(57)【要約】【課題】従来のように試作を繰り返すことなく、全く新たな方式で効率よく作製することができるデバイス装置及びデバイス装置の作製方法を提供する。【解決手段】デバイス装置は、光の照射を受けることにより照射した部分が伝導体となる光照射領域の面を有する基板を備えるデバイス本体部と、前記デバイス本体部の前記光照射領域の面に、設定された照射領域パターンで連続光を照射する光照射ユニットと、を有する。デバイス装置は、基板の光照射領域の面に連続光を照射する期間中、デバイスとして機能する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の照射を受けることにより照射した部分が伝導体となる光照射領域の面を有する基板を備えるデバイス本体部と、
前記デバイス本体部の前記光照射領域の面に、設定された照射領域パターンで連続光を照射する光照射ユニットと、を有し、
前記光照射領域の面に連続光を照射する期間中、デバイスとして機能する、ことを特徴とするデバイス装置。
【請求項２】
前記デバイス本体部は、前記光照射領域を挟んで設けられた一対の電気信号の接続端子と、前記接続端子と接続され、電気信号が伝送される信号線と、を有し、
前記光照射ユニットは、前記接続端子の両端を結ぶ照射領域パターンの連続光を、前記光照射領域の面に照射することにより、前記デバイス本体部を電気信号のデバイスとして機能させる、請求項１に記載のデバイス装置。
【請求項３】
さらに、マイクロ波を前記光照射領域の面に向けて照射するマイクロ波照射ユニットを有し、
前記マイクロ波照射ユニットが、前記光照射領域の面にマイクロ波を照射するとき、前記連続光を、設定された照射領域パターンで照射することにより、前記デバイス本体部は、前記マイクロ波に対して空間フィルタとして機能する、請求項１に記載のデバイス装置。
【請求項４】
前記マイクロ波照射ユニットは、前記マイクロ波を反射させ、前記連続光を透過させる透明伝導体を用いて、前記マイクロ波の照射を、前記連続光の照射と同時に行う、請求項３に記載のデバイス装置。
【請求項５】
前記光照射ユニットは、制御によって反射面の向きが変更可能な複数のマイクロミラーが面上に配されたマイクロミラーアレイを有し、前記複数のマイクロミラーを制御することにより、前記光照射領域の面に照射する前記連続光の照射領域パターンを生成する、請求項１〜４のいずれか１項に記載のデバイス装置。
【請求項６】
デバイス装置の作製方法であって、
光の照射を受けることにより光の照射を受けた部分が伝導体となる基板の光照射領域の面に光を照射するために、連続光の照射領域パターンを設定する第１のステップと、
設定された照射領域パターンの連続光を、前記光照射領域に照射することにより、前記基板をデバイスとして機能させる第２のステップと、を有することを特徴とするデバイス装置の作製方法。
【請求項７】
前記照射領域パターンは、前記光照射領域を挟んで前記基板に設けられた電気信号の一対の接続端子を結ぶパターンであり、
前記第２のステップでは、前記連続光を、前記光照射領域に照射するとき前記電気信号を前記接続端子の一方から伝送させることにより、前記基板を電気信号のデバイスとして機能させる、請求項６に記載のデバイス装置の作製方法。
【請求項８】
前記第２のステップでは、前記光照射領域の面にマイクロ波を照射し、前記マイクロ波を照射するとき、前記連続光を設定された照射領域パターンで照射することにより、前記基板を、送信したマイクロ波に対して空間フィルタとして機能させるデバイスを作製する、請求項６に記載のデバイス装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波やミリ波領域のデバイス装置およびこのデバイス装置を作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、マイクロ波やミリ波の周波数帯域に用いる高周波回路では、回路パターンが回路特性に大きく影響を与えるため、回路パターンを様々に試作して、回路特性を向上させることが行われる。
しかし、このような試作による開発は、時間と労力がかかる。予め、回路パターンについて、コンピュータによりシミュレーション計算を行うことにより、試作内容を絞ることもできるが、最終的には、試作による確認を行うため、試作を省くことはできない。
一方、レーダ等に用いる高周波回路、例えば移相器は電気信号の時間遅延量を制御するものであるため、試作を繰り返す方法では所望の特性の移相器を得ることは難しい。
【０００３】
