(57)【要約】【課題】成膜処理後の基板上の塵を確実に除去することができる成膜装置提供。【解決手段】プラズマＣＶＤ装置(1)は、トレイ(16)上に載置された基板(17)に薄膜を形成する成膜処理室(12)と、成膜処理済みの基板(17)が載置されたトレイ(16)を搬送する搬送装置(14,15)と、搬送移動しているトレイ(16)の基板載置面に向けてエアを噴出して、トレイ(16)および該トレイ(16)に載置された基板(17)に付着する塵を吹き飛ばすブロア(22A,22B)と、吹き飛ばされた塵をエアとともに吸引するノズル(25)とを備える。ブロア(22A,22B)は、搬送方向下流側に斜めにエアを噴出する噴出口と、搬送方向上流側に斜めにエアを噴出する噴出口とを備え、ノズル(25)にはこれらの噴出口の間に配置されて基板載置面に対向する吸入口が設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレイ上に載置された基板に薄膜を形成する成膜処理室と、
成膜処理済みの基板が載置された前記トレイを搬送する搬送装置と、
搬送移動している前記トレイの基板載置面に向けてエアを噴出して、トレイおよび該トレイに載置された基板の上の塵を吹き飛ばすブロアと、前記吹き飛ばされた塵をエアとともに吸引するノズルとを備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜装置において、
前記ブロアは、前記基板載置面に対して斜めに入射するように搬送方向下流側に向けてエアを噴出する第１の噴出口と、前記基板載置面に対して斜めに入射するように搬送方向上流側に向けてエアを噴出する第２の噴出口とを備え、
前記ノズルは前記第１の噴出口と前記第２の噴出口との間に配置され、前記基板載置面に対向する吸入口を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項３】
請求項２に記載の成膜装置において、
前記第１および第２の噴出口から噴出される各エアの噴出方向は、該第１および第２の噴出口から噴出されるエアが、前記基板の表面よりもトレイ側において交差するように設定されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜装置において、
成膜装置への未処理基板の搬入および成膜装置からの成膜処理済み基板の搬出を行うロード・アンロード室と、
成膜処理済み基板を前記ロード・アンロード室に搬送するリターン搬送室とを備え、
前記ブロアおよび前記ノズルを前記リターン搬送室に設けたことを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
成膜装置の集塵方法であって、
前記成膜処理室における成膜を停止して該成膜処理室の温度を低下させる工程と、
前記基板が載置されていないトレイを前記成膜処理室に供給する工程と、
前記成膜処理室に供給された前記トレイを搬送装置により搬送する工程と、
前記搬送装置により前記トレイを搬送しつつ該トレイ上の塵を集塵する工程とを有することを特徴とする集塵方法。
【請求項６】
請求項５に記載の集塵方法において、
前記集塵する工程では、前記トレイ上の塵をブロアからのエアによって吹き飛ばし、その吹き飛ばされた塵をノズルによりエアとともに吸引することを特徴とする集塵方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集塵装置を備えた成膜装置、および、その成膜装置における集塵方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜を形成する技術の一つとして、ＣＶＤ法（化学気相堆積法）がある。例えば、プラズマを用いたプラズマＣＶＤ法では、成膜チャンバに材料ガスを導入するとともに排気ポンプで減圧し、直流電力、高周波電力、マイクロ波電力などを印加してプラズマを生成し、基板上に薄膜を形成する。この成膜の際には、基板上だけではなく、基板が載置された搬送トレイやチャンバ内壁にも生成物の被膜が生成される。チャンバ内壁の被膜の付着量は、成膜処理が繰り返される度に増大する。チャンバ内壁に被膜は、付着量が増大すると膜応力により剥離が発生したり、また、温度変化によっても剥離が生じたりする。
【０００３】
剥離した被膜は、基板上や搬送トレイ上に落下する。この剥離して落下する被膜の量は、成膜稼働時間が長くなるにつれて増大する傾向にある。また、搬送トレイ上やチャンバ内に残存する剥離した被膜が、チャンバ内を大気パージするときや基板搬送過程において巻き上げられて、基板上に落下する場合もある。
