(57)【要約】【課題】良好な表示性能を確保しつつ、より簡便に製造可能な表示装置を提供する。【解決手段】この表示装置は、基体上に、第１電極層、発光層を含む有機層、および第２電極層が順に積層されてなる有機発光素子１０を含む画素１が、第２電極層と接続された補助配線層１７によって区画された画素領域１７Ｒに形成されたものである。画素１は、隣り合う有機発光素子１０同士の間隔Ｄ１よりも広い間隔Ｄ２を有するようにＸ方向へ複数配列されており、補助配線層１７は、隣り合う画素１同士の間に設けられている。このため、異なる発光色を示す有機発光素子１０同士の距離を近づけつつ、補助配線層１７の幅を太くするのに有利な構造となっている。【選択図】図３
2011040277.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ第１電極層、有機層、および第２電極層が順に積層されてなり、その積層面に沿った第１の方向において互いに離間して配置されると共に互いに異なる発光色を示す複数の発光素子を有する画素と、
前記第２電極層と電気的に接続された補助配線層と
を備え、
前記画素は、隣り合う前記発光素子同士の間隔よりも広い間隔を有するように前記第１の方向へ複数配列されており、
前記補助配線層は、隣り合う前記画素同士の間に設けられている
表示装置。
【請求項２】
前記有機層は、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造を含み、
前記正孔輸送層および電子輸送層のうちの少なくとも一方は、前記画素の各々を構成する複数の発光素子によって共有された共通層である
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記発光素子は、前記第１の方向と直交する第２の方向の寸法が前記第１の方向の寸法よりも大きなものである
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数の発光素子は、赤色光を発する赤色発光層を含む赤色発光素子、緑色光を発する緑色発光層を含む緑色発光素子、および青色光を発する青色発光層を含む青色発光素子であり、
前記青色発光層は、前記赤色発光素子、緑色発光素子および青色発光素子の全てによって共有された共通層である
請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記画素は、前記第１の方向と直交する第２の方向にも複数配列されており、
前記補助配線層は、前記画素の各々を取り囲むように配置されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
基板上に、第１の方向において互いに離間する複数の補助配線層を形成する工程と、
第１電極層と、有機層と、前記補助配線層と接続される第２電極層との積層構造からなると共に互いに異なる発光色を示す複数の発光素子を有する画素を、隣り合う前記補助配線層同士の間にそれぞれ形成する工程と
を含み、
前記複数の発光素子を、前記第１の方向において隣り合う前記画素同士の間隔よりも狭い間隔を有するように配列する
表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記有機層を、正孔輸送層、発光層および電子輸送層を順に含むように形成し、
前記正孔輸送層および電子輸送層のうちの少なくとも一方を、前記画素の各々を構成する複数の発光素子によって共有される共通層として形成する
請求項６記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記正孔輸送層および電子輸送層のうちの少なくとも一方を、前記補助配線層に対応する領域を覆い、かつ、前記画素に対応する領域に開口を有する共通マスクを用いて形成する
請求項６記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記複数の発光素子として、赤色光を発する赤色発光層を含む赤色発光素子、緑色光を発する緑色発光層を含む緑色発光素子、および青色光を発する青色発光層を含む青色発光素子を形成し、
前記青色発光層を、前記赤色発光素子、緑色発光素子および青色発光素子の全てによって共有される共通層として形成する
請求項６記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記画素を、前記第１の方向と直交する第２の方向においても互いに離間するように複数配置し、
前記補助配線層を、前記画素の各々を取り囲むように配置する
請求項６記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機層を含む自発光型の発光素子を備えた表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機層を含む自発光型の有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いた有機ＥＬ表示装置が実用化されている。有機ＥＬ表示装置は、自発光型であるので、液晶などに比較して視野角が広く、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものである。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置における駆動方式のうち、駆動素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）が用いられるアクティブマトリックス方式は、パッシブマトリックス方式と比べて応答性や解像力の点で優れている。このため、アクティブマトリックス方式は、前述した特長を有する有機ＥＬ表示装置において特に適した駆動方式と考えられている。このアクティブマトリックス方式の有機ＥＬ表示装置は、有機発光層を含む有機ＥＬ素子とこの有機ＥＬ表示素子を駆動させるための駆動素子（上記薄膜トランジスタ）とが配設された駆動パネルを有している。さらに、この駆動パネルと封止パネルとが有機ＥＬ素子を挟むようにして、互いに接着層により貼り合わされた構成となっている。また、有機ＥＬ素子は、一対の電極間に有機発光層が形成された構成を有している。
【０００４】
また、有機ＥＬ表示装置は、各有機ＥＬ素子からの光を上記駆動パネル側に射出する下面発光（ボトム・エミッション）方式と、逆にこの光を上記封止パネル側に射出する上面発光（トップエミッション）方式とに分類される。両者を比較した場合、上面発光方式のほうが、より開口率を高めることができるという点において有利である。
