(57)【要約】【課題】配線板の信頼性を向上させる。【解決手段】配線板は、キャビティが形成された基板と、キャビティに収容された電子部品と、基板の第１面に、キャビティの開口を囲むように形成された第１導体パターンと、第１導体パターンの周囲に形成された第２導体パターンと、第１面に、第１導体パターン、第２導体パターンおよびキャビティの開口を覆うように形成された絶縁層と、を有する。第１導体パターンには、第２導体パターン側からキャビティの開口側へ通じるスリットが形成されている。【選択図】図１
2011216740.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティが形成された基板と、
前記キャビティに収容された電子部品と、
前記基板の第１面に、前記キャビティの開口を囲むように形成された第１導体パターンと、
前記第１導体パターンの周囲に形成された第２導体パターンと、
前記第１面に、前記第１導体パターン、前記第２導体パターンおよび前記キャビティの開口を覆うように形成された絶縁層と、
を有し、
前記第１導体パターンには、前記第２導体パターン側から前記キャビティの開口側へ通じるスリットが形成されている配線板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線板において、
前記電子部品と、前記キャビティの内壁との間に前記絶縁層から流出した樹脂が充填されている。
【請求項３】
請求項１に記載の配線板において、
前記第１導体パターンの厚みと、前記第２導体パターンの厚みはほぼ等しい。
【請求項４】
請求項１に記載の配線板において、
前記第１導体パターンの形状は、前記キャビティの開口形状と相似する。
【請求項５】
請求項４に記載の配線板において、
前記スリットは、前記電子部品から遠いところに優先的に形成されている。
【請求項６】
請求項１に記載の配線板において、
前記キャビティの開口形状は矩形であり、
前記スリットは、前記キャビティの開口のコーナー近傍に形成されている。
【請求項７】
請求項１に記載の配線板において、
前記第１導体パターンの側壁は、前記基板に形成された前記キャビティの内壁と略同一面内に形成されている。
【請求項８】
請求項１に記載の配線板において、
前記基板に形成された前記キャビティの内壁は、前記第１導体パターンの内側にある。
【請求項９】
請求項１に記載の配線板において、
前記キャビティは、前記基板を貫通する孔であり、
前記第１面とは反対側の前記基板の第２面に、前記第２面における前記キャビティの開口を囲むように形成された第３導体パターンを有する。
【請求項１０】
請求項１に記載の配線板において、
前記電子部品の厚みと、前記基板の厚みはほぼ等しい。
【請求項１１】
請求項１に記載の配線板において、
前記第１面と、前記電子部品の端子が形成された面とは、同一面内にある。
【請求項１２】
基板に、前記電子部品を収容するキャビティを形成することと、
前記基板の第１面に、スリットが形成されるとともに前記キャビティの開口を囲む第１導体パターンと、前記第１導体パターンの周囲に配置される第２導体パターンを形成することと、
前記第１面に、前記第１導体パターン、前記第２導体パターンおよび前記キャビティの開口を覆う絶縁層を形成することと、
を含み、
前記スリットは、前記第１導体側から前記キャビティの開口側へ通じている配線板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の配線板の製造方法において、
前記電子部品と、前記キャビティの内壁との間に前記絶縁層から流出した樹脂を充填することを含む。
【請求項１４】
請求項１２に記載の配線板の製造方法において、
前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンを、それぞれの厚みが等しくなるように形成する。
【請求項１５】
請求項１２に記載の配線板の製造方法において、
前記キャビティの開口形状と相似する形状の前記第１導体パターンを形成する。
【請求項１６】
請求項１５に記載の配線板の製造方法において、
前記スリットを、前記電子部品から遠いところに優先的に形成する。
【請求項１７】
請求項１２に記載の配線板の製造方法において、
前記キャビティを、その開口形状が矩形となるように形成し、
前記スリットを、前記キャビティの開口のコーナー近傍に形成する。
【請求項１８】
請求項１２に記載の配線板の製造方法において、
前記第１導体パターンを、その側壁と、前記基板に形成された前記キャビティの内壁とが略同一面内に位置するように形成する。
【請求項１９】
請求項１２に記載の配線板の製造方法において、
前記第１導体パターンを、前記基板に形成された前記キャビティの内壁が、前記第１導体パターンの内側にくるように形成する。
【請求項２０】
請求項１２に記載の配線板の製造方法において、
前記基板を貫通するキャビティを形成し、
前記第１面とは反対側の、前記基板の第２面に、前記第２面におけるキャビティの開口を囲む第３パターンを形成することを含む。
【請求項２１】
請求項１２に記載の配線板の製造方法において、
前記キャビティに、前記基板の厚みと同じ厚みの電子部品を収容する。
【請求項２２】
請求項１２に記載の配線板の製造方法において、
前記電子部品の端子が形成された面が、前記第１面と同一面内に位置するように前記電子部品を、前記キャビティに収容する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線板及び配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化、小型化の進展にともない、電子機器の内部に実装される配線板の高機能化、高集積化の要請が高くなってきている。
