(57)【要約】【課題】  処理不良を抑制できる保持部材を提供すること。【解決手段】  基板ステージ２の内部には、中空空間Ｓ１が設けられている。中空空間Ｓ１の圧力は、圧力調整システム７により調整可能である。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状部材の表面を所定面と平行になるように保持する保持部材であって、
前記板状部材の被支持面を支持する第１支持部と、
前記被支持面において、前記第１支持部と異なる位置を支持する第２支持部と、
内部に設けられる中空空間と、を備え、
前記中空空間の圧力を変えることで、前記所定面に対して垂直な方向に、前記板状部材を支持する前記第１支持部と前記第２支持部との相対位置を異ならせ、前記板状部材の表面の形状を変える保持部材。
【請求項２】
前記第１支持部と前記第２支持部とを内部に含む凹部を備える請求項１に記載の保持部材。
【請求項３】
前記凹部の内側の面は、前記第１支持部と前記第２支持部とで保持される前記板状部材の前記被支持面とギャップを介して対向する対向面を含み、前記対向面に前記第１支持部と前記第２支持部とが凸状に形成されている請求項１又は請求項２に記載の保持部材。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の保持部材と、前記中空空間の圧力を変える第１装置とを備えるステージ装置。
【請求項５】
前記第１支持部と前記第２支持部とで保持される前記板状部材の表面の形状に基づいて、前記第１装置を用い、前記中空空間の圧力を変える請求項４に記載のステージ装置。
【請求項６】
前記中空空間は、第１空間と第２空間とを含み、前記第１装置は、前記第２空間の圧力とは個別に、前記第1空間の圧力を変える請求項４又は請求項５に記載のステージ装置。
【請求項７】
前記中空空間の内部の流体の温度を変える第２装置を備える請求項４〜６の何れか一項に記載のステージ装置。
【請求項８】
マスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系を含む露光装置であって、請求項４〜７の何れか一項に記載のステージ装置を備える露光装置。
【請求項９】
前記板状部材は、前記マスクもしくは前記基板の少なくとも一方を含む請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第１支持部と前記第２支持部とで保持される前記板状部材の表面の形状を測定する第３装置を備え、前記第３装置の結果に基づいて、前記中空空間の圧力を変える請求項８又は請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
入射する光ビームを反射する反射面を含む反射部材であって、
内部に設けられる中空空間を備え、
前記中空空間の圧力を変えることで、前記入射する光ビームと交差する面に対して垂直な方向に、前記反射面の第１位置と、前記第１位置とは異なる第２位置との相対位置を異ならせ、前記反射面の形状を変える反射部材。
【請求項１２】
請求項１１に記載の反射部材と、前記中空空間の圧力を変える第１装置とを備える反射装置。
【請求項１３】
前記反射面の形に基づいて、前記第１装置を用い、前記中空空間の圧力を変える請求項１２に記載の反射装置。
【請求項１４】
前記中空空間は、第１空間と第２空間とを含み、前記第１装置は、前記第２空間の圧力とは個別に、前記第１空間の圧力を変える請求項１２又は請求項１３に記載の反射装置。
【請求項１５】
前記中空空間の内部の流体の温度を変える第２装置を備える請求項１２〜１４の何れか一項に記載の反射装置。
【請求項１６】
請求項１２〜１５の何れか一項に記載の反射装置を移動可能な可動部材に備え、前記反射面に前記ビーム光を照射することで、前記可動部材の位置を測定する測定装置。
【請求項１７】
請求項１２〜１５の何れか一項に記載の反射装置と、前記反射面に前記ビーム光を導く導光部材を備える移動可能な可動部材とを備え、前記反射面にビーム光を照射することで、前記可動部材の位置を測定する測定装置。
【請求項１８】
露光光で基板を露光する露光装置であって、請求項１６又は請求項１７に記載の測定装置を備える露光装置。
【請求項１９】
前記反射面の形状を測定する第３装置を備え、前記第３装置の結果に基づいて、前記中空空間の圧力を変える請求項１８に記載の露光装置。
【請求項２０】
請求項８〜１０、１８、１９の何れか一項に記載の露光装置を用いて、基板を露光することと、前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項２１】
板状部材の表面の形状を変える方法であって、
前記板状部材の被支持面の異なる位置を支持する第１支持部と第２支持部とを含む保持部材で前記板状部材を所定面と平行になるように支持すること、
前記保持部材の内部に設けられる中空空間の圧力を変え、前記所定面に対して垂直な方向に、前記板状部材を支持する前記第１支持部と前記第２支持部との相対位置を異ならせ、前記板状部材の表面の形状を変えることとを含む板状部材の表面の形状を変える方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の板状部材の表面の形状を変える方法で、変えた前記板状部材の表面に、マスクのパターンの像を投影することによって、前記板状部材を露光すること、を含む露光方法。
【請求項２３】
請求項２１に記載の板状部材の表面の形状を変える方法で、変えた前記板状部材の表面を介した露光光を、基板に投影することによって、前記基板を露光すること、を含む露光方法。
【請求項２４】
入射する光ビームを反射する反射面の形状を変える方法であって、
前記反射面を含む反射部材の内部に設けられる中空空間の圧力を変え、前記入射する光ビームと交差する面に対して垂直な方向に、前記反射面の第１位置と、前記第１位置とは異なる第２位置との相対位置を異ならせ、前記反射面の形状を変えること、を含む反射面の形状を変える方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の反射面の形状を変える方法で、変えた前記反射面に光ビームを照射し、前記反射面を備える移動可能な可動部材の位置を測定する測定方法。
【請求項２６】
請求項２４に記載の反射面の形状を変える方法で、変えた前記反射面に、移動可能な可動部材の導光部材を介して光ビームを照射し、前記可動部材の位置を測定する測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、保持部材、ステージ装置、反射部材、反射装置、測定装置、露光装置、デバイス製造方法、板状部材の表面の形状を変える方法、露光方法、反射面の形状を変える方法、測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置は、マスクを露光光で照明し、そのマスクを介した露光光で基板を露光する。基板には、マスクのパターンを投影するショット領域が設けられている。露光装置は、特許文献１に開示されているような、基板を保持するステージ装置を備え、露光光で基板を露光する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開第２００６−０１０３８３２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
板状部材に所定の処理をする場合、板状部材が変形すると、所定の処理が困難となり、処理不良が発生する可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、板状部材の変形等に起因する処理不良の発生を抑制できる、保持部材、ステージ装置、及び板状部材の表面の形状を変える方法を提供することを目的とする。
