(57)【要約】      （修正有）【課題】超微細ピッチ及び高度の均一な電気接触バンプが得られるコアレスパッケージ基板を提供する。また、本発明はコアレスパッケージ基板の製造方法を提供する。【解決手段】対向する第1の表面２４ａと第2の表面２４ｂを有する補助誘電体層２４と、第2の表面に設けられた内層回路２６と、第2の表面と内層回路に設けられたビルドアップ構造からなる基板本体２と、対向する第1端２５２ａと第2端２５２ｂを有する金属柱２５２と、第1端に設けられた半田層２５１とからなる複数の電気接触バンプ２５とを備え、金属柱の第2端が補助誘電体層に位置して内層回路２６に電気的に接続され、金属柱の第1端と半田層が補助誘電体層の第1の表面に突出される。【選択図】図１１
2011040702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第1の表面と第2の表面を有する補助誘電体層と、前記第2の表面に設けられた内層回路と、前記第2の表面と前記内層回路に設けられたビルドアップ構造とからなり、前記ビルドアップ構造は、少なくとも一つの誘電体層と、前記誘電体層に設けられた回路層と、前記誘電体層に形成され前記回路層に電気的に接続された複数の導電ビアとを備え、且つ前記導電ビアの一部は前記回路層と前記内層回路に電気的に接続され、また、前記ビルドアップ構造の最外層の回路層に複数の電気接触パッドをさらに備える基板本体と、
対向する第1端と第2端を有する金属柱と、前記第1端に設けられた半田層とからなり、前記金属柱の前記第2端が前記補助誘電体層に位置して前記内層回路に電気的に接続され、且つ前記金属柱の前記第1端と前記半田層が前記補助誘電体層の前記第1の表面に突出される複数の電気接触バンプと、
を備えることを特徴とするコアレスパッケージ基板。
【請求項２】
前記ビルドアップ構造に設けられ、且つ前記の各電気接触パッドを対応させて露出させるための絶縁保護層開孔が複数形成された絶縁保護層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のコアレスパッケージ基板。
【請求項３】
前記の各電気接触パッドに設けられた表面処理層をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載のコアレスパッケージ基板。
【請求項４】
前記表面処理層は、めっきニッケル／金、めっき銀、めっきスズ、電気ニッケル・無電解金（EGIN）、無電解ニッケル・無電解パラジウム・置換金（ENEPIG）、無電解スズめっき（Immersion Tin）、化学金、化学銀、プリフラックス（OSP）からなる群の一つから選ばれて成るものであることを特徴とする請求項3に記載のコアレスパッケージ基板。
【請求項５】
前記金属柱は、銅柱であることを特徴とする請求項1に記載のコアレスパッケージ基板。
【請求項６】
対向する両表面を有するキャリア層と、前記キャリア層の対向する両表面に形成された離型膜と、前記離型膜上に形成された金属層と、前記金属層に形成された第1のレジスト層と、前記第1のレジスト層に形成された補助誘電体層とからなり、且つ前記の各補助誘電体層に有効領域が定義された基材を用意する工程と、
前記補助誘電体層及び前記第1のレジスト層に金属層の一部の表面を露出させる複数の開孔を形成する工程と、
前記の各開孔にめっきによって半田層と金属柱を順次に形成する工程と、
前記補助誘電体層に第2のレジスト層を形成し、前記第2のレジスト層にフォトリソグラフィにより複数の開口領域を形成することにより、補助誘電体層の一部を露出させ、それに対応して前記の各金属柱を露出させる工程と、
前記の各開口領域にめっきによって内層回路を形成し、且つ前記内層回路をそれらの前記金属柱に接続させる工程と、
前記第2のレジスト層を除去する工程と、
少なくとも一つの誘電体層と、前記誘電体層に設けられた回路層と、前記誘電体層に設けられ前記回路層と前記内層回路に電気的に接続された導電ビアとを備え、且つ、最外層の前記回路層に複数の電気接触パッドを備えたビルドアップ構造を、前記補助誘電体層と前記内層回路に形成する工程と、
前記ビルドアップ構造に、前記の各電気接触パッドを対応させて露出させるための絶縁保護層開孔を複数備えた絶縁保護層を形成する工程と、
