(57)【要約】【課題】白色または中間色の色度の視野角依存性を低減することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】少なくとも一つの自発光素子の、発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ端から遮光膜２２の開口２４までの表示面内方向の離間距離１／２（ＬBM−ＬEL）を、他の自発光素子とは異ならせる。遮光膜２２の遮光に起因する輝度低下を各色で異ならせることにより、各色の視野角特性の差を小さくし、白色または中間色の視野角による色度変化を抑制する。共振器構造の共振器効果あるいは干渉効果などを利用している場合、または、経時変化による輝度バランスの崩れを補うために青色の発光領域１１Ｂの幅を他の色よりも大きくしている場合などに有効である。【選択図】図２
2011040352.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板の一方に設けられると共に複数の開口を有する遮光膜と、
前記一対の基板の他方に設けられ、各々前記開口に対向して発光領域を有すると共に互いに発光色が異なり、かつ少なくとも一つの素子の、前記発光領域端から前記遮光膜の開口までの表示面内方向の離間距離が、他の素子とは異なる、複数の自発光素子と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記発光領域の表示面内垂直方向の寸法は、前記発光領域の表示面内水平方向の寸法よりも大きく、
前記離間距離は、表示面内水平方向の距離である
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記一つの素子は、前記他の素子よりも、前記発光領域の表示面内水平方向の寸法が大きく、かつ前記離間距離が小さい
請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記離間距離が、前記一つの素子内で連続的に変化している
請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記遮光膜の開口に、カラーフィルタを有する
請求項１記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electroluminescence）または無機ＥＬなどの自発光素子を備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子などの自発光素子を用いた表示装置では、一対の基板の一方に自発光素子を設け、他方に遮光性のブラックマトリクスを設けている（例えば、特許文献１参照。）。このような従来のフルカラー表示装置においては、単色の自発光素子の混色によって白色または中間色の表示がなされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−７３２１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような従来の表示装置では、各色の視野角特性が異なるとホワイトバランスが崩れ、白色または中間色に、視野角による色度変化が生じるという問題があった。各色の視野角特性が異なる主な原因としては、光取り出し効率向上のために共振器効果や干渉効果を利用すること、あるいは、経時変化による輝度バランスの崩れを補うために発光領域寸法を各色で異ならせていること、等が挙げられる。
【０００５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、白色または中間色の色度の視野角依存性を低減することが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による表示装置は、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の構成要素を備えたものである。
（Ａ）対向配置された一対の基板
（Ｂ）一対の基板の一方に設けられると共に複数の開口を有する遮光膜
（Ｃ）一対の基板の他方に設けられ、各々開口に対向して発光領域を有すると共に互いに発光色が異なり、かつ少なくとも一つの素子の、発光領域端から遮光膜の開口までの表示面内方向の離間距離が、他の素子とは異なる、複数の自発光素子
【０００７】
本発明の表示装置では、複数の自発光素子の各々から互いに異なる色の単色光が発生し、それら単色光の混色により白色または中間色が表示される。
【０００８】
このとき、複数の自発光素子を斜め方向から見ると、遮光膜によって影となる部分が発生する。この影となる部分が自発光素子の発光領域に重なると、その重なり部分は、発生した光が遮光膜によって遮られる遮光領域となり、遮光領域面積に応じて輝度が低下する。
【０００９】
ここでは、少なくとも一つの自発光素子の、発光領域端から遮光膜の開口までの表示面内方向の離間距離が、他の自発光素子とは異なっているので、その自発光素子では、遮光領域面積の発光領域面積に対する比率が他の自発光素子とは異なり、遮光膜の遮光による輝度低下の程度も異なることになる。このように遮光膜の遮光に起因する輝度低下を各色で異ならせることにより、各色の視野角特性に差がある場合にその差を小さくし、白色または中間色の視野角による色度変化を抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の表示装置では、少なくとも一つの自発光素子の、発光領域端から遮光膜の開口までの表示面内方向の離間距離を、他の自発光素子とは異ならせるようにしたので、各色の視野角特性の差を、遮光膜の遮光によって生じる輝度低下によって緩和し、白色または中間色の色度の視野角依存性を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す平面図である。
【図２】図１に示した表示装置の一つの画素を拡大して表す平面図である。
【図３】図２に示した画素のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。
【図４】計算例１の画素を拡大して表す平面図である。
【図５】図４に示した画素の断面図である。
【図６】図４に示した画素の色度視野角特性を表す図である。
【図７】比較例１の画素を拡大して表す平面図である。
【図８】計算例２の画素を拡大して表す平面図である。
【図９】図８に示した画素の断面図である。
【図１０】図８に示した画素の色度視野角特性を表す図である。
【図１１】比較例２の画素を拡大して表す平面図である。
【図１２】図１に示した表示装置の構成を表す図である。
【図１３】図１２に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図１４】図１２に示した有機ＥＬ素子の構成を表す断面図である。
