(57)【要約】【課題】基板の処理面積を大きくでき、かつメンテナンスを簡素化するとともに、処理された基板の品質を高くすることができる真空処理装置を提供する。【解決手段】基板Ｂを支持可能に構成した接地電極１０，３１と、接地電極１０，３１に支持される基板Ｂに対向して設けられる放電電極１１，３２とを備え、真空状態の接地電極１０，３１と放電電極１１，３２との間で基板Ｂを処理するように構成された真空処理装置１において、接地電極１０，３１および放電電極１１，３２の電極対の一方１０，３２が、電極対同士の対向領域より大きく形成され、基板処理の際に互いに接近する電極対の電極間距離Ｄを一定に保つ少なくとも１つの電極間距離保持手段１８が、対向領域１２，３３より外側で電極対の一方１１，３２と当接することによって、電極間距離Ｄを定めるように構成されている、真空処理装置１。【選択図】図２
2011117046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持可能に構成した接地電極と、前記接地電極に支持される基板に対向して設けられる放電電極とを備え、真空状態の前記接地電極と前記放電電極との間で基板を処理するように構成された真空処理装置において、
前記接地電極および前記放電電極の電極対の一方が、前記電極対同士の対向領域より大きく形成され、
基板処理の際に互いに接近する前記電極対の電極間距離を一定に保つ少なくとも１つの電極間距離保持手段が、前記対向領域より外側で前記電極対の一方と当接することによって、前記電極間距離を定めるように構成されている、真空処理装置。
【請求項２】
前記接地電極および前記放電電極を内部に有し、かつ内部を真空状態にすることを可能とする反応室をさらに備え、
前記電極間距離保持手段が、前記反応室の内部を画成する壁部の内側に取付けられることよって支持されている、請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記接地電極および前記放電電極を内部に有し、かつ内部を真空状態にすることを可能とする反応室と、
前記反応室の内部を画成する壁部の内側に取付けられる支持部材とをさらに備え、
前記電極間距離保持手段が、前記支持部材に取付けられることよって支持されている、請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記電極間距離保持手段が、略棒状に形成されており、さらに前記電極間距離保持手段の長さを調節することによって、前記電極間距離を変更可能とするように構成されている、請求項１〜３のいずれかに一項に記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記電極対の一方が接地電極となっている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記電極対の一方が放電電極となっている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項７】
基板を巻出す巻出しロールを収納した巻出室と、基板を巻取る巻取りロールを収納した巻取室との間で搬送される基板が、前記接地電極と前記放電電極との間で処理されるように構成され、
基板を前記電極対間の対向領域に搬送した後に、前記電極間距離保持手段が、前記電極対の一方と前記対向領域より外側で当接するように構成されている、請求項１〜６のいずれかに一項に記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理するための真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
クリーンエネルギーの研究開発では、太陽電池に関するものが主流となっている。太陽電池のうち、特に薄膜太陽電池は、薄型かつ軽量であって、さらに大面積化が容易であることから、今後の太陽電池の主流になると考えられている。薄膜太陽電池に用いられる基板を処理するために、スパッタリングなどにより基板に成膜を施す薄膜製造装置、基板にドライエッチングなどを施すエッチング装置などの真空処理装置が用いられている。このような薄膜太陽電池の基板は、生産効率の向上などの観点から大面積化する傾向にある。そのため、基板の処理には、大面積の基板を処理可能な高周波プラズマを用いた薄膜製造装置が広く用いられている。高周波プラズマを用いた薄膜製造装置は、高周波ａ‐Ｓｉ（アモルファスシリコン）太陽電池、微結晶Ｓｉ（シリコン）太陽電池、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）などの製造に広く用いられるものである。また、薄膜太陽電池の製造には、フィルム状基板を搬送可能に構成したロールツーロール方式またはステッピングロール方式の薄膜製造装置が広く用いられている。
