(57)【要約】【課題】電力用半導体装置の基板を小型化し、低コストで生産性を向上可能な、ピン端子の接合方法及び装置、並びにピン端子付きパワー基板を提供する。【解決手段】部品５２のはんだ付け、及びワイヤボンディングがなされたパワー基板５０に対して複数のピン端子５１をはんだ付けするとき、常温からはんだの融点付近の温度まで加熱装置１１０にてパワー基板を予熱するとともに、はんだの融点を跨ぎ融点を超えてピン端子を高周波誘導加熱してはんだを溶融させてはんだ付けすることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品が実装されてはんだ付けされワイヤボンディングされたパワー基板に対して複数のピン端子をはんだで接合するピン端子の接合方法であって、
常温から、上記ピン端子を接合するはんだの融点以下で該融点付近の温度まで、加熱装置にて上記パワー基板を予熱するとともに、
上記はんだの融点を跨ぎ上記融点を超えて上記ピン端子を高周波誘導加熱して上記はんだを溶融させて上記ピン端子を上記パワー基板にはんだ接合する、
ことを特徴とするピン端子の接合方法。
【請求項２】
上記ピン端子が上記パワー基板の端部に列状に配列される場合、上記高周波誘導加熱を行うコイルは、配列された全てのピン端子を内周側に含む形状にて巻回されている、請求項１記載のピン端子の接合方法。
【請求項３】
上記ピン端子が上記パワー基板の互いに直交する２辺に沿って列状に配列される場合、上記パワー基板の角部には上記ピン端子を配置せず、各辺に配列されたピン端子毎に上記コイルにて高周波誘導加熱を行う、請求項２記載のピン端子の接合方法。
【請求項４】
上記高周波誘導加熱を行うコイルの巻回形状に対して、上記パワー基板における上記ピン端子の配列が不均等な場合、ピン端子の配置位置に応じて、融点の異なる複数種類のはんだを使い分けて上記はんだの溶融タイミングを均一化する、請求項１記載のピン端子の接合方法。
【請求項５】
上記高周波誘導加熱を行うコイルの巻回形状に対して、上記パワー基板における上記ピン端子の配列が不均等な場合、ピン端子の配置位置に応じて上記はんだの量を変化させて上記はんだの溶融タイミングを均一化する、請求項１記載のピン端子の接合方法。
【請求項６】
部品が実装されてはんだ付けされワイヤボンディングされたパワー基板に対して複数のピン端子をはんだで接合するピン端子の接合装置であって、
上記パワー基板を載置し、載置した上記パワー基板における複数領域を異なる温度に加熱する複数の加熱領域を有する加熱装置と、
上記ピン端子を高周波誘導加熱して上記はんだを溶融させる高周波誘導加熱装置と、
を備えたことを特徴とするピン端子の接合装置。
【請求項７】
上記パワー基板の温度分布を測定する温度測定器と、
測定された上記温度分布に従い、それぞれの上記ピン端子におけるはんだの温度を均一化する、上記加熱装置の上記加熱領域の温度制御を行う制御装置と、をさらに備えた、請求項６記載のピン端子の接合装置。
【請求項８】
部品が実装されてはんだ付けされワイヤボンディングされ、さらに複数のピン端子の一端が高周波誘導加熱にて加熱されて溶融したはんだで上記ピン端子が接合されるパワー基板であって、
上記高周波誘導加熱を行うコイルの巻回形状に対する各ピン端子の配置位置に応じて、上記ピン端子は、それぞれの上記ピン端子のはんだの温度を均一化する形状を有することを特徴とするパワー基板。
【請求項９】
上記ピン端子は、それぞれの上記ピン端子のはんだの温度を均一化する、異なった太さを有する、請求項８記載のパワー基板。
【請求項１０】
上記ピン端子は、中空形状であり、それぞれの上記ピン端子のはんだの温度を均一化する、異なった肉厚を有する、請求項８記載のパワー基板。
【請求項１１】
他基板に接合される上記ピン端子の他端側は、上記他基板に穿孔されているスルーホールに対応した太さを有する、請求項９又は１０記載のパワー基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー基板にピン端子をはんだ付けする接合方法及び接合装置、並びに、ピン端子付きパワー基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の中には、その内部回路において例えば１ｋＶ以上の絶縁耐圧を有する半導体チップ（例えばＩＧＢＴ等）を扱う電力用半導体装置が存在する。このような電力用半導体装置における基板とプリント配線板との接続を金属の線材（ピン端子）を用いて行う構造が特許文献１に開示されている。
【０００３】
このような構造の場合、上記ピン端子による接続をはんだ付けにて行うと、電力用半導体装置の基板に既にはんだ付けされているパワー素子などの部品のはんだが再溶融することも考えられる。よって、このような不具合を避けるため、上記特許文献１の構造では、ピン端子が接続されるプリント配線板にはブシュを設けておき、該ブシュと上記ピン端子とを嵌合することで、電力用半導体装置における基板とプリント配線板との接続を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３６９１４０２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１の構造では、プリント配線板にブシュを設ける必要があり、さらにブシュとピン端子との嵌合動作が必要であることから、材料コストが甚大となり、また生産性も悪いという問題がある。
