(57)【要約】【課題】簡単な構成で、光取出し率を向上させることができる発光デバイスを提供する。【解決手段】基板１２と、該基板１２上に形成された発光層１６と、基板１２と発光層１６との間に形成され、且つ、発光層１６からの光を反射させる反射層１４と、発光層１６上に形成され、且つ、少なくとも発光層１６からの光並びに反射層１４からの光が透過する表面層１８とを有し、表面層１８の表面から光が出射される発光デバイス１０において、表面層１８は、発光層１６上に形成されたバッファ層２０と、該バッファ層２０上に形成された散乱層２２とを有する。バインダ層３４の屈折率をｎｄ、バッファ層２０の屈折率をｎｂ、発光層１６の最上層の屈折率をｎｕとしたとき、ｎｄ＜ｎｂ＜ｎｕを満足する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された発光層と、前記基板と前記発光層との間に形成され、且つ、前記発光層からの光を反射させる反射層と、前記発光層上に形成され、且つ、少なくとも前記発光層からの光並びに前記反射層からの光が透過する表面層とを有し、前記表面層の表面から光が出射される発光デバイスであって、
前記表面層は散乱層を有することを特徴とする発光デバイス。
【請求項２】
請求項１記載の発光デバイスにおいて、
前記表面層は、前記発光層上に形成されたバッファ層と、該バッファ層上に形成された前記散乱層とを有することを特徴とする発光デバイス。
【請求項３】
請求項２記載の発光デバイスにおいて、
前記散乱層は微粒子とバインダにて構成され、
前記バインダの屈折率をｎｄ、前記バッファ層の屈折率をｎｂ、前記発光層のうち、前記バッファ層と接触している部位の屈折率をｎｕとしたとき、
ｎｄ＜ｎｂ＜ｎｕ
を満足することを特徴とする発光デバイス。
【請求項４】
請求項３記載の発光デバイスにおいて、
前記散乱層を構成する前記微粒子の屈折率をｎｐとしたとき、ｎｐ＞ｎｄを満足し、
前記微粒子の平均粒径は０．２〜１．０μｍであり、
前記散乱層の厚みをｔ、光子の平均自由行程をｍとしたとき、ｔ／ｍは１．０〜２．０であり、
前記散乱層に対する前記微粒子の分散量（体積）は、前記散乱層の体積を１としたとき、５％〜３０％であることを特徴とする発光デバイス。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、
前記反射層は、基板側を高屈折率膜、前記発光層側を低屈折率膜とする積層膜が少なくとも１つ積層されて構成されていることを特徴とする発光デバイス。
【請求項６】
請求項５記載の発光デバイスにおいて、
前記反射層は、波長が７３０〜８３０ｎｍの光の平均反射率が９５％以上であることを特徴とする発光デバイス。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、
前記発光層の厚みが０．５〜３μｍであり、
前記発光層を上面から見たときの該発光層の輪郭線上の２点であって、且つ、前記輪郭線で形づくられる平面形状の中心を通る２点間の最短距離が１μｍ以上であることを特徴とする発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光デバイスに関し、例えば面発光ダイオードに用いて好適な発光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、発光デバイスは、発光層の上面に上部電極と表面層が形成され、発光層の下面に下部電極が形成されて構成される。そして、発光デバイスの光取出し率（発光層の発光光量に対する表面層から外部へ出射される光量の割合）を高めることにより、低消費電力化、デバイス数の削減化、配線数の低減化につながり、コスト低減の効果がある。
【０００３】
しかし、発光デバイスの光取出し率は３〜５％程度である。その理由は、発光層の屈折率が高いため、発光層にて発生した光の大部分が発光層と表面層との界面等で全反射し、結果的に発光層内に閉じ込められてしまい、外部に出射されないからである。
【０００４】
