(57)【要約】 【課題】レーザ光によるダイシングに使用することができ、帯電防止性能を有するダイシングテープ用基材、ダイシングテープ、半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】ダイシングテープ１は、ダイシングテープをウェハ裏面に貼り付け、前記ダイシングテープを介してレーザ光を透過させ、ウェハ内部にレーザを到達させてウェハのダイシングを行うレーザダイシングに使用される。ダイシングテープ１は、ダイシングテープ用基材１１（以下、基材１１という）と、基材１上に設けられた粘着層１２とを備える。【選択図】 図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシングテープをウェハ裏面に貼り付け、前記ダイシングテープを介してレーザ光を透過させ、ウェハ内部にレーザ光を到達させてウェハのダイシングを行うレーザダイシングに使用される、ダイシングテープ用の基材であって、
カリウムアイオノマーを含む層を備えるダイシングテープ用基材。
【請求項２】
請求項１に記載のダイシングテープ用基材において、
可視光の光線透過率が９０％以上であるダイシングテープ用基材。
【請求項３】
請求項１または２に記載のダイシングテープ用基材において、
表面側および裏面側の表面粗さＲａが１．０μｍ以下であるダイシングテープ用基材。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のダイシングテープ用基材において、
前記カリウムアイオノマーを含む層は、カリウムアイオノマーと、ポリプロピレン系樹脂とを含むダイシングテープ用基材。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載のダイシングテープ用基材において、
前記カリウムアイオノマーは、エチレン−不飽和カルボン酸共重合体の少なくとも一部がカリウムで中和されたアイオノマーであるダイシングテープ用基材。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載のダイシングテープ用基材において、
当該ダイシングテープ用基材がカリウムアイオノマーを含む層からなるダイシングテープ用基材。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載のダイシングテープ用基材において、
ポリプロピレン系樹脂を含む一対の層間に、前記カリウムアイオノマーを含む層が挟まれた構造であるダイシングテープ用基材。
【請求項８】
粘着層と、
前記粘着層が積層される基材とを備え、
前記基材は、請求項１乃至７のいずれかに記載のダイシングテープ用基材であるダイシングテープ。
【請求項９】
ウェハの裏面に、ダイシングテープを貼り付ける工程と、
前記ダイシングテープが貼り付けられたウェハに対し、前記ダイシングテープ側からレーザ光を照射し、ダイシングテープを介してレーザ光を前記ウェハまで到達させ、前記ウェハをダイシングする工程とを含み、
前記ダイシングテープは、請求項８に記載のダイシングテープである半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングテープ用基材、ダイシングテープ、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハをダイシングする際には、ダイシングブレードにより、ウェハを切断することが行われていた。この際、半導体ウェハをダイシングテープにて固定し、チップの飛散を防止していた。
一方で、このようなダイシングブレードを使用するダイシング方法にかえて、レーザ光により、ダイシングする方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
この方法では、ウェハに対して、レーザ光を照射し、ウェハ内部に変質領域を形成する。そして、ウェハを引っ張り、前記変質領域を起点として、ウェハを分割する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２４５１７３号公報
【特許文献２】特開２００３−１５８０９８号公報
