(57)【要約】【課題】異物の飛散を低減化すること。【解決手段】基板を保持する基板保持部上を清掃する清掃部材と、基板保持部上の異物が清掃部材に付着するように当該清掃部材に静電力を付与する静電力付与装置とを備える。【選択図】図１
2011109041.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持部上を清掃する清掃部材と、
前記基板保持部上の異物が前記清掃部材に付着するように前記清掃部材に静電力を付与する静電力付与装置と
を備える清掃装置。
【請求項２】
前記清掃部材は、大気圧に対して減圧された空間内で用いられる
請求項１に記載の清掃装置。
【請求項３】
前記清掃部材は、前記基板保持部に対向され前記異物を付着させる付着面を有し、
前記静電力付与装置は、少なくとも前記付着面に前記静電力を付与する
請求項１又は請求項２に記載の清掃装置。
【請求項４】
前記静電力付与装置は、前記清掃部材に設けられた電極を有する
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の清掃装置。
【請求項５】
前記静電力付与装置は、前記清掃部材に付与する前記静電力を調整する調整機構を有する
請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の清掃装置。
【請求項６】
前記基板保持部と前記清掃部材とを相対的に移動させる駆動機構を更に備える
請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の清掃装置。
【請求項７】
前記基板保持部は、前記基板を保持する保持面を有し、
前記駆動機構は、前記保持面に平行な方向及び前記保持面に直交する方向のうち少なくとも一方に前記基板保持部と前記清掃部材とを相対的に移動させる
請求項６に記載の清掃装置。
【請求項８】
前記清掃部材に付着した前記異物を回収する回収装置を更に備える
請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の清掃装置。
【請求項９】
前記回収装置は、前記異物を付着させる回収用基板を介して前記異物を回収する
請求項８に記載の清掃装置。
【請求項１０】
前記回収装置は、所定の回収位置で前記回収用基板を回収すると共に、前記基板保持部による前記回収用基板の保持位置と前記回収位置との間で前記回収用基板を搬送する搬送機構を有する
請求項９に記載の清掃装置。
【請求項１１】
前記回収用基板は、絶縁体を含んで形成されている
請求項９又は請求項１０に記載の清掃装置。
【請求項１２】
前記回収装置は、前記回収用基板に静電力を付与する第２静電力付与装置を有する
請求項９から請求項１１のうちいずれか一項に記載の清掃装置。
【請求項１３】
前記第２静電力付与装置は、前記基板保持部に設けられた第２電極を有する
請求項１２に記載の清掃装置。
【請求項１４】
前記基板は、露光光の照射によって感光する感光剤が表面に形成されたウエハであり、
前記基板保持部は、所定面に沿って移動可能なステージの一部である
請求項１から請求項１３のうちいずれか一項に記載の清掃装置。
【請求項１５】
基板を保持する基板保持部上を清掃する清掃部材に静電力を付与する静電力付与工程と、
前記基板保持部上の異物に前記静電力を作用させて前記異物を前記清掃部材に付着させる付着工程と
を含む清掃方法。
【請求項１６】
少なくとも前記付着工程は、大気圧に対して減圧された空間内で行われる
請求項１５に記載の清掃方法。
【請求項１７】
前記静電力付与工程は、前記清掃部材のうち少なくとも前記異物を付着させる所定の付着面に前記静電力を付与することを含み、
前記付着工程は、前記付着面を前記基板保持部に対向させて当該付着面に前記異物を付着させることを含む
請求項１５又は請求項１６に記載の清掃方法。
【請求項１８】
前記静電力付与工程は、前記清掃部材に設けられた電極を介して前記清掃部材に前記静電力を付与する
請求項１５から請求項１７のうちいずれか一項に記載の清掃方法。
【請求項１９】
前記静電力付与工程は、前記清掃部材に付与する前記静電力を調整する調整工程を含む
請求項１５から請求項１８のうちいずれか一項に記載の清掃方法。
【請求項２０】
前記基板保持部と前記清掃部材とを相対的に移動させる移動工程を更に含む
請求項１５から請求項１９のうちいずれか一項に記載の清掃方法。
【請求項２１】
前記移動工程は、前記基板保持部に設けられ前記基板を保持する保持面に平行な方向及び当該保持面に直交する方向のうち少なくとも一方に前記基板保持部と前記清掃部材とを相対的に移動させる
請求項２０に記載の清掃方法。
【請求項２２】
前記移動工程は、前記基板保持部と前記清掃部材とを接触させて相対的に移動させることで前記基板保持部上の前記異物を剥離する剥離工程を含む
請求項２０又は請求項２１のうちいずれか一項に記載の清掃方法。
【請求項２３】
前記剥離工程は、前記清掃部材に前記静電力が付与された状態で行う
請求項２２に記載の清掃方法。
【請求項２４】
前記剥離工程の後、前記清掃部材に前記静電力を付与させる
請求項２２に記載の清掃方法。
【請求項２５】
前記清掃部材に付着された前記異物を回収する異物回収工程
を更に備える請求項１５から請求項２４のうちいずれか一項に記載の清掃方法。
【請求項２６】
前記異物回収工程は、回収用基板を介して前記異物を回収する
請求項２５に記載の清掃方法。
【請求項２７】
前記異物回収工程は、
前記回収用基板を前記基板保持部に保持させる保持工程と、
前記清掃部材に付着された前記異物を前記回収用基板上に付着させる第２付着工程と、
前記異物が付着された前記回収用基板を回収する基板回収工程と
を含む
請求項２６に記載の清掃方法。
【請求項２８】
前記第２付着工程は、
前記異物が付着した前記清掃部材を前記回収用基板上に配置する清掃部材配置工程と、
前記清掃部材の前記静電力を弱めることにより前記異物を前記回収用基板上に落下させる異物落下工程と
を含む
請求項２７に記載の清掃方法。
【請求項２９】
前記基板回収工程は、前記回収用基板の保持位置と所定の異物回収部との間で前記回収用基板を搬送することを含む
請求項２８に記載の清掃方法。
【請求項３０】
前記基板保持部は、所定面に沿って移動可能なステージの一部であり、
前記搬送は、前記ステージが前記保持位置と前記異物回収部との間を移動することを含む
