(57)【要約】【課題】断線が防止された信頼性の高い導体パターンを形成することができ、液滴の吐出安定性に優れた導体パターン形成用インクを提供すること、信頼性の高い導体パターンを提供すること、および、このような導体パターンを備え、信頼性の高い配線基板を提供すること。【解決手段】本発明の導体パターン形成用インクは、液滴吐出法により、基板上に導体パターンを形成するための導体パターン形成用インクであって、金属粒子と、前記金属粒子が分散する水系分散媒と、ポリグリセロール変性シリコーンとを含むことを特徴とする導体パターン形成用インク。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴吐出法により、基板上に導体パターンを形成するための導体パターン形成用インクであって、
金属粒子と、前記金属粒子が分散する水系分散媒と、ポリグリセロール変性シリコーンとを含むことを特徴とする導体パターン形成用インク。
【請求項２】
前記ポリグリセロール変性シリコーンは、下記構造式（１）、（２）、（３）、（４）または（５）で表わされるグリセロール基またはグリシドール基を含んで構成されるポリグリセロール鎖を有するものである請求項１に記載の導体パターン形成用インク。
【化１】
2011144228.tif 000015
【請求項３】
前記ポリグリセロール変性シリコーンのうち、少なくとも１つの前記ポリグリセロール鎖は、エーテル基を有する２価の連結基を介して、シリコーンのケイ素原子に結合している請求項２に記載の導体パターン形成用インク。
【請求項４】
前記ポリグリセロール変性シリコーンは、下記式（６）で表わされるものである請求項１ないし３のいずれかに記載の導体パターン形成用インク。
【化２】
2011144228.tif 000016
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｔ個のＲ４、ｔ個のＲ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、同一または異なって、ポリグリセロール鎖が結合した連結基、置換基を有していてもよく、フッ素原子で置換されていてもよい、炭素数１以上２２以下の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基、アルケニル基またはアルコシキ基、あるいは炭素数６以上２２以下のアリール基を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｔ個のＲ４、ｔ個のＲ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８のうち少なくとも１つはポリグリセロール鎖が結合した連結基である。ｐは０以上１０，０００以下の数を示す。）
【請求項５】
導体パターン形成用インク中における前記ポリグリセロール変性シリコーンの含有量は、０．１ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下である請求項１ないし４のいずれかに記載の導体パターン形成用インク。
【請求項６】
前記ポリグリセロール変性シリコーンの数平均分子量は、５００以上５０００００以下である請求項１ないし５のいずれかに記載の導体パターン形成用インク。
【請求項７】
前記基板は、ガラス材料を含む請求項１ないし６のいずれかに記載の導体パターン形成用インク。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の導体パターン形成用インクによって形成されたことを特徴とする導体パターン。
【請求項９】
請求項８に記載の導体パターンが備えられてなることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体パターン形成用インク、導体パターン、配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品が実装される回路基板（配線基板）として、セラミックスで構成された基板（セラミックス基板）上に、金属材料で構成された配線が形成されたセラミックス回路基板が、広く用いられている。このようなセラミックス回路基板では、基板（セラミックス基板）自体が、多機能性材料で構成されているため、多層化による内装部品の形成、寸法の安定性等の点で有利である。
【０００３】
そして、このようなセラミックス回路基板は、セラミックス粒子とバインダーとを含む材料で構成されたセラミックス成形体上に、形成すべき配線（導体パターン）に対応するパターンで、金属粒子を含む組成物を付与し、その後、当該組成物が付与されたセラミックス成形体に対し、脱脂、焼結処理を施すことにより製造されている。
セラミックス成形体上へのパターン形成の方法としては、スクリーン印刷法が広く用いられている。その一方で、近年、配線の微細化、狭ピッチ化による回路基板の高密度化が求められているが、スクリーン印刷法では、配線の微細化、狭ピッチ化に不利であり、上記のような要求に応えるのが困難である。そこで、近年、セラミックス成形体上へのパターン形成の方法として、液体吐出ヘッドから金属粒子を含む液体材料（導体パターン形成用インク）を液滴状に吐出する液滴吐出法、いわゆるインクジェット法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この方法によれば、従来の方法と比較して、微細な導体パターンを形成することが可能であり、回路密度の向上に有利である。
【０００４】
しかしながら、従来の導体パターン形成用インクでは、セラミックス成形体に、脱脂、焼結処理を施した際に、セラミックス成形体の熱膨張によって、形成した導体パターンの一部に断線が生じてしまうといった問題があった。特に、近年の配線の微細化、狭ピッチ化による回路基板の高密度化に伴い、このような問題の発生が顕著であった。
また、配線の微細化、狭ピッチ化に伴い、より微細なパターンを形成することが求められている。このため、導体パターン形成用インクの液滴の吐出量の安定性（均一性）、液滴の着弾精度等の液滴の吐出安定性についてより一層の向上が求められている。しかしながら、導体パターンの形成に用いる液滴吐出装置（産業用）は、プリンターに適用されるもの（民生用）とは全く異なるものであり、例えば、大量生産を行うため、大量の液滴を長時間にわたって連続で吐出することが求められる。また、導体パターンの形成に用いるインク（産業用）では、プリンターに適用されるもの（民生用）で用いるインクに比べて、一般に、吐出時の液切れも悪く、インクジェットヘッドの吐出部（ノズル）や吐出面にインクが残存しやすい。この結果、継続して吐出した場合、インクに含まれる成分が液滴吐出装置のインクの流路に付着し、液滴吐出ヘッドへのインクの供給が不安定になりやすい。また、導体パターンの形成に用いるインク（産業用）は、プリンターに適用されるもの（民生用）で用いるインクに比べて、組成に制限が多く、乾燥性や再溶解性等の特性が十分ではなく、金属粒子等の固形分が析出、あるいは凝集して、液滴吐出ヘッドの吐出部の目詰まりを起こしやすく、液滴の飛行曲がりが頻発する問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−８４３８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、断線が防止された信頼性の高い導体パターンを形成することができ、液滴の吐出安定性に優れた導体パターン形成用インクを提供すること、信頼性の高い導体パターンを提供すること、および、このような導体パターンを備え、信頼性の高い配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の導体パターン形成用インクは、液滴吐出法により、基板上に導体パターンを形成するための導体パターン形成用インクであって、
金属粒子と、前記金属粒子が分散する水系分散媒と、ポリグリセロール変性シリコーンとを含むことを特徴とする。
これにより、断線が防止された信頼性の高い導体パターンを形成することができ、液滴の吐出安定性に優れた導体パターン形成用インクを提供することができる。
【０００８】
本発明の導体パターン形成用インクでは、前記ポリグリセロール変性シリコーンは、下記構造式（１）、（２）、（３）、（４）または（５）で表わされるグリセロール基またはグリシドール基を含んで構成されるポリグリセロール鎖を有するものであることが好ましい。
【化１】
2011144228.tif 000003
このような基で構成されることにより、ポリグリセロール鎖は水酸基を十分に有することができ、水系分散媒の揮発を防止することができるとともに、水系分散媒への溶解性を高いものとすることができる。この結果、液滴の吐出安定性が向上するとともに、クラック、断線の発生をより効果的に防止することができる。
【０００９】
本発明の導体パターン形成用インクでは、前記ポリグリセロール変性シリコーンのうち、少なくとも１つの前記ポリグリセロール鎖は、エーテル基を有する２価の連結基を介して、シリコーンのケイ素原子に結合していることが好ましい。
これにより、ポリグリセロール鎖が安定してシリコーン骨格に結合するものとなり、ポリグリセロール変性シリコーンの耐熱性が向上し、導体パターンの断線をより確実に防止することができる。
【００１０】
本発明の導体パターン形成用インクでは、前記ポリグリセロール変性シリコーンは、下記式（６）で表わされるものであることが好ましい。
【化２】
2011144228.tif 000004
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｔ個のＲ４、ｔ個のＲ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、同一または異なって、ポリグリセロール鎖が結合した連結基、置換基を有していてもよく、フッ素原子で置換されていてもよい、炭素数１以上２２以下の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基、アルケニル基またはアルコシキ基、あるいは炭素数６以上２２以下のアリール基を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｔ個のＲ４、ｔ個のＲ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８のうち少なくとも１つはポリグリセロール鎖が結合した連結基である。ｐは０以上１０，０００以下の数を示す。）
これにより、ポリグリセロール変性シリコーンの効果をより顕著に得ることができ、導体パターン形成用インクは、液滴の吐出安定性に特に優れ、形成される導体パターンの断線がより確実に防止されたものとなる。
【００１１】
本発明の導体パターン形成用インクでは、導体パターン形成用インク中における前記ポリグリセロール変性シリコーンの含有量は、０．１ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であることが好ましい。
これにより、ポリグリセロール変性シリコーンの含有量が高すぎて導体パターン形成用インクの液滴の吐出安定性が低下することを防止しつつ、ポリグリセロール変性シリコーンの効果を十分に発揮することができる。
【００１２】
本発明の導体パターン形成用インクでは、前記ポリグリセロール変性シリコーンの数平均分子量は、５００以上５０００００以下であることが好ましい。
これにより、導体パターン形成用インクの粘度を十分に低いものとしつつ、ポリグリセロール変性シリコーンは、断線およびクラックの発生をより好適に防止することができる。
【００１３】
本発明の導体パターン形成用インクでは、前記基板は、ガラス材料を含むことが好ましい。
これにより、得られる基板と導体パターン前駆体との間での密着性が高まる。この結果、形成される導体パターンは、より信頼性の高いものとなる。
本発明の導体パターンは、本発明の導体パターン形成用インクによって形成されたことを特徴とする。
これにより、信頼性の高い導体パターンを提供することができる。
本発明の配線基板は、本発明の導体パターンが備えられてなることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の配線基板（セラミックス回路基板）の好適な実施形態の一例を示す縦断面図である。
【図２】図１に示す配線基板（セラミックス回路基板）の製造方法の概略の工程を示す説明図である。
【図３】図１の配線基板（セラミックス回路基板）の製造工程説明図である。
【図４】インクジェット装置の概略構成を示す斜視図である。
【図５】インクジェットヘッドの概略構成を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の配線基板（セラミックス回路基板）の好適な実施形態の一例を示す縦断面図、図２は、図１に示す配線基板（セラミックス回路基板）の製造方法の概略の工程を示す説明図、図３は、図１の配線基板（セラミックス回路基板）の製造工程説明図、図４は、インクジェット装置（液滴吐出装置）の概略構成を示す斜視図、図５は、図４の液滴吐出装置が備えるインクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド）の概略構成を説明するための模式図である。
【００１６】
《導体パターン形成用インク》
