(57)【要約】【課題】光デバイスウエーハ等を構成する基板としてのサファイア基板や炭化珪素基板等の硬質基板を効率よく切断することができる硬質基板の切削方法および切削装置を提供する。【解決手段】チャックテーブルに保持された硬質基板を、切削ブレードを回転しつつチャックテーブルを該切削ブレードに対して相対的に切削送り方向に切削送りすることにより切削する硬質基板の切削方法であって、切削ブレードによる切削領域にハロゲン化ガスを噴射しつつ切削する。【選択図】図５
2011249393.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャックテーブルに保持された硬質基板を、切削ブレードを回転しつつ該チャックテーブルを該切削ブレードに対して相対的に切削送り方向に切削送りすることにより切削する硬質基板の切削方法であって、
該切削ブレードによる切削領域にハロゲン化ガスを噴射しつつ切削する、
ことを特徴とする硬質基板の切削方法。
【請求項２】
該ハロゲン化ガスは、切削水に混入して噴射する、請求項１記載の硬質基板の切削方法。
【請求項３】
被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削ブレードを備えた切削手段と、該チャックテーブルを該切削手段に対して相対的に切削送り方向に切削送りする切削送り手段と、を具備する切削装置において、
該切削ブレードによる切削領域にハロゲン化ガスを噴射する噴射ノズルを備えたハロゲン化ガス噴射手段を具備している、
ことを特徴とする切削装置。
【請求項４】
該噴射ノズルに切削水を供給する切削水供給手段を具備している、請求項３記載の切削装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイスウエーハの基板となるサファイア基板や炭化珪素基板等の硬質基板の切削方法および切削装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光デバイス製造工程においては、略円板形状であるサファイア基板や炭化珪素基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体からなる光デバイス層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスを形成して光デバイスウエーハを構成する。そして、光デバイスウエーハをストリートに沿って切断することにより光デバイスが形成された領域を分割して個々の光デバイスを製造している。
【０００３】
上述した光デバイスウエーハをストリートに沿って分割する分割方法として、光デバイスウエーハを構成するサファイア基板や炭化珪素基板に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線をストリートに沿って照射し、アブレーション加工することによりストリートに沿って破断の起点となるレーザー加工溝を形成し、この破断の起点となるレーザー加工溝が形成されたストリートに沿って外力を付与することにより、光デバイスウエーハをストリートに沿って割断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
【０００４】
しかるに、光デバイスウエーハを構成するサファイア基板や炭化珪素基板の表面に形成されたストリートに沿ってサファイア基板や炭化珪素基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工することによりレーザー加工溝を形成すると、発光ダイオードやレーザーダイオード等の光デバイスの側壁面にレーザー加工時に生成される変質物質が付着して光デバイスの輝度が低下し、光デバイスの品質が低下するという問題がある。
【０００５】
また、上述した光デバイスウエーハのストリートに沿った切断は、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている。（例えば、特許文献２参照。）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特開２００６−１８７８３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
而して、上述した切削装置の切削ブレードによって光デバイスウエーハを切断すると、レーザー加工のように光デバイスの側壁面に変質物質が生成されることがなく、光デバイスの輝度が低下するという問題は解消できるが、光デバイスウエーハを構成するサファイア基板や炭化珪素基板等の硬質基板はモース硬度が高いため、切削ブレードによる切削は必ずしも容易ではない。即ち、サファイア基板や炭化珪素基板等の硬質基板はモース硬度が高く切削負荷が大きいので、切削ブレードの切り込み量は１０〜１５μm程度で実施されている。従って、サファイア基板や炭化珪素基板等の硬質基板を切断または破断起点となる所定深さの切削溝を形成するためには切削工程を複数回実施しなければならず、生産性が悪いという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、光デバイスウエーハ等を構成する基板として用いられるサファイア基板や炭化珪素基板等の硬質基板を効率よく切削することができる硬質基板の切削方法および切削装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、チャックテーブルに保持された硬質基板を、切削ブレードを回転しつつ該チャックテーブルを該切削ブレードに対して相対的に切削送り方向に切削送りすることにより切削する硬質基板の切削方法であって、
