(57)【要約】【課題】超小型電子デバイスのための微小空胴構造およびカプセル封じ構造を提供する。【解決手段】微小空胴構造であって、−基板と、−カバーであって、カバーと基板の間に形成される空間が微小空胴を形成するように基板に取り付けられたカバーと、−カバーを貫通する少なくとも１つの孔と、−微小空胴内に配置された、孔のための少なくとも１つの密閉フラップであって、熱膨張係数が異なる材料の少なくとも２つの部分を備え、これらの少なくとも２つの部分が互いに貼り合わせて配置され、前記２つの部分の１つの第１の末端がカバーに機械的にリンクされ、前記２つの部分の第２の末端が自由であり、密閉フラップの少なくとも一部が孔と向かい合って配置され、前記２つの部分が、温度変化の効果の下で孔を密閉し、あるいは開放するのに適している少なくとも１つの密閉フラップとを備えた微小空胴構造。【選択図】図１
2011036994.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小空胴（１１０）構造（１００、２００、３００）であって、少なくとも、
基板（１０４）と、
カバー（１０６、２０２、３０２）であって、前記カバー（１０６、２０２、３０２）と前記基板（１０４）の間に形成される空間が前記微小空胴（１１０）を形成するように前記基板（１０４）に取り付けられたカバー（１０６、２０２、３０２）と、
前記カバー（１０６、２０２、３０２）を貫通する少なくとも１つの孔（１２０）と、
前記微小空胴（１１０）内に配置された、前記孔（１２０）の少なくとも１つの密閉フラップ（１２２）であって、熱膨張係数が異なる材料の少なくとも２つの部分（１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ）を備え、これらの少なくとも２つの部分が互いに貼り合わせて配置され、前記２つの部分（１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ）の少なくとも１つの第１の末端（１２４、１２５）が前記カバー（１０６、２０２、３０２）に機械的にリンクされ、前記２つの部分の少なくとも第２の末端（１１６）が自由であり、前記密閉フラップ（１２２）の少なくとも一部が前記孔（１２０）と向かい合って配置され、前記２つの部分（１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ）が、温度変化の効果の下で前記孔（１２０）を密閉し、あるいは開放することができる少なくとも１つの密閉フラップ（１２２）と
を備えた微小空胴（１１０）構造（１００、２００、３００）。
【請求項２】
前記カバーが、第１の基板と呼ばれている他の前記基板（１０４）に直接取り付けられ、あるいはシーリングコード（１０８）を介して取り付けられた第２の基板（１０６、２０２）を備えた、請求項１に記載の構造（１００、２００）。
【請求項３】
前記カバーが、厚さが約１μｍと１０μｍの間の材料の層（３０２）を備えた、請求項１に記載の構造（３００）。
【請求項４】
前記孔（１２０）の寸法が約１μｍと１００μｍの間である、請求項１から３の一項に記載の構造（１００、２００、３００）。
【請求項５】
熱膨張係数が異なる材料の前記２つの部分のうちの少なくとも一方（１２３ｂ）がゲッター材料でできている、請求項１から４に記載の構造（１００、２００、３００）。
【請求項６】
前記密閉フラップ（１２２）が、熱膨張係数が異なる材料の少なくとも３つの部分（１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ）を備え、他の前記２つの部分（１２３ａ、１２３ｂ）の間に配置された前記部分（１２３ｃ）の材料の熱膨張係数の値が、材料の他の前記２つの部分（１２３ａ、１２３ｂ）の材料の熱膨張係数の値の間の値である、請求項１から５の一項に記載の構造（３００）。
【請求項７】
熱膨張係数が異なる材料の前記少なくとも２つの部分（１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ）が複数の変形可能素子（１２７）を形成し、変形可能素子（１２７）の各々の少なくとも第１の末端が少なくとも１つの非変形可能素子を介して前記カバー（１０６、２０２、３０２）に機械的にリンクされ、変形可能素子（１２７）の各々の少なくとも第２の末端（１２６）が自由であり、変形可能素子（１２７）の各々の少なくとも一部が、前記カバー（１０６、２０２、３０２）を貫通している少なくとも１つの孔（１２０）と向かい合って配置された、請求項１から６の一項に記載の構造。
【請求項８】
前記カバー（２０２）を貫通し、かつ、前記密閉フラップ（１２２）に電気的にリンクされた少なくとも１つの電気コンタクト（１３２）をさらに備えた、請求項１から７の一項に記載の構造（２００）。
【請求項９】
前記基板（１０４）から前記カバー（１０６、２０２）まで前記微小空胴（１１０）を貫通している少なくとも１つの電気コンタクト（１１２、１１４、１１６）をさらに備えた、請求項１から８の一項に記載の構造（１００、２００）。
【請求項１０】
前記孔（１２０）に栓をする少なくとも１つの栓（１３０）をさらに備えた、請求項１から９の一項に記載の構造（１００、２００、３００）。
【請求項１１】
超小型電子デバイス（１０２）のためのカプセル封じ構造（１００、２００、３００）であって、前記超小型電子デバイス（１０２）が請求項１から１０の一項に記載の構造（１００、２００、３００）の前記微小空胴（１１０）内に配置されるカプセル封じ構造（１００、２００、３００）。
【請求項１２】
微小空胴（１１０）構造（１００、２００）を生成するための方法であって、少なくとも、
第２の基板（１０６）の上に犠牲材料の一部分（１２８）を生成するステップと、
熱膨張係数が異なる材料の少なくとも２つの部分（１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ）を生成するステップであって、前記少なくとも２つの部分（１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ）が互いに貼り合わせて配置され、かつ、部分的に犠牲材料の前記部分（１２８）の上に配置され、前記２つの部分（１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ）の少なくとも第１の末端（１２４）が前記第２の基板（１０６）の上に配置され、かつ、前記２つの部分の少なくとも第２の末端（１２６）が犠牲材料の前記部分（１２８）の上に配置されるステップと、
前記第２の基板（１０６）と第１の基板（１０４）の間の空間によって前記微小空胴（１１０）が形成されるように前記第２の基板（１０６）を前記第１の基板（１０４）に取り付けるステップと、
