(57)【要約】【課題】第１内側端子と第２内側端子とを均一にプリフラックス処理することができ、プリアンプを安定して実装することができる配線回路基板、および、その配線回路基板の製造方法を提供すること。【解決手段】  ベース絶縁層１２と、ベース絶縁層１２上に形成される第１導体パターン１３および第２導体パターン１４とを備える配線回路基板１において、金属めっき層２２が設けられるサスペンション側端子２０と、プリアンプ７にはんだ接続される第１プリアンプ側端子１９とを接続する第１配線２１を備える第１導体パターン１３、および、はんだ接続される基板側端子１７と、プリアンプ７にはんだ接続される第２プリアンプ側端子１６とを接続する第２配線１８を備える第２導体パターン１４を形成し、第２配線１８に金属めっき層２２を形成した後、第１プリアンプ側端子１９と第２プリアンプ側端子１６とをプリフラックス処理する。【選択図】図２
2011249369.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成される第１導体パターンおよび第２導体パターンと
を備え、
前記第１導体パターンは、金属めっき層が設けられる第１外側端子と、はんだ接続される第１内側端子と、前記第１外側端子および前記第１内側端子を接続する第１配線とを備え、
前記第２導体パターンは、はんだ接続される第２外側端子と、はんだ接続される第２内側端子と、前記第２外側端子および前記第２内側端子を接続する第２配線とを備え、
前記第１内側端子と前記第２内側端子とは、共通の電気部品とはんだ接続できるように対向配置され、かつ、プリフラックス処理がなされており、
前記第２配線には、金属めっき層が設けられていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記第１外側端子は、磁気ヘッドを搭載するサスペンション基板を接続するために設けられ、
前記電気部品が、プリアンプであり、
前記第２外側端子は、制御基板を接続するために設けられ、
前記金属めっき層が、金めっき層であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
絶縁層を用意する工程と、
前記絶縁層の上に、
第１外側端子と、第１内側端子と、前記第１外側端子および前記第１内側端子を接続する第１配線とを備える第１導体パターンと、
第２外側端子と、第２内側端子と、前記第２外側端子および前記第２内側端子を接続する第２配線とを備える第２導体パターンとを、
共通の電気部品とはんだ接続できるように、前記第１内側端子と前記第２内側端子とが対向配置されるように、形成する工程と、
前記第１外側端子および前記第２配線に、金属めっき層を設ける工程と、
前記第１内側端子および前記第２内側端子を、プリフラックス処理する工程と
を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法、詳しくは、磁気ヘッドを搭載するサスペンション基板と、磁気ヘッドを動作させる制御基板とを中継するための配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ハードディスクドライブには、磁気ヘッドを搭載するサスペンション基板と、磁気ヘッドを制御する制御デバイスとを中継するための配線回路基板が設けられている。
【０００３】
このような配線回路基板として、例えば、長手方向一端部において、回路付サスペンション基板の制御回路基板端子部に接続されるサスペンション基板端子部を備え、長手方向他端部において、各種制御デバイスに接続される外部端子部を備え、長手方向一端部近傍において、サスペンション基板端子部に導通されるプリアンプ端子部と、外部端子部に導通されるプリアンプ端子部とを備える制御回路基板が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
この制御回路基板では、サスペンション基板端子部に接続されるプリアンプ端子部と、外部端子部に接続されるプリアンプ端子部とは、長手方向において、互いに間隔を隔てて対向配置されている。そして、サスペンション基板端子部に接続されるプリアンプ端子部と、外部端子部に接続されるプリアンプ端子部とには、それらに跨るように、１つのプリアンプＩＣが接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−４０４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかるに、このような配線回路基板では、通常、サスペンション基板端子部には、サスペンション基板と接続するために、金めっき層が設けられる一方、外部端子部では、各種制御デバイスと、はんだ接続される。また、各プリアンプ端子部は、プリアンプとはんだ接続される。
