(57)【要約】【課題】封止樹脂で封止され、特に、硫化ガス雰囲気下での反射効率の耐久性に優れた光半導体装置を提供する。【解決手段】リードフレームと一体成形したカップ状のプレモールドパッケージ内部に、光半導体素子の電極を導電性接着剤又は導電性ワイヤーを介して前記リードフレームに接続、実装し、前記プレモールドパッケージ内部を封止樹脂で封止する光半導体装置であって、前記リードフレームを、中心線平均粗さ（Ｒａ）：０．３μｍ以下且つ１０点平均粗さ（Ｒｚ）：２μｍ以下の表面を有する銀メッキで被覆したことを特徴とする光半導体装置。【選択図】図１
2011040668.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部底面にリードフレームが配されるよう一体成形したカップ状のプレモールドパッケージ内部に、光半導体素子の電極を導電性接着剤又は導電性ワイヤーを介して前記リードフレームに接続し、光半導体素子を実装すると共に、前記プレモールドパッケージ内部を封止樹脂で封止した光半導体装置であって、前記リードフレームが中心線平均粗さ（Ｒａ）：０．３μｍ以下且つ１０点平均粗さ（Ｒｚ）：２μｍ以下の表面を有する銀メッキで被覆されていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
リードフレームの材質が銅又は銅系合金であることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項３】
封止樹脂が、付加硬化型シリコーン樹脂組成物の硬化物であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置に関するもので、詳しくは、硫化ガス雰囲気下での反射効率の耐久性に優れた光半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光半導体素子の被覆保護用樹脂組成物としては、その硬化物が透明性を有することが要求されており、一般にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂及び酸無水物系硬化剤からなるエポキシ樹脂組成物が用いられている（特許文献１：特許第３２４１３３８号公報、特許文献２：特開平７−２５９８７号公報参照）。しかし、かかるエポキシ樹脂組成物の硬化物は、短波長を有する光線の透過性が低いため、耐光耐久性が低い、或いは光劣化により着色するという問題が生じている。
また、ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、及びヒドロシリル化触媒からなる付加硬化型シリコーン樹脂組成物も提案されている（特許文献３：特開２００２−３２７１２６号公報、特許文献４：特開２００２−３３８８３３号公報参照）。しかし、このようなシリコーン樹脂組成物の硬化物は、従来のエポキシ樹脂に比べ、ガス透過性が大きいため、保管環境や使用環境に存在する硫化ガスが透過してしまい、硫化ガスと発光素子パッケージのリードフレームの銀メッキ表面との硫化反応により、銀メッキ面が黒色の硫化銀に変化し、その結果、銀メッキ面での光反射効率が低下し、発光素子の発光強度が経時で劣化してしまい、長期信頼性が維持できない問題が生じている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３２４１３３８号公報
【特許文献２】特開平７−２５９８７号公報
【特許文献３】特開２００２−３２７１２６号公報
【特許文献４】特開２００２−３３８８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、硫化ガス雰囲気下での反射効率の耐久性に優れた光半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、上記目的を達成するため、鋭意検討を行なった結果、光半導体装置に使用する銀メッキされたリードフレームの表面粗さがある値以上になると、封止樹脂であるシリコーン樹脂がその銀メッキ表面の凹凸面に侵入できず、空隙が残存した状態で封止樹脂と銀メッキ表面が接着してしまうため、このような光半導体装置が硫化ガスの存在する雰囲気で放置された場合、硫化ガスが封止樹脂を透過し、銀メッキ表面と封止樹脂の界面に存在する空隙に溜まり銀メッキ表面の硫化反応を引き起こすと共に、その硫化反応が銀メッキ表面と封止樹脂の接着を破壊するので、硫化反応に更なる拍車を掛けることを発見した。
