(57)【要約】【課題】スペーサと同時に形成された非表示領域の遮光部が光漏れを遮断する機能を十分に果たす液晶表示装置を提供する。【解決手段】画面表示領域と非表示領域と、第１基板及び前記第１基板と対向する第２基板と、第１開口部を含む有機膜と、前記第１開口部の中に配置し、前記第１基板と前記第２基板の間の間隔を維持するスペーサと、前記非表示領域に配置する第１遮光部とを含み、前記スペーサと前記第１遮光部は同じ物質を含むことを特徴とする。【選択図】図４
2011113085.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と非表示領域と、
第１基板及び前記第１基板と対向する第２基板と、
第１開口部を含む有機膜と、
前記第１開口部の中に配置され、前記第１基板と前記第２基板の間の間隔が維持されるスペーサと、
前記非表示領域に配置される第１遮光部と、を含み、
前記スペーサと前記第１遮光部とは同じ物質を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１基板上に配置されるゲート線と、
前記ゲート線上に配置されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に配置されるデータ線と、
前記有機膜上に配置される画素電極と、をさらに含み、
前記有機膜は前記データ線上に配置されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１遮光部の厚さは４μｍ以上であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記スペーサの厚さはセルギャップの高さより大きいことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記スペーサの厚さは前記セルギャップの高さより１．０μｍ以上大きいことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記スペーサの厚さは５．０μｍ以上であることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１遮光部の厚さは前記スペーサの厚さより１μｍ以上薄いことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記スペーサの幅は、前記スペーサの中央部に対比して、前記スペーサの上端部及び下端部へ行くほど小さくなることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記スペーサの厚さはセルギャップの高さより大きいことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記スペーサの厚さはセルギャップの高さより１．０μｍ以上大きいことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記スペーサの幅は、前記スペーサの中央部に対比して、前記スペーサの上端部及び下端部へ行くほど小さくなることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記スペーサの幅は、前記スペーサの中央部に対比して、前記スペーサの上端部及び下端部へ行くほど小さくなることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１遮光部の厚さは４μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記スペーサの厚さはセルギャップの高さより大きいことを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記スペーサの厚さはセルギャップの高さより１．０μｍ以上大きいことを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記スペーサの幅は、前記スペーサの中央部に対比して、前記スペーサの上端部及び下端部へ行くほど小さくなることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記スペーサの厚さはセルギャップの高さより大きいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記スペーサの厚さはセルギャップの高さより１．０μｍ以上大きいことを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記スペーサの幅は、前記スペーサの中央部に対比して、前記スペーサの上端部及び下端部へ行くほど小さくなることを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記スペーサの幅は、前記スペーサの中央部に対比して、前記スペーサの上端部及び下端部へ行くほど小さくなることを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記スペーサの幅は、前記スペーサの中央部に対比して、前記スペーサの上端部及び下端部へ行くほど幅が小さくなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
画面表示領域と非表示領域を含む第１基板、及び前記第１基板と対向する第２基板を準備し、
前記第１基板上に第１開口部を有する有機膜を形成し、
