(57)【要約】【課題】製品等の情報を表わす識別情報がパッケージに対して正確且つ容易に捺印できる製造方法及び当該識別情報がパッケージに対してずれがなく捺印された半導体装置を提供する。【解決手段】集積回路を備えるとともに接続パッド有する半導体基板の上に絶縁膜を形成する工程と、接続パッドに電気的に接続され、絶縁膜の上において所望の配線パターンを有する接続配線を形成する工程と、接続配線を部分的に覆う表面樹脂層を形成する工程と、露出した接続配線を覆う金属膜と、表面樹脂層の上の半導体基板の中央部に対応する領域に識別情報を表す貫通孔を有する表示部と、を同一工程により形成する工程と、を有する。【選択図】図１
2011040655.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を備えるとともに接続パッド有する半導体基板の上に前記接続パッドを露出する第１のコンタクトホールを有する絶縁膜を形成する工程と、
前記第１のコンタクトホールを充填しつつ前記接続パッドに電気的に接続され、前記絶縁膜の上において所望の配線パターンを有する接続配線を形成する工程と、
前記接続配線を覆い且つ前記半導体基板の外周部に対応する領域において前記接続配線の表面の一部を露出する第２のコンタクトホールを有する表面樹脂層を形成する工程と、
前記第２のコンタクトホールの少なくとも底面を覆う金属膜と、前記表面樹脂層の上の前記半導体基板の中央部に対応する領域に識別情報を表す貫通孔を有する表示部と、を同一工程により形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記金属膜及び前記表示部を形成する工程は、前記金属膜及び前記表示部を構成し且つ前記金属膜と同一材料からなる第１表示膜を同時に形成することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記金属膜及び前記表示部を形成する工程の後に前記金属膜の上に外部接続端子を形成する工程を更に有し、
前記金属膜及び前記表示部を形成する工程は、前記金属膜及び前記第１表示膜を形成後に、前記外部接続端子と同一材料からなる保護膜及び第２表示膜を前記金属膜及び前記第１表示膜のそれぞれの上に同時に形成することを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記金属膜、前記第１表示膜、前記第２表示膜及び前記保護膜をフォトリソグラフィにより形成することを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記金属膜及び前記保護膜を第１の印刷マスクを用い、前記第１表示膜及び前記第２表示膜を第２の印刷マスクを用いて形成することを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項６】
前記識別情報は、製造会社、製品種類、製品名、ロット番号、製品の型式、製品のサイズ、製造地の少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１に記載の製造方法。
【請求項７】
集積回路が形成された半導体基板と、
前記半導体基板の上に形成された接続パッド及び前記接続パッドを露出する第１のコンタクトホールを有する絶縁膜と、
前記第１のコンタクトホールを充填しつつ前記接続パッドに電気的に接続され、前記絶縁膜の上において所望の配線パターンを有する接続配線と、
前記接続配線を覆い且つ前記半導体基板の外周部に対応する領域に前記接続配線の表面の一部を露出する第２のコンタクトホールを有する表面樹脂層と、
前記第２のコンタクトホールの少なくとも底面を覆う金属膜と、
前記金属膜の上に形成された外部接続端子と、
前記表面樹脂層の上であって前記金属膜及び前記外部接続端子に囲まれた領域に形成された表示部と、を有し、
