(57)【要約】【課題】積層体にクラックが発生することを防止できると共に、基板との間に接続不良が発生することを抑制できる電子部品及びその製造方法を提供する。【解決手段】接続導体層２０ａ，２０ｂは、下面Ｓ１において、隙間Ｇを空けた状態で設けられている。絶縁体層２２は、接続導体層２０ａ，２０ｂにおいて隙間Ｇを形成している外縁ｅ１，ｅ２を覆っている。接続導体層２４ａは、接続導体層２０ａ上に設けられている。接続導体層２４ｂは、接続導体層２０ｂ上に設けられている。接続導体層２４ａ，２４ｂの主面は、絶縁体層２２の主面よりも下面Ｓ１から離れている。【選択図】図３
2011040612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子を内蔵している直方体状の本体であって、第１の面並びに該第１の面を挟んで互いに対向している第２の面及び第３の面を有している本体と、
前記第１の面において、隙間を空けた状態で設けられている第１の導体層及び第２の導体層と、
前記第１の導体層及び第２の導体層において前記隙間を形成している外縁を覆っている第１の絶縁体層と、
前記第１の導体層上に設けられている第３の導体層と、
前記第２の導体層上に設けられている第４の導体層と、
前記第２の面に設けられていると共に、前記第１の導体層又は前記第３の導体層と接触している第１の外部電極と、
前記第３の面に設けられていると共に、前記第２の導体層又は前記第４の導体層と接触している第２の外部電極と、
を備えており、
前記第３の導体層の主面及び前記第４の導体層の主面は、前記第１の絶縁体層の主面よりも前記第１の面から離れていること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記第３の導体層及び前記第４の導体層は、前記第１の絶縁体層の一部を覆っていること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記本体は、複数の第２の絶縁体層が積層されてなり、
前記第１の絶縁体層は、前記第２の絶縁体層と同じ材料により作製されていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
【請求項４】
請求項１に記載の電子部品の製造方法であって、
前記本体を形成する工程と、
前記第１の導体層及び前記第２の導体層を形成する工程と、
前記第１の絶縁体層を形成する工程と、
前記第３の導体層及び前記第４の導体層を形成する工程と、
前記第１の導体層ないし前記第４の導体層及び前記第１の絶縁体層が形成された前記本体を焼成する工程と、
前記本体に前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極を形成する工程と、
を備えていること、
を特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、より特定的には、外部電極を備えている電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品及びその製造方法としては、図１２（ａ）に示す電子部品が知られている。図１２（ａ）は、従来の電子部品５００の断面構造図である。
【０００３】
電子部品５００は、積層体５０２、外部電極５０４ａ，５０４ｂ及び接続導体層５０６ａ，５０６ｂを備えている。積層体５０２は、セラミック等の絶縁体層が積層されてなり、直方体状をなしている。外部電極５０４ａ，５０４ｂは、積層体５０２の互いに対向する２つの側面を覆うように設けられている。更に、外部電極５０４ａ，５０４ｂは、図１２（ａ）に示すように、積層体５０２の上面及び下面に対して折り返すように設けられている。接続導体層５０６ａ，５０６ｂはそれぞれ、積層体５０２の下面に外部電極５０４ａ，５０４ｂと接続された状態で設けられている。
【０００４】
以上のように構成された電子部品５００は、樹脂製の基板５１０に対してはんだ実装される。具体的には、外部電極５０４ａ及び接続導体層５０６ａは、はんだ５１２ａにより基板５１０に固定され、外部電極５０４ｂ及び接続導体層５０６ｂは、はんだ５１２ｂにより基板５１０に固定される。
【０００５】
