(57)【要約】      （修正有）【課題】容器が加熱された場合でも、装置内の雰囲気の気密性を保持することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】処理容器２の容器突出部２ａと蓋体３の蓋体突出部３ａとの接触面には、Ｏリング４、５が環状に二重に設けられている。容器突出部２ａには、Ｏリング４、５の間に形成された隙間６に、不活性ガスを流入させるためのガス流入口７と、その不活性ガスを隙間６から流出させるためのガス流出口８が形成されている。ガス流入口７とガス流出口８は、対向して形成されている。ガス流入口７から流入した不活性ガスは流出口８に向かって流れ、隙間６内に充満する。この隙間６内に充満した不活性ガスの層によって、処理容器２内の気密性が保持される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
上部が開口し、基板を収容して処理する処理容器と、
前記処理容器の上方を塞ぐ蓋体と、
前記処理容器の側壁上面と前記蓋体の下面周辺部との接触面に環状に設けられ、前記処理容器内の気密性を保持するためのシール材と、を有し、
前記シール材は、前記接触面における内側と外側に二重に設けられ、
前記処理容器の側壁上面には、
前記接触面において前記内側のシール材と外側のシール材との間に形成された隙間に不活性ガスを流入させるガス流入口と、当該不活性ガスを流出させるガス流出口と、が形成されていることを特徴とする、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記処理容器の上端には、外周に沿って外側に突出した容器突出部が形成され、
前記蓋体の下端には、外周に沿って外側に突出した蓋体突出部が形成され、
前記容器突出部の上面と前記蓋体突出部の下面は接触し、
前記外側のシール材は、前記容器突出部と前記蓋体突出部との接触面に設けられ、
前記ガス流入口とガス流出口は、前記容器突出部に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
上部が開口し、基板を収容して処理する処理容器と、
前記処理容器の上方を塞ぐ蓋体と、
前記処理容器の側壁上面と前記蓋体の下面周辺部との接触面に環状に設けられ、前記処理容器内の気密性を保持するためのシール材と、を有し、
前記処理容器の側壁上面には、前記接触面において前記シール材の外側に形成された隙間に不活性ガスを流入させる複数のガス流入口が形成されていることを特徴とする、プラズマ処理装置。
【請求項４】
前記処理容器の上端には、外周に沿って外側に突出した容器突出部が形成され、
前記蓋体の下端には、外周に沿って外側に突出した蓋体突出部が形成され、
前記容器突出部の上面と前記蓋体突出部の下面は接触し、
前記複数のガス流入口は、前記容器突出部に形成されていることを特徴とする、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記シール材は樹脂製のＯリングであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
容器内の空間が外気と遮断された外気遮断容器であって、
前記容器は気密構造部を有し、
前記気密構造部は、前記容器内空間が外気に連通する気体連通路と、当該気体連通路を遮断するシール部とを有するとともに、前記容器内空間に対して前記シール部の外側の前記気体連通路に不活性ガスを流入させるガス流入口を有することを特徴とする、外気遮断容器。
【請求項７】
前記気密構造部は、さらに前記容器内空間に対して前記シール部の外側の前記気体連通路を遮断する他のシール部を、前記ガス流入口の外側に有するとともに、前記シール部及び他のシール部間の前記気体連通路内の気体を外部に流出させるガス流出口を有することを特徴とする、請求項６に記載の外気遮断容器。
【請求項８】
前記ガス流入口は複数設けられていることを特徴とする、請求項６又は７に記載の外気遮断容器。
【請求項９】
前記ガス流入口及び前記ガス流出口は複数設けられていることを特徴とする、請求項７に記載の外気遮断容器。
【請求項１０】
前記シール部は樹脂製のＯリングを含むことを特徴とする、請求項６〜９のいずれかに記載の外気遮断容器。
【請求項１１】
