(57)【要約】【課題】ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路の損傷を防止でき、製品の歩留まりを向上できる反射型液晶パネルを提供する。【解決手段】一面にＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路およびこのＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路上配置された反射電極の延在部３１７Ｂ（導通部３１９）を含む表示素子部３１７が設けられた素子基板と、この素子基板の一面に対向配置され、素子基板の一面に対向する対向面に透明電極が形成された対向基板と、素子基板と対向基板との間に、表示素子部３１７を囲んで環状に設けられたシール材３４０と、このシール材３４０で囲まれた領域内に封入された液晶と、を備え、素子基板の外周縁の位置においては、シール材３４０がＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路が積層する延在部３１７Ｂ（導通部３１９）に積層しない。【選択図】図５
2011215454.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に駆動回路および前記駆動回路に積層された金属膜を含む表示素子部が設けられた素子基板と、
前記素子基板の前記一面に対向配置され、前記素子基板の前記一面に対向する対向面に透明電極が形成された対向基板と、
前記素子基板と前記対向基板との間に、前記表示素子部を囲んで環状に設けられたシール材と、
前記シール材で囲まれた領域内に封入された前記液晶と、を備え、
前記素子基板の外周縁の位置においては、前記シール材が前記金属膜に積層されないことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置において、
前記金属膜の少なくとも一部は、前記素子基板の外周縁まで延設されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の液晶装置において、
前記駆動回路の少なくとも一部は、前記素子基板の外周縁まで延設されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の液晶装置において、
前記シール材は、前記素子基板の外周縁の位置には設けられていないことを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の液晶装置において、
前記シール材は、導電性を有するギャップスペーサーを含有していることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項７】
一面に駆動回路および前記駆動回路上に配置された金属膜を含む表示素子部が複数配列形成され、隣接する表示素子部間で前記金属膜の一部に不連続部分を有する素子側マザー基板と、前記素子側マザー基板の前記一面に対向配置され、前記素子側マザー基板の前記一面に対向する対向面に透明電極が設けられた対向側マザー基板と、を用い、
前記素子側マザー基板の前記各表示素子部をそれぞれ囲む領域、または、前記対向側マザー基板における前記各表示素子部に対応する対向位置をそれぞれ囲む領域に、シール材を環状に設けるシール材形成工程と、
このシール材形成工程で設けられたシール材で囲まれた領域内にそれぞれ液晶を配置する液晶配置工程と、
減圧下で前記素子側マザー基板と前記対向側マザー基板とを前記シール材を介して貼り合わせ、常圧下に復帰させて貼り合わせ体を製造する貼り合わせ工程と、
前記貼り合わせ体を前記各表示素子部毎に切断する切断工程と、を実施し、
前記シール形成工程は、
前記素子側マザー基板における各表示素子部をそれぞれ囲む領域の一部、または、前記対向側マザー基板における各表示素子部に対応する対向位置をそれぞれ囲む領域の一部に、各表示素子部の配列方向または各対向位置の配列方向に沿って連続して、前記シール材を設ける第一シール形成工程と、
前記素子側マザー基板における各表示素子部をそれぞれ囲む領域の残部、または、前記対向側マザー基板における各表示素子部に対応する対向位置をそれぞれ囲む領域の残部に、各表示素子部の配列方向または各対向位置の配列方向に沿って連続して、前記シール材を設ける第二シール形成工程と、を実施し、
前記第一シール形成工程および前記第二シール形成工程は、隣接する表示素子部間の切断位置で前記金属膜の不連続部分に前記シール材を設ける
ことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、その製造方法、および、液晶装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プロジェクター、デジタルカメラのビューファインダー等の電子機器におけるカラー画像表示部には、液晶装置等の電気光学装置が使用されている。近年、外光利用による省電力化、画素間の隙間を小さくして高品質な画像を表示できるという観点から反射型の液晶装置が注目されている。
この反射型の液晶装置は、一面に駆動回路および駆動回路に積層された反射電極を含む表示素子部を形成した素子基板と、この素子基板の一面と対向配置され、素子基板との対向面に透明電極が形成された対向基板と、これらの基板間に密閉封入される液晶とを含んで構成されている（例えば、特許文献１参照）。
このような反射型の液晶装置を製造する場合、単結晶シリコンやガラス等のマザー基板上に、複数の駆動回路および反射電極を積層形成し、表示素子部を構成する領域の回りにシール材を配置した後、シール材によって対向基板を貼り合わせ、液晶装置毎に切断する。
