(57)【要約】【課題】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、その製造工程において、腐食防止用塗料の塗布や剥離といった工程を設けることなく、ピンホール腐食を防止できるような薄膜トランジスタ基板を提供すること。【解決手段】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、前記Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．１〜５原子％含むと共に、前記Ａｌ合金膜の３倍以上のＧｅを含む第１層と、第１層よりもＧｅ含有率の低いＡｌ合金からなる第２層と、を含む積層構造を有すること。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、
前記Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．１〜５原子％含むと共に、
前記Ａｌ合金膜の３倍以上のＧｅを含む第１層と、第１層よりもＧｅ含有率の低いＡｌ合金からなる第２層と、を含む積層構造を有することを特徴とする耐ＩＴＯピンホール腐食性に優れた薄膜トランジスタ基板。
【請求項２】
前記Ａｌ合金膜は、Ｎｉおよび／またはＣｏを合計で０．３原子％以下（０原子％を含まない）含有するものである請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項３】
前記Ａｌ合金膜は、希土類元素を合計で０．０５〜１．０原子％含有するものである請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項４】
前記Ａｌ合金膜は、Ａｇおよび／またはＺｎを合計で０．１〜１．０原子％含有するものである請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項５】
前記第１層の膜厚が、１ｎｍ以上である請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板を備えたものである表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の薄膜トランジスタにおいて、透明導電膜（酸化物導電膜）とＡｌ合金膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板に関し、詳細には耐ＩＴＯピンホール腐食性に優れた特性を有する薄膜トランジスタ基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
小型の携帯電話から、３０インチを超す大型のテレビに至るまで様々な分野に用いられる液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下「ＴＦＴ」と呼ぶことがある。）をスイッチング素子とし、透明画素電極と、ゲート配線およびソース−ドレイン配線等の配線部と、半導体層とを備えた薄膜トランジスタ基板（以下、「ＴＦＴ基板」と呼ぶことがある。）と、ＴＦＴ基板に対して所定の間隔をおいて対向配置され共通電極を備えた対向基板と、ＴＦＴ基板と対向基板との間に充填された液晶層とから構成されている。
【０００３】
前記ソース−ドレイン配線などの配線材料には、電気抵抗が小さく、微細加工が容易であるなどの理由により、純ＡｌまたはＡｌ−ＮｄなどのＡｌ膜が汎用されている。このＡｌ膜は、通常ＴｉやＭｏからなるバリアメタル層を介して、透明画素電極を構成する透明導電膜と接続されている。
【０００４】
一方、本発明者らは、上記ＴＦＴ基板において、透明画素電極を構成する透明導電膜（例えばＩＴＯ膜）と、バリアメタル層を介することなく直接接続させても接触電気抵抗の小さい（以下、この様な特性を「ＤＣ性」ということがある）Ａｌ合金膜とを、上記配線に適用すればよい旨提案している（例えば、特許文献１等）。
【０００５】