該切削ブレードによる切削領域にハロゲン化ガスを噴射しつつ切削する、
ことを特徴とする硬質基板の切削方法が提供される。
【００１０】
上記ハロゲン化ガスは、切削水に混入して噴射する。
【００１１】
また、本発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削ブレードを備えた切削手段と、該チャックテーブルを該切削手段に対して相対的に切削送り方向に切削送りする切削送り手段と、を具備する切削装置において、
該切削ブレードによる切削領域にハロゲン化ガスを噴射する噴射ノズルを備えたハロゲン化ガス噴射手段を具備している、
ことを特徴とする切削装置が提供される。
【００１２】
上記噴射ノズルに切削水を供給する切削水供給手段を具備している。
【発明の効果】
【００１３】
本発明による硬質基板の切削方法は、切削ブレードによる切削領域にハロゲン化ガスを噴射しつつ切削するので、切削領域においては高速回転する切削ブレードで硬質基板としてのサファイア基板(Al2O3)や炭化珪素基板(SiC)を切削する際に発生する高熱によってハロゲン化ガスが熱的に原子、分子に分解され、サファイア基板(Al2O3)を構成する(Al)、または炭化珪素基板(SiC)を構成する(Si)がフッ素ガスと反応してエッチングされるため、切削ブレードによる切削能力が増大する。従って、切削ブレードの切り込み量を大きくすることが可能となり、生産性を向上することができる。
【００１４】
また、本発明による切削装置は、切削ブレードによる切削領域にハロゲン化ガスを噴射する噴射ノズルを備えたハロゲン化ガス噴射手段を具備しているので、切削ブレードによる切削時にハロゲン化ガス噴射手段を作動してハロゲン化ガスを噴射することにより、上述したように切削領域においては高速回転する切削ブレードで被加工物である硬質基板としてのサファイア基板(Al2O3)や炭化珪素基板(SiC)を切削する際に発生する高熱によってハロゲン化ガスが熱的に原子、分子に分解され、サファイア基板(Al2O3)を構成する(Al)、または炭化珪素基板(SiC)を構成する(Si) がフッ素ガスと反応してエッチングされるため、切削ブレードによる切削能力が増大する。従って、切削ブレードの切り込み量を大きくすることが可能となり、生産性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に従って構成された切削装置の斜視図。
【図２】図１に示す切削装置を構成する切削手段の要部斜視図。
【図３】図２に示す切削手段の構成部材を分解して示す斜視図。
【図４】図２に示す切削手段を構成する第１のカバー部材と第２のカバー部材に配設され切削水とハロゲン化ガスとからなる混合流体を噴射する混合流体噴射手段の要部を破断して示す側面図。
【図５】図２に示す切削手段を構成する第２のカバー部材に配設され切削水とハロゲン化ガスとからなる混合流体を噴射する混合流体噴射手段を示す要部を破断して示す説明図。
【図６】図１に示す切削装置によって実施する切削工程の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明による硬質基板の切削方法および切削装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１７】
図１には、本発明に従って構成された切削装置の斜視図が示されている。図１に示す切削装置１は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。この装置ハウジング２内には、被加工物を保持するチャックテーブル３が切削送り方向である矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設されている。このチャックテーブル３は、チャックテーブル本体３１と、該チャックテーブル本体３１の上面に配設された吸着チャック３２を具備しており、該吸着チャック３２の上面である保持面上に被加工物を載置し、図示しない吸引手段を作動することによって吸着チャック３２上に被加工物を吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル３は、図示しない回転機構によって回転可能に構成されている。なお、チャックテーブル３を構成するチャックテーブル本体３１には、後述する被加工物としての光デバイスウエーハをダイシングテープを介して支持する環状のフレームを固定するためのクランプ３３が配設されている。このように構成されたチャックテーブル３は、図示しない切削送り手段によって、矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１８】
