(57)【要約】【課題】液晶表示装置等の電気光学装置の製造方法において、光反射性を有する導電性材料から形成された導電層を高品位にパターニングする。【解決手段】電気光学装置の製造方法は、光反射性を有する導電性材料から導電層（９）を形成する工程と、導電層上に保護膜（１９）を形成する工程と、保護膜上にレジスト（６０）を形成し、当該レジストをパターニングする工程と、パターニングされたレジストをマスクとして、保護膜及び導電層に対してエッチングを施す工程とを備える。ここで、保護膜は、レジストをパターニングする際に用いられる溶液に対する耐性を有する材料から形成される。【選択図】図６
2011215520.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光反射性を有する導電性材料から導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜上にレジストを形成し、当該レジストを所定の形状にパターニングするレジ
ストパターニング工程と、
前記パターニングされたレジストをマスクとして、前記保護膜及び前記導電層に対して
エッチングを施すエッチング工程と
を備え、
前記保護膜は、前記レジストパターニング工程において前記レジストをパターニングす
る際に用いられる溶液に対する耐性を有する材料から形成されることを特徴とする電気光
学装置の製造方法。
【請求項２】
前記保護膜形成工程において、前記保護膜は光透過性を有する絶縁性材料から形成され
ることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記保護膜形成行程において、前記保護膜の膜厚は、前記レジストパターニング工程に
おいて前記レジストをパターニングする際に用いられる光の前記導電層の表面における反
射率が減少するように設定されることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置
の製造方法。
【請求項４】
前記エッチング工程において、前記導電層は反射型の画素電極としてパターニングされ
ることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置の製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例として、基板上に、画素電極と、当該画素電極の選択的な
駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング素子としての薄膜トランジス
ター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）とを備えてなる液晶装置がある。以上の構成要素
は、基板上において導電層が好適な形状にパターニングされつつ、その各々が層間絶縁膜
を介して各層に分け隔てられて配置されている。
【０００３】
このように基板上に設けられている導電層は、所定の形状にパターニングされたレジス
トをマスクとして、基板上に広く形成された導電膜にエッチングが施されることによって
好適な形状に形成されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−９１９４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板上に形成される導電層には、例えば反射型の液晶装置において、光源光を反射する
ための反射層として機能する反射型の画素電極がある。この場合、画素電極（即ち導電層
）はアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などの光反射性に優れた導電性材料から形成され
る。ここで、マスクとして機能するレジストは、現像光を照射して適切な形状に現像する
ことにより形成される。レジストの形状に関する精度は、レジストの適切な場所に精度よ
く現像光を照射できるか否かによって決定される。そのため、上述のように画素電極のも
ととなる導電層が光反射性に優れた材料から形成されている場合、レジストを透過した現
像光が導電層の表面で反射されてしまう。導電層の表面には一般的に凹凸が存在するため
、現像光は乱反射してしまい、レジストのパターニング精度を低下させてしまう。
【０００６】
このようにレジストのパターニング精度が低下すると、一度のパターニング工程におい
て、マスクとして好適なレジストパターンを形成することが困難になってしまう。即ち、
レジストのパターニングが失敗しやすくなってしまう。この場合、パターニングに失敗し
たレジストを一度除去し、再度レジストを形成し、パターニングを行うという、フォトリ
ソグラフィ工程のリワーク作業を行う必要が生じる。
【０００７】
リワーク作業においてパターニングに失敗したレジストを除去する際、露出した導電層
の表面に、レジストをパターニングする際に使用した現像液の影響によって腐食又は損傷
に起因する凹凸が形成されてしまい、導電層の表面を腐食又は損傷させてしまうおそれが
ある。このように導電層の表面が腐食又は損傷してしまうと、リワーク作業を行って、精
度よく画素電極を形成できたとしても、腐食又は損傷によって導電層の表面に形成された
凹凸が、そのまま画素電極の表面に残存してしまう。画素電極の表面に凹凸が存在すると
、上層側に設けられた配向膜にラビング処理を行う際に、配向膜に意図しないスジが発生
したり、削りカスが発生したりするおそれがあるため、液晶装置の表示画質に重大な影響
を与えることとなるという技術的問題点がある。
【０００８】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、光反射性を有する導電性材
料から形成された導電層を高品位にパターニング可能な製造方法を提供することを課題と
する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、光反射性を有する導電
