(57)【要約】【課題】所定のパターンを被照射面上に精度良く投影露光させることができる遮光装置、照明光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】光源装置から射出される光束に基づいてレチクルを照明する照明光学系に設けられ、光束の一部を遮光する遮光装置２５であって、光束の光路内に配置可能に設けられ、光束の輪郭形状をスリット状に規定する遮光部３１を備え、遮光部３１は、光束を透過可能な空洞３６ａ，３７ａと、空洞３６ａ，３７ａに隣接して設けられて光束を遮光可能な仕切り部３６ｂ，３７ｂとを備えている。【選択図】図２
2011040619.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から射出される光束に基づいて所定のパターンを照明する照明光学系に設けられ、前記光束の一部を遮光する遮光装置であって、
前記光束の光路内に配置可能に設けられ、前記光束の輪郭形状をスリット状に規定する遮光部を備え、
前記遮光部は、前記光束を透過可能な部分透過領域と、該部分透過領域に隣接して設けられて前記光束を遮光可能な部分遮光領域とを備えていることを特徴とする遮光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の遮光装置であって、
前記遮光部には、前記部分透過領域が前記光束の光路を横切る面内において前記光束の透過率を均一とするように形成されていることを特徴とする遮光装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の遮光装置であって、
所定のパターンと感光性基板とを走査方向に沿って移動させつつ前記感光性基板上に前記所定のパターンを露光する露光装置と組み合わせて用いられ、
前記遮光部には、前記部分透過領域が、前記走査方向と対応する方向に対して非平行に延びるように形成されていることを特徴とする遮光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の遮光装置であって、
前記遮光部を前記走査方向と対応する方向に移動させる移動機構を更に備え、
前記遮光部は、前記部分透過領域と前記部分遮光領域との面積比が互いに異なる第１遮光要素及び第２遮光要素を少なくとも含んで構成され、前記各遮光要素は、前記走査方向と対応する方向に並列するように設けられていることを特徴とする遮光装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４に記載の遮光装置であって、
前記遮光部は、前記部分透過領域と前記部分遮光領域との面積比が互いに異なる複数の遮光要素が、前記走査方向と対応する方向を横切る方向に並列するように設けられていることを特徴とする遮光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の遮光装置であって、
前記遮光部は、前記複数の遮光要素が、前記走査方向と対応する方向を横切る方向に交互配置となるように設けられていることを特徴とする遮光装置。
【請求項７】
請求項３又は請求項４に記載の遮光装置であって、
前記遮光部は、前記部分透過領域と前記部分遮光領域との面積比が互いに等しい複数の遮光要素が、前記走査方向と対応する方向を横切る方向に並列するように設けられていることを特徴とする遮光装置。
【請求項８】
請求項５〜請求項７のうち何れか一項に記載の遮光装置であって、
前記遮光部を前記走査方向と対応する方向に移動させる移動機構は、前記複数の遮光要素を前記走査方向と対応する方向に個別に移動させることを特徴とする遮光装置。
【請求項９】
光源から射出された光の光路上に設けられる光学素子と、
請求項１〜請求項８のうち何れか一項に記載の遮光装置と、
を備えたことを特徴とする照明光学系。
【請求項１０】
請求項９に記載の照明光学系と、
所定のパターンの像を被照射面に投影可能な投影光学系と、を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の露光装置であって、
前記被照射面における前記投影光学系の光軸方向での位置を変位させる変位機構を更に備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
デバイスの製造方法において、
請求項１０又は請求項１１に記載の露光装置を用いて所定のパターンを感光性基板に露光する工程と、
前記露光された基板を現像し、前記のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する工程と、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する工程と、を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源から射出される光束の輪郭形状をスリット状に規定する遮光部を備えた遮光装置、該遮光装置を備えた照明光学系、該照明光学系を備えた露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するための露光装置は照明光学系を備えており、照明光学系は、光源から出力される露光光を所定のパターンが形成されたマスクに導くようになっている。そして、マスクに照射された露光光は、投影光学系を介して感光性材料の塗布された基板を照射することにより、マスクに形成されたパターンを基板上に投影露光（転写）するようになっている。
【０００３】