【０００６】
また、露光光で基板を露光する場合、基板が変形すると、基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０００７】
本発明の態様は、基板の変形等に起因する露光不良の発生を抑制できる、ステージ装置、露光装置、及び露光方法を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
また、マスクを介した露光光で基板を露光する場合、マスクと基板の少なくとも一方が変形すると、基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０００９】
本発明の態様は、マスクと基板の少なくとも一方の変形等に起因する露光不良の発生を抑制できる、ステージ装置、露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
光ビームを反射面で反射する場合、反射面が変形すると、所望の反射が困難となり、反射不良が発生する可能性がある。
【００１１】
本発明の態様は、反射面の変形等に起因する反射不良を抑制できる、反射部材、反射装置、及び反射面の形状を変える方法を提供することを目的とする。
【００１２】
また、光ビームで移動可能な可動部材の位置を測定する場合、反射面が変形すると、可動部材の位置の測定に誤差が生じる等、測定不良が発生する可能性がある。
【００１３】
本発明の態様は、反射面の変形等に起因する測定不良を抑制できる、測定装置、及び測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の第１の態様に従えば、板状部材の表面を所定面と平行になるように保持する保持部材であって、板状部材の被支持面を支持する第１支持部と、被支持面において、第１支持部と異なる位置を支持する第２支持部と、内部に設けられる中空空間と、を備え、中空空間の圧力を変えることで、所定面に対して垂直な方向に、板状部材を支持する第１支持部と第２支持部との相対位置を異ならせ、板状部材の表面の形状を変える保持部材を提供する。
【００１５】
本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の保持部材と、中空空間の圧力を変える第１装置を備えるステージ装置を提供する。
【００１６】
本発明の第３の態様に従えば、マスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系を含む露光装置であって、第２の態様のステージ装置を備える露光装置を提供する。
【００１７】
本発明の第４の態様に従えば、入射する光ビームを反射する反射面を含む反射部材であって、内部に設けられる中空空間を備え、中空空間の圧力を変えることで、入射する光ビームと交差する面に対して垂直な方向に、反射面の第１位置と、第１位置とは異なる第２位置との相対位置を異ならせ、反射面の形状を変える反射部材を提供する。
【００１８】
本発明の第５の態様に従えば、第４の態様の反射部材と、中空空間の圧力を変える第１装置とを備える反射装置を提供する。
【００１９】
本発明の第６の態様に従えば、第５の態様の反射装置を移動可能な可動部材に備え、反射面にビーム光を照射することで、可動部材の位置を測定する測定装置を提供する。
【００２０】
本発明の第７の態様に従えば、第５の態様の反射装置と、反射面にビーム光を導く導光部材を備える移動可能な可動部材とを備え、反射面にビーム光を照射することで、可動部材の位置を測定する測定装置を提供する。
【００２１】
本発明の第８の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光装置であって、第６の態様又は第７の態様の測定装置を備える露光装置を提供する。
【００２２】
本発明の第９の態様に従えば、第３の態様の露光装置又は第８の態様の露光装置を用いて、基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法を提供する
本発明の第１０の態様に従えば、板状部材の表面の形状を変える方法であって、板状部材の被支持面の異なる位置を支持する第１支持部と第２支持部とを含む保持部材で板状部材を所定面と平行になるように支持すること、保持部材の内部に設けられる中空空間の圧力を変え、所定面に対して垂直な方向に、板状部材を支持する第１支持部と第２支持部との相対位置を異ならせ、板状部材の表面の形状を変えることとを含む板状部材の表面の形状を変える方法を提供する。
【００２３】
本発明の第１１の態様に従えば、第１０の態様の板状部材の表面の形状を変える方法で、変えた板状部材の表面に、マスクのパターンの像を投影することによって、板状部材を露光すること、を含む露光方法を提供する。
【００２４】
本発明の第１２の態様に従えば、第１０の態様の板状部材の表面の形状を変える方法で、変えた板状部材の表面を介した露光光を、基板に投影することによって、基板を露光すること、を含む露光方法を提供する
本発明の第１３の態様に従えば、入射する光ビームを反射する反射面の形状を変える方法であって、反射面を含む反射部材の内部に設けられる中空空間の圧力を変え、入射する光ビームと交差する面に対して垂直な方向に、反射面の第１位置と、第１位置とは異なる第２位置との相対位置を異ならせ、反射面の形状を変えること、を含む反射面の形状を変える方法を提供する。
【００２５】
本発明の第１４の態様に従えば、第１３の態様の反射面の形状を変える方法で、変えた反射面に光ビームを照射し、反射面を備える移動可能な可動部材の位置を測定する測定方法を提供する。
【００２６】
本発明の第１５の態様に従えば、第１３の態様の反射面の形状を変える方法で、変えた反射面に、移動可能な可動部材の導光部材を介して光ビームを照射し、可動部材の位置を測定する測定方法を提供する。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、処理不良の発生を抑制できる。本発明によれば、露光不良の発生を抑制できる。本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。本発明によれば、反射不良の発生を抑制できる。本発明によれば、測定不良の発生を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００２９】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと露光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板ステージ２に保持されている基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、を備えている。
【００３０】
本実施形態において、露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式である。
【００３１】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態において、マスクＭは、例えばガラス板等の透明板にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成された透過型マスクである。この透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばハーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。
