(57)【要約】【課題】従来よりも画素間における混色の発生する可能性を低減できる固体撮像素子を提供する。【解決手段】行列状に配置された光電変換部２・・・と、光電変換部２・・・の信号電荷を読み出して転送する垂直ＣＣＤ部３および水平ＣＣＤ部４とを備えている。垂直ＣＣＤ部３が、転送チャネル７と、光電変換部２毎にそれぞれ設けられた転送電極８とからなる。各転送電極８は、シリコン基板２０上に第１絶縁膜３０ａを介して、島状に配置されている。光電変換部２の行毎に、各転送電極８に駆動パルスを印加する配線９が設けられている。配線９における行方向に隣り合う転送電極８の間にある幅狭部９ｂを、シリコン基板２０上に第１絶縁膜３０ａおよび第２絶縁膜３０ｂを介して配置することにより、配線９の幅狭部９ｂ（電極間相当部分）とシリコン基板２０との間隔を、各転送電極８とシリコン基板２０との間隔よりも大きくした。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板内に行列状に配置された複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部の列毎に対応して設けられ、対応する列の各光電変換部で生成される信号電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直転送部と、各垂直転送部から転送される信号電荷を水平方向に転送する水平転送部とを備えた固体撮像素子であって、
前記半導体基板上に第１絶縁膜が形成され、当該第１絶縁膜上の一部に第２絶縁膜が形成されており、
各垂直転送部が、前記半導体基板内に設けられた転送チャネルと、対応する列の光電変換部毎にそれぞれ設けられた転送電極とからなり、
前記複数の光電変換部の行毎に、各転送電極に駆動パルスを印加する配線が設けられ、
前記各転送電極は、互いに孤立した島状電極であり、前記第１絶縁膜上に配置され、
前記各配線における水平方向に隣り合う転送電極の間に相当する電極間相当部分が、前記第２絶縁膜上に配置されることにより、前記各配線の前記電極間相当部分と前記半導体基板との間隔が、前記各転送電極と前記半導体基板との間隔よりも大きい
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記配線が、前記転送電極よりも電気抵抗率の低い材料からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記配線における各転送電極に相当する電極相当部分が、当該転送電極の上面および水平方向の両側面を被覆している
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記第２絶縁膜が、前記第１絶縁膜上の各転送電極が配置されていない領域と、各転送電極上とに形成されていて、
前記各行の配線は、前記光電変換部の垂直方向の幅よりも大きい幅を有し、当該各行の光電変換部毎に対応して開口部が形成されてなり、各開口部が対応する光電変換部上に位置するように、当該行の各転送電極それぞれの一部の上に第２絶縁膜を介して重ねて配置され、
前記各転送電極が、配線と重なる前記一部と、配線と重ならない、配線間に相当する配線間相当部分とからなり、
前記第２絶縁膜の各配線間に相当する領域が、前記第１絶縁膜上の第１領域と前記各転送電極の配線間相当部分上の第２領域とからなり、当該第１および第２領域の膜厚を調整することにより前記第２絶縁膜の各配線間に相当する領域の上面が平坦面に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記転送電極が、転送チャネルに沿って形成された、対応する光電変換部の上流側の行間から下流側の行間に至る大きさを有する第１部分と、当該第１部分における垂直方向の一方の端部に設けられた、水平方向に細長い形状を有する第２部分とからなり、
前記各行の配線が、垂直方向において、対応する行の各転送電極の第２部分から当該行よりも前記一方側の行の各転送電極の第２部分に至るように配置されており、
前記転送電極の配線間相当部分が前記第２部分の一部であり、前記各配線間が、水平方向に並ぶ各転送電極の第２部分上に位置している
ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記第１絶縁膜の膜厚が均一であり、
前記第２絶縁膜が、前記第１絶縁膜上の光電変換部の行間に相当する領域に形成されていて、
前記各行の配線は、前記光電変換部の垂直方向の幅よりも大きい幅を有し、当該各行の光電変換部毎に対応して開口部が形成されてなり、各開口部が対応する光電変換部上に位置するように、当該行の各転送電極それぞれの一部の上に直接配置されており、
前記各転送電極が、配線と重なる前記一部と、配線と重ならない、配線間に相当する配線間相当部分とからなり、
前記各転送電極の配線間相当部分の膜厚と前記第２絶縁膜の膜厚とを等しくすることにより、前記各転送電極の配線間相当部分の上面と前記第２絶縁膜の上面とが面一となり、かつ連続した平坦面に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子に関し、特にＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）型の固体撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルスチルカメラ、デジタルムービカメラや携帯電話機などにＣＣＤ型固体撮像素子が用いられている。このようなＣＣＤ型固体撮像素子は、半導体基板と、半導体基板内に行列状に配置された複数の画素と、複数の画素の列毎に対応して設けられ、対応する列の各画素の信号電荷を読み出して垂直方向に転送する複数の垂直転送部と、各垂直転送部から転送される信号電荷を水平方向に転送する水平転送部とを備えている。各垂直転送部は、半導体基板内に設けられた転送チャネルと、半導体基板上に絶縁膜を介して転送チャネルに沿って配置された複数の転送電極とで構成される（例えば、特許文献１〜３を参照）。
【０００３】