前記第２の基板（１０６）を貫通する少なくとも１つの孔（１２０）を生成するステップであって、犠牲材料の前記部分（１２８）へのアクセスを形成するステップと、
前記孔（１２０）を介して犠牲材料の前記部分（１２８）を除去するステップであって、熱膨張係数が異なる材料の前記２つの部分（１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ）が前記孔（１２０）の密閉フラップ（１２２）を形成し、前記２つの部分（１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ）が温度変化の効果の下で前記孔（１２０）を密閉し、あるいは開放することができるステップと
を含む方法。
【請求項１３】
微小空胴（１１０）構造（３００）を生成するための方法であって、少なくとも、
基板（１０４）の上に犠牲材料の層（３０４）を堆積させるステップと、
犠牲材料の前記層（３０４）を整形するステップと、
熱膨張係数が異なる材料の少なくとも２つの部分（１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ）を生成するステップであって、前記少なくとも２つの部分（１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ）が犠牲材料の前記層（３０４）の上に互いに貼り合わせて配置されるステップと、
熱膨張係数が異なる材料の前記２つの部分（１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ）の上、および犠牲材料の前記層（３０４）の上に部分的に配置された犠牲材料の一部分（３０６）を生成するステップと、
犠牲材料の前記層（３０４）を覆うカバー層（３０２）、熱膨張係数が異なる材料の前記２つの部分（１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ）および前記犠牲材料の前記部分（３０６）を堆積させるステップと、
前記カバー層（３０２）を貫通する少なくとも１つの孔（１２０）を生成するステップであって、犠牲材料の前記部分（３０６）へのアクセスを形成するステップと、
前記孔（１２０）を介して犠牲材料の前記部分（３０６）および犠牲材料の前記層（３０４）を除去するステップであって、前記微小空胴（１１０）を形成し、熱膨張係数が異なる材料の前記２つの部分（１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ）が前記孔（１２０）の密閉フラップ（１２２）を形成し、前記２つの部分（１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ）が温度変化の効果の下で前記孔（１２０）を密閉し、あるいは開放することができるステップと
を含む方法。
【請求項１４】
犠牲材料の前記部分（１２８）を除去する前記ステップ、または犠牲材料の前記部分（３０６）および犠牲材料の前記層（３０４）を除去する前記ステップが、前記孔（１２０）を密閉しない位置に前記密閉フラップが変形する温度で実施される、請求項１２または１３の一項に記載の方法。
【請求項１５】
犠牲材料の前記部分（１２８）を除去する前記ステップ、または犠牲材料の前記部分（３０６）および犠牲材料の前記層（３０４）を除去する前記ステップに引き続いて、前記孔（１２０）を密閉する位置に前記密閉フラップ（１２２）が変形する温度で前記孔（１２０）の上および／または中に栓（１３０）を製造することによって前記微小空胴（１１０）に栓をするステップをさらに含む、請求項１２から１４の一項に記載の方法。
【請求項１６】
超小型電子デバイス（１０２）をカプセル封じする方法であって、請求項１２から１５の一項に記載の微小空胴（１１０）構造（１００、２００、３００）を製造する方法を実施するステップを含み、前記超小型電子デバイス（１０２）が予め基板（１０４）すなわち第１の基板（１０４）の上に配置されている方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は超小型電子技術に関し、より詳細には、例えば、例えばＭＥＭＳ（微小電気機械システム）タイプおよび／またはＮＥＭＳ（超微小電気機械システム）タイプおよび／またはＭＯＥＭＳ（微小光電気機械システム）タイプおよび／またはＮＯＥＭＳ（超微小光電気機械システム）タイプの超小型電子デバイスをパッケージングまたはカプセル封じし、それらを外部環境から保護するために使用される微小空胴構造の分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
超小型電子デバイスをカプセル封じするための第１のタイプのカプセル封じ方法は、基板によって形成されたカバーをデバイスが製造されている支持体の上に移動させることからなっている。このタイプのカプセル封じ方法には、支持体上へのカバーのアセンブリに先立って、カバーを機械加工しなければならない。微小空胴内の大気を制御するためには、支持体とカバーの間の気密封止の生成と同時に、一般的には、カバーの中に予め機械加工されている中空の底部のカバーの上に薄膜ゲッターを堆積させなければならない。微小技術に最も使用されている気密封止の３つのモードは、金属共晶気密封止、直接気密封止および陽極気密封止である。ガラスカバーとケイ素支持体の間に単一のアセンブリが存在している場合、陽極封止のみが適用される。
【０００３】
しかしながら、このタイプのカプセル封じ手順の場合、たとえ微小空胴中に堆積したゲッターによって補助されている場合であっても、微小空胴内に約１０−３ミリバール未満の圧力を得ることは困難であり、したがって超小型電子デバイスがカプセル封じされる微小空胴内の残留大気を制御することは困難である。
【０００４】
「薄膜パッケージング」すなわちＴＦＰと呼ばれている超小型電子デバイスの第２のタイプのカプセル封じ方法は、基板上に予め堆積しているデバイスの周りにカプセル封じ構造を生成するステップからなっている。このタイプの方法は、通常、同じ基板上に堆積しているいくつかの超小型電子デバイスに対して、超小型電子技術に使用されている従来の技法を適用することによって集合方式で実施される。
【０００５】
