(57)【要約】【課題】アンダーバンプメタル形成のための無電解めっき処理の際に、薄型ウェハのハンドリング性を維持しながら、めっき時のウェハの破損を防止すると共にウェハの非めっき面へのめっき付着を防止する。【解決手段】ウェハ裏面のバックグラインディング工程１と、次いで、ウェハの裏面に再剥離型粘着剤を粘着面にもつ粘着フィルムを１枚又は２枚以上積層して貼り付ける工程２と、次いで、粘着フィルムが裏面に貼り付けられたウェハに対して、ウェハ表面にアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を形成するための無電解めっき処理工程３と、次いで、粘着フィルムを剥離する工程４を実施することを含む半導体デバイスの製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ裏面のバックグラインディング工程１と、次いで、ウェハの裏面に再剥離型粘着剤を粘着面にもつ粘着フィルムを１枚又は２枚以上積層して貼り付ける工程２と、次いで、粘着フィルムが裏面に貼り付けられたウェハに対して、ウェハ表面にアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を形成するための無電解めっき処理工程３と、次いで、粘着フィルムを剥離する工程４を実施することを含む半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
工程２では粘着フィルム１枚当たりのヤング率が２〜５ＧＰａである請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
工程２では２枚以上の粘着フィルムを積層して貼り付ける請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
粘着フィルムが紫外線を照射するによって接着力が低下する粘着剤を粘着面にもつ請求項１〜３の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
工程１の後のウェハの厚さが２００μｍ以下である請求項１〜４の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
工程３は複数のウェハをウェハカセットに収納し、このウェハカセットを無電解めっき液に浸漬させて行う請求項１〜５の何れか一項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体デバイスの製造方法に関し、とりわけ薄型の半導体デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、特にモバイル製品向けのＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  Ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）や、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）カード、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグなどの本格導入に伴い、市場では１００μｍ以下のチップ厚みの半導体デバイスが製品として実用化されている。このような最終製品の薄型化の需要と共に、それに用いられる薄ウェハを加工する技術の重要性も高まっている。
【０００３】
半導体デバイスの製造は、一般的に、デバイス基材としてのウェハに電極用のアンダーバンプメタルを形成するためのめっき処理工程、該ウェハを薄型化するバックグラインディング工程、ダイシングを安定して行うために、ダイシングテープ及びリングフレームを準備し、ウェハをダイシングテープでリングフレーム内にマウントする工程（フレームマウンティング工程）、及び、ダイシングテープ及びリングフレームで安定化させたウェハをダイシングにより個別のチップに分断する工程等を備えている。
【０００４】
このような半導体デバイスの製造方法としては、以下のようなものが知られている。
１．製造方法１
従来の製造方法１は以下の（１）〜（７）の順で上述した各工程を行うものである。
（１）ウェハ表面にアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を形成するためのめっき処理工程
