(57)【要約】【課題】光素子部分を簡便、かつ、短時間で評価できる光モジュール用評価装置。【解決手段】評価用光モジュール１００と、それに対し電気信号を外部から入力又は外部へ出力する複数の端子１１２を有し、評価用光モジュール１００が装着されるソケット１１０と、を備える光モジュール用評価装置。評価用光モジュール１００は、ベース基板１０１と、ベース基板１０１上に実装された光素子１０２と、ベース基板１０１の端部近傍から互いに略平行に光素子１０２まで延設され、光素子１０２に電気的に接続された複数の電気信号配線１０３、１０４と、を備え、各複数の電気信号配線と、ソケットの各複数の端子１１２とが、当接するように、複数の電気信号配線１０４の形成領域が、ベース基板１０１の端部において広がっている。【選択図】図２
2011216629.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
評価用光モジュールと、
前記評価用光モジュールに対し電気信号を外部から入力又は外部へ出力する複数の端子を有し、前記評価用光モジュールが装着されるソケットと、を備え、
前記評価用光モジュールは、
ベース基板と、
前記ベース基板上に実装された光素子と、
前記ベース基板の端部近傍から互いに略平行に前記光素子まで延設され、前記光素子に電気的に接続された複数の電気信号配線と、を備え、
各前記複数の電気信号配線と、前記ソケットの各前記複数の端子とが、当接するように、前記複数の電気信号配線の形成領域が、前記ベース基板の端部において広がっている光モジュール用評価装置。
【請求項２】
前記ベース基板上に前記光素子を制御する駆動回路が搭載されていないことを特徴とする請求項１に記載の光モジュール用評価装置。
【請求項３】
前記ベース基板上に形成され、当該光素子の裏面と電気的に接続された第１のグランドパッドと、
前記光素子の表面と、前記電気信号配線の表面と、を跨ぐように形成されたボンディングワイヤと、を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール用評価装置。
【請求項４】
前記ベース基板上において前記複数の電気信号配線よりも当該ベース基板の周縁側に形成された第２のグランドパッドを、さらに備えることを特徴とする請求項３に記載の光モジュール用評価装置。
【請求項５】
前記ベース基板内部に形成され、前記第１及び第２のグランドパッドと電気的に接続された第３のグランドパッド、をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の光モジュール用評価装置。
【請求項６】
前記複数の電気信号配線の間及び両側に、複数のグランド配線を更に備えることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の光モジュール用評価装置。
【請求項７】
前記光素子が複数設けられていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光モジュール用評価装置。
【請求項８】
前記光素子が面発光レーザであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の光モジュール用評価装置。
【請求項９】
前記光素子が受光素子であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の光モジュール用評価装置。
【請求項１０】
ベース基板の端部近傍から互いに略平行に複数の電気信号配線を形成する工程と、
前記ベース基板上に前記複数の電気信号配線と接続する光素子を搭載して評価用光モジュールを形成する工程と、
電気信号を外部から入力又は外部へ出力する複数の端子を有するソケットに、前記評価用光モジュールを装着する工程と、を備え、
前記複数の電気信号配線を形成する工程において、
各前記複数の電気信号配線と、前記ソケットの各前記複数の端子とが、当接するように、前記複数の電気信号配線の形成領域を、前記ベース基板の端部において広げる光モジュール用評価装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュール用評価装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩ（Large Scale Integration）の高速化はますます進展している。しかし、それらＬＳＩ間などを接続する電気配線には、配線数や帯域の制限による限界があると考えられている。その限界を打破する技術として、光インターコネクションが期待されている。光インターコネクションは、従来の電気配線に代えて、光伝送路を用いる技術である。具体的には、送信元でＬＳＩから出力される電気信号を光信号に変換し、光導波路や光ファイバなどの光伝送路を用いて受信先まで伝送する。そして、受信側で光信号を電気信号に変換し、ＬＳＩの入力ピンに入力する。