ここで、特許文献１に記載の技術では、切断後に液晶を注入する工程を実施するため、各液晶装置の反射電極の一部を、マザー基板の切断線まで拡張しておき、この反射電極の拡張された部分に沿ってシール材をマザー基板の切断線まで突出させる。
切断後の液晶装置は、この拡張部分で液晶注入口が開口形成されることとなるので、ここから液晶を注入し、最後にシール材を密閉することにより、液晶装置が完成する。
【０００３】
ところで、近年、プロジェクター等の電子機器では、機器の小型化に伴い、このような反射型の液晶装置の小型化、集積化も促進されており、反射電極の拡張された分部の直下まで駆動回路が形成されるようになってきている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１５６７９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載の製造方法では、反射電極の拡張された部分に沿ってシール材をマザー基板の切断位置まで突出させているため、マザー基板の切断の際に、液晶を注入する開口の部分でシール材も切断され、これに伴い反射電極とともに反射電極に積層形成された駆動回路まで引っ張られて駆動回路を損傷するおそれがある。
【０００６】
本発明は、このような点に鑑みて、駆動回路の損傷を防止でき、製造時の製造の歩留まりが向上する液晶装置、その製造方法、および、電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に記載の液晶装置は、一面に駆動回路および前記駆動回路に積層された反射電極を含む表示素子部が設けられた素子基板と、前記素子基板の一面に対向配置され、前記素子基板の一面に対向する対向面に透明電極が形成された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に、前記表示素子部を囲んで環状に設けられたシール材と、前記シール材で囲まれた領域内に封入された前記液晶と、を備え、前記シール材は、前記素子基板の外周縁の位置で前記反射電極に積層しないことを特徴とする。
この発明では、素子基板の外周縁の位置で、反射電極とシール材とが積層しないように形成している。このため、素子基板をマザー基板から切り出す切断時に、切断位置となる素子基板の外周縁にシール材が位置したとしても、シール材が引っ張られた際に反射電極が引っ張られて駆動回路が剥離したり切断したりするなどの損傷を防止できる。したがって、駆動回路の損傷の防止により、製造時の製品の歩留まりを向上できる。
【０００８】
そして、本発明では、前記反射電極の少なくとも一部は、前記素子基板の外周縁まで延設されていることが好ましい。
この発明では、反射電極の少なくとも一部が素子基板の外周縁まで延設されていることにより、切断前のマザー基板の状態では、隣接する反射電極同士が電気的に接続されることとなる。このため、製造中に一部の反射電極が静電気等により帯電しても、放電することなく隣接する他の反射電極に拡散し、帯電した反射電極の直下に形成された駆動回路に電気的ダメージを与えることを防止することができ、製品の歩留まりを一層向上できる。
【０００９】
また、本発明では、前記駆動回路の少なくとも一部は、前記素子基板の外周縁まで延設されていることが好ましい。
この発明では、駆動回路の少なくとも一部が素子基板の外周縁まで延設されていることにより、反射電極の場合と同様に、一部の駆動回路が帯電しても他の駆動回路に拡散して駆動回路に電気的ダメージを与えることを防止できる。
【００１０】
さらに、本発明では、前記シール材は、前記素子基板の外周縁の位置には設けられていないことが好ましい。
この発明では、シール材が素子基板の外周縁の位置には設けられていないので、素子基板をマザー基板から切り出す際にシール材が切断されることがない。このため、シール材の切断の際に加わる引張力が反射電極や駆動回路に加わって損傷する不都合を防止でき、製品の歩留まりを向上できる。
【００１１】
また、本発明では、前記シール材は、導電性を有するギャップスペーサーを含有していることが好ましい。
この発明では、導電性を有するギャップスペーサーを含有するシール材を用いることにより、素子基板と対向基板とを電気的に導通するための構成としてシール材を利用でき、構成の簡略化および製造性の向上が図れる。
【００１２】
本発明に記載の電子機器は、前述したいずれかの液晶装置を備えたことを特徴とする。
この発明では、駆動回路の損傷を防止でき、かつ製造時の製造の歩留まりを向上できる液晶装置を用いるので、安定した特性を提供できる。さらには、製品の歩留まりの向上により、製造コストの低減を図ることができる。
【００１３】
本発明に記載の液晶装置の製造方法は、駆動回路および反射電極が積層された積層領域を含む表示素子部が一面に複数配列形成され、隣接する積層領域間で前記反射電極の一部に不連続部分を有する素子側マザー基板と、前記素子側マザー基板の一面に対向配置され、前記素子側マザー基板の一面に対向する対向面に透明電極が設けられた対向側マザー基板と、を用い、前記素子側マザー基板の各表示素子部をそれぞれ囲む領域、または、前記対向側マザー基板における各表示素子部に対応する対向位置をそれぞれ囲む領域に、シール材を環状に設けるシール材形成工程と、このシール材形成工程で設けられたシール材で囲まれた領域内にそれぞれ液晶を配置する液晶配置工程と、減圧下で前記素子側マザー基板と前記対向側マザー基板とを前記シール材を介して貼り合わせ、常圧下に復帰させて貼り合わせ体を製造する貼り合わせ工程と、前記貼り合わせ体を積層領域毎に切断する切断工程と、を実施し、前記シール形成工程は、前記素子側マザー基板における各表示素子部をそれぞれ囲む領域の一部、または、前記対向側マザー基板における各表示素子部に対応する対向位置をそれぞれ囲む領域の一部に、各表示素子部の配列方向または各対向位置の配列方向に沿って連続して、前記シール材を設ける第一シール形成工程と、前記素子側マザー基板における各表示素子部をそれぞれ囲む領域の残部、または、前記対向側マザー基板における各表示素子部に対応する対向位置をそれぞれ囲む領域の残部に、各表示素子部の配列方向または各対向位置の配列方向に沿って連続して、前記シール材を設ける第二シール形成工程と、を実施し、前記第一シール形成工程および前記第二シール形成工程は、隣接する積層領域間の切断位置で前記反射電極の不連続部分に前記シール材を設けることを特徴とする。
