(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】石英基板からなる互いに貼り合わされた第１基板及び第２基板と、第１基板及び第２基板の少なくとも一方に貼り合わされた防塵基板４４，４５とを有し、防塵基板４４，４５には、進相軸が同心円状又は遅相軸が放射状となる光学補償膜５１，５２が設けられている。【選択図】図４
2011180408.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英基板からなる互いに貼り合わされた第１基板及び第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に貼り合わされた第３基板とを有し、
前記第３基板には、進相軸が同心円状又は遅相軸が放射状となる光学補償膜が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記光学補償膜は、前記第３基板における前記第１基板と前記第２基板との貼り合わせ面とは反対側の面に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記光学補償膜の厚みは、前記第１基板及び前記第２基板によって発生した位相差を相殺する厚みに調整されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記同心円状又は前記放射状の中心位置は、前記第１基板及び前記第２基板に対して光が照射される部分であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記光学補償膜は、酸化チタン（ＴｉＯ2）を含む無機材料からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
石英基板からなる互いに貼り合わされた第１基板及び第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に貼り合わされた第３基板とを有する電気光学装置の製造方法であって、
前記第３基板における前記第１基板と前記第２基板との貼り合わせ面とは反対側の面に、進相軸が同心円状又は遅相軸が放射状となるように、蒸着方向の方位角を調整しながら斜方蒸着を行って光学補償膜を形成する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一つとして、例えば、液晶プロジェクターのライトバルブとして用いられるＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置がある。この液晶装置を構成する一対の基板には、石英基板が用いられる。例えば、石英基板に光源から熱が伝わると、温度差によって位相差が発生し、光抜け（色むらやコントラストの低下など）が発生する場合がある。
【０００３】
例えば、特許文献１では、ガラスなどの透明基板の熱膨張係数と異なる符号をもつ熱膨張係数を有する補償基板を備えている。特許文献２では、ガラス面上に所定の複屈折性を示す複屈折層を備え、これにより、上記光抜けに起因するコントラストの低下を抑える方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−４９７４４号公報
【特許文献２】特開２００３−２７０６３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の方法によれば、石英基板の熱膨張係数と異なる符号をもつ熱膨張係数の補償基板は、今のところネオセラム（登録商標）しかなく、材料選択が限定され材料の供給面、コスト面で不利である。
【０００６】
また、特許文献２の方法によれば、熱を加えた際に発生する位相差は分布を有するものであって、所定の複屈折性を有する複屈折層を組み合わせたとしても、ムラなく光抜けを防ぐことができないという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、石英基板からなる互いに貼り合わされた第１基板及び第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に貼り合わされた第３基板とを有し、前記第３基板には、進相軸が同心円状又は遅相軸が放射状となる光学補償膜が設けられていることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、進相軸が同心円状又は遅相軸が放射状となる光学補償膜を有する第３基板が、第１基板及び第２基板の少なくとも一方に設けられているので、例えば、第１基板や第２基板によって放射状に発生した進相軸と直交することになり、石英基板の温度分布の差によって生じる位相差を相殺することができる。