前記表示部は、識別情報を表わす貫通孔を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記表示部は、前記金属膜と同一材料からなる薄膜を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記表示部は、２層構造であって、前記外部接続端子と同一材料からなる薄膜を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記金属膜は、前記接続配線及び前記外部接続端子を構成する金属元素の熱拡散を防止することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記識別情報は、製造会社、製品種類、製品名、ロット番号、製品の型式、製品のサイズ、製造地の少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び当該方法により製造される半導体装置に関し、特に、ＣＳＰ（Chip Scale Package又はChip Size Package）と称される半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年において、携帯電話、モバイルコンピュータ、パーソナル携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）、家庭用ビデオカメラ及びデジタルカメラ等の電子機器及び当該電子機器の周辺部品に対する小型軽量化が飛躍的に進んでいる。このような市場動向に伴い、電子機器に用いられる半導体チップには、小型化、薄肉化、軽量化及び微細配線基板への高密度実装の要求が強くなっている。このような要求に対応するために、チップサイズと同等かあるいはわずかに大きいパッケージサイズの半導体装置、いわゆるＣＳＰ（Chip Scale Package又はChip Size Package）の開発が注目されている。
【０００３】
かかるＣＳＰの利点としては、チップサイズに近い超小型・薄型であること以外にも、プリント基板への実装に従来から知られている表面マウント技術が使用できることがある。また、ＣＳＰの他の利点としては、直接的に半導体チップをプリント基板に実装するベアチップ実装と比較すると、パッケージ構造として半導体チップが実装されるので、高品質の実装を保証することができることもある。
【０００４】
例えば、ＣＳＰ及びその製造方法の具体例は、特許文献１及び特許文献２に記載されている。特許文献１及び特許文献２には半導体基板上に積層された絶縁膜及び配線の上に複数の突起電極が形成され、複数の突起電極の周囲に導電体層が形成されている。導電体層を設けることにより、回路素子形成領域内で発生する電磁ノイズの外部への漏れを防止し、外部からの電磁ノイズの影響及び光学的なノイズの影響を低減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１５６２０９
【特許文献２】特開２００４−２４１６９６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来のＣＳＰにおいて、個片化されたパッケージの製品名、ロット番号及び会社名等の必要な情報は、パッケージ裏面（すなわち半導体基板面）にレーザー捺印又はインク捺印により記載されていたため、パッケージの縮小に伴って印字ドットが追従しなくなり、本来必要となる製品情報を記載できない場合があった。また、パッケージ表面（突起電極形成面）で位置合せが困難になり、裏面に捺印する際に捺印ずれが生じる問題もあった。更に、突起電極形成後に製品情報表示のみのために捺印工程を行うため、製造時間の短縮及びコスト低減を図ることが困難であった。
【０００７】
本発明は、以上の如き事情に鑑みてなされたものであり、製品等の情報を表わす識別情報がパッケージに対して正確且つ容易に捺印できる製造方法及び当該識別情報がパッケージに対してずれがなく捺印された半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、集積回路を備えるとともに接続パッド有する半導体基板の上に接続パッドを露出する第１のコンタクトホールを有する絶縁膜を形成する工程と、第１のコンタクトホールを充填しつつ接続パッドに電気的に接続され、絶縁膜の上において所望の配線パターンを有する接続配線を形成する工程と、接続配線を覆い且つ半導体基板の外周部に対応する領域において接続配線の表面の一部を露出する第２のコンタクトホールを有する表面樹脂層を形成する工程と、第２のコンタクトホールの少なくとも底面を覆う金属膜と、表面樹脂層の上の半導体基板の中央部に対応する領域に識別情報を表す貫通孔を有する表示部と、を同一工程により形成する工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
