(57)【要約】【課題】レーザートリミングによって除去される金属配線を有した半導体装置において、金属配線の下層の素子分離領域においてクラックの発生を抑止する。【解決手段】例えばＰ型の半導体基板１０には、Ｎ−型の半導体層１１と隣接するＰ＋型の素子分離領域１２と、それを覆うＬＯＣＯＳ絶縁膜１３が形成されている。これらは第１の層間絶縁膜２１に覆われている。第１の層間絶縁膜２１上には、ヒューズ配線として、並行して延びる金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃが形成されている。第１の層間絶縁膜２１の貫通孔２１ＴＨ内には、タングステン等からなる高融点金属層２２が形成されている。この高融点金属層２２は、レーザートリミングの際に生じる余分な熱を吸収するため、第１の層間絶縁膜２１にクラックが生じにくくなる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された金属配線からなるヒューズ配線と、
前記ヒューズ配線を覆う第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を貫通し、前記半導体基板の平面方向において前記ヒューズ配線の両端と離間して該ヒューズ配線に沿って延びる高融点金属層と、を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記高融点金属層は複数の柱状体からなり、各柱状体は、前記半導体基板の平面方向において互いに離間して配置され、前記第１の絶縁膜を介して互いに絶縁されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ヒューズ配線を構成する前記金属配線は、アルミニウムを含む金属材料からなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体基板は、半導体基板と同じ第１導電型の不純物拡散層からなる素子分離領域と、該素子分離領域と隣接する第２導電型の半導体層を含み、
前記ヒューズ配線は、前記半導体基板の平面方向において前記素子分離領域と重畳して形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記素子分離領域内の表面には、前記第１導電型の不純物拡散層に囲まれた第２導電型の不純物拡散層が形成され、
前記ヒューズ配線は、前記半導体基板の平面方向において前記第２導電型の不純物拡散層と重畳して形成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、複数の電子デバイス間に接続されたヒューズ配線を有する半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、完成した半導体装置の仕様や性能を調整するために、半導体装置の複数の電子デバイス間には、レーザートリミング等により部分的に除去されるヒューズ配線が接続されている。
【０００３】
各ヒューズ配線は、例えば図９に示すように、電子デバイス（不図示）の形成領域から延びる第１の層間絶縁膜１２１上において、並行して延びる複数の金属配線１２３Ａ，１２３Ｂによって構成される。これらの金属配線１２３Ａ，１２３Ｂは、多層配線に用いられる金属材料、例えばアルミニウムからなり、電子デバイスの形成領域から延びる第２の層間絶縁膜１２４に覆われている。金属配線１２３Ａ，１２３Ｂは、例えばＰ型の半導体基板１１０に含まれるＰ＋型の素子分離領域１１２上のＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）絶縁膜１１３と重畳して形成される。なお、半導体基板１１０は、Ｐ＋型の素子分離領域１１２と隣接して、例えばＮ−型の半導体層（不図示）を含んでいる。
【０００４】
そして、特定の金属配線、例えば金属配線１２３Ａの一部が、レーザー照射等により気化され、その金属配線１２３Ａからなるヒューズ配線は断線する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１７７２７０号公報
【特許文献２】特開２００４−１０３９６０号公報
【特許文献３】特開２００６−０４１２５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ヒューズ配線として形成された金属配線１２３Ａをレーザートリミングする際には、図１０に示すように、レーザー照射された金属配線１２３Ａの一部が気化して除去される。このとき、もともと金属配線１２３Ａが形成されていた領域、即ち開口部１２４Ａの底部近傍では、第１の層間絶縁膜１２１から素子分離領域１１２の一部にかけて、金属配線１２３Ａが気化するときに放出された熱を起因として、クラック１１２Ｃが生じてしまう。素子分離領域１１２に生じたクラック１１２Ｃは、素子分離領域１１２とそれに隣接するＮ−型の半導体層（不図示）との間にリーク電流を生じさせる原因となる場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みて為されたものであり、その主な特徴は以下の通りである。
【０００８】
