(57)【要約】【課題】  ピッチが異なる外部端子を有する半導体装置の測定にＩＣソケットを共用可能で、従来よりも接触不良を生じにくい半導体測定装置を提供する。【解決手段】  半導体測定装置１００は半導体装置５１のハンダボール６７と接触するプローブピン３を備えたＩＣソケット５と、プローブピン３が挿入される複数の貫通孔１１を有するピッチ変換ブロック１を有し、ピッチ変換ブロック１は、ＩＣソケット５と対向する第１の面１５ａと、ハンダボール６７と対向する第２の面１５ｂを有し、複数の貫通孔１１は、第１の面１５ａと、第２の面１５ｂとで、ピッチが異なるように設けられる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の外部端子と接触するコンタクト部材を備えたＩＣソケットと、
前記コンタクト部材が挿入される複数の貫通孔を有するピッチ変換治具と、
を有し、
前記ピッチ変換治具は、
前記ＩＣソケットと対向する第１の面と、
前記外部端子と対向する第２の面と、
を有し、複数の前記貫通孔は、前記第１の面と、前記第２の面とで、ピッチが異なるように前記第１の面と前記第２の面を貫通して設けられていることを特徴とする半導体測定装置。
【請求項２】
前記ピッチ変換治具は、板状の形状を有し、
複数の前記貫通孔は、
前記第１の面に設けられた第１の開口部と、
前記第２の面に設けられた第２の開口部と、
を有し、前記第１の開口部と前記第２の開口部とで、ピッチが異なるように構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体測定装置。
【請求項３】
前記ピッチ変換治具は、
複数の前記貫通孔の内周の、前記第１の面および／または前記第２の面の法線方向の断面形状が、前記法線方向から傾斜した形状の部分を有することを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の半導体測定装置。
【請求項４】
前記ピッチ変換治具は、前記断面形状が直線形状を有することを特徴とする請求項３記載の半導体測定装置。
【請求項５】
前記ＩＣソケットは、弾性を有するプローブピン埋設部を有し、
前記コンタクト部材は前記プローブピン埋設部に設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体測定装置。
【請求項６】
前記コンタクト部材は、可撓性を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体測定装置。
【請求項７】
前記ピッチ変換治具は、複数の前記貫通孔の内周の、前記第１の面および／または前記第２の面の法線方向の断面形状が、２つの直線部分を有するくの字形状の部分を有し、
２つの前記直線部分のうち、一方の直線部分が、前記法線方向と平行になるように形成されていることを特徴とする請求項６記載の半導体測定装置。
【請求項８】
第１の面と、第２の面と、半導体装置の外部端子と接触するコンタクト部材が挿入される複数の貫通孔と、を有する治具本体を有し、
複数の前記貫通孔は、前記第１の面と、前記第２の面とで、ピッチが異なるように前記第１の面と前記第２の面を貫通して設けられていることを特徴とする半導体測定装置用ピッチ変換治具。
【請求項９】
複数の前記貫通孔は、
前記第１の面に設けられた第１の開口部と、
前記第２の面に設けられた第２の開口部と、
を有し、前記第１の開口部と前記第２の開口部とで、ピッチが異なるように構成されていることを特徴とする請求項８記載の半導体測定装置用ピッチ変換治具。
【請求項１０】
前記治具本体は、
複数の前記貫通孔の内周の、前記第１の面および／または前記第２の面の法線方向の断面形状が、前記法線方向から傾斜した形状の部分を有することを特徴とする請求項９記載の半導体測定装置用ピッチ変換治具。
【請求項１１】
前記治具本体は、前記断面形状が直線形状を有することを特徴とする請求項１０記載の半導体測定装置用ピッチ変換治具。
【請求項１２】
前記治具本体は、前記断面形状が、２つの直線部分を有するくの字形状の部分を有することを特徴とする請求項１０記載の半導体測定装置用ピッチ変換治具。
【請求項１３】