ところで、電子部品５００では、電子部品５００の基板５１０に対するはんだ実装の際に、クラックが発生するおそれがある。より詳細には、積層体５０２の熱膨張係数は、基板５１０の熱膨張係数よりも小さい。そのため、はんだ実装の際に電子部品５００及び基板５１０が加熱されると、電子部品５００よりも基板５１０の方が大きく膨張する。これにより、はんだ５１２ａ，５１２ｂは、これらの間隔が広がる方に応力Ｆ１により引っ張られる。そして、接続導体層５０６ａ，５０６ｂは、はんだ５１２ａ，５１２ｂにより、これらの間隔が広がる方向に引っ張られる。この際、図１２（ａ）に示すように、応力Ｆ２が接続導体層５０６ａ，５０６ｂの先端に集中するので、積層体５０２において接続導体層５０６ａ，５０６ｂの先端が接している部分Ｂにおいてクラックが発生するおそれがある。
【０００６】
上記の問題を解決するために、例えば、図１２（ｂ）に示す電子部品６００が挙げられる。図１２（ｂ）は、従来の電子部品６００の断面構造図である。
【０００７】
電子部品６００では、電子部品５００に対して、絶縁体層６０２が設けられている。絶縁体層６０２は、積層体５０２の下面において、接続導体層５０６ａ，５０６ｂの先端を覆うように設けられている。これにより、電子部品６００では、電子部品６００の基板５１０に対するはんだ実装の際に、応力Ｆ２が接続導体層５０６ａ，５０６ｂの先端に集中することが抑制される。その結果、電子部品６００では、積層体５０２において接続導体層５０６ａ，５０６ｂの先端が接している部分Ｂにおいてクラックが発生することが抑制される。
【０００８】
しかしながら、電子部品６００では、積層体５０２の焼成時に、絶縁体層６０２中の成分が溶融して、接続導体層５０６ａ，５０６ｂ上に広がってしまうという問題を有している。具体的には、絶縁体層６０２は、接続導体層５０６ａ，５０６ｂの形成後であって積層体５０２の焼成前に、積層体５０２の下面において接続導体層５０６ａ，５０６ｂの先端を覆うように形成される。そして、絶縁体層６０２は、積層体５０２と共に焼成される。そのため、積層体５０２の焼成時に、絶縁体層６０２中の成分が溶け出して、接続導体層５０６ａ，５０６ｂ上に広がってしまう。これにより、接続導体層５０６ａ，５０６ｂが露出している部分の面積が小さくなってしまい、接続導体層５０６ａ，５０６ｂとはんだ５１２ａ，５１２ｂの接触面積が小さくなってしまう。その結果、電子部品６００と基板５１０との間に接続不良が発生するおそれがある。
【０００９】
なお、電子部品６００に似た発明としては、例えば、特許文献１に記載の電子部品の電極構造が知られている。ただし、電子部品の電極構造では、積層体の焼成後に、絶縁体層６０２に相当するはんだレジスト部材が形成されているので、焼成時にはんだレジスト部材中の成分が溶融するという問題が発生しない。そのため、特許文献１には、電子部品６００と基板５１０との接続性の低下の問題を解決する方法についての記載は存在しない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平６−２４４０５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、本発明の目的は、積層体にクラックが発生することを防止できると共に、基板との間の接続不良の発生を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一形態である電子部品は、回路素子を内蔵している直方体状の本体であって、第１の面並びに該第１の面を挟んで互いに対向している第２の面及び第３の面を有している本体と、前記第１の面において、隙間を空けた状態で設けられている第１の導体層及び第２の導体層と、前記第１の導体層及び２の導体層において前記隙間を形成している外縁を覆っている第１の絶縁体層と、前記第１の導体層上に設けられている第３の導体層と、前記第２の導体層上に設けられている第４の導体層と、前記第２の面に設けられていると共に、前記第１の導体層又は前記第３の導体層と接触している第１の外部電極と、前記第３の面に設けられていると共に、前記第２の導体層又は前記第４の導体層と接触している第２の外部電極と、を備えており、前記第３の導体層の主面及び前記第４の導体層の主面は、前記第１の絶縁体層の主面よりも前記第１の面から離れていること、を特徴とする。
【００１３】