前記シール部及び他のシール部は樹脂製のＯリングを含むことを特徴とする、請求項７〜９のいずれかに記載の外気遮断容器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置、及び容器内の空間が外気と遮断された外気遮断容器に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体製造装置や液晶ディスプレイ製造装置、有機ＥＬ素子等の電子デバイスの製造プロセスにおいては、マイクロ波を利用して処理室内にプラズマを発生させ、基板に対して成膜処理やエッチング処理等を行うプラズマ処理が行われる。
【０００３】
このようなプラズマ処理は、通常プラズマ処理装置で行われる。プラズマ処理装置は、例えば上部が開口した処理容器と、この処理容器の上方を塞ぐ蓋体とを有している。処理容器内には、例えば基板を載置する載置台が設けられている。蓋体の下面には、例えばマイクロ波を発生させるスロットアンテナが、載置台に載置された基板に対向するように設けられている。処理容器の側壁上面と蓋体の下面周辺部との接触面には、処理容器の上方を蓋体によって塞いだ状態の処理容器内の気密性が保持するために、例えばシール材として樹脂製のＯリングが環状に設けられている。
【０００４】
そして、基板にプラズマ処理を施す際には、マイクロ波のエネルギーによって処理容器内に供給された所定のガス（プラズマ励起用の希ガスあるいはプラズマ処理用のガス）をプラズマ化させ、基板に所定のプラズマ処理を行っている（特許文献１）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３１０７９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、発明者らの知見によれば、上記の従来のプラズマ処理装置を用いて基板にプラズマ処理を行う場合、樹脂製のＯリングがごく微量の酸素等のガスを透過させるため、処理装置の外部の雰囲気が処理容器内に流入したり、あるいは処理装置の内部の雰囲気が外部に流出する場合があることが分かった。その結果、処理装置内の気密性を保持することが困難であった。特に、処理容器の内部に反応性生物が堆積するのを抑制するために、処理容器が例えば１５０℃〜２３０℃に加熱されている場合、加熱によりＯリングの樹脂がガスを透過させやすくなるため、処理容器内の気密性を保持することがさらに困難であった。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、プラズマ処理装置等の外気遮断装置の処理容器が加熱された場合でも、プラズマ処理装置内の雰囲気の気密性を保持することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、上部が開口し、基板を収容して処理する処理容器と、前記処理容器の上方を塞ぐ蓋体と、前記処理容器の側壁上面と前記蓋体の下面周辺部との接触面に環状に設けられ、前記処理容器内の気密性を保持するためのシール材と、を有し、前記シール材は、前記接触面における内側と外側に二重に設けられ、前記処理容器の側壁上面には、前記接触面において前記内側のシール材と外側のシール材との間に形成された隙間に不活性ガスを流入させるガス流入口と、当該不活性ガスを流出させるガス流出口と、が形成されていることを特徴としている。
【０００９】
本発明によれば、処理容器の側壁上面と蓋体の下面周辺部との接触面にシール材が環状に二重に設けられ、処理容器の側壁上面には、前記接触面において内側のシール材と外側のシール材との間に形成された隙間に不活性ガスを流入させるガス流入口と、当該不活性ガスを流出させるガス流出口が形成されているので、ガス流入口からガス流出口に不活性ガスを流すと、処理容器の内部と外部との間に環状の不活性ガスの層を形成することができる。そして、この不活性ガスの層によって、処理容器の外部から内部へガスが流入するのを抑制でき、また処理容器の内部から外部へのガスが流出するのを抑制することができる。したがって、処理容器を加熱した場合でも、不活性ガスの層がシール材として機能するため、処理容器内の気密性を保持することができる。なお、内側のシール材と外側のシール材の間に流しているガスは不活性ガスなので、万が一この不活性ガスが処理容器の内部に漏れたとしても、処理容器内で行われる基板のプラズマ処理には影響しない。
【００１０】
前記処理容器の上端には、外周に沿って外側に突出した容器突出部が形成され、前記蓋体の下端には、外周に沿って外側に突出した蓋体突出部が形成され、前記容器突出部の上面と前記蓋体突出部の下面は接触し、前記外側のシール材は、前記容器突出部と前記蓋体突出部との接触面に設けられ、前記ガス流入口とガス流出口は、前記容器突出部に形成されていてもよい。
【００１１】