【００３２】
照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を露光光ＥＬで照明する。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレ−ザ光を用いる。
【００３３】
マスクステ−ジ１は、マスクＭの裏面Ｍｂ（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステ−ジ１は、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。マスクステージ１の位置情報は、レーザ干渉計を含む第１レーザ干渉計システム６で計測（測定）される。第１レーザ干渉計システム６は、マスクステージ１の配置された計測ミラー６ａを用いて、マスクステージ１の位置情報を計測可能である。また、マスクステージ１に保持されたマスクＭの裏面Ｍｂの位置情報が、フォーカス・レベリング検出システム（不図示）に検出される。
【００３４】
投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパタ−ンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５または１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸とほぼ平行である。
【００３５】
基板ステ−ジ２は、基板Ｐの表面Ｐａ（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持可能である。基板ステ−ジ２は、基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００３６】
基板ステージ２の位置情報は、レーザ干渉計を含む第２レーザ干渉計システム３で計測される。第２レーザ干渉計システム３は、基板ステージ２に配置された計測ミラーＫを用いて、基板ステージ２の位置情報を計測（測定）可能である。また、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面Ｐａの位置情報が、フォーカス・レベリング検出システム（不図示）に検出される。また、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面Ｐａの形状が、測定装置Ａにより検出される。
【００３７】
本実施形態において、基板Ｐは、デバイスを製造するための円形の基板であり、感光材（フォトレジスト）Ｒｇの膜を含む。
【００３８】
次に、図２および図３を参照しながら、本実施形態に係る基板ステージ２に関して説明する。図２は、本実施形態に係る基板ステージ２を上方（＋Ｚ側）から見た平面図である。図３は、本実施形態に係る基板ステージ２の側面を示す図である。図３は、図２において−Ｘ側の側面を図示している。なお、図２において、後述する第１ピン部材Ｐ１を図示していない。
【００３９】
本実施形態において、基板ステージ２は、ステージ本体ＳＴと計測ミラーＫとを含む。
【００４０】
本実施形態において、ステージ本体ＳＴは、図２に示すように、ＸＹ平面において、矩形であり、図３に示すように、Ｚ軸方向において厚さを有するプレート状の部材である。ステージ本体ＳＴは、表面ＳＴａと、側面ＳＴｂと、基板Ｐを保持する基板保持部５と、ステージ本体ＳＴの内部に設けられる中空空間Ｓ１とを含む。基板保持部５は、図２に示すように、ＸＹ平面において、ステージ本体ＳＴの表面ＳＴａにほぼ中央に形成された円形部分である。また、本実施形態において、基板保持部５は、基板Ｐの表面ＰａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを脱着可能に保持することができる。中空空間Ｓ１に関しては、後述する。ステージ本体ＳＴは、基板ステージ２にステージ本体ＳＴが脱着可能に支持されていても構わない。
【００４１】
次に、図２および図４を参照しながら、ステージ本体ＳＴに設けられた基板保持部５に関して説明する。なお、図４は、図２のＡ−Ｂに沿った基板ステージ２の側断面図である。
本実施形態において、基板保持部５は、第１リム部Ｒ１と、第１リム部Ｒ１に囲まれたチャック面５ａと、チャック面５ａに設けられた吸引口４と、チャック面５ａに設けられた第１ピン部材Ｐ１とを含む。
【００４２】
第１リム部Ｒ１は、図２に示すように、円形の環状である。第１リム部Ｒ１は、裏面Ｐｂと接触（支持）する接触面Ｒ１ａと、チャック面５ａの周囲に設けられた内側側面Ｒ１ｂと、外側側面Ｒ１ｃとを含む。本実施形態において、第１リム部Ｒ１の周囲の表面ＳＴａとチャック面５ａとはほぼ同一面内に配置されており、第１リム部Ｒ１は、チャック面５ａおよび表面ＳＴａに対して凸状に形成されている。本実施形態において、基板保持部５では、第１リム部Ｒ１（内側側面Ｒ１ｂ）と、第１リム部Ｒ１の内側に設けられたチャック面５ａとで、凹部を形成している。
【００４３】
内側側面Ｒ１ｂは、チャック面５ａの外縁に沿って環状に形成され、Ｚ軸方向とほぼ平行にチャック面５ａから接触面Ｒ１ａまで延びている。内側側面Ｒ１ｂは、ＸＹ平面において、チャック面５ａを囲み、内側側面Ｒ１ｂの内部にチャック面５ａが設けられている。外側側面Ｒ１ｃは、円形の環状に内側側面Ｒ１ｂの周囲に形成され、Ｚ軸方向とほぼ平行に、表面ＳＴａから接触面Ｒ１ａまで延びている。本実施形態において、基板保持部５の外縁は、第１リム部Ｒ１の外側側面Ｒ１ｃで画定される。チャック面５ａには、裏面Ｐｂを支持する複数の第１ピン部材Ｐ１が配置されている。
【００４４】
第１ピン部材Ｐ１は、チャック面５ａに対して凸状に形成されている。第１ピン部材Ｐ１は、表面Ｐ１ａを含む。ＸＹ平面において、第１ピン部材Ｐ１の外形（断面形状）は、円形である。チャック面５ａは、第１ピン部材に支持される基板Ｐの裏面Ｐｂと対向する。チャック面５ａは、ＸＹ平面とほぼ平行に延びている。すなわち、チャック面５ａは、平坦である。また、基板保持部５は、チャック面５ａに設けられ、チャック面５ａの中心から、３方向に、放射状に４個の吸引口が配置されている。
【００４５】
基板保持部５は、１２個の吸引口４を含む。吸引口４のそれぞれは、ステージ本体ＳＴの内部に設けられ、Ｚ軸方向とほぼ平行に延びる吸引流路４ａと連通する。吸引流路４ａは、図４に示すように、吸引ポンプを含む真空システム８と接続可能である。なお、吸引口４は１２個に限られず、１個であってもよい。
【００４６】
基板保持部５に基板Ｐが載置された状態において、図４に示すように、基板Ｐの裏面Ｐｂと内側側面Ｒ１ｂとチャック面５ａとで囲まれた第２空間Ｓ２が形成される。また、図４に示すように、裏面Ｐｂとチャック面５ａとの間には、ギャップが形成される。基板保持部５に保持される基板Ｐの裏面Ｐｂの少なくとも一部と第１ピン部材Ｐ１（表面Ｐ１ａ）とが接触する。上述したように、吸引口４は、吸引流路４ａを介して真空システム８に接続可能である。
【００４７】
したがって、真空システム８は、第２空間Ｓ２の気体を吸引口４を介し吸引（排気）することが可能である。すなわち、真空システム８を動作させることによって、基板保持部５の第１リム部Ｒ１と第１ピン部材Ｐ１上に基板Ｐが保持される。基板保持部５の第１リム部Ｒ１と第１ピン部材Ｐ１上に、基板Ｐの表面Ｐａが、図４においてＸＹ平面と平行になるように保持される。基板Ｐの裏面Ｐｂにおいて、複数の第１ピン部材Ｐ１がそれぞれ異なる場所を保持（支持）している。真空システム８による吸引動作を停止することにより、基板保持部５から基板Ｐを外すことが可能になる。なお、基板保持部５は、基板Ｐの表面ＰａをＸＹ平面とは異なる平面と平行になるように保持しても構わない。
