(57)【要約】【課題】高反射率かつ高ボンディング性で、端部との電気絶縁性が優れた実装部及びボンディング部を有する発光素子モジュール基板、発光素子モジュール及び照明装置を提供する。【解決手段】ベース金属板１１と、ベース金属板の上に設けられた絶縁層１２と、を含む積層板１０と、絶縁層の上に設けられた金属層であって、発光素子５０が実装される実装部２５と、発光素子に電気的に接続される配線がボンディングされるボンディング部２６と、を有する金属層２０と、を備えた発光素子モジュール基板が提供される。金属層は、実装部及びボンディング部の少なくともいずれかの最上層であり電解めっきによって形成された銀層２３を含む。実装部及びボンディング部は、積層板の周縁１０ｅから電気的に遮断されている。【選択図】図１
2011216588.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース金属板と、前記ベース金属板の上に設けられた絶縁層と、を含む積層板と、
前記絶縁層の上に設けられた金属層であって、発光素子が実装される実装部と、前記発光素子に電気的に接続される配線がボンディングされるボンディング部と、を有する金属層と、
を備え、
前記金属層は、前記実装部及び前記ボンディング部の少なくともいずれかの最上層であり電解めっきによって形成された銀層を含み、
前記実装部及び前記ボンディング部は、前記積層板の周縁から電気的に遮断されていることを特徴とする発光素子モジュール基板。
【請求項２】
前記金属層のうちの、前記電解めっきに用いられためっき用配線部の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする請求項１記載の発光素子モジュール基板。
【請求項３】
ベース金属板と、前記ベース金属板の上に設けられた絶縁層と、を含む積層板と、
前記絶縁層の上に設けられた金属層であって、発光素子が実装される実装部と、前記発光素子に電気的に接続される配線がボンディングされるボンディング部と、を有する金属層と、
を備え、
前記金属層は、前記実装部及び前記ボンディング部の少なくともいずれかの最上層となり、厚さが１マイクロメートル以上の銀層を含み、
前記実装部及び前記ボンディング部は、前記積層板の周縁から電気的に遮断されていることを特徴とする発光素子モジュール基板。
【請求項４】
前記金属層は、前記銀層と前記絶縁層との間に設けられた下地層をさらに含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光素子モジュール基板。
【請求項５】
前記金属層は、前記下地層と前記銀層との間に設けられた中間層をさらに含むことを特徴とする請求項４記載の発光素子モジュール基板。
【請求項６】
前記下地層は、銅を含み、
前記中間層は、ニッケルを含むことを特徴とする請求項５記載の発光素子モジュール基板。
【請求項７】
前記中間層は、実質的にリンを含まないことを特徴とする請求項６記載の発光素子モジュール基板。
【請求項８】
前記金属層の少なくとも一部の側面において、前記下地層が露出することを特徴とする請求項４〜７のいずれか１つに記載の発光素子モジュール基板。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１つに記載の発光素子モジュール基板と、
前記発光素子モジュール基板の前記実装部に実装された発光素子と、
前記発光素子と前記ボンディング部とを電気的に接続する配線と、
を備えたことを特徴とする発光素子モジュール。
【請求項１０】
請求項９記載の発光素子モジュールと、
前記ベース金属板に熱的に接続された放熱部材と、
を備えたことを特徴とする照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子モジュール基板、発光素子モジュール及び照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの半導体発光素子が照明に用いられている。例えば、ＬＥＤ素子が、基板に直接実装されるＣＯＢ（Chip On Board）方式の発光素子モジュールを用いた照明がある。例えば、特許文献１には、基板と、基板上に配置された複数の発光素子と、蛍光体層と、を備えた発光装置が開示されている。
【０００３】
ＬＥＤなどの発光素子は、高温において発光効率が低下する。放熱性を高め、高い発光効率を得るために、金属板とその上に設けられた絶縁層との積層板を基板として用いる構成がある。この絶縁層の厚さは、ＬＥＤ素子と金属板との熱伝導性を高めるために、一定以下に設定される。
【０００４】
積層板の絶縁層の上には、ＬＥＤ素子が実装される実装部と、ＬＥＤ素子の電気的な接続のためのボンディング部と、を有する金属層が設けられる。この金属層には、高反射率と共に、ボンディング性が高いことが求められている。
【０００５】
一方、この金属層が基板（積層板）の端部に延在すると、絶縁層が薄いために、基板の端部において、積層板の金属板と、金属層と、における絶縁性が劣化し、所望の動作が得られない。
【０００６】
従って、金属層を用いた実装部及びボンディング部には、反射率が高くボンディング性が高いことと同時に、基板の端部と電気的に絶縁されていることが求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−１１１２７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、高反射率かつ高ボンディング性で、端部との電気絶縁性が優れた実装部及びボンディング部を有する発光素子モジュール基板、発光素子モジュール及び照明装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によれば、ベース金属板と、前記ベース金属板の上に設けられた絶縁層と、を含む積層板と、前記絶縁層の上に設けられた金属層であって、発光素子が実装される実装部と、前記発光素子に電気的に接続される配線がボンディングされるボンディング部と、を有する金属層と、を備え、前記金属層は、前記実装部及び前記ボンディング部の少なくともいずれかの最上層であり電解めっきによって形成された銀層を含み、前記実装部及び前記ボンディング部は、前記積層板の周縁から電気的に遮断されていることを特徴とする発光素子モジュール基板が提供される。