特許文献１には、固体撮像素子の小型化を図るため、各垂直転送部において、対応する列の画素毎に１つの転送電極を備え、いわゆる１画素１電極の構成を採用したＣＣＤ型固体撮像素子が記載されている。水平方向に隣り合う転送電極は、転送電極と同じ材料からなる連結部により互いに連結されている。各行の転送電極には、連結部を介して共通の駆動パルスが印加される。このように、特許文献１に示すＣＣＤ型固体撮像素子では、転送電極に駆動パルスを供給するパルス供給路が転送電極自身と連結部とで構成されており、しかも、このパルス供給路が画素の行毎に１本あれば良いので、画素の行毎に２本のパルス供給路を必要とする１画素２電極のＣＣＤ型固体撮像素子と比べて、より小型化することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平３−９７３８１号公報
【特許文献２】特開２００６−４１３６９号公報
【特許文献３】特開２００６−１４０４１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１を含む従来のＣＣＤ型固体撮像素子では、半導体基板上の全体に亘って絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に、転送電極および連結部が同じ工程で形成される。よって、絶縁膜の膜厚は、一般的に、半導体基板上のどこでも同じ厚さになる。また、ＣＣＤ型固体撮像素子においては、垂直転送部が転送できる最大の信号電荷量は大きい方が好ましく、また、消費電力の面から駆動パルスの電圧は低い方が好ましい。そのため、垂直転送部が転送できる信号電荷量を増やしたり、駆動パルスの電圧を低くできるように、絶縁膜はできるだけ薄くすることが望まれている。
【０００６】
しかしながら、絶縁膜を薄くすると、パルス供給路に駆動パルスが印加されたときに、次の理由により、画素に蓄積された信号電荷が漏れ出して、列方向に隣接する画素に紛れ込む現象、いわゆる混色が発生する可能性が高くなることが見込まれている。
【０００７】
半導体基板内において、列方向に隣接する画素間には、画素の信号電荷漏れを防止するポテンシャル障壁が設けられている。また、半導体基板上においては、画素の開口部を少しで広くするため、連結部が、列方向に隣接する画素間に相当する位置に設けられている。このように、連結部が、絶縁膜を介してポテンシャル障壁の上方に位置することになるので、パルス供給路に駆動パルスが印加された場合に、ポテンシャル障壁がその影響を受けてしまう。絶縁膜が薄くなるほど、駆動パルスが印加されたときのポテンシャル障壁の低下の度合いが大きくなるので、画素に蓄積された信号電荷が、列方向に隣接する画素に紛れ込む可能性が高まるからである。
【０００８】
本発明は、上記した課題に鑑み、従来よりも画素間における混色の発生する可能性を低減できる固体撮像素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る固体撮像素子は、半導体基板内に行列状に配置された複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部の列毎に対応して設けられ、対応する列の各光電変換部で生成される信号電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直転送部と、各垂直転送部から転送される信号電荷を水平方向に転送する水平転送部とを備え、前記半導体基板上に第１絶縁膜が形成され、当該第１絶縁膜上の一部に第２絶縁膜が形成されており、各垂直転送部が、前記半導体基板内に設けられた転送チャネルと、対応する列の光電変換部毎にそれぞれ設けられた転送電極とからなり、前記複数の光電変換部の行毎に、各転送電極に駆動パルスを印加する配線が設けられ、各転送電極は、互いに孤立した島状電極であり、前記第１絶縁膜上に配置され、前記各配線における水平方向に隣り合う転送電極の間に相当する電極間相当部分が、前記第２絶縁膜上に配置されることにより、前記各配線の電極間相当部分と前記半導体基板との間隔が、前記各転送電極と前記半導体基板との間隔よりも大きいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
上記構成の固体撮像素子では、各転送電極が第１絶縁膜上に配置され、各配線の電極間相当部分が第２絶縁膜上に配置され、各配線の電極間相当部分と半導体基板との間隔が各転送電極と半導体基板との間隔よりも大きいので、各配線の電極間相当部分と半導体基板とに挟まれた第１および第２絶縁膜の合計膜厚が、各転送電極と半導体基板とに挟まれた第１絶縁膜の膜厚よりも厚い構成とされている。これにより、半導体基板上の絶縁膜の膜厚がどこでも同じ厚さである従来のＣＣＤ型固体撮像素子と比べて、ポテンシャル障壁に対する駆動パルスの影響を小さくすることができるので、駆動パルスの影響によるポテンシャル障壁の低下の度合い小さくし、画素の信号電荷がポテンシャル障壁を越えて漏れ出すのを抑制することができる。その結果、従来よりも画素（光電変換部）間における混色の発生する可能性を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態に係る固体撮像素子の構成を示す模式平面図
【図２】図１の固体撮像素子の主要部を説明するための模式平面図
【図３】（ａ）は図２のＡ１−Ａ１線矢視断面図、（ｂ）は図２のＢ１−Ｂ１線矢視断面図
【図４】第１の実施形態に係る固体撮像素子の主要部における断面を含む部分分解斜視図
【図５】第１の実施形態に係る固体撮像素子の製造方法を説明するための断面図
【図６】第２実施形態に係る固体撮像素子の主要部を説明するための平面図
【図７】（ａ）は図６のＡ２−Ａ２線矢視断面図、（ｂ）は図６のＢ２−Ｂ２線矢視断面図
【図８】第２の実施形態に係る固体撮像素子の主要部における断面を含む部分分解斜視図
【図９】第２の実施形態に係る固体撮像素子の製造方法を説明するための断面図
【図１０】第３実施形態に係る固体撮像素子の主要部を説明するための平面図
【図１１】（ａ）は図１０のＡ３−Ａ３線矢視断面図、（ｂ）は図１０のＢ３−Ｂ３線矢視断面図
【図１２】第４実施形態に係る固体撮像素子の主要部を説明するための平面図
【図１３】（ａ）は図１２のＡ４−Ａ４線矢視断面図、（ｂ）は図１２のＢ４−Ｂ４線矢視断面図
【図１４】第５実施形態に係る固体撮像素子の主要部を説明するための平面図
【図１５】（ａ）は図１４のＡ５−Ａ５線矢視断面図、（ｂ）は図１４のＢ５−Ｂ５線矢視断面図、（ｃ）は図１４のＣ５−Ｃ５線矢視断面図
【図１６】第５の実施形態に係る固体撮像素子の主要部における断面を含む部分分解斜視図
【図１７】第５の実施形態に係る固体撮像素子の製造方法を説明するための断面図
【図１８】図１７の製造方法の続きを説明するための模式断面図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態を、図面を参照して説明する。
