(57)【要約】【課題】微細なパターンをレジスト層に高精度で描画できる描画方法、これを用いた原盤の製造方法、スタンパの製造方法及び情報記録ディスクの製造方法を提供する。【解決手段】走査型電子顕微鏡による観察が可能な材料で構成されたレジスト層支持材３４と描画領域ＥＡにおいてレジスト層支持材３４を被覆し、且つ、内側非描画領域ＮＥＡ１及び外側非描画領域ＮＥＡ２の少なくとも一部においてレジスト層支持材３４を被覆しないようにレジスト層支持材３４の上に形成されたレジスト層３６とを備える被加工体３０を用意し、レジスト層支持材３４におけるレジスト層３６から露出する部分を走査型電子顕微鏡により観察しこの観察の結果に基づいて電子ビームの焦点の位置を調整して電子ビームをレジスト層３６に照射しレジスト層３６を所定の描画パターンで露光する。【選択図】図１０
2011255653.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査型電子顕微鏡による観察が可能な材料で構成され所定の環状の描画領域に形成され更に前記描画領域の径方向の内側及び外側の少なくとも一方に存在する非描画領域にも形成されたレジスト層支持材と前記描画領域において前記レジスト層支持材を被覆し、且つ、前記非描画領域の少なくとも一部において前記レジスト層支持材を被覆しないように前記レジスト層支持材の上に形成されたレジスト層とを備える被加工体を用意する被加工体用意工程と、
前記レジスト層支持材の前記非描画領域における前記レジスト層から露出する部分を走査型電子顕微鏡により観察し前記走査型電子顕微鏡による観察の結果に基づいて電子ビームの焦点の位置を調整して電子ビームを前記レジスト層に照射し前記レジスト層を所定の描画パターンで露光する描画工程と、を含むことを特徴とする描画方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記被加工体用意工程は、前記描画領域において前記レジスト層支持材を被覆し、且つ、前記非描画領域の少なくとも一部において前記レジスト層支持材を被覆しないように前記レジスト層支持材の上に前記レジスト層を成膜するレジスト層成膜工程を含むことを特徴とする描画方法。
【請求項３】
請求項１又は２の描画方法を用いて前記描画パターンに対応する凹凸パターンの転写面を有する原盤を製造することを特徴とする原盤の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記被加工体用意工程において前記被加工体として前記レジスト層支持材の下に基板を更に備える被加工体を用意し、前記レジスト層支持材は前記基板をエッチングするためのマスク層であり、
前記描画工程の後に前記レジスト層を現像する現像工程と、前記レジスト層に基づいて前記マスク層をエッチングするマスク層エッチング工程と、前記マスク層に基づいて前記基板をエッチングする基板エッチング工程と、を更に含むことを特徴とする原盤の製造方法。
【請求項５】
請求項３において、
前記被加工体用意工程において前記被加工体として前記レジスト層支持材の下に基板を更に備える被加工体を用意し、
前記描画工程の後に前記レジスト層を現像する現像工程と、前記レジスト層に基づいて前記レジスト層支持材及び前記基板をエッチングする基板エッチング工程と、を更に含むことを特徴とする原盤の製造方法。
【請求項６】
請求項３において、
前記レジスト層支持材は基板であり、
前記描画工程の後に前記レジスト層を現像する現像工程と、前記レジスト層に基づいて前記基板をエッチングする基板エッチング工程と、を更に含むことを特徴とする原盤の製造方法。
【請求項７】
請求項３乃至６のいずれかの原盤の製造方法を用いて製造された原盤を用いて前記凹凸パターンに対応する凹凸パターンの転写面を有するスタンパを製造することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項８】
請求項７のスタンパの製造方法を用いて製造されたスタンパを用いて情報記録ディスクを製造することを特徴とする情報記録ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録ディスク等の製造に利用可能な描画方法、これを用いた原盤の製造方法、スタンパの製造方法及び情報記録ディスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ディスク等の情報記録ディスクを製造するために原盤が用いられている。例えば、ガラス等の基板の上にレジスト層を形成し、光ディスクのピットやグルーブに相当するパターンでレジスト層に描画（露光）し、更に現像してレジスト層の露光部又は非露光部のいずれかを除去してピットやグルーブに相当するパターンのレジスト層を形成し、このレジスト層に基づいて基板をエッチングすることによりピットやグルーブに相当するパターンが形成された原盤が得られる。この原盤の転写面（ピットやグルーブに相当するパターンが形成された面）に化学メッキ法やスパッタ法で導電膜を形成し更にこの導電膜を電極として導電膜の上に電解メッキ法で電解メッキ層を形成してこれら導電膜及び電解メッキ層を一体で原盤から剥離することによりスタンパが得られる。このようにして得られたスタンパを金型内に設置して樹脂成形を行うことによりピットやグルーブが形成された光記録媒体の基板が得られる。又、導電膜及び電解メッキ層を一体で原盤から剥離したものをメタルマザーとして用い、このメタルマザーに電解メッキ法で更に電解メッキ層を形成しこの電解メッキ層をメタルマザーから剥離したものをスタンパとして用いることもある。又、更に電解メッキ法を繰り返してスタンパを形成することもある。尚、描画における露光部と非露光部は、レジストのタイプ（ポジ型又はネガ型）やスタンパを得るまでの転写の回数等に応じて適宜置き換えればよい。
【０００３】
近年、光ディスクの記録密度は著しく向上しており、トラックピッチは数百ｎｍ以下となっている。例えば、ブルーレイディスク（登録商標）と称される光ディスクのトラックピッチは３２０ｎｍである。これに伴って、高精度な描画が求められている。
【０００４】
