(57)【要約】【課題】使用時に、溶解により断線させるヒューズエレメントを備えた回路基板において、ヒューズエレメントが十分に断線しない可能性がある。【解決手段】上面に凸部を有する基体と、平面視した場合に凸部を挟むように上面に配設された一対の電極と、基体の上面に配設されたヒューズエレメントと、を備えた回路基板とする。ヒューズエレメントは、凸部上に位置する第１の部位と第１の部位を挟むように位置する２つの第２の部位とを有し、２つの第２の部位が一対の電極にそれぞれ電気的に接続される。第１の部位における電流の流れる方向に対して垂直な断面の断面積が、２つの第２の部位における電流の流れる方向に対して垂直な断面の断面積よりも小さい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に凸部を有する基体と、
平面視した場合に前記凸部を挟むように前記上面に配設された一対の電極と、
前記凸部上に位置する第１の部位と該第１の部位を挟むように位置する２つの第２の部位とを有し、前記一対の第２の部位が前記一対の電極にそれぞれ電気的に接続され、前記第１の部位における電流の流れる方向に対して垂直な断面の断面積が、前記２つの第２の部位における電流の流れる方向に対して垂直な断面の断面積よりも小さいヒューズエレメントと、を備えた回路基板。
【請求項２】
前記第２の部位は、少なくとも一部が前記第１の部位の下面よりも低い位置に存在していることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記基体の内部であって、前記基体を平面透視した場合に、前記第１の部位と重なる領域に配設された発熱体を更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記発熱体が、前記電極と直列に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の回路基板。
【請求項５】
前記基体を平面透視した場合に、前記基体が、前記上面と反対側に位置する下面であって前記凸部と重なる領域に凹部を有することを特徴とする請求項３に記載の回路基板。
【請求項６】
前記基体と前記ヒューズエレメントの溶融物との濡れ性が、前記電極と前記ヒューズエレメントの溶融物との濡れ性よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項７】
前記凸部を第１の凸部とした場合に、前記基体が、前記第１の凸部を囲むように位置する第２の凸部を上面に有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項８】
前記第２の凸部は、前記基体の上面に対して垂直な断面において、基端部分における厚みが先端部分における厚みより大きく、内周面が傾斜面であることを特徴とする請求項７に記載の回路基板。
【請求項９】
前記ヒューズエレメントを被覆し、前記基体よりもヤング率が低い被覆部材を更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一つに記載の回路基板と、前記回路基板上に配設された電子部品と、前記電子部品を封止する封止部材と、を備えた電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒューズエレメントを備えた回路基板及びこれを用いた電子装置に関するものである。ヒューズエレメントを備えた回路基板は産業用電子機器及び民生用電気製品に代表される多種多様な電子機器に用いることができる。
【背景技術】
【０００２】
ヒューズエレメントを備えた回路基板としては、例えば、特許文献１に記載された保護素子が知られている。特許文献１に記載された保護素子は、基板上の電極に架かるように接続され、基板との間に部分的に隙間が設けられたヒューズエレメントを備えている。この保護素子では、ヒューズエレメントと電気的に接続された回路に過度の電流が流れた場合、ヒューズエレメントが溶融して基板との間に隙間が設けられた箇所で断線する。これにより、回路に継続的に過度の電流が流れることを防いでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１３５１１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された保護素子のように従来の回路基板では、図１１に示すように、ヒューズエレメント１０９が溶融した場合であっても、基板１０５及び電極１０７の表面に沿うような形状に変形するのみであって、ヒューズエレメント１０９が断線しない可能性がある。
