(57)【要約】      （修正有）【課題】金属と効率よく強固に吸着できる化合物、及び、それを用いた金属複合体を提供する。【解決手段】下記式（Ｐ−ａ）で表される構成単位を有する、分子量が５×１０2〜１×１０7の高分子化合物。2011219517.tif 000057（式中、Ａｒ2は、置換基を有していてもよい芳香族基を表し、Ｒ2は、直接結合、又は、ヘテロ原子としては酸素原子のみを有していてもよい有機基を表し、Ｅは、ヘテロ原子を表し、Ｒ3は、１価の炭化水素基又は水素原子を表し、ｍt及びｎtはそれぞれ独立に、１以上の整数であり、ｌtは、１〜３の整数である。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（ＩＩ−ａ）で表される化合物。
【化１】
2011219517.tif 000051
（式中、Ａｒ2は、置換基を有していてもよい芳香族基を表し、Ｒ2は、直接結合、又は、ヘテロ原子としては酸素原子のみを有していてもよい有機基を表し、Ｅは、ヘテロ原子を表し、Ｒ3は、１価の炭化水素基又は水素原子を表し、ｍt及びｎtはそれぞれ独立に、１以上の整数であり、ｌtは、１〜３の整数である。複数あるＲ3、Ｅ及びｌtは、各々、同一であっても異なっていてもよい。ｍtは、複数ある場合には、同一であっても異なっていてもよい。Ｘa及びＸbはそれぞれ独立に、ハロゲン原子、ニトロ基、−ＳＯ3Ｑ（ここで、Ｑは置換又は非置換の１価の炭化水素基を表す。）、−Ｂ（ＯＱ1）2（ここで、Ｑ1は、水素原子又は１価の炭化水素基を表すか、２個のＱ1が結合して一緒に環を形成する。２個あるＱ1は、同一であっても異なっていてもよい。）、−Ｂ（ＯＱ01）3・Ｍa（式中、Ｑ01は、水素原子又は１価の炭化水素基を表すか、３個のＱ01が結合して一緒に環を形成する。３個あるＱ01は、同一であっても異なっていてもよい。Ｍaは、金属カチオン又は置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンを表す。）、−Ｓｉ(Ｑ2)3（ここで、Ｑ2は、１価の炭化水素基を表す。）、又は、−Ｓｎ(Ｑ3)3（ここで、Ｑ3は、１価の炭化水素基を表す。）を表す。）
【請求項２】
下記式（ＩＩ−ｂ）で表される、請求項１に記載の化合物。
【化２】
2011219517.tif 000052
（式中、Ｒ02は、２価の炭化水素基を表し、Ｅ0は、硫黄原子又は酸素原子を表す。Ｒ4は、１価の炭化水素基又は水素原子を表し、ｎtは１又は２であり、ｏt＝２−ｎtである。複数あるＲ3及びＥ0は、各々、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ02は、複数ある場合には、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ3、Ｘa及びＸbは、前記と同じ意味を有する。）
【請求項３】
Ｒ02がフェニレン基である、請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
Ｘa及びＸbがそれぞれ独立に、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子である、請求項２又は３に記載の化合物。
【請求項５】
下記式（ＩＩ−ｃ）で表される、請求項４に記載の化合物。
【化３】
2011219517.tif 000053
（式中、Ｒ3、Ｒ4及びＥ0は、前記と同じ意味を有する。Ｘaa及びＸbbはそれぞれ独立に、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）
【請求項６】
下記式（Ｐ−ａ）で表される構成単位を有する、分子量が５×１０2〜１×１０7の高分子化合物。
【化４】
2011219517.tif 000054
（式中、Ａｒ2は、置換基を有していてもよい芳香族基を表し、Ｒ2は、直接結合、又は、ヘテロ原子としては酸素原子のみを有していてもよい有機基を表し、Ｅは、ヘテロ原子を表し、Ｒ3は、１価の炭化水素基又は水素原子を表し、ｍt及びｎtはそれぞれ独立に、１以上の整数であり、ｌtは、１〜３の整数である。複数あるＲ3、Ｅ及びｌtは、各々、同一であっても異なっていてもよい。ｍtは、複数ある場合には、同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項７】
前記式（Ｐ−ａ）で表される構成単位が、下記式（Ｐ−ｂ）で表される構成単位である、請求項６に記載の高分子化合物。
【化５】
2011219517.tif 000055
（式中、Ｒ02は、２価の炭化水素基を表し、Ｅ0は、硫黄原子又は酸素原子を表し、Ｒ4は、１価の炭化水素基又は水素原子を表し、ｎtは１又は２であり、ｏt＝２−ｎtである。Ｒ3は、前記と同じ意味を有する。複数あるＲ3及びＥ0は、各々、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ02は、複数ある場合には、同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項８】
Ｒ02がフェニレン基である、請求項７に記載の高分子化合物。
【請求項９】
前記式（Ｐ−ｂ）で表される構成単位が、下記式（Ｐ−ｃ）で表される構成単位である、請求項８に記載の高分子化合物。
【化６】
2011219517.tif 000056
（式中、Ｒ3、Ｒ4及びＥ0は、前記と同じ意味を有する。Ｘaa及びＸbbはそれぞれ独立に、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか一項に記載の高分子化合物と、膜状若しくは板状の金属、又は、膜状若しくは板状の金属化合物とを接触させることにより得られる金属複合体。
【請求項１１】
請求項６〜９のいずれか一項に記載の高分子化合物と、アスペクト比が１．５未満の金属ナノ粒子、又は、アスペクト比が１．５未満の金属化合物ナノ粒子とを接触させることにより得られる金属複合体。
【請求項１２】
請求項１０に記載の金属複合体、及び／又は、請求項１１に記載の金属複合体を含む電子素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属複合体及びそれに有用な化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
熱伝導性、電気伝導性、耐熱性等の特性を有する共役化合物は金属と複合化させて、お互いの弱点を補ったり、新規な機能を発現したりするため、複合化により得られる金属複合体は、新世代の材料として注目されている。そして、金属複合体を製造するには、異種の材料である共役化合物と金属とを、効率よく強固に吸着させることが不可欠である（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Ｊ．Ｅ．Ｋａｔｏｎ、高分子有機半導体、２章
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、本発明は、金属と効率よく強固に吸着できる化合物、及び、それを用いた金属複合体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は第一に、下記式（ＩＩ−ａ）で表される化合物を提供する。
【０００６】
【化１】
2011219517.tif 000002
（式中、Ａｒ2は、置換基を有していてもよい芳香族基を表し、Ｒ2は、直接結合、又は、ヘテロ原子としては酸素原子のみを有していてもよい有機基を表し、Ｅは、ヘテロ原子を表し、Ｒ3は、１価の炭化水素基又は水素原子を表し、ｍt及びｎtはそれぞれ独立に、１以上の整数であり、ｌtは、１〜３の整数である。複数あるＲ3、Ｅ及びｌtは、各々、同一であっても異なっていてもよい。ｍtは、複数ある場合には、同一であっても異なっていてもよい。Ｘa及びＸbはそれぞれ独立に、ハロゲン原子、ニトロ基、−ＳＯ3Ｑ（ここで、Ｑは置換又は非置換の１価の炭化水素基を表す。）、−Ｂ（ＯＱ1）2（ここで、Ｑ1は、水素原子又は１価の炭化水素基を表すか、２個のＱ1が結合して一緒に環を形成する。２個あるＱ1は、同一であっても異なっていてもよい。）、−Ｂ（ＯＱ01）3・Ｍa（式中、Ｑ01は、水素原子又は１価の炭化水素基を表すか、３個のＱ01が結合して一緒に環を形成する。３個あるＱ01は、同一であっても異なっていてもよい。Ｍaは、金属カチオン又は置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンを表す。）、−Ｓｉ(Ｑ2)3（ここで、Ｑ2は、１価の炭化水素基を表す。）、又は、−Ｓｎ(Ｑ3)3（ここで、Ｑ3は、１価の炭化水素基を表す。）を表す。ｍt、ｎtが付された括弧内の基が複数ある場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
【０００７】
本発明は第二に、下記式（Ｐ−ａ）で表される構成単位を有する、分子量が５×１０2〜１×１０7の高分子化合物を提供する。
【０００８】
【化２】
2011219517.tif 000003
（式中、Ａｒ2は、置換基を有していてもよい芳香族基を表し、Ｒ2は、直接結合、又は、ヘテロ原子としては酸素原子のみを有していてもよい有機基を表し、Ｅは、ヘテロ原子を表し、Ｒ3は、１価の炭化水素基又は水素原子を表し、ｍt及びｎtはそれぞれ独立に、１以上の整数であり、ｌtは、１〜３の整数である。複数あるＲ3、Ｅ及びｌtは、各々、同一であっても異なっていてもよい。ｍtは、複数ある場合には、同一であっても異なっていてもよい。ｍt、ｎtが付された括弧内の基が複数ある場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