【００４８】
次に、図４および図５を参照しながら、ステージ本体ＳＴの内部に設けられる複数の中空空間Ｓ１に関して説明する。図５は、本実施形態に係る一つの第１ピン部材Ｐ１と一つの中空空間Ｓ１の位置関係を表す図である。図５においては、図４においてＺ軸方向の位置が異なる第１ピン部材Ｐ１と中空空間Ｓ１とを、同一の平面に図示している。
【００４９】
本実施形態において、中空空間Ｓ１は、図４に示すように、チャック面５ａに配置される複数の第１ピン部材Ｐ１のそれぞれの−Ｚ軸方向に、チャック面５ａと後述する上面Ｓ１ａとが第１距離Ｄ１離れるように中空空間Ｓ１が一つ設けられている。すなわち、第１ピン部材Ｐ１と同じ数の中空空間Ｓ１が設けられている。中空空間Ｓ１は、図４に示すようにＸＺ平面において、矩形である。中空空間Ｓ１は、図５に示すようにＸＹ平面において、円形である。中空空間Ｓ１は、円柱状に設けられている。中空空間Ｓ１は、上面Ｓ１ａと、内壁Ｓ１ｂと、底面Ｓ１ｃと、底面Ｓ１ｃに設けられた調整口Ｓ１ｄとを含む。上面Ｓ１ａの外形は、円形である。
【００５０】
上面Ｓ１ａの外形は、図５に示すように、一つのチャック面５ａにおける第１ピン部材の断面の外形よりも大きい。内壁Ｓ１ｂは、上面Ｓ１ａから底面Ｓ１ｃまでＺ軸方向とほぼ並行に延びている。内壁Ｓ１ｂのＸＹ平面における外形は、円形である。底面Ｓ１ｃは、ＸＹ平面とほぼ平行であり、底面Ｓ１ｃは円形である。底面Ｓ１ｃに１個の調整口Ｓ１ｄが設けられている。調整口Ｓ１ｄは、ステージＳＴの内部に設けられ、Ｚ軸方向とほぼ平行に延びている調整流路７ａと接続可能である。
【００５１】
調整流路７ａは、基板ステージ２が備える吸引ポンプおよび供給ポンプを含む圧力調整システム７と接続可能である。圧力調整システム７は、ステージ本体ＳＴの内部に設けられる複数の中空空間Ｓ１のそれぞれの圧力を独立して調整する（変える）ことが可能である。圧力調整システム７の動作に関しては、後述する。なお、中空空間Ｓ１のそれぞれに異なる圧力調整システム７を接続しても構わない。なお，中空空間Ｓ１の形状は、円柱状に限られず、直角柱状でも構わない。また、一つの第１ピン部材Ｐ１に、一つの中空空間Ｓ１を設けたが、これに限られず、例えば、一つの第１ピン部材Ｐ１に、複数の中空空間Ｓ１を設けても構わない。なお、上面Ｓ１ａの外形は、一つの第１ピン部材Ｐ１の外形（チャック面５ａにおける第１ピン部材Ｐ１の断面の外形）と同じもしくは小さくても構わない。なお、調整口Ｓ１ｄは、1個に限られず、複数個であってもよい。
【００５２】
次に、図４を参照しながら、圧力調整システム７の動作に関して説明する。なお、ここでは、説明を簡単にするために、１つの中空空間Ｓ１に対する圧力調整システム７の動作を説明する。上述したように、中空空間Ｓ１の調整口Ｓ１ｄは、調整流路７ａを介して圧力調整システム７に接続可能である。したがって、圧力調整システム７は、中空空間Ｓ１の気体を調整口Ｓ１ｄを介し、吸引することが可能である。また、圧力調整システム７は、中空空間Ｓ１に調整口Ｓ１ｄを介し、気体を供給することが可能である。すなわち、圧力調整システム７を動作させることによって、中空空間Ｓ１の圧力を調整する（変える）ことが可能である。
【００５３】
本実施形態において、中空空間Ｓ１の圧力を調整し、中空空間Ｓ１の体積を変化させることで、上面Ｓ１ａのＸＹ平面に対して垂直なＺ軸方向の位置が変化する。本実施形態では、上面Ｓ１ａとチャック面５ａと第１距離Ｄ１を介して設けられており、上面Ｓ１ａのＺ軸方向の位置の変化に応じて、チャック面５ａのＺ軸方向の位置が変化する。したがって、本実施形態においては、圧力調整システム７は、基板保持部５のチャック面５ａの形状を調整する（変える）ことができる。チャック面５ａのＺ軸方向の位置の変化に応じて、チャック面５ａに設けられる第１ピン部材Ｐ１（例えば、上面Ｓ１ａ）のＺ軸方向の位置が変化する（第１ピン部材Ｐ１がＺ軸方向に移動する）。すなわち、中空空間Ｓ１の圧力を変化させることで、第１ピン部材Ｐ１のＺ軸方向の位置を調整することが可能である。したがって、第１ピン部材Ｐ１の移動に伴い、基板保持部５に保持された基板Ｐの形状を、第１ピン部材Ｐ１と接触する裏面Ｐｂから変化させることが可能である。第１ピン部材Ｐ１のＺ軸方向の移動に伴い、図４において、ＸＹ平面において垂直のＺ軸方向に、基板Ｐの表面Ｐａの形状を変えることができる。
【００５４】
上述したように、複数の中空空間Ｓ１のそれぞれの圧力を独立して調整することが可能である。したがって、複数の第１ピン部材Ｐ１のそれぞれの第１ピン部材Ｐ１のＺ軸方向の位置を変えることができる。したがって、複数の第１ピン部材Ｐ１のうち、チャック面５ａの異なる位置に設けられる第１ピン部材Ｐ１のそれぞれの相対位置を変えることができる。また、基板Ｐの裏面Ｐｂに対して、異なる位置を保持する第１ピン部材Ｐ１のそれぞれの相対位置を変えることできる。したがって、基板Ｐの表面Ｐａの形状を変えることができる。本実施形態において、第１距離Ｄ１は、中空空間Ｓ１の体積に応じて、第１ピン部材Ｐ１の位置が移動するように設定されている。
【００５５】
本実施形態において、計測ミラーＫは、ステージ本体ＳＴの−Ｘ側の側面ＳＴｂに設けられる第１ミラー１Ｋと、ステージ本体ＳＴの＋Ｙ側の側面ＳＴｂに設けられる第２ミラー２Ｋとを含む。第１ミラー１Ｋは、図３に示すように、ＹＺ平面において矩形であり、図２に示すように、Ｘ軸方向に厚みを有するプレート状の部材である。本実施形態では、計測ミラー１Ｋは、側面ＳＴｂの一部を覆うように設けられている。計測ミラー１Ｋは、第２レーザ干渉計システム３の光源（不図示）からの光を干渉計システム３の受光部（不図示）に向けて反射する反射面である表面３ａと、基板ステージ２の側面ＳＴｂと対向する裏面３ｂとを含む。計測ミラー１Ｋは、表面３ａとＹＺ平面とほぼ平行となるように、裏面３ｂが側面ＳＴｂに保持されている。
【００５６】
第２ミラー２Ｋは、第１ミラー１Ｋと同等の構成なので、その説明を省略する。なお、計測ミラーＫの配置は、ステージ本体ＳＴの−Ｘ側の側面ＳＴｂおよび＋Ｙ側の側面ＳＴｂに限られず、例えば、＋Ｘ側の側面ＳＴｂに設けても構わない。なお、計測ミラーＫは、側面ＳＴｂに支持されずに、例えば、計測ミラーＫは表面ＳＴａに設けられていても構わない。また、計測ミラーＫは、側面ＳＴｂの全面を覆うように設けられていても構わない。なお、計測ミラーＫは、プレート状の部材であったが、例えば、側面ＳＴｂに反射膜を蒸着したり、側面ＳＴｂを鏡面加工したりして、表面３ａを形成してもよい。なお、計測ミラーＫは、ＹＺ平面とほぼ平行に保持されているが、ＹＺ平面と交差するような反射面でも構わない。
【００５７】
上述したように、第２レーザ干渉計システム３は、ステージ本体ＳＴ（基板ステージ２）に配置される第１ミラー１Ｋ（計測ミラーＫ）を用いて、基板ステージ２の位置情報を計測する。第２レーザ干渉計システム３は、射出装置（不図示）と受光装置（不図示）とを含む。射出装置（不図示）よりレーザ光を第１ミラー１Ｋに射出し、第１ミラー１Ｋで反射するレーザ光を受光装置（不図示）で受光することで、ステージ本体ＳＴの位置情報を入手する。第１ミラー１Ｋの表面３ａのＹＺ平面に対して、レーザ光が垂直に入射する。
【００５８】
次に、図４を参照しながら、測定装置Ａによる基板Ｐの形状の計測に関して説明する。上述したように、測定装置Ａは、露光装置ＥＸが備えている。測定装置Ａは、基板Ｐの表面Ｐａ（被測定面）の形状を測定することが可能である。
