(57)【要約】【課題】特にトップエミッション型の有機ＥＬ装置において、より光の取り出し効率を高め、高精細化を可能にした有機ＥＬ装置を提供する。【解決手段】陽極１０と陰極１１との間に、少なくとも有機発光層を含む機能層１２を有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子２１を形成した素子基板２０を備える有機エレクトロルミネッセンス装置である。陽極１０及び陰極１１が共に透光性を有して形成されている。陽極１０の、陰極１１と反対の側に設けられた下地層１６に、凹面１５ａを有する反射層１５が陽極１０に向けられて設けられている。【選択図】図２
2011228229.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に、少なくとも有機発光層を含む機能層を有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子を形成した素子基板を備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記陽極及び前記陰極が共に透光性を有して形成され、
前記陽極の、前記陰極と反対の側に設けられた下地層に、凹面を有する反射層が前記陽極に向けられて設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記素子基板には有機エレクトロルミネッセンス素子が複数設けられ、
前記素子基板の前記陰極側に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子に対応する単位画素領域を形成した対向基板が配置され、
前記単位画素領域間に遮光層が設けられ、
前記遮光層の前記陰極側に、該遮光層に隣接する単位画素領域にそれぞれ対応した前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記反射層に向く反射面を有した反射凸部が、設けられていることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記反射凸部の反射面は、凹面になっていることを特徴とする請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記素子基板には有機エレクトロルミネッセンス素子が複数設けられ、
前記素子基板の前記陰極側に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子に対応する単位画素領域を形成した対向基板が配置され、
前記単位画素領域間の前記陰極側に、隣接する単位画素領域にそれぞれ対応した前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記反射層に向く反射面を有した反射体が、設けられていることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記反射体の反射面は、凹面になっていることを特徴とする請求項４記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記単位画素領域に、カラーフィルターが設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
前記下地層が、平坦化層からなっていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
前記陽極は、平面視した状態で前記反射層から外に出ることなく、該反射層の内側に位置していることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は自発光型の発光素子であり、発光した際に全方向へ発散して射出を行うといった性質を有している。したがって、全方向へ発散してしまう光を観察面である一方向に取り出すことにより、光の取り出し効率を高め、輝度や材料の寿命を向上させることが可能になる。
【０００３】
そこで、従来では、光取り出しの方向性を持たせるべく、有機ＥＬ素子に対して観察面と反対の側に反射層を形成し、観察面と反対の側に発散する光を観察面側から取り出す構造が採用されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３３２０６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、有機ＥＬ素子を多数形成した有機ＥＬディスプレイなどでは、有機ＥＬ素子側から観察面側に向かって直進せずに斜め方向に出射した光が、対応する単位画素領域とは別の（例えば隣の）単位画素領域を通って取り出されてしまうことがある。すると、コントラストの低下を招いてしまう。また、特に単位画素領域にカラーフィルターが設けられたフルカラー表示の場合には、斜め方向に出射した光が隣の異なる色のカラーフィルターを通過してしまうことにより、本来の表示とは異なる色の表示がなされてしまう。
【０００６】