これにより、位相差に起因して光抜けが生じ輝度むらが発生することを抑えることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記光学補償膜は、前記第３基板における前記第１基板と前記第２基板との貼り合わせ面とは反対側の面に設けられていることが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、第１基板又は第２基板と第３基板との貼り合わせ部分に悪影響を及ぼすことなく、第３基板に光学補償膜を設けることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記光学補償膜の厚みは、前記第１基板及び前記第２基板によって発生した位相差を相殺する厚みに調整されていることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、第１基板及び第２基板によって発生した位相差（リタデーション）をなくすべく光学補償膜の厚みが調整されているので、比較的容易に位相差を相殺することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記同心円状又は前記放射状の中心位置は、前記第１基板及び前記第２基板に対して光が照射される部分であることが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、第１基板及び第２基板に光が照射した部分（熱源）と、光学補償膜の中心とを合わせるので、例えば、第１基板及び第２基板と光学補償膜とが、光が照射した部分を中心に回転して設けられた場合でも、放射状に発生した進相軸と直交することになるので、位相差を相殺することができる。よって、光抜けを抑えることができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記光学補償膜は、酸化チタン（ＴｉＯ2）を含む無機材料からなることが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、酸化チタンを含む無機材料で光学補償膜を形成するので、耐熱性や耐光性を向上させることができる。また、高輝度光源を使用する液晶プロジェクターにも有効である。
【００１８】
［適用例６］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、石英基板からなる互いに貼り合わされた第１基板及び第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に貼り合わされた第３基板とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記第３基板における前記第１基板と前記第２基板との貼り合わせ面とは反対側の面に、進相軸が同心円状又は遅相軸が放射状となるように、蒸着方向の方位角を調整しながら斜方蒸着を行って光学補償膜を形成する工程を有することを特徴とする。
【００１９】
この方法によれば、第３基板における蒸着面に対して蒸着方向の方位角を調整しながら斜方蒸着を行うので、石英基板の位相差を相殺するような良好な位相差を得る光学補償膜を形成することができる。加えて、光学補償膜の厚みを制御することにより、所望の位相差値（リタデーション）を有する光学補償膜を、比較的容易に実現することができる。
【００２０】
［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記した電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００２１】
この構成によれば、上記した電気光学装置を備えているので、光抜けが抑えられ表示品質が向上した電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】電気光学装置としての液晶装置の構造を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の構成を具体的に示す模式断面図。
【図５】液晶装置に熱を加えた際に発生する位相差の状況を具体的に示す図。
【図６】液晶装置に熱を加えた際に発生する位相差の状況を具体的に示す図。
【図７】液晶装置に熱を加えた際に発生する位相差の状況を具体的に示す図。
【図８】液晶装置に熱を加えた際に発生する位相差の状況を模式的に示す図。
【図９】液晶装置に熱を加えた際に発生する位相差の状況を模式的に示す図。
【図１０】液晶装置に熱を加えた際に発生する位相差の状況を模式的に示す図。
【図１１】電気光学装置の製造方法としての液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図１２】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図１３】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図１４】石英基板に加える温度を変えたときの位相差を示す図。
【図１５】石英基板に加える温度を変えたときの位相差を示す図。
【図１６】石英基板に加える温度を変えたときの位相差を示す図。
【図１７】石英基板に加える温度を変えたときの位相差を示す図。
【図１８】輝度の測定方法を模式的に示す図。
【図１９】液晶装置の構成を変えたときの輝度むら指数を示す図表。