前記有効領域以外の部分を除去する工程と、
前記キャリア層と前記離型膜を除去して前記金属層を露出させ、二つの基礎基板を形成する工程と、
前記金属層を除去して前記各開孔における半田層と金属柱で電気接触バンプを形成する工程と、
前記第1のレジスト層を除去し、補助誘電体層と、内層回路と、ビルドアップ構造とからなり、コア層がない基板本体を形成し、前記の各電気接触バンプを前記補助誘電体層の表面に突出させる工程と、を備えることを特徴とするコアレスパッケージ基板の製造方法。
【請求項７】
前記キャリア層と前記金属層の面積は前記有効領域に対応する前記離型膜の面積より大きいことを特徴とする請求項6に記載のコアレスパッケージ基板の製造方法。
【請求項８】
前記基材は、前記キャリア層と前記金属層との間、及び前記離型膜以外の領域に接着層が形成されることを特徴とする請求項7に記載のコアレスパッケージ基板の製造方法。
【請求項９】
前記有効領域以外の部分を除去する時、前記接着層をともに除去することを特徴とする請求項8に記載のコアレスパッケージ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記金属層は銅箔であることを特徴とする請求項6に記載のコアレスパッケージ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記金属柱は銅柱であることを特徴とする請求項6に記載のコアレスパッケージ基板の製造方法。
【請求項１２】
切断方法によって前記有効領域以外の部分を除去することを特徴とする請求項6に記載のコアレスパッケージ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記電気接触パッドに表面処理層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載のコアレスパッケージ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記表面処理層は、めっきニッケル／金、めっき銀、めっきスズ、電気ニッケル・無電解金（EGIN）、無電解ニッケル・無電解パラジウム・置換金（ENEPIG）、無電解スズめっき（Immersion Tin）、化学金、化学銀、プリフラックス（OSP）からなる群の一つから選ばれて成るものであることを特徴とする請求項13に記載のコアレスパッケージ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コアレスパッケージ基板及びその製造方法に関し、特に超微細ピッチ回路を有するコアレスパッケージ基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子産業の飛躍的な発展に伴って、電子製品も次第に多機能、高性能を有するものになっている。半導体パッケージ部品の高集積化（high integration）及び小型化（miniaturization）に対する要求を満たして、より多くの能動、受動素子及び回路を接続するために、半導体パッケージ基板は、両面回路基板から次第に多層回路基板（multi-layer board）へと革新を遂げ、限られたスペースの中で、層間接続（interlayer connection）技術を運用して半導体パッケージ基板上の利用可能な回路レイアウト面積を拡大させることによって、高回路密度の集積回路（integrated circuit）の需要に対応し、また、パッケージ基板の厚さを低減させ、パッケージ部品の軽薄短小及び電気機能の向上を達成している。
【０００３】
従来の多層回路基板は、コア板と、その両側に対称的に形成されるビルドアップ構造とからなり、コア板の使用によってリード線の長さや構造全体の厚さが増加しているため、電子製品の機能を向上させると同時にその体積を縮小させるという要求を満たし難い。そこでリード線の長さの短縮、構造全体の厚さの低減、及び高周波数化、小型化の要求に対応すべく、コアレス（coreless）構造の回路基板が発展されるに至った。
【０００４】
図１２乃至図１７は、従来のコアレスパッケージ基板及びその製造方法を模式的に示した断面図である。
図１２に示すように、まず、搭載板10を用意し、前記搭載板10の両表面に薄膜金属層11、離型膜12、キャリア金属層13が順次に設けられている。