また、本発明の一形態に係る電子部品の製造方法は、前記本体を形成する工程と、前記第１の導体層及び前記第２の導体層を形成する工程と、前記第１の絶縁体層を形成する工程と、前記第３の導体層及び前記第４の導体層を形成する工程と、前記第１の導体層ないし前記第４の導体層及び前記第１の絶縁体層が形成された前記本体を焼成する工程と、前記本体に前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極を形成する工程と、を備えていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、積層体にクラックが発生することを防止できると共に、基板との間の接続不良の発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。
【図２】図１の電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図３】図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。
【図４】電子部品の工程断面図である。
【図５】電子部品の工程断面図である。
【図６】電子部品の工程断面図である。
【図７】電子部品の工程断面図である。
【図８】電子部品の工程断面図である。
【図９】電子部品の工程断面図である。
【図１０】電子部品の工程断面図である。
【図１１】変形例に係る電子部品の断面構造図である。
【図１２】従来の電子部品の断面構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の実施形態に係る電子部品及びその製造方法について説明する。
【００１７】
（電子部品の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、図１の電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。図３は、図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。以下、電子部品１０の積層方向をｚ軸方向と定義し、電子部品１０の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は互いに直交している。なお、図２では、図１及び図３の上下方向を反転させて記載した。
【００１８】
電子部品１０は、図１及び図２に示すように、積層体（本体）１２及び外部電極１４（１４ａ，１４ｂ）、接続導体層２０（２０ａ，２０ｂ），２４（２４ａ，２４ｂ）、絶縁体層２２及びコイルＬを備えている。積層体１２は、直方体状をなしており、図２に示すように、コイル（回路素子）Ｌを内蔵している。積層体１２は、図３に示すように、下面Ｓ１及び端面Ｓ２，Ｓ３を有している。積層体１２において、ｚ軸方向の負方向側の面を下面Ｓ１と称す。また、図３に示すように、積層体１２において、下面Ｓ１を挟んで互いに対向している面を、端面Ｓ２，Ｓ３と称す。端面Ｓ２は、ｘ軸方向の負方向側の面であり、端面Ｓ３は、ｘ軸方向の正方向側の面である。
【００１９】
積層体１２は、図２に示すように、絶縁体層１６（１６ａ〜１６ｈ）がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に並ぶように積層されることにより構成されている。絶縁体層１６ａ〜１６ｈはそれぞれ、ガラスを主成分とするセラミックペーストが塗布されることにより形成された長方形状の絶縁体層である。以下では、絶縁体層１６において、ｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、ｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
【００２０】
コイルＬは、コイル導体層１８（１８ａ〜１８ｇ）及びビアホール導体ｂ１〜ｂ６により構成されている。コイル導体層１８は、Ａｇからなる導電性材料からなり、螺旋状のコイルＬを構成している。具体的には、コイル導体層１８ａ〜１８ｇはそれぞれ、図２に示すように、絶縁体層１６ａ〜１６ｇの裏面上に設けられ、３／４ターンの長さを有する線状導体である。コイル導体層１８ａ〜１８ｇは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なり合うことにより長方形状の環状の軌道を形成している。したがって、コイル導体層１８ａ〜１８ｇは、長方形の一辺が切り欠かれたコ字型をなしている。以下では、ｚ軸方向の負方向側から平面視したときに、コイル導体層１８ａ〜１８ｇの反時計回りの上流側の端部をコイル導体層１８ａ〜１８ｇの上流端と呼び、コイル導体層１８ａ〜１８ｇの反時計回りの下流側の端部をコイル導体層１８ａ〜１８ｇの下流端と呼ぶ。
