(57)【要約】【課題】基板表面のパターンの倒壊を効果的に抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】この基板処理方法は、表面に薄膜パターン１０が形成された基板Ｗの表面に、純水の比抵抗以上の比抵抗を有する絶縁液体２１を供給する絶縁液体供給工程と、基板Ｗに電圧を印加することにより薄膜パターン１０を帯電させる帯電工程と、帯電工程と並行して、絶縁液体２１を基板Ｗの表面から排除する乾燥工程とを含む。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に薄膜パターンが形成された基板の表面に、純水の比抵抗以上の比抵抗を有する絶縁液体を供給する絶縁液体供給工程と、
前記基板に電圧を印加することにより、前記薄膜パターンを帯電させる帯電工程と、
前記帯電工程と並行して、前記絶縁液体を基板の表面から排除する乾燥工程とを含む、基板処理方法。
【請求項２】
前記帯電工程は、前記絶縁液体の帯電極性と同極性に前記薄膜パターンを帯電させるように、前記基板に電圧を印加する工程を含む、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記絶縁液体供給工程は、絶縁液体を一方の極性に帯電させる絶縁液体帯電工程と、帯電された絶縁液体を前記基板の表面に供給する工程とを含む、請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記絶縁液体は、大気中で純水以上の比抵抗を保持することができる液体である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記薄膜パターンが、少なくとも絶縁層を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記基板は、基板表面全域に電圧を印加させることができる基板である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
表面に薄膜パターンが形成された基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の表面に、純水の比抵抗以上の比抵抗を有する絶縁液体を供給する絶縁液体供給手段と、
前記薄膜パターンが帯電するように、前記基板保持手段に保持された基板に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記基板の表面の絶縁液体を排除する乾燥手段と、
前記電圧印加手段および前記乾燥手段を制御し、前記電圧印加手段による基板への電圧印加と、前記乾燥手段による絶縁液体の排除とを並行して行わせる制御手段とを含む、基板処理装置。
【請求項８】
前記電圧印加手段は、前記絶縁液体の帯電極性と同極性に前記薄膜パターンを帯電させるように、前記基板に電圧を印加するものである、請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記絶縁液体供給手段は、前記絶縁液体を一方の極性に帯電させる絶縁液体帯電手段を含み、前記帯電された絶縁液体を前記基板の表面に供給するものである、請求項７または８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記乾燥手段が、前記基板保持手段に保持された基板を回転させる基板回転手段を含む、請求項７〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記絶縁液体供給手段が、前記基板保持手段に保持された基板を絶縁液体中に浸漬させるように構成された処理槽を含み、
前記乾燥手段が、前記処理槽内の絶縁液体外へと前記基板を取り出す基板取り出し手段を含む、請求項７〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を処理するための方法および装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
処理液を用いて基板を処理する装置は、枚葉型の装置と、バッチ型の装置に大別される。枚葉型の装置は基板を一枚ずつ処理するのに対して、バッチ型の装置は一組のバッチを構成する複数枚の基板に対して一括して処理を施すように構成されている。
枚葉型の基板処理装置は、たとえば、基板を保持して回転するスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板に処理液を供給する処理液ノズルとを含む。スピンチャックに保持された基板に対して薬液が供給され、その後に純水が供給されることにより、基板上の薬液が純水に置換される。その後に、基板上の純水を排除するためのスピン乾燥処理が行われる。
【０００３】
バッチ型の基板処理装置は、処理液を貯留した処理液槽と、バッチを構成する複数枚の基板を一括して保持する保持アームと、保持アームを昇降する昇降機構とを備えている。昇降機構によって保持アームを昇降することにより、複数枚の基板が処理液槽内の処理液内に一括して浸漬されたり、その処理液から引き上げられたりする。薬液を用いた処理を基板に施すときは、処理液槽内に薬液が貯留され、この薬液内に基板が浸漬される。薬液処理の後には、純水を貯留した別の処理液槽内に基板を移すか、または、同じ処理槽内の薬液を排出し、そこに純水を貯留して、その純水中に基板が浸漬される。これによって、基板表面の薬液が純水に置換される。その後、純水から基板を引き上げることにより、基板表面の純水が排除される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２３４８８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板の表面には微細な薄膜が形成されている。とくに、半導体基板の表面には、高集積化のために、微細で、かつアスペクト比の高い薄膜パターンが形成されている。具体的には、酸化シリコン等の絶縁膜およびポリシリコン膜等の導電性膜を積層した多層構造の薄膜微細パターンが形成されている場合がある。このような微細で高アスペクト比の薄膜パターンが形成された基板を洗浄するときに、パターンが倒壊するという問題が生じることがある。
