(57)【要約】【課題】硬化したプリプレグを貫通する導電体を備えた端子、および同端子を有する電子装置を作製する方法を提供する。【解決手段】プリプレグに少なくとも１つの開口を形成する。端子を構成する導電体と開口が重なるように、プリプレグを電子素子が形成されている基板に貼り付ける。プリプレグにおいて、開口が設けられた領域に導電性ペーストを設ける。導電性ペーストの一部は開口内へ流動し、端子を構成する導電体に接する。そして、加熱処理を行い、導電性ペーストおよびプリプレグを硬化する。端子を形成する過程において、プリプレグを硬化した後にレーザービームによる開口の形成工程を行う必要がないため、電子素子へのレーザービームによる影響を無くすことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜上に第１の導電体を形成することと、
複数の開口が形成されているプリプレグを前記第１の絶縁膜上に配置して、少なくとも１つの前記開口を前記第１の導電体に重ねることと、
前記第１の導電体と重なっている少なくとも１つの前記開口に導電性ペーストを設けることと、
加熱処理により、前記導電性ペーストを硬化して第２の導電体を形成し、かつ、前記プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成することと、
を有することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項２】
第１の絶縁膜上に第１の導電体を形成することと、
前記第１の導電体上に導電性ペーストを設けることと、
複数の開口が形成されているプリプレグを前記第１の絶縁膜上に配置して、少なくとも１つの前記開口を前記導電性ペーストに重ねることと、
加熱処理により、前記導電性ペーストを硬化して第２の導電体を形成し、かつ、前記プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成することと、
を有することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項３】
第１の絶縁膜上に第１の導電体を形成することと、
プリプレグに形成されている複数の開口の少なくとも１つに導電性ペーストを設けることと、
前記プリプレグを第１の絶縁膜上に配置して、前記導電性ペーストが設けられている前記開口を前記第１の導電体に重ねることと、
加熱処理により、前記導電性ペーストを硬化して第２の導電体を形成し、かつ、前記プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成することと、
を有することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項４】
第１の絶縁膜上に、第１の導電体を形成することと、
プリプレグにおいて、前記第１の絶縁膜上に配置したときに前記第１の導電体と重なる領域に１又は複数の開口を形成することと、
前記１または複数の開口を有する前記プリプレグを前記第１の絶縁膜上に配置して、少なくとも１つの前記開口を前記第１の導電体に重ねることと、
前記第１の導電体に重なっている少なくとも１つの前記開口に導電性ペーストを設けることと、
加熱処理により、前記導電性ペーストを硬化して第２の導電体を形成し、かつ、前記プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成することと、
を有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項５】
第１の絶縁膜上に、第１の導電体を形成することと、
前記第１の導電体上に導電性ペーストを設けることと、
プリプレグにおいて、前記第１の絶縁膜上に配置したときに前記第１の導電体と重なる領域に１又は複数の開口を形成することと、
前記１または複数の開口を有する前記プリプレグを前記第１の絶縁膜上に配置して、少なくとも１つの前記開口を前記導電性ペーストに重ねることと、
加熱処理により、前記導電性ペーストを硬化して第２の導電体を形成し、かつ、前記プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成することと、
を有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項６】
第１の絶縁膜上に、第１の導電体を形成することと、
プリプレグにおいて、前記第１の絶縁膜上に配置したときに前記第１の導電体と重なる領域に１又は複数の開口を形成することと、
前記プリプレグの少なくとも１つの前記開口に導電性ペーストを設けることと、
前記プリプレグを前記第１の絶縁膜上に配置して、前記導電性ペーストが設けられている前記開口を前記第１の導電体に重ねることと、
加熱処理により、前記導電性ペーストを硬化して第２の導電体を形成し、かつ、前記プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成することと、
を有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項において、
前記第２の導電体に電気的に接続される第３の導電体を形成することを有することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項において、
前記プリプレグの代わりに、補強材を含まない未硬化の樹脂でなる膜を硬化して前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか１項において、
前記プリプレグはシート状の繊維体でなる補強材を含むことを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項１０】
１または複数の電子素子を含む電子装置の作製方法であり、
１または複数の前記電子素子を覆う第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、前記電子素子の少なくとも１つに電気的に接続される第１の導電体を形成し、
複数の開口が設けられているプリプレグを前記第１の絶縁膜上に配置して、少なくとも１つの前記開口を前記第１の導電体に重ねることと、
前記第１の導電体と重なっている少なくとも１つの前記開口に導電性ペーストを設けることと、
加熱処理により、前記導電性ペーストを硬化して第２の導電体を形成し、かつ、前記プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成することと、
を有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１１】
１または複数の電子素子を含む電子装置の作製方法であり、
１または複数の前記電子素子を覆う第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、前記電子素子の少なくとも１つに電気的に接続される第１の導電体を形成し、
前記第１の導電体上に導電性ペーストを設けることと、
複数の開口が設けられているプリプレグを前記第１の絶縁膜上に配置して、少なくとも１つの前記開口を前記導電性ペーストに重ねることと、
加熱処理により、前記導電性ペーストを硬化して前記第２の導電体を形成し、かつ、前記プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成することと、
を有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１２】
１または複数の電子素子を含む電子装置の作製方法であり、
１または複数の前記電子素子を覆う第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、前記電子素子の少なくとも１つに電気的に接続される第１の導電体を形成し、
プリプレグに形成されている複数の開口の少なくとも１つに導電性ペーストを設けることと、
前記プリプレグを前記第１の絶縁膜上に配置して、前記導電性ペーストが設けられている前記開口を前記第１の導電体に重ねることと、
加熱処理により、前記導電性ペーストを硬化して前記第２の導電体を形成し、かつ、前記プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成することと、
を有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１３】
１または複数の電子素子と、前記電子素子の少なくとも１つに電気的に接続されている第１の導電体と、前記第１の導電体に電気的に接続されている第２の導電体と、前記１または複数の電子素子を覆う第１の絶縁膜と、前記第１の導電体を覆う第２の絶縁膜とを含む電子装置の作製方法であり、
前記第１の絶縁膜上に、前記第１の導電体を形成することと、
プリプレグにおいて、前記第１の絶縁膜上に配置したときに前記第１の導電体と重なる領域に１又は複数の開口を形成することと、
前記プリプレグを前記第１の絶縁膜上に配置して、少なくとも１つの前記開口を前記第１の導電体に重ねることと、
前記第１の導電体に重なっている少なくとも１つの前記開口に導電性ペーストを設けることと、
加熱処理により、前記導電性ペーストを硬化して前記第２の導電体を形成し、かつ、前記プリプレグを硬化して前記第２の絶縁膜を形成することと、
を有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１４】
１または複数の電子素子と、前記電子素子の少なくとも１つに電気的に接続されている第１の導電体と、前記第１の導電体に電気的に接続されている第２の導電体と、前記１または複数の電子素子を覆う第１の絶縁膜と、前記第１の導電体を覆う第２の絶縁膜とを含む電子装置の作製方法であり、
前記第１の絶縁膜上に、前記第１の導電体を形成することと、
プリプレグにおいて、前記第１の絶縁膜上に配置したときに前記第１の導電体と重なる領域に１又は複数の開口を形成することと、
前記第１の導電体上に導電性ペーストを設けることと、
１または複数の開口を有するプリプレグを前記第１の絶縁膜上に配置して、少なくとも１つの前記開口を前記導電性ペーストに重ねることと、
加熱処理により、前記導電性ペーストを硬化して前記第２の導電体を形成し、かつ、前記プリプレグを硬化して前記第２の絶縁膜を形成することと、
を有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１５】
１または複数の電子素子と、前記電子素子の少なくとも１つに電気的に接続されている第１の導電体と、前記第１の導電体に電気的に接続されている第２の導電体と、前記１または複数の電子素子を覆う第１の絶縁膜と、前記第１の導電体を覆う第２の絶縁膜とを含む電子装置の作製方法であり、
前記第１の絶縁膜上に、前記第１の導電体を形成することと、
プリプレグにおいて、前記第１の絶縁膜上に配置したときに前記第１の導電体と重なる領域に１又は複数の開口を形成することと、
前記プリプレグの少なくとも１つの前記開口に導電性ペーストを設けることと、
前記プリプレグを前記第１の絶縁膜上に配置して、前記導電性ペーストが設けられている前記開口を前記第１の導電体に重ねることと、
加熱処理により、前記導電性ペーストを硬化して前記第２の導電体を形成し、かつ、前記プリプレグを硬化して前記第２の絶縁膜を形成することと、
を有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１０乃至１５のいずれか１項において、
前記プリプレグの代わりに、補強材を含まない樹脂でなる膜を硬化することで前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１０乃至１５のいずれか１項において、
前記プリプレグはシート状の繊維体でなる補強材を含むことを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１０乃至１７のいずれか１項において、
前記第２の導電体に電気的に接続される第３の導電体を形成することを有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１０乃至１７のいずれか１項において、
前記第２の導電体にアンテナを電気的に接続することを有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１０乃至１９のいずれか１項において、
