(57)【要約】【課題】半導体チップを良好にウエハ加工用テープから剥離し、ピックアップ成功率を高める。【解決手段】半導体ウエハ１３にウエハ加工用テープ１０を貼り付けた後、半導体ウエハ１３を複半導体チップ１１にダイシングする工程と、ウエハ加工用テープ１０に貼り付けられた半導体チップ１１をウエハ加工用テープ１０からピックアップする工程とを備え、ダイシング溝Ｍの剥離の対象となる半導体チップ１１を囲む領域についてその全体また一部分をウエハ加工用テープ１０の背面側から押圧した後に半導体チップ１１をウエハ加工用テープ１０からピックアップする。【選択図】図７
2011216529.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハにウエハ加工用テープを貼り付けた後、前記半導体ウエハをダイシングして複数の半導体チップに分割する工程と、
前記ウエハ加工用テープに貼り付けられた前記複数の半導体チップのうち、剥離の対象となる半導体チップを前記ウエハ加工用テープからピックアップする工程とを備え、
ダイシング溝の剥離の対象となる前記半導体チップを囲む領域についてその全体また一部分を前記ウエハ加工用テープの背面側から押圧した後に前記半導体チップを前記ウエハ加工用テープからピックアップすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ダイシング溝の半導体チップを囲む領域の押圧を、当該領域に沿った形状の枠により行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ダイシング溝の半導体チップを囲む領域の押圧を、当該領域に沿って配置された複数のピンにより行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記前記ダイシング溝の半導体チップを囲む領域の押圧を、複数個の半導体チップ単位で行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングの際に保持していたウエハ加工用テープからの半導体チップの良好なピックアップを実現するための半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣなどの半導体装置の製造工程では、回路パターンが形成された半導体ウエハの裏面に粘着性及び伸縮性のある半導体加工用テープを貼り付けた後、半導体ウエハをチップ単位に切断（ダイシング）する工程、切断されたチップをピックアップする工程、さらにピックアップされたチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着する、あるいは、スタックドパッケージにおいては、半導体チップ同士を積層、接着するダイボンディング（マウント）工程が実施される。
【０００３】
かかる半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープとして、粘着テープと、エポキシ樹脂成分を含む熱硬化性の接着剤層が積層されたダイシング・ダイボンディングフィルムが使用されている。
上記粘着テープは、半導体ウエハをダイシングする工程で切断されたチップが飛び散らないようにウエハを固定するためのものであるため、ウエハを固定する高い粘着力を有するものであるが、個々のチップをピックアップする工程では、この粘着テープから接着剤層が付着したチップを剥離させなければならない。
そこで、従来は、ウエハ加工用テープをウエハの径方向と周方向に引き伸ばした状態でウエハの周囲をエキスパンドリングで保持し、かかる状態でピックアップしたいチップについて、粘着テープの背面を吸着ステージにより吸着させながら昇降可能なピンにより突き上げて、粘着テープと接着剤層との間で剥離させてピックアップを行っていた（例えば、特許文献１参照）。
また、粘着テープの背面を吸着駒の上面により吸着し、吸着駒の上面から突出可能であり、同心円上に配置された複数の突き上げブロックでピックアップ対象のチップのみを押し上げて支承すると共に当該チップを上方から吸着コレットで上方に吸引し、最終的に中心の突き上げブロックが最も突出した状態となるように内側のブロックを徐々に上昇させることでウエハ加工用テープの剥離を行っていた（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ＷＯ２００６／１０４１５１パンフレット
【特許文献２】特開２００５−１１７０１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載のピックアップ方式では、ウエハをダイシングする工程で発生した接着剤層Ｔ３のダストＤが分離すべき粘着剤層Ｔ２と接着剤層Ｔ３とにまたがった状態で付着し、ピックアップ不良が発生するという問題があった。
特許文献２に記載のピックアップ方式は、特許文献１のピックアップ方式によるピックアップ不良を改善したものであるが、ウエハ加工用テープＴの接着剤層Ｔ３は、チップＷ１の多段層化の要求に応じて軟化する傾向にあり、その結果、ウエハをダイシングする工程で接着剤層Ｔ３のダストＤが周囲に飛散しやすくなり、ピックアップの成功率が低下するという問題が生じていた。
【０００６】
本発明は、ウエハ加工用テープから半導体チップを良好に剥離することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
