(57)【要約】【課題】小型の自己冷却システムを有する液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶パネル１１と、液晶パネル１１を駆動する回路が形成された半導体チップ１５を有するドライバ１２と、第１の面３１ａが半導体チップ１５に接触するように配置され、半導体チップ１５の発熱により熱起電力を発生し、通電により半導体チップ１５を冷却するように構成された熱電変換素子３１と、熱電変換素子３１が発生した熱起電力を充電し、熱起電力を熱電変換素子３１に放電する蓄電池３２と、熱電変換素子３１と蓄電池３２との間に接続され、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐが基準温度Ｔｒｅｆより低いときに、熱起電力を蓄電池３２に充電させ、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐが基準温度Ｔｒｅｆより高いときに、熱起電力を熱電変換素子３１に放電させる制御回路３３と、を具備する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶パネルと、
前記液晶パネルを駆動する回路が形成された半導体チップを有するドライバと、
第１の面と前記第１の面に対向する第２の面とを有し、前記第１の面が前記半導体チップに接触するように配置され、前記半導体チップの発熱により前記第１の面と前記第２の面との間に生じる温度差に応じて熱起電力を発生し、通電により前記第１の面から前記半導体チップの発熱を吸収し、前記第２の面から熱を放出して、前記半導体チップを冷却するように構成された熱電変換素子と、
前記熱電変換素子が発生した熱起電力を充電し、前記熱起電力を前記熱電変換素子に放電する蓄電池と、
前記熱電変換素子と前記蓄電池との間に接続され、前記半導体チップの温度が基準温度より低いときに、前記熱起電力を前記蓄電池に充電させ、前記半導体チップの温度が前記基準温度より高いときに、前記熱起電力を前記熱電変換素子に放電させる制御回路と、
を具備することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記制御回路は、
電流が前記熱電変換素子から前記蓄電池に流れるように構成された第１スイッチ素子と、電流が前記蓄電池から前記熱電変換素子に流れるように構成された第２スイッチ素子と、前記半導体チップの温度と前記基準温度とを比較し、比較結果に応じて、前記第１スイッチ素子および前記第２スイッチを排他選択的に駆動する信号を出力する比較回路と、
を具備することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記蓄電池に充電されている前記熱起電力と、前記蓄電池と別の電源部が発生する電力とを合成して、前記熱電変換素子に供給することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記制御回路が、前記半導体チップに集積して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記半導体チップと前記熱電変換素子とが、絶縁材を介して接触していること特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、投影型画像表示装置として、反射型画像表示素子に自己冷却システムが設けられているものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。  
投影型画像表示装置は、光源部と、該光源部からの光を所定の照明光として出力する照明光学系と、該照明光学系からの照明光を、画像情報を担持した画像表示光に変換して出力する反射型画像表示素子（液晶パネル）と、該反射型画像表示素子からの画像表示光を射出して、画像投写面上に画像を投写する投写レンズ系とを備えている。
【０００３】
この投影型画像表示装置では、熱電変換素子はその表面が反射型画像表示素子の背面に、放熱部材はその接合面が熱電変換素子の裏面に、それぞれ接合された状態で配置されている。
【０００４】
熱電変換素子は、その表裏面間に温度差が生じると、熱起電力を生じるように構成されており、熱電変換素子で発生した熱起電力は、導線部を介して送風装置に供給される。送風装置は、熱電変換素子から供給された熱起電力により駆動され、反射型画像表示素子を冷却している。
【０００５】
