(57)【要約】【課題】研削され活性化されたウエーハの裏面から金属イオンの侵入を防止することができるウエーハの加工方法および研削装置を提供する。【解決手段】表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削し、その後ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面を研削した後、直ちにウエーハの裏面に液状の接着剤を供給して接着剤被膜を形成する。【選択図】図１
2011040603.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削し、その後ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの裏面を研削した後、直ちにウエーハの裏面に液状の接着剤を供給して接着剤被膜を形成する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
該液状の接着剤は、金属イオンを遮断する物質からなっている、請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該金属イオンを遮断する物質は、ジビニルシロキサン・ベンソシクロブテンである、請求項２記載のウエーハの加工方法。
【請求項４】
ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削手段と、研削加工されたウエーハを洗浄する洗浄手段と、を具備する研削装置において、
該洗浄手段によって洗浄されたウエーハの被研削面に液状の接着剤を供給して接着剤被膜を形成する接着剤被膜形成手段を備えている、
ことを特徴とする研削装置。
【請求項５】
該接着剤被膜形成手段は、液状の接着剤を固化する接着剤固化器を備えている、請求項４記載の研削装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハの加工方法および研削装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、該矩形領域の各々にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。このように多数のデバイスが形成された半導体ウエーハをストリートに沿って分割することにより、個々のデバイスを形成する。デバイスの小型化および軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々のデバイスに分割するのに先立って、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成している。
【０００３】
上述したように半導体ウエーハの裏面を研削すると活性力の強い活性面が露出するため、その後の加工工程および搬送工程において活性化された半導体ウエーハの裏面から銅等の金属イオンが侵入してデバイスの品質を低下させるという問題がある。
【０００４】
一方、個々に分割されたデバイスは、その裏面にエポキシ樹脂等で形成された厚さ３０〜４０μｍのダイアタッチフィルムと呼ばれるダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介してデバイスを支持するダイボンディングフレームに加熱することによりボンディングされる。デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成された分割予定ラインに沿って切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断することにより、裏面に接着フィルムが装着されたデバイスを形成している。（例えば、特許文献１参照。）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１８２９９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
而して、裏面が研削された半導体ウエーハを接着フィルム装着工程に搬送して半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着しても、その過程で活性化された半導体ウエーハの裏面から銅等の金属イオンが侵入する。
【０００７】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、研削され活性化されたウエーハの裏面から金属イオンの侵入を防止することができるウエーハの加工方法および研削装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削し、その後ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの裏面を研削した後、直ちにウエーハの裏面に液状の接着剤を供給して接着剤被膜を形成する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【０００９】
