(57)【要約】【課題】携帯電話端末において、送信信号あるいはその高調波が送信変調器に回り込んだ際の送信信号の変調精度（ＥＶＭ）の劣化を確実に回避する。【解決手段】ＰＬＬシンセサイザ６１内のＶＣＯを制御しているＶＣＯ制御電圧をモニターするＡＤコンバーターと、送信変調器の出力信号の位相量を別の位相量に切り替えることができる移相器６６と、ＡＤコンバーターに接続された処理部とを有し、処理部は、ＶＣＯ制御電圧の変動量が許容変動量を超えた場合、送信信号或いは送信信号の高調波のＶＣＯへの回り込みによる送信ＥＶＭ劣化が起こったと判断し、移相器６６に、送信変調器の出力信号の位相量を別の位相量に切り替えさせ、これにより送信信号或いは送信信号の高調波とＶＣＯの出力信号との位相の関係をずらすことを特徴とする携帯電話端末。【選択図】図６
2011216972.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＬＬシンセサイザを有する送信変調器と、該送信変調器の出力信号を受け送信信号を出力するパワー増幅器とを備え、前記ＰＬＬシンセサイザはＶＣＯを有する携帯電話端末であって、
前記ＶＣＯを制御しているＶＣＯ制御電圧をモニターするＡＤコンバーターと、
前記送信変調器の出力信号の位相量を別の位相量に切り替えることができる移相器と、
前記ＡＤコンバーターに接続された処理部とを有し、
前記処理部は、前記ＶＣＯ制御電圧の変動量が許容変動量を超えた場合、前記送信信号或いは前記送信信号の高調波の前記ＶＣＯへの回り込みによる送信ＥＶＭ劣化が起こったと判断し、前記移相器に、前記送信変調器の出力信号の位相量を別の位相量に切り替えさせ、これにより前記送信信号或いは前記送信信号の高調波と前記ＶＣＯの出力信号との位相の関係をずらすことを特徴とする携帯電話端末。
【請求項２】
請求項１に記載の携帯電話端末において、
前記処理部は、前記移相器の位相量の切り替えを行うと共に、前記移相器のアナログ遅延量を更新値に更新することを特徴とする携帯電話端末。
【請求項３】
請求項１に記載の携帯電話端末において、
前記送信変調器は、前記ＶＣＯの出力と前記前記移相器との間にバッファとして追加されたアンプを有し、
前記処理部は、前記ＶＣＯ制御電圧の変動量が許容変動量を超えた場合、前記アンプのＳＮ比を向上させる制御を行うことを特徴とする携帯電話端末。
【請求項４】
請求項１に記載の携帯電話端末において、
前記処理部は、前記ＶＣＯ制御電圧の変動量が許容変動量を超えた場合、前記パワー増幅器の線形性を向上させる制御を行い、前記ＶＣＯへの前記送信信号或いは前記送信信号の高調波による回り込み量を低減させることを特徴とする携帯電話端末。
【請求項５】
ＰＬＬシンセサイザを有する送信変調器と、該送信変調器の出力信号を受け送信信号を出力するパワー増幅器とを備え、前記ＰＬＬシンセサイザはＶＣＯを有する携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法であって、
前記ＶＣＯを制御しているＶＣＯ制御電圧をモニターし、
前記ＶＣＯ制御電圧の変動量が許容変動量を超えた場合、前記送信信号或いは前記送信信号の高調波の前記ＶＣＯへの回り込みによる送信ＥＶＭ劣化が起こったと判断し、前記送信変調器の出力信号の位相量を別の位相量に移相器において切り替え、これにより前記送信信号或いは前記送信信号の高調波と前記ＶＣＯの出力信号との位相の関係をずらすことを特徴とする携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法。
【請求項６】
請求項５に記載の携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法において、
前記移相器の位相量の切り替えを行うと共に、前記移相器のアナログ遅延量を更新値に更新することを特徴とする携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法。
【請求項７】
請求項５に記載の携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法において、
前記送信変調器に、前記ＶＣＯの出力と前記前記移相器との間にバッファとしてアンプを追加し、
前記ＶＣＯ制御電圧の変動量が許容変動量を超えた場合、前記アンプのＳＮ比を向上させる制御を行うことを特徴とする携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法。
【請求項８】
請求項５に記載の携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法において、