【０００３】
このような薄膜製造装置を用いて基板に通常のａ‐Ｓｉ膜を形成する場合、高周波電力を印加される放電電極と基板を支持する接地電極との電極間距離が２０ｍｍ〜３０ｍｍ程度に設定されており、数ｍｍオーダーの電極間距離の誤差が許容され得る。しかしながら、基板に太陽電池用の微結晶Ｓｉ膜を形成する場合には、薄膜を高品質にするため、成膜圧力を高くし、かつ電極間距離を１０ｍｍ程度に小さくすることを必要とすることがある。そのため、数ｍｍオーダーの電極間距離の誤差によって、膜厚および膜質に大きな分布誤差が生じることとなる。このような分布誤差は、太陽電池のエネルギー変換効率を低下させ、かつ薄膜太陽電池などの製品の歩留まり悪化をもたらす。よって、電極間距離が小さくなるに従って、電極間距離を高い精度で保持することが要求される。
【０００４】
このような要求に対応する技術の一つとして、特許文献１では、放電電極の電極面から突設される複数の基板電極間距離保持板を、接地電極に支持された基板に当接させることによって、放電電極と接地電極との電極間距離を一定に保つ構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１５３３７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の技術では、放電電極と接地電極との電極間距離を一定に保つための基板電極間距離保持板が、基板と当接するように放電電極の電極面に配置されている。そのため、基板の成膜面積が基板電極間距離保持板を配置した部分で減少し、生産効率が低下して、ひいては生産コストが増加する。
また、基板に成膜する場合には、放電電極と接地電極との間に配置される基板電極間距離保持板から不純物が発生し易くなっており、処理された基板の品質が低下する。
さらに、基板に成膜する場合、基板電極間距離保持板が成膜されるので、放電電極および接地電極と同様に、基板電極間距離保持板も洗浄する必要がある。加えて、放電電極と接地電極との電極間距離を変更しようとする場合、複数の基板電極間距離保持板のすべてを取り替える必要があるので、電極間距離を変更するために基板電極間距離保持板を変更する作業が煩雑になる。このような作業によって、メンテナンスが煩雑化し、メンテナンスに時間を要し、ひいてはメンテナンス・コストが増加する。
【０００７】
本発明はこのような実状に鑑みてなされたものであって、その目的は、基板の処理面積を大きくでき、かつメンテナンスを簡素化するとともに、処理された基板の品質を高くすることができる真空処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
課題を解決するために本発明の真空処理装置は、基板を支持可能に構成した接地電極と、前記接地電極に支持される基板に対向して設けられる放電電極とを備え、真空状態の前記接地電極と前記放電電極との間で基板を処理するように構成された真空処理装置において、前記接地電極および前記放電電極の電極対の一方が、前記電極対同士の対向領域より大きく形成され、基板処理の際に互いに接近する前記電極対の電極間距離を一定に保つ少なくとも１つの電極間距離保持手段が、前記対向領域より外側で前記電極対の一方と当接することによって、前記電極間距離を定めるように構成されている。
【０００９】
本発明の真空処理装置では、前記接地電極および前記放電電極を内部に有し、かつ内部を真空状態にすることを可能とする反応室をさらに備え、前記電極間距離保持手段が、前記反応室の内部を画成する壁部の内側に取付けられることよって支持されている。
【００１０】
本発明の真空処理装置では、前記接地電極および前記放電電極を内部に有し、かつ内部を真空状態にすることを可能とする反応室と、前記反応室の内部を画成する壁部の内側に取付けられる支持部材とをさらに備え、前記電極間距離保持手段が、前記支持部材に取付けられることよって支持されている。
