(57)【要約】【課題】コンベアを有する表面処理装置において、被処理物を均一に加熱する。【解決手段】ローラ２３を含むコンベア２０にて被処理物９を搬送し、ノズル１０からの処理ガスを被処理物９に接触させる。コンベア２０のノズル１０の直下又はノズル１０より搬送方向の上流側には、加熱手段３０を設ける。加熱手段３０を互いに別体をなす複数の加熱部３１に分離する。各加熱部３１を、対応するローラ１２に沿って延びる直線状にする。加熱部３１の長さを、被処理物９の処理されるべき領域のローラ軸線に沿う幅と略同じか上記幅より大きくする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物を加熱し、かつ搬送方向に搬送しながら、処理ガスを前記被処理物に接触させる表面処理装置であって、
前記処理ガスを下方へ吹き出すノズルと、
前記搬送方向と直交する軸線に沿ってそれぞれ延びる円筒状をなして互いに前記搬送方向に間隔を置いて並べられた複数のローラを含み、前記被処理物を前記ノズルの下方を横切るように前記搬送方向に搬送するコンベアと、
前記コンベアにおける前記ノズルの直下又は前記ノズルより前記搬送方向の上流側に設けられた加熱手段と、
を備え、前記加熱手段が、互いに別体をなして前記各ローラに対応する複数の加熱部を含み、各加熱部が、前記対応するローラに沿って直線状に延び、かつ該加熱部の長さが、前記被処理物の処理されるべき領域の前記軸線に沿う幅と略同じか前記幅より大きいことを特徴とする表面処理装置。
【請求項２】
前記各加熱部が、前記対応するローラの外部に、かつ前記対応するローラの上端高さより下に位置するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項３】
前記各加熱部が、前記対応するローラの下側に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の表面処理装置。
【請求項４】
前記各加熱部が、隣り合う２つのローラどうしの間に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の表面処理装置。
【請求項５】
更に、前記コンベア及び前記加熱手段を制御する制御手段を備え、前記制御手段が、前記加熱手段の稼働前又は稼働と同時に前記コンベアの稼働を開始し、前記加熱手段の稼働停止と同時又は停止後に前記コンベアの稼働を停止することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、被処理物を加熱し、かつ搬送しながら、処理ガスを接触させることによって、被処理物の表面を処理する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
処理ガスをプラズマ等により活性化して被処理物に吹き付け、被処理物を表面処理する装置は公知である（特許文献１参照）。被処理物が大型であるような場合には、処理ガスの吹出しノズルと被処理物を相対移動させながら表面処理を行なうことが多い。被処理物を移動させる場合の搬送機構として、例えば円盤状のコロを有するコロコンベアが用いられている。反応効率を高めるために、被処理物を加熱することも少なくない。
【０００３】
特許文献２では、コロコンベアにおける吹出しノズルの下側部分を良伝熱性の板で覆っている。この板にコロコンベアのコロの上側部分を通す孔を形成してある。板の裏面に電熱線が設けられている。これにより、被処理物を加熱できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１１６９００号公報
【特許文献２】特開２００９−１９４０４８号公報（図９）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上掲特許文献２の装置においては、コロに対応する位置での加熱が十分でない。また、コロコンベアを覆う板の製造及び設置作業が煩雑である。コロの位置を変更するときには、上記板をも取り換える必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、被処理物を加熱し、かつ搬送方向に搬送しながら、処理ガスを前記被処理物に接触させる表面処理装置であって、
