(57)【要約】      （修正有）【課題】複数の単位太陽電池を直列接続した構造を有する薄膜太陽電池において、各単位太陽電池における集電孔の配置を適正化することによって変換効率を向上する。【解決手段】薄膜太陽電池１０において、絶縁性基板１１の表面側に積層された光電変換部１５と、絶縁性基板１１の裏面側に積層された裏面電極層１８とを有する単位太陽電池（ＵＣ）が複数形成され、これら複数の単位太陽電池（ＵＣ）は複数の集電孔１９及び接続孔２０を介して直列接続されている。そして、複数の集電孔１９は、各単位太陽電池（ＵＣ）を構成する光電変換部１５と裏面電極層１８とが絶縁性基板１１を挟んで対向する重複領域Ｅ内に分散され、かつ、最も近接する集電孔１９同士の間隔が等しくなるように配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板の表面側に第一電極層、光電変換層及び透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、前記絶縁性基板の裏面側に積層された裏面電極層とを有する単位太陽電池が複数形成され、
各単位太陽電池は、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池側の光電変換部を構成しない第一電極層の一部と他方の単位太陽電池側の裏面電極層の一部とが前記絶縁性基板を挟んで対向する第一重複領域を有するように配置され、
各単位太陽電池において前記第二電極層と前記裏面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されるとともに、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の裏面電極層とが前記第一重複領域にて前記絶縁性基板を貫通する少なくとも一つの接続孔を通じて電気的に接続されることによって複数の前記単位太陽電池が直列接続された薄膜太陽電池であって、
前記複数の集電孔は、各単位太陽電池を構成する光電変換部と裏面電極層とが前記絶縁性基板を挟んで対向する第二重複領域内に分散され、かつ、最も近接する集電孔同士の間隔が等しくなるように配置されている、薄膜太陽電池。
【請求項２】
前記複数の集電孔は、前記第二重複領域内に千鳥状に配置されている、請求項１に記載の薄膜太陽電池。
【請求項３】
前記複数の集電孔は、前記第二重複領域内に格子状に配置されている、請求項１に記載の薄膜太陽電池。
【請求項４】
各単位太陽電池において、前記第一電極層と前記裏面電極層の少なくとも一方は、隣接する単位太陽電池側に前記第一重複領域を形成する屈曲部を有し、前記光電変換部の全部又はその大部分が対応する前記裏面電極層と前記絶縁性基板を挟んで対向している、請求項１〜３のいずれか一つに記載の薄膜太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽光を利用して電力を発生させる太陽電池に関し、特に、複数の単位太陽電池（ユニットセル）を直列接続した構造を有する薄膜太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、太陽電池は、地球環境問題を解決する手段の一つとして、注目を浴びている。中でも、アモルファスシリコンや微結晶シリコン，ＣｄＴｅ（テルル化カドミウム）や、ＣＩＧＳ（銅−インジウム−ガリウム−セレン）などの化合物、または、有機系の材料を光電変換層として使用する太陽電池は、その光電変換層を数百ｎｍ〜数μｍ程度の薄膜で形成することができ、従来の太陽電池と比べて材料使用量を大幅に低減できるため、特に太陽電池の低コスト化の観点から注目を浴びている。このような太陽電池は、薄膜太陽電池と呼ばれている。また、薄膜太陽電池の利点の一つとしては、従来の結晶シリコン太陽電池とは異なり、様々な種類の基板上に形成できる点が挙げられる。
【０００３】
太陽電池は、単体では発生する電圧が低いため、一般に複数の単位太陽電池（ユニットセル）を直列に接続することで、発生電圧を高くする構造が採用される。薄膜太陽電池の場合には、一つの基板上に電極層や光電変換層を形成し、形成した各層をレーザパターニング等により分割して、複数のユニットセルを形成することによって、ユニットセルの直列接続構造を実現している場合が多い。例えば、特許文献１には、シート（フィルム）基板上に複数のユニットセルを形成し、該シート（フィルム）基板を貫通する集電孔及び接続孔を利用して、各ユニットセルを直列に接続した構造の薄膜太陽電池が示されている。なお、このような太陽電池の構造は、ＳＣＡＦ（Series-Connection through Apertures formed on Film）構造と呼ばれている。
【０００４】
図１２は、ＳＣＡＦ構造を有する従来の薄膜太陽電池の平面図であり、図１３は、ＳＣＡＦ構造を有する従来の薄膜太陽電池の製造方法を、工程順に示す断面図（図１２のＹ−Ｙ断面図に相当する）である。ここで、図１３においては、薄膜太陽電池が光照射されて発電しているときに、同電位となる電極層については同じハッチングを施してある。
【０００５】
図１２と図１３に示すように、薄膜太陽電池７０は、絶縁性基板７１を備えており、この絶縁性基板７１の表面には、第一電極層７２，光電変換層７３及び第二電極層７４が順に積層された光電変換部７５が形成され、絶縁性基板７１の裏面には、第三電極層７６及び第四電極層７７が順に積層された裏面電極層７８が形成されている。図１２と図１３に示す薄膜太陽電池７０では、第一電極層７２と光電変換層７３とが、絶縁性基板７１の表面側の同一範囲に積層されており、第三電極層７６と第四電極層７７とが絶縁性基板７１の裏面側の同一範囲に積層されている。また、絶縁性基板７１の表面において、図１２の左右方向の両端には、第一電極層７２及び光電変換層７３の二層構造からなる部分が形成されており、この二層構造部を除く中央部全体には、光電変換層７３上に第二電極層７４が積層されて、第一電極層７２，光電変換層７３及び第二電極層７４の三層構造からなる光電変換部７５が形成されている。
【０００６】
そして、絶縁性基板７１の表面側及び裏面側の各層を、それぞれ線状に除去して複数に分割することによって、光電変換部７５と裏面電極層７８とを有するユニットセル（ＵＣ）が、絶縁性基板７１上に複数形成される。
【０００７】
各ユニットセル（ＵＣ）において、第二電極層７４と、裏面電極層７８（第三電極層７６，第四電極層７７）とは、集電孔７９を通じて電気的に接続されている。
