(57)【要約】【課題】半導体装置の製造コストを低減することができる半導体装置の製造装置を提供する。【解決手段】下金型２１の上面にガラエポ基板１１が載置され、上金型２２には、少なくともガラエポ基板１１の厚みよりも高さの高い刃２６が、各半導体チップ１２を取り囲むように取り付けられている。下金型２１を上昇させて型締めすれば、刃２６は下金型２１の上面に接触するまでガラエポ基板１１に食い込む。この結果、ガラエポ基板１１は半導体チップ１２ごとに分割され、同時に半導体チップ１２をモールド樹脂で封止するための空間１４が半導体チップ１２の周囲に形成される。【選択図】図２
2011091134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に搭載された半導体チップをモールド樹脂で封止した半導体装置を製造する半導体装置の製造装置であって、
前記基板を載置するための平らな面を有する下金型と、
前記半導体チップを収納可能なキャビティが形成された上金型とを備え、
上金型は、隣接する前記キャビティによって挟まれた領域に、前記半導体チップを取り囲むように取り付けられた刃を含み、
前記刃の高さは前記基板の厚みと略等しいまたはそれ以上であることを特徴とする、半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記下金型は、前記平らな面に形成された第１の凹部と、前記第１の凹部に埋め込まれた第１の板材とをさらに備え、
前記第１の凹部の深さは、前記第１の板材の厚みと略等しく、
前記刃の高さは、前記第１の板材の厚みと前記基板の厚みとの和よりも低く、
前記第１の板材は、前記刃の食い込みが可能な弾性体からなることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
前記第１の凹部は、前記刃に対応する位置ごとに分割された複数の第２の凹部を含み、
前記第１の板材は、前記第２の凹部ごとに埋め込まれた第２の板材を含むことを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】
前記刃の高さは前記基板の厚みよりも高く、
前記下金型は、前記平らな面に形成された溝をさらに含み、
前記溝の深さは、前記基板から突き出した前記刃を完全に収納可能な深さであることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項５】
前記刃は、前記下金型よりも硬度の高い材料によって形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項６】
前記刃は、前記上金型の前記領域上に形成された前記溝に入れ子として取り付けられていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項７】
前記上金型は前記キャビティの内部と外界とを連通させる貫通孔をさらに備え
前記貫通孔は前記キャビティの上方に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項８】
前記下金型と前記上金型との間に挟まれた空間を移動可能な搬送アームと、
前記搬送アームに取り付けられた第１の吸着ホルダをさらに備え、
前記第１の吸着ホルダは、前記搬送アームに取り付けられた第１の柄と、前記第１の柄の先端に取り付けられた第１の吸着パッドとを含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項９】
前記搬送アームに取り付けられた第２の吸着ホルダをさらに備え、
前記第２の吸着ホルダは、前記搬送アームに取り付けられた第２の柄と、前記第２の柄の先端に取り付けられた第２の吸着パッドとを含むことを特徴とする、請求項８に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
基板上に搭載された半導体チップをモールド樹脂で封止した半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップが搭載された前記基板を下金型の上面に載置する工程と、
前記半導体チップに対応する位置にそれぞれ形成されたキャビティを含み、隣接する前記キャビティによって挟まれた領域に刃を取り付けられた上金型と、前記下金型とを前記刃が少なくとも前記下金型の上面と接触するまで型締めする工程と、
前記型締めする工程によって形成された、前記キャビティと前記基板とによって囲まれた空間に前記モールド樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記上金型の前記刃の高さは前記基板の厚みよりも高く、
前記下金型は前記上面に前記刃の高さ以上の深さの溝をさらに備え、
前記型締めする工程は、前記刃を前記溝に完全に収納させるまで型締めすることを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記半導体装置を吸着パッドによって吸着してトレイまで搬送する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、半導体チップをモールド樹脂で封止する半導体装置の製造装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、モールド樹脂で封止された半導体装置は、基板上に搭載された半導体チップをモールド樹脂で封止した後に、封止された基板を半導体チップごとにダイシングすることによって製造されていた。図２４〜図２６を参照して、従来の半導体装置の製造方法を説明する。図２４は、半導体チップが一括モールドされたガラスエポキシ基板（以下、「ガラエポ基板」という）１１１の平面図である。図２４に示すように、ガラエポ基板１１１上に搭載された複数の半導体チップ（図示しない）は、成型金型を使用して、所定の個数ずつモールド樹脂１１５で封止されている。
【０００３】
図２５は、図２４に示すガラエポ基板１１１をダイシングしている図である。図２５に示すように、半導体チップをモールド樹脂１１５で封止したガラエポ基板１１１を粘着力の強いダイシングテープ１３１に貼り付ける。そして、半導体チップごとに切断するために、ダイシングソー１３２を用いてガラエポ基板１１１を所定のサイズにダイシングする。図２６は、ダイシングテープ１３１に紫外線を照射する図である。図２６に示すように、モールド樹脂１１５を所定の大きさにするため、ガラエポ基板１１１を縦方向および横方向に切断して個片化する。そして、ダイシングテープ１３１の裏面側（図２６の下側）から紫外線を照射してダイシングテープ１３１を硬化させた後に、樹脂封止された半導体チップ（以下、「半導体装置」という）をピックアップしてトレイ（図示しない）に収納する。
【０００４】