【０００９】
本発明は第三に、前記高分子化合物と、膜状若しくは板状の金属、又は、膜状若しくは板状の金属化合物とを接触させることにより得られる金属複合体を提供する。
【００１０】
本発明は第四に、前記高分子化合物と、アスペクト比が１．５未満の金属ナノ粒子、又は、アスペクト比が１．５未満の金属化合物ナノ粒子とを接触させることにより得られる金属複合体を提供する。
【００１１】
本発明は第五に、前記金属複合体を含む電子素子を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、金属と効率よく強固に吸着できる化合物、及び、それを用いた金属複合体が得られる。また、本発明の化合物は、電子複合材料等の先端機能材料の原料として、特に有用である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
次に、本発明を詳細に説明する。
本明細書において、「吸着」とは、化学吸着、物理吸着を意味する。
【００１４】
＜化合物＞
本発明の化合物は、前記式（ＩＩ−ａ）で表される化合物である。
【００１５】
前記式（ＩＩ−ａ）中、Ａｒ2で表される芳香族基は、以下の式（１）〜（９１）で表される化合物から水素原子を２個取り除いた残りの原子団を意味する。この芳香族基は、置換基を有していてもよい。
【００１６】
以下の式（１）〜（９１）で表される化合物の中でも、合成が容易であるので、式（１）〜（１２）、（１５）〜（２２）、（２４）〜（３１）、（３７）〜（４０）、（４３）〜（４６）、（４９）、（５０）、（５９）〜（７６）で表される化合物が好ましく、式（１）〜（３）、（８）〜（１０）、（１５）〜（２１）、（２４）〜（３１）、（３７）、（３９）、（４３）〜（４５）、（４９）、（５０）、（５９）〜（７６）で表される化合物がより好ましく、式（１）〜（３）、（８）、（１０）、（１５）、（１７）、（２１）、（２４）、（３０）、（５９）、（６０）、（６１）で表される化合物が更に好ましく、式（１）〜（３）、（８）、（１０）、（５９）で表される化合物が特に好ましい。
【００１７】
【化３】
2011219517.tif 000004
【００１８】
【化４】
2011219517.tif 000005
【００１９】
【化５】
2011219517.tif 000006
【００２０】
【化６】
2011219517.tif 000007
【００２１】
前記Ａｒ2で表される芳香族基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基、メルカプト基、カルボニルメルカプト基、チオカルボニルメルカプト基、置換基を有していてもよい炭化水素チオ基、置換基を有していてもよい炭化水素チオカルボニル基、置換基を有していてもよい炭化水素ジチオ基、水酸基、置換基を有していてもよい炭化水素オキシ基、カルボキシル基、アルデヒド基、置換基を有していてもよい炭化水素カルボニル基、置換基を有していてもよい炭化水素オキシカルボニル基、置換基を有していてもよい炭化水素カルボニルオキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有していてもよい炭化水素一置換アミノ基、置換基を有していてもよい炭化水素二置換アミノ基、ホスフィノ基、置換基を有していてもよい炭化水素一置換ホスフィノ基、置換基を有していてもよい炭化水素二置換ホスフィノ基、式：−Ｐ(＝Ｏ)(ＯＨ)2、カルバモイル基、置換基を有していてもよい炭化水素一置換カルバモイル基、置換基を有していてもよい炭化水素二置換カルバモイル基、式：−Ｂ(ＯＨ)2で表される基、ホウ酸エステル残基、スルホ基、置換基を有していてもよい炭化水素スルホ基、置換基を有していてもよい炭化水素スルホニル基、置換基を有していてもよい１価の複素環基、２個以上のエーテル結合を有する炭化水素基、２個以上のエステル結合を有する炭化水素基、２個以上のアミド結合を有する炭化水素基、式：−ＣＯ2Ｍで表される基、式：−ＰＯ3Ｍで表される基、式：−ＰＯ2Ｍで表される基、式：−ＰＯ3Ｍ2で表される基、式：−ＯＭで表される基、式：−ＳＭで表される基、式：−Ｂ(ＯＭ)2で表される基、式：−ＳＯ3Ｍで表される基、式：−ＳＯ2Ｍで表される基（式中、Ｍは、金属カチオン又は置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンを表す。）、式：−ＮＲ3Ｍ’で表される基、式：−ＢＲ3Ｍ’で表される基、式：−ＰＲ3Ｍ’で表される基、式：−ＳＲ2Ｍ’で表される基（式中、Ｒは、１価の炭化水素基を表し、Ｍ’は、アニオンを表す。）、及び、第４級化された窒素原子を複素環内に有する置換基を有していてもよい１価の複素環基等が挙げられ、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、メルカプト基、置換基を有していてもよい炭化水素チオ基、置換基を有していてもよい炭化水素ジチオ基、水酸基、置換基を有していてもよい炭化水素オキシ基、カルボキシル基、置換基を有していてもよい炭化水素カルボニル基、シアノ基、アミノ基、置換基を有していてもよい炭化水素一置換アミノ基、置換基を有していてもよい炭化水素二置換アミノ基、式：−Ｐ(＝Ｏ)(ＯＨ)2、スルホ基、置換基を有していてもよい１価の複素環基、式：−ＣＯ2Ｍで表される基、式：−ＰＯ3Ｍで表される基、式：−ＳＯ3Ｍで表される基、又は、式：−ＮＲ3Ｍ’で表される基が好ましく、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、メルカプト基、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、アミノ基、式：−Ｐ(＝Ｏ)(ＯＨ)2、スルホ基、置換基を有していてもよい１価の複素環基、式：−ＣＯ2Ｍで表される基、式：−ＰＯ3Ｍで表される基、式：−ＮＲ3Ｍ’で表される基がより好ましく、置換基を有していてもよい炭化水素基、メルカ��ト基、カルボキシル基、置換基を有していてもよい１価の複素環基、式：−ＣＯ2Ｍで表される基が特に好ましい。
前記Ａｒ2で表される芳香族基は、これらの置換基を一種のみ有していても二種以上有していてもよい。また、複数の置換基がある場合には、それらが一緒になって環を形成していてもよい。
【００２２】
置換基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が好ましく、塩素原子、臭素原子が更に好ましい。
【００２３】
置換基である、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ノニル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基、ドコシル基等の炭素数１〜５０のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基、ノルボニル基、アダマンチル基等の炭素数３〜５０の環状飽和炭化水素基；エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基等の炭素数２〜５０のアルケニル基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基等の炭素数６〜５０のアリール基；フェニルメチル基、１−フェニレンエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニル−１−プロピル基、１−フェニル−２−プロピル基、２−フェニル−２−プロピル基、３−フェニル−１−プロピル基、４−フェニル−１−ブチル基、５−フェニル−１−ペンチル基、６−フェニル−１−ヘキシル基等の炭素数７〜５０のアラルキル基が挙げられ、炭素数１〜５０のアルキル基、炭素数６〜５０のアリール基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１８のアリール基がより好ましく、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基が特に好ましい。
【００２４】
置換基である、置換基を有していてもよい炭化水素チオ基、置換基を有していてもよい炭化水素チオカルボニル基、置換基を有していてもよい炭化水素ジチオ基、置換基を有していてもよい炭化水素オキシ基、置換基を有していてもよい炭化水素カルボニル基、置換基を有していてもよい炭化水素オキシカルボニル基、置換基を有していてもよい炭化水素カルボニルオキシ基は、各基を構成する水素原子の一部又は全部（特には１〜３個、とりわけ１個又は２個）が、前記「置換基を有していてもよい１価の炭化水素基」で置換されていてもよい基である。
【００２５】
置換基である、炭化水素一置換アミノ基、炭化水素二置換アミノ基、炭化水素一置換ホスフィノ基、炭化水素二置換ホスフィノ基、炭化水素一置換カルバモイル基、炭化水素二置換カルバモイル基は、各基を構成する水素原子の１個又は２個が、前記「置換基を有していてもよい１価の炭化水素基」で置換されていてもよい基である。
【００２６】
