(57)【要約】      （修正有）【課題】膜の少なくとも一部を酸化シリコンに変換し、および／または、蒸気内ＵＶ硬化を利用して膜の品質を改善し、および、アンモニア内ＵＶ硬化を利用して膜を高密度化するシステムおよび方法を提供する。【解決手段】チャンバ１４内に蒸気を供給する段階と、チャンバ１４内に、シリコンを含む堆積層が設けられている基板２２を配置する段階と、所定の変換期間にわたって、蒸気の存在下で、堆積層にＵＶ光を当てて、堆積層を少なくとも部分的に変換する段階とを備えるシステム１０および方法を提供する。また、チャンバ１４内にアンモニアを供給する段階と、チャンバ１４内に、堆積層を有する基板２２を配置する段階と、アンモニアの存在下で所定の変換期間にわたって堆積層にＵＶ光を当てて、少なくとも部分的に堆積層を高密度化する段階とを備える。【選択図】図１
2011109086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
チャンバ内に蒸気を供給する段階と、
前記チャンバ内に、シリコンを含む堆積層が設けられている基板を配置する段階と、
所定の変換期間にわたって、前記蒸気の存在下で、前記堆積層にＵＶ光を当てて、前記堆積層を少なくとも部分的に変換する段階と
を備える方法。
【請求項２】
前記所定の変換期間において、前記チャンバ内の前記蒸気の分圧を、前記チャンバ内のガスの７０体積％より高く調節する段階をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記所定の変換期間において、前記チャンバ内の前記蒸気の分圧を、前記チャンバ内のガスの１５体積％より高く、且つ、７０体積％より低く調節する段階をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記所定の変換期間に先立って、所定の浸漬期間にわたって所定の温度で蒸気に前記基板を浸漬する段階をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記チャンバ内に前記蒸気を供給する前に、前記チャンバに希釈ガスを供給して、前記チャンバ内で所定の圧力を実現する段階と、
前記所定の圧力に到達した後、前記蒸気を前記チャンバに供給する段階と、
所定の蒸気の分圧を実現するために十分な所定の期間にわたって待機する前または後に、前記チャンバ内に前記基板を配置する段階と
をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記チャンバに希釈ガスおよび前記蒸気を同時に供給する段階と、
前記蒸気および前記希釈ガスの流動を調節して、所定の蒸気の分圧を実現する段階と、
前記基板を前記チャンバ内に配置する段階と
をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記基板を前記チャンバ内の台の上に配置する段階と、
前記所定の変換期間において、前記台の温度を制御する段階と
をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記台の温度は、前記所定の変換期間において前記基板の温度が摂氏４８０度未満となるように制御される請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記所定の変換期間の後、前記チャンバおよび別のチャンバのうち少なくとも一方において、前記堆積層を高密度化する段階をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記高密度化する段階はさらに、
前記チャンバおよび別のチャンバのうち少なくとも一方にアンモニアを供給する段階と、
前記アンモニアの存在下において所定の高密度化期間にわたって、前記チャンバおよび前記別のチャンバのうち前記少なくとも一方において、前記堆積層にＵＶ光を当てる段階と
を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記高密度化する段階はさらに、
前記チャンバおよび別のチャンバのうち少なくとも一方に、希釈ガスを供給する段階と、
前記希釈ガスの存在下において所定の高密度化期間にわたって、前記チャンバおよび前記別のチャンバのうち前記少なくとも一方において、前記堆積層にＵＶ光を当てる段階と
を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記高密度化する段階はさらに、
前記所定の変換期間の後に、前記堆積層を加熱する段階
を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記堆積層は、流動性酸化物、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）、スピンオンガラス（ＳＯＧ）、および／または、スピンオンポリマー（ＳＯＰ）から成る群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＵＶ光は、広帯域ＵＶ光を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
チャンバと、
前記チャンバに蒸気を供給する蒸気源と、
前記蒸気源からの前記蒸気の存在下において所定の変換期間にわたって基板の堆積層にＵＶ光を当てて、前記堆積層を少なくとも部分的に変換するＵＶ源と
を備える処理システム。
【請求項１６】
前記チャンバ内での前記蒸気の分圧は、前記所定の変換期間において、前記チャンバ内のガスの１５体積％より高く、且つ、７０体積％より低い請求項１５に記載の処理システム。
【請求項１７】
前記チャンバ内での前記蒸気の分圧は、前記所定の変換期間において、前記チャンバ内のガスの７０体積％より高い請求項１５に記載の処理システム。
【請求項１８】
前記基板は、前記所定の変換期間の前に、所定の浸漬期間にわたって蒸気に浸漬される請求項１５に記載の処理システム。
