(57)【要約】【課題】蒸着速度の安定性に優れ、大面積の有機化合物を含む膜を均一に成膜することができるとともに、有機デバイスの性能がバラつくことを低減させる有機デバイス用蒸着材料、並びに該有機デバイス用蒸着材料を用いた有機デバイス及びその製造方法を提供すること。【解決手段】有機デバイス用蒸着材料が、有機デバイスの製造に用いられ、フラッシュ蒸着法により蒸着させて有機層を形成し、昇華精製された蒸着材料であって、Ｄ５０％で表される平均粒径が１０μｍ〜２００μｍであり、かつ、Ｄ６０％径／Ｄ１０％径で表される均一度が１．０〜４．０であることを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機デバイスの製造に用いられ、フラッシュ蒸着法により蒸着させて有機層を形成し、昇華精製された蒸着材料であって、Ｄ５０％で表される平均粒径が１０μｍ〜２００μｍであり、かつ、Ｄ６０％径／Ｄ１０％径で表される均一度が１．０〜４．０である有機デバイス用蒸着材料。
【請求項２】
有機化合物及び無機酸化物のいずれかを含有する請求項１に記載の有機デバイス用蒸着材料。
【請求項３】
２種類以上の有機化合物を含有する請求項２に記載の有機デバイス用蒸着材料。
【請求項４】
有機電界発光素子における一対の電極間に配される少なくとも一つの有機層の形成に用いられる請求項１から３のいずれかに記載の有機デバイス用蒸着材料。
【請求項５】
有機層が発光層である請求項１から４のいずれかに記載の有機デバイス用蒸着材料。
【請求項６】
Ｉｒ錯体及びＰｔ錯体のいずれかを含む請求項５に記載の有機デバイス用蒸着材料。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の有機デバイス用蒸着材料をフラッシュ蒸着法により蒸着させて有機層を形成する工程を含むことを特徴とする有機デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の有機デバイスの製造方法により製造された有機デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子、有機薄膜太陽電池、有機電界効果トランジスタなどの有機デバイスに用いられる有機デバイス用蒸着材料、並びに、該有機デバイス用蒸着材料を用いた有機デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子をはじめ、有機化合物を用いた種々の有機デバイスが実用化に向けて、検討されている。該有機デバイスは、一般に前記有機化合物を含む蒸着材料を蒸着させた薄膜を含んで構成され、有機デバイス用蒸着材料の蒸着速度によって、製造される有機デバイスの性能が影響を受ける。
【０００３】
このため、有機デバイス用蒸着材料について、幾つかの先行技術が検討されている。
例えば、有機蒸着材料を用いて有機物層を蒸着するにあたって、有機蒸着材料として、ガス含有率を１ｍｏｌ％以下としたペレット状の材料を用いることが提案されている（特許文献１参照）。
しかしながら、ペレット状の有機蒸着材料は、粒子状の有機蒸着材料を一定の形状に固化させたものであり、サイズが大きく、蒸着の際の加熱を実施しづらいという問題がある。
【０００４】
また、ペレット状の有機蒸着材料を昇華性有機材料粉末と熱伝導性非昇華性材料粉末との混合物を団結させて形成する方法が提案されている（特許文献２参照）。
しかしながら、熱伝導性非昇華性材料粉末を含むペレット状の有機蒸着材料においても、前記蒸着の際の加熱を実施しづらいという問題を大きく改善することはできず、安定した蒸着速度での蒸着を行うことができないという問題がある。蒸着速度がバラつくと、有機デバイスの素子性能にバラつきが生じるとともに、大面積の有機層を成膜する際に、膜厚のバラつきが大きく、歩留まり低下の原因となるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−９２９１５号公報
【特許文献２】特開２００３−１１５３８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、蒸着速度の安定性に優れ、大面積の有機化合物を含む膜を均一に成膜することができるとともに、有機デバイスの性能がバラつくことを低減させる有機デバイス用蒸着材料、並びに該有機デバイス用蒸着材料を用いた有機デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
＜１＞  有機デバイスの製造に用いられ、フラッシュ蒸着法により蒸着させて有機層を形成し、昇華精製された蒸着材料であって、Ｄ５０％で表される平均粒径が１０μｍ〜２００μｍであり、かつ、Ｄ６０％径／Ｄ１０％径で表される均一度が１．０〜４．０である有機デバイス用蒸着材料である。
＜２＞  有機化合物及び無機酸化物のいずれかを含有する前記＜１＞に記載の有機デバイス用蒸着材料である。
＜３＞  ２種類以上の有機化合物を含有する前記＜２＞に記載の有機デバイス用蒸着材料である。
＜４＞  有機電界発光素子における一対の電極間に配される少なくとも一つの有機層の形成に用いられる前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の有機デバイス用蒸着材料である。
＜５＞  有機層が発光層である前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の有機デバイス用蒸着材料である。
＜６＞  Ｉｒ錯体及びＰｔ錯体のいずれかを含む前記＜５＞に記載の有機デバイス用蒸着材料である。
＜７＞  前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の有機デバイス用蒸着材料をフラッシュ蒸着法により蒸着させて有機層を形成する工程を含むことを特徴とする有機デバイスの製造方法である。
＜８＞  前記＜７＞に記載の有機デバイスの製造方法により製造された有機デバイスである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、従来の前記諸問題を解決することができ、前記目的を達成することができ、蒸着速度の安定性に優れ、大面積の有機化合物を含む蒸着膜を均一に成膜することができるとともに、有機デバイスの性能がバラつくことを低減させる有機デバイス用蒸着材料、並びに該有機デバイス用蒸着材料を用いた有機デバイス及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、有機電界発光素子の構成例を示す断面図である。
【図２】図２は、有機電界発光素子の時間−輝度変化特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（有機デバイス用蒸着材料）
本発明の有機デバイス用蒸着材料は、有機デバイスの製造に用いられ、フラッシュ蒸着法により蒸着させて有機層を形成し、昇華精製された蒸着材料であって、Ｄ５０％で表される平均粒径が１０μｍ〜２００μｍであり、かつ、Ｄ６０％径／Ｄ１０％径で表される均一度が１．０〜４．０である。
【００１１】
前記Ｄ５０％で表される平均粒径は、１０μｍ〜２００μｍであり、２０μｍ〜１８０μｍが好ましく、４０μｍ〜１５０μｍがより好ましく、５０μｍ〜１２０μｍが特に好ましい。
前記Ｄ５０％で表される平均粒径が、１０μｍ未満であると、粒子同士の会合や粒子同士の接触の増大による静電気の発生などにより安定した蒸着速度を維持できず、２００μｍを超えると、単位時間当たりの粒子の落下量の変化が大きくなりやはり安定した蒸着速度を維持できないことがある。
なお、前記Ｄ５０％は、粉体をある粒子径から２つに分けたとき、大きい側と小さい側が等量となるときの平均粒径を示す。
【００１２】
前記Ｄ５０％で表される平均粒径（以下、単に「平均粒径」ともいう。）は、粒度曲線から通過百分率もしくは累積百分率の５０％の値を読み取ることにより決定できる。粒度曲線の作成は、特に制限はないが、例えば試料をふるいにかけて、試料の重量百分率で目開き何μｍふるいを何％通過したか調べ、横軸に目開き径、縦軸に通過百分率をプロットする方法やレーザー回折粒度分析計用いて累積分布測定を行う方法等が挙げられる。
