(57)【要約】【課題】電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際のリフロー工程において、加熱により電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を外部へ抜けやすくすること。【解決手段】電子回路モジュール部品１は、電子部品２と、基板３と、第１樹脂４と、第２樹脂９と、金属層５と、開口部５Ｈと、を含む。基板３は、電子部品２が実装されたものである。第１樹脂４は、空隙を有し、かつ電子部品２の少なくとも一部と接する。第２樹脂９は、第１樹脂４の表面を覆い、かつ第１樹脂４よりも空隙率が低い。金属層５は、第１樹脂４及び第２樹脂９を被覆し、かつ基板３のグランド８と電気的に接続される。開口部５Ｈは、金属層５に設けられ、かつ第１樹脂４の一部を少なくとも金属層５の外部に対して露出させる。【選択図】図１
2011216849.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と、
当該電子部品が実装された基板と、
空隙を有し、前記電子部品の少なくとも一部と接する第１樹脂と、
当該第１樹脂を覆い、かつ当該第１樹脂よりも空隙率の低い第２樹脂と、
前記第１樹脂及び前記第２樹脂を被覆し、かつ前記基板のグランドと電気的に接続された金属層と、
当該金属層に設けられ、かつ前記第１樹脂の一部を少なくとも前記金属層の外部に対して露出させる開口部と、
を含むことを特徴とする電子回路モジュール部品。
【請求項２】
前記金属層に設けられる前記開口部は１個である請求項１に記載の電子回路モジュール部品。
【請求項３】
前記電子回路モジュール部品は、平面視が四角形であり、前記開口部は、前記電子回路モジュール部品の一辺の全体にわたって開口する請求項１又は２に記載の電子回路モジュール部品。
【請求項４】
前記第１樹脂の空隙率は、１体積％以上５０体積％以下である請求項１から３のいずれか１項に記載の電子回路モジュール部品。
【請求項５】
基板上に電子部品を実装する工程と、
前記電子部品が実装された前記基板上に、前記電子部品の少なくとも一部と接するように第１樹脂を設ける工程と、
前記第１樹脂を第２樹脂で覆う被覆工程と、
一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りの少なくとも一部を前記基板の途中まで切断し、残りの部分を前記第２樹脂の層の途中まで切断する工程と、
前記第１樹脂及び前記第２樹脂の表面に金属層を形成する工程と、
前記一つの電子回路モジュール部品の周りを前記基板まで切断する工程と、
を含むことを特徴とする電子回路モジュール部品の製造方法。
【請求項６】
基板上に電子部品を実装する工程と、
前記電子部品が実装された前記基板上に、前記電子部品の少なくとも一部と接するように第１樹脂を設ける工程と、
前記第１樹脂を第２樹脂で覆う被覆工程と、
一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りの少なくとも一部を前記基板の途中まで切断し、残りの部分を前記第１樹脂の層の途中まで切断する工程と、
前記第１樹脂及び前記第２樹脂の表面に金属層を形成する工程と、
前記一つの電子回路モジュール部品の周りを前記基板まで切断する工程と、
を含むことを特徴とする電子回路モジュール部品の製造方法。
【請求項７】
基板上に電子部品を実装する工程と、
前記電子部品が実装された前記基板上に、前記電子部品の少なくとも一部と接するように第１樹脂を設ける工程と、
前記第１樹脂を第２樹脂で覆う被覆工程と、
一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りの一部を前記基板まで切断する工程と、
前記第１樹脂及び前記第２樹脂の表面に金属層を形成する工程と、
前記一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りをすべて前記基板まで切断する工程と、
を含むことを特徴とする電子回路モジュール部品の製造方法。
【請求項８】
前記一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りの一部を前記基板まで切断する前に、前記基板の前記第１樹脂及び前記第２樹脂が設けられた側とは反対側に、基材を取り付ける工程を含む請求項７に記載の電子回路モジュール部品の製造方法。
【請求項９】
さらに、周りがすべて前記基板まで切断された後における前記一つの電子回路モジュール部品の切断面に現れた前記第１樹脂の少なくとも一部を残して前記切断面を導電層で覆う工程を含む請求項７又は８に記載の電子回路モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を覆った絶縁樹脂の表面に金属層が形成された電子回路モジュール部品及び電子回路モジュール部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子回路モジュール部品は、複数の電子部品、例えば、受動素子や能動素子、あるいはＩＣ（Integrated Circuit）等を基板に実装して、一つあるいは複数の機能を持ったひとまとまりの電子部品としたものである。例えば、特許文献１には、絶縁材からなる封止樹脂部で電子部品の全体を覆い、この電子部品を埋設した状態で、多層基板の上面全体に設けられるとともに、メッキ等によって形成された金属膜が、封止樹脂部の上面部の全面と、封止樹脂部の互いに対向する１対の側面部の全面と、多層基板の上面から積層間の接地用パターンまでの間に位置する多層基板の互いに対向する１対の側面の全面に設けられている電子回路ユニットが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３３２２５５号公報［００４０］〜［００４２］、図４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電子回路モジュール部品は、絶縁樹脂で基板に実装された電子部品を覆うが、電子回路モジュール部品の製造工程や保管環境によっては、絶縁樹脂あるいは実装された基板及び電子モジュールの内部に水分が浸入することがある。この水分は、電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際のリフロー工程で加熱されることによって蒸発し、膨張する。特許文献１に開示された技術は、絶縁樹脂の全面にシールド層として金属層が形成されているので、リフロー時の加熱によって発生する水蒸気等の気体が絶縁樹脂から抜けにくく、絶縁樹脂あるいは実装された基板に割れが発生したり、電子回路モジュール部品の変形等が発生したりするおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、電子回路モジュール部品の絶縁樹脂の表面をシールド層で被覆したものにおいて、電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際のリフロー工程において、加熱により電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を外部へ抜けやすくすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る電子回路モジュール部品は、電子部品と、当該電子部品が実装された基板と、空隙を有し、前記電子部品の少なくとも一部と接する第１樹脂と、当該第１樹脂を覆い、かつ当該第１樹脂よりも空隙率の低い第２樹脂と、前記第１樹脂及び前記第２樹脂を被覆し、かつ前記基板のグランドと電気的に接続された金属層と、当該金属層に設けられ、かつ前記第１樹脂の一部を少なくとも前記金属層の外部に対して露出させる開口部と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
この電子回路モジュール部品は、空隙を有する第１樹脂が電子部品の少なくとも一部に接するとともに、第１樹脂の少なくとも一部を金属層の外部に対して露出させる開口部を有する。このような構造により、電子部品の少なくとも一部は、第１樹脂を介して開口部とつながるため、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体は、第１樹脂の空隙を通って開口部から電子回路モジュール部品の外部へ速やかに放出される。このように、この電子回路モジュール部品は、電子機器に実装される際のリフロー工程において、加熱により内部で発生した水蒸気等の気体が外部へ抜けやすくなる。その結果、電子回路モジュール部品が金属層を有している場合でも、実装時の加熱による部品内部の圧力の上昇が抑制されるので、第１樹脂又は第２樹脂の割れや電子回路モジュール部品が変形するおそれを低減できる。
【０００８】
本発明の望ましい態様としては、前記開口部は、前記第１樹脂の一部とともに、前記第２樹脂の一部を前記金属層の外部に対して露出させることが好ましい。第１樹脂は空隙率が第２樹脂よりも高いため、第２樹脂よりも強度は低く、切削によって削り過ぎるおそれもある。この構成により、電子回路モジュール部品の製造工程においては、開口部を形成するために、金属層を形成する前において第１樹脂の途中まで切断する必要はない。その結果、第１樹脂を余分に削ってしまうことを回避できるので、開口部を確実に形成できる。