本発明の導体パターン形成用インクは、基板上に導体パターンを形成するのに用いるインクであり、特に、液滴吐出法によって導体パターンを形成するのに用いるインクである。
なお、本実施形態では、金属粒子を水系分散媒に分散してなる分散液として、銀粒子が分散した分散液を用いた場合について代表的に説明する。
【００１７】
また、導体パターンが形成される基板は、いかなるものであってもよいが、本実施形態では、基板としてセラミックスを主として構成されたセラミックス基板を用いることとする。また、本実施形態では、セラミックスとバインダーとを含む材料で構成されたシート状のセラミックス成形体（セラミックスグリーンシート）に導体パターン形成用インクを付与するものとして説明する。なお、セラミックス成形体は、後述するように焼結処理され、セラミックス基板となる。
以下、導体パターン形成用インクの各構成成分について詳細に説明する。
【００１８】
［水系分散媒］
まず、水系分散媒について説明する。
本発明において、「水系分散媒」とは、水および／または水との相溶性に優れる液体（例えば、２５℃における水：１００ｇに対する溶解度が３０ｇ以上の液体）で構成されたもののことを指す。このように、水系分散媒は、水および／または水との相溶性に優れる液体で構成されたものであるが、主として水で構成されたものであるのが好ましく、特に、水の含有率が７０ｗｔ％以上のものであるのが好ましく、９０ｗｔ％以上のものであるのがより好ましい。
【００１９】
水系分散媒の具体例としては、例えば、水、メタノール、エタノール、ブタノール、プロパノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等のエーテル系溶媒、ピリジン、ピラジン、ピロール等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、アセトニトリル等のニトリル系溶媒、アセトアルデヒド等のアルデヒド系溶媒等が挙げられ、これらのうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、導体パターン形成用インク中における水系分散媒の含有量は、２５ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下であることが好ましく、３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であることがより好ましい。これにより、インクの粘度を好適なものとしつつ、分散媒の揮発による粘度の変化を少ないものとすることができる。
【００２０】
［銀粒子］
次に、銀粒子（金属粒子）について説明する。
銀粒子は、形成される導体パターンの主成分であり、導体パターンに導電性を付与する成分である。
また、銀粒子は、インク中において分散している。
銀粒子の平均粒径は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのが好ましく、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であるのがより好ましい。これにより、インクの吐出安定性をより高いものとすることができるとともに、微細な導体パターンを容易に形成することができる。なお、本明細書では、「平均粒径」とは、特に断りのない限り、体積基準の平均粒径のことを指すものとする。
【００２１】
また、インク中に含まれる銀粒子（分散剤が表面に吸着していない銀粒子（金属粒子））の含有量は、０．５ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下であるのが好ましく、１０ｗｔ％以上４５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、導体パターンの断線をより効果的に防止することができ、より信頼性の高い導体パターンを提供することができる。
また、銀粒子（金属粒子）は、その表面に分散剤が付着した銀コロイド粒子（金属コロイド粒子）として、水系分散媒中に分散していることが好ましい。これにより、銀粒子の水系分散媒への分散性が特に優れたものとなり、インクの吐出安定性が特に優れたものとなる。
【００２２】
インク中における銀コロイド粒子の含有量は、１ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下であるのが好ましく、１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。銀コロイド粒子の含有量が前記下限値未満であると、銀の含有量が少なく、導体パターンを形成した際、比較的厚い膜を形成する場合に、複数回重ね塗りする必要が生じる。一方、銀コロイド粒子の含有量が前記上限値を超えると、銀の含有量が多くなり、分散性が低下し、これを防ぐためには攪拌の頻度が高くなる。
【００２３】
また、銀コロイド粒子の熱重量分析における５００℃までの加熱減量は、１ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下が好ましい。コロイド粒子（固形分）を５００℃まで加熱すると、表面に付着した分散剤等が酸化分解され、大部分のものはガス化されて消失する。５００℃までの加熱による減量は、銀コロイド粒子中の分散剤の量にほぼ相当すると考えられる。加熱減量が１ｗｔ％未満であると、銀粒子に対する分散剤の量が少なく、銀粒子の充分な分散性が低下する。一方、２５ｗｔ％を超えると、銀粒子に対する残留分散剤の量が多なり、導体パターンの比抵抗が高くなる。但し、比抵抗は、導体パターンの形成後に加熱焼結して有機分を分解消失させることである程度改善することができる。そのため、基板として、より高温で焼結されるセラミックス成形体等を用いた場合、このような効果を容易に得ることができる。
【００２４】
［分散剤］
導体パターン形成用インクは、分散剤を含むことが好ましい。
分散剤は、銀粒子に付着することにより、銀コロイド粒子を形成する。このような銀コロイド粒子は、分散安定性に優れるため、導体パターン形成用インクの液滴の吐出安定性は、より優れたものとなる。
【００２５】
分散剤としては、特に限定されないが、ＣＯＯＨ基とＯＨ基とを合わせて３個以上有し、かつ、ＣＯＯＨ基の数がＯＨ基と同じか、それよりも多いヒドロキシ酸またはその塩を含むことが好ましい。これらの分散剤は、銀粒子の表面に吸着してコロイド粒子を形成し、分散剤中に存在するＣＯＯＨ基の電気的反発力によって銀コロイド粒子を水溶液中に均一に分散させてコロイド液を安定化する働きを有する。このように、銀コロイド粒子が安定してインク中に存在することにより、より容易に微細な導体パターンを形成することができる。また、インクによって形成されたパターン（導体パターン前駆体）において銀粒子が均一に分布し、クラック、断線等が発生しにくいものとなる。これに対して、分散剤中のＣＯＯＨ基とＯＨ基の数が３個未満であったり、ＣＯＯＨ基の数がＯＨ基の数よりも少ないと、銀コロイド粒子の分散性が十分に得られない場合がある。
【００２６】
このような分散剤としては、例えば、クエン酸、りんご酸、クエン酸三ナトリウム、クエン酸三カリウム、クエン酸三リチウム、クエン酸三アンモニウム、りんご酸二ナトリウム、タンニン酸、ガロタンニン酸、五倍子タンニン等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、分散剤は、ＣＯＯＨ基とＳＨ基とを合わせて２個以上有するメルカプト酸またはその塩を含んでいてもよい。これらの分散剤は、メルカプト基が銀粒子の表面に吸着してコロイド粒子を形成し、分散剤中に存在するＣＯＯＨ基の電気的反発力によってコロイド粒子を水溶液中に均一に分散させてコロイド液を安定化する働きを有する。このように、銀コロイド粒子が安定してインク中に存在することにより、より容易に微細な導体パターンを形成することができる。また、インクによって形成されたパターン（導体パターン前駆体）において銀粒子が均一に分布し、クラック、断線等が発生しにくいものとなる。これに対して、分散剤中のＣＯＯＨ基とＳＨ基の数が２個未満すなわち片方のみであると、銀コロイド粒子の分散性が十分に得られない場合がある。
【００２７】
このような分散剤としては、例えば、メルカプト酢酸、メルカプトプロピオン酸、チオジプロピオン酸、メルカプトコハク酸、チオ酢酸、メルカプト酢酸ナトリウム、メルカプトプロピオン酸ナトリウム、チオジプロピオン酸ナトリウム、メルカプトコハク酸二ナトリウム、メルカプト酢酸カリウム、メルカプトプロピオン酸カリウム、チオジプロピオン酸カリウム、メルカプトコハク酸二カリウム等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２８】
［有機バインダー］
本発明の導体パターン形成用インクは、有機バインダーを含んでいる。有機バインダーは、導体パターン形成用インクによって形成された導体パターン前駆体において、銀粒子の凝集を防止するものである。すなわち、形成された導体パターン前駆体において、有機バインダーは、銀粒子同士の間に存在することで銀粒子同士が凝集して、パターンの一部に亀裂（クラック）が生じることを防止できる。
【００２９】
また、焼結時においては、有機バインダーは、分解されて除去されることができ、導体パターン前駆体中の銀粒子同士は、結合して導体パターンを形成する。このとき、導体パターン前駆体は、有機バインダー等の有機物が除去されるため、収縮しつつ導体パターンを形成する。一方で、導体パターン前駆体を担持する基板も、熱により膨張、収縮する。特に、セラミックス粒子とバインダーとを含むセラミックス成形体においては、焼結時においてバインダーが除去されるため、このような膨張、収縮がより大きいものとなっている。導体パターン前駆体は、有機バインダーを含むことにより、柔軟性を有し、このような基板の膨潤、収縮に追従することができ、形成される導体パターンの断線が防止される。
【００３０】
（ポリグリセロール変性シリコーン）
本発明において、導体パターン形成用インクは、有機バインダーとしてポリグリセロール変性シリコーンを含む。ポリグリセロール変性シリコーンは、シリコーンを基本骨格として、ポリグリセロール鎖が当該基本骨格（シリコーン骨格）に結合した化合物である。
ポリグリセロール変性シリコーンは、シリコーン骨格を有するため、比較的耐熱性が高く、比較的高温にて分解する。このため、ポリグリセロール変性シリコーンを含む導体パターン前駆体は、長期にわたって、基板の収縮、膨張に対する追従性に優れたものとなり、断線が防止される。すなわち、ポリグリセロール変性シリコーンは、耐熱性に優れることにより後述するような他の有機バインダーと比較してより長期にわたって、導体パターン前駆体中に存在でき、断線を防止する効果に優れている。特に、上記のような粒径の金属粒子を含む導体パターン形成用インクでは、一般に、スクリーン用のＡｇペースト（金属粒子の粒径がμｍオーダー）等と比較して、金属粒子（ナノコロイド）の融着が低温で起きてしまい、基材との間での収縮性の違いから、断線、クラックが生じやすく、また、セラミックス基板の反り、めくれ等の寸法安定性による問題も生じやすいという課題があるが、本発明では、ポリグリセロール変性シリコーンを含むことにより、断線等の問題を確実に防止することができる。
【００３１】
さらに、ポリグリセロール変性シリコーンのシリコーン骨格は、焼結により二酸化ケイ素となり、基板への密着性の向上に付与することができ、導体パターンの断線をより効果的に防止できるものとなる。このような効果は、セラミックス成形体（基板）にガラス材料が含まれる場合に顕著なものとなる。
一方で、ポリグリセロール変性シリコーンのポリグリセロール鎖は、ポリグリセロール変性シリコーンを嵩高くしており、銀粒子同士の間にポリグリセロール変性シリコーンが存在することにより、銀粒子同士の接触が十分に防止される。
【００３２】
また、ポリグリセロール変性シリコーンのポリグリセロール鎖は、多量の水酸基を有している。このため、水系分散媒への溶解性が高いものとなり、導体パターン形成用インク中を容易に運動できる結果、容易に銀粒子同士の間に存在することができ、クラックの発生を防止することができる。
また、ポリグリセロール鎖が多量の水酸基を有することにより、水系分散媒の揮発を防止することができる。これにより、導体パターン形成用インクの液滴の吐出時において、液滴吐出ヘッドの吐出口付近における水系分散媒の揮発を防止でき、金属粒子の析出、凝集等を防止することができる。この結果、導体パターン形成用インクは、長期にわたって、液滴の吐出量の均一性、液滴の着弾精度が優れたものとなり、液滴の吐出安定性に優れたものとなり、微細な形状の導体パターン前駆体を描画することができるものとなる。また、後述するような乾燥抑制剤の含有量を比較的少ないものとすることができる。
以上より、導体パターン形成用インクがポリグリセロール変性シリコーンを含むことにより、導体パターン形成用インクの液滴の吐出安定性は優れたものとなり、かつ、導体パターン形成用インクを用いて、断線、クラックの発生が防止された信頼性の高い導体パターンを形成することができる。
【００３３】