また、従来から、露光装置として、光源から出力される露光光の光路を横切るようにマスク及び基板を走査させて、マスクに形成されたパターンを基板上に順次投影露光するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置が提案されている（例えば、特許文献１）。すなわち、特許文献１に記載の露光装置では、光源から出力されて露光光となる光束の輪郭形状をスリット状に規定するための可変スリット装置が、照明視野絞りの射出側の近傍に設けられている。そして、この露光装置では、可変スリット装置がスリット幅を部分的に変更して、ウエハ上に照射される光束の輪郭形状を調整することにより、基板上における光束の照度ムラを精度良く解消することが可能となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２０７８２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１に記載の露光装置では、図９（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、照明視野絞り（レチクルブラインド）１０１の開口部１０２を通過する光束ＥＬのうち、開口部１０２の開口縁の近傍を通過する光束ＥＬは、可変スリット装置（遮光装置）１０３によって該光束の断面形状が半月状をなすように局所的に遮光される。そのため、露光光となる光束ＥＬは、その光束の断面における光量の重心Ｇが遮光前における光束の断面の中心位置Ａから変動して、該光束ＥＬの主光線Ｘが照明光学系の光軸に対して非平行となるため、投影光学系の像側（基板側）でのテレセントリック性が崩れることになる。そのため、走査露光時に、基板が投影光学系の光軸方向に位置ずれを生じていると、開口部１０２の開口縁の近傍を通過する光束ＥＬによって基板上に結像するパターン像の形状が大きく歪むことになるため、マスクの微細パターンを基板上に精度良く投影露光することが困難になるという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、所定のパターンを被照射面上に精度良く投影露光させることができる遮光装置、照明光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図８に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の遮光装置は、光源（１２）から射出される光束（ＥＬ）に基づいて所定のパターン（Ｒ）を照明する照明光学系（１３）に設けられ、前記光束（ＥＬ）の一部を遮光する遮光装置（２５）であって、前記光束（ＥＬ）の光路内に配置可能に設けられ、前記光束（ＥＬ）の輪郭形状をスリット状に規定する遮光部（３１）を備え、前記遮光部（３１）は、前記光束（ＥＬ）を透過可能な部分透過領域（３６ａ，３７ａ）と、該部分透過領域（３６ａ，３７ａ）に隣接して設けられて前記光束（ＥＬ）を遮光可能な部分遮光領域（３６ｂ，３７ｂ）とを備えていることを要旨とする。
【０００８】
上記構成によれば、光源から射出された光束は、その一部が遮光部の部分透過領域を透過可能であるため、遮光部が光束の光路内に配置された状態であっても、光束が遮光部によって局所的に遮光されることが緩和される。その結果、光束の断面における光量の重心が変動することによって光束の主光線が照明光学系の光軸に対して非平行になることが抑制される。したがって、所定のパターンが結像する被照射面側でのテレセントリック性が維持されるため、所定のパターンを被照射面に対して精度良く投影露光することができる。
【０００９】
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態に示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、所定のパターンを被照射面上に精度良く投影露光させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態の露光装置の概略構成図。
【図２】本実施形態の遮光装置の平面図。
【図３】（ａ）はレチクル上に形成される照明領域の模式図、（ｂ）はウエハ上に形成される静止露光領域の模式図。
【図４】（ａ）はレチクルブラインドの開口部の各点を通過して露光光となる光束ＥＬに対する本実施形態の遮光装置の作用を示す模式図、（ｂ）は（ａ）に示す状態を照明光学系の光軸方向から見た模式図、（ｃ）はレチクルブラインドの開口部の各点を通過して露光光となる光束が本実施形態の遮光装置を通過する過程で部分的に遮光された状態を示す模式図。
【図５】（ａ）は照明瞳が静止露光領域の周辺点を照明している状態を示す模式図、（ｂ）は静止露光領域の周辺点を照明する照明スポットの模式図。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は別の実施形態の遮光装置の平面図。
【図７】デバイスの製造例のフローチャート。
【図８】半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。
【図９】（ａ）はレチクルブラインドの開口部の各点を通過して露光光となる光束に対する従来の遮光装置の作用を示す模式図、（ｂ）は（ａ）に示す状態を照明光学系の光軸方向から見た模式図、（ｃ）はレチクルブラインドの開口部の各点を通過して露光光となる光束が従来の遮光装置を通過する過程で部分的に遮光された状態を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を具体化した一実施形態について図１〜図５に基づき説明する。なお、本実施形態では、後述する投影光学系１５の光軸と平行な方向（図１における上下方向）にＺ軸方向を、図１における左右方向にＹ軸方向を、さらに、図１において紙面と直交する方向にＸ軸方向を、それぞれ設定しているものとする。
【００１３】
図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、所定の回路パターンが形成された透過型のレチクルＲに露光光となる光束ＥＬを照明することにより、表面（＋Ｚ方向側の面であって、図１では上面）にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷに回路パターンの像を転写するための装置である。こうした露光装置１１は、光源装置１２から射出された光束ＥＬをレチクルＲの被照射面Ｒａ（＋Ｚ方向側の面）に導く照明光学系１３と、レチクルＲを保持するレチクルステージ１４と、レチクルＲを透過した光束ＥＬをウエハＷの被照射面Ｗａに導く投影光学系１５と、ウエハＷを保持するウエハステージ１６とを備えている。なお、本実施形態の光源装置１２は、１９３ｎｍの波長の光を出力するＡｒＦエキシマレーザ光源を有し、エキシマレーザ光源から出力される光束ＥＬが露光光として露光装置１１内に導かれる。