前記第１開口部の中に配置し、前記第１基板と前記第２基板の間の間隔を維持するスペーサを形成し、
前記非表示領域に配置する第１遮光部を形成し、
前記スペーサと前記第１遮光部は同時に形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記第１遮光部と前記スペーサとを形成することは、半透過マスクを使用して、前記第１遮光部の厚さを前記スペーサの厚さより低くする露光工程を含むことを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記スペーサは、前記スペーサの中央部に対比して、前記スペーサの上端部及び下端部へ行くほど幅が小さくなるように形成することを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記スペーサは、前記スペーサの中央部に対比して、前記スペーサの上端部及び下端部へ行くほど幅が小さくなるように形成する、請求項２２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）は、現在最も広く使用されているフラットパネルディスプレイ（ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＰＤ）のうちの一つであって、電極が形成されている二枚のディスプレイパネルとその間に挿入されている液晶層からなり、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列させることによって、透過する光の量を調節するディスプレイパネルである。
【０００３】
広く使用されている液晶表示装置は電場生成電極（ｆｉｅｌｄ  ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）が二つのディスプレイパネルに各々備えられている構造である。この中でも、一つのディスプレイパネル（以下、「薄膜アレイパネル」という）には複数の薄膜トランジスタと画素電極が行列状に配列されており、他のディスプレイパネル（以下、「共通電極パネル」という）には赤色、緑色、及び青色の色フィルタが形成されており、その全面を一つの共通電極が覆っている構造が主流である。
【０００４】
しかし、このような液晶ディスプレイパネルは、画素電極とカラーフィルタが異なるディスプレイパネルに形成されるため、画素電極とカラーフィルタの間で正確な整列（ａｌｉｇｎ）が難しく整列誤差が発生する恐れがある。これを解決するため、カラーフィルタと画素電極を同一のディスプレイパネルに形成する構造であるアレイ状カラーフィルタ（ｃｏｌｏｒ  ｆｉｌｔｅｒ  ｏｎ  ａｒｒａｙ：ＣＯＡ）が提案されている。
【０００５】
また、薄膜トランジスタディスプレイパネルと共通電極ディスプレイパネルとの接続マージンを考慮すれば、ブラックマトリックスのような遮光部を設定された大きさより大きく製作してもよい。しかし、この場合、増加されたブラックマトリックスの大きさによって開口率が低下する恐れがあるため、ブラックマトリックスを薄膜トランジスタディスプレイパネルに形成してもよい。
【０００６】
二つのディスプレイパネルの間の液晶層の間隔をセルギャップといい、セルギャップは、応答速度、コントラスト比、視野角、輝度均一性など液晶ディスプレイパネルの全般的な動作特性に影響を与える。仮に、セルギャップが一定の間隔を有していなければ、画面全体にかけて均一な映像が表示されることができず、画質不良を招くようになる。したがって、基板上の全領域にわたって均一なセルギャップを維持するために、二つの基板のうちの一側には複数のスペーサを形成してもよい。
【０００７】
ブラックマトリックスを含む遮光部は、画素の境界部分と表示領域の周りに形成される非表示領域の部分で光漏れを遮断する機能がある。特に、製造工程の単純化などのためにスペーサと遮光部を同時に形成してもよい。しかし、スペーサの高さを小さくする場合には、十分な光学濃度（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄｅｎｓｉｔｙ：ＯＤ）を有する遮光部を形成するのが難しいため、非表示領域で光漏れが発生する恐れがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、スペーサと同時に形成された非表示領域の遮光部が光漏れを遮断する機能を十分に果たす液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、画面表示領域と非表示領域と、第１基板及び前記第１基板と対向される第２基板と、第１開口部を含む有機膜と、前記第１開口部の中に配置され、前記第１基板と前記第２基板の間の間隔が維持されるスペーサと、前記非表示領域に配置される第１遮光部とを含み、前記スペーサと前記第１遮光部は同じ物質を含むことを特徴とする。
【００１０】
前記第１基板上に配置されるゲート線と、前記ゲート線上に配置されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置されるデータ線と、前記有機膜の上に配置される画素電極とをさらに含み、前記有機膜は前記データ線上に配置してもよい。
【００１１】
前記第１遮光部の厚さは４μｍ以上であってもよい。
【００１２】
前記スペーサの厚さはセルギャップの高さより大きくてもよい。
【００１３】
前記スペーサの厚さはセルギャップの高さより１．０μｍ以上大きくてもよい。