（２）ウェハ表面保護フィルム（ＢＧテープ）貼り付け工程
（３）ウェハのバックグラインディング工程（ウェハ裏面の研削による薄型化工程）
（４）フレームマウンティング工程
（５）ウェハ表面保護フィルムの剥離工程
（６）ダイシング工程
（７）チップ分離工程
【０００５】
２．製造方法２
従来の製造方法２は以下の（１）〜（７）の順で上述した各工程を行うものである。
（１）ウェハ表面にアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を形成するためのめっき処理工程
（２）ハーフカットダイシング工程
（３）ウェハ表面保護フィルム（ＢＧテープ）貼り付け工程
（４）ウェハのバックグラインディング工程
（５）フレームマウンティング工程
（６）ウェハ表面保護フィルムの剥離工程
（７）チップ分離工程
【０００６】
３．製造方法３
従来の製造方法３は以下の（１）〜（７）の順で上述した各工程を行うものである。
（１）ハーフカットダイシング工程
（２）ウェハ表面にアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を形成するためのめっき処理工程
（３）ウェハ表面保護フィルム（ＢＧテープ）貼り付け工程
（４）ウェハのバックグラインディング工程
（５）フレームマウンティング工程
（６）ウェハ表面保護フィルムの剥離工程
（７）チップ分離工程
【０００７】
半導体デバイスは、上記のように様々な順序で製造されるが、ウェハ表面に電極用金属（ＵＢＭ）を形成するためのめっき処理工程を行った後にバックグラインディング工程を行い、ウェハの薄型化しているのが一般的である。しかしながら、めっき処理工程を行った後にバックグラインディング工程を行う場合、めっきの膜厚が厚いとめっきの応力も大きくなるためウェハが反ってしまい、その後のバックグラインディング工程に悪影響を与える。このため、ウェハ表面に形成するめっきの膜厚を厚くすることができない。
【０００８】
このような問題に対し、以下のように、バックグラインディング工程をめっき処理工程より前に行う方法が検討されている。
４．製造方法４
従来の製造方法４は以下の（１）〜（８）の順で上述した各工程を行うものである。
（１）ウェハ表面保護フィルム（ＢＧテープ）貼り付け工程
（２）ウェハのバックグラインディング工程
（３）ウェハ表面保護フィルム（ＢＧテープ）の剥離工程
（４）ウェハ表面にアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を形成するためのめっき処理工程
（５）フレームマウンティング工程
（６）ウェハ表面保護フィルムの剥離工程
（７）ダイシング工程
（８）チップ分離工程
【０００９】
しかしながら、上述の製造方法４は、バックグラインディング工程をめっき処理工程より前に行うため、めっきのウェハ裏面への付着及びウェハの損傷という問題が生じる。このため、特許文献１〜３にそれぞれ開示されているように、めっき用治具を使用することでめっきのウェハ裏面への付着防止が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−３３９０７８号公報
【特許文献２】特開２００２−３３９０７９号公報
【特許文献３】特開２００２−３４３８５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特殊なめっき用治具を使用すると、特に薄ウェハの場合、治具の取り付けや取り外し時にウェハの反りが発生しやすくなる。また、特殊なめっき用治具はウェハのハンドリング性を悪化させ、さらに、大きなスペースが必要であるため一度に多くのウェハをめっき処理することが困難であるという問題がある。
【００１２】
そこで、本発明は、バックグラインディング工程をアンダーバンプメタル形成のためのめっき処理工程より前に行うことを含む半導体デバイスの製造方法であって、ウェハの非めっき面へのめっき付着を防止した無電解めっき処理をウェハのハンドリング性を維持しながら実施することのできる方法を提供することを課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、鋭意検討の結果、ウェハに無電解めっきをする際、再剥離型粘着剤を粘着面にもつ粘着フィルムを非めっき面に対して１枚又は複数枚貼り付けることで、非めっき面へのめっき付着が防止でき、しかも、特別な治具にウェハを載置して無電解めっきする必要がなく、粘着フィルムを貼り付けた後のウェハは実質的に粘着フィルムを貼り付ける前のウェハと同等の大きさであるためハンドリング性は高く、汎用のウェハカセットを用いて大量に無電解めっきを行えることを見出した。