【００１４】
照明光学系１３は、光源装置１２から射出される光束ＥＬを所定の断面形状（例えば、断面略矩形状）をなす平行な光束に変換するための整形光学系１７を備えている。そして、整形光学系１７から射出された光束ＥＬは、整形光学系１７の射出側（レチクルＲ側）に設けられたオプティカルインテグレータ１８に入射する。
【００１５】
オプティカルインテグレータ１８は、複数（図１では５つのみ図示）のレンズエレメント１９が二次元的に配列された構成となっている。そして、オプティカルインテグレータ１８は、入射した光束ＥＬを複数の光束に波面分割し、その射出側（＋Ｙ方向側）に位置する照明瞳面２０に所定の光強度分布（「瞳強度分布」ともいう。）を形成するようになっている。なお、瞳強度分布が形成される照明瞳面２０のことを、多数の点光源からなる二次光源２１ともいう。
【００１６】
オプティカルインテグレータ１８の射出側には、パワー（焦点距離の逆数）を有する少なくとも一枚の光学素子（図１では一枚のみ図示）から構成される第１コンデンサ光学系２２が設けられている。なお、パワーを有する光学素子とは、光束ＥＬが光学素子に入射することにより、光束ＥＬの特性が変化するような光学素子のことである。
【００１７】
また、第１コンデンサ光学系２２の射出側であって且つレチクルＲの被照射面Ｒａ及びウエハＷの被照射面Ｗａと光学的に共役な位置には、レチクルブラインド（「マスクブラインド」ともいう。）２３が設けられている。レチクルブラインド２３には、長手方向がＸ軸方向であって且つ短手方向がＺ軸方向となる矩形状の開口部２４（図２参照）が形成されている。そして、二次光源２１から射出された光束ＥＬは、第１コンデンサ光学系２２を介してレチクルブラインド２３の開口部２４を重畳的に照明する。
【００１８】
レチクルブラインド２３の射出側の近傍には、遮光装置２５が設けられている。そして、遮光装置２５は、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する過程で光軸ＡＸ方向と直交する断面形状が開口部２４と略同一形状をなす矩形状に整形された光束ＥＬを、その光束ＥＬの断面形状において短手方向となるＺ軸方向の両側から遮光する。
【００１９】
また、遮光装置２５の射出側には、パワーを有するレンズから構成される第２コンデンサ光学系２６が設けられている。そして、第２コンデンサ光学系２６から射出された光束ＥＬは、レチクルＲの被照射面Ｒａ上に照明領域ＥＲ１（図３（ａ）参照）を形成する。なお、照明領域ＥＲ１は、その輪郭形状がレチクルブラインド２３の開口部２４と略同一形状をなすようにＸ軸方向に長く延びる矩形状に規定されている。
【００２０】
レチクルステージ１４は、投影光学系１５の物体面側において、レチクルＲの載置面が投影光学系１５の光軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）とほぼ直交するように配置されている。また、レチクルステージ１４には、保持するレチクルＲをＹ軸方向に所定ストロークで移動させるレチクルステージ駆動部１４ａが設けられている。なお、レチクルＲの移動方向は、レチクルＲの被照射面Ｒａ上に形成される照明領域ＥＲ１の短手方向となっている。
【００２１】
投影光学系１５は、内部が窒素などの不活性ガスで充填された鏡筒２７を備え、鏡筒２７内には、図示しない複数のレンズが光束ＥＬの光路に沿って設けられている。また、鏡筒２７内において、ウエハＷの被照射面Ｗａの設置位置及びレチクルＲの被照射面Ｒａの設置位置と光学的にフーリエ変換の関係となる位置には、開口絞り２８が配置されている。そして、光束ＥＬにて照明されたレチクルＲの回路パターンの像は、投影光学系１５を介して所定の縮小倍率に縮小された状態で、ウエハステージ１６上のウエハＷに投影転写される。ここで、光路とは、投影光学系１５の使用状態において、露光光となる光束ＥＬが通ることが意図されている経路のことを示している。そして、投影光学系１５から射出された光束ＥＬは、ウエハＷの被照射面Ｗａ上に静止露光領域ＥＲ２（図３（ｂ）参照）を形成する。なお、静止露光領域ＥＲ２は、その輪郭形状がレチクルブラインド２３の開口部２４と略同一形状をなすようにＸ軸方向に長く延びる矩形状に規定されている。
【００２２】
ウエハステージ１６は、投影光学系１５の結像面ＰＬに対して投影光学系１５の光軸ＡＸ方向に傾斜した載置面２９を備え、載置面２９上にはウエハＷが載置される。また、ウエハステージ１６には、保持するウエハＷを載置面２９に沿ってＹ軸方向に所定ストロークで移動させるウエハステージ駆動部１６ａが設けられている。なお、ウエハＷの移動方向は、ウエハＷの被照射面Ｗａ上に形成される矩形状の静止露光領域ＥＲ２の短手方向となっている。
【００２３】
また、ウエハステージ１６には、ウエハＷに到達する光束ＥＬの瞳強度分布をモニタするための瞳強度分布計測装置３０が設けられている。なお、瞳強度分布計測装置３０については、例えば、特開２００６−５４３２８号公報や特開２００３−２２９６７号公報及びこれに対応する米国特許公開２００３／００３８２２５号公報に開示されている。また、瞳強度分布計測装置３０をレチクルステージ１４又はレチクルステージ１４とは独立した計測ステージに設けてもよい。
【００２４】