そこで、このような硫化反応を防止するために、封止樹脂と銀メッキ表面との界面に空隙がない状態で接着させることが必要であると考え、銀メッキの表面粗度を中心線平均粗さ（Ｒａ）：０．３μｍ以下且つ１０点平均粗さ（Ｒｚ）：２μｍ以下としたところ、硫化ガス雰囲気下での反射効率の耐久性に優れた光半導体装置が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】
即ち、本発明は、下記光半導体装置を提供する。
請求項１：
内部底面にリードフレームが配されるよう一体成形したカップ状のプレモールドパッケージ内部に、光半導体素子の電極を導電性接着剤又は導電性ワイヤーを介して前記リードフレームに接続し、光半導体素子を実装すると共に、前記プレモールドパッケージ内部を封止樹脂で封止した光半導体装置であって、前記リードフレームが中心線平均粗さ（Ｒａ）：０．３μｍ以下且つ１０点平均粗さ（Ｒｚ）：２μｍ以下の表面を有する銀メッキで被覆されていることを特徴とする光半導体装置。
請求項２：
リードフレームの材質が銅又は銅系合金であることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
請求項３：
封止樹脂が、付加硬化型シリコーン樹脂組成物の硬化物であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光半導体装置。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、硫化ガス雰囲気下での反射効率の耐久性に優れた光半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の代表的な光半導体装置の概略断面図である。
【図２】本発明の代表的な光半導体装置における封止樹脂とリーフレームの銀メッキ表面との界面の状態を表す断面図である。
【図３】従来の代表的な光半導体装置における封止樹脂とリーフレームの銀メッキ表面との界面の状態を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明についてより詳細に説明する。
図１は、本発明の代表的な光半導体装置１の概略断面図である。
本発明の光半導体装置１は、内部底面にリードフレーム６が配されるよう一体成形したカップ状のプレモールドパッケージ２内部に、図示しない光半導体素子３の電極を導電性接着剤４又は導電性ワイヤー５を介して前記リードフレーム６に接続し、光半導体素子３を実装すると共に、前記プレモールドパッケージ２内部を封止樹脂７で封止する光半導体装置１であって、前記リードフレーム６が中心線平均粗さ（Ｒａ）：０．３μｍ以下且つ１０点平均粗さ（Ｒｚ）：２μｍ以下の表面を有する銀メッキで被覆されているものである。
なお、ここで、上記Ｒａ及びＲｚは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（１９８２）に基づき測定することができる。
【００１０】
このように、リードフレーム６を、Ｒａ：０．３μｍ以下且つＲｚ：２μｍ以下の表面を有する銀メッキで被覆することにより、図２のように、封止樹脂７を前記銀メッキ表面との界面に空隙がない状態で接着させることができるので、このような光半導体装置１を硫化ガスの存在する雰囲気で放置した場合、硫化ガスが封止樹脂７を透過したとしても、硫化ガスが溜まるべく銀メッキ表面と封止樹脂７の界面に空隙がないので、銀メッキ表面の硫化反応は殆ど起こらず、銀メッキ表面と封止樹脂７の接着が破壊されることもない。従って、硫化ガス雰囲気下での反射効率の耐久性に優れた光半導体装置１を得ることができる。
【００１１】
一方、銀メッキ表面のＲａ及びＲｚが上記値を超えると、封止樹脂７が銀メッキ表面の凹凸面に侵入できず、図３のように、空隙８が残存した状態で封止樹脂と銀メッキ表面を接着してしまうため、このような光半導体装置を硫化ガスの存在する雰囲気で放置した場合、硫化ガスが封止樹脂７を透過し、銀メッキ表面と封止樹脂７の界面に存在する空隙８に溜まり銀メッキ表面の硫化反応を起こすと共に、その硫化反応によって銀メッキ表面と封止樹脂７の接着が破壊されるので、硫化反応に更なる拍車を掛けてしまう。特に、このような銀メッキ表面の硫化反応は黒色の硫化銀を生成する反応であるため、反射効率が著しく劣った光半導体装置となってしまう。
