(57)【要約】【課題】基板処理装置を構成する構成部品を容易に取り出すことができる基板処理装置のメンテナンス方法、基板処理装置及びデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】支持部６４を、床部１１の第１開口部４０を介して下側の領域１３から上側の領域１２に移動させる。そして、支持部６４に、露光装置１４のうち上側の領域１２に設置される投影光学系２２を支持させる。投影光学系２２を支持する支持部６４を重力方向に沿って下方に移動させる。すると、投影光学系２２は、支持部６４によって、上側の領域１２から第１開口部４０を介して下側の領域１３に移動する。【選択図】図８
2011040540.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置を構成し且つ床部の上側に配置される複数の構成部品のうち、特定の構成部品を前記基板処理装置から取り外すための基板処理装置のメンテナンス方法であって、
前記床部に形成された第１開口部を塞ぐ床用蓋部材を、前記床部の下側から取り外し、前記床部の上側の領域と前記床部の下側の領域とを前記第１開口部を介して連通させる連通ステップと、
前記第１開口部を介して前記下側の領域から前記上側の領域に支持部を移動させ、該支持部によって前記特定の構成部品を支持する支持ステップと、
前記特定の構成部品を支持する前記支持部を、前記上側の領域から前記第１開口部を介して前記下側の領域に移動させる移動ステップと、を有することを特徴とする基板処理装置のメンテナンス方法。
【請求項２】
前記複数の構成部品のうち前記特定の構成部品とは異なる第１の構成部品は、重力方向において前記特定の構成部品と前記床用蓋部材との間の設置位置に配置されており、
前記第１の構成部品を、前記設置位置から退避させる退避ステップをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置のメンテナンス方法。
【請求項３】
前記基板処理装置は、内部が所定雰囲気に設定され且つ前記上側の領域に配置されるチャンバ内で基板の処理を行う装置であって、
前記チャンバの内部雰囲気を外部雰囲気よりも高圧に調整する圧力調整ステップをさらに有し、
前記連通ステップでは、前記圧力調整ステップで前記チャンバの内部雰囲気を外部雰囲気よりも高圧に調整した状態で、前記床用蓋部材、及び前記チャンバの底部において前記第１開口部に対応する位置に形成された第２開口部を塞ぐチャンバ用蓋部材を、前記下側の領域側に取り外すことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置のメンテナンス方法。
【請求項４】
前記基板処理装置は、前記特定の構成部品を保持する保持部材を備えており、
前記支持ステップの実行後、前記保持部材を、前記特定の構成部品から離れた位置に退避させる保持部材退避ステップをさらに有することを特徴とする請求項１〜請求項３のうち何れか一項に記載の基板処理装置のメンテナンス方法。
【請求項５】
前記特定の構成部品は、少なくとも一つの光学部材を有する光学系であることを特徴とする請求項１〜請求項４のうち何れか一項に記載の基板処理装置のメンテナンス方法。
【請求項６】
前記第１の構成部品は、放射ビームが照射される被照射体を保持する保持装置であることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置のメンテナンス方法。
【請求項７】
複数の構成部品を有する処理装置本体と、床部の上側の領域に設置され、且つ前記処理装置本体を収容するチャンバとを備えた基板処理装置であって、
前記床部には、前記複数の構成部品のうち特定の構成部品が重力方向に沿って通過可能な第１開口部が形成されており、
前記チャンバは、前記床部の前記第１開口部に対応する位置に形成された第２開口部を塞ぐチャンバ用蓋部材を有し、
前記第２開口部は、前記特定の構成部品が重力方向に沿って通過可能に形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
前記床部よりも下側の領域に配置され、前記特定の構成部品を支持する状態で重力方向に沿って移動可能な支持部を有する取外し装置をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記床部と前記特定の構成部品との間の設置位置には、前記複数の構成部品のうち第１の構成部品が配置されており、
前記チャンバは、その側壁に前記第１の構成部品が通過可能な形状で形成される第３開口部と、該第３開口部を閉塞可能な蓋部と、を有することを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記床部の第１開口部は、床用蓋部材によって閉塞可能であり、該床用蓋部材は、前記床部から該床部よりも下側の領域側に取り外し可能であることを特徴とする請求項７〜請求項９のうち何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記チャンバ内に配置され、前記上側の領域に配置されるフレーム部材と、該フレーム部材に取り外し可能な状態で支持され、前記特定の構成部品を保持する保持部材と、をさらに備えることを特徴とする請求項７〜請求項１０のうち何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記特定の構成部品は、筐体と、該筐体の外周に設けられたフランジ部と、前記筐体内に配置される少なくとも一つの光学部材とを有し、
前記取外し装置の支持部は、前記床部の前記第１開口部及び前記チャンバの前記第２開口部が共に非閉塞状態である場合、前記各開口部を介して前記上側の領域に移動して前記特定の構成部品の前記フランジ部を支持することを特徴とする請求項８〜請求項１１のうち何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記第１の構成部品は、放射ビームが照射される被照射体を保持する保持装置であり、