置換基であるホウ酸エステル残基は、例えば、以下の式で表される基である。
【００２７】
【化７】
2011219517.tif 000008
【００２８】
置換基である１価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子を１個取り除いた残りの原子団である。複素環式化合物としては、ピリジン、１，２−ジアジン、１，３−ジアジン、１，４−ジアジン、１，３，５−トリアジン、フラン、ピロール、チオフェン、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、アザジアゾール等の単環式複素環式化合物；単環式複素環式化合物を構成する複素環の２個以上が縮合した縮合多環式複素環式化合物；単環式複素環式化合物を構成する複素環２個を、又は、芳香環１個と単環式複素環式化合物を構成する複素環１個とを、メチレン基、エチレン基、カルボニル基等の２価の基で橋かけした構造を有する有橋多環式複素環式化合物等が挙げられ、ピリジン、１，２−ジアジン、１，３−ジアジン、１，４−ジアジン、１，３，５−トリアジンが好ましく、ピリジン、１，３，５−トリアジンがより好ましい。
【００２９】
置換基である２個以上のエーテル結合を有する炭化水素基は、例えば、以下の式で表される基である。
【００３０】
【化８】
2011219517.tif 000009
（式中、Ｒ’は、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基を表す。ｎは、２以上の整数である。複数あるＲ’は、同一であっても異なっていてもよい。）
【００３１】
Ｒ’で表される２価の炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、１，２−プロピレン基、１，３−プロピレン基、１，２−ブチレン基、１，３−ブチレン基、１，４−ブチレン基、１，５−ペンチレン基、１，６−ヘキシレン基、１，９−ノニレン基、１，１２−ドデシレン基等の炭素原子数１〜５０の２価の飽和炭化水素基；エテニレン基、プロペニレン基、３−ブテニレン基、２−ブテニレン基、２−ペンテニレン基、２−ヘキセニレン基、２−ノネニレン基、２−ドデセニレン基等のアルケニレン基、及び、エチニレン基等の炭素原子数２〜５０の２価の不飽和炭化水素基；シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボニレン基、アダマンチレン基等の炭素原子数３〜５０の２価の環状飽和炭化水素基；１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、ビフェニル−４，４’−ジイル基等の炭素原子数６〜５０のアリーレン基等が挙げられる。これらの基における水素原子は、置換基で置換されていてもよい。
【００３２】
置換基である２個以上のエーテル結合を有する炭化水素基は、例えば、以下の式で表される基である。
【００３３】
【化９】
2011219517.tif 000010
（式中、Ｒ’は、前記と同じ意味を有する。複数あるＲ’は、同一であっても異なっていてもよい。ｎ3は、２以上の整数である。）
【００３４】
置換基である２個以上のエステル結合を有する炭化水素基は、例えば、以下の式で表される基である。
【００３５】
【化１０】
2011219517.tif 000011
（式中、Ｒ’及びｎは、前記と同じ意味を有する。）
【００３６】
置換基である２個以上のアミド結合を有する炭化水素基は、例えば、以下の式で表される基である。
【００３７】
【化１１】
2011219517.tif 000012
（式中、Ｒ’及びｎは、前記と同じ意味を有する。）
【００３８】
前記Ｍで表される金属カチオンとしては、１〜３価のイオンが好ましく、Li、Na、K、Cs、Be、Mg、Ca、Ba、Ag、Al、Bi、Cu、Fe、Ga、Mn、Pb、Sn、Ti、V、W、Y、Yb、Zn、Zr等の金属のイオンが挙げられる。
【００３９】
前記Ｍで表される置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンにおいて、該置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基等の炭素原子数１〜１０のアルキル基が挙げられる。
【００４０】
前記Ｒで表される１価の炭化水素基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。
【００４１】
前記Ｍ’で表されるアニオンとしては、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、ＣｌＯ-、ＣｌＯ2-、ＣｌＯ3-、ＣｌＯ4-、ＳＣＮ-、ＣＮ-、ＮＯ3-、ＳＯ42-、ＨＳＯ4-、ＰＯ43-、ＨＰＯ42-、Ｈ2ＰＯ4-、ＢＦ4-、ＰＦ6-、ＣＨ3ＳＯ3-、ＣＦ3ＳＯ3-、テトラキス（イミダゾリル）ボレートアニオン、８−キノリノラトアニオン、２−メチル−８−キノリノラトアニオン、２−フェニル−８−キノリノラトアニオン等が挙げられる。
【００４２】
置換基である第４級化された窒素原子を複素環内に有する１価の複素環基とは、以下の式で表される基が挙げられる。
【００４３】
【化１２】
2011219517.tif 000013
（式中、Ｒ及びＭ’は、前記と同じ意味を有する。）
【００４４】
前記式（ＩＩ−ａ）中、Ｒ2で表されるヘテロ原子としては酸素原子のみを有していてもよい有機基としては、前記置換基を有していてもよい１価の炭化水素基のＣＨ2を酸素原子で置き換えた基から水素原子の一部を取り除いた残りの原子団、及び、前記置換基を有していてもよい１価の炭化水素基から水素原子の一部を取り除いた残りの原子団が挙げられ、これらの基同士は環を形成してもよい。Ｒ2としては、好ましくは、置換基を有していてもよいアルキル基から水素原子の一部を取り除いた残りの原子団、置換基を有していてもよいアリール基から水素原子の一部を取り除いた残りの原子団であり、より好ましくは、炭素数１〜１２のアルキル基から水素原子の一部を取り除いた残りの原子団、フェニル基から水素原子の一部を取り除いた残りの原子団であり、更に好ましくは、炭素数１〜６のアルキル基から水素原子の一部を取り除いた残りの原子団、フェニル基から水素原子の一部を取り除いた残りの原子団である。
【００４５】
前記式（ＩＩ−ａ）中、Ｅで表されるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子が挙げられ、好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子であり、更に好ましくは酸素原子、硫黄原子であり、特に好ましくは硫黄原子である。
【００４６】
なお、Ｅが酸素原子又は硫黄原子であり、かつ、Ｒ3が水素原子の場合は、下記反応式で表される異性化反応が起こることがある。この異性化反応で生成する化合物も本発明の化合物と同等の効果を発揮する。
【００４７】
【化１３】
2011219517.tif 000014
【００４８】
また、Ｅが硫黄原子であり、かつ、Ｒ3が水素原子の場合は、二分子の−Ｅ−Ｈ同士の反応で−Ｅ−Ｅ−の構造が生成しやすい。この反応で生成した化合物も本発明の化合物と同等の効果を発揮する。
【００４９】
前記式（ＩＩ−ａ）中、Ｒ3で表される１価の炭化水素基としては、前記置換基の項で説明し例示した、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基と同じである。複数あるＲ3は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ3同士は環を形成してもよい。
【００５０】
前記式（ＩＩ−ａ）中、Ｘa及びＸbで表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が好ましい。
【００５１】
Ｘa及びＸbで表される−ＳＯ3Ｑにおいて、Ｑで表される置換又は非置換の１価の炭化水素基は、前記置換基の項で説明し例示した、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基と同じである。ここで、置換基としては、フッ素原子が挙げられる。
【００５２】
Ｘa及びＸbで表される−ＳＯ3Ｑとしては、メタンスルホネート基、ベンゼンスルホネート基、ｐ-トルエンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が挙げられる。
【００５３】
Ｘa及びＸbで表される−Ｂ(ＯＱ1)2及び−Ｂ(ＯＱ01)3・Ｍaにおいて、Ｑ1又はＱ01で表される１価の炭化水素基としては、前記置換基の項で説明し例示した、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基が挙げられるが、アルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ノニル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が更に好ましい。２個のＱ1が一緒に環を形成する場合には、２個のＱ1からなる２価の炭化水素基としては、１，２−エチレン基、１，１，２，２−テトラメチル−１，２−エチレン基、１，３−プロピレン基、２，２−ジメチル−１，３−プロピレン基、１，２−フェニレン基が好ましい。
【００５４】
