(57)【要約】【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高品質な画像を表示する。【解決手段】電気光学装置は、表示領域（１０ａ）に配列された複数の画素電極（９ａ）と、画素電極に対応するように設けられたトランジスタ（３０）と、トランジスタと電気的に接続されており、画像信号を供給するデータ線（６）と、画素電極と対向して設けられており、該画素電極と共に蓄積容量（７０）を構成する共通電極（７１）と、表示領域の周囲に位置するダミー領域（１０ｂ）において、データ線と電気的に接続された付加容量（２００）とを備える。付加容量は、画素電極と同一層からなる第１容量電極（９ｂ）と、共通電極と同一層からなる第２容量電極（７６）とを有する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域に配列された複数の画素電極と、
前記画素電極に対応するように設けられたトランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続されており、画像信号を供給するデータ線と、
前記画素電極と対向して設けられており、該画素電極と共に蓄積容量を構成する共通電極と、
前記表示領域の周囲に位置するダミー領域において、前記データ線と電気的に接続された付加容量と
を備え、
前記付加容量は、前記画素電極と同一層からなる第１容量電極と、前記共通電極と同一層からなる第２容量電極とを有する
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１容量電極には、前記画素電極と電気光学物質を介して対向するように設けられる対向電極に供給される共通電位が供給され、
前記第２容量電極には、前記データ線から前記画像信号が供給される
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１容量電極及び前記第２容量電極は、それぞれ透光性を有する材料を含んで形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクター等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置として、例えばサンプリング回路におけるサンプリングスイッチのオンオフを切替えることで、データ線に画像信号を供給するものがある。このような装置においては、例えばサンプリングスイッチのドレイン側のデータ線の画像信号電位が本来より低くなってしまう現象（所謂、プッシュダウン）や、逆に高くなってしまう現象（所謂、プッシュアップ）が生じ得るため、周辺領域に延在するデータ線の一部に付加容量を設けるという技術が提案されている。
【０００３】
例えば特許文献１では、表示領域の周囲に位置するダミー領域（即ち、ダミー画素が設けられた領域）に付加容量を形成するという技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２６３４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本願発明者の研究によれば、表示領域の各画素に対して設けられる蓄積容量を、画素電極と対向する電極によって形成することで、開口率を高めつつ、より大きな容量値が得られることが分かっている。しかしながら、画素電極において蓄積容量を形成する場合に上述した付加容量を設けようとすると、装置構成が複雑化してしまうおそれがある。具体的には、蓄積容量を画素電極で形成することで表示領域の積層構造が変化しているため、ダミー画素領域に付加容量を設けようとすると、積層構造が複雑化してしまう。このように、上述した技術には、表示領域における層構造の変化に十分に対応できないという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、ダミー画素領域において好適に付加容量を形成することで、高品質な画像を表示することが可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、表示領域に配列された複数の画素電極と、前記画素電極に対応するように設けられたトランジスタと、前記トランジスタと電気的に接続されており、画像信号を供給するデータ線と、前記画素電極と対向して設けられており、該画素電極と共に蓄積容量を構成する共通電極と、前記表示領域の周囲に位置するダミー領域において、前記データ線と電気的に接続された付加容量とを備え、前記付加容量は、前記画素電極と同一層からなる第１容量電極と、前記共通電極と同一層からなる第２容量電極とを有する。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、基板上の表示領域には、例えば、走査線、データ線等の配線やトランジスタが、絶縁膜を介して相互に絶縁されつつ必要に応じて積層されることで画素電極を駆動するための回路が構成され、その上層側に画像電極が配置されている。これら走査線、データ線及び画素スイッチング用トランジスタの夫々は、半導体層及び金属膜等の不透明な構成要素を備えているため、当該電気光学装置による画像表示に影響を与えないように、基板上の表示領域のうち光を透過させない非開口領域に形成されている。
【０００９】
本発明では、画素電極と対向するように共通電極が設けられており、画素電極と共に蓄積容量を構成している。より具体的には、画素電極より誘電体膜を介して下層側に共通電極が形成されており、対向電極に供給される共通電位等の定電位が供給されている。これにより蓄積容量は、画素電極の電位を一時的に保持することが可能に構成される。
【００１０】
共通電極は、例えば透明な膜で構成され、光の透過する開口領域に蓄積容量を形成可能とされる。よって、非開口領域にのみ蓄積容量を形成する場合に比べてその容量値を増大させることが可能である。更に、開口領域を狭めることもなく、画素のうち開口領域が占める割合である開口率を低下させることもない。
【００１１】
他方で、表示領域の周囲には複数のダミー画素からなるダミー領域が設けられている。ダミー領域は、表示領域の端部における電気光学物質の配向ムラなど、画素領域の周辺寄り或いは端や縁にて相対的に発生し易い動作状態のムラの発生領域を、表示領域から離す機能を有している。
【００１２】