ところで従来、上記特許文献１の図１に示されるような液晶表示装置の製造は、同一工場内で一貫して行われていたが、近年では、工程分離化に伴い、上記特許文献１の図２に示されるような透明導電膜５［例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜］の形成までを１工場で行い、その後の工程を別工場で行う場合が増加している。この様な場合、別工場への輸送・保管中に、水蒸気が透明導電膜に存在するピンホール（透明導電膜の不連続部）から浸透して、この透明導電膜と前記ソース−ドレイン配線を構成するＡｌ合金膜との間で腐食（以下、「ピンホール腐食」ということがある）が生じ、黒点として認識されることがある。上記黒点が発生すると、信頼性の高い表示装置を製造することが難しくなる。
【０００６】
尚、前記ソース−ドレイン配線などと、ドライバーＩＣと該配線材料を、例えばＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ：異方性導電体）と挟んで、圧着によって接続することが行なわれている（このような部分をタブ部（ＴＡＢ部）と呼ぶ）が、こうした部分においても上記のような問題が生じる。
【０００７】
この様な問題を解決すべく、上記腐食の防止方法が幾つか提案されている。例えば特許文献２には、フィルム形成剤とイオン交換材料を含む塗料を、表示装置の透明導電膜を構成する酸化物半導体（例えばＩＴＯ等）表面に塗布することが示されている。また特許文献３には、撥水機能を有する塗料を上記酸化物半導体表面に塗布することが示されている。これら特許文献２および３では、上記塗料を酸化物半導体表面に塗布することで、水蒸気による腐食を防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−１０５４２４号公報
【特許文献２】特開平１１-２８６６２８号公報
【特許文献３】特開平１１−３２３２０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、特許文献２および３の技術を適用すると、輸送前に上記塗料を酸化物半導体（透明導電膜）表面に塗布する工程が必要な他、輸送・保管後に別の工場で、次の工程を進めるにあたり、上記塗布して形成されたフィルム・塗料を剥離させる必要があり、生産効率が低下するといった問題がある。
【００１０】
本発明は上記の様な事情に着目してなされたものであって、その目的は、薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、その製造工程において、上記腐食防止用塗料の塗布や剥離といった工程を設けることなく、ピンホール腐食を防止できるような薄膜トランジスタ基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決し得た本発明とは、薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、前記Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．１〜５原子％含むと共に、前記Ａｌ合金膜の３倍以上のＧｅを含む第１層と、第１層よりもＧｅ含有率の低いＡｌ合金からなる第２層と、を含む積層構造であるところに特徴を有する。
【００１２】
本発明では、前記Ａｌ合金膜は、Ｎｉおよび／またはＣｏを合計で０．３原子％以下（０原子％を含まない）含有するものであることが好ましく、また前記Ａｌ合金膜は、希土類元素を合計で０．０５〜１．０原子％含有するものであることも好ましい。
【００１３】
更に本発明では、前記Ａｌ合金膜は、Ａｇおよび／またはＺｎを合計で０．１〜１．０原子％含有するものであることも好ましく、また前記第１層の膜厚が、１ｎｍ以上であることも好ましい。
【００１４】