Ｘa及びＸbで表される−Ｂ(ＯＱ01)3・Ｍaにおいて、Ｍaは、前記Ｍとして説明し例示したものと同じである。
【００５５】
Ｘa及びＸbで表される−Ｓｉ(Ｑ2)3、−Ｓｎ(Ｑ3)3において、Ｑ2、Ｑ3で表される１価の炭化水素基としては、前記置換基の項で説明し例示した、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基が挙げられるが、アルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ノニル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が更に好ましい。
【００５６】
前記式（ＩＩ−ａ）中、Ｘa及びＸbは、好ましくは、ハロゲン原子、−ＳＯ3Ｑ、−Ｂ(ＯＱ1)2、−Ｂ(ＯＱ01)3・Ｍaであり、より好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−ＳＯ3Ｑであり、更に好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホネート基であり、特に好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であり、とりわけ好ましくは臭素原子である。
【００５７】
前記式（ＩＩ−ａ）中、ｌtは、１〜３の整数である。Ｅがケイ素原子である場合、Ｅに直結するＲ3の数を表すｌtは３であり、Ｅが窒素原子又はリン原子である場合、Ｅに直結するＲ3の数を表すｌtは２であり、Ｅが酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はテルル原子である場合、Ｅに直結するＲ3の数を表すｌtは１である。
【００５８】
前記式（ＩＩ−ａ）で表される化合物の中でも、下記式（ＩＩ−ｂ）で表される化合物が好ましく、下記式（ＩＩ−ｃ）で表される化合物がより好ましい。
【００５９】
【化１４】
2011219517.tif 000015
（式中、Ｒ02は、２価の炭化水素基を表し、Ｅ0は、硫黄原子又は酸素原子を表す。Ｒ4は、１価の炭化水素基又は水素原子を表し、ｎtは１又は２であり、ｏt＝２−ｎtである。複数あるＲ3及びＥ0は、各々、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ02は、複数ある場合には、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ3、Ｘa及びＸbは、前記と同じ意味を有する。ｎtが付された括弧内の基が複数ある場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
【００６０】
【化１５】
2011219517.tif 000016
（式中、Ｒ3、Ｒ4及びＥ0は、前記と同じ意味を有する。Ｘaa及びＸbbはそれぞれ独立に、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）
【００６１】
前記式（ＩＩ−ｂ）中のＲ02で表される２価の炭化水素基としては、前記Ｒ’で表される２価の炭化水素基の項で説明し例示した２価の炭化水素基と同じであるが、フェニレン基が好ましい。
【００６２】
前記式（ＩＩ−ｂ）中のＸa及びＸbで表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が好ましい。
【００６３】
前記式（ＩＩ−ｂ）、（ＩＩ−ｃ）中のＲ4で表される１価の炭化水素基は、前記置換基の項で説明し例示した、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基と同じである。
【００６４】
本発明の化合物の例としては、以下の式（Ｆ−１）〜（Ｆ−２９）で表される化合物が挙げられ、以下の式（Ｆ−１）〜（Ｆ−１２）で表される化合物が好ましい。
【００６５】
【化１６】
2011219517.tif 000017
【００６６】
【化１７】
2011219517.tif 000018
【００６７】
【化１８】
2011219517.tif 000019
【００６８】
【化１９】
2011219517.tif 000020
【００６９】
【化２０】
2011219517.tif 000021
【００７０】
＜化合物の製造方法＞
本発明の化合物は、如何なる方法で合成したものであってもよいが、合成方法の一例を以下で説明する（スキームＡ）。
【００７１】
【化２１】
2011219517.tif 000022
【００７２】
このスキームＡは、Ｘa及びＸbがハロゲン原子である場合に適用できる。ここで、スキームＡの目的物において、Ｘa及びＸbが、−ＳＯ3Ｑ、−Ｂ(ＯＱ1)2、−Ｓｉ(Ｑ2)3又は−Ｓｎ(Ｑ3)3である場合には、スキームＡの適切な段階で、Ｘa及びＸbを対応する基に変換すればよい。変換方法としては、Ｘa及びＸbがハロゲン原子である化合物（スキームＡ中のいずれの段階でもよい。）に、ｎ−ブチルリチウム等の有機リチウムを反応させ、その後、
（１）(Ｑ1Ｏ)2Ｂ−Ｂ(ＯＱ1)2と反応させることにより、Ｘa及びＸbの少なくとも一方が−Ｂ(ＯＱ1)2に変換された化合物が得られ、
（２）(Ｑ2)3ＳｉＣｌと反応させることにより、Ｘa及びＸbの少なくとも一方が−Ｓｉ(Ｑ2)3に変換された化合物が得られ、
（３）(Ｑ3)3ＳｎＣｌ又は(Ｑ3)3Ｓｎ−Ｓｎ(Ｑ3)3と反応させることにより、Ｘa及びＸbの少なくとも一方が−Ｓｎ(Ｑ3)3に変換された化合物が得られる。
これらの変換方法における各反応は、パラジウム触媒の存在下で行うと、反応速度が向上する。なお、Ｘa及びＸbが、ヨウ素原子又は臭素原子である場合、前記有機リチウムの反応は省略可能である。
【００７３】
本発明の化合物の合成方法の他の一例としては、下記式（ＩＩ−ｔ）で表される化合物と下記式（ＩＩ−ｕ）で表される化合物とを反応させる方法が挙げられる。
【００７４】
【化２２】
2011219517.tif 000023
（式中、Ｒ2、Ｒ3、Ｅ、ｌt及びｍtは、前記と同じ意味を有する。Ｘcは、ハロゲン原子、ニトロ基、−ＳＯ3Ｑ、−Ｂ（ＯＱ1）2、−Ｂ（ＯＱ01）3・Ｍa、−Ｓｉ(Ｑ2)3、又は、−Ｓｎ(Ｑ3)3を表す。ｍtが付された括弧内の基が複数ある場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
【００７５】
【化２３】
2011219517.tif 000024
（式中、Ａｒ2、Ｘa、Ｘb及びｎtは、前記と同じ意味を有する。Ｘdは、ハロゲン原子、ニトロ基、−ＳＯ3Ｑ、−Ｂ（ＯＱ1）2、−Ｂ（ＯＱ01）3・Ｍa、−Ｓｉ(Ｑ2)3、又は、−Ｓｎ(Ｑ3)3を表す。）
【００７６】
前記式（ＩＩ−ｔ）中のＸc及び前記式（ＩＩ−ｕ）中のＸdがハロゲン原子である場合、熊田・玉尾カップリングを用いることができる。即ち、前記式（ＩＩ−ｔ）で表される化合物、又は、前記式（ＩＩ−ｕ）で表される化合物に対して、予めマグネシウムを反応させるか、アルキルマグネシウムクロライド等を反応させることにより、Ｘc又はＸdを、−ＭｇＸc、−ＭｇＸd又は−ＭｇＣｌとした後、ニッケル触媒（例えば、NiCl2(dppe)2）又はパラジウム触媒（例えば、Pd(PPh3)4）の存在下で、他方と反応させることにより、前記式（ＩＩ−ａ）で表される化合物を得ることができる。
【００７７】
前記式（ＩＩ−ｔ）中のＸc及び前記式（ＩＩ−ｕ）中のＸdがハロゲン原子である場合、山本カップリングを用いることもできる。即ち、前記式（ＩＩ−ｔ）で表される化合物、及び、前記式（ＩＩ−ｕ）で表される化合物を、ニッケル触媒（例えば、ビス(1,5-シクロオクタジエン)ニッケル(0)）の存在下で反応させるカップリングにより、前記式（ＩＩ−ａ）で表される化合物を得ることができる。
【００７８】
前記式（ＩＩ−ｔ）中のＸc、前記式（ＩＩ−ｕ）中のＸdの一方がハロゲン原子であり、他方が−Ｂ(ＯＱ1)2又は−Ｂ(ＯＱ01)3・Ｍaである場合、鈴木・宮浦カップリングを用いることができる。即ち、前記式（ＩＩ−ｔ）で表される化合物、及び、前記式（ＩＩ−ｕ）で表される化合物を、塩基及びパラジウム触媒（例えば、Pd(PPh3)4）の存在下で反応させるカップリングにより、前記式（ＩＩ−ａ）で表される化合物を得ることができる。
【００７９】
その他にも、前記式（ＩＩ−ｔ）で表される化合物、及び、前記式（ＩＩ−ｕ）で表される化合物を、ウルマン反応、グレーサー反応、溝呂木・ヘック反応、根岸カップリング、スティルカップリング、薗頭カップリング、ブッフバルト・ハートウィッグ反応等させることにより、前記式（ＩＩ−ａ）で表される化合物を得ることができる。
【００８０】
＜高分子化合物＞
本発明の高分子化合物は、前記式（Ｐ−ａ）で表される構成単位を有する、分子量が５×１０2〜１×１０7の高分子化合物である。本発明の高分子化合物は、電荷が分子内を移動し易くなるので、共役高分子化合物であることが好ましい。
【００８１】
本発明の高分子化合物の分子量は、電気伝導性及び塗布性が優れるので、１×１０3〜２×１０6が好ましく、２×１０3〜１×１０6がより好ましく、２×１０3〜５×１０5が更に好ましい。得られる高分子化合物の分子量は均一ではないことがあり、また、正確な分子量を計測することが困難なことがある。この場合には、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を用いて、ポリスチレン等の標準高分子化合物に換算した分子量の分布から、数平均分子量又は重量平均分子量を得て、共役化合物の分子量とする。
