(57)【要約】      （修正有）【課題】粘度、表面張力、溶剤の沸点等の様々なパラメータをインクジェット用に制御しなければならない非水系インクジェット用インクにおいて、ジェッティング後、表面処理を行わずに平坦な基板ににじみあるいはぬれ広がりの少なく、良好なパターン膜が得られ、かつ低粘度のためインクジェットヘッドの加熱が不必要な非水系インクジェット用インクを提供すること。【解決手段】界面活性剤（Ｂ）を含有する非水系インクジェット用インクであって、前記界面活性剤（Ｂ）の含有濃度が、０．００００１重量％以上、臨界ミセル濃度以下であることを特徴とする非水系インクジェット用インク。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
界面活性剤（Ｂ）を含有する非水系インクジェット用インクであって、
前記界面活性剤（Ｂ）の含有濃度が、０．００００１重量％以上、臨界ミセル濃度以下であることを特徴とする非水系インクジェット用インク。
【請求項２】
前記界面活性剤（Ｂ）が、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーンフッ素系界面活性剤、アクリル系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤およびベタイン系界面活性剤からなる群より選択される少なくとも１種の界面活性剤であることを特徴とする請求項１に記載の非水系インクジェット用インク。
【請求項３】
前記界面活性剤（Ｂ）が、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤およびアクリル系界面活性剤からなる群より選択される少なくとも１種の界面活性剤であることを特徴とする請求項１に記載の非水系インクジェット用インク。
【請求項４】
ポリイミドを形成可能な化合物およびポリイミドからなる群より選択される少なくとも１種の化合物（Ａ）を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インク。
【請求項５】
前記化合物（Ａ）が、下記一般式（１）〜（６）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物であることを特徴とする請求項４に記載の非水系インクジェット用インク。
【化１−１】
2011080043.tif 000177
【化１−２】
2011080043.tif 000178
【化１−３】
2011080043.tif 000179
【化１−４】
2011080043.tif 000180
【化１−５】
2011080043.tif 000181
【化１−６】
2011080043.tif 000182
（式（１）〜（６）中、Ｒは、それぞれ独立して水素原子または下記式（ａ）で表される基であり、Ｒ'は、それぞれ独立してアミノ基（ＮＨ2）または下記式（ｂ）で表される基であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、それぞれ独立して炭素数２〜５００の有機基であり、ｎは０〜１０００の整数である。ただし、ｎが０のとき、Ｒは下記式（ａ）で表される基であり、Ｒ'は下記式（ｂ）で表される基であり、Ｒ1１００ｍｏｌ％中、下記式（ｚ）で表されるシリコーン構造を有するＲ1は１０ｍｏｌ％未満であり、Ｒ2１００ｍｏｌ％中、下記式（ｚ）で表されるシリコーン構造のＲ2は１０ｍｏｌ％未満である。）
【化２】
2011080043.tif 000183
【化３】
2011080043.tif 000184
【化４】
2011080043.tif 000185
（式（ｚ）中、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜６のアルケニル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルであり、Ｒ7は、それぞれ独立してメチレン、フェニレンまたはアルキル置換されたフェニレンであり、ｘはそれぞれ独立して１〜６の整数であり、ｙは１〜２００の整数である。）
【請求項６】
溶媒（Ｃ）を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インク。
【請求項７】
前記溶媒（Ｃ）が、乳酸エチル、エタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、シクロヘキサノン、テトラグライム、トリグライム、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンおよびγ−ブチロラクトンからなる群より選択される少なくとも１種の溶媒であることを特徴とする請求項６に記載の非水系インクジェット用インク。
【請求項８】
さらに環状エーテル（Ｄ）を含有させることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インク。
【請求項９】
前記環状エーテル（Ｄ）が、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラグリシジル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランおよび下記式（７）〜（１６）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物であることを特徴とする請求項８に記載の非水系インクジェット用インク。
【化５−１】
2011080043.tif 000186
【化５−２】
2011080043.tif 000187
【化５−３】
2011080043.tif 000188
【化５−４】
2011080043.tif 000189
（式（１０）中、ｎは０〜１０の整数である。）
【化５−５】
2011080043.tif 000190
【化５−６】
2011080043.tif 000191
【化５−７】
2011080043.tif 000192
【化５−８】
2011080043.tif 000193
【化５−９】
2011080043.tif 000194
（式（１５）中、Ｒcは、炭素数２〜１００の四価の有機基であり、Ｒdは、それぞれ独立して炭素数１〜３０の二価の有機基であり、Ｒeは、それぞれ独立して下記式（ｃ）〜（ｅ）で表される化合物からなる群より選択される一価の有機基である。）
【化５−９−１】
2011080043.tif 000195
（式（ｃ）中、Ｒfは、水素原子または炭素数１〜３のアルキルである。）
【化５−１０】
2011080043.tif 000196
（式（１６）中、ｎは２〜４の整数である。）
【請求項１０】
熱硬化性であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インク。
【請求項１１】
光硬化性であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インク。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インクを、インクジェット塗布法によって塗布する工程を含むことを特徴とするインク塗布方法。
【請求項１３】
請求項４または５に記載の非水系インクジェット用インクを、インクジェット塗布方法によって基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、
該塗膜を加熱することによって、ポリイミド膜を形成する工程とを含むことを特徴とするポリイミド膜形成方法。
【請求項１４】
請求項４または５に記載の非水系インクジェット用インクを、インクジェット塗布方法によって基板上にパターン状に塗布して塗膜を形成する工程と、
該塗膜を加熱することによって、パターン状ポリイミド膜を形成する工程とを含むことを特徴とするポリイミド膜形成方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載のポリイミド膜形成方法により得られることを特徴とするポリイミド膜。
【請求項１６】
請求項１４に記載のポリイミド膜形成方法により得られることを特徴とするパターン状ポリイミド膜。
【請求項１７】
請求項１５に記載のポリイミド膜または請求項１６に記載のパターン状ポリイミド膜を有することを特徴とするフィルム基板。
【請求項１８】
請求項１５に記載のポリイミド膜または請求項１６に記載のパターン状ポリイミド膜を有することを特徴とする半導体ウェハ。
【請求項１９】
請求項１５に記載のポリイミド膜または請求項１６に記載のパターン状ポリイミド膜を有することを特徴とする電子材料用基板。
【請求項２０】
請求項１５に記載のポリイミド膜または請求項１６に記載のパターン状ポリイミド膜を有することを特徴とする電子部品。
【請求項２１】
請求項１７に記載のフィルム基板、請求項１８に記載の半導体ウェハまたは請求項１９に記載の電子材料用基板を有することを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
電子部品製作において、絶縁膜層を形成する際等に用いることが可能なインクジェット用インク、非水系インクジェット用インクを用いて形成されるポリイミド膜、該ポリイミド膜を有するフィルム基板、半導体ウェハ、電子材料用基板、電子部品ならびにインク塗布方法、ポリイミド膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
イミド結合を有する化合物（イミド系化合物）の１種であるポリイミドは、耐熱性、電気絶縁性に優れるため電子通信分野で広く用いられている材料である（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
ポリイミドを所望のパターン膜として使用する場合、従来はエッチングや感光性ポリイミドを用いてパターンを形成する方法が一般的に用いられていた。しかしながら、この方法は、フォトレジスト、現像液、エッチング液、剥離液などの多種大量の薬液が必要であり、さらに煩雑な工程を要するものであった。そこで、近年、インクジェット塗布法により簡便に所望のパターン膜を形成する方法が検討されている。
【０００４】
インクジェット塗布法に用いるインク（以下「インクジェット用インク」とも記す。）は、各種提案されている（例えば、特許文献２参照。）。しかしながら、インクジェット用インクとして吐出・印刷するためには、粘度、表面張力、溶剤の沸点等の様々なパラメータを最適化しなければならない。例えば、粘度に関しては、一般的には１〜５０ｍＰａ・ｓ程度、好ましくは５〜３０ｍＰａ・ｓ程度の低粘度であることが求められる。特にピエゾ方式のインクジェット印刷の場合は圧電素子の吐出圧力が小さいため、粘度が大きくなると場合によっては吐出不能となることがある。表面張力については、２０〜７０ｍＮ／ｍの範囲、好ましくは２０〜４５ｍＮ／ｍの範囲に調整しなければならない。表面張力が小さいと、インクはプリンターヘッドのノズルから出た直後に基板上で広がってしまい良好な液滴が形成できなくなる。逆に表面張力が大きすぎるとメニスカスを形成できなくなるため吐出不能になることがある。さらに、溶剤の沸点は１００〜３００℃の範囲が必要であり、好ましくは１５０〜２５０℃の範囲である。沸点が低すぎると、プリンターヘッドのノズル部のインク中の溶剤が蒸発してしまう。そのためインクの粘度が変わり吐出できなくなったり、あるいはインクの成分が固化してしまうことがある。逆に沸点が高すぎると、印刷後の乾燥が遅すぎて印刷パターンが悪化することがある。
【０００５】
ポリイミド系のインクジェット用インクは、ポリアミド酸が比較的高分子量であるため、インクジェット用インクとして最適な粘度のインクを調製するためには、溶媒の割合を増やしてインク中のポリアミド酸含有量を少なくする必要がある。しかしながら、インク中のポリアミド酸含有量を少なくすると、１回のインクジェッティングで得られる膜の厚さが薄くなってしまうという問題がある。
【０００６】
この問題を解決するために、例えば、ポリアミド酸の重量平均分子量を１０，０００〜５０，０００に制御することによりインクの低粘度化を図り、ポリアミド酸の含有量を大きくする方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。しかしながら、当該方法によっても、インク中のポリアミド酸含有量は１５〜２０重量％程度と未だ充分ではなく、また、インクの粘度は、１８〜２３ｍＰａ・ｓと比較的高いためインクジェット吐出不良が生じ易いという問題がある。
【０００７】
また、高濃度でも粘度が小さいインクジェット用熱硬化性樹脂組成物として、熱架橋剤と、該熱架橋剤と反応可能な基を有する重量平均分子量３００〜９，０００のポリイミドまたはポリベンゾオキサゾールを含有するインクジェット用熱硬化性樹脂組成物が提案されている（例えば、特許文献４参照）。当該組成物は、熱架橋剤と反応可能なフェノール性水酸基、カルボキシル、スルホンアミドなどの基を有するポリイミドまたはポリベンゾオキサゾールを含有する組成物である。したがって、当該組成物は環状エーテル、メチロール化合物、アルコキシメチロール化合物、ビスマレイミド、不飽和結合を有するビスイミド化合物、アセチレン化合物などの熱架橋剤を必須とするため、保存安定性に劣り、熱硬化時の未反応物が残存する等の問題がある。
【０００８】
一方、テトラカルボン酸二無水物とジアミンと末端架橋剤とを反応させて得られ、分子末端に架橋性基を有するアミド酸オリゴマーまたはイミドオリゴマーが提案されている（例えば、特許文献５参照）。しかしながら、これらのオリゴマーは、耐熱性の良好なイミド樹脂を生成するプレプリグを提供するものであり、特にガラス繊維、アラミド繊維、カーボン繊維、アルミナ繊維、シリコンカーバイト繊維等を補強材とした繊維強化複合材のマトリックス樹脂として用いるものである。プレプリグは通常２０重量％以上の溶液に補強用の繊維を含浸して使用されるものであり、インクジェット用インクとはその設計思想、使用法が全く異なるものである。
【０００９】
また、末端に熱硬化可能な官能基を有するイミド化合物が開示されている（例えば、特許文献６参照）が、当該イミド化合物も、インクジェット用インクとしての使用を想定されているものではない。
【００１０】
したがって、これらのオリゴマーやイミド化合物は、インクジェット用インクとして必要な粘度や表面張力の最適化については何ら考慮されたものではないため、所望のパターン膜を形成することが困難であるといった問題がある。
【００１１】
上記の諸問題を解決するためにポリアミド酸の末端に分子架橋基を反応させ、分子量の制御を行い、低粘度で高濃度の光・熱硬化性インクジェット用インクが提案されている（例えば特許文献７参照）。このインクジェット用インクは、ポリエステルアミド酸、エポキシ樹脂および顔料等を含有しており、良好なジェッティング性、電気特性、耐薬品性を示す。しかしながら、ジェッティング性が良好であっても、インクは低粘度であるため、該インクの液滴が基板上へ着弾した後に、平坦な基板上でぬれ広がってしまう。したがって、該インクは、所望のパターンが得にくいという欠点があった。
【００１２】
また、液のねれ広がりを抑制するためにインクジェット用インクとしては高粘度の非水系インクジェット用インクも提案されている（例えば特許文献８参照）が、インクジェットヘッドを加熱する必要があるため、加熱が可能なインクジェットヘッドに使用が限られてしまうといった問題がある。
【００１３】
さらに、液のぬれ広がりを抑制するために撥液性を持つ樹脂をあらかじめ塗布し、その後にインクジェット用インクで所望のパターンを印刷する方法も提案されている（例えば特許文献９参照）。しかしながら、この方法は、所望のパターンを得るために工程が複雑になるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００４−０９４１１８号公報
【特許文献２】特開２００３−２１３１６５号公報
【特許文献３】特開２００５−１８７５９６号公報
【特許文献４】特開２００７−３１４６４７号公報
【特許文献５】特開２００４−３３１８０１号公報
【特許文献６】特開昭６２−２９５８４号公報
【特許文献７】特開２００９−０５２０２３号公報
【特許文献８】特開２００８−１３３３３５号公報
【特許文献９】特開２００８−１０６１６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、上述した状況の下、ジェッティング後、表面処理を行わずに平坦な基板ににじみあるいはぬれ広がりの少なく、所望のパターン膜が得られ、かつ低粘度のためインクジェットヘッドの加熱が不必要な非水系インクジェット用インクを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者等は、上記課題を解決するために、鋭意検討を行った。その結果、界面活性剤（Ｂ）を含有する非水系インクジェット用インクにおいて、前記界面活性剤（Ｂ）の含有濃度を特定の範囲とすることによって、粘度、表面張力、溶剤の沸点等の様々なパラメータをインクジェット用に好適なものとし、前記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
【００１７】
本発明は以下の構成を有する。
［１］  界面活性剤（Ｂ）を含有する非水系インクジェット用インクであって、
前記界面活性剤（Ｂ）の含有濃度が、０．００００１重量％以上、臨界ミセル濃度以下であることを特徴とする非水系インクジェット用インク。
【００１８】
［２］  前記界面活性剤（Ｂ）が、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーンフッ素系界面活性剤、アクリル系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤およびベタイン系界面活性剤からなる群より選択される少なくとも１種の界面活性剤であることを特徴とする前記［１］項に記載の非水系インクジェット用インク。
【００１９】
［３］  前記界面活性剤（Ｂ）が、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤およびアクリル系界面活性剤からなる群より選択される少なくとも１種の界面活性剤であることを特徴とする前記［１］項に記載の非水系インクジェット用インク。
【００２０】
［４］  ポリイミドを形成可能な化合物およびポリイミドからなる群より選択される少なくとも１種の化合物（Ａ）を含むことを特徴とする前記［１］〜［３］項のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インク。
【００２１】
［５］  前記化合物（Ａ）が、下記一般式（１）〜（６）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物であることを特徴とする前記［４］項に記載の非水系インクジェット用インク。
【００２２】
【化１−１】
2011080043.tif 000002
【００２３】
【化１−２】
2011080043.tif 000003
【００２４】
【化１−３】
2011080043.tif 000004
【００２５】
【化１−４】
2011080043.tif 000005
【００２６】
【化１−５】
2011080043.tif 000006
【００２７】
【化１−６】
2011080043.tif 000007
（式（１）〜（６）中、Ｒは、それぞれ独立して水素原子または下記式（ａ）で表される基であり、Ｒ'は、それぞれ独立してアミノ基（ＮＨ2）または下記式（ｂ）で表される基であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、それぞれ独立して炭素数２〜５００の有機基であり、ｎは０〜１０００の整数である。ただし、ｎが０のとき、Ｒは下記式（ａ）で表される基であり、Ｒ'は下記式（ｂ）で表される基であり、Ｒ1１００ｍｏｌ％中、下記式（ｚ）で表されるシリコーン構造を有するＲ1は１０ｍｏｌ％未満であり、Ｒ2１００ｍｏｌ％中、下記式（ｚ）で表されるシリコーン構造のＲ2は１０ｍｏｌ％未満である。）
【００２８】
【化２】
2011080043.tif 000008
【００２９】
【化３】
2011080043.tif 000009
【００３０】
【化４】
2011080043.tif 000010
（式（ｚ）中、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜６のアルケニル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルであり、Ｒ7は、それぞれ独立してメチレン、フェニレンまたはアルキル置換されたフェニレンであり、ｘはそれぞれ独立して１〜６の整数であり、ｙは１〜２００の整数である。）
【００３１】
［６］  溶媒（Ｃ）を含有することを特徴とする前記［１］〜［５］項のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インク。
【００３２】
［７］  前記溶媒（Ｃ）が、乳酸エチル、エタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、シクロヘキサノン、テトラグライム、トリグライム、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンおよびγ−ブチロラクトンからなる群より選択される少なくとも１種の溶媒であることを特徴とする前記［６］項に記載の非水系インクジェット用インク。
【００３３】
［８］  環状エーテル（Ｄ）を含有することを特徴とする前記［１］〜［７］項のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インク。
［９］  前記環状エーテル（Ｄ）が、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'，−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'，−テトラグリシジル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランおよび下記式（７）〜（１６）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物であることを特徴とする前記［８］項に記載の非水系インクジェット用インク。
【００３４】
【化５−１】
2011080043.tif 000011
【００３５】
【化５−２】
2011080043.tif 000012
【００３６】
【化５−３】
2011080043.tif 000013
【００３７】
【化５−４】
2011080043.tif 000014
（式（１０）中、ｎは０〜１０の整数である。）
【００３８】
【化５−５】
2011080043.tif 000015
【００３９】
【化５−６】
2011080043.tif 000016
【００４０】
【化５−７】
2011080043.tif 000017
【００４１】
【化５−８】
2011080043.tif 000018
【００４２】
【化５−９】
2011080043.tif 000019
（式（１５）中、Ｒcは、炭素数２〜１００の四価の有機基であり、Ｒdは、それぞれ独立して炭素数１〜３０の二価の有機基であり、Ｒeは、それぞれ独立して下記式（ｃ）〜（ｅ）で表される化合物からなる群より選択される一価の有機基である。）
【００４３】
【化５−９−１】
2011080043.tif 000020
（式（ｃ）中、Ｒfは、水素原子または炭素数１〜３のアルキルである。）
【００４４】
【化５−１０】
2011080043.tif 000021
（式（１６）中、ｎは２〜４の整数である。）
［１０］  熱硬化性であることを特徴とする前記［１］〜［９］項のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インク。
【００４５】
［１１］  光硬化性であることを特徴とする前記［１］〜［９］項のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インク。
［１２］  前記［１］〜［１１］項のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インクを、インクジェット塗布法によって塗布する工程を含むことを特徴とするインク塗布方法。
【００４６】
［１３］  前記［４］または［５］項に記載の非水系インクジェット用インクを、インクジェット塗布方法によって基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、
該塗膜を加熱することによって、ポリイミド膜を形成する工程とを含むことを特徴とするポリイミド膜形成方法。
【００４７】
［１４］  前記［４］または［５］項に記載の非水系インクジェット用インクを、インクジェット塗布方法によって基板上にパターン状に塗布して塗膜を形成する工程と、
該塗膜を加熱することによって、パターン状ポリイミド膜を形成する工程とを含むことを特徴とするポリイミド膜形成方法。
【００４８】
［１５］  前記［１３］項に記載のポリイミド膜形成方法により得られることを特徴とするポリイミド膜。
［１６］  前記［１４］項に記載のポリイミド膜形成方法により得られることを特徴とするパターン状ポリイミド膜。
【００４９】
［１７］  前記［１５］項に記載のポリイミド膜または前記［１６］項に記載のパターン状ポリイミド膜を有することを特徴とするフィルム基板。
［１８］  前記［１５］項に記載のポリイミド膜または前記［１６］項に記載のパターン状ポリイミド膜を有することを特徴とする半導体ウェハ。
【００５０】
［１９］  前記［１５］項に記載のポリイミド膜または前記［１６］項に記載のパターン状ポリイミド膜を有することを特徴とする電子材料用基板。
［２０］  前記［１５］項に記載のポリイミド膜または前記［１６］項に記載のパターン状ポリイミド膜を有することを特徴とする電子部品。
【００５１】
［２１］  前記［１７］項に記載のフィルム基板、前記［１８］項に記載の半導体ウェハまたは前記［１９］項に記載の電子材料用基板を有することを特徴とする電子部品。
【発明の効果】
【００５２】
本発明の非水系インクジェット用インクを用いれば、電子部品製作において良好な絶縁膜層を形成することができある。例えば、インクジェット塗布法により、平坦な基板上に良好なパターン状ポリイミド膜を簡便に効率よく形成することができる。
【００５３】
また、本発明の非水系インクジェット用インクを用いれば、パターン状ポリイミド膜形成において、インクジェット塗布により必要な部分のみに描画することが可能となるため、材料使用量を圧倒的に少なくすることができる。さらにフォトマスクを使用する必要がないので、多品種大量生産が可能であり、また、製造に要する工程数が少ない。
【００５４】
本発明の非水系インクジェット用インクから形成されるポリイミド膜は、例えば、耐熱性、電気絶縁性が高いため、該ポリイミド膜を有する電子部品は信頼性が高く、歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】図１は実施例１〜５および比較例１〜３、５〜７で得られた非水系インクジェット用インクにおける、表面張力と界面活性剤濃度との関係、および印刷評価結果合計点と界面活性剤濃度との関係を示すグラフである。
【図２】図２は臨界ミセル濃度の算出方法を示すグラフである。
【図３】図３は実施例１で形成されたポリイミド膜（１）の各パターンの顕微鏡写真である。
【図４】図４は比較例１で形成されたポリイミド膜（Ｃ１）の各パターンの顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００５６】
［非水系インクジェット用インク］
本発明の非水系インクジェット用インクは、界面活性剤（Ｂ）を、０．００００１重量％以上、臨界ミセル濃度以下の範囲で含有することを特徴としている。前記界面活性剤（Ｂ）の含有濃度は、好ましくは０．００１重量％以上、臨界ミセル濃度以下であり、より好ましくは０．０１重量％以上、臨界ミセル濃度以下である。前記界面活性剤（Ｂ）の含有濃度の上限は、臨界ミセル濃度未満であることが特に好ましい。このような濃度範囲で、界面活性剤（Ｂ）を含有する非水系インクジェット用インクは、インクジェットにより安定して吐出でき、にじみ、濡れ広がりが少ない、良好なパターンの塗膜を形成できる。
【００５７】
本発明において、臨界ミセル濃度とは、界面活性剤（Ｂ）が、非水系インクジェット用インク中でミセルを形成し始める濃度のことである。したがって、臨界ミセル濃度未満では、界面活性剤（Ｂ）は、非水系インクジェット用インク中で、ミセルを形成しておらず、臨界ミセル濃度を超えると、界面活性剤（Ｂ）は、非水系インクジェットインク中で、ミセルを形成する。
【００５８】
非水系インクジェット用インク中の界面活性剤（Ｂ）の含有濃度が臨界ミセル濃度に達すると、図２に示すように界面活性剤（Ｂ）の含有濃度を増加させても非水系インクジェット用インクの表面張力の低下がほとんど起こらなくなる。この現象を利用し、界面活性剤（Ｂ）の濃度と表面張力との関係から臨界ミセル濃度を決定することができる。また、非水系インクジェット用インク中の界面活性剤（Ｂ）が、臨界ミセル濃度未満であることの確認は、該インク中に、さらに同種の界面活性剤（Ｂ）を添加することにより確認することができる。すなわち、該インク中に同種の界面活性剤（Ｂ）を添加することにより、添加前と比べて、表面張力の低下が起これば、該添加前のインク中の界面活性剤（Ｂ）の濃度が臨界ミセル濃度未満であると、判断することができる。なお、臨界ミセル濃度は、同一の界面活性剤（Ｂ）を添加した場合でも非水系インクジェット用インク中の他の成分、例えば、後述するポリイミドを形成可能な化合物およびポリイミドからなる群より選択される少なくとも１種の化合物（Ａ）、溶剤（Ｃ）の種類や、量によって異なる。
【００５９】
臨界ミセル濃度は上記のようにインクの表面張力を利用して測定する以外に電気伝導法、粘度法、色素法、光散乱法などによって測定する方法がある。いずれの方法を用いて測定しても構わないが、表面張力を利用する方法が最も一般的で簡便なため好ましい。
【００６０】
また、非水系インクジェット用インクにおけるミセル形成の有無は、上述したように、非水系インクジェット用インクに、該インクに含有される界面活性剤（Ｂ）と同種の界面活性剤を添加し、界面活性剤（Ｂ）の添加の前後の表面張力を測定することにより、確認することができる。すわなち、同種の界面活性剤（Ｂ）を添加し、非水系インクジェット用インク中の界面活性剤（Ｂ）の含有濃度を増加させた際に、非水系インクジェット用インクの表面張力が低下した場合、同種の界面活性剤（Ｂ）を添加する前の非水系インクジェット用インクは、界面活性剤（Ｂ）によるミセルを形成していないと判断できる。当該方法以外に、動的光散乱法、ゼータ電位測定法、小角中性子散乱法、広角X線散乱法、小角X線散乱法、透過型電子顕微鏡によっても非水系インクジェット用インクにおけるミセル形成の有無を確認することができる。
なお、本発明において、非水系インクジェット用インクは、有色、無色のどちらであっても構わない。
【００６１】
１  界面活性剤（Ｂ）
本発明の非水系インクジェット用インクに含まれる界面活性剤（Ｂ）は、非水系インクジェット用インクの表面張力を変化させる能力を持つ。また、該界面活性剤（Ｂ）は、本発明の非水系インクジェット用インク中でミセルを形成していないが、該界面活性剤（Ｂ）の量を増やしていった場合、ミセルを形成し得る界面活性剤である。
【００６２】
