(57)【要約】【課題】設計の自由度が高い半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法では、まず、接着部材１０上に予めパターン形成された端子１やダイパッド２を固定する。次に、例えばボンディングワイヤ４によって、半導体チップ３を端子１に電気的に接続する。そして、接着部材１０上の端子１、ダイパッド２、及び半導体チップ３を封止樹脂５によって封止する。封止樹脂５による封止後に、接着部材１０を除去する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に予めパターン形成された部品を固定し、
半導体素子を前記部品に電気的に接続し、
前記基材上の前記部品と前記半導体素子とを封止樹脂によって封止し、
前記封止樹脂による封止後に、前記基材を除去する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記部品の実装前に、
前記部品に金属被膜を施すことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記部品の実装の際、
前記部品として端子を実装することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記部品の実装の際、
前記端子として、第１端子と、動作時に前記第１端子に流れる電流よりも大きな電流が流れ、前記第１端子より厚く形成された第２端子とを実装することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記部品の実装の際、
前記部品としてダイパッドを実装することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記部品は、外側に向けて突出した凸形状を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記基材は、接着部材であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面実装パッケージの製造工程において、特許文献１、２に記載されているように、接着テープを使用する場合がある。ここで、図１８〜２３を参照して、特許文献１における表面実装パッケージの製造方法について説明する。図１８〜２３は、特許文献１における表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【０００３】
まず、図１８に示されるように、接着テープ３０上に導電性基板３１を接着させる。そして、導電性基板３１をパターンニングして、図１９に示されるように、枠形状のフレーム３２、端子３３、及びダイパッド３４を形成する。図２０に示されるように、ダイパッド３４上に半導体チップ３５を実装する。そして、ボンディングワイヤ３６によって、半導体チップ３５と端子３３とを接続する。図２１に示されるように、トランスファーモールド又はポッティングにて、これらは封止樹脂３７により封止される。その後、接着テープ３０を剥がし、半田ディップを行う。これにより、図２２に示されるように、端子３３及びダイパッド３４に被膜３８が形成される。そして、図２３に示されるように、ダイシングによって個片化し、個別の表面実装パッケージとする。
【０００４】
次に、図２４〜２７を参照して、特許文献２における表面実装パッケージの製造方法について説明する。図２４〜２７は、特許文献２における表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【０００５】
まず、図２４に示されるような導電性基板４０にエッチング等を施す。これにより、図２５に示されるように、開口部４１及びこの開口部４１の周辺部に端子４２が形成された板状のリードフレーム４３が形成される。次に、図２６に示されるように、開口部４１にダイパッド４４が配置するように、リードフレーム４３及びダイパッド４４を接着テープ４５へ貼り付ける。その後、ダイパッド４４上に半導体チップ４６を実装し、ボンディングワイヤ４７によって、半導体チップ４６と端子４２とを接続する。トランスファーモールド等によって、これらは封止樹脂４８により封止される。その後、接着テープ４５を剥がし、リードフレーム４３をカットする。これにより、図２７に示されるような表面実装パッケージが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１３４５７３号公報
【特許文献２】特開２００６−３２７７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載された技術では、準備段階として、接着テープ３０上に導電性基板３１を接着し、エッチング等で導電性基板３１をパターニングしなければならない。この導電性基板３１の厚さは均一であり、端子３３及びダイパッド３４の厚さの設計の自由度は無い。また、接着テープ３０上に接着された導電性基板３１をエッチングするため、端子３３及びダイパッド３４の側面は、平坦となってしまう。このため、端子３３等と封止樹脂３７との密着性が悪いと、表面実装パッケージから端子３３等が抜けやすい。また、特許文献１に記載された技術では、外装めっき（被膜３８）は樹脂封止後にしか施せない。このため、外装めっきは、はんだディップ又は無電界めっきという方法でしか施すことができない。
