(57)【要約】【課題】エキスパンド工程において、半導体ウエハの分断時のチップクラックを低減することが可能な半導体ウエハの加工方法を提供する。【解決手段】基材フィルム５上に粘着剤層７を有し、前記粘着剤層７がドット状パターンの粘着領域３を有するウエハ加工用テープ１１に半導体ウエハ１の裏面を貼合する工程と、チップ単位に前記半導体ウエハ１にダイシングあるいは切断の起点を形成する工程と、前記ウエハ加工用テープの下面より突き上げ部材１７を上昇させることで、前記ウエハ加工用テープ１１を引き伸ばすとともに、前記半導体ウエハ１を半導体チップ２１に分断する工程と、を備えることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム上に粘着剤層を有し、
前記粘着剤層が、ドット状パターンの粘着領域を有することを特徴とするウエハ加工用テープ。
【請求項２】
さらに、前記粘着剤層が、非粘着性の材料で構成された非粘着領域を有することを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項３】
前記粘着領域は、未硬化の放射線硬化型粘着剤で構成され、
前記非粘着領域は、硬化後の放射線硬化型粘着剤で構成されることを特徴とする請求項２に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項４】
前記粘着剤層の上に、さらに、ダイボンディング用接着剤層を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項５】
基材フィルム上に、粘着剤をドット状パターンに塗布して、粘着剤層を形成する工程を有するウエハ加工用テープの製造方法。
【請求項６】
基材フィルム上に、放射線硬化型粘着剤を塗布し、粘着剤層を形成する工程と、
前記粘着剤層に、マスクを介して放射線を照射して、ドット状パターンの粘着領域と、非粘着領域とを形成する工程と
を有するウエハ加工用テープの製造方法。
【請求項７】
基材フィルム上に粘着剤層を有し、前記粘着剤層がドット状パターンの粘着領域を有するウエハ加工用テープに半導体ウエハの裏面を貼合する工程と、
チップ単位に前記半導体ウエハにダイシングあるいは切断の起点を形成する工程と、
前記ウエハ加工用テープの下面より突き上げ部材を上昇させることで、前記ウエハ加工用テープを引き伸ばすとともに、前記半導体ウエハを半導体チップに分断する工程と、
を備えることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
【請求項８】
基材フィルム上に放射線硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有するウエハ加工用テープに半導体ウエハの裏面を貼合する工程（ａ）と、
チップ単位に前記半導体ウエハにダイシングあるいは切断の起点を形成する工程（ｂ）と、
前記ウエハ加工用テープの下面より突き上げ部材を上昇させることで、前記ウエハ加工用テープを引き伸ばすとともに、前記半導体ウエハを半導体チップに分断する工程（ｃ）と、
を備え、
前記工程（ａ）または前記工程（ｂ）の後に、前記粘着剤層に、マスクを介して放射線を照射し、ドット状パターンの粘着領域と、非粘着領域とを形成する工程（ｄ）を備えることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エキスパンド工程を有する半導体装置の製造工程において使用する半導体ウエハの加工用テープ、その製造方法および半導体ウエハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年開発された新しい技術による半導体装置の製造工程では、半導体ウエハに伸縮性のあるウエハ加工用テープを貼り付けた後、半導体ウエハをチップ単位でダイシングする工程、ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程、さらにダイシングされたチップをピックアップする工程、さらにダイボンディング工程が実施される。
【０００３】
上記半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープとして、基材フィルム上に粘着剤層が設けられたウエハ加工用テープや、粘着剤層の上にさらに接着剤層が積層された構造を有するウエハ加工用テープが提案され、既に実用化されている
一般的な半導体ウエハのダイシング工程、エキスパンド工程、及びピックアップ工程について図９を参照して説明する。図９（ａ）に示すように、まず、基材フィルム７３ａとその上に形成された粘着剤層７３ｂと接着剤層７４がこの順に積層されているウエハ加工用テープ７０に、半導体ウエハ７１とリングフレーム７２とを貼り合わせる。ここで、リングフレーム７２は粘着剤層７３ｂに貼り合わされ、半導体ウエハ７１は接着剤層７４に貼り合わされる。
【０００４】
次に、図９（ｂ）に示すように、吸着ステージ７６により、ウエハ加工用テープ７０を基材フィルム７３ａ側から吸着支持する。そして、ダイシングブレード７５によって半導体ウエハ７１と接着剤層７４を半導体チップ７７単位にダイシングして個片化する。
【０００５】
その後、図９（ｃ）に示すように、ダイシングされた半導体チップ７７及び接着剤層７４を保持したウエハ加工用テープ７０をリングフレーム７２の径方向および周方向に引き伸ばすエキスパンド工程を実施する。具体的には、ダイシングされた複数の半導体チップ７７及び接着剤層７４を保持した状態のウエハ加工用テープ７０に対して、中空円筒形状の突き上げ部材７８を、ウエハ加工用テープ７０の下面側から上昇させ、ウエハ加工用テープ７０をリングフレーム７２の径方向および周方向に引き伸ばす。エキスパンド工程により、チップ同士の間隔を広げ、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識性を高めるとともに、ピックアップの際に隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップ同士の再接着を防止することができる。