上述したようなポリグリセロール変性シリコーンを構成するポリグリセロール鎖は、ａ個の構造式（１）で表されるグリセロール基（以下、基（１）という）、ｂ個の構造式（２）で表されるグリシドール基（以下、基（２）という）、ｃ個の構造式（３）で表されるグリセロール基（以下、基（３）という）、ｄ個の構造式（４）で表されるグリセロール基（以下、基（４）という）、ｅ個の構造式（５）で表されるグリセロール基（以下、基（５）という）が結合（重合）してなるものとして表わすことができる。このような基で構成されることにより、ポリグリセロール鎖は水酸基を十分に有することができ、水系分散媒の揮発を防止することができるとともに、水系分散媒への溶解性を高いものとすることができる。この結果、液滴の吐出安定性が向上することともに、クラック、断線の発生をより効果的に防止することができる。
なお、上記の各基間の結合では、ある基の酸素原子に対して、他の基の炭素元素がエーテル結合するように構成されている。
【００３４】
【化３】
2011144228.tif 000005
【００３５】
特に、ポリグリセロール鎖が上述したような構造式のうち、基（１）または基（５）を含む場合、ポリグリセロール鎖は、分岐鎖を有する分岐ポリグリセロール鎖となる。このような場合、ポリグリセロール変性シリコーンは、比較的嵩高い分子となり、銀粒子同士の間に介在することによる銀粒子同士の接触（凝集や融着）を防止することがより容易となる。このため、導体パターン前駆体にクラックが生じることをより確実に防止することができる。また、このように分岐鎖を有することで、ポリグリセロール変性シリコーンの一分子あたりの水酸基の量が多いものとなり、この結果、液滴の吐出安定性が向上することともに、クラックの発生をより効果的に防止することができる。
【００３６】
なお、基（１）および基（５）の数が多いほど、ポリグリセロール鎖の分岐構造が発達したものとなる。そして、ポリグリセロール鎖の末端（分岐鎖を有する場合には、各分岐鎖の末端）には、基（４）が存在する。
また、ポリグリセロール鎖中において、基（１）、（２）、（３）および（５）は、任意の配列で相互に結合していてもよい。
【００３７】
ポリグリセロール鎖の、基（１）、（２）、（３）、（４）および（５）の平均結合総数（重合度、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）は、４以上であることが好ましく、４以上１０１以下であることがより好ましく、４以上５１以下であることがさらに好ましく、４以上２１以下であることが最も好ましい。これにより、ポリグリセロール変性シリコーンの水系分散媒への親和性が高いものとなり、導体パターン形成用インクの液滴の吐出安定性がより優れたものとなる。
【００３８】
なお、ポリグリセロール鎖の平均重合度は、ＮＭＲによる解析および前駆体シリコーンとの分子量比較により求められる。
分岐ポリグリセロール鎖中の分岐の割合は、［（ａ＋ｅ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）］とすることができ、１／２０以上１／２未満であることが好ましく、１／１０以上１／２未満であることがより好ましく、１／６以上１／２未満であることがさらに好ましい。これにより、ポリグリセロール変性シリコーンが十分嵩高くなり、銀粒子同士の接触を防止できる結果、導体パターン前駆体のクラックの発生がより効果的に防止される。また、過度にポリグリセロール鎖が嵩高くなって、水系分散媒への溶解性が低下することを防止することができる。
【００３９】
各ポリグリセロール鎖中における基（１）の数（ａ）は、特に限定されないが、２以上１００以下であることが好ましく、２以上２５以下であることがより好ましく、２以上１０以下であることがさらに好ましい。
各ポリグリセロール鎖中における基（２）の数（ｂ）は、特に限定されないが、１以上１０１以下であることが好ましく、３以上２６以下であることがより好ましく、３以上１１以下であることがさらに好ましい。
【００４０】
各ポリグリセロール鎖中における基（３）の数（ｃ）は、特に限定されないが、１以上１０１以下であることが好ましく、３以上２６以下であることがより好ましく、３以上１１以下であることがさらに好ましい。
各ポリグリセロール鎖中における基（４）の数（ｄ）は、特に限定されないが、１以上１０１以下であることが好ましく、３以上２６以下であることがより好ましく、３以上１１以下であることがさらに好ましい。
【００４１】
各ポリグリセロール鎖中における基（４）の数（ｄ）は、特に限定されないが、１以上１０１以下であることが好ましく、３以上２６以下であることがより好ましく、３以上１１以下であることがさらに好ましい。
各ポリグリセロール鎖中における基（５）の数（ｅ）は、ａが０のときは１であり、ａが１以上のときは、０または１が好ましい。
【００４２】
また、ポリグリセロール変性シリコーンは、ポリグリセロール鎖が、連結基を介してシリコーン骨格に結合されることが好ましい。シリコーン骨格に結合しやすい連結基を介してポリグリセロール鎖が結合されることにより、ポリグリセロール変性シリコーンは、化学的により安定なものとなり、上述したような効果が十分に発揮される。
連結基としては、特に限定されないが、例えば、エーテル基またはエステル基を有する２価または３価の連結基が挙げられる。これにより、ポリグリセロール鎖が安定してシリコーン骨格に結合するものとなり、ポリグリセロール変性シリコーンの耐熱性が向上する。なお、上記の連結基は、シリコーン骨格のケイ素原子に対して結合するものである。
【００４３】
上述した中でも、連結基は、エーテル基を有する２価また３価の連結基であることが好ましく、エーテル基を有する２価の連結基であることがより好ましい。これにより、ポリグリセロール鎖がより安定してシリコーン骨格に結合し、上述したような効果をより確実に発揮することができる。
また、ポリグリセロール鎖は、本発明の効果を著しく阻害しない限りにおいて、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基等のアルキレンオキシ基を含んでいてもよい。アルキレンオキシ基は、ポリグリセロール鎖中にランダムに存在するものであってもよいし、複数のアルキレンオキシ基が連鎖をなすようにしてブロック的に存在するものであってもよい。また、アルキレンオキシ基は、ポリグリセロール鎖のどの部位に存在するものであってもよい。アルキレンオキシ基は０．００モル当量以上１０．５モル当量以下存在することが好ましく、０．０２モル当量以上０．２モル当量以下存在することがさらに好ましい。
エーテル基を有する２価の連結基としては、下記式（７）で表される基（以下、連結基（７）という）が好ましい。なお、連結基（７）は、（Ｒ９）ｑ側がシリコーン鎖のケイ素原子に結合し、（ＡＯ）ｒ側が分岐ポリグリセロール鎖に結合する。
【００４４】
−（Ｒ９）ｑ−Ｏ−（ＡＯ）ｒ−      （７）
（式中、Ｒ９は、置換基を有していてもよい、炭素数１以上２２以下の直鎖もしくは分岐鎖のアルキレン基、アルケニレン基または炭素数６以上２８以下のアリーレン基、ＡＯは炭素数１以上４以下のアルキレンオキシ基（オキシアルキレン基ともいう）または炭素数６以上１０以下のアリーレンオキシ基（オキシアリーレン基ともいう）、ｑは０または１の数、ｒは０以上３０以下の数を示し、ｒ個のＡＯは同一でも異なっていてもよい。）
【００４５】
連結基（７）において、Ｒ１中のアリーレン基は、アルキレンアリーレン基、アリーレンアルキレン基、アルキレンアリーレンアルキレン基を含む。
Ｒ１がアルキレン基またはアルケニレンである場合、Ｒ１は、その炭素数が１以上１６以下であることが好ましく、１以上１２以下であることがより好ましい。
Ｒ１としては、具体的には、メチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン、ブチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、ヘプタメチレン、オクタメチレン、ノナメチレン、デカメチレン、ウンデカメチレン、ドデカメチレン、トリデカメチレン、テトラデカメチレン、ペンタデカメチレン、ヘキサデカメチレン基等のアルキレン基が挙げられる。
【００４６】
Ｒ１として好ましいアリーレン基としては、アルキレン基の炭素数が１以上２２以下のアルキレンフェニレン基が挙げられ、例えば、トリメチレンフェニレン基が挙げられる。
上述したＲ１の中でも、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基またはトリメチレンフェニレン基が好ましく、原料の合成の容易さの観点から、エチレン基、トリメチレン基またはトリメチレンフェニレン基がより好ましい。
【００４７】
Ｒ１中の置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、炭素数が１以上２２以下のアミノ基、炭素数が１以上２２以下のイミノ基、カルボキシ基、炭素数が１以上２２以下のアルコキシ基、炭素数が１以上２２以下のアシル基等が挙げられる。
ＡＯは、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基またはフェニレンオキシ基であることが好ましく、エチレンオキシ基またはフェニレンオキシ基であることがより好ましい。
【００４８】
連結基（７）において、ｒは、０以上２０以下であるのが好ましく、０以上５以下であるのがより好ましく、０または１であるのがさらに好ましい。特に、Ｒ１が、エチレン基またはトリメチレン基の場合は１が、アルキレンアリーレン基の場合には０が、好ましい。
ｑ個のＲ１は、同一又は異なって、交互、ランダムまたはブロックあるいはこれら以外の周期配列であっても良いし、またはランダム型であってもよい。ｒ個のＡＯについても同様である。
連結基としては、下記式（８）で示される連結基であることが好ましい。なお、下記式（８）で表わされる連結基では、トリメチレン側がシリコーン骨格のケイ素原子に結合し、酸素原子側がポリグリセロール鎖に結合する。
【００４９】
【化４】
2011144228.tif 000006
【００５０】
上記式（８）において、オキシフェニレン基のフェニレン基に結合した、酸素原子とトリメチレン基の結合様式は、互いにオルト位、メタ位、パラ位のいずれであってもよく、またこれらの混合であってもよい。
また、エーテル基を有する３価の連結基としては、例えば、下記式（９）で表わされる基、下記式（１０）で表わされる基等が挙げられる。なお、連結基（９）では、Ｒ１側がシリコーン鎖のケイ素原子に結合し、（ＡＯ）ｓおよび（ＡＯ）ｔ側がそれぞれポリグリセロール鎖に結合し、連結基（１０）では、Ｒ１側がシリコーン鎖のケイ素原子に結合し、（ＡＯ）ｕおよび（ＡＯ）ｖ側がそれぞれポリグリセロール鎖に結合する。
【００５１】
【化５】
2011144228.tif 000007
（式中、Ｒ９およびＡＯは前記の意味を示し、ｓは１以上３０以下の数、ｔは１以上３０以下の数を示し、ｓ個のＡＯおよびｔ個のＡＯは、独立して、同一でも異なっていてもよい。）
【００５２】
【化６】
2011144228.tif 000008
（式中、Ｒ１０は、置換基を有していてもよい、炭素数１以上２２以下の直鎖もしくは分岐鎖のアルキレン基、アルケニレン基、ｘは０または１の数、ｕは０以上３０以下の数、ｖは０以上３０以下の数、ＡＯは前記の意味を示し、ｕ個及びｖ個のＡＯは独立して、同一でも異なっていてもよい。）
【００５３】
式（９）において、ｓおよびｔはそれぞれ、１以上３０以下の数であるが、１以上１０以下であるのが好ましく、１以上５以下であるのがより好ましく、１であるのがさらに好ましい。
また、ｓ個のＡＯ、ｔ個のＡＯは、同一または異なっていてもよいが、異なる場合、それらＡＯの相互の結合様式は、交互型、ブロック型あるいはこれら以外の周期配列であってもよいし、またはランダム型であってもよい。
【００５４】
また、式（１０）において、Ｒ１０の好ましいアルキレン基、アルケニレン基としては、上記のＲ１の好ましいアルキレン基、アルケニレン基と同様である。
ｕおよびＶはそれぞれ、独立して、０以上３０以下の数であるが、０以上１５以下であるのが好ましく、０以上５以下であるのがより好ましく、０であるがさらに好ましい。ｕならびにｖが０以外の数である場合、ｕ個のＡＯ、ｖ個のＡＯは、独立して、同一または異なっていてもよいが、異なる場合、それらＡＯの相互の結合様式は、交互型、ブロック型あるいはこれら以外の周期配列であってもよいし、又はランダム型であってもよい。
【００５５】
また、式（１０）において、オキシフェニレン基のフェニレン基に結合した、２個の酸素原子と（Ｒ１０）ｘ基（ｘが０の場合はシリコーン鎖上のケイ素原子）のうちいずれの２個についても、その結合様式は、互いにオルト位、メタ位、パラ位のいずれであってもよく、またこれらの混合であってもよい。
また、エーテル基を有する３価の連結基としては、特に、下記式（１１）に示す連結基であるのが好ましい。
【００５６】
【化７】
2011144228.tif 000009
【００５７】
式（１１）において、オキシフェニレン基のフェニレン基に結合した、２個の酸素原子とトリメチレン基のうち何れの２個についても、その結合様式は、互いにオルト位、メタ位、パラ位のいずれであってもよく、またこれらの混合であってもよい。
エステル基を有する２価の連結基としては、例えば、式（１２）で表される連結基が挙げられる。なお、式（１２）では、Ｒ９側がシリコーン鎖のケイ素原子に結合し、（ＡＯ）ｙ側が分岐ポリグリセロール鎖に結合する。
【００５８】
−Ｒ９−ＣＯＯ−（ＡＯ）ｙ−      （１２）
（式中、Ｒ９およびＡＯは、前記の意味を示し、ｙは０以上３０以下の数を示し、ｙ個のＡＯは同一でも異なっていてもよい。）