【図２０】液晶装置を備えた電子機器の一例として液晶プロジェクターの構成を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。本実施形態では、例えば、液晶プロジェクターにおいてライトバルブとして用いられるアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げて説明する。
【００２４】
なお、以下の形態において、「上」とは、基板から見て液晶層が配置された方向を示し、「○○上に」と記載された場合、○○の上に接するように配置される場合または○○の上に他の構成物を介して配置される場合または○○の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２５】
（第１実施形態）
＜電気光学装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての液晶装置の構造を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００２６】
図１及び図２に示すように、液晶装置１１は、例えば、薄膜トランジスター（以下、「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子」と称する。）を画素のスイッチング素子として用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置である。液晶装置１１は、素子基板４１と対向基板４２とが、平面視略矩形枠状のシール材１４を介して貼り合わされている。
【００２７】
素子基板４１を構成する第１基板１２、及び対向基板４２を構成する第２基板１３は、例えば、石英などの透光性材料によって構成されている。液晶装置１１は、シール材１４に囲まれた領域内に液晶層１５が封入された構成になっている。なお、シール材１４には液晶を注入するための液晶注入口１６が設けられ、液晶注入口１６は封止材１７により封止されている。液晶層１５としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。
【００２８】
液晶装置１１は、シール材１４の内周近傍に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の額縁遮光膜１８が対向基板４２に形成されており、この額縁遮光膜１８の内側の領域が表示領域１９となっている。額縁遮光膜１８は、例えば、遮光性材料であるアルミニウム（Ａｌ）で形成されており、対向基板４２側の表示領域１９の外周を区画するように設けられている。
【００２９】
表示領域１９内には、画素領域２１がマトリクス状に設けられている。画素領域２１は、表示領域１９の最小表示単位となる１画素を構成している。シール材１４の外側の領域には、データ線駆動回路２２及び接続端子２３が第１基板１２の一辺（図１における下側の辺）に沿って形成されている。接続端子２３は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を含む金属膜で構成されている。
【００３０】
また、シール材１４の内側の領域には、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆動回路２４がそれぞれ形成されている。第１基板１２の残る一辺（図１における上側）には、検査回路２５が形成されている。対向基板４２側に形成された額縁遮光膜１８は、例えば、第１基板１２上に形成された走査線駆動回路２４及び検査回路２５に対向する位置（平面的に重なる位置）に形成されている。
【００３１】
一方、対向基板４２の各角部（例えば、シール材１４のコーナー部の４箇所）には、素子基板４１と対向基板４２との間の電気的導通をとるための上下導通端子２６が配設されている。
【００３２】
また、図２に示すように、第１基板１２の液晶層１５側には、複数の画素電極２７やＴＦＴ素子３３等が形成されている。画素電極２７は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる導電膜である。そして、これら画素電極２７を覆うように、所定の方向に配向処理が施された第１配向膜２８が形成されている。
【００３３】
第１配向膜２８は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）等の無機材料によって形成されている。具体的には、第１基板１２の配向膜形成面に対して所定の角度で結晶成長させた柱状結晶からなる。
【００３４】
第１配向膜２８上には、シール材１４により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入された液晶層１５が設けられている。シール材１４は、素子基板４１及び対向基板４２をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板１２，１３間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
【００３５】