別な観点による本発明は、基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、上部が開口し、基板を収容して処理する処理容器と、前記処理容器の上方を塞ぐ蓋体と、前記処理容器の側壁上面と前記蓋体の下面周辺部との接触面に環状に設けられ、前記処理容器内の気密性を保持するためのシール材と、を有し、前記処理容器の側壁上面には、前記接触面において前記シール材の外側に形成された隙間に不活性ガスを流入させる複数のガス流入口が形成されていることを特徴としている。
【００１２】
前記処理容器の上端には、外周に沿って外側に突出した容器突出部が形成され、前記蓋体の下端には、外周に沿って外側に突出した蓋体突出部が形成され、前記容器突出部の上面と前記蓋体突出部の下面は接触し、前記複数のガス流入口は、前記容器突出部に形成されていてもよい。
【００１３】
前記シール材は樹脂製のＯリングであってもよい。
【００１４】
さらに別な観点による本発明は、容器内の空間が外気と遮断された外気遮断容器であって、前記容器は気密構造部を有し、前記気密構造部は、前記容器内空間が外気に連通する気体連通路と、当該気体連通路を遮断するシール部とを有するとともに、前記容器内空間に対して前記シール部の外側の前記気体連通路に不活性ガスを流入させるガス流入口を有することを特徴としている。
【００１５】
前記気密構造部は、さらに前記容器内空間に対して前記シール部の外側の前記気体連通路を遮断する他のシール部を、前記ガス流入口の外側に有するとともに、前記シール部及び他のシール部間の前記気体連通路内の気体を外部に流出させるガス流出口を有していてもよい。
【００１６】
前記ガス流入口及び前記ガス流出口はそれぞれ複数設けられていてもよい。
【００１７】
前記シール部及び他のシール部は、それぞれ樹脂製のＯリングを含んでもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、処理容器の内部と外部との間に不活性ガスの層が形成され、処理容器の外部から内部へガスが流入するのを抑制でき、また処理容器の内部から外部へのガスが流出するのを抑制することができる。したがって、処理容器が加熱された場合でも、処理容器内の気密性を保持することができる。また、外部雰囲気によるシール材の劣化を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の好ましい実施の形態について、プラズマ処理の一例であるＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理を行うプラズマ処理装置１に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態にかかるプラズマ処理装置１の概略的な構成を示した説明図である。
【００２０】
プラズマ処理装置１は、図１に示すように、例えば上部が開口した有底円筒形状の処理容器２と、この処理容器２の上方を塞ぐ蓋体３を備えている。これら処理容器２と蓋体３は例えばアルミニウムからなり、いずれも接地された状態になっている。
【００２１】
処理容器２の側壁の上端には、外周に沿って外側に突出した容器突出部２ａが形成されている。蓋体３の側面の下端には、外周に沿って外側に突出した蓋体突出部３ａが形成されている。処理容器２の上方を蓋体３によって塞いだ状態では、容器突出部２ａの上面と蓋体突出部３ａの下面が接触している。この容器突出部２ａと蓋体突出部３ａとの接触面には、シール材としてのＯリング４、５が環状に二重に設けられている。なお、Ｏリング４、５には、例えば合成樹脂が用いられる。
【００２２】
このように処理容器２の上方を蓋体３によって塞いだ状態において、容器突出部２ａと蓋体突出部３ａとの間には、図２に示すように、実際には非常に微小な隙間が存在している。例えば容器突出部２ａと蓋体突出部３ａの接触面において、内側のＯリング４と外側のＯリング５との間には、内側のＯリング４と外側のＯリング５、容器突出部２ａ、蓋体突出部３ａで囲まれた隙間６が形成されている。そして、容器突出部２ａには、この隙間６に対して例えばアルゴンガスや窒素ガス等の不活性ガスを流入させるためのガス流入口７と、その流入した不活性ガスを隙間６から流出させるためのガス流出口８が形成されている。ガス流入口７とガス流出口８は、内側のＯリング４と外側のＯリング５との間に形成され、図３に示すように、対向して形成されている。このガス流入口７から流入した不活性ガスは、隙間６内に充満しながらガス流出口８から流出する。ガス流入口７には、図２に示すように、ガス供給管９が接続され、ガス供給管９は、隙間６に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源１０に連通している。なお、ガス流出口８から排出されるガスは、処理容器２内部に漏れ入っても差し支えないような不純物を含まない不活性ガスと処理容器２外部の外気とから構成されており、そのまま処理容器２外部の外気に排出しても何ら差し支えない。また、他の一般の装置から排出される気体用の排気ダクトに接続する排気管をガス流出口８に設け、ガス流出口８から流出するガスをその排気管に排出してもよい。