また、上述した課題を解決するために、本発明の半導体装置は、集積回路が形成された半導体基板と、半導体基板の上に形成された接続パッド及び接続パッドを露出する第１のコンタクトホールを有する絶縁膜と、第１のコンタクトホールを充填しつつ接続パッドに電気的に接続され、絶縁膜の上において所望の配線パターンを有する接続配線と、接続配線を覆い且つ半導体基板の外周部に対応する領域に接続配線の表面の一部を露出する第２のコンタクトホールを有する表面樹脂層と、第２のコンタクトホールの少なくとも底面を覆う金属膜と、金属膜の上に形成された外部接続端子と、表面樹脂層の上であって金属膜及び外部接続端子に囲まれた領域に形成された表示部と、を有し、表示部は、識別情報を表わす貫通孔を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
上述したように、本発明においては、半導体基板に製品情報を表示することなく、接続配線と外部接続端子とを電気的に接続する金属膜の形成と同一工程において表示部を形成することができる。これによって、製品等の情報を表わす識別情報がパッケージに対して正確且つ容易に捺印することができ、更には捺印のみを行う工程を削除することができるため、製造時間の短縮及び製品コストの削減を図ることができる。
【００１１】
また、上述したような本発明の構造により、半導体装置は表示部によって製品情報を示すことができ、且つ、表示部を製品中央に設けることによって外部からの電気的ノイズ、光学的ノイズ、機外的衝撃の耐性面において優れている。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施例である半導体装置の平面図である。
【図２】本発明の実施例である半導体装置の部分拡大断面図である。
【図３】本発明の実施例である半導体装置の製造方法の各工程における部分拡大断面図である。
【図４】本発明の実施例である半導体装置の製造方法の各工程における部分拡大断面図である。
【図５】本発明の実施例である半導体装置の製造方法の各工程における部分拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施例について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【実施例】
【００１４】
図１及び２を参照しつつ、本発明の半導体装置の構造について詳細に説明する。図１は本実施例の半導体装置の平面図であり、図２は図１の２−２破線における部分拡大断面図である。
【００１５】
図１及び図２に示されているように、半導体装置１０は、半導体基板１１、パッシベーション膜１２、接続パッド１３、層間絶縁膜１４、接続配線１５、表面樹脂膜１６、熱拡散防止膜１７、外部接続端子１８及び表示部１９から構成されている。表示部１９は、第１表示膜１９ａ及び第２表示膜１９ｂから構成されている。
【００１６】
図１に示されているように、半導体装置１０の外形は正方形であり、表面樹脂膜１６の上であってその外周部に複数の外部接続端子１８が配置されている。また、表面樹脂膜１６の中央部には第２表示膜１９ｂが配置されており、第２表示膜１９ｂは外部接続端子１８に囲まれている。
【００１７】
第２表示膜１９ｂの略中央部には「ＯＫＩ  Ｗ−ＣＳＰ  ＭＬ＊＊＊  ＬＯＴ  Ｎｏ．＊＊＊」と表示されている。かかる表示内容は、半導体装置の製造会社、製品種類、製品名、ロット番号等の識別情報（製品情報）である。また、表示方法としては、第２表示膜１９ｂに所望の形状の貫通孔が形成されており、かかる貫通孔の平面形状によって上記識別情報が表示されている。すなわち、図１の第２表示膜１９ｂに示された文字部分が貫通孔となっている。なお、識別情報は、上述したものに限られず、型式、サイズ、製造地等を表示しても良い。また、識別情報は、文字、数字又は記号のみよって表わされる場合に限られず、２次元バーコードによって表されても良い。
【００１８】
また、図示されていないが、第１表示膜１９ａにも第２表示膜１９ｂに形成された貫通孔に連通する貫通孔が形成されている。従って、表示部１９に識別情報を表示するための貫通孔が設けられている。
【００１９】
次に、図２を参照しつつ、半導体装置１０の構成部材の説明をする。半導体基板１１はシリコンからなる基板であり、その表面及び内部にはドレイン領域、ドレイン電極、ソース領域、ソース電極、ゲート絶縁膜、ゲート電極、素子分離領域及びこれらを覆う絶縁膜からなる集積回路（図示せず）が形成されている。
【００２０】
