(57)【要約】      （修正有）【課題】簡単な工程で、大面積にわたって一定方向に整列した、高密度、大容量のカーボンナノチューブ電界放出エミッタ電極を得る。【解決手段】カーボンナノチューブを溶媒に希釈させた分散液を、電磁場発生装置の上端に固定された基板上に分散させ、電磁場の方向にカーボンナノチューブを整列された後、金属を蒸着することによりカーボンナノチューブを固定する。【選択図】図１
2011040402.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の段階を含むカーボンナノチューブが磁場の発生方向によって整列された電界放出エミッタ電極の製造方法:
（ａ）カーボンナノチューブまたは磁性粒子が結合したカーボンナノチューブを有機溶媒に希釈させた分散液を、磁場発生装置の上端に固定された基板上に分散させる段階；
（ｂ）前記基板上に分散した分散液の有機溶媒を蒸発させ、カーボンナノチューブを磁場内で磁場の方向によって整列させる段階；及び
（ｃ）前記磁場の発生方向によって整列されたカーボンナノチューブが磁場のない状態でも整列方向に固定されるようにするために、前記基板上に金属を蒸着させる段階。
【請求項２】
前記磁場発生方向は基板に垂直、水平または垂直と水平の間の任意の角度であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記磁性粒子が結合したカーボンナノチューブは、磁性粒子とカーボンナノチューブが物理化学的方法で結合していることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記物理化学的方法は、カーボンナノチューブを酸処理する方法、磁性粒子を還元させる方法、及び磁性粒子をメッキさせる方法からなる群より選択されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記磁性粒子は鉄（Ｆｅ）含有粒子であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記磁場発生装置の磁場は０．００５〜１０テスラ（Ｔ）であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
下記段階を含むカーボンナノチューブが電場の発生方向によって整列された電界放出エミッタ電極の製造方法：
（ａ）カーボンナノチューブを有機溶媒に希釈させた分散液を、電場発生装置の上端に固定された基板上に分散させる段階；
（ｂ）前記基板上に分散した分散液の有機溶媒を蒸発させ、カーボンナノチューブを電場内で基板上に電場の発生方向によって整列させる段階；及び
（ｃ）前記電場の発生方向によって整列されたカーボンナノチューブが電場のない状態でも整列方向に固定されるようにするために、前記基板上に金属を蒸着させる段階。
【請求項８】
前記電場発生方向は基板に垂直、水平または垂直と水平の間の任意の角度であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記（ａ）段階の電場発生装置は電界(electric field)であることを特徴とする請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記電界の電場は０．１〜５００Ｖ／μｍであることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記（ａ）段階は、分散補助剤をさらに添加することを特徴とする請求項７〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記分散補助剤は、有機溶媒であるＴＯＡＢ(tetra octylammonium bromide)、界面活性剤であるＴｒｉｔｏｎ Ｘ−１００、ＳＤＳ(sodium dodecylsurfate)、ＮＡＤＤＢＳ(sodium dodecyl benzenesulfonate)及びＰＡＰＰＶ(poly[2-(2‘-ethylhexyloxy)-5-(phenylethynyl)-1,4-phenylenevinylene])よりなる群から選択されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記（ａ）段階でカーボンナノチューブを有機溶媒に希釈させた分散液を基板上に分散させる方法は、スピンコーティング方法、スプレー方法、ディップコーティング方法およびインクジェット方法よりなる群から選択されることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記（ａ）段階および前記（ｂ）段階を１