(57)【要約】【課題】試験時の電源変動を効率的に抑制することができる。【解決手段】錘付バイパスコンデンサ部１０は、ＩＣ２１１上に自重により載置される。コンデンサ１１は、電源側の端子１２とＧＮＤ側の端子１３，１４と接続される。コンデンサ１１は、ＩＣ２１１の電源線に流れる電源電流の高周波成分を端子１２から端子１３，１４へ排流する。端子１２，１３，１４は、錘付バイパスコンデンサ部１０を３点で支えると共に、パスコン用パッド２１３，２１４と自重により電気的に接続する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の上面に電源端子を設け、
試験時に、錘を付加したバイパスコンデンサを、前記電源端子に対して自重により電気的に接続することを特徴とする半導体装置の試験方法。
【請求項２】
前記バイパスコンデンサは、複数の電極端子を備え、前記複数の電極端子が前記電源端子に電気的に接続されると共に、前記複数の電極端子により自立することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の試験方法。
【請求項３】
前記複数の電極端子のうち、第１の本数の電極端子を前記電源端子の電源側に接続し、前記第１の本数よりも多い第２の本数の電極端子を前記電源端子のグラウンド側に接続することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の試験方法。
【請求項４】
前記電極端子は３本であることを特徴とする請求項２または３の何れか１項に記載の半導体装置の試験方法。
【請求項５】
前記電源端子の配置に応じて、前記バイパスコンデンサの配置を変更することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の半導体装置の試験方法。
【請求項６】
錘を付加したバイパスコンデンサと、
試験時に、前記バイパスコンデンサを、半導体装置の上面に設けられた電源端子に対して自重により電気的に接続させる駆動部と、
を有することを特徴とする半導体装置の試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の良否判定を行う試験方法および試験装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造プロセスにおいて、半導体装置の電気的特性を試験し、その良否を判定して合格品、不合格品を選別することが行われている。
この試験では、例えば、試験装置が備える測定用ステージにウェハを設置し、ウェハ上に作成された個々のＩＣ（Integrated Circuit）の電極パッド（以下、パッドという）にプローブカードのプローブを接触させる。プローブカードには、予めＩＣの複数のパッド位置に合わせて複数のプローブが配置される。そして、試験装置により、プローブを介してＩＣへ試験信号を入力し、ＩＣからの出力信号を検出する。
【０００３】
ここで、ＩＣの試験では、高い周波数の試験信号が用いられる。この場合、プローブやプローブカード配線のインダクタンスの影響によって電源変動が生じ、電源電圧が不安定となることが考えられる。電源電圧が不安定となると、ＩＣが誤動作し、正常に試験を行うことができない。
【０００４】
これに対し、このような電源変動を抑えるために、プローブカードの電源線とグラウンド線との間にバイパスコンデンサを設ける方法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭５９−２１５７３７号公報
【特許文献２】特開平０５−０４０１３１号公報
【特許文献３】特開平０８−２２６９３４号公報
【特許文献４】特開平１１−１６３０６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、プローブカード上やプローブにバイパスコンデンサを設けるとしても、バイパスコンデンサとＩＣとの間にはプローブカードの配線やプローブが介在することになる。すなわち、その配線などのインダクタンスの影響を完全に排除することは困難である。このため、このインダクタンスの影響により、バイパスコンデンサによる電源変動の抑制効果が低減するという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、半導体装置の試験方法が提供される。この試験方法では、半導体装置の上面に電源端子を設け、試験時に、錘を付加したバイパスコンデンサを、電源端子に対して自重により電気的に接続する。
