(57)【要約】 【課題】コントラスト比の低下を抑制した電気泳動表示装置を提供する。【解決手段】所定の間隔で対向配置された第一の基板及び第二の基板と、前記第一の基板に配列された複数の画素電極と、隣接する前記画素電極間に配置された配線と、前記第二の基板に設けられた対向電極と、前記第二の基板に向けて前記第一の基板の前記配線上に前記複数の画素電極を囲うように立設された隔壁と、を備え、複数個の粒子が分散された溶媒が前記隔壁に囲まれた領域に充填された電気泳動表示装置である。前記隔壁に対応させて前記第一の基板上に反射防止膜が形成され、前記隔壁と前記反射防止膜との間の層に前記配線が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の間隔で対向配置された第一の基板及び第二の基板と、
前記第一の基板に配列された複数の画素電極と、
隣接する前記画素電極間に配置された配線と、
前記第二の基板に設けられた対向電極と、
前記第二の基板に向けて前記第一の基板の前記配線上に前記複数の画素電極を囲うように立設された隔壁と、を備え、
複数個の粒子が分散された溶媒が前記隔壁に囲まれた領域に充填された電気泳動表示装置であって、
前記隔壁に対応させて前記第一の基板上に反射防止膜が形成され、前記隔壁と前記反射防止膜との間の層に前記配線が形成されていることを特徴とする電気泳動表示装置。
【請求項２】
前記第一の基板にマトリクス状に配列させて設けられた前記複数の画素電極のそれぞれに個別に電気的に接続されるように、前記第一の基板に設けられた複数の薄膜トランジスタと、
前記複数の薄膜トランジスタの行方向に延びるように前記第一の基板に設けられた前記配線としての走査ラインと、
前記複数の薄膜トランジスタの列方向に延びるように前記第一の基板に設けられ、前記走査ラインとともに前記画素電極を個別に囲み、前記複数の薄膜トランジスタに接続された前記配線としてのデータラインと、を備え、
前記隔壁は、前記複数の画素電極からなる複数の画素を個別に隔離するため、前記走査ライン及び前記データラインの上から前記第二の基板に向けて前記画素電極を囲うように立設され、
前記隔壁に対応させて前記第一の基板上に反射防止膜が形成され、前記隔壁と前記反射防止膜との間に前記走査ライン及び前記データラインが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気泳動表示装置。
【請求項３】
前記複数個の粒子は表面の極性と色が異なる２種類の粒子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気泳動表示装置。
【請求項４】
前記２種類の粒子は、黒色粒子と白色粒子とであることを特徴とする請求項３に記載の電気泳動表示装置。
【請求項５】
前記溶媒は、前記２種類の粒子より低誘電率の分散媒であることを特徴とする請求項３又は４記載の電気泳動表示装置。
【請求項６】
前記２種類の粒子は、前記画素電極と前記対向電極との間に電圧が印加され、形成される電界により、前記一対の基板間で泳動することを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置。
【請求項７】
前記反射防止膜は、酸化クロム、感光性樹脂のいずれか一方により形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置。
【請求項８】
前記第一の基板は、薄膜トランジスタ基板であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気泳動表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気泳動表示装置としては、マイクロ隔壁構造の電気泳動方式を適用した電気泳動表示装置が知られている（例えば特許文献１参照）。このような電気泳動表示装置１００は、例えば、図７に示すように、表示面をなす対向基板１０１と、対向基板１０１に対向配置された薄膜トランジスタ基板１０２とが設けられている。薄膜トランジスタ基板１０２における対向基板１００に対向する内面には、マトリクス状に配列された複数の画素電極１０３と、画素電極１０３の周囲を囲って当該画素電極１０３に図示しない薄膜トランジスタを介して電気的に接続された信号線（走査ライン、データライン）１０４とが設けられている。各信号線１０４には、対向基板１０１に向けて立設する断面視略台形状の隔壁１０５が形成されており、この隔壁１０５により各画素電極１０３の上側領域が、隣接する画素電極１０３の上側領域から隔たれることになる。
