(57)【要約】【課題】  非接触で高精度に鍋底温度を検出可能な誘導加熱調理器を提供すること。【解決手段】  被加熱物Ｎを載置するトッププレート２と、該トッププレート２の下部に設置され被加熱物Ｎを電磁誘導加熱により加熱する電磁コイル３と、トッププレート２の下方に該トッププレート２から離間して設置された温度センサ４と、トッププレート２の下面を覆うと共に一部が赤外線透過窓５ａとして開けられた赤外線遮蔽層５と、を備え、温度センサ４が、赤外線透過窓５ａからの赤外線を検出する窓側センサ部７Ａと、赤外線遮蔽層５からの赤外線を検出する遮蔽側センサ部７Ｂと、を備えている。【選択図】図１
2011216323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱物を載置するトッププレートと、
該トッププレートの下部に設置され前記被加熱物を電磁誘導加熱により加熱する電磁コイルと、
前記トッププレートの下方に該トッププレートから離間して設置された温度センサと、
前記トッププレートの下面を覆うと共に一部が赤外線透過窓として開けられた赤外線遮蔽層と、を備え、
前記温度センサが、前記赤外線透過窓の直下に配されて前記赤外線透過窓からの赤外線を検出する窓側センサ部と、
前記赤外線遮蔽層の直下に配されて前記赤外線遮蔽層からの赤外線を検出する遮蔽側センサ部と、を備えていることを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項２】
請求項１に記載の誘導加熱調理器において、
前記窓側センサ部および前記遮蔽側センサ部が、照射された赤外線に応じて抵抗値が変化するサーミスタ素子を備えていることを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の誘導加熱調理器において、
前記窓側センサ部および前記赤外線透過窓と前記遮蔽側センサ部との間に赤外線遮蔽壁が設置されていることを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器において、
前記温度センサが、前記トッププレートの下方に複数配置されていることを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器において、
前記窓側センサ部および前記遮蔽側センサ部が、絶縁性フィルムと、
該絶縁性フィルムの一方の面に互いに離間させて設けられた第１の感熱素子及び第２の感熱素子と、
前記絶縁性フィルムの一方の面に形成され前記第１の感熱素子に接続された導電性の第１の配線膜及び前記第２の感熱素子に接続された導電性の第２の配線膜と、
前記第２の感熱素子に対向して前記絶縁性フィルムの他方の面に設けられた赤外線反射膜と、を備えていることを特徴とする誘導加熱調理器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トッププレート上の鍋等の被加熱物を電磁誘導加熱（ＩＨ）で加熱すると共に鍋底温度を検出可能な誘導加熱調理器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、トッププレート上の鍋等の被加熱物を電磁誘導加熱で加熱すると共に鍋底温度を検出可能な誘導加熱調理器として、例えば、特許文献１には、トッププレートにサーミスタセンサ等の温度センサを接触させることで、トッププレートを介して鍋底温度を検出するものが記載されている。すなわち、この誘導加熱調理器では、トッププレートの下面中央部に、サーミスタからなる温度センサを密着させて設け、この温度センサによりトッププレートを介して鍋の温度を検出している。
【０００３】
また、この特許文献１には、トッププレートを透過した赤外線を検出することにより、鍋底温度を推定して温度制御することが記載されている。すなわち、この誘導加熱調理器では、電磁コイルの下方に設けられ、被加熱物から放射される赤外線を検出する赤外線センサと、該赤外線センサの受光面を覆い、赤外線透過特性を有する遮熱板と、赤外線センサの出力から被加熱物の温度を算出する温度算出手段と、温度算出手段の出力に応じて電磁コイルに供給する電力を制御する制御手段と、を備えている。