【００１３】
前記Ｄ６０％径／Ｄ１０％径で表される均一度（以下、単に「均一度」ともいう。）は、１．０〜４．０であり、１．０〜３．５が好ましく、１．０〜３．２がより好ましく、１．０〜３．０が特に好ましい。
前記均一度が１．０未満であると、原理的に達成できず、４．０を超えると、単位時間当たりの粒子の落下量の変化が大きくなりやはり安定した蒸着速度を維持できないことがある。
なお、前記Ｄ６０％径は、粒度曲線において通過百分率もしくは累積百分率が６０％になるときの粒径を示し、前記Ｄ１０％径は、粒度曲線において通過百分率もしくは累積百分率が１０％になるときの粒径を示す。
【００１４】
前記Ｄ６０％径／Ｄ１０％径で表される均一度の測定方法としては、特に制限はなく、例えば、ふるい分けによる方法やレーザー回折粒度分析計による測定方法等が挙げられ、作成した粒度曲線から通過百分率もしくは累積百分率が６０％となる粒径と１０％になる粒径を読み取りその比を計算して均一度の値を得ることができる。
【００１５】
前記平均粒径及び均一度を有する有機デバイス用蒸着材料の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、粉砕装置で粉砕した後、所望の目開きを有するメッシュにより篩いをかけることにより、前記平均粒径及び均一度が調整された有機デバイス用蒸着材料を製造する方法が挙げられる。
【００１６】
前記有機デバイス用蒸着材料の蒸着方法としては、フラッシュ蒸着法である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記有機デバイス用蒸着材料は、蒸着速度の安定性に優れることから、蒸着速度を挙げても信頼性の高い蒸着膜が得られ、また、長時間安定した蒸着を行うことができる。
前記フラッシュ蒸着法によると、長時間の加熱により分解しやすい蒸着材料でも、分解させることなく安定して連続蒸着することができ、また無機酸化物では蒸着材料の組成比に近い状態の膜を作製することができる。なお、フラッシュ蒸着法については、後述の有機デバイスの製造方法において説明するすべての事項を適用することができる。
【００１７】
前記有機デバイス用蒸着材料としては、前記平均粒径及び前記均一度を満たし、昇華精製されたものであれれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機化合物及び無機酸化物が挙げられ、例えば、発光材料、ホスト材料、ドーパント材料等が挙げられる。
ここで、昇華精製とは、化合物の昇華温度の差を用いて、不純物と目的物とを分離する精製法である。昇華精製の態様については、特に限定されない。製造規模や製造環境などに応じて、適宜、昇華精製装置の形態が選択されればよい。ガスをフローし、温度調節を厳密に行うことによって、得られる目的物の純度が向上しうる。
前記有機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２種の有機化合物の混合物であることが好ましい。
【００１８】
−発光材料−
前記発光材料は、蛍光発光材料でも燐光発光材料であってもよく、２種以上が混合されていてもよい。
前記発光性ドーパントは、ホスト化合物との間で、イオン化ポテンシャルの差（ΔＩｐ）と電子親和力の差（ΔＥａ）が、１．２ｅＶ＞△Ｉｐ＞０．２ｅＶ、及び／又は１．２ｅＶ＞△Ｅａ＞０．２ｅＶの関係を満たすドーパントであることが、駆動耐久性の観点で好ましい。
前記発光層中の発光性ドーパントの含有量は、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜５０質量％が好ましく、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％がより好ましく、２質量％〜４０質量％が特に好ましい。
【００１９】
−−燐光発光材料−−
前記燐光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、遷移金属原子、ランタノイド原子を含む錯体、などが挙げられる。
前記遷移金属原子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、銀、銅、白金、などが挙げられる。これらの中でも、レニウム、イリジウム、白金が好ましく、イリジウム、白金が特に好ましい。
【００２０】
前記錯体の配位子としては、例えば、Ｇ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ等著，Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，  Ｐｅｒｇａｍｏｎ  Ｐｒｅｓｓ社１９８７年発行、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著，「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」  Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子、などが挙げられる。
【００２１】
前記錯体は、化合物中に遷移金属原子を１つ有してもよいし、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。なお、異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
【００２２】
前記燐光発光材料としては、例えば、米国特許第６３０３２３８号明細書、米国特許第６０９７１４７号明細書、ＷＯ００／５７６７６号パンフレット、ＷＯ００／７０６５５号パンフレット、ＷＯ０１／０８２３０号パンフレット、ＷＯ０１／３９２３４号パンフレット、ＷＯ０１／４１５１２号パンフレット、ＷＯ０２／０２７１４号パンフレット、ＷＯ０２／１５６４５号パンフレット、ＷＯ０２／４４１８９号パンフレット、ＷＯ０５／１９３７３号パンフレット、ＷＯ２００４／１０８８５７号パンフレット、ＷＯ２００５／０４２４４４号パンフレット、ＷＯ２００５／０４２５５０号パンフレット、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００２−１１７９７８号公報、特開２００３−１３３０７４号公報、特開２００２−２３５０７６号公報、特開２００３−１２３９８２号公報、特開２００２−１７０６８４号公報、ＥＰ１２１１２５７号明細書、特開２００２−２２６４９５号公報、特開２００２−２３４８９４号公報、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００１−２９８４７０号公報、特開２００２−１７３６７４号公報、特開２００２−２０３６７８号公報、特開２００２−２０３６７９号公報、特開２００４−３５７７９１号公報、特開２００６−９３５４２号公報、特開２００６−２６１６２３号公報、特開２００６−２５６９９９号公報、特開２００７−１９４６２号公報、特開２００７−８４６３５号公報、特開２００７−９６２５９号公報等に記載の燐光発光化合物などが挙げられる。
これらの中でも、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｃｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｗ錯体、Ｒｈ錯体、Ｒｕ錯体、Ｐｄ錯体、Ｏｓ錯体、Ｅｕ錯体、Ｔｂ錯体、Ｇｄ錯体、Ｄｙ錯体、Ｃｅ錯体等の錯体が好ましく、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体が特に好ましい。
前記各錯体としては、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含む錯体が好ましく、発光効率、有機デバイスの駆動耐久性、色度等の観点から、３座以上の多座配位子を含む錯体がより好ましい。
【００２３】
前記Ｉｒ錯体及び前記Ｐｔ錯体の好ましい化合物の例を以下に例示する。
【００２４】
【化１】
2011091025.tif 000002
【００２５】
【化２】
2011091025.tif 000003
【００２６】