【００１０】
本発明の別の一態様によれば、ベース金属板と、前記ベース金属板の上に設けられた絶縁層と、を含む積層板と、前記絶縁層の上に設けられた金属層であって、発光素子が実装される実装部と、前記発光素子に電気的に接続される配線がボンディングされるボンディング部と、を有する金属層と、を備え、前記金属層は、前記実装部及び前記ボンディング部の少なくともいずれかの最上層となり、厚さが１マイクロメートル以上の銀層を含み、前記実装部及び前記ボンディング部は、前記積層板の周縁から電気的に遮断されていることを特徴とする発光素子モジュール基板が提供される。
【００１１】
本発明の別の一態様によれば、上記のいずれかの発光素子モジュール基板と、前記発光素子モジュール基板の前記実装部に実装された発光素子と、前記発光素子と前記ボンディング部とを電気的に接続する配線と、を備えたことを特徴とする発光素子モジュールが提供される。
【００１２】
本発明の別の一態様によれば、上記の発光素子モジュールと、前記ベース金属板に熱的に接続された放熱部材と、を備えたことを特徴とする照明装置が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、高反射率かつ高ボンディング性で、端部との電気絶縁性が優れた実装部及びボンディング部を有する発光素子モジュール基板、発光素子モジュール及び照明装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施形態に係る発光素子モジュール基板の構成を例示する模式図である。
【図２】第１の実施形態に係る発光素子モジュール基板の使用状態を例示する模式図である。
【図３】第１の実施形態に係る発光素子モジュール基板の製造方法を例示する工程順模式図である。
【図４】第１の実施形態に係る発光素子モジュール基板の製造方法を例示する工程順模式図である。
【図５】第１の実施形態に係る発光素子モジュール基板の製造方法を例示する工程順模式図である。
【図６】第１の実施形態に係る発光素子モジュール基板の特性を例示するグラフ図である。
【図７】第１の実施形態に係る発光素子モジュール基板の特性を例示するグラフ図である。
【図８】第１の実施形態に係る発光素子モジュール基板の特性を例示する図である。
【図９】第１の実施形態に係る別の発光素子モジュール基板の構成を例示する模式的平面図である。
【図１０】第１の実施形態に係る別の発光素子モジュール基板の構成を例示する模式的断面図である。
【図１１】第２の実施形態に係る発光素子モジュールの構成を例示する回路図である。
【図１２】第３の実施形態に係る照明装置の構成を例示する模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。  
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００１６】
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施形態に係る発光素子モジュール基板の構成を例示する模式図である。  
すなわち、図１（ｂ）は、本実施形態に係る発光素子モジュール基板１１０の構成を例示する模式的平面図である。図１（ａ）は、発光素子モジュール基板１１０の構成を例示する模式的断面図であり、図１（ｂ）の１Ａ１−１Ａ２線断面図である。
【００１７】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に表したように、発光素子モジュール基板１１０は、積層板１０と、金属層２０と、を備える。
【００１８】
積層板１０は、ベース金属板１１と、ベース金属板１１の上に設けられた絶縁層１２と、を含む。
【００１９】
ベース金属板１１には、例えば、アルミニウム、銅及び鉄、並びに、それらの２種以上を含む合金が用いられる。すなわち、ベース金属板１１には、発光素子モジュール基板１１０の放熱性を向上させるために熱伝導性が高い金属が用いられる。ベース金属板１１の厚さは、例えば、０．５ｍｍ程度以上２ｍｍ程度以下とすることができる。ベース金属板１１の厚さは、例えば、１ｍｍ程度以上１．５ｍｍ程度以下とされることが望ましい。なお、本実施形態はこれに限らず、ベース金属板１１の厚さは任意である。
【００２０】
絶縁層１２には、例えば、エポキシ、フェノール、シアネート及びポリイミドなどの樹脂を用いることができる。絶縁層１２には、例えば、ビスマレイミドトリアジン樹脂等からなる熱硬化性樹脂を用いることもできる。  
また、絶縁層１２には、例えば、これらの樹脂がガラスクロスに含浸されたものを用いても良い。また、絶縁層１２には、例えば、これらの樹脂にフィラーが添加されたものを用いても良い。
【００２１】
すなわち、発光素子モジュール基板１１０の放熱性を高くするために、絶縁層１２の熱抵抗は低く設定される。絶縁層１２の熱抵抗を低減するために、絶縁層１２を薄くすること、及び、絶縁層１２の熱伝導率を高くすること、などの手法が適用される。  
絶縁層１２の厚みは、良好な熱伝導性を得るために、例えば、１５０マイクロメートル（μｍ）以下に設定される。
【００２２】
金属層２０は、絶縁層１２の上に設けられる。金属層２０は、発光素子が実装される実装部２５と、発光素子に電気的に接続される配線がボンディングされるボンディング部２６と、を有する。ボンディング部２６は、例えば、ｎ側ボンディング部２６ｎと、ｐ側ボンディング部２６ｐと、を含むことができる。
【００２３】
なお、本具体例では、実装部２５が１つ設けられ、ｎ側ボンディング部２６ｎが１つ設けられ、ｐ側ボンディング部２６ｐが１つ設けられているが、実装部２５、及び、ボンディング部２６（例えばｎ側ボンディング部２６ｎ及びｐ側ボンディング部２６ｐ）の数は任意である。また、実装部２５のパターン形、並びに、ボンディング部２６（ｎ側ボンディング部２６ｎ及びｐ側ボンディング部２６ｐ）のパターン形状は任意である。また、ｎ側ボンディング部２６ｎ及びｐ側ボンディング部２６ｐは、相互に入れ替えが可能である。
発光素子には、例えばＬＥＤ素子などの半導体発光素子が用いられる。
【００２４】