【０００５】
ここで、上面発光方式の有機ＥＬ表示装置では、光取り出し側、すなわち封止パネル側の電極は、各有機ＥＬ素子に共通の電極であると共に、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムスズ）などの光透過性の導電材料により構成されている。ところが、このような光透過性の導電材料は通常の金属材料などと比べ、抵抗率が２〜３桁程度高くなっている。よって、この光取り出し側の電極へ印加された電圧が面内で不均一となるため、各有機ＥＬ素子間の発光輝度に位置ばらつきが生じ、表示品質が低下してしまうという問題があった。
【０００６】
この問題を解決するものとして、例えば特許文献１，２に開示された有機ＥＬ表示装置が知られている。それらの有機ＥＬ表示装置では、駆動パネル側に位置する電極（下部電極）と同一階層に光取り出し側の電極（上部電極）と接続される補助配線を形成し、下部電極の面内方向での電圧降下を抑制するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−２０７２１７号公報
【特許文献２】特開２００５−１１８１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記特許文献１では、下部電極および補助配線を形成したのち、発光色ごとに有機層を塗り分けるための個別の蒸着マスクを用い、赤色発光素子、緑色発光素子および青色発光素子からなる画素を順次形成している。この際、補助配線上の一部領域には有機層を堆積させず、その領域において補助配線と上部電極とを接続するようにしている。しかしながら、そのような製造方法では、発光色ごとの有機材料の蒸着成膜が必要となり、有機材料が同一種類のものであっても個別の蒸着マスクを用いて別々に形成するため、製造タクトが長くなるうえ、使用する有機材料の総量も大幅に増加する。
【０００９】
また、上記特許文献２では、下部電極および補助配線を形成したのち有機層を全面に成膜し、さらに補助配線上に成膜された有機層をレーザ照射により選択的に除去することにより、補助配線と上部電極との接続を実現するようにしている。しかしながら、上述した製造方法では、レーザにより有機材料を除去する工程が増加し製造工程が複雑化するうえ、レーザ光源などの設備コストの増大も問題となる。
【００１０】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、良好な表示性能を確保しつつ、より簡便に製造可能な構成を有する表示装置、およびそのような表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の表示装置は、それぞれ第１電極層、有機層、および第２電極層が順に積層されてなり、その積層面に沿った第１の方向において互いに離間して配置されると共に互いに異なる発光色を示す複数の発光素子を有する画素と、第２電極層と電気的に接続された補助配線層とを備える。ここで、画素は、隣り合う発光素子同士の間隔よりも広い間隔を有するように第１の方向へ複数配列されており、補助配線層は、隣り合う画素同士の間に設けられている。
【００１２】
本発明の表示装置では、第１の方向において、複数の画素が、各画素内における発光素子同士の間隔よりも広い間隔を有するように配列されており、補助配線層が、隣り合う画素同士の間に設けられている。このため、異なる発光色を示す発光素子同士の距離を近づけつつ、補助配線層の幅を太くするのに有利な構造となっている。
【００１３】
本発明の表示装置の製造方法は、基板上に、第１の方向において互いに離間する複数の補助配線層を形成する工程と、第１電極層と、有機層と、補助配線層と接続される第２電極層との積層構造からなると共に互いに異なる発光色を示す複数の発光素子を有する画素を、隣り合う補助配線層同士の間にそれぞれ形成する工程とを含む。ここで、複数の発光素子を、第１の方向において画素同士の間隔よりも狭い間隔を有するように配列する。
【００１４】
本発明の表示装置の製造方法では、第１の方向において、隣り合う画素同士の間に補助配線層を設け、隣り合う画素同士の間隔を、各画素内における発光素子同士の間隔よりも広くするようにしたので、異なる発光色を示す発光素子同士の距離を近づけつつ、補助配線層の幅を太くし易くなる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の表示装置によれば、第１の方向において、画素同士の間隔を発光素子同士の間隔よりも広くすると共に、複数の補助配線層を隣り合う画素同士の間に設けるようにしたので、開口率を低下させることなく高集積化を図り、かつ、輝度がより均質化された画像を表示することができる。また、高集積化した場合においても、例えば補助配線層に対応する領域を覆い、かつ、それ以外の領域に対応した開口を有する共通のマスクを用いて、有機層のうちの複数の発光素子に共通する層を形成することが可能となる。したがって、高精度な寸法を損なうことなく、より効率的に製造可能なものとなる。
【００１６】
本発明の表示装置の製造方法によれば、第１の方向において、画素同士の間隔を発光素子同士の間隔よりも広くすると共に、複数の補助配線層を隣り合う画素同士の間に設けるようにしたので、高集積化した場合においても、補助配線層に対応する領域を覆い、かつ、それ以外の領域に対応した開口を有する共通のマスクを用いて有機層のうちの複数の発光素子に共通する層を形成することができる。よって、より高精度な寸法を有し良好な表示性能を発揮する表示装置を、より効率的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。
【図４】図３に示した画素領域の構成を表す断面図である。
【図５】図４に示した有機発光素子の構成を表す断面図である。
【図６】図４に示した有機発光素子の構成を表す他の断面図である。
【図７】図１に示した表示装置の製造方法を説明するための手順を表すフローチャートである。
【図８】図１に示した表示装置の製造方法を説明するための一工程を表す平面図である。
【図９】図８に続く一工程を表す断面図である。
【図１０】図９に続く一工程を表す平面図である。
【図１１】図１０に続く一工程を表す平面図である。
【図１２】図１１に続く一工程を表す断面図である。
【図１３】図１２に続く一工程を表す平面図である。
【図１４】図１３に続く一工程を表す断面図である。
【図１５】図４に示した有機発光素子の変形例を表す断面図である。