【０００９】
本発明の望ましい態様としては、前記開口部は、前記第１樹脂の一部のみを前記金属層の外部に対して露出させることが好ましい。この構造により、開口部の高さ（電子回路モジュール部品の基板の板面と直交する方向の寸法）を抑制できる。
【００１０】
本発明の望ましい態様としては、前記金属層に設けられる前記開口部は１個であることが好ましい。この構造により、金属層による電磁波の遮蔽機能の低下を最小限に抑制しつつ、加熱により電子回路モジュール部品の内部で発生した気体を効率的に外部へ放出させることができる。
【００１１】
本発明の望ましい態様としては、前記電子回路モジュール部品は、平面視が四角形であり、前記開口部は、前記電子回路モジュール部品の一辺の全体にわたって開口することが好ましい。この構造により、電子回路モジュール部品の内部の気体は、電子回路モジュール部品の一辺の全域から効率的に放出される。
【００１２】
本発明の望ましい態様としては、前記第１樹脂の空隙率は、１体積％以上５０体積％以下であることが好ましい。この構成により、絶縁樹脂の内部で発生する気体をより抜けやすくすることができるとともに、第１樹脂の強度も確保できる。
【００１３】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る電子回路モジュール部品の製造方法は、基板上に電子部品を実装する工程と、前記電子部品が実装された前記基板上に、前記電子部品の少なくとも一部と接するように第１樹脂を設ける工程と、前記第１樹脂を第２樹脂で覆う被覆工程と、一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りの少なくとも一部を前記基板の途中まで切断し、残りの部分を前記第２樹脂の層の途中まで切断する工程と、前記第１樹脂及び前記第２樹脂の表面に金属層を形成する工程と、前記一つの電子回路モジュール部品の周りを前記基板まで切断する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
この電子回路モジュール部品の製造方法により、開口部に第１樹脂の一部と、第２樹脂の一部とが露出した電子回路モジュール部品を製造できる。また、開口部を形成するために、金属層を形成する前に第１樹脂の途中まで切断する必要はない。その結果、第１樹脂を余分に削ってしまうことを回避できるので、開口部を確実に形成できる。
【００１５】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る電子回路モジュール部品の製造方法は、基板上に電子部品を実装する工程と、前記電子部品が実装された前記基板上に、前記電子部品の少なくとも一部と接するように第１樹脂を設ける工程と、前記第１樹脂を第２樹脂で覆う被覆工程と、一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りの少なくとも一部を前記基板の途中まで切断し、残りの部分を前記第１樹脂の層の途中まで切断する工程と、前記第１樹脂及び前記第２樹脂の表面に金属層を形成する工程と、前記一つの電子回路モジュール部品の周りを前記基板まで切断する工程と、を含むことを特徴とする。この電子回路モジュール部品の製造方法により、開口部に第１樹脂の一部のみが露出した電子回路モジュール部品を製造できる。
【００１６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る電子回路モジュール部品の製造方法は、基板上に電子部品を実装する工程と、前記電子部品が実装された前記基板上に、前記電子部品の少なくとも一部と接するように第１樹脂を設ける工程と、前記第１樹脂を第２樹脂で覆う被覆工程と、一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りの一部を前記基板まで切断する工程と、前記第１樹脂及び前記第２樹脂の表面に金属層を形成する工程と、前記一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りをすべて前記基板まで切断する工程と、を含むことを特徴とする。この電子回路モジュール部品の製造方法は、開口部全面に第１樹脂及び第２樹脂が露出した電子回路モジュール部品を製造できる。
【００１７】
本発明の望ましい態様としては、前記一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りの一部を前記基板まで切断する前に、前記基板の前記第１樹脂及び前記第２樹脂が設けられた側とは反対側に、基材を取り付ける工程を含むことが好ましい。このようにすれば、一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りを基板まで切断しても、これらが分離されることはないので、電子回路モジュール部品の製造工程における中間部品（一つの電子回路モジュール部品が完成する前の部品）の取り扱いが容易になる。
【００１８】
本発明の望ましい態様としては、さらに、周りがすべて前記基板まで切断された後における前記一つの電子回路モジュール部品の切断面に現れた前記第１樹脂の少なくとも一部を残して前記切断面を導電層で覆う工程を含むことが好ましい。このようにすれば、電磁気のシールド性能を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明は、電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際のリフロー工程において、加熱により電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の気体を外部へ抜けやすくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の断面図である。
【図２】図２は、図１の矢印Ａ方向から本実施形態に係る電子回路モジュール部品を見た正面図である。
【図３】図３は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品が有する第１樹脂の概念図である。
【図４】図４は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の断面図である。
【図５】図５は、図４の矢印Ａ方向から本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品を見た正面図である。
【図６】図６は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品を基板に取り付けた状態を示す側面図である。
【図７】図７は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品を、基板と平行な面で切った状態を示す平面図である。
【図８】図８は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品の斜視図である。
【図９】図９は、第１樹脂と電子部品との関係を示す図である。
【図１０】図１０は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品が有する開口部の配置例を示す平面図である。
【図１１】図１１は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品が有する開口部の配置例を示す平面図である。
【図１２】図１２は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品が有する他の開口部の例を示す側面図である。
【図１３】図１３は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法を示すフローチャートである。
【図１４−１】図１４−１は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１４−２】図１４−２は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１４−３】図１４−３は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１４−４】図１４−４は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１４−５】図１４−５は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１４−６】図１４−６は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１５】図１５は、電子部品を実装した基板を第１樹脂及び第２樹脂で覆った後における切断位置を示す平面図である。
【図１６−１】図１６−１は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１６−２】図１６−２は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１６−３】図１６−３は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。
