(57)【要約】 【課題】カーボンナノチューブを大面積の基板上に高速に形成する化学気相成長装置等を提供する。【解決手段】化学気相成長装置１０１において、ノズル１０２は、炭素源ガスを供給し、ヘッド１０３は、表面に触媒を配置した基板１０６の一部を覆うスカート１２３を有し、ノズル１０２から供給された炭素源ガスを基板１０６の対向する領域に供給し、移動部１０４は、基板１０６に対してヘッド１０３を所定の方向へ所定の速度で相対的に移動させ、加熱部１０５は、基板１０６に対してヘッド１０３が移動される間、基板１０６の表面のうち、ヘッド１０３に対向し、かつ、触媒が配置された導電性部材を加熱する。【選択図】図１
2011032120.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素源ガスを供給するノズルと、
表面に触媒を配置した基板の一部を覆い、前記ノズルから供給された炭素源ガスを前記基板の対向する領域に供給するとともに、当該覆われた領域からの当該炭素源ガスの流出と当該領域への外気の混入とを抑止するため前記ノズルよりも当該基板に近接するように突出したスカートを有するヘッドと、
前記基板に対して前記ヘッドを所定の方向へ所定の速度で相対的に移動させる移動部と、
前記基板に対して前記ヘッドが移動される間、前記基板の表面のうち、前記ヘッドに対向し、かつ、前記触媒が配置された領域を加熱する加熱部と、
を備えることを特徴とする化学気相成長装置。
【請求項２】
請求項１に記載の化学気相成長装置であって、
前記ヘッドの前記所定の方向における幅は、１ｍｍ〜５００ｍｍであり、
前記ヘッドと前記基板との隙間は、０.０１ｍｍ〜１ｍｍであり、
前記ヘッドは、前記基板に対して、毎秒１０ｍｍ〜毎秒１０００ｍｍの速度で相対的に移動する
ことを特徴とする化学気相成長装置。
【請求項３】
請求項２に記載の化学気相成長装置であって、
前記触媒は、導電性部材上に配置され、
前記加熱部は、前記導電性部材にマイクロ波その他の電磁波を放射することにより、前記基板の表面のうち、前記ヘッドに対向し、かつ、前記触媒が配置された導電性部材を加熱する
ことを特徴とする化学気相成長装置。
【請求項４】
請求項２に記載の化学気相成長装置であって、
前記触媒は、導電性部材上に配置され、
前記加熱部は、前記導電性部材に電圧を印加することにより、前記基板の表面のうち、前記ヘッドに対向し、かつ、前記触媒が配置された導電性部材を加熱する
ことを特徴とする化学気相成長装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の化学気相成長装置であって、
前記炭素源ガスは、C2H2とArの混合気体、C2H2とArとH2の混合気体、もしくは、その他のC2H2を含む混合気体であり、
前記導電性部材は、Moその他の金属であり、
前記触媒は、Fe、Co、Niのうち少なくとも１つを含む金属である
ことを特徴とする化学気相成長装置。
【請求項６】
炭素源ガスを供給するノズルに接続され、表面に触媒を配置した基板の一部を覆うスカートにより、前記ノズルから供給された炭素源ガスを前記基板の対向する領域に供給する供給工程と、
前記基板に対して前記ヘッドを所定の方向へ所定の速度で相対的に移動させる移動工程と、
前記基板に対して前記ヘッドが移動される間、前記基板の表面のうち、前記ヘッドに対向し、かつ、前記触媒が配置された領域を加熱する加熱工程と、
を備えることを特徴とする化学気相成長方法。
【請求項７】
請求項６に記載の化学気相成長方法であって、
前記ヘッドの前記所定の方向における幅は、１ｍｍ〜５００ｍｍであり、
前記ヘッドと前記基板との隙間は、０.０１ｍｍ〜１ｍｍであり、
前記ヘッドは、前記基板に対して、毎秒１０ｍｍ〜毎秒１０００ｍｍの速度で相対的に移動する
ことを特徴とする化学気相成長方法。
【請求項８】
請求項７に記載の化学気相成長方法であって、
前記触媒は、導電性部材上に配置され、
前記加熱工程では、前記導電性部材にマイクロ波その他の電磁波を放射することにより、前記基板の表面のうち、前記ヘッドに対向し、かつ、前記触媒が配置された導電性部材を加熱する
ことを特徴とする化学気相成長方法。
【請求項９】
