(57)【要約】【課題】従来の半導体レーザー装置では、キャップの開口部を塞ぐガラス板に反射防止膜が形成されるため、材料コストや製造コストが嵩むという問題があった。【解決手段】本発明の半導体レーザー装置１では、ＬＤ１０が固着された側のステム２上にはキャップ３が配置される。キャップ３には、レーザー光の透過領域に開口部４が形成され、開口部４を塞ぐように、カバーガラス５が配置される。そして、カバーガラス５には反射防止膜が形成されず、カバーガラス５は、開口部４近傍に配置された突起部１１、１２と当接し、キャップ４の内側面に対して傾いて配置される。この構造により、ＬＤ１０から出射されるレーザー光の戻り光対策に合わせて、非点隔差Ａｓに起因する非点収差が低減される半導体レーザー装置１が実現される。【選択図】図１
2011216583.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光を出射するレーザーダイオードが固着されたステムと、
前記レーザーダイオードが固着された前記ステムの上面側に配置され、前記レーザー光が透過する領域に開口部が形成されたキャップと、
前記キャップの開口部を塞ぐように配置されたカバーガラスとを有し、
前記キャップの内側面側には、前記開口部の中心軸に対して対称に配置された一対の突起部が形成され、前記カバーガラスは前記突起部と当接し、前記キャップの内側面に対して傾いて配置されることを特徴とする半導体レーザー装置。
【請求項２】
前記カバーガラスには、反射防止膜が形成されていないことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザー装置。
【請求項３】
前記開口部は、前記キャップをその内側面側に打ち抜くことで形成され、前記開口部の周端部には前記内側面側にバリが配置され、
前記カバーガラスと前記キャップとを固着する低融点ガラスは、前記開口部側では、前記バリと前記カバーガラス間を結ぶように形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザー装置。
【請求項４】
前記開口部の中心軸は前記レーザー光の光軸と一致し、前記キャップの内側面は前記光軸に対して垂直面となり、前記一対の突起部は、前記レーザー光の垂直方向に対して平行となるように配置されることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の半導体レーザー装置。
【請求項５】
前記カバーガラスは四方形状であり、前記カバーガラスの一側面は、前記レーザー光の垂直方向に対して平行となるように配置され、
前記カバーガラスの一側辺の端部が、前記キャップの内側面と当接し、前記カバーガラスは前記一側辺の端部を回転軸として前記キャップの内側面に対して傾いて配置されることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザー装置。
【請求項６】
少なくとも半導体レーザー装置から出射されるレーザー光により光情報記録媒体へのデータの書き込みまたは前記光情報記録媒体からのデータの読み込みを行う光ピックアップ装置において、
前記半導体レーザー装置は、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体レーザー装置であることを特徴とする光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、簡易な方法にて戻り光対策を実現する半導体レーザー装置及びそれを用いた光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体レーザー装置の一実施例として、図６に示す構造が知られている。図示の如く、半導体レーザー装置５１は、例えば、６６０ｎｍのレーザー光を出射する半導体レーザーチップ５２と、ケース５３と、キャップ５４とを有する。キャップ５４の一部は、半導体レーザーチップ５２からのレーザー光の出射経路に位置し、その領域のキャップ５４には開口部５５が形成される。そして、ガラスから成る出射窓５６が、開口部５５を塞ぐようにキャップ５４の内側に配置され、出射窓５６の両面には反射防止膜５７が形成される。反射防止膜５７は、例えば、半導体レーザーチップ５２から出射される６６０ｎｍのレーザー光に対して１．０％の反射率を有するものであり、戻り光に起因するノイズの発生が防止され、光信号の読み取り精度が向上される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
