(57)【要約】【課題】個片化された際のチッピングの発生を防止し、かつ、裏面印字の際の発塵を抑え、信頼性に優れた半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明の半導体装置１Ａ（１）は、半導体基板２と、前記半導体基板の一面側に配された電極３と、前記半導体基板の他面側において外周域にのみ配された樹脂部１０Ａ（１０）と、を少なくとも備えたことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
個片化されたチップ状の半導体基板と、
前記半導体基板の一面側に配された電極と、
前記半導体基板の他面側において外周域にのみ配された樹脂部と、を少なくとも備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記樹脂部は、前記半導体基板の他面側において、角部に配されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂部は、前記半導体基板の他面側において、外周部に配されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂部は、前記半導体基板の他面上に配されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板の他面側において、外周域には凹部又は溝部が設けられており、
前記樹脂部は、前記凹部又は溝部内に配されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体装置。
【請求項６】
ウェハ状の半導体基板の一面側に電極を形成する工程と、
前記半導体基板の他面側に、凹部又は溝部を形成する工程と、
前記半導体基板の他面側において、少なくとも前記凹部又は溝部が埋まるように全面又は局部に樹脂層を形成する工程と、
前記凹部又は溝部に樹脂部を残し、かつ、前記半導体基板の他面が露呈するように、前記樹脂層を研削する工程と、
個片化されたチップの他面側において、外周域のみに前記樹脂部が残るように、前記半導体基板を個片化することにより、チップ状の半導体基板を形成する工程と、を少なくとも順に備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ウェハ状の半導体基板の一面側に電極を形成する工程と、
前記半導体基板の他面側において、格子状又は点状に樹脂部を形成する工程と、
個片化されたチップの他面側において、外周域のみに前記樹脂部が残るように、前記半導体基板を個片化することにより、チップ状の半導体基板を形成する工程と、を少なくとも順に備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージ、例えば、シリコンチップを樹脂により封止した、いわゆるデュアル・インライン・パッケージ（Dual Inline Package）やクァド・フラット・パッケージ（Quad Flat Package）では、樹脂パッケージの側面部や周辺部に金属リードを配置した周辺端子配置型が主流である。
【０００３】
これに対し、ＣＳＰ（チップスケールパッケージ）、特に「ウエハレベルＣＳＰ」と呼ばれる半導体パッケージでは、ウエハ上に、絶縁樹脂層、導電層、封止層などを形成し、さらにはんだバンプを形成した後、ダイシングにより複数のチップを得る（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、ウエハレベルＣＳＰにおける最終工程でチップの個片化を実施した際に、チップのカケ（チッピング）が発生する。このチッピングが発生すると抗折強度が低減するだけでなく、外観不良となり、チップ裏面の印字が判別できなくなる可能性がある。
【０００５】
ウエハレベルＣＳＰを個片化した後は、チップ裏面がＳｉであるため、ハンドリング時にチップ裏面の縁にチッピングが生じる可能性があり、取り扱いには注意が必要である。この対策をひとつの目的としてチップ裏面全体に樹脂を形成した構造があるが、この時裏面印字を行うと発塵する問題があった。すなわち、チップ裏面全体に樹脂が存在すれば、裏面に微小文字をレーザー捺印した際の発塵は避けられない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２０７３６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、個片化された際のチッピングの発生を防止し、かつ、裏面印字を行ったとしても発塵が発生しにくく、信頼性に優れた半導体装置を提供することを第一の目的とする。