さらに、フィルタにおいて、周波数特性を能動的に制御したい場合、従来の高周波回路では実現が難しい。また、アンテナ装置において、Ｑ値を高く保ちながら共振周波数を掃引することもできないのが現状である。
【０００４】
従来の高周波回路は、予め定められたパターンの伝導体、例えばストリップ線路等が誘電体基板上に設けられる構成である。例えば、下記特許文献１や２に記載の高周波回路が挙げられる。このため、上述したように、コンピュータによるシミュレーション計算と試作を繰り返すことにより、高周波回路の開発を行っているのが現状である。
したがって、従来の技術は、所望の回路特性を有する高周波回路を容易に作製することができない、さらには、回路特性を能動的に制御可能な高周波回路を作製できないといった問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１４７７９６号公報
【特許文献２】特開２００９−５５０７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は、上記従来のように試作を繰り返すことなく、全く新たな方式で効率よく作製することができるデバイス装置及びデバイス装置の作製方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態の一態様であるデバイス装置は、
光の照射を受けることにより照射した部分が伝導体となる光照射領域の面を有する基板を備えるデバイス本体部と、
前記デバイス本体部の前記光照射領域の面に、設定された照射領域パターンで連続光を照射する光照射ユニットと、を有し、
前記光照射領域の面に連続光を照射する期間中、デバイスとして機能する。
【０００８】
このとき、前記デバイス本体部は、前記光照射領域を挟んで設けられた一対の電気信号の接続端子と、前記接続端子と接続され、電気信号が伝送される信号線と、を有し、前記光照射ユニットは、前記接続端子の両端を結ぶ照射領域パターンの連続光を、前記光照射領域の面に照射することにより、前記デバイス本体部を電気信号のデバイスとして機能させる、ことが好ましい。
【０００９】
あるいは、さらに、マイクロ波を前記光照射領域の面に向けて照射するマイクロ波照射ユニットを有し、前記マイクロ波照射ユニットが、前記光照射領域の面にマイクロ波を照射するとき、前記連続光を、設定された照射領域パターンで照射することにより、前記デバイス本体部は、前記マイクロ波に対して空間フィルタとして機能する、ことも同様に好ましい。
【００１０】
その際、前記マイクロ波照射ユニットは、前記マイクロ波を反射させ、前記連続光を透過させる透明伝導体を用いて、前記マイクロ波の照射を、前記連続光の照射と同時に行う、ことが好ましい。
【００１１】
また、前記光照射ユニットは、制御によって反射面の向きが変更可能な複数のマイクロミラーが面上に配されたマイクロミラーアレイを有し、前記複数のマイクロミラーを制御することにより、前記光照射領域の面に照射する前記連続光の照射領域パターンを生成する、ことが好ましい。
【００１２】
さらに、本発明の実施形態の他の態様であるデバイス装置の作製方法は、
光の照射を受けることにより光の照射を受けた部分が伝導体となる基板の光照射領域の面に光を照射するために、連続光の照射領域パターンを設定する第１のステップと、
設定された照射領域パターンの連続光を、前記光照射領域に照射することにより、前記基板をデバイスとして機能させる第２のステップと、を有する。
【００１３】
その際、前記照射領域パターンは、前記光照射領域を挟んで前記基板に設けられた電気信号の一対の接続端子を結ぶパターンであり、前記第２のステップでは、前記連続光を、前記光照射領域に照射するとき前記電気信号を前記接続端子の一方から伝送させることにより、前記基板を電気信号のデバイスとして機能させる、ことが好ましい。
【００１４】
あるいは、前記第２のステップでは、前記光照射領域の面にマイクロ波を照射し、前記マイクロ波を照射するとき、前記連続光を設定された照射領域パターンで照射することにより、前記基板を、送信したマイクロ波に対して空間フィルタとして機能させるデバイスを作製する、ことも同様に好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
上述のデバイス装置及びデバイス装置の作製方法は、従来のように試作を繰り返すことなく、光の照射を受けることにより照射した部分が伝導体となる光照射領域の面を有する基板を用いることにより、効率よく作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（ａ）は、本実施形態の高周波デバイス装置に用いる基板の一実施形態を説明する図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す基板が伝導体となる機構を説明する図であり、（ｃ）は、基板に照射する照射領域パターンの一例を示す図である。
