(57)【要約】【課題】電子部品の実装に用いる多層配線板の製造には、従来、B2itなどの導電性バンプを用いて層間の接続を行う多層配線技術が使用されていた。しかし、基板のそりにより、多層配線間の短絡が発生する、あるいは、導電性バンプと配線間の接続不良が発生するという問題があった。【解決手段】絶縁性フィラーを含む絶縁性ワニスをコーティングし、絶縁性被膜を形成することにした。基板にそりがある場合でも、多層配線間の絶縁性が保持でき、配線接続の安定性が高くなり、製造歩留まりが向上する。【選択図】  図１
2011040493.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の導体層と第二の導体層の間に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群周囲に形成され、短絡防止用の絶縁性フィラーを含む絶縁層とからなることを特徴とする多層配線板。
【請求項２】
第一の導体層と第二の導体層の間に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群周囲に形成され、絶縁性フィラーを含む絶縁層とからなり、前記絶縁性フィラーの平均粒径が、積層熱プレス後の前記導電性バンプ群の平均高さの２０％以上、１００％以下であることを特徴とする多層配線板。
【請求項３】
前記絶縁層が、絶縁性フィラーを含む絶縁性樹脂配合液の樹脂を実質的に硬化反応させない条件で溶剤を揮発させて膜減りさせた後、硬化させて形成した層であることを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項記載の多層配線板。
【請求項４】
前記絶縁性フィラーが、シリカ、シリコンカーバイド、アルミナ、窒化アルミ、ジルコニアビーズ、ガラスビーズ、アクリルビーズの中から選択された一つ又は複数の材料であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の多層配線板。
【請求項５】
前記絶縁性フィラーの添加量が、前記絶縁性樹脂配合液に対し１ｖｏｌ％以上、３０ｖｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の多層配線板。
【請求項６】
前記絶縁性樹脂配合液が、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、オリゴフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテル樹脂、メラミン樹脂を用いた配合液であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の多層配線板。
【請求項７】
前記導電性バンプ群の高さh２が、前記絶縁層の厚さt３に対して、h２≧t３であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の多層配線板。
【請求項８】
前記導電性バンプ群を構成する樹脂組成物が、熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を１０ｗｔ％以上、３０ｗｔ％以下の混合比で添加した材料からなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の多層配線板。
【請求項９】
少なくとも、導体層上に突起状の導電性バンプ群を形成する工程と、前記導体層上及び前記導電性バンプ群上に絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成する工程と、前記揮発性溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせ絶縁性未硬化被膜を形成する工程と、前記絶縁性未硬化被膜上に導体層又はコア基板を積層した後、前記絶縁性未硬化被膜を硬化反応させて絶縁層を形成する工程とからなる多層配線板の製造方法。
【請求項１０】
少なくとも、第一のコア基板上に突起状の導電性バンプ群を形成する工程と、前記導電性バンプ群上に絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成する工程と、前記揮発性溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせ絶縁性未硬化被膜を形成する工程と、前記絶縁性未硬化被膜上に導体層又は第二のコア基板を積層した後、前記絶縁性未硬化被膜を硬化反応させて絶縁層を形成する工程からなる多層配線板の製造方法。
【請求項１１】
少なくとも、第一のコア基板上に突起状の導電性バンプ群を形成する工程と、導体層又は第二のコア基板上に絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成する工程と、前記揮発性溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせて絶縁性未硬化被膜とする工程と、前記第一のコア基板と前記絶縁性未硬化被膜が形成された導体層又は第二のコア基板を積層熱プレスする工程からなる多層配線板の製造方法。
【請求項１２】
少なくとも、第一のコア基板上に配置された第一の導体層上に絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成する工程と、前記揮発性溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせて絶縁性未硬化被膜を形成する工程と、第二の導体層又は第二のコア基板上に突起状の導電性バンプ群を形成する工程と、前記第一のコア基板と前記絶縁層を積層熱プレスする工程とからなる多層配線板の製造方法。
【請求項１３】
第一の導体層上に導電性バンプ群を形成し、絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成し、前記揮発性溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせて絶縁性未硬化被膜とすることにより形成する多層配線板用の部材を一つ又は複数形成した後に、コア基板上に前記多層配線板用の部材を積層熱プレスし、前記多層配線板用の部材上に第二の導体層を形成する工程を1回又は複数回繰り返すことにより多層配線板を形成することを特徴とする多層配線板の製造方法。
【請求項１４】
第一の導体層上に導電性バンプ群を形成し、絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成し、前記揮発性溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせて絶縁性未硬化被膜とすることにより形成する多層配線板用の部材を一つ又は複数形成した後に、コア基板上に一つ又は複数の前記多層配線板用の部材を一括して積層熱プレスすることにより多層配線板を形成することを特徴とする多層配線板の製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁性樹脂配合液の不揮発性成分の含有量が、１０重量％〜８０重量％である請求項９乃至１４のいずれか１項記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁層の乾燥・固化温度が、６０℃以上、１６０℃以下であることを特徴とする請求項９乃至１５のいずれか1項記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１７】
前記導電性バンプ群を構成する樹脂組成物が、熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を１０ｗｔ％以上、３０ｗｔ％以下の混合比で添加した材料からなることを特徴とする請求項９乃至１６のいずれか1項記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１８】
前記積層熱プレスの温度が、絶縁性樹脂の硬化反応開始温度以下、かつ、熱溶融粘度が下がる温度以上であることを特徴とする請求項９乃至１７のいずれか1項記載の多層配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を実装する多層配線板、及び、多層配線板の製造方法に関し、特に、導電性バンプからなるビアを備え、高密度配線が可能な多層配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
【特許文献１】特許第3167840号公報
【特許文献２】特開2007-13208号公報
【特許文献３】特開2006-183072号公報
【特許文献４】特開2002-353617号公報
【０００３】
近年、電子機器の小型軽量化、高速化、多機能化に伴い、電子機器に搭載される配線板においても高密度実装に対する要求が高まっている。係る要求に対応するため、複数の絶縁性基材と導電性パターンを交互に積み重ねて電子部品を実装する多層配線板の開発が進められている。
代表的な多層配線板の製造技術として、松下電子部品のALIVHや、東芝や大日本印刷のB2itが知られている。
ALIVH(Any Layer Interstitial Via Ｈole structure multi layered
printed wiring board)は、絶縁基材に層間接続穴を形成してから穴部を導電性材料で埋め込む技術である。最初に、プリプレグ（配線板の材料となる絶縁性基材シート）にレーザー光を照射し微細なビアホールを形成する。形成したビアホールを導電ペーストで充填してビア（層間接続部）を形成し、係るプリプレグ上に銅箔を積層熱プレスする。さらに、フォトリソグラフィー及びエッチングにより導電性パターンを形成して配線板部材とし、係る配線板部材を積層熱プレスして多層配線板を製造する。
ALIVHは、ビアホール上に配線や電子部品を配置できるので、配線長の短縮や高密度実装が可能である。
しかし、ビアホールの数が増えるとレーザー光照射の加工時間が増え製造コストが高くなる、また、積層熱プレスで接着する銅箔のビアに対する密着強度が高くないので、落下試験の際にオープン不良が発生しやすく信頼性が低いという問題がある。
【０００４】
B2it(Buried Bump Interconnection
Technology)は、導体板上に山形又は略円錐状の導電性バンプを形成してから絶縁性プリプレグ基材を加熱軟化させてプレス貫挿させ、導電性バンプからなるビアを形成する技術である。B2itに関連する技術が、特許文献１及び特許文献２に開示されている。
特許文献１には、山形の導体バンプを合成樹脂系支持体の厚さ方向に貫挿し層間配線を形成する技術が開示されている。
特許文献２には、導体板上に形成した略円錐状の導体バンプ上に未硬化の絶縁材料基材を配設・加圧して貫挿させ、導体板をパターニングして基板ユニットを作製し、係る基板ユニットを複数枚積層して、加圧加熱して硬化させる技術が開示されている。
B2itは、ALIVHと同様に、ビアホール上に窪みができず配線や電子部品を配置できるので、配線長の短縮や高密度実装が可能である。また、ALIVHと異なり、一括してビアを形成するので、ビアホールの数が増えても製造コストは増えない。導電性バンプは、プリプレグ積層前に印刷で銅箔上に形成されるので、銅箔に対する密着性も良いという長所がある。
一方、B2itには以下の問題点がある。
(1) 導電性バンプ貫挿時ならびに多層配線板形成の際の積層熱プレス時に、大きな圧力がアスペクト比の高い導電性バンプ及びプリプレグに加わる。現状でビアの面内密度は約30万個/m2であるが、将来は100万個/m2程度になると予想されている。この場合極めて大きな圧力が導電性バンプやプリプレグに加わるため、導電性バンプやプリプレグの破損による不良率が高くなる。従って、B2itでは、高密度化への対応が困難である。
(2) B2itでは、導電性バンプに機械的強度が必要であり、その外径を100μm以上にする必要がある。高密度実装を実現するため、導電性バンプの底面径は30μm〜50μmをターゲットとして微細化が進められている。しかし、B2itでは、バンプのアスペクト比が高く、かつプリプレグの薄膜化に限界があるために対応が困難である。
(3) 導電性バンプのアスペクト比（高さ／外径）を0.8〜1.0以上にしないと、導電性バンプがプリプレグを貫挿しない。また、プリプレグの一般的な材料であるガラスクロス含浸絶縁樹脂基材の厚さを薄くすることにも限界がある（〜30μｍｔ以上）。さらに、良好な導電性バンプの貫挿特性を得るにはプリプレグの厚さの約３倍の導電性バンプ高さが必要となる。そのため、上述の貫挿可能なアスペクトを確保すると、導電性バンプの底面径の微細化に限界（min. 72〜90μm）が発生する。その上、プリプレグの厚さ、プレス工程の温度についても、適切に調整しないと導電性バンプがプリプレグを貫挿しない。従って、B2itでは、導電性バンプ形成、貫挿工程、及び、積層熱プレス工程等の製造条件のマージンが小さく、歩留りが低いという問題がある。
(4) 外径が微細で高アスペクトの導電性バンプを印刷形成可能な導電ペーストの開発は困難を極める。
(5) 硬化前状態の絶縁性樹脂のプリプレグシートを加熱軟化させて突起状の導電性バンプに押圧して貫挿させる工程において、前記プリプレグシートはガラスクロス基材が繊維フィラメント束で縦横に織られた構造体になっているために、導電性バンプがフィラメント束の交差部に当たる場合とフィラメント束とフィラメント束との間に当たる場合とでは貫挿の抵抗差が大きく、抵抗の大きい部分ほど絶縁性樹脂プリプレグシートと導電性バンプとの界面部において、絶縁性樹脂および又はガラスクロスの破砕残部が生じてしまう。これらの絶縁性樹脂及び／又はガラスクロスの破砕残部は、後工程での導電性バンプと配線板の導体層との積層加圧にて、接触抵抗値の増大ないしは導通不良を起こし、配線板の歩留りを低下させていた。