基板上に、剥離膜および第３の絶縁膜を介して、前記１または複数の電子素子を形成することと、
前記第２の導電体および前記第２の絶縁膜を形成した後に、前記剥離膜の内部で、および／または、前記剥離膜と前記第３の絶縁膜の界面で剥離を生じさせて、前記基板を前記電子素子から分離することと、
前記基板を分離したことで露出された部分に、プリプレグを配置することと、
前記プリプレグを硬化して、第４の絶縁膜を形成することと、
を有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２１】
第１の導電体と、
シート状繊維体を含み、前記第１の導電体を覆う樹脂膜と、
前記樹脂膜を貫通し、前記第１の導電体に接している第２の導電体と、
前記シート状繊維体に形成され、前記第２の導電体と重ならない領域に存在する複数の開口と、を有することを特徴とする端子構造。
【請求項２２】
請求項２１において、
前記第２の導電体に電気的に接続されている第３の導電体を有することを特徴とする端子構造。
【請求項２３】
１または複数の電子素子と、
前記電子素子の少なくとも１つに電気的に接続されている第１の導電体と、
シート状繊維体を含み、前記電子素子および前記第１の導電体を覆う樹脂膜と、
前記樹脂膜および前記シート状繊維体を貫通し、前記第１の導電体に接している第２の導電体と、
前記シート状繊維体に形成され、前記第２の導電体が貫通していない複数の開口と、を有することを特徴とする電子装置。
【請求項２４】
第１のシート状繊維体を含む第１の樹脂膜と、
第２のシート状繊維体を含む第２の樹脂膜と、
前記第１および第２の樹脂膜に挟まれている、１または複数の電子素子、および前記電子素子の少なくとも１つに電気的に接続されている第１の導電体と、
前記第１の樹脂膜および前記第１のシート状繊維体を貫通し、前記第１の導電体に接している第２の導電体と、
前記第１のシート状繊維体に形成され、前記第２の導電体が貫通していない複数の開口と、
を有することを特徴とする電子装置。
【請求項２５】
請求項２３または２４において、
前記第２の導電体に電気的に接続されているアンテナを有することを特徴とする電子装置。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書では、絶縁膜を貫通する導電体を含む端子構造について説明する。また、このような構造の端子を備えた電子装置について説明する。
【背景技術】
【０００２】
プリプレグを硬化することで形成された樹脂層が、プリント配線や電子装置などの支持体、絶縁膜および保護材などに適用されている（例えば、特許文献１−３参照）。
【０００３】
配線の多層化のため、外部との電気的な接続部を形成するために、プリプレグからなる樹脂層には、この層を貫通する開口が設けられている。例えば、特許文献１には、プリント配線基板の絶縁層をプリプレグで形成し、この絶縁層にレーザー加工、ドリル加工、および打抜き加工で開口を形成することが記載されている。
【０００４】
また、特許文献２、３には、硬化されたプリプレグで封止された電子装置に接続端子を形成するために、レーザービームの照射工程、あるいはフォトリソグラフィー工程を適用することで、硬化されたプリプレグに開口を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−０９１８２２号公報
【特許文献２】特開２００８−２５７７１０号公報
【特許文献３】特開２００８−２６２５４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載されているように、プリプレグから形成された樹脂膜に開口を形成するには、ドリル加工、打抜き加工、レーザービームによる加工が用いられている。電子素子を封止している樹脂膜に開口を形成するには、電子素子を損傷させないようにするため、ドリル加工やパンチング加工は不向きであり、レーザービームによる加工が採用されている。
【０００７】
しかしながら、レーザービームによる穴開け加工は時間を要する。また、レーザービームによる加工は、ドリル加工やパンチング加工と比べて、電子素子への機械的な衝撃は小さいが、レーザービームのエネルギーによって電子素子の性能を劣化させる可能性を完全に排除することができない。本願の発明者らの研究活動において、寸法の小さな電子素子、および駆動電圧値が低い高性能な電子素子では、封止層の開口工程でのレーザービームの照射が原因と考えられる電子素子の特性劣化が発見されることがあった。
【０００８】
また、電子素子を封止した状態で封止層にレーザービームで開口を形成すると、この工程で発生したゴミによって電子素子に悪影響を与えることもある。
【０００９】
また、ガラス繊維、ガラスフィラーなどの補強材を含んだプリプレグを用いることにより、補強材を含んだ樹脂膜で電子素子を封止することができるので、電子素子の強度を向上させることができる。その反面、電子素子の取り出し端子を封止膜から露出させるために封止膜に開口を形成する場合には、樹脂膜と共に補強材をも除去する必要がある。レーザービームで開口を形成する場合、樹脂と補強材双方が除去されているかの判断が難しく、その判断に熟練を要する。そのため、加工者の習熟度により、樹脂膜および／または補強材の除去不足や、開口によって露出される領域の面積のばらつきが生じやすい。このため、開口を経て電気的に接続されている２つの導電体の接続抵抗値がばらつき、設計値通りの電気的特性を備えた電子素子を作製することを困難にしている。
【００１０】
本明細書の技術的課題の１つは、硬化されたプリプレグを貫通する導電体を含む端子構造の信頼性を向上することである。
【００１１】
また、他の１つの技術的課題は、レーザービームによる影響が極力排除された、端子構造の作製方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様に係る端子構造および電子素子の作製方法は、第１の絶縁膜上に第１の導電体を形成することと、複数の開口が形成されているプリプレグを第１の絶縁膜上に配置して、少なくとも１つの開口を第１の導電体に重ねることと、第１の導電体と重なっている少なくとも１つの開口に導電性ペーストを設けることと、加熱処理により、導電性ペーストを硬化して第２の導電体を形成し、かつ、プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成することと、を有する。
【００１３】
本発明の一態様に係る端子構造および電子素子の作製方法は、第１の絶縁膜上に第１の導電体を形成することと、第１の導電体上に導電性ペーストを設けることと、複数の開口が形成されているプリプレグを第１の絶縁膜上に配置して、少なくとも１つの開口を導電性ペーストに重ねることと、加熱処理により、導電性ペーストを硬化して第２の導電体を形成し、かつ、プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成することと、を有する。
【００１４】
本発明の一態様に係る端子構造および電子素子の作製方法は、第１の絶縁膜上に第１の導電体を形成することと、プリプレグに形成されている複数の開口の少なくとも１つに導電性ペーストを設けることと、プリプレグを第１の絶縁膜上に配置して、第１の導電体に導電性ペーストが設けられている開口を第１の導電体に重ねることと、加熱処理により、導電性ペーストを硬化して第２の導電体を形成し、かつ、プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成することと、を有する。
【００１５】
本発明の一態様に係る端子構造および電子素子の作製方法は、第１の絶縁膜上に、第１の導電体を形成することと、プリプレグにおいて、第１の絶縁膜上に配置したときに第１の導電体と重なる領域に１又は複数の開口を形成することと、プリプレグを第１の絶縁膜上に配置して、少なくとも１つの開口を第１の導電体に重ねることと、第１の導電体に重なっている少なくとも１つの開口に導電性ペーストを設けることと、加熱処理により、導電性ペーストを硬化して第２の導電体を形成し、かつ、プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成することと、を有する。
【００１６】
本発明の一態様に係る端子構造および電子素子の作製方法は、第１の絶縁膜上に、第１の導電体を形成することと、第１の導電体上に導電性ペーストを設けることと、プリプレグにおいて、第１の絶縁膜上に配置したときに第１の導電体と重なる領域に１又は複数の開口を形成することと、１または複数の開口を有するプリプレグを第１の絶縁膜上に配置して、少なくとも１つの開口を導電性ペーストに重ねることと、加熱処理により、導電性ペーストを硬化して第２の導電体を形成し、かつ、プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成することと、を有する。
【００１７】
本発明の一態様に係る端子構造および電子素子の作製方法は、第１の絶縁膜上に、第１の導電体を形成することと、プリプレグにおいて、第１の絶縁膜上に配置したときに第１の導電体と重なる領域に１又は複数の開口を形成することと、プリプレグの少なくとも１つの開口に導電性ペーストを設けることと、プリプレグを第１の絶縁膜上に配置して、導電性ペーストが設けられている開口を第１の導電体に重ねることと、加熱処理により、導電性ペーストを硬化して第２の導電体を形成し、かつ、プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成することと、を有する。
【００１８】
また、上述した６つの態様に係る端子構造および電子装置の作製方法には、第２の導電体に電気的に接続されている第３の導電体を形成する工程を付加することができる。このような工程の一例として、アンテナを第２の導電体に電気的に接続する工程がある。
【００１９】
また、上述した６つの態様に係る電子装置の作製方法では、電子素子がその作製時に使用された基板に設けられている場合、この基板を分離する工程を付加することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本明細書に記載の端子構造および電子装置の作製方法の一態様では、プリプレグを硬化した後でレーザービームによる穴開け加工を行う必要がない。従って、この穴開け加工での悪影響、例えば、ゴミによる不良や、レーザービームによる損傷を無くすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】Ａ−Ｄ：本発明の一態様に係る電子装置の作製方法の一例を説明する断面図。
【図２】Ａ−Ｃ：図１Ｄに続く工程の一例を説明する断面図。
【図３】Ａ：プリプレグの構成の一例を説明する断面図。Ｂ：複数の開口が形成されたプリプレグの構成の一例を説明する断面図。Ｃ：図１Ｂに示すプリプレグの平面図。
【図４】Ａ、Ｂ：図２Ｂに続く工程の一例を説明する断面図。
【図５】Ａ−Ｃ：図２Ｂに続く工程の一例を説明する断面図。
【図６】Ａ−Ｄ：本発明の一態様に係る電子装置の作製方法の一例を説明する断面図。
【図７】Ａ−Ｅ：本発明の一態様に係る電子装置の作製方法の一例を説明する断面図。
【図８】Ａ−Ｃ：開口が形成されたプリプレグの構成の一例を説明する平面図。
【図９】Ａ：図３Ａのプリプレグに適用されるシート状繊維体の構成の一例を説明する平面図。Ｂ：切断線Ａ１−Ａ２に沿った図９Ａの断面図。
【図１０】図３Ａのプリプレグに適用されるシート状繊維体の構成の一例を説明する平面図。
【図１１】図３Ａのプリプレグに適用されるシート状繊維体の構成の一例を説明する平面図。
【図１２】本発明の一態様に係る電子装置の構成例を説明するブロック図。
【図１３】本発明の一態様に係る電子装置の構成例を説明するブロック図。
【図１４】本発明の一態様に係る電子装置の構成例を説明するブロック図。
【図１５】Ａ−Ｄ：本発明の一態様に係る電子装置の作製方法の一例を説明する断面図。
【図１６】Ａ−Ｄ：図１５Ｄに続く工程の一例を説明する断面図。
【図１７】Ａ−Ｃ：図１６Ｄに続く工程の一例を説明する断面図。
【図１８】Ａ、Ｂ：図１７Ｃに続く工程の一例を説明する断面図。
【図１９】Ａ、Ｂ：図１８Ｂに続く工程の一例を説明する断面図。
