(57)【要約】【課題】本発明のマスクの製造方法によれば、プロセスマージンの広いばらつきの小さな加工用マスクを提供することが出来る。【解決手段】  本発明のマスクの製造方法は、基板上に芯材パターンを形成する工程と、前記芯材パターンの上面及び側面を覆うように第１材料を含む第１の膜を形成する工程と、前記第１の膜上に第２の材料を含む第２の膜を形成する工程と、前記芯材パターンの側面に前記第１の膜及び前記第２の膜を含む側壁層が形成され、かつ前記側壁層以外の前記第１の膜及び前記第２の膜が除去されるように、前記第１の膜及び前記第２の膜を異方性エッチングする工程と、前記側壁層の前記第１の膜を等方性エッチングする工程と、前記芯材パターンを除去する工程とを備えることを特徴とする。【選択図】図３
2011215371.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に芯材パターンを形成する工程と、
前記芯材パターンの上面及び側面を覆うように第１の材料を含む第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に第２の材料を含む第２の膜を形成する工程と、
前記芯材パターンの側面に前記第１の膜及び前記第２の膜を含む側壁層が形成され、かつ前記側壁層以外の前記第１の膜及び前記第２の膜が除去されるように、前記第１の膜及び前記第２の膜を異方性エッチングを行う工程と、
前記側壁層の前記第１の膜を等方性エッチングを行う工程と、
前記芯材パターンを除去する工程とを備えることを特徴とする
マスクの製造方法。
【請求項２】
前記異方性エッチングを行う工程は、前記側壁層が、前記芯材パターンの側面に対抗する面の上側の第１領域が第２の材料で構成され、下側の第２領域が第１の材料で構成されるように形成する工程であり、
前記等方性エッチングを行う工程は、前記第２領域が前記第１領域と比べて、前記芯材パターンの側面との平均距離が短くなるように形成する工程であることを特徴とする
請求項１記載のマスクの製造方法。
【請求項３】
前記等方性エッチングを行う工程は、前記第２領域が、前記第１領域のエッジより芯材パターンの側面側にリセスした形状となるように形成する工程であることを特徴とする請求項２記載のマスクの製造方法。
【請求項４】
前記等方性エッチングを行う工程は、前記第２領域が、円弧状に前記芯材パターンの側面に近接する形状であり、前記側壁層と前記基板との接触点では、前記第２領域が前記第１領域のエッジ側に近づく形状となるように形成する工程であることを特徴とする請求項３記載のマスクの製造方法。
【請求項５】
前記等方性エッチングを行う工程は、プラズマエッチング法を用いた工程であることを特徴とする請求項１記載のマスクの製造方法。
【請求項６】
前記等方性エッチングを行う工程は、ダウンフローエッチング法を用いた工程であることを特徴とする請求項１記載のマスクの製造方法。
【請求項７】
前記等方性エッチングを行う工程は、前記異方性エッチングする工程に比べて、ラジカル濃度が高い放電を用いる工程であることを特徴とする請求項１記載のマスクの製造方法。
【請求項８】
前記第１の材料は、シリコン窒化物であり、前記第２の材料は、シリコン酸化物であることを特徴とする請求項２記載のマスクの製造方法。
【請求項９】
前記第１の材料は、シリコン酸化物であり、前記第２の材料は、アルミ酸化物であることを特徴とする請求項２記載のマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細加工用のマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯型情報機器はじめ多くの情報ストレージデバイスにおいて、メモリ容量の増大はその機能向上へのみならず、ビットあたりの二酸化炭素低減という観点からも環境的に寄与している。
【０００３】
また、Magnetic Random Access Memory (MRAM)は、磁気を用いた不揮発メモリであるためスタンバイ状態の電力消費量を抑制し、パソコンの大きな省電力化に寄与することが期待されている。
【０００４】
ハードディスクドライブや固体メモリの容量上昇は、光露光システム高機能化により１ビットの書き込み・読み出しサイズを小さくすることで達成されてきた。近年，KrFエキシマステッパーからArFエキシマステッパーさらに液浸ArFエキシマステッパーを用いることで、より微細なパターンを描くことが可能となってきた．