【０００３】
高性能のＬＳＩには、１００本以上という多数本の入出力電気端子が備えられており、光インターコネクションでは、その端子数を光信号に置き換える必要がある。また、１０Ｇｂｐｓ以上の高速信号は、電気配線において損失が大きいため、できるだけ損失しない状況で光信号に変換することが望ましい。現実的には、光・電気変換部品をできるだけ小さくし、ＬＳＩの近くに設置することが望ましい。つまり、光・電気変換部品である光モジュールを小型化することが、非常に重要である。この光モジュールの小型化にあたっては、精密かつ複雑な実装形態が要求されており、また多チャネル化の要求もあり、その特性評価や検査が重要となっている。
【０００４】
例えば、一般的な多チャネルの光モジュールの断面構成を図６に示す。図６は、非特許文献１の図１（ｂ）である。図６において、光モジュール３０は、セラミックパッケージ３１内に収容された発光機能を有する光素子３２と、光素子３２を駆動するドライバＩＣ（Integrated Circuit）３３と、セラミックパッケージ３１の裏面に配置された金属板からなるヒートシンク３４と、光素子３２から出射する光を導くミラー面３５を含むレンズブロック３６とを有する。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】坂卓磨、外３名、「低背10Gbit/s×4channelパラレル光送受信器」、２００６年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会、光エレクトロニクス分野、Ｃ−３−７１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、この非特許文献１に開示された光モジュール３０にはいくつかの問題がある。この小型化された光モジュール３０は、面積に対して部品点数が多い。また、光素子３２を中心とした各種特性評価を行うにあたり、ドライバＩＣ３３等の光素子３２以外の部品の駆動が必要とされる。これらの理由から、光モジュール３０の基板およびソケットの構造は複雑であり、かつ、その評価・検査も同様に複雑な評価系を必要としていた。
【０００７】
また、通常の評価系では単チャネルでの評価が主であるため、複数チャネルの評価には多くの工数がかかり、複雑な評価装置が必要であった。また、一般的に完成した実際の光モジュールはＩＣを搭載した形態であるため、面発光レーザ単体の簡便な評価が困難であった。
【０００８】
上記に鑑み本発明は、光インターコネクションの構成要素である光モジュールの評価・検査において、光素子部分を簡便、かつ、短時間で評価できる光モジュール用評価装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る光モジュール用評価装置は、
評価用光モジュールと、
前記評価用光モジュールに対し電気信号を外部から入力又は外部へ出力する複数の端子を有し、前記評価用光モジュールが装着されるソケットと、を備え、
前記評価用光モジュールは、
ベース基板と、
前記ベース基板上に実装された光素子と、
前記ベース基板の端部近傍から互いに略平行に前記光素子まで延設され、前記光素子に電気的に接続された複数の電気信号配線と、を備え、
各前記複数の電気信号配線と、前記ソケットの各前記複数の端子とが、当接するように、前記複数の電気信号配線の形成領域が、前記ベース基板の端部において広がっているものである。
【００１０】
本発明に係る光モジュール用評価装置の製造方法は、
ベース基板の端部近傍から互いに略平行に複数の電気信号配線を形成する工程と、
前記ベース基板上に前記複数の電気信号配線と接続する光素子を搭載して評価用光モジュールを形成する工程と、
電気信号を外部から入力又は外部へ出力する複数の端子を有するソケットに、前記評価用光モジュールを装着する工程と、を備え、
前記複数の電気信号配線を形成する工程において、
各前記複数の電気信号配線と、前記ソケットの各前記複数の端子とが、当接するように、前記複数の電気信号配線の形成領域を、前記ベース基板の端部において広げるものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、光モジュールの評価・検査において、光素子部分を簡便、かつ、短時間で評価できる光モジュール用評価装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１に係る評価用光モジュールの平面図である。