請求項７に記載の化学気相成長方法であって、
前記触媒は、導電性部材上に配置され、
前記加熱部は、前記導電性部材に電圧を印加することにより、前記基板の表面のうち、前記ヘッドに対向し、かつ、前記触媒が配置された導電性部材を加熱する
ことを特徴とする化学気相成長方法。
【請求項１０】
請求項６から９のいずれか１項に記載の化学気相成長方法であって、
前記炭素源ガスは、C2H2とArの混合気体、C2H2とArとH2の混合気体、もしくは、その他のC2H2を含む混合気体であり、
前記導電性部材は、Moその他の金属であり、
前記触媒は、Fe、Co、Niのうち少なくとも１つを含む金属である
ことを特徴とする化学気相成長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カーボンナノチューブを大面積の基板上に形成する際に、基板に対してこれより小さいヘッドを相対的に移動させて化学気相成長を行うことで、処理チャンバーの小型化と製造スループットの向上を図るのに好適な化学気相成長装置ならびに化学気相成長方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイデバイスなどの大型化が進んでおり、このようなディスプレイデバイスとしてカーボンナノチューブを基板上に形成する技術が注目されている。また、カーボンナノチューブを基板上に形成する技術は、他のデバイスを製造する際にも利用できる。ここで、カーボンナノチューブを形成するにあたっては、処理チャンバーにより構成される反応容器内で長時間、化学気相成長を行う必要があった（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３５３７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の化学気相成長においては、装置内に基板を配置して合成を行うため、処理チャンバーが大型化し、コストが高くなってしまうほか、ガスの置換や加熱に時間がかかるため、スループットが低下するしてしまう。
【０００５】
したがって、基板が大型化しても、処理チャンバーを大型化せずにすむ技術の開発が望まれてきた。
【０００６】
本発明は、上記のような課題を解決するもので、カーボンナノチューブを大面積の基板上に形成する際に、基板に対してこれより小さいヘッドを相対的に移動させて化学気相成長を行うことで、処理チャンバーの小型化と製造スループットの向上を図るのに好適な化学気相成長装置ならびに化学気相成長方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の観点に係る化学気相成長装置は、炭素源ガスを供給するノズルと、表面に触媒を配置した基板の一部を覆い、ノズルから供給された炭素源ガスを基板の対向する領域に供給するとともに、当該覆われた領域からの当該炭素源ガスの流出と当該領域への外気の混入とを抑止するためノズルよりも当該基板に近接するように突出したスカートを有するヘッドと、基板に対してヘッドを所定の方向へ所定の速度で相対的に移動させる移動部と、基板に対してヘッドが移動される間、基板の表面のうち、ヘッドに対向し、かつ、触媒が配置された領域を加熱する加熱部と、を備えるように構成する。
【０００８】
本発明の第２の観点に係る化学気相成長方法は、炭素源ガスを供給するノズルに接続され、表面に触媒を配置した基板の一部を覆い、ノズルから供給された炭素源ガスを基板の対向する領域に供給するとともに、当該覆われた領域からの当該炭素源ガスの流出と当該領域への外気の混入とを抑止するためノズルよりも当該基板に近接するように突出したスカートを有するヘッドにより、ノズルから供給された炭素源ガスを基板の対向する領域に供給する供給工程と、基板に対してヘッドを所定の方向へ所定の速度で相対的に移動させる移動工程と、基板に対してヘッドが移動される間、基板の表面のうち、ヘッドに対向し、かつ、触媒が配置された領域を加熱する加熱工程と、を備えるように構成する。
【０００９】
上記の化学気相成長装置ならびに化学気相成長方法において、ヘッドの所定の方向における幅は、１ｍｍ〜５００ｍｍであり、ヘッドと基板との隙間は、０.０１ｍｍ〜１ｍｍであり、ヘッドは、前記基板に対して、毎秒１０ｍｍ〜毎秒１０００ｍｍの速度で相対的に移動するように構成することができる。