又、近年、ハードディスク等の磁気ディスクの記録密度も著しく向上しており、磁気ディスクの分野では更なる記録密度の向上のために、記録層のデータ領域の部分がトラックに相当するパターンで形成されたディスクリートトラックメディアや記録ビットに相当するパターンで形成されたパターンドメディアが提案されている（例えば、特許文献１参照）。例えば強磁性材料の連続膜の上に樹脂層を成膜し、スタンパを用いてインプリントにより樹脂層にトラックや記録ビットに相当する凹凸パターンを転写し、凹凸パターンの樹脂層に基づいて強磁性材料の連続膜をエッチングすることによりトラックや記録ビットに相当するパターンの記録層を形成することができる。尚、強磁性材料の連続膜と樹脂層との間に１層又は２層以上のマスク層を成膜し、樹脂層に基づいてマスク層をエッチングし、マスク層に基づいて強磁性材料の連続膜をエッチングすることも提案されている。トラックや記録ビットに相当する凹凸パターンを樹脂層に転写するためのスタンパとして、又はそのようなスタンパを得るために上記のような原盤を利用することが提案されている。ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアでは、数十ｎｍ（例えば５０ｎｍ以下）のトラックピッチが提案されており光ディスクよりも更に高精度な描画が求められている。
【０００５】
このような微細なパターンを描画する場合、描画に用いる光の波長の影響が無視できなくなるため、描画のために電子ビームが用いられるようになっている。又、高精度な描画を実現するためには電子ビームの焦点の位置をレジスト層に正確に合わせる必要がある。電子ビーム描画装置は通常走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）の機能を備えており、ＳＥＭ機能を利用して電子ビームの焦点を調整する手法が知られている。一方、レジスト層の表面は過度に平坦でありＳＥＭ観察には向かないという事情がある。
【０００６】
そこで描画対象の被加工体と調整用の基準サンプルとを並べて配置し、両者の上面のレベルが一致するように基準サンプルの高さを調整し、基準サンプルに電子ビームを照射して基準サンプルの上面のレベルに電子ビームの焦点の位置を合わせ、基準サンプルに代えて被加工体を電子ビームの照射位置に移動させて被加工体に描画を行う方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。又、描画対象の被加工体のレジスト層にマーキングピンを当接させてレジスト層の一部を機械的に剥離して溝を形成し、溝のエッジに焦点の位置を合わせる方法が知られている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−０４９７５２号公報
【特許文献２】特開２００３−１２３６７７号公報
【特許文献３】特開２００６−３０９８２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、基準サンプルを用いる方法では、調整用の基準サンプルの高さを調整しても描画対象の被加工体の上面のレベルと基準サンプルの上面のレベルとの間に数μｍ程度のずれが生じることがあった。１００ｎｍ以上のトラックピッチのパターンを描画するような場合には、この程度のずれが生じても実用上問題となることはなかったが、ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアのように１００ｎｍよりも小さい（例えば５０ｎｍ以下の）トラックピッチのパターンを描画する場合には、現像されたレジスト層のパターンに実用上許容できないような形状や寸法のずれが生じることがあった。従って、そのようなレジスト層に基いて得られる原盤のパターンにも実用上許容できないような形状や寸法のずれが生じることがあった。
【０００９】
又、描画対象の被加工体のレジスト層にマーキングピンを当接させてレジスト層の一部を機械的に剥離する方法では、剥離されたレジスト層の一部が描画領域に付着することがあり、本来の描画パターンどおりに適切に描画できないことがあった。従って、この場合も現像されたレジスト層のパターンに実用上許容できないような形状や寸法のずれが生じることがあり、そのようなレジスト層に基いて得られる原盤のパターンに実用上許容できないような形状や寸法のずれが生じることがあった。
【００１０】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、微細なパターンをレジスト層に高精度で描画できる描画方法、これを用いた原盤の製造方法、スタンパの製造方法及び情報記録ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、走査型電子顕微鏡による観察が可能な材料で構成され所定の環状の描画領域に形成され更に描画領域の径方向の内側及び外側の少なくとも一方に存在する非描画領域にも形成されたレジスト層支持材と描画領域においてレジスト層支持材を被覆し、且つ、非描画領域の少なくとも一部においてレジスト層支持材を被覆しないようにレジスト層支持材の上に形成されたレジスト層とを備える被加工体を用意する被加工体用意工程と、レジスト層支持材の非描画領域におけるレジスト層から露出する部分を走査型電子顕微鏡により観察し走査型電子顕微鏡による観察の結果に基づいて電子ビームの焦点の位置を調整して電子ビームをレジスト層に照射しレジスト層を所定の描画パターンで露光する描画工程と、を含む描画方法により上記目的を達成したものである。
【００１２】
この描画方法では、走査型電子顕微鏡による観察には向かないレジスト層の上面ではなく走査型電子顕微鏡による観察が可能な材料で構成されたレジスト層支持材の上面を観察することで、電子ビームの焦点の位置をレジスト層支持材の上面（レジスト層の下面）のレベルに合わせることができる。
【００１３】
又、基準サンプルではなく描画対象の被加工体（のレジスト層支持材）を直接観察して電子ビームの焦点の位置を合わせるので、電子ビームの焦点の位置を被加工体のレジスト層支持材の上面（レジスト層の下面）のレベルに確実に合わせることができる。
【００１４】
又、走査型電子顕微鏡による観察のために描画対象のレジスト層にマーキングピンを当接させてレジスト層の一部を機械的に剥離する必要がないのでレジスト層を所望の描画パターンどおりに適切に描画できる。
【００１５】
即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。
【００１６】