前記処理ガスを下方へ吹き出すノズルと、
前記搬送方向と直交する軸線に沿ってそれぞれ延びる円筒状をなして互いに前記搬送方向に間隔を置いて並べられた複数のローラを含み、前記被処理物を前記ノズルの下方を横切るように前記搬送方向に搬送するコンベアと、
前記コンベアにおける前記ノズルの直下又は前記ノズルより前記搬送方向の上流側に設けられた加熱手段と、
を備え、前記加熱手段が、互いに別体をなして前記各ローラに対応する複数の加熱部を含み、各加熱部が、前記対応するローラに沿って直線状に延び、かつ該加熱部の長さが、前記被処理物の処理されるべき領域の前記軸線に沿う幅と略同じか前記幅より大きいことを特徴とする。
前記ローラがそれぞれ自らの軸線まわりに、かつ互いに同期して回転する。これにより、被処理物が前記搬送方向に搬送される。この被処理物が、前記ノズルの下方を横切るとき、前記ノズルからの処理ガスと接触する。これによって、被処理物が表面処理される。
前記被処理物が前記ノズルより前記搬送方向の上流側を通過するとき、又は前記ノズルの直下を通過するとき、加熱手段によって加熱される。加熱手段の各加熱部によって、対応するローラを加熱でき、ローラを介して被処理物を加熱できる。或いは、各加熱部によって、被処理物を直接的に加熱できる。各加熱部の長さが、前記被処理物の処理されるべき領域のローラ軸線に沿う幅と略同じか前記幅より大きいため、前記被処理物の処理されるべき領域を幅方向に均一に加熱できる。ひいては、処理の均一性を向上できる。
各加熱部は、直線状ないしはロッド状に構成でき、構造を簡素化でき、コンベアへの設置及び撤去が容易である。加熱手段に円盤状コロを通す孔を形成する等の煩雑な加工を施す必要はない。
【０００７】
前記各加熱部は、対応するローラの内部に配置されていてもよい。前記加熱部が、前記対応するローラの内部に軸線に沿って延びるように設けられた電熱ヒータや熱媒流路であってもよい。
前記各加熱部が、前記対応するローラの外部に、かつ前記対応するローラの上端高さより下に位置するように配置されていることが好ましい。
これにより、加熱部をコンベアに容易に組み込むことができる。通電ための配線又は熱媒を通すための配管の構造を容易化できる。さらに、被処理物が加熱部と干渉するのを回避できる。
【０００８】
前記各加熱部が、前記対応するローラの下側に配置されていることが好ましい。
加熱部によって、対応するローラの下側部分を加熱できる。ローラを下側から加熱するため、加熱部の熱がローラに効率的に伝達するようにできる。このローラが回転して被処理物と接触することによって、被処理物を加熱できる。
【０００９】
前記各加熱部が、隣り合う２つのローラどうしの間に配置されていてもよい。
該加熱部は、前記２つのローラのそれぞれと対応し、これら２つのローラを加熱できる。或いは、加熱部によって被処理物を直接的に加熱できる。
【００１０】
更に、前記コンベア及び前記加熱手段を制御する制御手段を備え、前記制御手段が、前記加熱手段の稼働前又は稼働と同時に前記コンベアの稼働を開始し、前記加熱手段の稼働停止と同時又は停止後に前記コンベアの稼働を停止することが好ましい。
コンベアの稼働によってローラが回転する。加熱手段が稼働している期間中、ローラが回転する。これにより、特に処理の開始時及び停止時にローラの周方向の一箇所だけが過度に加熱されるのを回避できる。
【００１１】
本発明は、大気圧近傍の圧力下でプラズマを生成して表面処理を行なうプラズマ表面処理装置に好適である。ここで、大気圧近傍とは、１．０１３×１０４〜５０．６６３×１０４Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０４〜１０．６６４×１０４Ｐａが好ましく、９．３３１×１０４〜１０．３９７×１０４Ｐａがより好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、被処理物を幅方向に均一に加熱でき、ひいては処理の均一性を向上できる。加熱手段の各加熱部は、直線状ないしはロッド状に構成でき、構造を簡素化できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る表面処理装置の概略構成を示す側面図である。