金属層２０は、実装部２５及びボンディング部２６の少なくともいずれかの最上層となる銀層２３を含む。本具体例では、銀層２３は、実装部２５及びボンディング部２６の両方の最上層となっている。
【００２５】
金属層２０は、銀層２３と絶縁層１２との間に設けられた下地層２１をさらに含む。また、金属層２０は、下地層２１と銀層２３との間に設けられた中間層２２をさらに含むことができる。すなわち、本具体例では、金属層２０は、下地層２１と、その上に設けられた中間層２２と、その上に設けられ金属層２０の最上層となる銀層２３と、の積層構造を有する。
【００２６】
下地層２１は、例えば銅（Ｃｕ）を含むことができる。すなわち、下地層２１には、Ｃｕ層を用いることができる。ただし、本実施形態はこれに限らず、下地層２１に用いられる材料は任意である。
【００２７】
中間層２２は、ニッケル（Ｎｉ）及びパラジウム（Ｐｄ）の少なくともいずれかを含むことができる。すなわち、中間層２２には、Ｎｉ層、Ｐｄ層、及び、ＮｉとＰｄとを含む層のいずれかを用いることができる。ただし、本実施形態はこれに限らず、中間層２２に用いられる材料は任意である。
【００２８】
銀層２３は、例えば、電解めっきによって形成される。  
すなわち、下地層２１は、電解めっきの際の電極層として用いられる。中間層２２は、バリア層として機能する。中間層２２を設けることによって、例えば、長期の動作において下地層２１に用いられる材料の成分（例えばＣｕ）が表面の側に移動することが抑制される。なお、中間層２２は必要に応じて設けられ、場合によっては省略可能である。
【００２９】
銀層２３が電解めっきによって形成される場合、中間層２２には、電解めっきによって形成されたＮｉ層を用いることができる。この場合には、中間層２２の主成分はＮｉであり、中間層２２は実質的にリン（Ｐ）を含まない。
【００３０】
なお、銀層２３が無電解めっきで形成され、中間層２２に無電解めっきで形成されたＮｉ層が用いられる場合には、中間層２２はＮｉの他に、リンを含む。例えば、中間層２２におけるリンの比率は８％以上１０％以下程度（Ｎｉの比率が９０％以上８２％以下程度）である。これは、無電解めっきでＮｉ層を形成する場合には、次亜リン酸の還元作用によるめっき皮膜の析出現象が用いられるためである。
【００３１】
銀層２３の厚さは、例えば１μｍ以上である。これにより、後述するように、銀層２３は、高い反射率と、高いボンディング性と、を有することができる。すなわち、本実施形態においては、金属層２０は、高い反射率と、高いボンディング性と、を有することができる。
【００３２】
そして、実装部２５及びボンディング部２６は、積層板１０の周縁１０ｅから電気的に遮断されている。具体的には、実装部２５及びボンディング部２６は、積層板１０の周縁１０ｅから離間しており、実装部２５及びボンディング部２６と、積層板１０の周縁１０ｅと、の距離は、電気的に遮断されるために十分な距離に設定される。
【００３３】
なお、図１（ａ）に表したように、本具体例においては、絶縁層１２の上面のうち、金属層２０が設けられていない部分には、ソルダーレジスト層４０が設けられている。ソルダーレジスト層４０には、例えば白色の材料が用いられる。これにより、後述する発光素子の発光光を、ソルダーレジスト層４０で効率良く反射でき、効率が向上する。
【００３４】
図２は、第１の実施形態に係る発光素子モジュール基板の使用状態を例示する模式図である。  
すなわち、これらの図は、発光素子モジュール基板１１０にＬＥＤ素子が実装され、発光素子モジュール２１０が形成されている状態を例示している。すなわち、図２（ｂ）は、発光素子モジュール２１０の構成を例示する模式的平面図である。図２（ａ）は、発光素子モジュール２１０の構成を例示する模式的断面図であり、図２（ｂ）の２Ａ１−２Ａ２線断面図である。
【００３５】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に例示したように、発光素子モジュール２１０は、本実施形態に係る発光素子モジュール基板１１０と、発光素子モジュール基板１１０の実装部２５に実装された発光素子５０と、発光素子５０とボンディング部２６とを電気的に接続するボンディング配線５１（配線）と、を備える。
【００３６】
発光素子５０には、例えばＬＥＤ素子が用いられる。本具体例では、複数の発光素子５０が用いられているが、発光素子５０の数は任意である。発光素子５０のそれぞれは、例えば、図示しないｐ側電極及びｎ側電極を有している。ｎ側電極が、例えば、ｎ側ボンディング部２６ｎ、または、他の発光素子５０のｐ側電極に、ボンディング配線５１で電気的に接続される。ｐ側電極が、例えば、ｐ側ボンディング部２６ｐ、または、他の発光素子５０のｎ側電極に、ボンディング配線５１で電気的に接続される。
【００３７】
本具体例では、金属層２０には、ボンディング部２６に電気的に導通している電源供給部２６ｃがさらに設けられる。電源供給部２６ｃに、例えば、外部からのコネクタを装着し、また、電源供給部２６ｃに、外部からの電源用配線を例えばはんだ付けなどの手法で接続することで、発光素子モジュール基板１１０の外部から、発光素子５０に電力を供給し、発光素子５０を発光させる。
【００３８】
なお、本具体例では、発光素子モジュール基板１１０には、取り付け部１３が設けられている。取り付け部１３により、発光素子モジュール基板１１０が、後述する照明装置の放熱部材に、例えばネジ止めなどの手法によって取り付けられる。
【００３９】
発光素子モジュール２１０は、発光素子５０の少なくとも一部を覆う波長変換層６０をさらに備えることができる。波長変換層６０は、発光素子５０から放出される発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長を有する光を放出する。波長変換層６０には、例えば蛍光体層を用いることができる。
【００４０】
発光素子５０から放出された発光光の一部は、発光素子５０の上面の側（積層板１０とは反対の側）に進行し、波長変換層６０を通過して波長が変換され、発光素子モジュール２１０の外部に取り出される。
【００４１】
発光素子５０から放出された発光光の別の一部は、発光素子５０の下面の側（積層板１０の側）に進行し、金属層２０で反射し、波長変換層６０に向けて進行し、波長変換層６０を通過して波長が変換され、発光素子モジュール２１０の外部に取り出される。