【図１５】図１２に示した有機ＥＬ素子の他の構成を表す断面図である。
【図１６】変形例１に係る画素を拡大して表す平面図である。
【図１７】図１６の変形例を表す平面図である。
【図１８】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１９】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２０】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２１】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２２】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２３】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．一実施の形態
（１）原理説明（発光領域の幅は全色同じで、青色の離間距離が他の色よりも大きい例）
（２）計算例１（発光領域の幅は全色同じで、青色の離間距離が他の色よりも小さい例）
（３）計算例２（青色の発光領域の幅が他の色よりも大きく、かつ、青色の離間距離が他の色よりも小さい例）
２．変形例１（離間距離が、一つの自発光素子内で連続的に変化している例）
３．適用例
【００１３】
図１は、本発明の一実施の形態に係る表示装置の平面構成の一例を表したものである。この表示装置１は、テレビジョン装置などに用いられるものであり、表示領域１１０に複数の画素１０を例えば行列状（マトリクス状）に配置した構成を有している。各画素１０は、例えば、赤色の単色光を発生する自発光素子１０Ｒと、緑色の単色光を発生する自発光素子１０Ｇと、青色の単色光を発生する自発光素子１０Ｂとを有している。自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば後述する有機ＥＬ素子のほか、無機ＥＬ素子，半導体レーザ，ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などにより構成されている。
【００１４】
図２は、図１に示した一つの画素１０の平面構成を拡大して表したものである。自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、各々発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを有している。隣り合う発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの境界には、ブラックマトリクスとしての遮光膜２２が対向している。
【００１５】
発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂは、例えば、縦長の矩形であり、表示面内垂直方向の寸法（以下、長さという。）が表示面内水平方向の寸法（以下、幅という。）よりも大きい。なお、ここにいう矩形とは、下層のＴＦＴなどの配置によっては幾何学的に完全な矩形に限られず、下層のＴＦＴなどに対応する切欠きなどを有しているが略矩形といえるものも含まれる。また、表示面内とは、図２においては紙面に対して平行な面内をいう。
【００１６】
遮光膜２２は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、クロムと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２ Ｏ３ ）とを交互に積層したものが挙げられる。
【００１７】
図３は、この画素１０の断面構成を表したものである。自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは第１基板１１に配置され、遮光膜２２は第２基板２１に配置されている。第１基板１１および第２基板２１は、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などにより構成されている。第１基板１１と第２基板２１とは、自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂおよび遮光膜２２を内側にして対向配置され、両者の間には必要に応じて樹脂などよりなる中間層３０が設けられている。ここで、第１基板１１および第２基板２１が、「対向配置された一対の基板」の一具体例に対応する。
【００１８】
このように、自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと遮光膜２２とが別々の基板に設けられている理由は、以下の通りである。遮光膜２２を、自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと同じく第１基板１１に形成するには、遮光膜２２の形成プロセスに耐えうる耐熱性や信頼性が自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに要求される。しかしながら、これは現在のところ非常に困難である。そのため、遮光膜２２は、対向する第２基板２１側に設けることがほぼ必須となっている。従って、第１基板１１上の自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと、第２基板２１上の遮光膜２２との間には、中間層３０の厚みに相当する間隔Ｇが生じることになる。
【００１９】
第２基板２１上の遮光膜２２以外の領域（後述する開口２４）には、色純度向上のため、カラーフィルタ２３が設けられている。カラーフィルタ２３は、赤色フィルタ２３Ｒ，緑色フィルタ２３Ｇ，青色フィルタ２３Ｂを有し、これらは発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂに対応して順に配置されている。これら赤色フィルタ２３Ｒ，緑色フィルタ２３Ｇおよび青色フィルタ２３Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。
【００２０】
中間層３０は、例えば、自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを保護する保護層と、貼り合わせのための接着層とを含んでいる（いずれも図３には図示せず、図１４および図１５参照。）。
【００２１】