この発明では、第一シール形成工程で、素子側マザー基板の各表示素子部をそれぞれ囲む領域の一部、または対向側マザー基板における表示素子部に対応する対向位置をそれぞれ囲む領域の一部を、各表示素子部の配列方向または対向位置の配列方向に沿って連続してシール材を設ける。さらに、第二シール形成工程で、素子側マザー基板の各表示素子部をそれぞれ囲む領域の残部、または対向側マザー基板における表示素子部に対応する対向位置をそれぞれ囲む領域の残部を、各表示素子部の配列方向または対向位置の配列方向に沿って連続してシール材を設ける。このことにより、第一シール形成工程と第二シール形成工程とで、シール材を設ける一連の動作を２回実施することで、配列方向の複数の表示素子部または対向位置を囲む領域にシール材を形成でき、効率よく製造できる。そして、第一シール形成工程および第二シール形成工程では、隣接する積層領域間の切断位置で、反射電極の不連続部分にシール材を設けている。このことにより、積層領域毎に切断工程で切断する際、これら積層領域間の切断する位置のシール材に仮に引張力が作用しても、反射電極が引っ張られない。このため、シール材を一連に形成でき、効率よく製造できるとともに、反射電極に積層する駆動回路が剥離したり切断したりするなどの損傷を防止でき、製品の歩留まりを向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第一実施形態におけるプロジェクターの概略構成を示す模式図。
【図２】第一実施形態における反射型液晶パネルの概略構成の一部を示す断面図。
【図３】第一実施形態における素子側マザー基板を示す平面図。
【図４】第一実施形態における素子側マザー基板を拡大した一部を示す平面図。
【図５】第一実施形態におけるシール材を設けた素子側マザー基板の一部を示す平面図。
【図６】第一実施形態における素子側マザー基板および対向側マザー基板を貼り合わせた貼り合わせ体を示す一部を切り欠いた断面図。
【図７】本発明の第二実施形態における製造方法を示すフローチャート。
【図８】第二実施形態における第一シール形成工程後のシール材を設けた素子側マザー基板の一部を示す平面図。
【図９】第二実施形態における反射型液晶パネルのシール材を設けた素子側マザー基板の一部を示す平面図。
【図１０】第二実施形態における切断位置近傍のシール材が設けられた素子側マザー基板の一部を示す平面図。
【図１１】本発明の第三実施形態におけるシール材を設けた素子側マザー基板の一部を示す平面図。
【図１２】本発明の第四実施形態におけるシール材を設けた素子側マザー基板の一部を示す平面図。
【図１３】本発明の第五実施形態におけるシール材を設けた素子側マザー基板の一部を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［第一実施形態］
以下、本発明の第一実施形態を図面に基づいて説明する。
〔プロジェクターの構成〕
図１に示すように、プロジェクター１は、光源から射出される光束を画像情報に応じて変調してカラー画像（画像光）を形成し、このカラー画像をスクリーンＳ上に拡大投射する。
このプロジェクター１は、光源部１２、インテグレーターレンズ１３および偏光変換素子１４を備えた偏光照明装置１１と、この偏光照明装置１１から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面１６により反射させる偏光ビームスプリッター１５と、偏光ビームスプリッター１５のＳ偏光光束反射面１６から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー１７と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー１８とを有している。また、プロジェクター１は、各色光が入射する３つの反射型液晶装置３０（赤色光側の反射型液晶装置を３０Ｒ、緑色光側の反射型液晶装置を３０Ｇ、青色光側の反射型液晶装置を３０Ｂとする）を備えている。
【００１６】
この３つの反射型液晶装置３０は、シリコン基板上に液晶が形成されたいわゆるＬＣＯＳ(Liquid Crystal On Silicon)で構成されている液晶装置としての反射型液晶パネル３１（反射型液晶装置３０と同様に、各色光側の反射型液晶パネルを３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂとする）を備える。そして、各反射型液晶装置３０は、図示しない各偏光分離素子を透過した光束の光軸に対して反射型液晶パネル３１が略直交した状態でそれぞれ配置される。
反射型液晶パネル３１は、図示しない制御装置からの駆動信号に応じて、液晶の配向状態が制御され、入射する光の光束の偏光方向を変調し、ダイクロイックミラー１７，１８に向けて反射する。
なお、反射型液晶パネル３１の詳細な構成については、後述する。
【００１７】
そして、プロジェクター１は、３つの反射型液晶装置３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー１７，１８、および偏光ビームスプリッター１５にて合成した後、投射レンズ１９を介して合成した合成光をスクリーンＳに投写する。