性材料から導電層を形成する導電層形成工程と、前記導電層上に保護膜を形成する保護膜
形成工程と、前記保護膜上にレジストを形成し、当該レジストを所定の形状にパターニン
グするレジストパターニング工程と、前記パターニングされたレジストをマスクとして、
前記保護膜及び前記導電層に対してエッチングを施すエッチング工程とを備え、前記保護
膜は、前記レジストパターニング工程において前記レジストをパターニングする際に用い
られる溶液に対する耐性を有する材料から形成される。
【００１０】
本発明に係る製造方法によって製造可能な電気光学装置は、基板上に、例えば、データ
線、走査線、データ線及び走査線の交差に対応して画素毎に設けられた画素電極、並びに
画素スイッチング用のトランジスター等の導電層が形成されてなる。この種の電気光学装
置では、例えば、データ線から画素電極へ画像信号が制御され、所謂アクティブマトリッ
クス方式による画像表示が可能となる。
【００１１】
本発明の電気光学装置の製造方法は、導電層形成工程と、保護膜形成工程と、レジスト
パターニング工程と、エッチング工程とを備える。
【００１２】
まず導電層形成工程では、基板上に、光反射性を有する導電性材料から導電層を形成す
る。ここで、導電層は、パターニングされることによって、電気光学動作に供する配線又
は素子等を構成する導電性材料からなる積層構造であって、この範囲においてその形態の
如何を問わない。導電層は後の工程によりパターニングされることによって、例えば、電
気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する。具体的には、
データ線や走査線、画素電極、導電層間に生じる電界を遮断するためのシールド配線、画
素の保持特性を向上させるために設けられた蓄積容量を構成する容量配線、所定の電位を
供給するための電源線、並びにこれらのダミー配線などを含む各種配線及び素子であって
もよい。
【００１３】
続いて、保護膜形成工程では、導電層上に保護膜を形成する。保護膜は導電層の表面を
覆うように形成され、後にリワーク作業において導電層上に形成されたレジストを除去す
る際に、導電層を腐食又は損傷させる要因となり得る溶液から、導電層を保護する機能を
有する。つまり、保護膜は、当該溶液に対して耐性を有する材料から形成されている限り
において何ら限定されない。尚、保護膜は、導電性の材料から形成されていてもよいし、
絶縁性の材料から形成されていてもよい。保護膜が絶縁性の材料から形成されている場合
には、具体的には、ＳｉＯ２やＳｉＮ、ＳｉＯＮなどを採用することが好ましい。
【００１４】
続いて、レジストパターニング工程では、保護膜上にレジストを形成し、当該レジスト
を所定の形状にパターニングする。導電層上に形成されるレジストは、後の工程において
、導電層に対してエッチングを施す際にマスクとして機能する。即ち、本工程においてパ
ターニングされるレジストの形状は、後の工程において導電層がパターニングされる際の
形状に反映されることとなる。そのため、本工程では、導電膜のパターニング形状に対応
する好適な形状を予め設定しておき、当該形状になるように導電膜上に形成されたレジス
トをパターニングする。
【００１５】
ここで、本発明では導電層を光反射性を有する材料から形成しているため、レジストの
パターニングが失敗し、リワーク作業を行う必要が生じることが考えられる。本発明では
、上述のように導電層上に保護膜が形成されているため、リワーク作業においてパターニ
ングに失敗したレジストを除去するための溶液によって導電層が腐食又は損傷するおそれ
を効果的に防止することができる。即ち、導電層の表面は、保護膜形成行程において形成
された保護膜によって保護されている。
【００１６】
このように必要に応じてリワーク作業を経て、続くエッチング工程において、パターニ
ングされたレジストをマスクとして、保護膜及び導電層に対してエッチングを施し、導電
層を適切な形状にパターニングする。ここで、導電層及び保護膜は別工程においてそれぞ
れエッチングされてもよいし、同一行程においてまとめてエッチングされてもよい。
【００１７】
以上説明したように、本発明に係る製造方法では、導電層上に保護膜を形成することに
よって、リワーク作業を行った際に導電層の表面が保護されるため、導電層をパターニン
グすることによって良好な表面状態を有する素子及び配線等を形成することができる。そ
の結果、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を製造可能である。
【００１８】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の一の態様では、前記保護膜形成工程において、
前記保護膜は光透過性を有する絶縁性材料から形成される。
【００１９】
この態様によれば、導電層上に形成される保護膜は光透過性を有するため、上方から導
電層に入射しようとする光を妨げない。そのため、エッチング工程において導電層をパタ
ーニングした後に、保護膜を除去することなく、導電層上に残存させることができる。そ
の結果、電気光学装置を完成させるために要する工程を、保護膜を除去するための工程の
分だけ削減することができるため、製造コストの削減に貢献することができる。尚、光透
過性を有する絶縁性材料として、具体的には、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮなどを用いる
ことが好ましい。
【００２０】
この場合、前記保護膜形成行程において、前記保護膜の膜厚は、前記レジストパターニ
ング工程において前記レジストをパターニングする際に用いられる光の前記導電層の表面
における反射率が減少するように設定するとよい。
【００２１】
この態様によれば、導電層上に形成された保護膜によって、レジストをパターニングさ
