(57)【要約】【課題】有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に第１副画素、第２副画素及び第３副画素が配される有機発光表示装置であって、第１副画素は、画素電極、画素電極上に形成された第１透過性導電層、第１透過性導電層上に形成された第２透過性導電層、第２透過性導電層上に形成された第１有機発光層及び第１有機発光層上に形成された対向電極を備え、第２副画素は、画素電極、画素電極上に形成された第１透過性導電層、第１透過性導電層の端部を覆うように形成された第１保護部材及び第１透過性導電層と電気的に連結された第２有機発光層及び第２有機発光層上に形成された対向電極を備え、第３副画素は、画素電極、画素電極の外縁を覆うように形成された第２保護部材、第２保護部材上に形成された第３保護部材、画素電極と電気的に連結された第３有機発光層及び第３有機発光層上に形成された対向電極を備える有機発光表示装置である。【選択図】図１
2011124205.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１副画素、第２副画素及び第３副画素が配される有機発光表示装置であって、
前記第１副画素は、第１画素電極、前記第１画素電極上に形成された第１透過性導電層、前記第１透過性導電層上に形成された第２透過性導電層、前記第２透過性導電層上に形成された第１有機発光層及び前記第１有機発光層上に形成された対向電極を備え、
前記第２副画素は、第２画素電極、前記第２画素電極上に形成された第１透過性導電層、前記第１透過性導電層の端部を覆うように形成された第１保護部材及び前記第１透過性導電層と電気的に連結された第２有機発光層及び前記第２有機発光層上に形成された前記対向電極を備え、
前記第３副画素は、第３画素電極、前記第３画素電極の外縁を覆うように形成された第２保護部材、前記第２保護部材上に形成された第３保護部材、前記第３画素電極と電気的に連結された第３有機発光層及び前記第３有機発光層上に形成された前記対向電極を備える有機発光表示装置。
【請求項２】
前記画素電極は、ＩＴＯを含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記画素電極は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造で形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第１有機発光層は、赤色の可視光線を発光し、前記第２有機発光層は、緑色の可視光線を発光し、前記第３有機発光層は、青色の可視光線を発光することを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１透過性導電層及び前記第２透過性導電層は、ＩＴＯを含むことを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第１透過性導電層は、前記第１及び第２画素電極の外縁及び側面を覆うように延びた形態に配されることを特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第２透過性導電層は、前記第１透過性導電層の領域のうち、前記第１画素電極の外縁に対応する領域を覆うように延びた形態に配されることを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第１保護部材は、前記第２透過性導電層と同じ材料で形成されることを特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第２保護部材は、前記第１透過性導電層と同じ材料で形成されることを特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第３保護部材は、前記第２透過性導電層と同じ材料で形成されることを特徴とする請求項１から９の何れか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記第１保護部材は、前記第１透過性導電層の領域のうち、前記第２画素電極の外縁に対応する領域を覆うように形成されることを特徴とする請求項１から１０の何れか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記第３保護部材は、前記第２保護部材の領域のうち、前記第３画素電極の外縁に対応する領域を覆うように形成されることを特徴とする請求項１から１１の何れか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
基板上に第１副画素、第２副画素及び第３副画素が配される有機発光表示装置の製造方法であって、
前記各副画素を形成する工程は、
第１、第２及び第３画素電極を形成する工程と、
前記第１画素電極と電気的に連結されるように、前記第１副画素には、第１有機発光層、前記第２画素電極と電気的に連結されるように、前記第２副画素には、第２有機発光層、及び前記第３画素電極と電気的に連結されるように、前記第３副画素には、第３有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層上に対向電極を形成する工程と、を含み、
前記第１副画素は、前記第１画素電極と前記第１有機発光層との間に第１透過性導電層、及び前記第１透過性導電層と前記第１有機発光層との間に配される第２透過性導電層を備え、
前記第２副画素は、前記第２画素電極と前記第２有機発光層との間に前記第１透過性導電層、及び前記第１透過性導電層の端部を覆うように形成された第１保護部材を備え、
前記第３副画素は、前記第３画素電極と前記第３有機発光層との間に前記第３画素電極の外縁を覆うように形成された第２保護部材、及び前記第２保護部材上に形成された第３保護部材を備えることを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記画素電極は、ＩＴＯを含むように形成することを特徴とする請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記画素電極は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造で形成することを特徴とする請求項１３または１４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１有機発光層は、赤色の可視光線を発光し、前記第２有機発光層は、緑色の可視光線を発光し、前記第３有機発光層は、青色の可視光線を発光することを特徴とする請求項１３から１５の何れか