【０００６】
エキスパンド工程を実施した後、ウエハ加工用テープ７０をエキスパンドした状態のままで、半導体チップ７７及び接着剤層７４をピックアップするピックアップ工程を実施する。
【０００７】
一方、近年、ダイシング時のチップ欠けを防止する為に、レーザー加工装置を用いて、非接触でウエハを分断する方法が提案されている。
【０００８】
例えば、特許文献１には、ダイボンド樹脂層（接着剤層）を介在させたシートウエハ加工用テープが貼り付けられた半導体基板の内部に焦点を合わせてレーザー光を照射することにより、半導体基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域で分断予定部を形成する工程と、シートをエキスパンドさせることにより、分断予定部に沿って半導体基板及びダイボンド樹脂層を分断する工程とを備えた半導体基板の分断方法が開示されている。
【０００９】
特許文献１の半導体基板の分断方法では、レーザー光の照射とウエハ加工用テープのエキスパンドによって、非接触で半導体ウエハとダイボンド樹脂層（接着剤層）を分断することができるので、ダイシングブレードを用いる場合のようなチッピングを発生させることなく半導体ウエハの分断が可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−３３８４６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述のように、特許文献１の半導体基板の分断方法では、レーザー光の照射とウエハ加工用テープのエキスパンドによって、非接触で半導体ウエハ７１とダイボンド樹脂層（接着剤層７４）を分断する（図１０（ａ））。この時、個片化されたチップには蒸着されている酸化膜などを起因とした応力が生じるが、個片化されたチップ８１がウエハ加工用テープ７０の粘着剤層７３ｂに強固に保持されていると、発生した応力の逃げ場がなくなり、結果、図１０（ｂ）に示すように、チップ８１にクラック８３が生じてしまうという問題があった。
【００１２】
そこで、本発明は、以上のような問題点を解決するためになされたもので、エキスパンド工程において、半導体ウエハの分断により個片化されたチップの端部をエキスパンドと同時に剥離せしめ、チップ内に生じた応力を緩和させることで、チップクラックを生じることなく、良好に半導体ウエハを分断することが可能な半導体ウエハの加工用テープおよび加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、
（１）基材フィルム上に粘着剤層を有し、前記粘着剤層が、ドット状パターンの粘着領域を有することを特徴とするウエハ加工用テープ、
（２）さらに、前記粘着剤層が、非粘着性の材料で構成された非粘着領域を有することを特徴とする（１）に記載のウエハ加工用テープ、
（３）前記粘着領域は、未硬化の放射線硬化型粘着剤で構成され、前記非粘着領域は、硬化後の放射線硬化型粘着剤で構成されることを特徴とする（２）に記載のウエハ加工用テープ、
（４）前記粘着剤層の上に、さらに、ダイボンディング用接着剤層を有することを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載のウエハ加工用テープ、
（５）基材フィルム上に、粘着剤をドット状パターンに塗布して、粘着剤層を形成する工程を有するウエハ加工用テープの製造方法、
（６）基材フィルム上に、放射線硬化型粘着剤を塗布し、粘着剤層を形成する工程と、前記粘着剤層に、マスクを介して放射線を照射して、ドット状パターンの粘着領域と、非粘着領域とを形成する工程とを有するウエハ加工用テープの製造方法、
（７）基材フィルム上に粘着剤層を有し、前記粘着剤層がドット状パターンの粘着領域を有するウエハ加工用テープに半導体ウエハの裏面を貼合する工程と、チップ単位に前記半導体ウエハにダイシングあるいは切断の起点を形成する工程と、前記ウエハ加工用テープの下面より突き上げ部材を上昇させることで、前記ウエハ加工用テープを引き伸ばすとともに、前記半導体ウエハを半導体チップに分断する工程と、を備えることを特徴とする半導体ウエハの加工方法、
（８）基材フィルム上に放射線硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有するウエハ加工用テープに半導体ウエハの裏面を貼合する工程（ａ）と、チップ単位に前記半導体ウエハにダイシングあるいは切断の起点を形成する工程（ｂ）と、前記ウエハ加工用テープの下面より突き上げ部材を上昇させることで、前記ウエハ加工用テープを引き伸ばすとともに、前記半導体ウエハを半導体チップに分断する工程（ｃ）と、を備え、前記工程（ａ）または前記工程（ｂ）の後に、前記粘着剤層に、マスクを介して放射線を照射し、ドット状パターンの粘着領域と、非粘着領域とを形成する工程（ｄ）を備えることを特徴とする半導体ウエハの加工方法、
である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、エキスパンド工程において、半導体ウエハの分断時のチップ内応力を緩和せしめ、同工程におけるチップクラックの発生を低減することが可能な半導体ウエハの加工用テープ、その製造方法および半導体ウエハの加工方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）〜（ｄ）第１の実施形態に係る半導体ウエハの加工方法を説明する概略断面図。
【図２】リングフレームに固定された半導体ウエハの斜視図。
【図３】半導体ウエハの加工テープの概略平面図。
【図４】（ａ）〜（ｄ）第２の実施形態に係る半導体ウエハの加工方法を説明する概略断面図。
【図５】（ａ）〜（ｅ）第３の実施形態に係る半導体ウエハの加工方法を説明する概略断面図。
【図６】（ａ）〜（ｅ）第４の実施形態に係る半導体ウエハの加工方法を説明する概略断面図。
【図７】実施例１における説明図。