上記液状の接着剤は金属イオンを遮断する物質からなっており、この金属イオンを遮断する物質はジビニルシロキサン・ベンソシクロブテンであることが望ましい。
【００１０】
また、本発明によれば、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削手段と、研削加工されたウエーハを洗浄する洗浄手段と、を具備する研削装置において、
該洗浄手段によって洗浄されたウエーハの被研削面に液状の接着剤を供給して接着剤被膜を形成する接着剤被膜形成手段を備えている、
ことを特徴とする研削装置が提供される。
【００１１】
上記接着剤被膜形成手段は、液状の接着剤を固化する接着剤固化器を備えている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明においては、ウエーハの裏面を研削した後、直ちにウエーハの裏面に液状の接着剤を供給して接着剤被膜を形成するので、研削され活性化されたウエーハの被研削面である裏面から金属イオンが侵入することを防止できる。
また、ウエーハの被研削面に形成される接着剤被膜はダイボンディング用の接着フィルムとして機能するので、ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する必要がない。
更に、本発明における研削装置は接着剤被膜形成手段を備えているので、研削加工されたウエーハの被研削面である裏面に直ちに接着剤被膜を形成することができ、効果的に金属イオンの侵入を阻止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に従って構成されたウエーハの研削装置の斜視図。
【図２】被加工物としてのウエーハの斜視図。
【図３】本発明によるウエーハの加工方法における保護テープ貼着工程の説明図。
【図４】本発明によるウエーハの加工方法における接着剤被膜形成の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明によるウエーハの研削方法および研削装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１には本発明に従って構成されたウエーハの研削装置の斜視図が示されている。
図１に示すウエーハの研削装置は、全体を番号２で示す装置ハウジングを具備している。この装置ハウジング２は、細長く延在する直方体形状の主部２１と、該主部２１の後端部（図１において右上部）に設けられ実質上鉛直に上方に延びる直立壁２２とを有している。このように形成された装置ハウジング２は、後述する被加工物であるウエーハを搬入・搬出する搬入・搬出領域２ａと粗研削領域２ｂと仕上げ研削領域２ｃおよび研磨領域２ｄを備えている。
【００１６】
上記装置ハウジング２の主部２１にはターンテーブル３が回転可能に配設されている。このターンテーブル３は、比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印Aで示す方向に上記搬入・搬出領域２ａと粗研削領域２ｂと仕上げ研削領域２ｃおよび研磨領域２ｄに沿って適宜回転せしめられる。このターンテーブル３には、４個のチャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが配設されている。この４個のチャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは図示の実施形態においてはそれぞれ９０度の等角度の位相角をもって配設されている。このチャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは、それぞれ円盤状の基台と該基台の上面に配設されたポーラスセラミック材からなる吸着保持チャックとからなっており、吸着保持チャックの上面（保持面）に載置された被加工物を図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持する。このように構成されたチャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは、それぞれ図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる。なお、上記ターンテーブル３の上面には上記４個のチャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが配設された領域を仕切る仕切り板３１、３１が配設されている。この仕切り板３１、３１の高さは、チャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの高さより高く形成されている。
【００１７】