ここで本発明では特に、上述したダミー領域には、データ線と電気的に接続された付加容量が設けられている。このような付加容量によれば、例えばデータ線が保有すべき電位の変動を抑制することが可能となる。従って、データ線の電位変動に起因する表示ムラの発生を防止でき、表示品質を向上させることができる。
【００１３】
またダミー領域は、機能的にはデッドスペースといえる領域である。よってダミー領域に付加容量を設ければ、ダミー領域以外に付加容量を設けるような場合と比較して、基板上におけるレイアウトスペースを有効に利用することができる。
【００１４】
本発明では更に、ダミー領域に設けられる付加容量は、画素電極と同一層からなる第１容量電極と、共通電極と同一層からなる第２容量電極とを有している。尚、ここでの「同一層」とは、同一の成膜工程によって形成される層を意味しており、画素電極及び第１容量電極は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を形成した後、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。
【００１５】
上述した第１容量電極及び第２容量電極を有する付加容量によれば、ダミー領域においても表示領域と同様の積層構造を実現することができる。具体的には、表示領域において形成される層（即ち、画素電極及び共通電極）を用いて、付加容量を形成することができる。よって、付加容量を形成するために新たな層を別途設ける必要が無い。従って、装置構成や製造工程の複雑化、製造コストの増大を防止することができる。
【００１６】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、表示領域において画素電極で蓄積容量を形成すると共に、ダミー領域において比較的簡単な構成で付加容量を形成することができる。従って、高品質な画像を表示させることが可能である。
【００１７】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記第１容量電極には、前記画素電極と電気光学物質を介して対向するように設けられる対向電極に供給される共通電位が供給され、前記第２容量電極には、前記データ線から前記画像信号が供給される。
【００１８】
この態様によれば、付加容量を形成する２つの電極のうち、第１容量電極（即ち、画素電極と同一層に設けられる電極）には、定電位としての共通電位が供給される。一方で、第２容量電極（即ち、共通電極と同一層に設けられる電極）には、画像信号が供給される。従って、ダミー領域において確実に付加容量を形成することができる。
【００１９】
尚、第２容量電極に供給される画像信号は、表示領域の画素電極に供給される画像信号とは異なるものであってもよい。ダミー領域は、画像表示に寄与しない領域であるので、画像表示領域と同様の駆動は求められない。従って、ここでの画像信号は、データ線から供給される信号であればよく、例えばトランジスタを介さずにデータ線から直接第２容量電極に供給されてもよい。
【００２０】
本態様では特に、ダミー領域に設けられる付加容量は、各層に供給される電位が表示領域に設けられる蓄積容量とは異なっている。即ち、表示領域の蓄積容量においては、共通電極に共通電位が供給されるのに対して、ダミー領域の付加容量においては、共通電極と同一層である第２容量電極には共通電位は供給されず、画素電極と同一層である第１容量電極に共通電位が供給される。
【００２１】
上述した構成によれば、ダミー領域において電気光学物質を介して対向配置される対向電極及び第１容量電極が、共に共通電位とされる。よって、電気光学物質には電圧が印加されない。ここで、ノーマリーブラックモードの電気光学物質を用いれば、黒表示された電気光学物質によってダミー領域を遮光することが可能である。従って、光漏れ等に起因する表示上の不具合を防止することが可能である。
【００２２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１容量電極及び前記第２容量電極は、それぞれ透光性を有する材料を含んで形成されている。
【００２３】
この態様によれば、ダミー領域において付加容量を形成する第１容量電極及び第２容量電極を、表示領域における開口領域に透明電極として設けられる画素電極及び共通電極と同一層として形成することが、極めて容易となる。従って、ダミー領域における付加容量を、より好適に実現することが可能である。
【００２４】
尚、第１容量電極及び第２容量電極は、両方が共に透光性を有する材料を含んで形成されることが好ましいが、少なくとも一方が透光性を有する材料を含んで形成されれば、上述した効果は相応に得られる。
【００２５】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備える。
【００２６】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。
【００２７】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域に設けられた各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】表示領域における複数の画素部の構成を透過的に示す平面図（その１）である。
【図５】表示領域における複数の画素部の構成を透過的に示す平面図（その２）である。
【図６】表示領域における積層構造を示す断面図である。
【図７】実施形態に係る付加容量の形成領域を示す平面図である。
【図８】比較例に係る付加容量の形成領域を示す平面図である。
【図９】ダミー領域における積層構造を示す断面図である。
【図１０】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクターの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００３０】
＜電気光学装置＞
本実施形態に係る電気光学装置について図１から図９を参照して説明する。尚、以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例として駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を挙げて説明する。
【００３１】