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１透過性導電層及び前記第２透過性導電層は、ＩＴＯを含むように形成することを特徴とする請求項１３から１６の何れか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１透過性導電層は、前記第１及び第２画素電極の外縁及び側面を覆うように延びた形態に形成することを特徴とする請求項１３から１７の何れか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第２透過性導電層は、前記第１透過性導電層の領域のうち、前記第１画素電極の外縁に対応する領域を覆うように延びた形態に形成することを特徴とする請求項１３から１８の何れか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１保護部材は、前記第２透過性導電層と同じ材料で形成することを特徴とする請求項１３から１９の何れか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第２保護部材は、前記第１透過性導電層と同じ材料で形成することを特徴とする請求項１３から２０の何れか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第３保護部材は、前記第２透過性導電層と同じ材料で形成することを特徴とする請求項１３から２１の何れか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記第１保護部材は、前記第１透過性導電層の領域のうち、前記第２画素電極の外縁に対応する領域を覆うように形成することを特徴とする請求項１３から２２の何れか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第３保護部材は、前記第２保護部材の領域のうち、前記第３画素電極の外縁に対応する領域を覆うように形成することを特徴とする請求項１３から２３の何れか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記第１透過性導電層、前記第２透過性導電層、前記第１保護部材、前記第２保護部材及び前記第３保護部材を形成することは、
前記第１透過性導電層及び前記第２保護部材を形成するための第１透過性導電物質、並びに、前記第２透過性導電層、前記第１保護部材及び前記第３保護部材を形成するための第２透過性導電物質を順次に前記すべての副画素の前記画素電極上に形成した後、ハーフトーンマスクを通じた１回の露光工程を含むフォトリソグラフィ法を利用することを特徴とする請求項１３から２４の何れか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に係り、さらに詳細には、画質特性を容易に向上できる有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、ディスプレイ装置は、携帯の可能な薄型の平板表示装置に代替されている。平板ディスプレイ装置のうちでも、有機または無機発光表示装置は、自発光型ディスプレイ装置であって、視野角が広く、かつコントラストが優秀であるだけでなく、応答速度が速いという長所があって、次世代ディスプレイ装置として注目されている。また、発光層の形成物質が有機物で構成される有機発光表示装置は、無機発光表示装置に比べて、輝度、駆動電圧及び応答速度特性が優秀であり、多様な色相を具現できるという長所を有している。
【０００３】
有機発光表示装置は、有機発光層を中心に、カソード電極、アノード電極が配され、このような両電極に電圧を加えれば、両電極に連結された有機発光層から可視光線を発生させる。
【０００４】
有機発光表示装置は、赤色、緑色及び青色などの異なる色の可視光線を発光する有機発光層を備える。このようなそれぞれ異なる有機発光層から発光した可視光線の輝度、色座標のような光特性が不均一であるので、最終的に製造された有機発光表示装置の画質特性の向上に限界がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、画質特性を容易に向上できる有機発光表示装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を達成するために、本発明は、基板上に第１副画素、第２副画素及び第３副画素が配される有機発光表示装置であって、前記第１副画素は、第１画素電極、前記第１画素電極上に形成された第１透過性導電層、前記第１透過性導電層上に形成された第２透過性導電層、前記第２透過性導電層上に形成された第１有機発光層及び前記第１有機発光層上に形成された対向電極を備え、前記第２副画素は、第２画素電極、前記第２画素電極上に形成された第１透過性導電層、前記第１透過性導電層の端部を覆うように形成された第１保護部材及び前記第１透過性導電層と電気的に連結された第２有機発光層及び前記第２有機発光層上に形成された前記対向電極を備え、前記第３副画素は、第３画素電極、前記前記画素電極の外縁を覆うように形成された第２保護部材、前記第２保護部材上に形成された第３保護部材、前記第３画素電極と電気的に連結された第３有機発光層及び前記第３有機発光層上に形成された前記対向電極を備える有機発光表示装置を開示する。
【０００７】
本発明において、前記画素電極は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を含みうる。
【０００８】
本発明において、前記画素電極は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造で形成されうる。
【０００９】
本発明において、前記第１有機発光層は、赤色の可視光線を発光し、前記第２有機発光層は、緑色の可視光線を発光し、前記第３有機発光層は、青色の可視光線を発光できる。
【００１０】
本発明において、前記第１透過性導電層及び前記第２透過性導電層は、ＩＴＯを含みうる。
【００１１】
本発明において、前記第１透過性導電層は、前記第１及び第２画素電極の外縁及び側面を覆うように延びた形態に配されうる。
【００１２】
本発明において、前記第２透過性導電層は、前記第１透過性導電層の領域のうち、前記第１画素電極の外縁に対応する領域を覆うように延びた形態に配されうる。
【００１３】
本発明において、前記第１保護部材は、前記第２透過性導電層と同じ材料で形成されうる。
【００１４】
本発明において、前記第２保護部材は、前記第１透過性導電層と同じ材料で形成されうる。
【００１５】
本発明において、前記第３保護部材は、前記第２透過性導電層と同じ材料で形成されうる。
【００１６】