【０００４】
そのため、従来のＣＶＤ装置では、活性化されたクリーニングガスを成膜チャンバに導入し、材料ガス導入ラインやチャンバ内壁に付着している反応生成物（成膜物や副生成物など）を除去するようにしている（例えば、特許文献１参照）。また、帯電した集塵プレートを基板処理前に成膜チャンバ内に搬送し、成膜室内に残留する粉塵を静電力により吸着する方法も開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−２５２０６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述したクリーニング作業は、基板上への被膜の落下を防止するために行うものであって、基板上に落下した塵を除去するものではない。そのため、被膜の落下を極力抑える意味で、上述したクリーニング作業を成膜処理の度に行うようにしている。その結果、成膜処理１回当たりの時間が長くなり生産効率の低下を招くことになる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の発明に係る成膜装置は、トレイ上に載置された基板に薄膜を形成する成膜処理室と、成膜処理済みの基板が載置されたトレイを搬送する搬送装置と、搬送移動しているトレイの基板載置面に向けてエアを噴出して、トレイおよび該トレイに載置された基板の上の塵を吹き飛ばすブロアと、吹き飛ばされた塵をエアとともに吸引するノズルとを備えたことを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１に記載の成膜装置において、ブロアは、基板載置面に対して斜めに入射するように搬送方向下流側に向けてエアを噴出する第１の噴出口と、基板載置面に対して斜めに入射するように搬送方向上流側に向けてエアを噴出する第２の噴出口とを備え、ノズルは第１の噴出口と第２の噴出口との間に配置され、基板載置面に対向する吸入口を備えることを特徴とする。
請求項３の発明は、請求項２に記載の成膜装置において、第１および第２の噴出口から噴出される各エアの噴出方向は、該第１および第２の噴出口から噴出されるエアが、基板の表面よりもトレイ側において交差するように設定されていることを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜装置において、成膜装置への未処理基板の搬入および成膜装置からの成膜処理済み基板の搬出を行うロード・アンロード室と、成膜処理済み基板をロード・アンロード室に搬送するリターン搬送室とを備え、ブロアおよびノズルをリターン搬送室に設けたことを特徴とする。
請求項５の発明は、成膜装置の集塵方法であって、成膜処理室における成膜を停止して該成膜処理室の温度を低下させる工程と、基板が載置されていないトレイを成膜処理室に供給する工程と、成膜処理室に供給されたトレイを搬送装置により搬送する工程と、搬送装置によりトレイを搬送しつつ該トレイ上の塵を集塵する工程とを有することを特徴とする。
請求項６の発明は、請求項５に記載の集塵方法において、集塵する工程では、トレイ上の塵をブロアからのエアによって吹き飛ばし、その吹き飛ばされた塵をノズルによりエアとともに吸引することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、成膜処理後の基板上およびトレイ上の塵を確実に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明による集塵装置を備えた成膜装置の概略構成を模式的に示す図である。
【図２】集塵装置２の構成を説明する平面図である。
【図３】ブロア２２Ａ，２２Ｂおよび吸入ノズル２５の位置関係を説明する図である。
【図４】吸入ノズル２５の下方をトレイ１６が移動する間の集塵作業の状況を示す模式図である。
【図５】他の例を示す図である。
【図６】被膜除去作業の手順を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図を参照して本発明を実施するための形態について説明する。
―第１の実施の形態―