［第１の実施形態］
＜全体構成＞
図１は、第１の実施形態に係る固体撮像素子１の概略構成を示す平面模式図である。図１に示すように、本実施形態では、固体撮像素子の一例として、インターライン（ＩＴ）−ＣＣＤ型の固体撮像素子１が用いられている。
【００１３】
固体撮像素子１は、シリコン基板２０と、シリコン基板２０内に行列状に配列された光電変換部２・・・と、光電変換部２・・・の列毎に対応して設けられた垂直ＣＣＤ部３と、水平ＣＣＤ部５と、出力アンプ部６とを備えている。この固体撮像素子１では、光電変換部２・・・により撮像領域４が構成されている。
【００１４】
なお、本明細書において、行方向とは水平方向と同義であり、列方向とは垂直方向と同義である。また、図１では、行方向（水平方向）をＸ軸で示し、列方向（垂直方向）をＹ軸で示している。
【００１５】
光電変換部２は、フォトダイオードからなり、光電変換によって入射光量に応じた電荷を生成することができる。垂直ＣＣＤ部３は、対応する列の光電変換部２で生成された信号電荷を読み出して垂直方向に転送する機能を有し、水平ＣＣＤ部５は、垂直ＣＣＤ部３から転送される信号電荷を水平方向に転送する機能を有している。出力アンプ部６は、水平ＣＣＤ部５から転送される信号電荷を信号電圧に変換するとともに増幅して、画素信号として出力するものである。
＜詳細構成＞
次に、固体撮像素子１の主要部の詳細構成について、図２乃至図４を用いて説明する。
【００１６】
図２は、固体撮像素子１の主要部を説明するための模式平面図であり、図３（ａ）は、図２のＡ１−Ａ１線矢視断面図、図３（ｂ）は、図２のＢ１−Ｂ１線矢視断面図である。また、図４は、固体撮像素子１の主要部の断面を含む部分分解斜視図である。
（転送電極、配線）
これらの図に示すように、垂直ＣＣＤ部３は、転送チャネル７と、光電変換部２毎に対応して設けられた転送電極８とを有している。各転送電極８は、それぞれ多結晶シリコンからなり、互いに孤立していて、島状に配置されている。
【００１７】
また、光電変換部２・・・の行毎に対応して、行方向に並ぶ各転送電極８に共通の駆動パルスを印加するための配線９が設けられている。各行の配線９は、対応する行の各転送電極８上に重なるように配されており、行方向に隣り合う転送電極８の間に相当する幅の狭い幅狭部９ｂ（電極間相当部分）と、転送電極８に相当する部分であって幅狭部９ｂよりも幅の広い幅広部９ａ（電極相当部分）とで構成されている。幅広部９ａは、転送電極８の上面の略全体を覆うように形成されてなり、幅広部９ａに、転送電極８に接続するコンタクトプラグ１２が設けられている。このような配線９は、金属材料からなり、例えば、タングステン、モリブデン、アルミニウム、チタン、チタンナイトライド、タングステンシリサイド、モリブデンシリサイドを用いて構成することができる。
【００１８】
また、本実施形態では、配線９が遮光機能も果たしている。しかしながら、各行の配線９の間には、絶縁性を確保するための間隔Ｋが必要になるので、配線９だけでは転送電極８を遮光しきれない部分がある。そこで、その部分を遮光するための遮光膜１１が、光電変換部２・・・の行間を覆うように、配線９よりも上層に設けられている。
（シリコン基板）
シリコン基板２０は、さらに、Ｎ型領域２１と、Ｐ型ウェル領域２２と、行方向に隣り合う光電変換部２の間に配された転送チャネル７およびチャネルストップ領域２３とを有している。また、シリコン基板２０内の列方向に隣り合う光電変換部２の間には、ポテンシャル障壁を形成するＰ型ウェル領域２２が配されている。配線９の幅狭部９ｂは、この列方向に隣り合う光電変換部２の間に相当する位置（以下、光電変換部２の行間ともいう）に配されていて、ポテンシャル障壁の上方にある（図３（ｂ）参照）。   
（シリコン基板上における転送電極および配線の積層構造）
シリコン基板２０上には、全体に亘って第１絶縁膜３０ａが形成されている。第１絶縁膜３０ａ上に、複数の転送電極８が転送チャネル７の長さ方向に沿って配置されている。また、転送電極８および第１絶縁膜３０ａ上には、第２絶縁膜３０ｂが形成されている。この第２絶縁膜３０ｂ上に、配線９が配置されている。
【００１９】
配線９における幅狭部９ｂを見ると、幅狭部９ｂとシリコン基板２０との間には、第１絶縁膜３０ａと第２絶縁膜３０ｂとが存している。一方、転送電極８とシリコン基板２０との間は、第１絶縁膜３０ａだけである。本実施形態において、第１絶縁膜３０ａの膜厚Ｔ１および第２絶縁膜３０ｂの膜厚Ｔ２は、それぞれ５０ｎｍ程度である。よって、転送電極８とシリコン基板２０との間の絶縁膜の膜厚は５０ｎｍ程度、配線９の幅狭部９ｂとシリコン基板２０との間の絶縁膜の膜厚は１００ｎｍ程度である。このように、本実施形態では、配線９の幅狭部９ｂが、転送電極８とシリコン基板２０とに挟まれた絶縁膜よりも厚い絶縁膜を介してシリコン基板２０上に配置されることにより、配線９の幅狭部９ｂ（電極相当部分）とシリコン基板２０との間隔が、転送電極８とシリコン基板２０との間隔よりも大きい構成とされている。
【００２０】
上記構成の固体撮像素子１では、配線９の幅狭部９ｂとシリコン基板２０とに挟まれた絶縁膜の膜厚（Ｔ１＋Ｔ２）が、転送電極８とシリコン基板２０とに挟まれた絶縁膜の膜厚Ｔ１よりも厚いので、シリコン基板上の絶縁膜の膜厚がどこでも同じ厚さである従来のＣＣＤ型固体撮像素子と比べて、配線９に駆動パルスが印加された場合に、ポテンシャル障壁に対する駆動パルスの影響を小さくすることができる。これにより、駆動パルスの影響によるポテンシャル障壁の低下の度合いを小さくすることができるので、光電変換部２に蓄積された信号電荷がポテンシャル障壁を越えて漏れ出し、列方向に隣り合う光電変換部２に紛れ込むのを抑制することができる。その結果として、従来よりも、列方向に隣り合う光電変換部２の間（画素間）における混色の発生する可能性を低減することができる。
【００２１】
また、上記構成の固体撮像素子１では、配線９が多結晶シリコンよりも電気抵抗率が低い金属材料で構成されている。そのため、配線を多結晶シリコンで構成する場合と比べると、同じ断面積であれば電気抵抗が小さくなるので、駆動パルスの伝播遅延を小さくすることができ、同じ電気抵抗であれば、断面積が小さくなるので、小型化を図ることができる。
＜製造方法＞
次に、本実施形態に係る固体撮像素子１の製造方法の一例について説明する。
【００２２】