【００４２】
発光素子モジュール２１０においては、金属層２０の最上層として銀層２３が設けられているため、発光素子５０から放出された発光光が、金属層２０で効率良く反射され、発光効率が高い。
【００４３】
また、金属層２０の最上層として銀層２３を用いているため、ボンディング部２６とボンディング配線５１とのボンディング性が良好である。
【００４４】
また、実装部２５及びボンディング部２６は、積層板１０の周縁１０ｅから電気的に遮断されている。このため、実装部２５及びボンディング部２６は、端部と電気的に十分に絶縁される。
このように、発光素子モジュール基板１１０によれば、高反射率かつ高ボンディング性で、端部との電気絶縁性が優れた実装部及びボンディング部を有する発光素子モジュール基板が提供できる。
【００４５】
図３、図４及び図５は、第１の実施形態に係る発光素子モジュール基板の製造方法を例示する工程順模式図である。  
すなわち、図３（ｂ）は、発光素子モジュール基板１１０の製造方法の１つの工程を例示する模式的平面図であり、図３（ａ）は、図３（ｂ）の３Ａ１−３Ａ２線断面図である。  
また、図４（ｂ）は、図３（ａ）及び図３（ｂ）に例示した工程の後の工程を例示する模式的平面図であり、図４（ａ）は、図４（ｂ）の４Ａ１−４Ａ２線断面図である。  
また、図５（ｂ）は、図４（ａ）及び図４（ｂ）に例示した工程の後の工程を例示する模式的平面図であり、図５（ａ）は、図５（ｂ）の５Ａ１−５Ａ２線断面図である。  
本具体例は、銀層２３が、電解めっきによって形成される例である。そして、これらの図においては、ソルダーレジスト層４０は省略されている。
【００４６】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に表したように、積層板１０の絶縁層１２の上に、所定の形状を有する下地層２１を形成する。下地層２１は、実装部２５に対応する部分２５ａと、ボンディング部２６に対応する部分２６ａと、を有する。さらに、下地層２１は、実装部２５に対応する部分２５ａに電解めっきを施すための実装部めっき用配線部２７と、ボンディング部２６に対応する部分２６ａに電解めっきを施すためのボンディング部めっき用配線部２８と、をさらに有する。
【００４７】
本具体例は、大面積の積層板を用い、その上に最終的な発光素子モジュール基板１１０を複数並べたパターンで金属層を形成し、その後、金属層及び積層板を分割して複数の発光素子モジュール基板１１０を一括して製造する例である。ただし、本実施形態は、これに限らず、発光素子モジュール基板１１０が１つずつ別に形成される方法を採用しても良い。
【００４８】
そして、図４（ａ）及び図４（ｂ）に表したように、下地層２１の上に、中間層２２を電解めっきにより形成し、さらに、中間層２２の上に、銀層２３を電解めっきにより形成する。これにより、金属層２０の実装部２５とボンディング部２６とが形成される。なお、既に説明したように、場合によっては、中間層２２は省略しても良く、この場合は、下地層２１の上に銀層２３が電解めっきにより形成される。
【００４９】
なお、このとき、下地層２１の上面及び側面を覆うように、中間層２２が形成される。さらに、中間層２２の上面及び側面を覆うように、銀層２３が形成される。なお、既に説明したように、場合によっては、中間層２２は省略しても良く、この場合は、下地層２１の上面及び側面を覆うように銀層２３が形成される。
【００５０】
そして、例えば、中間層２２及び銀層２３は、下地層２１の実装部めっき用配線部２７及びボンディング部めっき用配線部２８の部分にも形成される。なお、既に説明したように、場合によっては、中間層２２は省略しても良く、この場合は、下地層２１の実装部めっき用配線部２７及びボンディング部めっき用配線部２８の部分に銀層２３が形成される。
【００５１】
そして、図５（ａ）及び図５（ｂ）に表したように、例えば、マスクを用いたエッチングにより、実装部めっき用配線部２７及びボンディング部めっき用配線部２８を除去する。すなわち、実装部めっき用配線部２７に対応する下地層２１、中間層２２及び銀層２３を除去し、ボンディング部めっき用配線部２８に対応する下地層２１、中間層２２及び銀層２３を除去する。
【００５２】
このとき、除去された実装部めっき用配線部２７及びボンディング部めっき用配線部２８に接続されていた部分の金属層２０の端面（端部２６ｅ）においては、下地層２１及び中間層２２が露出する。
【００５３】
すなわち、金属層２０のうちの、電解めっきに用いられためっき用配線部の少なくとも一部が除去されている。そして、金属層２０の少なくとも一部の側面（この例では、上記の端部２６ｅ）において、下地層２１が露出する。中間層２２が設けられる場合には、金属層２０の少なくとも一部の側面において、下地層２１及び中間層２２が露出する。
【００５４】
そして、積層板１０を所定の大きさに切断し、さらに、必要に応じて取り付け部１３を形成して、発光素子モジュール基板１１０が作製される。
【００５５】
このように、本実施形態に係る発光素子モジュール基板１１０においては、金属層２０のうちの最上層となる銀層２３が、電解めっきによって形成され、金属層２０のうちの、電解めっきに用いられためっき用配線部（実装部めっき用配線部２７及びボンディング部めっき用配線部２８）の少なくとも一部が除去されている。  
これにより、実装部２５及びボンディング部２６は、積層板１０の周縁１０ｅから電気的に遮断される。
【００５６】
以下、本実施形態に係る発光素子モジュール基板１１０の特性に関して説明する。すなわち、金属層２０の特に銀層２３の特性に関して説明する。
【００５７】
図６は、第１の実施形態に係る発光素子モジュール基板の特性を例示するグラフ図である。  
すなわち、同図は、銀層２３の厚さｔ２３と、反射率Ｒ２３と、の関係の測定結果を例示している。横軸は、銀層２３の厚さｔ２３であり、縦軸は、波長が４６０ナノメートル（ｎｍ）のときの銀層２３の反射率Ｒ２３である。この例では、銀層２３の下に、厚さが５μｍのＮｉめっき層が設けられている。
【００５８】