【０００３】
これに対し、ＩＣチップ等の電子部品を配線板内に収容する（内蔵する）技術が種々提案されている（例えば特許文献１及び２参照）。特許文献１及び２に開示された製造方法を用いることで、半導体素子の端子とビルドアップ層の配線とを適切に接続させることがでる。これにより、信頼性の高い半導体素子内蔵多層プリント配線板を製造することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２４６７５７号公報
【特許文献２】特開２００１−３３２８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献に開示された製造方法を用いて、コア材としての基板の表面に、導体パターンを覆う絶縁層を形成する場合には、絶縁層の材料となる層間材が基板の表面に積層されることになる。これらの層間材の多くは、例えばプリプレグに代表されるように、樹脂を主成分とする。このため、コア材に形成されたキャビティの内壁と、キャビティに収容される電子部品との間の隙間が大きいと、絶縁層に窪みが発生してしまうことが考えられる。特に、コア材の表面に形成された導体パターンの密度が、キャビティ周辺の領域で粗であり、それ以外の領域で密である場合には、絶縁層に発生する窪みが大きくなる傾向があると考えられる。
【０００６】
絶縁層に発生する窪みは、絶縁層上に積層形成される導体回路の断線及び短絡や、配線板の層間に生じるボイドの発生要因となり、ひいては配線板の信頼性が低下する要因となる。本発明は、上述の事情の下になされたものであり、配線板の信頼性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の観点に係る配線板は、キャビティが形成された基板と、前記キャビティに収容された電子部品と、前記基板の第１面に、前記キャビティの開口を囲むように形成された第１導体パターンと、前記第１導体パターンの周囲に形成された第２導体パターンと、前記第１面に、前記第１導体パターン、前記第２導体パターンおよび前記キャビティの開口を覆うように形成された絶縁層と、を有し、前記第１導体パターンには、前記第２導体パターン側から前記キャビティの開口側へ通じるスリットが形成されている。
【０００８】
本発明の第２の観点に係る配線板の製造方法は、基板に、前記電子部品を収容するキャビティを形成することと、前記基板の第１面に、スリットが形成されるとともに前記キャビティの開口を囲む第１導体パターンと、前記第１導体パターンの周囲に配置される第２導体パターンを形成することと、前記第１面に、前記第１導体パターン、前記第２導体パターンおよび前記キャビティの開口を覆う絶縁層を形成することと、を含み、前記スリットは、前記第１導体側から前記キャビティの開口側へ通じている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板の上面に、キャビティの開口を囲むように第１導体パターンが形成される。これにより、絶縁層が大きく湾曲することがなくなる。また、この第１導体パターンには、第２導体パターン側からキャビティの開口側へ通じるスリットが形成される。これにより、絶縁層が形成される際に、第１導体パターンの外側にある樹脂の一部が、スリットを通過して、第１導体パターン１０の内側に移動する。このため、第１導体パターンの内側と外側とで絶縁層の厚みが等しくなり、結果的に平坦な絶縁層が形成される。その結果、配線板の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】電子部品内蔵配線板の概略断面図である。
【図２】電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３】電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図４】電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図５】電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図６】電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図７】電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図８】電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図９】電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１０】電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１１】電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１２】電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１３】電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１４】電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１５】電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１６】ビルドアップ多層プリント配線板を示す図である。