図２７は、半導体チップが個別モールドされたガラエポ基板１２１の平面図である。図２７に示すように、半導体チップごとにモールド樹脂１２５で封止した個別モールドタイプのガラエポ基板１２１の場合も、一括モールドタイプのガラエポ基板１１１と同様にして、ダイシングして半導体装置ごとに個片化した後に、個片化された半導体装置をトレイに収納する。
【０００５】
特許文献１には、縦方向および横方向に延びる刃が取り付けられた金型を、グリーンシートに押し当てることにより、縦方向および横方向に複数の分割溝が形成されたセラミック基板を形成することが記載されている。
【０００６】
特許文献２には、裏面に第１の溝が形成された絶縁基板において、その表面側のチップ搭載部に半導体チップを固着した後、半導体チップを含む基板全体を樹脂層で被覆し、突起部が形成された成型部材を樹脂層の表面に押しつけることにより、各半導体チップを取り囲む第２の溝を樹脂層に形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−１６３４７８号公報
【特許文献２】特開２０００−１２４１６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、従来の方法で一括モールドタイプまたは個別モールドタイプのガラエポ基板１１１，１２１を切断して半導体装置を製造するためには、半導体チップが搭載されたガラエポ基板１１１，１１２をダイシングテープ１３１に貼り付ける工程、ダイシングソー１３２を用いてダイシングする工程、ダイシングテープ１３１に紫外線を照射する工程、個片化された半導体装置をピックアップしてトレイに収納する工程が必要になる。このような製造方法では、工程ごとに専用の製造設備を導入しなければならず、また各製造工程における工数や材料費等のランニングコストが必要になる。このため、半導体装置の製造コストが高くなるという問題がある。
【０００９】
また、特許文献１および２では、金型に設けられた刃を基板の表面に押し当てて、基板の表面に溝を形成するのみで、基板を切断していない。この場合、基板を切断して個片化するためには、さらに専用の製造設備の導入が必要になるとともに、基板を切断するための工数や材料費等のランニングコストが必要になる。このため、半導体装置の製造コストが高くなるという問題がある。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、半導体装置の製造コストを低減することができる半導体装置の製造装置を提供することである。また、本発明の他の目的は、製造コストを低減することができる半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
第１の発明は、基板上に搭載された半導体チップをモールド樹脂で封止した半導体装置を製造する半導体装置の製造装置であって、
前記基板を載置するための平らな面を有する下金型と、
前記半導体チップを収納可能なキャビティが形成された上金型とを備え、
上金型は、隣接する前記キャビティによって挟まれた領域に、前記半導体チップを取り囲むように取り付けられた刃を含み、
前記刃の高さは前記基板の厚みと略等しいまたはそれ以上であることを特徴とする。
【００１２】
第２の発明は、第１の発明において、
前記下金型は、前記平らな面に形成された第１の凹部と、前記第１の凹部に埋め込まれた第１の板材とをさらに備え、
前記第１の凹部の深さは、前記第１の板材の厚みと略等しく、
前記刃の高さは、前記第１の板材の厚みと前記基板の厚みとの和よりも低く、
前記第１の板材は、前記刃の食い込みが可能な弾性体からなることを特徴とする。
【００１３】
第３の発明は、第２の発明において、
前記第１の凹部は、前記刃に対応する位置ごとに分割された複数の第２の凹部を含み、
前記第１の板材は、前記第２の凹部ごとに埋め込まれた第２の板材を含むことを特徴とする。
【００１４】
第４の発明は、第１の発明において、
前記刃の高さは前記基板の厚みよりも高く、
前記下金型は、前記平らな面に形成された溝をさらに含み、
前記溝の深さは、前記基板から突き出した前記刃を完全に収納可能な深さであることを特徴とする。
【００１５】
第５の発明は、第１の発明において、
前記刃は、前記下金型よりも硬度の高い材料によって形成されていることを特徴とする。
【００１６】
第６の発明は、第１の発明において、
前記刃は、前記上金型の前記領域上に形成された前記溝に入れ子として取り付けられていることを特徴とする。
【００１７】
第７の発明は、第１の発明において、
前記上金型は前記キャビティの内部と外界とを連通させる貫通孔をさらに備え
前記貫通孔は前記キャビティの上方に形成されていることを特徴とする。
【００１８】
第８の発明は、第１の発明において、
前記下金型と前記上金型との間に挟まれた空間を移動可能な搬送アームと、
前記搬送アームに取り付けられた第１の吸着ホルダをさらに備え、
前記第１の吸着ホルダは、前記搬送アームに取り付けられた第１の柄と、前記第１の柄の先端に取り付けられた第１の吸着パッドとを含むことを特徴とする。
【００１９】
第９の発明は、第８の発明において、
前記搬送アームに取り付けられた第２の吸着ホルダをさらに備え、
前記第２の吸着ホルダは、前記搬送アームに取り付けられた第２の柄と、前記第２の柄の先端に取り付けられた第２の吸着パッドとを含むことを特徴とする。
【００２０】
第１０の発明は、基板上に搭載された半導体チップをモールド樹脂で封止した半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップが搭載された前記基板を下金型の上面に載置する工程と、
前記半導体チップに対応する位置にそれぞれ形成されたキャビティを含み、隣接する前記キャビティによって挟まれた領域に刃を取り付けられた上金型と、前記下金型とを前記刃が少なくとも前記下金型の上面と接触するまで型締めする工程と、
前記型締めする工程によって形成された、前記キャビティと前記基板とによって囲まれた空間に前記モールド樹脂を注入する工程とを備えることを特徴とする。
【００２１】
第１１の発明は、第１０の発明において、
前記上金型の前記刃の高さは前記基板の厚みよりも高く、
前記下金型は前記上面に前記刃の高さ以上の深さの溝をさらに備え、
前記型締めする工程は、前記刃を前記溝に完全に収納させるまで型締めすることを特徴とする。
【００２２】
第１２の発明は、第１０の発明において、
前記半導体装置を吸着パッドによって吸着してトレイまで搬送する工程をさらに備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