請求項２９に記載の清掃方法。
【請求項３１】
前記回収用基板に静電力を付与する第２静電力付与工程を更に含む
請求項２６から請求項３０のうちいずれか一項に記載の清掃方法。
【請求項３２】
前記第２静電力付与工程は、前記基板保持部に設けられた電極を介して前記回収用基板に前記静電力を付与する
請求項３１に記載の清掃方法。
【請求項３３】
基板を露光する露光装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を清掃する清掃装置と
を備え、
前記清掃装置として、請求項１から請求項１４のうちいずれか一項に記載の清掃装置が用いられている
露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、清掃装置、清掃方法及び露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や液晶表示素子等の電子デバイスをフォトリソグラフィ工程で製造する際には、例えばパターンが形成されたマスクのパターン像を投影光学系を介して感光材（レジスト）が塗布された基板上の各投影（ショット）領域に投影する露光装置が用いられている。フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置は、例えばマスクを保持するマスクステージ装置や基板を保持する基板ステージ装置などを備えている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
これらのステージ装置には、例えば異物などが付着する場合がある。このような異物が例えばマスクの保持部や基板の保持部などに付着すると、当該保持部を介してマスクや基板が汚染されてしまう可能性がある。このため、従来、例えば保持部などを研磨し当該保持部に付着した異物を剥離させ、当該異物を回収することにより、ステージ装置を定期的に清掃するようにしていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００５／００５７１０２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の手法においては、保持部から剥離された異物が当該保持部上に残留する場合があり、例えば基板交換時やステージ装置の移動時などに当該異物が飛散してしまうなど、周囲の環境を汚染してしまう虞があった。
【０００６】
上記のような事情に鑑み、本発明は、異物の飛散を低減化することができる清掃装置、清掃方法及び露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様に従えば、基板を保持する基板保持部上を清掃する清掃部材と、基板保持部上の異物が清掃部材に付着するように当該清掃部材に静電力を付与する静電力付与装置とを備える清掃装置が提供される。
【０００８】
本発明の第２の態様に従えば、基板を保持する基板保持部上を清掃する清掃部材に静電力を付与する静電力付与工程と、基板保持部上の異物に静電力を作用させて異物を清掃部材に付着させる付着工程とを含む清掃方法が提供される。
【０００９】
本発明の第３の態様に従えば、基板を露光する露光装置であって、基板を保持する基板保持部と、基板保持部を清掃する清掃装置とを備え、当該清掃装置として、本発明の清掃装置が用いられている露光装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、異物の飛散を低減化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図。
【図２】本実施形態に係るマスクステージの構成を示す斜視図。
【図３】本実施形態に係るマスクステージの一部及び清掃装置の構成を示す断面図。
【図４】本実施形態に係る清掃方法の一工程を示す図。
【図５】同、工程図。
【図６】同、工程図。
【図７】同、工程図。
【図８】同、工程図。
【図９】同、工程図。
【図１０】本発明のマイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート。
【図１１】図１０におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。以下の各図においては、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向については、それぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１３】
図１は、露光装置ＥＸを示す概略構成図である。  
本実施形態では、露光装置ＥＸとして、極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）光で基板Ｐを露光するＥＵＶ露光装置を用いる場合を例に挙げて説明する。極端紫外光は、例えば波長５〜５０ｎｍ程度の軟Ｘ線領域の電磁波である。以下の説明において、極端紫外光を適宜、ＥＵＶ光、と表記する。一例として、本実施形態では、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を露光光ＥＬとして用いる。
【００１４】
図１に示すように、露光装置ＥＸは、パターンが形成されたマスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ２を含むステージ装置ＳＴと、露光光ＥＬを発生する光源装置３と、光源装置３からの露光光ＥＬでマスクＭを照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４とを備えている。基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材の表面に感光材（レジスト）等の膜が形成されたものを含む。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。
【００１５】
本実施形態において、マスクＭは、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。露光装置ＥＸは、多層膜でパターンが形成されたマスクＭの表面（反射面）を照明光ＥＬ（ＥＵＶ光）で照明し、そのマスクＭで反射した露光光ＥＬで感光性を有する基板Ｐを露光する。