れる際に照射される現像光が、導電層の表面で反射されることを防止又は抑制することが
できる。そのため、現像光が導電層の表面に存在する凹凸よって反射されることにより、
レジストのパターニング精度が低下してしまうことを効果的に防止又は抑制することがで
きる。その結果、リワーク作業を行う頻度を少なく抑えることができるため、電気光学装
置をより効率的に製造することができる。
【００２２】
ここで、保護膜の膜厚は、導電層の表面における反射率が減少するように設定される。
導電層の表面における現像光の反射率は、例えば、当該現像光の波長に応じて変化するた
め、レジストの現像に用いられる現像光の種類に応じて個別に設定するとよい。
【００２３】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記エッチング工程において、
前記導電層は反射型の画素電極としてパターニングされる。
【００２４】
この態様によれば、導電層をパターニングすることにより、光源光を反射することによ
って表示光を出射する反射型の画素電極を基板上に形成することができる。この場合、特
に、導電層を形成する光反射性の導電性材料として、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）
などを用いることが好ましい。上記で説明したように、本発明によれば、リワーク作業を
繰り返した場合であっても、導電層の表面は保護膜によって保護されている。そのため、
導電層から反射型の画素電極のように光反射性に優れた材料をパターニングする際にも、
リワーク作業において導電層の表面が良好な状態に保持でき、高品位な画素電極を形成す
ることができる。その結果、画素電極の上層側に配向膜を形成し、該配向膜にラビング処
理を施す際に、配向膜に意図しないスジが発生したり、削りカスが発生したりするおそれ
を効果的に排除することができ、高画質な画像表示が可能な電気光学装置を製造すること
ができる。
【００２５】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴアレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における平面構成を示す平面図である。
【図５】図４におけるＩ−Ｉ´線断面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置が備えるＴＦＴアレイ基板上の積層構造の製造方法の一例を、順を追って示す工程断面図である。
【図７】比較例に係る液晶装置が備えるＴＦＴアレイ基板上の積層構造の製造方法におけるリワーク作業の工程を順次示す工程断面図である。
【図８】本実施形態に係る液晶装置が備えるＴＦＴアレイ基板上の積層構造の製造方法におけるリワーク作業の工程を順次示す工程断面図である。
【図９】本実施形態に係る液晶装置のレジストパターニング工程におけるコーティング膜付近の積層構造を模式的に示す断面拡大図である。
【図１０】全反射率ＲのΔ依存性を示すグラフ図である。
【図１１】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクターの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
先ず、本発明に係る電気光学装置の製造方法によって製造可能な電気光学装置の一例と
して、駆動回路内蔵型のアクティブマトリックス駆動方式の液晶装置について説明する。
【００２８】
＜電気光学装置＞
本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図
１は、本実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏ
ｒ）アレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図
２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００２９】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対
向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、例えば、
石英基板、ガラス基板等の基板からなる。
【００３０】
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、液晶層５０が設けられている。ＴＦＴ
アレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に
設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３１】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外光硬化樹脂等からなり、製
造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外光照射により硬化させ
られたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔
（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャッ
プ材が散布されていてもよい。この場合、ギャップ材は、シール材５２に混入されるもの
に加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する
周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００３２】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、デ
ータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿っ
て設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側には、サンプリング回路７が
設けられている。この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側の額縁領域には、走
査線駆動回路１０４が設けられている。
【００３３】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両
基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これ
らにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができ
る。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４
、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００３４】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のト
ランジスターや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。こ
の積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に
、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明材料からなる画素電極９ａが、
画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。尚、駆動素子である画素スイッチング
用のトランジスター、走査線、データ線及び画素電極９ａ等は、本発明に係る「導電層」
の一例であり、その表面には本発明の「保護膜」の一例であるコーティング膜が形成され
ているが、図１及び図２では説明の便宜上、図示を省略している。
【００３５】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の
画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面す
る側の表面、即ち画素電極９ａの上層側には、ラビング処理が施された配向膜１６が形成
されている。
【００３６】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、ＩＴＯ等の透明材料か
らなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。尚、対向基
板２０上には、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、カラーフィルタが
形成されていてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜
２２が形成されている。
【００３７】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１
０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電
圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造
途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されてい
てもよい。
【００３８】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける電気的な構成について
、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１
０ａを構成するマトリックス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価
回路図である。
【００３９】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリックス状に形成された複数の画素
の夫々には、画素電極９ａ、及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極
９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御す
る。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されてい
る。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給し
ても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するよ
うにしてもよい。
【００４０】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されており、液晶装置は、所定のタイ
ミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で
印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続
されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じるこ
とにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミン
グで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１