上記第１の発明によれば、下金型に基板が載置され、上金型には、基板の厚み以上の高さを有する刃が取り付けられているので、上金型と下金型を型締めすれば、刃は下金型に接触するまで基板に食い込む。このため、半導体チップを搭載した基板は１個または複数個の半導体チップごとに分割される。同時に分割された基板ごとに半導体チップをモールド樹脂で封止するための空間が半導体チップの周囲に形成される。そこで、この空間にモールド樹脂を注入することによって、半導体チップは分割された基板ごとに樹脂封止される。このように、半導体装置の製造装置を用いれば、半導体チップを樹脂封止するための空間を形成すると同時に、１個または複数個の半導体チップごとに基板を切断するので、モールド樹脂を硬化させれば、同時に個片化した半導体装置が製造される。このため、樹脂封止をするため設備とは別に、基板を切断するための設備を導入する費用や、切断に必要なランニングコストが不要になる。これにより、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００２４】
上記第２の発明によれば、下金型の第１の凹部の深さは、第１の板材の厚みと略等しく、刃の高さは第１の板材の厚みと基板の厚みとの和よりも低い。この場合、第１の凹部に第１の板材を埋め込み、半導体装置の製造装置を型締めしたとき、刃は、基板を切断し、さらに第１の板材に食い込むが、第１の凹部の底面と接触することはないので、刃の摩耗を防止することができる。その結果、刃の交換頻度が少なくなるので、半導体装置の製造装置のランニングコストを低減することができる。また、第１の板材を第１の凹部から容易に取り出すことができるので、成型の度に繰り返される刃の出し入れによって第１の板材が変形したときでも、変形した第１の板剤を取り出し、新しい第１の板材と容易に交換することができる。
【００２５】
上記第３の発明によれば、第１の凹部は、刃に対応する位置ごとに分割された複数の第２の凹部を含み、第１の板材は、第２の凹部ごとに埋め込まれた第２の板材を含む。この場合、任意の第２の板材を第２の凹部から容易に取り出すことができるので、成型の度に繰り返される刃の出し入れによって第２の板材が変形したときには、変形した第２の板材のみを取り出して、新しい第２の板材と交換することができる。このため、半導体装置の製造装置のランニングコストを低減することができる。
【００２６】
上記第４の発明によれば、上金型に取り付けられた刃の高さは基板の厚みよりも高く、下金型には、基板から突き出した刃を完全に収納できる溝が形成されているので、基板を完全に切断することができると共に、刃の先端が下金型の面に接触して摩耗することを防止することができる。その結果、刃の交換頻度が少なくなるので、半導体装置の製造装置のランニングコストを低減することができる。
【００２７】
上記第５の発明によれば、刃の硬度は下金型の硬度よりも高いので、上金型と下金型を型締めしたときに刃の先端が下金型に接触しても、刃の先端を摩耗しにくくすることができる。これにより、刃の交換時期が延びるので、半導体装置の製造装置のランニングコストを低減することができる。
【００２８】
上記第６の発明によれば、刃は上金型の領域に形成された溝に入れ子として取り付けられているので、摩耗等により刃を取り換える必要が生じたときでも、容易に刃を交換することができる。
【００２９】
上記第７の発明によれば、キャビティの内部と外界とを連通させる貫通孔がキャビティの上方に形成されているので、キャビティと基板とによって囲まれた空間にモールド樹脂を容易に注入することができる。
【００３０】
上記第８の発明によれば、搬送アームに取り付けられた第１の吸着ホルダの吸着パッドによって下金型上の個片化された半導体装置を吸着して取り出し、トレイに直接収納することができる。これにより、専用バスケット等に一時保管し、さらに別の搬送装置によってトレイに収納する必要がなくなるので、専用バスケットに保管するための搬送設備の導入費用やそのランニングコストが不要になる。この結果、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００３１】
上記第９の発明によれば、第１の吸着ホルダの第１のパッドによって半導体装置を吸着すると同時に、第１の吸着ホルダの柄よりも長い柄を有する第２の吸着ホルダの吸着パッドによって、切断された基板の端材を吸着して、それらを一緒に搬送する。これにより、端材の搬送を半導体装置の搬送とは別工程で行なう必要がないので、半導体装置の製造装置のランニングコストを低減することができる。
【００３２】
上記第１０の発明によれば、型締めすることによって上金型に取り付けられた刃を基板に食い込ませることにより、半導体チップをモールド樹脂で封止するための空間を形成することと、１個または複数個の半導体チップごとに基板を分割することを同時に行なうことができる。この結果、モールド樹脂による半導体チップの封止の終了時に、同時に個片化された半導体装置が製造される。これにより、半導体装置の製造工程が簡略化されるので、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００３３】
上記第１１の発明によれば、上金型に基板の厚みよりも高さの高い刃を取り付け、下金型に高さよりも深い溝を設けることによって、上金型と下金型とを型締めしたときに基板を完全に切断することができると共に、刃の先端が下金型の面に接触して摩耗することを防止することができる。この結果、刃の交換時期が延びるので、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００３４】
上記第１２の発明によれば、個片化された半導体装置を吸着パッドによって吸着し、トレイまで搬送して収納するので、半導体装置の製造工程が簡略化される。このため、半導体装置の製造コストが低減される。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造装置に載置されるガラエポ基板の平面図であり、（Ｂ）は図１（Ａ）に示すＡ−Ａ線で切断したガラエポ基板の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造装置である成型金型の断面図である。
【図３】上金型の領域上に取り付けられた刃の一部を示す斜視図である。
【図４】図２に示す成型金型を用いて、個別モールドタイプの半導体装置を製造する各工程を示す断面図である。
【図５】図２に示す成型金型を用いて、個別モールドタイプの半導体装置を製造する各工程を示す断面図である。
【図６】図２に示す成型金型を用いて、個別モールドタイプの半導体装置を製造する各工程を示す断面図である。
【図７】図２に示す成型金型を用いて、個別モールドタイプの半導体装置を製造する各工程を示す断面図である。
【図８】図２に示す成型金型を用いて、個別モールドタイプの半導体装置を製造する各工程を示す断面図である。
【図９】図２に示す成型金型を用いて、個別モールドタイプの半導体装置を製造する各工程を示す断面図である。
【図１０】吸着ホルダを半導体装置のモールド樹脂および端材に吸着させたガラエポ基板の平面図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造装置である成型金型の断面図である。
【図１２】図１１に示す成型金型を用いて、一括モールドタイプの半導体装置を製造する各工程を示す断面図である。
