(57)【要約】【課題】水、炭化水素などの不純ガスを十分に除去して保護層や蛍光体の劣化を抑制し、高画質で信頼性の高いＰＤＰを提供することを目的とする。【解決手段】互いに平行な複数の表示電極対と誘電体層と保護層とが形成された前面基板１１と、互いに平行な複数のデータ電極と下地誘電体層と隔壁と蛍光体層とが形成された背面基板１７とを有し、表示電極対とデータ電極とが交差するように前面基板１１と背面基板１７とを対向配置して周囲を封着するとともに内部に白金族からなる水素吸蔵性材料を配置したＰＤＰ１０の製造方法であって、前面基板１１と背面基板１７との周囲を封着する封着ステップが、ＰＤＰ１０内を減圧状態にして行われる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに平行な複数の表示電極対と誘電体層と保護層とが形成された前面基板と、互いに平行な複数のデータ電極と下地誘電体層と隔壁と蛍光体層とが形成された背面基板とを有し、前記表示電極対と前記データ電極とが交差するように前記前面基板と前記背面基板とを対向配置して周囲を封着するとともに内部に白金族からなる水素吸蔵性材料を配置したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記前面基板と前記背面基板との周囲を封着する封着ステップが、前記プラズマディスプレイパネル内を減圧状態にして行われることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記封着ステップが、前記プラズマディスプレイパネル内を一旦減圧状態にして保持するステップと、その後、酸素を含まない不活性ガスで復圧するステップとを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記水素吸蔵性材料がパラジウムであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示に用いられるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、大画面で薄型軽量を実現できるカラー表示デバイスとしてプラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」と略記する）が注目されている。
【０００３】
ＰＤＰとして代表的な交流面放電型ＰＤＰは、対向配置された前面基板と背面基板との間に多数の放電セルが形成されている。前面基板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対がガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面基板は、ガラス基板上に複数の互いに平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上に井桁状の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。
【０００４】
そして、表示電極対とデータ電極とが交差するように前面基板と背面基板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のＰＤＰの各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色、緑色および青色の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。ＰＤＰを駆動する方法としてはサブフィールド法、すなわち、１フィールド期間を複数のサブフィールドに分割した上で、発光させるサブフィールドの組み合わせによって階調表示を行う方法が一般的である。
【０００５】
ＰＤＰは、前面基板作製工程、背面基板作製工程、封着工程、排気工程、放電ガス供給工程の各工程を経て製造される。ここで封着工程は、前面基板作製工程で作成した前面基板と背面基板作製工程で作成した背面基板とを貼り合わせる工程であり、排気工程はＰＤＰ内部の空間からガスを排気する工程である。封着工程ではフリットを用いて前面基板と背面基板とを貼り合わせるため、それらを重ね合わせてフリットの軟化点温度以上、例えば４４０℃〜５００℃程度で焼成する。
【０００６】