【００８２】
前記式（Ｐ−ａ）中のＡｒ2、Ｒ2、Ｅ、Ｒ3、ｍt、ｎt及びｌtは、前記式（ＩＩ−ａ）中のＡｒ2、Ｒ2、Ｅ、Ｒ3、ｍt、ｎt及びｌtとして説明し例示したものと同じである。また、前記式（Ｐ−ａ）で表される構成単位の例としては、前記式（Ｆ−１）〜（Ｆ−２８）で表される化合物のＸa及びＸbに対応する２個の原子又は基を取り除いてなる基が挙げられる。
【００８３】
前記式（Ｐ−ａ）で表される構成単位は、導電性、ＨＯＭＯのエネルギーレベル、ＬＵＭＯのエネルギーレベル、及び、合成のし易さが良好となるので、下記式（Ｐ−ｂ）で表される構成単位であることが好ましく、下記式（Ｐ−ｃ）で表される構成単位であることがより好ましい。
【００８４】
【化２４】
2011219517.tif 000025
（式中、Ｒ02は、２価の炭化水素基を表し、Ｅ0は、硫黄原子又は酸素原子を表し、Ｒ4は、１価の炭化水素基又は水素原子を表し、ｎtは１又は２であり、ｏt＝２−ｎtである。Ｒ3は、前記と同じ意味を有する。複数あるＲ3及びＥ0は、各々、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ02は、複数ある場合には、同一であっても異なっていてもよい。ｎtが付された括弧内の基が複数ある場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
【００８５】
【化２５】
2011219517.tif 000026
（式中、Ｒ3、Ｒ4及びＥ0は、前記と同じ意味を有する。）
【００８６】
前記式（Ｐ−ｂ）中のＲ02、Ｅ0、Ｒ3、Ｒ4、ｏt及びｎtは、前記式（ＩＩ−ｂ）中のＲ02、Ｅ0、Ｒ3、Ｒ4、ｏt及びｎtとして説明し例示したものと同じである。
【００８７】
前記式（Ｐ−ｂ）中のＲ02は、フェニレン基であることが好ましい。
【００８８】
前記式（Ｐ−ｃ）中のＥ0、Ｒ3及びＲ4は、前記式（ＩＩ−ｃ）中のＥ0、Ｒ3及びＲ4として説明し例示したものと同じである。
【００８９】
本発明の高分子化合物は、以上で説明した構成単位のみからなる単独重合体であってもよいし、その他の構成単位を含む共重合体であってもよい。その他の構成単位としては、ジオクチルフルオレンジイル基からなる構成単位、ビチオフェンジイル基からなる構成単位等の式：−Ａｒ2−で表される構成単位（なお、この構成単位は、前記式（Ｐ−ａ）で表される構成単位とは異なる。）等が挙げられる。
【００９０】
本発明の高分子化合物が共重合体である場合、金属ナノ粒子又は金属化合物ナノ粒子への吸着がより強固になり、かつ、溶媒への溶解性が向上するので、該高分子化合物１分子に含まれる前記式（Ｐ−ａ）で表される構成単位の数は、１〜２０００個が好ましく、１〜１０００個がより好ましく、１〜２００個が更に好ましく、１〜５０個が特に好ましく、１〜２０個がとりわけ好ましい。
【００９１】
＜高分子化合物の製造方法＞
本発明の高分子化合物は、如何なる方法で合成したものであってもよいが、合成方法の一例として、本発明の化合物を用いた方法を以下で説明する。
【００９２】
本発明の高分子化合物は、例えば、本発明の化合物を単独で用いて反応させてもよいが、本発明の化合物と、下記式（Ｖ−ａ）で表される化合物及び／又は下記式（Ｖ−ｂ）で表される化合物とを併用して反応させてもよい。これらの各化合物は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
【００９３】
【化２６】
2011219517.tif 000027
（式中、Ｘa、Ｘb及びＡｒ2は、前記と同じ意味を有する。）
【００９４】
【化２７】
2011219517.tif 000028
（式中、Ｘa及びＡｒ2は、前記と同じ意味を有する。）
【００９５】
本発明の化合物を単独で用いて反応させた場合、得られる高分子化合物は、前記式（Ｐ−ａ）で表される構成単位のみからなる高分子化合物である。一方、本発明の化合物と、下記式（Ｖ−ａ）で表される化合物及び／又は下記式（Ｖ−ｂ）で表される化合物とを併用して反応させた場合、得られる高分子化合物は、下記式（Ｐ−Ｖ−ａ）で表される構成単位及び／又は下記式（Ｐ−Ｖ−ｂ）で表される基を含む高分子化合物である。
【００９６】
【化２８】
2011219517.tif 000029
（式中、Ａｒ2は、前記と同じ意味を有する。）
【００９７】
【化２９】
2011219517.tif 000030
（式中、Ａｒ2は、前記と同じ意味を有する。）
【００９８】
得られる高分子化合物は、Ａｒ2で表される基が鎖状に連なった線状の構造となりやすく、前記式（Ｐ−Ｖ−ｂ）で表される基は、その末端として含まれる。また、前記式（Ｖ−ａ）で表される化合物及び／又は本発明の化合物（前記式（ＩＩ−ａ）で表される化合物）が、更に−Ｘaで表される基を有する場合には、得られる高分子化合物は、樹状や網目状の構造となる。
【００９９】
本発明の高分子化合物を得るための反応としては、本発明の化合物のＸa及びＸbがハロゲン原子である場合、熊田・玉尾カップリングを用いることができる。即ち、本発明の化合物に対して、予めマグネシウムを反応させるか、アルキルマグネシウムクロライド等を反応させることにより、Ｘa又はＸbを、−ＭｇＸa、−ＭｇＸb又は−ＭｇＣｌとした後、ニッケル触媒（例えば、NiCl2(dppe)2）又はパラジウム触媒（例えば、Pd(PPh3)4）の存在下で、反応させることにより、本発明の高分子化合物を得ることができる。また、前記式（Ｖ−ａ）で表される化合物及び／又は前記式（Ｖ−ｂ）で表される化合物を系中に共存させる場合、それらの化合物のＸa及びＸbもハロゲン原子であることが好ましい。
【０１００】
本発明の化合物のＸa及びＸbがハロゲン原子である場合、山本カップリングを用いることもできる。即ち、本発明の化合物を、ニッケル触媒（例えば、ビス(1,5-シクロオクタジエン)ニッケル(0)）の存在下で反応させるカップリングにより、本発明の高分子化合物を得ることができる。また、前記式（Ｖ−ａ）で表される化合物及び／又は前記式（Ｖ−ｂ）で表される化合物を系中に共存させる場合、それらの化合物のＸa及びＸbもハロゲン原子であることが好ましい。
【０１０１】
本発明の化合物のＸa及びＸbの一方がハロゲン原子であり、
（１）他方が−Ｂ(ＯＱ1)2又は−Ｂ(ＯＱ01)3・Ｍaである場合、
（２）本発明の化合物のＸa及びＸbがハロゲン原子であり、共存する前記式（Ｖ−ａ）で表される化合物のＸa及びＸb、並びに、前記式（Ｖ−ｂ）で表される化合物のＸaが−Ｂ(ＯＱ1)2又は−Ｂ(ＯＱ01)3・Ｍaである場合、又は、
（３）本発明の化合物のＸa及びＸbが−Ｂ(ＯＱ1)2又は−Ｂ(ＯＱ01)3・Ｍaであり、共存する前記式（Ｖ−ａ）で表される化合物のＸa及びＸb、並びに／又は、前記式（Ｖ−ｂ）で表される化合物のＸaとＸbの両方がハロゲン原子である場合、
鈴木・宮浦カップリングを用いることができる。即ち、本発明の化合物を、塩基及びパラジウム触媒（例えば、Pd(PPh3)4）の存在下で反応させるカップリングにより、本発明の高分子化合物を得ることができる。
【０１０２】
その他にも、本発明の化合物を、ウルマン反応、グレーサー反応、溝呂木・ヘック反応、根岸カップリング、スティルカップリング、薗頭カップリング、ブッフバルト・ハートウィッグ反応等させることにより、本発明の高分子化合物を得ることができる。
【０１０３】
本発明の高分子化合物は、前記式（Ｐ−ａ）中のＲ3が水素原子であると、金属ナノ粒子又は金属化合物ナノ粒子とより効率よく、より強固に吸着できるので好ましい。しかし、前述の合成方法を適用した場合には、本発明の化合物としてＲ3が水素原子である化合物を用いると、カップリング反応等が進みにくいことがある。その場合は、Ｒ3が水素原子ではない本発明の化合物を用いて高分子化合物を合成した後、塩化アルミニウム、蟻酸等のカルボン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等のスルホン酸等を用いて、前記式（Ｐ−ａ）中のＲ3を水素原子に変換する反応を行うことが好ましい。
【０１０４】
＜金属複合体＞
本発明の金属複合体は、本発明の高分子化合物と、膜状若しくは板状の金属、又は、膜状若しくは板状の金属化合物、或いは、アスペクト比が１．５未満の金属ナノ粒子又はアスペクト比が１．５未満の金属化合物ナノ粒子とを接触させることにより得られる金属複合体である。
【０１０５】
前記膜状若しくは板状の金属、又は、膜状若しくは板状の金属複合体の厚さは、通常、０．０１ｎｍ〜１０ｃｍであり、０．０１ｎｍ〜０．５ｃｍが好ましく、０．０１ｎｍ〜２００μｍがより好ましく、０．０１ｎｍ〜２０μｍが更に好ましい。
【０１０６】