図５は、固体撮像素子１の製造方法を説明するための模式断面図である。なお、図５（ａ）には、図２のＡ１−Ａ１線矢視断面の一部と、Ｂ１−Ｂ１線矢視断面の一部とが併記されている。図５（ｂ）〜（ｅ）についても同様である。
【００２３】
先ず、シリコン基板２０内に、光電変換部２、転送チャネル７、チャネルストップ領域２３を形成し、その後、シリコン基板２０上全体に酸化形成膜を積層し、積層した酸化形成膜の表面を熱酸化して第１絶縁膜３０ａ（膜厚Ｔ１）を形成する（図５（ａ））。
【００２４】
この第１絶縁膜３０ａ上に、ＣＶＤ法により多結晶シリコン膜を堆積形成した後、フォトリソグラフィー法を用いて転送電極８を形成する（図５（ｂ））。
次に、転送電極８および第１絶縁膜３０ａ上に、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を堆積させて第２絶縁膜３０ｂ（膜厚Ｔ２）を形成する（図５（ｃ））。
【００２５】
第２絶縁膜３０ｂにおける転送電極８上の領域に、フォトリソグラフィー法を用いてコンタクトホールを形成する。その後、コンタクトホール内および第２絶縁膜３０ｂ上にＣＶＤ法により金属膜を堆積形成し、フォトリソグラフィー法を用いて配線９を形成する（図５（ｄ））。この工程で、配線９の幅狭部９ｂが、膜厚（Ｔ１＋Ｔ２）の絶縁膜を介してシリコン基板２０上に形成される。なお、コンタクトプラグ１２は、コンタクトホール内に金属膜を堆積させて形成している。
【００２６】
この後、配線９および第２絶縁膜３０ｂ上に、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を堆積させて第３絶縁膜３１を形成し、最後に、第３絶縁膜３１上にＣＶＤ法により金属膜を堆積形成し、フォトリソグラフィー法を用いて遮光膜１１を形成する（図５（ｅ））。
【００２７】
以上の工程を経て、固体撮像素子１が作製される。
上記構成の固体撮像素子１の製造方法によれば、シリコン基板２０上に、第１絶縁膜３０ａ、転送電極８、第２絶縁膜３０ｂおよび配線９をこの順に積層形成しているので、配線９の幅狭部９ｂを、転送電極８とシリコン基板２０とに挟まれた第１絶縁膜３０ａよりも厚い、第１絶縁膜３０ａと第２絶縁膜３０ｂとが重なる部分に形成することができる。
［第２の実施形態］
＜全体構成＞
次に、本発明の第２の実施形態に係る固体撮像素子４０について、図６乃至図８を用いて説明する。
【００２８】
図６は、固体撮像素子４０の主要部を説明するための模式平面図であり、図７（ａ）は、図６のＡ２−Ａ２線矢視断面図、図７（ｂ）は、図６のＢ２−Ｂ２線矢視断面図である。また、図８は、固体撮像素子４０の主要部の断面を含む部分分解斜視図である。
【００２９】
本実施形態の固体撮像素子４０では、配線４９が、行方向に隣り合う転送電極８の間に相当する幅狭部４９ｂと、転送電極８の上面を覆う幅広部４９ａとで構成され、幅狭部４９ｂが、第１絶縁膜５０ａと第２絶縁膜５０ｂとを介してシリコン基板２０上に配置されている点で、第１の実施形態の固体撮像素子１と共通している。一方、第１の実施形態の固体撮像素子１は、第１絶縁膜３０ａと転送電極８の全体を被覆するように第２絶縁膜３０ｂが形成されているのに対し、本実施形態の固体撮像素子４０は、第１絶縁膜５０ａ上において配線４９の幅狭部４９ｂが設けられる部分にだけ第２絶縁膜５０ｂが形成されている点で異なっている。なお、図１乃至図４に示す固体撮像素子１と同じ構成要素については、簡単のため、同じ符号で示し、その説明を省略する。
＜詳細構成＞
図７および図８に示すように、シリコン基板２０上には、全体に亘って第１絶縁膜５０ａが形成されている。この第１絶縁膜５０ａに転送電極８が配置されている。
【００３０】
第１絶縁膜５０ａ上には、さらに、行方向において、隣り合う転送電極８の間に第２絶縁膜５０ｂが形成されている（図８参照）。ただし、列方向においては、隣り合う光電変換部２の間に相当する領域にだけ第２絶縁膜５０ｂが設けられている（図７（ｂ）参照）。このように、第１絶縁膜５０ａ上では、配線４９の幅狭部４９ｂが設けられる部分にだけ第２絶縁膜５０ｂが形成されている。この構成により、次の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の効果がある。
【００３１】
（Ａ）配線４９の幅狭部４９ｂとシリコン基板２０との間には、第１絶縁膜５０ａと第２絶縁膜５０ｂとが存する。一方、転送電極８とシリコン基板２０との間は、第１絶縁膜５０ａだけである。したがって、配線４９の幅狭部４９ｂが、転送電極８とシリコン基板２０とに挟まれた絶縁膜の膜厚Ｔ３よりも厚い膜厚（Ｔ３＋Ｔ４）の絶縁膜を介してシリコン基板２０上に配置されることにより、配線４９の幅狭部４９ｂ（電極相当部分）とシリコン基板２０との間隔が、転送電極８とシリコン基板２０との間隔よりも大きい構成とされている。その結果、ポテンシャル障壁に対する駆動パルスの影響を小さくすることができるので、従来よりも、列方向に隣り合う光電変換部２の間（画素間）における混色の発生する可能性を低減することができる。
【００３２】
（Ｂ）また、配線４９の幅広部４９ａが、転送電極８の上面および行方向の両側面に密着して接合され、幅広部４９ａの側部４９ａ１と転送電極８の側面との間には絶縁膜がない。したがって、この絶縁膜がない分、光電変換部２の開口幅Ｗ２が、図３（ａ）に示す第１の実施形態における光電変換部２の開口幅Ｗ１よりも広くなる。その結果、固体撮像素子の感度特性を向上させることができる。
【００３３】
（Ｃ）さらに、幅広部４９ａの側部４９ａ１とシリコン基板２０との間は、第１絶縁膜５０ａだけであり、第２絶縁膜がない。したがって、第２絶縁膜がない分、その間隔が、図３（ａ）に示す第１の実施形態における幅広部９ａの側部９ａ１とシリコン基板２０との間よりも狭くなる。その結果、幅広部４９ａの側部４９ａ１とシリコン基板２０との間から垂直ＣＣＤ部３側に、光が入射するのを抑制することができ、スミアの低減を図ることができる。
＜製造方法＞
次に、本実施形態に係る固体撮像素子４０の製造方法の一例について説明する。
【００３４】
図９は、固体撮像素子４０の製造方法を説明するための模式断面図である。
この固体撮像素子４０の製造方法は、シリコン基板２０上に、第１絶縁膜５０ａ、転送電極８、第２絶縁膜５０ｂおよび配線４９を順次積層する点で、第１の実施形態における固体撮像素子１の製造方法と共通している。一方、第１の実施形態における固体撮像素子１の製造方法では、第２絶縁膜３０ｂを転送電極８および第１絶縁膜３０ａ上全体に形成するのに対し、固体撮像素子４０の製造方法では、一旦、第２絶縁膜５０ｂを転送電極８および第１絶縁膜３０ａ上全体に形成するが、その後、第２絶縁膜５０ｂにおける配線４９の幅狭部４９ｂを形成する部分だけを残し他の部分を取り除く点で異なっている。なお、図５に示す固体撮像素子１の製造方法と同じ工程については、簡単のため、その説明を簡略する。