【０００５】
図１４(a)乃至(d)は、従来のプリプレグシートをバンプで貫挿させるB2it方式の多層配線板部材の製造方法を示す工程順の断面図及び斜視図である。最初に、第一の導電性箔５０１上に、導電性ペーストの印刷工程によって、略円錐状の導電性バンプ５０２を形成し中間物とする（図１４(a)）。次に、係る中間物を、硬化前状態の絶縁性樹脂であるプリプレグシート５０３と対向させる（図１４(b)）。次に、加熱下でプリプレグシート５０３を溶融手前まで温度を上昇させて軟化させ、導電性バンプ５０２の先端部をプリプレグシート５０３から突出させる（図１４(c)）。次に、導電性バンプ５０２の頭出しを行ったプリプレグシート５０３の上に第二の導電性箔５０５を貼りつける（図１４(d)）。図１４(e)は、係る方法で作製した多層配線板部材の導電性バンプ５０２の上部の水平断面図である。プリプレグシートに含まれるガラス繊維基材の破断屑５０８がバンプ面５０７内に残っていることが観察される。係る方法で作製した複数の多層配線板部材を積層し加圧して多層配線板が形成される。従来のB2it方式の多層配線板部材の製造方法では、破片屑がバンプ面内に残るため、層間配線の電気的接続不良が発生しやすいという問題があった。
【０００６】
一方、特許文献４には、B2itのような貫挿法を用いずに導体バンプからなるビアを形成する従来技術として、第一の金属箔上に形成された導体バンプ群上にカーテンコーター法により絶縁性樹脂組成物を塗布し、さらに、第二の金属箔を重ねてプレスする方法が開示されている。絶縁性樹脂組成物を塗布する方法として、カーテンコーター法以外にも、スプレー法や熱軟化性のフィルム状にして導体バンプ上から被膜する方法が記載されている。特許文献４に開示された方法は、導体バンプに対し機械的圧力が加わらないために、上記のB2itにおける問題は回避できる。しかし、この方法は、高い粘度の絶縁性樹脂を、カーテンコート法では液体のまま、スプレー法では液滴状にして、導体バンプ上に塗布する方法であるため、導体バンプの先端部に絶縁性樹脂が付着しやすく、導体バンプと第二の金属箔との接触不良の発生率が高いという問題がある。また、熱軟化性のフィルムを導体バンプの上に被膜する場合は、導体バンプの先端部は露出しないので層間接続を形成できないという問題がある。
【０００７】
さらに、従来の多層配線基板の製造方法の問題点として、コア基板のそりによる多層配線間の接続不良発生という問題があった。図８(b)及び(c)は、従来の多層配線の製造方法により配線間の接続不良が発生した場合の断面図である。図８(b)において、配線が表面に形成された第一のコア基板２１３と第二のコア基板２０８が絶縁性樹脂層２１１を介して互いに配線面が向き合うように積層されている。配線２１２と配線２０９の一部の領域は導電性バンプ２１０により電気的に接続されている。コア基板に大きなそりがある場合は、例えば、図８(b)に示すように、中央部で凸となるようなそりがある場合は、本来絶縁性樹脂層２１１により離間されているべき配線層が接触することにより配線ショートが発生している。一方、図８(c)に示すように、配線２１５と配線２１８が接触せず、絶縁性樹脂層２１７により絶縁されている場合は、本来電気的に接続すべき周辺部の導電性バンプ２１６と対向する配線が接触せず、配線オープンが発生している。従来の多層配線基板の製造方法では、基板のそりによる配線接続不良が発生するため、多層配線板の製造歩留りを十分高くすることができないという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、微細化、高密度化及び薄型多層化が対応可能で、かつ、層間絶縁性も良好で、層間微細導電性バンプによる接続信頼性の高い配線板を供給可能で、かつ製造歩留りが高く、製造コストの低い多層配線板用の部材、及び多層配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明（１）は、第一の導体層と第二の導体層の間に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群周囲に形成され、短絡防止用の絶縁性フィラーを含む絶縁層とからなることを特徴とする多層配線板である。
本発明（２）は、第一の導体層と第二の導体層の間に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群周囲に形成され、絶縁性フィラーを含む絶縁層とからなり、前記絶縁性フィラーの平均粒径が、積層熱プレス後の前記導電性バンプ群の平均高さの２０％以上、１００％以下であることを特徴とする多層配線板である。
本発明（３）は、前記絶縁層が、絶縁性フィラーを含む絶縁性樹脂配合液の樹脂を実質的に硬化反応させない条件で溶剤を揮発させて膜減させた後、硬化させて形成した層であることを特徴とする前記発明（１）又は前記発明（２）の多層配線板である。
本発明（４）は、前記絶縁性フィラーが、シリカ、シリコンカーバイド、アルミナ、窒化アルミ、ジルコニアビーズ、ガラスビーズ、アクリルビーズの中から選択された一つ又は複数の材料であることを特徴とする前記発明（１）乃至前記発明（３）の多層配線板である。
本発明（５）は、前記絶縁性フィラーの添加量が、前記絶縁性樹脂配合液に対し１ｖｏｌ％以上、３０ｖｏｌ％以下であることを特徴とする前記発明（１）乃至前記発明（４）の多層配線板である。
本発明（６）は、前記絶縁性樹脂配合液が、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、オリゴフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテル樹脂、メラミン樹脂を用いた配合液であることを特徴とする前記発明（１）乃至前記発明（５）の多層配線板である。
本発明（７）は、前記導電性バンプ群の高さh２が、前記絶縁層の厚さt３に対して、h２≧t３であることを特徴とする前記発明（１）乃至前記発明（６）の多層配線板である。
本発明（８）は、前記導電性バンプ群を構成する樹脂組成物が、熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を１０ｗｔ％以上、３０ｗｔ％以下の混合比で添加した材料からなることを特徴とする前記発明（１）乃至前記発明（７）の多層配線板である。
本発明（９）は、少なくとも、導体層上に突起状の導電性バンプ群を形成する工程と、前記導体層上及び前記導電性バンプ群上に絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成する工程と、前記揮発性溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせ絶縁性未硬化被膜を形成する工程と、前記絶縁性未硬化被膜上に導体層又はコア基板を積層した後、前記絶縁性未硬化被膜を硬化反応させて絶縁層を形成する工程とからなる多層配線板の製造方法である。
本発明（１０）は、少なくとも、第一のコア基板上に突起状の導電性バンプ群を形成する工程と、前記導電性バンプ群上に絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成する工程と、前記揮発性溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせ絶縁性未硬化被膜を形成する工程と、前記絶縁性未硬化被膜上に導体層又は第二のコア基板を積層した後、前記絶縁性未硬化被膜を硬化反応させて絶縁層を形成する工程からなる多層配線板の製造方法である。
本発明（１１）は、少なくとも、第一のコア基板上に突起状の導電性バンプ群を形成する工程と、導体層又は第二のコア基板上に絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成する工程と、前記揮発性溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせて絶縁性未硬化被膜とする工程と、前記第一のコア基板と前記絶縁性未硬化被膜が形成された導体層又は第二のコア基板を積層熱プレスする工程からなる多層配線板の製造方法である。
本発明（１２）は、少なくとも、第一のコア基板上に配置された第一の導体層上に絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成する工程と、前記揮発性溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせて絶縁性未硬化被膜を形成する工程と、第二の導体層又は第二のコア基板上に突起状の導電性バンプ群を形成する工程と、前記第一のコア基板と前記絶縁層を積層熱プレスする工程とからなる多層配線板の製造方法である。
本発明（１３）は、第一の導体層上に導電性バンプ群を形成し、絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成し、前記揮発性溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせて絶縁性未硬化被膜とすることにより形成する多層配線板用の部材を一つ又は複数形成した後に、コア基板上に前記多層配線板用の部材を積層熱プレスし、前記多層配線板用の部材上に第二の導体層を形成する工程を1回又は複数回繰り返すことにより多層配線板を形成することを特徴とする多層配線板の製造方法である。
本発明（１４）は、第一の導体層上に導電性バンプ群を形成し、絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成し、前記揮発性溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせて絶縁性未硬化被膜とすることにより形成する多層配線板用の部材を一つ又は複数形成した後に、コア基板上に一つ又は複数の前記多層配線板用の部材を一括して積層熱プレスすることにより多層配線板を形成することを特徴とする多層配線板の製造方法である。
本発明（１５）は、前記絶縁性樹脂配合液の不揮発性成分の含有量が、１０重量％〜８０重量％である前記発明（９）乃至前記発明（１４）の多層配線板の製造方法である。
本発明（１６）は、前記絶縁層の乾燥・固化温度が、６０℃以上、１６０℃以下であることを特徴とする前記発明（９）乃至前記発明（１５）の多層配線板の製造方法である。
本発明（１７）は、前記導電性バンプ群を構成する樹脂組成物が、熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を１０ｗｔ％以上、３０ｗｔ％以下の混合比で添加した材料からなることを特徴とする前記発明（９）乃至前記発明（１６）の多層配線板の製造方法である。
本発明（１８）は、前記積層熱プレスの温度が、絶縁性樹脂の硬化反応開始温度以下、かつ、熱溶融粘度が下がる温度以上であることを特徴とする前記発明（９）乃至前記発明（１７）の多層配線板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、
１．B2itと比較し、
導電性バンプ貫挿プロセスではなく、機械的圧力が部材に加わらないので、
・絶縁層を薄くでき、導電性バンプの高さを低くできる。また、導電性バンプのアスペクト比が小さくてもビアを形成できる。これにより、導電性バンプのサイズを小さくできる。その結果、外径が30〜50μmの導電性バンプを有する高密度多層配線板の製造が可能になる。将来、導電性バンプ密度が100万個／m2になった時にも対応可能である。
・導電性バンプのアスペクト比を高くする必要がないので、特殊な導電ペーストを用いなくても、或いは、導電性バンプ形成のためのペースト塗布工程を多数回繰り返さなくても導電性バンプの形成が可能である。そのため、材料コストや製造コストの低減が可能である。
・導電性バンプ、配線、絶縁性被膜の損傷による不良率が低減する。
・良好な層間接続を形成するのに必要な導電性バンプのアスペクト比が小さくても製造条件のマージンが広いので、製造歩留まりが向上する。
２．ALIVHと比較し、
・レーザー穴開け技術を用いていないので、穴部分の形状的不均一性を排除できる。レーザー穴開け法による形状的不均一性は、製造工程において、穴部分とビア導電剤との密着不良による配線板内への液体又は湿気の浸透を引き起こし、さまざまな欠陥の原因の一つとなる。それに対し、本発明の製造方法によれば、導電性バンプと絶縁性被膜の界面は、導電性バンプの周囲に低粘度の流動性樹脂を塗布して形成されるので、ビアに相当する導電性バンプと絶縁性被膜の密着性、配線板の信頼性は極めて高い。
・複数のビアを一括して作製する方式であるため、ビアの数が増えても製造コストは増えない。
３．スルーホールメッキ方式と比較し、ビアの空間利用効率が高く微細化に適している。層間接続穴を導電性部材で埋めた構造であるため、放熱効果が高く、高速CPUなど発熱量の多いデバイスの実装に好適である。凹みができないので、ビア上にも配線や他のビアを形成可能で、かつ、表層ビア上には部品を実装することも可能であり、実装密度向上に効果がある。
４．絶縁性樹脂組成物をカーテンコート法により塗布する方式と異なり、本発明の製造方法は、比較的低濃度の樹脂配合液の塗布により形成した被膜の膜厚を減少させて導電性バンプの頭出しを行う方式であるため、導電性バンプ先端部に絶縁性樹脂が残らない。そのため、確実な層間接続の形成、ビア抵抗の低減が可能である。
５．導電性バンプの上断面形状を中心角が180°以下のゆるやかな円弧としてもビアの形成が可能で、頭頂部の面積の小さい従来法で用いられている導電性バンプと異なりビアの断面積が大きい。また、ビアと配線の接触部における絶縁性物質の残留量を少なくすることができるので、ビアと配線の接触面積を大きくとれ、ビア抵抗の低減が可能である。
６．絶縁性未硬化被膜を備えた配線板部材を積層して多層配線板を製造するので、
・絶縁性被膜と導電性パターンとの密着強度が高くなり、配線が剥離しにくくなる。