今日、ＴＦＰタイプのカプセル封じを生成するための最も発達した手順には、超小型電子デバイスの上に犠牲フォトレジスト樹脂を堆積させるステップ、それらにフォトリソグラフィの技術操作を施すステップ、次に、熱整形処理するステップ、最後に、カバーを形成している樹脂の上に、気密材料、例えば酸化物のカプセル封じ層を堆積させるステップが含まれている。次に、犠牲樹脂のエッチ除去を可能にするアクセスを形成するために、カバーの中に３つの開放孔が穿たれる。次にこれらの開放孔を充填して空胴を密閉しなければならない。これらの開放孔のサイズが極めて小さく、また、それらの配置およびそれらの数が、空胴を密閉するために引き続いて実施される孔に栓を施すステップのため、これらの孔の真下に配置してはならない超小型電子デバイス自体によって強いられるのは、そのためである。しかしながら、たとえ超小型電子デバイスが孔の真下に配置されていない場合であっても、孔に栓を施している間、孔に栓をする材料が空胴および／またはデバイスの内部を汚染する可能性があるため、デバイスを損傷する危険、あるいはデバイスの適切な動作を変化させる危険が依然として存在している。
【０００６】
特許文献１に、微小コンポーネントがカプセル封じされる気密微小空胴を製造する方法が記述されている。この方法によれば、カバーを貫通して形成された開放孔を外部プラグを使用して栓をすることによって空胴が密閉される。これらのプラグは、クリープによって変形させることができる材料でできている。例えば孔の断面形状によって決まる面の直径または寸法に対応している開放孔の寸法は、約５μｍより小さい。これらのプラグは、カバーの上に材料を堆積させている間、材料が空胴の内部に入り込んでプラグを形成することがないよう、重合材料でできている。したがって、これらのプラグが製造された後の空胴の残留大気を制御する困難性に加えて、この方法は、５μｍより大きい寸法を有する開放孔の製造に適していないだけでなく、開放孔に栓をするための重合材料以外の材料の使用にも適していない。
【０００７】
特許文献２に、微小コンポーネントがカプセル封じされる気密微小空胴を製造する方法が記述されている。この微小空胴は、機械的な引張り応力がかかった状態で微小空胴に向かって偏向した外部層によって外側から密閉することができる。微小コンポーネントを開放している間、微小空胴を開いた状態に維持するために、機械的な圧縮応力がかかった状態の他の外部層を第１の層の上に配置することも可能である。他のバージョンでは、応力がかかっていない、あるいは小さい圧縮応力がかかった状態の第１の外部層であって、微小コンポーネントが開放された後、機械的な引張り応力がかかった状態の第２の層によって覆われる第１の外部層によって微小空胴を密閉することも可能である。
【０００８】
機械的な応力が異なる２つの層によって微小空胴を密閉する場合、これらの２つの層の間の機械的な応力の平衡を完全に調整しなければならない。しかしながら、このような調整を達成することは困難である。さらに、機械的な引張り応力がかかった状態の外部層を１つだけ使用して微小空胴を密閉する場合、微小コンポーネントを開放する継続期間（微小空胴中の犠牲材料のエッチ除去に対応する）が極めて長くなる。最後に、微小コンポーネントを開放した後に第２の外部層を追加することには、重大な制約も存在している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】欧州特許第１７０８９５８号明細書
【特許文献２】欧州特許第１６９４５９７号明細書
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Ｊ．Ｊｏｕａｎｎｅａｕ、「Ｐｙｒｏｍｅｔｒｅｓ  ａ  ｂｉｌａｍｅｓ」  Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ  ｄｅ  １’Ｉｎｇｅｎｉｅｕｒ、Ｒ  ２５４０−１  〜  Ｒ  ２５４０−１０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、少なくとも１つの超小型電子デバイスのカプセル封じに適した、従来技術の欠点を有していない微小空胴構造を提案することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
そのために、本発明は、少なくとも
−  基板と、
−  カバーであって、カバーと基板の間に形成される空間が微小空胴を形成するように基板に取り付けられたカバーと、
−  カバーを貫通する少なくとも１つの孔と、
−  孔のための少なくとも１つの密閉フラップであって、熱膨張係数が異なる材料の少なくとも２つの部分を備え、これらの少なくとも２つの部分が互いに貼り合わせて配置され、前記２つの部分の少なくとも１つの第１の末端がカバーに機械的にリンクされ、前記２つの部分の少なくとも１つの第２の末端が自由であり、密閉フラップの少なくとも一部が孔と向かい合って配置された少なくとも１つの密閉フラップと
を備えた微小空胴構造を提案している。前記２つの部分は、場合によっては、温度変化の効果の下で孔を密閉し、あるいは開放するのに適している。
【００１３】
したがってこのような構造は、少なくとも１つの密閉フラップを備えており、そのうちの少なくとも一部は、１つまたは複数の開放孔の真上または前方に配置され、また、少なくとも１つの密閉フラップの駆動、つまり、バイメタル熱スイッチ効果によって、フラップが１つまたは複数の孔に栓をしない第１の位置から、１つまたは複数の孔の前方に配置された密閉フラップの前記部分が前記１つまたは複数の孔に栓をする第２の位置までの通路が得られ、温度変化の効果の下で、熱膨張係数が異なる２つの金属部分が変形して１つまたは複数の孔に栓が施され、あるいは開放される。したがって、フラップが１つまたは複数の孔を密閉する位置に存在していない場合、つまり例えばフラップが特定の温度に保持されている場合、微小空胴の内部にアクセスすることができるが、フラップが他の温度（例えば周囲温度）に保持されている場合、１つまたは複数の孔に例えば気密的に栓をすることも可能であり、栓材料で微小空胴の内部を汚染することなく、１つまたは複数の孔に栓をすることができる。
【００１４】
密閉フラップが存在している場合、１つまたは複数の孔に栓をするために使用することができる栓材料には制限がないため、カバーを貫通して形成される複数の孔のうちの１つまたは複数の寸法を、従来技術によるカプセル封じ構造のカバーの中に構築される複数の孔の寸法より大きくすることができる。したがって、超小型電子デバイスのカプセル封じをこのような構造で生成する場合、とりわけ、デバイスの真上を含むカバーの表面全体にそれらを配置することにより、デバイスを開放する時間が著しく短縮される方法で開放孔を配置することができ、１つまたは複数の密閉フラップによってそれらの密閉が保障される。さらに、いくつかの孔の真上または前方に密閉フラップを配置することができ、また、密閉フラップによって複数の孔に同時に栓をすることができる。孔の数および／または密閉フラップの数は、とりわけ微小空胴の寸法の関数として選択することができる。
【００１５】