（１）走査型電子顕微鏡による観察が可能な材料で構成され所定の環状の描画領域に形成され更に前記描画領域の径方向の内側及び外側の少なくとも一方に存在する非描画領域にも形成されたレジスト層支持材と前記描画領域において前記レジスト層支持材を被覆し、且つ、前記非描画領域の少なくとも一部において前記レジスト層支持材を被覆しないように前記レジスト層支持材の上に形成されたレジスト層とを備える被加工体を用意する被加工体用意工程と、前記レジスト層支持材の前記非描画領域における前記レジスト層から露出する部分を走査型電子顕微鏡により観察し前記走査型電子顕微鏡による観察の結果に基づいて電子ビームの焦点の位置を調整して電子ビームを前記レジスト層に照射し前記レジスト層を所定の描画パターンで露光する描画工程と、を含むことを特徴とする描画方法。
【００１７】
（２）  （１）において、前記被加工体用意工程は、前記描画領域において前記レジスト層支持材を被覆し、且つ、前記非描画領域の少なくとも一部において前記レジスト層支持材を被覆しないように前記レジスト層支持材の上に前記レジスト層を成膜するレジスト層成膜工程を含むことを特徴とする描画方法。
【００１８】
（３）  （１）又は（２）の描画方法を用いて前記描画パターンに対応する凹凸パターンの転写面を有する原盤を製造することを特徴とする原盤の製造方法。
【００１９】
（４）  （３）において、前記被加工体用意工程において前記被加工体として前記レジスト層支持材の下に基板を更に備える被加工体を用意し、前記レジスト層支持材は前記基板をエッチングするためのマスク層であり、前記描画工程の後に前記レジスト層を現像する現像工程と、前記レジスト層に基づいて前記マスク層をエッチングするマスク層エッチング工程と、前記マスク層に基づいて前記基板をエッチングする基板エッチング工程と、を更に含むことを特徴とする原盤の製造方法。
【００２０】
（５）  （３）において、前記被加工体用意工程において前記被加工体として前記レジスト層支持材の下に基板を更に備える被加工体を用意し、前記描画工程の後に前記レジスト層を現像する現像工程と、前記レジスト層に基づいて前記レジスト層支持材及び前記基板をエッチングする基板エッチング工程と、を更に含むことを特徴とする原盤の製造方法。
【００２１】
（６）  （３）において、前記レジスト層支持材は基板であり、前記描画工程の後に前記レジスト層を現像する現像工程と、前記レジスト層に基づいて前記基板をエッチングする基板エッチング工程と、を更に含むことを特徴とする原盤の製造方法。
【００２２】
（７）  （３）乃至（６）のいずれかの原盤の製造方法を用いて製造された原盤を用いて前記凹凸パターンに対応する凹凸パターンの転写面を有するスタンパを製造することを特徴とするスタンパの製造方法。
【００２３】
（８）  （７）のスタンパの製造方法を用いて製造されたスタンパを用いて情報記録ディスクを製造することを特徴とする情報記録ディスクの製造方法。
【００２４】
尚、本出願において「情報記録ディスク」という用語は、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク、情報の記録のために磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録ディスク、磁気とマイクロ波を併用するマイクロ波アシスト型の記録ディスクを含む意義で用いることとする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、微細なパターンをレジスト層に高精度で描画できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る描画方法を用いて製造される情報記録ディスクの構造を模式的に示す径方向及び厚さ方向に平行な断面図
【図２】同平面図
【図３】前記描画方法を用いた前記情報記録ディスクを製造するための原盤の製造方法の概要を示すフローチャート
【図４】基板の上にレジスト層支持材（マスク層）が成膜された同原盤の完成前の状態である被加工体を模式的に示す径方向及び厚さ方向に平行な断面図
【図５】同平面図
【図６】同レジスト層支持材の上にレジスト層が成膜される工程を模式的に示す径方向及び厚さ方向に平行な断面図
【図７】同レジスト層の成膜が完了した同被加工体を模式的に示す径方向及び厚さ方向に平行な断面図
【図８】同平面図
【図９】同レジスト層の描画に用いられる電子ビーム描画装置を模式的に示す断面図を含む側面図
【図１０】同被加工体のレジスト層の描画工程における焦点の調整方法を模式的に示す径方向及び厚さ方向に平行な断面図
【図１１】同レジスト層への描画を模式的に示す径方向及び厚さ方向に平行な断面図
【図１２】同レジスト層が現像された同被加工体を模式的に示す径方向及び厚さ方向に平行な断面図
【図１３】レジスト層支持材（マスク層）がエッチングされた同被加工体を模式的に示す径方向及び厚さ方向に平行な断面図
【図１４】前記基板がエッチングされた同被加工体を模式的に示す径方向及び厚さ方向に平行な断面図
【図１５】同基板上のレジスト層支持材（マスク層）が除去されて得られた原盤を模式的に示す径方向及び厚さ方向に平行な断面図
【図１６】本発明の第２実施形態に係る原盤の製造方法の概要を示すフローチャート
【図１７】同第２実施形態に係るレジスト層支持材及び基板がエッチングされた被加工体を模式的に示す径方向及び厚さ方向に平行な断面図
【図１８】本発明の第３実施形態に係る原盤の製造方法の概要を示すフローチャート
【図１９】同第３実施形態に係る被加工体の基板の上にレジスト層が成膜される工程を模式的に示す径方向及び厚さ方向に平行な断面図
【図２０】同レジスト層の成膜が完了した同被加工体を模式的に示す径方向及び厚さ方向に平行な断面図
【図２１】同レジスト層の描画工程における焦点の調整方法を模式的に示す径方向及び厚さ方向に平行な断面図
【図２２】同レジスト層への描画を模式的に示す径方向及び厚さ方向に平行な断面図
【図２３】同レジスト層が現像された同被加工体を模式的に示す径方向及び厚さ方向に平行な断面図
【図２４】前記基板がエッチングされた同被加工体を模式的に示す径方向及び厚さ方向に平行な断面図
【図２５】本発明の実施例のサンプルのレジスト層支持材の上面のＳＥＭ画像の一例
【図２６】同実施例のサンプルのレジスト層支持材の上面のＳＥＭ画像の他の一例
【図２７】同実施例のサンプルの現像後のレジスト層のＳＥＭ画像の一例
【図２８】比較例のサンプルの現像後のレジスト層のＳＥＭ画像の一例
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２８】
本発明の第１実施形態は、図１及び２に示されるような情報記録ディスク１０における情報記録ディスク１０と同心の環状の記録領域ＲＡに所定の凹凸パターンを形成するために利用される描画方法に関する。本第１実施形態の理解のため、まず情報記録ディスク１０の構造について簡単に説明する。