該保持装置は、前記設置位置から取り外し可能であることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項７〜請求項１３のうち何れか一項に記載の基板処理装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置を構成する複数の構成部品のうち、特定の構成部品を取り外すための基板処理装置のメンテナンス方法、複数の構成部品のうち、取り外し可能な構成部品を備える基板処理装置、及び該基板処理装置を用いるデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ウエハ、ガラスプレートなどの基板に特定の処理を施す基板処理装置の一種として、基板に所定のパターンを形成するための露光装置が広く知られている。こうした露光装置は、所定のパターンが形成されたレチクルなどのマスクを露光光で照明する照明光学系と、マスクを照明した露光光によって該マスクのパターンの像を感光性材料の塗布されたウエハ、ガラスプレートなどの基板に投影する投影光学系とを備えている。
【０００３】
ところで、照明光学系及び投影光学系は、露光光の光路に沿って配置される複数の光学部材をそれぞれ備えている。各光学系を構成する各光学部材には、炭素を主成分とするカーボンコンタミ（即ち、カーボンコンタミネーションの略であり、炭素を主成分とする汚れ）などの異物が付着する可能性がある。こうした異物が光学部材に付着すると、光学系の光学特性が微妙に変化し、基板に形成されるパターンに歪みなどが発生するおそれがある。そのため、投影光学系を定期的又は不定期で露光装置から取り外し、投影光学系のメンテナンス又は交換を行なう必要がある。そこで、投影光学系を取り外し可能な露光装置として、例えば特許文献１に記載の露光装置が従来から提案されている。
【０００４】
すなわち、上記露光装置は、該露光装置が設置される床部に配置されるベース部材と、該ベース部材上にスライド可能な状態で配置されるフレーム機構と、該フレーム機構に支持される投影光学系とを備えている。フレーム機構は、投影光学系を、ウエハを保持するウエハステージの直上位置で、マスクのパターン像を基板に投影する動作位置と、該動作位置の側方に設定される退避位置との二位置間でスライドさせることができるように構成されている。そして、投影光学系を露光装置から取り外す場合、フレーム機構によって投影光学系を動作位置から退避位置にスライドさせた後、投影光学系が露光装置から取り外される。したがって、上記露光装置では、投影光学系を、照明光学系やウエハステージなどの他の構成部品に接触させることなく露光装置から取り外すことが可能であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３１９８７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、マイクロデバイスを製造する製造現場には、露光装置を含む多数の製造装置が設置されている。そして、投影光学系を動作位置から退避位置にスライドさせ、その後投影光学系を露光装置から取り外す場合、退避位置にスライドされた投影光学系を上方につり上げるためのクレーンを用意する必要性があった。そのため、製造現場には、他の製造装置との間に比較的広い予備スペースを設ける必要があった。さらに、多数の製造装置が設置される製造現場にクレーンを運び込む際には、該クレーンが製造装置などに接触しないように注意を払う必要がある。そのため、露光装置からの投影光学系の取り外しには、多大なる時間と労力がかかる問題があった。
【０００７】
こうした問題は、投影光学系に限らず、照明光学系などの他の構成部品を露光装置から取り外す際にも起こり得る問題であった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板処理装置を構成する複数の構成部品のうち、特定の構成部品を容易に取り出すことができる基板処理装置のメンテナンス方法、基板処理装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図１１に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の基板処理装置のメンテナンス方法は、基板処理装置（１４）を構成し且つ床部（１１）の上側に配置される複数の構成部品（２０，２１，２２，２３）のうち、特定の構成部品（２０、２１、２２、２３）を前記基板処理装置（１４）から取り外すための基板処理装置のメンテナンス方法であって、前記床部（１１）に形成された第１開口部（４０）を塞ぐ床用蓋部材（４１）を、前記床部（１１）の下側から取り外し、前記床部（１１）の上側の領域（１２）と前記床部（１１）の下側の領域（１３）とを前記第１開口部（４０）を介して連通させる連通ステップ（Ｓ１２）と、前記第１開口部（４０）を介して前記下側の領域（１３）から前記上側の領域（１２）に支持部（６４）を移動させ、該支持部（６４）によって前記特定の構成部品（２０、２１、２２、２３）を支持する支持ステップ（Ｓ１３）と、前記特定の構成部品（２０、２１、２２、２３）を支持する前記支持部（６４）を前記上側の領域（１２）から前記第１開口部（４０）を介して前記下側の領域（１３）に移動させる移動ステップ（Ｓ１５）と、を有することを要旨とする。
【０００９】
上記構成によれば、床用蓋部材（４１）が床部（１１）の下側から取り外された後、支持部（６４）を下側の領域（１３）から上側の領域（１２）に第１開口部（４０）を介して移動させ、特定の構成部品（２０、２１、２２、２３）を支持部（６４）で支持させる。そして、この状態で支持部（６４）を、第１開口部（４０）を介して上側の領域（１２）から下側の領域（１３）に移動させることにより、基板処理装置（１４）から特定の構成部品（２０、２１、２２、２３）が取り外される。
【００１０】
本発明の基板処理装置は、複数の構成部品（２０，２１，２２，２３）を有する処理装置本体（１９）と、床部（１１）の上側の領域（１２）に設置され、且つ前記処理装置本体（１９）を収容するチャンバ（１６）とを備えた基板処理装置（１４）であって、前記床部（１６）には、前記複数の構成部品（２０，２１，２２，２３）のうち特定の構成部品（２０、２１、２２、２３）が重力方向に沿って通過可能な第１開口部（４０）が形成されており、前記チャンバ（１６）は、前記床部（１１）の前記第１開口部（４０）に対応する位置に形成された第２開口部（４２）を塞ぐチャンバ用蓋部材（４３）を有し、前記第２開口部（４２）は、前記特定の構成部品（２０、２１、２２、２３）が重力方向に沿って通過可能に形成されていることを要旨とする。
