(57)【要約】【課題】耐光性寿命をさらに向上させることができる液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法並びに投射表示装置を提供すること。【解決手段】液晶層１３を挟持する素子基板１１及び対向基板を備え、素子基板１１が、ＳｉＯ２を含む第１誘電体層３３と、第１誘電体層３３上に斜方蒸着によって形成され、液晶層１３を構成する液晶分子の配向を規制する第１無機配向膜３４と、を有し、第１誘電体層３３の表面にあるシラノール基が、シラン化合物によって表面処理されている。【選択図】図４
2011215455.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持する一対の基板を備える液晶表示装置であって、
一対の前記基板の少なくとも一方が、ＳｉＯ２を含む誘電体層と、前記誘電体層上に斜方蒸着によって形成され、前記液晶層を構成する液晶分子の配向を規制する無機配向膜と、を有し、
前記誘電体層の表面にあるシラノール基が、シラン化合物によって表面処理されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記誘電体層において前記無機配向膜を構成するカラムによって被覆されている部分には、表面処理が施されていないことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記誘電体層において前記無機配向膜を構成するカラムによって被覆されている部分には、表面処理が施されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記カラムの表面には、表面処理が施されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
液晶層を挟持する一対の基板を備える液晶表示装置の製造方法であって、
一対の前記基板の少なくとも一方を形成する工程が、
基体上にＳｉＯ２を含む誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、
前記誘電体層上に前記液晶層を構成する液晶分子の配向を規制する無機配向膜を斜方蒸着によって形成する配向膜形成工程と、
前記誘電体層の表面をシラン化合物によって表面処理する表面処理工程と、
を備えることを特徴とする製造方法。
【請求項６】
前記表面処理工程が、前記配向膜形成工程の後に行われることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記シラン化合物が、一般式（１）
【化１】
2011215455.tif 000008
［式中ｎは１または２、ｍは６から１８の整数である］
で表されることを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記表面処理工程が、前記配向膜形成工程の前に行われることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項９】
前記シラン化合物が、一般式（２）
【化２】
2011215455.tif 000009
［式中ｎは１または２、ｍは６から１８の整数である］
で表されることを特徴とする請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記配向膜形成工程の後に、前記無機配向膜の表面をシラン化合物によって表面処理をすることを特徴とする請求項８または９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記誘電体層形成工程では、テトラエトキシシランを原料ガスとして用いるプラズマＣＶＤ法によって前記誘電体層を形成することを特徴とする請求項５から１０のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備えることを特徴とする投射表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法並びに投射表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では、液晶分子の配向を規制する液晶分子の配向モードとして、電圧を印加していない状態で液晶分子が基板面に対してほぼ垂直に配向した垂直配向モードがある。このように、負の誘電率異方性を有する液晶を備える液晶表示装置では、液晶分子を配向する場合、ポリイミドなどの有機材料で形成された有機配向膜だけではなく、ＳｉＯやＳｉＯ２などの無機材料を基板に斜方蒸着することによって形成された無機配向膜も用いられている。
【０００３】