【図８】（ａ）実施例２、３におけるマスクを説明する平面図、（ｂ）（ａ）におけるＡ−Ａ断面図。
【図９】（ａ）〜（ｃ）半導体ウエハのダイシング工程、エキスパンド工程、及びピックアップ工程を説明する概略断面図。
【図１０】（ａ）〜（ｂ）従来技術による半導体ウエハの加工方法を説明する概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下図面に基づいて、本発明に係る実施形態を詳細に説明する。尚、以下の説明および図面において、略同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略することにする。
【００１７】
（第１の実施形態）
最初に、図１〜３を参照しながら、本発明に係る半導体ウエハの加工方法の第１の実施形態について説明する。
図１は、第１の実施形態に係る半導体ウエハの加工方法を示す概略断面図、図２は、リングフレーム１５に固定された半導体ウエハ１の斜視図である。
【００１８】
本発明のウエハ加工用テープ１１は、基材フィルム５の上にドット状パターンの粘着領域３を有する粘着剤層７が形成される。また粘着剤層７上には、ダイボンディング用接着剤層９を設ける。
【００１９】
本発明に係る半導体ウエハ１は、回路などが形成されたパターン面（図示せず）を一方に有するシリコンウエハなどであり、既に裏面研削（バックグラインド）工程が完了しており、半導体ウエハの薄層化がされている。
【００２０】
半導体ウエハ１のパターン面の裏面には、ウエハ加工用テープ１１の接着剤層９が貼合され、ウエハ加工用テープ１１の粘着剤層７は、リングフレーム１５の下面に貼合される。リングフレーム１５は、環状の平板であり、金属製や樹脂製、特にステンレス製である。
【００２１】
（基材フィルム）
基材フィルム５を構成する材料としては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、粘着剤層７として、エネルギー硬化性の材料のうち放射線硬化性の材料を使用する場合は、放射線透過性を有するものを使用する。なお、粘着剤層７として、エネルギー硬化性の材料のうち放射線硬化性の材料を使用する場合、放射線としては紫外線を用いることが好ましく、基材フィルム５は紫外線透過性を有し、粘着剤層７として紫外線硬化性の材料を使用することが好ましい。
【００２２】
例えば、その材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム５はこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。基材フィルム５の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０〜２００μｍが好ましい。
【００２３】
また、基材フィルム５は、エキスパンドの際には接着剤層９と半導体ウエハ１との切断面をほぼ一致させて分断できるようにするため、幅２５ｍｍ、標線間距離及びつかみ間距離１００ｍｍ、引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎの試験条件下におけるテープ伸び率１０％での引張荷重が１５Ｎ以上、さらに好ましくは伸び率が１５％での引張荷重が２０Ｎ以上であることが望ましい。標線間距離及びつかみ間距離についてはＪＩＳ  Ｋ  ７１１３で規定するのと同じ意味である。
【００２４】
また基材フィルム５の粘着剤層７が塗布されない側の基材フィルム５背面に、例えばシボ加工を施す等の方法により、表面粗さＲａは０．３μｍ以上であることが好ましく、さらに好ましくは基材フィルム５背面の表面粗さＲａは０．５μｍ以上である。このような表面粗さＲａを有することにより、ブロッキング防止、加工用テープのエキスパンド時の治具との摩擦を減少することによる接着剤層９の分断性向上の効果が得られ、好ましい。その他基材フィルム５背面に潤滑剤を塗布するのでもよい。
【００２５】
（粘着剤層）
粘着剤層７は、基材フィルム５上に粘着剤を塗工して製造することができる。粘着剤層７としては特に制限はなく、例えば、図１（ａ）に示すウエハ加工用テープ１１の場合は、エキスパンドの際に、接着剤層９が剥離しない程度の保持性や、ピックアップの際に、粘着剤層７と接着剤層９との間で剥離するため、接着剤層９との剥離容易性を有するものであればよいが、後述する非粘着領域の形成に放射線を使用する場合は、粘着剤層７は放射線硬化性のものである必要がある。非粘着領域の形成に放射線を使用しない場合であっても、ピックアップ性を向上させるために、粘着剤層７は放射線硬化性のものが好ましく、放射線硬化後、接着剤層９との剥離が容易な材料であることが好ましい。
【００２６】
一方、接着剤層９を有さないウエハ加工用テープの場合、エキスパンドの際に、ダイシングされて個片化された半導体チップが剥離しない程度の保持性や、ピックアップの際に、半導体チップとの剥離容易性を有するものであればよいが、後述する非粘着領域の形成に放射線を使用する場合は、粘着剤層７は放射線硬化性のものである必要がある。非粘着領域の形成に放射線を使用しない場合であっても、ピックアップ性を向上させるために、粘着剤層７は放射線硬化性のものが好ましく、放射線硬化後、ウエハとの剥離が容易な材料であることが好ましい。
【００２７】
粘着剤層７に用いる放射線硬化型樹脂組成物としては、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを使用することができる。たとえば、放射線硬化型樹脂組成物として、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いる他、一般的な粘着剤に放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分等の放射線硬化樹脂を配合した放射線硬化性粘着剤を例示できる。
