(57)【要約】【課題】表面に酸化膜が形成されたシリコンウェハを放置した場合であっても、そのシリコンウェハ上に、その表面の平滑性を損なうことなく、β−ケトカルボン酸銀を含むインクを用いた印刷によって配線を形成する。【解決手段】表面に酸化膜１１が形成されたシリコンウェハ１０上に、β−ケトカルボン酸銀を含むインクを用いた印刷によって配線を形成する場合に、酸化膜１１上に成長した有機汚染層１２を除去することにより、シリコンウェハ１０表面におけるβ−ケトカルボン酸銀を含むインクの濡れ性を向上させ、その後、有機汚染層１２が除去された酸化膜１１上に、β−ケトカルボン酸銀を含むインク２２によって配線を印刷する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に酸化膜が形成されたシリコンウェハ上に、β−ケトカルボン酸銀を含むインクを用いた印刷によって配線を形成する配線形成方法であって、
前記酸化膜上に成長した有機汚染層を除去することにより、前記シリコンウェハ表面における前記β−ケトカルボン酸銀を含むインクの濡れ性を向上させる表面改質処理と、
前記有機汚染層が除去された前記酸化膜上に、前記β−ケトカルボン酸銀を含むインクによって前記配線を印刷する配線印刷処理と、
前記配線が印刷された前記シリコンウェハを加熱する加熱処理とを有する配線形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線形成方法において、
前記配線が形成される領域のみに前記表面改質処理を行う配線形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に酸化膜が形成されたシリコンウェハ上に配線を形成する配線形成方法に関し、特に、シリコンウェハ上に印刷によって配線を形成する配線形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、様々な電子機器等に用いられている電子基板や半導体基板においては、シリコンウェハ上に導電性材料からなる配線が形成され、その配線に接続されるように電子部品や半導体部品が搭載されて構成されている。このように、シリコンウェハ上に配線を形成する場合、一般的に、シリコンウェハの全面に導電性材料を積層し、この導電性材料のうち配線となる領域以外の部分をエッチングによって除去することが行われている。
【０００３】
近年、非接触型ＩＣカード等のＲＦ−ＩＤメディアにおいては、樹脂や紙等からなる基板上に印刷によってアンテナを形成することが行われている。そこで、上述したような電子基板や半導体基板においても、印刷によって配線を形成することが考えられる。このように印刷によって配線を形成する場合、導電性材料を含むインクを用いることになるが、導電性材料を含むインクの中でもβ−ケトカルボン酸銀を含むインクを用いることが好ましい。β−ケトカルボン酸銀を含むインクは、基板上に印刷された場合に薄い銀被膜を構成するため、銀ナノインク等に比べて薄い状態においても抵抗値が低く、また、特許文献１に開示されているように、低温〜室温において安定に保存が可能であることにより、低温下にて保存した場合であってもその後安定した印刷を行うことができる。
【０００４】
ところで、上述したようなシリコンウェハ上に配線を形成する場合は、絶縁性を向上させるためにシリコンウェハの表面に酸化膜を形成し、その上に配線を形成することになるが、酸化膜は、放置しておくとその表面に有機汚染層が成長されていくため、製造工程によっては、酸化膜上に有機汚染層が成長したシリコンウェハ上に印刷によって配線を形成することになる。
【０００５】
しかしながら、酸化膜上に成長した有機汚染層上では、上述したβ−ケトカルボン酸銀を含むインクの濡れ性が悪いため、β−ケトカルボン酸銀を含むインクを用いて配線を印刷した場合、有機汚染層上でインクがはじかれたり滲んだりしてしまい、微細な配線を形成することが困難となってしまう。
【０００６】
ここで、シリコンウェハ上に溝を形成し、その溝内にインクを充填することにより、シリコンウェハ上にインクを定着させる技術が考えられており、特許文献２に開示されている。この技術を用いれば、シリコンウェハの表面が、インクが定着しにくい状態となっていても、シリコンウェハ上にインクを定着させることができるようになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−１１４２３２号公報
【特許文献２】特開平１０−６８８１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述したようにシリコンウェハ上に溝を形成し、その溝内にインクを充填することにより、シリコンウェハ上にインクを定着させるものにおいては、インクが充填されるために十分な大きさを有する溝を形成する必要があり、そのため、シリコンウェハ表面の平滑性が損なわれてしまうという問題点がある。
【０００９】
本発明は、上述したような従来の技術が有する問題点に鑑みてなされたものであって、表面に酸化膜が形成されたシリコンウェハを放置した場合であっても、そのシリコンウェハ上に、その表面の平滑性を損なうことなく、β−ケトカルボン酸銀を含むインクを用いた印刷によって配線を形成することができる配線形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために本発明は、
表面に酸化膜が形成されたシリコンウェハ上に、β−ケトカルボン酸銀を含むインクを用いた印刷によって配線を形成する配線形成方法であって、
前記酸化膜上に成長した有機汚染層を除去することにより、前記シリコンウェハ表面における前記β−ケトカルボン酸銀を含むインクの濡れ性を向上させる表面改質処理と、
前記有機汚染層が除去された前記酸化膜上に、前記β−ケトカルボン酸銀を含むインクによって前記配線を印刷する配線印刷処理と、
前記配線が印刷された前記シリコンウェハを加熱する加熱処理とを有する。
【００１１】
上記のように構成された本発明においては、表面に酸化膜が形成されたシリコンウェハ上に、β−ケトカルボン酸銀を含むインクを用いた印刷によって配線を形成する場合、まず、酸化膜上に成長した有機汚染層を除去することにより、シリコンウェハ表面におけるβ−ケトカルボン酸銀を含むインクの濡れ性を向上させる表面改質処理を行い、その後、有機汚染層が除去された酸化膜上に、β−ケトカルボン酸銀を含むインクによって配線を印刷する配線印刷処理を行う。シリコンウェハの表面に形成された酸化膜は、シリコンウェハが放置されることによってその表面に有機汚染層が成長しており、この有機汚染層上に、β−ケトカルボン酸銀を含むインクを用いた印刷を施した場合、酸化膜上に成長した有機汚染層上では、β−ケトカルボン酸銀を含むインクの濡れ性が悪いため、有機汚染層上でインクがはじかれたり滲んだりしてしまう。そのため、表面改質処理において、酸化膜上に成長した有機汚染層を除去することにより、酸化膜が形成されたシリコンウェハ表面におけるβ−ケトカルボン酸銀を含むインクの濡れ性を向上させ、その後、酸化膜上に、β−ケトカルボン酸銀を含むインクによって配線を印刷し、配線が印刷されたシリコンウェハを加熱する加熱処理を行うことにより、表面に酸化膜が形成されたシリコンウェハ上に配線を形成する。