上記本発明の記載の薄膜トランジスタ基板を備えたものである表示装置も好ましい実施態様である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、Ａｌ合金膜の表面に、所定量のＧｅを含有するＧｅ濃化Ａｌ合金層（第１層）が形成されているため、透明導電膜にピンホールが存在する箇所においてこの第１層が保護膜として作用し、ＩＴＯ膜等の透明導電膜にピンホールが発生していても、ピンホール腐食を抑制できる。また従来の様に腐食防止用塗料の塗布や剥離といった工程を設けることなく、高性能の薄膜トランジスタ基板、およびこうした基板を備えた表示装置を、低コストかつ生産性よく製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明者らは、透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造のＴＦＴ基板において、湿潤環境下でもピンホール腐食（黒点）の抑制されたＴＦＴ基板を実現すべく鋭意研究を行った。以下、本発明について、透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造に基づいて、その経緯と共に詳述する。
【００１７】
上述した通りピンホール腐食は、透明導電膜が例えばＩＴＯ膜である場合、このＩＴＯ膜に形成されたピンホールから水蒸気が浸透し、該ＩＴＯ膜とＡｌ合金膜との界面に水分が到達してガルバニック腐食を引き起こすことが原因と考えられる。
【００１８】
そこで本発明者らは、上記のようなピンホールが存在する箇所においても、透明導電膜と、Ａｌ合金膜との界面に水分が到達しないような具体的手段について、更に検討した。その結果、その箇所での下地Ａｌ合金膜の表面にＧｅを積極的に濃化させれば（第１層）、この第１層が、ピンホールが存在する箇所において保護膜としての機能を発揮し、上記のようなガルバニック腐食が効果的に抑制できることを見出し、本発明を完成した。
【００１９】
Ｇｅは中性領域で酸化し難い元素であり、Ｇｅの濃化層の形成によりＩＴＯ成膜時のような中性雰囲気下におけるＡｌの酸化が抑制される結果、ＩＴＯとのガルバニック腐食速度が軽減され、ピンホール腐食が抑えられると考えられる。
【００２０】
このように本発明は、下地Ａｌ合金膜表面にＧｅが濃化した層（第１層）を形成ところに特徴がある。このＧｅ濃化層（第１層）がＩＴＯピンホール腐食に対する保護膜としての機能を有効に発揮するためには、Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．１〜５原子％含むと共に、透明導電膜と下地Ａｌ合金膜との界面近傍のＡｌ合金膜にＡｌ合金膜に含まれるＧｅ量（０．１〜５原子％）の３倍以上のＧｅが含まれていることが必要である。
【００２１】
更にこの第１層の厚さは、厚ければ厚いほど好ましいが、少なくとも１ｎｍ以上とすることが望ましい。
【００２２】
以下、上記本発明のＩＴＯピンホール腐食を抑制し得た（１）本発明の上記構成および他の成分組成、並びに（２）Ｇｅ濃化層を含むＡｌ合金膜を得るための加熱、雰囲気条件について詳述する。
【００２３】
（１）本発明の上記構成および他の成分組成について
本発明にかかるＡｌ合金膜は、Ｇｅを０．１〜５原子％含む。上述したように、本発明では、ＧｅをＡｌ合金膜の表面に濃化させてＩＴＯピンホール腐食の抑制を図るものであり、そのためにはＧｅ量を０．１原子％以上とする。好ましいＧｅ量は０．２原子％以上、より好ましくは０．３原子％以上である。ただし、Ｇｅ量が過剰になると、ＩＴＯピンホール腐食を抑制する効果が飽和するだけでなく、Ａｌ合金膜自体の電気抵抗が上昇するため、Ｇｅ量の上限を５原子％とする。好ましいＧｅ量は２．０原子％以下、より好ましくは１．０原子％以下である。
【００２４】