また、従来の半導体レーザー装置の他の一実施例として図７に示す構造が知られている。図示の如く、半導体レーザー装置６１は、半導体レーザー素子６２と、ステム６３と、キャップ６４とを有する。ステム６３は、円形金属板から成り、例えば、その厚さが１〜２ｍｍ程度であり、ステム６３上面には鋼製の放熱用のブロック６５が固着される。そして、ブロック６５の側面にはシリコン製のサブマウント６６が固着され、サブマウント６６の側面には半導体レーザー素子６２が、ジャンクションダウンにて固着される。尚、ステム６３上面には、半導体レーザー素子６２の下面から出射されるレーザー光を受光するモニター用の受光素子６７が固着される。
【０００４】
キャップ６４には、円形の窓６８が形成され、透明なガラス板６９が、円形の窓６８を塞ぐようにキャップ６４の内側に配置され、半導体レーザー素子６２から出射されるレーザー光は、透明なガラス板６９を透過する。そして、レーザー発光点７０が設けられた半導体レーザー素子６２の端面７１には、レーザー光の戻り光の反射を防止するための反射防止加工領域７２が配置される。反射防止加工領域７２は、レーザー加工によって粗面化され、戻り光に起因するノイズの発生が防止される（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−７２４４８号公報（第７−８頁、第３図）
【特許文献２】特開平１０−１０７３７２号公報（第２−３頁、第１図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
先ず、図６に示す従来の半導体レーザー装置５１では、半導体レーザーチップ５２は、紙面ＸＺ方向の基準面と平行に配置され、半導体レーザーチップ５２から出射されるレーザー光の出射方向は、紙面Ｚ軸方向となる。そして、キャップ５４に配置された出射窓５６は、レーザー光の出射方向に対して垂直面であり、紙面ＸＹ方向の基準面と平行に配置される。この構造では、出射窓５６に反射したレーザー光の一部が、半導体レーザーチップ５２の発光点に戻り、レーザー光の戻り光に起因するノイズが発生する。そのため、半導体レーザー装置５１では、前述したように、出射窓５６に反射防止膜５７が形成され、レーザー光の戻り光を低減し、戻り光による影響を大幅に抑止している。しかしながら、出射窓５６に反射防止膜５７を形成することで、材料コストや製造コストが嵩むという問題がある。
【０００７】
次に、図７に示す従来の半導体レーザー装置６１では、図６に示す従来の半導体レーザー装置５１と同様に、透明なガラス板６９が、レーザー光の出射方向に対して垂直面であり、紙面ＸＹ方向の基準面と平行に配置される。そのため、前述したように、半導体レーザー素子６２の端面７１に反射防止加工領域７２を配置することで、戻り光による影響を抑止している。しかしながら、微細な半導体レーザー素子６２の端面７１にレーザー加工を行う必要があり、製造コストが嵩み、その製造方法も煩雑化するという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体レーザー装置では、レーザー光を出射するレーザーダイオードが固着されたステムと、前記レーザーダイオードが固着された前記ステムの上面側に配置され、前記レーザー光が透過する領域に開口部が形成されたキャップと、前記キャップの開口部を塞ぐように配置されたカバーガラスとを有し、前記キャップの内側面側には、前記開口部の中心軸に対して対称に配置された一対の突起部が形成され、前記カバーガラスは前記突起部と当接し、前記キャップの内側面に対して傾いて配置されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、カバーガラスが、キャップの内側面に対して傾いて配置されることで、レーザー光の戻り光がＬＤの発光点に入射せず、戻り光に起因するノイズの発生が防止される。