【００５９】
本実施形態において、基板ステージ２（ステージ本体ＳＴ）は測定装置Ａの下方（−Ｚ軸方向側）で移動可能である。すなわち、本実施形態においては、図４に示すように、測定装置Ａの−Ｚ軸方向側に基板保持部５を配置することができる。測定装置Ａは、基板Ｐの表面Ｐａに光を射出する射出装置Ａ１と、基板Ｐの表面Ｐａから反射する光を受光する受光装置Ａ２とを含む。射出装置Ａ１から射出される光は、基板Ｐの表面Ｐａに対して９０°以下であることが望ましい。射出装置Ａ１から射出する光は、レーザ光を用いる。測定装置Ａは、基板保持部５に保持される基板Ｐの形状を測定することが可能である。
【００６０】
本実施形態では、基板保持部５に保持される基板Ｐの全体の形状（Ｚ軸方向の位置）を測定する。したがって、測定されるＺ軸方向の位置に基づいて、基板ＰにおけるＺ軸方向の変位（ΔＺ）を測定することができる。また、本実施形態では、基板Ｐの局所領域ΔＰａにおけるＺ軸方向の変位量（変位）ΔＺを特定することができる。本実施形態では、測定装置Ａによる基板Ｐの形状の計測と同時に、第２レーザ干渉計システム３により基板ステージ２の位置情報を入手する。したがって、測定装置Ａは、射出装置Ａ１から射出する光が照射される位置（例えば、図２におけるＸ軸方向の位置およびＹ軸方向の位置。）を検出することが可能である。
【００６１】
すなわち、測定装置Ａは、局所領域ΔＰａのＺ軸方向の変位量ΔＺ、及び局所領域ΔＰａのＸＹ平面内での位置を特定することができる。したがって、局所領域ΔＰａの−Ｚ軸方向に位置するチャック面５ａの局所領域Δ５ａのＺ軸方向の変位量ΔＺを特定することができる。したがって、チャック面５ａの変形によって生じた基板Ｐの変形および、チャック面５ａが変形している位置を特定することができる。したがって、ステージ本体ＳＴの変形によって生じた基板Ｐの変形およびステージ本体ＳＴが変形している位置を特定することができる。また、本実施形態では、測定装置Ａにより特定したチャック面５ａ（ステージ本体ＳＴ）が変形している位置の情報に基づいて、チャック面５ａが変形している位置の近傍の中空空間Ｓ１の圧力を調整することが可能である。
【００６２】
なお、本実施形態において、測定装置Ａは、基板Ｐの全体の形状を測定し、基板Ｐの局所領域ΔＰａのＺ軸方向の変位量ΔＺを特定したが、基板Ｐの局所領域ΔＰａのみの形状を測定し、基板Ｐの局所領域ΔＰａのＺ軸方向の変位量ΔＺを特定しても構わない。なお、基板Ｐの形状を測定する方法は、測定装置Ａに限られない。例えば、撮像装置（例えば、カメラ）で表面の形状を測定しても構わない。なお、測定装置Ａが測定する場所は、基板Ｐの表面Ｐａに限られず、例えば、ステージ本体ＳＴの表面ＳＴａの形状やチャック面５ａの形状を測定することができる。
【００６３】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。
【００６４】
まず、露光前の基板Ｐは、所定の搬送装置を用いて、基板ステージ２のステージ本体ＳＴに設けられる基板保持部５にロ−ドされる。
【００６５】
次に、基板保持部５と基板Ｐの裏面Ｐｂとで囲まれた第１空間Ｓ１の気体を、吸引口４を介して真空システム８により吸引し、第１空間Ｓ１を負圧にすることにより、基板Ｐは、基板保持部５に吸着保持される。
【００６６】
ところで、ステージ本体ＳＴが変形する場合がある。例えば、基板ステージ２を移動させるモーター（不図示）からの熱により、ステージ本体ＳＴが熱変形する可能性がある。本実施形態では、ステージ本体ＳＴに設けられた基板保持部５が変形した場合を例に説明する。例えば、基板保持部５が変形すると、基板保持部５に保持される基板Ｐの平坦度が低下する（基板Ｐおよび基板Ｐの表面Ｐａの形状が変形する）可能性がある。基板Ｐが変形すると、基板Ｐに投影されるパターンの像のデフォーカス等により、所望の露光を行うことが困難になる。その結果、露光不良が発生する。
【００６７】
そこで、本実施形態では、ステージ本体ＳＴの内部に設けられる中空空間Ｓ１の圧力を調整し、ステージ本体ＳＴの形状を調整する。より具体的には、本実施形態では、ステージ本体ＳＴに設けられている基板保持部５のチャック面５ａの形状を調整する。なお、基板保持部５の変形は、チャック面５ａの変形に限られない。例えば、第１リム部Ｒ１が変形する場合でも構わない。
【００６８】
本実施形態では、基板Ｐの露光前に、基板ステージ２を測定装置Ａの測定位置に移動させ、基板保持部５に保持される基板Ｐの表面Ｐａの形状を測定装置Ａにより測定する。測定装置Ａは、基板保持部５に保持される基板Ｐの表面Ｐａの全体の形状を測定する。測定装置Ａは、チャック面５ａの変形によって生じた基板Ｐの変形およびチャック面５ａが変形している位置を特定する。その結果、変形しているチャック面５ａの位置を特定する。
【００６９】
本実施形態では、説明を簡単にするために、図６（ａ）に示すように、チャック面５ａの一部が局所的に変形している例を用いる。図６（ａ）においては、チャック面５ａの一部がその周囲に比べて局所的に−Ｚ軸方向に凹んでおり、その部分に形成されている第１ピン部材Ｐ１もその周囲の第１ピン部材Ｐ１よりも−Ｚ軸方向に下がっている。したがって、図６（ａ）においては、基板Ｐの表面Ｐａのうち、第１ピン部材Ｐ１の＋Ｚ軸方向に位置する局所領域ΔＰａが、その周囲に比べてΔＺだけ−Ｚ軸方向に凹んでいる。測定装置Ａは、局所領域ΔＰａのＺ軸方向の変位量ΔＺ、及び局所領域ΔＰａのＸＹ平面内での位置を特定し、局所領域ΔＰａの−Ｚ軸方向に位置するチャック面５ａの局所領域Δ５ａのＺ軸方向の変位量ΔＺを特定する。なお、チャック面５ａの変形は、図６（ａ）に示す形状に限られない。また、図６（ａ）の変形は、説明をわかりやすくするために、過大に図示している。
【００７０】
次に、中空空間Ｓ１の圧力を調整し、チャック面５ａの形状を調整する動作に関して説明する。本実施形態では、図６（ａ）に示す測定装置Ａにより特定したチャック面５ａの変形を、図６（ｂ）に示す所望のチャック面５ａの形状に調整する場合を例に説明する。
【００７１】
図６（ａ）において、第１ピン部材Ｐ１近傍のチャック面５ａの局所領域Δ５ａが、その周囲に比べてΔＺだけ−Ｚ軸方向に凹んでいる。本実施形態では、変形しているチャック面５ａの近傍に、設けられる一つの中空空間Ｓ１の圧力のみを、圧力調整システム７を動作させて調整する。本実施形態において、中空空間Ｓ１の圧力を調整し、中空空間Ｓ１の圧力を高くし、中空空間Ｓ１の体積が変化することで、上面Ｓ１ａのＺ軸方向の位置が変化する。したがって、本実施形態において、図６（ａ）に図示する−Ｚ軸方向に凹んでいる第１ピン部材Ｐ１のみ、周囲の第１ピン部材Ｐ１に対して、Ｚ軸方向の相対位置が変化する。
【００７２】
上面Ｓ１ａのＺ軸方向の位置の変化（変位量ΔＺ）に応じて、チャック面５ａの局所領域Δ５ａのＺ軸方向の位置が変化（変位量ΔＺ）する。また、ほぼ同時に基板Ｐの裏面Ｐｂを支持している第１ピン部材Ｐ１を移動させる。したがって、圧力調整システム７を動作させることで、図６（ｂ）に示すように、ＸＹ平面に対してほぼ平行のチャック面５ａおよび基板Ｐに調整することができる。
【００７３】