【０００６】
一方、電力用半導体装置の基板にピン端子を予め接続した場合には以下のような問題が生じる。即ち、電力用半導体装置の基板における配線パターンの電極と、上記パワー素子の電極とは、アルミニウム線によるワイヤボンディングにて接続される。しかしながら、このボンディング用装置に備わるワイヤボンドツール、カッター、及びワイヤガイドなどが空間的にピン端子と干渉する領域には、ワイヤボンドを行うことができない。よって上述の干渉を避けるため、ピン端子の近傍は、空間を大きくとる必要があり、予めピン端子を接続した場合には、大きなデッドスペースが生じてしまい、上記基板が大型化するという問題がある。
【０００７】
本発明は、上述したような問題点を解決するためになされたもので、電力用半導体装置の基板を小型化し、つまりワイヤボンディングの後に、ピン端子の接続を可能とし、低コストで生産性を向上可能な、ピン端子の接合方法及び装置、並びにピン端子付きパワー基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は以下のように構成する。
即ち、本発明の一態様におけるピン端子の接合方法は、部品が実装されてはんだ付けされワイヤボンディングされたパワー基板に対して複数のピン端子をはんだで接合するピン端子の接合方法であって、常温から、上記ピン端子を接合するはんだの融点以下で該融点付近の温度まで、加熱装置にて上記パワー基板を予熱するとともに、上記はんだの融点を跨ぎ上記融点を超えて上記ピン端子を高周波誘導加熱して上記はんだを溶融させて上記ピン端子を上記パワー基板にはんだ接合することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様におけるピン端子の接合方法によれば、半導体素子等の部品がはんだ付けされ、ワイヤボンディングが施されたパワー基板に対して、複数のピン端子をはんだ付けする接合方法であり、予熱用装置にてパワー基板を予熱するとともに、ピン端子を高周波誘導加熱する。
【００１０】
複数の被加熱体に対して高周波誘導加熱のみによって加熱する場合、一般的に、高周波誘導加熱用のコイルに対する被加熱体の配置位置によって各被加熱体における発熱温度が異なりバラツキが生じる。これに対し、本発明の一態様の接合方法では、上述のようにパワー基板を予熱することで、高周波誘導加熱によるピン端子の発熱温度のバラツキを抑制することができる。その結果、予め、部品がはんだ付けされワイヤボンディングが施されたパワー基板に対して、先のはんだを再溶融させることなく、追って複数のピン端子をはんだ付けすることができる。したがって、ボンディングされるワイヤとの干渉防止用の空間を設ける必要もなく、パワー基板の小型化が可能である。また、このようにパワー基板にピン端子をはんだ付け可能であることから、従来の接合用部材を要せず、低コストで生産性の向上を図ることも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態における接合装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態における接合方法の一例を説明するための斜視図である。
【図３】本発明の実施形態における接合方法の他の例を説明するための斜視図である。
【図４】本発明の実施形態における接合装置にてピン端子の接合が行われるパワー基板の一例を示す斜視図である。
【図５】本発明の実施形態における接合装置にてピン端子の接合が行われるパワー基板の他の例を示す斜視図である。
【図６】本発明の実施形態における接合装置にてピン端子の接合が行われるパワー基板の別の例を示す斜視図である。
【図７】本発明の実施形態における接合装置にてピン端子の接合が行われるパワー基板のさらに他の例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施形態であるピン端子の接合方法及び接合装置、並びにピン端子を接続したパワー基板について、図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において、同一又は同様の構成部分については同じ符号を付している。
【００１３】
実施の形態１．
図１には、一実施形態におけるピン端子の接合装置１０１の概略図を示している。この接合装置１０１、及びこの接合装置１０１にて実行される本発明の実施形態であるピン端子の接合方法における被加熱物は、パワー基板５０、及び該パワー基板５０にはんだ接合される複数のピン端子５１である。ここで、パワー基板５０は、予め、特にパワー半導体素子等の半導体素子５２及び実装部品５３などの部品が例えばリフローソルダリング技術などにより、当該パワー基板５０の基板部５７にはんだ付けされ、さらに、基板部５７に形成された配線パターン５４と、上記半導体素子５２及び実装部品５３などの電極とがアルミニウム等の金属ワイヤ５５にてボンディングされた状態の基板である。また、ピン端子５１とは、金属製で細長い棒状の端子であり、上記配線パターン５４に立設されパワー基板５０と他基板とを電気的に接続するための端子に相当する。
