(57)【要約】【課題】簡素な構成で半導体素子の発生する熱を効率よく放熱することができる半導体装置を提供する。【解決手段】第１の面と第２の面とを有し、第１の面に受光領域２と電極部３を有する固体撮像素子１と、表面３０Ａと裏面３０Ｂとを有する可撓性基板３０とを備えた半導体装置１００において、可撓性基板は、少なくとも一部が表面に露出する放熱部と、裏面の配線パターンを有し、電極部は、配線パターンと電気的に接続され、固体撮像素子の第２の面は、熱伝導性接着剤６０を介して放熱部と熱的に接続され、可撓性基板は、放熱部の表面に露出した部位を含むように一部の領域を囲繞する切り込み３１を有し、固体撮像素子は可撓性基板に対して、（１）第１の面の電極部は裏面と対向し、（２）第１の面の露出部は切り込みに囲繞されており、（３）第２の面の少なくとも一部は切り込みに囲繞された表面と対向するように配置されている。【選択図】図１
2011109225.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と第２の面とを有し、前記第１の面に露出部と電極部を有する半導体素子と、第３の面と第４の面とを有する可撓性基板とを備えた半導体装置において、
前記可撓性基板は、少なくとも一部が前記第３の面に露出する放熱部を有するとともに、前記第４の面に配線パターンを有し、
前記半導体素子の前記電極部は、前記可撓性基板の前記配線パターンと電気的に接続され、
前記半導体素子の前記第２の面は、熱伝導性部材を介して前記可撓性基板の前記放熱部と熱的に接続され、
前記可撓性基板は、前記放熱部の前記第３の面に露出した部位を含むように一部の領域を囲繞する切り込みを有し、
前記半導体素子は前記可撓性基板に対して、
（１）前記第１の面の電極部は前記第４の面と対向し、
（２）前記第１の面の露出部は前記切り込みに囲繞されており、
（３）前記第２の面の少なくとも一部は前記切り込みに囲繞された前記第３の面と対向するように、
配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記放熱部は、前記第３の面及び前記第４の面に形成された放熱パターンと、前記第３の面の放熱パターンと前記前記第４の面の放熱パターンとを熱的に接続するビアとを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ビアは、前記半導体素子の前記第２の面と対向する前記切り込みに囲繞された範囲内に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記放熱部及び前記熱伝導性部材が導電性を有し、前記半導体素子の前記第２の面と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、より詳しくは、放熱構造を有する可撓性基板を備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、Ｓｉ(シリコン)等からなる半導体基板上に、露出部として半導体素子外部からの光を入射する受光領域を形成した半導体素子や、露出部として半導体素子外部に光を出射する発光領域を形成した半導体素子が実用化されている。
このうち、受光領域を形成した半導体素子の例として、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサに代表される固体撮像素子はビデオカメラ、デジタルカメラや携帯電話機等に広く用いられている。
【０００３】
上述の固体撮像素子を用いたカメラモジュールの例として、特許文献１にはカメラモジュール（半導体装置）及びその製造方法が記載されている。特許文献1に記載のカメラモジュールは、開口が形成された基板と、撮像面を開口側に露呈させ、基板にフリップチップ実装されるベアチップ状態の固体撮像素子と、固体撮像素子に取り付けられ、固体撮像素子の撮像面を保護する透光性の保護プレートとを備え、さらに、撮像面と相対する固体撮像素子の底面には、固体撮像素子で発生した熱を放熱する放熱部材が取り付けられている。