そして、絶縁性基板７１の表面側の各層（第一電極層７２，光電変換層７３，第二電極層７４）を分割する第一線状除去部８１と、絶縁性基板７１の裏面側の裏面電極層７８（第三電極層７６，第四電極層７７）を分割する第二線状除去部８２とは、絶縁性基板７１を介して互いに所定の距離が違って形成されている。このため、隣接する二つのユニットセル（ＵＣｎ，ＵＣｎ＋１と表記する）の一方のユニットセル（ＵＣｎ）の第一電極層７２と、他方のユニットセル（ＵＣｎ＋１）の裏面電極層７８とは、接続孔８０を介して電気的に接続されている。
【０００８】
このことで、ユニットセル（ＵＣｎ）を、接続孔８０と裏面電極層７８とを介して、その隣接するユニットセル（ＵＣｎ＋１）に電気的に直列接続するように構成できる。
次に、図１３を参照して、従来の薄膜太陽電池の製造方法を工程順に説明する。
【０００９】
まず、図１３（ａ）に示すように、絶縁性基板７１の所定位置に複数の接続孔８０を形成する。絶縁性基板７１としては、例えば、ポリイミド系、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）系、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）系、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系又はアラミド系のフィルムを用いることができる。接続孔８０は円形であり、その直径は１ｍｍのオーダーである。接続孔８０は、パンチ等の機械的手段で形成することができる。
【００１０】
次に、図１３（ｂ）に示すように、絶縁性基板７１の表面に、第一電極層７２を成膜し、その後、絶縁性基板７１の裏面に、第三電極層７６を成膜する。このとき、接続孔８０の内周面で第一電極層７２と第三電極層７６とが重なって互いに導通する。
【００１１】
次に、図１３（ｃ）に示すように、絶縁性基板７１に複数の集電孔７９を形成する。接続孔８０と同様、集電孔７９は円形で、その直径は１ｍｍのオーダーであり、パンチ等の機械的手段で形成することができる。
【００１２】
次に、図１３（ｄ）に示すように、第一電極層７２の上に光電変換層７３を成膜する。この光電変換層７３は、薄膜の半導体層であり、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を用いることができる。
【００１３】
次に、図１３（ｅ）に示すように、光電変換層７３の上に第二電極層７４を成膜する。この第二電極層７４は、透明電極層であり、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜を用いることができる。ここで、第二電極層７４の成膜時には、接続孔８０及びその周辺領域をマスクなどで覆って、接続孔８０の形成部には、第二電極層７４が成膜されないようにする。
【００１４】
次に、図１３（ｆ）に示すように、絶縁性基板７１の裏面に成膜された、第三電極層７６の上に、第四電極層７７を成膜する。この第四電極層７７は、低抵抗の導電層であり、低抵抗の金属膜を用いるとよい。このとき、集電孔７９の内周面で、第二電極層７４と第四電極層７７とが重なって、互いに導通する。
【００１５】
以上の工程により、絶縁性基板７１の表面側には、第一電極層７２，光電変換層７３及び第二電極層７４が積層された光電変換部７５が形成され、絶縁性基板７１の裏面側には、第三電極層７６及び第四電極層７７が積層された、裏面電極層７８が形成される。
【００１６】
次に、図１３（ｇ）に示すように、絶縁性基板７１の表面側の各層を、線状に除去することによって、第一線状除去部８１を形成し、絶縁性基板７１の裏面側の各層を線状に除去することによって、第二線状除去部８２を形成する。これにより、絶縁性基板７１の表面側に積層された光電変換部７５と、絶縁性基板７１の裏面側に積層された裏面電極層７８とを有するユニットセル（ＵＣ）が絶縁性基板７１上に複数形成される。上述したように、各ユニットセル（ＵＣ）において、第二電極層７４と第四電極層７７（すなわち、裏面電極層７８）とが、集電孔７９を通じて電気的に接続されるとともに、隣接する二つのユニットセル（ＵＣｎ，ＵＣｎ＋１）のうちの一方（ＵＣｎ）の第一電極層７２と、他方（ＵＣｎ＋１）の第三電極層７６（すなわち、裏面電極層７８）とが接続孔８０を通じて電気的に接続されている。
【００１７】
薄膜太陽電池７０に光が照射されて、各ユニットセル（ＵＣ）の光電変換層７３内でキャリア（電子及び正孔）が生成されると、一方のキャリアはｐｎ接合内の電界により、第二電極層（透明電極層）７４へと流れる。第二電極層７４は、集電孔７９の内周面において第四電極層７７（裏面電極層７８）と導通しているため、第二電極層７４に流れたキャリアは集電孔７９を通じて、絶縁性基板７１の裏面側へと移動する。ここで、光電変換層７３は、実質的には絶縁層とみなすことができるため、第一電極層７２と第二電極層７４とは、実質的に絶縁されている。絶縁性基板７１の裏面側に移動したキャリアは、そのまま接続孔８０まで移動する。接続孔８０の形成部には、第二電極層７４が形成されておらず、接続孔８０の内周面では、第一電極層７２と第三電極層７６（裏面電極層７８）と導通しているため、キャリアは接続孔８０を通じて再び絶縁性基板７１の表面側へと移動する。その後、キャリアは、絶縁性基板７１の表面側において、隣接するユニットセル（ＵＣ）の光電変換層７３へと移動する。このように、ＳＣＡＦ構造を有する従来の薄膜太陽電池７０は、集電孔７９及び接続孔８０を介して複数のユニットセル（ＵＣ）が直列に接続された構造を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開平１０−２３３５１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
上記従来の薄膜太陽電池は、各ユニットセルにおいて、透明電極層である第二電極層と、裏面電極層とが、集電孔を通じて電気的に接続されており、高抵抗の透明電極層における電力損失（集電ロス）が、ある程度低減されている。
【００２０】
しかし、上記従来の薄膜太陽電池においては、集電孔をどのように配置するかについての検討が、なされていない。このため、上記従来の薄膜太陽電池において、各ユニットセルでの光電変換部（単位光電変換部）で発生したキャリアが、高抵抗の透明電極層を集電孔まで移動する距離が長くなり、依然として集電ロスが大きい。また、集電孔の配置は、薄膜太陽電池の出力特性に影響を与えると考えられるため、可能な限り最適に近い状態とすることが望まれる。