【０００８】
上記課題を解決するために、半導体装置の試験装置が提供される。この試験装置は、バイパスコンデンサと駆動部とを有する。バイパスコンデンサには、錘が付加される。駆動部は、試験時に、バイパスコンデンサを、半導体装置の上面に設けられた電源端子に対して自重により電気的に接続させる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体装置の試験方法および試験装置によれば、試験時の電源変動を効率的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施の形態の半導体装置の試験方法を示す図である。
【図２】第２の実施の形態の試験装置を示す図である。
【図３】第２の実施の形態の試験部を示す図である。
【図４】第２の実施の形態のウェハおよびチップを示す図である。
【図５】第２の実施の形態の試験時の接続部を示す斜視図である。
【図６】第２の実施の形態の試験時の接続部を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図（側面）である。
【図７】第３の実施の形態の試験部を示す図である。
【図８】第３の実施の形態の試験時の接続部を示す斜視図である。
【図９】第３の実施の形態の試験時の接続部を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図（側面）である。
【図１０】第４の実施の形態の試験時の接続部を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
以下、第１の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
図１は、第１の実施の形態の半導体装置の試験方法を示す図である。錘付バイパスコンデンサ部１０は、半導体装置の試験時に、半導体装置の電源変動を抑制するために用いるバイパスコンデンサである。錘付バイパスコンデンサ部１０は、半導体装置の試験装置に設けられる。半導体装置は、例えば、ウェハ上に作成されたチップ２１０である。チップ２１０には、試験装置のプローブを接触させてＩＣ２１１に試験信号を入力するための複数のパッド２１２が設けられる。また、ＩＣ２１１の上面には、錘付バイパスコンデンサ部１０が備える端子と電気的に接続するための電源端子であるパスコン用パッド２１３，２１４が設けられる。
【００１３】
錘付バイパスコンデンサ部１０は、ＩＣ２１１上に自重により載置される。錘付バイパスコンデンサ部１０は、コンデンサ１１、端子１２，１３，１４、支柱１５および鍔１６を有する。
【００１４】
コンデンサ１１は、電源側の端子１２とＧＮＤ側の端子１３，１４と接続される。コンデンサ１１は、ＩＣ２１１に流れる電源電流の高周波成分を端子１２から端子１３，１４へ排流する。
【００１５】
端子１２，１３，１４は、錘付バイパスコンデンサ部１０を３点で支えると共に、パスコン用パッド２１３，２１４と自重により電気的に接続する。端子１２は、電源側のパスコン用パッド２１３と電気的に接続される。端子１３，１４は、ＧＮＤ側のパスコン用パッド２１４と電気的に接続される。端子１２，１３，１４は、例えば、ベリリウム銅材を金コーティングして形成される。
【００１６】
支柱１５は、コンデンサ１１の上面側にコンデンサ１１と一体に設けられる。支柱１５は、例えば柱状に形成される。支柱１５は、コンデンサ１１に所定の荷重を与えると共に、試験装置に対して固定部材２２により固定された保持部材２１によって保持され、試験装置に対する水平方向の位置が固定される。支柱１５は、保持部材２１を鉛直方向に挿通しており、保持部材１４２の挿通孔に沿って滑動可能である。なお、固定部材２２の水平方向の位置を変更可能とすることにより、錘付バイパスコンデンサ部１０の水平方向および垂直方向の位置を調整することができる。
【００１７】
支柱１５の表面を覆う表面部材は、例えば、箱状に形成される。そして、支柱１５は、その表面部材の内側にコンデンサ１１に対して所定の荷重を与える錘部材を封入して形成することができる。錘部材としては、非磁性体が望ましい。このような錘部材として、例えば真鍮や銅などが考えられる。また、その質量は、例えば数グラム〜数十グラム程度が望ましい。