前記ＶＣＯ制御電圧の変動量が許容変動量を超えた場合、前記パワー増幅器の線形性を向上させる制御を行い、前記ＶＣＯへの前記送信信号或いは前記送信信号の高調波による回り込み量を低減させることを特徴とする携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話端末に関し、特に、携帯電話端末における送信変調精度（送信ＥＶＭ）の改善に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＡ（パワー増幅器）単体、或いは、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）単体としては、送信信号の変調精度（ＥＶＭ：Error Vector Magnitude）特性が良好だったにも関わらず、携帯電話端末を構成すべく、ＰＡ及びＲＦＩＣを組合せたものを高集積実装した際に、送信信号のＥＶＭ特性（送信ＥＶＭ特性）が劣化することがある。
【０００３】
即ち、ＰＡ及びＲＦＩＣを組合せて構成した携帯電話端末においては、ＰＡの送信信号あるいはその高調波がＲＦＩＣに内蔵されている送信変調器の入力に回りこみ、送信変調器のＶＣＯ (Voltage Control Oscillator)の位相を揺らし、その結果、送信信号のＥＶＭを劣化させるケースがある。
【０００４】
送信ＥＶＭ特性の劣化を回避するための関連技術としては、基板設計のやり直し、シールド基板の追加など、後戻り設計をすることで送信ＥＶＭ特性の劣化を回避する方法がある。しかし、今後予想される更なる高集積実装時に、上記関連技術による方法で送信ＥＶＭが改善できるか保証は無い。
【０００５】
特許文献１（特開２００３−７８４１２号公報）は、要約及び図１に、
「移動携帯端末装置において特定の固定された周波数でスピーカ（１０８）を鳴動させた場合、スピーカ磁石部の微振動による磁界変動に伴ってＶＣＯ（１０５）に発生する起電力の影響によって、ＰＬＬＩＣ（１０３）に生じる位相ずれを、ＶＣＴＣＸＯ（１０２）の周波数を微調整することによって減少させ、スピーカ鳴動中の変調精度特性劣化を制御する」
ことを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−７８４１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、携帯電話端末において、送信信号あるいはその高調波が送信変調器の入力に回り込んだ際の送信信号の変調精度（ＥＶＭ）の劣化を確実に回避することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、
ＰＬＬシンセサイザを有する送信変調器と、該送信変調器の出力信号を受け送信信号を出力するパワー増幅器とを備え、前記ＰＬＬシンセサイザはＶＣＯを有する携帯電話端末であって、
前記ＶＣＯを制御しているＶＣＯ制御電圧をモニターするＡＤコンバーターと、
前記送信変調器の出力信号の位相量を別の位相量に切り替えることができる移相器と、
前記ＡＤコンバーターに接続された処理部とを有し、
前記処理部は、前記ＶＣＯ制御電圧の変動量が許容変動量を超えた場合、前記送信信号或いは前記送信信号の高調波の前記ＶＣＯへの回り込みによる送信ＥＶＭ劣化が起こったと判断し、前記移相器に、前記送信変調器の出力信号の位相量を別の位相量に切り替えさせ、これにより前記送信信号或いは前記送信信号の高調波と前記ＶＣＯの出力信号との位相の関係をずらすことを特徴とする携帯電話端末が得られる。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、
ＰＬＬシンセサイザを有する送信変調器と、該送信変調器の出力信号を受け送信信号を出力するパワー増幅器とを備え、前記ＰＬＬシンセサイザはＶＣＯを有する携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法であって、
前記ＶＣＯを制御しているＶＣＯ制御電圧をモニターし、
前記ＶＣＯ制御電圧の変動量が許容変動量を超えた場合、前記送信信号或いは前記送信信号の高調波の前記ＶＣＯへの回り込みによる送信ＥＶＭ劣化が起こったと判断し、前記送信変調器の出力信号の位相量を別の位相量に移相器において切り替え、これにより前記送信信号或いは前記送信信号の高調波と前記ＶＣＯの出力信号との位相の関係をずらすことを特徴とする携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法が得られる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、携帯電話端末において、送信信号あるいはその高調波が送信変調器に回り込んだ際の送信信号の変調精度（ＥＶＭ）の劣化を確実に回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】携帯電話端末において、ＰＡの送信信号あるいはその高調波の送信変調器の入力への回り込みを説明するための図である。
【図２】送信信号の高調波の送信変調器の入力への回り込みによって送信ＥＶＭ劣化が発生する場合を説明するための図である。
【図３】送信信号の高調波の送信変調器の入力への回り込みがあっても送信ＥＶＭが良好に保たれる場合を説明するための図である。
【図４】本発明の第１の実施形態による携帯電話端末を示すブロック図である。
【図５】図４に示された携帯電話端末におけるＲＦ装置を示すブロック図である。
【図６】図５に示されたＲＦ装置における送信変調器を示すブロック図である。