【００２１】
本発明は、このような課題に着目してなされたものであり、複数の単位太陽電池を直列接続した構造を有する薄膜太陽電池において、集電孔の配置を適正化することにより、従来に比べて変換効率を向上することのできる薄膜太陽電池を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明の一側面による薄膜太陽電池は、絶縁性基板の表面側に第一電極層、光電変換層及び透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、前記絶縁性基板の裏面側に積層された裏面電極層とを有する単位太陽電池が複数形成され、各単位太陽電池は、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池側の光電変換部を構成しない第一電極層の一部と、他方の単位太陽電池側の裏面電極層の一部とが、前記絶縁性基板を挟んで対向する第一重複領域を有するように配置され、各単位太陽電池において前記第二電極層と前記裏面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されるとともに、隣接する二つの単位太陽電池のうちの、一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の裏面電極層とが、前記第一重複領域にて前記絶縁性基板を貫通する少なくとも一つの接続孔を通じて電気的に接続されることによって、複数の前記単位太陽電池が直列接続された薄膜太陽電池であって、前記複数の集電孔は、各単位太陽電池を構成する光電変換部と裏面電極層とが、前記絶縁性基板を挟んで対向する第二重複領域内に分散され、かつ、最も近接する集電孔同士の間隔が等しくなるように配置されている。
【発明の効果】
【００２３】
本発明者らの検討によって、薄膜太陽電池における集電孔の配置については、複数の集電孔が対象領域（すなわち、集電孔を配置できる領域）内に分散され、かつ、最も近接する集電孔同士の間隔が等しくなるように配置されたときに、他の配置に比べて、薄膜太陽電池の出力が高くなることが確認された。このため、本発明による薄膜太陽電池によれば、集電孔の配置が適正化されてその出力特性（変換効率）を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施形態による薄膜太陽電池の概略構成を示す平面図である。
【図２】本発明の第一実施形態による薄膜太陽電池の分解斜視図である。
【図３】図１のＸ−Ｘ断面図である。
【図４】集電孔を格子状に配置した状態を模式的に示す図である。
【図５】開口率２％の場合における集電孔の列数と薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）との関係を示す図である。
【図６】開口率４％の場合における集電孔の列数と薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）との関係を示す図である。
【図７】開口率１％の場合における集電孔の列数と薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）との関係を示す図である。
【図８】集電孔の径と薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）との関係を示す図である。
【図９】集電孔を千鳥状に配置した状態を模式的に示す図である。
【図１０】集電孔が千鳥状に配置された薄膜太陽電池の概略構成を平面図である。
【図１１】集電孔を千鳥状に配置した場合における集電孔の列数と薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）との関係を示す図である。
【図１２】従来の薄膜太陽電池の平面図である。
【図１３】従来の薄膜太陽電池の製造方法を工程順に示した図であり、図１２のＹ−Ｙ断面図に相当する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の一実施形態による薄膜太陽電池１０の概略構成を示す平面図であり、図２は、図１の分解斜視図を示し、図３は、図１のＸ−Ｘ断面図である。本実施形態による薄膜太陽電池１０はＳＣＡＦ構造を有しており、その基本的な構成は図１２，図１３に示された従来の薄膜太陽電池７０と同じである。簡単に説明すれば、薄膜太陽電池１０は、可撓性を有する絶縁性基板１１を備える。絶縁性基板１１の表面側には、第一電極層１２，光変換層１３及び第二電極層１４が順に積層された光電変換部１５が設けられ、絶縁性基板１１の裏面側には第三電極層１６及び第四電極層１７が順に積層された裏面電極層１８が設けられている。
【００２６】
また、図２においては、図２（ａ）が全体構成を示し、図２（ｂ）は、絶縁性基板１１上に形成されている、第一電極層１２と光電変換層１３と、第二電極層１４の積層構造を示す。また、図２（ｃ）は、絶縁性基板１１であり、図２（ｄ）は、絶縁性基板１１の裏面側に形成された、裏面電極層１８の形状を示す。
【００２７】
絶縁性基板１１の表面側及び裏面側の各層は、例えばレーザによるパターニング加工によって線状に除去されて複数に分割されており、これにより、絶縁性基板１１の表面側に積層された光電変換部１５と、絶縁性基板１１の裏面側に積層された裏面電極層１８とを有する単位太陽電池（ユニットセル：ＵＣ）が、絶縁性基板１１上に複数形成されている。ここで、絶縁性基板１１の表面側の各層が、線状に除去された部分（実線）が第一線状除去部２１であり、絶縁性基板１１の裏面側の各層が、線状に除去された部分（破線）が第二線状除去部２２である。第一線状除去部２１及び第二線状除去部２２の形状については後述する。
【００２８】
各ユニットセル（ＵＣ）において、第二電極層１４と第四電極層１７とは、複数の集電孔１９を通じて電気的に接続されており、隣接する二つのユニットセル（ＵＣｎとＵＣｎ＋１）において、その一方のユニットセル（ＵＣｎ）の光電変換部を構成しない領域（すなわち、三層構造となっていない領域）の第一電極層１２の一部と、他方のユニットセル（ＵＣｎ＋１）の第三電極層１６の一部とが、絶縁性基板１１を挟んで対向する領域に、接続孔２０を通じて電気的に接続されている。これにより、本実施形態による薄膜太陽電池１０においても、複数の各ユニットセル（ＵＣ）が直列に接続された構造が実現されている。