図６に表したように、例えば、銀層２３の厚さｔ２３が０．５μｍと小さいと、反射率Ｒ２３は８６％であり、反射率Ｒ２３は低い。厚さｔ２３が増大するに従って、反射率Ｒ２３は上昇し、例えば厚さｔ２３が１μｍのときには反射率Ｒ２３は８９．５％と高くなる。また、厚さｔ２３が２μｍのときには反射率Ｒ２３は９１．６％とさらに高くなる。さらに厚さｔ２３が増大し、３μｍ程度以上では、反射率Ｒ２３は約９３％で一定となる。
【００５９】
反射率Ｒ２３が高いほど光取り出し効率が上昇するので、銀層２３の厚さｔ２３は厚いことが望ましい。銀層２３の厚さｔ２３は、１μｍ以上であることが望ましい。これにより、高い反射率Ｒ２３が得られる。さらに、銀層２３の厚さｔ２３は、２μｍ以上であることが望ましい。これにより、より高い反射率Ｒ２３が得られる。さらに、銀層２３の厚さｔ２３は、３μｍ以上であることが望ましい。これにより、さらに高く、安定した反射率Ｒ２３が得られる。
【００６０】
なお、銀層２３の形成方法として無電解めっきを用いる方法も考えられるが、無電解めっきによる銀層２３の厚さｔ２３は１μｍ未満であり、例えば０．５μｍ程度以下である。このため、本実施形態に係る発光素子モジュール基板１１０においては、１μｍ以上の厚さを得るために、銀層２３の形成においては、電解めっき法が採用される。
【００６１】
図７は、第１の実施形態に係る発光素子モジュール基板の特性を例示するグラフ図である。  
すなわち、同図は、銀層２３の厚さｔ２３が０．５μｍ及び２．０μｍにおける、ボンディング特性の測定結果を例示している。縦軸は、ワイヤプル強度ＰＳ（ｇｆ）である。同図においては、銀層２３の厚さｔ２３が０．５μｍときの初期状態ｉ１１９及び１８０℃６０分の加熱処理後の状態ｈ１１９、並びに、銀層２３の厚さｔ２３が２μｍときの初期状態ｉ１１０及び１８０℃６０分の熱処理後の状態ｈ１１０、におけるワイヤプル強度ＰＳが例示されている。なお、銀層２３の厚さｔ２３が０．５μｍの場合は比較例に相当し、銀層２３の厚さｔ２３が２μｍの場合が本実施形態の一例に相当する。なお、この場合も、銀層２３の下に、厚さが５μｍのＮｉめっき層が設けられている。
【００６２】
図７に表したように、銀層２３の厚さｔ２３が０．５μｍときの初期状態ｉ１１９においては、ワイヤプル強度ＰＳは約６．５ｇｆであり、小さい。そして、熱処理後の状態ｈ１１９においては、ワイヤプル強度ＰＳは約３ｇｆであり、大きく減少する。
【００６３】
一方、銀層２３の厚さｔ２３が２μｍときの初期状態ｉ１１０においては、ワイヤプル強度ＰＳは約８．２ｇｆであり、厚さｔ２３が０．５μｍのときに比べて上昇する。そして、銀層２３の厚さｔ２３が２μｍの熱処理後の状態ｈ１１０においては、ワイヤプル強度ＰＳは約８．０ｇｆであり、初期状態ｉ１１０とほぼ同程度であり、熱処理によるワイヤプル強度の低下は、比較例に比べて非常に小さい。
【００６４】
このように、銀層２３の厚さｔ２３が０．５μｍの比較例の場合には、ワイヤプル強度ＰＳは小さく、さらに熱処理によって著しく低くなるのに対し、銀層２３の厚さｔ２３が２μｍの実施形態においては、ワイヤプル強度ＰＳは非常に大きく、そして、熱処理による低下も抑制される。
【００６５】
このように、銀層２３の厚さｔ２３が厚いと、ワイヤプル強度ＰＳが上昇し、ボンディング性が向上する。このため、銀層２３の厚さｔ２３は、１μｍ以上であることが望ましく、これにより、高いボンディング性が得られる。さらに、銀層２３の厚さｔ２３は、２μｍ以上であることが望ましい。これにより、より高いボンディング性が得られる。
【００６６】
図８は、第１の実施形態に係る発光素子モジュール基板の特性を例示する図である。  
すなわち、図８（ａ）は、積層板１０の絶縁層１２の上に設けられる導電層２０ａと積層板１０の端との距離を変えたときの耐電圧を測定した結果を例示している。図８（ｂ）は、上記の測定の条件を例示する模式的断面図である。
【００６７】
図８（ｂ）に表したように、積層板１０においては、ベース金属板１１と、その上に積層された絶縁層１２が設けられている。本測定では、ベース金属板１１の厚さは１ｍｍであり、絶縁層１２の厚さは８０μｍである。そして、絶縁層１２の上に、導電層２０ａが設けられる。導電層２０ａは、金属層２０に相当する。本測定では、導電層２０ａには、厚さが３５μｍの銅層が用いられている。そして、導電層２０ａと、積層板１０の端（周縁１０ｅ）と、の間の距離ｄ２０ａを変えて、耐電圧ＢＶを測定した。なお、耐電圧ＢＶは、交流に関する耐電圧である。
【００６８】
図８（ａ）は、耐電圧ＢＶの測定結果を例示するグラフ図であり、横軸は、導電層２０ａと、積層板１０の端（周縁１０ｅ）と、の間の距離ｄ２０ａであり、縦軸は、耐電圧ＢＶである。
【００６９】
図８（ａ）に表したように、導電層２０ａと、積層板１０の端（周縁１０ｅ）と、の間の距離ｄ２０ａが増大するに従って、耐電圧ＢＶが増大する。例えば、距離ｄ２０ａが１ｍｍのときは、耐電圧ＢＶは約１．４キロボルト（ｋＶ）であり、距離ｄ２０ａが２ｍｍのときは、耐電圧ＢＶは約２．５ｋＶであり、距離ｄ２０ａが３ｍｍのときは、耐電圧ＢＶは約３．２ｋＶとなる。
【００７０】
なお、耐電圧ＢＶは、例えば絶縁層１２の厚さにも依存する。一般に、絶縁層１２の厚さが厚くなると、耐電圧ＢＶは上昇する。しかし、一般に、絶縁層１２の厚さが厚くなると、積層板１０の熱伝導性が低下し、放熱性が低下する。このため、絶縁層１２の厚さは、放熱性を考慮して適切な値に設定される。
【００７１】
例えば、既に説明したように、絶縁層１２には、発光素子モジュール基板１１０の放熱性を高くするために、樹脂にフィラーが添加されたものを用いることができる。  
樹脂の熱伝導率は、一般的に０．２Ｗ／ｍＫ程度であるため、絶縁層１２においては、樹脂中に、例えばアルミナやＢＮなどの熱伝導率の高いフィラーを添加したものが用いることができる。これにより、例えば１Ｗ／ｍＫ以上６Ｗ／ｍＫ以下程度の熱伝導率を得ることができる。
【００７２】
絶縁層１２を薄くしフィラーの濃度を高く設定すると、絶縁層１２の熱抵抗は下がるが、それに伴い、発光素子モジュール基板１１０の耐電圧が下がる傾向がある。従って、照明装置に応用される場合に求められる耐電圧性能を得るために、耐電圧性能と放熱性能とを考慮して、絶縁層１２の仕様が適正に設定される。
【００７３】