一方、対向基板１０１における薄膜トランジスタ基板１０２に対向する内面には、複数の画素電極１０３に対向配置された対向電極１０６が設けられている。
【０００３】
これら対向基板１０１、薄膜トランジスタ基板１０２及び隔壁１０５により形成された空間内には、溶媒１０７が充填されている。溶媒１０７には、プラス帯電の黒粒子１０８と、マイナス帯電の白粒子１０９とが複数分散されている。
【０００４】
そして、対向電極１０６の電圧を、画素電極１０３よりも高くすると、白粒子１０９が対向電極１０６側に移動するとともに黒粒子１０８が画素電極１０３側に移動して、表示面では白色が表示されることになる（例えば図７に示す状態）。逆に対向電極１０６の電圧を、画素電極１０３よりも小さくすると、白粒子１０９が画素電極１０３側に移動するとともに黒粒子１０８が対向電極１０６側に移動して、表示面では黒色が表示されることになる。これを各画素毎に行うことで、表示面に所定の図形や文字が描画されるのである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２５６８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、電気泳動表示装置１００を製造する際においては、薄膜トランジスタ基板１０２の内面に、画素電極１０３、信号線１０４及び薄膜トランジスタを形成した後に、隔壁１０５を形成する。その後、薄膜トランジスタ基板１０２の内面に、粒子１０８，１０９が分散された溶媒１０７を流し込み、その上に対向電極１０６が形成された対向基板１０１を重ね合わせる。このような製造工程であるために、製造上どうしても、隔壁１０３の上面に粒子１０８，１０９が残留してしまうといった問題があった。隔壁１０３の上面に粒子１０８，１０９が残留したままであると、表示したい色とは反対の色の粒子（図７においては黒粒子１０８ａ）が画素間に存在しているために、コントラスト比を低下させてしまう一因となっていた。
このため、本発明の課題は、コントラスト比の低下を抑制した電気泳動表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するため、請求項１記載の発明に係る電気泳動表示装置は、
所定の間隔で対向配置された第一の基板及び第二の基板と、
前記第一の基板に配列された複数の画素電極と、
隣接する前記画素電極間に配置された配線と、
前記第二の基板に設けられた対向電極と、
前記第二の基板に向けて前記第一の基板の前記配線上に前記複数の画素電極を囲うように立設された隔壁と、を備え、
複数個の粒子が分散された溶媒が前記隔壁に囲まれた領域に充填された電気泳動表示装置であって、
前記隔壁に対応させて前記第一の基板上に反射防止膜が形成され、前記隔壁と前記反射防止膜との間の層に前記配線が形成されていることを特徴としている。
【０００８】
請求項２記載の発明は、請求項１に記載の電気泳動表示装置において、
前記第一の基板にマトリクス状に配列させて設けられた前記複数の画素電極のそれぞれに個別に電気的に接続されるように、前記第一の基板に設けられた複数の薄膜トランジスタと、
前記複数の薄膜トランジスタの行方向に延びるように前記第一の基板に設けられた前記配線としての走査ラインと、
前記複数の薄膜トランジスタの列方向に延びるように前記第一の基板に設けられ、前記走査ラインとともに前記画素電極を個別に囲み、前記複数の薄膜トランジスタに接続された前記配線としてのデータラインと、を備え、
前記隔壁は、前記複数の画素電極からなる複数の画素を個別に隔離するため、前記走査ライン及び前記データラインの上から前記第二の基板に向けて前記画素電極を囲うように立設され、
前記隔壁に対応させて前記第一の基板上に反射防止膜が形成され、前記隔壁と前記反射防止膜との間に前記走査ライン及び前記データラインが形成されていることを特徴としている。
【０００９】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の電気泳動表示装置において、
前記複数個の粒子は表面の極性と色が異なる２種類の粒子であることを特徴としている。
【００１０】
請求項４記載の発明は、請求項３に記載の電気泳動表示装置において、
前記２種類の粒子は、黒色粒子と白色粒子とであることを特徴としている。
【００１１】
請求項５記載の発明は、請求項３又は４記載の電気泳動表示装置において、