【００１６】
本実施形態の露光装置ＥＸは、チャンバ装置６を有している。チャンバ装置６は、露光光ＥＬが進行する第１空間５を覆うと共に、第１空間５を所定状態の環境に設定可能になっている。チャンバ装置６は、第１空間５を形成する第１空間形成部材７と、第１空間５の環境を調整する第１調整装置８とを備える。
【００１７】
第１調整装置８は、真空システムを含み、第１空間５を真空状態に調整する。制御装置４は、第１調整装置８を用いて、露光光ＥＬが進行する第１空間５をほぼ真空状態に調整する。一例として、本実施形態においては、第１空間５の圧力は、１×１０−７〔Ｐａ〕程度の減圧雰囲気に調整される。
【００１８】
光源装置３から射出された照明光は、第１空間５を進行する。第１空間５には、照明光学系ＩＬの少なくとも一部、及び投影光学系ＰＬが配置される。光源装置３から射出された照明光は、第１空間５に配置されている照明光学系ＩＬを通ってマスクＭを照明する。
【００１９】
マスクＭに照明された照明光は、マスクＭのパターンの像の情報を含む露光光ＥＬとなって投影光学系ＰＬを通過する。本実施形態においては、第１空間５に基板ステージ２が配置される。
【００２０】
なお、本実施の形態での説明では、光源装置３からマスクＭを照明するまでのＥＵＶ光を照明光、マスクＭで反射して基板Ｐに投影されるまでのＥＵＶ光を露光光ＥＬとして説明するが、説明の都合上名称を使い分けたものであり、両者を露光光ＥＬとして扱ってもよい。
【００２１】
第１空間形成部材７は、第１開口９と、第１開口９の周囲に設けられた第１面１１とを有する。第１開口９は、第１空間５を進行した照明光が入射可能な位置に形成されている。また、本実施形態においては、第１開口９は、照明光学系ＩＬから射出された照明光が入射可能な位置に形成されている。
【００２２】
マスクステージ１は、マスクＭを保持しつつ、このマスクＭを移動させるように構成されており、第１開口９を覆うように配置される。マスクステージ１は、第１空間形成部材７（ガイド部材１８）に設けられた第１面１１と対向する第２面１２を有し、この第２面１２は第１面１１にガイドされつつ第１開口９との間で相対運動が可能である。本実施形態において、第１空間形成部材７の第１面１１とマスクステージ１の第２面１２との間にガスシール機構１０が形成される。このとき、第１面１１と第２面１２との間に所定のギャップＧ１が形成される。ギャップＧ１は、所定量（例えば０．１〜１μｍ程度）に調整されており、ギャップＧ１を介して第１空間５の内側にガスが流入することが抑制されている。本実施形態においては、第１開口９がマスクステージ１によって覆われ、前述のように、第１面１１と第２面１２との間にガスシール機構１０が形成されることによって、第１空間５は、ほぼ密閉された状態となる。これにより、チャンバ装置６は、第１空間５を所定状態（真空状態）に制御することができる。
【００２３】
マスクステージ１は、第１開口９を介して、マスクＭが第１空間５に配置されるように、そのマスクＭを保持する。本実施形態においては、マスクステージ１は、第１空間５の＋Ｚ側に配置され、マスクＭの反射面が−Ｚ側（第１空間５側）を向くように、マスクＭを保持する。また、本実施形態においては、マスクステージ１は、マスクＭの反射面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。照明光学系ＩＬから射出された照明光は、マスクステージ１に保持されているマスクＭの反射面に照射される。
【００２４】
マスクステージ１についてさらに詳述すると、マスクステージ１は、第１開口９より大きく、第２面１２が形成されて、第１面１１および第１開口に対して移動可能に構成された第１ステージ１３と、第１開口９より小さく、マスクＭを保持しながら第１ステージ１３に対して移動可能に構成された第２ステージ１４とを含む。第１ステージ１３は、第１開口９を覆うように配置され、その第１ステージ１３の第２面１２と第１空間形成部材７の第１面１１との間にガスシール機構１０が形成される。第１ステージ１３は、第１面１１にガイドされつつ、第１面１１および第１開口９に対して移動可能である。第２ステージ１４は、第１ステージ１３の−Ｚ側（第１空間５側）に配置されている。第２ステージ１４に保持されたマスクＭは、第１開口９を介して第１空間５に配置される。第２ステージ１４は、マスクＭを保持した状態で、第１ステージ１３に対して移動可能である。このような構成により、マスクＭを移動させるための粗動ステージとして第１ステージ１３を機能させ、マスクＭを移動させるための微動ステージとして第２ステージを機能させることができる。なお、第１ステージ１３、第２ステージ１４は、図示されていないが、各ステージをそれぞれ移動させる駆動装置を有している。
【００２５】
また、チャンバ装置６は、第１空間形成部材７の外面との間で、第２空間１５を形成する第２部材１６と、第２空間１５の環境を調整する第２調整装置１７とを備えている。第２空間１５は、マスクステージ１の少なくとも一部（例えば、第１ステージ１３等）を収容する。本実施形態において、第１空間５及び第２空間１５の外側は、大気空間であり、その圧力は、大気圧である。第２調整装置１７は、第２空間１５を、第１空間５の圧力よりも高く、大気圧よりも低い圧力に調整する。一例として、本実施形態においては、第２空間１５の圧力は、１×１０−１〔Ｐａ〕程度の減圧雰囲気に調整される。
【００２６】
また、チャンバ装置６には、基板Ｐの搬入出を行う基板搬入出部ＬＵが設けられている。基板搬入出部ＬＵには、基板Ｐをチャンバ装置６の内外に基板Ｐを搬送する搬送機構ＴＲが設けられている。
【００２７】
以上のような構成により、マスクステージ１の少なくとも一部は第２空間１５に配置され、マスクステージ１に保持されたマスクＭは、第１空間５に配置される。
【００２８】
露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。
【００２９】
本実施形態においては、マスクＭの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、基板Ｐのショット領域を投影光学系ＰＬの投影領域に対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板Ｐのショット領域のＹ軸方向への移動と同期して、照明光学系ＩＬの照明領域に対してマスクＭのパターン形成領域をＹ軸方向に移動しつつ、マスクＭを露光光ＥＬで照明し、そのマスクＭからの露光光ＥＬを基板Ｐに照射して、その基板Ｐを露光する。