【００５９】
ポリグリセロール変性シリコーンを構成するシリコーン骨格は、ケイ素原子を２つ以上有するポリシロキサンである。
シリコーン骨格の形状は直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
シリコーン骨格において、ポリグリセロール鎖が結合した連結基以外の基（側鎖）は、例えば、同一または異なって、置換基を有していてもよく、フッ素原子で置換されていてもよい、炭素数１以上２２以下の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基、アルケニル基またはアルコキシ基、あるいは炭素数６以上２２以下のアリール基である。
【００６０】
アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、トリフルオロプロピル等が挙げられる。
アルケニル基としては、例えば、ビニル基やアリル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、フェノキシ基等が挙げられる。
アリール基としては、フェニル基等が挙げられる。
上述した中でも、炭素数１以上１２以下の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基、ビニル基、アリル基、または炭素数６以上１２以下のアリール基が好ましく、メチル基、プロピル基またはフェニル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
【００６１】
シリコーン骨格において、上記の基（側鎖）が有していてもよい置換基としては、例えば、フェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基（炭素数０以上１４以下）、イミノ基、（アミノエチル）アミノ基、（ジメチルアミノエチル）アミノ基、ポリオキシアルキレン基、メルカプト基、およびエポキシ基等が挙げられる。
上記の基（側鎖）がこれらの置換基を有する場合、上記の基（側鎖）はプロピル基であることが好ましい。
なお、ポリグリセロール変性シリコーンを構成するシリコーンは、その少なくとも１部の基が連結基となるように構成されていてもよい。
【００６２】
ポリグリセロール変性シリコーンを構成するシリコーン（ポリグリセロール変性シリコーンの前駆体としてのシリコーン）としては、ジメチルシリコーン、メチルフェニルシリコーン、フェニルシリコーン、メチルハイドロジェンシリコーン等のストレートシリコーンまたは該ストレートシリコーンの基（側鎖）の一部を置換した変性シリコーン等が挙げられ、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６３】
また、ポリグリセロール変性シリコーンのシリコーン骨格部分の数平均式量は、３００以上７０００００以下であることが好ましく、３００以上２０００００であることがより好ましく、１０００以上２００００であることがさらに好ましい。なお、シリコーン骨格となるシリコーンの数平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（以下、ＧＰＣ）法等により求めることができ、当該シリコーンの数平均分子量をシリコーン骨格の数平均分子量とすることができる。
【００６４】
シリコーン骨格中のケイ素原子の重合度は、特に限定されないが、２以上１０，０００以下であるのが好ましく、３以上３，０００以下であるのがより好ましく、１０以上１５０以下であるのが好ましい。
そして、ポリグリセロール変性シリコーンは、式（６）で表される直鎖状シリコーンであることが好ましい。これにより、上述したようなポリグリセロール変性シリコーンの効果をより顕著に得ることができ、導体パターン形成用インクは、液滴の吐出安定性に特に優れ、形成される導体パターンの断線がより確実に防止されたものとなる。
【００６５】
【化８】
2011144228.tif 000010
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｔ個のＲ４、ｐ個のＲ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、同一または異なって、ポリグリセロール鎖が結合した連結基、置換基を有していてもよく、フッ素原子で置換されていてもよい、炭素数１以上２２以下の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基、アルケニル基またはアルコシキ基、あるいは炭素数６以上２２以下のアリール基を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｔ個のＲ４、ｔ個のＲ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８のうち少なくとも１つはポリグリセロール鎖が結合した連結基である。ｐは０以上１０，０００以下の数を示す。）
【００６６】
上記式（６）において、ポリグリセロール鎖が結合した連結基は、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｐ個のＲ４、ｐ個のＲ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８のうち少なくとも１個であればよいが、１個以上１０個以下であることが好ましく、１個以上５個以下であることがより好ましく、１個以上２個以下であることがさらに好ましい。
また、この連結基は、シリコーン骨格の側鎖、片末端および／または両末端のいずれに位置していてもよい。
【００６７】
ポリグリセロール変性シリコーンとしては、上記式（６）において、Ｒ１〜Ｒ３らなる群から選択される１の基と、Ｒ６〜Ｒ8からなる群から選択される１の基とが、ポリグリセロール鎖が結合した連結基であることが好ましい。
また、ポリグリセロール変性シリコーンとしては、上記式（６）において、ｐ個のＲ４およびｐ個のＲ５から選択される３以上の基が連結基であることが好ましい。このような場合、側鎖他置換型のポリグリセロール変性シリコーンとなる。
【００６８】
ポリグリセロール変性シリコーンは、シリコーン骨格中のケイ素原子数（Ｓｉ）とポリグリセロール鎖中の基（１）、（２）、（３）、（４）及び（５）の合計数（以下、グリセロール基数という）（Ｇ）の比（Ｇ／Ｓｉ）が、０．００１以上５０以下であることが好ましく、０．０５以上１０以下であることがより好ましく、０．１５以上１以下であることがさらに好ましい。
【００６９】
また、ポリグリセロール変性シリコーンとして、異なる化学構造のポリグリセロール変性シリコーンを２種以上用いるものであってもよい。
また、導体パターン形成用インク中におけるポリグリセロール変性シリコーンの含有量は、０．１ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であるのが好ましく、２ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、ポリグリセロール変性シリコーンの含有量が高すぎて導体パターン形成用インクの液滴の吐出安定性が低下することを防止しつつ、上述したようなポリグリセロール変性シリコーンの効果を十分に発揮することができる。
【００７０】
ポリグリセロール変性シリコーンの重量平均分子量は、５００以上５０００００以下であることが好ましく、７５０以上２０００００以下であることが好ましく、１０００以上１０００００以下であることが好ましい。これにより、導体パターン形成用インクの粘度を十分に低いものとしつつ、ポリグリセロール変性シリコーンは、断線およびクラックの発生をより好適に防止することができる。
数平均分子量は、ＧＰＣ法（標準ポリスチレンまたはポリエチレングリコール換算）によって測定することができる。
【００７１】
ポリグリセロール変性シリコーンは、反応性不飽和基を有するポリグリセロールと、シリコーン鎖中のケイ素原子の一部に水素原子が結合した、いわゆるオルガノハイドロジェンシリコーンとを、白金系触媒存在下でヒドロシリル化反応させる方法により得ることができる。反応性不飽和基を有するポリグリセロールは、反応性不飽和基と官能基（好ましくはヒドロキシ基またはカルボキシ基）を有する化合物に、酸性触媒又は塩基性触媒存在下、グリシドール（２，３−エポキシ−１−プロパノール）を、添加速度をコントロールしながら、添加して反応させることにより得ることができる。添加速度を、遅くすることで、分岐度の高い反応性不飽和基を有する分岐ポリグリセロールを製造することが出来る。
また、ポリグリセロール変性シリコーンは、反応性基としてヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、イミノ基、メルカプト基及びエポキシ基からなる群から選ばれる１以上の基を有するシリコーンに、酸性またはカリウム等の塩基性触媒の存在下、グリシドールを添加し、グラフト重合させる方法等によっても製造することができる。
【００７２】
（その他の有機バインダー）
また、導体パターン形成用インクは、ポリグリセロール変性シリコーン以外の有機バインダーを含むものであってもよい。
ポリグリセロール変性シリコーン以外の有機バインダーとしては、特には限定されないが、例えば、ポリエチレングリコール＃２００（重量平均分子量２００）、ポリエチレングリコール＃３００（重量平均分子量３００）、ポリエチレングリコール＃４００（平均分子量４００）、ポリエチレングリコール＃６００（重量平均分子量６００）、ポリエチレングリコール＃１０００（重量平均分子量１０００）、ポリエチレングリコール＃１５００（重量平均分子量１５００）、ポリエチレングリコール＃１５４０（重量平均分子量１５４０）、ポリエチレングリコール＃２０００（重量平均分子量２０００）等のポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール＃２００（重量平均分子量：２００）、ポリビニルアルコール＃３００（重量平均分子量：３００）、ポリビニルアルコール＃４００（平均分子量：４００）、ポリビニルアルコール＃６００（重量平均分子量：６００）、ポリビニルアルコール＃１０００（重量平均分子量：１０００）、ポリビニルアルコール＃１５００（重量平均分子量：１５００）、ポリビニルアルコール＃１５４０（重量平均分子量：１５４０）、ポリビニルアルコール＃２０００（重量平均分子量：２０００）等のポリビニルアルコール、ポリグリセリン、ポリグリセリンエステル等のポリグリセリン骨格を有するポリグリセリン化合物が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、ポリグリセリンエステルとしては、例えば、ポリグリセリンのモノステアレート、トリステアレート、テトラステアレート、モノオレエート、ペンタオレエート、モノラウレート、モノカプリレート、ポリシノレート、セスキステアレート、デカオレエート、セスキオレエート等が挙げられる。
【００７３】
また、インク中に有機バインダーの含有量は、１ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下であるのが好ましく、５ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、インクの吐出安定性を特に優れたものとしつつ、クラック、断線の発生をより効果的に防止することができる。これに対して、有機バインダーの含有量が前記下限値未満であると、有機バインダーの組成によっては、断線やクラックの発生を防止する効果が小さくなる場合がある。また、有機バインダーの含有量が前記上限値を超えると、有機バインダーの組成によっては、インクの粘度を十分に低いものとすることが困難な場合がある。
【００７４】
［乾燥抑制剤］
また、導体パターン形成用インクは、乾燥抑制剤を含んでいてもよい。乾燥抑制剤は、インク中の水系分散媒の不本意な揮発を防止するものである。その結果、インクジェット装置の吐出部付近において水系分散媒が揮発することを防止でき、インクの粘度の上昇、乾燥が抑えられる。導体パターン形成用インクは、このような乾燥抑制剤を含む結果、インクの液滴の吐出安定性が特に優れたものとなる。すなわち、インクの液滴の重量のばらつきが小さいものとなり、目詰まり、飛行曲がり等が少ないものとなる。また、特に、インクジェット装置に導体パターン形成用インクを充填した後に、長期間（例えば、５日間）運転を行わずにインクジェット装置を待機状態とした場合であっても、本発明の導体パターン形成用インクは、均一な量で、目的とする位置に精度よく吐出させることができる。
このような乾燥抑制剤としては、特に限定されないが、例えば、下記式（１３）で示される化合物、糖アルコール、アルカノールアミン等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７５】
【化９】
2011144228.tif 000011
（ただし、Ｒ、Ｒ’は、それぞれ、Ｈまたはアルキル基である。）
【００７６】
上記式（１３）で表される化合物は、水素結合性の高い成分である。このため、水との親和性が高く、適度な水分を保持することができ、導体パターン形成用インクの水系分散媒の不本意な揮発を防止することができる。
また、上記化合物は、比較的燃焼しやすく、導体パターンを形成する際には導体パターン内からより容易に除去（酸化分解）することができる。