本発明の半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に形成された金属配線からなるヒューズ配線と、ヒューズ配線を覆う第２の絶縁膜と、第１の絶縁膜を貫通し、半導体基板の平面方向においてヒューズ配線の両端と離間して該ヒューズ配線に沿って延びる高融点金属層と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の半導体装置は、上記構成において、高融点金属層は複数の柱状体からなり、各柱状体は、半導体基板の平面方向において互いに離間して配置され、第１の絶縁膜を介して互いに絶縁されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の半導体装置は、上記構成において、ヒューズ配線を構成する金属配線はアルミニウムを含む金属材料からなることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の半導体装置は、上記構成において、半導体基板は、半導体基板と同じ第１導電型の不純物拡散層からなる素子分離領域と、該素子分離領域と隣接する第２導電型の半導体層を含み、ヒューズ配線は、半導体基板の平面方向において素子分離領域と重畳して形成されることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の半導体装置は、上記構成において、素子分離領域内の表面には、第１導電型の不純物拡散層に囲まれた第２導電型の不純物拡散層が形成され、ヒューズ配線は、半導体基板の平面方向において第２導電型の不純物拡散層と重畳して形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、第１の絶縁膜（例えば層間絶縁膜）上にヒューズ配線として形成された金属配線をレーザートリミングする際に、該第１の絶縁膜から半導体基板の一部に至るクラックの発生を抑止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態による半導体装置の回路図である。
【図２】図１の半導体装置のヒューズ配線近傍を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図４】図１の半導体装置のヒューズ配線近傍を示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図６】図３の変形例を示す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図８】本発明の第１及び第２の実施形態の変形例を示す断面図である。
【図９】従来例によるヒューズ配線を示す断面図である。
【図１０】従来例によるヒューズ配線を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態による半導体装置について図面を参照して説明する。図１は、この半導体装置の構成例を示す概略の回路図である。半導体装置１には、複数の電子デバイス（不図示）を含む回路２が形成されている。この回路２には、その出力端子３から出力される出力電圧Ｖｏｕｔを調整するために、例えば、ヒューズ配線４Ａ，４Ｂ，４Ｃを介して、複数の抵抗素子５Ａ，５Ｂ，５Ｃが並列接続されている。そして、このような構成で完成した半導体装置において、必要に応じて、ヒューズ配線４Ａ，４Ｂ，４Ｃのいずれかをレーザートリミングによって断線させることにより、抵抗値の大きさを変えて出力電圧Ｖｏｕｔを調整することができる。
【００１６】
なお、本発明の半導体装置は、図１の構成例に限定されず、任意の電子デバイスや信号線、例えば回路２内に含まれるトランジスタのゲート線等に、ヒューズ配線が接続されたものであってもよい（不図示）。また、任意の個数のヒューズ配線４Ａ，４Ｂ，４Ｃが配置されてもよいが、本実施形態では３個のヒューズ配線４Ａ，４Ｂ，４Ｃが配置された場合の構成例を示す。
【００１７】
以下に、半導体装置１に形成されたヒューズ配線４Ａ，４Ｂ，４Ｃの詳細構成について図面を参照して説明する。図２は、図１の半導体装置１におけるヒューズ配線４Ａ，４Ｂ，４Ｃ近傍を部分的に示す平面図である。また、図３は、図２のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、説明の便宜上、図２及び図３では、主要な構成要素以外については図示を省略している。
【００１８】
図２及び図３に示すように、例えば、Ｐ型の半導体基板１０に、エピタキシャル成長法によってＮ−型の半導体層１１が形成されている。また、半導体基板１０には、半導体層１１を電気的に分離する素子分離領域１２として、半導体基板１０と同じ導電型、例えばＰ＋型の不純物拡散層からなる半導体層が形成される。なお、半導体層１１及び素子分離領域１２は、いずれも半導体基板１０に含まれる構成要素であるが、説明を明確にするため、個別の参照番号を付して参照する。
【００１９】
素子分離領域１２上には、例えば、反転防止層（不図示）を介して、ＬＯＣＯＳ絶縁膜１３が形成されており、その両側には半導体層１１を覆う絶縁膜１４が延びている。ＬＯＣＯＳ絶縁膜１３及び絶縁膜１４は、第１の層間絶縁膜２１に覆われている。第１の層間絶縁膜２１は、回路２に含まれる電子デバイス（不図示）の多層配線等の積層構造に用いられる層間絶縁膜であり、単層あるいは２層以上の絶縁膜からなる。