【００３５】
先ず、シリコン基板２０上に第１絶縁膜５０ａ（膜厚Ｔ３）を形成し、その後、転送電極８を形成する（図９（ａ））。
次に、第２絶縁膜を形成する工程に入る。ここでは、リフトオフ法を用いている。
【００３６】
最初に、第１絶縁膜５０ａ上において、列方向に隣り合う光電変換部２の間に位置する領域ｒを除く他の領域にレジスト膜５５を塗布する（図９（ｂ））。この領域ｒが、幅狭部４９ｂを形成する領域である。
【００３７】
このレジスト膜５５および領域ｒ上に、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を堆積させて第２絶縁膜５０ｂを形成する（図９（ｃ））。この工程において、第１絶縁膜５０ａと転送電極８の全体を被覆するように第２絶縁膜５０ｂ（膜厚Ｔ４）が形成される。
【００３８】
次に、レジスト膜５５を取り去る。このとき、レジスト膜５５上の第２絶縁膜５０ｂは、レジスト膜５５とともに取り除かれ、領域ｒ上の第２絶縁膜５０ｂだけが残る（図９（ｄ））。
【００３９】
以上の工程により、第１絶縁膜５０ａ上において、配線４９の幅狭部４９ｂを形成する部分（領域ｒ）にだけ第２絶縁膜５０ｂが形成された状態となる。
この後、転送電極８、第１絶縁膜５０ａおよび第２絶縁膜５０ｂ上に、ＣＶＤ法により金属膜を堆積形成し、フォトリソグラフィー法を用いて配線４９を形成する（図９（ｅ））。この工程で、配線４９の幅狭部４９ｂが、膜厚（Ｔ３＋Ｔ４）の絶縁膜を介してシリコン基板２０上に形成される。なお、転送電極８上では、一度形成された第２絶縁膜５０ｂが取り除かれているため、配線４９の幅広部４９ａが転送電極８に密着して接合される。
【００４０】
次に、第３絶縁膜５１を形成し、最後に、遮光膜４１を形成する（図９（ｆ））。
以上の工程を経て、固体撮像素子４０が作製される。
［第３の実施形態］
＜全体構成＞
図１０は、本発明の第３の実施形態に係る固体撮像素子６０の主要部を示す模式平面図である。また、図１１（ａ）は、図１０のＡ３−Ａ３線矢視断面図、図１１（ｂ）は、図１０のＢ３−Ｂ３線矢視断面図である。
【００４１】
本実施形態の固体撮像素子６０では、配線６９が、行方向に隣り合う転送電極８の間に相当する幅狭部６９ｂと、転送電極８の上面を覆う幅広部６９ａとで構成され、幅狭部６９ｂが、第１絶縁膜７０ａと第２絶縁膜７０ｂとを介してシリコン基板２０上に配置されている点で、第１の実施形態の固体撮像素子１と共通している。一方、第１の実施形態の固体撮像素子１は、光電変換部２・・・の行間を覆う遮光膜１１を備えているのに対し、本実施形態の固体撮像素子６０は、光電変換部２・・・の行間および列間を覆う遮光膜６１を備えている点で異なっている。なお、図１乃至図４に示す固体撮像素子１と同じ構成要素については、簡単のため、同じ符号で示し、その説明を省略する。
＜詳細構成＞
図１０および図１１に示すように、本実施形態では、配線６９を上方から平面視した場合に、幅広部６９ａが転送電極８の上面よりも小さく、配線６９だけでは転送電極８を遮光しきれない部分が、光電変換部２・・・の列方向に沿って存在している。そこで、光電変換部２・・・の行間とともに列間を覆うように、格子状に形成されてなる遮光膜６１が配線６９よりも上層に設けられている。なお、遮光膜６１は、光電変換部２毎に対応して開口させた窓部６１ａを有している。
【００４２】
また、本実施形態においても、配線６９の幅狭部６９ａが、転送電極８とシリコン基板２０との間の第１絶縁膜７０ａよりも厚い絶縁膜（第１および第２絶縁膜７０ａ，７０ｂ）を介してシリコン基板２０上に配置され、配線６９の幅狭部６９（電極相当部分）とシリコン基板２０との間隔が、転送電極８とシリコン基板２０との間隔よりも大きい構成とされている。したがって、上記構成の固体撮像素子６０は、従来のＣＣＤ型固体撮像素子と比べて、ポテンシャル障壁に対する駆動パルスの影響を小さくすることができ、列方向に隣り合う光電変換部２の間（画素間）における混色の発生する可能性を低減することができる。
［第４の実施形態］
＜全体構成＞
図１２は、本発明の第４の実施形態に係る固体撮像素子８０の主要部を示す模式平面図である。また、図１３（ａ）は、図１２のＡ４−Ａ４線矢視断面図、図１３（ｂ）は、図１２のＢ４−Ｂ４線矢視断面図である。
【００４３】
本実施形態の固体撮像素子８０では、配線８９の幅狭部８９ｂが、第１絶縁膜９０ａと第２絶縁膜９０ｂとを介してシリコン基板２０上に配置されている点と、光電変換部２・・・の行間および列間を覆う格子状の遮光膜８１を備えている点とで、第３の実施形態の固体撮像素子６０と共通している。一方、第３の実施形態は、第１絶縁膜７０ａと転送電極８の全体を被覆するように第２絶縁膜７０ｂが形成されているのに対し、本実施形態の固体撮像素子８０は、第１絶縁膜９０ａ上において配線８９が設けられる部分にだけ第２絶縁膜９０ｂが形成されている点で異なっている。なお、図１０および図１１に示す固体撮像素子６０と同じ構成要素については、簡単のため、同じ符号で示し、その説明を省略する。
＜詳細構成＞
図１３（ａ）および（ｂ）に示すように、シリコン基板２０上には、第１絶縁膜９０ａが形成されている。この第１絶縁膜９０ａ上に転送電極８が配置されている。
【００４４】
第１絶縁膜９０ａ上には、さらに、行方向において、隣り合う転送電極８の間に第２絶縁膜９０ｂが形成されている。ただし、列方向においては、隣り合う光電変換部２の間に相当する領域にだけ第２絶縁膜９０ｂが設けられている（図１３（ｂ）参照）。このように、第１絶縁膜９０ａ上では、配線８９の幅狭部８９ｂが設けられる部分にだけ第２絶縁膜９０ｂが形成されている。この構成により、次の（Ａ），（Ｂ）の効果がある。
【００４５】
（Ａ）配線８９の幅狭部８９ｂとシリコン基板２０との間には、第１絶縁膜９０ａと第２絶縁膜９０ｂとが存する。一方、転送電極８とシリコン基板２０との間は、第１絶縁膜９０ａだけである。したがって、配線８９の幅狭部８９ｂが、転送電極８とシリコン基板２０とに挟まれた第１絶縁膜９０ａよりも厚い絶縁膜（第１および第２絶縁膜９０ａ，９０ｂ）を介してシリコン基板２０上に配置され、配線８９の幅狭部８９ｂ（電極相当部分）とシリコン基板２０との間隔が、転送電極８とシリコン基板２０との間隔よりも大きい構成とされている。その結果、ポテンシャル障壁に対する駆動パルスの影響を小さくすることができるので、従来よりも、列方向に隣り合う光電変換部２の間（画素間）における混色の発生する可能性を低減することができる。