【化３】
2011091025.tif 000004
【００２７】
−−蛍光発光材料−−
前記蛍光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物（例えばアントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、又はペンタセン等）、８−キノリノールの金属錯体；ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体；ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物；有機シラン、又はこれらの誘導体、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２８】
−ホスト材料−
前記ホスト材料は、電荷輸送材料であることが好ましい。該ホスト材料は１種であっても２種以上であってもよい。
前記電荷輸送材料としては、正孔輸送性に優れる正孔輸送性ホスト材料、及び電子輸送性に優れる電子輸送性ホスト材料を用いることができる。
【００２９】
−−正孔輸送性ホスト材料−−
前記正孔輸送性ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、又はそれらの誘導体、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
これらの中でも、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体が好ましく、分子内にカルバゾール基を有するものがより好ましく、ｔ−ブチル置換カルバゾール基を有する化合物が特に好ましい。
【００３０】
−−電子輸送性ホスト材料−−
前記電子輸送性ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物；フタロシアニン又はこれらの誘導体（他の環と縮合環を形成してもよい）、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
これらの中でも、耐久性の点から金属錯体化合物が好ましく、金属に配位する少なくとも１つの窒素原子又は酸素原子又は硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体がより好ましい。
前記金属錯体化合物としては、例えば特開２００２−２３５０７６号公報、特開２００４−２１４１７９号公報、特開２００４−２２１０６２号公報、特開２００４−２２１０６５号公報、特開２００４−２２１０６８号公報、特開２００４−３２７３１３号公報等に記載の化合物、などが挙げられる。
【００３１】
本発明に用いることができる正孔輸送性ホスト材料及び電子輸送性ホスト材料としては、以下の化合物、及びこれらの重水素化体を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００３２】
【化４】
2011091025.tif 000005
【００３３】
【化５】
2011091025.tif 000006
【００３４】
【化６】
2011091025.tif 000007
【００３５】
−ドーパント材料−
前記ドーパント材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、電子受容性ドーパントでも、電子供与性ドーパントでもよい。
【００３６】
前記電子受容性ドーパントとしては、特に制限はなく、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
前記無機化合物としては、例えば塩化第二鉄、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモン等のハロゲン化金属；五酸化バナジウム、三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）等の金属酸化物、などが挙げられる。
前記有機化合物としては、例えば置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基等を有する化合物；キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレン、などが挙げられる。
【００３７】
前記電子供与性ドーパントとしては、特に制限はなく、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉなどのアルカリ金属、Ｍｇなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が４．２ｅＶ以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、およびＹｂなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
【００３８】
また、正孔ブロック材料として、ＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
【００３９】
（有機デバイスの製造方法）
本発明の有機デバイスの製造方法は、前記本発明の有機デバイス用蒸着材料をフラッシュ蒸着法により蒸着させて有機層を形成する工程を含み、必要に応じたその他の工程を含む。
前記フラッシュ蒸着法とは、蒸着源加熱部に蒸着材料粉末を連続的に供給しながら成膜する蒸着方法であり、蒸着材料の組成ズレや長時間加熱による材料の分解を防ぐことができる利点を有する。
【００４０】
前記フラッシュ蒸着時における圧力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１０−８Ｐａ〜１０−１Ｐａが好ましく、１０−７Ｐａ〜１０−３Ｐａがより好ましく、１０−６Ｐａ〜１０−４Ｐａが特に好ましい。
１０−８Ｐａ未満であると、不純物や意図せぬガスなどの混入を防ぐことができるが真空引きだけで数日間費やす必要があり生産性が低いことがあり、１０−１Ｐａを超えると、気化した蒸着材料の基板への到達確率が下がり材料利用効率が極端に低下してしまうことがある。また、フラッシュ蒸着源から基板までの気化した蒸着材料の流れを制御するために、窒素やアルゴンなどの不活性なキャリアガスを導入してもよい。
【００４１】
前記フラッシュ蒸着時における加熱温度としては、特に制限はなく、蒸着材料に応じて適宜選択することができる。
【００４２】
前記フラッシュ蒸着における蒸着速度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．０１ｎｍ／ｓ〜１０ｎｍ／ｓが好ましく、０．１ｎｍ／ｓ〜５ｎｍ／ｓがより好ましく、０．５ｎｍ／ｓ〜２ｎｍ／ｓが特に好ましい。
０．０１ｎｍ／ｓ未満であると、成膜に時間がかかり生産性が低くなることがあり、１０ｎｍ／ｓを超えると、蒸着速度の安定や膜厚制御が難しくなることがある。
なお、本明細書において、ｎｍ／ｓの単位をÅ／ｓの単位（０．１ｎｍ／ｓ）で表すことがある。
【００４３】
前記フラッシュ蒸着における蒸着速度に関し、該蒸着速度をｖ（ｎｍ／ｓ）に設定したときの、最も遅い実測の蒸着速度をｖｍｉｎ（ｎｍ／ｓ）とし、最も速い実測の蒸着速度をｖｍａｘ（ｎｍ／ｓ）としたとき、ｖｍａｘ−ｖｍｉｎ（ｎｍ／ｓ）で表される蒸着速度安定幅としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０ｎｍ／ｓ〜０．３ｎｍ／ｓが好ましく、０ｎｍ／ｓ〜０．２ｎｍ／ｓがより好ましく、０ｎｍ／ｓ〜０．１ｎｍ／ｓが特に好ましい。
０．３ｎｍ／ｓを超えると、製造安定性、歩留まり、デバイス性能などの悪化を引き起こすことがある。
【００４４】
前記その他の工程としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができ、公知の有機デバイスの製造において実施される工程を挙げることができる。
【００４５】
前記有機デバイス用蒸着材料によれば、蒸着速度の安定性に優れ、大面積の有機化合物を含む膜を均一に成膜することができるとともに、有機デバイスの性能がバラつくことを低減させることができるため、有機電界発光素子、有機薄膜太陽電池、有機電界効果トランジスタ等の有機デバイスに好適に用いることができる。
