(57)【要約】      （修正有）【課題】露光不良を抑制できる保護部材、露光装置、保護方法、清掃方法、及びデバイス製造方法を提供すること。【解決手段】露光光の光路の少なくとも一部が液体で満たされるように液浸空間ＬＳを形成するために液体供給装置７及び液体回収装置８を備えるもので、基板保持部Ｐとプレート部材Ｔで一方から他方へ液浸領域が移動可能である。【選択図】図２
2011040444.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部の周囲に配置される所定部材とを備える第１可動部材を有し、液体を介して前記基板保持部に保持された基板を露光光で露光する露光装置の前記所定部材を保護するために用いられる保護部材であって、
前記所定部材と前記基板保持部に保持される基板との一方から他方へ前記液体の液浸領域が移動可能である、保護部材。
【請求項２】
前記液体の液浸領域は、前記所定部材の第１エッジと、前記基板保持部に保持される基板とがギャップを介して離れた状態で、前記所定部材と前記基板保持部に保持される基板との一方から他方へ移動可能であり、前記第１エッジの少なくとも一部を保護する請求項１に記載の保護部材。
【請求項３】
さらに、前記露光装置は、前記第１可動部材とは異なる第２可動部材を備え、前記所定部材の第２エッジと、前記第２可動部材とが接触もしくは接近した状態で、前記所定部材と前記第２可動部材との一方から他方へ前記液体の液浸領域が移動可能であり、前記第２エッジの少なくとも一部を保護する請求項１または請求項２に記載の保護部材。
【請求項４】
前記第２可動部材は、前記露光光を計測する計測部材を備えた請求項３に記載の保護部材。
【請求項５】
前記所定部材は、前記液体に対して撥液性である請求項１〜４の何れか一項記載の保護部材。
【請求項６】
前記所定部材から着脱可能である請求項１〜５の何れか一項記載の保護部材。
【請求項７】
前記所定部材と前記基板保持部に保持される基板との一方から他方へ前記液体の液浸領域が移動する時には、前記所定部材から取り外されている請求項６に記載の保護部材。
【請求項８】
前記基板保持部を清掃する清掃部材と前記所定部材とが接触することを抑制する請求項１〜７の何れか一項記載の保護部材。
【請求項９】
前記所定部材は、前記第１可動部材から着脱可能なプレート部材である請求項１〜８の何れか一項記載の保護部材。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか一項記載の保護部材を保持する保持部を備える露光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の露光装置により基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜９の何れか一項記載の保護部材を用いて、前記所定部材を保護する保護方法。
【請求項１３】
請求項１〜９の何れか一項記載の保護部材により前記所定部材を保護する工程と、
前記基板保持部の少なくとも一部を清掃する工程と、を含む清掃方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の清掃方法で、前記基板保持部の少なくとも一部を清掃することと、
前記清掃後に、前記基板保持部で基板を保持して、前記基板を露光することと  、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１５】
基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部の周囲に配置される所定部材とを有する可動部材を備える露光装置を用いるデバイス製造方法において、
前記基板を露光する第１動作と異なる第２動作を実行するために、前記所定部材を保護部材で保護することと、
前記第１動作を実行するために前記保護部材を取り外すとともに、液体を介して前記基板保持部に保持される基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１６】
前記第２動作は、前記可動部材の清掃を含む請求項１５に記載のデバイス製造方法。
【請求項１７】
前記第１動作では、前記液体の液浸領域が前記基板保持部に保持された基板と前記所定部材との一方から他方に移動される請求項１５または請求項１６に記載のデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、保護部材、露光装置、保護方法、清掃方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置は、露光対象の基板を保持する基板保持部を備えている。基板の裏面と基板保持部との間に異物が存在すると、例えば基板の平面度が低下して、露光不良が発生し、その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。