(57)【要約】【課題】タブ部の錫めっき層を削られにくくして接続信頼性を向上させる。【解決手段】本発明は、雌端子５０に対向状態で設けられた一対の接触片５２によって挟み付けられる平板形状をなすタブ部１１を有し、雌端子５０に対する接点としての錫めっき層１４がタブ部１１に形成されてなる雄端子１０であって、錫めっき層１４のめっき厚は、両接触片５２との接触終了位置よりも先端側の領域においてタブ部１１のガイド部１２から後方に向けて徐々に厚くなる構成としたところに特徴を有する。このような構成によると、両接触片間にタブ部を円滑に挿入することができ、両接触片が錫めっき層に食い込むことがなく、錫めっき層が両接触片によって削られにくくなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
雌端子に対向状態で設けられた一対の接触片によって挟み付けられる平板形状をなすタブ部を有し、前記雌端子に対する接点としての錫めっき層が前記タブ部に形成されてなる雄端子であって、
前記錫めっき層のめっき厚は、前記両接触片との接触終了位置よりも先端側の領域において前記タブ部の先端部から奥側に向かうにつれて徐々に厚くなることを特徴とする雄端子。
【請求項２】
前記タブ部の表面と前記錫めっき層との間に、ニッケルめっき層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の雄端子。
【請求項３】
前記ニッケルめっき層のめっき厚は、均一であることを特徴とする請求項２に記載の雄端子。
【請求項４】
前記ニッケルめっき層のめっき厚は、前記タブ部の先端部から奥側に向かうにつれて徐々に厚くなることを特徴とする請求項２に記載の雄端子。
【請求項５】
前記タブ部は、前記両接触片との接触開始位置よりも先端側で外部に露出していることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の雄端子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、雄端子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、雌端子に対向状態で設けられた一対の接触片によって挟み付けられる平板形状をなすタブ部を有する雄端子として、例えば下記特許文献１に記載のものが知られている。タブ部の表面には錫めっき層が形成されており、錫めっき層のめっき厚は、雌雄両端子が正規に接続された状態における両接触片との接点部において局部的に厚くなっている。このようにすると、タブ部の接点部において錫めっき層でタブ部の表面を保護することができるため、接続信頼性を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３５３３５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の構成では、タブ部の接点部において錫めっき層のめっき厚が局部的に厚くなっているため、接点部の周辺が段差状に形成されてしまう。このため、雄端子を雌端子に接続する際に、雌端子の両接触片が段差部分に食い込みながら乗り上げるため、錫めっき層が削られやすくなる。したがって、雄端子を雌端子に対して繰り返し挿抜を行うと、錫めっき層が削られてタブ部の表面が露出してしまい、接続信頼性が低下することになる。
【０００５】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、タブ部の錫めっき層を削られにくくして接続信頼性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、雌端子に対向状態で設けられた一対の接触片によって挟み付けられる平板形状をなすタブ部を有し、雌端子に対する接点としての錫めっき層がタブ部に形成されてなる雄端子であって、錫めっき層のめっき厚は、前記両接触片との接触終了位置よりも先端側の領域においてタブ部の先端部から奥側に向かうにつれて徐々に厚くなる構成としたところに特徴を有する。
【０００７】
このような構成によると、両接触片間にタブ部を円滑に挿入することができ、両接触片が錫めっき層に食い込むことがなく、錫めっき層が両接触片によって削られにくくなる。したがって、雄端子を雌端子に対して繰り返し挿抜を行っても、雄端子と雌端子の接続信頼性を向上させることができる。また、両接触片との接触終了位置よりも先端側の領域において均一の厚さで錫めっき層を形成する場合よりも、両接触片によって削られる錫の堆積量を少なくできるため、低挿入力化することができる。
【０００８】
なお、錫めっき層のめっき厚をタブ部の先端部から奥側に向かうにつれて徐々に厚くするには、例えば、めっき液の内部においてタブ部の先端部と電極との間に遮蔽板を配置し、タブ部の先端部における電流密度を低下させることによって行うことができる。
【０００９】
本発明の実施の態様として、以下の構成が好ましい。
タブ部の表面と錫めっき層との間に、ニッケルめっき層が形成されている構成としてもよい。
このような構成によると、ニッケルめっき層がバリア層として機能するため、錫めっき層がタブ部の内部に拡散しにくくなる。また、ニッケルめっき層によって錫めっき層のタブ部に対する密着力が向上し、接続信頼性の向上につながる。
【００１０】
ニッケルめっき層のめっき厚は、均一である構成としてもよい。
このような構成によると、ニッケルめっきの際に、遮蔽板などを用いる必要がなく、通常の方法で、ニッケルめっきをすることができる。