図１に示す切削装置１は、上記チャックテーブル３に保持された被加工物を切削するための切削手段としてのスピンドルユニット４を具備している。スピンドルユニット４は、図示しない割り出し送り手段によって上記矢印Ｘで示す切削送り方向と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない切り込み送り手段によって上記チャックテーブル３の保持面に対して垂直な矢印Ｚで示す切り込み送り方向に移動せしめられるようになっている。このスピンドルユニット４は、図示しない移動基台に装着され割り出し方向である矢印Ｙで示す方向および切り込み方向である矢印Ｚで示す方向に移動調整されるスピンドルハウジング４１と、該スピンドルハウジング４１に回転自在に支持された回転スピンドル４２と、該回転スピンドル４２の前端部に装着された切削ブレード４３とを具備している。切削ブレード４３は、例えば図２および図３に示すようにアルミニウムによって形成された円盤状の基台４３１と、該基台４３１の外周部側面にダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めて厚さが１５〜３０μmに形成された環状の切れ刃４３２からなっている。
【００１９】
図２および図３を参照して説明を続けると、上記スピンドルハウジング４１の前端部には、切削ブレード４３の上半部を覆うブレードカバー４４が取り付けられている。このブレードカバー４４は、図示の実施形態においてはスピンドルハウジング４１に装着された第１のカバー部材４４１と、該第１のカバー部材４４１に装着される第２のカバー部材４４２とからなっている。第１のカバー部材４４１の側面には、図３に示すように雌ネジ穴４４１aと２個の位置決めピン４４１bが設けられており、第２のカバー部材４４２には上記雌ネジ穴４４１aと対応する位置に挿通穴４４２aが設けられている。また、第２のカバー部材４４２における第１のカバー部材４４１と対向する面には、上記２個の位置決めピン４４１bが嵌合する図示しない２個の凹部が形成されている。このように構成された第１のカバー部材４４１と第２のカバー部材４４２は、第２のカバー部材４４２に形成された図示しない２個の凹部を第１のカバー部材４４１に設けられた２個の位置決めピン４４１bに嵌合することによって位置決めする。そして、締結ボルト４４３を第２のカバー部材４４２の挿通穴４４２aに挿通し、第１のカバー部材４４１に設けられた雌ネジ穴４４１aと螺合することにより、第２のカバー部材４４２を第１のカバー部材４４１に装着する。
【００２０】
上記ブレードカバー４４を構成する第１のカバー部材４４１と第２のカバー部材４４２には、それぞれ図4および図５に示すように切削ブレード４３およびチャックテーブル３に保持された被加工物１０における切削領域に切削水とハロゲン化ガスの混合流体を噴射する混合流体噴射手段５が設けられている。
【００２１】
混合流体噴射手段５について、主に図５を参照して説明する。なお、混合流体噴射手段５はブレードカバー４４を構成する第１のカバー部材４４１と第２のカバー部材４４２にそれぞれ配設されているが、図５においては第２のカバー部材４４２に配設された混合流体噴射手段５が示されている。第１のカバー部材４４１に配設された混合流体噴射手段５は、図５に示す第２のカバー部材４４２に配設された混合流体噴射手段５と実質的に同様の構成であり、切削ブレード４３に対して面対称に構成されている。
【００２２】
上記混合流体噴射手段５は、図５に示すように切削水供給通路５１と、ハロゲン化ガス供給通路５２と、切削水供給通路５１に供給された切削水とハロゲン化ガス供給通路５２に供給されたハロゲン化ガスを混合する混合室の５３と、該混合室５３において切削水とハロゲン化ガスとが混合された混合流体を流出する混合流体供給通路５４と、該混合流体供給通路５４と連通し切削水とハロゲン化ガスとの混合流体を切削ブレード４３およびチャックテーブル３に保持された被加工物１０における切削領域に噴射する噴射ノズル５５とを具備している。この混合流体噴射手段５を構成する切削水供給通路５１は切削水供給手段５６に接続され、ハロゲン化ガス供給通路５２はハロゲン化ガス供給手段５７に接続されている。
【００２３】
上記切削水供給通路５１は、切削水入り口５１aが上記切削水供給手段５６に接続され、切削水出口５１bが上記混合室５３の天井壁５３aに開口されている。上記ハロゲン化ガス供給通路５２は、ハロゲン化ガス入り口５２aが上記ハロゲン化ガス供給手段５７に接続され、ハロゲン化ガス出口５２bが混合室５３の天井壁５３aに開口されている。なお、切削水供給通路５１の切削水出口５１bは直径が０．１５〜０．２５mmに形成され、ハロゲン化ガス出口５２bは直径が０．７〜０．９mmに形成されている。上記混合流体供給通路５４は、混合流体入り口５４aがハロゲン化ガス供給通路５２のハロゲン化ガス出口５２bと対向して設けられ上記混合室５３の底壁５３bに開口しており、混合流体出口５４bが上記噴射ノズル５５の連通路５５１と連通している。なお、上記混合室５３の底壁５３bは、切削水入り口５１aから混合室５３に流入された切削水を混合流体供給通路５４の混合流体入り口５４aに導く湾局面に形成されている。