【図１７】図１７は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の変形例を示すフローチャートである。
【図１８−１】図１８−１は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の変形例を説明するための図である。
【図１８−２】図１８−２は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の変形例を説明するための図である。
【図１８−３】図１８−３は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の変形例を説明するための図である。
【図１８−４】図１８−４は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の変形例を説明するための図である。
【図１８−５】図１８−５は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の変形例を説明するための図である。
【図１８−６】図１８−６は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の変形例を説明するための図である。
【図１９−１】図１９−１は、電子部品を実装した基板を第１樹脂及び第２樹脂で覆った後における切断位置を示す平面図である。
【図１９−２】図１９−２は、電子部品を実装した基板を第１樹脂及び第２樹脂で覆った後における切断位置を示す平面図である。
【図２０−１】図２０−１は、電子部品を実装した基板を第１樹脂及び第２樹脂で覆った後における切断位置を示す平面図である。
【図２０−２】図２０−２は、電子部品を実装した基板を第１樹脂及び第２樹脂で覆った後における切断位置を示す平面図である。
【図２１−１】図２１−１は、電子部品を実装した基板を第１樹脂及び第２樹脂で覆った後における切断位置を示す平面図である。
【図２１−２】図２１−２は、電子部品を実装した基板を第１樹脂及び第２樹脂で覆った後における切断位置を示す平面図である。
【図２２】図２２は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の変形例によって製造された電子回路モジュール部品の開口部に導電層を設けた例を示す一部断面図である。
【図２３】図２３は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の変形例によって製造された電子回路モジュール部品の開口部に導電層を設けた例を示す一部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態は、本発明を限定するものではない。また、下記の実施形態で開示された構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
【００２２】
図１は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の断面図である。図２は、図１の矢印Ａ方向から本実施形態に係る電子回路モジュール部品を見た正面図である。図３は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品が有する第１樹脂の概念図である。図１に示すように、電子回路モジュール部品１は、複数の電子部品２を基板３に実装して、一つあるいは複数の機能を持ったひとまとまりの機能を持つ電子部品としたものである。電子部品２は、基板３の表面に実装されたり、基板３の内部に実装されたりする。本実施形態において、電子回路モジュール部品１を構成する電子部品２としては、例えば、コイル又はコンデンサ又は抵抗等の受動素子、及びダイオード又はトランジスタ等の能動素子がある。電子部品２は、これらに限定されるものではない。
【００２３】
図１に示すように、電子回路モジュール部品１は、電子部品２と、基板３と、第１樹脂４と、第２樹脂９と、金属層５と、開口部５Ｈと、を含む。基板３は、電子部品２が実装されたものである。電子部品２は、はんだ６によって基板３の実装面（電子部品２が実装される面）に実装される。基板３は、第１基板３Ａと第２基板３Ｂとの間にグランド８を有している。グランド８は、例えば、Ｃｕ等の電気の良導体であり、基板３の実装面に設けられた、電子部品２の端子と接続される端子と、ビアホール等によって電気的に接続される。また、実装面にグランド端子を有する場合、グランド８は、そのグランド端子と、ビアホール等によって電気的に接続される。基板３は、前記実装面の反対側に、端子電極（モジュール端子電極）７を有する。モジュール端子電極７は、電子回路モジュール部品１が備える電子部品２と電気的に接続される。また、前記実装面の反対側にグランド端子を有する場合、そのグランド端子とグランド８とは電気的に接続される。また、基板３は、少なくとも表面に回路パターンを有しており、必要に応じて基板３の内部（例えば、第１基板３Ａと第２基板３Ｂとの間）にも回路パターンを有している。
【００２４】
第１樹脂４は、電子部品２の少なくとも一部と接する。図３に示すように、第１樹脂４は、樹脂４Ｍに空隙４Ｈを有する。第２樹脂９は、第１樹脂４の表面を覆い、かつ第１樹脂４よりも空隙率が低い。前記空隙率は、単位体積あたりに存在する空隙の体積の割合（体積％）である。第２樹脂９の空隙率を第１樹脂４よりも低くすることにより、第２樹脂９は第１樹脂４よりも強固になる。このような第２樹脂９によって、電子部品２を第１樹脂４とともに基板３へ封止して、電子回路モジュール部品１の十分な強度を確保する。第２樹脂９の空隙率は０体積％であってもよい。
【００２５】
第１樹脂４及び第２樹脂９は、電気絶縁性を有する絶縁樹脂であり、電子部品２を基板３上に封止する機能を有する。第１樹脂４及び第２樹脂９は、例えば、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂であるが、これに限定されない）にフィラー（例えば、シリカやアルミナ）を添加して硬化させることにより、フィラー同士の隙間の一部に前記熱硬化性樹脂が配合されて空隙が形成される。
【００２６】
金属層５は、第１樹脂４及び第２樹脂９を被覆し、かつ基板３のグランド８と電気的に接続される。本実施形態において、金属層５は導電材料（導電性を有する材料であり、本実施形態では金属）の薄膜である。本実施形態では、金属層５は単数の導電材料で構成されてもよいし、複数の導電材料の層で構成されてもよい。金属層５は、例えば、めっきによって形成される。金属層５は、第１樹脂４及び第２樹脂９の表面を被覆することにより、第１樹脂４及び第２樹脂９に封入された電子部品２を、電子回路モジュール部品１の外部からの高周波ノイズや電磁波ノイズ等を遮蔽したり、電子部品２から放射される高周波ノイズや電磁波ノイズ等を遮蔽したりする。このように、金属層５は、電磁気シールドとして機能する。金属層５を電磁気シールドとして用いることにより、板金部材を電磁気シールドとした場合と比較して、電子回路モジュール部品１の外形をより小さくできる。
【００２７】
開口部５Ｈは、金属層５に設けられ、かつ第１樹脂４の一部を少なくとも金属層５の外部、すなわち、電子回路モジュール部品１の外部に対して露出させる。図１、図２に示すように、本実施形態において、開口部５Ｈは、第１樹脂４の一部及び第２樹脂９の一部を金属層５の外部に対して露出させる。後述するように、開口部５Ｈは、第１樹脂４の一部のみを金属層５の外部に対して露出させてもよい。開口部５Ｈは、平面視が矩形の形状であり、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形である電子回路モジュール部品１の一辺の全体にわたって開口している。電子回路モジュール部品１の平面視とは、電子回路モジュール部品１の基板３の板面と直交する方向から電子回路モジュール部品１を見た場合をいう。
【００２８】
電子回路モジュール部品１の平面視の形状は四角形であればよく、長方形あるいは正方形に限定されるものではない。例えば、台形や菱形等であってもよい（以下同様）。また、開口部５Ｈの形状は矩形に限定されるものではない。金属層５の厚さをｔとし、開口部５Ｈが設けられる電子回路モジュール部品１の一辺の長さをＬ１とし、開口部５Ｈの長辺側の長さをＬ２とすると、Ｌ１＝Ｌ２＋２×ｔとなる。開口部５Ｈの高さ（基板３と直交する方向における開口部５Ｈの寸法）はｈであり、金属層５が電磁波を遮蔽する能力に応じて設定される。
【００２９】
図４は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の断面図である。図５は、図４の矢印Ａ方向から本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品を見た正面図である。電子回路モジュール部品１ａは、上述した電子回路モジュール部品１と略同様であるが、開口部５Ｈａは、第１樹脂４の一部のみを金属層５ａの外部に対して露出させる点が異なる。他の構成は電子回路モジュール部品１と同様である。
【００３０】