【００１０】
また、本発明では、カバーガラスに反射防止膜を形成することなく、カバーガラスの配置により戻り光対策を実現することで、材料コスト及び製造コストが大幅に低減される。
【００１１】
また、本発明では、カバーガラス側に向かって開口部の周端部にバリが形成されることで、低融点ガラスが開口部側のカバーガラス上へと流出することが防止される。
【００１２】
また、本発明では、カバーガラスの配置により、非点隔差Ａｓに起因する非点収差が低減される。
【００１３】
また、本発明では、主に、カバーガラスの配置により、レーザー光の水平方向の見かけ上の焦点位置が調整され、非点隔差Ａｓに起因する非点収差が低減される。
【００１４】
また、本発明では、前述した構造の半導体レーザー装置を用いることで、簡易な構造にてコストが低減され、戻り光対策が施された光ピックアップ装置が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態における光ピックアップ装置の半導体レーザー装置を説明する（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における光ピックアップ装置の半導体レーザー装置を説明する（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図、（Ｃ）断面図である。
【図３】本発明の実施の形態における光ピックアップ装置の（Ａ）レーザー光を説明する概略図、（Ｂ）半導体レーザー装置を説明する断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における光ピックアップ装置の半導体レーザー装置の取付装置を説明する（Ａ）斜視図、（Ｂ）斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態における光ピックアップ装置の光学系を説明する概略図である。
【図６】従来の実施の形態における光ピックアップ装置の半導体レーザー装置を説明する断面図である。
【図７】従来の実施の形態における光ピックアップ装置の半導体レーザー装置を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の一実施の形態である半導体レーザー装置及びそれを用いた光ピックアップ装置について説明する。以下の説明では、例えば、紙面Ｘ軸方向は半導体レーザー装置の横幅方向（ハウジングの幅方向）とし、紙面Ｙ軸方向は半導体レーザー装置の縦幅方向（ハウジングの高さ方向）とし、紙面Ｚ軸方向は半導体レーザー装置の高さ方向（ハウジングの奥行き方向）とする。尚、紙面Ｚ軸方向は、光ピックアップ装置の光軸方向と一致し、ＬＤから出射されるレーザー光の出射方向とも一致する。
【００１７】
先ず、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、ＣＡＮパッケージのキャップを用いた半導体レーザー装置の一実施例を説明する断面図である。
【００１８】
図１（Ａ）は、紙面ＹＺ方向の基準面に対して平行な断面を示す。そして、半導体レーザー装置１は、主に、ＬＤや受光素子等の光半導体素子が搭載されるステム２と、ステム２上面に覆うように配置されるＣＡＮパッケージのキャップ３と、キャップ３に設けられた開口部４を塞ぐカバーガラス５と、ステム２から導出するリード６から構成される。
【００１９】
ステム２は、例えば、ＦｅやＣｕ等の金属材料を円形状にプレス加工し、形成され、その厚さは１〜２ｍｍ程度となる。そして、ステム２上面には、ＦｅやＣｕ等の金属材料から成る放熱用ブロック７が固着される。また、点線にて示すように、ステム２には、その厚み方向（紙面Ｚ軸方向）に貫通する貫通孔８が形成され、その貫通孔８内にはリード６が、例えば、低融点ガラスにて固着される。
【００２０】
キャップ３は、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金であるコバールを円筒のキャップ状にプレス加工し、形成される。図示したように、キャップ３の上面には、レーザー光が透過するための円形の開口部４が形成され、キャップ３の内側には開口部４を塞ぐようにカバーガラス５が、例えば、低融点ガラスにて固着される。同様に、キャップ３は、ステム２上面に低融点ガラスを用いて固着される。また、ステム２の上面側は、前述したキャップ３の構造により、窒素ガス等の不活性ガスを注入した状態にて気密封止される。尚、キャップ３は、ＦｅやＦｅ−Ｎｉ合金から形成される場合でも良い。