〜１０００回繰り返し行い、カーボンナノチューブの密度を増加させることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記（ａ）段階の溶媒は、水（Ｈ２Ｏ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、シクロヘキサノン、０エチルアルコール、クロロホルム、ジクロロメタン、エチルエーテル及び１、２−ジクロロベンゼンよりなる群から選択されることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記（ａ）段階の基板は、インジウムスズ酸化物ガラス、ガラス、水晶(quartz)、ガラス基板、シリコン基板、応用シリカ、プラスチックおよび透明高分子よりなる群から選択されることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記（ａ）段階のカーボンナノチューブの分散液の濃度は０．００１〜１．０重量％であることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記（ｂ）段階で溶媒を２０〜３００℃に昇温して除去することを特徴とする請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記（ａ）段階で基板上に分散させるカーボンナノチューブの量は１ｐｇ／ｃｍ２〜１ｇ／ｃｍ２であることを特徴とする請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記（ｃ）段階の金属は１〜５０００ｎｍで蒸着することを特徴とする請求項１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記（ｃ）段階の金属はチタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、カドミウム（Ｃｄ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）及び銅（Ｃｕ）よりなる群から選択されることを特徴とする請求項１〜２０のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カーボンナノチューブが電磁場の発生方向によって整列される電界放出エミッタ電極（field emitter electrode）の製造方法に係り、より具体的には、カーボンナノチューブ（carbon nanotube；ＣＮＴ）を溶媒に希釈させた分散液を、電磁場発生装置の上端に固定された基板上に分散させ、電磁場の発生方向に整列されたカーボンナノチューブを固定させる段階を含む、カーボンナノチューブが電磁場の発生方向によって整列された電界放出エミッタ電極の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界放出装置とは、真空中で電子の放出に基づいた光源であって、強い電場によって微細粒子からの放出電子を加速させて蛍光物質と衝突する原理で発光する素子をいう。前記電界放出装置は、白熱電球などの一般照明光源に比べて発光効率に優れるうえ、軽量小型化が可能であり、蛍光灯などのように重金属を使用しないので環境親和的であるという利点があって、各種の照明分野及びディスプレイ装置の次世代光源として脚光を浴びている。
【０００３】
このような電界放出装置の性能は、電界を放出することが可能なエミッタ電極によって大きく左右される。最近、優れた電子放出特性を持つエミッタ電極のための電子放出材料としてカーボンナノチューブを主に使用している。
【０００４】
カーボンナノチューブとは、地球上に多量に存在する炭素からなる炭素同素体であり、一つの炭素が他の炭素原子と六角形の蜂の巣柄に結合されてチューブ形状になっている物質であって、チューブの直径がナノメートル(ｎｍ＝１０億分の１メートル)レベルで、長さは数百ナノメートル（ｎｍ）から、数マイクロメートル（μｍ）レベルであり、縦横比が外の物質に比べ非常に高い新素材である。カーボンナノチューブとは優秀な機械的強度、電気的選択性を持っていて、特に高い縦横比により優れた電界放出特性を持っている。
【０００５】
カーボンナノチューブの優れた電界放出特性によって、カーボンナノチューブは電界放出ディスプレイの陽極素子としての可能性を示している。先行論文(Kim, J.M. at al., Applied Physics Letters, 75(20):3129, 1999)では、カーボンナノチューブを高分子複合体とラビングの方法によって一定の方向に整列させ、それによる電界放出特性を測定した。しかし、製造工程で混合された高分子物質を燃やさなければならない製造工程上の致命的な欠点があるうえ、大面積にカーボンナノチューブを電磁場の発生方向によって整列させることが難しいという問題点がある。