【図１６】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１７】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１８】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図１９】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２０】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２１】適用例５外観を表す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を実施するための形態（以下、実施の形態という。）について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
［表示装置の全体構成］
図１は、本発明における一実施の形態に係る有機発光素子を用いた表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられる。この表示装置は、基板１１１の上に表示領域１１０が形成されたものである。基板１１１上の表示領域１１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源供給線駆動回路１４０が形成されている。
【００２０】
表示領域１１０には、マトリクス状に二次元配置された複数の有機発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）と、それらを駆動するための画素駆動回路１５０とが形成されている。画素駆動回路１５０において、列方向には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１，１２０Ａ２，・・・，１２０Ａｍ，・・・）が配置され、行方向には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１，・・・，１３０Ａｎ，・・・）および複数の電源供給線１４０Ａ（１４０Ａ１，・・・，１４０Ａｎ，・・・）が配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの各交差点に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか１つが対応して設けられている。各信号線１２０Ａは信号線駆動回路１２０に接続され、各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、各電源供給線１４０Ａは電源供給線駆動回路１４０に接続されている。
【００２１】
信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに供給するものである。
【００２２】
走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１３０は、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂへの映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。
【００２３】
電源供給線駆動回路１４０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。電源供給線駆動回路１４０は、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し互いに異なる第１電位および第２電位のいずれかを適宜供給する。これにより、後述する駆動トランジスタＴｒ１の導通状態または非導通状態の選択が行われる。
【００２４】
画素駆動回路１５０は、基板１１１と有機発光素子１０との間の階層（後述の画素駆動回路形成層１１２）に設けられている。図２に、画素駆動回路１５０の一構成例を表す。図２に示したように、画素駆動回路１５０は、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、有機発光素子１０とを有するアクティブ型の駆動回路である。有機発光素子１０は、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１と直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００２５】
書込トランジスタＴｒ２は、例えばドレイン電極が信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、書込トランジスタＴｒ２のゲート電極は走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、書込トランジスタＴｒ２のソース電極は、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極と接続されている。
【００２６】
駆動トランジスタＴｒ１は、例えばドレイン電極が電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。駆動トランジスタＴｒ１のソース電極は、有機発光素子１０と接続されている。
【００２７】
保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極（書込トランジスタＴｒ２のソース電極）と、駆動トランジスタＴｒ１のソース電極との間に形成されるものである。
【００２８】
［表示領域の構成］
図３に、ＸＹ平面に広がる表示領域１１０の一構成例を表す。ここでは、第２電極層１６、保護膜１８および封止基板１９（いずれも後出）を取り去った状態の表示領域１１０を、上方から眺めた平面構成を表す。表示領域１１０には、複数の画素（ピクセル）１が、全体としてマトリックス状をなすように順に配列されている。より詳細には、補助配線層１７が格子状に設けられており、それによって区画された画素領域１７Ｒの各々に、画素１が１つずつ配置されている。各画素１は、それぞれ、素子分離層２４によって輪郭が規定された発光領域２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）を含む有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを１つずつ有している。有機発光素子１０Ｒは赤色光を発し、有機発光素子１０Ｇは緑色光を発し、有機発光素子１０Ｂは青色光を発するものである。各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、Ｙ方向を長手方向とする矩形の平面形状を有している。ここでは、同色光を発する有機発光素子１０をＹ方向に一列に並べ、それをＸ方向に順に繰り返し配置するようにしている。すなわち、各画素１においては、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが例えばＸ方向において有機発光素子１０Ｒ，有機発光素子１０Ｇ，有機発光素子１０Ｂの順に互いに間隔Ｄ１を有するように配列されている。複数の画素１は、Ｘ方向において、隣り合う有機発光素子同士の間隔Ｄ１よりも広い間隔Ｄ２を隔てるように配列されている。