【００２１】
また、前述したように、キャップ３をプレス加工する際に、開口部４近傍の紙面Ｙ軸方向に２つの突起部１１、１２が、キャップ３の内側面側に突出するように形成される。突起部１１、１２は、実質、同じ高さとなるように形成され、カバーガラス５は突起部１１、１２と当接するように配置される。
【００２２】
図示したように、放熱用ブロック７の側面には、シリコン製のサブマウント９が固着され、そのサブマウント９の側面にはＬＤ１０が固着される。ＬＤ１０の上面（発光点側の側面）は、キャップ３の開口部４側へ配置される。前述した放熱用ブロック７の側面及びサブマウント９の側面は、紙面ＸＺ方向の基準面に対して平行に配置され、ＬＤ１０から出射されるレーザー光の出射方向は、紙面Ｚ軸方向となる。
【００２３】
尚、図示していないが、ステム２の上面には、ＬＤ１０の下面から出射されるレーザー光を受光するモニター用の受光素子が固着される。
【００２４】
図１（Ｂ）は、紙面ＸＺ方向の基準面に対して平行な断面を示す。詳細は後述するが、この断面では、カバーガラス５が、紙面ＸＹ方向の基準面（キャップ３の内側面）に対して傾いて配置される。この構造により、少なくともＬＤ１０側のカバーガラス５に反射防止膜を形成することなく、ＬＤ１０への戻り光対策が成される。そして、カバーガラス５の紙面ＸＹ方向の基準面に対する傾き角度は、突起部１１、１２（図１（Ａ）参照）の高さにより調節される。
【００２５】
次に、図２（Ａ）は、半導体レーザー装置１の上面側からの図である。尚、カバーガラス５及び突起部１１、１２は、キャップ３の内側面側に配置されるが、実線にて表示している。
【００２６】
図示したように、一点鎖線１３は、半導体レーザー装置１（キャップ３の開口部４）の中心軸を通り、紙面Ｘ軸方向に延在する軸であり、二点鎖線１４は、半導体レーザー装置１（キャップ３の開口部４）の中心軸を通り、紙面Ｙ軸方向に延在する軸である。一点鎖線１３と二点鎖線１４と交わり、×印１５にて示す点が、半導体レーザー装置１（キャップ３の開口部４）の中心軸となる。そして、ＬＤ１０の発光点が、×印１５にて示す中心軸上に位置するように、ＬＤ１０はサブマウント９上に固着される。また、突起部１１、１２は、キャップ３の開口部４の近傍であり、一点鎖線１３にて示す紙面Ｘ軸上に中心軸に対して対称に配置される。
【００２７】
そして、カバーガラス５は、四方形状に加工され、カバーガラス５の一側面１８ａは、紙面ＹＺ方向の基準面に対して平行に配置され、カバーガラス５の一側面１８ｂは、紙面ＸＺ方向の基準面に対して平行に配置される。
【００２８】
図２（Ｂ）は、二点鎖線１４に沿った断面図であり、突起部１１、１２は、矢印１６側からプレス加工により形成され、突起部１１、１２の高さＴ１は、実質、同一となる。そして、カバーガラス５は、突起部１１、１２と当接するように、砂状ハッチングにて示す低融点ガラス１７にて固着される。一方、図２（Ｃ）は、一点鎖線１３に沿った断面図であり、丸印１９にて示すように、カバーガラス５の一側辺１８ａの端部が、キャップ３の内側面と当接するように低融点ガラス１７にて固着される。この構造により、カバーガラス５は、キャップ３の内側面に対して少なくとも３箇所にて固定され、安定した状態にて固着される。そして、カバーガラス５は、その一側辺１８ａの端部を回転軸として突起部１１、１２の高さＴ１に応じて紙面ＸＹ方向の基準面（キャップ３の内側面）に対する傾き角度が調整される。
【００２９】