特許文献１のカメラモジュールでは、厚みが薄く、かつ、熱伝導率が高い金属、例えば銅で形成された放熱プレートを、放熱部材として固体撮像素子の底面に取り付けて固体撮像素子で発生した熱を放熱させるため、放熱性が向上し、撮影に際しての動作速度や処理速度を速くすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１５３９３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、固体撮像素子の高精細化(高画素化)、高機能化が求められている。高精細化、高機能化にともない、固体撮像素子上に形成された回路の動作速度が高速になると、固体撮像素子が発生する熱量が増加し、固体撮像素子の温度が上昇して受光領域の熱雑音や暗電流を増加させることで固体撮像素子の性能が劣化することが知られている。
【０００６】
このため、固体撮像素子が発生した熱を効率よく半導体装置の外部に放熱し、固体撮像素子の温度上昇を防止することが固体撮像素子を備えた半導体装置の品質向上に重要である。一方、このような半導体装置は、搭載するビデオカメラ等の機器の小型化の観点から、更なる小型化、低コスト化が求められており、固体撮像素子が発生した熱を半導体装置外部に放熱するための構成をより単純化することも重要となっている。
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載のカメラモジュール及びその製造方法では、固体撮像素子の入出力パッドとフレキシブル基板の開口部を取り囲むように設けられた入出力パッドとを、バンプを介して半田付けにより電気的および物理的に接続してフリップチップ実装している。そして、撮像面と反対側の固体撮像素子の底面に取り付けた放熱部材で固体撮像素子が発生した熱を放熱している。すなわち、特許文献１に記載のカメラモジュールは、放熱のために固体撮像素子と電気的に接続したフレキシブル基板とは別部材である放熱部材を必要とする構成であり、放熱部材の分のコストが掛かり、コスト増加の原因となっていたという問題があった。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、簡素な構成で半導体素子の発生する熱を効率よく放熱することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記問題点を解決するために、本発明は、第１の面と第２の面とを有し、前記第１の面に露出部と電極部を有する半導体素子と、第３の面と第４の面とを有する可撓性基板とを備えた半導体装置において、前記可撓性基板は、少なくとも一部が前記第３の面に露出する放熱部を有するとともに、前記第４の面に配線パターンを有し、前記半導体素子の前記電極部は、前記可撓性基板の前記配線パターンと電気的に接続され、前記半導体素子の前記第２の面は、熱伝導性部材を介して前記可撓性基板の前記放熱部と熱的に接続され、前記可撓性基板は、前記放熱部の前記第３の面に露出した部位を含むように一部の領域を囲繞する切り込みを有し、前記半導体素子は前記可撓性基板に対して、（１）前記第１の面の電極部は前記第４の面と対向し、（２）前記第１の面の露出部は前記切り込みに囲繞されており、（３）前記第２の面の少なくとも一部は前記切り込みに囲繞された前記第３の面と対向するように、配置されていることを特徴とする。
【００１０】
前記放熱部は、前記第３の面及び前記第４の面に形成された放熱パターンと、前記第３の面の放熱パターンと前記前記第４の面の放熱パターンとを熱的に接続するビアとを有してもよい。
【００１１】
前記ビアは、前記半導体素子の前記第２の面と対向する前記切り込みに囲繞された範囲内に形成されてもよい。
【００１２】
前記放熱部及び前記熱伝導性部材が導電性を有し、前記半導体素子の前記第２の面と電気的に接続されてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の半導体装置によれば、簡素な構成で半導体素子の発生する熱を効率よく放熱することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態の半導体装置を分解して示す斜視図である。
【図２】（ａ）は、同半導体装置の可撓性基板の表面を示す平面図であり、（ｂ）は同可撓性基板の裏面を示す平面図である。