【００１０】
上記の化学気相成長装置ならびに化学気相成長方法において、触媒は、導電性部材上に配置され、加熱部ならびに加熱工程は、導電性部材にマイクロ波その他の電磁波を放射することにより、基板の表面のうち、ヘッドに対向し、かつ、触媒が配置された導電性部材を加熱するように構成することができる。
【００１１】
上記の化学気相成長装置ならびに化学気相成長方法において、触媒は、導電性部材上に配置され、加熱部ならびに加熱工程は、導電性部材に電圧を印加することにより、基板の表面のうち、ヘッドに対向し、かつ、触媒が配置された導電性部材を加熱するように構成することができる。
【００１２】
上記の化学気相成長装置ならびに化学気相成長方法において、炭素源ガスは、C2H2とArの混合気体、C2H2とArとH2の混合気体、もしくは、その他のC2H2を含む混合気体であり、導電性部材は、Moその他の金属であり、触媒は、Fe、Co、Niのうち少なくとも１つを含む金属であるように構成することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、カーボンナノチューブを大面積の基板上に形成する際に、基板に対してこれより小さいヘッドを相対的に移動させて化学気相成長を行うことで、処理チャンバーの小型化と製造スループットの向上を図るのに好適な化学気相成長装置ならびに化学気相成長方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態の１つに係る化学気相成長装置の概要構成を示す説明図である。
【図２】他の実施形態に係るヘッドの形状を示す説明図である。
【図３】ヘッドの外観を示す説明図である。
【図４】ヘッドの外観を示す説明図である。
【図５】基板における配線パターンの様子を示す説明図である。
【図６】速度uとギャップhに対する圧力ΔPの関係を示す説明図である。
【図７】他の実施形態に係るヘッドの形状を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に本発明の実施形態を説明する。なお、以下に説明する実施形態は説明のためのものであり、本願発明の範囲を制限するものではない。したがって、当業者であればこれらの各要素もしくは全要素をこれと均等なものに置換した実施形態を採用することが可能であるが、これらの実施形態も本発明の範囲に含まれる。
【実施例１】
【００１６】
図１は、本発明の実施形態の１つに係る化学気相成長装置の概要構成を示す説明図である。以下、本図を参照して説明する。なお、本図は、理解を容易にするため、各部の寸法を誇張して描いてある。
【００１７】
本図は、化学気相成長装置１０１の断面を示すもので、ノズル１０２とスカート１２３を有するヘッド１０３、移動部１０４、加熱部１０５から構成され、導電性部材上に触媒が配置された基板１０６の表面にカーボンナノチューブを形成する。
【００１８】
カーボンナノチューブを形成する処理はチャンバー１５０内で行われるが、本実施形態では、チャンバー１５０内に炭素源を供給するのではなく、ヘッド１０３から基板１０６に対して供給する。すなわち、従来の技術における「反応容器」に相当するものは、チャンバー１５０全体ではなく、ヘッドと基板１０６に囲まれる領域である。
【００１９】
ヘッド１０３は、略直方体形状に形成されるが、基板１０６に対抗する側には凹部が形成されており、その中央にノズル１０２が形成される。対向面の凹部の周囲はスカート１２３として機能し、ノズル１０２から供給される炭素源ガスの流出を抑止するため、ノズル１０２より基板１０６に近接するように、突出して形成されている。
【００２０】
ここで、ノズル１０２は、ヘッド１０３に接続され、炭素源ガスを供給する。炭素源ガスとしては、濃度０.５パーセント以下のC2H2を含み、ArやH2等と混合した混合気体とするのが典型的である。
【００２１】
ヘッド１０３は、ノズル１０２から供給された炭素源ガスを、基板１０６の表面に対向する領域を通過させて、排出することにより、基板１０６を炭素源ガスに曝露する。
【００２２】