・隣接する絶縁性被膜との密着強度が高くなり、強固な多層配線板の製造が可能になる。
・絶縁性被膜に柔軟性があり、下地に凹凸があっても被膜性が良く、表面が平坦になる。
・導電性バンプと接触する配線との密着強度が高くなり、ビア抵抗の低減が可能である。
７．厚膜プロセスと導電性薄膜のエッチングプロセスを組み合わせることにより、高密度多層配線板の製造コスト低減が可能である。
８．実装密度の高い多層配線板を提供することができ、電子機器の小型軽量化、多機能化に寄与する。
９．比誘電率、誘電損失の低い絶縁性材料により絶縁被膜を形成するので、電気信号伝搬特性に優れた実装配線板を作製できる。特に、請求項１７に示すADFLEMA （ナミックス社商品名）のOPE系を用いる場合は、比誘電率及び誘電正接が低いので電気信号伝搬特性に優れた実装配線板を作製できる。また、溶剤の含有量が多く、容易に薄い絶縁性被膜を形成できる。
１０．低温の熱処理でも導電性の高い配線材料を用いて配線や導電性バンプを形成するので、配線膜厚を薄く、配線幅を細くしても、電気信号伝搬特性に優れた実装配線板を作製できる。
１１．一括積層により多層配線板を製造できるので、順次積層により多層配線板を製造する方法と比較して、製造工程数が少なく製造コストの低減が可能であり、配線板部材に加わる熱履歴が少なく部材、及び、これらの部材により形成した多層配線板の信頼性が高い。
１２．絶縁性被膜材料に絶縁性フィラーを分散することによりコア基板のそりに起因するショートやオープンなどの配線接続不良率を低減でき、製造歩留りの向上に効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の最良形態について説明する。
（多層配線板部材、多層配線板、複合多層配線板）
多層配線板の製造においては、多層配線板を構成する部品である多層配線板部材（配線板用の部材、又は、単に、配線板部材）を形成してから、複数の係る多層配線板部材を積層し、加熱下でプレスして多層配線板を形成する。特に、本発明の技術により製造した導電性バンプ密度の高い多層配線板部材による表面回路層と導電性バンプ密度の低いコア基板を積層した多層配線板を複合多層配線板と呼ぶ。あるいは、コア基板を含む複合多層配線板を、単に、多層配線板と呼ぶ場合もある。コア基板は物理的剛性を担うと同時にそれほど微細ではない電源配線や接地配線などの回路を形成し、表面回路層は微細配線を形成する。表面回路層を構成する多層配線板部材の製造には本発明の技術を用いることにより、製造コストの低い厚膜プロセスと微細加工が可能な導電性薄膜のエッチングプロセスを組み合わせて実装密度の高い複合多層配線板を形成できる。
【００１２】
（一括積層、順次積層、コア/コア積層）
配線を備えた多層配線板部材を形成してから、複数の多層配線板部材を一度に積層熱プレスして多層配線板を製造する方法、又は、複数の多層配線板部材とコア基板を一度に積層熱プレスして複合多層配線板を製造する方法を、一括積層と呼ぶ。一方、配線を備えた、又は、備えていない多層配線板部材を形成して、その上に導電性箔を貼り付け、エッチングにより配線を形成した後、次の多層配線板部材を載せて積層熱プレスを行う工程を順次繰り返すことにより、多層配線板又は複合多層配線板を製造する方法を、順次積層と呼ぶ。
一括積層は、工程数を少なくでき、製造コストの低減が可能である。また、配線板部材に加わる熱履歴が少なく部材、及び、これらの部材により形成した多層配線板の信頼性が高いという利点がある。従来のB2itでは、一括積層を行うことが困難であったが、本発明の技術では一括積層による多層配線板の製造が容易に実施可能である。
一方、順次積層は、配線パターンによるアライメントが不要で、導電性バンプのアライメントだけ行えばよいという利点があるが、積層する多層配線板部材ごとに、エッチングや積層熱プレスを行う必要があり、工程数増加により製造コストが高く、熱履歴が多くなるため部材の信頼性が低くなるという問題がある。
コア/コア積層は、コア基板とコア基板の間に1層の絶縁性被膜を配置し、導電性バンプによりコア基板間の電気的接続を行うものである。
本発明に係る多層配線板の製造方法は、その実施の形態の変形例として一括積層、順次積層、及び、コア/コア積層を含む。
【００１３】
（配線板用の部材の製造方法）
本発明の実施の形態による配線板用の部材の製造方法は、略円錐台状、又は、略円柱状等の突起状導電性バンプを層間接続部材として用いる。また、支持部材上に高密度に形成された導電性バンプ（導電性バンプ群）の上及び周囲に絶縁性樹脂配合液を塗布して流動性被膜を形成する。その後、絶縁性樹脂配合液の樹脂を実質的に硬化反応させない条件で溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を固化、膜減りさせて、絶縁性被膜とする。
従来、導電性バンプの頭出しを行わないで多層配線板部材を積層プレスする場合は、層間の電気的接続がとれないと考えられていた。しかし、本願発明者等は、必ずしも、導電性バンプの頭出しを行わなくても、配線板を電気的に分離する絶縁性樹脂が未硬化被膜の状態で積層し、熱プレスを行うことで多層配線板や複合多層配線板を作製する場合は、層間の電気的接続が高い安定性でとれることを初めて見出した。係る方法で製造した多層配線板や複合多層配線板の電気的接続の信頼性が良好であることも確認された。また、本願発明に係る多層配線板は導電性バンプの頭出しを行う場合は、工程数は増えるものの、頭出しをしない場合と同様に、高密度実装に対応可能などの効果がある。頭出しをしない場合と比べ、配線間の導通安定性はさらに向上する。導電性バンプの頭出しを行う場合は、前記流動性被膜の溶剤の少なくとも一部を蒸発させ、前記絶縁性被膜の膜厚を減少させて、前記導電性バンプの先端部を前記絶縁性被膜上に突出させる工程が追加して行われる。導電性バンプ上に単に絶縁性樹脂配合液を薄く塗るだけでは導電性バンプの先端部に樹脂配合液が残るが、導電性バンプの高さよりも厚く樹脂配合液を塗布してから溶剤を蒸発させると、再現性よく導電性バンプの頭出しができる。
なお、本願明細書では、塗布後、膜厚減少前の絶縁性被膜を流動性被膜、膜厚減少後、硬化反応開始前の絶縁性被膜を絶縁性未硬化被膜と呼んで区別するものとする。
B2itのような貫挿により導電性バンプの先端を絶縁性被膜上に突出させる製造方法とは異なり、絶縁性被膜を導電性バンプ周りに形成する段階で、導電性バンプ及び絶縁性被膜に対し機械的圧力が加わらない。そのため、絶縁性被膜の機械的耐久性の点で導電性バンプの高密度化に対応可能である。また、導電性バンプの底面径を小さくすることが可能である。さらに、導電性バンプのアスペクト比を小さくすることが可能で、導電性バンプ形状の設計マージンや製造条件のマージンが大きくとれるので、多層配線板の製造歩留まりが向上する。
ここで、本発明の多層配線板用の部材は、溶剤に溶解した樹脂をバンプ群の周囲に流延させて十分に導電性バンプ周辺を濡らして乾燥・固化させた絶縁性未硬化被膜であることに特徴があるので、導電性バンプと樹脂は緊密な密着構造で出来上がっている。一方、従来の、たとえばB2itでの絶縁性樹脂は、一般にＢステージといわれる溶剤の蒸発された固体シートで、かかる固体シートを熱で軟化させて導電性バンプに貫挿させる方法においては無理やりの破断での穿孔であるからバンプ周辺に隙間ができたりして、本発明に比べて導電性バンプと樹脂の密着信頼性は劣るものである。
【００１４】
（絶縁性フィラーの分散）
先に述べた基板のそりによる層間配線接続不良の問題を解決するために、本願発明者等は、多層基板の層間絶縁膜中に絶縁性のフィラーを分散させることが極めて有効であることを見出した。
本発明に係る多層配線板は、第一の導体層と第二の導体層の間に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群周囲に形成され、導通性安定化のための絶縁性フィラーを含む絶縁層とからなることを特徴とする。さらに、絶縁性フィラーの平均粒径は、積層熱プレス後の導電性バンプ群の平均高さの２０％以上、１００％以下の範囲であることが好ましい。
図８(a)は、本発明に係る多層配線基板の断面図である。コア基板２０１とコア基板２０７が絶縁性フィラー２０５を分散した絶縁性樹脂層２０４を介して積層されている。コア基板２０１側の配線とコア基板２０７側の配線が互いに向き合う側に配置され、一部の配線領域が導電性バンプ２０３を介して電気的に接続されている。コア基板には、例えば、中央部で突きだした形状の大きなそりがある。そのため、コア基板周辺部では、コア基板間の距離が大きいので、基板周辺部における層間接続をとるためには、コア基板を十分に近接させなければならない。この場合、絶縁性フィラーが分散されていない場合は、図８(b)に示すように、基板中央部の配線がショートしてしまうが、本発明に係る製造方法によれば、絶縁性樹脂層２０４に加圧に対する変形の少ないシリカなどの絶縁性フィラーを分散しているため、図８(a)に示すように、基板中央部においても配線のショートが発生しにくい。
以上の説明を行ったように、本発明に係る多層配線板は、短絡防止用の絶縁性フィラーを含む絶縁層を構成要素とすることを特徴とする。ここで言うところの「短絡防止用」とは、単に複数の導体間の短絡を防止することのみを意味するのではなく、多層配線板で層間の電気的接続に用いられる導電性バンプによる上下導通性に影響せず、短絡防止に絶縁層厚を確保する目的で用いることを意味する。
【００１５】
（薄膜プロセスと厚膜プロセス）
一般的に多層配線板の製造に用いられる加工技術は、薄膜プロセスと厚膜プロセスに分類される。
薄膜プロセスは、膜形成技術としては、蒸着、スパッター、CVD、PVD、めっき等、パターン形成技術としては、フォトリソグラフィー、ドライエッチング等の技術を用いるもので、真空プロセスやウェットプロセスを中心とする加工技術である。配線板又はプリント配線板と呼ばれる実装配線板では、一般的に、50μm／50μmレベル以下の微細な配線／スペース幅の加工には、セミアディティブ手法などの薄膜プロセスが用いられていた。微細なパターンの加工が可能であるが、製造コストが高いという問題がある。
これに対し、厚膜プロセスは、代表的にはスクリーン印刷などの印刷を中心とする加工技術で、ドライプロセスかつ大気下のプロセスである。厚膜プロセスは、薄膜プロセスに比べ製造コストを低減できるという特徴を持つ。
例えば、配線幅１００μm以下の配線密度の高い多層配線板を作製するには、同時に層間接続ビアである突起状の導電性バンプの底面径を１００μm以下とする必要がある。しかし、従来法である絶縁性樹脂のプリプレグシートを導電性バンプにて貫挿する製造方法では、プリプレグの厚さが現状では最低でも３０μm以上であり、導電性バンプにてその厚さを安定して貫挿するには、導電性バンプの高さをプリプレグの厚さの約3倍以上にする必要性があり、導電性バンプ径の微細化には導電性バンプのアスペクト比を大きくせざるを得ず、１００μmφ以下の微細な導電性バンプの形成は困難を極めた。従来、ビア径及び配線幅が１００μm以下の高密度配線板を実現するには、製造コストや製造設備投資額の高価な、例えば、セミアディティブ法による微細配線パターンの形成、フォトビア法による微細ビアの形成、等の薄膜プロセスを用いるのが一般的であった。
【００１６】
（有機配線板）
一般的に多層配線板は、基板材料によって、有機配線板と無機配線板に分類される。本発明は、絶縁性基板の材料として有機材料を用いる有機配線板を対象とするものである。
（絶縁層、導体層に関する用語の定義）
本願明細書では、絶縁層に関する用語を以下のように定義する。
絶縁性樹脂を溶剤に溶解させた状態の液体を「絶縁性樹脂配合液」と呼ぶ。係る絶縁性樹脂配合液を部材上に塗布した後、溶剤を揮発させた膜を「絶縁性未硬化被膜」と呼ぶ。係る絶縁性未硬化被膜を加熱して、絶縁性未硬化被膜に含まれる樹脂を硬化反応させた膜を「絶縁性被膜」と呼ぶ。導体層又はコア基板に積層された状態の絶縁性被膜を「絶縁層」と呼ぶ。
また、「導体層」は、金属等の導電性の高い層のことであり、例えば、導体パターン層、べた層、導体パッド層を含む用語である。
【００１７】
[本発明の実施の形態に係る多層配線板部材、及び、その製造方法]
（多層配線板部材の製造方法の第一の具体例）
図１(a)乃至(d)は、本発明の多層配線板部材の製造方法の実施の形態に係る第一の具体例を示す工程順断面図である。まず、銅箔などの導電性箔１を用意する（図１(a)）。次に、導電性箔１の上の所定の位置に導電性バンプ２を形成する（図１(b)）。導電性バンプ２の形状は、略円錐台状、又は、略円柱状など、底部の直径よりも先端部断面の直径が小さい形状とするのが好ましい。導電性バンプは、例えば、導電性ペーストのスクリーン印刷により形成する。導電性バンプ２の材料となる導電性ペーストとしては、例えば、液状樹脂の中に金属粒（銀、金、銅、ハンダなど）を分散させ、必要に応じ、揮発性の溶剤を混合させたものを用いる。導電性バンプは、所定の形状、所定の高さになるように、1回のスクリーン印刷で必要な高さが得られない場合には、複数回、必要に応じマスクの形状を変化させて繰り返し印刷を行ってもよい。次に、絶縁性フィラー４を分散した絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ２の上及び周囲に塗布し、流動性被膜３を形成する（図１(c)）。次に、流動性被膜３を乾燥して溶剤を蒸発させ、絶縁性未硬化被膜５とし、多層配線板の部品となる配線板部材を完成する（図１(d)）。図１(d)に示すように第一の具体例では、絶縁性未硬化被膜５の厚さは、導電性バンプ２の高さよりも厚くなっている。このことは、図１(d)の段階において、導電性バンプの頭出しが必ずしも必要がないことを示すものである。
【００１８】
（多層配線板部材の製造方法の第二の具体例）
