(57)【要約】【課題】精度良くレジストに所望のパターンを形成することが可能な荷電ビーム描画装置を提供する。【解決手段】荷電ビーム描画装置１０は、基板１１ｂ上に塗布したレジスト１１ａにビームを照射する照射部１２と、照射部を制御する制御部１４とを具備し、制御部は、ビームの照射量とビームの照射により引き起こされるパターンの位置偏移量との関係を取得し、レジストにパターンを形成するために必要なビームの基準照射量Ｄ１を取得し、パターンに対して許容される許容位置偏移量ｄＰを取得し、関係に基づいて許容位置偏移量に対応するビームの限界照射量Ｄｌｉｍｉｔを取得し、関係に基づいて基準照射量に対応する基準位置偏移量Ｐ１から許容位置偏移量を減じた飽和位置偏移量Ｐｓａｔに対応する飽和照射量Ｄｓａｔを取得し、照射部に対して１回の照射量が限界照射量を越えないように、飽和照射量に到達するまでビームをレジストに照射させる。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に塗布したレジストに荷電ビームを照射する照射部と、
前記照射部を制御する制御部と、
を具備し、
前記制御部は、
前記荷電ビームの照射量と前記荷電ビームの照射により引き起こされるパターンの位置偏移量との関係を取得し、
前記レジストにパターンを形成するために必要な前記荷電ビームの基準照射量を取得し、
前記パターンに対して許容される許容位置偏移量を取得し、
前記関係に基づいて前記許容位置偏移量に対応する前記荷電ビームの限界照射量を取得し、
前記関係に基づいて前記基準照射量に対応する基準位置偏移量から前記許容位置偏移量を減じた飽和位置偏移量に対応する飽和照射量を取得し、
描画対象パターンを複数の領域に分割して得られる全ての分割パターン領域に対して順次荷電ビームを照射することを少なくとも一回以上繰り返すよう前記照射部を制御し、
前記照射部に対して、各分割パターン領域における１回の照射量が前記限界照射量を越えないように、かつ各分割パターン領域における照射量の総和が前記飽和照射量に到達するまで前記荷電ビームを前記レジストに照射させ、
前記照射量の総和が前記飽和照射量に到達した後、前記照射部に対して、前記基準照射量と前記照射量の総和との差に相当する量の荷電ビームを前記レジストに照射させることを特徴とする荷電ビーム描画装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記関係に基づいて前記許容位置偏移量に対応する前記荷電ビームの照射量の最少の照射量を限界照射量として設定することを特徴とする請求項１記載の荷電ビーム描画装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記照射量の総和が前記飽和照射量に到達するまで荷電ビームを照射させる際、前記飽和照射量を前記限界照射量で除した値以上の回数だけ前記レジストに対して前記荷電ビームを照射部に照射させることを特徴とする請求項１または２に記載の荷電ビーム描画装置。
【請求項４】
前記レジストへの前記荷電ビームの照射量と前記荷電ビームの照射により引き起こされる前記パターンの位置偏移量との関係は、予め前記レジストと同種のレジストに前記荷電ビームを照射することで導出されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の荷電ビーム描画装置。
【請求項５】
請求項１の装置によって荷電ビームが照射された前記レジストを現像することで形成されるパターンが転写されていることを特徴とする半導体装置製造用マスク。
【請求項６】
請求項１の装置によって荷電ビームが照射された前記レジストを現像することで形成されるパターンが転写されていることを特徴とする半導体装置製造用テンプレート。
【請求項７】
荷電ビームの照射量と前記荷電ビームの照射により引き起こされるパターンの位置偏移量との関係を取得し、
レジストにパターンを形成するために必要な前記荷電ビームの基準照射量を取得し、
前記パターンに対して許容される許容位置偏移量を取得し、
前記関係に基づいて前記許容位置偏移量に対応する前記荷電ビームの限界照射量を取得し、
前記関係に基づいて前記基準照射量に対応する基準位置偏移量を取得し、
前記関係に基づいて前記基準位置偏移量から前記許容位置偏移量を減じた飽和位置偏移量を取得し、