図６（ｂ）において、上面Ｓ１ａとチャック面５ａとは第１距離Ｄ１が維持されている。本実施形態では、測定装置Ａにより、基板Ｐの形状が、図６（ｂ）に示す形状であることを特定することができる。測定装置Ａが特定する基板Ｐの形状に基づいて、圧力調整システム７によるステージ本体ＳＴの形状の調整を終了する。なお、ステージ本体ＳＴの形状を調整するために、中空空間Ｓ１の圧力を高くしたが、中空空間Ｓ１の圧力を低くしてもステージ本体ＳＴの形状を調整することができる。本実施形態では、圧力調整システム７を動作させることで、基板Ｐが支持されている裏面Ｐｂ側からチャック面５ａの形状および基板Ｐの形状を調整することが可能である。また、本実施形態では、ステージ本体ＳＴの内部に設けられる中空空間Ｓ１の圧力を調整することで、ステージ本体ＳＴの形状を調整可能とした。したがって、本実施形態では、ステージ本体ＳＴの変形に起因するモータなどの熱源を用いることなく、ステージ本体ＳＴの形状を調整可能である。
【００７４】
次に、基板ステージ２を測定装置Ａの測定位置から、露光光ＥＬで露光する露光位置に移動させ、圧力調整システム７により形状が調整された基板Ｐの露光を開始する。照明系ＩＬより露光光ＥＬが射出される。照明系ＩＬより射出された露光光ＥＬは、マスクＭを照明する。マスクＭを介した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬを介して、基板Ｐに照射される。これにより、マスクＭのパタ−ンの像が基板Ｐの表面Ｐａに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。
【００７５】
基板Ｐの露光が終了した後に、所定の搬送装置を用いて、露光後の基板Ｐを基板ステージ２の基板保持部５からアンロ−ドされる。以上により、基板Ｐの露光処理が終了する。
【００７６】
以上、説明したように、本実施形態では、ステージ本体ＳＴの内部に中空空間Ｓ１を設け、その中空空間Ｓ１の圧力を調整し（変えて）、ステージ本体ＳＴの形状を調整する（変える）ことができる。また、本実施形態では、ステージ本体ＳＴの内部の中空空間Ｓ１の圧力を調整し（変えて）、基板Ｐの裏面Ｐｂに対して、異なる位置を保持する第１ピン部材Ｐ１のそれぞれの相対位置を変えることができる。したがって、基板保持部５に保持された基板Ｐの表面Ｐａの形状を調整し（変え）、所望の形状にすることができる。したがって、基板保持部５に保持された基板Ｐの変形に起因する露光不良の発生を抑制することができる。したがって、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【００７７】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００７８】
第２実施形態は、上述の第１実施形態の変形例である。第１実施形態と異なる第２実施形態の特徴的な部分は、中空空間Ｓ１を使って計測ミラ−Ｋの反射面の形状を変える点にある。本実施形態では、第１ミラー１Ｋの近傍に設けた中空空間Ｓ１の圧力を調整する場合を例に取り上げる。なお、第２ミラー２Ｋの近傍に設けた中空空間Ｓ１の圧力を調整する場合は、第１ミラー１Ｋの場合と同様なので、その説明は省略する。
【００７９】
次に、図７および図８を参照しながら、第２実施形態の基板ステージ２を説明する。図７は、基板ステージ２の一部を示す側断面図である。図８は、第１ミラー１Ｋと中空空間Ｓ１との位置関係を示す図である。図８は、−Ｘ軸方向から基板ステージ２を見た図である。図８において、Ｘ軸方向において位置が異なる第１ミラー１Ｋと中空空間Ｓ１とを同じ平面に図示している。本実施形態では、図７に示すように、中空空間Ｓ１は、ステージ本体ＳＴの側面ＳＴｂから第１距離Ｄ１を介して、ステージ本体ＳＴの内部に設けられている。中空空間Ｓ１の内壁Ｓ１ｂと、側面ＳＴｂとが第１距離Ｄ１離れている。図７に示すように、ＸＺ平面において、Ｚ軸方向の中空空間Ｓ１の大きさは、第１ミラー１Ｋの大きさよりも小さい。図８に示すように、１個の第１ミラー１Ｋの＋Ｘ軸方向側に、複数の中空空間Ｓ１がＹ軸方向に、設けられている。なお、中空空間Ｓ１の大きさは、これらに限られず、例えば、Ｚ軸方向の中空空間の第１ミラ−１Ｋの大きさよりも，同じまたは小さくても構わない。また、１個の第１ミラー１Ｋに対して、一つの中空空間Ｓ１でも構わない。
【００８０】
上述したように、ステージ本体ＳＴが変形する場合がある。本実施形態では、ステージ本体ＳＴの側面ＳＴｂは変形する場合を例に説明する。図９（ａ）に示すように側面ＳＴｂが変形すると、側面ＳＴｂに設けられた第１ミラー１Ｋが変形する場合がある。第１ミラー１Ｋが変形すると、所望の反射が困難となり、干渉計システム３で計測される基板ステージ２の位置情報に誤差が生じる。基板ステージ２の位置情報に誤差が生じると、基板ステージ２に保持される基板の位置情報に誤差が生じ、基板Ｐの所定の位置に露光することが困難となる。その結果、露光不良が発生する。
【００８１】
本実施形態では、第２レーザ干渉計システム３により第１ミラー1Ｋの形状を測定する。第２レーザ干渉計システム３は、第１ミラー１Ｋの局所領域Δ３ａのＸ軸方向の変位量ΔＸ、及び局所領域Δ３ａのＹＺ平面内での位置を特定し、局所領域Δ３ａの−Ｘ軸方向に位置する側面ＳＴｂの局所領域ΔＳＴｂのＸ軸方向の変位量ΔＸを特定する。第２レーザ干渉計システム３は、側面ＳＴｂの変形によって生じた第１ミラー１Ｋの変形および側面ＳＴｂが変形している位置を特定する。なお、第１ミラー１Ｋの形状を第２レーザ干渉計システム３により測定したが、計測ミラーＫの形状を測定する測定装置Ａを設け、計測ミラーＫの形状を測定しても構わない。
【００８２】
本実施形態では、図９（ａ）に示す第２レーザ干渉計システム３により特定した測面ＳＴｂの変形を、図９（ｂ）に示す所望の測面ＳＴｂの形状に調整する（変える）場合を例に説明する。本実施形態では、表面３ａのＹＺ平面において、Ｘ軸方向の位置が異なる。また、表面３ａのＺ軸方向において、中央部分のＸ軸方向の位置と、端部のＸ軸方向の位置とが異なる。
【００８３】
本実施形態では、圧力調整システム７を動作させて、変形している側面ＳＴｂの近傍に設けられる中空空間Ｓ１の圧力を調整する。実施形態において、中空空間Ｓ１の圧力を調整し、中空空間Ｓ１の圧力を高くし、中空空間Ｓ１の体積が変化することで、内壁Ｓ１ｂのＸ軸方向の位置が変化する。内壁Ｓ１ｂのＸ軸方向の位置の変化に応じて、側面ＳＴｂのＸ軸方向の位置が変化する。したがって、圧力調整システム７を動作させることで、図９（ｂ）に示すように、ＹＺ平面に対してほぼ平行の側面ＳＴｂおよび第１ミラー１Ｋの表面３ａの形状を変えることができる。図９（ｂ）において、内壁Ｓ１ｂと側面ＳＴｂとは第１距離Ｄ１が維持されている。本実施形態では、測定装置Ａにより、第１ミラー１Ｋの形状が、図９（ｂ）に示す形状であることを特定することができる。測定装置Ａが特定する第１ミラー１Ｋの形状に基づいて、圧力調整システム７によるステージ本体ＳＴの形状の調整を終了する。
【００８４】
以上、説明したように、本実施形態では、中空空間Ｓ１の圧力を調整し、計測ミラーＫの形状を調整することができる。したがって、計測ミラーＫの表面３ａの変形に起因する、基板ステージ２の位置情報に誤差が生じる等の測定不良を抑制することができる。したがって、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【００８５】
なお、本実施形態では、中空空間Ｓ１の圧力を調整し、チャック面５ａの形状を調整する（変える）が、上述の実施形態と同等なので、省略する。なお、チャック面５ａの形状もしくは計測ミラーＫの形状のどちらか一方の形状だけを調整してもよい。また、中空空間Ｓ１は、チャック面５ａに設けられた第１ピン部材Ｐ１の近傍か、計測ミラーＫの近傍かどちらか一方だけに設けてもよい。
【００８６】
なお、本実施形態では、上述の実施形態と同様に露光を開始する前に圧力調整システム７を動作させ、ステージ本体ＳＴの形状を調整する。
【００８７】