【０００５】
図１３に示すように、前記キャリア金属層13に第1の誘電体層14が形成されている。
図１４に示すように、前記第1の誘電体層14にフォトリソグラフィ（photolithography）またはレーザーアブレーション（laser ablation）によって複数のビア140が形成され、エッチングによってそれらのビア140が露出されたキャリア金属層13の表面に複数の凹部（concave）130が形成されている。
【０００６】
図１５に示すように、前記各凹部130及び対応するビア140に半田バンプ141aと第1の導電ビア141bが順次に形成され、前記第1の誘電体層14に前記第1の導電ビア141bに電気的に接続された第1の回路層142が形成され、次に、前記第1の誘電体層14及び第1の回路層142にビルドアップ構造15が形成されている。前記ビルドアップ構造15は、少なくとも一つの第2の誘電体層151と、前記第2の誘電体層151に設けられた第2の回路層152と、前記第2の誘電体層151に複数設けられ、前記第1の回路層142と第2の回路層152に電気的に接続された第2の導電ビア153を備え、且つ前記ビルドアップ構造15の最外層である第2の回路層152が複数の電気接触パッド154をさらに備え、また、前記ビルドアップ構造15の最外層に絶縁保護層16が形成され、前記絶縁保護層16に、前記各電気接触パッド154を対応させて露出するための絶縁保護層開孔160が複数形成されている。
【０００７】
図１６に示すように、離型膜12によってキャリア金属層13を分離し、搭載板10から離脱する二つのコアレス基礎パッケージ基板1を作成する。
図１７に示すように、前記キャリア金属層13を除去し、第1の誘電体層14の表面に突出される半田バンプ141aが複数形成され、コアレスパッケージ基板を作成する。前記半田バンプ141aは後の工程において半導体チップ（図示せず）に接続され、前記電気接触パッド154は後にプリント回路基板（図示せず）に接続される。
【０００８】
上記のように、従来のコアレスパッケージ基板の製造方法では、搭載板10の両側に共に外側表面に薄膜金属層11が設けられた離型膜12がそれぞれ形成された後、前記構造の両側の薄膜金属層11にビルドアップ構造15がそれぞれ形成され、最後、離型膜12とキャリア金属層13の界面に沿って両側のビルドアップ構造を分離して二つのコアレスパッケージ基板が形成されている。
【０００９】
しかし、従来の製造方法では、キャリア金属層13は金属材であるので、前記キャリア金属層13にエッチングによってのみ凹部130の形成可能であり、凹部の孔径や深さが一定の公差を有するため、その後に凹部130に形成された各半田バンプ141aの体積や高さの公差を制御し難く、共平面性（coplanarity）の不良を生じ、半導体チップの接点が応力（stress）のアンバランスにより破壊され、または半導体チップの一部電極パッドが、対応する半田バンプ141aの高度不足により半田バンプ141aと接点を形成できず、電気的接続が無効となってしまう。また、半田バンプ141aの体積平均値が大きすぎ、または高度平均値が高すぎる場合、半田リフロー工程を行うと、半田バンプ141aが変形し、ショートの原因になる接点ブリッジ（bridge）現象が発生しやすくなる問題があった。
【００１０】
従って、前記の問題に鑑み、如何にして従来技術のコアレスパッケージ基板の製造方法において生ずる微細ピッチの設計に不利な諸問題を回避するかが、当業界において解決すべき極めて重要な課題となっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