本発明において、前記第１保護部材は、前記第１透過性導電層の領域のうち、前記第２画素電極の外縁に対応する領域を覆うように形成されうる。
【００１７】
本発明において、前記第３保護部材は、前記第２保護部材の領域のうち、前記第３画素電極の外縁に対応する領域を覆うように形成されうる。
【００１８】
本発明の他の側面によれば、基板上に第１副画素、第２副画素及び第３副画素が配される有機発光表示装置の製造方法であって、前記各副画素を形成する工程は、第１、第２及び第３画素電極を形成する工程、前記第１画素電極と電気的に連結されるように、前記第１副画素には、第１有機発光層、前記第２画素電極と電気的に連結されるように、前記第２副画素には、第２有機発光層、及び前記第３画素電極と電気的に連結されるように、前記第３副画素には、第３有機発光層を形成する工程及び前記有機発光層上に対向電極を形成する工程を含み、前記第１副画素は、前記第１画素電極と前記第１有機発光層との間に第１透過性導電層、前記第１透過性導電層上と前記第１有機発光層との間に配される第２透過性導電層を備え、前記第２副画素は、前記第２画素電極と前記第２有機発光層との間に前記第１透過性導電層及び前記第１透過性導電層の端部を覆うように形成された第１保護部材を備え、前記第３副画素は、前記第３画素電極と前記第３有機発光層との間に前記第３画素電極の外縁を覆うように形成された第２保護部材及び前記第２保護部材上に形成された第３保護部材を備えることを特徴とする有機発光表示装置の製造方法を開示する。
【００１９】
本発明において、前記画素電極は、ＩＴＯを含むように形成されうる。
【００２０】
本発明において、前記画素電極は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造で形成されうる。
【００２１】
本発明において、前記第１有機発光層は、赤色の可視光線を発光し、前記第２有機発光層は、緑色の可視光線を発光し、前記第３有機発光層は、青色の可視光線を発光できる。
【００２２】
本発明において、前記第１透過性導電層及び前記第２透過性導電層は、ＩＴＯを含むように形成されうる。
【００２３】
本発明において、前記第１透過性導電層は、前記第１及び第２画素電極の外縁及び側面を覆うように延びた形態に形成されうる。
【００２４】
本発明において、前記第２透過性導電層は、前記第１透過性導電層の領域のうち、前記第１画素電極の外縁に対応する領域を覆うように延びた形態に形成されうる。
【００２５】
本発明において、前記第１保護部材は、前記第２透過性導電層と同じ材料で形成されうる。
【００２６】
本発明において、前記第２保護部材は、前記第１透過性導電層と同じ材料で形成されうる。
【００２７】
本発明において、前記第３保護部材は、前記第２透過性導電層と同じ材料で形成されうる。
【００２８】
本発明において、前記第１保護部材は、前記第１透過性導電層の領域のうち、前記第２画素電極の外縁に対応する領域を覆うように形成されうる。
【００２９】
本発明において、前記第３保護部材は、前記第２保護部材の領域のうち、前記第３画素電極の外縁に対応する領域を覆うように形成されうる。
【００３０】
本発明において、前記第１透過性導電層、前記第２透過性導電層、前記第１保護部材、前記第２保護部材及び前記第３保護部材を形成することは、前記第１透過性導電層及び前記第２保護部材を形成するための第１透過性導電物質、並びに、前記第２透過性導電層、前記第１保護部材及び前記第３保護部材を形成するための第２透過性導電物質を、順次に前記すべての副画素の前記画素電極上に形成した後、ハーフトーンマスクを通じた１回の露光工程を含むフォトリソグラフィ法を利用できる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の有機発光表示装置及びその製造方法は、画質特性を容易に向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置を示す概略的な平面図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示す概略的な断面図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示す概略的な断面図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示す概略的な断面図である。
【図２Ｄ】本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示す概略的な断面図である。
【図２Ｅ】本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示す概略的な断面図である。
【図２Ｆ】本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示す概略的な断面図である。
【図３Ａ】本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示す概略的な断面図である。
【図３Ｂ】本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示す概略的な断面図である。
【図３Ｃ】本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示す概略的な断面図である。
【図３Ｄ】本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示す概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、添付した図面に示された本発明に関する実施形態を参照して、本発明の構成及び作用を詳細に説明する。
【００３４】
図１は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置を示した概略的な断面図である。
【００３５】
本実施形態の有機発光表示装置１００は、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２及び第３副画素ＳＰ３を備える。これらの各副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、異なる色の副画素でありうるが、本実施形態では、第１副画素ＳＰ１は、赤色の副画素、第２副画素ＳＰ２は、緑色の副画素、及び第３副画素ＳＰ３は、青色の副画素であると定義する。
【００３６】
図１には、説明の便宜上、一つの第１副画素ＳＰ１、一つの第２副画素ＳＰ２及び一つの第３副画素ＳＰ３が示されているが、有機発光表示装置１００は、複数の第１副画素ＳＰ１、複数の第２副画素ＳＰ２及び複数の第３副画素ＳＰ３を備えうる。