近年、液晶プロジェクタの高精細化や高輝度化に伴って、液晶プロジェクタに用いられる液晶表示装置に入射する光の強度が高くなってきている。そのため、有機配向膜を使用した液晶表示装置では、光や熱によって配向膜が劣化し、その結果、配向膜による液晶分子の配向規制力が低下して液晶分子の配向状態が乱れてしまう。これにより、液晶表示装置のコントラスト費が低下するなど、表示不良が発生することがある。そこで、有機配向膜と比べて耐光性や耐熱性に優れた無機配向膜が注目されてきている。
【０００４】
しかし、無機配向膜には、例えば水分が反応することによってシラノール基が形成されることがある。このシラノール基は、液晶表示装置の動作時に発生する光によって液晶分子と光化学反応して液晶表示装置に光漏れなどを発生させることがある。そこで、無機配向膜に表面処理を施すことによってシラノール基と液晶分子との光化学反応を抑制する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２５５２９号公報
【特許文献２】特開２００７−２５５３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の液晶表示装置においても、以下の課題が残されている。すなわち、液晶層を駆動する画素電極上には、画素電極によって形成される凹凸を吸収し、凹凸によって液晶分子の配向が乱れることを防止するために、表面を平坦化する誘電体層が形成されており、この誘電体層上に無機配向膜が形成されているが、誘電体層を形成することによって誘電体層を形成しない場合と比較して耐光性寿命が低下することがあるという問題がある。
【０００７】
したがって、本発明は、耐光性寿命をさらに向上させることができる液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法並びに投射表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかる液晶表示装置は、液晶層を挟持する一対の基板を備える液晶表示装置であって、一対の前記基板の少なくとも一方が、ＳｉＯ２を含む誘電体層と、前記誘電体層上に斜方蒸着によって形成され、前記液晶層を構成する液晶分子の配向を規制する無機配向膜と、を有し、前記誘電体層の表面にあるシラノール基が、シラン化合物によって表面処理されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明にかかる液晶表示装置の製造方法は、液晶層を挟持する一対の基板を備える液晶表示装置の製造方法であって、一対の前記基板の少なくとも一方を形成する工程が、基体上にＳｉＯ２を含む誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、前記誘電体層上に前記液晶層を構成する液晶分子の配向を規制する無機配向膜を斜方蒸着によって形成する配向膜形成工程と、前記誘電体層の表面にあるシラノール基をシラン化合物によって表面処理する表面処理工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
この発明では、斜方蒸着によって形成された無機配向膜の下面において液晶層に露出する誘電体層の表面を表面処理しておくことにより、誘電体層表面において液晶分子と反応するシラノール基を低減することができる。すなわち、無機配向膜が斜方蒸着によって形成されているため、誘電体層の表面は、密度の低い無機配向膜によって完全に被覆されておらず、一部が液晶層に露出してしまい、この露出した部分に残存しているシラノール基が液晶分子と光化学反応することがある。そこで、誘電体層のうち少なくとも液晶層に対して露出する部分に表面処理を施すことにより、液晶層の劣化を防止して液晶表示装置の耐光寿命を増大させることができる。
【００１１】
また、本発明における液晶表示装置は、前記誘電体層において前記無機配向膜を構成するカラムによって被覆されている部分には、表面処理が施されていないことが好ましい。
また、本発明における液晶表示装置の製造方法は、前記表面処理工程が、前記配向膜形成工程の後に行われることが好ましい。
この発明では、無機配向膜と無機配向膜から露出している誘電体層の表面とに一括して表面処理を施すことができる。
【００１２】
また、本発明における液晶表示装置の製造方法は、前記シラン化合物が、一般式（１）
【化１】
2011215455.tif 000003
［式中ｎは１または２、ｍは６から１８の整数である］で表されることが好ましい。
この発明では、長鎖アルキルを有するシラン化合物を用いることによって無機配向膜と液晶層との間に強い界面アンカリング効果を発生させることができ、液晶分子の配向規制を行うことができる。
【００１３】
また、本発明における液晶表示装置は、前記誘電体層において前記無機配向膜を構成するカラムによって被覆されている部分には、表面処理が施されていることが好ましい。
また、本発明における液晶表示装置の製造方法は、前記表面処理工程が、前記配向膜形成工程の前に行われることが好ましい。