前記従来技術の種々の欠陥に鑑み、本発明の主な目的は、超微細ピッチ及び高度の均一さがよりよいバンプが得られるコアレスパッケージ基板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記及びその他の目的を達成するために、本発明は、対向する第1の表面と第2の表面を有する補助誘電体層と、前記第2の表面に設けられた内層回路と、前記第2の表面と前記内層回路に設けられたビルドアップ構造とからなる基板本体と、対向する第1端と第2端を有する金属柱と、前記第1端に設けられた半田層からなる複数の電気接触バンプとを備え、前記ビルドアップ構造は、少なくとも一つの誘電体層と、前記誘電体層に設けられた回路層と、前記誘電体層に形成され前記回路層に電気的に接続され且つ一部が前記回路層と前記内層回路に電気的に接続された複数の導電ビアとを備え、また、前記基板本体のビルドアップ構造の最外層の回路層に複数の電気接触パッドを備え、前記金属柱の前記第2端は前記補助誘電体層に位置して前記内層回路に電気的に接続され、且つ前記金属柱の前記第1端と前記半田層は前記補助誘電体層の前記第1の表面に突出されることを特徴とするコアレスパッケージ基板が掲示されている。
【００１３】
前記パッケージ基板は、ビルドアップ構造に設けられた絶縁保護層をさらに備え、前記絶縁保護層に、前記の各電気接触パッドを対応させて露出するための絶縁保護層開孔が複数形成されている。また、前記パッケージ基板は、各電気接触パッドに設けられた表面処理層をさらに備え、前記表面処理層は、めっきニッケル／金、めっき銀、めっきスズ、電気ニッケル・無電解金（EGIN）、無電解ニッケル・無電解パラジウム・置換金（ENEPIG）、無電解スズめっき（Immersion Tin）、化学金、化学銀、プリフラックス（OSP）からなる群の一つから選ばれて成る。
【００１４】
前記パッケージ基板の金属柱は、銅柱である。
本発明は、対向する両表面を有するキャリア層と、前記キャリア層の対向する両表面に形成された離型膜と、前記離型膜上に形成された金属層と、前記金属層に形成された第1のレジスト層と、前記第1のレジスト層に形成された補助誘電体層とからなり、且つ前記の各補助誘電体層に有効領域が定義された基材を用意する工程と、前記補助誘電体層及び前記第1のレジスト層に金属層の表面の一部を露出させる複数の開孔を形成する工程と、前記各開孔にめっきによって半田層と金属柱を順次に形成する工程と、前記補助誘電体層に第2のレジスト層を形成し、前記第2のレジスト層にフォトリソグラフィにより複数の開口領域を形成することにより、補助誘電体層の一部を露出させ、それに対応して前記の各金属柱を露出させる工程と、前記の各開口領域にめっきによって内層回路を形成し、且つ前記内層回路をそれらの前記金属柱に接続させる工程と、前記第2のレジスト層を除去する工程と、少なくとも一つの誘電体層と、前記誘電体層に設けられた回路層と、前記誘電体層に設けられ前記回路層と内層回路に電気的に接続された導電ビアとを備え、且つ、最外層の回路層に複数の電気接触パッドを備えたビルドアップ構造を、前記補助誘電体層と内層回路に形成する工程と、前記ビルドアップ構造に、前記の各電気接触パッドを対応させて露出するための絶縁保護層開孔を複数備えた絶縁保護層を形成する工程と、前記有効領域以外の部分を除去する工程と、前記キャリア層と離型膜を除去して前記金属層を露出させ、二つの基礎基板を形成する工程と、前記金属層を除去して前記各開孔における半田層と金属柱で電気接触バンプを形成する工程と、前記第1のレジスト層を除去し、補助誘電体層と、内層回路と、ビルドアップ構造とからなるコア層がない基板本体を形成し、前記の各電気接触バンプを前記補助誘電体層の表面に突出させる工程と、を備えるコアレスパッケージ基板の製造方法がさらに掲示されている。
【００１５】
前記製造方法において、キャリア層と金属層の面積は有効領域に対応する離型膜の面積より大きく、また、基材の、キャリア層と金属層との間、及び前記離型膜以外の領域に接着層を形成してもよく、前記有効領域以外の部分を除去する時、前記接着層も同時に除去することができる。
【００１６】
前記製造方法において、前記金属層は銅箔であり、前記金属柱は銅柱であり、また、切断方法によって前記有効領域以外の部分を除去することができる。
また、前記製造方法は、電気接触パッドに表面処理層を形成する工程をさらに含み、前記表面処理層は、めっきニッケル／金、めっき銀、めっきスズ、電気ニッケル・無電解金（EGIN）、無電解ニッケル・無電解パラジウム・置換金（ENEPIG）、無電解スズめっき（Immersion Tin）、化学金、化学銀、プリフラックス（OSP）からなる群の一つから選ばれて成るものである。
【００１７】
上記のように、本発明のコアレスパッケージ基板では、補助誘電体層と第1のレジスト層を貫通する小孔径の開孔が形成されたことで、各開孔に形成された電気接触バンプの体積や高さの平均値と公差を効果的に制御し、超微細ピッチのバンプが得られる。