【００１８】
支柱１５の表面部材は、例えば、筒状に形成することもできる。その場合、支柱１５は、筒状表面部材の内側に錘部材を挿入して形成することができる。
鍔１６は、支柱１５の保持部材２１よりも上方に設けられる。鍔１６は、保持部材２１の支柱１５用の貫通孔と重ねたときに、その貫通孔の幅よりも大きな幅となるよう形成される。これにより、端子１２，１３，１４がパスコン用パッド２１３，２１４と接触していない場合に、鍔１６は保持部材２１と係合して、錘付バイパスコンデンサ部１０の下側への落下を防止することができる。
【００１９】
このような錘付バイパスコンデンサ部１０を備えた半導体装置の試験方法によれば、試験時に、錘付バイパスコンデンサ部１０がパスコン用パッド２１３，２１４に対して自重により電気的に接続される。
【００２０】
これにより、試験時の電源変動を効率的に抑制することができる。具体的には、錘付バイパスコンデンサ部１０をＩＣ２１１のパスコン用パッド２１３，２１４と電気的に接続させる。これにより、錘付バイパスコンデンサ部１０とＩＣ２１１との間に、プローブカードの配線やプローブが介在することがなくなる。すなわち、錘付バイパスコンデンサ部１０をＩＣ２１１の直近に配置することができるようになり、電源変動の抑制効果が向上する。
【００２１】
また、錘付バイパスコンデンサ部１０は、プローブカードと独立して設けることができる。このため、プローブカードにコンデンサを設けるスペースを新たに確保する必要がなくなる。
【００２２】
また、錘付バイパスコンデンサ部１０は、端子１２，１３，１４の先端の３点を支点にして自立することができ、自重によりパスコン用パッド２１３，２１４と電気的に接続する。すなわち、簡易な構成により上記試験方法を実現することが可能である。支点を３点とすることで、ＩＣ２１１のパスコン用パッド２１３，２１４の上面が完全に平面でなくても安定して自立させることができる。
【００２３】
端子の数や、自立させるための支点の数は、３点に限らず４点以上としてもよい。また、端子１２，１３，１４のうち、端子１２を電源側、端子１３，１４をＧＮＤ線側とした。これにより、ＧＮＤ線側への高周波成分の排流を安定化することができる。ただし、電源側の端子の数をＧＮＤ線側の端子の数よりも多く設けてもよい。
【００２４】
更に、パスコン用パッド２１３，２１４との接触圧を自重により得る。このため、例えば、所定の接触圧を与えるというプローブ接続に課される機械精度を、錘付バイパスコンデンサ部１０の設置に対しては求める必要がない。また、自重により接触圧を得るので、プローブのばね性が不要となり端子１２，１３，１４の長さをプローブの長さに比べて短くすることができる。
【００２５】
また、例えば、パスコン用パッド２１３，２１４は、ＩＣ２１１の設計に合わせて電源変動を抑制する最適な位置に設けることができるようになる。これにより、個々のＩＣの特性に合わせて最適な試験設定を行うことが可能となる。
【００２６】
以下、第１の実施の形態の錘付バイパスコンデンサ部１０を半導体装置の試験装置に設けて試験を行う方法を具体的に例示する。
［第２の実施の形態］
以下、第２の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。なお、前述の第１の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関しては説明を省略する。
【００２７】
図２は、第２の実施の形態の試験装置を示す図である。試験装置１００は、ウェハ上に作成されたＩＣの電気的特性の試験を行う。試験装置１００は、試験制御部１１０、ステージ駆動部１２０、ヘッド部１３０およびアーム駆動部１４０を有する。
【００２８】
試験制御部１１０は、試験装置１００全体を制御すると共に、ＩＣのチェックを行うテスターである。試験制御部１１０は、ヘッド部１３０にＩＣへの試験信号の入力を指示する。また、試験制御部１１０は、ヘッド部１３０から試験信号の入力に応じた出力信号を取得し、ＩＣの良否判定を行う。
【００２９】
ステージ駆動部１２０は、ウェハを載置するステージを備えている。ステージ駆動部１２０は、ステージの３次元方向および各軸回りの回転などを制御して、ヘッド部１３０に対するウェハの位置を調整する。
【００３０】