【図３】（ａ）は、図１のＡ−Ａ線に対応する位置における同半導体装置の断面図であり、（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ線に対応する位置における同半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態の半導体装置を分解して示す斜視図である。
【図５】（ａ）は、同半導体装置の可撓性基板の表面を示す平面図であり、（ｂ）は同可撓性基板の裏面を示す平面図である。
【図６】（ａ）は、図１のＣ−Ｃ線に対応する位置における同半導体装置の断面図であり、（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ線に対応する位置における同半導体装置の断面図である。
【図７】本発明の変形例の半導体装置における可撓性基板の形状を示す側面図である。
【図８】本発明の変形例の半導体装置における可撓性基板の形状を示す斜視図である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、いずれも本発明の変形例の半導体装置における可撓性基板の形状を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の第１実施形態の半導体装置について図１から図４を参照して説明する。なお、本発明の各実施形態では、半導体素子の一例として、入射した光を蓄積する受光領域を露出部として半導体基板上に形成した固体撮像素子を用いた場合について詳細に説明するが、露出部として光を出射する発光領域を形成した半導体素子を用いることも可能である。
【００１６】
図１は、本実施形態の半導体装置１００を分解して示す斜視図である。図１に示すように、半導体装置１００は、受光領域２と電極部３とを有する固体撮像素子１と、固体撮像素子１の受光領域２を含む範囲を囲繞する切り込み３１を形成した可撓性基板３０と、固体撮像素子１の第１の面(受光領域２が形成された面。以下、「表面」と称する。)側において接着剤２０、可撓性基板３０、及び接着剤４０を挟んで受光領域２に対向する位置に配置された透光性部材５０と、固体撮像素子１の第２の面(以下、「裏面」と称する。)側に配置された熱伝導性接着剤（熱伝導性部材）６０とを備えている。切り込み３１に囲繞された可撓性基板３０の一部は、熱伝導性接着剤６０によって固体撮像素子１の裏面に熱的に接続されて固定されている。熱伝導性接着剤６０は、固体撮像素子１裏面と可撓性基板３０表面の熱的な接続面積を広くするため、切り込み３１に囲繞された可撓性基板３０表面全面を覆うように配置するのが好ましい。
【００１７】
図２は、可撓性基板３０を示す図である。図２（ａ）は、図１において接着剤４０に対向する可撓性基板の表面（第３の面）３０Ａを示す平面図であり、図２（ｂ）は、図１において接着剤２０に対向する可撓性基板の裏面（第４の面）３０Ｂを示す平面図である。
可撓性基板３０には、一般的な銅箔等からなる放熱パターン３３が表面３０Ａ上全体に形成されている。裏面３０Ｂにおいては、切り込み３１に囲繞された領域に放熱パターン３５が形成され、切り込み３１に囲繞されていない放熱パターン３５の周囲の領域に銅箔等の配線パターン３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃが、それぞれ放熱パターン３５と電気的に分離されて形成されている。このような可撓性基板３０は、公知の２層フレキシブル基板を用いることにより、容易に製造することができる。
【００１８】
可撓性基板３０の切り込み３１に囲繞された範囲（以下、「囲繞領域」と称することがある。）内には、可撓性基板を厚さ方向に貫通するビア３２が形成されており、可撓性基板３０の表面３０Ａの放熱パターン３３と裏面３０Ｂの放熱パターン３５とを熱的に接続している。
ビア３２としては、一般的な基板配線層接続に用いられるスルーホール、スタックビア等を好適に採用することができるが、これには限定されない。ビア３２をスルーホールで構成する場合、その内部空間を金属ソルダなどで充填すると熱伝導効率を高くすることができ、好ましい。また、ビア３２の形成位置や個数は適宜設定することができるが、形成数が多いことが好ましい。これは、可撓性基板３０の表面３０Ａから裏面３０Ｂへの熱伝導経路を多く確保し、放熱効率を向上できるためである。
