらをそれぞれ単独で用いたり、任意の割合で混合した混合溶液として用いたりすることができる。
【００３１】
また導電性ペーストを調製するにあたって、溶剤の含有量は、導電性ペースト（溶剤を含む）全量に対して、０．１〜５０質量％であることが好ましい。溶剤の含有量が０．１質量％未満であると、金属ナノワイヤやバインダー樹脂を十分に分散させることができず、均一な導電性ペーストを得ることができなくなるおそれがあり、逆に、溶剤の含有量が５０質量％を超えると、導電性ペーストを基材に印刷した後乾燥させる際に、溶剤を揮発させて除去するのに時間がかかるおそれがある。
【００３２】
そして、本発明に係る導体パターンは、上記のようにして調製された導電性ペーストを用いて形成されているものである。
【００３３】
導体パターンを形成するにあたっては、まず基材の表面に導電性ペーストを所定形状で印刷する。この場合、基材としては、その形状、構造、大きさ等については、特に限定されるものではなく、目的に応じて適宜選択することができる。基材の形状としては、例えば、平板状、シート状、フィルム状などが挙げられ、また構造としては、例えば、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、適宜選択することができる。基材の材料についても特に限定されるものではなく、無機材料及び有機材料のいずれであっても好適に用いることができる。無機材料としては、例えば、ガラス、石英、シリコンなどが挙げられる。また有機材料としては、例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等のアセテート系樹脂；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル系樹脂；ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリノルボルネン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリアクリル系樹脂などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３４】
また、導電性ペーストを基材に印刷して形成される導体パターンの形状としては、特に限定されるものではないが、例えば、プラズマディスプレイ等に用いる透視性電磁波シールド材を製造する場合には、透明基材の表面に格子状又は網目状（メッシュ状）等の形状パターンで印刷することができる。また、印刷方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷等を使用することができる。
【００３５】
その後、基材の表面に印刷された導電性ペーストを例えば５０〜１５０℃、０．１〜１８０分の条件などで加熱して乾燥させることによって、導体パターンを形成することができる。このように、導体パターンは、導電性ペーストを用いて形成されるので、ＩＴＯ被膜等の透明導電膜をフォトリソグラフィ及びエッチングによりパターニングして導体パターンを形成する従来の方法よりも、導体パターンの形成時に生じる廃棄物の量を大幅に低減して、歩留まりを高めることができると共に、少ない工程数で比抵抗の低い導体パターンを容易に大きな面積に形成することができるものである。
【００３６】
導体パターンの形成方法としては、上記の方法以外にも適宜の方法を使用することができるが、好ましくは、導電性ペーストを基材の表面に所定形状で印刷した後に、プレス又は加熱加湿処理して形成するものである。このように、導電性ペーストがプレス又は加熱加湿処理されて導体パターンが形成されることにより、さらに比抵抗が低く、導電性の高い導体パターンを得ることができるものである。
【００３７】
ここで、プレスは、上記のように導電性ペーストを印刷した後に乾燥して形成された導体パターンをさらに加熱加圧装置を用いて加熱しながら加圧することにより行うことができる。このようにして形成された導体パターンは、プレスで圧縮されることによって金属ナノワイヤ同士の接触点や接触面積が増加するので、プレスされていない従来の導体パターンに比べて、比抵抗が低くなり、導電性が高くなるものである。特にプレスは、５０〜１５０℃、０．９８ｋＰａ〜１９．６ＭＰａ（０．０１〜２００ｋｇｆ／ｃｍ２）、０．１〜１８０分の条件で行うのが好ましい。また加熱加圧装置としては、平板プレスやロールプレスなどを用いるのが好ましい。また、加熱加圧処理の終了後に、圧力を保ったまま水冷等で急速冷却、例えば１１０℃から４０℃まで３０分で冷却することも導電性ペーストの圧縮状態を保つ上で有効である。
【００３８】
なお、プレスする場合には、導電性ペーストが印刷された基材と加熱加圧装置との間に離型シートを介在させるようにしてもよい。離型シートとしては、ポリエステルフィルム、ポリエステルフィルムにシリコーン樹脂等の剥離剤を塗布して剥離剤層を設けたもの、公知の偏光板等を用いることができる。
【００３９】
他方、加熱加湿処理は、上記のように導電性ペーストを印刷した後に乾燥して形成された導体パターンに高温の水蒸気を噴出することにより行うことができる。このようにして形成された導体パターンは、バインダー樹脂が金属ナノワイヤ間から流れ出して排出され、金属ナノワイヤ同士の接触点や接触面積が増加するので、加熱加湿処理されていない従来の導体パターンに比べて、比抵抗が低くなり、導電性が高くなるものである。特に加熱加湿処理は、４０〜２００℃、湿度５０〜１００％、０．０００１〜１００時間の条件で行うのが好ましい。
【００４０】
