(57)【要約】【課題】  薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした単結晶シリコン太陽電池を、シースルー型太陽電池として提供する。【解決手段】  単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入する工程と、透明絶縁性基板に集電電極パターンを形成する工程と、前記集電電極パターンを埋め込むように透明樹脂層を形成する工程と、前記集電電極パターンを露出させ、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板上の前記透明樹脂層の表面とを、前記集電電極パターンが前記単結晶シリコン基板と接触するようにして密着させる工程と、前記透明樹脂層を硬化させて両基板を貼り合わせる工程と、前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層にｐｎ接合を形成する工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。【選択図】  図１
2011216920.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、透明絶縁性基板と、集電電極パターンが埋め込まれたシリコーン樹脂からなる透明硬化樹脂層と、ｐｎ接合が形成された単結晶シリコン層と、電極とが順次積層され、前記集電電極パターンが前記単結晶シリコン層と接合界面を有し、前記透明絶縁性基板は、石英ガラス、結晶化ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラスのいずれかであり、前記集電電極パターンは、タングステン、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、ニッケルのうち少なくとも一種を含有するものであり、前記単結晶シリコン層の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする単結晶シリコン太陽電池。
【請求項２】
前記単結晶シリコン太陽電池は、一方の面側から見たときに、他方の面側が透けて見えるものであることを特徴とする請求項１に記載の単結晶シリコン太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池に関するものであり、特に透明絶縁性基板上に単結晶シリコン層を形成する単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
珪素を主原料とする太陽電池は、その結晶性により単結晶シリコン太陽電池、多結晶シリコン太陽電池、非晶質シリコン太陽電池に分類される。このうち、単結晶シリコン太陽電池は、結晶引上げによる単結晶インゴットをワイヤーソーによりウエーハ状に切り出し、１００〜２００μｍ厚のウエーハに加工し、これにｐｎ接合、電極、保護膜等を形成して太陽電池セルとしている。
【０００３】
多結晶シリコンでは、結晶引き上げによらず、鋳型にて溶融金属珪素を結晶化させることで多結晶のインゴットを製造し、これを単結晶シリコン太陽電池と同様にワイヤーソーによりウエーハ状に切り出し、同様に１００〜２００μｍ厚のウエーハとし、単結晶シリコン基板と同様にｐｎ接合、電極、保護膜を形成して太陽電池セルとしている。
【０００４】
非晶質シリコン太陽電池では、例えば、プラズマＣＶＤ法により、シランガスを気相中で放電により分解することで、基板上に非晶質の水素化珪素膜を形成し、これにドーピングガスとしてジボラン、ホスフィン等を添加し、同時に堆積させることで、ｐｎ接合と成膜工程を同時に行い、電極、保護膜を形成して太陽電池セルとしている。非晶質シリコン太陽電池では、非晶質シリコンが直接遷移型として入射光を吸収するため、その光吸収係数は単結晶及び多結晶シリコンのそれと比べおよそ一桁高い（非特許文献１）ことで、非晶質シリコン層の厚さは結晶系の太陽電池に比べておよそ１００分の１の膜厚の１μｍ前後で十分であるという利点がある。近年、太陽電池の生産量が世界で年間１ギガワットを越し、今後更に生産量が伸びることを考えると、資源を有効に活用できる薄膜の非晶質シリコン太陽電池に対する期待は大きい。
【０００５】
しかし、非晶質シリコン太陽電池の製造には、原料にシランやジシラン等の高純度のガス原料を用いることや、そのガス原料の有効利用率はプラズマＣＶＤ装置内で基板以外に堆積するものもあることなどの事情から、結晶系太陽電池に必要な膜厚との単純な比較で資源の有効利用率を決定することはできない。また、結晶系太陽電池が変換効率において１５％前後であるのに対して、非晶質シリコン太陽電池は１０％前後であり、更に、光照射下における出力特性劣化の問題が依然残されている。