【０００６】
また、カーボンナノチューブを一定の方向に整列させる方法として、高温で直接成長させる方法(Wong C.P., at al., Carbon, 44:253, 2006)も提案されているが、ディスプレイに陽極板として用いられるインジウムスズ酸化物ガラス(ITO glass)が高温に耐えられないという致命的な欠点があって、実質的に活用できないという問題点がある。
【０００７】
かかる問題点を解決するために、カーボンナノチューブを基板に付着させ、伝導性ポリマーを塗布してカーボンナノチューブを一定の方向に整列することを特徴とする、電界放出エミッタ電極を製造する方法（韓国特許出願公開第２００６−００２４７２５号明細書）が開発されたが、前記方法も、カーボンナノチューブを大面積、高密度で電磁場の発生方向によって整列することはできなかったし、高分子を燃やさなければならない工程上の欠点を克服していない。
【０００８】
したがって、製造工程が簡単でありながらも、カーボンナノチューブが高密度、大容量で電磁場の発生方向によって一定の方向に整列された電界放出エミッタ電極の製造方法の開発が切実に求められている。
【０００９】
そこで、本発明者らは、従来の方法でカーボンナノチューブを一定の方向に整列させる場合に発生する問題点を解決するために鋭意努力した結果、カーボンナノチューブを電磁場発生装置の上端に固定された基板上に整列させた後、金属を用いてカーボンナノチューブを固定させた結果、広い面積の高密度電界放出エミッタ電極を製造し得ることを確認し、本発明を完成することに至った。
【発明の開示】
【００１０】
結局、本発明の目的は、高密度及び大面積で整列されたカーボンナノチューブを基板上に金属で固定させた、電界放出特性の高い電界放出エミッタ電極及びその製造方法を提供することにある。
【００１１】
前記目的を達成するために、本発明のある観点によれば、（ａ）カーボンナノチューブまたは磁性粒子が結合したカーボンナノチューブを有機溶媒に希釈させた分散液を、磁場発生装置の上端に固定された基板上に分散させる段階と、（ｂ）前記基板上に分散した分散液の有機溶媒を蒸発させ、カーボンナノチューブを磁場内で磁場の方向によって整列させる段階と、（ｃ）前記磁場の発生方向によって整列されたカーボンナノチューブが磁場のない状態でも整列方向に固定されるようにするために、前記基板上に金属を蒸着させる段階とを含む、カーボンナノチューブが磁場の方向によって整列された電界放出エミッタ電極の製造方法を提供する。
【００１２】
本発明において、前記磁場発生方向は基板に垂直、水平または垂直と水平の間の任意の角度であることを特徴とすることができ、前記磁性粒子が結合したカーボンナノチューブは、磁性粒子とカーボンナノチューブが物理化学的方法で結合していることを特徴とすることができ、前記物理化学的方法は、カーボンナノチューブを酸処理する方法、磁性粒子を還元させる方法、及び磁性粒子をメッキさせる方法からなる群より選択されることを特徴とすることができる。
【００１３】
本発明において、前記（ａ）段階の磁場発生装置は磁石であることを特徴とすることができ、好ましくは前記磁場発生装置の磁場は０．００５〜１０テスラ（Ｔ）であることを特徴とすることができる。
【００１４】
本発明において、前記磁性粒子は鉄（Ｆｅ）含有粒子であることを特徴とすることができ、好ましくは前記鉄（Ｆｅ）含有粒子は塩化鉄（ＦｅＣｌ３）、酸化第一鉄（ＦｅＯ）、酸化第二鉄（Ｆｅ２ＣＯ３）及び四酸化三鉄（Ｆｅ３Ｏ４）よりなる群から選択されることを特徴とすることができる。
【００１５】
本発明はまた、前記方法で製造され、金属が蒸着された基板上に磁性粒子の結合したカーボンナノチューブが磁場の方向によって整列された電界放出エミッタ電極を提供する。
【００１６】
本発明の他の観点によれば、（ａ）カーボンナノチューブを有機溶媒に希釈させた分散液を、電場発生装置の上端に固定された基板上に分散させる段階と、（ｂ）前記基板上に分散した分散液の有機溶媒を蒸発させ、カーボンナノチューブを電場内で基板上に電場の発生方向によって整列させる段階と、（ｃ）前記電場の発生方向によって整列されたカーボンナノチューブが電場のない状態でも整列方向に固定されるようにするために、前記基板上に金属を蒸着させる段階とを含む、カーボンナノチューブが電場の発生方向によって整列された電界放出エミッタ電極の製造方法を提供する。
【００１７】
