(57)【要約】【課題】基板上に形成される無機配向膜を構成する柱状構造物のバラツキを抑制する。【解決手段】液晶装置（１００）の製造方法は、基板（１０）上に配列された画素電極（９ａ）上に、絶縁材からなる絶縁膜（１５０）を形成する絶縁膜形成工程と、形成された絶縁膜に対し、該形成された絶縁膜の表面を成膜終了時よりも粗くする粗面加工を施す粗面加工工程と、粗面加工が施された絶縁膜の上に、無機材料を含んでなる無機配向膜（１６）を形成する配向膜形成工程とを備える。【選択図】図３
2011215519.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極上に、絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜の表面に粗面加工を施す粗面加工工程と、
前記粗面加工が施された絶縁膜上に、無機材料を含んでなる無機配向膜を形成する配向
膜形成工程と
を備えることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記粗面加工工程において、パーフルオロカーボン類、フルオロカーボン類、臭化水素
、ヨウ化水素、塩素及びメタンガスのうち少なくとも一つを含むガスのプラズマが用いら
れることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記複数の画素電極の各々は反射電極であることを特徴とする請求項１又は２に記載の
液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記粗面加工工程においては、前記絶縁膜の少なくとも画像表示領域に対応する領域が
粗面加工されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置の製造
方法。
【請求項５】
前記配向膜形成工程においては、斜方蒸着法によって前記無機配向膜を形成することを
特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶プロジェクターのライトバルブ等に用いられる液晶装置の製造方
法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の製造方法により製造された液晶装置として、例えば、基板上にマトリックス状
に形成された反射電極の上に、パッシベーション膜が形成された装置が提案されている（
特許文献１参照）。ここでは特に、パッシベーション膜は酸化シリコン膜であり、その膜
厚は、入射光の波長に応じて、５００〜２０００オングストロームの範囲で適当な値に設
定されることが開示されている。
【０００３】
或いは、画素電極上に、誘電体多層膜からなる増反射膜を備える装置が提案されている
（特許文献２参照）。ここでは特に、画素電極上の誘電体多層膜の積層数が２層とされる
と共に、下層側の誘電体膜の膜厚が上層側の誘電体膜の膜厚よりも薄くされることが開示
されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１５１３１６号公報
【特許文献２】特開２００８−１３４６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、液晶装置では、画素電極上に形成された、例えばパッシベーション膜等の絶
縁膜の上に、液晶分子を所定の配向状態とするための配向膜が形成される。ここで、該配
向膜が無機配向膜である場合、例えばパッシベーション膜等の表面の状態によっては、無
機配向膜を構成する柱状構造物にバラツキが生じる可能性がある。すると、液晶装置の画
像品質が低下する可能性があるという技術的問題点がある。上述の背景技術では、この技
術的問題点については考慮されていない。
【０００６】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、無機配向膜を構成する柱状
構造物のバラツキを抑制し、もって、液晶装置の画像品質の低下を抑制することができる
液晶装置の製造方法を提案することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の液晶装置の製造方法は、上記課題を解決するために、画素電極上に、絶縁膜を
形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜の表面に粗面加工を施す粗面加工工程と、前記粗
面加工が施された絶縁膜上に、無機材料を含んでなる無機配向膜を形成する配向膜形成工
程とを備える。
【０００８】
本発明の液晶装置の製造方法によれば、絶縁膜形成工程において、基板上に配列された
画素電極上に、絶縁材からなる絶縁膜が形成される。次に、粗面加工工程において、形成
された絶縁膜に対し、該形成された絶縁膜の表面を成膜終了時よりも粗くする粗面加工が
施される。ここで、「成膜終了時」とは、絶縁膜の形成が終了した時点に限らず、該時点
から微少時間経過した時点も含んでよい。次に、配向膜形成工程において、粗面加工が施
された絶縁膜の上に、無機材料を含んでなる無機配向膜が、例えば斜方蒸着法等により形
成される。
【０００９】
本願発明者の研究によれば、以下の事項が判明している。即ち、画素電極上に形成され
た絶縁膜の成膜終了時の表面は平滑状態である。そして、絶縁膜上に斜方蒸着法により無
機配向膜を形成する場合、該絶縁膜の表面が平滑状態であることに起因して、無機配向膜
形成における蒸着初期段階の核形成がランダムになる。すると、核を起点とする柱状構造
物も基板面内（即ち、絶縁膜表面）においてランダムになる。この結果、製造された液晶
装置の画像品質が低下する。
【００１０】
しかるに本発明では、上述の如く、粗面加工工程において、絶縁膜に対し、該絶縁膜の
表面を成膜終了時よりも粗くする粗面加工が施される。このため、無機配向膜形成におい
て、核を基板面内で均一又は略均一に発生させることができ、もって、無機配向膜を構成
する柱状構造物を基板面内で均一又は略均一に形成することができる。従って、液晶装置
の画像品質の低下を抑制することができる。
【００１１】
本発明の液晶装置の製造方法の一態様では、前記粗面加工工程において、パーフルオロ
カーボン類、フルオロカーボン類、臭化水素、ヨウ化水素、塩素及びメタンガスのうち少
なくとも一つを含むガスのプラズマが用いられる。
【００１２】
この態様によれば、絶縁膜に対し、適切に粗面加工を施すことができ、実用上非常に有
利である。
【００１３】
本発明の液晶装置の製造方法の他の態様では、前記複数の画素電極の各々は反射電極で
ある。
【００１４】
この態様によれば、当該製造方法により製造される液晶装置は、反射型の液晶装置であ
る。反射型の液晶装置では、透過型の液晶装置に比べ、画素電極上に絶縁膜（例えば、パ
ッシベーション膜、増反射膜等）が形成されることが多い。このため、当該製造方法を適