第２基板１３の液晶層１５に面する側には、平面ベタ状の透明な共通電極３１を覆って、所定の方向に配向処理が施された第２配向膜３２が形成されている。第２配向膜３２は、素子基板４１側の第１配向膜２８と同様、例えば、酸化シリコンなどの無機材料によって形成されている。
【００３６】
液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。液晶装置１１は透過型であって、素子基板４１及び対向基板４２における光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光板（図示せず）等が配置されて用いられる。なお、液晶装置１１の構成は、これに限定されず、反射型の構成であってもよい。
【００３７】
図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の電気的な構成を、図３を参照しながら説明する。
【００３８】
図３に示すように、液晶装置１１は、表示領域１９を構成する複数の画素領域２１を有している。各画素領域２１には、それぞれ画素電極２７が配置されている。また、画素領域２１には、ＴＦＴ素子３３が形成されている。
【００３９】
ＴＦＴ素子３３は、画素電極２７へ通電制御を行うスイッチング素子である。ＴＦＴ素子３３のソース側には、データ線３４が電気的に接続されている。各データ線３４には、例えば、データ線駆動回路２２（図１参照）から画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが供給されるようになっている。
【００４０】
また、ＴＦＴ素子３３のゲート側には、走査線３５が電気的に接続されている。走査線３５には、例えば、走査線駆動回路２４（図１参照）から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが供給されるようになっている。また、ＴＦＴ素子３３のドレイン側には、画素電極２７が電気的に接続されている。
【００４１】
走査線３５から供給された走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３３が一定期間だけオン状態となることで、データ線３４から供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが、画素電極２７を介して画素領域２１に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００４２】
画素領域２１に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極２７と共通電極３１（図２参照）との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するために、画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極と、容量線の一例であるシールド層（図示省略）に電気的に接続された容量電極３６との間に蓄積容量３７が形成されている。
【００４３】
このように、液晶層１５に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶層１５に入射した光が変調されて、画像光が生成されるようになっている。
【００４４】
図４は、液晶装置の構成を具体的に示す模式断面図である。図５〜図７は、液晶装置に熱を加えた際に発生する位相差の状況を具体的に示す図である。図８〜図１０は、液晶装置に熱を加えた際に発生する位相差の状況を模式的に示す図である。以下、液晶装置の構成、及び液晶装置に熱を加えた際に発生する位相差について、図４〜図１０を参照しながら説明する。
【００４５】
図４に示すように、液晶装置１１は、上記したように、シール材１４を介して貼り合わされた素子基板４１と対向基板４２とを備えている。素子基板４１には、接着剤４３ａを介して第３基板としての第１防塵基板４４が貼り合わされている。また、対向基板４２には、接着剤４３ｂを介して第３基板としての第２防塵基板４５が貼り合わされている。第１防塵基板４４及び第２防塵基板４５は、例えば、石英からなる透光性材料で構成されている。
【００４６】
第１防塵基板４４及び第２防塵基板４５における液晶層１５と反対側の面には、光学補償膜５１，５２が設けられている。具体的には、第１防塵基板４４には、第１光学補償膜５１が設けられている。第２防塵基板４５には、第２光学補償膜５２が設けられている。このように、光学補償膜５１，５２が液晶層１５とは反対側に設けられる、つまり、防塵基板４４，４５と素子基板４１又は対向基板４２とを接着する接着剤４３ａ，４３ｂと接しない方向に設けられているため、接着剤４３ａ，４３ｂの影響を受けず、適正な光学特性を得ることができる。
【００４７】
素子基板４１及び対向基板４２を構成する石英からなる第１基板１２及び第２基板１３（第１防塵基板４４、第２防塵基板４５を含む）は、例えば、後述するライトバルブの光源から発する投射光が当たると、その部分が加熱される。これにより、図５に示すように、熱源から放射状の位相差が発生する。以下、石英基板に生じる位相差について、具体的に説明する。なお、複数の石英からなる基板（１２，１３，４４，４５）の中から、第１基板１２を例に位相差について説明する。