【００１４】
図１に示すように、本実施形態におけるピン端子の接合装置１０１は、基本的構成部分として、加熱装置１１０と、高周波誘導加熱装置１２０とを備える。
加熱装置１１０は、パワー基板５０を載置するステージ１１１と、該ステージ１１１内に埋設され電源部１１４からの電力供給にて発熱するヒータ１１２とを有する。また、ステージ１１１は、金属製であり、パワー基板５０を位置決めするための位置決め機構１１３を有する。
このような加熱装置１１０は、ステージ１１１の平坦な載置面１１１ａにパワー基板５０が載置され、ヒータ１１２の発熱により、載置されたパワー基板５０を、常温から、上記ピン端子５１と配線パターン５４とを接合するはんだ５６の融点以下で該融点付近の温度まで、予熱する装置である。
【００１５】
また、加熱装置１１０は、以下のように構成するのが好ましい。即ち、後述するようにピン端子５１は高周波誘導加熱装置１２０を用いて加熱されるが、その際の加熱ムラを補償するために、加熱装置１１０のヒータ１１２は、独立して温度制御可能な複数の加熱領域を有し、この加熱領域毎に異なる温度に昇温可能に構成してもよい。このように構成することで、パワー基板５０における複数の領域を、それぞれ異なる温度に昇温可能となる。
【００１６】
高周波誘導加熱装置１２０は、導体にてなる線材が巻回され高周波電源部１２２から高周波電流が供給されるコイル１２１を備える。コイル１２１は、例えば図２に示すようにパワー基板５０の端部に一列状に配列され立設された複数のピン端子５１に対して、その全てを内周側に含む形状にて巻回される。このようなコイル１２１は、ステージ１１１に載置されたパワー基板５０の上方に配置される。
【００１７】
このように構成された高周波誘導加熱装置１２０は、高周波電源部１２２から供給された高周波電流によりコイル１２１に発生する磁界により、ピン端子５１を発熱させ、上記はんだ５６を溶融させる装置である。このように高周波誘導加熱装置１２０は、パワー基板５０を局所的に加熱するものであり、パワー基板５０に対するコイル１２１の配置位置を制御することで、はんだ５６の溶融の際、予めパワー基板５０に実装された半導体素子５２及び実装部品５３などを固定しているはんだを再溶融させることはない。
【００１８】
以上のように構成されるピン端子の接合装置１０１における動作、つまりピン端子の接合方法について、以下に説明する。
まず、はんだ付けに関する一般的な背景について説明する。
上述したように、ピン端子５１をパワー基板５０にはんだ付けするときには、予めパワー基板５０に実装された半導体素子５２及び実装部品５３などを固定しているはんだを再溶融させないのが、品質管理上好ましい。
【００１９】
詳しく説明すると、特に、例えば半導体素子の裏面におけるメタライズの金属層は、はんだが溶融しているときには、いわゆる、食われを起こし、溶融したはんだ中に溶解していき、上記金属層の全てが溶解してしまう場合もある。よって、上記溶解により被接合体に現れた層と、はんだとの相性がよくない組み合わせの場合には、はんだの不濡れが発生するなどの不具合が生じる場合もある。その結果、接合不良となり、製品として使用不可となるという問題が発生する。このように、はんだ付けにおけるはんだの溶融時間を管理することは、製品の品質管理上、重要事項である。よって、一旦、はんだ付けされたはんだを再溶融させないことは、品質管理上好ましいことになる。
【００２０】
はんだに上記再溶融を発生させないために、上述のように本実施形態では高周波誘導加熱装置１２０による加熱を行うが、一般的に、高周波誘導加熱方式には、以下の問題点がある。
即ち、高周波誘導加熱では、高周波電源によって誘導コイルへ高周波電流を通電し、これにより誘導コイルに磁界が発生する。生じた磁界が金属の被加熱体を横切るときに、磁界の変化に伴い上記被加熱体に発生する渦電流によって、被加熱体を発熱させる。磁界は、誘導コイルの鉛直方向に直線的に伸び、誘導コイルを回り込むようにして帰っていく形になる。よって、誘導コイルの円周の内部空間における磁界は、ほぼ一様であるが、誘導コイルから離れる程、磁界は減衰するという関係がある。したがって、誘導コイルに対する上記被加熱体の位置に依存して、被加熱体の発熱量が異なるという問題がある。
【００２１】
即ち、本実施形態における、複数のピン端子５１をはんだ接合する場合では、高周波誘導加熱装置１２０による発熱量は、コイル１２１に対するピン端子５１の配置位置により変化し、一桁程度の発熱量の違いを生じる場合もある。このような発熱量の相違により、各ピン端子５１の根元、つまり上記はんだ５６が存在する部分の温度は、不均一となる。
【００２２】
よって、高周波誘導加熱のみを用いて、全てのピン端子５１の根元におけるはんだ５６の温度を、その融点以上にするためには、相当な長時間の加熱が必要であったり、巨大な電源が必要であったりなどして、効率が悪い。また、高周波誘導加熱のみを用いた場合、温度の不均一を是正することは、困難であった。