【００７７】
また、導体パターン形成用インクによって形成されたパターンを乾燥（脱分散媒）する際に、水系分散媒が揮発とともに、上記化合物の濃度が上昇する。これにより、導体パターン前駆体の粘度が上昇するため、導体パターン前駆体を構成するインクの不本意な部位への流れ出しがより確実に防止される。その結果、形成される導体パターンをより高い精度で所望の形状とすることができる。
【００７８】
上述したように、本発明で用いる上記式（１３）で表される化合物中における、Ｒ、Ｒ’は、それぞれ、水素またはアルキル基であるが、Ｒ、Ｒ’は、ともに水素であるのが好ましい。すなわち、尿素であるのが好ましい。これにより、上述したような保湿性を特に高いものとすることができ、特に優れた吐出安定性を得ることができる。
【００７９】
アルカノールアミンは、保湿性の高い成分であるとともに、金属粒子が前述したようなコロイド粒子である場合に、コロイド粒子表面の分散剤の官能基を活性化させることができ、金属粒子の分散安定性をより高いものとすることができる。
アルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノプロパノールアミン、ジプロパノールアミン、トリプロパノールアミン等各種のものを挙げることができる。
【００８０】
また、アルカノールアミンは、第３級アミンであるのが好ましい。第３級アミンは、アルカノールアミンの中でも、特に保湿性が高く、上記効果をより顕著なものとすることができる。
また、第３級アミンの中でも、取り扱いやすさや、保湿性の高さ等の観点から、特に、トリエタノールアミンを用いるのが好ましい。
【００８１】
糖アルコールは、糖類のアルデヒド基およびケトン基を還元して得られるものである。
また、糖アルコールは、高い保湿性を有する化合物である。また、糖アルコールは、分子量あたりの酸素数が多いため、雰囲気が糖アルコールの分解温度に達すると、容易に分解して除去される。このため、導体パターンを形成する際には、導体パターンの温度を糖アルコールの分解温度よりも高くすることで、導体パターン内から糖アルコールを確実に除去（酸化分解）することができる。
【００８２】
糖アルコールとしては、例えば、トレイトール、エリスリトール、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリペンタエリスリトール、アラビトール、リビトール、キシリトール、ソルビトール、マンニトール、スレイトール、グリトール、タリトール、ガラクチトール、アリトール、アルトリトール、ドルシトール、イディトール、グリセリン（グリセロール）、イノシトール、マルチトール、イソマルチトール、ラクチトール、ツラニトール等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。上述した中でも、エリスリトール、マルチトールまたはキシリトールから選択される１種以上を用いることが好ましく、キシリトールを用いることがより好ましく、導体パターン形成用インクの液滴の吐出安定性をより長期にわたって優れたものとすることができる。
【００８３】
上述したような乾燥抑制剤の、導体パターン形成用インク中における含有量は、３ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下であるのが好ましく、５ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、導体パターン形成用インクの水系分散媒の揮発をより確実に抑制することができ、導体パターン形成用インクは、より長期にわたって液滴の吐出安定性が特に優れたものとなる。
【００８４】
［表面張力調整剤］
また、導体パターン形成用インクには、表面張力調整剤を含んでいてもよい。
表面張力調整剤は、導体パターン形成用インクと基板（セラミックス成形体）との接触角を所定の角度に調整するために用いられる。
表面張力調整剤としては、各種界面活性剤を用いることができ、１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、アセチレングリコール系化合物を含むことが好ましい。
【００８５】
アセチレングリコール系化合物は、少ない添加量で、導体パターン形成用インクとセラミックス成形体との接触角を所定の範囲に調整することができる。このように、導体パターン形成用インクとセラミックス成形体との接触角を所定の範囲に調整することにより、より微細な導体パターンを形成することができる。また、吐出した液滴内に気泡が混入した場合であっても、速やかに気泡を除去することができる。その結果、形成される導体パターンでのクラック、断線の発生をより効果的に防止することができる。
【００８６】
アセチレングリコール系化合物としては、例えば、サーフィノール１０４シリーズ（１０４Ｅ、１０４Ｈ、１０４ＰＧ−５０、１０４ＰＡ等）、サーフィノール４００シリーズ（４２０、４６５、４８５等）、オルフィンシリーズ（ＥＸＰ４０３６、ＥＸＰ４００１、Ｅ１０１０等）（「サーフィノール」および「オルフィン」は、日信化学工業株式会社の商品名）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８７】
また、インク中には、ＨＬＢ値が異なる２種以上のアセチレングリコール系化合物を含んでいるのが好ましい。導体パターン形成用インクとセラミックス成形体との接触角を所定の範囲により容易に調整することができる。
特に、インク中に含まれる２種以上のアセチレングリコール系化合物のうち、最もＨＬＢ値が高いアセチレングリコール系化合物のＨＬＢ値と、最もＨＬＢ値が低いアセチレングリコール系化合物のＨＬＢ値との差が、４以上１２以下であるのが好ましく、５以上１０以下であるのがより好ましい。これにより、より少ないアセチレングリコール系化合物の添加量で、導体パターン形成用インクとセラミックス成形体との接触角を所定の範囲により容易に調整することができる。
【００８８】
インク中に２種以上のアセチレングリコール系化合物を含むものを用いる場合、最もＨＬＢ値の高いアセチレングリコール系化合物のＨＬＢ値は、８以上１６以下であるのが好ましく、９以上１４以下であるのがより好ましい。
また、インク中に２種以上のアセチレングリコール系化合物を含むものを用いる場合、最もＨＬＢ値の低いアセチレングリコール系化合物のＨＬＢ値は、２以上７以下であるのが好ましく、３以上５以下であるのがより好ましい。
インク中に含まれる表面張力調整剤の含有量は、０．００１ｗｔ％以上１ｗｔ％以下であるのが好ましく、０．０１ｗｔ％以上０．５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、導体パターン形成用インクとセラミックス成形体との接触角をより効果的に所定の範囲に調整することができる。
【００８９】
［その他の成分］
なお、導体パターン形成用インクの構成成分は、上記成分に限定されず、上記以外の成分を含んでいてもよい。
例えば、導体パターン形成用インクには、上記成分の他、１，３−プロパンジオールが含まれていてもよい。これにより、インクジェットヘッドの吐出部付近における水系分散媒の揮発をより効果的に抑制することができるとともに、インクの粘度をより適度なものとすることができ、吐出安定性がさらに向上する。
【００９０】
インク中に１，３−プロパンジオールを含む場合、その含有量は、０．５ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であるのが好ましく、２ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、インクの吐出安定性をより効果的に向上させることができる。
また、例えば、導体パターン形成用インクは、エチレングリコール、１，３−ブチレングリコール、プロピレングリコール等の多価アルコールを含んでいてもよい。導体パターン形成用インクは、上述した尿素以外にも、チオ尿素を含んでいてもよい。
【００９１】
導体パターン形成用インクとセラミックス成形体との接触角は、特に限定されないが、４０°以上８０°以下であることが好ましく、５０°以上８０°以下であることがより好ましい。接触角が小さすぎると、微細な線幅の導体パターンを形成するのが困難となる場合がある。一方、接触角が大きすぎると、吐出条件等によっては、均一な線幅の導体パターンを形成するのが困難となる場合がある。また、着弾した液滴とセラミックス成形体との接触面積が小さくなりすぎてしまい、着弾した液滴が着弾位置からずれてしまう場合がある。
【００９２】
また、導体パターン形成インクの粘度は、特に限定されないが、１．５ｍＰａ・ｓ以上８．０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、２．０ｍＰａ・ｓ以上６．０ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましい。これにより、液滴の吐出安定性を優れたものとすることができるとともに、セラミックス成形体に着弾したインクの濡れ広がりを防止することができ、微細な線幅の導体パターン前駆体を形成することができる。
導体パターン形成インクの表面張力は、３０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下が好ましい。
【００９３】
《導体パターン形成用インクの製造方法》
次に、上述したような導体パターン形成用インクの製造方法の一例について説明する。
本実施形態では導体パターン形成用インクは、銀コロイド粒子が水系分散媒中に分散したコロイド液であるとして説明する。
本実施形態のインクを製造する際には、まず、上記分散剤と、還元剤とを溶解した水溶液を調製する。
【００９４】
分散剤の配合量としては、出発物質である硝酸銀のような銀塩中の銀と分散剤とのモル比が１：１〜１：１００程度となるように配合することが好ましい。銀塩に対する分散剤のモル比が大きくなると、銀粒子の粒径が小さくなって導体パターン形成後の粒子同士の接触点が増えるため、体積抵抗値の低い被膜を得ることができる。
還元剤は、出発物質である硝酸銀（Ａｇ＋ＮＯ３−）のような銀塩中のＡｇ＋イオンを還元して銀粒子を生成するという働きを有する。
【００９５】
還元剤としては、特に限定されず、例えば、ヒドラジン、ジメチルアミノエタノール、メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアミン系；水酸化ホウ素ナトリウム、水素ガス、ヨウ化水素等の水素化合物系；一酸化炭素、亜硫酸次亜リン酸等の酸化物系、Ｆｅ（II）化合物、Ｓｎ（II）化合物等の低原子価金属塩系、Ｄ−グルコースのような糖類、ホルムアルデヒド等の有機化合物系、あるいは上記の分散剤として挙げたヒドロキシ酸であるクエン酸、りんご酸や、ヒドロキシ酸塩であるクエン酸三ナトリウム、クエン酸三カリウム、クエン酸三リチウム、クエン酸三アンモニウム、りんご酸二ナトリウムやタンニン酸等が挙げられる。中でも、タンニン酸や、ヒドロキシ酸は還元剤として機能すると同時に分散剤としての効果を発揮するため好適に用いることができる。あるいは、金属表面で安定した結合を形成する分散剤として上記に挙げたメルカプト酸であるメルカプト酢酸、メルカプトプロピオン酸、チオジプロピオン酸、メルカプトコハク酸、チオ酢酸やメルカプト酸塩であるメルカプト酢酸ナトリウム、メルカプトプロピオン酸ナトリウム、チオジプロピオン酸ナトリウム、メルカプトコハク酸ナトリウム、メルカプト酢酸カリウム、メルカプトプロピオン酸カリウム、チオジプロピオン酸カリウム、メルカプトコハク酸カリウム等を好適に用いることができる。これらの分散剤や還元剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。これらの化合物を使用する際には、光や熱を加えて還元反応を促進させてもよい。
また、還元剤の配合量としては、上記出発物質である銀塩を完全に還元できる量が必要であるが、過剰な還元剤は不純物として銀コロイド液中に残存してしまい、成膜後の導電性を悪化させる等の原因となるため、必要最小限の量が好ましい。具体的な配合量としては、上記銀塩と還元剤とのモル比が１：１〜１：３程度である。
【００９６】
本実施形態において、分散剤と還元剤とを溶解して水溶液を調製した後、この水溶液のｐＨを６〜１２に調整することが好ましい。
これは、以下のような理由による。例えば、分散剤であるクエン酸三ナトリウムと還元剤である硫酸第一鉄とを混合した場合、全体の濃度にもよるがｐＨは大体４〜５程度と、上記したｐＨ６を下回る。このとき存在する水素イオンは、下記反応式（１）で表される反応の平衡を右辺に移動させ、ＣＯＯＨの量が多くなる。したがって、その後、銀塩溶液を滴下して得られる銀粒子表面の電気的反発力が減少し、銀粒子（コロイド粒子）の分散性が低下してしまう。
−ＣＯＯ−＋Ｈ＋  →  −ＣＯＯＨ…（１）
【００９７】
そこで、分散剤と還元剤とを溶解して水溶液を調製した後、この水溶液にアルカリ性の化合物を添加し、水素イオン濃度を低下させる。
添加するアルカリ性の化合物としては、特に限定されず、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、アンモニア水や、上述したアルカノールアミン等を用いることができる。これらの中でも、アルカノールアミンを用いた場合、ｐＨを容易に調整できるとともに、形成される銀コロイド粒子の分散安定性をより向上させることができる。
