(57)【要約】【課題】本発明は、形成された膜の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。【解決手段】スパッタリング法を用いて被処理物に膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記被処理物とターゲットとが平面視において重ならない第１の位置において、前記ターゲットの主面と交差する方向に向かう第１のスパッタ粒子により、前記被処理物に第１の膜を形成する工程と、前記被処理物と前記ターゲットとの少なくとも一部が平面視において重なる第２の位置において、前記ターゲットの主面と略直交する方向に向かう第２のスパッタ粒子により、前記第１の膜上に第２の膜を形成する工程と、を備え、前記第１の膜が形成されていない前記被処理物が前記第２の位置にある場合には、前記第２のスパッタ粒子が遮蔽されることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング法を用いて被処理物に膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記被処理物とターゲットとが平面視において重ならない第１の位置において、前記ターゲットの主面と交差する方向に向かう第１のスパッタ粒子により、前記被処理物に第１の膜を形成する工程と、
前記被処理物と前記ターゲットとの少なくとも一部が平面視において重なる第２の位置において、前記ターゲットの主面と略直交する方向に向かう第２のスパッタ粒子により、前記第１の膜上に第２の膜を形成する工程と、
を備え、
前記第１の膜が形成されていない前記被処理物が前記第２の位置にある場合には、前記第２のスパッタ粒子が遮蔽されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記被処理物はｐ型半導体層を有し、
前記第１の膜を形成する工程において、前記ｐ型半導体層上に前記第１の膜を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ｐ型半導体層は、ｐ型ＧａＮを含むことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の膜は、ＩＴＯ膜であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
前記処理容器の内部に設けられたターゲットを保持する電極部と、
前記電極部に電圧を印加する電源部と、
前記処理容器の内部に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記被処理物を載置するとともに前記ターゲットに対する前記被処理物の相対的な位置を変化させる載置部と、
前記ターゲットの主面と交差する方向に向かう第１のスパッタ粒子を透過させるとともに、前記ターゲットの主面と略直交する方向に向かう第２のスパッタ粒子を遮蔽する第１の透過制御部と、
少なくとも前記第２のスパッタ粒子を透過させる第２の透過制御部と、
前記ターゲットに対する前記第１の透過制御部と前記第２の透過制御部との相対的な位置を変化させる駆動部と、
を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項６】
前記駆動部は、前記ターゲットと前記第１の透過制御部とが平面視において重なるように前記第１の透過制御部の位置を変化させ、
前記第１の透過制御部は、前記第１のスパッタ粒子を透過させることで、前記被処理物とターゲットとが平面視において重ならない第１の位置にある前記被処理物に第１の膜を形成することを特徴とする請求項５記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記第１の透過制御部は、前記第２のスパッタ粒子を遮蔽することで、前記被処理物と前記ターゲットとの少なくとも一部が平面視において重なる第２の位置にある前記被処理物に第２のスパッタ粒子が到達するのを抑制すること、を特徴とする請求項６記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記駆動部は、前記ターゲットと前記第２の透過制御部とが平面視において重なるように前記第２の透過制御部の位置を変化させ、
前記第２の透過制御部は、前記第２のスパッタ粒子を透過させることで、前記第２の位置にある前記被処理物の前記第１の膜上に第２の膜を形成することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１つに記載の半導体製造装置。
【請求項９】
前記第２の透過制御部は、前記第１のスパッタ粒子をも透過させ、前記第１の位置にある前記被処理物に第１の膜を形成することを特徴とする請求項８記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記載置部は、前記第１の位置において前記第１の膜が形成された被処理物を前記第２の位置に移動させることを特徴とする請求項５〜９のいずれか１つに記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造においては、スパッタリング法を用いた膜の形成が行われている。このスパッタリング法においては、加速させた荷電粒子（例えば、アルゴンイオンなど）をターゲットに衝突させ、その衝突エネルギーによりターゲットの構成原子をはじき出して、ターゲットと対向する側に載置された被処理物にターゲットの構成原子を付着させるようにしている。  
