(57)【要約】【課題】高品位な画像表示が可能な液晶表示装置等の電気光学装置において、比較的簡便にシール材を硬化する。【解決手段】電気光学装置は、一対の基板（１０、２０）と、画素領域（１０ａ）の周囲のシール領域（１０ｂ）に配置され、一対の基板を接着する光硬化型のシール材（５２）と、導電層（１１、７１）と、画素領域、及びシール領域の更に周囲に位置する周辺領域（１０ｃ）において遮光性材料で導電層の表面を覆うことにより、導電層のうちシール領域に配置された部分の表面が少なくとも部分的に露出するように形成された反射防止膜（１４）とを備える。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
複数の画素が配列されてなる画素領域の周囲に位置するシール領域に配置され、前記一対の基板を相互に接着する光硬化型のシール材と、
電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、
前記画素領域、及び前記シール領域の更に周囲に位置する周辺領域において、前記導電層より低い光反射率を有する遮光性材料で前記導電層の表面を覆うことにより、前記導電層のうち前記シール領域に配置された部分の表面が少なくとも部分的に露出するように形成された反射防止膜と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記反射防止膜は、前記シール材を硬化させるための光が前記露出した導電層の表面で反射されることにより、当該反射された光が前記シール材に照射するように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記導電層は、データ線、走査線、前記画素の電圧保持特性を向上させるための保持容量を構成する容量電極のいずれかであることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
複数の画素が配列されてなる画素領域の周囲に位置するシール領域に配置された光硬化型のシール材により、一対の基板が相互に接着されてなる電気光学装置の製造方法であって、
前記一対の基板の一方の基板上に、電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層を形成する導電層形成工程と、
前記画素領域及び前記シール領域の更に周囲に位置する周辺領域において、前記導電層より低い光反射率を有する遮光性材料で前記導電層の表面を覆うことにより、前記導電層のうち前記シール領域に配置された部分の表面が少なくとも部分的に露出するように反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなる、例えば液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びに当該電気光学装置を具備する電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置は、基板上に、画素電極、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を備え、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。このような電気光学装置では、光源光の一部が電気光学装置内に形成された素子、配線等によって屈折、散乱又は反射されることにより、少なからず非開口領域（即ち、画素毎に表示に寄与する光が出射しない領域）から漏れ、表示画像のコントラスト比を低下させてしまう。
【０００３】
特許文献１では、例えば画素が配列された画素領域において、光源光が導電層によって反射されることを防止又は抑制するべく、導電層を覆うように、光反射率の低い材料から形成された反射防止膜を設けることによって、漏れ光の発生を抑制する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１４８３８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような電気光学装置は、一対の基板が紫外光（ＵＶ）硬化性を有するＵＶ硬化型シール材によって貼り合わされた構造を有している。ここで、ＵＶ硬化型シール材を硬化させるために紫外光を照射した際に、シール材に直接照射されなかった紫外光は、周辺に配置された素子や配線等に照射される。上述のように、これらの素子や配線等は反射防止膜によって覆われているため、これらに照射された紫外光は反射防止膜によって吸収され、シール材の硬化に貢献することなく無駄になってしまうという技術的問題点がある。
【０００６】
また、この種の電気光学装置において、表示画像の高品位化を図るために、基板上に形成される素子や配線等の高集積化が進んでいる。シール材の硬化をより迅速に促進させるために、素子や配線等が形成された基板を透過させて、シール材への紫外光の照射が行われることがあるが、基板上に高集積化の進んだ素子や配線等が存在すると、紫外光が基板を透過することが困難となる。そのため、紫外光は基板上に形成された素子や配線等によって吸収又は反射され、シール材の硬化に貢献することなく無駄になってしまうという技術的問題点がある。
【０００７】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、比較的簡便にシール材を硬化することができ、且つ、高品位な画像表示が可能な電気光学装置及びその製造方法、並びに当該電気光学装置を具備する電子機器を提案することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、一対の基板と、複数の画素が配列されてなる画素領域の周囲に位置するシール領域に配置され、前記一対の基板を相互に接着する光硬化型のシール材と、電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、前記画素領域、及び前記シール領域の更に周囲に位置する周辺領域において、前記導電層より低い光反射率を有する遮光性材料で前記導電層の表面を覆うことにより、前記導電層のうち前記シール領域に配置された部分の表面が少なくとも部分的に露出するように形成された反射防止膜とを備える。
【０００９】