【００２９】
情報記録ディスク１０は中心孔１０Ａが形成された垂直記録型のディスクリートトラックメディア（磁気ディスク）である。記録領域ＲＡは情報記録ディスク１０と同心の環状であり、図２に示されるように、円周方向に所定のピッチで放射状に設定された複数の円弧形状のサーボ領域ＳＡとこれらサーボ領域ＳＡの間に設定されたデータ領域ＤＡとに区分けされている。又、情報記録ディスク１０における記録領域ＲＡよりも径方向の内側の領域はデータやサーボ信号が記録されない内側非記録領域ＮＲＡ１である。内側非記録領域ＮＲＡ１の直径は中心孔１０Ａの直径よりも大きい。又、情報記録ディスク１０における記録領域ＲＡよりも径方向の外側の領域もデータやサーボ信号が記録されない外側非記録領域ＮＲＡ２である。
【００３０】
情報記録ディスク１０は、基板１２と、軟磁性層１４と、配向層１６と、記録層１８と、を有し、これらの層がこの記載順序で基板１２の上に形成されている。尚、図１では本第１実施形態の理解のため、基板１２や各層の厚さを実際よりも極端に厚く描いている。
【００３１】
記録層１８はデータ領域ＤＡにおいてトラックに相当するパターンで形成されている。より詳細には、記録層１８はデータ領域ＤＡにおいてトラックの形状に相当する円弧形状の多数の記録要素に分割されている。トラックピッチは例えば数十ｎｍである。尚、図１及び２では本第１実施形態の理解のため、トラックの形状を実際よりも極端に大きく（トラックの数を極端に少なく）描いている。又、記録層１８はサーボ領域ＳＡにおいて所定のサーボパターンに相当する凹凸パターンで形成されている。尚、図１では便宜上、データ領域ＤＡの部分だけを図示しており、サーボ領域ＳＡの部分は図示していない。又、図１では記録層１８が完全に露出しているが記録層１８の凹部（記録要素の間の凹部）は非磁性の充填材等で充填され表面が平坦化されていてもよい。又、記録層１８（及び充填材）の上には保護層や潤滑層が形成されていてもよい。又、基板１２と軟磁性層１４との間には下地層や反強磁性層が形成されていてもよい。又、記録層１８等は基板１２の片面だけに形成されているが、記録層１８等は基板１２の両面に形成されていてもよい。
【００３２】
次に、図３に示されるフローチャートに沿って情報記録ディスク１０の記録領域ＲＡにトラックのパターンやサーボパターンに相当する凹凸パターンを形成するために利用される描画方法及びこれを用いた原盤の製造方法について説明する。
【００３３】
始めに図４〜８に示されるように、原盤の製造過程の形態である被加工体３０を用意する（Ｓ１０２：被加工体用意工程）。被加工体３０は、情報記録ディスク１０の記録領域ＲＡに対応する領域を含む描画領域ＥＡと、描画領域ＥＡよりも径方向内側の内側非描画領域ＮＥＡ１と、描画領域ＥＡよりも径方向外側の外側非描画領域ＮＥＡ２と、に区分けされている。描画領域ＥＡは、例えば記録領域ＲＡと、内側非記録領域ＮＲＡ１における外周近傍の部分及び／又は外側非記録領域ＮＲＡ２における内周近傍の部分と、に対応する。尚、記録領域ＲＡの形状と描画領域ＥＡの形状は同じでもよい。又、外側非描画領域ＮＥＡ２の外径は外側非記録領域ＮＲＡ２の外径よりも大きい。
【００３４】
具体的には、まず図４及び５に示されるようにスパッタ等により基板３２の上にマスク層（レジスト層支持材３４）を成膜する（Ｓ１０２Ａ：レジスト層支持材成膜工程）。基板３２の材料はガラス、Ｓｉ、グラッシーカーボン、ＳｉＣ等である。又、基板３２の厚さは０．３〜３ｍｍである。尚、基板３２の外径は情報記録ディスク１０の基板１２の外径よりも大きい。又、基板３２には中心孔は形成されていない。
【００３５】
マスク層（レジスト層支持材３４）は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による観察が可能な材料で構成されている。又、マスク層（レジスト層支持材３４）は後述する基板エッチング工程（Ｓ１１０）においてマスクとして機能する材料で構成されている。走査型電子顕微鏡による観察が可能な材料とは、例えば粒界が存在する多結晶材料や表面の算術平均粗さＲａが０．３５ｎｍ以上であるような材料である。例えば、スパッタ成膜においてチャンバ内圧力を高く設定する等の成膜条件の設定を行うことにより表面粗さが大きくＳＥＭ観察に適した膜を成膜することができる。尚、電子によるチャージアップが発生しにくく観察しやすいという点では電気抵抗率が１００Ωcm以下の材料であることが好ましい。具体的にはレジスト層支持材３４の材料としては例えば、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃ（炭素）等を用いることができる。尚、本第１実施形態では上述のようにレジスト層支持材３４は後述する基板エッチング工程（Ｓ１１０）においてマスクとして機能するのでレジスト層支持材３４の材料は基板３２の材料と異なる。レジスト層支持材３４の厚さは２〜２０ｎｍである。レジスト層支持材３４は基板３２の全面に形成されている。言い換えれば、レジスト層支持材３４は描画領域ＥＡに形成され、更に内側非描画領域ＮＥＡ１及び外側非描画領域ＮＥＡ２にも形成されている。
【００３６】
次に、図６に示されるように、描画領域ＥＡにおいてレジスト層支持材３４を被覆し、且つ、内側非描画領域ＮＥＡ１の一部においてレジスト層支持材３４を被覆しないようにレジスト層支持材３４の上にレジスト層３６を成膜する（Ｓ１０２Ｂ：レジスト層成膜工程）。具体的には、スピンコートにより被加工体３０における内側非描画領域ＮＥＡ１の外周よりも若干内側の部分にレジスト層３６の液状の材料を供給し、被加工体３０を回転させてレジスト層３６の液状の材料を遠心力により径方向外側に流動させる。これにより図７及び８に示されるように、内側非描画領域ＮＥＡ１における中心部を除く部分、描画領域ＥＡ及び外側非描画領域ＮＥＡ２にレジスト層３６が形成される。レジスト層３６の厚さは１０〜２００ｎｍである。尚、レジスト層３６の材料は電子線レジストでありポジ型でもネガ型でもよい。
【００３７】
次に、図９に示されるような電子ビーム描画装置４０を用いて、電子ビームをレジスト層３６に照射しレジスト層３６を情報記録ディスク１０の記録層１８のトラックのパターンやサーボパターンに相当する凹凸パターンに対応するパターンを含む描画パターンで露光する（Ｓ１０４：描画工程）。尚、描画パターンは、情報記録ディスク１０の記録層１８のトラックのパターンやサーボパターンに相当する凹凸パターンのみに対応するパターンでもよい。