【０００８】
特許文献２に記載された技術では、導電性基板４０をパターニングして端子４２を形成するため、端子４２の厚さはすべて同じであり、端子４２の材料もすべて同じとなる。また、端子４２は、開口部４１の縁部で全て連結する。このため、端子４２のピッチによっては、ＬＧＡ（land grid array）やＢＧＡ（ball grid array）のような多列のグリッド状の端子構造は取れない。さらに、導電性基板４０をパターニングして接着テープ４５に貼り付けるため、製造ラインには短冊状のワークを用いることとなり、フープ状のワークを用いることができない。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、基材上に予めパターン形成された部品を固定し、半導体素子を前記部品に電気的に接続し、前記基材上の前記部品と前記半導体素子とを封止樹脂によって封止し、前記封止樹脂による封止後に、前記基材を除去するものである。これにより、部品の配置、部品の厚さ、部品に用いられる材料などを個別に設定することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、設計の自由度が高い半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態１にかかる表面実装パッケージの構成を示す断面図である。
【図２】実施の形態１にかかる表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図３】実施の形態１にかかる表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図４】実施の形態１にかかる表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図５】実施の形態１にかかる表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図６】実施の形態１にかかる表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図７】実施の形態１にかかるフープ状のワークを用いた製造ラインを示す概略図である。
【図８】実施の形態２にかかる表面実装パッケージの構成を示す断面図である。
【図９】実施の形態２にかかる表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１０】実施の形態２にかかる表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１１】実施の形態２にかかる表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１２】実施の形態２にかかる表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１３】実施の形態３にかかる表面実装パッケージの構成を示す断面図である。
【図１４】実施の形態３にかかる表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１５】実施の形態３にかかる表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１６】実施の形態３にかかる表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１７】実施の形態３にかかる表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１８】特許文献１における表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１９】特許文献１における表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図２０】特許文献１における表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図２１】特許文献１における表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図２２】特許文献１における表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図２３】特許文献１における表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図２４】特許文献２における表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図２５】特許文献２における表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図２６】特許文献２における表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図２７】特許文献２における表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施の形態１