本発明において、前記電場の発生方向は基板に垂直、水平または垂直と水平の間の任意の角度であることを特徴とすることができ、前記（ａ）段階の電場発生装置は電界(electric field)であることを特徴とすることができ、前記電界の電場は０．１〜５００Ｖ／μｍであることを特徴とすることができる。
【００１８】
本発明において、前記（ａ）段階は、溶媒分散補助剤をさらに添加することを特徴とすることができ、前記分散補助剤は、有機溶媒であるＴＯＡＢ(tetra octylammoniumbromide)、界面活性剤であるＴｒｉｔｏｎ Ｘ−１００、ＳＤＳ(sodium dodecylsurfate)、ＮＡＤＤＢＳ(sodium dodecyl benzenesulfonate)及びＰＡＰＰＶ(poly[2-(2‘-ethylhexyloxy)-5-(phenylethynyl)-1,4-phenylenevinylene])よりなる群から選択されることを特徴とすることができる。
【００１９】
本発明において、前記（ａ）段階でカーボンナノチューブを有機溶媒に希釈させた分散液を基板上に分散させる方法は、スピンコーティング方法、スプレー方法、ディップコーティング方法およびインクジェット方法よりなる群から選択されることを特徴とすることができ、前記（ａ）段階および前記（ｂ）段階を１〜１０００回繰り返し行い、カーボンナノチューブの密度を増加させることを特徴とすることができ、前記カーボンナノチューブは単一壁、二重壁及び多重壁であることを特徴とすることができる。
【００２０】
本発明において、前記（ａ）段階の溶媒は、水（Ｈ２Ｏ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、シクロヘキサノン、エチルアルコール、クロロホルム、ジクロロメタン、エチルエーテル及び１、２−ジクロロベンゼンよりなる群から選択されることを特徴とすることができ、前記（ａ）段階の基板は、インジウムスズ酸化物ガラス、ガラス、水晶(quartz)、ガラス基板、シリコン基板、応用シリカ、プラスチックおよび透明高分子よりなる群から選択されることを特徴とすることができ、前記（ｂ）段階で溶媒を２０〜３００℃に昇温して除去することを特徴とすることができ、前記有機溶媒のうちクロロホルム、ジクロロメタン、ジエチルエーテルなどの場合は揮発性が良いため、常温でも除去することができる。
【００２１】
本発明において、前記（ａ）段階のカーボンナノチューブの分散液の濃度は０．００１〜１．０重量％であることを特徴とすることができ、前記（ａ）段階で基板上に分散させるカーボンナノチューブの量は１ｐｇ／ｃｍ２〜１ｇ／ｃｍ２（単位面積当たりのカーボンナノチューブの量）であることを特徴とすることができる。
【００２２】
本発明において、前記（ｃ）段階の金属は１〜５０００ｎｍで蒸着することを特徴とすることができ、前記（ｃ）段階の金属はチタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、カドミウム（Ｃｄ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）及び銅（Ｃｕ）よりなる群から選択されることを特徴とすることができる。
【００２３】
本発明はまた、前記方法によって製造され、金属が蒸着された基板上にカーボンナノチューブが電場の発生方向によって整列された電界放出エミッタ電極を提供する。
【００２４】
本発明の他の特徴及び実施態様は次の詳細な説明及び添付された特許請求範囲からさらに明白になる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明に係るカーボンナノチューブが磁場の発生によって整列される概略図である。
【図２】カーボンナノチューブの精製前と後の姿を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscopy）で撮影した写真（左：倍率５０，０００Ｘ、右：倍率１００，０００Ｘ）であって、図２（ａ）はカーボンナノチューブの精製前に不純物を含んだことを示し、図２（ｂ）は精製の後に純粋なカーボンナノチューブのみがあることを示す。
【図３】カーボンナノチューブに磁性粒子が結合する姿を透過電子顕微鏡で撮影した写真（左：倍率５０，０００Ｘ、右：倍率１００，０００Ｘ）である。
【図４】カーボンナノチューブが磁場の発生方向に整列される姿を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscopy）で撮影した写真（上：倍率５０，０００Ｘ、下：倍率２５，０００Ｘ）である。（ａ）は基板を８０°傾かせた姿であり、（ｂ）は基板を４５°傾かせた姿である。
【図５】本発明によって磁場の発生方向に配列されたカーボンナノチューブを撮影した写真である。