【００２０】
第１の層間絶縁膜２１には複数の貫通孔２１ＴＨが形成される。これらの貫通孔２１ＴＨは、半導体基板１０の平面方向において所定の距離で互いに離間し、長手方向が互いに平行あるいは略平行に延びるように形成される。
【００２１】
各貫通孔２１ＴＨには、高融点金属層２２が形成される。この高融点金属層２２は、半導体装置１の多層配線構造に用いる金属材料、例えばアルミニウムよりも高い融点を有するものであり、好ましくは、タングステン、あるいはタングステンを含む金属材料からなる。高融点金属層２２の長手方向と直交する方向の幅は、例えば約０．２μｍ〜０．４μｍである。
【００２２】
第１の層間絶縁膜２１上には、図１の複数のヒューズ配線４Ａ，４Ｂ，４Ｃとして、複数の金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃが線状に並行して延びている。これらの金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃの長手方向は、高融点金属層２２が形成された貫通孔２１ＴＨと離間して平行あるいは略平行に延びている。例えばコンタクト（不図示）を介して、各金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃの一方の端は、図１の回路２内に含まれる電子デバイスと接続され、他方の端は、出力端子３と接続された抵抗素子５Ａ，５Ｂ，５Ｃと接続される（不図示）。金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃは、半導体装置１の多層配線構造に用いる金属材料、例えばアルミニウムあるいはアルミニウムを含む金属材料からなる。
【００２３】
半導体基板１０の平面方向において、金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃの長手方向と直交する方向の幅は例えば約１μｍであり、各金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃのピッチは、例えば約５μｍ〜１０μｍである。
【００２４】
なお、図２乃至図８の説明では、図１のヒューズ配線４Ａ，４Ｂ，４Ｃについては、金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃで統一して表記して説明を行うものとする。
【００２５】
第１の層間絶縁膜２１及び金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃは、第２の層間絶縁膜２４に覆われている。第２の層間絶縁膜２４は、回路２に含まれる電子デバイス（不図示）の多層配線等の積層構造に用いられる層間絶縁膜であり、単層あるいは２層以上の絶縁膜からなる。第２の層間絶縁膜２４が２層の絶縁膜からなる場合、例えば下層から順にＳＯＧ（Spin on Glass）膜、ＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate）膜が積層される。
【００２６】
以下に、上記構成の半導体装置におけるレーザートリミングについて図面を参照して説明する。図４は、この半導体装置にヒューズ配線として形成された複数の金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃのうち、特定の金属配線、例えば金属配線２３Ａをレーザートリミングした場合の平面図であり、図５は図４のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図４及び図５は、図２及び図３と同じ領域を示すものであり、主要な構成要素以外については図示を省略している。
【００２７】
図４及び図５に示すように、レーザートリミングの際には、第２の層間絶縁膜２４の表面側から金属配線２３Ａの一部に向けて、例えば、約４μｍの径のスポット照射で、１μＪ（ジュール）〜１．６μＪ程度の出力によるレーザー照射を行う。このレーザー照射によって金属配線２３Ａの一部が気化して除去される。このとき、金属配線２３Ａが気化して放出された熱の一部は、余分な熱として第１の層間絶縁膜２１を貫通する高融点金属層２２に伝わる。そして、高融点金属層２２の熱吸収率は高いことから、上記余分な熱は、高融点金属層２２によって吸収される。
【００２８】
そのため、金属配線２３Ａの下方、即ち開口部２４Ａの底部近傍では、上記余分な熱は、第１の層間絶縁膜２１に蓄積されにくくなり、その下層、即ちＬＯＣＯＳ絶縁膜１３及び素子分離領域１２に伝わりにくくなる。これにより、第１の層間絶縁膜２１から素子分離領域１２の一部に至るクラックは生じにくくなる。従って、従来例のように、Ｐ＋型の素子分離領域１２にクラックが生じて、素子分離領域１２とそれに隣接するＮ−型の半導体層１１との間にリーク電流が生じることを極力抑止できる。また、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００２９】