また、本発明は、個片化する際のチッピングの発生を防止するとともに、裏面印字を行ったとしても発塵が発生しにくく、信頼性に優れた半導体装置を、簡便な方法で製造できる半導体装置の製造方法を提供することを第二の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１に記載の半導体装置は、個片化されたチップ状の半導体基板と、前記半導体基板の一面側に配された電極と、前記半導体基板の他面側において外周域にのみ配された樹脂部と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の半導体装置は、請求項１において、前記樹脂部は、前記半導体基板の他面側において、角部に配されていることを特徴とする。
本発明の請求項３に記載の半導体装置は、請求項１において、前記樹脂部は、前記半導体基板の他面側において、外周部に配されていることを特徴とする。
本発明の請求項４に記載の半導体装置は、請求項２又は３において、前記樹脂部は、前記半導体基板の他面上に配されていることを特徴とする。
本発明の請求項５に記載の半導体装置は、請求項２又は３において、前記半導体基板の他面側において、外周域には凹部又は溝部が設けられており、前記樹脂部は、前記凹部又は溝部内に配されていることを特徴とする。
本発明の請求項６に記載の半導体装置の製造方法は、ウェハ状の半導体基板の一面側に電極を形成する工程と、前記半導体基板の他面側に、凹部又は溝部を形成する工程と、前記半導体基板の他面側において、少なくとも前記凹部又は溝部が埋まるように全面又は局部に樹脂層を形成する工程と、前記凹部又は溝部に樹脂部を残し、かつ、前記半導体基板の他面が露呈するように、前記樹脂層を研削する工程と、個片化されたチップの他面側において、外周域のみに前記樹脂部が残るように、前記半導体基板を個片化することにより、チップ状の半導体基板を形成する工程と、を少なくとも順に備えたことを特徴とする。
本発明の請求項７に記載の半導体装置の製造方法は、ウェハ状の半導体基板の一面側に電極を形成する工程と、前記半導体基板の他面側において、格子状又は点状に樹脂部を形成する工程と、個片化されたチップの他面側において、外周域のみに前記樹脂部が残るように、前記半導体基板を個片化することにより、チップ状の半導体基板を形成する工程と、を少なくとも順に備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、チップ状をなす半導体基板の他面側の外周域にのみ樹脂部を配することで、チッピングの発生を防止することができる。また、本構造ではチップ裏面にあたる他面の外周部以外には樹脂が存在しないので、裏面印字を行う場合、基板表面を溶融させる裏面印字法を選択することができ、裏面印字の際の発塵を避けることが可能となった。これにより本発明では、信頼性に優れた半導体装置を提供することができる。
また、本発明では、半導体基板の他面側に樹脂部を形成し、外周域のみに前記樹脂層が残るように、前記半導体基板を個片化しているので、個片化する際のチッピングの発生を防止することができる。また、チップ裏面の外周部以外には樹脂が存在しないので、裏面印字を行う場合、基板表面を溶融させる裏面印字法を選択することができ、発塵を避けることが可能となった。これにより本発明では、信頼性に優れた半導体装置を、簡便な方法で製造できる製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の半導体装置の一例（第一実施形態）を模式的に示す図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法を、工程順に示す図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法を、工程順に示す図である。
【図４】本発明の半導体装置の一例（第二実施形態）を模式的に示す図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法を、工程順に示す図である。
【図６】本発明の半導体装置の一例（第三実施形態）を模式的に示す図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法を、工程順に示す図である。
【図８】本発明の半導体装置の一例（第四実施形態）を模式的に示す図である。
【図９】本発明の半導体装置の製造方法を、工程順に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明に係る半導体装置及びその製造方法について、それらの一実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１２】
図１は、本発明の半導体装置の一構成例を模式的に示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図である。