ヘッド部１３０は、試験制御部１１０からの指示によりウェハ上のＩＣに試験信号を入力し、ＩＣからの出力信号を得る。ヘッド部１３０は、取得した出力信号を試験制御部１１０に出力する。
【００３１】
アーム駆動部１４０は、ＩＣに接続するバイパスコンデンサを保持するアームを備えている。アーム駆動部１４０は、アームの姿勢を制御して、ＩＣに対するバイパスコンデンサの水平位置および垂直位置を決定する。
【００３２】
ここで、ステージ駆動部１２０とヘッド部１３０とが接する箇所を以下の説明では試験部と呼ぶこととする。
図３は、第２の実施の形態の試験部を示す図である。ステージ駆動部１２０は、筐体１２１、駆動部１２２およびステージ１２３を有する。
【００３３】
筐体１２１は、ステージ駆動部１２０の本体である。
駆動部１２２は、ステージ１２３を３軸方向および３軸回りの回転方向に駆動させる。
ステージ１２３は、ウェハ２００を載置するための台座である。
【００３４】
駆動部１２２は、ステージ１２３を水平方向に移動させることで、プローブカード１３４に対するウェハ２００の水平方向の位置を決定する。また、駆動部１２２は、ステージ１２３を図３に示した状態から上方に移動させることで、プローブカード１３４とウェハ２００とを接近させる。
【００３５】
ヘッド部１３０は、テストヘッド１３１、仲介用基板１３２、コネクタ１３３およびプローブカード１３４を有する。
テストヘッド１３１は、プローブカード１３４を介してウェハ２００上のＩＣに試験信号を入力する。
【００３６】
仲介用基板１３２は、テストヘッド１３１とプローブカード１３４との間の電気信号を仲介する。
コネクタ１３３は、仲介用基板１３２とプローブカード１３４とを接続する。
【００３７】
プローブカード１３４は、中央に開口部を備えており、開口部の周縁には下方に突出して設けられたプローブ１３５を有している。プローブ１３５は、ウェハ２００上のＩＣに設けられた試験信号入力用のパッドに接続するための探針である。
【００３８】
また、プローブカード１３４の開口部には、バイパスコンデンサが挿通されている。バイパスコンデンサは、アーム駆動部１４０が備えるアーム１４１の先端に設けられた保持部材１４２によって支持される。アーム１４１は、コネクタ１３３の鉛直方向の厚みによって仲介用基板１３２とプローブカード１３４との間に形成された空間を通して、アーム駆動部１４０からプローブカード１３４の開口部に向かって配設される。
【００３９】
ここで、プローブカード１３４の開口部付近を、以下では接続部１５０と呼ぶこととする。
図４は、第２の実施の形態のウェハおよびチップを示す図である。ウェハ２００上には複数のチップが作成される。そして、チップ２１０には、ＩＣ２１１、パッド２１２、パスコン用パッド２１３，２１４が作成される。なお、ＩＣ２１１、パッド２１２、パスコン用パッド２１３，２１４は、図１で同一の符号を付して説明した構成と同一である。
【００４０】
試験装置１００は、ウェハ２００上の複数のＩＣについて個々にプローブ１３５を当てて試験を行う。その際、駆動部１２２は、ステージ１２３を移動させて、試験対象とするＩＣを変更する。
【００４１】
図５は、第２の実施の形態の試験時の接続部を示す斜視図である。ただし、試験対象のＩＣ２１１を含むチップ２１０以外のウェハ２００の領域は図示を省略している。なお、図５には座標系５１が示されている。座標系５１では、水平方向をｘｙ軸、鉛直方向をｚ軸とする。駆動部１２２は、ステージ１２３を＋ｚ軸方向に移動させることで、プローブ１３５とパッド２１２とを接続する。このとき、駆動部１２２は、プローブ１３５とパッド２１２とが所定の接触圧で接続するようステージ１２３の＋ｚ軸方向の移動量を決定する。
【００４２】
このとき、錘付バイパスコンデンサ部１０は、ステージ１２３の＋ｚ方向への移動に伴って、端子１２，１３，１４がパスコン用パッド２１３，２１４と当接して押し上げられ、図３の状態から保持部材１４２の挿通孔に沿って＋ｚ方向に移動する。なお、図３とは、錘付バイパスコンデンサ部１０が−ｚ方向の重力を受けて鍔１６が保持部材１４２に当接して保持された状態を示す。
【００４３】
端子１２，１３，１４が押し上げられるに伴って、支柱１５は＋ｚ方向に押し上げられることになる。このため、仲介用基板１３２とプローブカード１３４との間には、その移動量に応じた空間が設けられる。あるいは、テストヘッド１３１や仲介用基板１３２の中央に開口部を設けてもよい。