【００１２】
なお、リードフレーム６を被覆する銀メッキ表面のＲａ及びＲｚは小さければ小さいほど好ましいが、メッキ技術や表面加工の観点から、それぞれＲａ：０．０３μｍ以上及びＲｚ：０．１μｍ以上が現実的である。
このようなＲａ及びＲｚを有する銀メッキは、リードフレーム６に、電解メッキ、無電解メッキ、溶融メッキ、真空蒸着メッキ等により銀メッキ処理を施し、必要に応じて、この銀メッキ表面を、化学研磨剤等を染み込ませた研磨布によってバフ研磨し、その値を合わせ込むことによって得られる。
【００１３】
リードフレーム６の本体の材質には、公知のＣｕ、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｃｕ／Ｓｎ／Ｂｉ、及びＳｎ／Ａｇ／Ｃｕ等の銅又は銅系合金が、導電性やコストの観点から好ましく用いられる。
また、導電性接着剤４には、公知の銀ペーストが好ましく用いられる。
【００１４】
そして、光半導体素子３の下面に位置する図示しない電極とその直下に位置する銀メッキリードフレーム６との接続は、導電性接着剤４（銀ペースト）を介して１５０〜３００℃、数分〜数時間で接続され、また、光半導体素子３の上面に位置する図示しない上記電極のカウンター電極と導電性ワイヤー５（Ａｕ製等）との接続、及び導電性ワイヤー５と銀メッキリードフレーム６との接続は、公知のワイヤーボンディング法によって接続される。
こうして得られる光半導体素子３を実装したプレモールドパッケージ２内部は、最後に封止樹脂７によって封止され、光半導体装置１となる。
【００１５】
このような封止樹脂７は、特に、（Ａ）非共有結合性二重結合基を有する有機ケイ素化合物、（Ｂ）オルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び（Ｃ）白金系触媒を必須成分とする付加硬化型シリコーン樹脂組成物が好適に使用される。
（Ａ）成分：
（Ａ）成分には、下記一般式（１）：
Ｒ1Ｒ2Ｒ3ＳｉＯ−（Ｒ4Ｒ5ＳｉＯ）a−（Ｒ6Ｒ7ＳｉＯ）b−ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3    （１）
（式中、Ｒ1は非共有結合性二重結合基含有一価炭化水素基を示し、Ｒ2〜Ｒ7はそれぞれ同一又は異種の一価炭化水素基を示し、このうちＲ4〜Ｒ7は、好ましくは脂肪族不飽和結合を除く一価炭化水素基を示し、また、Ｒ6及び／又はＲ7は芳香族一価炭化水素基を示し、０≦ａ＋ｂ≦５００、好ましくは１０≦ａ＋ｂ≦５００の整数であり、０≦ａ≦５００、好ましくは１０≦ａ≦５００、０≦ｂ≦２５０、好ましくは０≦ｂ≦１５０の整数である。）
で示されるオルガノポリシロキサンを使用することができる。
【００１６】
この場合、Ｒ1は炭素数２〜８、特に２〜６のアルケニル基で代表される脂肪族不飽和結合を有し、Ｒ2〜Ｒ7は炭素数１〜２０、特に１〜１０の範囲にあるものが好適であり、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基などが挙げられるが、このうちＲ4〜Ｒ7は好適にはアルケニル基等の脂肪族不飽和結合を除くアルキル基、アリール基、アラルキル基などが挙げられる。また、Ｒ6及び／又Ｒ7はフェニル基やトリル基などの炭素数６〜１２のアリール基等の芳香族一価炭化水素基であることが望ましいものである。
【００１７】
上記一般式（１）のオルガノポリシロキサンは、例えば主鎖を構成する環状ジメチルポリシロキサン、環状ジフェニルポリシロキサン、環状メチルフェニルポリシロキサン等の環状ジオルガノポリシロキサンと、末端基を構成するジビニルテトラメチルジシロキサン、ジメチルテトラビニルジシロキサン、ヘキサビニルジシロキサン、ジフェニルテトラビニルジシロキサン、ジビニルテトラフェニルジシロキサン等のジシロキサンとのアルカリ平衡化反応によって得ることができるが、この場合、通常、シラノール基及びクロル分は含有されない。
【００１８】
上記一般式（１）のオルガノポリシロキサンとしては、具体的に下記のものが例示される。