以上説明したように、可撓性基板３０には、放熱パターン３３、３５、及びビア３２からなる放熱部３９が形成されており、その少なくとも一部は表面３０Ａに露出して固体撮像装置１の裏面に熱的に接続されている。
【００１９】
固体撮像素子１の表面の受光領域２周縁部の対向する２辺に形成した６箇所の電極部３と、可撓性基板３０の裏面３０Ｂに形成された配線パターン３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃとは、バンプ位置３６において対向しており、図１に示すように突起電極の一例である金属バンプ１０によって電気的に接続されている。そして、電極部３を含む固体撮像素子１表面の周縁領域に配置した接着剤２０によって固体撮像素子１が可撓性基板３０に固定されている。本実施形態の金属バンプ１０は金からなるが、その他の金属、合金あるいは半田等を使用することもできる。
【００２０】
切り込み３１に囲繞された可撓性基板３０の囲繞領域が固体撮像素子１の裏面に配置されることにより、可撓性基板に貫通孔３８が形成されており、固体撮像素子１の受光領域２は、平面視において切り込み３１に囲繞されて貫通孔３８と重なるように配置されている。
透光性部材５０は透明なガラス、樹脂等からなり、接着剤４０によって固体撮像素子１の表面および可撓性基板３０の表面３０Ａに固定されている。接着剤４０は、一部は貫通孔３８内の接着剤２０上に配置され、残りは可撓性基板３０の表面３０Ａ上に配置される。
上記のように構成されることにより、半導体装置１００の外部から入射した光が透光性部材５０を透過し、貫通孔３８を通って固体撮像素子１の受光領域２に入射されることが可能となっている。
【００２１】
図３（ａ）は、図１及び図２に示すＡ−Ａ線に対応する位置における半導体装置１００の完成時断面図であり、図３（ｂ）は、図１及び図２に示すＢ−Ｂ線に対応する位置における半導体装置１００の完成時断面図である。図３（ａ）に示すように、固体撮像素子１の表面に配置した接着剤２０、接着剤４０で透光性部材５０が固定され、固体撮像素子１表面上の空間５１は、接着剤２０、可撓性基板３０、接着剤４０、および透光性部材５０により埃等が入らないように気密封止されている。
【００２２】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、可撓性基板３０において、放熱パターン３３と放熱パターン３５、及び放熱パターン３３と配線パターン３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃとの間は、絶縁層３７により電気的に分離されている。固体撮像素子１表面の電極部３上に配置した金属バンプ１０は、接着剤２０で可撓性基板３０の裏面３０Ｂに形成された配線パターン３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃと電気的に接続された状態で固定されている。
また、固体撮像素子１の裏面、接着剤４０、並びに放熱部３９を構成する放熱パターン３３、３５、及びビア３２は、互いに熱的に接続されて一体に固定されている。
【００２３】
上記のように構成された本実施形態の半導体装置１００の使用時における放熱の動作について説明する。
半導体装置１００の外部から透光性部材５０を透過して光が入射し、固体撮像素子１の受光領域２に到達する。受光領域２に到達した光は、図示しない信号読出し回路によって所定の処理が行われた後に電気信号として電極部３から配線パターン３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃの少なくとも１つの配線パターンを通って外部に出力される。この信号読出し回路の高速動作に伴い固体撮像素子１が発熱し、熱は固体撮像素子１全体に拡散する。
【００２４】