【０００６】
そこで、結晶系シリコン材料を用いて薄膜太陽電池を開発する試みが種々なされている（非特許文献２）。例えば、アルミナ基板やグラファイト基板等にトリクロロシランガスやテトラクロロシランガス等を用いて多結晶の薄膜を堆積させるものである。この堆積膜には結晶欠陥が多く、そのままでは変換効率が低いので、変換効率を向上させるために、帯域溶融を行い、結晶性を改善する必要がある（例えば特許文献１参照）。しかし、このような帯域溶融による方法をとっても、結晶粒界でのリーク電流及びライフタイムの低下により長波長域での光電流応答特性が低下する等の問題があった。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−３４２９０９号公報
【非特許文献１】高橋清、浜川圭弘、後川昭雄編著、「太陽光発電」、森北出版、１９８０年、２３３頁
【非特許文献２】高橋清、浜川圭弘、後川昭雄編著、「太陽光発電」、森北出版、１９８０年、２１７頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、シリコン太陽電池において、その原料となる珪素の有効活用を図るために光変換層を薄膜とするとともに、変換特性に優れ、更に光照射による劣化の少ない単結晶シリコン太陽電池を、家屋等の採光用窓材料としても使用可能な、受光した可視光のうち一部を透過するシースルー型太陽電池として提供すること、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的達成のため、本発明は、透明絶縁性基板上に、光変換層として単結晶シリコン層が配置されている単結晶シリコン太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、透明絶縁性基板と第一導電型の単結晶シリコン基板とを用意する工程と、前記単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入して、イオン注入層を形成する工程と、前記透明絶縁性基板の一方の表面に集電電極パターンを形成する工程と、前記透明絶縁性基板の前記集電電極パターンを形成した表面上に、前記集電電極パターンを埋め込むように透明樹脂層を形成する工程と、前記集電電極パターンを露出させ、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板上の前記透明樹脂層の表面とを、前記集電電極パターンが前記単結晶シリコン基板と接触するようにして密着させる工程と、前記透明樹脂層を硬化させて透明硬化樹脂層とすると共に、前記単結晶シリコン基板と前記透明絶縁性基板とを貼り合わせる工程と、前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層に前記第一導電型とは異なる導電型である第二導電型の拡散層を形成してｐｎ接合を形成する工程と、前記単結晶シリコン層上に電極を形成する工程とを含むことを特徴とする単結晶シリコン太陽電池の製造方法を提供する。
【００１０】
このような工程を含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法によって、透明絶縁性基板上に光変換層として単結晶シリコン層が配置されている単結晶シリコン太陽電池を製造することができる。
また、単結晶シリコン基板と、集電電極パターンを形成した透明絶縁性基板とを、透明樹脂層を硬化させて貼り合わせるため、両者を強固に貼り合わせることができる。従って、結合力を高める高温熱処理を施さなくても十分に強固な接合となる。また、このように接合面が強固に接合しているので、その後イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコン基板を機械的に剥離し、透明絶縁性基板上に薄い単結晶シリコン層を形成することができる。従って、剥離のための熱処理を行わなくても単結晶シリコン層の薄膜化ができる。
【００１１】
そして、このような工程を含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法によれば、光変換層としての単結晶シリコン層の形成を、単結晶シリコン基板から剥離することによって行うので、該単結晶シリコン層の結晶性を高くすることができる。その結果、太陽電池としての変換効率を高くすることができる。
また、単結晶シリコン層の形成のための単結晶シリコン基板の剥離を、加熱によらず機械剥離によって行うので、光変換層に熱膨張率の相違に基づく亀裂や欠陥が導入されることを抑制することができる。