このような封着工程において、フリットなどから、水（Ｈ２Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、炭酸ガス（ＣＯ２）、炭化水素（ＣｎＨｍ）などの不純ガスが排出され、これらの不純ガスの一部がＰＤＰの内部に吸着される。また、続く排気工程では、ＰＤＰの内部空間を排気するが、ＰＤＰの内部に吸着された不純ガスを完全に排気することが難しく、ＰＤＰの内部にある程度の不純ガスが残留する。
【０００７】
保護層や蛍光体などはこれらの不純ガスと反応し、その特性が劣化することが知られている。特に、水（Ｈ２Ｏ）は、保護層に影響を及ぼして放電セルの放電開始電圧を低下させ、表示画面に「にじみ」状の画質劣化を発生させる。また、長時間にわたり静止画像を表示するとその画像が残像となる「焼きつき」を発生させる。また炭化水素は、蛍光体の表面を還元し、蛍光体の発光輝度を低下させる。
【０００８】
そのため、ＰＤＰの内部に残留する不純ガス、特に水や炭化水素を低減し、放電特性を安定させ、経時変化を抑制して信頼性を高めることが重要である。これら不純ガスを除去する方法として、例えば特許文献１には、結晶性アルミノケイ酸塩（ｘＭ２Ｏ・ｙＭ２Ｏ・ｙＡｌ２Ｏ３・ｚＳｉＯ２・ｎＨ２Ｏ）、γ活性アルミナ（γ−Ａｌ２Ｏ３）または非晶質活性シリカ（ＳｉＯ２）などの吸着剤をＰＤＰ内部に配置して水を除去する例が開示されている。また特許文献２には、ＰＤＰ内部の画像表示領域以外に酸化マグネシウム膜を設けて、水を除去する例が開示されている。
【０００９】
さらに特許文献３には、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化ランタニウム（Ｌａ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化マンガン（ＭｎＯ）、酸化クロム（ＣｒＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）などの酸化物や、これらの酸化物に炭化水素の分解触媒である白金族元素を添加した吸着剤をＰＤＰ内部の画像表示領域以外に配置して炭化水素を除去する例が開示されている。また特許文献４には、ジルコン（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）などの金属ゲッタをＰＤＰ内部の隔壁上に設けて有機溶媒成分を吸着する例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−３０３５５５号公報
【特許文献２】特開平５−３４２９９１号公報
【特許文献３】国際公開第２００５／０８８６６８号
【特許文献４】特開２００２−５３１９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、近年のＰＤＰの大画面化および高精細化にともない、不純ガスの残留量が増加する。そのため、上記の従来例では、水や炭化水素、有機溶媒などの不純ガスを十分に除去することが難しく、保護層や蛍光体が劣化するといった課題を有していた。
【００１２】
本発明はこれらの課題を解決して、水や炭化水素などの不純ガスを十分に除去し、保護層や蛍光体の劣化を抑制した信頼性の高いＰＤＰを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述の目的を達成するために、本発明のＰＤＰの製造方法は、互いに平行な複数の表示電極対と誘電体層と保護層とが形成された前面基板と、互いに平行な複数のデータ電極と下地誘電体層と隔壁と蛍光体層とが形成された背面基板とを有し、表示電極対とデータ電極とが交差するように前面基板と背面基板とを対向配置して周囲を封着するとともに内部に白金族からなる水素吸蔵性材料を配置したＰＤＰの製造方法であって、前面基板と背面基板との周囲を封着する封着ステップが、ＰＤＰ内を減圧状態にして行っている。
【００１４】
このような方法によれば、封着ステップで水素吸蔵性材料が酸化されるのを防ぎ、水素吸蔵性材料の高い水素吸蔵性能力を維持することができる。その結果、水、炭化水素などの不純ガスが十分に除去され、保護層や蛍光体の劣化を抑制して高画質で信頼性の高いＰＤＰを実現することができる。
【００１５】
さらに、封着ステップが、ＰＤＰ内を一旦減圧状態にして保持するステップと、その後、酸素を含まない不活性ガスで復圧するステップとを含むことが望ましい。このような方法によれば、水素吸蔵性材料の酸化がさらに抑制され、保護層や蛍光体の劣化をさらに抑制することができる。
