(57)【要約】【課題】磁気ディスク用ガラス基板の加工精度をさらに向上させること。【解決手段】磁気ディスク用ガラス基板の加工方法は、平面視円形状のガラス基板１の外周端面１ａを砥石２の内周面２ｂに相対的に回転接触させて加工する磁気ディスク用ガラス基板の加工方法であって、砥石２は、硬度が相対的に高くかつ粒度が相対的に粗い第１砥石３と、当該第１砥石３よりも硬度が低くかつ粒度が細かい第２砥石４と、当該第２砥石４よりも硬度が低くかつ粒度が細かい第３砥石５とからなり、ガラス基板１の外周端面１ａを、第１砥石３，第２砥石４及び第３砥石５に順番に接触させて加工を行うことを特徴とする。【選択図】図２
2011216166.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視円形状のガラス基板の外周端面を砥石の内周面に相対的に回転接触させて加工する磁気ディスク用ガラス基板の加工方法であって、
前記砥石は、硬度が相対的に高くかつ粒度が相対的に粗い第１砥石と、当該第１砥石よりも硬度が低くかつ粒度が細かい第２砥石と、当該第２砥石よりも硬度が低くかつ粒度が細かい第３砥石とからなり、前記ガラス基板の外周端面を、前記第１砥石から第３砥石に順番に接触させて加工を行うことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の加工方法。
【請求項２】
前記第１砥石には電着ボンド又は金属ボンドを用い、前記第２及び第３砥石はレジンボンドを用いることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基板の加工方法。
【請求項３】
前記第１砥石、第２砥石及び第３砥石には溝部がそれぞれ形成されており、各溝部は、前記砥石の上面部及び下面部に垂直な垂直面と、当該垂直面から前記砥石の上面部に向かって傾斜した第１傾斜面と、前記垂直面から前記砥石の下面部に向かって傾斜した第２傾斜面とからなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の加工方法。
【請求項４】
平面視円形状のガラス基板の外周端面を、請求項１から請求項３のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の加工方法により加工する工程を有することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって製造された磁気ディスク用ガラス基板の主表面上に少なくとも磁性層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクトライブ（ＨＤＤ）等の磁気記録装置に用いられる磁気ディスク用ガラス基板の加工方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、平面視円形状のガラス基板の外周部に、平面視円形状の砥石の外周部を接触させ、接触部分に研削液を供給しながら研削加工を行う加工方法が知られている。しかしながら、この加工方法では、回転するガラス基板の外周部に回転する砥石の外周部を加圧接触させるため、接触面積が小さくなって接触部分に応力が集中してチッピングが発生し、基板強度を低下させるマイクロクラックの発生に繋がる恐れがある。
【０００３】
そこで、チッピングの発生を抑制するために、特許文献１記載の加工方法では、平面視円形状のガラス基板の外周端面を、平面視ドーナツ状の砥石の内周面に接触させて研削加工を行っている。これにより、ガラス基板の外周端面と砥石の内周面との接触面積が大きくなるので、加工の際にガラス基板にかかる負荷が分散されて、チッピングの発生を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−３０７６４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、情報化技術の高度化に伴い、情報記録技術、特に磁気記録技術は著しく進歩しており、磁気記録媒体の一つであるＨＤＤ等に用いられる磁気ディスクには、急速な小型化、薄板化及び高記録密度化の要請が高まっている。特に、面内磁気記録方式に比して記録密度の高い垂直磁気記録方式では、ガラス基板の粗さの影響が大きいため、磁気ディスクを高記録密度化するためには、ガラス基板の主表面のみならず端面形状についても加工精度を更に向上させることが要求される。