【図１３】図１１に示す成型金型を用いて、一括モールドタイプの半導体装置を製造する各工程を示す断面図である。
【図１４】図１１に示す成型金型を用いて、一括モールドタイプの半導体装置を製造する各工程を示す断面図である。
【図１５】図１１に示す成型金型を用いて、一括モールドタイプの半導体装置を製造する各工程を示す断面図である。
【図１６】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造装置である成型金型の断面図である。
【図１７】図１６に示す成型金型を用いて、個別モールドタイプの半導体装置を製造する各工程を示す断面図である。
【図１８】図１６に示す成型金型を用いて、個別モールドタイプの半導体装置を製造する各工程を示す断面図である。
【図１９】図１６に示す成型金型を用いて、個別モールドタイプの半導体装置を製造する各工程を示す断面図である。
【図２０】本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の製造装置である成型金型の断面図である。
【図２１】図２０に示す成型金型を型締めしたときの成型金型の断面図である。
【図２２】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の製造装置である成型金型の断面図である。
【図２３】図２２に示す成型金型を型締めしたときの成型金型の断面図である。
【図２４】半導体チップが一括モールドされたガラエポ基板の平面図である。
【図２５】図２４に示すガラエポ基板をダイシングしている図である。
【図２６】ダイシングテープに紫外線を照射する図である。
【図２７】半導体チップが個別モールドされたガラエポ基板の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
＜１．第１の実施形態＞
＜１．１  半導体装置の製造装置＞
図１（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造装置に載置されるガラエポ基板１１の平面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）に示すＡ−Ａ線で切断したガラエポ基板１１の断面図である。図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、ガラエポ基板１１には、複数の半導体チップ１２がマトリクス状にマウントされている。各半導体チップ１２では、金ワイヤ（金を主成分とするボンディングワイヤ）１３によって、半導体チップ１２の表面に形成されたボンディングパッド（図示しない）がガラエポ基板１１上に形成された配線（図示しない）と電気的に接続されている。
【００３７】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造装置である成型金型２０の断面図である。図２に示すように、成型金型２０は、個別モールドタイプの半導体装置を製造する金型であって、上下に分割された上金型２２と下金型２１とを含む。下金型２１の上面は平面であり、半導体チップが搭載されたガラエポ基板は下金型２１の上面に載置される。下金型２１と対向する上金型２２の面には、凹部状の複数のキャビティ２３が形成されている。各キャビティ２３は、ガラエポ基板上に搭載された半導体チップと同じ間隔を隔てて、各半導体チップと対応する位置に設けられている。キャビティ２３は、その内部に半導体チップを収納したときに、ワイヤボンディングされた金ワイヤがその内面に接触しないような大きさに形成されている。
【００３８】
各キャビティ２３の上面には、キャビティ２３の内部と外界とを連通させる貫通孔２４が設けられている。貫通孔２４は樹脂注入装置（図示しない）の供給口（ゲート）に接続され、キャビティ２３内に配置された半導体チップを樹脂封止するために、外部からキャビティ２３内にモールド樹脂を注入するために設けられている。このようにキャビティ２３の上面からモールド樹脂を注入する方式をトップゲート方式という。本実施形態の成型金型２０において、ランナー方式ではなく、トップゲート方式を採用したのは次の理由による。後述するように、成型金型２０では、モールド樹脂で封止される空間が半導体チップごとに形成される。一方、ランナー方式では、モールド樹脂はキャビティ２３の側面から注入されるが、隣接するキャビティ２３の間隔が狭いので、モールド樹脂を注入するための十分なスペースをキャビティ２３の側面に確保することができないからである。貫通孔２４は、モールド樹脂を注入した後に貫通孔２４内に残っている樹脂を除去しやすくするために、キャビティ２３側から外側に向かって拡径した形状になっている。
【００３９】
隣接するキャビティ２３によってはさまれた領域は、その表面が平らな領域２５になっている。領域２５の中央には、断面がＶ字状になっている刃（以下、「刃」という）２６が取り付けられている。図３は、上金型２２の領域２５上に取り付けられた刃２６の一部を示す斜視図である。図３に示すように、刃２６は、領域２５の中央に、縦方向および横方向に延び、各キャビティ２３をそれぞれ囲むように取り付けられている。刃２６の高さは、ガラエポ基板の厚みと略等しくなるように調整されている。
【００４０】
刃２６は、下金型２１を上昇させて型締めしたときにガラエポ基板を分割し、さらに下金型２１の上面と接触するので、その先端が摩耗しやすくなる。このため、刃２６は、少なくとも成型金型２０と同じ材料によって形成されているか、または成型金型２０よりも高い硬度の材料によって形成されている必要がある。成型金型２０を、ＳＫＤ材（ダイス鋼材）、ＳＫＨ材（ハイスピード鋼材）、またはＳＵＪ材（高炭素−高クロム軸受鋼）のいずれかの鋼材によって形成した場合、刃２６は、例えば炭化タングステンと結合材であるコバルト（Ｃｏ）を混合して焼結した超硬合金等によって形成される。超硬合金の硬度は、半導体装置の成型温度である１５０〜１８０℃程度の温度範囲でも低下しないので、刃２６の材料として適している。刃２６の好ましい角度は、３０〜６０度である。刃２６の角度をこの範囲よりも鋭角にすれば刃２６の摩耗が激しくなり、鈍角になれば刃２６の切断能力が低下する。
【００４１】
このような超硬合金製の刃２６であっても、０．２ｍｍを超える厚みのガラエポ基板を切断すれば、刃２６の摩耗が激しくなって切断能力が急激に落ちると共に、切断時にガラエポ基板が撓み、ボンディングされた金ワイヤが外れやすくなる。そこで、本実施形態の成型金型２０を、厚みが０．２ｍｍ以下のガラエポ基板に搭載された半導体チップの樹脂封止に用いれば、刃２６の交換時期を延ばすことができるとともに、ガラエポ基板の撓みを防止することができる。
【００４２】
また、半導体装置のサイズを小さくしてその取り数を多くすれば、ガラエポ基板の切断箇所が多くなる。このように、切断箇所が多くなれば、より強い力で下金型を型締めしなければならなくなり、刃２６の摩耗が激しくなる。そこで、下金型２１に載置するガラエポ基板からの半導体装置の取り数を、下金型２１の型締め能力に合わせた取り数にする必要がある。