【００１６】
さらに、水素吸蔵性材料がパラジウムである場合には、保護層や蛍光体の劣化をきわめて大きく抑制することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のＰＤＰによれば、水、炭化水素などの不純ガスを十分に除去して保護層や蛍光体の劣化を抑制し、高画質で信頼性の高いＰＤＰを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施の形態１におけるＰＤＰの構造を示す分解斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】実施の形態１におけるＰＤＰの製造方法を示すフローチャートである。
【図４】実施の形態１における封着・排気ステップに用いる焼成装置を示す図である。
【図５】実施の形態２におけるＰＤＰの製造方法を示すフローチャートである。
【図６】実施の形態２における封着ステップに用いる焼成装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
（実施の形態１）
図１は実施の形態１におけるＰＤＰの構造を示す分解斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。図１、図２に示すように、ＰＤＰ１０は、前面基板１１と背面基板１７とから構成されている。
【００２１】
図１、図２において、ガラス製の前面基板１１上には、走査電極１２と維持電極１３とで対をなす表示電極対１４が互いに平行に複数対形成されている。この走査電極１２および維持電極１３は、走査電極１２−維持電極１３−維持電極１３−走査電極１２の配列で繰り返すパターンで形成されている。走査電極１２は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの導電性金属酸化物からなる幅の広い透明電極１２ａの上に、導電性を高めるために銀（Ａｇ）などの金属を含む幅の狭いバス電極１２ｂを積層して形成されている。維持電極１３も同様に、幅の広い透明電極１３ａの上に幅の狭いバス電極１３ｂを積層して形成されている。
【００２２】
さらに、表示電極対１４を覆うように誘電体層１５および酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層１６が形成されている。誘電体層１５は、膜厚が約４０μｍの酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）系低融点ガラスまたは酸化亜鉛（ＺｎＯ）系低融点ガラスで形成されている。保護層１６は、膜厚が約０．８μｍの酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を主体とするアルカリ土類酸化物からなる薄膜層であり、誘電体層１５をイオンスパッタから保護するとともに放電開始電圧などの放電特性を安定させるために設けられている。
【００２３】
ガラス製の背面基板１７上には、銀（Ａｇ）などを主成分とする導電性の高い材料からなる互いに平行な複数のデータ電極１８が形成され、データ電極１８を覆うように下地誘電体層１９が形成されている。下地誘電体層１９は、誘電体層１５と同様の酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）系低融点ガラスなどであってもよいが、可視光反射層としての働きも兼ねるように酸化チタン（ＴｉＯ２）粒子を混合した材料であってもよい。
【００２４】
下地誘電体層１９上には井桁状の隔壁２２が形成され、下地誘電体層１９の表面と隔壁２２の側面とには、赤色、緑色、青色に発光する蛍光体層２３が形成されている。隔壁２２は、例えば低融点ガラス材料を用いて約０．１２ｍｍの高さに形成されている。蛍光体層２３は、青色蛍光体としてＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕを、緑色蛍光体としてＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎを、赤色蛍光体として（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕなどをそれぞれ用いて約１５μｍの膜厚に形成されている。
