(57)【要約】【課題】接合する基板が互いに異なる材料で構成されている場合であっても、生産性を低下させることなく、表面活性化接合を用いて安価に製造することが可能な電子デバイスを提供する。【解決手段】ガラスから成る第１基板１を、その表面に予め形成した薄膜シリコン層２を介して、シリコンから成る第２基板１１に同種材料間の表面活性化接合により接合する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに異なる材料で構成された第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の各接合面の間に介在し、前記第１基板と前記第２基板のいずれか一方と同じ材料で構成された中間層と、
前記第１基板と第２基板とが互いに接合されることで形成された空間内に収納された電子素子とを有し、
前記第１基板と前記第２基板のうち前記中間層とは異なる材料で構成された側の基板と前記中間層とは、表面活性化接合以外の接合方法により接合され、
前記第１基板と第２基板のうち前記中間層と同じ材料で構成された側の基板と前記中間層とは、表面活性化接合により接合されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記第１基板と前記第２基板のうち前記中間層とは異なる材料で構成された側の基板と前記中間層とは、接着層を介して接合されていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記接着層は、シリコン酸化物から成ることを特徴とする請求項５に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記中間層は、前記第１基板と前記第２基板のうち前記中間層とは異なる材料で構成された側の基板の表面に、前記中間層を構成する材料の微粒子を堆積させることで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記第１基板は、ガラスから成ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記第２基板は、シリコンから成ることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記中間層は、シリコンから成ることを特徴とする請求項６に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記第１基板と前記第２基板のうち少なくとも何れか一方の一部が露出した第１の露出領域と、前記シリコン層の一部が露出した第２の露出領域とを備えた、前記電子素子が収納された空間へと連通するスルーホールを有し、該スルーホールは、前記第１の露出領域と前記第２の露出領域に接触するように封止部材により封止されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一つに記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記スルーホールは、前記第１基板と前記第２基板との接合部に存在する前記中間層の一部を除去することで形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
前記中間層は、厚さ方向の一部を残して除去されていることを特徴とする請求項９に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
前記スルーホールは、前記第１基板と前記第２基板のうち少なくともいずれか一方を貫通して形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
前記電子素子は、水晶振動子であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一つに記載の電子デバイス。
【請求項１３】
前記電子素子は、発光素子であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一つに記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、電子素子として水晶振動子やＬＥＤを使用し、それらを２つの基板を互いに接合して成る電子部品パッケージ内に気密封止した電子デバイスが電子機器の分野で広く用いられており、小型化、高信頼性化、高精度化、低コスト化が求められている。近年、それらの点に鑑み、２つの基板を低温で接合することが可能な技術として、表面活性化接合（法）が提案されている。
【０００３】
図１２は、従来の電子デバイスを示す断面図である。図１２に示す電子デバイスは、電子素子に水晶振動子２１を用いた所謂圧電デバイスで、ガラスから成る平板状の第１基板１と、凹部を有するシリコンから成る第２基板１１とが互いに接合されることで形成された気密空間内に水晶振動子２１が実装されている。
【０００４】