前記金属、又は、金属化合物を構成する金属としては、アルミニウム、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、カドミウム、インジウム、すず、アンチモン、ランタン、セリウム、ユウロピウム、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金、水銀、タリウム、鉛、ビスマスが挙げられ、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、インジウム、すず、アンチモン、ランタン、セリウム、タンタル、タングステン、イリジウム、白金、金、鉛及びビスマスが好ましく、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、ロジウム、パラジウム、銀、インジウム、すず、タングステン、イリジウム、白金、金及び鉛が更に好ましく、アルミニウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ロジウム、パラジウム、銀、インジウム、すず、イリジウム、白金、金が特に好ましい。
【０１０７】
金属化合物としては、合金、金属酸化物、複合酸化物、金属窒化物、金属硫化物、金属塩が挙げられ、合金、金属酸化物、複合酸化物、金属硫化物が好ましい。
【０１０８】
金属化合物としては、インジウムスズ酸化物（ITO）、インジウム亜鉛酸化物（IZO）、酸化モリブデン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化銅、二酸化銅、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、酸化タングステン(VI)、酸化ケイ素、酸化スズ(IV)、ニッケルタングステン、酸化セリウム、酸化マンガン、硫化スズ、酸化コバルト、酸化ホルミウム、四三酸化コバルト、四三酸化鉄、アルミン酸コバルト（CoAl2O4）、スピネル（Al2O3/MgO）等が挙げられ、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化モリブデン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化銅、二酸化銅、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、酸化タングステン(VI)、酸化ケイ素、酸化スズ(IV)が好ましく、インジウムスズ酸化物（ITO）、インジウム亜鉛酸化物（IZO）、酸化モリブデン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛がより好ましい。
【０１０９】
前記膜状若しくは板状の金属、又は、膜状若しくは板状の金属酸化物は、鋳造、圧延、面削、研磨等の成型、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の真空成膜、電気めっき、陽極酸化、無電解めっき、化学めっき等のめっき処理、粒子分散液の塗布等の塗装によって作製できるが、圧延蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングによって作製されたものが好ましい。
【０１１０】
前記金属ナノ粒子、金属複合体ナノ粒子は、通常、最長軸の長さが１０μｍ以下であり、好ましくは０．１ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは１ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１１１】
前記金属ナノ粒子、金属複合体ナノ粒子は、アスペクト比（即ち、最も長い径／最も短い径を意味し、アスペクト比に分布がある場合には平均値とする。）が１．５未満であるが、好ましくは１．４以下であり、より好ましくは１．３以下であり、更に好ましくは１．２以下であり、特に好ましくは１．１以下である。
【０１１２】
前記金属ナノ粒子は、前記金属そのものであっても、前記金属にその他の物質が吸着したものであってもよい。また、前記金属化合物ナノ粒子は、前記金属化合物そのものであっても、前記金属化合物にその他の物質が吸着したものであってもよい。
【０１１３】
前記金属、前記金属化合物に吸着し得る物質としては、炭素数が１〜５０のアルカンチオール（例えば、テトラデカンチオール、ドデカンチオール、デカンチオール、オクタンチオール）、無機多孔体、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸等が挙げられる。なお、これらの物質の少なくとも一部は、金属複合体の製造工程において、本発明の高分子化合物に置き換わる。
【０１１４】
前記接触は、（１）本発明の高分子化合物を膜状若しくは板状の金属、又は、膜状若しくは板状の金属化合物に貼り付ける方法、（２）本発明の高分子化合物を膜状若しくは板状の金属、又は、膜状若しくは板状の金属化合物に塗布する方法、（３）本発明の高分子化合物と、金属ナノ粒子又は金属化合物ナノ粒子とを、攪拌又は混練させる方法により行うことができる。この接触の際には、溶媒を介在させることが好ましい。また、この接触の際には、系中にその他の成分を共存させてもよいし、超音波をかけてもよい。
【０１１５】
前記（２）の場合には、本発明の高分子化合物を０．０００１〜５０重量％含む溶液を調製し、膜状若しくは板状の金属、又は、膜状若しくは板状の金属化合物に塗布することが好ましい。
【０１１６】
前記（３）の場合であって、接触の際に溶媒を介在させるときには、該溶媒としては、本発明の高分子化合物を溶解させることができ、金属ナノ粒子又は金属化合物ナノ粒子を溶解させないものが通常用いられる。この溶媒としては、メタノール、エタノール、ベンジルアルコール、アセトン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキサイド、酢酸エチル、トルエン、キシレン、オルトジクロロベンゼン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ヘキサン、ベンゼン、ジエチルエーテル、アセトニトリル、酢酸、水、プロパノール、ブタノール、Ｎ−メチルピロリドンが挙げられ、共役化合物の溶解性の観点から、メタノール、エタノール、ベンジルアルコール、アセトン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、酢酸エチル、トルエン、キシレン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ベンゼン、アセトニトリル、プロパノール、ブタノール、Ｎ−メチルピロリドンが好ましい。なお、この溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１１７】
前記（３）の場合には、攪拌や混練の温度は、好ましくは−７０〜２００℃、より好ましくは−１０〜１２０℃、更に好ましくは０〜１００℃であり、特に好ましくは２０〜７０℃である。
【０１１８】
前記（３）の場合には、攪拌や混練の時間は、好ましくは０．０１秒〜１０００分、より好ましくは０．１秒〜９００分、更に好ましくは１秒〜５００分である。
【０１１９】
前記接触によって、本発明の高分子化合物が金属又は金属化合物に吸着していることを確認する方法としては、高分子化合物と金属又は金属化合物との相互作用に起因する、化学結合（共有結合、配位結合、水素結合）の結合エネルギーの変化、原子の電子密度の変化、電子の軌道のエネルギーレベルの変化等を捉えることが好ましい。これらの変化を捉える方法としては、赤外分光法、近赤外分光法、ラマン分光法、紫外可視吸収分光法、蛍光分光法、燐光分光法、光電子分光法、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）、熱重量分析（ＴＧ）核磁気共鳴（ＮＭＲ）法等が挙げられる。これらの変化は、見た目の色の変化としても現れる場合がある。また、溶解性が変化することで金属複合体となったことを確認できる場合もある。
【０１２０】
前記接触の後に、得られた複合体を精製する工程（以下、「精製工程」と言う。）を行ってもよい。
前記（２）の場合には、得られた複合体を、加熱、乾燥させることで、溶媒を除去することができる。また、得られた複合体に過剰の高分子化合物が吸着している場合には、該高分子化合物を溶解できる溶媒を吹きかけたり、得られた複合体を溶媒に没入させたりすることにより、余剰の高分子化合物を除去することができる。
前記（３）の場合には、得られた複合体を、超音波分散、遠心分離、上澄み除去、再分散、透析、ろ過、洗浄、加熱、乾燥等させることにより、余剰の高分子化合物を除去することができる。
【０１２１】
＜電子素子＞
本発明の金属複合体では、高分子化合物と金属又は金属化合物との間での電荷の移動が容易である。従って、本発明の金属複合体を含む電子素子、即ち、本発明の高分子化合物と金属又は金属化合物とを層状に積み重ねた電子素子は、層間での電荷の移動が容易であり、素子内に流れる電流が増加されたものとなる。本発明の電子素子としては、有機ＥＬ素子等の発光素子、トランジスタ、太陽電池等の光電変換素子等が挙げられる。
【実施例】
【０１２２】
以下、本発明について、実施例を用いて説明するが、本発明はこれらに何ら限定されるものではない。
【０１２３】
＜実施例１＞
【０１２４】
【化３０】
2011219517.tif 000031
【０１２５】
［化合物２の合成］