【００１１】
上記構成によれば、チャンバ（１６）からチャンバ用蓋部材（４３）を取り外すことにより、チャンバ（１６）内は、床部（１１）の下側の領域と連通状態になる。そして、チャンバ（１６）内の特定の構成部品（２０、２１、２２、２３）を、第１開口部（４０）及び第２開口部（４２）を介して床部（１１）よりも下側の領域に移動させることが可能になる。
【００１２】
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基板処理装置を構成する複数の構成部品のうち、特定の構成部品を容易に取り出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態における露光装置を示す概略構成図。
【図２】各蓋部材の床部及びチャンバの底部への取り付け構造を示す概略断面図。
【図３】露光装置のメンテナンス方法を説明するフローチャート。
【図４】チャンバから第３開口部用蓋部材及び第４開口部用蓋部材が取り外された状態を示す作用図。
【図５】ウエハステージをチャンバ外に退避させた状態を示す作用図。
【図６】第１開口部及び第２開口部が開口した状態を示す作用図。
【図７】各保持部材及び支持部によって投影光学系が支持される状態を示す作用図。
【図８】投影光学系を保持する各保持部材が各コラムから取り外された状態を示す作用図。
【図９】投影光学系をチャンバ内から下側の領域側に移動させる様子を示す作用図。
【図１０】デバイスの製造例のフローチャート。
【図１１】半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明を具体化した一実施形態について図１〜図９に基づき説明する。なお、本実施形態では、投影光学系の光軸に平行な方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な平面内で走査露光時のレチクルＲ及びウエハＷの走査方向をＹ軸方向とし、その走査方向に直交する非走査方向をＸ軸方向として説明する。また、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの回転方向をθｘ方向、θｙ方向、θｚ方向ともいう。
【００１６】
図１に示すように、床部１１によって重力方向（図１における上下方向）における上側の領域１２と下側の領域１３に区画される製造現場には、基板処理装置の一例として露光装置１４が設けられている。この露光装置１４は、下側の領域１３に配置される図示しない光源装置を備え、この光源装置は、波長が１００ｎｍ程度以下の軟Ｘ線領域である極端紫外光、即ちＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を射出する。本実施形態における露光装置１４は、ＥＵＶ光を露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ露光装置である。こうした露光装置１４は、床部１１上に複数（図１では２つのみ図示）の支持部材１５を介して設置され、且つ内部が大気よりも低圧の真空雰囲気に設定されるチャンバ１６を備えている。このチャンバ１６の側壁（図１では左側壁の上方）には、チャンバ１６内を真空排気する真空排気装置１７が設けられている。また、チャンバ１６の側壁（図１では右側壁の上方）には、チャンバ１６内に不活性ガス（例えば、窒素ガス）を供給するためのガス供給装置１８が設けられている。
【００１７】
また、チャンバ１６内には、露光装置本体１９が収容されている。この露光装置本体１９は、図示しない光源装置からチャンバ１６内に導かれた露光光ＥＬで所定のパターンが形成された反射型のレチクルＲを照明する照明光学系２０と、パターンの形成されたパターン形成面Ｒａが−Ｚ方向側（図１では下側）に位置するようにレチクルＲを保持するレチクルステージ２１とを備えている。また、露光装置本体１９は、レチクルＲを介した露光光ＥＬでレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷを照射する投影光学系２２と、感光性材料の塗布面Ｗａが＋Ｚ方向側（図１では上側）に位置するようにウエハＷを保持するウエハステージ２３とをさらに備えている。なお、本実施形態の光源装置としては、レーザ励起プラズマ光源が用いられており、該光源装置は、波長が５〜２０ｎｍ（例えば１３．５ｎｍ）となるＥＵＶ光を露光光ＥＬとして射出する。また、光源装置は、投影光学系２２の直下位置とは異なる位置に配置されている。
【００１８】
また、チャンバ１６内には、その底部１６ａから＋Ｚ方向側に延びる複数（図１では２つのみ図示）のコラム２４が設けられており、該各コラム２４は、投影光学系２２を包囲するように周方向に沿って等間隔にそれぞれ配置されている。また、各コラム２４の＋Ｚ方向側の端部（図１では上端）は、投影光学系２２よりも＋Ｚ方向側にそれぞれ位置している。また、各コラム２４のＺ軸方向における中途部位（より詳しくはＺ軸方向における中央よりも−Ｚ方向側）には、投影光学系２２を保持するための保持部材２５が第１ボルト２６によってそれぞれ固定されている。なお、各保持部材２５は、第１ボルト２６を外すことによりコラム２４からそれぞれ取り外し可能である。
【００１９】
さらに、チャンバ１６内における投影光学系２２よりも＋Ｚ方向側には、レチクルステージ２１を支持するための支持プレート２７が設けられている。この支持プレート２７は、防振部２８を介して各コラム２４に支持されている。
【００２０】