そして、上記の距離ｄ２０ａは、設定された絶縁層１２の厚さに適合しつつ、必要な耐電圧ＢＶが得られるように適切に設定される。
【００７４】
本実施形態に係る発光素子モジュール基板１１０においては、実装部２５及びボンディング部２６は、積層板１０の周縁１０ｅから電気的に遮断されている。すなわち、実装部２５及びボンディング部２６は、周縁１０ｅから離間する。そして、実装部２５及びボンディング部２６に電気的に接続された導電層の、積層板１０の周縁１０ｅの側の端は、周縁１０ｅから離間する。この導電層の周縁１０ｅの側の端と、周縁１０ｅと、の距離は、例えば、図８（ａ）に例示した距離ｄ２０ａと耐電圧ＢＶとの関係に基づいて、設定される。
【００７５】
以上のように、本実施形態に係る発光素子モジュール基板１１０においては、金属層２０の銀層２３は、１μｍ以上の厚さ（望ましくは２μｍ以上）に設定されることで、高い反射率と高いボンディング性とが得られる。そして、このような厚い銀層２３は、電解めっき法によって形成することができ、この電解めっきに用いられためっき用配線部（実装部めっき用配線部２７及びボンディング部めっき用配線部２８）の少なくとも一部が除去されることで、実装部２５及びボンディング部２６が、積層板１０の端部（周縁１０ｅ）から十分に電気的に遮断される。
【００７６】
そして、実装部２５及びボンディング部２６が、積層板１０の端部（周縁１０ｅ）から電気的に遮断されることで、例えば１ｋＶ以上の耐電圧ＢＶを得ることができる。
【００７７】
本実施形態に係る発光素子モジュール基板１１０においては、実装部２５及びボンディング部２６が、積層板１０の周縁１０ｅから電気的に遮断されていれば、金属層２０のパターン形状は任意である。
【００７８】
図９は、第１の実施形態に係る別の発光素子モジュール基板の構成を例示する模式的平面図である。  
図９（ａ）〜図９（ｄ）に表したように、本実施形態に係る別の発光素子モジュール基板１１０ａ〜１１０ｄにおいては、電解めっきに用いられためっき用配線部（実装部めっき用配線部２７及びボンディング部めっき用配線部２８）の少なくとも一部が除去されている。
【００７９】
すなわち、図９（ａ）に例示した発光素子モジュール基板１１０ａにおいては、めっき用配線部の周縁１０ｅの側の部分が除去されている。そして、めっき用配線部の内側の部分が残存している。これ以外は、発光素子モジュール基板１１０と同様なので説明を省略する。
【００８０】
発光素子モジュール基板１１０ａにおいては、残存しているめっき用配線部の一部の、積層板１０の周縁１０ｅの側の端部（実装部めっき用配線部２７の端部２７ｅ、及び、ボンディング部めっき用配線部２８の端部２８ｅ）は、周縁１０ｅから十分に離間している。これにより、実装部２５及びボンディング部２６は、積層板１０の周縁１０ｅから電気的に遮断される。
【００８１】
図９（ｂ）に例示した発光素子モジュール基板１１０ｂにおいては、めっき用配線部の、周縁１０ｅから遠い内側部が除去され、めっき用配線部が途中で分断されている。そして、めっき用配線部の外側（周縁１０ｅの側）の部分が残存している。これ以外は、発光素子モジュール基板１１０と同様なので説明を省略する。
【００８２】
発光素子モジュール基板１１０ｂにおいても、めっき用配線部が分断され、めっき用配線部と、実装部２５及びボンディング部２６と、が電気的に遮断されることによって、実装部２５及びボンディング部２６は、積層板１０の周縁１０ｅから電気的に遮断される。
【００８３】
図９（ｃ）に例示した発光素子モジュール基板１１０ｃにおいては、実装部めっき用配線部２７の、周縁１０ｅから遠い内側部が除去され、めっき用配線部が途中で分断されている。また、ｎ側ボンディング部２６ｎに接続されているボンディング部めっき用配線部２８においては、周縁１０ｅの側の部分が除去されている。また、ｐ側ボンディング部２６ｐに接続されているボンディング部めっき用配線部２８においては、周縁１０ｅと内側部との間の途中の部分が除去されている。
【００８４】
発光素子モジュール基板１１０ｃにおいても、めっき用配線部が分断され、めっき用配線部と、実装部２５及びボンディング部２６と、が電気的に遮断されることによって、実装部２５及びボンディング部２６は、積層板１０の周縁１０ｅから電気的に遮断される。  このように、金属層２０のうちの、電解めっきに用いられためっき用配線部の除去される部分は任意である。
【００８５】
図９（ｄ）に例示した発光素子モジュール基板１１０ｄにおいては、実装部２５のうち、実装部めっき用配線部２７に接続されていた部分２７ｆが除去され、実装部めっき用配線部２７と実装部２５とが分断されている。また、ｎ側ボンディング部２６ｎのうち、ボンディング部めっき用配線部２８に接続されていた部分２８ｎｆが除去され、ボンディング部めっき用配線部２８とｎ側ボンディング部２６ｎとが分断されている。また、ｐ側ボンディング部２６ｐに接続されていたボンディング部めっき用配線部２８が除去され、さらに、ｐ側ボンディング部２６ｐのうち、ボンディング部めっき用配線部２８に接続されていた部分２８ｐｆが除去されている。このように、実装部２５及びボンディング部２６の少なくともいずれかの、めっき用配線部に接続されていた部分が除去されても良い。
【００８６】
発光素子モジュール基板１１０ｄにおいても、めっき用配線部と、実装部２５及びボンディング部２６と、の間が分断され、めっき用配線部と、実装部２５及びボンディング部２６と、が電気的に遮断されることによって、実装部２５及びボンディング部２６は、積層板１０の周縁１０ｅから電気的に遮断される。
【００８７】
このように、電解めっきに用いられためっき用配線部の除去される部分は任意である。そして、実装部２５及びボンディング部２６の、めっき用配線部に接続されていた部分であって、除去される部分の位置及び形状は、任意である。
【００８８】
発光素子モジュール基板１１０ａ〜１１０ｄにおいても、高反射率かつ高ボンディング性で、端部との電気絶縁性が優れた実装部２５及びボンディング部２６を有する発光素子モジュール基板が得られる。
【００８９】
図１０は、第１の実施形態に係る別の発光素子モジュール基板の構成を例示する模式的断面図である。  
すなわち、図１０は、図９（ａ）の１０Ａ１−１０Ａ２線断面図である。