本発明にかかるＡｌ合金膜は、Ｇｅを０．１〜５原子％含むと共に、Ａｌ合金膜に含まれるＧｅ量（０．１〜５原子％）の３倍以上のＧｅを含む第１層と、第１層よりもＧｅ含有率の低いＡｌ合金からなる第２層と、を含む積層構造である。上述したように、水蒸気が透明導電膜に存在するピンホールから浸透し、この透明導電膜とＡｌ合金膜との間で腐食（ピンホール腐食）が生じることから、下地Ａｌ合金膜表面（透明導電膜と下地Ａｌ合金膜との界面近傍）に、Ａｌ合金膜に含まれるＧｅ量（０．１〜５原子％）の３倍以上のＧｅが濃化している第１層を形成させておけば、この第１層が、保護膜としての機能を発揮し、ピンホール腐食を抑制する効果を発揮する。このような効果を発揮するためには、第１層におけるＧｅの含有量は、Ａｌ合金膜に含まれるＧｅ量の３倍以上であることが必要であるが、より高い効果を発揮するためには、Ｇｅ含有量は４倍以上が好ましく、より好ましくは５倍以上である。
【００２５】
なお、本発明にかかるＡｌ合金膜は繰り返し述べるようにＧｅが濃化している第１層と、第１層よりもＧｅ含有率の低いＡｌ合金からなる第２層と、を含む積層構造であるが、第２層のＧｅ含有率を低くしたのは電気抵抗の増加を防ぐためである。すなわち、上記Ｇｅの濃化によるピンホール腐食抑制効果を発揮させるには、透明導電膜と接触するＡｌ合金膜の最表面に３倍以上のＧｅが含まれていればよく、Ａｌ合金膜（ここでいうＡｌ合金膜は第１層＋第２層の意味である）に含まれるＧｅの合計量が多くなると、Ａｌ合金膜自体、および熱処理後の電気抵抗が増加してしまうからである。
【００２６】
本発明を最も特徴づける上記第１層の膜厚は、１ｎｍ以上であることが好ましい。第１層の膜厚が薄すぎる場合は、上記所定量のＧｅが含まれていても第1層がＡｌ合金表面に均一に形成されず、ガルバニック腐食による局部電流を十分に防ぐことができないことから、本発明では第１層の好ましい膜厚は少なくとも１ｎｍ以上とした。より好ましい第１層の膜厚は、１．５ｎｍ以上、更に好ましくは２．０ｎｍ以上である。一方、第１層に濃化するＧｅ量が増加しても膜厚が厚くなりすぎることはなく、腐食防止の観点からは特に第１層の膜厚の上限は限定されないが、例えば、第１層の膜厚の上限は１５ｎｍである。なお、第１層の膜厚は、ＸＰＳ法（Ｘ線光電子分光分析法）によって測定した値である。
【００２７】
第１層に含まれるＧｅ量の割合は、Ａｌ合金膜全体に含まれるＧｅ量に対する割合であるが、具体的には第１層の膜厚を決定し、次いで該第１層に含まれるＧｅ量を測定し、該第１層に含まれるＧｅ量と、別途測定したＡｌ合金膜全体に含まれるＧｅ量との比率を算出した値である。
【００２８】
本発明のＡｌ合金膜には、上記Ｇｅ濃化による効果を阻害しない範囲で、他の特性を付与する目的でＧｅ以外の元素を含有していてもよい。上記ＴＩＯピンホール腐食を抑制する効果は、基本的にＡｌ合金の他の成分組成に依存せずに発揮されるからである。本発明の上記Ａｌ合金膜は、例えば（ａ）ＤＣ性付与の目的で、Ｎｉおよび／またはＣｏを合計で０．３原子％以下（０原子％を含まない）、（ｂ）現像液耐性を付与する目的で、希土類元素を合計で０．０５〜１．０原子％、（ｃ）耐ＩＴＯピンホール腐食性の更なる向上の目的で、Ａｇおよび／またはＺｎを合計で０．１〜１．０原子％、等含有するものであっても良く、含有される元素の種類に応じて、Ａｌ合金膜の特性が改善される。これらの元素による作用効果の詳細は下記の通りである。また、上記成分の他（残部）は、基本的にＡｌおよび不可避不純物である。
【００２９】
（ａ）Ｎｉおよび／またはＣｏ：合計で０．３原子％以下（０原子％を含まない）
これらの元素は、透明導電膜との良好なＤＣ性を確保する上で有用な元素であり、単独または併用することができる。これらの元素が微量含まれることで、ＤＣ性が向上するため、好ましくは０．０２原子％以上、より好ましくは０．０５原子％以上含有させるのがよい。しかしＮｉやＣｏを過剰に含むと剥離液洗浄工程で腐食原因となる粗大な析出物（Ａｌ３ＮｉやＡｌ９Ｃｏ２）が形成され、これら粗大な析出物が腐食起点となることから、Ｎｉおよび／またはＣｏの含有量は合計で０．３原子％以下とすることが好ましい。電気抵抗（配線抵抗）を考慮すると、０．１５原子％以下がより好ましく、更に好ましくは０．１２原子％以下である。
【００３０】
（ｂ）希土類元素：合計で０．０５〜１．０原子％