【０００６】
本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであり、磁気ディスク用ガラス基板の加工精度をさらに向上させることができる磁気ディスク用ガラス基板の加工方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の加工方法は、平面視円形状のガラス基板の外周端面を砥石の内周面に相対的に回転接触させて加工する磁気ディスク用ガラス基板の加工方法であって、前記砥石は、硬度が相対的に高くかつ粒度が相対的に粗い第１砥石と、当該第１砥石よりも硬度が低くかつ粒度が細かい第２砥石と、当該第２砥石よりも硬度が低くかつ粒度が細かい第３砥石とからなり、前記ガラス基板の外周端面を、前記第１砥石から第３砥石に順番に接触させて加工を行うことを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、ガラス基板の外周端面を、硬度及び粒度の異なる３種類の砥石の内周面に対して順番に回転接触させて加工するので、ガラス基板の外周端面の加工精度をさらに向上させることができる。すなわち、硬度が高くかつ粒度の粗い第１砥石でガラス基板の外周端面の形状を整え、次に硬度及び粒度が中程度の第２砥石で寸法精度を出し、最後に硬度が低くかつ粒度の細かい第３砥石で鏡面研磨するので、ガラス基板の外周端面の加工精度をさらに向上させることができる。
【０００９】
本発明は、上記磁気ディスク用ガラス基板の加工方法において、前記第１砥石には電着ボンド又は金属ボンドを用い、前記第２及び第３砥石はレジンボンドを用いることができる。
【００１０】
本発明は、上記磁気ディスク用ガラス基板の加工方法において、前記第１砥石、第２砥石及び第３砥石には溝部がそれぞれ形成されており、各溝部は、前記砥石の上面部及び下面部に垂直な垂直面と、当該垂直面から前記砥石の上面部に向かって傾斜した第１傾斜面と、前記垂直面から前記砥石の下面部に向かって傾斜した第２傾斜面とからなることが好ましい。
【００１１】
本発明の磁気ディスクガラス基板の製造方法は、平面視円形状のガラス基板の外周端面を、上記いずれかの磁気ディスク用ガラス基板の加工方法により加工する工程を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の磁気ディスクの製造方法は、上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって製造された磁気ディスク用ガラス基板の主表面上に少なくとも磁性層を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、磁気ディスク用ガラス基板の加工精度をさらに向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態に係る磁気ディスク用ガラス基板の加工方法を説明するための図である。
【図２】本実施の形態に係る磁気ディスク用ガラス基板の加工方法に用いられる砥石の構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。本発明の実施の形態に係る磁気ディスク用ガラス基板の加工方法は、ガラス基板の外周端面を砥石の内周面に相対的に回転接触させて研削及び研磨加工を行うものであり、磁気ディスク用ガラス基板の製造工程に含まれるものである。
【００１６】
磁気ディスク用ガラス基板の製造工程は、（１）形状（素材）加工工程及び第１ラッピング工程，（２）切り出し工程（コアリング、フォーミング），（３）端面研削工程及び端面研磨工程，（４）第２ラッピング工程，（５）主表面の第１研磨工程，（６）化学強化工程，（７）主表面の第２研磨工程，（８）鏡面研磨処理後の洗浄工程，（９）磁気ディスク用ガラス基板の検査工程を含んでおり、本実施の形態に係る磁気ディスク用ガラス基板の加工方法は、上記（３）端面研削工程及び端面研磨工程に適用されるものである。
【００１７】