【０００６】
この問題について本件発明者が詳細に検討したところ、薬液または純水による基板表面の洗浄後に、基板表面から液成分を排除する乾燥処理を行うときに、隣接するパターン同士が引きつけ合って接触し、パターン倒壊に至ることがわかった。この原因の一つは、隣接するパターン間の液による表面張力にあると推定される。すなわち、隣接するパターン間の液が排除されるときに、隣接するパターン同士に表面張力による引力が働き、その結果、パターン倒壊に至ると推定される。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、基板表面のパターンの倒壊を効果的に抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、表面に薄膜パターン（１０）が形成された基板（Ｗ）の表面に、純水の比抵抗以上の比抵抗を有する絶縁液体（２１）を供給する絶縁液体供給工程と、前記基板（Ｗ）に電圧を印加することにより、前記薄膜パターン（１０）を帯電させる帯電工程と、前記帯電工程と並行して、前記絶縁液体（２１）を基板（Ｗ）の表面から排除する乾燥工程とを含む、基板処理方法である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表すが、特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。以下、この項において同じ。
【０００９】
この方法によれば、絶縁液体を基板の表面から排除する乾燥工程において、基板に対して電圧が印加される。これにより、薄膜パターンが帯電するので、隣接する薄膜パターンは、互いに相手を遠ざける力、すなわち斥力を生じることになる。その結果、隣接する薄膜パターン同士の引力、とくに絶縁液体により生じる表面張力により生じる引力に抗して、薄膜パターンの倒壊を効果的に抑制することができる。その結果、絶縁液体の表面張力等に起因するパターン倒壊を抑制しながら、絶縁液体を基板の表面から排除することができる。
【００１０】
請求項２記載の発明は、前記帯電工程は、前記絶縁液体（２１）の帯電極性と同極性に前記薄膜パターン（１０）を帯電させるように、前記基板（Ｗ）に電圧を印加する工程を含む、請求項１記載の基板処理方法である。
この方法によれば、絶縁液体と同極性に薄膜パターンが帯電されるので、薄膜パターンに生じた電荷（とくに分極による電荷）が絶縁液体中の帯電によって中和されることがない。これにより、隣接する薄膜パターンの間に効果的に斥力を作用させることができるから、パターンの倒壊を一層効果的に抑制することができる。
【００１１】
絶縁液体がいずれの極性にも帯電していない場合には、薄膜パターンはいずれの極性に帯電されてもよい。
請求項３記載の発明は、前記絶縁液体供給工程は、絶縁液体（２１）を一方の極性に帯電させる絶縁液体帯電工程と、帯電された絶縁液体（２１）を前記基板（Ｗ）の表面に供給する工程とを含む、請求項１または２記載の基板処理方法である。
【００１２】
この方法では、絶縁液体が一方の極性（＋極性または−極性）に帯電される。したがって、たとえば請求項２の発明の特徴と組み合わせる場合に、絶縁液体の帯電極性と薄膜パターンの帯電極性とを容易に整合させることができる。その結果、隣接する薄膜パターンの間に確実に斥力を生じさせることができる。これにより、一層効果的にパターン倒壊を抑制することができる。
【００１３】
請求項４記載の発明は、前記絶縁液体（２１）は、大気中で純水以上の比抵抗を保持することができる液体である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
このような絶縁液体は、充分に高い比抵抗を大気中で維持できるので、薄膜パターンに生じた電荷が当該絶縁液体を通じて除電されることがない。それにより、隣接する薄膜パターンの間に、より一層効果的に斥力を生じさせることができる。しかも、大気中で基板処理を行って差し支えないので、基板の周囲の雰囲気制御が容易である。
【００１４】
大気中で純水以上の比抵抗を有する絶縁液体の例としては、ＨＦＥ（ハイドルフルオロエーテル）、およびＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を挙げることができる。純水の比抵抗は１８ＭΩ・cmであり、ＨＦＥの比抵抗は２×１０５ＭΩ・cmであり、ＩＰＡの比抵抗は、２×１０２ＭΩ・cmである。「大気中で純水以上の比抵抗を保持することができる」とは、具体的には、絶縁液体が基板に供給されてから、絶縁液体を排除するための乾燥工程が終了するまで、純水以上の比抵抗を保持できることをいう。
【００１５】
絶縁液体として純水を用いる場合には、基板の周囲の雰囲気を低二酸化炭素濃度雰囲気に制御することが好ましい。低二酸化炭素濃度雰囲気は、窒素ガスその他の不活性ガスの雰囲気であってもよい。すなわち、基板の近傍に不活性ガスを供給して、基板の周囲の雰囲気を不活性ガス雰囲気に制御してもよい。純水は、大気と接触すると、大気中の二酸化炭素を取り込んで、その比抵抗が容易に減少してしまう。そこで、基板の周囲の雰囲気を低二酸化炭素濃度雰囲気に制御しておくことによって、純水の比抵抗の低下を抑制できるので、隣接する薄膜パターン間に確実に斥力を作用させることができる。大気中で純水以上の比抵抗を維持できる絶縁液体を用いる場合には、このような雰囲気制御は不要となる。
【００１６】
請求項５記載の発明は、前記薄膜パターンが、少なくとも絶縁層（７，８）を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
薄膜パターンが少なくとも絶縁層を有していることにより、基板に対して電圧を印加することで、薄膜パターンを帯電させることができる。すなわち、基板に電圧を印加すると、絶縁層内で分極が生じ、薄膜パターンは基板に印加した電圧と同極性に帯電する。これにより、隣接する薄膜パターン同士に効果的に斥力を作用させることができる。
【００１７】
前記薄膜パターンは、一層または複数層の絶縁層を含んでもよく、さらに、導体層を含んでいてもよい。導体層としては、低抵抗化したシリコン層（たとえばアモルファスシリコン層またはポリシリコン層）および金属層を挙げることができる。絶縁層の一例は、酸化シリコン層である。