前記関係に基づいて前記飽和位置偏移量に対応する飽和照射量を取得し、
１回の照射量が前記限界照射量を越えないようにして、少なくとも１回以上の照射量の総和が前記飽和照射量に到達するまで前記荷電ビームを前記レジストに照射し、
前記照射量の総和が前記飽和照射量に到達した後、前記基準照射量と前記照射量の総和との差に相当する量の荷電ビームを前記レジストに照射することを特徴とする荷電ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、荷電ビーム描画装置、半導体装置製造用マスク、半導体装置製造用テンプレートおよび荷電ビーム描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体回路パターンの原版として、例えばフォトマスクが用いられる。このフォトマスクのパターンは、荷電ビーム描画装置を用いて形成される。このパターンの形成方法として、まず、表面にレジストが塗布された基板を描画装置内の基板保持部（ステージ）上に保持する。そして、該ステージを移動させながら該基板に対して荷電ビームを照射することにより前記レジスト中にエネルギーを蓄積させる。その後、前記基板に対して現像、エッチング等のプロセス処理を施すことにより蓄積されたエネルギーに従ったパターンを前記基板上に形成するというものである。また、予め作成され描画装置に入力された半導体デバイスパターンデータに従って、描画装置の前記ステージの移動制御やビーム照射の制御を行うことにより、基板上には所望のデバイスパターンを形成することが可能となる。
【０００３】
上述したレジストの材料は一般的には不導体であるため、荷電ビームが照射された領域は帯電し、周辺領域に電界を発生させる。帯電された領域の近くの領域に荷電ビームの照射を行う際、該電界の影響を受けることがある。荷電ビームが該電界の影響を受ける場合、この荷電ビームの照射位置は前記電界により歪められる。これにより、前記荷電ビームは、所望の照射位置からずれた位置に照射されることになる。このため、荷電ビームによって描画（照射）されるパターンの位置偏移が生じ、パターンの位置精度が劣化する。
【０００４】
また、近年、半導体装置の微細化に伴いフォトマスク上のパターンの位置精度に対する要求精度が厳しくなってきている。このため、前記レジストへの帯電によって発生するパターンの位置精度の劣化の影響が問題になってきている。このように、従来の荷電ビーム描画装置では、精度良くレジストに所望のパターンを形成することが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２７４０３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
精度良くレジストに所望のパターンを形成することが可能な荷電ビーム描画装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係る荷電ビーム描画装置は、基板上に塗布したレジストに荷電ビームを照射する照射部と、前記照射部を制御する制御部と、を具備し、前記制御部は、前記荷電ビームの照射量と前記荷電ビームの照射により引き起こされるパターンの位置偏移量との関係を取得し、前記レジストにパターンを形成するために必要な前記荷電ビームの基準照射量を取得し、前記パターンに対して許容される許容位置偏移量を取得し、前記関係に基づいて前記許容位置偏移量に対応する前記荷電ビームの限界照射量を取得し、前記関係に基づいて前記基準照射量に対応する基準位置偏移量から、前記許容位置偏移量を減じた飽和位置偏移量に対応する飽和照射量を取得し、描画対象パターンを複数の領域に分割して得られる全ての分割パターン領域に対して順次荷電ビームを照射することを少なくとも一回以上繰り返すよう前記照射部を制御し、前記照射部に対して、各分割パターン領域における１回の照射量が前記限界照射量を越えないように、かつ各分割パターン領域における照射量の総和が前記飽和照射量に到達するまで前記荷電ビームを前記レジストに照射させ、前記照射量の総和が前記飽和照射量に到達した後、前記照射部に対して前記基準照射量と前記照射量の総和との差に相当する量の荷電ビームを前記レジストに照射させる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態に係る荷電ビーム描画装置の基本的な構成を模式的に示したブロック図である。