前記界面活性剤（Ｂ）は、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーンフッ素系界面活性剤、アクリル系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤およびベタイン系界面活性剤からなる群より選択される少なくとも１種の界面活性剤であることが好ましく、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤およびアクリル系界面活性剤からなる群より選択される少なくとも１種の界面活性剤であることがより好ましい。前記シリコーン系界面活性剤としては、下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）で表されるシリコーン構造を有する化合物が特に好ましい例として挙げられる。下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）で表されるシリコーン構造を有する化合物は、少なくともシロキサン系ジアミンおよび／またはシロキサン系酸二無水物を原料として用い、任意の原料として、ジアミン、モノアミン、酸無水物基を２つ以上有する化合物、酸無水物基を１つ有する化合物を適宜組み合わせて、反応させることにより得ることができる。
【００６３】
このような界面活性剤を含有する非水系インクジェット用インクは、基板上に塗布後、はじきやぬれ広がりが少なくなり、良好なパターンを有する硬化膜を形成しやすくなり、好ましい。
【００６４】
【化７−１】
2011080043.tif 000022
【００６５】
【化７−２】
2011080043.tif 000023
【００６６】
【化７−３】
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【００６７】
【化７−４】
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【００６８】
【化７−５】
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【００６９】
【化７−６】
2011080043.tif 000027
式（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）中、Ｅは、それぞれ独立して水素原子または下記式（Ｂ−ａ）で表される基であり、Ｅ'は、それぞれ独立してアミノ基（ＮＨ2）または下記式（Ｂ−ｂ）で表される基であり、Ｅ1、Ｅ2、Ｅ3およびＥ4は、それぞれ独立して炭素数２〜５００の有機基であり、好ましくは炭素数２〜３００の有機基であり、より好ましくは炭素数２〜５０の有機基であり、さらに好ましくは炭素数２〜２０の有機基であり、ｍ１は１〜１０００の整数であり、好ましくは１〜５００の整数であり、より好ましくは１〜１００の整数であり、ｎ１は０〜１０００の整数であり、好ましくは０〜５００の整数であり、より好ましくは０〜１００の整数である。ただし、少なくとも、Ｅ2１００ｍｏｌ％中、シロキサン系ジアミン由来の下記一般式（Ｂ−ｚ）で表される基のＥ2が１０ｍｏｌ％以上であるか、Ｅ1１００ｍｏｌ％中、シロキサン系テトラカルボン酸二無水物由来の下記一般式（Ｂ−ｚ）で表される構造を有するＥ1が１０ｍｏｌ％以上である。
【００７０】
【化８】
2011080043.tif 000028
【００７１】
【化９】
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【００７２】
【化１０】
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式（Ｂ−ｚ）中、Ｅ5およびＥ6は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜６のアルケニル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルであり、好ましくは炭素数１〜１２のアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルであり、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルであり、Ｅ7は、それぞれ独立してメチレン、フェニレンまたはアルキル置換されたフェニレンであり、好ましくはメチレンまたはアルキル置換されたフェニレンであり、より好ましくはメチレンであり、ｘ１はそれぞれ独立して１〜６の整数であり、好ましくは１〜５の整数であり、より好ましくは２〜３の整数であり、ｙ１は１〜２００の整数であり、好ましくは２〜１５０の整数であり、より好ましくは３〜１４０の整数である。
【００７３】
本明細書中、「有機基」とは特に限定されるものではないが、例えば、炭化水素基、アルコキシ、アリールオキシ、アルキルアミノ、アルキルシリル、アルキルチオ、アリールチオ、アルキルスルホニル、アリールスルホニルが挙げられる。また、前記有機基の炭素数は、２〜１００、１〜３０などが挙げられる。
【００７４】
「炭化水素基」の炭化水素は、飽和若しくは不飽和の非環式であってもよいし、飽和若しくは不飽和の環式であってもよい。炭化水素が非環式の場合には、直鎖状でもよいし、分岐鎖状でもよい。「炭化水素基」には、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルキルジエニル、アリール、アルキルアリール、アリールアルキル、シクロアルキル、シクロアルケニルなどが含まれる。
【００７５】
前記アルキルチオとしては、置換基を有していてもよいアルキルチオ（−ＳＹ1、式中、Ｙ1は置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキルを示す。）が挙げられ、前記アリールチオとしては、置換基を有していてもよいアリールチオ（−ＳＹ2、式中、Ｙ2は置換基を有していてもよい炭素数６〜１８のアリールを示す。）が挙げられ、前記アルキルスルホニルとしては。置換基を有していてもよいアルキルスルホニル（−ＳＯ2Ｙ3、式中、Ｙ3は置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキルを示す。）が挙げられる。
【００７６】
本明細書において、特に限定されていない場合、「アルキル」は、炭素数１〜２０のアルキルであることが好ましく、炭素数１〜１０のアルキルであることがより好ましく、炭素数２〜６のアルキルであることが更に好ましい。アルキルの例としては、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ドデカニル等を挙げることができる。
【００７７】
本明細書において、特に限定されていない場合、「アルケニル」は、炭素数２〜２０のアルケニルであることが好ましく、炭素数２〜１０のアルケニルであることがより好ましく、炭素数２〜６のアルケニルであることが更に好ましい。アルケニルの例としては、制限するわけではないが、ビニル、アリル、プロペニル、イソプロペニル、２−メチル−１−プロペニル、２−メチルアリル、２−ブテニル等を挙げることができる。
【００７８】
本明細書において、特に限定されていない場合、「アルキニル」は、炭素数２〜２０のアルキニルであることが好ましく、炭素数２〜１０のアルキニルであることがより好ましく、炭素数２〜６のアルキニルであることが更に好ましい。アルキニルの例としては、制限するわけではないが、エチニル、プロピニル、ブチニル等を挙げることができる。
【００７９】
本明細書において、特に限定されていない場合、「アルキルジエニル」は、炭素数４〜２０のアルキルジエニルであることが好ましく、炭素数４〜１０のアルキルジエニルであることが好ましく、炭素数４〜６のアルキルジエニルであることが更に好ましい。アルキルジエニルの例としては、制限するわけではないが、１，３−ブタジエニル等を挙げることができる。
【００８０】
本明細書において、特に限定されていない場合、「アリール」は、炭素数６〜１８のアリールであることが好ましく、炭素数６〜１０のアリールであることがより好ましい。アリールの例としては、制限するわけではないが、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、インデニル、ビフェニリル、アントリル、フェナントリル等を挙げることができる。
【００８１】
本明細書において、特に限定されていない場合、「アルキルアリール」は、炭素数７〜２０のアルキルアリールであることが好ましく、炭素数７〜１２のアルキルアリールであることがより好ましい。アルキルアリールの例としては、制限するわけではないが、ｏ−トリル、ｍ−トリル、ｐ−トリル、２，３−キシリル、２，４−キシリル、２，５−キシリル、ｏ−クメニル、ｍ−クメニル、ｐ−クメニル、メシチル等を挙げることができる。
【００８２】
本明細書において、特に限定されていない場合、「アリールアルキル」は、炭素数７〜２０のアリールアルキルであることが好ましく、炭素数７〜１２のアリールアルキルであることがより好ましい。アリールアルキルの例としては、制限するわけではないが、ベンジル、フェネチル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、１−ナフチルメチル、２−ナフチルメチル、２，２−ジフェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチル等を挙げることができる。
【００８３】
本明細書において、特に限定されていない場合、「シクロアルキル」は、炭素数４〜２０のシクロアルキルであることが好ましく、炭素数４〜１０のシクロアルキルであることがより好ましい。シクロアルキルの例としては、制限するわけではないが、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等を挙げることができる。
【００８４】
本明細書において、特に限定されていない場合、「シクロアルケニル」は、炭素数４〜２０のシクロアルケニルであることが好ましく、炭素数４〜１０のシクロアルケニルであることがより好ましい。シクロアルケニルの例としては、制限するわけではないが、シクロプロペニル、シクロブテニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル等を挙げることができる。
【００８５】
本明細書において、特に限定されていない場合、「アルコキシ」は、炭素数１〜２０のアルコキシであることが好ましく、炭素数１〜１０のアルコキシであることがより好ましく、炭素数２〜６のアルコキシであることが更に好ましい。アルコキシの例としては、制限するわけではないが、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ等がある。
【００８６】
本明細書において、特に限定されていない場合、「アリールオキシ」は、炭素数６〜２０のアリールオキシであることが好ましく、炭素数６〜１０のアリールオキシであることがより好ましい。アリールオキシの例としては、制限するわけではないが、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等を挙げることができる。
【００８７】
本明細書において、特に限定されていない場合、「アルキルチオ（−ＳＹ1、式中、Ｙ1は置換を有してもよい炭素数２〜２０のアルキルを示す。）」および「アルキルスルホニル（−ＳＯ2Ｙ3、式中、Ｙ3は置換を有してもよい炭素数１〜２０のアルキルを示す。）」において、Ｙ1およびＹ3は、炭素数２〜１０のアルキルであることが好ましく、炭素数２〜６のアルキルであることが更に好ましい。アルキルの例としては、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ドデカニル等を挙げることができる。
【００８８】
本明細書において、特に限定されていない場合、「アリールチオ（−ＳＹ2、式中、Ｙ2は置換を有してもよい炭素数６〜１８のアリールを示す。）」および「アリールスルホニル（−ＳＯ2Ｙ4、式中、Ｙ4は置換を有してもよい炭素数６〜１８のアリールを示す。）」において、Ｙ2およびＹ4は、炭素数６〜１０のアリールであることが好ましい。アリールの例としては、制限するわけではないが、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、インデニル、ビフェニリル、アントリル、フェナントリル等を挙げることができる。
【００８９】
本明細書において、特に限定されていない場合、「炭化水素基」、「アルコキシ」、「アリールオキシ」、「アルキルアミノ」、「アルキルシリル」、「アルキルチオ」、「アリールチオ」、「アルキルスルホニル」、「アリールスルホニル」には、置換基が導入されていてもよい。この置換基としては、例えば、エステル、カルボキシル、アミド、アルキン、トリメチルシリル、アミノ、ホスホニル、チオ、カルボニル、ニトロ、スルホ、イミノ、ハロゲノ、またはアルコキシなどを挙げることができる。この場合、置換基は、置換可能な位置に１個以上、置換可能な最大数まで導入されていてもよく、好ましくは１〜４個導入されていてもよい。置換基数が２個以上である場合、各置換基は同一であっても異なっていてもよい。
【００９０】
本明細書において、「置換基を有してもよいアルキルアミノ」の例としては、制限するわけではないが、ジメチルアミノ、メチルアミノ、メチルフェニルアミノ、フェニルアミノ等がある。
【００９１】
本明細書において、「置換基を有していてもよいアルキルシリル」の例としては、制限するわけではないが、ジメチルシリル、ジエチルシリル、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリメトキシシリル、トリエトキシシリル、ジフェニルメチルシリル、トリフェニルシリル、トリフェノキシシリル、ジメチルメトキシシリル、ジメチルフェノキシシリル、メチルメトキシフェニル等がある。
【００９２】
以上、１価の有機基の具体例を挙げたが、本明細書中、２価の有機基の具体例としては、本明細書中に記載された１価の有機基においてさらに価数を１つ増やした基が挙げられる。同様に、本明細書中、４価の有機基の具体例としては、本明細書中に記載された１価の有機基においてさらに価数を３つ増やした基が挙げられる。
【００９３】
上記式（Ｂ−１）、（Ｂ−２）および（Ｂ−３）で表される化合物（以下「アミド酸（Ｂａ）」とも記す。）は、アミド酸構造およびシリコーン構造を有する単量体、あるいはアミド酸構造およびシリコーン構造の繰り返し単位を有するオリゴマーまたはポリマーである。
【００９４】
上記式（Ｂ−４）、（Ｂ−５）および（Ｂ−６）で表される化合物（以下「イミド（Ｂｉ）」とも記す。）は、イミド構造およびシリコーン構造を有する単量体、あるいはイミド構造およびシリコーン構造の繰り返し単位を有するオリゴマーまたはポリマーである。
以下、アミド酸（Ｂａ）およびイミド（Ｂｉ）について、詳細に説明する。
【００９５】
１．１  アミド酸（Ｂａ）
アミド酸（Ｂａ）を合成する際の原料としては、例えば、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）、ジアミン（Ｂａ２）およびモノアミン（ａ４）を挙げることができる。アミド酸（Ｂａ）の合成方法としては、例えば、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）とジアミン（Ｂａ２）とを反応させる方法、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とジアミン（Ｂａ２）とを反応させる方法、モノアミン（ａ４）およびジアミン（Ｂａ２）と、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とを反応させる方法、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とモノアミン（ａ４）とを反応させる方法、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）および酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）と、ジアミン（Ｂａ２）とを反応させる方法、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）および酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）と、モノアミン（ａ４）とを反応させる方法、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）および酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）と、モノアミン（ａ４）およびジアミン（ａ２）とを反応させる方法、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）と、モノアミン（ａ４）およびジアミン（ａ２）とを反応させる方法などが挙げられるが、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）とジアミン（Ｂａ２）とを反応させる方法、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とジアミン（Ｂａ２）とを反応させる方法、モノアミン（ａ４）およびジアミン（Ｂａ２）と、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とを反応させる方法、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とモノアミン（ａ４）とを反応させる方法、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）および酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）と、ジアミン（Ｂａ２）とを反応させる方法、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）および酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）と、モノアミン（ａ４）およびジアミン（ａ２）とを反応させる方法がより好ましく、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）とジアミン（Ｂａ２）とを反応させる方法、モノアミン（ａ４）およびジアミン（Ｂａ２）と酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とを反応させる方法、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とモノアミン（ａ４）とを反応させる方法、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）および酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）と、ジアミン（Ｂａ２）とを反応させる方法がさらに好ましい。
以下、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）、ジアミン（Ｂａ２）、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）、モノアミン（ａ４）について説明する。
【００９６】
１．１．１  酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）
酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）の具体例としては、スチレン−無水マレイン酸共重合体、メタクリル酸メチル−無水マレイン酸共重合体等の無水物基を有するラジカル重合性モノマーと他のラジカル重合性モノマーとの共重合体やテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。テトラカルボン酸二無水物としては、例えば２，２'，３，３'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３'，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２'，３，３'−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３'，４'−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、２，２'，３，３'−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３'，４'−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、エタンテトラカルボン酸二無水物、エチレンジアミン四酢酸二無水物、下記式ａ１−１〜式ａ１−８０で表される化合物等のテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
【００９７】
【化１１】
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【００９８】
【化１２】
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【００９９】
【化１３】
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【０１００】
【化１４】
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【０１０１】
【化１５】
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【０１０２】
【化１６】
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【０１０３】
【化１７】
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【０１０４】
【化１８】
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【０１０５】
【化１９】
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【０１０６】
【化２０】
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【０１０７】
【化２１】
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【０１０８】
【化２２】
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【０１０９】
【化２３】
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【０１１０】
【化２４】
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【０１１１】
【化２５】
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酸無水物を２つ以上有する化合物（ａ１）の上記具体例の中でも、式ａ１−１、式ａ１−２、式ａ１−３、式ａ１−４、、式ａ１−６、式ａ１−７、式ａ１−８、式ａ１−９、式ａ１−１４、式ａ１−１８、式ａ１−２０、式ａ１−２２、式ａ１−３９、式ａ１−７４、式ａ１−７５、式ａ１−７６、式ａ１−７７、式ａ１−７９で表される化合物がより好ましい。このような酸無水物を２つ以上有する化合物（ａ１）を用いると、アミド酸（Ｂａ）の溶媒に対する溶解性が向上するため、最終的に得られる硬化膜の機械特性が向上する傾向がある。また、非水系インクジェット用インクの用途によっては高い透明性が必要とされるが、このような場合には、スチレン−無水マレイン酸共重合体、式ａ１−６、式ａ１−７、式ａ１−８、式ａ１−９、式ａ１−１４、式ａ１−１８で表される化合物を用いることが特に好ましい。
【０１１２】
本発明において、アミド酸（Ｂａ）の合成に用いられる酸無水物を２つ以上有する化合物（ａ１）の別の例としては、シロキサン結合を有するシロキサン系酸二無水物単独、またはシロキサン結合を有するシロキサン系酸二無水物と上記に挙げた他の酸二無水物との混合物が挙げられる。シロキサン結合を有するシロキサン系酸二無水物としては、少なくとも下記式（Ｂ１−ｙ）で表されるシロキサン系酸二無水物を用いることが好ましい。得られるアミド酸（Ｂａ）が繰り返し構造を持たないときは、前記シロキサン系酸二無水物を単独で用いることが好ましく、得られるアミド酸（Ｂａ）が繰り返し構造を持つときは、シロキサン結合を有するシロキサン系酸二無水物と他の酸二無水物との合計を１００ｍｏｌ％とした場合、シロキサン結合を有するシロキサン系酸二無水物を、１０ｍｏｌ％以上の割合で用いることが好ましい。当該割合が多いほど、得られるアミド酸（Ｂａ）は界面活性作用を強く発現することができる。酸無水物を２つ以上有する化合物（ａ１）として、前記シロキサン系酸二無水物を単独で用いると、得られるアミド酸（Ｂａ）は界面活性作用をより強く発現させることができる。
【０１１３】
【化２６】
2011080043.tif 000046
式（Ｂ１−ｙ）中、Ｅ5およびＥ6は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜６のアルケニル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルであり、好ましくは炭素数１〜１２のアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルであり、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルであり、Ｅ7は、それぞれ独立してメチレン、フェニレンまたはアルキル置換されたフェニレンであり、好ましくはメチレン、アルキル置換されたフェニレンであり、より好ましくはメチレンであり、ｘ１はそれぞれ独立して１〜６の整数であり、好ましくは１〜５の整数であり、より好ましくは２〜３の整数であり、ｙ１は１〜２００の整数であり、好ましくは２〜１５０の整数であり、より好ましくは３〜１４０の整数である。
【０１１４】
このような酸無水物を２つ以上有する化合物（ａ１）を用いると、最終的に得られる膜のパターン性が向上する傾向がある。
また、上記化合物（ａ１）は、１種単独で用いてもよく、また、２種以上を併用してもよい。
【０１１５】
１．１．２  ジアミン（Ｂａ２）
本発明において、アミド酸（Ｂａ）の合成に用いられるジアミン（Ｂａ２）としては、例えば、シロキサン結合を有するシロキサン系ジアミン単独、またはシロキサン結合を有するシロキサン系ジアミンと他のジアミンとの混合物が挙げられる。ジアミン（Ｂａ２）としては、少なくとも下記式（Ｂ１−ｚ）で表されるシロキサン系ジアミンを用いることが好ましい。得られるアミド酸（Ｂａ）が繰り返し構造を持たないときは、前記シロキサン系ジアミンを単独で用いることが好ましく、得られるアミド酸（Ｂａ）が繰り返し構造を持つときは、シロキサン結合を有するシロキサン系ジアミンと他のジアミンとの合計を１００ｍｏｌ％とした場合、シロキサン結合を有するシロキサン系ジアミンを、１０ｍｏｌ％以上の割合で用いることが好ましい。当該割合が多いほど、得られるアミド酸（Ｂａ）は界面活性作用を強く発現することができる。ジアミン（Ｂａ２）として、前記シロキサン系ジアミンを単独で用いると、得られるアミド酸（Ｂａ）は界面活性作用をより強く発現させることができる。
【０１１６】
【化２７】
2011080043.tif 000047
式（Ｂ１−ｚ）中、Ｅ5およびＥ6は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜６のアルケニル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルであり、好ましくは炭素数１〜１２のアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルであり、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルであり、Ｅ7は、それぞれ独立してメチレン、フェニレンまたはアルキル置換されたフェニレンであり、好ましくはメチレン、アルキル置換されたフェニレンであり、より好ましくはメチレンであり、ｘ１はそれぞれ独立して１〜６の整数であり、好ましくは１〜５の整数であり、より好ましくは２〜３の整数であり、ｙ１は１〜２００の整数であり、好ましくは２〜１５０の整数であり、より好ましくは３〜１４０の整数である。
このようなジアミン（Bａ２）を用いると、最終的に得られる膜のパターン性が向上する傾向がある。
【０１１７】
１．１．３  酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）
本発明において、アミド酸（Ｂａ）の合成に用いられる酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）は、下記式（１−１）で表される化合物であれば特に限定されない。
【０１１８】
【化２８】
2011080043.tif 000048
式（１−１）中、Ｅ1は、炭素数２〜５００の有機基であり、好ましくは炭素数２〜３００の有機基であり、より好ましくは炭素数２〜５０の有機基であり、さらに好ましくは炭素数２〜３０の有機基であり、特に好ましくは炭素数２〜２０の有機基である。
【０１１９】
酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）の具体例としては、マレイン酸無水物、シトラコン酸無水物、アリルナジック酸無水物、アリルコハク酸無水物、ｅｘｏ−３，６−エポキシ−１，２，３，６−テトラヒドロフタル酸無水物、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物、４−エチニルフタル酸無水物、４−フェニルエチニルフタル酸無水物、シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、ｃｉｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸無水物、１，３−シクロへキサンジカルボン酸無水物、イタコン酸無水物、ｐ−（トリメトキシシリル）フェニルスクシニックアンヒドリド、ｐ−（トリエトキシシリル）フェニルスクシニックアンヒドリド、ｍ−（トリメトキシシリル）フェニルスクシニックアンヒドリド、ｍ−（トリエトキシシリル）フェニルスクシニックアンヒドリド、トリメトキシシリルプロピルスクシニックアンヒドリド、２−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］スクシニックアンヒドリド、下記式（α）で表される化合物、下記式（β）で表される化合物が好ましい。下記式（α）で表される化合物は、例えば、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物とトリメトキシシランとを反応させて得ることができる。また、下記式（β）で表される化合物は、例えば、アリルナジック酸無水物とトリメトキシシランとを反応させて得ることができる。
【０１２０】
これらの中でも、マレイン酸無水物、シトラコン酸無水物、アリルナジック酸無水物、トリメトキシシリルプロピルスクシニックアンヒドリドおよび２−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］スクシニックアンヒドリドが好ましい。
【０１２１】
このような酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）を用いると、得られるインクのインクジェットの吐出性が向上する傾向がある。
