(57)【要約】【課題】  一次導体が近接して設置されるような多相の電流を検出する場合であっても、他相の影響を受けずに、被測定電流を精度良く検出できる、多相電流を検出する装置を提供すること。【解決手段】  一次導体に設けた溝部、あるいはザグリ部に面内方向の磁束を検出する磁電変換素子を設置する構造としたため、他相から印加され、誤差となる磁束の影響を低減し、多相の電流検出装置として小型化、高精度化が可能となる。【選択図】図６
2011080970.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定電流がそれぞれに印加され、それぞれに少なくとも一つの溝部を有した複数の一次導体と、前記各一次導体の少なくとも一つの前記溝部の近傍において感磁面の面内方向に被測定電流により発生する磁束が印加されるように設置される少なくとも一つの磁電変換素子とを備え、
前記溝部とは異なる部位の前記一次導体断面の中心位置と前記磁電変換素子の感磁面が略一致するとともに、
前記複数の一次導体は相互に略平行で同一平面内に配置され、かつ前記磁電変換素子の設置された各一次導体の前記溝部は各一次導体の長手方向において相互に重複しないように配置されていることを特徴とする多相電流の検出装置。
【請求項２】
被測定電流がそれぞれに印加され、それぞれに少なくとも一つのザグリ部を有した複数の一次導体と、前記各一次導体の少なくとも一つの前記ザグリ部の近傍において感磁面の面内方向に被測定電流により発生する磁束が印加されるように設置された少なくとも一つの磁電変換素子とを備え、
前記ザグリ部とは異なる部位の前記一次導体断面の中心位置と前記磁電変換素子の感磁面が略一致するとともに、
前記複数の一次導体は相互に略平行で同一平面内に配置されていることを特徴とする多相電流の検出装置。
【請求項３】
前記各磁電変換素子は少なくとも１枚のセンサ基板に設置され、前記センサ基板は前記磁電変換素子を前記溝部、または前記ザグリ部の所定の位置に保持するとともに、前記一次導体上に固定されることを特徴とする請求項１または２に記載の多相電流の検出装置。
【請求項４】
前記センサ基板の内部に導電性を有するシールド層を設置し、前記センサ基板の表面にセンサ回路部を設けたことを特徴とする請求項３に記載の多相電流の検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  この発明は、被測定電流が印加される、溝部あるいはザグリ部を有した複数の一次導体により多相が形成され、各溝部あるいは各ザグリ部の近傍において各相に印加された被測定電流を検出する、多相電流の検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  従来、非接触で被測定電流を計測する手法としては、一般的に、磁気コアを用いたものがある。磁気コアを利用した電流センサは、磁気コアを被測定電流の流れる導体を取り囲む様に設置し、磁気コアに設けたギャップ部とともに磁気回路を形成する。ギャップ部に設置した磁電変換素子を通じて、被測定電流により磁気回路に生じた磁束の大きさを測定することで、非接触で被測定電流の大きさを測定する。【０００３】  近年、小型化や軽量化、あるいは高精度化等を目的とし、特に大電流計測において磁気コアを用いないコアレスタイプの電流センサが提案されている。コアレスタイプの電流センサによる多相電流の検出装置としては、各表面実装型電流センサを、クランク状に２度直角に折り曲げた各被検出電流路の中央部に配置し、各被検出電流路を整列したものがある（例えば、特許文献１参照）。【０００４】  また、別の多相電流の検出装置としては、クランク状に折り曲げられた折り曲げ部を有する各被測定導体の折り曲げ部近傍に、各磁電変換素子を配置し、折り曲げ部が重複しないように各被測定導体を略平行に配置したものがある（例えば、特許文献２の図６参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】  特開２００５−２３３６９２公報
【特許文献２】  特開２００１−７４７８３公報