なお、この誘導加熱調理器では、受光面に赤外線が入射した際の赤外線センサの出力信号をオペアンプで増幅し、電圧に変換して検出を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２５９６０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、特許文献１に記載の誘導加熱調理器では、トッププレートに接触させた温度センサで鍋底温度を検出しているため、トッププレートに熱が伝導するまでの時間が必要であり、高速に鍋底温度を検出することが困難であった。また、トッププレートにサーミスタセンサを接触させるための構造や状態（例えば、バネによる圧着、接触ムラ、シリコングリースの量など）に応じて、接触させたサーミスタセンサにおける熱容量が大きくなり、検出するまでの応答時間が遅くなる不都合があった。さらに、トッププレートにサーミスタセンサを接触させるための接触機構が必要になると共に組立工数が増加して、高コストになってしまう問題もあった。
一方、赤外線センサにより非接触で鍋底温度を検出する場合、トッププレートに用いられる耐熱・強化ガラスが多くの赤外線を吸収するため、特許文献１に記載の技術では、透過する赤外線が少なく赤外線センサによる高精度な検出が難しいという問題があった。また、トッププレート上の鍋の位置によって、赤外線の透過量や干渉量が異なり、温度検出の精度が低いという不都合もある。
なお、赤外線を高感度に検出する場合、受光する波長を制限して高感度に検出するフォトダイオードなどが用いられるが、検出素子が高価であるという問題がある。
また、フォトダイオードや熱電対など赤外線や熱の影響により電子が移動する現象を利用した検出素子の場合、電磁コイルから生じる磁界による影響を受けやすく、ノイズが生じるため、ノイズフィルタやシールドなどの対策が必要であった。
【０００６】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、非接触で高精度に鍋底温度を検出可能な誘導加熱調理器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明の誘導加熱調理器は、被加熱物を載置するトッププレートと、該トッププレートの下部に設置され前記被加熱物を電磁誘導加熱により加熱する電磁コイルと、前記トッププレートの下方に該トッププレートから離間して設置された温度センサと、前記トッププレートの下面を覆うと共に一部が赤外線透過窓として開けられた赤外線遮蔽層と、を備え、前記温度センサが、前記赤外線透過窓の直下に配されて前記赤外線透過窓からの赤外線を検出する窓側センサ部と、前記赤外線遮蔽層の直下に配されて前記赤外線遮蔽層からの赤外線を検出する遮蔽側センサ部と、を備えていることを特徴とする。
【０００８】
この誘導加熱調理器では、温度センサが、赤外線透過窓の直下に配されて赤外線透過窓からの赤外線を検出する窓側センサ部と、赤外線遮蔽層の直下に配されて赤外線遮蔽層からの赤外線を検出する遮蔽側センサ部と、を備えているので、窓側センサ部と遮蔽側センサ部とで赤外線の検出を相対比較することで干渉成分を相殺することができ、鍋等の被加熱物からの直接の赤外線を高精度に検出することができる。すなわち、窓側センサ部では、赤外線透過窓を介して被加熱物から放射される赤外線を検出し、遮蔽側センサ部では、赤外線遮蔽層を介してトッププレートから放射される赤外線を検出することで、これらの差分から干渉成分を除いた被加熱物からの赤外線だけを求めて、鍋底温度等の被加熱物の温度を精度良く検出可能である。なお、この誘導加熱調理器では、被加熱物がトッププレートからある程度離れた場合でも赤外線を検出可能であるため、被加熱物の温度を検出することが可能である。また、トッププレートから離間した温度センサで赤外線を検出する機構であるので、接触方式に比べて熱容量が小さくて応答が早いため、高速に計測可能であると共に、最高温度が低くなるので、温度センサの信頼性が向上する。さらに、トッププレートへの接触機構が不要で、温度センサの取り付け工数が低減されて低コスト化を図ることができる。