図１は、本実施の形態に係る磁気ディスク用ガラス基板の加工方法を説明するための模式図である。図１（ａ）は、磁気ディスク用ガラス基板及び砥石の側断面図であり、図１（ｂ）は磁気ディスク用ガラス基板及び砥石の平面図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施の形態に係る磁気ディスク用ガラス基板（以下、単にガラス基板という）１は、平面視円板状に形成され、中心部に円孔が形成されている。ガラス基板の材料としては、例えば、結晶化ガラス、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス等が用いられる。特に、化学強化を施すことができ、また主表面の平坦性及び基板強度において優れた磁気ディスク用基板を提供することができるという点で、アルミノシリケートガラスを好ましく用いることができる。
【００１９】
砥石２は、平面視円形状に形成され、その中心部にガラス基板１の直径より大径の円孔２ａが形成されている。図２に示すように、砥石２は、硬度及び粒度の異なる３種類の第１砥石３,第２砥石４及び第３砥石５から構成されている。第１砥石３，第２砥石４及び第３砥石５の内周面２ｂには、ガラス基板１の外周端面１ａとの接触領域となる部分に、環状の溝部３１，４１，５１がそれぞれ形成されている。
【００２０】
第１砥石３は、硬度が最も高く、かつ、粒度が最も粗い砥石で形成され、例えば、ダイヤモンド砥粒ＳＤ＃６００の粒度を用いた電着ボンド又は金属ボンドで構成される。この第１砥石３は、主としてガラス基板１の外周端面１ａの形状（寸法）加工用砥石として機能する。
【００２１】
第２砥石４は、第１砥石３よりも硬度が低く、かつ、粒度が細かい砥石で形成され、例えば、ダイヤモンド砥粒ＳＤ＃３０００の粒度を用いたフェノール樹脂等の樹脂材料のレジンボンドで構成される。この第２砥石４は、主として、第１砥石３で形状加工されたガラス基板１の外周端面１ａに対して、さらに寸法精度を出すため及び準鏡面研磨用の砥石として機能する。
【００２２】
第３砥石５は、硬度が最も低く、かつ、粒度が細かい砥石で形成され、例えば、１〜２
uｍ径のセリア砥粒、シリカ砥粒を用いたウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂等のいずれかの樹脂材料のレジンボンドで構成される。第３砥石５の硬度は、例えば、第２砥石４の硬度の１／３程度の硬度であることが好ましい。この第３砥石５は、第２砥石４で出された寸法精度を維持（端面形状を崩すことなく）、さらに鏡面研磨するための砥石として機能する。
【００２３】
各溝部３１，４１，５１は、砥石２の上面及び下面に対して垂直な垂直面（Ｔ面）３１ａ，４１ａ，５１ａと、各垂直面３１ａ，４１ａ，５１ａから上面及び下面に向かって所定の角度で傾斜する傾斜面（Ｃ面）３１ｂ，３１ｃ，４１ｂ，４１ｃ，５１ｂ，５１ｃと、から構成されている。各傾斜面３１ｂ，３１ｃ，４１ｂ，４１ｃ，５１ｂ，５１ｃは、ガラス基板１の外周端面１ａの面取り加工用に供される。本実施の形態では、砥石２の上方から第１砥石３、第２砥石４、第３砥石５の順に形成されているが、この構成に限定されるものではなく、砥石２の下方から第１砥石３、第２砥石４、第３砥石５の順に形成してもよい。
【００２４】
ガラス基板１の外周端面の加工の際には、砥石２の円孔２ａにガラス基板１を配置し、ガラス基板１の外周端面１ａに研削液（研磨液）を常に供給しながら、回転する砥石２の円孔２ａの内周面２ｂに接触させて、面取り加工を含む研削加工及び研磨加工が行われる。研削液としては、研削工具である砥石２に研磨機能を付与するため、ダイラタンシー流体等の粘弾性を有する流体に、酸化セリウム、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭化硼素、ダイヤモンド等の研磨剤を混合させたものを用いる。勿論、通常の水を溶媒、研磨材を溶質とした混合液、つまりスラリー（遊離砥粒）として用いることもできる。
【００２５】