【００１４】
前記スペーサの厚さは５．０μｍ以上であってもよい。
【００１５】
前記第１遮光部の厚さは前記スペーサの厚さより１μｍ以上薄くてもよい。
【００１６】
前記スペーサは、前記スペーサの中央部に対比して、前記スペーサの上端部及び下端部へ行くほど幅が小さくなってもよい。
【００１７】
本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、画面表示領域と非表示領域を含む第１基板、及び前記第１基板と対向する第２基板を準備し、前記第１基板上に第１開口部を有する有機膜を形成し、前記第１開口部の中に配置し、前記第１基板と前記第２基板の間の間隔を維持するスペーサを形成し、前記非表示領域に配置する第１遮光部を形成し、前記スペーサと前記第１遮光部は同時に形成することを特徴とする。
【００１８】
前記第１遮光部と前記スペーサを形成することは、半透過マスクを使用して、前記第１遮光部の厚さを前記スペーサの厚さより低くする露光段階を含んでもよい。
【００１９】
前記スペーサは、前記スペーサの中央部に対比して、前記スペーサの上端部及び下端部へ行くほど幅が小さくなるように形成してもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、非表示領域の遮光部が所望の水準の光学濃度を有するようになり、セルギャップを維持すると同時に非表示領域で光漏れを遮断する液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置を示す配置図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。
【図３】図１のＡ領域を示す配置図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ’線に沿って切断した断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の図１のＡ領域を示す配置図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ’線に沿って切断した断面図である。
【図７】図１のＢ領域を示す配置図である。
【図８】図７のＸ−Ｘ’線とＸ−Ｘ’’線、及び図３のＹ−Ｙ’線に沿って切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明される実施形態に限定されず、他の形態に具体化されることもできる。本発明は多様に相異する形態で実現でき、ここに説明する実施形態に限定されない。ここで紹介される実施形態は、開示された内容が明確でかつ完全になりえるように、そして当業者に本発明の思想が十分に伝えられるようにするためのものである。
【００２３】
図面において、層及び領域の厚さは明確に表現できるように誇張して示した。また、層が他の層または基板の「上に」または「接続される」とする場合、それは他の層または基板の上に直接形成または接続される、またはそれらの間に第３の層が介されることもできる。明細書全体にわたって同一な参照番号で表示された部分は同一な構成要素を意味する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置を示した配置図である。図２は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。
【００２５】
図１及び図２を参照すれば、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、液晶パネルアセンブリ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｐａｎｅｌ  ａｓｓｅｍｂｌｙ）３００、及びこれに接続されているゲート駆動部４００とデータ駆動部５００、データ駆動部５００に接続された階調電圧生成部（図示せず）、液晶パネルアセンブリ３００に光を照射する光源部（図示せず）、光源ユニット（図示せず）を制御する光源駆動部（図示せず）、及びこれらを制御する信号制御部（ｓｉｇｎａｌ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ、図示せず）を含む。
【００２６】
ゲート駆動部４００またはデータ駆動部５００は、液晶パネルアセンブリ３００の下部ディスプレイパネル１００の上に形成してもよく、また、別の集積回路（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ：ＩＣ）チップの形状に独立して形成してもよい。
【００２７】
液晶パネルアセンブリ３００は、下部ディスプレイパネル１００及び上部ディスプレイパネル２００とその間に配置される液晶層３を含む。図１に示すように、液晶パネルアセンブリ３００は、行方向に延在した複数のゲート線１２１、列方向に延在した複数のデータ線１７１、このゲート線１２１とデータ線１７１に接続されており、行列状に配列された複数の画素（ｐｉｘｅｌ）を含む。また、液晶パネルアセンブリ３００の外郭部には封止剤３１０が形成され、封止剤３１０は液晶層３の液晶分子を密封させる。
【００２８】
液晶層３は、正（＋）または負（−）の誘電率異方性を有してもよく、液晶層３の液晶分子は電場がない状態で、その長軸が二つのディスプレイパネル１００、２００の表面に対してほとんど水平または垂直を成すように配向されてもよい。
【００２９】