【００１４】
以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、ウェハ裏面のバックグラインディング工程１と、次いで、ウェハの裏面に再剥離型粘着剤を粘着面にもつ粘着フィルムを１枚又は２枚以上積層して貼り付ける工程２と、次いで、粘着フィルムが裏面に貼り付けられたウェハに対して、ウェハ表面にアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を形成するための無電解めっき処理工程３と、次いで、粘着フィルムを剥離する工程４を実施することを含む半導体デバイスの製造方法である。
【００１５】
本発明に係る半導体デバイスの製造方法の一実施形態においては、工程２では粘着フィルム１枚当たりのヤング率が２〜５ＧＰａである。
【００１６】
本発明に係る半導体デバイスの製造方法の別の一実施形態においては、工程２では２枚以上の粘着フィルムを積層して貼り付ける。
【００１７】
本発明に係る半導体デバイスの製造方法の更に別の一実施形態においては、粘着フィルムが紫外線を照射することによって接着力が低下する粘着剤を粘着面にもつ。
【００１８】
本発明に係る半導体デバイスの製造方法の更に別の一実施形態においては、工程１の後のウェハの厚さが２００μｍ以下である。
【００１９】
本発明に係る半導体デバイスの製造方法の更に別の一実施形態においては、工程３は複数のウェハをウェハカセットに収納し、このウェハカセットを無電解めっき液に浸漬させて行う。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、アンダーバンプメタル形成のための無電解めっき処理の際にウェハのハンドリング性を犠牲にすることなくウェハの非めっき面へのめっき付着を防止することができる。また、特殊な治具を必要としないので、汎用のウェハカセットを使用するだけで効率よく大量に無電解めっきすることが可能となる。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
＜工程１：ウェハ裏面のバックグラインディング＞
一般には、バックグラインディング工程に入る前に、ウェハ表面保護フィルムをウェハに貼り付ける。このウェハ表面保護フィルムは、バックグラインディング工程において、素子が形成されるウェハ表面を保護し、研削水や研削屑等の浸入によるウェハ表面の汚染を防ぐ。
【００２２】
ウェハは、限定的ではないが、例えば約１００〜７７５μｍの厚みを有する約５０〜３００ｍｍ径の円盤状に形成されており、シリコン、又は、ＧａＡｓ等の化合物半導体を用いて形成されている。ウェハ表面には、この時点で半導体素子の複数個がすでに作り込まれていてもよい。
【００２３】
ウェハ表面保護フィルムは、基材フィルム、及び、基材フィルム上に設けられた粘着剤で構成されている。基材フィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム等が用いられ、その厚さは１５〜１００μｍ程度が好ましい。粘着剤としては、アクリル系、メタクリル系、シリコン系、ポリアミド系、ポリエステル系、ポリウレタン系、及び、ＥＶＡ（エチレンと酢酸ビニルの共重合体）系の樹脂等を用いることができる。
【００２４】
表面保護フィルムをウェハに貼り付けた後、ウェハのバックグラインディング工程を実施する。バックグライディングのための装置は公知の任意の装置を用いることができるが、例えば、ウェハを固定する真空吸着テーブル、ウェハを研削する回転砥石、研削中にウェハ上に研削液（通常は水）を供給する研削液供給部等で構成されている。
【００２５】
表面保護フィルムで表面が保護されたウェハを、その裏面を上にして、バックグラインディング装置の真空吸着テーブル上に設ける。次に、真空吸着テーブルでウェハを吸引固定した状態で、研削液供給部からウェハ上に研削液を供給すると共に、回転砥石によりウェハを所定の厚さとなるまで研削する。また、必要であれば、回転砥石による研削の後、仕上げ用研削を続いて行い、ウェハの研削面を滑らかに仕上げる。以上により、ウェハは、例えば５０〜４００μｍ、より好ましくは５０〜１５０μｍの厚さに薄型化することができる。本発明の効果は特に薄ウェハに対して発揮されることから、本発明に係る方法は２００μｍ以下まで薄型化されたウェハに好適である。更に、１５０μｍ以下、１００μｍ以下の薄型ウェハに対しても、以下に述べるように適切な粘着フィルムを選択することで、好適に使用することができる。