【図１７】変形例に係る電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１８】変形例に係る電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１９】変形例に係る電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図２０】変形例に係る電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図２１】導体パターンの変形例を示す図である。
【図２２】導体パターンの変形例を示す図である。
【図２３】導体パターンの変形例を示す図である。
【図２４】導体パターンの変形例を示す図である。
【図２５】導体パターンの変形例を示す図である。
【図２６】導体パターンの変形例を示す図である。
【図２７】導体パターンの変形例を示す図である。
【図２８】導体パターンの変形例を示す図である。
【図２９】導体パターンの変形例を示す図である。
【図３０】導体パターンの変形例を示す図である。
【図３１】導体パターンの変形例を示す図である。
【図３２】導体パターンの変形例を示す図である。
【図３３】変形例に係る電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３４】変形例に係る電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３５】変形例に係る電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３６】変形例に係る電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３７】変形例に係る電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３８】変形例に係る電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３９】変形例に係る電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図４０】変形例に係る電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図４１】変形例に係る電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図４２】変形例に係る電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図４３】変形例に係る電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図４４】変形例に係る電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図４５】変形例に係る電子部品内蔵配線板の製造方法を説明するための図である。
【図４６】積層配線板を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施形態を、図面を参照しつつ説明する。なお、説明にあたっては、相互に直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸からなる座標系を用いる。
【００１２】
図１は、本実施形態に係る電子部品内蔵配線板１の概略断面図である。電子部品内蔵配線板１は、基板２と、基板２に収容された電子部品３と、基板２の上下面に形成された導体パターン４，５及び層間絶縁層６，７と、層間絶縁層６，７の表面にそれぞれ形成された導体パターン８，９と、基板２の上面（＋Ｚ側の面）に形成された導体パターン１０と、基板２の下面（−Ｚ側の面）に形成された導体パターン１１とを有する。
【００１３】
基板２は、ガラスクロス（ガラス布）、ガラス不織布、或いはアラミド不織布等の補強材（基材）に、エポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂、或いはポリイミド樹脂等を含浸させてなる基板である。この基板２は、厚さが約１１０μｍであり、中央部に、矩形のキャビティ２１が形成されている。なお、キャビティ２１は必ずしも基板２の中央に位置していなくてもよい。
【００１４】
導体パターン４，１０は、基板２の上面に形成され、導体パターン５，１１は、基板２の下面に形成されている。これらの導体パターン４，５，１０，１１それぞれは、厚さが約２０μｍである。
【００１５】
導体パターン４，５それぞれは、銅などからなり、スルーホール導体２０によって、電気的に接続されている。導体パターン１０，１１それぞれは、キャビティ２１を囲むように形成されている。詳細は後述するが、導体パターン１０は、層間絶縁層６の上面に、キャビティに沿った窪みが形成されることを防止するために用いられる。また、導体パターン１１は、電子部品３を正確に配置するために使用される。
【００１６】
電子部品３は、ＩＣチップである。この電子部品３は、基板２に形成されたキャビティ２１の内部に、端子３０が上方に位置した状態で収容されている。
【００１７】
層間絶縁層６は、基板２の上面を覆うように形成されている。層間絶縁層６は、例えば硬化したプリプレグからなり、厚さは６０μｍである。この層間絶縁層６は、基板２の上面に形成された導体パターン４，１０と、層間絶縁層６の上面に形成された導体パターン８とを電気的に絶縁する。
【００１８】
プリプレグは、例えばグラスファイバ又はアラミドファイバに、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を含浸させることにより形成される。
【００１９】