そのため、例えば下記特許文献に開示されているように、基板保持部を清掃する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第５５５９５８２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板保持部の清掃に不具合が生じると、基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる保護部材、露光装置、保護方法及び清掃方法を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、基板を保持する基板保持部と、基板保持部の周囲に配置される所定部材とを備える第１可動部材を有し、液体を介して基板保持部に保持された基板を露光光で露光する露光装置の所定部材を保護するために用いられる保護部材であって、所定部材と基板保持部に保持される基板との一方から他方へ液体の液浸領域が移動可能である、保護部材が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の保護部材を保持する保持部を備えた露光装置が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、第２の態様の露光装置により基板を露光することと、露光された基板を現像することとを含むデバイス製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、第１の態様の保護部材により所定部材を保護する保護方法が提供される。
【００１０】
本発明の第５の態様に従えば、第１の態様の保護部材により所定部材を保護する工程と、基板保持部の少なくとも一部を清掃する工程と、を含む清掃方法が提供される。
【００１１】
本発明の第６の態様に従えば、第５の態様の清掃方法で、基板保持部の少なくとも一部を清掃することと、清掃後に、基板保持部で基板を保持して、基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【００１２】
本発明の第７の態様に従えば、基板を保持する基板保持部と、基板保持部の周囲に配置される所定部材とを有する可動部材を備える露光装置を用いるデバイス製造方法において、基板を露光する第１動作と異なる第２動作を実行するために、所定部材を保護部材で保護することと、第１動作を実行するために保護部材を取り外すとともに、液体を介して基板保持部に保持される基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、露光不良の発生を抑制できる。本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１５】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステ−ジ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステ−ジ２と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパタ−ンの像を液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、を備えている。
【００１６】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。
【００１７】
照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を露光光ＥＬで照明する。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレ−ザ光を用いる。
【００１８】
マスクステ−ジ１は、マスクＭの下面（パタ−ン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持可能である。マスクステ−ジ１は、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。
【００１９】
投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパタ−ンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５または１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸とほぼ平行である。
【００２０】
投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面１１を有する終端光学素子１０を備えている。終端光学素子１０は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い光学素子である。
【００２１】
基板ステ−ジ２は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持可能である。基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２２】
Ｘ軸方向、及びＹ軸方向におけるマスクステージ１及び基板ステージ２のそれぞれの位置情報は、レーザ干渉計を含む干渉計システム（不図示）で計測される。また、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面の位置情報が、フォーカス・レベリング検出システム（不図示）に検出される。
【００２３】
本実施形態において、基板Ｐは、デバイスを製造するための円形の基板であり、感光材（フォトレジスト）の膜ＲＧを含む。基板Ｐは、表面Ｐａと、エッジＰｃと、裏面Ｐｂとを含む。エッジＰｃは、円形の基板Ｐの外縁を含み、環状である。基板Ｐの表面Ｐａは、液体ＬＱに対して撥液性である。本実施形態において、表面Ｐａと液体ＬＱとの接触角は、例えば９０°以上である。
【００２４】