【図６】本発明によって電場の発生方向に配列されるカーボンナノチューブの電界放出特性を示すグラフである。
【発明の詳細な説明】
【００２６】
カーボンナノチューブは、磁性及び電性を固有な特性として持っている物質であって、磁性粒子と結合したカーボンナノチューブを電場または磁場の流れる基板上に固定させると、さらに優れた電界放出エミッタ電極を製造することが可能である。
【００２７】
本発明のある観点によれば、カーボンナノチューブが磁場または電場の発生方向により整列された電界放出エミッタ電極の製造方法に関する。
【００２８】
本発明で、カーボンナノチューブに磁性粒子を結合させたカーボンナノチューブが磁場または電場の発生方向によって整列される電界放出エミッタ電極は、図１に示した方法のとおりに製造した。すなわち、まず、本発明に使用する１０００ガウス（Ｇ）強度の円形磁石（図１ａ）を準備した後、カーボンナノチューブが整列されるインジウムスズ酸化物ガラスを炭素接着剤で磁石と接着させ（図１ｂ）、インジウムスズ酸化物ガラスの基板上に磁性粒子が結合したカーボンナノチューブの分散液を滴下させた後（図１ｃ）、金属を蒸着して前記磁場または電場の発生方向によって整列されたカーボンナノチューブを固定させる（図１ｄ）。
【００２９】
次に、前記電界放出エミッタ電極の製造方法を５段階に区分してさらに詳細に説明する。
【００３０】
第１段階：カーボンナノチューブの製造
本発明で使用されるカーボンナノチューブは、特に限定されず、市販される製品を購入して使用し、或いは通常の方法によって製造して使用することができる。本発明にカーボンナノチューブを適用するためには、カーボンナノチューブの表面が綺麗でなければならず、金属触媒を含まなければならない。また、本発明のカーボンナノチューブは、単一壁、二重壁または多重壁であることを特徴とすることができ、Ｈｉｐｃｏ(High Pressure CO disproportionation)工程によって製造できる。
【００３１】
第２段階：カーボンナノチューブと磁性粒子の結合
前記第１段階で製造されたカーボンナノチューブの磁性粒子を結合させるために、塩化鉄（ＦｅＣｌ３）、酸化第一鉄（ＦｅＯ）、酸化第二鉄（Ｆｅ２Ｏ３）及び四酸化三鉄（Ｆｅ３Ｏ４）をエタノール、蒸留水及びヘキサンの混合液に仕込み、加熱して鉄−オリエート複合体(iron-oleate complex)を製造する。前記方法によって製造された鉄−オリエ
ート複合体をオレイン酸とジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）に混合した後、前記混合液に、第１段階から製造されたカーボンナノチューブを添加する。カーボンナノチューブが添加された混合溶液を１−オクタデセン(1-octadecene)に完全に溶かした後、加熱して前記混合物の溶媒を蒸発させ、蒸発後に残った混合物をエタノールで３〜４回洗浄し、磁性粒子が結合されたカーボンナノチューブを製造する。
【００３２】
第３段階：基板上に磁性粒子と結合したカーボンナノチューブの分散
前記第２段階で製造された磁性粒子が結合したカーボンナノチューブをジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチル−ピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、シクロヘキサノン、エチルアルコール、クロロベンゼン、クロロホルム及び１、２−ジクロロベンゼンなどの溶媒に希釈させた後、磁場をかけた磁石上に固定されたインジウムスズ酸化物ガラスの基板に対して０．００１〜１.０重量％を滴下させ、溶媒を蒸発させる。
【００３３】
第４段階：基板上に磁性粒子と結合したカーボンナノチューブの密度の増加
前記第３段階で製造された溶媒が全て蒸発したインジウムスズ酸化物ガラス基板上に、さらに磁性粒子と結合したカーボンナノチューブを溶媒に希釈させた分散液を１〜２滴、滴下させた後、高温状態で溶媒を蒸発させる。磁性粒子と結合したカーボンナノチューブの密度を増加させるために、前記過程を５〜２０回繰り返し行うことができる。前記方法によって製造された磁性粒子と結合したカーボンナノチューブは、磁場の発生方向に整列されている。
【００３４】
第５段階：基板上に磁性粒子と結合したカーボンナノチューブの固定
前記第４段階で製造された磁場によって整列されているカーボンナノチューブが磁場のない状況でも磁場の発生方向に整列されているようにするために、前記基板上にチタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、カドミウム（Ｃｄ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）および銅（Ｃｕ）よりなる群から選択される金属を蒸着させ、純粋な電界放出エミッタ電極を製造する。