【００３８】
電子ビーム描画装置４０は、電子ビームの焦点の位置（図９における垂直方向の位置）や照射位置（図９における水平方向の位置）を制御して電子ビームを照射可能である電子ビームカラム４２と、電子ビームカラム４２の下に設けられた真空チャンバ４４と、を有し、露光に用いられる電子ビーム（電子ビームカラム４２により照射される電子ビーム）を用いたＳＥＭの機能を備えている。電子ビームカラム４２には、電子銃４６と、収束レンズ４８と、ブランキング電極５０と、アパーチャ５２と、ビーム偏光器５４と、非収差補正器５６と、焦点レンズ５８と、対物レンズ６０と、が備えられている。真空チャンバ４４には、被加工体３０を保持するターンテーブル６２と、ターンテーブル６２をＸ−Ｙ方向（図９における水平方向の位置）に移動自在に保持するＸ−Ｙステージ６４と、が備えられている。
【００３９】
この工程では最初に図９及び１０に示されるようにレジスト層支持材３４の内側非描画領域ＮＥＡ１におけるレジスト層３６から露出する部分を露光に用いられる電子ビームを用いたＳＥＭにより観察し、ＳＥＭ観察の結果に基づいて電子ビームの焦点を調整する。より詳細には電子ビームの焦点の位置をレジスト層３６の下面のレベル（レジスト層支持材３４の上面のレベル）に合わせる。例えば、電子ビームの焦点の位置を変更しながらレジスト層支持材３４の上面のＳＥＭ画像を作業者が目視し、レジスト層支持材３４の上面のＳＥＭ画像が最も鮮明になる位置に焦点を合わせる。
【００４０】
このように、ＳＥＭ観察には向かないレジスト層３６の上面ではなくＳＥＭ観察が可能な材料で構成されたレジスト層支持材３４の上面を観察することで、電子ビームの焦点の位置をレジスト層支持材３４の上面（レジスト層３６の下面）のレベルに合わせることができる。
【００４１】
又、基準サンプルではなく描画対象の被加工体３０（のレジスト層支持材３４）を直接観察して電子ビームの焦点の位置を合わせるので、電子ビームの焦点の位置をレジスト層支持材３４の上面（レジスト層３６の下面）のレベルに確実に合わせることができる。
【００４２】
次に、上記の焦点の調整に基いて、図１１に示されるように、電子ビームを被加工体３０のレジスト層３６に照射しレジスト層３６を情報記録ディスク１０の記録層１８のトラックのパターンやサーボパターンに相当する凹凸パターンに対応するパターンを含む描画パターンで露光する。尚、レジスト層３６の材料（ポジ型又はネガ型）や、原盤からスタンパを作製するまでの転写の回数に応じて、レジスト層３６における情報記録ディスク１０の記録層１８の凸部に対応する部分を露光するのか凹部に対応する部分を露光するのかを選択する。
【００４３】
被加工体３０の一部であるレジスト層支持材３４の上面のＳＥＭ観察の結果に基づいて電子ビームの焦点の位置が調整され電子ビームの焦点の位置がレジスト層支持材３４の上面（レジスト層３６の下面）のレベルに確実に合わせられているので、レジスト層３６を情報記録ディスク１０の記録層１８のトラックのパターンやサーボパターンに相当する凹凸パターンに対応するパターンを含む描画パターンのとおりに高精度で露光することができる。又、ＳＥＭ観察のために描画対象のレジスト層３６にマーキングピンを当接させてレジスト層３６の一部を機械的に剥離する必要がないので、この点でもレジスト層３６を所望の描画パターンどおりに適切に描画できる。尚、電子ビームの焦点の位置はレジスト層３６の下面のレベルに合わせられているが、レジスト層３６の厚さが１０〜２００ｎｍの範囲であれば、レジスト層３６の下面から上面まで高精度で露光することが可能である。レジスト層３６の厚さが著しく厚い場合は、例えば焦点の位置をレジスト層の厚さ方向の中間点に合わせるように焦点の位置を補正してもよい。
【００４４】
次に、レジスト層３６を現像する（Ｓ１０６：現像工程）。これにより、図１２に示されるように、レジスト層３６の露光部分（ポジ型の場合）又は非露光部分（ネガ型の場合）が除去され、情報記録ディスク１０の記録層１８のトラックやサーボパターンに相当する凹凸パターンに対応する凹凸パターンを含むパターンのレジスト層３６が形成される。
【００４５】
次に、レジスト層３６に基づいてマスク層（レジスト層支持材３４）をエッチングする（Ｓ１０８：マスク層エッチング工程）。これにより、図１３に示されるように、レジスト層支持材３４におけるレジスト層３６から露出する部分が除去され、情報記録ディスク１０の記録層１８のトラックのパターンやサーボパターンに相当する凹凸パターンに対応する凹凸パターンを含むパターンのマスク層（レジスト層支持材３４）が形成される。エッチング法としては、例えばＡｒ等の希ガスを用いたＩＢＥ（Ion Beam Etching）を用いることができる。又、マスク層（レジスト層支持材３４）の材料に対するエッチングレートがレジスト層３６に対するエッチングレートよりも高い反応ガスを用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）でレジスト層支持材３４をエッチングしてもよい。
【００４６】
次に、マスク層（レジスト層支持材３４）に基づいて基板３２をエッチングする（Ｓ１１０：基板エッチング工程）。基板３２の厚さ方向の途中の位置までエッチングが進んだところでエッチングを停止する。これにより、図１４に示されるように、基板３２におけるマスク層（レジスト層支持材３４）から露出する部分が除去され、情報記録ディスク１０の記録層１８のトラックのパターンやサーボパターンに相当する凹凸パターンに対応する凹凸パターンを含む凹凸パターンの基板３２が形成される。基板３２の材料がガラス、Ｓｉ、ＳｉＣの場合、エッチング法としては、例えばＣＦ４やＳＦ６のようなフッ素系ガスを用いたＲＩＥを用いることができる。又、基板３２の材料がグラッシーカーボンの場合、エッチング法としては、例えばＯ２のような酸素系ガスを用いたＲＩＥを用いることができる。この工程でレジスト層３６は完全に除去される。
【００４７】
次に、ウェットエッチングにより、基板３２の凸部の上に残存するマスク層（レジスト層支持材３４）を除去する（Ｓ１１２：レジスト層支持材除去工程）。マスク層（レジスト層支持材３４）の材料がＮｉの場合、エッチング液としては例えばスルファミン酸溶液を用いることができる。これにより、図１５に示されるような、情報記録ディスク１０の記録層１８のトラックのパターンやサーボパターンに相当する凹凸パターンに対応する凹凸パターンを含む凹凸パターンの転写面を有する原盤７０が完成する。