【００４８】
図５は、第１基板１２を局所的に加熱（例えば、１００℃）した際に生じる位相差の状況を示す図である。具体的には、第１基板１２における熱源５３から進相軸５４ａが放射状に出ていることがわかる。位相差としては、例えば、領域Ｂ１で示した範囲において、１ｎｍ〜２ｎｍ程度である。それ以外の領域の位相差は、０ｎｍ〜１ｎｍである。この状態の図を更に模式化すると、図８に示す図のようになる。熱源５３に対して進相軸５４ａが放射状に出ている。
【００４９】
また、図４に示す光学補償膜５１（５２）は、上記と同様に局所的に加熱（例えば、１００℃）されると、図６に示すように、熱源５３から進相軸５４ｂが同心円状（又は、遅相軸が放射状）に発生するように形成されている。同心円状の中心位置は、熱源５３である。言い換えれば、後述する液晶プロジェクターによって光が照射された部分が中心位置となる。
【００５０】
このような光学補償膜５１（５２）は、例えば、斜方蒸着法を用いて成膜される。位相差は、領域Ｃで示した範囲において、２ｎｍ〜３ｎｍ程度である。また、領域Ｂ２で示した範囲において、１ｎｍ〜２ｎｍである。この状態の図を更に模式化すると、図９に示す図のようになる。熱源５３を中心に進相軸５４ｂが同心円状に出ている。
【００５１】
これら石英基板（１２）と第１光学補償膜５１とを通して得られる位相差は、図７に示すように、ほぼ無くなる。つまり、第１基板１２に第１光学補償膜５１を加えたことにより、放射状に発生する進相軸５４ａに対して、同心円状の進相軸５４ｂが直交する形になるので、位相差が打ち消される（相殺される）。この状態の図を更に模式化すると、図１０に示す図のようになる。よって、光抜けが発生することを抑えることができ、色むらやコントラストが低下することを抑えることができる。
【００５２】
以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１１によれば、以下に示す効果が得られる。
【００５３】
（１）第１実施形態の液晶装置１１によれば、進相軸５４ｂが同心円状又は遅相軸が放射状となる第１光学補償膜５１が第１防塵基板４４に、また、第２光学補償膜５２が第２防塵基板４５に設けられているので、液晶装置１１において放射状に発生した進相軸５４ａと直交することになり、温度分布の差によって生じる位相差を打ち消す（相殺する）ことができる。これにより、位相差に起因して光抜けが生じ輝度むらが発生することを抑えることができる。
【００５４】
（２）第１実施形態の液晶装置１１によれば、第１光学補償膜５１が第１防塵基板４４における素子基板４１と反対側の面に設けられているので、素子基板４１と第１防塵基板４４とを貼り合わせる接着剤４３ａに悪影響を及ぼすことなく液晶装置１１を構成することができる。なお、第２光学補償膜５２側も同様の効果を得ることができる。
【００５５】
（３）第１実施形態の液晶装置１１によれば、光学補償膜５１，５２として材料選択の幅が広がる。また、かかるコストを抑えることができる。
【００５６】
（第２実施形態）
＜電気光学装置の製造方法＞
図１１は、電気光学装置の製造方法としての液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図１２及び図１３は、液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図である。図１４〜図１７は、石英基板に加える温度を変えたときに発生する位相差を示す図である。図１８は、輝度の測定方法を模式的に示す図である。図１９は、液晶装置の構成を変えたときの輝度むら指数を示す図表である。以下、液晶装置の製造方法を、図１１〜図１９を参照しながら説明する。
【００５７】
最初に、図１１を参照しながら、素子基板側の製造方法を説明する。ステップＳ１１では、第１基板１２上にＴＦＴ素子３３等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１基板１２上にＴＦＴ素子３３などを形成する。
【００５８】
ステップＳ１２では、画素電極２７を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、ＴＦＴ素子３３の上方に画素電極２７を形成する。
【００５９】
ステップＳ１３では、画素電極２７上に第１配向膜２８を形成する。第１配向膜２８の製造方法としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。以上により、素子基板４１側が完成する。
【００６０】
次に、対向基板４２側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、石英基板等の透光性材料からなる第２基板１３上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、共通電極３１を形成する。
【００６１】