その対策として、従来では、観察面側となる対向基板側のブラックマトリクスを拡げることや、有機ＥＬ素子の開口率を小さくすること、有機ＥＬ素子と対向基板とのギャップを狭くすることなどがなされている。しかし、近年では有機ＥＬディスプレイにおいてもさらなる高精細化が要求されている。したがって、ブラックマトリクスを拡げたり、有機ＥＬ素子の開口率を小さくすると、有機ＥＬディスプレイの輝度が低下し、高精細化を妨げる要因になってしまい、好ましくない。また、有機ＥＬ素子と対向基板とのギャップを現状よりさらに狭くするのは、製造プロセスが難しくなり、生産性が低下してしまう。
【０００７】
なお、前記特許文献１では、有機ＥＬ素子を形成した素子基板側から光を出射する、いわゆるボトムエミッション方式の発光パネルについて開示されているが、素子基板に対向する対向基板側から光を出射する、いわゆるトップエミッション方式の有機ＥＬ装置においても、より光の取り出し効率を高めることが要望されている。
【０００８】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、特にトップエミッション型の有機ＥＬ装置において、より光の取り出し効率を高め、高精細化を可能にした有機ＥＬ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、陽極と陰極との間に、少なくとも有機発光層を含む機能層を有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子を形成した素子基板を備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記陽極及び前記陰極が共に透光性を有して形成され、
前記陽極の、前記陰極と反対の側に設けられた下地層に、凹面を有する反射層が設けられていることを特徴としている。
【００１０】
この有機エレクトロルミネッセンス装置によれば、陽極の下地層に凹面を有する反射層が設けられているので、機能層で発光し、透光性の陽極を透過して下地層側に向かった光が反射層で反射し、透光性の陰極を通って観察面側に出射するようになる。その際、反射層が凹面を有していることから、この反射層を反射した光は観察面の所定領域、例えば対応する単位画素領域に集光され、射出される。したがって、特にトップエミッション型の装置において、より光の取り出し効率を高めることができ、これにより高精細化を図ることができる。
【００１１】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記素子基板には有機エレクトロルミネッセンス素子が複数設けられ、前記素子基板の前記陰極側に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子に対応する単位画素領域を形成した対向基板が配置され、前記単位画素領域間に遮光層が設けられ、前記遮光層の前記陰極側に、該遮光層に隣接する単位画素領域にそれぞれ対応した前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記反射層に向く反射面を有した反射凸部が、設けられているのが好ましい。
このようにすれば、対向基板側に出射した光の一部が、対応する単位画素領域に向かって直進せずに斜め方向に進み、遮光層に向かっても、反射凸部の反射面により反射層に向かって反射させられる。したがって、反射層でさらに反射されることにより、この反射光は対応する単位画素領域を通って出射するようになり、より光の取り出し効率が高まる。
【００１２】
なお、前記反射凸部の反射面は、凹面になっているのが好ましい。
このようにすれば、この反射面を反射した光がより確実に反射層に向かうようになり、したがって光の取り出し効率がさらに高まる。
【００１３】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記素子基板には有機エレクトロルミネッセンス素子が複数設けられ、前記素子基板の前記陰極側に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子に対応する単位画素領域を形成した対向基板が配置され、前記単位画素領域間の前記陰極側に、隣接する単位画素領域にそれぞれ対応した前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記反射層に向く反射面を有した反射体が、設けられているのが好ましい。
このようにすれば、対向基板側に出射した光の一部が、対応する単位画素領域に向かって直進せずに斜め方向に進み、単位画素領域間に向かっても、反射体の反射面により反射層に向かって反射させられる。したがって、反射層でさらに反射されることにより、この反射光は対応する単位画素領域を通って出射するようになり、より光の取り出し効率が高まる。
【００１４】
なお、前記反射体の反射面は、凹面になっているのが好ましい。
このようにすれば、この反射面を反射した光がより確実に反射層に向かうようになり、したがって光の取り出し効率がさらに高まる。
【００１５】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記単位画素領域に、カラーフィルターが設けられていてもよい。