【００２４】
上記噴射ノズル５５は、図５に示すように上記混合流体供給通路５４の混合流体出口５４bと連通する連通路５５１と、図４に示すように連通路５５１と連通するとともに斜め下方に向けて開口する複数のスリット噴出口５５２を備えている。このように噴射ノズル５５に設けられた複数のスリット噴出口５５２は、切削水とハロゲン化ガスとの混合流体を切削ブレード４３およびチャックテーブル３に保持された被加工物１０の切削ブレード４３による切削領域に噴射する。
【００２５】
図５を参照して説明を続けると、上記切削水供給手段５６は、切削水供給源５６１と、該切削水供給源５６１と上記切削水供給通路５１の切削水入り口５１aとを接続する切削水供給管５６２と、該切削水供給管５６２に配設された電磁開閉弁５６３とからなっている。なお、切削水供給源５６１に収容される切削水としては、純水を用いることができる。このように構成された切削水供給手段５６は、電磁開閉弁５６３が除勢(OFF)されて閉路している状態では切削水供給源５６１と上記切削水供給通路５１との連通が遮断されており、電磁開閉弁５６３が附勢(ON)されて開路すると切削水供給源５６１と上記切削水供給通路５１とが切削水供給管５６２を介して連通せしめられる。このように構成された切削水供給手段５６は、０．２〜０．３Mpの圧力の切削水を上記切削水供給通路５１に供給する。
【００２６】
次に、上記ハロゲン化ガス供給手段５７について、図５を参照して説明する。
図示の実施形態におけるハロゲン化ガス供給手段５７は、ハロゲン化ガス供給源５７１と、該ハロゲン化ガス供給源５７１と上記ハロゲン化ガス供給通路５２のハロゲン化ガス入り口５２aとを接続するハロゲン化ガス供給管５７２と、該ハロゲン化ガス供給管５７２に配設された電磁開閉弁５７３とからなっている。なお、ハロゲン化ガス供給源５７１に収容されるハロゲン化ガスとしては、CF4、C2F6、C３F6、C３F8、C4F6、C4F8、C5F8、CHF3、CH2F2、CH2F5、ＳＦ6等を用いることができる。このように構成されたハロゲン化ガス供給手段５７は、電磁開閉弁５７３が除勢(OFF)されて閉路している状態ではハロゲン化ガス供給源５７１とハロゲン化ガス供給通路５２との連通が遮断されており、電磁開閉弁５７３が附勢(ON)されて開路するとハロゲン化ガス供給源５７１と上記ハロゲン化ガス供給通路５２とがハロゲン化ガス供給管５７２を介して連通せしめられる。このように構成されたハロゲン化ガス供給手段５７は、０．２〜０．３Mpの圧力のハロゲン化ガスを上記ハロゲン化ガス供給通路５２に供給する。
【００２７】
以上のように構成された混合流体噴射手段５は、上記切削水供給手段５６の電磁開閉弁５６３が附勢(ON)され開路すると、切削水が切削水供給通路５１を通して混合室５３に流入せしめられる。この混合室５３に流入された切削水は、混合室５３の底壁５３bを形成する湾局面に沿って混合流体供給通路５４の混合流体入り口５４aに導かれる。一方、上記ハロゲン化ガス供給手段５７の電磁開閉弁５７３が附勢(ON)され開路すると、ハロゲン化ガスがハロゲン化ガス供給通路５２を通して混合室５３の底壁５３bに開口する混合流体供給通路５４の混合流体入り口５４aに向けて流入せしめられる。この結果、切削水供給通路５１から混合室５３に流入され混合室５３の底壁５３bを形成する湾局面に沿って混合流体供給通路５４の混合流体入り口５４aに導かれた切削水は、ハロゲン化ガス供給通路５２から混合室５３の底壁５３bに開口する混合流体供給通路５４の混合流体入り口５４aに向けて流入せしめられたハロゲン化ガスによって混合されつつ混合流体供給通路５４に円滑に導入される。
【００２８】
図１に戻って説明を続けると、図示の実施形態における切削装置１は、上記チャックテーブル３上に保持された被加工物の表面を撮像し、上記切削ブレード４３によって切削すべき領域を検出するための撮像手段６を具備している。この撮像手段６は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっている。また、切削装置１は、撮像手段６によって撮像された画像を表示する表示手段７を具備している。
【００２９】
上記装置ハウジング２におけるカセット載置領域８aには、被加工物を収容するカセットを載置するカセット載置テーブル８が配設されている。このカセット載置テーブル８は、図示しない昇降手段によって上下方向に移動可能に構成されている。カセット載置テーブル８上には、被加工物としての光デバイスウエーハ１０を収容するカセット９が載置される。カセット９に収容される光デバイスウエーハ１０は、硬質基板であるサファイア基板または炭化珪素基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体からなる光デバイス層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスが形成されている。このように形成された光デバイスウエーハ１０は、環状の支持フレームFに装着されたダイシングテープTの表面に裏面が貼着された状態でカセット９に収容される。