図４に示すように、電子回路モジュール部品１ａの開口部５Ｈａは、電子回路モジュール部品１ａの高さ方向において、第１樹脂４と一部が重なっている。このような構造により、開口部５Ｈａは、第１樹脂４の一部のみを金属層５ａの外部に対して露出させる。開口部５Ｈａの高さｈは、図２に示す電子回路モジュール部品１の開口部５Ｈよりも小さくしてある。このため、電子回路モジュール部品１ａは、金属層５ａが第１樹脂４及び第２樹脂９を覆う面積を、上述した電子回路モジュール部品１よりも大きくできる。すなわち、電子回路モジュール部品１ａは、開口部５Ｈａの大きさを、上述した電子回路モジュール部品１よりも小さくできる。その結果、電子回路モジュール部品１ａは、金属層５ａの遮蔽機能を向上させやすくなる。
【００３１】
図６は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品を基板に取り付けた状態を示す側面図である。電子回路モジュール部品１、１ａは、電子回路モジュール部品１、１ａが取り付けられる基板（電子機器が備える基板であり、以下、実装基板という）１０の端子電極（実装基板端子電極）１１とはんだ６によって接合される。なお、電子回路モジュール部品１、１ａと実装基板端子電極１１とを接合する材料ははんだに限定されるものではない。例えば、導電性ペーストや導電性接着剤等を用いて電子回路モジュール部品１、１ａと実装基板端子電極１１とを接合してもよい。このような構造で、電子回路モジュール部品１、１ａは、実装基板１０に取り付けられる。そして、電子部品２と実装基板１０との間で電気信号や電力をやり取りする。
【００３２】
図６に示す実装基板１０は、電子回路モジュール部品１、１ａが実装される基板であり、例えば、電子機器（車載電子機器、携帯電子機器等）に搭載される。電子回路モジュール部品１、１ａは、電子機器の実装基板に実装されて（二次実装）、電子機器の機能を発揮させる部品の一つとなる。実装基板１０に電子回路モジュール部品１、１ａを実装する場合、例えば、実装基板端子電極１１にはんだ６を含むはんだペーストを印刷等により塗布し、実装装置を用いて電子回路モジュール部品１、１ａを実装基板１０に搭載する。そして、電子回路モジュール部品１、１ａが搭載された実装基板１０をリフロー炉に通炉して、モジュール端子電極７と実装基板端子電極１１とが接合される。これによって、電子回路モジュール部品１、１ａが実装基板１０に実装される。
【００３３】
電子回路モジュール部品１、１ａは、電子部品２を基板３に実装するときや電子回路モジュール部品１が保管されている期間や環境によって、第１樹脂４及び第２樹脂９（以下、必要に応じて絶縁樹脂という）の内部に水分が浸入することがある。例えば、基板３が樹脂基板の場合は、絶縁樹脂及び基板３の表面、及び絶縁樹脂と基板３との接触界面から水分が浸入するが、セラミックス等の無機材料を基板３に用いた場合は、主に絶縁樹脂、及び絶縁樹脂と基板３との接触界面から水分が浸入する。このため、電子回路モジュール部品１、１ａを実装基板１０に実装する際のリフローにより、電子回路モジュール部品１、１ａ内部に浸入した水分が蒸発して水蒸気（気体）が発生することがある。
【００３４】
電子回路モジュール部品１、１ａは、金属層５が絶縁樹脂の表面を被覆しているために、蒸発した水分が絶縁樹脂から抜けにくくなる。このため、電子回路モジュール部品１、１ａは、電子回路モジュール部品１、１ａの内部の圧力（以下、部品内圧という）が上昇する。その結果、絶縁樹脂に割れ等が発生したり、電子回路モジュール部品１、１ａに変形が生じたりするおそれがある。絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１、１ａが変形するおそれを抑制するために、本実施形態及びその変形例では、金属層５、５ａに開口部５Ｈ、５Ｈａを設けて、リフロー時の加熱によって蒸発し、膨張した水分（水蒸気であり気体）を、電子回路モジュール部品１、１ａから抜けやすくして、電子回路モジュール部品１、１ａの内圧の上昇を抑制する。
【００３５】
図７は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品を、基板と平行な面で切った状態を示す平面図である。図８は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品の斜視図である。電子回路モジュール部品１、１ａは、複数の電子部品２を有している。第１樹脂４は、複数の電子部品２の少なくとも一部と接している。本実施形態及びその変形例では、図１、図４に示すように、第１樹脂４がすべての電子部品２を覆っており、すべての電子部品２の頂部の全体に第１樹脂４が接している。さらに、図１、図４、図７に示すように、第１樹脂４は、すべての電子部品２の側部全体に接している。このような構成のため、電子回路モジュール部品１、１ａは、第１樹脂４が電子部品２の基板対向面を除いた表面と接し、かつ、第１樹脂４がすべての電子部品２と接している。第１樹脂４は、少なくとも一部が開口部５Ｈ、５Ｈａの位置で金属層５、５ａの外部に露出している。このため、すべての電子部品２の少なくとも一部は、第１樹脂４を介して開口部５Ｈ、５Ｈａとつながっている。
【００３６】
第１樹脂４は、空隙を有しているため、気体が通過しやすい。このため、上述した構造を採用することにより、リフロー時の加熱によって電子回路モジュール部品１、１ａの内部で発生した水蒸気等の気体Ｖは、図３に示す第１樹脂４の空隙４Ｈを通って開口部５Ｈ、５Ｈａから電子回路モジュール部品１、１ａの外部へ速やかに放出される。その結果、電子回路モジュール部品１、１ａが金属層５を有している場合でも、リフロー時における部品内圧の上昇が抑制されるので、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１、１ａが変形するおそれを効果的に抑制できる。このように、本実施形態及びその変形例によれば、電子回路モジュール部品１、１ａの不良の発生を抑制できる。また、本実施形態及びその変形例によれば、電子回路モジュール部品１、１ａの不具合の発生を効果的に抑制して品質を維持できるので、電子回路モジュール部品１、１ａの機能を十分に発揮させることができる。
【００３７】
電子回路モジュール部品１、１ａの開口部５Ｈ、５Ｈａは、平面視が長方形又は正方形である電子回路モジュール部品１、１ａの一辺の全体にわたって開口している。このため、電子回路モジュール部品１、１ａの内部の気体Ｖは、電子回路モジュール部品１、１ａの一辺全域から電子回路モジュール部品１、１ａの外部へ放出される。その結果、開口部５Ｈ、５Ｈａは、電子回路モジュール部品１、１ａで発生した気体を効率的に外部へ放出させることができるので、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１、１ａの変形のおそれを確実に回避できる。
【００３８】
開口部５Ｈ、５Ｈａの高さｈが小さくなると、金属層５、５ａによる電磁波ノイズの遮蔽機能の低下は大きくなる。電子回路モジュール部品１、１ａの一辺の全体にわたって開口部５Ｈ、５Ｈａを設けることにより、開口部５Ｈ、５Ｈａの高さｈの増加を抑制しつつ、開口部５Ｈ、５Ｈａの面積を確保することができる。したがって、開口部５Ｈ、５Ｈａを電子回路モジュール部品１、１ａの一辺の全体にわたって設けるようにすれば、開口部５Ｈ、５Ｈａの高さｈを抑制できるので、電磁波の遮蔽機能を確保しつつ、開口部５Ｈ、５Ｈａは効率的に気体を放出することができる。
【００３９】
第１樹脂４は空隙を有しているため、第２樹脂９と比較して強度がやや低くなる。図２に示す開口部５Ｈのように、第１樹脂４の一部と第２樹脂９の一部との両方を金属層５の外部に露出させる場合、後述するように、電子回路モジュール部品１、１ａの製造工程において有利である。また、第１樹脂４の厚さ（基板３と直交する方向の寸法）は第２樹脂９の厚さよりも小さいので、図４に示す開口部５Ｈａのように、第１樹脂４の一部のみを金属層５ａの外部に露出させると、開口部５Ｈａの高さｈが小さくなる。その結果、金属層５ａは電磁波をより効果的に遮蔽できる。また、開口部５Ｈ、５Ｈａの長辺側の長さが同じであれば、第１樹脂４から浸入する水分の量も抑制できる。
【００４０】
第１樹脂４が有する空隙４Ｈは、例えば、第１樹脂４の基材となる樹脂にフィラーを添加して硬化させることにより、フィラー同士の隙間に樹脂が配合されて形成される。空隙率が１体積％を下回ると、電子回路モジュール部品１、１ａ内で発生した気体が第１樹脂４内を移動する速度が低下するため、部品内圧の上昇を効率よく抑制できなくなるおそれがある。また、第１樹脂４の空隙率が５０体積％を上回ると、第１樹脂４の強度が低下し、割れ等を生じやすくなるおそれがある。したがって、第１樹脂４の空隙率は１体積％以上５０体積％以下が好ましい。このようにすれば、第１樹脂４の強度を確保しつつ、二次実装における部品内圧の上昇を確実に抑制できる。なお、空隙率が３０体積％以下であれば、第１樹脂４の強度をさらに高くすることができるとともに、電子回路モジュール部品１、１ａ内で発生した気体の移動速度も確保できる。したがって、空隙率は、１体積％以上３０体積％以下がさらに好ましい。
【００４１】