上記粗研削領域２ｂには、粗研削手段としての粗研削ユニット５が配設されている。粗研削ユニット５は、ユニットハウジング５１と、該ユニットハウジング５１の下端に回転自在に装着された粗研削ホイール５２と、該ユニットハウジング５１の上端に装着され粗研削ホイール５２を所定の方向に回転せしめるサーボモータ５３と、ユニットハウジング５１を装着した移動基台５４とを具備している。移動基台５４には被案内レール５５、５５が設けられており、この被案内レール５５、５５を上記直立壁２２に設けられた案内レール２２ａ、２２ａに移動可能に嵌合することにより、粗研削ユニット５が上下方向即ちチャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの保持面に垂直な方向に移動可能に支持される。図示の形態における粗研削ユニット５は、上記移動基台５４を案内レール２２ａ、２２ａに沿って移動させる研削送り手段５６を具備している。研削送り手段５６は、上記直立壁２２に設けられた案内レール２２ａ、２２ａと平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ネジロッド５７と、該雄ネジロッド５７を回転駆動するためのパルスモータ５８と、上記移動基台５４に装着され雄ネジロッド５７と螺合する図示しない雌ネジブロックを具備しており、パルスモータ５８によって雄ネジロッド５７を正転および逆転駆動することにより、粗研削ユニット５を上下方向に移動せしめる。
【００１８】
上記仕上げ研削領域２ｃには、仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット５０が配設されている。仕上げ研削ユニット５０は、仕上げ用の研削ホイール５２０が上記粗研削ユニット５の粗研削ホイール５２と相違する以外は粗研削ユニット５と実質的に同様の構成であり、従って粗研削ユニット５の構成部材と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略する。
なお、上記研磨領域２ｄには、図示しない研磨手段が配設される。
【００１９】
図示の実施形態における研削装置は、装置ハウジング２の主部２１の前端部（図１において左下端部）には、第１のカセット載置部６aおよび第２のカセット載置部６bが設けられている。第１のカセット載置部６aには研削加工前のウエーハが収容された第１のカセット６１が載置され、第２のカセット載置部６bには研削加工後のウエーハを収容するための第２のカセット６２が載置される。また、装置ハウジング２の主部２１の前部（図１において左下部）には仮置き領域７が設けられており、この仮置き領域７に上記第１のカセット６１から搬出された研削加工前のウエーハの中心位置合わせを行う中心合わせ手段７１が配設されている。仮置き領域７の後方（図1において右上方）には洗浄領域８が設けられており、この洗浄領域８に研削加工後のウエーハを洗浄するスピンナー洗浄手段８１が配設されている。このスピンナー洗浄手段８１は、上記粗研削手段としての粗研削ユニット５と仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット５０によって研削された後のウエーハを洗浄するとともに、ウエーハの洗浄面から洗浄水を遠心力によって飛散させスピンナー乾燥する。
【００２０】
上記第１のカセット載置部６aおよび第２のカセット載置部６bの後方にはウエーハ搬送手段９が配設されている。このウエーハ搬送手段９は、ハンド９１を装着した従来周知の多軸関節ロボット９２と、該多軸関節ロボット９２を装置ハウジング２の幅方向に移動する移動手段９３とからなっている。上記ハンド９１は、１８０度反転（上下を反転）できるように構成されている。上記移動手段９３は、装置ハウジング２の主部２１に幅方向に間隔をおいて立設された支持柱９３１、９３１に取り付けられた案内ロッド９３２と、該案内ロッド９３２に移動可能に装着された移動ブロック９３３と、案内ロッド９３２と平行に配設され移動ブロック９３３に形成されたネジ穴と螺合するネジ棒９３４と、該ネジ棒９３４を回転駆動する正転逆転可能なパルスモータ９３５とからなっており、移動ブロック９３３に上記多軸関節ロボット９２が装着されている。このように構成された移動手段９３は、パルスモータ９３５を正転または逆転駆動しネジ棒９３４を回転することにより、移動ブロック９３３即ち多軸関節ロボット９２を案内ロッド９３２に沿って移動せしめる。以上のように構成されたウエーハ搬送手段９は、移動手段９３および多軸関節ロボット９２を作動することにより、上記第１のカセット６１の所定位置に収容された研削加工前のウエーハを搬出して中心合わせ手段７１に搬送するとともに、上記スピンナー洗浄手段８１によって洗浄および乾燥された研削加工後のウエーハを後述する接着剤被膜形成手段に搬送し、該接着剤被膜形成手段によって保護膜が形成されたウエーハを上記第２のカセット６２の所定位置に搬入する。
【００２１】