【００２１】
ビアホール導体ｂ１〜ｂ６は、図２に示すように、絶縁体層１６ｂ〜１６ｇをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向に隣り合っているコイル導体層１８ａ〜１８ｇを接続している。具体的には、ビアホール導体ｂ１は、コイル導体層１８ａの下流端とコイル導体層１８ｂの上流端とを接続している。ビアホール導体ｂ２は、コイル導体層１８ｂの下流端とコイル導体層１８ｃの上流端とを接続している。ビアホール導体ｂ３は、コイル導体層１８ｃの下流端とコイル導体層１８ｄの上流端とを接続している。ビアホール導体ｂ４は、コイル導体層１８ｄの下流端とコイル導体層１８ｅの上流端とを接続している。ビアホール導体ｂ５は、コイル導体層１８ｅの下流端とコイル導体層１８ｆの上流端とを接続している。ビアホール導体ｂ６は、コイル導体層１８ｆの下流端とコイル導体層１８ｇの上流端とを接続している。以上のように、コイル導体層１８ａ〜１８ｇ及びビアホール導体ｂ１〜ｂ６は、ｚ軸方向に延在するコイル軸を有する螺旋状のコイルＬを構成している。そして、コイルＬは、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状の環状の軌道において旋廻している。
【００２２】
コイル導体層１８ａの上流端は、図２に示すように、絶縁体層１６ａのｘ軸方向の負方向側の短辺に引き出されている。これにより、コイル導体層１８ａは、外部電極１４ａに接続されている。
【００２３】
コイル導体層１８ｇの下流端は、図２に示すように、絶縁体層１６ｇのｘ軸方向の正方向側の短辺に引き出されている。これにより、コイル導体層１８ｇは、外部電極１４ｂに接続されている。
【００２４】
接続導体層２０は、図２及び図３に示すように、絶縁体層１６ｈの裏面上（すなわち、下面Ｓ１上）において、隙間Ｇを空けた状態で設けられている。具体的には、接続導体層２０ａは、絶縁体層１６ｈのｘ軸方向の負方向側の短辺に沿って延在しており、ｘ軸方向において幅ｄ１を有している長方形状の導体層である。接続導体層２０ｂは、絶縁体層１６ｈのｘ軸方向の正方向側の短辺に沿って延在しており、ｘ軸方向において幅ｄ１を有している長方形状の導体層である。これにより、接続導体層２０ａ、隙間Ｇ及び接続導体層２０ｂは、端面Ｓ２から端面Ｓ３へと向かう方向（すなわち、ｘ軸方向の負方向側から正方向側に向かう方向）において、この順に並んでいる。
【００２５】
また、接続導体層２０ａ，２０ｂにおいて、隙間Ｇを形成している外縁を外縁ｅ１，ｅ２と称す。より具体的には、隙間Ｇは、接続導体層２０ａのｘ軸方向の正方向側に位置し、ｙ軸方向に延在する外縁と、接続導体層２０ｂのｘ軸方向の負方向側に位置し、ｙ軸方向に延在する外縁との間に存在している。そこで、接続導体層２０ａのｘ軸方向の正方向側に位置し、ｙ軸方向に延在する外縁を、外縁ｅ１と称す。また、接続導体層２０ｂのｘ軸方向の負方向側に位置し、ｙ軸方向に延在する外縁を、外縁ｅ２と称す。
【００２６】
絶縁体層２２は、図３に示すように、外縁ｅ１，ｅ２及び隙間Ｇを覆うように、絶縁体層１６ｈの裏面上及び接続導体層２０ａ，２０ｂの裏面上に設けられている長方形状の絶縁体層である。絶縁体層２２は、絶縁体層１６と同じ材料（例えば、ガラスを主成分とするセラミックペースト）により作製されている。
【００２７】
接続導体層２４は、図２及び図３に示すように、図２及び図３に示すように、接続導体層２０の裏面上に設けられている。更に、接続導体層２４ａは、絶縁体層２２の一部を覆っている。具体的には、接続導体層２４ａは、接続導体層２０ａのｘ軸方向の負方向側の長辺に沿って延在しており、ｘ軸方向において幅ｄ１よりも小さい幅ｄ２を有している長方形状の導体層である。そして、接続導体層２４ａは、絶縁体層２２のｘ軸方向の負方向側の辺を覆い隠している。接続導体層２４ｂは、接続導体層２０ｂのｘ軸方向の正方向側の長辺に沿って延在しており、ｘ軸方向において幅ｄ１よりも小さい幅ｄ２を有している長方形状の導体層である。そして、接続導体層２４ｂは、絶縁体層２２のｘ軸方向の正方向側の辺を覆い隠している。これにより、図３に示すように、接続導体層２４の裏面は、絶縁体層２２の裏面よりも下面Ｓ１から離れている。
【００２８】