【図２】上記表面処理装置の正面図である。
【図３】上記表面処理装置のコンベア及び加熱手段の斜視図である。
【図４】上記表面処理装置による表面処理動作を示すフローチャートである。
【図５】上記表面処理動作の一部を示すタイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施形態を図面にしたがって説明する。
この実施形態の被処理物は、例えばフラットパネルディスプレイ用のガラス基板であるが、本発明は、これに限定されるものではなく、半導体ウェハ、樹脂フィルム等の種々の被処理物に適用できる。
処理内容は、例えばアモルファスシリコン等のシリコン含有膜のエッチングであるが、本発明は、これに限定されるものではなく、アッシング、洗浄、表面改質、成膜等の種々の処理に適用できる。
【００１５】
図１に示すように、表面処理装置１は、ガス供給源２と、プラズマ生成部３と、ノズル１０と、コンベア２０を備えている。
【００１６】
ガス供給源２は、原料成分を適宜の流量比にて混合して原料ガスを得、該原料ガスをプラズマ生成部３へ送る。原料成分は、処理内容に応じて適宜選択される。例えば、シリコン含有膜のエッチングの場合、原料ガスは、ＣＦ４等のフッ素系成分を含む。フッ素系成分は、Ａｒ等の希釈ガスにて希釈されていてもよい。更に、原料ガスにＨ２Ｏを添加してもよい。Ｈ２Ｏは加湿器にて添加できる。
フッ素系成分としてＣＦ４に代えて、他のＰＦＣ（パーフルオロカーボン）やＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン等のフッ素含有物を用いてもよい。希釈ガスとして、Ａｒに代えて、Ｎ２、Ｈｅ等の他の不活性ガスを用いてもよい。添加成分として、Ｈ２Ｏに代えて、アルコールやＨ２Ｏ２を用いてもよい。
【００１７】
ガス供給源２にプラズマ生成部３が接続されている。詳細な図示は省略するが、プラズマ生成部３は、少なくとも一対の電極を含む。一対の電極のうち一方が電源４に接続され、他方が電気的に接地されている。電源４からの電力供給によって、大気圧近傍下において一対の電極間にプラズマ放電が形成される。これによって、ガス供給源２からの原料ガスがプラズマ化され、反応成分を含む処理ガスが生成される。例えば、原料ガスがＣＦ４、Ａｒ、Ｈ２Ｏを含む場合、ＨＦ、ＣＯＦ２等を反応成分として含む処理ガスが生成される。この処理ガスが、ノズル１０に供給される。更に、オゾナイザーによってオゾンを生成し、上記処理ガスに混合してもよい。
【００１８】
シリコン含有膜のエッチングにおいて、原料ガスが、ＣＦ４等のフッ素含有物の他、Ｏ２、Ｎ２を含み、かつＨ２Ｏを含んでいなくてもよい。この場合、プラズマ生成部３において反応成分として、ＣＯＦ２、ＯＦ２、Ｏ２Ｆ２、ＮＯｘ等を含む処理ガスが生成される。
【００１９】
図１に示すように、プラズマ生成部３にノズル１０が接続されている。
図１及び図２に示すように、ノズル１０は、図示しない架台によってコンベア２０の上方に位置するように支持されている。図２に示すように、ノズル１０は、コンベア２０の搬送方向と直交する処理幅方向（図１の紙面と直交する方向）に延びている。
【００２０】
ノズル１０の内部に吹出し路１１が形成されている。詳細な図示は省略するが、吹出し路１１は、ノズル１０に供給されたガスを処理幅方向に均一に分散させる分散路を含む。吹出し路１１の下流端が、ノズル１０の底面に達して吹出し口１２を構成している。吹出し口１２は、ノズル１０の底面の処理幅方向に分散して配置された多数の小孔にて構成されていてもよく、処理幅方向に延びるスリット状であってもよい。
【００２１】
図１〜図３に示すように、被処理基板９は、コンベア２０上に水平に載置され、図１の矢印ａにて示す搬送方向に搬送される。コンベア２０は、複数の回転軸２１と、コロ２２及びローラ２３を含む。各回転軸２１の軸線が、搬送方向ａと直交する処理幅方向に向けられている。複数の回転軸２１が、搬送方向ａに間隔を置いて配置されている。