【０００５】
本発明は、従来技術に鑑みてなされたものであり、ヒューズエレメントによる断線を安定して行うことができる回路基板及び電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの態様に基づく回路基板は、上面に凸部を有する基体と、平面視した場合に前記凸部を挟むように前記上面に配設された一対の電極と、前記凸部上に位置する第１の部位と該第１の部位を挟むように位置する２つの第２の部位とを有し、前記２つの第２の部位が前記一対の電極にそれぞれ電気的に接続されたヒューズエレメントと、を備えている。そして、前記第１の部位における電流の流れる方向に対して垂直な断面の断面積が、前記２つの第２の部位における電流の流れる方向に対して垂直な断面の断面積よりも小さい。
【発明の効果】
【０００７】
上記の態様に基づく回路基板は、ヒューズエレメントによる断線を安定して行うことができる。具体的には、基板が上面に凸部を有していることから、ヒューズエレメントが溶融して第１の部位が凸部と接触した場合において、凸部の頂部から基端部に向かって溶融したヒューズが流れる。さらに、第１の部位における電流の流れる方向に対して垂直な断面の断面積が、２つの第２の部位における電流の流れる方向に対して垂直な断面の断面積よりも小さい。そのため、第２の部位よりも第１の部位が断線し易いので、頂部上において安定して第１の部位を断線させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態にかかる回路基板を示す斜視図である。
【図２】図１に示す回路基板の平面図である。
【図３】図１及び２に示す回路基板のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図３に示す回路基板の第１の変形例を示す断面図である。
【図５】図３に示す回路基板の第２の変形例を示す断面図である。
【図６】第２の実施形態にかかる回路基板を示す斜視図である。
【図７】図６に示す回路基板の平面図である。
【図８】図６及び７に示す回路基板のＡ−Ａ断面図である。
【図９】第３の実施形態にかかる回路基板であって、基体の上面に垂直、且つ、ヒューズエレメントにおける電流の流れる方向に平行な断面の断面図である。
【図１０】図６に示す回路基板を備えた電子装置の断面図である。
【図１１】（ａ）は、従来の回路基板であって、ヒューズエレメントが溶融する前の状態を示す断面図である。また、（ｂ）は、ヒューズエレメントが溶融した後の状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態にかかる回路基板及び電子装置について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下で参照する各図は、説明の便宜上、実施形態の構成部材のうち、本発明を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。したがって、本発明に係る回路基板は、本明細書が参照する各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。また、各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。
【００１０】
図１〜３に示すように、第１の実施形態にかかる回路基板１は、上面に凸部３を有する基体５と、平面視した場合に凸部３を挟むように基体５の上面に配設された一対の電極７と、基体５の上面に配設されたヒューズエレメント９と、を備えている。ヒューズエレメント９は、凸部３上に位置する第１の部位９ａと、第１の部位９ａを挟むように位置する２つの第２の部位９ｂと、を有する。ヒューズエレメント９の２つの第２の部位９ｂが一対の電極７にそれぞれ電気的に接続される。基体５が上面に凸部３を有していることから、ヒューズエレメント９が溶融して第１の部位９ａが凸部３と接触した場合において、凸部３の頂部３ａから基端部３ｂに向かって溶融したヒューズエレメント９が流れる。
【００１１】
また、第１の部位９ａにおける電流の流れる方向に対して垂直な断面の断面積が、２つの第２の部位９ｂにおける電流の流れる方向に対して垂直な断面の断面積よりも小さい。そのため、第２の部位９ｂよりも第１の部位９ａが断線し易いので、頂部３ａ上において安定して第１の部位９ａを断線させることができる。