さらに１ビットサイズを小さくしデバイスの容量を上昇させるために、International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS)では、次世代マスク形成技術としてEUV (Extreme Ultra Violet)光を用いた露光装置や直描電子線露光装置、ダブルパターニングと呼ばれる2回シフト露光を行う技術、そして側壁に形成した薄膜をマスクとして転写する技術が注目されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
この側壁転写（Sidewall Transfer: SWT）法では、露光法等により形成したガイド（芯材）パターンの辺縁上に凹凸パターンを形成するための形成層（側壁膜）を形成し、エッチングにより形成層（側壁膜）をトリミングすることで、この層を芯材の側壁に選択的に残存させ、さらに芯材を除去することで形成層による凹凸パターンを形成する方法である。側壁転写技術は，側壁に形成された薄膜をマスク幅として用いるため，その寸法幅限界は原理的には原子レベルと考えられる。
【０００６】
この側壁転写法では、垂直に近い角を持つ矩形のマスクパターンの形成が望ましく、角が落ちてしまわないようにすることが必要となる。矩形のマスクパターンの形成には、高いエッチング異方性が要求され、主にドライエッチングが使用される。そのため、ドライエッチング条件において側壁膜に対してエッチング速度の遅い側壁保護膜を形成することで良好な矩形性が得られることが開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
ドライエッチングは化学反応を利用した化学的エッチング成分と、粒子の衝突エネルギーを利用した物理的エッチング成分の両方を持っている。そして、化学的エッチング成分は等方的にエッチングが進行し、物理的エッチング成分は異方的にエッチングが進行する。等方的にエッチングが進行すると、高い異方性が得られない。そのため、高い異方性を得るには化学的エッチング成分を抑制することが重要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第4083098号公報
【特許文献２】特開2009-130035号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、物理的エッチング成分を増加させると、芯材や側壁膜自身の陰の影響により側壁膜の裾野がテーパーを引いた形状を取る。この裾野部分を有した側壁マスクは、寸法を規定する部分がその裾野であるため、側壁マスクの形成（エッチング）工程やその下部に形成された下地膜をパターニングする際に時間的に変動し、ばらつきを発生させうる。このばらつきは１ビットの寸法仕様によっては、歩留まりに関わることとなる。
【００１０】
本発明は、プロセスマージンの広いばらつきの小さな加工用マスクを提供することが出来るマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一観点によるマスクの製造方法は、基板上に芯材パターンを形成する工程と、前記芯材パターンの上面及び側面を覆うように第１材料を含む第１の膜を形成する工程と、前記第１の膜上に第２の材料を含む第２の膜を形成する工程と、前記芯材パターンの側面に前記第１の膜及び前記第２の膜を含む側壁層が形成され、かつ前記側壁層以外の前記第１の膜及び前記第２の膜が除去されるように、前記第１の膜及び前記第２の膜を異方性エッチングを行う工程と、前記側壁層の前記第１の膜を等方性エッチングを行う工程と、前記芯材パターンを除去する工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のマスクの製造方法によれば、プロセスマージンの広いばらつきの小さな加工用マスクを提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施例１に係るマスクの製造方法を示す製造工程図である。
【図２】本発明の実施例１に係るマスクの製造方法を示す製造工程図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例１に係るマスクの製造方法を示す製造工程図である。