【図７】図６に示された送信変調器における移相器を示す図である。
【図８】図６に示された送信変調器におけるＰＬＬシンセサイザを示す図である。
【図９】上記第１の実施形態による携帯電話端末の動作を説明するためのフローチャートである。
【図１０】本発明の第２の実施形態による携帯電話端末の動作を説明するためのフローチャートである。
【図１１】本発明の第３の実施形態による携帯電話端末における送信変調器を示すブロック図である。
【図１２】上記第３の実施形態による携帯電話端末の動作を説明するためのフローチャートである。
【図１３】本発明の第４の実施形態による携帯電話端末の動作を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１３】
以下に述べる本発明の実施形態は、携帯電話端末において、送信信号やその高調波が送信変調器の入力に回り込んだ際に、送信信号の変調精度（ＥＶＭ：Error Vector Magnitude）を確保するために、送信信号の位相を調整する制御をすることを特徴とする。
【００１４】
ここでは、本発明を３ＧＰＰ(3rd Generation Partnership Project)で規定されたＷＣＤＭＡ(Wideband Code Division Multiple Access)に適用した例を説明するが、本発明は無線全般に適用が可能である。
【００１５】
ＥＶＭとは、理想変調信号と測定変調信号の位置ずれを理想変調信号で正規化したものである。このＥＶＭの値が大きい場合、理想変調信号と測定変調信号の位置ずれが大きい（つまり、送信信号の振幅、位相、周波数等が理想からずれている）ことを示す。その結果、このＥＶＭの値が大きい場合、うまく基地局あるいは端末にて信号を受信できないことになる。
【００１６】
因みに、ＷＣＤＭＡの場合、３ＧＰＰのＴＳ２５．１０１、６．８．２にてＥＶＭが規定されており、１７．５％以下が要求されている。これを確保するためには、送信信号の振幅、位相、周波数等の特性が安定している必要がある。そのために個々の部品、例えば、ＰＡ（パワー増幅器）、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）でＥＶＭ特性が確保されていることが前提となる。
【００１７】
しかし、特に携帯電話端末など高集積実装が要求される場合、送信信号がアンテナ、基板などを通して送信変調器の入力への回り込みが無視できない状況になっている。その結果、個々の部品でＥＶＭ特性は確保できているにも関わらず、システム化した場合にＥＶＭ特性が大きく劣化するケースが多々ある。特に、アンテナ、ＰＡ、ＲＦＩＣの送信信号あるいはその高調波がＲＦＩＣの送信変調器の入力に回りこみ、具体的には、ＲＦＩＣの送信変調器に内蔵されているＶＣＯ (Voltage Control Oscillator)の位相を揺らし、結果、アンテナにて送信される信号のＥＶＭを劣化させるケースがある。ここで、ＶＣＯとは、直流電圧により発振周波数が制御可能な可変周波数発振器のことである。
【００１８】
ここで、図１を参照して、携帯電話端末において、ＰＡの送信信号あるいはその高調波が送信変調器の入力へ回り込む様子を説明する。
【００１９】
図１に示すように、送信変調器では、ＶＣＯ５の出力を、２分周器６２で２分周し、ミキサ６４に与えるのが一般的である。このため、ＶＣＯ５の出力は、ＰＡ３３の送信周波数ｆの２倍である。ＶＣＯ５出力に回り込んでくる周波数としては、送信信号の２倍の高調波２ｆ、あるいは４倍の高調波４ｆがある。これらＰＡ３３の送信信号ｆあるいはその高調波２ｆ及び４ｆが送信変調器の入力（ＶＣＯ５出力）へ回り込む。
【００２０】
図２及び図３に示すように、ＶＣＯ５に回り込む送信周波数の高調波２ｆとＶＣＯ５出力の位相の関係により、ＥＶＭが良くなったり悪くなったりする。
【００２１】
図２の場合、回り込んできた高調波２ｆの振幅最大値に対し、ＶＣＯ出力の振幅は最小値であるため、ＶＣＯ出力が影響を受ける（ＶＣＯ出力の位相を揺らされる、ジッタを発生させる）。その結果、このＶＣＯ出力を２分周したもので変調された送信信号の位相も揺れ、送信ＥＶＭ特性を劣化させる。
【００２２】
これに対し、図３の場合、回り込んできた高調波２ｆの振幅最小値に対し、ＶＣＯの振幅は最大値であるため、ＶＣＯ出力が影響を受けにくい。その結果、送信ＥＶＭ特性に影響が無い。
【００２３】
根本対策としては、アンテナ、ＰＡ、ＲＦＩＣなどのアクティブ部品の高調波特性を良くすることではある。しかし、実際問題として、高調波特性が負荷により変動する（つまり、他の部品と組み合わせた場合と単体特性とで高調波レベルが変わる）、また基板での実装位置などで高調波の回り込みレベルが異なること、など不確定要素が多い。これら不確定要素は、実際に、装置として作ってみないと分からない。
【００２４】
そこで、以下に述べる本発明の実施形態では、ＶＣＯを制御している位相比較器の制御状態（ＶＣＯ制御電圧）から送信のＥＶＭ劣化有無を検出し、ＥＶＭが悪い場合、ＲＦＩＣ出力の位相を移相器で切り替える。これにより、送信信号とＶＣＯの位相の関係をずらすことでＥＶＭを確保する。