この発明では、表面処理を無機配向膜と一括ではなく誘電体層のみに対して行うことで、誘電体層表面に残存するシラノール基をより確実に低減できる。
【００１４】
また、本発明における液晶表示装置の製造方法は、前記シラン化合物が、一般式（２）
【化２】
2011215455.tif 000004
［式中ｎは１または２、ｍは６から１８の整数である］で表されることが好ましい。
この発明では、表面処理された部分が無機配向膜で覆われ、液晶層に対して露出する部分が少ないため、長鎖アルキルを有するシラン化合物に限らずさまざまなシラン化合物を用いることができる。
【００１５】
また、本発明における液晶表示装置は、前記カラムの表面には、表面処理が施されていることが好ましい。
また、本発明における液晶表示装置の製造方法は、前記配向膜形成工程の後に、前記無機配向膜の表面をシラン化合物によって表面処理をすることが好ましい。
この発明では、無機配向膜を形成した後に再度表面処理を施すことで、無機配向膜表面において液晶分子と反応するシラノール基を低減することができる。
【００１６】
また、本発明における液晶表示装置の製造方法は、前記誘電体層形成工程では、テトラエトキシシランを原料ガスとして用いるプラズマＣＶＤ法によって前記誘電体層を形成することが好ましい。
この発明では、誘電体層表面の残存シアノール基を予め低減させておくことができる。
【００１７】
また、本発明における投射表示装置は、上記記載の液晶表示装置を備えることを特徴とする。
この発明では、上述のように、誘電体層表面において液晶分子と反応するシラノール基を低減することにより、液晶層の劣化を防止して液晶表示装置の耐光寿命を増大させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施形態における液晶表示装置を示す概略平面図である。
【図２】図１の等価回路図である。
【図３】画素領域を示す断面図である。
【図４】図３の部分拡大図である。
【図５】図１の液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。
【図６】表面処理を示す説明図である。
【図７】図１の液晶表示装置を備える投射型表示装置を示す概略構成図である。
【図８】第２の実施形態における液晶表示装置を示す部分拡大図である。
【図９】図８の液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。
【図１０】第３の実施形態における液晶表示装置を示す部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
［第１の実施形態］
以下、本発明における液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法の第１の実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。
【００２０】
〔液晶表示装置〕
本実施形態における液晶表示装置１は、例えば後述するプロジェクタ（投射型表示装置）１００において光変調手段として用いられる液晶表示装置であって、図１に示すように、素子基板（第１基板）１１及び対向基板（第２基板）１２と、素子基板１１及び対向基板１２の間に挟持された液晶層１３と、を備えている。また、液晶表示装置１は、素子基板１１及び対向基板１２が対向する対向領域の外周部に設けられた枠状のシール材１４によって素子基板１１と対向基板１２とを貼り合わせている。そして、液晶表示装置１におけるシール材の内側に、画像表示領域が形成されている。
【００２１】
液晶表示装置１の画像表示領域には、図２に示すように、複数の画素領域がマトリクス状に配置されている。この画素領域それぞれには、画素電極２１及び後述する共通電極４３と、画素電極２１をスイッチング制御するためのＴＦＴ素子２２と、が形成されている。また、画像表示領域には、複数のデータ線２３及び走査線２４が格子状に配置されている。
【００２２】
ＴＦＴ素子２２は、ソースがデータ線２３に接続され、ゲートが走査線２４に接続されると共に、ドレインが画素電極２１に接続されている。
データ線２３は、図示しないデータ線駆動回路から画像信号Ｓ１〜Ｓｎが画素領域それぞれに供給される構成となっている。また、走査線２４は、図示しない走査線駆動回路から走査信号Ｇ１〜Ｇｍがサブ画素領域それぞれに供給される構成となっている。なお、画素電極２１に書き込まれた画像信号Ｓ１〜Ｓｎのリークを防止するため、画素電極２１と並列に保持容量２５が設けられている。また、液晶表示装置１には、データ線駆動回路及び走査線駆動回路と液晶表示装置１の外部とを接続するための端子（図示略）が形成されている。
【００２３】
次に、液晶表示装置１の詳細な構成について説明する。