用することにより、高品質の画像を表示可能な反射型の液晶装置を提供することができる
。
【００１５】
本発明の液晶装置の製造方法の他の態様では、前記粗面加工工程においては、前記絶縁
膜の少なくとも画像表示領域に対応する領域が粗面加工される。
【００１６】
この態様によれば、少なくとも絶縁膜の画像表示領域に対応する領域上に、核を均一又
は略均一に発生させることができる。この結果、液晶装置の画像品質の低下を、確実に抑
制することができる。
【００１７】
本発明の液晶装置の製造方法の他の態様では、前記配向膜形成工程においては、斜方蒸
着法によって前記無機配向膜を形成する。
【００１８】
この態様によれば、比較的容易にして無機配向膜を形成することができ、実用上非常に
有利である。
【００１９】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴアレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る液晶装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明に係る液晶装置の製造方法の実施形態を、図面に基づいて説明する。尚、
以下の図では、各層・各部材を図面上で確認可能な程度の大きさとするために、該各層・
各部材毎に縮尺を異ならしめている。また、本実施形態では、液晶装置として、駆動回路
内蔵型のアクティブマトリックス駆動方式の反射型の液晶装置を例に挙げる。
【００２２】
＜液晶装置＞
先ず、本発明に係る製造方法により製造された液晶装置の実施形態を、図１及び図２を
参照して説明する。
【００２３】
本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図
１は、本実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏ
ｒ）アレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図
２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００２４】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０
及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えばシリコン基板
等の基板からなり、対向基板２０は、例えば石英基板、ガラス基板等の基板からなる。Ｔ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０とは画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられ
たシール材５２により相互に接着されている。
【００２５】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、
又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０
上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２
中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とす
るためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャ
ップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ
又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００２６】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域
１０ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、
このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜とし
て設けられてもよい。
【００２７】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、デ
ータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿っ
て設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側にサンプリング回路７が額縁
遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に
隣接する２辺に沿ったシール領域の内側の額縁領域に、額縁遮光膜５３に覆われるように
して設けられている。
【００２８】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両
基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これ
らにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができ
る。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４
、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００２９】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のト
ランジスタや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層
構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、例え
ばアルミニウムを含んでなる反射電極９ａ（即ち、反射型の画素電極）が、画素毎に所定
のパターンで島状に形成されている。
【００３０】
反射電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の
画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面す
る側の表面、即ち画素電極９ａ上には、無機絶縁材料を含んでなるパッシベーション膜（
図示せず）が反射電極９ａを覆うように形成されている。該パッシベーション膜の上には
、例えばＳｉＯ２等の無機材料を含んでなる無機配向膜１６が形成されている。
【００３１】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されて