まず、図１を参照して、本実施の形態にかかる半導体装置について説明する。ここでは、半導体装置の一例として、リードレス構造の表面実装パッケージについて説明する。図１は、表面実装パッケージの構成を示す断面図である。
【００１３】
図１に示されるように、表面実装パッケージの下部には、端子１及びダイパッド（アイランド）２が設けられる。端子１の底面及びダイパッド２の底面は、表面実装パッケージの底面に露出している。これにより、端子１及びダイパッド２は、外部から接続可能になっている。本実施の形態では、端子１及びダイパッド２は、略同一の厚さを有する。
【００１４】
また、部品としての端子１及びダイパッド２は、略Ｔ字型を有する。すなわち、端子１及びダイパッド２の側面は平坦ではなく、段差を有する。換言すると、端子１及びダイパッド２は、表面実装パッケージの外側に向けて突出した凸形状を有する。端子１及びダイパッド２には、必要に応じて、Ｐｄ等により内部めっきや外装めっきが施されている。ここで、内部めっきとは、ボンディングワイヤ４との接続部分に設けられるめっきのことである。外装めっきとは、二次実装を容易にするために、実装基板等との接続部分に設けられるめっきのことである。端子１及びダイパッド２は、異なる材料によって形成してもよいし、異なる金属のめっきが施されてもよい。
【００１５】
端子１は、表面実装パッケージの外周部に複数設けられる。表面実装パッケージの底面は、例えば、略矩形状に形成される。そして、端子１は、表面実装パッケージの底面のそれぞれの端辺に沿って単列に配置される。そして、表面実装パッケージの略中央部には、ダイパッド２が設けられる。ダイパッド２は、端子１によって挟まれている。ダイパッド２は、例えば、放熱や接地を行うために設けられる。
【００１６】
ダイパッド２上には、半導体素子としての半導体チップ３が実装される。半導体チップ３の外形は、ダイパッド２の外形よりも小さい。半導体チップ３は、ダイパッド２の内側において略中央部に設けられる。半導体チップ３及び端子１は、ボンディングワイヤ４によって電気的に接続される。ボンディングワイヤ４は、それぞれの端子１に対応して設けられる。端子１、ダイパッド２、半導体チップ３、及びボンディングワイヤ４は、封止樹脂５によって封止される。上記のように、端子１及びダイパッド２は、側面に段差を有し、この段差にも封止樹脂５が充填される。このため、端子１及びダイパッド２はそれぞれの側面がモールドロックとなり、これらが封止樹脂５から抜けることを抑制できる。本実施の形態にかかる表面実装パッケージは、以上のような構成を有する。
【００１７】
次に、図２〜図６を参照して、本実施の形態にかかる表面実装パッケージの製造方法について説明する。図２〜図６は、表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【００１８】
まず、部品としての端子１及びダイパッド２を用意し、Ｐｄめっき等のめっき処理を施す。このように、部品の実装前にめっき処理を施すので、実装後に二次実装等のための外装めっきは不要となる。これらは、完成した表面実装パッケージの端子１及びダイパッド２と略同一形状を有する。すなわち、端子１及びダイパッド２は、予めパターン形成されている。
【００１９】
そして、図２に示されるような接着部材１０上に、図３に示されるように、用意した端子１及びダイパッド２を個別に実装する。すなわち、基材としての接着部材１０上に用意した端子１及びダイパッド２を個別に貼り付けて固定する。ここでは、接着部材１０として、接着剤１２の付いた基板１１を用いる。これに限らず、接着部材１０として、接着テープ等を用いることもできる。また、基材として接着部材１０を用いるほうが簡便だが、端子１及びダイパッド２の位置を固定できれば接着部材１０を用いる必要はない。例えば、端子１及びダイパッド２の底面に接着剤を付けて、接着性を有さない基材に固定してもよい。
【００２０】
次に、図４に示されるように、ダイパッド２上に半導体チップ３を実装する。そして、図５に示されるように、ボンディングワイヤ４によって半導体チップ３と端子１とを電気的に接続する。次に、図６に示されるように、端子１、ダイパッド２、半導体チップ３、及びボンディングワイヤ４を封止樹脂５によって封止する。すなわち、端子１、ダイパッド２、半導体チップ３、及びボンディングワイヤ４が封止樹脂５に封入されて一体化する。例えば、トランスファーモールド又はポッティングによって、これらを封止樹脂５により封止する。その後、接着部材１０を剥がして除去し、図１に示されるような表面実装パッケージが完成する。
【００２１】
このように、本実施の形態では、接着部材１０上に端子１、ダイパッド２といった部品を個別に実装する。このため、特許文献１のように、接着テープ上に導電性基板を接着した後に、エッチング等によりパターニングする必要がなく、簡便である。また、予め所望の形状を有する部品を用意すればいいため、部品の形状を自由に設定することができる。例えば、予め用意する部品を凸形状にしておく。そして、下向きに突出するように、部品を実装し、樹脂封止を行う。これにより、部品がモールドロックとなり、表面実装パッケージから部品が抜けにくくなる。さらに、部品を個別に実装するため、部品を自由に配置することができる。