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】  前記特許文献１に開示されている多相電流検出装置は、表面実装型電流センサを用いて、多相電流を測定する場合、ある相の電流を検出する表面実装型電流センサが、他の相の電流により発生した磁界の影響を基本的には受けずに多相電流の検出ができる構成となっている。しかしながら、厳密には他相の被検出電流路からの漏れ磁界が表面実装型電流センサの感磁方向に印加される構成のため、各相を接近して小型、省スペースで設置する場合に検出誤差が発生し、小型化に向かないという問題点があった。
【０００７】  また前記特許文献２では、クランク状に折り曲げられた折り曲げ部を有する各被測定導体の折り曲げ部近傍に、各磁電変換素子を配置し、折り曲げ部が重複しないように各被測定導体を略平行に配置しているため、他の相の電流により発生した磁界の影響を受けずに多相電流の検出ができる構成となっている。しかしながら、使用する磁電変換素子の感磁方向が素子の面外方向であり、被測定導体は折り曲げ部を有する形状をとるため、高さ方向に電流検出器の寸法が拡大し、小型かつ薄型化に向かないという問題点があった。また、同一基板上に各磁電変換素子を設置したとしても、折り曲げ部が重複しないように折り曲げ部をずらして配置しているため、基板は大型化し、それに伴い電流検出器も大型化するという問題点があった。
【０００８】  この発明は上記のような課題を鑑み、解決するためになされたもので、多相電流の検出時に他相電流の影響を低減し、各相においてより正確な電流を検出でき、かつ小型で、低コストな多相電流の検出装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】  この発明に係わる多相電流の検出装置は、それぞれに少なくとも一つの溝部を有した複数の一次導体と、各一次導体の少なくとも一つの溝部の近傍において感磁面の面内方向に被測定電流により発生する磁束が印加されるように設置される少なくとも一つの磁電変換素子とを備え、溝部とは異なる部位の一次導体断面の中心位置と磁電変換素子の感磁面が略一致するとともに、複数の一次導体は相互に略平行で同一平面内に配置され、かつ磁電変換素子の設置された各一次導体の溝部は各一次導体の長手方向において相互に重複しないように配置したものである。
【００１０】  また、この発明に係わる多相電流の検出装置は、それぞれに少なくとも一つのザグリ部を有した複数の一次導体と、各一次導体の少なくとも一つの前記ザグリ部の近傍において感磁面の面内方向に被測定電流により発生する磁束が印加されるように設置される少なくとも一つの磁電変換素子とを備え、ザグリ部とは異なる部位の一次導体断面の中心位置と磁電変換素子の感磁面が略一致するとともに、複数の一次導体は相互に略平行で同一平面内に配置したものである。
【００１１】  また、この発明に係わる多相電流の検出装置は、各磁電変換素子は少なくとも１枚のセンサ基板に設置され、センサ基板は、磁電変換素子を溝部、またはザグリ部の所定の位置に保持するとともに、一次導体上に固定されるものである。
【００１２】  また、この発明に係わる多相電流の検出装置は、センサ基板の内部に導電性を有するシールド層を設置し、センサ基板の表面にセンサ回路部を設けたものである。
【発明の効果】
【００１３】  以上のように、この発明によれば、磁電変換素子を設置した、それぞれの溝部をそれぞれの一次導体の長手方向において相互に重複しないように、それぞれの一次導体を同一平面内に略平行で配置したため、多相電流の検出時に他相の電流により発生する磁界の影響を低減し、精度良く被測定電流を検出する効果がある。
また、溝部内に収まるように、感磁方向が面内方向である磁電変換素子を溝部内に設置する構成のため、高さ方向に多相電流の検出装置の寸法が拡大することなく、小型・薄型化の効果がある。
【００１４】  また、磁電変換素子を、それぞれの一次導体のそれぞれのザグリ部に設置したため、それぞれの一次導体の長手方向においてそれぞれのザグリ部が相互に重複して設置されても、多相電流の検出時に他相の電流により発生する磁界の影響を低減し、精度良く被測定電流を検出する効果がある。