なお、本実施形態において、基板ＰのエッジＰｃは、液体ＬＱに対して撥液性である。なお、基板Ｐの裏面Ｐｂが液体ＬＱに対して撥液性でもよい。
【００２５】
液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた空間である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００２６】
本実施形態の露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成するために、液体供給装置７と液体回収装置８とを備えている。
【００２７】
本実施形態においては、射出面１１と対向するように配置された基板Ｐの表面Ｐａの一部の領域（局所的な領域）が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。すなわち、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、基板Ｐの露光時に、終端光学素子１０の射出面１１から−Ｚ方向に所定距離だけ離れた位置に基板Ｐが配置され、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む基板Ｐ上の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳを形成する局所液浸方式を採用する。
【００２８】
次に、図２および図３を参照しながら、本実施形態に係る基板ステージ２に関して説明する。
【００２９】
図２は、基板ステージ２の一部を示す側断面図である。図３は、基板ステージ２を上方（＋Ｚ側）から見た平面図である。なお、図３においては、基板保持部５に基板Ｐは保持されていない。また、図３においては、プレート部材保持部６にプレート部材Ｔは保持されていない。
【００３０】
基板ステージ２は、ステージ本体ＳＴと、ステージ本体ＳＴに設けられ、基板Ｐを保持する基板保持部５と、ステージ本体ＳＴに設けられ、プレート部材Ｔを保持するプレート部材保持部６とを含む。
【００３１】
本実施形態において、ステージ本体ＳＴは、図３に示すように、ＸＹ平面において、矩形であり、Ｚ軸方向に厚さを有するプレート状の部材である。基板保持部５は、図３に示すように、ＸＹ平面において円形状であり、ステージ本体ＳＴのほぼ中央に配置されている。また、本実施形態において、基板保持部５は、図２に示すように、基板Ｐの表面ＰａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを脱着可能に保持可能である。本実施形態において、基板保持部５は、基板Ｐの裏面Ｐｂ側で基板Ｐを保持し、基板Ｐの表面Ｐａと終端光学素子１０の射出面１１とが対向するように基板Ｐを保持することができる。すなわち、基板保持部５は、射出面１１から−Ｚ方向に所定距離だけ離れた位置で基板Ｐの表面Ｐａが射出面１１と対向するように基板Ｐを保持することができる。また、本実施形態において、プレート部材保持部６は、図２に示すように、プレート部材Ｔの表面ＴａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、プレートＴを脱着可能に保持可能である。本実施形態において、プレート部材保持部６は、プレートＴの表面Ｔａと終端光学素子１０の射出面１１とが対向するようにプレート部材Ｔを保持することができる。すなわち、プレート部材保持部６は、射出面１１から−Ｚ方向に所定距離だけ離れた位置でプレート部材Ｔの表面Ｔａが射出面１１と対向するようにプレート部材Ｔを保持することができる。
【００３２】
本実施形態において、ＸＹ平面において、ステージ本体ＳＴの上面には、円形の環状の第１リム部Ｒ１を含む基板保持部５と、基板保持部５の周囲に設けられた円形環状の第２リム部Ｒ２と、第２リム部Ｒ２の周囲に設けられた矩形環状の第３リム部Ｒ３を含むプレート部材保持部６とが設けられている。第１リム部Ｒ１と第２リム部Ｒ２との間には第１ギャップＧ１が設けられており、ステージ本体ＳＴの上面は、第１ギャップＧ１の底面Ｇａを含む。
【００３３】
本実施形態において、基板保持部５は、第１リム部Ｒ１と、第１リム部Ｒ１に囲まれた上面（チャック面）５ａと、チャック面５ａに設けられ、裏面Ｐｂを支持する複数の第１ピン部材Ｐ１とを含む。第１ピン部材Ｐ１は、裏面Ｐｂと接触する上面Ｐ１ａを含む。なお、図３においては、第１ピン部材Ｐ１を図示していない。
【００３４】
第１リム部Ｒ１は、図３に示すように、円形の環状である。第１リム部Ｒ１は、裏面Ｐｂと接触する接触面Ｒ１ａと、内側側面Ｒ１ｂと、外側側面Ｒ１ｃとを含む。内側側面Ｒ１ｂは、チャック面５ａの外縁に沿って環状に形成され、Ｚ軸方向とほぼ平行にチャック面５ａから接触面Ｒ１ａまで延びている。外側側面Ｒ１ｃは、内側側面Ｒ１ｂの周囲に、内側側面Ｒ１ｂに沿って円形の環状に形成され、Ｚ軸方向とほぼ平行に、第１ギャップＧ１の底面Ｇａから接触面Ｒ１ａまで延びている。第１ギャップＧ１の底面Ｇａに関しては、後述する。本実施形態において、基板保持部５の外縁は、第１リム部Ｒ１の外側側面Ｒ１ｃで画定される。なお、基板保持部５は、チャック面５ａに設けられた複数の第１吸引口（不図示）を含む。複数の第１吸引口は、吸引ポンプを含む真空システム（不図示）と接続可能である。
【００３５】
本実施形態において、プレート部材保持部６は、第２リム部Ｒ２と、第３リム部Ｒ３と、第２リム部Ｒ２と第３リム部Ｒ３との間に形成されたチャック面６ａと、チャック面６ａに設けられた第２ピン部材Ｐ２とを含む。なお、図３においては、第２ピン部材Ｐ２を図示していない。