【００３０】
マスクステージ１の第１ステージ１３は、基板Ｐ上の１つのショット領域の走査露光中に、マスクＭのパターン形成領域全体が照明光学系ＩＬの照明領域を通過するように、Ｙ軸方向（走査方向）に、比較的大きなストロークを有している。第１ステージ１３がＹ軸方向に移動することによって、第１ステージ１３に支持されている第２ステージ１４も、第１ステージ１３とともにＹ軸方向に移動する。したがって、第１ステージ１３がＹ軸方向に移動することによって、第２ステージ１４に保持されているマスクＭも、第１ステージ１３とともにＹ軸方向に移動する。第２ステージ１４は、第１ステージ１３に対して、微かに移動可能であり、第１ステージ１３のストロークよりも小さなストロークで移動するようになっている。また、第２ステージ１４が第１ステージ１３に対してＸ方向にも小さなストロークで移動できるようにしてもよい。
【００３１】
また、第１空間形成部材７の第１面１１と第１ステージ１３の第２面１２との間にガスシール機構１０が形成されており、第１空間形成部材７に対して第１ステージ１３を移動した場合においても、第１空間５の内側にガスが流入することが抑制される。また、本実施形態においては、第１面１１と第２面１２とのギャップＧ１を調整するギャップ調整機構が設けられており、第１空間形成部材７に対して第１ステージ１３を移動している状態においても、第１面１１と第２面１２とのギャップＧ１は所定量に維持される。これにより、第１空間形成部材７に対して第１ステージ１３を移動した場合においても、第１空間５の内側にガスが流入することが抑制される。
【００３２】
第１空間形成部材７は、第１面１１が形成されたガイド部材１８と、ガイド部材１８の少なくとも一部と対向するチャンバ部材１９とを含む。ガイド部材１８は、マスクステージ１の移動をガイドする。マスクステージ１（第１ステージ１３）は、前述のように、ガイド部材１８の第１面１１にガイドされつつ、第１開口９に対して移動する。
【００３３】
チャンバ装置６は、第１空間形成部材７と第１調整装置８の他に、ガイド部材１８とチャンバ部材１９とを接続するベローズ部材２０を有する。ベローズ部材２０は、可撓性を有し、弾性変形可能である。本実施形態において、ベローズ部材２０はステンレス製である。ステンレスは、脱ガス（アウトガス）が少ない。そのため、ベローズ部材２０が第１空間５に与える影響を抑制することができる。なお、ベローズ部材２０を用いたのは一例であり、脱ガス等の影響が少なければ、ステンレス以外の材料を用いることも可能である。
【００３４】
第１空間形成部材７は、第１の開口９、第１面１１を有する共に、ガイド部材１８、チャンバ部材１９を含むように構成される。そして、ガイド部材１８、チャンバ部材１９、ベローズ部材２０、マスクステージ１（主に第１ステージ１３）、及びステージ装置ＳＴに設けられたチャンバ部材ＳＣ（収容体の一部、詳細は後述）によって、ほぼ密閉された第１空間５が形成される。チャンバ部材１９は、ガイド部材１８の下面１８Ｂと対向する上面１９Ａを有し、ベローズ部材２０は、ガイド部材１８の下面１８Ｂとチャンバ部材１９の上面１９Ａとを接続するように配置されている。
【００３５】
本実施形態において、露光装置ＥＸは、ベース部材２１と、ベース部材２１上に第１防振システム２２を介して支持された第１支持部材２３とを備えている。チャンバ部材１９は、第１支持部材２３に支持されている。また、ベース部材２１上には、第１フレーム部材２４が配置されている。第１フレーム部材２４は、支柱部２５と、支柱部２５の上端に接続された支持部２６とを含む。支持部２６上には、ガイド部材１８の下面を支持する第２支持部材２７が接続されている。チャンバ部材１９と第２支持部材２７とは離れている。また、チャンバ部材１９と第１フレーム部材２４とは離れており、チャンバ部材１９と第１フレーム部材２４との間に、ベローズ部材等の可撓性（弾性）を有するシール機構が配置される。チャンバ部材１９は、第２支持部材２７に支持されたガイド部材１８の下面１８Ｂと対向する上面１９Ａを有する。ベローズ部材２０は、ガイド部材１８の下面１８Ｂとチャンバ部材１９の上面１９Ａとを接続するように配置されている。
【００３６】
光源装置３は、例えばキセノン（Ｘｅ）等のターゲット材料にレーザ光を照射して、そのターゲット材料をプラズマ化し、ＥＵＶ光を発生させるレーザ生成プラズマ光源装置、所謂ＬＰＰ（Laser Produced Plasma）方式の光源装置である。なお、光源装置３としては、所定ガス中で放電を発生させて、その所定ガスをプラズマ化し、ＥＵＶ光を発生させる放電生成プラズマ光源装置、所謂ＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の光源装置であってもよい。光源装置３で発生したＥＵＶ光（照明光）は、波長選択フィルタ（不図示）を介して、照明光学系ＩＬに入射する。ここで、波長選択フィルタは、光源装置３が供給する光から、所定波長（たとえば１３．４ｎｍ）のＥＵＶ光だけを選択的に透過させ、他の波長の光の透過を遮る特性を有する。波長選択フィルタを透過したＥＵＶ光は、照明光学系ＩＬを介して、転写すべきパターンが形成された反射型のマスク（レチクル）Ｍを照明する。
【００３７】
照明光学系ＩＬは、光源装置３からの露光光ＥＬでマスクＭを照明する。照明光学系ＩＬは、複数の光学素子を含み、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明光学系ＩＬの光学素子は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜を含む。
【００３８】
マスクステージ１の第１ステージ１３は、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。マスクステージ１の第２ステージ１４は、マスクＭ保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を計測可能なレーザ干渉計（不図示）、及びマスクＭの反射面の面位置情報を検出可能なフォーカス・レベリング検出システム（不図示）が設けられており、制御装置４は、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置を制御する。