本発明の電気光学装置は、複数の画素が配列されてなる画素領域の周辺に位置するシール領域に配置された、例えば紫外光硬化樹脂等の、光硬化型のシール材により、一対の基板が相互に接着されてなる。
【００１０】
導電層は、電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する。導電層は、例えばデータ線や走査線であってもよいし、画素電極の電圧保持特性を向上させるための保持容量を構成する一対の容量電極の一方として構成してもよい。
【００１１】
反射防止膜は、画素領域及び前記シール領域の更に周囲に位置する周辺領域において、前記導電層より低い光反射率を有する遮光性材料で前記導電層の表面を覆うことにより、表示画像のコントラスト比を向上させることができる。このように反射防止膜で導電層を覆うことによって、画素領域に配置された導電層によって光源光が反射されることにより生じる光漏れを抑制し、表示画像の高品位化を図ることができる。
【００１２】
反射防止膜は、導電層よりも光反射率の低い材料から形成される。例えば、導電層がアルミニウムから形成されている場合、ＴｉＮ（チタニウム・ナイトライド）やＷ（タングステン）などのアルミニウムに比べて光反射率の低い材料から反射防止膜を形成するとよい。
【００１３】
本発明では特に、反射防止膜は、導電層のうちシール領域に配置された部分の表面が少なくとも部分的に露出するように形成されている。紫外光は、露出した表面に到達すると、当該表面で反射され、シール材に照射される。つまり、本来であればシール材に直接照射されなかったために周辺に設けられた素子や配線等に吸収又は反射されるなどして無駄になっていた紫外光を、シール材の硬化に活用することができる。
【００１４】
このように本発明では、反射防止膜を敢えて形成しないことによって、導電層の表面で反射された紫外光を用いてシール材を硬化させることができる。そのため、仮に基板で平面的に見て、基板上において導電層の占める割合が多いために、紫外光を基板に透過させることが困難である場合（即ち、高集積化が施されている場合）であっても、シール材に照射しやすい所定の方向から（例えば、高密度で素子や配線等が配置されている領域を避けるように）紫外光を照射することによって、迅速且つ確実にシール材を硬化させることができる。
【００１５】
一方、シール領域以外の領域（即ち、画素領域及び周辺領域）においては、導電層の表面には反射防止膜が形成されているため、紫外光が電気光学装置内に形成された素子、配線等によって屈折、散乱又は反射されることにより、漏れ光となることを防止又は抑制することができる。従って、表示画像のコントラスト比を良好に保つことができ、高品位な画像表示を可能とすることができる。
【００１６】
以上説明したように、本発明によれば、比較的簡便にシール材を硬化することができると共に、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。
【００１７】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、複数の画素が配列されてなる画素領域の周囲に位置するシール領域に配置された光硬化型のシール材により、一対の基板が相互に接着されてなる電気光学装置の製造方法であって、前記一対の基板の一方の基板上に、電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層を形成する導電層形成工程と、前記画素領域及び前記シール領域の更に周囲に位置する周辺領域において、前記導電層より低い光反射率を有する遮光性材料で前記導電層の表面を覆うことにより、前記導電層のうち前記シール領域に配置された部分の表面が少なくとも部分的に露出するように反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程とを備える。
【００１８】
本発明によれば、上述の電気光学装置（各種態様を含む）を好適に製造することができる。
【００１９】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像を表示可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、携帯オーディオプレーヤ、ワードプロセッサ、デジタルカメラ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現できる。
【００２０】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴアレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。
【図４】本実施形態に係る電気光学装置の断面構造を示す拡大断面図である。
【図５】本実施形態に係る液晶装置の製造方法の各工程を、順を追って示す工程断面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置の製造時においてシール材を硬化するために、紫外光を照射した場合の光路を模式的に示す断面拡大図である。
【図７】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
＜電気光学装置＞
先ず、本発明に係る電気光学装置の実施形態について、図１及び図２を参照して説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のアクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を挙げる。
【００２３】
本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００２４】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板からなり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板等の基板からなる。尚、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、本発明に係る「一対の基板」の一例である。
【００２５】
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、液晶からなる液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。画像表示領域１０ａは、本発明に係る「画素領域」の一例であり、シール材５２は、本発明に係る「シール材」の一例である。