【０００７】
そして、各プリアンプ端子部は、はんだ接続するために、プリフラックス処理がなれている。
【０００８】
しかし、プリフラックス処理において、サスペンション基板端子部には、金めっき層が設けられているため、サスペンション基板端子部に接続されるプリアンプ端子部がガルバニック腐食される一方、外部端子部には、はんだ接続されるため、金めっき層は設けられておらず、そのため、外部端子部に接続されるプリアンプ端子部はガルバニック腐食されることがない。
【０００９】
そのため、サスペンション基板端子部に接続されるプリアンプ端子部では、腐食された分、サスペンション基板端子部に接続されるプリアンプ端子部を被覆するプリフラックス層の厚みが厚く形成される一方、外部端子部に接続されるプリアンプ端子部では、サスペンション基板端子部に接続されるプリアンプ端子部に比べて、外部端子部に接続されるプリアンプ端子部を被覆するプリフラックス層の厚みが薄く形成される。
【００１０】
これにより、サスペンション基板端子部に接続されるプリアンプ端子部と、外部端子部に接続されるプリアンプ端子部とにおいて、プリフラックス層に対するはんだの濡れ性が不均一となる。そのため、プリアンプを安定して実装することができないという不具合がある。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、第１内側端子と第２内側端子とが均一にプリフラックス処理されており、プリアンプを安定して実装することができる配線回路基板、および、その配線回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記した目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、絶縁層と、前記絶縁層の上に形成される第１導体パターンおよび第２導体パターンとを備え、前記第１導体パターンは、金属めっき層が設けられる第１外側端子と、はんだ接続される第１内側端子と、前記第１外側端子および前記第１内側端子を接続する第１配線とを備え、前記第２導体パターンは、はんだ接続される第２外側端子と、はんだ接続される第２内側端子と、前記第２外側端子および前記第２内側端子を接続する第２配線とを備え、前記第１内側端子と前記第２内側端子とは、共通の電気部品とはんだ接続できるように対向配置され、かつ、プリフラックス処理がなされており、前記第２配線には、金属めっき層が設けられていることを特徴としている。
【００１３】
また、本発明の配線回路基板では、前記第１外側端子は、磁気ヘッドを搭載するサスペンション基板を接続するために設けられ、前記電気部品が、プリアンプであり、前記第２外側端子は、制御基板を接続するために設けられ、前記金属めっき層が、金めっき層であることが好適である。
【００１４】
また、本発明の配線回路基板の製造方法は、絶縁層を用意する工程と、前記絶縁層の上に、第１外側端子と、第１内側端子と、前記第１外側端子および前記第１内側端子を接続する第１配線とを備える第１導体パターンと、第２外側端子と、第２内側端子と、前記第２外側端子および前記第２内側端子を接続する第２配線とを備える第２導体パターンとを、共通の電気部品とはんだ接続できるように、前記第１内側端子と前記第２内側端子とが対向配置されるように、形成する工程と、前記第１外側端子および前記第２配線に、金属めっき層を設ける工程と、前記第１内側端子および前記第２内側端子を、プリフラックス処理する工程とを備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の配線回路基板の製造方法により製造された配線回路基板によれば、第２導体パターンには、第２配線において、金属めっき層が設けられている。
【００１６】
そのため、第１内側端子だけでなく第２内側端子もガルバニック腐食されるので、第１内側端子と第２内側端子とを均一にプリフラックス処理することができる。
【００１７】
その結果、第１内側端子と第２内側端子とにおいて、プリフラックス層に対するはんだの濡れ性を均一化することができ、プリアンプを安定して実装することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態を示す一部省略平面図である。