発明者等は、上記問題を解決するために鋭意検討した結果、ウエハ加工用テープから半導体チップをピックアップする前に、当該半導体チップをダイシング溝が囲む領域の全部又は一部分をウエハ加工用テープの背面側から押圧することに着目した。かかる押圧を行うことで、各部に付着したダストが剥がれやすくなることを見出したものである。
【０００８】
すなわち本発明は、
（１）半導体ウエハにウエハ加工用テープを貼り付けた後、前記半導体ウエハをダイシングして複数の半導体チップに分割する工程と、前記ウエハ加工用テープに貼り付けられた前記複数の半導体チップのうち、剥離の対象となる半導体チップを前記ウエハ加工用テープからピックアップする工程とを備え、ダイシング溝の剥離対象となる前記半導体チップを囲む領域についてその全体また一部分を前記ウエハ加工用テープの背面側から押圧した後に前記半導体チップを前記ウエハ加工用テープからピックアップことを特徴とする半導体装置の製造方法、
（２）前記ダイシング溝の半導体チップを囲む領域の押圧を、当該領域に沿った形状の枠により行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法、
（３）前記ダイシング溝の半導体チップを囲む領域の押圧を、当該領域に沿って配置された複数のピンにより行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法、
（４）前記前記ダイシング溝の半導体チップを囲む領域の押圧を、複数個の半導体チップ単位で行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法、
により、本願発明の課題の解決を図るものである。
なお、上記「ダイシング溝の剥離対象となる前記半導体チップを囲む領域」とは、ダイシング溝に囲まれた領域の意味ではなく、ウエハ全体のダイシング溝全体の内、剥離対象の半導体チップを囲んでいるダイシング溝の一部分を示している。
【発明の効果】
【０００９】
本願発明によれば、ウエハ加工用テープから半導体チップを剥離する前に、当該半導体チップの周囲のダイシング溝の全部又は一部をウエハ加工用テープ側から押圧することで、各部に付着したダストが剥がれやすくなり、その結果、ウエハ加工用テープに対する半導体チップのピックアップの際にダストによる阻害が抑止され、ピックアップ作業の成功率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ダイシング・ダイボンディングフィルムに半導体ウエハとダイシング用リングフレームが貼合された様子を示す図である。
【図２】ダイシング工程を示す説明図である。
【図３】放射線照射工程を説明するための図面である。
【図４】ピックアップ装置の主要部を示す部分断面図である。
【図５】第一の押圧部材におけるピンの上方から見た配置を示す平面図である。
【図６】四本のピンが押圧対象の矩形半導体チップを押圧する位置を示す平面図である。
【図７】押圧部材を上昇させた状態を示す動作説明図である。
【図８】図８（Ａ）は第二の押圧部材の各ピンによる半導体チップの押圧前の状態を示し、図８（Ｂ）は押圧後の状態を示す拡大断面図である。
【図９】他の実施形態［１］におけるピックアップ装置の断面図である。
【図１０】吸着ヘッドの平面図である。
【図１１】吸着ヘッドの垂直面に沿った断面図である。
【図１２】可動蓋を開いた状態における吸着ヘッドの垂直面に沿った断面図である。
【図１３】他の実施形態［２］におけるピックアップ装置の吸着ヘッドの平面図である。
【図１４】吸着ヘッドの垂直面に沿った断面図である。
【図１５】図１５（Ａ）は複数の半導体チップに対応するピンを用いた押圧部材の平面図、図１５（Ｂ）は複数の半導体チップに対応する枠構造を用いた押圧部材の平面図である。
【図１６】一つのピンで押圧を行う押圧部材の説明図である。
【図１７】従来技術におけるダイシングによるダストの発生状態を示すダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体チップの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（発明の実施の形態）
本発明の実施形態たる半導体装置の製造方法について図１から図８に基づいて説明する。
この実施形態では、半導体ウエハの裏面（集積回路形成面の反対側の面）にウエハ加工用テープとしてのダイシング・ダイボンディングフィルムを貼合してダイシング行い、その後、半導体チップを個々にピックアップする工程に特徴を有するものであり、かかる工程について主に説明を行うものとする。
【００１２】
（ダイシング・ダイボンディングフィルム）
半導体装置の製造方法の説明を行う前に、まず、ダイシング・ダイボンディングフィルム１０の構成について説明を行う。図１は、ダイシング・ダイボンディングフィルムに半導体ウエハとダイシング用リングフレームが貼合された様子を示す図である。
このダイシング・ダイボンディングフィルム１０は基材フィルム１の上に中間樹脂層２、その上に粘着剤層３、その上に接着剤層４が積層して設けられており、ダイシングの際には、接着剤層４の上に半導体ウエハ１１が取り付けられる。なお、図１ではダイシング・ダイボンディングフィルム１０の各構成について説明の便宜のために実際よりも厚みをもって図示している。
【００１３】
