(57)【要約】【課題】例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金塊であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく所望の形状に切断し、Ｒａが０．１μｍ以下の優れた表面平滑性を有するＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットを比較的短時間の表面研磨により提供する。【解決手段】加工対象物１５であるＣｕ−Ｇａ合金塊とワイヤー１２とを互いに交わる方向に相対移動させ、Ｃｕ−Ｇａ合金塊に対してその全長にわたってワイヤー放電加工を行うことにより直方体に切断した後、該切断片の表面に形成された加工変質層を硝酸水溶液と接触し除去した後、次いで所望のＲａまで湿式研磨を行う。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤー放電加工によりＣｕ−Ｇａ合金塊をターゲット形状に切断し、得られたＣｕ−Ｇａ合金切断片の少なくともスパッタリング面となる平面を酸性水溶液と接触せしめ、ワイヤー放電加工により切断片表面に生じた加工変質層を除去した後、加工変質層除去後の切断片表面を湿式研磨することを特徴とする、Ｃｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法
【請求項２】
酸性水溶液が鉱酸であることを特徴とする請求項１記載のＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項３】
酸性水溶液が硝酸、塩酸および硫酸のいずれか１種であることを特徴とする請求項１記載のＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項４】
酸性水溶液の濃度が５重量％以上６０重量％以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｃｕ−Ｇａ合金を、ヒビ割れや欠けがなく切断、研磨し、算術平均粗さＲａが０．１μｍ未満の平滑な表面を有するＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットの提供が可能なＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄膜形成方法の１つとしてスパッタリング法が知られている。スパッタリング法とは、一般に減圧下でプラズマ状態とした不活性ガスをスパッタリングターゲットに衝突させ、そのエネルギーによりターゲットから飛び出した分子や原子を基板に付着させ、基板上に薄膜を形成する方法であり、大面積化が容易で高性能の膜が得られることから工業的に利用されている。
【０００３】
また近年、スパッタリングの方式として、ターゲットの裏面に磁石を配置し、薄膜形成の高速化を図るマグネトロンスパッタリング法なども知られている。このようなスパッタリングを用いて形成される薄膜のうち、特にＣｕ−Ｇａ合金薄膜は、ＣＩＧＳ（Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ）薄膜型太陽電池を構成する光吸収層の形成に用いられている。
【０００４】
従来、高純度アルミニウムやアルミニウム合金等のスパッタリングターゲットは、例えば３００ｍｍ×４００ｍｍ×１０００ｍｍの大きさに溶解鋳造された直方体形状の合金（インゴット）を、旋盤や丸鋸を用いて幾つかに切断し、切断された合金片（スラブ）を圧延、切削することにより製造されている。
ところが、上記したＣＩＧＳ薄膜型太陽電池用に用いられるＣｕ−Ｇａ合金からなるターゲットはＧａの組成比が比較的大きいため、延性や展性が乏しく、硬度が高くて割れ易い（脆い）。このため、例えば直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金塊にアルミニウム合金塊と同様に、切断加工を含む塑性加工等の加工を施すと、加工後の当該Ｃｕ−Ｇａ合金にヒビが入ったり、割れたり欠けたりする。このような不都合が生じたＣｕ−Ｇａ合金を製品化するには、例えばヒビが入った部分等を切削して除去しなければならない。また、発生した切削クズには切削によって不純物が混入してしまうため、当該切削クズをスパッタリングターゲット用Ｃｕ−Ｇａ合金として再利用することはできない。それゆえ、再利用できない多量の切削クズが発生してＣｕ−Ｇａ合金の製品の歩留りが悪くなる。
【０００５】
さらに、一般にスパッタリングターゲットとして用いられるＣｕ−Ｇａ合金のうち、Ｇａの組成比が２５モル％（≒２６．８重量％）以上と大きいＣｕ−Ｇａ合金は、特に硬度が高くて割れ易い（脆い）ため、塑性加工等の加工を施すことができない。
【０００６】
そこで、上記の不都合を防止するために、通常、Ｇａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金は、セラミックス等の成形と同様に、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を焼結することによって所望の形状に成形（製造）している。
【０００７】
しかしながら、粉末を焼結することによって所望の形状のＣｕ−Ｇａ合金を製造する方法では、塑性加工等の加工を施して製造する方法と比較して、Ｃｕ−Ｇａ合金の製品の歩留りは改善されるものの、当該製品の生産性が低くなってしまう。
【０００８】
また、溶解鋳造によるスパッタリングターゲット用のＣｕ−Ｇａ合金の製造方法も提案されている（例えば、特許文献１）が、この方法では、所望するＣｕ−Ｇａ合金の大きさに合わせたモールドをその都度用意しなければならないので、生産性が極めて低い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−７３１６３（２０００年３月７日公開）
【００１０】