【００３７】
第１副画素ＳＰ１には、画素電極１１０、第１透過性導電層１２１、第２透過性導電層１２２、第１有機発光層１４０ａ及び対向電極１５０が配される。第２副画素ＳＰ２には、画素電極１１０、第１透過性導電層１２１、第１保護部材１３１、第２有機発光層１４０ｂ及び対向電極１５０が配される。第３副画素ＳＰ３には、画素電極１１０、第２保護部材１３２、第３保護部材１３３、第３有機発光層１４０ｃ及び対向電極１５０が配される。
【００３８】
具体的に、各部材の構成について説明する。
【００３９】
まず、基板１０１は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材料で形成されうる。基板１０１は、必ずしもこれに限定されず、透明なプラスチック材料で形成することもある。プラスチック材料は、絶縁性有機物であるポリエーテルスルホン（ＰＥＳ：Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｐｈｏｎｅ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ：Ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ：Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ：Ｐｏｌｙｅｔｈｙｅｌｅｎｅ  Ｎａｐｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ：Ｐｏｌｙｅｔｈｙｅｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｔｈａｌａｔｅ）、ポリフェニレンスルフィド（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｓｕｌｆｉｄｅ：ＰＰＳ）、ポリアリレート（Ｐｏｌｙａｌｌｙｌａｔｅ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ：Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、セルローストリアセテート（ＣＴＡ：Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ  Ｔｒｉａｃｅｔａｔｅ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ：Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ  Ａｃｅｔａｔｅ  Ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ）からなる群から選択される有機物でありうる。
【００４０】
また、金属で基板１０１を形成できる。金属で基板１０１を形成する場合、基板１０１は、炭素、鉄、クロム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレススチール（ＳＵＳ）、Ｉｎｖａｒ合金、Ｉｎｃｏｎｅｌ合金及びＫｏｖａｒ合金からなる群から選択された一つ以上を含みうるが、これに限定されるものではない。基板１０１は、金属フォイルで形成することもある。
【００４１】
基板１０１の上部に平滑な面を形成し、基板１０１の上部に不純物元素が浸透することを遮断するために、基板１０１の上部にバッファ層（図示せず）を形成できる。バッファ層（図示せず）は、ＳｉＯ２及び／またはＳＩＮＸで形成されうる。
【００４２】
基板１０１上に画素電極１１０が形成される。画素電極１１０の形成前に、基板１０１上に薄膜トランジスタを形成することもある。もちろん、本実施形態の有機発光表示装置１００は、能動駆動型装置及び受動駆動型装置のいずれにも適用が可能である。
【００４３】
画素電極１１０は、ＩＴＯを含みうる。また、画素電極１１０は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造で形成されうる。画素電極１１０に含まれたＡｇ層によって、有機発光層１３０から発生した可視光線のうち、画素電極１１０の方向に進行した光線が対向電極１５０の方向に反射されうる。
【００４４】
第１副画素ＳＰ１には、第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２が画素電極１１０上に順次に形成される。
【００４５】
また、第２副画素ＳＰ２には、第１透過性導電層１２１が画素電極１１０上に形成され、第１透過性導電層１２１の端部（エッジ）を覆うように形成された第１保護部材１３１が配される。具体的に、第１保護部材１３１は、第１透過性導電層１２１の領域のうち、画素電極１１０の外縁（outer edge）に対応する領域を覆うように形成される。
【００４６】
第３副画素ＳＰ１上には、画素電極１１０上に画素電極１１０の外縁を覆うように第２保護部材１３２が形成され、第２保護部材１３２上に第３保護部材１３３が形成される。具体的に、第３保護部材１３３は、第２保護部材１３２の領域のうち、画素電極１１０の外縁に対応する領域を覆うように形成される。
【００４７】
第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２は、ＩＴＯを含みうる。第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２の厚さは、工程別に多様に決定できる。
【００４８】
第１透過性導電層１２１は、第１副画素ＳＰ１及び第２副画素ＳＰ２で画素電極１１０の外縁を覆うように延びた形態に形成される。また、第１透過性導電層１２１は、画素電極１１０の側面を覆うように延びることが望ましい。これを通じて、後続工程で画素電極１１０の外縁及び側面が損傷されることを防止する。
【００４９】
第１保護部材１３１は、第２透過性導電層１２２と同じ材料で形成される。具体的に、第１保護部材１３１は、ＩＴＯを含みうる。第２保護部材１３２は、第１透過性導電層１２１と同じ材料で形成される。具体的に、第２保護部材１３２は、ＩＴＯを含みうる。第３保護部材１３３は、第２透過性導電層１２２と同じ材料で形成される。具体的に、第３保護部材１３３は、ＩＴＯを含みうる。
【００５０】
第２副画素ＳＰ２で、第１保護部材１３１は、画素電極１１０の外縁領域を保護する。すなわち、第１透過性導電層１２１上に第１保護部材１３１が形成されて、画素電極１１０の損傷防止効果を増大させる。また、第１保護部材１３１は、第１透過性導電層１２１の外縁を保護して、第１透過性導電層１２１の損傷を防止する。