固体撮像素子１全体に拡散した熱は、固体撮像素子１の裏面から熱伝導性接着剤６０に熱伝導し熱伝導接着剤６０全体に拡散する。熱伝導性接着剤６０に拡散した熱は、図３（ａ）に矢印で示すように、一部は半導体装置１００の外部に放熱され、残りは熱的に接続している可撓性基板３０の表面３０Ａの放熱パターン３３に熱伝導する。放熱パターン３３全体に拡散した熱は、一部半導体装置１００外部に放熱され、残りはビア３２に分散されて可撓性基板３０の裏面３０Ｂの放熱パターン３５に熱伝導する。その後、熱は放熱パターン３５全体に拡散されて、最終的に半導体装置１００の外部に放熱される。こうして、固体撮像装置１で発生した熱は、固体撮像素子１の裏面に取り付けられた放熱部３９によって、効率よく放出される。
【００２５】
以上説明したように、本実施形態の半導体装置１００においては、固体撮像素子１と電気的に接続する配線パターンを備えた可撓性基板３０において、切り込み３１に囲繞された囲繞領域内の表面３０Ａに露出する放熱パターン３３を形成し、熱伝導性接着剤６０を介して固体撮像素子１の裏面と熱的に接続している。したがって、可撓性基板と別に放熱板等の部材を必要としないため、半導体装置１００の製造コストを低減しつつ、固体撮像素子１が発生した熱を放熱パターン３３から効率よく放熱することができる。
【００２６】
また、固体撮像素子１裏面と熱伝導接着剤６０を挟んで対向する可撓性基板３０の囲繞領域内にビア３２を形成しているので、最短の熱伝導経路で固体撮像素子１が発生した熱を可撓性基板３０の裏面３０Ｂの放熱パターン３５に伝導して放熱効率を向上することができる。
【００２７】
さらに、放熱部３９を構成する放熱パターン３３、放熱パターン３５およびビア３２は、一般的な製造工程で可撓性基板３０に形成できるため、放熱部を形成するために特別な製造工程を設ける必要がなく、半導体装置１００の製造にかかる時間、コストをさらに抑えることができる。
【００２８】
加えて、放熱パターン３３及び３５は一般的な銅箔等で形成できるため、固体撮像素子１と電気的に接続する機能を併せもつ構成とすることも容易である。すなわち、放熱部に電気的な機能をもたせることも可能である。例えば、固体撮像素子１裏面へのグランドを含む電位の供給配線パターンとして放熱部３９を使用することで、固体撮像素子１と可撓性基板３０との電位の共通化を行い、半導体装置１００の動作を安定させることができる。この場合には、ビア３２や熱伝導性接着剤６０が導電性を有するように適宜材料等を選択すればよい。
【００２９】
本実施形態の可撓性基板３０は、２層フレキシブル基板のほか、１層あるいは多層フレキシブル基板を用いて製造することも可能である。
また、本実施形態では、金属バンプ１０及び接着材２０を用いて固体撮像素子１と可撓性基板３０とが電気的に接続される例を説明したが、固体撮像素子１と可撓性基板３０との電気的接続方法はこれに限らず、例えば異方性導電膜等を用いて接続されてもよい。
【００３０】
なお、本発明の半導体装置においては、固体撮像素子等の半導体素子の電極部と接続される部分を可撓性基板の裏面に残す必要があること、可撓性基板の囲繞領域は、下方に屈曲されてから固体撮像素子の裏面に接続されることの２点より、固体撮像素子の裏面全体を覆うことはできない。しかしながら、覆われない領域はいずれも半導体素子裏面の周縁付近であり、通常、表面の対応する位置には電極部が形成されていることが多いため、当該領域で発生する熱は少ない。したがって、放熱部の放熱性能を大きく損なうことはない。
【００３１】
次に、本発明の第２実施形態について、図４から図６を参照して説明する。本実施形態の半導体装置２００と、第１実施形態の半導体装置１００との異なるところは、固体撮像素子における電極部の配置と、可撓性基板における切り込みの形状である。なお、第１実施形態と共通する構成については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【００３２】
図４は、半導体装置２００を分解して示す斜視図である。半導体装置２００は、固体撮像素子１に代えて固体撮像素子１０１を備え、可撓性基板３０に代えて可撓性基板１３０を備えている。
固体撮像素子１においては、周縁の対向する２辺にそって電極部３が形成されていたのに対し、固体撮像素子１０１では、周縁の４辺に沿って８つの電極部１０３が形成されている。上述のように、各電極部に接続する領域を可撓性基板の裏面に確保するために、当該領域は切り込みに囲繞されないように切り込みの周囲に位置させる必要がある。