【００２２】
図１及び図３に示すように、コンベア２０のノズル１０の近くを除く搬送方向上流側の回転軸２１及びノズル１０より搬送方向下流側の回転軸２１には、コロ２２が設けられている。コロ２２は、回転軸２１と直交する円盤状になっている。１つの回転軸２１に複数のコロ２２が間隔を置いて配置されている。回転軸２１の両端側に配置されたコロ２２には、鍔２２ｆが設けられている。
【００２３】
図１〜図３に示すように、ノズル１０の直下及びノズル１０より搬送方向の上流側のある範囲の回転軸２１には、コロ２２ではなく、ローラ２３が設けられている。各ローラ２３は、軸線を処理幅方向に向け、かつ処理幅方向に長く延びる円筒状になっている。複数のローラ２３が、搬送方向に間隔を置いて、互いに平行に配置されている。
【００２４】
ローラ２３は、例えばアルミニウム等の金属にて構成されている。詳細図は省略するが、ローラ２３の外周面には、処理ガス中の反応成分に対して耐性を有する保護膜が被覆されている。例えば、処理ガスがＨＦ等のフッ素系反応成分を含む場合、保護膜として、テフロン（登録商標）等の耐フッ素性樹脂が用いられる。この種の樹脂の多くは、熱収縮性を有している。その場合、該樹脂からなるチューブを、ローラ２３を構成する筒本体の外周に被せ、かつ熱を加えることによって、上記樹脂チューブをローラ２３に密着させて保護膜とすることができる。
【００２５】
ローラ２３の軸長は、被処理基板９の処理幅方向の全幅と略同じになっている。ローラ２３の端部には、鍔２３ｆが設けられている。鍔２３ｆは、ローラ２３の外周面から径方向の外側へ突出している。ローラ２３（鍔２３ｆを除く）の直径は、コロ２２（鍔２２ｆを除く）の直径と等しい。
【００２６】
ローラ２３の内部は、空洞であり、かつ回転軸２１が収容されている。回転軸２１の両端部がローラ２３から突出されている。
【００２７】
図１に示すように、コンベア２０の各回転軸２１が回転機構２５に連結されている。詳細な図示は省略するが、回転機構２５は、モータ等の駆動部と、この駆動部の回転駆動力を各回転軸２１に伝達する伝達部を含む。伝達部は、ベルト・プーリ機構、ギア列等を含む。回転機構２５によって、コンベア２０の回転軸２１ひいてはコロ２２及びローラ２３が、互いに同期して回転される。
【００２８】
図１〜図３に示すように、コンベア２０に第１、第２の加熱手段３０，４０が組み込まれている。
第１の加熱手段３０は、複数の第１の加熱部３１を含む。これら加熱部３１は、互いに別体に分離されている。各加熱部３１が、ローラ２３に一対一に対応している。加熱部３１は、ロッドヒータ（ロッド状の電熱ヒータ）にて構成されている。ロッドヒータは、ロッド状のハウジング内に電熱コイルを収容したものである。
【００２９】
加熱部３１すなわちロッドヒータ３１は、対応するローラ２３の外側かつ下側部に近接して配置されている。ロッドヒータ３１は、ローラ２３と平行をなして処理幅方向にローラ２３より長く直線状に延びている。ロッドヒータ３１の両端部は、ローラ２３より処理幅方向の外側に突出している。ロッドヒータ３１の両端部が、それぞれ支持部３４によって支持されている。
【００３０】
第２の加熱手段４０は、複数の第２の加熱部４１を含む。これら加熱部４１は、互いに別体に分離されている。各加熱部４１は、ローラ２３と平行をなして処理幅方向に直線状に延びている。加熱部４１は、隣接する２つのローラ２３，２３どうしの間に配置されている。１つの加熱部４１が、その両隣のローラ２３，２３と対応している。隣接する２つのローラ２３，２３どうしの間が、加熱部４１によって略塞がれている。
【００３１】
各加熱部４１は、ロッドヒータ（ロッド状の電熱ヒータ）４２と、ヒートプレート４３を含む。ロッドヒータ４２は、ローラ２３と平行をなして処理幅方向にローラ２３より長く延びている。ロッドヒータ４２の構造は、上記加熱手段３０のロッドヒータ３１と同様であり、ロッド状のハウジング内に電熱コイルが収容されている。
【００３２】