【００５１】
第３副画素ＳＰ３で、第２保護部材１３２は、画素電極１１０の外縁に対応する領域を覆うように形成される。すなわち、第２保護部材１３２は、画素電極１１０の端部の上面及び側面を覆うように形成される。これを通じて、後続工程で画素電極１１０の外縁及び側面が損傷されることを防止する。また、第２保護部材１３２上に第３保護部材１３３が積層されて、画素電極１１０の保護効果が増大する。
【００５２】
これを通じて、画素電極１１０の耐久性が向上する。
【００５３】
画素電極１１０、第１透過性導電層１２１、第２透過性導電層１２２、第１保護部材１３１、第２保護部材１３２及び第３保護部材１３３上に画素定義膜１３５が形成される。
【００５４】
画素定義膜１３５は、第１副画素ＳＰ１の第２透過性導電層１２２、第２副画素ＳＰ２の第１透過性導電層１２１及び第３副画素ＳＰ３の画素電極１１０の所定の領域が露出されるように形成される。すなわち、第１保護部材１３１、第２保護部材１３２及び第３保護部材１３３は、画素定義膜１３５によって覆われて、外部に露出されない。
【００５５】
画素定義膜１３５は、有機物または無機物で形成できる。
【００５６】
そして、有機発光層が形成される。具体的に、第１副画素ＳＰ１には、赤色の可視光線を発光する第１有機発光層１４０ａ、第２副画素ＳＰ２には、緑色の可視光線を発光する第２有機発光層１４０ｂ、第３副画素ＳＰ３には、青色の可視光線を発光する第３有機発光層１４０ｃが配される。
【００５７】
第１有機発光層１４０ａは、テトラフェニルナフタセン、ルブレン（Ｒｕｂｒｅｎｅ）、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル−ピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、トリス（ジベンゾイルメタン）ペナントロリンユロピウム（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ｄｂｍ）３（ｐｈｅｎ））、トリス［４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−（２，２’）−ビピリジン］ルテニウム（ＩＩＩ）錯体（Ｒｕ（ｄｔｂ−ｂｐｙ）３＊２（ＰＦ６））、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２、Ｅｕ（３フッ化テノイルアセトン）３（Ｅｕ（ＴＴＡ）３、ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン）（ＤＣＪＴＢ）を含み、それ以外に、ポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子のような高分子発光物質を含みうる。
【００５８】
第２有機発光層１４０ｂは、緑色発光材料である３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−（ジエチルアミノ）クマリン（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７、−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ−１０−（２−ベンゾチアゾリル）キノリジノ−［９，９ａ，１ｇｈ］クマリン（Ｃ５４５Ｔ）、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−キナクリドン（ＤＭＱＡ）、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）を含み、それ以外に、ポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子のような高分子発光物質を含みうる。
【００５９】
第３有機発光層１４０ｃは、青色発光材料であるオキサジアゾルダイマー染料（Ｂｉｓ−ＤＡＰＯＸＰ）、スピロ化合物（Ｓｐｉｒｏ−ＤＰＶＢｉ、Ｓｐｉｒｏ−６Ｐ）、トリアリールアミン化合物、ビス（スチリル）アミン（ＤＰＶＢｉ、ＤＳＡ）、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ぺリレン（Ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルぺリレン（ＴＰＢｅ）、９Ｈ−カルバゾール−３，３’−（１，４−フェニレン−ジ−２，１−エテン−ジイル）ビス［９−エチル−（９Ｃ）］（ＢＣｚＶＢ）、４，４−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］ビフェニル（Ｄ｛ＡＶＢｉ）、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン（ＤＰＡＶＢ）、４，４’−ビス［４−（ジフェニルアミノ）スチリル］ビフェニル（ＢＤＡＶＢｉ）、ビス（３，５−ジフルオロ−２−（２−ピリジル）フェニル−（２−カルボキシピリジル）イリジウムＩＩＩ（ＦＩｒＰｉｃ）を含み、それ以外に、ポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子のような高分子発光物質を含みうる。
【００６０】
図示していないが、すべての副画素にわたって、各有機発光層が形成される前に、正孔注入層または正孔輸送層を形成できる。
【００６１】
各有機発光層の上部に対向電極１５０を形成する。対向電極１５０は、副画素全体をいずれも覆うように形成できる。
【００６２】
対向電極１５０は、仕事関数の小さい金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物を蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明導電物質を蒸着して形成できる。
【００６３】
本実施形態において、画素電極１１０は、アノードであり、対向電極１５０は、カソードであると定義して説明したが、本発明は、これに限定されず、極性が互いに変わることもある。
【００６４】
図示していないが、有機発光層と対向電極１５０との間に、副画素全体にわたって、電子輸送層または電子注入層が配されることもある。
【００６５】
基板１０１の一面に対向するように、すなわち、対向電極１５０の上部に密封部材（図示せず）が配されうる。密封部材（図示せず）は、外部の水分や酸素から有機発光層を保護するために形成するものであって、密封部材（図示せず）は、透明な材質で形成される。このために、密封部材は、ガラス、プラスチックまたは複数の有機物及び無機物が重畳された構造体で形成されることもある。
【００６６】