粘着剤層７に用いる放射線硬化型樹脂組成物は特に限定されるものではないが、例として、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、（メタ）アクリル酸オリゴマーおよびイタコン酸オリゴマーのように水酸基あるいはカルボキシル基などの官能基を有するオリゴマーを挙げることができる。
【００２８】
炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖に有する化合物を用いた放射線硬化型樹脂組成物としては、例えば、主鎖に対して、少なくとも放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基、水酸基及びカルボキシル基を含有する基をそれぞれ有するアクリル系共重合体を主成分とし、かつゲル分率が６０％以上であることが好ましい。さらには、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有していることが好ましい。
【００２９】
粘着剤層７の主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。化合物（Ａ）の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で０．５〜２０、より好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。
【００３０】
上記化合物（Ａ）は、ガラス転移点（以下、Ｔｇという）が−７０℃〜０℃であることが好ましく、−６６℃〜−２８℃であることがより好ましい。Ｔｇが−７０℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗い半導体ウエハにおけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。
【００３１】
上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物（（１））と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物（（２））とを反応させて得たものが用いられる。
【００３２】
このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（（１））は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（（１）−１）と、官能基を有する単量体（（１）−２）とを共重合させて得ることができる。粘着剤二重結合量については加熱乾燥された粘着剤約１０ｇに含まれる炭素−炭素二重結合量を真空中暗所における臭素付加反応による重量増加法により定量測定できる。
【００３３】
単量体（（１）−１）としては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
【００３４】
単量体（（１）−１）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のＴｇのものを作製することができる。また、Ｔｇの他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（（１）−１）の総質量の５質量％以下の範囲内で可能である。
【００３５】
単量体（（１）−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（（１）−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。
【００３６】
化合物（２）において、用いられる官能基としては、化合物（１）、つまり単量体（（１）−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（（１）−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。
【００３７】
化合物（１）と化合物（２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。
【００３８】
上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α’−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でも差し支えない。
【００３９】
以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、化合物（Ａ）の重量平均分子量は、３０万〜１２０万程度が好ましい。３０万未満では、放射線照射による凝集力が小さくなって、半導体ウエハをダイシングする時に、チップのずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。このチップのずれを、極力防止するためには、重量平均分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、重量平均分子量が１２０万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。なお、本発明における重量平均分子量とは、ポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００４０】
なお、化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となる水酸基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるカルボキシル基を有することが好ましい。
【００４１】
ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
【００４２】
つぎに、粘着剤層７のもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または基材フィルム５と反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