【図４】本発明の実施例１に係るマスクの製造方法を示す製造工程図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施例１に係るマスクの製造方法を示す製造工程図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、下地膜転写モジュールにおけるエッチング進行過程を示す図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、リセス量の裾野テーパー角度依存性、リセス量のエッチング異方性依存性, リセス量の選択比依存性, リセス量のオーバーエッチング量依存性を示す図である。
【図８】制御性のレンジを入れ込んだ各パラメータのリセスへの影響を示す表である。
【図９】本発明の実施例１に係るマスクにおけるリセス量のオーバーエッチング依存性を示す図である。
【図１０】本発明の実施例１に係るマスクにおける、制御性のレンジを入れ込んだ各パラメータのリセスへの影響を示す表である。
【図１１】ケミカルドライエッチングにより形成される窪み形状の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。  
まず、一般的な側壁転写法において、裾野がある場合に、パターニングの際にばらつきが生じる理由を説明する。
【００１５】
図６は、下地膜転写モジュールにおけるエッチング進行過程を示す図である。側壁膜８ａを用いて、下地層膜１１（膜厚D）をエッチングし、ストッパー膜１２表面にてエッチングを止める。仮定として、裾野部分（図中○で囲った部分）の初期テーパー（角度θ１）のエッジがそのまま下に転写され、ジャストエッチングでは下地膜１１エッジはR0の位置にあり、さらに、オーバーエッチングが進行するにつれR１のリセスが進行する。オーバーエッチングEは下地膜11がジャストエッチング後も存在するとして仮想エッチング表面として記載している。
【００１６】
裾野テーパーは、高さW0で初期角度θ1とし、最終角度θ2へは二つのリセス要因（選択比S，エッチング異方性A）で変化する。まず、解析的に側壁膜８ａと下地膜１１とのRIE選択比S (= Etching rate 比) によるリセスRsが発生する。さらに、エッチング異方性AによるリセスRAが加わり総合リセスR2 (=Rs+RA)が発生する。Rs、 RA、R2はそれぞれ以下の式で記載される。
【００１７】
RS= (D+E)/S tan-1θ1
RA= (D+E)/S A
R2= RS + RA
= (D+E)/S (tan-1θ1+1/A)     (1)
オーバーエッチングによるリセスR1は、R1を底辺とする三角形およびR2を底辺とする三角形の相似から
R1 = E/ (D+E) R2
(1)をR2へ代入して     
R1 = [E/ (D+E)] [(D+E)/S (tan-1θ1+1/A)]
= (E / S) (tan-1θ1+1/A)       (2)
(2)式をばらつき計算の基本式とした。現実的θ１(>70度)の下では、リセスR1は、オーバーエッチングE、テーパー角度のtan-1θ1に比例、選択比S、エッチング異方性Aに反比例の関係となる。
【００１８】
図７(ａ)にリセス量R1の裾野テーパー角度θ1依存性をエッチング異方性Aをパラメータに示す。現実的なテーパー角度の範囲においては、リセス量はテーパー角度と直線的な相関がある。リセス量の絶対値はエッチング異方性Aが大きくなるほど減少するが、ばらつきの原因となる傾きに対しては同じであることがわかる。図中、丸で示した部分は標準条件、横軸の矢印は設定したばらつき範囲を示している。
【００１９】
図７(ｂ)にリセス量のエッチング異方性A依存性、 図７(ｃ)にリセス量の選択比S依存性、 図７(ｄ)にリセス量のオーバーエッチング量依存性を示す。すべてのパラメータに一般的な制御性のレンジ（+/-20%）を入れ込んで各パラメータのリセスR１への影響を図８の表に示す。以下のように総合ばらつきは計算している。
【００２０】
総合ばらつき= (0.1902+0.1672+0.3142+0.6032)1/2