第１基板１と第２基板１１を接合する際には、予め第１基板１と第２基板１１の各接合面に金（Ａｕ）から成る金属層４、５をそれぞれ蒸着法等により形成しておき、それら金属層４、５の表面にプラズマを照射することにより表面を活性化させ、活性化した表面同士を適切な温度と圧力を加えながら接触させることで互いに接合させる。この手法は、表面活性化接合と呼ばれ、金属を高温で溶融させるシーム溶接やハーメチックシール法のように過度の加熱を必要としないことから、基板や電子素子への熱の影響を抑えることができる等の利点がある。（例えば、特許文献１参照）
【０００５】
ここで、各接合面の間に金属層４、５を介在させる理由として、表面活性化接合は、その性質上、同じ材料同士を接合するのに適した技術であり、異種材料同士を接合するのには適しておらず、仮に異種材料同士の接合に適用したとしても十分な接合強度が得られない、あるいは接合自体ができないため、接合面同士を同じ材料にする意味で、予め各接合面に同種の金属材料（Ａｕ等）を堆積させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４３４１０７５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、以上説明した従来の電子デバイスのように、接合する基板同士が互いに異なる材料で構成されている場合には、基板同士を表面活性化接合により接合するに当たり、予め各基板の接合面に同一材料から成る金属層を形成する必要があるため、その分、工数が増加して生産性が低下したり、特に金属層にＡｕ等の貴金属材料を用いる場合にはコスト（材料費）が増加したりする等の問題があった。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みなされたもので、接合する基板が互いに異なる材料で構成されている場合であっても、生産性を低下させることなく、表面活性化接合を用いて安価に製造することが可能な電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
互いに異なる材料で構成された第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の各接合面の間に介在し、前記第１基板と前記第２基板のいずれか一方と同じ材料で構成された中間層と、前記第１基板と第２基板とが互いに接合されることで形成された空間内に収納された電子素子とを有し、前記第１基板と前記第２基板のうち前記中間層とは異なる材料で構成された側の基板と前記中間層とは、表面活性化接合以外の接合方法により接合され、前記第１基板と第２基板のうち前記中間層と同じ材料で構成された側の基板と前記中間層とは、表面活性化接合により接合されている電子デバイスとする。
【００１０】
前記第１基板と前記第２基板のうち前記中間層とは異なる材料で構成された側の基板と前記中間層とは、接着層を介して接合されている電子デバイスとされ得る。
【００１１】
前記接着層は、シリコン酸化物から成る電子デバイスとされ得る。
【００１２】
前記中間層は、前記第１基板と前記第２基板のうち前記中間層とは異なる材料で構成された側の基板の表面に、前記中間層を構成する材料の微粒子を堆積させることで形成されている電子デバイスとされ得る。
【００１３】
前記第１基板は、ガラスから成る電子デバイスとされ得る。
【００１４】
前記第２基板は、シリコンから成る電子デバイスとされ得る。
【００１５】
前記中間層は、シリコンから成る電子デバイスとされ得る。
【００１６】
前記第１基板と前記第２基板のうち少なくとも何れか一方の一部が露出した第１の露出領域と、前記シリコン層の一部が露出した第２の露出領域とを備えた、前記電子素子が収納された空間へと連通するスルーホールを有し、該スルーホールは、前記第１の露出領域と前記第２の露出領域に接触するように封止部材により封止されている電子デバイスとされ得る。
【００１７】
前記スルーホールは、前記第１基板と前記第２基板との接合部に存在する前記中間層の一部を除去することで形成されている電子デバイスとされ得る。
【００１８】
前記中間層は、厚さ方向の一部を残して除去されている電子デバイスとされ得る。
【００１９】
前記スルーホールは、前記第１基板と前記第２基板のうち少なくともいずれか一方を貫通して形成されている電子デバイスとされ得る。
【００２０】
前記電子素子は、水晶振動子である電子デバイスとされ得る。
【００２１】
前記電子素子は、発光素子である電子デバイスとされ得る。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、接合する基板が互いに異なる材料で構成されている場合であっても、生産性を低下させることなく、表面活性化接合を用いて安価に製造することが可能な電子デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１の実施形態における電子デバイスを示す（ａ）平面図および（ｂ）断面図
【図２−１】本発明の第１の実施形態における電子デバイスの製造工程を示す断面図
【図２−２】本発明の第１の実施形態における電子デバイスの製造工程を示す断面図