層間絶縁層７は、基板２の下面を覆うように形成されている。層間絶縁層７は、層間絶縁層６と同様に、例えば硬化したプリプレグからなり、厚さは６０μｍである。この層間絶縁層７は、基板２の下面に形成された導体パターン５，１１と、層間絶縁層７の下面に形成された導体パターン９とを電気的に絶縁する。
【００２０】
層間絶縁層６及び７の材料としては、プリプレグに代えて、液状又はフィルム状の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはＲＣＦ（Resin Coated copper Foil）を用いることもできる。ここで、熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、イミド樹脂（ポリイミド）、ＢＴ樹脂、アリル化フェニレンエーテル樹脂、アラミド樹脂などを用いることができる。また、熱可塑性樹脂としては、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＰＥＥＫ樹脂、ＰＴＦＥ樹脂（フッ素樹脂）などを用いることができる。これらの材料は、例えば絶縁性、誘電特性、耐熱性、機械的特性等の観点から、必要性に応じて選ぶことが望ましい。また、上記樹脂には、添加剤として、硬化剤、安定剤、フィラーなどを含有させることもできる。
【００２１】
導体パターン８は、層間絶縁層６の上面に形成されている。この導体パターン８は、ビア導体６０によって、導体パターン４及び電子部品３の端子３０と電気的に接続されている。
【００２２】
導体パターン９は、層間絶縁層７の下面に形成されている。この導体パターン９は、ビア導体７０によって、導体パターン５と電気的に接続されている。導体パターン８，９は、銅などからなり、その厚さは、共に約２０μｍである。
【００２３】
次に、図２〜図１４を参照して、この電子部品内蔵配線板１の製造方法を説明する。
【００２４】
先ず、図２に示されるように、厚さ約１１０μｍの基板２と、この基板２の表面に貼り付けられた厚さ約１２μｍの銅箔１０１，１０２からなる銅張積層板１１０を準備する。
【００２５】
次に、図３に示されるように、銅張積層板１１０にドリル等を用いて、スルーホール１０３を形成する。続いて、デスミア処理を行う。これにより、スルーホール１０３の内面に残留するスミア等が除去される。
【００２６】
次に、銅張積層板１１０に、無電解銅めっき及び電解銅めっきを施す。これにより、図４に示されるように、銅張積層板１１０の表面と、スルーホール１０３の内壁面に、銅めっき膜１０４が形成される。スルーホール１０３の内壁面に形成された銅めっき膜１０４は、スルーホール導体２０となる。
【００２７】
次に、例えばサブトラクティブ法を実施して、基板２の表面の銅箔１０１，１０２、及び銅めっき膜１０４のパターニングを行う。これにより、図５に示されるように、基板２の表面に、導体パターン４，５と、図１における導体パターン１０，１１を含む導体パターン１０ａ，１１ａが形成される。
【００２８】
図１２は、基板２と、導体パターン１０ａとの関係を説明するための図である。図１２に示されるように、導体パターン１０ａは、電子部品３の上面の面積より大きくなるように形成される。具体的には、導体パターン１０ａの面積は、電子部品３の外縁の輪郭を所定長Ｌ（約５０μｍ）広げた面積と等しい。
【００２９】
図５に示されるように、導体パターン１１ａは、基板２の下面に形成される。この導体パターン１１ａは、導体パターン１０ａと同様に、その面積が、電子部品３の外縁の輪郭を所定長Ｌ（約５０μｍ）広げた面積と等しい。
【００３０】
次に、図６に示されるように、ドリル等を用いて、電子部品３を収容するためのキャビティ２１を形成する。このキャビティ２１のＸ軸方向及びＹ軸方向の寸法は、約８．１ｍｍである。導体パターン１０ａは、基板２にキャビティ２１が形成されることで、図１３に示されるように、キャビティ２１の外縁に沿った枠状に整形され、導体パターン１０となる。
【００３１】
導体パターン１１ａも同様に、基板２にキャビティ２１が形成されることで、キャビティ２１の外縁に沿った枠状に整形され、導体パターン１１となる。
【００３２】
次に、図１４に示されるように、エッチングによって、導体パターン１０に、当該導体パターン１０の外側から内側に通じる複数のスリットＳを形成する。このスリットＳの深さは、導体パターン１０の厚さとほぼ同じである。また、例えば、導体パターン１０全体の面積をＳ１、スリットＳが形成された導体パターン１０の面積をＳ２とすると、Ｓ２／Ｓ１が０．１〜０．５となるように、導体パターン１０にスリットＳを形成する。
【００３３】
次に、図７に示されるように、基板２の下面側にテープ２０１を貼り付ける。テープ２０１としては、紫外線が照射されると粘着性が低下し、容易に剥離可能となるＵＶテープ（例えば、リンテック株式会社のＡｄｗｉｌｌ  Ｄシリーズ等）を採用することができる。なお、仮硬化の際、８０℃以上の高熱でも粘着性が低下しない種々の接着テープ、例えば、ポリイミドテープ等を用いてもよい。
【００３４】
この際、導体パターン５と同一の厚みを有し、キャビティ２１の外縁に沿って形成された導体パターン１１が存在することで、テープ２０１が歪みなく略水平に貼り付けられる。
【００３５】
次に、電子部品３を、図８に示されるように、テープ２０１の上面（接着面）に、端子３０が上方に位置するように配置する。ここで、上述したように、テープ２０１が略水平になっているため、電子部品３は、基板２に対して、上下方向に位置ずれすることなく配置される。また、この電子部品３は、その下面から端子３０の上面までの大きさが、導体パターン１１の下面から導体パターン１０の上面までの大きさと略等しい。このため、テープ２０１の上面に配置されたときには、端子３０の上面の位置が、導体パターン１０の上面の位置とほぼ等しくなる。