【００３０】
図１を参照して説明を続けると、図示の実施形態における切削装置１は、カセット載置テーブル８上に載置されたカセット９に収容されている光デバイスウエーハ１０（環状のフレームFにダイシングテープTを介して支持されている状態）を仮置きテーブル１１に搬出する搬出・搬入手段１２と、仮置きテーブル１１に搬出された光デバイスウエーハ１０を上記チャックテーブル３上に搬送する第１の搬送手段１３と、チャックテーブル３上で切削加工された光デバイスウエーハ１０を洗浄する洗浄手段１４と、チャックテーブル３上で切削加工された光デバイスウエーハ１０を洗浄手段１４へ搬送する第２の搬送手段１５を具備している。
【００３１】
図示の実施形態における切削装置１は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
カセット載置テーブル８上に載置されたカセット９の所定位置に収容されている光デバイスウエーハ１０（環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着されている状態）は、図示しない昇降手段によってカセット載置テーブル８が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、搬出・搬入手段１２が進退作動して搬出位置に位置付けられた光デバイスウエーハ１０を仮置きテーブル１１上に搬出する。このようにして仮置きテーブル１１に搬出された光デバイスウエーハ１０は、第１の搬送手段１３の旋回動作によって図１に示す被加工物搬入位置に位置付けられているチャックテーブル３上に搬送される。
【００３２】
チャックテーブル３上に光デバイスウエーハ１０が載置されたならば、図示しない吸引手段が作動して光デバイスウエーハ１０をダイシングテープTを介してチャックテーブル３上に吸引保持する。また、光デバイスウエーハ１０をダイシングテープTを介して支持する環状のフレームFは、上記クランプ３３によって固定される。このようにして光デバイスウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３は、図示しない切削送り手段を作動することによって撮像手段６の直下に移動される。チャックテーブル３が撮像手段６の直下に位置付けられると、撮像手段６および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ１０の切削すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段６および図示しない制御手段は、光デバイスウエーハ１０に形成されているストリートを検出し、スピンドルユニット４を割り出し方向である矢印Ｙ方向に移動調節してストリートと切削ブレード４３との精密位置合わせ作業を実施する。
【００３３】
以上のようにしてチャックテーブル３上に保持された光デバイスウエーハ１０に形成されているストリートを検出し、切削領域のアライメントが行われたならば、チャックテーブル３を切削ブレード４３の下方である切削加工領域に移動し、光デバイスウエーハ１０を保持したチャックテーブル３を切削領域の切削開始位置に移動する。このとき、図６の(a)に示すように光デバイスウエーハ１０に形成されたストリートの一端（図６の(a)において左端）が切削ブレード４３の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。そして、切削ブレード４３を図６の(a)において矢印４３aで示す方向に所定の回転速度で回転し、２点鎖線で示す待機位置から図示しない切り込み送り手段によって図６の(a)において実線で示すように下方に所定量切り込み送りする。この切り込み送り位置は、切削ブレード４３の外周縁の下端が光デバイスウエーハ１０の上面から２０〜３０μmの位置に設定されている。
【００３４】
上述したように切削ブレード４３の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード４３を図６の(a)において矢印４３aで示す方向に所定の回転速度（例えば２００００rpm）で回転しつつ、チャックテーブル３を図６の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度（例えば５０ｍｍ／秒）で移動せしめる。そして、図６の(b)に示すようにチャックテーブル３に保持された光デバイスウエーハ１０の右端が切削ブレード４３の直下を通過したらチャックテーブル３の移動を停止する。そして、切削ブレード４３を上昇させ２点鎖線で示す退避位置に位置付ける。この結果、チャックテーブル３上に保持された光デバイスウエーハ１０には、切削ブレード４３により所定のストリートに沿って上面から深さが２０〜３０μmの破断起点となる切削溝が形成される（切削工程）。