【００４４】
また、錘付バイパスコンデンサ部１０は、保持部材１４２によってｘｙｚ方向の位置が決定される。保持部材１４２の位置は、アーム駆動部１４０自体がｘｙｚ方向に移動することにより、または、アーム駆動部１４０によりアーム１４１の姿勢が変更されて調整される。このようにして、試験装置１００は、パスコン用パッド２１３，２１４に対するコンデンサ１１、端子１２，１３，１４の位置の微調整を行うことができる。
【００４５】
図６は、第２の実施の形態の試験時の接続部を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図（側面）である。ただし、（Ｂ）は、（Ａ）上面図のＡＡ断面図を示す。また、（Ｂ）では、プローブ１３５やコンデンサ１１が有する端子１４の様子が分かりやすいよう、これらも図示している。
【００４６】
このように、保持部材１４２は、アーム１４１の先端に設けられ、錘付バイパスコンデンサ部１０を保持する。そして、アーム駆動部１４０は、保持部材１４２のｘｙ方向の位置を変更することで、錘付バイパスコンデンサ部１０のＩＣ２１１に対する位置を調整することができる。
【００４７】
これにより、ＩＣ２１１において、パスコン用パッド２１３，２１４をＩＣ２１１の特性に応じた任意の位置に配置した場合にも、端子１２，１３，１４とパスコン用パッド２１３，２１４とを接続することができる。
【００４８】
［第３の実施の形態］
以下、第３の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。なお、前述の第１，２の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関しては説明を省略する。
【００４９】
第３の実施の形態では、第２の実施の形態とは異なる方法で錘付バイパスコンデンサ部１０を試験装置に設ける。ここで、第３の実施の形態の試験装置および試験対象となるウェハの構成は、第２の実施の形態で説明した図２，４の構成と同一である。ただし、第３の実施の形態の試験装置では、試験装置１００で示したアーム駆動部１４０は不要である。
【００５０】
図７は、第３の実施の形態の試験部を示す図である。ステージ駆動部１２０およびヘッド部１３０の構成は、第２の実施の形態で説明した図３の構成と同一である。ただし、プローブカード１３４の開口部に橋架け部を設けて錘付バイパスコンデンサ部１０を支持する点が異なる。
【００５１】
ここで、プローブカード１３４の開口部付近を、以下では接続部１６０と呼ぶこととする。
図８は、第３の実施の形態の試験時の接続部を示す斜視図である。ただし、試験対象のＩＣ２１１を含むチップ２１０以外のウェハ２００の領域は図示を省略している。なお、図８には図５と同一の座標系５１が示されている。
【００５２】
プローブカード１３４には、柱１３６，１３７および柱１３６，１３７上に渡された橋架け部１３８が設けられる。
柱１３６，１３７は、橋架け部１３８を支持する。
【００５３】
橋架け部１３８は、錘付バイパスコンデンサ部１０を保持する。橋架け部１３８は、第１の実施の形態の保持部材２１に対応する。すなわち、橋架け部１３８には、支柱１５が挿通され、挿通孔に沿ってｚ軸方向に滑動可能となっている。また、柱１３６，１３７は、プローブカード１３４上で配置を変更することが可能であり、それに伴って錘付バイパスコンデンサ部１０のＩＣ２１１に対するｘｙ方向の位置を調整することが可能である。
【００５４】
また、鍔１６は、支柱１５の橋架け部１３８よりも上方に設けられる。鍔１６は、橋架け部１３８の支柱１５用の貫通孔と重ねたときに、その貫通孔の幅よりも大きな面積となるよう形成される。これにより、端子１２，１３，１４がパスコン用パッド２１３，２１４と接触していない場合に、鍔１６は橋架け部１３８と係合して、錘付バイパスコンデンサ部１０の下側への落下を防止することができる。
【００５５】
駆動部１２２は、ステージ１２３を＋ｚ方向に移動させることで、プローブ１３５とパッド２１２とを接続する。このとき、駆動部１２２は、プローブ１３５とパッド２１２とが所定の接触圧で接続するようステージ１２３の＋ｚ方向の移動量を決定する。
【００５６】