【００２５】
図４を参照して、まず、本発明の第１の実施形態による携帯電話端末について説明する。この第１の実施形態による携帯電話端末は、ＣＰＵ(Central Processing Unit)装置（中央処理装置）１０と、該ＣＰＵ装置１０の基本的制御下にある残りの構成要素とからなる。残りの構成要素は、ディジタル信号処理装置１１、アナログ信号処理装置１２、ＲＦ装置１３、メモリ装置１４、電源装置１５、バッテリー１６、アンテナ１７から構成されている。
【００２６】
ＣＰＵ装置１０は、ディジタル信号処理装置１１、アナログ信号処理装置１２、ＲＦ装置１３、メモリ装置１４、電源装置１５の制御、およびディジタル信号処理装置１１とデータをやり取りする。ＲＦ装置１３は、無線信号の変復調を行う。
【００２７】
アナログ信号処理装置１２は、ＲＦ装置１３からの信号をＡＤ(analogue-to-digital)変換し、ディジタル信号処理装置１１へ送る。また、ディジタル信号処理装置１１からの信号をＤＡ(digital-to-analogue)変換し、ＲＦ装置１３へ送る。
【００２８】
ディジタル信号処理装置１１は、ディジタル信号処理を行い復号しＣＰＵ装置１０へ送る。また、ディジタル信号処理装置１１は、送信信号のパワー制御を行っている。ディジタル信号処理装置１１は、更に、ＰＡ３３（図５）に供給する電圧を決定し、電源装置１５の電圧制御をしている。
【００２９】
メモリ装置１４は、制御情報などが書き込まれている。ＣＰＵ装置１０が制御に応じ、メモリ装置１４の読み書きする。
【００３０】
電源装置１５は、ＣＰＵ装置１０からの制御に従い、ＣＰＵ装置１０、ディジタル信号処理装置１１、アナログ信号処理装置１２、ＲＦ装置１３、メモリ装置１４の電源供給を行う。電源装置１５は、ディジタル信号処理装置１１からの制御に従い、ＰＡ３３（図５）に電源供給している。
【００３１】
バッテリー１６は、電源装置１５経由で装置全体に電圧を供給する。
【００３２】
アンテナ１７は基地局からの信号を受信し、端末からの信号を送信する。
【００３３】
図５を参照すると、ＲＦ装置１３は、ＲＦＩＣ３１、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）３２、ＰＡ３３、アイソレータ３４、デュプレクサ３５、アンテナスイッチ３６、ＬＮＡ(Low Noise Amplifier)３７、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）３８から構成されている。
【００３４】
ＲＦＩＣ３１は、送信変復器（図６）、受信復調器（図示せず）、ベースバンドフィルタ（図示せず）などを含む。
【００３５】
ＢＰＦ３２は、送信信号以外を減衰させるフィルタである。ＰＡ３３は、高いパワーに増幅可能なアンプである。
【００３６】
アイソレータ３４は、高いパワーの信号を逆流させないためのものである。デュプレクサ３５は、送信信号と受信信号を分離するフィルタである。アンテナスイッチ３６は、使用するアンテナを切り替える。
【００３７】
ＬＮＡ３７は、ノイズを極力抑えて受信信号を増幅可能なアンプである。ＢＰＦ３８は、受信信号以外減衰させるフィルタである。
【００３８】
図６を参照すると、ＲＦＩＣ３１中の送信変調器は、ＰＬＬ(Phase Locked Loop)シンセサイザ６１、分周器６２、移相器６３、ミキサ６４、送信用ゲイン可変アンプ６５、移相器６６から構成される。ＰＬＬシンセサイザ６１は、安定的な周波数信号を出力するものである。分周器６２は、ＰＬＬシンセサイザ６１の出力周波数信号を低周波数信号に変換する（図示の例では、１／２に分周する２分周器）。移相器６３は、分周器６２の出力信号の位相を０度及び９０度ずらした第１及び第２の周波数信号を出力する。第１のミキサ６４は、周波数信号Ｉと第１の周波数信号とを乗算して新たな周波数の信号を作り出し、送信用ゲイン可変アンプ６５に与える。第２のミキサ６４は、周波数信号Ｑと第２の周波数信号を乗算して別の新たな周波数の信号を作り出し、送信用ゲイン可変アンプ６５に与える。
【００３９】
移相器６６は、本発明によって追加されたものである。
【００４０】
図７を参照すると、移相器６６は、位相量の異なる複数の伝送線路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４を用意し、スイッチＳＷで切り替えることができる。移相器６６は、反射による位相変化を利用したものや、ＰＩＮダイオード(p-intrinsic-n Diode)を用いてリアクタンス変化を利用したものがある。
【００４１】
図８を参照すると、ＰＬＬシンセサイザ６１は、一般的には温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１、分周器（１／Ｒ）２、位相比較器３、ループフィルタ４、ＶＣＯ５、分周器（１／Ｎ）６、ＡＤコンバーター（ＡＤＣ）７から構成されている。
【００４２】