なお、本実施形態では、計測ミラーＫは、位置を測定する基板ステージ２が備えていたが、例えば、図１０に示すように、基板ステージ２とは異なる場所に計測ミラー３Ｋ（Ｋ）を設け、基板ステージ２の位置を計測しても構わない。計測ミラー３Ｋは、圧力調整システム７に接続された中空空間Ｓ１を含む部材Ｔに設けられている。計測ミラーＫの近傍には、中空空間Ｓ１が設けてあるので、表面３ａの形状を変えることが可能である。図１０においては、レーザ光は、基板ステージ２に設けられた反射部材Ｈに反射され、計測ミラー３Ｋに垂直に入射する。図１０においては、レーザ光の光路Ｌを図示している。
【００８８】
（第３実施形態）
次に、図１１を参照しながら、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００８９】
第３実施形態は、上述の第１実施形態の変形例である。第１実施形態と異なる第３実施形態の特徴的な部分は、圧力調整システム７に温度調整システムＴを設ける点にある。
【００９０】
図１１は、本実施形態に係る基板ステージ２の一部を示す側断面図である。
【００９１】
本実施形態において、ステージ本体ＳＴは、ステージ本体の温度を計測する温度計測装置Ｎが配置されている。本実施形態において、温度計測装置Ｎは、中空空間Ｓ１の近傍に設けられている。
【００９２】
本実施形態において、圧力調整システム７は、温度調整システムＴを備え、中空空間Ｓ１に供給する気体の温度を調整することが可能である。温度調整システムＴは、中空空間Ｓ１に供給する気体の温度を上げる加熱装置と、供給する気体の温度を下げる冷却装置とを備える。温度調整システムＴは、中空空間Ｓ１に供給する気体の温度を変えることができる。中空空間Ｓ１に供給する気体の温度を調整することで、ステージ本体ＳＴの温度を調整することが可能である。本実施形態において、温度計測装置Ｎの計測結果に基づいて、圧力調整システム７を動作させることができる。
【００９３】
上述したように、ステージ本体ＳＴが、熱により変形する可能性がある。その結果、露光不良が発生する。
【００９４】
本実施形態では、圧力調整システム７を動作させることによって、ステージ本体ＳＴの温度を調整することが可能である。また、ステージ本体ＳＴが備える温度計測装置Ｎの計測結果に基づいて、圧力調整システム７を動作させることができる。したがって、ステージ本体ＳＴの所望の温度にするように、温度計測装置Ｎでステージ本体ＳＴ内の温度を計測しながら、圧力調整システム７を動作させることが可能である。すなわち、温度計測装置Ｎでステージ内の温度を計測しながら、温度調整システムＴを動作させ、中空空間Ｓ１に供給する気体の温度を調整する。したがって、本実施形態では、圧力調整システム７を動作させることで、基板ステージ２の熱による変形を抑制することが可能である。上述したように、圧力調整システム７は、ステージ本体ＳＴの形状を調整する（変える）ことが可能である。したがって、本実施形態においては、圧力調整システム７を動作させて、基板保持部５に保持された基板Ｐの表面Ｐａ、及び／又は、計測ミラーＫの表面３ａの形状を変えるのと、同時にステージ本体ＳＴの温度を調整することが可能である。
【００９５】
以上、説明したように、本実施形態では、中空空間Ｓ１に供給する気体の温度を変え、ステージ本体ＳＴの温度を変えることができる。したがって、基板保持部５に保持された基板Ｐの表面Ｐａの形状、計測ミラーＫの表面３ａの形状の少なくとも一方の変形に起因する露光不良の発生を抑制することができる。ステージ本体ＳＴの変形に起因する露光不良の発生を抑制することができる。したがって、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【００９６】
なお、本実施形態では、中空空間Ｓ１の圧力を調整し、チャック面５ａの形状および計測ミラーＫの形状の少なくとも一方の形状を調整するが、上述の実施形態と同等なので、省略する。なお、中空空間Ｓ１の圧力を調整し、チャック面５ａの形状および計測ミラーＫの形状の少なくとも一方の形状の調整を行わずに、中空空間Ｓ１に供給する気体の温度を調整し、ステージ本体ＳＴの温度を調整してもよい。
【００９７】
なお、上述の実施形態で、中空空間Ｓ１の圧力に応じた、上面Ｓ１ａのＺ軸方向の値（変位量ΔＺ）もしくは、側面ＳＴｂのＸ軸方向の値（変位量ΔＸ）との関係を予め求めても構わない。例えば、最初に、測定装置Ａによりチャック面５ａのΔＺを特定し、特定したΔＺだけ変形するように、予め求めた関係から中空空間Ｓ１の圧力を算出する。すなわち、この関係を用いることで、測定装置Ａによりチャック面５ａのΔＺを特定することで、所望の中空空間Ｓ１の圧力の値を算出し、その圧力の値とすることで、基板保持部５に保持される基板Ｐを所望の形状にすることができる。この場合、圧力調整システム７を動作させた後に、測定装置Ａによる基板Ｐの形状の測定を省略しても構わない。
【００９８】
なお、上述の実施形態では、一つの中空空間Ｓ１の圧力を調整したが、複数の中空空間Ｓ１の圧力を調整しても構わない。複数の中空空間Ｓ１の圧力を調整する場合、中空空間Ｓ１のそれぞれの圧力が異なっていても構わない。
【００９９】
なお、上述の実施形態では、測定装置Ａによる測定位置と露光光ＥＸの露光位置とが異なっていたが、露光位置で、測定装置Ａによる測定しても構わない。
【０１００】
なお、上述の実施形態では、基板Ｐの形状を測定装置Ａにより計測したが、形状を測定する方法はこれに限られない。例えば、上述のフォーカスレベリング機構（不図示）による基板Ｐの表面形状の測定結果に基づいて、中空空間Ｓ１の圧力を調整しても構わない。
【０１０１】
上述の実施形態では、測定装置Ａを用い、基板Ｐの表面Ｐａの形状を測定し、圧力調整システム７を動作させたが、測定装置Ａを用いずに、圧力調整システム７を動作させても構わない。
【０１０２】
なお、上述の実施形態では、ステージ本体ＳＴの変形位置の近傍の中空空間Ｓ１の圧力を調整し、チャック面５ａの変形により変形した基板Ｐもしくは、側面ＳＴｂの変形により変形した計測ミラーＫの形状を所望の形状に調整したが、基板Ｐもしくは計測ミラーＫのみが変形した場合でも、ステージ本体ＳＴの形状を調整することで、基板Ｐもしくは計測ミラーＫを所望の形状に調整することが可能である。
【０１０３】
なお、上述の実施形態では、圧力調整システム７の動作の前後で、ステージ本体ＳＴの第１距離Ｄ１が異なっていても構わない。
【０１０４】
なお、上述の実施形態では、露光を開始する前に圧力調整システム７を動作させたが、圧力調整システム７を動作させるタイミングはこれに限られない。例えば、露光処理を行っている間に圧力調整システム７を動作させても構わない。また、例えば、露光前の基板Ｐが搬送される前に、チャック面５ａの形状を所望の形状とし、その後に基板Ｐを基板保持部５に保持しても構わない。この場合、測定装置Ａでチャック面５ａの形状を測定することが望ましい。
【０１０５】
なお、中空空間Ｓ１に供給する気体の温度を調整することで、ステージ本体ＳＴの温度を調整したが、中空空間Ｓ１に供給する気体の温度を調整することで、中空空間Ｓ１の内部の気体の温度を調整し、中空空間Ｓ１の圧力を調整しても構わない。
【０１０６】
なお、ステージ本体ＳＴの温度を調整する手段は、中空空間Ｓ１に供給する気体の温度の調整に限られない。例えば、中空空間Ｓ１の近傍に加熱装置を備え、その加熱装置を動作させ、ステージ本体ＳＴの温度を調整しても構わない。また、中空空間Ｓ１に供給する気体の温度を調整するととともに、中空空間Ｓ１の近傍の加熱装置を動作させても構わない。
【０１０７】