【００１１】
本発明の真空処理装置では、前記電極間距離保持手段が、略棒状に形成されており、さらに前記電極間距離保持手段の長さを調節することによって、前記電極間距離を変更可能とするように構成されている。
【００１２】
本発明の真空処理装置では、前記電極対の一方が接地電極となっている。
【００１３】
本発明の真空処理装置では、前記電極対の一方が放電電極となっている。
【００１４】
本発明の真空処理装置では、基板を巻出す巻出しロールを収納した巻出室と、基板を巻取る巻取りロールを収納した巻取室との間で搬送される基板が、前記接地電極と前記放電電極との間で処理されるように構成され、基板を前記電極対間の対向領域に搬送した後に、前記電極間距離保持手段が、前記電極対の一方と前記対向領域より外側で当接するように構成されている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、以下の効果を得ることができる。
本発明の真空処理装置は、基板を支持可能に構成した接地電極と、前記接地電極に支持される基板に対向して設けられる放電電極とを備え、真空状態の前記接地電極と前記放電電極との間で基板を処理するように構成された真空処理装置において、前記接地電極および前記放電電極の電極対の一方が、前記電極対同士の対向領域より大きく形成され、基板処理の際に互いに接近する前記電極対の電極間距離を一定に保つ少なくとも１つの電極間距離保持手段が、前記対向領域より外側で前記電極対の一方と当接することによって、前記電極間距離を定めるように構成されている。
そのため、前記電極間距離を保持するための前記電極間距離保持手段が、基板処理に影響しない前記電極対の対向領域の外側に配置されることによって、基板の処理面積を減少させることなく、基板を前記対向領域内で均一に処理でき、処理された基板の品質を高くすることができる。また、基板を成膜する場合には、前記電極間距離保持手段からの不純物の発生を防止でき、処理された基板の品質が低下することを防止できる。さらに、前記電極間距離保持手段が成膜されることを防止でき、前記電極間距離保持手段を洗浄する頻度を減少させることができ、メンテナンスを簡素化できる。
【００１６】
本発明の真空処理装置では、前記接地電極および前記放電電極を内部に有し、かつ内部を真空状態にすることを可能とする反応室をさらに備え、前記電極間距離保持手段が、前記反応室の内部を画成する壁部の内側に取付けられることよって支持されているので、前記電極間距離保持手段を、剛性の高い壁部によって安定して支持することができる。そのため、前記電極間距離を高い精度で保持でき、確実に基板を前記対向領域内で均一に処理でき、さらに処理された基板の品質を高めることができる。また、前記電極間距離保持手段が、比較的構成の簡素な前記壁部に着脱可能に取付けられている場合、前記電極間距離保持手段の着脱が容易になり、メンテナンスを簡素化できる。
【００１７】
本発明の真空処理装置では、前記接地電極および前記放電電極を内部に有し、かつ内部を真空状態にすることを可能とする反応室と、前記反応室の内部を画成する壁部の内側に取付けられる支持部材とをさらに備え、前記電極間距離保持手段が、前記支持部材に取付けられることよって支持されているので、前記電極間距離保持手段が、前記反応室の内外圧差に伴う前記壁部の変形の影響を受けない前記支持部材によって、支持されることとなる。そのため、前記電極間距離を高い精度で保持でき、確実に基板を前記対向領域内で均一に処理でき、さらに処理された基板の品質を高くすることができる。また、前記電極間距離保持手段が、比較的構成の簡素な前記支持部材に着脱可能に取付けられている場合、前記電極間距離保持手段の着脱が容易になり、メンテナンスを簡素化できる。
【００１８】
本発明の真空処理装置では、前記電極間距離保持手段が、略棒状に形成されており、さらに前記電極間距離保持手段の長さを調節することによって、前記電極間距離を変更可能とするように構成されているので、基板処理の種類に対応して前記電極間距離を変更することによって、様々な種類の基板を均一に処理できる。また、前記電極間距離を高い精度で調節できるので、確実に基板を均一に処理できる。よって、さらに処理された基板の品質を高くすることができる。