例えば、電極などとして用いられるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜もスパッタリング法を用いて形成することができる。
【０００３】
この種のスパッタリング法としては、ＩＴＯ膜を形成する際にターゲットの正面側に被処理物を載置し、載置された被処理物の表面にＩＴＯ膜を形成する技術が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。また、被処理物の表面にＩＴＯ膜を形成する際にターゲットの正面側を被処理物が横切るようにした技術が提案されている（特許文献２を参照）。
【０００４】
しかしながら、特許文献１、２に開示された技術のように、ターゲットの正面側に被処理物を載置したり、単にターゲットの正面側を被処理物が横切るようにしたりすれば、形成されたＩＴＯ膜が荷電粒子や高い運動エネルギーを持ったスパッタ粒子などによりダメージを受けるおそれがある。そして、ＩＴＯ膜がダメージを受けるとコンタクト抵抗が高くなるなど形成された膜の特性が劣化するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１８１６７０号公報
【特許文献２】特開平１０−２８０１２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、形成された膜の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、スパッタリング法を用いて被処理物に膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記被処理物とターゲットとが平面視において重ならない第１の位置において、前記ターゲットの主面と交差する方向に向かう第１のスパッタ粒子により、前記被処理物に第１の膜を形成する工程と、前記被処理物と前記ターゲットとの少なくとも一部が平面視において重なる第２の位置において、前記ターゲットの主面と略直交する方向に向かう第２のスパッタ粒子により、前記第１の膜上に第２の膜を形成する工程と、を備え、前記第１の膜が形成されていない前記被処理物が前記第２の位置にある場合には、前記第２のスパッタ粒子が遮蔽されることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【０００８】
また、本発明の他の一態様によれば、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられたターゲットを保持する電極部と、前記電極部に電圧を印加する電源部と、前記処理容器の内部に処理ガスを供給するガス供給部と、前記被処理物を載置するとともに前記ターゲットに対する前記被処理物の相対的な位置を変化させる載置部と、前記ターゲットの主面と交差する方向に向かう第１のスパッタ粒子を透過させるとともに、前記ターゲットの主面と略直交する方向に向かう第２のスパッタ粒子を遮蔽する第１の透過制御部と、少なくとも前記第２のスパッタ粒子を透過させる第２の透過制御部と、前記ターゲットに対する前記第１の透過制御部と前記第２の透過制御部との相対的な位置を変化させる駆動部と、を備えたことを特徴とする半導体製造装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、形成された膜の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施の形態に係る半導体製造装置の要部を例示する模式図である。
【図２】比較例に係る半導体製造装置の要部を例示する模式図である。
【図３】被処理物の載置位置とダメージの発生との関係を例示する模式図である。
【図４】粒子制御部の作用を例示する模式図である。
【図５】第１の透過制御部と第２の透過制御部とを例示する模式図である。
【図６】他の実施形態に係る半導体製造装置の要部を例示する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  
まず、本実施の形態に係る半導体製造装置について例示をする。  
図１は、本実施の形態に係る半導体製造装置の要部を例示する模式図である。  
図１に示すように、半導体製造装置１には、処理容器２、載置部３、減圧部４、ガス供給部５、スパッタ部６、粒子制御部７が設けられている。
【００１２】
処理容器２は、例えば、両端が閉塞された略円筒形状を呈し、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造となっている。  
載置部３には、保持部８、駆動部９が設けられている。  
保持部８は、処理容器２の内部に設けられている。保持部８には、図示しない静電チャックなどが設けられ、載置された被処理物（例えば、ウェーハ）１００を保持することができるようになっている。なお、保持部８に図示しない機械式チャック（例えば、凹状の落とし込み部に被処理物を落とし込むようにして保持させるようなものや、被処理物をピンなどで押さえ込む方式のものなど）が設けられていてもよい。  