【請求項１９】
希釈ガスを供給する希釈ガス源をさらに備え、
前記希釈ガス源は、前記蒸気源が前記蒸気を供給する前に、前記希釈ガスを前記チャンバに供給して前記チャンバ内で所定の圧力を実現し、
前記蒸気源は、前記所定の圧力に到達した後に、前記蒸気を前記チャンバに導入し、
前記基板は、所望の蒸気の分圧に対応する所定の期間の後、前記チャンバ内に配置される
請求項１５に記載の処理システム。
【請求項２０】
前記蒸気源が前記蒸気を供給している間に希釈ガスを供給する希釈ガス源をさらに備え、
前記希釈ガス源は前記希釈ガスの流動を調節して、前記蒸気源は前記蒸気の流動を調節して、所望の蒸気の分圧を実現する請求項１５に記載の処理システム。
【請求項２１】
台と、
前記所定の変換期間において前記チャンバ内の前記台を加熱するヒータと
をさらに備える請求項１５に記載の処理システム。
【請求項２２】
前記ヒータは、前記基板の温度が摂氏４８０度未満となるように、前記台を加熱する請求項２１に記載の処理システム。
【請求項２３】
前記基板は、前記所定の変換期間の後、高密度化される請求項１５に記載の処理システム。
【請求項２４】
前記チャンバおよび別のチャンバのうち一方に、アンモニアを供給するアンモニア源をさらに備え、
前記基板は、前記アンモニアの存在下において所定の高密度化期間にわたって前記堆積層に前記ＵＶ光を当てることによって高密度化される請求項２３に記載の処理システム。
【請求項２５】
前記チャンバおよび別のチャンバのうち一方に希釈ガスを供給する希釈ガス源をさらに備え、
前記基板は、前記希釈ガスの存在下において所定の高密度化期間にわたって前記堆積層にＵＶ光を当てることによって高密度化される請求項２３に記載の処理システム。
【請求項２６】
前記基板は、アニーリングによって高密度化される請求項２３に記載の処理システム。
【請求項２７】
前記堆積層は、流動性酸化物、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）、スピンオンガラス（ＳＯＧ）、および／または、スピンオンポリマー（ＳＯＰ）から成る群から選択される請求項１５に記載の処理システム。
【請求項２８】
前記ＵＶ源は、広帯域ＵＶ光を供給する請求項１５に記載の処理システム。
【請求項２９】
基板の堆積層を高密度化する方法であって、
チャンバにアンモニアを供給する段階と、
前記チャンバ内に、前記堆積層を有する前記基板を配置する段階と、
前記アンモニアの存在下で所定の変換期間にわたって前記堆積層にＵＶ光を当てて、少なくとも部分的に前記堆積層を高密度化する段階と
を備える方法。
【請求項３０】
前記堆積層を高密度化する段階に先立って、前記チャンバおよび別のチャンバのうち一方において、蒸気内でのＵＶ硬化を利用して前記堆積層を酸化シリコンに変換する段階をさらに備える請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記堆積層を高密度化する段階に先立って、
前記チャンバおよび別のチャンバのうち一方に、蒸気を供給する段階と、
前記チャンバおよび別のチャンバのうち前記一方に、前記堆積層を有する前記基板を配置する段階と、
前記蒸気の存在下において所定の変換期間にわたって前記堆積層にＵＶ光を当てて、前記堆積層を少なくとも部分的に変換する段階と
をさらに備える請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記所定の変換期間において、前記チャンバおよび別のチャンバのうち前記一方における前記蒸気の分圧を、前記チャンバ内のガスの７０体積％より高くなるように調節する段階をさらに備える請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記所定の変換期間において、前記チャンバおよび別のチャンバのうち前記一方における前記蒸気の分圧を、前記チャンバ内のガスの１５体積％より高く、且つ、７０体積％より低く調節する段階をさらに備える請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
前記所定の変換期間の前に、所定の浸漬期間にわたって前記蒸気に前記基板を浸漬する段階をさらに備える請求項３１に記載の方法。
【請求項３５】
前記堆積層は、流動性酸化物、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）、スピンオンガラス（ＳＯＧ）、および／または、スピンオンポリマー（ＳＯＰ）から成る群から選択される請求項３１に記載の方法。
【請求項３６】
前記ＵＶ光は、広帯域ＵＶ光を含む請求項２９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、膜の少なくとも一部を酸化シリコンに変換し、および／または、蒸気内ＵＶ硬化を利用して膜の品質を改善し、および、アンモニア内ＵＶ硬化を利用して膜を高密度化するシステムおよび方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本明細書に記載する背景技術の説明は、本開示がどのような状況下で成されたかを概略的に説明するためのものである。本願に名前が挙げられている発明者による研究は、この背景技術のセクションに記載されている限りにおいて、記載されていなければ出願時に先行技術として認められない部分と同様に、本開示に対する先行技術として明示的または黙示的に認められるものではない。
【０００３】