具体的には、ガラス基板１の外周端面１ａを、硬度が高くかつ粒度の粗い第１砥石３に接触させて形状加工を行い、形状加工後、ガラス基板１の外周端面１ａが第２砥石４に対向する位置までガラス基板１を移動（降下）させる。次に、ガラス基板１の外周端面１ａを、硬度及び粒度が中程度の第２砥石４に接触させて、寸法精度が出るように加工する。次に、ガラス基板１の外周端面１ａが第３砥石５に対向する位置までガラス基板１を移動（降下）させる。最後に、ガラス基板１の外周端面１ａを、硬度が低くかつ粒度の細かい第３砥石５に接触させて鏡面研磨を行う。これにより、ガラス基板１の外周端面１ａの加工精度を向上させることができる。なお、各砥石３，４，５の溝部３１，４１，５１は上下方向に拡開する傾斜面３１ｂ，３１ｃ，４１ｂ，４１ｃ，５１ｂ，５１ｃを有しているので、ガラス基板１の基板面と砥石２の上下面とを平行にした状態で、ガラス基板１の外周端面１ａを各溝部３１，４１，５１に接触させれば、ガラス基板１の外周端面１ａの研削加工と同時に面取り加工を行うことができ、端面研削及び端面研磨に係る加工時間（タクトタイム）を短縮させることができる。
【００２６】
また、ガラス基板１の外周端面１ａを加工する場合には、砥石２に形成された溝部３１，４１，５１の形成方向に対して、ガラス基板１の基板面を相対的に所定の角度傾けた状態で接触させてもよい。これにより、ガラス基板１の外周端面１ａの溝部３１，４１，５１への接触点に偏りがなくなる（分散する）ので、砥粒へのダメージを低減させることができる。
【００２７】
また、ガラス基板１の外周端面１ａを砥石２の円孔２ａの内周面２ｂに接触させて加工を行うため、ガラス基板及び砥石の外周面同士を接触させた場合と比べて、接触面積が大きくなり接触部分に作用する応力が分散する。これにより、チッピングの発生が抑制される。また、ガラス基板及び砥石の外周面同士を接触させた場合と比べて、加工点となるガラス基板１の外周端面１ａには、研削液（研磨液）がはじけることなく供給される。加工対象物であるガラス基板１は、研削加工の際に発生する熱による影響を受けやすい加工特性を有している。従って、安定して研削加工を行うためには、ガラス基板１の外周端面１ａの加工点近傍を研削液により常に冷却させた状態で、研削加工時の熱による影響を軽減させることが好ましい。
【００２８】
このように、本実施の形態によれば、ガラス基板の外周端面１ａを、硬度及び粒度の異なる３種類の砥石３，４，５の内周面に順番に回転接触させて加工するので、ガラス基板１の外周端面１ａの加工精度をさらに向上させることができる。すなわち、硬度が高くかつ粒度の粗い第１砥石３でガラス基板１の外周端面１ａの形状を整え、次に硬度及び粒度が中程度の第２砥石４で寸法精度を出し、最後に硬度が低くかつ粒度の細かい第３砥石５で鏡面研磨するので、ガラス基板１の外周端面１ａの加工精度をさらに向上させることができる。
【００２９】
（実施例）
次に、本発明を適用した磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクの製造方法に係る実施例を説明する。この磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクは、０．８インチ型ディスク（内径６ｍｍ、外径２１．６ｍｍ、板厚０．３８１ｍｍ）、１．０インチ型ディスク（内径７ｍｍ、外径２７．４ｍｍ、板厚０．３８１ｍｍ）、１．８インチ型ディスク（内径１２ｍｍ、外径４８ｍｍ、板厚０．５０８ｍｍ）等の所定の形状を有する磁気ディスクとして製造される。また、２．５インチ型ディスクや３．５インチ型ディスクとして製造してもよい。本実施例では、２．５インチ型ディスクとして作製した。
【００３０】
（１）形状加工工程及び第１ラッピング工程
まず、溶融させたアルミノシリケートガラスを上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスによりディスク形状に成型し、アモルファスの板状ガラスを得た。ダイレクトプレス以外に、ダウンドロー法やフロート法で形成したシートガラスから研削砥石で切り出して円盤状の磁気ディスク用ガラス基板を得てもよい。なお、アルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ２：５８〜７５重量％、Ａｌ２Ｏ３：５〜２３重量％、Ｌｉ２Ｏ：３〜１０重量％、Ｎａ２Ｏ：４〜１３重量％を主成分として含有する化学強化ガラスを使用した。
【００３１】
次に、この板状ガラスの両主表面をラッピング加工し、ディスク状のガラス母材とした。ラッピング加工は、板状ガラスの主表面にラップ定盤を押圧し、荒削りする研削加工である。
【００３２】
（２）切り出し工程（コアリング、フォーミング）
次に、第１ラッピング工程を経たガラス基板に対し、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて中心部に内孔を形成した（コアリング）。