半導体基板１１の上には、パッシベーション膜１２が形成されている。パッシベーション膜１２は、ピンセットの機械的損傷、化学的薬品の化学的損傷及び静電破壊の電気的損傷から半導体基板１１に形成されている集積回路を保護する役割がある。パッシベーション膜１２は、ＳｉＯ２、ＰＳＧ（Phospho-Silicate-Glass）又はＳｉ３Ｎ４等の絶縁材料から形成された絶縁膜である。
【００２１】
パッシベーション膜１２の所定の位置には開口が設けられており、かかる開口を充填するようにアルミパッド１３が形成されている。接続パッド１３は、上述した集積回路を構成する各素子領域又は各電極に接続されている。例えば、接続パッド１３は、アルミニウム、銅が添加されたアルミニウム又はタングステン等の導電体から形成されている。
【００２２】
パッシベーション膜１２の表面全体及び接続パッド１３の表面の一部を覆うように層間絶縁膜１４が形成されている。すなわち、層間絶縁膜１４には、接続パッド１３に対応するように第１のコンタクトホールが形成されている。層間絶縁膜１４は、ＳｉＯ２からなる絶縁膜である。
【００２３】
層間絶縁膜１４に形成された第１のコンタクトホールを充填し、且つ、層間絶縁膜１４の表面上に所望の配線パターンを有する接続配線１５が形成されている。接続配線１５は、第１のコンタクトホールを充填しているため、接続パッド１３と電気的に接続し、且つ、接続パッド１３を介して上述した集積回路を構成する各素子領域又は各電極と電気的に接続している。接続配線１５は、銅又はアルミニウムが添加された銅等の導電体から形成されている。
【００２４】
層間絶縁膜１４及び接続配線１５の表面上には表面樹脂膜１６が形成されている。表面樹脂膜１６には、所望の位置に第２のコンタクトホールが設けられており、かかる第２のコンタクトホールから接続配線１５が露出している。表面樹脂膜１６は、ポリイミド樹脂、シリコン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ：benzocyclobutene）又はポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ：polybenzoxazole）等の樹脂から形成されている。
【００２５】
表面樹脂膜１６に設けられた第２のコンタクトホールの底面（すなわち、接続配線１５の露出部分）、第２のコンタクトホールの側面及び表面樹脂膜１６の表面の一部には熱拡散防止膜１７が形成されている。熱拡散防止膜１７は、接続配線１５の材料である銅や外部接続端子１８の材料である錫などの金属元素の熱拡散を防止するために設けられている。熱拡散防止膜１７は、ニッケルから形成されている。また、熱拡散防止膜１７の上には、外部接続端子１８が形成されている。外部接続端子１８は、錫−銀系の合金半田からなる半田ボールである。
【００２６】
表面樹脂膜１６の表面上であって外部接続端子１８に囲まれた領域（表示部形成領域）には、第１表示膜１９ａが形成されている。また、第１表示膜１９ａの表面上には、第２表示膜１９ｂが形成されている。第１表示膜１９ａは熱拡散防止膜１７と同一の材料から形成され、第２表示膜１９ｂは外部接続端子１８と同一の材料から形成されている。すなわち、第１表示膜１９ａはニッケル、第２表示膜１９ｂは錫−銀系の合金から形成されている。上述したように第１表示膜１９ａ及び第２表示膜１９ｂには連通した貫通孔が形成されているため、当該貫通孔から表面樹脂膜１６が露出している。
【００２７】
以上のように、本実施例の半導体装置１０は、半導体基板１１にレーザー捺印又はインク捺印によって識別情報を捺印せずに、外部接続端子１８の形成面側に表示部１９が設けられている。また、表示部１９は導電体からなる２層構造となっている。かかる表示部１９を設けることにより、半導体装置１０は、外部からの電気的ノイズ、光学的ノイズ、機外的衝撃の耐性面において優れている。
【００２８】
次に、図３乃至図５を参照しつつ、本実施例の製造方法について詳細に説明する。
【００２９】
先ず、表面がパッシベーション膜１２及び接続パッド１３で覆われた半導体基板１１が準備される（図３（ａ））。ここで、半導体基板１１はシリコンからなる基板であり、半導体基板１１の内部及び表面にはドレイン領域、ドレイン電極、ソース領域、ソース電極、ゲート絶縁膜、ゲート電極、素子分離領域及びこれらを覆う絶縁膜からなる集積回路が形成されている。より具体的には、準備された半導体基板に周知の集積回路形成技術によって集積回路が形成される。その後に、スパッタ法を用いたアルミニウム又は銅が添加されたアルミニウムの堆積により、集積回路を形成する各領域及び各電極に電気的に接続された接続パッド１３が形成される。更に、半導体基板１１の表面上であって接続パッド１３が形成されていない領域に、化学気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法によってパッシベーション膜１２が形成される。