基材フィルム１としては、ダイシング・ダイボンディングフィルムとして公知のプラスチック、ゴムなどを用いることができ、ここでは基材フィルムとしては熱可塑性のプラスチックフィルムが用いられている。
また、放射線透過性であることが好ましく、特に粘着剤層に放射線硬化性の粘着剤を使用する場合にはその粘着剤が硬化する波長での放射線透過性の良いものを選択する必要がある。基材フィルムの厚みは、強伸度特性、放射線透過性の観点から通常３０〜３００μｍが適当である。
【００１４】
中間樹脂層２は特に制限は無く粘着剤層３より硬いものであれば良い。ダイシング時のチップの割れ・欠け（チッピング）を抑制するために、中間樹脂層２は適正な弾性率のものが使用される。中間樹脂層２は粘着成分と硬化成分とを含む混合物を基材フィルム上に塗工した後、硬化させることによって設けられる。粘着成分は、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系、シリコーン系、天然ゴム系などの種々の汎用粘着剤を用いることができる。硬化剤としてはポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は２ 種類以上を組み合わせて使用することができる。
さらに、中間樹脂層２に放射線硬化性を持たせることで、ダイシング後に放射線硬化により中間樹脂層２を硬化収縮させチップのピックアップ性を向上させても良い。
中間樹脂層２の厚さは少なくとも５μｍ、より好ましくは１０μｍ以上であることが好ましい。
【００１５】
粘着剤層３は特に制限は無くダイシング時には接着剤層４とのチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時には接着剤層４と剥離が容易とする特性を有するものであれば良い。ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤層３は放射線硬化性のものが好ましく、特にダイシング・ダイボンディングフィルムにおいては接着剤層４との剥離が容易な材料であることが好ましい。粘着剤層３としては、例えば、分子中にヨウ素価０ ． ５ 〜 ２ ０ の放射線硬化性炭素− 炭素二重結合を有する化合物と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物とを含むアクリル系粘着剤を用いることができる。
粘着剤層３の形成は、通常のダイシングテープ同様に基材フィルムに形成された中間樹脂層上に粘着剤を塗工して製造してよく、粘着剤の塗工は、中間樹脂層が塗工された後であればよいが、中間樹脂層が放射線照射によって貯蔵弾性率が調整されるものであれば、中間樹脂層が放射線によって硬化された後に塗工することが必要である。
【００１６】
接着剤層４は半導体ウエハ等が貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着剤層３と剥離してチップに付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。接着剤層４は、特に限定されるものではないが、ダイシング・ダイボンディングフィルムに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、例えば、接着剤に使用される公知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができる。また、チップやリードフレームに対する接着力を強化するために、シランカップリング剤またはチタンカップリング剤を添加剤として前記材料やその混合物に加えることが望ましい。また、エポキシ樹脂の一部又は全部はキレート変性エポキシ樹脂を用いてもよい。その厚さは適宜設定してよいが、５〜１００μｍ程度が好ましい。
【００１７】
（前工程）
以下、半導体装置の製造方法について順を追って説明する。
まず、単結晶シリコンからなる半導体ウエハ１１の主面に周知の製造プロセスに従って集積回路を形成した後、半導体ウエハ１１の裏面をグラインダで研削し、ダメージ層を、エッチングによって除去し、例えば２０μｍ〜５０μｍ程度まで薄くする。
【００１８】
（ダイシング工程）
図２はダイシング工程を示す説明図である。ダイシングの際には、予め半導体ウエハ１１の背面（集積回路形成面の反対側の面）にダイシング・ダイボンディングフィルム１０を貼り付ける。また、ダイシング・ダイボンディングフィルム１０の外周はリングフレーム５で固定し、ダイシング・ダイボンディングフィルム１０の撓みを防止する。
そして、ダイシング・ダイボンディングフィルム１０の背面（半導体チップ１３の逆側）を吸着テーブル１４の上面に吸着させた状態で、ダイシングブレード１２により半導体ウエハ１１の上面をダイシングして、格子状に配列された複数の矩形の半導体チップ１３に分割する。このとき、ダイシング・ダイボンディングフィルム１０は、その厚さ方向の半分程度だけ切断を行い、分割されたそれぞれの半導体チップ１３の配列状態を保持する。
なお、図２ではダイシング・ダイボンディングフィルム１０の各構成及び半導体チップ１３を説明の便宜上実際よりも厚みをもって図示している。また、半導体チップ１３の個体数も実際より少なく図示し、簡略化している。
【００１９】
(放射線照射工程)
中間樹脂層２又は粘着剤層３に放射線硬化性のものを使用している場合には、図３に示すように、ダイシング・ダイボンディングフィルム１０の背面側から放射線照射を行う。