ノズル１０２から供給された炭素源ガスは、スカート１２３により、ヘッド１０３の中央部分に一時的に保持される。ヘッド１０３の端部では、炭素源ガスに圧力をかけて基板１０６に曝露するとともに、ヘッド１０３の外部からのガスの逆拡散を防止するため、スカート１２３と基板１０６との間のギャップが狭くなっている。炭素源ガスは、最終的にはヘッド１０３の端部に設けられた排気用スリットで形成された排気用の穴１０７から排気される。
【００２３】
図２は、他の実施形態に係るヘッドの形状を示す説明図である。以下、本図を参照して説明する。
【００２４】
本図には、ヘッド１６３の断面が示されている。上記実施形態では、ヘッド１０３の端部の穴１０７から炭素源ガスを排気していたが、本図に示す例では、ヘッド１６３の外側の穴１０８から希釈用の不活性ガスとしてN2を供給することにより、ヘッド１６３の両端部に沿って炭素源ガスを排気することとしている。
【００２５】
図３、図４は、ヘッドの外観を示す説明図である。図３は、図１に示すヘッド１０３を、図４は、図２に示すヘッド１６３を、それぞれ基板１０６側の側から見た外観図である。以下、本図を参照して説明する。
【００２６】
本図に示すように、ヘッド１０３、１６３には、スリット状のノズル１０２が設けられており、スリット型のノズル１０２から供給された炭素源ガスは、スカート１２３とヘッド１０３、１６３の中央部の凹みに一次的に保持された後、ヘッド１０３、１６３の端部と基板１０６との間を経由して、基板１０６に吹き付けられ、その後に排出される。
【００２７】
図３に示す例では、端部に設けられた穴１０７が排気の役割を担い、図４に示す例では、端部の外側に設けられた穴１０８から希釈用ガスが供給される。
【００２８】
ヘッド１０３の形状としては、炭素源ガスを基板１０６の表面に安定して均一に供給できるよう、用途に応じて種々の形状を採用することができる。
【００２９】
ヘッド１０３の一例として、移動方向２１１に沿った幅が１ｍｍ〜５００ｍｍで、好ましくは、中央部分は、幅およそ３０ｍｍ、基板１０６の表面との距離およそ２０ｍｍ、スカート１２３の端部は、幅およそ１０ｍｍ、基板１０６の表面との距離０.０１ｍｍ〜１ｍｍ、好ましくは０.０５ｍｍ〜０.５ｍｍとすることができる。ヘッド１０３の移動方向２１１に垂直な方向の長さは、基板１０６上の処理部の一方向の幅を１回乃至複数回で覆える長さとするのが一般的であるが、後述する細線２０３の上にカーボンナノチューブを形成する場合には、細線２０３を覆う長さとすることもできる。
【００３０】
たとえば、幅１ｍの基板を処理する場合は、幅１.１ｍ程度のヘッドを用いれば１回で処理が可能であり、幅０.６ｍ程度のヘッドを用いれば２回で処理が可能であり、幅０.４ｍ程度のヘッドを用いれば３回で処理が可能、ということとなる。
【００３１】
移動部１０４は、ヘッド１０３と基板１０６の表面とは、上記の距離を保持したまま、一定の速度で、相対的に移動させる。基板１０６を固定してヘッド１０３を移動させるのでも良いし、ヘッド１０３を固定して、基板１０６をローラやスライダ上に乗せて移動させることとしても良い。
【００３２】
加熱部１０５は、基板１０６の表面のうち、ヘッド１０３に対向している対向領域のみを、マイクロ波その他の電磁波を照射したり、電圧を印加することによって加熱する。
【００３３】
上記のように、基板１０６表面には、導電性部材上に触媒担体や触媒が配置されており、カーボンナノチューブデバイス用の配線パターンが形成されるのが典型的である。たとえば、ディスプレイ装置などのカーボンナノチューブデバイスでは、配線パターンの一部のみに電圧を印加することが予定されている。そこで、ヘッド１０３の位置に連動して配線パターンの一部に電圧を印加することにより、基板１０６の表面のうち、ヘッド１０３に対向している対向領域のみを加熱することができる。
【００３４】
このほか、直接電圧を印加するのではなく、電磁波を放射して加熱する場合には、ヘッド１０３と電磁波を放射するアンテナとを、基板１０６を挟むように対向して配置することで、容易に、ヘッド１０３に対向している対向領域のみを加熱することができる。
【００３５】
このように、本実施形態では、基板１０６全体を加熱することはないため、基板１０６として耐熱性に劣る安価なソーダライムガラスなどを採用することも可能となる。