図１は本発明による成膜装置の第１の実施の形態を示したものであり、プラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す模式図である。プラズマＣＶＤ装置１は、ロード／アンロード室１１、成膜処理室１２、昇降室１３およびリターン搬送室１４を備えている。成膜処理室１２には、トレイ１６を搬入および搬出するためのゲートバルブＶ１，Ｖ２が設けられている。基板１７が載置されるトレイ１６は、コンベア１５により各室間を搬送される。なお、図示していないが、ロード／アンロード室１１および昇降室１３には、トレイを昇降するための昇降機構が設けられている。
【００１１】
ロード／アンロード室１１においては、未処理の基板１７の供給および成膜処理済の基板１７の回収が行われる。例えば、真空吸着チャックやベルヌーイチャック等の基板供給／回収装置１８を用いて、トレイ１６上へ未処理の基板１７を載置し、また、トレイ１６上の処理済み基板１７を回収する。なお、上述したチャックによる基板１７のハンドリングが確実に行われるように、すなわち、基板１７がトレイ１６の表面から容易に引き離されるように、トレイ１６の基板載置面には溝が形成されている。なお、ロード／アンロード室１１に基板加熱用のヒータを設けて、未処理の基板１７の予備加熱を行うようにしても良い。
【００１２】
ロード／アンロード室１１への基板１７の供給が終了したならば、エアパージを行って成膜処理室１２を大気圧状態に戻し、ゲートバルブＶ１を開いてトレイ１６を成膜処理室１２に搬送する。その後、ゲートバルブＶ１を閉じて真空排気した後に材料ガスを導入し、プラズマＣＶＤ処理によりに所望の薄膜を基板１７上に成膜する。本実施の形態の成膜装置はプラズマＣＶＤ法により成膜を行うものであるが、プラズマＰの生成方法としては容量結合型プラズマ、誘導結合型プラズマ、表面波プラズマなど種々の方法がある。それらの方法でプラズマＰを生成し、そのプラズマを利用して成膜処理室１２内に導入された材料ガスを分解・反応させて、基板１７上に薄膜を形成する。
【００１３】
上述したように、成膜処理によって成膜処理室１２の内壁にも被膜が形成され、成膜処理が繰り返されられると内壁の被膜が剥離して基板１７やトレイ１６上に落下することがある。また、搬送過程や成膜処理室１２を大気圧状態へ戻すときのエアパージにより、成膜処理室１２内に落下した被膜が舞い上がり、基板１７上に落下する場合もある。
【００１４】
基板１７上への成膜が終了したならば、エアパージを行って成膜処理室１２を大気圧状態に戻した後にゲートバルブＶ２を開閉し、成膜処理済みの基板１７が載置されたトレイ１６を昇降室１３に搬送する。昇降室１３にはトレイ１６を昇降させる昇降機構が設けられており、トレイ１６をリターン搬送室１４への搬送位置まで降下させる。トレイ１６の位置が搬送位置となったならば、コンベア１５によりトレイ１６をリターン搬送室１４へ搬送する。
【００１５】
リターン搬送室１４には、コンベア１５とともに集塵装置が設けられている。図１に示したブロア２２Ａ，２２Ｂおよび吸引ノズル２５は、集塵装置を構成する部品の一部である。集塵装置の詳細構成は後述する。コンベア１５によりトレイ１６を図示右方向に搬送しながら、ブロア２２Ａ，２２Ｂよりエアを搬送トレイ１６の方向に吹き付ける。基板１７上および搬送トレイ１６上の塵（剥離した被膜等）は吹き付けられたエアによりが吸引ノズル２５方向に舞い上げられ、エアと共に吸引ノズル２５により吸い込まれる。このように、トレイ１６の搬送移動を行いながら、基板１７およびトレイ１６上に落下した塵の集塵作業が自動的に行われる。
【００１６】
集塵作業が終了すると、トレイ１６はロード／アンロード室１１に戻される。ロード／アンロード室１１に搬送されたトレイ１６は、昇降機構により基板供給／回収位置まで上方に移動される。トレイ１６が搬入／回収位置まで上昇すると、成膜処理済みの基板１７は基板供給／回収装置１８により回収される。
【００１７】
図２は集塵装置２の構成を説明する図であり、リターン搬送室１４を成膜処理室１２方向から見た平面図である。上述したように、トレイ１６上には複数の基板１７が載置されている。集塵装置２は、ブロア２２Ａ，２２Ｂおよびノズル２５に加えて、ガス供給装置２０，吸引装置２１，配管２３およびマニホールド２４を備えている。図１に示したコンベア１５により、成膜処理済みの基板１７を載置したトレイ１６は図示右方向に搬送されるため、トレイ１６の全領域が集塵装置２の下方を通過することになる。
【００１８】
ブロア２２Ａ，２２Ｂはガス噴出口を備えた配管で構成され、その配管には大気圧よりも若干圧力の高いエアがガス供給装置２０から供給される。ブロア２２Ａ，２２Ｂのエアによって舞い上げられた塵を吸入する吸入ノズル２５は、上方から見てＴ字形状をしており、トレイ１６と対向する底面部分に吸入口２５ａが形成されている。図２に示すように、複数の吸入ノズル２５が、トレイ１６の移動方向に対して直行する方向に隙間無く並設されている。それらの吸入ノズル２５は、マニホールド２４に取り付けられている。