図２(a)乃至(d)は、本発明の多層配線板部材の製造方法の実施の形態に係る第二の具体例を示す工程順断面図である。まず、銅箔などの導電性箔１１を用意する（図２(a)）。次に、導電性箔１１の上の所定の位置に導電性バンプ１２を形成する（図２(b)）。導電性バンプ１２の形状は、略円錐台状、又は、略円柱状など、底部の直径よりも先端部断面の直径が小さい形状とするのが好ましい。導電性バンプは、例えば、導電性ペーストのスクリーン印刷により形成する。導電性バンプ１２の材料となる導電性ペーストとしては、例えば、液状樹脂の中に金属粒（銀、金、銅、ハンダなど）を分散させ、必要に応じ、揮発性の溶剤を混合させたものを用いる。導電性バンプは、所定の形状、所定の高さになるように、1回のスクリーン印刷で必要な高さが得られない場合には、複数回、必要に応じマスクの形状を変化させて繰り返し印刷を行ってもよい。次に、絶縁性フィラー１４を分散した絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ２の上及び周囲に塗布し、流動性被膜１３を形成する（図２(c)）。次に、例えば、乾燥炉で加熱し、流動性被膜１３に含まれる揮発成分を所定量蒸発させ、その膜厚を減少させ、絶縁性未硬化被膜１５とし、多層配線板の部品となる配線板部材を完成する（図２(d)）。この時、流動性被膜１３の膜厚が減少し、導電性バンプ１２の先端部が露出するように、絶縁性樹脂配合液に含まれる揮発成分の量や、加熱条件を調整する。
【００１９】
（多層配線板部材の製造方法の第三の具体例）
図３(a)乃至(j)は、本発明の多層配線板の製造方法の実施の形態に係る第三の具体例を示す工程順断面図である。まず、銅箔などの導電性箔２１を用意する（図３(a)）。次に、導電性箔２１の上の所定の位置に導電性バンプ２２を形成する（図３(ｂ)）。導電性バンプ２２の形状は、略円錐台状、又は、略円柱状など、底部の直径よりも先端部断面の直径が小さい形状とするのが好ましい。導電性バンプは、例えば、導電性ペーストのスクリーン印刷により形成する。導電性バンプ２２の材料となる導電性ペーストとしては、例えば、液状樹脂の中に金属粒（銀、金、銅、ハンダなど）を分散させ、必要に応じ、揮発性の溶剤を混合させたものを用いる。導電性バンプは、所定の形状、所定の高さになるように、1回のスクリーン印刷で必要な高さが得られない場合には、複数回、必要に応じマスクの形状を変化させて繰り返し印刷を行ってもよい。次に、絶縁性フィラー２４を分散した絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ２２の上及び周囲に塗布し、流動性被膜２３を形成する（図３(c)）。次に、例えば、乾燥炉で加熱し、流動性被膜２３に含まれる揮発成分を所定量蒸発させ、その膜厚を減少させ、絶縁性未硬化被膜２５とする（図３(d)）。この時、流動性被膜２３の膜厚が減少し、導電性バンプ２２の先端部が露出するように、絶縁性樹脂配合液に含まれる揮発成分の量や、加熱条件を調整する。膜厚減少工程における加熱により、絶縁性未硬化被膜２３の流動性が変化し、絶縁性被膜２５が形成される。絶縁性被膜２５は、硬化反応が開始するが、完全硬化には至らない程度に加熱条件を調整するのが好ましい。これにより、絶縁性被膜を積層した時の密着性を劣化させずに、裏面に導電性パターンを形成する時の配線板の取り扱いが容易になる。次に、膜厚の減少した絶縁性被膜３４と導電性バンプ２２の上に、導電性バンプ２２の先端部を陥没可能な有機樹脂フィルム、例えば、クレラップ、パイレン、ナイロン、PET、PPT、又は、PIからなる保護膜２６をラミネートにより形成する（図３(e)）。保護膜２５は、後工程である裏面における導電性パターンの印刷時に導電性バンプ２２を変形や損傷から保護する目的で形成する。次に、絶縁性被膜２５の裏面の導電性箔２１上に例えばフォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成する。次に、ウェットエッチングによりレジストパターンをマスクにして導電性箔２１をエッチングし、レジストパターンを除去し、配線２７を形成し、保護膜２５を剥離する（図３(g)）。次に、絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ２２の上及び周囲に塗布し、流動性被膜２８を形成する（図３(h)）。次に、例えば、乾燥炉で加熱し、流動性被膜２８に含まれる揮発成分を所定量蒸発させ、その膜厚を減少させ、絶縁性未硬化被膜２９とし、配線板部材を完成する（図３(i)）。絶縁性被膜２９が未硬化被膜であるので、絶縁性被膜２９に接して積層する部材との密着性が改善される。
【００２０】
[製造方法、材料等に関する詳細説明]
以下、本発明の実施の形態に係る多層配線板部材を構成する導電性バンプ、絶縁性被膜、配線に関する好適な製造方法、材料等について詳細に説明する。
【００２１】
[製造方法]
（導電性バンプの形成）
１．導電性ペーストの調整工程
導電性ペーストは、溶媒に樹脂組成物と導電性粒子を溶解又は分散させて調整したものを用いる。
２．導電性ペーストの印刷・乾燥・固化工程
導電性バンプは、例えば、スクリーン印刷法を用いて、所定のマスクを用い、導電性ペーストを配線板上あるいは支持基板上に印刷して形成する。所定の高さ及びアスペクト比の導電性バンプを形成するためには、必要に応じ異なるマスクを用いて、数回に分けて印刷を繰り返してもよい。
【００２２】
（絶縁性被膜の形成）
１．絶縁性樹脂配合液の調製工程
熱硬化性樹脂組成物を、溶媒に溶解又は分散させて絶縁性樹脂配合液を調整する。溶媒としては、例えば、有機溶媒を用いる。有機溶媒としては、ケトン系溶媒、芳香族系溶媒が挙げられる。例えば、前者としては、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、後者としては、トルエン、キシレンが挙げられる。 
同時に、絶縁性フィラーを溶媒中に分散させる。絶縁性フィラーは溶媒中に均一に分散させるのが好ましい。絶縁性フィラーの添加量は、絶縁性樹脂組成物に対し、１０ｖｏｌ％以上とするのが好ましい。
溶媒の使用量については、溶媒の蒸発により導電性バンプの頭出しを適切に行うために、絶縁性樹脂配合液中の揮発成分の含有量が適正な範囲となるように調整するのが好ましい。例えば、N.V.（不揮発性樹脂成分の含有量）が１０重量％〜８０重量％の範囲となるように樹脂を溶媒で希釈するのが好ましい。また、絶縁性樹脂配合液の粘度は、１００〜６００mPa・Sの範囲とするのが好ましい。粘度が小さすぎると、樹脂配合液の塗布時に流れ出しが発生し、塗布できないという問題がある。粘度が大きすぎると、塗布表面の平坦性が悪くなるという問題がある。
本発明に係る多層配線板の絶縁性被膜の製造に用いるエポキシ樹脂及びオリゴフェニレンエーテル樹脂は、いずれも常温では固体で、100℃程度までの温度では熱軟化性を示す樹脂である。粉末又はフィルム状で固体の材料を溶媒に溶解又は分散して、必要に応じ加熱して樹脂配合液（液体）にする。樹脂配合液を基板に塗布した後、乾燥し常温に戻すと被膜（固体）に変化する。本発明に係る多層配線板の製造には、特に、乾燥・固化温度が60℃以上、160℃以下で完結できるような溶剤と樹脂の組み合わせを用いるのが好ましい。
２．絶縁性樹脂配合液のコーティング工程
得られた絶縁性樹脂配合液を、導電性バンプを有する支持体の上にコーティングし、絶縁性被膜を形成する。コーティング方法は特に限定されないが、例えば、ドクターブレード法、カーテンコート法、マイクログラビア法、スロットダイ法を用いるのが好ましい。また、コーティング工程における絶縁性被膜の厚さは、導電性バンプの高さよりも厚くコーティングするのが好ましい。導電性バンプの高さよりも厚くコーティングしてから、導電性バンプの高さより薄くなるまで絶縁性被膜を膜減りさせると、均一性、再現性よく導電性バンプの頭出しができる。
３．溶媒蒸発工程
溶媒蒸発工程は本発明に係る多層配線板部材を製造する上で必ずしも行う必要はないが、溶媒蒸発を行わない場合に比べ、より高い配線接続安定性を得ることが可能である。具体的には、コーティングした絶縁性被膜を、加熱、又は、自然乾燥させることにより、絶縁性被膜中の揮発成分を蒸発させ、膜厚を減少させる。溶剤の種類、乾燥機の排気風速、風量などによって所定の温度に対する処理時間は適宜調整する必要があるが、例えば、８０〜１２０℃、１〜３０分程度に設定する。
【００２３】
（積層熱プレス）
一括積層の場合は、複数の配線板部材と必要に応じコア基板を位置合わせして積層した後、加熱下でプレスし、多層配線板を形成する。一方、順次積層の場合は、コア基板に対し、複数の配線板部材を一枚ごとに積層して熱プレスを行う。加熱条件は、多層配線板を構成する熱硬化性樹脂が耐熱温度以下で、かつ、完全硬化するように設定するのが好ましい。加熱プレスの条件は適宜設定することができる。絶縁性樹脂の硬化反応開始温度以下、かつ、熱溶融粘度が下がる温度以上とするのが好ましい。また、絶縁性フィラーが導電性バンプの上に存在した場合でも、積層熱プレスの工程で導電性バンプにクラックが生じず、電気的接続を十分確保できる条件とすることが好ましい。例えば、温度１７０〜２１０℃、実圧力５〜１５kgf/cm2とすることができる。未硬化フィルムの最低溶融粘度を比較的高くすることができるため、加熱プレスにおいて樹脂流れがなく、硬化前後の厚みをほぼ一定にすることができ、かつ硬化後の厚みの均一性を良好にすることができる。
【００２４】
[材料]
（導電性バンプ材料）
導電性ペーストを構成する樹脂組成物としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂などの熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。熱硬化性樹脂は流動性があり成型が容易で、後工程で加熱して硬化させ機械的強度を持たせることができる。
樹脂組成物を溶解又は分散する溶媒としては、例えば、有機溶媒を用いる。有機溶媒としては、芳香族系溶媒、例えば、トルエン、キシレン、ケトン系溶媒が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンが挙げられる。
樹脂配合液中に分散する導電性粒子としては、Ag, Cu, Au, Niのいずれか、又は、それらの少なくとも２種以上が混合されたもの、或いは、それらの化合物を用いるのが好ましい。
また、導電性バンプを構成する樹脂組成物は、前記熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を１０ｗｔ％以上、３０ｗｔ％以下の混合比で添加した材料を用いるのが好ましい。多層配線基板の積層熱プレス工程において導電性バンプにおけるクラック発生を抑制する効果がある。
【００２５】
（絶縁性被膜材料）
近年の高度情報化社会では、情報の高速・大容量伝送に向けて、電子機器の動作周波数の高速化が年々進んでいる。電子機器に搭載される多層配線板においても、配線板を構成する絶縁性被膜の材料として比誘電率や誘電損失の低い材料の使用が求められている。
さらに、電子機器の小型化、薄型化に伴い、配線板の薄型化が求められている。そのため絶縁性被膜の材料は、高い再現性で薄い絶縁性被膜の形成が可能な材料であることが好ましい。また、製造コスト低減のため、厚膜プロセスを用いる場合でも薄膜化が可能な材料の使用が好ましい。
本発明の多層配線板の製造における絶縁性部材の材料としては、比誘電率及び誘電正接の
低い熱硬化性樹脂を用いるのが好ましく、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、オリゴフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテル樹脂、メラミン樹脂を用いるのが好ましい。
熱硬化性樹脂の硬化後の比誘電率は、５GHｚにおいて２．０〜３．０の範囲であり、誘電正接が５GHｚにおいて０．００１〜０．００５の範囲のいずれかを満たす材料を用いるのが好ましい。
【００２６】
＜エポキシ樹脂＞
また、上記熱硬化性樹脂組成物としては、国際公開第２００５／１００４３５号に記載されたエポキシ樹脂組成物も好適に使用できる。具体的には、１つ以上のヒドロキシ基と２つ以上のエポキシ基とを有する重量平均分子量１，５００〜７０，０００の直鎖状エポキシ樹脂（A）と、フェノール性ヒドロキシ基の少なくとも一部を脂肪酸でエステル化した変性フェノールノボラック（B）とを含有するエポキシ樹脂組成物であって、上記変性フェノールノボラック（B）の含有量が、上記直鎖状エポキシ樹脂（A）１００重量部に対して３０〜２００重量部であるエポキシ樹脂組成物が、誘電特性（例えば、低誘電率、低誘電正接）に優れる点から好適に挙げられる。
直鎖状エポキシ樹脂（A）の重量平均分子量は、１，５００〜７０，０００のである。
直鎖状エポキシ樹脂（A）の数平均分子量は、好ましくは３，７００〜７４，０００、より好ましくは５，５００〜２６，０００である。
直鎖状エポキシ樹脂（A）のエポキシ当量は、５０００ｇ／ｅｑ以上が好ましい。
なお、本明細書において、重量平均分子量および数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰC）により、標準ポリスチレンによる検量線を用いた値とする。
直鎖状エポキシ樹脂（A）としては、重量平均分子量／数平均分子量が２〜３の範囲のものが特に好ましい。
直鎖状エポキシ樹脂（A）としては、具体的には、例えば、下記式（１）で示される化合物が好ましく、下記式（２）で示される化合物がより好ましい。
【化１】
2011040493.tif 000003
上記式中、ＸおよびＹは、それぞれ、単結合、炭素数１〜７の炭化水素基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−CＯ−または下記式で示される基である。ＸおよびＹが複数ある場合は、それぞれ、同一であっても、異なっていてもよい。
【化２】
2011040493.tif 000004