【００１９】
本発明の真空処理装置では、前記電極対の一方が接地電極となっているので、前記接地電極からのアースが確実になり、さらに高い精度で基板を処理することができ、処理された基板の品質を高くすることができる。
【００２０】
本発明の真空処理装置では、前記電極対の一方が放電電極となっているので、確実に上述の効果を得ることができる。
【００２１】
本発明の真空処理装置では、基板を巻出す巻出しロールを収納した巻出室と、基板を巻取る巻取りロールを収納した巻取室との間で搬送される基板が、前記接地電極と前記放電電極との間で処理されるように構成され、基板を前記電極対間の対向領域に搬送した後に、前記電極間距離保持手段が、前記電極対の一方と前記対向領域より外側で当接するように構成されているので、基板を搬送する方式の真空処理装置、例えば、ロールツーロール方式またはステッピングロール方式の薄膜製造装置にて、確実に上述の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施形態におけるロールツーロール方式の薄膜製造装置を模式的に示した概略図である。
【図２】図１のＡ―Ａ断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態における電極間距離保持手段の長さを調節可能とする調節手段を分解して示した概略断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態の場合における図１のＡ―Ａ断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態の場合における図１のＡ―Ａ断面図にて、電極間距離保持手段の取付構造を拡大して示す図である。
【図６】実施例１における電極間距離の面内分布を示す図である。
【図７】実施例２における電極間距離の面内分布を示す図である。
【図８】比較例における電極間距離の面内分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態における真空処理装置を以下に説明する。
本発明の実施形態では、高周波を用いた真空処理装置の一例として、ロールツーロール方式の薄膜製造装置を用いて説明する。しかしながら、本発明の真空処理装置はこれに限定されるものでなく、例えば、スパッタリング装置などのように基板に薄膜を形成する薄膜製造装置、ドライエッチング装置などのように基板にエッチングを施すエッチング装置などであってもよい。また、基板の搬送方式がステッピングロール方式などであってもよく、さらに基板を固定する方式であってもよい。
【００２４】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態の装置１について以下に説明する。
図１は本発明の第１実施形態におけるロールツーロール方式の薄膜製造装置（以下、「装置」という）１を模式的に示す概略図である。図１を参照して、第１実施形態〜第３実施形態の共通の構成を説明する。装置１には、可撓性フィルム基板(以下、「基板」という）Ｂを巻いた巻出しロール２を収容する巻出し室３と、基板Ｂを巻取る巻取りロール４を収容する巻取り室５とが設けられている。巻出し室３と巻取り室５との間には、基板Ｂを成膜する１つまたは複数の反応室６が配置されており、本発明の実施形態では、一例として３つの反応室６が配置されている。反応室６の内部は壁部６ａにより画成されている。そして、各反応室６の間におけるガス流およびガス流出を遮断する手段（図示省略）を有する拡散防止機構７が、各反応室６間に設けられている。各反応室６には、それぞれ真空ポンプ８に接続する真空通路９が設けられ、真空通路９は、反応室６内のガスを排出するとともに反応室６を真空にするように構成されている。
【００２５】