分周器（１／Ｒ）２は、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）の出力周波数信号を低い周波数信号に変換する。位相比較器３は、分周器（１／Ｒ）２の出力信号と、分周器（１／Ｎ）６の出力信号の位相差を検出する。ループフィルタ４は、位相比較器３の出力を交流成分の少ないきれいな直流信号に変換するためのローパスフィルタである。ループフィルタ４は、変換された直流信号をＶＣＯ５にＶＣＯ制御電圧として供給する。分周器（１／Ｎ）６は、ＶＣＯ５の出力信号を低い周波数信号に変換する。
【００４３】
ＡＤコンバーター７は、本発明によって追加されたものであり、ループフィルタ４の出力であるＶＣＯ制御電圧をモニターするものである。ＡＤコンバーター７は、ＶＣＯ制御電圧をＡＤ変換し、変換されたＶＣＯ制御電圧（ディジタル信号）をディジタル信号処理装置１１（図４）に与える。ディジタル信号処理装置１１は、ＶＣＯ制御電圧（ディジタル信号）を後述するように平均化する。
【００４４】
次に、図９を参照して、上記第１の実施形態による携帯電話端末の動作（移相制御による送信ＥＶＭ改善方法）を説明する。
【００４５】
まず、移相器（図７の移相器６６中のＬ１）を用いて送信を開始する（ステップＡ−０）。
【００４６】
この際、ＶＣＯ制御電圧をモニターするＡＤコンバーター７（図８）においてＶＣＯ制御電圧値を取得し、取得したＶＣＯ制御電圧値の平均化をディジタル信号処理装置１１（図４）において開始する。ディジタル信号処理装置１１は、例えば、１００回といった最低回数（図４のメモリ装置１４に保持された回数）の平均化を継続する。この平均化された値をＶＣＯ＿Ｖ＿Ａｖｅとし、ＶＣＯ制御電圧を取得するたびに更新する（ステップＡ−１）。
【００４７】
次に、ディジタル信号処理装置１１は、ＡＤコンバーター７で取得したＶＣＯ制御電圧ＶＣＯ＿Ｖと、ＶＣＯ＿Ｖ＿Ａｖｅとの差の絶対値を計算する。ディジタル信号処理装置１１は、前記差の絶対値を、メモリ装置１４に保持された許容変動量と比較する（ステップＡ−２）。
【００４８】
ここで、前記差の絶対値が許容変動量内に収まっている場合、ディジタル信号処理装置１１は、移相器（図７の移相器６６中のＬ１）に決定、終了する（ステップＡ−３）。
【００４９】
前記差の絶対値が許容変動量を超えた場合、つまり、ＶＣＯ制御電圧が大きく変動した場合、ディジタル信号処理装置１１は、送信信号の高調波のＶＣＯ５への回り込みによる影響でＶＣＯ５が揺れ、ＥＶＭ劣化を引き起こしていると判断し、ディジタル信号処理装置１１は、ＲＦ装置１３（図４）に対し、移相器変更命令を出す。ＲＦ装置１３は、移相器変更命令に応答して、移相器６６のスイッチＳＷを切り替え、次の移相器（図７の移相器６６中のＬ２）に切り替える。これにより、ＶＣＯ５に回り込む送信周波数の高調波とＶＣＯ５出力との位相の関係を変える（ステップＡ−４）。これを移相可能な限り繰り返す。
【００５０】
以上のように、上記第１の実施形態では、ＶＣＯ制御電圧をモニターすることで、送信ＥＶＭ劣化を検知し、移相器６６により、ＶＣＯ５に回り込む送信周波数の高調波とＶＣＯ５出力との位相の関係を変え、結果として送信ＥＶＭ特性を確保することを可能とする。
【００５１】
次に、本発明の第２の実施形態による携帯電話端末について説明する。
【００５２】
この第２の実施形態による携帯電話端末も、図４乃至図８に示した上記第１の実施形態による携帯電話端末と同様の構成を有する。この第２の実施形態による携帯電話端末では、更に、図４のメモリ装置１４に、移相器Ｌ１〜Ｌ４を使用した場合のＬ１〜Ｌ４のアナログ遅延量が記憶されている。
【００５３】
次に、図１０を参照して、上記第２の実施形態による携帯電話端末の動作（送信ＥＶＭ改善方法）を説明する。
【００５４】
この第２の実施形態は、送信のアナログ遅延量を変更する点で上記第１の実施形態と異なる。
【００５５】
まず、移相器（図７の移相器６６中のＬ１）を用いて送信を開始する。また、メモリ装置１４（図４）から移相器（Ｌ１）のアナログ遅延量を読み出し、ディジタル信号処理装置１１（図４）に設定する（ステップＢ−０）。
【００５６】
アナログ遅延量とは、アナログ信号処理装置１２（図４）、ＲＦ装置１３（図４）で発生するアナログ信号の遅延量を指す。この値が適切でないと、ＷＣＤＭＡの場合、３ＧＰＰのＴＳ３４．１２１、８．５．１で規定された、ＵＥ  Ｔｒａｎｓｍｉｔ  Ｔｉｍｉｎｇの仕様（±１．５Ｃｈｉｐ  Ｍｉｎ）を満たすことができない。移相器Ｌ１〜Ｌ４によってアナログ遅延量が変わる場合、適切にアナログ遅延量を変更する必要がある。
【００５７】
次に、ＶＣＯ制御電圧をモニターするＡＤコンバーター７（図８）においてＶＣＯ制御電圧値を取得し、取得したＶＣＯ制御電圧値の平均化をディジタル信号処理装置１１（図４）において開始する。ディジタル信号処理装置１１は、例えば、１００回といった最低回数（図４のメモリ装置１４に保持された回数）の平均化を継続する。この平均化された値をＶＣＯ＿Ｖ＿Ａｖｅとし、ＶＣＯ制御電圧を取得するたびに更新する（ステップＢ−１）。
【００５８】
次に、ディジタル信号処理装置１１は、ＡＤコンバーター７で取得したＶＣＯ制御電圧ＶＣＯ＿Ｖと、ＶＣＯ＿Ｖ＿Ａｖｅとの差の絶対値を計算する。ディジタル信号処理装置１１は、前記差の絶対値を、メモリ装置１４に保持された許容変動量と比較する（ステップＢ−２）。