したがってこのような構造によれば、１つまたは複数の超小型電子デバイスをカプセル封じすることができ、かつ、それと同時に、孔に栓を施す際の微小空胴の内部の汚染を回避することができ、また、密閉された微小空胴内の最終大気を制御することも可能である。したがってこの微小空胴構造は、共振機械微小システムのカプセル封じにとりわけ適しているが、前記微小システムが配置される大気に敏感な光微小システムにも同じく適している。また、この構造によれば、空胴が密閉されると、１０−３ミリバール未満の圧力、例えば１０−４ミリバールないし１０−５ミリバール程度の圧力を得ることも可能である。
【００１６】
カバーは、第１の基板と呼ばれている他の基板に直接密閉され、あるいはシーリングコードによって密閉された第２の基板を備えることができる。
【００１７】
一変形形態では、カバーは、厚さが約１μｍと１０μｍの間の材料の層を備えることができる。
【００１８】
孔の寸法は、約１μｍと１００μｍの間にすることができる。
【００１９】
密閉フラップは、微小空胴内に配置することができる。
【００２０】
熱膨張係数が異なる材料の前記２つの部分のうちの少なくとも一方は、ゲッター材料、例えばチタンおよび／またはジルコニウムであってもよい。
【００２１】
密閉フラップは、熱膨張係数が異なる材料の少なくとも３つの部分を備えることができ、２つの他の部分の間に配置される部分の材料の熱膨張係数の値は、材料の前記２つの他の部分の材料の熱膨張係数の値の中間の値にすることができる。したがって、フラップの材料の２つの他の部分の間に位置している中間部分は、孔の非密閉位置と孔の密閉位置（つまり反転）との間でフラップが変形している間、つまり前記２つの他の部分の材料の熱膨張係数の差が約１５×１０−６℃−１以上である場合に、密閉フラップ中のせん断応力を小さくするのに適している。
【００２２】
熱膨張係数が異なる材料の前記少なくとも２つの部分は、複数の変形可能素子を形成することができ、個々の変形可能素子の少なくとも第１の末端は、少なくとも１つの非変形可能素子を介してカバーに機械的にリンクさせることができ、個々の変形可能素子の少なくとも１つの第２の末端は自由にすることができ、また、個々の変形可能素子の少なくとも一部は、カバーを貫通している少なくとも１つの孔と向かい合って配置することができる。したがって非変形可能素子は、カバーの機械的な強度をさらに強くする補強フレームを形成することができる。
【００２３】
この構造は、さらに、カバーを貫通し、密閉フラップに電気的にリンクされた少なくとも１つの電気コンタクトを含むことができる。
【００２４】
この構造は、さらに、基板からカバーまで微小空胴を貫通している少なくとも１つの電気コンタクトを含むことができる。
【００２５】
この構造は、さらに、孔に栓をする少なくとも１つの栓を含むことができる。
【００２６】
また、本発明は、上で既に説明したような構造の微小空胴内に配置される超小型電子デバイスのためのカプセル封じ構造に関している。
【００２７】
また、本発明は、微小空胴構造を生成するための方法であって、少なくとも、
−  第２の基板の上に犠牲材料の一部分を生成するステップと、
−  熱膨張係数が異なる材料の少なくとも２つの部分を生成するステップであって、これらの少なくとも２つの部分が互いに貼り合わせて配置され、かつ、部分的に犠牲材料の部分の上に配置され、したがって前記２つの部分の少なくとも第１の末端が第２の基板の上に配置され、かつ、前記２つの部分の少なくとも第２の末端が犠牲材料の部分の上に配置されるステップと、
−  第２の基板と第１の基板の間の空間によって微小空胴が形成されるように第２の基板を第１の基板に取り付けるステップと、
−  第２の基板を貫通する少なくとも１つの孔を生成するステップであって、犠牲材料の部分へのアクセスを形成するステップと、
−  孔を介して犠牲材料の部分を除去するステップであって、熱膨張係数が異なる材料の前記２つの部分が孔のための密閉フラップを形成するステップと
を含む方法に関している。
【００２８】
前記２つの部分は、場合によっては、温度変化の効果の下で孔を密閉し、あるいは開放するのに適している。
【００２９】
また、本発明は、微小空胴構造を生成するための方法であって、少なくとも、
−  基板の上に犠牲材料の一部分を堆積させるステップと、
−  犠牲材料の層を整形するステップと、
−  熱膨張係数が異なる材料の少なくとも２つの部分を生成するステップであって、これらの少なくとも２つの部分が犠牲材料の層の上に互いに貼り合わせて配置されるステップと、
−  熱膨張係数が異なる材料の前記２つの部分の上、および犠牲材料の層の上に部分的に配置された犠牲材料の一部分を生成するステップと、
−  犠牲材料の層を覆うカバー層、熱膨張係数が異なる材料の前記２つの部分および犠牲材料の部分を堆積させるステップと、
−  カバー層を貫通する少なくとも１つの孔を生成するステップであって、犠牲材料の部分へのアクセスを形成するステップと、
−  孔を介して犠牲材料の部分および犠牲材料の層を除去するステップであって、微小空胴を形成し、熱膨張係数が異なる材料の前記２つの部分が孔のための密閉フラップを形成するステップと
を含む方法に関している。
【００３０】
前記２つの部分は、場合によっては、温度変化の効果の下で孔を密閉し、あるいは開放するのに適している。
【００３１】
犠牲材料の部分を除去するステップ、または犠牲材料の部分および犠牲材料の層を除去するステップは、孔を密閉しない位置に密閉フラップを変形させることができる温度で実施することができる。
【００３２】
この方法は、さらに、犠牲材料の部分を除去するステップ、または犠牲材料の部分および犠牲材料の層を除去するステップに引き続いて、孔を密閉する位置に密閉フラップが変形する温度で孔の上および／または中に栓を製造することによって微小空胴に栓をするステップを含むことができる。
【００３３】
また、本発明は、超小型電子デバイスをカプセル封じする方法であって、上で説明したような微小空胴構造を生成する方法を実施するステップを含み、超小型電子デバイスが予め基板または第１の基板の上に配置されている方法に関している。
【００３４】
カプセル封じする方法は、基板の上に配置された複数の超小型電子デバイスをカプセル封じするために集合方式で実施することができる。また、密閉フラップも集合方式で製造することができる。次に、スライス操作によってチップ（個々のチップは、超小型電子デバイスおよびそのカプセル封じ構造の形態全体に対応している）を互いに分離することができる。
【００３５】
したがって、孔の寸法を従来技術による方法における寸法より実質的に大きくすることができる場合、超小型電子デバイスを開放する速度、つまり犠牲材料を除去する速度をはるかに速くすることができる。
【００３６】