前記溶媒は、前記２種類の粒子より低誘電率の分散媒であることを特徴としている。
【００１２】
請求項６記載の発明は、請求項３〜５のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置において、
前記２種類の粒子は、前記画素電極と前記対向電極との間に電圧が印加され、形成される電界により、前記一対の基板間で泳動することを特徴としている。
【００１３】
請求項７記載の発明は、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置において、
前記反射防止膜は、酸化クロム、感光性樹脂のいずれか一方により形成されていることを特徴としている。
【００１４】
請求項８記載の発明は、請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置において、
前記第一の基板は、薄膜トランジスタ基板であることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、コントラスト比の低下を抑制した電気泳動表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態の電気泳動表示装置の要部構成を模式的に示した断面図である。
【図２】図１の電気泳動表示装置に備わる薄膜トランジスタ基板の要部構成を示す断面図であり、図３におけるＩＩ−ＩＩ切断線から見た断面図である。
【図３】図１の電気泳動表示装置に備わる薄膜トランジスタ基板の要部構成を示す透過平面図である。
【図４】図１の電気泳動表示装置の製造工程を示す説明図である。
【図５】図１の電気泳動表示装置の製造工程を示す説明図である。
【図６】図１の電気泳動表示装置に備わる隔壁を形成するための隔壁用フィルムの概略構成を表す分解斜視図である。
【図７】従来の電気泳動表示装置の要部構成を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。ただし、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１８】
図１は本実施形態の電気泳動表示装置の要部構成を模式的に示した断面図である。この図１に示すように電気泳動表示装置１には、対向基板１０と、隔壁６０により対向基板１０との間に所定の間隔で対向配置された薄膜トランジスタ基板２０とが設けられている。この対向基板１０が第二の基板であり、薄膜トランジスタ基板２０が第一の基板である。薄膜トランジスタ基板２０には、マトリックス状に画素電極２４が形成され、画素電極間に配線としての走査ライン２２及びデータライン２３が形成されている。走査ライン２２及びデータライン２３上には隔壁６０が格子状に形成され、走査ライン２２及びデータライン２３と、薄膜トランジスタ基板２０の間には反射防止膜８０が形成されている。対向基板１０と薄膜トランジスタ基板２０との間には、図示しない枠状のシール材が形成されており、隔壁６０をスペーサーとして一対の基板間に空間が形成され、当該空間には黒色粒子７１と白色粒子７２が分散された溶媒７０が封入されている。
【００１９】
対向基板１０は、例えばガラスから形成されている。対向基板１０における薄膜トランジスタ基板２０に対向する内面には対向電極１１が積層されている。対向電極１１は例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；錫ドープ酸化インジウム）から形成されている。
【００２０】
溶媒７０には、表面の極性と色とが異なる２種類の粒子が複数分散されている。２種類の粒子のうち、１種類は例えばカーボンからなるプラス帯電の黒粒子７１であり、他の１種類は例えばＴｉＯ２（酸化チタン）からなるマイナス帯電の白粒子７２である。ここで、黒粒子７１の直径は５．０μｍ以下であり、白粒子７２の直径は０．３μｍ以下である。そして、溶媒７０としては、黒粒子７１、白粒子７２よりも低誘電率の分散媒が用いられている。
【００２１】
次に、薄膜トランジスタ基板２０について図２及び図３を参照して詳細に説明する。図３は薄膜トランジスタ基板２０の要部構成を示す透過平面図である。なお、図２は、図３におけるＩＩ−ＩＩ断面図である。
【００２２】
まず、図３を参照して、薄膜トランジスタ基板２０の平面的な構造について説明する。薄膜トランジスタ基板２０はガラス等から形成されており、この上面には複数の走査ライン２２及び複数のデータライン２３が互いに交差するように形成されている。この場合、複数の走査ライン２２は行方向に延びて設けられ、複数のデータライン２３は列方向に延びて設けられている。