いる。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形
成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光
膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクター用のランプから出射された光を
透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、
ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域
を規定するようにしてもよい。
【００３２】
遮光膜２３上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を含んでなる対向電極
２１が複数の反射電極９ａと対向して形成されている。遮光膜２３上に、画像表示領域１
０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図
２には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面
上における、対向電極２１上には、例えばＳｉＯ２等の無機材料を含んでなる無機配向膜
２２が形成されている。尚、対向電極２１と無機配向膜２２との間に、無機絶縁材料を含
んでなるパッシベーション膜が形成されてもよい。
【００３３】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１
０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電
圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造
途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよ
い。
【００３４】
また、本実施形態では、シリコン基板を用いたが、石英或いはガラス等の透光性基板で
あってもよい。
【００３５】
＜製造方法＞
次に、本発明に係る液晶装置の製造方法の実施形態について、図３を参照して説明する
。図３は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。図３の
工程断面図は、図２に示した断面図とは左右が反対になっている。
【００３６】
尚、以下に説明する液晶装置の製造方法は、上述の液晶装置１００を製造する製造方法
である。よって、説明の便宜上、上述の液晶装置１００と共通する部分には共通の参照符
号を付すと共に、詳細な説明を省略する。
【００３７】
図３（ａ）において、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成され、例えばトランジスタや、走
査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造（図示せず）の上に、反射電極９ａが画
素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００３８】
次に、絶縁膜形成工程において、反射電極９ａを覆うように、即ち、該反射電極９ａ上
に、図３（ｂ）に示すように、無機絶縁材料を含んでなる無機絶縁層１５０が、例えばプ
ラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等により形成
される。続いて、図３（ｃ）に示すように、無機絶縁層１５０の上に、レジスト２１０が
所定のパターンで形成され、該レジスト２１０をマスクとして無機絶縁層１５０がパター
ニングされることにより、パッシベーション膜１５１が形成される。
【００３９】
マスク２１０が剥離された後に、図３（ｄ）に示すように、パッシベーション膜１５１
を覆うように、例えばＩＴＯ等の導電性材料を含んでなる導電層１６０が形成される。続
いて、該導電層１６０の上に、レジスト２２０が所定のパターンで形成され、該レジスト
２２０をマスクとして導電層１６０がパターニングされることにより、図３（ｅ）に示す
ように、外部接続端子保護膜１０２ａが形成される。
【００４０】
次に、粗面加工工程において、図３（ｆ）に示すように、パッシベーション膜１５１の
少なくとも画像表示領域１０ａに対応する領域が露出するようにレジスト２３０が形成さ
れ、該レジスト２３０をマスクとしてパッシベーション膜１５１に粗面加工が施される。
具体的には、パーフルオロカーボン・フルオロカーボン類（例えばＣＨＦ３、ＣＦ４、Ｃ
４Ｆ８、ＣＨ２Ｆ２）、臭化水素、ヨウ化水素、塩素及びメタンガスのうち少なくとも一
つを含むガスのプラズマによって、パッシベーション膜１５１の表面の少なくとも画像表
示領域１０ａに対応する領域が、該パッシベーション膜１５１の成膜終了時よりも粗くさ
れる。
【００４１】
次に、配向膜形成工程において、図３（ｇ）に示すように、粗面加工が施されたパッシ
ベーション膜１５１の上に、例えば斜方蒸着法により無機配向膜１６が形成される。その
後、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とがシール材５２により相互に貼り合わされ、
更に、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶が封入される。
【００４２】
本実施形態では特に、粗面加工工程において、パッシベーション膜１５１の少なくとも
画像表示領域１０ａに対応する領域に対し粗面加工が施される。このため、無機配向膜１
６が形成される際に、柱状構造物の核をＴＦＴアレイ基板１０面内（即ち、パッシベーシ
ョン膜１５１の表面内）で均一又は略均一に発生させることができる。従って、無機配向
膜１６を構成する柱状構造物をＴＦＴアレイ基板１０面内で均一又は略均一に形成するこ
とができる。
【００４３】
尚、本発明に係る液晶装置の製造方法は、上述した反射型の液晶装置に限られず、例え
ば透過型の液晶装置等にも適用可能である。
【００４４】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体
から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような
変更を伴う液晶装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００４５】
９ａ…反射電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１６、２２…無機
配向膜、２０…対向基板、１００…液晶装置、１５１…パッシベーション膜
【図１】
2011215519.tif 000003
【図２】
2011215519.tif 000004
【図３】
2011215519.tif 000005