【００２９】
図３では、各画素領域１７Ｒにおいて実線で示した矩形の発光領域２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを各々構成する第１電極層１３（後出）の形状に対応している。なお、図３では、２行×２列の計４個の画素１を示したが、Ｘ方向およびＹ方向に並ぶ画素１の数はこれに限定されるものではない。
【００３０】
図４は、表示領域１１０における、図３に示したＩＶ−ＩＶ線に沿ったＸＺ断面の概略構成を示すものである。図４に示したように、表示領域１１０では、基板１１１に画素駆動回路形成層１１２が設けられてなる基体１１の上に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを含む発光素子形成層１２が形成されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上には、保護膜１８と封止基板１９とが順に設けられている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、基板１１１の側から、例えばアノード電極としての第１電極層１３、発光層１４２（１４２Ｒ，１４２Ｇ，１４２Ｂ）などを含む有機層１４、およびカソード電極としての第２電極層１６が各々順に積層されたものである。有機層１４および第１電極層１３は、素子分離層２４によって有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに分離されている。一方、第２電極層１６は、全ての画素１に共通して設けられている。補助配線層１７は、第２電極層１６と接続されている。なお、図４では、画素駆動回路形成層１１２における駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２などの詳細な構成については図示を省略した。
【００３１】
素子分離層２４は、隣り合う有機発光素子１０における第１電極層１３および有機層１４同士の隙間を埋めるように設けられている。素子分離層２４は、例えばポリイミドなどの電気絶縁性を有する有機材料からなり、第１電極層１３と、第２電極層１６および補助配線層１７との電気絶縁性を確保すると共に、有機発光素子１０の発光領域２０を所望の形状に正確に規定するものでもある。
【００３２】
有機発光素子１０を覆う保護膜１８は、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）などの絶縁材料からなる。また、その上に設けられた封止基板１９は、保護膜１８や接着層（図示せず）などと共に有機発光素子１０を封止するものであり、発光層１４２において発生した光を透過する透明なガラスなどの材料により構成されている。
【００３３】
［基体および有機発光素子の構成］
次に、図４〜図６を参照して、基体１１および有機発光素子１０の詳細な構成について説明する。なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、互いに有機層１４の構成が一部異なることを除き、他は共通の構成であるので、以下では、まとめて説明する。
【００３４】
図５は、図３に示した表示領域１１０の、Ｖ−Ｖ線に沿った断面図であり、図６は図３に示したＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図である。なお、図５は、図３に示したＶ−Ｖ線に沿った断面に相当し、図６は、図３に示したＶＩ−ＶＩ線に沿った断面に相当している。
【００３５】
基体１１は、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などよりなる基板１１１に、画素駆動回路１５０を含む画素駆動回路形成層１１２が設けられたものである。基板１１１の表面には、第１階層の金属層として、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極である金属層２１１Ｇと、書込トランジスタＴｒ２のゲート電極である金属層２２１Ｇと、信号線１２０Ａ（図６）とがそれぞれ設けられている。これら金属層２１１Ｇ，２２１Ｇおよび信号線１２０Ａは、窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなるゲート絶縁膜２１２によって覆われている。ゲート絶縁膜２１２上の、金属層２１１Ｇ，２２１Ｇに対応する領域には、アモルファスシリコンなどの半導体薄膜からなるチャネル層２１３，２２３が設けられている。チャネル層２１３，２２３上には、その中心領域であるチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒを占めるように絶縁性のチャネル保護膜２１４，２２４が設けられており、その両側の領域には、ｎ型アモルファスシリコンなどのｎ型半導体薄膜からなるドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓが設けられている。これらドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓは、チャネル保護膜２１４，２２４によって互いに分離されており、それらの端面がチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒを挟んで互いに離間している。さらに、ドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓをそれぞれ覆うように、第２階層の金属層として、ドレイン配線としての金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよびソース配線としての金属層２１６Ｓ，２２６Ｓが設けられている。金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓは、例えばチタン（Ｔｉ）層、アルミニウム（Ａｌ）層、およびチタン層を順に積層した構造を有するものである。