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００３２】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。対向基板２０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。
【００３３】
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により、相互に接着されている。
【００３４】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００３５】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００３６】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００３７】
ＴＦＴアレイ基板１０上における対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域には、両基板間を上下導通材で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００３８】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。尚、画素電極９ａをアルミニウム等の反射性を有する材料から構成すれば、反射型の電気光学装置を実現することも可能である。
【００３９】
画素電極９ａは、対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００４０】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクター用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００４１】
遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。また遮光膜２３上には、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルターが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００４２】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、上述したデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４３】
次に、本実施形態に係る電気光学装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００４４】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６は、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００４５】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００４６】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００４７】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカーの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００４８】
また、データ線６には、付加容量２００が電気的に接続されている。付加容量２００は、データ線６の電位を一時的に保持する機能を有しており、データ線６の電位変動を抑制する。この付加容量２００の具体的な構成については、後に詳述する。
【００４９】
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４から図６を参照して説明する。ここに図４及び図５は夫々、表示領域における複数の画素部の構成を透過的に示す平面図である。また図６は、表示領域における積層構造を示す断面図である。尚、図４では、中継層９１及び９２より下層側の各層を示しており、図５では、中継層９１及び９２より上層側の各層を示している。また図４、図５及び図６では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。図６は、図４及び図５のＡ−Ａ’線における断面を示すものであるが、上述したように各層・各部材の縮尺を異ならしめてあるため、一部で完全にはＡ−Ａ’線と対応していない部分が存在している。
【００５０】
図４及び図６において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１がＸ方向に沿って配置されており、走査線１１より下地絶縁膜１２を介して上層には、半導体層３０ａ及びゲート電極３０ｂを有するＴＦＴ３０が配置されている。
【００５１】
走査線１１は、遮光性の導電材料、例えば、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）等から形成されており、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て半導体層３０ａを含むような形状とされている。走査線１１は半導体層３０ａより下層側に配置されているので、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクター等で他の装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの戻り光に対して、ＴＦＴ３０のチャネル領域３０ｂを殆ど或いは完全に遮光できる。その結果、電拮抗額装置の動作時に、ＴＦＴ３０における光リーク電流は低減され、コントラスト比を向上させることができ、高品位の画像表示が可能となる。
【００５２】
ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａと、ゲート電極３０ｂとを有して構成されている。半導体層３０ａは、ソース領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、ドレイン領域３０ａ３含んで形成されている。ここで、チャネル領域３０ａ２及びソース領域３０ａ１、又は、チャネル領域３０ａ２及びドレイン領域３０ａ３の界面にはＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域が形成されていてもよい。