【００２３】
詳しく説明すると、パワー基板５０は、電力半導体モジュールの一部となるものであり、通電時に半導体素子５２からの発熱が大きいため、基板部５７等の部材は、高い放熱性を有している。よって、ピン端子５１を含みパワー基板５０を高周波誘導加熱のみで加熱した場合、高周波誘導加熱によりピン端子５１で発生した熱は、はんだ５６を通って熱伝導率が高い基板部５７へ逃げるため、ピン端子５１そのものの温度は上昇しにくい。さらに、直径が数ｍｍ程度のピン端子５１は、熱容量がパワー基板５０の１０００分の１程度であり、ピン端子５１の発熱のみでピン端子５１近傍のパワー基板５０をはんだ５６の融点付近まで上昇させることは困難である。その結果、ピン端子５１とパワー基板５０との接触部に塗布したはんだ５６は溶融せず、ピン端子５１の接合を行うことができない。
【００２４】
また、ピン端子５１の断面積が小さいため、大きな電力を投入して高周波誘導加熱を行なうと、パワー基板５０側に位置するピン端子５１の一端５１ａに対向する他端５１ｂの温度は、ピン端子５１が赤熱する程度にまで温度上昇するが、一端５１ａにおける接合部のはんだ５６を溶融させることはできなかった。
【００２５】
そこで本実施形態では、上述のように加熱装置１２０によって、パワー基板５０の全体を、はんだ５６の融点以下で該融点付近の温度まで、予め加熱する。該加熱後、あるいは該加熱とともに、さらに、高周波誘導加熱装置１２０による高周波誘導加熱によってピン端子５１を発熱させ、上記融点付近の温度から融点を超える温度まで、つまり融点を跨いでピン端子５１を昇温させる。
【００２６】
このような加熱方法によって、ピン端子５１からパワー基板５０への温度勾配を利用して、ピン端子５１の根元近傍、つまりピン端子５１と配線パターン５４との接続部分における温度を、はんだ５６の融点以上とし、かつ、ピン端子５１の根元近傍以外の部分を、はんだ５６の融点未満とする。このようにして、局所的なはんだ接合を形成し、上述した、高周波誘導加熱における不均一性を是正し、それぞれのピン端子５１における根元の温度をより均一化した。
【００２７】
例えば、はんだ５６の融点が２１７℃の場合、加熱装置１２０によりパワー基板５０の温度を２００℃に加熱する工程と、高周波誘導加熱装置１２０による高周波誘導加熱により、はんだ５６の融点以上に加熱する工程とを有することで、高周波誘導加熱による加熱量は、５０℃程度でよいことになる。
【００２８】
本実施形態の、ピン端子の接合装置１０１によれば、各ピン端子５１の根元温度のばらつきは、加熱装置１２０を用いない場合に比べて、半分以下に抑制できた。これにより、ピン端子５１の接合時における赤熱、及びフラックスの失活や、不必要な加熱時間の増大などの不都合を解消することができた。よって、生産性の向上を図ることも可能となる。
【００２９】
また、以上説明したように、ピン端子の接合装置１０１によれば、予め、半導体素子５２等がはんだ付けされ、さらにワイヤボンディングが施されたパワー基板５０に対して、後からピン端子５１のはんだ付けが可能である。よって、予めピン端子が立設されている構成では、ワイヤボンドツール等との干渉防止のために基板が大型化するという問題があったが、本実施形態のピン端子の接合装置１０１では、上記干渉防止用の禁止エリアの制約なしにパワー基板５０の設計を行なうことができ、パワー基板５０の小型化を図ることも可能である。
【００３０】
また、上述のように、半導体素子５２及び実装部品５３などを固定しているはんだを再溶融させることなくピン端子５１のはんだ付けが可能なことから、上記再溶融による半導体素子５２及び実装部品５３の移動等の懸念点に対する検査時間を縮小することができる。よって、この点からも生産性の向上を図ることが可能となる。
実施の形態２．
【００３１】
実施の形態１では、上述したように、加熱装置１２０は、パワー基板５０の全体を一様に昇温する場合を説明した。一方、実施の形態１で説明したように、加熱装置１２０のヒータ１１２は、独立して温度制御可能な複数の加熱領域を有し、この加熱領域毎に異なる温度に昇温可能な構成とすることもできる。
本実施の形態２では、加熱装置１２０は、パワー基板５０に対して複数の加熱領域を形成し、加熱領域毎に異なる温度制御を行うように構成する。また、本実施形態２における接合装置１０１−２では、上述の実施形態１における構成に、図１に示す制御装置１３０をさらに備える。制御装置１３０は、加熱装置１１０の位置決め機構１１３、電源部１１４、及び高周波誘導加熱装置１２０の高周波電源部１２２と接続され、これら構成部分の動作制御を行う。
【００３２】
高周波誘導加熱は、一般的に、コイルの内周領域の面積が大きくなると、磁束密度の分布が不均一となりやすい。このようなコイルにてピン端子５１を発熱させた場合、ピン端子５１の発熱量が不均一になる可能性が高い。
そこで、本実施形態では、高周波誘導加熱装置１２０によるピン端子５１の発熱において、上記はんだ５６の溶融に必要となる十分な発熱が見込めない一又は複数のピン端子５１が発生する場合には、不十分な発熱が予想される一つ又は複数のピン端子５１に対応する、加熱装置１２０のヒータ１１２の一部分について、他のヒータ１１２部分に比して、高温に昇温するように構成する。