図２は、本発明の第１実施形態にかかる図１のＡ―Ａ断面図である。図２を参照すると、反応室６の中央には、基板Ｂを支持可能に構成した接地電極１０と、接地電極１０に対向する放電電極１１とが設けられている。接地電極１０と放電電極１１とは平行平板に形成されており、接地電極１０および放電電極１１のそれぞれの平面１０ａ，１１ａが、互いに対向している。放電電極１１の幅は、接地電極１０に支持された基板Ｂの幅に対応して形成されており、一方で、接地電極１０の幅は、接地電極１０と放電電極１１との対向領域１２より大きく形成されている。接地電極１０には、基板Ｂを加熱する加熱手段１３が設けられている。装置１には、接地電極１０を放電電極１１の平面１１ａに対して垂直方向に移動可能にする移動手段１４が設けられており、接地電極１０は、連結部材１５を介して移動手段１４に連結されている。また、放電電極１１は連結部材１６およびコンデンサ（図示省略）を介して高周波電源１７に連結されている。
【００２６】
反応室６内には、接地電極１０と放電電極１１との間の電極間距離Ｄを保持する電極間距離保持手段として、電極間距離保持具（以下、「保持具」という）１８が設けられている。第１実施形態では、一例として、２つの保持具１８が設けられている。保持具１８は、接地電極１０の平面１０ａに対して略垂直に延びる棒状に形成されている。保持具１８の基端部１８ａは、接地電極１０の平面１０ａに対向する壁部６ａに取付けられている。一方で、保持具１８の先端部１８ｂは、接地電極１０の対向領域１２より外側の外側部１０ｂと当接可能に構成されている。なお、保持具１８は、熱や圧力により変形し難い材料を用いるとよく、一例としてステンレス材などを用いるとよい。
【００２７】
図３は、保持具１８の長さを調節可能とする調節手段１９を分解して示した概略断面図である。図３を参照して、保持具１８の詳細を説明する。保持具１８の先端部１８ｂには、保持具１８の長さを調節するための調節手段１９が設けられており、調節手段１９は、リング２０と、リング保持部材２１と、ネジ２２とを備えている。リング２０には、ネジ２２を挿通可能とする挿通孔２０ａが設けられている。リング保持部材２１には、ネジ２２を挿通可能とするとともにネジ２２の頭部を収納可能とする段付孔２１ａが設けられている。さらに、保持具１８の先端部１８ｂには、ネジ２２を取付け可能とするネジ穴１８ｃが設けられている。なお、リング２０は、熱や圧力により変形し難い材料を用いるとよく、一例としてステンレス材などを用いるとよい。また、リング保持部材２１、およびネジ２２は、絶縁材料を用いるとよく、一例としてセラミック材を用いるとよい。
【００２８】
このような構成の調節手段１９では、保持具１８の先端部１８ｂとリング保持部材２１との間にリング２０を配置し、さらにネジ２２をリング２０およびリング保持部材２１に挿通するとともに、保持具１８のネジ孔１８ｃに螺合することによって、リング２０およびリング保持部材２１がネジ２２によって締付けられる構成となっている。保持具１８の長さを調節する際には、リング２０の厚さを変更するか、または複数枚のリング２０を重ねて配置する。このように保持具１８の長さを調節することによって、接地電極１０と放電電極１１との電極間距離Ｄを変更することができる。
【００２９】
ここで、第１実施形態における装置１の動作を説明する。
接地電極１０を基板Ｂと離した状態で、成膜対象となる基板Ｂを接地電極１０と放電電極１１との間の対向領域１２に搬送する。接地電極１０を放電電極１１に向かって移動させる。その後、保持具１８の先端部１８ｂが接地電極１０の外側部１０ｂに当接し、接地電極１０がさらに放電電極１１に向かって移動できなくなり、接地電極１０の移動が停止する。その結果、電極間距離Ｄが規定される。
【００３０】
このような状態で、反応室６内の圧力が、図示しない圧力コントローラによって調節され、薄膜形成のための原料ガスが、図示しないマスフローコントローラによって流量を調節されながら、放電電極１１の表面１１ａからシャワー状に供給される。さらに、高周波電源１７から高周波電力を加えることによって、接地電極１０と放電電極１１との間にプラズマを発生させ、基板Ｂに薄膜を形成する。
【００３１】
以上のように本発明の第１実施形態によれば、基板Ｂに薄膜を形成するロールツーロール方式の装置１において、保持具１８によって、基板Ｂの処理に影響しない接地電極１０の外側部１０ｂで電極間距離Ｄが保持される。そのため、基板Ｂの処理面積を減少させることなく、基板Ｂを対向領域１２内で均一に処理でき、処理された基板Ｂの品質を高くすることができる。また、基板Ｂを成膜する際に、保持具１８からの不純物の発生を防止でき、基板Ｂの品質が低下することを防止できる。さらに、保持具１８が成膜されることを防止でき、保持具１８を洗浄する頻度を減少させることができ、メンテナンスを簡素化できる。