ディスプレイパネル１００、２００の内側面には配向膜（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｌａｙｅｒ、図示せず）を形成してもよく、配向膜は垂直配向膜であってもよい。ディスプレイパネル１００、２００の外側面には偏光板（図示せず）を備えてもよい。
【００３０】
図２を参照すれば、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、複数のゲート線ＧＬ、複数の対のデータ線ＤＬａ、ＤＬｂ、及び複数の蓄積電極線ＳＬを含む信号線と、これに接続された複数の画素ＰＸを含む。
【００３１】
各画素ＰＸは一対の副画素ＰＸａ、ＰＸｂを含み、副画素ＰＸａ、ＰＸｂはスイッチング素子Ｑａ、Ｑｂと液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂ、及び蓄積容量（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂを含む。
【００３２】
スイッチング素子Ｑａ、Ｑｂは下部ディスプレイパネル１００に備えられている薄膜トランジスタなどの三端子素子として、その制御端子はゲート線ＧＬに接続されており、入力端子はデータ線ＤＬａ、ＤＬｂに接続されており、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂ及び蓄積容量Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂに接続されている。
【００３３】
液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂは、副画素電極１９１ａ、１９１ｂと共通電極２７０を二つの端子にし、二つの端子の間の液晶層３の部分を誘電体にして形成される。
【００３４】
液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの補助的な役割を果たす蓄積容量Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂは、下部ディスプレイパネル１００に備えられた蓄積電極線ＳＬと副画素電極１９１ａ、１９１ｂが絶縁体を隔てて重なり、蓄積電極線ＳＬには共通電圧Ｖｃｏｍなどの定められた電圧が印加される。
【００３５】
二つの液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂに蓄積される電圧は、互いに少しの差異が生じるように設定されている。例えば、液晶キャパシタＣｌｃａに印加されるデータ電圧が液晶キャパシタＣｌｃｂに印加されるデータ電圧に比べて常に低いか、または高く設定する。このように二つの液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの電圧を適切に調節すれば、側面から眺める映像も正面から眺める映像のように最大限近づけて、液晶表示装置の側面視認性を向上する。
【００３６】
次に、図３乃至図６を参照して、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置についてより詳細に説明する。
【００３７】
図３は、図１のＡ領域を示す配置図である。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ’線に沿って切断した断面図である。
【００３８】
図３及び図４を参照すれば、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、互いに対向する下部ディスプレイパネル１００と上部ディスプレイパネル２００、及びこれら二つのディスプレイパネル１００、２００の間に配置されている液晶層３を含む。
【００３９】
まず、下部ディスプレイパネル１００について説明する。
【００４０】
絶縁基板１１０の上に複数のゲート線（ｇａｔｅ  ｌｉｎｅ）１２１及び複数の蓄積電極線（ｓｔｏｒａｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ  ｌｉｎｅ）１３１、１３５が形成されている。
【００４１】
ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、横方向に伸びている。各ゲート線１２１は、上に突出した複数の第１及び第２ゲート電極（ｇａｔｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４ａ、１２４ｂを含む。
【００４２】
蓄積電極線は、ゲート線１２１と実質的に並んで伸びた幹線（ｓｔｅｍ）１３１とこれから伸び出した複数の蓄積電極１３５を含む。
【００４３】
蓄積電極線１３１、１３５の形状及び配置は多様な形態に変更してもよい。
【００４４】
ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１、１３５の上にはゲート絶縁膜（ｇａｔｅ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１４０が形成されており、ゲート絶縁膜１４０の上には、アモルファスシリコンまたは結晶シリコンなどからなる複数の半導体１５４ａ、１５４ｂが形成されている。
【００４５】