前記治具本体は、２つの前記直線部分のうち、一方の直線部分が、前記法線方向と平行になるように形成されていることを特徴とする請求項１２記載の半導体測定装置用ピッチ変換治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体測定装置および半導体測定装置用ピッチ変換治具に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高性能化に伴い、電子機器に用いられる半導体装置の高密度化、多ピン化が進んでいる。
【０００３】
そのため、半導体装置と基板の接続構造として、半導体装置の裏面にハンダボール等の外部端子を格子状に配列したＢＧＡ（Ball Grid Array）等の構造が用いられる場合がある。
【０００４】
一方、ＢＧＡ構造を有する半導体装置の通電検査をはじめとした製品検査を行う場合は、外部端子（ＢＧＡ構造の場合は例えばハンダボール）の配列に対応した配列形状を有する接続端子（プローブピン）を備えた、専用のＩＣソケットを有する半導体測定装置が必要となる。
【０００５】
このような半導体測定装置としては例えば、特許文献１または特許文献２に記載されているように、ソケット本体と、ソケット本体上にＢＧＡの外部端子に対応した配列となるように配置された接続端子（プローブピン）とを有するＩＣソケットを備えたものがある（特許文献１、２）。
【０００６】
このような構造では、ソケット本体に半導体装置を挿入し、プローブピンとＢＧＡのハンダボールを接触させることにより半導体測定装置と半導体装置を電気的に接続している。
【０００７】
一方、試験対象となる半導体装置には様々な形状、寸法のものがあり、従来は寸法によって異なるＩＣソケットを用いる必要があった。
【０００８】
例えば外部端子数が同じでも外部端子のピッチが異なる半導体装置をテストする場合は、それぞれの外部端子のピッチに合致する位置にプローブピンを配置した専用のＩＣソケットを準備し交換する必要がある。
【０００９】
そのため、例えばピッチＡの半導体装置にはピッチＡ用のＩＣソケットを適用し、ピッチＡと異なるピッチＢの半導体装置にはピッチＢ用のＩＣソケットを適用するなど、ＩＣソケットを製品別に作製するためにコストがかかるという問題があった。
【００１０】
そこで、外部端子数が同じでピッチが異なる製品にＩＣソケットを共用するための構造として、ＩＣソケット側のコンタクト端子（プローブピン）と半導体装置側の外部端子（ハンダボール）の間にピッチ変換用の中継治具（ピッチ変換治具）を挟み込む構造が開発されている（特許文献３、４、５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０００−４０５７１号公報
【特許文献２】特開２００２−１６４１３６号公報
【特許文献３】特開２００２−２１４２８５号公報
【特許文献４】特開２００６−１３８７９０号公報
【特許文献５】特開平１１-２８４１０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、特許文献３、４、５記載の技術は、中継治具を介してプローブピンと外部端子を電気的に接続する構造であるため、プローブピンと外部端子がそれぞれ中継治具と電気的に接続されることになる。
【００１３】
そのため、中継治具を用いない場合と比べて接点が増加し、接触不良が増加するという問題があった。
【００１４】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的は、ピッチが異なる外部端子を有する半導体装置の測定にＩＣソケットを共用可能で、かつ従来よりも接触不良を生じにくい半導体測定装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前述した目的を達成するために、本発明の第１の態様は、半導体装置の外部端子と接触するコンタクト部材を備えたＩＣソケットと、前記コンタクト部材が挿入される複数の貫通孔を有するピッチ変換治具と、を有し、前記ピッチ変換治具は、前記ＩＣソケットと対向する第１の面と、前記外部端子と対向する第２の面と、を有し、複数の前記貫通孔は、前記第１の面と、前記第２の面とで、ピッチが異なるように前記第１の面と前記第２の面を貫通して設けられていることを特徴とする半導体測定装置である。
