(57)【要約】【課題】１つのパッケージで２種類以上の異なる特性を得られる半導体装置及びその製造方法を提供すること【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、異なる特性を持つトランジスタ素子２とトランジスタ素子３を搭載している。また、当該半導体装置は、トランジスタ素子２及び３を覆う絶縁パッケージ８と、絶縁パッケージ８から外部に伸び、トランジスタ素子２及び３の端子に電気的に接続されたアウターリード６ａ〜６ｆを備えている。前記アウターリードは、各トランジスタ素子のコレクタに接続されたアウターリード６ａ、６ｂの第１アウターリード対、エミッタに接続されたアウターリード６ｃ、６ｄの第２アウターリード対と、ベースに接続されたアウターリード６ｅ、６ｆの第３アウターリード対を有する。当該アウターリード対の端点は、それぞれ半導体装置からの上面視において点対称な位置にある。【選択図】  図１
2011228431.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体素子と、
前記第１の半導体素子と異なる特性を持った第２の半導体素子と、
前記第１及び第２の半導体素子を覆う絶縁パッケージと、
前記絶縁パッケージから外部に伸び、前記第１及び第２の半導体素子の各端子に電気的に接続されたアウターリードと、
を備えた半導体装置において、
前記アウターリードが
前記第１及び第２の半導体素子の第１端子に接続された第１アウターリード対と、
前記第１及び第２の半導体素子の第２端子に接続された第２アウターリード対と、
前記第１及び第２の半導体素子の第３端子に接続された第３アウターリード対と、
を有しており、
前記第１から第３のアウターリード対の端点がそれぞれ上面視においてほぼ対称な位置に配置されている半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１から第３のアウターリード対の端点が上面視においてほぼ点対称の位置にある半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記絶縁パッケージの外形が上面視においてほぼ点対称となる半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１から第３のアウターリード対の端点が上面視においてほぼ線対称の位置にある半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記絶縁パッケージの外形が上面視においてほぼ線対称となる半導体装置。
【請求項６】
請求項４または５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１半導体素子に接続されているアウターリードは前記絶縁パッケージの側面から下方向に伸び、
前記第２半導体素子に接続されているアウターリードは前記絶縁パッケージの側面から上方向に伸びているように形成された半導体装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置において、
当該半導体装置の向きを識別するためのマークが当該半導体装置に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体装置を用意して、
前記半導体装置の収納の際に、キャリアテープに設けられた貫通孔に前記半導体装置を入れ、前記キャリアテープの前記貫通孔の両面を覆うようにカバーテープをテーピングし、
前記半導体装置を基板に実装する際に、実装する側と反対側の前記カバーテープを剥がして前記キャリアテープから前記半導体装置を取り出す半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
１個の電子部品のパッケージを回転させても当該電子部品が使える従来技術は、特許文献１に開示されている。この特許文献１においては、同じ特性の半導体発光素子をリードフレームの基部に搭載し、各半導体チップのアノード側に接続されたアウターリードを、それぞれ樹脂パッケージの中心に対して点対称に配置している。各半導体チップのカソード側に接続されたアウターリードに関しても、同様に樹脂パッケージの中心に対して点対称に配置している。これにより、樹脂パッケージを１８０°回転させて取り付けても、反転させずに取り付けた場合と同様の特性で使用可能としている。この特許文献１に記載した発光ダイオードは、内蔵された複数の光半導体素子の特性が同じであることから、樹脂パッケージを１８０°回転させて取り付けても、発光ダイオードの特性は変わらない。