【図３】本発明の第１の実施形態における電子デバイスが集合基板にマトリクス状に形成された状態を示す平面図
【図４】本発明の第２の実施形態における電子デバイスを示す断面図
【図５】本発明の第３の実施形態における電子デバイスを示す断面図
【図６】本発明の第３の実施形態における電子デバイスが集合基板にマトリクス状に形成された状態を示す平面図
【図７】本発明の第４の実施形態における電子デバイスを示す断面図
【図８】本発明の第５の実施形態における電子デバイスを示す（ａ）平面図および（ｂ）、（ｃ）断面図
【図９】本発明の第６の実施形態における電子デバイスを示す断面図
【図１０】本発明の第７の実施形態における電子デバイスを示す断面図
【図１１】本発明の第８の実施形態における電子デバイスの断面図
【図１２】従来の電子デバイスを示す断面図
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００２４】
図１は、本発明の第１の実施形態における電子デバイスを示す（ａ）平面図および（ｂ）断面図である。以下、図1を用いて本発明の第１の実施形態を説明する。
【００２５】
本発明の第１の実施形態は、第１基板と第２基板の２つの基板が互いに接合されることで形成された空間内に水晶振動子が気密封止された所謂圧電デバイスである。
【００２６】
第１基板は、ガラスからなる平板状の基板で、裏面に二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層５２が形成されている（例えば、コーニング社製イーグル２０００）。さらに、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層２の裏面には、単結晶シリコンからなる薄膜シリコン層２が形成されている。二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層２と薄膜シリコン層２は、窓部１９に囲まれた領域が矩形状に開口され、第１基板１の外周に沿って枠状に形成されている。
【００２７】
第２基板１１は、単結晶シリコンからなり、窓部１９に囲まれた領域に所定の深さの凹部１７が設けら、さらにその底部に第２基板１１を貫通する貫通電極１２が設けられている。貫通電極１２の上端部には、内部電極端子１３が設けられ、下端部には、外部電極端子１４が設けられている。凹部１７の底面には、内部電極端子１３と平面的に重ならない位置に、水晶振動子２１を実装するために実装用電極端子２５が設けられており、その上に３２ＫＨｚの水晶振動子２１がエポキシ樹脂等からなる固定部材２５を用いて実装されている。水晶振動子２１には、水晶振動子２１を励振させるための励振電極２４と、励振電極２４を外部へ電気的に接続するための接続用電極２２とが設けられており、接続用電極２２は、金（Ａｕ）からなるワイヤー２３を介して第２基板１１の内部電極端子１３と接続されている。
【００２８】
尚、第２基板１１は、半導体であるシリコンで構成されているため、貫通電極１２、内部電極端子１３、及び内部電極端子１４と第２基板１１との間には絶縁層（不図示）が形成されており、互いに電気的に分離されている。絶縁層としては、第２基板１１の実体酸化膜である二酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜、あるいは酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等が挙げられる。また、絶縁性をより高めるために絶縁層を厚く（例えば、１μｍ以上）する場合には、ポリイミド樹脂等を積層すると良い。
【００２９】
図２−１、図２−１は、本発明の第１の実施形態における電子デバイスの製造工程を示す断面図である。図１に示した電子デバイスを製造する際には、まず、図２−１（ａ）に示すように、単結晶シリコン基板５１の表面（主面片側）を酸素（Ｏ２）と窒素（Ｎ２）の雰囲気中で熱酸化し、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層５２を形成する。
【００３０】
次に、図２−１（ｂ）に示すように、単結晶シリコン基板５１表面の二酸化シリコン層５２に第１基板（ガラス基板）１を接触させて真空中で加圧及び加熱し、二酸化シリコン層５２を接着媒体として単結晶シリコン基板５１に第１基板１を接合する。
【００３１】
次に、図２−１（ｃ）に示すように、イオンインプランテーション法を用いて、単結晶シリコン基板５１の厚さ方向の所定位置に、単結晶シリコン基板５１側から水素イオン（Ｈ＋）をインプラントして単結晶シリコン基板５１のシリコン分子（Ｓｉ）間の結合を切断して結合力を弱め、その領域を境に単結晶シリコン基板５１の一部を剥離して除去し、最後に剥離面を化学機械的研磨法（ＣＭＰ）等を用いて研磨することで、二酸化シリコン層５２の表面に薄膜シリコン層２を形成する。
【００３２】