図２および図３に示したように、遮光膜２２は複数の開口２４を有しており、この開口２４に対向して、各発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂが設けられている。開口２４の長さおよび幅は、通常、発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの長さおよび幅よりも大きい。その理由は、第１基板１１と第２基板２１の貼り合わせの位置ずれによって、発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの一部が遮光膜２２で遮光されて輝度が低下するのを防ぐためである。このため、発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの端と遮光膜２２の開口２４とは離間している。この離間距離、つまり、発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの端から遮光膜２２の開口２４までの表示面内方向の離間距離は、１／２（ＬBM−ＬEL）（ＬBMは開口２４の幅、ＬELは発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの幅をそれぞれ表す。）と表される。なお、表示面内とは、図３においては、紙面に直交する面内をいう。
【００２２】
本実施の形態では、自発光素子１０Ｂの離間距離１／２（ＬBMB−ＬELB）は、他の自発光素子１０Ｒ，１０Ｇの離間距離１／２（ＬBMR−ＬELR），１／２（ＬBMG−ＬELG）とは異なっている。これにより、この表示装置１では、白色または中間色の色度の視野角依存性を低減することが可能となっている。
【００２３】
以下、このことについて、図２および図３を参照して詳細に説明する。
【００２４】
図３に示したように、遮光膜２２を第２基板２１上に配置した場合には、第１基板１１上の自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを斜め方向から見ると、遮光膜２２によって影となる部分が発生する。この影となる部分が発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂに重なると、その重なり部分は、発生した光が遮光膜２２によって遮られる遮光領域となり、この遮光領域の幅ＬSR，ＬSG，ＬSB（以下ＬSと総称する。）に応じて輝度が低下する。すなわち、遮光膜２２の遮光による相対輝度Ｙは、Ｙ＝１−ＬS／ＬELとなる。
【００２５】
ここで、図２に示した例では、発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの幅は全色で等しい一方、青色の発光領域１１Ｂに対向する開口２４の幅ＬBMBが、赤色および緑色の発光領域１１Ｒ，１１Ｇに対向する開口２４の幅ＬBMR，ＬBMGよりも大きい。よって、青色の自発光素子１０Ｂの離間距離１／２（ＬBMB−ＬELB）が、赤色および緑色の自発光素子１０Ｒ，１０Ｇの離間距離１／２（ＬBMR−ＬELR），１／２（ＬBMG−ＬELG）よりも大きい。以上をまとめたものが、数１である。
【００２６】
（数１）
発光領域の幅：ＬELR＝ＬELG＝ＬELB
開口の幅：ＬBMR＝ＬBMG＜ＬBMB
離間距離の大小関係：１／２（ＬBMR−ＬELR）＝１／２（ＬBMG−ＬELG）＜１／２（ＬBMB−ＬELB）
【００２７】
この場合、発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂに遮光膜２２の影が生じ始めた後の遮光領域ＬSR，ＬSG，ＬSBは、赤色，緑色よりも青色で小さくなる。すなわち、遮光領域ＬSR，ＬSG，ＬSBの大小関係は、数２で表される。
【００２８】
（数２）
ＬSR＝ＬSG＞ＬSB
【００２９】
遮光膜２２の遮光による相対輝度Ｙは、Ｙ＝１−ＬS／ＬELであることから、各色の輝度ＹR，ＹG，ＹBの大小関係は、数３のように表され、ある視野角θAIRにおける青色の輝度は相対的に高くなる。従って、図２および図３に示した場合には、白色の色度は、視野角が大きくなると青色方向にずれる。
【００３０】
（数３）
ＹR＝ＹG＜ＹB
【００３１】
ここで、遮光領域ＬSは、以下のように求められる。
【００３２】
スネルの法則より、空気中での視野角をθAIR、中間層３０を構成する樹脂中の視野角をθRESIN、樹脂の屈折率をｎとして、数４が成り立つ。
【００３３】
（数４）
θRESIN＝ａ sin(１／ｎ sinθAIR)
【００３４】
遮光領域ＬSは、数４および以下の数５より、数６で与えられる。
【００３５】
（数５）
ＬS＋１／２（ＬBM−ＬEL）＝ＬRESIN tanθRESIN
（数６）
ＬS＝ ＬRESIN tan（ａ sin（１／ｎ sinθAIR））−１／２(ＬBM−ＬEL)
【００３６】
従って、樹脂厚ＬRESIN、視野角θAIRにおける遮光領域の幅ＬSは、発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの端から遮光膜２２の開口２４までの離間距離１／２（ＬBM−ＬEL）を変化させることにより、色毎に変えることが可能である。
【００３７】
発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの幅ＬELが決まっている場合、開口２４の幅ＬBMを大きくすれば、遮光領域の幅ＬSは小さくなり、逆に開口２４の幅ＬBMを小さくすれば、遮光領域の幅ＬSは大きくなる。遮光膜２２の開口２４の幅ＬBMR，ＬBMG，ＬBMBを変化させることで、各色の遮光領域の幅ＬS、すなわち視野角輝度比を変化させることが可能である。視野角輝度比が変わることにより、各色の混色からなる白色または中間色の視野角による色度変化が生じる。
【００３８】
白色の視野角による色度変化は、色度の変化量そのものが小さい場合、あるいは色度の変化する方向が、色ズレとして視認しにくい黒体放射の軌跡に沿って変化する場合が画質上好ましい。よって、本実施の形態においても、色度変化量および色度の変化方向のどちらか一方または両方が改善できるように、各色の遮光領域の幅ＬS、すなわち離間距離１／２（ＬBM−ＬEL）を決定することが望ましい。
【００３９】
以下、具体的な数値を用いた計算例１および計算例２について説明する。
【００４０】
（計算例１）
図４および図５は、計算例１に係る画素１０の平面構成および断面構成を表したものである。本計算例１では、図４に示したように、発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの幅は全色で等しい一方、青色の発光領域１１Ｂに対向する開口２４の幅ＬBMBが、赤色および緑色の発光領域１１Ｒ，１１Ｇに対向する開口２４の幅ＬBMR，ＬBMGよりも小さい。よって、青色の自発光素子１０Ｂの離間距離１／２（ＬBMB−ＬELB）が、赤色および緑色の自発光素子１０Ｒ，１０Ｇの離間距離１／２（ＬBMR−ＬELR），１／２（ＬBMG−ＬELG）よりも小さい。以上をまとめたものが、数７である。