【０００３】
ところで、Ｄ−ＴＶ（デジタルテレビ）やＬＮＡ（低雑音増幅器）等に使用される中出力トランジスタは、用途により高利得タイプ、低歪タイプ等の特性の異なるトランジスタを使い分けている。現在のトランジスタは１個で１種類の特性しか得られないため、Ｄ−ＴＶやＬＮＡ等を製造する際には、２種類以上のトランジスタを在庫として確保しておく必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−５７０７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、１つの半導体装置（パッケージ）に特性の異なるトランジスタを設けて、一方のみを利用することで、在庫の種類を少なくすることができるようになる。すなわち、半導体装置に設けられた特性の異なるトランジスタを選択して用いることで、同じタイプの半導体装置のみ在庫として保有しておけばよくなる。この場合、選択するトランジスタのリードと、基板配線を接続する必要がある。
【０００６】
しかしながら、異なる特性のトランジスタに接続されているリードの位置は一般に異なっている。従って、特許文献１に示されているように当該半導体装置のパッケージを回転させて基板配線と接続しようとすると、接続するリードの位置が回転する前と変わってしまうという問題が一般に発生する。この場合、トランジスタの特性ごとに、基板上の配線の位置を変えたり、リードと配線との接続構成を変更したりする必要が生じてしまう。従って、そのような半導体装置を単純に回転させただけでは、１つのパッケージで２種類以上の異なった特性を得ることができない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明にかかる半導体装置においては、以下のものを備えている。第１及び第２の半導体素子（例えば、本発明の実施の形態１及び２における、トランジスタ素子２及び３）と、前記第１及び第２の半導体素子を覆う絶縁パッケージ（例えば、本発明の実施の形態１及び２における絶縁パッケージ８）と、前記絶縁パッケージから外部に伸び、前記第１及び第２の半導体素子の各端子に電気的に接続されたアウターリード（例えば、本発明の実施の形態１及び２におけるアウターリード６ａ〜６ｆ）である。前記第１及び第２の半導体素子はそれぞれ異なる特性に設定されている。前記アウターリードは、前記第１及び第２の半導体素子の第１端子に接続された第１アウターリード対（例えば、本発明の実施の形態１及び２におけるアウターリード６ａ、アウターリード６ｂ）と、前記第１及び第２の半導体素子の第２端子に接続された第２アウターリード対（例えば、本発明の実施の形態１及び２におけるアウターリード６ｃ、アウターリード６ｄ）と、前記第１及び第２の半導体素子の第３端子に接続された第３アウターリード対（例えば、本発明の実施の形態１及び２におけるアウターリード６ｅ、アウターリード６ｆ）を有している。前記第１、第２及び第３アウターリード対の端点は、当該半導体装置の上面視において対称な位置に配置されている。このような構成により、当該半導体装置の接地面を固定しながら当該半導体装置を１８０°回転させるか、当該半導体装置の表裏を反転させることによって、異なる特性のトランジスタ素子を任意に選択し、基板に実装することができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明により、１つのパッケージで２種類以上の異なった特性を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態１にかかる内部構造平面図である。
【図２】実施の形態１にかかる外形図である。
【図３】実施の形態２にかかる内部構造平面図である。
【図４】実施の形態２にかかる外形図である。
【図５】実施の形態２にかかる、半導体装置の上下を反転させた外形図である。
【図６】実施の形態２にかかる、半導体装置の製造方法に関する断面図である。
【図７】実施の形態２にかかる、半導体装置の外部にあるリードの形状を変化させた外形図である。
【図８】実施の形態２にかかる、半導体装置の外部にあるリードの形状を変化させた外形図である。