この半導体装置１Ａ（１）は、一面２ａに電極３が形成された半導体基板２と、半導体基板２上に配され、前記電極３の少なくとも一部を露出する開口部４ａを有する絶縁樹脂層４と、前記絶縁樹脂層４上に配され、一端部が前記開口部４ａを通じて前記電極３と電気的に接続された導電層５と、を備えている。
【００１３】
そして本発明の半導体装置１は、前記半導体基板２の他面２ｂ側において外周域にのみ配された樹脂部１０Ａ（１０）を備えたことを特徴とする。なお、本発明における「外周域」とは、半導体基板の他面（裏面）側にあって、チップ状の半導体基板の側面近傍の領域を意味する。
本発明では、チップ他面２ｂ側の外周域にのみ樹脂部１０Ａ（１０）を配することで、チッピングの発生を防止することができる。また、本構造ではチップ裏面の外周部以外には樹脂が存在しないので、裏面印字を行う場合、基板表面を溶融させる裏面印字法を選択することができ、裏面印字の際の発塵を避けることが可能となった。これにより本発明の半導体装置１は、信頼性に優れたものとなる。
【００１４】
本実施形態の半導体装置１Ａ（１）において、前記樹脂部１０は、前記半導体基板２の他面２ｂ上に配されており、半導体基板２の他面２ｂ側において、外周部に配されている。チップ裏の外周部に樹脂部１０Ａ（１０）が存在することで、ハンドリングによるチッピングを大幅に減少することができる。また、外周部のみに樹脂部１０Ａ（１０）を配することにより、チッピングの発生がより抑えられる。また、裏面印字の際の発塵をなくすことができる。
【００１５】
半導体基板２は、シリコンウエハ等の半導体ウエハでもよく、半導体ウエハをチップ寸法に切断（ダイシング）した半導体チップであってもよい。半導体基板２が半導体チップである場合は、まず、半導体ウエハの上に、各種半導体素子やＩＣ、誘導素子等を複数組、形成した後、チップ寸法に切断することで複数の半導体チップを得ることができる。
【００１６】
電極３は、半導体基板２上に形成された電子部品（図示略）に電気的に接続される電極である。この電極３は、例えば、アルミニウム、銅、クロム、チタン、金、チタン−タングステン合金等の導電性を有する金属により構成されている。
【００１７】
絶縁樹脂層４は、電極３と整合する位置に形成された開口部４ａを有する。絶縁樹脂層４は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは例えば１〜３０μｍである。
絶縁樹脂層４は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。また開口部４ａは、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。
【００１８】
導電層５は、電極３と電子部品（図示略）とを電気的に接続する再配線層（アンダーパス）である。
導電層５の一端部は、開口部４ａを介して絶縁樹脂層４を貫通し、電極３と電気的に接続されている。導電層５の他端部は、バンプ６と電気的に接続されている。
【００１９】
このような導電層５は、例えば、銅、クロム、アルミニウム、チタン、金、チタン−タングステン合金等が好適に用いられ、その厚みは２〜４０μｍが好ましく、さらに好ましくは５〜２０μｍである。これにより十分な導電性が得られる。導電層５は、例えば、電解銅めっき法等のめっき法、スパッタリング法、蒸着法、または２つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。
【００２０】
なお、本発明の半導体装置は、前記導電層５の他端部に配されたバンプ６を備えた構成としてもよい。その際、バンプ６としては、共晶はんだ、鉛を含まない高温はんだ等を用いることができる。バンプ６は、例えば、はんだボール搭載法、電解はんだめっき法、はんだペースト印刷法、はんだペーストディスペンス法、はんだ蒸着法等により形成することができる。
前記バンプ６は必要に応じて配置されるものであり、例えば、部品内蔵基板などのような基板内部に部品を実装するような部品として用いる際には、本発明の半導体装置はバンプ６を備える必要はない。
【００２１】
樹脂部１０Ａ（１０）は、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂（シリコーン）等により構成され、その厚みは５〜５０μｍ程度である。
このような樹脂部１０Ａ（１０）は、例えば、感光性ポリイミド系樹脂等の感光性樹脂をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることによって形成することができる。なお、樹脂部１０Ａ（１０）の形成方法は、この方法に限定されるものではない。
【００２２】
次に、このような半導体装置１Ａ（１）の製造方法について説明する。