請求項６記載の発明は、前記基板（Ｗ）は、基板表面全域に電圧を印加させることができる基板である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
【００１８】
このような基板は、たとえば、導電性基板、半導体基板、表面に導体膜または半導体膜を有する基板（たとえば絶縁性基板）のいずれであってもよい。表面に導体膜または半導体膜を有する基板は、導体膜および絶縁膜の積層膜が表面に形成された基板であってもよいし、半導体膜および絶縁膜の積層膜が表面に形成された基板であってもよい。
請求項７記載の発明は、表面に薄膜パターン（１０）が形成された基板（Ｗ）を保持する基板保持手段（１１；９２）と、前記基板保持手段（１１；９２）に保持された基板（Ｗ）の表面に、純水の比抵抗以上の比抵抗を有する絶縁液体（２１）を供給する絶縁液体供給手段（１３，２０；９１，９３，１０４）と、前記薄膜パターン（１０）が帯電するように、前記基板保持手段（１１；９２）に保持された基板（Ｗ）に電圧を印加する電圧印加手段（２６，２７；９２，１０５，１０６；１０５，１０６，１１０）と、前記基板（Ｗ）の表面の絶縁液体（２１）を排除する乾燥手段（３０；９６，９７）と、前記電圧印加手段（２６，２７；９２，１０５，１０６；１０５，１０６，１１０）および前記乾燥手段（３０；９６，９７）を制御し、前記電圧印加手段（２６，２７；９２，１０５，１０６；１０５，１０６，１１０）による基板（Ｗ）への電圧印加と、前記乾燥手段（３０；９６，９７）による絶縁液体（２１）の排除とを並行して行わせる制御手段（２８；１０７）とを含む、基板処理装置である。
【００１９】
この構成により、請求項１の発明に関連して述べた効果と同様の効果を奏することができる。むろん、この基板処理装置の発明に関連しても、基板処理方法と同様の変更を施すことができる。
具体的には、請求項８に記載されているように、前記電圧印加手段（２６，２７；９２，１０５，１０６；１０５，１０６，１１０）は、前記絶縁液体（２１）の帯電極性と同極性に前記薄膜パターン（１０）を帯電させるように、前記基板（Ｗ）に電圧を印加するものであってもよい。
【００２０】
また、請求項９に記載されているように、前記絶縁液体供給手段（１３，２０；９１，９３，１０４）は、前記絶縁液体（２１）を一方の極性に帯電させる絶縁液体帯電手段（２４，２５）を含み、前記帯電された絶縁液体（２１）を前記基板（Ｗ）の表面に供給するものであってもよい。
請求項１０記載の発明は、前記乾燥手段が、前記基板保持手段（１１）に保持された基板（Ｗ）を回転させる基板回転手段（３０）を含む、請求項７〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置である。基板保持手段（１１）が、１枚の基板を保持するものである場合、基板処理装置は、基板（Ｗ）を一枚ずつ処理する枚葉型の装置形態を有することになる。
【００２１】
請求項１１記載の発明は、前記絶縁液体供給手段が、前記基板保持手段（９２）に保持された基板（Ｗ）を絶縁液体（２１）中に浸漬させるように構成された処理槽（９１）を含み、前記乾燥手段が、前記処理槽内の絶縁液体外へと前記基板を取り出す基板取り出し手段（９６，９７）を含む、請求項７〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置である。基板保持手段は、複数枚の基板（Ｗ）を一括して処理槽内で保持する保持アーム（９２）であってもよい。この場合、基板処理装置は、複数枚の基板を一括して処理するバッチ型の装置形態を有することになる。基板取り出し手段は、基板保持手段を持ち上げることによって、処理槽内の絶縁液体から基板を取り出す昇降機構（９７）を含んでいてもよい。また、基板取り出し手段は、処理槽内の絶縁液体を排液することにより処理槽内の液位を下げる排液手段（９６）であってもよい。排液手段は、処理槽に接続された排液管（９５）に介装された排液バルブ（９６）を含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、この発明の一実施形態による基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。
【図２】前記基板処理装置に備えられたスピンチャックの構成を説明するための図解的な斜視図である。
【図３】スピンチャックの保持ピンの近傍の構成を拡大して示す断面図である。
【図４】図４Ａは、処理対象の基板の一例を説明するための図解的な平面図であり、図４Ｂはその一部の図解的な断面図である。
【図５Ａ】基板に対する処理の流れを説明するための図である。
【図５Ｂ】基板に対する処理の流れを説明するための図であり、図５Ａの次の工程を示す。
【図５Ｃ】基板に対する処理の流れを説明するための図であり、図５Ｂの次の工程を示す。
【図５Ｄ】基板に対する処理の流れを説明するための図であり、図５Ｃの次の工程を示す。
【図５Ｅ】基板に対する処理の流れを説明するための図であり、図５Ｄの次の工程を示す。
【図５Ｆ】基板に対する処理の流れを説明するための図であり、図５Ｅの次の工程を示す。
【図６】乾燥工程（図５Ｆ）における基板の表面状態を説明するための図解的な断面図である。
【図７】この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。
【図８Ａ】図７の実施形態における基板処理の流れを説明するための図解的な断面図である。
【図８Ｂ】図７の実施形態における基板処理の流れを説明するための図解的な断面図であり、図８Ａの次の工程を示す。
【図８Ｃ】図７の実施形態における基板処理の流れを説明するための図解的な断面図であり、図８Ｂの次の工程を示す。
【図８Ｄ】図７の実施形態における基板処理の流れを説明するための図解的な断面図であり、図８Ｃの次の工程を示す。
【図９】この発明のさらに他の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態による基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。この基板処理装置１は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型の処理ユニットであって、基板に対して処理液を供給することにより、当該基板の表面処理を行うものである。基板Ｗは、たとえば、半導体基板（半導体ウエハ。ほぼ円形の基板）である。基板Ｗの表面には、少なくとも絶縁膜を含む薄膜パターンが形成されている。
