(57)【要約】【課題】均一な電場を形成して対象物に均一な厚さのメッキを行うことができるメッキ装置を提供する。【解決手段】本発明によるメッキ装置は、対象物に向かうように配置される電極面及び電極面以外の部分を電気的に絶縁する絶縁部を備えたアノード電極と、対象物に電気的に接続するカソード電極と、アノード電極及びカソード電極が浸漬されるメッキ液を収容するメッキ槽と、を含むことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物に向かうように配置される電極面及び前記電極面以外の部分を電気的に絶縁する絶縁部を備えたアノード電極と、
対象物に電気的に接続するカソード電極と、
前記アノード電極及び前記カソード電極が浸漬されるメッキ液を収容するメッキ槽と、  を含むことを特徴とするメッキ装置。
【請求項２】
前記アノード電極は、
前記電極面が形成されており、前記メッキ液に溶解しない不溶性電極と、
前記電極面の後方に配置され、前記メッキ液に溶解する可溶性電極を収容するアノードバスケットと、を含むことを特徴とする請求項１に記載のメッキ装置。
【請求項３】
前記絶縁部は、
前記アノードバスケットの外周面を絶縁することを特徴とする請求項２に記載のメッキ装置。
【請求項４】
前記アノード電極と対象物との間に形成された空間の側面をカバーしており、前記空間に流入される電場を遮断する遮断壁をさらに含むことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載のメッキ装置。
【請求項５】
前記遮断壁は、
前記アノード電極の外周に沿って前記アノード電極から前記対象物に向かって突出し形成されることを特徴とする請求項４に記載のメッキ装置。
【請求項６】
前記絶縁部は、
前記遮断壁の表面を絶縁することを特徴とする請求項４または５に記載のメッキ装置。
【請求項７】
対象物に向かってメッキ液を噴射する噴射器をさらに含むことを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載のメッキ装置。
【請求項８】
前記アノード電極の電極面は、メッキ液が流動する複数の貫通孔を備えたメッシュ構造で形成され、
前記噴射器は、前記電極面の後方に配置されることを特徴とする請求項７に記載のメッキ装置。
【請求項９】
前記絶縁部は、
前記複数の貫通孔の内壁を絶縁することを特徴とする請求項８に記載のメッキ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はメッキ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、印刷回路基板の回路パターンを形成する方法としてメッキ方法が用いられている。
【０００３】
このメッキ方法は、適用するアノード方式に応じて可溶性アノード方式と不溶性アノード方式に分けられ、この中、可溶性アノード方式はその設備が簡単で、維持費用が安価であるため、印刷回路基板の製造に多く用いられている。
【０００４】
しかし、従来技術による可溶性アノード方式は、メッキ時に電場、すなわち電流密度を均一化するのに限界があり、精密なメッキ厚さ（メッキのつきまわりが良い）の管理が困難である。特に、メッキ時、電場が基板の周縁などに集中してこの部分にだけメッキが厚くなる問題があった。
【０００５】
このため、可溶性アノード方式では回路パターンの微細化への対応が困難であった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
こうした従来技術の問題点に鑑み、本発明は、メッキ時に均一な電場を形成するメッキ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態によれば、対象物に向かうように配置される電極面及び上記電極面以外の部分を電気的に絶縁する絶縁部を備えたアノード電極と、対象物に電気的に接続するカソード電極と、上記アノード電極及び上記カソード電極が浸漬されるメッキ液を収容するメッキ槽と、を含むメッキ装置が提供される。
【０００８】
上記アノード電極は、上記電極面が形成され、上記メッキ液に溶解しない不溶性電極と、上記電極面の後方に配置され、上記メッキ液に溶解する可溶性電極を収容するアノードバスケットと、を含むことができる。  
上記絶縁部は、上記アノードバスケットの外周面を絶縁することができる。
【０００９】
上記アノード電極と対象物との間に形成される空間の側面をカバーし、上記空間に流入される電場を遮断する遮断壁をさらに含むことができる。  
上記遮断壁は、上記アノード電極の外周に沿って上記アノード電極から上記対象物に向かって突出し形成されることができる。  
上記絶縁部は、上記遮断壁の表面を絶縁することができる。
【００１０】
対象物に向かってメッキ液を噴射する噴射器をさらに含むことができる。  
上記アノード電極の電極面は、メッキ液が流動する複数の貫通孔を備えたメッシュ構造で形成されており、上記噴射器は、上記電極面の後方に配置されることができる。  
上記絶縁部は、上記複数の貫通孔の内壁を絶縁することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の実施形態によれば、均一な電場を形成して対象物に均一な厚さのメッキを行うことができる。また、電場と共に、対象物にメッキ液が直接供給される流動場を形成して、効率的にメッキを行うことができる。  
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施例によるメッキ装置を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例によるメッキ装置を用いたテスト結果を示す図面である。
【図３】本発明の一実施例によるメッキ装置を用いたテスト結果を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明は多様な変換を加えることができ、様々な実施例を有することができるため、本願では特定実施例を図面に例示し、詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の実施形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変換、均等物及び代替物を含むものとして理解されるべきである。本発明を説明するに当たって、かかる公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨をかえって不明にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。