駆動部９は、処理容器２の外部に設けられている。駆動部９には、駆動軸９ａが設けられている。駆動軸９ａは処理容器２の壁面を貫通し、その端部には保持部８が取り付けられている。駆動部９は、駆動軸９ａを介して保持部８を回転駆動する。なお、駆動部９は、さらに昇降駆動をも行うことができ、保持部８とターゲット１０１との間の距離を変化させることができるものであってもよい。  
すなわち、載置部３は、被処理物を載置、保持するとともにターゲット１０１に対する被処理物の相対的な位置を変化させることができる。
【００１３】
処理容器２の側壁には、圧力制御部１０を介して減圧部４が接続されている。なお、減圧部４は、処理容器２の側壁以外の場所（例えば、処理容器２の底部など）に圧力制御部１０を介して接続されるようにすることもできる。減圧部４は、処理容器２の内部を所定の圧力まで減圧する。圧力制御部１０は、処理容器２の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、処理容器２の内圧が所定の圧力となるように制御する。減圧部４は、例えば、ターボ分子ポンプ（Turbo Molecular Pump：ＴＭＰ）などとすることができる。圧力制御部１０は、例えば、オートプレッシャーコントローラ（Auto Pressure Controller：ＡＰＣ）などとすることができる。
【００１４】
また、処理容器２の側壁には、流量制御部１１を介してガス供給部５が接続されている。なお、ガス供給部５は、処理容器２の側壁以外の場所に流量制御部１１を介して接続されるようにすることもできる。例えば、ターゲット１０１周辺の複数個所から均等に処理ガスＧを供給することができるように流量制御部１１を介して処理容器２に接続されるようにすることもできる。ガス供給部５は、流量制御部１１を介して処理容器２の内部のプラズマを発生させる領域２ａに処理ガスＧを供給する。流量制御部１１は、処理ガスＧの供給量を制御する。ガス供給部５は、例えば、加圧された処理ガスＧが収納された圧力ボンベなどとすることができる。流量制御部１１は、例えば、マスフローコントローラ（Mass Flow Controller：ＭＦＣ）などとすることができる。
【００１５】
処理ガスＧとしては、例えば、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）などの希ガスとすることができる。また、希ガスと酸素ガス（Ｏ２）などとすることもできる。例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を形成する場合には、希ガス（例えばアルゴン（Ａｒ）など）と酸素ガス（Ｏ２）とすることができる。この場合、水素ガス（Ｈ２）や水蒸気（Ｈ２Ｏ）を添加することもできる。
【００１６】
スパッタ部６には、電極部１２、アノードリング１３、電源部１４が設けられている。  電極部１２は、保持部８と対向するようにして設けられており、処理容器２の内部に設けられたターゲット１０１を保持することができるようになっている。例えば、図示しないネジや押さえ部材などを用いてターゲット１０１を保持することができるようになっている。
【００１７】
アノードリング１３は、ターゲット１０１の周囲を囲むように設けられている。アノードリング１３は、処理ガスＧのイオンなどが電極部１２などに衝突することを妨げるために設けられている。  
電源部１４は、電極部１２、保持部８に直流電圧を印加する。電源部１４は、直流電源とすることができる。そして、電極部１２を陰極とし、保持部８を陽極として、これらの間にバイアスを印加可能とされている。なお、電源部１４として、ＲＦ電源(高周波電源)を用いることもできる。
【００１８】
その他、ターゲット１０１の表面に生じる磁界の強さを制御するためのマグネット、電極部１２を介してターゲット１０１を冷却するための冷却機構などを適宜設けるようにすることができる。  
ターゲット１０１は、例えば、円板状を呈し、形成される膜と同じ材料からなるものとすることができる。例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を形成する場合には、酸化インジウム(Ｉｎ２Ｏ３)を９０ｗｔ％程度、酸化スズ（ＳｎＯ２）を１０ｗｔ％程度含む焼結体とすることができる。
【００１９】
ここで、被処理物とターゲット１０１との少なくとも一部が平面視において重なる位置（第２の位置；以後、ターゲット１０１の正面側と称する）に被処理物１００が載置されている場合、形成された膜が荷電粒子や高い運動エネルギーを持ったスパッタ粒子などによりダメージを受けるおそれがある。  
図２は、比較例に係る半導体製造装置の要部を例示する模式図である。  
なお、図２（ａ）は比較例に係る半導体製造装置の要部の模式側面図、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＧ−Ｇ方向矢視図である。  