【０００９】
また、本発明の誘導加熱調理器は、前記窓側センサ部および前記遮蔽側センサ部が、照射された赤外線に応じて抵抗値が変化するサーミスタ素子を備えていることを特徴とする。
すなわち、この誘導加熱調理器では、窓側センサ部および遮蔽側センサ部が、照射された赤外線に応じて抵抗値が変化するサーミスタ素子を備えているので、窓側センサ部および遮蔽側センサ部の両サーミスタ素子に生じる温度差を抵抗値として検出することで、電磁コイルによる電磁界の影響を受け難く、ノイズを低減させることができる。
【００１０】
また、本発明の誘導加熱調理器は、前記遮蔽側センサ部と前記窓側センサ部および前記赤外線透過窓との間に赤外線遮蔽壁が設置されていることを特徴とする。
すなわち、この誘導加熱調理器では、遮蔽側センサ部と窓側センサ部および赤外線透過窓との間に赤外線遮蔽壁が設置されているので、赤外線透過窓からの赤外線を赤外線遮蔽壁で遮断し、遮蔽側センサ部が窓側センサ部に入射される赤外線の干渉を受けずに、より精度の高い検出を行うことができる。
【００１１】
また、本発明の誘導加熱調理器は、前記温度センサが、前記トッププレートの下方に複数配置されていることを特徴とする。
すなわち、この誘導加熱調理器では、温度センサが、トッププレートの下方に複数配置されているので、各温度センサで検出した温度の分布からトッププレート上の被加熱物の位置を検出することができ、被加熱物の位置に応じた高度な温度制御が可能になる。
【００１２】
また、本発明の誘導加熱調理器は、前記窓側センサ部および前記遮蔽側センサ部が、絶縁性フィルムと、該絶縁性フィルムの一方の面に互いに離間させて設けられた第１の感熱素子及び第２の感熱素子と、前記絶縁性フィルムの一方の面に形成され前記第１の感熱素子に接続された導電性の第１の配線膜及び前記第２の感熱素子に接続された導電性の第２の配線膜と、前記第２の感熱素子に対向して前記絶縁性フィルムの他方の面に設けられた赤外線反射膜と、を備えていることを特徴とする。
すなわち、この誘導加熱調理器では、第２の感熱素子に対向して絶縁性フィルムの他方の面に設けられた赤外線反射膜を備えているので、第１の感熱素子は赤外線が照射されて赤外線吸収した絶縁性フィルムの部分的な温度を測定するのに対し、第２の感熱素子は赤外線反射膜によって赤外線が反射されて赤外線吸収が大幅に抑制された絶縁性フィルムの部分的な温度を測定する。したがって、第１の感熱素子に対して赤外線の影響を抑制して高いリファレンスが得られる赤外線反射膜下の第２の感熱素子と、薄く熱伝導性の低い絶縁性フィルムと、によって、第１の感熱素子と第２の感熱素子との良好な温度差分を得ることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る誘導加熱調理器によれば、温度センサが、赤外線透過窓からの赤外線を検出する窓側センサ部と、赤外線遮蔽層からの赤外線を検出する遮蔽側センサ部と、を備えているので、窓側センサ部と遮蔽側センサ部とで赤外線の検出を相対比較することで干渉成分を相殺することができ、鍋からの直接の赤外線を高精度に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係る誘導加熱調理器の第１実施形態を示す簡略的な断面図である。
【図２】第１実施形態において、センサ部を示す斜視図である。
【図３】第１実施形態において、窓側センサ部および遮蔽側センサ部を示す斜視図である。
【図４】図２のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図５】第１実施形態において、窓側センサ部と遮蔽側センサ部との温度測定の応答性を示すグラフである。
【図６】第１実施形態の温度センサ（非接触温度センサ）と従来の接触型温度センサとの温度測定の応答性を示すグラフである。
【図７】第２実施形態の誘導加熱調理器（ａ）、第１実施形態の誘導加熱調理器に鍋を載置した場合（ｂ）、および第２実施形態の誘導加熱調理器に鍋を載置した場合（ｃ）を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係る誘導加熱調理器の第１実施形態を、図１から図５を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能又は認識容易な大きさとするために縮尺を適宜変更している。