【００３６】
次に、図９に示されるように、基板２の上面に、厚さ約６０μｍのフィルム状のプリプレグを、真空ラミネーション法によりラミネートする。これにより、層間絶縁層６が形成される。
【００３７】
このラミネートの際、プリプレグを構成する樹脂が、スルーホール導体２０の内部に充填される。また、プリプレグを構成する樹脂が、キャビティ２１内における電子部品３と基板２の内壁との隙間に流入する。これにより、電子部品３と基板２の内壁との隙間は、樹脂材料で充填される。
【００３８】
電子部品３と基板２の内壁との隙間に流入する樹脂は、主として電子部品３の上方のプリプレグを構成する樹脂であるが、ラミネートの際には、導体パターン１０の外側にある樹脂の一部が、導体パターン１０に形成されたスリットＳを通過して、導体パターン１０の内側に移動する。
【００３９】
更に、導体パターン１１は、基板２の下面に、キャビティ２１を囲むように形成されている。また、導体パターン１１の下面は、テープ２０１と密着している。このため、電子部品３と基板２の内壁との隙間に流入した樹脂は、導体パターン１０が壁となって遮られるため、基板２の下面側に流出することがない。
【００４０】
次に、図１０に示されるように、テープ２０１に紫外線を照射して、テープ２０１を剥離する。そして、図１１に示されるように、基板２の下面に、厚さ約６０μｍのフィルム状のプリプレグを真空ラミネーション法によりラミネートする。これにより、基板２の下面に、層間絶縁層７が形成される。また、このラミネートの際、プリプレグを構成する樹脂がスルーホール導体２０の内部に流入する。
【００４１】
次に、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等を用いて、層間絶縁層６，７にビアホールを形成する。そして、例えばアディティブ法により、導体パターン８，９とビア導体６０，７０を形成する。これにより、図１に示される電子部品内蔵配線板１が完成する。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態では、基板２の上面に、キャビティ２１を囲むように導体パターン１０が形成されている。この導体パターン１０は、例えば図９に示されるように、その上面のＺ軸方向に関する位置が、電子部品３に形成された端子３０の位置とほぼ等しい。このため、導体パターン４と端子３０との間の層間絶縁層６が下方に凸となるように湾曲することがなくなり、層間絶縁層６の上面に窪みが発生することがなくなる。
【００４３】
本実施形態では、基板２の上面に、フィルム状のプリプレグをラミネートして、層間絶縁層６を形成する際に、主として電子部品３の上方に位置するプリプレグを構成する樹脂が、キャビティ２１内における電子部品３と基板２の内壁との隙間に流入する。そして、導体パターン１０の外側にある樹脂の一部が、図１４に示されるように導体パターン１０に形成されたスリットＳを通過して、導体パターン１０の内側に移動する。このため、キャビティ２１の外縁近傍において、層間絶縁層６の厚みが均一になる。これにより、層間絶縁層６の上面が平坦になり、基板２に複数の導体パターン及び複数の層間絶縁層を精度よくビルドアップすることが可能となる。
【００４４】
本実施形態では、図１４に示されるように、導体パターン１０の全体にわたってスリットＳが形成されている。これにより、導体パターン１０の外側にある樹脂が、均一に導体パターン１０の内側に移動する。これにより、層間絶縁層６の上面が平坦になり、基板２に複数の導体パターン及び複数の層間絶縁層を精度よくビルドアップすることが可能となる。併せて、電子部品３とキャビティ２１の内壁との間に、良好に樹脂を充填することが可能となる。
【００４５】
本実施形態では、導体パターン１１が、基板２の下面に、キャビティ２１を囲むように形成されている。また、導体パターン１１の下面は、テープ２０１と密着している。このため、電子部品３と基板２の内壁との隙間に流入した樹脂は、導体パターン１０に遮られるため、基板２の下面側に流出することがない。これにより、導体パターン１０の内側に位置する層間絶縁層６から、必要以上に樹脂が流出することがなくなり、層間絶縁層６の上面に窪みが発生することがなくなる。したがって、層間絶縁層６の上面が平坦になり、基板２に複数の導体パターン及び複数の層間絶縁層を精度よくビルドアップすることが可能となる。
【００４６】
本実施形態では、略水平に貼付されたテープ２０１により、電子部品３がキャビティ２１の内部で略水平に保持される。これにより、層間絶縁層６の表面の平坦性が確保される。その結果、層間絶縁層６上に導体パターン８をファインに形成することができる。また、ビア導体６０が精度良く形成される。したがって、電子部品３の端子３０とビア導体６０との接続信頼性が向上する。
【００４７】
本実施形態では、導体パターン１０ａ，１１ａは、基板２にキャビティ２１が形成されることで、図１３を参照するとわかるように、キャビティ２１の外縁に沿った枠状に整形され、導体パターン１０，１１となる。これに限らず、図１５に示されるように、キャビティ２１を形成する前に、予め導体パターン１０，１１を形成しておいてもよい。この場合、導体パターン４，５を形成する工程で導体パターン１０，１１も形成するのが好ましい。また、その工程において、スリットＳを同時に形成してもよい。
【００４８】
図１６は、図１に示される電子部品内蔵配線板１を、さらに多層化することで得られるビルドアップ多層プリント配線板１Ａを示す図である。このビルドアップ多層プリント配線板１Ａの製造工程を簡単に説明する。
【００４９】