【００２２】
また、本実施の形態では、用意する部品に予めめっきを施す。例えば、実装する部品がＣｕ合金等の材料部品であるとき、Ａｌ等によるボンディングのため、内部めっきとしてのＮｉめっきが必要な場合がある。すなわち、Ｃｕ合金等からなる部品とＡｌ等からなるボンディングワイヤ４との接続部分にＮｉめっきが必要な場合がある。この場合、予めＮｉめっきした部品を用意しておけばよい。
【００２３】
このように、用意する部品に予めめっきを施しておけば樹脂封止後に外装めっきを施す必要がなくなる。もちろん、これに限られず、樹脂封止後に外装めっきを施してもよい。例えば、実装する部品がＣｕ合金等の材料部品であれば、樹脂封止後、半田ディップ、無電界めっき等により外装めっきを施すことができる。
【００２４】
また、めっき処理に限定する必要はなく、部品に金属被膜が形成できればどのような方法を用いてもよい。例えば、実装する部品がＣｕ合金等の材料部品であるとき、Ａｕ、Ｃｕ等によるボンディングのため、内部めっきとしてのＡｇめっきが必要な場合がある。この場合、内部めっきとしてのＡｇめっきの代わりに、ナノＡｇペースト等でスクリーン印刷、又は吹きつけ（ライティング）を行い、部品にＡｇ被膜を形成してもよい。さらに、部品を個別に実装するため、個々の部品の金属被膜の種類が異なっていてもよい。このように、本実施の形態によれば、金属被膜の形成方法、金属被膜の形成箇所、金属被膜の種類などの設計の自由度が高くなる。これに対して、特許文献１では、樹脂封止後に半田ディップ又は無電界めっきでしか金属被膜が施せない。このため、金属被膜の形成方法等が制限され、設計の自由度が低くなる。
【００２５】
また、部品が実装される接着部材１０を接着テープ等のテープ状のものにしておけば、図７に示すように、フープ状のワークを用いた製造ラインを構築することも可能である。すなわち、短冊状のワークを用いた製造ラインにこだわる必要はない。図７は、フープ状のワークを用いた製造ラインを示す概略図である。
【００２６】
図７に示されるように、部品実装装置２０、チップマウンタ２１、ワイヤボンダ２２、及び封止装置２３を製造ラインの下流側から順に配置する。部品実装装置２０は、設定されたレイアウトに従い、部品としての端子１及びダイパッド２を配置する。チップマウンタ２１は、ダイパッド２上に半導体チップ３を実装する。すなわち、チップマウンタ２１は、ダイパッド２上にチップマウントを行う。ワイヤボンダ２２は、ボンディングワイヤ４によって、半導体チップ３と端子１とを電気的に接続する。すなわち、ワイヤボンダ２２は、ワイヤボンディングを行う。封止装置２３は、トランスファーモールド又はポッティングによって、封止樹脂５により半導体チップ３等を封止する。
【００２７】
図７において、テープ状の接着部材１０を矢印方向に移動させることにより、接着部材１０は、部品実装装置２０、チップマウンタ２１、ワイヤボンダ２２、封止装置２３を順次通過する。これにより、部品実装装置２０による部品の実装、チップマウンタ２１によるチップマウント、ワイヤボンダ２２によるワイヤボンディング、封止装置２３による樹脂封止が順次行われる。これにより、表面実装パッケージが効率的に製造でき、生産性が向上する。
【００２８】
実施の形態２．
実施の形態１では、端子やダイパッドといった全ての部品の厚さを略同一とした。これに対して、本実施の形態では、半導体チップの種類（特性）によって、端子及びダイパッドの厚さを変える。なお、基本的な構成、製造方法等については、実施の形態１と同様であり、説明を適宜省略又は簡略化する。まず、図８を参照して、本実施の形態にかかる表面実装パッケージの構成について説明する。図８は、表面実装パッケージの構成を示す断面図である。以降の説明において、第１端子１ａ及び第２端子１ｂを総称して、端子１と呼ぶ場合がある。同様に、第１ボンディングワイヤ４ａ及び第２ボンディングワイヤ４ｂを総称して、ボンディングワイヤ４と呼ぶ場合がある。
【００２９】
本実施の形態の半導体チップ３は、小パワー部と大パワー部を有する。小パワー部と電気的に接続されたボンディングワイヤ４及び端子１には、小さな電流が流れる。一方、大パワー部と電気的に接続されたボンディングワイヤ４及び端子１には、大きな電流が流れる。そして、流れる電流に応じて、太さの異なるボンディングワイヤ４及び厚さの異なる端子１を設ける。なお、ここでの流れる電流とは、例えば、表面実装パッケージを実装基板に実装後、電気信号を入出力して動作させる動作時に流れる電流のことである。
【００３０】
図８においては、第１ボンディングワイヤ４ａと、これと電気的に接続された第１端子１ａには、小さな電流が流れる。また、第２ボンディングワイヤ４ｂと、これと電気的に接続された第２端子１ｂには、大きな電流が流れる。このため、第２端子１ｂを第１端子１ａより厚くし、第２ボンディングワイヤ４ｂを第１ボンディングワイヤ４ａより太くする。このように、流れる電流が大きくなるほど、端子１を厚くする。同様に、流れる電流が大きくなるほど、ボンディングワイヤ４を太くする。また、本実施の形態では、半導体チップ３が大パワー部を有するため、発熱量が大きくなる。このため、実施の形態１と比較して、ダイパッド２を厚く形成する。図８においては、ダイパッド２は、第２端子１ｂと略同一の厚さを有する。