【００１６】
本実施形態の誘導加熱調理器１は、図１に示すように、被加熱物Ｎを載置するトッププレート２と、該トッププレート２の下部に設置され被加熱物Ｎを電磁誘導加熱により加熱する電磁コイル３と、トッププレート２の下方に該トッププレート２から離間して設置された温度センサ４と、トッププレート２の下面を覆うと共に一部が赤外線透過窓５ａとして開けられた赤外線遮蔽層５と、電磁コイル３および温度センサ４に電気的に接続された制御部Ｃと、これらが設置された本体ケース６と、を備えている。
【００１７】
上記被加熱物Ｎは、磁性体（鉄等）または非磁性体（アルミニウム等）で形成された鍋等である。
上記トッププレート２は、結晶化ガラス等で形成されて高い耐熱性を有しており、本体ケース６の上部に取り付けられている。
【００１８】
上記電磁コイル３は、トッププレート２の下方かつ本体ケース６内に円環形状または渦巻き形状に配置され、交流電流による電力が供給されると高周波磁界を発生させてトッププレート２上の被加熱物Ｎを誘導加熱するものである。
上記制御部Ｃは、電磁コイル３に電力を供給するインバータ電源（図示略）を備え、温度センサ４で検出した被加熱物Ｎの温度に基づいて、電磁コイル３に供給する電力を制御する機能を有している。
【００１９】
上記温度センサ４は、赤外線透過窓５ａの直下に配されて赤外線透過窓５ａからの赤外線を検出する窓側センサ部７Ａと、赤外線遮蔽層５の直下に配されて赤外線遮蔽層５からの赤外線を検出する遮蔽側センサ部７Ｂと、を備えている。これら窓側センサ部７Ａと遮蔽側センサ部７Ｂとは、同一の形状および構造を有するサーミスタボロメータ型温度センサである。
【００２０】
また、遮蔽側センサ部７Ｂと窓側センサ部７Ａおよび赤外線透過窓５ａとの間には、赤外線遮蔽壁８が設置されている。
上記赤外線遮蔽壁８は、例えば赤外線遮蔽効果のあるポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ）等の耐熱性樹脂で筒状に形成され、上端が赤外線透過窓５ａを囲むようにトッププレート２の下面に固定されている。
【００２１】
上記赤外線遮蔽層５は、例えばトッププレート２下面に貼り付けられたカーボンブラックを含む結晶化ガラスの吹付材などの赤外線遮蔽シートである。なお、この赤外線遮蔽層５は、赤外線遮蔽シート以外にも赤外線遮蔽効果のある塗料をトッププレート２の下面に塗って形成しても構わない。
上記赤外線透過窓５ａは、窓側センサ部７Ａの直上に位置する部分のみ赤外線遮蔽層５に開口部を設けてトッププレート２を露出させて形成したものである。
【００２２】
また、赤外線遮蔽壁８の下端には、支持回路板９が固定され、該支持回路板９上に窓側センサ部７Ａおよび遮蔽側センサ部７Ｂが設置されている。さらに、赤外線遮蔽壁８の下端は、窓側センサ部７Ａを囲んだ状態で支持回路板９に固定されており、赤外線遮蔽壁８内に入射された赤外線が外部に放射することを防いでいる。このように、赤外線遮蔽壁８によって温度センサ４がトッププレート２の下方に設置されている。なお、本実施形態では、温度センサ４がトッププレート２の中央部下方に設置されている。また、制御部Ｃは、図示しない内部配線および支持回路板９を介して窓側センサ部７Ａおよび遮蔽側センサ部７Ｂに電気的に接続されている。
【００２３】
上記窓側センサ部７Ａおよび遮蔽側センサ部７Ｂは、図２から図４に示すように、絶縁性フィルム１１と、該絶縁性フィルム１１の一方の面（下面）に互いに離間させて設けられた第１の感熱素子１２Ａ及び第２の感熱素子１２Ｂと、絶縁性フィルム１１の一方の面に銅箔等でパターン形成され第１の感熱素子１２Ａに接続された導電性の第１の配線膜１３Ａ及び第２の感熱素子１２Ｂに接続された導電性の第２の配線膜１３Ｂと、第１の感熱素子１２Ａに対向して絶縁性フィルム１１の他方の面（上面）に設けられた赤外線吸収膜１４と、第２の感熱素子１２Ｂに対向して絶縁性フィルム１１の他方の面に設けられた赤外線反射膜１５と、絶縁性フィルム１１の一方の面に固定されて該絶縁性フィルム１１を支持する筐体１６と、をそれぞれ備えている。