本実施形態の有機発光表示装置１００は、画素電極１１０の上部に各副画素に第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２を差別化して形成する。すなわち、赤色の可視光線が具現される第１副画素ＳＰ１には、画素電極１１０／第１透過性導電層１２１／第２透過性導電層１２２の積層構造が形成され、緑色の可視光線が具現される第２副画素ＳＰ２には、画素電極１１０／第１透過性導電層１２１の積層構造が形成され、第３副画素ＳＰ３には、画素電極１１０が形成される。
【００６７】
これにより、有機発光層１３０から発生した可視光線のうち、画素電極１１０の方向に進行して、画素電極１１０から反射されて対向電極１５０の方向に進行する可視光線の光路の長さを各副画素で異ならせて、マイクロキャビティ効果を具現できる。
【００６８】
この時、第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２の厚さを調節して、それぞれ各副画素で光路の長さを調整でき、これを通じて、各副画素で具現される可視光線の色純度と光効率とを向上させ、結果的に、有機発光表示装置１００の画質特性を向上させる。
【００６９】
また、第１副画素ＳＰ１で、第１透過性導電層１２１は、画素電極１１０の外縁を覆うように延び、また、画素電極１１０の側面まで覆うように延びうる。そして、第１透過性導電層１２１上には、第２透過性導電層１２２が画素電極１１０の外縁に対応する領域まで形成される。これを通じて、画素電極１１０の損傷を容易に防止する。
【００７０】
そして、第２副画素ＳＰ２には、第１透過性導電層１２１が画素電極１１０の外縁を覆うように延びて形成され、第１透過性導電層１２１上には、第１保護部材１３１が画素電極１１０の外縁に対応する領域まで形成されて、画素電極１１０の損傷を容易に防止する。
【００７１】
そして、第３副画素ＳＰ３には、第２保護部材１３２が画素電極１１０の外縁に対応する領域まで形成され、第３保護部材１３３が第２保護部材１３２上に形成されて、画素電極１１０の損傷を容易に防止する。
【００７２】
結果的に、画素電極１１０の耐久性が向上され、有機発光表示装置１００の画質特性の低下が防止される。
【００７３】
図２Ａないし図２Ｆは、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示した概略的な断面図である。また、図２Ａないし図２Ｆは、図１の有機発光表示装置の製造方法を示した断面図である。
【００７４】
まず、図２Ａを参照すれば、基板１０１上に画素電極１１０を形成する。画素電極１１０は、ＩＴＯを含有し、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造を有することが望ましい。ここで、Ａｇは、反射膜であって、後続工程で形成される有機発光層から発生した可視光線のうち、画素電極に向かって進行した可視光線を反射させてマイクロキャビティ効果を発生させうる。
【００７５】
また、画素電極１１０がＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造を有する時、基板１０１に向かう方向には、ＩＴＯを含ませ、画素電極１１０と基板１０１またはそれ以外の絶縁膜との接着力を向上させる。
【００７６】
それから、図２Ｂを参照すれば、画素電極１１０上に第１透過性導電層及び第２保護部材を形成するために、第１透過性導電物質１２１ａを全体的に形成する。第１透過性導電物質１２１ａは、ＩＴＯを含む。
【００７７】
それから、図２Ｃを参照すれば、フォトリソグラフィ法のようなパターニング工程を進行させて、第１透過性導電層１２１及び第２保護部材１３２を形成する。
【００７８】
具体的に、図２Ｃの最左側の画素電極１１０及び図２Ｃの中央の画素電極１１０上には、第１透過性導電層１２１を形成する。第１透過性導電層１２１は、画素電極１１０の外縁を覆うように延びた形態に形成され、画素電極１１０の側面まで覆うように形成される。図２Ｃの最右側の画素電極１１０上には、第２保護部材１３２が形成される。第２保護部材１３２は、画素電極１１０の所定の領域を露出し、画素電極１１０の端部領域に対応するように形成される。すなわち、第２保護部材１３２は、画素電極１１０の外縁を覆うように形成され、画素電極１１０の側面まで覆うように形成される。
【００７９】
それから、図２Ｄを参照すれば、第２透過性導電層１２２、第１保護部材及び第３保護部材を形成するための第２透過性導電物質１２２ａを全体的に形成する。第２透過性導電物質１２２ａは、ＩＴＯを含む。
【００８０】
それから、図２Ｅを参照すれば、フォトリソグラフィ法のようなパターニング工程を進行させて、第２透過性導電層１２２、第１保護部材１３１及び第３保護部材１３３を形成する。
【００８１】
具体的に、図２Ｅの最左側の画素電極１１０上に配された第１透過性導電層１２１上に第２透過性導電層１２２を形成する。第２透過性導電層１２２は、第１透過性導電層１２１の上面全体を覆うように、すなわち、第１透過性導電層１２１の領域のうち、画素電極１１０の外縁に対応する領域を覆うように延びた形態に形成される。
【００８２】
図２Ｅの中央の画素電極１１０上に配された第１透過性導電層１２１上に、第１保護部材１３１を形成する。第１保護部材１３１は、第１透過性導電層１２１の所定の領域を露出するように形成されるが、第１透過性導電層１２１の領域のうち、画素電極１１０の外縁に対応する領域を覆うように形成する。
【００８３】
図２Ｅの最右側の画素電極１１０上に配された第２保護部材１３２上に、第３保護部材１３３を形成する。第３保護部材１３３は、画素電極１１０の所定の領域を露出する。すなわち、第３保護部材１３３は、第２保護部材１３２の領域のうち、画素電極１１０の外郭のコナーに対応する領域を覆うように形成される。
【００８４】
図２Ｄに示したように、第２透過性導電物質１２２ａを形成してから、フォトリソグラフィ法のようなパターニング工程を利用して、図２Ｅの構造を形成する。この時、通常、ウェットエッチング工程を利用する。そして、ウェットエッチング工程に使われるウェットエッチング溶液は、下部の画素電極１１０を損傷する恐れがある。
【００８５】
しかし、本実施形態では、画素電極１１０の上部に形成された第１透過性導電層１２１及び第２保護部材１３２が、画素電極１１０の側面及び外縁がウェットエッチング溶液によって損傷されることを防止する。すなわち、図２Ｅの最左側及び中央の画素電極１１０の上部の第１透過性導電層１２１、図２Ｅの最右側の画素電極１１０の上部の第２保護部材１３２が、第２透過性導電物質１２２ａのパターニングのためのウェットエッチング工程中に画素電極１１０を保護する。
【００８６】
これを通じて、画素電極１１０の耐久性が容易に向上する。