第１樹脂４が有する空隙４Ｈの平均直径（Ｄ５０）が０．１μｍよりも小さくなると、電子回路モジュール部品１、１ａ内で発生した気体が開口部５Ｈ、５Ｈａまで移動する速度が低下し、部品内圧の上昇を効率よく抑制できなくなるおそれがある。第１樹脂４が有する空隙４Ｈの平均直径（Ｄ５０）が１０μｍを超えると、第１樹脂４の強度が低下し、割れ等を生じやすくなるおそれがある。このため、電子回路モジュール部品１、１ａ内で発生した気体を外部へ効果的に放出し、かつ第１樹脂４の強度を維持する観点から、空隙４Ｈの平均直径（Ｄ５０）は０．１μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。また、空隙４Ｈの分布は、Ｄ５０／（Ｄ９０−Ｄ１０）を０．１以上０．８以下とすることが好ましい。このようにすれば、第１樹脂４内でのフィラーの分散や空隙４Ｈの分散が改善される。
【００４２】
平均直径（Ｄ５０）は複数の空隙４Ｈの直径を測定した場合において、積算値５０％の直径であり（メジアン径）、Ｄ９０は積算値９０％の直径でありＤ１０は積算値１０％の直径である。完成した電子回路モジュール部品１、１ａを適切な位置で切断して、切断面をイオンミリングすることで樹脂ダレのない切断面を作製した。そして、前記切断面の任意の３箇所を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、倍率は３０００倍）で写真撮影して得られた画像から、空隙４Ｈの平均直径が求められた。このとき、前記写真撮影によって得られた画像は、空隙のみが黒くなるように二値化処理された。空隙４Ｈの分布は、前記画像から求めたＤ５０と累積度数直径の１０％に該当するＤ１０と９０％に該当するＤ９０とから規定した。また、前記切断面の任意の３箇所を走査型電子顕微鏡で写真撮影して得られた画像から、空隙の体積比として空隙率が算出された。本実施形態及びその変形例においては、前記写真撮影によって得られた画像の全面積に占める空隙の面積の割合を空隙の体積比とみなした。
【００４３】
図９は、第１樹脂と電子部品との関係を示す図である。図１、図４に示すように、上述した電子回路モジュール部品１、１ａは、第１樹脂４が電子部品２の頂部を覆っていたが、図９に示すように、第１樹脂４が電子部品２の頂部２Ｔを覆わないようにしてもよい。この場合、第１樹脂４が電子部品２の側部２Ｓの少なくとも一部に接するようにして、電子部品２の近傍から発生する気体の通路を確保する。このようにすると、電子部品２の頂部２Ｔには第２樹脂９が接することになり、頂部２Ｔと第２樹脂９との間に第１樹脂４は介在しない。その結果、電子部品２の頂部２Ｔの表面に第１樹脂４が存在しなくなる分、電子回路モジュール部品１、１ａの高さを低減できるので、電子回路モジュール部品１、１ａの低背化に有利である。第１樹脂４が電子部品２の頂部２Ｔを覆わないようにするためには、第１樹脂４で電子部品２を覆った後、吸収ローラー等を頂部２Ｔの上で転動させることによって、第１樹脂４を吸収ローラー等で除去する。
【００４４】
図１０、図１１は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品が有する開口部の配置例を示す平面図である。図７において、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形の電子回路モジュール部品１、１ａは、四辺のうちの一辺に開口部５Ｈ、５Ｈａを有していた。図１０に示すように、電子回路モジュール部品１、１ａは、四辺のうち二辺それぞれに開口部５Ｈ１、５Ｈ２を有し、残りの二辺に金属層５、５ａを有していてもよい。開口部５Ｈ１、５Ｈ２はそれぞれ対向して配置される。また、図１１に示す電子回路モジュール部品１、１ａのように、四辺のうち三辺に開口部５Ｈ１、５Ｈ２、５Ｈ３を有し、残りの一辺に金属層５、５ａを有していてもよい。開口部５Ｈ１、５Ｈ２はそれぞれ対向して配置され、開口部５Ｈ３は金属層５、５ａと対向して配置される。開口部５Ｈ１、５Ｈ２、５Ｈ３は、図２に示すように、第１樹脂４の一部と第２樹脂９の一部との両方を金属層５、５ａの外部に露出させていてもよいし、図５に示すように、第１樹脂４の一部のみを金属層５ａの外部に露出させていてもよい。
【００４５】
このように、本実施形態及びその変形例において、電子回路モジュール部品１、１ａが有する開口部の数は１個に限定されるものではない。開口部の数が多くなれば、電子回路モジュール部品１、１ａに内蔵された複数の電子部品２と開口部との距離差を小さくできるので、より効率的に電子回路モジュール部品１、１ａで発生した気体を外部へ放出させることができる。その結果、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１、１ａの変形のおそれをさらに確実に回避できる。なお、開口部を増加させると、金属層５、５ａの電磁波の遮蔽機能に影響を与えることもあるので、気体の抜けと前記遮蔽機能とのバランスで開口部の数や面積を設定することが好ましい。
【００４６】
なお、電子回路モジュール部品１、１ａは、一辺のみに開口部５Ｈ、５Ｈａを有することが最も好ましい。このようにすれば、二次実装におけるリフロー時には部品内圧を確実に低下させて絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１、１ａの膨れを確実に抑制でき、さらに、金属層５、５ａに電磁波の遮蔽機能を確実に発揮させることができる。しかし、電子回路モジュール部品１、１ａが、二辺又は三辺に開口部５Ｈ、５Ｈａを有することを排除するものではない。例えば、湿度の高い場所で電子回路モジュール部品１、１ａを二次実装する場合、電子回路モジュール部品１、１ａは内部に多くの水分が浸入していると考えられる。このような場合、電子回路モジュール部品１、１ａは、二辺又は三辺に開口部５Ｈ、５Ｈａを有するようにすることで、開口部５Ｈ、５Ｈａは、二次実装におけるリフロー時には気体を効率的に放出できる。その結果、電子回路モジュール部品１、１ａの内部に多くの水分が浸入しているような場合でも、絶縁樹脂の割れや電子回路モジュール部品１、１ａの膨れを確実に抑制できる。
【００４７】
図１２は、本実施形態及びその変形例に係る電子回路モジュール部品が有する他の開口部の例を示す側面図である。この電子回路モジュール部品１ｂが有する開口部５Ｈｂは、平面視が矩形の形状であり、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形である電子回路モジュール部品１ｂの一辺の一部に開口している。金属層５ｂの厚さをｔとし、開口部５Ｈｂが設けられる電子回路モジュール部品１ｂの一辺の長さをＬ１とし、開口部５Ｈｂの長辺側の長さをＬ２とすると、Ｌ１＞Ｌ２＋２×ｔとなる。この構造により、金属層５ｂの電磁波の遮蔽機能をより有効に発揮させることができる。
【００４８】
開口部５Ｈｂは、図２に示すように、第１樹脂４の一部と第２樹脂９の一部との両方を金属層５ｂの外部に露出させていてもよいし、図５に示すように、第１樹脂４の一部のみを金属層５ｂの外部に露出させていてもよい。また、開口部５Ｈｂは、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形である電子回路モジュール部品１ｂの他の辺に設けられていてもよいし、同じ辺に複数設けられていてもよい。なお、開口部５Ｈｂの形状は矩形に限定されるものではない。開口部５Ｈｂは、例えば、金属層５ｂの開口部５Ｈｂを設けない部分をレジスト等でマスクして、開口部５Ｈｂを設ける部分をエッチングすることにより形成される。次に、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法を説明する。
【００４９】
図１３は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法を示すフローチャートである。図１４−１〜図１４−６は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。図１５は、電子部品を実装した基板を第１樹脂及び第２樹脂で覆った後における切断位置を示す平面図である。まず、図１、図２に示す電子回路モジュール部品１を製造する例を説明する。ステップＳ１において、図１４−１に示す基板３に電子部品２を実装する（実装工程）。基板３の内部には、グランド８が設けられる。電子部品２を実装した状態の基板３を、モジュール素体１Ａという。
【００５０】
モジュール素体１Ａは、例えば、次のような手順で作製される。
（１）基板３の実装面に設けられた端子にはんだ６を含むはんだペーストを印刷する。
（２）実装装置（マウンタ）を用いて電子部品２を基板３に搭載する。
（３）電子部品２が搭載された基板３をリフロー炉に入れて前記はんだペーストを加熱することにより、前記はんだペーストのはんだ６が溶融し、その後硬化することにより電子部品２の端子と基板３の端子電極とが接合される。
（４）電子部品２や基板３の表面に付着したフラックスを洗浄する。
【００５１】