【００２６】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外光硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外光照射により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材は、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００２７】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側にサンプリング回路７が設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側の額縁領域に設けられている。
【００２８】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００２９】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のトランジスタや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００３０】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００３１】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。尚、対向基板２０上には、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、図２には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００３２】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００３３】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリックス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００３４】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリックス状に形成された複数の画素の夫々には、画素電極９ａ、及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３５】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されており、液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００３６】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００３７】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００３８】
続いて、図４を参照して、本実施形態に係る電気光学装置の断面構造について詳説する。図４は、本実施形態に係る電気光学装置の断面構造を示す拡大断面図である。
【００３９】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１、蓄積容量７０の一方の電極である容量電極７１が形成されている。ここで、走査線１１及び容量電極７１は、いずれも本発明に係る「導電層」の一例である。走査線１１及び容量電極７１は例えばアルミニウムや銅などの光反射性を有する導電性材料から形成されている。走査線１１及び容量電極７１上には層間絶縁膜１２が形成されている。尚、実際には、ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１及び容量電極７１の他に、上述のＴＦＴ３０、データ線６ａ、画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む種々の積層構造が形成されているが、ここでは説明の便宜上、図示を省略している。
【００４０】
ここで、画像表示領域１０ａ及び周辺領域１０ｃにおいて、走査線１１及び容量電極７１の表面には、本発明に係る「反射防止膜」の一例である遮光層１４が形成されている。遮光層１４は、走査線１１及び容量電極７１よりも光反射率の低い材料から形成されており、例えば、ＴｉＮ（チタニウム・ナイトライド）やＷ（タングステン）などの光反射率の低い材料から形成されている。一方、シール材５２が形成されているシール領域１０ｂでは、遮光層１４は形成されておらず、走査線１１の表面が露出している。そのため、シール材５２を硬化させるために、紫外光が当該露出した表面に照射された場合、紫外光は反射される。
【００４１】
このように画像表示領域１０ａにおいて遮光層１４を形成することによって、液晶装置の動作時に光源光の一部が、画像表示領域１０ａに設けられた走査線１１や容量電極７１等を含む各種素子及び配線等によって屈折、散乱又は反射されることにより、漏れ光が生じ、表示画像のコントラスト比を低下させることを防止又は抑制することができる。
【００４２】
このような積層構造が形成されたＴＦＴアレイ基板１０は、シール材５２を介して対向基板２０に貼り合わされている。尚、実際には、対向基板２０上には、対向電極２１、ブラックマトリクス２３及び配向膜２２等が形成されているが、ここでは説明の便宜上、図示を省略している。
【００４３】
＜製造方法＞
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を、図５を参照して説明する。図５は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の一部の工程を示す工程断面図である。
【００４４】
図５（ａ）に示すように、例えばシリコン基板、石英基板、ガラス基板等の基板１０を用意する。ここで、好ましくはＮ2（窒素）等の不活性ガス雰囲気下、約８５０〜１３００℃、より好ましくは１０００℃の高温で熱処理し、後に実施される高温プロセスにおいて基板１０に生じる歪みが少なくなるように前処理しておく。