照明光学系２０は、チャンバ１６の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体２９を備えており、該筐体２９は、図示しない支持部材によって支持されている。こうした筐体２９内には、筐体２９内に入射された露光光ＥＬを反射可能な複数の図示しない反射ミラーが設けられている。そして、各反射ミラーによって順に反射された露光光ＥＬは、後述する鏡筒３３内に設置された折り返し用の反射ミラー３０に入射し、該反射ミラー３０で反射した露光光ＥＬは、投影光学系２２の＋Ｚ方向側に位置する支持プレート２７の開口２７ａを通過してレチクルステージ２１に保持されるレチクルＲに照射する。なお、照明光学系２０を構成する各反射ミラー（折り返し用の反射ミラー３０も含む。）の反射面には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜である反射層がそれぞれ形成されている。
【００２１】
レチクルステージ２１は、投影光学系２２の物体面側（図１では、投影光学系２２の上側）に配置されると共に、支持プレート２７に移動可能な状態で支持されている。こうしたレチクルステージ２１は、レチクルＲを静電吸着するための第１静電吸着保持装置３１を備えており、該第１静電吸着保持装置３１は、誘電性材料から構成され且つ吸着面３２ａを有する基体３２と、該基体３２内に配置される図示しない複数の電極部とを備えている。そして、図示しない電圧印加部から電圧が各電極部にそれぞれ印加された場合、基体３２から発生されるクーロン力により、吸着面３２ａにレチクルＲが静電吸着される。
【００２２】
また、レチクルステージ２１は、図示しないレチクルステージ駆動部の駆動によって、Ｙ軸方向（図１における左右方向）に移動可能である。すなわち、レチクルステージ駆動部は、第１静電吸着保持装置３１に保持されるレチクルＲをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、レチクルステージ駆動部は、レチクルＲをＸ軸方向（図１において紙面と直交する方向）及びθｚ方向にも移動させることが可能である。なお、レチクルＲには、パターン形成面Ｒａに露光光ＥＬが照射された場合に、Ｘ軸方向に延びる略円弧状の照明領域が形成される。
【００２３】
投影光学系２２は、露光光ＥＬでレチクルＲのパターン形成面Ｒａを照明することにより形成されたパターンの像を所定の縮小倍率（例えば１／４倍）に縮小させる光学系であって、その光軸（図示略）に平行なＺ軸方向と重力方向とが一致するように配置されている。こうした投影光学系２２は、チャンバ１６の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒３３を備えている。この鏡筒３３のＺ軸方向における中途位置（図１では、上下方向における中央よりも下側）には、円環状をなすフランジ部３４が設けられている。そして、鏡筒３３は、そのフランジ部３４が保持部材２５に保持されることにより各コラム２４に支持されている。
【００２４】
また、鏡筒３３内には、複数（一例としては６つであって、図１では１つのみ図示）の反射ミラー３５が収容されている。そして、物体面側であるレチクルＲ側から導かれた露光光ＥＬは、各反射ミラー３５に順に反射され、ウエハステージ２３に保持されるウエハＷに導かれる。なお、各反射ミラー３５の反射面には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜である反射層がそれぞれ形成されている。
【００２５】
ウエハステージ２３は、Ｚ軸方向（即ち、重力方向）においてチャンバ１６の底部１６ａと投影光学系２２との間に配置されている。ウエハステージ２３は、ウエハＷを静電吸着するための第２静電吸着保持装置３６を備え、該第２静電吸着保持装置３６は、誘電性材料から構成され且つ吸着面３７ａを有する基体３７、該基体３７内に配置される図示しない複数の電極部とを備えている。そして、図示しない電圧印加部から電圧が各電極部にそれぞれ印加された場合、基体３７から発生されるクーロン力により、吸着面３７ａにウエハＷが静電吸着される。また、ウエハステージ２３には、第２静電吸着保持装置３６を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのＺ軸方向における位置及びＸ軸周り、Ｙ軸周りの傾斜角を調整する図示しないＺレベリング機構とが組み込まれている。
【００２６】
こうしたウエハステージ２３は、図示しないウエハステージ駆動部によって、Ｙ軸方向に移動可能である。すなわち、ウエハステージ駆動部は、第２静電吸着保持装置３６に保持されるウエハＷをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、ウエハステージ駆動部は、第２静電吸着保持装置３６に保持されるウエハＷをＸ軸方向及びＺ軸方向にも移動可能に構成されている。
【００２７】
そして、ウエハＷ上の一つのショット領域にレチクルＲのパターンを形成する場合、照明光学系２０によって照明領域をレチクルＲに形成した状態で、レチクルステージ駆動部の駆動によって、レチクルＲをＹ軸方向（例えば、＋Ｙ方向側から−Ｙ方向側）に所定ストローク毎に移動させるとともに、ウエハステージ駆動部の駆動によって、ウエハＷをレチクルＲのＹ軸方向に沿った移動に対して投影光学系２２の縮小倍率に応じた速度比で−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側（図１では左側から右側）に同期して移動させる。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハＷの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。
【００２８】
なお、本実施形態においてチャンバ１６が設置される床部１１には、図１及び図２に示すように、投影光学系２２がＺ軸方向（床部１１の床面と直交する方向）に沿って通過できる程度の開口面積を有する第１開口部４０が形成されている。この第１開口部４０は、その内部に床用蓋部材４１が取り付けられることにより閉塞される。すなわち、第１開口部４０が非閉塞状態である場合、床部１１によって区画される各領域１２，１３は、第１開口部４０を介して互いに連通する。
【００２９】
また、チャンバ１６の底部１６ａにおいて第１開口部４０と対応する位置には、投影光学系２２がＺ軸方向（チャンバ１６の底部１６ａの底面と直交する方向）に沿って通過できる程度の開口面積を有する第２開口部４２が形成されており、該第２開口部４２は、その内部にチャンバ用蓋部材４３が取り付けられることにより閉塞される。すなわち、チャンバ１６内は、第１開口部４０及び第２開口部４２が共に非閉塞状態である場合、各開口部４０，４２を介して下側の領域１３と連通する。