【図２０】Ａ：図１９Ｂに続く工程の一例を説明する断面図であり、電子装置の構成例を説明する断面図。Ｂ−Ｄ：図２０Ａの電子装置の構成例を説明する平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を用いて、本明細書で開示される発明を実施するための形態を説明する。なお、本明細書で参照される図面において、異なる図面間で同じ符号が付されている構成要素は、同一の構成要素を表している。そのため、このような構成要素に関する説明は、重複するため、省略することがある。
【００２３】
また、本明細書で開示される発明の態様は、実施の形態の記載内容に限定されるものではなく、様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。つまり、本明細書で開示される発明は、実施の形態の記載内容に限定して解釈されるべきではない。
【００２４】
（実施の形態１）
本実施の形態では、硬化したプリプレグからなる樹脂膜を貫通する導電体を備えた端子構造とその作製方法について説明する。さらに、本実施の形態では、このような構造の端子を備えた電子装置およびその作製方法についても説明する。
【００２５】
以下、図１Ａ−図５Ｃを参照して、本実施の形態の端子構造および電子装置の構成、ならびにこれらの作製方法について説明する。
【００２６】
図１Ａに示すように、絶縁膜１０１を介して、少なくとも１つ以上の電子素子１１０が作製されている基板１００を用意する。電子素子１１０については特段の制約はなく、種類、構造、個数および作製方法などを実施者が決定することができる。例えば、電子素子１１０の具体例として、トランジスタ、抵抗素子、整流素子、容量素子、記憶素子、光電変換素子、発光素子、センサ素子および配線基板などが挙げられる。
【００２７】
図１Ａには、電子素子１１０の一例としてＳＯＩ構造のトランジスタが記載されている。また、図面が煩雑にならないように、１つの電子装置に対して２つの電子素子１１０を記載している。図１Ａに示すように、絶縁膜１０１上には、トランジスタの半導体膜１１１、そのゲート電極として機能する導電体１１２、ならびにソース電極および／またはドレイン電極として機能する導電体１１３が形成されている。ここでは、絶縁膜１０１は、電子素子１１０の下地絶縁膜として機能する膜である。半導体膜１１１には、少なくともチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成されている。トランジスタの半導体膜１１１は絶縁膜１０２に覆われ、絶縁膜１０２上に導電体１１２が形成されている。ここでは、トランジスタのゲート絶縁膜は絶縁膜１０２で形成される。導電体１１２は絶縁膜１０３に覆われており、絶縁膜１０３上に導電体１１３が形成されている。
【００２８】
基板１００には、半導体基板、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、ステンレス基板、金属基板、などの基板を用いることができる。半導体基板としては、インゴットをスライスしたシリコンウエハ、絶縁膜を介して単結晶半導体層が基板上に形成されているＳＯＩ基板などを用いることができる。また、基板１００にインゴットをスライスしたシリコンウエハを適用した場合は、シリコンウエハ（基板１００）に半導体領域を含む電子素子１１０を作製することができる。
【００２９】
絶縁膜１０１−１０３は単層構造でも積層構造でもよい。絶縁膜１０１−１０３を構成する絶縁膜は、電子素子１１０の作製工程の条件、およびこれらの膜の機能を考慮して選択される。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化ゲルマニウム膜、窒化ゲルマニウム膜、酸化窒化ゲルマニウム膜、窒化酸化ゲルマニウム膜などのシリコンおよび／またはゲルマニウムを組成に含む絶縁膜を用いることができる。また、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウムなどの金属酸化物でなる絶縁膜、窒化アルミニウムなどの金属窒化物でなる絶縁膜、酸化窒化アルミニウムなどの金属酸化窒化物でなる絶縁膜、窒化酸化アルミニウムなどの金属窒化酸化物でなる絶縁膜を用いることもできる。また、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテンなどの樹脂材料でなる樹脂膜を用いることもできる。なお、本明細書では、酸化窒化物とは、窒素よりも酸素の含有量が多い物質であり、窒化酸化物とは酸素よりも窒素の含有量が多い物質である。
【００３０】
これら絶縁膜の形成方法の代表例には、ＰＥＣＶＤ（プラズマ励起ＣＶＤ）法・熱ＣＶＤ法などのＣＶＤ法（化学気相成長法）、スパッタ法・蒸着法などのＰＶＤ法（物理気相成長法）、およびＡＬＤ法（原子層堆積法）等がある。さらに、スピンコート法・液滴吐出法・ディップコート法などの液体状またはペースト状の材料から膜を形成する方法、ならびに、プラズマや熱などによる固相酸化処理および固相窒化処理などがある。
【００３１】
また、導電体１１２、１１３は単層構造または積層構造でもよい。導電体１１２、１１３を構成する膜には、例えば、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、クロム、ニオブ、金、銀、銅、プラチナ等から選択された単体金属を主成分とする金属膜、合金膜、および金属化合物膜などがある。例えば、金属膜には、銅膜、純アルミニウム膜、およびＳｉ、Ｎｂなどを添加したアルミニウム膜がある。合金膜には、アルミニウム−銅合金膜、アルミニウム−ネオジム合金膜がある。金属化合物膜には、窒化チタン膜、窒化タングステン膜などの金属窒化物膜、ニッケルシリサイド膜、コバルトシリサイド膜などのシリサイド膜がある。これらの導電膜は、スパッタ法・蒸着法などのＰＶＤ法、印刷法・液滴吐出法・ディップコート法などの液体状またはペースト状の材料から膜を形成する方法、ハンダ法、ならびに、メッキ法などで形成することができる。
【００３２】
電子素子１１０を作製し、次いで、図１Ａに示すように、電子素子１１０を覆って、絶縁膜１０４を形成する。絶縁膜１０４は、絶縁膜１０１−１０３と同様に形成することができる。例えば、絶縁膜１０４を窒化酸化シリコン膜と樹脂膜でなる２層構造とする場合、次のように開口を有する絶縁膜１０４を形成することができる。まず、ＰＥＣＶＤ装置でソースガスにＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３およびＨ２を用いて、厚さ５０ｎｍ−３００ｎｍ程度の窒化酸化シリコン膜を絶縁膜１０３上に形成する。次いで、印刷法により、未硬化の感光性のエポキシ−フェノール系樹脂でなる膜を窒化酸化シリコン膜上に形成する。次いで、適切な波長の光未硬化の樹脂膜に照射することで、樹脂を硬化させ、厚さ１−３０μｍ程度の樹脂膜を形成する。このとき、導電体１１３と導電体１１４との導通領域となる部分を硬化させない。次いで、１層目の窒化酸化シリコン膜をエッチングして、開口を有する絶縁膜１０４が完成する。
【００３３】
そして、図１Ａに示すように、絶縁膜１０４上に、少なくとも１つの電子素子１１０に電気的に接続される導電体１１４を形成する。ここでは、導電体１１３に接する導電体１１４を形成する。導電体１１４は、電子装置の端子部を構成する。よって、導電体１１４は少なくとも１つの電子素子１１０に電気的に接続されている。
【００３４】
本実施の形態では、プリプレグで形成した絶縁膜（樹脂膜）で電子素子１１０を封止する。図３Ａは、本実施の形態で用いられる未硬化のプリプレグ１３０の断面図である。未硬化のプリプレグ１３０（以下、「プリプレグ１３０」と呼ぶ。）は未硬化のマトリックス樹脂１３２、および補強材１３１を含む。
【００３５】
未硬化のマトリックス樹脂１３２（以下、「マトリックス樹脂１３２」と呼ぶ。）として、加熱により硬化する樹脂を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、またはフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。例えば、ポリイミド樹脂でなるマトリックス樹脂１３２であれば、これを硬化することによりポリイミド樹脂でなる絶縁膜が形成される。なお、マトリックス樹脂１３２に適用される樹脂は１つに限定されるものではなく、複数の樹脂を適用することができる。
【００３６】
なお、本明細書において、樹脂やプリプレグが未硬化であるという状態は、硬化していない状態、および完全に硬化していない状態の両方の状態を含む。後者の状態は、半硬化と呼ばれることがある。
【００３７】
プリプレグ１３０に適用される補強材１３１には、繊維、シート状の繊維体（繊維シートと呼ぶこともできる）、およびフィラーなどがある。シート状繊維体とは繊維でなるシート状物体であり、例えば、織布、および不織布が該当する。シート状繊維体に適用される織布の織り方に特段の制限はなく、シート状繊維体として、例えば、平織り、綾織り、繻子織りなどの織布を適用することができる。
【００３８】
補強材１３１に適用される繊維としては、高強度繊維が好ましい。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率が高い繊維である。または、ヤング率が高い繊維である。高強度繊維として、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、および炭素繊維などが挙げられる。ガラス繊維材料として、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラスなどが挙げられる。例えば、ガラス繊維でなる織布はガラスクロスと呼ばれている。
【００３９】
補強材１３１に適用される糸束について（断面形状、加工方法など）、特段の制限はない。その断面の形状は、円形でも、楕円形でも、平板状でもよい。開繊加工された糸束でなるシート状繊維体を補強材１３１に用いることが好ましい。なぜなら、開繊加工された糸束は、糸束幅が広くなり、厚み方向の単糸数が少なくなるため、容易に糸束の断面を扁平にすることができるからである。糸束の断面を扁平にすることで、シート状繊維体が薄くなるので補強材１３１が薄くなり、その結果、未硬化のプリプレグ１３０も薄くすることができるからである。
【００４０】
本実施の形態では、補強材１３１としてシート状繊維体を適用する。この場合、プリプレグ１３０は次のように形成することができる。マトリックス樹脂１３２を有機溶剤で希釈した組成物をシート状繊維体に含浸させる。しかる後、乾燥により有機溶剤を揮発させ、マトリックス樹脂１３２を半硬化させる。
【００４１】
なお、プリプレグ１３０の代わりに補強材１３１を含まない未硬化の樹脂でなる膜を用いることができる。補強材１３１を含むプリプレグ１３０を用いる方が電子装置を補強できるため好ましい。
【００４２】
本実施の形態では、電子装置の端子部を形成するために、未硬化の状態のプリプレグ１３０には、複数の開口１３３（貫通穴）を形成する。図３Ｂは複数の開口１３３が形成されたプリプレグ１３０の断面図である。これらの開口１３３は、電子素子１１０と端子部とを電気的に接続するために形成される。開口１３３の形成にはレーザービームによる穴開けや、パンチング加工、ドリル加工などで行うことができる。開口１３３の形成方法は、開口１３３の数、サイズ、形状およびレイアウトなどを考慮して、実施者が決定することができる。
【００４３】
そして、図１Ｂに示すように、複数の開口１３３が形成されたプリプレグ１３０を絶縁膜１０４および導電体１１４に貼り付ける。図３Ｃは、絶縁膜１０４および導電体１１４上面に貼り付けられたプリプレグ１３０の上面図であり、図１Ｂの平面図に対応する。なお、図３Ｃにおいて、プリプレグ１３０の補強材１３１は図示されていない。
【００４４】
開口１３３の数、サイズ、形状およびレイアウトなどは、回路レイアウトおよび回路設計から要求される特性（抵抗値など）などを考慮して決定される。プリプレグ１３０を絶縁膜１０４に固定した状態で、複数の開口１３３のうち少なくとも１つの開口１３３が導電体１１４と重なっていればよい。開口１３３が導電体１１４と重なっているとは、開口１３３全体が重なっている場合、および、その一部が導電体１１４と重なっている場合の双方を含む。
【００４５】
本実施の形態では、プリプレグ１３０の全体に開口１３３を設けたので、開口１３３と導電体１１４との特段の位置あわせを行わなくとも、１または複数の開口１３３を導電体１１４に重ねることができる。すなわち、プリプレグ１３０に形成される開口１３３の数、サイズ、形状およびレイアウトなどにより、開口１３３と導電体１１４との精密な位置合わせが不必要になるようすることができる。