【特許文献３】特許第３５２４１５８号公報
【特許文献４】特開２００６−８７４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したレーザ光によるダイシングを行う際に、ダイシングテープが必要となるが、従来のダイシングテープでは、以下のような課題が生じる。
特許文献２から４に挙げられたダイシングテープは、いずれも、ダイシングブレードによるダイシングを想定したものであり、レーザ光によるダイシングに使用することは困難である。
【０００５】
より詳細に説明すると、特許文献２から４に開示されたダイシングテープの基材は、いずれも、レーザ光の透過性を全く考慮しておらず、ダイシングブレードによるダイシングを前提としているため、レーザ光の透過性が悪い。
そのため、特許文献２から４に挙げられたダイシングテープ用の基材を使用したダイシングテープをレーザ光によるダイシングに使用する場合には、ダイシングテープを、ウェハの素子形成面側に貼り付け、ウェハの素子形成面と反対の面側からレーザ光を照射しなければならない。この場合、ダイシングテープが、ウェハの素子形成面に貼り付けられることとなるので、半導体装置の性能に影響を及ぼしてしまうことが懸念される。
【０００６】
一方で、レーザダイシング用のダイシングテープとしては、高い帯電防止性能が要求される。従来のダイシングでは、水を供給しながらダイシングを行うため、帯電防止能は要求されなかったが、レーザ光によるダイシングの場合には、乾式のダイシングとなるので、ダイシングテープに対し、高い帯電防止性能が要求されることとなる。
このように、レーザ光によるダイシングに使用することができ、さらに、帯電防止性能を有するダイシングテープは、従来、存在しなかった。
【０００７】
本発明は、レーザ光によるダイシングに使用することができ、帯電防止性能を有するダイシングテープ、ダイシングテープ、半導体装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、ダイシングテープをウェハ裏面に貼り付け、前記ダイシングテープを介してレーザ光を透過させ、ウェハ内部にレーザ光を到達させてウェハのダイシングを行うレーザダイシングに使用される、ダイシングテープ用の基材であって、カリウムアイオノマーを含む層を備えるダイシングテープ用基材が提供される。
【０００９】
本発明によれば、ダイシングテープ用基材は、カリウムアイオノマーを含む層を備えており、高い帯電防止性能を有するものとなる。
また、本発明は、ダイシングテープをウェハ裏面に貼り付け、ダイシングテープを介してレーザ光を透過させ、ウェハ内部にレーザを到達させてウェハのダイシングを行うレーザダイシングに使用される基材であり、レーザ光を透過させることができる。
【００１０】
また、本発明によれば、粘着層と、前記粘着層が積層される基材とを備え、前記基材は、上述したダイシングテープ用基材であるダイシングテープを提供することができる。
【００１１】
さらに、本発明では、上述したダイシングテープを使用した半導体装置の製造方法も提供できる。
すなわち、本発明によれば、ウェハの裏面に、ダイシングテープを貼り付ける工程と、前記ダイシングテープが貼り付けられたウェハに対し、前記ダイシングテープ側からレーザ光を照射し、ダイシングテープを介してレーザ光を前記ウェハまで到達させ、前記ウェハをダイシングする工程とを含み、前記ダイシングテープは上述したダイシングテープである半導体装置の製造方法も提供できる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、レーザ光によるダイシングに使用することができ、帯電防止性能を有するダイシングテープ用基材、ダイシングテープ、半導体装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態にかかるダイシングテープの断面図である。
【図２】製造装置を示す模式図である。
【図３】レーザダイシングの工程を示す模式図である。
【図４】レーザダイシングの工程を示す模式図である。