【００４３】
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。具体的には、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）等を用いることができる。
【００４４】
また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製、商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製、商品名）等を用いることができる。さらに、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製、商品名）等を用いることができる。
【００４５】
（Ｂ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部、好ましくは０．４〜７重量部の割合となるよう、選択することが必要である。この範囲内で選択することにより、適切な凝集力とすることができ、急激に架橋反応が進行することはないので、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。
【００４６】
また、粘着剤層７には、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが好ましい。粘着剤層７の含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。（Ｃ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。
【００４７】
さらに、放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。粘着剤層７の厚さは少なくとも５μｍ、より好ましくは１０μｍ以上であることが好ましい。なお、粘着剤層７は複数の層が積層された構成であってもよい。
【００４８】
粘着剤層７は、ドット状パターンの粘着領域３を有し、基材フィルム５上に粘着剤１３をドット状パターンに塗布することにより形成される。図１（ａ）に示す粘着剤層７が形成された基材フィルム５の一部の概略平面図を図３に示す。
【００４９】
粘着剤１３をドット状パターンに塗布する方法としては、例えば、グラビアコーターによるグラビア印刷や、スクリーン印刷、インクジェット印刷等を用いることができる。なお、ドット状パターンの粘着領域３は、これらの印刷法に限定されず、一般に既知の塗布手法によっても形成することができる。
【００５０】
ドット状パターンに塗布される粘着剤１３の形状としては、直径φ１００μｍ〜７ｍｍの円形、もしくはこの範囲内に収まる任意の多角形のドットであり、ドットの大きさおよび間隔はエキスパンドによって分断されるチップの大きさに合わせて適宜設定することができるが、チップの分割予定ラインの上には粘着剤１３が塗布されていない必要がある。
【００５１】
また粘着剤層７は、ドット状パターンの粘着領域１３と、それ以外の非粘着領域１９から形成されてもよい（図４（ａ）に示す、他の例として後で説明する）。粘着剤層７にドット状パターンの粘着領域３と、それ以外の非粘着領域１９を形成する方法としては、基材フィルム５上全面に形成された粘着剤層の上に、インクジェット印刷等を用いて非粘着領域１９を形成する範囲に非粘着性の材料を塗布する方法がある。また、粘着剤が放射線硬化性の粘着剤である場合には、基材フィルム５上全面に放射線硬化性の粘着剤層を形成した後に、部分的に放射線を照射することで、特定の領域で硬化反応を発生せしめて非粘着領域１９を形成させ、未硬化の放射線硬化型粘着剤で構成されるドット状パターンの粘着領域３と、それ以外の硬化後の放射線硬化型粘着剤で構成される非粘着領域１９を形成することができる。部分的に放射線を照射する方法としてはマスク等を介した紫外線の照射や、ＵＶレーザーの走査等を用いることができる。
【００５２】
紫外線照射による非粘着領域１９の形成に用いられるマスクとしては、粘着性を残したいドット状パターンの領域への紫外線の照射を遮光できるよう、パターン形成されているものであれば特に制限はなく、一般に電子部品の製造工程で使用されるネガパターンをＰＥＴフィルム、ガラス、石英等に形成したフォトマスクの他、パターン状に打ち抜かれた金属板や黒色不透明のアクリル板等を用いることができる。
【００５３】
非粘着領域１９の形成に用いられる紫外線照射機としては、粘着剤層の硬化に十分なエネルギーを得ることができれば特に制限はなく、メタルハライドランプ、高圧水銀灯の光源を用いた露光機の他、ブラックライト等を使用可能である。露光量は粘着剤層の厚さ、種類等によって、適宜設定でき、硬化に十分なエネルギーを得ることができれば特に制限はないが、５０〜５００ｍＪ／ｃｍ２程度が適当である。
【００５４】
粘着剤上に形成される粘着領域３と非粘着領域１９のうち、粘着領域３の形状としては、直径φ１００μｍ〜７ｍｍの円形、もしくはこの範囲内に収まる任意の多角形のドットであり、ドットの大きさおよび間隔はエキスパンドによって分断されるチップの大きさに合わせて適宜設定することができるが、チップの分割予定ラインに沿って非粘着領域が形成されている必要がある。
【００５５】
（接着剤層）
接着剤層９は、半導体ウエハが貼り合わされ分断された後、チップをピックアップする際に、分断された接着剤層９が粘着剤層７から剥離してチップに付着しており、チップをパッケージ基板やリードフレームに固定する際のダイボンディングフィルムとして機能するものである。
【００５６】
接着剤層９としては、特に限定されるものではないが、接着フィルムとして一般的に使用されるフィルム状接着剤を好適に使用することができ、ポリイミド系接着剤、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂／無機フィラーのブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、５〜１００μｍ程度が好ましい。