【００４６】
図３Ｃに示すように、本実施の形態では、プリプレグ１３０に形成された複数の開口１３３は、導電体１１４と重なる開口１３３Ａ、開口１３３Ｂ、および導電体１１４と重ならない開口１３３Ｃの２つに分類される。また、図３Ｃの場合では、導電体１１４と重なる開口１３３は、全体が導電体１１４に重なる開口１３３Ａと、一部が重なる開口１３３Ｂの２つに分類することができる。
【００４７】
図３Ｃのように、導電体１１４に対してサイズが小さな開口１３３の場合には、複数の開口１３３が導電体１１４と重なっていることが好ましい。開口１３３のサイズが小さいほど、プリプレグ１３０を硬化した際に、開口１３３Ｃのように端子部を構成しない開口１３３をマトリックス樹脂１３２で塞ぐことが容易である。また、複数の開口１３３が導電体１１４と重なることで、開口１３３と導電体１１４との位置あわせの許容範囲が広くなる、端子部の抵抗値が高くなることが抑えられるなどの利点がある。
【００４８】
複数の開口１３３が形成されているプリプレグ１３０を絶縁膜１０４上面に貼り付けた後、導電性ペースト１４０を導電体１１４と重なっている開口１３３に設ける。図１Ｃおよび図１Ｄは、この工程を説明する断面図である。
【００４９】
まず、図１Ｃに示すように、プリプレグ１３０の上面の導電体１１４と重なる領域に導電性ペースト１４０を設ける。導電性ペースト１４０は、導電性微粒子（または導電性粉末）、熱硬化性の樹脂バインダ、および溶剤を含む。導電性ペーストに含まれる導電性粉末または導電性微粒子の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉなどの金属、これらの金属材料の合金（例えば、Ａｇ−Ｐｄ）などが挙げられる。また、樹脂バインダとしてアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂などが挙げられる。
【００５０】
導電性ペースト１４０をプリプレグ１３０の所望の領域に設けるには、液滴吐出法（インクジェット法、ディスペンス法などの方法が含まれる。）、スクリーン印刷法などの印刷法などの方法がある。図１Ｄに示すように、プリプレグ１３０上に設けられた導電性ペースト１４０の一部は開口１３３内へ流動し、導電体１１４に接する。
【００５１】
なお、導電性ペースト１４０に含まれている溶剤の種類によっては、プリプレグ１３０のマトリックス樹脂１３２が溶解され、溶解されたマトリックス樹脂１３２中に導電性ペースト１４０に含まれる導電性微粒子（または導電性粉末）が分散する場合がある。図１Ｄはこのような状態を模式的に示している。このような場合でも、開口１３３がプリプレグ１３０に形成されているので、導電性ペースト１４０の移動経路は主として開口１３３であり、導電体１１４に対する取り出し電極（又は取り出し配線）の導通路を開口１３３に形成することができる。すなわち、硬化したプリプレグ１３０を貫通する導電体を形成することができる。
【００５２】
また、導電性ペースト１４０の溶剤は、プリプレグ１３０の硬化処理において、導電性ペースト１４０が存在する開口１３３をマトリックス樹脂１３２が埋めるように流動することを抑制することが主要な役割になる。
【００５３】
次に、プリプレグ１３０および導電性ペースト１４０をプレスしながら、プリプレグ１３０および導電性ペースト１４０を加熱して、それぞれを硬化する。この硬化工程は、プリプレグ１３０および導電性ペースト１４０をプレスしながら加熱することが好ましく、真空熱プレス機で行うことができる。図２Ａに示すように、加熱処理（硬化処理）によって、プリプレグ１３０から電子素子１１０を封止する絶縁膜１３５が形成され、導電性ペースト１４０から端子を構成する導電体１４１が形成される。絶縁膜１３５において、樹脂１３４は硬化したマトリックス樹脂１３２に対応する。プリプレグ１３０には、導電性ペースト１４０が存在していない開口１３３や、導電性ペースト１４０が存在しているが隙間を含む開口１３３が存在するが、加熱処理後の絶縁膜１３５には開口１３３が存在しない。それは、マトリックス樹脂１３２が流動性を示すため、プリプレグ１３０が硬化する過程でマトリックス樹脂１３２がこのような貫通穴を埋めるからである。
【００５４】
導電性ペースト１４０は、マトリックス樹脂１３２の流動開始温度よりも低い温度で硬化するものを選択することが好ましい。マトリックス樹脂１３２が流動性を示すより温度も低い温度で導電性ペースト１４０が硬化するので、導電性ペースト１４０が存在する開口１３３にマトリックス樹脂１３２が流動する前に、開口１３３に存在する導電性ペースト１４０を硬化することができるからである。その結果、導電体１１４と導電体１４１との接続抵抗を低くすることができる。また、導電性ペースト１４０に含まれる溶剤がマトリックス樹脂１３２を溶解する場合は、導電性ペースト１４０が開口１３３に存在することによって、当該開口１３３にマトリックス樹脂１３２が流動することが阻害されることになる。
【００５５】
次に、図２Ｂに示すように、導電体１４１と電気的に接続される導電体１４２を形成する。ここでは、導電体１４２を導電体１４１に密着させている。導電体１４２は、導電体１４１と同様に、導電性ペーストから形成することができる。導電体１１４の形成から導電体１４２の形成までの工程で、電子装置の端子部１４５が作製される。端子部１４５は、導電体１１４、導電体１４１および導電体１４２を含む。導電体１１４、導電体１４１および導電体１４２は、端子部１４５を構成する部分だけでなく、配線や他の電極となる部分を含んでいてもよい。なお、導電体１４１により、他の電子装置と電気的に接続することができる場合は、導電体１４２を形成しなくともよい。
【００５６】
導電体１１４を覆う絶縁膜１３５は、プリプレグ１３０を硬化した樹脂膜である。図３Ｃに示すような、導電性ペースト１４０を設けない開口１３３Ｃがプリプレグ１３０に設けられているので、補強材１３１としてシート状繊維体を用いた場合、絶縁膜１３５は複数の開口１３３が形成されているシート状繊維体を含むことになる。また、導電性ペースト１４０が未硬化のプリプレグ１３０に接触しているので、導電性ペースト１４０の溶剤がプリプレグ１３０のマトリックス樹脂１３２を溶解する場合は、開口１３３が存在していない部分（補強材１３１が存在している部分）にも導電性微粒子または導電性粉末が分散する。その結果、硬化されたプリプレグ１３０（絶縁膜１３５）は、導電体１４１と重なる領域に補強材１３１と導電性微粒子または導電性粉末が共に存在している部分を有する。
【００５７】
図２Ｂに示す工程の完了後、基板１００を切断して、基板１００上に形成されている積層物を個々の電子装置１８１に分割する（図２Ｃ参照）。この工程は、ダイシング、スクライブなどの処理で行うことができる。基板１００を切断する前に、研削処理および／または研磨処理などにより基板１００を薄くしてもよい。
【００５８】
図２Ｃに示すように、電子装置１８１は、絶縁膜１０４に覆われた少なくとも１つの電子素子１１０と、電子素子１１０の少なくとも１つに電気的に接続されている端子部１４５を有する。端子部１４５は、絶縁膜１０４上に形成され、電子素子１１０の少なくとも１つに電気的に接続されている導電体１１４と、導電体１１４に電気的に接続され、絶縁膜１３５を貫通する導電体１４１と、導電体１４１に電気的に接続されている導電体１４２とを有する。電子装置１８１は、導電体１４２を介して他の電子装置（集積回路、配線回路、アンテナなど）と電気的に接続可能な構造を有する。
【００５９】
また、基板１００を切断する前に、基板１００側にも補強材１３１を有するプリプレグ１３０を貼り付けてもよい。そして、プリプレグ１３０を硬化し、図４Ａに示すように、基板１００裏面側を覆う絶縁膜１３６を形成する。絶縁膜１３６は絶縁膜１３５と同様に、補強材１３１を含む樹脂１３４でなる。補強材１３１を含まないプリプレグから絶縁膜１３６を形成することもできる。そして、図４Ｂに示すように、絶縁膜１３５および絶縁膜１３６で挟まれた積層物を切断して、個々の電子装置１８２に分割する。絶縁膜１３６は基板１００側の封止膜として機能する。電子装置１８２の構造は、基板１００の裏面に補強材１３１を含む絶縁膜１３６が存在している他は、図２Ｃの電子装置１８１と同様である。
【００６０】
また、図５Ａに示すように、電子素子１１０の作製のために使用した基板１００を電子素子１１０から分離してもよい。そして、基板１００を分離することで露出された部分に補強材１３１を含むプリプレグ１３０を設ける。ここでは、絶縁膜１０１にプリプレグ１３０を貼り付け、しかる後、このプリプレグ１３０を硬化して、図５Ｂに示すように、絶縁膜１０１を覆う絶縁膜１３７を形成する。そして、図５Ｃに示すように、絶縁膜１３５および絶縁膜１３７で挟まれた積層物を切断して、個々の電子装置１８３に分割する。絶縁膜１３７は絶縁膜１０１側の封止膜として機能する。
【００６１】
電子装置１８３の構造は、基板１００が除去され、代わりに絶縁膜１０１に補強材１３１を含む絶縁膜１３７が存在している他は、図２Ｃの電子装置１８１と同様である。このように、基板１００を除去することで、撓めたり、または曲げたりすることが可能な電子装置１８３を作製することができる。
【００６２】
なお、本実施の形態では、封止膜の形成に、補強材を含むプリプレグが用いられているが、補強材を含まない未硬化の樹脂でなる膜をプリプレグの代わりにを用いることもできる。
【００６３】
以上述べたように、端子構造の作製に本実施の形態を適用することで、電子素子または導電体を覆っている絶縁膜にレーザービームによる穴開け加工が不必要になる。そのため、レーザービームによる端子や電子素子の損傷、穴開け加工で発生するゴミによる端子や電子素子の不良などを回避することができる。
【００６４】
また、プリプレグから形成された絶縁膜を貫通する導電体を容易に作製することが可能である。具体的な効果としては、導電体を貫通させるための絶縁膜に形成する開口の位置あわせが不要である、この開口の大きさを均一にすることが容易である、ことなどが挙げられる。この結果、設計値通りの電気的特性を備えた端子および電子装置を作製することが容易になり、端子および電子装置の信頼性を向上させることができる。
【００６５】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【００６６】
（実施の形態２）
実施の形態２では、硬化したプリプレグからなる樹脂膜を貫通する導電体を備えた端子構造とその作製方法について説明する。さらに、実施の形態２では、このような構造の端子を備えた電子装置およびその作製方法について説明する。
【００６７】
実施の形態１の端子構造および電子装置の作製方法では、プリプレグ１３０を絶縁膜１０４に固定してから、導電性ペースト１４０をプリプレグ１３０の開口に設けている。実施の形態２では、導電性ペースト（１５０）を導電体１１４上に設けてから、プリプレグ１３０を絶縁膜１０４に固定することで、端子構造および電子装置を作製する方法を説明する。
【００６８】
先ず、図１Ａに示すように、基板１００上に電子素子１１０、および電子素子１１０に電気的に接続されている導電体１１４を形成する。そして、図６Ａに示すように、導電体１１４上面に接して導電性ペースト１５０を設ける。実施の形態１の導電性ペースト１４０と同様に、液滴吐出法（インクジェット法、ディスペンス法などの方法が含まれる。）、スクリーン印刷法などの印刷法などにより、導電性ペースト１５０を導電体１１４上に設けることができる。
【００６９】
次に、図３Ｂおよび図３Ｃに示す複数の開口１３３が形成されたプリプレグ１３０を絶縁膜１０４上に貼り付ける。真空熱プレス機などでプリプレグ１３０を絶縁膜１０４に圧着することで、プリプレグ１３０により導電性ペースト１５０が押し広げられ、また、導電体１１４と重なった開口１３３へと侵入し、図６Ｂに示すように、一部の開口１３３に導電性ペースト１５０が充填される。
【００７０】
また、導電性ペースト１５０の溶剤がプリプレグ１３０のマトリックス樹脂１３２を溶解する場合、プリプレグ１３０により導電性ペースト１５０が押し広げられることから、開口１３３に充填されなかった導電性ペースト１５０の導電性微粒子（または導電性粉末）がマトリックス樹脂１３２中に分散する。図６Ｂはこのような状態を図示している。
【００７１】