このようにすれば、各有機エレクトロルミネッセンス素子から発光した光が対応する単位画素領域をより確実に通過するようになるため、異なる単位画素領域を通過し、したがって異なる色のカラーフィルターを通過してしまうことにより、本来の表示とは異なる色の表示がなされてしまうことが防止される。
【００１６】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記下地層が、平坦化層からなっているのが好ましい。
このようにすれば、下地層が凹凸のない平坦化層となっているので、これの上に形成する有機エレクトロルミネッセンス素子を均一な厚さに形成することができる。したがって、有機エレクトロルミネッセンス素子間の厚さのばらつきを抑え、素子間での輝度の均一化を図ることができる。
【００１７】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記陽極は、平面視した状態で前記反射層から外に出ることなく、該反射層の内側に位置しているのが好ましい。
このようにすれば、陽極を斜め方向に通って陽極の外側に抜けて下地層側に出射した光も、反射層で反射し、対応する単位画素領域に向かうようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の有機ＥＬ装置の第１実施形態の概略構成を示す側断面図である。
【図２】有機ＥＬ装置の第１実施形態の要部を模式的に示す側断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は図２に示した有機ＥＬ装置の製造工程説明図である。
【図４】有機ＥＬ装置の第２実施形態の要部を模式的に示す側断面図である。
【図５】有機ＥＬ装置の第３実施形態の要部を模式的に示す側断面図である。
【図６】有機ＥＬ装置の応用例としての、携帯電話を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。
図１は、本発明の有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）の第１実施形態の概略構成を示す側断面図であり、図１中符号１は有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置１は、いわゆる「トップエミッション方式」の有機ＥＬ装置である。
【００２０】
有機ＥＬ装置１は、複数の有機ＥＬ素子２１が配置された素子基板２０と、複数の有機ＥＬ素子２１を覆って積層して形成された電極保護層１７、有機緩衝層１８、ガスバリア層１９の各層と、この素子基板２０の複数の有機ＥＬ素子２１が配置された面に対向配置された対向基板３０と、を備えている。これら素子基板２０と対向基板３０とは、シール材３３および接着層３４とを介して貼り合わされている。
【００２１】
有機ＥＬ素子２１は、単色の発光色の光を発生するもので、本例では白色の光を発生する機能層１２を有している。素子基板２０上では、これら複数の有機ＥＬ素子２１がマトリクス状に規則的に配列され、表示領域Ｌを形成している。なお、表示領域Ｌ外に相当する領域を非表示領域Ｍとする。
【００２２】
素子基板２０は、素子基板本体２０ａと、素子基板本体２０ａの対向基板３０側の面を覆う無機絶縁層１４と、を備えている。素子基板本体２０ａは、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。透明基板としては、例えばガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機高分子（樹脂）を用いることができる。また、光透過性を備えるならば、上記の材料を積層または混合して形成された複合材料を用いることもできる。本例では、素子基板本体２０ａの材料としてガラスを用いる。
【００２３】
素子基板本体２０ａ上には、複数の有機ＥＬ素子２１に１対１で対応する複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２３及び各種の配線（図示略）が形成されており、これらを覆うように前記無機絶縁層１４が形成されている。無機絶縁層１４は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ２）や窒化珪素（ＳｉＮ）等の珪素化合物から形成されている。
【００２４】
素子基板２０上には、素子基板２０が備える配線やＴＦＴ素子等に由来する表面の凹凸を緩和するための平坦化層１６が形成されている。この平坦化層１６は、絶縁性の樹脂材料、例えば感光性のアクリル樹脂や環状オレフィン樹脂等により形成されたもので、後述する陽極に対して、陰極と反対の側に設けられる下地層となっている。
【００２５】
また、この平坦化層１６中には、有機ＥＬ素子２１で発光し、対向基板３０側に向かうことなく、その下地層である平坦下層１６側に向かう光を対向基板３０側に反射する、反射層１５が形成されている。
この反射層１５は、前記表示領域Ｌを模式的に示す図２に示すように、有機ＥＬ素子２１に対向する凹面１５ａを有して形成されたもので、この凹面１５ａ上に反射性の金属膜１５ｂが設けられて形成されたものである。金属膜１５ｂは、配線と製造工程を兼ねるため、配線材料と同じＡｌ（アルミニウム）からなっている。また、Ａｌ以外にも、例えばＴｉ（チタン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）などの金属、またはそれらを組み合わせた合金材料によって形成されていてもよい。