【図２】（ａ）は、一実施形態の高周波デバイス装置の概略の構成を説明する図であり、（ｂ）は、高周波デバイス装置に用いるデバイス本体部の例の断面図であり、（ｃ）は、デバイス本体部に光が照射されたときの照射領域パターンの一例を示す平面図である。
【図３】図２（ａ）に示す高周波デバイス装置の光照射ユニットの詳細な構成を説明する図である。
【図４】図２（ｂ）に示すデバイス本体部に光が照射されたときの照射領域パターンの他の例を示す平面図である。
【図５】図４に示す照射領域パターンの光の照射により得られる高周波デバイスの特性の一例を示す図である。
【図６】図２（ａ）に示す実施形態の高周波デバイス装置と異なる他の実施形態の概略の構成を説明する図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、図６に示す高周波デバイス装置で用いられる照射領域パターンの例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明のデバイス装置及びデバイス装置の作製方法について詳細に説明する。
【００１８】
（高周波デバイス装置に用いる基板）
図１（ａ）は、本実施形態の高周波デバイス装置に用いる基板の一実施形態を説明する図である。基板１０の表面には、光の照射を受ける光照射領域１２が設けられている。
基板１０は、光の照射を受けることにより照射した部分が電気伝導体（以降、伝導体という）となる光照射領域の面を有する。基板１０は、例えば、単結晶ＧａＡｓ基板である。単結晶ＧａＡｓ基板の比抵抗は、１０5［Ωｃｍ］以上であり略絶縁体である。しかし、光、例えばｈν＝１．５［ｅＶ］以上のエネルギの光子（可視光あるいは約８２０ｎｍ以下の波長の光）を吸収すると、図１（ｂ）に示すように、電子が価電子帯から伝導帯へ遷移する。単結晶ＧａＡｓ基板の伝導帯にある電子の移動度は、３５００〜６５００[ｃｍ2／Ｖ・秒]と非常に高く、光の照射を受けた部分は伝導体となる。このため、基板１０は、テラヘルツ帯域の電気信号を通過させる伝送路の材料として適している。なお、基板に照射する光の波長は、例えば、４００ｎｍ〜８００ｎｍである。
【００１９】
このような基板１０は、光照射ユニットを用いて設定された照射領域パターンの連続光の照射を受けることにより、連続光の照射を受けた部分が伝導体となる。例えば、図１（ｃ）に示すように、λの形状を成した伝導体を作る場合、後述する光照射ユニットを用いて照射領域パターンλを作成し、十分なエネルギを持った照射領域パターンλの連続光を基板１０の光照射領域１２に照射する。したがって、連続光の照射を受けた基板１０は、照射領域パターンλの部分のみが伝導体となる。照射領域パターンλの作成は、例えば、画素を制御することにより照射領域パターンを生成する液晶パネル、あるいは、複数のマイクロミラーを面状に配置したマイクロミラーアレイを有するマイクロミラーデバイスを用いて行うことができる。
このような任意な照射領域パターンを用いて、以下に示すような高周波デバイス装置を作製することができる。
【００２０】
なお、本実施形態では、単結晶ＧａＡｓ基板が用いられるが、真性半導体に不純物を含んだ基板を用いることもできる。エネルギバンドにおいて、伝導帯の底と価電子帯の頂上が同一の波数の位置に存在する、すなわち、直接ギャップを持つ基板を用いることが好ましい。
連続光は、半導体レーザ、ＬＥＤ、キセノンランプ、ハロンゲンランプ等の光源の光が好適に用いられる。
【００２１】
（第１の実施形態）
図２（ａ），（ｂ）は、第１の実施形態である高周波デバイス装置２０の概略の構成を示す図である。
高周波デバイス装置２０は、デバイス本体部３０と、光照射ユニット５０とを有する。
高周波デバイス装置２０は、上述した基板１０に連続光を照射することにより、基板１０の面上に高周波デバイスを生成する装置である。高周波デバイス装置２０は、光照射領域の面に連続光を照射する期間中、基板１０が高周波デバイスとして機能する。
【００２２】
デバイス本体部３０は、連続光の照射を受けることにより照射した部分が伝導体となる光照射領域１２の面を有する基板１０を備える。