【００２５】
図２に示すように、保護層１６の表面あるいは隔壁２２の頂部には、粒径が０．１μｍ〜２０μｍの白金族元素からなる水素吸蔵性材料２１が分散して配置されている。水素吸蔵性材料２１の詳細については後述する。
【００２６】
前面基板１１と背面基板１７は、表示電極対１４とデータ電極１８とが交差するように、対向配置され、その外周部をフリットなどの封着材（図示せず）によって封着され内部に放電空間が形成されている。放電空間にはキセノン（Ｘｅ）などを含む放電ガスが約６×１０４Ｐａの圧力で封入されている。放電空間は隔壁２２によって複数の区画に仕切られており、表示電極対１４とデータ電極１８とが交差する部分に放電セル２４が形成されている。そしてこれらの放電セル２４が放電、発光することにより画像が表示される。なお、ＰＤＰ１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、隔壁２２の形状がストライプ状であってもよい。
【００２７】
次に、白金族元素からなる水素吸蔵性材料２１について説明する。従来、水や炭化水素を除去するために金属ゲッタや酸化物ゲッタを使用していたが、これら不純ガスの分子径が大きいためゲッタの内部まで十分に浸透せず、不純ガスの吸着量に限界があった。
【００２８】
本発明者らは、ＰＤＰ１０の放電により、保護層１６、隔壁２２、蛍光体層２３などから放出される水分子や炭化水素分子などの不純ガスが、水素原子、酸素原子、炭素原子に分解されることに注目した。そして白金族元素が、水素を大量に吸蔵する水素吸蔵性材料であることに着目し、水素原子を白金族元素に吸蔵させることで、水や炭化水素を除去できることを見いだした。
【００２９】
まず、白金族元素を用いて以下のような実験を行った。白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミニウム（Ｏｓ）、パラジウム（Ｐｄ）などの白金族元素からなる水素吸蔵性材料２１を粉体化してそれぞれを有機バインダーと混練し、スプレー法などを用いて図２に示すように蛍光体層２３の表面に分散塗布したＰＤＰ１０を作成した。
【００３０】
このようにして作成したＰＤＰ１０を用いて画像を表示させ、およそ１０００時間の間、表示面での「にじみ」および「焼きつき」の有無を目視で確認した。その結果、全てのＰＤＰ１０で「にじみ」や「焼きつき」による画質劣化が従来のＰＤＰ１０よりも軽減することを確認した。また、白金族元素のなかではパラジウムを用いたものが最も効果が大きかった。これはパラジウムが、水分子や炭化水素分子が分解されて発生した水素原子を最もよく吸収する能力があるためと考えられる。
【００３１】
しかしながら、４００℃〜５００℃の大気雰囲気で加熱される封着ステップにおいて、白金族元素の水素吸蔵性材料２１が部分的に酸化され、その結果、本来の水素吸蔵能力が十分に発揮されずに水、炭化水素などの不純ガスを十分には除去できないことも確認された。そこで、封着ステップにおいて、水素吸蔵性材料２１が酸化されるのを防ぐ方法を種々試みた。その結果、封着ステップにおいて、ＰＤＰ１０内を減圧状態に保持することによって、水素吸蔵性材料２１の酸化を防ぐことができることを見いだした。
【００３２】
図３は実施の形態１におけるＰＤＰ１０の製造方法を示すフローチャートである。図３に示すように、ＰＤＰ１０は、前面基板作製ステップ（Ｓ１）、背面基板作製ステップ（Ｓ２）、封着・排気ステップ（Ｓ３）、放電ガス封入ステップ（Ｓ５）、チップオフステップ（Ｓ6）の各ステップを経て製造される。
【００３３】
前面基板１１と背面基板１７との周囲を封着する封着・排気ステップ（Ｓ３）について詳細に説明する。封着・排気ステップ（Ｓ３）では、まず背面基板１７の周囲にガラスフリットを塗布し、ガラスフリットに含まれる樹脂成分を除去するために３５０℃程度で仮焼成し封着ガラス層を形成する。次に表示電極対１４とデータ電極１８とが交差するように前面基板１１と背面基板１７とを対向配置して位置合わせをし、クリップなどで仮固定する。次に、図４に示す焼成装置３０内に配置して封着する。
【００３４】