そして、本実施形態の露光装置１１を用いてウエハＷにレチクルＲの回路パターンの像を投影する場合、レチクルＲは、レチクルステージ駆動部１４ａの駆動によって、−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側（図１では左側から右側）に所定ストローク毎に移動する。すると、レチクルＲにおける照明領域ＥＲ１は、レチクルＲの被照射面Ｒａの＋Ｙ方向側から−Ｙ方向側（図１では右側から左側）に相対移動する。すなわち、レチクルＲの回路パターンが＋Ｙ方向側から−Ｙ方向側に順にスキャンされる。また、ウエハＷは、ウエハステージ駆動部１６ａの駆動によって、レチクルＲのＹ軸方向に沿った移動に対して投影光学系１５の縮小倍率に応じた速度比で＋Ｙ方向側から−Ｙ方向側に同期して移動する。その結果、ウエハＷの一つのショット領域には、レチクルＲ及びウエハＷの同期移動に伴って、レチクルＲ上の回路パターンを所定の縮小倍率に縮小した形状のパターンが形成される。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハＷの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。
【００２５】
なお、ウエハＷの被照射面Ｗａは、ウエハステージ１６の載置面２９上をＹ軸方向に走査される過程で、投影光学系１５の結像面ＰＬに対する投影光学系１５の光軸ＡＸ方向における相対位置を連続的に変化させる。その結果、投影光学系１５の焦点深度が実質的に増大することとなるため、レチクルＲの回路パターンの像をウエハＷの被照射面Ｗａ上に精度良く投影露光することが可能となっている。
【００２６】
次に、本実施形態の遮光装置２５について図２に基づき説明する。
図２に示すように、本実施形態の遮光装置２５は、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬの一部を遮光する遮光部３１を備えている。遮光部３１は、一対の遮光ユニット３２，３３から構成されており、これらの遮光ユニット３２，３３は、光束ＥＬの断面形状において短手方向となるＺ軸方向で該光束ＥＬを挟んで対向するように配置されている。
【００２７】
また、各遮光ユニット３２，３３は、矩形板状の金属材料からなる遮光部材３４，３５をそれぞれ備えており、これらの遮光部材３４，３５は、互いの対向する先端部３４ａ，３５ａがレチクルブラインド２３の開口部２４の短手方向（Ｚ軸方向）の寸法よりも若干小さな間隔を隔てて、開口部２４を通過する光束ＥＬの光路内に配置されている。また、各遮光ユニット３２，３３には、光束ＥＬの光路を横切るように、各遮光部材３４，３５をＺ軸方向に個別に移動させる移動機構３８，３９がそれぞれ設けられている。
【００２８】
各遮光部材３４，３５の先端部３４ａ，３５ａには、照明光学系１３の光軸ＡＸ方向に貫通する複数の空洞３６ａ，３７ａがレチクルブラインド２３の開口部２４の長手方向となるＸ軸方向に所定間隔をおいた並列配置となるように鋳抜き形成されている。なお、Ｘ軸方向において互いに隣り合う空洞３６ａ，３７ａ同士は、光束ＥＬの光路を横切る面内において走査方向となるＺ軸方向と非平行な方向に沿って直線的に延びる複数の棒状をなす仕切り部３６ｂ，３７ｂにより区切られている。そして、本実施形態では、これらの空洞３６ａ，３７ａにより、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬの一部を部分的に透過させる部分透過領域が構成されると共に、各空洞３６ａ，３７ａの間の仕切り部３６ｂ，３７ｂにより、部分透過領域に隣接して設けられて光束ＥＬを部分的に遮光可能な部分遮光領域が構成されている。
【００２９】
なお、部分遮光領域となる各仕切り部３６ｂ，３７ｂは、遮光幅寸法が各仕切り部３６ｂ，３７ｂの長手方向において均一となるように構成されている。そして、これらの仕切り部３６ｂ，３７ｂにより区切られて部分透過領域となる各空洞３６ａ，３７ａは、光束ＥＬの光路を垂直に横切る面内において、レチクルブラインド２３の開口部２４の長手方向となるＸ軸方向に等間隔配置で並列するように形成されている。そのため、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬを垂直に横切る面内において、各空洞３６ａ，３７ａを通過する光束ＥＬの透過率は均一となる。
【００３０】
ここで、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬのうち、開口部２４の短手方向となるＺ軸方向の両端側寄りの各領域を通過する光束ＥＬが部分遮光領域となる仕切り部３６ｂ，３７ｂによって部分的に遮光されたとする。すると、図３（ａ）に示すように、レチクルＲの被照射面Ｒａ上に形成される照明領域ＥＲ１には、照明領域ＥＲ１の短手方向となるＹ軸方向の両端部に、照明領域ＥＲ１の長手方向となるＸ軸方向に沿って延びる矩形状の部分照明領域ＥＲ１ａがそれぞれ形成される。その結果、レチクルＲの被照射面Ｒａ上には、これらの遮光部材３４，３５によって遮光されない完全照明領域ＥＲ１ｂが、これらの部分照明領域ＥＲ１ａの間を照明領域ＥＲ１の長手方向となるＸ軸方向に長く延びるスリット状をなすように形成される。
【００３１】
また同様に、図３（ｂ）に示すように、ウエハＷの被照射面Ｗａ上に形成される静止露光領域ＥＲ２には、静止露光領域ＥＲ２の短手方向となるＹ軸方向の両端部に、静止露光領域ＥＲ２の長手方向となるＸ軸方向に沿って延びる矩形状の部分露光領域ＥＲ２ａがそれぞれ形成される。その結果、ウエハＷの被照射面Ｗａ上には、これらの遮光部材３４，３５によって遮光されない完全露光領域ＥＲ２ｂが、これらの部分露光領域ＥＲ２ａの間を静止露光領域ＥＲ２の長手方向となるＸ軸方向に長く延びるスリット状をなすように形成される。
【００３２】
次に、上記のように構成された露光装置１１の作用について、特に、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過した光束ＥＬに対する遮光装置２５の作用に着目して以下説明する。
【００３３】
さて、本実施形態の遮光装置２５は、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬの一部を遮光して、レチクルＲの被照射面Ｒａ上に形成される完全照明領域ＥＲ１ｂの輪郭形状、及び、ウエハＷの被照射面Ｗａ上に形成される完全露光領域ＥＲ２ｂの輪郭形状をスリット状に規定する際には、まず、各遮光ユニット３２，３３の移動機構３８，３９をそれぞれ駆動する。すると、各遮光ユニット３２，３３の遮光部材３４，３５は、その先端部３４ａ，３５ａがレチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬの光路を垂直に横切るようにＺ軸方向に変位する。その結果、図４（ａ）に示すように、各遮光部材３４，３５の先端部３４ａ，３５ａは、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬのうち、開口部２４のＺ軸方向両側の開口縁近傍に位置する周辺点Ｐ２，Ｐ３を通過する光束ＥＬの光路上に配置される。