このとき、錘付バイパスコンデンサ部１０は、ステージ１２３の＋ｚ方向への移動に伴って、端子１２，１３，１４がパスコン用パッド２１３，２１４と当接して押し上げられ、図７の状態から橋架け部１３８の挿通孔に沿って＋ｚ方向に移動する。なお、これに伴って、支柱１５は＋ｚ方向に押し上げられる。このため、仲介用基板１３２とプローブカード１３４との間には、その移動量に応じた空間が設けられる。あるいは、テストヘッド１３１や仲介用基板１３２の中央に開口部を設けてもよい。
【００５７】
また、錘付バイパスコンデンサ部１０は、橋架け部１３８によってｘｙ方向の位置が決定される。橋架け部１３８の位置は、柱１３６，１３７の位置を移動させることで変更できる。また、例えば、図８において、錘付バイパスコンデンサ部１０をｙ方向に移動可能なように挿通孔のｙ方向の幅を拡張することも考えられる。
【００５８】
図９は、第３の実施の形態の試験時の接続部を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図（側面）である。ただし、（Ｂ）は、（Ａ）の上面図のＢＢ断面図を示す。また、（Ｂ）では、プローブ１３５やコンデンサ１１が有する端子１４の様子が分かりやすいよう、これらも図示している。
【００５９】
このように、橋架け部１３７は、挿通孔に支柱１５が挿通されて、錘付バイパスコンデンサ部１０を保持する。そして、プローブカード１３４上で柱１３６，１３７の位置を変更することで、錘付バイパスコンデンサ部１０のＩＣ２１１に対する位置を調整することができる。また、柱１３６，１３７の高さを変更可能とすることで、錘付バイパスコンデンサ部１０の鉛直方向の位置を調整することもできる。
【００６０】
これにより、ＩＣ２１１において、パスコン用パッド２１３，２１４をＩＣ２１１の特性に応じた任意の位置に配置した場合にも、端子１２，１３，１４とパスコン用パッド２１３，２１４とを接続することができる。
【００６１】
［第４の実施の形態］
以下、第４の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。なお、前述の第１〜３の実施の形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関しては説明を省略する。
【００６２】
第４の実施の形態では、錘付バイパスコンデンサ部１０を複数設置可能とする。ここで、第４の実施の形態の試験装置の構成は、第２の実施の形態で説明した図２の構成と同一である。ただし、第４の実施の形態の試験装置では、試験装置１００で示したアーム駆動部１４０は不要である。また、第４の実施の形態のＩＣ２１１の上面には、錘付バイパスコンデンサ部の数に応じて複数のパスコン用パッドが設けられる。
【００６３】
図１０は、第４の実施の形態の試験時の接続部を示す斜視図である。ただし、試験対象のＩＣ２１１を含むチップ２１０以外のウェハ２００の領域は図示を省略している。なお、図１０には図５と同一の座標系５１が示されている。
【００６４】
プローブカード１３４ａには、柱１３６，１３７および柱１３６，１３７上に渡された橋架け部１３８ａが設けられる。
柱１３６，１３７は、橋架け部１３８ａを支持する。
【００６５】
橋架け部１３８ａは、錘付バイパスコンデンサ部１０，１０ａを保持する。橋架け部１３８ａは、第３の実施の形態の橋架け部１３８に対応する。橋架け部１３８ａには、錘付バイパスコンデンサ部１０，１０ａの支柱が挿通され、挿通孔に沿って支柱がｚ軸方向に滑動可能となっている。また、柱１３６，１３７は、プローブカード１３４上で配置を変更することが可能であり、それに伴って錘付バイパスコンデンサ部１０，１０ａのＩＣ２１１ａに対するｘｙ方向の位置を調整することが可能である。
【００６６】
更に、錘付バイパスコンデンサ部１０，１０ａに設けられた鍔が橋架け部１３８ａと係合することで、錘付バイパスコンデンサ部１０の下側への落下を防止することができる。
駆動部１２２は、ステージ１２３を＋ｚ方向に移動させることで、プローブ１３５とパッド２１２とを接続する。このとき、駆動部１２２は、プローブ１３５とパッド２１２とが所定の接触圧で接続するようステージ１２３の＋ｚ方向の移動量を決定する。
【００６７】
このとき、錘付バイパスコンデンサ部１０，１０ａは、ステージ１２３の＋ｚ方向への移動に伴って、錘付バイパスコンデンサ部１０，１０ａが有する端子がパスコン用パッド２１３，２１４，２１５，２１６と当接して押し上げられ、橋架け部１３８の挿通孔に沿って＋ｚ方向に移動する。なお、これに伴って、錘付バイパスコンデンサ部１０，１０ａの支柱は＋ｚ方向に押し上げられる。このため、仲介用基板１３２とプローブカード１３４との間には、その移動量に応じた空間が設けられる。あるいは、テストヘッド１３１や仲介用基板１３２の中央に開口部を設けてもよい。