図４は実施の形態１における封着・排気ステップ（Ｓ３）に用いる焼成装置３０を示す図である。焼成炉３１の内部には、封着ガラス層２５によって背面基板１７と前面基板１１とが仮固定されたＰＤＰ１０が設置されている。焼成炉３１の内部には、ＰＤＰ１０を加熱するためのヒータ３２が設けられている。背面基板１７にはＰＤＰ１０の内部空間に連通する吸排気用のガラス管２６が形成されており、ガラス管２６には配管３３が接続されている。配管３３はバルブ３４を介して排気装置３５に接続され、さらに、バルブ３６を介して高圧ボンベなどからなる放電ガス供給装置３７に接続されている。
【００３５】
封着・排気ステップ（Ｓ３）では、まず、バルブ３４を開放して排気装置３５を作動させてＰＤＰ１０内のガスを排気し、ＰＤＰ１０内部を減圧状態にする。内部が１３３×１０５Ｐａ程度の真空状態になった時点で、排気を続けながらヒータ３２をオンにして焼成炉３１の内部を加熱する。焼成炉３１の内部の温度が封着ガラス層２５の軟化点温度よりも高い温度（４５０℃程度）になったところで一定時間（２０分程度）保持する。これによって封着ガラス層２５が軟化して前面基板１１と背面基板１７とが封着される。
【００３６】
一方、この状態では、ＰＤＰ１０内部は減圧状態となり酸素がない状態となる。そのため、保護層１６の表面に配置された水素吸蔵性材料２１が酸化されることがなく、水素吸蔵能力を十分保持したままとすることができる。
【００３７】
その後、ヒータ３２をオフにして焼成炉３１内の温度を室温まで下げる。この間、ＰＤＰ１０内部に発生した水、炭化水素などの不純ガスの多くが排気されるが、一部はＰＤＰ１０内部の表面に吸着されて残留する。しかしながら、これらの残留した不純ガスは、その後、酸化されていない水素吸蔵性材料２１により十分に除去される。
【００３８】
次に、放電ガス封入ステップ（Ｓ４）について説明する。焼成炉３１内の温度が室温まで下がった状態で、バルブ３４を閉じ排気装置３５を停止する。その後、バルブ３６を開き放電ガス供給装置３７から放電ガスを所定の圧力になるように供給する。実施の形態１においては、放電ガスは、キセノン（Ｘｅ）１０％、ネオン（Ｎｅ）９０％の混合ガスを用い、ＰＤＰ１０内部への封入圧力を６×１０４Ｐａの圧力とした。最後に、チップオフステップ（Ｓ５）において、ガラス管２６を加熱封止（チップオフ）してＰＤＰ１０が完成する。
【００３９】
したがって、実施の形態１のように、封着・排気ステップ（Ｓ３）において、ＰＤＰ１０内を減圧状態として作製したＰＤＰ１０は、「にじみ」や「焼きつき」による画質劣化が著しく軽減されることを確認した。これは、封着・排気ステップ（Ｓ３）において、内部に配置した水素吸蔵性材料２１が酸化されていないため、不純ガスを十分に除去することができるからである。また、これらのＰＤＰ１０において、水素吸蔵性材料２１にパラジウムを用いた場合には特に効果が大きく、「にじみ」や「焼きつき」などの画質劣化や蛍光体の発光輝度低下がほとんど発生しないことを確認できた。
【００４０】
以上の結果より、封着・排気ステップ（Ｓ３）において、ＰＤＰ１０内を減圧状態に保持することにより水素吸蔵性材料２１の酸化を防ぐことができる。これにより水素吸蔵性材料２１が放電にともなって分解された水素を十分に吸蔵でき、水分子や炭化水素分子の発生を大幅に減少させる。その結果、ＰＤＰ１０の放電特性が安定で、その経時変化を抑制し、加えて蛍光体の輝度低下を抑えることができる。
【００４１】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２におけるＰＤＰの製造方法について説明する。図５は実施の形態２におけるＰＤＰ１０の製造方法を示すフローチャートであり、図６はその封着ステップに用いる焼成装置４０を示す図である。なお、ＰＤＰ１０の構成と焼成装置４０の主要な構成は実施の形態１と同じであるので、同一の構成要素については同一符号を用い、詳細な説明は省略する。実施の形態２と実施の形態１とは封着・排気ステップの内容が異なり、図５に示すように、実施の形態２では、封着・排気ステップ（Ｓ３）において、不活性ガス封入ステップ（Ｓ６）を付加している。
【００４２】
すなわち、図６に示す焼成装置４０において、焼成炉３１の内部には、封着ガラス層２５によって背面基板１７と前面基板１１とが仮固定されたＰＤＰ１０が設置されている。焼成炉３１の内部には、ＰＤＰ１０を加熱するためのヒータ３２が設けられている。背面基板１７にはＰＤＰ１０の内部空間に連通する吸排気用のガラス管２６が形成されており、ガラス管２６には配管３３が接続されている。配管３３はバルブ３４を介して排気装置３５に、バルブ３６を介して高圧ボンベなどからなる放電ガス供給装置３７に、さらに、バルブ３８を介して高圧ボンベなどからなる不活性ガス供給装置３９に接続されている。