半導体１５４ａ、１５４ｂの上には、各々複数の対のオーミックコンタクト部（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）１６３ｂ、１６５ｂが形成されており、オーミックコンタクト部１６３ｂ、１６５ｂはシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）またはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化アモルファスシリコンなどの物質から形成されることができる。
【００４６】
オーミックコンタクト部１６３ｂ、１６５ｂ及びゲート絶縁膜１４０の上には、複数の対のデータ線（ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）１７１ａ、１７１ｂと複数の対の第１及び第２ドレイン電極（ｄｒａｉｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５ａ、１７５ｂが形成されている。
【００４７】
データ線１７１ａ、１７１ｂはデータ信号を伝達し、主に縦方向に伸びてゲート線１２１及び蓄積電極線の幹線１３１と交差する。データ線１７１ａ、１７１ｂは第１、第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂに向かって伸びて、Ｕ字型に曲がった第１及び第２ソース電極（ｓｏｕｒｃｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３ａ、１７３ｂを含み、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂは、第１、第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂを中心に第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂと対向する。
【００４８】
第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、各々、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂによって一部囲まれた一側末端からの上に伸びており、反対側末端は、他の層との接続のためにその面積が広くてもよい。
【００４９】
しかしながら、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを始めとしたデータ線１７１ａ、１７１ｂの形状及び配置は多様な形態に変更してもよい。
【００５０】
第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ、及び第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂと共に第１及び第２薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）Ｑａ、Ｑｂを構成し、第１及び第２薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂのチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間の第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂに形成される。
【００５１】
オーミックコンタクト部１６３ｂ、１６５ｂはその下の半導体１５４ａ、１５４ｂとその上のデータ線１７１ａ、１７１ｂ、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間に存在し、それらの間の接触抵抗を低くする。半導体１５４ａ、１５４ｂには、ソース電極１７３ａ、１７３ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間を始めとして、データ線１７１ａ、１７１ｂ及びドレイン電極１７５ａ、１７５ｂで遮らずに露出された部分が存在する。
【００５２】
データ線１７１ａ、１７１ｂ、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂ、及び露出された半導体１５４ａ、１５４ｂ部分の上には、窒化シリコンまたは酸化シリコンなどを用いた下部保護膜１８０ｐが形成されている。
【００５３】
下部保護膜１８０ｐの上には、リソグラフィ工程で形成されたカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は、ゲート線１２１とデータ線１７１ａ、１７１ｂが交差して定義される画素領域に形成してもよく、各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色、及び青色の三原色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうち一つを表示してもよい。カラーフィルタ２３０の左右境界はデータ線１７１ａ、１７１ｂの上に配置し、データ線１７１ａ、１７１ｂに沿って縦に長く伸びることができる。この場合、カラーフィルタ２３０は帯状であってもよい。同一色のカラーフィルタ２３０は隣接しなくてもよい。
【００５４】
カラーフィルタ２３０は、感光性有機組成物に色を実現するための顔料が含まれている構造を有してもよい。例えば、カラーフィルタ２３０は、感光性有機組成物に赤色、緑色または青色の顔料が各々含まれている赤色、緑色、及び青色カラーフィルタを含んでもよい。