これらの酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１２２】
【化２９】
2011080043.tif 000049
【０１２３】
【化３０】
2011080043.tif 000050
式（α）および（β）中、ＴＯは、ＣＨ3Ｏ（メトキシ）またはＣ2Ｈ5Ｏ（エトキシ）である。
【０１２４】
１．１．４  モノアミン（ａ４）
本発明において、アミド酸（Ｂａ）の合成に用いられるモノアミン（ａ４）は、本発明の目的を阻害しなければ特に限定されないが、具体例としては、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、４−アミノブチルトリメトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、４−アミノブチルメチルジエトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリエトキシシラン、ｐ−アミノフェニルメチルジメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルメチルジエトキシシラン、ｍ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｍ−アミノフェニルメチルジエトキシシラン、２−アミノ安息香酸、３−アミノ安息香酸、４−アミノ安息香酸、２−フルフリルアミン、チラミン、２−（４−アミノフェニル）エチルアミン、ｔｒａｎｓ−４−アミノシクロヘキサノール、モノエタノールアミン、２−アミノエタノール、３−アミノ−１−プロパノール、１−アミノ−２−プロパノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、５−アミノ−１−ペンタノール、ｎ−ブチルアミン、アニリン、３−エチニルアニリン、４−エチニルアニリン、ペンタフルオロアニリン、トリプトファン、リシン、メチオニン、フェニルアラニン、トレオニン、バリン、イソロイシン、ロイシン、ヒスチジン、アラニン、アルギニン、アスパラギン、セリン、アスパラギン酸、システイン、グルタミン、グルタミン酸、グリシン、プロリン、チロシン、１２−アミノラウリル酸、Ｏ―ホスホリルエタノールアミン、硫化水素２−アミノエチル、２−アミノエタンスルホン酸などを挙げることができる。
【０１２５】
これらの中でも、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシランが好ましく、３−アミノプロピルトリエトキシシランが特に好ましい。
【０１２６】
このようなモノアミン（ａ４）を用いると、得られるインクのインクジェットの吐出性が向上する傾向がある。
これらのモノアミン（ａ４）は、一種単独で用いてもよく、二種以上を併用してもよい。
【０１２７】
１．１．５  アミド酸（Ｂａ）を合成するための反応条件
アミド酸（Ｂａ）は、例えば、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）および酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）と、ジアミン（Ｂａ２）およびモノアミン（ａ４）とを適宜組み合わせて反応させることにより合成できる。
【０１２８】
当該反応の反応温度は、０〜１００℃であることが好ましく、０〜８０℃であることがより好ましく、０〜５０℃であることが特に好ましい。
当該反応の反応圧力は、９０〜１２０ｋPaであることが好ましく、９５〜１１０ｋPaであることがより好ましく、９７〜１０５ｋPaであることが特に好ましい。
【０１２９】
当該反応の反応時間は、０．２〜２０時間であることが好ましく、０．５〜１５時間であることがより好ましく、１〜１２時間であることが特に好ましい。
各原料の割合は、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）のモル数をｎ１、ジアミン（Ｂａ２）のモル数をｎ２、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）のモル数をｎ３、モノアミン（ａ４）のモル数をｎ４としたとき、ｎ１＋（１／２）×ｎ３＝ｎ２＋（１／２）×ｎ４とすることが好ましい。なお、反応に寄与しない酸無水物を２つ以上有する化合物、ジアミン、アミン、酸無水物が存在してもよい。また、得られるアミド酸（Ｂａ）がオリゴマーまたはポリマーの場合、アミド酸（Ｂａ）の末端がアミノ基末端でもよく、酸無水物末端でもよい。
【０１３０】
１．１．６  反応溶媒
アミド酸（Ｂａ）を合成するために用いられる反応溶媒は、アミド酸（Ｂａ）が合成できれば特に限定されるものではない。前記反応溶媒としては、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、シクロヘキサノン、１，３−ジオキソラン、エチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、アニソール、エチルラクテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル（１−ブトキシ−２−プロパノール）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（１−エトキシ−２−プロパノール）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（１−メトキシ−２−プロパノール）、安息香酸メチル、安息香酸エチル、１−ビニル−２−ピロリドン、１−ブチル−２−ピロリドン、１−エチル−２−ピロリドン、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリドン、２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、Ｎ−メチル−ε−カプロラクタム、１，３-ジメチル−２−イミダゾリジノンおよびγ−ブチロラクトンを挙げることができる。
【０１３１】
これらの中でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、シクロヘキサノン、ジエチレングリコールメチルエチルエーテルおよびジエチレングリコールジメチルエーテルであるとより好ましい。
【０１３２】
これらの反応溶媒は、１種単独で用いてもよく、また、２種以上を併用してもよい。また、上記反応溶媒以外に他の溶媒を混合して用いることもできる。
反応溶媒は、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）、ジアミン（Ｂａ２）、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）およびモノアミン（ａ４）の合計１００重量部に対して、１００重量部以上使用すると、反応がスムーズに進行するので好ましい。
【０１３３】
１．１．７  反応系への添加順序
また、反応原料の反応系への添加順序に特に限定されない。すなわち、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）、ジアミン（Ｂａ２）、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）およびモノアミン（ａ４）を同時に反応溶媒に加える方法、ジアミン（Ｂａ２）および酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）を反応溶媒中に溶解させた後に、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）およびモノアミン（ａ４）を添加する方法、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）およびモノアミン（ａ４）を反応溶媒中に溶解させ、さらに酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）をあらかじめ反応させた後に、ジアミン（Ｂａ２）を添加する方法、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）およびジアミン（Ｂａ２）をあらかじめ反応させて重合体を合成した後に、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）およびモノアミン（ａ４）を添加する方法、などいずれの方法も用いることができる。
【０１３４】
１．１．８  アミド酸（Ｂａ）の重量平均分子量
本発明において、アミド酸（Ｂａ）がオリゴマーまたはポリマーの場合、アミド酸（Ｂａ）の重量平均分子量は、１，０００〜１００，０００であることが好ましく、１，０００〜５０，０００であることがより好ましく、１，０００〜２０，０００であることがより好ましい。アミド酸（Ｂａ）の重量平均分子量が前記範囲内であると、インクのインクジェット吐出性が向上し、パターン性に優れる膜を得ることができる傾向がある。
【０１３５】
本発明において、アミド酸（Ｂａ）の重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）法により測定することができる。例えば、具体的には得られたアミド酸（Ｂａ）を、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）でアミド酸（Ｂａ）の濃度が約１重量％になるように希釈し、カラムとして、Ｓｈｏｄｅｘ  Ａｓａｈｉｐａｋ  ＧＦ−５１０  ＨＱおよびＳｈｏｄｅｘ  Ａｓａｈｉｐａｋ  ＧＦ−３１０  ＨＱを用いて、ＤＭＦを展開剤としてゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）法により測定し、ポリスチレン換算することにより求めることができる。
【０１３６】
１．２  イミド（Ｂｉ）
イミド（Ｂｉ）は、例えば、上述のように合成したアミド酸（Ｂａ）を、脱水・閉環することで合成できる。
【０１３７】
アミド酸（Ｂａ）の合成において、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）、ジアミン（Ｂａ２）およびモノアミン（ａ４）の反応原料、反応条件、反応溶媒ならびに反応系への添加順序については、上述したアミド酸（Ｂａ）の場合と同様である。
【０１３８】
イミド（Ｂｉ）は、上述したアミド酸（Ｂａ）を脱水・閉環することで合成できる。
脱水・閉環の方法は加熱による方法でも、化学的な方法でもかまわない。例えばアミド酸（Ｂａ）を溶媒中１００〜２００℃で加熱して、脱水・閉環してもよい。また、アミド酸（Ｂａ）に、例えばピリジンおよび無水酢酸を加えて脱水・閉環してもよい。より好ましい脱水・閉環の方法は、不純物が含まれないように、アミド酸（Ｂａ）を加熱する方法である。当該加熱における温度は、１４０〜１８０℃であることが好ましい。
このようにして得られたイミド（Ｂｉ）を用いると、最終的に形成される膜の保存安定性が向上する傾向がある。
【０１３９】
１．２．１  イミド（Ｂｉ）の重量平均分子量
本発明において、イミド（Ｂｉ）がオリゴマーまたはポリマーの場合、イミド（Ｂｉ）の重量平均分子量は、１，０００〜１００，０００であることが好ましく、１，０００〜５０，０００であることがより好ましく、１，０００〜２０，０００であることがより好ましい。イミド（Ｂｉ）の重量平均分子量が前記範囲内であると、インクのインクジェット吐出性が向上し、パターン性に優れる膜を得ることができる傾向がある。
【０１４０】
本発明において、イミド（Ｂｉ）の重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）法により測定することができる。例えば、具体的には得られたイミド（Ｂｉ）をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）でイミド（Ｂｉ）の濃度が約１重量％になるように希釈し、カラムとして、Ｓｈｏｄｅｘ  Ａｓａｈｉｐａｋ  ＧＦ−５１０  ＨＱおよびＳｈｏｄｅｘ  Ａｓａｈｉｐａｋ  ＧＦ−３１０  ＨＱを用いて、ＤＭＦを展開剤としてゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）法により測定し、ポリスチレン換算することにより求めることができる。
【０１４１】
１．３  その他のシリコーン系界面活性剤
本発明において、上述したアミド酸（Ｂａ）およびイミド（Ｂｉ）以外のシリコーン系界面活性剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、特開２００９−０３５７０２号公報、特開２００９−０３２０２３号公報、特開２００９−０５１９３１号公報、特開２００８−１３３３３６号公報、特開２００８−１３３３３５号公報、特開２００８−１０６１６５号公報で挙げられているものを用いることができる。
【０１４２】
好ましくは以下に示すシリコーン系界面活性剤が挙げられる。
例えば、商品名「ＦＭ−３３０６」、「ＦＭ−３３１１」、「ＦＭ−３３２１」、「ＦＭ−３３２５」、「ＦＭ−４４１１」、「ＦＭ−４４２１」、「ＦＭ−４４２５」、「ＦＭ−７７１１」、「ＦＭ−７７２１」、「ＦＭ−７７２５」、「ＦＭ−０４１１」、「ＦＭ−０４２１」、「ＦＭ−０４２５」、「ＦＭ−ＤＡ１１」、「ＦＭ−ＤＡ２１」、「ＦＭ−ＤＡ２６」、「ＦＭ−０７１１」、「ＦＭ−０７２１」、「ＦＭ−０７２５」、「ＴＭ−０７０１」、「ＴＭ−０７０１Ｔ」（チッソ（株）製）等、商品名「Ｂｙｋ−３００」、「Ｂｙｋ−３０６」、「Ｂｙｋ−３３５」、「Ｂｙｋ−３１０」、「Ｂｙｋ−３４１」、「Ｂｙｋ−３４４」、「Ｂｙｋ−３７０」（ビック・ケミー（株）製）等が挙げられる。
【０１４３】
これらの中で特に好ましいものは、例えば、商品名「ＦＭ−３３０６」、「ＦＭ−３３１１」、「ＦＭ−３３２１」、「ＦＭ−３３２５」、「ＦＭ−４４１１」、「ＦＭ−７７１１」「ＦＭ−０４１１」、「ＦＭ−ＤＡ１１」、「ＦＭ−０７１１」（チッソ（株）製）等が挙げられる。
このようなシリコーン系界面活性剤を含むインクを用いると、パターン性に優れる膜を得ることができる傾向がある。
【０１４４】
１．４  フッ素系界面活性剤
本発明において、フッ素系界面活性剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、特開２００９−０３５７０２号公報、特開２００９−０３２０２３号公報、特開２００９−０５１９３１号公報、特開２００８−１３３３３６号公報、特開２００８−１３３３３５号公報、特開２００８−１０６１６５号公報（自社先行文献）で挙げられているものを用いることができる。
【０１４５】
好ましくは以下に示すフッ素系界面活性剤が挙げられる。
例えば、商品名「Ｒ−０８」、「Ｆ−４７２ＳＦ」、「Ｒ−３０」、「ＢＬ−２０」、「Ｒ−６１」、「Ｒ−９０」、「Ｆ−１１４」、「Ｆ−４１０」、「Ｆ−４９３」、「Ｆ−４９４」、「Ｆ−４４３」、「Ｆ−４４４」、「Ｆ−４４５」、「Ｆ−４４６」、「Ｆ−４７０」、「Ｆ−４７１」、「Ｆ−４７４」、「Ｆ−４７５」、「Ｆ−４７７」、「Ｆ−４７８」、「Ｆ−４７９」、「Ｆ−４８０ＳＦ」、「Ｆ−４８２」、「Ｆ−４８３」、「Ｆ−４８４」、「Ｆ−４８６」、「Ｆ−４８７」、「Ｆ−４８９」、「Ｆ−１７２０」、「Ｆ−１７８Ｋ」、「ＥＳＭ−１」、「ＭＣＦ−３５０ＳＦ」、「ＴＦ−２０６６」、「Ｆ−４７２ＳＦ」、「ＴＦ−１３６６」、「ＴＦ−１３６７」、「Ｆ−５５２」、「Ｆ−５５３」、「Ｆ−５５４」、「ＴＦ−１４２５」、「ＴＦ−１４３７」、「ＴＦ−１５０７」、「Ｆ−１５３５」、「ＲＳ−２１１Ｋ」、「ＲＳ−７２Ｋ」、「ＲＳ−７５」（ＤＩＣ（株）製  メガファックシリーズ）等、商品名「ＤＦＸ−１８」、「フタージェント２５０」、「フタージェント２５１」、「ＦＴＸ−２０８Ｇ」、「ＦＴＸ−２１８Ｇ」、「ＦＴＸ−２４０Ｇ」、［ＦＴＸ−２１２Ｐ］、「ＦＴＸ−２２０Ｐ」、「ＦＴＸ−２２８Ｐ」、「ＦＴＸ−２１８ＧＬ」、「ＦＴＸ−２０６Ｄ」、「ＦＴＸ−２１８」、「ＦＴＸ−２２０Ｄ」、「ＦＴＸ−２３０Ｄ」、「ＦＴＸ−２４０Ｄ」、［ＦＴＸ−７５０ＬＬ］、「ＦＴＸ−７３０ＬＳ」、「ＦＴＸ−７３０ＬＭ」、「ＦＴＸ−７３０ＬＬ」、「ＦＴＸ−７１０ＬＬ」、「ＦＴＸ−７５０ＦＭ」、「ＦＴＸ−７３０ＦＳ」、「ＦＴＸ−７３０ＦＭ」、「ＦＴＸ−７３０ＦＬ」、「フタージェント２１２Ｄ」、「フタージェント７１０ＦＬ」、「フタージェント７３０ＦＭ」、「ＦＴＸ−２０９Ｆ」、「ＦＴＸ−２１３Ｆ」、「ＦＴＸ−２３３Ｆ」、「フタージェント２２２Ｆ」、「フタージェント２４５Ｆ」（（株）ネオス製  フタージェントシリーズ）等が挙げられる。
【０１４６】
これらの中で特に好ましいものは、例えば、商品名「Ｒ−０８」、「Ｆ−４７２ＳＦ」、「Ｒ−３０」、「Ｆ−４７７」、「Ｆ−４７９」、「ＴＦ−１３６６」、「ＴＦ−１３６７」、「ＴＦ−１４２５」（ＤＩＣ（株）製  メガファックシリーズ）等、商品名「ＤＦＸ−１８」、「ＦＴＸ−２０８Ｇ」、「ＦＴＸ−２１８Ｇ」、「ＦＴＸ−２４０Ｇ」、
［ＦＴＸ−２１２Ｐ］、「ＦＴＸ−２２０Ｐ」、「ＦＴＸ−２２８Ｐ」、「ＦＴＸ−２１８ＧＬ」「フタージェント７１０ＦＬ」、「フタージェント７３０ＦＭ」、「ＦＴＸ−２０９Ｆ」、「フタージェント２２２Ｆ」、「フタージェント２４５Ｆ」（（株）ネオス製
フタージェントシリーズ）等が挙げられる。
このようなフッ素系界面活性剤を含むインクを用いると、パターン性に優れる膜を得ることができる傾向がある。
【０１４７】
１．５  アクリル系界面活性剤
本発明において、アクリル系界面活性剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、特開２００９−０３５７０２号公報、特開２００９−０３２０２３号公報、特開２００９−０５１９３１号公報、特開２００８−１３３３３６号公報、特開２００８−１３３３３５号公報、特開２００８−１０６１６５号公報（自社先行文献）で挙げられているものを用いることができる。
【０１４８】
好ましくは以下に示すアクリル系界面活性剤が挙げられる。
例えば、商品名「Ｂｙｋ−３５４」、「ＢｙＫ−３５８」、「Ｂｙｋ−３６１Ｎ」（ビック・ケミー（株）製）等のアクリル系界面活性剤等が挙げられる。
【０１４９】
これらの中で特に好ましいものは、商品名「Ｂｙｋ−３６１Ｎ」（ビック・ケミー（株）製）等のアクリル系界面活性剤等が挙げられる。
このようなアクリル系界面活性剤を含むインク用いると、パターン性に優れる膜を得ることができる傾向がある。
【０１５０】
１．６  界面活性剤（Ｂ）を含む微粒子分散液
本発明において、非水系インクジェット用インクの成分として、界面活性剤（Ｂ）を含有させる際には、界面活性剤（Ｂ）そのものを非水系インクジェット用インクに含有される他の成分と混合してもよいが、界面活性剤（Ｂ）を含む溶液を非水系インクジェット用インクに含有される他の成分と混合してもよく、界面活性剤（Ｂ）を含む微粒子分散液を非水系インクジェット用インクに含有される他の成分と混合してもよい。当該微粒子分散液は特に限定されるものではないが、好ましくは以下に示す微粒子分散液が挙げられる。
【０１５１】
例えば、商品名「ＩＰＡ−ＳＴ」、「ＭＩＢＫ−ＳＴ」、「ＩＰＡ−ＳＴ−Ｌ」、「ＩＰＡ−ＳＴ−ＺＬ」、「ＰＧＭ−ＳＴ」（日産化学工業（株）製）、「オスカル１０１」、「オスカル１０５」、「オスカル１０６」、「カタロイド−Ｓ」（触媒化成工業（株）製）、「ＰＬ−２Ｌ−ＰＧＭＥ」、「ＰＬ−２Ｌ−IPA」、「ＰＬ−２Ｌ−TOL」、「ＰＬ−２Ｌ−MEK」、「ＰＬ−２Ｌ−ＢＬ」、「ＰＬ−２Ｌ−ＤＡＡ」、「ＰＬ−２Ｌ」、「ＧＰ−２Ｌ」（扶桑化学工業（株）製）、「レオロシール」（（株）トクヤマ製）等の微粒子分散液が挙げられる。
【０１５２】
これらの中で特に好ましいものは、例えば、商品名「２Ｌ−ＰＬ−ＰＧＭＥ」（扶桑化学工業（株）製）の微粒子分散液が挙げられる。
このような界面活性剤含有微粒子分散液を含むインク用いると、パターン性に優れる膜を得ることができる傾向がある。
【０１５３】
本発明のインクジェット用インクは、上記界面活性剤（Ｂ）を上記濃度範囲で含有し、インクジェットで吐出できるインクであれば、特に限定されるものではない。本発明のインクジェット用インクは、上記界面活性剤（Ｂ）以外の成分として、例えば、ポリイミドを形成可能な化合物およびポリイミドからなる群より選択される少なくとも１種の化合物（Ａ）、溶媒（Ｃ）などを含有することが好ましい。以下に各成分について、詳細な説明をする。
【０１５４】
２  化合物（Ａ）
本発明の非水系インクジェット用インクは、ポリイミドを形成可能な化合物およびポリイミドからなる群より選択される少なくとも１種の化合物（Ａ）を含むことが好ましい。
【０１５５】
前記化合物（Ａ）の含有量は、インクジェット用インク全重量に対して、２０〜８０重量％とすることが好ましく、２５〜７０重量％とすることがより好ましく、２５〜６０重量％とすることがさらに好ましい。前記化合物（Ａ）の含有量が、前記範囲内であると、インクのインクジェットの吐出性が向上する傾向がある。
【０１５６】
前記化合物（Ａ）としては、アミド酸、イミド等が挙げられる。
また、前記化合物（Ａ）は、下記一般式（１）〜（６）で表される化合物からなる群より選択される１種以上の化合物であることがより好ましい。
【０１５７】
【化３１−１】
2011080043.tif 000051
【０１５８】
【化３１−２】
2011080043.tif 000052
【０１５９】
【化３１−３】
2011080043.tif 000053
【０１６０】
【化３１−４】
2011080043.tif 000054
【０１６１】
【化３１−５】
2011080043.tif 000055
【０１６２】
【化３１−６】
2011080043.tif 000056
式（１）〜（６）中、Ｒは、それぞれ独立して水素原子または下記式（ａ）で表される基であり、Ｒ'は、それぞれ独立してアミノ基（ＮＨ2）または下記式（ｂ）で表される基であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、それぞれ独立して炭素数２〜５００の有機基であり、好ましくは炭素数２〜３００の有機基であり、Ｒ1およびＲ2は、より好ましくはそれぞれ独立して炭素数２〜８０の有機基であり、さらに好ましくはそれぞれ独立して炭素数２〜５０の有機基であり、Ｒ3およびＲ4は、より好ましくはそれぞれ独立して炭素数２〜２０の有機基であり、さらに好ましくはそれぞれ独立して炭素数２〜１５の有機基であり、ｎは０〜１０００の整数であり、好ましくは０〜８００の整数であり、より好ましくは０〜５００の整数である。ただし、ｎが０のとき、Ｒは下記式（ａ）で表される基であり、Ｒ'は下記式（ｂ）で表される基であり、Ｒ1１００ｍｏｌ％中、下記式（ｚ）で表されるシリコーン構造を有するＲ1は１０ｍｏｌ％未満であり、Ｒ2１００ｍｏｌ％中、下記式（ｚ）で表されるシリコーン構造のＲ2は１０ｍｏｌ％未満である。
【０１６３】
【化３２】
2011080043.tif 000057
【０１６４】
【化３３】
2011080043.tif 000058
【０１６５】
【化３４】
2011080043.tif 000059
式（ｚ）中、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜６のアルケニル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルであり、Ｒ7は、それぞれ独立してメチレン、フェニレンまたはアルキル置換されたフェニレンであり、ｘはそれぞれ独立して１〜６の整数であり、ｙは１〜２００の整数である。
【０１６６】
このような化合物（Ａ）を含有する非水系インクジェット用インクを用いることにより、後述するように耐熱性、耐薬品性、機械的特性および電気特性に優れたポリイミド膜を形成することができる。
【０１６７】
上記式（１）〜（３）で表される化合物（以下「アミド酸（ａ）」とも記す。）は、アミド酸構造を有する単量体、あるいはアミド酸構造およびシリコーン構造の繰り返し単位を有するオリゴマーまたはポリマーである。
【０１６８】
上記式（４）〜（６）で表される化合物（以下「イミド（ａ'）」とも記す。）は、イミド構造有する単量体、あるいはイミド構造およびシリコーン構造の繰り返し単位を有するオリゴマーまたはポリマーである。
以下、アミド酸（ａ）およびイミド（ａ'）について、詳細に説明する。
【０１６９】
２．１  アミド酸（ａ）
アミド酸（ａ）を合成する際の原料としては、例えば、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）、ジアミン（ａ２）およびモノアミン（ａ４）を挙げることができる。アミド酸（ａ）の合成方法としては、例えば、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）とジアミン（ａ２）とを反応させる方法、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とジアミン（ａ２）とを反応させる方法、モノアミン（ａ４）およびジアミン（ａ２）と、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とを反応させる方法、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とモノアミン（ａ４）とを反応させる方法、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）および酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）と、ジアミン（ａ２）とを反応させる方法、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）および酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）と、モノアミン（ａ４）とを反応させる方法、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）および酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）と、モノアミン（ａ４）およびジアミン（ａ２）とを反応させる方法、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）と、モノアミン（ａ４）およびジアミン（ａ２）とを反応させる方法、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）とモノアミン（ａ４）とを反応させる方法などが挙げられるが、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）とジアミン（ａ２）とを反応させる方法、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とジアミン（ａ２）とを反応させる方法、モノアミン（ａ４）およびジアミン（ａ２）と、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とを反応させる方法、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とモノアミン（ａ４）とを反応させる方法、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）および酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）と、ジアミン（ａ２）とを反応させる方法、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）および酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）と、モノアミン（ａ４）およびジアミン（ａ２）とを反応させる方法がより好ましく、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）とジアミン（ａ２）とを反応させる方法、モノアミン（ａ４）およびジアミン（ａ２）と、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とを反応させる方法、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とモノアミン（ａ４）とを反応させる方法、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）および酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）と、ジアミン（ａ２）とを反応させる方法がさらに好ましい。
以下、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）、ジアミン（ａ２）、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）、モノアミン（ａ４）について説明する。
【０１７０】
２．１．１  酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）
例えば、２，２'，３，３'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３'，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、、２，２'，３，３'−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３'，４'−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、、２，２'，３，３'−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３'，４'−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、エタンテトラカルボン酸二無水物、エチレンジアミン四酢酸二無水物、下記式ａ１−１〜下記式ａ１−８０で表される化合物等のテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
【０１７１】
【化３５】
2011080043.tif 000060
【０１７２】
【化３６】
2011080043.tif 000061
【０１７３】
【化３７】
2011080043.tif 000062
【０１７４】
【化３８】
2011080043.tif 000063
【０１７５】
【化３９】
2011080043.tif 000064
【０１７６】
【化４０】
2011080043.tif 000065
【０１７７】
【化４１】
2011080043.tif 000066
【０１７８】
【化４２】
2011080043.tif 000067
【０１７９】
【化４３】
2011080043.tif 000068
【０１８０】
【化４４】
2011080043.tif 000069
【０１８１】
【化４５】
2011080043.tif 000070
【０１８２】
【化４６】
2011080043.tif 000071
【０１８３】
【化４７】
2011080043.tif 000072
【０１８４】
【化４８】
2011080043.tif 000073
【０１８５】
【化４９】
2011080043.tif 000074