図２（ａ）に示すように、ターゲット１０１からはじき出されターゲット１０１の主面と略直交する方向に向かうスパッタ粒子１０１ａ（第２のスパッタ粒子）は、ターゲット１０１の正面側に載置された被処理物１００の表面に到達し膜が形成される。一方、ターゲット１０１からはじき出されターゲット１０１の主面と交差する方向に向かうスパッタ粒子１０１ｂ（第１のスパッタ粒子）は、被処理物とターゲット１０１とが平面視において重ならない位置（第１の位置；例えば、被処理物１００に隣接した位置、以後、適宜、隣接位置と称する）に載置された被処理物１００ａの表面に到達し膜が形成される。
【００２０】
この場合、スパッタ粒子１０１ａは、はじき出される量が多く、高い運動エネルギーを持っている。これに対し、スパッタ粒子１０１ｂは、はじき出される量が少なく、スパッタ粒子１０１ａと比べて低い運動エネルギーを持っている。そのため、ターゲット１０１の正面側に載置された被処理物の方が成膜速度が速くなる。しかしながら、スパッタ粒子１０１ａの運動エネルギーは高く、後述するプラズマにより生成された荷電粒子（例えば、アルゴンイオンなど）もターゲット１０１の正面側に載置された被処理物に到達しやすくなる。そのため、ターゲット１０１の正面側に載置された被処理物に形成される膜の方がダメージを受けやすくなる。
【００２１】
図３は、被処理物の載置位置とダメージの発生との関係を例示する模式図である。
なお、図３は、一例として、ｐ型ＧａＮ（窒化ガリウム）上にＩＴＯ膜を形成する場合におけるダメージの発生（コンタクト抵抗の上昇）を例示するための模式図である。  
図３（ａ）はターゲット１０１と被処理物Ａ〜Ｄとの位置関係、コンタクト抵抗の測定位置（１）〜（１６）を例示するための模式図である。図３（ｂ）はダメージの発生の様子、すなわちコンタクト抵抗の変化を例示するための模式図である。また、図３（ａ）中の矢印は被処理物の移動方向（保持部８の回転方向）を表している。
【００２２】
図３（ａ）、図３（ｂ）から分かるように、ターゲット１０１の正面側に載置された被処理物Ｃ、Ｄにおけるコンタクト抵抗の上昇が顕著となる。また、ターゲット１０１の正面側により近い測定位置におけるコンタクト抵抗の上昇が高く、移動方向の上流側の方がコンタクト抵抗の上昇が高くなる。
【００２３】
ここで、本発明者らは検討の結果、スパッタ粒子１０１ｂによりダメージの少ない膜（第１の膜；以下、緩衝層と称する）を先に形成し、形成した膜（緩衝層）に積層するようにしてスパッタ粒子１０１ａによる膜（第２の膜）を形成するようにすれば、コンタクト抵抗の上昇を抑制することができるとともに成膜効率を向上させることができるとの知見を得た。
【００２４】
すなわち、スパッタ粒子１０１ｂによるダメージの少ない緩衝層を先に形成することでコンタクト抵抗の上昇を抑制することができ、スパッタ粒子１０１ａによる迅速な膜の形成を行うことで成膜効率を向上させることができるとの知見を得た。
【００２５】
そこで、半導体製造装置１には、スパッタ粒子を制御する粒子制御部７を設けるようにしている。  
図１に示すように、粒子制御部７には、制御体１５、駆動部１６が設けられている。  
制御体１５は、円板状を呈し、保持部８と電極部１２との間に設けられている。制御体１５と電極部１２との間の空間がプラズマを発生させる領域２ａとなる。また、後述するように、制御体１５には、ターゲット１０１の主面と交差する方向に向かうスパッタ粒子１０１ｂを透過させるとともに、ターゲット１０１の主面と略直交する方向に向かうスパッタ粒子１０１ａを遮蔽する第１の透過制御部１７と、少なくともスパッタ粒子１０１ａを透過させる第２の透過制御部１８とが設けられている（例えば、図４を参照）。
【００２６】
駆動部１６は、処理容器２の外部に設けられている。駆動部１６には、駆動軸１６ａが設けられている。駆動軸１６ａは処理容器２の壁面を貫通し、その端部には制御体１５が取り付けられている。駆動部１６は、駆動軸１６ａを介して制御体１５を回転、または揺動駆動する。すなわち、駆動部１６は、ターゲット１０１に対する第１の透過制御部１７と第２の透過制御部１８との相対的な位置を変化させることができる。
【００２７】
図４は、粒子制御部の作用を例示する模式図である。  
なお、図４（ａ）はスパッタ粒子１０１ｂにより膜を形成する場合、図４（ｂ）はスパッタ粒子１０１ａまたはスパッタ粒子１０１ｂにより膜を形成する場合である。また、煩雑となるため保持部８の径外方向に向けてはじき出されるスパッタ粒子は省略している。  図４（ａ）に示すように、ターゲット１０１の正面側に第１の透過制御部１７が位置するようにすれば、ターゲット１０１の正面側に位置する被処理物１００に向かうスパッタ粒子１０１ａを遮蔽することができる。一方、隣接位置にある被処理物１００ａに向かうスパッタ粒子１０１ｂは、第１の透過制御部１７を透過することができるのでスパッタ粒子１０１ｂにより膜が形成される。この際、スパッタ粒子１０１ｂの透過量が第１の透過制御部１７により制御される。また、被処理物１００に向かう荷電粒子（例えば、アルゴンイオンなど）も遮蔽され、被処理物１００ａに向かう荷電粒子も抑制される。そのため、被処理物１００におけるダメージの発生を抑制することができる。また、被処理物１００ａにダメージの少ない緩衝層を形成することができる。
【００２８】