栓をするステップは、場合によっては、栓の形成を意図した材料を真空下での蒸発によって堆積させるステップに対応している。したがって、密閉フラップの少なくとも一部がゲッター材料でできている場合、および／または微小空胴内にゲッター材料が存在している場合、この密閉ステップで、とりわけ堆積マシン内で生成される加熱によって最初にゲッター材料を活性化させることができるため、微小空胴内にトラップされた種を有利に脱着させることができる。したがって微小空胴を密閉した後に、ゲッター材料の熱活性化処理に進行する必要はない。
【００３７】
微小空胴を密閉するステップは、微小空胴を密閉した後の微小空胴内の圧力が約１０−３ミリバール未満になる圧力で実行することができる。
【００３８】
本発明は、添付の図面を参照して行う、単なる情報であって、本発明を何ら限定するものではない所与の実施形態例についての説明を読むことにより、より深く理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】第１の実施形態による、超小型電子デバイスのためのカプセル封じ構造としての役割を果たす、本発明の主題である微小空胴構造を示す図である。
【図２Ａ】第１の実施形態による、超小型電子デバイスのためのカプセル封じ方法に対応する、本発明の主題である、微小空胴構造を生成する方法のステージを示す図である。
【図２Ｂ】第１の実施形態による、超小型電子デバイスのためのカプセル封じ方法に対応する、本発明の主題である、微小空胴構造を生成する方法のステージを示す図である。
【図２Ｃ】第１の実施形態による、超小型電子デバイスのためのカプセル封じ方法に対応する、本発明の主題である、微小空胴構造を生成する方法のステージを示す図である。
【図２Ｄ】第１の実施形態による、超小型電子デバイスのためのカプセル封じ方法に対応する、本発明の主題である、微小空胴構造を生成する方法のステージを示す図である。
【図２Ｅ】第１の実施形態による、超小型電子デバイスのためのカプセル封じ方法に対応する、本発明の主題である、微小空胴構造を生成する方法のステージを示す図である。
【図２Ｆ】第１の実施形態による、超小型電子デバイスのためのカプセル封じ方法に対応する、本発明の主題である、微小空胴構造を生成する方法のステージを示す図である。
【図３】第２の実施形態による、超小型電子デバイスのためのカプセル封じ構造としての役割を果たす、本発明の主題である微小空胴構造を示す図である。
【図４】第３の実施形態による、超小型電子デバイスのためのカプセル封じ構造としての役割を果たす、本発明の主題である微小空胴構造を示す図である。
【図５Ａ】第３の実施形態による、超小型電子デバイスのためのカプセル封じ方法に対応する、本発明の主題である、微小空胴構造を生成する方法のステージを示す図である。
【図５Ｂ】第３の実施形態による、超小型電子デバイスのためのカプセル封じ方法に対応する、本発明の主題である、微小空胴構造を生成する方法のステージを示す図である。
【図５Ｃ】第３の実施形態による、超小型電子デバイスのためのカプセル封じ方法に対応する、本発明の主題である、微小空胴構造を生成する方法のステージを示す図である。
【図５Ｄ】第３の実施形態による、超小型電子デバイスのためのカプセル封じ方法に対応する、本発明の主題である、微小空胴構造を生成する方法のステージを示す図である。
【図５Ｅ】第３の実施形態による、超小型電子デバイスのためのカプセル封じ方法に対応する、本発明の主題である、微小空胴構造を生成する方法のステージを示す図である。
【図５Ｆ】第３の実施形態による、超小型電子デバイスのためのカプセル封じ方法に対応する、本発明の主題である、微小空胴構造を生成する方法のステージを示す図である。
【図６】本発明の主題である、微小空胴構造のための密閉フラップの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下で説明されている様々な図の全く同じ部品、同様の部品または等価部品は、図から図への移行を容易にするために同じ数表示参照を有している。
【００４１】
これらの図に示されている異なる部品は、図をより分り易くするために必ずしも同じスケールで示されていない。
【００４２】
異なる可能性（変形形態および実施形態）は、互いに非排他的であり、また、互いに組み合わせることができるものとして理解されたい。
【００４３】
最初に、微小空胴構造１００が示されている図１を参照すると、微小空胴構造１００は、ここでは、第１の実施形態による、例えばＭＥＭＳおよび／またはＮＥＭＳおよび／またはＭＯＥＭＳおよび／またはＮＯＥＭＳタイプの超小型電子デバイス１０２のためのカプセル封じ構造である。
【００４４】
構造１００は、例えばＳｉをベースとする層などの半導体をベースとする第１の層１０４を備えており、その上に超小型電子デバイス１０２が配置されている。また、構造１００は、カバーを形成している第２の基板１０６を備えている。２つの基板１０４および１０６は、例えばこれらの２つの基板１０４と１０６の間に共晶金属シールを実施することによって得られるシーリングコード１０８を介して取り付けられている。したがってデバイス１０２は、微小空胴１１０の中にカプセル封じされており、微小空胴１１０の壁は、２つの層１０４、１０６およびシーリングコード１０８によって形成されている。電気コンタクト１１２は、微小空胴１１０の内部に製造されており、デバイス１０２に電気接続されている。もう１つの電気コンタクト１１６は、第２の基板１０６を貫通しており、介在する貫通ビア１１４すなわち導電性スタッドによって電気コンタクト１１２に電気的にリンクされている。このもう１つの電気コンタクト１１６は、第２の基板１０６を貫通するビアを形成している。素子１１２、１１４および１１６は、基板１０４から第２の基板１０６まで、微小空胴１１０を貫通する電気コンタクトを形成しており、微小空胴１１０の外側からデバイス１０２への電気接続を可能にしている。微小空胴１１０内に存在するガスの吸収を達成し、延いては微小空胴１１０内の圧力を低くするために、ゲッター材料１１８が同じく微小空胴１１０の内部に配置されている。
【００４５】
また、第２の基板１０６を貫通している開放孔１２０が形成されている。この開放孔１２０は、構造１００を生成している間、密閉フラップ１２２がその上に構築される犠牲材料（図２Ｂおよび２Ｄに１２８で参照されている）、および／または微小空胴１１０内に存在しているすべての犠牲材料を除去するのに適しており、したがって、フラップ１２２の製造に使用される犠牲材料とは異なる犠牲材料を使用してデバイス１０２を構築する場合、デバイス１０２が開放される。一変形形態では、第２の基板１０６を貫通する複数の開放孔を生成することができる。
【００４６】
密閉フラップ１２２は、開放孔１２０と向かい合い、微小空胴１１０内に位置しており、第２の基板１０６の面１２１の高さに配置されている。図１には密閉フラップ１２２が１つしか示されていないが、カプセル封じ構造１００は、第２の基板１０６を貫通する複数の開放孔が形成される場合、複数の密閉フラップを備えることができる。その場合、それぞれ１つまたは複数の開放孔を密閉する役割を果たす１つまたは複数の密閉フラップを互いに接近させることも可能である。