図８に示すように、ばらつき要因としては、オーバーエッチングEが最も大きい。この理由は、側壁マスクを用いた下地膜１１へのRIEエッチング時に、側壁膜８ａの裾野が逐次的に後退することにある。したがって、この裾野部分を側壁保護膜９ａのエッジよりも後退させる「裾野アンダーカット構造」とすることで、側壁膜８ａの裾野部分の逐次的なエッチング後退により発生する下地膜１１リセスが抑制される。以下に示す実施例１に示すようなプロセスを経て加工を行った場合、原理的に裾野後退が発生しないため、大きなばらつき抑制を行うことが出来る。
【００２１】
図９にオーバーエッチング耐性について裾野がある構造と比較する。裾野がアンダーカットしているということは、実効的にエッチング異方性Aおよび選択比Sが向上したことと等価となる。Sに関しては側壁保護膜９ａと下地膜、Aに関しては側壁保護膜９ａの横方向エッチング速度に対する下地膜１１エッチング速度となるため両者とも大幅に向上し、従来A=5、S=5であったものが、A=18、S=10に向上した。その結果、図９に示すようにリセス量は大幅に抑制できる。それらの各ばらつき要因における効果を図１０の表に示す。オーバーエッチングにおけるばらつきを大幅に抑制できたことから、総合ばらつきを0.725nmから0.098nmへと従来の約14％へと大幅に抑制できることがわかる。
【実施例１】
【００２２】
次に、本発明の実施例に係るマスクの製造プロセスを説明する。
【００２３】
図１（ａ）、（ｂ）、図２、図３（ａ）〜（ｄ）、図４、図５（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例に係るマスクの製造工程図である。
【００２４】
まず、例えば、不図示の膜厚0.7mmの シリコン基板上に、図１（ａ）に示すように、トンネル磁気抵抗効果膜１を形成する。次に、このトンネル磁気抵抗効果膜１の上に、例えば膜厚70nmのＴａ（タンタル）マスク膜２を形成する。次に 、タンタルマスク膜２の上に、例えば膜厚50nm のSiOx（酸化シリコン）マスク膜３を形成する。次に、酸化シリコンマスク膜３の上に、例えば膜厚30nmのSi（シリコン）下地膜４を形成する。次に、シリコン下地膜４の上に、例えば膜厚80nmの カーボン芯材膜５を形成する。次に、カーボン芯材膜５の上に、例えば膜厚5nm の酸化アルミ（AlOx）マスク膜６を形成する。トンネル磁気抵抗効果膜１、タンタルマスク膜２、酸化シリコンマスク膜３、シリコン下地膜４、カーボン芯材膜５、酸化アルミマスク膜６はそれぞれ、例えばスパッタ法によりて形成する。次に、酸化アルミマスク膜６上に電子線描画レジストを塗布し，その後電子線描画を行うことによりレジストパターン７を形成する。ここで、レジストパターン７として、例えば、ライン20nm，スペース80nmのパターンを形成するものとする。
【００２５】
次に、図１（ｂ）に示されるように、レジストパターン７をマスクとして、酸化アルミマスク膜６を，CHF3（三フッ化メタン）ガスによるRIE（Reactive Ion Etching）によりエッチングを行う。その後、カーボン芯材膜５を、酸素ガスによるRIEによりエッチングし矩形形状の芯材パターン５ａを形成する。このとき、酸素RIEによりレジストパターン７は除去される。
【００２６】
次に、芯材パターン５ａ上に残った酸化アルミ膜６ａをＴＭＡＨ(テトラメチルアンモニウムハイドロオキシド；商品名NMD3,東京応化工業)に浸漬して除去する。次に、図２に示されるように、芯材パターン５ａの側面及び上面を覆うようにALD  (Atomic Layer Deposition)法を用いて、例えば15nmの膜厚のSiN（窒化シリコン）側壁膜８を形成し、さらに窒化シリコン側壁膜８上にＡＬＤ法を用いて、例えば5nmの膜厚のSiOx（酸化シリコン）側壁保護膜９を形成する。
【００２７】
次に、図３(ａ)に示されるように、三フッ化メタンガスを用いたRIEにて酸化シリコン側壁保護膜９を異方性エッチングし、さらにCF4（四フッ化メタン）＋O2（酸素）＋CHF3（三フッ化メタン）混合ガスを用いたRIEにて窒化シリコン側壁膜８の異方性エッチングを行う。尚、異方性エッチングは、図３（ａ）の矢印方向に行う。異方性エッチングの結果、芯材パターン５ａの上部およびシリコン下地膜４上に形成された窒化シリコン側壁膜８と酸化シリコン側壁保護膜９の積層膜が選択的にエッチングされ、芯材パターン５ａの側壁に窒化シリコン側壁膜８ａと酸化シリコン側壁保護膜９ａを備える酸化シリコン／窒化シリコン側壁層10が形成される。ここで、窒化シリコン側壁膜８ａの上部（図３（ａ）でｔで示す領域。）および側部（図３（ａ）で領域uで示す裾野部分。）にテーパーが形成される。一方、酸化シリコン側壁保護膜９ａはエッチングが抑制されている。