また、ザグリ部が相互に重複してもよく、ザグリ部をずらして配置する必要がないため、一次導体の長手方向に多相電流の検出装置の寸法が拡大することなく、小型化の効果がある。
【００１５】  また、少なくとも１枚の小型なセンサ基板で多相に対応でき、装置が小型となり、製造工程の簡略化ならびに低コスト化の効果がある。
【００１６】  さらにまた、センサ基板内層にシールド層を設置することで、センサ回路部に対して、主に一次導体から生じる電界ノイズを除去あるいは低減することができるため、センサ出力の高精度化の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】この発明の実施形態１による多相電流の検出装置の一次導体の斜視図である。
【図２】この発明の実施形態１による多相電流の検出装置の平面図である。
【図３】この発明の実施形態１による多相電流の検出装置の断面図である。
【図４】この発明の実施形態１による一つの電流センサの磁電変換素子における感磁部近傍の磁束ベクトル説明図である。
【図５】この発明の実施形態１による一つの電流センサの別の磁電変換素子における感磁部近傍の磁束ベクトル説明図である。
【図６】この発明の実施形態２による多相電流の検出装置の一次導体の斜視図である。
【図７】この発明の実施形態２による多相電流の検出装置の平面図である。
【図８】この発明の実施形態２による一つの電流センサにおけるザグリ部断面近傍の磁束線図である。
【図９】この発明の実施形態２による多相電流の検出装置の断面図である。
【図１０】この発明の実施形態３による多相電流の検出装置の斜視図である。
【図１１】この発明の実施形態３による多相電流の検出装置の平面図である。
【図１２】この発明の実施形態３による多相電流の検出装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による多相電流の検出装置１における一次導体４のみの斜視図を示すもので、図２は多相電流の検出装置１の平面図（ＸＹ面）、図３は図１および図２におけるＡＡ断面（ＸＺ面）を示す断面図である。図に示した多相電流の検出装置１は、例えば三相交流電流において、それぞれの相電流を相毎に設置した電流センサ２にて検出する例であり、一相分の電流センサ２は、磁電変換素子３と一次導体４により構成され、さらに一次導体４は溝部５が設けられている。なお図において、一次導体４は、簡単のため電流センサ２の近傍のみを示したが、実際は延長され電源や各種装置等に接続されるものとする。また、実際の装置構成では、磁電変換素子３はプリント基板等に接続されて設置されるが、ここでは省略し、他の実施の形態において説明する。
本実施の形態１では、各一次導体４は一部に溝部５を形成し、各溝部５内に１つの磁電変換素子３を配置し、かつ各溝部５が各一次導体４の長手方向に対して重複しないようにし、各一次導体４を略平行に配置したものである。
【００１９】  まず、多相電流の検出装置１の全体構成、ならびに電流センサ２の構成について説明する。
図１に示すように、被測定電流を印加する各一次導体４は直線状の導体であり、ここでは三相電流の検出例であるため、３本の一次導体が略平行に配置されている。各一次導体４には、それぞれ電流センサ２が設けられ、各相の被測定電流値をそれぞれの電流センサ２にて検出する構成となっている。それぞれの電流センサ２は、各一次導体４の長手方向、つまりはＸ方向において、相互に重複しない位置に設置される。
一相分の電流センサ２の構成について、まず一次導体４から説明する。各一次導体４の一部には、長手方向に対して略直角に溝加工が施され、Ｚ方向の溝深さは、少なくとも非溝部である一次導体４のＺ方向高さの半分以上となるように形成される。一次導体４の溝部５における断面積は、使用する磁電変換素子の種類にもよるが、概ね磁電変換素子３に付与したい磁束密度、つまりは検出する被測定電流の範囲に応じて決定される。大きな電流値まで検出するのであれば、溝部５における一次導体部分の電流密度を下げるために、断面積は大きいほうが望ましく、小さい電流値を検出するのであれば、溝部５における一次導体部分の電流密度を上げるために、断面積は小さいほうが望ましい。また、図２の平面図から明らかなように、各溝部５は一次導体４の長手方向、つまりここではＸ方向に各溝部５の位置が重複しないように、ずらして設置される。このような一次導体４は、例えば銅などの金属板材からの切り出しと溝加工の組合せ、もしくは鋳造等により作製される。