多くの半導体プロセスでは、基板上に酸化シリコン（ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘＨｙ等）を成膜または堆積層として形成する必要がある。酸化シリコンを形成する方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法（熱ＣＶＤ法、または、プラズマＣＶＤ法、高密度プラズマ（ＨＤＰ）ＣＶＤ法等）が挙げられるとしてよい。しかし、金属形成前誘電体（Ｐｒｅ−Ｍｅｔａｌ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ：ＰＭＤ）、層間誘電体（Ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ：ＩＬＤ）、または、シャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）等の一部の形成方法では、高アスペクト比の部分に充填を行う必要がある。アスペクト比が大きくなるにつれて、上記のようなＣＶＤ法を用いて間隙を充填するのがより難しくなる。
【０００４】
また、流動性酸化物、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）材料、スピンオンガラス（ＳＯＧ）材料、および／または、スピンオンポリマー（ＳＯＰ）材料等の流動性材料を用いるとしてもよい。流動性材料は、間隙充填特性が良好であることが多く、高アスペクト比の間隙充填に適した材料と言える。堆積層は、塗布された後さらに処理されて、高密度誘電体に変換され、および／または、酸化シリコンに変換される。また、流動性材料は一般的に、ＨＤＰ酸化物（例えば、ウェットエッチングレート比（ＷＥＲＲ）が低く（例えば、熱成長させたＳｉＯ２に比べて１．２：１または１．５：１未満）、密度が高い）に匹敵する膜特性を有する必要がある。例に過ぎないが、ＳＯＤはポリシラザン（ＰＳＺ）を含むとしてよく、ＳＯＧはシロキサン、シルセスキオキサン、および、シラザンを含むとしてよい。
【０００５】
ＳＴＩ法ではサーマルバジェットが比較的高く、堆積層の変換は、酸化雰囲気（通常は、酸素または蒸気）且つ高温で実行されるとしてよい。酸化雰囲気が酸素である場合、薄くクラストが形成されることがあり、この薄いクラスト層の下には低品質の膜が形成されることが多い。蒸気は、酸素に比べて酸化特性および浸透特性が良好である傾向があるが、窒化シリコン（ＳｉＮ）裏打ち層が形成されない場合には、下方に設けられているシリコンが酸化してしまうことがある。酸化雰囲気且つ高温という条件は、サーマルバジェットがより低い方法では用いられないことがある。尚、サーマルバジェットは、特定温度が維持される期間によって指定されるのが通常である。例に過ぎないが、一部のＰＭＤ方法では、サーマルバジェットが所定期間について摂氏４００度未満である。
【０００６】
堆積層を低温で高密度酸化物に変換することは難しい課題である。例に過ぎないが、摂氏４００度未満での蒸気アニーリングでは、３０分間もの長時間にわたって実行しても、完全に酸化物に変換しないのが普通である。また、形成される酸化物の品質は、シラノール（ＳｉＯＨ）が存在するために、許容可能なレベルに到達しないことが通常であり、密度が低くＷＥＲＲが高い。
【０００７】
酸化物は、低大気圧化学気相成長（ＳＡＣＶＤ）法を用いて堆積させられ得る。また、低温酸化物は、さまざまなその他の方法、例えば、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法、原子層堆積（ＡＬＤ）法、および、プラズマＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）法を用いて堆積させるとしてよい。上記の方法では通常、凹状構造を適切に充填することができない。また、上記の方法を用いた場合、変換後のシラノール含有量が非常に大きくなることがあり、ＷＥＲＲが高く、および／または、密度が低くなり、このような欠陥を補償するには、サーマルバジェットを超える高温アニーリング工程が必要となる。
【０００８】
シラノール（ＳｉＯＨ）を低減して、および／または、堆積層を高密度化するには、変換後にさらに処理する必要があるとしてよい。高密度化処理は、サーマルバジェットの範囲内で実行する必要がある。方法の１つでは、サーマルバジェットの許容範囲内の最高温度および最長期間で堆積層をアニーリングする。例えば、ＳＴＩ間隙充填処理では、所定期間にわたって摂氏７００度から摂氏８００度程度のより高温にすることが可能である（しかし、酸化雰囲気内で行わないことが好ましい）。このような場合、堆積層をアニーリングすることによって、シラノールが除去されると共に酸化物の密度が高くなる。所定期間に対するサーマルバジェットが摂氏４００度から摂氏４８０度の場合、アニーリングが奏する効果は非常に限定的なものとなってしまう。アニーリングは本来堆積層内の自由なＯＨ基を低減することが出来るものであるが、このように温度が低いと通常、高密度化およびシラノール除去といった効果が実現されない。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
基板を処理する方法であって、チャンバ内に蒸気を供給する段階と、チャンバ内に、シリコンを含む堆積層が設けられている基板を配置する段階と、所定の変換期間にわたって、蒸気の存在下で、堆積層にＵＶ光を当てて、堆積層を少なくとも部分的に変換する段階とを備える。
【００１０】
他の特徴を挙げると、上記の方法は、所定の変換期間において、チャンバ内の蒸気の分圧を、チャンバ内のガスの７０体積％より高く調節する段階をさらに備える。上記の方法は、所定の変換期間において、チャンバ内の蒸気の分圧を、チャンバ内のガスの１５体積％より高く、且つ、７０体積％より低く調節する段階をさらに備える。上記の方法は、所定の変換期間に先立って、所定の浸漬期間にわたって所定の温度で蒸気に基板を浸漬する段階をさらに備える。
【００１１】
他の特徴を挙げると、上記の方法は、チャンバ内に蒸気を供給する前に、チャンバに希釈ガスを供給して、チャンバ内で所定の圧力を実現する段階と、所定の圧力に到達した後、蒸気をチャンバに供給する段階と、所定の蒸気の分圧を実現するために十分な所定の期間にわたって待機する前または後に、チャンバ内に基板を配置する段階とをさらに備える。
【００１２】