【００１２】
このように、シリコンウェハ上に形成された酸化膜上に成長した有機汚染層を除去することによってシリコンウェハ表面におけるβ−ケトカルボン酸銀を含むインクの濡れ性を向上させてから、酸化膜上に、β−ケトカルボン酸銀を含むインクによって配線を印刷するので、シリコンウェハが放置されることによってその表面に有機汚染層が成長している場合であっても、表面に酸化膜が形成されたシリコンウェハの表面に、β−ケトカルボン酸銀を含むインクが定着しやすくなって印刷によって配線を形成することができ、その際、表面の平滑性が損なわれることがない。
【００１３】
また、配線が形成される領域のみに表面改質処理を行えば、表面改質処理を行う領域の面積を縮小することができるとともに、その領域のみにおいてインクの定着性が向上し、それにより、配線を形成しない領域にインクが付着しにくくなる。
【発明の効果】
【００１４】
以上説明したように本発明においては、シリコンウェハ上に形成された酸化膜上に成長した有機汚染層を除去することによってシリコンウェハ表面におけるβ−ケトカルボン酸銀を含むインクの濡れ性を向上させた後、酸化膜上に、β−ケトカルボン酸銀を含むインクによって配線を印刷する構成としたため、表面に酸化膜が形成されたシリコンウェハの表面に、β−ケトカルボン酸銀を含むインクが定着しやすくなった状態で印刷によって配線が形成されることとなり、それにより、表面に酸化膜が形成されたシリコンウェハを放置することによって酸化膜上に有機汚染層が成長している場合であっても、そのシリコンウェハ上に、その表面の平滑性を損なうことなく、β−ケトカルボン酸銀を含むインクを用いた印刷によって配線を形成することができる。
【００１５】
また、配線が形成される領域のみに表面改質処理を行うものにおいては、表面改質処理を行う領域の面積を縮小することができるとともに、その領域のみにおいてインクの定着性が向上し、それにより、配線を形成しない領域にインクを付着しにくくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の配線形成方法によって製造された配線基板の実施の一形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図、（ｃ）は（ｂ）に示したＡ部拡大図である。
【図２】図１に示した配線基板の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】図１に示した配線基板にて配線が形成されていく状態を示す図である。
【図４】図２に示した製造方法による効果を説明するための図であり、（ａ）は表面改質処理を行わずに配線を形成した場合の表面図、（ｂ）は表面改質処理を行った後に配線を形成した場合の表面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１８】
図１は、本発明の配線形成方法によって製造された配線基板の実施の一形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図、（ｃ）は（ｂ）に示したＡ部拡大図である。
【００１９】
本形態における配線基板は図１に示すように、シリコンウェハ１０上に複数の配線２０が形成されて構成されており、この配線２０上に半導体材料が搭載または塗布されることにより半導体回路が形成される。シリコンウェハ１０の配線２０が形成される側の表面には、絶縁性を高めるために酸化膜１１が形成されており、配線２０は、この酸化膜１１上に、β−ケトカルボン酸銀を含むインクを用いた印刷によって形成されている。なお、酸化膜１１の厚さは、例えば３００ｎｍ程度であり、配線２０の厚さは、例えば３００ｎｍ以下程度である。
【００２０】
以下に、上記のように構成された配線基板１の製造方法、すなわち、配線基板１における配線２０の形成方法について説明する。
【００２１】
図２は、図１に示した配線基板１の製造方法を説明するためのフローチャートであり、図３は、図１に示した配線基板１にて配線２０が形成されていく状態を示す図である。
【００２２】
図１に示した配線基板１を製造する場合は、まず、表面に酸化膜１１が形成されたシリコンウェハ１０の酸化膜１１が形成された面をＩＰＡ（イソプロピルアルコール）で拭く（ステップＳ１）。ここで、シリコンウェハ１０の表面に形成された酸化膜１１においては、シリコンウェハ１０を放置しておくとその表面に有機汚染層１２が成長されていく。そのため、表面に酸化膜１１が形成されたシリコンウェハ１０は、図３（ａ）に示すように、放置されることによって酸化膜１１の表面が有機汚染層１２によって覆われた状態となっている。この有機汚染層１２上においては、β−ケトカルボン酸銀を含むインクの濡れ性が悪いため、この状態のまま、酸化膜１１上にβ−ケトカルボン酸銀を含むインクを用いて配線を印刷した場合、有機汚染層１２上でインクがはじかれたり滲んだりしてしまい、微細な配線を形成することが困難となってしまう。
【００２３】
そこで、シリコンウェハ１０の酸化膜１１が形成された側の表面をＩＰＡで拭くと、図３（ｂ）に示すように、酸化膜１１上に成長した有機汚染層１２が除去される。
【００２４】
次に、シリコンウェハ１０を加熱し、酸化膜１１の表面に付着したＩＰＡを除去する（ステップＳ２）。このように、酸化膜１１上に成長した有機汚染層１２を除去することによって、シリコンウェハ１０表面におけるβ−ケトカルボン酸銀を含むインクの濡れ性を向上させる。このステップＳ１〜Ｓ２の処理が、本願発明における表面改質処理となる。
【００２５】
このようにして、酸化膜１１上に成長した有機汚染層１２を除去することによって濡れ性が向上したシリコンウェハ１０に対して、酸化膜１１上に、β−ケトカルボン酸銀を含むインク２２を用いて配線２０を印刷する（ステップＳ３）。このステップＳ３の処理が、本願発明における配線印刷処理となる。配線２０が印刷される酸化膜１１は、その表面に有機汚染層１２が存在していないため、酸化膜１１の表面にβ−ケトカルボン酸銀を含むインク２２を用いた印刷が施されると、図３（ｃ）に示すように、インク２２が酸化膜１１の表面に定着しやすくなる。なお、この配線印刷処理においては、シリコンウェハ１０の表面に形成された酸化膜１１上に、β−ケトカルボン酸銀を含むインク２２を塗布することができるものであれば、その印刷方法は特に限定されず、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、ディスペンサー印刷法、グラビア印刷法等が挙げられ、インクジェット印刷法が好ましい。
【００２６】
その後、配線２０が印刷されたシリコンウェハ１０を加熱することによって焼成し、シリコンウェハ１０上に配線２０を形成する（ステップＳ４）。このステップＳ４の処理が、本願発明における加熱処理となる。なお、この加熱処理は、例えば８０℃以上２００℃以下、好ましくは８０℃以上１５０℃以下、より好ましくは１４０℃で行うことが考えられる。
【００２７】
図４は、図２に示した製造方法による効果を説明するための図であり、（ａ）は表面改質処理を行わずに配線２０を形成した場合の表面図、（ｂ）は表面改質処理を行った後に配線２０を形成した場合の表面図である。なお、図４に示した写真は、図１に示した配線２０の一部を拡大して撮影したものである。