第２階層の金属層としては、上記の金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓのほか、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａ（図５）が設けられている。なお、ここでは、逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）の駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２について説明したが、スタガー構造（いわゆるトップゲート型）のものであってもよい。また、信号線１２０Ａについては、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａとの交差点以外の領域では第２階層に設けるようにしてもよい。
【００３６】
画素駆動回路１５０は、窒化ケイ素などからなる保護膜（パッシベーション膜）２１７によって全体的に覆われており、その上には、さらに絶縁性の平坦化膜２１８が設けられている。平坦化膜２１８は、その表面が極めて高い平坦性を有するものであることが望まれる。また、平坦化膜２１８および保護膜２１７の一部領域には、微細な接続孔１２４が設けられている（図５参照）。平坦化膜２１８は、特に保護膜２１７に比べて厚みが大きいので、例えばポリイミド等の有機材料など、パターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。
【００３７】
平坦化膜２１８の上に形成された第１電極層１３は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有する材料によって構成することが発光効率を高める上で望ましい。第１電極層１３は、例えば厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ），ネオジウム（Ｎｄ）あるいは金（Ａｕ）などの金属元素の単体またはそれらの合金により構成されている。第１電極層１３は、平坦化膜２１８の表面を覆うと共に接続孔１２４を充填するように形成されている。これにより、第１電極層１３は、接続孔１２４を介して駆動トランジスタＴｒ１（のうちの金属層２１６Ｓ）と導通された状態となる。
【００３８】
有機層１４は、素子分離層２４によって画定された発光領域２０に全面に亘って隙間無く形成されている。有機層１４は、例えば図４〜６に示したように、第１電極層１３の側から正孔輸送層１４１と、発光層１４２（１４２Ｒ，１４２Ｇ，１４２Ｂ）と、電子輸送層１４３とが順に積層された積層構造を有する。正孔輸送層１４１は、発光層１４２への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１４２は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合を生じさせ、構成材料に応じた色の光を発生するものである。電子輸送層１４３は、発光層１４２への電子輸送効率を高めるためのものである。
【００３９】
有機層１４は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によって異なる発光層１４２を有している。これに対し、正孔輸送層１４１および電子輸送層１４３は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂによって共有され、一体となった共通層となっている。
【００４０】
なお、有機層１４において、正孔輸送層１４１、発光層１４２および電子輸送層１４３以外の層を、必要に応じて設けることができる。例えば第１電極層１３と正孔輸送層１４１との間に、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）などからなる正孔注入層を設けるようにしてもよい。その正孔注入層は、正孔注入効率を高めると共にリークを防止するためのバッファ層として機能するものである。さらに、電子輸送層１４３と第２電極層１６との間には、ＬｉＦ，Ｌｉ2 Ｏなどからなる電子注入層（図示せず）を設けてもよい。正孔注入層および電子注入層を設ける場合、それらについても、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂによって共有された共通層とすることが望ましい。
【００４１】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおいて、正孔輸送層１４１は、例えば、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成され、５ｎｍ以上３００ｎｍ以下の厚みを有しているとよい。電子輸送層１４３は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されるとよい。
【００４２】
有機発光素子１０Ｒの（赤色）発光層１４２Ｒは、例えば、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％の割合で混合したものから構成される。有機発光素子１０Ｇの（緑色）発光層１４２Ｇは、例えばＡｌｑ3 にクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を３体積％混合したものから構成される。有機発光素子１０Ｂの（青色）発光層１４Ｃは、例えばスピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）により構成される。発光層１４２Ｒ，１４２Ｇ，１４２Ｂは、いずれも１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚みとするとよい。
【００４３】
第２電極層１６は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。第２電極層１６は、例えば全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられており、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極層１３と対向配置されている。さらに第２電極層１６は、有機層１４のみならず、素子分離層２４および補助配線層１７をも覆うように形成されている。したがって、上述したように、第２電極層１６は補助配線層１７と電気的に接続された状態となっている。