【００４８】
ここで原盤７０を用いて情報記録ディスク１０のトラックのパターンやサーボパターンに相当する凹凸パターンの記録層１８を形成する方法について簡単に説明しておく。まず原盤７０の凹凸パターンの転写面に化学メッキ法やスパッタ法で導電膜を形成し、更にこの導電膜を電極として導電膜の上に電解メッキ法で電解メッキ層を形成し、これら導電膜及び電解メッキ層を一体で原盤７０から剥離することにより原盤７０の転写面の凹凸パターンに対応する凹凸パターンの転写面を有するメタルスタンパが得られる。次に、情報記録ディスク１０の基板１２の上に軟磁性層１４、配向層１６、連続膜の記録層１８、マスク層、レジスト層が形成された構成の被加工体のレジスト層に上記のメタルスタンパを押し付けてメタルスタンパの転写面の凹凸パターンをレジスト層に転写する。この凹凸パターンのレジスト層に基いてマスク層、記録層１８を順次エッチングすることにより、トラックやサーボパターンに相当する凹凸パターンの記録層１８が形成される。又、導電膜及び電解メッキ層を一体で原盤７０から剥離したものをメタルマザーとして用い、このメタルマザーに電解メッキ法で更に電解メッキ層を形成しこの電解メッキ層をメタルマザーから剥離したものをメタルスタンパとして用いてもよい。又、更に電解メッキ法を繰り返してメタルスタンパを形成してもよい。又、メタルスタンパを金型内に設置して樹脂成形により原盤７０の転写面の凹凸パターンに対応する凹凸パターンの転写面を有する樹脂スタンパを作製し、樹脂スタンパをレジスト層に押し付けることにより樹脂スタンパの転写面の凹凸パターンをレジスト層に転写してもよい。描画における露光部と非露光部は、レジストのタイプ（ポジ型又はネガ型）やスタンパを得るまでの電解メッキの回数等に応じて適宜変更すればよい。
【００４９】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。前記第１実施形態ではレジスト層３６に基づいてマスク層（レジスト層支持材３４）をエッチングし（Ｓ１０８）、マスク層（レジスト層支持材３４）に基づいて基板３２をエッチングしている（Ｓ１１０）。これに対し、本第２実施形態ではレジスト層支持材３４は基板エッチング工程（Ｓ１１０）においてマスクとして機能しない。図１６のフローチャートに示されるようにマスク層エッチング工程（Ｓ１０８）は省略されており、図１７に示されるように基板エッチング工程（Ｓ１１０）においてレジスト層３６に基づいてレジスト層支持材３４及び基板３２をエッチングする。又、レジスト層支持材除去工程（Ｓ１１２）では基板３２の凸部の上に残存するレジスト層３６及びレジスト層支持材３４を除去する。尚、レジスト層支持材除去工程（Ｓ１１２）ではレジスト層３６、レジスト層支持材３４に対応した２種類のエッチング液を用いてもよい。他の工程については前記第１実施形態と同じなので同じ要素については図１〜１５と同一符号を用いることとして説明を適宜省略する。
【００５０】
本第２実施形態でもレジスト層支持材３４は走査型電子顕微鏡による観察が可能な材料で構成されている必要はあるがレジスト層支持材３４の材料は基板をエッチングするためのマスク層として機能する材料である必要はない。従って、レジスト層支持材３４の材料の選択の幅を広げることができる。本第２実施形態のレジスト層支持材３４の材料としては例えばＮｉ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃ（炭素）や、Ｓｉ、グラッシーカーボン、ＳｉＣ等の材料を用いることができる。尚、基板３２の材料として本第２実施形態でも例えばガラス、Ｓｉ、グラッシーカーボン、ＳｉＣを用いることができる。レジスト層支持材３４の材料としてＳｉ、グラッシーカーボン、ＳｉＣ等の基板３２の材料と同じ材料を用いる場合も、例えばスパッタ成膜においてチャンバ内圧力を高く設定する等の成膜条件の設定を行うことにより表面粗さが大きくＳＥＭ観察に適した膜を成膜することができる。又、本第２実施形態の基板エッチング工程（Ｓ１１０）でも例えばＡｒ等の希ガスを用いたＩＢＥを用いることができる。又、レジスト層支持材３４及び基板３２の材料に対するエッチングレートがレジスト層３６に対するエッチングレートよりも高い反応ガスを用いたＲＩＥでレジスト層支持材３４及び基板３２をエッチングしてもよい。
【００５１】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。前記第１及び第２実施形態の被加工体３０はレジスト層支持材３４の下に更に基板３２を備えているが、本第３実施形態の被加工体８０はレジスト層支持材８２が基板を兼ねている。本第３実施形態のレジスト層支持材８２も、前記第１及び第２実施形態のレジスト層支持材３４と同様にＳＥＭ観察が可能な材料で構成されている。又、レジスト層支持材８２の材料は最終的な原盤７０の材料として適した材料である必要がある。本第３実施形態のレジスト層支持材８２の材料としては例えばＳｉ、グラッシーカーボン、ＳｉＣを用いることができる。
【００５２】
図１８のフローチャートに示されるように、本第３実施形態の被加工体用意工程（Ｓ１０２）ではレジスト層支持材の成膜は行われずレジスト層の成膜だけが行われる。より詳細には、図１９及び２０に示されるように、基板（レジスト層支持材８２）の上に直接レジスト層３６が成膜される。
【００５３】
描画工程（Ｓ１０４）では図２１に示されるように基板（レジスト層支持材８２）の内側非描画領域ＮＥＡ１におけるレジスト層３６から露出する部分をＳＥＭ観察し、ＳＥＭ観察の結果に基づいて電子ビームの焦点の位置を調整する。より詳細には電子ビームの焦点の位置をレジスト層３６の下面のレベル（基板（レジスト層支持材８２）の上面のレベル）に合わせる。尚、ＳＥＭ観察に適するように基板（レジスト層支持材８２）の内側非描画領域ＮＥＡ１の部分の上面が他の部分の上面よりも粗くなるように基板（レジスト層支持材８２）を予め加工しておいてもよい。例えば、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）により基板（レジスト層支持材８２）における内側非描画領域ＮＥＡ１の部分に複数の凹部を形成しておく。
【００５４】
次に、図２２に示されるように前記第１及び第２実施形態と同様に描画工程（Ｓ１０４）を実行し、更に図２３に示されるように現像工程（Ｓ１０６）を実行する。
【００５５】