【００２６】
平坦化層１６上には、前記反射層１５に平面視した状態で重なる領域に、有機ＥＬ素子２１の陽極１０が形成されている。陽極１０は、図１に示すように平坦化層１６及び無機絶縁層１４を貫通するコンタクトホール（図示せず）を介して、素子基板本体２０ａ上のＴＦＴ１２３に接続されている。また、陽極１０は透光性を有するもので、仕事関数が５ｅＶ以上の正孔注入効果の高い材料が好適に用いられる。このような正孔注入効果の高い材料としては、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：インジウム錫酸化物）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の金属酸化物を挙げることができる。本例ではＩＴＯが用いられている。
【００２７】
また、平坦化層１６上には、有機ＥＬ素子２１を区画する絶縁性の隔壁層１３が形成されている。隔壁層１３は、陽極１０の上部を露出させる複数の開口部を備えている。隔壁層１３は平坦化層１６と同様に絶縁性の樹脂材料で形成されており、材料には例えば感光性のアクリル樹脂や環状オレフィン樹脂などが用いられている。
【００２８】
この開口部と隔壁層１３による凹凸形状に沿って、隔壁層１３及び陽極１０の上面を覆って機能層１２が形成されている。機能層１２は、電界により注入された正孔と電子との再結合により励起して発光する有機発光層を含み、さらに有機発光層以外の層も含んだ多層膜からなっている。有機発光層以外の層としては、正孔を注入し易くするための正孔注入層や、注入された正孔を発光層へ輸送し易くするための正孔輸送層、電子を注入し易くするための電子注入層、注入された電子を発光層へ輸送し易くするための電子輸送層などの、上記の再結合に寄与する層がある。なお、電子注入層は、例えばＣａ等の電子注入効果の大きい（仕事関数が４ｅＶ以下）材料によって形成される。
【００２９】
機能層１２の有機発光層は、低分子系有機ＥＬ材料あるいは高分子系有機ＥＬ材料から形成されている。低分子系有機ＥＬ材料は、正孔と電子との再結合により励起して発光する有機化合物のうち、分子量が比較的に低いものである。また、高分子系有機ＥＬ材料は、正孔と電子との再結合により励起して発光する有機化合物のうち、分子量が比較的に高いものである。有機ＥＬ素子２１を形成している低分子系有機ＥＬ材料あるいは高分子系有機ＥＬ材料は、有機ＥＬ素子２１の発する単色の発光色の光（白色光）に応じた物質となっている。発光層における再結合に寄与する層の材料は、この層に接する層の材料に応じた物質となっている。
【００３０】
機能層１２上には、これの凹凸形状に沿うように機能層１２を覆って、最外周（素子基板２０の外周部に近い側）に配置された平坦化層１６の側壁部に至るまで延在して、透光性の陰極１１が形成されている。陰極１１としては、電子注入効果の大きい（仕事関数が４ｅＶ以下）材料により形成された薄膜が好適に用いられる。陰極１１は、例えば機能層１２へ電子を注入し易くするための電子注入バッファ層と、電子注入バッファ層上にＩＴＯやＡｌ等の金属から形成された電気抵抗の小さい層とを有して構成される。電子注入バッファ層は、例えば、ＬｉＦ（フッ化リチウム）やＣａ（カルシウム）、ＭｇＡｇ（マグネシウム‐銀合金）から形成されている。
【００３１】
素子基板２０上であって、非表示領域Ｍにおける素子基板２０の外周部近傍の平坦化層１６が形成されていない領域には、陰極配線２２が形成されている。陰極配線２２と陰極１１とは、電気的に接続している。
【００３２】
陰極配線２２は、陰極１１を不図示の電源まで通電させることを目的として形成されており、主に素子基板２０の外周部付近に設けられる。陰極配線２２の形成材料には、電気伝導性の高いアルミニウムやチタン、モリブデン、タンタル、銀、銅などの金属またはそれらを組み合わせた合金が用いられ、これらの材料を単層もしくは多層に積層して形成したものが用いられる。本例では、チタン、アルミニウム、チタンを三層積層して形成したもの用いる。また、陰極配線２２の最表層には、陽極１０と同じ材料であるＩＴＯが形成されている。
【００３３】
また、素子基板２０上には、無機絶縁層１４、平坦化層１６、及び有機ＥＬ素子２１の陰極１１を覆って、電極保護層１７が形成されている。電極保護層１７は、例えば、珪素酸窒化物（ＳｉＯＮ）等の珪素化合物により形成されている。
【００３４】
電極保護層１７上には、電極保護層１７を覆うように有機緩衝層１８が形成されている。有機緩衝層１８は、隔壁層１３とその開口部による凹凸形状を埋めるように形成され、素子基板２０上を平坦化している。有機緩衝層１８の形成材料としては、例えばエポキシ化合物等を用いることができる。
【００３５】
有機緩衝層１８上には、有機緩衝層１８を覆い、さらに電極保護層１７の終端部までを覆うガスバリア層１９が形成されている。ガスバリア層１９は、透光性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、例えばＳｉＯＮ等によって形成されている。
【００３６】