【００１２】
主面上に電極７が配設されることから、基体５としては、少なくとも電極７が配設される部分には高い絶縁性を有していることが求められる。本実施形態にかかる基体５は、複数の絶縁性基板を積層することにより作製される。絶縁性基板としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体及び窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。
【００１３】
なお、基体５としては、複数の絶縁性基板が積層された構成に限られるものではない。一つの絶縁性基板により基体５が構成されていてもよい。また、基体５として、少なくとも電極７が配設される部分に高い絶縁性を有していることが求められることから、例えば、金属基板上に絶縁性基板を積層した構成としてもよい。特に、基体５に対して高い放熱性が求められる場合、基体５が上記の構成であることが好ましい。金属部材は高い放熱性を有している。金属基板上に絶縁性基板を積層した構成とすることで、基体５の放熱性を高めることができる。
【００１４】
本実施形態の基体５は、上面に凸部３を有している。基体５が上面に凸部３を有していることから、上述の通り、凸部３の頂部３ａから基端部３ｂに向かって溶融したヒューズを流れさせることができる。なお、本実施形態にかかる矩形状の凸部３のように、凸部３が基体５の上面に対して平行な上面を備えている場合は、この上面全体を凸部３の頂部３ａとする。
【００１５】
凸部３の形状としては、本実施形態における矩形状のほか、例えば、多角錐形状、円柱形状または半球形状であってもよい。特に、図４に示すように、基体５の上面に対して垂直であるとともにヒューズエレメント９の電流の流れる方向に対して平行な凸部３の断面において、凸部３の頂部３ａが尖った形状であることが好ましい。これにより、凸部３の頂部３ａにおいてヒューズエレメント９を断線させ易くなるからである。
【００１６】
図３に示すように、基体５の上面に対して垂直であるとともにヒューズエレメント９の電流の流れる方向に対して平行な凸部３の断面において、凸部３の側面と基体５の上面の為す角Ｘが、鋭角又は垂直であることが好ましい。これにより、より確実にヒューズエレメント９を断線させることができる。角Ｘが、鈍角である場合、ヒューズエレメント９が溶融した際に、この溶融したヒューズエレメント９が凸部３の側面に沿って流れ易くなる。そのため、凸部３の側面上に延設されて、ヒューズエレメント９が断線しない可能性がある。しかしながら、角Ｘが鋭角又は垂直であることにより、ヒューズエレメント９が溶融した際に、この溶融したヒューズエレメント９が凸部３の側面に沿って流れにくくなる。
【００１７】
平面視した場合におけるヒューズエレメント９の電流の流れる方向に対して垂直な方向にかかる凸部３及びヒューズエレメント９の幅に関して、凸部３の幅Ｌ１が第１の部位９ａの幅Ｌ２よりも大きいことが好ましい。これにより、より確実にヒューズエレメント９を断線させることができる。
【００１８】
第１の部位９ａの幅Ｌ２が凸部３の幅Ｌ１よりも大きい場合、溶融したヒューズエレメント９がヒューズエレメント９の電流の流れる方向に対して垂直な方向の側面から流れる可能性がある。そのため、溶融したヒューズエレメント９が凸部３を迂回するように形成され、ヒューズエレメント９の断線が不十分となる可能性がある。
【００１９】
しかしながら、上記のように凸部３の幅Ｌ１が第１の部位９ａの幅Ｌ２よりも大きい場合には、溶融したヒューズエレメント９がヒューズエレメント９の電流の流れる方向に対して垂直な方向の側面から流れる可能性を低減することができる。そのため、より確実にヒューズエレメント９を断線させることができる。
【００２０】
本実施形態の回路基板１は、基体５を平面視した場合に凸部３を挟むように基体５の上面に配設され、ヒューズエレメント９に電気的に接続された一対の電極７を備えている。これらの電極７を介してヒューズエレメント９に電流が流れる。電極７としては、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀及び金のような金属材料を電極７として用いることができる。上記の金属材料を単一で用いてもよく、また、合金として用いてもよい。
【００２１】