【図２】本発明の評価用光モジュールに使用するソケットの斜視図である。
【図３Ａ】実施の形態２に係る評価用光モジュールの平面図である。
【図３Ｂ】図３ＡのＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ断面図である。
【図４】実施の形態３に係る評価用光モジュールの平面図である。
【図５】実施の形態４に係る評価用光モジュールの平面図である。
【図６】非特許文献１の図１（ｂ）である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下の実施の形態に係る評価用光モジュールは、ＩＣ等を搭載せずに多チャネルの面発光レーザと電気的なコンタクトを取るための簡易的な構造を有する。面発光レーザの信号電極（ｐ電極）からベース基板に形成された電気配線にワイヤボンディング等で電気的に接続する。この接続された電気配線を扇型に拡がったファンアウト構造とすることでソケットによる複数チャネルの同時コンタクトを可能にした。もちろん、電気的な接続はワイヤボンディングに限らず、フリップチップ等のその他の実装形態であっても構わない。
【００１４】
光モジュールを評価する場合、プローブニードルを用いて検査することが多い。本発明では、プローブニードルを用いずに、評価用光モジュールのコンタクト部分をファンアウト構造として、ソケットと接続することにより検査する。これにより、複数のチャネルのそれぞれの電気配線に対する一括コンタクトが可能となる。そのため、チャネル毎にコンタクトしていたプロ−ビングを一度で行うことができ、より簡便な評価が可能となる。
【００１５】
また、以下の実施の形態に係る評価用光モジュールでは、面発光レーザの周囲が実際の光モジュールと同等の構造を有するため、実装履歴による面発光レーザの特性を評価することができる。さらに、この評価基板ではＩＣ等が不要のため、評価用光モジュール１００の面発光レーザ部分の静特性評価を行うことができる。また、この評価基板にソケットを装着することで簡便に評価を行える。
【００１６】
以下、本発明の実施の形態に係るいくつかの評価用光モジュールついて説明する。なお、これら実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
【００１７】
（実施の形態１）
以下に、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る評価用光モジュールを説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る評価用光モジュールの平面図である。図２は、図１の評価用光モジュールと電気的な接続を図るためのソケットの斜視図である。
【００１８】
まず、図１に示す本実施の形態に係る評価用光モジュール１００は、ベース基板１０１、発光素子１０２、光素子接続部１０３、電極ファンアウト部１０４、グランドパッド１０５、ボンディングワイヤ１０６を備えている。ベース基板１０１上に発光素子１０２が搭載されている。
【００１９】
図１に示すように発光素子１０２は、図面横方向に３つ並べて設けられており、それぞれの発光素子１０２が４つチャネルを担っている。すなわち、評価用光モジュール１００は３×４＝１２チャネルを備えている。なお、当然のことながら、それぞれの発光素子１０２が担うチャネル数や発光素子１０２の個数、その結果としての全チャネル数は適宜決定することができる。
【００２０】
発光素子１０２は、発光面が表面（図面手前側）に形成された表面発光型の面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）である。ここで、信号電極（ｐ電極）は発光素子１０２の表面に、グランド電極（ｎ電極）は発光素子１０２の裏面（図面奥行側）に形成されている（不図示）。但し、グランド電極（ｎ電極）が発光素子１０２の表面に形成されていてもよい。この場合、ワイヤボンディングなどにより、このグランド電極とベース基板１０１上のグランドパッド１０５とを接続する。
【００２１】
他方、発光素子１０２は、裏面発光型であってもよい。その場合、発光素子１０２の裏面が図面手前側を向き、すなわち、発光素子１０２の表面とベース基板１０１の表面とが対向配置され、例えばフリップチップ実装される。
【００２２】
発光素子１０２は、グランドパッド１０５上に搭載されている。また、発光素子１０２は、ベース基板１０１に形成された光素子接続部１０３及び電極ファンアウト部１０４から構成される電気配線に、ボンディングワイヤ１０６を介して電気的に接続されている。これにより、発光素子１０２に電流を注入する。ここで、ボンディングワイヤ１０６は、発光素子１０２の表面と、光素子接続部１０３の表面と、を跨ぐように形成されている。発光素子１０２の周囲を取り囲むようにグランドパッド１０５が形成されている。