【００３２】
本発明の第１実施形態によれば、保持具１８を、剛性の高い反応室６の壁部６ａによって安定して支持することができる。そのため、電極間距離Ｄを高い精度で保持でき、確実に基板Ｂを対向領域１２内で均一に処理でき、さらに処理された基板Ｂの品質を高くすることができる。また、保持具１８が、比較的構成の簡素な壁部６ａに着脱可能に取付けられているので、保持具１８の着脱が容易になり、メンテナンスを簡素化できる。
【００３３】
本発明の第１実施形態によれば、保持具１８の長さを調節することによって、基板Ｂの処理の種類に対応して電極間距離Ｄを変更できるので、様々な種類の基板Ｂを均一に処理できる。また、電極間距離Ｄを高い精度で調節できるので、確実に基板Ｂを均一に処理できる。よって、さらに処理された基板Ｂの品質を高くすることができる。
【００３４】
本発明の第１実施形態によれば、成膜の際に反応室６の壁部６ａに取付けられる保持具１８が接地電極１０と当接するので、接地電極１０からのアースが確実になり、さらに高い精度で基板Ｂを処理することができ、処理された基板Ｂの品質を高くすることができる。
【００３５】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態の装置１について以下に説明する。第２実施形態の装置１の基本的な構成は、第１実施形態の装置１と同様になっている。第１実施形態と同様な要素は、第１実施形態と同様の符号および名称を用いて説明する。ここでは、第１実施形態と異なる構成について説明する。
【００３６】
図４は、本発明の第２実施形態にかかる図１のＡ―Ａ断面図である。図４を参照すると、反応室６の中央には、基板Ｂを支持可能に構成した接地電極３１と、接地電極３１に対向する放電電極３２とが設けられている。接地電極３１と放電電極３２とは平行平板に形成されており、接地電極３１および放電電極３２のそれぞれの平面３１ａ，３２ａが、互いに対向している。接地電極３１の幅は、支持する基板Ｂの幅に対応して形成されており、一方で、放電電極３２の幅は、接地電極３１と放電電極３２との対向領域３３より大きく形成されている。接地電極３１には、第１実施形態と同様に加熱手段１３が設けられている。装置１には、放電電極３２を接地電極３１の平面３１ａに対して垂直方向に移動可能にする移動手段３４が設けられており、放電電極３２は、連結部材３５を介して移動手段３４に連結されている。また、放電電極３２は連結部材３６およびコンデンサ（図示省略）を介して高周波電源１７に連結されている。
【００３７】
反応室６内には、第１実施形態と同様の構造を有する保持具１８が設けられている。第２実施形態では、一例として、２つの保持具１８が設けられている。保持具１８の基端部１８ａは、放電電極３２の平面３２ａに対向する壁部６ｂに取付けられている。一方で、保持具１８の先端部１８ｂは、放電電極３２の対向領域３３より外側の外側部３２ｂと当接可能に構成されている。
【００３８】
ここで、第２実施形態における装置１の動作を説明する。
放電電極３２を基板Ｂと離した状態で、成膜対象となる基板Ｂを接地電極３１と放電電極３２との間の対向領域３３に搬送する。放電電極３２を接地電極３１に向かって移動させる。その後、保持具１８が放電電極３２の外側部３２ｂと当接し、放電電極３２がさらに接地電極３１に向かって移動できなくなり、放電電極３２の移動が停止する。その結果、電極間距離Ｄが規定される。
【００３９】
以上のように本発明の第２実施形態によれば、保持具１８による接地電極のアースに関する効果を除いて、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００４０】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態の装置１について以下に説明する。第３実施形態の装置１の基本的な構成は、第１実施形態の装置１と同様になっている。第１実施形態と同様な要素は、第１実施形態と同様の符号および名称を用いて説明する。ここでは、第１実施形態と異なる構成について説明する。
【００４１】