【００５５】
特に、カラーフィルタ２３０は、開口部Ｇ１と溝（ｇｒｏｏｖｅ）Ｇ２を有してもよい。開口部Ｇ１は、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂと画素電極１９１が接触する領域で下部保護膜１８０ｐを露出する。溝Ｇ２は、隣接する画素領域の間で互いに隣接したデータ線１７１ａ、１７１ｂの間に形成されている。他の実施形態では、隣接する画素領域の間で互いに隣接したデータ線１７１ａ、１７１ｂの間に互いに異なる色を表示するカラーフィルタ２３０が重なっており、溝Ｇ２が形成されない。
【００５６】
下部保護膜１８０ｐ及びカラーフィルタ２３０の上には、有機物質または無機物質から形成された上部保護膜１８０ｑが形成されている。上部保護膜１８０ｑは、カラーフィルタ２３０を保護すると同時に下端に形成された層を平坦化させる役割を果たす。
【００５７】
下部保護膜１８０ｐは、カラーフィルタ２３０の顔料が露出された半導体１５４ａ、１５４ｂ部分へ流入するのを防止してもよい。
【００５８】
上部保護膜１８０ｑは、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを露出するコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを有する。コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂは、カラーフィルタ２３０が有する開口部Ｇ１に接続されて重なっている。
【００５９】
上部保護膜１８０ｑの上に複数の画素電極（ｐｉｘｅｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１が形成されている。画素電極１９１はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質から形成してもよい。画素電極１９１はギャップ９１によって互いに分離されている第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含む。第２副画素電極１９１ｂは、データ線１７１に沿って伸びた一対のブランチ（ｂｒａｎｃｈｅ）１９５を含む。ブランチ１９５は、第１副画素電極１９１ａとデータ線１７１ａ、１７１ｂの間に配置し、第１副画素電極１９１ａの下端で接続される。第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを介して、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂと電気的に接続されており、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂからデータ電圧を印加する。
【００６０】
上部保護膜１８０ｑの上に遮光部２２０、画素電極１９１の上にメインスペーサ３６３Ｍが形成されている。遮光部２２０は、画素領域の境界と第１及び第２薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂに対応する部分に形成する。しかし、画素電極１９１とドレイン電極１７５ａ、１７５ｂが接触するコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂには、遮光部２２０でないメインスペーサ３６３Ｍを形成してもよい。
【００６１】
メインスペーサ３６３Ｍはコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂに接触し、上部ディスプレイパネル２００に向かって突出している。メインスペーサ３６３Ｍは上部ディスプレイパネル２００と下部ディスプレイパネル１００の間の間隔を維持する役割を果たす。メインスペーサ３６３Ｍは上部ディスプレイパネル２００と接触してもよい。
【００６２】
遮光部２２０とメインスペーサ３６３Ｍは同時に形成してもよく、着色有機膜のような物質で形成してもよい。
【００６３】
メインスペーサ３６３Ｍの厚さは、液晶層３の間隔に対応するセルギャップの高さより大きくてもよく、メインスペーサ３６３Ｍの厚さがセルギャップの高さより１μｍ以上大きくてもよい。
【００６４】
具体的に、液晶層３の間隔に相当するセルギャップの高さが３．６μｍであり、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂの面積が２２μｍ×２２μｍとする場合、セルギャップの高さを維持するためのメインスペーサ３６３Ｍの厚さは５．０μｍ以上に形成してもよい。
【００６５】
遮光部２２０の高さはメインスペーサ３６３Ｍより低く形成してもよい。
【００６６】
上部保護膜１８０ｑが有するコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂは、下へ行くほど幅が狭くなるスロープであってもよい。そのために、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂの中に形成されたメインスペーサ３６３Ｍの幅は、メインスペーサ３６３Ｍの中央部分に比べて、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂの形状に沿ってメインスペーサ３６３Ｍの下端部に近く行くほど狭くなる。その反面、上部保護膜１８０ｑの上に形成されたメインスペーサ３６３Ｍの幅は、メインスペーサ３６３Ｍの中央部分に比べて、メインスペーサ３６３Ｍの上端部へ行くほど狭くなるように形成してもよい。