然しながら、この投影型画像表示装置では、発電用の熱電変換素子と、冷却用の送風装置とを個別に有しているので、自己冷却システムが大型化する問題がある。その結果、大きさが数ミリメートル程度の半導体チップの自己冷却システムに適用するのが難しいという問題がある。機械的な送風装置を、冷却能力を確保しつつ、小型化するのが困難なためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１５７３９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、小型の自己冷却システムを有する液晶表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様の液晶表示装置は、液晶パネルと、前記液晶パネルを駆動する回路が形成された半導体チップを有するドライバと、第１の面と前記第１の面に対向する第２の面とを有し、前記第１の面が前記半導体チップに接触するように配置され、前記半導体チップの発熱により前記第１の面と前記第２の面との間に生じる温度差に応じて熱起電力を発生し、通電により前記第１の面から前記半導体チップの発熱を吸収し、前記第２の面から熱を放出して、前記半導体チップを冷却するように構成された熱電変換素子と、前記熱電変換素子が発生した熱起電力を充電し、前記熱起電力を前記熱電変換素子に放電する蓄電池と、前記熱電変換素子と前記蓄電池との間に接続され、前記半導体チップの温度が基準温度より低いときに、前記熱起電力を前記蓄電池に充電させ、前記半導体チップの温度が前記基準温度より高いときに、前記熱起電力を前記熱電変換素子に放電させる制御回路と、を具備することを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、小型の自己冷却システムを有する液晶表示装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施例１に係る液晶表示装置を示す図で、図1（ａ）はその平面図、図１（ｂ）は要部示す平面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図。
【図２】本発明の実施例１に係る液晶表示装置の自己冷却システムの構成を説明するための図。
【図３】本発明の実施例１に係る自己冷却システムの比較回路を示す回路図。
【図４】本発明の実施例１に係る自己冷却システムの動作を説明するための図。
【図５】本発明の実施例１に係る比較例の自己冷却システムを示す図。
【図６】本発明の実施例１に係る自己冷却システムの動作を比較例の自己冷却システムと対比して示すタイミングチャート。
【図７】本発明の実施例１に係る自己冷却システムの別の動作を説明するための図。
【図８】本発明の実施例２に係る自己冷却システムの要部を示す回路図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１２】
図１は本実施例に係る液晶表示装置を示す図で、図1（ａ）はその平面図、図１（ｂ）はドライバを示す平面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。
【００１３】
図１（ａ）に示すように、本実施例の液晶表示装置１０は、液晶パネル１１と、液晶パネル１１を駆動するためのゲートドライバ１２およびソースドライバ１３とで構成されている。
【００１４】
液晶パネル１１は、２枚のガラス板の間に画素毎に液晶を閉じ込めた液晶セルと、液晶セルを駆動するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、ガラス板の両側に配置された２枚の偏光板と、一方の偏光板の側に配置されたバックライトなどで構成されるＴＦＴ液晶パネルである。
【００１５】
ゲートドライバ１２は、アドレス信号（線順次操作信号）を薄膜トランジスタのゲートに供給し、ソースドライバ１３は、データ信号を薄膜トランジスタのソースに供給する。液晶画素はゲート線とデータ線との交点に配置されており、ゲート線によって１行分の画素が選択され、データ線によって映像データが画素内に書き込まれる。
【００１６】
各ゲート線が選択されている時間内に映像データは各データ線に順次供給され、必要なデータが薄膜トランジスタを介して各画素内に書き込まれることにより、所望するデータを表示する。
【００１７】
ソースドライバ１３には、データを書き込むときに各画素内のデータを蓄積する容量を充放電する電流が流れるので、ジュール損によりソースドライバ１３の発熱が増加する。液晶パネル１１が大型化するほど、各画素内の容量が大きくなり、充放電する電流が増加するので、ジュール損によるソースドライバ１３の発熱が増加する。