【００１４】
図１は、本発明の一実施例によるメッキ装置を示す断面図である。
【００１５】
本発明の一実施例によるメッキ装置は、アノード電極１０、カソード電極３０、及びメッキ槽４０を含む。
【００１６】
メッキ槽４０は、メッキが行われる空間である。メッキ槽４０には、対象物１にメッキされるメッキ物質のイオンを含むメッキ液４２が充填されている。また、メッキ液４２には、後述するアノード電極１０、カソード電極３０、及び対象物１が浸漬されてメッキが行われる。本実施例のメッキ槽４０としては公知の様々な形態が適用可能である。
【００１７】
アノード電極１０及びカソード電極３０は、メッキ時にメッキ物質のイオンを移動させる電場を形成する部分である。特に、本実施例のメッキ装置では、均一な電場、すなわち均一な電流密度を形成するために、アノード電極１０の電極面１２ａ以外の部分を電気的に絶縁することを特徴とする。
【００１８】
具体的に、アノード電極１０には基板のような対象物１に向かって電極面１２ａが形成されており、電源の陽極（＋）１１と接続する。そして、カソード電極３０は対象物１を電源の陰極（−）３１と電気的に接続させる。これにより、アノード電極１０と対象物１との間には電場が形成される。
【００１９】
ここで、アノード電極１０の側面または背面に電場が形成されることを防止するために、アノード電極１０には電極面１２ａ以外の部分を電気的に絶縁する絶縁部２０が形成される。これにより、電場は対象物１に向かうアノード電極１０の電極面１２ａと対象物１との間にだけ形成される。したがって、アノード電極１０の側面または背面から形成された電場が基板の周縁などに集中することを防止して均一な電場を形成することができる。
【００２０】
本実施例では、平坦な基板に均一なメッキを行うために、基板に並んで配置できる板材型のアノード電極１０が用いられる。ここで、基板に向かうアノード電極１０の電極面１２ａだけ露出し、残り部分は絶縁部２２に囲まれている。
【００２１】
また、本実施例のメッキ装置は、経済的でかつ簡単にメッキを行うために、メッキ物質のイオンを供給し続けることができる可溶性電極１７を含むことができる。
【００２２】
このために、アノード電極１０には、対象物１と均一な電場を形成する電極面１２ａが形成されており、メッキ液４２に溶解しない不溶性電極１２と、不溶性電極１２の電極面１２ａの後方に配置され、可溶性電極１７が収容されているアノードバスケット１６とを含んで形成される。アノードバスケット１６に収容される可溶性電極１７は、メッキ時にメッキ液４２に溶解してメッキ物質のイオンを供給し続ける。
【００２３】
ここで、均一な磁場を形成するために、不溶性電極１２の側面及び背面だけでなく、アノードバスケット１６の外周面も絶縁部２４により電気的に絶縁する。したがって、経済的にメリットのある可溶性電極１７を利用しながらも均一な磁場を形成して、均一にメッキを行うことができる。
【００２４】
また、本実施例のメッキ装置は、アノード電極１０と対象物１との間に、電極面１２ａ以外の他の部分から電場が流入されることを防止する遮断壁５０をさらに含むことができる。具体的に、遮断壁５０は、アノード電極１０と対象物１との間に形成された空間の側面をカバーして、この空間に流入される電場を遮断することができる。
【００２５】
これにより、図２に示すように、対象物１の側面に流入される磁場を効果的に遮断することができて、対象物１に均一なメッキを行うことができる。
【００２６】
ここで、遮断壁５０の表面も絶縁部２８により電気的に絶縁できる。
【００２７】
本実施例では、遮断壁５０をアノード電極１０と一体に形成する。具体的に、遮断壁５０はアノード電極１０の外周に沿ってアノード電極１０から対象物１に向かって突出するように形成される。
【００２８】
また、本実施例のメッキ装置は、メッキが効率的に行われるように、対象物１にメッキ液４２を直接供給する噴射器６０をさらに含むことができる。噴射器６０は、対象物１に向かってメッキ液４２を噴射して対象物１にメッキ物質のイオンを供給し続ける流動場を形成する。したがって、対象物１にメッキが円滑に行われて厚いメッキ層が形成できるようになる。
【００２９】
ここで、電場と流動場を同一方向に形成し、対象物１にイオンがさらに効率的に供給されるように、アノード電極１０の電極面１２ａはメッキ液４２が流動する複数の貫通孔１４を備えたメッシュ構造で形成されており、電極面１２ａの後方に配置された噴射器６０は貫通孔１４を介して対象物１にメッキ液４２を直接噴射することができる。
【００３０】
これにより、図３に示すように、複数の貫通孔１４から対象物１にメッキ液４２のイオン供給が円滑に行われメッキ層が厚く形成されることができる。
【００３１】
一方、均一な磁場を形成するために、複数の貫通孔１４の内壁も絶縁部２６により電気的に絶縁できる。
【００３２】
ここで、本実施例のメッキ装置は、例えば、アノード電極１０及びカソード電極３０を制御する電極制御部（図示せず）と、噴射器６０を制御する噴射器制御部（図示せず）と、対象物５０等の移動を行う移動制御部（図示せず）とを備えて、ＣＰＵ（図示せず）からの制御信号に基づいて当該電極制御部（図示せず）等が制御される。かかる制御により効率的なメッキを行うことができる。
【００３３】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【符号の説明】
【００３４】
１０  アノード電極
１２  不溶性電極
１６  アノードバスケット
１７  可溶性電極
２０  絶縁部
３０  カソード電極
４０  メッキ槽
４２  メッキ液
５０  遮断壁
６０  噴射器
【図１】
2011032573.tif 000003
【図２】
2011032573.tif 000004
【図３】
2011032573.tif 000005