【００４３】
なお、刃２６は、領域２５に溝（図示しない）を設け、溝に嵌め込まれた入れ子として取り付けられ、さらに上金型２２から抜け落ちないように上金型２２にねじで固定されている。このため、下金型２１を上昇させて型締めすることによって刃２６が摩耗したり、下金型２１の上面に厚みの異なるガラエポ基板を載置したりした場合にも、刃２６を容易に交換することができる。
【００４４】
＜１．２  半導体装置の製造方法＞
図４〜図９は、図２に示す成型金型２０を用いて、個別モールドタイプの半導体装置１０を製造する各工程を示す断面図である。図４に示すように、上金型２２と下金型２１を上下に分離し、半導体チップ１２が搭載されたガラエポ基板１１を下金型２１の上面に載置する。このとき、ガラエポ基板１１上の各半導体チップ１２が上金型２２に形成された各キャビティ２３の下方にそれぞれ位置するように、ガラエポ基板１１が載置される。次に、ガラエポ基板１１の表面が上金型２２の領域２５と密着するように、下金型２１を上昇させて型締めし、ガラエポ基板１１を上金型２２の領域２５と下金型２１の上面とによってクランプする。
【００４５】
図５に示すように、刃２６の高さはガラエポ基板１１の厚みと略等しいので、下金型２１を上昇させて型締めし、ガラエポ基板１１と上金型２２の領域２５とを密着させれば、刃２６がガラエポ基板１１に食い込み、刃２６の先端が下金型２１の上面と接触する。このようにして、ガラエポ基板１１は刃２６によって半導体チップ１２ごとに切断されて個片化されたガラエポ基板１１ａと、ガラエポ基板１１の周辺部の半導体チップ１２が搭載されていないガラエポ基板（以下、「端材」という）１１ｂとになる。各半導体チップ１２は上金型２２のキャビティ２３と個片化されたガラエポ基板１１ａとによって囲まれた空間１４内にそれぞれ収納される。
【００４６】
図６に示すように、キャビティ２３ごとに設けられた貫通孔２４から空間１４内にモールド樹脂を注入する。注入するモールド樹脂としては、例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂等が使用される。このとき、モールド樹脂の仕様に応じて、所定の温度で所定の時間キュアを行ない、モールド樹脂を十分硬化させる。キュアは、通常１５０〜１８０℃の温度で行なわれるので、刃２６は、超硬合金のように、この温度範囲で硬度の低下が少ない材料で形成されることが好ましい。
【００４７】
図７に示すように、下金型２１を下降させると、モールド樹脂１５で封止された半導体装置１０が個別にピックアップ可能な状態で下金型２１の上面に載置されている。また、キャビティ２３内のモールド樹脂１５は貫通孔２４内の樹脂１５ａから分離（ゲートブレイク）される。
【００４８】
図８に示すように、上金型２２と下金型２１との間に搬送アーム２７を挿入する。搬送アーム２７は、板状の基体２７ａを含み、ガラエポ基板１１上の半導体チップ１２と同じ間隔で、半導体装置１０の個数と同じ本数の吸着ホルダ２８が基体２７ａにマトリクス状に取り付けられたている。また、基体２７ａには、吸着ホルダ２８が取り付けられた位置の外側、および、吸着ホルダ２８が取り付けられた位置と吸着ホルダ２８が取り付けられた位置との間の位置に、吸着ホルダ２９が取り付けられている。
【００４９】
吸着ホルダ２８は、その一端が搬送アーム２７に取り付けられた柄２８ｂと、その他端に取り付けられた吸着パッド２８ａとを含む。さらに、搬送アーム２７の両端には、吸着ホルダ２８を挟むように、吸着ホルダ２９が取り付けられている。吸着ホルダ２９も、その一端が搬送アーム２７に取り付けられた柄２９ｂと、その他端に取り付けられた吸着パッド２９ａとを含む。吸着ホルダ２９の柄２９ｂの長さは、吸着ホルダ２８の柄２８ｂよりも半導体装置１０のモールド樹脂１５の厚みだけ長くなるように形成されている。
【００５０】
搬送アーム２７の両端に取り付けられた吸着ホルダ２９の吸着パッド２９ａがガラエポ基板１１の端材１１ｂの上方にそれぞれ位置するまで、搬送アーム２７を図８の右側から左側に向かって水平に移動させる。２本の吸着ホルダ２９がガラエポ基板１１の端材１１ｂの上方にそれぞれ位置すると、搬送アーム２７を下金型２１に向かって下降させる。吸着ホルダ２８の吸着パッド２８ａと半導体装置１０のモールド樹脂１５の上面との間の距離と、吸着ホルダ２９の吸着パッド２８ａとガラエポ基板１１の端材１１ｂとの間の距離とは等しいので、吸着パッド２８ａが半導体装置１０のモールド樹脂１５と接触したとき、同時に吸着パッド２９ａがガラエポ基板１１の端材１１ｂと接触する。この状態で吸着パッド２８ａ，２９ａを真空引きすると、吸着ホルダ２８，２９はそれぞれ半導体装置１０および端材１１ｂを吸着する。
【００５１】
図１０は、吸着ホルダ２８，２９をモールド樹脂で封止された半導体装置１０および端材１１ｂにそれぞれ吸着させたガラエポ基板１１の平面図である。図１０に示すように、型締めすることによって、ガラエポ基板１１は、半導体チップごとに切断されて個片化されたガラエポ基板１１ａと、個片化されたガラエポ基板１１ａを囲む端材１１ｂに分割される。各吸着ホルダ２８の吸着パッド２８ａを、各半導体装置１０にそれぞれ吸着させる。また、端材１１ｂは一体的に形成されているので、吸着ホルダ２９の吸着パッド２９ａを、端材１１ｂの四隅および中央部を吸着させる。このように、基体２７ａには、５本の吸着ホルダ２９が取り付けられている。なお、吸着ホルダ２９の本数および基体２７ａに取り付ける位置は、図１０に示す本数および位置に限定されず、端材１１ｂを下金型２１上から確実に搬送できる本数および位置であればよい。
【００５２】
図１０に示すように、吸着パッド２８ａ，２９ａを半導体装置１０および端材１１ｂにそれぞれ吸着させると、搬送アーム２７を上昇させる。この結果、吸着パッド２８ａ，２９ａにそれぞれ吸着された半導体装置１０および端材１１ｂは下金型２１から離れる。搬送アーム２７を所定の位置まで上昇させると、搬送アーム２７を図９の左側から右側に向かって水平に移動させる。そして、搬送アーム２７をダストボックス（図示しない）上で停止させ、吸着パッド２９ａの真空引きを止める。その結果、吸着パッド２９ａに吸着されていた端材１１ｂは、吸着パッド２９ａからはずれ、ダストボックスに廃棄される。次に、搬送アーム２７をアンローダのトレイ（図示しない）上まで移動させる。搬送アーム２７をトレイ上で停止させ、吸着パッド２８ａの真空引きを止める。その結果、半導体装置１０は、吸着パッド２８ａからはずれ、トレイの所定の位置に収納される。このように、搬送アーム２７を使用すれば、下金型２１の上面で個片化された半導体装置１０および端材１１ｂを１回の吸着ですべて搬送することができるので、搬送の工数を低減することができる。このため、半導体装置１０の製造コストを低減することができる。
【００５３】