【００３３】
（３）端面研削工程及び端面研磨工程
次に、図１及び図２に示すように、通常面取り加工を内接型外周研削加工として研削砥石と研削液（クーラント）を用いて行う。図１に示す加工装置に、外形φ１００、厚み５０ｍｍの内接型外径研削砥石２の第１砥石３を用いて、ガラス基板１の外周端面部分の面取り加工及び形状加工を行った。この第１砥石３は、砥粒ＳＤ＃６００を有するダイヤモンド砥粒を金属ボンドで固めた砥石である。第１砥石３の回転数は、５０００ｒ．ｐ．ｍ（周速度＝１５００ｍ／ｍｉｎ）であり、研削液を加工点となるガラス基板１の外周端面１ａと第１砥石３との接触点に吐出させている。ガラス基板１は、回転数６０ｒ．ｐ．ｍで第１砥石３と対向する形で、０．０１０ｍｍ／ｓｅｃ．の切込み速度で、外径取代φ６００μｍを除去する研削機構となっている。加工時間は、５２ｓｅｃとなった。面取り及び形状加工後の面粗さＲｙ１．５μｍ、Ｒａ０．１２μｍであった。
【００３４】
次に、ガラス基板１を外形φ１００、厚み５０ｍｍの内接型外径研削砥石２の第２砥石４に対向する位置に移動させ、第２砥石４を用いて、ガラス基板１の外周端面部分の寸法加工を行った。この第２砥石４は、砥粒ＳＤ＃３０００を有するダイヤモンド砥粒を、フェノール樹脂のレジンボンドで固めた砥石である。第２砥石４の回転数は、５０００ｒ．ｐ．ｍ（周速度＝１５００ｍ／ｍｉｎ）であり、研磨液を加工点となるガラス基板１の外周端面１ａと第２砥石４との接触点に吐出させている。ガラス基板１は、回転数６０ｒ．ｐ．ｍで第２砥石４と対向する形で、０．００２ｍｍ／ｓｅｃ．の切込み速度で、外径取代φ４５μｍを除去する研削機構となっている。加工時間は、１５ｓｅｃとなった。寸法加工後の面粗さＲｙ０．８２μｍ、Ｒａ０．０２５μｍであった。
【００３５】
次に、ガラス基板１を外形φ１００、厚み５０ｍｍの内接型外径研削砥石２の第３砥石５に対向する位置に移動させ、第３砥石５を用いて、ガラス基板１の外周端面部分の鏡面加工を行った。この第３砥石５は、粒径１２ｎｍのセリア砥粒を、ポリエステル樹脂のレジンボンドで固めた砥石である。第３砥石５の回転数は、１０００ｒ．ｐ．ｍ（周速度＝３１４ｍ／ｍｉｎ）であり、研磨液を加工点となるガラス基板１の外周端面１ａと第３砥石５との接触点に吐出させている。ガラス基板１は、回転数１２０ｒ．ｐ．ｍで第３砥石５と対向する形で、０．００１ｍｍ／ｓｅｃ．の切込み速度で、外径取代φ１．５μｍを除去する研磨機構となっている。加工時間は、８ｓｅｃとなった。鏡面加工後の面粗さＲｙ０．２μｍ、Ｒａ０．０１８μｍであった。
【００３６】
（比較例）
上記実施例の（３）端面研削工程及び端面研磨工程において、外接型外径研削砥石を用いて、ガラス基板の外周端面の端面研削及び端面研磨加工を行った。形状加工用砥石として、粒径９０〜１００ｎｍの砥粒ＳＤ＃３２５を有するダイヤモンド砥粒を、電着ボンドで固めた砥石を用いた。寸法加工用砥石として、粒径６０〜７０ｎｍの砥粒ＳＤ＃５００を有するダイヤモンド砥粒を、電着ボンドで固めた砥石を用いた。また、鏡面加工用には、ブラシとセリアスラリーを用いた。それ以外は、実施例と同様に行った。
【００３７】
（ガラス基板の外周端面測定）
実施例、比較例で得られたそれぞれのガラス基板について、原子間力顕微鏡を用いて２μｍ×２μｍ角で２５６×２５６ピクセルの解像度で測定して外周端面の表面粗さ（算術平均粗さ（Ｒａ））を求めた。また、マイクロメーターを用いて寸法精度、１つの基板を加工するのにかかる加工処理時間及び目的粗さまでに要する時間を求めた。結果を表１に示す。
【００３８】
【表１】
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【００３９】
表１より、外接型外径研削砥石を用いて端面研削及び端面研磨加工を行った場合（比較例）では、外周端面ガラス基板の外周端面の粗さが大きくなることが確認された。また、１つの基板の加工処理時間も長く、目的粗さまで要する時間が長くなることが確認された。一方、内接型外径研削砥石を用いて端面研削及び端面研磨加工を行った場合（実施例）では、ガラス基板の外周端面の粗さを大きくすることなく、１つの基板の加工処理時間を短くし、目的粗さまで要する時間を短くすることができた。
【００４０】