次に、図２−１（ｄ）に示すように、薄膜シリコン層２と二酸化シリコン層５２の一部を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により除去し、窓部１９に対応する領域を開口させる。尚、窓部１９は必ずしも設ける必要はなく、仮に設けない場合には、この工程は省略可能である。
【００３３】
次に、図２−２（ｅ）に示すように、予め水晶振動子２１が実装された第２基板（シリコン基板）１１を準備した上で、真空中において第１基板１と第２基板１１に対してアルゴン（Ａｒ）ガスプラズマによるプラズマ処理を行い、全体の脱水と脱ガス処理を行うと同時に、接合面１６となる薄膜シリコン層２の表面と第２基板１１の表面を共に活性化させる
【００３４】
次に、図２−２（ｆ）に示すように、アルゴンガスの供給を停止した上で、薄膜シリコン層２の表面と第２基板１１の表面を互いに接触させて加圧することで接合させ（表面活性化接合）、図１に示した電子デバイスを得る。
【００３５】
表面活性化接合によれば、第１基板１と第２基板１１とが強固に接合され、気密性の高い堅牢な密閉空間が得られる。また、表面活性化接合では、高温での加熱を必要としないことから、第１基板１、第２基板１１、水晶振動子２１等が熱により影響を受けることはない。また、従来技術では、第１基板１と第２基板１１とを表面活性化接合により接合するに当たって、予め第１基板１と第２基板１１の各接合面に接合用の中間層（Ａｕ等）を設けていたが、本発明では、第１基板１側の接合面にのみ中間層（薄膜シリコン層２）を設けているため、第２基板１１側の接合面に中間層を設ける分の工数と材料費が削減される。
【００３６】
図３は、本発明の第１の実施形態における電子デバイスが集合基板にマトリクス状に形成された状態を示す平面図である。但し、図３では、第１基板を透かした状態としてある。図１に示した電子デバイスを製造するに当たっては、図３に示すように複数の電子デバイス２９を集合基板６にマトリクス状（ここではＸ軸方向に４個、Ｙ軸方向に５個）に形成してもよく、この場合には、まず、集合基板状態の第１基板１上に薄膜シリコン層２を形成した後、熱処理（アニール処理）により第１基板１の応力の緩和を行い、続いて、接合領域１６以外の薄膜シリコン層２を除去した上で、第１基板１を加圧しながら再度熱処理（アニール処理）を行うことで熱応力の除去と平坦化処理を同時に行い、その後、予め複数の電子デバイス２９がマトリクス状に形成された第２基板１１側の集合基板に第１基板１側の集合基板を表面活性化接合により接合して集合基板６とし、最後に集合基板６をダイシング法等により切断して小片化する。
【００３７】
尚、第１基板１がガラス等の透光性材料で構成されていれば、集合基板６を小片化する際に第１基板１を透して第２基板１１上の認識パターンや電子素子を容易に認識することができるため、集合基板６を精度よく切断することができる。
【実施例２】
【００３８】
図４は、本発明の第２の実施形態における電子デバイスを示す断面図である。本実施例２の特徴は、第１基板１側に凹部１７を形成し、第２基板１１には平坦なシリコン基板を用いた点にある。第１基板１としては、凹部１７を形成することから、例えば、１．０〜１．５ｍｍの厚さのガラス基板が用いられる。その他の基本的構成については、実施例１と同様である。このような構成であっても、第１基板１と第２基板１１とを薄膜シリコン層２を介して表面活性化接合により互いに接合することにより、実施例１と同様の本発明の効果が得られる。
【実施例３】
【００３９】
図５は、本発明の第３の実施形態における電子デバイスを示す断面図で、（ａ）はスルーホールを封止する前の状態、（ｂ）はスルーホールを封止した後の状態を示している。本実施例３の特徴は、第１基板１上の薄膜シリコン層２と二酸化シリコン層５２には、窓部１９が設けられておらず、さらに、第１基板１には、薄膜シリコン層２と二酸化シリコン層５２を共に貫通するスルーホール３７が設けられている点にある。その他の基本構成については、実施例１と同様である。
【００４０】
本発明において、薄膜シリコン層２と二酸化シリコン層５２は、第１基板１と第２基板１１との接合領域にのみ形成されていればよく、それ以外の領域には必ずしも必要ではなく、窓部１９を設けないことで窓部１９の形成工程を省略することができるという利点があり、第１基板１に光を透過させることが求められるような用途では、むしろ不要である。
【００４１】
また、スルーホール３７を設けることで、第１基板１を第２基板１１に接合した後に電子デバイス内部からガスを排出したり、逆に不活性ガスを封入したりすることが可能となる。例えば、図５（ａ）に示すように、第１基板１と第２基板１１とを薄膜シリコン層２を介して表面活性化接合により接合した後、真空中で加熱してスルーホール３７を通して内部からガスや水分を排出した上で、必要に応じてアルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスを充填し、図５（ｂ）に示すように、スルーホール３７に金（Ａｕ）等からなる封止部材３８を充填して封止する。尚、電子素子が水晶振動子２１である場合には、電子デバイス内部を真空雰囲気とするのが一般的である。
【００４２】