図示の実施形態における研削装置は、上記中心合わせ手段７１に搬送され中心合わせされた研削加工前のウエーハを上記搬入・搬出領域２ａに位置付けられたチャックテーブル４（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）に搬送するウエーハ搬入手段１１と、上記搬入・搬出領域２ａに位置付けられたチャックテーブル４（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）に保持されている研削加工後のウエーハを搬出して後述する保護テープ洗浄手段および上記スピンナー洗浄手段８１に搬送するウエーハ搬出手段１２を備えている。このウエーハ搬入手段１１とウエーハ搬出手段１２は、装置ハウジング２に取り付けられた支持柱１３、１３に固定され装置ハウジング２の前後方向（長手方向）に延びる案内レール１４に沿って移動可能に装着されている。ウエーハ搬入手段１１は、吸着パッド１１１と、該吸着パッド１１１を下端に支持する支持ロッド１１２と、該支持ロッド１１２の上端と連結し上記案内レール１４に装着された移動ブロック１１３とからなっている。このように構成されたウエーハ搬入手段１１は、移動ブロック１１３が図示しない移動手段によって案内レール１４に沿って矢印Bで示す方向に適宜移動せしめられるとともに、支持ロッド１１２が図示しない移動手段によって矢印Cで示す上下方向に適宜移動せしめられるとともに矢印Hで示す方向に旋回せしめられる。
【００２２】
また、ウエーハ搬出手段１２は、吸着パッド１２１と、該吸着パッド１２１を矢印Dで示す方向に移動可能に支持する案内レール１２２と、該案内レール１２２を下端に支持する支持ロッド１２３と、該支持ロッド１２３の上端と連結し上記案内レール１４に装着され矢印Eで示す方向に移動する移動ブロック１２４とからなっている。なお、ウエーハ搬出手段１２の吸着パッド１２１の径は、上記ウエーハ搬入手段１１の吸着パッド１１１の径より大きく形成されている。このようにウエーハ搬出手段１２の吸着パッド１２１の径を大きく形成するのは、研削加工され薄くなったウエーハは割れ易いので吸着保持面積を広くするためである。このように構成されたウエーハ搬出手段１２は、移動ブロック１２４が図示しない移動手段によって案内レール１４に沿って適宜移動せしめられ、吸着パッド１２１が図示しない移動手段によって矢印Dで示すように案内レール１２２に沿って案内レール１４と直角な方向に適宜移動せしめられるとともに、支持ロッド１２３が図示しない移動手段によって矢印Fで示すように上下方向に適宜移動せしめられる。
【００２３】
図示の実施形態における研削装置は、研削加工後の被加工物であるウエーハの被研削面（裏面）と反対側の面（表面）に貼着された保護テープを洗浄するための保護テープ洗浄手段１５を備えている。この保護テープ洗浄手段１５は、洗浄水を収容する洗浄プール１５１と、該洗浄プール１５１内に回転可能に配設された洗浄スポンジ１５２とからなっており、該洗浄スポンジ１５２は該洗浄水に水没する状態で配設されている。また、保護テープ洗浄手段１５は、洗浄プール１５１内において洗浄スポンジ１５２によって洗浄されウエーハ搬出手段１２によってスピンナー洗浄手段８１に搬送される被加工物であるウエーハに貼着されている保護テープに向けて純水を噴出する噴射ノズル１５３を備えている。このように構成された保護テープ洗浄手段１５は、上記搬入・搬出領域２ａとスピンナー洗浄手段８１の間における吸着パッド１２１の移動経路内に配設されている。
【００２４】
また、図示の実施形態における研削装置は、上記研磨領域２ｄに位置付けられたチャックテーブル４（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）に保持された被加工物であるウエーハの被研削面を洗浄するための、被研削面洗浄手段１７を具備している。この被研削面洗浄手段１７は、研磨領域２ｄに位置付けられたチャックテーブル４（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）に保持された被加工物であるウエーハに向けて純水を噴出する噴射ノズル１７１を備えている。
【００２５】
更に、図示の実施形態における研削装置は、装置ハウジング２の主部２１に隣接して配設され上記スピンナー洗浄手段８１によって洗浄された研削加工後の被加工物であるウエーハの被研削面に液状の接着剤を供給して接着剤被膜を形成する接着剤被膜形成手段１８を具備している。この接着剤被膜形成手段１８は、被加工物であるウエーハを保持するスピンナーテーブル１８１と、該スピンナーテーブル１８１を回転駆動する電動モータ１８２と、スピンナーテーブル１８１に保持された被加工物であるウエーハの被研削面に液状の接着剤を供給する液状接着剤供給ノズル１８３と、被加工物であるウエーハの被加工面に形成された接着剤被膜を固化させるための接着剤固化器１８４とからなっている。上記スピンナーテーブル１８１は、上記チャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄと同様に円盤状の基台と該基台の上面に配設されたポーラスセラミック材からなる吸着保持チャックとからなっており、吸着保持チャックの上面（保持面）に載置された被加工物を図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持するようになっている。