【００２８】
図３（ｂ）に、芯材パターン５ａの側部に残存した酸化シリコン／窒化シリコン側壁層10の拡大図を示す。酸化シリコン／窒化シリコン側壁層10の芯材パターン5aの側面と対向する側面は、上部（図３（ｂ）に、領域ｖで示す。）は、酸化シリコン側壁保護膜９ａで形成され、下部は、窒化シリコン側壁膜８ａで形成される（領域uで示す）。領域uにおける高さｗ１は、領域ｔの厚さW0とほぼ等しく、幅はs0のテーパー形状である。ここで、酸化シリコン／窒化シリコン側壁層10の芯材パターン5aの側面と対向する側面のうち、上部（領域ｖ）を第１領域ｖと称し、下部を第２領域ｕと称する。また、前述した窒化シリコン側壁膜８ａの上部（領域ｔ）を第３領域ｔと称する。
【００２９】
次に、図３（ｃ）に示すように、CHF3（三フッ化メタン）+O2（酸素）+H2（水素）混合ガスをによるCDE (Chemical Dry Etching)法を用いた窒化シリコン側壁膜８ａの等方的なドライエッチングを行い，窒化シリコン側壁膜８ａを選択的にエッチングする。一方，酸化シリコン側壁保護膜９ａはエッチングが抑制されている。これにより、窒化シリコン側壁膜８ａの上部（図３（ｃ）でtで示す領域。）および側部（図３（ｃ）でuで示す領域。）に窪みが形成される。
【００３０】
図３（ｄ）に、酸化シリコン／窒化シリコン側壁層10の拡大図を示す。図３(ｂ)に記載した窒化シリコン側壁膜８ａの側部uのテーパー形状は、CDE法を用いたエッチングにより、窪み状に凹んだ形状となる。ここで、窒化シリコン側壁膜８ａの領域ｕの凹みは、シリコン下地膜４との接点ｚにおいて、酸化シリコン側壁保護膜９ａのエッジｅより、幅s1、酸化シリコン／窒化シリコン側壁層10の芯材パターンの側面にリセスしている。この幅s1のリセスを作り出すことによって、酸化シリコン／窒化シリコン側壁層１０（側壁マスク）を用いたシリコン下地膜４への転写ばらつきを格段に抑制することが可能となる。
【００３１】
次に、図４に示すように、酸素ガスを用いたRIEにより、芯材パターン５ａを除去する。
【００３２】
次に、図5（a）に示すように、酸化シリコン／窒化シリコン側壁層10をマスクにしてシリコン下地膜４をSF6（六フッ化硫黄）+O2（酸素）混合ガスによるRIEを用いてエッチングする。
【００３３】
次に、図5（b）に示すように、パターニングされたシリコン下地膜４ａをマスクにして酸化シリコンマスク膜３をCHF3（三フッ化メタン）ガスによるRIEを用いたエッチングを行う。次に、パターニングされた酸化シリコンマスク膜３ａを用いて，タンタルマスク膜２をCl2系ガスによるRIEを用いたエッチングを行う。
【００３４】
更に、図示はしないが、タンタルマスク膜２を用いて、トンネル磁気抵抗効果膜1のパターニングを行うことにより、磁気メモリ用の磁性ドット（MTJ（Magnetic Tunnel Junction））を形成する。
【００３５】
本実施例のマスクの製造方法によれば、側壁マスクの側壁膜の裾野部分を側壁保護膜よりもリセスした形状とすることで、プロセスマージンの広いばらつきの小さな加工用マスクを提供することが出来る。
【００３６】
なお、以上の実施例において，窒化シリコン側壁膜の代わりに、SiOx（酸化シリコン）側壁膜を用いて、酸化シリコン側壁保護膜の代わりにAlOx（酸化アルミ）側壁保護膜を用いることができる。この場合、図３(ａ)におけるRIEによる異方性エッチングを、CHF3（三フッ化メタン）を用いて、酸化アルミ側壁保護膜、酸化シリコン側壁膜を連続的にエッチングする。また，図３(ｃ)の等方性エッチングを、ＮＦ3（三フッ化窒素）+Ｎ2（窒素）+Ａr（アルゴン）ガスによるCDE法を適用する。
【００３７】
また、等方性エッチングとしては、プラズマエッチング法を用いたエッチング、ダウンフローエッチング法を用いたエッチング、異方性エッチングと比べて、ラジカル濃度が高い放電を用いるエッチングを用いることもできる。少なくとも、図３（c）の等方性エッチングの工程が、図３（a）における異方性エッチングと比べて、側壁膜を等方的にエッチングできればよい。
【００３８】