【００１６】
本発明の第２の態様は、第１の面と、第２の面と、半導体装置の外部端子と接触するコンタクト部材が挿入される複数の貫通孔と、を有する治具本体を有し、複数の前記貫通孔は、前記第１の面と、前記第２の面とで、ピッチが異なるように前記第１の面と前記第２の面を貫通して設けられていることを特徴とする半導体測定装置用ピッチ変換治具である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ピッチが異なる外部端子を有する半導体装置の測定にＩＣソケットを共用可能で、かつ従来よりも接触不良を生じにくい半導体測定装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】半導体測定装置１００を示す分解断面図であって、プローブピン３は側面図で記載している。
【図２】図１のピッチ変換ブロック１を示す拡大断面図である。
【図３】図２の部分拡大図である。
【図４】図２において、ピッチ変換ブロック１にプローブピン３を挿入した状態を示す図である。
【図５】図１のピッチ変換ブロック１を第１の面１５ａ側から見た部分平面図であって、内周１７はハッチングで表示している。
【図６】半導体装置５１を示す断面図である。
【図７】半導体測定装置１００を用いて半導体装置５１を検査する手順を示す図である。
【図８】半導体測定装置１００を用いて半導体装置５１を検査する手順を示す図である。
【図９】半導体測定装置１００を用いて半導体装置５１を検査する手順を示す図である。
【図１０】半導体測定装置１００を用いて半導体装置５１を検査する手順を示す図である。
【図１１】半導体測定装置１００を用いて半導体装置５１を検査する手順を示す図である。
【図１２】半導体測定装置１００を用いて半導体装置５１を検査する手順を示す図である。
【図１３】半導体測定装置１００ａを示す分解断面図であって、プローブピン７３は側面図で記載している。
【図１４】図１３のピッチ変換ブロック１ｃを示す部分拡大断面図である。
【図１５】図１４において、ピッチ変換ブロック１ｃにプローブピン７３を挿入した状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面に基づいて本発明に好適な実施例を詳細に説明する。
【００２０】
まず、図１を参照して、本発明の第１の実施形態に係る半導体測定装置１００の概略構成を説明する。
【００２１】
ここでは半導体測定装置１００として、ＢＧＡ構造の半導体装置５１を検査する測定装置を開示している。
【００２２】
図１に示すように、半導体測定装置１００は、コンタクト部材としてのプローブピン３を有するＩＣソケット５と、ＩＣソケット５に配置されるピッチ変換ブロック１（ピッチ変換治具）と、ＩＣソケット５を実装するテストボード８１とを有している。
【００２３】
なお、図１では測定の対象となる半導体装置５１をＩＣソケット５に密着させる固定用ツメ等の周辺機構や、測定に用いられる電気接続配線等は記載を省略している。
【００２４】
次に、図１〜図６を参照して半導体測定装置１００を構成する各部材、および半導体測定装置１００を用いた測定の対象となる半導体装置５１の構造について詳細に説明する。
【００２５】
まず、ＩＣソケット５の構造について図１を参照して説明する。
【００２６】
図１に示すように、ＩＣソケット５は方形の板状のＩＣソケット本体２１を有し、ＩＣソケット本体２１には一方の面に断面形状が方形の凹部２３が設けられている。
【００２７】
凹部２３の底面には、弾性を有する絶縁樹脂等で構成されたプローブピン埋設部４が設けられ、プローブピン埋設部４には複数のプローブピン３が、所定のピッチ３１ａで格子状に配設されている。
【００２８】
プローブピン３は、その一端が凹部２３内に露出するように、かつ他端がＩＣソケット本体２１の他の面側に露出するように凹部２３の底面に垂直に配置されているが、プローブピン埋設部４が弾性を有するため、プローブピン３は、その側面に力を加えることにより傾斜可能である。
【００２９】
なお、プローブピン３の長さ１８ａ（図４参照）は、プローブピン３を後述するピッチ変換ブロック１にプローブピン３を挿入した際に、先端部３ａのみがピッチ変換ブロック１から突出する程度の長さである。