【００２８】
図１に示した配線基板１について、上述したような表面改質処理を行わずにシリコンウェハ１０上に配線２０を形成した場合は、図４（ａ）に示すように、シリコンウェハ１０上において、β−ケトカルボン酸銀を含むインクがはじかれ、配線２０が断線した状態となって正しく形成されなくなってしまう。
【００２９】
一方、図１に示した配線基板１について、上述したような表面改質処理を行った後にシリコンウェハ１０上に配線２０を形成した場合は、図４（ｂ）に示すように、シリコンウェハ１０上において、β−ケトカルボン酸銀を含むインクがはじかれることなく定着し、配線２０が正しく形成されることになる。そのため、配線２０の幅が微細なものであっても、断線することなく配線２０を形成することができる。
【００３０】
このように、本形態においては、シリコンウェハ１０の表面に形成された酸化膜１１上に成長した有機汚染層１２を除去することによって、シリコンウェハ１０表面におけるβ−ケトカルボン酸銀を含むインクの濡れ性を向上させ、その後、酸化膜１１上にβ−ケトカルボン酸銀を含むインク２２によって配線２０を印刷するので、表面に酸化膜１１が形成されたシリコンウェハ１０上に、β−ケトカルボン酸銀を含むインク２２が定着しやすくなって印刷によって配線２０を形成することができる。そして、このようにして製造された配線基板１においては、溝等が形成されていないため、表面の平滑性が損なわれることがない。
【００３１】
ここで、配線２０を形成するために用いられるインク２２について詳細に説明する。
【００３２】
配線２０を形成するために用いられるインク２２としては、下記式（Ｉ）で表されるβ−ケトカルボン酸銀と、孤立電子対を有する化合物とを含むインクを用いることが考えられる。
【００３３】
【化１】
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【００３４】
このインクにおいて、Ｒが直鎖の飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基またはＲ1−ＣＹ2−（Ｙは水素原子）であり、Ｘは互いに異なり、それぞれが水素原子と、直鎖の飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基またはベンジル基とであるのが好ましい。
【００３５】
また、上記インクにおいて、孤立電子対を有する化合物が、アミン化合物、チオール化合物及びリン化合物からなる群から選択される１以上であるのが好ましい。
【００３６】
また、配線２０を形成するために用いられるインクは、さらに溶剤を含むのが好ましく、溶剤が、アルコール、ケトン、エーテル、エステル、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素、シアノ基またはハロゲン原子で置換された脂肪族炭化水素及び水からなる群から選択される１以上であるのが好ましい。
【００３７】
また、インク調整用キットとしては、上記式（Ｉ）において、Ｒは、直鎖、分枝もしくは環状の飽和もしくは不飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基、Ｒ1−ＣＹ2−、ＣＹ3−、Ｒ1−ＣＨＹ−、Ｒ2Ｏ−、フェニル基、１個もしくは複数の置換基で置換されたフェニル基、Ｒ5Ｒ4Ｎ−、水酸基、アミノ基、または、（Ｒ3Ｏ）2ＣＹ−である。
【００３８】
ただし、Ｙは、同一または異なり、それぞれフッ素原子、塩素原子、臭素原子または水素原子であり、Ｒ1は直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ19脂肪族炭化水素基、または、フェニル基であり、Ｒ2は、直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基であり、Ｒ3は、直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ16脂肪族炭化水素基であり、Ｒ4及びＲ5は、同一であるかまたは異なり、それぞれ直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ18脂肪族炭化水素基である。
【００３９】
上記式（Ｉ）において、Ｘは、同一または異なり、それぞれ水素原子、直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基、Ｒ6Ｏ−、Ｒ6Ｓ−、Ｒ6−ＣＯ−、Ｒ6−ＣＯ−Ｏ−、ハロゲン、ベンジル基、フェニル基、１個もしくは複数の置換基で置換されたフェニル基もしくはベンジル基、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基である。
【００４０】
ただし、Ｒ6は、直鎖、分枝もしくは環状の飽和もしくは不飽和Ｃ1〜Ｃ10脂肪族炭化水素基、チオフェニル基、フェニル基、ジフェニル基、または、１個もしくは複数の置換基で置換されたフェニル基もしくはジフェニル基である。
【００４１】
Ｒが直鎖、分枝もしくは環状の飽和もしくは不飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基である場合、Ｒとしては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基等が挙げられ、例えば、−ＣnＨ2n+1、−ＣnＨ2n-1、または−ＣnＨ2n-3（ｎは１〜２０の整数）で表される基であってもよい。また、直鎖、分枝もしくは環状の飽和もしくは不飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基は、１以上の水素基が、フッ素原子、塩素原子または臭素原子に置換されてもよい。
【００４２】
Ｒが、置換されたフェニル基である場合、その置換基としては、Ｒ3−、Ｒ3Ｏ−、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、シアノ基、フェノキシ基等があげられ、フェニル基のｏ、ｍ、ｐのいずれが置換されてもよい。
【００４３】
ＲにおけるＹは、同一または異なってもよく、それぞれフッ素原子、塩素原子、臭素原子または水素原子である。
【００４４】
ＲにおけるＲ1は、直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ19脂肪族炭化水素基、または、フェニル基である。炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基等が挙げられ、例えば、−ＣnＨ2n+1、−ＣnＨ2n-1、または−ＣnＨ2n-3（ｎは１〜１９の整数）で表される基であってもよい。
【００４５】
Ｒ2は、直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基である。炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基等が挙げられ、例えば、−ＣnＨ2n+1、−ＣnＨ2n-1、または−ＣnＨ2n-3（ｎは１〜２０の整数）で表される基であってもよい。