【００８７】
それから、図２Ｆを参照すれば、画素定義膜１３５、有機発光層１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃ及び対向電極１５０を形成して有機発光表示装置１００を最終的に完成する。
【００８８】
画素定義膜１３５は、第１、２透過性導電層１２１，１２２及び第１、２、３保護部材１３１，１３２，１３３上に形成される。
【００８９】
画素定義膜１３５には、開口を形成し、図２Ｆの最左側に示された画素電極１１０の上部の第２透過性導電層１２２、図２Ｆの中央に示された画素電極１１０の上部の第１透過性導電層１２１及び図２Ｆの最右側に示された画素電極１１０を露出させ、その上に有機発光層及び対向電極１５０を形成する。
【００９０】
具体的に、図２Ｆの最左側に示された画素電極１１０の上部の第２透過性導電層１２２上には、赤色の可視光線を発光する第１有機発光層１４０ａを形成し、図２Ｆの中央に示された画素電極１１０の上部の第１透過性導電層１２１上には、緑色の可視光線を発光する第２有機発光層１４０ｂを形成し、図２Ｆの最右側に示された画素電極１１０の上部には、青色の可視光線を発光する第３有機発光層１４０ｃを形成し、対向電極１５０を副画素全体にわたって共通的に形成し、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２及び第３副画素ＳＰ３を備える有機発光表示装置１００を最終的に製造する。
【００９１】
図示していないが、すべての副画素にわたって、各有機発光層が形成される前に、正孔注入層または正孔輸送層を形成できる。
【００９２】
対向電極１５０は、仕事関数が小さな金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物を蒸着した後、その上に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明導電物質を蒸着して形成できる。
【００９３】
図示していないが、有機発光層と対向電極１５０との間に、副画素全体にわたって、電子輸送層または電子注入層を形成することもある。
【００９４】
また、基板１０１の一面に対向するように密封部材（図示せず）を配置できる。密封部材（図示せず）は、外部の水分や酸素から有機発光層を保護するために形成するものであって、密封部材（図示せず）は、透明な材質で形成される。このために、ガラス、プラスチックまたは複数の有機物及び無機物が重畳された構造体でもありうる。
【００９５】
本実施形態の製造方法によって製造された有機発光表示装置１００は、画素電極１１０の上部に各副画素に第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２を差別化して形成して、マイクロキャビティ効果を具現できる。
【００９６】
一方、第１透過性導電層１２１、第２透過性導電層１２２を画素電極１１０上に形成する時、画素電極１１０の外縁を覆うように形成し、特に、第１透過性導電層１２１が画素電極１１０の側面を覆うように形成する。また、第２保護部材１３２は、画素電極１１０の外縁を覆うように形成される。そして、第１保護部材１３１及び第３保護部材１３３も、画素電極１１０の外縁を覆うように形成する。これを通じて、画素電極１１０の損傷を防止できるが、特に、画素電極１１０の側面及び端部の上面を効果的に保護する。
【００９７】
結果的に、画素電極１１０、第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２を設計した構成の通りに容易に形成してマイクロキャビティ効果が減少せず、有機発光表示装置１００の画質特性が向上する。
【００９８】
図３Ａないし図３Ｄは、本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示した概略的な断面図である。
【００９９】
まず、図３Ａを参照すれば、基板１０１上に画素電極１１０を形成する。画素電極１１０は、ＩＴＯを含有し、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造を有することが望ましい。
それから、図３Ｂを参照すれば、画素電極１１０上に第１透過性導電物質１２１ａ及び第２透過性導電物質１２２ａを形成する。
【０１００】
第１透過性導電物質１２１ａは、第１透過性導電層及び第２保護部材を形成するための物質であり、第２透過性導電物質１２２ａは、第２透過性導電層、第１保護部材、第３保護部材を形成するための物質である。
【０１０１】
第１透過性導電物質１２１ａ及び第２透過性導電物質１２２ａは、画素電極１１０の全体にわたって別途のパターニングなしに形成する。第１透過性導電物質１２１ａ及び第２透過性導電物質１２２ａは、ＩＴＯを含む。
【０１０２】
それから、図３Ｃを参照すれば、フォトリソグラフィ法のようなパターニング工程を進行させて、第１透過性導電層１２１、第２透過性導電層１２２、第１保護部材１３１、第２保護部材１３２及び第３保護部材１３３を形成する。
【０１０３】
具体的に、図３Ｃの最左側の画素電極１１０上には、第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２を形成する。第１透過性導電層１２１は、画素電極１１０の外縁を覆うように延びた形態に形成され、画素電極１１０の側面まで覆うことができるように形成される。第１透過性導電層１２１上に第２透過性導電層１２２を形成する。第２透過性導電層１２２は、第１透過性導電層１２１の上面全体を覆うことができるほど、すなわち、第１透過性導電層１２１の領域のうち、画素電極１１０の外縁に対応する領域を覆うように延びた形態に形成される。
【０１０４】
図３Ｃの中央の画素電極１１０上には、第１透過性導電層１２１及び第１保護部材１３１を形成する。第１透過性導電層１２１は、画素電極１１０の外縁を覆うように延びた形態に形成され、画素電極１１０の側面まで覆うことができるように形成される。第１透過性導電層１２１上に第１保護部材１３１を形成する。第１保護部材１３１は、第１透過性導電層１２１の所定の領域を露出するように形成されるが、第１透過性導電層１２１の領域のうち、画素電極１１０の外縁に対応する領域を覆うように形成する。
【０１０５】
図３Ｃの最右側の画素電極１１０上には、第２保護部材１３２及び第３保護部材１３３が形成される。第２保護部材１３２は、画素電極１１０の所定の領域を露出し、画素電極１１０の端部領域に対応するように形成される。すなわち、第２保護部材１３２は、画素電極１１０の外縁を覆うように形成され、画素電極１１０の側面まで覆うことができるように形成される。第２保護部材１３２上に第３保護部材１３３を形成する。第３保護部材１３３は、画素電極１１０の所定の領域を露出する。すなわち、第３保護部材１３３は、第２保護部材１３２の領域のうち、画素電極１１０の外縁に対応する領域を覆うように形成される。