磁電変換素子３は各溝部５に少なくとも１つ設置され、一次導体４とともに電流センサ２を構成する。一次導体４に被測定電流が印加されたとき、一次導体４の周囲には磁束が発生するが、ここでは、Ｙ方向の磁束を磁電変換素子３の面内で計測する、面内方向に感磁方向を有した素子を利用する。例えば、異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ素子）、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）などを用いるが、これらに限るものではない。磁電変換素子３を設置するＺ方向の位置は、図３において説明すると、磁電変換素子３ａの感磁面８ａが、一次導体４ｂと一次導体４ｃを貫通する中心線７ａと一致する位置とする。また、Ｙ方向の位置は、磁電変換素子３ａの中心が一次導体４ａの中心線７ｂと一致する位置とする。
【００２０】  次に、電流センサ２の動作について図３、図４により説明する。図４は上述した位置に磁電変換素子３ａを設置した場合の、磁電変換素子３ａの感磁面８ａにおける磁束ベクトル９を示すものである。各一次導体４に被測定電流が流れると各一次導体４の周囲に被測定電流の大きさに応じて磁束が発生し、磁束の一例を破線の磁束線６で示すと、一次導体４ａは磁束線６ａ、一次導体４ｂは磁束線６ｂ、一次導体４ｃは磁束線６ｃとなる。これら各一次導体４にて発生する各磁束線６に起因した、磁電変換素子３ａの感磁面８ａにおける磁束ベクトル９は、一次導体４ａは磁束ベクトル９ａ、一次導体４ｂは磁束ベクトル９ｂ、一次導体４ｃは磁束ベクトル９ｃとなる。図４からわかるように、磁束ベクトル９ｂと磁束ベクトル９ｃは感磁面８ａに対して垂直方向となるため、磁電変換素子３ａにおいて不感方向であり検出されず、検出されるのは感磁面８ａの面内方向と一致する、一次導体４ａによる磁束ベクトル９ａのみとなる。このように磁電変換素子３ａの感磁面８ａが、一次導体４ｂと一次導体４ｃを貫通する中心線７ａと一致した場合、一次導体４ｂと一次導体４ｃにおいて発生する磁束ベクトル９ｂおよびる磁束ベクトル９ｃは、感磁面８ａに対して直角方向つまりは不感方向となるため、一次導体３ａの被測定電流検出に影響を与えない。つまり他相の影響は受けず、検出すべき被測定電流にて発生する磁束を精度良く捉えることができる。
ここでは、一次導体４ａにおける電流センサ２ａについての動作のみ、図３、図４を用いて説明したが、電流センサ２ｂ、電流センサ２ｃも、Ｘ方向において、相互に重複しない位置に設置されるため、何れも他相の影響は受けない構成については同様である。
【００２１】  次に、磁電変換素子３を設置するＺ方向の位置は、図３と同様とし、Ｙ方向の位置を可変したときの例について示す。前述の例では、Ｙ方向において、磁電変換素子３ａの中心が一次導体４ａの中心線７ｂと一致する位置としたが、溝部５ａ内で磁電変換素子３ａの中心が一次導体４ａの中心線７ｂと一致しない位置とする。図５は、中心線７ｂと一致しない位置に磁電変換素子３ａを設置した場合の、磁電変換素子３ａの感磁面８ａにおける磁束ベクトル９を示すものである。一次導体４ｂと一次導体４ｃにおいて発生する磁束ベクトル９ｂおよび９ｃは、感磁面８ａに対して直角方向となり、一次導体３ａの被測定電流測定に影響を与えないことについては、図４と同様である。磁電変換素子３ａの中心が一次導体４ａの中心線７ｂと一致しないため、一次導体４ａによる磁束ベクトル９ａの方向は、Ｙ方向と一致せず、Ｙ軸に対して角度を有した方向となる。そのため、磁電変換素子３ａの感磁面８ａにおいて、感磁方向であるＹ方向に付与される磁束は、磁束ベクトル９ａをＹ方向に分解した磁束ベクトル９ａ’となり、磁束ベクトル９ａを低めた値となる。よって、被測定電流が大電流であっても磁気抵抗効果素子３ａに印加される磁束が抑制され、出力の飽和などを気にすることなく、かつ電流検出装置としての外形寸法を大型化することなく、大電流の検出が容易に行える。