また、電極保護層１７およびガスバリア層１９は、陰極配線２２の一部を覆って形成されている。陰極配線２２の表面には、上述のように陽極１０に用いられるＩＴＯ（酸化物導電膜）が形成されている。また、ガスバリア層１９は、有機緩衝層１８を完全に被覆するように有機緩衝層１８よりも広く形成されており、このガスバリア層１９上にシール材３３が配置されている。
【００３７】
素子基板２０のガスバリア層１９が形成された面側、すなわち陰極１１側には、対向基板３０が対向して配置されている。対向基板３０は、接着層３４とシール材３３とを介して、素子基板２０上のガスバリア層１９に接着されたものである。この対向基板３０は、ガラスや透明プラスチック等の光透過性（透光性）材料で構成された対向基板本体３１を備えている。
【００３８】
この対向基板本体３１には、図２に示すように前記複数の有機ＥＬ素子２１にそれぞれ対応する複数のサブ画素領域（単位画素領域）３５が形成されている。これらサブ画素領域３５には、素子基板２０と対向する側の面（内面）に、カラーフィルター層３７として、赤色着色層（カラーフィルター）３７Ｒ、緑色着色層（カラーフィルター）３７Ｇ、青色着色層（カラーフィルター）３７Ｂがマトリクス状に規則的に配列されている。これら赤色着色層３７Ｒ、緑色着色層３７Ｇ、青色着色層３７Ｂをそれぞれ形成した３つのサブ画素領域３５により、１つの画素が形成されている。また、このような画素を縦横に多数有したことで、表示領域Ｌが形成されている。
【００３９】
隣り合うサブ画素領域３５間には、着色層３７Ｒ（３７Ｇ，３７Ｂ）を囲ってブラックマトリクス層（遮光層）３２が形成されている。ブラックマトリクス層（遮光層）３２は、素子基板２０の隔壁層１３に対向する領域に形成されたもので、Ｃｒ（クロム）等の遮光材料によって形成されたものである。
【００４０】
各着色層３７Ｒ，３７Ｇ，３７Ｂは、陽極１０上に形成された白色発光の機能層１２に対向して、平面視した状態で重なるように配置されている。これにより、機能層１２で発光した白色光が、着色層３７Ｒ，３７Ｇ，３７Ｂの各々を通過（透過）し、赤色光、緑色光、青色光の各色光として観察者側に射出されるようになっている。
【００４１】
また、対向基板本体３１の内面側には、表示領域Ｌに形成されたカラーフィルター層３７及びブラックマトリクス層３２上を覆って、オーバーコート層（平坦化層）３８が形成されている。オーバーコート層３８は、表示領域Ｌの内側から非表示領域Ｍのシール材３３の形成領域まで延設されている。オーバーコート層３８は、例えばアクリルやポリイミド等の樹脂材料、又はＳｉＯ２等の透光性無機絶縁材料によって形成されている。
オーバーコート層３８上には、オーバーコート層３８を覆うガスバリア層３９が形成されている。ガスバリア層３９は、透光性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、例えばＳｉＯＮ等によって形成されている。
【００４２】
また、素子基板２０と対向基板３０との間の外周部には、シール材３３が形成されている。シール材３３の形成材料は、例えばエポキシ系樹脂にフィラーとしてシリカ、アルミナ等を添加した低透湿性樹脂構成としたものを用いることができる。なお、シール材３３の内部には、例えば樹脂やガラス等から形成されたギャップ剤（図示略）が配置されている。なお、シール材３３としては、ギャップ剤を含まない構成としてもよい。
【００４３】
このような構成からなる有機ＥＬ装置１を製造するに際し、特に反射層１５を形成するには、まず、図３（ａ）に示すように下地層としての平坦化層１６を、従来と同様にしてアクリル樹脂等で形成する。なお、図３（ａ）では、無機絶縁膜１４の記載を省略している。
【００４４】
次に、図３（ｂ）に示すように平坦化層１６上に、有機ＥＬ素子２１の形成領域に開口５０を有したレジストパターン５１を形成する。続いて、このレジストパターン５１を用いて例えばウエットエッチングにより、前記開口５０内に略球面状の凹部を形成する。これにより、この凹部内に露出する、球の内面状の凹面１５ａが形成される。なお、凹部（凹面１５ａ）の形成には、ウエットエッチング以外にも、凸状のネガパターンを有する押し型を用いたナノインプリントや、レジストパターンを用いたドライエッチングなどが採用可能である。
【００４５】
続いて、図３（ｃ）に示すように平坦化層１６上の全面に、スパッタ法等によって反射性の金属材料としてのＡｌを成膜する。これにより、前記凹面１５ａ上にＡｌからなる金属膜１５ｂが形成される。なお、この金属膜１５ｂの形成は、前述したように配線（図示せず）の製造工程と同一の工程にて行うのが好ましい。
次いで、図３（ｄ）に示すようにレジストパターン５１を除去し、これによってレジストパターン５１上の金属膜１５ｂも除去することにより、凹面１５ａ上にのみ金属膜１５ｂを選択的に残す。ただし、金属膜１５ｂによって配線（図示せず）も同時に形成した場合には、この配線もそのまま残すのはもちろんである。
【００４６】