【００６８】
また、錘付バイパスコンデンサ部１０，１０ａは、橋架け部１３８ａによってｘｙ方向の位置が決定される。橋架け部１３８ａの位置は、柱１３６，１３７の位置を移動させることで変更できる。また、例えば、図１０において、錘付バイパスコンデンサ部１０，１０ａをｙ方向に移動可能なように挿通孔のｙ方向の幅を拡張することも考えられる。更に、橋架け部を２つ設けて、錘付バイパスコンデンサ部１０，１０ａをそれぞれ別個の橋架け部に設置することも考えられる。
【００６９】
なお、図１０の例では、２個設置する場合を例示したが、３個以上の複数個の錘付バイパスコンデンサ部を同様にして設置することもできる。
このように、第１の実施の形態を応用した第２〜第４の実施の形態についても、第１の実施の形態と同一の効果を得ることができる。
【００７０】
すなわち、錘付バイパスコンデンサ部１０を自重により、ＩＣ２１１のパスコン用パッド２１３，２１４と電気的に接続させるので、錘付バイパスコンデンサ部１０とＩＣ２１１との間に、プローブカードの配線やプローブが介在することがなくなる。このため、錘付バイパスコンデンサ部１０をＩＣ２１１の直近に配置することができるようになり、電源変動の抑制効果が向上する。
【００７１】
また、錘付バイパスコンデンサ部１０は、プローブカード１３４と独立して設けることができる。このため、プローブカード１３４にコンデンサを設けるスペースを新たに確保する必要がなくなる。ただし、必要に応じてプローブカード１３４上にもバイパスコンデンサを配置して錘付バイパスコンデンサ部１０と併用することで、電源変動の抑制効果を向上させることも考えられる。
【００７２】
また、錘付バイパスコンデンサ部１０は、端子１２，１３，１４の先端の３点を支点にして自立することができ、自重によりパスコン用パッド２１３，２１４と電気的に接続する。すなわち、簡易な構成により上記試験方法を実現することが可能である。このため、例えば、コンデンサ１１を交換して適切な静電容量に調整することも可能である。
【００７３】
端子の数や、自立させるための支点の数は、３点に限らず４点以上としてもよい。また、保持部材により支持されて倒立状態を保ち、パスコン用パッド２１３，２１４との間で必要な接触圧を確保できる場合は、２点とすることも考えられる。なお、端子１２，１３，１４のうち、端子１２を電源側、端子１３，１４をＧＮＤ線側とした。これにより、ＧＮＤ線側への高周波成分の排流を安定化することができる。ただし、電源側の端子の数をＧＮＤ線側の端子の数よりも多く設けてもよい。
【００７４】
更に、パスコン用パッド２１３，２１４との接触圧を自重により得る。このため、例えば、所定の接触圧を与えるというプローブ接続に課される機械精度を、錘付バイパスコンデンサ部１０の設置に対しては求める必要がない。また、自重により接触圧を得るので、端子１２，１３，１４の長さをプローブの長さに比べて短くすることができる。なお、錘付バイパスコンデンサ部１０をプローブカード上に配置しないので、基板上に作りこむ必要がなく、錘の交換によって接触圧を調整することができる。
【００７５】
また、例えば、パスコン用パッド２１３，２１４は、ＩＣ２１１の設計に合わせて電源変動を抑制する最適な位置に設けることができるようになる。これにより、個々のＩＣの特性に合わせて最適な試験設定を行うことが可能となる。
【００７６】
ここで、例えば、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）製品では、パッド配置などのデザインを共通化し、プローブカードなどの試験環境を共用している。このため、試験設備が画一的に用意されるので、従来の方法では、個々のＡＳＩＣ製品ごとに電源変動を抑制する最適な試験環境を構築することが難しかった。これに対し、上記試験方法では、パスコン用パッド２１３，２１４をＡＳＩＣ製品の設計に合わせた位置に設けることができるので、ＡＳＩＣ製品の試験を行う際にも有用である。
【００７７】