【図９】実施の形態１において、半導体素子を４個搭載した半導体装置の内部構造平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
発明の実施の形態１．
まず、図１を用いて、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の内部構造について説明する。当該半導体装置は、図１に示されるように、半導体チップ１をリードフレームのダイパッド４に搭載している。その半導体チップ１とインナーリード５ａ〜５ｄはボンディングワイヤ７ａ〜７ｄでそれぞれ接続されている。半導体チップ１、ダイパッド４、インナーリード５ａ〜５ｄとボンディングワイヤ７ａ〜７ｄは直方体の絶縁パッケージ８で封止されている。絶縁パッケージ８は、例えばエポキシ等の樹脂からなり、固化されている。
【００１１】
半導体チップ１は特性の異なる２種類のトランジスタ素子２及びトランジスタ素子３を内蔵している。例えば、トランジスタ素子２及び３は、コレクタ、エミッタ、ベースの３端子を備えたバイポーラトランジスタである。より具体的には、トランジスタ素子２、３はＤ−ＴＶやＬＮＡに用いられる中出力のトランジスタであり、トランジスタ素子２が高利得、３が低歪の特性を持っている。半導体チップ１はリードフレームのダイパッド４にダイボンディングされている。
【００１２】
半導体チップ１の裏面は、電気的にアウターリード６ａ及び６ｂと接続されている。各トランジスタ素子２及び３と各アウターリード６ａ〜６ｆは、この例では次のように接続されている。半導体チップ１の裏面がトランジスタ素子２及び３のコレクタに接続されることで、トランジスタ素子２のコレクタが電気的にアウターリード６ａに接続され、トランジスタ素子３のコレクタは電気的にアウターリード６ｂに接続されている。このトランジスタ素子２及び３のコレクタに接続されたアウターリード６ａとアウターリード６ｂを、第１アウターリード対とする。トランジスタ素子２のエミッタは、ボンディングワイヤ７ａでインナーリード５ａと接続されることで、アウターリード６ｃと接続されている。トランジスタ素子３のエミッタは、ボンディングワイヤ７ｂでインナーリード５ｂと接続されることで、アウターリード６ｄと接続されている。このトランジスタ素子２及び３のエミッタに接続されたアウターリード６ｃとアウターリード６ｄを、第２アウターリード対とする。トランジスタ素子２のベースは、ボンディングワイヤ７ｃでインナーリード５ｃと接続されることで、アウターリード６ｅと接続されている。トランジスタ素子３のベースは、ボンディングワイヤ７ｄでインナーリード５ｄと接続されることで、アウターリード６ｆと接続されている。このトランジスタ素子２及び３のベースに接続されたアウターリード６ｅとアウターリード６ｆを、第３アウターリード対とする。
【００１３】
続いて、図２を用いて、本発明の実施の形態１の外形について説明する。トランジスタ素子２及び３に電気的に接続されたアウターリード６ａ〜６ｆは、封止された絶縁パッケージ８の側面から引き出されている。一方の側面からはアウターリード６ｄ、６ａ、６ｆが引き出され、他方の側面からはアウターリード６ｅ、６ｂ、６ｃが引き出されている。アウターリード６ａ〜６ｆは、絶縁パッケージ８の上面視において点対称に配置されており、Ｇｕｌｌ−Ｗｉｎｇ（ガルウイング）状に屈曲されて形成されている。詳しく説明すると、アウターリード６ａ〜６ｆは、絶縁パッケージ８の両側にそれぞれ突出して屈曲され、下向きに伸ばされている。さらにアウターリード６ａ〜６ｆの先端部は、絶縁パッケージ８から離れる方向に伸びるように屈曲されている。
【００１４】
絶縁パッケージ８の表面、裏面またはその両面には、捺印文字９または位置認識マーク１０または、その両方が形成されている。図２では、絶縁パッケージ８の上面に捺印文字９及び位置認識マーク１０が形成されている。捺印文字９は、図２において右から見て「ＡＢＣ」と読める状態で上面に記されてあり、左から見ると上下反対になっている。位置認識マーク１０は、当該半導体装置の上面の右下に小さい丸がつけられてある。
【００１５】