【００５７】
ウエハ加工用テープ１１は、予め円形形状にカットされた接着剤層９としての接着フィルムを、粘着剤層７上に、室温または加熱して圧力をかけてラミネートすることによって形成することができる。なお、接着剤層９は、必ずしも設けなくてもよい。
【００５８】
また、ウエハ加工用テープ１１は、半導体ウエハ１枚分毎に切り分けられた形態と、これが複数形成された長尺のフィルムをロール状に巻き取った形態とを含む。
【００５９】
（ウエハ加工方法の説明）
次に、図１を用いて、第１の実施形態に係る半導体ウエハの加工方法を説明する。
図１（ａ）は第１の実施形態に関わるウエハ加工用テープ１１を示す（接着剤層９は図示しない）。ウエハ加工用テープ１１は基材フィルム５上に粘着領域３として粘着剤１３がドット状パターンに形成された粘着剤層７を有する。
【００６０】
まず、図１（ｂ）に示すように、裏面研削した半導体ウエハ１の裏面を、ウエハ加工用テープ１１の粘着剤層７上に積層された接着剤層９に接着する。ウエハ加工用テープ１１は、予めリングフレーム１５の下面に貼着されており、半導体ウエハ１は、リングフレーム１５に固定される。リングフレーム１５に固定された半導体ウエハ１の斜視図を、図２に示す。このとき、チップの分割予定ラインに沿った位置には粘着剤１３は塗布されていない。
続いて、フルカットダイシングもしくはレーザーグルービングによるウエハダイシングまたはステルスダイシング法によりウエハへの切断の起点となる部位の形成した図１（ｃ）に示す半導体ウエハ１を得る。
【００６１】
その後、図１（ｄ）に示すように、中空円柱形状の突き上げ部材１７がウエハ加工用テープ１１の下面より上昇し、ウエハ加工用テープ１１をリングフレーム１５の周方向に引き伸ばすエキスパンド工程を行う。
【００６２】
エキスパンド工程によりチップ同士の間隔を広げ、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識性を高めるとともに、ピックアップの際に隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップ同士の再接着を防止することができる。
【００６３】
エキスパンド工程を実施した後、ウエハ加工用テープ１１をエキスパンドした状態のままで、半導体チップ２１及び接着剤層９をピックアップするピックアップ工程を実施する。
【００６４】
第１の実施形態によれば、ウエハ加工用テープ１１の粘着剤１３がドット状パターンに形成されていることから、図１（ｄ）に示すように、ウエハ加工用テープ１１の粘着剤１３が塗布されていない部分において、半導体ウエハの分断により個片化されたチップの端部がエキスパンドと同時に剥離し、チップ内に生じた応力を緩和させることで、チップクラックを生じることなく、良好に半導体ウエハを分断することができる。
【００６５】
（第２の実施形態）
次に、図４を用いて、第２の実施形態に係る半導体ウエハの加工方法を説明する。
図４（ａ）は第２の実施形態に関わるウエハ加工用テープ１１を示す（接着剤層９は図示しない）。ウエハ加工用テープ１１は、基材フィルム５上に塗布された粘着剤層７がドット状パターンの粘着領域３と、それ以外の非粘着領域１９を有する。
第２の実施形態では、インクジェット印刷等を用いることにより、粘着領域３を形成する範囲に粘着性の材料を、非粘着領域１９を形成する範囲に非粘着性の材料を塗布仕分ける、もしくは基材フィルム上全面に形成された粘着剤層の上に、インクジェット印刷等を用いて非粘着領域１９を形成する範囲に非粘着性の材料を塗布すること等により得られたドット状パターンの粘着領域３と、それ以外の非粘着領域１９を有する。
【００６６】
非粘着性の材料としては特に制限はなく、例えば、図４（ａ）に示すウエハ加工用テープ１１の場合は、エキスパンドの際に、接着剤層９が非粘着領域１９から剥離しチップ２１内の応力を緩和せしめる必要があるため、接着剤層９との剥離容易性を有するものであればよい。
非粘着性材料としては、例えば、インクジェット印刷等を用いることにより、粘着領域３を形成する範囲に粘着性の材料を、非粘着領域１９を形成する範囲に非粘着性の材料を塗布仕分ける場合は、粘着領域３に用いられるものと同様でも良く、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ｂ）の量を適宜調整することで得られる他、基材フィルム上全面に形成された粘着剤層の上に、インクジェット印刷等を用いて非粘着領域１９を形成する範囲に非粘着性の材料を塗布する場合は、前述の材料に加え、シリコーン樹脂、フッ素樹脂等の離型剤、エポキシ樹脂等を用いることができる。
【００６７】
まず、裏面研削した半導体ウエハ１の裏面を、ウエハ加工用テープ１１の接着剤層９に接着する。ウエハ加工用テープ１１は、予めリングフレーム１５の下面に貼着されており、半導体ウエハ１は、リングフレーム１５に固定される（図４（ｂ））。リングフレーム１５に固定された半導体ウエハ１の斜視図を、図２に示す。このとき、半導体ウエハ１の分割予定ラインは非粘着領域１９上に位置している。
【００６８】
続いて、フルカットダイシングもしくはレーザーグルービングによるウエハダイシングまたはステルスダイシング法によりウエハへの切断の起点となる部位の形成した図４（ｃ）に示す半導体ウエハ１を得る。
【００６９】
その後、第１の実施形態と同様に、エキスパンド工程、ピックアップ工程を実施する。
【００７０】
第２の実施形態によれば、ウエハ加工用テープ１１の粘着剤層７がドット状パターンの粘着領域３と、それ以外の非粘着領域１９とによって形成されていることから、図４（ｄ）に示すように、ウエハ加工用テープ１１の粘着剤が非粘着性である部分において、半導体ウエハの分断により個片化されたチップの端部がエキスパンドと同時に剥離し、チップ内に生じた応力を緩和させることで、チップクラックを生じることなく、良好に半導体ウエハを分断することができる。
【００７１】
（第３の実施形態）