【００４７】
密閉フラップ１２２は、ここでは、異なる熱膨張係数を有する材料の２つの部分１２３ａ、１２３ｂのスタックによって形成されている。図１の例では、密閉フラップ１２２は、上側の金属部分１２３ａおよび下側の金属部分１２３ｂによって形成されている。密閉フラップ１２２は、２つの部分１２３ａ、１２３ｂの第１の末端１２４の高さで第２の基板１０６に機械的にリンクされている。また、これらの２つの部分１２３ａ、１２３ｂは、自由端である第２の末端１２６を備えている。
【００４８】
したがって、部分１２３ａ、１２３ｂが熱膨張係数が異なる材料（ここでは金属）でできていることを考慮すると、密閉フラップ１２２は、したがって、特定の温度にさらされると変形することができるバイメタル条片（ストリップ）を形成している。密閉フラップ１２２は、密閉フラップ１２２がさらされる温度に応じてたわみによって変形し、自由端１２６を上下に、つまり孔１２０を密閉または開放する位置へ移動させることができる。図１の例では、自由端１２６は、その上側の位置に存在しており、したがってフラップ１２２は、孔１２０を確実に密閉する。この位置は、密閉フラップ１２２に応力がかかっていない場合の位置、つまり密閉フラップ１２２の温度が周囲温度である場合の位置に対応している。
【００４９】
密閉フラップ１２２を駆動する方向は、フラップ１２２の金属部分１２３ａ、１２３ｂの熱膨張係数を操作することによって調整することができるが、製造後の密閉フラップ１２２の部分１２３ａ、１２３ｂが受ける残留応力も同じく調整することができる。実際、この残留応力は、密閉フラップ１２２が、図１に示されているように、微小空胴１１０内に存在している犠牲材料から開放され、かつ、周囲温度に置かれると、場合によっては密閉フラップ１２２を微小空胴１１０の頂部に向かって、つまり第２の基板１０６に向かってたわませるように作用する。さらに、これらの残留応力の強さに応じて密閉を気密にすることも、あるいは非気密にすることも可能である。フラップ１２２が孔１２０を密閉すると、開放孔１２０の高さで第２の基板１０６の上に栓材料を堆積させ、および／または開放孔１２０の中に栓材料を堆積させることによって微小空胴１１０に気密的に栓をすることができる。
【００５０】
次に図２Ａないし２Ｆを参照すると、超小型電子デバイス１０２のためのカプセル封じ方法に対応する、構造１００の製造方法のステップが示されている。
【００５１】
図２Ａに示されているように、最初に、例えばＳｉＯ２をベースとする誘電体層１０６ｂを、例えばケイ素をベースとする半導体ベースの層１０６ａの上に堆積させることによって第２の基板１０６が製造される。
【００５２】
次に、例えば樹脂をベースとする犠牲層が第２の基板１０６の面１２１に堆積される。この犠牲層がフォトリソグラフィ、エッチングおよび場合によってはクリーピングによって整形され、犠牲材料、例えば樹脂の一部１２８が形成される（図２Ｂ参照）。
【００５３】
図２Ｃに示されているように、密閉フラップ１２２は、部分１２３ａを形成するために、部分１２３ａの金属をベースとする第１の層を堆積させ、かつ、この第１の層をエッチングすることによって製造されている。次に、部分１２３ｂを形成するために、第２の金属層が堆積され、かつ、エッチングされる。ここで説明されている例では、部分１２３ａの金属の熱膨張係数は、部分１２３ｂの金属の熱膨張係数より小さい。また、第２の基板１０６を貫通している電気コンタクト１１６が製造されている。
【００５４】
第１の基板１０４への第２の基板１０６の取付けは、例えば共晶金属シールを実施することによって得られるシーリングコード１０８を介してなされている。この実施形態では、コンタクト１１２と１１６を電気的にリンクしているビア１１４も、同じく、例えばシーリングコード１０８を製造するために使用される材料と同じ材料から製造されている。次に、第２の層１０６の層１０６ａを薄くするステップ（図２Ｄ）が実行される。
【００５５】
次に、フォトリソグラフィおよびエッチングを使用して、第２の基板１０６を貫通する開放孔１２０が製造される。次に、ドライエッチングを使用して、フラップ１２２の自由端１２６が下に向かって、超小型電子デバイス１０２に向かってたわむ温度で樹脂部分１２８をエッチ除去することによって密閉フラップ１２２が開放される（図２Ｅ）。この位置では、フラップ１２２は孔１２０を密閉しない。
【００５６】
最後に、図２Ｆに示されているように、構造１００が周囲温度にもたらされる。次に、密閉フラップ１２２が孔１２０によって形成された微小空胴１１０へのアクセスを密閉し、自由端１２６が上に向かって（第２の基板１０６に向かって）たわむ。次に、例えばＰＶＤタイプ（気相における物理堆積）の金属堆積１３０によって孔１２０に栓を施すステップ、つまり孔１２０の内部に栓をするステップが実行される。
【００５７】
開放孔１２０の栓は、堆積、有利には開放孔１２０の高さでの、第２の基板１０６上への真に方向性の金属タイプの堆積によって得られる。したがって、例えばＰＶＤを使用した金属堆積は、微小空胴１１０を気密密閉するのに適している。さらに、ＰＶＤタイプの堆積に関連する圧力に応じて、微小空胴１１０を気密密閉した後の微小空胴１１０内に存在する残留圧力を制御することができる。したがって、高い真空下での蒸発によって栓１３０を堆積させることができ、これは、スパッタ法によって得られる最終真空レベルより低い最終真空レベルを微小空胴内に得るのに適している。希ガス（アルゴン、クリプトン）はゲッター材料によって吸収されないため、この後者の実施形態は、場合によっては、堆積プロセスの間に導入されるこのガスの分圧を制御するのに適している。
【００５８】
図１および図２Ａないし２Ｆに関連して上で説明した製造例では、ゲッター材料１１８は、微小空胴１１０内の電子デバイス１０２の近傍に存在している。微小空胴１１０内にこのゲッター材料が存在していない場合、あるいは大量のガス吸収が望ましい場合、密閉フラップ１２２は、その金属部分１２３ａまたは１２３ｂのうちの少なくとも一方、好ましくは少なくともデバイス１０２と対向する部分（つまり図１の例では下側の部分１２３ｂ）を、ゲッター効果を有する金属でできた、したがってデバイス１０２を密閉する微小空胴１１０内の最終圧力の管理に寄与する部分にすることができる。一例として、最初に、真空下での蒸発による栓材料のＰＶＤ堆積方法を使用して密閉し、次に温度上昇作用の下で密閉フラップ１２２を微小空胴１１０の底、つまりデバイス１０２に向けてたわませることができ、したがって脱気した種を微小空胴１１０から有利に排気することができる。密閉フラップ１２２は、冷却されると、上に向かって、開放孔１２０に向かってたわむことができ、したがって周囲温度での堆積によって開放孔１２０を有利に密閉することができる。また、次に、温度の作用および二次真空の下で、開放孔１２０に栓が施された後に必要な補助活性化ステップを必要とすることなく、ゲッター材料（フラップ１２２のゲッター材料および／または部分１１８のゲッター材料）を活性化させることができる。