【０１０６】
図３Ｂに示したように、第１透過性導電物質１２１ａ及び第２透過性導電物質１２２ａを画素電極１１０上に形成してから、ハーフトーンマスクを利用した１回の露光を含むフォトリソグラフィ法を利用して、図３Ｃの構造を形成できる。具体的に、ハーフトーンマスクを利用して、第１透過性導電物質１２１ａ及び第２透過性導電物質１２２ａのうち、二層がいずれも残っていなければならない部分には、最も小さい露光エネルギーを適用し、第１透過性導電物質１２１ａのみが残っていなければならない部分は、それより大きい露光エネルギーを適用し、二層がいずれも除去されねばならない部分は、最も大きい露光エネルギーを適用して工程を進行できる。
【０１０７】
しかし、本発明は、これに限定されない。使用するフォトレジストのタイプによって、前記露光エネルギーの順序は、逆に適用することもある。
【０１０８】
本実施形態でも、ウェットエッチング工程のうち、画素電極１１０の損傷を防止して、画素電極１１０の耐久性を向上させる。
【０１０９】
それから、図３Ｄを参照すれば、画素定義膜１３５、有機発光層１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃ及び対向電極１５０を形成して、有機発光表示装置１００を最終的に完成する。
【０１１０】
画素定義膜１３５は、第１、２透過性導電層１２１，１２２及び第１、２、３保護部材１３１，１３２，１３３上に形成される。
【０１１１】
画素定義膜１３５には、開口を形成し、図３Ｄの最左側に示された画素電極１１０の上部の第２透過性導電層１２２、図３Ｄの中央に示された画素電極１１０の上部の第１透過性導電層１２１及び図３Ｄの最右側に示された画素電極１１０を露出させ、その上に有機発光層及び対向電極１５０を形成する。
【０１１２】
具体的に、図３Ｄの最左側に示された画素電極１１０の上部の第２透過性導電層１２２上には、赤色の可視光線を発光する第１有機発光層１４０ａを形成し、図３Ｄの中央に示された画素電極１１０の上部の第１透過性導電層１２１上には、緑色の可視光線を発光する第２有機発光層１４０ｂを形成し、図３Ｄの最右側に示された画素電極１１０の上部には、青色の可視光線を発光する第３有機発光層１４０ｃを形成し、対向電極１５０を副画素全体にわたって共通的に形成して、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２及び第３副画素ＳＰ３を備える有機発光表示装置１００を最終的に製造する。
【０１１３】
図示していないが、すべての副画素にわたって、各有機発光層が形成される前に、正孔注入層または正孔輸送層を形成できる。
【０１１４】
対向電極１５０は、仕事関数の小さい金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物を蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３のような透明導電物質を蒸着して形成できる。
【０１１５】
図示していないが、有機発光層と対向電極１５０との間に、副画素全体にわたって、電子輸送層または電子注入層を形成することもある。
【０１１６】
また、基板１０１の一面に対向するように、密封部材（図示せず）を配置できる。密封部材（図示せず）は、外部の水分や酸素から有機発光層を保護するために形成するものであって、密封部材（図示せず）は、透明な材質で形成される。このために、ガラス、プラスチックまたは複数の有機物及び無機物が重畳された構造体でもありうる。
【０１１７】
本実施形態の製造方法によって製造された有機発光表示装置１００は、画素電極１１０の上部に各副画素に第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２を差別化して形成して、マイクロキャビティ効果を具現できる。
【０１１８】
一方、第１透過性導電層１２１、第２透過性導電層１２２を画素電極１１０上に形成する時、画素電極１１０の外縁を覆うように形成し、特に、第１透過性導電層１２１が画素電極１１０の側面を覆うように形成して、画素電極１１０の損傷を防止する。
【０１１９】
また、第２保護部材１３２は、画素電極１１０の外郭のコナーを覆うように形成される。そして、第１保護部材１３１及び第３保護部材１３３も、画素電極１１０の外縁を覆うように形成する。これを通じて、画素電極１１０の損傷を防止できるが、特に、画素電極１１０の側面及び端部の上面を効果的に保護する。
【０１２０】
結果的に、画素電極１１０、第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２を設計した構成の通りに容易に形成してマイクロキャビティ効果が減少せず、有機発光表示装置１００の画質特性が向上する。
【０１２１】
また、ハーフトーンマスクを利用した工程を適用して、効率的な工程を通じて有機発光表示装置１００を製造でき、露光工程を１回に減らしてウェットエッチング工程を減少させて画素電極１１０の損傷を防止する。
【０１２２】
図面に示された実施形態を参照して説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが分かるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
本発明は、有機発光表示装置関連の技術分野に好適に適用可能である。
【符号の説明】
【０１２４】
１００  有機発光表示装置
１０１  基板
１１０  画素電極
１２１  第１透過性導電層
１２２  第２透過性導電層
１３１  第１保護部材
１３２  第２保護部材
１３３  第３保護部材
１３５  画素定義膜
１４０ａ  第１有機発光層
１４０ｂ  第２有機発光層
１４０ｃ  第３有機発光層
１５０  対向電極
ＳＰ１  第１副画素
ＳＰ２  第２副画素
ＳＰ３  第３副画素
【図１】
2011124205.tif 000003
【図２Ａ】
2011124205.tif 000004
【図２Ｂ】
2011124205.tif 000005
【図２Ｃ】
2011124205.tif 000006
【図２Ｄ】
2011124205.tif 000007
【図２Ｅ】
2011124205.tif 000008
【図２Ｆ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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