【００３３】
即ち、加熱装置１２０は、パワー基板５０に予め温度勾配を与えて加熱可能なように、ヒータ１１２は、複数の加熱領域を有する。各加熱領域の設定温度は、図１に示す制御装置１３０にて任意に決定可能であり、制御装置１３０は、その設定温度に達するようにヒータ１１２の上記加熱領域の温度制御を行う。例えば、ヒータ１１２は、中央部、及びその両端部に３分割され、制御装置１３０は、例えば、高周波誘導加熱の磁束密度の高い中央部のヒータの設定温度を低くし、その両端部における各ヒータの設定温度を高くするように制御することができる。
【００３４】
このように構成することで、広範囲に渡り配列されたピン端子５１に対して、内周領域を比較的大きく設計したコイル１２１を有する高周波誘導加熱装置１２０にて発熱させる場合でも、高周波誘導加熱装置１２０における磁束密度分布の不均一さを補償して、ピン端子５１の加熱温度を均一化することができる。その結果、ピン端子５１の接合時における赤熱、及びフラックスの失活や、不必要な加熱時間の増大などの不都合を解消することができる。
勿論、上述した実施の形態１の接合装置１０１が奏する効果は、本実施の形態２の接合装置１０１−２においても奏することができる。
【００３５】
実施の形態３．
上述の実施の形態２では、高周波誘導加熱装置１２０におけるコイル１２１の内周領域の面積が大きくなると、磁束密度の分布が不均一となりやすく、その結果、ピン端子５１の発熱量が不均一になる旨を説明した。一方、上記コイル１２１の内周領域の面積が比較的小さい場合でも、発熱量が上述のようにコイルとピン端子との距離に依存することから、パワー基板５０においてピン端子５１の配置が広範にわたるような場合には、各ピン端子５１において発生する熱量にバラツキが生じる。その結果、以下のような問題が発生する。
【００３６】
即ち、温度上昇が大きいピン端子では、他のピン端子よりも早くはんだが溶融し、ピン端子の近傍に残ったフラックスの焼付きなどが生じる。一方、温度上昇が小さいピン端子では、他のピン端子に比べて長時間にわたり、はんだが高温に維持されることから、フラックスが失活し、溶融時のはんだの不濡れなどが発生する。また、全てのピン端子が接合するまで加熱を続行すると、ピン端子付近の半導体素子や実装部品のはんだが再溶融するなどの問題も発生する。
【００３７】
そこで本実施の形態３における接合装置１０１−３では、上述の実施形態２における構成に加えて、図１に示され制御装置１３０に接続される温度測定器１４０をさらに備える。
【００３８】
本実施の形態３における接合装置１０１−３は、以下のように動作する。
即ち、まず、パワー基板５０の上方に配置したコイル１２１による高周波誘導加熱にて、ピン端子５１を配列したパワー基板５０を加熱する。これにより発生するパワー基板５０上の温度分布を温度測定器１４０で取得する。つまり、この温度測定により、各ピン端子５１における発熱量のバラツキを検出することができる。この結果を、例えば制御装置１３０が有する記憶部１３１に記憶し、制御装置１３０は、上記温度分布の情報を元に、加熱装置１２０のヒータ１１２における複数の上記加熱領域の温度分布指令を決定する。そしてこの決定に従い、制御装置１３０は、ヒータ１１２の各加熱領域の昇温制御を行う。また、実施形態１にて説明したように、ピン端子５１に対して高周波誘導加熱装置１２０による高周波誘導加熱を実行する。
【００３９】
温度測定器１４０から制御装置１３０への情報提供において、好ましくは、更にリアルタイムにフィードバックできる補正を行なえるのが良い。そのような温度測定器としては、複数の放射温度計や、サーモビュアのような温度分布測定を測定できる手段が好適である。
【００４０】
このように本実施の形態３における接合装置１０１−３によれば、高周波誘導加熱装置１２０のコイル１２１に対して広範にピン端子５１が配列されていることで、高周波誘導加熱にて各ピン端子５１において発生する発熱量にバラツキが生じる場合でも、各ピン端子の根元の温度を、より均一化することができ、誘導加熱時間を最小限とすることができる。よって、パワー基板５０の生産性が高まり、エネルギ消費量を削減することができる。
【００４１】
勿論、上述した実施の形態１の接合装置１０１が奏する効果は、本実施の形態２の接合装置１０１−２においても奏することができる。
【００４２】
実施の形態４．
上述した実施の形態１から３では、高周波誘導加熱装置１２０のコイル１２１は、パワー基板５０の上方に配置されている。本実施の形態４では、パワー基板５０、特にピン端子５１に対するコイル１２１の配置位置を、実施の形態１から３における配置位置とは異ならせた。尚、その他の構成については、実施の形態１から３における構成と変わるところはなく、ここでの説明を省略する。
【００４３】
図２は、本実施の形態４における接合装置１０１−４の概略構成を示し、特に、パワー基板５０のピン端子５１の配置と加熱方法を説明するための図である。尚、上述のように本実施の形態４における接合装置１０１−４は、図１に示す接続装置１０１等と同じ構成を有するが、図２では、その一部の構成部分の図示を省略している。