【図２】実施形態に係る荷電ビーム描画装置の基本的な動作を模式的に示した平面図である。
【図３】実施形態に係る荷電ビーム描画装置の描画方法の一例を示したフローチャートである。
【図４】実施形態に係る荷電ビームの照射量と、パターンの位置偏移量との関係を示した図である。
【図５】実施形態に係る荷電ビームの照射量と、パターンの位置偏移量との関係を示した図である。
【図６】実施形態に係るパターン描画時のマスク上の帯電を示した図である。
【図７】実施形態の変形例に係る荷電ビームの照射量と、パターンの位置偏移量との関係を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施形態の詳細を図面を参照して説明する。
【００１０】
（実施形態）
本実施形態では、レジストの帯電（レジストチャージアップ）によるパターン位置偏移量を低減させる描画方法を示す。
【００１１】
図１を用いて、本実施形態に係る荷電ビーム描画装置の基本的な構成を概略的に説明する。図１は、本実施形態に係る荷電ビーム描画装置の基本的な構成を模式的に示したブロック図である。
【００１２】
図１に示すように、荷電ビーム描画装置１０は、レジスト１１ａが塗布された基板１１ｂを保持する基板保持部（ステージ）１１と、レジスト１１ａに対して荷電ビームを照射する照射部１２と、基板保持部１１および照射部１２を駆動させる駆動制御部１３と、駆動制御部１３を制御する制御部１４と、制御部１４にパターンのデータ（例えば、ＣＡＤデータなど）を入力するパターンデータ入力部１５とを備えている。また、制御部１４には、制御部からのデータ等の演算を行う外部計算部２０が接続されている。
【００１３】
ビームの照射位置制御は照射部１２内に組み込まれた図示しない偏向装置によって行われる。しかし、一般的には偏向装置により制御可能な偏向領域は、基板１１ｂのサイズに比較すると小さい。このため、例えば基板保持部１１を移動させることにより、基板１１ｂ上のレジスト１１ａ全面への描画（荷電ビームの照射）が可能となっている。
【００１４】
次に、図２を用いて、本実施形態に係る荷電ビーム描画装置の基本的な動作を概略的に説明する。図２は約１ｍｍの偏向領域を有する描画装置を用いて約１５０ｍｍの基板に描画を行う場合の描画動作の例を示したものである。
【００１５】
図２に示すように、レジスト１１ａ上の領域１内がビーム偏向可能な領域となるように基板保持部１１を調整した後に、領域１のパターンを照射部（偏向装置）１２のビームの照射位置を制御しながら描画する。次に、領域１に隣接する領域２が偏向可能な領域となるように基板保持部１１を移動し、領域２内に存在するパターンを照射部１２の照射位置を制御しながら描画する。このような動作を繰り返しながら、レジスト１１ａ全面のパターン描画を行う。
【００１６】
また、パターン描画方法としては、所望の描画領域まで基板保持部１１を移動させた後に、一旦、基板保持部１１を停止し、偏向領域内のパターン描画が完了した後に次の描画所望領域まで基板保持部１１を移動する「ステップアンドリピート方式」、および基板保持部１１を停止させることなく、偏向領域をトラッキング動作により連続的に追随させながら描画動作を行う「ステージ連続移動方式」などの方法がある。
【００１７】
次に、図３〜図５を用いて、本実施形態に係る荷電ビーム描画装置の基本的な描画方法を概略的に説明する。図３は、本実施形態に係る荷電ビーム描画装置の描画方法の一例を示したフローチャートである。図４および図５は、荷電ビームの照射量と、パターンの位置偏移量との関係を示した図である。
【００１８】
本例では、レジストにパターンを形成するのに必要な電荷照射量Ｄ１が１０ｕＣ／ｃｍ２であるレジストを使用し、加速電圧５０ｋＶの荷電ビーム描画装置を使用してフォトマスク（半導体製造用のマスク）を作成する場合について示す。
【００１９】
＜第１のステップＳ１００１＞
まず、制御部１４は、外部計算部２０からレジストへの荷電ビームの照射量と荷電ビームの照射により引き起こされるパターンの位置偏移量との関係を取得する。つまり、この関係は、例えば図２に示す領域１（領域２に隣接する領域）に属するパターンを形成するために照射された荷電ビームの照射量と、該照射量に起因する電界によって領域２に属するパターンを形成するために荷電ビームを照射した際に発生する荷電ビームの位置偏移量との関係を示す。  