【００５３】
ゲート電極３０ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、半導体層３０ａのチャネル領域３０ａ２と重なる領域に、ゲート絶縁膜１３を介して、半導体層３０ａの上層側に形成されている。ゲート電極３０ｂは、例えば導電性ポリシリコンから形成されており、下層側に配置された走査線１１にコンタクトホール３４ａ及び３４ｂを介して電気的に接続されている。
【００５４】
ＴＦＴ３０のソース領域３０ａ１は、第１層間絶縁膜１４上に形成された中継層９１と、コンタクトホール３１を介して電気的に接続されている。一方、ドレイン領域３０ａ３は、中継層９１と同層に形成された中継層９２に、コンタクトホール３２を介して電気的に接続されている。
【００５５】
図５及び図６において、中継層９１は、第２層間絶縁膜１５上に形成されたデータ線６と、コンタクトホール３４を介して電気的に接続されている。一方、中継層９２は、データ線６と同層に形成された中継層７に、コンタクトホール３４を介して電気的に接続されている。
【００５６】
中継層７は更に、コンタクトホール３６を介して、後述する容量電極７１と同層に設けられた中継層７５と電気的に接続されている。また中継層７５は、コンタクトホール３７を介して、画素電極９と電気的に接続されている。即ち、ＴＦＴ３０のドレイン領域３０ａ３と画素電極９とは、中継層９２、中継層７、及び中継層７５を順に介して、電気的に中継接続されている。
【００５７】
データ線６及び中継層７の上層側には、第３層間絶縁膜１６を介して蓄積容量７０が形成されている。蓄積容量７０を液晶容量に並列に電気的に接続されることで、画素電極９ａの電圧を、実際に画像信号が印加されている時間よりも、例えば３桁も長い時間だけ保持することが可能となる。
【００５８】
容量電極７１は、本発明の「共通電極」の一例であり、液晶容量に電気的に並列に接続された蓄積容量７０の片方の電極として機能し、容量配線３００に電気的に接続されることによって、固定電位に保持されている。容量電極７１は、例えばＩＴＯ等の透明電極によって構成されている。このため、容量電極７１を、開口領域を含む画像表示領域１０ａに重なるように形成しても、開口領域における光透過率を殆ど或いは実践上全く低下させることはない。図５に示すように、容量電極７１は、島状に形成された中継層７５を囲うように形成される。言い換えれば、容量電極７１の開口部の内側に中継層７５が形成される。
【００５９】
容量電極７１上には、誘電体膜７２が形成されている。誘電体膜７２は、容量電極７１上を覆うようにベタ状に形成されている。尚、誘電体膜７２は透明な誘電性材料である窒化シリコン等で構成されるため、誘電体膜７２を、開口領域を含む画像表示領域１０ａに広く形成しても、開口領域における光透過率を殆ど或いは実践上全く低下させることはない。尚、誘電体膜７２の膜厚が薄いほうが、蓄積容量７０の容量値を高めるためにはより好ましい。
【００６０】
また容量電極７１上には、蓄積容量７０を画素間で分離するための容量分離膜８０が形成されている。蓄積容量７０の容量値は、容量分離膜８０の面積を増減させることによって、調整することができる。具体的には、容量分離膜８０を設けることによって、容量電極７１が誘電体膜７２を介して画素電極９と対向配置されなくなってしまう部分においては、蓄積容量７０は形成されない。
【００６１】
図５に示すように、容量分離膜８０は隣り合う画素に跨る容量電極７１の開口部を避けるように略Ｈ状の形状に設けられた容量分離膜開口部を有する。そしてこの容量分離膜の開口部の形状に沿って容量電極７１と画素電極９とが対向配置されて蓄積容量７０を構成する。即ち、隣り合うデータ線６の間に設けられる容量電極７１の開口部と隣り合うデータ線６の間にもそれぞれ容量分離膜８０の開口部が設けられて蓄積容量７０を構成することで、画素電極９の内側における蓄積容量領域の平面的な面積をできるだけ多く確保している。
【００６２】
ここで仮に、蓄積容量７０の容量値が小さい場合、画像信号を保持できる時間が短いため、表示画像の画質はあまり改善しない。一方、蓄積容量７０の容量値が大きい場合、画像信号を長期間保持できるため表示画像の画質の改善を期待することができるものの、画像信号の供給回路や配線等が大型化してしまう。そのため、実際の液晶装置では、蓄積容量７０の容量値が好適な値に調整される。
【００６３】
蓄積容量７０は、各々が透明な容量電極７１、誘電体膜７２及び画素電極９によって構成されているため、開口領域を狭めることもなく、画素のうち開口領域が占める割合である開口率を低下させることもない。加えて、このような蓄積容量７０によれば、開口領域に蓄積容量７０を形成可能であるため、非開口領域にのみ蓄積容量を形成する場合に比べてその容量値を増大させることが可能である。
【００６４】
容量分離膜８０上には、画素電極９が形成されている。図５に示すように、画素電極９は、データ線６及び走査線１１によってマトリクス状に区分けされた画素毎に、島状に形成されている。尚、ここでの図示は省略しているが、画素電極９上には、液晶層５０（図２参照）に含まれる液晶分子の配向状態を規制するための配向膜１６が形成されている。
【００６５】
次に、本実施形態に係る電気光学装置に設けられる付加容量について、図７から図９を参照して詳細に説明する。ここに図７は、実施形態に係る付加容量の形成領域を示す平面図であり、図８は、比較例に係る付加容量の形成領域を示す平面図である。また図９は、ダミー領域における積層構造を示す断面図である。尚、図７及び図８では、説明の便宜上、図１に示した各部材を適宜省略して図示している。また図９は、ダミー領域におけるダミー画素部を、図４及び図５のＡ−Ａ’線と同様の線で切った断面を示すものである。
【００６６】
図７において、本実施形態に係る電気光学装置では、複数の画素部からなる画像表示領域１０ａの周囲に、複数のダミー画素部からなるダミー領域１０ｂが設けられている。ダミー領域は、画像表示領域１０ａの端部における電気光学物質の配向ムラなど、画像表示領域１０ａの周辺寄り或いは端や縁にて相対的に発生し易い動作状態のムラの発生領域を、表示領域から離す機能を有している。
【００６７】