ヒートプレート４３は、アルミニウム等の良伝熱性の材料にて構成されている。ヒートプレート４３は、四角形の断面をなし、ローラ２３と平行に延びている。ヒートプレート４３の両端部が、支持部４４（図２）にて支持されている。ヒートプレート４３の上面は、ローラ２３の上端部より僅かに下に引っ込んでいる。ロッドヒータ４２が、ヒートプレート４３の内部に埋め込まれている。ロッドヒータ４２は、ヒートプレート４３を該ヒートプレート４３の長手方向に貫通している。ロッドヒータ４２の両端部がヒートプレート４３から突出している。
【００３３】
ヒートプレート４３の上端部には、一対の凸縁部４５が一体に設けられている。凸縁部４５は、ヒートプレート４３の長手方向に延び、かつヒートプレート４３の搬送方向の上流側の側面及び下流側の側面から搬送方向に沿って水平に突出している。凸縁部４５の上面は、ヒートプレート４３の上面と面一になっている。凸縁部４５の先端部とローラ２３の周面との間に狭い隙間が形成されている。
【００３４】
図１に示すように、さらに、表面処理装置１には、制御手段５が設けられている。制御手段５は、マイクロコンピュータの他、ガス供給系２，３の駆動回路、コンベア２０の駆動回路、加熱手段３０の駆動回路、及び設定部等を含む。設定部は、タッチパネルやキーボード等の入力部を含む。
【００３５】
上記のように構成された表面処理装置１の動作を、図４のフローチャート及び図５のタイムチャートを参照して説明する。
［設定工程］
制御手段５の設定部に各種の処理条件を設定する（ステップ１０１）。処理条件として、原料ガス成分の流量、加熱部３１の設定温度、加熱部４１の設定温度、待ち時間ｔ等が挙げられる。原料ガスがＨ２Ｏを含む場合は、処理条件として、Ｈ２Ｏを添加後の原料ガスの露点をも設定する。
【００３６】
処理条件は、処理内容に応じて適宜設定する。例えば、アモルファスシリコンのエッチング処理の場合、露点は０℃〜２０℃程度が好ましく、加熱部３１の設定温度は１００℃〜１５０℃程度が好ましく、加熱部４１の設定温度は１５０℃〜２００℃程度が好ましく、待ち時間ｔは、ｔ＝３００ｓｅｃ〜６００ｓｅｃ程度が好ましい。Ｈ２Ｏを添加しないガスレシピの場合、上記露点設定は行なわない。
【００３７】
［ガス供給工程］
原料ガスをガス供給源２からプラズマ生成部３を経てノズル１０に送る（ステップ１０２）。図５のタイムチャートに示すように、この段階では、プラズマ生成部３への電力供給を未だ行なわない。したがって、原料ガスは、プラズマ化されることなく、そのままノズル１０の吹出し口１２から下方へ吹き出される。
【００３８】
［コンベア駆動工程］
コンベア２０を稼働し、コロ２２及びローラ２３の回転を開始する（ステップ１０３）。
【００３９】
［加熱工程］
コロ２２及びローラ２３の回転開始後に、加熱手段３０，４０を稼働する（ステップ１０４）。すなわち、各加熱部３１，４１のロッドヒータに通電して加熱する。加熱部３１よって、ローラ２３が加熱される。図５のタイムチャートに示すように、加熱部３１の稼働中は、ローラ２３の回転を継続する。これによって、ローラ２３の周方向の一箇所だけが過度に加熱されるのを回避できる。
【００４０】
［立ち上がり判定工程］
次に、露点や加熱温度等の処理条件が設定値に達したか否かを判定する（ステップ１０５）。
原料ガスにＨ２Ｏを添加する場合、露点計によって、原料ガス中の露点を測定する。測定露点データを制御手段５に入力する。制御手段５は、原料ガス中の測定露点が設定値に達したか否かを判定する。
原料ガスにＨ２Ｏを添加しない場合、上記露点判定は当然行なわない。
【００４１】
加熱部３１又はローラ２３に設けた温度計（図示省略）によって、加熱部３１の温度又はローラ２３の温度を測定する。測定温度データを制御手段５に入力する。制御手段５は、加熱部３１の温度ひいてはローラ２３の温度が設定値に達したか否かを判定する。
【００４２】
さらに、加熱部４１に設けた温度計（図示省略）によって、加熱部４１の温度を測定する。測定温度データを制御手段５に入力する。制御手段５は、加熱部４１の温度が設定値に達したか否かを判定する。
【００４３】