【００４６】
Ｒ3は、直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ16脂肪族炭化水素基である。炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基等が挙げられ、例えば、−ＣnＨ2n+1、−ＣnＨ2n-1、または−ＣnＨ2n-3（ｎは１〜１６の整数）で表される基であってもよい。
【００４７】
Ｒ4及びＲ5は、同一または異ってもよく、それぞれ直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ18脂肪族炭化水素基である。炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基等が挙げられ、例えば、−ＣnＨ2n+1、−ＣnＨ2n-1、または−ＣnＨ2n-3（ｎは１〜１８の整数）で表される基であってもよい。
【００４８】
上記式（Ｉ）において、Ｘは、同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基、Ｒ6Ｏ−、Ｒ6Ｓ−、Ｒ6-ＣＯ−、Ｒ6-ＣＯ−Ｏ−、ハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ベンジル基、フェニル基、１個もしくは複数の置換基で置換されたフェニル基もしくはベンジル基、シアノ基、Ｎ-フタロイル−３−アミノプロピル基、２-エトキシビニル基（Ｃ2Ｈ5-Ｏ-ＣＨ＝ＣＨ-）である。ただし、Ｒ6は、直鎖、分枝もしくは環状の飽和もしくは不飽和Ｃ1〜Ｃ10脂肪族炭化水素基、チオフェニル基、フェニル基、ジフェニル基、または、１個もしくは複数の置換基で置換されたフェニル基もしくはジフェニル基である。
【００４９】
Ｘが、置換されたフェニル基、ベンジル基もしくはジフェニル基の場合、その置換基は、ハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ基等があげられ、ｏ，ｍ，ｐのいずれが置換されてもよい。
【００５０】
Ｘが、直鎖、分枝もしくは環状の飽和もしくは不飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基である場合、Ｘとしては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基等が挙げられ、例えば、−ＣnＨ2n+1、−ＣnＨ2n-1、または−ＣnＨ2n-3（ｎは１〜２０の整数）で表される基であってもよい。
【００５１】
ＸのＲ6Ｏ−、Ｒ6Ｓ−、Ｒ6-ＣＯ−、Ｒ6-ＣＯ−Ｏ−において、Ｒ6としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基等が挙げられ、例えば、−ＣnＨ2n+1、−ＣnＨ2n-1、または−ＣnＨ2n-3（ｎは１〜１０の整数）で表される基であってもよい。また、Ｒ6は、前述のように、チオフェニル基、フェニル基、ジフェニル基、または、１個もしくは複数の置換基で置換されたフェニル基もしくはジフェニル基であってもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）等があげられ、ｏ，ｍ，ｐのいずれが置換されてもよい。
【００５２】
また、上記式（Ｉ）において、一方のＸには、基が結合しておらず、他方のＸのみに、＝ＣＨ−Ｃ6Ｈ4−ＮＯ2が結合した構造であってもよい。
【００５３】
なお、上記式（Ｉ）において、「アルキル基」とは、特に限定されないが、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基及びｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられ、「アルケニル基」とは、特に限定されないが、例えば、ビニル基、アリル基、１−プロペニル基、イソプロペニル基、１−ブテニル基及び２−ブテニル基等が挙げられる。また、「アルキニル基」とは、特に限定されないが、例えば、エチニル基及びプロパルギル基等が挙げられ、「シクロアルキル基」とは、特に限定されないが、例えば、シクロペンチル基及びシクロへキシル基等が挙げられ、「シクロアルケニル基」とは、特に限定されないが、例えば、１,３−シクロヘキサジエニル基、１,４−シクロヘキサジエニル基及びシクロペンタジエニル基等が挙げられる。また、上記式（Ｉ）において、各種炭化水素基は、１以上の水素基が、フッ素原子、塩素原子または臭素原子に置換されてもよい。
【００５４】
上記インクにおいて、上述したように、上記式（Ｉ）において、Ｒが直鎖の飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基であり、Ｘは互いに異なり、それぞれが水素原子と、直鎖の飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基またはベンジル基とであるのが好ましく、Ｒが直鎖の飽和Ｃ1〜Ｃ6脂肪族炭化水素基であり、Ｘは互いに異なり、それぞれが水素原子と、直鎖の飽和Ｃ1〜Ｃ6脂肪族炭化水素基またはベンジル基であるのがより好ましい。
【００５５】
上記インクにおいて、上記式（Ｉ）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀は、２−メチルアセト酢酸銀、２−ベンジルアセト酢酸銀、２−エチルアセト酢酸銀、イソブチリル酢酸銀、ベンゾイル酢酸銀、アセト酢酸銀、プロピオニル酢酸銀、α−エチルアセト酢酸銀及びα−ｎ−ブチルアセト酢酸銀が好ましい。上記式（Ｉ）で表される化合物の中でも、これらのβ−ケトカルボン酸銀は、焼結により金属銀への分解を行った際に、得られる金属銀に残存する原料や不純物の濃度を十分に低減できることから特に好ましい。相対的に不純物が少ない金属銀である程、例えば、さらに、相対的に析出する銀どうしの接触が良くなり、導通がし易くなり、抵抗率が下がるという効果に優れた性質となる。
【００５６】
本発明の配線形成方法にて用いられるインク２２に含有される孤立電子対を有する化合物は、上述したように、アミン化合物、チオール化合物及びリン化合物からなる群から選択される１以上であるのが好ましい。
【００５７】
孤立電子対を有する化合物のうち、アミン化合物としては、１級アミン化合物、２級アミン化合物、３級アミン化合物、４級アミン塩化合物及び環状アミン化合物が挙げられる。
【００５８】
１級アミンとしては、モノアルキルアミン、モノアリールアミン、モノ（シクロアルキル）アミン、モノ（ヘテロアリール）アミン、置換されたモノアルキルアミン、置換されたモノアリールアミン、置換されたモノシクロアルキルアミン、置換されたモノ（ヘテロアリール）アミン、ジアミン等が挙げられる。
【００５９】
モノアルキルアミンとしては、例えばモノＣ1-19アルキルアミンが挙げられる。モノアルキルアミンとしては、プロピルアミン、ヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｔ−ブチルアミン、オクタデシルアミン（ステアリルアミン）が好ましく、プロピルアミン、ヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｔ−ブチルアミンがより好ましい。