ここで、上記式中Ｒ2は、炭素数１〜１０の炭化水素基またはハロゲン原子であり、Ｒ2が複数ある場合は、それぞれ、同一であっても、異なっていてもよい。Ｒ3は、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基またはハロゲン原子である。ｑは、０〜５の整数である。
上記式（１）〜（２）中、Ｒ1およびＲ4は、それぞれ、炭素数１〜１０の炭化水素基またはハロゲン原子である。Ｒ1およびＲ4が複数ある場合は、それぞれ、同一であっても、異なっていてもよい。
ｐおよびｓは、それぞれ、０〜４の整数であり、同一であっても、異なっていてもよい。
上記式（１）中、ｎは、平均値を表し、２５〜５００である。
上記式（２）中、ｔは、平均値を表し、１０〜２５０である。
直鎖状エポキシ樹脂（A）は、上記式（１）において、ｐが０である、式（１′）で示される化合物であるのがより好ましい。
【化３】
2011040493.tif 000005
上記式中、Ｘおよびｎはそれぞれ上記式（１）中のＸおよびｎと同義である。
上述した直鎖状エポキシ樹脂（A）は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
上記フェノール性ヒドロキシ基の少なくとも一部を脂肪酸エステル化した変性フェノールノボラック（B）としては、例えば、下記式（３）で表される変性フェノールノボラックが好適に挙げられる。
【化４】
2011040493.tif 000006
上記式（３）中、Ｒ5は、炭素数１〜５のアルキル基を表し、好ましくはメチル基であり、複数のＲ5は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ6は、炭素数１〜５のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、複数のＲ6は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ7は、炭素数１〜５のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、複数のＲ7は、同一であっても異なっていてもよい。
ｇは、０〜３の整数を表し、複数のｇは、同一であっても異なっていてもよい。
ｈは、０〜３の整数を表し、複数のｈは、同一であっても異なっていてもよい。
ｎ：ｍは、１：１〜１．２：１であり、約１：１であることが好ましい。
ｎとｍの合計としては、例えば２〜４とすることができる。
上記式（３）におけるｎ、ｍは、繰り返し単位の平均値であり、繰り返し単位の順序は限定されず、ブロックでもランダムでもよい。
変性フェノールノボラック（B）としては、好ましくは、下記式（３′）で表される変性フェノールノボラックが挙げられる。
【化５】
2011040493.tif 000007
上記式（３′）中、Ｒ5、ｎおよびｍは、それぞれ、上記式（３）のＲ5、ｎおよびｍと同様である。
特に好ましくは、上記式（３′）においてＲ5がメチル基のアセチル化フェノールノボラックである。
これらの変性フェノールノボラックは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
上記（B）成分の含有量は、上記（A）成分１００重量部に対して３０〜２００重量部であるのが好ましい。（B）成分の含有量がこの範囲であると、誘電特性、フィルム形成性、硬化反応性に優れる。上記（B）成分の含有量は、上記（A）成分１００重量部に対して、５０〜１８０重量部であるのがより好ましい。
上記エポキシ樹脂組成物は、更に、（C）イソシアネート化合物を含有するのが好ましい態様の１つである。エポキシ樹脂中にヒドロキシ基がある場合は、そのヒドロキシ基や、エポキシ樹脂が開環した際に生成するヒドロキシ基と、イソシアネート化合物中のイソシアネート基が反応して、ウレタン結合を形成し、硬化後のポリマーの架橋密度を上げ、分子の運動性を更に低下させるとともに、極性の大きいヒドロキシ基が減少するため、一層の比誘電率の低下、誘電正接の低下が可能になる。更に、エポキシ樹脂は分子間力が大きく、フィルム化する場合に均一な成膜が困難であり、かつフィルム化してもフィルム強度が弱く、フィルム形成時にクラックが入り易い傾向があるが、イソシアネート化合物を配合することによりこれらの欠点を除くことができる。
上記イソシアネート化合物としては、２個以上のイソシアネート基を有する化合物が挙げられる。例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、テトラメチルキシリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、ダイマー酸ジイソシアネート、水素化キシリレンジイソシアネート、リシンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、トリ（イソシアネートフェニル）トリホスファート等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
これらの中でも、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネートが好ましい。
また、上記イソシアネート化合物には、イソシアネート化合物の一部が環化反応により、イソシアヌレート環を形成したプレポリマーを含むものとする。例えば、イソシアネート化合物の３量体を含むプレポリマーが挙げられる。
上記イソシアネート化合物は、特に、上述した直鎖状エポキシ樹脂（A）との組み合わせで使用することが好ましい。エポキシ樹脂の開環反応に伴う生成したヒドロキシ基とイソシアネート基との反応に加えて、直鎖状エポキシ樹脂（A）中にはヒドロキシ基が存在するため、このヒドロキシ基とイソシアネート基とが反応できるため、より大きな効果が得られる。
上記（C）成分の含有量は、上記（A）成分１００重量部に対して１００〜４００重量部であるのが好ましく、３００〜３５０重量部であるのがより好ましい。（C）成分の含有量がこの範囲であると、硬化する際に発泡が抑えられ均一なフィルムになりやすく、また、硬化後にクラックが生じにくく、誘電特性（例えば、低誘電率、低誘電正接）にも優れる。
上記エポキシ樹脂組成物は、更に、（D）ジビニルベンゼンを含有するのが好ましい態様の１つである。ジビニルベンゼンを含有すると、架橋成分の溶融温度の低温化、成型時の流動性の向上、硬化温度の低温化、相溶性の向上に優れる。
上記（D）成分の含有量は、上記（A）成分１００重量部に対して、４０〜１８０重量部であるのが好ましい。
上記エポキシ樹脂組成物は、任意の成分として硬化促進剤を含有してもよい。
硬化促進剤としては、エポキシ樹脂組成物の硬化促進剤として公知のものを使用することができ、例えば、２−メチルイミダゾ−ル、２−エチル−４−メチルイミダゾール等の複素環化合物イミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等のリン化合物類、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、ベンジルジメチルアミン等の第三級アミン類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセンやその塩等のＢＢＵ類、アミン類、イミダゾ−ル類をエポキシ、尿素、酸等でアダクトさせたアダクト型促進剤類等が挙げられる。
硬化促進剤の含有量は、上記（A）成分１００重量部に対して、１〜１０重量部であるのが好ましい。
上記エポキシ樹脂組成物は、任意の成分として重合開始剤を含有してもよい。
重合開始剤としては、公知の重合開始剤を使用することができ、例えば、過酸化ベンゾイル、アゾビスイソブチロニトリル、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、１，１，３，３−テトラメチルブチルペルオキシ−２−エチルヘキサノアート等が挙げられる。
重合開始剤の含有量は、上記（A）成分１００重量部に対して、１〜１０重量部であるのが好ましい。
上記エポキシ樹脂組成物は、必要に応じて、粘着性付与剤、難燃化剤、消泡剤、流動調整剤、分散助剤等の添加剤を含有してもよい。
また、上記エポキシ樹脂組成物は、本発明の目的を損なわない範囲で、弾性率の向上、膨張係数の低下、ガラス転移温度（Ｔｇ値）の変更等を目的として、必要に応じて、（A）成分以外のエポキシ樹脂を含有してもよい。
（A）成分以外のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ビフェニルエポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
また、上記エポキシ樹脂組成物は、本発明の目的を損なわない範囲で、脂肪酸エステル化されていないフェノールノボラック、クレゾールノボラック樹脂、フェノール多核体等の公知のエポキシ樹脂硬化剤を含有してもよい。
フェノール多核体としては、例えば、３〜５核体程度等のフェノール類が挙げられる。
上記エポキシ樹脂組成物は、公知の方法により製造することができる。例えば、溶媒の存在下または非存在下に（A）、（B）の各々をプロペラ撹拌機、バンバリー式ミキサー、遊星式ミキサー、加熱真空混合ニーダー等により混合できる。
また、例えば、樹脂成分は所定の溶剤濃度に溶解し、それらを２５〜６０℃に加温された反応釜に所定量投入し、常圧混合を３０分〜６時間行うことができる。その後、真空下（最大１Ｔｏｒｒ）で更に５分〜６０分混合撹拌することができる。
【００２７】
＜OPE樹脂＞
さらに、上記熱硬化性樹脂組成物としては、オリゴフェニレンエーテル系樹脂配合物も好適に使用できる。具体的には、（Ａ）成分は、熱硬化性の数平均分子量１０００以上３０００以下の両末端に官能基をもったオリゴフェニレンエーテルであり、並びに（Ｂ）成分は、ビニル芳香族炭化水素を主体とするハードセグメントブロック部と、共役ジエンを主体とするソフトセグメントブロック部とから構成されたブロック共重合体であり、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液にて硬化反応をさせない条件で溶剤を揮発させて得られたオリゴフェニレンエーテル系樹脂配合物が挙げられる。
ここで、前記絶縁性樹脂配合液にて（Ａ）成分１００部に対して、（Ｂ）成分が６７部以上１５０部以下である。更に、前記絶縁性未硬化被膜の（Ｂ）成分は、ゴム及び／又はスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−エチレン／ブタジエン−スチレン共重合体から選ばれた１以上の熱可塑性エラストマーである。
上記熱硬化性樹脂組成物に用いられる熱硬化性樹脂としては、例えば、両末端にスチレン官能基、ビニル基、グリシジル基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基等の官能基を有する熱硬化性オリゴフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、両末端にスチレン官能基を有する熱硬化性オリゴフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂が、誘電特性（例えば、低誘電率、低誘電正接）、低吸水性、塗膜形成性等に優れる点から好ましい。
上記熱硬化性樹脂組成物としては、特に、本願出願人が先に出願した特願２００６−２１５４６４号明細書に記載されたオリゴフェニレンエーテル系樹脂組成物が好ましい。具体的には、例えば、数平均分子量５００〜５０００の両末端にスチレン官能基を有する熱硬化性オリゴフェニレンエーテル（Ａ）１００重量部と、ビニル芳香族炭化水素モノマーに由来する繰返し単位と共役ジエンモノマーに由来する繰返し単位とを含むブロック共重合体（Ｂ）５０〜２５０重量部とを含有する熱硬化性樹脂組成物が、誘電特性（例えば、低誘電率、低誘電正接）、低弾性、塗膜形成性に優れる点から好適に挙げられる。
上記熱硬化性オリゴフェニレンエーテル（Ａ）としては、例えば、特開２００６−２８１１１号公報に記載されている２，２′，３，３′，５，５′−ヘキサメチルビフェニル‐４，４′−ジオール−２，６−ジメチルフェノール重縮合物とクロロメチルスチレンとの反応生成物が挙げられる。
このような熱硬化性オリゴフェニレンエーテル（Ａ）は、公知の方法により製造することができる。また、市販品を用いることもできる。例えば、ＯＰＥ−２ｓｔ  ２２００（三菱ガス化学社製）を好適に使用することができる。
熱硬化性オリゴフェニレンエーテル（Ａ）の数平均分子量が５，０００を超えると、揮発性溶剤に溶解し難くなる。一方、数平均分子量が５００未満であると、架橋密度が高くなりすぎるため、硬化物の弾性率や可撓性に悪影響がでる。そのため、熱硬化性オリゴフェニレンエーテル（Ａ）の数平均分子量は、５００〜５，０００であり、１、０００〜３、０００であるのが好ましい。
上記ブロック共重合体（Ｂ）は、ビニル芳香族炭化水素を主体とするハードセグメントブロック部と、共役ジエンを主体とするソフトセグメントブロック部とから構成されるブロック共重合体である。
上記ブロック共重合体（Ｂ）としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−エチレン／ブタジエン−スチレンブロック共重合体等が挙げられる。
ブロック共重合体（Ｂ）は、公知の方法により製造することができる。また、市販品を用いることもできる。例えば、ＴＲ２００３（ＪＳＲ社製）を好適に使用することができる。
上記熱硬化性樹脂組成物におけるブロック共重合体（Ｂ）の含有量は、熱硬化性オリゴフェニレンエーテル（Ａ）１００重量部に対して、５０〜２５０重量部であり、６５〜２００重量部であるのが好ましく、８０〜１５０であるのがより好ましい。ブロック共重合体（Ｂ）の含有量がこの範囲であると、フィルム形成能、熱硬化性オリゴフェニレンエーテル（Ａ）との相溶性に優れる。
上記オリゴフェニレンエーテル樹脂組成物に用いられる揮発性溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