すなわち、駆動部１６は、ターゲット１０１と第１の透過制御部１７とが平面視において重なるように第１の透過制御部１７の位置を変化させ、第１の透過制御部１７は、スパッタ粒子１０１ｂを透過させることで、被処理物とターゲットとが平面視において重ならない位置（隣接位置）にある被処理物１００ａに膜（緩衝層）を形成する。  
また、第１の透過制御部１７は、スパッタ粒子１０１ａを遮蔽することで、被処理物とターゲット１０１との少なくとも一部が平面視において重なる位置（正面側）にある被処理物１００にスパッタ粒子１０１ａが到達するのを抑制する。
【００２９】
次に、図４（ｂ）に示すように、緩衝層が形成された被処理物１００ａがターゲット１０１の正面側に位置するように保持部８を回転させる。また、第２の透過制御部１８がターゲット１０１の正面側に位置するように制御体１５を回転、または揺動させる。
【００３０】
この様にすると、ターゲット１０１の正面側に位置する被処理物１００ａに向かうスパッタ粒子１０１ａは第２の透過制御部１８を透過することができるので、緩衝層に積層するようにしてスパッタ粒子１０１ａによる膜を形成することができる。スパッタ粒子１０１ａによる膜の形成は成膜速度が速いので、成膜効率を向上させることができる。
【００３１】
一方、スパッタ粒子１０１ｂも第２の透過制御部１８を透過することができるので、隣接位置にある被処理物１００ｂに緩衝層を形成することができる。そのため、以降、保持部８を回転させることで、特性が向上した膜を順次、連続的に形成することができる。
【００３２】
すなわち、駆動部１６は、ターゲット１０１と第２の透過制御部１８とが平面視において重なるように第２の透過制御部１８の位置を変化させ、第２の透過制御部１８は、スパッタ粒子１０１ａを透過させることで、正面側にある被処理物１００ａの膜上（緩衝層上）に膜を形成する。  
また、第２の透過制御部１８は、スパッタ粒子１０１ｂをも透過させ、隣接位置にある被処理物１００ｂに膜（緩衝層）を形成する。  
また、載置部３は、隣接位置において緩衝層が形成された被処理物を正面側に移動させる。  
なお、第１の透過制御部１７と第２の透過制御部１８とを適宜切り替えながら膜を形成するようにすることもできる。
【００３３】
ここで、第１の透過制御部１７と第２の透過制御部１８とについてさらに例示をする。  第１の透過制御部は、スパッタ粒子１０１ａを遮蔽できるように、被処理物の移動の軌跡とターゲット１０１とが平面視において重なる部分を少なくとも遮蔽できるような形状とすればよい。また、第１の透過制御部の大きさは、隣接位置にある被処理物へのスパッタ粒子１０１ｂの透過量を考慮して実験やシミュレーションなどにより適宜決定するようにすることができる。例えば、隣接位置にある被処理物の位置や距離、角度などを考慮して実験やシミュレーションなどにより適宜決定するようにすることができる。  
第２の透過制御部１８は、ターゲット１０１の正面側に位置する被処理物へのスパッタ粒子１０１ａの透過量、隣接位置にある被処理物へのスパッタ粒子１０１ｂの透過量を考慮して実験やシミュレーションなどにより適宜決定するようにすることができる。例えば、被処理物の位置や距離、角度などを考慮して実験やシミュレーションなどにより適宜決定するようにすることができる。
【００３４】
図５は、第１の透過制御部と第２の透過制御部とを例示する模式図である。  
図５（ａ）に示すように、制御体１５ａに略半月型の穴部からなる第１の透過制御部１７ａと円形の穴部からなる第２の透過制御部１８ａとを設けるようにすることができる。第１の透過制御部１７ａは、被処理物１００の移動の軌跡とターゲット１０１とが平面視において重なる部分１９ａが遮蔽される様に保持部８の径外方向にずらして配設されている。第２の透過制御部１８ａの直径寸法はターゲット１０１の直径寸法よりも大きくなるようにすることができる。
【００３５】
図５（ｂ）に示すように、制御体１５ｂに円形の穴部からなる第１の透過制御部１７ｂと円形の穴部からなる第２の透過制御部１８ｂとを設けるようにすることができる。第１の透過制御部１７ｂは、被処理物１００の移動の軌跡とターゲット１０１とが平面視において重なる部分１９ｂが遮蔽される様に保持部８の径外方向にずらして配設されている。第２の透過制御部１８ｂの直径寸法はターゲット１０１の直径寸法よりも大きくなるようにすることができる。
【００３６】
図５（ｃ）に示すように、被処理物１００の移動の軌跡とターゲット１０１とが平面視において重なる部分１９ｃが遮蔽される様な円形の板状体を制御体１５ｃに設け、その周縁近傍を第１の透過制御部１７ｃとし、それ以外の空間を第２の透過制御部１８ｃとなるようにすることができる。この場合、スパッタ粒子１０１ｂは、板状体の周縁近傍（第１の透過制御部１７ｃ）から隣接位置にある被処理物に向かうことになる。
【００３７】
図５（ｄ）に示すように、制御体１５ｄに略半月型の穴部からなる第１の透過制御部１７ｄと円形の穴部からなる第２の透過制御部１８ｄとを設けるようにすることができる。第１の透過制御部１７ｄは、被処理物１００の移動の軌跡とターゲット１０１とが平面視において重なる部分１９ａが遮蔽される様に保持部８の径内方向にずらして配設されている。第２の透過制御部１８ｄの直径寸法はターゲット１０１の直径寸法よりも大きくなるようにすることができる。