【００２３】
処理容器２の内部には、図１に示すように、基板Ｇを載置するための載置台としてのサセプタ２０が設けられている。このサセプタ２０は例えば窒化アルミニウムからなり、その内部には、基板Ｇを静電吸着すると共に処理容器２の内部に所定のバイアス電圧を印加させるための給電部２１と、基板Ｇを所定の温度に加熱するヒータ２２が設けられている。給電部２１には、処理容器２の外部に設けられたバイアス印加用の高周波電源２３がコンデンサなどを備えた整合器２３ａを介して接続されると共に、静電吸着用の高圧直流電源２４がコイル２４ａを介して接続されている。ヒータ２２には、同様に処理容器２の外部に設けられた交流電源２５が接続されている。
【００２４】
処理容器２の底部には、処理容器２内の雰囲気を排気するための排気口２６が設けられている。排気口２６には、例えば真空ポンプなどの排気装置２７に通じる排気管２８が接続されている。この排気口２６からの排気により、処理容器２内を所定の圧力に減圧できる。
【００２５】
蓋体３は、例えばアルミニウムからなる蓋本体３０の下面にスロットアンテナ３１を取り付け、さらにスロットアンテナ３１の下面に、後述する複数の誘電体３２を取り付けた構成である。なお、蓋本体３０とスロットアンテナ３１一体的に構成されている。また、スロットアンテナ３１は、例えばアルミニウムからなり、各誘電体３２は、例えば石英ガラス、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、サファイア、ＳｉＮ、セラミックス等からなる。
【００２６】
蓋本体３０の下面には、複数本の導波管３３が形成されている。各導波管３３は、処理容器２の外部に設けられたマイクロ波供給装置（図示せず）に接続されている。そして、マイクロ波供給装置で発生させた例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波が各導波管３３にそれぞれ導入される。また、スロットアンテナ３１には、マイクロ波の透孔として複数のスロット３４が形成されている。各スロット３４は、導波管３３に沿って等間隔に形成され、蓋本体３０の下面全体に均一に分布するように形成されている。なお、各導波管３３の内部は、例えばＡｌ２Ｏ３、石英、フッ素樹脂などによって充填されている。
【００２７】
スロットアンテナ３１に取り付けられた複数の誘電体３２は、各スロット３４毎に設けられ、蓋本体３０の下面全体に均一に分布するように設けられている。各誘電体３２は、格子状に設けられた支持部材３５によって支持されている。
【００２８】
蓋本体３０の内部には、処理容器２の外部に設けられた冷却水供給源３６から冷却水が循環供給される水路３７と、同様に処理容器２の外部に設けられたガス供給源４０から所定のガスが供給されるガス流路４１が設けられている。本実施の形態においては、ガス供給源４０として、アルゴンガス供給源４２、処理ガスとしてのシランガス供給源４３および水素ガス供給源４４が用意され、各々バルブ４２ａ、４３ａ、４４ａ、マスフローコントローラ４２ｂ、４３ｂ、４４ｂ、バルブ４２ｃ、４３ｃ、４４ｃを介して、ガス流路４１に接続されている。ガス流路４１は、誘電体３２の支持部材３５に沿って設けられ、支持部材３５に形成された複数のガス噴出口４５にそれぞれ連通している。ガス噴出口４５は、蓋本体３０の下面全体に均一に分布するように形成されている。そして、ガス供給源か３０から供給された所定のガスが、ガス噴出口４５から処理容器２内に噴射されるようになっている。
【００２９】
本実施の形態にかかるプラズマ処理システム１は以上のように構成されており、次にそのプラズマ処理システム１で行われる成膜処理について説明する。ここでは、基板Ｇの表面上に例えばアモルファスシリコン成膜する場合を例に採って説明する。
【００３０】