なお、本実施の形態においては、三相交流の電流検出例について示したが、三相に限らず、さらに複数相、複数の一次導体を設置してもよい。
【００２２】  以上のように、この実施の形態１によれば、磁電変換素子を設置した、それぞれの溝部をそれぞれの一次導体の長手方向において相互に重複しないように、それぞれの一次導体を同一平面内に略平行で配置したため、多相電流の検出時に他相の電流により発生する磁界の影響を低減し、精度良く被測定電流を検出することができる。
【００２３】  また、溝部内に収まるように、感磁方向が面内方向である磁電変換素子を溝部内に設置する構成のため、高さ方向に多相電流の検出装置の寸法が拡大することなく、小型、薄型に構成できる。
【００２４】  また、磁気抵抗効果素子の感磁方向への印加する磁束を、磁気抵抗効果素子の設置位置により可変できる構成としたため、大電流の検出が容易に可能となり、一次導体を含めた多相電流の検出装置の構造が小型にできる。
【００２５】実施の形態２．
図６は、この発明の実施の形態２による多相電流の検出装置１における一次導体４のみの斜視図を示すもので、図７は多相電流の検出装置１の平面図（ＸＹ面）、図８は図６および図７における一相分のＡＡ断面（ＸＺ面）において被測定電流印加時の磁束線図、図９は図６および図７におけるＡＡ断面（ＸＺ面）を示す断面図である。図に示した多相電流の検出装置１は、例えば三相交流電流において、それぞれの相電流を相毎に設置した電流センサ２にて検出する例であり、一相分の電流センサ２は、磁電変換素子３と一次導体４により構成され、さらに一次導体４はザグリ部１０が設けられている。なお図において一次導体４は、実施の形態１と同様に、簡単のため電流センサ２の近傍のみを示したが、実際は延長され電源や各種装置等に接続されるものとする。また、実際の装置構成では、磁電変換素子３はプリント基板等に接続されて設置されるが、ここでは省略し、他の実施の形態において説明する。
本実施の形態２では、各一次導体４は一部にザグリ部１０を形成し、各ザグリ部１０内に１つの磁電変換素子３を配置し、かつ各ザグリ部１０が各一次導体４の長手方向に対して重複するように各一次導体４を略平行に配置したものである。
実施の形態２は、実施の形態１で各一次導体４に設けた溝部をザグリ部に変更し、かつ長手方向に対してザグリ部が重複するように各一次導体４を略平行に配置した構成であり、その他の構成や動作で重複する部分は省略する。
【００２６】  一相分の電流センサ２の構成について、まず一次導体４から説明する。各一次導体４の上面の一部には、ザグリ加工が施され、Ｚ方向のザグリ深さは、少なくとも非ザグリ部である一次導体４のＺ方向高さの半分以上となるように形成される。一次導体４のザグリ部１０近傍において一次導体の占める断面積は、使用する磁電変換素子の種類にもよるが、概ね磁電変換素子３に付与したい磁束密度、つまりは検出する被測定電流の範囲に応じて決定される。大きな電流値まで検出するのであれば、ザグリ部１０近傍における一次導体部分の電流密度を下げるために、断面積は大きいほうが望ましく、小さい電流値を検出するのであれば、ザグリ部１０近傍における一次導体部分の電流密度を上げるために、断面積は小さいほうが望ましい。また、図７の平面図から明らかなように、各ザグリ部１０は一次導体４の長手方向、つまりここではＸ方向に各ザグリ部１０の位置が重複するように、一致させて設置される。このような一次導体４は、例えば銅などの金属板材からの切り出しとザグリ加工の組合せ、もしくは鋳造等により作製される。
磁電変換素子３は各ザグリ部１０に少なくとも１つ設置され、一次導体４とともに電流センサ２を構成する。一次導体４に被測定電流が印加されたとき、一次導体４の周囲には磁束が発生するが、本実施の形態でも、Ｙ方向の磁束を磁電変換素子３の面内で計測する、面内方向に感磁方向を有した素子を利用する。磁電変換素子３を設置するＺ方向の位置は、図９において説明すると、各磁電変換素子３の感磁面８がＹ方向で一致するとともに、各一次導体の非ザグリ部を貫通する中心線７ａとも一致する位置とする。また、Ｙ方向の位置は、磁電変換素子３ａの中心が一次導体４ａの中心線７ｂと一致する位置とする。