また、電極７が、ヒューズエレメント９を構成する成分の少なくとも一部を含有していることが好ましい。これにより、電極７とヒューズエレメント９との接合性を高めることができる。また、電極７とヒューズエレメント９との接合性が高められることから、電極７とヒューズエレメント９との界面における抵抗値の上昇を抑制することができる。
【００２２】
本実施形態の回路基板１は、基体５の表面上及び基体５内部に回路１１を有している。回路１１は電極７と電気的に接続されている。回路１１に過度の電流が流れた場合、電極７を介して回路１１と電気的に接続されたヒューズエレメント９が、溶融して第１の部位９ａにおいて断線する。ヒューズエレメント９が断線することにより、回路１１に過度の電流が流れることが抑制される。そのため、回路１１を保護することができる。
【００２３】
本実施形態の回路１１は上述の通り、基体５の表面上及び基体５の内部に配設されているが、特にこれに限られるものではない。基体５の表面上のみに配設される構成又は基体５内部のみに配設される構成であってもよい。
【００２４】
回路１１としては、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。特に、電極７と同じ部材を用いることがより好ましい。電極７と回路１１との境界部分の抵抗値が高くなることが抑制され、この境界部分で発熱することが抑制されるからである。また、電極７と回路１１とが別体形成されてもよいが、本実施形態のように電極７及び回路１１が一体形成されていてもよい。
【００２５】
本実施形態の回路基板１は、第１の部位９ａ及び第１の部位９ａを挟むように位置する２つの第２の部位９ｂを有するヒューズエレメント９を備えている。ヒューズエレメント９は、特定の温度以上になると溶断するものである。第１の部位９ａは凸部３上に位置している。また、第２の部位９ｂの一部が電極７上に配設されて、電極７と電気的に接続されている。第１の部位９ａが凸部３上に位置していれば良いことから、本実施形態のヒューズエレメント９のように、第２の部位９ｂが厳密に凸部３を挟むように位置している必要はなく、第２の部位９ｂの一部が凸部３上に位置していてもよい。
【００２６】
本実施形態のヒューズエレメント９は、第１の部位９ａにおける電流の流れる方向に対して垂直な断面の断面積が、２つの第２の部位９ｂにおける電流の流れる方向に対して垂直な断面の断面積よりも小さい。そのため、第１の部位９ａの単位長さ当たりの抵抗値が第２の部位９ｂの単位長さ当たりの抵抗値よりも大きくなる。具体的には、本実施形態のヒューズエレメント９では、平面視した場合において、第１の部位９ａの幅Ｌ３が第２の部位９ｂの幅Ｌ２よりも小さい。
【００２７】
なお、本実施形態のヒューズエレメント９では、第１の部位９ａの幅Ｌ３を第２の部位９ｂの幅Ｌ２よりも小さくすることにより、第１の部位９ａの上記断面積を第２の部位９ｂの上記断面積よりも小さくしているが、これに限られるものではない。例えば、第１の部位９ａの厚みを第２の部位９ｂの厚みよりも小さくすることにより、第１の部位９ａの上記断面積を第２の部位９ｂの上記断面積よりも小さくしてもよい。
【００２８】
第２の部位９ｂは、少なくとも一部が第１の部位９ａの下面よりも低い位置に存在していることが好ましい。このような場合には、溶融した第１の部位９ａが、第２の部位９ｂに向かって流れ易くなる。そのため、頂部３ａ上において、より確実に第１の部位９ａを断線させることができる。
【００２９】
頂部３ａ上において、さらに確実に第１の部位９ａを断線させるため、図３に示すように、第２の部位９ｂにおける上面の少なくとも一部が、第１の部位９ａにおける下面の少なくとも一部よりも低い位置に存在していることがより好ましい。溶融した第１の部位９ａが、第２の部位９ｂに向かってより流れ易くなるからである。
【００３０】
ヒューズエレメント９としては、例えば、インジウム、ビスマス及び錫のような金属材料を用いることができる。なお、上記の金属材料を単一で用いてもよく、また、合金として用いてもよい。例えば、上記の材料を用いることにより、ヒューズエレメント９の溶断
する融点を８０℃以上１８０℃以下に設定することができる。
【００３１】
本実施形態の回路基板１は、基体５を平面透視した場合に、第１の部位９ａと重なる領域に配設された発熱体１３を更に備えている。発熱体１３としては、例えば、タングステン及びモリブデンのような金属部材を用いることができる。発熱体１３としては、例えば、厚みが０．１〜０．５ｍｍであって、平面視した場合の一辺の長さが０．１〜５ｍｍである矩形状のものを用いることができる。