これにより、中間樹脂層２の硬化又は粘着剤層３の粘着性の低下を図り、半導体チップ１３の剥離性を高める。
【００２０】
（ダイシング・ダイボンディングフィルムの張設工程）
次に、ダイシング・ダイボンディングフィルム１０の背面側からリングフレーム５の内側に入り込むようにエキスパンドリング８（図９参照）が装着される。これにより、ダイシング・ダイボンディングフィルム１０はウエハ装着位置を中心として放射線方向に張力を受けて水平方向に弛みなく引き伸ばされる。
【００２１】
（半導体チップの押圧工程）
ダイシング・ダイボンディングフィルム１０上の各半導体チップ１３は、ピックアップが行われる前にその背面側からダイシング・ダイボンディングフィルム１０を介して個々に押圧作業が行われる。
この各半導体チップ１３の押圧作業は、半導体チップ１３のピックアップ装置２０によって実行される。
【００２２】
図４は、ピックアップ装置２０の主要部を示す部分断面図である。このピックアップ装置２０は、上面に無数の吸引口２１ａが形成され、載置されたダイシング・ダイボンディングフィルム１０を吸着する吸引テーブル２１と、吸引テーブル２１の真下で真空引きが行われて吸引口２１ａから下方への吸引を行う真空チャンバー（図示略）と、真空チャンバー内において水平面上の任意に位置に移動位置決め可能なヘッド２２と、ヘッド２２に搭載され、ダイシング・ダイボンディングフィルム１０を下方から押圧するピン２３，２４を備えた第一と第二の押圧部材２５，２６と、各半導体チップ１３を上方から吸着しピックアップを行う吸着コレット２７とを備えている。
【００２３】
吸引テーブル２１は、水平に向けられた状態で真空チャンバーの上部に設けられ、真空チャンバー内を真空引きすることで吸引テーブル２１に形成された無数の吸引口２１ａから下方に向かって吸引が行われ、吸引テーブル２１の上面に載置されたダイシング・ダイボンディングフィルム１０の吸着保持を可能としている。ダイシング・ダイボンディングフィルム１０は、吸引テーブル２１の上面において、半導体チップ１３の貼合面を上に向け、背面側を下に向けて載置される。
【００２４】
吸着コレット２７は、吸着テーブル２１の上方において水平面上の任意の位置に位置決め可能な図示しないヘッドに上下動可能に装備され、アクチュエータにより上下動が行われる。この吸着コレット２７は負圧源に接続され、図示しない下端部の吸着口を半導体チップ１３の上面に吸着し、上方に引っ張り上げることで半導体チップ１３をダイシング・ダイボンディングフィルム１０から剥離させてピックアップを行う。
【００２５】
第一の押圧部材２５は、Ｘ軸とＹ軸のサーボモータにより任意に移動可能なヘッド２２により吸着コレット２７と同位置に位置決めされ、図示しないアクチュエータにより上昇してダイシング・ダイボンディングフィルム１０を介して半導体チップ１３を下方から押圧し、半導体チップ１３の剥離を促している。図５は第一の押圧部材２５におけるピン２３の上方から見た配置を示す平面図である。図示のように、第一の押圧部材２５は、半導体チップ１３の外縁部よりも内側の範囲内で当接する２０本のピン２３を備え（図４は省略して少なく図示している）、ピックアップの対象となる半導体チップ１３をダイシング・ダイボンディングフィルム１０を介して下方から押圧する。ダイシング・ダイボンディングフィルム１０全体的に吸着テーブル２１に吸着されているため、一つの半導体チップ１３のみが下方から押圧されると、ダイシング・ダイボンディングフィルム１０における半導体チップ１３の周囲部分は下方に張力を受けるので、徐々に剥離が促されることとなり、容易且つ円滑な剥離が実現するようになっている。
なお、各押圧部材２５，２６はいずれもピン２３，２４を利用してダイシング・ダイボンディングフィルムの背面側を押圧するが、その際には、吸着テーブル２１に形成された無数の吸着口２１ａを利用し、当該各吸着口２１ａに各ピン２３，２４を挿通させてその上側のダイシング・ダイボンディングフィルム１０を押圧している。また、図４では各吸着口２１ａは少なく図示しており、実際には、半導体チップ１３の幅に対してより多くの吸着口２１ａが形成されている。従って、ダイシング・ダイボンディングフィルム１０の任意の位置を押圧する場合でもあっても適切な吸着口２１ａを利用することができる。
【００２６】
第二の押圧部材２６は、第一の押圧部材２５とは違って吸着コレット２７と同時に作動するものではなく、半導体チップ１３のピックアップよりも先に実行し、半導体チップ１３の剥離を阻害するダイシング時のダストの除去を行うためのものである。
かかる第二の押圧部材２６は、ヘッド２２により目標とする半導体チップ１３の真下に位置決めされ、図示しないアクチュエータにより上方してダイシング・ダイボンディングフィルム１０を介して半導体チップ１３を下方から押圧する。
この第二の押圧部材２６も、上方を向いた四本のピン２４を保持しており、目標の半導体チップ１３に対して下方から所定位置の押圧を行う。図６は四本のピン２４が押圧対象の矩形半導体チップ１３を押圧する位置を示す平面図である。図示のように、各ピン２４は押圧対象の半導体チップ１３に対して、その周囲を取り囲むダイシング溝Ｍの四つの交点の位置を下方から押圧する配置となっている。また、図７は押圧部材２２を上昇させた状態を示す動作説明図であり、各ピン２４は吸引テーブル２１の吸引口２１ａを通じてテーブル上面のダイシング・ダイボンディングフィルム１０の押圧を可能としている。