【図５】第二実施形態のダイシングテープの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明は重複しないように適宜省略される。
図１を参照して、ダイシングテープ１について説明する。
ダイシングテープ１は、ウェハＷ裏面に貼り付け、ダイシングテープを介してレーザ光Ｌを透過させ、ウェハＷ内部にレーザ光Ｌを到達させてウェハＷのダイシングを行うレーザダイシングに使用される（図３参照）。
ダイシングテープ１は、ダイシングテープ用基材１１（以下、基材１１という）と、基材１１上に設けられた粘着層１２とを備える。
基材１１は、カリウムアイオノマーを含む層１１を備え、可視光線の光透過率が９０％以上である。
【００１５】
次に、ダイシングテープ１について詳細に説明する。
基材１１は、カリウムアイオノマーを含む層１層からなるものである。
基材１１は、可視光線の光透過率が９０％以上である。
ここで、可視光線の光透過率が９０％以上であるとは、可視光線である４００ｎｍから８００ｎｍ内のいずれかの波長において光線透過率が９０％以上であればよい。
可視光線の４００ｎｍから８００ｎｍ内のいずれかの特定波長において光線透過率を９０％以上とすることで、前記特定波長のレーザ光を透過させることができ、この特定波長のレーザ光を使用したレーザダイシングを正確かつ容易に実施することができる。
好ましくは、基材１１の可視光の光線透過率は、可視光線である４００ｎｍから８００ｎｍ内の全波長において９０％以上（可視光線（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）における全光線透過率が９０％以上）である。このようにすることで、使い勝手のよいものとすることができる。
なお、光線透過率は分光光度計で用いて測定された値である。
また、基材１１の光線透過率は、基材を構成する樹脂材料、基材１１の製造方法、表面粗さ等により調整することができる。
【００１６】
基材１１は、カリウムアイオノマーと、熱可塑性樹脂とを含む。
カリウムアイオノマーとしては、エチレン−不飽和カルボン酸共重合体の少なくとも一部がカリウムで中和されたアイオノマーが好ましく、エチレン−不飽和カルボン酸共重合体中のカルボキシル基の少なくとも一部がカリウムイオンで中和されたものである。
【００１７】
好適なアイオノマーは、高圧ラジカル重合法で合成されたエチレンと不飽和カルボン酸の共重合体をベースとし、これをカリウムイオンで１０〜９０％中和したアイオノマーである。この範囲で中和されていることにより、成形加工性、低吸湿性、帯電防止性に優れる。
【００１８】
アイオノマーは、１種類以上の不飽和カルボン酸由来の構成単位の合計量を１〜３０重量％、好ましくは２〜２０重量％含む。不飽和カルボン酸由来の構成単位を上記範囲で含むことにより、成形加工性、低吸湿性、帯電防止性に優れる。
【００１９】
アイオノマーを構成するエチレン−不飽和カルボン酸共重合体は、エチレンと、不飽和カルボン酸との共重合体である。この不飽和カルボン酸としては、炭素数３〜８の不飽和カルボン酸、具体的には、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、無水マレイン酸、マレイン酸モノメチルエステル、マレイン酸モノエチルエステルなどが用いられる。これらの不飽和カルボン酸のうちで、アクリル酸、メタクリル酸が特に好ましく用いられる。
【００２０】
また、エチレン−不飽和カルボン酸共重合体は三元以上の多元共重合体であってもよく、エチレンと共重合が可能な上記成分のほかに、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸イソオクチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸イソブチル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル等の不飽和カルボン酸エステル；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル等のビニルエステル；プロピレン、ブテン、１，３−ブタジエン、ペンテン、１，３−ペンタジエン、１−ヘキセン等の不飽和炭化水素；ビニル硫酸、ビニル硝酸等の酸化物；塩化ビニル、弗化ビニル等のハロゲン化合物；ビニル基含有１，２級アミン化合物；一酸化炭素、二酸化硫黄等が第三成分として共重合されていてもよい。