【００４６】
前記有機デバイスの中でも有機電界発光素子に好適に用いることができる。
一般に、有機電界発光素子は、時間の経過とともに輝度の低下が確認され、高輝度性が求められる。特に、従来の有機電界発光素子においては、輝度が時間の経過とともに指数対数的に低下する初期低下が見られ、早期に大きな輝度の低下が確認される（図２参照）。これは、有機電界発光素子の品質上大きな問題となっている。
しかしながら、本発明の前記有機デバイス用蒸着材料を用いて有機層が形成された有機電界発光素子において、前記初期低下を抑えることができる（図２参照）。
この理由としては、蒸着速度の変動幅が大きいと、特に発光層においてゲスト濃度とホスト濃度の混合比が設定値から外れるため期待される耐久性が得られないが、本発明の製造方法を用いて安定で厳密な蒸着速度制御することにより歩留まりよく高性能な有機デバイスを製造することが可能となる。
以下では、本発明の有機デバイス用蒸着材料を用いて製造される有機デバイスの好ましい態様として、有機電界発光素子を説明する。
【００４７】
（有機電界発光素子）
前記有機電界発光素子は、一対の電極間に、少なくと一つの有機層を含み、該有機層は、前記本発明の有機デバイス用蒸着材料により形成される。
前記有機層の構成としては、特に制限はなく、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層を含み、必要に応じてその他の相を含む。
【００４８】
＜発光層＞
前記発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
前記発光層は、前記発光材料を含み、前記ホスト材料を含むものであってもよい。即ち、該発光層としては、前記発光材料のみで構成されていてもよいし、前記ホスト材料と前記発光材料の混合層でもよい。
更に、前記発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいてもよい。
【００４９】
前記発光層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、外部量子効率の観点から、３ｎｍ〜２００ｎｍがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍが更に好ましい。また、前記発光層は１層であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
【００５０】
＜正孔注入層、正孔輸送層＞
前記正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
前記正孔注入層及び正孔輸送層としては、前記正孔輸送性ホスト材料、前記電子受容性ドーパント等の材料を含み形成される。
【００５１】
前記正孔注入層及び正孔輸送層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍが更に好ましい。
前記正孔注入層及び正孔輸送層は、１種又は２種以上の材料からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００５２】
＜電子注入層、電子輸送層＞
前記電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。
前記電子輸送層としては、前記電子輸送性ホスト材料、前記電子供与性ドーパント等の材料を含み形成される。
【００５３】
前記電子注入層、電子輸送層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
前記電子輸送層の厚みとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのがさらに好ましい。また、電子注入層の厚みとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのがさらに好ましい。
前記電子注入層、電子輸送層は、１種又は２種以上の材料からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００５４】
＜正孔ブロック層＞
前記正孔ブロック層は、陽極側から前記発光層に輸送された正孔が、陰極側に通り抜けることを防止する機能を有する層である。前記発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
前記正孔ブロック層としては、前記正孔ブロック性材料を含み形成される。
【００５５】
前記正孔ブロック層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのがさらに好ましい。
前記正孔ブロック層は、１種又は２種以上の材料からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００５６】
＜電子ブロック層＞
前記電子ブロック層は、陰極側から前記発光層に輸送された電子が陽極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、前記発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
前記電子ブロック層としては、前記正孔輸送ドーパント等を含み形成される。
【００５７】
前記電子ブロック層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍが特に好ましい。また電子ブロック層は、１種又は２種以上の材料からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００５８】
＜電極＞
前記有機電界発光素子は、一対の電極として陽極と陰極とを含む。前記有機電界発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は透明であることが好ましい。通常、陽極は有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、陰極は有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよい。
前記電極としては、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
前記電極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物等が好適に挙げられる。
【００５９】
−陽極−
前記陽極を構成する材料としては、例えば、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル等の金属；これらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物；ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質；ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、又はこれらとＩＴＯとの積層物、などが挙げられる。これらの中でも、導電性金属酸化物が好ましく、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが特に好ましい。
【００６０】
−陰極−
前記陰極を構成する材料としては、例えば、アルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
前記アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
【００６１】