上記の判定項目のすべてが設定値に達したと判定されたとき、次のステップ１０６に移行する。
【００４４】
［処理ガス生成工程］
プラズマ生成部３内の電極に電源４から電力を供給し、電極間に大気圧プラズマ放電を生成する（ステップ１０６）。これにより、原料ガスをプラズマ化し、反応成分を含む処理ガスを生成する。この処理ガスをノズル１０の吹出し路１１において処理幅方向に均一化したうえで、吹出し口１２から下方へ吹き出す。
【００４５】
電源４４のオンから時間ｔが経過するのを待つ（ステップ１０７）。時間ｔが経過することにより、プラズマ生成部３の放電状態ひいては処理ガスの反応成分の生成流量が安定する。
【００４６】
［搬送工程］
被処理基板９をコンベア２０上に載せる。コンベア２０によって、被処理基板９を搬送方向に搬送する（ステップ１０８）。このとき、被処理基板９の処理幅方向の縁を鍔２２ｆ，２３ｆに当てる。これにより、被処理基板９を処理幅方向に位置決めできる。
【００４７】
被処理基板９は、ノズル１０の直下に達する前にローラ２３を通過する。ローラ２３は、下方の加熱部３２から熱を受け取って加熱され、その後、半周して被処理基板９と接触する。これにより、加熱部３１の熱をローラ２３を介して被処理基板９に与えることができる。加熱部３１がローラ２３の下側に配置されているため、加熱部３１の熱をローラ２３に効率的に伝達させることができる。加熱部３１による加熱領域がローラ２３の全長にわたることによって、ローラ２３の軸線方向の全体を加熱できる。被処理基板９とローラ２３とが互いに接触することによって、ローラ２３の熱を被処理基板９に確実に伝達できる。しかも、ローラ２３が被処理基板９の処理幅方向の全体と接触する。したがって、被処理基板９の処理幅方向の全体を均一に加熱できる。
【００４８】
更に、被処理基板９は、隣接するローラ２３，２３どうし間を通過する時、加熱部４１から熱を受け取って加熱される。しかも、被処理基板９の処理幅方向の全体が加熱部４１から一様に熱を受け取る。これにより、被処理基板９の処理幅方向の全体を均一に加熱できる。
【００４９】
加熱部４１は、被処理基板９より下に僅かに離れており、被処理基板９と干渉することはない。ローラ２３の下側の加熱部３１が被処理基板９と干渉しないことは言うまでも無い。
【００５０】
［処理工程］
上記加熱された被処理基板９が、ノズル１０の直下を横切る。このとき、吹出し口１２からの処理ガスが被処理基板９に吹き付けられる。これにより、処理ガス中の反応成分が被処理基板９に接触して処理反応が起きる。例えば、アモルファスシリコン等のシリコン含有膜のエッチング処理においては、被処理基板９の表面のシリコン含有膜が処理ガス中のオゾン等によって酸化されるとともにＨＦ等によって揮発性成分のＳｉＦ４に変換される。
加熱部３１，４１によって被処理基板９を処理幅方向に均一に加熱することによって、処理の均一性を確保できる。
【００５１】
処理すべき被処理基板９が複数有る場合には、被処理基板９を１つずつコンベア２０に搭載して搬送し、順次表面処理する。
［終了工程］
すべての被処理基板９の表面処理が終了したとき、電源４を停止し（ステップ２０１）、その後、ガス供給源２からの原料ガス供給を停止する（ステップ２０２）。また、加熱部３１及び加熱部４１の稼働を停止する（ステップ２０３）。図５のタイムチャートに示すように、加熱部３１の停止後もローラ２３の回転を継続する。加熱部３１の温度がある程度低下した時点で（ステップ２０４）、ローラ２３の回転を停止する（ステップ２０５）。これによって、ローラ２３の周方向の一部分だけが加熱部３１の余熱を受けて過度に高温化するのを防止できる。
【００５２】
加熱手段３０，４０の各加熱部３１，４１がロール２３の外側に配置されているため、給電構造を簡易化できる。
第１加熱手段３０は、互いに別体をなす複数の加熱部３１に分離されているため、コンベア２０に容易に組み付けることができ、かつ撤去することができる。加熱手段３０に円盤状コロ２２を通す孔を形成する必要はない。