【００２１】
本実施形態において用いられるエチレン−不飽和カルボン酸共重合体のカリウム塩のビカット軟化点（ＪＩＳ  Ｋ−７２９６）は５０℃〜９０℃、好ましくは５５℃〜８０℃である。
カリウムアイオノマーの含有量は、基材１１全体に対し、帯電防止性能の観点から、１０重量％以上であることが好ましく、主材となる熱可塑性樹脂の樹脂特性維持の観点から、３０重量％以下であることが好ましい。
【００２２】
熱可塑性樹脂としては、ポリプロピレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂等があげられる。
ただし、基材１１の透明性の観点から、ポリプロピレン系樹脂が好ましく、なかでも、ランダムポリプロピレンが好ましい。
熱可塑性樹脂の含有量は、基材１１全体に対し、機械強度や加工性等の観点から、７０重量％以上であることが好ましく、帯電防止性能の観点から、９０重量％以下であることが好ましい。
【００２３】
基材１１の厚みは、拡張性の観点から８０μｍ以上、光線透過率の観点から、１００μｍ以下であることが好ましい。
また、基材１１は、レーザ光Ｌを散乱させないものであることが好ましく、表面および裏面が平滑であることが好ましい。基材１１の表面および裏面の表面粗さＲａ（算出平均粗さ）は、１．０μｍ以下であることが好ましい。
表面粗さＲａは、光干渉式の非接触型表面形状粗さ測定器を使用し、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１に準拠して測定することができる。
さらに、基材１１は、帯電防止の観点から、表面抵抗率が１．０×１０１０Ω／□以下、１．０×１０８Ω／□以上であることが好ましい。
表面抵抗率は、Ｈｉｒｅｓｔａ−ＵＰ（三菱化学（株）製）を用い、試験温度２３℃、相対湿度５０％の条件で印加電圧５００Ｖとして測定する。
【００２４】
粘着層１２は、紫外線硬化型であることが好ましく、たとえば、ＵＶ硬化型のアクリル系粘着剤等を使用することができる。具体的には、アクリル酸エステルを重合体構成単位とする重合体及びアクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系重合体、あるいは官能性単量体との共重合体、及びこれら重合体の混合物が挙げられる。これらの重合体の分子量としては５０万〜１００万程度の高分子量のものが好ましい。さらに、光重合開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンジンエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を粘着剤層に添加すると硬化反応時間又は放射線照射量が少なくても効率よく硬化反応を進行させることができる。
【００２５】
また、粘着層１２も、基材１１と同様、透明性が高いことが好ましく、可視光の光線透過率は、可視光線の４００ｎｍから８００ｎｍ内のいずれかの波長において９０％以上であることが好ましい。
なお、基材１１の光線透過率が９０％以上となる特定波長の可視光線において、粘着層１２の光線透過率が９０％以上であることが好ましく、さらには、４００ｎｍ〜８００ｎｍの全波長領域において、粘着層１２の光線透過率が９０％以上であることが好ましい。
さらに基材１１の光線透過率が９０％以上となる特定波長の可視光線において、ダイシングテープ全体としても、光線透過率も９０％以上であることが好ましく、さらには、４００ｎｍ〜８００ｎｍの全波長領域において、ダイシングテープ全体の光線透過率が９０％以上であることが好ましい。
光線透過率は、上述した方法で測定される。
【００２６】
なお、詳しくは、後述するが、ダイシングを行う際に、ダイシングテープ１の端部を引っ張り、その力により、ウェハＷのダイシングを行う。そのため、ダイシングテープ１は、所定の弾性率を有するとともに、拡張性を有するものであることが好ましい。
【００２７】
以上のようなダイシングテープ１は、以下のようにして得られる。