【００４４】
図２に示すように、パワー基板５０の基板部５７の端部５７ａに、基板部５７の一辺に沿って複数のピン端子５１を一列状に整列するように設置した場合、ピン端子５１と直交する方向に巻いたコイル１２１を用いて、換言すると、ピン端子５１の延在方向（軸方向）に対して直交する方向がコイル１２１の中空部の延在方向１２１ａとなるように巻回されたコイル１２１を用いて、このようなコイル１２１を、ピン端子５１の側方で、かつ上記中空部延在方向１２１ａを上記直交する方向に平行又はほぼ平行として配置する。
【００４５】
また、上記中空部延在方向１２１ａに直交する方向である、コイル１２１の幅方向１２１ｂにおけるコイル１２１の幅寸法を、上記端部５７ａにおけるパワー基板５０の長さよりも長くする。このように構成することで、コイル１２１は、少なくともピン端子５１が整列されている領域では、コイル１２１を構成する導体が直線的に延在した細長いコイルとなる。よって、コイル１２１の曲部１２１ｃから発生する磁束に起因する、ピン端子５１に作用する磁束のバラツキを無くすことができる。
【００４６】
以上にように構成したコイル１２１にてピン端子５１を発熱させることで、全てのピン端子５１について均一に加熱することが可能である。
即ち、コイル１２１の周りに生じる磁束は、ピン端子５１の側面部を貫通するため、実施形態１〜３における構成のようにパワー基板５０の上方にコイル１２１を配置する場合に比べて、本実施形態では、より高効率にピン端子５１を加熱することが可能となる。
また、本実施形態では、実施形態１〜３における構成に比べて、パワー基板５０を貫通する磁束が少なくなり、パワー基板５０の温度上昇を低減することができる。
【００４７】
本実施形態の接合装置１０１−４においても、上述した実施の形態１〜３の場合と同様に加熱装置１２０によるパワー基板５０の予熱が行われる。よって、上述した実施の形態１の接合装置１０１において得られた効果は、本実施の形態４の接合装置１０１−４においても奏することができる。
【００４８】
尚、本実施形態４に限らず全ての実施形態において、ピン端子５１と配線パターン５４との接合部へのはんだ５６の供給方法として、例えば、回転プレート上に所定のギャップを設けたスキージにて、一定の厚みのはんだを塗り、そこにピン端子の一端を接触させて、はんだを転写する転写法や、ディスペンサによる微小塗布方法や、ジェットディスペンスによる局所塗布方法や、ピン端子の底面へのディスペンス方法、等を用いることで、所定量のはんだ５６を供給することができる。
【００４９】
実施の形態５．
本実施の形態５は、実施の形態４にて説明したコイル１２１を有する接合装置１０１−４を用いるが、被加熱体であるパワー基板が実施の形態４とは異なる。即ち、実施の形態４では、基板部５７の一端５７ａにピン端子５１を配列したパワー基板５０が被加熱体であるが、本実施の形態５では、図３に示すように、パワー基板５０Ａを被加熱体とする。尚、本実施の形態５においても使用する接合装置１０１−４は、図１に示す接続装置１０１等と同じ構成を有するが、図３では、その一部の構成部分の図示を省略している。
【００５０】
パワー基板５０Ａでは、基板部５７の直交する少なくとも２辺に沿って、それぞれピン端子５１が一列状に整列されている。尚、図３では、基板部５７の４辺に沿ってピン端子５１が一列状に整列された形態を図示している。また、パワー基板５０Ａは、基板部５７の四隅の角部付近（図中斜線部）には、ピン端子５１の設置を行わない端子非設置部５７ｂを有する。このような端子非設置部５７ｂを設ける理由は、ピン端子５１の加熱が重複して行われるものと、そうでないものとが生じることを避けるためである。
【００５１】
即ち、端子非設置部５７ｂにもピン端子５１を配置して直交する２辺に沿ってピン端子５１を整列させて、実施の形態４にて説明したコイル１２１により高周波誘導加熱を行った場合には、端子非設置部５７ｂに配置したピン端子５１は、重複して高周波誘導加熱されることになる。よって、重複加熱されたピン端子５１では、上述したような、赤熱及びフラックスの失活等による接合不具合が発生する可能性が高くなる。そこで、上記重複加熱を防止するため、端子非設置部５７ｂを設けている。
【００５２】
このような観点から、端子非設置部５７ｂの大きさは、直交する２辺に沿って整列されたピン端子５１に対して実施の形態４にて説明したコイル１２１により高周波誘導加熱を行ったときに、上記重複加熱されるピン端子が生じない程度の大きさ、換言すると、全てのピン端子５１をほぼ均等な発熱状態にできる大きさである。具体的には、例えば、１本又は数本のピン端子５１が配置される程度の大きさである。
【００５３】
尚、上記幅方向１２１ｂにおけるコイル１２１の幅寸法は、実施形態４で説明したように、パワー基板５０の辺の長さを超える長さであるが、少なくともピン端子５１が整列されている領域において、コイル１２１を構成する導体が直線的に延在するような長さとしてもよい。
【００５４】