そして、プリプレグ１３０および導電性ペースト１５０をプレスしながら、プリプレグ１３０および導電性ペースト１５０を加熱して、それぞれを硬化する。この硬化工程は、図２Ａの工程と同様に行うことができる。図６Ｃに示すように、加熱処理（硬化処理）によって、プリプレグ１３０から電子素子１１０を封止する絶縁膜１６１が形成され、導電性ペースト１５０から端子を構成する導電体１５１が形成される。絶縁膜１６１において、樹脂１６２は硬化したマトリックス樹脂１３２に対応する。プリプレグ１３０には、導電性ペースト１５０が存在していない開口１３３や、導電性ペースト１５０が存在しているが隙間を含む開口１３３が存在するが、絶縁膜１３５（図２Ｃ）と同様、加熱処理後の絶縁膜１６１には開口１３３が存在しない。それは、加熱によってマトリックス樹脂１３２が流動性を示すため、プリプレグ１３０が硬化する過程でマトリックス樹脂１３２がこのような貫通穴や隙間を埋めるからである。
【００７２】
また、図６Ｂと図６Ｃの工程は真空熱プレス機で一連の工程として行うことができる。真空熱プレス機でプリプレグ１３０を絶縁膜１０４に圧着しながら、加熱処理を行うことで、プリプレグ１３０および導電性ペースト１５０を硬化し、絶縁膜１６１および導電体１５１を形成する。
【００７３】
次に、図６Ｄに示すように、導電体１５１に電気的に接続される導電体１５２を形成する。導電体１５２は、導電体１４１と同様に、導電性ペーストから形成することができる。導電体１１４の形成から導電体１５２の形成までの工程で、電子装置の端子部１５５が作製される。端子部１５５は、導電体１１４、導電体１５１および導電体１５２を含む。導電体１１４、導電体１５１および導電体１５２は、端子部１５５を構成する部分だけでなく、配線や他の電極となる部分を含んでいてもよい。なお、導電体１５１により、他の電子装置と電気的に接続することができる場合は、導電体１５２を形成しなくともよい。
【００７４】
図６Ｄの工程以降の工程を実施の形態１と同様に行うことで、電子素子１１０、および電子素子１１０に電気的に接続されている端子部１５５を備えた電子装置を作製することができる。
【００７５】
本実施の形態でも、実施の形態１と同様に、導電体１１４を覆う絶縁膜１６１は、複数の開口１３３が形成されたプリプレグ１３０を硬化した樹脂膜であるので、絶縁膜１３５と同様の構成を有する。すなわち、絶縁膜１６１は、複数の開口１３３が形成されているシート状繊維体を含む。また、使用した導電性ペースト１５０の溶剤の種類によって、絶縁膜１６１には、導電体１５１と重なる領域に補強材１３１と導電性微粒子または導電性粉末が共に存在している部分を有する場合がある。
【００７６】
以上述べたように、端子構造の作製に本実施の形態を適用することで、電子素子または導電体を覆っている絶縁膜にレーザービームによる穴開け加工が不必要になる。その結果、レーザービームによる電子素子または端子の損傷、穴開け加工で発生するゴミによる電子素子または端子の不良等を回避することができる。
【００７７】
また、プリプレグから形成された絶縁膜を貫通する導電体を容易に作製することが可能である。具体的な効果としては、導電体の形成位置を決定するための高精度の位置あわせが不要である、この開口の大きさを均一にすることが容易である等が挙げられる。この結果、電子装置の信頼性を向上させることができる。
【００７８】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【００７９】
（実施の形態３）
実施の形態３では、硬化したプリプレグからなる樹脂膜を貫通する導電体を備えた端子構造とその作製方法について説明する。さらに、実施の形態３では、このような構造の端子を備えた電子装置およびその作製方法についても説明する。
【００８０】
実施の形態１の端子構造および電子装置の作製方法では、プリプレグ１３０を絶縁膜１０４に固定してから、導電性ペースト１４０をプリプレグ１３０の開口に設けている。実施の形態３では、導電性ペースト（１７０）をプリプレグ１３０上に設けてから、プリプレグ１３０を絶縁膜１０４に固定することで、端子構造および電子装置を作製する方法を説明する。
【００８１】
図１Ａに示すように、基板１００上に電子素子１１０、および電子素子１１０に電気的に接続されている導電体１１４を形成する。
【００８２】
また、図７Ａに示すように、複数の開口１３３が形成されたプリプレグ１３０の上面に接して導電性ペースト１７０を設ける。実施の形態１の導電性ペースト１４０と同様に、液滴吐出法（インクジェット法、ディスペンス法などの方法が含まれる。）、スクリーン印刷法などの印刷法などにより、導電性ペースト１７０をプリプレグ１３０の所望の領域上に設けることができる。
【００８３】
導電性ペースト１７０をプリプレグ１３０上に配置すると、導電性ペースト１７０の一部は開口１３３に充填される。また、導電性ペースト１７０に含まれている溶剤の種類によっては、プリプレグ１３０のマトリックス樹脂１３２が溶解され、溶解されたマトリックス樹脂１３２中に導電性ペースト１７０に含まれる導電性微粒子（または導電性粉末）が分散する場合がある。図７Ｂは、このような状態を模式的に示している。
【００８４】
次に、導電性ペースト１７０が設けられたプリプレグ１３０を絶縁膜１０４上に貼り付ける。プリプレグ１３０を介して、導電性ペースト１７０が形成されている開口１３３と導電体１１４が重なるように、プリプレグ１３０の位置あわせを行う。プリプレグ１３０を絶縁膜１０４に密着することで、図７Ｃに示すように、開口１３３に侵入している導電性ペースト１７０が導電体１１４に接する。
【００８５】
次に、プリプレグ１３０および導電性ペースト１７０をプレスしながら、プリプレグ１３０および導電性ペースト１７０を加熱して、それぞれを硬化する。この硬化工程は、図２Ａの工程と同様に行うことができ、プリプレグ１３０および導電性ペースト１７０をプレスしながら加熱することが好ましく、真空熱プレス機で行うことができる。図７Ｄに示すように、加熱処理（硬化処理）によって、プリプレグ１３０から電子素子１１０を封止する絶縁膜１６３が形成され、導電性ペースト１７０から端子を構成する導電体１７１が形成される。絶縁膜１６３において、樹脂１６４は硬化したマトリックス樹脂１３２に対応する。プリプレグ１３０には、導電性ペースト１７０が存在していない開口１３３や、導電性ペースト１７０が存在しているが隙間を含む開口１３３が存在するが、絶縁膜１３５（図２Ｃ）と同様、絶縁膜１６３には開口１３３が存在しない。それは、加熱によってマトリックス樹脂１３２が流動性を示すので、プリプレグ１３０が硬化する過程でマトリックス樹脂１３２がこのような貫通穴や隙間を埋めるためである。
【００８６】
次に、図７Ｅに示すように、導電体１７１に電気的に接続される導電体１７２を形成する。導電体１７２は、導電体１４１と同様に、導電性ペーストから形成することができる。導電体１１４の形成から導電体１７２の形成までの工程で、電子装置の端子部１７５が作製される。端子部１７５は、導電体１１４、導電体１７１および導電体１７２を含む。導電体１１４、導電体１７１および導電体１７２は、端子部１７５を構成する部分だけでなく、配線や他の電極となる部分を含んでいてもよい。なお、導電体１７１により他の電子装置と電気的に接続することができる場合は、導電体１７２を形成しなくてもよい。
【００８７】
図７Ｅの工程以降の工程を実施の形態１と同様に行うことで、電子素子１１０、および電子素子１１０に電気的に接続されている端子部１７５を備えた電子装置を作製することができる。
【００８８】
本実施の形態でも、実施の形態１と同様に、導電体１１４を覆う絶縁膜１６３は、複数の開口１３３が形成されたプリプレグ１３０を硬化した樹脂膜であるので、絶縁膜１３５と同様の構成を有する。すなわち、絶縁膜１６３は、複数の開口１３３が形成されているシート状繊維体を含む。また、使用した導電性ペースト１７０の溶剤の種類によって、絶縁膜１６３には、導電体１７１と重なる領域に補強材１３１と導電性微粒子または導電性粉末が共に存在している部分を有する場合がある。
【００８９】
以上述べたように、端子構造の作製に本実施の形態を適用することで、電子素子または導電体を覆っている絶縁膜にレーザービームによる穴開け加工が不必要になる。そのため、レーザービームによる電子素子または端子の損傷、穴開け加工で発生するゴミによる電子素子または端子の不良等を回避することができる。
【００９０】
また、プリプレグから形成された絶縁膜を貫通する導電体を容易に作製することが可能である。具体的な効果としては、導電体の形成位置を決定するための高精度の位置あわせが不要である、絶縁膜を貫通する開口の大きさを均一にすることが容易であるなどが挙げられる。この結果、電子装置の信頼性を向上させることができる。
【００９１】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【００９２】
（実施の形態４）
実施の形態１の端子構造の作製方法では、電子素子１１０を覆う樹脂膜を貫通する導電体を形成するため、図３Ｃに示すようにプリプレグ１３０の全面に開口１３３を形成している。本明細書に記載される端子構造を作製するには、プリプレグ１３０には端子を構成する導電体１１４と重なる領域に、少なくとも１つ開口１３３が形成されていればよい。実施の形態４では、図８Ａ−図８Ｃを用いて、開口が形成されているプリプレグについて、図３Ｃと異なる構成例を説明する。
【００９３】
図８Ａ−図８Ｃは、開口を有する未硬化のプリプレグの構成例を説明する平面図である。なお、本実施の形態では、未硬化のプリプレグをプリプレグと記載することとする。また、本実施の形態のプリプレグは、実施の形態１のプリプレグ１３０と同様、補強材１３１およびマトリックス樹脂１３２を有するが、図８Ａ−図８Ｃには、図３Ｃと同様、補強材１３１は図示されていない。
【００９４】
［プリプレグの構成例１］
図８Ａに示すように、プリプレグ２１１には、一点鎖線で示される領域２００に１つの開口２０１が形成されている。領域２００は、プリプレグ２１１を絶縁膜１０４に貼り付けた状態で、導電体１１４と重なる領域である。実施の形態１−３の作製方法により、このような開口２０１が形成されているプリプレグ２１１を用いて端子構造および電子装置を作製することができる。
【００９５】
［プリプレグの構成例２］
図８Ｂに示すように、プリプレグ２１２には、導電体１１４と重なる領域２００に複数の開口２０２が形成されている。実施の形態１−３の作製方法によりこのような開口２０２が形成されているプリプレグ２１２を用いて端子構造および電子装置を作製することができる。
【００９６】
［プリプレグの構成例３］
図８Ｃに示すように、プリプレグ２１３は領域２００に複数の開口２０３が存在している点は、プリプレグ２１２と同様であるが、導電体１１４と重ならない領域にも開口２０３が存在している点で異なる。このように開口２０３が形成されているプリプレグ２１３を用いて、実施の形態１−３の作製方法により、端子構造および電子装置を作製することができる。プリプレグ２１３は、プリプレグ２１１、２１２よりも、絶縁膜１０４に貼り付けるときの位置あわせが容易である。
【００９７】
開口２０１−２０３は、開口１３３の形成と同様に（図２Ｂ等参照）、レーザービーム加工、パンチング加工、ドリル加工などにより形成することができる。
【００９８】
図８Ａ−図８Ｃに示すような少なくとも１つ開口が形成されているプリプレグを用いることで、これらプリプレグから形成された絶縁膜（樹脂膜）を貫通する導電体を容易に作製することが可能である。すなわち、実施の形態１と同様に、導電体の形成位置を決定するための高精度の位置あわせが不要である、絶縁膜を貫通する開口の大きさを均一にすることが容易であるなどの効果が挙げられる。また、レーザービームによる穴開け加工が不必要になるため、穴開け加工で発生したゴミ、およびレーザービームのエネルギーなどによる電子素子の不良を回避できる。従って、本実施の形態により、端子および電子装置の信頼性を向上させることができる。
【００９９】
（実施の形態５）
実施の形態５では、プリプレグの補強材に適したシート状繊維体について説明する。
【０１００】
［シート状繊維体の構成例１］  図９Ａは、シート状繊維体２５１の構成例を示す平面図であり、図９Ｂは、シート状繊維体２５１の構成例を示す断面図である。なお、図９Ｂは図９Ａを線Ａ１−Ａ２で切った断面図である。
【０１０１】