【００１８】
更に詳細に言えば、本発明の電気接触バンプは、金属柱と当該金属柱に設けられた半田層からなり、前記金属柱の一端及び半田層は補助誘電体層の第1の表面に突出される。従来技術と比較すると、本発明の電気接触バンプは、特に半田リフローを行った後、金属柱が半田リフローによって変形しないため、各電気接触バンプの平均高度が顕著に変化ことがなく、且つ電気接触バンプの高度公差も小さく、より好ましいバンプ共平面性を有し、より好ましい接点信頼度が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係るコアレスパッケージ基板の製造方法を模式的に示した断面図である。
【図２】本発明に係るコアレスパッケージ基板の製造方法を模式的に示した断面図である。
【図３】本発明に係るコアレスパッケージ基板の製造方法を模式的に示した断面図である。
【図４】本発明に係るコアレスパッケージ基板の製造方法を模式的に示した断面図である。
【図５】本発明に係るコアレスパッケージ基板の製造方法を模式的に示した断面図である。
【図６】本発明に係るコアレスパッケージ基板の製造方法を模式的に示した断面図である。
【図７】本発明に係るコアレスパッケージ基板の製造方法を模式的に示した断面図である。
【図８】本発明に係るコアレスパッケージ基板の製造方法を模式的に示した断面図である。
【図９】本発明に係るコアレスパッケージ基板の製造方法を模式的に示した断面図である。
【図１０】本発明に係るコアレスパッケージ基板の製造方法を模式的に示した断面図である。
【図１１】本発明に係るコアレスパッケージ基板の製造方法を模式的に示した断面図である。
【図１２】従来のコアレスパッケージ基板を模式的に示した断面図である。
【図１３】従来のコアレスパッケージ基板を模式的に示した断面図である。
【図１４】従来のコアレスパッケージ基板を模式的に示した断面図である。
【図１５】従来のコアレスパッケージ基板を模式的に示した断面図である。
【図１６】従来のコアレスパッケージ基板を模式的に示した断面図である。
【図１７】従来のコアレスパッケージ基板を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、特定の具体的な実施例により本発明の実施形態を説明する。当業者は本明細書に開示されている内容から本発明の他のメリット及び効果を容易に理解できる。
図１乃至図１１は本発明に係るコアレスパッケージ基板の製造方法を示す図である。
【００２１】
図１に示すように、対向する両表面を有するキャリア層20と、一部が前記キャリア層20の対向する両表面に形成された離型膜21と、前記離型膜21の外側の領域を囲んだ接着層20aと、前記離型膜21と接着層20aに形成された金属層22と、前記金属層22に形成された第1のレジスト層23aと、前記第1のレジスト層23aに形成された補助誘電体層24からなり、且つ前記各補助誘電体層24に有効領域Aが定義された基材2aを用意する。前記キャリア層20と金属層22の面積は前記有効領域Aに対応する離型膜21の面積よりも大きく、前記キャリア層20と金属層22との間、及び前記搭載層における離型膜21以外の領域に接着層20aが形成されている。また、前記金属層22は銅箔であり、前記離型膜21は金属材、アクリル材、プラスチック材、または剥離可能なゴム材であってもよい。
【００２２】
後の工程では、キャリア層20の両表面の工程は共に同様であるので、以下、キャリア層20のその一つの表面についてのみ説明する。
図２に示すように、補助誘電体層24と第1のレジスト層23aに複数の開孔240を形成し、金属層22表面の一部を露出させる。前記開孔240は、フォトリソグラフィ（photolithography）、レーザーアブレーション、またはプラズマ（plasma）によって形成される。また、開孔240を形成する工程について、まず、補助誘電体層24に孔状構造を形成した後、第1のレジスト層23aに前記孔状構造に対応するビア230aを形成し、連通された孔状構造とビア230aによって開孔240を形成し、または補助誘電体層24と第1のレジスト層23aを同時に貫通することで開孔240を形成する。また、第1のレジスト層23aは、フォトレジスト材または感光可能な樹脂材から成り、補助誘電体層24は、誘電体材から成る。