ステップＳ２２では、共通電極３１上に第２配向膜３２を形成する。第２配向膜３２の製造方法は、第１配向膜２８と同様であり、例えば、斜方蒸着法を用いる。次に、素子基板４１と対向基板４２とを貼り合わせる方法を説明する。
【００６２】
ステップＳ３１では、素子基板４１上にシール材１４を塗布する。詳しくは、素子基板４１とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板４１における表示領域１９の周縁部に（表示領域１９を囲むように）シール材１４を塗布する。
【００６３】
ステップＳ３２では、素子基板４１と対向基板４２とを貼り合わせる。具体的には、素子基板４１に塗布されたシール材１４を介して素子基板４１と対向基板４２とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板４１，４２の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。
【００６４】
ステップＳ３３では、液晶注入口１６（図１参照）から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口１６を封止する。封止には、例えば、樹脂等の封止材１７が用いられる。以上により、対向基板４２側が完成する。次に、光学補償膜５１，５２の製造方法を説明する。
【００６５】
ステップＳ４１では、第１光学補償膜５１を形成する。具体的には、第１防塵基板４４上に、斜方蒸着法を用いて、例えば、無機材料である酸化チタン膜（ＴｉＯ2）からなる第１光学補償膜５１を成膜する。
【００６６】
無機材料としては、ＴｉＯ2以外にも、ＺｒＯ2、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＣａＦ2などが挙げられる。さらに、ＣｅＯ2、ＳｎＯ2、Ｔａ2、Ｏ5、Ｉｎ2、Ｏ3、ＺｒＴｉＯ4、ＨｆＯ2、Ａｌ2、Ｏ3、ＭｇＯ、ＡＬＦ3、ダイヤモンド薄膜、ＬａＴｉＯX、酸化サマリウムなどを用いることもできる。以下、図１２を参照しながら成膜方法を説明する。
【００６７】
（ａ）は、蒸着方法を上方から見た模式平面図である。（ｂ）は、蒸着方法を示す模式断面図である。図１２に示すように、第１防塵基板４４の蒸着面４４ａを蒸着源６１の方向に向けて配置し、蒸着マスク６２の開口孔６３を介して、蒸着源６１から第１防塵基板４４の蒸着面４４ａに蒸着材料５１ａを蒸着させる。
【００６８】
このとき、第１光学補償膜５１を、第１基板１２で発生した放射状の進相軸５４ａを有する位相差を相殺する、つまり、進相軸５４ｂが同心円状の位相差となるように成膜する。具体的には蒸着面４４ａに対して蒸着方向の方位角を調整しながら斜方蒸着を行う。このように、方位角を調整しながら斜方蒸着を交互に繰り返すことにより、図１３に示すような、一軸の第１光学補償膜５１を形成することができる。図１３に示す第１光学補償膜５１は、２層（以上）積層し、正面位相差が１０ｎｍ以下となるようにしている。
【００６９】
また、第１光学補償膜５１の位相差を、第１光学補償膜５１の厚みを変えて調整する。これにより、石英基板の温度差によって発生する位相差を相殺することができる。以上により、図１３に示すような、第１光学補償膜５１が形成された第１防塵基板４４が完成する。なお、一軸の光学補償膜に限定されず、二軸の光学補償膜を形成するようにしてもよい。
【００７０】
ステップＳ４２では、第２光学補償膜５２を形成する。具体的には、第２防塵基板４５上に、第１光学補償膜５１の形成方法と同様にして、第２光学補償膜５２を成膜する。その結果、図１３に示すような、第２光学補償膜５２が形成された第２防塵基板４５が完成する。以上により、液晶装置１１が完成する。
【００７１】
リタデーション（位相差値）は、石英基板の厚みと熱によって変わる。ここで、図１４〜図１７を参照しながら、液晶装置１１を構成する石英基板に与える温度によって、位相差の範囲がどのように変化するのかを説明する。なお、石英基板の厚みは、例えば１．１ｍｍとする。
【００７２】
図１４は、石英基板７１に熱を与えないときの状態を示す図である。これによれば、石英基板７１は、熱（熱源７２）が与えられない場合、ほぼ位相差が発生しないことがわかる。なお、位相差や進相軸を求める方法として、位相差測定装置を用いる。位相差測定装置は、光弾性変調法という測定手法により、位相差値や進相軸の算出を行っている。
【００７３】
図１５は、石英基板７１の熱源７２に６０℃の熱を与えた場合の位相差を示す図である。これによれば、熱源７２の周囲に、１ｎｍ〜２ｎｍ程度の位相差の領域Ｄ１が、細かく複数に発生していることがわかる。
【００７４】
図１６は、石英基板７１の熱源７２に８０℃の熱を与えた場合の位相差を示す図である。これによれば、熱源７２の周囲に、１ｎｍ〜２ｎｍ程度の位相差の領域Ｄ２が大小に発生すると共に、図１５に示す６０℃の場合より広い範囲で位相差が発生していることがわかる。
【００７５】
図１７は、石英基板７１の熱源７２に１００℃の熱を与えた場合の位相差を示す図である（図５に示す図と同様である）。これによれば、熱源７２の周囲に、１ｎｍ〜２ｎｍ程度の位相差の領域Ｄ３が、図１６に示す８０℃の場合より広い範囲で発生していることがわかる。
【００７６】