【００３９】
マスクステージ１の第１ステージ１３及び第２ステージ１４は、金属製である。一例として、本実施形態の第１ステージ１３及び第２ステージ１４は、脱ガス（アウトガス）が少ないステンレス製である。
【００４０】
図１に戻り、投影光学系ＰＬは、複数の光学素子を含み、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬの光学素子は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜を含む。
【００４１】
投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒２８に保持されている。鏡筒２８は、フランジ２９を有する。フランジ２９には、第２フレーム部材３０の下端が接続されている。第２フレーム部材３０の上端は、防振システム３１を介して、第１フレーム部材２４の支持部２６と接続されている。鏡筒２８(フランジ２９）は、第２フレーム部材３０に吊り下げられている。
【００４２】
図２は、ステージ装置ＳＴの外観斜視図である。  
図２に示すステージ装置ＳＴは、定盤ＪＢと、ウエハ等の基板を保持して６自由度方向に移動可能な基板ステージ２とを有している。基板ステージ２は、比較的大ストロークでＸ方向（第３方向とする）とＹ方向（第１方向とする）に移動可能で、比較的小ストロークでＺ方向θｘ方向、θｙ方向、θｚ方向に移動可能となっている。基板ステージ２は、ウエハ等の基板を保持する基板保持部ＷＨを有している。当該基板は、基板保持部ＷＨの＋Ｚ側の面（保持面）ＷＨａで保持されるようになっている。
【００４３】
基板ステージ２を駆動する駆動装置は、基板ステージ２をＸ方向にロングストロークで駆動するとともに、Ｙ方向、Ｚ方向、θｘ、θｙ、θｚに微小駆動する第１駆動系９０と、基板ステージ２及び第１駆動系９０をＹ方向にロングストロークで駆動する第２駆動系７３Ａ、７３Ｂとを備えている。これら第１駆動系９０、第２駆動系７３Ａ、７３Ｂの駆動は、制御装置４に制御される。
【００４４】
第２駆動系７３Ａはリニアモータを有しており、このリニアモータはＹ方向に延びる固定子７４Ａと、当該固定子７４Ａに対して駆動される可動子７５Ａとから構成される。なお、可動子７５Ａは、本実施形態の構成においてはＹ粗動ステージということもできる。可動子７５Ａは、内部に磁石７８を有している。磁石７８は、Ｙ軸方向に複数並んで取り付けられており、異なる磁極の磁石が交互に並んで配置されている。
【００４５】
図１に戻って、チャンバ装置６の内部には、清掃装置５０が設けられている。清掃装置５０は、例えばチャンバ装置６の内部の清掃を行う装置である。本実施形態では、清掃装置５０は、例えばステージ装置ＳＴ（基板ステージ２）の基板保持部ＷＨの保持面ＷＨａなどの清掃に用いられる。なお、基板保持部ＷＨの保持面ＷＨａに限られず、上記露光装置ＥＸのチャンバ装置６内の他の部位（例えば、マスクステージ１など）に対して清掃装置５０を用いて清掃を行うようにしても勿論構わない。
【００４６】
図３は、清掃装置５０の構成及び基板ステージ２の一部の構成を示す図である。  
清掃装置５０は、清掃部材５１及び本体部５２を有している。清掃部材５１は、例えばアルカンサスなどの材料を用いて形成された板状部材である。清掃部材５１は、例えばＺ方向視で矩形に形成されており、Ｘ方向の寸法及びＹ方向の寸法が例えば基板保持部ＷＨよりも小さく形成されている。清掃部材５１は、接続部材５３を介して本体部５２に接続されている。清掃部材５１のうち図３中−Ｚ側に形成される面５１ａは、異物を付着させる付着面５１ａとなっている。付着面５１ａは、ＸＹ平面に平行になるように平坦に形成されている。清掃部材５１は、内部に電極５１ｂを有している。電極５１ｂは、例えば清掃部材５１の厚さ方向（Ｚ方向）において付着面５１ａの近傍に設けられている。
【００４７】
電極５１ｂは、配線５１ｃを介して電圧源５１ｄに接続されている。電圧源５１ｄは、図３では例えば接続部材５３内部に設けられているが、これに限られることは無く、例えば接続部材５３の表面上に設けられた構成としても構わないし、接続部材５３から離れた位置に設けられた構成としても構わない。当該電圧源５１ｄによって、電極５１ｂに電圧が印加されるようになっている。また、電圧源５１ｄは、印加した電圧値を調整する電圧調整機構５１ｅを有している。電極５１ｂに電圧を印加することにより、付着面５１ａに静電力が発生するようになっている。実際には、付着面５１ａのみならず清掃部材５１の他の部位にも静電力が発生する場合もあるが、本実施形態においては少なくとも付着面５１ａに静電力を発生させることができれば良い。勿論、付着面５１ａとは異なる部位に静電力が発生することがあっても何ら差し支えはない。このように、電極５１ｂ、配線５１ｃ及び電圧源５１ｄは、付着面５１ａに静電力を付与する静電力付与装置５１ｆとして機能することとなる。
【００４８】
また、基板保持部ＷＨの内部には、第２電極ＷＨｂが設けられている。第２電極ＷＨｂは、配線ＷＨｃを介して電圧源ＷＨｄに接続されている。電圧源ＷＨｄは、例えば上記の電圧源５１ｄと同一の構成となっており、当該電圧源ＷＨｄによって、第２電極ＷＨｂに電圧が印加されるようになっている。また、電圧源ＷＨｄは、印加した電圧値を調整する電圧調整機構ＷＨｅを有している。電圧源ＷＨｄによって第２電極ＷＨｂに電圧を印加することにより、基板保持部ＷＨの保持面ＷＨａに静電力が発生するようになっている。清掃部材５１に静電力を発生させる場合と同様、実際には、保持面ＷＨａのみならず基板保持部ＷＨの他の部位にも静電力が発生する場合もあるが、少なくとも保持面ＷＨａに静電力を発生させることができれば良い。勿論、保持面ＷＨａとは異なる部位に静電力が発生することがあっても何ら差し支えはない。このように、第２電極ＷＨｂ、配線ＷＨｃ及び電圧源ＷＨｄは、保持面ＷＨａに静電力を付与する第２静電力付与装置ＷＨｆとして機能することとなる。
【００４９】
配線ＷＨｃ及び電圧源ＷＨｄは、図３に示すように、本実施形態では例えば基板ステージ２の内部に設けられているが、勿論この配置に限られることは無く、基板ステージ２の外部に設けられる構成としても構わないし、電圧源ＷＨｄと上記の電圧源５１ｄとを共通化させた構成としても構わない。