図９Ａに示すようにシート状繊維体２５１は、一本の経糸２６１および一本の緯糸２６２を交互に交差させて織られた平織りの織布である。シート状繊維体２５１は、経糸２６１および緯糸２６２が存在しない領域であるバスケットホール２６３を有する。導電体１４１を形成するために設けた導電性材料がバスケットホール２６３を通過するため、導電体１１４と導電体１４１を接触させることができる。
【０１０２】
シート状繊維体２５１に適用される糸束（経糸２６１、緯糸２６２）について（断面形状、加工方法など）、特段の制限はない。その断面の形状は、円形でも、楕円形でも、平板状でもよい。開繊加工された糸束を経糸２６１および緯糸２６２に用いることが好ましい。なぜなら、開繊加工された糸束はその幅が広くなり、厚み方向の単糸数が少なくなるため、容易に糸束の断面を扁平にすることができるからである。例えば、図９Ｂに示すように、断面が扁平な経糸２６１、同様に断面が扁平な緯糸２６２で織られたシート状繊維体２５１はその厚さを薄くすることができる。
【０１０３】
［シート状繊維体の構成例２］  硬化されたプリプレグの強度を高めるための１つの手段として、シート状繊維体のバスケットホールを小さくすることが挙げられる。図１０にそのような構成例のシート状繊維体２５２の平面図を示す。図１０に示すように、シート状繊維体２５２は、シート状繊維体２５１と同様に、一本の経糸２６１および一本の緯糸２６２を交互に交差させて織られた平織りの織布である。シート状繊維体２５２は、シート状繊維体２５１よりも経糸２６１と緯糸２６２の密度が高く、バスケットホール２６３が狭い。
【０１０４】
［シート状繊維体の構成例３］  また、シート状繊維体に適用される織布は、平織りに限定されない。図１１にこのようなシート状繊維体の構成例を示す。図１１はシート状繊維体２５３の平面図である。図１１に示すように、シート状繊維体２５３は１０本の経糸２６１と、１０本の緯糸２６２を交互に交差させて織られた織布である。
【０１０５】
また、硬化されたプリプレグで電子装置をより効果的に保護するには、使用時に電子装置が局所的に押圧される面積よりも、シート状繊維体（２５１、２５２、２５３）のバスケットホール２６３の大きさが狭い方がよい。例えば、ペンや鉛筆などの筆記具などのような先端が細い器具で電子装置を押すことが必要な場合は、バスケットホール２６３の形状を一辺が０．０１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下の四角形とすることが好ましい。
【０１０６】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【０１０７】
（実施の形態６）
実施の形態６では、電子装置の一例として、無線通信によりデータの送受信が可能な電子装置の構成、およびその作製方法を説明する。
【０１０８】
図１２は、本実施の形態の電子装置３００の構成例を説明するブロック図である。図１２に示すように、電子装置３００は、アンテナ３０１および複数の電子素子を含む機能回路３０２を有する。アンテナ３０１は搬送波の授受を行う。アンテナ３０１には、通信を行う周波数帯域に適切な構造のものが選択される。機能回路３０２は、アンテナ３０１で受信された搬送波を処理する機能、および／またはアンテナ３０１から送信する搬送波を生成する機能を少なくとも有する。
【０１０９】
搬送波とはキャリアとも呼ばれる交流波の信号である。無線通信においては、情報を表す信号に応じて、搬送波の周波数又は振幅を変化（変調という）させて、変調波を生成し、この変調波の送受信によって、情報を伝達する。搬送波の変調方式にはいくつかの種類があり、搬送波の振幅の大小により情報を表す変調方式を振幅変調と呼び、搬送波の周波数の高低により情報を表す変調方式を周波数変調と呼ぶ。
【０１１０】
電子装置３００の具体例として、非接触でデータの交信を行うＩＣチップ（無線チップとも呼ばれる。）が挙げられる。また、非接触で個体認識を行うＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグが挙げられる。ＲＦＩＤタグは、ＲＦタグ、無線タグ、電子タグ、ＩＣタグとも呼ばれる。
【０１１１】
図１３および図１４を参照して、ＩＣチップや、ＲＦＩＤタグに適用できる電子装置３００の構成例を説明する。図１３、図１４は電子装置３００の構成の一例を示すブロック図である。
【０１１２】
まず、図１３の電子装置３００の構成を説明する。図１３の電子装置３００において、機能の面から、機能回路３０２は電源部３１１とロジック回路部３１２とに区分することができる。
【０１１３】
電源部３１１は、電子装置３００に電力を供給するための装置である。そのため、例えば、電源部３１１は整流回路３２１、蓄電部３２２、および定電圧回路３２３を有する。整流回路３２１は、アンテナ３０１で受信された信号（搬送波）から直流電圧を生成する回路である。蓄電部３２２は、整流回路３２１で生成された直流電圧を保持するための回路であり、そのため、蓄電部３２２は例えば複数の容量素子を含む。定電圧回路３２３は、整流回路３２１で生成された電圧の値を一定にするための回路である。
【０１１４】
ロジック回路部３１２は、アンテナ３０１で受信された信号（搬送波）からデータを取り出す、アンテナ３０１から送信するデータを表す搬送波を生成するなどの機能を有する。例えば、ロジック回路部３１２は、復調回路３３１、クロック生成・補正回路３３２、コード認識・判定回路３３３、メモリコントローラ３３４、記憶装置３３５、符号化回路３３６、および変調回路３３７を有する。
【０１１５】
復調回路３３１は、アンテナ３０１で受信された搬送波を復調する回路である。クロック生成・補正回路３３２は、復調回路３３１から出力された信号をもとに、クロック信号を生成し、そのクロック信号を補正する回路である。
【０１１６】
コード認識・判定回路３３３は、アンテナ３０１で受信された搬送波に含まれるコードを認識し、判定する。さらに、コード認識・判定回路３３３は、送信エラーを識別する巡回冗長検査（ＣＲＣ：ｃｙｃｌｉｃ  ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ  ｃｈｅｃｋ）機能を有する。コード認識・判定回路３３３で認識されるコードには、フレーム終了信号（ＥＯＦ：ｅｎｄ  ｏｆ  ｆｒａｍｅ）、フレーム開始信号（ＳＯＦ：ｓｔａｒｔ  ｏｆ  ｆｒａｍｅ）、フラグ、コマンドコード、マスク長（ｍａｓｋ  ｌｅｎｇｔｈ）、マスク値（ｍａｓｋ  ｖａｌｕｅ）等が挙げられる。
【０１１７】
メモリコントローラ３３４は、コード認識・判定回路３３３で認識されたコードをもとに、記憶装置３３５からデータを読み出すための信号を生成する。記憶装置３３５は、少なくとも読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）を含む。ＲＯＭとして、例えば、マスクＲＯＭ、ＰＲＯＭ等がある。また、記憶装置３３５はランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）のような書き換え可能な記憶回路を有してもよい。書き換え可能な記憶回路として、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ、ＥＥＰＲＯＭおよびフラッシュメモリ等を用いることができる。
【０１１８】
符号化回路３３６は、記憶装置３３５から読み出されたデータ等、電子装置３００から送信するための情報を符号化する。変調回路３３７は、符号化回路３３６で符号化された情報をもとに信号を変調して、アンテナ３０１から送信可能な搬送波を生成する。
【０１１９】
次に、図１４の電子装置３００の構成を説明する。この電子装置３００は、外部装置と無線通信を行って動作する演算処理装置として機能する。図１４の電子装置３００において、機能の面から、機能回路３０２は、アナログ回路部３４１、デジタル回路部３４２、および蓄電部３４３に区分することができる。
【０１２０】
アナログ回路部３４１は、共振容量を有する共振回路３５１、定電圧回路３５２、整流回路３５３、復調回路３５４、変調回路３５５、リセット回路３５６、発振回路３５７および電源管理回路３５８を有する。
【０１２１】
デジタル回路部３４２は、ＲＦインターフェース３６１、制御レジスタ３６２、クロックコントローラ３６３、ＣＰＵ（中央演算処理ユニット）３６４、ＣＰＵインターフェース３６５、ＲＡＭ３６６、ＲＯＭ３６７を有する。
【０１２２】
図１４の電子装置３００の動作の概要は以下の通りである。アンテナ３０１で受信された信号（搬送波）はアナログ回路部３４１に入力され、共振回路３５１では誘導起電力が生じる。誘導起電力は、整流回路３５３を経て蓄電部３４３に充電される。この蓄電部３４３はセラミックコンデンサや電気二重層コンデンサ等のキャパシタで形成することができる。
【０１２３】
リセット回路３５６は、デジタル回路部３４２をリセットして初期化するための信号を生成する。例えば、電源電圧の上昇に遅延して立ち上がる信号がリセット信号として生成される。発振回路３５７は、定電圧回路３５２で生成される制御信号に応じて、クロック信号の周波数とデューティー比を変更する。復調回路３５４は、受信信号を復調する回路であり、変調回路３５５は、送信する情報を搬送波に含ませるために信号を変調する回路である。
【０１２４】
例えば、電子装置３００で処理される信号の変調方式が、振幅変調方式の１種であるＡＳＫ（Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｋｅｙｉｎｇ）方式である場合、復調回路３５４をローパスフィルタで形成すればよい。復調回路３５４では、受信信号をその振幅の変動をもとに二値化する。他方、変調回路３５５では、共振回路３５１の共振点を変化させることで信号の振幅を変化させればよい。
【０１２５】
クロックコントローラ３６３は、電源電圧またはＣＰＵ３６４での消費電流に応じてクロック信号の周波数とデューティー比を変更するための制御信号を生成している。電源電圧の監視は電源管理回路３５８が行っている。
【０１２６】
アンテナ３０１で受信された信号は復調回路３５４で復調される。この復調された信号はＲＦインターフェース３６１で制御コマンドやデータ等に分解される。制御コマンドは制御レジスタ３６２に格納される。制御コマンドには、デジタル回路部３４２に含まれる回路への命令が含まれており、例えば、ＲＯＭ３６７からデータを読み出すための命令、ＲＡＭ３６６にデータを書き込むための命令、ＣＰＵ３６４での演算命令等が含まれている。
【０１２７】
ＣＰＵ３６４は、ＣＰＵインターフェース３６５を介してＲＯＭ３６７、ＲＡＭ３６６および制御レジスタ３６２にアクセスする。ＣＰＵインターフェース３６５は、ＣＰＵ３６４が要求するアドレスにしたがって、ＲＯＭ３６７、ＲＡＭ３６６および制御レジスタ３６２のいずれかにＣＰＵ３６４がアクセスするためのアクセス信号を生成する。
【０１２８】
ＣＰＵ３６４での演算処理方式にはいくつかあり、その１つは演算をソフトウェアで処理する方法である。この方式では、例えば、ＲＯＭ３６７にＯＳ（オペレーティングシステム）を記憶させておき、ＣＰＵ３６４がＲＯＭ３６７に記憶されているプログラムを読み出し、それを実行する方式である。他の１つは、専用の演算回路で演算を行う方式、つまりハードウェアで演算を処理する方式である。他の１つは、ソフトウェアとハードウェアを組み合わせた方式であり、この方式では、専用の演算回路で一部の演算処理を行い、プログラムを使って、残りの演算をＣＰＵ３６４が行うようにすることができる。
【０１２９】
次に、本実施の形態の電子装置３００の作製方法を説明する。この作製方法は、機能回路３０２を構成する電子素子の作製に使用した基板を分離する工程を含む。
【０１３０】
例えば、実施の形態１の作製方法において、基板１００と下地となる絶縁膜１０１の間に剥離膜（例えば、シリコンでなる膜）を形成し、この剥離膜をエッチングして除去することで、基板１００から電子装置を分離することができる。また、基板１００と下地となる絶縁膜１０１の間に金属を主成分とする剥離膜を形成し、この剥離膜に物理的な力を加えて、剥離膜で剥離を生じさせることで、基板１００から電子装置を分離することもできる。以下、図１５Ａ−図２０Ａを参照して、後者の方法が適用された電子装置３００の作製方法の一例を説明する。
【０１３１】