次に図２４に示されるように基板エッチング工程（Ｓ１１０）を実行する。本第３実施形態の基板エッチング工程（Ｓ１１０）では、レジスト層３６に基づいて基板（レジスト層支持材８２）をエッチングする。尚、前記第２実施形態と同様にマスク層エッチング工程（Ｓ１０８）は省略されている。
【００５６】
又、基板エッチング工程（Ｓ１１０）の後に、レジスト層支持材除去工程（Ｓ１１２）に代えてレジスト層除去工程（Ｓ１１４）を実行する。レジスト層除去工程（Ｓ１１４）では例えばＯ２ガス等の反応ガスを用いたＲＩＥにより基板（レジスト層支持材８２）の凸部の上に残存するレジスト層３６を除去する。これにより前記第１及び第２実施形態と同様の原盤７０が得られる。
【００５７】
尚、前記第１及び第２実施形態と同じ要素については図１〜１７と同一符号を用い説明を適宜省略した。
【００５８】
本第３実施形態では、レジスト層支持材８２が基板を兼ねているので、被加工体８０の構成が簡単であると共に被加工体８０の加工工程が少なく生産効率の向上に寄与する。
【００５９】
尚、前記第１〜第３実施形態では、被加工体用意工程（Ｓ１０２）において描画領域ＥＡにおいてレジスト層支持材３４（８２）を被覆し、且つ、内側非描画領域ＮＥＡ１の一部においてレジスト層支持材３４（８２）を被覆しないようにレジスト層支持材３４（８２）の上にレジスト層３６を成膜しているが、レジスト層支持材３４（８２）の上の全面にレジスト層３６を成膜してからレジスト層３６における内側非描画領域ＮＥＡ１の部分の一部又は全部を露光及び現像により除去してもよい。この場合、内側非描画領域ＮＥＡ１の部分の一部又は全部の露光において電子ビームの焦点を高精度で調整する必要はない。
【００６０】
又、前記第１〜第３実施形態では、描画工程（Ｓ１０４）においてレジスト層支持材３４（８２）の内側非描画領域ＮＥＡ１におけるレジスト層３６から露出する部分をＳＥＭ観察しているが、例えば外側非描画領域ＮＥＡ２にレジスト層３６を成膜してからレジスト層３６における外側非描画領域ＮＥＡ２の部分の一部又は全部を露光及び現像により除去し、レジスト層支持材３４（８２）の外側非描画領域ＮＥＡ２におけるレジスト層３６から露出する部分をＳＥＭ観察し、このＳＥＭ観察の結果に基づいて電子ビームの焦点の位置を調整してもよい。この場合も、外側非描画領域ＮＥＡ２の部分の一部又は全部の露光において電子ビームの焦点を高精度で調整する必要はない。
【００６１】
又、前記第１〜第３実施形態では、情報記録ディスク１０は内側非記録領域ＮＲＡ１及び外側非記録領域ＮＲＡ２を有し、被加工体３０（８０）も内側非描画領域ＮＥＡ１及び外側非描画領域ＮＥＡ２を有しているが、例えば、情報記録ディスクは外側非記録領域を有しておらず、（原盤の製造過程における形態である）被加工体も外側非描画領域を有していなくてもよい。又、情報記録ディスクは内側非記録領域を有しておらず、（原盤の製造過程における形態である）被加工体も内側非描画領域を有していなくてもよい。この場合、レジスト層支持材の外側非描画領域におけるレジスト層から露出する部分をＳＥＭ観察し、このＳＥＭ観察の結果に基づいて電子ビームの焦点の位置を調整すればよい。
【００６２】
又、前記第１〜第３実施形態では、被加工体３０（８０）、原盤７０は情報記録ディスク１０と同様のディスク形状であるが、原盤やその製造過程における被加工体の形状は、情報記録ディスク１０を含む形状であれば例えば正方形等のディスク形状以外の形状でもよい。
【００６３】
又、前記第１〜第３実施形態では、情報記録ディスク１０は垂直記録型のディスクリートトラックメディアであるが、面内記録型のディスクリートトラックメディア、垂直記録型又は面内記録型のパターンドメディアの記録領域に凹凸パターンを形成するために利用される描画にも本発明を適用可能である。又、記録領域に凹凸パターンが形成される情報記録ディスクであれば、光磁気ディスク、情報の記録のために磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録ディスク、磁気とマイクロ波を併用するマイクロ波アシスト型の記録ディスク、光ディスク等の、磁気ディスク以外の情報記録ディスクの記録領域に凹凸パターンを形成するために利用される描画にも本発明を適用可能である。
【００６４】
又、連続膜の被加工層をイオン注入や反応ガスによる改質処理によって記録要素と非記録要素とに分離する工程を含む情報記録媒体の製造にも本発明を適用可能である。例えば、連続膜の被加工層、マスク層、レジスト層が形成された構成の被加工体のレジスト層に上記のような樹脂スタンパやメタルスタンパを押し付けてスタンパの転写面の凹凸パターンをレジスト層に転写し、この凹凸パターンのレジスト層に基いてマスク層をエッチングし、被加工層におけるマスク層から露出した部分にイオン注入や反応ガスによる改質処理を施すことにより被加工層を記録要素と非記録要素とに分離できる。
【００６５】
又、連続膜の記録層を有する磁気記録媒体にサーボパターンを転写するための磁気転写用のマスター情報担体として用いられる凹凸パターンの転写面を有する磁気転写用のスタンパの製造にも本発明を適用可能である。例えば、上記のような樹脂スタンパやメタルスタンパの凹凸パターン面に強磁性体を成膜することで、強磁性体で形成された凹凸パターンの転写面を有する磁気転写用のスタンパを製造することができる。又、上記のようなメタルスタンパの材質を強磁性体とすることで、強磁性体で形成され凹凸パターンの転写面を有する磁気転写用のスタンパを製造することができる。
【実施例】
【００６６】
５枚のサンプルを用意し前記第１実施形態のとおり描画工程（Ｓ１０４）及び現像工程（Ｓ１０６）を実行した。条件は以下のとおりであった。
基板３２の材料：Ｓｉ
基板３２の直径：１００ｍｍ
基板３２の厚さ：０．６ｍｍ
内側非描画領域ＮＥＡ１：半径０〜１５ｍｍ
描画領域ＥＡ：半径１５〜３５ｍｍ
外側非描画領域ＮＥＡ２：半径３５〜５０ｍｍ
レジスト層支持材３４の材料：Ｎｉ
レジスト層支持材３４の厚さ：４ｎｍ
レジスト層３６の材料：ポジ型電子線レジストＺＥＰ５２０Ａ（日本ゼオン製）
レジスト層３６の厚さ：５０ｎｍ
レジスト層３６の成膜範囲：半径３〜５０ｍｍ
描画パターンのトラックピッチ：５０ｎｍ
露光部の径方向の幅：１０ｎｍ
非露光部の径方向の幅：４０ｎｍ
電子ビームのビーム電流：１ｎＡ
電子ビームの線速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
現像液：電子線レジスト用現像液ＺＥＤ−Ｎ５０（日本ゼオン製）
現像液の温度：２０℃
現像時間：１ｍｉｎ
【００６７】