【００３０】
次に、パッシベーション膜１２及び接続パッド１３の表面上に、接続パット１３を露出する第１のコンタクトホール３１を有する層間絶縁膜１４が形成される（図３（ｂ））。より具体的には、ＣＶＤ法によってパッシベーション膜１２及び接続パッド１３の表面全体を覆うようにＳｉＯ２からなる薄膜が形成される。続いて、形成された当該薄膜の上にレジストが塗布される。フォトリソグラフィによって接続パッド１３の上のみにレジストが残るように、当該レジストに所望のパターニングが施される。更に、パターニングされたレジストをマスクとしてドライエッチングが施され、薄膜に第１のコンタクトホール３１が形成される。これにより、接続パッド１３の一部を露出する第１のコンタクトホール３１を有する層間絶縁膜１４の形成が完了する。なお、層間絶縁膜１４の形成完了後に当該レジストは除去される。
【００３１】
次に、層間絶縁膜１４を覆うようにレジスト３２が塗布される。続いて、フォトリソグラフィによってレジスト３２に所望のパターニングが施される（図３（ｃ））。更に、パターニングされたレジスト３２をマスクとし、スパッタ法によって銅又はアルミニウムが添加された銅等の金属を堆積させる。これにより第１のコンタクトホール３１を充填し且つ層間絶縁膜１４の表面を覆う接続配線１５の形成が完了する（図３（ｄ））。その後、レジスト３２が除去される。
【００３２】
次に、接続配線１５を覆うように、ポリイミド樹脂、シリコン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ：benzocyclobutene）又はポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ：polybenzoxazole）等の樹脂が塗布される。更に、接続配線１５の一部が露出するように所定の位置に第２のコンタクトホール４１が形成される。ここで、所定の位置とは、接続配線１５の表面上であって半導体基板１１の外周部に対応する位置をいう。これにより、接続配線１５を露出する第２のコンタクトホール４１を有する表面樹脂膜１６の形成が完了する（図４（ａ））。
【００３３】
次に、表面樹脂膜１６を覆うようにレジスト４２が塗布される。続いて、フォトリソグラフィによってレジスト４２に所望のパターニングが施される。これにより、半導体基板１１の中央部の上方に表示部形成領域４３が形成される（図４（ｂ））。図示されていないが、表示部形成領域４３には、図１に示されているような「ＯＫＩ  Ｗ−ＣＳＰ  ＭＬ＊＊＊  ＬＯＴ  Ｎｏ．＊＊＊」を表示するような形状を有するレジスト４２が形成される。
【００３４】
次に、パターニングされたレジスト４２をマスクとし、熱拡散防止効果を有するニッケル等の金属をめっき法によって堆積させる。これにより、第２のコンタクトホールの側面及び底面にニッケルからなる熱拡散防止膜１７が形成され、表示部形成領域４３にニッケルからなる第１表示膜１９ａが形成される（図４（ｃ））。
【００３５】
次に、パターニングされたレジスト４２をマスクとし、ニッケルの自然酸化防止効果を有する錫−銀系の合金をめっき法によって堆積させる。これにより、熱拡散防止膜１７の表面上に酸化防止膜５１が形成され、第１表示膜１９ａの表面上に第２表示膜１９ｂが形成される（図５（ａ））。
【００３６】
なお、第１表示膜１９ａ及び第２表示膜１９ｂは、メッキ法以外にもスパッタ法等の周知の成膜技術を用いることかできる。
【００３７】
次に、レジスト４２が除去される（図５（ｂ））。これにより、第１表示膜１９ａ及び第２表示膜１９ｂを連通する貫通孔が形成され、図１に示されているような「ＯＫＩ  Ｗ−ＣＳＰ  ＭＬ＊＊＊  ＬＯＴ  Ｎｏ．＊＊＊」を表示する表示部１９が完成する。すなわち、第１表示膜１９ａ及び第２表示膜１９ｂを連通する貫通孔の平面形状によって識別情報が示される。表示部１９の完成後に、錫−銀系の合金からなる半田ボールによって外部接続端子１８が形成される（図５（ｃ））。なお、酸化防止膜５１と半田ボールとは同一の金属であるため、外部接続端子１８の形成時に、酸化防止膜５１が半田ボールに溶融し、酸化防止膜５１と半田ボールとで外部接続端子１８が形成される。これらの全ての工程を経ることにより、半導体装置１０が完成する。