素子基板１１は、図３に示すように、基板本体３１と、基板本体３１の内側（液晶層１３側）の表面に形成された素子形成層３２と、素子形成層３２上に形成された画素電極２１と、画素電極２１上に形成された第１誘電体層（誘電体層）３３と、第１誘電体層３３の液晶層１３側に形成された第１無機配向膜（無機配向膜）３４と、を備えている。
素子形成層３２は、絶縁膜や半導体膜、導体膜を適宜積層した構成となっており、データ線２３及び走査線２４やＴＦＴ素子２２を構成し、複数の画素領域それぞれに形成された画素電極２１を個別に駆動可能となっている。これら基板本体３１と素子形成層３２とによって、基体３５が構成されている。
画素電極２１は、例えばＡｌなど反射膜を構成する導電性材料で形成されている。
【００２４】
第１誘電体層３３は、例えばＳｉＯ２など、ＳｉＯ２を含む誘電体によって形成されており、例えばテトラエトキシシランを原料ガスとして用いるプラズマＣＶＤ法によって基体３５上に形成されている。
第１無機配向膜３４は、第１誘電体層３３と同様に、例えばＳｉＯ２など、ＳｉＯ２を含む誘電体によって形成されており、図４に示すように、斜方蒸着によって第１誘電体層３３の表面に対して傾斜するように形成された複数のカラム３４ａを有する。第１無機配向膜３４が斜方蒸着によって形成されているため、カラム３４ａは、第１誘電体層３３の表面において密度の低い状態で形成される。そのため、カラム３４ａ間からは、第１誘電体層３３の表面が露出している。
【００２５】
また、第１無機配向膜３４の表面とカラム３４ａ間から露出している第１誘電体層３３の表面とには、下記式（３）で表されるトリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いた表面処理が施されている。このような表面処理を施すことにより、第１無機配向膜３４の表面と第１誘電体層３３の表面のうちカラム３４ａ間から露出している部分とに表面処理膜３６が形成され、この部分にあるアルキル基が低減される。
【００２６】
【化３】
2011215455.tif 000005
【００２７】
一方、対向基板１２は、例えばガラスや石英などの透光性材料からなる基板本体（基体）４１と、基板本体４１の内側の表面に形成された遮光膜４２と、遮光膜４２上に形成された共通電極４３と、共通電極４３上に形成された第２誘電体層（誘電体層）４４と、第２誘電体層４４の液晶層１３側に形成された第２無機配向膜（無機配向膜）４５と、を備えている。
遮光膜４２は、例えば黒色樹脂で構成され、基板本体４１の表面において平面視で画素領域の縁部と重なる領域に形成されており、画素領域を縁取っている。
【００２８】
共通電極４３は、例えばＩＴＯやＩＺＯなど透光性の導電材料で形成されている。この共通電極４３は、複数の画素領域全体にわたって共通する電極となっている。
第２誘電体層４４は、第１誘電体層３３と同様に例えばＳｉＯ２など、ＳｉＯ２を含む誘電体によって形成されている。また、第２誘電体層４４は、例えばテトラエトキシシランを原料ガスとして用いるプラズマＣＶＤ法によって基板本体４１上に形成されている。
【００２９】
第２無機配向膜４５は、第１無機配向膜３４と同様に、例えばＳｉＯ２など、ＳｉＯ２を含む誘電体によって形成されており、斜方蒸着法によって第２誘電体層４４の表面に対して傾斜するように形成されている。そして、第２無機配向膜４５を構成するカラム間からは、第２誘電体層４４の表面が露出している。
さらに、第２無機配向膜４５には、トリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて表面処理が施されており、第２無機配向膜４５の表面と第２誘電体層４４の表面のうちカラム間から露出している部分とにあるアルキル基が低減される。
【００３０】
液晶層１３は、屈折率異方性Δｎが例えば０．１である負の誘電率異方性を有する液晶によって形成されている。ここで、素子基板１１及び対向基板１２のそれぞれに設けられた第１及び第２無機配向膜３４、４５には、斜方蒸着によって形成されることで、素子基板１１及び対向基板１２それぞれの法線方向から液晶分子を所定角度傾斜させるプレチルトが付与されている。本実施形態では、素子基板１１と対向基板１２との間でプレチルトの方位角方向は反平行（アンチパラレル）状態となるよう設定されている。そのため、この液晶分子は、電圧を印加していない初期配向状態においてツイスト角がほぼ０度に設定されている。
【００３１】
〔液晶表示装置の製造方法〕
次に、上述した液晶表示装置１の製造方法について説明する。
最初に、素子基板１１の形成方法について説明する。まず、基板本体３１上に絶縁膜や半導体膜、導体膜を適宜積層して素子形成層３２を形成し、さらに素子形成層３２上に画素電極２１を形成する（図５（ａ）参照）。
【００３２】
そして、テトラエトキシシランを原料ガスとしたプラズマＣＶＤ法を用いて、素子形成層３２上にＳｉＯ２を含む誘電体からなる第１誘電体層３３を形成する（誘電体層形成工程、図５（ｂ）参照）。このとき、素子形成層３２上に形成されている画素電極２１によって第１誘電体層３３の表面に凹凸が形成されているが、表面を化学機械研磨（ＣＭＰ）やエッチバックによって平坦化する。