そこで、従来から、発光デバイスの光取出し率を向上させるために、様々な手法が検討されてきた。例えば特許文献１及び２では、発光層の直下に、光の干渉効果を用いて特定の角度から進入する特定の波長の光を反射する機能を持つ多層膜層（ＤＢＲ層）を形成することにより、発光光量を向上させるようにしている。また、特許文献３では、有機エレクトロルミネッセンス素子に適用される透明基板の表面を粗面化して、発光を散乱させるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−２８９３３６号公報
【特許文献２】特開２００８−２７７５００号公報
【特許文献３】再公表特許第２００３／０２６３５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１や特許文献２に記載のＤＢＲ層は、該ＤＢＲ層に対して垂直ないし垂直に近い角度で入射した光に対して高い反射率を示すが、斜めに入射した光に対して、反射させることができない。また、特許文献３記載の透明基板を発光デバイスに適用する場合、半導体の発光デバイスに有機エレクトロルミネッセンス素子に適用される透明基板を取り付けることになるが、その取り付け自体が困難である。一方の面に発光層等が形成された半導体基板と透明基板とを貼り合わせた後、半導体基板を除去する張替え基板による製法を用いることも考えられるが、製造工程の工数が多くなり、コスト増の原因になるという問題がある。
【０００７】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、簡単な構成で、光取出し率を向上させることができる発光デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
［１］  本発明に係る発光デバイスは、基板と、該基板上に形成された発光層と、前記基板と前記発光層との間に形成され、且つ、前記発光層からの光を反射させる反射層と、前記発光層上に形成され、且つ、少なくとも前記発光層からの光並びに前記反射層からの光が透過する表面層とを有し、前記表面層の表面から光が出射される発光デバイスにおいて、前記表面層は散乱層とを有することを特徴とする。
【０００９】
発光層からの光並びに反射層にて反射した光が散乱層にて散乱されることから、表面層から外部に出射される光量が多くなる。
【００１０】
［２］  本発明において、前記表面層は、前記発光層上に形成されたバッファ層と、該バッファ層上に形成された前記散乱層とを有することを特徴とする。
【００１１】
すなわち、散乱層と発光層との間にバッファ層を設けることによって、散乱層からの戻り光（散乱層からの散乱光又は散乱層とバッファ層との界面で反射した光）は、バッファ層と発光層との界面にて屈折し、反射層に対してほぼ垂直に入射させることができ、反射層にて反射した光を表面層を通して外部に出射させることができる。このように、反射層を設けたことによる効果（光取出し率の向上効果）を十分に発揮させることができる。しかも、散乱層と発光層との間にバッファ層を設けるという簡単な構成でよいため、製造工程が複雑にならず、コスト増も抑えることができる。
【００１２】
［３］  本発明において、前記散乱層は微粒子とバインダにて構成され、前記バインダの屈折率をｎｄ、前記バッファ層の屈折率をｎｂ、前記発光層のうち、前記バッファ層と接触している部位の屈折率をｎｕとしたとき、
ｎｄ＜ｎｂ＜ｎｕ
を満足することを特徴とする。
【００１３】
［４］  本発明において、前記散乱層を構成する前記微粒子の屈折率をｎｐとしたとき、ｎｐ＞ｎｄを満足し、前記微粒子の平均粒径は０．２〜１．０μｍであり、前記散乱層の厚みをｔ、光子の平均自由行程をｍとしたとき、ｔ／ｍは１．０〜２．０であり、前記散乱層に対する前記微粒子の分散量（体積）は、前記散乱層の体積を１としたとき、５％〜３０％であることを特徴とする。
【００１４】
［５］  本発明において、前記反射層は、基板側を高屈折率膜、前記発光層側を低屈折率膜とする積層膜が少なくとも１つ積層されて構成されていることを特徴とする。
【００１５】
［６］  本発明において、前記反射層は、波長が７３０〜８３０ｎｍの光の平均反射率が９５％以上であることを特徴とする。
【００１６】