この関係は、例えばレジスト１１ａと同種のレジストを基板１１ｂと同一種の基板に塗布した予備材料を準備する。そして、図１に示された描画制御システムと同等のシステムを使用して、前記予備材料に実験的に荷電ビームを照射してパターンを形成する。その後、前記予備材料上に形成されたパターンの位置偏移量を測定することで前記関係が導出される。そして、例えば外部計算部２０に予め記憶される。図４は前述の手法により取得された荷電ビーム照射量とパターン位置偏移量の一例である。  
図４に示すように、一定の照射量を越えるとそれ以上はパターンの位置偏移が起きないことがわかる。これは、一定の照射量を越えるとそれ以上はレジストが帯電しないからと考えられる。図４に示した例では、パターンの位置偏移量が変化しなくなる辺りに基準照射量Ｄ１が設定されている。以上のような照射量と位置偏移量との関係は、レジストの材料や荷電ビームの加速電圧などによって変化する。
【００２０】
＜第２のステップＳ１００２＞
次に、図４に示すように、外部計算部２０より、レジストにパターンを形成するために必要な基準照射量Ｄ１（１０ｕＣ／ｃｍ２）が制御部１４に設定される。この基準照射量Ｄ１は、レジストの材料などによって変化する。
【００２１】
＜第３のステップＳ１００３＞
次に、パターンデータ入力部１５から制御部１４にパターンの情報が供給される。そして、制御部１４は、前記供給されたパターンの情報に基づき基板上に形成されるパターンに対して許容される位置偏移量である許容位置偏移量ｄＰを設定する。この許容位置偏移量ｄＰは、外部計算部２０から供給されても良い。
【００２２】
＜第４のステップＳ１００４＞
次に、外部計算部２０は、第１のステップＳ１００１で得られた照射量と位置偏移量との関係から、許容位置偏移量ｄＰに対応する荷電ビームの限界照射量Ｄｌｉｍｉｔを導出する。  
図５で示された照射量と位置偏移量との関係から、単位照射量当たりのパターン位置偏移量が最も大きくなる照射量の値を特定する。本例の場合、照射量が１ｕＣ／ｃｍ２の位置がグラフの傾きが最も急峻となっており、単位照射量当たりのパターンの位置偏移量が最も大きくなっている。この照射量付近でパターンの位置偏移量がｄＰとなる最小の照射量幅が限界照射量Ｄｌｉｍｉｔとなる。すなわち限界照射量Ｄｌｉｍｉｔとは、照射によるパターンの位置変化量がｄＰとなる最小照射量である。本例ではＤｌｉｍｉｔ＝０．５ｕＣ／ｃｍ２である。
【００２３】
＜第５のステップＳ１００５＞
制御部１４は外部計算部２０から飽和照射量Ｄｓａｔを取得する。つまり、図５に示すように、パターン形成に必要な基準照射量Ｄ１に対応するパターンの基準位置偏移量Ｐ１からｄＰだけ低い値を閾値となる飽和位置偏移量Ｐｓａｔとして設定し、この閾値Ｐｓａｔに対応する照射量を飽和照射量Ｄｓａｔとする。すなわち飽和照射量Ｄｓａｔとは、これ以上荷電ビームを照射してもパターンの位置偏位があらかじめ設定した閾値以下となる閾照射量である。本例ではＤｓａｔ＝２ｕＣ／ｃｍ２である。なお、飽和照射量Ｄｓａｔの値はレジストの材料、レジストの厚さ、および描画装置の試料面付近の構造などにより変化する。
【００２４】
＜第６のステップＳ１００６＞
次に、外部計算部２０は、導出された飽和照射量Ｄｓａｔおよび限界照射量Ｄｌｉｍｉｔを用いて、繰り返し描画回数Ｎを算出する。ＮはＤｓａｔ／Ｄｌｉｍｉｔの値を下回らない整数である。つまり、飽和照射量Ｄｓａｔを限界照射量Ｄｌｉｍｉｔで除した値以上の数をＮとする。本例では、Ｄｓａｔ／Ｄｌｉｍｉｔ＝２／０．５＝４であり、Ｎ＝４と設定される。
【００２５】
＜第７のステップＳ１００７＞
次に、制御部１４は、レジスト１１ａの所望のパターン（描画対象パターン）（図２に示すＦの形状）を複数の領域に分割して得られる全ての各領域（分割パターン領域）に対して順次、限界照射量Ｄｌｉｍｉｔを越えない照射量で荷電ビームを照射部１２に照射させる。そして、制御部１４はこの照射を照射部１２に照射量の総和が飽和照射量Ｄｓａｔに到達するまでＮ回以上繰り返しで行わせる。  
なお、各回での照射量は常に一定である必要はなく、限界照射量Ｄｌｉｍｉｔを越えない範囲であれば変化してもよい。また、描画回数もＮ回を下回らない範囲であれば何回描画しても良い。
【００２６】