【００１８】
図１（ｂ）に示すように、ソースドライバ１３は、薄いフィルム１４上にドライバＬＳＩが形成された半導体チップ１５がマウントされたＣＯＦ（Chip On Film）である。フィルム１４の中央部には、半導体チップ１５がマウントされている。半導体チップ１５の周りの領域１６には、リード（図示せず）が形成されている。半導体チップ１５の入出力端子は、リードを介してボンディング用のパッド１７に引き出されている。フィルム１４の両端の開口１８は、固片化される前の導体チップ１５がマウントされたフィルム１４をリールに巻き取るためのスプロケット孔である。
【００１９】
図１（ｃ）に示すように、ＣＯＦは、例えばポリイミドの薄いフィルム１４上に、フォトリソグラフィ法によりリード１９を形成し、リード１９の端部に半導体チップ１５をボンディング（熱圧着）し、半導体チップ１５を樹脂２０で覆った構成となっている。
【００２０】
半導体チップ１５は、表面（ドライバＬＳＩが形成され、ボンディングされた面）は樹脂２０で覆われ、裏面（半導体基板面）は露出している。自己冷却システム２１は、半導体チップ１５の裏面に配置されている。
【００２１】
ゲートドライバ１２も、ソースドライバ１３と同様であり、その説明は省略するが、自己冷却システムは配置されていない。
【００２２】
図２は、自己冷却システム２１の構成を説明するための図である。図２に示すように、自己冷却システム２１は、熱電変換素子３１と、蓄電池３２と、熱電変換素子３１と蓄電池３２との間に接続された制御回路３３により構成されている。
【００２３】
熱電変換素子３１は、複数のＰ型半導体素子３４とＮ型半導体素子３５とが、熱伝導性の高い電極３６を介して交互に直列接続されている。更に、電極３６同士の短絡を防止するために、熱伝導性の高い絶縁体３７で保護された構成となっている。
【００２４】
Ｐ型半導体素子３４およびＮ型半導体素子３５は、例えばビスマス（Ｂｉ）−テルル（Ｔｅ）系セラミックスである。Ｐ型半導体素子３４には、例えばＰ型不純物としてセレン（Ｓｅ）が微量添加され、Ｎ型半導体素子３５には、例えばＮ型不純物としてアンチモン（Ｓｂ）が微量添加されている。
【００２５】
電極３６は、例えば銅で構成され、絶縁体３７は、例えば窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスで構成されている。
【００２６】
熱電変換素子３１は、一方の絶縁体３７の表面である第１の面３１ａが半導体チップ１５の裏面に接触し、他方の絶縁体３７の表面である第２の面３１ｂに、例えば断面が櫛の歯状の放熱板３８が搭載されている。
【００２７】
更に、熱伝導性を安定して高める観点から、一方の絶縁体３７と半導体チップ１５の裏面との間、および他方の絶縁体３７と放熱板３８との間に、例えば化学合成油と金属酸化物を配合してグリース化した熱伝導性グリースなどを塗布することが望ましい。
【００２８】
Ｐ型半導体素子３４およびＮ型半導体素子３５は、第１の面３１ａが半導体チップ１５の発熱Ｑ１によって暖められ、第２の面３１ｂが放熱板３８からの放熱Ｑ２によって冷やされると、ゼーベック効果により第１の面３１ａと第２の面３１ｂとの間に生じる温度差ΔＴに応じた熱起電力を発生する。  
Ｐ型半導体素子３４とＮ型半導体素子３５に生じる熱起電力は互いに逆向きなので、交互に直列接続することにより加算され、大きな熱起電力が得られる。
【００２９】
一方、熱電変換素子３１は、通電すると、ペルチェ効果により第１の面３１ａで吸熱が生じ、第２の面３１ｂで発熱が生じる。その結果、第１の面３１ａで半導体チップ１５の発熱Ｑ１を吸収し、第２の面３１ｂの発熱を放熱板３８からの放熱Ｑ２によって冷やすことにより、半導体チップ１５が冷却される。
【００３０】
熱電変換素子３１では、一端部のＮ型半導体素子３５の第２の面３１ｂ側が、制御回路３３を介して、蓄電池３２の正極（＋）に接続され、他端部のＰ型半導体素子３４の第２の面３１ｂ側が蓄電池３２の負極（−）に接続されている。
【００３１】
蓄電池３２は、例えばリチウムイオン電池であり、電変換素子３１が発生する熱起電力を充電し、熱起電力を熱電変換素子３１に放電する。蓄電池３２の充放電は、制御回路３３により制御される。
【００３２】