【図２】図１に示す配線回路基板のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を説明するための工程図であって、（ａ）は、ベース絶縁層を形成する工程を示し、（ｂ）は、導体パターンを形成する工程を示し、（ｃ）は、カバー絶縁層を形成する工程を示し、（ｄ）は、ヘッド側端子と第２配線とにめっき層を形成する工程を示し、（ｅ）は、第１プリアンプ側端子、第２プリアンプ側端子および基板側端子にプリフラックス処理する工程を示す。
【図４】配線回路基板のプリアンプ実装部を説明するための説明図であって、（ａ）は、本実施形態の配線回路基板を示し、（ｂ）は、従来の配線回路基板を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態を示す一部省略平面図である。図２は、図１に示す配線回路基板のＡ−Ａ断面図である。
【００２０】
配線回路基板１は、図１および図２に示すように、長手方向に延びる略平帯形状に形成されている。配線回路基板１には、長手方向一端部において、プリアンプ実装部２を備え、長手方向他端部において、基板接続部３を備え、それらの間において、配線部４を備えている。
【００２１】
プリアンプ実装部２は、平面視略矩形状に形成されている。プリアンプ実装部２には、長手方向一端部において、磁気ヘッド（図示せず）を搭載するサスペンション基板としての回路付サスペンション基板５（図２に仮想線で示す。）が接続される回路付サスペンション基板接続領域６が、長手方向と直交する幅方向に延びる略矩形状に区画されており、長手方向他端部において、プリアンプ７（図２に仮想線で示す。）が実装されるプリアンプ搭載領域８が、回路付サスペンション基板接続領域６に対して長手方向に間隔を隔てて、幅方向に延びる略矩形状に区画されている。
【００２２】
基板接続部３は、平面視略矩形状に形成されている。基板接続部３には、長手方向他端部において、回路付サスペンション基板５の磁気ヘッド（図示せず）を制御するための制御基板９（図２に仮想線で示す。）に接続される制御基板接続領域２５が、幅方向に延びる略矩形状に区画され、長手方向一端部において、第２配線１８（後述）にダミーめっき層２７（後述）を形成するためのダミーめっき形成領域２６が、制御基板接続領域２５に対して長手方向に間隔を隔てて、幅方向に延びる略矩形状に区画されている。
【００２３】
また、配線回路基板１は、図２に示すように、ベース絶縁層１２と、ベース絶縁層１２の上に形成される第１導体パターン１３および第２導体パターン１４と、第１導体パターン１３および第２導体パターン１４を被覆するようにベース絶縁層１２の上に形成されるカバー絶縁層１５とを備えている。
【００２４】
ベース絶縁層１２は、配線回路基板１の外形形状に対応する形状に形成されている。具体的には、ベース絶縁層１２は、プリアンプ実装部２と基板接続部３において、幅方向に膨出し、配線部４において、幅方向に幅狭に形成されている。
【００２５】
第１導体パターン１３は、プリアンプ実装部２に形成されており、配線回路基板１の長手方向に沿って延び、回路付サスペンション基板５に接続される複数（４つ）の第１外側端子としてのサスペンション側端子２０、電気部品としてのプリアンプ７に接続される複数（４つ）の第１内側端子としての第１プリアンプ側端子１９、および、対応する第１プリアンプ側端子１９とサスペンション側端子２０とをそれぞれ接続する複数（４つ）の第１配線２１を一体的に備えている。
【００２６】
各サスペンション側端子２０は、平面視略矩形状（角ランド形状）に形成され、回路付サスペンション基板接続領域６の長手方向他端部において、幅方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。
【００２７】
各第１プリアンプ側端子１９は、平面視略矩形状（角ランド形状）に形成され、プリアンプ搭載領域８の長手方向一端部において、幅方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。
【００２８】
各第１配線２１は、各サスペンション側端子２０と各第１プリアンプ側端子１９とを接続するように長手方向に延び、幅方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。
【００２９】