【００３５】
本発明は、他の観点によれば、カーボンナノチューブが電場の発生方向により整列された電界放出エミッタ電極の製造方法に関する。
【００３６】
前記では電磁場発生装置が磁石であり、カーボンナノチューブに磁性粒子を結合させて整列させる方法についてのみ詳細に説明したが、前記詳細な説明によって、磁場発生装置が電界であり、カーボンナノチューブの分散液に界面活性剤を添加することによって基板上にカーボンナノチューブを整列させるか、純水なカーボンナノチューブを電磁場発生装置上の基板に整列させて電界放出エミッタ電極を製造することは、当業者には自明である。すなわち、次の段階を経てカーボンナノチューブが電場の発生方向によって整列された電界放出エミッタ電極を製造することができる。（ａ）カーボンナノチューブを有機溶媒に希釈させた分散液を、電場発生装置の上端に固定された基板上に分散させる段階と、（ｂ）前記基板上に分散した分散液の有機溶媒を蒸発させ、カーボンナノチューブを電場内で基板上に電場の発生方向によって整列させる段階と、（ｃ）前記電場の発生方向によって整列されたカーボンナノチューブが電場のない状態でも整列方向に固定されるようにするために、前記基板上に金属を蒸着させる段階。
【００３７】
本発明によれば、ガーボンナノチューブが電磁場の発生方向に垂直、水平または垂直と水平の間の任意の角度で整列された電界放出エミッタ電極を製造することができる。また、高密度及び大容量で電磁場の発生方向によって整列されたカーボンナノチューブの固有性質である高い電界放出効果を用いて電界放出効果を大きく向上させることができる。本発明の方法で製造された電界放出エミッタ電極は、ディスプレイ用電界放出エミッタ電極として使用することができるうえ、電界放出現象を利用する走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）及び透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）に応用することができる。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例を挙げて本発明を一層詳細に説明する。但し、これらの実施例は単に本発明を例示するためのものであり、本発明の範囲がこれらの実施例に制限されると解釈されないことは、当業界における通常の知識を有する者には自明であろう。
【００３９】
実施例１：カーボンナノチューブの製造
カーボンナノチューブ５００ｍｇを３６５℃の炉(furnace)に入れ、０．１ＳＬＭ(Standard Liters per Minute)の空気を注入しながら９０分間熱処理した。前記熱処理されたカーボンナノチューブを塩酸５００ｍＬに仕込み、１時間ソニケーションを行った後、１μｍのフィルターで濾過し、再び塩酸５００ｍＬに濾過された前記のカーボンナノチューブを入れて１時間ソニケーションを行った後、１μｍのフィルターで濾過した。前記塩酸処理過程を３〜５回繰り返し行ってカーボンナノチューブを綺麗に精製して透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真から精製の前後を観察した（図２）。その結果、図２に示すように、カーボンナノチューブが精製される前には不純物を含んでいたが（図２ａ）、精製後には純粋なカーボンナノチューブのみがあることが分かった（図２ｂ）。前記綺麗に精製された、カーボンナノチューブを硫酸と過酸化水素混合溶液（体積比４：１）に浸漬して９時間常温で攪拌して切断した後、蒸留水で希釈して５００ｎｍのフィルターで濾過し、１２０℃のオーブンで１２時間以上乾燥させた。
【００４０】
実施例２：カーボンナノチューブと磁性粒子の結合
塩化鉄（ＦｅＣｌ３・６Ｈ２Ｏ）１０．８ｇとオレイン酸ナトリウム（Ｃ１８Ｈ３３ＮａＯ２）３６．５ｇをエタノール８０ｍＬ、蒸留水６０ｍＬ及びヘキサン１４０ｍＬの混合液に仕込み、７０℃で４時間加熱して鉄−オリエート複合体を製造した。前記方法によって製造された鉄−オリエート複合体１２ｇ、オレイン酸２．８３ｇ及び３ｍＬジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）溶媒を互いに混合し、実施例１で製造されたカーボンナノチューブ１５０ｍｇを前記混合物に分散させた。
【００４１】