図２及び図３は、本発明の半導体装置の製造方法を工程順に模式的に示す図である。なお、図２では１チップ分を抜き出して示しており、図３では、基板上にチップが多数形成された状態を示している。さらに、図３では、簡略化のため、半導体基板２上に配された電極３、絶縁樹脂層４及び導電層５を省略して示している。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板２の一面２ａ側に電極３を形成する工程と、前記半導体基板２の一面２ａ側に、前記電極３と電気的に接続されたバンプ６を形成する工程と、前記半導体基板２の他面２ｂ側において、格子状に樹脂部１０Ａ（１０）を形成する工程と、個片化されたチップの他面２ｂ側において、外周域のみに前記樹脂部１０Ａ（１０）が残るように、前記半導体基板２を個片化する工程と、を少なくとも順に備えたことを特徴とする。
【００２３】
本発明では、半導体基板２の他面２ｂ側に樹脂部１０Ａ（１０）を形成し、外周域のみに前記樹脂部１０Ａ（１０）が残るように、前記半導体基板２を個片化しているので、個片化する際のチッピングの発生を防止することができる。また、チップ裏面の外周部以外には樹脂が存在しないので、裏面印字を行う場合、基板表面を溶融させる裏面印字法を選択することができ、発塵を避けることが可能となった。これにより、本発明の製造方法では、信頼性に優れた半導体装置１を、簡便な方法で製造することができる。
以下、各工程について詳細に説明する。
【００２４】
（Ａ１）まず、図２（ａ）に示すように、半導体基板２の一面２ａ上に電極３を形成し、さらに半導体基板２の一面２ａを覆うように絶縁樹脂層４を形成する。
半導体基板２は、シリコンウエハ等の半導体ウエハが用いられる。
電極３は、半導体基板２上に形成された電子部品（図示せず）に電気的に接続される電極３である。この電極３は、例えば、アルミニウム、銅、クロム、チタン、金、チタン−タングステン合金等の導電性を有する金属により構成されている。
【００２５】
そして、前記半導体基板２の一面２ａを覆うように絶縁樹脂層４を形成する。
具体的には、スピンコート法、ラミネート法、キャスティング法、ディスペンス法等により、半導体基板２の一面２ａにポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂（シリコーン）ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、液晶ポリマ一等の絶縁性の液状樹脂を塗布し、その後、塗布樹脂層を露光して硬化させ、絶縁樹脂層４を形成する。なお、絶縁樹脂層４の電極３上には、電極３と導電層５との電気的接続を得るための開口部４ａを形成しておく。
【００２６】
感光性樹脂のパターニングには、フォトリソグラフィ、レーザー加工法、プラズマエッチング法も可能である。また、ラミネート法の場合、あらかじめパターニングされたシート状の樹脂をラミネート法にて圧着させることも可能である。また、樹脂をスクリーン印別法にて直接、成膜かつパターニングする方法も可能である。なお、これらの場合、樹脂が感光性である必要はない。
【００２７】
（Ａ２）次に、図２（ｂ）に示すように、絶縁樹脂層４上に、導電層５を形成する。
導電層５の形成手法には、アディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティプ法、リフトオフ法などがあるが、なかでも微細配線が容易に形成できるセミアディティブ法がより好ましい。
セミアディティブ法の場合、導電層５は、密着層と導電層からなる。
【００２８】
密着層は、導電層５と半導体基板２との密着性を確保し、かつ導電層５を容易に形成するために形成される。さらには半導体基板２の電極３と導電層５の間のマイグレーションを抑制する役割も担っている。
密着層は蒸着、スパッタ、ＣＶＤなどにより半導体基板２の一面２ａ上に形成する。その材料は、クロム、チタン、タングステン、チタン−タングステン、銅、ニッケルなどの金属が好ましく、これらの積層構造がより好ましい。
【００２９】
次に、密着層の上にパターニングされたレジスト層を形成する。レジスト層はドライフィルムをラミネートするか、あるいはワニスをスピンコート法やスクリーン印刷法を用いて塗布した後、フォトリソグラフィにてパターニングする。
次に導電層５を電解めっき法にて形成する。その材料は、電気導電性に優れ、耐熱性の高い金属がよく、例えば銅や銀、ニッケルなどが好ましい。あるいはこれらを主成分とした合金、あるいはこれらの積層構造でもかまわない。その中でも、電気抵抗率が低く、比較的安価な銅が最も好ましい。導電層５の厚さは１〜２０μｍが好ましい。レジスト層を除去し、密着層の不要部分をウェットエッチングやドライエッチングなどで除去する。
【００３０】
（Ａ３）次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁樹脂層４と導電層５を覆うように、封止樹脂層７を形成する。その後、導電層５の一部が露呈するように、封止樹脂層７に開口部７ａを設ける。