［７］  本発明において、前記発光層の厚みが０．５〜３μｍであり、前記発光層を上面から見たときの該発光層の輪郭線上の２点であって、且つ、前記輪郭線で形づくられる平面形状の中心を通る２点間の最短距離が１μｍ以上であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明に係る発光デバイスによれば、簡単な構成で、光取出し率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施の形態に係る発光デバイスの要部を一部省略して示す断面図である。
【図２】発光層の幅を説明するための図である。
【図３】変形例に係る発光デバイスの要部を一部省略して示す断面図である。
【図４】第１比較例に係る発光デバイスの作用を示す説明図である。
【図５】第２比較例に係る発光デバイスの作用を示す説明図である。
【図６】変形例に係る発光デバイスの作用を示す説明図である。
【図７】本実施の形態に係る発光デバイスの作用を示す説明図である。
【図８】反射層の反射光分布を示す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明に係る発光デバイスを面発光ダイオードに適用した実施の形態例を図１〜図８を参照しながら説明する。
【００２０】
本実施の形態に係る発光デバイス１０は、図１に模式的に示すように、基板１２上に、反射層１４が積層され、該反射層１４上に発光層１６が積層され、該発光層１６上に表面層１８が積層されて構成され、表面層１８の表面から面状に光が出射される、いわゆる面発光デバイスである。
【００２１】
そして、表面層１８は、発光層１６上に形成されたバッファ層２０と、該バッファ層２０上に形成された散乱層２２とを有する。なお、基板１２の下面に下部電極２４が形成され、バッファ層２０の一部上に上部電極２６が形成されている。
【００２２】
基板１２は、例えば２００〜５００μｍ程度の厚さのｎ−ＧａＡｓ単結晶又はｐ−ＧａＡｓ単結晶からなる化合物半導体基板である。
【００２３】
反射層１４は、波長が７３０〜８３０ｎｍの光の平均反射率が９５％以上となるように膜設計されている。具体的には、基板１２側を高屈折率膜、発光層１６側を低屈折率膜とする積層膜が少なくとも１つ積層されて構成されている。例えば低屈折率膜としてｎ−ＡｌＡｓ単結晶からなる例えば３０〜１００μｍ程度の厚さの化合物半導体の膜を使用し、高屈折率膜としてｎ−Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ単結晶からなる例えば３０〜１００μｍ程度の厚さの化合物半導体の膜を使用することができる。また、Ａｌの組成を違えたＡｌＧａＡｓ膜を使用してもよい。すなわち、低屈折率膜としてＡｌの組成が高いＡｌＧａＡｓ膜を使用し、高屈折率膜としてＡｌの組成が低いＡｌＧａＡｓ膜を使用すればよい。もちろん、低屈折率膜としてＡｌＡｓ膜を使用し、高屈折率膜としてＧａＡｓ膜を使用してもよい。
【００２４】
発光層１６は、０．５〜３．０μｍの厚みを有し、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層（下部クラッド層１６ａ）とＡｌＧａＡｓ層（活性層１６ｂ）とｐ−ＡｌＧａＡｓ層（上部クラッド層１６ｃ）とから構成されている。また、図２に示すように、発光層１６の幅Ｗ、すなわち、発光層１６を上面から見たときの該発光層１６の輪郭線３０上の２点であって、且つ、輪郭線３０で形づくられる平面形状の中心Ｐ０を通る２点Ｐ１及びＰ２間の最短距離は１〜５０μｍである。図２では、輪郭線３０で形づくられる平面形状が矩形状の場合を示しているが、その他、六角形、八角形等の多角形や円形、楕円形等も挙げられる。
【００２５】
そして、図１に示すように、散乱層２２は微粒子３２とバインダ層３４にて構成され、バインダ層３４の屈折率をｎｄ、バッファ層２０の屈折率をｎｂ、発光層１６のうち、バッファ層２０と接触している部位（上部クラッド層１６ｃ）の屈折率をｎｕとしたとき、
ｎｄ＜ｎｂ＜ｎｕ
を満足するようになっている。ここで、バッファ層２０は、屈折率ｎｂが１．４〜２．４が好ましく、材料としては、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＴｉＯｘ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等を好ましく採用することができる。