【００３０】
さらに、チャンバ１６の＋Ｙ方向側の側壁（図１では右側壁）１６ｂには、ウエハステージ２３が通過できる程度の開口面積を有する第３開口部４４が形成されており、該第３開口部４４は、第３開口部用蓋部材４５によって閉塞されている。また、チャンバ１６の−Ｙ方向側の側壁（図１では左側壁）１６ｃには、該−Ｙ方向側の側壁１６ｃに接近した位置に配置されるコラム２４に支持される保持部材２５を取り出すことができる程度の開口面積を有する第４開口部４６が形成されており、該第４開口部４６は、第４開口部用蓋部材４７によって閉塞されている。
【００３１】
そして、チャンバ１６の各開口部４２，４４，４６が各蓋部材４３，４５，４７でそれぞれ閉塞された状態で真空排気装置１７が作動することにより、チャンバ１６内が高真空度に維持される。一方、各開口部４２，４４，４６のうち少なくとも一つが開口された場合、ガス供給装置１８の作動によってチャンバ１６内の圧力が外部よりも高圧になるように、ガス供給装置１８からガスが供給され、チャンバ１６内に外部から空気などが流入することが回避することができる。
【００３２】
次に、各開口部４０，４２，４４，４６に対する各蓋部材４１，４３，４５，４７の取り付け構造について、図１及び図２に基づき説明する。
図２に示すように、床部１１の第１開口部４０は、投影光学系２２のフランジ部３４の直径よりも大きな直径を有する第１小径部４０ａと、該第１小径部４０ａの−Ｚ方向側（床部１１の底面と反対側、すなわち床部１１の下側の領域１３側）に位置し且つ第１小径部４０ａよりも大きな直径を有する第１大径部４０ｂとから構成されている。こうした第１開口部４０に取付可能な床用蓋部材４１は、第１開口部４０の第１小径部４０ａに挿入可能な床用小径蓋部４１ａと、該床用小径蓋部４１ａの−Ｚ方向側（床部１１の下側の領域１３側）に位置し且つ第１大径部４０ｂに挿入可能な床用大径蓋部４１ｂとを備えている。すなわち、第１開口部４０を閉塞する床用蓋部材４１は、床部１１から下側の領域１３側に取り外し可能であって、上側の領域１２側への取り外しは不能である。また、床用蓋部材４１の床用大径蓋部４１ｂにおいて床用小径蓋部４１ａの外周縁よりも径方向外側には、周方向に沿って等間隔に配置される複数（図２では１つのみ図示）のボルト孔５０が形成されると共に、床部１１の下側の領域側の面において各ボルト孔５０に対応する各位置には、ボルト穴５１がそれぞれ形成されている。そして、各ボルト孔５０を貫通した各第２ボルト５２の先端が各ボルト穴５１に螺入されることにより、床用蓋部材４１は、床部１１に固定される。さらに、床用蓋部材４１において後述する各第３ボルト５７と対応する各位置には、貫通孔５３がそれぞれ形成されている。
【００３３】
チャンバ１６の底部１６ａの第２開口部４２は、投影光学系２２のフランジ部３４の直径よりも大きく且つ第１開口部４０の第１小径部４０ａの直径よりも小さい直径を有する第２小径部４２ａと、該第２小径部４２ａよりも大きく且つ第１開口部４０の第１小径部４０ａの直径よりも小さい直径を有する第２大径部４２ｂとから構成されている。この第２大径部４２ｂは、第２小径部４２ａの−Ｚ方向側（床部１１側）に位置している。こうした第２開口部４２に挿入可能なチャンバ用蓋部材４３は、第２開口部４２の第２小径部４２ａに取付可能なチャンバ用小径蓋部４３ａと、該チャンバ用小径蓋部４３ａの−Ｚ方向側（床部１１側）に位置し且つ第２大径部４２ｂに取付可能なチャンバ用大径蓋部４３ｂとから構成されている。すなわち、チャンバ用蓋部材４３は、床用蓋部材４１と同様に、チャンバ１６の底部１６ａから下側の領域１３側に取り外し可能であって、上側の領域１２側への取り外しは不能である。また、チャンバ用蓋部材４３は、床部１１の第１開口部４０をＺ軸方向に沿って通過可能である。
【００３４】
また、第２開口部４２内にチャンバ用蓋部材４３を取り付ける場合、底部１６ａとチャンバ用大径蓋部４３ｂの径方向外側部位との間には、チャンバ１６内の気密保護を図るために、リング状をなす合成ゴム性の封止部材５４が配置される。また、チャンバ用蓋部材４３のチャンバ用大径蓋部４３ｂにおいて封止部材５４の配置位置よりも径方向外側には、周方向に沿って等間隔に配置される複数（図２では１つのみ図示）のボルト孔５５が形成されると共に、チャンバ１６の底部１６ａにおいて各ボルト孔５５に対応する各位置には、ボルト穴５６がそれぞれ形成されている。そして、各ボルト孔５５を貫通した各第３ボルト５７の先端が各ボルト穴５６に螺入されることにより、床用蓋部材４１は、床部１１に固定される。このとき、封止部材５４がチャンバ１６の底部１６ａとチャンバ用蓋部材４３とによってＺ軸方向に押圧されることにより、チャンバ１６内の気密が図られる。
【００３５】
図１に示すように、チャンバ１６の＋Ｙ方向側の側壁１６ｂに形成された第３開口部４４は、該第３開口部４４の開口面積よりも大きな面積を有する第３開口部用蓋部材４５が＋Ｙ方向側の側壁１６ｂに固定されることにより閉塞されている。なお、第３開口部用蓋部材４５と＋Ｙ方向側の側壁１６ｂとの間には、チャンバ１６内の気密保護を図るために、リング状をなす合成ゴム性の封止部材（図示略）が配置される。同様に、チャンバ１６の−Ｙ方向側の側壁１６ｃに形成された第４開口部４６は、該第４開口部４６の開口面積よりも大きな面積を有する第４開口部用蓋部材４７が−Ｙ方向側の側壁１６ｃに固定されることにより閉塞されている。なお、第４開口部用蓋部材４７と−Ｙ方向側の側壁１６ｃとの間には、チャンバ１６内の気密保護を図るために、リング状をなす合成ゴム性の封止部材（図示略）が配置される。
【００３６】
次に、下側の領域１３に配置される装置について、図１に基づき説明する。
図１に示すように、下側の領域１３には、投影光学系２２をチャンバ１６外に取り外す際に用いられる取外し装置６０が設けられている。この取外し装置６０は、基部６１と、下側の領域１３の床部１３Ａに沿って基部６１を移動させるための複数の車輪６２とを備えている。こうした取外し装置６０の基部６１上には、Ｚ軸方向に沿って伸縮自在な伸縮機構６３と、該伸縮機構６３の＋Ｚ方向側端部に支持され且つ投影光学系２２を支持するための支持部６４とが設けられている。伸縮機構６３は、支持部６４によって支持される投影光学系２２の重量に耐えることができる程度の剛性を有すると共に、図示しない駆動源からの駆動力に基づき伸縮するように構成されている。