【００２９】
ここで、前記一方のユニットセル（ＵＣｎ）の第一電極層１２と、前記他方のユニットセル（ＵＣｎ＋１）の第三電極層１６との接続孔２０を通じた電気的な接続について、別の表現を用いて説明すれば、次のようになる。
【００３０】
各ユニットセルは、隣接する二つのユニットセルのうちの、一方のユニットセル側の光電変換部１５を構成しない第一電極層１２の一部と、他方のユニットセル側の第三電極層１６の一部とが絶縁性基板１１を挟んで対向する重複領域（以下「第一重複領域」といい、図１の領域Ｄである）を有するように構成され、この第一重複領域にて、絶縁性基板１１を貫通する接続孔２０を通じて、前記隣接する二つのユニットセルのうちの一方のユニットセルの第一電極層１２と、他方のユニットセルの第三電極層１６とが電気的に接続されている。
【００３１】
次に、上記薄膜太陽電池１０の各構成要素について説明する。
絶縁性基板１１は、例えばプラスチック基板であり、このようなプラスチック基板としては、例えば、ポリイミド系、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）系、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）系、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系、又はアラミド系のフィルムを用いることができる。なお、可撓性を必要としない場合には、ガラス基板等を用いてもよい。
【００３２】
第一電極層１２及び第三電極層１６は、例えば、数百ｎｍの厚さの銀（Ａｇ）の層であり、スパッタ法によって形成されている。また、図では省略しているが、第一電極層１２の表面には、入射した光を散乱させて光電変換層１３での吸収量を増加させるためのテクスチャー形状を形成してもよい。なお、本実施形態では、第一電極層１２として銀（Ａｇ）電極を用いているが、これに限定されるものではない。例えば銀（Ａｇ）電極の表面にプラズマ耐性のある二酸化チタン（ＴｉＯ２）を積層した積層膜や、二酸化スズ（ＳｎＯ２）膜や、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜等を第一電極層１２としてもよい。また、最適なテクスチャー形状を形成できる材料を適用して、第一電極層１２を形成してもよい。
【００３３】
光電変換層１３は、薄膜半導体層であり、本実施形態では、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）とアモルファスシリコンゲルマニウム（ａ−ＳｉＧｅ）との二層タンデム構造としている。但し、これに限定されるものではなく、光電変換層１３の材質として、アモルファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ）、アモルファスシリコンオキサイド（ａ−ＳｉＯ）、アモルファスシリコンナイトライド（ａ−ＳｉＮ）、微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）、微結晶シリコンゲルマニウム（μｃ−ＳｉＧｅ）、微結晶シリコンカーバイド（μｃ−ＳｉＣ）、微結晶シリコンオキサイド（μｃ−ＳｉＯ）、微結晶シリコンナイトライド（μｃ−ＳｉＮ）等を用いてもよい。また、化合物系や有機系の材質を用いてもよい。なお、光電変換層１３を構成する各層は、プラズマ化学気相成長（プラズマＣＶＤ）法、スパッタ法、蒸着法、触媒化学気相成長（Ｃａｔ−ＣＶＤ）法、光化学気相成長（光ＣＶＤ）法などを用いて成膜することができる。
【００３４】
第二電極層１４は、透明電極層であり、本実施形態では、スパッタ法を用いて成膜した酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜を用いている。但し、これに限定されるものではなく、二酸化スズ（ＳｎＯ２）膜や酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜などを用いることもできる。
【００３５】
第四電極層１７は、金属膜などからなる低抵抗の導電膜であり、本実施形態では、スパッタ法を用いて成膜したニッケル（Ｎｉ）膜を用いている。但し、これに限定されるものではなく、ニッケル以外の材料を用いて第四電極層１７を形成することもできる。
【００３６】
集電孔１９は、各ユニットセル（ＵＣ）を構成する光電変換部１５（単位光電変換部）と裏面電極層１８とが、絶縁性基板１１を挟んで対向する重複領域（以下「第二重複領域」といい、図１の領域Ｅである）の全体にわたって分散配置されている。接続孔２０は、前記第一重複領域（領域Ｄ）に配置され、本実施形態では、各ユニットセル（ＵＣ）に６個（左右両端側に３個ずつ）設けられている。集電孔１９及び接続孔２０は、例えば、パンチ等の機械的手段によって形成される。本実施形態において、集電孔１９及び接続孔２０は、ともに円形としてある。但し、集電孔１９及び接続孔２０の形状や大きさや個数は、薄膜太陽電池１０の仕様等に応じて適宜設定することができる。なお、本実施形態における集電孔１９の配置（分散配置）については後述する。
【００３７】
本実施形態による薄膜太陽電池１０の製造方法は、図１２に示す従来の薄膜太陽電池の製造方法（図１３参照）と基本的に同じであるので、その説明は省略する。
次に、従来の薄膜太陽電池（図１２参照）と対比しつつ、本実施形態による薄膜太陽電池１０のいくつかの特徴的な構成について説明する。ここでは、特に「Ａ．第一線状除去部及び第二線状除去部の形状」、及び、「Ｂ．集電孔の分散配置」について説明する。
Ａ．第一線状除去部及び第二線状除去部の形状
図１２に示すように、従来の薄膜太陽電池７０では、第一線状除去部８１及び第二線状除去部８２が直線状に形成されている。接続孔８０は、平面視において第一線状除去部８１と第二線状除去部８２との間に形成される領域ａ，領域ｂのうちの領域ａ内に配置されている。もしこの領域ａ内に集電孔７９が配置されると、集電孔７９にて第二電極層７４と裏面電極層７８（第三電極層７６及び第四電極層７７）とが導通し、接続孔８０にて第一電極層７３と裏面電極層７８とが導通するので、第一電極層７３と第二電極層７４とが導通してしまいリークが発生する。このため、集電孔７９は、接続孔８０が配置される領域ａとは異なる領域ｂ内に配置される必要がある。この結果、従来の薄膜太陽電池７０において、集電孔７９を配置できる領域は、領域ｂのうち単位光電変換部（７５）が形成されていて領域ｂと単位光電変換部（７５）とがオーバーラップしている領域ｃに制限される。この場合、単位光電変換部７５の領域ｃ以外の部分である領域ａ側の単位光電変換部７５部分で発生したキャリアが、高抵抗の第二電極層７４を集電孔７９まで移動する距離が長く、大きな集電ロスが発生する。