なお、吸着ホルダ２８，２９の吸着パッド２８ａ，２９ａは、真空引きすることによって半導体装置１０および端材１１ｂを吸着すると説明したが、吸着パッド２８ａ，２９ａが半導体装置１０および端材１１ｂにそれぞれ接触した状態で搬送アーム２７をさらに下降させることにより、吸着パッド２８ａ，２９ａを半導体装置１０および端材１１ｂにそれぞれ押圧し、それらを吸着させてもよい。
【００５４】
搬送アーム２７では、吸着ホルダ２８，２９は板状の基体２７ａに取り付けられているとして説明した。しかし、搬送アームは棒状の基体を含み、棒状の基体に、吸着ホルダ２８を一列に並べて取り付け、吸着ホルダ２８の両端、および、所望の吸着ホルダ２８と吸着ホルダ２８との間の位置に、吸着ホルダ２９を取り付けたものであってもよい。この搬送アームを使用して、下金型２１上で個片化された半導体装置１０をトレイに収納する場合、搬送アームは１回に１列分の半導体装置１０しか搬送できない。この場合、すべての半導体装置１０をトレイに収納するには、１列分の搬送が終了するごとに、搬送アーム２７を１列分だけずらして、上金型２２と下金型２１との間に移動させることを繰り返す必要がある。
【００５５】
＜１．３  効果＞
成型金型２０を使用すれば、半導体チップ１２を搭載したガラエポ基板１１は、半導体チップ１２ごとに分割される。同時に半導体チップ１２をモールド樹脂で封止するための空間１４が各半導体チップ１２の周囲に形成されるので、この空間にモールド樹脂を注入することによって半導体チップ１２は樹脂封止される。この場合、成型金型２０を用いれば、半導体チップ１２の樹脂封止の終了時に、個片化された半導体装置１０が製造される。このため、樹脂封止をするための設備とは別に、ガラエポ基板１１を切断するための設備の導入する費用や、切断に必要なランニングコストが不要になる。これにより、半導体装置１０の製造コストを低減することができる。
【００５６】
また、下金型２１の上面の個片化された半導体装置１０を、搬送アーム２７に取り付けられた吸着ホルダ２８の吸着パッド２８ａによって吸着し、下金型２１の上面から取り出してトレイに直接収納するので、専用バスケット等に一時保管し、さらに別の搬送装置によってトレイに収納する必要がない。このため、専用バスケットに保管するための搬送設備の導入費用やそのランニングコストが不要になり、半導体装置１０の製造コストを低減することができる。
【００５７】
吸着ホルダ２８の吸着パッド２８ａによって半導体装置１０を吸着すると同時に、吸着ホルダ２８の柄２８ｂよりも半導体装置１０の厚みだけ長い柄２９ｂを有する吸着ホルダ２９の吸着パッド２９ａによって、ガラエポ基板１１の端材１１ｂを吸着して、それらを一緒に搬送するので、半導体装置１０とガラエポ基板１１の切断時に生じる端材１１ｂとを一緒に取り出すことができる。このため、成型金型２０のランニングコストを低減することができる。
【００５８】
型締めすることによって上金型２２に取り付けられた刃２６をガラエポ基板１１に食い込ませることにより、半導体チップ１２をモールド樹脂で封止するための空間１４を形成することと、ガラエポ基板１１を分割することを同時に行なうことができる。これにより、モールド樹脂による封止が終了時に、個片化された半導体装置１０が製造されるので、半導体装置１０の製造工程が簡略化され、半導体装置１０の製造コストが低減される。
【００５９】
＜２．第２の実施形態＞
＜２．１  半導体装置の製造装置＞
図１１は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造装置である成型金型３０の断面図である。図１１に示すように、成型金型３０は、一括モールドタイプの半導体装置を製造する金型であって、上下に分割された上金型３２と下金型３１とを含む。下金型３１の上面は、図２に示す成型金型２０の下金型２１と同様に平面であり、半導体チップが搭載されたガラエポ基板が載置される。下金型２１と対向する上金型３２の面には、凹部状の複数のキャビティ３３が形成されている。各キャビティ３３の上面には、キャビティ３３の内部と外界とを連通させる貫通孔３４が設けられている。キャビティ３３および貫通孔３４の形状はそれぞれ成型金型２０のキャビティ２３および貫通孔２４の形状と同じであるので、それらの説明を省略する。
【００６０】
隣接するキャビティ３３によってはさまれた領域３５の幅は、成型金型２０の領域２５の幅よりも狭く、刃の幅と同程度である。刃３６は、図３に示す刃２６と同様に、上金型３２の領域３５上で縦方向および横方向に延び、キャビティ３３を囲むように取り付けられている。刃３６の高さは、ガラエポ基板の厚みと略等しくなるように調整されている。刃３６は、成型金型２０の刃２６と同様に、領域３５に形成された溝（図示しない）に入れ子として取り付けられている。なお、成型金型３０および刃３６の材料はそれぞれ、成型金型２０および刃２６の材料と同じであるため、それらの説明を省略する。
【００６１】
＜２．２  半導体装置の製造方法＞
図１２〜図１５は、図１１に示す成型金型３０を用いて、一括モールドタイプの半導体装置１８を製造する各工程を示す断面図である。図１２に示すように、上金型３２と下金型３１を上下に分離し、半導体チップ１２が搭載されたガラエポ基板１１を下金型３１の上面に載置する。このとき、ガラエポ基板１１上の各半導体チップ１２が上金型３２に形成された各キャビティ３３の下方にそれぞれ位置するように、ガラエポ基板１１が下金型３１の上面に載置される。次に、ガラエポ基板１１の表面が上金型３２の領域３５と密着するように、下金型３１を上昇させて型締めし、ガラエポ基板１１を上金型３２の領域３５と下金型３１の上面とによってクランプする。
【００６２】
図１３に示すように、刃３６の高さがガラエポ基板１１の厚みと略等しいので、下金型３１を上昇させて型締めすることにより、ガラエポ基板１１と上金型３２の領域３５とを密着させれば、刃３６はガラエポ基板１１に食い込み、刃３６の先端は下金型３１の上面と接触するので、ガラエポ基板１１は刃３６によって半導体チップ１２ごとに分割され、個片化されたガラエポ基板１１ａと端材１１ｂとになる。各半導体チップ１２は、上金型３２のキャビティ３３と個片化されたガラエポ基板１１ａとによって囲まれた空間１４内にそれぞれ収納される。
【００６３】
図１４に示すように、キャビティ３３ごとに設けられた貫通孔３４からモールド樹脂を注入する。注入されるモールド樹脂には、例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂等が使用される。このとき、モールド樹脂の仕様に応じて、所定の温度で所定の時間キュアを行ない、樹脂を十分に硬化させる。
【００６４】
モールド樹脂が硬化した後、型開きするために、図１５に示すように下金型３１を下降させる。下金型３１を下降させると、モールド樹脂１７で封止された半導体装置１８が個別にピックアップ可能な状態で下金型３１の上面に載置されている。また、キャビティ３３内のモールド樹脂１７は貫通孔３４内の樹脂１７ａから分離（ゲートブレイク）される。