【００２７】
図８は第二の押圧部材２６による各ピン２４を通じた半導体チップ１３の押圧前の状態（図８（Ａ））と押圧後の状態（図８（Ｂ））とを示す拡大断面図である。
ダイシング溝Ｍには、切削によりダイシング・ダイボンディングフィルム１０の各層からダストＤを生じ溝内に付着する。その中でも接着剤層３（さらには粘着剤層２）におけるダストＤは、溝内で粘着層２と接着剤層３とにまたがって付着した場合に、半導体チップ１３のピックアップを阻害する。
そこで、ピックアップを実行する前に、対象となる半導体チップ１３の周囲のダイシング溝、この実施形態では、矩形の半導体チップ１３を囲む四辺となるダイシング溝Ｍの四つの頂点位置に四つのピン２４を押し当てることでダストＤに押圧の衝撃を付与或いは押圧による振動を付与している。
なお、円棒状の各ピン２４の中心位置とダイシング溝Ｍの各交点の中心位置とが一致するように第二の押圧部材２６の位置決めが行われる。
また、各部の寸法を例示すると、半導体チップ１３の一辺は10〜16[mm]、ピン２４の直径は200〜350[μm]、ダイシング溝の幅は50[μm]、各ピン２４によるダイシング・ダイボンディングフィルム１０の押し上げ量は10[μm]程度である。
【００２８】
これにより、図８（Ｂ）に示すように、付着しているダストＤを振り落としたり、或いは、粘着層２と接着剤層３とにまたがっていたダストＤを分断させることができる。
なお、第一の押圧部材２５と第二の押圧部材２６とは、その上下動の駆動源として同じ仕様のアクチュエータを使用しているため、各ピン２４の押し当ての移動速度は、半導体チップの剥離の際にピン２３がダイシング・ダイボンディングフィルムの背面側を押圧する際の上昇速度と変わらない。
【００２９】
ダストＤを除去するための押圧は、ダイシング溝Ｍに沿って半導体チップ１３の周囲全体を押圧しても良いが、この押圧部材２６のように部分的に押圧しても良い。第二の押圧部材２６は、横方向のダイシング溝Ｍと縦方向のダイシング溝Ｍとの交点部分を押圧するが、ダイシング溝Ｍの交差する部分はダストＤの発生及び付着が生じやすく、かかるポイントを押圧することでより効果的に付着除去を行うことができる。
また、第二の押圧部材２６の各ピン２４は、その外径がダイシング溝Ｍの幅よりも大きく、押圧時には半導体チップ１３の外縁部も含めて押圧することとなるが、このように、ダイシング溝Ｍと共に半導体チップ１３の外縁部を含めて押圧しても良い。また、半導体チップ１３に重ならないよう、狭い幅でダイシング溝Ｍのみを押圧しても良い。
【００３０】
上記第二の押圧部材２６により半導体チップ１３の周囲の四点の押圧が行われると、ヘッド２２は第一の押圧部材２５を同じ半導体チップ１３に位置決めし、同時に吸着コレット２７を同じ半導体チップ１３の真上に位置決めし、吸着コレット２７を下降させて半導体チップ１３を吸着させる。そして、吸着コレット２７を上昇させ、同時に第一の押圧部材２５を上昇させて下方から半導体チップ１３を押圧する。ダイシング溝Ｍ内のダストＤは前述した第二の押圧部材２６による押圧により、除去或いは接着剤層４と粘着剤層３の境界にまたがる状態から分離されるので、半導体チップ１３は剥離の境界線Ｋ（図８（Ｂ）参照）である粘着剤層３と接着剤層４の境界面から良好に剥離し、半導体チップ１３が吸着コレット２７にピックアップされる。
なお、ここでは、一つの半導体チップ１３についてダスト除去のための第二の押圧部材２５による押圧とピックアップとを連続して行う動作例を例示したが、これに限らず、例えば、全ての半導体チップに１３について先にダスト除去のための第二の押圧部材２５による押圧を完了させてから、各半導体チップ１３のピックアップを実行しても良い。
【００３１】
（基板実装工程工程）
ピックアップされた半導体チップ１３は、基板実装工程に搬送され、接着剤などを介して配線基板上に実装され、Ａｕワイヤを介して配線基板の電極と電気的に接続される。
そして、半導体チップが実装され配線基板はモールド樹脂で封止され、パッケージ化されて製造の工程が終了する。
【００３２】
（実施形態の効果）
以上のように、上述した半導体装置の製造方法では、ピックアップ工程において、ダイシング・ダイボンディングフィルム１０から半導体チップを剥離するピックアップ工程の前に、当該半導体チップ１３の周囲のダイシング溝Ｍの四つの頂点位置を下方から押圧することで、ダイシング溝Ｍ内の各部に付着したダストＤが除去され、或いは接着剤層４と粘着剤層３にまたがった状態のダストＤが分離され、その結果、接着剤層４と粘着剤層３の境界で導体チップ１３が剥離する際にダストＤによる阻害が抑止され、ピックアップ作業の成功率が向上する。
【００３３】
（他の実施形態［１］）
ピックアップの方法は、上述のように、第一の押圧手段２５の各ピン２３により半導体チップ１３の中央部を押圧しつつ上方からピックアップを行う方法に限られるものではない。
例えば、図９に示すように、エキスパンドリング８が装着された半導体チップ１３及びダイシング・ダイボンディングフィルム１０を保持し、その下方において、水平面に沿って任意に移動位置決め可能且つ昇降可能な吸着ヘッド３１を備え、半導体チップ１３の上方には図示しない吸着コレットを備えるピックアップ装置３０を使用しても良い。
【００３４】
図１０は吸着ヘッド３１の平面図、図１１は吸着ヘッド３１の垂直面に沿った断面図である。
ピックアップ装置３０の吸着ヘッド３１は内部が真空引きされると共にその上面に吸引口３２が六つ形成されている。