第２導体パターン１４は、配線回路基板１の長手方向に沿って延びるように、プリアンプ実装部２、配線部４および基板接続部３にわたって形成され、第１導体パターン１３と長手方向他方側に間隔を隔てて配置されており、制御基板９に接続される複数（４つ）の第２外側端子としての基板側端子１７、プリアンプ７に接続される複数（４つ）の第２内側端子としての第２プリアンプ側端子１６、および、対応する第２プリアンプ側端子１６と基板側端子１７とをそれぞれ接続する複数（４つ）の第２配線１８を一体的に備えている。
【００３０】
各基板側端子１７は、平面視略矩形状（角ランド形状）に形成され、制御基板接続領域２５の長手方向一端部において、幅方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。
【００３１】
各第２プリアンプ側端子１６は、平面視略矩形状（角ランド形状）に形成され、プリアンプ搭載領域８の長手方向他端部において、幅方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、各第２プリアンプ側端子１６は、各第１プリアンプ側端子１９に対応するように、各第１プリアンプ側端子１９に対して、プリアンプ７の長手方向長さよりも短い長手方向間隔を隔てて対向配置されている。
【００３２】
各第２配線１８は、各基板側端子１７と各第２プリアンプ側端子１６とを接続するように長手方向に延び、幅方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。
【００３３】
カバー絶縁層１５は、各サスペンション側端子２０、各第１プリアンプ側端子１９、各第２プリアンプ側端子１６および各基板側端子１７を露出するとともに、ダミーめっき形成領域２６において各第２配線１８を露出し、それ以外の各第２配線１８、および、各第１配線２１を被覆するように、ベース絶縁層１２の上に形成されている。
【００３４】
また、配線回路基板１には、第１導体パターン１３において、各サスペンション側端子２０を被覆するように、金属めっき層２２が形成され、各第１プリアンプ側端子１９を被覆するように、プリフラックス層２３が形成されている。
【００３５】
また、第２導体パターン１４において、ダミーめっき形成領域２６における各第２配線１８を被覆するように、ダミーめっき層２７が形成され、各基板側端子１７を被覆するように、プリフラックス層２３が形成されている。
【００３６】
そして、配線回路基板１には、各サスペンション側端子２０に対して回路付サスペンション基板５の端子（図示せず）が接続され、プリアンプ７が第１プリアンプ側端子１９および第２プリアンプ側端子１６に跨るように、第１プリアンプ側端子１９および第２プリアンプ側端子１６に対してプリアンプ７の端子（図示せず）がはんだ接続され、各基板側端子１７に対して制御基板９の端子（図示せず）がはんだ接続される。
【００３７】
図３は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。
【００３８】
次に、この配線回路基１の製造方法について、図３を参照して説明する。
【００３９】
まず、この方法では、ベース絶縁層１２、第１導体パターン１３および第２導体パターン１４、カバー絶縁層１５を順次形成する。
【００４０】
具体的には、この方法では、図３（ａ）に示すように、ベース絶縁層１２を用意する。
【００４１】
ベース絶縁層１２を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、ポリイミドが用いられ、また、感光性の合成樹脂も用いられる。
【００４２】
ベース絶縁層１２は、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成する。
【００４３】
また、ベース絶縁層１２を形成するには、支持基板（図示せず）の表面に、例えば、感光性の合成樹脂の溶液を塗布し、乾燥後、必要により、ベース絶縁層１２が形成されるパターンで露光および現像し、加熱硬化させることもできる。
【００４４】
ベース絶縁層１２の厚みは、例えば、１〜２０μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。
【００４５】
次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１２の上に、第１導体パターン１３および第２導体パターン１４を形成する。
【００４６】