【００１８】
〔反射型液晶パネルの詳細な構成〕
次に、反射型液晶パネルの詳細な構成を図面に基づいて説明する。
図２は、反射型液晶パネルの概略構成の一部を示す断面図である。図３は、素子側マザー基板を示す平面図である。なお、図３は、説明の都合上、素子基板毎の金属膜である反射電極および表示素子部が設けられた状態を実線により格子状に示す。
【００１９】
反射型液晶パネル３１は、図２に示すように、駆動回路としてのＭＯＳ型電界効果トランジスター（相補型トランジスターの一例である。以下、ＭＯＳ−ＦＥＴ）アレイ回路３１１が一面に形成された素子基板３１０と、透明電極３２１が一面に形成された対向基板３２０との間に、液晶３３０を封入した構造である。
液晶３３０としては、エステル系、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、フェニルピリジン系、ジオキサン系など、各種材料を単独または適宜組み合わせて利用することができる。
【００２０】
素子基板３１０は、例えば図３に示すように、シリコンウエハーである素子側マザー基板３０１から切り出された板状に形成されている。なお、シリコンウエハーに限らず、対向基板３２０のように石英ガラスを用いてもよい。この素子基板３１０の一面には、ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１が設けられている。
ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１は、ＭＯＳ−ＦＥＴ３１２とコンデンサー３１３とが配線３１４により直列接続され、マトリックス状に配列された複数の直列回路を備えている。各ＭＯＳ−ＦＥＴ３１２は、ソース３１２Ｓ、ゲート３１２Ｇおよびドレイン３１２Ｄを備え、ドレイン３１２Ｄが配線３１４を介してコンデンサー３１３に接続され、ゲート３１２Ｇは図示しない液晶駆動用のドライバーＩＣからの配線に接続されている。また、ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１は、素子基板３１０の一面に設けられた絶縁層３１５および絶縁層３１５内に設けられた遮光層３１６を備えている。遮光層３１６は、素子基板３１０の一面に沿った層状に設けられ、一部が切り欠かれている。
そして、ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の絶縁層３１５上には、各直列回路の配置位置に応じてマトリックス状に配列された反射電極としての複数の画素電極３１７Ａが形成され、各画素電極３１７Ａ上には液晶３３０を含む複数の表示素子部３１７がマトリックス状に積層して設けられている。画素電極３１７Ａは、遮光層３１６の切り欠かれた部分を介して、配線３１４により、ＭＯＳ−ＦＥＴ３１２およびコンデンサー３１３の直列回路に接続されている。そして、これらＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１、画素電極３１７Ａおよび表示素子部３１７が積層する領域が、積層領域３１７Ｃ（図４参照）となる。
また、ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の絶縁層３１５上には、マトリックス状に配列された複数の画素電極３１７Ａの周囲に位置して、金属膜である反射電極の延在部３１７Ｂ（図４〜６参照）が設けられている。
【００２１】
対向基板３２０は、例えば石英ガラスなどのガラス基板である対向側マザー基板３０２（図６参照）から切り出された板状に形成されている。
そして、対向基板３２０の一面、すなわち素子基板３１０に対向する対向面には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などのスパッタリングにより、透明電極３２１が設けられている。なお、対向基板３２０には、少なくとも表示素子部３１７に対応する領域に、配向処理が施されて図示しない配向膜が設けられている。
【００２２】
反射型液晶パネル３１には、素子基板３１０と対向基板３２０との間に、表示素子部３１７の周囲を囲む状態で環状に設けられた図２では図示しないシール材が設けられている。
シール材としては、例えばアクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂を配合した光・熱硬化性樹脂が利用できる。そして、シール材は、所定の粒径のシリカ球や樹脂球などのギャップスペーサーと、シリカ球や樹脂球の表面に金等の導電性材料が被覆形成された導電性のギャップスペーサーとを含み、これらのギャップスペーサーにより、素子基板３１０と対向基板３２０との対向距離を保持している。なお、シール材としては、このようなものに限られるものではなく、各種材料を利用できる。
そして、反射型液晶パネル３１は、シール材と素子基板３１０と対向基板３２０とにより囲まれた領域に液晶３３０が封入されている。
また、反射型液晶パネル３１には、表示素子部３１７の各ＭＯＳ−ＦＥＴ３１２をオンオフさせる駆動電圧を印加するための複数の端子３１８（図４，５参照）が設けられている。なお、図４，５において、説明の都合上、端子３１８を１１個設けた構成を示すが、この限りではない。
【００２３】
〔反射型液晶パネルの製造方法〕
次に、反射型液晶パネル３１の製造方法を、図面を参照して説明する。
図４は、素子側マザー基板を拡大した一部を示す平面図である。図５は、シール材を設けた素子側マザー基板の一部を示す平面図である。図６は、素子側マザー基板および対向側マザー基板を貼り合わせた状態を示す一部を切り欠いた断面図である。なお、図４〜６は、素子側マザー基板の切断位置を一点鎖線および二点鎖線で示し、対向側マザー基板の切断位置を一点鎖線および破線で示す。