【００４１】
（数７）
発光領域の幅：ＬELR＝ＬELG＝ＬELB＝６０ｕｍ
開口の幅：ＬBMR＝ＬBMG＝７６ｕｍ、ＬBMB＝７０ｕｍ
赤の離間距離：１／２（ＬBMR−ＬELR）＝８ｕｍ
緑の離間距離：１／２（ＬBMG−ＬELG）＝８ｕｍ
青の離間距離：１／２（ＬBMB−ＬELB）＝５ｕｍ
【００４２】
図６は、本計算例１の色度視野角特性Δｕ'ｖ'の計算結果を表したものである。その
際、第１基板１１および第２基板２１間は厚み２０ｕｍ、屈折率１．５の樹脂よりなる中間層３０で貼り合わせるものとした。
【００４３】
また、比較例１として、図７に示したように、開口２４の幅を全色で同じ（ＬBMR＝ＬBMG＝ＬBMB＝７０ｕｍ）とした場合についても、計算例１と同様にして色度視野角特性Δｕ'ｖ'の計算を行った。その結果を併せて図６に示す。
【００４４】
図６から分かるように、計算例１では、遮光膜２２によって遮光が発生する視野角３０度以降で、視野角０度からの色度変化量Δｕ'ｖ'が比較例１よりも小さくなっており、
色度視野角特性が向上した。
【００４５】
（計算例２）
図８および図９は、計算例２に係る画素１０の平面構成および断面構成を表したものである。本計算例２では、図８に示したように、青色の発光領域１１Ｂの幅ＬELBが、赤色および緑色の発光領域１１Ｒ，１１Ｇの幅ＬELR，ＬELGよりも大きい。また、青色の発光領域１１Ｂに対向する開口２４の幅ＬBMBが、赤色および緑色の発光領域１１Ｒ，１１Ｇに対向する開口２４の幅ＬBMR，ＬBMGよりも小さい。よって、青色の自発光素子１０Ｂの離間距離１／２（ＬBMB−ＬELB）が、赤色および緑色の自発光素子１０Ｒ，１０Ｇの離間距離１／２（ＬBMR−ＬELR），１／２（ＬBMG−ＬELG）よりも小さい。以上をまとめたものが、数８である。
【００４６】
（数８）
発光領域の幅：ＬELR＝ＬELG＝５０ｕｍ、ＬELB＝７４ｕｍ
開口の幅：ＬBMR＝ＬBMG＝６６ｕｍ、ＬBMB＝８４ｕｍ
赤の離間距離：１／２（ＬBMR−ＬELR）＝８ｕｍ
緑の離間距離：１／２（ＬBMG−ＬELG）＝８ｕｍ
青の離間距離：１／２（ＬBMB−ＬELB）＝５ｕｍ
【００４７】
本計算例２で、青色の発光領域１１Ｂの幅ＬELBを、赤色および緑色の発光領域１１Ｒ，１１Ｇの幅ＬELR，ＬELGよりも大きくしている理由は、以下の通りである。有機ＥＬのように、電流によって輝度劣化が生じる自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおいては、自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに流れる電流密度を低減するほど寿命が長くなる。また、発光色によって発光時間に対する輝度低下の程度が異なるので、各色の発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを同一面積とした場合には、時間経過と共に発光色の輝度バランスが崩れ、白色や中間色の色度変化を生じるようになる。
【００４８】
そのため、寿命が短い色（具体的には、青）の発光領域１１Ｂの幅ＬELBを広く取ることで、自発光素子１０Ｂの寿命の向上が実現できる。更に、各色ごとに電流密度などの駆動条件を調整することにより、発光時間に対する輝度低下を全色で同程度に揃え、白色や中間色の経時的な色度変化を抑えることが可能である。
【００４９】
しかしながら、このように発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの寸法を発光色によって異ならせた場合には、遮光膜２２に起因して生じる遮光領域ＬSR，ＬSG，ＬSBの面積の発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの面積に対する比率も、発光色によって異なることになる。そのため、遮光膜２２に起因する各色の輝度低下が不均一となって、ホワイトバランスが崩れ、白色または中間色に視野角による色度変化が生じるおそれがある。
【００５０】
従って、本計算例２では、発光領域１１Ｂの幅が大きい青色の自発光素子１０Ｂの離間距離１／２（ＬBMB−ＬELB）を、赤色および緑色の自発光素子１０Ｒ，１０Ｇの離間距離１／２（ＬBMR−ＬELR），１／２（ＬBMG−ＬELG）よりも小さくするようにしている。これにより、発光時間に対する輝度低下と、遮光膜２２の遮光によって生じる輝度低下との両方を、全色で同程度に揃えることが可能となり、白色または中間色の視野角による色度変化を抑制することが可能となる。
【００５１】
図１０は、本計算例２の色度視野角特性Δｕ'ｖ'の計算結果を表したものである。そ
の際、第１基板１１および第２基板２１間は厚み２０ｕｍ、屈折率１．５の樹脂よりなる中間層３０で貼り合わせるものとした。
【００５２】
また、比較例２として、図１１に示したように、離間距離１／２（ＬBMB−ＬELB）を全色で同じ（５ｕｍ）とした場合についても、計算例２と同様にして色度視野角特性Δｕ'ｖ'の計算を行った。その結果を併せて図１０に示す。
【００５３】
図１０から分かるように、計算例２では、遮光膜２２によって遮光が発生する視野角３０度以降で、視野角０度からの色度変化量Δｕ'ｖ'が比較例２よりも小さくなっており
、色度視野角特性が向上した。
【００５４】
なお、上記の説明および計算例１，２では、表示面内水平方向の離間距離１／２（ＬBM−ＬEL）を発光色によって異ならせた場合について説明したが、表示面内垂直方向の離間距離を発光色によって異ならせるようにしてもよい。更に、表示面内水平方向および垂直方向の両方の離間距離を発光色によって異ならせるようにしてもよい。ただし、図２に示したように、表示面内垂直方向に長い発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを持つ画素１０においては、遮光膜２２の遮光の影響は発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの幅が狭い水平方向で大きく、垂直方向では小さい。そのため、影響の大きい水平方向のみ離間距離を発光色によって異ならせる場合でも十分な効果が得られる。
【００５５】