図５は、本発明の第３実施形態において、図２の保持具１８の取付構造を拡大して示す図である。図５を参照すると、接地電極１０の平面１０ａに対向する壁部６ａに、板状の支持部材４１が設けられている。支持部材４１は、壁部６ａと間隔を空けて配置されており、支持部材４１の縁部が、取付部材４２によって壁部６ａに着脱可能に取付けられている。保持具１８の基端部１８ａは、支持部材４１に取付けられている一方で、保持具１８の先端部１８ｂは、第１実施形態と同様に、接地電極１０の対向領域１２より外側の外側部１０ｂと当接する構成となっている。また、支持部材４１の中央部は、補強部材４３によって放電電極１１の連結部材１６に取付けられているので、支持部材４１は変形し難くなっている。なお、第３実施形態における装置１の動作は、第１実施形態と同様である。
【００４２】
以上のように本発明の第３実施形態によれば、保持具１８が、反応室６の内外圧差に伴う壁部６ａの変形の影響を受けない支持部材４１によって支持されているため、電極間距離Ｄを高い精度で保持でき、確実に基板Ｂを対向領域１２内で均一に処理でき、さらに処理された基板Ｂの品質を高くすることができる。また、保持具１８が、比較的構成の簡素な支持部材４１に着脱可能に取付けられているので、保持具１８の着脱が容易になり、メンテナンスを簡素化できる。
【００４３】
ここまで本発明の第１実施形態〜第３実施形態について述べたが、本発明は既述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて各種の変形および変更が可能である。
【００４４】
例えば、本発明の実施形態の第１変形例として、第３実施形態の構成を第２実施形態の構成に用いてもよい。本発明の第３実施形態と同様の効果が得られる。
【００４５】
［実施例１］
本発明の実施例１について説明する。実施例１では、第１実施形態の装置１を用いる。接地電極１０と放電電極１１との間の対向領域１２全体における電極間距離Ｄを測定し、この電極間距離Ｄの設定値に対する測定値の精度比Ｒを算出する。
【００４６】
［実施例２］
本発明の実施例２について説明する。実施例２では、第２実施形態の装置１を用いる。接地電極３１と放電電極３２との間の対向領域３３全体における電極間距離Ｄを測定し、この電極間距離Ｄの設定値に対する測定値の精度比Ｒを算出する。
【００４７】
［比較例］
本発明の比較例について説明する。比較例では、接地電極と放電電極との間の電極間距離を規定する手段を設けていない装置を用いる。接地電極と放電電極との間の対向領域全体における電極間距離を測定し、この電極間距離の設定値に対する測定値の精度比Ｒを算出する。
【００４８】
実施例１、実施例２、および比較例の結果について説明する。
実施例１の結果については、図６に示すように、電極間距離Ｄの測定値の精度比Ｒは、対向領域１２における中央部から基板幅方向Ｗの一方の縁部にかかる範囲で１００％〜１１０％となり、対向領域１２のその他の部分で９０％〜１００％となった。
実施例２の結果では、図７に示すように、電極間距離Ｄの測定値の精度比Ｒは、対向領域１２の基板長手方向Ｌの中央部で１００％〜１１０％となり、対向領域１２の基板長手方向Ｌの縁部で９０％〜１００％となった。
比較例の結果では、図８に示すように、電極間距離Ｄの測定値の精度比Ｒは、対向領域の中央部では９０％〜１１０％となったが、対向領域の角部には、精度比Ｒが８０％〜９０％、または１１０％〜１２０％となる部分が含まれた。
【００４９】
よって、本発明の実施例１および実施例２の電極間距離Ｄの精度は、接地電極１０と放電電極１１との間の対向領域１２全体で、比較例の電極間距離Ｄの精度より高くなっている。よって、当該対向領域１２内には高周波電力が均一に加えられて、均一にプラズマが発生することになるので、基板Ｂを均一に処理できることが確認できた。
【符号の説明】
【００５０】
１  薄膜製造装置（装置）
６  反応室
６ａ，６ｂ  壁部
１０，３１  接地電極
１０ａ，３１ａ  平面
１０ｂ  外側部
１１，３２  放電電極
１１ａ，３２ａ  平面
１２，３３  対向領域
１８  電極間距離保持用保持具（保持具）
１９  調節手段
３２ｂ  外側部
４１  支持部材
Ｂ  基板
Ｄ  電極間距離
Ｒ  精度比
Ｗ  基板幅方向
Ｌ  基板長手方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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