【００２６】
また、散乱層２２を構成する微粒子３２の屈折率をｎｐとしたとき、ｎｐ＞ｎｄを満足し、微粒子３２の平均粒径は０．２〜１．０μｍであり、散乱層２２の厚みをｔ、光子の平均自由行程をｍとしたとき、ｔ／ｍは１．０〜２．０であり、散乱層２２に対する微粒子３２の分散量（体積）は、散乱層２２の体積を１としたとき、５〜３０％である。バインダ層３４の材料は、酸化チタンのゾルゲル系、エポキシ系樹脂、ポリスチレン系等で構成することができる。微粒子３２は、酸化チタン（ＴｉＯ2）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）等で構成することができる。
【００２７】
なお、図３に示す変形例に係る発光デバイス１０ａのように、バッファ層２０を省略して、表面層１８を散乱層２２のみにて構成してもよい。
【００２８】
ここで、本実施の形態に係る発光デバイス１０及び変形例に係る発光デバイス１０ａの作用を、２つの比較例（第１比較例及び第２比較例）の構成と共に、図４〜図８を参照しながら説明する。なお、図４〜図７において、光路（矢印が付された線）は模式的に示したものであり、例えば反射層１４に対して垂直に入射した光の反射光は光路がほぼ重なるが、図６及び図７では、反射光の光路をわかり易く示すために、位置をずらして示してある。また、図４では、発光層１６での発光部分３６を模式的に図示してあるが、図５〜図７では光路を見やすくするために、発光部分３６の図示を省略した。また、図５〜図７において、円形又は楕円形で示す枠３７は、散乱層２２での光の散乱を模式的に示したものである。
【００２９】
第１比較例は、従来の発光デバイスである。図４に示すように、基板１２上に発光層１６が形成され、該発光層１６上にＳｉＯ2膜３８による表面層１８が形成され、基板１２の下面に下部電極２４が形成され、発光層１６の一部上に上部電極２６が形成された構成を有する。反射層１４、散乱層２２及びバッファ層２０は存在しない。
【００３０】
第２比較例は、図５に示すように、基板１２上に発光層１６が形成され、該発光層１６上に散乱層２２が形成され、基板１２の下面に下部電極２４が形成され、発光層１６の一部上に上部電極２６が形成されて構成されている。反射層１４及びバッファ層２０は存在しない。
【００３１】
そして、第１比較例では、図４に示すように、発光層１６の発光部分３６からＳｉＯ2膜３８に向かう光のうち、ＳｉＯ2膜３８に対する入射角が小さい（ほぼ垂直）光はＳｉＯ2膜３８を透過して外部へ出射されることになる。しかし、発光デバイスの光取出し率は３〜５％程度である。その理由は、発光層１６の屈折率が高いため、発光層１６にて発生した光の大部分が発光層１６と表面層１８（ＳｉＯ2膜３８）との界面等で全反射し、結果的に発光層１６内に閉じ込められてしまい、外部に出射されないからである。
【００３２】
第２比較例は、図５に示すように、反射層１４が存在しない構造であるため、発光層１６と散乱層２２との界面で反射した光や散乱層２２の微粒子３２にて散乱した光のうち、基板１２に向かう光は、基板１２を透過することになる。この場合、散乱層２２を形成しても、光取出し率の向上には寄与せず、反対に光取出し率の低下につながることとなる。
【００３３】
一方、図６に示すように、変形例に係る発光デバイス１０ａは、反射層１４と散乱層が存在することから、発光層１６と散乱層２２との界面で反射した光や散乱層２２の微粒子３２にて散乱した光のうち、反射層１４に対する入射角が小さい（ほぼ垂直）の光は反射層１４にてほぼ全反射されて散乱層２２に向かうことになる。しかも、発光層１６からの光並びに反射層１４にて反射した光が散乱層２２で散乱されることから、表面層１８から外部に出射される光量が多くなる。しかし、反射層１４は、図８に示すように、反射層１４に対して垂直及び垂直に近い角度（４５°未満の入射角）で入射した光に対して高い反射率を示すが、斜めに入射した光（４５°以上の入射角の光）に対しては、反射率が低く、反射層１４を透過することとなる。
【００３４】