先ず、処理容器２内のサセプタ２０上に基板Ｇを載置する。そして、例えばアモルファスシリコンを成膜する場合、ガス供給源４０からガス流路４１及びガス噴射口４５を経て処理容器２内に所定のガス、例えばアルゴン、シラン、水素の混合ガスを供給しつつ、排気口２６から排気して処理容器２内を所定の圧力、例えば１０Ｐａ〜６０Ｐａに設定する。この場合、蓋本体３０の下面全体に分布して配置されているガス噴射口４５から所定のガスを噴き出すことにより、サセプタ２０上に載置された基板Ｇの表面全体に所定のガスを均一に供給することができる。なお、処理容器２内に供給されるガスは室温である。
【００３１】
このガス供給源４０から処理容器２内への所定のガスの供給と同時に、不活性ガス供給源１０からガス供給管９及びガス流入口７を経て、容器突出部２ａと蓋体突出部３ａの接触面におけるＯリング４、５間の隙間６内に不活性ガスを供給する。隙間６内に供給された不活性ガスはガス流出口８に向かって流れ、ガス流出口８から外気中へ流れ出る。このときの隙間６内の不活性ガスの流れは、１．７×１０−７ｍ３／ｓ〜８．３×１０−７ｍ３／ｓ（１０ｓｃｃｍ〜５００ｓｃｃｍ）程度である。そして、隙間６内には不活性ガスが連続して供給され、隙間６内は不活性ガスで充満する。この隙間６内に充満した不活性ガスの層によって、処理容器２内の気密性が保持される。
【００３２】
そして、このようにガス供給源４０から処理容器２内に所定のガスを供給し、また不活性ガス供給源１０から隙間６内に不活性ガスを供給する一方で、ヒータ２２によって基板Ｇを所定の温度、例えば２５０℃〜３００℃に加熱する。また、処理容器２の内壁等にガスの分解物が堆積しないように、処理容器２の側壁を１５０℃〜１８０℃に加熱する。さらに、マイクロ波供給装置で発生させた例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波が、各導波管３３からそれぞれの各スロット４０を通じて、各誘電体３２に伝播される。こうして、各誘電体３２に伝播されたマイクロ波のエネルギーによって、処理容器２内に電磁界が形成され、処理容器２内に供給された所定の処理ガスをプラズマ化することにより、基板Ｇ上の表面に対して、アモルファスシリコン成膜が行われる。
【００３３】
以上の実施の形態によれば、処理容器２の容器突出部２ａと蓋体３の蓋体突出部３ａとの接触面にＯリング４、５を環状に二重に設け、内側のＯリング４と外側のＯリング５との間の隙間６に不活性ガスを流しているので、処理容器２の内部と外部との間に環状の不活性ガスの層を形成することができる。そして、この隙間６の不活性ガスの層によって、処理容器２の外部から内部へガスが流入するのを抑制でき、また処理容器２の内部から外部へのガスが流出するのを抑制することができる。したがって、処理容器２を加熱した場合にＯリング４、５がガス透過性になったとしても、不活性ガスの層がシール材として機能するため、処理容器２内の気密性を保持することができる。また、隙間６の不活性ガスの層によって内側のＯリング４は処理容器２の外部の雰囲気に晒されることがないので、内側のＯリング４の外表面が酸化分解される、すなわち劣化するのを抑制することもできる。なお、内側のＯリング４と外側のＯリング５との隙間６に流しているガスは不活性ガスなので、万が一この不活性ガスが処理容器２の内部に漏れたとしても、処理容器２内で行われる基板Ｇのプラズマ処理には影響しない。
【００３４】
また、Ｏリング４、５には、フッ素ゴムやパーフロゴムのような樹脂が用いられるが、これらの樹脂は、上述したように１５０〜２３０℃で水分（水蒸気）や不純物ガス、特に酸素ガスを透過させてしまうという特性がある。このような特性があっても、隙間６の不活性ガスの層が形成されることによって、これらの外気から流入する不純物ガスの濃度を薄めて、当該不純物ガスの処理容器２内部への透過を抑制することができる。
【００３５】
以上の実施の形態では、ガス流入口７とガス流出口８はそれぞれ１箇所に設けられていたが、ガス流入口とガス流出口が対称となる位置にそれぞれ複数設けられていてもよい。
【００３６】
以上の実施の形態では、容器突出部２ａと蓋体突出部３ａとの接触面にＯリング４、５を環状に二重に設け、容器突出部２ａにガス流入口７とガス流出口８を形成していたが、図４及び図５に示すように、容器突出部２ａと蓋体突出部３ａとの接触面にＯリング５０を環状に一重に設け、容器突出部２ａには、この接触面においてＯリング５０から外側に形成された隙間５１に不活性ガスを流入させるための複数のガス流入口５２を形成してもよい。
【００３７】