【００６７】
本発明の実施形態に係るメインスペーサ３６３Ｍはコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂの中を満たしながら形成されるので、外部から力を受けた場合にその力を分散する面積が広く、スミア（ｓｍｅａｒ）不良を改善してもよい。スミア不良とは、外部の圧力によってスペーサの弾性が損傷することをいう。
【００６８】
次に、上部ディスプレイパネル２００について説明する。
【００６９】
上部ディスプレイパネル２００において透明な絶縁基板２１０の上に共通電極２７０が形成されており、共通電極２７０の上に配向膜（図示せず）が形成されている。
【００７０】
図５は、本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の図１のＡ領域を示す配置図である。図６は、図５のＶＩ−ＶＩ’線に沿って切断した断面図である。
【００７１】
図５及び図６に示した本実施形態は、図３及び図４に示した実施形態と大部分の構成が同一である。しかしながら、図５及び図６に示した本実施形態に係る液晶表示装置は、ゲート線１２１の上に形成された補助スペーサ（ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ  ｓｐａｃｅｒ）３６３Ｓをさらに含む。
【００７２】
補助スペーサ３６３Ｓはメインスペーサ３６３Ｍと共に形成してもよく、メインスペーサ３６３Ｍより上部表示板２００から遠く離れている。しかし、遮光部２２０より上部表示板２００との距離がより近くに形成してもよい。補助スペーサ３６３Ｓは、メインスペーサ３６３Ｍと共にセルギャップの高さを維持する機能がある。
【００７３】
図７は、図１のＢ領域を示す配置図である。図８は、図７のＸ−Ｘ’線とＸ’−Ｘ’’線、及び図３のＹ−Ｙ’線に沿って切断した断面図である。
【００７４】
図７を参照すれば、コンタクト補助部８１は、コンタクトホール１８１を介してゲート線１２１の端部１２９と各々接続される。コンタクト補助部８１は、ゲート線１２１の端部１２９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。データ線１７１の場合も同様である。図示してはいないが、データ線１７１の端部はゲート線１２１の端部１２９と類似の配置（ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ）を有してもよく、コンタクト補助部がデータ線１７１の端部に接続してもよい。
【００７５】
液晶表示装置の表示領域ＤＡは実際のイメージを出力する領域であり、非表示領域ＰＡには遮光部２２１が形成されている。非表示領域ＰＡの遮光部２２１は上部保護膜１８０ｑの上に形成されている。図８において、遮光部２２１は封止剤３１０の内側に形成されているが、封止剤３１０の下端または封止剤３１０の外側部分に形成してもよい。
【００７６】
液晶表示装置の非表示領域ＰＡの左右部分には、蓄積電極線１３１がゲート線１２１と同一層にほぼ行方向に延在されている。蓄積電極線１３１は外郭蓄積電極（ｏｕｔｅｒ  ｓｔｏｒａｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１３８を含む。外郭蓄積電極１３８はほぼ正正方形状または長方形状であってもよい。
【００７７】
液晶表示装置の非表示領域（ＰＡ）の左右部分には、蓄積電極線接続部１７４がデータ線１７１と同一層にほぼ列方向に多数延在している。
【００７８】
透明コネクタ１９２は、蓄積電極線接続部１７４と外郭蓄積電極１３８とを電気的に接続している。透明コネクタ１９２と蓄積電極線接続部１７４の接続部位にはコンタクトホール１８３ｂが形成されており、透明コネクタ１９２と外郭蓄積電極１３８の接続部位にもコンタクトホール１８３ａが形成されている。しかしながら、外郭蓄積電極１３８と蓄積電極線接続部１７４は省略してもよい。
【００７９】
液晶表示装置の非表示領域（ＰＡ）の左右部分には、ゲート線１２１に接続されているゲート駆動部４００が形成されている。また、ゲート駆動部４００は、データ信号線４１０、ゲート信号線４２０を含み、これらは透明コネクタ１９２を介して電気的に接続されている。ゲート駆動部４００のゲート信号線４２０はゲート線１２１と同一層に形成されており、ゲート駆動部４００のデータ信号線４１０はデータ線１７１と同一層に形成されている。この時、透明コネクタ１９２とゲート駆動部４００のデータ信号線４１０の接続部位には第１コンタクトホール１８３ｂが形成されており、透明コネクタ１９２とゲート駆動部４００のゲート信号線４２０の接続部位にも第１コンタクトホール１８３ａが形成されている。しかし、ゲート駆動部４００は下部ディスプレイパネル１００の上に形成されず、別の集積回路チップに形成してもよく、この場合、透明コネクタ１９２とゲート駆動部４００のデータ信号線４１０またはゲート信号線４２０が接触する第１コンタクトホール１８３ａ、１８３ｂは存在しない。
【００８０】
以下、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の非表示領域（ＰＡ）における特徴、及び表示領域（ＤＡ）と関連性のある内容について説明する。
【００８１】
ここで、非表示領域（ＰＡ）に形成された遮光部２２１を第１遮光部２２１、表示領域（ＤＡ）に形成された遮光部２２０を第２遮光部２２０と称して説明する。