また、上記の説明および計算例１，２では、青色の発光領域１１Ｂの幅ＬELBまたは離間距離１／２（ＬBMB−ＬELB）を、赤色，緑色の発光領域１１Ｒ，１１Ｇの幅ＬELR，ＬELGまたは離間距離１／２（ＬBMR−ＬELR），１／２（ＬBMG−ＬELG）とは異ならせた場合について説明したが、赤色の発光領域１１Ｒの幅ＬELRまたは離間距離１／２（ＬBMR−ＬELR）を、緑色，青色の発光領域１１Ｇ，１１Ｂの幅ＬELG，ＬELBまたは離間距離１／２（ＬBMG−ＬELG），１／２（ＬBMB−ＬELB）とは異ならせてもよい。また、緑色の発光領域１１Ｇの幅ＬELGまたは離間距離１／２（ＬBMG−ＬELG）を、赤色，青色の発光領域１１Ｒ，１１Ｂの幅ＬELR，ＬELBまたは離間距離１／２（ＬBMR−ＬELR），１／２（ＬBMB−ＬELB）と異ならせることも可能である。ただし、青色の自発光素子１０Ｂは他の色よりも寿命が短いことから、青色の発光領域１１Ｂの幅ＬELBまたは離間距離１／２（ＬBMB−ＬELB）を、赤色，緑色の発光領域１１Ｒ，１１Ｇの幅ＬELR，ＬELGまたは離間距離１／２（ＬBMR−ＬELR），１／２（ＬBMG−ＬELG）とは異ならせることが望ましい。
【００５６】
更に、赤色，緑色，青色の発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの幅ＬELR，ＬELG，ＬELBまたは離間距離１／２（ＬBMR−ＬELR），１／２（ＬBMG−ＬELG），１／２（ＬBMB−ＬELB）をすべて互いに異ならせるようにしてもよい。
【００５７】
図１２は、表示装置１の一例を表すものである。この表示装置１は、自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとして有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬテレビジョン装置などとして用いられるものであり、例えば、表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０を有している。
【００５８】
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が設けられている。図１３は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する下部電極１４の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。すなわち、この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００５９】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００６０】
図１４は自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの断面構成を表したものである。自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、第１基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１、平坦化絶縁膜１３、陽極としての下部電極１４、電極間絶縁膜１５、後述する発光層１６Ｃを含む有機層１６、および陰極としての上部電極１７がこの順に積層された有機ＥＬ素子である。駆動トランジスタＴｒ１は、平坦化絶縁膜１３に設けられた接続孔１３Ａを介して下部電極１４に電気的に接続されている。
【００６１】
このような自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、保護層３１により被覆され、更にこの保護層３１上に接着層３２を間にして第２基板２１が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。保護層３１は、窒化ケイ素（ＳｉＮx ），酸化ケイ素または金属酸化物などにより構成されている。接着層３２は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂により構成されている。なお、保護層３１および接着層３２により、上述した中間層３０が構成されている。
【００６２】
平坦化絶縁膜１３は、画素駆動回路１４０が形成された第１基板１１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔１３Ａが設けられるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化絶縁膜１３の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）などの無機材料が挙げられる。
【００６３】
下部電極１４は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。特に、下部電極１４が陽極として使われる場合には、下部電極１４は正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましい。このような下部電極１４としては、例えば、積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。下部電極１４の表面には、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電膜が設けられていてもよい。なお、アルミニウム（Ａｌ）合金のように、反射率が高くても、表面の酸化皮膜の存在や、仕事関数が大きくないことによる正孔注入障壁が問題となる材料においても、適切な正孔注入層を設けることによって下部電極１４として使用することが可能である。
【００６４】
電極間絶縁膜１５は、下部電極１４と上部電極１７との絶縁性を確保すると共に発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを所望の形状にするためのものであり、例えば感光性樹脂により構成されている。電極間絶縁膜１５は下部電極１４の周囲のみに設けられており、下部電極１４のうち電極間絶縁膜１５から露出した領域が発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂとなっている。なお、有機層１６および上部電極１７は、電極間絶縁膜１５の上にも設けられているが、発光が生じるのは発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂだけである。
【００６５】
有機層１６は、例えば、下部電極１４の側から順に、正孔注入層１６Ａ，正孔輸送層１６Ｂ，発光層１６Ｃ，電子輸送層１６Ｄおよび電子注入層１６Ｅを積層した構成を有する。これらのうち発光層１６Ｃ以外の層は必要に応じて設ければよい。有機層１６は、自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層１６Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層１６Ｂは、発光層１６Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１６Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１６Ｄは、発光層１６Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層１６Ｅは、電子注入効率を高めるためのものである。