導体パターン１３を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、錫、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
【００４７】
導体パターン１３を形成するには、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。
【００４８】
サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層１２の全面に、必要により接着剤層を介して上記した導体材料からなる導体層を積層し、次いで、この導体層の上に、第１導体パターン１３および第２導体パターン１４と同一パターンのエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去する。
【００４９】
なお、サブトラクティブ法により第１導体パターン１３および第２導体パターン１４を形成するには、上記したように、ベース絶縁層１２の上に導体層を積層することもできるが、ベース絶縁層１２および導体層が予め積層された市販の２層基材を入手して、上記したように導体層をエッチングし、第１導体パターン１３および第２導体パターン１４を形成することもできる。
【００５０】
また、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層１２を含む金属支持基板１１の表面に、導体種膜を、スパッタリング法などにより形成する。次いで、その導体種膜の表面に、めっきレジストを、導体パターン１３の反転パターンで形成する。その後、めっきレジストから露出する、ベース絶縁層１２の導体種膜の表面に、電解めっきにより、導体パターン１３を形成する。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の導体種膜を除去する。
【００５１】
第１導体パターン１３および第２導体パターン１４の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２５μｍである。
【００５２】
また、第１導体パターン１３において、第１プリアンプ側端子１９の幅は、例えば、１０〜１００００μｍ、好ましくは、１０〜２０００μｍであり、各第１プリアンプ側端子１９間の間隔は、例えば、１０〜１００００μｍ、好ましくは、１０〜２０００μｍであり、サスペンション側端子２０の幅は、例えば、１０〜１００００μｍ、好ましくは、１０〜２０００μｍであり、各サスペンション側端子２０間の間隔は、例えば、１０〜１００００μｍ、好ましくは、１０〜２０００μｍであり、第１配線２１の幅は、例えば、１０〜１００００μｍ、好ましくは、１０〜２０００μｍであり、各第１配線２１間の間隔は、例えば、１０〜１００００μｍ、好ましくは、１０〜２０００μｍである。
【００５３】
また、第２導体パターン１４において、第２プリアンプ側端子１６の幅は、例えば、１０〜１００００μｍ、好ましくは、１０〜２０００μｍであり、各第２プリアンプ側端子１６間の間隔は、例えば、１０〜１００００μｍ、好ましくは、１０〜２０００μｍであり、基板側端子１７の幅は、例えば、１０〜１００００μｍ、好ましくは、１０〜２０００μｍであり、各基板側端子１７間の間隔は、例えば、１０〜１００００μｍ、好ましくは、１０〜２０００μｍであり、第２配線１８の幅は、例えば、１０〜１００００μｍ、好ましくは、１０〜２０００μｍであり、各第２配線１８間の間隔は、例えば、１０〜１００００μｍ、好ましくは、１０〜２０００μｍである。
【００５４】
次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、ベース絶縁層１２の上に、第１導体パターン１３および第２導体パターン１４を被覆するように、カバー絶縁層１５を形成する。カバー絶縁層１５を形成する絶縁材料は、ベース絶縁層１２の絶縁材料と同様のものが挙げられる。
【００５５】
カバー絶縁層１５は、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、第１導体パターン１３および第２導体パターン１４を含むベース絶縁層１２の表面に、熱圧着、または、公知の接着剤層を介して貼着することにより形成する。
【００５６】
また、カバー絶縁層１５を形成するには、第１導体パターン１３および第２導体パターン１４を含むベース絶縁層１２の表面に、例えば、感光性の合成樹脂の溶液を塗布し、乾燥後、必要により、上記したパターンで露光および現像し、加熱硬化させることもできる。