はじめに、基材１１を図２に示す装置５を使用し、製造する。
基材１１を構成する材料（樹脂と、アイオノマーを含む）をホッパ５１に投入する。
その後、押し出し機５２内で前記材料を溶融混練し、Ｔダイ５３から押し出す。
Ｔダイ５３からは、基材１１を構成する材料がフィルム１１Ａとなって押し出される。
フィルム１１Ａの表裏面に、フィルム５５を供給する。この一対のフィルム５５により、基材１１となるフィルム１１Ａは挟み込まれる。その後、一対のチルロール５４によりフィルム１１Ａ、フィルム５５を含む積層体を冷却し、さらに、３層構造となった積層体が巻き取られることとなる。
フィルム５５は、たとえば、ポリエチレンテレフタレートフィルムであり、平滑性が高いフィルムである（たとえば、表面粗さＲａが１．０μｍ以下）。このようなフィルム５５で、基材１１となるフィルム１１Ａを挟み込むことで、基材１１となるフィルム１１Ａの表面の平滑性を確保することができる。
さらに、３層構造となった積層体から、フィルム５５を剥離することで、基材１１を得ることができる。
その後、基材１１上に粘着層１２を形成する。
粘着層１２は、たとえば、バーコート法により、基材１１上に塗布される。
以上のようにして、ダイシングテープ１を得ることができる。
【００２８】
次に、このようなダイシングテープ１を使用した、半導体装置の製造方法について説明する。
図３（Ａ）に示すように、ダイシングテープ１の粘着層１２をウェハＷの裏面（素子形成面と反対側の面）に固定するとともに、ダイシングテープ１の粘着層１２の端部をダイシングテーブル６に固定する。
次に、ダイシングテープ１の基材１１側から、レーザ光Ｌを照射しウェハＷ内部のダイシングラインに沿って変質層Ｗ１を形成する（図３（Ｂ）参照）。
その後、図４に示すように、ダイシングテープ１の端部を引っ張り、拡張させる。これにより、ウェハＷが変質層Ｗ１に沿って分割されることとなる。
その後、ダイシングテープ１の粘着層１２に紫外線を照射すると、粘着層１２が硬化し粘着性が低下する。これにより、ダイシングテープ１から分割されたウェハ（すなわち、半導体装置）を取り外すことができ、半導体装置を得ることができる。
【００２９】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
ダイシングテープ用基材１１は、カリウムアイオノマーを含む層からなるものであり、帯電防止性能を有するものとなる。特に、カリウムアイオノマーとして、エチレン−不飽和カルボン酸共重合体の少なくとも一部がカリウムで中和されたアイオノマーを使用することで帯電防止性能と光線透過率の両方に効果がある。
また、ダイシングテープ１は、ウェハＷ裏面に貼り付け、ダイシングテープ１を介してレーザ光Ｌを透過させ、ウェハＷ内部にレーザ光Ｌを到達させてウェハＷのダイシングを行うレーザダイシングに使用される。そのため、このダイシングテープ１を使用したレーザダイシングでは、ダイシングテープ１を、ウェハＷの素子形成面側（ウェハ表面）に貼り付ける必要がなく、半導体装置の信頼性低下を抑制できる。
特に、ダイシングテープ１の基材１１の可視光の光線透過率を９０％以上とすることで、レーザダイシングの際に、レーザ光Ｌの位置決めを正確に行うことができる。
なお、前述したように、特許文献２〜４に開示されたダイシングテープは、レーザ光の透過性が非常にわるい。さらに、従来のダイシングブレードによるダイシングに使用されていたダイシングテープは、ウェハから剥離しやすいように、表面にエンボス加工等の凹凸を形成することが一般に行われており、レーザ光を透過させることはできない。
【００３０】
また、基材１１の表面粗さＲａを１．０μｍ以下とすることで、レーザ光Ｌが基材１１により反射あるいは散乱されてしまうことを防止できる。
さらに、本実施形態のダイシングテープ１は、レーザダイシング、すなわち、乾式のダイシングに使用されるものである。そのため、カリウムアイオノマーを含む基材１１からカリウムアイオノマーが溶出してしまうことが抑制され、これにより、より信頼性の高い半導体装置を製造することが可能となる。
【００３１】
（第二実施形態）
図５を参照して、本発明の第二実施形態について説明する。