【００２３】
図３に示すように、金属層22によって各開孔240にめっきにより半田層251と金属柱252を順次に形成する。前記金属柱252は銅柱である。
図４に示すように、補助誘電体層24に第2のレジスト層23bを形成し、フォトリソグラフィによって前記第2のレジスト層23bに複数の開口領域230bを形成することで、補助誘電体層24の一部を露出させ且つ各金属柱252を対応的に露出させた後、各開口領域230bにおける補助誘電体層24と金属柱252に、めっきにより、金属柱252に電気的に接続された内層回路26を形成する。
【００２４】
図５に示すように、第2のレジスト層23bを除去し、補助誘電体層24と内層回路26を露出させる。
図６に示すように、補助誘電体層24と内層回路26に、少なくとも一つの誘電体層270と、前記誘電体層270に設けられた回路層271と、前記誘電体層270に設けられ前記回路層271に電気的に接続された導電ビア272とを備えたビルドアップ構造27を形成し、導電ビア272’の 一部は回路層271’と内層回路26に電気的に接続され、且つ、最外層の回路層271にプリント回路基板（図示せず）に接続されるための複数の電気接触パッド273を備える。
【００２５】
図７に示すように、ビルドアップ構造27に、ソルダ−レジスト、感光または非感光性の誘電体材または樹脂であり、且つ前記各電気接触パッド273が対応すて露出されるための各絶縁保護層開孔290を複数備えた絶縁保護層29を形成する。
【００２６】
図８に示すように、切断方法によって、切断線S-S（図７に示すように）に沿って有効領域A以外の部分と接着層20aを共に除去する。面全体のコアレスパッケージ基板にはコアレスパッケージ基板ユニットが複数レイアウト配置されているので、切断工程により、単一のコアレスパッケージ基板ユニットを複数分離させて得ることができる。
【００２７】
図９に示すように、キャリア層20と離型膜21を除去して金属層22を露出させ、二つのコアレス基礎基板2’を形成する。
図１０に示すように、金属層22を除去し、各開孔240における半田層251と金属柱252で電気接触バンプ25を形成する。また、各電気接触パッド273に表面処理層30を形成する。
【００２８】
図１１に示すように、第1のレジスト層23aを除去して基板本体2を形成する。前記基板本体2は、表面に電気接触バンプ25が突出される補助誘電体層24と、内層回路26と、ビルドアップ構造27からなる、コアレスのものである。、これによりコアレスパッケージ基板が完成する。
【００２９】
本発明のコアレスパッケージ基板は、第1のレジスト層23aと補助誘電体層24を貫通することで開孔240が形成され、第1のレジスト層23aはドライ膜であるため、レーザーアブレーション、プラズマ、またはフォトリソグラフィによって第1のレジスト層23aを貫通した小孔径のビア230aが形成される。そのため各開孔240に形成された電気接触バンプ25の体積や高さの平均値と公差を効果的に制御し、超微細ピッチの要求を満たすことができる。
【００３０】
更に詳しく言えば、本発明の電気接触バンプ25は、金属柱252と当該金属柱に設けられた半田層251からなり、前記金属柱252及び半田層251は補助誘電体層24に突出され、且つ半田層251が電気接触バンプ25に占める体積は小さい。従来技術と比較すると、本発明では、特に半田リフローを行った後、金属柱252が半田リフローによって変形しないため、各電気接触バンプの平均高度が顕著に変化することがなく、且つ電気接触バンプの高度の公差も小さく、より好ましいバンプ共平面性を有し、半田層251の変形によってショートの原因となる接点ブリッジ現象が起こるのを回避し、より好ましい接点信頼度を有し、効果的に電気的に接続される半導体チップが得られる。
【００３１】
本発明には、基板本体2と、複数の電気接触バンプ25とを備えるコアレスパッケージ基板がさらに掲示されている。