【００３６】
第２リム部Ｒ２は、図３に示すように、第１リム部Ｒ１の周囲に、第１リム部Ｒ１と同心状に設けられている。第２リム部Ｒ２は、裏面Ｔｂと接触するＲ２ａと、第１リム部Ｒ１の外側側面Ｒ１ｃと第１ギャップＧ１を介して対向する内側側面Ｒ２ｂと、外側側面Ｒ２ｃとを含む。内側側面Ｒ２ｂは、外側側面Ｒ１ｃとほぼ平行に円形の環状に形成され、Ｚ軸方向とほぼ平行に第１ギャップＧ１の底面Ｇａから接触面Ｒ２ａまで延びている。外側側面Ｒ２ｃは、内側側面Ｒ２ｂの周囲に、内側側面Ｒ１ｂに沿って環状に形成され、チャック面６ａから接触面Ｒ２ａまで延びている。
【００３７】
第３リム部Ｒ３は、図３に示すように、ステージ本体ＳＴの外縁に沿って、矩形の環状に形成されている。第３リム部Ｒ３は、裏面Ｔｂと接触するＲ３ａと、内側側面Ｒ３ｂと、外側側面Ｒ３ｃとを含む。内側側面Ｒ３ｂは、チャック面６ａの外縁に沿って矩形環状に形成され、Ｚ軸方向とほぼ平行にチャック面６ａから接触面Ｒ３ａまで延びている。外側側面Ｒ３ｃは、内側側面Ｒ３ｂの周囲に、内側側面Ｒ３ｂに沿って矩形環状に形成されている。チャック面６ａは、外側側面Ｒ２ｃと内側側面Ｒ３ｂとの間に形成され、チャック面６ａには、複数の第２ピン部材Ｐ２が配置されている。第２ピン部材Ｐ２は、裏面Ｔｂと接触する上面Ｐ２ａを含む。本実施形態において、プレート部材保持部６の外縁は、第２リム部Ｒ２ｂの内側側面Ｒ２ｂと第３リム部Ｒ３の外側側面Ｒ３ｃで画定される。
【００３８】
なお、プレート部材保持部６は、チャック面６ａに設けられた複数の第２吸引口（不図示）を含む。複数の第２吸引口は、吸引ポンプを含む真空システム（不図示）と接続可能である。
【００３９】
本実施形態において、第１ギャップＧ１は、外側側面Ｒ１ｃと、内側側面Ｒ２ｂと、外側側面Ｒ１ｃと内側側面Ｒ２ｂとの間に形成された底面Ｇａとを含む。ギャップＧ１は、図３に示すように、円形の環状である。本実施形態において、ＸＹ平面において、底面Ｇａは、平坦である。
【００４０】
次に、図２〜図４を参照しながら、基板Ｐおよびプレート部材Ｔが基板保持部５およびプレート部材保持部６に保持された状態に関して説明する。
【００４１】
図４は、基板保持部５に基板Ｐ、及びプレート部材保持部６に保持されたプレート部材Ｔを上方（＋Ｚ側）から見た平面図である。
【００４２】
基板保持部５に基板Ｐが載置された状態において、図２に示すように、基板Ｐの裏面Ｐｂと、内側側面Ｒ１ｂと、チャック面５ａとで囲まれた第１空間Ｓ１が形成される。第１空間Ｓ１の気体を、第１吸引口を介して吸引（排気）することによって、基板保持部５の第１リム部Ｒ１と第１ピン部材Ｐ１上に基板Ｐが保持される。また、第１空間Ｓ１からの気体の排気を停止することにより、基板保持部５から、基板Ｐを外すことが可能になる。
【００４３】
本実施形態において、プレート部材Ｔは、図４に示すように、ＸＹ平面において矩形の外形を有し、ほぼ中央に円形の開口が設けられている。円形の開口は、基板保持部５に載置される基板Ｐの外形に応じて円形である。後述するように、本実施形態において、プレート部材Ｔは、プレート部材保持部６を覆うことが可能である。したがって、プレート部材Ｔは、基板保持部５の周囲に配置される。本実施形態において、プレート部材Ｔは、表面Ｔａと、円形の開口を規定する内側エッジＴｃと、矩形の外形を規定する外側エッジＴｄと裏面Ｔｂを含む。表面Ｔａおよび裏面Ｔｂは、内側エッジＴｃと外側エッジＴｄとの間に形成されている。
【００４４】
本実施形態において、プレート部材Ｔの表面Ｔａおよび内側エッジＴｃは、液体ＬＱに対して撥液性である。本実施形態において、プレート部材Ｔは、ステンレス等の金属製の基材と、その基材上に形成された撥液性材料の膜とを含む。プレート部材Ｔの表面Ｔａは、撥液性材料の膜で形成されている。撥液性材料としては、例えばＰＦＡ（Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）、ＰＴＦＥ（Poly tetra fluoro ethylene），ＰＥＥＫ（polyetheretherketone）、テフロン（登録商標）等が挙げられる。なお、プレート部材Ｔ自体が撥液性材料で形成されてもよい。本実施形態において、液体ＬＱに対するプレート部材Ｔの表面の接触角は、例えば９０度以上である。
【００４５】
プレート部材保持部６にプレート部材Ｔが載置された状態において、図２に示すように、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂと、外側側面Ｒ２ｃと、内側側面Ｒ３ｂと、チャック面６ａとで囲まれた第２空間Ｓ２が形成される。第２空間Ｓ２の気体を、第２吸引口を介して吸引（排気）することによって、プレート部材保持部６の第２リム部Ｒ２、第３リム部Ｒ３、及び第２ピン部材Ｐ２上にプレート部材Ｔが保持される。第２空間Ｓ２からの気体の排気を停止することにより、プレート部材保持部６から、プレート部材Ｔを外すことが可能になる。
【００４６】