【００６５】
次に、図８に示す場合と同様にして、上金型３２と下金型３１との間に棒状の搬送アームを挿入する。そして、図９に示す場合と同様にして、個片化された半導体装置１８を下金型３１からピックアップし、トレイに収納する。なお、搬送アームを用いて半導体装置１８をピックアップし、トレイに収納する方法は、第１の実施形態で説明した方法と同じなので、それらの図および説明を省略する。
【００６６】
なお、成型金型３０の効果および成型金型３０を用いて半導体装置１８を製造する製造方法の効果は、第１の実施形態の各効果とそれぞれ同じであるので、それらの説明を省略する。また、上述のように、成型金型３０の領域３５の幅が狭いので、図１５に示す半導体装置１８のモールド樹脂の幅は個片化されたガラエポ基板１１ａの幅と同程度であり、図７に示す半導体装置１０のモールド樹脂の幅と比べて広くなっている。
【００６７】
＜３．第３の実施形態＞
＜３．１  半導体装置の製造装置＞
図１６は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造装置である成型金型４０の断面図である。図１６に示すように、成型金型４０は、個別モールドタイプの半導体装置１０を製造する金型であって、上下に分割された上金型４２と下金型４１とを含む。このため、成型金型４０の構成要素のうち、図２に示す成型金型２０と同じ構成要素については同じまたは対応する参照符号を付してその説明を省略し、成型金型２０と異なる構成要素について説明する。
【００６８】
図１６に示すように、上金型４２の領域４５には刃４６が取り付けられている。下金型４１を上昇させて型締めしたとき、上金型４２の刃４６が接触する下金型４１の上面に、凹部４９が形成されている。凹部４９内には、硬質ゴムからなる板材４７が埋め込まれている。凹部４９の深さは板材４７の厚みと略等しいので、凹部４９に埋め込まれた板材４７の表面は下金型４１の上面と同一平面になる。また、刃４６の高さは、板材４７の厚みとガラエポ基板の厚みとの和よりも低くなるように調整されているので、刃４６がガラエポ基板を切断し、板材４７に食い込んでも、刃４６の先端は凹部９の底面と接触することはない。このため、刃４６が凹部４９の底面と接触することによって摩耗することを防止することができる。
【００６９】
凹部４９に埋め込まれた板材４７は凹部４９ごとに容易に取り出すことができるので、成型の度に繰り返される刃４６の出し入れによって板材４７が変形したときには、変形した板材４７のみを取り出して新しい板材４７と交換することができる。このため、半導体装置の製造装置のランニングコストを低減することができる。
【００７０】
板材４７を硬質ゴムによって形成するのは次の理由による。刃４６がガラエポ基板を切断し、さらに刃４６の先端が板材４７の表面に達すると、刃４６は板材４７の内部に食い込むので刃４６の先端が摩耗しないこと、モールド樹脂を硬化させるために１５０〜１８０度でキュアしても変質しないこと、および、弾性体であるため塑性変形しないことによる。また、凹部４９を板材４７で埋め込むので、ガラエポ基板を切断したときに発生する破片によって凹部４９が埋まることを防止できる。
【００７１】
下金型４１の上面は、図２に示す成型金型２０の下金型２１と同様に平面であり、半導体チップが搭載されたガラエポ基板が載置される。下金型４１と対向する上金型４２の面には、凹部状の複数のキャビティ４３が形成されている。各キャビティ４３の上面には、キャビティ４３の内部と外界とを連通させる貫通孔４４が設けられている。キャビティ４３および貫通孔４４の形状はそれぞれ成型金型２０のキャビティ２３および貫通孔２４の形状と同じであるので、それらの説明を省略する。
【００７２】
＜３．２  半導体装置の製造方法＞
図１７〜図１９は、図１６に示す成型金型４０を用いて、個別モールドタイプの半導体装置１０を製造する各工程を示す断面図である。図１７に示すように、上金型４２と下金型４１を上下に分離し、半導体チップ１２が搭載されたガラエポ基板１１を下金型４１の上面に載置する。このとき、ガラエポ基板１１上の各半導体チップ１２が上金型４２に形成された各キャビティ４３の下方にそれぞれ位置するように、ガラエポ基板１１が載置される。次に、ガラエポ基板１１の表面が上金型４２の領域４５と密着するように、下金型４１を上昇させて型締めする。その結果、ガラエポ基板１１は上金型４２の領域４５と下金型４１の上面とによってクランプされる。
【００７３】
図１８に示すように、刃４６の高さはガラエポ基板１１の厚みよりも高いので、下金型４１を上昇させて型締めし、ガラエポ基板１１と上金型４２の領域４５とを密着させれば、刃４６はガラエポ基板１１を切断し、板材４７に食い込む。このようにして、ガラエポ基板１１は刃４６によって半導体チップ１２ごとに切断されて個片化されたガラエポ基板１１ａと、半導体チップ１２が搭載されていない周辺部のガラエポ基板（以下、「端材」という）１１ｂとになる。各半導体チップ１２は上金型４２のキャビティ４３と個片化されたガラエポ基板１１ａとによって囲まれた空間１４内にそれぞれ収納される。この空間１４内に、キャビティ４３ごとに設けられた貫通孔４４からモールド樹脂を注入する。注入するモールド樹脂としては、第１の実施形態の場合と同様に、例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂等が使用される。このとき、モールド樹脂の仕様に応じて、所定の温度で所定の時間キュアを行ない、モールド樹脂を十分硬化させる。キュアは、通常１５０〜１８０℃の温度で行なわれる。板材４７は、硬質ゴムによって形成されているので、キュア時に変質することはない。
【００７４】
図１９に示すように、下金型４１を下降させると、モールド樹脂１５で封止された半導体装置１０が個別にピックアップ可能な状態で下金型４１の上面に載置されている。また、板材４７は弾性体である硬質ゴムによって形成されているので、下金型４１を下降させれば、板材４７は元の形状に戻る。また、キャビティ４３内のモールド樹脂１５は貫通孔４４内の樹脂１５ａから分離（ゲートブレイク）される。なお、搬送アームを用いて半導体装置１０をピックアップし、トレイに収納する方法は、第１の実施形態で説明した方法と同じなので、それらの図および説明を省略する。
【００７５】
また、本実施形態の成型金型４０は、個別モールドタイプの半導体装置１０を製造する成型金型であるとして説明した。しかし、一括モールドタイプの半導体装置１８を製造する成型金型であってもよい。この場合も、刃の高さをガラエポ基板の厚みよりも高くするとともに、下金型の上面に、ガラエポ基板から突き出した刃の高さよりも深く、かつその内部に板材が埋め込まれた凹部を設ける。その効果は、個別モールドタイプの半導体装置１０を製造する成型金型４０と同じであるため、その説明を省略する。
【００７６】
＜４．第４の実施形態＞