その後、図３（ｅ）中実線で示すように、前記凹部内にアクリル樹脂等の透光性材料を埋め込み、硬化させるとともに、その表面を平坦化層１６の表面と面一にする。これにより、平坦化層１６中に凹面１５ａとこれを覆う金属膜１５ｂとからなる、反射層１５を形成する。また、図３（ｅ）中二点鎖線で示すように、凹部内を埋め込むとともに平坦化層１６表面をも覆って透光性材料を配し、さらにその表面全体を平坦化することで、新たな平坦化層１６ａを形成してもよい。このように平坦化層１６ａを形成しても、凹面１５ａと金属膜１５ｂとからなる反射層１５が得られる。
【００４７】
このように反射層１５、平坦化層１６（１６ａ）を形成した後、反射層１５の直上に従来と同様にして陽極１０を形成する。さらに、陽極１０及び隔壁層１３を覆って従来と同様に機能層１２、陰極１１を形成し、有機ＥＬ素子２１を形成する。
【００４８】
なお、反射層１５の形成にあたっては、図３（ｅ）に示したように凹部内を埋め込むことなく、したがって平坦化層１６を再度平坦化することなくそのままとし、この凹部上、すなわち反射層１５上に直接有機ＥＬ素子２１を形成してもよい。ただし、凹部上（反射層１５上）に直接有機ＥＬ素子２１を形成すると、有機ＥＬ素子２１を構成する陽極１０、機能層１２、陰極１１も凹面１５ａの形状に倣って曲面形状になるため、それぞれを均一な厚さに形成するのが難しくなり、結果として多数の有機ＥＬ素子２１間で輝度のバラツキが生じるおそれがある。これに対して、図３（ｅ）に示したように凹部内を埋め込んだり平坦化層１６を再度平坦化し、これによって有機ＥＬ素子２１の下地層を実質的な平坦化層とした後、有機ＥＬ素子２１を形成すれば、有機ＥＬ素子２１間の厚さのばらつきを抑え、素子２１間での輝度の均一化を図ることができる。
【００４９】
このような反射層１５を備えた本実施形態の有機ＥＬ装置１にあっては、陽極１０の下地層である平坦化層１６に凹面１５ａを有する反射層１５を形成しているので、図２に示すように機能層１２で発光し、透光性の陽極１０を透過して下地層（平坦化層１６）側に向かった光が反射層１５で反射し、透光性の陰極１１を通って観察面側である対向基板３０側に出射するようになる。その際、反射層１５が凹面１５ａを有していることから、この反射層１５を反射した光は観察面の所定領域、すなわちサブ画素領域（単位画素領域）３５の各着色層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂに集光され、対向基板３０の外側に射出される。したがって、反射光が別の（例えば隣の）サブ画素領域３５（着色層）を通って取り出されてしまうことにより、コントラストが低下したり、本来の表示とは異なる色の表示がなされてしまうといった不都合が防止される。
よって、本実施形態の有機ＥＬ装置１によれば、特にトップエミッション型の装置において、より光の取り出し効率を高めることができ、これにより高精細化を図ることができる。
【００５０】
次に、本発明の有機ＥＬ装置の第２実施形態を説明する。
図４は、図１の表示領域Ｌを模式的に示す図であって、第２実施形態の有機ＥＬ装置の概略構成を説明するための図である。
図４に示した有機ＥＬ装置が図１、図２に示した有機ＥＬ装置１と異なるところは、図４に示した有機ＥＬ装置では、ブラックスマトリクス層（遮光層）３２上に反射凸部６０が設けられている点である。
【００５１】
すなわち、前記の第１実施形態の有機ＥＬ装置１では、凹面１５ａを有する反射層１５を設けたことで、陽極１０を透過して下地層（平坦化層１６）側に向かう光をサブ画素領域（単位画素領域）３５の各着色層３７Ｒ（３７）に集光させるようにしたが、有機ＥＬ素子２１から直接対向基板３０側に向かう光については、図２中破線の矢印で示すように一部がブラックマトリクス層３２に向かってしまう。すると、この光はブラックマトリクス層３２で吸収されてしまうことから、その分光の取り出し効率が低下することになる。
【００５２】
そこで、本実施形態では、図４に示すようにブラックスマトリクス層（遮光層）３２上に反射凸部６０を設けることで、ブラックマトリクス層３２に向かった光をこの反射凸部６０で反射し、対応する位置にある反射層１５に戻し、この反射層１５で再度反射させることにより、サブ画素領域（単位画素領域）３５の各着色層３７Ｒ（３７）に向けて射出させるようにしたものである。
【００５３】
この反射凸部６０は、ブラックスマトリクス層３２上に直接形成されていてもよいが、図１に示したオーバーコート層３８上に形成されていてもよく、さらにはガスバリア層３９上に形成されていてもよい。本実施形態では、特に無機材料（例えばＳｉＯ２）からなるオーバーコート層３８（図４では省略）上に形成されているものとする。
【００５４】
また、この反射凸部６０は、これが設けられたブラックスマトリクス層（遮光層）３２に隣接するサブ画素領域３５、３５にそれぞれ対応した有機ＥＬ素子２１の直下に位置する反射層１５に、向くように形成されている。すなわち、反射凸部６０は、これが設けられたブラックスマトリクス層（遮光層）３２の一方の側に隣接するサブ画素領域３５Ｒ側には、このサブ画素領域３５Ｒに対応する有機ＥＬ素子２１Ｒの直下に位置する反射層１５Ｒに向く反射面６０ａが形成され、他方の側に隣接するサブ画素領域３５Ｇ側には、このサブ画素領域３５Ｇに対応する有機ＥＬ素子２１Ｇの直下に位置する反射層１５Ｇに向く反射面６０ｂが形成されている。
【００５５】