【００５９】
密閉フラップ１２２の寸法の計算は、非特許文献１に記載されているように実行することができ、この文書は、以下のように要約される。
−フラップ１２２の自由端１２６のシフトＤの解析表現式は、次の式から得られる。
【００６０】
【数１】
2011036994.tif 000003
【００６１】
Ｖ／２＝Ｄ．ｅ／（（Ｌ２＋Ｄ２−Ｄ．ｅ）．（Ｔ−Ｔ０））          （２）
ｅ＝ｅ１＋ｅ２                                                    （３）
上式で、
Ｅｉ、αｉ、ｅｉ：それぞれフラップ１２２のｉ番目の金属層のヤング率（ＭＰａ）、熱膨張係数（℃−１）および厚さ（ｉｎ  ｍ）である
Ｌ：フラップ１２２の長さ（ｍ）
Ｔ０：フラップ１２２が水平になる温度（℃）
Ｔ：フラップ１２２を駆動する駆動温度（℃）
【００６２】
次の表は、密閉フラップ１２２の部分１２３ａ、１２３ｂを製造するために使用することができる複数の金属、ならびにこれらの材料の熱膨張係数およびヤング率の値を示したものである。
【００６３】
【表１】
2011036994.tif 000004
【００６４】
温度が上昇している間、密閉フラップ１２２を下に向かって（デバイス１０２に向かって）移動させるためには、フラップ１２２の上側の部分１２３ａ、つまり第２の基板１０６の側に存在している部分の金属は、デバイス１０２の側に存在している部分（図１の例では下側の部分１２３ｂ）の金属の熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有していなければならない。さらに、アルミニウムおよび／または銅および／またはニッケルおよび／または白金を使用して上側の層１２３ａを製造し、また、チタンおよび／またはジルコニウム（チタンおよびジルコニウムはゲッター効果を有する金属である）使用して下側の層１２３ｂを製造することにより、ゲッター効果を有する密閉フラップ１２２を生成することができる。
【００６５】
図３を参照すると、第２の実施形態による、超小型電子デバイス１０２のためのカプセル封じ構造としての役割を果たす微小空胴構造２００が示されている。
【００６６】
図１に示されているカプセル封じ構造１００に対して、構造２００は、例えばケイ素などの半導体でできた第２の基板２０２を備えており、この第２の基板２０２はカバーを形成し、また、界面２０４の高さで直接密閉することによって第１の基板１０４に取り付けられている。この第２の実施形態では、構造２００は、これらの２つの基板１０４と２０２の間にシーリングコードを備えていない。また、この第２の実施形態では、ゲッター材料１１８は、微小空胴１１０の中に存在していない。密閉フラップ１２２の固定端１２４は、電気コンタクト１３２に電気的にリンクされている。したがって、電気コンタクト１３２に印加される電流によって得られるジュール効果を使用して加熱することによって密閉フラップ１２２を駆動することができる。さらに、ゲッター材料から構成されたこれらの部分１２３ａ、１２３ｂのうちの一方を密閉フラップ１２２が備えている場合、このジュール効果によってこのゲッター材料を熱活性化することができる。
【００６７】
この構造２００を製造する方法は、ここでは２つの基板１０４と２０２の間の直接密閉によって実行される第１の基板１０４への第２の基板２０２の取付けを除き、構造１００の製造方法と類似している。
【００６８】
図４は、第３の実施形態による、超小型電子デバイス１０２のカプセル封じ構造を形成している微小空胴構造３００を示したものである。
【００６９】
図１および３に関連して上で説明したカプセル封じ構造１００および２００とは異なり、微小空胴１１０のカバーは、２つの基板を互いに取り付けることによって製造されているのではなく、密閉フラップ１２２が機械的にリンクされている薄い層３０２によって形成されている。この薄い層３０２は、例えば酸化物、例えばＳｉＯ２をベースとする層および／または窒化物、例えばＳｉＮをベースとする層である。さらに、密閉フラップ１２２は、ここでは、互いに異なる熱膨張係数を有する材料の３つの部分１２３ａ、１２３ｂおよび１２３ｃのスタックによって形成されている。したがって、２つの部分１２３ａと１２３ｂの間に配置されている部分１２３ｃの材料は、デバイス１０２の側に位置している部分１２３ｂの材料の熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有しており、かつ、開放孔１２０の側に位置している部分１２３ａの材料の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有している。この中間部分１２３ｃにより、フラップ１２２が変形している間に生じる可能性のあるせん断効果を抑制することができる。
【００７０】
図５Ａないし５Ｆを参照すると、微小空胴構造３００を生成する方法のステップが示されている。
【００７１】
図５Ａに示されているように、最初に基板１０４上への犠牲層３０４の堆積が実行され、基板１０４の上に配置されている超小型電子デバイス１０２が覆われる。超小型電子デバイス１０２は、犠牲層３０４と同時に、あるいは犠牲層３０４の後にエッチングすることができる犠牲材料を使用する方法に従って製造することができる。この犠牲層３０４は、例えば感光性樹脂、例えば正の極性を有する樹脂またはポリイミドでできている。次に、犠牲層３０４の体積が構造３００の将来の微小空胴１１０の体積の一部に対応するよう、犠牲層３０４がフォトリソグラフィおよびエッチングによって整形される。また、後続するプロセスのステップを実施することができるよう、犠牲層３０４に熱処理が施される。
【００７２】
次に、フォトリソグラフィおよびエッチングによる整形後におけるフラップ１２２の金属部分１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃの形成を意図した３つの金属層のスタックが堆積される（図５Ｂ）。
【００７３】
図５Ｃに示されているように犠牲材料３０６の第２の層が堆積され、次に、フラップ１２２が変形して開放孔１２０を密閉することになる微小空胴１１０の一部の形成を意図した犠牲部分３０６を形成するために、フォトリソグラフィおよびエッチングによって整形される。犠牲部分３０６は、例えば犠牲層３０４のために使用される材料と同じ材料でできている。
【００７４】