【００２４】
すなわち、上記赤外線吸収膜１４は、第１の感熱素子１２Ａの直上に配されていると共に、上記赤外線反射膜１５は、第２の感熱素子３Ｂの直上に配されている。上記絶縁性フィルム１１は、赤外線透過性フィルムで形成されている。なお、本実施形態では、絶縁性フィルム１１がポリイミド樹脂シートで形成されている。
【００２５】
上記第１の感熱素子１２Ａ及び第２の感熱素子１２Ｂは、両端部に端子電極１２ａが形成されたチップサーミスタ（サーミスタ素子）である。このサーミスタとしては、ＮＴＣ型、ＰＴＣ型、ＣＴＲ型等のサーミスタがあるが、本実施形態では、第１の感熱素子１２Ａ及び第２の感熱素子１２Ｂとして、例えばＮＴＣ型サーミスタを採用している。このサーミスタは、Ｍｎ−Ｃｏ−Ｃｕ系材料、Ｍｎ−Ｃｏ−Ｆｅ系材料等のサーミスタ材料で形成されている。なお、これら第１の感熱素子１２Ａ及び第２の感熱素子１２Ｂは、各端子電極１２ａを配線膜１３Ａ，１３Ｂ上に接合させて絶縁性フィルム１１に実装されている。
【００２６】
上記赤外線吸収膜１４は、絶縁性フィルム１１よりも高い赤外線吸収率を有する材料で形成され、例えば、カーボンブラック等の赤外線吸収材料を含むフィルムや赤外線吸収性ガラス膜（二酸化珪素を７１％含有するホーケー酸ガラス膜など）で形成されている。すなわち、この赤外線吸収膜１４によって測定対象物からの輻射による赤外線を吸収する。そして、赤外線を吸収し発熱した赤外線吸収膜１４から絶縁性フィルム１１を介した熱伝導によって、直下の第１の感熱素子１２Ａの温度が変化するようになっている。この赤外線吸収膜１４は、第１の感熱素子１２Ａよりも大きなサイズでこれを覆うように形成されている。
【００２７】
上記赤外線反射膜１５は、絶縁性フィルム１１よりも高い赤外線放射率を有する材料で形成され、例えば、鏡面のアルミニウム蒸着膜やアルミニウム箔等で形成されている。この赤外線反射膜１５は、第２の感熱素子１２Ｂよりも大きなサイズでこれを覆うように形成されている。
【００２８】
上記筐体１６は、例えば樹脂製であり、絶縁性フィルム１１の熱を必要以上に放熱しないように絶縁性フィルム１１よりも熱伝導性の低い材料であることが好ましい。
この筐体１６には、第１の感熱素子１２Ａ及び第２の感熱素子１２Ｂをそれぞれ個別に収納する第１の収納部１６ａ及び第２の収納部１６ｂが設けられている。これら第１の収納部１６ａ及び第２の収納部１６ｂは、第１の感熱素子１２Ａ及び第２の感熱素子１２Ｂの位置にそれぞれ対応して形成された断面矩形状の孔部であり、内部に空気を密封した状態で開口部が絶縁性フィルム１１で閉塞されている。なお、第１の収納部１６ａ及び第２の収納部１６ｂの内部には、絶縁性フィルム１１よりも熱伝導率の低い発泡樹脂を封入させても構わない。
【００２９】
上記制御部Ｃは、被加熱物Ｎからの赤外線を検出した窓側センサ部７Ａの出力と、トッププレート２からの赤外線を検出した遮蔽側センサ部７Ｂの出力と、を演算処理して差分を求め、干渉成分を除いた被加熱物Ｎからの赤外線だけを算出し、これに基づいて被加熱物Ｎの温度（鍋底温度）を求める機能を有している。また、制御部Ｃでは、窓側センサ部７Ａおよび遮蔽側センサ部７Ｂのそれぞれにおいて、第１の感熱素子１２Ａと第２の感熱素子１２Ｂとで検出された赤外線の差分（出力の差分）を演算処理し、第２の感熱素子１２Ｂをリファレンスとして第１の感熱素子１２Ａで検出された温度を算出する機能を有している。
【００３０】
このように本実施形態の誘導加熱調理器１は、温度センサ４が、赤外線透過窓５ａからの赤外線を検出する窓側センサ部７Ａと、赤外線遮蔽層５からの赤外線を検出する遮蔽側センサ部７Ｂと、を備えているので、窓側センサ部７Ａと遮蔽側センサ部７Ｂとで赤外線の検出を相対比較することで干渉成分を相殺することができ、鍋等の被加熱物Ｎからの直接の赤外線を高精度に検出することができる。すなわち、窓側センサ部７Ａでは、赤外線透過窓５ａを介して被加熱物Ｎから放射される赤外線を検出し、遮蔽側センサ部７Ｂでは、赤外線遮蔽層５を介してトッププレート２から放射される赤外線を検出することで、これらの差分から干渉成分を除いた被加熱物Ｎからの赤外線だけを求めて、被加熱物Ｎの温度（鍋底温度）を精度良く検出可能である。