また、図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示すように、キャップ３の開口部４は、矢印１６側からキャップ３を打ち抜いて形成される。そのため、開口部４の周囲には、丸印２０にて示すように、キャップ３の内側面側へ向かって環状のバリが形成される。そして、カバーガラス５は、前述したように、キャップ３の突起部１１、１２等の３箇所を用いて位置固定した後、カバーガラス５とキャップ３の内側面との間に低融点ガラス１７を流入させる。その後、キャップ３を加熱炉内に配置し、低融点ガラス１７が溶融される温度まで加熱することで、キャップ３の開口部４側の封止を行う。このとき、溶融された低融点ガラス１７は、カバーガラス５とキャップ３の内側面の間に広がるが、開口部４の内側では、溶融された低融点ガラス１７が、その表面張力により、キャップ３のバリ先端とカバーガラス５とを結ぶように形成される。そして、溶融された低融点ガラス１７が、バリにより開口部４側へと流出することが防止され、低融点ガラス１７は、カバーガラス５とキャップ３間に一定形状にて固定される。そして、カバーガラス５とキャップ３の内側面との間が低融点ガラス１７により密閉されることで、特に、青紫色（青色）波長帯４００ｎｍ〜４２０ｎｍ（例えば４０５ｎｍ））のＬＤを用いた場合には、塵等の空気中の浮遊物が、ＬＤの発光点に集積し、出力が低下する等の問題が解消される。
【００３０】
また、図２（Ａ）に示すように、開口部４やキャップ３の上面は円形状であるが、カバーガラス５は、四方形状に加工されたものが用いられる。カバーガラス５は、以下に説明する工程により形成される。先ず、例えば、ホウ珪酸ガラスから成る大判状のガラス板を準備し、そのガラス板に対し、例えば、高浸透刃のダイヤモンドカッターを用い、カバーガラス５形状にスクライブを行う。このとき、スクライブ作業では、ガラス板の厚さ方向に切り欠きを形成し、その厚さ方向に垂直クラックを形成する。その後、作業員の手作業により、スクライブ側からガラス板に押圧を加えることで、個々のカバーガラス５へと分割される。つまり、カバーガラスの形状を四方形状とすることで、従前の円形や六角形の形状の場合と比較して、その加工性が大幅に向上される。
【００３１】
図３（Ａ）は、一般的なＬＤから出射されるレーザー光の強度分布を説明する概略図である。ＬＤは、レーザー光を出射する活性層を有し、ＬＤから出射されたレーザー光は、この活性層に対して水平方向に分布する水平方向のレーザー光と、活性層に対して垂直方向に分布する垂直方向のレーザー光とを有している。図示したように、水平方向のレーザー光の見かけ上の焦点はｘであり、垂直方向のレーザー光の見かけ上の焦点はｙであり、焦点ｘは、焦点ｙよりもＬＤの奥方向に位置する。そして、この焦点ｘと焦点ｙとの位置の差は非点隔差Ａｓと呼ばれる。通常、垂直方向のレーザー光のレーザー光の広がり角度θ１は、水平方向のレーザー光の広がり角度θ２よりも大きくなり、レーザー光の強度分布は、Ｙ軸方向に大きく広がる楕円状の分布を有している。
【００３２】
図３（Ｂ）に示すように、先ず、カバーガラス５には反射防止膜が形成されていないため、実線２１にて示すように、ＬＤ１０から出射されたレーザー光の一部は、ＬＤ１０側へと反射される。このとき、カバーガラス５が、傾いて配置されることで、反射された戻り光が、ＬＤ１０の発光点から離れた領域へと進み、ＬＤ１０から出射されたレーザー光が、戻り光と干渉することが防止される。その結果、レーザー光の戻り光に起因するノイズの発生が防止され、ＦＦＰ（Ｆａｒ−Ｆｉｅｌｄ  Ｐａｔｔｅｒｎ）波形が大幅に乱れることはなく、光情報記録媒体への集光性が向上される。そして、光情報記録媒体へのデータの書き込みや光情報記録媒体からのデータの読み取りが精度良く行われる。また、前述したように、カバーガラス５に反射防止膜を形成する必要がないため、材料コストや製造コストが大幅に低減される。
【００３３】
次に、例えば、図３（Ａ）にて前述した水平方向のレーザー光が、紙面Ｘ軸方向と一致し、垂直方向のレーザー光が紙面Ｙ軸方向と一致するように、ＬＤ１０は、サブマウント９の側面上に固着される。そのため、ＬＤ１０から出射されるレーザー光の強度分布は、紙面Ｙ軸方向に大きく広がる楕円状の分布を有する。そして、この非点隔差Ａｓに起因する非点収差を低減するために、本実施の形態では、非点隔差Ａｓに起因する非点収差とは、逆方向の非点収差を発生させる。つまり、前述した水平方向のレーザー光に対してカバーガラスを傾けて配置することで、水平方向の見かけ上の焦点ｘが、垂直方向の見かけ上の焦点ｙへと近づき、非点隔差Ａｓに起因する非点収差が低減される。