【００５０】
本体部５２は、接続部材５３、保持部材５４、壁部材５５、駆動機構５７及び回転機構５８を有している。接続部材５３は、清掃部材５１に対して＋Ｚ方向に延在する円柱状部材である。接続部材５３の＋Ｚ側の端部には、拡径部５３ａが設けられている。拡径部５３ａの＋Ｚ側端面には、駆動機構５７及び回転機構５８が接続されている。
【００５１】
保持部材５４は、例えば不図示のＸＹ移動機構を介して露光装置ＥＸの他の部位などに支持されている。壁部材５５は、保持部材５４に固定されており、駆動機構５７及び回転機構５８のほぼ全部と、接続部材５３の一部とを囲うように設けられている。接続部材５３と壁部材５５との間には、例えばベアリング部材５９が介挿されている。このため、保持部材５４及び壁部材５５と、接続部材５３との間では、当該ベアリング部材５９を介してＺ方向及びθＺ方向における相対移動が可能になっている。
【００５２】
駆動機構５７は、保持部材５４を基準として接続部材５３及び清掃部材５１をＺ方向に駆動する。駆動機構５７としては、例えばボイスコイルモータなどが用いられている。例えば本実施形態の駆動機構５７は、接続部材５３に設けられた固定子５７ｂと、当該固定子５７ｂの＋Ｙ側及び−Ｙ側に配置された一対の移動子５７ａとを有している。固定子５７ｂには例えばコイル部などが内蔵されており、移動子５７ａとしては例えば磁石が用いられている。駆動機構５７は、例えば固定子５７ｂのコイル部に電流を流すことにより、コイル部と移動子５７ａとの間でＺ方向の駆動力を発生させるようになっている。図３においては、駆動機構５７が拡径部５３ａ上のうち＋Ｙ側端部及び−Ｙ側端部に１つずつ配置された構成が示されているが、図３に示す構成に限られることは無く、例えば拡径部５３ａの外周に沿って複数配置された構成などとしても構わない。
【００５３】
回転機構５８は、モータなどの駆動源５８ａと、当該駆動源５８ａによる駆動力を伝達する軸部材５８ｂとを有している。駆動源５８ａは保持部材５４に固定されており、当該保持部材５４に対して軸部材５８ｂをθＺ方向に回転させる構成となっている。軸部材５８ｂは、接続部材５３に接続されている。このため、駆動源５８ａによる回転駆動力は、接続部材５３に伝達され、接続部材５３はこの回転駆動力によりθＺ方向に回転するようになっている。また、上記の不図示のＸＹ移動機構は、保持部材５４をＸＹ方向に移動させるようになっている。このため、ＸＹ方向には清掃装置５０の全体が移動するようになっている。
【００５４】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。  
第３空間５は、第１調整装置８によって、真空状態（第１の圧力値）に調整される。  
また、第４空間１５が、第２調整装置１７によって、第３空間５の圧力とほぼ同じか、または第３空間５の圧力より高く、かつ大気圧よりも低い圧力（第２の圧力値）に調整される。あるいは、第４空間１５が第３空間５よりも低い圧力に設定されるようにしてもよい。第１面１１と第２面１２とのギャップＧ１は、ギャップ調整機構３５によって所定量に調整されており、第１面１１と第２面１２との間に形成されたガスシール機構１０によって、第３空間５の内側にガスが流入することが抑制されている。これにより、第３空間５の真空状態、環境が維持される。
マスクＭがマスクステージ１に保持されるとともに、基板Ｐが基板ステージ２に保持される。このとき、例えば制御装置４は、電圧源ＷＨｄを作動させ、基板保持部ＷＨ内の電極ＷＨｂに電圧を印加させる。この動作により、基板保持部ＷＨには静電力が付与され、当該性電力によって基板Ｐが基板保持部ＷＨに保持されることになる。その後、制御装置４は、基板Ｐの露光処理を開始する。マスクＭを照明光で照明するために、制御装置４は、光源装置３の発光動作を開始する。
【００５５】
光源装置３の発光動作により光源装置３から射出されたＥＵＶ光は、照明光学系ＩＬに入射する。照明光学系ＩＬに入射したＥＵＶ光は、その照明光学系ＩＬを進行した後、第１開口９に供給される。第１開口９に供給されたＥＵＶ光は、照明光として、第１開口９を介してマスクステージ１に保持されているマスクＭに入射する。つまり、マスクステージ１に保持されているマスクＭは、光源装置３より射出され、照明光学系ＩＬを介した照明光（ＥＵＶ光）で照明される。マスクＭの反射面に照射され、その反射面で反射した照明光は、マスクＭのパターンの像の情報を含む露光光ＥＬとして第３空間５に配置されている投影光学系ＰＬに入射する。投影光学系ＰＬに入射した露光光ＥＬは、その投影光学系ＰＬを進行した後、基板ステージ２に保持されている基板Ｐに照射される。
【００５６】
制御装置４は、マスクＭのＹ軸方向への移動と同期して、第２駆動系７３Ａ、７３Ｂの駆動により基板ＰをＹ軸方向に走査移動しつつ、マスクＭを露光光ＥＬで照明する。これにより、基板Ｐは露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。そして、制御装置４は、第１駆動系９０の駆動による基板ＰのＸ軸方向へのステップ移動と、上記第２駆動系７３Ａ、７３Ｂの駆動による基板ＰのＹ軸方向への走査移動とを繰り返すことにより、基板ＰにマスクＭのパターンを露光する。
【００５７】
１枚の基板Ｐについての露光が終了すると、制御装置４は、基板ステージ２を基板搬入出部ＬＵへ移動させ、基板保持部ＷＨ内の電極ＷＨｂに印加されている電圧を解除させる。その後、搬送機構ＴＲを介して処理後の基板Ｐを回収させると共に、当該搬送機構ＴＲを介して新たな基板Ｐを基板ステージ２に搬入させる。以降、上記処理が繰り返され、複数枚の基板Ｐに対する露光処理が行われる。
【００５８】
上記露光処理を繰り返し行うにつれて、例えば基板ステージ２に異物などが付着する場合がある。このような異物が例えば基板保持部ＷＨなどに付着すると、当該基板保持部ＷＨを介して基板Ｐが汚染されてしまう可能性がある。このため、本実施形態では、清掃装置５０を用いてステージ装置ＳＴ（基板ステージ２）を定期的に清掃する。
【００５９】
図４から図９は、清掃装置５０を用いたステージ装置ＳＴの清掃の各工程を示す図である。  
本実施形態では、清掃装置５０の清掃部材５１に静電力を付与し（静電力付与工程）、当該静電力によって異物を清掃部材５１に付着させるようにする（付着工程）。
【００６０】