希土類元素は、Ａｌ合金膜の現像液耐性の向上（エッチングレートの低下）に寄与する元素である。特に希土類元素（Ｘ）はＧｅと結合して金属間化合物（例えばＮｉ−ＧｅＸなど）を形成し、Ａｌ３ＮｉやＡｌ９Ｃｏ２といった上記粗大析出物の形成を抑制できる。こうした効果を発揮させるためには、好ましくは０．０５原子％以上、より好ましくは０．１原子％以上含有させる。一方、過剰に含有させると電気抵抗が増加するので、その含有量は１．０原子％以下とすることが好ましく、より好ましくは０．５原子％以下、更に好ましくは０．４原子％以下である。
【００３１】
なおここでいう希土類元素とは、ランタノイド元素（周期表において、原子番号５７のＬａから原子番号７１のＬｕまでの１５元素）に、Ｓｃ（スカンジウム）とＹ（イットリウム）とを加えた元素群を意味する。希土類元素のなかでも、好ましくはＬａ、Ｇｄ、Ｎｄ、Ｙである。
【００３２】
（ｃ）Ａｇおよび／またはＺｎを合計で０．１〜１．０原子％
これらの元素はＡｌ合金中でのＧｅの固溶限を低下させ、上記所定量のＧｅを含む第１層を形成する上で有用な元素である。すなわち、Ａｇ、ＺｎはＡｌマトリックスにＧｅよりも固溶しやすいため、ＡｇやＺｎが含まれているとＧｅのＡｌマトリックスへの固溶限が低下して、マトリックスに固溶するＧｅが減少し、第１層におけるＧｅ含有量を増やすことができるからである。このような効果を得るには、少なくともＡｇおよび／またはＺｎを合計で０．１原子％以上含有させることが好ましく、より好ましくは０．１５原子％以上、更に好ましくは０．２原子％以上である。一方、含有量が多くなると電気抵抗が増加することがあるため、Ａｇおよび／またはＺｎは合計で１．０原子％以下とすることが好ましく、より好ましくは０．７原子％以下、更に好ましくは０．５原子％以下である。
【００３３】
以上、本発明のＡｌ合金膜の構成および他の成分組成について説明した。
【００３４】
次に（２）Ｇｅ濃化層を含むＡｌ合金膜を得るための加熱、雰囲気条件について説明する。
【００３５】
本発明にかかる上記Ａｌ合金膜、すなわちＡｌ合金膜の３倍以上のＧｅを含む第１層と、第１層よりもＧｅ含有率の低い第２層と、を含む積層構造とするには、熱履歴と熱処理時の雰囲気を制御することが重要である。すなわち不活性雰囲気（例えばＮ２やＡｒなど）下で、処理温度２００℃以上２７０℃未満（好ましくは２３０℃以上、２６０℃以下）の範囲に、５分以上３０分以下（好ましくは１０分以上、２５分以下）の範囲でＡｌ合金膜の熱処理を行うことが望ましい。
【００３６】
処理温度が２００℃未満ではＧｅが十分に濃化されず、上記第１層を形成できない。また上記温度範囲での滞在時間が５分未満ではＧｅが十分に濃化されず、上記第１層が形成されないまま２７０℃以上の温度になると、Ｇｅ含有析出物が表面に形成されてしまい、該析出物に起因してピンホール腐食が生じることがある。なお、上記第１層を形成するための上記温度範囲での滞在時間の上限については特に限定されないが、長すぎると生産性が低下するため、３０分以下とした。
【００３７】
このような熱処理はＡｌ合金膜→ＳｉＮ膜（絶縁膜）→ＩＴＯ膜の一連の成膜工程の間のいずれかにおいて、新たに付加（追加）してもよいが、好ましくはＳｉＮ膜の成膜前に上記加熱処理を行うことがよい。ＳｉＮ膜成膜時における到達温度は３００〜３５０℃であるため、例えばＳｉＮ成膜前にプレアニールや昇温速度を遅くすることで（例えば、好ましくは５℃／分以下、より好ましくは３℃／分以下、更に好ましくは１℃／分以下）、上記２７０℃未満の温度に晒される時間を上記範囲内となる様に制御し、上記第１層の形成を促進することが望ましい。
【００３８】
また希土類元素を含有する場合、本発明では希土類元素とＧｅとを結合させて金属間化合物（例えばＮｉ−ＧｅＸなど）を形成し、Ａｌ３ＮｉやＡｌ９Ｃｏ２といった粗大析出物の形成を抑制することが望ましいが、このような金属間化合物を形成するには、２７０℃以上の温度に晒す必要がある。しかしながら２７０℃未満の温度域に晒される時間が短いと第１層が十分に形成されず、一方、２７０℃以上での熱処理時間が長くなるとＧｅと希土類元素との析出物が多量に形成されてしまい、上記所定量のＧｅを含有する第１層が得られない恐れがある。したがって希土類元素を含有する場合は、上記望ましい処理温度および滞在時間に制御し、２７０℃未満の温度で十分に第１層を形成してから、２７０℃以上の温度域で上記金属間化合物を形成することが望ましい。