【００２３】
薄膜トランジスタ基板２０上において走査ライン２２とデータライン２３とで囲まれた各領域内には一部が切り欠かれた略方形状の画素電極２４が設けられている。これにより、薄膜トランジスタ基板２０上に、複数の画素電極２４がマトリクス状に配列される。各画素電極２４の切欠部２４１には、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ２５が配置されている。この薄膜トランジスタ２５を介して、画素電極２４が走査ライン２２及びデータライン２３に電気的に接続されている。
【００２４】
そして、走査ライン２２及びデータライン２３上には、対向基板１０に向けて立設する隔壁６０が形成されている。この隔壁６０により、画素電極２４からなる複数の画素が個別に分離されることになる。
【００２５】
また、薄膜トランジスタ基板２０上には複数の補助容量ライン２６が設けられている。補助容量ライン２６は、画素電極２４の図における下辺を除く３辺に重なるように形成されている。
【００２６】
次に、薄膜トランジスタ基板２０の断面構造について説明する。
図２に示すように、対向基板１０に対向する薄膜トランジスタ基板２０の内面には、ＣｒＯ２（酸化クロム）からなる反射防止膜８０が走査ライン２２及びデータライン２３のそれぞれに対向するように形成されている。この反射防止膜８０は、走査ライン２２及びデータライン２３が形成される領域よりも拡幅に形成されている。なお、反射防止膜８０は、ＣｒＯ２以外にも、例えば感光性ブラックポリイミド等の感光性樹脂から形成されていてもよい。
【００２７】
また、薄膜トランジスタ基板２０の内面側には、その所定の箇所にＣｒ（クロム）等からなるゲート電極２９及び当該ゲート電極２９に接続された走査ライン２２が形成されている。ゲート電極２９及び走査ライン２２は反射防止膜８０上に形成される。ゲート電極２９は、薄膜トランジスタ２５をなす箇所に配置されている。また、薄膜トランジスタ基板２０の内面側における他の所定の箇所には、Ｃｒ等からなるゲート配線２９ａと、ゲート配線２９ａを覆うＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等からなる補助容量ライン２６とが形成されている。ゲート配線２９ａは、反射防止膜８０上に形成されていて、補助容量ライン２６は、これらゲート配線２９ａ及び反射防止膜８０の両者を覆うように形成されている。
そして、薄膜トランジスタ基板２０には、ゲート電極２９、走査ライン２２及び補助容量ライン２６を覆うように、例えば酸化シリコン又は窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜３０が形成されている。これにより、ゲート電極２９がゲート絶縁膜３０の下層側に配置されることになる。
【００２８】
ゲート絶縁膜３０の上面におけるゲート電極２９上方には、例えば真性アモルファスシリコン等の半導体からなる半導体薄膜３１が形成されている。この半導体薄膜３１の上面ほぼ中央部には窒化シリコン等からなるチャネル保護膜３２が設けられている。チャネル保護膜３２の上面両側及びその両側における半導体薄膜３１の上面にはｎ型アモルファスシリコン等からなるオーミックコンタクト層３３，３４が設けられている。
【００２９】
オーミックコンタクト層３３，３４の上面には、例えばＣｒからなるソース電極３５及びドレイン電極３６が設けられている。これによりゲート絶縁膜３０の上層側にソース電極３５及びドレイン電極３６が配置されることになる。ここで、薄膜トランジスタ２５は、逆スタガ型であり、ゲート電極２９、ゲート絶縁膜３０、半導体薄膜３１、チャネル保護膜３２、オーミックコンタクト層３３，３４、ソース電極３５及びドレイン電極３６により構成されている。
【００３０】
また、ゲート絶縁膜３０の上面におけるデータライン２３の形成領域にも、例えば真性アモルファスシリコン等の半導体からなる半導体薄膜３７が形成されている。半導体薄膜３７の上面には、ｎ型アモルファスシリコン等からなるオーミックコンタクト層３８が設けられている。そしてオーミックコンタクト層３８の上面には、クロム等からなるドレイン膜３９が形成されている。このドレイン膜３９がデータライン２３をなす。
【００３１】