【００２７】  次に、電流センサ２の動作について図８、図９により説明する。図８は上述した位置に磁電変換素子３ａを設置した場合、一相分のＡＡ断面（ＸＺ面）において、被測定電流印加時の一次導体４ａ周囲の磁束線６ａと一部の磁束ベクトル９ａを示すものである。一次導体４ａのザグリ部１０ａにおいて、一次導体４ａの断面は凹形状となる。そのため磁束線６ａは一次導体４ａ近傍において、湾曲された楕円形状となる。そのとき、一次導体４ａ外部の中心線７ａ上の磁束ベクトル９は、例えば磁束ベクトル９ａ１、磁束ベクトル９ａ２で示されるように、ザグリ部１０の形状にもよるが、概ね中心線７ａに対してＺ方向、つまりＹ方向と直角方向となる。ただし感磁面８ａにおいては、感磁方向と一致する磁束ベクトル９ａが付与される。
三相での動作を図４、図９で説明する。なお磁束ベクトル説明図は図４と同等となる。各一次導体４に被測定電流が流れると各一次導体４の周囲に被測定電流の大きさに応じて磁束が発生し、磁束の一例を破線の磁束線６で示すと、一次導体４ａは磁束線６ａ、一次導体４ｂは磁束線６ｂ、一次導体４ｃは磁束線６ｃとなる。これら各一次導体４にて発生する各磁束線６に起因した、磁電変換素子３ａの感磁面８ａにおける磁束ベクトル９は、一次導体４ａは磁束ベクトル９ａ、一次導体４ｂは磁束ベクトル９ｂ、一次導体４ｃは磁束ベクトル９ｃとなる。図４からわかるように、磁束ベクトル９ｂと磁束ベクトル９ｃは感磁面８ａに対して垂直方向となるため、磁電変換素子３ａにおいて不感方向であり検出されず、検出されるのは感磁面８ａと方向が一致する、一次導体４ａによる磁束ベクトル９ａのみとなる。このように磁電変換素子３ａの感磁面８ａが、一次導体４ｂと一次導体４ｃの非ザグリ部を貫通する中心線７ａと一致した場合、一次導体４ｂと一次導体４ｃにおいて発生する磁束ベクトル９ｂおよび９ｃは、感磁面８ａに対して直角方向つまりは不感方向となるため、一次導体３ａの被測定電流測定に影響を与えない。つまり他相の影響は受けず、検出すべき被測定電流にて発生する磁束を精度良く捉えることができる。
ここでは、一次導体４ａにおける電流センサ２ａについての動作のみ、図４、図８、図９を用いて説明したが、電流センサ２ｂ、電流センサ２ｃが、Ｘ方向において、相互に重複した位置に設置されても、何れも他相の影響は受けない構成については同様である。
なお本実施の形態においては、一次導体の上面側にザグリ部を設置した構成としたが、一次導体の下面側にザグリ部を設置する構成としてもよく、また、ザグリ部の形状は角形に限るものではなく、丸形等であっても構わない。本実施の形態においては、三相交流の電流検出例について示したが、三相に限らず、さらに複数相、複数の一次導体を設置してもよく、各ザグリ部１０が各一次導体４の長手方向に対して重複しないように各一次導体４を略平行に配置しても、他相の影響を受けることはない。
【００２８】  以上のように、この実施の形態２によれば、磁電変換素子を設置した、それぞれのザグリ部をそれぞれの一次導体の長手方向において相互に重複するように、それぞれの一次導体を同一平面内に略平行で配置しても、多相電流の検出時に他相の電流により発生する磁界の影響を低減し、精度良く被測定電流を検出することができる。
【００２９】  また、感磁方向が面内方向である磁電変換素子をザグリ部内に収まるように設置する構成のため、高さ方向に多相電流の検出装置の寸法が拡大することなく、小型、薄型に構成できる。
【００３０】実施の形態３．
図１０は、この発明の実施の形態３による多相電流の検出装置１の斜視図を示すもので、図１１は多相電流の検出装置１の平面図（ＸＹ面）、図１２は図１０および図１１におけるＡＡ断面（ＸＺ面）を示す断面図である。図に示した多相電流の検出装置１は、例えば三相交流電流において、それぞれの相電流を相毎に設置した電流センサ２にて検出する例であり、一相分の電流センサ２は、ザグリ部１０が設けられた一次導体４と磁電変換素子３により構成され、磁電変換素子３は一次導体４の上部に設けたセンサ基板１１に接続される。なお図において、一次導体４は、簡単のため電流センサ２の近傍のみを示したが、実際は延長され電源や各種装置等に接続されるものとする