【００１１】
ニッケルめっき層のめっき厚は、タブ部の先端部から奥側に向かうにつれて徐々に厚くなる構成としてもよい。
このような構成によると、タブ部の先端部におけるニッケルめっき層のめっき厚を小さくできるため、ニッケルめっきに要する材料費を低減することができる。
【００１２】
タブ部は、両接触片との接触開始位置よりも先端側で外部に露出している構成としてもよい。
このような構成によると、錫めっきおよびニッケルめっきに要する材料費を低減することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、タブ部の錫めっき層を削られにくくして接続信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態１における雄端子を雌端子に接続する前の状態を示した断面図
【図２】両接触片がタブ部のガイド部に摺接している状態を示した断面図
【図３】雌雄両端子の接続が完了した状態を示した断面図
【図４】実施形態２における雄端子を示した断面図
【図５】実施形態３における雄端子を示した断面図
【図６】実施形態４における雄端子を示した断面図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１ないし図３の図面を参照しながら説明する。本実施形態の雄端子１０は、図１に示すように、平板形状をなすタブ部１１を有している。タブ部１１は銅または銅合金製とされており、先端側に形成されたガイド部１２と、ガイド部１２よりも後方に形成された本体部１３とを備えている。ガイド部１２は先細り形状をなしている一方、本体部１３は前後方向に同じ厚さで構成されている。なお、前後方向とは図１における左右方向を基準として、雌雄両端子１０，５０の嵌合方向先端側を前側とする。
【００１６】
一方、雌端子５０は、基端部５１から対向状態をなして前方に突出する一対の接触片５２を有している。両接触片５２は、互いに近づく方向および離れる方向に撓み可能に形成されている。両接触片５２間には、雄端子１０のタブ部１１を収容可能な収容空間５３が形成されている。両接触片５２の前端側は、やや内側に湾曲されて山形に形成されており、この山形部分の頂点が雄端子１０に対する接点部５４とされている。図３に示すように、両接触片５２が互いに離れる方向に撓んだ状態では、両接点部５４が雄端子１０に対して上下両側から挟み付けるようにして弾性的に接触する。
【００１７】
両接点部５４の間隔は、図１に示すように、タブ部１１の板厚よりも小さめに設定されている。このため、タブ部１１を収容空間５３に挿入すると、両接点部５４がガイド部１２の両テーパ面に接触する。ここからさらにタブ部１１を収容空間５３に挿入していくと、図２に示すように、両接点部５４が両テーパ面に沿って摺接し、引き続き本体部１３の上下面１３Ａに沿って摺接することにより、両接触片５２が互いに離れる方向に撓み変形するようになっている。
【００１８】
タブ部１１の表面には、ニッケルめっき層１５が均一の厚さで形成されており、このニッケルめっき層１５の表面に錫めっき層１４が形成されている。つまり、両接点部５４は、錫めっき層１４とニッケルめっき層１５を介してタブ部１１に対して導通可能に接続されている。ニッケルめっき層１５は、錫めっき層１４がタブ部１１の内部に拡散することを規制するバリア層としての機能を有している。また、ニッケルめっき層１５によって錫めっき層１４のタブ部１１に対する密着力が向上し、雌雄両端子１０，５０の接続信頼性が高くなっている。
【００１９】
さて、錫めっき層１４のめっき厚は、ガイド部１２から接触終了位置（図３における両接触片５２との接触位置）に向けて徐々に厚くなるように設定されている。図３に示すように、雌雄両端子１０，５０の接続が完了した状態では、両接点部５４が錫めっき層１４に対して弾性的に接触しているため、錫めっき層１４のめっき厚が大きめとなるように設定されている。一方、ガイド部１２におけるめっき厚は小さいものの、錫めっき層１４によってガイド部１２の全面を覆うことができる程度のめっき厚とされている。
【００２０】
詳細には、錫めっき層１４は、ガイド部１２に形成された第１錫めっき層１４Ａと、ガイド部１２の後端と接触終了位置との間における前半部分に形成された第２錫めっき層１４Ｂと、同後半部分に形成された第３錫めっき層１４Ｃとからなる。第３錫めっき層１４Ｃの表面は、雌雄両端子１０，５０の接続方向とほぼ平行な角度で形成されている。一方、第１錫めっき層１４Ａの表面と、第２錫めっき層１４Ｂの表面とは、第３錫めっき層１４Ｃの表面に対して傾斜している。第１錫めっき層１４Ａの傾斜角度は、第２錫めっき層１４Ｂの傾斜角度よりも大きくなっている。つまり、雌雄両端子１０，５０の接続方向を基準とした錫めっき層１４の傾斜角度は、ガイド部１２から後方に向けて徐々に緩やかになるように設定されている。
【００２１】
このように、ガイド部１２から後方に向けて錫めっき層１４のめっき厚が徐々に厚くなるように設定したから、錫めっき層１４の傾斜角度を段階的に緩やかにすることができる。このことは、両接点部５４の摺接経路に段差が形成されないことを意味している。したがって、段差に両接点部５４が引っ掛かることで錫めっき層１４が削られる事態をなくすことができる。すなわち、両接点部５４は、ガイド部１２から後方に向けて円滑に摺接し、両接点部５４によって錫めっき層１４が削られることを規制できる。この結果、両接点部５４によって削られる錫めっきの量を少なくすることができ、収容空間５３の内部に堆積される錫の量を少なくすることができる。したがって、削られた錫によって雄端子１０の挿入力が増加することはなく、低挿入力化することができる。