同様に、第２加熱手段４０は、互いに別体をなす複数の加熱部４１に分離されているため、コンベア２０に容易に組み付けることができ、かつ撤去することができる。加熱手段４０に円盤状コロ２２を通す孔を形成する必要はない。
【００５３】
本発明は、上記実施形態に限定されず、発明の要旨を変更しない限りにおいて種々の改変をなすことができる。
例えば、第１、第２加熱手段３０，４０のうち、何れか一方のみを設け、他方の加熱手段を省略してもよい。
第１加熱手段３０の加熱部３１は、対応するローラ２３の上端高さより下に配置されていればよく、対応するローラ２３の下側に限られず、側部に配置されていてもよい。
加熱部３１についても、第２加熱手段４０の加熱部４１と同様に、ロッドヒータ３１を収容するヒータプレートを有していてもよい。
加熱手段が、ローラ２３の内部に収容されていてもよい。ローラ２３の内部に加熱手段としてローラ２３の軸方向に延びる電熱ヒータを設けてもよい。ローラの内部に加熱手段として、ローラ２３の軸方向に延びる熱媒通路を設け、熱媒通路に熱媒を流通させてもよい。
被処理基板９の処理されるべき領域が、被処理基板９の処理幅方向の全体ではなく一部であってもよい。その場合、加熱部３１，４０の処理幅方向の長さは、被処理基板９の少なくとも処理されるべき領域の処理幅方向の幅と略同じか、上記処理されるべき領域の処理幅方向の幅より大きければよく、被処理基板９の処理幅方向の全長より短くてもよい。
処理領域の処理幅方向の温度分布が均一になればよい。例えば被処理基板９の耳部（５ｍｍ幅程度）を処理しなくてもよい場合、加熱部３１，４０の処理幅方向の長さは、被処理基板９の領域の処理幅方向の長さの９０％以上であればよい。また、温度分布の均一性に影響を与えないなら、ローラ２３に切れ目があってもよい。
コンベア２０の全体の回転体が、円盤状コロ２２ではなく、長円筒状ローラ２３にて構成されていてもよい。
コンベア２０は、被処理物９を水平に支持し、かつ水平に搬送するのに限られず、被処理物９を水平に対して傾けて支持するようになっていてもよく、被処理物９を漸次上昇するよう、又は漸次下降するように搬送するようになっていてもよい。コンベア２０の軸２１及びローラ２３が水平に対し斜めになっていてもよい。隣り合う軸２１の高さが異なっていてもよい。
表面処理のステップは、適宜変更可能である。例えばガス供給ステップ１０２をコンベア２０の稼働開始ステップ１０３以後、又は加熱部３０，４０の稼働開始ステップ１０４以後に行なってもよい。
【００５４】
プラズマ生成部３の電極がノズル１０の内部に収容されていてもよい。
表面処理装置は、プラズマ生成部３を含むプラズマ処理装置に限られない。本発明は、例えばフッ酸ベーパ等のプラズマを生成しない表面処理装置にも適用できる。
さらに、被処理物を斜めに立てた状態で搬送する表面処理装置にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、例えば液晶表示基板などの半導体装置の製造に適用できる。
【符号の説明】
【００５６】
ａ      搬送方向
１      表面処理装置
２      ガス供給源
３      プラズマ生成部
４      電源
５      制御手段
９      被処理物
１０    ノズル
１１    吹出し路
１２    吹出し口
２０    コンベア
２１    回転軸
２２    コロ（円盤状回転体）
２２ｆ  鍔
２３    ローラ（長円筒状回転体）
２３ｆ  鍔
２５    回転機構
３０    加熱手段
３１    ロッドヒータ（加熱部）
３４    支持部
４０    加熱手段
４１    加熱部
４２    ロッドヒータ
４３    ヒートプレート
４４    支持部
４５    凸縁部
【図１】
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【図２】
2011228581.tif 000004
【図３】
2011228581.tif 000005
【図４】
2011228581.tif 000006
【図５】
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