そこで、半導体装置２００においては、この要件を満たしつつ、固体撮像素子１０１の裏面に接続される可撓性基板１３０の一部の面積を最大化できるように切り込みの形状が設定されている。
【００３３】
図５（ａ）は、可撓性基板１３０の表面１３０Ａを示す平面図であり、図５（ｂ）は、可撓性基板１３０の裏面１３０Ｂを示す平面図である。可撓性基板１３０の表面１３０Ａには、第１実施形態同様、全面に放熱パターン３３が形成されている。裏面１３０Ｂには、配線パターン３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃに加えて、配線パターン１３４Ａ、１３４Ｂが形成されており、計８本の配線パターンが固体撮像素子１０１の各電極部１０３に対応させて形成されている。
【００３４】
固体撮像素子１０１の裏面に取り付けられる囲繞領域を規定する切り込み１３１は、各配線パターン３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃ、１３４Ａ、及び１３４Ｂを囲繞しないように、これら配線パターンを避けて設定されている。また、切り込み１３１は、囲繞領域の面積を大きくするために、上述の配線パターン間の領域を囲繞するようにその一部が隣接する配線パターン間に延びている。
切り込み１３１が上記のように設定されることにより、切り込み１３１に囲繞された囲繞領域は、周縁に突出する複数の凸部１３１Ａを有する形状に設定されている。
【００３５】
可撓性基板１３０の囲繞領域には、第１実施形態同様、ビア１３２が形成されている。また、これに加えて、切り込み１３１に囲繞されていない領域においても、可撓性基板１３０を厚さ方向に貫通するビア１３９が形成されている。なお、ビア１３２及び１３９は、設置位置や個数等が異なるだけで、基本構造は第１実施形態のビア３２と同様である。
【００３６】
図４に示すように、可撓性基板１３０には、切り込み１３１に対応した形状の貫通孔１３８が形成され、固体撮像素子１０１は、貫通孔１３８を通して受光領域２で受光可能となるように、接着剤２０で可撓性基板１３０に固定される。同時に、固体撮像素子１０１は、電極部１０３に対応させた８つのバンプ１０によって、バンプ位置３６（図５（ｂ）参照）において各配線パターン３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃ、１３４Ａ、及び１３４Ｂと電気的に接続される。
【００３７】
図６（ａ）は、図４及び図５に示すＣ−Ｃ線に対応する位置における半導体装置２００の完成時断面図であり、図６（ｂ）は、図４及び図５に示すＤ−Ｄ線に対応する位置における半導体装置２００の完成時断面図である。図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、可撓性基板１３０の囲繞領域は、熱伝導性接着剤６０によって固体撮像素子１０１の裏面に接続される。熱伝導性接着剤６０の塗布領域は、図４に示すように囲繞領域の形状に合わせて設定されるのが好ましい。
囲繞領域は、周縁に複数の凸部１３１Ａを有するので、図６（ｂ）に示すように、固体撮像素子１０１の裏面における周縁部の一部にも熱的に接続される。したがって、半導体装置２００では、固体撮像素子１よりも電極がより多い固体撮像素子１０１を備えるにもかかわらず、可撓性基板１３０の一部がより大きい面積で固体撮像素子１０１の裏面に熱的に接続されている。
【００３８】
本実施形態の半導体装置２００においても、第１実施形態の半導体装置１００と同様に、製造コストを低減しつつ、固体撮像素子１０１が発生した熱を放熱パターン３３及び３５から効率よく放熱することができる。
また、可撓性基板１３０において、固体撮像素子１０１の裏面に接続される切り込み１３１に囲繞された囲繞領域が複数の凸部１３１Ａを有するように切り込み１３１の形状が設定されているので、可撓性基板１３０と固体撮像素子１０１の裏面との接続面積を増加させて、より効率よく放熱を行うことができる。
【００３９】