揮発性溶剤の含有量は、組成物の粘度が上記の範囲になるように適宜調整すればよく特に限定されないが、樹脂成分が１５〜４５重量％となるように使用するのが好ましく、１５〜３５重量％となるように使用するのがより好ましい。組成物中の樹脂成分の割合がこの範囲であると、繊維質基材に含浸しやすくなり、気泡を少なくすることができる。このような低濃度では、従来の縦型含浸装置では、所望の樹脂付着量を得るためには大量のワニス付着量にしなければならず、そうすると垂直方向に進行する際に含浸した樹脂が垂れて不均一な縦縞になって樹脂斑のひどいものになる上に、塗布膜内部に溶剤が残って表面だけが乾燥するといった現象が起きて均一な未硬化状態にはならない。
上記オリゴフェニレンエーテル樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、無機フィラー、粘着性付与剤、難燃化剤、消泡剤、流動調整剤、成膜補助剤、分散助剤等の添加剤を含有していてもよい。
また、上記オリゴフェニレンエーテル樹脂組成物は、硬化触媒を含有していてもよいが、加熱のみによって硬化することができる。
上記オリゴフェニレンエーテル樹脂組成物の製造方法は特に限定されず、公知の製造方法を採用できる。例えば、上述した各成分を撹拌機により十分混合して製造することができる。
【００２８】
＜ADFLEMA＞
絶縁性樹脂として、例えば、ADFLEMA（ナミックス株式会社製商品名）を用いるのが好ましい。ADFLEMAは、OPE樹脂の1種であるオリゴフェニレンエーテルとスチレンブタジエン系のエラストマーからなる樹脂である。ADFLEMA製品は未硬化状態のフィルムであるが、それが熱硬化した場合の比誘電率ε=2.0〜3.0、誘電正接tanδ=0.001〜0.005といずれも小さく、高周波特性に優れている。また、膜厚が２〜９０μm程度の薄膜の形成が可能である。さらに、揮発性の溶媒を例えば７０％程度含んでいるので、コーティングして加熱又は乾燥することにより膜厚を例えば７０％減少させることができ、膜厚減少による導電性バンプの頭出し工程を含む本発明の多層配線板の製造に好適である。
【００２９】
＜絶縁性樹脂に含まれる繊維基材＞
本発明の多層配線板用の部材に用いる絶縁性樹脂は、繊維基材を含まないことが好ましい。絶縁性樹脂配合液の状態で繊維基材を含まないので、配合液の粘度を低減可能であり、導電性バンプ周囲や基板表面に対する被覆性が高く、かつ膜減り工程において、導電性バンプの頭部における配合液の残渣を少なくできる。それに対し、絶縁性樹脂配合液にガラス繊維チョップなどの繊維基材を配合すると、均一な分散スラリーにすることが極めて困難である上に、仮にそれができたとしても、塗布の際に導電性バンプ頂上部への繊維チョップのブリッジが避けられず、加えて、誘電特性の劣るガラス繊維基材の導入は本発明により得られる効果とは相容れないことである。
【００３０】
＜絶縁性フィラー＞
本発明の多層配線板用の部材に用いる絶縁性フィラーは、高い電気的絶縁性を備え、積層熱プレスに対する変形が生じず、多層配線基板の層間絶縁を保持可能な強度を有し、溶媒に対し均一に分散する材料を用いるのが好ましい。例えば、シリカ、シリコンカーバイド、アルミナ、窒化アルミ、ジルコニアビーズ、ガラスビーズ、アクリルビーズの中から選択された一つ又は複数の材料を用いるのが好ましい。
絶縁性フィラーは粉末又は粒子状であるのが好ましい。絶縁性フィラーの平均粒径は、導電性バンプの高さの２０％以上で、１００％以下であるのが好ましく、導電性バンプの底面径の５０％以下であるのが好ましい。
【００３１】
（配線材料）
多層配線板の配線を形成するには、導電性箔をエッチングして導電性パターンを形成してもよいし、導電ペーストを印刷して形成してもよい。
導電ペーストを構成する樹脂組成物としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂などの熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。熱硬化性樹脂は流動性があり成型が容易で、後工程で加熱して硬化させ機械的強度を持たせることができる。
樹脂組成物を溶解又は分散する溶媒としては、例えば、有機溶媒を用いる。有機溶媒としては、芳香族系溶媒、例えば、トルエン、キシレン、ケトン系溶媒が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンが挙げられる。
樹脂配合液中に分散する導電性粒子としては、Ag, Cu, Au, Niのいずれか、又は、それらの少なくとも２種以上が混合されたもの、或いは、それらの化合物を用いるのが好ましい。
導電性ペーストは、例えば、樹脂の中に導電性粒子（例えば、Ag, Cu, Au, Niのいずれか或いはそれらの少なくとも２種以上が混合されたもの）を分散させ、さらに揮発性の溶剤を混合させたものを調整する。
＜熱硬化型の導電ペースト＞
また、配線材料として、熱硬化型の導電ペーストを用いてもよい。１００〜２００℃の低温の熱処理でも、十分低抵抗の配線形成が可能である。熱硬化型の導電ペーストを用いる場合は、配線の厚さは、１〜２０μmの範囲とするのが好ましい。
＜銀微粒子を含む導電ペースト＞
また、導電性ペーストの材料として、特許文献３に開示された導電ペーストを用いてもよい。特許文献３に開示された材料は、有機溶媒の存在又は非存在下に、カルボン酸の銀塩と脂肪族アミンを混合し、還元剤を添加して反応温度２０〜８０℃で反応させた反応物から回収した銀微粒子を含む導電ペーストである。
導電ペーストに含まれる銀微粒子は、
(a)一次粒子の平均粒子径が４０〜３５０nmであり、
(b)結晶子径が２０〜７０nmであり、かつ
(c)結晶子径に対する平均粒子径の比が１〜５であることが好ましい。
また、導電性ペーストに含まれる銀微粒子は、
(a)一次粒子の平均粒子径が５０〜８０nmであり、
(b)結晶子径が２０〜５０nmであり、かつ
(c)結晶子径に対する平均粒子径の比が１〜４であることがさらに好ましい。
係る導電ペースト材料は200℃以下の低温の熱処理でも十分大きな導電性を示す。有機配線板の耐熱温度以下の低温で硬化可能で、低温硬化にも関わらず比較的導体抵抗の低い（約10×10-5Ω・cm以下）導電性パターンを形成できる。従って、配線の膜厚を薄く、配線幅を細くしても配線遅延の増加の抑制又は低減が可能である。粒子径が小さいので、細線をスクリーン印刷する時でも目詰まりを起こしにくい。他の導電性微粒子を含む導電ペースト、例えば、ナノ粒子を含む導電ペーストと比較して、粒子径が大きいことから膜厚１μm〜10μmの配線を形成するのに好適であり、また、材料コストをより低く抑えることが可能である。特許文献３に開示された導電ペーストを用いる場合は、配線の厚さは、５μm以下とするのが好ましい。
【００３２】
[硬化度]
（導電性バンプの硬化度）
製造工程の途中段階で、多層配線板部材を構成する導電性バンプと絶縁性被膜の硬化状態は、以下の組み合わせから選択可能である。
（１）導電性バンプ：完全硬化状態、絶縁性被膜：未硬化状態
（２）導電性バンプ：未硬化と完全硬化の間の状態、絶縁性被膜：未硬化状態
ここで、「未硬化と完全硬化の間の状態」とは、樹脂が適切な熱処理によりある程度の硬化を進めているが、完全硬化に至らない状態のことである。
従来のB2it技術では、絶縁性被膜は、硬化状態が一般にＢステージと呼ばれる絶縁性フィルムを熱で軟化させて導電性バンプに貫挿させていた。導電性バンプの貫挿によりビアを形成する方法であるため、導電性バンプに所定の値以上のアスペクト比が必要とされるとともに、所定の値以上の硬度が必要であり、導電性バンプは完全硬化状態とせざるを得なかった。
しかし、本発明に係る技術は、導電性バンプの貫挿を行わず、導電性バンプ上に絶縁性被膜を形成し、絶縁性被膜の膜厚を減少させて絶縁性未硬化被膜を形成した後、導電性バンプと第二の導体層又はコア基板と接合を行う技術である。そのため、導電性バンプの硬度は、貫挿法で必要な程度の硬度は必要でなく、ある程度の導電性バンプの形態を保持できれば十分であり、完全硬化、又は、未硬化と完全硬化の間の状態に任意に設定することができる。また、絶縁性未硬化被膜については、本発明では、未硬化とするものであり、厳密に言えば、絶縁性未硬化被膜の少なくとも表面は未硬化とするものである。各部材の硬度は、印刷又は塗布後における、乾燥、加熱等の工程において、処理温度又は処理時間をコントロールすることにより任意の硬度に制御することが可能である。部材の材料などにより温度、時間等の最適条件は変化するが具体的材料ごとの最適条件については、予め実験などにより求めておけばよい。
具体的な導電性バンプの硬度の例を以下に示す。
従来の導電性バンプは、プリプレグを貫挿するために、貫挿工程（温度条件は８０℃〜１２０℃）の段階にて完全硬化の状態とする必要があった。導電性パンプの硬度は、３５〜４０が必要であった。
本発明の技術により、導電性バンプを未硬化と完全硬化の間の状態とする場合は、例えば、ガラス転移温度が１１０から１４０℃の間の材料からなる導電性バンプを用い、その硬度を１５〜３０とする。
導電性バンプを未硬化と完全硬化の間の状態とする場合の効果は以下の通りである。
１．導電性バンプと接触する配線パターンとの密着性、導電性が、導電性バンプが完全硬化である場合よりも優れている。導電性バンプが完全硬化状態でないために、積層プレス工程における所定の加熱条件で導電性バンプの塑性変形が起こりやすい。そのため、導電性バンプと導電性バンプに接触する配線部材に対する密着性が向上し、同時に接触面積が大きくなってビア抵抗の低減と電気的接続の信頼性が向上する。同時に、導電性バンプを形成する導電ペースト中のバインダー成分が圧縮され、絶縁性未硬化被膜中に押し出される。このため、導電ペースト中に分散した導電粒子と導電性バンプに接触する配線部材との結合が強固になり、導電粒子が緻密化される。その後の収縮で導電性バンプ中の導電粒子が再配列して導電性が一層向上するという効果が得られる。
２．積層プレス工程において、従来よりもはるかに少ないプレス圧力で多層配線板の形成が可能となる。そのため、部材に加わる歪みが小さくなり部材の信頼性が向上する。
３．本発明の製造方法は、絶縁性樹脂配合液の膜減りで絶縁性未硬化被膜を形成した後、導電性バンプと第二の導体層又はコア基板と接合するので、従来のようなプリプレグを貫挿するような力は導電性バンプには印加されない。また、膜減りの乾燥・固化温度条件を、導電性バンプの硬化状態に影響を与えない範囲に設定すれば、導電性バンプの形状は、印刷直後の形状が、そのまま安定に維持される。
４．導電性バンプを配線パターンと密着する場合、導電性パンプの先端部の塑性変形がなめらかに行われる。
上記の導電性バンプの硬度は、微小硬度計ＭＸＴ５０（松沢製機(株)）で、試験温度２３℃、試験荷重２５Kgf、荷重保持時間１５秒で測定した。
【００３３】
（絶縁性被膜の硬化度）
本発明の多層配線板の製造方法では、途中工程において、導電性バンプ周辺に形成する絶縁性被膜が「未硬化」と言われる硬化前の状態となり、熱プレス工程において「完全硬化」又は「硬化」と呼ばれる状態になるように加熱条件を制御するのが好ましい。
本発明の多層配線板部材における絶縁性被膜の材料として好適なエポキシ樹脂系、又は、OPE樹脂系については、具体的には、本願明細書の段落（００２６）又は（００２７）に記載された材料のことである。絶縁性被膜がエポキシ樹脂系の場合は、加熱条件が１３０〜１８０℃、かつ10分〜1時間の範囲で、絶縁性被膜は「未硬化」と「完全硬化」の中間の硬化度になる。絶縁性被膜がオリゴフェニレンエーテル樹脂系の場合は、加熱条件が１３０〜２００℃、かつ10分〜1時間の範囲で、絶縁性被膜は「未硬化」と「完全硬化」の中間の硬化度になる。この状態の絶縁性硬化被膜を、本願明細書では「絶縁性未硬化被膜」と呼ぶ。その条件より低温又は短時間の加熱の場合は、絶縁性被膜は未硬化状態に、その条件より高温又は長時間の加熱の場合は、絶縁性被膜はより完全硬化に近い状態になる。例えば、オリゴフェニレンエーテル樹脂系の場合は、１６０℃の加熱であっても、加熱時間が５分程度であれば、硬化反応は不十分であり、絶縁性被膜は未硬化に近い状態を維持する。
絶縁性被膜を未硬化被膜とする場合は、絶縁性被膜に接して形成される部材、例えば、導電性パターンのような導電性被膜、或いは、上層又は下層の絶縁性被膜との密着強度が、架橋前で分子量の低い樹脂であるために、熱流動性のある状態での相互接触になるために相手との濡れが良く、したがって接着は強くなる。そのため、配線が剥離しにくくなる、配線板が強固なものになるという効果がある上に、硬化度が低く、下地の実装部品による凹凸を隙間なく埋め込むことが可能であり、配線板表面の平坦化にも高い効果が得られる。
一方、未硬化被膜は、機械的強度に劣るため、例えば、被膜上に印刷により導電性パターンを形成する場合に取り扱いが容易でなくなる場合がある。このような場合には、導電性パターンを形成する側の被膜を適切な条件で加熱し、完全硬化状態に変化させてから、さらに、その上に未硬化被膜を積層するのが好ましい。未硬化被膜と完全硬化被膜を積層することにより、密着性、平坦性を向上させ、同時に、導電性パターン加工工程における作業性の向上を図ることができる。
たとえば、本発明のエポキシ系においては、用途によっては加熱流動性がありすぎるために、前段で加熱硬化を若干進めて流動粘度を上げてから（プリベーキングしてから）加圧積層したほうが好ましい場合がある。
【００３４】
[部材の形状、サイズパラメータ]
（サイズパラメータの定義）
図１２(a) 乃至(c)は、本発明の多層配線板部材に係るサイズパラメータの定義を説明する図である。
図１２(a) は、導電性バンプ２２１上に流動性被膜２２２を塗布により形成した後の多層配線板部材の断面図であり、図１２(b)及び(c)は、流動性被膜２２２を膜減りし、絶縁性未硬化被膜２２３を形成した後の多層配線板部材の断面図である。導電性バンプの頭出しは、典型的には、図１２(b)のように導電性バンプの頭が完全に露出する。しかし、最悪の場合、図１２(c)のように導電性バンプの頭の一部に絶縁性被膜が残る。