外部電極１４ａは、ｘ軸方向の負方向側の端面Ｓ２を覆うように設けられていると共に、接続導体層２０ａ，２４ａに接触している。外部電極１４ｂは、ｘ軸方向の正方向側の端面Ｓ３を覆うように設けられていると共に、接続導体層２０ｂ，２４ｂに接触している。
【００２９】
以上のように構成された電子部品１０は、図示しない基板にはんだ実装される。具体的には、外部電極１４ａ及び接続導体層２４ａは、基板の第１の電極に対してはんだ付けされ、外部電極１４ｂ及び接続導体２４ｂは、基板の第２の電極に対してはんだ付けされる。
【００３０】
（電子部品の製造方法）
以下に、電子部品１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、以下では、複数の電子部品１０を同時に作成する際の電子部品１０の製造方法について説明する。図４ないし図１０は、電子部品１０の工程断面図である。
【００３１】
まず、図４（ａ）に示すように、例えば、アルミナからなる基材１００を準備する。そして、基材１００の裏面の全面にワニス１０２を塗布する。
【００３２】
次に、図４（ｂ）に示すように、ワニス１０２の裏面の全面に、ガラス等を主成分とする感光性のセラミックペーストを塗布して絶縁体層１１６ａを形成する。そして、図４（ｃ）に示すように、絶縁体層１１６ａの全面に対して紫外線を照射することにより、絶縁体層１１６ａを硬化させて、絶縁体層１６ａを形成する。このように、絶縁体層１６ａは、フォトリソグラフィ工程により形成される。
【００３３】
次に、図４（ｄ）に示すように、絶縁体層１６ａの裏面の全面に、Ａｇを主成分とする感光性の導電性ペーストを塗布して、導体層１１８ａを形成する。そして、図５（ａ）に示すように、マスクＭ１を介して、導体層１１８ａに対して紫外線を照射することにより、導体層１１８ａの一部を硬化させる。ここで、マスクＭ１の開口は、コイル導体層１８ａの形状と同じ形状を有している。よって、導体層１１８ａにおいて、コイル導体層１８ａに相当する部分が硬化する。そして、アルミナ溶液等により現像することで、図５（ｂ）に示すように、コイル導体層１８ａを形成する。このように、コイル導体層１８ａは、フォトリソグラフィ工程により形成される。
【００３４】
次に、図５（ｃ）に示すように、絶縁体層１６ａ及びコイル導体層１８ａの裏面の全面に、ガラス等を主成分とする感光性のセラミックペーストを塗布して絶縁体層１１６ｂを形成する。そして、図５（ｄ）に示すように、マスクＭ２を介して、絶縁体層１１６ｂに対して紫外線を照射することにより、絶縁体層１１６ｂの一部を硬化させる。ここで、マスクＭ２は、ビアホール導体ｂ１の位置を覆っている。よって、絶縁体層１１６ｂにおいて、ビアホール導体ｂ１に相当する部分以外の部分が硬化する。そして、アルミナ溶液等により現像することで、図６（ａ）に示すように、ビアホールｈ１が設けられた絶縁体層１６ｂを形成する。このように、絶縁体層１６ｂは、フォトリソグラフィ工程により形成される。
【００３５】
次に、図６（ｂ）に示すように、絶縁体層１６ｂの裏面の全面に、Ａｇを主成分とする感光性の導電性ペーストを塗布して、導体層１１８ｂを形成する。この際、ビアホールｈ１にも導電性ペーストを充填する。そして、図６（ｃ）に示すように、マスクＭ３を介して、導体層１１８ｂに対して紫外線を照射することにより、導体層１１８ｂの一部を硬化させる。ここで、マスクＭ３の開口は、コイル導体層１８ｂの形状と同じ形状を有している。よって、導体層１１８ｂにおいて、コイル導体層１８ｂに相当する部分が硬化する。更に、導体層１１８ｂにおいて、ビアホール導体ｂ１に相当する部分も硬化する。そして、アルミナ溶液等により現像することで、図６（ｄ）に示すように、コイル導体層１８ｂ及びビアホール導体ｂ１を形成する。このように、コイル導体層１８ｂ及びビアホール導体ｂ１は、フォトリソグラフィ工程により形成される。
【００３６】
この後、絶縁体層１６ｃ〜１６ｈ、コイル導体層１８ｃ〜１８ｇ及びビアホール導体ｂ２〜ｂ６を形成する。ただし、これらの形成工程は、図５（ｃ）ないし図６（ｄ）に示した工程と同じであるので、説明を省略する。
【００３７】
次に、図７（ａ）に示すように、絶縁体層１６ｈの裏面の全面に、Ａｇを主成分とする感光性の導電性ペーストを塗布して、導体層１２０を形成する。そして、図７（ｂ）に示すように、マスクＭ４を介して、導体層１２０に対して紫外線を照射することにより、導体層１２０の一部を硬化させる。ここで、マスクＭ４の開口は、接続導体層２０ａ，２０ｂの形状と同じ形状を有している。よって、導体層１２０において、接続導体層２０ａ，２０ｂに相当する部分が硬化する。そして、アルミナ溶液等により現像することで、図７（ｃ）に示すように、接続導体層２０ａ，２０ｂを形成する。このように、接続導体層２０ａ，２０ｂは、フォトリソグラフィ工程により形成される。