さらに、吸着ヘッド３１の上面には凹部３３が形成されると共に当該凹部３３に嵌合すると共にヘッド上面に沿ってスライド移動することで凹部３３を開閉する可動蓋３４とを備えている。
図１０においてピックアップ対象となる半導体チップ１３に対して吸着ヘッド３１を適正に位置決めした場合における半導体チップ１３の位置を二点差線で示す。図示のように、凹部３２及び可動蓋３４は半導体チップ１３よりも幾分幅が狭く設定されている。そして、各吸引口３２は、凹部３３の外縁部に沿って当該凹部３３のほぼ内側となるように配置されている。
【００３５】
半導体チップ１３のピックアップを行うためにダイシング・ダイボンディングフィルム１０を対象となる半導体チップ１３から剥離させる際には、可動蓋３４を閉じた状態で吸着コレットと吸着ヘッド３１とを半導体チップ１３の真下に位置決めし、吸着コレットと吸着ヘッド３１とにより上下で吸引を行う。可動蓋３４を閉じた状態でも、各吸引口３２は若干開口した状態にあり、これにより吸着ヘッド３１の上面にダイシング・ダイボンディングフィルム１０の背面を吸着する。そして、可動蓋３４を徐々にスライドさせると、図１２に示すように、凹部３３が徐々に開口され、且つ、当該凹部３３の内部空間は吸引口３２により減圧されているので、可動蓋３４の開き量に応じて半導体チップ１３の背面側から剥離させる。なお、接着剤層４及び粘着剤層３は図示を省略しているが、これらの境界が剥離する。そして、可動蓋３４を半導体チップ１３の幅まで開くことで半導体チップ１３の背面全体について剥離を施すことが可能となっている。
【００３６】
また、この吸着ヘッド３０内には、前述した第二の押圧部材２４と同じ構造の押圧部材３５が設けられている。この押圧部材３５も半導体チップ１３の周囲のダイシング溝Ｍにおける四つの交差位置を押圧する四本のピン３６を備え、アクチュエータ３７により上下動を付与される構造となっている。また、吸着ヘッド３１の上面には、図１０に示すように、半導体チップ１３に対して四つの角部に相当する位置に貫通穴３８が形成されており、当該貫通穴３８から押圧部材３５の各ピン３６を突出させることを可能としている。
即ち、吸着ヘッド３１の上面にダイシング・ダイボンディングフィルム１０の背面を吸着させてから可動蓋３４を開く前に、押圧部材３５を上昇させ、各ピン３６により半導体チップ１３の四隅近傍を下方から押圧する。これにより、ダイシング溝Ｍ内のダストＤを除去又は二層３，４をまたがっている状態から分離させる。
そして、可動蓋３４を開くことで半導体チップ１３に対してダイシング・ダイボンディングフィルム１０の粘着剤層３と接着剤層４との剥離を行う。その後、吸着コレットが半導体チップ１３をピックアップして、それ以降は前述と同じ工程が実行される。
【００３７】
（他の実施形態［２］）
ピックアップの方法について、さらに他の実施形態を示す。
前述した図９の例のように、エキスパンドリング８が装着された半導体チップ１３及びダイシング・ダイボンディングフィルム１０を保持し、その下方において、水平面に沿って任意に移動位置決め可能且つ昇降可能な吸着ヘッド４１を備え、半導体チップ１３の上方には図示しない吸着コレットを備えるピックアップ装置４０を使用してピックアップ及びダストＤの除去を行っても良い。
【００３８】
図１３は吸着ヘッド４１の平面図、図１４は吸着ヘッド４１の垂直面に沿った断面図である
ピックアップ装置４０の吸着ヘッド４１は内部が真空引きされると共にその上面に吸引口４２が複数形成されている。
さらに、吸着ヘッド４１は、その上面中央に同心となるように矩形状の突出ブロック４３，４４，４５が設けられている。中心の突出ブロック４３は、四角柱状であり、その外側の突出ブロック４４は、突出ブロック４３の周囲を囲むように四角い枠状に形成されており、さらにその外側の突出ブロック４５は突出ブロック４４を囲むように四角い枠状に形成されている。そして、突出ブロック４５は、ピックアップの対象となる半導体チップ１３とほぼ同じ大きさに設定されている。
これら三つの突出ブロック４３，４４，４５は、それぞれの上端面を揃えた状態で同時に上方に突出を開始し、ある一定の突出量で一番外側の突出ブロック４５が上昇を停止し、さらに上昇して一定の突出量で二番目の突出ブロック４４が停止し、中心の突出ブロック４３が最も突出した状態で停止する。その結果、突出ブロック４３〜４５は、突出状態において、図１４の二点差線に示すように、中央部が最も突出した略ピラミッド状となって突出することが可能となっている。かかる状態で順番に突出動作を行うことにより、半導体チップ１３からダイシング・ダイボンディングフィルム１０（の粘着剤層３と接着剤層４）を剥離させる際に、半導体チップ１３の外側から順番に剥離させることができ、徐々に剥離を促すため、半導体チップの保護を図ることが可能となる。
なお、三つのブロック４３〜４５は、上記順番で動作するのであれば各ブロックごとに上下動させる三つのアクチュエータを装備しても良いし、機械的に連動するよう各ブロック間に連動構造を施しても良い。
【００３９】
また、この吸着ヘッド４１には、前述した各押圧部材２４，３５と同様にダストＤの処理を行うための押圧部材４６が設けられている。この押圧部材４６は、半導体チップ１３の周囲を囲むダイシング溝Ｍの矩形状の範囲全体を押圧する四角形状の枠体であり、図示しないアクチュエータにより上下動を付与される構造となっている。