上記液状接着剤供給ノズル１８３は、図示しない液状接着剤供給手段に接続されている。また、接着剤固化器１８４は、液状接着剤供給ノズル１８３から供給される液状接着剤によって選択されるが、加熱器または紫外線照射器を用いることができる。なお、上記液状接着剤としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等からなる金属イオンを遮断する機能が良好である液状接着剤が望ましく、ザ・ダウ・ケミカルカンパニー社が製造し、日産化学工業株式会社が輸入販売する商品名「サイクロテン」（登録商標）を用いることができる。この液状接着剤は、物質名：ジビニルシロキサン・ベンソシクロブテンからなり、特に銅イオンを遮断する機能に優れている。
【００２６】
図示の実施形態における研削装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図２には、本発明によるウエーハの加工方法によって加工される半導体ウエーハが示されている。図２に示すウエーハ１０は、例えば厚さが７００μmのシリコンウエーハからなり、表面１０ａに複数のストリート１０１が格子状に配列されているとともに、該複数のストリート１０１によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス１０２が形成されている。このように形成された研削加工前のウエーハ１０の裏面１０bを研削して所定の厚み(例えば、１００μm)に形成するに際し、ウエーハ１０の表面１０ａに形成されたデバイス１０２を保護するために、図３の(a)および(b)に示すようにウエーハ１０の表面１０ａに塩化ビニール等からなる保護テープTを貼着する（保護テープ貼着工程）。このようにして表面１０ａに保護テープTが貼着された半導体ウエーハ１０は、被研削面である裏面１０bを上側にして第１のカセット６１に収容される。そして、研削加工前のウエーハ１０が収容された第１のカセット６１を第１のカセット載置部６aに載置するとともに、研削加工後のウエーハを収容するための空の第２のカセット６２を第２のカセット載置部６bに載置する。
【００２７】
上述したように研削加工前のウエーハ１０が収容された第１のカセット６１を第１のカセット載置部６aに載置するとともに、研削加工後のウエーハを収容するための空の第２のカセット６２を第２のカセット載置部６bに載置し、研削開始スイッチ（図示せず）が投入されると、ウエーハ搬送手段９が作動して第１のカセット載置部６aに載置された第１のカセット６１の所定位置に収容されている研削加工前のウエーハ１０の裏面１０bをハンド９１によって吸引保持し、第１のカセット６１から搬出して中心合わせ手段７１に搬送する。そして、中心合わせ手段７１は、搬送された研削加工前のウエーハ１０の中心合わせを行う。次に、ウエーハ搬入手段１１を作動して、吸着パッド１１１により中心合わせ手段７１によって中心合わせされた研削加工前のウエーハ１０の裏面１０bを吸引保持し、上記搬入・搬出領域２ａに位置付けられたチャックテーブル４ａ上に搬送する。このとき、ウエーハ１０は、表面１０ａに貼着された保護テープT側がチャックテーブル４ａ上に載置され、被研削面である裏面１０bが上側となる。なお、研削開始時においては、ターンテーブル３は図１に示す原点位置に位置付けられており、ターンテーブル３に配設されたチャックテーブル４ａが搬入・搬出領域２ａに、チャックテーブル４ｂが粗研削領域２ｂに、チャックテーブル４ｃが仕上げ研削領域２ｃに、チャックテーブル４ｄが研磨領域２dにそれぞれ位置付けられている。このようにして、搬入・搬出領域２ａに位置付けられたチャックテーブル４ａ上に載置された研削加工前のウエーハ１０は、図示しない吸引手段が作動することによってチャックテーブル４ａ上に吸引保持される。
【００２８】
搬入・搬出領域２ａに位置付けられたチャックテーブル４ａに研削加工前のウエーハ１０を吸引保持したならば、ターンテーブル３を図１において矢印Aで示す所定方向に９０度の角度だけ回動する。この結果、研削加工前のウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル４ａが粗研削領域２ｂに位置付けられ、チャックテーブル４ｂが仕上げ研削領域２ｃに、チャックテーブル４ｃが研磨領域２ｄに、チャックテーブル４ｄが搬入・搬出領域２ａにそれぞれ位置付けられる。このようにしてチャックテーブル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄがそれぞれの領域に位置付けられたならば、粗研削領域２ｂに位置付けられたチャックテーブル４ａに保持されているウエーハ１０に対して粗研削ユニット５によって粗研削加工が実施される（粗研削工程）。このとき、チャックテーブル４ａは所定方向に所定の回転速度で回転せしめられる。なお、この間に搬入・搬出領域２ａに位置付けられたチャックテーブル４ｄに研削加工前のウエーハ１０が搬送され、チャックテーブル４ｄ上に研削加工前のウエーハ１０が吸引保持される。
【００２９】