【００１９】
マニホールド２４には吸引装置２１からの配管２３が接続されており、この配管２３を介してマニホールド２４内のエアを吸引装置２１により吸引する。配管２３には蛇腹状のフレキシブル配管が用いられ、マニホールド２４の位置を調整することで、吸入ノズル２５とトレイ１６との隙間を正確に調整することができる。吸引ノズル２５により吸引された塵はエアと共に吸引装置２１まで運ばれ、吸引装置２１内に設けられたダストボックスに回収される。
【００２０】
図３は、ブロア２２Ａ，２２Ｂおよび吸入ノズル２５の位置関係を説明する図である。吸入ノズル２５の底面部分には、幅寸法Ｗを有するスリット状の吸入口２５ａがトレイ１６の基板載置面に対向するように形成されている。一対のブロア２２Ａ，２２Ｂは基板搬送方向に並設されており、吸入口２５ａに対してブロア２２Ａは搬送方向の上流側に配置され、ブロア２２Ｂは搬送方向の下流側に配置されている。吸入ノズル２５は、吸入口２５ａがブロア２２Ａ，２２Ｂの中間位置に配設されるように位置調整されている。
【００２１】
ブロア２２Ａ，２２Ｂには、エア噴出口２２０がブロア配管の延在方向、すなわち、トレイ搬送方向に対して直交する方向に複数並設されている。ブロア２２Ａのエア噴出口２２０は、鉛直下方向に対して角度θだけ搬送下流方向に傾いた位置に形成されており、基板１７の面またはトレイ１６の面に対して角度θを成す斜め前方（搬送下流方向）にエアが吹き出される。一方、ブロア２２Ｂのエア噴出２２０は、鉛直下方向に対して角度θだけ搬送上流方向に傾いた位置に形成されており、基板１７の面またはトレイ１６の面に対して角度θを成す斜め後方（搬送上流方向）にエアが吹き出される。
【００２２】
符号１０１は、ブロア２２Ａ，２２Ｂから噴出されるエアの噴出方向を示す直線の交点を示している。角度θは、交点１０１が基板１７の表面よりも下側（トレイ側）に位置するように設定される。すなわち、ブロア下端と交点１０１との間の鉛直方向距離ｈ２を、ブロア下端と基板表面位置１００との間の鉛直方向距離ｈ１よりも大きく設定する。このように設定することにより、ブロア２２Ａのエア噴出方向を示す直線と基板表面位置１００とが交差する位置は交点１０１よりも搬送方向下流となり、ブロア２２Ｂのエア噴出方向を示す直線と基板表面位置１００とが交差する位置は交点１０１よりも搬送方向上流となる。
【００２３】
図３において、矢印曲線Ｇは、基板１７があった場合の噴出エアの流れを模式的に示したものである。ブロア２２Ａの噴出口２２０から斜め右下に噴出されたエアは、基板表面位置１００で示す基板表面に沿って図示右方向に流れる。一方、ブロア２２Ｂの噴出口２２０から斜め左下に噴出されたエアは、基板表面に沿って図示左方向に流れる。この２つのエアの流れは、吸入ノズル２５の吸入口２５ａの直下で衝突し、基板面から上方に上昇するような流れとなる。このエアの流れにより、基板表面やトレイ表面に載っている塵や剥離片は上方に舞い上げられる。
【００２４】
このように、角度θを成すようにエアを２方向から噴出しているので、塵が吸入口２５ａの位置から大きく左右に外れて舞い上げられるのを避けることができる。一方、吸入ノズル２５は吸入口２５ａから積極的にエアを吸入しているので、舞い上げられた塵はエアとともに吸入ノズル２５内に吸入されることになる。
【００２５】
なお、噴出口２２０の孔径φおよび角度θ、吸入口２５ａの幅寸法Ｗ、基板表面から吸入ノズル２５およびブロア２２Ａ，２２Ｂの下端までの距離は、実際に集塵試験を行うことで最適な値に決定される。
【００２６】
（集塵動作の説明）
図４は、吸入ノズル２５の下方をトレイ１６が移動する間の集塵作業の状況を示す模式図である。図４（ａ）は、吸気ノズル２５がトレイ１６に対向している場合を示したものである。上述したように、ブロア２２Ａ，２２Ｂから噴出されたエアは、トレイ表面に衝突して吸入口２５ａの直下においては上昇するような流れとなっている。そのため、トレイ１６上の塵３０は、トレイ１６の表面から上方に舞い上げられ、吸入口２５ａから吸入ノズル２５内にエアとともに吸い込まれる。
【００２７】