【００３８】
図５（ｅ）に示すように、被処理物１００の移動の軌跡とターゲット１０１とが平面視において重なる部分１９ｅが遮蔽される様な円形の板状体を制御体１５ｅに設け、その周縁にスリット状の孔部からなる第１の透過制御部１７ｅを設けるようにすることができる。また、円形の穴部からなる第２の透過制御部１８ｅを設けるようにすることができる。第２の透過制御部１８ｅの直径寸法はターゲット１０１の直径寸法よりも大きくなるようにすることができる。
【００３９】
次に、本実施の形態に係る半導体製造装置１の作用について例示をする。  
まず、図示しない搬送装置により被処理物（例えば、ウェーハ）が、処理容器２内に搬入され、保持部８に載置、保持される。この際、第１の透過制御部１７がターゲット１０１の正面側に位置するようにする。
【００４０】
次に、処理容器２内が減圧部４により所定圧力まで減圧される。この際、圧力制御部１０により処理容器２内の圧力が調整される。
【００４１】
次に、処理容器２内のプラズマを発生させる領域２ａに、ガス供給部５から流量制御部１１を介して処理ガスＧが供給される。この際、流量制御部１１により供給される処理ガスＧの流量が制御される。例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を形成する場合には、希ガス（例えばアルゴン（Ａｒ）など）と酸素ガス（Ｏ２）とが供給される。なお、希ガス（例えばアルゴン（Ａｒ）など）のみ、あるいは、希ガス（例えばアルゴン（Ａｒ）など）と水素ガス（Ｈ２）とが供給されるようにすることもできる。
【００４２】
次に、電源部１４により、電極部１２（ターゲット１０１）、保持部８に直流電圧を印加する。この際、電極部１２を陰極とし、保持部８を陽極として、これらの間にバイアスを印加可能とする。  
すると、プラズマが発生し、発生したプラズマにより供給された処理ガスＧが励起、活性化されて荷電粒子（例えば、アルゴンイオンなど）が生成される。
【００４３】
生成されたアルゴンイオン（Ａｒ＋）は陰極側であるターゲット１０１の近傍で加速されてターゲット１０１に衝突する。その衝突エネルギーによりターゲットの構成原子がスパッタ粒子１０１ａ、１０１ｂとしてはじき出される。この場合、第１の透過制御部１７によりターゲット１０１の正面側に位置する被処理物に向かうスパッタ粒子１０１ａが遮蔽される。また、ターゲット１０１の正面側に位置する被処理物に向かう荷電粒子も遮蔽される。
【００４４】
一方、隣接位置にある被処理物に向かうスパッタ粒子１０１ｂは、第１の透過制御部１７を透過することができるのでスパッタ粒子１０１ｂにより隣接位置にある被処理物に膜が形成される。この際、隣接位置にある被処理物に向かう荷電粒子も抑制される。  
そのため、ターゲット１０１の正面側に位置する被処理物におけるダメージの発生を抑制することができる。また、隣接位置にある被処理物にダメージの少ない緩衝層を形成することができる。
【００４５】
次に、緩衝層が形成された被処理物がターゲット１０１の正面側に位置するように保持部８を回転させる。また、第２の透過制御部１８がターゲット１０１の正面側に位置するように制御体１５を回転、または揺動させる。
【００４６】
ターゲット１０１の正面側に位置する被処理物に向かうスパッタ粒子１０１ａは第２の透過制御部１８を透過することができるので、緩衝層に積層するようにしてスパッタ粒子１０１ａによる膜が形成される。一方、スパッタ粒子１０１ｂも第２の透過制御部１８を透過することができるので、隣接位置にある被処理物に緩衝層が形成される。  
そのため、ターゲット１０１の正面側に位置する被処理物における成膜効率を向上させることができる。また、同時に、次にターゲット１０１の正面側に移動される被処理物に緩衝層を予め形成することができる。
【００４７】
その後、保持部８を回転させることで、被処理物に膜を順次、連続的に形成する。  
なお、第１の透過制御部１７と第２の透過制御部１８とを適宜切り替えて膜を形成するようにすることもできる。
例えば、第１の透過制御部１７と第２の透過制御部１８との切り替えタイミングを以下のようにして膜の形成を行うようにすることもできる。  
まず、ターゲット１０１の正面側に第１の透過制御部１７が位置するようにし、この状態で保持部８をある程度回転させて載置されているすべての被処理物にスパッタ粒子１０１ｂにより緩衝層を一様に形成する。次に、第２の透過制御部１８がターゲット１０１の正面側に位置するように制御体１５を回転、または揺動させる。そして、緩衝層に積層するようにしてスパッタ粒子１０１ａによる膜を形成するようにする。  
また、保持部８の回転動作は、所定の速度で連続的に行われるものであってもよいし、間欠的に行われるものであってもよい。  
処理が終了した被処理物は、図示しない搬送装置により処理容器２外に搬出される。この後、必要があれば、前述の膜の形成が繰り返される。
【００４８】