モジュール素体１Ａが完成したら、ステップＳ２へ進み、図１４−２に示すように、電子部品２が実装された基板３上、すなわち、モジュール素体１Ａの電子部品２の少なくとも一部と接するように、基板３に第１樹脂４が設けられる。この例では、第１樹脂４で電子部品２及び基板３を覆う。第１樹脂４は、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂であるが、これに限定されない）にフィラー（例えば、シリカやアルミナ）を添加し、これを硬化させたものである。第１樹脂４は、例えば、熱硬化性樹脂の溶液にフィラーを添加して作製した第１樹脂４の溶液を、ディップ法、ノズルコート法、カーテンコート法やスピンコート法等によってモジュール素体１Ａの表面に塗布し（塗布工程）、熱硬化させる。このようにすることで、フィラー同士の隙間の一部に樹脂が配合されて空隙４Ｈが形成された第１樹脂４で電子部品２及び基板３が被覆される。
【００５２】
第１樹脂４に含まれるフィラーは、球形状に近いものが好ましい。このようなフィラーを用いれば、第１樹脂４に含まれる空隙４Ｈの寸法、及び形状、及び分布を制御しやすいからである。しかし、フィラーの形状は、このようなものに限定されるものではない。第１樹脂４に含まれるフィラーは、平均直径（Ｄ５０）を１μｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましく、２μｍ以上７μｍ以下とすることがより好ましい。また、フィラーの粒度分布は、Ｄ５０／（Ｄ９０−Ｄ１０）を０．１〜０．８の範囲とすることが好ましい。このようにすれば、第１樹脂４内におけるフィラーや空隙４Ｈが均等に分散しやすくなる。なお、平均直径（Ｄ５０）は複数のフィラーの直径を測定した場合において、積算値５０％の直径であり（メジアン径）、Ｄ９０は積算値９０％の直径でありＤ１０は積算値１０％の直径である。フィラーの粒度分布は、粒度分布計で測定した数平均値（メジアン径）Ｄ５０と累積度数粒径の１０％に該当するＤ１０と９０％に該当するＤ９０とから規定した。
【００５３】
フィラーの種類は、電子回路モジュール部品１が有する電子部品２や回路の電気的特性に影響を及ばさないものであれば特に限定されるものではないが、第１樹脂４となる熱硬化性樹脂に対して分散性がよいものであることが好ましい。例えば、平均直径が１μｍより小さいフィラーを使用すると、空隙の大きさが減少したり空隙へのフィラーの充填率が上昇したりすることにより、空隙率が小さくなる結果、部品内圧を抑制する作用が低減する。また平均直径が１０μｍより大きいフィラーを使用すると、モジュール素体１Ａの表面に塗布する際の膜厚が厚くなり、モジュール１、１ａの外形高さを大きくしなければならないおそれがある。さらに、平均直径が１０μｍより大きいフィラーを使用すると、形成された第１樹脂４の強度が低下し、クラックが発生しやすくなるおそれがある。
【００５４】
フィラーは、小さい平均直径（Ｄ５０）と大きい平均直径（Ｄ５０）とを組み合わせてもよい。また、フィラーの平均直径（Ｄ５０）は、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。大きい平均直径（Ｄ５０）のフィラーの添加量は、フィラーの全添加量に対して５体積％以上３０体積％以下であることが好ましい。このように、平均直径の異なるフィラーを混合することによって、フィラー同士のパッキング状態の調整が可能になる。そして、適切な樹脂配合により、所望の空隙直径、空隙分布を実現しやすくなる。平均直径の異なるフィラーを用いる場合、すべて同じ種類のフィラーを用いてもよく、異なる種類（組成）のフィラーを用いてもよく、特に限定されるものではない。
【００５５】
モジュール素体１Ａの表面に第１樹脂４の溶液が塗布されたら、所定の時間加熱して熱硬化性樹脂を硬化させる（第１硬化工程）。これによって、モジュール素体１Ａの表面に第１樹脂４が設けられ、電子部品２の少なくとも一部と第１樹脂４とが接する。次に、ステップＳ３に進み、図１４−３に示すように、第１樹脂４が第２樹脂９で覆われる。第２樹脂９は、例えば、エポキシ樹脂である。本実施形態では、エポキシ樹脂のシート状材料を第１樹脂４の表面に載置して（被覆工程）、これを熱プレスすることにより、第２樹脂９を硬化させる（第２硬化工程）。このような方法で、第２樹脂９で第１樹脂４の表面を被覆する。その結果、電子部品２は、第１樹脂４を介して第２樹脂９によって封止される。この状態の基板３を、封止体１Ｂという。
【００５６】
次に、ステップＳ４に進み、図１４−４に示すように、封止体１Ｂの基板３が、一つの電子回路モジュール部品１の単位（以下、モジュール部品単位という）Ｕで、途中まで切断される（ハーフダイシング）。この場合、切断ラインＣ１の位置は、基板３の途中まで切断され、切断ラインＣ２の位置は、第２樹脂９の途中まで切断される。切断ラインＣ２の位置は、図１、図２に示す開口部５Ｈが設けられる部分である。なお、モジュール部品単位Ｕの周りをすべてハーフダイシングしてもよい。このように、本実施形態では、ステップＳ４においては、一つの電子回路モジュール部品１となる部分の周りの少なくとも一部を基板３の途中まで切断し、残りの部分を前記第２樹脂９の層の途中まで切断する。ハーフダイシングにおいて第２樹脂９の途中までしか切断されないので、第１樹脂４は切断されない。第１樹脂４の強度は第２樹脂９よりも低いので、ハーフダイシングにおいて第１樹脂４を切断しないことにより、第２樹脂９で第１樹脂４を保護することができる。その結果、第１樹脂４を無用に削ってしまうことを回避して、開口部５Ｈを確実に設けることができる。
【００５７】
また、ハーフダイシングによって切断ラインＣ１の位置には第１樹脂４の一部が現れるが、第１樹脂４の空隙４Ｈによって表面積が増加するために金属層５と第１樹脂４との密着性が向上する。その結果、金属層５を形成する際には、第１樹脂４が現れた部分に形成される金属層５の保形効果が高くなるという利点もある。モジュール部品単位Ｕは、図１４−４、図１５に示す切断ラインＣ１、Ｃ２で区画される領域である。
【００５８】
電子回路モジュール部品１が有する開口部５Ｈの高さｈ（図２参照）について説明する。開口部５Ｈの高さｈが小さすぎると、ステップＳ４において第１樹脂４を削ってしまうおそれがあり、開口部５Ｈの高さｈが大きすぎると、開口部５Ｈが大きくなりすぎて、金属層５の電磁波の遮蔽機能に影響を与えるおそれがある。かかる観点から、開口部５Ｈの高さｈは、第１樹脂４の厚さよりも大きく、第１樹脂４の厚さの１倍以上５倍以下が好ましい。より好ましくは、開口部５Ｈの高さｈは、第１樹脂４の厚さの２倍以上３倍以下である。開口部５Ｈの高さｈがこの範囲であれば、ステップＳ４において第１樹脂４を削ることを回避して開口部５Ｈを確実に設けることができるので、二次実装におけるリフロー時には部品内圧を確実に低下させることができる。また、開口部５Ｈの高さｈが前記範囲であれば、開口部５Ｈを適切な大きさとして、金属層５は電磁波の遮蔽機能を十分に発揮できる。
【００５９】
ステップＳ４が終了したら、ステップＳ５に進む。ステップＳ５において、図１４−５に示すように、ハーフダイシング後の封止体１Ｂの表面に金属層５が形成される。金属層５が形成された状態を、モジュール集合体１Ｃという。金属層５は、例えば、無電解めっきでＣｕの第１層を形成した後、電解めっきでＣｕの第２層を形成し、さらに防錆層としてＮｉの層を電解めっきで形成することにより得られる。図１４−４に示すように、金属層５が形成される前は、基板３の側面３Ｓにグランド８が露出している。したがって、ステップＳ５で金属層５が形成されると、図１４−５に示すように、金属層５とグランド８とが電気的に接続される。グランド８は、基板３の側面３Ｓにおいて、図１５に示す、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形のモジュール部品単位Ｕの少なくとも一辺（この例では三辺）全体に露出する。このため、金属層５とグランド８との接続面積が大きくなり、両者の導通が確実に得られる。
【００６０】
金属層５が形成されたら、ステップＳ６へ進み、モジュール集合体１Ｃは、モジュール部品単位Ｕで基板３まで完全に切断される。すなわち、切断ラインＣ１、Ｃ２で、基板３を切断する。その結果、図１４−６に示す電子回路モジュール部品１が得られる。電子回路モジュール部品１は、ステップＳ７で検査されて、検査に合格したものが製品となる。上述した手順が、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の手順である。これらの手順によって、図１４−６に示すような、電子部品２の少なくとも一部が第１樹脂４に接し、かつ第１樹脂４及び第２樹脂９が金属層５で被覆され、さらに開口部５Ｈに第１樹脂４の一部及び第２樹脂９の一部が露出した電子回路モジュール部品１を製造できる。なお、モジュール部品単位Ｕの周りをすべてハーフダイシングした場合、平面視が長方形あるいは正方形等の四角形のモジュール部品の４辺すべてに開口部が形成されるとともに、前記開口部に第１樹脂の一部及び第２樹脂の一部が露出する。
【００６１】