前記電極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、例えば印刷方式、コーティング方式等の湿式方式；真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式；ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、などが挙げられる。これらの中でも、前記電極を構成する材料との適性を考慮し、適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料としてＩＴＯを選択する場合には、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って形成することができる。陰極の材料として金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って形成することができる。
【００６２】
なお、前記電極を形成する際にパターニングを行う場合は、フォトリソグラフィー等による化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザー等による物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００６３】
＜基板＞
本発明の有機電界発光素子は、基板上に設けられていることが好ましく、電極と基板とが直接接する形で設けられていてもよいし、中間層を介在する形で設けられていてもよい。
前記基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばイットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス（無アルカリガラス、ソーダライムガラス等）等の無機材料；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料、などが挙げられる。
【００６４】
前記基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。基板は透明でも不透明でもよく、透明な場合は無色透明でも有色透明でもよい。
【００６５】
前記基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
前記透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、例えば窒化珪素、酸化珪素等の無機物などが挙げられる。
前記透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
【００６６】
−その他の構成−
前記その他の構成としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、保護層、封止容器、樹脂封止層、封止接着剤などを挙げることができる。
前記保護層、前記封止容器、前記樹脂封止層、前記封止接着剤などの内容としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、特開２００９−１５２５７２号公報等に記載の事項を適用することができる。
【００６７】
図１は、前記有機電界発光素子の層構成の一例を示す概略図である。有機電界発光素子１０は、ガラス基板１上に形成された陽極２（例えばＩＴＯ電極）と、正孔注入層３と、正孔輸送層４と、発光層５と、電子輸送層６と、電子注入層７と、陰極８（例えばＡｌ−Ｌｉ電極）とをこの順に積層してなる層構成を有する。なお、陽極２（例えばＩＴＯ電極）と陰極８（例えばＡｌ−Ｌｉ電極）とは電源を介して互いに接続されている。
【００６８】
−駆動−
前記有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
前記有機電界発光素子は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によりアクティブマトリックスへ適用することができる。薄膜トランジスタの活性層としてアモルファスシリコン、高温ポリシリコン、低温ポリシリコン、微結晶シリコン、酸化物半導体、有機半導体、カーボンナノチューブ等を適用することができる。
本発明の有機電界発光素子は、例えばＷＯ２００５／０８８７２６号パンフレット、特開２００６−１６５５２９号公報、米国特許出願公開２００８／０２３７５９８Ａ１明細書などに記載の薄膜トランジスタを適用することができる。
【００６９】
前記有機電界発光素子は、特に制限はなく、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板、ＩＴＯ層、有機層の屈折率を制御する、基板、ＩＴＯ層、有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。
本発明の有機電界発光素子からの光取り出し方式は、トップエミッション方式であってもボトムエミッション方式であってもよい。
【００７０】
前記有機電界発光素子は、共振器構造を有してもよい。例えば、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明又は半透明電極、発光層、及び金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、透明基板上に、透明又は半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、２つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長の得るのに最適な値となるよう調整される。第一の態様の場合の計算式は、特開平９−１８０８８３号公報に記載されている。第２の態様の場合の計算式は、特開２００４−１２７７９５号公報に記載されている。
【００７１】
−用途−
本発明の有機電界発光素子は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
前記有機ＥＬディスプレイをフルカラータイプのものとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、２０００年９月号、３３〜３７ページに記載されているように、色の３原色（青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ））に対応する光をそれぞれ発光する有機ＥＬ素子を基板上に配置する３色発光法、白色発光用の有機電界発光素子による白色発光をカラーフィルターを通して３原色に分ける白色法、青色発光用の有機電界発光素子による青色発光を蛍光色素層を通して赤色（Ｒ）及び緑色（Ｇ）に変換する色変換法、などが知られている。また、上記方法により得られる異なる発光色の有機電界発光素子を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色の平面型光源を得ることができる。例えば、青色及び黄色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、青色、緑色、赤色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、などが挙げられる。
【実施例】
【００７２】
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００７３】
［製造例１：実施例１〜６及び比較例１〜７］
ホスト材料である下記構造式（Ａ）の化合物を昇華精製装置（商品名：Ｐ−１００、（株）ＡＬＳテクノロジー社製）を用いて昇華精製して回収したものをスーパーマスコロイダー（ＭＫＣＡ６−２）を用いて砥石間隔を変えてミリングし、平均粒径１，５００μｍ程度〜２０μｍ程度の粉末を作製した。
さらに小さい粒径の粉末を作るために乾式ジェットミル（ＮＪ−５０）を用いて粉砕を行い、２０μｍ程度〜１μｍ程度の粉末を作製した。
これらの粉末の均一度を制御するために、目開き１，５２０μｍ〜１μｍまでの下記メッシュを用いて、前記作製した平均粒径１，５００μｍ程度〜１μｍ程度の粉末を段階的に篩いにかけて調整することにより、下記表１に示す平均粒径(Ｄ５０％)と均一度（Ｄ６０％径／Ｄ１０％径）とを有する実施例１〜６及び比較例１〜７における有機デバイス用蒸着材料を製造した。
・目開き１，５２０μｍ〜目開き２０μｍまで
ステンレスメッシュ（セミテック社製）