【００６６】
自発光素子１０Ｒの正孔注入層１６Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、化１または化２に示したヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。自発光素子１０Ｒの正孔輸送層１６Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。自発光素子１０Ｒの発光層１６Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３ ）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したものにより構成されている。自発光素子１０Ｒの電子輸送層１６Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ により構成されている。自発光素子１０Ｒの電子注入層１６Ｅは、例えば、厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ２ Ｏなどにより構成されている。
【００６７】
【化１】
2011040352.tif 000003
（化１において、Ｒ１〜Ｒ６それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲｍ（ｍ＝１〜６）は環状構造を通じて互いに結合してもよい。また、Ｘ１〜Ｘ６はそれぞれ独立に炭素もしくは窒素原子である。）
【００６８】
具体的には、自発光素子１０Ｒの正孔注入層１６Ａは、化２に示した材料により構成されていることが好ましい。
【００６９】
【化２】
2011040352.tif 000004
【００７０】
自発光素子１０Ｇの正孔注入層１６Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、化１または化２に示したヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。自発光素子１０Ｇの正孔輸送層１６Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。自発光素子１０Ｇの発光層１６Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ にクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を１体積％混合したものにより構成されている。自発光素子１０Ｇの電子輸送層１６Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ により構成されている。自発光素子１０Ｇの電子注入層１６Ｅは、例えば、厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ２ Ｏなどにより構成されている。
【００７１】
自発光素子１０Ｂの正孔注入層１６Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、化１または化２に示したヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。自発光素子１０Ｂの正孔輸送層１６Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。自発光素子１０Ｂの発光層１６Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、スピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）により構成されている。自発光素子１０Ｂの電子輸送層１６Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ により構成されている。自発光素子１０Ｇの電子注入層１６Ｅは、例えば、厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ２ Ｏなどにより構成されている。
【００７２】
上部電極１７は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ）またはナトリウム（Ｎａ）の合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるマグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、上部電極１７の材料は、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）でもよい。
【００７３】
上部電極１７は、また、半透過性反射層としての機能を兼ねている。すなわち、自発光素子１０Ｒは共振器構造ＭＣ１を有し、この共振器構造ＭＣ１により発光層１６Ｃで発生した光を下部電極１４と上部電極１７との間で共振させるようになっている。この共振器構造ＭＣ１は、下部電極１４と有機層１６との界面を反射面Ｐ１、中間層１８と電子注入層１６Ｅとの界面を半透過反射面Ｐ２とし、有機層１６を共振部として、発光層１６Ｃで発生した光を共振させて半透過反射面Ｐ２の側から取り出すものである。このように共振器構造ＭＣ１を有するようにすれば、発光層１６Ｃで発生した光が多重干渉を起こし、半透過反射面Ｐ２の側から取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し、ピーク強度を高めることができる。すなわち、正面方向における光放射強度を高め、発光の色純度を向上させることができる。また、第２基板２１側から入射した外光についても多重干渉により減衰させることができ、カラーフィルタ２３との組合せにより自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける外光の反射率を極めて小さくすることができる。
【００７４】
そのためには、反射面Ｐ１と半透過反射面Ｐ２との間の光学的距離Ｌ１は数９を満たすようにすることが好ましい。
【００７５】
（数９）
（２Ｌ１）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