デバイス本体部３０は、例えば、単結晶ＧａＡｓ基板を基板１０として有する。基板１０は、図２（ｂ）に示すように、誘電体である絶縁層３２の一方の面に積層され、絶縁層３２の反対側の面には、接地導体３４が積層されている。基板１０の一方の略面全体が、連続光が照射される光照射領域１２の面に対応している。基板１０および接地導体３４が絶縁層３２に設けられたデバイス本体部３０は、基板１０の光照射領域１２の面が表を向くように、誘電体からなる回路基板３６に載せられて固定されている。回路基板３６は、誘電体でなく、導体でもよい。導体の場合、接地させることができる点で、好ましい。
デバイス本体部３０は、図２（ｃ）に示すように、基板１０の光照射領域１２を挟んで設けられた複数対の電気信号の接続端子３８と、接続端子３８のそれぞれと接続され、電気信号が伝送される信号線４０と、を有する。信号線４０は、回路基板３６に設けられた信号線４２と接続される。
【００２３】
光照射ユニット５０は、デバイス本体部３０の光照射領域１２の面に、設定された照射領域パターンの連続光を照射する。連続光の照射領域パターンは、図２（ｃ）に示すように、基板１０の両側に位置する接続端子３８の間を繋ぐように定められる。図２（ｃ）の例では、８対の接続端子３８が設けられ、それぞれの対となる２つの接続端子３８の間を結ぶように照射領域パターンの連続光が照射される。このとき、複数の対の接続端子３８それぞれの間を繋ぐ照射領域パターンの長さは、互いに異なっている。これは、照射された連続光により生成される接続端子３８の間の伝送路の経路長を異ならせて、伝送遅延時間を変化させるためである。図２（ｃ）に示す例では、図中一番上に位置する伝送路の経路が長く、図中一番下に位置する伝送路の経路が一番短く、その間に位置する伝送路の経路は、上から順番に徐々に短くなっている。このように、伝送路の経路長を変えることにより、電気信号の伝送遅延時間を変える移相器として機能させることができる。このような移相器は、例えば、フェーズドアレイアンテナにＲＦ信号を供給するときに用いることができる。
【００２４】
光照射ユニット５０は、光照射部５０ａと、２次元光パターン発生部５０ｂと、制御部５０ｃとを有する。
光照射部５０ａは、連続光を発する光源５６と、マイクロミラーデバイス６６を主に有する。図３は、光照射部５０ａの構成の一例を詳細に示した図である。
光照射部５０ａは、筐体５３内に、電源５４と、光源５６と、レンズ系５８と、ミラー６０と、プリズム６２，６４と、マイクロミラーデバイス６６と、レンズ系６８とを有する。
【００２５】
光源５６は、電源５４から電力が供給されて連続光を発する。光源５６からの光は、レンズ系５８を通して平行光となり、ミラー６０で反射される。プリズム６２，６４を透過した光は、マイクロミラーデバイス６６に入射され、制御されたマイクロミラーを用いて照射領域パターンの連続光を生成する。マイクロミラーは、照射領域パターンの光となる部分に対応するマイクロミラーの反射面の向きを第１の向きに制御し、他のマイクロミラーの反射面の向きを、第１の向きと異なる第２の向きに制御する。これによって、第２の向きに制御されたマイクロミラーで反射した光は、基板１０の光照射領域１２に進まない。第１の向きに制御されたマイクロミラーで反射された光は、プリズム６４の境界面で全反射し、レンズ系６８を通して基板１０の光照射領域１２に照射光として進む。レンズ系６８は、マイクロミラーデバイス６６で生成された照射領域パターンの像を光照射領域１２の面上で結像させる。
【００２６】
２次元光パターン発生部５０ｂは、マイクロミラーアレイで用いる２次元の照射領域パターンを画像として生成する部分である。生成した画像の各画素は、マイクロミラーデバイス６６の各マイクロミラーに対応しており、画像データをマイクロミラーデバイス６６に供給することにより、各マイクロミラーの反射面の向きを制御する。
制御部５０ｃは、例えばコンピュータにて構成され、ユーザの入力により、２次元の照射領域パターンが設定される。例えば、ユーザが所望のパターンを画像としてスキャナー等から取り込むことにより、制御部５０ｃは、２次元の照射領域パターンを設定することができる。
【００２７】
図２（ｃ）に示す例では、連続光の照射領域パターンは、上述したように、８対の接続端子３８同士を繋ぐように光照射領域１２に形成され、照射領域パターンによってできる光照射領域１２上の伝送路の経路長は、それぞれ異なっている。このため、接続端子３８の間の伝送遅延時間は、異なっており、電気信号の移相器として機能する。
このような高周波デバイス装置２０は、マイクロミラーデバイス６６のマイクロミラーを制御することにより、連続光の照射領域パターンを容易に変更することができる。したがって、高周波デバイス装置２０の回路特性の変更は、照射領域パターンを変更することにより容易に達成できる。このように高周波デバイス装置を効率よく作製することができる。