パワー基板５０Ａのように、ピン端子５１を基板部５７の外周部に選択的に配置することで、高周波誘導加熱の際に、コイル１２１と各ピン端子５１との間の距離を一定にすることができ、さらにピン端子５１の発熱温度を均一化させることが可能となった。これにより、高周波誘導加熱時間を最小限にすることができ、パワー基板５０Ａの生産性を向上させることができる。また、エネルギ消費量を削減することもできる。
勿論、上述した実施の形態１〜４の接合装置１０１等が奏する効果は、本実施の形態５においても奏することができる。
【００５５】
実施の形態６．
上述した実施の形態１〜５では、いずれのパワー基板５０、５０Ａも、基板部５７の縁部に沿って一列状にピン端子５１を配列している。これに対し本実施形態６では、図４に示すように、配線パターン５４に基づいてピン端子５１を設置したパワー基板５０Ｂを被加熱体とする。よって、パワー基板５０Ｂにおいて、ピン端子５１は、基板部５７の縁部に沿って一列状に配列されるものではない。また、上記パワー基板５０Ｂに用いる、ピン端子の接合装置は、上述した実施の形態１〜５にて使用した接合装置１０１、１０１−２〜１０１−４を使用することができる。尚、図４では、そのような接合装置１０１等の一部の構成部分のみを図示している。
【００５６】
上述のように接合装置は、上述したものと同じものを用いることから、パワー基板５０Ｂにてランダムに配置されたピン端子５１は、コイル１２１に対して不均等な配置となっている。よって、実施の形態１〜５で説明した形態のまま、パワー基板５０Ｂのピン端子５１を一括して発熱させて接合しようとすると、各ピン端子５１間で温度上昇に大きな差が生じてしまう。
【００５７】
そこで、本実施形態６では、ピン端子５１と配線パターン５４との接合部におけるはんだの種類を、ピン端子５１の配置位置に応じて変更する。即ち、温度上昇が他のピン端子５１よりも小さいピン端子５１に対しては、融点の低いはんだを使用し、一方、温度上昇が大きいピン端子５１には、融点の高いはんだを用いる。
【００５８】
具体的には、図４に示すように、コイル１２１による磁界が比較的作用し易く発熱量が大きい、基板部５７の縁部に配置されたピン端子５１に対しては、融点の高いはんだ５６Ａを使用し、一方、上記磁界が作用し難く発熱量が小さい基板部５７の中央部に配置されたピン端子５１に対しては、融点の低いはんだ５６Ｂを使用する。
【００５９】
このようなはんだの使い分けにより、発熱温度がばらついても、はんだ溶融のタイミングを均一化することができる。
その結果、高周波誘導加熱時間を最小限にすることができ、パワー基板５０Ｂの生産性が高まり、エネルギ消費量を削減することができる。
勿論、上述した実施の形態１〜５の接合装置１０１等が奏する効果は、本実施の形態６においても奏することができる。
【００６０】
また、異なるはんだの供給手法としては、マルチノズルのディスペンサを用いる、あるいは、マルチステージのはんだ転写装置を用いることで、複数種類のはんだ供給が可能である。
【００６１】
実施の形態７．
本実施形態７でも、上述の実施形態６と同様に、ピン端子５１は、配線パターン５４に基づいて設置され、よって基板部５７の縁部に沿って一列状に配列されるものではない。つまり、本実施形態７では、図５に示すパワー基板５０Ｃを被加熱体とする。また、上記パワー基板５０Ｃに用いる、ピン端子の接合装置は、上述した実施の形態１〜５にて使用した接合装置１０１、１０１−２〜１０１−４を使用することができる。尚、図５では、そのような接合装置１０１等の一部の構成部分のみを図示している。
【００６２】
このような構成により、本実施形態７でも、高周波誘導加熱によるピン端子５１の発熱量は、パワー基板５０Ｃにおけるピン端子５１の配置位置に応じて変化する。
そこで本実施形態７では、ピン端子５１と、配線パターン５４との接合部におけるはんだ５６の量を発熱量に応じて変化させる。つまり、温度上昇が他のピン端子５１よりも小さいピン端子には、はんだ量を少なくし、温度上昇が大きいピン端子にははんだ量を多くする。
【００６３】
具体的には、図５に示すように、コイル１２１による磁界が比較的作用し易く発熱量が大きい、基板部５７の縁部に配置されたピン端子５１に対しては、はんだ５６の量を比較的多くし、一方、上記磁界が作用し難く発熱量が小さい基板部５７の中央部に配置されたピン端子５１に対しては、はんだ５６の量を比較的少なくする。
【００６４】
はんだ５６の量のコントロールは、シーケンサなどを用いて数値制御化する制御手段を更に備えることで、所定の接合部に所定量のはんだ５６を供給可能である。即ち、ディスペンス方式であれば、はんだの塗出時間を制御することで対応可能であり、ジェットディスペンス方式の場合では、パルス数を制御することで可能である。
【００６５】
このように、供給するはんだ量を変化させることで、はんだ５６を含めた各ピン端子５１の熱容量の差を減少させ、それぞれのピン端子５１において発熱温度がばらついても、はんだ溶融のタイミングを均一化することができる。その結果、高周波誘導加熱時間を最小限にすることができ、パワー基板５０Ｃの生産性が高まり、エネルギ消費量を削減することができる。
勿論、上述した実施の形態１〜５の接合装置１０１等が奏する効果は、本実施の形態７においても奏することができる。