（式中、Ｌ１は反射面Ｐ１と半透過反射面Ｐ２との間の光学的距離、ｍは次数（０または自然数）、Φは反射面Ｐ１で生じる反射光の位相シフトΦ１ と半透過反射面Ｐ２で生じる反射光の位相シフトΦ２ との和（Φ＝Φ１ ＋Φ２ ）（ｒａｄ）、λは半透過反射面Ｐ２の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長をそれぞれ表す。なお、数９においてＬ１およびλは単位が共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。）
【００７６】
反射面Ｐ１と半透過反射面Ｐ２との間には、取り出し発光強度が極大となる位置（共振面）が存在する。この共振面はｍ＋１箇所あり、ｍ＝１以上の条件においては、最も反射面Ｐ１寄りの共振面に発光面がある場合が最も発光スペクトルの半値幅が広くなるものである。
【００７７】
なお、自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、図１５に示したように、半透過反射面Ｐ２を有さず、発光層１６Ｃで発生した光を反射面Ｐ１において反射させ、この反射光と発光層１６Ｃで発生する光との間で干渉を生じさせるものでもよい。
【００７８】
この場合、発光層１６Ｃは、反射光と発光層１６Ｃで発生した光とが干渉により互いに強め合う位置（干渉位置）を含んでいることが好ましい。また、反射面Ｐ１と干渉位置との間の光学的距離Ｌ１は数１０を満たすようにすることが好ましい。
【００７９】
（数１０）
（２Ｌ１）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
（式中、Ｌ１は反射面Ｐ１と干渉位置との間の光学的距離、ｍは次数（０または自然数）、Φは反射面Ｐ１で生じる反射光の位相シフトΦ（ｒａｄ）、λは発光層１６Ｃで発生した光が上部電極１７側から放出される際のスペクトルのピーク波長をそれぞれ表す。なお、数１においてＬ１およびλは単位が共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。）
【００８０】
このような共振器構造ＭＣ１を有する、または発光層１６Ｃで発生した光と反射面Ｐ１における反射光との干渉を利用する自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、次数ｍが大きくなるほど、輝度や色度の視野角依存性、すなわち正面方向から見た場合と斜め方向から見た場合とでの輝度や色度の変化が大きくなる傾向がある。一般のテレビジョン装置等の用途に有機ＥＬ表示装置を用いることを想定した場合、視野角による輝度低下および色度変化は小さい方が望ましい。
【００８１】
視野角特性のみを考慮するとｍ＝０の条件が理想的である。しかしながら、この条件では有機層１６の厚みが薄くなるので、発光特性への影響や下部電極１４と上部電極１７との短絡発生のおそれが生じる。そのため、例えばｍ＝１の条件を用いることにより、輝度や色度の視野角依存性が大きくなることを回避すると共に、発光特性の低下や短絡発生を抑えるようにしている。例えば下部電極１４がアルミニウム合金、上部電極１７がＭｇ−Ａｇ合金によりそれぞれ構成されている場合、ｍ＝０では青色の自発光素子１０Ｂの有機層１６の厚みは８０ｎｍ程度となるが、ｍ＝１では１９０ｎｍ程度になるので短絡発生が抑えられる。
【００８２】
また、共振器構造ＭＣ１の共振器効果、または干渉効果は、発光色毎に異なる光学条件となるため、視野角特性も発光色毎に異なることが通常である。フルカラー表示装置においては、白色または中間色は単色光の混色で表示させるため、単色の視野角特性が色毎に異なることによってホワイトバランスが崩れ、白色または中間色が視野角による色度変化を生じることとなる。
【００８３】
ここでは、上述したように、自発光素子１０Ｂの離間距離１／２（ＬBMB−ＬELB）は、他の自発光素子１０Ｒ，１０Ｇの離間距離１／２（ＬBMR−ＬELR），１／２（ＬBMG−ＬELG）とは異なっている。従って、遮光膜２２の遮光に起因する輝度低下を各色で異ならせ、共振器構造ＭＣ１の共振器効果、または干渉効果に起因する各色の視野角特性の差を小さくし、白色または中間色の視野角による色度変化を抑制することが可能となる。
【００８４】
この表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００８５】
まず、上述した材料よりなる第１基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成したのち、全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化絶縁膜１３を形成し、露光および現像により平坦化絶縁膜１３を所定の形状にパターニングすると共に接続孔１３Ａを形成し、焼成する。
【００８６】
次いで、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる下部電極１４を形成し、ウェットエッチングにより下部電極１４を選択的に除去して自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに分離する。
【００８７】
続いて、第１基板１１の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により発光領域に対応して開口部を設け、焼成することにより、電極間絶縁膜１５を形成する。
【００８８】
そののち、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる有機層１６の正孔注入層１６Ａ，正孔輸送層１６Ｂ，発光層１６Ｃおよび電子輸送層１６Ｄを形成する。
【００８９】
有機層１６を形成したのち、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる上部電極１７を成膜する。これにより、図１４または図１５に示したような自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００９０】
続いて、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法により、自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護層３１を形成する。
【００９１】
また、例えば、上述した材料よりなる第２基板２１の上に、遮光膜２２の材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより遮光膜２２を形成する。続いて、遮光膜２２と同様にして、赤色フィルタ２３Ｒ、青色フィルタ２３Ｂおよび緑色フィルタ２３Ｇを順次形成する。
【００９２】
そののち、保護層３１の上に、接着層３２を形成し、この接着層３２を間にして第２基板２１を貼り合わせる。以上により、図１２ないし図１５に示した表示装置１が完成する。