また、シリコン層の薄い薄膜太陽電池とするので、珪素原料を節約し、有効に利用することができる。
【００１２】
この場合、前記透明絶縁性基板を、石英ガラス、結晶化ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラスのいずれかとすることが好ましい。
このように、透明絶縁性基板を、石英ガラス、結晶化ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラスのいずれかとすれば、これらは光学的特性が良好な透明絶縁性基板であり、シースルー型単結晶シリコン太陽電池を容易に製造できる。また、製造した単結晶シリコン太陽電池を既存の窓ガラス等と置換することも容易になる。
【００１３】
また、前記透明樹脂層を、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、脂環式アクリル樹脂、液晶ポリマー、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートのうち少なくとも一種を含有するものとすることが好ましい。
このように、透明樹脂層を、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、脂環式アクリル樹脂、液晶ポリマー、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートのうち少なくとも一種を含有するものとすれば、これらは接着剤としての機能を有し、可視光透過性に優れるため、硬化させて良好な透明硬化樹脂層を形成することができる。
【００１４】
また、前記透明樹脂層の硬化を、赤外線ランプ加熱、赤外線フラッシュランプ加熱、赤外線レーザー加熱、可視光ランプ照射、可視光フラッシュランプ照射、可視光レーザー照射、紫外光ランプ照射、紫外光フラッシュランプ照射、紫外光レーザー照射のうち少なくとも１つによって行うことが好ましい。
このように、透明樹脂層の硬化を上記の手法のうち少なくとも１つによって行えば、高温の熱処理を行わなくても、短時間で容易に透明樹脂層の硬化を行うことができる。
【００１５】
また、前記集電電極パターンを、タングステン、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、ニッケルのうち少なくとも一種を含有するものとすることができる。
このうち、タングステン、チタン、クロム、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、ニッケルのような高融点金属を含有するものを用いて集電電極パターンとすれば、太陽電池の製造工程中に高温熱処理があっても、集電電極パターンをより確実に形成することができる。また、集電電極パターンを、アルミニウムを含有するものとすれば、コンタクト抵抗が低く、直列抵抗が低い集電電極パターンを容易に形成することができる。
【００１６】
また、前記集電電極パターンを、単結晶シリコンに対してドナー又はアクセプターを形成する添加材料を含有するものとすることができる。
このように、集電電極パターンを、単結晶シリコンに対してドナー又はアクセプターを形成する添加材料を含有するものとすれば、熱処理により、単結晶シリコン基板の集電電極パターンとの接合界面近傍にドナー又はアクセプターの拡散領域を形成することができる。
【００１７】
さらに、前記イオン注入の深さを、イオン注入面から０．１μｍ以上５μｍ以下とすることが好ましい。
このように、イオン注入の深さを、イオン注入面から０．１μｍ以上５μｍ以下とすることにより、製造される単結晶シリコン太陽電池の光変換層としての単結晶シリコン層の厚さをおよそ０．１μｍ以上５μｍ以下とすることができる。そして、このような厚さの単結晶シリコン層を有する単結晶シリコン太陽電池であれば、薄膜単結晶シリコン太陽電池として実用的な効率が得られるとともに、使用する珪素原料の量を節約できる。また、このような厚さの単結晶シリコン層を有する単結晶シリコン太陽電池であれば、確実に一部可視光を透過することができる。
【００１８】
また、本発明は、上記のいずれかの単結晶シリコン太陽電池の製造方法によって製造された単結晶シリコン太陽電池を提供する。
このように、上記のいずれかの単結晶シリコン太陽電池の製造方法によって製造された単結晶シリコン太陽電池であれば、光変換層としての単結晶シリコン層の形成を、単結晶シリコン基板から剥離することによって行い、単結晶シリコン層の剥離を、加熱によらず機械剥離によって行ったものであるので、結晶性の高い単結晶シリコン層とすることができる。そのため、膜厚に比して変換効率が高い薄膜太陽電池とすることができる。また、単結晶シリコン層の厚さが薄い薄膜太陽電池であるので、珪素原料を有効に利用することができる。