【００３１】
次に、図９〜図１２を参照して、本実施の形態にかかる表面実装パッケージの製造方法について説明する。図９〜図１２は、表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【００３２】
まず、部品としての端子１及びダイパッド２を用意し、Ｐｄめっき等のめっき処理を施す。本実施の形態では、動作時に流れる電流の大きさに応じて異なる厚さを有する端子１、すなわち第１端子１ａ及び第２端子１ｂを用意する。そして、実施の形態１と同様の接着部材１０上に、図９に示されるように、端子１及びダイパッド２を個別に実装する。
【００３３】
次に、図１０に示されるように、ダイパッド２上に半導体チップ３を実装する。そして、図１１に示されるように、ボンディングワイヤ４によって半導体チップ３と端子１とを電気的に接続する。ここでは、動作時に流れる電流の大きさに応じて異なる太さを有するボンディングワイヤ４、すなわち第１ボンディングワイヤ４ａ及び第２ボンディングワイヤ４ｂを用いる。そして、第１ボンディングワイヤ４ａによって、半導体チップ３の小パワー部と第１端子１ａとを電気的に接続する。第２ボンディングワイヤ４ｂによって、半導体チップ３の大パワー部と第２端子１ｂとを電気的に接続する。次に、図１２に示されるように、端子１、ダイパッド２、半導体チップ３、及びボンディングワイヤ４を封止樹脂５によって封止する。その後、接着部材１０を剥がして除去し、図８に示されるような表面実装パッケージが完成する。
【００３４】
本実施の形態によれば、あらかじめ厚い部品や薄い部品を用意することにより、個々の端子１及びダイパッド２の厚さを自由に変えることが可能となる。すなわち、特許文献１、２のように端子１やダイパッド２の厚さを均一にする必要がない。このため、半導体チップ３の種類（特性）に応じた表面実装パッケージを容易に製造することができる。すなわち、それぞれの半導体チップに適した表面実装パッケージを容易に製造することができる。
【００３５】
実施の形態３．
実施の形態１、２では、単列に端子を配置した。これに対して、本実施の形態では、多列に端子を配置する。すなわち、本実施の形態では、表面実装パッケージは、多列のグリッド状の端子構造を有する。なお、基本的な構成、製造方法等については、実施の形態１、２と同様であり、説明を適宜省略又は簡略化する。まず、図１３を参照して、本実施の形態にかかる表面実装パッケージの構成について説明する。図１３は、表面実装パッケージの構成を示す断面図である。
【００３６】
図１３に示されるように、端子１は、表面実装パッケージの底面のそれぞれの端辺に沿って２列に配置される。なお、ここでは２列としているが、３列以上としてもよい。実施の形態２と同様、端子１は、第１端子１ａと第２端子１ｂを有する。また、実施の形態２と同様、ボンディングワイヤ４は、第１ボンディングワイヤ４ａと第２ボンディングワイヤ４ｂを有する。そして、第１ボンディングワイヤ４ａによって、半導体チップ３の小パワー部と第１端子１ａとが電気的に接続される。第２ボンディングワイヤ４ｂによって、半導体チップ３の大パワー部と第２端子１ｂとが電気的に接続される。
【００３７】
次に、図１４〜図１７を参照して、本実施の形態にかかる表面実装パッケージの製造方法について説明する。図１４〜図１７は、表面実装パッケージの製造方法を示す断面図である。
【００３８】
まず、部品としての端子１及びダイパッド２を用意し、Ｐｄめっき等のめっき処理を施す。本実施の形態では、実施の形態２と同様、動作時に流れる電流の大きさに応じて異なる厚さを有する端子１、すなわち第１端子１ａ及び第２端子１ｂを用意する。そして、実施の形態１と同様の接着部材１０上に、図１４に示されるように、端子１及びダイパッド２を個別に実装する。
【００３９】
次に、図１５に示されるように、ダイパッド２上に半導体チップ３を実装する。そして、図１６に示されるように、ボンディングワイヤ４によって半導体チップ３と端子１とを電気的に接続する。ここでは、実施の形態２と同様、動作時に流れる電流の大きさに応じて異なる太さを有するボンディングワイヤ４、すなわち第１ボンディングワイヤ４ａ及び第２ボンディングワイヤ４ｂを用いる。次に、図１７に示されるように、端子１、ダイパッド２、半導体チップ３、及びボンディングワイヤ４を封止樹脂５によって封止する。その後、接着部材１０を剥がして除去し、図１３に示されるような表面実装パッケージが完成する。
【００４０】
このように、本発明によれば、特許文献２とは異なり、多列のグリッド状の端子構造を有する表面実装パッケージを容易に製造することができる。すなわち、多列のＬＧＡ（land grid array）構造の表面実装パッケージを製造することができる。また、ＬＧＡ構造の表面実装パッケージに、ボール状の端子を付ければ、ＢＧＡ（ball grid array）構造の表面実装パッケージを製造することもできる。