静電力付与工程では、まず制御装置４は、基板保持部ＷＨ内の電極ＷＨｂに電圧が印加されていない状態にしておく。この状態から、図４に示すように、清掃装置５０に設けられた清掃部材５１と基板保持部ＷＨの保持面ＷＨａとを当接させ、この状態で基板ステージ２を移動させる（移動工程）。この動作により、図５に示すように、清掃部材５１によって保持面ＷＨａ上に付着した異物ＡＳが当該保持面ＷＨａから剥ぎ取られ、例えば保持面ＷＨａ上に残留する（剥離工程）。
【００６１】
次に、図６に示すように、制御装置４は、駆動機構５７を作動させ、清掃部材５１を＋Ｚ方向に移動させて保持面ＷＨａと付着面５１ａとの間を空けるようにする。清掃部材５１を移動させた後、制御装置４は、基板ステージ２を清掃部材５１の−Ｚ側に移動させ、基板保持部ＷＨの保持面ＷＨａと清掃部材５１の付着面５１ａとを対向させる。この状態で、制御装置４は、電圧源５１ｄを作動させ、清掃部材５１の内部に設けられた電極５１ｂに対して電圧を印加させる。電極５１ｂに電圧が印加されることにより、清掃部材５１の付着面５１ａの電荷が移動し、付着面５１ａには静電力が付与されることになる。
【００６２】
付着工程では、付着面５１ａに付与された静電力により、保持面ＷＨａ上に残留した異物ＡＳは、清掃部材５１側に引き寄せられ、清掃部材５１の付着面５１ａに付着する。なお、静電力付与工程又は付着工程において、制御装置４は、例えば異物ＡＳの付着の程度に応じて電極５１ｂに印加される電圧を調整し、付与される静電力の強さを調整するようにしても構わない（調整工程）。
【００６３】
付着面５１ａに異物ＡＳを付着させた後、当該異物ＡＳを回収する工程（異物回収工程）に移る。異物回収工程では、上記の基板Ｐとは異なる回収用基板Ｇ（図７参照）を介して異物ＡＳを回収する。この回収用基板Ｇとしては、例えばガラスなど、絶縁体を含んで構成された基板を用いることが好ましい。ガラスを用いることにより、回収用基板Ｇ内の電荷の移動を遅くすることができるため、静電力を長く維持することができる。
【００６４】
制御装置４は、まず基板ステージ２を図７に示す基板搬入出部ＬＵに移動させ、搬送機構ＴＲを介して基板保持部ＷＨの保持面ＷＨａに回収用基板Ｇを載置させる。その後、制御装置４は、基板保持部ＷＨ内の電極ＷＨｂに電圧を印加させ、発生する精電力によって回収用基板Ｇを吸着させて保持させる（保持工程）。
【００６５】
その後、図７に示すように、制御装置４は、基板ステージ２を清掃部材５１の−Ｚ側の保持位置ＨＰまで移動させ、回収用基板Ｇの＋Ｚ側に清掃部材５１が配置された状態にする（清掃部材配置工程）。回収用基板Ｇは、静電力によって保持されているため、基板ステージ２の移動によっても位置ずれを起こすことは無い。基板ステージ２を移動させた後、制御装置４は、電圧源５１ｄを作動させて清掃部材５１内の電極５１ｂへの電圧の印加を解除する。電極５１ｂへの電圧印加が解除されると、付着面５１ａに生じていた静電力が減衰あるいは消失する。このため、付着面５１ａに付着していた異物ＡＳは、自重により、あるいは、基板保持部ＷＨ側の静電力が作用することにより、清掃部材５１の−Ｚ側に配置されている回収用基板Ｇ上に落下する（異物落下工程）。
【００６６】
基板保持部ＷＨの保持面ＷＨａには静電力が付与されており、回収用基板Ｇが保持面ＷＨａに吸着されて保持されることで、回収用基板Ｇには、当該保持面ＷＨａを介して静電力が付与された状態になっている（第２静電力付与工程）。この静電力により、付着面５１ａから落下した異物ＡＳは回収用基板Ｇに吸着されることになる（第２付着工程）。
【００６７】
この状態で、制御装置４は、図８に示すように、基板ステージ２を保持位置ＨＰから基板搬入出部ＬＵに移動させる。回収用基板Ｇ及び当該回収用基板Ｇ上の異物ＡＳはそれぞれ静電力によって吸着されているため、基板ステージ２の移動中であっても例えば回収用基板Ｇが位置ずれしたり、異物ＡＳが落下したり巻き上げられたりすることは無い。
【００６８】
基板ステージ２を基板搬入出部ＬＵに移動させた後、電圧調整機構ＷＨｅにより、第２電極ＷＨｂへ印加する電圧を低下させる。この場合に第２電極ＷＨｂに印加する電圧としては、例えば回収用基板Ｇの吸着状態が解除されれば十分であるが、これに加えて、回収用基板Ｇ上の異物ＡＳが回収用基板Ｇへ吸着されたままとなるような電圧値であればより好ましい。
【００６９】
第２電極ＷＨｂに印加する電圧を調整した後、図９に示すように、例えば搬送機構ＴＲによって、保持面ＷＨａに保持された回収用基板Ｇを、基板搬入出部ＬＵからチャンバ装置６の外部へ搬出する。このようにして回収用基板Ｇを搬出することにより、当該回収用基板Ｇごと異物ＡＳがチャンバ装置６の外部に回収されることになる（基板回収工程）。
【００７０】
本実施形態では、異物回収工程における保持工程及び基板回収工程は、上記の基板Ｐの保持及び回収と同一の構成要素であるステージ装置ＳＴ（基板ステージ２）、基板搬入出部ＬＵ及び搬送機構ＴＲを用いることができる。したがって、本実施形態では、これらステージ装置ＳＴ（基板ステージ２）、基板搬入出部ＬＵ及び搬送機構ＴＲが、そのまま回収装置として機能することになる。勿論、回収用基板Ｇの専用の構成を別途設けても構わない。
【００７１】
以上のように、本実施形態によれば、基板Ｐを保持する基板保持部ＷＨ上を清掃する清掃部材５１と、基板保持部ＷＨ上の異物ＡＳが清掃部材５１に付着するように当該清掃部材５１に静電力を付与する静電力付与装置ＷＨｆとを備える清掃装置５０を用いることにより、異物ＡＳを清掃部材５１に静電吸着させることができる。これにより、異物ＡＳの飛散を回避することができる。
【００７２】
また、本実施形態によれば、基板Ｐを露光する露光装置ＥＸが、基板Ｐを保持する基板保持部ＷＨと、当該基板保持部ＷＨを清掃する上記清掃装置５０とを備えることとしたので、露光装置ＥＸ内の環境を清浄に保持しつつ基板ステージ２を清掃することができる。これにより、基板Ｐなどが異物によって汚染されるのを回避することができるため、露光不良の発生を防ぐことができる。
【００７３】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、ＥＵＶ光を用いて基板Ｐを露光する構成となっており、上記のようにチャンバ装置６内を大気圧に対して減圧した空間として用いられる。本実施形態に係る清掃装置５０は、チャンバ装置６の内部に予め配置されており、しかもチャンバ装置６内の空間を減圧した状態においても基板ステージ２を清掃することができるため、例えば清掃時にはチャンバ装置６内の減圧環境を一旦解除しその後の露光動作の開始時に再びチャンバ装置６内に減圧環境を復帰させる、といった工程を省くことができる。