酸無水物を２つ以上有する化合物（ａ１）の上記具体例の中でも、上述した式ａ１−１、式ａ１−５、式ａ１−６、式ａ１−７、式ａ１−８、式ａ１−９、式ａ１−１４、式ａ１−１８、式ａ１−２０で表される化合物を用いると、得られるアミド酸（ａ）の後述する溶媒（Ｃ）への溶解性が高く高濃度の非水系インクジェット用インクを調製できるので好ましい。また、非水系インクジェット用インクの用途によっては高い透明性が必要とされるが、このような場合には、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）として、スチレン−無水マレイン酸共重合体、上述した式ａ１−６、式ａ１−７、式ａ１−８、式ａ１−９、式ａ１−１４、式ａ１−１８等で表される化合物を用いることが好ましい。
【０１８６】
本発明において、アミド酸（ａ）の合成に用いられる酸無水物を２つ以上有する化合物（ａ１）としては、下記式（Ｂ１−ｙ）で表されるシロキサン系酸二無水物単独は除かれる。下記式（Ｂ１−ｙ）で表されるシロキサン系酸二無水物と他の酸二無水物とを併用する場合は、上記一般式（１）〜（３）において、Ｒ1１００ｍｏｌ％中、下記式（ｚ）で表されるシリコーン構造を有するＲ1が１０ｍｏｌ％未満となるように、下記式（Ｂ１−ｙ）で表されるシロキサン系酸二無水物の配合割合を制御する必要がある。
【０１８７】
【化５０】
2011080043.tif 000075
式（Ｂ１−ｙ）中、Ｅ5およびＥ6は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜６のアルケニル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルであり、好ましくは炭素数１〜１２のアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルであり、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルであり、Ｅ7は、それぞれ独立してメチレン、フェニレンまたはアルキル置換されたフェニレンであり、好ましくはメチレン、アルキル置換されたフェニレンであり、より好ましくはメチレンであり、ｘ１はそれぞれ独立して１〜６の整数であり、好ましくは１〜５の整数であり、より好ましくは２〜３の整数であり、ｙ１は１〜２００の整数であり、好ましくは２〜１５０の整数であり、より好ましくは３〜１４０の整数である。
【０１８８】
このような酸無水物を２つ以上有する化合物（ａ１）を用いると、パターン性に優れる膜を得ることができる傾向がある。
また、上記化合物（ａ１）は、１種単独で用いてもよく、また、２種以上を併用してもよい。
【０１８９】
２．１．２  ジアミン（ａ２）
本発明において、アミド酸（ａ）の合成に用いられるジアミン（ａ２）としては、下記一般式（ｚ）で表される構造を有するシロキサン系ジアミン単独は除かれる。下記一般式（ｚ）で表される構造を有するシロキサン系ジアミンと他のジアミンとを併用する場合は、上記一般式（１）〜（３）において、Ｒ2１００ｍｏｌ％中、下記式（ｚ）で表されるシリコーン構造のＲ2が１０ｍｏｌ％未満となるように、下記一般式（ｚ）で表される構造を有するシロキサン系ジアミンの配合割合を制御する必要がある。
【０１９０】
【化５１】
2011080043.tif 000076
式（ｚ）中、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜６のアルケニル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルであり、Ｒ7は、それぞれ独立してメチレン、フェニレンまたはアルキル置換されたフェニレンであり、ｘはそれぞれ独立して１〜６の整数であり、ｙは１〜２００の整数である。
【０１９１】
上記一般式（ｚ）で表される構造を有するシロキサン系ジアミンとしては、下記式（４−１）で表されるものが挙げられる。
【０１９２】
【化５２】
2011080043.tif 000077
式中、Ｒ5およびＲ6は独立して炭素数１〜３のアルキルまたはフェニルであり、Ｒ7は独立してはメチレン、フェニレンまたは少なくとも１つの水素がアルキルで置き換えられたフェニレンであり、ｘは独立して１〜６の整数であり、ｙは１〜２００の整数である。
【０１９３】
他のジアミン（ａ２）の具体例としては、３，３'−ジアミノジフェニルスルホン、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、３，３'−ジアミノジフェニルメタン、３，３'−ジメチル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、２−（４−アミノフェニル）エチルアミン、２，２'−ジアミノジフェニルプロパン、ベンジジン、１，１−ビス［４−（４−アミノベンジル）フェニル］メタン、１,４−ビス（３−アミノプロピル）ピペラジン，N，N'−ビス（３−アミノプロピル）エチレンジアミン、１，４-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、１，３-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、下記式（４−１−１）、下記式（II）〜（VIII）で表される化合物が挙げられる。
【０１９４】
【化５３】
2011080043.tif 000078
【０１９５】
【化５４】
2011080043.tif 000079
式（II）中、Ａ1は、炭素数１〜２０のアルキル基、シクロアルキル基、オキシアルキル基である。
【０１９６】
式（IV）、（VI）および（VIII）中、Ａ1は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−（ＣＨ2）m2−、−Ｏ−（ＣＨ2）m2−Ｏ−、−Ｓ−（ＣＨ2）m2−Ｓ−であり、ここでｍ２は１〜６の整数である。
【０１９７】
式（VII）および（VIII）中、Ａ2は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−または炭素数１〜３のアルキレンである。
式（II）〜（VIII）中、シクロヘキサン環またはベンゼン環に結合している水素は、−Ｆ、−ＣＨ3と置き換えられていてもよい。
【０１９８】
式（II）で表されるジアミンとしては、例えば式（II−１）〜（II−１１）で表されるジアミンが挙げられる。
【０１９９】
【化５５】
2011080043.tif 000080
式（III）で表されるジアミンとしては、例えば式（III−１）〜（III−３）で表されるジアミンが挙げられる。
【０２００】
【化５６】
2011080043.tif 000081
式（IV）で表されるジアミンとしては、例えば式（IV−１）〜（IV−４）で表されるジアミンが挙げられる。
【０２０１】
【化５７】
2011080043.tif 000082
式（V）で表されるジアミンとしては、例えば式（Ｖ−１）〜（Ｖ−７）で表されるジアミンが挙げられる。
【０２０２】
【化５８】
2011080043.tif 000083
式（VI）で表されるジアミンとしては、例えば式（VI−１）〜（VI−３５）で表されるジアミンが挙げられる。
【０２０３】
【化５９】
2011080043.tif 000084
【０２０４】
【化６０】
2011080043.tif 000085
【０２０５】
【化６１】
2011080043.tif 000086
【０２０６】
【化６２】
2011080043.tif 000087
【０２０７】
【化６３】
2011080043.tif 000088
【０２０８】
【化６４】
2011080043.tif 000089
【０２０９】
【化６５】
2011080043.tif 000090
【０２１０】
【化６６】
2011080043.tif 000091
【０２１１】
【化６７】
2011080043.tif 000092
式（VII）で表されるジアミンとしては、例えば式（ＶＩＩ−１）〜（ＶＩＩ−６）で表されるジアミンが挙げられる。
【０２１２】
【化６８】
2011080043.tif 000093
【０２１３】
【化６９】
2011080043.tif 000094
【０２１４】
【化７０】
2011080043.tif 000095
式（VIII）で表されるジアミンとしては、例えば式（VIII−１）〜（VIII−１２）で表されるジアミンが挙げられる。
【０２１５】
【化７１】
2011080043.tif 000096
【０２１６】
【化７２】
2011080043.tif 000097
【０２１７】
【化７３】
2011080043.tif 000098
【０２１８】
【化７４】
2011080043.tif 000099
【０２１９】
【化７５】
2011080043.tif 000100
【０２２０】
【化７６】
2011080043.tif 000101
式（II）〜（VIII）で表されるジアミン（ａ２）の上記具体例の中でも、より好ましくは、式（V−１）〜（V−５）、式（VI−１）〜（VI−１２）、式（VI−２６）、式（VI−２７）、式（VII−１）、式（VII−２）、式（VII−６）、式（VIII−１）〜（VIII−５）で表されるジアミンが挙げられ、さらに好ましくは式（V−６）、式（V−７）、式（VI−１）〜（VI−１２）で表されるジアミンが挙げられる。
【０２２１】
これらの中でも、３，３'−ジアミノジフェニルスルホン、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、３，３'−ジアミノジフェニルメタン、３，３'−ジメチル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、２，２'−ジアミノジフェニルプロパン、ベンジジン、１，１−ビス［４−（４−アミノベンジル）フェニル］メタン等が好ましく利用できる。
【０２２２】
本発明において、アミド酸（ａ）の合成に用いられるジアミン（ａ２）としては、さらに式（IX）で表されるジアミンが挙げられる。
【０２２３】
【化７７】
2011080043.tif 000102
式（IX）中、Ａ3は、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＯＮＨ−または−（ＣＨ2）m3−であり、ここで、ｍ３は１〜６の整数である。
【０２２４】
式（IX）中、Ｒ6は、ステロイド骨格を有する基、シクロヘキサン環とベンゼン環とからなる群から選ばれる１以上を有する基、または、ベンゼン環に結合している２つのアミノ基の位置関係がパラ位のときは炭素数１〜３０のアルキル、もしくは該位置関係がメタのときは炭素数１〜１０のアルキルまたはフェニルであり、該アルキルにおいては、任意の−ＣＨ2−が−ＣＦ2−、−ＣＨＦ−、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、−ＣＨ3が−ＣＨ2Ｆ、−ＣＨＦ2または−ＣＦ3で置き換えられていてもよく、該フェニルの環形成炭素に結合している水素は、−Ｆ、−ＣＨ3、−ＯＣＨ3、−ＯＣＨ2Ｆ、−ＯＣＨＦ2または−ＯＣＦ3と置き換えられていてもよい。
【０２２５】
式（IX）において、２つのアミノ基はフェニル環炭素に結合しているが、好ましくは、２つのアミノ基の結合位置関係は、メタ位またはパラ位であることが好ましい。さらに２つのアミノ基はそれぞれ、「Ｒ6−Ａ3−」の結合位置を１位としたときに３位と５位、または２位と５位に結合していることが好ましい。
【０２２６】
式（IX）で表されるジアミンとしては、例えば式（IX−１）〜（IX−１１）で表されるジアミンが挙げられる。
【０２２７】
【化７８】
2011080043.tif 000103
【０２２８】
【化７９】
2011080043.tif 000104
式（IX−１）、（IX−２）、（IX−７）および（IX−８）中、Ｒ18は炭素数１〜３０の有機基であるが、これらの中でも炭素数３〜１２のアルキルまたは炭素数３〜１２のアルコキシが好ましく、炭素数５〜１２のアルキルまたは炭素数５〜１２のアルコキシがさらに好ましい。また、上記式（IX−３）〜（IX−６）および（IX−９）〜（IX−１１）中、Ｒ19は炭素数１〜３０の有機基であるが、これらの中でも炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数１〜１０のアルコキシが好ましく、炭素数３〜１０のアルキルまたは炭素数３〜１０のアルコキシがさらに好ましい。
【０２２９】
式（IX）で表されるジアミンとしては、さらに、例えば下記式（IX−１２）〜（IX−１７）で表されるジアミンが挙げられる。
【０２３０】
【化８０】
2011080043.tif 000105
式（ＩＸ-１２）〜（ＩＸ-１５）において、Ｒ20は炭素数１〜３０の有機基であり、炭素数４〜１６のアルキルが好ましく、炭素数６〜１６のアルキルがさらに好ましい。式（ＩＸ-１６）と式（ＩＸ-１７）において、Ｒ21は炭素数１〜３０の有機基であり、炭素数６〜２０のアルキルが好ましく、炭素数８〜２０のアルキルがさらに好ましい。
【０２３１】
式（IX）で表されるジアミンとしては、さらに、例えば下記式（IX−１８）〜（IX−３８）で表されるジアミンが挙げられる。
【０２３２】
【化８１】
2011080043.tif 000106
【０２３３】
【化８２】
2011080043.tif 000107
【０２３４】
【化８３】
2011080043.tif 000108
上記式（IX-１８）、（IX-１９）、（IX-２２）、（IX-２４）、（IX-２５）、（IX-２８）、（IX-３０）、（IX-３１）、（IX-３６）および（IX-３７）において、Ｒ22は炭素数１〜３０の有機基であり、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシが好ましく、炭素数３〜１２のアルキルまたは炭素数３〜１２のアルコキシがさらに好ましい。また、上記式（IX-２０）、（IX-２１）、（IX-２３）、（IX-２６）、（IX-２７）、（IX-２９）、（IX-３２）〜（IX-３５）および（IX-３８）において、Ｒ23は水素原子、−Ｆ、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、−ＣＮ、−ＯＣＨ2Ｆ、−ＯＣＨＦ2または−ＯＣＦ3であり、炭素数３〜１２のアルキルまたは炭素数３〜１２のアルコキシがさらに好ましい。上記式（IX-３３）と（IX-３４）において、Ａ9は炭素数１〜１２のアルキレンである。
【０２３５】
式（IX）で表されるジアミンとしては、さらに、例えば下記式（IX−３９）〜（IX−４８）で表されるジアミンが挙げられる。
【０２３６】
【化８４】
2011080043.tif 000109
【０２３７】
【化８５】
2011080043.tif 000110
式（IX）で表されるジアミン（ａ２）のうち、式（IX−１）〜式（IX−１１）で表されるジアミンが好ましく、式（IX−２）、式（IX−４）、式（IX−５）、式（IX−６）で表されるジアミンがさらに好ましい。
【０２３８】
本発明において、アミド酸（ａ）の合成に用いられるジアミン（ａ２）は、さらに下記式（XI）〜（XII）で表される化合物が挙げられる。
【０２３９】
【化８６】
2011080043.tif 000111
【０２４０】
【化８７】
2011080043.tif 000112
式（XI）と（XII）中、Ｒ10は水素または−ＣＨ3であり、Ｒ11はそれぞれ独立して、水素または炭素数１〜２０のアルキルもしくは炭素数２〜２０のアルケニルであり、Ａ6はそれぞれ独立して、単結合、−Ｃ（＝Ｏ）−または−ＣＨ2−である。
【０２４１】
式（XII）中、Ｒ13およびＲ14はそれぞれ独立して、水素、炭素数１〜２０のアルキルまたはフェニルである。
前記式（XI）において、２つの「ＮＨ2−Ｐｈ−Ａ6−Ｏ−」（−Ｐｈ−は、フェニレンを示す）の一方はステロイド核の３位に結合し、もう一方は６位に結合していることが好ましい。また、２つのアミノ基はそれぞれ、フェニル環炭素に結合しており、Ａ6の結合位置に対して、メタ位またはパラ位に結合していることが好ましい。
【０２４２】
式（XI）で表されるジアミンとしては、例えば式（XI−１）〜（XI−４）で表されるジアミンが挙げられる。
【０２４３】
【化８８】
2011080043.tif 000113
式（XII）において、２つの「ＮＨ2−（Ｒ14−）Ｐｈ−Ａ6−Ｏ−」（−Ｐｈ−は、フェニレンを示す）は、それぞれフェニル環炭素に結合しているが、好ましくはステロイド核が結合している炭素に対してメタ位またはパラ位の炭素に結合している。また、２つのアミノ基はそれぞれフェニル環炭素に結合しているが、Ａ6に対してメタ位またはパラ位に結合していることが好ましい。
【０２４４】
式（XII）で表されるジアミンとしては、例えば式（XII−１）〜（XII−８）で表されるジアミンが挙げられる。
【０２４５】
【化８９】
2011080043.tif 000114
【０２４６】
【化９０】
2011080043.tif 000115
本発明において、アミド酸（ａ）の合成に用いられるジアミン（ａ２）は、さらに式（XIII）、（XIV）で表される化合物が挙げられる。
【０２４７】
【化９１】
2011080043.tif 000116
式（XIII）中、Ｒ15は水素または炭素数１〜２０のアルキルであり、該アルキルのうち炭素数２〜２０のアルキルの任意の−ＣＨ2−は、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、Ａ7はそれぞれ独立して−Ｏ−または炭素数１〜６のアルキレンであり、Ａ8は単結合または炭素数１〜３のアルキレンであり、環Ｔは１，４−フェニレンまたは１，４−シクロヘキシレンであり、ｈは０または１である。
【０２４８】
【化９２】
2011080043.tif 000117
式（XIV）中、Ｒ16は炭素数２〜３０のアルキルであり、これらの中でも炭素６〜２０のアルキルが好ましい。Ｒ17は水素または炭素数１〜３０のアルキルであり、これらの中でも炭素１〜１０のアルキルが好ましい。Ａ7はそれぞれ独立して−Ｏ−または炭素数１〜６のアルキレンである。
【０２４９】
前記式（XIII）において、２つのアミノ基はそれぞれフェニル環炭素に結合しているが、Ａ7に対してメタ位またはパラに結合していることが好ましい。
式（XIII）で表されるジアミンとしては、例えば、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−メチルシクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノベンジル）フェニル］シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノベンジル）フェニル］４−メチルシクロヘキサン、式（XIII−１）〜（XIII−９）で表されるジアミンが挙げられる。
【０２５０】
【化９３】
2011080043.tif 000118
【０２５１】
【化９４】
2011080043.tif 000119
これらの中でも、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−メチルシクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノベンジル）フェニル］シクロヘキサン、および１，１−ビス［４−（４−アミノベンジル）フェニル］４−メチルシクロヘキサンが好ましい。また、上記式（XIII-１）〜（XIII-３）において、Ｒ24は水素または炭素数１〜２０のアルキルが好ましく、上記式（XIII-４）〜（XIII-９）において、Ｒ25は水素または炭素数１〜１０のアルキルが好ましい。
【０２５２】
前記式（XIV）において、２つのアミノ基はそれぞれフェニル環炭素に結合しているが、Ａ7に対してメタ位またはパラ位に結合していることが好ましい。
式（XIV）で表されるジアミンとしては、例えば（XIV−１）〜（XIV−３）で表されるジアミンが挙げられる。
【０２５３】
【化９５】
2011080043.tif 000120
（XIV−１）〜（XIV−３）式中、Ｒ26は炭素数２〜３０のアルキルであり、これらの中でも炭素数６〜２０のアルキルが好ましく、Ｒ27は水素または炭素数１〜３０のアルキルであり、これらの中でも水素または炭素数１〜１０のアルキルが好ましい。
【０２５４】
本発明において、アミド酸（ａ）の合成に用いられるジアミン（ａ２）は、さらに式（XV−１）〜（XV−１６）で表される化合物が挙げられる。
【０２５５】
【化９６】
2011080043.tif 000121
【０２５６】
【化９７】
2011080043.tif 000122
【０２５７】
【化９８】
2011080043.tif 000123
式（ＸＶ−１５）中、ｎは２〜１５の整数である。具体的な製品としてはイハラケミカル社製、エラストマー１０００Ｐ（ｎ（平均値）＝１３．６２）、エラストマー６５０Ｐ（ｎ（平均値）＝８．７６）、エラストマー２５０Ｐ（ｎ（平均値）＝３．２１）が挙げられる。
式（ＸＶ−１６）中、ｍ、ｎは正の整数であり、分子量は１２００〜１３００である。具体的な製品としてはイハラケミカル社製、ポレアＳＬ−１００Ａが挙げられる。
【０２５８】
上述のとおり、本発明において、アミド酸（ａ）の合成に用いられるジアミン（ａ２）は、例えば、式（I）〜（XV−１６）で表されるジアミンを用いることができるが、これらのジアミン以外のジアミンも用いることができる。例えば、ナフタレン構造を有するナフタレン系ジアミン、フルオレン構造を有するフルオレン系ジアミン、またはシロキサン結合を有するシロキサン系ジアミン、トリアジン骨格を含むトリアジン系ジアミンなどを単独または他のジアミンと混合して用いることができる。
【０２５９】
本発明において、アミド酸（ａ）の合成に用いられるジアミン（ａ２）は、さらに、下記式（４−２）で表されるフルオレン系ジアミンが好ましく挙げられる。
【０２６０】
【化９９】
2011080043.tif 000124
本発明において、アミド酸（ａ）の合成に用いられるジアミン（ａ２）は、さらに、下記式（４−３−１）、（４−３−２）および（４−３−３）で表されるトリアジン系ジアミンが好ましく挙げられる。
【０２６１】
【化１００】
2011080043.tif 000125
さらに、好ましくは、本発明において、アミド酸（ａ）の合成に用いられるジアミン（ａ２）として、下記式（２１）〜（２８）で表されるジアミンが挙げられる。式中、Ｒ30およびＲ31は独立して炭素数３〜２０のアルキルである。
【０２６２】
【化１０１】
2011080043.tif 000126
【０２６３】
【化１０２】
2011080043.tif 000127
【０２６４】
【化１０３】
2011080043.tif 000128
なお、アミド酸（ａ）を合成するために用いることができるジアミン（ａ２）は、本明細書のジアミンに限定されることなく、本発明の目的が達成される範囲内で他にも種々の形態のジアミンを用いることができる。
【０２６５】
また、アミド酸（ａ）を合成するために用いることができるジアミン（ａ２）は、１種単独で用いてもよく、また、２種以上を併用してもよい。すなわち、２種以上の組み合わせとしては、上記ジアミン同士、上記ジアミンとそれ以外のジアミン、または、上記ジアミン以外のジアミン同士を用いることができる。
【０２６６】
また、インクジェット用インクの用途によっては高い透明性が必要とされるが、そのような場合には、３，３'−ジアミノジフェニルスルホンおよび式（４−１）においてｙ＝１〜１５の整数であるジアミンを用いることが特に好ましい。
【０２６７】
２．１．３  酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）
本発明において、アミド酸（ａ）の合成に用いられる酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）は、下記式（１−１）で表される化合物であれば特に限定されない。
【０２６８】
【化１０４】
2011080043.tif 000129
式（１−１）中、Ｒ1は、炭素数２〜５００の有機基であり、好ましくは炭素数２〜３００の有機基であり、より好ましくは炭素数２〜５０の有機基であり、より好ましくは炭素数２〜３０の有機基であり、特に好ましくは炭素数２〜２０の有機基である。
【０２６９】
酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）の具体例としては、マレイン酸無水物、シトラコン酸無水物、アリルナジック酸無水物、アリルコハク酸無水物、ｅｘｏ−３，６−エポキシ−１，２，３，６−テトラヒドロフタル酸無水物、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物、４−エチニルフタル酸無水物、４−フェニルエチニルフタル酸無水物、シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、ｃｉｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸無水物、１，３−シクロへキサンジカルボン酸無水物、イタコン酸無水物、ｐ−（トリメトキシシリル）フェニルスクシニックアンヒドリド、ｐ−（トリエトキシシリル）フェニルスクシニックアンヒドリド、ｍ−（トリメトキシシリル）フェニルスクシニックアンヒドリド、ｍ−（トリエトキシシリル）フェニルスクシニックアンヒドリド、トリメトキシシリルプロピルスクシニックアンヒドリド、２−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］スクシニックアンヒドリド、下記式（α）で表される化合物、下記式（β）で表される化合物が好ましい。下記式（α）で表される化合物は、例えば、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物とトリメトキシシランとを反応させて得ることができる。また、下記式（β）で表される化合物は、例えば、アリルナジック酸無水物とトリメトキシシランとを反応させて得ることができる。
【０２７０】
このような酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）を用いると、インクのインクジェットの吐出性が向上する傾向がある。
上記具体例の中でも、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）として、マレイン酸無水物、シトラコン酸無水物、アリルナジック酸無水物、トリメトキシシリルプロピルスクシニックアンヒドリドおよび２−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］スクシニックアンヒドリドを用いると、最終的に形成されるポリイミド膜の耐久性が優れる傾向がある。
【０２７１】
これらの酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０２７２】
【化１０５】
2011080043.tif 000130
【０２７３】
【化１０６】
2011080043.tif 000131
式（α）および（β）中、ＴＯは、ＣＨ3Ｏ（メトキシ）またはＣ2Ｈ5Ｏ（エトキシ）である。
【０２７４】
２．１．４  モノアミン（ａ４）
本発明において、アミド酸（ａ）の合成に用いられるモノアミン（ａ４）は、本発明の目的を阻害しなければ特に限定されないが、具体例としては、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、４−アミノブチルトリメトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、４−アミノブチルメチルジエトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリエトキシシラン、ｐ−アミノフェニルメチルジメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルメチルジエトキシシラン、ｍ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｍ−アミノフェニルメチルジエトキシシラン、２−アミノ安息香酸、３−アミノ安息香酸、４−アミノ安息香酸、２−フルフリルアミン、チラミン、２−（４−アミノフェニル）エチルアミン、ｔｒａｎｓ−４−アミノシクロヘキサノール、モノエタノールアミン、２−アミノエタノール、３−アミノ−１−プロパノール、１−アミノ−２−プロパノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、５−アミノ−１−ペンタノール、ｎ−ブチルアミン、アニリン、３−エチニルアニリン、４−エチニルアニリン、ペンタフルオロアニリン、トリプトファン、リシン、メチオニン、フェニルアラニン、トレオニン、バリン、イソロイシン、ロイシン、ヒスチジン、アラニン、アルギニン、アスパラギン、セリン、アスパラギン酸、システイン、グルタミン、グルタミン酸、グリシン、プロリン、チロシン、１２−アミノラウリル酸、Ｏ―ホスホリルエタノールアミン、硫化水素２−アミノエチル、２−アミノエタンスルホン酸などを挙げることができる。
【０２７５】
このようなモノアミン（ａ４）を用いると、インクのインクジェットの吐出性が向上する傾向がある。
これらの中でも、モノアミン（ａ４）として、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシランを用いると、最終的に形成されるポリイミド膜の耐久性が優れる傾向がある。３−アミノプロピルトリエトキシシランを用いることが特に好ましい。
これらのモノアミン（ａ４）は、一種単独で用いてもよく、二種以上を併用してもよい。
【０２７６】
２．１．５  アミド酸（ａ）を合成するための反応条件
アミド酸（ａ）は、例えば、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）および酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）と、ジアミン（ａ２）およびモノアミン（ａ４）とを適宜組み合わせて反応させることにより合成できる。
【０２７７】
当該反応の反応温度は、０〜１００℃であることが好ましく、０〜８０℃であることがより好ましく、０〜５０℃であることが特に好ましい。
当該反応の反応圧力は、９０〜１２０ｋPaであることが好ましく、９５〜１１０ｋPaであることがより好ましく、９７〜１０５ｋPaであることが特に好ましい。
【０２７８】
当該反応の反応時間は、０．２〜２０時間であることが好ましく、０．５〜１５時間であることがより好ましく、１〜１２時間であることが特に好ましい。
各原料の割合は、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）のモル数をｎ１、ジアミン（ａ２）のモル数をｎ２、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）のモル数をｎ３、モノアミン（ａ４）のモル数をｎ４としたとき、ｎ１＋（１／２）×ｎ３＝ｎ２＋（１／２）×ｎ４が好ましい。なお、反応に寄与しない酸無水物を２つ以上有する化合物、ジアミン、アミン、酸無水物が存在してもよい。また、得られるアミド酸（Ｂａ）がオリゴマーまたはポリマーの場合、アミド酸（ａ）の末端がアミノ基末端でもよく、酸無水物末端でもよい。
【０２７９】
２．１．６  反応溶媒