【００１９】
また、本発明は、少なくとも、透明絶縁性基板と、集電電極パターンが埋め込まれた透明硬化樹脂層と、ｐｎ接合が形成された単結晶シリコン層と、電極とが順次積層され、前記集電電極パターンが前記単結晶シリコン層と接合界面を有することを特徴とする単結晶シリコン太陽電池を提供する。
【００２０】
このような構造を有する単結晶シリコン太陽電池であれば、透明絶縁性基板上に光変換層が配置されているシリコン太陽電池として、光変換層を単結晶シリコン層とした太陽電池であるので、膜厚に比して変換効率が高い太陽電池とすることができる。
【００２１】
この場合、前記透明絶縁性基板は、石英ガラス、結晶化ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラスのいずれかであることが好ましい。
このように、透明絶縁性基板が、石英ガラス、結晶化ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラスのいずれかであれば、これらは光学的特性が良好な透明絶縁性基板であるので、透明度の高いシースルー型単結晶シリコン太陽電池とすることができる。また、このような単結晶シリコン太陽電池であれば、既存の窓ガラス等と置換することも容易である。
【００２２】
また、前記集電電極パターンは、タングステン、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、ニッケルのうち少なくとも一種を含有するものであることができる。
このように、集電電極パターンが、タングステン、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、ニッケルのうち少なくとも一種を含有するものであっても透明絶縁性基板上に光変換層が配置されているシリコン太陽電池として、膜厚に比して変換効率が高い太陽電池とすることができる。
【００２３】
また、前記単結晶シリコン層の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
このように、単結晶シリコン層の膜厚が、０．１μｍ以上５μｍ以下であれば、薄膜単結晶シリコン太陽電池として実用的な効率が得られるとともに、使用する珪素原料の量を節約できる。また、このような厚さの単結晶シリコン層を有する単結晶シリコン太陽電池であれば、確実に一部可視光を透過することができる。
【００２４】
さらに、前記単結晶シリコン太陽電池は、一方の面側から見たときに、他方の面側が透けて見えるものであることが好ましい。
このように、一方の面側から見たときに、他方の面側が透けて見える、透明な太陽電池であれば、既存の窓ガラス等と置換できるなど、様々な場面に応用することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に従う単結晶シリコン太陽電池の製造方法であれば、結晶性が良好であり、変換効率の高い単結晶シリコン層を光変換層としたシースルー型薄膜太陽電池を製造することができる。
また、本発明に従う単結晶シリコン太陽電池であれば、透明絶縁性基板上に光変換層が配置されているシリコン太陽電池において、光変換層を単結晶シリコン層とした太陽電池であるので、膜厚に比して変換効率が高い太陽電池とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
前述したように、珪素原料を節約できる薄膜太陽電池においても、より一層の高変換効率が求められており、そのために結晶系太陽電池とすることを採用した上で、さらに結晶性を改善することが求められていた。
【００２７】
そこで本発明者らは、集電電極パターンを予め透明絶縁性基板の表面に形成しておき、該集電電極パターン付き透明絶縁性基板と単結晶シリコン基板とを貼り合わせた後に、該単結晶シリコン基板を薄膜化することによって、光変換層としてのシリコン層の結晶性を高くすることを見出した。さらに、単結晶シリコン基板と集電電極パターン付き透明絶縁性基板とを貼り合わせる際に、透明樹脂を用い、これを硬化させることによって高温の熱処理をしなくても接合強度を高くし、また剥離の際にも機械的剥離を行なうことで高温の熱処理をせずに剥離することによって単結晶シリコン層の結晶性を良好に保つことができることに想到した。また、このような薄膜太陽電池であれば、家屋の窓材料としても使用可能な、一方の表面側から見て他方の表面側が透けて見える、いわゆるシースルー型太陽電池とすることできることに想到し、本発明を完成させた。
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図１は、本発明に係る単結晶シリコン太陽電池の製造方法の一例を示す工程図である。