ここで、絶縁パッケージ８において、捺印文字９及び位置認識マーク１０が設けられた上面とは反対側の面を接地面とする。そして当該半導体装置を、当該接地面を固定した状態で１８０°回転する。すなわち、絶縁パッケージ８の上面と垂直で、上面の中心を通る直線を回転軸として、当該半導体装置を１８０°回転することを行う。すると、トランジスタ素子２及び３のコレクタに接続された前述の第１アウターリード対、トランジスタ素子２及び３のエミッタに接続された第２アウターリード対、トランジスタ素子２及び３のベースに接続された第３アウターリード対の、対になっているリードの位置がそれぞれ入れ替わる。つまり図２においては、アウターリード６ａとアウターリード６ｂの位置が、アウターリード６ｃとアウターリード６ｄの位置が、アウターリード６ｅとアウターリード６ｆの位置がそれぞれ入れ替わることになる。これは、絶縁パッケージ８の上面視において第１、第２及び第３のアウターリード対が点対称に配置されていることの結果である。
【００１６】
このように、当該接地面を固定した状態で当該半導体装置を１８０°回転することで、基板配線につなぐトランジスタ素子を、高利得のトランジスタ素子２もしくは低歪のトランジスタ素子３の中から、基板配線を変更することなく任意に選択し実装可能とする。例えば、図２においてアウターリード６ａ、６ｃ及び６ｅが基板配線に接続されるとしたとき、基板配線に接続されるトランジスタ素子は高利得タイプのものになる。このとき、捺印文字９は当該半導体装置の上面にあり、右から見て「ＡＢＣ」と読める状態となり、左から見ると上下反対になっている。また、位置認識マーク１０は、当該半導体装置の上面の右下に小さい丸がつけられている。この状態から、当該接地面を固定した状態で当該半導体装置を１８０°回転し、基板配線に接続することを考える。このとき、基板配線に接続されるアウターリードは６ｂ、６ｄ及び６ｆとなり、基板配線に接続されるトランジスタ素子は低歪タイプのものになる。また、その状態では、当該半導体装置の上面視において、捺印文字９は左から見て「ＡＢＣ」と読め、右から見ると上下反対になっている。位置認識マーク１０は、当該半導体装置の上面の右下から、上面の左上に移動する。この捺印文字９の向き、位置認識マーク１０の位置もしくはその両方を見分けることで、高利得タイプのトランジスタ及び低歪タイプのトランジスタの中から、基板配線に接続するいずれか一方のタイプのトランジスタを任意に選択することができる。ここから、Ｄ−ＴＶやＬＮＡ等において基板に配線する中出力トランジスタの特性を、基板配線を変更することなく、当該半導体装置の接地面を固定した状態で１８０°回転することで、任意に選択することができる。
【００１７】
また、１つの半導体装置で２種類の特性が出せることから、２種類の半導体装置の在庫を１種類の半導体装置の在庫で置き換えることができる。このため、半導体装置の在庫の種類を減らすことが可能になる。
【００１８】
発明の実施の形態２．
次に図３を用いて、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の内部構造について説明する。当該半導体装置も実施の形態１での半導体装置と同様に、半導体チップ１をリードフレームのダイパッド４に搭載している。なお、実施形態１と同様の構成については、適宜説明を省略する。
【００１９】
半導体チップ１は特性の異なる２種類のトランジスタ素子２及びトランジスタ素子３を内蔵している。この例では、トランジスタ素子２及び３はコレクタ、エミッタ、ベースの３端子を備えたバイポーラトランジスタであり、トランジスタ素子２は高利得の特性を、トランジスタ素子３は低歪の特性を持っている。半導体チップ１はリードフレームのダイパッド４にダイボンディングされている。
【００２０】
半導体チップ１の裏面は、電気的にアウターリード６ａ及び６ｂと接続されている。各トランジスタ素子２及び３と各アウターリード６ａ〜６ｆは、この例では次のように接続されている。半導体チップ１の裏面がトランジスタ素子２及び３のコレクタに接続されることで、トランジスタ素子２のコレクタが電気的にアウターリード６ａに接続され、トランジスタ素子３のコレクタは電気的にアウターリード６ｂに接続されている。このトランジスタ素子２及び３のコレクタに接続されたアウターリード６ａとアウターリード６ｂを、第１アウターリード対とする。トランジスタ素子２のエミッタは、ボンディングワイヤ７ａでインナーリード５ａと接続されることで、アウターリード６ｃと接続されている。トランジスタ素子３のエミッタは、ボンディングワイヤ７ｂでインナーリード５ｂと接続されることで、アウターリード６ｄと接続されている。このトランジスタ素子２及び３のエミッタに接続されたアウターリード６ｃとアウターリード６ｄを、第２アウターリード対とする。トランジスタ素子２のベースは、ボンディングワイヤ７ｃでインナーリード５ｃと接続されることで、アウターリード６ｅと接続されている。トランジスタ素子３のベースは、ボンディングワイヤ７ｄでインナーリード５ｄと接続されることで、アウターリード６ｆと接続されている。このトランジスタ素子２及び３のベースに接続されたアウターリード６ｅとアウターリード６ｆを、第３アウターリード対とする。