窒素雰囲気下、化合物１（特開2009-149850号公報に記載）１６．４ｇ（３３．９mmol）、４−フルオロベンゾニトリル４．１１ｇ（３４．０mmol）、炭酸カリウム９．３６ｇ（６７．８mmol）及び１８−クラウン−６  ８．９５ｇ（３３．９mmol）のＤＭＦ懸濁液（１６４ｍｌ）を１３５〜１４０℃で２５時間加熱攪拌した。冷却後、水（４９２ｍｌ）で希釈し、１Ｎ塩酸（２０．３ｍｌ）を加えて酢酸エチルで抽出、分液した。水層を酢酸エチルで抽出し、合わせた有機層を飽和食塩水で洗浄後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下濃縮して得た残渣をシリカゲルクロマト精製（ＳｉＯ２、６００ｇ、ヘキサン：酢酸エチル＝３０：１→２５：１（体積比））して、化合物２  １３．３ｇ（２２．７mmol）を結晶として得た。収率は６７．２％であった。この化合物２について、ＮＭＲで構造を確認した。
【０１２６】
［化合物３の合成］
窒素雰囲気下、化合物２  １３．９ｇ（２３．８mmol）、塩化トリエチルベンジルアンモニウム１．８１ｇ（７．９６mmol）、５Ｎ水酸化ナトリウム水溶液（１９２ｍｌ）及びエタノール（１９２ｍｌ）の混合物を１６時間半加熱還流した。冷却後、濃塩酸で中和し、減圧下エタノールを除いた。混合物に濃塩酸を加えてｐＨを２とし、ｔ−ブチルメチルエーテルで抽出、分液した。水層をｔ−ブチルメチルエーテルで抽出し、合わせた有機層を飽和食塩水で洗浄後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下、濃縮して化合物３  １３．８ｇ（２２．９mmol）を結晶として得た。収率は９６．２％であった。この化合物３について、ＮＭＲで構造を確認した。
【０１２７】
［化合物４の合成］
窒素雰囲気下、化合物３  １２．６ｇ（２０．９mmol）とトルエン（３８ｍｌ）との混合物に塩化チオニル２０．６ｇ（１７３mmol）を加え、８０℃で１時間加熱した。冷却後、減圧下で濃縮し、得られた残渣にトルエンを加え、更に減圧濃縮する操作を３回繰り返した後、更に減圧乾燥させることで酸塩化物１３．２ｇ（２１．２mmol）を得た。みかけ収率は１０１％であった。
【０１２８】
窒素雰囲気下、イソチオシアン酸カリウム２．２７ｇ（２３．４mmol）のアセトニトリル溶液（５１ｍｌ）を氷浴で冷却しながら、前記酸塩化物１２．１ｇ（１９．５mmol）のトルエン溶液（１２ｍｌ）を１５分かけて滴下した。滴下終了後、同温度で１時間攪拌した。得られた混合物をろ過し、ろ液を減圧下、濃縮した。得られた残渣にアセトン（４７ｍｌ）を加え、更に尿素１．４０ｇ（２３．３mmol）を加えて還流温度で３時間加熱攪拌した。冷却後、混合物を減圧下濃縮し、水を加えて析出した結晶をろ過した。ろ上物を水で洗浄し、減圧乾燥させて、化合物４  １１．１ｇ（１５．８mmol）を結晶として得た。収率は８１．０％であった。この化合物４について、ＮＭＲで構造を確認した。
【０１２９】
［化合物５の合成］
窒素雰囲気下、化合物４  １０．２ｇ（１４．５mmol）、エタノール（１３６ｍｌ）及び４Ｎ水酸化ナトリウム水溶液（２７２ｍｌ）の混合物を室温で終夜攪拌した。氷浴で冷却しながら、１Ｍ硫酸でｐＨ６とし、析出した結晶をろ過した。ろ上物を水で洗浄し、減圧乾燥させて、化合物５  １０．３ｇ（１５．０mmol）を結晶として得た。みかけ収率は１０３％であった。この化合物５について、ＮＭＲで構造を確認した。
【０１３０】
［化合物６の合成］
窒素雰囲気下、化合物５  １０．３ｇ（１５．０mmol）と１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液（１２１ｍｌ）の混合物を氷浴で冷却しながら、３０重量％過酸化水素水（３０．３ｍｌ）を滴下した。同温度で１５分攪拌後、室温で３０分攪拌した。ＴＬＣにて原料の消失を確認後、氷浴で冷却しながら１Ｍ硫酸でｐＨ７とした。析出した結晶をろ過し、ろ上物を水、ヘキサンと酢酸エチルとの混合溶媒（ヘキサン：酢酸エチル＝２：１（体積比））の混合溶媒で洗浄後、減圧乾燥させて化合物６  ６．６７ｇ（９．９４mmol）を結晶として得た。収率は６６．３％であった。この化合物６について、ＮＭＲで構造を確認した。
【０１３１】
＜実施例２＞
【０１３２】
【化３１】
2011219517.tif 000032
【０１３３】
［化合物７の合成］
窒素雰囲気下、化合物６  ６．６１ｇ（９．８５mmol）、オキシ塩化リン１９．８ｍｌ（２１２mmol）及びＮ，Ｎ−ジエチルアニリン１．５１ｇ（１０．１mmol）の混合物を１０５℃で３時間加熱攪拌した。冷却後、減圧下に過剰のオキシ塩化リンを除き、残渣にクロロホルムと水を加え室温で１時間攪拌した。分液した有機層を水、炭酸水素ナトリウム水溶液（水層がｐＨ７となる程度）、飽和食塩水の順に洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下、濃縮して得られた結晶を更に減圧乾燥させて、化合物７  ７．００ｇ（９．８５mmol）を得た。収率は１００％であった。この化合物７について、ＮＭＲで構造を確認した。
【０１３４】
［化合物８の合成］
窒素雰囲気、氷浴下で５５重量％水素化ナトリウム０．９１ｇ（２０．９mmol）に脱水イソプロピルアルコール（２１０ｍｌ）を加え、水素化ナトリウムが消失、かつ水素発生が止むまで室温で攪拌した。再び氷浴で冷却しながらｔ−ブチルメルカプタン２．５４ｍｌ（２２．５mmol）を滴下した。滴下終了後、室温で化合物７  ７．００ｇ（９．８９mmol）の脱水ＴＨＦ溶液（３７ｍｌ）を滴下した。得られた混合物を還流温度で２時間加熱撹拌した。冷却後、得られた混合物を減圧下で濃縮し、得られた残渣にヘキサンを加え、析出した結晶をヘキサン及びアセトニトリルで洗浄、減圧乾燥させて化合物８（４．４０ｇ）を得た。また、そのろ液を濃縮し、得られた残渣をシリカゲルクロマト精製(ＳｉＯ２、３０ｇ、ヘキサン→ヘキサン：トルエン＝８：１→６：１（体積比）)して、化合物８を合わせて５．４６ｇ（６．７０mmol）結晶として得た（液体クロマトグラフィ純度：９７．２％）。ヘキサンとクロロホルムとの混合溶媒（ヘキサン：クロロホルム＝１０：１（体積比））９倍容で再結晶を行い、ろ上物をヘキサンで２回洗浄することにより、化合物８  ３．０ｇを得た。収率は３７．２％であった。この化合物８について、ＮＭＲで構造を確認した。
【０１３５】
＜実施例３＞（高分子化合物Ｐ−１の合成）
５０ｍｌフラスコに化合物８を１００ｍｇ（０．１２ｍｍｏｌ）と、下記式：
【０１３６】
【化３２】
2011219517.tif 000033
で表される化合物を５６０ｍｇ（１．０６ｍｍｏｌ）と、下記式：
【０１３７】
【化３３】
2011219517.tif 000034
で表される化合物を４９６ｍｇ（０．８６ｍｍｏｌ）と、相間移動触媒（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）（アルドリッチ製））を７４ｍｇ仕込み、フラスコ内をアルゴンガスで置換した。次いで、トルエン２０ｍＬにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム２２７ｍｇ（０．１９６ｍｍｏｌ）を加えた溶液を加え攪拌し、０．６０ｍｏｌ／Ｌの炭酸ナトリウム水溶液１０．０ｍＬを加えて攪拌した。次いで、１００℃で５時間攪拌した。その後、室温まで冷却した後、反応溶液の有機層と水層とを分離し、該有機層をメタノール１００ｍＬに滴下して沈殿を析出させ、該沈殿を濾過、乾燥させ、７１７ｍｇの高分子化合物Ｊを固体として得た。
【０１３８】
ＮＭＲの結果から、高分子化合物Ｊは、下記式で表される繰り返し単位２種を有する。
【０１３９】
【化３４】
2011219517.tif 000035
【０１４０】
【化３５】
2011219517.tif 000036
【０１４１】
高分子化合物Ｊ中の下記式で表される構成単位：
【０１４２】
【化３６】
2011219517.tif 000037
は４．４ｍｏｌ％であった。また、高分子化合物Ｊのポリスチレン換算の数平均分子量は６．７×１０3であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．３×１０4であった。
【０１４３】
５０ｍｌフラスコに高分子化合物Ｊを４８５ｍｇ、トルエン３１．５ｍｌ仕込み、室温で攪拌した。次いで塩化アルミニウムを加えた後、１１５℃で１時間攪拌した。冷却後、反応容器中の有機層をメタノール１００ｍｌに滴下し、沈殿を析出させた。該沈殿を濾過、乾燥させることにより、固体２６０ｍｇを得た。ＮＭＲの分析結果から高分子化合物Ｊのｔ−ブチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。固体は下記式で表される繰り返し単位２種を有する高分子化合物Ｐ−１（重合体）であると考えられる。
【０１４４】
【化３７】
2011219517.tif 000038
【０１４５】
【化３８】
2011219517.tif 000039
【０１４６】
高分子化合物Ｐ−１のポリスチレン換算の数平均分子量は６．６×１０3であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．６×１０4であった。
【０１４７】
＜実施例４＞（高分子化合物Ｐ−２の合成）
５０ｍｌフラスコに化合物８を１００ｍｇ（０．１２ｍｍｏｌ）と、下記式：
【０１４８】
【化３９】
2011219517.tif 000040
で表される化合物を１５８ｍｇ（０．２４ｍｍｏｌ）と、下記式：
【０１４９】
【化４０】
2011219517.tif 000041