【００２９】
まず、単結晶シリコン基板１１及び透明絶縁性基板１２を用意する（工程ａ）。
単結晶シリコン基板としては特に限定されず、例えばチョクラルスキー法により育成された単結晶をスライスして得られたもので、例えば直径が１００〜３００ｍｍ、導電型がｐ型またはｎ型、抵抗率が０．１〜２０Ω・ｃｍ程度のものを用いることができる。
また、透明絶縁性基板には石英ガラス、結晶化ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラス等が選択される。これらに限定するものではないが、透明であり、窓ガラス材料に代替しうることを鑑みると上記のようなガラス材料が望ましい。また、透明絶縁性基板を、ガラス材料として汎用なソーダライムガラスとする場合には、その表面にディップコート法により酸化珪素皮膜或いは酸化スズ皮膜（ネサ膜）等を形成したものとしてもよい。これらの皮膜はソーダライムガラス中のアルカリ金属成分の表面への溶出及び拡散を防ぐバッファ膜として機能するため好ましい。
【００３０】
次に、単結晶シリコン基板１１に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入して、イオン注入層１４を形成する（工程ｂ）。
例えば、単結晶シリコン基板の温度を２００〜４５０℃とし、その表面１３から所望の単結晶シリコン層の厚さに対応する深さ、例えば０．１〜５μｍ以下の深さにイオン注入層１４を形成できるような注入エネルギーで、所定の線量の水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入する。この場合、水素イオンは軽いために、同じ加速エネルギーにおいて、よりイオン注入面１３からより深く注入されるために特に好ましい。水素イオンの電荷は正負のいずれでもよく、原子イオンの他、水素ガスイオンであってもよい。希ガスイオンの場合も電荷の正負はいずれでもよい。
また、単結晶シリコン基板の表面にあらかじめ薄いシリコン酸化膜などの絶縁膜を形成しておき、それを通してイオン注入を行えば、注入イオンのチャネリングを抑制する効果が得られる。なお、厚い絶縁膜を形成する場合は、該絶縁膜を工程ｅの密着工程の前にエッチング等により取り除く必要がある。
【００３１】
次に、透明絶縁性基板１２の一方の表面に集電電極パターン１９を形成する（工程ｃ）。
集電電極パターン１９の形成用材料としては、当該分野で用いられる通常のものを使用することができるが、タングステン、チタン、クロム、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、ニッケルのような高融点金属を含有するものを用いれば、後述する工程ｇの剥離転写工程の終了後に例えば７００℃以上の高温で処理を行う場合であっても、より確実に集電電極パターン１９を形成することができるので好ましい。また、アルミニウムを含有するものとすれば、コンタクト抵抗が低く、直列抵抗が低い集電電極パターンを容易に形成することができる。なお、本発明に係る単結晶シリコン太陽電池を確実に一方の面側から見たときに他方の面側が透けて見えるものである構造とするために、金属の電極を形成する場合は、集電電極パターン１９の電極面積を受光面全体の８０％以下、より好ましくは５０％以下にするのが良い。
【００３２】
次に、透明絶縁性基板１２の集電電極パターン１９を形成した表面上に、集電電極パターン１９を埋め込むように透明樹脂層１５を形成する（工程ｄ）。
透明樹脂層１５の形成材料としては、アクリル樹脂、脂環式アクリル樹脂、シリコーン樹脂、液晶ポリマー、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート等の可視光透過性に優れる樹脂を採用することが好ましい。使用される透明樹脂材料は、これらに限定されるものではないが、可視光の透過率が８０％以上であることが好ましい。
【００３３】
なお、単結晶シリコン基板１１に対して行うイオン注入工程（工程ｂ）と、透明絶縁性基板１２に対して集電電極パターン１９を形成し、透明樹脂層１５を形成する一連の工程（工程ｃ〜ｄ）は、どちらを先に行っても構わない。
【００３４】
次に、集電電極パターン１９を露出させ、単結晶シリコン基板１１のイオン注入面１３と透明絶縁性基板１２上の透明樹脂層１５の表面とを、集電電極パターン１９が単結晶シリコン基板１１と接触するようにして密着させる（請求項ｅ）。
集電電極パターン１９を露出させる方法は特に限定されるものではなく、集電電極パターン１９を覆う透明樹脂を除去するなどして、集電電極パターン１９が単結晶シリコン基板１１と接触し、単結晶シリコン基板１１と透明絶縁性基板１２との間が透明樹脂で満たされるようにすればよい。