上述の実施形態では、熱により変形したステージ本体ＳＴの形状を、圧力調整システム７を動作させることによって、ステージ本体ＳＴの形状を調整したが、他の要因により変形した基板ステージ２の形状を調整しても構わない。例えば、機械的に力が加わり変形した基板ステージ２の形状を、圧力調整システム７を動作させることによって、基板ステージ２の形状を調整しても構わない。
【０１０８】
なお、上述の実施形態では、中空空間Ｓ１への気体の供給と、中空空間Ｓ１からの気体の排出との少なくとも一方を行ったが、気体の代わりに、液体もしくは、液体と気体の混合物を用いても構わない。
【０１０９】
本実施形態では、基板ステージ２のステージ本体ＳＴの内部に中空空間Ｓ１を設け、ステージ本体ＳＴの形状を調整したが、中空空間Ｓ１を設ける場所はこれに限られない。例えば、マスクＭを保持するマスクステージ１の内部に設けても構わない。マスクステージ１の内部の中空空間Ｓ１の圧力を変えることで、マスクの表面（パターンを有する面およびマスクのパターンを有しない面）の形状を変えることが可能である。
【０１１０】
なお、上述の実施形態では、ステージ本体ＳＴに保持した基板Ｐを露光する露光処理する場合に、ステージ本体ＳＴの内部の中空空間Ｓ１の圧力を調整し、基板Ｐを所望の形状とし、露光処理を行ったが、行う処理は、露光処理に限られない。ステージ本体ＳＴに保持するプレート部材に所定の処理をする場合にも、ステージ本体ＳＴの内部の中空空間Ｓ１の圧力を調整し、プレート部材を所望の形状とし、所定の処理を行っても構わない。
【０１１１】
上述の実施形態の基板保持部５は、基板Ｐを減圧吸着方式で、基板ステージ２に保持しているが、例えば、静電吸着方式で、あるいは減圧吸着と静電吸着を併用して、基板Ｐを基板ステージ２に保持してもよい。
【０１１２】
また、上述の実施形態では、基板保持部５に基板Ｐを支持する複数の第１ピン部材Ｐ１を設け基板Ｐを基板保持部５に保持しているが、例えば、基板保持部５の内部に基板Ｐを支持する同心円状のリム部を設け、基板Ｐを基板保持部５に保持してもよい。
【０１１３】
なお、上述の実施形態では、干渉システムからの光を反射する計測ミラーＫの表面３ａの形状を変えたが、形状を変える反射面はこれに限られない。例えば、所定の場所に光を集光させる集光作用のある反射面の形状を変え、所望の照度の光を集光させても構わない。
【０１１４】
なお、上述の実施形態における、基板保持部５、基板ステージ２、計測ミラーＫは、基板ステージから脱着可能とし、適宜（例えば、汚染した場合）交換しても構わない。また、計測ミラーＫと計測ミラーＫの近傍にある中空空間Ｓ１とを部分的に基板ステージから脱着可能としても構わない。
【０１１５】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１１６】
なお、露光装置ＥＸとしては、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置を用いたが、これに限らない。例えば、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）のにも適用することができる。
【０１１７】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０１１８】
また、例えば対応米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【０１１９】
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【０１２０】
更に、例えば対応米国特許第６８９７９６３号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。
【０１２１】
更に、例えば対応米国特許出願公開第２００５／０２１９４８８号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１５号明細書、米国特許出願公開第２００７／０２７３８５６号明細書等に開示されているように、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置にも適用できる。
【０１２２】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１２３】
また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。
【０１２４】
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、反射型マスクでも構わない。また、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。
【０１２５】
可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【０１２６】
自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。
【０１２７】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。
【０１２８】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０１２９】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１３０】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１２に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０１３１】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る基板ステージ２の一例を示す平面図である。
【図３】本実施形態に係る基板ステージ２の一例を示す側面図である。
【図４】本実施形態に係る基板ステージ２の一例の一部を示す側断面図である。
【図５】本実施形態に係る第１ピン部材Ｐ１と中空空間Ｓ１の位置関係を表す図である。
【図６】（ａ）本実施形態に係る基板ステージ２の一例の一部を示す側断面図である。        （ｂ）本実施形態に係る基板ステージ２の一例の一部を示す側断面図である。
【図７】本実施形態に係る基板ステージ２の一例の一部を示す側断面図である。
【図８】本実施形態に係る計測ミラーＫと中空空間Ｓ１の位置関係を表す図である。
【図９】（ａ）本実施形態に係る基板ステージ２の一例の一部を示す側断面図である。        （ｂ）本実施形態に係る基板ステージ２の一例の一部を示す側断面図である。
【図１０】本実施形態に係る基板ステージ２の一例の一部を示す側断面図である。
【図１１】本実施形態に係る基板ステージ２の一例の一部を示す側断面図である。
【図１２】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート。
【符号の説明】
【０１３３】
２---基板ステージ、Ｓ１---中空空間、７---圧力調整システム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011091070.tif 000009
【図８】
2011091070.tif 000010
【図９】
2011091070.tif 000011
【図１０】
2011091070.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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