また、例えば、近年、多ピン化、回路規模の大型化に伴って、チップサイズが拡大している。このため、パッド２１２が配設されるＩＣ２１１周辺部に対して、ＩＣ中央部での電源変動が大きくなる傾向にある。これに対し、上記試験方法は、ＩＣ２１１の上面中央部にパスコン用パッド２１３，２１４を設けることができる。このため、ＩＣ中央部での電源変動に対応する場合にも有用である。
【００７８】
更に、第２〜第４の実施の形態の試験装置１００では、ステージ１２３を上方に移動させて、プローブ１３５とパッド２１２とを接触させるものとしたが、このような方法に限らない。例えば、ヘッド部１３０を下方に移動させてプローブ１３５とパッド２１２とを接触させるような試験装置に適用することもできる。
【００７９】
以上、本件の半導体装置の試験方法および試験装置を図示の実施の形態に基づいて説明したが、これらに限定されるものではなく、各部の構成は同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や工程が付加されてもよい。更に、前述した実施の形態のうちの任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
【００８０】
説明した実施の形態の主な技術的特徴は、以下の付記の通りである。
（付記１）  半導体装置の上面に電源端子を設け、
試験時に、錘を付加したバイパスコンデンサを、前記電源端子に対して自重により電気的に接続することを特徴とする半導体装置の試験方法。
【００８１】
（付記２）  前記バイパスコンデンサは、複数の電極端子を備え、前記複数の電極端子が前記電源端子に電気的に接続されると共に、前記複数の電極端子により自立することを特徴とする付記１記載の半導体装置の試験方法。
【００８２】
（付記３）  前記複数の電極端子のうち、第１の本数の電極端子を前記電源端子の電源側に接続し、前記第１の本数よりも多い第２の本数の電極端子を前記電源端子のグラウンド側に接続することを特徴とする付記２記載の半導体装置の試験方法。
【００８３】
（付記４）  前記電極端子は３本であることを特徴とする付記２または３の何れか１項に記載の半導体装置の試験方法。
（付記５）  前記電源端子の配置に応じて、前記バイパスコンデンサの配置を変更することを特徴とする付記１乃至４の何れか１項に記載の半導体装置の試験方法。
【００８４】
（付記６）  前記錘は、前記バイパスコンデンサの上部に柱状に形成され、前記錘を保持部材が備える挿通孔に挿通させた状態において当該保持部材よりも上方となる位置に鍔を備えており、
前記バイパスコンデンサが前記電源端子に対して非接続状態である場合に、前記鍔と前記保持部材とが係合する、
ことを特徴とする付記１乃至５の何れか１項に記載の半導体装置の試験方法。
【００８５】
（付記７）  前記錘は、非磁性体材料により形成されることを特徴とする付記１乃至６の何れか１項に記載の半導体装置の試験方法。
（付記８）  前記錘の質量は、数グラム〜数十グラムであることを特徴とする付記１乃至７の何れか１項に記載の半導体装置の試験方法。
【００８６】
（付記９）  錘を付加したバイパスコンデンサと、
試験時に、前記バイパスコンデンサを、半導体装置の上面に設けられた電源端子に対して自重により電気的に接続させる駆動部と、
を有することを特徴とする半導体装置の試験装置。
【００８７】
（付記１０）  前記電源端子の配置に応じて前記バイパスコンデンサの配置を変更する位置調整部を更に有することを特徴とする付記９記載の半導体装置の試験装置。
（付記１１）  前記位置調整部は、前記バイパスコンデンサの上部に柱状に形成された前記錘を保持する保持部材を備え、
前記錘は、前記保持部材が備える挿通孔に当該錘を挿通させた状態において当該保持部材よりも上方となる位置に鍔を備えており、
前記バイパスコンデンサが前記電源端子に対して非接続状態である場合に、前記鍔と前記保持部材とが係合する、
ことを特徴とする付記１０記載の半導体装置の試験装置。
【符号の説明】
【００８８】
１０  錘付バイパスコンデンサ部
１１  コンデンサ
１２，１３，１４  端子
１５  支柱
１６  鍔
２１  保持部材
２２  固定部材
２１０  チップ
２１１  ＩＣ
２１２  パッド
２１３，２１４  パスコン用パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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