また、従来のように試作を繰り返すことなく、照射領域パターンを変更することにより、所望の伝送路のパターンを短時間に形成することができるので、所望の回路特性を有する高周波デバイス装置を短時間に作製することができる。
また、照射領域パターンを時間に伴って変更することにより、時間に伴って回路特性が変化する高周波デバイス装置を作製することもできる。
【００２８】
図４は、図２（ｃ）に示す照射領域パターンと異なるパターンにより基板１０を周波数フィルタとして機能させる例を示す図である。このような照射領域パターンは、図２（ｂ）に示すように、絶縁層３２に基板１０と接地導体３４が積層され、接続端子３８と信号線４０が設けられたデバイス本体部３０が用いられる。
連続光の照射領域パターンは、一対の接続端子３８の間を結ぶように１つの直線パターン７０と、直線パターンの両側に直線パターン７０に沿うように８つのリングパターン７２とを有する。直線パターン７０の連続光の照射を受けることにより、接続端子３８の間を繋ぐ伝送路が形成される。一方、リングパターン７２は、同心円状の２つのリングが配されたパターンであって、リングの一部が切り欠かれた切り欠き部が設けられたスプリットリングレゾネータセルである。２つのリングの切り欠き部は、お互いに反対側を向いており、外側のリングの切り欠き部は、伝送路の側に向いている。
【００２９】
このような照射領域パターンにより、高周波デバイス装置１０は、接続端子３８の間を伝送する電気信号に対して、図５に示すような回路特性を有するフィルタとして機能する。
すなわち、特定の周波数の電気信号の成分が除去される帯域除去フィルタとして機能する。
このデバイスは、負の透磁率を持つメタマテリアルと呼ばれる。図４に示す例では、４．７ＧＨｚにスプリットリングレゾネータセルの共振があり、図５に示すように、４．７ＧＨｚの信号成分は吸収される。高周波デバイス装置１０は、照射領域パターンのリングパターン７２のリング径を変えることにより、除去する信号成分の周波数帯域を変えることができる。例えば、照射領域パターンを時間的に変更することにより、例えば、リングパターン７２のリング径を時間的に変えることにより、除去する信号成分の周波数帯域を変えることができ、トラッキングフィルタとして機能させることができる。
また、高周波デバイス装置１０は、照射領域パターンを所定のパターンに設定することにより、３ポートの方向性結合器として機能させることもできる。この場合、照射領域パターンを変更することにより、回路特性を変更することができる。
高周波デバイス装置１０は、照射領域パターンを変更するだけで、回路特性を変えることができるので、従来のように高周波デバイス装置に用いる低速な機械式の切り替え機構を設けなくてもよい。
【００３０】
（第２の実施形態）
高周波デバイス装置の第２の実施形態は、照射領域パターンの連続光を、基板１０の光照射領域１２に照射すると共に、このとき、マイクロ波（波長：１００μｍ〜１００００μｍ）が光照射領域１２に照射される。すなわち、高周波デバイス装置は、光照射領域の面に連続光を照射する期間中、マイクロ波に対する高周波デバイスとして機能する。
【００３１】
図６は、第２の実施形態の高周波デバイス装置１００の構成を示す図である。
高周波デバイス装置１００は、光照射部１００ａと、２次元光パターン発生部１００ｂと、制御部１００ｃと、を有する。
光照射部１００ａは、第１の実施形態の光照射部５０ａと同様の構成要素を有し、設定された照射領域パターンで連続光を基板１０に向けて照射する、光照射部５０ａと同様の作用をするので、その説明は省略する。
また、２次元光パターン発生部１００ｂおよび制御部１００ｃも、２次元光パターン発生部５０ｂおよび制御部５０ｃと同様の構成及び作用をするので、その説明は省略する。
【００３２】
高周波デバイス装置１００が、高周波デバイス装置２０と異なる点は、制御部１００ｃの制御に基づいてマイクロ波を照射するマイクロ波照射部１０８と、基板１０と光照射部１００ａとの間に透明伝導体１１０が設けられる点である。また、基板１０は、図示されないが誘電体からなら基板に配置され、図２（ｂ）に示すような接地導体３４は設けられていない。
透明伝導体１１０は、マイクロ波を反射させ、光照射部１０２からの連続光を透過させる。例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）基板が透明伝導体１１０として用いられる。