【００６０】
モノアリールアミンとしては、例えば、モノＣ6-10アリールアミンが挙げられる。
【００６１】
モノ（シクロアルキル）アミンとしては、例えば、モノＣ3-7シクロアルキルアミンが挙げられる。モノ（シクロアルキル）アミンとしては、シクロヘキシルアミンが好ましい。
【００６２】
モノ（ヘテロアリール）アミンとしては、例えば、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子からなる群から選択される１種類以上の原子を１以上含む、６〜１２員のヘテロアリール基を含むモノ（ヘテロアリール）アミンが挙げられる。
【００６３】
置換されたモノアルキルアミンの置換基としては、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、トリフルオロメチル基等が挙げられる。また、置換されたモノアリールアミンの置換基としてはアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、トリフルオロメチル基等が挙げられる。置換されたモノシクロアルキルアミン、置換されたモノ（ヘテロアリール）アミン等の置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、トリフルオロメチル基等が挙げられる。
【００６４】
置換されたモノアルキルアミンとしては、例えばアリール基で置換されたモノＣ1-9アルキルアミンが挙げられる。置換されたモノアルキルアミンとしては、２−フェニルエチルアミン、ベンジルアミンが好ましく、２−フェニルエチルアミンがより好ましい。
【００６５】
置換されたモノアリールアミンとしては、例えば、臭素原子で置換されたモノＣ6-10アリールアミンが挙げられる。置換されたモノアリールアミンとしては、２−ブロモベンジルアミンが好ましい。
【００６６】
置換されたモノ（シクロアルキル）アミンとしては、例えば、Ｃ1-5アルキルで置換されたモノＣ3-7シクロアルキルアミンが挙げられる。置換されたモノ（シクロアルキル）アミンとしては、２，３−ジメチルシクロヘキシルアミンが好ましい。
【００６７】
置換されたモノ（ヘテロアリール）アミンとしては、例えば、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子からなる群から選択される１種類以上の原子を１以上含む、６〜１２員のヘテロアリール基を含む置換されたモノ（ヘテロアリール）アミンが挙げられる。
【００６８】
ジアミンとしては、例えば、Ｃ1-10アルキレンジアミンが挙げられる。ジアミンとしては、エチレンジアミンが好ましい。
【００６９】
２級アミンとしては、ジアルキルアミン、ジアリールアミン、ジ（シクロアルキル）アミン、ジ（ヘテロアリール）アミン、置換されたジアルキルアミン、置換されたジアリールアミン、置換されたジシクロアルキルアミン、置換されたジ（ヘテロアリール）アミン等が挙げられる。
【００７０】
ジアルキルアミンとしては、例えば、互いに同一または異なっていてもよいＣ1-9アルキルを含むジＣ1-9アルキルアミンが挙げられる。ジアルキルアミンとしては、メチルヘキシルアミンが好ましい。
【００７１】
ジアリールアミンとしては、例えば、互いに同一または異なっていてもよいＣ6-10アリールを含むジＣ6-10アリールアミンが挙げられる。
【００７２】
ジ（シクロアルキル）アミンとしては、例えば、互いに同一または異なっていてもよいＣ3-7シクロアルキルを含むジＣ3-7シクロアルキルアミンが挙げられる。
【００７３】
ジ（ヘテロアリール）アミンとしては、例えば、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子からなる群から選択される１種類以上の原子を１以上含む、６〜１２員の、互いに同一または異なっていてもよいヘテロアリール基を含むジ（ヘテロアリール）アミンが挙げられる。
【００７４】
置換されたジアルキルアミンの置換基としては、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基等が挙げられる。また、置換されたジアリールアミンの置換基としてはアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基等が挙げられる。置換されたジシクロアルキルアミン、置換されたジ（ヘテロアリール）アミン等の置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基等が挙げられる。
【００７５】
置換されたジアルキルアミンとしては、例えば、互いに同一または異なっていてもよい、水酸基で置換されたＣ1-9アルキルを含むジＣ1-9アルキルアミンが挙げられる。置換されたジアルキルアミンとしては、ジエタノールアミン、メチルベンジルアミン等が好ましい。
【００７６】
置換されたジ（ヘテロアリール）アミンとしては、例えば、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子からなる群から選択される１種類以上の原子を１以上含む、６〜１２員のヘテロアリール基を含む置換されたモノ（ヘテロアリール）アミンが挙げられる。
【００７７】
３級アミンとしては、トリアルキルアミン、モノアリールジアルキルアミン、モノ（シクロアルキル）ジアルキルアミン等が挙げられる。
【００７８】
トリアルキルアミンとしては、例えばトリ（Ｃ1-19アルキル）アミンが挙げられる。トリアルキルアミンとしては、ジメチルオクタデシルアミン等が好ましい。
【００７９】
モノアリールジアルキルアミンとしては、例えばモノＣ6-10アリールジ（Ｃ1-6アルキル）アミンが挙げられる。
【００８０】
モノ（シクロアルキル）ジアルキルアミンとしては、例えばモノ（Ｃ3-7シクロアルキル）ジ（Ｃ1-6アルキル）アミンが挙げられる。モノ（シクロアルキル）ジアルキルアミンとしては、ジメチルシクロヘキシルアミン等が好ましい。
【００８１】
４級アミン塩としては、テトラアルキルアンモニウムハロゲン化物等が挙げられる。
【００８２】
テトラアルキルアンモニウムハロゲン化物としては、例えばテトラ（Ｃ1-19アルキル）アンモニウムハロゲン化物が挙げられる。テトラアルキルアンモニウムハロゲン化物としては、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラドデシルアンモニウムブロミド等が好ましい。
【００８３】
環状アミン化合物としては、ピリジンが好ましい。
【００８４】
孤立電子対を有する化合物のうち、チオール化合物としては、モノアルキルチオール、モノアリールチオール等が挙げられる。
【００８５】
モノアルキルチオールとしては、例えばモノ（Ｃ1-19アルキル）チオールが挙げられる。モノアルキルチオールとしては、トデシルチオール等が好ましい。
【００８６】