【００４４】
補助配線層１７は、第１電極層１３と同様に平坦化膜２１８の表面に形成されており、主たる電極としての第２電極層１６における電圧降下を補うものとして機能する。補助配線層１７を構成する材料としては、例えば第１電極層１３と同種の高導電性の金属材料が好ましい。
【００４５】
この補助配線層１７が存在しない場合、電源（図示せず）から個々の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂまでの距離に応じた電圧降下により、共通電源供給線ＧＮＤ（図２参照）と接続された第２電極層１６の電位が各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間で一定とならず、顕著なばらつきを生じ易い。このような第２電極層１６の電位のばらつきは、表示領域１１０における輝度むらの原因となるので好ましくない。補助配線層１７は、表示装置が大画面化した場合であっても電源から第２電極層１６に至るまでの電圧降下を最小限度に抑え、このような輝度むらの発生を抑制するように機能する。
【００４６】
有機発光素子１０では、第１電極層１３は反射層としての機能を発揮する一方、第２電極層１６が半透過性反射層としての機能を発揮する。これら第１電極層１３および第２電極層１６により、有機層１４に含まれる発光層１４２において発生した光を多重反射させるようになっている。すなわち、有機発光素子１０は、第１電極層１３の有機層１４側の端面を第１端部Ｐ１とし、第２電極層１６の有機層１４側の端面を第２端部Ｐ２とし、有機層１４を共振部として、発光層１４２で発生した光を共振させて第２端部Ｐ２の側から取り出す共振器構造を有している。このような共振器構造を有することで、発光層１４２で発生した光が多重反射を起こし、一種の狭帯域フィルタとして作用することによって、取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し色純度を高めることができる。また、封止基板１９の側から入射した外光についても多重反射により減衰させることができ、さらに位相差板や偏光板（図示せず）との組み合わせにより有機発光素子１０における外光の反射率を極めて小さくすることができる。
【００４７】
［表示装置の製造方法］
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。以下、図１〜図６に加え、図７〜図１４を参照して、本実施の形態の表示装置の製造方法について説明する。図７は、本実施の形態の表示装置の製造方法における手順を表すフローチャートである。
【００４８】
まず、上述した材料よりなる基板１１１の上に画素駆動回路形成層１１２を形成することにより、基体１１を作製する（ステップＳ１０１）。具体的には、まず、基板１１１の上に、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２を含む画素駆動回路１５０を形成する。ここでは、基板１１１上に例えばスパッタリングにより金属膜を形成する。そののち、例えばフォトリソグラフィ法やドライエッチング、あるいはウェットエッチングによりその金属膜をパターニングすることで、基板１１１上に金属層２１１Ｇ，２２１Ｇおよび信号線１２０Ａを形成する。次いで、全面をゲート絶縁膜２１２によって覆う。さらに、ゲート絶縁膜２１２の上に、チャネル層２１３，２２３、チャネル保護膜２１４，２２４、ドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓ、ならびに、金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓを順に、所定形状に形成する。ここで、金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓの形成と併せて、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａを第２階層の金属層として各々形成する。その際、金属層２２１Ｇと走査線１３０Ａとを接続する接続部、金属層２２６Ｄと信号線１２０Ａとを接続する接続部、金属層２２６Ｓと金属層２１１Ｇとを接続する接続部を予め形成しておく。そののち、全体を保護膜２１７で覆うことにより、画素駆動回路１５０を完成させる。このとき、保護膜２１７における金属層２１６Ｓ上の所定位置に、ドライエッチングなどにより開口を形成しておく。
【００４９】
画素駆動回路１５０を形成したのち、スピンコート法などにより、例えばポリイミドを主成分とする感光性樹脂を全面に亘って塗布する。次に、その感光性樹脂に対しフォトリソグラフィ処理を施すことにより、接続孔１２４を有する平坦化膜２１８を形成する。具体的には、例えば所定位置に開口を有するマスクを用いた選択的な露光および現像により、保護膜２１７に設けられた開口と連通する接続孔１２４を形成する。そののち、平坦化膜２１８を必要に応じて焼成してもよい。これにより画素駆動回路形成層１１２が得られ、基体１１の作製が完了する。
【００５０】
さらに、上述した所定の材料よりなる第１電極層１３および補助配線層１７を一括して形成する（ステップＳ１０２）。具体的には、例えばスパッタリングによって上述の材料からなる金属膜を全面成膜したのち、その金属膜上に所定のマスクを用いて所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成し、さらにそのレジストパターンをマスクとして用い、金属膜の選択的なエッチングを行う。その際、第１電極層１３については、平坦化膜２１８の表面を覆うと共に接続孔１２４を充填するように形成する。また、補助配線層１７については、平坦化膜２１８の表面上において第１電極層１３を３つずつ取り囲むように格子状に形成する。補助配線層１７は、第１電極層１３と同種の材料によって形成することが望ましい。このとき、のちに１つの画素１を構成することとなる第１電極層１３同士の間隔を、Ｘ方向において隣り合う画素１同士の間隔よりも大きくする。
【００５１】
こののち、補助配線層１７と第１電極層１３との隙間、および第１電極層１３同士の隙間を充填するように素子分離層２４を形成する（ステップＳ１０３）。この際、補助配線層１７によって区画された各画素領域１７Ｒ（図３）において、素子分離層２４の開口部によって規定される発光領域２０同士の間隔Ｄ１が、Ｘ方向において隣り合う他の画素１との間隔Ｄ２よりも狭くなるようにする。
【００５２】