【００３０】
次に、図２〜図５を参照してピッチ変換ブロック１の構造について説明する。
【００３１】
図２に示すように、ピッチ変換ブロック１は絶縁性の樹脂等で形成された板状のブロック本体１３を有している。ブロック本体１３はＩＣソケット５の凹部２３の底面（プローブピン埋設部４）と対向する第１の面１５ａと、半導体装置５１の外部端子（後述するハンダボール６７）と対向する第２の面１５ｂを有している。
【００３２】
なお、ブロック本体１３の厚さ１３ａは、プローブピン３の高さ１８ａからプローブピン先端部３ａの高さを除いた程度の厚さである（図４参照）。
【００３３】
また、ブロック本体１３には、プローブピン３と半導体装置５１の外部端子（後述するハンダボール６７）の配置に対応した配列形状で、第１の面１５ａから第２の面１５ｂに向けて貫通して開口した複数の貫通孔１１を有している。
【００３４】
図３〜図５に示すように、貫通孔１１は、第１の面１５ａに設けられた開口部１７ａ（第１の開口部）と第２の面に設けられた開口部１７ｂ（第２の開口部）とでピッチが異なっている（開口部１７ｂのピッチ３３ｂの方が開口部１７ａのピッチ３１ｂより狭い）。
【００３５】
具体的には、第１の面１５ａ側の開口部１７ａはプローブピン３のピッチ３１ａ（図１参照）に対応したピッチ３１ｂになっており、第２の面側の開口部１７ｂは半導体装置５１の外部端子（後述するハンダボール６７）のピッチ３３ａに対応したピッチ３３ｂになっている。
【００３６】
そのため、図３に示すように、貫通孔１１の内周１７の形状は、第１の面１５ａ（および／または第２の面１５ｂ）の法線方向１６ａに垂直な断面形状が、法線方向１６ａに対して傾斜した部分を有する。
【００３７】
例えば図３では貫通孔１１の内周１７の断面形状が、第１の面１５ａの法線方向１６ａに対して角度θだけ傾斜した直線形状を有している。
【００３８】
詳細は後述するが、このような形状とすることにより、ピッチ変換ブロック１をプローブピン３が貫通孔１１内に挿入するように凹部２３の底面に被せると、図４に示すように、プローブピン３が貫通孔１１の内周１７に押されて傾斜し、開口部１７ｂのピッチに対応したピッチになる（即ち、ピッチが狭くなる）。
【００３９】
そのため、プローブピン３のピッチ３１ａと半導体装置５１の外部端子のピッチ３３ａが異なる場合でも、ピッチを合わせることができる。
【００４０】
なお、プローブピン３が傾斜することに伴い外側のプローブピンの高さ１８ａは内側のプローブピンの高さ１８ａより低くなるため、プローブピン３は高さ１８ａのバラつきを吸収して全体の高さ１８ａ（図４参照）を均一にできる程度にプローブピン先端部３ａが伸縮する構造であることが望ましい。
【００４１】
あるいは、プローブピン３の高さ１８ａ（長さ）を極力長くし、ピッチ変換ブロック１の厚さ１３ａ（図４参照）を極力厚くすることでプローブピン３を傾斜させる角度を極力緩やかにして、プローブピン先端部３ａの高さのバラつき発生を少なくなるように設計してもよい。
【００４２】
さらに、図３では貫通孔１１の内周１７の断面形状が、直線形状を有しているが、プローブピン３を傾斜させることができる形状であれば、直線には限定されず、曲線や折れ曲がった線等でもよい。
【００４３】
次に、図１を参照してテストボード８１の構造について説明する。
【００４４】
図１に示すようにテストボード８１はＩＣソケット５を実装する基板であり、プローブピン３の下端が接続される配線パターン８３を一方の面に有している。
【００４５】
即ち、ＩＣソケット５の他の面とテストボード８１の一方の面を対向させ、プローブピン３を配線パターン８３に接続することにより、ＩＣソケット５とテストボード８１は電気的に接続される。
【００４６】
次に、図６を参照して半導体装置５１の構造について説明する。
【００４７】
図６に示すように、半導体装置５１は、Ｓｉ等の基板の一面に所定の回路、例えばマイクロプロセッサ等のような論理回路または記憶回路等が形成された半導体チップ５７を有している。
【００４８】
半導体チップ５７は、表面の外周に複数の図示しない電極パッドが設けられている。
【００４９】