ここで、t1は、流動性被膜２２２の厚さであり、t2は、絶縁性未硬化被膜２２３の厚さであり、h1は、導電性バンプ２２１の厚さである。また、a1は、導電性バンプの底面径（底面の直径）であり、θ1は、導電性バンプ７１の上断面の中心角である。また、図１２(c)に示す最悪の場合において、Sb1はバンプの底面積であり、Se1は導電性バンプの頭における導電性バンプ２２１の露出面積である。導電性バンプの底面積に対する露出面積比は、Se1／Sb1×100(%)で定義する。
また、図示していないが、積層熱プレス後の導電性バンプの高さはh2、積層熱プレス後の絶縁層の厚さはt3であると定義する。t3は５μｍ以上とするのが好ましい。
【００３５】
（導電性バンプの形状）
導電性バンプの形状は、底部の直径よりも先端部断面の直径が小さい形状とするのが好ましい。例えば、円錐状、略円錐台状、山型とするのが好ましい。導電性バンプの上断面形状は、中心角θ1が１８０°以下のゆるやかな円弧であることが好ましい。ここで、導電性バンプの先端部断面とは、導電性バンプ先端を上部に配置した場合の導電性バンプの水平方向の断面であり、導電性バンプの上断面とは、導電性バンプの垂直方向の断面である。発明の多層配線板の製造方法では、導電性バンプはプリプレグを貫挿する必要がないので、先端が尖った形状にする必要はない。先端部をゆるやかな円弧にすることにより、ビアの断面積を大きくし、ビア抵抗を低減することが可能である。
導電性バンプの上断面を中心角が１８０°を越える円弧とする場合は、導電性バンプの先端部がくぼんだ形状となって、絶縁性未硬化樹脂がくぼみ部に残ってしまう。このため、ビアの接続不良やビア抵抗の増加などの不具合を発生させる。本発明の多層配線板部材では、導電性バンプの上断面が、中心角が１８０°以下のゆるやかな円弧形状であるので、絶縁性未硬化樹脂が導電性バンプの先端部に残らず、ビアの確実な接続及びビア抵抗の低減に効果がある。さらに、導電性バンプの先端が尖っていないので、一括積層熱プレスを行ってもビア先端部がつぶれたり、折れたりしないので、上層の導電性部材と確実な電気的接続をとることが可能である。
【００３６】
（導電性バンプの露出）
絶縁性樹脂配合液を塗布し、加熱又は乾燥により膜減りを行うと、絶縁性未硬化被膜と導電性バンプの境界において、図１２ (c)に示すように、導電性バンプの上面に多少の絶縁性物質が残ることがある。導電性バンプ上面において、導電性バンプが絶縁性物質の残渣などにより覆われていない割合を、導電性バンプの底面積に対する露出面積比で表すと、本発明の技術を用いる場合、導電性バンプの底面積に対する露出面積比を20％以上にすることができる。ビアの断面積を実質的に大きくすることが可能で、ビア抵抗の低減に効果がある。
【００３７】
[本発明の実施の形態に係る多層配線板、及び、その製造方法]
以下に、配線板部材及びコア基板を用いて多層配線板を製造する方法の具体例について、図４乃至図６を用いて説明する。本発明に係る多層配線板の製造方法は、ここで説明する多層配線板基板の製造方法におけるコア基板を導電性箔や絶縁性基板、又は、多層配線板部材により置換したものである。
【００３８】
（多層配線板の製造方法の第一の具体例）
第一の具体例では、図４(a)乃至(i)を用いて順次積層方式の多層配線板の製造方法を説明する。コア基板は、めっきスルーホール方式により製造したプリント多層配線板を用いた例を示す。最初に、コア基板５２の上面と下面にそれぞれ、本発明に係る多層配線板部材の製造方法の第二の具体例（図２）により製造した多層配線板部材５１と５３を位置合わせして（図４(a)）積層熱プレスを行い、絶縁性未硬化被膜であった多層配線板部材の絶縁性被膜を硬化被膜にする（図４(b)）。次に、多層配線板部材５１、５３上に例えばフォトリソグラフィー法によりレジストパターン５４を形成する（図４(c)）。次に、ウェットエッチングによりレジストパターン５４をマスクにして導電性箔５５をエッチングし、レジストパターン５４を除去し、配線５６を形成する（図４(d)）。次に、多層配線板５１、５３及び配線５６の上面に、本発明に係る多層配線板部材の製造方法の第二の具体例（図２）により製造した多層配線板部材５７と５８を位置合わせして（図４(e)）積層熱プレスを行い、絶縁性未硬化被膜であった多層配線板部材の絶縁性被膜を硬化被膜にする（図４(f)）。次に、多層配線板部材５９、６０上にフォトリソグラフィー法によりレジストパターン６２を形成する（図４(g)）。次に、ウェットエッチングによりレジストパターン６２をマスクにして導電性箔６１をエッチングし、レジストパターン６２を除去し、配線６３を形成し、多層配線板６６を完成する。（図４(h)）。
図４に示す順次積層方式の複合多層配線板基板の製造方法において、多層配線板を図１、図３に示す製造方法を用いて作製した基板部材を用い、あるいは、コア基板として導電性バンプにより層間接続を行ったプリント多層配線板を用いることが可能であることは言うまでもない。
【００３９】
（多層配線板の製造方法の第二の具体例）
第二の具体例では、図５(a)乃至(d)を用いて一括積層方式の多層配線板の製造方法を説明する。コア基板は、導電性バンプにより製造したプリント多層配線板を用いた例を示す。一般的にめっきスルーホール方式により製造したコア基板は実装密度が低いので、B2itなどの従来法により製造した基板を用いることも可能である。最初に、コア基板７５の上面  及び下面に本発明に係る多層配線板部材の製造方法の第三の具体例（図３）により製造した多層配線板部材に、予め、例えば、フォトリソグラフィー法とエッチングにより配線パターンを形成した多層配線板部材７４、７３、７６、７７と本発明に係る多層配線板部材の製造方法の第一の具体例（図１）により製造した多層配線板部材を位置合わせする（図５(a)）。次に、積層熱プレスを行い、絶縁性未硬化被膜であった多層配線板部材の絶縁性被膜を硬化被膜にする（図５(b)）。次に、導電性箔７１上に例えばフォトリソグラフィー法によりレジストパターン８４を形成し（図５(c)）、ウェットエッチングによりレジストパターン８４をマスクにして導電性箔７１をエッチングし、レジストパターン８４を除去し、配線８３を形成し（図５(d)）、多層配線板８５を完成する。
図５に示す一括積層方式の多層配線板基板の製造方法において、多層配線板を図１、図２に示す製造方法を用いて作製した基板部材を用い、あるいは、コア基板としてめっきスルーホール方式により製造したプリント多層配線板を用いることが可能であることは言うまでもない。
【００４０】
（多層配線板の製造方法の第三の具体例、第四の具体例）
第三の具体例、第四の具体例では、図６(a)及び(b)を用いてコア/コア積層方式の多層配線板の製造方法を説明する。コア基板は、導電性バンプにより製造したプリント多層配線板を用いた例を示す。
第三の具体例では、最初に、コア基板９５の上面に導電性バンプ９４を形成し、その後、絶縁性フィラー９３を分散した絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ９４の上及び周囲に塗布し流動性被膜を形成し、係る流動性被膜を乾燥して溶剤を蒸発させ絶縁性未硬化被膜９２を形成する。次に、コア基板９１を位置合わせして（図６(a)）、積層熱プレスを行い、絶縁性未硬化被膜であった多層配線板部材の絶縁性被膜を硬化被膜にして、多層配線板を完成する。
第四の具体例では、最初に、コア基板１００の上面に導電性バンプ９９を形成する。もう一つのコア基板９６の上面に、絶縁性フィラー９８を分散した絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成し、係る流動性被膜を乾燥して溶剤を蒸発させ絶縁性未硬化被膜９７を形成する。次に、コア基板９６と導電性バンプ９９を位置合わせして（図６(b)）、積層熱プレスを行い、絶縁性未硬化被膜であった多層配線板部材の絶縁性被膜を硬化被膜にして、多層配線板を完成する。
図６に示すコア/コア積層方式の多層配線板基板の製造方法において、コア基板としてめっきスルーホール方式により製造したプリント多層配線板を用いることが可能であることは言うまでもない。
【００４１】
[上塗り工と下塗り工]
多層配線基板を製造する工程において、積層熱プレスの前に絶縁性樹脂層と導電性バンプの配置の仕方には、上塗り工と下塗り工がある。
図７(a)及び(b)は、下塗り工を行う場合の積層前の多層配線板の断面図である。下塗り工は、導電性バンプ加工側に絶縁性配合液を塗工する工法である。図７(a)では、コア基板１２２に対向して、導電性バンプと絶縁性材を備えた多層配線板部材を位置合わせした図が示されている。図７(b)では、コア基板１２６上に形成された導電性バンプと絶縁性材を備えた多層配線部材上に導電性箔１２４、１２８が配置されている。
図７(c)及び(d)は、上塗り工を行う場合の積層前の多層配線板の断面図である。上塗り工は、導電性バンプ加工側と反対側に絶縁性配合液を塗工する工法である。図７(c)では、導電性バンプ１３０、１３２を形成した第一のコア基板１３１に対向して、導体層又は第二のコア基板上に絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性未硬化被膜を形成する工程と、前期揮発性絶縁性を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせて絶縁性未硬化被膜とする工程と、前記第一のコア基板と前記絶縁性未硬化被膜が形成された導体層又は第二のコア基板を積層熱プレスする工程により、前記導電性バンプが形成された第一のコア配線板の導体層と前記絶縁性未硬化被膜が形成された導体層又は第二のコア基板の導体層の電気的接続を前記導電性バンプにて形成する多層配線板の製造方法が図に示されている。図７(d)では、第一のコア基板上に配置された第一の導体層上に絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成する工程と、前記揮発性溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせて絶縁性未硬化被膜を形成する工程と、第二の導体層又は第二のコア基板上に突起状の導電性バンプ群を形成する工程と、前記第一のコア基板と前記絶縁層を積層熱プレスする工程により、前記絶縁性未硬化被膜が形成された第一のコア配線板の導体層と、前記導電性バンプが形成された導体層又は第二のコア基板の導体層の電気的接続を前記導電性バンプにて形成する多層配線板の製造方法が図に示されている。
図１乃至３に示した多層配線板用の部材の製造方法、及び、図４乃至６に示した多層配線板の製造方法では、いずれも、下塗り工の場合の工程順断面図について説明したが、上塗り工を適用して多層配線板用の部材、及び、多層配線板を製造する場合でも、下塗り工を適用した場合と同様の優れた効果が得られることは言うまでもない。
【００４２】
[ビア抵抗の測定方法]
導電性バンプ等の技術で形成した多層配線板のビアの電気抵抗は、一般的に、デイジーチェーンと呼ばれるテストパターンを用いて測定する。図１３(a)及び(b)は、ビア抵抗測定用のテストパターンの平面図及び断面図である。テストパターンは、第一層配線２３４、ビア２３５、第二層配線２３３、測定端子２３１、２３２により構成される。第一層配線２３４は絶縁性被膜２３６の下面に形成された配線であり、第二層配線２３３は絶縁性被膜２３６の上面に形成された配線である。測定端子２３１と測定端子２３２の間には、多数のビア２３５が第一層配線２３３の配線パターンと第二層配線２３４の配線パターンを介して直列に接続されている。ビア抵抗は、測定端子２３１と測定端子２３２に所定の電圧を印加し、テストパターンに流れる電流を測定することにより求める。具体的には、端子間の抵抗から、配線抵抗を引いて、ビアの個数で割って、一個当たりのビア抵抗を算出する。一般的に配線抵抗、ビア抵抗とも、通常の電子部品である抵抗と比較して抵抗値が極めて低いので、高精度のビア抵抗の算出には、多数のビアを直列に接続したパターンを用意して測定しなければならない。一般的には、数十個から数百個のビアを直列に並べたパターンが用いられる。配線抵抗については、予め、配線材料の固有抵抗あるいは配線のシート抵抗のデータがあれば、配線のサイズにより理論的に算出することが可能である。ビア数の異なる複数のパターンの測定により、ビア抵抗と配線抵抗を独立に測定することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】(a)乃至(d)は、本発明の多層配線板部材の製造方法の実施の形態に係る第一の具体例を示す工程順断面図である。
【図２】(a)乃至(d)は、本発明の多層配線板部材の製造方法の実施の形態に係る第二の具体例を示す工程順断面図である。
【図３】(a)乃至(f)は、本発明の多層配線板部材の製造方法の実施の形態に係る第三の具体例を示す工程順断面図である。
【図４】(a)乃至(i)は、本発明の多層配線板の製造方法の実施の形態に係る第一の具体例を示す工程順断面図である。
【図５】(a)乃至(d)は、本発明の多層配線板の製造方法の実施の形態に係る第二の具体例を示す工程順断面図である。
【図６】(a)及び(b)は、本発明の多層配線板の製造方法の実施の形態に係る第三の具体例を示す工程順断面図である。
【図７】(a)乃至(d)は、それぞれ、本発明の多層配線板部材の製造方法の実施の形態に係る下塗りプロセスと上塗りプロセスを説明する断面図である。
【図８】(a)乃至(c)は、本発明の多層配線板の製造方法と従来の多層配線板の製造方法を比較する断面図である。
【図９】導通安定性のフィラー有無に対する依存性を示すグラフである。
【図１０】(a)乃至(c)は、導電性バンプによる導通性のフィラー径に対する依存性を示すグラフである。(d)乃至(f)は、導電性バンプによる導通性のフィラー添加量に対する依存性を示すグラフである。