【００３２】
本実施形態にかかる発熱体１３は基体５の内部であって凸部３の下方に埋設されている。発熱体１３は、ヒューズエレメント９に熱を伝達することにより、ヒューズエレメント９を溶断するものである。発熱体１３は、凸部３を介してヒューズエレメント９と離隔している。
【００３３】
本実施形態にかかる発熱体１３は回路１１と電気的に接続されており、回路１１よりも抵抗値が高い。そのため、回路１１に過度の電流が流れる状況のような事態が生じた場合、回路１１を通じて通電された発熱体１３が発熱する。発熱体１３で生じた熱がヒューズエレメント９に伝わり、ヒューズエレメント９の温度が上昇する。ヒューズエレメント９が所定の温度以上となると、ヒューズエレメント９が溶融して断線する。そのため、回路１１に継続的に過度の電流が流れることを抑制することができる。
【００３４】
本実施形態にかかる発熱体１３は電極７と直列に接続されている。ヒューズエレメント９が溶融して断線した場合、発熱体１３への通電が停止する。そのため、発熱体１３において必要以上に熱が発生することを抑制することができる。これにより、回路基板１が高温になることを抑制できるので、安定して使用することができる。
【００３５】
基体５とヒューズエレメント９の溶融物との濡れ性が、電極７とヒューズエレメント９の溶融物との濡れ性よりも小さいことが好ましい。第１の部位９ａにおいてヒューズエレメント９をより確実に断線させることができるからである。
【００３６】
第１の部位９ａが溶融した場合において、凸部３とヒューズエレメント９の溶融物との濡れ性が相対的に小さいことにより、溶融したヒューズエレメント９が電極７に向かって流れ易くなる。言い換えれば、凸部３の頂部３ａから基端部３ｂに向かってヒューズエレメント９が流れ易くなるので、第１の部位９ａにおいてヒューズエレメント９をより確実に断線させることができる。
【００３７】
図５に示すように、基体５を平面透視した場合に、基体５が、上面と反対側に位置する下面であって凸部３と重なる領域に凹部１５を有していることが好ましい。このような凹部１５を有していることにより、発熱体１３で生じた熱が下面側へ発散することを抑制することができる。そのため、この熱を上面側へ効率良く伝達することができるので、より確実にヒューズエレメント９を溶断することができる。
【００３８】
また、発熱体１３で生じた熱を基体５の上面側へと、より効率良く伝達するためには、基体５を平面透視した場合に、凹部１５が第１の部位９ａ及び発熱体１３とも重なる領域に形成されていることが好ましい。
【００３９】
図５に示すように、ヒューズエレメント９を被覆する被覆部材１７を備えていてもよい。このような被覆部材１７を備えていることにより、回路１１部品を長期間使用した場合においてもヒューズエレメント９が劣化することを抑制することができる。被覆部材１７としては、熱伝導性の良好な部材を用いることが好ましい。熱伝導性の良好な部材を用いることにより、発熱体１３で生じた熱をヒューズエレメント９に伝え易くすることができ
る。そのため、発熱体１３とヒューズエレメント９との間の温度差を小さくすることができる。被覆部材１７として、例えば、松脂をテレピン油に溶かしてペースト状にしたもの、又は、塩化亜鉛を用いることができる。
【００４０】
被覆部材１７としては、基体５よりもヤング率が低いことが好ましい。溶融するによってヒューズエレメント９は膨張する。被覆部材１７によりヒューズエレメント９が被覆されている場合、上記したヒューズエレメント９の膨張によって基体５に応力が加わる。しかしながら、被覆部材１７のヤング率が基体５のヤング率よりも小さい場合、被覆部材１７が相対的に変形し易くなる。そのため、基体５に加わる応力を緩和させることが可能となる。
【００４１】
ヤング率の測定方法としては、例えば、ナノインデンテーション法を用いることができる。測定装置としては、例えば、ナノインスツルメント社製の「ナノインデンターII」を用いることができる。基体５及び被覆部材１７に対して、上記の測定装置を用いてヤング率を測定すればよい。
【００４２】
次に、第２の実施形態にかかる回路基板１について図面を用いて詳細に説明する。なお、本実施形態にかかる各構成において、第１の実施形態と同様の機能を有する構成については、同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
【００４３】