【００４６】
（Ｂ）また、遮光膜８２における窓部８１ａの開口縁とシリコン基板２０との間は、第１絶縁膜９０ａだけであり、第２絶縁膜がない。したがって、第２絶縁膜がない分、その間隔が、図１１（ａ）に示す第３の実施形態における窓部６１ａの開口縁とシリコン基板２０との間よりも狭くなる。その結果、窓部８１ａの開口縁とシリコン基板２０との間との間から垂直ＣＣＤ部３側に、光が入射するのを抑制することができ、スミアの低減を図ることができる。
［第５の実施形態］
＜全体構成＞
図１４は、本発明の第５の実施形態に係る固体撮像素子１００の主要部を説明するための模式平面図である。図１５（ａ）は図１４のＡ５−Ａ５線矢視断面図、図１５（ｂ）は図１４のＢ５−Ｂ５線矢視断面図、図１５（ｃ）は図１４のＣ５−Ｃ５線矢視断面図である。また、図１６は、固体撮像素子１００の主要部の断面を含む部分分解斜視図である。
【００４７】
本実施形態の固体撮像素子１００と第１の実施形態の固体撮像素子１とは、特に、第２絶縁膜の構成が異なり、それにより第２絶縁膜の各配線間に相当する領域の上面形状が異なっている。
【００４８】
具体的には、第１の実施形態では、図４に示すように、第２絶縁膜３０ｂが転送電極８および第１絶縁膜３０ａ上に略均一な膜厚で形成され、第２絶縁膜３０ｂの転送電極８上の領域Ｒ７と第１絶縁膜３０ａ上の領域Ｒ８との間に段差が生じている。このため、第２絶縁膜３０ｂの各配線９間に相当する領域Ｒ９の上面が凹凸面になっている（領域Ｒ９は、領域Ｒ７，Ｒ８のそれぞれの一部で構成されている）。
【００４９】
これに対して、本実施形態では、図１６に示すように、第２絶縁膜１３０ｂにおける転送電極１０８上の第２領域Ｒ２ｂと第１絶縁膜１３０ａ上の第１領域Ｒ２ａとの膜厚が異なり、第２領域Ｒ２ｂと第１領域Ｒ２ａとの間に段差が生じないように膜厚が調整されている。これにより、第２絶縁膜１３０ｂの各配線１０９間に相当する領域Ｒ３の上面が平坦面になっている（領域Ｒ３は、第１領域Ｒ２ａおよび第２領域Ｒ２ｂのそれぞれの一部で構成されている）。
【００５０】
また、本実施形態の固体撮像素子１００と第１の実施形態の固体撮像素子１とは、後述するように、転送電極および配線の構成も異なっている。なお、図１乃至図４に示す固体撮像素子１と同じ構成要素については、簡単のため、同じ符号で示し、その説明を省略する。
＜詳細構成＞
（転送電極、配線）
図１４に示すように、転送電極１０８は、縦部１０８ａと横部１０８ｂとからなり、Ｔ字状をしている。縦部１０８ａは、転送チャネル７上に沿って形成され、対応する光電変換部１０２の上流側の行間から下流側の行間に至る大きさＬを有している。横部１０８ｂは、縦部１０８ａの上流側端部に設けられており、行方向に細長い長方形状を有している。ここでの「下流側」とは、光電変換部１０２から読み出された信号電荷が垂直ＣＣＤ部１０３により転送される方向を意味し、その反対側が「上流側」である。
【００５１】
このようなＴ字状の転送電極１０８を用いることにより、行方向に隣り合う転送電極１０８間（横部１０８ｂ間）Ｋ１が、第１の実施形態における転送電極８間よりも狭い構成となっている。
【００５２】
配線１０９は、光電変換部１０２の列方向の幅Ｗ３よりも大きい一定幅Ｗ４を有し、光電変換部１０２毎に対応して開口された窓部１０９ｄが形成されている。これにより、配線１０９において、行方向に隣り合う窓部１０９ｄ間の部分が幅広部１０９ａとなり、窓部１０９ｄの列方向両側部分が幅狭部１０９ｂ，１０９ｃとなっている。
【００５３】
各行の配線１０９は、各窓部１０９ｄが対応する光電変換部１０２上に位置するように、対応する行の各転送電極１０８上に第２絶縁膜１３０ｂを介して重ねて配置されている。より詳しくは、各行の配線１０９は、列方向において、対応する行の転送電極１０８の横部１０８ｂの下流側端部から、縦部１０８ａを経て下流側の行の転送電極１０８の横部１０８ｂに至るように配置されていて、下流側の転送電極１０８の横部１０８ｂの上流側端部上にも第２絶縁膜１３０ｂを介して重ねられている。このため、各配線１０９間（配線間Ｋ２）が、行方向に並ぶ各転送電極１０８の横部１０８ｂ上に位置している。そして、転送電極１０８における横部１０８ｂの一部が、配線１０９とは重ならない、配線間Ｋ２に相当する配線間相当部分１０８ｂ１となっている。
【００５４】
また、配線１０９の幅狭部１０９ｂは、光電変換部１０２の下流側行間に位置し、幅狭部１０９ｃは光電変換部１０２の上流側行間に位置している。これら２つの幅狭部１０９ｂ，１０９ｃは行方向に並ぶ幅広部１０９ａ間で並列に接続されており、よって、配線１０９に駆動パルスを印加したときには、ポテンシャル障壁に対する駆動パルスの影響を、光電変換部１０２の下流側行間と上流側行間とに分散させることができる。これに対して、第１の実施形態では、幅狭部９ｂが光電変換部２の下流側行間に配置され、配線９に印加した駆動パルスの影響が当該下流側行間にのみ生じる。したがって、本実施形態の配線１０９と、第１の実施形態の配線９とを比べた場合には、配線１０９の方が、駆動パルスの影響を分散させることができる分、各行間での駆動パルスの影響は小さくなるので、列方向に隣り合う光電変換部の間（画素間）における混色の発生する可能性をより低減することができる。
【００５５】
ここでの幅狭部１０９ｂおよび幅狭部１０９ｃには、図１４に示すように、転送電極１０８の横部１０８ｂと重なる部分が含まれている。よって、本実施形態では、幅狭部１０９ｂおよび幅狭部１０９ｃのうち、転送電極１０８の横部１０８ｂと重ならない部分により、配線１０９の「電極間相当部分」が構成されている。
（絶縁膜）
図１５および図１６に示すように、第２絶縁膜１３０ｂは、光電変換部１０２に相当する領域Ｒ１と、それ以外の領域Ｒ２とで構成されている。この領域Ｒ２には、前記した第１領域Ｒ２ａおよび第２領域Ｒ２ｂが含まれている。
【００５６】
領域Ｒ１の上面は、領域Ｒ２の上面よりも低く形成されている。
領域Ｒ２では、第１領域Ｒ２ａの膜厚Ｔ６が、第２領域Ｒ２ｂの膜厚Ｔ７よりも厚く、かつ膜厚Ｔ７と転送電極１０８の膜厚Ｔ８との合計値と等しくなるよう設定されている。また、第１絶縁膜１３０ａの膜厚は均一（膜厚Ｔ５）に設定されている。