本実施の形態によれば、第１の透過制御部１７によりターゲット１０１の正面側に位置する被処理物に向かうスパッタ粒子１０１ａを遮蔽することができる。一方、隣接位置にある被処理物に向かうスパッタ粒子１０１ｂを透過させることができるので、次にターゲット１０１の正面側に移動される被処理物に緩衝層を予め形成することができる。この際、第１の透過制御部１７の配置や大きさなどを適宜設定することでスパッタ粒子１０１ｂの透過量を制御することができる。また、ターゲット１０１の正面側に位置する被処理物に向かう荷電粒子も遮蔽することができ、隣接位置にある被処理物に向かう荷電粒子も抑制することができる。  
そのため、ターゲット１０１の正面側に位置する被処理物におけるダメージの発生を抑制することができる。また、隣接位置にある被処理物にダメージの少ない緩衝層を予め形成することができる。
【００４９】
また、第２の透過制御部１８によりスパッタ粒子１０１ａを透過させてターゲット１０１の正面側に位置する被処理物における成膜効率を向上させることができる。また、同時に、次にターゲット１０１の正面側に移動される被処理物に緩衝層を予め形成することができる。
【００５０】
次に、他の実施形態に係る半導体製造装置について例示をする。  
図６は、他の実施形態に係る半導体製造装置の要部を例示する模式図である。  
なお、図６（ａ）は他の実施形態に係る半導体製造装置の要部の模式側面図、図６（ｂ）は図６（ａ）におけるＨ−Ｈ方向矢視図である。図６（ｂ）は第１の透過制御部２７が形成される場合、図６（ｃ）は第２の透過制御部１８ａが開口される場合である。また、煩雑となるため保持部８の径外方向に向けてはじき出されるスパッタ粒子は省略している。
【００５１】
図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施の形態においては、第１の粒子制御部２５と第２の粒子制御部２６とが設けられている。  
第１の粒子制御部２５には、被処理物１００の移動の軌跡とターゲット１０１とが平面視において重なる部分２９が遮蔽される様な円形の板状体が設けられている。  
また、第２の粒子制御部２６には円形の穴部からなる第２の透過制御部１８ａが設けられている。第２の透過制御部１８ａの直径寸法はターゲット１０１の直径寸法よりも大きくなるようにされており、ターゲット１０１の正面側に第２の透過制御部１８ａが位置するように配設されている。
【００５２】
そして、図６（ｂ）に示すように、第１の粒子制御部２５と第２の粒子制御部２６とが協働することで第１の透過制御部２７が形成されるようになっている。すなわち、円形の穴部からなる第２の透過制御部１８ａと、第１の粒子制御部２５に設けられた円形の板状体とを重ねることで円形の板状体の周縁にスリット状の孔部からなる第１の透過制御部２７が形成されるようになっている。  
また、図６（ｃ）に示すように、円形の穴部からなる第２の透過制御部１８ａと、第１の粒子制御部２５に設けられた円形の板状体との位置をずらすことで、第２の透過制御部１８ａが開口されるようになっている。
【００５３】
そのため、図６（ａ）、（ｂ）に示す状態にすることで、第１の透過制御部２７を形成してターゲット１０１の正面側に位置する被処理物１００に向かうスパッタ粒子１０１ａを遮蔽するようにすることができる。一方、隣接位置にある被処理物に向かうスパッタ粒子１０１ｂを透過させることができるので、次にターゲット１０１の正面側に移動される被処理物１００ａに緩衝層を形成することができる。この際、第１の透過制御部２７の配置や大きさなどを適宜設定することでスパッタ粒子１０１ｂの透過量を制御することができる。また、ターゲット１０１の正面側に位置する被処理物１００に向かう荷電粒子も遮蔽することができ、隣接位置にある被処理物１００ａに向かう荷電粒子も抑制することができる。
【００５４】
そのため、ターゲット１０１の正面側に位置する被処理物１００におけるダメージの発生を抑制することができる。また、隣接位置にある被処理物１００ａにダメージの少ない緩衝層を予め形成することができる。
【００５５】
また、図６（ｃ）に示す状態にすることで、第２の透過制御部１８ａを開口させ、スパッタ粒子１０１ａを透過させてターゲット１０１の正面側に位置する被処理物における成膜効率を向上させることができる。また、同時に、次にターゲット１０１の正面側に移動される被処理物に緩衝層を予め形成することができる。
【００５６】
本実施の形態においても前述した半導体製造装置１の場合と同様の作用効果を得ることができる。この場合、移動される部分である第１の粒子制御部２５が小さいので、駆動系や制御系の簡素化を図ることができる。
【００５７】
次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について例示をする。  
ここで、半導体装置の製造工程には、一般的に、いわゆる前工程における成膜・レジスト塗布・露光・現像・エッチング・レジスト除去などにより基体（例えば、ウェーハ）の表面に回路パターンを形成する工程、検査工程、洗浄工程、熱処理工程、不純物導入工程、拡散工程、平坦化工程などがある。また、いわゆる後工程においては、ダイシング、マウンティング、ボンディング、封入などの組立工程、機能や信頼性の検査を行う検査工程などがある。  