封止樹脂層７の形成には、前述した絶縁樹脂層４と同様の製法が利用できる。また、封止樹脂層７の材料や膜厚も、前述した絶縁樹脂層４に準じる。
【００３１】
（Ａ４）次に、図２（ｄ）に示すように、バンプ６を形成する。
次いで、開口部７ａにより露呈した導電層５上に、はんだボール搭載法、電解はんだめっき法、はんだペースト印刷法、はんだペーストディスペンス法、はんだ蒸着法等によりはんだボールを形成しても良い。その後、リフロー炉を用いてはんだボールを溶融させ、導電層５上に、バンプ６を形成する。
バンプ６には、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の鉛フリーはんだや、Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだを用いることができる。その他にも、Ｐｂ、ｌｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｐｔのいずれかを少なくとも一つ含む材料を用いることができる。
【００３２】
（Ａ５）次に、図３（ａ）に示すように、前記半導体基板２の一面２ａ側において、バンプ６及び電極３、配線部の保護層２０を形成する。保護層２０の形成にはスピンコート法、スプレーコート法、ラミネート法等が利用できる。
【００３３】
（Ａ６）次に、図３（ｂ）（ｃ）に示すように、前記半導体基板２の他面２ｂ側において、格子状に樹脂部１０Ａ（１０）を形成する。なお、図３（ｂ）は断面図であり、図３（ｃ）は底面図である。
樹脂部１０Ａ（１０）は、ウエハ裏面のチップ外周に相当する部位に形成される。
【００３４】
樹脂部１０Ａ（１０）は、例えば感光性ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂（シリコーン）等の感光性樹脂を、ディスペンス法などを利用して形成することができる。また、スピンコート法やラミネート法を用い、フォトリソグラフィ技術によりパターニングすることによって形成することができる。なお、樹脂部１０Ａ（１０）の形成方法は、これらの方法に限定されるものではない。
【００３５】
なお、樹脂部１０Ａ（１０）の形成には、スピンコート法、スプレーコート法の他に、ラミネート法及び印刷法を用いることも可能である。
また、感光性樹脂のパターニングには、レーザー加工法、プラズマエッテング法も可能である。また、ラミネート法の場合、あらかじめパターニングされたシート状の樹脂をラミネート法にて圧着させることも可能であるまた、樹脂をスクリーン印刷法にて直接、成膜かつパターニングする方法も可能である。なお、これらの場合、樹脂が感光性である必要はない。
【００３６】
（Ａ７）次に、図３（ｄ）に示すように、個片化されたチップの他面２ｂ側において、外周域のみに前記樹脂部１０Ａ（１０）が残るように、前記半導体基板２を個片化する。
（Ａ８）最後に、図３（ｅ）に示すように、保護層２０を剥離する。
これにより図１に示すような半導体装置１Ａ（１）が得られる。
【００３７】
＜第二実施形態＞
次に、本発明の半導体装置の第二実施形態について説明する。なお、以下の説明では、上述した第一実施形態と異なる部分について主に説明し、共通する部分についてはその説明を省略する。
【００３８】
図４は、本実施形態に係る半導体装置１Ｂ（１）の一構成例を模式的に示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図である。なお、本発明における「外周域」とは、半導体基板の他面（裏面）側にあって、チップ状の半導体基板の側面近傍の領域を意味する。特に、「外周部」とは、半導体基板の他面（裏面）において、半導体基板の側面（通常は４辺）に沿った部分を指す。また、「角部」とは、半導体基板の他面（裏面）において、半導体基板のコーナー部分（通常は４角）を指す。
【００３９】
上述した第一実施形態では、樹脂部１０Ａ（１０）は、半導体基板２の他面２ｂ側において、外周部に配されていたが、本実施形態の半導体装置１Ｂ（１）では、樹脂部１０Ｂ（１０）は、前記半導体基板２の他面２ｂ上に配されており、半導体基板２の他面２ｂ側において、角部に配されている。
チップ裏の外周域に樹脂部１０Ｂ（１０）が存在することで、ハンドリングによるチッピングを大幅に減少することができる。チッピングはチップ角に発生しやすいため、角部のみに樹脂部１０Ｂ（１０）を配することで、チッピングの発生を効果的に抑制することができる。
【００４０】
このような半導体装置１Ｂ（１）を製造するには、上述した方法と同様にして、半導体基板２上に電極３、絶縁樹脂層４、導電層５及びバンプ６を形成し、さらに保護層２０を形成する（図５（ａ）参照）。
図５は、本発明の半導体装置の製造方法を工程順に模式的に示す図である。なお、図５では、基板上にチップが多数形成された状態を示している。さらに、図５では、簡略化のため、半導体基板２上に配された電極３、絶縁樹脂層４及び導電層５を省略して示している。