【００９０】
図１０に表したように、発光素子モジュール基板１１０ａにおいては、めっき用配線部（例えばボンディング部めっき用配線部２８）の周縁１０ｅの側の部分が除去されており、めっき用配線部（例えばボンディング部めっき用配線部２８）の内側部が残存している。残存しているめっき用配線部の一部の、積層板１０の周縁１０ｅの側の端部（例えばボンディング部めっき用配線部２８の端部２８ｅ）において、下地層２１が露出する。本具体例では、中間層２２が設けられており、残存しているめっき用配線部の一部の、積層板１０の周縁１０ｅの側の端部（例えばボンディング部めっき用配線部２８の端部２８ｅ）において、下地層２１及び中間層２２が露出している。
【００９１】
また、図示しないが、同様に、残存しているめっき用配線部の一部の、積層板１０の周縁１０ｅの側の端部（例えば実装部めっき用配線部２７の端部２７ｅ）において、下地層２１が露出する。本具体例では、下地層２１及び中間層２２が露出する。
【００９２】
このように、発光素子モジュール基板１１０ａにおいては、金属層２０の少なくとも一部の側面において、下地層２１が露出する。  
同様に、発光素子モジュール基板１１０ｂ〜１１０ｄにおいても、金属層２０の少なくとも一部の側面において、下地層２１が露出する。
【００９３】
このように、本実施形態においては、銀層２３が電解めっきによって形成され、金属層２０のうちの、電解めっきに用いられためっき用配線部の少なくとも一部が、電解めっきの後に除去されるため、金属層２０の少なくとも一部の側面において、下地層２１が露出する。
【００９４】
なお、銀層２３を無電解めっき等の手法によって形成した場合には、めっき用配線部が設けられないので、下地層２１の上面及び側面は中間層２２によって覆われ、中間層２２の上面及び側面は銀層２３によって覆われる。このため、金属層２０の側面において、下地層２１は露出しない。
【００９５】
（第２の実施の形態）  
本発明の第２の実施形態は、本発明の実施形態に係る発光素子モジュール基板１１０を用いた発光素子モジュール２１０である。  
本実施形態に係る発光素子モジュール２１０の構成は、既に図２に関して説明した通りである。すなわち、発光素子モジュール２１０は、本発明の実施形態に係るいずれかの発光素子モジュール基板（例えば発光素子モジュール基板１１０、１１０ａ〜１１０ｄの少なくともいずれか）を備える。以下では、発光素子モジュール基板１１０が用いられる場合として説明する。
【００９６】
発光素子モジュール２１０は、図２に関して説明したように、発光素子モジュール基板１１０の実装部２５に実装された発光素子５０と、発光素子５０とボンディング部２６とを電気的に接続するボンディング配線５１と、をさらに備える。
【００９７】
発光素子５０には、例えば、窒化物系半導体を用いたＬＥＤ素子などが用いられる。  
ボンディング配線５１には、金、銀、アルミニウム及び銅のいずれか、並びに、それらの２つ以上を含む合金などが用いられる。
【００９８】
図１１は、第２の実施形態に係る発光素子モジュールの構成を例示する回路図である。  図１１に表したように、本実施形態に係る発光素子モジュール２１０においては、複数の発光素子５０が、ボンディング配線５１によって直列及び並列に接続されている。本具体例においては、１６個の発光素子５０が用いられ、４直列及び４並列の回路構成が適用されている。ただし、本実施形態は、これに限らず、発光素子５０の数、及び、適用される回路構成は任意である。
【００９９】
図２に関して説明したように、発光素子モジュール２１０は、発光素子５０の少なくとも一部を覆う波長変換層６０をさらに備えることができる。波長変換層６０は、発光素子５０から放出される発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長を有する光を放出する。波長変換層６０は、例えば塗布などの方法によって形成される。  
これにより、例えば、白色光が得られる。ただし、本実施形態はこれに限らず、波長変換層６０は必要に応じて設けられ、省略しても良い。
【０１００】
例えば、ＬＥＤ素子などを用いた照明装置（バックライトなども含む）において白色発光を得る方法としては、例えば、青色、緑色及び赤色をそれぞれ発光する３種類の発光素子５０（例えばＬＥＤ素子）を使用する方法があり、この方法を発光素子モジュール２１０に適用しても良い。
【０１０１】
また、白色発光を得る方法としては、例えば、青色発光の発光素子５０（例えばＬＥＤ素子）と、黄色及び橙色発光の少なくともいずれかの蛍光体と、を組み合わせる方法があり、この方法を発光素子モジュール２１０に適用しても良い。
【０１０２】
また、白色発光を得る方法としては、例えば、紫外線発光の発光素子５０（ＬＥＤ素子）と、例えば、青色、緑色及び赤色をそれぞれ発光する３種類の蛍光体と、を組み合わせる方法があり、この方法を発光素子モジュール２１０に適用しても良い。  
上記のように、蛍光体を用いる場合に、波長変換層６０が設けられる。
【０１０３】
なお、ＬＥＤ素子を用いた照明において、必要な光束に応じて、例えば、発光素子モジュール基板に、複数個のＬＥＤ素子が搭載される。発光素子モジュール基板に、ＬＥＤ素子を搭載する方法は、例えば、ＬＥＤ素子を含むパッケージを発光素子モジュール基板にはんだ付けなどで実装する方法、及び、ＬＥＤ素子のチップを発光素子モジュール基板に直接ワイヤボンディングなどによって実装する方法（ＣＯＢ構成）などがある。
【０１０４】
本実施形態に係る発光素子モジュール２１０においては、ＣＯＢ構成を採用することで、前者の手法に比べて、より高い密度でより高い輝度が実現できる。なお、発光素子モジュール２１０においては、発光素子モジュール基板１１０上に実装された複数の発光素子５０（ＬＥＤ素子）の上に、蛍光体を混合した樹脂を塗布し、波長変換層６０が設けられることで、例えば、所望の色温度の照明が実現できる。また、白色だけでなく、任意の色の光が得られる。
【０１０５】
ＬＥＤ素子においては、入力される電気エネルギーのうちの一部が光エネルギーに変化され、他の一部は熱として消費される。このため、ＬＥＤ素子の温度は動作中に上昇する。ＬＥＤ素子が高温になると、例えば、ＬＥＤ素子の劣化が進み寿命が短くなる。さらに、既に説明したように、ＬＥＤ素子は、低温時に発光効率が高く、高温時に発光効率が低下する。このため、ＬＥＤ素子を用いた照明装置においては、熱対策が重要であり、発光素子モジュール基板１１０において十分に放熱性が高いことが要求される。