このように、石英基板７１に与える温度が高いほど、石英基板７１の全体に亘って位相差の領域が広がっていくことがわかる。言い換えれば、ライトバルブの光源からの投射光が、第１基板１２や第２基板１３に当てられると、基板全体に亘って、進相軸５４ａが放射状の位相差が生じ、特に、石英基板７１における対角方向の光が、偏光板を通過して抜けてしまうという現象が発生する。
【００７７】
しかしながら、本実施形態では、光学補償膜５１，５２を新たに設けたことにより、光抜けする現象を抑えることができる。以下、図１８を参照しながら、投射光の照度測定方法、及び輝度むら指数の求め方を説明する。また、図１９を参照しながら、従来と比較した本実施形態の輝度むら指数について説明する。
【００７８】
図１８（ａ）は、図４に示す液晶装置１１を、後述する液晶プロジェクターに搭載して黒表示を行った際の、照度測定の状況を示す図である。なお、この照度測定は、ＡＮＳＩの規格に則っている。
【００７９】
投射画像８１の大きさは、例えば、４０インチ（アスペクト比、４：３）である。投射画像８１の四隅には、照度計ａ〜照度計ｄの４個が配置されている。その内側には、縦横３列、計９個の照度計（照度計１〜照度計９）がほぼ等間隔に配置されている。このように配置された照度計によって、投射画像８１における各箇所の照度を測定する。なお、この照度測定は、例えば、光路中に配置してから６分後に行っている。
【００８０】
図１８（ｂ）は、照度計ａ〜ｄ，１〜９によって測定した値から、輝度むら指数を求める計算式を示している。輝度むら指数は、「照度計ａ〜照度計ｄの照度で最も明るい照度」を「照度計１〜照度計９の平均照度」で割った値である。
【００８１】
図１９は、投射光の入射側に配置された第１防塵基板４４と、出射側に配置された第２防塵基板４５との構成を、実施例１〜実施例３、比較例において変えたときの輝度むら指数を示したものである。第１防塵基板４４の構成としては、石英基板のみの場合と、石英基板に第１光学補償膜５１が設けられた場合とがある。第２防塵基板４５の構成としては、同様に、石英基板のみの場合と、石英基板に第２光学補償膜５２が設けられた場合とがある。
【００８２】
つまり、第１防塵基板４４及び第２防塵基板４５ともに光学補償膜５１，５２が設けられた実施例１が、本実施形態の液晶装置１１の構成である。これに対し、第１防塵基板４４及び第２防塵基板４５ともに石英基板のみの場合の比較例が、従来の液晶装置の構成である。
【００８３】
輝度むら指数は、１．００に近いほど輝度のばらつきが少ない。本実施形態の液晶装置１１の構成である実施例１は、輝度むら指数が１．８９である。実施例２の輝度むら指数は２．０４であり、実施例３は２．０８である。また、従来の液晶装置の構成である比較例は、輝度むら指数が２．２０である。
【００８４】
このように、従来と比較して本実施形態の液晶装置１１では、輝度むら指数が低下し改善されていることがわかる。つまり、比較的光抜けが発生しやすい投射画像８１の四隅の照度と中心付近の照度との差が小さくなったといえる。よって、光学補償膜５１，５２を設けたことにより、光抜けが発生することを抑えることができる。
【００８５】
以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置１１の製造方法によれば、上記した第１実施形態の（１）〜（３）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【００８６】
（４）第２実施形態の液晶装置１１の製造方法によれば、第１防塵基板４４（４５）の蒸着面４４ａに対して蒸着方向の方位角を調整しながら斜方蒸着を行うので、石英基板によって発生する位相差を相殺するような良好な位相差を得る第１光学補償膜５１（５２）を形成することができる。加えて、光学補償膜５１，５２の厚みを制御することにより、所望の位相差値（リタデーション）を有する光学補償膜５１，５２を、比較的容易に実現することができる。
【００８７】
（第３実施形態）
＜電子機器の構成＞
図２０は、上記した液晶装置を備えた電子機器の一例として液晶プロジェクターの構成を示す模式図である。以下、液晶装置を備えた液晶プロジェクターの構成を、図２０を参照しながら説明する。
【００８８】
図２０に示すように、液晶プロジェクター１０１は、上記した液晶装置１１が採用された液晶モジュールを３つ配置し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂとして用いた構造となっている。
【００８９】
詳しくは、メタルハイドロランプ等の白色光源のランプユニット１１２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１３及び２枚のダイクロイックミラー１１４によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ，Ｇ，Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂにそれぞれ導かれる。特に光成分Ｂは、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１５、リレーレンズ１１６、出射レンズ１１７からなるリレーレンズ系１１８を介して導かれる。