【００５７】
これにより、シリコン基板２０からの第１領域Ｒ２ａの上面および第２領域Ｒ２ｂの上面の高さが等しくなり（図１５に示す高さＨ）、領域Ｒ２の上面が、第１領域Ｒ２ａと第２領域Ｒ２ｂとの間に段差のない平坦面として構成されている。
【００５８】
各行の配線１０９は、この領域Ｒ２の上面（平坦面）に配置されている。第２絶縁膜１３０ｂにおける配線１０９間（配線間Ｋ２）に相当する領域Ｒ３は、領域Ｒ２の一部であり、具体的には、第１領域Ｒ２ａおよび第２領域Ｒ２ｂの配線間Ｋ２に相当する部分により構成されている。したがって、領域Ｒ３の上面は平坦面となっている。
【００５９】
このように領域Ｒ３の上面が平坦面になるので、凹凸面の場合と比べて、配線の作製が容易になるという効果が得られる。
詳しく説明すると、配線１０９の作製では、第１の実施形態の配線９と同様、フォトリソグラフィー法を用いることができ、この場合のエッチング工程において、配線間に相当する部分のパターン形成を領域Ｒ３の平坦面上で行えるので、凹凸がない分、パターン形成が容易であり、かつエッチングを良好に行えるようになる。さらに、その結果として、配線を精度よく作製することができるようになる。
【００６０】
なお、パターンを形成する面に凹凸がある場合、凹凸の段差が大きければ大きいほど、凹または凸部分の面積が小さければ小さいほど、パターン形成が難しく、かつエッチングを良好に行うのが難しくなる。したがって、本実施形態のようにＴ字状の転送電極１０８を用いた場合には、光電変換部１０２の行間における転送電極１０８間（横部１０８ｂ間）Ｋ１が狭いので、第２絶縁膜１３０ｂの第１領域Ｒ２ａおよび第２領域Ｒ２ｂの膜厚を調整して領域Ｒ３の上面を平坦化することにより得られる効果は大きい。
【００６１】
また、本実施形態においては、上記したように、第２絶縁膜１３０ｂの配線１０９が配置される領域Ｒ２の上面全体が平坦面として構成されている。
各行の配線１０９は、この領域Ｒ２の平坦な上面に沿って形成されているので、配線の長さ方向において、直線状の形状を有している。なお、ここでの配線１０９は、窓部１０９ｄを構成する側壁部１０９ｄ１，１０９ｄ２等（図１６参照）を有しているが、側壁部１０９ｄ１，１０９ｄ２等は、領域Ｒ２と領域Ｒ１との間の段差部分に形成されるので、上記「直線状の形状」には含めない。
【００６２】
このように、配線１０９を配線の長さ方向に直線状にすることにより、配線１０９の全長が、第１の実施形態の配線９と比べた場合に、曲線部分（図４の矢印Ｐで示す部分）を含まない分短くなる。配線が短くなれば、その分、配線の電気抵抗が小さくなるので、第１の実施形態の配線９よりも駆動パルスの伝播遅延を小さくすることができる。
＜製造方法＞
次に、本実施形態に係る固体撮像素子１００の製造方法の一例について説明する。
【００６３】
図１７および図１８は、固体撮像素子１００の製造方法を説明するための模式断面図である。
本実施形態の製造方法と、第１の実施形の製造方法とは、第２絶縁膜を形成する工程が異なっている。具体的には、第１の実施形態の製造方法では、転送電極８および第１絶縁膜３０ａ上にシリコン酸化膜を均一に堆積させて第２絶縁膜３０ｂを形成している。これに対し、本実施形態の製造方法では、一旦、転送電極１０８および第１絶縁膜１３０ａ上にシリコン酸化膜を比較的厚く堆積してから、光電変換部１０２に相当する領域Ｒ１とそれ以外の領域Ｒ２とに応じてエッチング処理を行うことにより第２絶縁膜１３０ｂを形成している。なお、図５に示す固体撮像素子１の製造方法と同じ工程については、簡単のため、その説明を簡略する。
（第１絶縁膜、転送電極の形成）
先ず、シリコン基板２０上に第１絶縁膜１３０ａ（膜厚Ｔ５）および転送電極１０８（膜厚Ｔ８）を形成する（図１７（ａ））。
（第２絶縁膜の形成）
転送電極１０８および第１絶縁膜１３０ａ上に、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１５１を比較的厚く堆積形成する（図１７（ｂ））。ここでは、各転送電極１０８の間Ｋ１をシリコン酸化膜で埋め尽くすようにして、かつ第１絶縁膜１３０ａ上の第１領域Ｒ２ａの膜厚が膜厚Ｔ６以上になるまでシリコン酸化膜１５１を堆積させる。
【００６４】
そして、シリコン酸化膜１５１に、領域Ｒ１に対応するパターンを用いてＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）法によるエッチング処理を行い、領域Ｒ１を領域Ｒ２よりも低くする（図１７（ｃ））。
【００６５】
さらに、シリコン酸化膜１５１全体に対して、ＲＩＥ法によるエッチング処理を行い、第２絶縁膜１３０ｂを形成する（図１７（ｄ））。
上記２つのエッチング処理により、第２絶縁膜１３０ｂの領域Ｒ１および領域Ｒ２が適正な高さに、かつその上面がそれぞれ平坦な面になる。こうして形成された第２絶縁膜１３０ｂにおける、第１絶縁膜１３０ａ上の第１領域Ｒ２ａの膜厚がＴ６、転送電極１０８上の第２領域Ｒ２ｂの膜厚がＴ７である。
（配線の形成）
第２絶縁膜１３０ｂにおける転送電極１０８上の領域にコンタクトホール１１２を形成してから、コンタクトホール１１２内および第２絶縁膜１３０ｂ上に、ＣＶＤ法により金属膜１５２を堆積形成する（図１８（ａ））。
【００６６】
そして、各配線１０９間（配線間Ｋ２）に対応したレジストの抜きパターンを形成し、金属膜１５２に対して、形成した抜きパターンを用いてＲＩＥ法によるエッチング処理を行い、互いに分離された複数の線状の金属膜１５２ａを形成する（図１８（ｂ））。この工程において、金属膜１５２における配線間Ｋ２に相当する領域１５２ｂ（図１８（ａ）参照）を除去する。ここでの金属膜１５２の領域１５２ｂは、その全体が、第２絶縁膜１３０ｂの領域Ｒ３（Ｒ２）の平坦な上面上にあるので、凹凸がない分、前記抜きパターンの形成が比較的容易であり、かつエッチング処理が良好に行える。
【００６７】
さらに、配線１０９の窓部１０９ｄに対応したレジストの抜きパターンを形成し、各金属膜１５２ａに対して、形成した抜きパターンを用いてＲＩＥ法によるエッチング処理を行い、窓部１０９ｄを形成する（図１８（ｃ））。これにより配線１０９が完成する。この工程では、金属膜１５２ａにおける窓部１０９ｄに相当する領域１５２ｃ（図１８（ａ）参照）を除去する。ここでの領域１５２ｃは、その全体が、第２絶縁膜１３０ｂの領域Ｒ１の平坦な上面上にあるので、前記抜きパターンの形成が比較的容易であり、かつエッチング処理が良好に行える。
【００６８】