【００３３】
続いて、斜方蒸着法を用いて、第１誘電体層３３の表面にＳｉＯ２からなる第１無機配向膜３４を形成する（配向膜形成工程、図５（ｃ）参照）。このとき、第１無機配向膜３４を構成する複数のカラム３４ａは、斜方蒸着で形成されていることから、第１誘電体層３３上において密度の低い状態で形成されている。そのため、第１誘電体層３３の表面は、第１無機配向膜３４を構成するカラム３４ａによって完全には覆われておらず、一部が露出している（図５（ｄ）参照）。ここで、図６（ａ）に示すように、第１誘電体層３３の表面のうちカラム３４ａの間から露出している部分には、アルキル基が残存している。
【００３４】
そして、トリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて、第１無機配向膜３４と第１誘電体層３３の表面のうち露出している一部分とに表面処理を施す（表面処理工程、図５（ｅ）参照）。これにより、第１無機配向膜３４の表面と第１誘電体層３３の表面のうちカラム３４ａの間から露出している部分とが表面処理膜３６で被覆され、図６（ｂ）に示すように、残存しているアルキル基が低減される。
このようにして、素子基板１１を形成する。
【００３５】
続いて、対向基板１２の形成方法について説明する。まず、基板本体４１上に遮光膜４２及び共通電極４３を形成し、さらにテトラエトキシシランを原料ガスとしたプラズマＣＶＤ法を用いて、共通電極４３上にＳｉＯ２を含む誘電体からなる第２誘電体層４４を形成する（誘電体層形成工程）。
そして、上述と同様に、斜方蒸着を用いて、共通電極４３の表面にＳｉＯ２からなる第２無機配向膜４５を形成する（配向膜形成工程）。その後、トリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて、第２無機配向膜４５に表面処理を施す（表面処理工程）。これにより、第２無機配向膜４５の表面において残存しているアルキル基が低減される。
このようにして、対向基板１２を形成する。
【００３６】
その後、素子基板１１と対向基板１２との間に液晶層１３を挟持した状態でシール材により素子基板１１と対向基板１２とを貼り合せる。ここで、長鎖アルキルを有するトリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて第１及び第２無機配向膜３４、４３に表面処理を施しているため、第１及び第２無機配向膜３４、４３と液晶層１３との間に強い界面アンカリング効果を発生し、液晶分子の配向規制が行われる。以上のようにして、液晶表示装置１を製造する。
【００３７】
〔投射型表示装置〕
そして、上述した液晶表示装置１は、例えば図７に示すようなプロジェクタ１００の光変調手段として用いられる。このプロジェクタ１００は、図７に示すように、光源１０１と、ダイクロイックミラー１０２、１０３と、本発明の液晶表示装置１からなる赤色光用光変調手段１０４、緑色光用光変調手段１０５及び青色光用光変調手段１０６と、導光手段１０７と、反射ミラー１１０〜１１２と、クロスダイクロイックプリズム１１３と、投射レンズ１１４と、を備えている。そして、プロジェクタ１００から出射したカラー画像光は、スクリーン１１５上に投影される。
【００３８】
光源１０１は、メタルハライドなどのランプ１０１ａと、ランプ１０１ａの光を反射するリフレクタ１０１ｂとを備えている。
ダイクロイックミラー１０２は、光源１０１からの白色光に含まれる赤色光を透過させると共に、緑色光と青色光とを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１０３は、ダイクロイックミラー１０２で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。
【００３９】
赤色光用光変調手段１０４は、ダイクロイックミラー１０２を透過した赤色光が入射され、入射した赤色光を所定の画像信号に基づいて変調する構成となっている。また、緑色光用光変調手段１０５は、ダイクロイックミラー１０３で反射された緑色光が入射され、入射した緑色光を所定の画像信号に基づいて変調する構成となっている。そして、青色光用光変調手段１０６は、ダイクロイックミラー１０３を透過した青色光が入射され、入射した青色光を所定の画像信号に基づいて変調する構成となっている。
【００４０】
導光手段１０７は、入射レンズ１０７ａとリレーレンズ１０７ｂと出射レンズ１０７ｃとによって構成されており、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。