【００２１】
続いて、図４を用いて、本発明の実施の形態２の外形について説明する。図４は、当該半導体装置の上面斜視図である。トランジスタ素子２及び３に電気的に接続されたアウターリード６ａ〜６ｆは、封止された絶縁パッケージ８の側面から引き出されている。アウターリード６ａ〜６ｆは、絶縁パッケージ８の上面視において線対称に配置されており、屈曲されて形成されている。詳しく説明すると、アウターリード６ａ、６ｃ及び６ｅは、絶縁パッケージ８の両側にそれぞれ突出して屈曲され、下向きに伸ばされている。さらにアウターリード６ａ、６ｃ及び６ｅの先端部は、絶縁パッケージ８から離れる方向に伸びるように屈曲されている。アウターリード６ｂ、６ｄ及び６ｆは、絶縁パッケージ８の両側にそれぞれ突出して屈曲され、上向きに伸ばされている。さらにアウターリード６ｂ、６ｄ及び６ｆの先端部は、絶縁パッケージ８から離れる方向に伸びるように屈曲されている。
【００２２】
絶縁パッケージ８の表面、裏面またはその両面には、捺印文字９または位置認識マーク１０または、その両方が形成されている。この場合には、捺印文字９は当該半導体装置の上面にある。「ＡＢＣ」と記された捺印文字９は右から見て読める状態となっており、左から見ると上下反対になっている。位置認識マーク１０に関しては、当該半導体装置の上面視において、表面の右下に小さい丸がつけられてある。また本実施の形態では図５に示すように、下面にも捺印文字９と位置認識マーク１０が設けられている。なお、図５は当該半導体装置の背面斜視図である。背面視においては、下面に「ＸＹＺ」と記された捺印文字９は右から見て読める状態となっており、左から見ると上下反対になっている。位置認識マーク１０に関しては、下面の右下に小さい四角がつけられてある。捺印文字９と位置認識マーク１０を設けることで、表裏を識別することができるようになる。
【００２３】
図４に示した状態の半導体装置の、表裏を反転すると図５に示すようになる。すると図５の当該半導体装置においては、トランジスタ素子２と３のコレクタに接続された第１アウターリード対、トランジスタ素子２と３のエミッタに接続された第２アウターリード対、トランジスタ素子２と３のベースに接続された第３アウターリード対の、対になっているリードの位置が図４での当該半導体装置の場合とそれぞれ入れ替わる。つまり図４と図５においては、アウターリード６ａとアウターリード６ｂの位置が、アウターリード６ｃアウターリード６ｄの位置が、アウターリード６ｅとアウターリード６ｆの位置がそれぞれ入れ替わることになる。これは、当該半導体装置の上面視において第１、第２及び第３のアウターリード対が線対称に配置されていることの結果である。
【００２４】
これにより、当該半導体装置の表裏を反転することで、基板配線につなぐトランジスタ素子を、高利得のトランジスタ素子２もしくは低歪のトランジスタ素子３の中から、搭載基板配線を変更することなく任意に選択可能とした。例えば、図４においてアウターリード６ａ、６ｃ及び６ｅが基板配線に接続されるとしたとき、基板配線に接続されるトランジスタ素子は高利得タイプのものになる。この状態から、当該半導体装置の表裏を反転し、基板配線に接続したものが図５である。このとき、基板配線に接続されるアウターリードは６ｂ、６ｄ及び６ｆとなり、基板配線に接続されるトランジスタ素子は低歪タイプのものになる。捺印文字９の文字の種類、位置認識マーク１０の形状もしくはその両方を見分けることで、基板配線に接続するトランジスタを、高利得か低歪の特性を持ったものの中から任意に選択することができる。ここから、Ｄ−ＴＶやＬＮＡ等における中出力トランジスタの特性を、基板配線を変更することなく当該半導体装置の表裏を反転することで、任意に選択することができる。つまり、当該半導体装置を図４に示す状態で基板配線に接続することで基板配線に高利得タイプのトランジスタ素子が接続できるとすると、低歪タイプのトランジスタ素子を接続するためには、当該半導体装置を図５に示す状態で基板配線に接続すればよい、ということになる。また、１つの半導体装置で２種類の特性が出せることから、２種類の半導体装置の在庫を１種類の半導体装置の在庫で置き換えることができる。このため、半導体装置の在庫の種類を減らすことが可能になる。