これら各反射面６０ａ、６０ｂの境界は、例えばブラックマトリクス層３２の中心線（二等分線）上とされる。また、これら反射面６０ａ、６０ｂは、本実施形態では凹面になっており、ここで反射した光が対応する反射層１５により良好に集光できるようになっている。
また、反射凸部６０は、例えばアクリル樹脂からなる基部（図示せず）と、その外面に設けられた反射膜とによって形成されている。すなわち、アクリル樹脂等によって凹面からなる反射面の形状が付与された基部が形成され、さらにその外面にＡｌ等の反射性材料が成膜されたことにより、形成されている。
【００５６】
このような反射凸部６０の形成にあたっては、対向基板本体３１に対して着色層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ及びブラックマトリクス層３２を形成し、さらにその上にオーバーコート層３８を形成した後、このオーバーコート層３８上に例えばアクリル樹脂を配する。続いて、レジストパターンを用いたドライエッチング（又はウエットエッチング）や、ナノインプリントにより、反射面となる所望の凹面形状を有する基部を形成する。その後、例えばレジストパターンを用いることにより、反射面となる面上にＡｌ等の反射性材料を選択的に成膜する。これにより、反射凸部６０が得られる。
【００５７】
なお、各着色層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ上に無機材料からなるオーバーコート層３８を形成した後、このオーバーコート層３８上に反射凸部６０を形成することから、このオーバーコート層３８により、各工程で着色層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂにダメージが与えられてしまうことが防止されている。
【００５８】
このような反射凸部６０を形成した有機ＥＬ装置にあっては、有機ＥＬ素子２１で発光した光のうち、対向基板３０側に出射した光の一部が、対応するサブ画素領域３５に向かって直進せずに斜め方向に進み、ブラックマトリクス層３２に向かっても、反射凸部６０の反射面６０ａ（６０ｂ）によって対応する反射層１５に向けて反射することができる。したがって、反射層１５でさらに反射することにより、この反射光を対応するサブ画素領域３５から出射させることができ、光の取り出し効率をより一層高めることができる。
【００５９】
また、反射凸部６０の反射面６０ａ、６０ｂを、対応する反射層１５に集光可能となる凹面にしているので、これら反射面６０ａ、６０ｂで反射した光を、それぞれ対応する反射層１５により良好に反射し、集光させることができ、これによって光の取り出し効率をさらに高めることができる。
【００６０】
次に、本発明の有機ＥＬ装置の第３実施形態を説明する。
図５は、図１の表示領域Ｌを模式的に示す図であって、第３実施形態の有機ＥＬ装置の概略構成を説明するための図である。
図５に示した有機ＥＬ装置が図４に示した有機ＥＬ装置と異なるところは、図５に示した有機ＥＬ装置では、対向基板３０にブラックスマトリクス層（遮光層）３２が形成されずに、隣り合うサブ画素領域（単位画素領域）３５、３５間に直接、あるいは間接的に反射体６５が設けられている点である。
【００６１】
すなわち、この反射体６５は、対向基板本体３１上に直接形成されていてもよいが、図１に示したオーバーコート層３８上に形成されていてもよく、さらにはガスバリア層３９上に形成されていてもよい。本実施形態では、無機材料からなるオーバーコート層３８（図５では省略）を形成した後、このオーバーコート層３８上に形成されているものとする。
【００６２】
反射体６５は、図４に示した反射凸部６０と同様に、これが設けられた位置に隣接するサブ画素領域３５、３５にそれぞれ対応した有機ＥＬ素子２１の直下に位置する反射層１５に、向くように形成されている。すなわち、反射体６５は、これが設けられたサブ画素領域３５、３５間における一方の側に隣接するサブ画素領域３５Ｒ側には、このサブ画素領域３５Ｒに対応する有機ＥＬ素子２１Ｒの直下に位置する反射層１５Ｒに向く反射面６５ａが形成され、他方の側に隣接するサブ画素領域３５Ｇ側には、このサブ画素領域３５Ｇに対応する有機ＥＬ素子２１Ｇの直下に位置する反射層１５Ｇに向く反射面６５ｂが形成されている。
【００６３】
これら各反射面６５ａ、６５ｂの境界は、例えばこれが設けられたサブ画素領域３５、３５間の中心線（二等分線）上とされる。また、これら反射面６５ａ、６５ｂは、本実施形態でも凹面になっており、ここで反射した光が対応する反射層１５により良好に集光できるようになっている。
また、反射体６５は、Ａｌ等の反射性金属によって形成されている。あるいは、前記反射凸部６０と同様に、例えばアクリル樹脂からなる基部（図示せず）と、その外面に設けられた反射膜とによって形成されていてもよい。
【００６４】
このような反射体６５を、Ａｌ等の反射性金属によって形成する場合には、対向基板本体３１に対して着色層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを形成し、さらにこれを覆って対向基板本体３１上にオーバーコート層３８を形成した後、このオーバーコート層３８上に例えばスパッタ法等によってＡｌを成膜する。その後、レジストパターンを用いたドライエッチングにより、凹面形状の反射面６５ａ、６５ｂを有する反射体６５を形成する。なお、を基部と反射膜とによって形成する場合には、図４に示した反射凸部６０と同じ工程によって形成することができる。