前記基板本体2は、対向する第1の表面24aと第2の表面24bを有する補助誘電体層24と、前記第2の表面24bに設けられた内層回路26と、前記第2の表面24bと前記内層回路26上に設けられたビルドアップ構造27からなる。前記ビルドアップ構造27は、少なくとも一つの誘電体層270と、前記誘電体層270に設けられた回路層271と、前記誘電体層270に形成され前記回路層271に電気的に接続された複数の導電ビア272とを備え、導電ビア272’の一部が回路層271’と内層回路26に電気的に接続され、且つ、最外層の回路層271にプリント回路基板（図示せず）に接続されるための複数の電気接触パッド273を備える。
【００３２】
前記複数の電気接触バンプ25は、対向する第1端252aと第2端252bを有し、銅柱である金属柱252と、前記金属柱252の第1端252aに設けられた半田層251からなる。前記金属柱252の第2端252bは補助誘電体層24に位置して内層回路26に電気的に接続され、且つ前記金属柱252の第1端252aと半田層251が前記補助誘電体層24の第1の表面24aに突出される。
【００３３】
前記コアレスパッケージ基板は絶縁保護層29と表面処理層30とをさらに備える。前記絶縁保護層29はビルドアップ構造27に設けられ、且つ前記絶縁保護層には前記各電気接触パッド273を対応させて露出させるための絶縁保護層開孔290が複数形成されている。前記表面処理層30は各電気接触パッド273の露出する表面に設けられる。該表面処理層30は、めっきニッケル／金、めっき銀、めっきスズ、電気ニッケル・無電解金（EGIN）、無電解ニッケル・無電解パラジウム・置換金（ENEPIG）、無電解スズめっき（Immersion Tin）、化学金、化学銀、プリフラックス（OSP）からなる群の一つから選ばれて成る。
【００３４】
なお、上記の実施例は、本発明の原理及びその効果を例示的に説明するものに過ぎず、本発明を限定するものではない。本発明の主旨を逸脱しない範囲において、当業者は前記実施例に対して変更を行うことができ、そうした変更は本願の特許請求の範囲に含まれる。本発明の技術的特徴は、本発明の特許請求の範囲に具体的に記載される。
【符号の説明】
【００３５】
1             コアレス基礎パッケージ基板
2             基板本体
2’           基礎基板
2a             基材
10             搭載板
11             薄膜金属層
12、21       離型膜
13              キャリア金属層
14              第1の誘電体層
15、27           ビルドアップ構造
16、29          絶縁保護層
20             キャリア層
20a             接着層
22              金属層
23a          第1のレジスト層
23b             第2のレジスト層
24              補助誘電体層
24a             第1の表面
24b             第2の表面
25              電気接触バンプ
26              内層回路
30              表面処理層
130             凹部
140、230a        ビア
141a             半田バンプ
141b             第1の導電ビア
142             第1の回路層
151             第2の誘電体層
152             第2の回路層
153              第2の導電ビア
154、273        電気接触パッド
160、290          絶縁保護層開孔
230b            開口領域
240            開孔
251            半田層
252          金属柱
252a            第1端
252b            第2端
270            誘電体層
271、271’     回路層
272、272’    導電ビア
A               有効領域
S-S             切断線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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