【００９０】
ライトバルブ１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分Ｒ，Ｇ，Ｂは、ダイクロイックプリズム１１９により再度合成された後、投射レンズ１２０を介して、スクリーン１２１にカラー画像として投射される。
【００９１】
このような構成の液晶プロジェクター１０１は、上記した液晶装置１１が採用された液晶モジュールを介すことによって、高品位な表示を行うことができる。なお、上記した液晶装置１１は、上記した液晶プロジェクター１０１の他、高精細ＥＶＦ（Electric View Finder）、携帯電話機、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、テレビ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。
【００９２】
以上詳述したように、第３実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００９３】
（５）第３実施形態によれば、上記した実施形態の液晶装置１１を備えているので、光抜けが抑えられ表示品質が向上した電子機器としての液晶プロジェクター１０１を提供することができる。また、酸化チタンを含む無機材料を用いて光学補償膜５１，５２を形成するので、耐熱性や耐光性を向上させることが可能となり、高輝度光源を使用する液晶プロジェクター１０１にも有効である。
【００９４】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００９５】
（変形例１）
上記したように、液晶装置１１における光の入射側に第１光学補償膜５１が設けられ、光の出射側に第２光学補償膜５２が設けられていることに代えて、どちらか一方の光学補償膜５１，５２のみが設けられる構成であってもよい。この場合、光学補償膜の厚みを調整することにより、液晶装置１１によって発生した位相差を、上記実施形態と同様に相殺することができる。
【００９６】
（変形例２）
上記したように、第１光学補償膜５１及び第２光学補償膜５２を形成するのに斜方蒸着法を用いていることに限定されず、例えば、スパッタ法を用いて形成するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９７】
１１…電気光学装置としての液晶装置、１２…第１基板、１３…第２基板、１４…シール材、１５…液晶層、１６…液晶注入口、１７…封止材、１８…額縁遮光膜、１９…表示領域、２１…画素領域、２２…データ線駆動回路、２３…接続端子、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通端子、２７…画素電極、２８…第１配向膜、３１…共通電極、３２…第２配向膜、３３…ＴＦＴ素子、３４…データ線、３５…走査線、３６…容量電極、３７…蓄積容量、４１…素子基板、４２…対向基板、４３ａ，４３ｂ…接着剤、４４…第３基板としての第１防塵基板、４４ａ…蒸着面、４５…第３基板としての第２防塵基板、５１…第１光学補償膜、５１ａ…蒸着材料、５２…第２光学補償膜、５３…熱源、５４ａ，５４ｂ…進相軸、６１…蒸着源、６２…蒸着マスク、６３…開口孔、７１…石英基板、７２…熱源、８１…投射画像、１０１…電子機器としての液晶プロジェクター、１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂ…ライトバルブ、１１２…ランプユニット、１１３…ミラー、１１４…ダイクロイックミラー、１１５…入射レンズ、１１６…リレーレンズ、１１７…出射レンズ、１１８…リレーレンズ系、１１９…ダイクロイックプリズム、１２０…投射レンズ、１２１…スクリーン。
【図１】
2011180408.tif 000003
【図２】
2011180408.tif 000004
【図３】
2011180408.tif 000005
【図４】
2011180408.tif 000006
【図５】
2011180408.tif 000007
【図６】
2011180408.tif 000008
【図７】
2011180408.tif 000009
【図８】
2011180408.tif 000010
【図９】
2011180408.tif 000011
【図１０】
2011180408.tif 000012
【図１１】
2011180408.tif 000013
【図１２】
2011180408.tif 000014
【図１３】
2011180408.tif 000015
【図１４】
2011180408.tif 000016
【図１５】
2011180408.tif 000017
【図１６】
2011180408.tif 000018
【図１７】
2011180408.tif 000019
【図１８】
2011180408.tif 000020
【図１９】
2011180408.tif 000021
【図２０】
2011180408.tif 000022