【００５７】
カバー絶縁層１５の厚みは、例えば、２〜５０μｍ、好ましくは、３〜２５μｍである。
【００５８】
また、ダミーめっき形成領域２６においてカバー絶縁層１５から露出される第２配線１８の長手方向長さは、好ましくは、露出された第２配線１８の面積がサスペンション側端子２０の面積と略同面積となるように、サスペンション側端子２０の長手方向長さと略同一である。
【００５９】
次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、第１プリアンプ側端子１９、第２プリアンプ側端子１６および基板側端子１７を、テープマスキングなどからなるめっきレジストによりマスクした後、サスペンション側端子２０、および、ダミーめっき形成領域２６の第２配線１８の表面をめっきし、金属めっき層２２を形成する。その後、めっきレジストを除去する。
【００６０】
めっきに用いる金属は、特に制限されず、例えば、金、白金、銀、すず、ロジウムなどが挙げられ、好ましくは、金が挙げられる。
【００６１】
なお、金属めっき層２２は、互いに異なる金属により多層で形成することもできる。
【００６２】
金属めっき層２２の厚みは、例えば、０．０１〜５．０μｍ、好ましくは、０．１〜１μｍである。
【００６３】
次いで、この方法では、図３（ｅ）に示すように、化学マイクロエッチングにより、第１プリアンプ側端子１９、第２プリアンプ側端子１６および基板側端子１７の表面の酸化被膜を除去した後、第１プリアンプ側端子１９、第２プリアンプ側端子１６および基板側端子１７をプリフラックス処理する。
【００６４】
プリフラックス処理に用いられるプリフラックスとしては、例えば、ベンゾトリアゾール化合物、ベンズイミダゾール化合物からなる水溶性プリフラックスなどが挙げられる。プリフラックスが水溶性プリフラックスであれば、水溶性プリフラックスの水溶液に配線回路基板１を浸漬すれば、第１プリアンプ側端子１９、第２プリアンプ側端子１６および基板側端子１７に、選択的にプリフラックス層２３を形成することができる。
【００６５】
これにより形成されるプリフラックス層２３の厚みは、例えば、０．０５〜３μｍ、好ましくは、０．１〜０．５μｍである。
【００６６】
また、第１プリアンプ側端子１９に形成されるプリフラックス層２３の厚みを１００％としたときに、第２プリアンプ側端子１６に形成されるプリフラックス層２３の厚みは、例えば、５０〜２００％、好ましくは、８０〜１２０％である。
【００６７】
これにより、配線回路基板１が製造される。
【００６８】
図４は、配線回路基板のプリアンプ実装部を説明するための説明図であって、（ａ）は、本実施形態の配線回路基板を示し、（ｂ）は、従来の配線回路基板を示す。
【００６９】
従来、配線回路基板では、第１プリアンプ側端子１９が導通するサスペンション側端子２０には、金属めっき層２２が設けられている。
【００７０】
一方、第２プリアンプ側端子１６が導通する基板側端子１７は、制御基板９の端子にはんだ接続されるため、金属めっき層２２が設けられておらず、はんだ接続される第１プリアンプ側端子１９、第２プリアンプ側端子１６および基板側端子１７には、プリフラックス処理がなされている。
【００７１】
このプリフラックス処理において、第１プリアンプ側端子１９は、サスペンション側端子２０の金属めっき層２２に導通されているため、ガルバニック腐食される。
【００７２】
一方、第２プリアンプ側端子１６は、基板側端子１７に金属めっき層２２が設けられていないため、ガルバニック腐食されることがない。
【００７３】
そのため、図４（ｂ）に示すように、第１プリアンプ側端子１９では、第１プリアンプ側端子１９を被覆するプリフラックス層２３の厚みが厚く形成される。
【００７４】
一方、第２プリアンプ側端子１６では、第１プリアンプ側端子１９に比べて、第２プリアンプ側端子１６を被覆するプリフラックス層２３の厚みが薄く形成される。
【００７５】
これにより、第１プリアンプ側端子１９と第２プリアンプ側端子１６とにおいて、プリフラックス層２３に対するはんだの濡れ性が不均一となる。
【００７６】
そのため、第１プリアンプ側端子１９および第２プリアンプ側端子１６に、プリアンプ７を安定して実装することができないという不具合がある。
【００７７】
対して、この配線回路基板１によれば、図２に示すように、第２導体パターン１４には、第２配線１８において、金属めっき層２２が設けられている。