【００２４】
まず、シリコンウエハーの一面にＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１が設けられた素子側マザー基板３０１と、ガラス基板の一面に透明電極３２１が設けられた対向側マザー基板３０２とを、予め製造しておく。
ここで、素子側マザー基板３０１は、図４および図５に示すように、放電によるＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の損傷防止などのため、各反射型液晶パネル３１に対応する延在部３１７Ｂが、周囲の延在部３１７Ｂと導通部３１９により電気的に接続されている。すなわち、延在部３１７Ｂの一部である導通部３１９が、素子基板３１０の外周縁の位置となる切断位置にまで延設する状態となっている。また、表示素子部３１７毎のＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１は、図６に示すように、素子基板３１０の外周縁に位置する切断位置では配線３１４などにより電気的に接続する状態となっている。なお、隣り合う延在部３１７Ｂの間の導通部３１９が設けられていない間隙が不連続部分３１７Ｄ（開口部）となっている。
【００２５】
そして、製造に際しては、まずシール材形成工程が実施される。すなわち、シール材形成工程では、あらかじめＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１が設けられた素子側マザー基板３０１に、図５に示すように、各表示素子部３１７の周囲を囲む状態で環状にシール材３４０を設ける。
このシール材３４０は、反射型液晶パネル３１の素子基板３１０の外周縁に対応する切断位置（図４，５中一点および二点鎖線）には設けられないように、積層領域３１７Ｃを囲むように環状に形成されている。
さらに、図３に示すように、素子側マザー基板３０１の外周縁に沿ってシール部材３０３を環状に形成する。このシール部材３０３は、一重のみならず、二重に設けてもよい。
【００２６】
このシール材形成工程の後、液晶配置工程が実施される。すなわち、液晶配置工程では、シール材３４０が設けられた素子側マザー基板３０１の表示素子部３１７の中央部分に液晶３３０を所定量滴下する。
この液晶配置工程の後、貼り合わせ工程が実施される。具体的には、例えば１３３．３２２Ｐａ（１Torr）程度まで減圧された環境下で、液晶配置工程で液晶３３０が滴下された素子側マザー基板３０１に、図６に示すように、対向側マザー基板３０２を重ね合わせる。そして、シール材３４０が対向側マザー基板３０２に接触する程度まで積層方向で加圧した後、大気圧下に解放して常圧下に復帰させる。この大気圧下では、素子側マザー基板３０１、対向側マザー基板３０２およびシール部材３０３で囲まれた領域は、大気圧により加圧された状態となっている。このため、素子側マザー基板３０１および対向側マザー基板３０２の全体的に同等の大気圧が加わることで、シール材３４０に囲まれた各領域に、むらなく同等の大気圧が加わる。
なお、素子側マザー基板３０１および対向側マザー基板３０２間は、シール材３４０のシリカ球および導電性材料と所定量の液晶３３０とにより、所定の距離のセルギャップに設定される。
この後、対向側マザー基板３０２側から、例えば３５０ｎｍ以下をカットした紫外線を３０００ｍＪ／ｃｍ2照射し、シール材３４０のアクリル成分を硬化させる。この後、１２０℃で１時間加熱してエポキシ成分を硬化させてシール材３４０を硬化させ、図６に示す貼り合わせ体３０５を形成する。
【００２７】
この貼り合わせ工程の後、切断工程を実施する。具体的には、切断工程では、反射型液晶パネル３１の外周縁に対応する位置（図４〜６中の一点鎖線、二点鎖線および点線）に、スクライバー（scriber）で罫書き線を刻みつけた後、素子側マザー基板３０１および対向側マザー基板３０２のそれぞれに面外方向から力を作用させ、各反射型液晶パネル３１を切断する。
すなわち、図４，５中の一点鎖線および二点鎖線で示す位置で素子側マザー基板３０１を切断し、図４〜６中の一点鎖線および図４，５中の点線で示す位置で対向側マザー基板３０２を切断し、反射型液晶パネル３１を製造する。
【００２８】
〔第一実施形態の作用効果〕
上述したように、上記第一実施形態では、素子基板３１０の外周縁の位置で、延在部３１７Ｂとシール材３４０とが積層しないように形成している。すなわち、液晶３３０を封入するためのシール材３４０を、素子基板３１０の外周縁に位置しないように設けている。
このことにより、切断位置となる素子基板３１０の外周縁にシール材３４０が位置しないので、素子基板３１０を素子側マザー基板３０１から切り出す切断工程で、シール材３４０が切断されることがない。このため、シール材３４０に切断時の引張力が作用することがないため、シール材３４０が設けられる延在部３１７Ｂさらにはこの延在部３１７Ｂが積層するＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１に引張力が作用しない。したがって、引張力の作用による延在部３１７Ｂの剥離やＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の剥離や切断などの損傷を防止でき、製品の歩留まりを向上できる。よって、製造時の製品の歩留まりの向上により製造コストも向上できる。
【００２９】
さらに、上記第一実施形態では、シール形成工程、液晶配置工程、貼り合わせ工程の順で反射型液晶パネル３１を製造している。
このため、シール材３４０を閉じた環状に設けることが可能となり、従来のような液晶注入口を設ける必要がない。
【００３０】
そして、上記第一実施形態では、シール材３４０として導電性材料を含有する構成を設けた。