【００３８】
これに対し、図１に示すように、本実施形態による薄膜太陽電池１０においては、第一線状除去部２１は従来の薄膜太陽電池と同様に直線状に形成されているが、第二線状除去部２２は屈曲部２２ａを有して形成されている。具体的には、本実施形態における第二線状除去部２２は、図１の左右方向の両側にて９０°の方向に２回折れ曲がった屈曲構造を有している（図２（ｄ）参照）。これは、接続孔２０が配置される領域である前記第一重複領域を確保しつつ、集電孔１９を配置できる領域である前記第二重複領域を従来に比べて増大させるためである。すなわち、第二線状除去部２２は、平面視において接続孔２０が配置される第一重複領域を図１の左右方向の両側（領域Ｄ）に確保しつつ、各ユニットセル（ＵＣ）を構成する裏面電極層１８が、対応する単位光電変換部（１５）の全部又はその大部分と絶縁性基板１１を挟んで対向（重複）する領域を含むように、屈曲して（屈曲部２２ａを有して）形成されている。
【００３９】
換言すれば、各ユニットセル（ＵＣ）において、裏面電極層１８は、隣接するユニットセル側に前記第一重複領域（接続孔２０が配置される領域で、図中の領域Ｄ）を形成する屈曲部を有している。より具体的には、裏面電極層１８は、隣接するユニットセル側に部分的に張り出して前記第一重複領域（接続孔２０が配置される領域）を形成する張り出し部１８ａを、図１の左右方向の両側に有している。また、各ユニットセル（ＵＣ）において、集電孔１９を配置できる前記第二重複領域（図中の領域Ｅ）は、単位光電変換部（１５）の全部又はその大部分の領域となっている。このため、本実施形態による薄膜太陽電池１０においては、集電孔１９を配置できる領域が従来の薄膜太陽電池に比べて大きくなり、薄膜太陽電池の製造条件等に応じて光電変換部（第二電極層１４）の所望の位置に所望の個数の集電孔１９を配置することができる。これにより、例えば、光電変換部で発生したキャリアが高抵抗の第二電極層７４を移動する距離を短縮することができ、集電ロスを低減できる。
【００４０】
なお、第二線状除去部２２の形状は本実施形態の形状に限るものではなく、例えば、第二線状除去部２２が直角の折れ曲がるのではなく、斜め方向に折れ曲がったり、曲線を含んだり、曲線が折れ曲がったりしてもよく、これらも本明細書でいう「屈曲部」に含まれる。また、第二線状除去部２２を直線状に形成し、第一線状除去部２１が屈曲部を有するようにしてもよく、あるいは、第一線状除去部２１及び第二線状除去部２２が屈曲部を有するようにしてもよい。
【００４１】
要するに、各ユニットセル（ＵＣ）において、単位光電変換部（１５）の全部又はその大部分が集電孔１９を配置できる第二重複領域となるように、第一線状除去部２１及び第二線状除去部２２の少なくとも一方が屈曲部を有して形成されていればよい。この結果、各ユニットセル（ＵＣ）において、単位光電変換部（１５）の全部又はその大部分が裏面電極層１８と絶縁性基板１１を挟んで対向（重複）するように、第一電極層１２及び裏面電極層１８の少なくとも一方が屈曲部を有して形成されることになる。
【００４２】
また、第一線状除去部２１又は第二線状除去部２２が屈曲部を有する場合には、その屈曲部を、接続孔２０周辺の第二電極層１４が形成されていない領域内に位置させることが好ましい。ここで、第二電極層１４が形成されていない領域とは、絶縁性基板１１の表面側において第二電極層１４が成膜されていない領域及びこの領域に対応する絶縁性基板１１の裏面側の領域のことをいい、第一線状除去部２１が屈曲部を有する場合には前者が該当し、第二線状除去部２２が屈曲部を有する場合には後者が該当する。第一線状除去部２１又は第二線状除去部２２における屈曲部を、第二電極層１４の形成されていない領域内に位置するようにすれば、集電孔１９を配置できる領域（第二重複領域）を拡大することができる。
【００４３】
さらに、ここでは絶縁性基板１１の表面側及び裏面側に積層された各層を線状に除去して第一線状除去部２１及び第二線状除去部２２を形成することにより、絶縁性基板１１の表面側に積層された光電変換部１５と、絶縁性基板１１の裏面側に積層された裏面電極層１８とを有する複数のユニットセル（ＵＣ）を絶縁性基板１１上に形成しているが、これに限るものではない。例えば、マスクを用いて絶縁性基板１１の表面側及び裏面側に各層を積層することにより、絶縁性基板１１上に複数のユニットセルを形成してもよい。この場合、マスクによって各層が積層されない部分が第一線状除去部２１及び第二線状除去部２２に相当する。
Ｂ．集電孔の分散配置
集電孔の最適配置を検討するため、面積ロス及び集電ロスを考慮して薄膜太陽電池の出力特性に関するシミュレーションを行った。ここで、「面積ロス」とは、集電孔によって減少する発電面積の減少分（すなわち、集電孔の総面積分）に相当する発生電流の低下をいい、「集電ロス」とは、光電変換部で発生したキャリアが第二電極層（透明電極層）を移動する際に及び／又は集電孔を通過する際に生じる電力損失のことをいう。また、集電ロスに特に影響を与える因子としては、集電孔の配置や大きさ、第二電極層のシート抵抗などが考えられる。シミュレーションは有限要素法を用いて行い、各メッシュ領域における電流解析を行うことにより電圧降下を算出し、薄膜太陽電池の電流電圧特性（ＩＶ特性）を導出した。集電孔を配置できる領域は、各ユニットセルを構成する光電変換部と裏面電極層とが絶縁性基板を挟んで対向する第二重複領域であり、図１の領域Ｅ（長方形領域）が該当する。なお、一部の条件においては、実際にＳＣＡＦ構造を有する薄膜太陽電池を作製して特性の確認を行った。
【００４４】
まず、領域Ｅに配置される集電孔の列数の検討を行った。
具体的には、集電孔の総開口面積が単位光電変換部（発電領域）の面積全体に占める割合（以下「開口率」という）を一定とし、集電孔の列数を変化させて薄膜太陽電池の出力を比較した。なお、以下の説明において、領域Ｅの長辺に沿った方向を「Ｘ方向」といい、領域Ｅの短辺に沿った方向を「Ｙ方向」という。また、上記「列数」はＹ方向の集電孔の数に相当する。