他の特徴を挙げると、上記の方法は、チャンバに希釈ガスおよび蒸気を同時に供給する段階と、蒸気および希釈ガスの流動を調節して、所定の蒸気の分圧を実現する段階と、基板をチャンバ内に配置する段階とをさらに備える。
【００１３】
他の特徴を挙げると、上記の方法は、基板をチャンバ内の台の上に配置する段階と、所定の変換期間において、台の温度を制御する段階とをさらに備える。
【００１４】
他の特徴を挙げると、台の温度は、所定の変換期間において基板の温度が摂氏４８０度未満となるように制御される。上記の方法は、所定の変換期間の後、チャンバおよび別のチャンバのうち少なくとも一方において、堆積層を高密度化する段階をさらに備える。高密度化する段階はさらに、チャンバおよび別のチャンバのうち少なくとも一方にアンモニアを供給する段階と、アンモニアの存在下において所定の高密度化期間にわたって、チャンバおよび別のチャンバのうち少なくとも一方において、堆積層にＵＶ光を当てる段階とを有する。
【００１５】
他の特徴を挙げると、高密度化する段階はさらに、チャンバおよび別のチャンバのうち少なくとも一方に、希釈ガスを供給する段階と、希釈ガスの存在下において所定の高密度化期間にわたって、チャンバおよび別のチャンバのうち少なくとも一方において、堆積層にＵＶ光を当てる段階とを有する。
【００１６】
他の特徴を挙げると、高密度化する段階はさらに、所定の変換期間の後に、堆積層を加熱する段階を有する。堆積層は、流動性酸化物、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）、スピンオンガラス（ＳＯＧ）、および／または、スピンオンポリマー（ＳＯＰ）から成る群から選択される。ＵＶ光は、広帯域ＵＶ光を含む。
【００１７】
処理システムは、チャンバと、チャンバに蒸気を供給する蒸気源とを備える。ＵＶ源は、蒸気源からの蒸気の存在下において所定の変換期間にわたって基板の堆積層にＵＶ光を当てて、堆積層を少なくとも部分的に変換する。
【００１８】
他の特徴を挙げると、チャンバ内での蒸気の分圧は、所定の変換期間において、チャンバ内のガスの１５体積％より高く、且つ、７０体積％より低い。チャンバ内での蒸気の分圧は、所定の変換期間において、チャンバ内のガスの７０体積％より高い。基板は、所定の変換期間の前に、所定の浸漬期間にわたって蒸気に浸漬される。
【００１９】
他の特徴を挙げると、希釈ガス源は、蒸気源が蒸気を供給する前に、希釈ガスをチャンバに供給してチャンバ内で所定の圧力を実現する。蒸気源は、所定の圧力に到達した後に、蒸気をチャンバに導入する。基板は、所望の蒸気の分圧に対応する所定の期間の後、チャンバ内に配置される。
【００２０】
他の特徴を挙げると、蒸気源が蒸気を供給している間に希釈ガス源が希釈ガスを供給する。希釈ガス源は希釈ガスの流動を調節して、蒸気源は蒸気の流動を調節して、所望の蒸気の分圧を実現する。
【００２１】
他の特徴を挙げると、ヒータは、所定の変換期間においてチャンバ内の台を加熱する。ヒータは、基板の温度が摂氏４８０度未満となるように、台を加熱する。基板は、所定の変換期間の後、高密度化される。
【００２２】
他の特徴を挙げると、アンモニア源が、チャンバおよび別のチャンバのうち一方に、アンモニアを供給する。基板は、アンモニアの存在下において所定の高密度化期間にわたって堆積層にＵＶ光を当てることによって高密度化される。
【００２３】
他の特徴を挙げると、希釈ガス源が、チャンバおよび別のチャンバのうち一方に希釈ガスを供給する。基板は、希釈ガスの存在下において所定の高密度化期間にわたって堆積層にＵＶ光を当てることによって高密度化される。基板は、アニーリングによって高密度化される。堆積層は、流動性酸化物、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）、スピンオンガラス（ＳＯＧ）、および／または、スピンオンポリマー（ＳＯＰ）から成る群から選択される。ＵＶ源は、広帯域ＵＶ光を供給する。
【００２４】
基板の堆積層を高密度化する方法であって、チャンバにアンモニアを供給する段階と、チャンバ内に、堆積層を有する基板を配置する段階と、アンモニアの存在下で所定の変換期間にわたって堆積層にＵＶ光を当てて、少なくとも部分的に堆積層を高密度化する段階とを備える。
【００２５】
他の特徴を挙げると、上記の方法は、堆積層を高密度化する段階に先立って、チャンバおよび別のチャンバのうち一方において、蒸気内でのＵＶ硬化を利用して堆積層を酸化シリコンに変換する段階をさらに備える。
【００２６】
他の特徴を挙げると、上記の方法は、堆積層を高密度化する段階に先立って、チャンバおよび別のチャンバのうち一方に、蒸気を供給する段階と、チャンバおよび別のチャンバのうち一方に、堆積層を有する基板を配置する段階と、蒸気の存在下において所定の変換期間にわたって堆積層にＵＶ光を当てて、堆積層を少なくとも部分的に変換する段階とをさらに備える。
【００２７】
他の特徴を挙げると、上記の方法は、所定の変換期間において、チャンバおよび別のチャンバのうち一方における蒸気の分圧を、チャンバ内のガスの７０体積％より高くなるように調節する段階をさらに備える。上記の方法は、所定の変換期間において、チャンバおよび別のチャンバのうち一方における蒸気の分圧を、チャンバ内のガスの１５体積％より高く、且つ、７０体積％より低く調節する段階をさらに備える。
【００２８】
他の特徴を挙げると、上記の方法は、所定の変換期間の前に、所定の浸漬期間にわたって蒸気に基板を浸漬する段階をさらに備える。堆積層は、流動性酸化物、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）、スピンオンガラス（ＳＯＧ）、および／または、スピンオンポリマー（ＳＯＰ）から成る群から選択される。ＵＶ光は、広帯域ＵＶ光を含む。
【００２９】