【００９３】
この表示装置１では、各画素１０に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、下部電極１４（反射面Ｐ１）と上部電極１７（半透過反射面Ｐ２）との間で多重反射し、または、下部電極１４（反射面Ｐ１）における反射光と発光層１６Ｃで発生した光とが干渉により強め合い、上部電極１７，カラーフィルタ２３および第２基板２１を透過して取り出される。
【００９４】
このように本実施の形態では、少なくとも一の発光色の自発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ、または１０Ｂ）の離間距離１／２（ＬBM−ＬEL）を、他の発光色の自発光素子の離間距離１／２（ＬBM−ＬEL）とは異ならせるようにしたので、各色の視野角特性の差を、遮光膜２２の遮光によって生じる輝度低下によって緩和し、白色または中間色の色度の視野角依存性を低減することが可能となる。特に、共振器構造ＭＣ１を有し、発光層１６Ｃで発生した光を下部電極１４と上部電極１７との間で共振させるようにした場合や、発光層１６Ｃで発生した光と下部電極１４における反射光とを干渉させるようにした場合など、各色の視野角特性が異なる場合に好適である。
【００９５】
また、遮光膜２２を設けることにより、コントラスト比の向上も可能となる。
【００９６】
更に、寿命の短い青色の自発光素子１０Ｂの発光領域１１Ｂの幅を大きくして寿命を向上させるようにした場合には、発光時間に対する輝度低下と、遮光膜２２の遮光によって生じる輝度低下との両方を、全色で同程度に揃えることが可能となり、白色または中間色の視野角による色度変化を抑制することが可能となる。
【００９７】
（変形例１）
図１６および図１７は、変形例１に係る画素１０の平面構成を表したものである。本変形例は、離間距離１／２（ＬBM−ＬEL）を、一つの自発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ、または１０Ｂ）内で連続的に変化させることにより、視野角によって遮光領域ＬSを徐変させ、視野角特性の微調整を可能としたものである。このことを除いては、本変形例１は、上記実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。
【００９８】
なお、上記変形例１，２では、表示面内水平方向の離間距離１／２（ＬBM−ＬEL）を一つの自発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ、または１０Ｂ）内で連続的に変化させた場合について説明したが、表示面内垂直方向の離間距離を一つの自発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ、または１０Ｂ）内で連続的に変化させるようにしてもよい。更に、表示面内水平方向および垂直方向の両方の離間距離を一つの自発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ、または１０Ｂ）内で連続的に変化させるようにしてもよい。ただし、図１６または図１７に示したように、表示面内垂直方向に長い発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを持つ画素１０においては、遮光膜２２の遮光の影響は発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの幅が狭い水平方向で大きく、垂直方向では小さい。そのため、影響の大きい水平方向の離間距離のみを一つの自発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ、または１０Ｂ）内で連続的に変化させる場合でも十分な効果が得られる。
【００９９】
（モジュールおよび適用例）
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【０１００】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図１８に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、第１基板１１の一辺に、第２基板２１および接着層３２から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【０１０１】
（適用例１）
図１９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１０２】
（適用例２）
図２０は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１０３】
（適用例３）
図２１は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１０４】
（適用例４）
図２２は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１０５】
（適用例５）
図２３は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１０６】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【０１０７】
また、上記実施の形態では、自発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【０１０８】
更に、上記実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。加えてまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【符号の説明】
【０１０９】
１…表示装置、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…自発光素子、１１…第１基板、１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ…発光領域、１２…平坦化絶縁膜、１４…下部電極、１５…電極間絶縁膜、１６…有機層、１６Ａ…正孔注入層、１６Ｂ…正孔輸送層、１６Ｃ…発光層、１６Ｄ…電子輸送層、１６Ｅ…電子注入層、１７…上部電極、２１…第２基板、２２…遮光膜、２３…カラーフィルタ、２４…開口部、３１…保護層、３２…接着層、Ｐ１…反射面、Ｐ２…半透過反射面
【図１】
2011040352.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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