先ず、電子部品内蔵配線板１の上面及び下面上に、それぞれ層間絶縁層６０１及び６０２を形成する。そして、電子部品内蔵配線板１に形成されている導体パターン８，９に達するスルーホールを層間絶縁層６０１，６０２に設ける。
【００５０】
次に、層間絶縁層６０１及び６０２上に、それぞれ導体パターン６０３及び６０４を形成する。その際、同時に層間絶縁層６０１及び６０２に形成したスルーホールに、それぞれビア導体６０５及び６０６を形成する。これにより、導体パターン６０３と導体パターン８が電気的に接続される。また、導体パターン６０４と導体パターン９が電気的に接続される。
【００５１】
同様に、層間絶縁層６０７，６０８、導体パターン６０９，６１０、ビア導体６１１，６１２を形成する。
【００５２】
次に、基板の上下面に液状又はドライフィルム状の感光性レジスト（ソルダーレジスト）を塗布又はラミネートする。そして、所定のパターンが形成されたマスクフィルムを感光性レジストの表面に密着させる。続いて、感光性レジストを、紫外線で露光し、アルカリ水溶液で現像する。
【００５３】
これにより、導体パターン６０９，６１０のはんだパッドとなる部分を露出させるための開口部が設けられたソルダーレジスト層６１３，６１４が形成される。以上の手順によって、図１６に示されるビルドアップ多層プリント配線板１Ａが完成する。
【００５４】
本実施形態では、図８に示されるように、電子部品３を、端子３０が上方に位置した状態で、キャビティ２１に収容するフェイスアップ方式を用いて、電子部品内蔵配線板１を製造した。これに限らず、電子部品３を、端子３０が下方に位置した状態で、キャビティ２１に収容するフェイスダウン方式を用いて、電子部品内蔵配線板１を製造してもよい。
【００５５】
この場合、図７に示されるように、基板２の下面側にテープ２０１を貼付した後、図１７に示されるように、電子部品３を、端子３０が下方に位置した状態で、テープ２０１の上面に配置する。
【００５６】
次に、図１８に示されるように、基板２の上面に、厚さ約６０μｍのフィルム状のプリプレグを、真空ラミネーション法によりラミネートする。これにより、層間絶縁層６が形成される。
【００５７】
次に、図１９に示されるように、テープ２０１に紫外線を照射して、テープ２０１を剥離する。そして、図２０に示されるように、基板２の下面に、フィルム状のプリプレグを真空ラミネーション法によりラミネートする。これにより、基板２の下面に、層間絶縁層７が形成される。
【００５８】
次に、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等を用いて、層間絶縁層６，７にビアホールを形成する。そして、例えばアディティブ法により、導体パターン８，９とビア導体６０，７０を形成する。
【００５９】
上記各実施形態では、導体パターン１０は、図１４に示されるように、キャビティ２１の外縁に沿って形成され、導体パターン１０の内側の側面と、キャビティ２１の内壁面とが同一面内に位置している。これに限らず、図２１に示されるように、導体パターン１０の内側の側面が、キャビティ２１から離れたところに位置するように、導体パターン１０を形成してもよい。この場合、導体パターン１０の内側の側面と、キャビティ２１の内壁面との距離は、５０μｍ以下であることが望ましい。
【００６０】
以下、図２１に示される導体パターン１０を有する電子部品内蔵配線板１の製造方法を、図３３〜図３８を参照しつつ説明する。
【００６１】
先ず、図３３に示されるように、厚さ約１１０μｍの基板２と、この基板２の表面に貼り付けられた厚さ約１２μｍの銅箔１０１，１０２からなる銅張積層板１１０を準備する。
【００６２】
次に、図３４に示されるように、銅張積層板１１０にドリル等を用いて、スルーホール１０３を形成する。続いて、デスミア処理を行う。これにより、スルーホール１０３の内面に残留するスミア等が除去される。
【００６３】
次に、銅張積層板１１０に、無電解銅めっき及び電解銅めっきを施す。これにより、図３５に示されるように、銅張積層板１１０の表面と、スルーホール１０３の内壁面に、銅めっき膜１０４が形成される。スルーホール１０３の内壁面に形成された銅めっき膜１０４は、スルーホール導体２０となる。
【００６４】
次に、例えばサブトラクティブ法を実施して、図３６に示されるように、矩形枠状の導体パターン１０，１１と、導体パターン１０，１１とに囲まれる長方形の導体パターン１０ｂ，１１ｂが形成されるように、基板２の表面の銅箔１０１，１０２、及び銅めっき膜１０４のパターニングを行う。
【００６５】
次に、図３７の矢印ａに示されるように、導体パターン１０と導体パターン１０ｂとの隙間に照射されるレーザ光を、導体パターン１０ｂの外縁に沿って移動させながら、基板２を導体パターン１０ｂの外縁に沿ってカットする。これにより、図３８に示されるように、導体パターン１０の内側に、キャビティ２１が形成される。
【００６６】
以降、先に述べた手順で、導体パターン１０にスリットを形成し、キャビティ２１に電子部品を収容した後に、絶縁層及び導体パターンをビルドアップする。これによって、電子部品内蔵配線板１が完成する。
【００６７】
この電子部品内蔵配線板１においても、フィルム状のプリプレグをラミネートする際に、導体パターン１０の外側にある樹脂の一部が、導体パターン１０に形成されたスリットＳを通過して、導体パターン１０の内側に移動する。このため、キャビティ２１の外縁近傍において、層間絶縁層６の厚みが均一になる。これにより、層間絶縁層６の上面が平坦になり、基板２に複数の導体パターン及び複数の層間絶縁層を精度よくビルドアップすることが可能となる。但し、この場合のキャビティ２１の内壁面から導体パターン１０の内壁面までの距離は、導体パターン１０のライン幅より短いことが望ましい。