従って、この変形例に係る発光デバイス１０ａにおいては、発光層１６の発光部分から散乱層２２に向かう光のうち、散乱層２２に対する入射角が大きい光は発光層１６と散乱層２２との界面でほぼ全反射されて反射層１４へ向かうことになるが、反射層１４に対する入射角が大きくなることから、反射層１４を透過することとなる。同様に、発光層１６の発光部分から反射層１４に向かう光のうち、反射層１４に対する入射角が大きい光も反射層１４を透過することとなる。このため、光取出し率は第１比較例や第２比較例よりは向上するが、後述する本実施の形態に係る発光デバイス１０ほどではない。
【００３５】
実施の形態に係る発光デバイス１０は、図７に示すように、散乱層２２と発光層１６との間にバッファ層２０を設けるようにしているので、散乱層２２からの戻り光（散乱層２２からの散乱光又は散乱層２２とバッファ層２０との界面で反射した光）は、バッファ層２０と発光層１６との界面にて屈折し、反射層１４に対してほぼ垂直に入射させることができ、反射層１４に向かう光を反射層１４にて透過させることなく、反射層１４にて反射させることができ、反射した光を表面層１８を通して外部に出射させることができる。これは、光取出し率の向上につながり、発光光量は、第１比較例（従来の発光デバイス）の１．８〜２．４倍を得ることができる。
【実施例】
【００３６】
ここで、比較例１及び２と実施例１〜１２について、それぞれの光取出し倍率を確認した実施例を説明する。光取出し倍率は、比較例１（従来の発光デバイス）の発光光量（表面層１８から外部に出射される光量）を１としたときの倍率を表す。比較例１及び２と実施例１〜１２の内訳並びに光取出し倍率を後述する表１に示す。
【００３７】
（実施例１）
実施例１に係る発光デバイスは、図１に示すように、基板１２上に反射層１４を形成し、該反射層１４上に発光層１６を形成し、該発光層１６上にバッファ層２０を形成し、該バッファ層２０上に散乱層２２を形成し、基板１２の下面に下部電極２４を形成し、バッファ層２０の一部上に上部電極２６を形成した。
【００３８】
基板１２としてｎ−ＧａＡｓ単結晶からなる基板を用いた。反射層１４については、波長が７３０〜８３０ｎｍの光の平均反射率が９５％以上となるように膜設計した。具体的には、基板１２側を高屈折率膜、発光層１６側を低屈折率膜とする積層膜を例えば７層ほど積層して反射層１４を構成した。発光層１６として、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層（下部クラッド層１６ａ）とＡｌＧａＡｓ層（活性層１６ｂ）とｐ−ＡｌＧａＡｓ層（上部クラッド層１６ｃ）の積層膜を形成した。このうち、最上層は、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層（上部クラッド層１６ｃ：屈折率が約３．６）である。発光層１６の幅Ｗ（図２参照）は２０μｍとした。バッファ層２０として、厚みが０．１μｍのＳｉＮ膜（屈折率が約２）を形成した。散乱層２２は、バインダ層３４としてエポキシ系樹脂（屈折率が約１．５）を用い、微粒子３２としてＴｉＯ2（屈折率が約２．６）を用いた。微粒子３２の平均粒径は０．２〜１．０μｍである。散乱層２２の厚みは０．４μｍであり、光子の平均自由行程をｍとしたとき、ｔ／ｍは１．２である。また、散乱層２２中の微粒子３２の充填率は体積比で２０％である。
【００３９】
（実施例２）
バッファ層２０として、厚みが０．１μｍのＡｌ2Ｏ3膜（屈折率が約１．８）を形成した以外は、実施例１と同様にして実施例２に係る発光デバイスを作製した。
【００４０】
（実施例３）
散乱層２２のバインダ層３４として、酸化チタンのゾルゲル系（屈折率が約１．８）を形成した以外は、実施例１と同様にして実施例３に係る発光デバイスを作製した。
【００４１】
（実施例４）
散乱層２２の厚みを０．３０μｍにして、ｔ／ｍを０．９としたこと以外は、実施例１と同様にして実施例４に係る発光デバイスを作製した。
【００４２】
（実施例５）
散乱層２２の厚みを０．３３μｍにして、ｔ／ｍを１．０としたこと以外は、実施例１と同様にして実施例５に係る発光デバイスを作製した。
【００４３】
（実施例６）
散乱層２２の厚みを０．６７μｍにして、ｔ／ｍを２．０としたこと以外は、実施例１と同様にして実施例６に係る発光デバイスを作製した。