【００３１】
なお、赤外線遮蔽層５のない窓側センサ部７Ａと、赤外線遮蔽層５のある遮蔽側センサ部７Ｂとの、温度測定の応答性を示すグラフを、図５に示す。このグラフから、赤外線遮蔽層５のない窓側センサ部７Ａは、遮蔽側センサ部７Ｂに比べて短時間で高温まで達した後も遮蔽側センサ部７Ｂと明確な温度差が生じており、赤外線透過窓５ａから透過してきた赤外線の量により鍋底温度を抽出可能なことがわかる。
【００３２】
また、トッププレート２から離間した温度センサ４で赤外線を検出する機構であるので、接触方式に比べて熱容量が小さくて応答が早く、高速に計測可能であると共に、最高温度が低くなるので、温度センサ４の信頼性が向上する。
さらに、トッププレート２への接触機構が不要で、温度センサ４の取り付け工数が低減されて低コスト化を図ることができる。
【００３３】
なお、比較のため、非接触型の本実施形態の温度センサ４を用いた場合（非接触温度センサ）と、従来の接触型の温度センサを用いた場合（接触型温度センサ）との、温度測定の応答性を示すグラフを、図６に示す。このグラフからわかるように、本実施形態の非接触温度センサ４は、従来の接触型温度センサよりも応答が速い。
【００３４】
また、窓側センサ部７Ａおよび遮蔽側センサ部７Ｂが、照射された赤外線に応じて抵抗値が変化するサーミスタ素子の感熱素子を備えているので、窓側センサ部７Ａおよび遮蔽側センサ部７Ｂの両サーミスタ素子に生じる温度差を抵抗値として検出することで、電磁コイル３による電磁界の影響を受け難く、ノイズを低減させることができる。
また、遮蔽側センサ部７Ｂと窓側センサ部７Ａおよび赤外線透過窓５ａとの間に赤外線遮蔽壁８が設置されているので、赤外線透過窓５ａからの赤外線を赤外線遮蔽壁８で遮断し、遮蔽側センサ部７Ｂが窓側センサ部７Ａに入射される赤外線の干渉を受けずに、より精度の高い検出を行うことができる。
【００３５】
さらに、第２の感熱素子１２Ｂに対向して絶縁性フィルム１１の他方の面に設けられた赤外線反射膜１５を備えているので、第１の感熱素子１２Ａは赤外線が照射されて赤外線吸収した絶縁性フィルム１１の部分的な温度を測定するのに対し、第２の感熱素子１２Ｂは赤外線反射膜１５によって赤外線が反射されて赤外線吸収が大幅に抑制された絶縁性フィルム１１の部分的な温度を測定する。したがって、第１の感熱素子１２Ａに対して赤外線の影響を抑制して高いリファレンスが得られる赤外線反射膜１５下の第２の感熱素子１２Ｂと、薄く熱伝導性の低い絶縁性フィルム１１と、によって、第１の感熱素子１２Ａと第２の感熱素子１２Ｂとの良好な温度差分を得ることができる。
【００３６】
すなわち、赤外線反射膜１５によって第２の感熱素子１２Ｂの直上部分における赤外線を反射してその吸収を阻止することができ、赤外線を反射しない部分の直下にある第１の感熱素子１２Ａとの温度差分が得られ、第２の感熱素子１２Ｂを高いリファレンスとすることができる。
【００３７】
また、第１の感熱素子１２Ａと第２の感熱素子１２Ｂとの間の熱を伝導する媒体が、空気以外に絶縁性フィルム１１のみとなり、伝導する断面積が小さくなる。したがって、相互の感熱素子への熱が伝わり難くなり、干渉が少なくなって検出感度が向上する。このように第１の感熱素子１２Ａと第２の感熱素子１２Ｂとの熱結合が低いので、互いに近づけて配置することも可能になり、全体の小型化を図ることができる。このように温度センサ４を小型化できるため、電磁コイル３の隙間に配置することが可能である。
さらに、枠体やケースによる遮光構造ではなく、赤外線反射膜１５によって赤外線を遮光しているので、安価に作製することができる。
【００３８】
さらに、赤外線反射膜１５が導電性材料で構成されていても、絶縁性フィルム１１を挟んで設置された第１の感熱素子１２Ａ及び第２の感熱素子１２Ｂとの絶縁が確保されているので、膜の絶縁性を問わずに効率の良い材料の選択が可能になる。