【００２４】
基板処理装置１は、スピンチャック１１と、処理液ノズル１２と、絶縁液体ノズル１３とを備えている。スピンチャック１１は、基板Ｗをほぼ水平に保持するとともに、この保持した基板Ｗのほぼ中心を通る鉛直な回転軸線１１ａまわりに回転させる基板保持機構である。処理液ノズル１２は、スピンチャック１１に保持されて回転されている基板Ｗの表面に向けて処理液を供給するように構成されている。絶縁液体ノズル１３は、大気中における比抵抗が純水の比抵抗以上に保持される絶縁液体２１を基板Ｗの表面に向けて供給するように構成されている。このような絶縁液体の一例は、ＨＦＥ（ハイドルフルオロエーテル）である。
【００２５】
処理液ノズル１２は、スピンチャック１１の上方に備えられており、基板Ｗの上面に処理液を供給するようになっている。この処理液ノズル１２には、純水供給源からの純水（脱イオン水：リンス液の一例）が純水バルブ１５を介して供給でき、また、薬液供給源からの薬液（エッチング液など）を薬液バルブ１６を介して供給できるようになっている。処理液ノズル１２は、基板Ｗの上面の回転中心に向けて処理液を供給する。この処理液は、基板Ｗ上で遠心力を受けて周縁部へと拡がり、基板Ｗの上面全域に至る。
【００２６】
絶縁液体ノズル１３も同様に、スピンチャック１１の上方に備えられており、基板Ｗの上面に絶縁液体２１を供給するようになっている。この絶縁液体ノズル１３には、絶縁液体供給源２０からの絶縁液体２１（たとえばＨＦＥ）が絶縁液体バルブ１７を介して供給できるようになっている。絶縁液体ノズル１３は、基板Ｗの上面の回転中心に向けて絶縁液体２１を供給する。この絶縁液体２１は、基板Ｗ上で遠心力を受けて周縁部へと拡がり、基板Ｗの上面全域に至る。
【００２７】
絶縁液体供給源２０は、たとえば、絶縁液体２１を貯留するタンク２２と、タンク２２内の絶縁液体２１を汲み出して絶縁液体ノズル１３に向けて供給するポンプ２３と、タンク２２内の絶縁液体２１に接するように配置された電極２４と、電極２４に電圧を印加する電源２５（直流電源）とを含む。電源２５は、電極２４に対して一方の極性（たとえば＋極性）の直流電圧を印加する。これにより、絶縁液体２１は、当該一方の極性に帯電することになる。したがって、絶縁液体バルブ１７が開かれると、その帯電状態の絶縁液体２１が、絶縁液体ノズル１３から基板Ｗの表面に供給される。
【００２８】
スピンチャック１１は、モータ等を含む回転駆動機構３０の駆動軸である金属製の回転軸３１に結合されて回転されるようになっている。この回転軸３１は、中空軸とされていて、その内部には、リンス液（この実施形態では純水）または薬液を供給することができる処理液供給管３２が挿通されている。この処理液供給管３２の上端には、スピンチャック１１に保持された基板Ｗの下面中央に近接した位置に吐出口３３ａを有する中心軸ノズル（固定ノズル）３３が結合されており、この中心軸ノズル３３の吐出口３３ａから、基板Ｗの下面の中央に向けて、処理液（薬液またはリンス液）を供給できる。この処理液は、遠心力の働きによって、基板Ｗの下面全域に広がる。
【００２９】
金属製の回転軸３１は、スイッチ２６を介して電源２７（直流電源）に接続されている。電源２７は、絶縁液体供給源２０の電源２５と同極性（たとえば＋極性）の直流電圧を回転軸３１に印加できるように、スイッチ２６に接続されている。
処理液供給管３２には、純水供給源に接続された純水バルブ３５または薬液供給源に接続された薬液バルブ３６を介して、純水または薬液（たとえば、エッチング液）が所要のタイミングで供給されるようになっている。
【００３０】
処理液供給管３２と回転軸３１の内壁との間の空間は、プロセスガス供給路３４とされており、このプロセスガス供給路３４は、中心軸ノズル３３の周囲において、基板Ｗの下方の空間と連通している。プロセスガス供給路３４には、プロセスガス供給源からのプロセスガス（たとえば、窒素等の不活性ガス）が、プロセスガスバルブ３７を介して供給されるようになっている。
【００３１】
スピンチャック１１は、図２に示すように、耐薬品性を有する樹脂材料で構成された円盤状のスピンベース４１と、このスピンベース４１の上面（基板対向面）の周縁部に間隔をあけて複数箇所（図２の例では等間隔で３箇所）に設けられた基板保持部材としての保持ピン４２と、この保持ピン４２を駆動するための保持ピン駆動機構４３（図１参照）とを備えている。
【００３２】
保持ピン駆動機構４３は、たとえば、スピンベース４１の内部の収容空間４５に収容されたリンク機構４６と、このリンク機構４６を駆動するリンク駆動機構４７とを含む。リンク駆動機構４７は、回転軸３１とともに回転する回転側可動部材４８と、この回転側可動部材４８の外周側に軸受け４９を介して結合された固定側可動部材５０と、この固定側可動部材５０を昇降させるための保持ピン駆動用昇降駆動機構５１とを備えている。
【００３３】
保持ピン駆動用昇降駆動機構５１によって固定側可動部材５０を昇降させると、これとともに回転側可動部材４８が昇降し、この昇降運動がリンク機構４６に伝達されて、保持ピン４２の動作に変換される。これにより、保持ピン４２を、基板Ｗを保持する保持位置と、その保持を解除する解除位置との間で変位させることができる。
基板処理装置の各部を制御するために、制御部２８が備えられている。制御部２８は、バルブ１５，１６，３５〜３６の開閉、スイッチ２６の開閉、回転駆動機構３０の動作、および保持ピン駆動用昇降駆動機構５１の動作を制御するようにプログラムされている。
【００３４】