【００４５】
開口率が一定であれば面積ロスは同程度であるので、薄膜太陽電池の出力差（つまり、変換効率の差）は、集電孔の配置の仕方に依存する。ここでは、３種類の開口率（１％、２％、４％）にて、集電孔の列数を変化させて薄膜太陽電池の出力を比較した。また、集電孔の径を１ｍｍに固定し、集電孔の個数を調整することによって各開口率を実現した。なお、今回の検討では、集電孔を配置できる領域Ｅ（長方形領域）のサイズを１９５．６ｍｍ（Ｘ）×２６．８（Ｙ）ｍｍとし、各開口率について、第二電極層のシート抵抗を２０Ω、５０Ω、１００Ωとした場合の薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）を算出した。
【００４６】
具体的には、以下の手順（１）〜（４）に従って領域Ｅ内に複数の集電孔を配置し、各配置状態における薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）を算出してその比較を行った。
（１）集電孔の列数ｎを決定し、領域ＥをＹ方向に（ｎ＋１）個に分割する。例えば、集電孔を５列に配置する場合には、２６．８／（５＋１）＝４．４７であるので、領域Ｅ内に長辺と平行な分割線（以下「第一分割線」という）をＹ方向に４．４７ｍｍ間隔で５本引き、この５本の第一分割線よって領域Ｅを６分割する。これにより、領域Ｅ内には１９５．６ｍｍ×４．４７ｍｍの長方形領域が６個形成される。
（２）各列を構成する集電孔の個数を決定する。ここでは開口率に応じた集電孔の総数を求め、求めた総数を列数ｎで除算して各列を構成する集電孔の個数を決定する。例えば開口率２％で集電孔を５列に配置する場合には、開口率２％は領域Ｅ内に約１３０個の集電孔（φ１ｍｍ）を形成することに相当するので、各列を構成する集電孔の個数は１３０／５＝２６となる。ここで、集電孔の総数を列数ｎで除算して得られた値が整数とならない場合は、算出した値に最も近い整数となるように、集電孔の総数を調整した。
（３）領域ＥをＸ方向に｛上記（２）で求めた各列を構成する集電孔の個数＋１｝個に分割する。例えば開口率２％で集電孔を５列に配置する場合には、１９５．６／（２６＋１）＝７．２４であるので、領域Ｅ内に短辺と平行な分割線（以下「第二分割線」という）をＸ方向に７．２４ｍｍ間隔で２６本引き、この２６本の第二分割線によって領域Ｅを２７分割する。この結果、第一分割線と第二分割線とによって領域Ｅは格子状に分割され、領域Ｅ内には７．２４ｍｍ×４．４７ｍｍの長方形領域が１６２（＝６×２７）個形成される。
（４）上記第一分割線と上記第二分割線との交点（各格子点）に各集電孔の中心がくるように集電孔を配置する。
【００４７】
上記（１）〜（４）によって、領域Ｅ内には所定の開口率を実現する個数の集電孔が格子状に配置される。これにより、所定個数の集電孔は、領域Ｅ内に分散、すなわち、領域Ｅ内全体にわたって配置され、また、配置された複数の集電孔においてＸ方向、Ｙ方向のそれぞれにおける集電孔同士の間隔が等しくなる。なお、上記（１）〜（３）で分割された領域は、有限要素法におけるメッシュ領域とは異なる。
【００４８】
図４は、複数の集電孔を格子状（列数４）に配置した場合を模式的に示す図である。なお、図４に示す格子状配置においては、単位光電変換部（発電領域）の両端から該両端に最も近い集電孔までＸ方向の距離（Ｌ２）が、最も近接する集電孔同士のＸ方向の距離（Ｌ１）のほぼ１／２となるように、集電孔全体のＸ方向位置を調整している。
【００４９】
図５は、開口率２％の場合における、集電孔の列数と算出された薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）との関係を示している。図中の出力（Ｐｍａｘ）は、集電孔の列数が４、第二電極層のシート抵抗が５０Ωのときの値を１．０として規格化されている。
【００５０】
図５に示すように、開口率２％の場合には、いずれのシート抵抗においても集電孔の列数を３〜４としたときに薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）が最も高くなっている。また、第二電極層のシート抵抗が高くなるほど、薄膜太陽電池の出力が低くなっている。
【００５１】
図６は、開口率４％の場合における、集電孔の列数と算出された薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）との関係を示している。図中の出力（Ｐｍａｘ）は、図５での、開口率が２％、集電孔の列数が４、第二電極層のシート抵抗が５０Ωのときの値を１．０として規格化されている。
【００５２】
図６に示すように、開口率４％の場合には、いずれのシート抵抗においても集電孔の列数を５〜６としたときに薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）が最も高くなっており、開口率２％の場合（図５参照）に比べて、薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）が最も高い値を示す集電孔の列数が増加している。また、開口率２％の場合に比べて、第二電極層のシート抵抗の変化による薄膜太陽電池の出力変動幅が小さくなっている。
【００５３】
図７は、開口率１％とした場合における、集電孔の列数と薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）との関係を示している。図中の出力（Ｐｍａｘ）は、図５での、開口率が２％、集電孔の列数が４、第二電極層のシート抵抗が５０Ωのときの値を１．０として規格化されている。
【００５４】
図７に示すように、開口率１％の場合にはいずれのシート抵抗においても集電孔の列数を２〜３としたときに薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）が最も高くなっており、開口率が２％の場合（図５参照）に比べて、薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）が最も高い値を示す集電孔の列数が減少している。また、開口率２％の場合に比べて、第二電極層のシート抵抗の変化による薄膜太陽電池の出力変動幅が大きくなっている。
【００５５】