まず、図１５Ａに示すように、機能回路３０２の電子素子を作製するための基板を用意する。ここでは、この基板としてガラス基板４００が用いられる。機能回路３０２はガラス基板４００上に形成される下地絶縁膜４０１上に形成される。機能回路３０２の作製後、機能回路３０２をガラス基板４００から分離するため、下地絶縁膜４０１とガラス基板４００の間に剥離膜４０２が形成される。
【０１３２】
剥離膜４０２の形成前に、下地膜４０３をガラス基板４００上に密着して形成する。この下地膜４０３は、剥離膜４０２に対する下地膜であり、剥離膜４０２とガラス基板４００との密着性を高めるために、形成される。下地膜４０３は単層構造または積層構造の絶縁膜で形成することができる。下地膜４０３を構成する絶縁膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および金属酸化物膜などが挙げられる。ここでは、ＰＥＣＶＤ法で厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。
【０１３３】
次に、下地膜４０３に接して剥離膜４０２を形成する。ここでは、剥離膜４０２としてスパッタ法で厚さ５０ｎｍのタングステン膜を形成する。
【０１３４】
本作製方法では、機能回路３０２をガラス基板４００から分離するため、剥離膜４０２に力学的な力を加えることで、剥離膜４０２の内部、および／または剥離膜４０２と下地絶縁膜４０１との界面に優先的に剥離を生じさせる。このような剥離を生じさせるためには、剥離膜４０２は、例えば、タングステン膜、モリブデン膜、タングステンとモリブデンの合金膜、タングステンおよび／またはモリブデンの酸化物膜、酸化窒化物膜、窒化酸化物膜、窒化物膜で形成することができる。また剥離膜４０２は、これらの膜から選ばれた積層構造の膜で形成することができる。これらの膜は、スパッタ法、ＰＥＣＶＤ法および液滴吐出法などで形成することができる。
【０１３５】
剥離膜４０２の形成方法には、例えば、１層目にタングステン膜、モリブデン膜、またはタングステンとモリブデンの合金膜を形成し、２層目に１層目の膜の酸化物膜、酸化窒化物膜、窒化酸化物膜または窒化物膜を形成する方法がある。また、タングステン膜、モリブデン膜、またはタングステンとモリブデンの合金膜のいずれかの膜を下地膜４０３上に形成した後、この膜を酸化処理する方法がある。この酸化処理としては、熱酸化処理、Ｏ２またはＮ２Ｏプラズマによるプラズマ酸化処理、オゾン水などの酸化力の強い溶液による表面処理などがある。
【０１３６】
次に、剥離膜４０２上に接して単層構造または積層構造の下地絶縁膜４０１を形成する。下地絶縁膜４０１を構成する絶縁膜としては、電子装置３００の作製工程に耐えうる膜が選択され、図１Ａの絶縁膜１０１と同様に形成することができる。ここでは、下地絶縁膜４０１を３層構造とし、１層目に厚さ１００−７００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成し、２層目に厚さ２０−１００ｎｍの窒化酸化シリコン膜を形成し、３層目に厚さ５０−１５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。これらの膜はＰＥＣＶＤ法で形成される。
【０１３７】
次いで、下地絶縁膜４０１上に機能回路３０２を作製する。また、同じプロセスにおいて、複数の機能回路３０２が同時に１枚のガラス基板４００上に作製される。以下の説明で参照される図面には、２つの機能回路３０２の作製過程を示し、機能回路３０２として、ｎチャネル型トランジスタおよびｐチャネル型トランジスタの作製過程を示す。
【０１３８】
図１５Ｂに示すように、機能回路３０２を作製するために、下地絶縁膜４０１上に半導体膜４０５を形成する。ここでは、半導体膜４０５として結晶性シリコン膜を形成する。例えば、結晶性シリコン膜の形成は、ＰＥＣＶＤ法により、Ｈ２とＳｉＨ４の混合ガスから、厚さ４０−８０ｎｍの非晶質シリコン膜を形成し、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザー（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波を照射することにより、非晶質シリコン膜を結晶化することで行うことができる。ほか、加熱炉での熱処理によって非晶質シリコン膜を結晶化することもできる。
【０１３９】
次に、半導体膜４０５上にレジストマスクを形成し、このレジストマスクを用いて、半導体膜４０５を所望の形状にエッチングする。図１５Ｃに示すように、下地絶縁膜４０１上に、半導体膜４２０および半導体膜４３０を形成する。半導体膜４２０はｎチャネル型トランジスタの半導体層であり、半導体膜４３０はｐチャネル型トランジスタの半導体層である。半導体膜４０５をエッチングするために用いたレジストマスクを除去した後、必要があれば、トランジスタのしきい値電圧を制御するために、ドナーまたはアクセプタとなる不純物元素を半導体膜４２０および／または半導体膜４３０に添加する。また、この不純物元素の添加工程は、半導体膜４０５をエッチングする前に行うこともでき、以降の工程でも、必要に応じて行えばよい。
【０１４０】
次に、図１５Ｃに示すように、半導体膜４２０および半導体膜４３０を覆う絶縁膜４０６を形成する。絶縁膜４０６はトランジスタのゲート絶縁膜を構成する。絶縁膜４０６は、図２Ａの絶縁膜１０２と同様に形成することができる。ここでは、ＰＥＣＶＤ法で、厚さ１０−１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。また、ＰＥＣＶＤ法などで絶縁膜を形成した後、マイクロ波励起された高密度プラズマにより絶縁膜に対して窒化処理を行ってもよい。
【０１４１】
次に、図１５Ｃに示すように、絶縁膜４０６上に導電体４４１、および導電体４４２を形成する。導電体４４１はｎチャネル型トランジスタのゲート電極（またはゲート配線）を構成し、導電体４４２はｐチャネル型トランジスタのゲート電極（またはゲート配線）を構成する。ここでは、導電体４４１、４４２を２層構造の導電膜で形成する。まず、スパッタ法で、厚さ２０−５０ｎｍの窒化タンタル膜を絶縁膜４０６上に形成し、スパッタ法で厚さ１００ｎｍ−３００ｎｍのタングステン膜をこの窒化タンタル膜上に形成する。次に、タングステン膜上にレジストマスクを形成する。このレジストマスクを用いて、窒化タンタル膜およびタングステン膜の積層膜をエッチングして、導電体４４１、４４２を形成する。
【０１４２】
次いで、図１５Ｄに示すように、半導体膜４２０にｎ型低濃度不純物領域４２３を形成し、半導体膜４３０にｐ型高濃度不純物領域４３２を形成する。ｎ型低濃度不純物領域４２３はｎチャネル型トランジスタの高抵抗領域を構成し、ｐ型高濃度不純物領域４３２はｐチャネル型トランジスタのソース領域、またはドレイン領域として機能する領域である。
【０１４３】
これらの領域を形成するには、まず、半導体膜４３０を覆うレジストマスクを形成する。導電体４４１をマスクとして半導体膜４２０にｎ型を付与する不純物元素を添加し、ｎ型低濃度不純物領域４２３を半導体膜４２０に形成する。この工程で半導体膜４２０の不純物元素が添加されない領域がチャネル形成領域４２１となる。次に、半導体膜４３０を覆うレジストマスクを除去した後、半導体膜４２０を覆うレジストマスクを形成する。導電体４４０をマスクとして半導体膜４３０にｐ型を付与する不純物元素を添加し、ｐ型高濃度不純物領域４３２を半導体膜４３０に形成する。そして、レジストマスクを除去する。この不純物添加工程で半導体膜４３０の不純物元素が添加されない領域がチャネル形成領域４３１となる。
【０１４４】
なお、図１５Ｃの工程は、ｐ型高濃度不純物領域４３２を形成した後に、ｎ型低濃度不純物領域４２３を形成してもよい。
【０１４５】
本実施の形態では、ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）などを用いることができ、ｐ型を付与する不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）などを用いることができる。
【０１４６】
次いで、図１６Ａに示すように、絶縁膜４０６、導電体４４１および導電体４４２を覆う絶縁膜４０７を形成する。絶縁膜４０７は、図１Ａの絶縁膜１０３と同様に形成することができる。ここでは、絶縁膜４０７を２層構造とし、１層目に、ＰＥＣＶＤ法で厚さ５０−１５０ｎｍの酸化シリコン膜を形成し、２層目に、プロセス温度が２００℃乃至５００℃の熱ＣＶＤ法で、厚さ１００−２５０ｎｍの低温酸化物（ＬＴＯ：Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜を形成する。
【０１４７】
次に、絶縁膜４０７および絶縁膜４０６をエッチングする。このエッチング工程は垂直方向のエッチングを主体とする異方性エッチングで行う。このような異方性エッチングにより、図１６Ｂに示すように、導電体４４１および導電体４４２の側面に、絶縁膜４０７でなるサイドウォールを形成することができる。また、このエッチング工程では、絶縁膜４０６は導電体４４１、導電体４４２および絶縁膜４０７で覆われている領域が残り、その他の領域は除去される。
【０１４８】
次に、図１６Ｃに示すように、半導体膜４２０に、ソース領域またはドレイン領域として機能するｎ型高濃度不純物領域４２２を形成する。そこで、半導体膜４３０を覆うレジストマスクを形成し、半導体膜４２０にｎ型の導電性を付与する不純物元素を添加する。この不純物添加工程で、導電体４４１および絶縁膜４０７がマスクとなり、半導体膜４２０にセルフアライン的にｎ型高濃度不純物領域４２２が形成され、図１５Ｄの工程で形成されたｎ型低濃度不純物領域４２３は、絶縁膜４０７と重なっている部分に残る。
【０１４９】
次に、半導体膜４２０、半導体膜４３０、導電体４４１および導電体４４２を覆って絶縁膜４０８を形成する。そして、絶縁膜４０８上に導電体４４３−４４５を形成する。
【０１５０】
絶縁膜４０８は、図１Ａの絶縁膜１０３と同様に形成することができる。ここでは、３層構造の絶縁膜４０８を形成する。まず、１層目に、ＰＥＣＶＤ法で厚さ２０−１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。そして、加熱処理を行い、半導体膜４２０および半導体膜４３０に添加された不純物元素を活性化する。そして、２層目に、ＰＥＣＶＤ法で厚さ１００−３００ｎｍの窒化酸化シリコン膜を形成し、３層目に、ＰＥＣＶＤ法で厚さ２００ｎｍ−１μｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。
【０１５１】
次に、導電体４４３をｎ型高濃度不純物領域４２２に、導電体４４４をｐ型高濃度不純物領域４３２に電気的に接続するために、絶縁膜４０８をエッチングして開口を形成する。そして、絶縁膜４０８上に、導電体４４３−４４５を構成する導電膜を形成する。この導電膜は、図１Ａの導電体１１３と同様に形成することができる。ここでは、この導電膜として、スパッタ法で３層の導電膜を形成する。１層目は厚さ５０−１５０ｎｍのチタン膜であり、２層目は厚さ２００−４００ｎｍの純アルミニウム膜であり、３層目は、１層目と同じチタン膜である。そして、この３層構造の導電膜上にレジストマスクを形成し、このレジストマスクを用いてこの導電膜をエッチングして、導電体４４３−４４５を形成する。
【０１５２】
導電体４４３はｎ型高濃度不純物領域４２２に電気的に接続されており、ｎチャネル型トランジスタのソース電極、ソース配線、ドレイン電極またはドレイン配線として機能する。導電体４４４はｐ型高濃度不純物領域４３２に電気的に接続されており、ｐチャネル型トランジスタのソース電極、ソース配線、ドレイン電極またはドレイン配線として機能する。また、導電体４４５は機能回路３０２のアンテナ３０１との電気的な接続部を構成する。
【０１５３】
以上の工程で、機能回路３０２の電子素子（ｎチャネル型トランジスタ４９１およびｐチャネル型トランジスタ４９２）が完成する。次に、図１７Ａ−図１８Ｂを参照して、機能回路３０２とアンテナ３０１との接続端子を形成する工程の一例を説明する。本実施の形態では、実施の形態１の方法で接続端子を作製することにする。
【０１５４】