図１６−１〜図１６−３は、本実施形態の変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法の説明図である。本変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法は、図４、図５に示す電子回路モジュール部品１ａを製造する際に用いられる。ステップＳ１〜ステップＳ３までは、上述した、電子回路モジュール部品１を製造する方法と同様である。ステップＳ４において、図１６−１に示すように、封止体１Ｂの基板３は、一つの電子回路モジュール部品１ａの単位（以下、モジュール部品単位という）Ｕで、途中まで切断される（ハーフダイシング）。この場合、切断ラインＣ１の位置は、基板３の途中まで切断され、切断ラインＣ２の位置は、第１樹脂４の途中まで切断される。切断ラインＣ２の位置は、図４、図５に示す開口部５Ｈａが設けられる位置である。すなわち、ステップＳ４においては、一つの電子回路モジュール部品１ａとなる部分の周りの一部を基板３の途中まで切断し、残りの部分を前記第１樹脂４の層の途中まで切断する。ハーフダイシングにおいて第１樹脂４を切断する量を調整することにより、開口部５Ｈａの高さｈが調整される。より基板３に近い部分まで第１樹脂４を切削すれば、開口部５Ｈａの高さｈを小さくできるので、金属層５ａによる電磁波の遮蔽機能の低下を最小限に抑えることができる。
【００６２】
電子回路モジュール部品１ａが有する開口部５Ｈａの高さｈ（図５参照）について説明する。開口部５Ｈａの高さｈが小さすぎると、ステップＳ４において基板３まで削ってしまい、開口部５Ｈａを金属層５ａに設けることができなくなるおそれがある。また、開口部５Ｈａの高さｈが大きすぎると、開口部５Ｈａからは第２樹脂９の一部も露出してしまうおそれがある。かかる観点から、開口部５Ｈａの高さｈは、第１樹脂４の厚さよりも小さく、第１樹脂４の厚さの０．１倍以上０．９倍以下が好ましい。より好ましくは、開口部５Ｈａの高さｈは、第１樹脂４の厚さの０．３倍以上０．８倍以下である。開口部５Ｈａの高さｈがこの範囲であれば、ステップＳ４において基板３を削ることを回避して開口部５Ｈａを確実に設けることができるので、二次実装におけるリフロー時には部品内圧を確実に低下させることができる。また、開口部５Ｈａの高さｈが前記範囲であれば、開口部５Ｈａからは第１樹脂４の一部のみを露出させ、金属層５ａに電磁波の遮蔽機能を十分に発揮させることができる。
【００６３】
ステップＳ４が終了したら、ステップＳ５に進む。ステップＳ５において、図１６−２に示すように、ハーフダイシング後の封止体１Ｂの表面に金属層５ａを形成し、モジュール集合体１Ｃを作製する。金属層５ａを形成する方法は上述した通りである。金属層５ａが形成されたら、ステップＳ６へ進み、モジュール集合体１Ｃを、モジュール部品単位Ｕで基板３まで完全に切断する。その結果、図１６−３に示す電子回路モジュール部品１ａが得られる。電子回路モジュール部品１ａは、ステップＳ７で検査されて、検査に合格したものが製品となる。上述した手順が、本変形例に係る電子回路モジュール部品の製造方法の手順である。これらの手順によって、図１６−２に示すような、電子部品２の少なくとも一部が第１樹脂４に接し、かつ第１樹脂４及び第２樹脂９が金属層５で被覆され、さらに開口部５Ｈａに第１樹脂４の一部のみが露出した電子回路モジュール部品１ａを製造できる。
【００６４】
図１７は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の変形例を示すフローチャートである。図１８−１〜図１８−６は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の変形例を説明するための図である。図１９−１〜図２１−２は、電子部品を実装した基板を第１樹脂及び第２樹脂で覆った後における切断位置を示す平面図である。ステップＳ１１〜ステップＳ１３までは、上述した電子回路モジュール部品１、１ａを製造する方法のステップＳ１〜ステップＳ３と同様である。ステップＳ１４において、図１８−１に示すように、封止体１Ｂの基板３は、第１樹脂４及び第２樹脂９が設けられた側とは反対側（以下、反樹脂側という）３Ｒに、板状の補強部材２０が接着部材２１によって取り付けられる。補強部材２０の種類は問わないが、本実施形態では、基板３と同じ材料の板状の部材が用いられる。接着部材２０の種類も問わないが、本実施形態ではレジストが用いられる。
【００６５】
次に、ステップＳ１５に進み、図１８−２に示すように、封止体１Ｂは、一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りの一部が基板３まで切断される（第１切断工程）。すなわち、基板３は、一つの電子回路モジュール部品の単位（以下、モジュール部品単位という）Ｕで、厚み方向に向かってすべて切断される（フルダイシング）。本実施形態では、基板３の反樹脂側３Ｒに取り付けられた補強部材２０の途中まで切断することにより、基板３をその厚み方向に向かってすべて切断する。このときの切断ラインはＣ１である。
【００６６】
図１９−１に示すように、隣接する切断ラインＣ１、Ｃ１は、複数のモジュール部品単位Ｕが一列に配列された群を、封止体１Ｂが複数有するように封止体１Ｂを分離する。また、切断ラインＣ１によって切断された封止体１Ｂは、図１８−２に示すように、切断ラインＣ１の位置に第１切断面３Ｓ１を有する。切断ラインＣ１と直交する方向から封止体１Ｂを見ると、図１８−３のように封止体１Ｂには切断された部分が現れない。なお、補強部材２０は、一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りの一部が基板３まで切断される前に、すなわち、第１切断工程（ステップＳ１５）の前までに、反樹脂側３Ｒに取り付けられていればよい。
【００６７】
ステップＳ１５が終了したら、ステップＳ１６に進む。ステップＳ１６において、図１８−４に示すように、フルダイシング後の封止体１Ｂの表面に金属層５が形成されて、モジュール集合体１Ｃが作製される。より具体的には、ステップＳ１６において、封止体１Ｂの第２樹脂９の表面及び第１切断面に現れた第１樹脂４及び第２樹脂９及び基板３の表面に金属層５が形成される。金属層５を形成する方法は上述した通りである。金属層５が形成されると、第１切断面３Ｓ１は、金属層５で覆われる。
【００６８】
金属層５が形成されたら、ステップＳ１７へ進み、図１８−５に示すように、モジュール集合体１Ｃは、一つの電子回路モジュール部品となる部分の周りが、厚み方向に向かってすべて基板３まで切断される（第２切断工程）。すなわち、モジュール集合体１Ｃは、モジュール部品単位Ｕで基板３まで完全に切断される。このときの切断ラインはＣ２である。図１９−２に示すように、切断ラインＣ２は切断ラインＣ１と直交し、かつ切断ラインＣ２が延在する方向に隣接するモジュール部品単位Ｕを分離する。切断ラインＣ２で切断されたモジュール集合体１Ｃは、図１８−５に示すように、対向する第２切断面３Ｓ２を有する。その後、ステップＳ１８に進み、補強部材２０が基板３から除去される。上述した接着部材２１にレジストを用いる場合、溶解剤でレジストを溶解させることにより、補強部材２０が基板３から除去される。
【００６９】
このような手順で、図１８−６に示すような電子回路モジュール部品１ｃが得られる。電子回路モジュール部品１ｃは、ステップＳ１９で検査されて、検査に合格したものが製品となる。この電子回路モジュール部品１ｃは、図１８−５に示す切断面３Ｓ２が開口部５Ｈｃとなる。電子回路モジュール部品１ｃは、二つの第１切断面３Ｓ１と二つの第２切断面３Ｓ２とを有している。このため、電子回路モジュール部品１ｃは、二つの開口部５Ｈｃを有することになる。
【００７０】
二つの第２切断面３Ｓ２、３Ｓ２はそれぞれ対向し、かつ二つの第１切断面３Ｓ１、３Ｓ１と直交する。また、二つの第１切断面３Ｓ１は対向している。図１８−６に示すように、第２切断面３Ｓ２、すなわち開口部５Ｈｃには、第１樹脂４及び第２樹脂９が現れている。このように、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の変形例は、二つの開口部５Ｈｃを有し、かつそれぞれの開口部５Ｈｃ、５Ｈｃに第１樹脂４及び第２樹脂９が現れた電子回路モジュール部品１ｃを製造できる。
【００７１】
第１切断工程（ステップＳ１５）において、図２０−１に示すように、封止体１Ｂは、互いに直交する切断ラインＣ１ａと切断ラインＣ１ｂとで基板３まで切断されてもよい。隣接する切断ラインＣ１ａ、Ｃ１ａは、複数のモジュール部品単位Ｕが二列配列された群を、封止体１Ｂが複数有するように封止体１Ｂを分離する。隣接する切断ラインＣ１ｂ、Ｃ１ｂは、それぞれ複数の切断ラインＣ１ａと直交するとともに、複数のモジュール部品単位Ｕが一列配列された群を、封止体１Ｂが複数有するように封止体１Ｂを分離する。
【００７２】
次に、第２切断工程（ステップＳ１７）において、図２０−２に示すように、モジュール集合体１Ｃは、複数の切断ラインＣ１ａと平行な切断ラインＣ２で基板３まで切断される。切断ラインＣ２は、隣接する切断ラインＣ１ａ、Ｃ１ａの間において、切断ラインＣ１ａと直交する方向に向かって配列された２個のモジュール部品単位Ｕ、Ｕを分離するためのラインである。このようにして作成された電子回路モジュール部品は、切断ラインＣ２で切断された部分に、第１樹脂４と第２樹脂９と基板３とが露出し、切断ラインＣ１ａ、Ｃ１ｂで切断された部分は、金属層５で覆われる。すなわち、前記電子回路モジュールは、開口部を一つ有することになる。
【００７３】