図３は、保持ピン４２の近傍の構成を拡大して示す断面図である。個々の保持ピン４２は、基板Ｗに接触する基板接触部材であり、耐薬液性および導電性を有する樹脂材料（たとえば、導電性ＥＴＦＥ（四ふっ化エチレン−エチレン共重合樹脂）または導電性ＰＴＦＥ（四ふっ化エチレン樹脂））で構成されている。この保持ピン４２は、基板Ｗの周縁部の下面を支持する支持部４２ａと、基板Ｗの周端面を側方から保持する保持部４２ｂと、支持部４２ａおよび保持部４２ｂを連結するレバー４２ｃ（図２参照）とを有し、支持部４２ａを中心として鉛直軸線まわりに回動されるようになっている。これにより、保持部４２ｂを基板Ｗの周端面に対して近接／離反させることができ、基板Ｗを保持する保持位置と、このような保持を解除した解除位置とに変位させることができる。保持部４２ｂは、基板Ｗの周端面に対応した内向きのＶ字状断面を有する基板受け部４４を備えており、保持部４２ｂを基板Ｗの周端面に押し当てると、基板Ｗは基板受け部４４にせり上がることによって、支持部４２ａから浮き上がった状態となる。
【００３５】
スピンベース４１は、円板状の上板部５５と、円板状の下板部５６と、これらを周縁部において連結する側板部５７とを備え、これらは、その内部に収容空間４５を区画している。この実施形態では、上板部５５と側板部５７とは一体的に形成されており、側板部５７と下板部５６とは、Ｏリング５８を介して結合されている。下板部５６は、その内方側縁部において、ステンレス鋼（ＳＵＳ）などの金属材料からなるボルト５２によって、回転駆動機構３０の回転軸３１の上端に結合されている。
【００３６】
上板部５５の周縁部には、鉛直方向に貫通する貫通孔６０が形成されている。この貫通孔６０には、ステンレス鋼などの金属材料からなる回動軸６１が挿通されている。この回動軸６１の上端に保持ピン４２が結合されている。
また、貫通孔６０の内壁には、シール部材６８，６９が回動軸６１との間に配置されており、これらは、シール押さえ保持段部６７に圧入されたシール押さえ部材７０によって保持されている。さらに、シール押さえ部材７０の下面側に形成された軸受け保持段部６６には、回動軸６１を回動自在に軸支する軸受け７７が圧入されている。
【００３７】
一方、回動軸６１の下端部６３は小径部となっており、この下端部６３は、軸受け７８によって軸支されている。この軸受け７８は、下板部５６の内側面（上面）に固定された円筒状の軸受け保持部７９に圧入されている。この軸受け保持部７９は、たとえばアルミニウム等の金属部材である。この軸受け保持部７９は、金属テープ（たとえばアルミニウムテープ）８０を介してボルト５２に電気的に接続されている（図１参照）。金属テープ８０は、収容空間４５内において、下板部５６の上面に配置され、その一端が軸受け保持部７９に接続されているとともに、その他端がボルト５２に接続されている。
【００３８】
回動軸６１の中間部は、リンク機構４６に結合されている。これにより、回動軸６１は、リンク機構４６からの駆動力を得て、その中心軸まわりに回動することになる。
前述のとおり、保持ピン４２は導電性樹脂で構成され、回動軸６１および軸受け保持部７９は金属材料で構成されている。そのため、保持ピン４２は、回動軸６１、軸受け７８、軸受け保持部７９、金属テープ８０およびボルト５２を通る導電経路を介して、回転駆動機構３０の回転軸３１に電気的に接続されている。そして、図１に示すように、金属製の回転軸３１は、スイッチ２６を介して電源２７に接続されている。したがって、スイッチ２６を導通状態とすると、電源２７からの電圧が、回転軸３１から前記導電経路を介して、保持ピン４２から基板Ｗに印加される。
【００３９】
図４Ａは、処理対象の基板Ｗの一例を説明するための図解的な平面図であり、図４Ｂはその一部の図解的な断面図である。基板Ｗは、たとえば、シリコン（Ｓｉ）基板５（半導体基板の一例）の表面に、微細な薄膜パターン１０を形成したものである。薄膜パターン１０は、たとえば、線幅Ｗ１が１０ｎｍ〜４５ｎｍ程度、隣接するパターン間の間隔Ｗ２が１０ｎｍ〜数μｍ程度で形成されていてもよい。なお、実際にはこのように微細な寸法の薄膜パターン１０が形成されたシリコン基板５を目視した場合、図４に図示するような寸法で薄膜パターン１０が確認できるわけではないが、説明を容易にするため、図４Ａでは基板Ｗ上に形成された薄膜パターン１０を拡大して図示している。
【００４０】
薄膜パターン１０は、少なくとも絶縁膜を含む。より具体的には、薄膜パターン１０は、積層膜６からなっていてもよい。積層膜６は、たとえば、シリコン基板５側から順に、第１絶縁膜７、第２絶縁膜８および導体膜９を積層して構成されていてもよい。第１絶縁膜７および第２絶縁膜８は、酸化シリコン膜であってもよい。また、導体膜９は、低抵抗化のための不純物を導入したアモルファスシリコン膜であってもよいし、金属膜（たとえば金属配線膜）であってもよい。
【００４１】
薄膜パターン１０を形成する積層膜６の膜厚Ｔは、たとえば、５０ｎｍ〜５μｍ程度である。また、積層膜６は、たとえば、アスペクト比（線幅Ｗ１に対する膜厚Ｔの比）が、たとえば、５〜５００程度であってもよい。
図５Ａ〜５Ｆは、基板Ｗに対する処理の流れを説明するための図である。まず、未処理の基板Ｗが、搬送ロボット（図示せず）によって、スピンチャック１１に受け渡される（図５Ａ）。このとき、保持ピン４２は解除位置とされている。搬送ロボットの基板保持ハンドが退避すると、保持ピン駆動用昇降駆動機構５１が駆動されて、保持ピン４２が保持位置とされる。
【００４２】
次いで、回転駆動機構３０によってスピンチャック１１が回転軸線１１ａまわりに回転駆動される。さらに、薬液バルブ１６，３６が開かれ、処理液ノズル１２および中心軸ノズル３３から、基板Ｗの上下面に薬液が供給される（図５Ｂ）。ただし、図５Ｂでは、上面への薬液供給のみを図示してある。
一定時間にわたって薬液処理を行った後に、薬液バルブ１６，３６が閉じられ、代わって、純水バルブ１５，３５が開かれる。これにより、基板Ｗの上下面に対して、純水によるリンス処理が行われ、基板Ｗの上下面の薬液が純水に置換される（図５Ｃ）。ただし、図５Ｃでは、上面への純水供給のみを図示してある。
【００４３】
一定時間にわたって純水リンス処理を行った後に、純水バルブ１５，３５が閉じられ、代わって、絶縁液体バルブ１７が開かれる。これにより、基板Ｗの上面に対して、絶縁液体２１が供給される。これにより、基板Ｗの上面の純水が絶縁液体２１に置換される（図５Ｄ：絶縁液体リンス処理）。
次いで、制御部２８は、スイッチ２６を導通させる。これにより、基板Ｗに対して、絶縁液体２１と同極性の電圧が印加される（図５Ｅ）。
【００４４】