次に、上記ターンテーブル３を図１において矢印Ａで示す所定方向に更に９０度回動する（従って、ターンテーブル３は図１に示す原点位置から１８０度回動する）。この結果、粗研削領域２ｂにおいて粗研削加工されたウエーハ１０を保持したチャックテーブル４ａが仕上げ研削領域２ｃに位置付けられるとともに、搬入・搬出領域２ａにおいて研削加工前のウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル４ｄが粗研削領域２ｂに位置付けられる。そして、チャックテーブル４ｂが研磨領域２ｄに、チャックテーブル４ｃが搬入・搬出領域２ａにそれぞれ位置付けられる。この状態で仕上げ研削領域２ｃに位置付けられたチャックテーブル４ａに保持されている粗研削加工されたウエーハ１０に対して仕上げ研削ユニット５０によって仕上げ研削加工（仕上げ研削工程）が施されるとともに、粗研削領域２ｂに位置付けられたチャックテーブル４ｄに保持されているウエーハに対して粗研削ユニット５によって粗研削加工が実施される。チャックテーブル４ａおよびチャックテーブル４ｄは所定方向に所定の回転速度で回転せしめられる。なお、この間に搬入・搬出領域２ａに位置付けられたチャックテーブル４ｃに研削加工前のウエーハ１０が搬送され、チャックテーブル４ｃ上に研削加工前のウエーハ１０が吸引保持される。
【００３０】
次に、上記ターンテーブル３を図１において矢印Ａで示す所定方向に更に９０度回動する（従って、ターンテーブル３は図１に示す原点位置から２７０度回動する）。この結果、仕上げ研削領域２ｃにおいて仕上げ研削加工されたウエーハを保持したチャックテーブル４ａが研磨領域２ｄに位置付けられ、粗研削領域２ｂにおいて粗研削加工されたウエーハを保持したチャックテーブル４ｄが仕上げ研削領域２ｃに位置付けられるとともに、搬入・搬出領域２ａにおいて研削加工前のウエーハを吸引保持したチャックテーブル４ｃが粗研削領域２ｂに位置付けられる。そして、チャックテーブル４ｂが搬入・搬出領域２ａに位置付けられる。上述したようにターンテーブル３が回動し仕上げ研削領域２ｃに位置付けられたチャックテーブル４ｄに保持されている粗研削加工されたウエーハに対しては仕上げ研削ユニット５０によって仕上げ研削加工が施されるとともに、粗研削領域２ｂに位置付けられたチャックテーブル４ｃに保持されているウエーハに対しては粗研削ユニット５によって粗研削加工が実施される。
【００３１】
また、研磨領域２ｄに位置付けられたチャックテーブル４ａに保持されている仕上げ研削加工されたウエーハ１０に対しては、図示しない研磨手段によって予め設定された研磨加工が施される。例えば、アルカリ研磨液を用いたケミカルメカニカルポリッシング（CMP）を実施する。このようにして研磨加工を実施したならば、被研削面洗浄手段１７を作動して噴射ノズル１７１から純水を研磨加工されたウエーハ１０の加工面に噴射して、加工面を洗浄する。
【００３２】
以上のようにして最初に搬入・搬出領域２ａに位置付けられ研削加工前のウエーハ１０を保持したチャックテーブル４ａが粗研削領域２ｂと仕上げ研削領域２ｃおよび研磨領域２ｄに順次位置付けられ、各領域でそれぞれの加工が施されたならば、上記ターンテーブル３を図１において矢印Ａで示す所定方向と反対方向に図示の実施形態においては２７０度回動する。この結果、ターンテーブル３は図１に示す原点位置に戻され、上述したように研磨領域２ｄにおいて研磨加工されたウエーハ１０を保持しているチャックテーブル４ａが搬入・搬出領域２ａに位置付けられる。そして、上述したように搬入搬出領域２ａで研削加工前のウエーハ１０を保持したチャックテーブル４ｂが粗研削領域２ｂに、粗研削領域２ｂで粗研削加工されたウエーハ１０を保持したチャックテーブル４ｃが仕上げ研削領域２ｃに、仕上げ研削領域２ｃで仕上げ研削加工されたウエーハ１０を保持したチャックテーブル４ｄが研磨領域２ｄにそれぞれ位置付けられる。上述したように粗研削領域２ｂと仕上げ研削領域２ｃおよび研磨領域２ｄにそれぞれ位置付けられたチャックテーブルに保持されたウエーハ１０には、それぞれ上述した粗研削加工、仕上げ研削加工、研磨加工が施される。
【００３３】
粗研削加工、仕上げ研削加工、研磨加工が実施されたウエーハ１０を保持したチャックテーブル４ａが搬入・搬出領域２ａに戻ったならば、チャックテーブル４ａによるウエーハ１０の吸着保持を解除する。次に、上記ウエーハ搬出手段１２を作動してチャックテーブル４ａ上の研削加工後のウエーハ１０を吸着パッド１２１に保持してチャックテーブル４ａ上から搬出し、保護テープ洗浄手段１５の洗浄プール１５１に搬送して研削加工後のウエーハ１０の表面１０ａに貼着されている保護テープTを洗浄プール１５１内に収容された洗浄水に水没させ、洗浄スポンジ１５２に接触させる。次に洗浄スポンジ１５２を回転せしめることにより、上記研削加工時に保護テープTに付着したコンタミが除去され、保護テープTが洗浄される。（保護テープ洗浄工程）。
【００３４】