【００８２】
第１遮光部２２１は、非表示領域（ＰＡ）の絶縁基板１１０の上で光漏れが起こり得る部分を全て覆ってもよい。第１遮光部２２１は、表示領域（ＤＡ）の第２遮光部２２０及びメインスペーサ３６３Ｍと同時に形成されることができる。また、第１遮光部２２１は、表示領域（ＤＡ）の第２遮光部２２０及びメインスペーサ３６３Ｍと同一物質を用いて形成してもよい。
【００８３】
第１遮光部２２１は着色有機膜を用いて形成してもよく、光学濃度（ｏｐｔｉｃａｌ  ｄｅｎｓｉｔｙ）が４〜５になるように形成する。第１遮光部２２１の光学濃度が４以上である場合にのみ光漏れを実質的に防止してもよい。第１遮光部２２１は、メインスペーサ３６３Ｍより上部ディスプレイパネル２００から遠く離れている。この時、第１遮光部２２１の厚さはメインスペーサ３６３Ｍの厚さより１μｍ以上薄くてもよい。
【００８４】
本発明の実施形態によれば、表示領域（ＤＡ）のメインスペーサ３６３Ｍを画素電極１９１とドレイン電極１７５ａ、１７５ｂが接触するコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂに形成するので、ほぼ３．６μｍ程度の低いセルギャップの高さを維持しつつ５．０μｍ以上のメインスペーサ３６３Ｍを形成してもよい。
【００８５】
コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂなどの有機膜または無機膜が除去された部分にメインスペーサ３６３Ｍを配置して、メインスペーサ３６３Ｍと非表示領域（ＰＡ）に形成される第１遮光部２２１のコーティングの際にそのコーティング厚さを共に大きくすることができるので、第１遮光部２２１の厚さを増加してもよい。
【００８６】
メインスペーサ３６３Ｍを３．６μｍの高さに形成するとしても、非表示領域（ＰＡ）の第１遮光部２２１の高さを４．０μｍ以上に形成することができるので、光学濃度は４以上になる。したがって、本発明の実施形態に係る第１遮光部２２１は光漏れを遮断する。
【００８７】
次に、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法について、図７及び図８を参照して説明する。
【００８８】
画面表示領域ＤＡと非表示領域ＰＡを含む絶縁基板１１０の上に、ゲート電極１２４ｂ、ソース電極１７３ｂ、ドレイン電極１７５ｂ、及び半導体１５４ｂを含む薄膜トランジスタＱｂを形成する。
【００８９】
薄膜トランジスタＱｂの上に窒化シリコンまたは酸化シリコンなどから形成された下部保護膜１８０ｐを形成し、その上に、リソグラフィ工程で開口部Ｇ１と溝Ｇ２を有するカラーフィルタ２３０を形成する。
【００９０】
下部保護膜１８０ｐ及びカラーフィルタ２３０の上に、ドレイン電極１７５ｂを露出するコンタクトホール１８５ｂを有する上部保護膜１８０ｑを形成する。
【００９１】
上部保護膜１８０ｑの上に非表示領域（ＰＡ）の第１遮光部２２１、表示領域（ＤＡ）の第２遮光部２２０、画素電極１９１の上にメインスペーサ３６３Ｍを形成する。メインスペーサ３６３Ｍは、上部ディスプレイパネル２００と下部ディスプレイパネル１００の間の間隔を維持する機能がある。
【００９２】
第１遮光部２２１は、表示領域（ＤＡ）の第２遮光部２２０及びメインスペーサ３６３Ｍと同時に形成してもよい。ここで、半透過マスクを使用して、第１遮光部２２１の厚さをメインスペーサ３６３Ｍの厚さより薄くするための露光段階を行うことができる。
【００９３】
また、メインスペーサ３６３Ｍは、メインスペーサ３６３Ｍの中央部分に比べてメインスペーサ３６３Ｍの上端部及び下端部に近づくほど幅が狭くなるように形成してもよい。
【００９４】
その後、絶縁基板２１０の上に共通電極２７０が形成されている上部ディスプレイパネル２００を、下部ディスプレイパネル１００と結合する。
【００９５】
以上、本発明の望ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるわけではなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
【符号の説明】
【００９６】
３  液晶層
８１  コンタクト補助部
９１  ギャップ
１００  下部ディスプレイパネル
１１０  絶縁基板
１２１  ゲート線
１２４ａ、１２４ｂ  ゲート電極
１２９  ゲート線の端部
１３１、１３５  蓄積電極線
１３８  外郭蓄積電極
１４０  ゲート絶縁膜
１５４ａ、１５４ｂ  半導体
１６３ｂ、１６５ｂ  オーミックコンタクト部
１７１ａ、１７１ｂ  データ線
１７３ａ、１７３ｂ  ソース電極
１７４  蓄積電極線接続部
１７５ａ、１７５ｂ  ドレイン電極
１８０ｐ  下部保護膜
１８０ｑ  上部保護膜
１８３ａ、１８３ｂ、１８５ａ、１８５ｂ  コンタクトホール
１９１  画素電極
１９２  透明コネクタ
２００  上部ディスプレイパネル
２２０、２２１  遮光部
２３０  カラーフィルタ
２７０  共通電極
３００  液晶パネルアセンブリ
３１０  封止剤
３６３Ｍ  メインスペーサ
３６３Ｓ  補助スペーサ
４００  ゲート駆動部
４１０  データ信号線
４２０  ゲート信号線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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