【００２６】
＜工程２：ウェハ裏面への粘着フィルムの貼り付け＞
工程１の後、ウェハの裏面に１枚又は２枚以上積層して貼り付ける。工程１で貼り付けた表面保護フィルムはウェハ裏面への粘着フィルムを貼り付けた後に剥がしてもよいし、ウェハ裏面への粘着フィルムを貼り付ける前に剥がしてもよい。表面保護フィルムの剥離方法は当業者に知られた任意の方法を採用すればよいが、例えば、表面保護フィルムが貼り付けられたウェハの表面を上側にして所定のステージ上に設ける。続いて、ウェハ表面のウェハ表面保護フィルムに剥離用フィルムを貼り付け、剥離用テープと共にウェハ表面保護テープをウェハから引き剥がす。
【００２７】
粘着フィルムは、例えば、基材フィルム、及び、基材フィルム上に設けられた粘着剤で構成される。基材フィルムとしては、めっき液やめっき前処理液が染み込まないものであり、めっきが表面に析出しない材質であることが好ましい。基材フィルムとして使用可能なフィルム、例えば、ポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、ポリイミドフィルム等が用いられ、剛性を確保する観点からＰＥＴフィルムが好ましい。
【００２８】
粘着フィルムは、更には、めっき中の液流等の影響でウェハが破損することを防ぐ支持体として機能する程度に弾性がある材質であるのが好ましい。一方で、粘着フィルムが硬過ぎると捲る事が出来ないため、薄いウェハを割らずに粘着フィルムを剥すことは非常に困難となるので、ある程度撓む材質が必要である。そこで、ヤング率が２〜５ＧＰａの粘着フィルム使用することが好ましい。粘着フィルムを複数枚重ねて貼り付ける場合は、粘着フィルムの剛性にもよるが全体の厚みとしては１００〜１０００μｍが好ましく、１００〜３００μｍがより好ましい。
【００２９】
粘着剤としては、使用中にはめっき液やめっき前処理液がしみ込まない程度以上の粘着性を有していることが好ましく、例えば、アクリル系、シリコーン系、ポリアミド系、ポリエステル系、ポリウレタン系、及び、ＥＶＡ系の樹脂等を用いることができる。中でも、めっき処理後に剥離しやすいように、光または熱などの刺激によって接着力が低下する再剥離型粘着剤であるのが好ましい。そのような粘着剤自体は公知であり、例えば、放射線硬化型粘着剤、紫外線硬化型粘着剤、電子線硬化型粘着剤があり、とりわけアクリル系の紫外線硬化型粘着剤が挙げられる。ウェハを破損することなくテープを剥すためには、紫外線を照射することによって接着力が低下する粘着剤がより好ましい。
【００３０】
＜工程３：無電解めっき＞
次いで、粘着フィルムが裏面に貼り付けられたウェハに対して、ウェハ表面にアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を形成するための無電解めっき処理を行う。無電解めっき処理の方法自体は公知であり、当業者に知られた任意の方法で実施可能であるが以下に好適な実施形態について説明する。
【００３１】
無電解めっき処理を行う際には、まず、ウェハの被めっき面の処理として、清浄化する工程が通常行われる。清浄化工程としては、乾式処理でも湿式処理でもよい。乾式処理の場合には、アッシング処理、ＵＶ処理及びリアクティブイオンエッチング処理等が好ましい。湿式処理の場合には、浸漬法及びスピンコート法のいずれを用いても良いが、浸漬法を用いるほうが一括処理が可能な点でより好ましい。湿式処理としては、水中での超音波洗浄、アルカリまたは酸性脱脂液への浸漬、界面活性剤水溶液への浸漬、ソフトエッチング液への浸漬等が挙げられる。湿式処理としては、市販の酸性脱脂液、アルカリ性脱脂液、ソフトエッチング液による処理が挙げられ、これらを使用すると、当該処理が簡便となる点で好ましい。これらの処理は単独でも組み合わせても良く、ウェハの汚れ具合やパシベーションの種類によって最適な処理方法を選択することが望ましい。
【００３２】