・目開き１５μｍ〜目開き１μｍまで
ナイロンメッシュ（セミテック社製、ＮＹＴＡＬ）
【００７４】
【化７】
2011091025.tif 000008
【００７５】
（平均粒径及び均一度の測定）
実施例１〜６及び比較例１〜７における有機デバイス用蒸着材料の平均粒径(Ｄ５０％)と均一度（Ｄ６０％径／Ｄ１０％径）の測定は、レーザー回折散乱式粒度分析計（日機装社製、マイクロトラックＭＴ３０００II）を用いて行った。結果を下記表１に示す。
【００７６】
（蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価）
実施例１〜６及び比較例１〜７における有機デバイス用蒸着材料の蒸着速度の測定は、蒸着装置（トッキ社製）を用い、真空室内でフラッシュ蒸着部に有機デバイス用蒸着材料を攪拌羽根を用いて一定速度で落下させ、蒸着速度１２．０Å／ｓ（＝１．２ｎｍ／ｓ）でフラッシュ蒸着部から基板に蒸着させたとき、フラッシュ蒸着部から基板までの距離と同じ距離に設置された水晶振動子に堆積する有機デバイス用蒸着材料の蒸着速度を膜厚モニター（アルバック社製、ＣＲＴＭ−９０００）で測定し、安定状態における蒸着速度の最小値と最大値とを記録することにより行った。
また、蒸着速度安定性の評価は、前記測定された蒸着速度の最小値と最大値との差をとり、該差を下記基準により評価することによって行った。結果を下記表１に示す。
＜蒸着速度安定性の評価基準＞
○：２Å／ｓ以下
△：２Å／ｓを超え、３Å／ｓ以下
×：３Å／ｓを超える
【００７７】
（製造例１の有機電界発光素子の作製）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のガラス基板を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。このガラス基板上に真空蒸着法にて以下に示す各層を形成した。特に断りがない限り有機材料はフラッシュ蒸着により成膜した。なお、以下の実施例及び比較例における蒸着速度は、特に断りのない場合は１.２ｎｍ／秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。
【００７８】
＜陽極＞
ガラス基板上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を、厚み１００ｎｍにスパッタ蒸着した。
＜正孔注入層＞
陽極（ＩＴＯ）上に、２−ＴＮＡＴＡ（４，４’，４’’−Ｔｒｉｓ（Ｎ−（２−ｎａｐｈｔｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ−ａｍｉｎｏ)−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）と、ドーパントとして１質量％のＦ４−ＴＣＮＱ（２，３，５，６−ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏ−７，７，８，８−ｔｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）とを、厚み１２０ｎｍに共蒸着して、正孔注入層を形成した。
＜第一正孔輸送層＞
正孔注入層上に、α−ＮＰＤ(Ｂｉｓ［Ｎ−（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙ]ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）を、厚み７ｎｍに蒸着して、第一正孔輸送層を形成した。
＜第二正孔輸送層＞
第一正孔輸送層上に、下記構造式からなる正孔輸送材料１を、厚み３ｎｍに蒸着して、第二正孔輸送層を形成した。
【００７９】
−正孔輸送材料１−
【化８】
2011091025.tif 000009
【００８０】
＜発光層＞
第二正孔輸送層上に、実施例１で用意した構造式Ａに示す化合物（Ａ）をホスト材料として、また、ゲスト材料として該ホスト材料に対して１０質量％の燐光発光材料であるＩｒ（ｐｐｙ）（ｔｒｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）−ｉｒｉｄｉｕｍ）をドープした発光層を、３０ｎｍの厚みに蒸着して、発光層を形成した。
＜電子輸送層＞
発光層上に、電子輸送層としてＢＡｌｑ（Ｂｉｓ−（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ)−４−(ｐｈｅｎｙｌ−ｐｈｅｎｏｌａｔｅ)−ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（III））を厚み３０ｎｍに蒸着して、第一電子輸送層を形成した。
＜電子注入層＞
電子輸送層の上にＬｉＦを厚み１ｎｍに蒸着した。
＜陰極＞
電子注入層上に、陰極用にパタ−ニングしたマスク（発光領域が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、金属アルミニウムを厚み１００ｎｍとなるように蒸着して、陰極を形成した。
以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグロ−ブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶、及び紫外線硬化型の封止接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止した。
以上により、実施例１における有機電界発光素子を作製した。
また、発光層のホスト材料として平均粒径と均一度が異なる実施例２〜６及び比較例１〜７における構造式（Ａ）の化合物を用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜６及び比較例１〜７における有機電界発光素子を作製した。
【００８１】
＜初期低下の測定＞
各素子を東陽テクニカ株式会社製ソースメジャーユニット２４００を用いて、輝度２，０００ｃｄ／ｍ２になるように直流電圧を印加し、輝度が1割落ちる時間が輝度半減時間の１／１０以上の場合を○と評価し、１／１０未満の場合を×と評価した。結果を下記表１に示す。
【００８２】
＜成膜均一性の評価＞
２０ｃｍ角ガラス基板上にフラッシュ蒸着により平均粒径と均一度が異なる実施例１〜６及び比較例１〜７における構造式（Ａ）の化合物を蒸着材料として成膜し、該ガラス基板上に形成された構造式（Ａ）の膜の基板中央部の膜厚と基板周辺部の膜厚を触針膜厚計（ＤＥＫＴＡＫ６Ｍ）にて測定し、その差が５％以内の場合を○、５％超の場合を×と評価した。結果を下記表１に示す。
【００８３】
【表１】
2011091025.tif 000010
なお、表１に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
【００８４】
［製造例２：実施例７〜９及び比較例８〜１１］
製造例１において、ホスト材料である前記構造式（Ａ）の化合物に代えて、下記構造式（Ｂ）からなる発光材料を用いたこと以外は、製造例１と同様にして、下記表２に示す実施例７〜９及び比較例８〜１１における有機デバイス用蒸着材料を製造した（製造例２）。
また、平均粒径及び均一度の測定、並びに蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価は、製造例１における有機デバイス用蒸着材料について行う方法と同様の方法で行った。結果を下記表２に示す。
【００８５】
【化９】
2011091025.tif 000011
【００８６】
（製造例２の有機電界発光素子の作製）
製造例１において、ホスト材料としてｍＣＰ（ビスカルバゾールベンゼン）を用いたこと、また、発光材料として平均粒径と均一度が異なる実施例７〜９及び比較例８〜１１における構造式（Ｂ）の化合物を用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いたこと以外は、製造例１と同様にして、実施例７〜９及び比較例８〜１１における有機電界発光素子を製造した。
これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を下記表２に示す。