具体的には、青紫色（青色）波長帯４０５ｎｍのレーザー光を出射するＬＤ１０を用い、ＬＤ１０の非点隔差Ａｓの２〜３μｍであり、カバーガラス５の厚みが、０．２５μｍであり、その屈折率が１．５２の場合、そのレーザー光の水平方向において、カバーガラス５が、紙面ＸＹ方向の基準面（光軸に対して垂直面）に対して、ＬＤ１０側へと１０度程度傾いて配置されることで、非点隔差Ａｓに起因する非点収差が大幅に打ち消される方向へと補正される。つまり、本実施の形態では、カバーガラス５が、水平方向のレーザー光を調整する方向に傾けて配置されることで、ＬＤ１０から出射されるレーザー光の戻り光対策に合わせて、非点隔差Ａｓに起因する非点収差が低減される。
【００３４】
次に、図４（Ａ）は、前述した半導体レーザー装置１が取り付けられるＬＤホルダ２２を図示する。ＬＤホルダ２２は直方体形状であり、側面２３、２４は光軸方向に対してＸＹ方向の基準面となり、光軸方向に対して垂直面となる。また、側面２５、２６は、光軸方向に対してＹＺ方向の基準面となり、側面２７、２８は、光軸に対してＸＺ方向の基準面となる。そして、対向する側面２３、２４を貫通するように、ＬＤホルダ２２には、半導体レーザー装置１と同形状の貫通孔２９が形成され、貫通孔２９内には、半導体レーザー装置１を位置固定する座面３０が形成される。座面３０は、側面２３、２４に平行なＸＹ方向の基準面となる。
【００３５】
次に、図４（Ｂ）は、ＬＤホルダ２２が取り付けられるハウジング３１を図示する。ハウジング３１のＬＤホルダ２２の取り付け領域には、例えば、ＬＤホルダ２２形状に合わせた凹部３２が形成される。凹部３２内の側面３３は、光軸方向に対してＸＹ方向の基準面となり、側面３４は、光軸方向に対してＹＺ方向の基準面となる。側面３３には、ＬＤホルダ２２の貫通孔２９に合わせて開口部３５が形成され、三点鎖線にて示すように開口部３５の中心軸が光ピックアップ装置の光軸方向と一致する。そして、ＬＤホルダ２２内から出射されたレーザー光は、開口部３５を介して三点鎖線にて示す光軸上を進む。
【００３６】
ここで、ＬＤホルダ２２のハウジング３１への取り付け方法について説明する。先ず、ＬＤホルダ２２の側面２３とハウジング３０の側面３３とを当接させ、光ピックアップ装置の光軸方向に対して垂直面（ＸＹ方向の基準面）が固定される。尚、この時、ＬＤホルダ２２の側面２８がハウジング３１上に当接し、ＸＺ方向の基準面も固定される。次に、ＬＤホルダ２２をＸ軸方向へ水平移動させ、ＬＤホルダ２２の側面２６とハウジング３１の側面３４とを当接させ、ＹＺ方向の基準面が固定される。その後、ＬＤホルダ２２をＺ軸方向へ水平移動させるように、ハウジング３１に対してＬＤホルダ２２を圧入することで、ＬＤホルダ２２はハウジング３１に固着される。
【００３７】
前述したように、半導体レーザー装置１がＬＤホルダ２２に取り付けられる際及びＬＤホルダ２２がハウジングへの取り付けられる際に、それぞれＸＹ方向の基準面、ＸＺ方向の基準面、ＹＺ方向の基準面が考慮されて取り付けられることで、ＬＤ１０から出射されるレーザー光の戻り光対策に合わせて、非点隔差Ａｓに起因する非点収差が低減される。
【００３８】
最後に、図５を用いて光ピックアップ装置の光学系を説明する。尚、図示した三点鎖線が、光ピックアップ装置の光軸を示し、下記に説明する光学系部品は、光軸に対して位置精度良く配置される。
【００３９】
第１半導体レーザー装置３６Ａは、第１波長（青紫色（青色）波長帯４００ｎｍ〜４２０ｎｍ（例えば４０５ｎｍ））のレーザー光を出射する。第２半導体レーザー装置３６Ｂは、第２波長（赤色波長帯６４５ｎｍ〜６７５ｎｍ（例えば、６５５ｎｍ））のレーザー光及び第３波長（赤外波長帯７６５ｎｍ〜８０５ｎｍ（例えば、７８５ｎｍ））のレーザー光を出射する。尚、半導体レーザー装置３６Ａ、３６Ｂの構造は、前述した半導体レーザー装置１の構造と同様である。
【００４０】
第１回折格子３７は、第１半導体レーザー装置３６Ａと偏光ビームスプリッタ３８との間に配置され、第１半導体レーザー装置３６Ａから出射されるレーザー光が入射する。そして、第１回折格子３７は、入射するレーザー光を０次光、＋１次回折光、−１次回折光に分離する回折格子と、入射するレーザー光を偏光ビームスプリッタ３８の偏光面に対してＳ偏光の直線偏光光に変換する１／２波長板とから構成される。同様に、第２回折格子３９は、第２半導体レーザー装置３６Ｂと偏光ビームスプリッタ３８との間に配置され、回折格子と１／２波長板とから構成される。尚、第２回折格子３９では、入射するレーザー光を偏光ビームスプリッタ３８の偏光面に対してＰ偏光の直線偏光光に変換する。