【００３７】
支持部６４は、有底略円筒形状をなすように形成されている。こうした支持部６４の円筒部６４ａの厚み寸法Ｈ１は、鏡筒３３の外周部と該外周部に対向する保持部材２５の内側の面との間の間隔寸法Ｈ２よりも僅かに小さい。また、支持部６４の円筒部６４ａのＺ軸方向における長さＬ１は、鏡筒３３の−Ｚ方向側の端部からフランジ部３４までの長さＬ２よりも僅かに長い。
【００３８】
ここで、本実施形態の露光装置１４で露光処理を行ない続けると、投影光学系２２を構成する各反射ミラー３５に炭素を主成分とする異物（所謂カーボンコンタミネーション）や酸化膜などが付着することがある。この場合、各反射ミラー３５の反射率の低下や光学特性の変化などが発生するため、露光装置１４のメンテナンスの一環として、定期的又は不定期で投影光学系２２のメンテナンス又は交換を行なう必要がある。投影光学系２２のメンテナンス又は交換を行なうためには、投影光学系２２をチャンバ１６外に取り外す必要がある。
【００３９】
そこで次に、本実施形態における露光装置１４のメンテナンス方法（具体的には、投影光学系２２の取外し方法）について、図３に示すフローチャート及び図４〜図９に示す作用図に基づき説明する。
【００４０】
さて、投影光学系２２をチャンバ１６外に取り外す場合、ステップＳ１０において、真空排気装置１７の作動が停止されると共に、ガス供給装置１８の作動が開始される。すなわち、チャンバ１６内の圧力は、ガス供給装置１８からの窒素ガスの供給によって、チャンバ１６外の圧力（即ち、大気圧）よりも高圧に調整される。続いて、ステップＳ１１において、図４に示すように、チャンバ１６の側壁１６ｂ，１６ｃに固定される第３開口部用蓋部材４５及び第４開口部用蓋部材４７がチャンバ１６からそれぞれ取り外される。このとき、チャンバ１６内は、第３開口部４４及び第４開口部４６を介して外部と連通状態になる。しかし、チャンバ１６内は外部よりも高圧であるため、チャンバ１６内には、外部からの大気（及び該大気に含まれる埃などの異物）が開口状態の各開口部４４，４６を介してほとんど流入しない。そして、ウエハステージ２３は、図５に示すように、開口状態になった第３開口部４４を介してチャンバ１６外に退避される。なお、図面上では省略されているが、ウエハステージ２３には、ウエハＷを冷却するために冷媒を供給する冷媒用配管や各種電気配線が接続されている。そのため、ウエハステージ２３をチャンバ１６外に退避させる際には、チャンバ１６内でウエハステージ２３から冷媒用配管や各種電気配線を取り外し、その後、第３開口部４４を介してウエハステージ２３を外部に退避させることが望ましい。
【００４１】
図３に戻り、ステップＳ１２において、床用蓋部材４１及びチャンバ用蓋部材４３が床部１１及びチャンバ１６の底部１６ａからそれぞれ取り外される。具体的には、まず始めに、取外し装置６０が床用蓋部材４１及びチャンバ用蓋部材４３の直下位置に配置され、取外し装置６０の支持部６４は、伸縮機構６３の伸張作動によって＋Ｚ方向側に移動して床用蓋部材４１を支持する。この状態で、床部１１に床用蓋部材４１を固定するための各第２ボルト５２がそれぞれ取り外され、その後、床用蓋部材４１は、床部１１の第１開口部４０から脱される。こうした床用蓋部材４１を支持する支持部６４は、伸縮機構６３の収縮作動によって−Ｚ方向側に移動する。そして、取外し装置６０は、床用蓋部材４１を側方に置いた後、再びチャンバ用蓋部材４３の直下位置に配置される。
【００４２】
続いて、取外し装置６０の支持部６４は、伸縮機構６３の伸張作動によって＋Ｚ方向側に移動してチャンバ用蓋部材４３を支持する。この状態で、チャンバ１６の底部１６ａにチャンバ用蓋部材４３を固定するための各第３ボルト５７がそれぞれ取り外され、その後、チャンバ用蓋部材４３は、チャンバ１６の底部１６ａの第２開口部４２から脱される。こうしたチャンバ用蓋部材４３を支持する支持部６４は、伸縮機構６３の収縮作動によって−Ｚ方向側に移動する。そして、取外し装置６０は、チャンバ用蓋部材４３を側方に置いた後、再び投影光学系２２の直下位置に配置される。その結果、図６に示すように、チャンバ１６内は、第１開口部４０及び第２開口部４２を介して下側の領域１３と連通状態になる。
【００４３】
図３に戻り、ステップＳ１３において、取外し装置６０の支持部６４は、伸縮機構６３の伸張作動によって＋Ｚ方向側に移動して投影光学系２２（より詳しくは、鏡筒３３のフランジ部３４）を支持する。このとき、支持部６４の円筒部６４ａは、図７に示すように、径方向において鏡筒３３の側壁と各保持部材２５との間に配置される。また、鏡筒３３の−Ｚ方向側端部は、支持部６４の底面に当接することはない。なお、投影光学系２２には、各反射ミラー３５などを冷却するために冷媒を供給する冷媒用配管や各種電気配線が接続されている。そのため、投影光学系２２が各保持部材２５で支持されている間に、投影光学系２２から冷媒用配管や各種電気配線を取り外すことが望ましい。
【００４４】
図３に戻り、ステップＳ１４において、各保持部材２５は、各第１ボルト２６が各コラム２４からそれぞれ取り外されることにより該各コラム２４からそれぞれ取り外される。こうした各保持部材２５は、チャンバ１６の側壁１６ｂ，１６ｃの各開口部４４，４６を介してチャンバ１６外にそれぞれ退避される。すると、図８に示すように、投影光学系２２は、取外し装置６０の支持部６４によって支持された状態になる。
【００４５】
図３に戻り、ステップＳ１５において、投影光学系２２を支持する支持部６４は、伸縮機構６３の収縮作動によって−Ｚ方向側に移動する。すなわち、図９に示すように、投影光学系２２は、取外し装置６０によって、チャンバ１６内から下側の領域１３に退避される。こうしてチャンバ１６外に取り外された投影光学系２２は、必要に応じて各種メンテナンスが行なわれる。例えば、反射ミラー３５に付着した異物の除去や反射ミラー３５の交換が行なわれる。
【００４６】
次に、チャンバ１６内への投影光学系２２の設置方法について簡単に説明する。