、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００４１】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配
向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイ
トモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少
し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光
に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストを
もつ光が出射される。
【００４２】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２
１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄
積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容
量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列し
てＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容
量線３００に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特
性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００４３】
次に、本実施形態に係る液晶装置において、図４及び図５を参照して画像表示領域１０
ａにおける、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を説明する
。図４は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける平面構成を示す平面
図である。図５は図４におけるＩ−Ｉ´線断面図である。尚、図４及び図５では、各層・
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異な
らしめてある。
【００４４】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線６ａ及び走査線１１が、夫々Ｘ方向及びＹ方向
に沿って配置されている。データ線６ａ及び走査線１１は、例えば、遮光性の導電材料、
Ａｌ（アルミニウム）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）等
から形成されている。
【００４５】
ＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、データ線６ａ及び走査線１１
との交差に対応するように、画素毎に配置されている。ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａと
、ゲート絶縁膜３０ｃを介して上層側に形成されたゲート電極３０ｂとを有して構成され
ている。
【００４６】
半導体層３０ａは、ソース領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、ドレイン領域３０ａ
３含んで形成されている。ここで、チャネル領域３０ａ２とソース領域３０ａ１、又は、
チャネル領域３０ａ２とドレイン領域３０ａ３との界面にはＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄ
ｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域が形成されていてもよい。
【００４７】
ゲート電極３０ｂは、ゲート絶縁膜３０ｃを介して、半導体層３０ａのチャネル領域３
０ａ２に対向するように形成されている。ゲート電極３０ｂは、下層側に設けられた走査
線１１にコンタクトホール３４を介して電気的に接続されており、走査線１１から供給さ
れる走査信号が印加されることによってＴＦＴ３０をオン／オフ制御する。
【００４８】
ソース領域３０ａ１は、コンタクトホール３１を介してデータ線６ａに電気的に接続さ
れている。データ線６ａは、ソース領域３０ａ１より上層側に設けられており、その一部
が層間絶縁膜１３及びゲート絶縁膜３０ｃに開孔されたコンタクトホール３１の内部に形
成されることにより、ソース領域３０ａ１に電気的に接続されている。
【００４９】
ドレイン領域３０ａ３は、コンタクトホール３２を介して中継層１７に電気的に接続さ
れている。中継層１７は、ドレイン領域３０ａ３より上層側に設けられており、その一部
が層間絶縁膜１３及びゲート絶縁膜３０ｃに開孔されたコンタクトホール３２の内部に形
成されることにより、ドレイン領域３０ａ３に電気的に接続されている。
【００５０】
中継層１７は、コンタクトホール３３を介して画素電極９ａに電気的に接続されている
。画素電極９ａは、中継層１７より上層側に設けられており、その一部が層間絶縁膜１４
に開孔されたコンタクトホール３３の内部に形成されることにより、中継層１７に電気的
に接続されている。このように画素電極９ａは、中継層１７を経由してドレイン領域３０
ａ３に電気的に接続されることによって、ドレイン領域３０ａ３から画像信号に対応する
電圧信号が供給される。
【００５１】
画素電極９ａは、データ線６ａ及び走査線１１によってマトリクス状に区分けされた画
素毎に島状に形成されている。図４では、画素電極９ａの外輪郭を点線９ａ´で図示して
いる。本実施形態では特に、画素電極９ａはアルミニウム等の光反射性を有する導電性材
料から形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の上層側（即ち対向基板２０側）から入射