アミド酸（ａ）を合成するために用いられる反応溶媒は、アミド酸（ａ）が合成できれば特に限定されるものではない。前記反応溶媒としては、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、シクロヘキサノン、１，３−ジオキソラン、エチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、アニソール、エチルラクテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル（１−ブトキシ−２−プロパノール）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（１−エトキシ−２−プロパノール）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（１−メトキシ−２−プロパノール）、安息香酸メチル、安息香酸エチル、１−ビニル−２−ピロリドン、１−ブチル−２−ピロリドン、１−エチル−２−ピロリドン、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリドン、２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、Ｎ−メチル−ε−カプロラクタム、１，３-ジメチル−２−イミダゾリジノンおよびγ−ブチロラクトンを挙げることができる。
【０２８０】
これらの中でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、シクロヘキサノン、ジエチレングリコールメチルエチルエーテルおよびジエチレングリコールジメチルエーテルであるとより好ましい。
【０２８１】
これらの反応溶媒は、１種単独で用いてもよく、また、２種以上を併用してもよい。また、上記反応溶媒以外に他の溶媒を混合して用いることもできる。
反応溶媒は、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）、ジアミン（ａ２）、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）およびモノアミン（ａ４）の合計１００重量部に対して、１００重量部以上使用すると、反応がスムーズに進行するので好ましい。
【０２８２】
２．１．７  反応系への添加順序
反応原料の反応系への添加順序に特に限定されない。すなわち、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）、ジアミン（ａ２）、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）およびモノアミン（ａ４）を同時に反応溶媒に加える方法、ジアミン（ａ２）および酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）を反応溶媒中に溶解させた後に、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）およびモノアミン（ａ４）を添加する方法、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）およびモノアミン（ａ４）を反応溶媒中に溶解させ、さらに酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）をあらかじめ反応させた後に、ジアミン（ａ２）を添加する方法、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）およびジアミン（ａ２）をあらかじめ反応させて重合体を合成した後に、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）およびモノアミン（ａ４）を添加する方法、などいずれの方法も用いることができる。
【０２８３】
アミド酸（ａ）は、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）、ジアミン（ａ２）、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）およびモノアミン（ａ４）のモル比によって、分子末端基を保有するアミド酸（ａ）と保有しないアミド酸（ａ）とが混在することがある。
また、アミド酸（ａ）の合成方法は、上記方法に限定されない。
【０２８４】
２．１．８  アミド酸（ａ）の重量平均分子量
本発明において、アミド酸（ａ）がオリゴマーまたはポリマーの場合、アミド酸（ａ）の重量平均分子量は、９００〜７，５００であることが好ましい。アミド酸（ａ）の重量平均分子量が９００以上であると、加熱処理によってポリイミド膜を形成する工程において、アミド酸（ａ）が蒸発することがなく、化学的・機械的に安定である。アミド酸（ａ）の重量平均分子量が７，５００以下であると、後述する溶媒（Ｃ）に対するアミド酸（ａ）の溶解性を向上させ、低粘度化することができるので、得られる膜の膜厚を大きくすることが可能となる。また、アミド酸（ａ）において、後述する溶媒（Ｃ）に対する溶解性をさらに向上させ、低粘度化するためには、アミド酸（ａ）の重量平均分子量は、９００〜３，５００であることが好ましく、９００〜２，５００であることがさらに好ましい。
【０２８５】
本発明において、アミド酸（ａ）の重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）法により測定することができる。例えば、具体的には得られたアミド酸（ａ）を、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）でアミド酸（ａ）の濃度が約１重量％になるように希釈し、カラムとして、Ｓｈｏｄｅｘ  Ａｓａｈｉｐａｋ  ＧＦ−５１０  ＨＱおよびＳｈｏｄｅｘ  Ａｓａｈｉｐａｋ  ＧＦ−３１０  ＨＱを用いて、ＤＭＦを展開剤としてゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）法により測定し、ポリスチレン換算することにより求めることができる。
【０２８６】
２．１．９  アミド酸（ａ）の含有量
前記アミド酸（ａ）の含有量は、インクジェット用インク全重量に対して、２０〜８０重量％とすることが好ましく、２５〜７０重量％とすることがより好ましく、２５〜６０重量％とすることがさらに好ましい。前記アミド酸（ａ）の含有量が、前記範囲内であると、インクのインクジェットの吐出性が向上する傾向がある。
【０２８７】
２．２  イミド（ａ'）
イミド（ａ'）は、例えば、前記アミド酸（ａ）を脱水・閉環することで合成できる。酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）、ジアミン（ａ２）、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）およびモノアミン（ａ４）のモル比によって、分子末端基を保有するイミド（ａ'）と分子末端基を保有しないイミド（ａ'）が混在してもよい。また、イミド（ａ'）の製造方法は当該方法に限定されない。
【０２８８】
イミド（ａ'）を得るためのアミド酸（ａ）の合成において、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）、ジアミン（ａ２）およびモノアミン（ａ４）の反応原料、反応条件、反応溶媒ならびに反応系への添加順序については、上述したアミド酸（ａ）の場合と同様である。
【０２８９】
イミド（ａ'）は、上述したアミド酸（ａ）を脱水・閉環することで合成できる。
脱水・閉環の方法は加熱による方法でも、化学的な方法でもかまわない。例えばアミド酸（ａ）を溶媒中１００〜２００℃で加熱して、脱水・閉環してもよい。また、アミド酸（ａ）に、例えばピリジンおよび無水酢酸を加えて脱水・閉環してもよい。より好ましい脱水・閉環の方法は、不純物が含まれないように、アミド酸（ａ）を加熱する方法である。当該加熱における温度は、１４０〜１８０℃であることが好ましい。
【０２９０】
このようにして得られたイミド（ａ'）を用いると、最終的に得られるインクが高濃度で低粘度となる傾向がある。前記イミドとしては、上記式（４）〜（６）で表される化合物、イミド化合物（ａ'−１）、アルケニル置換ナジイミド（ａ'−２）等が挙げられる。
【０２９１】
２．２．１  イミド（ａ'）の重量平均分子量
本発明において、イミド（ａ'）がオリゴマーまたはポリマーの場合、イミド（ａ'）の重量平均分子量は、９００〜７，５００であることが好ましい。イミド（ａ'）の重量平均分子量が９００以上であると、加熱処理によってポリイミド膜を形成する工程において、イミド（ａ'）が蒸発することがなく、化学的・機械的に安定である。イミド（ａ'）の重量平均分子量が７，５００以下であると、後述する溶媒（Ｃ）に対するイミド（ａ'）の溶解性を向上させ、低粘度化することができるので、得られる膜の膜厚を大きくすることが可能となる。また、イミド（ａ'）において、後述する溶媒（Ｃ）に対する溶解性をさらに向上させ、低粘度化するためには、イミド（ａ'）の重量平均分子量は、９００〜３，５００であることが好ましく、９００〜２，５００であることがさらに好ましい。
【０２９２】
本発明において、イミド（ａ'）の重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）法により測定することができる。例えば、具体的には得られたイミド（ａ'）をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）でイミド（ａ'）の濃度が約１重量％になるように希釈し、カラムとして、Ｓｈｏｄｅｘ  Ａｓａｈｉｐａｋ  ＧＦ−５１０  ＨＱおよびＳｈｏｄｅｘ  Ａｓａｈｉｐａｋ  ＧＦ−３１０  ＨＱを用いて、ＤＭＦを展開剤としてゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）法により測定し、ポリスチレン換算することにより求めることができる。
【０２９３】
２．２．２  イミド（ａ'）の含有量
前記イミド（ａ'）の含有量は、インクジェット用インク全重量に対して、２０〜８０重量％とすることが好ましく、２５〜７０重量％とすることがより好ましく、２５〜６０重量％とすることがさらに好ましい。前記イミド（ａ'）の含有量が、前記範囲内であると、インクのインクジェットの吐出性が向上する傾向がある。
【０２９４】
２．３  その他のイミド
上記式（４）〜（６）で表される化合物以外のその他のイミドとして、例えば後述するイミド化合物（ａ'−１）、マレイミド等が挙げられる。また、アルケニル置換ナジイミド（ａ'−２）を用いることができる。溶媒（Ｃ）への溶解性がよいイミド化合物（ａ'−１）、アルケニル置換ナジイミド（ａ'−２）を用いることが好ましい。
以下は、イミド化合物（ａ'−１）、アルケニル置換ナジイミド（ａ'−２）の説明を行う。
【０２９５】
２．３．１  イミド化合物（ａ'−１）
イミド化合物（ａ'−１）は、少なくとも、上述したモノアミン（ａ４）と酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）とを用いて得ることができるイミド（ａ'）の単量体の一つである。
【０２９６】
本発明のインクジェット用インクに含まれるイミド化合物（ａ'−１）は、少なくとも、モノアミン（ａ４）と酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）とを反応させる工程を用いて得ることができるが、当該方法で得られたイミド化合物に限定されるものではない。
【０２９７】
イミド化合物（ａ'−１）としては、下記式（γ）で表される化合物が挙げられる。式（γ）におけるＲaは酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）の反応残基であり、Ｒbはモノアミン（ａ４）の反応残基である。反応残基とは、モノアミン（ａ４）又は酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）において、式（γ）に含まれるイミド結合を構成する部位以外の基を意味する。
【０２９８】
式（γ）におけるＲaおよびＲbは、それぞれ独立して炭素数１〜１００の有機基であれば特に限定されるものではないが、好ましくは炭素数２〜７０の有機基であり、より好ましくは炭素数４〜５０の有機基である。
【０２９９】
【化１０７】
2011080043.tif 000132
イミド化合物（ａ'−１）を得るために用いることができる、モノアミン（ａ４）と酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）は、上述したとおりである。
【０３００】
２．３．１．１  イミド化合物（ａ'−１）を合成するための反応条件
イミド化合物（ａ'−１）は、少なくとも、モノアミン（ａ４）と酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）とを反応させる工程を含む製造方法により得ることができる。
【０３０１】
２．３．１．２  反応原料の仕込量
モノアミン（ａ４）及び酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）の仕込量は、１モルのモノアミン（ａ４）に対して、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）を０．５〜２．０モル用いることが好ましく、０．７〜１．５モル用いることがより好ましく、１．０〜１．２モル用いることがさらに好ましい。
【０３０２】
２．３．１．３  反応溶媒
イミド化合物（ａ'−１）を合成するために用いられる反応溶媒は、当該イミド化合物を合成できれば特に限定されるものではないが、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３-ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン又はジフェニルジエトキシシランが挙げられる。
【０３０３】
これらの反応溶媒の中でも、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メトキシプロピオン酸メチル、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン又はテトラブトキシシランを用いると、反応後に当該溶媒をそのままインクジェット用溶媒として用いても、インクジェットヘッドへのダメージが少ないインクとすることができるので好ましい。
【０３０４】
これらの反応溶媒は単独でも、２種以上の混合溶媒としても使用できる。また、上記反応溶媒以外に他の溶媒を混合して用いることもできる。
反応溶媒は、モノアミン（ａ４）と酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）との合計１００重量部に対し１００重量部以上使用すると、反応がスムーズに進行するので好ましい。反応温度は０℃〜２００℃であることが好ましく、反応時間は０．２〜２０時間であることが好ましい。
【０３０５】
２．３．１．４  反応系への添加順序
反応原料の反応系への添加順序は特に限定されない。すなわち、モノアミン（ａ４）と酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）とを同時に反応溶媒に加える方法、モノアミン（ａ４）を反応溶媒中に溶解させた後に酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）を添加する方法、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）を反応溶媒中に溶解させた後にモノアミン（ａ４）を添加する方法等、いずれの方法も用いることができる。
【０３０６】
２．３．１．５  イミド化
イミド化合物（ａ'−１）は、モノアミン（ａ４）と酸無水物基を１つ有する化合物（ａ３）とを反応溶媒中で反応させてアミド酸化合物を得て、該アミド酸化合物をイミド化することにより得ることができる。
【０３０７】
アミド酸化合物をイミド化する方法としては、脱水触媒および脱水剤を用いた化学的方法、あるいは熱的方法によりイミド化する方法を挙げることができるが、精製処理を行なわないでインクの成分として使用できる熱的方法でイミド化する方法が好ましい。さらに、還流してイミド化する方法が好ましい。前記還流の条件は、使用する反応溶媒により異なるが、還流温度が１４０〜２３０℃であることが好ましく、還流時間が１．５〜１０時間であることが好ましい。還流温度が１４０℃以上であるとイミド化が充分に進み、最終的に強固な膜を得ることができる。還流温度が２３０℃以下であると比較的沸点の高い溶媒を用いても還流可能である。
【０３０８】
特に、モノアミン（ａ４）として、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、４−アミノブチルトリメトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、４−アミノブチルメチルジエトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリエトキシシラン、ｐ−アミノフェニルメチルジメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルメチルジエトキシシラン、ｍ−アミノフェニルトリメトキシシラン又はｍ−アミノフェニルメチルジエトキシシラン等のアミノ基及びアルコキシ基を有するシラン化合物を用いる場合、還流の過程においてイミド化で生成する水がアルコキシシランの一部の加水分解に消費され、イミド化と加水分解が同時に進行するため好ましい。
【０３０９】
２．３．１．６  イミド化合物（ａ'−１）の含有量
イミド化合物（ａ'−１）の含有量は、インクジェット用インク全重量に対して、５〜９５重量％とすることが好ましく、２５〜７０重量％とすることがより好ましく、３０〜５０重量％とすることがさらに好ましい。イミド化合物（ａ'−１）の含有量が、５重量％以上あると、非水系インクジェット用インクを用いてインクジェット塗布した場合、１回のジェッティングでイミド化合物から形成される膜が薄くなり過ぎることがない。また、イミド化合物（ａ'−１）の含有量が、９５重量％以下であると、非水系インクジェット用インクの粘度が大きくなり過ぎず、インクジェット塗布する際のジェッティング特性が良好となる傾向がある。
【０３１０】
２．３．２  アルケニル置換ナジイミド（ａ'−２）
アルケニル置換ナジイミド（ａ'−２）は、分子内に少なくとも１つのアルケニル置換ナジイミド構造を有するイミド（ａ'）であり、好ましくは下記式（Ｆ−１）で表されるアルケニル置換ナジイミド化合物を挙げることができるが、これに限定されるものではない。また、必要に応じて後述する硬化剤を使用できる。
【０３１１】
アルケニル置換ナジイミド（ａ'−２）は、嵩高い構造を有した低分子量のイミドモノマーであることが好ましい。このようなアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２）は、ほとんどの有機溶媒に可溶であり、溶液状態で長期間保存しても結晶の析出やゲル化が起こらず安定して使用できる。また、アルケニル置換ナジイミド（ａ'−２）は、加熱することで三次元架橋構造のポリイミドを形成し、該ポリイミド硬化物は良好な耐熱性、機械的特性、電気的特性、耐薬品性を示す傾向がある。
【０３１２】
【化１０８】
2011080043.tif 000133
式（Ｆ−１）中、Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜６のアルケニル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルであり、ｎは１〜４の整数である。
【０３１３】
また、式（Ｆ−１）中、ｎ＝１のとき、Ｒ3は水素原子、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のヒドロキシアルキル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリール、ベンジル、−｛（ＣqＨ2q）Ｏt（ＣrＨ2rＯ）uＣsＨ2sＸ｝（ただしｑ、ｒおよびｓは、それぞれ独立して２〜６の整数であり、ｔは、０または１の整数であり、ｕは、１〜３０の整数であり、Ｘは、水素原子または水酸基である。）で表されるポリオキシアルキレンアルキル、−（Ｒ）a−Ｃ6Ｈ4−Ｒ4（ここで、ａは、０または１の整数であり、Ｒは炭素数１〜４のアルキレンであり、Ｒ4は水素原子または炭素数１〜４のアルキルである。）で表される基、−Ｃ6Ｈ4−Ｔ−Ｃ6Ｈ5｛ここで、Ｔは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−ＣＯ−、−Ｓ−もしくは−ＳＯ2−である。｝で表される基、またはこれらの基の芳香環に直結した１〜３個の水素原子が水酸基で置き換えられた基である。
【０３１４】
また、式（Ｆ−１）中、ｎ＝２のとき、Ｒ3は炭素数２〜２０のアルキレン｛アルキレン中の互いに隣接しない任意のメチレンは−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、任意の水素原子はフッ素原子で置き換えられてもよい｝、炭素数５〜８のシクロアルキレン、炭素数６〜１２のアリーレン、−（Ｒ）a−Ｃ6Ｈ4−Ｒ5−（ここで、ａは０または１の整数であり、Ｒ及びＲ5はそれぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキレンである。）で表される基、−Ｃ6Ｈ4−Ｔ−Ｃ6Ｈ4−、−Ｃ6Ｈ4−Ｔ−Ｃ6Ｈ4−Ｔ−Ｃ6Ｈ4−または−Ｃ6Ｈ4−Ｔ'−Ｃ6Ｈ4−Ｔ−Ｃ6Ｈ4−Ｔ'−Ｃ6Ｈ4−｛ただし、Ｔは単結合、炭素数１〜６のアルキレン、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−または−ＳＯ2−であり、Ｔ'は−ＣＨ2−または−Ｏ−である。｝で表される基、またはこれらの基の芳香環に直結する１〜３個の水素原子が水酸基で置き換えられた基、または式（Ｆ−８）で表される基である。
【０３１５】
【化１０９】
2011080043.tif 000134
また、式（Ｆ−１）中、ｎ＝３のとき、通常、Ｒ3は下記式（Ｆ−５）又は（Ｆ−５'）で表される基である。
【０３１６】
【化１１０】
2011080043.tif 000135
式（Ｆ−５）中、Ｒは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＯＨ、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ、−ＣＦ3、−ＣＦ2Ｈ、−ＣＦＨ2、−ＯＣＦ2ＣＦ2Ｈ、−ＯＣＦ2ＣＦＨＣＦ3、または炭素数１〜１０のアルキルであり、式（Ｆ−５）および式（Ｆ−５'）中、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立して、単結合、トランス−１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、水素原子がフッ素原子で置き換えられていてもよい１，４−フェニレン、または炭素数１〜１０のアルキレンであり、アルキレン中の互いに隣接しない任意のメチレンは−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、任意の水素原子はフッ素原子で置き換えられてもよい。
【０３１７】
また、式（Ｆ−１）中、ｎ＝４のとき、通常、Ｒ3は下記式（Ｆ−６）で表される基である。
【０３１８】
【化１１１】
2011080043.tif 000136
式（Ｆ−６）中、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7は、それぞれ独立して、単結合、トランス−１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、水素原子がフッ素原子で置き換えられていてもよい１，４−フェニレン、または炭素数１〜１０のアルキレンであり、アルキレン中の互いに隣接しない任意のメチレンは−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、任意の水素原子はフッ素原子で置き換えられてもよい。
【０３１９】
なお、式（Ｆ−１）中、ｎ＝３のとき、Ｒ3は下記式（Ｆ−５−１）、式（Ｆ−５'−１）または式（Ｆ−５'−２）で表される基であってもよい。
【０３２０】
【化１１２】
2011080043.tif 000137
式（Ｆ−５−１）中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキルまたは−ＯＨであり、式（Ｆ−５'−２）中、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立して、１，２−エチレン、１，４−ブチレンである。
【０３２１】
また、式（Ｆ−１）中、ｎ＝４のとき、Ｒ3は下記式（Ｆ−６−１）で表される基であってもよい。
【０３２２】
【化１１３】
2011080043.tif 000138
アルケニル置換ナジイミド（ａ'−２）には、ｎが１であるアルケニル置換ナジイミド化合物（以下、単に「アルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−１）」と言うことがある）、およびｎが２であるアルケニル置換ナジイミド化合物（以下、単に「ビスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２―２）」と言うことがある）、およびｎが３であるアルケニル置換ナジイミド化合物（以下、単に「トリスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−３）」と言うことがある）、およびｎが４であるアルケニル置換ナジイミド化合物（以下、単に「テトラキスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−４）」と言うことがある）がある。
【０３２３】
本発明の非水系インクジェット用インクは、アルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−１）、ビスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２―２）、トリスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−３）およびテトラキスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−４）から選ばれる少なくとも２種のアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２）を含有していてもよい。
【０３２４】
なお、前記アルケニル置換ナジイミド（ａ'−２）は、モノアミン、ジアミン、トリアミン又はテトラアミンと下記式（Ｆ−１'）で表されるアルケニル置換ナジック酸無水物を反応させて得られるアルケニル置換ナジイミド化合物であってもよい。
【０３２５】
【化１１４】
2011080043.tif 000139
式（Ｆ−１'）中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜６のアルケニル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルである。
【０３２６】
また、式（Ｆ−１）中、Ｒ1およびＲ2がそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜６のアルキルであり、Ｒ3が炭素数１〜１２のアルキル（ｎ＝１）、炭素数６〜１２のアリール（ｎ＝１）、−（ＣＨ2）p−（ｎ＝２、ｐは６〜１２の整数である）、式（Ｆ−２−１）で表される基、式（Ｆ−３）で表される基、式（Ｆ−４−１）で表される基、式（Ｆ−７−１）で表される基、式（Ｆ−８）で表される基、式（Ｆ−５−２）で表される基、式（Ｆ−５−３）で表される基、式（Ｆ−５'−１）で表される基、式（Ｆ−５'−３）で表される基、式（Ｆ−６−１）で表される基であるアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２）であってもよい。本発明の非水系インクジェット用インクは、このようなアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２）の少なくとも２種を含有していてもよい。
【０３２７】
【化１１５】
2011080043.tif 000140
【０３２８】
【化１１６】
2011080043.tif 000141
【０３２９】
【化１１７】
2011080043.tif 000142
【０３３０】
【化１１８】
2011080043.tif 000143
２．３．２．１  アルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−１）
本発明で用いられるアルケニル置換ナジイミド化合物（ａ'−２−１）の具体例としては、例えば、以下のものが挙げられる。
アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ヒドロキシ−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ヒドロキシ−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ヒドロキシ−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ヒドロキシ−メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２−エチルヘキシル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
【０３３１】
また、
Ｎ−（２−エチルヘキシル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−シクロヘキシル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−シクロヘキシル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−シクロヘキシル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−フェニル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
【０３３２】
また、
Ｎ−フェニル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ベンジル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ベンジル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ベンジル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２'−ヒドロキシエチル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２'−ヒドロキシエチル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２'−ヒドロキシエチル）−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
【０３３３】
また、
Ｎ−（２'，２'−ジメチル−３'−ヒドロキシプロピル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２'，２'−ジメチル−３'−ヒドロキシプロピル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２'，３'−ジヒドロキシプロピル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２'，３'−ジヒドロキシプロピル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（３'−ヒドロキシ−１'−プロペニル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（４'−ヒドロキシ−シクロヘキシル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