基本的には、図３に示すステップＳ１０〜Ｓ１５の各処理を反対側から順に実行する。すなわち、メンテナンス済み又は新しい投影光学系２２は、取外し装置６０によって下側の領域１３から＋Ｚ方向側に移動し、チャンバ１６内の予め設定された所定位置まで移動する。そして、各コラム２４には、第１ボルト２６によって保持部材２５を固定させる。その後、取外し装置６０の伸縮機構６３の収縮作動によって−Ｚ方向側に移動することによって、フランジ部３４が保持部材２５に載置される。すなわち、各コラム２４は、各保持部材２５がフランジ部３４を保持することにより投影光学系２２をそれぞれ支持する。そして、取外し装置６０の支持部６４は、伸縮機構６３の収縮作動によって下側の領域１３まで移動する。なお、この状態で、投影光学系２２に対して冷媒用配管や各種電気配線を取り付けることが望ましい。
【００４７】
そして、チャンバ１６の底部１６ａにチャンバ用蓋部材４３を取り付けることにより、第２開口部４２が閉塞される。続いて、床部１１に床用蓋部材４１を取り付けることにより、第１開口部４０が閉塞される。この状態で、ウエハステージ２３が、チャンバ１６内における投影光学系２２の直下位置である設定位置に設置され、その後、ウエハステージ２３には、冷媒用配管や各種電気配線が取り付けられる。そして、チャンバ１６の側壁１６ｂ，１６ｃに第３開口部用蓋部材４５及び第４開口部用蓋部材４７を取り付けることにより、第３開口部４４及び第４開口部４６がそれぞれ閉塞され、チャンバ１６内が密閉される。
【００４８】
その後、ガス供給装置１８からの窒素ガスの供給を停止させ、真空排気装置１７を作動させると、チャンバ１６内の真空度が次第に高くなる。そして、チャンバ１６内の真空度が所定の真空度以上になると、チャンバ１６内での露光処理が実行可能になる。
【００４９】
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）床用蓋部材４１及びチャンバ用蓋部材４３が床部１１及びチャンバ１６の底部１６ａの下側からそれぞれ取り外された後、支持部６４を下側の領域１３側から上側の領域１２側に第１開口部４０及び第２開口部４２を介して移動させ、投影光学系２２を支持部６４で支持させる。そして、この状態で支持部６４を、第１開口部４０及び第２開口部４２を介して上側の領域１２から下側の領域１３に移動させることにより、露光装置１４から投影光学系２２が取り外される。そのため、投影光学系２２を側方から取り出す従来の場合に比して、床部１１上に設置される他の製造装置との間隔を広くする必要がない。したがって、床部１１上において他の製造装置との間に広い予備スペースを確保できない製造現場であっても、露光装置１４を構成する投影光学系２２を容易に取り出すことができる。
【００５０】
（２）一般に、露光装置本体１９は、上層フロアに設置され、光源装置は、下層フロアに設置される。露光装置本体１９が設置される上層フロアには他の製造装置が複数設置されるのに対し、下層フロアには、上層フロアに比して製造装置などの他の装置の設置数が少ない。すなわち、下層フロアには、上層フロアよりも未使用のスペースが多い。そこで、本実施形態では、下層フロアに投影光学系２２の取り出し専用の専用スペースを予め用意し、上層フロアから床部１１の第１開口部４０を介して下層フロアの専用スペースに投影光学系２２を退避させる。そのため、投影光学系２２の取り出し時に他の製造装置と接触する可能性を低減できる。したがって、従来の場合に比して、投影光学系２２の取り出しにかかる労力と時間を低減することができる。
【００５１】
（３）また、本実施形態の露光装置１４は、内部が真空雰囲気に設定されたチャンバ１６内で露光処理を行なう装置である。そのため、チャンバ１６の周辺や側壁には、複数の真空排気装置（真空ポンプなど）、冷媒が流動する冷媒用配管及び各種電気配線などが設けられている。投影光学系２２を側方から取り出す従来の露光装置では、チャンバの側壁に投影光学系を取り出すための大きな開口部を設け、その周辺には、真空排気装置、冷媒用配管及び各種電気配線を設置しないようにする必要がある。この場合、真空排気装置、冷媒用配管及び各種電気配線のレイアウトや大きさなどに制限が加わり、チャンバ内の真空排気効率や光学部材などの冷却効率に影響を与える可能性がある。この点、本実施形態では、真空排気装置、冷媒用配管及び各種電気配線が設置されないチャンバ１６の底部１６ａに第１開口部４０を設けることになるため、真空排気装置、冷媒用配管及び各種電気配線のレイアウトや大きさの自由度が増すことになる。したがって、真空排気装置、冷媒用配管及び各種電気配線を効率良く配置でき、チャンバ内の真空排気効率や光学部材などの冷却効率を適切に設定できる。
【００５２】
（４）チャンバ１６の底部１６ａと投影光学系２２との間に設置されるウエハステージ２３は、投影光学系２２をチャンバ１６内から取り出す前に、チャンバ１６外に退避される。そのため、ウエハステージ２３によって邪魔されることなく、投影光学系２２を第１開口部４０及び第２開口部４２を介して下側の領域１３側に取り出すことができる。したがって、投影光学系２２をチャンバ１６外に取り外す際に、投影光学系２２とウエハステージ２３とが接触することを回避できる。
【００５３】
（５）投影光学系２２を保持する各保持部材２５は、フランジ部３４が支持部６４によって支持されてから各コラム２４からそれぞれ取り外される。そのため、各保持部材２５の各コラム２４からの取り外しに伴う振動が投影光学系２２に伝わることを抑制できる。
【００５４】
（６）チャンバ１６の各開口部４２，４４，４６の少なくとも一つが開口状態になる際には、チャンバ１６内の圧力が外部の圧力よりも高圧に調整される。そのため、投影光学系２２をチャンバ１６外に取り出す際に、開口状態にある開口部を介して大気が外部からチャンバ１６内に流入することを抑制できる。すなわち、メンテナンス時に埃などの異物及び大気に含まれる酸素や水蒸気がチャンバ１６内に流入することを抑制できる。
【００５５】