（４）第２ラッピング工程
次に、得られたガラス基板の両主表面について、第１ラッピング工程と同様に、第２ラッピング工程を行った。この第２ラッピング工程を行うことにより、前工程である切り出し工程や端面研磨工程において主表面に形成された微細な凹凸形状を予め除去しておくことができ、後続の主表面に対する研磨工程を短時間で完了させることができる。
【００４１】
第２ラッピング工程では、砥粒の粒度として＃１０００を選択し、主表面の平坦度を３μｍ、表面粗さＲｍａｘが２μｍ程度、算術平均粗さＲａを０．２μｍ程度とした（Ｒｍａｘ及びＲａは日本工業規格（ＪＩＳ）Ｂ０６０１に従う）。なお、Ｒｍａｘ及びＲａは触針式粗さ計であるミツトヨ製  微細輪郭形状測定器  ＳＶ−６２４にて測定した。平坦度は平坦度測定装置で測定したものであり、基板表面の最も高い部分と、最も低い部分との上下方向（基板表面に対して垂直方向）の距離（高低差）である。
【００４２】
（５）主表面の第１研磨工程
主表面の研磨工程として、まず第１研磨工程を施した。この第１研磨工程は次工程である第２研磨工程（鏡面研磨工程）に先立って予め主表面を研磨し、前述のラッピング工程において主表面に残留したキズや歪みを除去することを主たる目的とする。
【００４３】
この第１研磨工程においては、一度に１００枚から２００枚のガラス基板を研磨可能な両面研磨装置によって研磨した。この両面研磨装置は、多数枚のガラス基板を研磨布を介して上方定盤及び下方定盤によって挟持し、遊星歯車機構によって相対的に移動させることにより研磨を行う。第１研磨工程における研磨布としては、硬質樹脂ポリッシャを用いた。研磨剤としては酸化セリウム砥粒を用い、粒径の最大値が３．５μｍ、平均値が１．１μｍ、Ｄ５０値が１．１μｍのものを水に混入させて用いた。この第１研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。
【００４４】
（６）化学強化工程
次に、前述のラッピング工程及び第１研磨工程を終えたガラス基板に、化学強化を施した。化学強化は、硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）とを混合した化学強化溶液を用意し、この化学強化溶液を３７５℃に加熱しておくと共に、洗浄済みのガラス基板を３００℃に予熱し、化学強化溶液中に約３時間浸漬することによって行った。この浸漬の際には、ガラス基板の表面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保持されるように、ホルダに収納した状態で行った。
【００４５】
このように、化学強化溶液に浸漬処理することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化溶液中のナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。ガラス基板の表層に形成された圧縮応力層の厚さは、約１００μｍから２００μｍであった。
【００４６】
化学強化処理を終えたガラス基板を、２０℃の水槽に浸漬して急冷し、約１０分間維持した。そして、急冷を終えたガラス基板を、約４０℃に加熱した濃硫酸に浸漬して洗浄を行った。さらに、硫酸洗浄を終えたガラス基板を、純水、ＩＰＡの各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。
【００４７】
（７）主表面の第２研磨工程
次に、主表面の研磨工程として、第２研磨工程を施した。この第２研磨工程は、主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする。この第２研磨工程においては、第１研磨工程と同様の両面研磨装置により、研磨布として軟質発泡樹脂ポリッシャ（発泡ウレタン）を用いて、主表面の鏡面研磨を行った。研磨材としては、粒径３０ｎｍのコロイド状シリカ砥粒を準備し、水と全解離性の無機酸として硫酸を用いて研磨液とした。研磨液中のシリカの含有量は、５〜４０重量％とすることが好ましい。本実施例では１０重量％とした。研磨液中の残部は超純水である。
【００４８】
（８）鏡面研磨処理後の洗浄工程