上述の清浄化後、続いて、無電解めっき液からウェハ表面に金属を析出させる際の触媒活性を有する金属化合物を処理することが好ましい。このような金属化合物としては、パラジウム化合物や亜鉛化合物等がある。パラジウム化合物に関しては、触媒効果を示すパラジウムの塩化物、水酸化物、酸化物、硫酸塩、アンモニウム塩などのアンミン錯体などが挙げられる。パラジウム化合物は、水性溶液、あるいは有機溶媒溶液として用いる。有機溶媒としては、例えばメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサンなどやこれらの混合物を使用することができる。パラジウム化合物は、一連の処理の関係上、水溶液として使用するのがより好ましい。また、亜鉛化合物は、ジンケート処理として一般的であり、市販の薬品を使用することができる。
【００３３】
上述の金属化合物の処理後、ウェハを無電解めっき液に浸漬し、無電解めっき処理を行う。無電解めっきを行う際は、生産効率を高めるために、複数のウェハを例えば３点支持型又は４点支持型のウェハカセットに収納し、このウェハカセットを無電解めっき液に浸漬させて行うのが有利である。無電解めっきは置換によるものであってもよく、還元によるものであってもよい。無電解めっき液には、所望のめっきを構成するための金属イオン源が、例えば硫酸化物、塩化物等の形態で含まれている。さらに、無電解めっき液には、ホルムアルデヒド、ヒドラジン、次亜リン酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、アスコルビン酸、グリオキシル酸等の還元剤、酢酸ナトリウム、ＥＤＴＡ、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、グリシン等の錯化剤や析出制御剤等が含まれていてもよい。
無電解めっき液は、ｐＨ調整剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等一般的に用いられているものを用いることができるが、半導体用途でナトリウム、カリウム等のアルカリ金属を避けたい場合には、水酸化テトラメチルアンモニウムを用いるのが好ましい。
上述の工程により、ウェハ表面に無電解めっき処理を行い、ウェハ表面に、例えばＮｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ被膜等を形成することができる。
【００３４】
＜工程４：ダイシング＞
工程３の後、工程３の無電解めっき処理の際に貼り付けた粘着フィルムを剥がす。例えば、粘着フィルムの一端にリムーバー（別の粘着フィルムの切れ端）を貼り付け、リムーバーを持ってウェハ裏面に貼りついている粘着フィルムを捲り、１８０°反対方向に引っ張って剥す。この際、ウェハが割れないように留意する。熱などの刺激によって接着力が低下する粘着剤を使用した粘着フィルムであれば、接着力を低下させた後に剥がすべきである。
【００３５】
次いで、ダイシングを行う。この工程自体は公知であり、当業者に知られた任意の方法を採用すればよいが以下に例示する。吸着部を備えたダイシングテーブル、及び、ダイシングソー等を備えたダイシング装置を準備する。ダイシングソーは、例えばダイヤモンド微粒を貼り付けた極薄の円形刃等で構成されている。なお、ダイシングソーの代わりにレーザを用いてウェハを切断してもよい。
【００３６】
続いて、リングフレームと共にダイシングテープに貼り付けられ、上述のように表面にめっき処理を行ったウェハを、ダイシング装置のダイシングテーブル上に表面を上に向けて載置して、吸着部の真空吸着により固定する。
次に、ダイシングソーにより、リングフレーム内のウェハを、表面側から縦、横に切断し、個別のチップを得る。切断後の個別のチップは、ダイシングテープにより固定されているため、整列した状態を保っている。
【００３７】
ダイシング工程の後は、適宜所定の検査を行った後、チップ分離工程へと移り、分離された各チップを回路基板上の所定の位置にマウントし、各チップと回路基板の金属配線を接続することにより、所望の半導体デバイスを作製していく。
【実施例】
【００３８】
以下、本発明の実施例を示すが、これらは本発明をより良く理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。
【００３９】
（１）粘着フィルムのヤング率は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２７に従って島津製作所製ＡＧ−１００ＫＮＧを用いて引っ張り試験を行って測定した。
（２）めっき被膜厚みは蛍光Ｘ線式膜厚測定器（ＳＩＩ社製ＳＦＴ９５５０）で測定した。
（３）粘着フィルムの厚みはマイクロメーター（ミツトヨ社製２９３−６６６  ＭＤＱ−３０Ｍ）で計測した。