図６〜８に示すように、第２の実施形態にかかる回路基板１は、第１の実施形態にかかる回路基板１における凸部３を第１の凸部３とした場合に、基体５が、第１の凸部３に加えて、第１の凸部３を囲むように位置する第２の凸部１９を上面に有している。このように、第１の実施形態と比較して第２の凸部１９を有していることから、溶融したヒューズエレメント９が想定外の場所に流れることを抑制することができる。溶融したヒューズエレメント９の流れる場所を第２の凸部１９で囲まれた領域内に留め易いので、例えば、基体５の上面に回路１１の一部が形成されている場合に、この回路１１における電気的な短絡が生じる可能性を抑制できる。
【００４４】
本実施形態においては、第２の凸部１９が基体５の周縁部分に形成されているが、これに限られるものではない。第２の凸部１９は、平面視した場合に、第１の凸部３を囲むように位置していればよい。
【００４５】
図８に示すように、ヒューズエレメント９の上面が、第２の凸部１９の頂部よりも低い位置にあることが好ましい。これにより、溶融したヒューズエレメント９が第２の凸部１９を超えて外方に流れ出る可能性を小さくできるからである。
【００４６】
次に、第３の実施形態にかかる回路基板１について図面を用いて詳細に説明する。なお、本実施形態にかかる各構成において、第１の実施形態と同様の機能を有する構成については、同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
【００４７】
図９に示すように、第３の実施形態にかかる回路基板１では、第２の実施形態にかかる回路基板１と比較して第２の凸部１９が下記の構成を有している。具体的には、電極７が、基体５の上面に加えて、第２の凸部１９の内周面にも形成されている。このように、第２の凸部１９における内周面にも電極７が形成されていることにより、ヒューズエレメント９を溶断させることが更に容易となる。溶融したヒューズエレメント９は、ヒューズエレメント９との濡れ性が比較的高い電極７に向かって流れ易い。上記のように電極７が形成されている場合には、第１の凸部３から第２の凸部１９に向かってヒューズエレメント９が流れ易くなる。そのため、第１の部位９ａにおいてヒューズエレメント９が溶断し易くなる。
【００４８】
本実施形態における第２の凸部１９は、基体５の上面に対して垂直な断面において、基端部分における厚みＤ１が先端部分における厚みＤ２より大きく、内周面が傾斜面である構成を有している。第２の凸部１９が上記の構成であることにより、第２の凸部１９の内周面に形成された電極７に向かって、溶融したヒューズエレメント９がより一層流れ易くなる。結果として、第１の部位９ａにおいてヒューズエレメント９がさらに溶断し易くなる。
【００４９】
次に、上記実施形態にかかる回路基板の製造方法について説明する。
【００５０】
先ず、基体５を構成する第１基板５ａ、第２基板５ｂ及び第３基板５ｃを準備する。基体５を構成する各基板が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム及び酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤、および溶剤等を添加混合して得た混合物よりグリーンシートを成型する。
【００５１】
また、タングステン又はモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤又は溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、グリーンシートの状態の第１基板５ａの上面に対して、金属ペーストを塗って回路１１の一部をパターニングする。
【００５２】
そして、第１基板５ａと同様に、第２基板５ｂとなるグリーンシートを成形する。また、第２基板５ｂの上面及び下面のそれぞれに、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って回路１１の一部を形成する。
【００５３】
このとき、グリーンシートの状態の第１基板５ａ及び第２の基板に貫通孔を形成することにより、第１の実施形態における第２の変形例に示す凹部１５を形成することができる。なお、第２の変形例に示す凹部１５を形成するためには、第１基板５ａ及び第２の基板に形成される貫通孔は、基体５を平面透視した場合に凸部３と重なる領域に形成される必要がある。
【００５４】