する光源光は、画素電極９ａの表面で反射される。反射された光源光は、ＴＦＴアレイ基
板１０及び対向基板２０間に設けられた液晶５０によって偏光され、画像表示を行う。
【００５２】
また、中継層１７の上層側には容量絶縁膜７２を介して容量電極７１が設けられている
。つまり、本実施形態に係る液晶装置は、中継層１７及び容量電極７１を一対の容量電極
とした蓄積容量７０が構築されている。このように蓄積容量７０を設けることで、中継層
１７に電気的に接続されている画素電極９ａの電圧を、実際に画像信号が印加されている
時間よりも、例えば３桁も長い時間だけ保持することが可能となる。その結果、液晶素子
の保持特性が改善される結果、高コントラスト比を有する液晶装置を実現することができ
る。尚、容量電極７１は容量配線４００に電気的に接続されることにより、電位が一定に
保持されている（図３参照）。
【００５３】
図５に示すように、画素電極９ａ上にはコーティング膜１９が形成されている。コーテ
ィング膜１９は、本発明に係る「保護膜」の一例である。コーティング膜１９は透明な絶
縁性材料であるＳｉＯ２から形成されており、上層側から入射する光源光を画素電極９ａ
に透過し、画素電極９ａの表面で反射した反射光を再び上層側に出射することができるよ
うに形成されている。尚、図４ではコーティング膜１９の図示を省略しているが、実際に
は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに重なる領域において形成さ
れている（即ち、画素電極９ａと同じ形状で、画素電極９ａ上に形成されている）。
【００５４】
コーティング膜１９上には、当該コーティング膜１９の表面と、画素電極９ａの下地膜
である層間絶縁膜１４の表面との段差を軽減するためのパッシベーション膜１５が形成さ
れている。尚、パッシベーション膜１５の表面は、ＣＭＰ処理によって平坦化されている
。
【００５５】
パッシベーション膜１５上には、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に挟持され
るように設けられた液晶５０の配向状態を規制するための配向膜１６が設けられている。
配向膜１６の表面にはラビング処理が施されており、当該配向膜１６に接するように配置
される液晶５０に含まれる液晶分子の配向状態を制御する。
【００５６】
＜製造方法＞
続いて、上述の液晶装置が備えるＴＦＴアレイ基板１０上に形成された積層構造の製造
方法について、図６を参照して説明する。図６は、本実施形態に係る液晶装置が備えるＴ
ＦＴアレイ基板１０上の積層構造の製造方法の一例を、工程毎に示す工程断面図である。
尚、以下の説明では本発明に係る「導電層」の一例として画素電極９ａを例示して説明す
る。尚、データ線６ａ、走査線１１及びＴＦＴ３０などのＴＦＴアレイ基板１０上に導電
性材料から形成された各積層構造についても、以下に説明する画素電極９ａと同様の方法
によって導電層を適宜パターニングすることにより形成することができる。従って、以下
の説明では、図５において層間絶縁膜１４より下層側に示した積層構造は、説明の便宜上
、その詳細な製造工程については説明並びに図示は省略することとする。尚、図６では、
互いに隣り合う二つの画素に対応する画素電極９ａの製造工程を、工程順に図示している
。
（導電層形成工程）
まず、図６（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に層間絶縁膜１４を形成し、
その表面に導電層９を形成する。導電層９は、後の工程で画素電極９ａとして画素毎にパ
ターニングされる膜であり、光反射性に優れた導電性材料の一例であるアルミニウム（Ａ
ｌ）又は銀（Ａｇ）から形成するとよい。
（保護膜形成工程）
続いて図６（ｂ）に示すように、導電層９上にコーティング膜１９を形成する。コーテ
ィング膜１９は導電層９の表面全体を覆うように広く形成する。また、コーティング膜１
９は光透過性を有する絶縁性材料であるＳｉＯ２から形成するとよい。尚、ＳｉＯ２と同
様に光透過性を有する絶縁性材料であるＳｉＮやＳｉＯＮなどを用いてもよい。
【００５７】
ここで、コーティング膜１９の膜厚は、後の工程（図６（ｄ）を参照）においてコーテ
ィング膜１９上に形成されるレジスト６０をパターニングする際に用いる現像光の、導電
層９の表面における光反射率が抑制されるように設定される。尚、コーティング膜の設定
方法については、後に詳述する。
（レジストパターニング工程）
続いて、図６（ｃ）及び（ｄ）に示すように、コーティング膜１９上にレジスト６０を
形成し、所定の形状にパターニングする。レジスト６０のパターニングは、コーティング
膜１９上に広く形成されたレジスト６０に現像光を照射し、現像液で現像することにより
行われる。ここで、コーティング膜１９は透明な絶縁性材料から形成されているため、現
像光はコーティング膜１９を透過し、導電層９の表面で反射される。特に本実施形態では
、導電層９はアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などの光反射性の高い材料から形成され
ているため、現像光が導電層９の表面で反射され、レジスト６０のパターニング精度が低
下してしまう懸念がある。使用する現像液は例えば、ＴＭＡＨ(テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド)を数％に希釈した溶液を使用する。
【００５８】
その結果、レジスト６０のパターニングが精度よく行うことができなかった場合、形成
したレジスト６０を一旦除去し、再度レジストを形成し、パターニングを行うリワーク作
業を行う必要がある。尚、リワーク作業の詳細については後述することとし、ここでは仮
にレジスト６０が導電層９上において精度よくパターニングすることができたと仮定して
説明を進める。
（エッチング工程）