【００３９】
更に熱処理時の雰囲気が酸素など酸化性雰囲気であると、ＧｅよりもＡｌが優先的に酸化されてしまい、Ａｌ合金表面に上記所定量のＧｅを含む第１層を十分に形成できなくなるため、少なくともＡｌ合金膜成膜後、第１層を形成するまでは、不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。
【００４０】
本発明のＴＦＴ基板は、基本的に下記（ａ）〜（ｄ）の工程を順次行なうことによって、透明導電膜とＡｌ合金膜を直接接触させた構造としたものであるが、各工程における条件は、通常行なわれる条件に従えばよい。また、これらの工程に付随して行なわれる処理についても通常の条件に従えばよい。
（ａ）上記のような化学成分組成からＡｌ合金膜を基材表面にスパッタリング法等で形成する工程、
（ｂ）Ａｌ合金膜上に絶縁層を形成した後、フォトリソグラフィおよびドライエッチングによって、コンタクトホールを形成する工程、
（ｃ）フォトリソグラフィで形成したフォトレジストの剥離・洗浄を行なう工程、
（ｄ）透明導電膜（例えばＩＴＯ膜）を形成する工程。
【００４１】
例えば、Ａｌ合金膜上には、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等の絶縁層がＣＶＤ法（化学気相蒸着法）等によって形成されるが、本発明のＴＦＴ基板を形成するに当たってもこうした工程が必要となる。また上記フォトリソグラフィの工程では、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）を含むアルカリ性の現像液が使用されるが、本発明のＴＦＴ基板を形成するに当たってもこうした工程が必要となる。更に、フォトリソグラフィで形成したフォトレジスト（感光性樹脂）の剥離には、アミン類を含む有機性剥離液が用いられ、その後連続的に水洗されることになる。
【００４２】
本発明のＴＦＴ基板によれば、ピンホール腐食が発生しにくいものとなる。ピンホール腐食が抑制されている基準としては、６０℃で相対湿度（ＲＨ）が９０％の湿潤環境に５００時間曝露した後のピンホール腐食密度が、光学顕微鏡観察（１０００倍）視野内に０．２個／１００μｍ2以下であることが挙げられる。また、ピンホール腐食はタブ部（ＴＡＢ部）に適用される基板においても生じるものであることから、本発明のＴＦＴ基板は、表示装置のタブ部に適用される場合にも、その効果を発揮するものである。
【００４３】
本発明のＴＦＴ基板を構成する要件は、通常用いられるものであれば特に限定されない。例えば、本発明に用いられる透明導電膜として、上記した酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜の他、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）膜を使用することができる。
【００４４】
上記のようなＴＦＴ基板を備えることによって、特性の良好な表示装置が得られることになるが、こうした表示装置を製造するにあたっては、各工程における条件は特に限定されず、表示装置の一般的な工程（例えば、前記特許文献１に記載の製造工程）を採用すればよい。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
【００４６】
［実施例１］
下記表１に示す種々の合金組成のＡｌ合金膜（膜厚＝３００ｎｍ）を、ＤＣマグネトロン・スパッタ法（条件は、基板＝ガラス（コーニング社製  「Ｅａｇｌｅ２０００」）、雰囲気ガス＝アルゴン、圧力＝２ｍＴｏｒｒ、基板温度＝１００℃、ターゲットサイズ＝４ｉｎｃｈ、成膜パワー＝２６０Ｗ）で成膜した。
【００４７】
なお、上記種々のＡｌ合金膜における各合金元素の含有量は、ＩＣＰ発光分析（誘導結合プラズマ発光分析）法によって求めた。