【００７４】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記実施形態においては、静電力付与工程では剥離工程の後に清掃部材５１に静電力を付与し、第２静電力付与工程では回収用基板Ｇの搬入時から回収用基板Ｇに静電力を付与する構成としたが、これに限られることは無い。
【００７５】
例えば静電力付与工程では、剥離工程の前に清掃部材５１に静電力を付与し、この状態で剥離工程を行うようにしても構わない。この場合、保持面ＷＨａから剥離した異物ＡＳが静電力によって清掃部材５１に付着することになるため、剥離工程と同時に付着工程を行うことができる。
【００７６】
また、第２静電力付与工程については、例えば清掃部材５１が回収用基板Ｇの＋Ｚ側に配置された時に一旦回収用基板Ｇの静電力を解除し、清掃部材５１から回収用基板Ｇに異物ＡＳを自重によって落下させた後に、改めて回収用基板Ｇに静電力を付与させて異物ＡＳを吸着させるようにしても構わない。この場合、異物ＡＳが落下する間、第２電極ＷＨｂには電圧が印加されないため、その分の消費電力を抑えることができる。
【００７７】
また、上記実施形態においては、清掃装置５０によって清掃する対象として、基板ステージ２を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えばマスクステージ１を清掃の対象としても本発明の適用は可能である。この場合、清掃装置５０を例えば基板ステージ２とマスクステージ１との間で移動可能にしておき、必要に応じていずれのステージ装置ＳＴに対してもアクセス可能な構成とすることもできる。
【００７８】
また、上記実施形態では、基板回収工程において、ガラスから構成された回収用基板Ｇを介して異物を回収する動作を行う説明をしたが、これに限られることは無く、他の回収用基板を用いても構わない。他の回収用基板としては、例えばガラスの他に樹脂材料から構成された回収用基板を用いても構わないし、例えば基板保持部ＷＨを洗浄する際に用いる基板を回収用基板として用いても構わない。
【００７９】
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００８０】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明は基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００８１】
また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。
【００８２】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００８３】
また、本実施形態においては、露光光ＥＬがＥＵＶ光である場合を例にして説明したが、露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等を用いることもできる。その場合、第１空間５は必ずしも真空状態に調整される必要はなく、例えば第１空間５を第１のガスで満たすことができる。第１空間５を第１のガスで満たす場合、第１のガスが満たされた第１空間５の環境を維持するために、本実施形態のガスシール機構１０を用いることができる。また、第２部材１６で形成される第２空間１５を第２のガスで満たすことができる。
【００８４】
また、本発明は、基板ステージ（ウエハステージ）が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号（対応米国特許５，９６９，４４１号）或いは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願２００４−１６８４８１号のウエハステージに適用してもよい。
【００８５】
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００８６】
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１０は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００８７】
まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
【００８８】
次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００８９】
図１１は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。  
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００９０】
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００９１】
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。
【符号の説明】
【００９２】
ＥＸ…露光装置  Ｐ…基板  ＳＴ…ステージ装置  ＬＵ…基板搬入出部  ＴＲ…搬送機構  ＷＨ…基板保持部  Ｇ…回収用基板  ２…基板ステージ  ４…制御装置  ６…チャンバ装置  ５０…清掃装置  ５１…清掃部材  ５１ｆ…静電力付与装置  ５２…本体部
【図１】
2011109041.tif 000003
【図２】
2011109041.tif 000004
【図３】
2011109041.tif 000005
【図４】
2011109041.tif 000006
【図５】
2011109041.tif 000007
【図６】
2011109041.tif 000008
【図７】
2011109041.tif 000009
【図８】
2011109041.tif 000010
【図９】
2011109041.tif 000011
【図１０】
2011109041.tif 000012
【図１１】
2011109041.tif 000013