【００３６】
配線パターンとしては、幅１μｍ〜１０μｍの細線を、間隔１０μｍ〜２００μｍの間隔で配置するのが典型的である。図５は、基板１０６における配線パターンの様子を示す説明図である。以下、本図を参照して説明する。
【００３７】
本図に示すように、基板１０６表面に配置される導電性部材は、電圧が印加されるパッド２０１ａ、２０１ｂ、印加された電圧を伝達する基幹電極２０２、基幹電極２０２の間を繋ぐ多数の細線２０３からなっており、基幹電極２０２と細線２０３とが、細長い形状のメッシュ状をなしている。
【００３８】
なお、本図は、理解を容易にするため、基幹電極２０２や細線２０３の大きさを誇張して描いており、これらの寸法や数、密度は、実施態様に合わせて適宜変更が可能である。また、ヘッド１０３の移動方向２１１も図示されている。
【００３９】
細線２０３の上にカーボンナノチューブが形成される。細線２０３の長さ（すなわち、基幹電極２０２同士の間隔）は、０.１ｍｍ〜２ｍｍとするのが典型的である。また、導電性部材としては、Moなどの金属を利用することができ、触媒としてはFe、Co、Niのうち少なくとも一つを含む金属などを利用することができる。
【００４０】
所望の細線２０３を通電するには、各基幹電極２０２にあらかじめ配線を施しておき、ヘッド１０３に同期させて通電する手法を採用することができる。このほか、ヘッド１０３の奥行き方向の両端部に基幹電極２０２に接触するような電極を設け、当該電極に電圧を印加することとすれば、ヘッド１０３の位置と加熱の領域とを同期させることができる。
【００４１】
ヘッド１０３は、基板１０６に対して、本図に示す移動方向２１１に相対的に移動することとなる。
【００４２】
基板１０６に対する配線パターンの形成は、以下のような手順で行う。まず、基板１０６の表面に、スパッタリングによりMoの層を形成する。
【００４３】
その後、Mo層の上にレジストを塗布して、配線パターン形状にマスクし、露光する。
【００４４】
その後、Mo層をエッチングし、レジストを剥離してから、Al2O3やFeをスパッタリングする。
【００４５】
すると、導電性部材の上に触媒Feが配置された配線パターンが得られることになる。
【００４６】
なお、Mo層の上にAl2O3やFeをスパッタリングした後にレジストを塗布して配線パターンを形成することとしても良い。
【００４７】
このようにして作成された基板１０６を、本実施形態の化学気相成長装置１０１にて処理することにより、カーボンナノチューブを形成することができるのである。
【００４８】
以下では、炭素源ガスの供給流量の設定について、諸元の一例に基づいて説明する。
【００４９】
基板１０６の形状として、２００ｍｍ×３００ｍｍのサイズを想定し、ヘッド１０３が基板１０６の長手方向に移動するものとすると、その中央部分の図１や図２における奥行き方向の幅（スリットノズルの長さ）は、およそ２００ｍｍとなる。
【００５０】
以下では、基板１０６の形状として、１０００ｍｍ×１３００ｍｍのサイズを想定し、ヘッド１０３が基板１０６の長手方向に移動するものとする。すると、その中央部分の図１や図２における奥行き方向の幅（スリットノズルの長さ）は、およそ１０００ｍｍとなる。
【００５１】
ヘッド１０３の中央部分の幅は、上記のように３０ｍｍを想定しているが、これは、Ｇ５規格の基板（１０００ｍｍ×１３００ｍｍ）を１分間に１枚処理するとした場合、基板長手方向の長さ１３００ｍｍと、次の基板との距離３００ｍｍを合わせ、毎分１６００ｍｍの速度で基板が移動するとし、ＣＶＤ処理時間を１秒間とすると、少なくとも約２６.７ｍｍの幅を要することから導出した値である。
【００５２】
ヘッド１０３の端部の幅は、上記のように１０ｍｍを想定し、基板１０６とのギャップは、０.０５ｍｍ〜０.５ｍｍを想定する。
【００５３】
供給ガスとして、C2H2/Arの混合気体やH2/Arの混合気体を供給するものとする。たとえば、C2H2の分圧を０.５ｋＰａ、H2の分圧を２ｋＰａ、残りをArで調整して全体で１気圧となるように供給する等の態様を採用することができるほか、製造環境や製造結果の歩留まり等に応じて分圧を調整することも可能である。