そして、第１基板５ａ及び第２基板５ｂと同様に、第３基板５ｃとなるグリーンシートを成形する。また、第３基板５ｃの上面及び下面のそれぞれに、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って回路１１の一部及び発熱体１３を形成する。
【００５５】
次に、グリーンシートの状態の第３基板５ｃの上面に凸部３を形成する。凸部３としては、第３基板５ｃと同様のグリーンシートを用いることにより形成できる。グリーンシートの状態の第３基板５ｃの上面に、グリーンシートの状態の凸部３を配設する。なお、第２の実施形態にかかる回路基板１に示すように、第１の凸部３及び第２の凸部１９を有する場合には、グリーンシートの状態の第３基板５ｃの上面に、グリーンシートの状態の第１の凸部３及びグリーンシートの状態の第２の凸部１９を配設すればよい。
【００５６】
次に、第１基板５ａ〜第３基板５ｃ及び凸部３を積層し、約１６００度の温度で一体焼成する。さらに、一体後の基体５における回路１１及び電極７の表面に所要のめっきを行う。ここでは、回路１１部品についての個片製品の製法を述べたが、多数個取のシート形状による製造が量産性、コスト面からは好ましい。
【００５７】
次に、電極７及び凸部３の所定箇所にヒューズエレメント９を実装する。まず、電流の流れる方向に対して垂直な断面の断面積が相対的に小さい第１の部位９ａと、電流の流れる方向に対して垂直な断面の断面積が相対的に大きい第２の部位９ｂと、を有するヒューズエレメント９を準備する。そして、第１の部位９ａが凸部３上に位置するようにして、
第２の部位９ｂと電極７とを電気的に接続する。このようにして、上記実施形態にかかる回路基板１を作製することができる。
【００５８】
次に、一実施形態にかかる電子装置について説明する。
【００５９】
図１０に示すように、本実施形態の電子装置２１は、上記の実施形態に代表される回路基板１と、回路基板１上に配設された電子部品２３と、電子部品２３を封止する封止部材２５と、を備えている。上記の実施形態に代表される回路基板１を備えていることから、回路１１に過度の電流が流れた場合においても、ヒューズエレメント９において安定して断線させることができるので、電子部品２３が損傷する可能性を小さくできる。
【００６０】
なお、本実施形態の電子装置２１は、上記第２の実施形態として示した回路基板１を用いているが、これに限られるものではない。例えば、第１の実施形態、又は第３の実施形態として示した回路基板１を用いてもよい。
【００６１】
本実施形態にかかる電子部品２３は回路基板１の上面に配設されている。電子部品２３は回路１１及び電極７と電気的に接続され、この電極７を介してヒューズエレメント９と直列回路により電気的に接続されている。電子部品２３が上記の通りヒューズエレメント９に対して電気的に接続されていることから、ヒューズエレメント９の断線によって電子部品２３に過度の電流が流れることを抑制することができる。電子部品２３としては、例えば、コンデンサ、半導体素子及び集積回路１１を用いることができる。
【００６２】
封止部材２５としては、例えば、エポキシ樹脂若しくはシリコーン樹脂のような樹脂、松脂をテレピン油に溶かしてペースト状にしたもの、又は、塩化亜鉛を用いることができる。これらの部材により電子部品２３を被覆することで電子部品２３を封止することができる。また、上記に代表される部材を用いて封止部材２５により電子部品２３を被覆してもよいが、例えば、絶縁性の枠体及び蓋体を用いて電子部品２３を封止してもよい。
【００６３】
以上、本発明の各実施形態にかかる回路基板１及び電子装置２１について説明してきたが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更や実施の形態の組み合わせを施すことは何等差し支えない。
【符号の説明】
【００６４】
１・・・回路基板
３・・・凸部（第１の凸部）
３ａ・・・頂部
３ｂ・・・基端部
５，１０５・・・基体
５ａ・・・第１基板
５ｂ・・・第２基板
５ｃ・・・第３基板
７，１０７・・・電極
９，１０９・・・ヒューズエレメント
９ａ・・・第１の部位
９ｂ・・・第２の部位
１１・・・回路
１３・・・発熱体
１５・・・凹部
１７・・・被覆部材
１９・・・第２の凸部
２１・・・電子装置
２３・・・電子部品
２５・・・封止部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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