さらに、金属配線２３Ａは、他の材料からなるヒューズ配線、例えばポリシリコン層に比して低い融点を有するため、弱い出力のレーザー照射によって気化することが可能であり、また、その際の余分な熱は高融点金属層２２に吸収される。そのため、金属配線２３Ａが気化する際に生じるガスの熱と圧力が小さく抑えられて、金属配線２３Ａ上と、それに隣接する他の金属配線２３Ｂ，２３Ｃ上の第２の層間絶縁膜２４が必要以上に広い範囲で変形あるいは除去されることはなくなる。即ち、レーザートリミングによって開口される第２の層間絶縁膜２４の開口部２４Ａは極力小さく形成される。
【００３０】
なお、第２の層間絶縁膜２４の開口部２４Ａの形状は、実際のレーザートリミングでは、図示したような形状になるとは限らず、様々な形状となりうる。ここでは、開口部２４Ａの形状を簡略化して模式的に図示している。
【００３１】
より確実に、レーザートリミングの際に第２の層間絶縁膜２４の開口部２４Ａを小さくするためには、図３の変形例として、図６の断面図のように、第２の層間絶縁膜２４に複数の貫通孔２４ＴＨが形成され、各貫通孔２４ＴＨの中に、高融点金属層２２と同様の他の高融点金属層２５が形成されてもよい。貫通孔２４ＴＨ及び高融点金属層２５は、半導体基板１０の平面方向において、金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃと離間し、金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃの長手方向に沿って平行あるいは略平行に延びるように形成される。図６の例では、半導体基板１０の平面方向において、２つの高融点金属層２２，２５は互いに重畳しているが、２つの高融点金属層２２，２５は、必ずしも互いに重畳する必要はなく、それぞれ異なるパターンにより形成されてもよい。
【００３２】
この構成により、レーザー照射によって金属配線２３Ａが気化して放出された熱の一部は、余分な熱として、第２の層間絶縁膜２４内を貫通する高融点金属層２５に伝わる。高融点金属層２５の熱吸収率は高いことから、上記余分な熱は高融点金属層２５によって吸収される。高融点金属層２５に吸収された熱の大部分は、高融点金属層２５の露出面、即ち第２の層間絶縁膜２４の貫通孔２４ＴＨの開口部で露出する部分から放出される。
【００３３】
そのため、金属配線２３Ａが気化する際に生じるガスの熱と圧力が小さく抑えられて、金属配線２３Ａ上と、それに隣接する他の金属配線２３Ｂ，２３Ｃ上の第２の層間絶縁膜２４が必要以上に広い範囲で変形あるいは除去される可能性が低くなる。また、当然ながら、上記余分な熱は、２層の高融点金属層２２，２５によって吸収されることから、第１の層間絶縁膜２１から素子分離領域１２に至るクラックは、さらに生じにくくなる。
【００３４】
さらに、図示しないが、第２の層間絶縁膜上２４に、他の絶縁膜が形成されてもよいが、その絶縁膜に、上記貫通孔２１ＴＨ，２４ＴＨと同様の貫通孔が形成され、該貫通孔の中に上記高融点金属層２２，２５と同様の高融点金属層が形成されてもよい。この構成においても、上記と同等の効果を得ることができる。
【００３５】
［第２の実施形態］
上記第１の実施形態では、レーザートリミングの際に、素子分離領域１２におけるクラックの抑止が図れるものの、第１の層間絶縁膜２１及び第２の層間絶縁膜２４の各材料の性質や、レーザーの照射条件によっては、金属配線２３Ａが気化するときに放出される熱を起因として、開口部２４Ａの底部近傍における第１の層間絶縁膜２１内にクラックが生じ、そのクラック内に気化した金属配線２３Ａが流入する場合がある。このクラックは、レーザートリミング後も残存する金属配線２３Ａ（即ちレーザー照射されていない部分）の各端２３Ｔと、高融点金属層２２との間に延びて、それらの間に電気的な導通経路を構成する場合がある。このクラックが複数発生すると、本来ならばヒューズ配線４Ａとして断線されるはずの金属配線２３Ａの２つの端２３Ｔが、上記クラックと高融点金属層２２を介して導通してしまう場合がある。
【００３６】
この問題に対処するため、本発明の第２の実施形態として、上記第１の実施形態における高融点金属層２２は、図７の平面図に示すように、複数の柱状体からなり、半導体基板１０の平面方向において互いに離間して配置され、第１の層間絶縁膜２１を介して互いに絶縁されてもよい。図７では、図２及び図３の構成において、金属配線２３Ａの一部がレーザートリミングにより除去された状態を示している。なお、このような柱状体からなる高融点金属層２２の構成は、図６における第２の層間絶縁膜２４の高融点金属層２５に対して適用されてもよい。
【００３７】
この構成によれば、第１の層間絶縁膜２１内を通って高融点金属層２２と接続するように複数のクラック２１Ｃが生じても、柱状体からなる複数の高融点金属層２２は、それぞれ、第１の層間絶縁膜２１を介して互いに絶縁されているため、各クラック２１Ｃは互いに電気的に接続されにくくなる。即ち、断線された金属配線２３Ａの２つの端２３Ｔが、複数のクラック２１Ｃと高融点金属層２２を介して導通する可能性を、極めて低くすることができる。
【００３８】
また、第１の実施形態では、第１の層間絶縁膜２１に生じるクラック２１Ｃの問題の他にも、レーザートリミングの際に、金属配線２３Ａが気化したガスの熱と圧力により、第２の層間絶縁膜２４の一部が、開口部２４Ａ底部近傍において除去され、さらに金属配線２３Ａの残渣が高融点金属層２２まで飛び散る場合がある（不図示）。