孤立電子対を有する化合物のうち、リン化合物としては、（アルキル）3Ｐ、（アリール）3Ｐ、（置換アルキル）3Ｐ、（置換アリール）3Ｐ、ホスホン酸エステル等が挙げられる。
【００８７】
（アルキル）3Ｐとしては、例えば、互いに同一または異なっていてもよいＣ1-9アルキルを含む（Ｃ1-9アルキル）3Ｐが挙げられる。（Ｃ1-9アルキル）3Ｐとしては、トリブチルホスフィン、トリオクチルホスフィンが好ましい。
【００８８】
（アリール）3Ｐとしては、例えば、互いに同一または異なっていてもよいＣ6-10アリールを含む（Ｃ6-10アリール）3Ｐが挙げられる。
【００８９】
（置換アルキル）3Ｐの「置換アルキル」の置換基としては、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基等が挙げられる。また、（置換アリール）3Ｐの「置換アリール」の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基等が挙げられる。
【００９０】
（置換アルキル）3Ｐとしては、例えば、互いに同一または異なっていてもよい置換Ｃ1-9アルキルを含む（置換Ｃ1-9アルキル）3Ｐが挙げられる。（置換Ｃ1-9アルキル）3Ｐとしては、亜リン酸トリブチルが好ましい。
【００９１】
（置換アリール）3Ｐとしては、例えば、互いに同一または異なっていてもよい置換Ｃ6-10アリールを含む（置換Ｃ6-10アリール）3Ｐが挙げられる。
【００９２】
ホスホン酸エステルとしては、例えば、アルキルホスホン酸ジアルキルエステル、置換アルキルホスホン酸ジアルキルエステル等が挙げられる。アルキルホスホン酸ジアルキルエステルとしては、Ｃ1-6アルキルホスホン酸ジ（Ｃ1-6アルキル）エステルが挙げられる。置換アルキルホスホン酸ジアルキルエステルとしては、置換Ｃ1-6アルキルホスホン酸ジ（Ｃ1-6アルキル）エステルが挙げられ、ジエチルホスホノ酢酸エチルが好ましい。
【００９３】
本発明のインクにおいて、式（Ｉ）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀は、孤立電子対を有する化合物としては１級アミン化合物、リン化合物、２級アミン化合物及びチオール化合物が好ましく、１級アミン化合物、リン化合物がより好ましく、１級アミン化合物がさらに好ましい。
【００９４】
本発明に用いられるインクにおいて、上記式（Ｉ）で表わされるβ−カルボン酸銀と孤立電子対を有する化合物との含有率は、β−カルボン酸銀（Ａ）と孤立電子対を有する化合物（Ｂ）のモル比（Ａ）：（Ｂ）として、例えば、１：１．５以上２００以下、好ましくは１：２以上２００以下、より好ましくは１：３以上２００以下である。
【００９５】
本発明に用いられるインクは上述したように、さらに溶剤を含んでもよい。その溶剤としては、上述したようにアルコール、ケトン、エステル、エーテル、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素、シアノ基またはハロゲン原子で置換された脂肪族炭化水素及び水からなる群から選択される１以上であるのが好ましい。アルコールとしては、例えば、水酸基を１〜５個有する炭素数１〜９までの脂肪族炭化水素が挙げられる。水酸基を１〜５個有する炭素数１〜９までの脂肪族炭化水素としては、メタノール、エタノール、プロパノール、２−プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、ノナンノール、エチレングリコール、グリセロール等が挙げられる。アルコールとしては、例えば、水酸基を１〜３個有する炭素数１〜５の脂肪族炭化水素が好ましい。水酸基を１〜３個有する炭素数１〜５の脂肪族炭化水素としては、メタノール、エタノール、プロパノール、２−プロパノール、ブタノール、ペンタノール、エチレングリコール、グリセロール等が挙げられる。
【００９６】
ケトンとしては、（アルキル）2Ｃ＝Ｏ、（アルキル）（アリール）Ｃ＝Ｏ、（アリール）2Ｃ＝Ｏ、（置換アルキル）2Ｃ＝Ｏ、（置換アルキル）（アリール）Ｃ＝Ｏ、（アルキル）（置換アリール）Ｃ＝Ｏ、（置換アリール）2Ｃ＝Ｏ、環状ケトン等が挙げられる。
【００９７】
（アルキル）2Ｃ＝Ｏとしては、例えば、互いに同一または異なっていてもよいＣ1-9アルキルを含む（Ｃ1-9アルキル）2Ｃ＝Ｏが挙げられる。（アルキル）2Ｃ＝Ｏとしては、２，２−ジメチル−３−ヘキサノンが好ましい。
【００９８】
（アルキル）（アリール）Ｃ＝Ｏとしては、（Ｃ1-9アルキル）（Ｃ6-10アリール）Ｃ＝Ｏが挙げられる。
【００９９】
（アリール）2Ｃ＝Ｏとしては、例えば、互いに同一または異なっていてもよいＣ6-10アリールを含む（Ｃ6-10アリール）2Ｃ＝Ｏが挙げられる。
【０１００】
（置換アルキル）2Ｃ＝Ｏ及び（置換アルキル）（アリール）Ｃ＝Ｏの「置換アルキル」の置換基としては、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、トリフルオロメチル基等が挙げられる。また、（アルキル）（置換アリール）Ｃ＝Ｏ及び（置換アリール）2Ｃ＝Ｏの置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、トリフルオロメチル基等が挙げられる。
【０１０１】
（置換アルキル）2Ｃ＝Ｏとしては、例えば、互いに同一または異なっていてもよい置換Ｃ1-9アルキルを含む（置換Ｃ1-9アルキル）2Ｃ＝Ｏが挙げられる。
【０１０２】
（置換アルキル）（アリール）Ｃ＝Ｏとしては、例えば（置換Ｃ1-9アルキル）（Ｃ6-10アリール）Ｃ＝Ｏが挙げられる。
【０１０３】
（アルキル）（置換アリール）Ｃ＝Ｏとしては、例えば（Ｃ1-9アルキル）（置換Ｃ6-10アリール）Ｃ＝Ｏが挙げられる。
【０１０４】
（置換アリール）2Ｃ＝Ｏとしては、例えば、互いに同一または異なっていてもよい置換Ｃ6-10アリールを含む（置換Ｃ6-10アリール）2Ｃ＝Ｏが挙げられる。
【０１０５】
環状ケトンとしては、例えばＣ4-10シクロアルカノンが挙げられる。環状ケトンとしては、シクロヘキサノンが好ましい。
【０１０６】
エステルとしては、例えば、炭素数２〜２０のカルボン酸と、炭素数１〜６の脂肪族アルコールとのエステル等が挙げられる。エステルとしては、酢酸エチル、酢酸ペンチル、酢酸３−メチルブチルエステル、ヘキサン酸エチルが好ましい。
【０１０７】
エーテルとしては、（アルキル）2Ｏ等が挙げられる。（アルキル）2Ｏとしては、例えば、互いに同一または異なっていてもよいＣ1-9アルキルを含む（Ｃ1-9アルキル）2Ｏが挙げられる。（アルキル）2Ｏとしては、ジエチルエーテルが好ましい。
【０１０８】
芳香族炭化水素としては、炭素数６〜２４の芳香族炭化水素及び置換された炭素数６〜２４の芳香族炭化水素が挙げられる。方向族炭化水素としては、例えばベンゼン、トルエン等が挙げられ、トルエンが好ましい。
【０１０９】
脂肪族炭化水素としては、炭素数１〜９の脂肪族炭化水素が挙げられる。炭素数１〜９までの脂肪族炭化水素としては、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン等が挙げられる。脂肪族炭化水素としては、例えば、ヘキサン、イソオクタン等が挙げられ、イソオクタンが好ましい。