【０１０６】
本発明の実施形態に係る発光素子モジュール基板１１０及びそれを用いた発光素子モジュール２１０においては、発光素子５０が実装される積層板１０に、ベース金属板１１を用いることで、高い放熱性を実現でき、高い発光効率と、良好な寿命が実現できる。
【０１０７】
発光素子モジュール２１０においては、サージ等の電圧によるＬＥＤ素子の破壊の防止、及び、製品の安全性の面から、基本絶縁に関する性能が十分であることが要求される。例えば、発光素子モジュール２１０を用いた照明装置においては、例えば、照明装置を組み上げた後に、充電部である点灯回路と、非充電部である器具本体と、に耐電圧を印加し、この電圧に十分耐えることができるかによって基本絶縁に関する性能が評価される。なお、耐電圧の値は照明装置の入力電圧によって異なり、入力電圧が高いほど、高い耐電圧に対する基本絶縁が要求される。例えば、発光素子モジュール２１０を用いた照明装置においては、一般的に、１ｋＶ以上の耐電圧が求められる。
【０１０８】
本発明の実施形態に係る発光素子モジュール基板１１０及び発光素子モジュール２１０においては、実装部２５及びボンディング部２６が、積層板１０の周縁１０ｅから電気的に遮断されるので、１ｋＶ以上の耐電圧が実現できる。
【０１０９】
（第３の実施の形態）  
図１２は、第３の実施形態に係る照明装置の構成を例示する模式的断面図である。  
図１２に表したように、本実施形態に係る照明装置３１０は、本発明の実施形態に係る発光素子モジュール２１０と、発光素子モジュール２１０に含まれる発光素子モジュール基板１１０のベース金属板１１に熱的に接続された放熱部材３２１と、を備える。  
放熱部材３２１には、例えば、アルミダイキャストなどの金属材料が用いられる。
【０１１０】
なお、放熱部材３２１へのベース金属板１１（積層板１０）の取り付けには、例えば、取り付け部１３を用いたネジ止めなどの方法が採用できる。ただし、本実施形態はこれに限らず、取り付けの方法は任意である。本実施形態においては、放熱部材３２１とベース金属板１１とが熱的に接続されることで、発光素子５０で発生した熱が、ベース金属板１１を経由して放熱部材３２１に効率良く伝達され、放熱性が高い。
【０１１１】
なお、本具体例の照明装置は、電球型の照明装置であるが、照明装置の形態は任意であり、例えば、ダウンライト型及びミニクリプトン型などの形態も採用でき、また、例えば、バックライトやヘッドランプなどの照明装置にも応用できる。
【０１１２】
本実施形態に係る照明装置３１０は、本発明の実施形態に係る発光素子モジュール基板１１０を用いた発光素子モジュール２１０を採用することで、高反射率かつ高ボンディング性で、端部との電気絶縁性が優れた実装部及びボンディング部を実現でき、高効率、低消費電力、高信頼性、及び、高動作安定性を有する照明装置が実現できる。
【０１１３】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光素子モジュール基板に含まれる積層板、ベース金属板、絶縁層、金属層、銀層、下地層、中間層、めっき用配線部及びソルダーレジスト層など、発光素子モジュールに含まれる発光素子、配線及び波長変換層など、並びに、照明装置に含まれる放熱部材などの各要素の具体的な構成の、形状、サイズ、材質、配置関係などに関して当業者が各種の変更を加えたものであっても、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。  
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１１４】
その他、本発明の実施の形態として上述した発光素子モジュール基板、発光素子モジュール及び照明装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての発光素子モジュール基板、発光素子モジュール及び照明装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１１５】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１１６】
１０…積層板、  １０ｅ…周縁、  １１…ベース金属板、  １２…絶縁層、  １３…取り付け部、  ２０…金属層、  ２０ａ…導電層、  ２１…下地層、  ２２…中間層、  ２３…銀層、  ２５…実装部、  ２５ａ…部分、  ２６…ボンディング部、  ２６ａ…部分、  ２６ｃ…電源供給部、  ２６ｅ…端部、  ２６ｎ…ｎ側ボンディング部、  ２６ｐ…ｐ側ボンディング部、  ２７…実装部めっき用配線部、  ２７ｅ…端部、２７ｆ…部分、  ２８…ボンディング部めっき用配線部、  ２８ｅ…端部、２８ｎｆ、２８ｐｆ…部分  ４０…ソルダーレジスト層、  ５０…発光素子、  ５１…ボンディング配線（配線）、  ６０…波長変換層、  １１０、１１０ａ〜１１０ｄ…発光素子モジュール基板、  ２１０…発光素子モジュール、  ３１０…照明装置、  ３２１…放熱部材、  ＢＶ…耐電圧、  ＰＳ…ワイヤプル強度、  Ｒ２３…反射率、  ｄ２０ａ…距離、  ｈ１１０、ｈ１１９…熱処理後の状態、  ｉ１１０、ｉ１１９…初期状態、  ｔ２３…厚さ
【図１】
2011216588.tif 000003
【図２】
2011216588.tif 000004
【図３】
2011216588.tif 000005
【図４】
2011216588.tif 000006
【図５】
2011216588.tif 000007
【図６】
2011216588.tif 000008
【図７】
2011216588.tif 000009
【図８】
2011216588.tif 000010
【図９】
2011216588.tif 000011
【図１０】
2011216588.tif 000012
【図１１】
2011216588.tif 000013
【図１２】
2011216588.tif 000014