次に、犠牲層３０４、フラップ１２２および犠牲部分３０６を覆うために、構造３００のカバーの形成を意図した薄い層３０２が堆積される。また、カバー層３０２を貫通する開放孔１２０がフォトリソグラフィおよびエッチングによって生成される（図５Ｄ）。また、プロセスのこのステージで、超小型電子デバイス１０２に接続される電気ビアに到達するために、カバー層３０２を貫通する他の孔を生成することも可能である。これらのビアは、基板１０４上への犠牲層３０４の堆積に先立って構築し、カバー層３０２を機械的にサポートするために基板１０４からカバー層３０２に向かって立ち上げることができる。
【００７５】
図５Ｅに示されているように、次に、犠牲部分３０６および犠牲層３０４をエッチ除去することによって密閉フラップ１２２が開放される。このエッチ除去中の温度は、フラップが下に向かって（微小空胴１１０の底に配置されているデバイス１０２に向かって）たわむ温度である。
【００７６】
最後に、周囲温度に戻ると、フラップ１２２は、孔１２０を密閉する位置へ移動し、それにより、栓１３０を使用して、微小空胴１１０の内部を汚染することなく孔に栓を施すステップを実行することができる（図５Ｆ）。
【００７７】
上で説明した例では、フラップ１２２は、部分１２３ａ、１２３ｂおよび場合によっては１２３ｃを積み重ねることによって形成された変形可能素子を１つしか備えていない。一変形形態では、密閉フラップは、互いに全く異なる複数の変形可能素子を備えることができる。図６は、このようなフラップ１２２を示したものである。この例では、フラップ１２２は、上で説明したフラップの部分１２３ａ、１２３ｂ（および場合によっては１２３ｃ）と同様の材料の部分によって形成された複数の変形可能素子１２７を備えている。点線の円１０は、異なる変形可能素子１２７によって密閉することができる孔を象徴的に示したものである。したがって、変形可能素子１２７の各々は、異なる数の孔を密閉することができることが分る。さらに、フラップ１２２には、すべての変形可能素子１２７がリンクされ、また、フラップ１２２の固定端を形成している補強フレーム１２５が含まれている。さらに、このような補強フレーム１２５により、微小空胴のカバーを機械的に強固にすることができる。最後に、変形可能素子１２７の各々には、微小空胴構造のカバーに機械的にリンクされない自由端１２６が含まれている。
【００７８】
上で説明した従来技術によるカプセル封じ方法に対する、デバイス１０２を開放している間、密閉フラップ１２２を使用する利点については、解析的に評価することができる。実際、次のように称する。
−  ｄ、従来技術によるプロセスの間に製造される開放孔の直径
−  ｎ、従来技術によるプロセスの間に製造される開放孔の数
−  ｄｉ、開放孔１２０の直径
−  ｘ、フラップ１２２の埋込み端１２４に対する、フラップ１２２の長さＬに応じた孔１２０の中心からの距離
−  Ｄ、フラップ１２２の自由端１２６のシフト
【００７９】
フラップ１２２の線形変形を近似することにより、従来技術に従って計算された開放表面と、構造１００、２００または３００のうちの１つとの間の比率を使用して、次の表現式に基づいて等価孔の数ｎを画定することができる。
ｎ＝４．ｘ．Ｄ．ｄｉ／（Ｌ．ｄ２）      （４）
【００８０】
フラップが１組ｋ個の開放孔であって、その直径がｄｉであり、座標がｘｊである開放孔の真上に位置している場合、式は、
ｎ＝４．（ｘ１＋ｘ２＋．．．＋ｘｋ）．Ｄ．ｄｉ／（Ｌ．ｄ２）      （５）
になる。
【００８１】
１組ｋ個の全く同じバイメタルであって、それぞれ、直径がｄｉの開放孔の真上に位置している場合、式は、
ｎ＝４．ｘ．Ｄ．ｄｉ／（Ｌ．ｄ２）      （６）
になる。
【００８２】
したがって、カプセル封じすべきデバイスに応じて、また、微小空胴の寸法に応じて、異なる幾何構造を有するフラップを組み合わせることができ、したがって式５および６を組み合わせることができる。
【００８３】
数値応用として、長さが１００μｍであり、幅が３０μｍである、ニッケルをベースとする部分およびチタンをベースとする部分１２３ａ、１２３ｂで構成されたフラップ１２２に対して式の解が求められた。個々の部分１２３ａ、１２３ｂの厚さは０．５μｍである。開放孔１２０の直径は２０μｍである。ｘの値は７０μｍであり、また、ｄの値は３μｍである。温度の変化は１００℃である。この場合、ｎは約２１である。
【符号の説明】
【００８４】
１０  異なる変形可能素子１２７によって密閉することができる孔を象徴的に示す円
１００、２００、３００  微小空胴構造（カプセル封じ構造）
１０２  超小型電子デバイス
１０４  第１の層（基板）
１０６、２０２  第２の基板（層、カバー）
１０６ａ  半導体ベースの層
１０６ｂ  誘電体層
１０８  シーリングコード
１１０  微小空胴
１１２、１１６、１３２  電気コンタクト
１１４  貫通ビア
１１８  ゲッター材料
１２０  開放孔
１２１  基板１０６の面
１２２  密閉フラップ
１２３ａ  異なる熱膨張係数を有する材料の一方の部分（上側の金属部分）
１２３ｂ  異なる熱膨張係数を有する材料のもう一方の部分（下側の金属部分）
１２３ｃ  異なる熱膨張係数を有する材料の部分（中間部分）
１２４  部分１２３ａおよび１２３ｂの第１の末端（密閉フラップ１２２の末端、固定端、フラップ１２２の埋込み端）
１２５  補強フレーム
１２６  部分１２３ａおよび１２３ｂの第２の末端（自由端）
１２７  変形可能素子
１２８  密閉フラップ１２２がその上に構築される犠牲材料（犠牲材料の一部分）
１３０  金属堆積（栓）
２０４  第１の基板１０４と第２の基板２０２の界面
３０２  薄い層（カバー層、カバー）
３０４  犠牲層
３０６  犠牲材料（犠牲部分）
【図１】
2011036994.tif 000005
【図２Ａ】
2011036994.tif 000006
【図２Ｂ】
2011036994.tif 000007
【図２Ｃ】
2011036994.tif 000008
【図２Ｄ】
2011036994.tif 000009
【図２Ｅ】
2011036994.tif 000010
【図２Ｆ】
2011036994.tif 000011
【図３】
2011036994.tif 000012
【図４】
2011036994.tif 000013
【図５Ａ】
2011036994.tif 000014
【図５Ｂ】
2011036994.tif 000015
【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図６】
2011036994.tif 000020
【外国語明細書】
2011036994.tif 000021
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