【０３３４】
また、
Ｎ−（４'−ヒドロキシフェニル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（４'−ヒドロキシフェニル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（４'−ヒドロキシフェニル）−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（４'−ヒドロキシフェニル）−メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（３'−ヒドロキシフェニル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（３'−ヒドロキシフェニル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（ｐ−ヒドロキシベンジル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−｛２'−（２'−ヒドロキシエトキシ）エチル｝−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
【０３３５】
また、
Ｎ−｛２'−（２'−ヒドロキシエトキシ）エチル｝−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−｛２'−（２'−ヒドロキシエトキシ）エチル｝−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−｛２'−（２'−ヒドロキシエトキシ）エチル｝−メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−〔２'−｛２'−（２"−ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチル〕−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−〔２'−｛２'−（２"−ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチル〕−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−〔２'−｛２'−（２"−ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチル〕−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−｛４'−（４'−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン）フェニル｝−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−｛４'−（４'−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン）フェニル｝−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−｛４'−（４'−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン）フェニル｝−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
【０３３６】
また、これらのアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−１）は、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
上記のアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−１）として、好ましいものは
Ｎ−メチル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２−エチルヘキシル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド等が挙げられる。
【０３３７】
また、
Ｎ−（２−エチルヘキシル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−シクロヘキシル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−シクロヘキシル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−シクロヘキシル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−フェニル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド等があげられる。
【０３３８】
また、
Ｎ−フェニル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ベンジル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ベンジル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ベンジル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド等が挙げられる。
【０３３９】
アルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−１）として、更に好ましいものは、
Ｎ−メチル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２−エチルヘキシル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド等が挙げられる。
【０３４０】
また、
Ｎ−（２−エチルヘキシル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド等が挙げられる。
【０３４１】
２．３．２．２  ビスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−２）
本発明で用いられるビスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−２）の具体例としては、例えば、以下のものが挙げられる。
Ｎ，Ｎ'−エチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−エチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−エチレン−ビス（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−トリメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ドデカメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ドデカメチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−シクロヘキシレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−シクロヘキシレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
【０３４２】
また、
１，２−ビス｛３'−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）プロポキシ｝エタン、
１，２−ビス｛３'−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）プロポキシ｝エタン、
１，２−ビス｛３'−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）プロポキシ｝エタン、
ビス〔２'−｛３'−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）プロポキシ｝エチル〕エーテル、
ビス〔２'−｛３'−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）プロポキシ｝エチル〕エーテル、
１，４−ビス｛３'−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）プロポキシ｝ブタン、
１，４−ビス｛３'−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）プロポキシ｝ブタン、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
【０３４３】
また、
Ｎ，Ｎ'−ｐ−フェニレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｐ−フェニレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｍ−フェニレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｍ−フェニレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−｛（１−メチル）−２，４−フェニレン｝−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｐ−キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｐ−キシリレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｍ−キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｍ−キシリレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
【０３４４】
また、
２，２−ビス〔４'−｛４'−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
２，２−ビス〔４'−｛４'−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
２，２−ビス〔４'−｛４'−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
ビス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
ビス｛４−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
【０３４５】
また、
ビス｛４−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
ビス｛４−（メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
ビス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝エーテル、
ビス｛４−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝エーテル、
ビス｛４−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝エーテル、
ビス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝スルホン、
ビス｛４−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝スルホン、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
【０３４６】
また、
ビス｛４−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝スルホン、
１，６−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−３−ヒドロキシ−ヘキサン、
１，１２−ビス（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−３，６−ジヒドロキシ−ドデカン、
１，３−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−５−ヒドロキシ−シクロヘキサン、
１，５−ビス｛３'−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）プロポキシ｝−３−ヒドロキシ−ペンタン、
１，４−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−２−ヒドロキシ−ベンゼン、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
【０３４７】
また、
１，４−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−２，５−ジヒドロキシ−ベンゼン、
Ｎ，Ｎ'−ｐ−（２−ヒドロキシ）キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｐ−（２−ヒドロキシ）キシリレン−ビス（アリルメチルシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｍ−（２−ヒドロキシ）キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｍ−（２−ヒドロキシ）キシリレン−ビス（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｐ−（２，３−ジヒドロキシ）キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
【０３４８】
また、
２，２−ビス〔４'−｛４'−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−２'−ヒドロキシ−フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
ビス｛４−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−２−ヒドロキシ−フェニル｝メタン、
ビス｛３−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−４−ヒドロキシ−フェニル｝エーテル、
ビス｛３−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−５−ヒドロキシ−フェニル｝スルホン、
１，１，１−トリ｛４'−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）｝フェノキシメチルプロパン、
Ｎ，Ｎ'，Ｎ"−トリ（エチレンメタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）イソシアヌレート、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
【０３４９】
さらに、ビスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−２）は、非対称なアルキレン・フェニレン基を含む次のようなものでもよい。
【０３５０】
【化１１９】
2011080043.tif 000144
また、これらのビスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−２）は、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【０３５１】
上記のビスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−２）として、好ましいものは、
Ｎ，Ｎ'−エチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−エチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−エチレン−ビス（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−トリメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ドデカメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ドデカメチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−シクロヘキシレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−シクロヘキシレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）等が挙げられる。
【０３５２】
また、
Ｎ，Ｎ'−ｐ−フェニレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｐ−フェニレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｍ−フェニレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｍ−フェニレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−｛（１−メチル）−２，４−フェニレン｝−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｐ−キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｐ−キシリレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｍ−キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｍ−キシリレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
２，２−ビス〔４'−｛４'−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
２，２−ビス〔４'−｛４'−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
２，２−ビス〔４'−｛４'−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
ビス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
ビス｛４−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン等が挙げられる。
【０３５３】
また、
ビス｛４−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
ビス｛４−（メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
ビス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝エーテル、
ビス｛４−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝エーテル、
ビス｛４−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝エーテル、
ビス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝スルホン、
ビス｛４−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝スルホン等が挙げられる。
【０３５４】
また、ビス｛４−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝スルホン等が挙げられる。
【０３５５】
ビスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−２）として、更に好ましいものは、
Ｎ，Ｎ'−エチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−エチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−エチレン−ビス（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−トリメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ドデカメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ドデカメチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−シクロヘキシレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−シクロヘキシレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）等が挙げられる。
【０３５６】
また、
Ｎ，Ｎ'−ｐ−フェニレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｐ−フェニレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｍ−フェニレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｍ−フェニレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−｛（１−メチル）−２，４−フェニレン｝−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｐ−キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｐ−キシリレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｍ−キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ'−ｍ−キシリレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）等が挙げられる。
【０３５７】
また、
２，２−ビス〔４'−｛４'−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
２，２−ビス〔４'−｛４'−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
２，２−ビス〔４'−｛４'−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
ビス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
ビス｛４−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン等が挙げられる。
【０３５８】
また、
ビス｛４−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
ビス｛４−（メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン等が挙げられる。
【０３５９】
２．３．２．３  トリスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−３）
本発明で用いられるトリスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−３）の合成は、例えば、以下の方法が挙げられる。まず、トリアミン１．０モルに対して、アルケニル置換ナジック酸無水物を３．０〜５．０モル混合する。次に、常温（２５℃）で、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、メチルナフタレン、テトラリン、クロロフォルム、トリクレン、テトラクロロエチレン、クロロベンゼン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ヘキサメチレンエーテル、アニソール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトフェノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルフォルムアミド、ジメチルスルフォキシド等の任意の溶媒、または、２種以上を混合した溶媒に前記混合物を溶解させて溶液を得る。該溶液を０．５〜３０時間攪拌保持して反応させる。反応後、上記溶媒を２０〜８０℃で減圧乾燥除去し、アミド酸を得る。該アミド酸を上記溶媒中にて０．５〜３０時間、溶媒の沸点近傍でリフラックスして脱水閉環させる。その後、溶媒を減圧乾燥させて目的のトリスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−３）を得る。または前記アミド酸そのものを１６０〜２００℃で加熱して、脱水閉環させることにより目的のトリスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−３）を得ることができる。目的のトリスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−３）であることはＮＭＲ、ＩＲにより確認できる。
【０３６０】
本発明で用いられるトリスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−３）の具体例としては、以下のものが挙げられる。
トリス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）トリエチル｝アミン、
トリス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）トリフェニル｝メタン、
トリス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝ヒドロキシメタン
【０３６１】
２．３．２．４  テトラキスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−４）
本発明で用いられるテトラキスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−４）の合成は、例えば、以下の方法が挙げられる。まず、テトラアミン１．０モルに対して、アルケニル置換ナジック酸無水物を４．０〜６．０モル混合する。次に、常温（２５℃）で、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、メチルナフタレン、テトラリン、クロロフォルム、トリクレン、テトラクロロエチレン、クロロベンゼン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ヘキサメチレンエーテル、アニソール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトフェノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルフォルムアミド、ジメチルスルフォキシド等の任意の溶媒、または、２種以上を混合した溶媒に前記混合物を溶解させて溶液を得る。該溶液を０．５〜３０時間攪拌保持して反応させる。反応後、上記溶媒を２０〜８０℃で減圧乾燥除去し、アミド酸を得る。該アミド酸を上記溶媒中にて０．５〜３０時間、溶媒の沸点近傍でリフラックスして脱水閉環させる。その後、溶媒を減圧乾燥させて目的のテトラキスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−４）を得る。または前記アミド酸そのものを１６０〜２００℃で加熱して、脱水閉環させることにより目的のテトラキスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−４）を得ることができる。目的のテトラキスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−４）であることはＮＭＲ、ＩＲにより確認できる。
【０３６２】
本発明で用いられるテトラキスアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２−４）の具体例としては、以下のものが挙げられる。
テトラキス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）テトラフェニル｝メタン
上述した、アミド酸（ａ）、イミド（ａ'）、アルケニル置換ナジイミド（ａ'−２）は、１種単独で用いてもよく、また、２種以上を併用してもよい。
【０３６３】
２．３．２．５  硬化剤
本発明の非水系インクジェット用インクは、上述したアルケニル置換ナジイミド（ａ'−２）の硬化剤として、アゾビス系の化合物、酸を発生する化合物を含有することができる。これらの硬化剤は、１種単独で用いても、２種以上を用いてもよい。
【０３６４】
２．３．２．５．１  アゾビス系の化合物
硬化剤であるアゾビス系の化合物としては、特に限定はないが、例えば、２，２'−アゾビス（４−メトキシ−２,４−ジメチルバレロニトリル）、２，２'−アゾビス（２,４−ジメチルバレロニトリル）、ジメチル−２,２'−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、２,２'−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、１，１'−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、２,２'−アゾビス（Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド、２，２'−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、α、α'−アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられ、２，２'−アゾビス（２,４−ジメチルバレロニトリル）、２，２'−アゾビス（２-メチルブチロニトリル）、および１,１'−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）が好ましい。これらのアゾビス系の化合物は、１種単独で用いても、２種以上を用いてもよい。
【０３６５】