【００４３】
このような焼成装置４０において、まず、バルブ３４を開放して排気装置３５を作動させてＰＤＰ１０内のガスを排気し、ＰＤＰ１０内部を減圧状態にする。内部が１３３×１０５Ｐａ程度の真空状態になった時点で、排気を続けながらヒータ３２をオンにして焼成炉３１の内部を加熱する。焼成炉３１の内部の温度が封着ガラス層２５の軟化点温度よりも高い温度（４５０℃程度）になったところで一定時間（２０分程度）保持する。これによって封着ガラス層２５が軟化して前面基板１１と背面基板１７とが封着される。この、排気と加熱過程で、加熱によってＰＤＰ１０内に発生した水、炭化水素などの不純ガスの多くは排気される。
【００４４】
その後、バルブ３４を閉じバルブ３８を開いて不活性ガス供給装置３９から不活性ガスを供給する。そして、ＰＤＰ１０内部が大気圧近くになるまで復圧させる。このように、封着・排気ステップにおいて、ＰＤＰ１０内を一旦減圧状態にして保持した後、酸素を含まない不活性ガスで復圧させる。このようにすることによって、水素吸蔵性材料２１が酸化されるのをさらに効果的に防ぐことができる。
【００４５】
その後、バルブ３８を閉じバルブ３４を開いて、ＰＤＰ１０内のガスを排気してＰＤＰ１０内部を減圧状態にする。これらの過程において、不純ガスの一部がＰＤＰ１０内部の表面に吸着されて残留する。しかしながら、残留した不純ガスはその後、酸化されていない水素吸蔵性材料２１により十分に除去される。その後ヒータ３２をオフにして焼成炉３１内の温度を室温まで下げる。
【００４６】
次に放電ガス封入ステップについて説明する。焼成炉３１内の温度が室温まで下がったらバルブ３４を閉じ排気装置３５を止める。次にバルブ３６を開き放電ガス供給装置３７から放電ガスを所定の圧力になるように供給する。実施の形態２においては、放電ガスは、キセノン（Ｘｅ）１０％、ネオン（Ｎｅ）９０％の混合ガスを用い、６×１０４Ｐａの圧力とした。最後に、チップオフステップ（Ｓ５）において、ガラス管２６を加熱封止（チップオフ）してＰＤＰ１０が完成する。
【００４７】
これにより水素吸蔵性材料２１が放電にともなって分解された水素を十分に吸蔵でき、水分子や炭化水素分子の発生を大幅に減少させる。その結果、ＰＤＰ１０の放電特性が安定で、その経時変化を抑制し、加えて蛍光体の輝度低下を抑えることができる。
【００４８】
なお、本発明の実施の形態においては、白金族からなる水素吸蔵性材料２１を隔壁２２と対向する保護層１６の表面に配置した例を示したが、その他の蛍光体層２３や下地誘電体層１９などＰＤＰ１０の内部であればどの位置に配置しても同様の効果がある。
【００４９】
以上のように、本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法によれば、封着・排気ステップで水素吸蔵性材料が酸化されるのを防ぐことができ、水素吸蔵性材料の高い水素吸蔵性能力を維持することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明のＰＤＰによれば、水や炭化水素などの不純ガスを十分に除去でき、保護層や蛍光体の劣化を抑制できるので、高画質で信頼性の高いＰＤＰの製造方法として有用である。
【符号の説明】
【００５１】
１０    ＰＤＰ
１１    前面基板
１２    走査電極
１２ａ，１３ａ    透明電極
１２ｂ，１３ｂ    バス電極
１３    維持電極
１４    表示電極対
１５    誘電体層
１６    保護層
１７    背面基板
１８    データ電極
１９    下地誘電体層
２１    水素吸蔵性材料
２２    隔壁
２３    蛍光体層
２４    放電セル
２５    封着ガラス
２６    ガラス管
３０，４０    焼成装置
３１    焼成炉
３２    ヒータ
３３    配管
３４，３６，３８    バルブ
３５    排気装置
３７    放電ガス供給装置
３９    不活性ガス供給装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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