図２に示すように、基板保持部５に保持された基板Ｐの表面Ｐａとプレート部材保持部６に保持されたプレート部材Ｔの表面Ｔａとはほぼ面一である。また、図２、および図４に示すように、基板保持部５に保持された基板Ｐ（エッジＰｃ）とプレート部材保持部６に保持されたプレート部材Ｔ（内側エッジＴｃ）との間に、第２ギャップＧ２が形成される。第２ギャップＧ２の−Ｚ方向に第１ギャップＧ１が形成されている。ＸＹ平面において、第１ギャップＧ１のサイズは、第２ギャップＧ２のサイズよりも大きい。本実施形態においては、液体ＬＱの表面張力により第２ギャップＧ２に液体ＬＱが侵入しないように、第２ギャップＧ２のサイズが定められている。基板保持部５に保持された基板Ｐの表面Ｐａとプレート部材保持部６に保持されたプレート部材Ｔの表面Ｔａとの一方から他方へ液浸空間ＬＳを移動させることが出来る。すなわち、液浸空間ＬＳは、表面Ｐａから表面Ｔａへ、第２ギャップＧ２を介して移動が可能である。また、図２において、第２ギャップＧ２の上（＋Ｚ軸方向）で液浸空間ＬＳを形成することができる。第２ギャップＧ２のサイズは、例えば、１ｍｍ以下である。本実施形態において、第２ギャップＧ２のサイズは、０．２ｍｍ以下である。本実施形態において、基板保持部５に保持された基板Ｐ（エッジＰｃ）とプレート部材保持部６に保持されたプレート部材Ｔ（内側エッジＴｃ）とは、近接している。
【００４７】
次に、本実施形態の露光装置ＥＸで用いられる保護部材４の一例を説明する。本実施形態において、保護部材４は、プレート部材Ｔの内側エッジＴｃを保護するためのものである。
【００４８】
図５（ａ）は、保護部材４を上方（＋Ｚ側）から見た平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ｂ線に沿った側断面図である。なお、説明を簡単にするために、露光装置ＥＸの説明で用いたＸＹＺ直交座標系を用いて保護部材４を説明する。
保護部材４は、中心に開口部Ｋを有する部材である。保護部材４は、図５（ｂ）に示すように、円形環状の円筒部４Ａと、円筒部４Ａの＋Ｚ側端部から開口部Ｋの中心から放射方向に延びる円形環状の突出部４Ｂとを含む。円筒部４Ａは、図５（ｂ）に示すように、Ｘ軸方向に厚みを有し、Ｚ軸方向に延びている。突出部４Ｂは、図５（ｂ）に示すように、Ｚ軸方向に厚みを有し、ＸＹ平面に延びている。
円筒部４Ａは、表面４ａと、底面４ｄと、開口部Ｋに面し、Ｚ軸方向とほぼ平行に表面４ａから底面４ｄまで延びる内側側面４ｂとを含む。円筒部４Ａは、開口部Ｋの中心に対して内側側面４ｂの外側に配置され、底面４ｄから延びる外側側面４ｃとを含む。表面４ａは、ＸＹ平面とほぼ平行であり、平坦である。底面４ｄは、内側側面４ｂと外側側面４ｃとの間に形成され、ＸＹ平面とほぼ平行であり、平坦である。
突出部４Ｂは、表面４ｅと、裏面４ｇと、Ｚ軸方向とほぼ平行に表面４ｅから裏面４ｇまで延びる外側側面４ｆとを含む。表面４ｅは、表面４ａと面一である。表面４ｅは、ＸＹ平面とほぼ平行であり、平坦である。裏面４ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行であり、平坦である。裏面４ｇは、外側側面４ｆから外側側面４ｂまで延びている。本実施形態において、ＸＹ平面において、底面４ｄのサイズは、表面４ａおよび表面４ｅの面一な表面のサイズよりも小さい。
本実施形態において、保護部材４は、合成樹脂製である。本実施形態において、保護部材４は、例えば、テフロン（登録商標）で形成されている。なお、保護部材４が、例えば、ＰＦＡ（Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）、ＰＴＦＥ（Poly tetra fluoro ethylene），ＰＥＥＫ（polyetheretherketone）等で形成されてもよい。なお、保護部材４は、合成樹脂製に限られない。例えば、金属性のチタンを用いても構わない。
【００４９】
図６および図７を参照しながら、保護部材４がプレート部材Ｔを保護している状態に関して説明する。
【００５０】
図６は、プレート部材Ｔが保護部材４によって保護されている基板ステージ２を上方（＋Ｚ側）から見た平面図である。図７は、図６のＣ-Ｄ線に沿った基板ステージ２の側断面図の一部である。
【００５１】
図７に示すように、保護部材４は、第１ギャップＧ１に載置される。
【００５２】
プレート部材Ｔが保護部材４によって保護されている状態において、図７に示すように、外側側面４ｃは内側エッジＴｃと接触し、内側側面４ｂは、外側側面Ｒ１ｃと接触し、底面４ｄは、底面Ｇａと接触し、裏面４ｇは、表面Ｔａと接触している。したがって、図６に示すように、プレート部材Ｔの内側エッジＴｃの全てが、保護部材４によって保護されている。したがって、ＸＹ平面において、保護部材４の形状は、内側エッジＴｃの形状に応じて決まる。保護部材４は、表面４ａがＸＹ平面とほぼ平行になるように、内側エッジＴｃを覆う。
【００５３】
外側側面４ｃと内側側面Ｒ２ｂとは、接触しておらず、ギャップを介して対向している。また、底面４ｄのサイズは、第１ギャップＧ１のサイズよりも小さいので、図７に示すように、底面Ｇａの一部に、保護部材４が載置されている。
【００５４】
なお、本実施形態において、保護部材４は、第１ギャップＧ１から着脱可能に載置される。
【００５５】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。
【００５６】
まず、露光前の基板Ｐは、所定の搬送装置を用いて、基板ステージ２の基板保持部５にロ−ドされる。
【００５７】
次に、基板保持部５と基板Ｐの裏面Ｐｂとで囲まれた第１空間Ｓ１の気体を、第１吸引口を介して吸引（排気）することによって第１空間Ｓ１を負圧にすることにより、基板Ｐは、基板保持部５に吸着保持される。
【００５８】