アルケニル置換ナジイミド（ａ'−２）と共に上記アゾビス系の化合物を硬化剤として含有させると、後述する膜乾燥時のタック性がなく、またハンドリング性に優れるため好ましい。
【０３６６】
３  溶媒（Ｃ）
本発明の非水系インクジェット用インクは、溶媒（Ｃ）を含有していてもよい。
本発明の非水系インクジェット用インクは、例えば、上記化合物（Ａ）、上記界面活性剤（Ｂ）等の成分を、溶媒（Ｃ）に溶解して得ることができる。したがって、本発明のインクジェット用インクに含まれる溶媒は、上記化合物（Ａ）、上記界面活性剤（Ｂ）等の成分を溶解することができる溶媒であれば特に制限されない。
【０３６７】
本発明の非水系インクジェット用インクに含まれる溶媒（Ｃ）の具体例としては、乳酸エチル、エタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、シクロヘキサノン、１，３−ジオキソラン、エチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、アニソール、エチルラクテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルイソプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルブチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル（１−ブトキシ−２−プロパノール）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（１−エトキシ−２−プロパノール）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（１−メトキシ−２−プロパノール）、トリグライム、安息香酸メチル、安息香酸エチル、１−ビニル−２−ピロリドン、１−ブチル−２−ピロリドン、１−エチル−２−ピロリドン、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリドン、２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、Ｎ−メチル−ε−カプロラクタムおよびγ−ブチロラクトンを挙げることができる。
【０３６８】
前記溶媒（Ｃ）は、乳酸エチル、エタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、シクロヘキサノン、テトラグライム、トリグライム、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンおよびγ−ブチロラクトンからなる群から選択される１種類以上であることが好ましい。
【０３６９】
これらの溶媒（Ｃ）の中でも、例えばインクジェットヘッドの耐久性向上の点で、乳酸エチル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、γ−ブチロラクトンが特に好ましい。
【０３７０】
これらの溶媒（Ｃ）は、１種単独で用いてもよく、また、２種以上を併用してもよい。上記化合物（Ａ）、上記界面活性剤（Ｂ）等の成分は、単独溶媒で溶解しなくても、２種以上の混合溶媒で溶解する場合がある。また、溶媒（Ｃ）は、インクジェット用インクにおける固形分濃度が２５〜８０重量％となるような範囲で用いられることが好ましい。
【０３７１】
４  環状エーテル（Ｄ）
本発明の非水系インクジェット用インクは、環状エーテル（Ｄ）を含有させてもよい。
環状エーテル（Ｄ）としては、オキシランやオキセタンを有すれば特に限定されないが、オキシランを２つ以上有する化合物が好ましい。
【０３７２】
環状エーテル（Ｄ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型環状エーテル、グリシジルエステル型環状エーテル、脂環式環状エーテル、オキシランを有するモノマーの重合体、及び、オキシランを有するモノマーと他のモノマーとの共重合体が挙げられる。
【０３７３】
オキシランを有するモノマーの具体例としては、グリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシル（メタ）アクリレート、及びメチルグリシジル（メタ）アクリレートを挙げることができる。
【０３７４】
また、オキシランを有するモノマーと共重合を行う他のモノマーとの具体例としては、（メタ）アクリル酸、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、スチレン、メチルスチレン、クロルメチルスチレン、（３−エチル−３−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド及びＮ−フェニルマレイミド等が挙げられる。
【０３７５】
オキシランを有するモノマーの重合体及びオキシランを有するモノマーと他のモノマーとの共重合体の好ましい具体例としては、ポリグリシジルメタクリレート、メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、ベンジルメタクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、ｎ−ブチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、（３−エチル−３−オキセタニル）メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、またはスチレン−グリシジルメタクリレート共重合体等が挙げられる。
【０３７６】
前記環状エーテル（Ｄ）は、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラグリシジル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、下記式（７）〜（１６）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物であることがさらに好ましい。これらの中でも、式（１１）および（１６）で表される化合物は、得られるポリイミド膜の平坦性が特に良好となるため好ましい。
【０３７７】
【化１２０−１】
2011080043.tif 000145
【０３７８】
【化１２０−２】
2011080043.tif 000146
【０３７９】
【化１２０−３】
2011080043.tif 000147
【０３８０】
【化１２０−４】
2011080043.tif 000148
（式（１０）中、ｎは０〜１０の整数である。）
【０３８１】
【化１２０−５】
2011080043.tif 000149
【０３８２】
【化１２０−６】
2011080043.tif 000150
【０３８３】
【化１２０−７】
2011080043.tif 000151
【０３８４】
【化１２０−８】
2011080043.tif 000152
【０３８５】
【化１２０−９】
2011080043.tif 000153
（式（１５）中、Ｒcは、炭素数２〜１００の四価の有機基であり、Ｒdは、それぞれ独立して炭素数１〜３０の二価の有機基であり、Ｒeは、それぞれ独立して下記式（ｃ）〜（ｅ）からなる群より選択される一価の有機基である。）
【０３８６】
【化１２０−９−１】
2011080043.tif 000154
（式（ｃ）中、Ｒfは、水素原子または炭素数１〜３のアルキルである。）
【０３８７】
【化１２０−１０】
2011080043.tif 000155
（式（１６）中、ｎは２〜４の整数である。）
式（１５）で表される化合物は、例えば下記式（ｆ）で表されるテトラカルボン酸二無水物と式（ｇ）で表されるヒドロキシルを有する化合物との反応によって得られる。
【０３８８】
【化１２２】
2011080043.tif 000156
【０３８９】
【化１２３】
2011080043.tif 000157
式（ｆ）中、Ｒcは炭素数２〜１００の四価の有機基である。
【０３９０】
式（ｇ）中、Ｒdは炭素数１〜３０の二価の有機基であり、Ｒeは上記式（ｃ）〜（ｅ）からなる群より選択される一価の有機基である。
式（ｇ）中、Ｒdは炭素数１〜３０の二価の有機基であるが、例えば、炭素数１〜３０の直鎖状又は分枝状の二価の有機基であり、環構造又は酸素を含んでいてもよく、環構造としては、フェニル、シクロヘキシル、ナフチル、シクロヘキセニル、トリシクロ[５．２．１．０2,6]デカニルなどが挙げられる。
【０３９１】
式（１５）で表される化合物として、特に好ましくは下記式（１５−１）の化合物が挙げられる。
【０３９２】
【化１２４】
2011080043.tif 000158
式（１５）で表される化合物は、例えば、式（ｆ）で表されるテトラカルボン酸二無水物と式（ｇ）で表されるヒドロキシルを有する化合物とを溶媒中で反応させて製造することができる。
【０３９３】
なお、式（ｆ）で表されるテトラカルボン酸二無水物は、上述したアミド酸（ａ）の合成に用いられるテトラカルボン酸二無水物であることが好ましい。
式（ｆ）で表されるテトラカルボン酸二無水物を１モルに対して、式（ｇ）で表されるヒドロキシルを有する化合物を、１．９〜２．１モル用いることが好ましく、１．９５〜２．０５モル用いることがさらに好ましく、２モル用いることが特に好ましい。式（ｇ）で表されるヒドロキシルを有する化合物は、２種以上の化合物を併用してもよいが、一種単独で用いることが好ましい。
【０３９４】
また、式（１５）で表される化合物は、例えば、式（ｆ）で表されるテトラカルボン酸二無水物とヒドロキシル及び二重結合を有する化合物とを反応させた後、得られた化合物の二重結合部分を酸化させてエポキシ基にすることにより、製造することができる。
【０３９５】
式（１５）で表される化合物を合成するために用いられる溶媒は、特に限定されるものではないが、例えば上述したアミド酸（ａ）を合成するための溶媒を挙げることができる。
【０３９６】
溶媒は、式（１５）で表される化合物を製造する原料の合計１００重量部に対して、５０重量部以上使用すると、反応がスムーズに進行するので好ましい。反応温度は８０℃〜１３０℃であることが好ましく、反応時間は２〜８時間であることが好ましい。また、反応原料の反応系への添加順序に特に限定されない。
【０３９７】
環状エーテル（Ｄ）の具体例としては、商品名「エピコート８０７」、「エピコート８１５」、「エピコート８２５」、「エピコート８２７」、「エピコート８２８」、「エピコート１９０Ｐ」、「エピコート１９１Ｐ」（以上、油化シェルエポキシ（株）製）、商品名「エピコート１００４」、「エピコート１２５６」（以上、ジャパンエポキシレジン（株）製）、商品名「アラルダイトＣＹ１７７」、商品名「アラルダイトＣＹ１８４」（日本チバガイギー（株）製）、商品名「セロキサイド２０２１Ｐ」、「セロキサイド３０００」、「ＥＨＰＥ−３１５０」（ダイセル化学工業（株）製）、商品名「テクモアＶＧ３１０１Ｌ」（三井化学（株）製）、ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−７２００シリーズ、商品名「ＨＰ−７２００ＨＨ」（ＤＩＣ（ディーアイシー）株式会社）、Ｓ５１０（商品名、チッソ（株）製）を挙げることができる。これらの中でも、商品名「アラルダイトＣＹ１８４」、商品名「セロキサイド２０２１Ｐ」、商品名「テクモアＶＧ３１０１Ｌ」、商品名「エピコート８２８」は、得られるポリイミド膜の平坦性が特に良好となるため好ましい。
【０３９８】
環状エーテル（Ｄ）は、１種単独で用いてもよく、また、２種以上を併用してもよい。
インクジェット用インクに環状エーテル（Ｄ）を添加する量は、特に限定されないが、０．１〜５０重量％であることが好ましく、５〜４０重量％であることがより好ましく、１０〜３０重量％であることがさらに好ましい。この濃度範囲であると、インクジェット用インクから形成される膜の耐熱性、耐薬品性、平坦性が良好となる傾向がある。
【０３９９】
５  アクリル樹脂（ａ−３）
本発明のインクジェット用インクは、アクリル樹脂（ａ−３）を含有していてもよい。
このようなアクリル樹脂（ａ−３）としては、アクリル基やメタクリル基を有していれば特に限定されない。
【０４００】
インクジェット用インク中のアクリル樹脂（ａ−３）の含有濃度は特に限定されないが、０．１〜２０重量％であることが好ましく、０．５〜１５重量％であることがより好ましく、１〜１０重量％であることがさらに好ましい。この濃度範囲であると、インクジェット用インクから形成される膜の耐熱性、耐薬品性、平坦性が良好となる傾向がある。
【０４０１】
アクリル樹脂（ａ−３）としては、例えば、ヒドロキシルを有する単官能重合性モノマー、ヒドロキシルを有しない単官能重合性モノマー、二官能（メタ）アクリレート、または三官能以上の多官能（メタ）アクリレートが挙げられる。
【０４０２】
ヒドロキシルを有する単官能重合性モノマーの具体例としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールモノ（メタ）アクリレートを挙げることができる。中でも、形成される膜を柔軟にできる点から、４−ヒドロキシブチルアクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレートが好ましい。
【０４０３】
ヒドロキシルを有しない単官能重合性モノマーの具体例としては、グリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート、３−メチル−３−（メタ）アクリロキシメチルオキセタン、３−エチル−３−（メタ）アクリロキシメチルオキセタン、３−メチル−３−（メタ）アクリロキシエチルオキセタン、３−エチル−３−（メタ）アクリロキシエチルオキセタン、ｐ−ビニルフェニル−３−エチルオキセタ−３−イルメチルエーテル、２−フェニル−３−（メタ）アクリロキシメチルオキセタン、２−トリフロロメチル−３−（メタ）アクリロキシメチルオキセタン、４−トリフロロメチル−２−（メタ）アクリロキシメチルオキセタン、（メタ）アクリル酸、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、スチレン、メチルスチレン、クロルメチルスチレン、（３−エチル−３−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、ビニルトルエン、（メタ）アクリルアミド、トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、グリセロールモノ（メタ）アクリレート、ポリスチレンマクロモノマー、ポリメチルメタクリレートマクロモノマー、Ｎ−アクリロイルモルホリン、５−テトラヒドロフルフリルオキシカルボニルペンチル（メタ）アクリレート、ラウリルアルコールのエチレンオキシド付加物の（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、クロトン酸、α−クロルアクリル酸、ケイ皮酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、ω−カルボキシポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、コハク酸モノ[２−（メタ）アクリロイロキシエチル]、マレイン酸モノ[２−（メタ）アクリロイロキシエチル]、またはシクロヘキセン−３，４−ジカルボン酸モノ[２−（メタ）アクリロイロキシエチル]を挙げることができる。
【０４０４】
二官能（メタ）アクリレートの具体例としては、ビスフェノールＦエチレンオキシド変性ジアクリレート、ビスフェノールＡエチレンオキシド変性ジアクリレート、イソシアヌル酸エチレンオキシド変性ジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレートモノステアレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールジアクリレート、２−ｎ−ブチル−２−エチル−１，３−プロパンジオールジアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、またはジペンタエリスリトールジアクリレートを挙げることができる。
【０４０５】
三官能以上の多官能（メタ）アクリレートの具体例としては、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エピクロルヒドリン変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、エピクロルヒドリン変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ジグリセリンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性リン酸トリ（メタ）アクリレート、トリス[（メタ）アクリロキシエチル]イソシアヌレート、カプロラクトン変性トリス[（メタ）アクリロキシエチル]イソシアヌレート、またはウレタン（メタ）アクリレートを挙げることができる。これらのアクリル樹脂は、１種単独で用いてもよく、また、２種以上を併用してもよい。
【０４０６】
６  非水系インクジェット用インクの調製方法
本発明の非水系インクジェット用インクは、たとえば、界面活性剤（Ｂ）を溶媒（Ｃ）に溶解させた溶液と、化合物（Ａ）を溶媒（Ｃ）に溶解させた溶液を混合することにより、調製することができ、また、化合物（Ａ）を溶媒（Ｃ）に溶解させた溶液と界面活性剤（Ｂ）とを混合することにより、調製することができる。
上記混合の際の温度は、０〜５０℃であることが好ましく、１０〜３０℃であることがより好ましい。
【０４０７】
７  各成分の濃度
本発明の非水系インクジェット用インクにおける界面活性剤（Ｂ）以外の上記各成分の含有濃度は、特に限定されないが、インクジェット用インク１００重量部に対して、化合物（Ａ）、環状エーテル（Ｄ）、アクリル樹脂（ａ−３）を合わせて２０〜８５重量部含むことが好ましく、２５〜８０重量部含むことがさらに好ましく、２５〜７０重量部含むことが特に好ましい。このような濃度範囲であると、前記非水系インクジェット用インクを用いてインクジェット塗布する際、１回のインクジェッティングで得られる膜の厚さが最適となり、ジェッティング精度が高くなるので好ましい。
【０４０８】
８  その他の添加剤
本発明の非水系インクジェット用インクには、目的とする特性によって、帯電防止剤、カップリング剤、エポキシ硬化剤、ジエステルジカルボン酸、硬化剤、ｐＨ調整剤、防錆剤、防腐剤、防黴剤、酸化防止剤、還元防止剤、蒸発促進剤、キレート化剤、水溶性ポリマー、顔料、染料などの添加剤を必要により選択して添加してもよい。
【０４０９】
８．１  帯電防止剤
本発明の非水系インクジェット用インクに添加されてもよい帯電防止剤としては、特に限定されるものではなく、公知の帯電防止剤を用いることができる。具体的には、酸化錫、酸化錫・酸化アンチモン複合酸化物、酸化錫・酸化インジウム複合酸化物等の金属酸化物や四級アンモニウム塩が挙げられる。これらの帯電防止剤は、１種単独で用いてもよく、また、２種以上を併用してもよい。
【０４１０】
帯電防止剤は、帯電を防止するために使用するものである。帯電防止剤の含有濃度は、非水系インクジェット用インク１００重量部に対して、０．０１〜１重量部であることが好ましい。
【０４１１】
８．２  カップリング剤
本発明の非水系インクジェット用インクに添加されてもよいカップリング剤としては、特に限定されるものではなく、公知のカップリング剤を用いることができるが、シランカップリング剤が好ましい。具体的には、トリアルコキシシラン化合物又はジアルコキシシラン化合物などを挙げることができる。より好ましい具体例としては、γ−ビニルプロピルトリメトキシシラン、γ−ビニルプロピルトリエトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロイルプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロイルプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロイルプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロイルプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−アミノエチル−γ−イミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−アミノエチル−γ−アミノプロピルトジエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−イソシアナートプロピルメチルジエトキシシラン、γ−イソシアナートプロピルトリエトキシシランである。これらの中でも、γ−ビニルプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロイルプロピルトリメトキシシラン、γ−イソシアナートプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。
【０４１２】
これらのカップリング剤は、１種単独で用いてもよく、また、２種以上を併用してもよい。カップリング剤の含有濃度は、インクジェット用インク１００重量部に対して０．０１〜３重量部であることが好ましい。
【０４１３】
８．３  エポキシ硬化剤
本発明の非水系インクジェット用インクに添加されてもよいエポキシ硬化剤としては、特に限定されるものではなく、公知のエポキシ硬化剤を用いることができる。具体的には、有機酸ジヒドラジド化合物、イミダゾール及びその誘導体、ジシアンジアミド、芳香族アミン、多価カルボン酸、多価カルボン酸無水物などが挙げられる。さらに具体的には、ジシアンジアミド等のジシアンジアミド類、アジピン酸ジヒドラジド、１，３−ビス（ヒドラジノカルボエチル）−５−イソプロピルヒダントイン等の有機酸ジヒドラジド、２，４−ジアミノ−６−［２'−エチルイミダゾリル−（１'）］−エチルトリアジン、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメリット酸、１，２，４−シクロヘキサントリカルボン酸−１，２−無水物などの酸無水物、またはトリメリット酸が挙げられる。
【０４１４】
中でも透明性が良好な無水トリメリット酸、１，２，４−シクロヘキサントリカルボン酸−１，２−無水物が好ましい。
これらのエポキシ硬化剤は、１種単独で用いてもよく、また、２種以上を併用してもよい。エポキシ硬化剤は、非水系インクジェット用インク１００重量部に対し０．２〜１０重量部添加して用いられることが好ましく、０．２〜５重量部添加して用いられることがさらに好ましい。
【０４１５】
８．４  ジエステルジカルボン酸
本発明の非水系インクジェット用インクに添加されてもよいジエステルジカルボン酸としては、特に限定されるものではなく、公知のジエステルジカルボン酸を用いることができる。具体的には、上述した酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とアルコールとの反応物で、以下の一般式（Ｅ）で示される化合物が挙げられる。
【０４１６】
【化１２５】
2011080043.tif 000159
（式中、ＲEは炭素数１〜３０の４価の有機基であり、ＲE2、ＲE2'はそれぞれ独立して炭素数１〜１０のアルキルまたはフェニルである。）
中でも下記一般式（Ｅ−１）、（Ｅ−２）に挙げられるような、溶解性が良好なオキシジフタル酸無水物とメタノールとの反応物およびオキシジフタル酸無水物とエタノールとの反応物が好ましい。
【０４１７】
【化１２６】
2011080043.tif 000160
【０４１８】
【化１２７】
2011080043.tif 000161
これらのジエステルジカルボン酸は、１種単独で用いてもよく、また、２種以上を併用してもよい。ジエステルジカルボン酸の含有濃度は、非水系インクジェット用インク１００重量部に対して１〜５０重量部であることが好ましく、１０〜３０重量部であることが更に好ましい。
【０４１９】
９  非水系インクジェット用インクの特性
本発明の非水系インクジェット用インクは、上述した各成分を適宜選択することによって、熱硬化性または光硬化性とすることができる。
【０４２０】
本発明の非水系インクジェット用インクの粘度は、特に限定されないが、常温（２５℃）でジェッティングを行う場合は、１〜５０ｍＰａ・ｓであると、インクジェット塗布方法によるジェッティング精度が向上する点で好ましい。また、２５℃における非水系インクジェット用インクの粘度は、より好ましくは５〜３０ｍＰａ・ｓ、さらに好ましくは８〜１５ｍＰａ・ｓである。２５℃における非水系インクジェット用インクの粘度が１５ｍＰａ・ｓ以下であると、インクジェット吐出不良が生じ難くなる。
【０４２１】
インクヘッドを加熱してジェッティングを行う場合は、加熱温度（好ましくは４０〜１２０℃）における非水系インクジェット用インクの粘度は、１〜５０ｍＰａ・ｓであることが好ましく、５〜３０ｍＰａ・ｓであることがさらに好ましく、８〜１５ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。前記加熱温度における粘度が１５ｍＰａ・ｓ以下であると、インクジェット吐出不良が生じ難くなる。
【０４２２】
［インク塗布方法］
本発明のインク塗布方法は、上述した非水系インクジェット用インクを、インクジェット塗布法によって塗布する工程を含むことを特徴としている。
【０４２３】
インクジェット塗布方法としては、インクの吐出方法により各種のタイプがあるが、例えば、圧電素子型、バブルジェット（登録商標）型、連続噴射型、または静電誘導型が挙げられる。上述した非水系インクジェット用インクは、インクに含まれる各成分を適正に選択することにより、様々な方法で吐出が可能であり、非水系インクジェット用インクを予め定められたパターン状に塗布することができる。
【０４２４】
上述した非水系インクジェット用インクを、インクジェット塗布法によって塗布する際の好ましい吐出方法は、圧電素子型である。この圧電素子型のヘッドは、複数のノズルを有するノズル形成基板と、ノズルに対向して配置される圧電材料と、導電材料からなる圧力発生素子と、この圧力発生素子の周囲を満たすインクとを備えた、オンデマンドインクジェット塗布ヘッドである。圧電素子型による吐出方法は、印加電圧により圧力発生素子を変位させ、インクの小液滴をノズルから吐出させる。
【０４２５】
インクジェット塗布装置は、例えば、塗布ヘッドとインク収容部とが別体となった構成のものが挙げられるが、これに限らず、塗布ヘッドとインク収容部とが一体になった構成のものを用いてもよい。一体になった構成の場合、インク収容部は、塗布ヘッドに対して、分離可能であってもよく、分離不能であってもよい。また、インクジェット塗布装置は、インク収容部が、塗布ヘッドに対して、一体化されてキャリッジに搭載されるもののほか、インク収容部が、装置の固定部位に設けられて、インク供給部材、例えばチューブを介して塗布ヘッドにインクを供給する形態のものでもよい。
【０４２６】
また、塗布ヘッドに対して、好ましい負圧を作用させるための構成をインクタンクに設ける場合には、インクタンクのインク収納部に吸収体を配置した形態、あるいは可撓性のインク収容袋とこれに対しその内容積を拡張する方向の付勢力を作用するバネ部とを有した形態などを採用することができる。インクジェット塗布装置は、シリアル塗布方式を採るもののほか、塗布媒体の全幅に対応した範囲にわたって塗布素子を整列させてなるラインプリンタの形態をとるものであってもよい。
【０４２７】
インクジェット塗布方法によって、上述した非水系インクジェット用インクを基板上に塗布して塗膜を形成後、該塗膜をホットプレートまたはオーブンなどで加熱・乾燥（溶媒を除去）し、硬化膜を形成することができる。
【０４２８】
加熱条件は各成分の種類および配合割合によって異なるが、通常７０〜１２０℃で、オーブンを用いた場合には、通常５〜１５分間、ホットプレートを用いた場合には、通常１〜５分間である。
【０４２９】
なお、前記塗膜は、所定のパターン状（例えばライン状）に形成してもよい。
また、前記硬化膜の形成は、加熱処理に限定されず、ＵＶ処理、イオンビーム、電子線、またはガンマ線、赤外線などの処理でもよい。
【０４３０】
［ポリイミドの膜の形成方法］
本発明のポリイミド膜形成方法は、上述した化合物（Ａ）を含有する非水系インクジェット用インクを、インクジェット塗布方法によって基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を加熱することによって、ポリイミド膜を形成する工程とを含むことを特徴としている。また、本発明のパターン状ポリイミド膜形成方法は、上述した化合物（Ａ）を含有する非水系インクジェット用インクを、インクジェット塗布方法によって基板上にパターン状に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を加熱することによって、パターン状ポリイミド膜を形成する工程とを含むことを特徴としている。
【０４３１】
塗膜の形成工程については、上述したとおりである。
塗膜を形成後、通常１８０〜３５０℃、好ましくは２００〜３００℃で加熱処理する。このとき、オーブンを用いた場合では、通常３０〜９０分間、ホットプレートを用いた場合では、通常５〜３０分間加熱処理することによってポリイミド膜を得ることができる。塗膜がパターン状に形成されている場合には、パターン状のポリイミド膜が形成される。本明細書では、特に言及のない限り、ポリイミド膜は、パターン状のポリイミド膜を含む。
【０４３２】
［ポリイミドの膜］
本発明のポリイミド膜は、上述したポリイミド膜形成方法により得られることを特徴としている。上述したポリイミド膜形成方法により得られるポリイミド膜は、耐熱性、電気絶縁性に優れ、例えば絶縁膜として用いることができる。
【０４３３】
［フィルム基板］
本発明のフィルム基板は、上述したポリイミド膜またはパターン状ポリイミド膜を有することを特徴としている。
【０４３４】
本発明のフィルム基板は、例えば、配線が形成された樹脂フィルム等の基板上に、上述した化合物（Ａ）を含有する非水系インクジェット用インクを、インクジェット塗布方法によって全面または所定のパターン状（ライン状等）に塗布して塗膜を形成し、その後、該塗膜が形成された基板を乾燥し、さらに加熱することより、ポリイミド膜が形成されて得られる。
【０４３５】
ポリイミド膜は、好ましくは上述した樹脂フィルム等の基板上に形成されるが、特にこれに限定されるものではなく公知の基板上に形成することができる。
本発明において、適用可能な基板としては、例えば、ＦＲ−１、ＦＲ−３、ＦＲ−４、ＣＥＭ−３、又はＥ６６８等の各種規格に適合する、ガラスエポキシ基板、ガラスコンポジット基板、紙フェノール基板、紙エポキシ基板、グリーンエポキシ基板、又はＢＴレジン基板が挙げられる。
【０４３６】