このことにより、素子基板３１０のＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１と、対向基板３２０の透明電極３２１との電気的導通が得られる。このため、電気的導通の為の構成を別途設ける必要がなく、表示素子部３１７の画素毎にＭＯＳ−ＦＥＴ３１２をオンオフ可能な回路構成が得られ、製造性を向上できる。特に、導電性材料が、シリカ球のようにギャップスペーサーとして機能する為に所定の粒径に形成したものを用いることにより、シリカ球を用いることなく導電性材料のみで、所定の距離のセルギャップに設定でき、製品間での品質の安定化が得られる。
【００３１】
また、上記第一実施形態では、延在部３１７Ｂに周縁の延在部３１７Ｂと電気的に接続させる導通部３１９を設けている。
このことにより、例えば素子側マザー基板３０１の配向処理など、製造工程で静電気が発生しても、延在部３１７Ｂなどに蓄積されず、素子側マザー基板３０１全体の延在部３１７Ｂが同電位となって、静電気放電の発生を防止できる。このため、静電気放電によるＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の損傷を防止でき、歩留まりを向上できる。
【００３２】
そして、上記第一実施形態では、素子側マザー基板３０１の外周縁に沿ってシール部材３０３を設けている。
このため、減圧下で素子側マザー基板３０１および対向側マザー基板３０２を貼り合わせた後に大気圧に解放することで、全体的にむら無く大気圧が加わる状態となる。このため、反射型液晶パネル３１間での製品の品質にばらつきが生じず、安定した特性を提供できる。
【００３３】
［第二実施形態］
次に、本発明の第二実施形態を図面に基づいて説明する。
第二実施形態は、第一実施形態におけるシール材３４０を、いわゆる一筆書き状に一連に設けて環状に形成するものである。なお、第二実施形態において、第一実施形態と同等の構成については、第一実施形態と同じ符号を付して説明を省略する。
図７は、製造方法を示すフローチャートである。図８は、第一シール形成工程後のシール材を設けた素子側マザー基板の一部を示す平面図である。図９は、反射型液晶パネルのシール材を設けた素子側マザー基板の一部を示す平面図である。図１０は、切断位置近傍のシール材が設けられた素子側マザー基板の一部を示す平面図である。
【００３４】
〔反射型液晶パネルの製造方法〕
反射型液晶パネル３１の製造に際して、第一実施形態と同様、ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１が設けられた素子側マザー基板３０１と、ガラス基板の一面に透明電極３２１が設けられた図示しない対向側マザー基板３０２とを、予め製造しておく。
そして、図７に示すように、まずシール材形成工程Ｓ１が実施される。このシール材形成工程Ｓ１は、表示素子部３１７の周囲を環状に囲む状態にシール材３４０を設ける工程で、第一シール形成工程としての第一形成工程Ｓ１１と第二シール形成工程としての第二形成工程Ｓ１２とが順次実施される。
【００３５】
具体的には、第一形成工程Ｓ１１では、図８に示すように、素子側マザー基板３０１の表示素子部３１７の配列方向、本実施形態では図８の左右方向に沿って、表示素子部３１７の周囲をそれぞれ囲む領域の一部を一筆書き状に連続してシール材３４０を設ける。
このシール材３４０は、隣り合う延在部３１７Ｂ間の間隙となる不連続部分３１７Ｄに設けられる。すなわち、後述する切断工程で素子側マザー基板３０１を切断する位置で、延在部３１７Ｂや導通部３１９が設けられていない延在部３１７Ｂの不連続部分３１７Ｄにシール材３４０を設け、シール材３４０と延在部３１７Ｂとが重ならない状態とする。そして、この第一形成工程Ｓ１１の後、第二形成工程Ｓ１２が実施される。
【００３６】
この第二形成工程Ｓ１２では、図９に示すように、各表示素子部３１７の一部を囲む状態でシール材３４０を形成した素子側マザー基板３０１に、表示素子部３１７をそれぞれ囲む領域の残部を、表示素子部３１７の配列方向に沿って一筆書き状に連続してシール材３４０を形成する。
この表示素子部３１７を囲む領域の残部にシール材３４０を設ける際、隣り合う表示素子部３１７間で既に設けられたシール材３４０が連続する部分３４１に、真上から２度書きするように形成することが好ましい。これは、既に描画済みのシール材３４０の部分３４１がシール材３４０を吐出するディスペンサーの先端を塞ぐ状態となってシール材３４０がほとんど押し出されず、シール材３４０の部分３４１で他の部分より倍のシール材３４０が描画されることはない。このため、後述するが、素子側マザー基板３０１と対向側マザー基板３０２とを貼り合わせる工程Ｓ３で、シール材３４０の部分３４１が他の部分より幅寸法が広く押し潰されることはない。なお、完全に重ならず多少位置がずれて描画（重なり部分が少なくなる状態で描画）してもよいが、位置ずれが大きくなるに従ってシール材３４０の部分３４１が太くなるので、完全に重なるように描画することが好ましい。
このように、シール材３４０の部分３４１の幅寸法が狭い状態とすることにより、シール材３４０とＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１との接触面積が少なくなって接着強度が強くなることを抑制し、後述するシール材３４０が切断する際に、ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１に引張力が作用しにくくなり、ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の損傷を防止できる。
これら第一形成工程Ｓ１１と第二形成工程Ｓ１２との実施により、表示素子部３１７の周囲がそれぞれ環状に囲む状態にシール材３４０が形成され、積層領域３１７Ｃが環状のシール材３４０にて囲まれる。