この矩形枠状の押圧部材４６は、その内側に前述した突出ブロック４３〜４５を擁し、これらのブロック４３〜４５を囲むように吸着ヘッド４１に配置されている。
即ち、ヘッド４１内を真空状態とし、吸着ヘッド４１の上面にダイシング・ダイボンディングフィルム１０の背面を吸着させてから各突出ブロック４３〜４５の上昇動作を開始する前に、押圧部材４６のみを上昇させ、半導体チップ１３の周囲を下方から押圧する。これにより、ダイシング溝Ｍ内のダストＤを除去又は二層３，４をまたがっている状態から分離させる。
そして、前述した通りに各突出ブロック４３〜４５を上昇させ、半導体チップ１３に対してダイシング・ダイボンディングフィルム１０の粘着剤層３と接着剤層４との剥離を行う。その後、吸着コレットが半導体チップ１３をピックアップして、それ以降は前述と同じ工程が実行される。
なお、上述のように、押圧部材４６は各突出ブロック４３〜４５とは別に動作を行うので、これらとは別に独立した駆動源を設ける必要がある。
【００４０】
（その他）
なお、前述した各実施形態では、ダイシングのダストＤの処理を行うための押圧部材２４，３５，４６について、いずれもピックアップ装置に搭載する例を例示したが、これに限るものではない。つまり、ピックアップ装置とは別にダストＤの処理を行うための専用の処理装置を独立して設け、当該処理装置でダストＤの処理を行ってから、ピックアップ装置にダイシング・ダイボンディングフィルム１０及び半導体チップ１３を搬送し、ピックアップ動作を行うように構成しても良い。
【００４１】
また、前述した押圧部材２４，３５，４６は、いずれも一つの半導体チップ１３についてダストＤの処理を行っているが、図１５（Ａ）の平面図に示す押圧部材５１の例のように、隣接する複数（ここでは四つを例示）の半導体チップ１３について同時にその周囲のダイシング溝の交点位置を押圧可能なピン５２を備える構成としても良い。
また、図１５（Ｂ）の平面図に示す押圧部材５３の例のように、隣接する複数（ここでは四つを例示）の半導体チップ１３について同時にその周囲のダイシング溝の全体を押圧可能な枠状とする構成としても良い。
【００４２】
また、ダスト処理を行うための押圧部材を一つのピンで構成し、図１６に示す例のように、対象となる半導体チップ１３の周囲のダイシング溝に沿って押圧位置を移動させ、矩形状になぞるようにして押圧しても良い。
【００４３】
（実施例）
次に、各種のダイシング・ダイボンディングフィルムを用いて半導体チップのピックアップ及び事前の半導体チップ周囲の押圧を行った場合の各実施例１〜５と、各実施形態１〜５と条件を等しくしつつ半導体チップ周囲の押圧を行わなかった比較例１〜５とについて、ピックアップの成功率の比較試験を行った。
当該比較試験の結果について、以下に説明する。
【００４４】
【表１】
2011216529.tif 000003
上記比較試験の適用条件は、上記の表１に示す通りである。
また、表１の接着剤層、粘着剤層、中間樹脂層の種別については以下の通りである。
【００４５】
〔接着剤層のエポキシ系(1)〕
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１２００、軟化点７０℃）５０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径16nmのシリカフィラー３０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、更にビーズミルを用いて９０分混練した。
これにアクリル樹脂（質量平均分子量：８０万、ガラス転移温度−１７℃）１００質量部、６官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート５部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体０．５部、キュアゾール２ＰＺ（四国化成（株）製、商品名：２−フェニルイミダゾール）２．５部を加え、撹拌混合し、真空脱気し、接着剤を得た。
接着剤を厚さ２５μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に乾燥後の厚さが表１に示す厚さとなるように塗布し、１１０℃で１分間加熱乾燥して、接着フィルムを作製した。
【００４６】
〔接着剤層のエポキシ系(2)〕
エポキシ樹脂としてＥＰ−４９−２３（（株）ＡＤＥＫＡ製商品名、キレート変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１７５ｇ／ｅｑ）５０質量部、フェノール樹脂としてミレックスＸＬＣ−ＬＬ（三井化学（株）製商品名、水酸基当量１７５ｇ／ｅｑ、吸水率１．８％、３５０℃における加熱重量減少率４％）５０質量部、硬化促進剤としてキュアゾール２ＰＺ（四国化成（株）製商品名、２−フェニルイミダゾール）０．４質量部、アクリル樹脂は、ＳＧ−７０８−６（ナガセケムテックス（株）製商品名、重量平均分子量７０万、ガラス転移温度６℃）２００質量部からなる接着剤組成物に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合して接着剤ワニスを作製した。作製した接着剤組成物の接着剤ワニスを離型フィルム上に、乾燥後の厚さが２０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させ、接着フィルムを作製した。