【００６８】
導体パターン１０は、図２２に示されるように、キャビティ２１の上方（内側）に若干はみ出していてもよい。導体パターン１０を、図２２に示されるような形状に形成するためには、上記実施形態に比べ、やや複雑な工程を必要とする。しかし、キャビティ２１の外縁近傍で、層間絶縁層６が窪むことを効果的に回避することができる。
【００６９】
上記実施形態では、キャビティ２１が正方形である場合について説明した。これに限らず、例えば図２３に示されるように、キャビティ２１は、円形や楕円形であってもよい。また、キャビティ２１を囲むように形成された導体パターン１０も、その形状が、円形や楕円形、或いは多角形であってもよい。
【００７０】
導体パターン１０の形状は、キャビティ２１の形状と同一でなくてもよい。例えば図２４に示されるように、長方形のキャビティ２１を囲むように、楕円形の導体パターン１０を形成してもよい。また、導体パターン１０のライン幅は、図２５に示されるように、均一でなくてもよい。
【００７１】
上記実施形態では、導体パターン１０に形成されたスリットＳを、エッチング処理を行うことにより形成した。これに限らず、導体パターン１０ａ或いは導体パターン１０に対してレーザエッチング処理を行って、スリットＳを形成してもよい。
【００７２】
導体パターン１０に形成されるスリットＳは、図２６に示されるように、導体パターン１０のコーナー部分に形成されていてもよい。キャビティ２１が矩形の場合には、電子部品３の四隅近傍に、樹脂が十分に充填されないことがある。導体パターン１０のコーナー部分にスリットＳを形成すると、電子部品３の四角近傍に、十分な樹脂を流入させることが可能となる。
【００７３】
上記実施形態では、スリットＳは、導体パターン１０の全体に形成されている。これに限らず、例えば図２７に示されるように、導体パターン１０のコーナー近傍に優先的に形成されていてもよい。また、図２８に示されるように、導体パターン１０のコーナー部分にのみ形成されていてもよい。これにより、電子部品３の四角近傍に、十分な樹脂を流入させることができる。
【００７４】
導体パターン１０が、円形や楕円形のキャビティ２１の外縁に沿って形成されている場合には、例えば図２９に示されるように、スリットＳを、電子部品３から遠い位置に優先的に形成してもよい。
【００７５】
上記実施形態では、スリットＳは、導体パターン１０に沿って、等間隔に形成されている。これに限らず、スリットＳは、例えば図３０に示されるように、キャビティ２１の−Ｘ側或いは＋Ｘ側といったように、キャビティ２１の両側にのみ形成されていてもよい。また、例えば図３１に示されるように、スリットＳは、不規則なピッチで、導体パターン１０に形成されていてもよい。
【００７６】
例えば図３２に示されるように、スリットＳは、導体パターン１０の外側から内側に向かうにつれて幅が狭くなるように形成されていてもよい。
【００７７】
スリットＳは、導体パターン１０の上面から下面に達するように形成されていてもよい。また、導体パターン１０の上面から適当な深さとなるように形成されていてもよい。
【００７８】
導体パターン１０と導体パターン１１とは、例えば図３９に示されるように、キャビティ２１の内壁面に形成された銅めっき膜７００によって、電気的に接続されていてもよい。銅めっき膜７００は、例えばキャビティ２１に収容される電子部品３のシールド等に利用することができる。
【００７９】
上記実施形態では、導体パターン１０、１１は、他の導体パターンと電気的に接続されていないダミーパターンであるものとした。これに限らず、導体パターン１０、１１は、他の導体パターン４，５と電気的に接続されていてもよい。これによって、電気回路の一部を構成してもよい。また、グランド導体として使用されてもよい。
【００８０】
基板２に収容する電子部品３は、ＩＣチップ等の半導体素子に限定されない。例えば、図４０〜図４３に示されるように、上記実施形態と同様の手順で、コンデンサＣを基板２に収容してもよい。
【００８１】
上記実施形態では、基板２は、ガラスクロス（ガラス布）、ガラス不織布、或いはアラミド不織布等の補強材（基材）に、エポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂、或いはポリイミド樹脂等を含浸させてなる基板であるものとした。これに限らず、キャビティ２１が形成される基板２は、図４４に示されるように、内部に導体パターン２ａが形成された基板であってもよい。
【００８２】
基板２に形成されたキャビティ２１には、図４５に示されるように、フリップチップを電子部品３として収容してもよい。この場合にも、基板２の上面に、フィルム状のプリプレグをラミネートして、層間絶縁層６を形成する際に、主として電子部品３の上方に位置するプリプレグを構成する樹脂が、キャビティ２１内における電子部品３と基板２の内壁との隙間に流入する。そして、導体パターン１０の外側にある樹脂の一部が、導体パターン１０に形成されたスリットＳを通過して、導体パターン１０の内側に移動する。このため、キャビティ２１の外縁近傍において、層間絶縁層６の厚みが均一になる。
【００８３】
また、電子部品３は、積層配線板を構成する基板に形成されたキャビティ２１に収容されていてもよい。例えば図４６は、基板２と基板２５０とを有する積層配線板２３０を示す図である。図４６に示されるように、この積層配線板２３０は、電子部品３が内蔵されるとともに導体パターン４，５が形成された基板２と、導体パターン２５１，２５２とが形成された基板２５０とを、層間絶縁層７を介して一体化し、その後、層間絶縁層６，２５３、導体パターン８，２５４、基板２，２５０に形成された導体パターン同士を電気的に接続するスルーホール導体２６０等を形成することにより、製造することができる。