【００３４】
ここで、図４（ｂ）に示すように、レチクルブラインド２３の開口部２４におけるＺ軸方向の中心点Ｐ１を通過する光束ＥＬは、各遮光部材３４，３５によって遮光されることはない。そのため、図４（ｃ）に示すように、この光束ＥＬは、その断面における光量の重心Ｇが当該光束の断面の中心位置Ａから変動することはなく、その光束の主光線Ｘは、照明光学系１３の光軸ＡＸに対して略平行となる状態が維持される。したがって、この光束ＥＬについては、照明光学系１３の像側（レチクルＲ側）におけるテレセントリック性及び投影光学系１５の像側（ウエハＷ側）におけるテレセントリック性が維持される。
【００３５】
一方、図４（ｂ）に示すように、レチクルブラインド２３の開口部２４における−Ｚ方向側の開口縁近傍に位置する周辺点Ｐ２を通過する光束ＥＬは、遮光部材３４の先端部３４ａに形成された部分透過領域としての空洞３６ａを通過する過程で、遮光部材３４の仕切り部３６ｂによって光束ＥＬの光路を垂直に横切る面内で均一に遮光される。また同様に、レチクルブラインド２３の開口部２４における＋Ｚ方向側の開口縁近傍に位置する周辺点Ｐ３を通過する光束ＥＬは、遮光部材３５の先端部３５ａに形成された部分透過領域としての空洞３７ａを通過する過程で、遮光部材３５の仕切り部３７ｂによって光束ＥＬの光路を垂直に横切る面内で均一に遮光される。
【００３６】
すると、図４（ｃ）に示すように、これらの光束ＥＬは、各遮光部材３４，３５によって遮光されたとしても、それらの光束の断面における光量の重心Ｇが当該光束の断面の中心位置Ａから変動することはなく、その光束の主光線Ｘは、依然として、照明光学系１３の光軸に対して略平行となる状態が維持される。そのため、これらの光束ＥＬについても同様に、照明光学系１３の像側（レチクルＲ側）におけるテレセントリック性及び投影光学系１５の像側（ウエハＷ側）におけるテレセントリック性が維持される。
【００３７】
なお、本実施形態では、図１及び図３に示すように、レチクルブラインド２３の開口部２４の中心点Ｐ１を通過する光束ＥＬは、レチクルＲの被照射面Ｒａ上に形成される照明領域ＥＲ１の中心点Ｐ１ａを通過した後、投影光学系１５を介して、ウエハＷの被照射面Ｗａ上に形成される静止露光領域ＥＲ２の中心点Ｐ１ｂを照明する。また、レチクルブラインド２３の開口部２４の周辺点Ｐ２を通過する光束ＥＬは、レチクルＲの被照射面Ｒａ上に形成される照明領域ＥＲ１の中心点Ｐ１ｂよりも−Ｙ方向側に位置する周辺点Ｐ２ａを透過した後、投影光学系１５を介して、ウエハＷの被照射面Ｗａ上に形成される静止露光領域ＥＲ２の中心点Ｐ１ｂよりも＋Ｙ方向側に位置する周辺点Ｐ２ｂを照明する。一方、レチクルブラインド２３の開口部２４の周辺点Ｐ３を通過する光束ＥＬは、レチクルＲの被照射面Ｒａ上に形成される照明領域ＥＲ１の中心点Ｐ１ａよりも＋Ｙ方向側に位置する周辺点Ｐ３ａを透過した後、投影光学系１５を介して、ウエハＷの被照射面Ｗａ上に形成される静止露光領域ＥＲ２の中心点Ｐ１ｂよりも−Ｙ方向側に位置する周辺点Ｐ３ｂを照明する。
【００３８】
そして、ウエハＷに対する走査露光時には、まず、レチクルＲは、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬのうち、開口部２４の周辺点Ｐ２を通過してレチクルＲの被照射面Ｒａ上に形成される照明領域ＥＲ１の周辺点Ｐ２ｂを照明する光束ＥＬの光路を横切る。続いて、レチクルＲは、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬのうち、開口部２４の中心点Ｐ１を通過してレチクルＲの被照射面Ｒａ上に形成される照明領域ＥＲ１の中心点Ｐ１ａを照明する光束ＥＬの光路を横切る。その後、レチクルＲは、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬのうち、開口部２４の周辺点Ｐ３を通過してレチクルＲの被照射面Ｒａ上に形成される照明領域ＥＲ１の周辺点Ｐ３ａを照明する光束ＥＬの光路を横切る。
【００３９】
ここで、レチクルＲは、レチクルステージ１４の載置面上を−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側に走査される過程で、照明光学系１３の光軸方向に位置ずれを生じることが有り得る。この場合であっても、レチクルブラインド２３の開口部２４の各点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を通過する光束ＥＬ、即ち、照明領域ＥＲ１におけるレチクルＲの走査方向（Ｙ軸方向）の各点Ｐ１ａ，Ｐ２ａ，Ｐ３ａを照明する光束ＥＬが、レチクルＲの回路パターンの像をウエハＷの被照射面Ｗａに結像させる際に、その結像させる像の形状が歪むことはほとんどない。そのため、レチクルＲの回路パターンの像をウエハＷの被照射面Ｗａ上に精度良く投影露光することができる。
【００４０】
また同様に、ウエハＷに対する走査露光時には、まず、ウエハＷは、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過した光束ＥＬのうち、開口部２４の周辺点Ｐ２を通過してウエハＷの被照射面Ｗａ上に形成される静止露光領域ＥＲ２の周辺点Ｐ２ｂを照明する光束ＥＬの光路を横切る。続いて、ウエハＷは、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過した光束ＥＬのうち、開口部２４の中心点Ｐ１を通過してウエハＷの被照射面Ｗａ上に形成される静止露光領域ＥＲ２の中心点Ｐ１ｂを照明する光束ＥＬの光路を横切る。その後、ウエハＷは、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過した光束ＥＬのうち、開口部２４の周辺点Ｐ３を通過してウエハＷの被照射面Ｗａ上に形成される静止露光領域ＥＲ２の周辺点Ｐ３ｂを照明する光束ＥＬの光路を横切る。