【００５９】
ここで、前記差の絶対値が許容変動量内に収まっている場合、ディジタル信号処理装置１１は、移相器（図７の移相器６６中のＬ１）に決定、終了する（ステップＢ−３）。
【００６０】
前記差の絶対値が許容変動量を超えた場合、つまり、ＶＣＯ制御電圧が大きく変動した場合、ディジタル信号処理装置１１は、送信信号の高調波のＶＣＯ５への回り込みによる影響でＶＣＯ５が揺れ、ＥＶＭ劣化を引き起こしていると判断し、ディジタル信号処理装置１１は、ＲＦ装置１３（図４）に対し、移相器変更命令を出す。ＲＦ装置１３は、移相器変更命令に応答して、移相器６６のスイッチＳＷを切り替え、次の移相器（図７の移相器６６中のＬ２）に切り替える。これにより、ＶＣＯ５に回り込む送信周波数の高調波とＶＣＯ５出力との位相の関係を変える。また、メモリ装置１４から移相器（Ｌ２）のアナログ遅延量を読み出し、ディジタル信号処理装置１１に設定する（ステップＢ−４）。これを移相可能な限り繰り返す。
【００６１】
これにより、上記第２の実施形態では、送信ＥＶＭ特性を確保しつつ、移相器６６により位相量を変更した際にも、送信タイミングの最適化を可能とする。
【００６２】
次に、本発明の第３の実施形態による携帯電話端末について説明する。
【００６３】
この第３の実施形態による携帯電話端末は、以下の点を除けば、上記第２の実施形態による携帯電話端末と同様の構成を有する。即ち、この第３の実施形態による携帯電話端末では、更に、図１１に示すように、ＲＦＩＣ３１の送信変調器が、ＰＬＬシンセサイザ６１と移相器６３との間（即ち、ＰＬＬシンセサイザ６１のＶＣＯ５（図８）出力と移相器６３との間）にバッファとしてアンプ６７を追加されて構成されている。
【００６４】
即ち、図１１に示すように、ＲＦＩＣ３１中の送信変調器は、ＰＬＬシンセサイザ６１、分周器６２、移相器６３、ミキサ６４、送信用ゲイン可変アンプ６５、移相器６６、及び追加されたアンプ６７を有する。電源装置１５（図４）から可変電圧をアンプ６７に供給可能とする。あるいは、ＲＦＩＣ３１内に昇降圧可能な電源を内蔵し、この内蔵電源から可変電圧をアンプ６７に供給可能とする。
【００６５】
このように、上記第３の実施形態は、ＶＣＯ５出力にアンプ６７を追加し、送信ＥＶＭ劣化している場合に、アンプ６７に供給する電圧をそれまでより大きくし、結果としてＶＣＯ５出力信号のＳＮ(Signal to Noise)比を向上させ、ＶＣＯ５に回り込んだ送信周波数の高調波からの耐性を強くするものである。
【００６６】
ここで、図１２を参照して、上記第３の実施形態による携帯電話端末の動作（送信ＥＶＭ改善方法）を説明する。
【００６７】
まず、図１２において、ステップＣ−０〜ステップＣ−３までは、上記第２の実施形態のステップＢ−０〜ステップＢ−３と同じである。
【００６８】
ここで、ディジタル信号処理装置１１がステップＣ−２（上記第２の実施形態のステップＢ−２と同じステップ）を実行した結果、前記差の絶対値が許容変動量を超えた場合、つまり、ＶＣＯ制御電圧が大きく変動した場合、ディジタル信号処理装置１１は、送信信号の高調波のＶＣＯ５への回り込みによる影響でＶＣＯ５が揺れ、ＥＶＭ劣化を引き起こしていると判断し、ディジタル信号処理装置１１は、バッファとしてのアンプ６７に供給する電圧を上げる（ステップＣ−４）。例えば、２．８Ｖ供給だったものを３．５Ｖなどに上げる。昇降圧電源で任意な電圧設定が可能な場合もあるが、ここでは、説明を簡単にするため、１回だけ電圧を上げることにする。
【００６９】
次に、ＶＣＯ制御電圧をモニターするＡＤコンバーター７（図８）においてＶＣＯ制御電圧値を取得し、取得したＶＣＯ制御電圧値の平均化をディジタル信号処理装置１１（図４）において開始する。ディジタル信号処理装置１１は、例えば、１００回といった最低回数（図４のメモリ装置１４に保持された回数）の平均化を継続する。この平均化された値をＶＣＯ＿Ｖ＿Ａｖｅとし、ＶＣＯ制御電圧を取得するたびに更新する（ステップＣ−５）。
【００７０】
次に、ディジタル信号処理装置１１は、ＡＤコンバーター７で取得したＶＣＯ制御電圧ＶＣＯ＿Ｖと、ＶＣＯ＿Ｖ＿Ａｖｅとの差の絶対値を計算する。ディジタル信号処理装置１１は、前記差の絶対値を、メモリ装置１４に保持された許容変動量と比較する（ステップＣ−６）。
【００７１】
ここで、前記差の絶対値がこの時点で許容変動量内に収まった場合、ディジタル信号処理装置１１は、処理を終了する（ステップＣ−６）。
【００７２】
前記差の絶対値が許容変動量をこの時点でも超えている場合、ディジタル信号処理装置１１は、送信信号の高調波のＶＣＯ５への回り込みによる影響でＶＣＯ５が揺れ、ＥＶＭ劣化を引き起こしていると判断し、ディジタル信号処理装置１１は、ＲＦ装置１３（図４）に対し、移相器変更命令を出す。ＲＦ装置１３は、移相器変更命令に応答して、移相器６６のスイッチＳＷを切り替え、次の移相器（図７の移相器６６中のＬ２）に切り替える。これにより、ＶＣＯ５に回り込む送信周波数の高調波とＶＣＯ５出力との位相の関係を変える。また、メモリ装置１４から移相器（Ｌ２）のアナログ遅延量を読み出し、ディジタル信号処理装置１１に設定する（ステップＣ−７）。これを移相可能な限り繰り返す。