【００８７】
【表２】
2011091025.tif 000012
なお、表２に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
【００８８】
［製造例３：実施例１０〜１２及び比較例１２〜１５］
製造例１において、ホスト材料である前記構造式（Ａ）の化合物に代えて、下記構造式（Ｃ）からなる発光材料を用いたこと以外は、製造例１と同様にして、下記表３に示す実施例１０〜１２及び比較例１２〜１５における有機デバイス用蒸着材料を製造した（製造例３）。
また、平均粒径及び均一度の測定、並びに蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価は、製造例１における有機デバイス用蒸着材料について行う方法と同様の方法で行った。結果を下記表３に示す。
【００８９】
【化１０】
2011091025.tif 000013
【００９０】
（製造例３の有機電界発光素子の作製）
製造例２において、発光材料として、平均粒径と均一度が異なる実施例１０〜１２及び比較例１２〜１５における構造式（Ｃ）の化合物を用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いたこと以外は、製造例２と同様にして、実施例１０〜１２及び比較例１２〜１５における有機電界発光素子を製造した。
これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を下記表３に示す。
【００９１】
【表３】
2011091025.tif 000014
なお、表３に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
【００９２】
［製造例４：実施例１３〜１５及び比較例１６〜１９］
製造例１において、ホスト材料とある前記構造式（Ａ）の化合物を粉砕することに代えて、粒径が０．５μｍ〜９００μｍ程度の市販品の三酸化モリブデン（ＭｏＯ３、フルウチ化学社製）を、粒径を適宜選択して用いた以外は、製造例１と同様にして、下記表４に示す実施例１３〜１５及び比較例１６〜１９における有機デバイス用蒸着材料を製造した（製造例４）。
また、平均粒径及び均一度の測定、並びに蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価は、製造例１における有機デバイス用蒸着材料について行う方法と同様の方法で行った。結果を下記表４に示す。
【００９３】
（製造例４の有機電界発光素子の作製）
製造例１において、ホスト材料としてｍＣＰ（ビスカルバゾールベンゼン）を用いたこと、また、正孔注入層のドーパントとして平均粒径と均一度が異なる実施例１３〜１５及び比較例１６〜１９における三酸化モリブデンを用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いたこと以外は、製造例１と同様にして、実施例１３〜１５及び比較例１６〜１９における有機電界発光素子を製造した。
これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を下記表４に示す。
【００９４】
【表４】
2011091025.tif 000015
なお、表４に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
【００９５】
［製造例５：実施例１６〜１８及び比較例２０〜２３］
製造例１において、ホスト材料である前記構造式（Ａ）の化合物に代えて、下記構造式（Ｄ）からなる発光材料を用いたこと以外は、製造例１と同様にして、下記表５に示す実施例１６〜１８及び比較例２０〜２３における有機デバイス用蒸着材料を製造した（製造例５）。
また、平均粒径及び均一度の測定、並びに蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価は、製造例１における有機デバイス用蒸着材料について行う方法と同様の方法で行った。結果を下記表５に示す。
【００９６】
【化１１】
2011091025.tif 000016
【００９７】
（製造例５の有機電界発光素子の作製）
製造例１において、ホスト材料としてｍＣＰ（ビスカルバゾールベンゼン）を用いたこと、また、発光材料として平均粒径と均一度が異なる実施例１６〜１８及び比較例２０〜２３における構造式（Ｄ）の化合物を用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いたこと以外は、製造例１と同様にして、実施例１６〜１８及び比較例２０〜２３における有機電界発光素子を製造した。
これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を下記表５に示す。
【００９８】
【表５】
2011091025.tif 000017
なお、表５に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
【００９９】
［製造例６：実施例１９〜２１及び比較例２４〜２７］
製造例１において、ホスト材料である前記構造式（Ａ）の化合物に代えて、下記構造式（Ｅ）からなる発光材料を用いたこと以外は、製造例１と同様にして、下記表６に示す実施例１９〜２１及び比較例２４〜２７における有機デバイス用蒸着材料を製造した（製造例６）。
また、平均粒径及び均一度の測定、並びに蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価は、製造例１における有機デバイス用蒸着材料について行う方法と同様の方法で行った。結果を下記表６に示す。
【０１００】
【化１２】
2011091025.tif 000018
【０１０１】
（製造例６の有機電界発光素子の作製）
製造例１において、ホスト材料としてｍＣＰ（ビスカルバゾールベンゼン）を用いたこと、また、発光材料として平均粒径と均一度が異なる実施例１９〜２１及び比較例２４〜２７における構造式（Ｅ）の化合物を用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いたこと以外は、製造例１と同様にして、実施例１９〜２１及び比較例２４〜２７における有機電界発光素子を製造した。
これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を下記表６に示す。
【０１０２】
【表６】
2011091025.tif 000019
なお、表６に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
【０１０３】
［製造例７：実施例２２〜２４及び比較例２８〜３１］
製造例１において、ホスト材料である前記構造式（Ａ）の化合物に代えて、下記構造式（Ｆ）からなる発光材料を用いたこと以外は、製造例１と同様にして、下記表７に示す実施例２２〜２４及び比較例２８〜３１における有機デバイス用蒸着材料を製造した（製造例７）。
また、平均粒径及び均一度の測定、並びに蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価は、製造例１における有機デバイス用蒸着材料について行う方法と同様の方法で行った。結果を下記表７に示す。
【０１０４】
【化１３】
2011091025.tif 000020
【０１０５】
（製造例７の有機電界発光素子の作製）
製造例１において、ホスト材料としてｍＣＰ（ビスカルバゾールベンゼン）を用いたこと、また、発光材料として平均粒径と均一度が異なる実施例２２〜２４及び比較例２８〜３１における構造式（Ｆ）の化合物を用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いたこと以外は、製造例１と同様にして、実施例２２〜２４及び比較例２８〜３１における有機電界発光素子を製造した。
これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を下記表７に示す。
【０１０６】
【表７】
2011091025.tif 000021
なお、表７に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