また，等方的なエッチングはAtomic Layer Etching(ALET)などと呼ばれる方法も有用である。ALETはエッチャントとなるガスを導入し、基板表面に吸着させて、その後Arなどで微弱なプラズマを発生させて吸着表面層だけ原子的にエッチングを行う技術である。たとえば、第1の層（側壁膜）としてGaAs，第2の層（側壁保護膜）としてAl酸化物を形成し、Cl2（塩素）ガスを1L（ラングミュアー）導入した後、0.1W/cm2以下のAr放電でGaAs面１原子層だけ後退させることが可能である。これを10回繰り返すことで十分なアンダーカットが得られる。この際、Si下地層の表面に1nm程度のAl酸化物を形成しておくことが望ましい。第1の層（側壁膜）としてGaAsの代わりにZr酸化物を用い、第2の層（側壁保護膜）としてAl酸化物を用い、BCｌ3ガスをエッチャントガスとして導入吸着させ，Arガスの微弱放電でZr酸化物を選択的に後退させることが出来る。
【００３９】
さらに本実施例では基板として、シリコン基板のみを想定しているが、Ｔａマスク膜２、酸化シリコンマスク膜３、シリコン下地膜４を含めて基板と考えても良い。
【００４０】
次に、図３（ｃ）の等方的なドライエッチング工程後に形成される酸化シリコン／窒化シリコン側壁層10の形状のバリエーションを説明する。
【００４１】
酸化シリコン／窒化シリコン側壁層10の第２領域ｕの窪みは側壁保護膜９ａのエッジよりも後退していることが望ましい。例えば、図１１(a)に示す円弧状構造、図１１(b)に示すような、高さが下がるにつれ単調にリセス量ｓ１が増える構造、図１１(c)に示すような正テーパー形状などが望ましい。もっとも望ましいのは下地膜４との接点ｚに向かって（下方に向かうほど）、側壁保護膜９ａのエッジｅに近づく構造である。これは、下地膜４をRIEエッチングする場合に、たかだか10-20nm程度であるが高さW1の部分にRIEガスが回りこんで下地膜のs1と記載した部分をエッチングする可能性があるからである。したがって、図１１(a)や図１１(c)に記載したように、下地膜のごく近傍では、正テーパーを形成している構造が望ましい。
【００４２】
尚、酸化シリコン／窒化シリコン側壁層10の第２領域ｕの窪みは側壁保護膜９ａのエッジよりも必ずし全ても後退している必要はなく、図１１(d)に示すようにわずかに突出しても、従来の裾野構造に比べるとリセス抑制の効果がある。尚、この突出量Ｓ１はW1の1/3以下が望ましい。
【００４３】
なお、酸化シリコン／窒化シリコン側壁層10の形状は、以上の形状に限られない。酸化シリコン／窒化シリコン側壁層10の側面のうち、側壁膜８ａの側部ｕが、側壁保護膜９ａの側部ｖと比べて、芯材パターン５ａとの平均距離が短くなるような形状であることが好ましい。また、側壁膜９ｂの側部ｕ全ての部分が、側壁保護膜９ｂの側部ｖより、芯材パターン５ａ側にあれば、更に好ましい。
【００４４】
なお、本発明は上記実施例そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施例に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施例にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００４５】
１・・・トンネル磁気抵抗効果膜、２，２ａ・・・タンタルマスク膜、３、３ａ・・・酸化シリコンマスク膜、４、４ａ・・・シリコン下地膜、５・・・カーボン芯材膜、６、６ａ・・・酸化アルミマスク膜、７・・・レジストパターン、５ａ・・・芯材パターン、８、８ａ・・・窒化シリコン側壁膜、９、９ａ・・・酸化シリコン側壁保護膜、10・・・酸化シリコン／窒化シリコン側壁層。
【図１】
2011215371.tif 000003
【図２】
2011215371.tif 000004
【図３】
2011215371.tif 000005
【図４】
2011215371.tif 000006
【図５】
2011215371.tif 000007
【図６】
2011215371.tif 000008
【図７】
2011215371.tif 000009
【図８】
2011215371.tif 000010
【図９】
2011215371.tif 000011
【図１０】
2011215371.tif 000012
【図１１】
2011215371.tif 000013