【００５４】
スカート１２３のギャップをh（本例では０.０５ｍｍ〜０.５ｍｍ）、幅をw（本例では１０ｍｍ）とし、炭素源ガスの排出の速度u（これは、ヘッド１０３と基板１０６との相対速度に等しい。０.０５ｍ／ｓ〜１ｍ／ｓ程度と想定する。）とし、ガス流量をg、圧力をΔP、粘性摩擦係数をμとすると、２次元ポアズイユの式により、
u = (h×ΔP)/(g×μ×w)
が成立する。
【００５５】
図６は、ガス流量gとして１２ｓｌｍ（１２Ｌ／ｍｉｎ）を採用し（ヘッド全体では２４ｓｌｍ）、速度uとして１ｍ／ｓ、０.５ｍ／ｓ、０.１ｍ／ｓ、０.０５ｍ／ｓを採用した場合のギャップhに対する圧力ΔPの関係を示す説明図である。
【００５６】
たとえば、h = ０.５ｍｍ、u = １ｍ／ｓとすると、ΔP = １０Ｐａとなり、ペクレ数Pe = uL/Dは、およそ１０００となる。ここで、Lはスカート１２３の移動方向２１１に沿った幅であり、Dは拡散係数である。
【００５７】
このように、ΔP、u、hには一定の関係があるため、製造に要する時間や圧力の安定性、基板１０６の移動の精度などを考慮して、適切な組み合わせを適宜選択することができる。
【００５８】
また、加熱時間や加熱の程度とΔP、u、hの組み合わせによって、カーボンナノチューブの成長の様子や度合は変化する。したがって、実機による実験などを重ねて、所望性能のカーボンナノチューブが得られるような諸元を定めることとする。
【００５９】
本実施形態では、従来に比べて基板１０６の一部のみが加熱されるので、基板１０６の各部における加熱時間を格段に短くすることができる。したがって、基板１０６の耐熱性が低い場合であっても、カーボンナノチューブを適切に成長させることが可能となる。
【００６０】
なお、上記実施形態においては、加熱部１０５として、電磁波や配線パターンの一部のみに電圧を印加する構成としているが、ランプやレーザを用いて加熱することとしても良い。すなわち、光を照射することにより触媒を直接加熱する構成である。この態様では、必ずしも触媒を導電性部材上に配置しなくとも、導電性部材を所望の温度に加熱することができる。
【００６１】
図７は、他の実施形態に係るヘッドの形状を示す説明図である。以下、本図を参照して説明する。
【００６２】
本図には、本実施形態に係るヘッド１８３の断面が示されており、ヘッド１８３では、炭素源ガスがノズル１０２を介して基板側に供給され、希釈用ガスが穴１０８を介して基板側に供給される。
【００６３】
穴１０７は、ノズル１０２と穴１０８の間に配置され、穴１０７からは、希釈用ガスの一部と炭素源ガスのほぼ全量の排気がなされる。
【００６４】
また、スカート１２３と基板１０６の間に沿って、希釈用ガスの残部が排気される。
【００６５】
たとえば、ノズル１０２からの炭素源ガスの流入量を１、２箇所の穴１０７からの希釈用ガスの流入量をそれぞれ２、２箇所の穴１０８からの排気量をそれぞれ１.５とすると、ヘッド１８３の外側（本図の左右方向）には、それぞれ希釈用ガスのみが流量１で排出されることになる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明によれば、カーボンナノチューブを大面積の基板上に形成する際に、基板に対してこれより小さいヘッドを相対的に移動させて化学気相成長を行うことで、処理チャンバーの小型化と製造スループットの向上を図るのに好適な化学気相成長装置ならびに化学気相成長方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００６７】
１０１  化学気相成長装置
１０２  ノズル
１０３  ヘッド
１０４  移動部
１０５  加熱部
１０６  基板
１０７  穴
１０８  穴
１２３  スカート
１５０  チャンバー
１６３  ヘッド
１８３  ヘッド
２０１  パッド
２０２  基幹電極
２０３  細線
２１１  移動方向
【図１】
2011032120.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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