＜第８のステップＳ１００８＞
このようにして、レジスト１１ａ上の各領域に対してそれぞれＮ回以上の照射を行った後、制御部１４は、照射部１２にパターン形成に必要な基準照射量Ｄ１と照射された総照射量（飽和照射量Ｄｓａｔ）との差に相当する照射量の荷電ビームを照射させる（追加の照射）。第８のステップＳ１００８までに飽和照射量Ｄｓａｔに達するまでの照射は完了しているため、本ステップでは残りの照射量を複数回に分けて描画しても良いし、一括で照射しても構わない。
【００２７】
＜第９のステップＳ１００９＞
次に、露光されたレジスト１１ａおよび基板１１ｂに対して、現像、エッチング等のプロセス処理を施すことにより所望のパターンを基板１１ｂに形成する。
【００２８】
このようにして、所望のパターンが形成されたフォトマスクが形成される。
【００２９】
上述した実施形態によれば、荷電ビーム描画装置１０は、基板１１ｂ上に塗布したレジスト１１ａに荷電ビームを照射する照射部１２と、前記照射部１２を制御する制御部１４と、を具備し、前記制御部１４は、前記荷電ビームの照射量（レジスト１１ａの帯電量）と前記荷電ビームの照射（またはレジスト１１ａの帯電）により引き起こされるパターンの位置偏移量との関係を取得し、前記レジスト１１ａにパターンを形成するために必要な前記荷電ビームの基準照射量Ｄ１を取得し、前記パターンに対して許容される許容位置偏移量ｄＰを取得し、前記関係に基づいて前記許容位置偏移量ｄＰに対応する前記荷電ビームの限界照射量Ｄｌｉｍｉｔを取得し、前記関係に基づいて前記基準照射量Ｄ１に対応する基準位置偏移量Ｐ１から、前記許容位置偏移量ｄＰを減じた飽和位置偏移量Ｐｓａｔに対応する飽和照射量Ｄｓａｔを取得し、描画対象パターンを複数の領域に分割して得られる全ての分割パターン領域に対して順次荷電ビームを照射することを少なくとも一回以上繰り返すよう照射部１２を制御し、前記照射部１２に対して、各分割パターン領域における１回の照射量が前記限界照射量Ｄｌｉｍｉｔを越えないように、かつ各分割パターン領域における照射量の総和が前記飽和照射量Ｄｓａｔに到達するまで前記荷電ビームを前記レジスト１１ａに照射させ、前記照射量の総和が前記飽和照射量Ｄｓａｔに到達した後、前記照射部１２に対して前記基準照射量Ｄ１と前記照射量の総和との差に相当する量の荷電ビームを前記レジスト１１ａに照射させる。
【００３０】
つまり、１回のレジスト１１ａの各領域への描画は、パターンの位置偏移量が常に許容位置偏移量ｄＰ以下となる限界照射量Ｄｌｉｍｉｔで行われる。この描画を、飽和照射量Ｄｓａｔに達するまで繰り返す。これにより、各回の描画において、描画が行われる領域に隣接する領域の電界に起因するパターンの位置偏移量は常に許容位置偏移量ｄＰ以下となる。このため、レジスト１１ａへの描画が完了されたパターンの位置偏移量は最大でもｄＰである。したがって、隣接する領域間での帯電量の差を常に小さくすることができる。その結果、該レジスト１１ａを現像処理することで、パターン位置偏差量が抑制され、良好なパターン位置精度を有するフォトマスクを形成することが可能となる。これにより、精度良くレジストに所望のパターンを形成することが可能な荷電ビーム描画装置を得ることができる。
【００３１】
より具体的に、図６を用いて、パターン描画時のマスク上の帯電について説明する。ここでは、ｋ回目の描画時において、ｋ回の描画が完了した領域と、ｋ−１回の描画が完了した領域とを一例に挙げる。
【００３２】
図６に示すように、例えば、ｋ回目の描画の際、ｋ回描画が完了している領域には、帯電量Ｅｋが帯電され、ｋ−１回描画が完了している領域には帯電量Ｅｋ−１が帯電されている。このように、Ｋ−１回の描画が完了している領域にｋ回目の描画を行う際に荷電ビームが影響を受ける帯電量は、限界照射量Ｄｌｉｍｉｔに起因する帯電量ｄＥ（＝Ｅｋ−Ｅｋ−１）である。つまり、ｋ回目の描画部とｋ−１回目の描画部との帯電量差は常にＤｌｉｍｉｔで規定される照射量に起因する量以下に抑えられている。このため、ｋ−１回の描画が完了している領域にｋ回目の描画を行う場合、荷電ビームは帯電量ｄＥに起因する電界の影響を受けるだけなので、パターンの偏移は許容位置偏移量ｄＰ以下に抑制される。
【００３３】
（変形例）