【００４８】
そして、Ａｌ合金膜上の絶縁膜（ＳｉＮ膜）の成膜で受ける熱履歴を模擬して、３２０℃で３０分保持する熱処理を施した。この際の雰囲気を不活性雰囲気（Ｎ２雰囲気）とし、また３２０℃までの昇温速度は３℃／ｍｉｎとした。
【００４９】
次いで、Ａｌ合金膜等の表面に、ＩＴＯ膜（膜厚６０ｎｍ）を下記条件で形成した。即ち、４インチのＩＴＯターゲットを用い、ＤＣマグネトロン・スパッタ法（条件は、基板温度：室温、成膜パワー：１５０Ｗ、雰囲気ガス：アルゴン、圧力：０．８ｍＴｏｒｒ）でＩＴＯ膜の成膜を行った。
【００５０】
［剥離・洗浄工程］
絶縁膜のパターン形成時におけるフォトレジストの除去（剥離）を模擬して、前記熱処理後のＡｌ合金膜に対し、次の様な剥離液洗浄を行った。即ち、東京応化工業（株）製のアミン系レジスト剥離液「ＴＯＫ１０６」を用い、ｐＨ＝１０．５に調整した水溶液（液温：約２５℃）に１分間浸漬後、ｐＨ＝９．５に調整した水溶液（液温：約２５℃）に５分間浸漬させ、その後、純水（液温：約２５℃）で洗浄してから乾燥させてサンプルを得た。
【００５１】
本発明では、第１層を特定した後、該第１層に含まれるＧｅ量分布を測定し、該第１層に含まれるＧｅ含有量分布のうち、別途測定したＡｌ合金膜全体に含まれるＧｅ量との比率を計算した値を第１層として表１に記載した。
【００５２】
＜Ａｌ合金膜の第１層の膜厚＞
第１層の膜厚はＸＰＳ法によって測定した。具体的には、構成元素の深さ方向の組成分析を行い得られたスペクトルにおいて、Ｇｅの最大ピーク強度の１／２以上の部分を第１層とし、その厚さを測定した。
【００５３】
＜Ａｌ合金膜の第１層に含まれるＧｅ量＞
Ａｌ合金膜断面をＴＥＭ観察し、ＴＥＭ−ＥＤＸからＧｅ濃度を測定した。具体的には、断面ＴＥＭ観察においてＩＴＯ／Ａｌ合金界面を横断するように１ｎｍ毎にＥＤＸ分析を行い、最大Ｇｅ濃度を示した値を第１層に含まれるＧｅ含有量とした。
【００５４】
＜Ａｌ合金膜に含まれるＧｅ量＞
Ａｌ合金膜全体に含まれるＧｅ量は、ＩＣＰ発光分析法によって測定した。具体的には、Ａｌ及び各種添加元素を溶解できる酸（ｐＨ２以下の硝酸）を用いてＡｌ合金膜を溶解し、得られた溶液中のＡｌと各種添加元素の量をＩＣＰ発光分析法により測定し、得られた値を１００％に規格化してＡｌ合金膜の組成（原子％）を算出し、Ｇｅ量とした。
【００５５】
＜ピンホール腐食試験＞
また各試料について、上述した様な輸送・保管状態を模擬して、６０℃×９０％ＲＨの湿潤環境に５００時間曝露するピンホール腐食試験を行い、この試験後の表面を、光学顕微鏡にて倍率１０００倍で観察（観察範囲：８６００μｍ２程度）し、存在する黒点の数を数えて１００μｍ２視野あたりの個数を算出し、試験後のピンホール腐食密度（黒点密度）を求めた。
【００５６】
そして、上記ピンホール腐食密度が上記観察範囲のいずれの視野においても０．２個／１００μｍ２以下である場合を、ピンホール腐食発生が十分に抑制されている（合格）と評価し、上記ピンホール腐食密度が０．２個／１００μｍ２超である場合を、ピンホール腐食が発生している（不合格）と評価した。これらの結果を表１に併記する。
【００５７】
【表１】
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【００５８】
表１より、次のように考察することができる。
【００５９】
すなわち、Ｎｏ．１〜１７はＡｌ合金膜の成分組成、及び第１層の厚みと第１層に含まれるＧｅ量が、本発明で規定する要件を満たすため、腐食試験によるピンホール腐食の発生が十分に抑制されていることがわかる。
【００６０】
これに対し、Ｎｏ．１８は、Ｇｅ添加量が少なかったため、形成した第１層の膜厚も薄く、また第１層に含まれるＧｅ量も少ない。そのため、ピンホール腐食の発生を十分抑制できなかった。
【００６１】
また、Ｎｏ．１９は、Ｇｅが添加されておらず、第１層を形成できなかった。またＮｉ含有量も本発明の好ましい範囲を超えていた。そのため、ピンホール腐食を抑制できなかった。