【００３８】
次に、図８（ａ）に示すように、絶縁体層１６ｈ及び接続導体層２０ａ，２０ｂの裏面の全面に、ガラス等を主成分とする感光性のセラミックペーストを塗布して絶縁体層１２２を形成する。そして、図８（ｂ）に示すように、マスクＭ５を介して、絶縁体層１２２に対して紫外線を照射することにより、絶縁体層１２２の一部を硬化させる。ここで、マスクＭ５の開口は、絶縁体層２２の形状と同じ形状を有している。よって、絶縁体層１２２において、絶縁体層２２に相当する部分が硬化する。そして、アルミナ溶液等により現像することで、図８（ｃ）に示すように、絶縁体層２２を形成する。このように、絶縁体層２２は、フォトリソグラフィ工程により形成される。
【００３９】
次に、図９（ａ）に示すように、接続導体層２０ａ，２０ｂ及び絶縁体層２２の裏面の全面に、Ａｇを主成分とする感光性の導電性ペーストを塗布して、導体層１２４を形成する。そして、図９（ｂ）に示すように、マスクＭ６を介して、導体層１２４に対して紫外線を照射することにより、導体層１２４の一部を硬化させる。ここで、マスクＭ６の開口は、接続導体層２４ａ，２４ｂの形状と同じ形状を有している。よって、導体層１２４において、接続導体層２４ａ，２４ｂに相当する部分が硬化する。そして、アルミナ溶液等により現像することで、図９（ｃ）に示すように、接続導体層２４ａ，２４ｂを形成する。このように、接続導体層２４ａ，２４ｂは、フォトリソグラフィ工程により形成される。以上の工程により、図９（ｃ）に示すマザー積層体１１２が形成される。
【００４０】
次に、マザー積層体１１２をカット刃により所定寸法（２．５ｍｍ×２．０ｍｍ×１．０ｍｍ）の積層体１２にカットする。これにより、図１０（ａ）に示す未焼成の積層体１２が得られる。そして、接続導体層２０，２４及び絶縁体層２２が形成された未焼成の積層体１２に、脱バインダー処理及び焼成を行う。焼成により、図１０（ｂ）に示すように、ワニス１０２が焼失し、基材１００が積層体１２から外れる。以上の工程により、焼成された積層体１２が得られる。
【００４１】
積層体１２にバレル加工を施して、面取りを行う。その後、積層体１２の表面に、例えば、浸漬法等の方法により主成分が銀である電極ペーストを塗布及び焼き付けすることにより、外部電極１４ａ，１４ｂとなるべき銀電極を形成する。
【００４２】
最後に、銀電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極１４ａ，１４ｂを形成する。以上の工程を経て、図１及び図３に示すような電子部品１０が完成する。
【００４３】
（効果）
以上の電子部品１０によれば、積層体１２にクラックが発生することを防止できる。より詳細には、図１２（ａ）に示す従来の電子部品５００では、電子部品５００の基板５１０に対するはんだ実装の際に、クラックが発生するおそれがある。より詳細には、積層体５０２の熱膨張係数は、基板５１０の熱膨張係数よりも小さい。そのため、はんだ実装の際に電子部品５００及び基板５１０が加熱されると、電子部品５００よりも基板５１０の方が大きく膨張する。これにより、はんだ５１２ａ，５１２ｂは、これらの間隔が広がる方に応力Ｆ１により引っ張られる。そして、接続導体層５０６ａ，５０６ｂは、はんだ５１２ａ，５１２ｂにより、これらの間隔が広がる方向に引っ張られる。この際、図１２（ａ）に示すように、応力Ｆ２が接続導体層５０６ａ，５０６ｂの先端に集中するので、積層体５０２において接続導体層５０６ａ，５０６ｂの先端が接している部分Ｂにおいてクラックが発生するおそれがある。
【００４４】
そこで、電子部品１０では、絶縁体層２２が設けられている。絶縁体層２２は、図３に示すように、積層体１２の下面において、外縁ｅ１，ｅ２を覆うように、絶縁体層１６ｈの裏面上及び接続導体層２０ａ，２０ｂの裏面上に設けられている。これにより、積層体１２において接続導体層２０ａ，２０ｂの外縁ｅ１，ｅ２が接触している部分に集中していた応力が、接続導体層２０と絶縁体層２２とが接している部分に分散される。その結果、電子部品１０では、積層体１２において接続導体層２０ａ，２０ｂの外縁ｅ１，ｅ２が接触している部分にクラックが発生することが抑制される。