【００４１】
ここで、ウエハＷは、ウエハステージ１６の載置面２９上を＋Ｙ方向側から−Ｙ方向側に走査される過程で、投影光学系１５の結像面ＰＬに対する投影光学系１５の光軸方向における相対位置を連続的に変化させる。この場合であっても、レチクルブラインド２３の開口部２４の各点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を通過した光束ＥＬ、即ち、静止露光領域ＥＲ２におけるウエハＷの走査方向（Ｙ軸方向）の各点Ｐ１ｂ，Ｐ２ｂ，Ｐ３ｂを照明する光束ＥＬは、レチクルＲの回路パターンの像をウエハＷの被照射面Ｗａに結像させる際に、その結像させる像の形状が歪むことはほとんどない。そのため、レチクルＲの回路パターンの像をウエハＷの被照射面Ｗａ上に精度良く投影露光することができる。
【００４２】
また、本実施形態の露光装置１１では、図４（ｃ）に示すように、レチクルブラインド２３の開口部２４の周辺点Ｐ２，Ｐ３を通過する光束ＥＬは、各遮光部材３４，３５の先端部３４ａ，３５ａに形成された部分透過領域としての空洞３６ａ，３７ａを通過する過程で所定の露光領域Ｅ２，Ｅ３をそれぞれ形成する。ここで、これらの露光領域Ｅ２，Ｅ３は、各遮光部材３４，３５における空洞３６ａ，３７ａと略同一形状をなしており、レチクルブラインド２３の開口部２４の短手方向となるＺ軸方向と交差する方向に直線状に延びるように形成される。
【００４３】
また、ウエハＷの被照射面ＷａにおけるウエハＷの走査方向の周辺点Ｐ２ｂ，Ｐ３ｂを照明する照明瞳Ｌ２，Ｌ３（図５（ａ）参照）は、これらの露光領域Ｅ２，Ｅ３と略同一形状をなしており、レチクルブラインド２３の開口部２４の短手方向と対応する方向（Ｙ軸方向）と交差する方向に直線状に延びるようにそれぞれ形成される。そして、ウエハＷに対する走査露光時には、ウエハＷは、これらの照明瞳Ｌ２，Ｌ３から照射される光束ＥＬを横切るように走査される。
【００４４】
ここで、図５（ｂ）に示すように、これらの照明瞳Ｌ２，Ｌ３がウエハＷの被照射面Ｗａの周辺点Ｐ２ｂ，Ｐ３ｂ上に形成する照明スポットＬＳ２，ＬＳ３は、照明瞳Ｌ２，Ｌ３と同様に、ウエハＷの走査方向（Ｙ軸方向）から見た場合に、同走査方向と直交する方向（Ｘ軸方向）において切れ目なく連なる態様となる。そのため、ウエハＷが走査されると、ウエハＷの被照射面Ｗａ上におけるウエハＷの走査方向と直交する方向の全域に照明瞳Ｌ２，Ｌ３から光束ＥＬが照射されることとなる。したがって、ウエハＷに対する走査露光に際して、ウエハＷの被照射面Ｗａ上には、ウエハＷの走査方向に沿う筋状の非照明領域が照明ムラとして生じることが抑制される。
【００４５】
また、本実施形態の遮光装置２５は、移動機構３８，３９が駆動されると、各遮光部材３４，３５の先端部３４ａ，３５ａがレチクルブラインド２３の開口部２４を通過した光束ＥＬの光路内への進出量を変化させる。すると、遮光装置２５は、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過した光束ＥＬのうち、遮光部材３４，３５の先端部３４ａ，３５ａに形成された部分遮光領域としての仕切り部３６ｂ，３７ｂによって遮光される光束ＥＬの比率を変化させる。そして、レチクルＲの被照射面Ｒａ上に形成される部分照明領域ＥＲ１ａのＹ軸方向の幅寸法、及び、ウエハＷの被照射面Ｗａ上に形成される部分露光領域ＥＲ２ａのＹ軸方向の幅寸法を変化させることにより、ウエハＷの被照射面Ｗａ上に照射される光束ＥＬに対する遮光量を調整可能となっている。
【００４６】
ここで、本実施形態の遮光装置２５は、各遮光部材３４，３５の先端部３４ａ，３５ａのみがレチクルブラインド２３の開口部２４を通過した光束ＥＬの光路内に配置可能となるように、各移動機構３８，３９の駆動に伴う各遮光部材３４，３５の可動域が設定されている。そのため、レチクルブラインド２３の開口部２４を遮光装置２５に向けて通過する光束ＥＬは、常に、各遮光部材３４，３５の先端部３４ａ，３５ａを照射することになる。そして、この光束ＥＬは、各遮光部材３４，３５の先端部３４ａ，３５ａに形成された部分遮光領域としての仕切り部３６ｂ，３７ｂによって光束ＥＬの光路を垂直に横切る面内で均一に遮光される。
【００４７】
すなわち、本実施形態の遮光装置２５によれば、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬの光路内への進出量が変化するように各遮光部材３４，３５を変位させたとしても、それらの光束ＥＬの断面における光量の重心Ｇが変動することはほとんどない。そして、それらの光束の主光線Ｘは、照明光学系１３の光軸に対して略平行となる状態が維持されるため、それらの光束について、照明光学系１３の像側（レチクルＲ側）におけるテレセントリック性及び投影光学系１５の像側（ウエハＷ側）におけるテレセントリック性が維持されることとなる。したがって、本実施形態の遮光装置２５によれば、レチクルＲの回路パターンの像をウエハＷの被照射面Ｗａ上に精度良く投影露光することを可能としつつ、ウエハＷの被照射面Ｗａ上に照射される光束ＥＬの光量を調整することができる。
【００４８】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）本実施形態では、光源装置１２から射出された光束ＥＬは、その一部が遮光部３１の先端部３４ａ，３５ａに形成された空洞３６ａ，３７ａを透過可能となっている。そのため、遮光部３１が光束ＥＬの光路内に配置された状態であっても、光束ＥＬが遮光部３１によって局所的に遮光されることが緩和される。その結果、光束ＥＬの光量の重心Ｇが変動することにより、光束ＥＬの主光線Ｘが照明光学系１３の光軸ＡＸに対して非平行となることが抑制される。したがって、レチクルＲの回路パターンの像が結像するウエハＷの被照射面Ｗａ側でのテレセントリック性が維持されるため、レチクルの回路パターンの像をウエハＷの被照射面Ｗａに対して精度良く投影露光することができる。