次いで、図８〜図１０に示したように、共通マスクＭ１を用いて有機層１４のうちの共通層の１つである正孔輸送層１４１を形成する（ステップＳ１０４）。図８〜図１０は、本実施の形態の表示装置の製造方法における一工程を表す平面図もしくは断面図であり、図８および図１０は図３に対応し、図９は図４に対応している。なお、図９では、基体１１の詳細について図示を省略している。ここでは、まず、図８に示したように、画素１が形成される各画素領域Ｒ１７に対応した（形状および大きさを有する）複数の開口Ｍ１Ｋを有する共通マスクＭ１を、所定位置に配置する。そののち、図９に示したように、例えば真空蒸着法により、露出部分を完全に覆うように上述した所定の材料および厚みの正孔輸送層１４１を形成する。最後に、共通マスクＭ１を取り除くことにより、図１０に示したように、のちに有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとなる３つの第１電極層１３を共通して覆う正孔輸送層１４１が、各画素領域Ｒ１７に現れる。本実施の形態では、従来構造（補助配線層が有機発光素子を個別に取り囲むような構造）と比較して、画素１同士の間隔Ｄ２が大きく確保されている。このため、共通マスクＭ１が十分な強度を有し撓みを生じることがないので、アライメント精度を極めて向上させることができる。
【００５３】
正孔輸送層１４１を形成したのち、個別マスクＭ２を用いて発光層１４２Ｒ，１４２Ｇ，１４２Ｂを順次形成する（ステップＳ１０５）。まず、図１１に示したように、第１電極層１３に対応した形状および大きさの開口Ｍ２Ｋを複数有する個別マスクＭ２を所定位置に配置する。ここでは、例えばのちの有機発光素子１０Ｒの発光領域２０Ｒに対応した位置に開口Ｍ２Ｋを合わせるように個別マスクＭ２を配置する。そののち、図１２に示したように、例えば真空蒸着法により、露出部分を完全に覆うように上述した所定の材料および厚みの発光層１４２Ｒを形成する。最後に、個別マスクＭ２を取り除くことにより、図１３に示したように、正孔輸送層１４１の一部を覆う発光層１４２Ｒが、発光領域２０Ｒに現れる。発光層１４２Ｇ，１４２Ｂについても同様にして順次形成する。その際には、個別マスクＭ２を、開口Ｍ２Ｋが発光領域２０Ｇ，２０Ｂに対応した位置となるようにそれぞれ配置する。なお、図１１〜図１３は、図８〜図１０に続く一工程を表す平面図もしくは断面図であり、図１１および図１３は図３に対応し、図１２は図４に対応している。図１２では、基体１１の詳細について図示を省略している。
【００５４】
次に、再び共通マスクＭ１を用いて、発光層１４２Ｒ，１４２Ｇ，１４２Ｂの上に電子輸送層１４３を形成する（ステップＳ１０６）。ここでは、図１４に示したように、発光層１４２Ｒ，１４２Ｇ，１４２Ｂを全て覆う共通層として電子輸送層１４３を形成する。これにより、有機層１４が完成する。
【００５５】
さらに、共通マスクＭ１を取り除いたのち、全体を覆うように所定の材料を用いて第２電極層１６を形成することにより有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを完成させる。最後に、全体を覆うように保護膜１８を形成し、保護膜１８の上に接着層を介して封止基板１９を貼り合わせる。以上により、表示装置が完成する（ステップＳ１０７）。
【００５６】
［表示装置の動作］
このようにして得られた表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書込トランジスタＴｒ２のゲート電極（金属層２２１Ｇ）を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。その一方で、電源供給線駆動回路１４０が、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し第２電位よりも高い第１電位を供給する。これにより駆動トランジスタＴｒ１の導通状態が選択され、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第１電極層１３と第２電極層１６との間で多重反射し、第２電極層１６、保護膜１８および封止基板１９を透過して上面から取り出される。
【００５７】
以上、説明したように、本実施の形態の表示装置では、Ｘ方向において、複数の画素１を、各画素１における有機発光素子１０同士の間隔Ｄ１よりも広い間隔Ｄ２を有するように配列すると共に、隣り合う画素１同士の間に補助配線層１７を設けるようにしている。このため、開口率を一定とした場合、Ｘ方向において、異なる発光色を示す有機発光素子１０同士の距離を近づけつつ、補助配線層１７の幅を太くすることができる。したがって、開口率を低下させることなく高集積化を図り、かつ、表示領域１１０において輝度がより均質化された画像を表示することができる。なお、本発明では、間隔Ｄ２が間隔Ｄ１よりも大きな値となっているが、このこと自体が表示性能を劣化させる直接の要因とはならない。画素１の配列ピッチ、および各有機発光素子１０の配列ピッチをより均質に揃えることによって、より均質性に優れた画像が得られる。
【００５８】
また、本実施の形態の表示装置の製造方法によれば、補助配線層１７に対応する領域を覆い、かつ、画素領域１７Ｒに対応した開口Ｍ１Ｋを有する高強度な共通マスクＭ１を用いて、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通する正孔輸送層１４１および電子輸送層１４３をそれぞれ一括形成することができる。このため、高集積化した場合であっても高精度な寸法を有し、良好な表示性能を発揮する表示装置を効率的に製造することができる。
【００５９】
［変形例］
次に、図１５を参照して、本実施の形態の変形例について説明する。なお、上記実施の形態における構成要素と実質的に同一のものについては同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００６０】
図１５は、本変形例としての表示装置に含まれる画素１Ｂの断面構成を表すものであり、図４に対応している。上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通する共通層として正孔輸送層１４１および電子輸送層１４３を一括形成するようにしたが、本変形例では、さらに（青色）発光層１４２Ｂを共通層とするものである。
【００６１】
このような画素１Ｂを形成する際には、まず、上記実施の形態と同様にして正孔輸送層１４１、（赤色）発光層１４２Ｒ、および（緑色）発光層１４２Ｇを順次形成する。そののち、共通マスクＭ１を用いて、それら全体を覆うように（青色）発光層１４２Ｂと、電子輸送層１４３とを順次を形成することにより有機層１４を作製すればよい。