反射ミラー１１０は、ダイクロイックミラー１０２を透過した赤色光を赤色光用光変調手段１０４に向けて反射する構成となっている。また、反射ミラー１１１は、ダイクロイックミラー１０３及び入射レンズ１０７ａを透過した青色光をリレーレンズ１０７ｂに向けて反射する構成となっている。また、反射ミラー１１２は、リレーレンズ１０７ｂを出射した青色光を出射レンズ１０７ｃに向けて反射する構成となっている。
【００４１】
クロスダイクロイックプリズム１１３は、４つの直角プリズムを貼り合わせることによって構成されており、その界面には赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これら誘電体多層膜により３つの色の光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。
投射レンズ１１４は、クロスダイクロイックプリズム１１３によって合成されたカラー画像を拡大してスクリーン１１５上に投影する構成となっている。
【００４２】
以上のような構成の液晶表示装置１及び液晶表示装置１の製造方法ならびにプロジェクタ１００によれば、第１及び第２誘電体層３３、４３の表面のうち第１及び第２無機配向膜３４、４３から液晶層１３に対して露出する部分に表面処理を施すことで、第１及び第２誘電体層３３、４３の表面において液晶分子と反応するシラノール基を低減することができる。したがって、液晶層１３の劣化をより確実に防止して液晶表示装置１の耐光寿命を増大させることができる。
ここで、第１無機配向膜３４の形成後に表面処理を施すことで、第１無機配向膜３４及び第１誘電体層３３それぞれに対して一括して表面処理を施すことができる。これは、第２無機配向膜４５及び第２誘電体層４４についても同様である。このとき、長鎖アルキルを有するトリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて第１及び第２無機配向膜３４、４３に表面処理を施しているため、第１及び第２誘電体層３３、４３と液晶層１３との間に強い界面アンカリング効果を発生し、液晶分子の配向規制が行える。
【００４３】
なお、本実施形態では、トリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて表面処理を行っているが、下記式（４）で表されるトリメトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて表面処理を行ってもよい。
【００４４】
【化４】
2011215455.tif 000006
【００４５】
［第２の実施形態］
以下、本発明における液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法の第２の実施形態を、図面を用いて説明する。なお、本実施形態では、第１の実施形態と素子基板及び対向基板の製造方法が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００４６】
〔液晶表示装置〕
本実施形態における液晶表示装置２００の素子基板２０１は、図８に示すように、第１誘電体層３３に表面処理を行うことによって形成された表面処理膜２０２が形成されている。この表面処理では、下記式（５）で表されるトリエトキシメチルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液が用いられている。なお、本実施形態では、第１無機配向膜３４を構成するカラム３４ａの表面には、表面処理が行われておらず、表面処理膜２０２が形成されていない。
【００４７】
【化５】
2011215455.tif 000007
【００４８】
なお、図示していないが、液晶表示装置２００の対向基板にも同様の表面処理が施されている。
【００４９】
〔液晶表示装置の製造方法〕
次に、液晶表示装置２００の製造方法について説明する。まず、上述した第１の実施形態と同様に、基板本体３１上に素子形成層３２及び画素電極２１を形成し、さらに第１誘電体層３３を形成する（誘電体層形成工程、図９（ａ）参照）。
そして、トリエトキシメチルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて、第１誘電体層３３の表面に表面処理を施す（表面処理工程、図９（ｂ）参照）。これにより、第１誘電体層３３の表面が表面処理膜２０２で被覆され、残存しているアルキル基が低減される。
【００５０】
続いて、斜方蒸着法を用いて、第１誘電体層３３の表面にＳｉＯ２からなる第１無機配向膜３４を形成する（無機配向膜、図９（ｃ）参照）。このとき、第１無機配向膜３４を構成する複数のカラム３４ａは、表面処理膜２０２によって被覆されていない。
このようにして、素子基板２０１を形成する。
その後、素子基板２０１と同様に対向基板を形成し、上述した第１の実施形態と同様に液晶表示装置２００を製造する。
【００５１】