図４（ｂ）は、図４（ａ）の状態からさらにトレイ１６が右方向に移動して、基板１７の一部が吸入ノズル２５の下方に入った状態を示す。この状態では、ブロア２２Ａから噴出されたエアのみが基板１７の表面に直接当たっていて、ブロア２２Ｂからのエアはトレイ１６の表面に吹き付けられることになる。そのため、基板１７にはブロア２２Ａから噴出されるエアによってトレイ１６に押し付けられる力が働くため、ブロア２２Ｂから噴出されトレイ表面に沿って流れてくるエアが基板１７の端面部分に当たっても、破線で示すように基板１７がトレイ１６から浮きあがってずれたりすることがない。
【００２８】
上述したように、トレイ１６の基板載置面には、基板回収時にトレイ１６から基板１７が離れやすくするために溝等が形成されている。そのため、図４（ｂ），（ｃ）のように基板１７の縁の部分にブロア２２Ａ，２２Ｂからのエアが吹き付けられたときに、エアがトレイ１６と基板１７との隙間に入りやすくなり、基板１７がシリコンウエハのように面積がそれほど大きくなく厚さが非常に薄い基板である場合には、基板１７が浮き上がるおそれがある。しかしながら、図３に示すような配置とすることで、他方のブロアからのエアによる押し付け力により、基板１７の浮き上がりが防止される。
【００２９】
図４（ｃ）は、図４（ｂ）の状態からさらにトレイ１６が右方向に移動して、図４（ａ）の場合とは逆に、基板１７の反対側の端部が吸入ノズル２５の下方に入った場合を示す。この場合には、噴出されたエアが基板１７の表面に直接当たっているのはブロア２２Ｂからのエアのみであり、ブロア２２Ａからのエアはトレイ１６の表面に吹き付けられることになる。そのため、ブロア２２Ｂから噴出されるエアによって基板１７にはトレイ１６に押し付けられる力が働き、ブロア２２Ａからのエアが基板端面に吹き付けられても、基板１７が浮きあがるようなことはない。
【００３０】
上述したように、基板端部にブロア２２Ａ，２２Ｂからのエアが吹き付けられた場合でも、基板の吹き上がりを防止できるという作用効果は、交点１０１の位置が基板表面よりも下側（トレイ側）になるように角度θや距離ｈ１を設定することにより得られる。
【００３１】
（他の例）
図５は、図３に示した構成に対する他の例を示したものである。図５（ａ），（ｂ）は、噴出ガスの方向を示す直線の交点１０１が基板表面付近に有る場合を示したものである。このような設定であっても塵を集塵する機能は生じるし、面積が大きく比較的重量のある基板であれば上述したような浮きあがりは生じない。
【００３２】
ただし、シリコンウエハのような軽い基板の場合には、図５（ａ）に示すような基板位置において、ブロア２２Ｂから噴出されたエアにより基板１７が浮きあがってしまうおそれがあり、位置ズレにより基板同士が重なったりすることがある。また、図５（ｂ）は、基板１７の左端が吸入口２５ａの下側を通過する状況を示したものであり、この場合にもブロア２２Ａからのエアにより基板１７が浮きあがるおそれがある。
【００３３】
図５（ｃ）は、一つのブロア２２から角度θで斜めにエアを噴出し、ブロア２２とは反対方向の角度θ方向に吸入ノズル２５を配置した場合の構成を示したものである。この構成の場合には、塵はブロア２２からのエアによって吸入ノズル２５の方向へ吹き飛ばされるので、その吹き飛ばされた塵を吸入ノズル２５により吸い込むようにしている。この構成の場合にも、移動する基板１７の縁にブロア２２からのエアが吹き付けられた際に、基板１７が浮き上がって位置ずれするおそれがある。
【００３４】
本実施の形態においては、上述した基板１７上およびトレイ１６の塵や剥離片を除去する集塵動作は、プラズマＣＶＤ装置１による成膜作業を行っている間、常時行われている。その結果、成膜後の基板１７に塵（剥離した被膜等）が残留するのを防止することができる。
【００３５】
―第２の実施の形態―
ところで、成膜処理室１２の内壁に付着する被膜は成膜処理回数が増えるに従って増加する。そして、被膜の付着量が増えるにしたがい、被膜の剥離の頻度も増加する。そのため、定期的なメンテナンスとして、成膜処理室１２の内壁に付着した被膜や、成膜処理室内に落下した剥離片を除去するクリーニング作業を、装置を停止して手作業で行うのが一般的である。このメンテナンスを行う場合、基板上の塵が基準量を超えたならば生産稼働を停止し、チャンバ内や搬送トレイを掃除機等で除去する。
【００３６】
一方、本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１では、上述した集塵装置２を用いることで、成膜処理室内壁に付着した被膜の除去作業を、人手を介さず自動的に行うことができる。被膜除去作業は、図６に示すような手順で行われる。
【００３７】