制御回路３３は、電流Ｉ１が熱電変換素子３１から蓄電池３２に流れるように構成された第１スイッチ素子４１、例えばＰチャネルＭＯＳトランジスタ（以後、単にＰＭＯＳトランジスタ４１ともいう）と、電流Ｉ２が蓄電池３２から熱電変換素子３１に流れるように構成された第２スイッチ素子４２、例えばＰチャネルＭＯＳトランジスタ（以後、単にＰＭＯＳトランジスタ４２ともいう）と、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐと基準温度Ｔｒｅｆとを比較し、比較結果に応じて、ＰＭＯＳトランジスタ４１およびＰＭＯＳトランジスタ４２を排他選択的に駆動する信号を出力する比較回路４３とで構成されている。制御回路３３は、半導体チップ１５に、ドライバＬＳＩと共に作りこまれている。
【００３３】
ＰＭＯＳトランジスタ４１は、ソースが熱電変換素子３１に接続され、ドレインが蓄電池３２の正極に接続され、ゲートが比較回路４３の第１出力端子４３ｃに接続されている。ＰＭＯＳトランジスタ４２は、ソースが蓄電池３２の正極に接続され、ドレインが熱電変換素子３１に接続され、ゲートが比較回路４３の第２出力端子４３ｄに接続されている。
【００３４】
比較回路４３は、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐに応じた信号が第１入力端子４３ａに入力され、基準温度Ｔｒｅｆに応じた信号が第２入力端子４３ｂに入力されると、比較結果に応じて、互いに反転した信号Ｖ１および信号Ｖ２を、第１出力端子４３ｃおよび第２出力端子４３ｄに出力する。
【００３５】
図３は比較回路４３を示す回路図である。図３に示すように、比較回路４３は、一対のＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ１およびＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ２と、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＰ１およびＰチャネルＭＯＳトランジスタＰ２を有するカレントミラー回路とを備えた、所謂カレントミラー型差動増幅器である。
【００３６】
比較回路４３において、ＮＭＯＳトランジスタＮ１のゲートが第２入力端（反転入力端子）４３ｂであり、ＮＭＯＳトランジスタＮ２のゲートが第１入力端子（非反転入力端子）４３ａである。
【００３７】
更に、ＰＭＯＳトランジスタＰ１のドレインとＮＭＯＳトランジスタＮ１のドレインとの接続ノードが第１出力端子４３ｃであり、ＰＭＯＳトランジスタＰ２のドレインとＮＭＯＳトランジスタＮ１のドレインとの接続ノードが第２出力端子４３ｄである。
【００３８】
比較回路４３は、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐが基準温度Ｔｒｅｆに比べて高いときに、第１出力端子４３ｃにＨｉｇｈレベルの信号Ｖ１を出力し、第２出力端子４３ｄにＬｏｗレベルの信号Ｖ２を出力する。
【００３９】
逆に、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐが基準温度Ｔｒｅｆに比べて低いときに、第１出力端子４３ｃにＬｏｗレベルの出力信号Ｖ１を出力し、第２出力端子４３ｄにＨｉｇｈレベルの信号Ｖ２を出力する。
【００４０】
図４は自己冷却システム２１の動作を説明するための図である。図４（ａ）に示すように、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐが基準温度Ｔｒｅｆより低いときに、ＰＭＯＳトランジスタ４１がオンになり、ＰＭＯＳトランジスタ４２がオフになる。その結果、電流Ｉ１が熱電変換素子３１から蓄電池３２に流れるので、熱電変換素子３１は発電素子として機能し、熱電変換素子３１の熱起電力が蓄電池３２に充電される。
【００４１】
一方、図４（ｂ）に示すように、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐが基準温度Ｔｒｅｆより高いときに、ＰＭＯＳトランジスタ４１がオフになり、ＰＭＯＳトランジスタ４２がオンになる。その結果、電流Ｉ２が蓄電池３２から熱電変換素子３１に流れるので、熱電変換素子３１は冷却素子として機能し、蓄電池３２に充電されている熱起電力が熱電変換素子３１に放電される。
【００４２】
図５は比較例の自己冷却システムを示す図である。図５に示すように、比較例の自己冷却システム５０は、熱電変換素子３１と、熱電変換素子３１の熱起電力により直接駆動される冷却ファン５１とを有している。冷却ファン５１は熱電変換素子３１の第２の面３１ｂに送風して、半導体チップ１５を間接的に冷却している。その結果、送風のための隙間も必要であり、どうしても装置が大型化してしまう。