【００４９】
（２）本実施形態では、遮光部３１には、複数の空洞３６ａ，３７ａが光束ＥＬの光路を横切る面内において光束ＥＬの透過率を均一とするように構成されている。そのため、光源装置１２から射出された光束ＥＬは、遮光部３１に形成された空洞３６ａ，３７ａを透過する過程で光量の重心Ｇが変動することはほとんどなく、光束ＥＬの主光線Ｘが照明光学系１３の光軸ＡＸに対して非平行となることをより確実に抑制できる。
【００５０】
（３）本実施形態では、光源装置１２から射出される光束ＥＬは、ウエハＷの被照射面Ｗａに照射される照明スポットＬＳ２，ＬＳ３が、ウエハＷの走査方向に対して平行に延びていない。そのため、ウエハＷに対する走査露光に際して、ウエハＷの被照射面Ｗａ上には、光束ＥＬが照射されない非照明領域がウエハＷの走査方向に沿って筋状に形成されることはなく、ウエハＷの被照射面Ｗａ上に照明ムラが生じることを抑制できる。
【００５１】
（４）本実施形態では、レチクルＲの回路パターンの像が結像するウエハＷの被照射面Ｗａ側でのテレセントリック性が維持される構成となっている。そのため、投影光学系１５の光軸方向での位置を変化させるようにウエハＷの被照射面Ｗａを変位させながら、レチクルＲの回路パターンの像をウエハＷの被照射面Ｗａに対して精度良く投影露光することができる。
【００５２】
なお、上記実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・上記実施形態において、図６（ａ）に示すように、遮光部材３４，３５の先端部３４ａ，３５ａに形成された空洞３６ａ，３７ａが格子状をなす仕切り部３６ｂ，３７ｂによって区切られる構成としてもよい。すなわち、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬを透過可能な空洞３６ａ，３７ａと光束ＥＬを遮光可能な仕切り部３６ｂ，３７ｂとが隣接して配置される構成であれば任意の構成を採用することができる。ただし、遮光部材３４，３５の先端部３４ａ，３５ａに形成される空洞３６ａ，３７ａは、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬを垂直に横切る面内で均一な分布を有するように形成することが望ましい。
【００５３】
・上記実施形態において、図６（ｂ）に示すように、遮光部材３４，３５の先端部３４ａ，３５ａは、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬを透過可能な空洞３６ａ，３７ａと光束ＥＬを遮光可能な仕切り部３６ｂ，３７ｂの面積比が互いに異なる第１遮光要素４０及び第２遮光要素４１を含んで構成され、これらの遮光要素４０，４１が遮光部材３４，３５の変位方向に並列して形成される構成としてもよい。
【００５４】
この構成によれば、移動機構３８，３９が駆動すると、遮光部材３４，３５がレチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬの光路内に向けての進出量を変化させる。すると、遮光部材３４，３５の先端部３４ａ，３５ａに形成された各遮光要素４０，４１のうち、先端側に形成された第１遮光要素４０から順に光束ＥＬの光路内に配置される。そのため、遮光装置２５は、移動機構３８，３９の駆動によって、ウエハＷの被照射面Ｗａ上における各像高での光量分布を段階的に切り替えることができる。
【００５５】
また、遮光装置２５は、遮光部材３４，３５の先端部３４ａ，３５ａに形成された各遮光要素４０，４１を、遮光部材３４，３５の変位方向の配置が入れ替わるように遮光部材３４，３５の変位方向にスライド移動可能に構成してもよい。この構成によれば、遮光装置２５は、ウエハＷの被照射面Ｗａ上における各像高での光量分布をより柔軟に調整することができる。
【００５６】
・上記実施形態において、図６（ｃ）に示すように、各遮光ユニット３２，３３が複数（図６（ｃ）では８つのみ図示）の遮光部材４２を備え、各遮光部材４２がウエハＷの走査方向と対応する方向を横切る方向に並列して設けられる構成としてもよい。この場合、遮光ユニット３２，３３は、各遮光部材４２に個別に対応する複数の移動機構を備えることにより、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬを横切らせるように各遮光部材４２を個別に変位可能に構成することが望ましい。
【００５７】
この構成によれば、ウエハＷの被照射面Ｗａ上に照射される光束ＥＬの輪郭形状は、ウエハＷの走査方向の寸法がウエハＷの走査方向を横切る方向の位置毎に調整される。そのため、ウエハＷの被照射面Ｗａ上において、ウエハＷの走査方向を横切る方向の位置毎に照射される光束の光強度のばらつきを低減することができる。したがって、ウエハＷに対する走査露光に際して、ウエハＷの被照射面Ｗａ上に形成されるパターンの線幅にばらつきが生じることを抑制できる。
【００５８】
なお、上記の遮光装置２５では、遮光ユニット３２，３３は、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬに対する透過率分布が互いに等しい遮光要素４３を有する遮光部材４２から構成されている。ただし、遮光ユニット３２，３３は、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬに対する透過率分布が互いに異なる遮光要素を有する遮光部材から構成してもよい。
【００５９】
具体的には、図６（ｄ）に示すように、遮光ユニット３２，３３は、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬに対する透過率分布が互いに異なる遮光要素４４，４５を有する遮光部材４６，４７から構成され、これらの遮光部材４６，４７がウエハＷの走査方向と対応する方向を横切る方向に交互配置となるように設けられる構成としてもよい。
【００６０】