【００７３】
これにより、上記第３の実施形態では、ＶＣＯ５に回り込んだ送信周波数の高調波からの耐性を強くし、送信ＥＶＭ特性を確保することを可能とする。
【００７４】
次に、本発明の第４の実施形態による携帯電話端末について説明する。
【００７５】
この第４の実施形態による携帯電話端末は、以下の点を除けば、上記第３の実施形態による携帯電話端末と同様の構成を有する。即ち、この第４の実施形態による携帯電話端末では、更に、ＲＦ装置１３（図５）のアンテナスイッチ（ＡＮＴＳＷ）３６（図５）及びＰＡ３３に供給する電圧を規定値より大きくし、アンテナスイッチ（ＡＮＴＳＷ）３６及びＰＡ３３アンテナスイッチ（ＡＮＴＳＷ）３６及びＰＡ３３の線形性を高めることが可能な構成を有する。アンテナスイッチ（ＡＮＴＳＷ）３６及びＰＡ３３の線形性を高めることで、発生する高調波レベルを下げ、結果として、ＶＣＯ５に回り込む高調波レベルを下げる。このことにより、送信ＥＶＭ特性を確保するものである。ＰＡ３３の線形性を高めるために、電源装置１５（図４）に昇降圧電源が用意されていることが一般的であり、アンテナスイッチ（ＡＮＴＳＷ）３６の線形性を高めるために、アンテナスイッチ（ＡＮＴＳＷ）３６に昇圧電源が内臓化されているのが一般的である。本実施形態では、それら一般的な場合よりも、高調波特性を改善するために、更にアンテナスイッチ（ＡＮＴＳＷ）３６及びＰＡ３３への供給電圧を上げるものである。
【００７６】
次に、図１３を参照して、上記第４の実施形態による携帯電話端末の動作（送信ＥＶＭ改善方法）を説明する。
【００７７】
まず、図１３において、ステップＤ−０〜ステップＤ−３までは、上記第２の実施形態のステップＢ−０〜ステップＢ−３（即ち、上記第３の実施形態のステップＣ−０〜ステップＣ−３）と同じである。
【００７８】
ここで、ディジタル信号処理装置１１がステップＤ−２（上記第２の実施形態のステップＢ−２と同じステップ）を実行した結果、前記差の絶対値が許容変動量を超えた場合、つまり、ＶＣＯ制御電圧が大きく変動した場合、ディジタル信号処理装置１１は、送信信号の高調波のＶＣＯ５への回り込みによる影響でＶＣＯ５が揺れ、ＥＶＭ劣化を引き起こしていると判断し、ディジタル信号処理装置１１は、バッファとしてのアンプ６７に供給する電圧を上げる（ステップＤ−４）。例えば、２．８Ｖ供給だったものを３．５Ｖなどに上げる。昇降圧電源で任意な電圧設定が可能な場合もあるが、ここでは、説明を簡単にするため、１回だけ電圧を上げることにする。
【００７９】
ディジタル信号処理装置１１は、アンプ６７に供給する電圧を上げることに加え、アンテナスイッチ（ＡＮＴＳＷ）３６及びＰＡ３３に供給する電圧も上げる（ステップＤ−４）。例えば、ＰＡ３３の場合、３．５Ｖ供給だったものを４．０Ｖなどに上げる。
【００８０】
上記ステップＤ−４に続いてディジタル信号処理装置１１が実行するステップＤ−５〜ステップＤ−７までは、上記第３の実施形態のステップＣ−５〜ステップＣ−７と同じである。これを移相可能な限り繰り返す。
【００８１】
上記第４の実施形態による効果は以下のとおりである。
【００８２】
第１の効果は、移相制御によりＶＣＯ５への送信信号やその高調波の回り込みによる送信ＥＶＭ劣化を回避できる。
【００８３】
第２の効果は、移相制御に伴いアナログ遅延量を更新することで、送信タイミングを最適化できる。
【００８４】
第３の効果は、ＶＣＯ出力バッファとして働くアンプ６７のＳＮ特性を上げる制御を行うことで、ＶＣＯ５への送信信号やその高調波の回り込みによるＥＶＭ劣化に対する耐性を向上させることができる。
【００８５】
第４の効果は、アンテナスイッチ（ＡＮＴＳＷ）３６及びＰＡ３３の線形性を向上させる制御を行うことで、ＶＣＯ５への送信信号高調波の回りこみ量を低減させ、送信ＥＶＭ劣化を回避できる。
【００８６】
以上、実施形態を参照して本願発明を詳細に説明したが、本願発明は上記実施形態に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解できる様々な変更をすることができる。
【００８７】
上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限定されない。
【００８８】
（付記１）
ＰＬＬシンセサイザを有する送信変調器と、該送信変調器の出力信号を受け送信信号を出力するパワー増幅器とを備え、前記ＰＬＬシンセサイザはＶＣＯを有する携帯電話端末であって、
前記ＶＣＯを制御しているＶＣＯ制御電圧をモニターするＡＤコンバーターと、
前記送信変調器の出力信号の位相量を別の位相量に切り替えることができる移相器と、
前記ＡＤコンバーターに接続された処理部とを有し、
前記処理部は、前記ＶＣＯ制御電圧の変動量が許容変動量を超えた場合、前記送信信号或いは前記送信信号の高調波の前記ＶＣＯへの回り込みによる送信ＥＶＭ劣化が起こったと判断し、前記移相器に、前記送信変調器の出力信号の位相量を別の位相量に切り替えさせ、これにより前記送信信号或いは前記送信信号の高調波と前記ＶＣＯの出力信号との位相の関係をずらすことを特徴とする携帯電話端末。