本開示のその他の利用可能分野は、以下に記載する詳細な説明から明らかとなるであろう。詳細な説明および具体例は、本開示を例示することのみを目的として記載されるものであり、本開示の範囲を限定するものではないと理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
以下に記載する詳細な説明および添付図面から本開示に対する理解を深められたい。添付図面は以下の通りである。
【００３１】
【図１】本開示に係る、蒸気内ＵＶ硬化により堆積層を変換するチャンバを示す機能ブロック図である。
【００３２】
【図２】本開示に係る、蒸気内ＵＶ硬化を実行するステーションを複数有するチャンバを備えるシステムを示す機能ブロック図である。
【００３３】
【図３Ａ】本開示に係る、蒸気内ＵＶ硬化を利用して堆積層を変換する方法を説明するための図である。
【図３Ｂ】本開示に係る、蒸気内ＵＶ硬化を利用して堆積層を変換する方法を説明するための図である。
【００３４】
【図４】本開示に係る、蒸気内ＵＶ硬化の後のＳＯＤに対するフーリエ変換型赤外分光（ＦＴＩＲ）の結果を示すグラフである。
【００３５】
【図５】本開示に係る、蒸気内ＵＶ硬化の後の蒸気アニーリングされたＳＯＤに対するＦＴＩＲの結果を示すグラフである。
【００３６】
【図６】不活性環境においてＳＯＤを硬化させた後のＦＴＩＲの結果を示すグラフである。
【００３７】
【図７Ａ】本開示に係る、蒸気内ＵＶ硬化の後高密度化処理を行って堆積層を変換する方法を説明するための図である。
【図７Ｂ】本開示に係る、蒸気内ＵＶ硬化の後高密度化処理を行って堆積層を変換する方法を説明するための図である。
【００３８】
【図８Ａ】本開示に係る、アンモニア内ＵＶ硬化によって高密度化する方法を説明するための図である。
【図８Ｂ】本開示に係る、アンモニア内ＵＶ硬化によって高密度化する方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下に記載する説明は、本質的に例示的なものに過ぎず、本開示、その用途、または利用を制限するものでは決してない。本開示を明確に説明することを目的として、図面では同様の構成要素については同じ参照番号を用いる。本明細書において、Ａ、Ｂ、およびＣのうち少なくとも１つ、と記載されている場合、非排他的論理和を用いた論理演算（Ａ  ｏｒ  Ｂ  ｏｒ  Ｃ）を意味するものと解釈されたい。方法の複数の工程は、本開示の原理を変更することなく別の順序で実行され得るものと理解されたい。
【００４０】
本開示は、堆積層の少なくとも一部を酸化シリコンに変換し、および／または、蒸気内ＵＶ硬化を利用して膜の品質を改善するシステムおよび方法を記載する。本開示はさらに、アンモニア内ＵＶ硬化を利用して堆積層を高密度化するシステムおよび方法に関する。本明細書に記載されているように、堆積層の高密度化は、堆積層の一部を酸化シリコンに変換した後で実行されるとしてよい。これに代えて、堆積層の高密度化は、任意の堆積層に対して実行されるとしてよい。言い換えると、変換処理および高密度化処理は、同時に実行するとしてもよいし、別々に独立して実行するとしてもよい。本明細書で用いられる場合、酸化シリコンという用語は、酸化シリコン（ＳｉＯ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、シラノール（ＳｉＯｘＨｙ）、およびＳｉＯを含むその他の化合物を意味する。堆積層を変換することによって、形成されるクラストを最大限に増やし、膜品質を改善する。本明細書に記載するような高密度化処理によって、膜の品質および密度がさらに改善され得る。
【００４１】
図１を参照しつつ説明すると、蒸気内ＵＶ硬化を行うことによって堆積層を酸化シリコンに変換するためのチャンバ１４を備える半導体処理システム１０が図示されている。一例に過ぎないが、堆積層は、シリコンを含む流動性材料から形成されているとしてよい。半導体処理システム１０はさらに、チャンバ１４内に配置されている台１８を備える。台１８には、基板２２が配置されるとしてよい。基板２２は、一面に堆積層が形成されているとしてよい。一例に過ぎないが、基板２２は半導体基板を含むとしてよい。
【００４２】
チャンバ１４には、１以上のバルブ２４および導管を介して、１以上の希釈ガスのガス源２３が接続されているとしてよい。希釈ガスは、不活性ガス、非反応性ガス、および／または、その他の種類のガスを含むとしてよい。一例に過ぎないが、適切な希釈ガスには、ヘリウム、アルゴン、および酸素が含まれるが、その他の希釈ガスを利用するとしてもよい。チャンバ１４には、１以上のバルブ３０および導管を介して、蒸気源２６が接続されているとしてよい。チャンバ１４の内部には、ＵＶ源３４が配置されており、広帯域ＵＶ光および／または単一波長のＵＶ光を供給する。ＵＶ源３４の強度は、最大出力レベルに対する割合を設定することによって、変化させるとしてよい。
【００４３】
一例に過ぎないが、ＵＶ源３４が供給する広帯域ＵＶ光の波長は、２００ｎｍから２８０ｎｍにわたるとしてよいが、使用するＵＶの波長範囲を異ならせるとしてもよい。一例に過ぎないが、ＵＶ源として適切なものを１つ挙げると、最大出力レベルが１８５ｎｍ〜４００ｎｍについて８００ｍＷ／ｃｍ２であり、当該ＵＶ源の強度は最大電力出力レベルの０％から１００％の間で変化させるとしてよいが、最大出力レベルおよび強度の範囲は変更するとしてもよい。別の適切なＵＶ源としては、最大出力レベルが２００ｎｍ〜２８０ｎｍについて８００ｍＷ／ｃｍ２であり、当該ＵＶ源の強度は最大電力出力レベルの３５％から１００％の間で変化させるものが挙げられるが、最大出力レベルおよび強度の範囲は変更するとしてもよい。別の適切なＵＶ源としては、１７２ｎｍ、２２２ｎｍ等の１以上の波長のエネルギーを出力するものが挙げられるとしてよい。別の適切なＵＶ源としては、１以上のピーク波長を持つ広帯域ＵＶ光を出力する水銀ランプを含むとしてよい。想到し得るものであろうが、１以上のＵＶフィルタを利用して１以上の波長または波長範囲を選択するとしてよい。
【００４４】