高周波デバイス装置１００は、この透明導電体１００を用いて、基板１０に対してマイクロ波の照射を、連続光の照射と同時に行う。マイクロ波は、電磁波であるので、透明導電体１００で反射される。
このようにして、マイクロ波を照射するとき、照射領域パターンの連続光を、基板１０に照射する。
【００３３】
基板１０は、照射領域パターンの連続光の照射によって、連続光の照射された部分は伝導体となる。したがって、伝導体の部分は、基板１０に照射されたマイクロ波を反射させる。一方、基板１０の、連続光の照射を受けない部分は、絶縁体の状態を維持するので、基板１０に照射されたマイクロ波を透過させる。
したがって、基板１０は、照射領域パターンの連続光の照射により、マイクロ波に対して空間フィルタあるいは空間変調素子として機能する。
【００３４】
図７（ａ）は、空間フィルタとして機能させるときの照射領域パターンの一例を示す図である。図中、○印で囲まれた部分は連続光が照射されない部分であり、この部分をマイクロ波は透過する。○印の直径はマイクロ波の波長より大きく設定される。
このようにして、照射領域パターンを変更して○印の数と位置を変更することにより、空間変調素子としてマイクロ波に作用させることができる。
図７（ｂ）は、同心円状の照射領域パターンを用いて、マイクロ波を空間変調させる例を示している。このような同心円のリング形状の照射領域パターンを用いることにより、基板１０を透過するマイクロ波を、回折を用いて収束させるレンズ（フレネルレンズ）として機能させることができ、さらに、リング形状の大きさを変更することにより、焦点可変レンズとして機能させることもできる。
このように、高周波デバイス装置１００は、マイクロ波の空間フィルタとして機能させることができる。空間フィルタの特性は、照射領域パターンを変更することにより変更することができるので、照射領域パターンを時間的に変化させることにより、時間的に変化する空間変調素子として作用させることができる。
【００３５】
このような高周波デバイス装置２０，１００では、まず、光の照射を受けることにより光の照射を受けた部分が伝導体となる基板１０の光照射領域の面に光を照射するために、連続光の照射領域パターンを、制御部５０ｃ，１００ｃが設定する。
次に、設定された照射領域パターンの連続光を、光照射領域に照射することにより、基板１０を高周波デバイスとして機能させる。例えば、移相器、フィルタ、あるいは可変アナログ遅延回路等として機能させる。
【００３６】
照射領域パターンは、光照射領域１２を挟んで基板１０に設けられた電気信号の一対の接続端子３８を結ぶパターンであり、連続光を、光照射領域１２に照射するとき電気信号を接続端子の一方から伝送させることにより、電気信号の高周波デバイス、例えば、移相器、フィルタあるいは可変アナログ遅延回路として機能させる。
あるいは、マイクロ波照射部１０８が光照射領域の面にマイクロ波を照射する。マイクロ波が照射されるとき、連続光を設定された照射領域パターンで照射することにより、送信したマイクロ波に対して空間フィルタあるいは空間変調素子として機能させることもできる。
【００３７】
以上、本発明のデバイス装置及びデバイス装置の作製方法について詳細に説明したが、本発明のデバイス装置及びデバイス装置の作製方法は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００３８】
１０  基板
１２  光照射領域
２０，１００  高周波デバイス装置
３０  デバイス本体部
３２  絶縁層
３４  接地導体
３６  回路基板
３８  接続端子
４０，４２  信号線
５０  光照射ユニット
５０ａ，１００ａ  光照射部
５０ｂ，１００ｂ  ２次元光パターン発生部
５０ｃ，１００ｃ  制御部
５３  筐体
５４  電源
５６  光源
５８  レンズ系
６０  ミラー
６２，６４  プリズム
６６  マイクロミラーデバイス
６８  レンズ系
７０  直線パターン
７２  リングパターン
１０８  マイクロ波照射部
１１０  透明伝導体
【図１】
2011091591.tif 000003
【図２】
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【図３】
2011091591.tif 000005
【図４】
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【図５】
2011091591.tif 000007
【図６】
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【図７】
2011091591.tif 000009