【００４１】
カップリングレンズ４０は、第２回折格子３９と偏光ビームスプリッタ３８との間に配置され、入射するレーザー光の発散角度を変換する。図示したように、カップリングレンズ４０を用いることで、複数のレーザー光に対してコリメートレンズ４２と対物レンズ４４を共用することができる。そして、偏光ビームスプリッタ３８は、第１回折格子３７から入射するＳ偏光のレーザー光を反射し、カップリングレンズ４０から入射するＰ偏光のレーザー光を透過する。
【００４２】
ハーフミラー４１は、偏光ビームスプリッタ３８で反射されて入射するＳ偏光のレーザー光及び偏光ビームスプリッタ３８を透過して入射するＰ偏光のレーザー光をコリメートレンズ４２の方向へ反射する。また、ハーフミラー４１は、コリメートレンズ４２から入射するレーザー光の戻り光を透過する。そして、コリメートレンズ４２は、ハーフミラー４１から入射するレーザー光を平行光に変換する。コリメートレンズ４２によって変換されたレーザー光の平行光は、１／４波長板４３に入射する。
【００４３】
１／４波長板４３は、コリメートレンズ４２から入射するレーザー光を直線偏光光から円偏光光に変換する。また、１／４波長板４３は、対物レンズ４４から入射するレーザー光の戻り光を円偏光光から直線偏光光に変換する。そして、対物レンズ４４は、１／４波長板４３から入射するレーザー光を夫々が対応する光情報記録媒体４５の信号記録層に集光させる。
【００４４】
光情報記録媒体４５において反射したレーザー光の戻り光は、対物レンズ４４によって平行光に変換されて１／４波長板４３に入射し、１／４波長板４３によって円偏光光から直線偏光光に変換される。そして、直線偏光光となったレーザー光の戻り光は、コリメートレンズ４２を透過してハーフミラー４１を透過し、検出レンズ４６に入射する。
【００４５】
検出レンズ４６は、レーザー光の戻り光を光検出器４７上に集光させるとともに、レーザー光の戻り光に非点収差を発生させてフォーカスエラー信号を生成する。そして、光検出器４７は、受光したレーザー光の戻り光を光電変換する。
【００４６】
前述したカバーガラス５が固定されるキャップ３を備える半導体レーザー装置１を用いることで、簡易な構造によりＬＤ１０の戻り光対策が施され、光情報記録媒体へのデータの書き込みや光情報記録媒体からのデータの読み取りが精度良く行われる光ピックアップ装置が実現される。
【００４７】
尚、本実施の形態では、カバーガラス５は、紙面ＸＹ方向の基準面（キャップ３の内側面）に対して、突起部１１、１２及びカバーガラス５の一側辺１８ａの端部の３箇所にて固定され、カバーガラス５の紙面ＸＹ方向の基準面に対する傾き角度は、突起部１１、１２の高さにより調節される場合について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、図２（Ａ）に示すように、開口部４近傍の一点鎖線１３上に突起部を形成し、新たな突起部及び突起部１１、１２の３箇所にてカバーガラス５が固定される場合でも良い。この場合には、新たな突起部の高さを調整することで、カバーガラス５の紙面ＸＹ方向の基準面に対する傾き角度が調整される。また、突起部１１、１２が配置された二点鎖線１４が回転軸となることで、カバーガラス５も一定方向に傾けられることで、より効率的に非点隔差Ａｓに起因する非点収差が低減される。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【００４８】
１  半導体レーザー装置
３  キャップ
４  開口部
５  カバーガラス
１０  ＬＤ
１１、１２  突起部
１７  低融点ガラス
２２  ＬＤホルダ
３１  ハウジング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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