【００３５】
次に、透明樹脂層１５を硬化させて透明硬化樹脂層１６とすると共に、単結晶シリコン基板１１と透明絶縁性基板１２とを貼り合わせる（工程ｆ）。
この透明樹脂層１５の硬化処理は、透明絶縁性基板１２側からの赤外線ランプ加熱、赤外線フラッシュランプ加熱、赤外線レーザー加熱、可視光ランプ照射、可視光フラッシュランプ照射、可視光レーザー照射、紫外光ランプ照射、紫外光フラッシュランプ照射、紫外光レーザー照射の手法のうち少なくとも１種によって行えば、短時間で容易に行うことができるので好ましい。なお、この透明樹脂層１５の硬化方法は上記のものに限定されず、２５０℃以下の熱処理を併用してもよく、２５０℃以下の熱処理を単独で行うことによってもよい。但し、この硬化処理は室温から２５０℃前後までの温度条件で行うものとし、３００℃以上の熱処理は行わない。単結晶シリコン基板１１と、透明絶縁性基板１２を貼り合わせた状態で３００℃以上の高温熱処理を行うと、両者の熱膨張係数の違いから、熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがあるためである。このように、３００℃以上の高温熱処理を行わないようにすることは、後述する工程ｇの単結晶シリコン基板１１の剥離転写が終了するまでは同様である。
【００３６】
次に、イオン注入層１４に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板１１を機械的に剥離して、単結晶シリコン層１７とする（工程ｇ）。
本発明においてはイオン注入層に衝撃を与えて機械的剥離を行うので、加熱に伴う熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがない。イオン注入層に衝撃を与えるためには、例えばガスや液体等の流体のジェットを接合したウエーハの側面から連続的または断続的に吹き付ければよいが、衝撃により機械的剥離が生じる方法であれば特に限定はされない。
【００３７】
なお、単結晶シリコン基板の機械剥離の際に、透明絶縁性基板の背面に第一の補助基板を密着させるとともに前記単結晶シリコン基板の背面に第二の補助基板を密着させて単結晶シリコン基板の剥離を行うことが望ましい。このように補助基板を用いて機械剥離を行えば、剥離転写されたシリコン単結晶層１７において、反りによる微小な亀裂及びこれによる結晶欠陥の発生を防止し、太陽電池の変換効率の低下を防止することができる。両者の基板が１ｍｍ程度以下の厚さのように薄い場合にはこの方法による効果が顕著である。例えば、透明絶縁性基板がソーダライムガラスであって、その厚さが０．７ｍｍの場合には、補助基板を同じソーダライムガラスとし、その総計の厚さを１ｍｍ以上として剥離を行う。
また、単結晶シリコン基板の剥離転写を行った後、単結晶シリコン層１７の表面付近におけるイオン注入ダメージを回復するための熱処理を行ってもよい。この時点では既に単結晶シリコン基板１１は剥離転写され、薄膜の単結晶シリコン層１７となっているため、表面付近の局所的な熱処理を３００℃以上で行っても亀裂やそれに伴う欠陥は新たにほとんど導入されない。また、このことは以降の工程でも同様である。
【００３８】
次に、単結晶シリコン層１７に工程ａで用意した単結晶シリコン基板の導電型である第一導電型とは異なる導電型である第二導電型の拡散層を形成して第一導電型シリコン層２１、第二導電型シリコン層２２から成り、ｐｎ接合が形成された単結晶シリコン層とする（工程ｈ）。
工程ａで用意した単結晶シリコン基板１１がｐ型単結晶シリコンであった場合には、ｎ型の拡散層を、ｎ型の単結晶シリコンであった場合には、ｐ型の拡散層を形成する。第二導電型の拡散層の形成方法は特に限定されず、例えば以下のようにすることができる。工程ａで用意した単結晶シリコン基板１１がｐ型であった場合には、単結晶シリコン層１７の表面にリンの元素イオンをイオン注入法で注入し、これに、フラッシュランプアニールまたは単結晶シリコン層表面での吸収係数の高い紫外線、深紫外線のレーザー照射等を行い、ドナーの活性化処理を行うことでｐｎ接合を形成することができる。このようなｐｎ接合は、ドナーを形成するリンを含むペースト状の組成物を作成し、これを単結晶シリコン層１７表面に塗布し、これをフラッシュランプアニールまたは単結晶シリコン層表面での吸収係数の高い紫外線、深紫外線のレーザー照射、赤外線加熱炉等で拡散処理を行うことであってもよい。
なお、このようにしてｐｎ接合を形成した後、例えばタッチポリッシュと呼ばれる研磨代が５〜４００ｎｍと極めて少ない研磨を行ってもよい。
【００３９】
次に、以下のようにして、単結晶シリコン層１７の、第二導電型シリコン層２２側の表面に電極２３を形成する（工程ｉ）。