【００８９】
（付記２）
付記１に記載の携帯電話端末において、
前記処理部は、前記移相器の位相量の切り替えを行うと共に、前記移相器のアナログ遅延量を更新値に更新することを特徴とする携帯電話端末。
【００９０】
（付記３）
付記１に記載の携帯電話端末において、
前記送信変調器は、前記ＶＣＯの出力と前記前記移相器との間にバッファとして追加されたアンプを有し、
前記処理部は、前記ＶＣＯ制御電圧の変動量が許容変動量を超えた場合、前記アンプのＳＮ比を向上させる制御を行うことを特徴とする携帯電話端末。
【００９１】
（付記４）
付記１に記載の携帯電話端末において、
前記処理部は、前記ＶＣＯ制御電圧の変動量が許容変動量を超えた場合、前記パワー増幅器の線形性を向上させる制御を行い、前記ＶＣＯへの前記送信信号或いは前記送信信号の高調波による回り込み量を低減させることを特徴とする携帯電話端末。
【００９２】
（付記５）
ＰＬＬシンセサイザを有する送信変調器と、該送信変調器の出力信号を受け送信信号を出力するパワー増幅器とを備え、前記ＰＬＬシンセサイザはＶＣＯを有する携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法であって、
前記ＶＣＯを制御しているＶＣＯ制御電圧をモニターし、
前記ＶＣＯ制御電圧の変動量が許容変動量を超えた場合、前記送信信号或いは前記送信信号の高調波の前記ＶＣＯへの回り込みによる送信ＥＶＭ劣化が起こったと判断し、前記送信変調器の出力信号の位相量を別の位相量に移相器において切り替え、これにより前記送信信号或いは前記送信信号の高調波と前記ＶＣＯの出力信号との位相の関係をずらすことを特徴とする携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法。
【００９３】
（付記６）
付記５に記載の携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法において、
前記移相器の位相量の切り替えを行うと共に、前記移相器のアナログ遅延量を更新値に更新することを特徴とする携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法。
【００９４】
（付記７）
付記５に記載の携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法において、
前記送信変調器に、前記ＶＣＯの出力と前記前記移相器との間にバッファとしてアンプを追加し、
前記ＶＣＯ制御電圧の変動量が許容変動量を超えた場合、前記アンプのＳＮ比を向上させる制御を行うことを特徴とする携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法。
【００９５】
（付記８）
付記５に記載の携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法において、
前記ＶＣＯ制御電圧の変動量が許容変動量を超えた場合、前記パワー増幅器の線形性を向上させる制御を行い、前記ＶＣＯへの前記送信信号或いは前記送信信号の高調波による回り込み量を低減させることを特徴とする携帯電話端末における送信ＥＶＭ改善方法。
【符号の説明】
【００９６】
１    温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）
２    分周器（１／Ｒ）
３    位相比較器
４    ループフィルタ
５    ＶＣＯ
６    分周器（１／Ｎ）
７    ＡＤコンバーター（ＡＤＣ）
１０    ＣＰＵ装置
１１    ディジタル信号処理装置
１２    アナログ信号処理装置
１３    ＲＦ装置
１４    メモリ装置
１５    電源装置
１６    バッテリー
１７    アンテナ
３１    ＲＦＩＣ
３２    バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）
３３    ＰＡ
３４    アイソレータ
３５    デュプレクサ
３６    アンテナスイッチ（ＡＮＴＳＷ）
３７    ＬＮＡ
３８    バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）
６１    ＰＬＬシンセサイザ
６２    分周器
６３    移相器
６４    ミキサ
６５    送信用ゲイン可変アンプ
６６  移相器
６７    アンプ（バッファ）
【図１】
2011216972.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2011216972.tif 000011
【図１０】
2011216972.tif 000012
【図１１】
2011216972.tif 000013
【図１２】
2011216972.tif 000014
【図１３】
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