【００２３】
図１に示すように、このグランドパッド１０５上の大部分を使って、光コネクタ用のレセプタクル部１０７が実装される。そして、光ファイバが埋設された光コネクタが、このレセプタクル部１０７に挿入（嵌合）される（不図示）。この光コネクタは、当該評価用光モジュール１００作製後でも挿抜を繰り返すことができる。発光素子１０２はベース基板１０１の中央部（センターライン上）に位置し、それによってレセプタクル部１０７もベース基板１０１の中央部に配置される。もちろん、電気的な接続はワイヤボンディングに限らず、フリップチップ等のその他の実装形態であってもよい。
【００２４】
これらにより、発光素子１０２の周囲は、ＩＣが搭載され制御機能を有する実際の光モジュール基板と同等の構造となっている。そのため、発光素子１０２自体は、実際の送信用光モジュールと同等の機能を有する。また、発光素子の代わりに受光素子を用いれば同様の構造の受信用光モジュールの簡易評価基板を構成することができる。
【００２５】
図１に示すように、発光素子１０２と電気的に接続された光素子接続部１０３は、発光素子１０２の側面と直交し、それぞれが略並行となるように延設されている。それぞれの発光素子１０２に４本の光素子接続部１０３が接続されている。すなわち、例として図１に示している評価用光モジュール１００は１２チャネルに対応する１２本の光素子接続部１０３を備えている。
【００２６】
図１では、光素子接続部１０３は、図面中央に位置し、図面下部まで延設されている。図１の下部では、それぞれの光素子接続部１０３が電極ファンアウト部１０４に接続されている。図１に示すように、電極ファンアウト部１０４は、扇型に拡がった構造を有している。このそれぞれの電極ファンアウト部１０４の端部は、矩形状のベース基板１０１の１辺に沿って、略等間隔に整列している。この整列した電極ファンアウト部１０４に隣接して、グランドパッド１０５から延設されたグランド配線１０５ａが形成されている。
【００２７】
ここで、図２は図１の評価用光モジュール１００と接続するソケット１１０の斜視図である。図２のソケット１１０は、伝熱板１１０ａと本体部１１０ｂとを備えている。本体部１１０ｂには図１の評価用光モジュール１００を収納するための凹部である評価基板収納部１１１が設けられている。この評価基板収納部１１１には、電気配線ピン１１２が設けられている。
【００２８】
図１の評価用光モジュール１００の電極ファンアウト部１０４は、図２のソケット１１０の電気配線ピン１１２の幅及び間隔に合わせて拡がって形成されている。逆に、電気配線ピン１１２の幅及び間隔はこれ以上狭くすることができない。このソケット１１０では、評価用光モジュール１００に伝熱板１１０ａが直接接触するため、環境温度を変えての特性評価、検査が可能となる。また、複数チャネルの連続評価は外部の電気的スイッチング機構により実現する。
【００２９】
次に、グラウンド側の接続について述べる。発光素子１０２の裏面にグランド電極（ｎ電極）が形成されている場合、半田付けなどにより、このグランド電極とベース基板１０１上のグランドパッド１０５とを接続する。一方、発光素子１０２の表面にグランド電極（ｎ電極）が形成されていてもよい。この場合、ワイヤボンディングなどにより、このグランド電極とベース基板１０１上のグランドパッド１０５とを接続する。
【００３０】
次に、動作について説明する。ソケット１１０外部から入力された電気信号が、ベース基板１０１上の電極ファンアウト部１０４、光素子接続部１０３を介して、駆動電流として発光素子１０２に入力される。すると、駆動電流に応じた光強度の光信号が発光素子１０２から出力される。その光信号が、上述のレセプタクル部１０７及び光コネクタ（不図示）を介して検出される。もちろん、レセプタクル部１０７及び光コネクタを実装及び装着せずに発光素子１０２からの出力光を直接検出してもよい。
【００３１】
なお、発光素子の代わりに受光素子を用いて受信用光モジュールを構成する場合には、光ファイバを経由して送信されてきた光信号が受光素子に入力され、電気信号に変換される。その電気信号が信号配線を介してモジュール外部に出力される。
【００３２】
ベース基板１０１の材料としては耐熱性に優れるセラミック基板が適している。しかし、これに限るものではなく、有機材料（例えば、エポキシ、ポリイミド、フッ素樹脂、ＰＰＥ樹脂、フェノール樹脂等）、シリコンなどの半導体材料、ガラス、コンポジット材などの絶縁材料を用いた基板を用いることができる。また、ベース基板１０１上に形成された光素子接続部１０３、電極ファンアウト部１０４、グランドパッド１０５の材料としては、Ｎｉ／Ａｕなどの金属材料とするのが一般的であるが、導通性が高ければどのような材料でも適合可能である。