この状態で、制御部２８は、絶縁液体バルブ１７を閉じて、スピンチャック１１を高速回転（リンス処理時よりも高速回転。たとえば３０００ｒｐｍ程度の回転速度）させる（図５Ｆ）。これにより、基板Ｗの上面の絶縁液体２１および下面の水滴を振り切るための乾燥工程が行われる。
この乾燥工程の後には、制御部２８は、スピンチャック１１の回転を停止させ、スイッチ２６を遮断する。さらに、制御部２８は、保持ピン駆動用昇降駆動機構５１を作動させて保持ピン４２を解除位置とする。その後、搬送ロボットの基板保持ハンドによって、処理済みの基板Ｗが搬出されることになる。
【００４５】
図６は、乾燥工程（図５Ｆ）における基板Ｗの表面状態を説明するための図解的な断面図である。薄膜パターン１０の間には、絶縁液体２１が入り込んでいる。この絶縁液体２１が排除される過程では、絶縁液体２１の表面張力のために、隣接する薄膜パターン１０の間に引力が働く。一方、基板Ｗに印加された電圧は、薄膜パターン１０を構成する絶縁膜７，８に分極を生じさせる。その結果、それらの表面は、基板Ｗに印加された電圧とは逆極性（たとえば−極性）に帯電する。また、導体膜９の表面には、基板Ｗに印加された電圧とは逆極性（たとえば−極性）の電荷が誘導される。このような現象が各薄膜パターン１０で生じることによって、隣接する薄膜パターン１０の間には、クーロン力による斥力が生じることになる。この斥力が絶縁液体２１の表面張力による引力を打ち消すことにより、薄膜パターン１０の倒壊を抑制または防止できる。
【００４６】
しかも、この実施形態では、絶縁液体２１は、薄膜パターン１０の帯電極性と同極性に帯電しているので、帯電によるクーロン力が中和されない。これにより、隣接する薄膜パターン１０の間にクーロン力による斥力を有効に作用させることができるから、薄膜パターン１０の倒壊を効果的に抑制できる。
さらに、また、この実施形態において絶縁液体２１として用いられるＨＦＥは、純水よりも表面張力が小さい。このような低表面張力の絶縁液体２１を用いることによって、薄膜パターン１０の倒壊を一層効果的に抑制または防止できる。
【００４７】
このように、この実施形態によれば、基板Ｗの乾燥に先立って基板Ｗの上面（薄膜パターン１０が形成された表面）の純水を絶縁液体２１に置換し、基板Ｗに電圧を印加した状態で基板Ｗ表面の絶縁液体２１を排除する乾燥工程が行われる。これにより、薄膜パターン１０の間にクーロン力による斥力を作用させた状態で絶縁液体２１が排除されるので、絶縁液体２１の表面張力に起因するパターン倒壊を抑制することができる。こうして、薄膜パターンの倒壊を抑制しつつ、基板Ｗの表面からリンス液（純水）を排除する乾燥工程を行うことができる。
【００４８】
基板Ｗに対する印加電圧は、薄膜パターン１０の絶縁破壊が生じない範囲で定めればよい。たとえば、第１および第２絶縁膜７，８の全体の膜厚Ｔｉ（図４Ｂ参照）が２００ｎｍであり、その絶縁耐圧が１０ＭＶ／cmであるとすると、第１および第２絶縁膜７，８の全体の絶縁耐圧は、次式より、２００Ｖである。
２００×１０−７（cm）×１０×１０６（Ｖ／cm）＝２００Ｖ
したがって、基板Ｗに対する印加電圧は、２００Ｖ未満の範囲で、絶縁液体２１の表面張力に起因する引力に対抗し得る斥力（クーロン力）が生じるように定めればよい。
【００４９】
図７は、この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。この基板処理装置２は、複数枚（たとえば５０枚）の基板Ｗを一括して処理するバッチ型の形態を有している。基板処理装置２は、処理液を貯留するための処理槽９１と、保持アーム９２と、処理液供給機構９３と、アーム９２を処理槽９１に対して昇降させるアーム昇降機構９７とを備えている。
【００５０】
保持アーム９２は、バッチを構成する複数枚の基板Ｗを保持して、処理槽９１に対して昇降するように構成されている。これにより、複数枚の基板Ｗを一括して処理槽９１内に配置したり、処理槽９１から複数枚の基板Ｗを一括して取り出したりすることができる。保持アーム９２は、鉛直姿勢の板状アーム９２ａと、板状アーム９２ａの下部において、板状アーム９２ａに直交する水平方向に沿って互いに平行に配置された複数本（この実施形態では３本）の棒状の支持部材９２ｂとを備えている。３本の支持部材９２ｂは、鉛直姿勢の複数枚の基板Ｗを水平方向（支持部材９２ｂの長手方向）に沿って積層した状態で保持できるように構成されている。処理槽９１は、保持アーム９２に保持された状態の複数枚の基板Ｗを収容し、その内部に貯留された処理液内に当該複数枚の基板Ｗを浸漬させることができるように構成されている。
【００５１】
処理液供給機構９３は、処理槽９１の底部において支持部材９２ｂの長手方向に平行に配置された２本の噴出管９８を備えている。２本の噴出管９８は、平面視において、保持アーム９２に保持されたバッチ（複数枚の基板Ｗ）の両側から、当該バッチに向けて処理液を噴出するように構成されている。処理液供給機構９３は、さらに、噴出管９８に接続された処理液供給管１００と、薬液バルブ１０１と、純水バルブ１０２と、絶縁液体バルブ１０３とを含む。薬液バルブ１０１は、薬液供給源からの薬液を処理液供給管１００に供給する。純水バルブ１０２は、純水供給源からの純水（脱イオン水。リンス液の一例）を処理液供給管１００に供給する。絶縁液体バルブ１０３は、絶縁液体供給源１０４からの絶縁液体２１を処理液供給管１００に供給する。絶縁液体供給源１０４は、前述の第１の実施形態における絶縁液体供給源２０と同様の構成を有しており、図７では、対応構成要素に図１と同一参照符号を付して示す。絶縁液体２１の例は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００５２】
このような構成によって、処理液供給機構９３は、薬液バルブ１０１を開くことによって、噴出管９８から、処理槽９１の内部に薬液を供給できる。また、純水バルブ１０２を開くことによって、処理槽９１の内部に純水を供給できる。さらに、絶縁液体バルブ１０３を開くことによって、処理槽９１の内部に絶縁液体２１を供給することができる。
処理槽９１の内底面は、幅方向（基板Ｗの径方向に沿う水平方向）中央に向かって下り傾斜を有しており、その最底部に排液口９４が形成されている。この排液口９４に排液管９５が接続されている。排液管９５の途中部には、排液バルブ９６が介装されている。この排液バルブ９６を開くことによって、処理槽９１内の処理液を排出できる。