次に、終端光学素子１０と基板Ｐとが対向するように、基板ステージ２を投影光学系ＰＬの下方に移動し、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が、液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。液体供給装置７と液体回収装置８により、液浸空間ＬＳが形成される。なお、終端光学素子１０と基板Ｐとが対向している状態で、液体供給装置７の液体供給と液体回収装置８の液体回収を開始してもよいが、例えば、米国特許出願第２００７／０１２７００６号明細書に開示されているように、投影光学系ＰＬの下方に液浸空間ＬＳを維持した状態で、他のステージ（部材）上から基板Ｐ上へ液浸空間ＬＳを移動させてもよい。
【００５９】
終端光学素子１０と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされた状態で、照明系ＩＬより露光光ＥＬが射出される。照明系ＩＬより射出された露光光ＥＬは、マスクＭを照明する。マスクＭを介した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して、基板Ｐに照射される。これにより、マスクＭのパタ−ンの像が基板Ｐの表面Ｐａに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。
【００６０】
基板Ｐの露光が終了した後に、液体供給装置７により液体ＬＱの供給を停止し、液体回収装置８により、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを回収する。基板Ｐの表面Ｐａから液体ＬＱを回収した後、真空システムによる吸引動作を停止する。所定の搬送装置を用いて、露光後の基板Ｐを基板ステージ２の基板保持部５からアンロ−ドされる。以上により、基板Ｐの露光処理が終了する。なお、例えば、米国特許出願第２００７／０１２７００６号明細書に開示されているように、基板Ｐの露光が終了した後に、投影光学系ＰＬの下方に液浸空間ＬＳを維持した状態で、基板Ｐ上から他のステージ（部材）上へ液浸空間ＬＳを移動させた後に、基板ステージ２から基板Ｐをアンロードしてもよい。
【００６１】
基板Ｐの交換処理及び基板Ｐの露光処理を含む露光シーケンスにおいて、異物（汚染物、パーティクル）が基板保持部５の第１ピン部材Ｐ１の上面Ｐ１ａ、および／または第１リム部の接触面Ｒ１ａに付着する可能性がある。上面Ｐ１ａおよび／又は接触面Ｒ１ａが汚染されると、例えば、基板保持部５に保持した基板Ｐの平坦度が低下する可能性がある。その結果、露光不良が発生する可能性がある。したがって、基板保持部５の清掃が実行される。なお、説明を簡単にするために、上面Ｐ１ａを清掃する場合に関して説明する。
【００６２】
そこで、上面Ｐ１ａの清掃は、例えば、所定時間間隔毎、あるいは、所定枚数の基板Ｐの露光する毎などに、図７に示すように、清掃工具ＣＤを用い実行される。上面Ｐ１ａの清掃は、基板Ｐの交換処理及び基板Ｐの露光処理を含む露光シーケンスとは異なる。本実施形態において、清掃工具ＣＤは、露光装置ＥＸが備えている。清掃工具ＣＤは、露光装置内の制御装置（不図示）により上面Ｐ１ａを清掃することが可能である。上面Ｐ１ａを清掃する際、基板ステージ２は、例えば基板交換位置に配置される。清掃工具、及び清掃方法については、例えば、米国特許第５５５９５８２号に開示されており、詳細説明は省略する。
【００６３】
上面Ｐ１ａを清掃工具ＣＤで清掃中に、清掃工具ＣＤと、プレート部材保持部６に保持されたプレート部材Ｔの内側エッジＴｃとが接触する可能性がある。プレート部材保持部６に保持されているプレート部材Ｔの内側エッジＴｃが変形したり、損傷したりすると、例えば、基板Ｐ（表面Ｐａ）とプレ−ト部材Ｔ（表面Ｔａ）との間の第２ギャップＧ２上で、液浸空間ＬＳが形成できない可能性がある。また、内側エッジＴｃにおいてプレート部材Ｔの一部が剥離して異物となり、露光装置ＥＸ（例えば、終端光学素子１０）を汚染する可能性が高くなる。また、その異物が、その後に露光装置ＥＸに搬入される清浄な基板Ｐと接触し、汚染が拡大する可能性もある。また、その異物が終端光学素子１０に付着し、基板Ｐ上に形成されるパターンに欠陥が生じる可能性がある。
【００６４】
そこで、本実施形態では、上述の保護部材４で内側エッジＴｃを覆い、上面Ｐ１ａの清掃を行う。
【００６５】
上面Ｐ１ａの清掃に先立って、保護部材４は、第１ギャップＧ１に保持される。本実施形態においては、保護部材４は作業者により第１ギャップＧ１に設置される。本実施形態において、保護部材４で内側エッジＴｃの全面を覆っている。したがって、清掃工具ＣＤで第１リム部Ｒ１の近傍の上面Ｐ１ａを清掃する場合、清掃工具ＣＤは、保護部材４と接触する。保護部材４は、内側エッジＴｃを覆っているので、清掃工具ＣＤが内側エッジＴｃと接触することを抑制できる。したがって、清掃工具ＣＤが、内側エッジＴｃと接触する場合と比べて、内側エッジＴｃが変形したり、損傷することを抑制できる。保護部材４は、合成樹脂製である場合、保護部材４とプレート部材Ｔとが接触した場合でも、そのプレート部材Ｔの内側エッジＴｃの変形を抑制することができる。
【００６６】
上面Ｐ１ａの清掃が終了した後に、保護部材４は、第１ギャップＧ１から取り外される。保護部材４は、内側エッジＴｃから取り外される。基板Ｐの交換処理及び基板Ｐの露光処理を含む露光シーケンスが開始される。
【００６７】