【図１１】(a)及び(b)は、それぞれ、導電性バンプの膜厚（高さ）と抵抗値の導電性バンプ中に添加する熱可塑性樹脂の量に対する依存性のグラフである。
【図１２】(a)乃至(c)は、本発明の多層配線板部材に係るサイズパラメータの定義を説明する図である。
【図１３】ビア抵抗測定用のテストパターンの平面図及び断面図である。
【図１４】(a)乃至(d)は、従来の多層配線板の製造方法を示す工程順断面図及び斜視図である。(e)は、従来の多層配線板の導電性バンプ上部の水平断面図である。
【実施例】
【００４４】
以下、実施例及び比較例を用いて、本発明を詳細に説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
【００４５】
[導通安定性のフィラー依存性]
絶縁性樹脂に分散する絶縁性フィラーが多層配線板の層間の導通安定性に与える影響を調べるために、基板上に形成した導通テスト用パターンの電気抵抗を測定した。
図９は、デイジーチェーンの電気抵抗の絶縁性フィラー有無に対する依存性を示すグラフである。左のグラフが絶縁性フィラー無しの場合で右のグラフが絶縁性フィラー有りの場合のグラフである。絶縁性フィラーは、シリカ（Ｄ５０＝１０μｍφ）を使用した。積層熱プレスの印加圧力は５０〜５００ｋｇｆ／ｃｍ２とした。グラフの横軸は、デイジーチェーンの接続抵抗測定用引出し電極番号であり、これは基板中の測定位置の違いに対応するものである。グラフに示されるように、絶縁性フィラーが無い場合は、基板内で層間接続抵抗のばらつきが大きく、導通安定性が低いことがわかる。一方、絶縁性フィラーがある場合は、基板内で層間接続抵抗のばらつきが小さく、導通安定性が高いことがわかる。
絶縁性樹脂中の絶縁性フィラーの混合比を変化させて評価した結果、絶縁性フィラーの混合比は、１ｖｏｌ％以上、５０ｖｏｌ％以下が好ましいことがわかった。さらに、１ｖｏｌ％以上、３０ｖｏｌ％以下が好ましいことがわかった。低接続抵抗を考慮した場合は、１ｖｏｌ％以上、２０ｖｏｌ％以下とするのがより好適であった。
【００４６】
図１０(a)乃至(f)は、導電性バンプの電気抵抗を縦軸に、基板内の位置を横軸にプロットしたグラフであり、図１０(a)、(b)、(c)のそれぞれが、絶縁性フィラーの直径が０−４μｍφ、５−２０μｍφ、２５−５０μｍφに対応するものである。絶縁性フィラーの添加量は、絶縁層材の１０ｖｏｌ%で、積層プレス後の導電性バンプの形状は、底面平均径が１００μｍφで平均高さが２０μｍとした。
図からわかるように、絶縁性フィラーの直径が、導電性バンプの高さの２０％より小さい場合は、絶縁性フィラーが小さすぎるために、配線間ショートが発生したり、導電性バンプ上に絶縁性フィラーが残存しやすくなるといった問題が発生し、導通安定性が低くなる。絶縁性フィラーの直径が、導電性バンプの高さの２０％以上、１００％以下の場合は、配線間ショートやオープンなどの問題が発生しにくくなり、導通安定性が高くなる。絶縁性フィラーの直径が、導電性バンプの高さの１００％より大きい場合は、絶縁性フィラーが大きすぎるために、導電性バンプと接続すべき配線との間のオープンが発生し、導通安定性が低くなる。
また、図１０(d)、(e)、(f)のそれぞれが、絶縁性材料に対する絶縁性フィラーの添加量が、０ｖｏｌ％及び２５−３０ｖｏｌ％、１−２０ｖｏｌ、１０―１５ｖｏｌ％に対応するものである。絶縁性フィラーの添加量が、０ｖｏｌ％では基板そりの影響により導通性がばらつき、抵抗の絶対値も１０Ω以上と大きい。一方、２５ｖｏｌ％以上では電気抵抗の絶対値、ばらつきとも０ｖｏｌ％の場合に比べ改善がみられる。３０ｖｏｌ％添加した場合でも、導電性バンプによる導通性が１０Ω以下であり、多層配線板の使用上問題ないレベルにあることがわかる（図１０(d)）。一方、絶縁性フィラー量が、１−２０ｖｏｌ％では、そりはさらに改善される傾向がみられる、電気抵抗は、絶対値、ばらつきともさらに顕著な低減が見られる。絶縁性フィラー量が、１０−１５ｖｏｌ％では、電気抵抗が１００ｍΩ以下になり、ばらつきも極めて小さくなることがわかる。
【００４７】
[導通安定性の導電性バンプ高さ依存性]
導電性バンプで接続した２層の配線間の導通安定性の導電性バンプ形状、サイズに対する依存性を評価した。絶縁層中には、粒径がD50で約１０μmφの絶縁性フィラーを分散した。絶縁層の厚さも約１０μmであった。評価した試料の導電性バンプは、底面径が５０μｍφ、８０μｍφ、１００μｍφの３種類、高さが高いものと低いものの２種類で、全部で６種類の試料を用意した。導電性バンプ底面径が８０μｍφ、１００μｍφの試料は、導電性バンプ高さが安定して絶縁層の厚さより高かった。また、導電性バンプ底面径が５０μｍφの試料も、導電性バンプ高さが高いほうは、導電性バンプ高さは安定して絶縁層の厚さより高かった。しかし、導電性バンプ底面径が５０μｍφで、導電性バンプ高さが低いほうの試料は、導電性バンプ高さのばらつきが大きく、絶縁層の厚さに対し高さが高い導電性バンプと、高さが低い導電性バンプが混在していた。
これらの試料の導通安定性を評価した結果、底面径が８０μｍφ、１００μｍφで導電性バンプ高さの高い試料、低い試料と、底面径が５０μｍφで導電性バンプ高さの高い試料は、良好な導通安定性が得られた。それに対し、底面径が５０μｍφで導電性バンプ高さの低い試料は、良好な導通安定性が得られなかった。
【００４８】
[導通安定性の導電性バンプ高さ依存性]
図１１(a)及び(b)は、それぞれ、導電性バンプの膜厚（高さ）と抵抗値の導電性バンプ中に添加する熱可塑性樹脂の添加量に対する依存性のグラフである。図１１(a)、(b)から、熱可塑性樹脂の添加量の増加とともに、積層熱プレス後の導電性バンプの膜厚は薄くなり、横方向（ＸＹ方向）に広がり、抵抗値が下がって安定することがわかった。しかし配線パターンのライン／スペースを考慮すると、導電性バンプの横方向の広がりが増加し、特に例えば８５℃，８５％，５０Ｖ印加の高温高湿バイアス試験等によりＸＹ方向で短絡するおそれがある。従って、導電性バンプ材料に対する熱可塑性樹脂の添加量は、１０ｗｔ％以上、３０ｗｔ％以下とするのが好適であることがわかった。
【００４９】
[エポキシ樹脂を用いたバンプ頭出し評価]
絶縁性配合液にエポキシ樹脂を用いて作製した導電性バンプ頭出し評価用の試料である。試料の作製・評価は、導電性バンプを形成した支持基板上にエポキシ樹脂を含む絶縁性樹脂配合液を塗布して乾燥した後、膜厚の変化を測定し、導電性バンプの外観を観察した。
（導電性ペーストの調整）
導電性ペーストは樹脂成分、導電性成分、溶剤を以下の条件で配合して調整した。
樹脂成分：
ビフェニール型液状エポキシ樹脂：      ２〜１０重量％
エポキシ／フェノール：                １〜１０重量％
ビフェニル型エポキシ樹脂：            ５重量％以下
添加剤：                              ５重量％以下
導電性成分：Ａｇ粉末（リン片状形状の粉末重量：球状粉末重量＝１：１）を８０重量％以上配合した。
溶剤：メチルエチルケトンを加えて、粘度を調整した。
（絶縁性樹脂配合液の調整）
絶縁性樹脂配合液は樹脂成分、溶剤を以下の条件で配合して調整した。
樹脂成分（エポキシ樹脂）：
（A）ＹＸ６９５ＢＨ３０（ジャパンエポキシレジン（株）製商品名）：  １００重量部
（B）エピキュアＤＣ８０８（ジャパンエポキシレジン（株）製商品名）：１５４重量部
（C）コロネート２５０７（日本ポリウレタン工業（株）製商品名）：    ３１２重量部
（D）２Ｅ４ＭＺ（イミダゾール系架橋触媒、四国化成（株）製商品名）：９．６重量部
ＤＶＢ―９６０（新日鐵化学（株）製商品名）：              ９８．６重量部
ハーオタクＯ（日本油脂（株）製商品名）：                    ９．６重量部
(E) 絶縁性フィラー  シリカ              Ｄ５０＝１０μｍφ        １０ＶＯＬ％
溶剤：メチルエチルケトンを加えて、粘度を調整した。
（導電性バンプの形成）
PETからなる支持基板上に、スクリーン印刷により導電性ペーストを塗布し、突起状の導電性バンプを形成した。導電性バンプの形状は、底面の径が80μm〜110μｍ、高さが25μm〜40μmとした。
（絶縁性樹脂配合液の塗布・乾燥）
導電性バンプを形成した支持基板上にドクターブレード法で絶縁性樹脂配合液を塗布した。塗布条件は、クリアランス50μm〜100μm、塗布スピード1m／minとし、厚さ30μm〜100μmの絶縁性被膜を形成した。その後、絶縁性被膜の厚さを測定してから、試料を乾燥炉に投入し、100℃、3分の乾燥により、塗膜の溶剤を蒸発させ、絶縁性未硬化被膜の厚さを減少させた。
試料の乾燥後、絶縁性被膜の厚さを測定し、導電性バンプの頭出しの状態を観察した。
（誘電特性の測定）
作製したエポキシ樹脂について、誘電特性を測定した。
硬化後の誘電特性は、
比誘電率  ２．７１／1GHz、２．６８／５GHz
誘電正接  ０．０１９／1GHz、０．００９８／５GHz
であった。
【００５０】
[OPE樹脂を用いた導電性バンプ頭出し評価]
絶縁性被膜にOPE樹脂を用いて作製した導電性バンプ頭出し評価用の試料である。試料の作製・評価は、導電性バンプを形成した支持基板上にOPE樹脂を含む絶縁性樹脂配合液を塗布して乾燥した後、膜厚の変化を測定し、導電性バンプの外観を観察した。
（導電性ペーストの調整）
導電性ペーストは樹脂成分、導電性成分、溶剤を以下の条件で配合して調整した。
樹脂成分：
ビフェニール型液状エポキシ樹脂：      ２〜１０重量％
エポキシ／フェノール：                １〜１０重量％
ビフェニル型エポキシ樹脂：            ５重量％以下
添加剤：                              ５重量％以下
導電性成分：Ａｇ粉末（リン片状形状の粉末重量：球状粉末重量＝１：１）を８０重量％以上配合した。
溶剤：メチルエチルケトンを加えて、粘度を調整した。
（絶縁性樹脂配合液の調整）
絶縁性樹脂配合液は樹脂成分、溶剤を以下の条件で配合して調整した。
樹脂成分（OPE樹脂）：
（A）ＯＰＥ−２ｓｔ２２００（三菱瓦斯化学（株）製商品名）：    ５〜４０重量％
（B）ＴＲ２００３          （JSR（株）製商品名）：              ５〜４０重量％
溶剤：トルエン：                                                ２０〜９０重量％
(C)絶縁性フィラー  シリカ            Ｄ５０＝１０μｍφ      １０ＶＯＬ％
（導電性バンプの形成）
PETからなる支持基板上に、スクリーン印刷により導電性ペーストを塗布し、突起状の導電性バンプを形成した。導電性バンプの形状は、底面の径が80μm〜110μｍ、高さが16μm〜40μmとした。
（絶縁性樹脂配合液の塗布・乾燥）
導電性バンプを形成した支持基板上にドクターブレード法で絶縁性樹脂配合液を塗布した。塗布条件は、クリアランス20μm〜100μm、塗布スピード1m／minとし、厚さ20μm〜100μmの絶縁性被膜を形成した。その後、絶縁性被膜の厚さを測定してから、試料を乾燥炉に投入し、100℃、3分の乾燥により、塗膜の溶剤を蒸発させ、絶縁性被膜の厚さを減少させた。
試料を乾燥後、絶縁性被膜の厚さを測定し、導電性バンプの頭出しの状態を観察した。
（誘電特性の測定）
作製したOPE樹脂について、誘電特性を測定した。
硬化後の誘電特性は、
比誘電率  ２．４０／５GHz
誘電正接  ０．００１９／５GHz
であった。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
以上詳述したように、本発明は、高密度実装に対応した多層配線板に係るものであり、特に、層間接続の安定性向上が可能で高歩留り、低コストの多層配線板とその製造方法を提供するものであり、エレクトロニクスの分野で大きく寄与する。
【符号の説明】
【００５２】
１、１１、２１  導電性箔
２、１２、２２、４２  導電性バンプ
３、１３、２３、２６、４３  流動性被膜
５、１５、２７、４５  絶縁性未硬化被膜
４、１４、２４、４４  絶縁性フィラー
２５  完全硬化に至らない絶縁性硬化被膜
４１  支持基板
５１、５３、５７、５８、５９、６０  多層配線板部材
５２  コア基板
５５、６１  導電性箔
５４、６２  レジストパターン
５６、６３  配線
６６  多層配線板
７１、７９  導電性箔
７２、７３、７４、７６、７７、７８  多層配線板部材
７５  コア基板
８０  絶縁性フィラー
８１、８２  多層配線板部材
８３  配線
８４  レジストパターン
８５  配線基板
９１、９５、９６、１００  コア基板
９２、９７  絶縁性未硬化被膜
９３、９８  絶縁性フィラー
９４、９９  導電性バンプ
１２１、１２３、１２５、１２７、１２９．１３３  多層配線板部材
１２２、１２６、１３１、１３７  コア基板
１２４、１２８、１３４、１４０  導電性箔
１３０、１３２、１３５、１３９  導電性バンプ
１３６、１３８  絶縁性未硬化被膜
２０１、２０７、２０８、２１３、２１４、２１９  コア配線板
２０２、２０６、２０９、２１２、２１５、２１８  配線
２０４、２１１、２１７  絶縁性樹脂層
２０５  絶縁性フィラー
２０３、２１０、２１６  導電性バンプ
２２１  導電性バンプ
２２２  流動性被膜
２２３  絶縁性未硬化被膜
２３１、２３２  測定端子
２３３  第二層配線
２３４  第一層配線
２３５  ビア
２３６  絶縁性被膜
５０１、５０５  導電性箔
５０２  導電性バンプ
５０３、５０６  プリプレグシート
５０８  破断屑
５０７  導電性バンプ面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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