【００３７】
このシール材形成工程Ｓ１の後、図７に示すように、第一実施形態と同様に、シール材３４０で囲まれた表示素子部３１７に液晶３３０を配置する液晶配置工程Ｓ２が実施される。
さらに、液晶配置工程Ｓ２の後に、第一実施形態と同様に、貼り合わせ工程が実施される。すなわち、減圧下で素子側マザー基板３０１と対向側マザー基板３０２とを貼り合わせる工程Ｓ３の後、大気圧下に解放し、シール材３４０を硬化させる工程Ｓ４を実施する。
ここで、表示素子部３１７をそれぞれ環状に囲むシール材３４０が設けられた位置では、延在部３１７Ｂ上にシール材３４０が設けられている。一方、隣り合う表示素子部３１７間でシール材３４０が連続する部分３４１では、延在部３１７Ｂ上に重なっていない。このため、シール材３４０が設けられている位置において、素子側マザー基板３０１と対向側マザー基板３０２との間の間隙寸法が、連続する部分３４１の位置では延在部３１７Ｂの厚さ寸法分広い。したがって、この連続する部分３４１は、表示素子部３１７を囲む延在部３１７Ｂ上に位置するシール材３４０より、素子側マザー基板３０１と対向側マザー基板３０２との貼り合わせ時に押し潰されにくく、図１０に示すように、幅寸法が狭い状態で形成される。
【００３８】
このシール材３４０を硬化させる工程Ｓ４の後、第一実施形態と同様に、罫書き線を刻みつけた後に素子側マザー基板３０１および対向側マザー基板３０２のそれぞれに面外方向から力を作用させ、各反射型液晶パネル３１を切断する。
ここで、上記した図１０に示すように、シール材３４０における連続する部分３４１の幅寸法が他の部分より狭く形成されるので、切断工程Ｓ５における切断時に、シール材３４０が連続する部分３４１で選択的に切断される状態となる。このため、シール材３４０が切断される際に引張力が作用しても、延在部３１７Ｂにまで引張力が作用することを防止できる。
【００３９】
〔第二実施形態の作用効果〕
上述したように、上記第二実施形態では、第一形成工程Ｓ１１で、素子側マザー基板３０１の表示素子部３１７をそれぞれ囲む領域の一部を、複数の表示素子部３１７の配列方向に沿っていわゆる一筆書き状に連続してシール材３４０を設ける。さらに、第二形成工程Ｓ１２で、表示素子部３１７をそれぞれ囲む領域の残部を、表示素子部３１７の配列方向に沿って一筆書き状に連続してシール材３４０を設け、表示素子部３１７をそれぞれ囲む環状にシール材３４０を設けている。
このことにより、第一形成工程Ｓ１１と第二形成工程Ｓ１２とで、シール材３４０を設ける一連の動作を２回実施することで、配列方向の複数の表示素子部３１７を囲むシール材３４０を形成でき、効率より製造できる。そして、これら第一形成工程と１１および第二形成工程Ｓ１２では、シール材３４０を設ける際、第一実施形態と同様に、隣り合う表示素子部３１７間の切断工程Ｓ５での切断位置で延在部３１７Ｂおよび導通部３１９に積層しない位置としている。このことにより、切断工程Ｓ５で切断する際、切断位置で連続するシール材３４０に仮に引張力が作用しても、延在部３１７Ｂおよび導通部３１９に引張力が作用しない。このため、シール材３４０を一連に形成でき効率よく製造できる構成で、ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１が剥離したり切断したりするなどの損傷を防止でき、製品の歩留まりを向上できる。
【００４０】
また、第二実施形態では、延在部３１７Ｂおよび導通部３１９が設けられていない位置で連続する部分３４１が設けられるようにシール材３４０を連続して形成している。
このため、シール材３４０の連続する部分３４１の幅寸法が他の部位より幅狭となり、切断工程Ｓ５での切断時に、連続する部分３４１でシール材３４０が選択的に切断される状態となり、他の部位にシール材３４０の切断時の引張力が作用することを防止できる。したがって、製造効率が向上できるシール材３４０の連続形成の構成でも、ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１が剥離したり切断したりするなどの損傷を防止でき、製品の歩留まりを向上できる。
【００４１】
そして、第二実施形態では、第一実施形態と同様に、導電性材料を含有するシール材３４０を用いる構成、および、導通部３１９を設ける構成が採られている。
このため、第一実施形態と同様に、これら構成による同様の作用効果も奏する。
【００４２】
［第三実施形態］
次に、本発明の第三実施形態を図１１に基づいて説明する。
図１１は、第三実施形態におけるシール材を設けた素子側マザー基板の一部を示す平面図である。
この第三実施形態は、第一実施形態における隣り合う延在部３１７Ｂ間に不連続部分３１７Ｄが設けられておらず、全体的に連続して形成している。この第三実施形態の構成では、第一実施形態と同様に閉じた環状に形成し、延在部３１７Ｂが位置する切断する位置にはシール材３４０を設けていない。
この第三実施形態についても、上述した第一実施形態および第二実施形態と同様に、切断時に引張力の作用による延在部３１７Ｂの剥離やＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の剥離や切断などの損傷を防止でき、製品の歩留まりを向上できる。
【００４３】
［第四実施形態］
次に、本発明の第四実施形態を図１２に基づいて説明する。
図１２は、第四実施形態におけるシール材を設けた素子側マザー基板の一部を示す平面図である。
この第四実施形態は、上述した図１１に示す第三実施形態のような延在部３１７Ｂが連続する構成において、第二実施形態における一筆書き状にシール材３４０を連続して形成する構成を適用したものである。すなわち、第四実施形態では、切断工程での切断位置に不連続部分３１７Ｄを設け、この不連続部分３１７Ｄの位置にシール材３４０が位置するように設けたものである。