【００３８】
以上のような製造方法によれば、接続配線及び外部接続端子を電気的に接続する金属膜と表示部とが同時に形成できるので、製造時間の削減につながる。また、フォトリソ技術を用いて捺印加工を施すため、文字サイズの微細化を容易に測ることができる。これにより、半導体装置の小型化が進んだ場合においても、必要となる全ての識別情報を記載することができる。また、捺印の位置精度もレーザー捺印又はインク捺印よりも大幅に向上させることができる。これにより、高品質で歩留まりが高い半導体装置を提供することができる。
【００３９】
以上のように、本発明の半導体装置の製造方法は、集積回路を備えるとともに接続パッド有する半導体基板の上に接続パッドを露出する第１のコンタクトホールを有する絶縁膜を形成する工程と、第１のコンタクトホールを充填しつつ接続パッドに電気的に接続され、絶縁膜の上において所望の配線パターンを有する接続配線を形成する工程と、接続配線を覆い且つ半導体基板の外周部に対応する領域において接続配線の表面の一部を露出する第２のコンタクトホールを有する表面樹脂層を形成する工程と、第２のコンタクトホールの少なくとも底面を覆う金属膜と、表面樹脂層の上の半導体基板の中央部に対応する領域に識別情報を表す貫通孔を有する表示部と、を同一工程により形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００４０】
上述したように、本発明においては、半導体基板に識別情報を表示することなく、接続配線と外部接続端子とを電気的に接続する金属膜の形成と同一工程において表示部を形成することができる。これによって、必要となる識別情報がパッケージに対して正確且つ容易に捺印することができ、更には捺印のみを行う工程を削除することができるため、製造時間の短縮及び製品コストの削減を図ることができる。
【００４１】
また、本発明の半導体装置は、集積回路が形成された半導体基板と、半導体基板の上に形成された接続パッド及び接続パッドを露出する第１のコンタクトホールを有する絶縁膜と、第１のコンタクトホールを充填しつつ接続パッドに電気的に接続され、絶縁膜の上において所望の配線パターンを有する接続配線と、接続配線を覆い且つ半導体基板の外周部に対応する領域に接続配線の表面の一部を露出する第２のコンタクトホールを有する表面樹脂層と、第２のコンタクトホールの少なくとも底面を覆う金属膜と、金属膜の上に形成された外部接続端子と、表面樹脂層の上であって金属膜及び外部接続端子に囲まれた領域に形成された表示部と、を有している。また、表示部は、識別情報を表わす貫通孔を有している。
【００４２】
上述したような本発明の構造により、半導体装置は表示部によって識別情報を示すことができ、且つ、表示部を製品中央に設けることによって外部からの電気的ノイズ、光学的ノイズ、機外的衝撃の耐性面において優れている。
【００４３】
なお、上述した実施例においては、フォトリソグラフィによって熱拡散防止膜、第１表示膜、第２表示膜及び酸化防止膜を形成したが、かかる形成方法はフォトリソグラフィに限られず、予め端子位置がパターニングされた端子用印刷マスク（第１の印刷マスク）及び識別情報がパターニングされた表示用印刷マスク（第２の印刷マスク）を用いても良い。また、端子位置及び表示部の位置の両方がパターニングされた印刷マスクを用いても良い。更に、接続配線及び熱拡散防止膜の下に下地金属層を形成しても良い。例えば、下地金属層は、チタン−銅からなる合金であっても良い。
【００４４】
また、上述した実施例においては、識別情報が文字、数字及び記号によって示されていたが、これらに代えて２次元バーコードを用いることによって識別情報を直線的に表わすことができ、識別情報を表わす貫通孔を形成するために必要なレジストのパターニングが直線で表現できるため、不良率の低減を図ることが可能になる。
【符号の説明】
【００４５】
１０  半導体装置
１１  半導体基板
１２  パッシベーション膜
１３  接続パッド
１４  層間絶縁膜
１５  接続配線
１６  表面樹脂膜
１７  熱拡散防止膜
１８  外部接続端子
１９  表示部
１９ａ  第１表示膜
１９ｂ  第２表示膜
【図１】
2011040655.tif 000003
【図２】
2011040655.tif 000004
【図３】
2011040655.tif 000005
【図４】
2011040655.tif 000006
【図５】
2011040655.tif 000007