【００４１】
そして、半導体基板２の他面２ｂ側において、点状に樹脂部１０Ｂ（１０）を形成し（図５（ｂ）（ｃ）参照）する。なお、図５（ｂ）は断面図であり、図３（ｃ）は底面図である。
そして、個片化されたチップの他面２ｂ側において、角部のみに前記樹脂部１０Ｂ（１０）が残るように、前記半導体基板２を個片化する（図５（ｄ）参照）。最後に、保護層２０を剥離する（図５（ｅ）参照）ことにより、図４に示すような半導体装置１Ｂ（１）が得られる。
【００４２】
＜第三実施形態＞
次に、本発明の半導体装置の第三実施形態について説明する。なお、以下の説明では、上述した実施形態と異なる部分について主に説明し、共通する部分についてはその説明を省略する。
【００４３】
図６は、本実施形態に係る半導体装置１Ｃ（１）の一構成例を模式的に示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図である。
上述した実施形態では、樹脂部１０は、半導体基板２の他面２ｂ上に配されていた。これに対して、本実施形態の半導体装置１Ｃ（１）では、半導体基板２の他面２ｂ側において、チップ状の半導体基板の外周域に溝部１２が設けられており、樹脂部１０Ｃ（１０）は、前記溝部１２内に配されている。なお、図６には、溝部１２の横断面形状が半円状とした構成例を示しているが、この横断面形状は半円状に限定されるものではなく、たとえば矩形状や円錐状、角錐状などを採用してもよい。
樹脂部１０Ｃ（１０）を、半導体基板２の他面２ｂ側に設けた溝部１２内に配することで、ハンドリング性の更なる向上及び基板の薄型化が図れる。
また、チップ裏の外周部に樹脂部１０Ｃ（１０）が存在することで、ハンドリングによるチッピングを大幅に減少することができる。外周部のみに樹脂部１０Ｃ（１０）を配することにより、チッピングの発生がより抑えられ、かつ、樹脂の脱落が減少する。また、裏面印字の際の発塵がなくなる。
【００４４】
次に、このような半導体装置１Ｃ（１）の製造方法について説明する。
図７は、本発明の半導体装置の製造方法を工程順に模式的に示す図である。なお、図７では、基板上にチップが多数形成された状態を示している。さらに、図７では、簡略化のため、半導体基板２上に配された電極３、絶縁樹脂層４及び導電層５を省略して示している。
【００４５】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板２の一面２ａ側に電極３を形成する工程と、前記半導体基板２の一面２ａ側に、前記電極３と電気的に接続されたバンプ６を形成する工程と、前記半導体基板２の他面２ｂ側に、溝部１２を形成する工程と、前記半導体基板２の他面２ｂ側において、少なくとも前記溝部１２が埋まるように全面に樹脂層１１を形成する工程と、前記溝部１２に樹脂部１０Ｃ（１０）を残し、かつ、前記半導体基板２の他面２ｂが露呈するように、前記樹脂層１１を研削する工程と、個片化されたチップの他面２ｂ側において、外周域のみに前記樹脂部１０Ｃ（１０）が残るように、前記半導体基板２を個片化する工程と、を少なくとも順に備えたことを特徴とする。
【００４６】
（Ｃ１）まず、図７（ａ）に示すように、上述した第一実施形態と同様にして、半導体基板２の一面２ａ側に電極３、導電層５、バンプ６を形成し、さらに保護層２０を形成する。
【００４７】
（Ｃ２）次に、図７（ｂ）（ｃ）に示すように、前記半導体基板２の他面２ｂ側に、溝部１２を形成する。なお、図７（ｂ）は断面図であり、図７（ｃ）は底面図である。
半導体基板２の他面２ｂ（裏面）側において、チップ外周に相当する部位に溝部１２を形成する。溝部１２はダイサーを用いてハーフカットを行うことにより加工できる。溝部１２の深さは基板厚さの５〜９０%程度とする
【００４８】
（Ｃ３）次に、図７（ｄ）に示すように、前記半導体基板２の他面２ｂ側において、少なくとも前記溝部１２が埋まるように全面に樹脂層１１を形成する。
裏面の溝部１２に樹脂を充填する。樹脂としては、例えばエポキシ系、ポリイミド系等の樹脂を利用できる。ラミネート法、スピンコート法、スプレーコート法を用いて、半導体基板２の他面２ｂ全体に樹脂層１１を形成する。また、ディスペンス法によりで溝部１２のみに樹脂を充填してもよい。
【００４９】
（Ｃ４）次に、図７（ｅ）（ｆ）に示すように、前記溝部１２に樹脂部１０Ｃ（１０）を残し、かつ、前記半導体基板２の他面２ｂが露呈するように、前記樹脂層１１を研削する。
裏面研削することで溝部１２以外の樹脂を除去する。なお、図７（ｅ）は断面図であり、図７（ｆ）は底面図である。
【００５０】
（Ｃ５）次に、図７（ｇ）に示すように、個片化されたチップの他面２ｂ側において、外周域のみに前記樹脂部１０Ｃ（１０）が残るように、溝部１２の略中心を切断し、前記半導体基板２を個片化する。