【００４７】
〔粘着剤層(1)〕
溶媒のトルエン４００ｇ中に、ｎ−ブチルアクリレート１２８ｇ、２−エチルヘキシルアクリレート３０７ｇ、メチルメタアクリレート６７ｇ、メタクリル酸１．５ｇ、重合開始剤としてベンゾイルペルオキシドの混合液を、適宜、滴下量を調整し、反応温度および反応時間を調整し、官能基をもつ化合物(1)の溶液を得た。
次にこのポリマー溶液に、放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（２）として、別にメタクリル酸とエチレングリコールから合成した２−ヒドロキシエチルメタクリレート２．５ｇ、重合禁止剤としてハイドロキノンを適宜滴下量を調整して加え反応温度および反応時間を調整して、放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）の溶液を得た。続いて、化合物（Ａ）溶液中の化合物（Ａ）１００質量部に対してポリイソシアネート（Ｂ）として日本ポリウレタン社製：コロネートＬを１質量部を加え、光重合開始剤として日本チバガイギー社製：イルガキュアー１８４を０．５質量部、溶媒として酢酸エチル１５０質量部を化合物（Ａ）溶液に加えて混合して、放射線硬化性の粘着剤組成物を得た。
【００４８】
〔中間樹脂層(1)〕
アクリル樹脂（質量平均分子量：６０万、ガラス転移温度−２０℃）１００質量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物（日本ポリウレタン（株）製、商品名：コロネートＬ）１０質量部を混合して中間樹脂層組成物を得た。
【００４９】
基材フィルムとして、厚さ１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムに、中間樹脂層組成物を乾燥膜厚が１０μｍとなるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥し、さらに粘着剤層組成物を乾燥膜厚が１０μｍとなるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥し、粘着テープを作製した。中間樹脂層がないものについては、基材フィルムに直接粘着剤層組成物を塗工し乾燥させた。粘着テープの粘着剤層上に接着フィルムを貼合し、表１示す実施例１〜５及び比較例１〜５に係るダイシング・ダイボンディングフィルムを得た。
【００５０】
また、実施例１〜５及び比較例１〜５について、ピックアップの方式を図４，１２，１４のそれぞれの方式を用いた場合で試験を行った。実施例１〜４および比較例１〜４は、図１２、図１４の方式のみピックアップ試験を行った。ピックアップには、５μｍ以上のダストが１個あたり表２にそれぞれ示す個数付着しているチップを用いた。
そして、比較試験の結果を下記の表２に示す。なお、それぞれのピックアップ方式において、図６に示すように四本のピンで押圧した場合、四角形の枠上のピンで押圧した場合、および１本のピンでチップの周囲をダイシング溝に沿って押圧位置を移動させて押圧した場合のそれぞれについてピックアップ試験を行ったが、全て同じ結果となったため、表２にはまとめて示した。
【００５１】
【表２】
2011216529.tif 000004
【００５２】
表２に示すように、比較例１〜４は、半導体チップの周囲に対する事前の押圧を行わない以外の点については同一の条件でピックアップを行ったが、ピックアップ方式を問わず、ほとんどがピックアップを良好に行うことができなかった。
また、実施例５及び比較例５は、図１２，１４の方式では、いずれも高いピックアップの成功率を得ることができたが、図４の方式では、比較例５はピックアップをおこなうことができなかった。
【符号の説明】
【００５３】
１  基材フィルム
２  中間樹脂層
３  粘着剤層
４  接着剤層
１０  ダイシング・ダイボンディングフィルム（ウエハ加工用テープ）
１１  半導体ウエハ
１３  半導体チップ
２０，３０，４０  ピックアップ装置
２４，５２  ピン
２６  第二の押圧部材
３５，４６，５１，５３  押圧部材
３６  ピン
Ｄ  ダスト
Ｍ  ダイシング溝
【図１】
2011216529.tif 000005
【図２】
2011216529.tif 000006
【図３】
2011216529.tif 000007
【図４】
2011216529.tif 000008
【図５】
2011216529.tif 000009
【図６】
2011216529.tif 000010
【図７】
2011216529.tif 000011
【図８】
2011216529.tif 000012
【図９】
2011216529.tif 000013
【図１０】
2011216529.tif 000014
【図１１】
2011216529.tif 000015
【図１２】
2011216529.tif 000016
【図１３】
2011216529.tif 000017
【図１４】
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【図１５】
2011216529.tif 000019
【図１６】
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【図１７】
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