【０１０７】
［製造例８：比較例３２〜３３］
製造例１において、ホスト材料である前記構造式（Ａ）の化合物に代えて、上記構造式（Ｄ）からなる発光材料を用い、昇華精製を行わなかったこと以外は、製造例１と同様にして、下記表８に示す比較例３２〜３３における有機デバイス用蒸着材料を製造した（製造例８）。
また、平均粒径及び均一度の測定、並びに蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価は、製造例１における有機デバイス用蒸着材料について行う方法と同様の方法で行った。結果を下記表８に示す。
【０１０８】
（製造例８の有機電界発光素子の作製）
製造例１において、ホスト材料としてｍＣＰ（ビスカルバゾールベンゼン）を用いたこと、また、発光材料として平均粒径と均一度が異なり、昇華精製を行わなかった比較例３２〜３３における構造式（Ｄ）の化合物を用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例３２〜３３における有機電界発光素子を製造した。
これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を下記表８示す。
【０１０９】
【表８】
2011091025.tif 000022
なお、表８に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
表８より、昇華精製をしていないと、粒径と均一度が範囲内に入っていても、蒸着速度安定性が悪いことが分かり、また、昇華精製を行い、材料中の不純物を取り除いた方が、初期低下を抑制できるだけでなく、蒸着速度が安定し、成膜均一性なども向上することが分かった。
【０１１０】
［製造例９：比較例３４〜３５］
製造例１において、ホスト材料である前記構造式（Ａ）の化合物に代えて、上記構造式（Ｅ）からなる発光材料を用い、昇華精製を行わなかったこと以外は、製造例１と同様にして、下記表９に示す比較例３４〜３５における有機デバイス用蒸着材料を製造した（製造例９）。
また、平均粒径及び均一度の測定、並びに蒸着速度の測定方法及び蒸着速度安定性の評価は、製造例１における有機デバイス用蒸着材料について行う方法と同様の方法で行った。結果を下記表９に示す。
（製造例９の有機電界発光素子の作製）
製造例１において、ホスト材料としてｍＣＰ（ビスカルバゾールベンゼン）を用いたこと、また、発光材料として平均粒径と均一度が異なり、昇華精製を行わなかった比較例３４〜３５における構造式（Ｅ）の化合物を用いた有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いたこと以外は、製造例１と同様にして、比較例３４〜３５における有機電界発光素子を製造した。
これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を下記表９に示す。
【０１１１】
【表９】
2011091025.tif 000023
なお、表９に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
表９より、昇華精製をしていないと、粒径と均一度が範囲内に入っていても、蒸着速度安定性が悪いことが分かり、また、昇華精製を行い、材料中の不純物を取り除いた方が、初期低下を抑制できるだけでなく、蒸着速度が安定し、成膜均一性なども向上することが分かった。
【０１１２】
（製造例１０の有機電界発光素子の作製）
製造例１において、ホスト材料としての構造式（Ａ）の化合物と、発光材料としての平均粒径と均一度が異なる構造式（Ｅ）の化合物とをあらかじめ質量比９５：５で混合した有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いたこと以外は、製造例１と同様にして、実施例２５及び比較例３６における有機電界発光素子を製造した。
これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を下記表１０に示す。
【０１１３】
【表１０】
2011091025.tif 000024
なお、表１０に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
表１０より、粒径と均一度が規定された材料は、１種類からなるものでもよいし、複数の材料が混合されたものでもよいことが分かった。
【０１１４】
（製造例１１の有機電界発光素子の作製）
製造例１において、ホスト材料としての構造式（Ａ）の化合物と、発光材料としての平均粒径と均一度が異なる構造式（Ｆ）の化合物とをあらかじめ質量比９０：１０で混合した有機デバイス用蒸着材料を蒸着材料として用いたこと以外は、製造例１と同様にして、実施例２６及び比較例３７における有機電界発光素子を製造した。
これらの有機電界発光素子について、初期低下及び成膜均一性について製造例１と同様に評価した。結果を下記表１１に示す。
【０１１５】
【表１１】
2011091025.tif 000025
なお、表１１に示されるÅ／ｓは、０．１ｎｍ／ｓを表す。
表１１より、粒径と均一度が規定された材料は１種類からなるものでもよいし、複数の材料が混合されたものでもよいことが分かった。
【産業上の利用可能性】
【０１１６】
本発明の有機デバイス用蒸着材料及び該有機デバイス蒸着材料を用いた有機デバイスの製造方法によれば、蒸着速度の安定性に優れ、大面積の有機化合物を含む膜を均一に成膜することができるとともに、有機デバイスの性能がバラつくことを低減させる有機デバイス用蒸着材料及び該有機デバイス用蒸着材料を用いた有機デバイスの製造方法を提供することできるので、有機電界発光素子、及び有機薄膜太陽電池、有機電界効果トランジスタなどの有機デバイスの製造分野において好適に用いられる。
【符号の説明】
【０１１７】
１      基板
２      陽極
３      正孔注入層
４      正孔輸送層
５      発光層
６      電子輸送層
７      電子注入層
８      陰極
１０      有機電界発光素子
【図１】
2011091025.tif 000026
【図２】
2011091025.tif 000027
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月27日(2010.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機デバイスの製造に用いられ、昇華精製されていてフラッシュ蒸着法により蒸着させて有機層を形成するための蒸着材料であって、Ｄ５０％で表される平均粒径が１０μｍ〜２００μｍであり、かつ、Ｄ６０％径／Ｄ１０％径で表される均一度が１．０〜３．６である有機デバイス用蒸着材料。
【請求項２】
Ｄ６０％径／Ｄ１０％径で表される均一度が１．０〜３．０である請求項１に記載の有機デバイス用蒸着材料。
【請求項３】
フラッシュ蒸着時の安定状態における蒸着速度の最小値と最大値の蒸着速度差が１．９Å／ｓ以下である請求項１から２のいずれかに記載の有機デバイス用蒸着材料。
【請求項４】
有機化合物及び無機酸化物のいずれかを含有する請求項１から３のいずれかに記載の有機デバイス用蒸着材料。
【請求項５】
２種類以上の有機化合物を含有する請求項４に記載の有機デバイス用蒸着材料。
【請求項６】
有機電界発光素子における一対の電極間に配される少なくとも一つの有機層の形成に用いられる請求項１から５のいずれかに記載の有機デバイス用蒸着材料。
【請求項７】
有機層が発光層である請求項１から６のいずれかに記載の有機デバイス用蒸着材料。
【請求項８】
Ｉｒ錯体及びＰｔ錯体のいずれかを含む請求項７に記載の有機デバイス用蒸着材料。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の有機デバイス用蒸着材料をフラッシュ蒸着法により蒸着させて有機層を形成する工程を含むことを特徴とする有機デバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機デバイスの製造方法により製造されたことを特徴とする有機デバイス。