前記混合物を常温で１−オクタデセン(1-octadecene)１３０ｍＬに完全に溶かした後、混合物の温度を３２０℃まで上昇させた後、３０分間反応させ、その後前記混合物の温度を常温まで降温した。前記反応物をエタノールで３〜４回洗浄し、遠心分離機によって上澄み液を除去した後、１μｍのフィルターで濾過して酸化第二鉄（Ｆｅ２Ｏ３）の結合したカーボンナノチューブを製造し、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真で観察した（図３）。その結果、図３に示すように、カーボンナノチューブに磁性粒子が結合したことが分かった。
【００４２】
実施例３：基板上に磁性粒子と結合したカーボンナノチューブの分散
実施例２で製造された磁性粒子と結合したカーボンナノチューブ５ｍｇをジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）５０ｍＬに分散させた後、前記分散液１０ｍＬを純粋なジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）４０ｍＬに希釈させた。
【００４３】
一方、１０００ガウスの磁場を持つ磁石上にインジウムスズ酸化物ガラスを固定させた後、１２０℃のオーブンに入れた。前記インジウムスズ酸化物ガラスの温度が１２０℃まで上昇すると、前記磁性粒子と結合したカーボンナノチューブをジメチルホルムアミドに希釈させた分散液を、オーブンの中にあるインジウムスズ酸化物ガラス上に１μＬずつ滴下させ、１０分間１２０℃の温度を維持し、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を蒸発させた。
【００４４】
実施例４：基板上に磁性粒子と結合したカーボンナノチューブの密度増加
実施例３で製造されたジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）がすべて蒸発したインジウムスズ酸化物ガラス基板上に、磁性粒子と結合したカーボンナノチューブをジメチルホルムアミドに希釈させた分散液を１μＬずつさらに滴下させた。その後、オーブンの温度を１０分間１２０℃に維持し、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を蒸発させた。磁性粒子と結合したカーボンナノチューブの密度を増加させるために、前記過程を数十回繰り返し行った。
【００４５】
前記方法で製造された基板を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真で観察したところ、磁性粒子と結合したカーボンナノチューブが磁場の発生方向によって整列されていることが分かった（図４）。
【００４６】
実施例５：基板上に磁性粒子と結合したカーボンナノチューブの固定
前記磁性粒子と結合したカーボンナノチューブが磁場のない状況でも磁場の発生方向によって整列されるようにするために、ｅ−ビーム蒸着器（ＭｏｏＨａｎ Ｃｏ．Ｌｔｄ.，韓国）でチタニウム（Ｔｉ）を常温で０．５ｎｍ／ｓｅｃの速度で総高さが３０ｎｍ、７０ｎｍとなるように蒸着した。蒸着が終わった後、磁石を除去して純粋な電界放出エミッタ電極を製造した。その結果、図５に示すように、磁場によるカーボンナノチューブが磁場の発生方向によって整列されることが分かった。
【００４７】
また、前記製造された電界放出エミッタ電極のカーボンナノチューブの電界放出特性を調べるために、電界による電流密度を測定した結果、図６に示すように、本発明の電界放出エミッタ電極は電界放出に優れることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
以上、詳細に説明したように、本発明によると、高密度、大容量のカーボンナノチューブが電磁場の発生方向により整列された電界放出エミッタ電極を簡単な工程で製造することができる。本発明による電界放出エミッタ電極はディスプレイ用電界放出エミッタ電極として使用できるだけではなく、電界放出現象を利用する走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）及び透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）に応用できる。
【００４９】
以上、本発明の特定の内容部分を詳細に記述したところ、当業界における通常の知識を有する者にとっては、このような具体的な技術は単に望ましい実施様態であり、本発明の範囲がこれに制限されないという点は明らかであろう。したがって、本発明の実質的な範囲は、特許請求の範囲及びそれらの等価物によって定義されるべきである。
【図６】
2011040402.tif 000003
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【手続補正書】