上述のように、露光前の基板Ｐは、所定の搬送装置を用いて、基板ステージ２の基板保持部５にロ−ドされる。終端光学素子１０と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされた状態、マスクＭのパタ−ンの像が基板Ｐの表面Ｐａに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。露光シーケンスでは、保護部材４が取り外された状態で、基板Ｐ（Ｐａ）とプレート部材Ｔ（表面Ｔａ）との一方から他方へ、液浸空間ＬＳが移動する。
【００６８】
以上、説明したように、本実施形態では、上面Ｐ１ａおよび／又は接触面Ｒ１ａを清掃する時に、内側エッジＴｃを覆う保護部材４を用いたので、清掃工具ＣＤが内側エッジＴｃに接触することを抑制できる。したがって、プレート部材Ｔの変形および損傷を抑制できる。したがって、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【００６９】
なお、上述の実施形態においては、保護部材４は、内側エッジＴｃの全面を覆う円形の環状部材であるが、保護部材４の形状は、これに限られない。内側エッジＴｃの一部を覆う形状でも構わない。また、プレート部材Ｔの内側エッジＴｃとともに、プレート部材Ｔの表面Ｔａ、および外側エッジＴｄの全てを覆うような形状の部材でも構わない。
【００７０】
なお、保護部材４に導電性の部材を用いても構わない。導電性の部材としては、例えば、ポリエチレン系のプラスチックにカーボンが含まれている導電性プラスチックが挙げられる。また、さらに、保護部材４の少なくとも一部が接地（アース）されるようにしても構わない。この場合、保護部材４は、保護部材４に接続されたアース線を含む。これにより、保護部材４をプレート部材Ｔから脱着させる時に、静電気が発生しても、保護部材４が接地されるので、プレート部材Ｔが帯電したりすることが抑制される。
【００７１】
なお、上述の実施形態では、第１ギャップＧ１に載置し、保護部材４を設置したが、保護部材４を設置する場所はこれに限られない。例えば、第１リム部Ｒ１の内側側面Ｒ１ｂの近傍のチャック面５ａに保護部材４を設置する場所を設け、保護部材４を設置しても構わない。
【００７２】
なお、保護部材４を第１ギャップＧ１に載置し、保護部材４を保持したが、第１ギャップＧ１で保持する方法はこれに限られない。例えば、第１ギャップＧ１の底面Ｇａに真空システムに接続可能な吸引口を設けて、保護部材４を第１ギャップＧ１に吸着保持させても構わない。すなわち、保護部材４を第１ギャップＧ１に保持する方法は、適宜選択できる。
【００７３】
また、上述の実施形態では、作業者により保護部材４を第１ギャップＧ１に設置したが、保護部材４は、搬送装置により、保護部材４を第１ギャップＧ１に搬送および設置しても構わない。搬送装置により保護部材４を第１ギャップＧ１に搬送する場合に、第１ギャップＧ１と保護部材４との位置合わせ作業に長時間を費やす可能性がある。第１ギャップＧ１と保護部材４との位置合わせに、基準位置を用いても構わない。基準位置を用いることで、保護部材４の第１ギャップＧ１への設置に係る時間を短縮することができる。例えば、日本特許出願公開平１−２１４０４２号明細書に開示されている基板保持部に配置された基板Ｐの裏面Ｐｂを支持し、昇降する支持部材の貫通孔を、基準位置に用いる。
【００７４】
なお、搬送装置は、露光装置ＥＸが備えていても構わないし、作業者が搬送装置を支持し操作しても構わない。
【００７５】
なお、上述の実施形態では、清掃工具ＣＤは、露光装置ＥＸが備えていたが、露光装置ＥＸが備えていなくても構わない。例えば、清掃時に作業者が清掃工具ＣＤを支持しても構わない。
【００７６】
また、上述の実施形態では、清掃工具ＣＤは、制御装置（不図示）により、清掃したが、清掃工具ＣＤは、作業者が操作することにより清掃しても構わない。この場合も、内側エッジＴｃを覆う保護部材４を用い、清掃を行うので、プレート部材Ｔの変形および損傷を抑制できる。
【００７７】
上述の実施形態では、プレート部材Ｔの内側エッジＴｃを保護する保護部材４を説明したが、露光装置ＥＸで用いられる保護部材は、これに限られない。例えば、プレート部材Ｔの外側エッジＴｄを保護しても構わない。プレート部材Ｔの外側エッジＴｄを覆うような矩形環状の保護部材を用いてもよい。図８に示すように、プレート部材Ｔの外側エッジＴｄと可動ステージＭＢとが第３ギャップＧ３を介して接近する場合がある。液体ＬＱの表面張力により第３ギャップＧ３に液体ＬＱが侵入しないように第３ギャップＧ３のサイズが定められている。なお，第３ギャップＧ３を設けずに外側エッジＴｄと可動ステージＭＢとを接触させても構わない。プレート部材Ｔの外側エッジＴｄが変形すると、例えば、プレート部材Ｔ（表面Ｔａ）と他のステージ（可動部材ＭＢ（表面ＭＢａ））との間の第３ギャップＧ３上で、液浸空間ＬＳが形成できない可能性がある。また、プレート部材Ｔの表面Ｔａと可動部材ＭＢの表面ＭＢａの一方から他方へ液浸空間ＬＳを移動させる時に、プレート部材Ｔの外側エッジＴｄと可動部材ＭＢから液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱが漏れ出す等の不具合が生じる可能性がある。なお、他のステージは可動部材でなくても構わない。なお、他のステージは、例えば、米国特許第６８９７９６３号、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書に開示されているような、露光光を計測する計測部材（計測器）を搭載して移動可能な計測ステージの少なくとも一部でもよい。また、上述の米国特許出願第２００７／０１２７００６号明細書に開示されているようなステージでも構わない。