【０１１０】
シアノ基またはハロゲン原子で置換された脂肪族炭化水素としては、シアノ基またはハロゲン原子で１〜６置換された炭素数１〜９の脂肪族炭化水素が挙げられる。シアノ基またはハロゲン原子で置換された脂肪族炭化水素としては、例えば、アセトニトリル、ジクロロメタン、クロロホルム等が挙げられ、アセトニトリル、クロロホルムが好ましい。
【０１１１】
アリール基で置換されたモノＣ1-9アルキルアミン、ジＣ1-9アルキルアミン、（Ｃ1-9アルキル）3Ｐ、（置換Ｃ1-9アルキル）3Ｐ、（Ｃ1-9アルキル）2Ｃ＝Ｏ、（Ｃ1-9アルキル）（Ｃ6-10アリール）Ｃ＝Ｏ、（置換Ｃ1-9アルキル）2Ｃ＝Ｏ、（置換Ｃ1-9アルキル）（Ｃ6-10アリール）Ｃ＝Ｏ、（Ｃ1-9アルキル）（置換Ｃ6-10アリール）Ｃ＝Ｏ、（Ｃ1-9アルキル）2Ｏ等における炭素数１〜９までのアルキル（Ｃ1-9アルキル）とは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｉ−ペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、ｔ−ペンチル、２−メチルブチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、４−メチルペンチル、１−エチルブチル、２−エチルブチル、３−エチルブチル、１，１−ジメチルブチル、２，２−ジメチルブチル、３，３−ジメチルブチル、１−エチル−１−メチルプロピル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、２−メチルヘキシル、３−メチルヘキシル、４−メチルヘキシル、５−メチルヘキシル、１−エチルペンチル、２−エチルペンチル、３−エチルペンチル、４−エチルペンチル、１，１−ジメチルペンチル、２，２−ジメチルペンチル、３，３−ジメチルペンチル、４，４−ジメチルペンチル、１−プロピルブチル、ｎ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−メチルヘプチル、３−メチルヘプチル、４−メチルヘプチル、５−メチルヘプチル、６−メチルヘプチル、１−エチルヘキシル、２−エチルヘキシル、３−エチルヘキシル、４−エチルヘキシル、５−エチルヘキシル、１，１−ジメチルヘキシル、２，２−ジメチルヘキシル、３，３−ジメチルヘキシル、４，４−ジメチルヘキシル、５，５−ジメチルヘキシル、１−プロピルペンチル、及び２−プロピルペンチル等の直鎖状または分岐状のアルキルであり、好適には炭素数３〜６のものである。
【０１１２】
モノＣ6-10アリールアミン、Ｃ6-10アリールアミン、モノＣ6-10アリールジ（Ｃ1-6アルキル）アミン、（Ｃ6-10アリール）3Ｐ、（置換Ｃ6-10アリール）3Ｐ、（Ｃ1-9アルキル）（Ｃ6-10アリール）Ｃ＝Ｏ、（Ｃ6-10アリール）2Ｃ＝Ｏ、（置換Ｃ1-9アルキル）（Ｃ6-10アリール）Ｃ＝Ｏ、（Ｃ1-9アルキル）（置換Ｃ6-10アリール）Ｃ＝Ｏ、（置換Ｃ6-10アリール）2Ｃ＝Ｏ等における炭素数６〜１０のアリール（すなわちＣ6-10アリール）としては、例えば、フェニル、ナフチル等が挙げられる。
【０１１３】
モノＣ3-7シクロアルキルアミン、ジＣ3-7シクロアルキルアミン、モノ（Ｃ3-7シクロアルキル）ジ（Ｃ1-6アルキル）アミン等における炭素数３〜７のシクロアルキル（すなわちＣ3-7シクロアルキル）としては、例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、及びシクロヘプチル等が挙げられ、より好適には炭素数１〜４のもの、シクロプロピル、シクロブチルが挙げられる。
【０１１４】
窒素原子、硫黄原子及び酸素原子からなる群から選択される１種類以上の原子を１以上含む、３〜１２員のヘテロアリールとしては、窒素原子１〜４個を有する３〜８員、好ましくは５または６員の複素単環基、例えば、ピロリル、ピロリニル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、ピリダジニル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピロリジニル、イミダゾリジニル、ピペリジニル、ピラゾリジニル、ピペラジニル等；酸素原子１個を有する３〜８員、好ましくは５または６員の複素単環基、例えばフラニル等；硫黄原子１個を有する３〜８員、好ましくは５または６員の複素単環基、例えばチエニル等；酸素原子１〜２個及び窒素原子１〜３個を有する３〜８員、好ましくは５または６員の複素単環基、例えば、オキサゾリル、イソオキサゾリル、オキサジアゾリル、モルホリニル等；硫黄原子１または２個及び窒素原子１〜３個を有する３〜８員、好ましくは５または６員の複素単環基、例えば、チアゾリル、チアジアゾリル、チアゾリジニル等；窒素原子１〜５個を有する７〜１２員、好ましくは９または１０員の縮合複素環基、例えばインドリル、イソインドリル、インドリジニル、ベンズイミダゾリル、キノリル、イソキノリル、インダゾリル、ベンゾトリアゾリル、テトラゾロピリジル、テトラゾロピリダジニル、ジヒドロトリアゾロピリダジニル等；硫黄原子１〜３個を有する７〜１２員、好ましくは９または１０員の縮合複素環基、例えば、ジチアナフタレニル、ベンゾチオフェニル等；酸素原子１〜２個及び窒素原子１〜３個を有する７〜１２員、好ましくは９または１０員の縮合複素環基、例えば、ベンゾオキサゾリル、ベンゾオキサジアゾリル等；硫黄原子１または２個及び窒素原子１〜３個を有する７〜１２員、好ましくは９または１０員の縮合複素環基、例えば、ベンゾチアゾリル、ベンゾチアジアゾリル等；等を挙げることができる。
【０１１５】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が好ましい。
【０１１６】
本発明に用いられるインクは、粘度が例えば０．５ｍＰａ・ｓ以上５００００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは０．５ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは０．５ｍＰａ・ｓ以上２０ｍＰａ・ｓ以下である。粘度が０．５ｍＰａ・ｓ以上１６ｍＰａ・ｓ以下の範囲にあれば、そのインクを例えばインクジェット方法において好適に用いることが可能である。また、粘度が１０ｍＰａ・ｓ以上５００００ｍＰａ・ｓ以下の範囲にあれば、そのインクを例えばグラビア印刷方法において好適に用いることが可能である。なお、粘度は、振動式粘度測定方法により、室温下で測定した。
【０１１７】
また、本発明に用いられるインクは、表面張力が例えば５ｍＮ／ｍ以上１００ｍＮ／ｍ以下、好ましくは１０ｍＮ／ｍ以上８０ｍＮ／ｍ以下、より好ましくは２０ｍＮ／ｍ以上６０ｍＮ／ｍ以下である。表面張力が５ｍＮ／ｍ以上１００ｍＮ／ｍ以下の範囲にあれば、そのインクを例えばインクジェット方法において好適に用いることが可能である。なお、表面張力は、気泡発生時の圧力変化測定方法により、室温下、気泡周波数０．１Ｈｚから１０Ｈｚの条件下で測定した。
【０１１８】