【提出日】平成22年9月27日(2010.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記段階を含むカーボンナノチューブが電場の発生方向によって整列された電界放出エミッタ電極の製造方法：
（ａ）カーボンナノチューブを有機溶媒に希釈させた分散液を、電場発生装置の上端に固定された基板上に分散させる段階；
（ｂ）前記基板上に分散した分散液の有機溶媒を蒸発させ、カーボンナノチューブを電場内で基板上に電場の発生方向によって整列させる段階；及び
（ｃ）前記電場の発生方向によって整列されたカーボンナノチューブが電場のない状態でも整列方向に固定されるようにするために、前記基板上に金属を蒸着させる段階。
【請求項２】
前記電場発生方向は基板に垂直、水平または垂直と水平の間の任意の角度であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記（ａ）段階の電場発生装置は電界(electric field)であることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記電界の電場は０．１〜５００Ｖ／μｍであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記（ａ）段階は、分散補助剤をさらに添加することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記分散補助剤は、有機溶媒であるＴＯＡＢ(tetra octylammoniumbromide)、界面活性剤であるＴｒｉｔｏｎ Ｘ−１００、ＳＤＳ(sodium dodecylsurfate)、ＮＡＤＤＢＳ(sodium dodecyl benzenesulfonate)及びＰＡＰＰＶ(poly[2-(2‘-ethylhexyloxy)-5-(phenylethynyl)-1,4-phenylenevinylene])よりなる群から選択されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記（ａ）段階でカーボンナノチューブを有機溶媒に希釈させた分散液を基板上に分散させる方法は、スピンコーティング方法、スプレー方法、ディップコーティング方法およびインクジェット方法よりなる群から選択されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記（ａ）段階および前記（ｂ）段階を１〜１０００回繰り返し行い、カーボンナノチューブの密度を増加させることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記（ａ）段階の溶媒は、水（Ｈ２Ｏ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、シクロヘキサノン、０エチルアルコール、クロロホルム、ジクロロメタン、エチルエーテル及び１、２−ジクロロベンゼンよりなる群から選択されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記（ａ）段階の基板は、インジウムスズ酸化物ガラス、ガラス、水晶(quartz)、ガラス基板、シリコン基板、応用シリカ、プラスチックおよび透明高分子よりなる群から選択されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記（ａ）段階のカーボンナノチューブの分散液の濃度は０．００１〜１．０重量％であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記（ｂ）段階で溶媒を２０〜３００℃に昇温して除去することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記（ａ）段階で基板上に分散させるカーボンナノチューブの量は１ｐｇ／ｃｍ２〜１ｇ／ｃｍ２であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記（ｃ）段階の金属は１〜５０００ｎｍで蒸着することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記（ｃ）段階の金属はチタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、カドミウム（Ｃｄ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）及び銅（Ｃｕ）よりなる群から選択されることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。