この第四実施形態についても、上述した各実施形態と同様に、切断時に引張力の作用による延在部３１７Ｂの剥離やＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の剥離や切断などの損傷を防止でき、製品の歩留まりを向上できる。さらに、第四実施形態は、第二実施形態と同様に一筆書き状にシール材３４０を設けるため、効率よく製造できる。
【００４４】
［第五実施形態］
次に、本発明の第五実施形態を図１３に基づいて説明する。
図１３は、第五実施形態におけるシール材を設けた素子側マザー基板の一部を示す平面図である。
この第五実施形態は、導通部３１９を設けず、延在部３１７Ｂをそれぞれ島状構造に形成したものである。
この第五実施形態では、導通部３１９のように、素子基板３１０の外周縁まで延設させて切断位置で接続させ、隣接するＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１同士を電気的に接続する構成を設けることが望ましい。この構成により、導通部３１９の場合と同様に、静電気放電によるＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の損傷を防止できる。
そして、本発明は、この第五実施形態のように、素子基板３１０の外周縁の位置で、シール材３４０および延在部３１７Ｂの双方を設けない構成としてもよい。
【００４５】
［実施形態の変形例］
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
すなわち、素子側マザー基板３０１および対向側マザー基板３０２の切断位置で、シール材３４０が延在部３１７Ｂおよび導通部３１９に重ならないように、表示素子部３１７を囲む環状にシール材３４０を形成する方法としては、上記各実施形態に限られるものではない。
また、第二実施形態および第四実施形態において、シール材３４０を連続して設ける配列方向として、図８および図９における左右方向、あるいは図１２における左右方向としたが、例えば上下方向としてもよい。
【００４６】
そして、本発明では、ギャップスペーサーおよび導電性のギャップスペーサーを含有するシール材３４０を用いたが、この限りではない。
例えば、シール材３４０とは別体のギャップスペーサーを用い、ギャップスペーサーを含有しないシール材３４０を用いてもよい。また、素子基板３１０と対向基板３２０との導通が得られる別構成を設け、シール材３４０には導電性の材料を含有しない構成としてもよい。
さらに、光硬化性のアクリル系樹脂および熱硬化性のエポキシ系樹脂を配合したものを用いる場合に限らず、光硬化のみあるいは熱硬化のみのものでもよい。
【００４７】
また、素子側マザー基板３０１にシール材３４０を設け、素子側マザー基板３０１に液晶３３０を滴下して製造したが、この限りではない。
すなわち、対向側マザー基板３０２に、貼り合わされる素子側マザー基板３０１の表示素子部３１７に対応する対向位置を囲む位置に環状にシール材３４０を設ける。そして、このシール材３４０が設けられた対向側マザー基板３０２のシール材３４０に囲まれた対向位置内に、液晶３３０を滴下して素子側マザー基板３０１を貼り合わせてもよい。
【００４８】
そして、第一実施形態では、三板式のプロジェクター１で使用される反射型液晶パネル３１であり、各反射型液晶パネル３１は単色を光変調する構成について説明したが、この限りではない。すなわち、石英ガラス基板上にＲＧＢの三色のカラーフィルターを設けた反射型液晶パネルとしてもよい。このようなカラーフィルターを備えた反射型液晶パネルは、例えば、デジタルカメラ等のビューファインダーとして好適に利用することができる。さらには、反射型液晶パネル３１を設けた電子機器として、携帯型ピコプロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、例えば車両のフロントガラスに投影される車載型のヘッドアップディスプレイ等にも適用できる。
【００４９】
また、第二実施形態において、第二形成工程Ｓ１２でシール材３４０の部分３４１の真上に２度書きするようにシール材３４０を形成する方法を例示したが、この限りではない。
例えば、シール材３４０の部分３４１に重なる直前で描画を停止、すなわちシール３４０の吐出を止め、その状態でディスペンサーを部分３４１に重なる位置で移動させ、第一形成工程Ｓ１２の描画位置とずれる直前からシール材３４０の吐出を再開してもよい。
【符号の説明】
【００５０】
１…電子機器としてのプロジェクター、３１…液晶装置としての反射型液晶パネル、３０１…素子側マザー基板、３０２…対向側マザー基板、３０５…貼り合わせ体、３１０…素子基板、３１１…駆動回路としてのＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路、３１７…表示素子部、３１７Ｂ…反射電極の延在部、３１７Ｃ…積層領域、３１７Ｄ…不連続部分（開口部）、３１９…反射電極の導通部、３２０…対向基板、３２１…透明電極、３３０…液晶、３４０…シール材、Ｓ１…シール材形成工程、Ｓ１１…第一シール形成工程としての第一形成工程、Ｓ１２…第二シール形成工程としての第二形成工程、Ｓ２…液晶配置工程、Ｓ３…貼り合わせ工程を構成する貼り合わせる工程、Ｓ４…貼り合わせ工程を構成するシール材を硬化させる工程、Ｓ５…切断工程
【図１】
2011215454.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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