【００９８】
なお、アルカリ性の化合物の添加量が多すぎて、ｐＨが１２を超えると、鉄イオンのような残存している還元剤のイオンの水酸化物の沈殿が起こりやすくなる。
次に、本実施形態のインクの製造工程では、調製した分散剤と還元剤とが溶解した水溶液に銀塩を含む水溶液を滴下する。
銀塩としては、特に限定されず、例えば、酢酸銀、炭酸銀、酸化銀、硫酸銀、亜硝酸銀、塩素酸銀、硫化銀、クロム酸銀、硝酸銀、二クロム酸銀等を用いることができる。これらの中では、水への溶解度が大きい硝酸銀が好ましい。
また、銀塩の量は、目的とするコロイド粒子の含有量、および、還元剤により還元される割合を考慮して定められるが、例えば、硝酸銀の場合、水溶液１００重量部に対して１５〜７０重量部程度とするのが好ましい。
【００９９】
銀塩水溶液は、上記銀塩を純水に溶かすことにより調製し、調製した銀塩の水溶液を徐々に前述した分散剤と還元剤とが溶解した水溶液中に滴下する。
この工程において、銀塩は還元剤により銀粒子に還元され、さらに、該銀粒子の表面に分散剤が吸着して銀コロイド粒子が形成される。これにより、銀コロイド粒子が水溶液中にコロイド状に分散した水溶液が得られる。
【０１００】
得られた溶液中には、コロイド粒子のほかに、還元剤の残留物や分散剤が存在しており、液全体のイオン濃度が高くなっている。このような状態の液は、凝析が起こり、沈殿しやすい。そこで、このような水溶液中の余分なイオンを取り除いてイオン濃度を低下させるために、洗浄を行うことが望ましい。
洗浄の方法としては、例えば、得られたコロイド粒子を含む水溶液を一定期間静置し、生じた上澄み液を取り除いた上で、純水を加えて再度攪拌し、さらに一定期間静置して生じた上澄み液を取り除く工程を幾度が繰り返す方法、上記静置の代わりに遠心分離を行う方法、限外濾過等でイオンを取り除く方法等を挙げることができる。
【０１０１】
あるいは、次のような方法で洗浄を行ってもよい。溶液を製造した後に溶液のｐＨを５以下の酸性の領域に調整し、上記反応式（１）の反応の平衡を右辺に移動させることで銀粒子表面の電気的反発力を減少させ、積極的に金属コロイド粒子を凝集させた状態で洗浄を行い、塩類や溶媒を除去することができる。メルカプト酸のような低分子量の硫黄化合物を分散剤として粒子表面に有する金属コロイド粒子であれば金属表面で安定した結合を形成するため、凝集した金属コロイド粒子は、溶液のｐＨを６以上のアルカリ性の領域に再調整することにより、容易に再分散し、分散安定性に優れた金属コロイド液を得ることができる。
【０１０２】
本実施形態のインクの製造過程では、上記工程の後、必要により銀コロイド粒子が分散した水溶液に水酸化アルカリ金属水溶液を添加し、最終的なｐＨを６〜１１に調整することが好ましい。
これは、還元後に洗浄を行ったため、電解質イオンであるナトリウム濃度が減少している場合があり、このような状態の溶液では、下記反応式（２）で表される反応の平衡が右辺へ移動する。このままでは、銀コロイドの電気的反発力が減少して銀粒子の分散性が低下するため、適当量の水酸化アルカリを添加することにより、反応式（２）の平衡を左辺に移動させ、銀コロイドを安定化させるのである。
−ＣＯＯ−Ｎａ＋＋Ｈ２Ｏ  →  −ＣＯＯＨ＋Ｎａ＋＋ＯＨ−…（２）
【０１０３】
このときに使用する上記水酸化アルカリ金属としては、例えば、最初にｐＨを調整する際に用いた化合物と同様の化合物を挙げることができる。
ｐＨが６未満では、反応式（２）の平衡が右辺に移動するため、コロイド粒子が不安定化し、一方、ｐＨが１１を超えると、鉄イオンのような残存しているイオンの水酸化塩の沈殿が起こりやすくなるため好ましくない。ただし、予め鉄イオン等を取り除いておけば、ｐＨが１１を超えても大きな問題はない。
【０１０４】
なお、ナトリウムイオン等の陽イオンは水酸化物の形で加えるのが好ましい。これは、水の自己プロトリシスを利用できるため最も効果的にナトリウムイオン等の陽イオンを水溶液中に加えることができるからである。
また、ｐＨを６〜１１に調整する上記工程において、水酸化アルカリ金属水溶液の代わりに、アルカノールアミンを用いてもよい。
【０１０５】
以上のようにして得られた銀コロイド粒子が分散した水溶液に、ポリグリセロール変性シリコーン等の他の成分を添加することにより、導体パターン形成用インク（本発明の導体パターン形成用インク）を得る。
なお、ポリグリセロール変性シリコーン等の他の成分の添加時期は、特に限定されず、銀コロイド粒子の形成後ならいつでもよい。
【０１０６】
《導体パターンおよび配線基板》
次に、本発明の導体パターンおよび配線基板について説明する。
図１に示すように、配線基板（セラミックス回路基板）３０は、セラミックス基板３１が多数（例えば１０枚から２０枚程度）積層されてなる積層基板３２と、この積層基板３２の最外層、すなわち一方の側の表面に形成された、微細配線等からなる導体パターン（回路）２１とを有して形成されたものである。
【０１０７】
積層基板３２は、積層されたセラミックス基板３１、３１間に、導体パターン（回路、本発明の導体パターン）２０を備えている。
導体パターン２０は、本発明の導体パターン形成用インクにより形成されたパターン（導体パターン前駆体、以下、単に前駆体ともいう。）１０を加熱する（焼結する）ことにより形成される薄膜状の導体パターンであって、銀粒子が相互に結合されてなり、少なくとも導体パターン表面において前記銀粒子同士が隙間なく結合している。
このような導体パターン２０は、本発明の導体パターン形成用インクを用いて形成されている。このため、その前駆体１０は、精度よく形成されており、クラックの発生が防止されている。また、導体パターン２０は、断線の発生が防止された、信頼性の高いものとなっている。
【０１０８】
導体パターン２０の比抵抗は、２０μΩｃｍ未満であることが好ましく、１５μΩｃｍ以下であることがより好ましい。このときの比抵抗は、インクの付与後、１６０℃で加熱、乾燥した後の比抵抗をいう。上記比抵抗が２０μΩｃｍ以上になると、導電性が要求される用途、すなわち回路基板上に形成する電極等に用いることが困難となる。
なお、上記のような導体パターン２０は、携帯電話やＰＤＡ等の移動通話機器の高周波モジュール、インターポーザー、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、加速度センサー、弾性表面波素子、アンテナや櫛歯電極等の異形電極、その他各種計測装置等の電子部品等に適用することができる。
【０１０９】
なお、導体パターン２０は、導体パターン前駆体１０を焼結処理として１６０℃以上で２０分以上の条件で加熱することにより得られる。なお、この導体パターン前駆体１０の焼結は、後述するようにセラミックス成形体１５の脱脂、焼結とともに行うことができる。
なお、導体パターン２０Ａも、導体パターン２０と同様に、本発明の導体パターン形成用インクにより形成されたものとなっている。
【０１１０】
セラミックス基板３１は、シート状をなしており、導体パターン２０を支持する。
また、セラミックス基板３１には、導体パターン２０に接続するコンタクト（ビア）３３が形成されている。このような構成によって導体パターン２０は、上下に配置された導体パターン２０、２０間が、コンタクト３３によって導通したものとなっている。
なお、セラミックス基板３１は、後述するように、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン等のセラミックス粉末と、バインダーとを含む材料をシート状にし、その後、加熱処理（焼結処理）することにより得られる基板である。
【０１１１】
以上のような配線基板３０は、本発明の導体パターン形成用インクを用いて形成されているため、導体パターン２０の断線が防止され、信頼性の高いものとなっている。
また、上述したような配線基板３０は、各種の電子機器に用いられる電子部品となるものであり、各種配線や電極等からなる回路パターン、積層セラミックスコンデンサ、積層インダクター、ＬＣフィルタ、複合高周波部品等を基板に形成してなるものである。
【０１１２】
《配線基板の製造方法》
次に、上述したような配線基板の製造方法を、図２の概略工程図を参照して説明する。
以下、各工程について詳細に説明する。
［セラミックス成形体形成工程（基板準備工程）］
まず、原料粉体として、平均粒径が１μｍ以上２μｍ以下のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や酸化チタン（ＴｉＯ２）等からなるセラミックス粉末（セラミックス材料）と、平均粒径が１μｍ以上２μｍ以下のホウ珪酸ガラス等からなるガラス粉末とを用意し、これらを適宜な混合比、例えば１：１の重量比で混合する。
【０１１３】
特に、基板（セラミックス成形体１５）の材料として、ガラス材料を含むことにより、以下のような効果が得られる。ガラス材料は、焼結時において溶融し、導体パターン２０を形成されるセラミックス基板３１に固定、密着させる機能を有している。特に、本発明においては、導体パターン形成用インク中のポリグリセロール変性シリコーンは、焼結後において二酸化ケイ素となり、導体パターン２０がセラミックス基板３１のガラス材料と密着しやすいものとなる。このため、形成される導体パターン２０および配線基板３０はより信頼性の高いものとなる。
【０１１４】
次に、得られた混合粉末に適宜なバインダー（結合剤）や可塑剤、有機溶剤（分散剤）等を加え、混合・撹拌することにより、スラリーを得る。ここで、バインダーとしては、ポリビニルブチラールが好適に用いられるが、これは水に不溶であり、かつ、いわゆる油系の有機溶媒に溶解しあるいは膨潤し易いものである。
次に、得られたスラリーを、ドクターブレード、リバースコーター等を用いてＰＥＴフィルム上にシート状に形成し、製品の製造条件に応じて数μｍ以上数百μｍ以下の厚さのシートに成形し、その後、ロールに巻き取る。
続いて、製品の用途に合わせて切断し、さらに所定寸法のシートに裁断する。本実施形態では、例えば１辺の長さを２００ｍｍとする正方形状に裁断する。
【０１１５】
次に、必要に応じて所定の位置に、ＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザー、機械式パンチ等によって孔開けを行うことでスルーホール（貫通孔）を形成する。
そして、このスルーホールに、金属粒子が分散した厚膜導電ペーストを充填することにより、コンタクト６となるべき部位（コンタクト前駆体１６）を形成する。厚膜導電ペーストとしては、後述するような導体パターン形成用インクを用いることができる。
以上により、複数の基板（セラミックス成形体１５）を準備する。
【０１１６】
［導体パターン前駆体形成工程］
以上のようにして得られたセラミックス成形体１５の一方の側の表面に、導体パターン２０となる導体パターン前駆体１０を、コンタクト前駆体１６に連続した状態に形成する。すなわち、図３（ａ）に示すようにセラミックス成形体１５上に、前述したような導体パターン形成用インク（以下単にインクともいう）１を液滴吐出（インクジェット）法により付与し、前記導体パターン前駆体１０を形成する。
【０１１７】
本実施形態において、導体パターン形成用インクの吐出は、例えば図４および図５に示すインクジェット装置（液滴吐出装置）１００を用いることにより行うことができる。以下に、インクジェット装置１００について説明する。
図４は、インクジェット装置１００の斜視図である。図４において、Ｘ方向はベース１３０の左右方向であり、Ｙ方向は前後方向であり、Ｚ方向は上下方向である。
【０１１８】
インクジェット装置１００は、図５に示すインクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド。以下、単にヘッドと呼ぶ）１１０と、ベース１３０と、テーブル１４０と、制御装置１９０と、テーブル位置決め手段１７０と、ヘッド位置決め手段１８０とを有している。
ベース１３０は、テーブル１４０、テーブル位置決め手段１７０、およびヘッド位置決め手段１８０等のインクジェット装置１００の各構成部材を支持する台である。
【０１１９】
テーブル１４０は、テーブル位置決め手段１７０を介してベース１３０に設置されている。また、テーブル１４０は、基材Ｓ（本実施形態ではセラミックス成形体１５）を載置するものである。
また、テーブル１４０の裏面には、ラバーヒータ（図示せず）が配設されている。テーブル１４０上に載置されたセラミックス成形体１５は、その上面全体がラバーヒータにて所定の温度に加熱されるようになっている。
【０１２０】
セラミックス成形体１５に着弾したインク１は、その表面側から水系分散媒の少なくとも一部が蒸発する。このとき、セラミックス成形体１５は加熱されているので、水系分散媒の蒸発が促進される。そして、セラミックス成形体１５に着弾したインク１は、乾燥とともにその表面の外縁から増粘し、つまり、中央部に比べて外周部における固形分（粒子）濃度が速く飽和濃度に達することから表面の外縁から増粘していく。外縁の増粘したインク１は、セラミックス成形体１５の面方向に沿う自身の濡れ広がりを停止するため、着弾径しいては線幅の制御が容易になる。
【０１２１】
セラミックス成形体１５の加熱温度としては、例えば、４０℃以上１００℃以下で行うのが好ましく、５０℃以上７０℃以下で行うのがより好ましい。このような条件とすることにより、水系分散媒が蒸発した際に、クラックが発生するのをより効果的に防止することができる。