（４）ウェハの厚みはマイクロメーター（ミツトヨ社製２９３−６６６  ＭＤＱ−３０Ｍ）で測定した。
【００４０】
（例１：比較例）
直径１５０ｍｍＳｉウェハの表面にバックグラインディングテープを張り、表１に記載のウェハ厚さになるまでウェハの裏面をバックグラインディングした。次に、バックグラインディングテープを剥がした後、ウェハの裏面全面を覆うようにヤング率約４ＧＰａ、厚さ１００μｍ、刺激によって粘着力の変化しない糊を使用した接着フィルム（フィルム基材はＰＥＴ）を１枚貼り付けた。フィルム貼り付けの際には「バックグラインディングテープ貼り付け専用機」（リンテック製ＲＡＤ−３５００ｍ／１２ＤＢＳ）を用いて、ウェハとフィルム間に気泡や、フィルムのたるみが発生しないようにした。
このようにして研磨面全面に粘着フィルムが貼り付けられた枚葉形態のウェハを作成し、このウェハを複数枚収納できるように設計されたウェハカセットケースをめっき液に浸漬してＮｉ／Ａｕ無電解めっき処理を行った。無電解めっき処理の手順として、アルカリ脱脂→ソフトエッチング→ジンケート処理→無電解Ｎｉめっき（膜厚約１μｍ）→無電解Ａｕめっき（膜厚約０．０７μｍ）の各工程を行った。
このように、各条件で５枚ずつ試験を行い、以下の評価を行った。
【００４１】
（１）フィルム剥がれ
これは、めっき中にフィルムが剥がれなかったときフィルム剥がれが「なし」とした。表１には、フィルム剥がれが「なし」であった割合を記載した。
（２）裏面へのめっき液染みこみ
これは、ウェハとテープの間に染み込みがなかったとき裏面へのめっき染みこみが「なし」とした。表１には、裏面へのめっき染みこみが「なし」であった割合を記載した。
（３）めっき中ウェハ割れ
これは、めっき中にウェハが割れなかったときめっき中ウェハ割れが「なし」とした。表１には、めっき中ウェハ割れが「なし」であった割合を記載した。
（４）めっき後のフィルム剥離
これは、フィルム剥離中にウェハが割れなかったときめっき後のフィルム剥離が「成功」とした。表１には、めっき後のフィルム剥離が「成功」であった割合を記載した。
【００４２】
結果を表１に示す。
【表１】
2011216584.tif 000002
【００４３】
（例２：比較例）
直径１５０ｍｍのＳｉウェハの表面にバックグラインディングテープを張り、表２に記載のウェハ厚さになるまでウェハの裏面をバックグラインディングした。次に、バックグラインディングテープを剥がした。
このウェハを複数枚収納できるように設計されたウェハカセットに収納し、このウェハカセットケースをめっき液に浸漬して例１と同様の無電解めっき処理を行った。このように、各条件で５枚ずつ試験を行い、例１と同様の評価を行った。
【００４４】
結果を表２に示す。
【表２】
2011216584.tif 000003
【００４５】
（例３：実施例）
粘着フィルムとして、ＵＶを照射することにより粘着力の低下する糊を使用した粘着フィルム（リンテック社製ＡＤＷＩＬＬ−Ｄ２１０）を使用したほかは、例１と同様の手順で無電解めっき処理を行い、例１と同様の評価を行った。
【００４６】
結果を表３に示す。
【表３】
2011216584.tif 000004
【００４７】
（例４：実施例）
粘着フィルムとして、ＵＶを照射することにより粘着力の低下する糊を使用した粘着フィルムを使用し、更に、粘着フィルムを２枚積層して使用したほかは、例１と同様の手順で無電解めっき処理を行い、例１と同様の評価を行った。
【００４８】
結果を表４に示す。
【表４】
2011216584.tif 000005
【００４９】
（例５：実施例）
粘着フィルムとして、ＵＶを照射することにより粘着力の低下する糊を使用した粘着フィルム（リンテック社製ＡＤＷＩＬＬ−Ｄ２０３）を使用し、粘着フィルムの厚さを一枚当たり５０μｍとし、粘着フィルムを４枚積層して使用したほかは、例１と同様の手順で無電解めっき処理を行い、例１と同様の評価を行った。
【００５０】
結果を表５に示す。
【表５】
2011216584.tif 000006
【００５１】
（例６：実施例）
粘着フィルムとして、ＵＶを照射することにより粘着力の低下する糊を使用した粘着フィルム（リンテック社製ＡＤＷＩＬＬ−Ｄ２１０）を使用し、粘着フィルムを４枚積層して使用したほかは、例１と同様の手順で無電解めっき処理を行い、例１と同様の評価を行った。
【００５２】
結果を表６に示す。
【表６】
2011216584.tif 000007