半導体チップ５７は、裏面側を図示しない絶縁性の接着材、或いはＤＡＦ（Die Attached Film）を介して、方形の板状の配線基板５３の一方の面に搭載されている。
【００５０】
配線基板５３は、一方の面に、半導体チップ５７の電極パッドに対応した図示しない複数の接続パッドを有し、他の面に接続パッドと対応する複数の図示しないランドが設けられている。
【００５１】
接続パッドとランドとは図示しない内部配線により電気的に接続されている。
【００５２】
また半導体チップ５７の電極パッドと、配線基板５３の接続パッドは、例えばＡｕ等の導電性のワイヤ６３により結線されている。
【００５３】
さらに、配線基板５３の一方の面上には、少なくとも半導体チップ５７、ワイヤ６３、接続パッドを覆うように形成された封止樹脂７１が配設されている。
【００５４】
封止樹脂７１は、熱硬化性の樹脂、例えばエポキシ樹脂が用いられる。
【００５５】
また、ランドには、例えばハンダボール６７等の金属ボールが所定のピッチ３３ａで格子状に搭載され、外部端子を形成している。
【００５６】
次に、半導体測定装置１００を用いた半導体装置５１の測定方法（検査方法）について図７〜１２を参照して説明する。
【００５７】
まず、検査対象となる半導体装置５１は、図示しない製品トレーより取り出され、必要に応じて予熱される。
【００５８】
次に、図７に示すように、プローブピン３のピッチ３１ａを半導体装置５１のハンダボール６７のピッチ３３ａに合わせるためのピッチ変換ブロック１を用意し、ピッチ変換ブロック１を、プローブピン３が貫通孔１１内に挿入されるように凹部２３の底面（プローブピン埋設部４）に被せる。
【００５９】
すると、図８に示すように、プローブピン３が貫通孔１１の内周１７（図３参照）に押されて傾斜し、開口部１７ｂのピッチ３３ｂ（図３参照）に対応したピッチになる。
【００６０】
次に、図示しない固定用ツメ等を用いて半導体装置５１をＩＣソケット５に固定し、図９に示すようにハンダボール６７をプローブピン３に接触させ、ハンダボール６７とプローブピン３を電気的に接続する。
【００６１】
なお、ここでは半導体装置５１のハンダボール６７のピッチ３３ａがプローブピン３のピッチ３１ａよりも狭い場合について説明しているが、半導体装置５１のハンダボール６７のピッチ３３ａがプローブピン３のピッチ３１ａよりも広い場合には、図１０に示すように、開口部１７ｂのピッチ３３ｂが開口部１７ａのピッチ３１ｂよりも広くなるように貫通孔１１が傾斜しているピッチ変換ブロック１ａを用いる。
【００６２】
この場合も、図１１に示すように、プローブピン３が貫通孔１１内に挿入されるように凹部２３の底面（プローブピン埋設部４）にピッチ変換ブロック１ａを被せ、プローブピン３のピッチ３１ａをハンダボール６７のピッチ３３ａに合わせ、ハンダボール６７をプローブピン３に接触させ、ハンダボール６７とプローブピン３を電気的に接続する。
【００６３】
このように、ピッチ変換ブロック１ａを用いることにより、プローブピン３のピッチ３１ａよりも半導体装置５１のハンダボール６７のピッチ３３ａが広い場合でもピッチを整合させることができる。
【００６４】
一方、半導体装置５１のハンダボール６７のピッチとプローブピン３のピッチが同じ場合は、図１２に示すような、貫通孔が傾斜せず表裏同一ピッチの開口部があるブロック１ｂを、プローブピン３が貫通孔１１内に挿入されるように凹部２３の底面（プローブピン埋設部４）に被せる。
【００６５】
これは、プローブピン埋設部４は弾性を有する材料で構成されており、プローブピン３が傾斜し易い構造であるため、ブロック１ｂが無い状態ではプローブピン３が不安定で半導体装置５１の固定が不十分となるためである。
【００６６】
そのため、同一ピッチの半導体装置５１を搭載する場合も、貫通孔が傾斜せず表裏同一ピッチの開口部があるブロック１ｂを搭載することにより、プローブピン３を位置精度よく配列させ、接続精度を向上させることができる。
【００６７】
次に、ハンダボール６７とプローブピン３が電気的に接続された状態で、半導体装置５１の検査が行われる。
【００６８】
検査が終了すると、半導体測定装置１００から半導体装置５１が取り出され、予熱していた場合は室温まで戻るまで放置される。
【００６９】