そして、薄膜トランジスタ２５や、データライン２３の上層側には、これら薄膜トランジスタ２５及びデータライン２３を覆うように酸化シリコン等からなる層間絶縁膜としてのオーバーコート膜５０が形成されている。このオーバーコート膜５０におけるソース電極３５の上面にはコンタクトホール４０が形成されている。具体的には、コンタクトホール４０は、ソース電極３５におけるチャネル保護膜３２から離間した部分の上面に対して形成されている。
【００３２】
オーバーコート膜５０の上面における所定の箇所には、図２及び図３に示すように、ＩＴＯ等からなる透明性の画素電極２４が、コンタクトホール４０を介してソース電極３５と補助容量ライン２６とを電気的に接続するように形成されている。
【００３３】
そして、薄膜トランジスタ基板２０には、走査ライン２２及びデータライン２３上から対向基板１０に向けて立設する隔壁６０が、例えば感光性アクリル等の感光性樹脂により形成されている。隔壁６０は、断面視略台形状に形成されていて、その底辺部６０ａが走査ライン２２及びデータライン２３を覆うように、これらライン２２，２３の幅よりも拡幅に形成されている。
【００３４】
次に、電気泳動表示装置１の製造方法について図４〜図６を参照して説明する。
まず、図４（ａ）に示す通り、薄膜トランジスタ基板２０の内面に対して、所定箇所に酸化クロムを成膜し、反射防止膜８０を形成する。
そして、図４（ｂ）に示す通り、反射防止膜８０の所定箇所に、Ｃｒを成膜して、ゲート電極２９、走査ライン２２及びゲート配線２９ａを形成する。
【００３５】
その後、図４（ｃ）に示す通り、ゲート配線２９ａを覆うようにＩＴＯを成膜して、補助容量ライン２６を形成する。
次いで、図４（ｄ）に示す通り、ゲート電極２９、走査ライン２２及び補助容量ライン２６を覆うように、例えば酸化シリコン又は窒化シリコン等を成膜して、ゲート絶縁膜３０を形成する。ゲート絶縁膜３０の形成後には、その上面に真性アモルファスシリコン３１ａを成膜する。さらに、真性アモルファスシリコン３１ａの形成後は、その上面の所定箇所に、窒化シリコン等を成膜してチャネル保護膜３２を形成する。
【００３６】
また、図５（ａ）に示す通り、周知のエッチング法等を用いて真性アモルファスシリコン３１ａの不要な部分を除去し、半導体薄膜３１、３７を形成する。除去後においては、所定箇所にｎ型アモルファスシリコン等を成膜して、オーミックコンタクト層３３，３４，３８を形成し、そのオーミックコンタクト層３３，３４，３８上にＣｒを成膜して、ソース電極３５、ドレイン電極３６及びドレイン膜３９を形成する。これにより、薄膜トランジスタ２５及びデータライン２３が形成される。
【００３７】
図５（ｂ）に示す通り、薄膜トランジスタ２５及びデータライン２３の上層側に、酸化シリコン等を成膜し、オーバーコート膜５０を形成する。その後、オーバーコート膜５０の所定箇所を周知のエッチング法により除去し、コンタクトホール４０を形成する。
そして、図５（ｃ）に示す通り、オーバーコート膜５０の上面における所定の箇所に、ＩＴＯを成膜して画素電極２４を形成する。
【００３８】
薄膜トランジスタ基板２０が完成すると、薄膜トランジスタ基板２０上に隔壁６０を形成する。具体的には、図６に示す隔壁用フィルム６１を用いて隔壁６０を形成する。図６では各層が剥離した状態を示しているが、実際には隔壁用フィルム６１は、支持フィルム６２、レジストフィルム６３及びカバーフィルム６４が積層されて形成されている。例えば、支持フィルム６２はＰＥＴ等の樹脂フィルムから形成されていて、カバーフィルム６４はＯＰＰ等の樹脂フィルムから形成されている。そして、レジストフィルム６３は、隔壁６０をなす感光性アクリル等の感光性樹脂により形成されていて、一方の面に支持フィルム６２が貼付され、他方の面にカバーフィルム６４が貼付されている。
この隔壁用フィルム６１を用いて隔壁６０を形成するには、まずカバーフィルム６４を剥がして、薄膜トランジスタ基板２０上にレジストフィルム６３を貼り合わせる。その状態のままレジストフィルム６３を露光し、感光性アクリルを薄膜トランジスタ基板２０の所定位置に転写する。転写後、支持フィルム６２を剥がしてから、レジストフィルム６３を現像して、薄膜トランジスタ基板２０に転写された以外の部分を除去する。そして、薄膜トランジスタ基板２０上に転写された感光性アクリルに対してポストベークを施し、密着性を高めることで、図２に示すように隔壁６０が形成される。
【００３９】