【００４５】
続いて、このように処理された基板１０の全面に、例えば、アルミニウムや銅などの光反射性を有する導電性材料からなる金属膜を、スパッタリング法などにより形成した後、例えばエッチング処理により、図４に示したようなパターンの走査線１１及び容量電極７１を形成する。尚、本工程は、本発明に係る「導電層形成工程」の一例である。
【００４６】
続いて図５（ｂ）に示すように、画像表示領域１０ａ及び周辺領域１０ｃに配置された容量電極７１上に、遮光層１４を例えば、ＴｉＮ（チタニウム・ナイトライド）やＷ（タングステン）などの光反射率の低い材料から形成する。ここで、遮光層１４は、例えば、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された走査線１１及び容量電極７１上に遮光膜をベタ状に広く形成した後、エッチング処理により、シール領域１０ｂにおける走査線１１の表面が露出するように遮光膜を部分的に除去することにより形成するとよい。尚、本工程は、本発明に係る「反射防止膜形成工程」の一例である。
【００４７】
続いて、図５（ｃ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上にこれまで形成した積層構造上に、層間絶縁膜１４を形成する。尚、図５においても図４と同様に、実際には、ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１及び容量電極７１の他に、上述のＴＦＴ３０、データ線６ａ、画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む種々の積層構造が形成されているが、ここでは説明の便宜上、図示及び説明を省略することとする。
【００４８】
続いて、図５（ｄ）に示すように、積層構造が形成されたＴＦＴアレイ基板１０は、別途用意された対向基板２０と、シール材５２を介して貼り合わされる。尚、図５では図示を省略しているが、実際には、対向基板２０上には、対向電極２１、ブラックマトリクス２３及び配向膜２２等が形成されているが、ここでは説明の便宜上、図示及び説明を省略している。また、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には液晶などの電気光学物質（図不示）が挟持されている。
【００４９】
そして、図５（ｅ）に示すように、対向基板２０側から遮光マスク２００を介して、シール材５２を硬化させるための紫外光が照射される。
【００５０】
ここで、図６を参照して、本実施形態に係る液晶装置の製造時においてシール材５２を硬化するために、紫外光が照射された場合における紫外光の光路について説明する。図６は、本実施形態に係る液晶装置の製造時においてシール材５２を硬化するために、紫外光を照射した場合の光路を模式的に示す断面拡大図である。
【００５１】
シール材に紫外光が照射される際、紫外光から画像表示領域１０ａに形成された素子等を保護するため、遮光マスク２００が対向基板２０と光源（図不示）との間に配置される。本実施形態に係る光源は、平行光源又は面光源である。
【００５２】
画像表示領域１０ａ及び周辺領域１０ｃでは、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された導電層の一例である容量電極７１の表面は遮光層１４によって覆われているため、紫外光は反射せずに、遮光層１４によって吸収される。一方、シール領域１０ｂでは、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された導電層の一例である走査線１１の表面には、遮光層１４が形成されずに露出しているため、紫外光は反射され、シール材５２に裏面側（即ち、ＴＦＴアレイ基板１０側）から照射する。従って、本実施形態に係る液晶装置では、その製造時において紫外光はシール材の表側及び裏側の両方から照射するため、シール材をより迅速且つ確実に硬化させることができる。
【００５３】
再び図５に戻って、このように紫外光が照射されることにより、シール材５２は硬化され、本実施形態に係る液晶装置が完成する。
【００５４】
尚、以上の実施形態においては、ＴＦＴアレイ基板１０上に走査線１１及び容量電極７１が設けられる場合について説明したが、データ線６ａや導電層間を電磁的に遮断するためのシールド配線が形成される場合についても同様に、シール領域において表面が露出するように遮光層１４を形成することによって、同様にシール材を迅速且つ確実に硬化すると共に、画素領域における漏れ光を防止又は抑制することによって高品位な画像表示が可能な液晶装置を製造することが可能である。
【００５５】
＜電子機器＞
次に、図７を参照しながら、上述した液晶装置を電子機器の一例であるプロジェクタに適用した場合を説明する。上述した液晶装置は、プロジェクタのライトバルブとして用いられている。図７は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００５６】
図７に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００５７】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００５８】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００５９】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００６０】
尚、図７を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００６１】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６２】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１０ｂ…シール領域、１０ｃ…周辺領域、１１…走査線、１４…遮光層、２０…対向基板、５０…液晶層、５２…シール材、７１…容量電極、１００…液晶装置、２００…遮光マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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