また、遮光ユニット３２，３３は、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬを透過可能な空洞３６ａ，３７ａと光束ＥＬを遮光可能な仕切り部３６ｂ，３７ｂの面積比が互いに異なる遮光要素を有する遮光部材を含めて構成してもよい。
【００６１】
この構成によれば、各遮光部材における空洞３６ａ，３７ａと仕切り部３６ｂ，３７ｂの面積比を個別に変更することにより、ウエハＷの被照射面Ｗａ上に照射される光束ＥＬに対する遮光量をウエハＷの走査方向を横切る方向の位置毎に調整することができる。したがって、ウエハＷの被照射面Ｗａ上において、ウエハＷの走査方向を横切る方向の位置毎に照射される光束の光強度のばらつきを低減することができる。
【００６２】
・上記実施形態において、遮光装置２５は、一対の遮光ユニット３２，３３のうち、一方の遮光ユニットのみに移動機構を設ける構成としてもよい。この場合であっても、他方の遮光ユニットが、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬの光路を横切るように遮光部材を変位させることにより、光束ＥＬのスリット幅を調整することができる。
【００６３】
・上記実施形態において、遮光装置２５は、両遮光ユニット３２，３３が遮光部材３４，３５を移動させる移動機構３８，３９を具備しない構成としてもよい。
・上記実施形態において、空洞３６ａ，３７ａの形状は直線状に限定されず、少なくとも一部が屈曲した形状や湾曲した形状を採用することができる。ただし、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬが、空洞３６ａ，３７ａを透過する過程で光量の重心Ｇを変動させることがないように、空洞３６ａ，３７ａは、光束ＥＬの光路を横切る面内において光束ＥＬの透過率を均一とするように構成されることが望ましい。また、ウエハＷに対する走査露光に際して、ウエハＷの被照射面Ｗａ上にウエハＷの走査方向に沿う筋状の非照明領域が生じることを抑制するために、空洞３６ａ，３７ａは、ウエハＷの走査方向と対応する方向から見た場合に、同方向と直交する方向において切れ目なく連なるように形成されることが望ましい。
【００６４】
・上記実施形態において、遮光装置２５は、遮光部材３４，３５の先端部３４ａ，３５ａを冷却する冷却機構を具備した構成であってもよい。ここで、遮光部材３４，３５は、熱伝導率の高い金属材料により構成されている。そのため、遮光部材３４，３５は、光束ＥＬの光路内に配置される先端部３４ａ，３５ａが、レチクルブラインド２３の開口部２４を通過する光束ＥＬの一部を吸収して熱膨張した場合であっても、遮光部材３４，３５の先端部３４ａ，３５ａは冷却機構によって迅速に冷却される。したがって、遮光部材３４，３５の先端部３４ａ，３５ａの温度変化に伴って、遮光部材３４，３５の空洞３６ａ，３７ａが熱変形することにより、光束ＥＬに対する遮光量に影響が及ぶことが抑制される。
【００６５】
・上記実施形態において、遮光装置２５は、オプティカルインテグレータ１８とレチクルステージ１４との間の光束ＥＬの光路上であって、レチクルブラインド２３と光学的に共役な位置の近傍であれば、任意の位置に設けてもよい。
【００６６】
・上記実施形態において、ウエハステージ１６に投影光学系１５の光軸とほぼ直交する平面状の載置面を設け、保持するウエハＷを、投影光学系１５の結像面ＰＬに対する光軸方向における相対位置を変化させることなく載置面に沿って走査する構成としてもよい。
【００６７】
・上記各実施形態において、光源装置１２は、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）等を供給可能な光源であってもよい。また、光源装置１２は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源であってもよい。
【００６８】
・上記実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
【００６９】
次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図７は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００７０】
まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。
【００７１】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００７２】
図８は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）においては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００７３】
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
【符号の説明】
【００７４】
１１…露光装置、１２…光源としての光源装置、１３…照明光学系、１５…投影光学系、１６ａ…変位機構としてのウエハステージ駆動部、１７…光学素子としての整形光学系、１８…光学素子としてのオプティカルインテグレータ、２２…光学素子としての第１コンデンサ光学系、２６…光学素子としての第２コンデンサ光学系、２５…遮光装置、３１…遮光部、３６ａ，３７ａ…部分透過領域としての空洞、３６ｂ，３７ｂ…部分遮光領域としての仕切り部、３８，３９…移動機構、４０…遮光要素としての第１遮光要素、４１…遮光要素としての第２遮光要素、４３，４４，４５…遮光要素、ＥＬ…光束、Ｒ…所定のパターンとしてのレチクル、Ｗ…感光性基板としてのウエハ、Ｗａ…被照射面。
【図１】
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【図２】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図９】
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