【００６６】
実施の形態８．
本実施形態８でも、上述の実施形態６、７と同様に、ピン端子は、配線パターン５４に基づいて設置され、よって基板部５７の縁部に沿って一列状に配列されるものではない。つまり、本実施形態８では、図６に示すパワー基板５０Ｄを被加熱体とする。また、上記パワー基板５０Ｄに用いる、ピン端子の接合装置は、上述した実施の形態１〜５にて使用した接合装置１０１、１０１−２〜１０１−４を使用することができる。尚、図６では、そのような接合装置１０１等の一部の構成部分のみを図示している。
【００６７】
このような構成により、本実施形態８においても、高周波誘導加熱によるピン端子の発熱量は、パワー基板５０Ｄにおけるピン端子の配置位置に応じて変化する。
そこで本実施形態８では、図６に示すように、ピン端子の配置位置に応じてピン端子そのものの熱容量を変化させることで、はんだ溶融のタイミングを均等化するように構成した。即ち、コイル１２１による発熱量が他よりも大きいピン端子は、熱容量が大きい太いピンを使用し、一方、発熱量が小さいピン端子には熱容量が小さい細いピンを使用する。
【００６８】
具体的には、図６に示すように、コイル１２１による磁界が比較的作用し易く発熱量が大きい、基板部５７の縁部に配置されたピン端子に対しては、比較的太いピン端子５１Ａを用い、一方、上記磁界が作用し難く発熱量が小さい基板部５７の中央部に配置されたピン端子に対しては、比較的細いピン端子５１Ｂを使用する。
【００６９】
尚、各ピン端子５１Ａ，５１Ｂにおいて、他の基板、例えばプリント配線板８０に接続される各ピン端子５１Ａ，５１Ｂの他端５１ｂは、プリント配線板８０のスルーホール８１に嵌合可能なように、各ピン端子５１Ａ，５１Ｂの本体部５１ｃよりも細い形状としている。このような形状とすることで、本体部５１ｃの直径が異なるピン端子であっても、プリント配線板８０のスルーホール８１の大きさを変更することなく、ピン端子５１Ａ、５１Ｂのはんだ付け用の加熱温度の均一化が可能となる。
【００７０】
その結果、高周波誘導加熱時間を最小限にすることができ、パワー基板５０Ｄの生産性が高まり、エネルギ消費量を削減することができる。
勿論、上述した実施の形態１〜５の接合装置１０１等が奏する効果は、本実施の形態８においても奏することができる。
【００７１】
実施の形態９．
本実施形態９でも、上述の実施形態６〜８と同様に、ピン端子は、配線パターン５４に基づいて設置され、よって基板部５７の縁部に沿って一列状に配列されるものではない。つまり、本実施形態９では、図７に示すパワー基板５０Ｅを被加熱体とする。また、上記パワー基板５０Ｅに用いる、ピン端子の接合装置は、上述した実施の形態１〜５にて使用した接合装置１０１、１０１−２〜１０１−４を使用することができる。尚、図７では、そのような接合装置１０１等の一部の構成部分のみを図示している。
【００７２】
このような構成により、本実施形態９においても、高周波誘導加熱によるピン端子の発熱量は、パワー基板５０Ｅにおけるピン端子の配置位置に応じて変化する。
そこで本実施形態９においても、上述の実施の形態８と同様にピン端子そのものの熱容量を変化させるが、実施形態８ではピン端子の外径を変化させたのに対し、本実施形態９では、図７に示すように、中空部を有する管形状のピン端子を使用し、その外径は変更せずに肉厚を変化させて熱容量を変化させる。即ち、発熱量が他よりも小さいピン端子は、上記肉厚が比較的厚いピンを使用し、一方、発熱量が大きいピン端子には上記肉厚が比較的薄いピンを使用する。
【００７３】
具体的には、図７に示すように、コイル１２１による磁界が比較的作用し易く発熱量が大きい、基板部５７の縁部に配置されたピン端子に対しては、肉厚の比較的薄いピン端子５１Ｅを用い、一方、上記磁界が作用し難く発熱量が小さい基板部５７の中央部に配置されたピン端子に対しては、肉厚の比較的厚いピン端子５１Ｆを使用する。
このように、ピン端子の配置位置に応じてピン端子そのものの熱容量を変化させることで、はんだ溶融のタイミングを均等化することができる。
【００７４】
その結果、高周波誘導加熱時間を最小限にすることができ、パワー基板５０Ｅの生産性が高まり、エネルギ消費量を削減することができる。
勿論、上述した実施の形態１〜５の接合装置１０１等が奏する効果は、本実施の形態９においても奏することができる。
【００７５】
また、本実施形態では、ピン端子５１Ｅ、５１Ｆは、ともに外径が同じであることから、取り扱いが容易であり、また、上記プリント配線板８０のスルーホール８１の直径を、ピン端子５１Ｅ、５１Ｆに対応して変更する必要がない。
【符号の説明】
【００７６】
５０  パワー基板、５０Ａ〜５０Ｅ  パワー基板、５１  ピン端子、
５２  半導体素子、
１０１、１０１−２〜１０１−４  接合装置、１１０  加熱装置、
１２０  高周波誘導加熱装置、１２１  コイル、１３０  制御装置、
１４０  温度測定器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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