かかる場合、複数のガス流入口５２は、Ｏリング５０の外側に形成され、例えば容器突出部２ａの外周に沿って、等間隔に４箇所に形成される。各ガス流入口５２にはガス供給管５３が接続され、ガス供給管５３は隙間５１に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源１０に連通している。そして、不活性ガス供給源１０からガス供給管５３及びガス流入口５２を経て隙間５１内に不活性ガスを供給する。隙間５１内に供給された不活性ガスは、隙間５１内に充満しながら、容器突出部２ａの外部に流れ出る。このように、隙間５１において、処理容器２の内部と外部との間に環状の不活性ガスの層を形成することができるので、処理容器２の外部から内部へガスが流入するのを抑制でき、また処理容器２の内部から外部へのガスが流出するのを抑制することができる。
【００３８】
したがって、処理容器２内の雰囲気の温度を上昇させた場合にＯリング５０がガス透過性になったとしても、不活性ガスの層がシール材として機能するため、処理容器２内への外気成分の流入を阻止することができる。また、隙間５１の不活性ガスの層によってＯリング５０は処理容器２の外部の雰囲気に晒されることがないので、Ｏリング５０の外表面が酸化分解されるのを抑制することもできる。
【００３９】
以上の実施の形態では、プラズマ処理装置１について述べたが、本発明はその他の真空容器または減圧容器や外気遮断型洗浄装置等、容器内の空間が外気と遮断された外気遮断容器にも適用することができる。例えば、容器（図４の処理容器２）内空間が外気に連通する気体連通路（図４の容器突出部２ａと蓋体突出部３ａとの接触面の隙間）に、気体連通路を遮断するシール部としてのＯリング（図４のＯリング５０）を設ける。また、容器内空間に対してシール部の外側の気体連通路（図４のの隙間５１）に、不活性ガスを流入させるガス流入口（図４のガス流入口５２）を設ける。これら気体連通路、シール部及びガス流入口で気密構造部が構成されている。かかる気密構造部によって、容器の内部と外部との間に不活性ガスの層が形成され、容器内の気密性を保持することができる。
【００４０】
また、この気密構造部には、容器内空間に対してシール部のＯリング（図２のＯリング４）の外側の気体連通路を遮断する他のシール部としてのＯリング（図２のＯリング５）と、シール部と他のシール部の気体連通路（図２の隙間６）に不活性ガスを流入させるガス流入口（図２のガス流入口７）と、当該流入したガスを流出させるガス流出口（図２のガス流出口８）がそれぞれ設けられていてもよい。
【００４１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明は、基板が例えば半導体ウェハや、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、フォトマスク用のマスクレチクルなどの基板にも適用できる。また、本発明は、プラズマを発生させて基板に成膜処理を行うプラズマ処理装置だけでなく、基板にエッチング処理を行うプラズマ処理装置にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に有用である。また、本発明は、その他の真空容器または減圧容器や外気遮断型洗浄装置等の、容器内の空間が外気と遮断された外気遮断容器一般に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本実施の形態にかかるプラズマ処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかる容器突出部と蓋体突出部の接触面付近の構造の概略を示す縦断面図である。
【図３】本実施の形態にかかる容器突出部の平面構造の概略と不活性ガスの流れを示す説明図である。
【図４】他の形態にかかる容器突出部と蓋体突出部の接触面付近の構造の概略を示す縦断面図である。
【図５】他の形態にかかる容器突出部の平面構造の概略と不活性ガスの流れを示す説明図である。
【符号の説明】
【００４４】
１    プラズマ処理装置
２    処理容器
２ａ  容器突出部
３    蓋体
３ａ  蓋体突出部
４、５  Ｏリング
６    隙間
７    ガス流入口
８    ガス流出口
９    ガス供給管
１０  不活性ガス供給源
５０  Ｏリング
５１  隙間
５２  ガス流入口
【図１】
2011040416.tif 000003
【図２】
2011040416.tif 000004
【図３】
2011040416.tif 000005
【図４】
2011040416.tif 000006
【図５】
2011040416.tif 000007