テーブル位置決め手段１７０は、第１移動手段１７１と、モータ１７２とを有している。テーブル位置決め手段１７０は、ベース１３０におけるテーブル１４０の位置を決定し、これにより、ベース１３０におけるセラミックス成形体１５の位置を決定する。
【０１２２】
第１移動手段１７１は、Ｙ方向と略平行に設けられた２本のレールと、当該レール上を移動する支持台とを有している。第１移動手段１７１の支持台は、モータ１７２を介してテーブル１４０を支持している。そして、支持台がレール上を移動することにより、基材Ｓを載置するテーブル１４０は、Ｙ方向に移動および位置決めされる。
モータ１７２は、テーブル１４０を支持しており、θｚ方向にテーブル１４０を揺動および位置決めする。
【０１２３】
ヘッド位置決め手段１８０は、第２移動手段１８１と、リニアモータ１８２と、モータ１８３、１８４、１８５とを有している。ヘッド位置決め手段１８０は、ヘッド１１０の位置を決定する。
第２移動手段１８１は、ベース１３０から立設する２本の支持柱と、当該支持柱同士の間に当該支持柱に支持されて設けられ、２本のレールを有するレール台と、レールに沿って移動可能でヘッド１１０を支持する支持部材（図示せず）とを有している。そして、支持部材がレールに沿って移動することにより、ヘッド１１０は、Ｘ方向に移動および位置決めされる。
【０１２４】
リニアモータ１８２は、支持部材付近に設けられており、ヘッド１１０のＺ方向の移動および位置決めをすることができる。
モータ１８３、１８４、１８５は、ヘッド１１０を、それぞれα，β，γ方向に揺動および位置決めする。
以上のようなテーブル位置決め手段１７０およびヘッド位置決め手段１８０とにより、インクジェット装置１００は、ヘッド１１０のインク吐出面１１５Ｐと、テーブル１４０上の基材Ｓとの相対的な位置および姿勢を、正確にコントロールできるようになっている。
【０１２５】
図５に示すように、ヘッド１１０は、インクジェット方式（液滴吐出方式）によってインク１をノズル（突出部）１１８から吐出するものである。本実施形態では、ヘッド１１０は、圧電体素子としてのピエゾ素子１１３を用いてインクを吐出させるピエゾ方式を用いている。ピエゾ方式は、インク１に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えないなどの利点を有する。
【０１２６】
ヘッド１１０は、ヘッド本体１１１と、振動板１１２と、ピエゾ素子１１３とを有している。
ヘッド本体１１１は、本体１１４と、その下端面にノズルプレート１１５とを有している。そして、本体１１４を板状のノズルプレート１１５と振動板１１２とが挟み込むことにより、空間としてのリザーバ１１６およびリザーバ１１６から分岐した複数のインク室１１７が形成されている。
【０１２７】
リザーバ１１６には、図示せぬインクタンクよりインク１が供給される。リザーバ１１６は、各インク室１１７にインク１を供給するための流路を形成している。
また、ノズルプレート１１５は、本体１１４の下端面に装着されており、インク吐出面１１５Ｐを構成している。このノズルプレート１１５には、インク１を吐出する複数のノズル１１８が、各インク室１１７に対応して開口されている。そして、各インク室１１７から対応するノズル１１８に向かって、インク流路が形成されている。
【０１２８】
振動板１１２は、ヘッド本体１１１の上端面に装着されており、各インク室１１７の壁面を構成している。振動板１１２は、ピエゾ素子１１３の振動に応じて振動可能となっている。
ピエゾ素子１１３は、その振動板１１２のヘッド本体１１１と反対側に、各インク室１１７に対応して設けられている。ピエゾ素子１１３は、水晶等の圧電材料を一対の電極（不図示）で挟持したものである。その一対の電極は、駆動回路１９１に接続されている。
【０１２９】
そして、駆動回路１９１からピエゾ素子１１３に電気信号を入力すると、ピエゾ素子１１３が膨張変形または収縮変形する。ピエゾ素子１１３が収縮変形すると、インク室１１７の圧力が低下して、リザーバ１１６からインク室１１７にインク１が流入する。また、ピエゾ素子１１３が膨張変形すると、インク室１１７の圧力が増加して、ノズル１１８からインク１が吐出される。なお、印加電圧を変化させることにより、ピエゾ素子１１３の変形量を制御することができる。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子１１３の変形速度を制御することができる。すなわち、ピエゾ素子１１３への印加電圧を制御することにより、インク１の吐出条件を制御し得るようになっている。
制御装置１９０は、インクジェット装置１００の各部位を制御する。例えば、駆動回路１９１で生成する印加電圧の波形を調節してインク１の吐出条件を制御したり、テーブル位置決め手段１７０およびヘッド位置決め手段１８０を制御することにより基板Ｓへのインク１の吐出位置を制御する。
【０１３０】
以上のようなインクジェット装置１００を用いることにより、インク１を、セラミックス成形体１５（基材Ｓ）上の所望する場所に所望の量、精度良く吐出し、配することができる。さらに、インク１は、導体パターン形成用インクであるので、図５（ａ）に示したように導体パターン前駆体１０を、長時間にわたって、精度良くしかも容易に形成することができる。また、インク１の付与を一時的に停止して、長期間放置した場合であっても、ヘッド１１０のノズル１１８の目詰まりが防止されており、極めて短時間の予備運転で、インク１についての優れた液滴の吐出安定性が得られる。
【０１３１】
なお、形成した導体パターン前駆体１０について、さらに乾燥処理を行ってもよい。乾燥処理は、上記の液滴吐出時におけるセラミックス成形体１５の加熱温度と同様の条件で行うことができる。
また、一般の導体パターン前駆体の形成時においては、水系分散媒の揮発に伴って、銀粒子同士が凝集し、バルジやクラックが生じる問題があったが、本発明の導体パターン前駆体１０は、ポリグリセロール変性シリコーンを含むことにより、このような問題が防止されている。
【０１３２】
また、液滴吐出方法によりインク１を付与してから、セラミックス成形体１５を加熱して水等の分散媒を蒸発させ、当該加熱後の導体パターン前駆体１０の上に再度インク１を付与する、といった工程を繰り返し行うことで、厚膜の導体パターン前駆体１０を形成してもよい。このような場合、セラミックス成形体１５に一旦付与されたインク１の粘度が上昇することから、インク１がセラミックス成形体１５上に過度に濡れ広がることを防止し、導体パターン前駆体１０の厚さ、線幅等をより精度よく目的のものとすることができる。
【０１３３】
また、この場合において、分散媒を蒸発させた後のインク１に乾燥抑制剤が含まれる場合、形成された導体パターン前駆体１０が完全に乾燥しない状態でもパターンが流失してしまうおそれがない。従って、一旦、インク１を付与して乾燥してから長時間放置し、その後、再度インク１を付与することが可能になる。
また、この場合において、ポリグリセロール変性シリコーンは、化学的、物理的に安定な化合物であるので、インクを付与して乾燥してから長時間放置してもインクが変質するおそれがなく、再度インクを付与することが可能になり、均質なパターンを形成できる。これにより、導体パターン前駆体１０自体が多層構造になるおそれがなく、この結果、層間同士の間の比抵抗が上昇して導体パターン２０全体の比抵抗が増大するおそれがない。
【０１３４】
上記の工程を経ることによって、本実施形態の導体パターン２０は、従来のインクによって形成された導体パターンに比べて厚く形成することができる。より具体的には５μｍ以上の厚みのものを形成することができる。
このようにして導体パターン前駆体１０を形成したら、同様の工程により、導体パターン前駆体１０を形成したセラミックス成形体１５を必要枚数、例えば１０枚から２０枚程度作製する。
【０１３５】
［積層工程］
次いで、これらセラミックス成形体１５からＰＥＴフィルムを剥がし、図３（ｂ）に示すようにこれらを積層することにより、積層体１７を得る。
この際に、積層するセラミックス成形体１５については、上下に重ねられるセラミックス成形体１５間で、それぞれの導体パターン前駆体１０が必要に応じてコンタクト前駆体１６を介して接続するように配置する。
【０１３６】
その後、セラミックス成形体１５を構成するバインダーのガラス転移点以上に加熱しつつ、各セラミックス成形体１５同士を圧着する。これにより、積層体１７を得る。なお、一般の導体パターン形成用インクには、液滴の吐出安定性を優れたものとするために乾燥抑制剤を大量に添加する場合があり、このような場合、添加剤が結晶として本工程において析出しやすい問題があった。しかしながら、本発明では、導体パターン形成用インク１にポリグリセロール変性シリコーンが含まれることにより、乾燥抑制剤の含有量を比較的低いものとすることができ、このような問題を防止することができる。
【０１３７】
［加熱工程］
このようにして積層体１７を形成したら、例えば、ベルト炉などによって加熱処理する。これにより、各セラミックス成形体１５は焼結されることで、図１に示すようにセラミックス基板３１となり、また、導体パターン前駆体１０は、これを構成する銀コロイド粒子が焼結して配線パターンや電極パターンからなる導体パターン（回路）２０となる。そして、このように積層体１７が加熱処理されることで、この積層体１７は図１に示した積層基板３２となる。
【０１３８】
ここで、積層体１７の加熱温度としては、セラミックス成形体１５中に含まれるガラス材料の軟化点以上とするのが好ましく、具体的には、６００℃以上９００℃以下とするのが好ましい。また、加熱条件としては、適宜な速度で温度を上昇させ、かつ下降させるようにし、さらに、最大加熱温度、すなわち前記の６００℃以上９００℃以下の温度では、その温度に応じて適宜な時間保持するようにする。
【０１３９】
このようにガラスの軟化点以上の温度、すなわち前記温度範囲にまで加熱温度を上げることにより、得られるセラミックス基板３１のガラス成分を軟化させることができる。したがって、その後常温にまで冷却し、ガラス成分を硬化させることにより、積層基板３２を構成する各セラミックス基板３１と導体パターン２０との間がより強固に固着するようになる。
【０１４０】
また、このような温度範囲で加熱することにより、得られるセラミックス基板３１は、９００℃以下の温度で焼結されて形成された、低温焼結セラミックス（ＬＴＣＣ）となる。
ここで、セラミックス成形体１５上に配されたインク１中の金属は、加熱処理によって互いに融着し、連続することによって導電性を示すようになる。
【０１４１】
このような加熱処理によって導体パターン２０は、セラミックス基板３１中のコンタクト３３に直接接続させられ、導通させられて形成されたものとなる。ここで、この導体パターン２０が単にセラミックス基板３１上に載っているだけでは、セラミックス基板３１に対する機械的な接続強度が確保されず、したがって衝撃等によって破損してしまうおそれがある。しかしながら、本実施形態では、前述したようにセラミックス成形体１５中のガラスを一旦軟化させ、その後硬化させることにより、導体パターン２０をセラミックス基板３１に対し強固に固着させている。したがって、形成された導体パターン２０は、機械的にも高い強度を有するものとなる。
なお、このような加熱処理により、導体パターン２０Ａについても前記導体パターン２０と同時に形成することができ、これによってセラミックス回路基板（配線基板）３０を得ることができる。
【０１４２】
以上のようなセラミックス回路基板３０の製造方法では、導体パターンの形成に際し、インク１を使用しているため、インク１の液滴の吐出安定性が優れており、導体パターン前駆体１０を精度よく形成できる。また得られる導体パターン２０は、クラックの発生、断線が防止された信頼性の高いものとなっている。また、製造されるセラミックス回路基板３０も、信頼性の高いものとなっている。
以上、本発明について、好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１４３】
例えば、前述した実施形態では、金属粒子を溶媒に分散してなる分散液として、コロイド液を用いる場合について説明したが、コロイド液でなくてもよい。
また、前述した実施形態では、導体パターン形成用インクは、銀粒子が分散したものとして説明したが、銀以外のものであってもよい。金属粒子に含まれる金属としては、例えば、銀、銅、パラジウム、白金、金、または、これらの合金等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。金属粒子が合金である場合、前記金属が主とするもので、他の金属を含む合金であってもよい。また、上記金属同士が任意の割合で混ざった合金であってもよい。また、混合粒子（例えば、銀粒子と銅粒子とパラジウム粒子とが任意の比率で存在するもの）が液中に分散したものであってもよい。これら金属は、抵抗率が小さく、かつ、加熱処理によって酸化されない安定なものであるから、これらの金属を用いることにより、低抵抗で安定な導体パターンを形成することが可能になる。
【０１４４】
また、例えば、前述した実施形態では、液滴吐出方式としてピエゾ方式を用いたが、これに限定されず、例えば、インクを加熱して発生した泡（バブル）によりインクを吐出させる方式など、公知の種々の技術を適用することができる。