図２５及び２６は、描画工程（Ｓ１０４）におけるレジスト層支持材３４の上面のＳＥＭ画像（倍率：８万倍）の例でありＮｉの粒界を観察したものである。図２５は電子ビームの焦点の位置がレジスト層支持材３４の上面に一致したと判断されたときのＳＥＭ画像の例である。又、図２６は電子ビームの焦点の位置がレジスト層支持材３４の上面に一致していないと判断されたときのＳＥＭ画像の例である。
【００６８】
又、図２７は、現像工程（Ｓ１０６）後のレジスト層３６のＳＥＭ画像（倍率：５万倍）の例である。図２７において白い部分は凸部（非露光部）の径方向の端部でありハレーションにより白く見えている。又、黒い部分のうち径方向の幅が広い方は、凸部における径方向の端部よりも内側の部分を示す。又、黒い部分のうち径方向の幅が狭い方は、凹部（露光されて現像により除去された部分）を示す。
【００６９】
図２７に示されるようなＳＥＭ画像に基いて５枚のサンプルのレジスト層３６の凹部の径方向の幅を測定した。測定結果を表１に示す。尚、表１に示される数値は、各サンプルにおける１０箇所の測定結果の相加平均である。
【００７０】
【表１】
2011255653.tif 000003
【００７１】
［比較例］
前記実施例に対し、描画対象の被加工体３０と調整用の基準サンプルとを並べて配置し、両者の上面のレベルが一致するように基準サンプルの高さを調整し、基準サンプルに電子ビームを照射して基準サンプルの上面のレベルに電子ビームの焦点の位置を合わせた。その後、基準サンプルに代えて被加工体３０を電子ビームの照射位置に移動させて上記焦点の位置を保持しつつ被加工体３０に描画を行った。尚、基準サンプルの上面部の材料はＡｕだった。他の条件は前記実施例と同じ条件に設定し、前記実施例と同様に５枚のサンプルを用意して描画工程（Ｓ１０４）及び現像工程（Ｓ１０６）を実行した。
【００７２】
図２８は、比較例のサンプルの現像工程（Ｓ１０６）後のレジスト層３６のＳＥＭ画像（倍率：５万倍）の例である。図２８に示されるようなＳＥＭ画像に基いて前記実施例と同様に比較例の５枚のサンプルのレジスト層３６の凹部の径方向の幅を測定した。測定結果を表１に併記する。尚、測定結果が示されていないサンプルは、図２８中に示された黒い点のような部分のように、凹部であるべき部分の一部に凹部が形成されていなかったサンプルである。
【００７３】
表１に示されるように、比較例では５枚のサンプルのうちの３枚のサンプルでは所望のパターンのレジスト層３６が形成されていたが、２枚のサンプルでは図２８に示されるようにレジスト層３６の凹部であるべき部分の一部に凹部が形成されていなかった。尚、意図的に電子ビームの焦点の位置をレジスト層から２μｍ程度ずらして描画した場合、比較例の２枚のサンプルとほぼ同様の態様でレジスト層の凹部であるべき部分の一部に凹部が形成されないことが確認されている。比較例の２枚のサンプルでは描画対象の被加工体３０と調整用の基準サンプルの上面のレベルにずれが生じていたために、露光が部分的に不適切となりレジスト層３６の凹部であるべき部分の一部に凹部が形成されなかったと考えられる。
【００７４】
一方、実施例では５枚の総てのサンプルにおいて図２７に示されるように所望のパターンのレジスト層３６が形成されていた。即ち、描画対象の被加工体３０（のレジスト層支持材３４）を直接ＳＥＭ観察して電子ビームの焦点の位置を調整することにより、１００ｎｍよりも小さいトラックピッチのパターンのレジスト層を高精度で形成できることが確認された。
【００７５】
又、図２５及び２６に示されるように、レジスト層支持材３４の上面をＳＥＭ観察することにより、電子ビームの焦点の位置がレジスト層支持材３４の上面のレベル（レジスト層３６の下面のレベル）に一致しているか否かを明確に識別できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明は、例えば、ディスクリートトラックメディア、パターンドメディア等の情報記録ディスクの製造に利用できる。
【符号の説明】
【００７７】
１０…情報記録ディスク
１２…基板
１４…軟磁性層
１６…配向層
１８…記録層
３０、８０…被加工体
３２…基板
３４…マスク層（レジスト層支持材）
３６…レジスト層
４０…電子ビーム描画装置
４２…電子ビームカラム
４４…真空チャンバ
７０…原盤
８２…基板（レジスト層支持材）
ＲＡ…記録領域
ＮＲＡ１…内側非記録領域
ＮＲＡ２…外側非記録領域
ＤＡ…データ領域
ＳＡ…サーボ領域
ＥＡ…描画領域
ＮＥＡ１…内側非描画領域
ＮＥＡ２…外側非描画領域
Ｓ１０２…被加工体用意工程
Ｓ１０２Ａ…レジスト層支持材成膜工程
Ｓ１０２Ｂ…レジスト層成膜工程
Ｓ１０４…描画工程
Ｓ１０６…現像工程
Ｓ１０８…レジスト層支持材（マスク層）エッチング工程
Ｓ１１０…基板エッチング工程
Ｓ１１２…レジスト層支持材除去工程
Ｓ１１４…レジスト層除去工程
【図１】
2011255653.tif 000004
【図２】
2011255653.tif 000005
【図３】
2011255653.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011255653.tif 000010
【図８】
2011255653.tif 000011
【図９】
2011255653.tif 000012
【図１０】
2011255653.tif 000013
【図１１】
2011255653.tif 000014
【図１２】
2011255653.tif 000015
【図１３】
2011255653.tif 000016
【図１４】
2011255653.tif 000017
【図１５】
2011255653.tif 000018
【図１６】
2011255653.tif 000019
【図１７】
2011255653.tif 000020
【図１８】
2011255653.tif 000021
【図１９】
2011255653.tif 000022
【図２０】
2011255653.tif 000023
【図２１】
2011255653.tif 000024
【図２２】
2011255653.tif 000025
【図２３】
2011255653.tif 000026
【図２４】
2011255653.tif 000027
【図２５】
2011255653.tif 000028
【図２６】
2011255653.tif 000029
【図２７】
2011255653.tif 000030
【図２８】
2011255653.tif 000031