【００７８】
なお、外側エッジＴｄを保護部材で覆う場合、その保護部材を保持する場所を新たに設け基板ステージ２に設けてもよい。
【００７９】
なお、上述の実施形態では、基板保持部５を清掃するタイミングで、内側エッジＴｃを覆う保護部材４を用いたが、保護部材を用いるタイミングはこれに限られない。例えば、基板ステージ２を搬送・輸送する時に、基板ステージ２に載置されたプレート部材Ｔの内側エッジＴｃおよび外側エッジＴｄの少なくとも一方を保護部材で覆っても構わない。
【００８０】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００８１】
上述の実施形態では、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置を例に挙げて説明してきたが、液体ＬＱを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。
【００８２】
なお、上述の実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系、あるいは基板の表面を形成する感光材（フォトレジスト）の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエ−テル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエ−テル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル、セダ−油等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【００８３】
なお、上述の実施形態において、投影光学系ＰＬは、終端光学素子１０の射出側（像面側）の光路を液体ＬＱで満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１０の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たす投影光学系を採用することもできる。
【００８４】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００８５】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００８６】
また、例えば対応米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【００８７】
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００８８】
更に、例えば対応米国特許第６８９７９６３号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。
【００８９】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００９０】
また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。
【００９１】
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、反射型マスクでも構わない。また、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。
【００９２】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。
【００９３】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【００９４】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００９５】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図９に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【００９６】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【００９７】
４---保護部材、５---基板保持部、６---プレート部材保持部、Ｔ---プレート部材、Ｔｃ---内側エッジ、Ｔｄ---外側エッジ
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る基板ステージ２の一部の一例を示す側断面図である。
【図３】本実施形態に係る基板ステージ２の一例を示す平面図である。
【図４】本実施形態に係る基板ステージ２の一例を示す平面図である。
【図５】（ａ）本実施形態に係る保護部材４の一例を示す平面図である。          （ｂ）本実施形態に係る保護部材４の一例を示す側断面図である。
【図６】本実施形態に係る基板ステージ２の一例を示す平面図である。
【図７】本実施形態に係る基板ステージ２の一部の一例を示す側断面図である。
【図８】本実施形態に係る基板ステージ２の一部の一例を示す側断面図である。
【図９】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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