また、第１切断工程（ステップＳ１５）において、図２１−１に示すように、封止体１Ｂは、複数の切断ラインＣ１ａで基板３まで切断されてもよい。隣接する切断ラインＣ１ａ、Ｃ１ａは、複数のモジュール部品単位Ｕが二列配列された群を、封止体１Ｂが複数有するように封止体１Ｂを分離する。次に、第２切断工程（ステップＳ１７）において、図２１−２に示すように、モジュール集合体１Ｃは、互いに直交する切断ラインＣ２ａと切断ラインＣ２ｂとで基板３まで切断される。
【００７４】
複数の切断ラインＣ２ａは、切断ラインＣ１ａと平行である。切断ラインＣ２ａは、隣接する切断ラインＣ１ａ、Ｃ１ａの間において、切断ラインＣ１ａと直交する方向に向かって配列された２個のモジュール部品単位Ｕ、Ｕを切断するためのラインである。また、切断ラインＣ２ｂは、切断ラインＣ１ａが延在する方向と平行な方向に向かって配列された複数のモジュール部品単位Ｕを分離するためのラインである。このようにして作成された電子回路モジュール部品は、一本の切断ラインＣ２ａと二本の切断ラインＣ２ｂとで切断された部分に、第１樹脂４と第２樹脂９と基板３とが露出し、切断ラインＣ１ａで切断された部分は、金属層５で覆われる。すなわち、前記電子回路モジュールは、開口部を三つ有することになる。
【００７５】
このように、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の変形例は、第１切断工程と第２切断工程とで封止体１Ｂとモジュール集合体１Ｃとを切断する位置を変更することで、電子回路モジュール部品が有する開口部の数を調整することができる。なお、前記開口部の数は、金属層５が電磁気シールドの性能を発揮できる範囲内で増減させることができる。金属層５による電磁気シールドの性能が確保できれば、前記開口部の数は２個が好ましい。このようにすれば、電子回路モジュール部品は開口部を対称に有することになるので、熱等による変形が発生したときにおいて、電子回路モジュール部品に発生する応力がアンバランスになることが抑制されて、耐久性が向上する。
【００７６】
図２２、図２３は、本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の変形例によって製造された電子回路モジュール部品の開口部に導電層を設けた例を示す一部断面図である。本実施形態に係る電子回路モジュール部品の製造方法の変形例においては、周りがすべて基板まで切断された後における一つの電子回路モジュール部品の切断面に現れた第１樹脂の少なくとも一部を残して、前記切断面を導電層で覆ってもよい。このようにすると、電子回路モジュール部品の電磁気シールドの性能が向上する。
【００７７】
例えば、図２２に示す電子回路モジュール部品１ｄは、切断面（第２切断面３Ｓ２）に現れた第１樹脂４の少なくとも一部を残して、第２切断面３Ｓ２を導電層２２が覆っている。より具体的には、導電層２２は、第２切断面３Ｓ２において、第１樹脂４の一部と第２樹脂９の全部とを覆い、かつ金属層５と電気的に接続されている。電子回路モジュール部品１ｄは、第１樹脂４の一部が露出している部分が開口部５Ｈｄとなる。また、図２３に示す電子回路モジュール部品１ｅは、第２切断面３Ｓ２において、第１樹脂４の一部と第２樹脂９の全部と基板３の全部とが導電層２２で覆われるとともに、導電層２２と金属層５とが電気的に接続されている。電子回路モジュール部品１ｅは、第１樹脂４の一部が露出している部分が開口部５Ｈｅとなる。なお、電子回路モジュール部品１ｄ、１ｅは、第２切断面３Ｓ２において、第１樹脂４の全部が露出し、残りの部分はすべて導電層２２で覆われていてもよい。
【００７８】
本実施形態において、導電層２２は、金属又は金属ペースト等を用いることができる。金属としては、例えば、銅、銀等を導電層２２に用いることができ、金属ペーストとしては、例えば、銀ペーストを導電層２２に用いることができる。なお、導電層２２に用いることができる金属又は金属ペーストは、これらに限定されるものではない
【００７９】
金属を導電層２２として用いる場合、例えば、スパッタ、蒸着、無電界めっき等によって電子回路モジュール部品１ｄ、１ｅの第２切断面３Ｓ２に導電層２２を形成することができる。これらの手法を用いる場合、導電層２２で第２切断面３Ｓ２を覆う部分を除き、例えば、レジスト等で第２切断面３Ｓ２を覆い、スパッタ又は蒸着を施す。その後、前記レジストを除去することで、第２切断面３Ｓ２に現れた第１樹脂４の少なくとも一部を残して、第２切断面３Ｓ２が導電層２２に覆われる。
【００８０】
金属ペーストを導電層２２として用いる場合、例えば、転写、ローラーによる塗布、印刷等により、電子回路モジュール部品１ｄ、１ｅの第２切断面３Ｓ２に導電層２２を形成することができる。これらの手法を用いる場合、導電層２２が第２切断面３Ｓ２を覆う形状で、金属ペーストを第２切断面３Ｓ２に印刷したり転写したりする。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
以上のように、本発明に係る電子回路モジュール部品及び電子回路モジュール部品の製造方法は、電子部品を覆った絶縁樹脂の表面に金属層が形成される電子回路モジュール部品において、リフロー時に電子回路モジュール部品の内部で発生した水蒸気等の水分を抜けやすくすることに有用である。
【符号の説明】
【００８２】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ  電子回路モジュール部品
１Ａ  モジュール素体
１Ｂ  封止体
１Ｃ  モジュール集合体
２  電子部品
２Ｓ  側部
２Ｔ  頂部
３  基板
３Ｓ  側面
４  第１樹脂
４Ｈ  空隙
４Ｍ  樹脂
５、５ａ、５ｂ  金属層
５Ｈ、５Ｈ１、５Ｈ２、５Ｈ３、５Ｈａ、５Ｈｂ  開口部
８  グランド
９  第２樹脂
２０  補強部材
２１  接着部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４−１】
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【図１４−２】
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【図１４−３】
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【図１４−４】
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【図１４−５】
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【図１４−６】
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【図１５】
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【図１６−１】
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【図１６−２】
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【図１６−３】
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【図１７】
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【図１８−１】
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【図１８−２】
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【図１８−３】
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【図１８−４】
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【図１８−５】
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【図１８−６】
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【図１９−１】
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【図１９−２】
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【図２０−１】
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【図２０−２】
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【図２１−１】
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【図２１−２】
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【図２２】
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【図２３】
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