ＵＶ源３４は、基板２２の堆積層にＵＶ光を向ける。チャンバ１４の内部には、内部の動作状態を監視するべく１以上のセンサを配置するとしてよい。一例に過ぎないが、チャンバ１４の内部に、チャンバ１４内の圧力および温度を監視するべく、圧力センサ３８および温度センサ４２を配置するとしてよい。温度センサ４２は、台１８の温度を監視するべく、台１８の近傍または台１８に接触して配置されるとしてよい。基板２２の温度を監視するべく追加センサ４３を利用するとしてもよい。一例に過ぎないが、センサ４３は赤外センサを含むとしてよい。センサ４２および４３は、台１８と基板２２との間の温度差を監視する。
【００４５】
台１８の温度を調整するべくヒータ４６を設けるとしてよい。コントローラ４８は、ヒータ４６、バルブ２４および３０、圧力センサ３８、ならびに、温度センサ４２と通信し合う。コントローラ４８は、制御プログラムを実行して、ヒータ４６、ならびに／または、バルブ２４および３０を操作するとしてよい。また、コントローラ４８は、チャンバ１４内に基板２２を配置し、必要に応じてカセット、別のステーション、または別のチャンバまで基板２２を移動させるロボットと通信し合うとしてよい。
【００４６】
図２を参照しつつ説明すると、チャンバ６１を備える半導体処理システム６０が図示されている。チャンバ６１は、１以上のステーション６２−１、６２−２、６２−３、・・・、および６２−Ｎ（まとめて、ステーション６２とする）を有するとしてよい。尚、Ｎは、１以上の整数である。図示されているチャンバ６１は複数のステーションを有しているが、複数のチャンバを利用するとしてもよいし、有するステーションが１つであるチャンバを利用するとしてもよい。ステーションまたはチャンバの一部にはＵＶ光源が設けられていないとしてよい。
【００４７】
ロボット６４を用いて、基板２２をカセット６８から取り出して、基板２２をステーション６２間で移動させて、本明細書に記載されているように、少なくとも一部分を変換する処理、膜の品質を改善する処理、および／または、高密度化させる処理を実行した後、基板２２をカセット６８へと戻すとしてよい。想到の範囲内であるが、基板２２は、各ステーション６２を通過するように移動させるとしてよい。一部の実施例によると、チャンバ６１のステーション６２は、温度およびＵＶ強度の条件を同じまたは異なる値に設定して動作させられるとしてよく、ガスおよび圧力の条件を同じまたは異なる値に設定して動作させられるとしてよい。複数のチャンバを利用する場合、温度、ＵＶ強度、ガス、および圧力の条件は、チャンバ毎に異なる可能性がある。一部の実施例によると、当該半導体処理システムは、Ｎｏｖｅｌｌｕｓ  Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．社製のＳＯＬＡ（登録商標）ＵＶサーマルプロセッシング（ＵＶＴＰ）システムを備えるとしてよいが、他の半導体処理システムを利用するとしてもよい。
【００４８】
図３Ａおよび図３Ｂには、本開示に係る、蒸気内ＵＶ硬化を実行することによって堆積層を変換する方法が図示されている。図３Ａによると、最初のステップ１１０において、台１８の温度を所定温度に設定する。一例に過ぎないが、台１８の温度は、サーマルバジェット未満に設定するとしてよい。一部の実施例によると、サーマルバジェットは、特定の期間について、摂氏４８０度以下である。別の実施例によると、サーマルバジェットは、特定の期間について、摂氏４００度以下である。
【００４９】
ステップ１１４において、希釈ガスと相対的に、チャンバ１４内での蒸気の分圧を調整する。一例に過ぎないが、以下のような手順で蒸気の分圧を所望の値に設定するとしてよい。最初に希釈ガスを導入して所望の圧力を実現するとしてよい。一例に過ぎないが、圧力は、０Ｔｏｒｒから７００Ｔｏｒｒの間に設定するとしてよいが、他の値であってもよい。一部の実施例によると、圧力値は５０Ｔｏｒｒに設定するとしてよい。
【００５０】
この後希釈ガスの導入を遮断して、所定の期間にわたって蒸気を導入するとしてよい。希釈ガスの導入を遮断して蒸気を導入した後からチャンバ１４に基板２２を導入するまでの所定の待機期間を変化させることで、分圧条件が変化する。他のシステムでは、蒸気および希釈ガスを同時に導入して、ウェハを処理するまでに一方または両方を調節するとしてよい。
【００５１】
一例に過ぎないが、大まかに推定すると、分圧が低くなるのは、所定の待機期間を約５分間以下にする場合で、蒸気の分圧が中程度になるのは、所定の待機期間を約１０分間程度にする場合で、蒸気の分圧が高くなるのは、所定の待機期間が約１５分間程度である場合である。想到の範囲内であろうが、待機期間は、具体的に実施する際の詳細な内容に応じて変動する。
【００５２】
一例に過ぎないが、分圧を低く設定して基板２２をチャンバ１４に導入することによって、ＰＳＺ膜がＳｉＮに変換される。一方、分圧を中程度に設定して基板２２をチャンバ１４に導入することによって、ＰＳＺ膜の一部がＳｉＯＨに変換される。分圧を高く設定して基板２２をチャンバ１４に導入することによって、ＰＳＺ膜が全てＳｉＯ２に変換される。一部の実施例によると、分圧を調整する前、または、所望の分圧に到達する前に、基板２２をチャンバ内に配置するとしてよい。
【００５３】
本例では、低い分圧とは、蒸気が１５％未満の分圧を指す。中程度の分圧とは、蒸気が１５％を超え、７０％未満の分圧を指す。高い分圧とは、蒸気が７０％を超える分圧を指す。想到の範囲内であろうが、他の半導体処理システムでは、分圧を直接制御可能であるとしてもよい。
【００５４】
チャンバ１４内の蒸気の分圧が所望の値に到達すると、ステップ１１６において、基板２２をチャンバ１４内の台１８の上に配置するとしてよい。一部の実施例によると、分圧を所望の値に調節する前、または、分圧が所望の値に到達する前に、チャンバ１４に基板２２を配置するとしてよい。ステップ１２０において、所定の期間にわたって、基板２２を蒸気に浸漬させるか、または、蒸気内で硬化（蒸気アニーリング）させる。ステップ１２４において、所定の期間が終了した後に、ＵＶ源３４の電源を入れて、第２の所定の期間にわたって基板２２を蒸気内でＵＶ硬化させる。