次に、図５を用いて、第３の実施形態について説明する。
まず図５（ａ）に示すように、基材フィルム５上に放射線硬化型の粘着剤からなる粘着剤層２３が形成されたウエハ加工用テープ２５を用い、粘着剤層２３にマスク２７等を介して放射線例えば紫外線２９を照射して粘着剤層２３の一部を硬化させて非粘着領域１９を形成させ、ドット状パターンの粘着領域３と、それ以外の非粘着領域１９を有する粘着剤層７を形成する。ドット状パターンの粘着領域３と、それ以外の非粘着領域１９が形成された後のウエハ加工用テープ１１を図５（ｂ）に示す。また紫外線２９の照射に変えて、ＵＶレーザーの走査等を行って非粘着領域１９を形成させてもよい。
【００７２】
続いて、図５（ｃ）に示すように、裏面研削した半導体ウエハ１の裏面を、ウエハ加工用テープ１１の粘着層上に積層した接着剤層９に接着する。ウエハ加工用テープ１１は、予めリングフレーム１５の下面に貼着されており、半導体ウエハ１は、リングフレーム１５に固定される。リングフレーム１５に固定された半導体ウエハ１の斜視図を、図２に示す。このとき、半導体ウエハ１の分割予定ラインは非粘着領域１９上に位置している。
【００７３】
更に、フルカットダイシングもしくはレーザーグルービングによるウエハダイシングまたはステルスダイシング法によりウエハへの切断の起点となる部位の形成した図５（ｄ）に示す半導体ウエハ１を得る。
【００７４】
その後、第１の実施形態と同様に、エキスパンド工程、ピックアップ工程を実施する。
【００７５】
第３の実施形態によれば、ウエハ加工用テープ１１の粘着剤層がドット状パターンの粘着領域３と、それ以外の非粘着領域１９とによって形成されることから、図５（ｅ）に示すように、ウエハ加工用テープ１１の粘着剤が非粘着性である部分において、半導体ウエハの分断により個片化されたチップの端部がエキスパンドと同時に剥離し、チップ内に生じた応力を緩和させることで、チップクラックを生じることなく、良好に半導体ウエハを分断することができる。
【００７６】
（第４の実施形態）
次に、図６を用いて、第４の実施形態について説明する。
まず、図６（ａ）に示すように、裏面研削した半導体ウエハ１の裏面を、基材フィルム５上に放射線硬化型の粘着剤からなる粘着剤層２３を有するウエハ加工用テープ２５の接着剤層９に接着する。ウエハ加工用テープ２５は、予めリングフレーム１５の下面に貼着されており、半導体ウエハ１は、リングフレーム１５に固定される。リングフレーム１５に固定された半導体ウエハ１の斜視図を、図２に示す。
【００７７】
続いて、図６（ｂ）に示すように、ウエハ加工用テープ２５における粘着剤層２３に、基材フィルム５側からマスク２７等を介して放射線例えば紫外線２９を照射して、粘着剤層２３の一部を硬化させて非粘着領域１９を形成させ、ドット状パターンの粘着領域３と、それ以外の非粘着領域１９を有する粘着剤層７を形成する。このとき、半導体ウエハ１の分割予定ラインが非粘着領域１９上に位置するように行う。ドット状パターンの粘着領域３と、それ以外の非粘着領域１９が形成された後の状態を図６（ｃ）に示す。また紫外線の照射に変えて、ＵＶレーザーの走査等を行って非粘着領域を形成させることもできる。
なお、この非粘着領域１９の形成工程は、次に説明するダイシングまたはウエハへの切断の起点となる部位の形成工程と前後しても構わない。
【００７８】
更に、フルカットダイシングもしくはレーザーグルービングによるウエハダイシングまたはステルスダイシング法によりウエハへの切断の起点となる部位の形成した図６（ｄ）に示す半導体ウエハ１を得る。
【００７９】
その後、第１の実施形態と同様に、エキスパンド工程、ピックアップ工程を実施する。
【００８０】
第４の実施形態によれば、ウエハ加工用テープ１１の粘着剤層７がドット状パターンの粘着領域３と、それ以外の非粘着領域１９とによって形成されることから、図６（ｅ）に示すように、ウエハ加工用テープ１１の粘着剤が非粘着性である部分おいて、半導体ウエハの分断により個片化されたチップの端部がエキスパンドと同時に剥離し、チップ内に生じた応力を緩和させることで、チップクラックを生じることなく、良好に半導体ウエハを分断することができる。
【００８１】
以上、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。当業者であれば、本願で開示した技術的思想の範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【実施例】
【００８２】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明し、比較例と共に性能試験例を示し、本発明の優れた効果を明示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８３】
粘着剤組成物として、以下の組成の組成物を使用した。
粘着剤組成物（Ａ）
ブチルアクリレート（７４ｍｏｌ％）、２−ヒドロキシエチルアクリレート２５ｍｏｌ％）、メタクリル酸（１ｍｏｌ％）の共重合体に、光重合性炭素―炭素二重結合および官能基を有する化合物として、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、重合禁止材としてハイドロキノンを適宜滴下量を調整して加え反応温度および反応時間を調整して、光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物を得た。この化合物１００重量部に対して、光重合開始剤（日本チバガイギー社製、商品名「イルガキュアー１８４」）を０．５重量部、ポリイソシアネートとして日本ポリウレタン社製コロネートＬを０．５重量部添加した。
【００８４】
（実施例１）
粘着剤組成物（Ａ）を、グラビアコーターを用いたグラビア印刷により、乾燥後の塗膜が、厚み１０μｍ、直径５ｍｍφ、隣り合うドットの中心間距離が６ｍｍの円状になるように、離型処理されたＰＥＴフィルム上に塗工し、８０℃で５分間乾燥させた後、エチレンビニルアクリレートフィルムと貼り合わせ、転写することによりダイシングテープＢを作製した。