ダイシングテープ２は、基材の層構成が前記実施形態のダイシングテープ１とは異なっている。他の点は前記実施形態と同様である。
この基材２１は、複数層、ここでは３層構成であり、第一の樹脂層２１１と、カリウムアイオノマーを含む層２１２と、第二の樹脂層２１３とを備え、カリウムアイオノマーを含む層２１２を樹脂層２１１，２１３により挟んだ構成となっている。
第一の樹脂層２１１、第二の樹脂層２１３は、たとえば、ポリポロピレン系樹脂層である。第一の樹脂層２１１、第二の樹脂層２１３としては、とくにランダムポリプロピレン樹脂が好ましい。
カリウムアイオノマーを含む層２１２は、前記実施形態の基材１１と同じ層であり、基材１１と同じ材料で構成される。
各層の厚み比（第一の樹脂層２１１／カリウムアイオノマーを含む層２１２／第二の樹脂層２１３）は、１／１／１〜１／８／１が好ましい。
基材２１の厚みや、基材２１の可視光線透過率、表面粗さ等のその他の点は、前記実施形態の基材１１と同様である。
【００３２】
このような基材は、以下のようにして製造することができる。
前記実施形態と同様の製造装置を使用し、Ｔダイ５３から、カリウムアイオノマーを含む層２１２を押し出すとともに、さらにカリウムアイオノマーを含む層２１２を挟むように、第一の樹脂層２１１、第二の樹脂層２１３となるフィルムをＴダイ５３から押し出す。さらに、三層の積層体（第一の樹脂層２１１と、カリウムアイオノマーを含む層２１２と、第二の樹脂層２１３との積層体）を挟むように、前述したフィルム５５を供給し、積層体の表面が鏡面となるようにすればよい。
基材２１を上述した層構成とすることで基材２１のそりが低減されるという効果がある。とくに第一の樹脂層２１１と第二の樹脂層２１３を同じ線膨張率の樹脂で構成することが好ましい。
【００３３】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【実施例】
【００３４】
次に、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
図２に示した装置５を使用し、第一実施形態と同様の基材を作製した。
この装置５は、40mmφ単軸押出機Tタ゛イキャスト成形機であり、Ｔダイ５３は、コートハンカ゛ーマニホールト゛タイフ゜ (400mm幅)である。
基材１１の原料を装置に投入し、成形温度２３０℃とした。
チルロール５４の温度は２０℃であり、基材の表面を平滑なものとするために、フィルム５５を供給した。このフィルム５５は、厚み２５μｍのＰＥＴフィルムであり、表裏面の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは、０．５μｍであった。
基材１１は、カリウムアイオノマー（エチレン−メタクリル酸共重合体をカリウムで中和したアイオノマー）２０ｗｔ％、ランダムポリプロピレン樹脂（日本ポリプロ株式会社製  商品名ウィンテックＷＦＸ４ＴＡ）８０ｗｔ％で構成されている。また、基材１１の厚みは、１００μｍであった。
このようにして得られた基材１１の可視光（４００ｎｍから８００ｎｍの全波長）における光線透過率は、９０％であり、表面及び裏面の表面粗さＲａは、１．０μｍであった。
このような基材１１上に粘着層１２を形成した。
粘着層１２の材料はＵＶ硬化型アクリル系粘着剤であり、この材料をワニスに溶かし、基材１１上にバーコート法で塗布して粘着層１２を形成した。
粘着層１２の厚みは、８μｍであり、ダイシングテープ１の可視光（４００ｎｍから８００ｎｍの全波長）における光線透過率は、９０％であった。
また、基材１１の帯電防止性能は以下のように測定し、表面抵抗率は１．０×１０９Ω／□、帯電減衰時間は０．１秒と高い帯電防止性能を有するものとなることがわかった。
【００３５】
なお、光線透過率は、ＪＩＳ  Ｋ７３６１−１（１９９７）に基づき分光光度計で計測した。
また、表面粗さＲａは、算術平均粗さであり、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１に準拠して光干渉式の非接触型表面形状粗さ測定器で計測した。
帯電防止性能は、以下のように測定した。
（イ）表面低効率