【００４１】
以上、実施の形態１〜３で説明したように、予め用意した部品を個別に実装することにより、半導体装置の設計の自由度が高くなる。すなわち、部品の配置、部品の厚さ、部品に用いられる材料、部品に施される金属被膜の構成などを個別に設定することができる。
【００４２】
例えば、パワーの大きい半導体チップ３には厚い部品を搭載し、ピン数が多くパワーの小さい半導体チップ３には薄い部品を搭載する。具体的には、パワーの大きい半導体チップ３には厚い端子１及び厚いダイパッド２、パワーの小さい半導体チップ３には薄い端子１及び薄いダイパッド２を用いる。また、パワーの大きい半導体チップ３には太線のボンディングワイヤ４、パワーの小さい半導体チップ３には細線のボンディングワイヤ４でボンディングする。このように、半導体チップ３の発熱量、及びボンディングワイヤ４と端子１に流れる電流量に応じて、部品の厚さを容易に変更することができる。このため、１つの表面実装パッケージ内に、パワーや熱抵抗の異なる複数の半導体チップを有するマルチチップ構成の表面実装パッケージが設計しやすくなる。
【００４３】
また、実施の形態２、３のように、１つの半導体チップ３と電気的に接続した複数の端子１及び複数のボンディングワイヤ４においても、厚さや太さを異ならせてもよい。具体的には、動作時に小さい電流しか流れない端子１には薄い端子１（第１端子１ａ）、動作時に大きな電流が流れる端子１には厚い端子１（第２端子１ｂ）を実装する。そして、半導体チップ３と薄い端子１とを細線のボンディングワイヤ４（第１ボンディングワイヤ４ａ）で電気的に接続し、半導体チップ３と厚い端子１とを太線のボンディングワイヤ４（第２ボンディングワイヤ４ｂ）で電気的に接続する。このように、大きなパワーを消費する大パワー部と小さなパワーしか消費しない小パワー部とで、容易に部品を作り分けることができる。そして、異なる発熱量や異なる電流量に対応可能となる。
【００４４】
また、半導体装置の設計において、部品の厚さだけでなく、部品の材料、及び金属被膜の種類の自由度も増す。このため、半導体チップ３の熱抵抗やボンディングワイヤ４の種類によって、端子１やダイパッド２の材料又は金属被膜の種類を異ならせることができる。さらに、高価な材料が必要な部分を除き、部品や金属被膜の材料として安価な材料を選択できる。従って、半導体装置のコストを抑えることができる。また、部品の配置の自由度が増すため、実施の形態３のように端子１を多列に配置することも可能である。
【００４５】
さらに、接着部材１０を選択することにより、製造ラインを短冊型及びフープ型のいずれにも対応させることができる。例えば、板状の接着部材１０を選択し、接着部材１０上に複数のユニットを形成する。その後、ダイシングにより個片化して、個々の表面実装パッケージを製造してもよい。また、図７に示されたように、テープ状の接着部材１０を選択し、フープ型の製造ラインとしてもよい。このように、製造ラインについても自由度が増す。以上のように、本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、設計の自由度が高くなる。このため、半導体チップ等の半導体素子の特性に合わせた半導体装置が容易に製造できる。
【００４６】
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。実施の形態１〜３では、部品としてダイパッド２を用いたが、ダイパッド２を省略することも可能である。この場合、部品の実装の際に、半導体チップ３も接着部材１０上に実装される。また、表面実装パッケージの底面には、端子１だけでなく、半導体チップ３も露出する。
【００４７】
また、実施の形態２、３では、２種類の太さ又は厚さを有するボンディングワイヤ４及び端子１を用いたがこれに限られない。３種類以上の太さ又は厚さを有してもよい。また、実施の形態２、３では、部品の厚さを調整したがこれに限られない。例えば、部品の平面寸法や断面形状を調整してもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１  端子、１ａ  第１端子、１ｂ  第２端子、２  ダイパッド、３  半導体チップ、
４  ボンディングワイヤ、４ａ  第１ボンディングワイヤ、
４ｂ  第２ボンディングワイヤ、５  封止樹脂、１０  接着部材、１１  基板、
１２  接着剤、２０  部品実装装置、２１  チップマウンタ、２２  ワイヤボンダ、
２３封止装置、３０  接着テープ、３１  導電性基板、３２  フレーム、３３  端子、
３４  ダイパッド、３５  半導体チップ、３６  ボンディングワイヤ、３７  封止樹脂、
３８  被膜、４０  導電性基板、４１  開口部、４２  端子、４３  リードフレーム、
４４  ダイパッド、４５  接着テープ、４６  半導体チップ、
４７  ボンディングワイヤ、４８  封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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