図１７Ａに示すように、導電体４４３−４４５を覆う絶縁膜４０９を形成する。ここでは、絶縁膜４０９を２層構造とし、１層目には、機能回路３０２の電子素子の保護するために緻密な絶縁膜を形成する。そこで、ＰＥＣＶＤ法で、厚さ５０−２００ｎｍの窒化シリコン膜を形成する。２層目には、機能回路３０２の上面を平坦にするため感光性樹脂材料により、厚さ１−３μｍの樹脂膜（例えば、ポリイミド膜）を形成する。露光処理により、この樹脂膜には、導電体４４５に対応する部分に開口が形成される。そして、１層目の窒化シリコン膜をエッチングして、樹脂膜の開口と重なる部分を除去する。
【０１５５】
次に、絶縁膜４０９上に、導電体４４５に電気的に接続される導電体４４６を形成する。ここでは、スパッタ法により厚さ１００ｎｍ−３００ｎｍのチタン膜を形成し、エッチングにより所定の形状に加工して、導電体４４６を形成する。
【０１５６】
補強材４６１を含む未硬化のマトリックス樹脂４６２でなるプリプレグ４６０を準備する。マトリックス樹脂４６２は加熱により硬化する。プリプレグ４６０は、図１Ｄのプリプレグ１３０と同様のものを用いることができる。プリプレグ４６０は、硬化された状態でその厚さが１０−１００μｍであることが好ましい。それは、硬化後のプリプレグ４６０により機能回路３０２を保護し、かつ機能回路３０２に柔軟性を持たせるためである。
【０１５７】
プリプレグ４６０には、図８Ｂのプリプレグ２１２と同様に、導電体４４６に重なる領域に複数の開口４６３が形成されている。開口４６３の形成は、図２Ｂの開口１３３の形成工程と同様に、レーザービームによる穴開けや、パンチング加工、ドリル加工などで行うことができる。開口４６３の形成方法は、開口４６３の数、サイズ、形状およびレイアウトなどを考慮して、実施者が決定することができる。また、開口４６３の数、サイズ、形状およびレイアウトなどは、回路レイアウトおよび回路設計から要求される特性（抵抗値など）などを考慮して決定される。
【０１５８】
そして、図１７Ａに示すように、開口４６３が導電体４４６と重なるように、プリプレグ４６０を絶縁膜４０９に貼り付ける。
【０１５９】
次に、図１７Ｂに示すように、プリプレグ４６０の導電体４４６と重なっている領域に導電性ペースト４５０を設ける。導電性ペーストは、図１Ｃの導電体１４１と同様に形成することができる。ここでは、スクリーン印刷法で銀ペーストをプリプレグ４６０上に塗布する。印刷された導電性ペースト４５０は開口４６３内部に流れ込み、導電体４４６に接する。
【０１６０】
次に、導電性ペースト４５０およびプリプレグ４６０を硬化する。真空熱プレス機を用いて、プリプレグ４６０を加圧しながら、導電性ペースト４５０およびプリプレグ４６０を加熱し、それぞれを硬化する。図１７Ｃに示すように、硬化されたプリプレグ４６０から補強材４６１を含む絶縁膜４１０（樹脂膜）が形成される。絶縁膜４１０は機能回路３０２の封止膜として機能する。絶縁膜４１０において樹脂４６４は硬化されたマトリックス樹脂４６２に対応する。また、硬化された導電性ペースト４５０から、端子部４５５を構成する導電体４５１が形成される。導電体４５１は絶縁膜４１０を貫通し、導電体４４６に密接している。
【０１６１】
この工程で、機能回路３０２の端子部４５５が完成する。端子部４５５は、アンテナ３０１との電気的な接続部であり、導電体４４５、導電体４４６、導電体４５１を含む。
【０１６２】
本実施の形態では、端子部４５５を作成する過程において、レーザービームによって機能回路３０２に損傷を与えることがないため、機能回路３０２の電子素子を微細化して、高性能化することが容易になる。したがって、図１４に示すＣＰＵ３６４を含む機能回路３０２のような高性能な回路を歩留まり良く作製することが可能になる。
【０１６３】
次に、ガラス基板４００から機能回路３０２を分離する工程を行う。この分離工程は、例えば、次のように行うことができる。
【０１６４】
まず、ＵＶレーザービームを絶縁膜４１０側から照射して、ガラス基板４００に形成されている積層物に剥離膜４０２に達する溝（図示しない）を形成する。この溝を形成することで、剥離膜４０２の内部、および／または下地絶縁膜４０１と剥離膜４０２との界面で剥離が生じる。そのため、比較的小さな力（人の手で加えることができる程度の力）で、複数の機能回路３０２をガラス基板４００から分離することが可能になる。次に、図１８Ａに示すようにＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムなどの樹脂フィルムでなる熱剥離型粘着フィルム４７０（以下、「フィルム４７０」と呼ぶ）を絶縁膜４１０側に貼り付ける。
【０１６５】
そして、図１８Ｂに示すように、ガラス基板４００から、下地絶縁膜４０１上の積層物を剥離する。この剥離工程は、巻き取りローラを備えた剥離装置によって行うことができる。あるいは、人の手や、ピンセット等でフィルム４７０を引っ張ることで行うこともできる。
【０１６６】
次に、ガラス基板４００が除去されたことで露出された部分を保護するために、補強材を含むプリプレグから保護膜を形成する。保護膜の形成には、絶縁膜４１０を形成するために使用されるプリプレグ４６０と同様のものを使用することができる。下地絶縁膜４０１に未硬化のプリプレグ４６０を貼り付け、真空熱プレス機で、プリプレグ４６０を下地絶縁膜４０１に密着させながら、硬化する。その結果、図１９Ａに示すように、補強材４６１を含む絶縁膜４１１が下地絶縁膜４０１側に形成される。絶縁膜４１１は樹脂膜であり、機能回路３０２の封止膜としても機能する。
【０１６７】
次に、フィルム４７０に支持されている積層物を個々の機能回路３０２に切り分ける。この工程は、ダイシング、スクライブなどの処理で行うことができる。ここでは、レーザービームを用いたスクライブを行うこととする。ＵＶレーザービームを絶縁膜４１１側から照射することでフィルム４７０に支持されている積層物に溝を形成する。溝を形成することで、図１９Ｂに示すように、フィルム４７０に支持されている複数の機能回路３０２が形成される。フィルム４７０から機能回路３０２を分離するには、フィルム４７０を加熱し、その粘着力を低下させればよい。
【０１６８】
次に、機能回路３０２にアンテナ３０１を電気的に接続する。ここでは、アンテナ３０１に、ポリエステルなどの樹脂でなるフィルム５００と、フィルム５００上に形成された導電体５０１とを含むフィルムアンテナを用いる。フィルム５００には、柔軟性があり、絶縁材料でなるフィルムを適用することが好ましい。それは、機能回路３０２は、電子素子が樹脂でなる絶縁膜４１０および絶縁膜４１１で封止された構造であるため、柔軟性があり、曲げることが可能であるので、アンテナ３０１にも曲げることが可能なフィルムアンテナを用いることで、電子装置３００も柔軟性のある装置とすることができるからである。
【０１６９】
例えば、フィルム５００として、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、アクリルフィルム、およびポリイミドフィルムなどの樹脂フィルムが挙げられる。導電体５０１は、アンテナ本体を構成する部分と、機能回路３０２との電気的な接続部である端子部を有する。導電体５０１は、この端子部を除いて、表面が樹脂などの絶縁材料でなる層に覆われている。
【０１７０】
図２０Ａに示すように、アンテナ３０１の導電体５０１と機能回路３０２の端子部４５５とを電気的に接続する。ここでは、導電性ペーストから形成された導電体５１０により、導電体５０１と導電体４５１とを電気的に接続する。もちろん、導電体５０１と端子部４５５の導電体４５１とを接続する手段は、導電性ペーストに限定されない。導電体５０１および導電体４５１の構造（形状、材料、作製方法など）などを考慮して、実施者がその手段を選択することができる。例えば、異方性導電膜やソルダーペーストで導電体５１０を形成することも可能である。
【０１７１】
導電体５０１の構造（形状、大きさなど）は、電子装置３００で送受信する搬送波の周波数帯域や、その通信距離等に適切な形状とすればよい。図２０Ｂ−図２０Ｄを参照して、アンテナ３０１（導電体５０１）の３つの構成例を説明する。
【０１７２】
例えば、周波数帯域が１２５乃至１３５ｋＨｚ帯、および１３．５６ＭＨｚ帯の場合は、アンテナ３０１にはループアンテナ、コイルアンテナ、およびスパイラルアンテナを用いればよい。図２０Ｂに、ループアンテナがアンテナ３０１に適用された電子装置３００の平面図を示す。また、図２０Ｃおよび図２０Ｄに、ＵＨＦ帯（８６０−９６０ＭＨｚ帯）、および２．４５ＧＨｚ帯で利用される電子装置３００の構成例を示す。図２０Ｃの電子装置３００のアンテナ３０１はダイポールアンテナであり、図２０Ｄの電子装置３００のアンテナ３０１はパッチアンテナである。
【０１７３】
また、本実施の形態の電子装置３００を紙にすき込む、あるいは２枚のプラスチック基板の間に挟むことでＩＣカードを作製することが可能である。また、図２０Ｂ−図２０Ｄの電子装置３００を紙にすき込み、この紙を用いて、紙幣、有価証券類、無記名債券類、証書を作製することができる。電子装置３００を組み込むことで、これら証書等に認証機能が付与できるため、偽造防止に役立つ。
【０１７４】
また、電子装置３００を様々な物品、物体に固定することで使用してもよい。電子装置３００を物品、物体に固定する方法には、物品、物体に埋め込む、その表面に貼り付ける、などの方法がある。本実施の形態の電子装置３００は柔軟性があるため、取り付ける物体の外観を損なうことが少なく、また、湾曲した面に取り付けることもできる。電子装置３００を固定する物品、物体としては、例えば、包装用容器類（包装紙、ボトルなど）、記録媒体（ブルーレイディスク、ＤＶＤ、ＵＳＢメモリなど）、服飾品（鞄、眼鏡、衣服など）、食品類、植物類、動物類（家畜、ペットなど）、生活用品類、商品や荷物の荷札やラベル、などが挙げられる。これらの物品、物体に電子装置３００を取り付けることにより、検品や、物流の管理、物品の履歴管理などをシステム化することが容易になる。
【０１７５】
例えば、商品の荷札や値札に電子装置３００を取り付け、電子装置３００に記録された情報を、ベルトコンベヤの脇に設けられたリーダライタで読み取り、製造過程、流通過程および納入先などの情報を得ることで、商品の検品や在庫管理などを効率良く行うことができる。
【０１７６】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０１７７】
１００基板
１０１、１０２、１０３、１０４絶縁膜
１１０電子素子
１１１半導体膜
１１２、１１３、１１４導電体
１３０プリプレグ、１３１補強材、１３２マトリックス樹脂
１３３、１３３Ａ、１３３Ｂ、１３３Ｃ開口
１３４、１６２、１６４樹脂
１３５、１３６、１３７、１６１、１６３絶縁膜
１４０、１５０、１７０導電性ペースト
１４１、１４２、１５１、１５２、１７１、１７２導電体
１４５、１５５、１７５端子部
１８１、１８２、１８３電子装置
２００導電体と重なる領域
２０１、２０２、２０３開口
２１１、２１２、２１３プリプレグ
２５１、２５２、２５３シート状繊維体
２６１経糸、２６２緯糸、２６３バスケットホール
３００電子装置、３０１アンテナ、３０２機能回路
３１１電源部、３１２ロジック回路部
３２１整流回路、３２２蓄電部、３２３定電圧回路
３３１復調回路、３３２クロック生成・補正回路、３３３コード認識・判定回路
３３４メモリコントローラ、３３５記憶装置、３３６符号化回路、３３７変調回路
３４１アナログ回路部、３４２デジタル回路部、３４３蓄電部
３５１共振回路、３５２定電圧回路、３５３整流回路、３５４復調回路、３５５変調回路
３５６リセット回路、３５７発振回路、３５８電源管理回路
３６１ＲＦインターフェース、３６２制御レジスタ、３６３クロックコントローラ
３６４ＣＰＵ（中央演算処理ユニット）、３６５ＣＰＵインターフェース、３６６ＲＡＭ
３６７ＲＯＭ
４００ガラス基板、４０１下地絶縁膜、４０２剥離膜、４０３下地膜、４０５半導体膜
４０６、４０７、４０８、４０９、４１０、４１１絶縁膜
４２０、４３０半導体膜
４２１チャネル形成領域、４２２ｎ型高濃度不純物領域、４２３ｎ型低濃度不純物領域
４３１チャネル形成領域、４３２ｐ型高濃度不純物領域
４４０、４４１、４４２、４４３、４４４、４４５、４４６、４５１導電体
４５０導電性ペースト、４５５端子部
４６０プリプレグ、４６１補強材、４６２マトリックス樹脂、４６３開口、４６４樹脂
４７０熱剥離型粘着フィルム
４９１ｎチャネル型トランジスタ、４９２ｐチャネル型トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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