なお、上記実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・実施形態において、床用蓋部材４１及びチャンバ用蓋部材４３を、同時に下側の領域１３側に取り外してもよい。この場合、各第３ボルト５７をそれぞれ取り外し、チャンバ用蓋部材４３をチャンバ１６の底部１６ａから脱させる。このとき、チャンバ用蓋部材４３は、床用蓋部材４１上に載置される。この状態で各第２ボルト５２をそれぞれ取り外すことにより、床用蓋部材４１とチャンバ用蓋部材４３を、同時に下側の領域１３側に取り外すことができる。
【００５６】
・実施形態において、床用蓋部材４１及びチャンバ用蓋部材４３用の取外し装置（以下、蓋用取外し装置という。）を、投影光学系２２用の取外し装置６０とは別に設けてもよい。この場合、蓋用取外し装置で床用蓋部材４１及びチャンバ用蓋部材４３を支持させた状態で、投影光学系２２の取り外しや取り付けを行なうことができる。そのため、取外し装置６０の支持部６４に支持させる部材を、必要に応じて取り替える必要性がなくなる。
【００５７】
・実施形態において、ウエハステージ２３を、第１開口部４０及び第２開口部４２を介して下側の領域１３側に退避させてもよい。この場合、ウエハステージ２３の取り外し時には、該ウエハステージ２３をチャンバ用蓋部材４３に固定させ、そして、ウエハステージ２３をチャンバ用蓋部材４３と共に下側の領域１３側に退避させることが望ましい。
【００５８】
・実施形態において、第１開口部４０を閉塞する床用蓋部材４１を、省略してもよい。この場合、床部１１は、露光装置１４の重量に十分に耐えることができる程度の剛性を有することが望ましい。
【００５９】
・実施形態において、チャンバ１６を、肉厚な剛性を有する支持台（例えば、ステンレスなどから構成される支持台）を介して床部１１上に配置してもよい。この場合、支持台において第１開口部４０及び第２開口部４２と対応する位置には、投影光学系２２が通過できる程度の開口面積を有する貫通孔を設けることが望ましい。
【００６０】
・上記実施形態では、投影光学系２２の取り外し方法に具体化したが、照明光学系２０を下側の領域１３側に取り出す方法に具体化もよいし、ウエハステージ２３を下側の領域１３側に取り出す方法に具体化もよい。また、レチクルステージ２１を下側の領域１３側に取り出す方法に具体化もよい。
【００６１】
・実施形態において、露光光源は、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）等を供給可能な光源であってもよい。また、露光光源は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源であってもよい。
【００６２】
こうしたビームを露光光ＥＬとして用いる場合、露光装置１４は、チャンバ１６を省略した構成であってもよい。
・実施形態において、露光装置１４は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１４は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
【００６３】
・実施形態において、投影光学系を交換又はメンテナンスの対象としたが、これに限定されず、ウエハステージや、照明光学系を対象としてもよい。また、基板処理装置として、ウエハＷなどの基板に対して露光装置以外の装置、例えば、ウエハに感光性材料を塗布したり、感光性材料に形成されたパターンを現像したりする塗布現像装置や、基板の検査装置などに具体化してもよい。この場合、塗布現像装置、あるいは基板検査装置を構成する複数の構成部品のうち、特定の構成部品（塗布現像装置であれば現像部や塗布部、基板検査装置であれば、検査光学系）に適用することも可能である。
【００６４】
次に、本発明の実施形態の露光装置１４によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１０は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００６５】
まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。
【００６６】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００６７】
図１１は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）おいては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００６８】
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１４）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
【符号の説明】
【００６９】
１１…床部、１２…上側の領域、１３…下側の領域、１４…基板処理装置としての露光装置、１６…チャンバ、１６ｂ，１６ｃ…側壁、１９…処理装置本体としての露光装置本体、２０…構成部品及び特定の構成部品としての照明光学系、２１…構成部品及び特定の構成部品としてのレチクルステージ、２２…構成部品及び特定の構成部品としての投影光学系、２３…構成部品、特定の構成部品、第１の構成部品及び保持装置としてのウエハステージ、２４…フレーム部材としてのコラム、２５…保持部材、２９…筐体、３３…筐体としての鏡筒、３４…フランジ部、３５…光学部材としての反射ミラー、４０…第１開口部、４１…床用蓋部材、４２…第２開口部、４３…チャンバ用蓋部材、４４…第３開口部、４５…蓋部としての第３開口部用蓋部材、６０…取外し装置、６４…支持部、ＥＬ…放射ビームとしての露光光、Ｗ…被照射体、基板としてのウエハ。
【図１】
2011040540.tif 000003
【図２】
2011040540.tif 000004
【図３】
2011040540.tif 000005
【図４】
2011040540.tif 000006
【図５】
2011040540.tif 000007
【図６】
2011040540.tif 000008
【図７】
2011040540.tif 000009
【図８】
2011040540.tif 000010
【図９】
2011040540.tif 000011
【図１０】
2011040540.tif 000012
【図１１】
2011040540.tif 000013