【００２５】
また図６の断面図を用いて、実施の形態２における半導体装置の収納の説明を行う。まず、当該半導体装置１１を、キャリアテープ１２に設けられた貫通孔の中に入れる。次に、ほぼ透明なカバーテープ１３を、キャリアテープ１２に設けられた貫通孔を両面とも覆うようにテーピングする。これにより、当該半導体装置１１は両面ともに包装される。当該半導体装置１１を基板実装する際には、当該半導体装置１１において実装する側と反対側のカバーテープ１３を剥がして、取り出す。そして当該半導体装置１１を基板配線に実装する。このとき、カバーテープ１３はほぼ透明であることから、前述の捺印文字９、位置認識マーク１０もしくはその両方を見ることができる。これにより、当該半導体装置の基板に実装する側を確認しながらカバーテープを剥がすことができるので、当該半導体装置の表裏を間違えて実装する可能性を減らすことができる。これは、当該半導体装置の基板に実装する側を確認して当該半導体装置を取り出した後、当該半導体装置を実装するまでの間に、当該半導体装置を反転させる必要がないことから生ずる結果である。
【００２６】
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば実施の形態１及び２の半導体装置において、絶縁パッケージ８の外形を直方体でなく菱形柱や円柱等にしてもよい。要するに、実施の形態１及び２の半導体装置において、絶縁パッケージ８の外形が対称なものであれば適用可能である。例えば、高利得のトランジスタ素子を基板配線に接続した際、その接続場所の近傍に他の半導体装置や回路が存在する場合があるとする。その際、絶縁パッケージ８が対称な外形でないとすると、低歪のトランジスタ素子を基板配線に接続する際、絶縁パッケージ８が近傍の半導体装置や回路に接触し、それらの働きに支障をきたすことがありえる。しかし、絶縁パッケージ８が対称な外形であれば、高利得のトランジスタ素子を基板配線に接続する際の絶縁パッケージ８の外形と、低歪のトランジスタ素子を基板配線に接続する際の絶縁パッケージ８の外形が同じになる。つまり、当該半導体装置においては、近傍の半導体装置や回路に接触することなく、低歪のトランジスタ素子を基板配線に接続することができる。
【００２７】
また、トランジスタ素子３を高利得の特性を持つトランジスタにし、トランジスタ素子２を低歪の特性を持つトランジスタにしてもよい。または、トランジスタ素子２のコレクタ、エミッタ、ベースをそれぞれアウターリードの６ｂ、６ｄ、６ｆに接続し、トランジスタ素子３のコレクタ、エミッタ、ベースをそれぞれアウターリードの６ａ、６ｃ、６ｅに接続してもよい。要するに、当該半導体装置においてトランジスタ素子２及び３のコレクタが接続されているアウターリード対、トランジスタ素子２及び３のエミッタが接続されているアウターリード対、トランジスタ素子２及び３のベースが接続されているアウターリード対が、それぞれパッケージの上面視において対称の関係にあれば適用可能である。基板配線を変更することなく、特性の異なるトランジスタ素子２または３を任意に選択して基板に実装できるという、同様の効果が得られるからである。
【００２８】
また、実施の形態１及び２の半導体装置において、アウターリードの形状を図２や図４から変更したものにしてもよい。例えば実施の形態２の半導体装置で、内部構造が図３のままであり、図７のように、図４とは基板に接触するアウターリードの形状を変えたものが１例としていえる。図７においては、アウターリード６ａ、６ｃ及び６ｅは、絶縁パッケージ８の両側にそれぞれ突出して屈曲され、下向きに伸ばされている。さらにアウターリード６ａ、６ｃ及び６ｅの先端部は、絶縁パッケージ８に近づく方向に伸びるように屈曲されている。アウターリード６ｂ、６ｄ及び６ｆは、絶縁パッケージ８の両側にそれぞれ突出して屈曲され、上向きに伸ばされている。さらにアウターリード６ｂ、６ｄ及び６ｆの先端部は、絶縁パッケージ８に近づく方向に伸びるように屈曲されている。さらには、図８に示すようなアウターリードの形状の半導体装置を用いてもよい。図８においては、アウターリード６ａ、６ｃ及び６ｅは、絶縁パッケージ８の両側にそれぞれ突出して屈曲され、下向きに伸ばされている。