拡散処理をした表面に、金属または透明導電性材料を用いて、真空蒸着法または化成スパッタ法等により線状等の電極を形成することで、埋め込み集電電極パターン１９の対極となる電極２３を形成する。さらに、金属を含んだ導電性ペーストを用いて印刷法により電極２３側の集電電極を形成することもできる。この電極２３側の集電電極形成用組成物の硬化は前記のフラッシュランプアニールや赤外線加熱法等によって行われる。本発明に係る単結晶シリコン太陽電池を確実に一方の面側から見たときに他方の面側が透けて見えるものである構造とするために、金属の電極を形成する場合は、電極面積を受光面全体の８０％以下、より好ましくは５０％以下にするのが良い。透明導電性膜を形成する場合は全面に形成してもよい。また、電極２３側の集電電極は透明絶縁性基板の端部に形成するものであってもよい。
また、電極２３形成後、窒化珪素等の保護膜等をさらに形成してもよい。
【００４０】
そして、工程ａ〜ｉにより製造された単結晶シリコン太陽電池は、製造の際に熱歪、剥離、ひび割れ等が発生しておらず、薄くて良好な膜厚均一性を有し、結晶性に優れ、透明絶縁性基板上に単結晶シリコン層を有する単結晶シリコン太陽電池３１である。
【００４１】
なお、工程ｃで形成する集電電極パターン１９の形成用材料を、単結晶シリコンに対してドナー又はアクセプターを形成する添加材料を含有するものとすれば、工程ｇの剥離転写工程後に熱処理することによって単結晶シリコン層１７の、集電電極パターン１９との接合界面付近にドナーまたはアクセプターを拡散し、種々の構造を形成することができる。このドナーまたはアクセプターの拡散によってｐｎ接合を形成することができる他、例えば、周囲と同一の導電型であり、周囲よりも高濃度の拡散層を形成する、一般にＬＢＳＦ（Ｌｏｃａｌｉｚｅｄ  Ｂａｃｋ  Ｓｕｒｆｉｃｅ  Ｆｉｅｌｄ；選択的裏面電界）構造や選択エミッタ構造などと言われるような構造を形成することができる。その結果、電極近傍でのキャリアの再結合を防止することができ、太陽電池の変換効率を向上させることができる。
なお、集電電極パターン１９の形成用材料の主成分が単結晶シリコンに対してドナー又はアクセプターを形成するための役割を兼ねることもできる。例えば、集電電極パターン１９の形成用材料としてアルミニウムを用いた場合、後述する工程ｈの剥離転写工程後に熱処理することによってアルミニウムが単結晶シリコン基板内に拡散させ、単結晶シリコン基板内でアクセプターを形成してｐ＋層とすることもできる。
【００４２】
また、工程ｇで単結晶シリコン層１７を剥離転写した後の残りの単結晶シリコン基板は、剥離後の粗面およびイオン注入層を研磨により平滑化および除去処理を行い、繰り返しイオン注入処理を行うことで、再び、単結晶シリコン基板１１として利用することができる。本発明の単結晶シリコン太陽電池の製造方法では、イオン注入工程から剥離工程において、単結晶シリコン基板を３００℃以上に加熱する必要がないため、酸素誘起欠陥が単結晶シリコン基板に導入されるおそれがない。そのため、最初に１ｍｍ弱の厚さの単結晶シリコン基板を用いた場合には、単結晶シリコン層１７の膜厚を５μｍとする場合には、１００回以上剥離転写することも可能となる。
【００４３】
このような製造方法によって製造された単結晶シリコン太陽電池３１は、図２に示すように、石英ガラス、結晶化ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラス等の透明絶縁性基板１２と、集電電極パターン１９が埋め込まれた透明硬化樹脂層１６と、ｐｎ接合が形成された単結晶シリコン層１７と、電極２３とが順次積層され、集電電極パターン１９が単結晶シリコン層１７と接合界面を有するものである。単結晶シリコン太陽電池３１は、ｐｎ接合が形成された単結晶シリコン層１７（光変換層）で入射光を電力に変換し、集電電極パターン１９と電極２３とをそれぞれ正極または負極のいずれか一方として電力を取り出すものである。
【００４４】
単結晶シリコン層１７が０．１μｍ以上５μｍであれば、薄膜単結晶シリコン太陽電池として実用的な効率が得られるとともに、使用する珪素原料の量を十分に節約できる。また、このような厚さの単結晶シリコン層を有する単結晶シリコン太陽電池であれば、確実に一部可視光を透過して透明とすることができる。
【００４５】
また、本発明に係る単結晶シリコン太陽電池３１は、一方の面側から見たときに他方の面側が透けて見えるものとすることができ、この場合、受光面は透明絶縁性基板１２側と電極２３側のいずれとすることもできる。
【実施例】
【００４６】
（実施例）