また、例えば、前述した実施形態では、導体パターン前駆体を形成する基板として、セラミックス成形体を用いることして説明したが、これに限定されない。導体パターン前駆体の形成に用いられる基板としては、特に限定されず、例えば、セラミックス焼結体、アルミナ焼結体、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ガラス等からなる基板等が挙げられる。
【実施例】
【０１４５】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
［１］ポリグリセロール変性シリコーンの合成
まず、本発明の導体パターン形成用インクの製造に先立ち、ポリグリセロール変性シリコーンの合成を行った。
【０１４６】
（合成例１）
ポリグリセロール変性シリコーンＡ（連結基：  −ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−）の合成
フェノール変性シリコーン（東レ・ダウコーニング（株）製、商品名：ＢＹ１６−７５２［両末端変性、比重＝ ０．９９ｇ／ｍＬ、粘度＝１１０ｃＳｔ、ヒドロキシ基当量＝１５００（平均分子量＝ ３０００相当）、ＧＰＣ（カラム：Ｇ４０００ＨＸＬ＋Ｇ２０００ＨＸＬ（東ソー（株）製）、ＴＨＦ溶液（５０ｍｍｏｌ／Ｌ酢酸添加）、４０℃、ポリスチレン換算）実測値：数平均分子量（Ｍｎ）＝２３４０、重量平均分子量（Ｍｗ）＝４７８０］）：４５０ｇをフラスコに取り、１Ｍ水酸化カリウムエタノール溶液：１５ｍＬを加え、撹拌しながら減圧下に９５℃まで加温し、淡橙色油状物としてカリウム化フェノール変性シリコーンを得た。激しく撹拌しながらアルゴン気流下にグリシドール７７.８ｇ（３.５当量）を定量送液ポンプを用いて５時間かけて添加した。２０分間さらに加熱撹拌後、室温まで冷却すると、淡黄色粘稠油状生成物が得られた。得られた分岐ポリグリセロール変性シリコーンにエタノール５００ｍＬを加え、カチオン交換樹脂によりカリウムを除去、濃縮し、微黄色油状物として分岐ポリグリセロール変性シリコーンＡを得た（収率９９.６％）。13Ｃ−ＮＭＲスペクトルの解析により、基（１）のメチン炭素由来のシグナル（７８．０〜８１．０ｐｐｍ）の存在から、基（１）を有する分岐ポリグリセロール変性シリコーンであることを確認した。また1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの解析により、平均グリセロール基数（Ｇ）＝６．８（片側３．４）、平均ケイ素原子数（Ｓｉ）＝３３.５、Ｇ／Ｓｉ比は０.２０であり、ＧＰＣ解析に依れば、数平均分子量（Ｍｎ）は２８００であった。
【０１４７】
（合成例２〜８）
ポリグリセロール変性シリコーンの合成に用いる材料の種類、配合量、合成条件を合成例１から適宜調整することにより、表１に示すような７種のポリグリセロール変性シリコーンＢ〜Ｈを得た。
表１に得られたポリグリセロール変性シリコーンの性状を示す。表中、連結基において、（８）は式（８）の連結基を、（１１）は式（１１）の連結基を、（７）は、式（７）の連結基のうちＲ９が−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、ＡＯが−ＣＨ２ＣＨ２−、ｑ、ｒが１のものを、（１２）は、式（１２）の連結基のうちＲ９が−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、ＡＯが−ＣＨ２ＣＨ２−、ｙが１のものを示す。
【０１４８】
【表１】
2011144228.tif 000012
【０１４９】
［２］導体パターン形成用インクの製造
（実施例１）
１０Ｎ−ＮａＯＨ水溶液を３ｍＬ添加してアルカリ性にした水５０ｍＬに、クエン酸三ナトリウム二水和物１７ｇ、タンニン酸０．３６ｇを溶解した。得られた溶液に対して３．８７ｍｏｌ／Ｌ硝酸銀水溶液３ｍＬを添加し、２時間攪拌を行い銀コロイド液を得た。得られた銀コロイド液に対し、導電率が３０μＳ／ｃｍ以下になるまで透析することで脱塩を行った。透析後、３０００ｒｐｍ、１０分の条件で遠心分離を行うことで、粗大金属コロイド粒子を除去した。
【０１５０】
この銀コロイド液に、ポリグリセロール変性シリコーンＡと、乾燥抑制剤としてのキシリトールと、表面張力調整剤としてのサーフィノール１０４ＰＧ−５０（日信化学工業社製）およびオルフィンＥＸＰ４０３６（日信化学工業社製）とを添加し、さらに濃度調整用のイオン交換水を添加して調整し、導体パターン形成用インクとした。
【０１５１】
（実施例２〜１４）
各材料の種類、材料を表２に示すように変更した以外は、前記実施例１と同様にして導体パターン形成用インクを製造した。
（比較例１、２）
ポリグリセロール変性シリコーンを添加せず、その他の成分の配合量を表２に示すようにした以外は、前記実施例１と同様にして導体パターン形成用インクを製造した。
【０１５２】
（比較例３）
ポリグリセロール変性シリコーンの代わりに有機バインダーとしてポリエチレングリコール（重量平均分子量：４００）を用い、他の成分の配合量を表２に示すように変更した以外は、前記実施例１と同様にして導体パターン形成用インクを製造した。
表２に各実施例および各比較例の導体パターン形成用インクの組成を示す。なお、表中、トリエタノールアミンをＴＥＡ、モノエタノールアミンをＭＥＡ、ジエタノールアミンをＤＥＡ、尿素をＵｒ、キシリトールをＸｙｌとした。
【０１５３】
【表２】
2011144228.tif 000013
【０１５４】
［３］液滴吐出の安定性評価（安定吐出性評価）
［３．１］着弾位置精度評価
室温２５℃、相対湿度５０％、クラス１００のクリーンルーム内に設置した図４、図５に示すようなインクジェット装置に、前記各実施例および各比較例の導体パターン形成用インクを充填し、ピエゾ素子の駆動波形を最適化した状態で、インクジェットヘッドの各ノズルから、５００００発（５００００滴）の液滴の連続吐出を行った。導体パターン形成用インクを充填した後の、インクジェットヘッドの中央部付近の指定したノズルから吐出された５００００発の液滴について、着弾した各液滴の中心位置の中心狙い位置からのズレ量ｄの平均値を求め、以下の４段階の基準に従い、評価した。この値が小さいほど飛行曲がりの発生が効果的に防止されていると言える。
【０１５５】
Ａ：ズレ量ｄの平均値が０．０３μｍ未満。
Ｂ：ズレ量ｄの平均値が０．０３μｍ以上、０．０８μｍ未満。
Ｃ：ズレ量ｄの平均値が０．０８μｍ以上、０．１２μｍ未満。
Ｄ：ズレ量ｄの平均値が０．１２μｍ以上。
【０１５６】
［３．２］連続吐出試験（目詰まり評価）
室温２７℃、相対湿度５０％、クラス１００のクリーンルーム内に設置した図４、図５に示すようなインクジェット装置内に、前記各実施例および各比較例の導体パターン形成用インクを充填し、インクジェット装置を３６時間、連続で運転させることにより、導体パターン形成用インクの吐出を行った。連続運転後における、インクジェットヘッドを構成するノズルの目詰まりの発生率（［（目詰まりノズル数）／（全ノズル数）］×１００）を求め、ノズルの目詰まりが発生しているものについては、可塑材料で構成されたクリーニング部材により、目詰まりの解消が可能であるか否かを調べた。その結果を、以下の４段階の基準に従い、評価した。
【０１５７】
Ａ：ノズルの目詰まりの発生がない。
Ｂ：ノズルの目詰まりの発生率が０．５％未満（ただし、ゼロを除く）であり、かつ、クリーニングによる目詰まりの解消が可能。
Ｃ：ノズルの目詰まりの発生率が０．５％以上、１．０％未満であり、かつ、クリーニングによる目詰まりの解消が可能。
Ｄ：ノズルの目詰まりの発生率が１．０％以上、または、クリーニングによる目詰まりの解消が不可能。
なお、上記の評価は、各実施例および各比較例について、同様の条件で行った。
【０１５８】
［３．３］液滴吐出量の安定性評価
室温２５℃、相対湿度５０％、クラス１００のクリーンルーム内に設置した図４、図５に示すようなインクジェット装置内に、前前記各実施例および各比較例の導体パターン形成用インクを充填し、ピエゾ素子の駆動波形を最適化した状態で、インクジェットヘッドの各ノズルから、１０００００発（１０００００滴）の液滴の連続吐出を行った。インクジェットヘッドの左右両端の指定の２つのノズルについて、吐出された液滴の総重量を求め、上記２つのノズルから吐出された液滴の平均吐出量の差の絶対値ΔＷ［ｎｇ］を求めた。このΔＷの、液滴の目標吐出量ＷＴ［ｎｇ］に対する比率（ΔＷ／ＷＴ）を求め、以下の４段階の基準に従い、評価した。ΔＷ／ＷＴの値が小さいほど、液滴吐出量の安定性に優れていると言える。
【０１５９】
Ａ：ΔＷ／ＷＴの値が、０．０２０未満。
Ｂ：ΔＷ／ＷＴの値が、０．０２０以上、０．４２０未満。
Ｃ：ΔＷ／ＷＴの値が、０．４２０以上、０．７２０未満。
Ｄ：ΔＷ／ＷＴの値が、０．７２０以上。
【０１６０】
［４］セラミックス回路基板の作製および評価
各実施例および各比較例で得られた導体パターン形成用インクを、それぞれ図４、５に示すようなインクジェット装置に投入した。
次に、上記セラミックスグリーンシートを６０℃に昇温保持した。各吐出ノズルからそれぞれ１滴当り１５ｎｇの液滴を順次吐出し、線幅が３５μｍ、厚み１５μｍ、長さが１０．０ｃｍのライン（前駆体）を２０本描画した。各ライン間の距離は、５ｍｍとした。そして、このラインが形成されたセラミックスグリーンシートを乾燥炉に入れ、６０℃で３０分間加熱して乾燥した。
【０１６１】
上記のようにして、ラインが形成されたセラミックスグリーンシートを第        １のセラミックスグリーンシートとした。この第１のセラミックスグリーンシートを各インクにつき、２０枚ずつ作成した。また、各シートについて、クラックがあるか否かを確認した。この結果を表２に示した。なお、表２には、第１のセラミックスグリーンシートのうち、ラインにクラックの入っていない良品の数を示した。
【０１６２】
次に、別のセラミックスグリーンシートに上記の金属配線の両端位置に機械式パンチ等によって孔開けを行うことで計４０箇所に直径１００μｍのスルーホールを形成し、得られた各実施例および各比較例の導体パターン形成用インクを充填することでコンタクト（ビア）を形成した。さらに、このコンタクト（ビア）上に２ｍｍ角のパターンを、得られた各実施例および各比較例の導体パターン形成用インクを用いて上記液滴吐出装置を用いて端子部を形成した。
【０１６３】
この端子部が形成されたセラミックスグリーンシートを第２のセラミックスグリーンシートとした。
次に、第２のセラミックスグリーンシートの下に第１のセラミックスグリーンシートを積層し、さらに無加工のセラミックスグリーンシートを補強層として２枚積層し、生の積層体を得た。この生の積層体を各インクにつき、第１のセラミックスグリーンシート２０枚それぞれに作成し、各インクにつき２０ブロックずつ作成した。
【０１６４】
次に、生の積層体を、９５℃の温度において、２５０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で３０分間プレスした後、大気中において、昇温速度６６℃／時間で約６時間、昇温速度１０℃／時間で約５時間、昇温速度８５℃／時間で約４時間といった連続的に昇温する昇温過程を経て、最高温度８９０℃で３０分間保持するといった焼結プロファイルに従って焼結し、セラミックス回路基板を得た。
【０１６５】
冷却後、各セラミックス回路基板について、２０本の導体パターン上に形成された端子部間にテスタをあて、それぞれ導通の有無を確認し、導通率が１００％であったものを良品とした。なお、導通率は、各セラミックス回路基板中にある導通のあった導体パターンの数を、形成した導体パターンの数（２０本）で除したものとした。
これらの結果を表３に示す。
【０１６６】
【表３】
2011144228.tif 000014
【０１６７】
表３に示すように、本発明の導体パターン形成用インクでは、吐出安定性に優れるものであった。また、本発明の導体パターン形成用インクを用いて形成された導体パターンおよび配線基板は、優れた導通率を示し、信頼性の高いものであった。これに対して、比較例では、満足な結果が得られなかった。
また、インク中における銀コロイド粒子の含有量を２０ｗｔ％、３０ｗｔ％に変更したところ、上記と同様の結果が得られた。
【符号の説明】
【０１６８】
１…導体パターン形成用インク（インク）  １０…導体パターン前駆体（前駆体）  １５…セラミックス成形体（セラミックスグリーンシート）  １６…コンタクト前駆体  １７…積層体  ２０、２０Ａ…導体パターン（回路）  ３０…セラミックス回路基板（配線基板）  ３１…セラミックス基板  ３２…積層基板  ３３…コンタクト  １００…インクジェット装置（液滴吐出装置）  １１０…インクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド、ヘッド）  １１１…ヘッド本体  １１２…振動板  １１３…ピエゾ素子  １１４…本体  １１５…ノズルプレート  １１５Ｐ…インク吐出面  １１６…リザーバ  １１７…インク室  １１８…ノズル（突出部）  １３０…ベース  １４０…テーブル  １７０…テーブル位置決め手段  １７１…第１移動手段  １７２…モータ  １８０…ヘッド位置決め手段  １８１…第２移動手段  １８２…リニアモータ  １８３、１８４、１８５…モータ  １９０…制御装置  １９１…駆動回路  Ｓ…基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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