【００６２】
本変形例によれば、製造プロセスがより簡素化されて生産効率が向上するうえ、有機層１４の作製に要する有機材料の総量を削減することができる。
【実施例】
【００６３】
本発明の実施例について説明する。
【００６４】
上記実施の形態の表示装置の製造方法により、表示領域（画面）の寸法が対角２６インチ（６６０ｍｍ）であり、画素数（解像度）が１９２０×１０８０ドットである表示装置を作製した。この場合、Ｘ方向における画素のピッチは平均で３００μｍ程度である。
【００６５】
本実施例では、共通マスクＭ１および個別マスクＭ２として、寸法精度が±１５μｍのものを用いた。ここでいう寸法精度とは、共通マスクＭ１および個別マスクＭ２を製造する際の加工精度、開口Ｍ１Ｋ，Ｍ２Ｋの位置精度、および有機層１４を成膜する際のアライメント精度をすべて含む概念である。また、補助電極層１７のＸ方向の幅を６μｍとした。作製する各有機発光素子の寸法は５８ｍｍ×２３４ｍｍとした。個別マスクＭ２の開口Ｍ２Ｋの寸法は、各有機発光素子１０の寸法および個別マスクＭ２の寸法精度から８８μｍ×２６４μｍとなった。また、共通マスクＭ１の開口Ｍ１Ｋの寸法は、各有機発光素子１０の寸法および共通マスクＭ１の寸法精度から２６４μｍ×２６４μｍとなった。共通マスクＭ１において、開口Ｍ１Ｋ同士の間隔は３６μｍとなるので、十分な強度を確保できた。
【００６６】
この結果、有機発光素子１０同士の間隔Ｄ１は３０μｍ、画素１同士の間隔Ｄ２は６６μｍとすることができた。また、開口率については、４５％となり、共通マスクＭ１を用いた場合でも十分な大きさを確保できることが確認できた。
【００６７】
（モジュールおよび適用例）
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００６８】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図１６に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１１の一辺に、封止用基板１９から露出した領域２１０を設け、この領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００６９】
（適用例１）
図１７は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７０】
（適用例２）
図１８は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７１】
（適用例３）
図１９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７２】
（適用例４）
図２０は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７３】
（適用例５）
図２１は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７４】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法や成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、第１電極層１３は、ＩＴＯまたはＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物）により構成されていてもよい。また、第１電極層１３は、誘電体多層膜を有するようにすることもできる。
【００７５】
また、上記実施の形態では、正孔輸送層１４１および電子輸送層１４３の双方を、それぞれ共通層としたが、いずれか一方のみを共通層としてもよい。また、補助配線層１７は、下部電極（第１電極層１３）と共に一括形成する場合に限定されず、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２を構成する金属層と共に一括形成するようにしてもよい。あるいは、独立した工程において形成するようにしてもよい。また、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを全て同一の寸法としてもよいし、互いに異なる寸法としてもよい。
【００７６】
加えてまた、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、第１電極層１３と有機層１４との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2 Ｏ3 ），ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide：インジウム（Ｉｎ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物混合膜）などからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。
【００７７】
加えてまた、上記各実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【符号の説明】
【００７８】
１…画素、１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）…有機発光素子、１１…基体、１１１…基板、１１２…画素駆動回路形成層、１２…発光素子形成層、１３…第１電極層、１３１…第１導電層、１３２…第２導電層、１４…有機層、１４１…正孔輸送層、１４２（１４２Ｒ，１４２Ｇ，１４２Ｂ）…発光層、１４３…電子輸送層、１６…第２電極層、１７…補助配線層、１７Ｒ…画素領域、１８…保護膜、１９…封止基板、２０…発光領域、２４…素子分離層、１２４…接続孔、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１２０Ａ…信号線、１３０…走査線駆動回路、１３０Ａ…走査線、１４０…電源供給線駆動回路、１４０Ａ…電源供給線、１５０…画素駆動回路、２１７…保護膜（パッシベーション膜）、２１８…平坦化膜、Ｃｓ…キャパシタ（保持容量）、Ｍ１…共通マスク、Ｐ１…第１端部、Ｐ２…第２端部、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書込トランジスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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