図５〜図７を参照すれば、開口率が高くなるほど、薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）が最も高い値を示す集電孔の列数が高列数側にシフトし、第二電極層のシート抵抗の変化による薄膜太陽電池の出力変動幅は小さくなることが確認できる。
【００５６】
ここで、集電孔の間隔に着目すると、各開口率にて薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）が最も高い値を示す集電孔の列数では、Ｘ方向における集電孔同士の間隔と、Ｙ方向における集電孔同士の間隔とがほぼ等しい状態になっていることが確認された。つまり、いずれの開口率においても、複数の集電孔が領域Ｅ内の全体に分散され、かつ、Ｘ方向及びＹ方向における集電孔同士の間隔がほぼ等しくなるように配置されたときに、すなわち、図４においてＬ１＝Ｌ３であるときに、薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）が最も高くなる。
【００５７】
つまり、開口率（集電孔の個数）に応じて集電孔の最適な列数は異なるが、いずれの開口率においても、複数の集電孔が各ユニットセルを構成する単位光電変換部と、単位裏面電極部とのオーバーラップ領域（領域Ｅ）内に分散され、かつ、最も近接する集電孔同士の間隔が等しくなるように配置されることが好ましい、という点は共通している。
【００５８】
また、シート抵抗の変化による薄膜太陽電池の出力変動幅については、次のように考えられる。すなわち、開口率が高くなるほど、領域Ｅ内に配置される集電孔が多くなって、集電孔同士の間隔が相対的に小さくなる。これにより、一つの集電孔当たりの電流収集面積が減少し、薄膜太陽電池の出力が第二電極層のシート抵抗の影響を受けにくくなるため、開口率が高いほど第二電極層のシート抵抗による出力変動幅が小さくなる。但し、図５〜図７に示すように、２０Ω〜１００Ωのシート抵抗においては、各開口率で薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）が最も高い値を示す集電孔の列数はほぼ同じである。
【００５９】
よって、いずれのシート抵抗においても、複数の集電孔が各ユニットセルを構成する単位光電変換部と単位裏面電極部とのオーバーラップ領域（領域Ｅ）内に分散され、かつ、最も近接する集電孔同士の間隔が等しくなるように配置されることが好ましい、と言える。なお、２０Ω〜１００Ωのシート抵抗を有する第二電極層は、実際の薄膜太陽電池によく使用されるものである。また、図５〜図７には、第二電極層のシート抵抗が２０Ω〜１００Ωの場合について示されているが、この抵抗値以外においても計算を行った結果、出力（Ｐｍａｘ）が最も高い値を示す集電孔の配置について、今回の検討とほぼ同じ結果が得られることを確認した。
【００６０】
以上より、開口率（集電孔の個数）や第二電極層のシート抵抗にかかわらず、複数の集電孔は、領域Ｅ（すなわち、集電孔を配置できる領域）内に分散され、かつ、最も近接する集電孔同士の間隔が等しくなるように配置されることが好ましく、このような配置により薄膜太陽電池の変換効率を向上できる。
【００６１】
なお、実際に上記各条件のうち、いくつかの条件で薄膜太陽電池を作製して出力特性を比較したところ、上述のシミュレーション結果とほぼ同じ結果が得られることを確認した。
【００６２】
ところで、図５〜図７を比較すると、開口率１％〜４％の間では、開口率２％のときに薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）が最も高くなっている。したがって、今回検討した薄膜太陽電池と、ほぼ同じ仕様である上記実施形態による薄膜太陽電池１０についても、開口率を２％程度に設定するのが好ましいと言える。但し、最適な開口率は、第二電極層のシート抵抗などによって変化する可能性があるため、今回と異なる条件（例えばシート抵抗）においても今回と同様の検討を行って開口率を設定するのが好ましい。
【００６３】
次に、集電孔の径に関する検討を行った。
具体的には、集電孔の径を変化させて、薄膜太陽電池の出力を比較した。シミュレーションは、開口率２％（図５）、列数４の集電孔の配置の配置で行った。
【００６４】
図８は、集電孔の径と薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）との関係を示している。図中の出力（Ｐｍａｘ）は、図５〜図７と同様に、開口率が２％、集電孔の列数が４、第二電極層のシート抵抗が５０Ωのときの値を１．０として規格化されている。
【００６５】
図８に示すように、集電孔の径が１．０ｍｍのときに、薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）が最も高い値を示している。集電孔が大きくなるほど面積ロスが大きくなり、集電孔が小さくなるほど（周長が短くなるほど）集電孔における抵抗が大きくなる。このことから、今回検討した薄膜太陽電池においては、集電孔の径が１ｍｍよりも大きくなると、面積ロスの影響が支配的になって出力（Ｐｍａｘ）が低下し、集電孔の径が１ｍｍよりも小さくなると、集電孔における抵抗損失が支配的になって出力（Ｐｍａｘ）が低下したと考えられる。
【００６６】
なお、図８において、集電孔の径が０．６〜１．０ｍｍであれば、薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）は十分に高い（Ｐｍａｘが０．９９以上）と言える。一方、集電孔の径が１．０ｍｍよりも大きくなると、集電孔の径の変化に対する薄膜太陽電池の出力変動幅が大きくなる。よって、今回検討した薄膜太陽電池とほぼ同じ仕様である上記実施形態による薄膜太陽電池１０についても、集電孔の径を０．６ｍｍ〜１．０ｍｍ（好ましくは、１．０ｍｍ）に設定すればよい。
【００６７】
ところで、集電孔の内周面では、第二電極層（透明電極層）と第四電極層とが重なって互いに導通している。第二電極層はもともと高抵抗であるので、集電孔における抵抗変動については、第四電極層のシート抵抗が支配的になると考えられる。したがって、集電孔の径が同じであっても、第四電極層の材質や膜厚が異なれば、集電孔における抵抗も異なることになる。今回の検討において、集電孔（φ１ｍｍ）における抵抗は０．８Ω程度であったが、例えば、第四電極層の材質を変えたり、第四電極層の膜厚を増加させたりすることにより、集電孔における抵抗を低減させれば、集電孔の最適径がより小さい方にシフトする可能性がある。また、集電孔の個数が多くなるほど、一つの集電孔で収集する電流量が少なくなるため、相対的に集電孔における抵抗損失が減少して、集電孔の最適径がより小さい方にシフトする可能性がある。このような場合であっても、集電孔の最適径は上述した０．６ｍｍ〜１ｍｍから大きく外れることはないと考えられるが、今回と同様の検討によって集電孔のより小さい最適孔を見出すようにしてもよい。