上述した保護テープ洗浄工程を実施したならば、ウエーハ搬出手段１２は保護テープTが洗浄された研削加工後のウエーハ１０をスピンナー洗浄手段８１に搬送する。この搬送過程において噴射ノズル１５３から通過する研削加工後のウエーハ１０の表面aに貼着されている保護テープTに向けて純水を噴射せしめることにより、保護テープTを更に洗浄する。
【００３５】
スピンナー洗浄手段８１に搬送された研削加工後のウエーハ１０は、ここで洗浄されるとともにスピンナー乾燥される。このようにして洗浄および乾燥された研削加工後のウエーハ１０は、ウエーハ搬送手段９によって接着剤被膜形成手段１８に搬送され、スピンナーテーブル１８１上に保護テープT側が載置される。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、スピンナーテーブル１８１上に保護テープTを介してウエーハ１０を吸引保持する。従って、スピンナーテーブル１８１上に保持されたウエーハ１０は、研削加工された被研削面である裏面１０bが上側となる。このようにしてスピンナーテーブル１８１上にウエーハ１０を吸引保持したならば、図４の(a)に示すように液状接着剤供給ノズル１８３の噴出口１８３aをスピンナーテーブル１８１上に保持されたウエーハ１０の中心部に位置付け、図示しない液状接着剤供給手段を作動して液状接着剤供給ノズル１８３の噴出口１８３aから液状接着剤２００を所定量滴下する。この液状接着剤２００は、上述したように金属イオンを遮断する機能有し加熱または紫外線を照射すると固化する樹脂からなる液状接着剤が用いられる。なお、液状接着剤２００の滴下量は、ウエーハ１０の被研削面である裏面１０bに形成される接着剤被膜の厚みが１０〜２０μmになるように設定されている。このようにして液状接着剤２００を滴下したならば、液状接着剤供給ノズル１８３を図１に示す待機位置に位置付ける。次に、スピンナーテーブル１８１を図４の(a)において矢印Gで示す方向に３００〜１０００rpmの回転速度で所定時間（例えば１分間）回転する。この結果、図４の(b)に示すようにウエーハ１０の裏面１０bの中央領域に滴下された液状接着剤２００は、遠心力によって外周部まで流動しウエーハ１０の被研削面である裏面１０bを被覆し、接着剤被膜２１０を形成する。このようにしてウエーハ１０の被研削面である裏面１０bに接着剤被膜２１０を形成したならば、図４の(b)に示すように加熱器または紫外線照射器からなる接着剤固化器１８４を作動して接着剤被膜２１０を固化せしめる（接着剤被膜形成工程）。
【００３６】
このようにして接着剤被膜形成工程が実施され被研削面である裏面１０bに接着剤被膜２１０が形成されたウエーハ１０は、ウエーハ搬送手段９によって第２のカセット６２の所定位置に搬入せしめられる。
【００３７】
以上のようにして、第２のカセット６２に搬入された裏面１０bに接着剤被膜２１０が形成されたウエーハ１０は、その後、環状のフレームに装着されたダイシングテープに接着剤被膜２１０側が貼着されるとともに、表面１０ａに貼着されている保護テープTが剥離される。そして、環状のフレームに装着されたダイシングテープに接着剤被膜２１０側が貼着されウエーハ１０は、次工程であるダイシング工程に搬送され、切削装置等のダイシング装置によってストリート１０１に沿って個々のデバイス１０２に分割される。
【００３８】
上述した実施形態においては、研削加工が実施されたウエーハ１０の被研削面である裏面１０bには、洗浄後に液状接着剤２００を供給して接着剤被膜２１０を形成するので、研削され活性化されたウエーハ１０の被研削面である裏面１０bから金属イオンが侵入することを防止できる。なお、液状接着剤としてジビニルシロキサン・ベンソシクロブテンを用いることにより、特に銅イオンを遮断することができる。
また、図示の実施形態における研削装置は接着剤被膜形成手段１８を備えているので、研削加工され洗浄されたウエーハ１０の被研削面である裏面１０bに直ちに接着剤被膜２１０を形成することができ、効果的に金属イオンの侵入を阻止することができる。
なお、ウエーハ１０の被研削面である裏面１０bに形成される接着剤被膜２１０はダイボンディング用の接着フィルムとして機能するので、ウエーハ１０の裏面１０bにダイボンディング用の接着フィルムを装着する必要がない。
【符号の説明】
【００３９】
２：装置ハウジング
３：ターンテーブル
４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ：チャックテーブル
５：粗研削ユニット
５０：仕上げ研削ユニット
５１：ユニットハウジング
５２：粗研削ホイール
５２０：仕上げ用の研削ホイール
５３：サーボモータ
５６：研削送り手段
６１：第１のカセット
６２：第２のカセット
７１：中心合わせ手段
８１：スピンナー洗浄手段
９：ウエーハ搬送手段
１１：ウエーハ搬入手段
１２：ウエーハ搬出手段
１５：保護テープ洗浄手段
１７：被研削面洗浄手段
１８：接着剤被膜形成手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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