【００５３】
保持アーム９２を構成する板状アーム９２ａおよび支持部材９２ｂは、耐薬液性を有する導電性樹脂で構成されている。このような導電性樹脂としては、導電性ＥＴＦＥ（四ふっ化エチレン−エチレン共重合樹脂）、および導電性ＰＴＦＥ（四ふっ化エチレン樹脂）を例示することができる。保持アーム９２は、スイッチ１０５を介して電源１０６（直流電源）に接続されている。スイッチ１０５が閉じられているとき、電源１０６は、一方の極性（たとえば＋極性）の直流電圧を、保持アーム９２に印加する。この電圧は、保持アーム９２に保持された複数の基板Ｗに印加される。電源１０６は、絶縁液体２１を帯電させるための電源２５と同極性の直流電圧を基板Ｗに印加するように構成されている。
【００５４】
スイッチ１０５の開閉、アーム昇降機構９７による保持アーム９２の昇降動作、バルブ９６，１０１〜１０３の開閉は、制御部１０７によって制御される。制御部１０７は、これらの制御対象を制御することによって、予め設定した基板処理を実行するようにプログラムされている。
図８Ａ〜８Ｄは、基板処理の流れを説明するための図解的な断面図である。基板Ｗの構成は、前述の第１の実施形態の場合と同様である（図４Ａおよび図４Ｂ参照）。制御部１０７は、処理槽９１に薬液を貯留する。具体的には、薬液バルブ１０１を開いて処理液供給管１００から薬液を供給させる。この薬液は、噴出管９８から噴出される。所定の液位以上の薬液が貯留された状態で、制御部１０７は、アーム昇降機構９７を作動させて、保持アーム９２を下降させる。これにより、保持アーム９２に保持された複数枚の基板Ｗが一括して処理槽９１内の薬液中に浸漬される（図８Ａ参照）。むろん、これに先だって、保持アーム９２には、未処理の基板Ｗが保持させられる。薬液中に浸漬された基板Ｗに向けて、噴出管９８からの薬液が供給される。処理槽９１をオーバーフローした薬液は、図示しない回収機構によって回収され、薬液供給源へと帰還させられて再利用される。
【００５５】
所定時間の薬液処理の後には、薬液バルブ１０１が閉じられ、排液バルブ９６が開かれる。これにより、処理槽９１内の薬液が排出される。処理槽９１内の薬液が完全に排出された後、またはそれ以前の所定のタイミングで、純水バルブ１０２が開かれる。これにより、保持アーム９２に保持された複数枚の基板Ｗに向けて、噴出管９８から純水が供給される。その後、制御部１０７が排液バルブ９６を閉じると、処理槽９１内に純水が貯留される（図８Ｂ参照）。これにより、保持アーム９２に保持された複数枚の基板Ｗは、純水に浸漬された状態となる。その後も、噴出管９８からの純水の供給が継続されると、純水は処理槽９１を満たして、オーバーフローする。こうして、処理槽９１内の薬液濃度が徐々に低くなっていく。こうして、基板Ｗの表面の薬液が純水に置換する純水リンス処理が行われる。
【００５６】
所定時間の純水処理の後には、純水バルブ１０２が閉じられ、代わって、絶縁液体バルブ１０３が開かれる。これにより、保持アーム９２に保持された複数枚の基板Ｗに向けて、噴出管９８から絶縁液体２１が供給される。噴出管９８からの絶縁液体２１の供給が継続されると、処理槽９１内の液がオーバーフローし、処理槽９１内の純水が絶縁液体２１に置換されていく。これにより、基板Ｗを純水中から取り出すことなく、基板Ｗの周囲の純水を絶縁液体２１に置換することができる。こうして、絶縁液体２１（たとえばＨＦＥ）による基板Ｗのリンスが行われる（図８Ｃ参照。絶縁液体リンス処理）。絶縁液体２１は、一方の極性（たとえば＋極性）に帯電している。
【００５７】
その後、制御部１０７は、絶縁液体バルブ１０３を閉じ、複数枚の基板Ｗを絶縁液体２１から引き上げる（図８Ｄ）。このとき、制御部１０７は、アーム昇降機構９７を作動させて保持アーム９２を上昇させることにより、複数枚の基板Ｗを絶縁液体２１から引き上げてもよい。また、制御部１０７は、排液バルブ９６を開くことによって、処理槽９１内の絶縁液体２１の液位を下降させることにより、基板Ｗを絶縁液体２１から引き上げてもよい。むろん、絶縁液体２１の排液と保持アーム９２の上昇とを併せて行ってもよい。
【００５８】
こうして、絶縁液体２１中から基板Ｗを引き上げることにより、基板Ｗ表面の絶縁液体２１が排除されることになる。基板Ｗを絶縁液体２１から引き上げるよりも前に、制御部１０７は、スイッチ１０５を導通させる（図８Ｄ参照）。これにより、基板Ｗに一方の極性（たとえば＋極性）の直流電圧が印加された状態で、基板Ｗが絶縁液体２１から引き上げられて乾燥させられることになる。
【００５９】
したがって、基板Ｗの表面から液体を排除する乾燥工程において、基板Ｗに対して一方の極性の電圧が印加されるから、基板Ｗの表面は、前述の図６に示した状態となる。すなわち、薄膜パターン１０の間には絶縁液体２１の表面張力に起因する引力が働くものの、薄膜パターン１０が帯電しているため、隣接する薄膜パターン１０の間にはクーロン力による斥力が働く。この斥力が表面張力による引力を打ち消す。これにより、隣接する薄膜パターン１０が互いに引き合うことに起因するパターン倒壊を抑制または防止することができる。
【００６０】
図９は、この発明のさらに他の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。この図９において、前述の図７に示された各部の対応部分には、図７と同一参照符号を付して示す。
この実施形態の基板処理装置３は、電源１０６が発生する直流電圧を基板Ｗに印加するための電極１１０を備えている。すなわち、電極１１０は、スイッチ１０５を介して電源１０６に接続されている。電極１１０は、支持部材９２ｂと平行な方向（すなわち、基板Ｗの整列方向）に延びる棒状に形成されており、保持アーム９２に保持された複数枚の基板Ｗに接触できるように構成されている。電極１１０は、電極移動機構１１１によって、処理槽９１内に収容された状態の基板Ｗに接触する接触位置と、基板Ｗから退避した退避位置との間で移動させられる。
【００６１】
この基板処理装置３による基板処理は、前述の第２の実施形態の場合とほぼ同様にして行われる。ただし、制御部１０７は、絶縁液体２１から基板Ｗを引き上げるのに先立って、電極移動機構１１１を制御して電極１１０を基板Ｗに接触させ、さらに、スイッチ１０５を導通させる。絶縁液体２１から基板Ｗを引き上げるために保持アーム９２が上昇させられる場合には、電極移動機構１１１は、電極１１０と基板Ｗとの接触状態を保持しつつ、電極１１０を上昇させる。