隔壁６０の形成後においては、黒粒子７１、白粒子７２が複数分散された溶媒７０を、隔壁６０により囲まれた複数の領域に注入する。注入後、対向電極１１と画素電極２４とが対向するように対向基板１０を薄膜トランジスタ基板２０上に配置し、対向する基板１０，２０間に形成した図示しない枠状のシール材により貼り合わせ封止する。あるいは、対向基板１０の全面に予め樹脂フィルム等を用いて接着層を形成し、貼り合わせ封止してもよい（図１参照）。
【００４０】
次に、本実施形態の電気泳動表示装置１の作用について説明する。なお、電気泳動表示装置１においては、表示面が薄膜トランジスタ基板２０の外面２０ａとなっており、視認する方向は図１における矢印方向となる。
そして、対向電極１１の電圧を、画素電極２４よりも高くすると、負の帯電性の酸化チタンからなる白粒子７２が対向電極１１側に移動するとともに、正の帯電性のカーボンブラックからなる黒粒子７１が画素電極２４側に移動して、表示面では黒色が表示されることになる（例えば図１に示す状態）。逆に対向電極１１の電圧を、画素電極２４よりも小さくすると、白粒子７２が画素電極２４側に移動するとともに黒粒子７１が対向電極１１側に移動して、表示面では白色が表示されることになる。これをマトリクス上に配置された各画素毎に行うことで、表示面に所定の図形や文字が描画されるのである。
【００４１】
ところで、図１に示すように、製造後においては隔壁６０と対向基板１０との間に黒粒子７１、白粒子７２が残存し、対向基板１０に挟まれた状態となっている。対向基板１０側を表示面とすると、表示したい色とは反対の色の粒子（図１においては白粒子７２）が画素間にあることでコントラスト比の低下がおきるが、この電気泳動表示装置１においては、薄膜トランジスタ基板２０の外面２０ａが表示面となっているために、表示したい色とは反対の色の粒子（図１においては白粒子７２）が画素間にあったとしても、当該粒子が表示面に表示されることを防止し、コントラスト比の低下を防止することができる。
さらに、薄膜トランジスタ基板２０の外面２０ａを表示面とした場合は、走査ライン２２やデータライン２３は金属膜で形成されるため鏡面反射を生じてしまって、映り込みが激しくなってしまう。このため、本実施形態の電気泳動表示装置１では、走査ライン２２及びデータライン２３と、薄膜トランジスタ基板２０との間に、反射防止膜８０が走査ライン２２及びデータライン２３に重なるように介在しているので、表示面側から視認したとしても、前述した映り込みを防止し、表示品位の低下を防止することができる。
【００４２】
以上のように、本実施形態によれば、映り込みを抑えつつ、コントラスト比の低下を防止可能な電気泳動表示装置１を提供することができる。
また、走査ライン２２及びデータライン２３が形成される領域よりも反射防止膜８０が拡幅に形成されているので、走査ライン２２及びデータライン２３に位置ズレがあったとしても、確実に反射防止膜８０で表示面側を覆うことができる。
なお、本発明は上記実施形態に限らず適宜変更可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１      電気泳動表示装置
１０      対向基板（第二の基板）
１１      対向電極
２０      薄膜トランジスタ基板（第一の基板）
２０ａ    外面（表示面）
２２      走査ライン
２３      データライン
２４      画素電極
２５      薄膜トランジスタ
２６      補助容量ライン
２９      ゲート電極
２９ａ    ゲート配線
３０      ゲート絶縁膜
３１      半導体薄膜
３１ａ    真性アモルファスシリコン
３２      チャネル保護膜
３３，３４    オーミックコンタクト層
３５      ソース電極
３６      ドレイン電極
３７      半導体薄膜
３８      オーミックコンタクト層
３９      ドレイン膜
４０      コンタクトホール
５０      オーバーコート膜
６０      隔壁
６０ａ    底辺部
６１      隔壁用フィルム
６２      支持フィルム
６３      レジストフィルム
６４      カバーフィルム
７０      溶媒
７１      黒粒子
７２      白粒子
８０      反射防止膜
２４１      切欠部 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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