最後に、取り出された半導体装置５１は、検査結果に応じて図示しない製品トレーに収容され、半導体装置５１の検査が完了する。
【００７０】
このように、第１の実施形態によれば、半導体測定装置１００がプローブピン３を有するＩＣソケット５と、貫通孔１１を有するピッチ変換ブロック１（１ａ）とを有し、半導体装置５１のハンダボール６７のピッチに応じて選択されたピッチ変換ブロック１（１ａ）を、プローブピン３が貫通孔１１に挿入されるようにＩＣソケット５に搭載することにより、プローブピン３のピッチ３１ａをハンダボール６７のピッチ３３ａに合わせている。
【００７１】
そのため、半導体測定装置１００は、（接続端子数が同じで）ピッチが異なる外部端子を有する半導体装置の測定にＩＣソケット５を共用可能である。
【００７２】
また、半導体測定装置１００では、ピッチ変換ブロック１（１ａ）はプローブピン３のピッチを変更するのに用いられるだけであり、ピッチ変換ブロック１（１ａ）はプローブピン３および半導体装置５１と電気的に接続されていない。
【００７３】
即ち、半導体測定装置１００はプローブピン３と半導体装置５１のハンダボール６７が直接接触する構造である。
【００７４】
そのため、半導体測定装置１００は、治具を介してプローブピンと外部端子を電気的に接続する構造よりも接触不良を生じにくい。
【００７５】
さらに、半導体測定装置１００では、外側のプローブピン３が傾斜しており、プローブピン先端部３ａが鋭角でなく平面形状であっても、接続端子であるハンダボール６７と鋭角に接触するため、ハンダボール６７の表面に導電性が劣化する膜状の汚れ等があってもこれを突き破るように接触する。そのため、ハンダボール６７の汚れによる接触不良を防ぐこともできる。
【００７６】
次に、第２の実施形態に係る半導体測定装置１００ａについて、図１３〜図１５を参照して説明する。
【００７７】
第２の実施形態は、第１の実施形態において、プローブピン７３を可撓性のある材料で構成し、屈曲可能としたものである。
【００７８】
なお、第２の実施形態においては、第１の実施形態と同様の機能を果たす要素については同一の番号を付し、第１の実施形態と異なる部分について主に説明する。
【００７９】
まず、半導体測定装置１００ａの構造について、図１３〜図１５を用いて説明する。
【００８０】
図１３に示すように、半導体測定装置１００ａは、ＩＣソケット５の凹部２３の底面に設けられた、伸縮かつ屈曲可能な可撓性を有するプローブピン７３を有している。なお、半導体測定装置１００ａでは、プローブピン７３が可撓性を有するため、第１の実施形態のような弾性を有するプローブピン埋設部４は、必ずしも必要ではない。
【００８１】
プローブピン７３は、プローブピン先端部７３ａが伸縮機能を持ち、剛性があり、プローブピン先端部７３ａ以外の下側部分が屈曲できるものであれば構造や材質は問わないが、例えば、プローブピン先端部７３ａには汎用的な短い円柱状の導電性のピンを用い、下側部分には細い被覆銅線を直線状に連結させた構造としてもよい。
【００８２】
また、ＩＣソケット５には、ピッチ変換ブロック１ｃが支持部材７５を介して搭載されている。
【００８３】
図１４に示すように、ピッチ変換ブロック１ｃの貫通孔１１ｃは、開口部１７ａ側は第１の実施形態と同様に傾斜した形状を有するが、開口部１７ｂ側は傾斜せずに、第１の面１５ａおよび／または第２の面１５ｂの法線方向１６ａに平行な形状を有している。
【００８４】
即ち貫通孔１１ｃの断面は、２つの直線部分を有する「く」の字形状を有している部分がある。ただし、貫通孔１１ｃの断面形状は必ずしも「く」の字形状には限定されず、第１の実施形態と同様に、貫通孔１１ｃ全体が第２の面１５ｂの法線方向１６ａに対して傾斜した形状を有してもよい。
【００８５】
このように、プローブピン７３を可撓性のある材料とすることにより、ハンダボール６７に対してプローブピン７３を正対させることができるため（図１５参照）、第１の実施形態のような、プローブピン３を傾斜させてピッチを変換する構造よりもプローブピン先端部７３ａの位置合わせが容易であり、半導体装置５１を上側からＩＣソケット５側に押圧した際にハンダボール６７とプローブピン７３がずれにくく、半導体装置５１とＩＣソケット５の密着性が向上する。