単結晶シリコン基板１１として、一方の面が鏡面研磨された直径２００ｍｍ（８インチ）、結晶面（１００）、ｎ型、面抵抗１５Ωｃｍの単結晶シリコン基板を用意した。また、透明絶縁性基板１２として、直径２００ｍｍ（８インチ）、厚さ２．５ｍｍの石英ガラス基板を用意した（工程ａ）。なお、両者の基板表面を化学的機械研磨（ＣＭＰ）により研磨し、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により、１０μｍ×１０μｍ走査において平均粗さ０．３ｎｍ以下となるような鏡面が得られるように研磨を行った。
【００４７】
次に、単結晶シリコン基板１１の上記研磨を行った表面に、加速電圧３５０ｋｅＶで水素プラスイオンをドーズ量１．０×１０１７／ｃｍ２の条件で注入した（工程ｂ）。イオン注入層１４の深さはイオン注入面１３からおよそ３μｍとなった。
【００４８】
次に、真空蒸着法により、透明絶縁性基板１２上にアルミニウム膜を厚さ０．４μｍ形成した。これをドライレジストフィルム法及びエッチングにより、幅５０μｍ、３００μｍ間隔の複数の短冊状細線パターンとし、アルミニウム集電電極パターン１９とした（工程ｃ）。
【００４９】
次に、アルキルトリアルコキシシランとテトラアルコキシシランを塩酸を触媒として用い、加水分解重縮合物を得た。これをイソプロピルアルコールの溶媒に溶かし、透明樹脂とした（シリコーン樹脂）。この透明樹脂を用いて、集電電極パターン１９を埋め込むように透明樹脂層１５を形成した（工程ｄ）。
【００５０】
次に、透明樹脂層１５の集電電極パターン１９を覆う部分を除去して集電電極パターン１９を露出させ、単結晶シリコン基板１１と透明絶縁性基板１２とを、集電電極パターン１９と単結晶シリコン基板とが接触するようにして透明樹脂層１５を介して密着させた（工程ｅ）。
次に、紫外光レーザーを透明絶縁性基板１２側から１５秒間照射し、透明樹脂層１５を硬化させるとともに、単結晶シリコン基板１１と透明絶縁性基板１２とを強固に貼り合わせた（工程ｆ）。
【００５１】
その後、接合界面近傍に高圧窒素ガスを吹き付けた後、該吹き付け面から剥離が開始するように、単結晶シリコン基板を引き剥がすように機械的に剥離を行った（工程ｇ）。このとき、単結晶シリコン基板および石英ガラス基板に背面から補助基板を吸着させた後剥離するようにした。また、剥離転写された単結晶シリコンにフラッシュランプアニール法により表面が瞬間的に７００℃以上となる条件で照射し、水素注入ダメージを回復した。
【００５２】
次に、単結晶シリコン層１７の表面に、硼素イオンをイオン注入法で注入した。銀を含むエチルセロソルブを増粘剤とする拡散用兼電極用ペーストをスクリーン印刷法により１ｍｍ間隔で、線幅５０μｍのパターンを形成した。これにフラッシュランプにより瞬間的に表面が６００℃以上となるように照射を行い、およそ１μｍの接合深さの、ウエーハ面に平行なｐｎ接合界面を形成した（工程ｈ）。
過剰な拡散ペーストを弗酸及びアセトン、イソプロピルアルコールで除去洗浄後、真空蒸着法及びパターニング法により銀電極２３を形成した（工程ｉ）。その後、さらに銀の集電電極パターンを金属マスクを用いて真空蒸着法により形成した。その後、取り出し電極部分を除いた表面を反応性スパッタ法により窒化珪素の保護皮膜を形成した。
【００５３】
このようにして、透明絶縁性基板と、集電電極パターンが埋め込まれた透明硬化樹脂層と、ｐｎ接合が形成された単結晶シリコン層と、電極とが順次積層された薄膜単結晶シリコン太陽電池３１を製造した。
このようにして製造した単結晶シリコン太陽電池に、ソーラーシミュレーターによりＡＭ１．５で１００ｍＷ／ｃｍ２の光を照射し、変換効率を求めた。変換効率は８．７％であり、経時変化はなかった。
また、この太陽電池を透かして晴天時の日中において、室外から外光を取り入れ、室外を覗くと、室外の様子を見ることが出来た。
【００５４】
尚、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的思想に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明に係る単結晶シリコン太陽電池の製造方法の一例を示す工程図である。
【図２】本発明に係る単結晶シリコン太陽電池の一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１１…単結晶シリコン基板、  １２…透明絶縁性基板、
１３…イオン注入面、  １４…イオン注入層、
１５…透明樹脂層、  １６…透明硬化樹脂層、
１７…単結晶シリコン層、  １９…集電電極パターン、
２１…第一導電型シリコン層、  ２２…第二導電型シリコン層、  ２３…電極、
３１…単結晶シリコン太陽電池。
【図１】
2011216920.tif 000003
【図２】
2011216920.tif 000004