【００７８】
そのため、第１プリアンプ側端子１９だけでなく第２プリアンプ側端子１６もガルバニック腐食され、図４（ａ）に示すように、第１プリアンプ側端子１９と第２プリアンプ側端子１６とを均一（ほぼ等しい厚み）にプリフラックス処理することができる。
【００７９】
その結果、プリフラックス処理後において、第１プリアンプ側端子１９と第２プリアンプ側端子１６とを均一な厚みに形成することができ、第１プリアンプ側端子１９と第２プリアンプ側端子１６との濡れ性を均一化することできるため、プリアンプ７を安定して実装することができる。
【実施例】
【００８０】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
【００８１】
実施例
まず、厚み１２．５μｍのポリイミドからなるベース絶縁層の上に、厚み１８μｍの導体層が、厚み１０μｍの接着剤層を介して積層された２層基材を用意した。
【００８２】
次いで、導体層の上に、第１導体パターンおよび第２導体パターンと同一パターンのエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングした後、エッチングレジストを除去した（図３（ｂ）参照）。
【００８３】
これにより、幅方向長さ８５μｍの第１プリアンプ側端子および第２プリアンプ側端子を、それぞれ４つ、幅方向に互いに９０μｍの間隔を隔てて並列配置するように形成した。
【００８４】
また、第１プリアンプ側端子と第２プリアンプ側端子との長手方向間隔は、１．５ｍｍであった。
【００８５】
また、幅方向長さ２００μｍのサスペンション側端子を、４つ、幅方向に互いに９０μｍの間隔を隔てて並列配置するように形成した。
【００８６】
また、幅方向長さ６００μｍの基板側端子を、４つ、幅方向に互いに６００μｍの間隔を隔てて並列配置するように形成した。
【００８７】
また、幅方向長さ８０μｍの第１配線を、４つ、幅方向に互いに２００μｍの間隔を隔てて並列配置するように形成した。
【００８８】
また、幅方向長さ１５０μｍの第２配線を、４つ、幅方向に互いに８０μｍの間隔を隔てて並列配置するように形成した。
【００８９】
次いで、上記したパターンに形成された厚さ１２．５μｍのポリイミドフィルムを、第１導体パターンおよび第２導体パターンを含むベース絶縁層１２の表面に、各サスペンション側端子、各第１プリアンプ側端子、各第２プリアンプ側端子および各基板側端子を露出するとともに、ダミーめっき形成領域において各第２配線を露出し、それ以外の各第２配線、および、各第１配線を被覆するように、公知の接着剤層を介して貼着し、１５０℃で１時間熱処理することにより接着剤を硬化させて、カバー絶縁層を形成した（図３（ｃ）参照）。
【００９０】
次いで、第１プリアンプ側端子、第２プリアンプ側端子および基板側端子をテープマスキングによりマスクした後、サスペンション側端子、および、カバー絶縁層から露出された第２配線の表面を、電解金めっきし、厚み０．５μｍの金めっき層を形成した（図３（ｄ）参照）。その後、テープマスキングを除去した。
【００９１】
次いで、化学マイクロエッチングにより、第１プリアンプ側端子、第２プリアンプ側端子および基板側端子の表面の酸化被膜を除去した後、ベンズイミダゾール化合物からなる水溶性プリフラックスの水溶液に浸漬して（プリフラックス処理）、第１プリアンプ側端子、第２プリアンプ側端子および基板側端子の表面にプリフラックス層を形成した（図３（ｅ）参照）。これにより、配線回路基板を得た。
【００９２】
第１プリアンプ側端子の表面に形成されたプリフラックス層の厚みは、０．３８μｍであり、第２プリアンプ側端子の表面に形成されたプリフラックス層の厚みは、０．３７μｍであった。
【符号の説明】
【００９３】
１      配線回路基板
５      サスペンション基板
７      プリアンプ
９      制御基板
１２    ベース絶縁層
１３    第１導体パターン
１４    第２導体パターン
１６    第２プリアンプ側端子
１７    基板側端子
１８    第２配線
１９    第１プリアンプ側端子
２０    サスペンション側端子
２１    第１配線
２２    金属めっき層
【図１】
2011249369.tif 000003
【図２】
2011249369.tif 000004
【図３】
2011249369.tif 000005
【図４】
2011249369.tif 000006