アウターリード６ａの先端部は、絶縁パッケージ８から離れる方向に伸びるように屈曲され、アウターリード６ｃ及び６ｅの先端部は絶縁パッケージ８に近づく方向に伸びるように屈曲されている。またアウターリード６ｂ、６ｄ及び６ｆは、絶縁パッケージ８の両側にそれぞれ突出して屈曲され、上向きに伸ばされている。アウターリード６ｂの先端部は、絶縁パッケージ８から離れる方向に伸びるように屈曲され、アウターリード６ｄ及び６ｆの先端部は絶縁パッケージ８に近づく方向に伸びるように屈曲されている。要するに、実施の形態１の半導体装置の接地面を固定して１８０°回転を行うか、実施の形態２の半導体装置の表裏を反転した場合に、アウターリードの端点が前の端点の位置とほぼ同一の位置にくるような当該半導体装置の形成であれば適用可能である。その場合でも当該半導体装置を動かすことで特性の異なるトランジスタ素子を任意に選択し実装可能とする、同様の効果を得ることができるからである。
【００２９】
また、発明の実施の形態１及び２においては、捺印文字９、位置認識マーク１０またはその両方によって取り付け向きを識別したが、絶縁パッケージ８の形状を少し変えることによって取り付け向きを識別してもよい。例えば、実施の形態１の半導体装置において、図２の上面の右下にある位置認識マーク１０の代わりに、絶縁パッケージの上面右下の部分を丸く整形することや切り欠くことで識別してもよい。要するに、実施の形態１の半導体装置の接地面を固定して１８０°回転を行うか、実施の形態２の半導体装置の表裏を反転する場合に、当該動作の前後において、当該半導体装置の外形に何かしらの違いが生ずるような措置を行えば適用可能である。その場合でも当該半導体装置を動かすことで特性の異なるトランジスタ素子を任意に選択し実装可能とする、同様の効果を得ることができるからである。
【００３０】
また、発明の実施の形態１や２において、トランジスタ素子２、３もしくはその両方を、高利得や低歪以外の特性を持つトランジスタにしてもよい。あるいは、トランジスタ素子２、３もしくはその両方を、ソース・ゲート・ドレインの３端子を持つ電界効果トランジスタにしてもよい。さらには、トランジスタ素子２、３もしくはその両方をサイリスタにしてもよい。要するに、３端子の素子を持つ任意の半導体素子であれば適用可能である。
【００３１】
また、実施の形態１や２の半導体装置は、３個以上のトランジスタ素子を用いたものでもよい。この場合、上面視におけるアウターリードの端点の配置は、前述の点対称性もしくは線対称性に対応したものになる。例えば、実施の形態１の半導体装置において、高利得のトランジスタ素子を２個、低歪のトランジスタ素子を２個半導体チップに搭載したものを図９の通り用意する。ここでは高利得のトランジスタ素子は２２ａ、２３ａであり、低歪のトランジスタ素子は２２ｂ、２３ｂとする。トランジスタ素子２２ａ、２３ａは半導体チップ２１ａに搭載され、トランジスタ素子２２ｂ、２３ｂは半導体チップ２１ｂに搭載されている。ここでは、トランジスタ素子２２ａ、２２ｂは対になり、トランジスタ素子２３ａ、２３ｂも対となっている。また半導体チップ２１ａはリードフレームのダイパッド２４ａに搭載され、半導体チップ２１ｂはリードフレームのダイパッド２４ｂに搭載されている。さらに、半導体チップ２１ａはボンディングワイヤ２７ａ、２７ｃ、２７ｅ、２７ｇでインナーリード２５ａ、２５ｃ、２５ｅ、２５ｇと接続され、半導体チップ２１ｂはボンディングワイヤ２７ｂ、２７ｄ、２７ｆ、２７ｈでインナーリード２５ｂ、２５ｄ、２５ｆ、２５ｈと接続されている。当該半導体チップ２１ａ及び２１ｂ、ダイパッド２４ａ及び２４ｂ、インナーリード２５ａ〜２５ｈとボンディングワイヤ２７ａ〜２７ｈは直方体の絶縁パッケージ８で封止されている。
【００３２】
他方、半導体チップ２１ａの裏面は、電気的にアウターリード２６ａ及び２６ｇと接続され、半導体チップ２１ｂの裏面は、電気的にアウターリード２６ｂ及び２６ｈと接続されている。各トランジスタ素子２２ａ〜２３ｂと各アウターリード２６ａ〜２６ｌは、次のように接続されている。トランジスタ素子２２ａのコレクタは電気的にアウターリード２６ａに接続され、トランジスタ素子２２ｂのコレクタは電気的にアウターリード２６ｂに接続されている。このアウターリード２６ａとアウターリード２６ｂを、第１アウターリード対とする。トランジスタ素子２２ａのエミッタは、ボンディングワイヤ２７ａでインナーリード２５ａと接続されることでアウターリード２６ｃと接続されている。トランジスタ素子２２ｂのエミッタは、ボンディングワイヤ２７ｂでインナーリード２５ｂと接続されることでアウターリード２６ｄと接続されている。このアウターリード２６ｃとアウターリード２６ｄを、第２アウターリード対とする。トランジスタ素子２２ａのベースは、ボンディングワイヤ２７ｃでインナーリード２５ｃと接続されることでアウターリード２６ｅと接続されている。トランジスタ素子２２ｂのベースは、ボンディングワイヤ２７ｄでインナーリード２５ｄと接続されることでアウターリード２６ｆと接続されている。このアウターリード２６ｅとアウターリード２６ｆを、第３アウターリード対とする。