図６は、本発明の第３の実施形態における電子デバイスが集合基板にマトリクス状に形成された状態を示す平面図である。図５に示した電子デバイスを製造するに当たっては、図６に示すように複数の電子デバイス３３を集合基板７にマトリクス状（ここではＸ軸方向に４個、Ｙ軸方向に５個）に形成してもよく、この場合には、予め第１基板１側の集合基板に、各電子デバイス３３に対応するスルーホール３７を１つずつ設けておき、第１基板１側の集合基板と第２基板１１側の集合基板とを表面活性化接合により接合した後に、真空加熱雰囲気中にて各スルーホール３７を通して内部からガス等を排出した上で、各スルーホール３７に封止部材３８を加熱圧入して封止し、最後に集合基板７をダイシング法等により切断して小片化する。
【００４３】
また、本実施例３では、スルーホール３７の内面側に第１基板１、薄膜シリコン層２、及び二酸化シリコン層５２の一部が露出しており、スルーホール３７に封止部材３８を充填する際にそれら各部材の露出面に封止部材３８が接触するようにすれば、各露出面の境界においてアンカー効果が生じ、封止部材３８のスルーホール３７に対する接着強度が向上する。但し、封止部材３８は、３つの露出面の全てに接触している必要はなく、２つの露出面に接触しているだけでも同様の効果が得られる。
【実施例４】
【００４４】
図７は、本発明の第４の実施形態における電子デバイスを示す断面図である。本実施例６の特徴は、第２基板１１を構成する平板状の単結晶シリコン基板の一部に、水晶振動子２１に電気信号を印加する半導体素子（ＬＳＩ）７１が一体的に形成されている点にある。その他の基本的構成については、実施例２と同様である。
【００４５】
第２基板１１には、第２基板１１を貫通する貫通電極１２と、貫通電極１２の上端部に配置された内部電極端子１３及び下端部に配置された外部電極端子１４とが設けられており、半導体素子７１と内部電極端子１３とは、金（Ａｕ）からなるワイヤー７５により電気的に接続され、半導体素子７１と水晶振動子子２１の接続電極２２とは、金（Ａｕ）からなるワイヤー７７により電気的に接続されている。
【００４６】
本実施例４のように、第１電極基板１に半導体素子７１を一体的に形成することで、外部に半導体素子を別体として設ける場合に比較して、貫通電極等の削減やそれに伴う気密性の向上、さらに全体の小型化等が期待でき、また、第１基板１と第２基板１１とは表面活性化接合により接合されていることから、熱応力による半導体素子７１へのダメージを低減することができる。
【実施例５】
【００４７】
図８は、本発明の第５の実施形態における電子デバイスを示す（ａ）平面図および（ｂ）、（ｃ）断面図で、（ｂ）はスルーホールを封止する前の状態、（ｃ）はスルーホールを封止した後の状態を示している。である。尚、図８（ａ）では、第１基板を透かした状態としてある。本実施例５の特徴は、第1基板１と第２基板１１との間に介在する薄膜シリコン層２と二酸化シリコン層５２を一部除去することでスルーホール６５が設けられている点、電子素子として振動検出部６０を備えた三叉型のジャイロ水晶振動子５６が用いられている点、第２基板１１上にジャイロ水晶振動子５６を駆動する半導体素子（ＬＳＩ）基板５４が実装されている点にある。その他の基本的構成については、実施例２と同様である。
【００４８】
ＬＳＩ基板５４は、第１基板１に設けられた内部電極端子１３上に半田や金錫（ＡｕＳｎ）合金からなる接続部材６１を介して実装されている。
【００４９】
ジャイロ水晶振動子５６は、保持部材５５上に固定されており、ジャイロ水晶振動子５６上の接続電極２２とＬＳＩ基板５４とは、金（Ａｕ）からなるワイヤー５８や図示しない配線を介して電気的に接続されている。
【００５０】
本実施例５では、第１基板１と第２基板１１とを薄膜シリコン層２を介して表面活性化接合により接合した後、図８（ａ）に示すように、スルーホール６５を通して電子デバイス内部からガスや水分を排出した上で、図８（ｂ）に示すように、スルーホール６５に金（Ａｕ）ボールからなる封止部材３８を充填して封止する。
【００５１】
本実施例５では、スルーホール６５の内面側に第１基板１、薄膜シリコン層２、二酸化シリコン層５２、及び第２基板１１の一部が露出しており、スルーホール６５に封止部材３８を充填する際にそれら各部材の露出面に封止部材３８が接触するようにすれば、各露出面の境界においてアンカー効果が生じ、封止部材３８のスルーホール６５に対する接着強度が向上する。
【００５２】
また、実施例３では、第１基板１を貫通させることでスルーホールが形成されていたが、本実施例５では、薄膜シリコン層２と二酸化シリコン層５２を一部除去することで形成されているため、薄膜シリコン層２と二酸化シリコン層５２のパターニングプロセス（エッチングプロセス）で同時に形成することができ、その分、工数を削減することができる。また、スルーホールを第１基板１に直接形成するよりも、第１基板１の強度を保つことができるという利点もある。
【実施例６】
【００５３】
図９は、本発明の第６の実施形態における電子デバイスを示す断面図である。本実施例６の特徴は、実施例５におけるスルーホール６５が、薄膜シリコン層２を厚さ方向に一部残して除去することで、シリコン薄化部６７を有するスルーホール６８として形成されている点にある。その他の基本的構成については、実施例５と同様である。