また、加熱加湿処理を加圧条件下で行い、水蒸気の圧力でプレスすることも好ましい。このように、導電性ペーストが水蒸気の圧力によりプレスされて導体パターンが形成されることにより、さらに導電性の高い導体パターンを容易に得ることができるものである。水蒸気の圧力でプレスするにあたっては、加熱加湿加圧装置を用いることができるが、この加熱加湿加圧装置としては、圧力計や温度計等を備えた通常の耐圧容器等、例えば圧力釜やオートクレーブなどを用いることができる。特に加熱加湿加圧処理は、３０〜２００℃、湿度５０〜１００％、圧力０．９８ｋＰａ〜１９．６ＭＰａ（０．０１〜２００ｋｇｆ／ｃｍ２）、０．０００１〜１００時間の条件で行うのが好ましい。また、加熱加湿加圧処理の終了後に、圧力を保ったまま水冷等で急速冷却、例えば１１０℃から４０℃まで３０分で冷却することも導電性ペーストの圧縮状態を保つ上で有効である。
【００４１】
そして、加圧条件下での加熱加湿処理は、導電性ペーストが印刷され乾燥された基材を加熱加湿加圧装置の中に入れて、水蒸気の圧力によりさらに導電性ペーストをプレスすることにより行うことができる。このようにして形成された導体パターンは、加圧された水蒸気によってバインダー樹脂が金属ナノワイヤ間から流れ出して排出されるのが促進されると共に、水蒸気の圧力によるプレスで圧縮されることによって金属ナノワイヤが凝集されるので、金属ナノワイヤ同士の接触点や接触面積がさらに増加し、プレスや加熱加湿処理されていない従来の導体パターンに比べて、一層比抵抗が低くなり、導電性が高くなるものである。また、加熱加湿処理を加圧条件下で行うことにより、短時間で効率よく導体パターンを容易に形成することができるものである。
【００４２】
既述の平板プレスなどの加熱加圧装置を用いると、基材の表面に対して垂直な方向に導体パターンが圧縮されるのでその導体幅が広がるおそれがある。しかし、水蒸気の圧力によりプレスする方法によれば、一定方向のみに導体パターンが圧縮されるわけではないのでその導体幅が広がるのを防止することができるものである。また、既述の加圧しない加熱加湿処理では、バインダー樹脂が金属ナノワイヤ間に残留してしまうおそれがある。しかし、水蒸気の圧力によりプレスする方法によれば、この圧力によりバインダー樹脂を金属ナノワイヤ間から押し出して排出させることができ、バインダー樹脂の除去をさらに促進することができるものである。
【実施例】
【００４３】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００４４】
（実施例１）
金属ナノワイヤとして銀ナノワイヤを用いた。この銀ナノワイヤは、公知論文「MaterialsChemistry and Physics vol.114 p333-338 “Preparation of Ag nanorods with high yield by polyol process”」に準じて作製したものであり、平均直径１５０ｎｍ、平均長さ５μｍであった。
【００４５】
そして、上記銀ナノワイヤ８ｇと、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート：ブチル基／水酸基＝５２．０／１．８、EASTMAN製「CAB-551-0.2」、ガラス転移温度１０１℃）０．５ｇとを、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）１．８ｍＬに分散させることによって、導電性ペーストを調製した。
【００４６】
次に、上記導電性ペーストを基材（ＰＥＴフィルム）の表面に平面視矩形状（５ｍｍ×３０ｍｍ×０．１ｍｍ）にスクリーン印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体パターンＡを形成した。
【００４７】
（実施例２）
実施例１と同様の材料及び方法にて調製した導電性ペーストを基材（ＰＥＴフィルム）の表面に、線幅／ピッチ／線の深さ＝１５μｍ／１００μｍ／７μｍのメッシュパターンのグラビア版を用いてダイレクトグラビア印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体パターンＢを形成した。
【００４８】
（実施例３）
実施例１により得た導体パターンＡを加熱加圧装置にて１１５℃、２４９ｋＰａ（２．５４ｋｇｆ／ｃｍ２）、５０分の条件でプレスすることによって、導体パターンＣを形成した。
【００４９】
（実施例４）
実施例２により得た導体パターンＢを加熱加圧装置にて１１５℃、２４９ｋＰａ（２．５４ｋｇｆ／ｃｍ２）、５０分の条件でプレスすることによって、導体パターンＤを形成した。
【００５０】
（実施例５）
実施例１により得た導体パターンＡをさらに１１５℃、湿度１００％、０．１０ＭＰａ（１．０５ｋｇｆ／ｃｍ２）、１時間の条件でオートクレーブにて加圧条件下、加熱加湿処理することによって、導体パターンＥを形成した。
【００５１】
（実施例６）
実施例２により得た導体パターンＢをさらに１１５℃、湿度１００％、０．１０ＭＰａ（１．０５ｋｇｆ／ｃｍ２）、１時間の条件でオートクレーブにて加圧条件下、加熱加湿処理することによって、導体パターンＦを形成した。
【００５２】
（実施例７）
バインダー樹脂として非結晶性ポリエステル樹脂（東洋紡製「バイロン２００」、ガラス転移温度６７℃）を用いた。それ以外は、実施例１と同様の材料及び方法にて導電性ペーストを調製し、この導電性ペーストを用いてスクリーン印刷及び乾燥を行った後、プレスすることによって、導体パターンＧを形成した。
【００５３】
（比較例１）
金属ナノワイヤの代わりに銅粉（三井金属工業製「１１００Y」、平均粒径１．１μｍ）を用いるようにした以外は、実施例１と同様の材料及び方法にて導電性ペーストを調製し、この導電性ペーストを用いてスクリーン印刷及び乾燥を行うことによって、導体パターンＨを形成した。
【００５４】
（評価）
実施例１、３、５、７及び比較例１の導体パターンの比抵抗並びに実施例２、４、６の表面抵抗を測定した。その結果を下記［表１］に示す。
【００５５】
【表１】
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実施例１〜７の導体パターンは、比較例１の導体パターンに比べて、導電性が高いことが確認された。