【００２２】
なお、錫めっき層１４のめっき厚を前方に向けて徐々に小さくするには、例えば、錫めっきを形成する際に、めっき液（図示せず）の内部においてガイド部１２と電極（図示せず）との間に遮蔽板を配置する方法がある。このようにすると、ガイド部１２の周辺部における電流密度を低下させることができ、ガイド部１２に形成される錫めっき層１４のめっき厚を小さくすることができる。
【００２３】
＜実施形態２＞
次に、本発明の実施形態２を図４の図面を参照しながら説明する。本実施形態における雄端子２０は、実施形態１におけるニッケルめっき層１５のめっき厚を一部変更したものであって、実施形態１と同じ構成、作用、および効果については重複するため、その説明を省略する。また、雄端子１０と対応する構成については、十の位を１から２に変更した符号を用いるものとする。
【００２４】
すなわち、雄端子２０のニッケルめっき層２５のめっき厚は、ガイド部２２から後方に向けて徐々に厚くなるように設定されている。詳細には、ニッケルめっき層２５は、ガイド部２２に形成された第１ニッケルめっき層２５Ａと、ガイド部２２の後端と接触終了位置との間における前半部分に形成された第２ニッケルめっき層２５Ｂと、同後半部分に形成された第３ニッケルめっき層２５Ｃとからなる。
【００２５】
第３ニッケルめっき層２５Ｃの表面は、雌雄両端子２０，５０の接続方向とほぼ平行な角度で形成されている。一方、第１ニッケルめっき層２５Ａの傾斜角度は、第２ニッケルめっき層２５Ｂの傾斜角度よりも大きくなっている。つまり、雌雄両端子２０，５０の接続方向を基準としたニッケルめっき層２５の傾斜角度は、ガイド部２２から後方に向けて徐々に緩やかになるように設定されている。
【００２６】
このようにすると、ニッケルめっきに要する材料費を低減することができる。また、実施形態１のガイド部１２よりもガイド部２２を先細り形状にすることができ、雄端子２０の挿入開始時における挿入抵抗を軽減することができる。
【００２７】
＜実施形態３＞
次に、本発明の実施形態３を図５の図面を参照しながら説明する。本実施形態における雄端子３０は、実施形態１における錫めっき層１４とニッケルめっき層１５のめっき厚を一部変更したものであって、実施形態１と同じ構成、作用、および効果については重複するため、その説明を省略する。また、雄端子１０と対応する構成については、十の位を１から３に変更した符号を用いるものとする。
【００２８】
すなわち、雄端子３０のガイド部３２には、錫めっき層３４とニッケルめっき層３５の双方が形成されておらず、本体部３３のみに錫めっき層３４とニッケルめっき層３５が形成されている。このため、タブ部１１は、ガイド部１２において銅もしくは銅合金が外部に露出している。このようにすると、錫めっきとニッケルめっきに要する材料費を低減することができる。また、実施形態２のガイド部２２よりもガイド部３２を先細り形状にすることができ、雄端子３０の挿入開始時における挿入抵抗を軽減することができる。
【００２９】
＜実施形態４＞
次に、本発明の実施形態４を図６の図面を参照しながら説明する。本実施形態における雄端子４０は、実施形態１における錫めっき層１４とニッケルめっき層１５のめっき厚を一部変更したものであって、実施形態１と同じ構成、作用、および効果については重複するため、その説明を省略する。また、雄端子１０と対応する構成については、十の位を１から４に変更した符号を用いるものとする。
【００３０】
すなわち、雄端子４０の錫めっき層４４は、本体部４３のみに形成されており、ガイド部４２には形成されていない。このようにすると、ニッケルめっき層４５をめっきする際に、めっき液の内部に遮蔽板を配置する必要がなく、通常のめっき方法でニッケルめっきをすることができる。また、ガイド部４２に錫めっき層４４が形成されていないため、錫めっきに要する材料費を低減することができる。
【００３１】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）上記実施形態ではタブ部にニッケルめっき層を形成しているものの、本発明によると、ニッケルめっき層を形成しないで、タブ部に錫めっき層のみを形成してもよい。
【００３２】
（２）上記実施形態では第３錫めっき層が均一な厚さで形成されているものの、本発明によると、第３錫めっき層が後方に向けて徐々に厚くなるように形成してもよい。
（３）上記実施形態では両接触片との接触終了位置よりも奥側の領域において錫めっき層のめっき厚が均一とされているものの、本発明によると、図示は省略するものの、両接触片との接触終了位置から奥側に向かうにつれて錫めっき層のめっき厚が徐々に薄くなるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００３３】
１０，２０，３０，４０…雄端子
１１，２１，３１，４１…タブ部
１２，２２，３２，４２…ガイド部（先端部）
１４，２４，３４，４４…錫めっき層
１５，２５，３５，４５…ニッケルめっき層
５０…雌端子
５２…接触片
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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