【００６５】
このようにして反射体６５を形成しても、第２実施形態と同様に無機材料からなるオーバーコート層３８上に反射体６５を形成することから、このオーバーコート層３８によって各工程で着色層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂにダメージが与えられてしまうことが防止されている。
【００６６】
このような反射体６５を形成した有機ＥＬ装置にあっても、有機ＥＬ素子２１で発光した光のうち、対向基板３０側に出射した光の一部が、対応するサブ画素領域３５に向かって直進せずに斜め方向に進み、サブ画素領域３５、３５間に向かっても、反射体６５の反射面６５ａ（６５ｂ）によって対応する反射層１５に向けて反射することができる。したがって、反射層１５でさらに反射することにより、この反射光を対応するサブ画素領域３５から出射させることができ、光の取り出し効率をより一層高めることができる。
【００６７】
また、反射体６５の反射面６５ａ、６５ｂを、対応する反射層１５に集光可能となる凹面にしているので、これら反射面６５ａ、６５ｂで反射した光を、それぞれ対応する反射層１５により良好に反射し、集光させることができ、これによって光の取り出し効率をさらに高めることができる。
さらに、この有機ＥＬ装置にあっては、反射体６５でブラックマトリクス層（遮光層）を兼ねることができ、対向基板３０の製造工程を簡略化することができる。
【００６８】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
例えば、前記実施形態では、図２、図４、図５中実線で示したように陽極１０を、平面視した状態で反射層１５に重なるように形成したが、図２、図４、図５中二点鎖線で示すように陽極１０を、平面視した状態で反射層１５より小さくし、したがって反射層１５から外に出ることなく、該反射層１５の内側に位置しているように形成してもよい。
このようにすれば、陽極１０を斜め方向に通って陽極１０の外側に抜けて平坦化層（下地層）１６側に射出した光も、反射層１５で反射させ、対応するサブ画素領域３５に向かわせることができる。
【００６９】
また、前記実施形態では、反射層１５の凹面形状を、球の内面状に形成したが、例えばこの反射層の周辺部のみを凹面形状にし、中央部は平坦に形成してもよい。
また、第２実施形態、第３実施形態では、例えばサブ画素領域３５、３５間の幅をサブ画素領域３５の幅（径）より大きく（広く）し、有機ＥＬ素子２１からの発光光の取り出し効率をより高めるようにしてもよい。
さらに、反射凸部６０の凹面（反射面６０ａ、６０ｂ）や反射体６５の凹面（反射面６５ａ、６５ｂ）の径を、反射層１５の凹面の径より大きくし、有機ＥＬ素子２１からの発光光の取り出し効率をより高めるようにしてもよい。
また、反射凸部６０の反射面６０ａ、６０ｂや反射体６５の反射面６５ａ、６５ｂを、凹面に形成することなく、平面に形成してもよい。
【００７０】
次に、本発明における有機ＥＬ装置の応用例としての電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。図６は、携帯電話６００の全体構成を示す斜視図である。携帯電話６００は、筺体６０１、複数の操作ボタンが設けられた操作部６０２、画像や動画、文字等を表示する表示部６０３を有する。表示部６０３は、本発明の有機ＥＬ装置からなっている。
このように、表示部６０３として光取り出し効率が高められた有機ＥＬ装置を備えているので、電子機器（携帯電話）６００の表示性能を向上することができる。
【００７１】
なお、電子機器としては、前記携帯電話６００以外にも、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）、およびエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどを挙げることができる。
【符号の説明】
【００７２】
１…有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）、１０…陽極、１１…陰極、１２…機能層、１５…反射層、１５ａ…凹面、１６…平坦化層（下地層）、２０…素子基板、２１…有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）、３０…対向基板、３２…ブラックマトリクス層（遮光層）、３５…サブ画素領域（単位画素領域）、３７…カラーフィルター層、３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ…着色層、６０…反射凸部、６０ａ、６０ｂ…反射面、６５…反射体、６５ａ、６５ｂ…反射面
【図１】
2011228229.tif 000003
【図２】
2011228229.tif 000004
【図３】
2011228229.tif 000005
【図４】
2011228229.tif 000006
【図５】
2011228229.tif 000007
【図６】
2011228229.tif 000008