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法においては、スパッタリング法を用いて被処理物に膜を形成する工程（成膜工程）において以下の手順で膜の形成を行うようにすることができる。また、前述した半導体製造装置を用いて膜の形成を行うようにすることもできる。なお、成膜工程以外のものは、既知の技術を適用させることができるので、それらの説明は省略する。  
また、ここでは、一例として、ｐ型半導体層であるｐ型ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる層の上にＩＴＯ膜を形成する場合を例示する。
【００５８】
スパッタリング法を用いて、ｐ型ＧａＮ（窒化ガリウム）上にＩＴＯ膜を形成する場合には、酸化インジウム(Ｉｎ２Ｏ３)を９０ｗｔ％程度、酸化スズ（ＳｎＯ２）を１０ｗｔ％程度含む焼結体をターゲットとして用いることができる。また、処理ガスＧとしてアルゴン（Ａｒ）と酸素を用い、例えば、アルゴン（Ａｒ）の流量を３０ｓｃｃｍ程度、酸素の流量を０．５ｓｃｃｍ程度、ガス圧力を０．６７Ｐａ程度とすることができる。また、処理環境における圧力を１×１０−５Ｐａ程度とすることができる。ＤＣ放電パワーは１００Ｗ程度とすることができる。
【００５９】
まず、ターゲット１０１の主面と交差する方向に向かうスパッタ粒子１０１ｂにより、ｐ型ＧａＮ（窒化ガリウム）上に緩衝層としての第１のＩＴＯ膜を形成する。  
この場合、緩衝層としての第１のＩＴＯ膜の厚みは、例えば、１ｎｍ（ナノメートル）程度とすることができる。
【００６０】
例えば、ターゲット１０１の主面と略直交する方向に向かうスパッタ粒子１０１ａを遮蔽するとともに、ターゲット１０１の正面側に位置する被処理物に隣接して載置された被処理物に向かうスパッタ粒子１０１ｂを透過させるようにして隣接位置にある被処理物に緩衝層としての第１のＩＴＯ膜を形成するようにすることができる。
【００６１】
すなわち、被処理物とターゲット１０１とが平面視において重ならない位置（隣接位置）において、ターゲット１０１の主面と交差する方向に向かうスパッタ粒子１０１ｂにより、被処理物に第１のＩＴＯ膜（緩衝層）を形成する。  
また、第１のＩＴＯ膜（緩衝層）が形成されていない被処理物が、被処理物とターゲット１０１との少なくとも一部が平面視において重なる位置（正面側）にある場合には、スパッタ粒子１０１ａが遮蔽される。
【００６２】
次に、ターゲット１０１の主面と略直交する方向に向かうスパッタ粒子１０１ａにより、第１のＩＴＯ膜上に所望の厚みの第２のＩＴＯ膜を形成する。  
例えば、第１のＩＴＯ膜（緩衝層）が形成された被処理物をターゲット１０１の正面側に位置するように移動させ、スパッタ粒子１０１ａにより第１のＩＴＯ膜（緩衝層）上に所望の厚みの第２のＩＴＯ膜を積層するようにして形成するようにすることができる。  
この際、スパッタ粒子１０１ｂが向かう位置に次にＩＴＯ膜を形成する被処理物を載置すれば、ターゲット１０１の正面側において第２のＩＴＯ膜を形成するとともに、当該位置において第１のＩＴＯ膜（緩衝層）を形成することができる。この様にすれば、第１のＩＴＯ膜（緩衝層）の形成と第２のＩＴＯ膜の形成とを順次、連続的に行うことができるようになる。
【００６３】
すなわち、被処理物とターゲット１０１との少なくとも一部が平面視において重なる位置（正面側）において、ターゲット１０１の主面と略直交する方向に向かうスパッタ粒子１０１ａにより、第１のＩＴＯ膜（緩衝層）上に第２のＩＴＯ膜を形成する。
【００６４】
本実施の形態によれば、より低い運動エネルギーを有するスパッタ粒子１０１ｂによりダメージの少ない膜（緩衝層）を先に形成し、形成した膜（緩衝層）に積層するようにしてスパッタ粒子１０１ａによる膜を形成することができる。そのため、コンタクト抵抗の上昇を抑制することができるとともに成膜効率を向上させることができる。
【００６５】
以上、本実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。  
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。  
例えば、半導体製造装置１が備える各要素の形状、寸法、材質、数、配置などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。  
また、前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。  
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６６】
１  半導体製造装置、２  処理容器、３  載置部、４  減圧部、５  ガス供給部、６  スパッタ部、７  粒子制御部、８  保持部、１５  制御体、１５ａ〜１５ｅ  制御体、１７  第１の透過制御部、１７ａ〜１７ｅ  第１の透過制御部、１８  第２の透過制御部、１８ａ〜１８ｅ  第２の透過制御部、１００  被処理物、１０１  ターゲット、１０１ａ  スパッタ粒子（第２のスパッタ粒子）、１０１ｂ  スパッタ粒子（第１のスパッタ粒子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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