図２０は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の製造装置である成型金型５０の断面図である。図２０に示すように、成型金型５０は、図１６に示す成型金型４０と同じ個別モールドタイプの半導体装置１０を製造する金型であって、上下に分割された上金型５２と下金型５１とを含む。このため、成型金型５０の構成要素のうち、図１６に示す成型金型４０と同じ構成要素については同じまたは対応する参照符号を付してその説明を省略し、成型金型４０と異なる構成要素について説明する。
【００７７】
成型金型４０では、刃４６の位置に対応する下金型４１上に位置ごとに凹部４９が形成されていた。しかし、成型金型５０では、図２０に示すように、すべての凹部４９を連結した大きさの凹部５９が１つだけ下金型５１上に形成されている。凹部５９には、硬質ゴムからなる１枚の大きな板材５７が埋め込まれている。凹部５９の深さは、板材５７の厚みと略等しくなるように形成されているので、凹部５９に板材５７を埋め込めば、板材５７の表面は下金型５１の上面と同一平面になる。また、刃５６の高さは、板材５７の厚みとガラエポ基板の厚みとの和よりも低くなるように調整されている。板材５７を硬質ゴムによって形成する理由は、第３の実施形態の板材４７の場合と同じであるので、その説明を省略する。
【００７８】
図２１は、図２０に示す成型金型５０を型締めしたときの成型金型５０の断面図である。図２１に示すように、半導体チップ１２が搭載されたガラエポ基板を下金型５１に埋め込まれた板材５７上に載置して型締めすれば、刃５６はガラエポ基板を切断し、さらに板材５７に食い込む。しかし、刃５６の高さは、ガラエポ基板の厚みと板材５７の厚みとの和よりも低くなるように調整されているので、刃５６は、板材５７を突き抜けて下金型５１の凹部５９の底面と接触することはない。この結果、刃５６はガラエポ基板を個片化されたガラエポ基板１１ａと端材１１ｂとに分割し、個片化された半導体装置を形成する。この場合、半導体チップが搭載されたガラエポ基板は、板材５７と上金型５２の領域５５とによってクランプされる。
【００７９】
このように、成型金型５０では、刃５６はガラエポ基板を完全に切断することができるだけでなく、ガラエポ基板を切断後に刃５６の先端が凹部５９の底面と接触することによって生じる摩耗を防止することができる。その結果、刃５６の交換頻度を少なくできるので、成型金型５０のランニングコストを低減することができる。なお、成型金型５０を用いて半導体装置を製造する方法は、第１の実施形態の場合と同じであるので、その説明を省略する。
【００８０】
＜５．第５の実施形態＞
図２２は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の製造装置である成型金型６０の断面図である。図２２に示すように、成型金型６０は、図２に示す第１の実施形態に係る成型金型２０と同じ個別モールドタイプの半導体装置１０を製造する金型であって、上下に分割された上金型６２と下金型６１とを含む。このため、成型金型６０の構成要素のうち、図２に示す成型金型２０と同じ構成要素については同じまたは対応する参照符号を付してその説明を省略し、成型金型２０と異なる構成要素について説明する。
【００８１】
図２２に示す上金型６２の領域６５に取り付けられた刃６６の高さは、図２に示す刃２６の高さよりも高い。このため、下金型６１の上面にガラエポ基板を載置して型締めしたときに、刃６６の先端が下金型６１の上面に接触して摩耗しないように、刃６６が接触する下金型６１の上面に、ガラエポ基板から突き出した刃６６の高さよりも深さの深いＶ字状の溝（以下、（Ｖ字状溝」という）６８が形成されている。
【００８２】
図２３は、図２２に示す下金型６１を上昇させて型締めしたときの成型金型６０の断面図である。図２３に示すように、半導体チップ１２が搭載されたガラエポ基板を下金型６１の上面に載置して型締めすれば、刃６６の高さが、ガラエポ基板の厚みよりも高いので、刃６６はガラエポ基板を個片化されたガラエポ基板１１ａと端材１１ｂとに分割し、ガラエポ基板から突き出した刃５６はＶ字状溝６８に完全に収納される。
【００８３】
この場合、成型金型６０では、刃６６はガラエポ基板を完全に切断することができるだけでなく、ガラエポ基板を切断後に刃６６の先端が下金型６１の上面と接触することによって生じる摩耗を防止することができる。このため、刃６６の交換頻度を少なくできるので、成型金型６０のランニングコストを低減することができる。また、Ｖ字状溝６８の形状は刃６６の形状と同じＶ字状なので、刃６６の先端を下金型６１にしっかり固定できる。なお、成型金型６０を用いて半導体装置１０を製造する方法は、第１の実施形態の場合と同じであるので、その説明を省略する。
【００８４】
上述の説明では、下金型６１の上面に形成されるのはＶ字状溝６８であるとしたが、ガラエポ基板から突き出した刃６６の高さよりも深さの深い溝であればよく、その形状は限定されない。
【００８５】
また、本実施形態の成型金型６０は、個別モールドタイプの半導体装置１０を製造する成型金型であるとして説明した。しかし、一括モールドタイプの半導体装置１８を製造する成型金型であってもよい。その効果は、個別モールドタイプの半導体装置１０を製造する成型金型６０と同じであるため、その説明を省略する。
【００８６】
＜６．その他＞
上記各実施形態では、半導体チップ１２が搭載された基板は、ガラエポ基板１１であるとして説明した。しかし、ガラエポ基板１１以外にも、ポリイミド基板等、成型金型２０，３０，４０，５０，６０を型締めしたときに、刃２６，３６，４６，５６，６６によって切断可能な材料からなる基板であればよい。
【００８７】
上記各実施形態に係る成型金型２０，３０，４０，５０，６０のキャビティ２３，３３，４３，５３，６３には、半導体チップ１２が１個ずつ収容されるとして説明した。しかし、各キャビティ２３，３３，４３，５３，６３は、それぞれ２個またそれ以上の半導体チップ１２を収納できる大きさであって、２個またはそれ以上の半導体チップ１２を１つの半導体装置１０，１８としてモールド樹脂で封止できるものであってもよい。
【符号の説明】
【００８８】
１０，１８…半導体装置
１１…ガラエポ基板
１１ａ…個片化されたガラエポ基板
１１ｂ…端材
１２…半導体チップ
１４…空間
１５，１７…モールド樹脂
２０，３０，４０，５０，６０…成型金型（半導体装置の製造装置）
２１，３１，４１，５１，６１…下金型
２２，３２，４２，５２，６２…上金型
２３，３３，４３，５３，６３…キャビティ
２４，３４，４４，５４，６４…貫通孔
２５，３５，４５，５５，６５…領域
２６，３６．４６，５６，６６…刃
２７…搬送アーム
２８，２９…吸着ホルダ
２８ａ，２９ａ…吸着パッド
２８ｂ，２９ｂ…柄
４７，５７…板材
４９，５９…凹部
６８…Ｖ字状溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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