【００３５】
この切削工程を実施する際には、混合流体噴射手段５を構成する切削水供給手段５６の電磁開閉弁５６３が附勢(ON)されるとともに、ハロゲン化ガス供給手段５７の電磁開閉弁５７３が附勢(ON)される。この切削水供給手段５６の電磁開閉弁５６３とハロゲン化ガス供給手段５７の電磁開閉弁５７３が附勢(ON)されると、上述したように切削水が切削水供給通路５１を通して混合室５３に流入するとともに、ハロゲン化ガスがハロゲン化ガス供給通路５２を通して混合室５３の底壁５３bに開口する混合流体供給通路５４の混合流体入り口５４aに向けて流入せしめられる。この結果、切削水供給通路５１から混合室５３に流入され混合室５３の底壁５３bを形成する湾局面に沿って混合流体供給通路５４の混合流体入り口５４aに導かれた切削水は、ハロゲン化ガス供給通路５２から混合室５３の底壁５３bに開口する混合流体供給通路５４の混合流体入り口５４aに向けて流入せしめられたハロゲン化ガスによって混合されつつ混合流体供給通路５４に導入される。このようにして混合流体供給通路５４に流入せしめられた切削水とハロゲン化ガスとからなる混合流体は、図６の(c)に示すように噴射ノズル５５の連通路５５１を通してスリット噴出口５５２からチャックテーブル３に保持された光デバイスウエーハ１０における切削ブレード４３による切削領域に噴射される。この結果、切削ブレード４３による切削領域においては、高速回転する切削ブレード４３により光デバイスウエーハ１０を切削する際に発生する高熱によって混合流体に混入されているハロゲン化ガスが熱的に原子、分子に分解され、サファイア基板(Al2O3)を構成する(Al)、または炭化珪素基板(SiC)を構成する (Si)がフッ素ガスと反応してエッチングされるため、切削ブレード４３による切削能力が増大する。従って、切削ブレード４３の切り込み量を大きくすることができるので、厚みが１００μmの光デバイスウエーハ１０の場合には破断起点となる所定深さの切削溝を形成することができるとともに、厚みが数十μmの光デバイスウエーハ１０の場合には１回の切削工程で切断することが可能となり、生産性を向上することができる。
【００３６】
上述したように光デバイスウエーハ１０に形成された所定のストリートに沿って上記切削工程をしたならば、チャックテーブル３を図１において矢印Ｙで示す方向にストリートの間隔だけ割り出し送りし、上述した切削工程を実施する。このようにして、光デバイスウエーハ１０の所定方向に形成された全てのストリートに沿って上記切削工程を実施したならば、チャックテーブル３を９０度回転させて、光デバイスウエーハ１０の所定方向と直交する方向に形成されたストリートに沿って上記切削工程を実行する。この結果、光デバイスウエーハ１０には格子状に形成された全てのストリートに沿って破断起点となる切削溝が形成され、また、デバイスウエーハ１０の厚みが数十μm場合には光デバイスウエーハ１０は格子状に形成された全てのストリートに沿って切断される。
【００３７】
以上のようにして、光デバイスウエーハ１０に形成された全てのストリートに沿って上記切削工程が終了したら、光デバイスウエーハ１０を保持しているチャックテーブル３は最初に光デバイスウエーハ１０を吸引保持した被加工物搬入位置に戻される。そして、チャックテーブル３の吸引保持されている光デバイスウエーハ１０の吸引保持を解除する。次に、光デバイスウエーハ１０は第２の搬送手段１５によって洗浄手段１４に搬送される。洗浄手段１４に搬送された光デバイスウエーハ１０は、ここで洗浄される。このようにして洗浄された光デバイスウエーハ１０は、乾燥後に第１の搬送手段１３によって仮置きテーブル１１に搬送される。そして、光デバイスウエーハ１０は、搬出・搬入手段１２によってカセット９の所定位置に収納される。
【００３８】
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形が可能である。例えば、上述した実施形態においてはハロゲン化ガスを切削水に混入して切削領域に噴射する例を示したが、ハロゲン化ガスだけを切削領域に噴射してもよい。
【符号の説明】
【００３９】
２：装置ハウジング
３：チャックテーブル
４：スピンドルユニット
４３：切削ブレード
４４：ブレードカバー
４４１：第１のカバー部材
４４２：第２のカバー部材
５：混合流体噴射手段
５１：切削水供給通路
５２：ハロゲン化ガス供給通路
５３：混合室
５４：混合流体供給通路
５５：噴射ノズル
５６：切削水供給手段
５７：ハロゲン化ガス供給手段
６：撮像手段
７：表示手段
９：カセット
１０：光デバイスウエーハ
１１：仮置きテーブル
１２：搬出・搬入手段
１３：第１の搬送手段
１４：洗浄手段
１５：第２の搬送手段
Ｆ：環状の支持フレーム
Ｔ：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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