で表される化合物を６７．４ｍｇ（０．１２ｍｍｏｌ）と、相間移動触媒（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）（アルドリッチ製））を１９．３ｍｇ仕込み、フラスコ内をアルゴンガスで置換した。そこに、トルエン８ｍＬを仕込み、３０℃で５分間攪拌した。次いで、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１４．９ｍｇ（０．０４８ｍｍｏｌ）を加え３０℃で１０分間攪拌し、２Ｎ炭酸ナトリウム水溶液４．０ｍＬを加えた後、３０℃で５分間攪拌した。次いで、１００℃で８時間攪拌した。その後、室温まで冷却した後、反応溶液の有機層と水層とを分離し、該有機層をメタノール２００ｍＬに滴下して沈殿を析出させ、該沈殿を濾過、乾燥させ、黄色固体を得た。この黄色固体を３００ｍｌフラスコに仕込み、トルエン１００ｍＬをいれ溶解させ、３０℃で５分間攪拌した。次いで活性炭を１０ｇ仕込み１００℃で２時間攪拌した。その後、室温まで冷却した後、有機層をろ過し、５ｍｌに濃縮した。濃縮した有機層をメタノール２００ｍｌに滴下して沈殿を析出させ、沈殿をろ過、乾燥させることにより、高分子化合物Ｇを１００ｍｇ得た。
【０１５０】
ＮＭＲの結果から高分子化合物Ｇは、下記式で表される繰り返し単位２種を有する。
【０１５１】
【化４１】
2011219517.tif 000042
【０１５２】
【化４２】
2011219517.tif 000043
【０１５３】
高分子化合物Ｇ中の下記式で表される構成単位：
【０１５４】
【化４３】
2011219517.tif 000044
は１５ｍｏｌ％であった。また、高分子化合物Ｇのポリスチレン換算の数平均分子量は７．９×１０3であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．９×１０4であった。
【０１５５】
５０ｍｌフラスコに高分子化合物Ｇを８０ｍｇ、トルエン２０ｍｌ仕込み、１０分室温で攪拌した。次いで塩化アルミニウムを加えた後、更に１時間攪拌した。反応容器中の有機層をメタノール５００ｍｌに滴下し、沈殿を析出させた。該沈殿を濾過、乾燥させ、固体を４０ｍｇ得た。ＮＭＲの分析結果から高分子化合物Ｇのｔ−ブチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。固体は下記式で表される繰り返し単位２種を有する高分子化合物Ｐ−２（重合体）であると考えられる。
【０１５６】
【化４４】
2011219517.tif 000045
【０１５７】
【化４５】
2011219517.tif 000046
【０１５８】
高分子化合物Ｐ−２のポリスチレン換算の数平均分子量、重量平均分子量は、高分子化合物Ｇと同様である。
【０１５９】
＜実施例５＞（高分子化合物Ｐ−３の合成）
５０ｍｌフラスコに、化合物８を１００ｍｇ（０．１２ｍｍｏｌ）と、下記式：
【０１６０】
【化４６】
2011219517.tif 000047
で表される化合物を４１０ｍｇ（０．９８ｍｍｏｌ）と、下記式：
【０１６１】
【化４７】
2011219517.tif 000048
で表される化合物を４９６ｍｇ（０．８６ｍｍｏｌ）と、相間移動触媒（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）（アルドリッチ製））を１９．３ｍｇ仕込み、フラスコ内をアルゴンガスで置換した。そこに、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム２２７ｍｇ（０．２０ｍｍｏｌ）を溶かしたトルエン溶液２０ｍＬを仕込み攪拌した。次いで、０．５９ｍｏｌ／Ｌ炭酸ナトリウム水溶液１０．０ｍＬを加えた後、１００℃で５．５時間攪拌した。その後、室温まで冷却した後、反応溶液の有機層と水層とを分離し、該有機層をメタノール２００ｍＬに滴下して沈殿を析出させ、該沈殿を濾過、乾燥させ、高分子化合物Ｋを６０６ｍｇ得た。
【０１６２】
ＮＭＲの結果から高分子化合物Ｋは下記式で表される。
【０１６３】
【化４８】
2011219517.tif 000049
（式中、ｎ及びｍは、繰り返し単位数を表す数である。ｎ：ｍは、仕込み比より推測すると７：１である。）
【０１６４】
また、高分子化合物Ｋのポリスチレン換算の数平均分子量は３．５×１０3であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．１×１０4であった。
【０１６５】
５０ｍｌフラスコに、高分子化合物Ｋを３００ｍｇ、トルエン３．９ｍｌ仕込み、氷水浴で冷却し、次いでトリフルオロメタンスルホン酸０．６ｍＬとトリフルオロ酢酸０．６ｍＬを加えた後、８０度に加熱し７時間攪拌した。室温まで冷却後、反応容器中の有機層をメタノール１００ｍｌに滴下し、沈殿を析出させた。該沈殿を濾過、乾燥させ、クロロホルムに溶かして、これをメタノール１００ｍｌに滴下し、沈殿を析出させた。該沈殿を濾過、乾燥させ、固体を２５０ｍｇ得た。ＮＭＲの分析結果から高分子化合物Ｇのｔ−ブチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。固体は下記式で表される高分子化合物Ｐ−３（重合体）であると考えられる。
【０１６６】
【化４９】
2011219517.tif 000050
（式中、ｎ及びｍは、繰り返し単位数を表す数である。ｎ：ｍは、仕込み比より推測すると７：１である。）
【０１６７】
高分子化合物Ｐ−３のポリスチレン換算の数平均分子量は４．３×１０3であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．５×１０4であった。
【０１６８】
＜実施例６＞
高分子化合物Ｐ−１の６．７ｍｇをトルエン３ｍＬに溶かした。ドデカンチオールで表面修飾された銀ナノ粒子のヘキサン溶液（粒子サイズ(DLS)：5-15nm、0.25%(w/v)ヘキサン溶液、アルドリッチ製）３ｍＬからヘキサンをエバポレーターで留去し、トルエン３ｍＬを加え、これを高分子化合物Ｐ−１トルエン溶液と混合して、１．５時間静置した。この溶液は安定であり、沈殿は生成しなかった。これを用いてスピンコーティング（事前にポアフィルターでろ過、５００ｒｐｍ、２分）を行うことにより、膜厚が１０ｎｍの膜を作製した。これは高分子化合物Ｐ−１と銀ナノ粒子との複合体である。
【０１６９】
＜実施例７＞
銀ナノ粒子（ナノパウダー、粒子サイズ： <100 nm、99.5% trace metals basis、アルドリッチ製）を７ｍｇとり、トルエン１．５ｍＬに加え、容器ごと超音波洗浄機に入れて超音波によって銀粒子を拡散させた。この時、しばらく液は灰色に濁っていたが、１時間もすると銀ナノ粒子は沈殿して上澄みは透明となった。超音波で銀粒子を拡散させた後、高分子化合物Ｐ−１を２ｍｇ加えて攪拌すると、得られた分散液は静置して１時間経っても濁っており、銀粒子が分散していた。このことから、高分子化合物Ｐ−１が銀粒子の表面に吸着することによって、銀ナノ粒子が安定化されていることが分かった。
【０１７０】
＜実施例８＞
高分子化合物Ｐ−３の８．６ｍｇをトルエン２．２ｇに溶かし、高分子化合物Ｐ−３トルエン溶液を調製した。ドデカンチオールで表面修飾された銀ナノ粒子のヘキサン溶液（粒子サイズ(DLS)：5-15nm、0.25%(w/v)ヘキサン溶液、アルドリッチ製）からヘキサンをエバポレーターで留去し（ここで、銀ナノ粒子の重量は８．６ｍｇ）、トルエン２．２ｇを加え、銀ナノ粒子のトルエン溶液を調製した。
【０１７１】
銀ナノ粒子のトルエン溶液から１．３２ｇを取り、高分子化合物Ｐ−３トルエン溶液から１．２９ｇ取り、両者を混合した。得られた混合溶液は透明で均一であり、沈殿は生成しなかった。これをメタノールに滴下すると、茶色の沈殿が生成し、上澄みは無色で透明であった。
【０１７２】
一方、銀ナノ粒子のトルエン溶液をメタノールに滴下すると、沈殿は生成せず、茶色の透明な液体で均一となった。また、高分子化合物Ｐ−３のトルエン溶液をメタノールに滴下すると黄色の沈殿が生成し、上澄みは無色で透明であった。
【０１７３】
これらのことから考察すると、銀ナノ粒子のトルエン溶液と高分子化合物Ｐ−３のトルエン溶液との混合によって、銀ナノ粒子の表面にあったドデカンチオールは高分子化合物Ｐ−３によって置換され、メタノール中では高分子化合物Ｐ−３と共に銀ナノ粒子は沈殿し、液中に銀ナノ粒子は存在しない。この沈殿は高分子化合物Ｐ−３と銀ナノ粒子との複合体である。この沈殿を、遠心分離機を用いてメタノール溶液と分離し、乾燥させて1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重クロロホルム中、ＴＭＳ標準）を測定すると、ドデカンチオールに帰属できるシグナルはなかった。一方、前記の銀ナノ粒子のトルエン溶液からトルエンをエバポレーターで留去し乾燥させて、1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重クロロホルム中、ＴＭＳ標準）を測定すると、ドデカンチオールに帰属できるシグナル（例えば、２．６６ｐｐｍが特徴的である。）が確認できる。
【０１７４】
これらのことから考察すると、銀ナノ粒子のトルエン溶液と高分子化合物Ｐ−３のトルエン溶液との混合によって、銀ナノ粒子の表面にあったドデカンチオールのほとんどは高分子化合物Ｐ−３によって置換され、高分子化合物Ｐ−３と銀ナノ粒子との複合体が生成しており、高分子化合物Ｐ−１は銀ナノ粒子に強く吸着していることが分かった。