【００８６】
また、プローブピン７３を可撓性を有する構造とすることにより、第１の実施形態のような、プローブピン３を傾斜させてピッチを変換する構造よりも先端部の移動範囲を拡大可能となり、より多くのピッチ種類の半導体装置への適用が可能になる。
【００８７】
次に、半導体測定装置１００ａを用いた半導体装置５１の測定方法について、図１３を参照して簡単に説明する。
【００８８】
半導体測定装置１００ａを用いた半導体装置５１の測定方法は、第１の実施形態と同様である。
【００８９】
即ち、要点のみを説明すると、まず、図１３に示すように、支持部材７５を凹部２３のプローブピン７３の周囲に設け、ピッチ変換ブロック１ｃを、プローブピン７３が貫通孔１１ｃ内に挿入されるように支持部材７５に搭載してプローブピン７３を屈曲させてハンダボール６７のピッチ３３ａに対応したピッチにする（図１５参照）。
【００９０】
次に、半導体装置５１をＩＣソケット５に固定して、ハンダボール６７をプローブピン７３に接触させ、ハンダボール６７とプローブピン７３を電気的に接続する。
【００９１】
次に、ハンダボール６７とプローブピン７３が電気的に接続された状態で、半導体装置５１の検査を行う。
【００９２】
このように、第２の実施形態によれば、半導体測定装置１００ａがプローブピン７３を有するＩＣソケット５と、貫通孔１１ｃを有するピッチ変換ブロック１ｃとを有し、ピッチ変換ブロック１ｃを、プローブピン７３が貫通孔１１ｃに挿入されるようにＩＣソケット５に搭載することにより、プローブピン７３のピッチ３１ａを半導体装置５１の外部端子（ハンダボール６７）のピッチ３３ｂに合わせて変更可能に構成されている。
【００９３】
従って、第１の実施形態と同様の効果を奏する。
【００９４】
また、第２の実施形態によれば、半導体測定装置１００ａは、伸縮かつ屈曲可能な可撓性を有するプローブピン７３を有しており、ピッチ変換ブロック１ｃは、貫通孔１１ｃが「く」の字形状を有している部分がある。
【００９５】
そのため、ハンダボール６７に対してプローブピン７３を直角に正対させることができるため、第１の実施形態に係る傾斜させたプローブピン３よりもプローブピン先端部７３ａの位置合わせが容易となり、半導体装置５１を上側からＩＣソケット５側に押圧してもずれにくく、半導体装置５１とＩＣソケット５の密着性がさらに向上する。
【００９６】
また、可撓性を有するプローブピン７３は傾斜させたプローブピン３よりも先端部の移動範囲を拡大可能であるため、第１の実施形態よりも多くのピッチ種類の半導体装置への適用が可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００９７】
上記した実施形態では、本発明をＢＧＡ構造の半導体装置５１の検査に用いられる半導体測定装置１００、１００ａ用に適用した場合について説明したが、本発明は、何等、これに限定されることなく、他の構造の半導体装置の検査用ソケットにも適用することができる。
【符号の説明】
【００９８】
１…………ピッチ変換ブロック
１ａ………ピッチ変換ブロック
１ｂ………ブロック
１ｃ………ピッチ変換ブロック
３…………プローブピン
３ａ………プローブピン先端部
４…………プローブピン埋設部
５…………ＩＣソケット
１１………貫通孔
１１ｃ……貫通孔
１３………ブロック本体
１３ａ……厚さ
１５ａ……第１の面
１５ｂ……第２の面
１６ａ……法線方向
１７………内周
１７ａ……開口部
１７ｂ……開口部
１８ａ……高さ
２１………ＩＣソケット本体
２３………凹部
３１ａ……ピッチ
３１ｂ……ピッチ
３３ａ……ピッチ
３３ｂ……ピッチ
５１………半導体装置
５３………配線基板
５７………半導体チップ
６３………ワイヤ
７１………封止樹脂
６７………ハンダボール
７３………プローブピン
７３ａ……プローブピン先端部
７５………支持部材
８１………テストボード
８３………配線パターン
１００……半導体測定装置
１００ａ…半導体測定装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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