続いて図６（ｅ）に示すように、パターニングされたレジスト６０をマスクとして、下
層側にあるコーティング膜１９及び導電層９に対してエッチングを行い、導電層９のパタ
ーニングを行う。本実施形態では特に、エッチングとしてドライエッチングを採用してい
るが、ウェットエッチングでもよい。このように導電層９にエッチングを施すことにより
パターニングし、ＴＦＴアレイ基板１０上に、反射型の画素電極９ａを画素毎に形成する
ことができる。
【００５９】
続いて図６（ｆ）に示すように、コーティング膜１９上に残存しているレジスト６０を
洗浄液によって除去する。そして、表面を平坦化するためのパッシベーション膜や配向膜
を適宜形成することにより、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造が完成する。
（リワーク作業）
ここで、図７を参照して、レジスト６０のパターニングに関するリワーク作業について
具体的に説明する。図７は導電層９上にコーティング膜１９が形成されていない比較例に
係る液晶装置が備えるＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造の製造方法におけるリワーク作
業の工程を順次示す工程断面図である。
【００６０】
まず、図７（ａ）を参照して、リワーク作業を行う段階における、ＴＦＴアレイ基板１
０上の積層構造の状態について説明する。比較例では、導電層９の表面にコーティング膜
が形成されていないので、レジスト６０ａから露出した導電層９の表面には、レジスト６
０ａをパターニングする際に使用された現像液の影響によって腐食又は損傷に起因する凹
凸が形成されている（即ち、当該表面は荒れている）。
【００６１】
そこで先ず、図７（ｂ）に示すように、好適に形成されなかったレジスト６０ａを、洗
浄液を用いて導電層９上から除去する。このとき、導電層９の表面のうち現像液によって
荒らされた部分は、そのまま導電層９上に残存している。
【００６２】
続いて、図７（ｃ）に示すように、再度導電層９上にレジスト６０ｂを形成し、レジス
ト６０ｂを所定の形状にパターニングする。このとき、仮に精度よくレジスト６０ｂがパ
ターニングできたとすると、前回設けられたレジスト６０ａ（即ち、適切な形状にパター
ニングできなかったために除去されたレジスト）とは異なる形状にレジスト６０ｂが形成
される。
【００６３】
続いて、図７（ｄ）に示すように、レジスト６０ｂをマスクとして導電層９に対してエ
ッチングを施し、画素電極９ａを形成する。尚、導電層９のパターニング後は、形成され
た画素電極９ａ上に残存しているレジスト６０ｂを洗浄液によって除去する。
【００６４】
このように形成された画素電極９ａの表面には、最初にレジスト６０ａをパターニング
した際に生じた荒れた表面が部分的に残存する。そのため、上層側に配向膜を設けた際に
、当該画素電極９ａの表面に存在する凹凸の影響によって、好適にラビング処理を行うこ
とが困難になってしまう。
【００６５】
一方、本実施形態に係る液晶装置の製造方法では、図８に示すように、導電層９上に現
像液に耐性を有するコーティング膜１９が設けられているため、図７に示したような荒れ
た表面が導電層９上に形成されることがない。図８は、本実施形態に係る液晶装置が備え
るＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造の製造方法におけるリワーク作業の工程を順次示す
工程断面図である。尚、図８の各工程図は図７の各工程図に対応しており、詳細な説明は
省略することとする。
（コーティング膜の膜厚の設定方法）
保護膜形成工程において形成されるコーティング膜１９は、膜厚が、現像光が有する波
長に応じて、反射率が低くなるように設定されている。その結果、レジスト６０のパター
ニング精度を向上させ、リワーク作業が必要となる確率を効果的に低減することができる
。
【００６６】
ここで、図９を参照して、保護膜形成工程において形成される保護膜の膜厚の設定方法
について説明する。図９は、本実施形態に係る液晶装置のレジストパターニング工程の段
階におけるコーティング膜１９付近の積層構造を模式的に示す断面拡大図である。
【００６７】
図９において導電層９上に形成されたコーティング膜１９は膜厚Ｌを有しており、コー
ティング膜１９の表面は空気中に露出している。ここで、コーティング膜１９の表面にお
ける現像光の透過率をＴ１、導電層９の表面における現像光の透過率Ｔ２とする。また、
コーティング膜１９における屈折率をｎ１とする。
【００６８】
ここで、コーティング膜１９に対して上層側から現像光が照射されるケースを例に説明
を進める。まず、空気中における現像光Ｉ１を、次式により表わすとする。
【００６９】
Ｉ１＝Ａ×ｓｉｎ（ωｔ＋ｋｘ）      （１）
ここで、Ａは振幅、ωは現像光の角速度、ｋは波数である。
【００７０】
現像光Ｉ１がコーティング膜１９の表面に到達すると、現像光Ｉ１は、コーティング膜
１９を透過する現像光Ｉ２と、コーティング膜１９の表面において反射される現像光Ｉ３
とに分かれる。現像光Ｉ２及びＩ３は、それぞれ次式により表わすことができる。
【００７１】
Ｉ２＝Ａ×Ｔ１×ｓｉｎ（ωｔ＋ｋｘ）      （２）
Ｉ３＝Ａ×（１−Ｔ１）×ｓｉｎ（ωｔ−ｋｘ）      （３）
現像光Ｉ２が導電層９の表面に到達すると、現像光Ｉ２は、その一部が導電層９の表面
において反射される現像光Ｉ４となる。現像光Ｉ４はコーティング膜１９を透過して空気
中に出射される。現像光Ｉ５は、それぞれ次式により表わすことができる。
【００７２】
Ｉ５＝Ａ×Ｔ１２×（１−Ｔ２）ｓｉｎ（ωｔ−ｋｘ＋Δ）      （４）
Δ＝２π×（２Ｌ／λ）×ｎ１      （５）
尚、実際には現像光はコーティング膜１９に吸収される成分や、二次反射される成分（
例えば現像光Ｉ４のうち空気中に出射せず、コーティング膜１９の表面で反射される成分