また、本発明に用いられるインクにおいて、上記式（Ｉ）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀は、孤立電子対を有する化合物が１級アミン化合物、２級アミン化合物である場合、溶剤としては、水、アルコール、エーテル、エステル、ケトン、イソオクタン等の低級炭化水素、シアノ基またはハロゲン原子で置換された脂肪族炭化水素が好ましく、アルコール、エーテル、エステル、ケトンがさらに好ましい。また、上記式（Ｉ）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀は、孤立電子対を有する化合物がリン化合物である場合、溶剤としては、水、アルコール、エーテル、エステル、ケトンの様な酸素原子を含む溶媒が好ましく、アルコールがさらに好ましい。
【０１１９】
本発明に用いられるインクは、上述したように、印刷時、すなわち印刷に要する時間において十分に安定であるため、安定した印刷が可能である。また、本発明に用いられるインクは、低温〜室温において安定に保存が可能であり、例えば、比較的長期にわたって低温（冷蔵庫等）で保存した後のインクを用い、室温下で安定して印刷することができる。
【０１２０】
以下に、上述したようなβ−ケトカルボン酸銀を含むインクについてシリコンウェハ１０表面における濡れ性について説明する。なお、濡れ性評価に用いたβ−ケトカルボン酸銀を含むインクの組成は、βケトカルボン酸銀２５質量部、２−エチルヘキシルアミン５０質量部、エタノール２５質量部を混合したものに、サーフィノール６１（揮発性アセチレンアルコール；日信化学工業株式会社製）を１質量部添加したものからなるものである。
【０１２１】
まず、シリコンウェハ１０表面の極性について説明する。
【０１２２】
図１に示したシリコンウェハ１０について、上述した表面改質処理を行う前と行った後の接触角を調べたところ、下記表１に示すような結果が得られた。なお、測定機器は、英弘精機株式会社製のＯＣＡ Ｈ２００を使用し、いずれも滴下物を滴下して２秒後の接触角を測定した。
【０１２３】
【表１】
2011216827.tif 000004
【０１２４】
図１に示したシリコンウェハ１０に対して上述した表面改質処理を行う前においては、約５μリットルの水滴を垂らした場合、表１の（ａ）に示すように、その接触角が３０度程度であったのに対して、上述した表面改質処理を行った後においては、表１の（ｂ）に示すように、その接触角が５０〜６０度程度となった。すなわち、図１に示したシリコンウェハ１０に対して上述した表面改質処理を行うと、その表面の疎水性が向上することがわかった。この疎水性の変化は、酸化膜１１上に成長した有機汚染層１２の有無によるものと考えられ、それを実証するために、シリコンウェハ１０の表面が表１の（ｂ）に示したような接触角を有するものとなっている状態からシリコンウェハ１０を約１０時間放置した後に、接触角を再度測定した。
【０１２５】
すると、表１の（ｃ）に示すように接触角が小さくなり、すなわち、疎水性が低下して表面改質処理を行う前の状態に近づいていくことがわかった。これにより、シリコンウェハ１０を放置した場合、シリコンウェハ１０の表面に形成された酸化膜１１上に有機汚染層１２が成長し、この有機汚染層１２の有無によってシリコンウェハ１０表面の疎水性が変化することが実証された。
【０１２６】
次に、シリコンウェハ１０表面におけるβ−ケトカルボン酸銀を含むインクの極性、すなわち、β−ケトカルボン酸銀を含むインクの濡れ性について説明する。
【０１２７】
上記同様に、図１に示したシリコンウェハ１０について、上述した表面改質処理を行う前と行った後において、約５μリットルのβ−ケトカルボン酸銀を含むインクを垂らしてその接触角を調べたところ、下記表２に示すような結果が得られた。
【０１２８】
【表２】
2011216827.tif 000005
【０１２９】
図１に示したシリコンウェハ１０に対して約５μリットルのインク滴を垂らした場合、表２（ａ）に示す表面改質処理を行う前の状態に対して、表２（ｂ）に示す表面改質処理を行った後の状態の方が、接触角が小さくなり、濡れ性が向上していることがわかった。
【０１３０】
これは、上述したように、シリコンウェハ１０の表面改質処理を行う前においては、シリコンウェハ１０の表面に形成された酸化膜１１上に有機汚染層１２が存在しており、表面改質処理を行った後においては、その有機汚染層１２が除去されていることによるものであり、それにより、有機汚染層１２上での濡れ性が悪いβ−ケトカルボン酸銀を含むインクの、シリコンウェハ１０の表面における濡れ性が向上することになる。その際、シリコンウェハ１０の表面における水の濡れ性は、表１（ｂ）に示したようにその接触角が５０〜６０度程度となっており、この状態が、β−ケトカルボン酸銀を含むインクにとってその濡れ性が優れたものとなる。
【０１３１】
なお、上述した実施の形態においては、酸化膜１１が形成されたシリコンウェハ１０の全面をＩＰＡで拭くことによって、酸化膜１１上に成長した有機汚染層１２を除去してシリコンウェハ１０の表面全体におけるβ−ケトカルボン酸銀を含むインクの濡れ性を向上させているが、シリコンウェハ１０の表面のうち配線２０が形成される領域のみをＩＰＡで拭くことによって、その部分のみ酸化膜１１上から有機汚染層１２を除去して表面改質処理を行うことも考えられる。その場合、配線２０が形成される領域のみにおいて、β−ケトカルボン酸銀を含むインクの定着性が向上し、それにより、配線２０を形成しない領域にインクを付着しにくくすることができる。
【０１３２】
また、上述した例においては、酸化膜１１が形成されたシリコンウェハ１０の表面をＩＰＡで拭くことによって、酸化膜１１上に成長した有機汚染層１２を除去してシリコンウェハ１０表面の表面改質処理を行っているが、ＩＰＡではなく、水、アセトン、トルエン、ヘキサン、２−エチルヘキサノールでシリコンウェハ１０の表面を拭くことによって、酸化膜１１上に成長した有機汚染層１２を除去してもよい。また、表面改質処理としてこのような溶剤を用いることなく、シリコンウェハ１０の表面を拭くことによっても、酸化膜１１上に成長した有機汚染層１２を除去することができる。ただし、溶剤を用いずに表面改質処理を行う場合は、酸化膜１１に付着した溶剤を除去するためにシリコンウェハ１０を加熱する処理が不要となる。また、溶剤を用いて表面改質処理を行う場合においても、シリコンウェハ１０の表面を溶剤を用いて拭いた後、溶剤が揮発するための十分な時間シリコンウェハを１０を放置し、その後に配線２０を形成するのであれば、シリコンウェハ１０を加熱する必要はない。ただし、シリコンウェハ１０を放置しすぎると、酸化膜１１上に有機汚染層１２が成長されてしまうので、その放置時間は、酸化膜１１上に有機汚染層１２が成長しない程度のものとする必要がある。
【符号の説明】
【０１３３】
１    配線基板
１０    シリコンウェハ
１１    酸化膜
１２    有機汚染層
２０    配線
２２    インク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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