半導体基板２をチップサイズに個片化する。この時、ダイシングは表面から実施しても良いし、裏面から実施しても良い。この場合ダイシングにより樹脂自体は欠けてしまっても構わない。
（Ｃ６）最後に、図７（ｈ）に示すように、保護層２０を剥離する。
これにより、図６に示すような半導体装置１Ｃ（１）が得られる。
【００５１】
＜第四実施形態＞
次に、本発明の半導体装置の第四実施形態について説明する。なお、以下の説明では、上述した第三実施形態と異なる部分について主に説明し、共通する部分についてはその説明を省略する。
【００５２】
図８は、本実施形態に係る半導体装置１Ｄ（１）の一構成例を模式的に示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図である。
上述した第三実施形態では、樹脂部１０Ｃ（１０）は、半導体基板２の他面２ｂ側に設けられた溝部１２内に配されており、半導体基板２の他面２ｂ側において、外周部に配されていた。これに対して、本実施形態の半導体装置１Ｄ（１）では、チップ状の半導体基板２の他面２ｂ側において、角部に凹部１３が設けられており、樹脂部１０Ｄ（１０）はその凹部１３内に配されている。なお、図８には、凹部１３の横断面形状が半円状とした構成例を示しているが、この横断面形状は半円状に限定されるものではなく、たとえば矩形状や円錐状、角錐状などを採用してもよい。
【００５３】
樹脂部１０Ｄ（１０）を、半導体基板２の他面２ｂ側に設けた凹部１３内に配することで、ハンドリング性の更なる向上及び基板の薄型化が図れる。
また、チップ裏の外周域に樹脂部１０Ｄ（１０）が存在することで、ハンドリングによるチッピングを大幅に減少することができる。チッピングはチップ角に発生しやすいため、角部のみに樹脂部１０Ｄ（１０）を配することで、チッピングの発生を効果的に抑制することができる。
【００５４】
このような半導体装置１Ｄ（１）を製造するには、上述した方法と同様にして、半導体基板２上に電極３、絶縁樹脂層４、導電層５及びバンプ６を形成し、さらに保護層２０を形成する（図９（ａ）参照）。
図９は、本発明の半導体装置の製造方法を工程順に模式的に示す図である。なお、図９では、基板上にチップが多数形成された状態を示している。さらに、図９では、簡略化のため、半導体基板２上に配された電極３、絶縁樹脂層４及び導電層５を省略して示している。
【００５５】
そして、前記半導体基板２の他面２ｂ側に、点状に凹部１３を形成する（図９（ｂ）（ｃ）参照）。なお、図９（ｂ）は断面図であり、図９（ｃ）は底面図である。
凹部１３はレーザー、マイクロドリル、エッチングなどにより加工できる。
次に、前記半導体基板２の他面２ｂ側において、少なくとも前記凹部１３が埋まるように全面に樹脂層１１を形成する（図９（ｄ）参照）。
【００５６】
次に、前記凹部１３に樹脂部１０Ｄ（１０）を残し、かつ、前記半導体基板２の他面２ｂが露呈するように、前記樹脂層１１を研削する（図９（ｅ）（ｆ）参照）。なお、図９（ｅ）は断面図であり、図９（ｆ）は底面図である。
次に、個片化されたチップの他面２ｂ側において、角部のみに前記樹脂部１０Ｄ（１０）が残るように、凹部１３の略中心を切断し、前記半導体基板２を個片化する（図９（ｇ）参照）。
最後に、保護層２０を剥離する（図９（ｈ）参照）ことにより、図８に示すような半導体装置１Ｄ（１）が得られる。
【００５７】
以上説明したように、本発明では、基板裏面（他面）の外周部または角部に樹脂部を配することによって、個片化する際の裏面のチッピングを低減することができる。個片化されたチップ裏面の外周部または角部に樹脂部を有するので、チップのハンドリング時のチッピングを無くすことができた。
また、従来のように、チップ裏面全体に樹脂が存在すれば、裏面に微小文字をレーザー捺印した際の発塵は避けられない。しかし本発明の構造では、チップ裏面の外周部又は角部以外には樹脂が存在しないので、裏面印字を行う場合、基板表面を溶融させる裏面印字法を選択することができ、裏面印字の際の発塵を避けることが可能となった。
【００５８】
以上、本発明の半導体装置及びその製造方法について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、半導体装置及びその製造方法について広く適用可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ（１）  半導体装置、２  半導体基板、３  電極、４  絶縁樹脂層、５  導電層、６  バンプ、７  封止樹脂層、１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ（１０）  樹脂部、１２  溝部、１３  凹部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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