）が存在するが、本実施形態では説明の便宜上省略することとする。
【００７３】
上記式（１）乃至（５）から、この系の全反射率Ｒは、次式のように算出することがで
きる。
【００７４】
Ｒ＝（Ｉ３２＋Ｉ５２）／∫Ｉ１２ｄｘ      （６）
従って、反射率が最小になる条件として、次式が算出される。
【００７５】
Δ＝π、３π、５π、７π・・・（２ｍ−１）π      （７）
ここで、ｍは任意の自然数である。図１０に示すように、Ｒが最小になるようにΔ（即ち
コーティング膜１９の膜厚Ｌ）を選択することによって、導電層９の表面における現像光
の反射率を抑制することができる。図１０は、全反射率ＲのΔ依存性を示すグラフ図であ
る。
【００７６】
このようにコーティング膜１９の膜厚を設定することにより、レジスト６０をパターニ
ングする際に現像光が導電層９の表面で反射されることを効果的に抑制することができ、
レジスト６０のパターニング精度を向上させることができる。その結果、上述のリワーク
作業を行う頻度を減少させることができ、更に製造コストの削減に貢献しつつ、精度よく
導電層９から画素電極９ａを形成することができる。
【００７７】
＜電子機器＞
次に、図１１を参照しながら、上述した液晶装置を電子機器の一例であるプロジェクタ
ーに適用した場合を説明する。上述した液晶装置は、プロジェクターのライトバルブとし
て用いられている。図１１は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。
【００７８】
図１１に示すように、プロジェクター１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源
からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射
出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚
のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応する
ライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される
。
【００７９】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同
等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞ
れ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイク
ロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１
２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって
、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画
像が投写されることとなる。
【００８０】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について
着目すると、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｇ
による表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００８１】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー
１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを
設ける必要はない。
【００８２】
尚、図１１を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュー
タや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコ
ーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワーク
ステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そ
して、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００８３】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から
読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更
を伴う電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００８４】
６ａ  データ線、  ９ａ  画素電極、  １０  ＴＦＴアレイ基板、  １１  走査線、  
１５  パッシベーション膜、  １６  配向膜、  １７  中継層、  １９  コーティング膜
、  ３０  ＴＦＴ、  ３１、３２、３３  コンタクトホール、  ６０  レジスト、  ７０
蓄積容量、  ７１  容量電極、  ７２  容量絶縁膜
【図１】
2011215520.tif 000003
【図２】
2011215520.tif 000004
【図３】
2011215520.tif 000005
【図４】
2011215520.tif 000006
【図５】
2011215520.tif 000007
【図６】
2011215520.tif 000008
【図７】
2011215520.tif 000009
【図８】
2011215520.tif 000010
【図９】
2011215520.tif 000011
【図１０】
2011215520.tif 000012
【図１１】
2011215520.tif 000013