【００８４】
上記実施形態では、層間絶縁層６を形成する際に、電子部品３とキャビティ２１の内壁との隙間が、層間絶縁層６を構成する樹脂材料で充填され、これにより、電子部品３が固定される。これに限らず、他の方法で電子部品３を、基板２に対して固定してもよい。例えば、層間絶縁層６を形成する前に、例えば、熱硬化性樹脂と無機フィラーからなる絶縁性樹脂を電子部品３と基板２の内壁との隙間に充填して、電子部品３を基板２に対して固定してもよい。
【００８５】
上記実施形態では、基板２の下面に導体パターン１１が形成されている。これに限らず、導体パターン１１は、必ずしも形成されていなくてもよい。
【００８６】
上記実施形態では、基板２にドリル等を用いて、スルーホール１０３を形成した。これに限らず、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザやエキシマレーザ等を用いて、スルーホール１０３を形成してもよい。
【００８７】
上記実施形態では、基板２にドリル等を用いて、電子部品３が収容されるキャビティ２１を形成した。これに限らず、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザやエキシマレーザ等を用いて、キャビティ２１を形成してもよい。
【００８８】
上記実施形態では、キャビティ２１は、基板２を貫通する孔であるものとした。これに限らず、キャビティ２１は、上方のみが開放された凹部であってもよい。
【００８９】
本発明は、本発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施形態は、本発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない
【符号の説明】
【００９０】
１  電子部品内蔵配線板
１Ａ  ビルドアップ多層プリント配線板
２  基板
３  電子部品
４，５，８，９，１０，１０ａ，１１，１１ａ，１２  導体パターン
６，７  層間絶縁層
２０  スルーホール導体
２１  キャビティ
３０  端子
６０，７０  ビア導体
１０１，１０２  銅箔
１０３  スルーホール
１０４  銅めっき膜
１１０  銅張積層板
２０１  テープ
２３０  積層配線板
２５０  基板
２５１，２５２，２５４  導体パターン
２５３  層間絶縁層
２６０  スルーホール導体
６０１，６０２，６０７，６０８  層間絶縁層
６０３，６０４，６０９，６１０  導体パターン
６０５，６０６，６１１，６１２  ビア導体
６１３  ソルダーレジスト層
６１４  ソルダーレジスト層
７００  銅めっき膜
Ｓ  スリット。
Ｃ  コンデンサ
【図１】
2011216740.tif 000003
【図２】
2011216740.tif 000004
【図３】
2011216740.tif 000005
【図４】
2011216740.tif 000006
【図５】
2011216740.tif 000007
【図６】
2011216740.tif 000008
【図７】
2011216740.tif 000009
【図８】
2011216740.tif 000010
【図９】
2011216740.tif 000011
【図１０】
2011216740.tif 000012
【図１１】
2011216740.tif 000013
【図１２】
2011216740.tif 000014
【図１３】
2011216740.tif 000015
【図１４】
2011216740.tif 000016
【図１５】
2011216740.tif 000017
【図１６】
2011216740.tif 000018
【図１７】
2011216740.tif 000019
【図１８】
2011216740.tif 000020
【図１９】
2011216740.tif 000021
【図２０】
2011216740.tif 000022
【図２１】
2011216740.tif 000023
【図２２】
2011216740.tif 000024
【図２３】
2011216740.tif 000025
【図２４】
2011216740.tif 000026
【図２５】
2011216740.tif 000027
【図２６】
2011216740.tif 000028
【図２７】
2011216740.tif 000029
【図２８】
2011216740.tif 000030
【図２９】
2011216740.tif 000031
【図３０】
2011216740.tif 000032
【図３１】
2011216740.tif 000033
【図３２】
2011216740.tif 000034
【図３３】
2011216740.tif 000035
【図３４】
2011216740.tif 000036
【図３５】
2011216740.tif 000037
【図３６】
2011216740.tif 000038
【図３７】
2011216740.tif 000039
【図３８】
2011216740.tif 000040
【図３９】
2011216740.tif 000041
【図４０】
2011216740.tif 000042
【図４１】
2011216740.tif 000043
【図４２】
2011216740.tif 000044
【図４３】
2011216740.tif 000045
【図４４】
2011216740.tif 000046
【図４５】
2011216740.tif 000047
【図４６】
2011216740.tif 000048