さらに、可撓性基板１３０においては、切り込み１３１に囲繞されていない領域にビア１３９が形成されているので、可撓性基板１３０の表面１３０Ａから裏面１３０Ｂへの熱伝導経路をより多く確保してさらに放熱効率を向上させることができる。
【００４０】
以上、本発明の半導体装置について、各実施形態を示して説明したが、本発明の技術範囲は上記実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上述の各実施形態においては、放熱部の少なくとも一部が可撓性基板の表面に露出するように形成された例を説明したが、これに代えて、放熱部の少なくとも一部が可撓性基板の裏面に露出するように形成されてもよい。この場合は、図７に示す変形例のように、可撓性基板３０の囲繞領域７０の一部を折り返し、裏面３０Ｂを固体撮像素子１の裏面に熱的に接続すればよい。また、折り返す方向にも特に制限はなく、図８に示すように、囲繞領域７０の延在方向と平行に折り返して可撓性基板３０の裏面３０Ｂを固体撮像素子１に接続してもよい。
【００４１】
また、上述の各実施形態においては、可撓性基板において、切り込みに囲繞された囲繞領域が１箇所形成される例を説明したが、囲繞領域が２箇所以上形成されるように切り込みの形状が設定されてもよい。例えば、図９（ａ）に示す変形例のように、可撓性基板３０にＨ字状の切り込み３１Ａを形成することにより、各々が切り込み３１Ａに囲繞され、かつ端部が対向する一対の囲繞領域７０Ａ及び７０Ｂが形成されてもよい。また、図９（ｂ）に示す変形例のような切り込み３１Ｂを可撓性基板３０に形成することにより、各々が切り込み３１Ｂに囲繞され、互い違いに延びる２つの囲繞領域７１Ａ及び７１Ｂが形成されてもよい。
なお、本発明において「切り込みが可撓性基板の一部を囲繞する」とは、切り込みに囲まれた可撓性基板の一部領域が、囲まれていない領域との間に半導体素子を挟める程度に離間できるように当該一部領域を囲むことを意味し、当該一部領域の周囲を隙間なく囲むことを意味しない。したがって、当該一部領域が、囲まれていない領域との間に半導体素子を挟める程度に離間できれば、当該領域の形状や切り込みの形状に特に制限はない。ただし、上述したように、囲繞領域と半導体素子裏面との接続面積が大きいほど効率よく放熱が行えるため、当該接続面積ができるだけ大きくなるように囲繞領域の形状や切り込みの形状が設定されるのが好ましい。
【００４２】
さらに、本実施形態では、放熱部が、可撓性基板の両面に形成された放熱パターンと、これら放熱パターンを熱的に接続するビアとを有して構成される例を説明したが、放熱部の構成は要求される放熱性能に応じて適宜設定されてよい。例えば、表面及び裏面のいずれか一方に形成された放熱パターンのみで放熱部を構成してもよいし、囲繞領域を厚さ方向に貫通するビアのみで放熱部が形成されてもよい。また、表面と裏面との熱伝導が若干低下するが、両面の放熱パターンのみで放熱部を構成しても構わない。
【００４３】
また、本発明の半導体装置には、半導体素子以外に他の電気部品が搭載されてもよい。
また、半導体素子と可撓性基板とを熱的に接続する熱伝導性接着剤は、両者の接続面積を広くするため、半導体素子と接続される可撓性基板の囲繞領域全面を覆う形状とすることが放熱効率向上のため望ましいが、熱伝導性接着剤の配置形状はこれに限定されない。すなわち、半導体素子と囲繞領域内に形成された放熱部とが熱的に接続されていれば、熱伝導性接着剤の配置形状に特に制限はない。
【符号の説明】
【００４４】
１、１０１  固体撮像素子（半導体素子）
２  受光領域（露出部）
３、１０３  電極部
３０、１３０  可撓性基板
３０Ａ、１３０Ａ  表面（第３の面）
３０Ｂ、１３０Ｂ  裏面（第４の面）
３１、３１Ａ、３１Ｂ、１３１  切り込み
３２、１３２、１３９  ビア
３３、３５  放熱パターン
３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃ、１３４Ａ、１３４Ｂ  配線パターン
３９  放熱部
６０  熱伝導性接着剤（熱伝導性部材）
１００、２００  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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