まず、ステップ＃１において成膜作業を停止する。すなわち、成膜処理室１２の成膜動作を停止するとともに、基板１７の供給を停止する。なお、成膜動作は停止させるが、成膜動作以外の動作、すなわち、ロード／アンロード室１１，昇降室１３，リターン搬送室１４の駆動は継続され、トレイ１６の搬送および集塵装置２による集塵作業は引き続き行われている。
【００３８】
ステップ＃２では、トレイ１６の連続搬送動作を開始する。この動作においては、成膜処理室１２は大気圧に戻され、ゲートバルブＶ１，Ｖ２は開状態に維持される。そして、基板１７を載置していない複数のトレイ１６が次から次へと、開状態とされたゲートバルブＶ１，Ｖ２を介して成膜処理室１２内を連続的に移動するように動作させる。
【００３９】
上述したステップ＃１で成膜処理室１２における成膜動作が停止されると、成膜処理室１２の温度が徐々に低下するので、この温度変化により壁面に付着していた被膜が剥離して落下する。上述したステップ＃２により、成膜処理室１２内においてはトレイ１６が連続的に移動しているため、そのトレイ１６上に剥離した被膜が落下する。剥離落下した被膜を載せたトレイ１６は、コンベア１５により成膜処理室１２から搬出され、昇降室１３を介してリターン搬送室１４へと搬送される。
【００４０】
リターン搬送室１４に搬送されたトレイ１６は、リターン搬送室１４内を移動している間に、トレイ１６上に落下した剥離被膜や塵が集塵装置２によって除去される。集塵装置２によりクリーニングされたトレイ１６は、ロード／アンロード室１１を介して再び成膜処理室に搬送される。このような被膜除去作業を所定時間行ったならば、ステップ＃３において被膜除去作業を終了する。次いで、ステップ＃４において、成膜動作を再開する。
【００４１】
上述したように、第２の実施の形態では、成膜装置の集塵方法であって、成膜処理室１２における成膜を停止して該成膜処理室１２の温度を低下させる工程と、基板１７が載置されていないトレイ１６を成膜処理室１２に供給する工程と、成膜処理室１２に供給されたトレイ１６を搬送装置１５により搬送する工程と、搬送装置１５によりトレイ１６を搬送しつつ該トレイ１６上の塵を集塵する工程とを有する。その結果、剥離した被膜はトレイ１６によって受け止められ、その剥離被膜は集塵装置２で集塵され、成膜処理室１２の内壁に付着した被膜の除去を、人手を使うことなく行うことができる。また、集塵工程では、トレイ１６上の塵はブロア２２Ａ，２２Ｂからのエアによって吹き飛ばされ、その吹き飛ばされた塵はノズル２５によりエアとともに吸引される。
【００４２】
プラズマＣＶＤ装置１にはこのような自動クリーニングモードが設定されており、オペレータが自動クリーニングモードを指示すると装置は自動クリーニングモードに入って、自動的に成膜処理室１２の内壁に付着した被膜の除去を行う。
【００４３】
もちろん、上述の自動クリーニングでは、トレイ１６以外の場所に落下した剥離被膜は回収できず、人手により被膜を除去する場合に比べて十分な被膜除去は行えなかったりする。しかし、上述の自動クリーニングはプラズマＣＶＤ装置１全体を停止することなく実行できるので、装置全体を停止して人手を使って行う定期的なクリーニングメンテナンスの間隔をより延長することが可能となり、コスト低減を図ることができる。
【００４４】
なお、以上の説明はあくまでも一例であり、本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではない。例えば、図２に示す例では、ノズルを複数並設したが大きなノズルを一つ設けても良いし、図２に示す大きさのノズルをトレイの大きさに応じて１〜３個設けるようにしても良い。また、上述した実施形態では、成膜装置としてプラズマＣＶＤ装置を例に説明したが、プラズマ利用しないＣＶＤ装置にも適用できるし、スパッタを利用した成膜装置等にも適用することができる。
【符号の説明】
【００４５】
１：プラズマＣＶＤ装置、１１：ロード／アンロード室、１２：成膜処理室、１３：昇降室、１４：リターン搬送室、１５：コンベア、１６：トレイ、１７：基板、１８：基板供給／回収装置、２０：ガス供給装置、２１：吸引装置、２２，２２Ａ，２２Ｂ：ブロア、２３：配管、２４：マニホールド、２５：吸引ノズル、２５ａ：吸入口、１０１：交点、２２０：エア噴出口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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