このように、低熱伝導性の絶縁性フィルム１１上で互いに熱の影響が抑制された第１の感熱素子１２Ａと第２の感熱素子１２Ｂとが、それぞれ絶縁性フィルム１１において赤外線が照射される部分の直下と赤外線が反射される部分の直下との温度を測定する構造を有している。
【００３９】
したがって、赤外線検知用とされる第１の感熱素子１２Ａと温度補償用とされる第２の感熱素子１２Ｂとの良好な温度差分を得られ、高感度化を図ることができる。
なお、赤外線吸収膜１４を削除しても構わないが、第１の感熱素子１２Ａの直上に赤外線吸収膜１４を形成することで、第１の感熱素子１２Ａにおける赤外線吸収効果が向上して、第１の感熱素子１２Ａと第２の感熱素子１２Ｂとのより良好な温度差分を得ることができる。
【００４０】
次に、本発明に係る誘導加熱調理器の第２実施形態について、図７を参照して以下に説明する。なお、以下の実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００４１】
第２実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、１つの温度センサ４がトッププレート２の中央部下方に設置されているのに対し、第２実施形態の誘導加熱調理器２１では、図７の（ａ）に示すように、温度センサ４が、トッププレート２の下方に複数配置されている点である。
すなわち、図７の（ｂ）に示すように、第１実施形態では１つの温度センサ４がトッププレート２の中央部下方に設置されているが、トッププレート２の中央（電磁コイル３の中央）から被加熱物Ｎの鍋がずれて載置された場合、載置された被加熱物Ｎの位置を検知することができないと共に、温度センサ４の直上に被加熱物Ｎが無く、鍋底温度を正確に検出することができない。
【００４２】
これに対して、第２実施形態の誘導加熱調理器２１では、図７の（ａ）に示すように、一つのコンロにおいて、４つの温度センサ４が、トッププレート２の下方に互いに所定間隔を空けて四方に設置されており、図７の（ｃ）に示すように、被加熱物Ｎの鍋がトッププレート２の中央からずれて載置されても、４つの温度センサ４のそれぞれの検出温度から、どの位置に被加熱物Ｎが載置されているかを検知することが可能になる。
【００４３】
例えば、図７の（ｃ）に示すように、図中の右上に被加熱物Ｎがずれて載置された場合、図中の右上に設置された温度センサ４が最も高い温度を検出すると共に他の３つの温度センサ４での検出温度が低く、特に左下の温度センサ４が最も低い温度を検出することから、制御部Ｃが図中の右上に被加熱物Ｎがずれて載置されていることを認識することができる。この際、制御部Ｃでは、載置位置がずれた被加熱物Ｎに対応して電磁コイル３への電力供給を制御することが可能になる。
【００４４】
このように第２実施形態の誘導加熱調理器２１では、温度センサ４が、トッププレート２の下方に複数配置されているので、各温度センサ４で検出した温度の分布からトッププレート２上の被加熱物Ｎの位置を検出することができ、被加熱物Ｎの位置に応じた高度な温度制御が可能になる。
【００４５】
なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【００４６】
例えば、上記各実施形態では、チップサーミスタの第１の感熱素子及び第２の感熱素子を採用しているが、薄膜サーミスタで形成された第１の感熱素子及び第２の感熱素子を採用しても構わない。
なお、感熱素子としては、上述したように薄膜サーミスタやチップサーミスタが用いられるが、サーミスタ以外に焦電素子等も採用可能である。
【符号の説明】
【００４７】
１，２１…誘導加熱調理器、２…トッププレート、３…電磁コイル、４…温度センサ、５…赤外線遮蔽層、５ａ…赤外線透過窓、７Ａ…窓側センサ部、７Ｂ…遮蔽側センサ部、８…赤外線遮蔽壁、１１…絶縁性フィルム、１２Ａ…第１の感熱素子、１２Ｂ…第２の感熱素子、１３Ａ…第１の配線膜、１３Ｂ…第２の配線膜、１５…赤外線反射膜、  Ｎ…被加熱物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図６】
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