【００４３】
図６は自己冷却システム２１の動作を比較例と対比して説明するためのタイミングチャートである。本実施例および比較例において、自己冷却システムがない場合、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐは、時間に対して破線６０に示すように上昇するものとする。
【００４４】
図６（ａ）に示すように、本実施例では、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐが上昇すると、熱電変換素子３１は熱起電力を発生し、この熱起電力は蓄電池３２に充電される。
【００４５】
時間ｔ１で、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐが基準温度Ｔｒｅｆより高くなると、蓄電池３２に充電されている熱起電力が放電され、熱電変換素子３１は半導体チップ１５を冷却する。その結果、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐは減少に転じる。
【００４６】
時間ｔ２で、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐが基準温度Ｔｒｅｆより低くなると、熱電変換素子３１は半導体チップ１５の冷却を停止して、熱起電力を発生し、この熱起電力は蓄電池３２に充電される。その結果、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐは増加に転じる。
【００４７】
以後、時間ｔ３から時間ｔ６において、上述した充電と放電（冷却）が繰り返される。その結果、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐは実線６１に示すように基準温度Ｔｒｅｆを中心とした一定の温度範囲内に維持される。  
例えば、半導体チップ１５の動作保障温度が１００℃の場合、基準温度Ｔｒｅｆは９５℃とすることが適当である。
【００４８】
一方、図６（ｂ）に示すように、比較例自己冷却システム５０では、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐが上昇すると、熱電変換素子３１は熱起電力を発生し、この熱起電力により冷却フアン５１が送風を開始する。
【００４９】
その結果、熱電変換素子３１の第２の面３１ｂ側が冷却され、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐが低下する。半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐは、半導体チップ１５の発熱Ｑ１と、冷却ファン６１の冷却能力がバランスしたところに落ち着く。
【００５０】
冷却ファン５１の冷却能力が高ければ、半導体チップ１５は十分冷却されて、基準値Ｔｒｅｆを下回ることもある。また、冷却ファン５１の冷却能力が低ければ、半導体チップ１５は十分冷却されず、基準値Ｔｒｅｆを上回ることもある。即ち、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐは、冷却ファン５１の冷却能力に応じて、ハッチングで示す温度領域６２内に幅を持って存在する。
【００５１】
以上説明したように、本実施例の液晶表示装置１０は、発電と冷却を１つの熱電変換素子３１で交互に行い、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐに応じて、熱電変換素子３１が発生した熱起電力を蓄電池３２に充電し、熱起電力を熱電変換素子３１に放電している。
【００５２】
その結果、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐを基準温度Ｔｒｅｆに維持することができる小型の自己冷却システムを有する液晶表示装置が得られる。
【００５３】
蓄電池３２は、液晶表示装置内の空きスペースに収納することができる。熱電変換素子３１と蓄電池３２とは、配線で接続すれば良いので、自己冷却システム２１の小型化を妨げる要因にはならない。
【００５４】
また、制御回路３３は、半導体チップ１５にドライバＬＳＩとともに作りこむことができるので、製造プロセスが共通化され、製造が容易になる利点がある。更に、制御回路３３の占有面積は僅かであり、半導体チップ１５のチップサイズにほとんど影響を与えない。
【００５５】