【００６２】
このようにして、基板表面から絶縁液体２１を排除するときに、基板Ｗに対して一方の極性（たとえば＋極性）の直流電圧を印加し、隣接する薄膜パターン１０間にクーロン力による斥力を作用させることができる。したがって、この実施形態によっても、基板表面の薄膜パターンの倒壊を効果的に抑制または防止できる。
なお、この実施形態においては、保持アーム９２の構成部品は、導電性の材料で構成されている必要はない。
【実施例】
【００６３】
本件発明者による実験結果を以下に示す。
−１．８ｎＣに帯電させた絶縁液体中に基板Ｗ（図４Ａおよび図４Ｂに示す構成の基板）を浸漬させ、その基板Ｗに対して−１００Ｖの電圧を印加した状態で、絶縁液体から引き上げた。この場合に、一辺２５μｍの正方形領域内を顕微鏡観察したところ、パターン倒壊は見られなかった。
【００６４】
比較実験として、純水中に基板Ｗ（図４Ａおよび図４Ｂに示す構成の基板）を浸漬させ、その基板Ｗに電圧を印加することなく、純水から引き上げた。この場合に、一辺２５μｍの正方形領域内を顕微鏡観察したところ、視野内の５０％の薄膜パターンが倒壊していた。
以上、この発明の実施形態および実施例について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することができる。たとえば、前述の実施形態では、絶縁液体としてＨＦＥを用いた例を示したが、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を同様の目的のための絶縁液体として用いることもできる。また、基板Ｗの近傍の雰囲気中を適切に制御すれば、純水を絶縁液体として用いることもできる。大気中においては、二酸化炭素が純水に溶け込むため、純水の比抵抗は容易に減少してしまう。そこで、基板Ｗの近傍の雰囲気を、大気中よりも二酸化炭素濃度の低い低二酸化炭素濃度雰囲気に制御しておけば、純水の比抵抗を高い値に保持できるから、純水を絶縁液体として適用することができる。低二酸化炭素雰囲気は、たとえば、窒素ガス等の不活性ガスの雰囲気であってもよい。
【００６５】
また、前述の実施形態では、絶縁液体として常温のＨＦＥを用いた例を示したが、加熱されたＨＦＥ（たとえば、５０℃程度）が用いられてもよい。これにより、基板Ｗから絶縁液体を容易に排除することができ、基板Ｗの乾燥工程にかかる時間を短縮することができる。これは、ＩＰＡが用いられた場合であっても同様である。
さらに、前述の実施形態では、絶縁液体を一方の極性に帯電させているが、絶縁液体がいずれの極性にも帯電していないのであれば、絶縁液体を帯電させる必要はない。また、絶縁液体は、積極的に帯電させなくても、一方の極性に帯電している場合もある。この場合には、絶縁液体を帯電させるための構成を省き、基板Ｗに対して絶縁液体の帯電極性と同極性の電圧を印加すればよい。
【００６６】
また、前述の第１の実施形態では、処理液ノズル１２のほかに絶縁液体ノズル１３を備えているが、処理液ノズル１２を絶縁液体の供給のために兼用することもできる。
また、前述の第２および第３の実施形態では、一つの処理槽９１内で薬液処理、純水リンス処理および絶縁液体リンス処理を行っているが、たとえば、薬液処理を第１の処理槽で行い、純水リンス処理および絶縁液体リンス処理を別の第２の処理槽で行う構成としてもよい。
【００６７】
さらに、前述の実施形態では、シリコンウエハ（半導体基板）に対する処理を例にとったが、この発明は、液晶表示装置用ガラス基板その他の基板の処理に対しても同様に適用することができる。
その他、特許請求の範囲に記載した事項の範囲で、種々の変更を施すことができる。
【符号の説明】
【００６８】
１    基板処理装置（第１の実施形態）
２    基板処理装置（第２の実施形態）
３    基板処理装置（第３の実施形態）
５    シリコン基板
６    積層膜
７    第１絶縁膜
８    第２絶縁膜
９    導体膜
１０    薄膜パターン
１１    スピンチャック
１２    処理液ノズル
１３    絶縁液体ノズル
１５    純水バルブ
１６    薬液バルブ
１７    絶縁液体バルブ
２０    絶縁液体供給源
２１    絶縁液体
２４    電極
２５    電源
２６    スイッチ
２７    電源
２８    制御部
３０    回転駆動機構
３１    回転軸
３５    回転駆動機構
４１    スピンベース
４２    保持ピン
８０    金属テープ
９１    処理槽
９２    保持アーム
９３    処理液供給機構
９４    排液口
９５    排液管
９６    排液バルブ
９７    アーム昇降機構
９８    噴出管
１００    処理液供給管
１０１    薬液バルブ
１０２    純水バルブ
１０３    絶縁液体バルブ
１０４    絶縁液体供給源
１０５    スイッチ
１０６    電源
１０７    制御部
１１０    電極
１１１    電極移動機構
Ｗ    基板
【図１】
2011124383.tif 000003
【図２】
2011124383.tif 000004
【図３】
2011124383.tif 000005
【図４】
2011124383.tif 000006
【図５Ａ】
2011124383.tif 000007
【図５Ｂ】
2011124383.tif 000008
【図５Ｃ】
2011124383.tif 000009
【図５Ｄ】
2011124383.tif 000010
【図５Ｅ】
2011124383.tif 000011
【図５Ｆ】
2011124383.tif 000012
【図６】
2011124383.tif 000013
【図７】
2011124383.tif 000014
【図８Ａ】
2011124383.tif 000015
【図８Ｂ】
2011124383.tif 000016
【図８Ｃ】
2011124383.tif 000017
【図８Ｄ】
2011124383.tif 000018
【図９】
2011124383.tif 000019