【００３３】
以上より、ＩＣ（光素子の駆動回路）等を搭載せずに多チャネル面発光レーザと電気的なコンタクトを取るための簡易的な構造が実現できる。扇型に拡げた金属からなる電極ファンアウト部１０４を介してソケット１１０との複数チャネルの同時コンタクトが可能となり、外部の電気的スイッチング機構により複数チャネルの連続評価を行える。また、面発光レーザである発光素子１０２の周囲を、実際の光モジュール用の基板と同等の構造としていることで、実装履歴による面発光レーザの特性を評価することが可能となる。この簡易的な基板ではＩＣ等が不要のため、面発光レーザ単体の静特性評価を行うことができる。
【００３４】
次に、製造方法について説明する。
まず、ベース基板１０１上に形成した金属膜をパターニングすることにより、光素子接続部１０３、電極ファンアウト部１０４、グランドパッド１０５を形成する。
次に、発光素子１０２をベース基板１０１に実装する。上記の実装には、半田、金バンプ、導電性接着剤などの接続方法を用いることができる。リフロー炉やホットプレートなどで加熱して半田を溶融させることによって結合させることができる。
【００３５】
次にソケット１１０の評価基板収納部１１１に評価用光モジュール１００を挿入し、上から伝熱板１１０ａにより蓋をする。これより、電極ファンアウト部１０４をソケット１１０の電気配線ピン１１２に押し当て、両者を電気的に接続する。
【００３６】
レセプタクル部１０７を搭載する場合、評価用光モジュール１００の中央部に搭載する。そのため、光コネクタを挿抜する際に加わる力をベース基板１０１とレセプタクル部１０７との接続部全体に均一に分散させることができる。また、評価用光モジュール１００全体の重心が評価用光モジュール１００の中心に近い位置にある。そのため、ベース基板１０１にレセプタクル部１０７を実装する際に加わる力をベース基板１０１とレセプタクル部１０７との接続部全体に均一に分散させることができる。
【００３７】
（実施の形態２）
上記の実施の形態１では最も単純な構造として、静特性を評価できる装置を提供した。一方、実際の光モジュールにおいて発光素子１０２の裏面にグランド電極（ｎ電極）が形成されていると、図１の評価用光モジュール１００では、同等条件の高周波特性評価を行うことができない場合がある。そこで、実施の形態２として、高周波特性評価に適した簡易的な基板を示す。
【００３８】
図３Ａは、本発明の第２の実施の形態に係る評価用光モジュール２００の平面図である。また、図３ＡのＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ断面図である。図３Ａに示すように、評価用光モジュール２００は、図１の評価用光モジュール１００の電極ファンアウト部１０４の外側にグランドパッド１０５ｂが付加されている。図３Ａに示すように、このグランドパッド１０５ｂは、矩形状のベース基板１０１の１辺に沿って、電極ファンアウト部１０４と離間して設けられている。
【００３９】
ここで、図３Ｂに示すように、グランドパッド用の金属層が２層形成されており、さらに、グランドパッド１０５、１０５ｂを構成する上層金属層と、グランドパッド１０５ｃを構成する下層金属層とを電気的に接続するビアが形成されている。このビアは、発光素子１０２下側及びグランドパッド１０５ｂ下側に形成されている。このような構成により、発光素子１０２の裏面にグランド電極（ｎ電極）が形成されている場合も、高周波特性評価を行うことができる。その他の構成は実施の形態１同様であるため、説明を省略する。
【００４０】
（実施の形態３）
実施の形態３として、実施の形態２の場合よりさらに高い周波数の電気信号を通す場合に用いる高周波特性評価対応の簡易的な基板を示す。実施の形態３では、発光素子１０２のグランド電極（ｎ電極）は、発光素子１０２の表面、裏面のいずれに形成されていても構わない。図４は、本発明の第３の実施の形態に係る評価用光モジュール３００の平面図である。図４に示すように、評価用光モジュール３００は、図１のグランド配線１０５ａを電極ファンアウト部１０４の外側まで延設することで高周波特性評価が可能となる。その他の構成は実施の形態１同様であるため、説明を省略する。
【００４１】
（実施の形態４）