図７に示すように、このダイシングテープＢ（３１）に厚み５０μｍ厚のシリコンウエハ（３３）とダイシングフレーム（３５）とを貼り合わせ、ダイシングテープＢ（３１）のドット状粘着剤（３７）の中間部にあたるシリコンウエハ上に、６ｍｍ×６ｍｍの格子状に、ステルスダイシング法により、ウエハへの切断の起点となる部位（３９）を形成することで、評価サンプルを得た。
【００８５】
（実施例２）
粘着剤組成物（Ａ）を、乾燥後の塗膜が、厚み１０μｍとなるように、離型処理されたＰＥＴフィルム上に塗工し、８０℃で５分間乾燥させた後、エチレンビニルアクリレートフィルムと貼り合わせ、転写することによりダイシングテープＣを作製した。このダイシングテープＣに、石英ガラス（４１）上に直径５ｍｍφ、隣り合うドットの中心間距離が６ｍｍの円状のドットパターン（４３）を配置したマスク（図８（ａ）に平面図、図８（ｂ）にＡ−Ａ断面図を示す）を介して紫外線照射を行なうことにより、厚み１０μｍ、直径５ｍｍφ、隣り合うドットの中心間距離が６ｍｍの円状の粘着領域とそれ以外の非粘着領域を有するダイシングテープＤを作製した。
このダイシングテープＤに厚み５０μｍ厚のシリコンウエハとダイシングフレームとを貼り合わせ、ダイシングテープの非粘着領域にあたるウエハ上に、６ｍｍ×６ｍｍの格子状に、ステルスダイシング法により、ウエハへの切断の起点となる部位を形成することで、評価サンプルを得た。
【００８６】
（実施例３）
粘着剤組成物（Ａ）を、乾燥後の塗膜が、厚み１０μｍとなるように、離型処理されたＰＥＴフィルム上に塗工し、８０℃で５分間乾燥させた後、エチレンビニルアクリレートフィルムと貼り合わせ、転写することによりダイシングテープＣを作製した。
このダイシングテープＣに厚み５０μｍ厚のシリコンウエハとダイシングフレームとを貼り合わせた後、実施例２で使用したマスクを介して紫外線照射を行なうことにより、厚み１０μｍ、直径５ｍｍφ、隣り合うドットの中心間距離が６ｍｍの円状の粘着領域とそれ以外の非粘着領域を形成した。次に、ダイシングテープの非粘着領域にあたるウエハ上に、６ｍｍ×６ｍｍの格子状に、ステルスダイシング法により、ウエハへの切断の起点となる部位を形成することで、評価サンプルを得た。
【００８７】
（実施例４）
粘着剤組成物（Ａ）を、グラビアコーターを用いたグラビア印刷により、乾燥後の塗膜が、厚み１０μｍ、直径５ｍｍφ、隣り合うドットの中心間距離が６ｍｍの円状になるように、離型処理されたＰＥＴフィルム上に塗工し、８０℃で５分間乾燥させた後、エチレンビニルアクリレートフィルムと貼り合わせ、転写することによりダイシングテープＢを作製した。このダイシングテープＢのＰＥＴフィルムを剥離し、粘着剤層上における円状のドットパターンを除いた領域に、室温硬化型のエポキシ樹脂をインクジェット印刷により塗布し、エポキシ樹脂を硬化することで、厚み１０μｍ、直径５ｍｍφ、隣り合うドットの中心間距離が６ｍｍの円状の粘着領域とそれ以外の非粘着領域を有するダイシングテープＥを作製した。
このダイシングテープＥに厚み５０μｍ厚のシリコンウエハとダイシングフレームとを貼り合わせ、ダイシングテープの非粘着領域にあたるウエハ上に、６ｍｍ×６ｍｍの格子状に、ステルスダイシング法により、ウエハへの切断の起点となる部位を形成することで、評価サンプルを得た。
【００８８】
（比較例１）
粘着剤組成物（Ａ）を、乾燥後の塗膜が、厚み１０μｍとなるように、離型処理されたＰＥＴフィルム上に塗工し、８０℃で５分間乾燥させた後、エチレンビニルアクリレートフィルムと貼り合わせ、転写することによりダイシングテープＣを作製した。
このダイシングテープＣに厚み３０μｍ厚のシリコンウエハを貼り合わせ、ウエハ上に、６ｍｍ×６ｍｍの格子状に、ステルスダイシング法により、ウエハへの切断の起点となる部位を形成することで、評価サンプルを得た。
【００８９】
（評価方法）
実施例、比較例に示された条件において、それぞれ得られた評価サンプルをエキスパンド装置により、リングフレームを固定しダイシングテープをエキスパンドした。このときのエキスパンド条件はエキスパンド速度が３０ｍｍ／ｓ、エキスパンド量が１５ｍｍであった。
このようにして得られた半導体チップを、エキスパンド後に、チップ端部の剥離の有無と、分断されたシリコンチップにクラックが生じたか否かを光学顕微鏡で観察した。
加工を施した半導体チップのうち、クラックを生じたチップが３％未満のものを良好（○）、３％以上のチップでクラックが生じたものを不良（×）とした。結果を表１に示す。
【００９０】
【表１】
2011216671.tif 000003
【符号の説明】
【００９１】
１………半導体ウエハ
３………粘着領域
５………基材フィルム
７………粘着剤層
９………接着剤層
１１………ウエハ加工用テープ
１３………粘着剤
１５………リングフレーム
１７………突き上げ部材
１９………非粘着領域
２１………半導体チップ
２３………粘着剤層
２５………ウエハ加工用テープ
２７………マスク
２９………紫外線
３１………ダイシングテープ
３３………シリコンウエハ
３５………ダイシングフレーム
３７………ドット状粘着剤
３９………切断の起点
４１………石英ガラス
４３………ドットパターン
７０………ウエハ加工用テープ
７１………半導体ウエハ
７２………リングフレーム
７３ａ………基材フィルム
７３ｂ………粘着剤層
７４………接着剤層
７５………ダイシングブレード
７６………吸着ステージ
７７………半導体チップ
７８………突き上げ部材
８１………半導体チップ
８３………クラック
【図１】
2011216671.tif 000004
【図２】
2011216671.tif 000005
【図３】
2011216671.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2011216671.tif 000011
【図９】
2011216671.tif 000012
【図１０】
2011216671.tif 000013