【００５５】
図３Ｂにおいて、半導体処理システムは、複数のチャンバ１４を備えるとしてよい。同図に示す方法の最初のステップ１３０において、台１８の温度を１以上の所定の温度に設定する。台１８の温度は、チャンバ１４が有する複数のステーション毎に異なるとしてもよいし、同じであるとしてもよい。ステップ１３４において、希釈ガスと相対的に、チャンバ１４内の蒸気の分圧を調整する。チャンバ１４内の分圧が所望の値に到達すると、ステップ１１６において、チャンバ１４が有する複数のステーションのうち１つのステーションの台１８の上に基板２２を配置するとしてよい。想到の範囲内であろうが、分圧を調整する前、または、所望の分圧に到達する前に、基板をチャンバ内に配置するとしてよい。ステップ１２０において、所定の期間にわたって、基板２２を蒸気に浸漬させるか、または、蒸気内で硬化（蒸気アニーリング）させる。ステップ１２４において、所定の期間が終了した後に、ＵＶ源３４の電源を入れて、第２の所定の期間にわたって基板２２を蒸気内でＵＶ硬化させる。
【００５６】
当該方法のステップ１２８において、基板２２をチャンバ１４の別のステーションに移動させる必要があるか否かを判断する。ステップ１２８の判断結果が真である場合、ステップ１３２において基板２２をチャンバ１４の別のステーションに移動させて、ステップ１２０に続く。ステップ１２８の判断結果が偽である場合、終了する。図３Ｂに示す方法がチャンバ１４のあるステーションから別のステーションへと１つの基板２２を移動させることを含む場合、複数の基板２２を処理することが可能となりパイプライン方式に移動させることができる。これに代えて、複数のチャンバ、または、有するステーションが１つであるチャンバを利用するとしてもよい。
【００５７】
一実施例によると、複数のステーションを備える１つのチャンバ１４で複数の基板を処理することができる。ＵＶ強度および温度は、基板毎に制御することができる。これら複数の基板は、同一チャンバ内で複数の異なるステーションに配置される場合、ガス条件が共通または相違するとしてよい。これに代えて、基板毎にガス条件が異なるとしてもよい。台の温度は、摂氏３００度に設定されるとしてよい。第１のステーションは、ＵＶ硬化を実行することなく基板を浸漬させるために利用されるステーションである。第２、第３、および、第４のステーションでは、ＵＶ強度が最大強度の３５％、３５％、および３５％に設定されている。基板は、各ステーションで５分間にわたって処理される。
【００５８】
別の実施例によると、台の温度は摂氏３００度に設定される。第１のステーションは、ＵＶ硬化を実行することなく基板を浸漬させるために利用されるステーションである。第２、第３、および、第４のステーションでは、ＵＶ強度が最大強度の３５％、５０％、および７５％に設定されている。基板は、各ステーションで４分間にわたって処理される。
【００５９】
さらに別の実施例によると、台の温度は摂氏３００度に設定される。第１のステーションは、ＵＶ硬化を実行することなく基板を浸漬させるために利用されるステーションである。第２、第３、および、第４のステーションでは、ＵＶ強度が最大強度の１００％、１００％、および１００％に設定されている。基板が各ステーションに留まるのは、２〜３分間である。想到の範囲内であろうが、ＵＶ強度、硬化時間、ステーションまたはチャンバの数、台の温度、圧力、および／または、その他のパラメータは、用途に応じて変更するとしてよい。
【００６０】
図４は、本開示に係る、蒸気内ＵＶ硬化の後のＳＯＤに対するフーリエ変換型赤外分光（ＦＴＩＲ）の結果を示すグラフである。ＳＯＤは、堆積時には、Ｓｉ−Ｈ結合（２０００〜２２６０ｃｍ−１）および部分Ｓｉ−Ｎ結合（８２０−１０２０ｃｍ−１）の密度が非常に高い。Ｓｉ−Ｈ結合および部分Ｓｉ−Ｎ結合は、蒸気内ＵＶ硬化を実行すると、大部分がＳｉ−Ｏ結合に変換される（１０６６ｃｍ−１）。本実施例では、蒸気内ＵＶ硬化の前に、所与の浸漬期間にわたって蒸気内に基板を浸漬させた。
【００６１】
図５は、本開示に係る、蒸気内ＵＶ硬化の後の蒸気アニーリングされたＳＯＤに対するＦＴＩＲの結果を示すグラフである。Ｓｉ−Ｈ結合および部分Ｓｉ−Ｎ結合は、蒸気内ＵＶ硬化を実行すると、蒸気内ＵＶ硬化によってＳｉ−Ｏ結合にさらに変換される（１０６６ｃｍ−１）。この実施例によると、蒸気内ＵＶ硬化の前に、（浸漬期間よりも長い）所与の硬化期間にわたって蒸気内で基板を硬化させた。
【００６２】
図６は、不活性環境においてＳＯＤを硬化させた後のＦＴＩＲの結果を示すグラフである。ＳＯＤは、堆積時には、Ｓｉ−Ｈ結合（２０００〜２２６０ｃｍ−１）および部分Ｓｉ−Ｎ結合（８２０−１０２０ｃｍ−１）の密度が非常に高い。ＵＶ硬化を行うと、Ｓｉ−Ｈ結合は、蒸気内ＵＶ硬化を行う場合よりも少なくなる。部分Ｓｉ−Ｎ結合は増加し、Ｓｉ−Ｏ変換は発生しない。
【００６３】
図７Ａおよび図７Ｂは、本開示に係る、蒸気内ＵＶ硬化の後に酸化物の高密度化処理を行って堆積層を変換する方法を説明するための図である。図７Ａに示すように、ステップ１５０において、台の温度を設定する。ステップ１５４において、チャンバ１４内の蒸気の分圧を、希釈ガスと相対的に、設定する。ステップ１５６において、チャンバ１４内に基板２２を配置する。想到の範囲内であろうが、分圧を調整する前、または、所望の分圧に到達する前に、チャンバ内に基板を配置するとしてよい。ステップ１５８において、第１の所定の期間にわたって待機する。ステップ１６２において、ＵＶ源３４の電源を入れて、第２の所定の期間にわたって硬化させる。ステップ１６６において、基板を高密度化させる。
【００６４】