【化１】
2011040668.tif 000003
（上記式において、ｋ，ｍは、０≦ｋ＋ｍ≦５００を満足する整数であり、好ましくは５≦ｋ＋ｍ≦２５０で、０≦ｍ／（ｋ＋ｍ）≦０．５を満足する整数である。）
【００１９】
（Ａ）成分には、上記一般式（１）の直鎖構造を有するオルガノポリシロキサンの他、必要に応じて、３官能性シロキサン単位、４官能性シロキサン単位等を含む三次元網目構造を有するオルガノポリシロキサンを併用することもできる。
【００２０】
（Ａ）成分中の非共有結合性二重結合基の含有量は、全一価炭化水素基の１〜５０モル％、好ましくは２〜４０モル％、より好ましくは５〜３０モル％である。非共有結合性二重結合基の含有量が１モル％よりも少ないと硬化物が得られず、５０モル％よりも多いと機械的特性が悪くなることがあるため好ましくない。
【００２１】
また、（Ａ）成分中の芳香族基の含有量は、全一価炭化水素基の０〜９５モル％、好ましくは１０〜９０モル％、より好ましくは２０〜８０モル％である。芳香族基は樹脂中に適量含まれた方が、機械的特性が良く製造もしやすいという利点がある。また、芳香族基の導入により屈折率を制御できることも利点として挙げられる。
【００２２】
（Ｂ）成分：
（Ｂ）成分には、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンが用いられる。かかるオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、架橋剤として作用するもので、該成分中のＳｉＨ基と（Ａ）成分のビニル基等の非共有結合性二重結合含有基（典型的にはアルケニル基）とが付加反応することにより、硬化物を形成するものである。
【００２３】
また、オルガノハイドロジェンポリシロキサンは、芳香族炭化水素基を有することで、前記（Ａ）成分の非共有結合性二重結合基を有する有機ケイ素化合物が高屈折率の場合に相溶性を高め、透明な硬化物を与えることができる。従って、（Ｂ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンにおいて、芳香族一価炭化水素基を持ったオルガノハイドロジェンポリシロキサンを、（Ｂ）成分の一部又は全部として含ませることができる。
【００２４】
また、（Ｂ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンにおいて、グリシジル構造を持ったオルガノハイドロジェンポリシロキサンを、（Ｂ）成分の一部又は全部として含ませることができ、オルガノハイドロジェンポリシロキサンはグリシジル構造含有基を有することで、基板との接着性の高い光半導体用封止樹脂組成物を与えることができる。
【００２５】
上記オルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては、これらに限られるものではないが、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、トリス（ジメチルハイドロジェンシロキシ）メチルシラン、トリス（ジメチルハイドロジェンシロキシ）フェニルシラン、１−グリシドキシプロピル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，５−グリシドキシプロピル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１−グリシドキシプロピル−５−トリメトキシシリルエチル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、トリメトキシシラン重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位とからなる共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位と（Ｃ6Ｈ5）ＳｉＯ3/2単位とからなる共重合体などが挙げられる。
【００２６】
また、下記構造で示される単位を使用して得られるオルガノハイドロジェンポリシロキサンも用いることができる。
【化２】
2011040668.tif 000004
【００２７】
このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては下記のものが挙げられる。
【化３】
2011040668.tif 000005
【００２８】
このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンの分子構造は、直鎖状、環状、分岐状、三次元網目構造のいずれであってもよいが、一分子中のケイ素原子の数（又は重合度）は２個以上、好ましくは２〜１，０００個、より好ましくは２〜３００個程度のものを使用することができる。
【００２９】
このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンの配合量は、（Ａ）成分の非共有結合性二重結合基（典型的にはアルケニル基）１個当たり（Ｂ）成分中のケイ素原子結合水素原子（ＳｉＨ基）を０．７５〜２．０個与えるに十分な量を含むことが好ましい。
【００３０】
（Ｃ）成分：
（Ｃ）成分には、白金系触媒が用いられる。白金系触媒には塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸、キレート構造を有する白金錯体等が挙げられる。これらは単独でも、２種以上の組み合わせでも使用することができる。
これらの触媒成分の配合量は、硬化有効量であり所謂触媒量でよく、通常、前記（Ａ）及び（Ｂ）成分の合計量１００質量部当り、白金族金属の質量換算で０．１〜５００ｐｐｍ、特に０．５〜１００ｐｐｍの範囲で使用される。
【００３１】
（Ｄ）その他の成分：
本発明に使用する付加硬化型シリコーン樹脂組成物は、上述した（Ａ）〜（Ｃ）成分を必須成分とするが、これに必要に応じて各種のシランカップリング剤を添加してもよい。
例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等や、トリメトキシシラン、テトラメトキシシラン及びそのオリゴマー等が挙げられる。これらのシランカップリング剤は、単独でも２種以上混合して使用することも可能である。
シランカップリング剤の配合量は、組成物全体の１０質量％以下（０〜１０質量％）、特に５質量％以下（０〜５質量％）程度配合することが好ましい。
【００３２】
また、本発明に使用する付加硬化型シリコーン樹脂組成物には、光半導体装置の性能を悪化させない範囲で必要に応じて、例えば、酸化防止剤としてＢＨＴ、ビタミンＢ等や、公知の変色防止剤、例えば有機リン系変色防止剤等や、ヒンダードアミンのような光劣化防止剤等や、反応性希釈剤としてビニルエーテル類、ビニルアミド類、エポキシ樹脂、オキセタン類、アリルフタレート類、アジピン酸ビニル等や、ヒュームドシリカや沈降性シリカ等の補強性充填材、難燃性向上剤、蛍光体、有機溶剤等を添加して封止樹脂組成物としてもよい。また、着色成分により着色しても構わない。
【００３３】
付加硬化型シリコーン樹脂組成物の調製方法等：
付加硬化型シリコーン樹脂組成物は、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分、及び所望の上記その他の（Ｄ）成分を同時に、又は別々に必要により加熱処理を加えながら撹拌、溶解、混合、及び分散させることにより得ることができる。
これらの操作に用いる装置は特に限定されないが、撹拌、加熱装置を備えたライカイ機、３本ロール、ボールミル、プラネタリーミキサー等を用いることができる。また、これら装置を適宜組み合わせてもよい。
【００３４】
このようにして得られる付加硬化型シリコーン樹脂組成物は、光半導体装置の封止に用いられるもので、光半導体素子としては、ＬＥＤ、フォトダイオード、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ、フォトカプラなどが挙げられ、特にＬＥＤの封止に有効である。
【００３５】
封止方法としては、発光素子の種類に応じた公知の方法が採用され、付加硬化型シリコーン樹脂組成物の硬化条件は、室温（２０〜３０℃）から２００℃程度までの温度範囲で、数十秒から数日間程度の時間範囲を採用できるが、硬化品質や作業性等の観点から、８０〜１８０℃の温度範囲で１分程度から１０時間程度の時間範囲とすることが好ましい。
【００３６】