Ｈｉｒｅｓｔａ−ＵＰ（三菱化学（株）製）を用い、試験温度２３℃、相対湿度５０％の条件で印加電圧５００Ｖとして測定した。
（ロ）帯電減衰時間
Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｅｃａｙ  Ｍｅｔｅｒ  Ｍｏｄｅｌ  ４０６Ｄ（Ｅｌｅｃｔｏｒ−Ｔｅｃｈ  Ｓｙｓｔｅｍ製）を用い、試験温度２３℃、相対湿度５０％の条件で±５０００Ｖで印加し、フィルムのＭＤ方向において１％減衰時間を測定した。
【００３６】
（実施例２）
図２に示した装置５を使用し、第二実施形態と同様の基材を作製した。
この装置５は、40mmφ単軸押出機Tタ゛イキャスト成形機であり、Ｔダイ５３は、コートハンカ゛ーマニホールト゛タイフ゜ (400mm幅)である。
カリウムアイオノマーを含む層２１２の原料、第一の樹脂層２１１、第二の樹脂層２１３の原料を装置に投入し、成形温度２３０℃とした。
チルロール５４の温度は２０℃であった。なお、第一の樹脂層２１１、第二の樹脂層２１３としては、ランダムポリプロピレン樹脂（日本ポリプロ（株）製の商品名ウィンテックＷＦＸ４Ｔ）を使用した。
Ｔダイ５３から、カリウムアイオノマーを含む層２１２、第一の樹脂層２１１、第二の樹脂層２１３を排出した。
さらに、基材２の表面を平滑なものとするために、フィルム５５を供給した。このフィルム５５は、厚み２５μｍのＰＥＴフィルムであり、表裏面の表面粗さＲａは、０．５μｍであった。
カリウムアイオノマーを含む層２１２は、カリウムアイオノマー（エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体をカリウムで中和したアイオノマー）２０ｗｔ％、ランダムポリプロピレン樹脂（日本ポリプロ株式会社製  商品名ウィンテックＷＦＸ４ＴＡ）８０ｗｔ％で構成されている。また、基材の厚みは、１００μｍであり、第一の樹脂層２１１、カリウムアイオノマーを含む層２１２、第二の樹脂層２１３の厚みはそれぞれ１０μｍ、８０μｍ、１０μｍであった。
このようにして得られた基材２１の可視光における光線透過率（４００ｎｍから８００ｎｍの全波長）は、９０％であり、表裏面の表面粗さＲａは、１．０μｍであった。
このような基材２１上に粘着層１２を形成した。
粘着層１２の材料はＵＶ硬化型アクリル系粘着剤であり、この材料をワニスに溶かし、基材１１上にバーコート法で塗布して粘着層を形成した。
粘着層１２の厚みは、８μｍであり、ダイシングテープ２の可視光（４００ｎｍから８００ｎｍの全波長）における光線透過率は、９０％であった。
また、ダイシングテープ２の帯電防止性能は、高いものであった。
なお、表面粗さＲａ、光線透過率の測定方法は、実施例１と同じである。
【００３７】
（実施例３）
実施例１において、基材１１の組成をカリウムアイオノマー（エチレン−メタクリル酸共重合体をカリウムで中和したアイオノマー）３０ｗｔ％、ランダムポリプロピレン樹脂（日本ポリプロ株式会社製  商品名ウィンテックＷＦＸ４ＴＡ）７０ｗｔ％とした場合、実施例１の基材１１の組成をカリウムアイオノマー（エチレン−メタクリル酸共重合体をカリウムで中和したアイオノマー）１０ｗｔ％、ランダムポリプロピレン樹脂（日本ポリプロ株式会社製  商品名ウィンテックＷＦＸ４ＴＡ）９０ｗｔ％とした場合においても、実施例１と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００３８】
１    ダイシングテープ
５    装置
２    ダイシングテープ
６    ダイシングテーブル
１１    ダイシングテープ用基材
１１Ａ    フィルム
１２    粘着層
２１    基材
５１    ホッパ
５２    押し出し機
５３    Ｔダイ
５４    チルロール
５５    フィルム
２１１    第一の樹脂層
２１２    カリウムアイオノマーを含む層
２１３    第二の樹脂層
Ｗ    ウェハ
Ｗ１    変質層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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