【００３３】
同様にして、トランジスタ素子２３ａのコレクタが電気的にアウターリード２６ｇに接続され、トランジスタ素子２３ｂのコレクタは電気的にアウターリード２６ｈに接続されている。このアウターリード２６ｇとアウターリード２６ｈを、第４アウターリード対とする。トランジスタ素子２３ａのエミッタは、ボンディングワイヤ２７ｅでインナーリード２５ｅと接続されることでアウターリード２６ｉと接続されている。トランジスタ素子２３ｂのエミッタは、ボンディングワイヤ２７ｆでインナーリード２５ｆと接続されることでアウターリード２６ｊと接続されている。このアウターリード２６ｉとアウターリード２６ｊを、第５アウターリード対とする。トランジスタ素子２３ａのベースは、ボンディングワイヤ２７ｇでインナーリード２５ｇと接続されることでアウターリード２６ｋと接続されている。トランジスタ素子２３ｂのベースは、ボンディングワイヤ２７ｈでインナーリード２５ｈと接続されることでアウターリード２６ｌと接続されている。このアウターリード２６ｋとアウターリード２６ｌを、第６アウターリード対とする。これらの対は、当該半導体装置の上面視において、点対称の関係にある。
【００３４】
いま、高利得のトランジスタ素子２２ａ及び２３ａに接続されたアウターリードのみに、基板配線が接続されているとする。アウターリード２６ａ〜２６ｌは、実施の形態１と同様、絶縁パッケージ８の両側にそれぞれ突出して下向きに屈曲されており、それぞれの先端部は、絶縁パッケージ８から離れる方向に伸びるように屈曲されている。ここで当該半導体装置の接地面を固定したまま１８０°回転したとき、基板配線が接続されているアウターリードは低歪のトランジスタ素子２２ｂ及び２３ｂになることがいえる。つまり、基板配線を変更することなく、特性の異なる複数のトランジスタ素子を任意に選択可能とできるという、実施の形態１や２の半導体装置と同様の効果を得ることができる。なお１つのチップにおいて、異なる特性のトランジスタ素子をそれぞれ複数設けた上で、各トランジスタのアウターリード対を上面視において対称配置にしてもよい。
【符号の説明】
【００３５】
１  半導体チップ
２，３  トランジスタ素子
４  ダイパッド
５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ  インナーリード
６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ  アウターリード
７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ  ボンディングワイヤ
８  絶縁パッケージ
９  捺印文字
１０  位置認識マーク
１１  半導体装置
１２  キャリアテープ
１３  カバーテープ
２１ａ，２１ｂ  半導体チップ
２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ  トランジスタ素子
２４ａ，２４ｂ  ダイパッド
２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｅ，２５ｆ，２５ｇ，２５ｈ  インナーリード
２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈ，２６ｉ，２６ｊ，２６ｋ，２６ｌ  アウターリード
２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄ，２７ｅ，２７ｆ，２７ｇ，２７ｈ  ボンディングワイヤ
２８  絶縁パッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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