【００４４】
（実施例７）
散乱層２２の厚みを０．７０μｍにして、ｔ／ｍを２．１としたこと以外は、実施例１と同様にして実施例７に係る発光デバイスを作製した。
【００４５】
（実施例８）
散乱層２２中の微粒子３２の充填率を体積比で４％にしたこと以外は、実施例１と同様にして実施例８に係る発光デバイスを作製した。
【００４６】
（実施例９）
散乱層２２中の微粒子３２の充填率を体積比で５％にしたこと以外は、実施例１と同様にして実施例９に係る発光デバイスを作製した。
【００４７】
（実施例１０）
散乱層２２中の微粒子３２の充填率を体積比で３０％にしたこと以外は、実施例１と同様にして実施例１０に係る発光デバイスを作製した。
【００４８】
（実施例１１）
散乱層２２中の微粒子３２の充填率を体積比で３１％にしたこと以外は、実施例１と同様にして実施例１１に係る発光デバイスを作製した。
【００４９】
（実施例１２）
バッファ層２０を形成しないこと以外は、実施例１と同様にして実施例１２に係る発光デバイスを作製した。
【００５０】
（比較例１）
比較例１に係る発光デバイスは、図４に示すように、基板１２上に発光層１６を形成し、該発光層１６上に表面層１８を形成し、基板１２の下面に下部電極２４を形成し、発光層１６の一部上に上部電極２６を形成した。基板１２、発光層１６は、実施例１と同様の材料を用いた。表面層１８として、厚みが０．１μｍのＳｉＯ2膜（屈折率が約１．４６）のみを形成した。反射層１４、散乱層２２及びバッファ層２０は存在しない。
【００５１】
（比較例２）
比較例２に係る発光デバイスは、図５に示すように、基板１２上に発光層１６を形成し、該発光層１６上に散乱層２２を形成し、基板１２の下面に下部電極２４を形成し、発光層１６の一部上に上部電極２６を形成した。基板１２、発光層１６、散乱層２２は、実施例１と同様の材料を用いた。反射層１４、バッファ層２０は存在しない。
【００５２】
（評価）
実施例１〜１２、比較例１及び２について、それぞれ上部電極２６と下部電極２４間に駆動電圧を印加して、発光デバイスから出射する光の１秒間の光量を照度計で測定した。そして、比較例１の光量を１としたときの実施例１〜１２、比較例２の光量の倍率（光取出し倍率）を求めた。その結果を表１に示す。
【００５３】
【表１】
2011040600.tif 000003
【００５４】
表１から、比較例２は、比較例１よりも発光光量が低く、比較例１の０．７５倍であった。
【００５５】
一方、実施例１〜１２は、比較例１の１．２倍以上の発光光量が得られ、特に、実施例１〜１１は、バインダ層３４の屈折率をｎｄ、バッファ層２０の屈折率をｎｂ、発光層１６の最上層（上部クラッド層１６ｃ）の屈折率をｎｕとしたとき、ｎｄ＜ｎｂ＜ｎｕの関係を有することから、比較例１の１．６倍以上の発光光量が得られた。
【００５６】
さらに、散乱層２２の厚みｔと光子の平均自由行程ｍの比（ｔ／ｍ）が１．０〜２．０であって、且つ、散乱層２２中の微粒子３２の充填率が体積比で５〜３０％である実施例１〜３、５、６、９及び１０は、比較例１の１．８倍〜２．４倍の発光光量が得られた。
【００５７】
なお、本発明に係る発光デバイスは、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【符号の説明】
【００５８】
１０、１０ａ…発光デバイス          １２…基板
１４…反射層                        １６…発光層
１６ａ…下部クラッド層              １６ｂ…活性層
１６ｃ…上部クラッド層              １８…表面層
２０…バッファ層                    ２２…散乱層
３２…微粒子                        ３４…バインダ層
【図１】
2011040600.tif 000004
【図２】
2011040600.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
2011040600.tif 000008
【図６】
2011040600.tif 000009
【図７】
2011040600.tif 000010
【図８】
2011040600.tif 000011