図７は自己冷却システム２１の別の動作を説明するための図である。図７に示すように、平時は、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐが基準温度Ｔｒｅｆ以下で推移しているとする。その間、熱電変換素子３１が発生した熱起電力は、蓄電池３２に充電されていく。
【００５６】
例えば突発的に過負荷状態になり、半導体チップ１５の温度Ｔｃｈｉｐが急激に上昇し、時間ｔ１で基準温度Ｔｒｅｆより高くなった場合に、それまでじっくりと蓄電池３２に充電されていた熱起電力を一気に放電させることにより、半導体チップ１５をすばやく冷却し、時間ｔ２で基準温度Ｔｒｅｆより低い温度に引き戻すことができる。
【００５７】
ここでは、熱電変換素子３１として、Ｐ型半導体素子３４とＮ型半導体素子３５が交互に直列接続されている場合について説明したが、異なる２種類の金属が交互に直列接続された熱電変換素子とすることも可能である。
【００５８】
異なる２種類の金属としては、例えば比較的高い熱起電力を有するクロメル（ニッケルおよびクロムを主成分とする合金）とコンスタスチン（銅およびニッケルを主成分とする合金）の組合せなどが適当である。
【００５９】
第１スイッチ素子４１および第２スイッチ素子４２として、ＰチャネルＭＯＳトランジスタを用いた場合について説明したが、ＰＮＰバイポーラトランジスタを用いることもできる。
【００６０】
バイポーラトランジスタは、ＭＯＳトランジスタより低いオン抵抗を得るのが容易であり、オン抵抗による充放電時の電力損失が削減できる利点がある。
【００６１】
蓄電池３２として、リチウムイオン電池を用いた場合について説明したが、その他の蓄電池、例えばニッケル水素電池を用いても構わない。
【実施例２】
【００６２】
本発明の実施例２に係る液晶表示装置の自己冷却システムについて図８を用いて説明する。図８は本実施例の自己冷却システムの要部を示す図である。  
本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。本実施例が実施例１と異なる点は、蓄電池に充電されている熱起電力と別の電源からの電力とを合成して熱電変換素子に供給するようにしたことにある。
【００６３】
即ち図８に示すように、本実施例では、電源部８０は、熱電変換素子３１へ供給する電力を蓄電池３２とは別に発生させ、電力合成部８１は、蓄電池３２に充電されている熱起電力と電源部８０で発生させた電力とを合成して、熱電変換素子３１へ供給するように構成されている。
【００６４】
電源部８０は、例えば液晶表示装置内で商用電源（ＡＣ１００Ｖ）を整流して得られる直流電源の一部を利用することができる。電力合成部８１は、例えば３つの抵抗がＹ結線された抵抗合成回路を利用することができる。  
電力合成部８１により、蓄電池３２からの電流Ｉ２と、電源部８０からの電流Ｉ３とが合成され、熱電変換素子３１へ電流Ｉ４として供給される。
【００６５】
これにより、熱電変換素子３１に安定して電力を供給することが可能になる。例えば、蓄電池３２の残量が少なくなった場合、または、熱電変換素子３１が一時的に大電力を必要とする場合などに、不足する電力を電源部８０からの電力で補うことができる。
【００６６】
以上説明したように、本実施例では、蓄電池３２に充電されている熱起電力と、蓄電池３２と別の電源部８０が発生する電力とを電力合成部８１で合成して、熱電変換素子３１に供給している。その結果、熱電変換素子３１に安定して電力を供給できる利点がある。
【符号の説明】
【００６７】
１０  液晶表示装置
１１  液晶パネル
１２  ゲートドライバ
１３  ソースドライバ
１４  フィルム
１５  半導体チップ
１６  リード形成領域
１７  パッド
１８  開口
１９  リード
２０  樹脂
２１  自己冷却システム
３１  熱電変換素子
３１ａ  第１の面
３１ｂ  第２の面
３２  蓄電池
３３  制御回路
３４  Ｐ型半導体素子
３５  Ｎ型半導体素子
３６  電極
３７  絶縁体
３８  ヒートシンク
４１  第１スイッチ素子
４２  第２スイッチ素子
４３  比較回路
５０  自己冷却システム
５１  冷却ファン
８０  電源部
８１  電力合成部
Ｑ１  発熱
Ｑ２  放熱
Ｐ１、Ｐ２  ＰチャネルＭＯＳトランジスタ
Ｎ１、Ｎ２  ＮチャネルＭＯＳトランジスタ
【図１】
2011069885.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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