上述したダミー領域１０ｂの上側の一辺に沿った領域及び下側の一辺に沿った領域（以下、適宜「付加容量形成領域２００ａ」と称する）には、データ線６に電気的に接続される付加容量２００（図３参照）が設けられている。このような付加容量２００によれば、例えばデータ線６が保有すべき電位の変動を抑制することが可能となる。従って、データ線６の電位変動に起因する表示ムラの発生を防止でき、表示品質を向上させることができる。
【００６８】
図８に示すように、付加容量形成領域２００ａをダミー領域１０ｂの外側に持ってくることも考えられるが、ダミー領域１０ｂは、本来機能的にはデッドスペースといえる領域である。よって、図７に示すように、ダミー領域１０ｂに付加容量２００を設ければ、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるレイアウトスペースを有効に利用することができる。
【００６９】
図９において、上述した付加容量２００は、容量電極７１（図６参照）と同一層に形成された付加容量電極７６と、画素電極９ａ（図６参照）と同一層に形成されたダミー画素電極９ｂとが、誘電体膜７２を介して対向配置されることで形成されている。すなわち、容量電極７１及び付加容量電極７６は、それぞれ第３層間絶縁膜１６上に同一の導電膜から形成されており、画素電極９ａ及びダミー画素電極９ｂは、それぞれ誘電体膜７２上に同一の導電膜から形成されている。尚、ここでのダミー画素電極９ｂは、本発明の「第１容量電極」の一例であり、付加容量電極７６は、本発明の「第２容量電極」の一例である。
【００７０】
同一層に形成される画素電極９ａ及びダミー画素電極９ｂは、例えばＩＴＯ等の導電材料で構成される薄膜を形成した後、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。同様に、容量電極７１及び付加容量電極７６も、例えばＩＴＯ等の導電材料で構成される薄膜を形成した後、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。
【００７１】
ダミー画素電極９ｂには、例えば図示しない容量線等を介して、対向電極２１（図２参照）に供給される共通電位が供給される。ダミー画素電極９ｂは、図６における画素電極９ａのようにコンタクトホール３７を介して下層側の層とは電気的に接続されていない。即ち、データ線６からの画像信号は供給されない。
【００７２】
一方で、付加容量電極７６には、データ線６を介して、画像信号が供給される。付加容量電極７６は、図６に示す容量電極７１及び中継層７５が電気的に接続されたような形状とされている。ここで特に、ダミー領域１０ｂにおけるデータ線６は、画像表示領域１０ａにおけるデータ線６（図６参照）とは異なり、同一層に中継層７を有していない。より具体的には、図６におけるデータ線６ａと中継層７とが電気的に接続されたような状態とされている。よって、画像信号は、ＴＦＴ３０を介さずに付加容量電極７６に供給される。尚、中継層９１及び中継層９２を互いに電気的に接続することで、同様の構成を実現することも可能である。
【００７３】
上述した付加容量２００によれば、ダミー領域１０ｂにおいても画像表示領域１０ａと同様の積層構造を実現することができる。よって、付加容量２００を形成するために新たな層を別途設ける必要が無い。従って、装置構成や製造工程の複雑化、製造コストの増大を防止することができる。
【００７４】
更に、ダミー領域１０ｂにおいて液晶層５０を介して対向配置される対向電極２１及びダミー画素電極９ｂは、共に共通電位とされている。よって、液晶層５０には電圧が印加されない。ここで、ノーマリーブラックモードの液晶層５０を用いれば、黒表示された液晶層５０によってダミー領域１０ｂを遮光することが可能である。従って、光漏れ等に起因する表示上の不具合を防止することが可能である。
【００７５】
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置によれば、画像表示領域１０ａにおいて画素電極９ａで蓄積容量７０を形成すると共に、ダミー領域１０ｂにおいて比較的簡単な構成で付加容量２００を形成することができる。従って、高品質な画像を表示させることが可能である。
【００７６】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１０は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクターについて説明する。
【００７７】
図１０に示されるように、プロジェクター１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００７８】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００７９】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００８０】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。
【００８１】
尚、図１０を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダー型、モニタ直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００８２】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００８３】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００８４】
６…データ線、９ａ…画素電極、９ｂ…ダミー電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１０ｂ…ダミー領域、１１…走査線、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、７０…蓄積容量、７１…容量電極、７２…誘電体膜、７６…付加容量電極、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、２００…付加容量、２００ａ…付加容量形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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