このようにして得られる付加硬化型シリコーン樹脂組成物の硬化物で封止された光半導体装置は、上記表面粗さを有する銀メッキリードフレームと相俟って、耐熱、耐湿、耐光性に優れ、硫化ガス雰囲気下において、反射板の役割も果たす銀メッキ表面を変色することなく、その結果、反射効率の耐久性に優れた光半導体装置を提供することが可能となる。
【実施例】
【００３７】
以下、実施例及び比較例に基づき、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。以下の例において、部は質量部を示す。
【００３８】
［実施例１］
表面粗さ（Ｒａ，Ｒｚ）＝（０．０５μｍ，０．５μｍ）を有する銀メッキリードフレーム６とソルベイ社製の熱可塑性樹脂を用いて、射出成形法により、図１に示すような銀メッキリードフレーム６と一体成形した断面が凹形状の底面を有するプレモールドパッケージ２を作製した。
次いで、プレモールドパッケージ２の底面の銀メッキリードフレーム６上に、ＬＥＤチップ３として主発光ピークが４６０ｎｍのＩｎＧａＮ半導体をマウントし、その両電極を銀ペースト４及び金線５を介してそれぞれの銀メッキリードフレーム６に接続して、樹脂封止前のＬＥＤ装置とした。なお、銀ペーストの硬化条件及び金線の接続方法（ワイヤーボンディング方法）は公知の方法に従った。
更に、下記（ｉ）式で示される両末端ビニルジメチルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン１００部に、下記（ｉｉ）式で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンを、（ｉ）式中のビニル基に対する（ｉｉ）式中のＳｉＨ基のモル比が１．５となる量に配合し、これに塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液を０．０５部配合して、よく撹拌して付加硬化型シリコーン樹脂組成物を調製すると共に、前記樹脂封止前のＬＥＤ装置の凹部に流し込み、１５０℃、４時間の条件で硬化させ、封止樹脂７として封止し、ＬＥＤ装置１を完成させた。
【００３９】
【化４】
2011040668.tif 000006
（但し、Ｌ＝４５０）
【００４０】
【化５】
2011040668.tif 000007
（但し、Ｌ＝１０、Ｍ＝８）
【００４１】
［実施例２，３］
表面粗さ（Ｒａ，Ｒｚ）＝（０．１０μｍ，０．８μｍ）及び（０．２μｍ，１．５μｍ）を有する銀メッキリードフレーム６を用いた以外は、実施例１と全く同様にＬＥＤ装置１を完成させた。これらを、それぞれ実施例２，３とした。
【００４２】
［比較例１，２］
表面粗さ（Ｒａ，Ｒｚ）＝（０．３５μｍ，２．５μｍ）及び（０．５μｍ，３．５μｍ）を有する銀メッキリードフレームを用いた以外は、実施例１と全く同様にＬＥＤ装置を完成させた。これらを、それぞれ比較例１，２とした。
【００４３】
このようにして得られた実施例１〜３及び比較例１，２の各ＬＥＤ装置を、硫化水素ガス発生容器（濃度：３０ｐｐｍ）内に入れて密封、放置し、２５ｍＡの電流を流して点灯させながら、０，１０，３０，５０及び１００ｈｒ毎に各ＬＥＤ装置の基板（リードフレーム）表面の外観観察及び初期発光強度に対する発光強度の減衰率を測定した。
結果を表１に示す。
【００４４】
【表１】
2011040668.tif 000008
【００４５】
実施例１〜３では、硫化水素ガス発生容器内に１００時間放置してもＬＥＤ装置の基板（銀メッキリードフレーム）の硫化による黒化は起こらず、発光強度の低下も殆ど起こらなかった。
しかし、比較例１では、１０時間放置後、ＬＥＤ装置基板（銀メッキリードフレーム）の硫化による黒化が観察され、発光強度が１０％も低下した。更に、銀メッキの面粗さが粗い比較例２では、１０時間放置後、基板の硫化により発光強度が１５％も低下し、１００時間後には、初期の６４％の発光強度まで低下した。
【符号の説明】
【００４６】
１  光半導体装置
２  プレモールドパッケージ
３  光半導体素子
４  導電性接着剤
５  導電性ワイヤー
６  リードフレーム（銀メッキ済）
７  封止樹脂
８  空隙
【図１】
2011040668.tif 000009
【図２】
2011040668.tif 000010
【図３】
2011040668.tif 000011