【００３９】
この金属配線２３Ａの残渣は、レーザートリミング後も残存する金属配線２３Ａの各端２３Ｔと高融点金属層２２との間を電気的に接続するようにして、複数箇所に延在する場合がある。この場合、本来ならば断線されるはずの金属配線２３Ａの２つの端２３Ｔが、金属配線２３Ａの残渣と高融点金属層２２を介して電気的に導通してしまう恐れがある。この場合においても、本実施形態によれば、柱状体からなる各高融点金属層２２が、互いに絶縁されて配置されているため、上記クラック２１Ｃの場合と同様に、金属配線２３Ａの２つの端２３Ｔが導通する可能性は極めて低くなる。この高融点金属層２２以外の構成及び効果については第１の実施形態と同様である。
【００４０】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲で変更が可能なことは言うまでもない。
【００４１】
例えば、第１の実施形態は、高融点金属層２２を設けることにより、素子分離領域１２にクラックを生じにくくし、Ｐ＋型の素子分離領域とＮ−型の半導体層１１との間におけるリーク電流を極力抑止したが、その抑止効果をさらに高めるため、図８の断面図に示すように構成されてもよい。即ち、Ｐ＋型の素子分離領域１２の表面であって、複数の金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃと重畳する領域において、素子分離領域１２とは逆導電型の不純物拡散層として、例えばＮ＋型不純物拡散層１９が形成される。Ｎ＋型不純物拡散層１９は、半導体基板１０の厚さ方向では素子分離領域１２の全体より浅く形成され、半導体基板１０の平面方向では、素子分離領域１２の全体の幅よりも小さく形成される。即ち、Ｎ＋型不純物拡散層１９の周囲と下方は、Ｐ＋型の素子分離領域１２に囲まれている。
【００４２】
この構成により、レーザートリミングの際、金属配線２３Ａが気化して放出された熱は、主に金属配線２３Ａと重畳する領域のＮ＋型不純物拡散層１９に伝わるが、その周囲と下方を囲む素子分離領域１２には殆ど伝わらないため、素子分離領域１２にクラックは生じにくくなる。また、金属配線２３Ａが気化して放出された熱によるクラックは、Ｐ＋型の素子分離領域１２に比してＮ＋型不純物拡散層１９には生じにくいため、Ｎ＋型不純物拡散層１９にもクラックは生じにくくなる。従って、第１の実施形態において、より確実に、素子分離領域１２とＮ−型の半導体層１１との間におけるリーク電流を抑止ことができる。この構成は、第２の実施形態に対しても適用できる。
【００４３】
また、上記第１及び第２の実施形態では、ヒューズ配線を構成する金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃは、全て素子分離領域１２と重畳して形成されるものとしたが、部分的に素子分離領域１２と重畳して形成されてもよいし、全く重畳しない領域に形成されてもよい。
【００４４】
また、上記第１及び第２の実施形態において、ヒューズ配線４Ａ，４Ｂ，４Ｃとして機能する金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃは、回路２の電子デバイスや抵抗素子５Ａ，５Ｂ，５Ｃとは別個に形成され、コンタクトを介して接続されるものであったが、本発明はこれに限定されない。即ち、本発明は、回路２の電子デバイスや抵抗素子５Ａ，５Ｂ，５Ｃの構成要素の一部に、ヒューズ配線４Ａ，４Ｂ，４Ｃとして機能する金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃを含む場合についても適用される。例えば、抵抗素子５Ａ，５Ｂ，５Ｃそのものの一部が、金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃで構成されている場合、その金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃをヒューズ配線４Ａ，４Ｂ，４Ｃとして、レーザートリミングの対象とすればよい。
【符号の説明】
【００４５】
１  半導体装置                ２  回路
３  出力端子                  ４Ａ，４Ｂ，４Ｃ  ヒューズ配線
５Ａ，５Ｂ，５Ｃ  抵抗素子    １０，１１０  半導体基板
１１  半導体層                １２，１１２  素子分離領域
１３，１１３  ＬＯＣＯＳ絶縁膜    １４  絶縁膜
１９  Ｎ＋型不純物拡散層      ２１，１２１  第１の層間絶縁膜
２１ＴＨ  貫通孔              ２２  高融点金属層
２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ，１２３Ａ，１２３Ｂ  金属配線
２４，１２４  第２の層間絶縁膜
【図１】
2011054701.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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