【００５４】
スルーホール６８の内面側には、シリコン薄化部６７と第２基板１１の一部が露出しており、各露出面に接触する形で封止部材３８をスルーホール６８に充填することで、各露出面の境界においてアンカー効果が生じ、封止部材３８のスルーホール６８に対する接着強度が向上する。また、スルーホール６８の内面は、全て単結晶シリコンで構成されることになるため、封止部材３８として単結晶シリコンと相性（濡れ性）の良い材料を選択すれば、スルーホール６８に対する密着性をさらに向上させることができる。
【実施例７】
【００５５】
図１０は、本発明の第７の実施形態における電子デバイスを示す断面図である。本実施例７の特徴は、電子素子として発光素子（ＬＥＤ）４１を用いている点にある。その他の基本的構成については、実施例１と同様である。
【００５６】
発光素子４１は、例えば、発光波長領域が青色のＬＥＤで、その発光面とは反対側の面（裏面）には、図中矢印方向への発光強度を増大させるためにアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等からなる反射膜４２が形成されており、第２基板１１の内部電極１３上に金錫（ＡｕＳｎ）合金等からなる導電性の接続部材４４を介して実装されている。また、発光素子４１は、青色の発光色を白色化する蛍光体を含有する波長変換樹脂４３で覆われている。発光素子４１の出射光は、波長変換樹脂４３により波長が変換された上で、第１基板１を透過して外部へと出射する。尚、
【実施例８】
【００５７】
図１１は、本発明の第８の実施形態における電子デバイスを示す断面図である。本実施例８の特徴は、第１基板１がドーム型の石英ガラスで構成されている点にある。その他の基本的な構成については、実施例７と同様である。
【００５８】
第１基板１は、例えば、溶融した石英ガラスをドーム型の型に流し込むことで成型されたもので、成型後に表面（特に薄膜シリコン層２を形成する面）を研磨やエッチングすることで鏡面化してある。
【００５９】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はそれらの実施形態に限定されることはなく、また、それらの全てを備える必要もなく、特許請求の範囲に記載した内容の範囲で種々の変更や省略をすることができることは言うまでもない。
【００６０】
例えば、第１基板１をシリコン、第２基板１１をガラスで構成し、第２基板１１側に二酸化シリコン層５２と薄膜シリコン層２を設けて、第１基板１に表面活性化接合により接合するようにしてもよい。また、第１基板１と第２基板１１の材料については、その他種々のものが適宜選択可能であり、例えば、シリコンと金属あるいはガラスと金属等の種々の組み合わせが適宜選択され得る。
【００６１】
また、中間層（薄膜シリコン層２）は、表面活性化接合により接合される相手側の基板と実質的に同じ材料で構成されていればよく、単結晶シリコンに限らず、基板の材料に応じて金属やガラス等のその他の材料が適宜選択可能である。
【００６２】
また、薄膜シリコン層（中間層）２と第１基板１との間に介在する二酸化シリコン層５２は、必ずしも必要ではなく、中間層を基板に直に形成できるのであれば、省略することが可能である。中間層を基板に直に形成する方法としては、例えば、基板表面に中間層（シリコン薄膜等）を構成する材料の微粒子を堆積させる方法（スパッタ、蒸着、エピタキシャル成長等）が挙げられる。
【符号の説明】
【００６３】
１    第１基板
２    薄膜シリコン層（中間層）
４    金属層
５    金属層
６    集合基板
７    集合基板
１１  第２基板
１２  貫通電極
１３  内部電極端子
１４  外部電極端子
１６  接合面
１７  凹部
１９  窓部
２１  水晶振動子
２２  接続用電極
２３  ワイヤー
２４  励振電極
２５  固定部材
２９  電子デバイス
３３  電子デバイス
３７  スルーホール
３８  封止部材
４１  発光素子（ＬＥＤ）
４２  反射膜
４３  波長変換樹脂
４４  接続部材
５１  単結晶シリコン基板
５２  二酸化シリコン層
５４  半導体素子（ＬＳＩ）基板
５５  保持部材
５６  ジャイロ水晶振動子
５８  ワイヤー
６０  振動検出部
６１  接続部材
６５  スルーホール
６７  シリコン薄化部
６８  スルーホール
７１  半導体素子（ＬＳＩ）
７５  ワイヤー
７７  ワイヤー
【図１】
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【図２−１】
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【図２−２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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