上記の配線の形成方法は、第１の実施形態の配線９を形成する場合にも同様にして形成することができる。
（第３絶縁膜、遮光膜の形成）
第３絶縁膜１３１を形成し、最後に、遮光膜１１１を形成する（図１８（ｄ））。
【００６９】
以上の工程を経て、固体撮像素子１００が作製される。
上記構成の固体撮像素子１００の製造方法によれば、配線１０９を作製するときのエッチング工程において、配線間Ｋ２に相当する部分のパターン形成を、第２絶縁膜１３０ｂの配線間Ｋ２に相当する領域Ｒ３の平坦な上面上で行えるので、凹凸がない分、パターン形成が容易であり、かつエッチングを良好に行えるようになる。そして、その結果として、配線を精度よく作製することができるようになる。
【００７０】
また、上記構成では、第２絶縁膜１３０ｂ上に形成した金属膜１５２から、配線間に相当する領域１５２ｂの除去と、配線の窓部に相当する領域１５２ｃの除去とに分けて、２回のエッチング処理を経て配線１０９を形成している。これは、金属膜１５２の領域１５２ｂおよび領域１５２ｃが、高さの異なる第２絶縁膜１３０ｂの領域Ｒ２および領域Ｒ１上にそれぞれ形成されていることから、それぞれの高さに合わせて、エッチング条件を設定するためである。このように高さの異なる領域毎にエッチング処理を行うことにより、エッチング条件を最適化することができるので、エッチング処理がより良好に行える。
【００７１】
以上、本発明に係る固体撮像素子について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限られない。
［変形例］
例えば、以下のような変形例が考えられる。
【００７２】
第１乃至第５の実施形態では、第１および第２絶縁膜が酸化膜からなる構成を示したが、第１および第２絶縁膜が、窒化膜、または酸化膜と窒化膜との組合せからなる構成とすることもできる。
【００７３】
第１乃至第５の実施形態では、第１および第２絶縁膜がそれぞれ５０ｎｍ程度の膜厚からなる構成を示したが、第１および第２絶縁膜は、固体撮像素子の仕様または用途に合わせて適宜選択、かつ個別に選択することができる。
【００７４】
第１乃至第５の実施形態では、配線が金属材料からなる構成を示したが、配線を、金属材料以外であって転送電極よりも電気抵抗率の低い材料で構成してもよい。また、配線を、例えば多結晶シリコンで構成してもよい。
【００７５】
第１乃至第４の実施形態では、配線が、幅の狭い幅狭部と、幅狭部よりも幅の広い幅広部とからなる構成を示したが、配線の幅を一定にして幅広部分を有しない構成とすることもできる。
【００７６】
また、第１乃至第４の実施形態では、配線が対応する行の各転送電極の列方向下側端部の上を通る構成を示したが、配線が各転送電極の列方向上側端部の上を通る構成、または列方向に隣り合う転送電極の間を通る構成としてもよい。さらに、配線が、絶縁膜を介して、対応する行とは異なる行の各転送電極の上を通る構成としてもよい。このように、配線の配置位置、幅等の構成は、固体撮像素子の仕様または用途に合わせて適宜選択することができる。
【００７７】
第５の実施形態では、Ｔ字状の転送電極を用いた構成を示したが、転送電極の形状はこれに限定するものではない。例えば、Ｌ字状の転送電極、またはエ字状の転送電極を用いることもできる。
【００７８】
第５の実施形態では、第２絶縁膜を転送電極上にも形成した構成を示したが、第２絶縁膜を転送電極上に形成しない構成としてもよい。この場合には、第２絶縁膜を、第１絶縁膜上の光電変換部の行間に相当する領域（転送電極が形成された領域を除く）に形成して、当該第２絶縁膜の膜厚と転送電極の膜厚とを等しくすることにより、転送電極の上面と第２絶縁膜の上面とを面一にし、かつ連続した平坦面に形成することができる。これにより、配線間に相当する領域の上面（転送電極の上面と第２絶縁膜の上面とで構成される）が平坦面になるので、第５の実施形態と同様、配線の作製が容易になるという効果が得られる。
【００７９】
第１、第２および第５の実施形態では、本発明に係る固体撮像素子の製造方法について説明したが、固体撮像素子の製造方法を特に限定するものではない。固体撮像素子の仕様または用途に合わせて、その製造方法を適宜選択することができる。例えば、第５の実施形態では、第２絶縁膜および配線の形成において、ＲＩＥ法によるドライエッチング処理を用いたが、第２絶縁膜、配線の材料によっては、エッチング液によるウェットエッチング処理を用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明は、高画質な固体撮像素子を実現するのに有用である。
【符号の説明】
【００８１】
１，４０，６０，８０，１００    固体撮像素子
２    光電変換部
３    垂直ＣＣＤ部（垂直転送部）
４    撮像領域
５    水平ＣＣＤ部（水平転送部）
６    出力アンプ部
７    転送チャネル
８，１０８    転送電極
９，１０９    配線
９ａ，１０９ａ  幅広部（電極相当部分）
９ｂ，１０９ｂ  幅狭部（電極間相当部分）
１１    遮光膜
２０    シリコン基板（半導体基板）
２１    Ｎ型領域
２２    Ｐ型ウェル領域
２３    チャネルストップ領域
３０ａ，１３０ａ  第１絶縁膜
３０ｂ，１３０ｂ  第２絶縁膜
３１，１３１    第３絶縁膜
４１    遮光膜
４９    配線
４９ａ  幅広部（電極相当部分）
４９ｂ  幅狭部（電極間相当部分）
５０ａ  第１絶縁膜
５０ｂ  第２絶縁膜
５１    第３絶縁膜
５５    レジスト膜
１０８ａ    縦部（転送電極の第１部分）
１０８ｂ    横部（転送電極の第２部分）
１０８ｂ１    転送電極の配線間相当部分
１０９ｄ    窓部（配線の開口部）
Ｌ    転送電極の縦部の大きさ
Ｋ３    配線間
Ｒ２    第２絶縁膜の光電変換部に相当する領域以外の領域
Ｒ２ａ  第２絶縁膜の第１絶縁膜上の第１領域
Ｒ２ｂ  第２絶縁膜の転送電極上の第２領域
Ｒ３    第２絶縁膜の各配線間に相当する領域
Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ５，Ｔ６，Ｔ７，Ｔ８    膜厚
Ｗ１，Ｗ２    開口幅
Ｗ３    光電変換部の垂直方向の幅
Ｗ４    配線の幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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