第２研磨工程を終えたガラス基板を、濃度３〜５ｗｔ％のＮａＯＨ水溶液である洗浄液に浸漬してアルカリ洗浄を行った。なお、洗浄は超音波を印加して行った。さらに、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、超音波を印加して洗浄した。
【００４９】
（９）磁気ディスク用ガラス基板の検査工程
以上のように製造された磁気ディスク用ガラス基板の検査を行った。ガラス基板表面の粗さをＡＦＭで測定した。その結果、ガラス基板の表面は清浄な鏡面状態であった。表面には、磁気ヘッドの浮上を妨げる異物や、サーマルアスペリティ障害の原因となる異物は存在しなかった。すなわち、平坦かつ平滑な高剛性の磁気ディスク用ガラス基板を得た。
【００５０】
また、外径端面プロセスの統一により、実際に２．５インチ基板の外径端面加工に適応した結果として、以下の効果を確認することができた。すなわち、装置導入コストは２．５％の削減となり、副資材コストは１５％の削減となり、固定費用（人員・管理費用）は６０％の削減となった。また、加工タクトは、従来の７７ｓｅｃから６４ｓｅｃに短縮された。さらに、外径寸法精度は、従来の狙い値±２０μｍから±１２μｍに向上した。外径端面研磨後の同芯度は、従来のＭａｘ≦１０μｍからＭａｘ≦５μｍに向上した。外径端面品位は良好であった。
【００５１】
以上のように製造された磁気ディスク用のガラス基板を用いて垂直磁気記録方式の磁気ディスクを製造した。
【００５２】
（１０）磁気ディスクの製造工程
上述した工程を経て得られたガラス基板の表面に、Ｃｒ合金からなる付着層、ＣｏＴａＺｒ基合金からなる軟磁性層、Ｒｕからなる下地層、ＣｏＣｒＰｔ基合金からなる垂直磁気記録層、水素化炭素からなる保護層、パーフルオロポリエテールからなる潤滑層を順次成膜することにより、垂直磁気ディスクを製造した。なお、本構成は垂直磁気ディスクの構成の一例であり、面内磁気ディスクとして磁性層等を構成してもよい。
【００５３】
（１１）磁気ディスクの検査工程
以上のように製造された磁気ディスクの検査を行った。浮上量が１０ｎｍである検査用ヘッドを用いて磁気ディスク上を浮上走行させるヘッドクラッシュ試験を行ったところ、ガラス基板からなる磁気ディスクにおいても、磁気ヘッドが異物等に接触することがなく、クラッシュ障害は生じなかった。
【００５４】
次に、ガラス基板からなる磁気ディスクに対し、浮上量が８ｎｍであって、再生素子部が磁気抵抗効果素子、記録素子部が単磁極型素子を用いて、垂直記録方式による記録再生試験を行ったところ、正常に情報が記録・再生されることを確認した。再生信号にサーマルアスペリティ信号が検出されることも無かった。１平方インチ当たり１００ギガビットで記録再生を行うことができた。
【００５５】
次に、ガラス基板からなる磁気ディスクに対し、グライドハイト試験を行った。この試験は、検査用ヘッドの浮上量を次第に低下させた場合に、どの浮上量で検査用ヘッドと磁気ディスクとの接触が生じるかを確認する試験である。その結果、本磁気ディスクでは、磁気ディスクの内縁部分から外縁部分に渡って、浮上量が４ｎｍであっても接触が生じなかった。磁気ディスクの外縁部分において、グライドハイトは３．７ｎｍであった。
【００５６】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、適宜変更して実施することができる。例えば、上記実施の形態における材料、サイズ、処理手順、検査方法などは一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において種々変更して実施することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
以上説明したように、本発明は、磁気ディスク用ガラス基板の加工精度をさらに向上させることができるという効果を有し、特に、磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクの製造方法として有用である。
【符号の説明】
【００５８】
１  ガラス基板
１ａ  外周端面
２  砥石
２ａ  円孔
２ｂ  内周面
３  第１砥石
４  第２砥石
５  第３砥石
３１，４１，５１  溝部
３１ａ，４１ａ，５１ａ  垂直面
３１ｂ，３１ｃ，４１ｂ，４１ｃ，５１ｂ，５１ｃ  傾斜面（面取り面）
【図１】
2011216166.tif 000004
【図２】
2011216166.tif 000005