以上のような構成の液晶表示装置２００及び液晶表示装置２００の製造方法においても、上述と同様の作用、効果を奏するが、第１誘電体層３３のみに表面処理を行うことで、第１誘電体層３３の表面に残存するシラノール基をより確実に低減できる。また、表面処理層２０２が第１無機配向膜３４で覆われ、表面処理層２０２が液晶の配向規制に直接関与しないため、長鎖アルキルを有するシラン化合物に限らずさまざまなシラン化合物を用いることができる。
【００５２】
［第３の実施形態］
以下、本発明における液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法の第３の実施形態を、図面を用いて説明する。なお、本実施形態では、第１の実施形態と使用されるシラン化合物が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００５３】
〔液晶表示装置〕
本実施形態における液晶表示装置２５０の素子基板２５１では、図１０に示すように、第１無機配向膜３４を構成するカラム３４ａの表面に表面処理膜２５２が形成されている。第１無機配向膜３４の表面処理では、上述した第１の実施形態と同様に、トリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液が用いられている。
なお、図示していないが、液晶表示装置２５０の対向基板にも同様の表面処理が施されている。
【００５４】
〔液晶表示装置の製造方法〕
次に、液晶表示装置２５０の製造方法について説明する。まず、上述した第２の実施形態と同様に、第１誘電体層３３の表面にトリエトキシメチルシランを溶剤に溶解させたシラン化合物を用いて表面処理を施した後に、第１無機配向膜３４を形成する。そして、トリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて、第１無機配向膜３４に表面処理を施す。このようにして、素子基板２５１を形成する。
その後、素子基板２５１と同様に対向基板を形成し、上述した実施形態と同様に液晶表示装置２５０を製造する。
【００５５】
以上のような構成の液晶表示装置２５０及び液晶表示装置２５０の製造方法においても、上述と同様の作用、効果を奏するが、第１無機配向膜３４を形成した後に再度表面処理を施すことで、第１無機配向膜３４の表面におけるシラノール基を低減することができる。
【００５６】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、表面処理に用いられるシラン化合物は、アルコキシ基としてエトキシ(ＯＣ２Ｈ５)を挙げているが、メトキシ(ＯＣ１Ｈ３)など他のアルコキシ基であってもよく、また、アルキル基としてメチル(Ｃ１Ｈ３)、ヘキシル（Ｃ６Ｈ１３）及びデシル(Ｃ１０Ｈ２１)を挙げているが、他のアルキル基であってもよい。さらに、表面処理に用いられるシラン化合物は、上記一般式（１）及び一般式（２）に挙げられたものに限らず、他のシラン化合物であってもよい。
液晶表示装置は、反射型の液晶表示装置に限らず、透過型や半透過反射型の液晶表示装置であってもよい。
素子基板及び対向基板の双方にある誘電体層に表面処理を施しているが、素子基板及び対向基板の少なくとも一方において表面処理が施されていればよい。
誘電体層は、テトラエトキシシラン以外の他のガスを原料ガスとして用いてもよい。
液晶層は、ＶＡ方式で駆動する液晶分子によって構成されているが、例えばＮＴ(Twisted Nematic)方式で駆動する液晶分子など、他の方式で駆動する液晶分子によって構成されてもよい。
【００５７】
液晶表示装置は、プロジェクタのような投射型の表示装置に限らず、例えば携帯電話機など直視型の表示装置に用いられてもよい。したがって、液晶表示装置を備える電子機器としては、プロジェクタなどの投射型表示装置に限らず、携帯電話機やＰＤＡ（携帯情報端末機）、ハンディターミナル、電子ブック、ノート型パーソナルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末など、種々の電子機器であってもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１，２００，２５０  液晶表示装置、１１，２０１，２５１  素子基板（基板）、１２  対向基板（基板）、１３  液晶層、３３  第１誘電体層（誘電体層）、３４  第１無機配向膜（無機配向膜）、３４ａ  カラム、４１  基板本体（基体）、４４  第２誘電体層（誘電体層）、４５  第２無機配向膜（無機配向膜）、１００  プロジェクタ（投射型表示装置）、１０４  赤色光用光変調手段（液晶表示装置）、１０５  緑色光用光変調手段（液晶表示装置）、１０６  青色光用光変調手段（液晶表示装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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