上記実施の形態１〜３に係る評価用光モジュール４００では、ＧＳＧ（グランド−信号−グランド）プローブを用いた高周波特性評価を行うことができない。図５は、本発明の第４の実施の形態に係る評価用光モジュール４００の平面図である。図５に示すように、評価用光モジュール４００では、それぞれの発光素子１０２に接続された４本の光素子接続部１０３の間及び両側に５本のグランド配線１０５ｄが形成されている。即ち、５×３＝１５本のグランド配線１０５ｄが光素子接続部１０３と一定の間隔をもって形成されている。ここで、光素子接続部１０３は信号配線である。そのため、グランド配線と信号配線とが交互にかつ平行に延設されている。このような構成により、ＧＳＧ（グランド−信号−グランド）プローブを光素子接続部１０３とグランド配線１０５ｄとにコンタクトするにより高周波特性評価が可能となる。その他の構成は実施の形態１同様であるため、説明を省略する。
【００４２】
（付記１）
評価用光モジュールと、
前記評価用光モジュールに対し電気信号を外部から入力又は外部へ出力する複数の端子を有し、前記評価用光モジュールが装着されるソケットと、を備え、
前記評価用光モジュールは、
ベース基板と、
前記ベース基板上に実装された光素子と、
前記ベース基板の端部近傍から互いに略平行に前記光素子まで延設され、前記光素子に電気的に接続された複数の電気信号配線と、を備え、
各前記複数の電気信号配線と、前記ソケットの各前記複数の端子とが、当接するように、前記複数の電気信号配線の形成領域が、前記ベース基板の端部において広がっている光モジュール用評価装置。
（付記２）
前記ベース基板上に前記光素子を制御する駆動回路が搭載されていないことを特徴とする付記１に記載の光モジュール用評価装置。
（付記３）
前記ベース基板上に形成され、当該光素子の裏面と電気的に接続された第１のグランドパッドと、
前記光素子の表面と、前記電気信号配線の表面と、を跨ぐように形成されたボンディングワイヤと、を更に備えることを特徴とする付記１又は２に記載の光モジュール用評価装置。
（付記４）
前記ベース基板上において前記複数の電気信号配線よりも当該ベース基板の周縁側に形成された第２のグランドパッドを、さらに備えることを特徴とする付記３に記載の光モジュール用評価装置。
（付記５）
前記ベース基板内部に形成され、前記第１及び第２のグランドパッドと電気的に接続された第３のグランドパッド、をさらに備えることを特徴とする付記４に記載の光モジュール用評価装置。
（付記６）
前記複数の電気信号配線の間及び両側に、複数のグランド配線を更に備えることを特徴とする付記３〜５のいずれか１項に記載の光モジュール用評価装置。
（付記７）
前記光素子の表面側に光コネクタ接続部を更に備えることを特徴とする付記１〜６のいずれか１項に記載の光モジュール用評価装置。
（付記８）
前記光コネクタ接続部に接続される光コネクタが着脱自在であることを特徴とする付記７に記載の光モジュール用評価装置。
（付記９）
前記ソケットに伝熱板が設けられていることを特徴とする付記１〜８のいずれか１項に記載の光モジュール用評価装置。
（付記１０）
前記光素子が複数設けられていることを特徴とする付記１〜９のいずれか１項に記載の光モジュール用評価装置。
（付記１１）
前記光素子が面発光レーザであることを特徴とする付記１〜１０のいずれか１項に記載の光モジュール用評価装置。
（付記１２）
前記光素子が受光素子であることを特徴とする付記１〜１０のいずれか１項に記載の光モジュール用評価装置。
（付記１３）
ベース基板の端部近傍から互いに略平行に複数の電気信号配線を形成する工程と、
前記ベース基板上に前記複数の電気信号配線と接続する光素子を搭載して評価用光モジュールを形成する工程と、
電気信号を外部から入力又は外部へ出力する複数の端子を有するソケットに、前記評価用光モジュールを装着する工程と、を備え、
前記複数の電気信号配線を形成する工程において、
各前記複数の電気信号配線と、前記ソケットの各前記複数の端子とが、当接するように、前記複数の電気信号配線の形成領域を、前記ベース基板の端部において広げる光モジュール用評価装置の製造方法。
【符号の説明】
【００４３】
１００、２００、３００、４００  評価用光モジュール
１０１  ベース基板
１０２  発光素子
１０３  光素子接続部
１０４  電極ファンアウト部
１０５、１０５ｂ、１０５ｃ  グランドパッド
１０５ａ、１０５ｄ  グランド配線
１０６  ボンディングワイヤ
１０７  レセクタプル部
１１０  ソケット
１１０ａ  伝熱板
１１０ｂ  本体部
１１１  評価基板収納部
１１１  電気配線ピン
【図１】
2011216629.tif 000003
【図２】
2011216629.tif 000004
【図３Ａ】
2011216629.tif 000005
【図３Ｂ】
2011216629.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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