【００４５】
また、電子部品１０によれば、基板との間に接続不良が発生することを抑制できる。より詳細には、図１２（ｂ）に示す従来の電子部品６００では、積層体５０２の焼成時に、絶縁体層６０２中の成分が溶融して、接続導体層５０６ａ，５０６ｂ上に広がってしまうという問題を有している。具体的には、絶縁体層６０２は、接続導体層５０６ａ，５０６ｂの形成後であって積層体５０２の焼成前に、積層体５０２の下面において接続導体層５０６ａ，５０６ｂの先端を覆うように形成される。そして、絶縁体層６０２は、積層体５０２と共に焼成される。そのため、積層体５０２の焼成時に、絶縁体層６０２中の成分が溶け出して、接続導体層５０６ａ，５０６ｂ上に広がってしまう。これにより、接続導体層５０６ａ，５０６ｂが露出している部分の面積が小さくなってしまい、接続導体層５０６ａ，５０６ｂとはんだ５１２ａ，５１２ｂの接触面積が小さくなってしまう。その結果、電子部品６００と基板５１０との間に接続不良が発生するおそれがある。
【００４６】
これに対して、電子部品１０では、接続導体層２４ａは、絶縁体層２２のｘ軸方向の負方向側の辺を覆い隠している。また、接続導体層２４ｂは、絶縁体層２２のｘ軸方向の正方向側の辺を覆い隠している。これにより、図３に示すように、接続導体層２４の裏面は、絶縁体層２２の裏面よりも下面Ｓ１から離れている。そのため、積層体１２の焼成時に、絶縁体層２２中の成分は、絶縁体層２２から溶け出したとしても、接続導体層２４ａ，２４ｂによりせき止められるため、接続導体層２４ａ，２４ｂの裏面上に広がりにくい。その結果、電子部品１０において基板５１０との間に接続不良が発生することが抑制される。
【００４７】
また、絶縁体層２２は、絶縁体層１６と同じ材料により作製されているので、絶縁体層１６に対して高い密着性を有している。そのため、絶縁体層２２は、焼成時に積層体１２から剥離しにくい。
【００４８】
（変形例）
次に、本発明の変形例に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図１１は、変形例に係る電子部品１０'の断面構造図である。
【００４９】
電子部品１０'は、絶縁体層２２，２２'の形状において電子部品１０と相違点を有している。具体的には、電子部品１０'の絶縁体層２２'のｘ軸方向の幅は、電子部品１０の絶縁体層２２のｘ軸方向の幅よりも小さい。よって、電子部品１０'では、接続導体層２４ａ，２４ｂは、絶縁体層２２'の一部を覆っていない。これにより、図１１に示すように、電子部品１０'において接続導体層２０が絶縁体層２２から露出するようになる。その結果、電子部品１０'では、外部電極１４及び接続導体層２４に加えて接続導体層２０により基板との接続を行うことができるようになるので、電子部品１０'は、電子部品１０よりも基板に対して高い接続性を有するようになる。
【００５０】
ただし、電子部品１０では、絶縁体層２２の一部が接続導体層２４ａ，２４ｂにより覆われている。そのため、電子部品１０では電子部品１０'よりも、積層体１２の焼成時に、絶縁体層２２中の成分が、接続導体層２４ａ，２４ｂの裏面上に広がりにくい。
【００５１】
なお、電子部品１０'のその他の構成は、電子部品１０のその他の構成と同じであるので説明を省略する。
【００５２】
なお、電子部品１０，１０'において、接続導体層２０，２４は、外部電極１４に接触している。しかしながら、接続導体２０，２４は、少なくともいずれか一方が外部電極１４に接触していればよい。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、電子部品及びその製造方法に有用であり、特に、積層体にクラックが発生することを防止できると共に、基板との間に接続不良が発生することを抑制できる点において優れている。
【符号の説明】
【００５４】
Ｓ１  下面
Ｓ２，Ｓ３  端面
ｂ１〜ｂ６  ビアホール導体
１０，１０'  電子部品
１２  積層体
１４ａ，１４ｂ  外部電極
１６ａ〜１６ｈ  絶縁体層
１８ａ〜１８ｇ  コイル導体層
２０ａ，２０ｂ，２４ａ，２４ｂ  接続導体層
２２，２２'  絶縁体層
【図１】
2011040612.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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