本実施の形態３では、各一次導体４は一部にザグリ部１０を形成し、各ザグリ部１０内に１つの磁電変換素子３を配置し、各磁電変換素子３はセンサ基板１１に接続されて固定され、かつ各ザグリ部１０が各一次導体４の長手方向に対して重複するように各一次導体４を略平行に配置したものである。
実施の形態３は、実施の形態２にセンサ基板を付加した構成であり、その他の構成で重複する部分は省略する。
【００３１】  本実施の形態における、多相電流の検出装置１の構成について説明する。センサ基板２の一面には、スペーサ１５を介して各磁電変換素子３を配置する。スペーサ１５は、実施の形態２に示した所定の位置に各磁電変換素子３を機械的に設置するために設けるもので、被測定電流の検出に影響を加えない、例えば樹脂材のような非磁性部材を用いることが望ましい。また各磁電変換素子３は、後述のセンサ回路部１２と接続するために、ワイヤボンディングや半田等を介してセンサ基板１１と電気的にも接続される。センサ基板１１の他面にはセンサ回路部１２が設けられ、各磁電変換素子３へ電圧あるいは電流を供給すると共に、各磁電変換素子３の出力電圧または出力電流に適度な増幅や調整等を施して出力するが、外部の入出力端と電気的に接続するには、外部端子１３を利用する。
センサ基板１１と１次導体４は、特に図示しないが接着剤や取付部材等を用いて固定する。取付部材は特に材料を限定しないが、非磁性で経時劣化の少ないものが望ましく、絶縁性や耐圧の効果を上げるために全体、あるいは一部を樹脂モールドしてもよい。
図１２の断面図に示したように、センサ基板１１の内層には導電性を有する電界シールド層１４を設置する。電界シールド層１４は、電流センサとしての性能を低下させるノイズとして、センサ回路部１２へ印加される電界ノイズを、除去あるいは低減するためのもので、センサ回路部１２と一次導体４の間に設置する必要があり、可能であれば磁気抵抗効果素子３やセンサ回路部１２を覆うように設置するのが望ましい。電界シールド層１４の材料は、導電性を有すればよく、例えば銅、アルミニウム等が考えられ、センサ基板１１に設けた電気的なグランドと接続される。設置の形態としては、例えば多層基板の内層の少なくとも１層にグランド層を設けたものでもよい。
なお各電流センサ２の動作は、実施の形態２と同様であり、重複するため省略する。
【００３２】  以上のように、この実施の形態３によれば、磁電変換素子を設置した、それぞれのザグリ部をそれぞれの一次導体の長手方向において相互に重複するように、それぞれの一次導体を同一平面内に略平行で配置しても、多相電流の検出時に他相の電流により発生する磁界の影響を低減し、精度良く被測定電流を検出することができる。
【００３３】  また、ザグリ部内に収まるように、感磁方向が面内方向である磁電変換素子をザグリ部内に設置しセンサ基板１１と接続する構成のため、高さ方向に多相電流の検出装置の寸法が拡大することなく、小型、薄型に構成できる。
【００３４】  また、少なくとも１枚の小型なセンサ基板で多相に対応でき、装置が小型となり、製造工程の簡略化ならびに低コスト化となる。
【００３５】  さらにまた、センサ基板の内層にシールド層を設置することで、センサ回路部に対して、主に一次導体から生じる電界ノイズを除去あるいは低減することができるため、センサ出力が高精度化する。
【符号の説明】
【００３６】１  多相電流の検出装置、２  電流センサ、３  磁電変換素子、４  一次導体、５  溝部、６  磁束線、７  中心線、８  感磁面、９  磁束ベクトル、１０  ザグリ部、１１  センサ基板、１２  センサ回路部、１３  外部端子、１４  シールド層、１５  スペーサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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