次に、図７を用いて、本実施形態の変形例に係る荷電ビーム描画装置の基本的な描画方法を概略的に説明する。図７は、荷電ビームの照射量と、パターンの位置偏移量との関係を示した図である。尚、この説明において、上記実施形態と重複する部分の説明を省略する。
【００３４】
本実施形態の変形例では、上述した照射回数Ｎが１回であるという点で、上記実施形態と相違する。
【００３５】
図７に示すように、上述した第４のステップＳ１００４によって、単位照射量当たりのパターンの位置偏移量が最も大きくなっている付近でパターンの位置偏移量が許容位置偏移量ｄＰとなる最小の照射量である限界照射量Ｄｌｉｍｉｔを導出する。  
そして、上述した第５のステップＳ１００５によって、パターン形成に必要な基準照射量Ｄ１に対応するパターンの基準位置偏移量Ｐ１から許容位置偏移量ｄＰだけ低い値を閾値Ｐｓａｔとして設定し、閾値Ｐｓａｔに対応する照射量を飽和照射量Ｄｓａｔとして設定する。  
その後、上述した第６のステップＳ１００６によって、繰り返し描画回数Ｎが算出される。ＮはＤｓａｔ／Ｄｌｉｍｉｔの値を下回らない整数である。本変形例の場合、Ｄｌｉｍｉｔの方がＤｓａｔよりも大きいため、Ｎ＝１として設定される。  
続いて、上述した第７のステップＳ１００７によって、限界照射量Ｄｌｉｍｉｔ以下の照射量で所望パターン全面を１回のみ描画する。  
さらに、上述した第８のステップＳ１００８によって、基準照射量Ｄ１と第７のステップＳ１００７で照射された照射量との差に相当する照射量を照射する。第７のステップＳ１００７において所望パターンの全面が、飽和照射量Ｄｓａｔに達するまで限界照射量Ｄｌｉｍｉｔ以下で照射されている。このため、追加の照射においてはレジストの帯電に起因するパターン位置偏差量が抑制されている。これにより、第８のステップＳ１００８においては、照射量を特別に制御する必要は無い。残りの照射量を複数回に分けて描画しても良いし、一括で照射しても構わない。  
そして、第９のステップＳ１００９によって、露光された基板に対して、現像、エッチング等のプロセス処理を施すことにより、レジスト１１ａおよび基板１１ｂに所望のパターンを形成する。
【００３６】
上述した変形例によれば、上述した実施形態と同様に、許容位置偏移量ｄＰに対応した限界照射量Ｄｌｉｍｉｔ以下の照射量で描画を行っている。このため、上述した実施形態と同様に、パターン位置偏差量が抑制され、良好なパターン位置精度を有するフォトマスクを形成することが可能となる。これにより、精度良くレジストに所望のパターンを形成することが可能な荷電ビーム描画装置を得ることができる。
【００３７】
なお、上述した実施形態および変形例では基本的な描画方法を説明したが、例えばステップＳ１００１〜Ｓ１００３の順序はこれに限らない。同様に、ステップＳ１００４およびステップＳ１００５の順序を替えても良い。  
また、上述した実施形態および変形例では、フォトマスクの製造方法を例として記述しているが、極紫外領域波長光を用いたパターン形成に使用される反射型マスク（半導体製造用マスク）の製造、あるいは、ナノインプリントリソグラフィに使用されるテンプレートマスク（半導体製造用テンプレート）の製造に適用することも可能である。
【００３８】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出される。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば、発明として抽出され得る。
【符号の説明】
【００３９】
Ｄ１…基準照射量、      ｄＰ…許容位置偏移量、      Ｄｌｉｍｉｔ…限界照射量、
Ｄｓａｔ…飽和照射量、      Ｐ１…基準位置偏移量、    
Ｐｓａｔ…飽和位置偏移量、      ｄＰ…許容位置偏移量、      Ｅｋ…帯電量、
ｄＥ…帯電量、      １…領域、      ２…領域、      １０…荷電ビーム描画装置、
１１ａ…レジスト、      １１ｂ…基板、      １１…基板保持部、    
１２…照射部、      １３…駆動制御部、      １４…制御部、    
１５…パターンデータ入力部、      ２０…外部計算部
【図１】
2011249359.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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