【００６８】
集電孔の各径に対して、上述した集電孔の配置方法の検討を行った。その結果、どの径においても、複数の集電孔が領域Ｅ内に分散され、かつ、最も近接する集電孔同士の間隔が等しくなるように配置されたときに、薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）が最も高くなり、集電孔の径が集電孔の最適配置に影響を及ぼさないことを確認した。また、集電孔の径に関し、実際に薄膜太陽電池を作製して比較実験を行い、上述のシミュレーション結果と同じ結果が得られることを確認した。
【００６９】
次に、上記した複数の集電孔の配置（格子状配置）の変形例として、複数の集電孔を千鳥状に配置した場合の検討を行った。
具体的には、上記の各検討（図５〜図８）において、格子状に配置された集電孔に対し、偶数列（又は奇数列）を構成する各集電孔をＸ方向にずらし、偶数列（奇数列）を構成する各集電孔が、奇数列（偶数列）を構成する四つの集電孔で形成される最小四角形の重心に位置する千鳥状配置とした。
【００７０】
図９は、複数の集電孔を千鳥状（列数４）に配置した場合を模式的に示す図である。なお、図９に示す千鳥状配置においては、最も近接する集電孔同士のＸ方向の距離（Ｌ４）と、単位光電変換部（発電領域）の両端から該両端に最も近い集電孔までＸ方向の距離（Ｌ５，Ｌ６）とがほぼ等しくなるように、集電孔全体のＸ方向位置を調整している。
【００７１】
また、図１０は、複数の集電孔１９を千鳥状に配置した薄膜太陽電池１０の概略構成を示している。
図１１は、集電孔を千鳥状に配置した場合における集電孔の列数と、薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）との関係を示している。なお、図１１は、集電孔の径が１ｍｍ、第二電極層のシート抵抗が５０Ωの場合のみを抜粋して示しており、また、図中の出力（Ｐｍａｘ）は、図５〜図８と同様に、開口率が２％、集電孔の列数が４、第二電極層のシート抵抗が５０Ωのときの値を１．０として規格化されている。
【００７２】
図１１に示すように、集電孔の配置を格子状配置から千鳥状配置に変更することによって、いずれの列数においても、薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）が高くなることが確認できた。また、格子状配置の場合と同様に、各開口率において薄膜太陽電池の出力（Ｐｍａｘ）が最も高い値を示す集電孔の列数では、最も近接する集電孔同士の間隔（図９のＬ７）がほぼ等しい状態になっていることが確認された。なお、集電孔の千鳥状配置に関し、実際に薄膜太陽電池を作製して比較実験を行い、上述のシミュレーション結果と同じ結果が得られることを確認した。
【００７３】
以上の検討により、薄膜太陽電池において、少なくとも複数の集電孔は、各ユニットセルを構成する単位光電変換部と単位裏面電極部とのオーバーラップ領域（領域Ｅ）内に、均等に分散して配置されることが好ましいことが確認された。より具体的には、複数の集電孔は、最も近接する集電孔同士の間隔が等しくなるように、格子状又は千鳥状に配置される。ここで、複数の集電孔を格子状に配置するか千鳥状に配置するかは、集電孔の個数、集電孔を配置できる領域の大きさや形状などに応じて適宜選択することができる。また、集電ロスを考慮すれば、単位光電変換部の各端部から該各両端に最も近い集電孔まで距離が最も近接する集電孔同士の間隔以下であることがさらに好ましいと言える。
【００７４】
なお、以上では集電孔を配置できる領域（長方形領域Ｅ）のサイズを１９５．６ｍｍ×２６．８ｍｍとして集電孔の配置方法を検討したが、集電孔を配置できる領域の形状やサイズが異なる場合においても、上記一連の検討を行うことにより、具体的な集電孔の最適配置を見出すことができる。集電孔を配置できる領域の形状やサイズが異なる場合には、集電孔の最適な列数や最適な開口率（集電孔の個数）は変化するが、上記検討から、複数の集電孔を、集電孔を配置できる第二重複領域（長方形領域Ｅ）内に分散し、かつ、最も近接する集電孔同士の間隔が等しくなるように配置することで変換効率を向上できる、という点は変わらないと考えられる。
【００７５】
また、ＳＣＡＦ構造を有する薄膜太陽電池において、集電孔を配置できる領域の形状やサイズを変更する場合は、単純に形状やサイズを変更するだけでなく、接続孔やその周辺領域（マスク領域）に変更があったり、第一線状除去部や第二線状除去部の形状に変更があったりする場合も含まれる。このように、ＳＣＡＦ構造を有する薄膜太陽電池は、接続孔、第一線状除去部及び第二線状除去部の存在によって、集電孔を配置できる領域が異なるため、これらを考慮したシミュレーションを行って集電孔の最適配置を決定する必要がある。もちろん、接続孔についても、接続孔の存在による面積ロスと、接続孔における抵抗損失とを考慮して、その大きさや個数を設定することが好ましい。
【００７６】
また、以上では複数のユニットセルが一つの絶縁性基板上に形成されている薄膜太陽電池について説明したが、これに限るものではない。例えば、複数のユニットセルが一つの絶縁性基板上に形成されているのではなく、複数の絶縁性基板上に形成されてもよい。すなわち、複数のユニットセルを直列接続した構造を有する薄膜太陽電池であれば、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７７】
１０…薄膜太陽電池、１１…絶縁性基板、１２…第一電極層、１３…光電変換層、１４…第二電極層（透明電極層）、１５…光電変換部、１６…第三電極層、１７…第四電極層、１８…裏面電極層、１８ａ…張り出し部、１９…集電孔、２０…接続孔、２１…第一線状除去部、２２…第二線状除去部、２２ａ…屈曲部、ＵＣ…ユニットセル（単位太陽電池）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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