基板２２の高密度化は、任意の適切な方法を用いて行うとしてよい。一例に過ぎないが、アルゴン等の希釈ガスでアニーリングを行うことによって、基板の高密度化を行うとしてよい。これに代えて、さらに蒸気、アンモニア、または、ヘリウム内でＵＶ硬化を実行することによって、基板２２を高密度化するとしてもよい。アンモニアを用いる場合、他のガスは用いても用いなくてもよいが、チャンバを１Ｔｏｒｒから６００Ｔｏｒｒの範囲内で加圧するとしてよい。一例に過ぎないが、他のガスを用いることなく、５０Ｔｏｒｒから６００Ｔｏｒｒとしてよい。別の実施例によると、６００Ｔｏｒｒを超える圧力、大気圧、または、大気圧よりも高い圧力（例えば、７６０Ｔｏｒｒより高い圧力）で、チャンバを動作させるとしてよい。
【００６５】
図７Ｂに示す方法では、図７Ａと同様のステップを実行する。ステップ１６６において基板の１以上の層を高密度化する前に、ステップ１７０において、被覆層を除去する処理を実行するとしてよい。例えば、化学機械研磨（ＣＭＰ）を実行して、被覆層を除去して基板２２の上面を平坦化するとしてよい。
【００６６】
図８Ａおよび図８Ｂは、本開示に係る、アンモニア内ＵＶ硬化によって高密度化する方法を説明するための図である。図８Ａに示す方法では、最初のステップ２０４において、台の温度を設定する。ステップ２１４において、チャンバ１４にアンモニアを供給する。ステップ２１８において、チャンバ１４の台１８に基板２２を配置する。ステップ２２０において、第１の所定の期間にわたって待機して、浸漬を行う。ステップ２２４において、ＵＶ源３４の電源を入れて、第２の所定の期間にわたって基板を硬化させる。
【００６７】
図８Ｂに示す方法では、最初のステップ２３４において、チャンバ１４が備える複数のステーションの台の温度を設定する。ステップ２４４において、チャンバ１４にアンモニアを供給する。ステップ２４８において、チャンバ１４が備えるステーションのうちの１つの台１８に基板２２を配置する。ステップ２５０において、第１の所定の期間にわたって待機するとしてよい。ステップ２５４において、ＵＶ源３４の電源を入れて、第２の所定の期間にわたって基板２２を硬化させる。第２の所定の期間が終了した後、ステップ２５８において、チャンバ１４の別のステーションに基板を移動させる必要があるか否かを判断する。ステップ２５８の判断結果が真であれば、ステップ２６２において、チャンバ１４の次のステーションに基板２２を移動させる。ステップ２５８の判断結果が偽であれば、終了する。
【００６８】
一実施例によると、４つのステーションを備えるチャンバ１４を利用するとしてよい。台の温度は、摂氏３００度、摂氏３３０度、摂氏３７０度、摂氏４００度に設定する。チャンバ１４の第１、第２、第３、および、第４のステーションは、ＵＶ強度を１００％に設定する。各チャンバ１４内に基板２２を留める時間は、７．５分間である。
【００６９】
上記の例ではアンモニアを用いているが、他の光活性化学物質を、単体または処理チャンバ内に存在する他の化学種と組み合わせて、利用するとしてもよい。適切な化学物質の例を挙げると、ＮＨ３、あるいは、Ｈがジュウテリウムで置換されているＮＨ３同様の化合物（例えば、ＮＨ２Ｄ、ＮＨＤ２、ＮＤ３）、Ｈ２；ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、または、テトラメチルシラン（４ＭＳ）あるいはトリメチルシラン（３ＭＳ）、アミン（例えば、メチルアミン、ジメチルアミン、あるいは、トリメチルアミン、または、エチルアミン）、エチレンあるいはプロピレン等のアルケン、または、アセチレン等のアルキン等、Ｈラジカルを生成するその他の光反応性ガス、または、上記の化学物質同士の組み合わせ、および／または、上記の化学物質とＨｅ、Ｎ２またはＡｒ等の不活性ガスとの組み合わせがある。具体例を挙げると、還元ガスはＮＨ３またはＨ２であってよい。具体例は、ＮＨ３である。ＵＶ光は上記のような光活性化学物質と相互に作用して高密度化を促進すると共に、蒸気ではない外気中のＵＶ光によってもまた、膜の高密度化が促進される。
【００７０】
さらに（上述したような蒸気以外の環境でのＵＶ処理に加えて、または、それに加えて）、高密度化方法を利用するとしてよい。一例に過ぎないが、堆積層を高密度プラズマ（ＨＤＰ）に暴露するとしてよい。ＨＤＰは、酸化性のＯ２プラズマを含むとしてよい。しかし、ＨＤＰはさらに、Ｈｅ、Ａｒ、Ｈ２、または、Ｎ２を含むとしてよい。ＨＤＰを実行する際には、高周波（ＲＦ）バイアスを台に印加するとしてもよいし、印加しなくてもよい。印加の有無は、高密度化の深さに影響を及ぼす可能性がある。他の例としては、Ｏ２内でＵＶ硬化を実行することが挙げられる。Ｏ２内でＵＶ硬化を実行する場合には、大気圧、大気圧より高い圧力、または、大気圧未満の圧力で実行するとしてよい。一例に過ぎないが、１Ｔから７００Ｔで（大気圧未満の圧力で）ＵＶ硬化を実行するとしてよい。圧力を高くすると（例えば、６００Ｔ）、圧力を低くする場合に比べて、酸素ラジカルおよびオゾンの形成が促進される可能性が高くなるとしてよい。別の例では、離れた位置にあるＯ２のプラズマ源に堆積層を暴露して、堆積層の高密度化を促進する酸素ラジカルを生成させる。別の例では、処理のサーマルバジェットに近い（しかし、サーマルバジェット未満の）温度でアニーリングを行う。当該アニーリングは、Ｎ２、Ｈｅ、Ｏ２またはＨ２Ｏ等の不活性ガスで実行されるとしてよい。さらに別の例では、高密度化を促進するＨラジカルを生成するＨ２またはＮＨ３を利用する。
【００７１】
本開示の教示内容は幅広く、さまざまな形態で実施することが可能である。このため、本開示では具体例を記載したが、本開示の真の範囲は、それらの具体例に限定されるべきではない。これは、本開示の図面、明細書、および、特許請求の範囲を参照すれば、その他の変形例に想到可能なためである。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
2011109086.tif 000012
【図８Ｂ】
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【外国語明細書】
2011109086000001.pdf