また、本発明において、適用可能な他の基板としては、例えば、銅、黄銅、リン青銅、ベリリウム銅、アルミニウム、金、銀、ニッケル、スズ、クロム、又はステンレス等の金属からなる基板（それらの金属の表面を有する基板であってもよい）や；酸化アルミニウム（アルミナ）、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム（ジルコニア）、ジルコニウムのケイ酸塩（ジルコン）、酸化マグネシウム（マグネシア）、チタン酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸鉛（ＰＴ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛（ＰＬＺＴ）、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、硫化カドニウム、硫化モリブデン、酸化ベリリウム（ベリリア）、酸化ケイ素（シリカ）、炭化ケイ素（シリコンカーバイト）、窒化ケイ素（シリコンナイトライド）、窒化ホウ素（ボロンナイトライド）、酸化亜鉛、ムライト、フェライト、ステアタイト、ホルステライト、スピネル、又はスポジュメン等のセラミックスからなる基板（それらのセラミックスの表面を有する基板であってもよい）や；ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）樹脂、ＰＣＴ（ポリシクロへキシレンジメチレンテレフタレート）樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、テフロン（登録商標）、熱可塑性エラストマー、又は液晶ポリマー等の樹脂からなる基板（それらの樹脂の表面を有する基板であってもよい）や；シリコン、ゲルマニウム、又はガリウム砒素等の半導体基板や；ガラス基板や；あるいは酸化スズ、酸化亜鉛、ＩＴＯ、又はＡＴＯ等の電極材料が表面に形成された基板や；αＧＥＬ（アルファゲル）、βＧＥＬ（ベータゲル）、θＧＥＬ（シータゲル）、又はγＧＥＬ（ガンマゲル）（以上、株式会社タイカの登録商標）等のゲルシートが挙げられる。
【０４３７】
［半導体ウェハ］
本発明の半導体ウェハは、上述したポリイミド膜またはパターン状ポリイミド膜を有することを特徴としている。
【０４３８】
本発明の半導体ウェハは、例えば、二酸化シリコン、フッ素添加酸化シリコン、アモルファス・カーボンからなる絶縁体、多結晶シリコン、単結晶シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、タンタルオキサイド、窒化シリコン、チタンシリサイド、アルミガリウム砒素からなる半導体とアルミニウム、銅、チタンなどからなる配線からなるウェハのような基板上に、上述した化合物（Ａ）を含有する非水系インクジェット用インクを、インクジェット塗布方法によって全面または所定のパターン状（ライン状等）に塗布して塗膜を形成し、その後、該塗膜が形成された基板を乾燥し、さらに加熱することより、ポリイミド膜が形成されて得られる。
【０４３９】
［電子材料用基板］
本発明の電子材料用基板は、上述したポリイミド膜またはパターン状ポリイミド膜を有することを特徴としている。
【０４４０】
本発明の電子材料用基板は、例えば、圧電素子、水晶振動子、セラミック発振子のような基板上に、上述した化合物（Ａ）を含有する非水系インクジェット用インクを、インクジェット塗布方法によって全面または所定のパターン状（ライン状等）に塗布して塗膜を形成し、その後、該塗膜が形成された基板を乾燥し、さらに加熱することより、ポリイミド膜が形成されて得られる。
【０４４１】
［電子部品］
本発明の電子部品は、上述したポリイミド膜またはパターン状ポリイミド膜を有することを特徴としている。前記電子部品は、上述したフィルム基板、上述した半導体ウェハまたは上述した電子材料用基板を有するものが好ましい。
【０４４２】
このような電子部品は、例えば、予め配線が形成されたポリイミドフィルム等のフィルム基板上、予め配線が形成されたシリコンウェハなどの基板上、電子部品用のセラミックス基板上に、上述した非水系インクジェット用インクを、インクジェット塗布方法によって塗布して塗膜を形成し、その後、当該塗膜が形成されたフィルム基板を乾燥し、さらに加熱することによって、ポリイミド膜を形成して得ることができる。このようにし得られる電子部品は、絶縁性を有するポリイミド膜で被覆されており、電気的特性に優れる。
【実施例】
【０４４３】
以下、本発明を合成例、実施例および比較例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、合成例、実施例および比較例で用いた酸無水物基を１つ以上有する化合物（ａ３）、ジアミン（ａ２）、モノアミン（ａ４）、環状エーテル（Ｄ）および溶媒（Ｃ）の名称を以下の略号で示す場合がある。
【０４４４】
酸無水物基を１つ以上有する化合物（ａ３）
２−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］スクシニックアンヒドリドの略号：ＴＥＳＡ
マレイン酸無水物の略号：ＭＡ
トリメリット酸無水物の略号：ＴＭＤＡ
【０４４５】
ジアミン（ａ２）  
２，２−ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]プロパンの略号：ＢＡＰＰ
【化１２８】
2011080043.tif 000162
上記式（Ｂ１−ｚ）において、Ｅ5、Ｅ6がともにメチルであり、Ｅ7がメチレンであり、ｘ１が３でありｙ１が３〜８である化合物の混合物の略号：ＦＭ−３３０６（商品名、チッソ（株）製）。
【０４４６】
上記式（Ｂ１−ｚ）において、Ｅ5、Ｅ6がともにメチルであり、Ｅ7がメチレンであり、ｘ１が３でありｙ１が１０〜１５である化合物の混合物の略号：ＦＭ−３３１１（商品名、チッソ（株）製）。
【０４４７】
上記式（Ｂ１−ｚ）において、Ｅ5、Ｅ6がともにメチルであり、Ｅ7がメチレンであり、ｘ１が３でありｙ１が６０〜７０である化合物の混合物の略号：ＦＭ−３３２１（商品名、チッソ（株）製）。
【０４４８】
上記式（Ｂ１−ｚ）において、Ｅ5、Ｅ6がともにメチルであり、Ｅ7がメチレンであり、ｘ１が３でありｙ１が１２０〜１４０である化合物の混合物の略号：ＦＭ−３３２５（商品名、チッソ（株）製）。
【０４４９】
モノアミン（ａ４）
２−（２−アミノエトキシ）エタノールの略号：ＡＥＥ
環状エーテル（Ｄ）
テクモアＶＧ３１０１Ｌ（商品名、三井化学（株）製）の略号：ＶＧ３１０１Ｌ
なお、「テクモアＶＧ３１０１Ｌ」は、下記式（９）で表される化合物である。
【０４５０】
【化１２９】
2011080043.tif 000163
Ｓ５１０（商品名、チッソ（株）製）の略号：Ｓ５１０
なお、「Ｓ５１０」は、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランである。
【０４５１】
溶媒（Ｃ）
ジエチレングリコールメチルエチルエーテルの略号：ＥＤＭ
本実施例で行った各測定方法を以下に示す。
【０４５２】
［溶液の粘度測定］
溶液の粘度は、Ｅ型粘度計（ＴＯＫＹＯ ＫＥＩＫＩ製 ＶＩＳＣＯＮＩＣ ＥＬＤ）、表面張力はＤＭ５００（協和界面科学（株）製）で測定した。
【０４５３】
［表面張力の測定］
インクの表面張力はＤＭ５００（協和界面科学（株）製）で測定した。２５℃に設定した恒温槽を用意し、２５℃の雰囲気中ペンダントドロップ式にてインクの表面張力を測定した。少なくとも５回測定し、平均値を表面張力として算出した。
【０４５４】
［重量平均分子量の測定］
アミド酸および界面活性剤の重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）法により測定した。試料をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）で試料濃度が約１重量％になるように希釈し、ＧＰＣ装置として日本分光株式会社製、ＪＡＳＣＯ ＧＵＬＬＩＶＥＲ １５００ （インテリジェント示差屈折率計  ＲＩ−１５３０）を用いて、上記希釈液を展開剤としてＧＰＣ法により測定し、ポリスチレン換算することにより求めた。カラムは、Ｓｈｏｄｅｘ  Ａｓａｈｉｐａｋ  ＧＦ−５１０  ＨＱおよびＳｈｏｄｅｘ  Ａｓａｈｉｐａｋ  ＧＦ−３１０  ＨＱの２本をこの順序に接続して使用し、カラム温度４０℃、流速１．０ｍｌ／ｍｉｎの条件で測定した。
【０４５５】
［合成例１］アミド酸（１）を含む溶液（１）の合成
温度計、攪拌機、原料投入仕込み口および窒素ガス導入口を備えた５００ｍｌの四つ口フラスコに、表１に示すとおりに原料を仕込み、乾燥窒素気流下２５℃で５ｈｒ攪拌したところ、アミド酸（１）を３５重量％含む淡黄色透明な溶液（１）を得た。このアミド酸（１）を含む溶液（１）の粘度は１５．６ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。アミド酸（１）を含む溶液（１）の表面張力を測定したところ２８．１（ｍＮ／ｍ）であった。
【０４５６】
［合成例２〜５、７〜９］アミド酸（２）〜（５）、（７）〜（９）を含む溶液（２）〜（５）、（７）〜（９）の合成
表１に示すとおりに原料を仕込むこと以外は合成例１と同じ条件でアミド酸（２）〜（５）、（７）〜（９）を含む溶液（２）〜（５）、（７）〜（９）を調製した。
【０４５７】
［合成例６］エステルアミド酸（６）を含む溶液（６）の合成
温度計、攪拌機、原料投入仕込み口および窒素ガス導入口を備えた３００ｍｌの四つ口フラスコに、ＥＤＭを６０ｇ、ＡＥＥを１０．６ｇ、ＭＡを９．９ｇ仕込み、乾燥窒素気流下２５℃で１ｈｒ攪拌した。ＭＡが溶解した後にＴＭＤＡを１９．５ｇ仕込み、乾燥窒素気流下１１０℃で３ｈｒ攪拌し、エステルアミド酸を４０重量％含む褐色透明な溶液を得た。このエステルアミド酸を含む溶液の粘度は２９．６ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
【０４５８】
［合成例１０］アミド酸（１０）を含む溶液（１０）の合成
温度計、攪拌機、原料投入仕込み口および窒素ガス導入口を備えた３００ｍｌの四つ口フラスコに、ＥＤＭを７０ｇ、ＢＡＰＰを１２．６ｇ、ＭＡを３．０ｇ仕込み、乾燥窒素気流下２５℃で１ｈｒ攪拌した。ＭＡが溶解した後にＳ５１０を１４．５ｇ仕込み、乾燥窒素気流下１００℃で１ｈｒ攪拌し、アミド酸を３０重量％含む褐色透明な溶液を得た。このアミド酸を含む溶液の粘度は５．１０ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
【０４５９】
［合成例１１］エステルアミド酸（１１）を含む溶液（１１）の合成
温度計、攪拌機、原料投入仕込み口および窒素ガス導入口を備えた３００ｍｌの四つ口フラスコに、ＥＤＭを６０ｇ、ＡＥＥを１４．０ｇ、ＭＡを１３．０ｇ仕込み、乾燥窒素気流下２５℃で１ｈｒ攪拌した。ＭＡが溶解した後にさらにＭＡを１３．０ｇ仕込み、乾燥窒素気流下１１０℃で３ｈｒ攪拌し、エステルアミド酸を４０重量％含む黄色透明な溶液を得た。このエステルアミド酸を含む溶液の粘度は１４．２ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
【０４６０】
［合成例１２］アミド酸（１０）を含む溶液（１０）を３．４６ｇ、エステルアミド酸（６）を含む溶液（６）を１０．４ｇとエステルアミド酸（１１）を含む溶液（１１）１０．４ｇにＶＧ３１０１Ｌを２６．６ｇ、ＴＭＤＡを４．０５ｇ、ＥＤＭを４５．１ｇ添加し、エポキシエステルアミド酸（１２）を含む溶液（１２）とした。エポキシエステルアミド酸（１２）を含む溶液（１２）の粘度は１１．９ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。エポキシエステルアミド酸（１２）を含む溶液（１２）の表面張力を測定したところ２９．５（ｍＮ／ｍ）であった。
【０４６１】
［合成例１３］エポキシエステルアミド酸（１３）を含む溶液（１３）の合成
このエステルアミド酸を含む溶液（６）４８．３ｇにＶＧ３１０１Ｌを２０．６ｇ、ＥＤＭを３１ｇ添加し、エポキシエステルアミド酸（１３）を含む溶液（１３）とした。エポキシエステルアミド酸（１３）を含む溶液（１３）の粘度は１７．２ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。エポキシエステルアミド酸（１３）を含む溶液（１３）の表面張力を測定したところ２９．８（ｍＮ／ｍ）であった。
【０４６２】
【表１】
2011080043.tif 000164
【０４６３】
［実施例１］
１．非水系インクジェット用インク（１）の調製
合成例１で合成したアミド酸（１）を含む溶液（１）９９．９ｇと、界面活性剤（Ｂ）である合成例３で合成したアミド酸（３）を含む溶液（３）０．１ｇとを混合し、非水系インクジェット用インク（１）を調製した。
【０４６４】
得られた非水系インクジェット用インク（１）の表面張力を測定したところ、２６．２ｍＮ／ｍ（２５℃）であった。非水系インクジェット用インク（１）中の界面活性剤（Ｂ）の含有濃度は０．０３重量％であった。
【０４６５】
また、非水系インクジェット用インク（１）において、同種の界面活性剤（Ｂ）の含有量を増加させたところ、増加前と比べて、インクの表面張力が低下した。よって、非水系インクジェット用インク（１）に含有される界面活性剤（Ｂ）は、臨界ミセル濃度未満であることがわかった。
なお、アミド酸（３）を含む溶液におけるアミド酸（３）の重量平均分子量は６９００であった。
【０４６６】
２．ポリイミド膜（１）の形成
上記１で得られた非水系インクジェット用インク（１）を、インクジェット塗布法によって、基板上に図３に示すようなパターン状に塗布して、塗膜を形成した。なお、基板として、銅箔基板、ガラス基板、カプトン基板を用いた。また、インクジェット塗布は、ＦＵＪＩＦＩＬＭ Ｄｉｍａｔｉｘ社製インクジェット塗布装置ＤＭＰ−２８３１を用いた。インクジェット塗布条件として、１ドット幅でドットピッチ２０ミクロンに設定し、パターン塗布を常温（２５℃）で行い、インクジェットヘッドのヒーターの設定を３０℃とし、ピエゾ電圧は２０Ｖ、駆動周波数は１０ｋＨｚとした。
【０４６７】
次に、各基板上に形成された塗膜を８０℃のホットプレートで５分間乾燥した後、２３０℃のオーブンで３０分間加熱し、パターン状に形成された絶縁性のポリイミド膜（１）を得た。
【０４６８】
３．ポリイミド膜（１）の評価
各基板上において、パターン状に形成されたポリイミド膜（１）を光学顕微鏡で観察し、以下のとおり評価した。評価結果を表８に示す。
【０４６９】
（評価基準）
パターン通りに塗布できた場合：○（２点）
角が丸くなり、多少パターンが崩れた場合：△（１点）
パターンが大きく崩れ、濡れ広がり、もしくはハジキがある場合：×（０点）。
【０４７０】
なお、印刷評価合計点が４点（○が２個、○が１個と△が２個、または△が４個の場合）以上である場合に塗布パターンが良好であると判断した。
ポリイミド膜（１）については、カプトン基板では濡れ広がったものの、銅箔基板、ガラス基板において良好なパターンが形成され（図３参照）、印刷評価合計点が９点となった。したがって、ポリイミド膜（１）において良好な塗布パターン（印刷評価合計点４点以上）が形成されたといえる。
【０４７１】
［比較例１］
１．非水系インクジェット用インク（Ｃ１）の調製
表２に示すとおり、界面活性剤（Ｂ）を用いず、合成例１で合成したアミド酸（１）を含む溶液（１）１００ｇを、そのまま非水系インクジェット用インク（Ｃ１）とした。非水系インクジェット用インク（Ｃ１）の表面張力を表３に示す。
【０４７２】
２．ポリイミド膜（Ｃ１）の形成
非水系インクジェット用インク（Ｃ１）を用いた以外は、実施例１と同様にしてポリイミド膜（Ｃ１）を得た。
【０４７３】
３．ポリイミド膜（Ｃ１）の評価
各基板上において、パターン状に形成されたポリイミド膜（Ｃ１）を光学顕微鏡で観察し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表８に示す。銅箔基板では塗布パターンが崩れ、また、ガラス基板およびカプトン基板では大きく濡れ広がり目的の塗布パターンが得られなかった（図４参照）。
【０４７４】
［実施例２〜５］
１．非水系インクジェット用インク（２）〜（５）の調製
表２に示すとおりにアミド酸（１）を含む溶液（１）とアミド酸（３）を含む溶液（３）とを配合して非水系インクジェット用インクを調製し、それぞれを非水系インクジェット用インク（２）〜（５）とした。得られた非水系インクジェット用インク（２）〜（５）の表面張力を表２に示す。また、非水系インクジェット用インク（２）〜（５）中の界面活性剤濃度を表２に示す。
【０４７５】
また、非水系インクジェット用インク（２）〜（５）において、同種の界面活性剤（Ｂ）の含有量を増加させたところ、増加前と比べて、インクの表面張力が低下した。よって、非水系インクジェット用インク（２）〜（５）に含有される界面活性剤（Ｂ）は、臨界ミセル濃度未満であることがわかった。
【０４７６】
２．ポリイミド膜の形成
非水系インクジェット用インク（２）〜（５）を用いた以外は、実施例１と同様にして、順にポリイミド膜（２）〜（５）を得た。
【０４７７】
３．ポリイミド膜の評価
各基板上において、パターン状に形成されたポリイミド膜（２）〜（５）を光学顕微鏡で観察し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表８に示す。すべてのポリイミド膜において良好な塗布パターン（印刷評価合計点４点以上）が形成された。
【０４７８】
［比較例２］
１．非水系インクジェット用インク（Ｃ２）の調製
表２に示すとおりにアミド酸（１）を含む溶液（１）とアミド酸（３）を含む溶液（３）とを配合して非水系インクジェット用インクを調製し、非水系インクジェット用インク（Ｃ２）とした。得られた非水系インクジェット用インク（Ｃ２）の表面張力を表２に示す。
【０４７９】
非水系インクジェット用インク（Ｃ２）において、同種の界面活性剤（Ｂ）の含有量を増加させたところ、増加前と比べて、インクの表面張力はほとんど変化しなかった。
別途、非水系インクジェット用インク（Ｃ２）において、同種の界面活性剤（Ｂ）の含有量を減少させたところ、減少前と比べて、インクの表面張力はほとんど変化しなかった。
よって、非水系インクジェット用インク（Ｃ２）に含有される界面活性剤（Ｂ）は、臨界ミセル濃度を超えることがわかった。
【０４８０】
２．ポリイミド膜の形成
非水系インクジェット用インク（Ｃ２）を用いた以外は、実施例１と同様にして、順にポリイミド膜（Ｃ２）を得た。
【０４８１】
３．ポリイミド膜の評価
各基板上において、パターン状に形成されたポリイミド膜（Ｃ２）を光学顕微鏡で観察し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表８に示す。銅箔基板、ガラス基板、カプトン基板で著しいはじきが生じ、目的の塗布パターンが得られなかった。
【０４８２】
［比較例３］
１．非水系インクジェット用インク（Ｃ３）の調製
表２に示すとおりに合成例３で合成したアミド酸（３）を含む溶液（３）１００ｇを、そのまま非水系インクジェット用インク（Ｃ３）とした。非水系インクジェット用インク（Ｃ３）の表面張力を表２に示す。
【０４８３】
非水系インクジェット用インク（Ｃ３）において、同種の界面活性剤（Ｂ）の含有量を増加させたところ、増加前と比べて、インクの表面張力はほとんど変化しなかった。
別途、非水系インクジェット用インク（Ｃ３）において、同種の界面活性剤（Ｂ）の含有量を減少させたところ、減少前と比べて、インクの表面張力はほとんど変化しなかった。
よって、非水系インクジェット用インク（Ｃ３）に含有される界面活性剤（Ｂ）は、臨界ミセル濃度を超えることがわかった。
【０４８４】
２．ポリイミド膜の形成
非水系インクジェット用インク（Ｃ３）を用いた以外は、実施例１と同様にして、ポリイミド膜（Ｃ３）を得た。
【０４８５】
３．ポリイミド膜の評価
各基板上において、パターン状に形成されたポリイミド膜（Ｃ３）を光学顕微鏡で観察し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表８に示す。銅箔基板、ガラス基板、カプトン基板で著しいはじきが生じ、目的の塗布パターンが得られなかった。
【０４８６】
［比較例５］
１．非水系インクジェット用インク（Ｃ５）の調製
表２に示すとおりに合成例７で合成したアミド酸（７）を含む溶液（７）１００ｇを、そのまま非水系インクジェット用インク（Ｃ５）とした。非水系インクジェット用インク（Ｃ５）の表面張力を表２に示す。
【０４８７】
非水系インクジェット用インク（Ｃ５）において、同種の界面活性剤（Ｂ）の含有量を増加させたところ、増加前と比べて、インクの表面張力はほとんど変化しなかった。
別途、非水系インクジェット用インク（Ｃ５）において、同種の界面活性剤（Ｂ）の含有量を減少させたところ、減少前と比べて、インクの表面張力はほとんど変化しなかった。
よって、非水系インクジェット用インク（Ｃ５）に含有される界面活性剤（Ｂ）は、臨界ミセル濃度を超えることがわかった。
【０４８８】
２．ポリイミド膜の形成
非水系インクジェット用インク（Ｃ５）を用いた以外は、実施例１と同様にして、ポリイミド膜（Ｃ５）を得た。
【０４８９】
３．ポリイミド膜の評価
各基板上において、パターン状に形成されたポリイミド膜（Ｃ５）を光学顕微鏡で観察し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表８に示す。銅箔基板、ガラス基板、カプトン基板で著しいはじきが生じ、目的の塗布パターンが得られなかった（印刷評価合計点０点）。
【０４９０】
［比較例６］
１．非水系インクジェット用インク（Ｃ６）の調製
表２に示すとおりに合成例３で合成したアミド酸（８）を含む溶液（８）１００ｇを、そのまま非水系インクジェット用インク（Ｃ６）とした。非水系インクジェット用インク（Ｃ６）の表面張力を表２に示す。
【０４９１】
非水系インクジェット用インク（Ｃ６）において、同種の界面活性剤（Ｂ）の含有量を増加させたところ、増加前と比べて、インクの表面張力はほとんど変化しなかった。
別途、非水系インクジェット用インク（Ｃ６）において、同種の界面活性剤（Ｂ）の含有量を減少させたところ、減少前と比べて、インクの表面張力はほとんど変化しなかった。
よって、非水系インクジェット用インク（Ｃ６）に含有される界面活性剤（Ｂ）は、臨界ミセル濃度を超えることがわかった。
【０４９２】
２．ポリイミド膜の形成
非水系インクジェット用インク（Ｃ６）を用いた以外は、実施例１と同様にして、ポリイミド膜（Ｃ６）を得た。
【０４９３】
３．ポリイミド膜の評価
各基板上において、パターン状に形成されたポリイミド膜（Ｃ６）を光学顕微鏡で観察し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表８に示す。銅箔基板、ガラス基板、カプトン基板で著しいはじきが生じ、目的の塗布パターンが得られなかった（印刷評価合計点０点）。
【０４９４】
［比較例７］
１．非水系インクジェット用インク（Ｃ７）の調製
表２に示すとおりに合成例３で合成したアミド酸（９）を含む溶液（９）１００ｇを、そのまま非水系インクジェット用インク（Ｃ７）とした。非水系インクジェット用インク（Ｃ６）の表面張力を表２に示す。
【０４９５】
非水系インクジェット用インク（Ｃ７）において、同種の界面活性剤（Ｂ）の含有量を増加させたところ、増加前と比べて、インクの表面張力はほとんど変化しなかった。
別途、非水系インクジェット用インク（Ｃ７）において、同種の界面活性剤（Ｂ）の含有量を減少させたところ、減少前と比べて、インクの表面張力はほとんど変化しなかった。
よって、非水系インクジェット用インク（Ｃ７）に含有される界面活性剤（Ｂ）は、臨界ミセル濃度を超えることがわかった。
【０４９６】
２．ポリイミド膜の形成
非水系インクジェット用インク（Ｃ７）を用いた以外は、実施例１と同様にして、ポリイミド膜（Ｃ７）を得た。
【０４９７】
３．ポリイミド膜の評価
各基板上において、パターン状に形成されたポリイミド膜（Ｃ７）を光学顕微鏡で観察し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表８に示す。銅箔基板、ガラス基板、カプトン基板で著しいはじきが生じ、目的の塗布パターンが得られなかった（印刷評価合計点０点）。
【０４９８】
【表２】
2011080043.tif 000165
図１は実施例１〜５、比較例１〜３、５〜７の結果より、表面張力および界面活性剤濃度と、印刷評価結果合計点および界面活性剤濃度とをグラフにしたものである。図１によると、界面活性剤の含有濃度が、０．００００１重量％以上、臨界ミセル濃度以下である場合に良好なパターン膜が形成されたことがわかる。
【０４９９】
［実施例６〜３５］
１．非水系インクジェット用インク（６）〜（３６）の調製
表３〜６に示すとおりにアミド酸を含む溶液と界面活性剤とを配合して非水系インクジェット用インクを調製し、それぞれを非水系インクジェット用インク（６）〜（３６）とした。得られた非水系インクジェット用インク（６）〜（３６）の表面張力を表３〜６に示す。
【０５００】
また、非水系インクジェット用インク（６）〜（３６）において、同種の界面活性剤（Ｂ）の含有量を増加させたところ、増加前と比べて、インクの表面張力が低下した。よって、非水系インクジェット用インク（６）〜（３６）に含有される界面活性剤（Ｂ）は、臨界ミセル濃度未満であることがわかった。
【０５０１】
２．ポリイミド膜の形成
非水系インクジェット用インク（６）〜（３６）を用いた以外は、実施例１と同様にして、順にポリイミド膜（６）〜（３６）を得た。
【０５０２】
３．ポリイミド膜の評価
各基板上において、パターン状に形成されたポリイミド膜（６）〜（３６）を光学顕微鏡で観察し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表８に示す。
【０５０３】
得られたポリイミド膜について、印刷例１と同じ条件で評価を行った。その結果を表８に示す。すべてのポリイミド膜において良好な塗布パターン（印刷評価合計点４点以上）が形成された。
【０５０４】
［比較例４］
１．非水系インクジェット用インク（Ｃ４）の調製
表７に示すとおりに合成例１３で合成した溶液（１３）１００ｇを、そのまま非水系インクジェット用インク（Ｃ４）とした。得られた非水系インクジェット用インク（Ｃ４）の表面張力を表７に示す。
【０５０５】
２．ポリイミド膜の形成
非水系インクジェット用インク（Ｃ４）を用いた以外は、実施例１と同様にして、ポリイミド膜（Ｃ４）を得た。
【０５０６】
３．ポリイミド膜の評価
各基板上において、パターン状に形成されたポリイミド膜（Ｃ４）を光学顕微鏡で観察し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表８に示す。ポリイミド膜（Ｃ４）について、銅箔基板では塗布パターンが崩れ、またガラス基板およびカプトン基板では大きく濡れ広がり目的の塗布パターンが形成されなかった（印刷評価合計点は１点）。
【０５０７】
［比較例８］
１．非水系インクジェット用インク（Ｃ８）の調製
表７に示すとおりに合成例１２で合成した溶液（１２）１００ｇを、そのまま非水系インクジェット用インク（Ｃ８）とした。得られた非水系インクジェット用インク（Ｃ８）の表面張力を表７に示す。
【０５０８】
２．ポリイミド膜の形成
非水系インクジェット用インク（Ｃ８）を用いた以外は、実施例１と同様にして、ポリイミド膜（Ｃ８）を得た。
【０５０９】
３．ポリイミド膜の評価
各基板上において、パターン状に形成されたポリイミド膜（Ｃ８）を光学顕微鏡で観察し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表８に示す。ポリイミド膜（Ｃ８）について、銅箔基板では塗布パターンが崩れ、またガラス基板およびカプトン基板では大きく濡れ広がり目的の塗布パターンが形成されなかった（印刷評価合計点は１点）。
【０５１０】
【表３】
2011080043.tif 000166
なお、表３中の、ＦＭ−４４１１、ＦＭ−７７１１、ＦＭ−０４１１、ＦＭ−ＤＡ１１、ＦＭ−０７１１について、以下に示す。
【０５１１】
【化１３０】
2011080043.tif 000167
上記式（Ｂ１−ｘ）において、Ｅ5、Ｅ6がともにメチルであり、Ｅ7がメチレンであり、ｘ１が３でありｙ１が１０〜１５である化合物の混合物の略号：ＦＭ−４４１１（商品名、チッソ（株）製）。
【０５１２】
【化１３１】
2011080043.tif 000168
上記式（Ｂ１−ｗ）において、Ｅ5、Ｅ6がともにメチルであり、Ｅ7がメチレンであり、ｘ１が３でありｙ１が８〜１３である化合物の混合物の略号：ＦＭ−７７１１（商品名、チッソ（株）製）。
【０５１３】
【化１３２】
2011080043.tif 000169
上記式（Ｂ１−ｖ）において、Ｅ5、Ｅ6がともにメチルであり、Ｅ7がメチレンであり、ｘ１が３でありｙ１が１０〜１５である化合物の混合物の略号：ＦＭ−０４１１（商品名、チッソ（株）製）。
【０５１４】
【化１３３】
2011080043.tif 000170
上記式（Ｂ１−ｕ）において、Ｅ5、Ｅ6がともにメチルであり、Ｅ7がメチレンであり、ｘ１が３でありｙ１が１０〜１５である化合物の混合物の略号：ＦＭ−ＤＡ１１（商品名、チッソ（株）製）。
【０５１５】
【化１３４】
2011080043.tif 000171
上記式（Ｂ１−ｔ）において、Ｅ5、Ｅ6がともにメチルであり、Ｅ7がメチレンであり、ｘ１が３でありｙ１が１０〜１５である化合物の混合物の略号：ＦＭ−０７１１（商品名、チッソ（株）製）。
【０５１６】
【表４】
2011080043.tif 000172
「２Ｌ−ＰＬ−ＰＧＭＥ」（商品名、扶桑化学工業（株）製、高純度オルガノゾル、粒子径（比表面積換算）１５〜２０nm、シリカ濃度２５．０％、分散媒プロピレングリコールモノメチルエーテル、水分１％以下、比重１．０８（２０／４℃））
【０５１７】
【表５】
2011080043.tif 000173
「Ｂｙｋ−３６１Ｎ」（商品名、ビック・ケミー（株）製、ポリアクリレート型、アクリル系界面活性剤、比重  １．０３ｇ／ｍｌ（２０℃）、不揮発成分＞９８％、引火点  ２４６℃）
【０５１８】
【表６】
2011080043.tif 000174
「Ｒ−０８」（商品名、ＤＩＣ（株）製  メガファックシリーズ、パーフルオロアルキル基・親水性基・親油性基含有オリゴマー、フッ素系界面活性剤）
「Ｆ−４７７」（商品名、ＤＩＣ（株）製  メガファックシリーズ、パーフルオロアルキル基・親水性基・親油性基含有オリゴマー、フッ素系界面活性剤）
「Ｆ−４７９」（商品名、ＤＩＣ（株）製  メガファックシリーズ、パーフルオロアルキル基・親水性基・親油性基含有オリゴマー、フッ素系界面活性剤）
「ＴＦ−１３６６」（商品名、ＤＩＣ（株）製  メガファックシリーズ、パーフルオロアルキル基（C６）・親水性基・親油性基含有オリゴマー、フッ素系界面活性剤）
「ＴＦ−１３６７」（商品名、ＤＩＣ（株）製  メガファックシリーズ、パーフルオロアルキル基（C６）・親水性基・親油性基含有オリゴマー、フッ素系界面活性剤）
「ＴＦ−１４２５」（商品名、ＤＩＣ（株）製  メガファックシリーズ、パーフルオロアルキル基（C６）・親水性基・親油性基含有オリゴマー型、フッ素系界面活性剤）
「ＦＴＸ−２０８Ｇ」（商品名、（株）ネオス製  フタージェントシリーズ、３末端パーフルオロアルキル基型、フッ素系界面活性剤）
「ＦＴＸ−２１２Ｐ」（商品名、（株）ネオス製  フタージェントシリーズ、フッ素系界面活性剤）
「ＦＴＸ−２１８Ｇ」（商品名、（株）ネオス製  フタージェントシリーズ、ポリオキシエチレンエーテル３末端パーフルオロアルキル基型、フッ素系界面活性剤）
「ＦＴＸ−２２０Ｐ」（商品名、（株）ネオス製  フタージェントシリーズ、フッ素系界面活性剤）
「ＦＴＸ−２２８Ｐ」（商品名、（株）ネオス製  フタージェントシリーズ、フッ素系界面活性剤）
「ＦＴＸ−２４０Ｇ」（商品名、（株）ネオス製  フタージェントシリーズ、３末端パーフルオロアルキル基型、フッ素系界面活性剤）
「フタージェント７１０ＦＬ」（商品名、（株）ネオス製  フタージェントシリーズ、含フッ素モノマー・親水基含有モノマー、フッ素系界面活性剤  固形分５０ｗｔ％）
「フタージェント７３０ＦＭ」（商品名、（株）ネオス製  フタージェントシリーズ、含フッ素モノマー・親水基含有モノマー、フッ素系界面活性剤  固形分５０ｗｔ％）
「ＤＦＸ−１８」（商品名、（株）ネオス製  フタージェントシリーズ、フッ素系界面活性剤）
【０５１９】
【表７】
2011080043.tif 000175
【０５２０】
【表８】
2011080043.tif 000176
【図１】
2011080043.tif 000197
【図２】
2011080043.tif 000198
【図３】
2011080043.tif 000199
【図４】
2011080043.tif 000200