かかる不都合を解決すべく、本出願人は鋭意検討した結果、例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金塊であっても、ワイヤー放電加工という特定の切断方法を採用する場合には、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく所望の形状に切断（加工）し得ることを見出し、先に特願２００８−８３４３９として出願した。
【００１１】
この方法は上記した如く、Ｇａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金塊であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく所望の形状に切断（加工）することができるとの効果を有するものであるが、例えばＧａの組成比が２５モル％以上と大きいＣｕ−Ｇａ合金塊の場合、切断後の切断片を、そのまま従来公知の表面研磨方法で処理する場合、硬度が高く割れやすいため、マイルドな研磨条件で研磨をおこなわないとヒビ割れや欠けが生じる場合があり、割れや欠けがあるものをこのままターゲット材として用いる場合には、スパッタリングの際、異常放電発生原因になる可能性があるため、好ましくない。それゆえ切断後の研磨に長時間を有する場合があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
かかる事情下に鑑み、本発明者等は、ワイヤー放電加工により切断されたＣｕ−Ｇａ合金片の表面研磨に関し鋭意検討した結果、表面研磨に要する時間は単に合金に占めるＧａの存在量に起因するのみならず、ターゲットサイズに切断する際、ターゲット表面にワイヤーとワーク（Ｃｕ−Ｇａ合金）が溶けて交じり合った加工くず等が約５０μｍ程度の厚さで加工変質層として付着し、この加工変質層が、表面研磨時における作業性低下の一要因となることを見出し、かかる加工変質層を表面研磨に先立ち酸性水溶液と接触し除去せしめた後、スパッタリング面を湿式研磨する場合には、スパッタリング面にヒビ割れや欠けのない表面平滑性に優れたターゲット材が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、ワイヤー放電加工によりＣｕ−Ｇａ合金塊をターゲット形状に切断し、得られたＣｕ−Ｇａ合金切断片の少なくともスパッタリング面となる平面を酸性水溶液と接触せしめ、ワイヤー放電加工により切断片表面に生じた加工変質層を除去した後、該加工変質層除去後の切断片表面を湿式研磨することを特徴とする、Ｃｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法を提供するものである。
【００１４】
また、本発明は、Ｃｕ−Ｇａ合金塊におけるＧａの組成比が、１０モル％以上、５０モル％以下であることを特徴とする上記のＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法を提供するものである。
【００１５】
さらに本発明は、酸性水溶液が鉱酸であることを特徴とする上記のＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法を提供するものである。
【００１６】
加えて本発明は、酸性水溶液が硝酸、塩酸および硫酸のいずれか１種であることを特徴とする上に記載のＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法を提供するものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、比較的Ｇａ濃度の高いＣｕ−Ｇａ合金塊から、割れや欠けがなく所望形状の切断片を得ることができ、また比較的短時間で優れた表面平滑性を有するスパッタリング面となるターゲット表面を有するＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットの供給を可能とするとの効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係る切断方法を実施するのに好適なワイヤー放電加工装置の一例を示すものであり、概略の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明に係る切断方法の一実施例を示すものであり、切断対象物であるＣｕ−Ｇａ合金の概略の形状を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明は、
（１）ワイヤー放電加工によりＣｕ−Ｇａ合金塊をターゲット形状に切断し、
（２）得られたＣｕ−Ｇａ合金切断片の少なくともスパッタリング面となる表面を酸性水溶液と接触せしめ、ワイヤー放電加工により切断片表面に生じた加工変質層を除去した後、
（３）次いで加工変質層除去後の切断片表面を湿式研磨する
ことにより、効率よく表面平滑性に優れたＣｕ−Ｇａ合金よりなるスパッタリングターゲットを得るものである。それゆえ先ず、ワイヤー放電加工に用いるＣｕ−Ｇａ合金塊および該合金塊のワイヤー放電加工による切断方法について説明する。
【００２０】
＜Ｃｕ−Ｇａ合金＞
本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金の切断方法の切断対象物であるＣｕ−Ｇａ合金塊の製造方法は特に限定されるものではないが、溶解鋳造によって製造されていることが好ましい。溶解鋳造によって製造することにより、Ｃｕ中にＧａが偏析しないので、Ｃｕ−Ｇａ合金をスパッタリングターゲットとしてスパッタリングに用いたときに得られる薄膜の性能を維持することができる。尚、溶解鋳造の具体的な方法は、一般的な方法を採用することができ、特に限定されるものではない。
【００２１】
Ｃｕ−Ｇａ合金におけるＧａの組成比は、任意の値とすればよいが、１０モル％以上、５０モル％以下であることが好ましく、１５モル％以上、４０モル％以下であることがより好ましい。特に２５モル％を上回る、塑性加工し難いものについて効果を発揮する。尚、本発明においては、「モル％」を「atomic％」と同義語として扱うこととする。
【００２２】
また、Ｃｕ中にＧａができるだけ偏析しないようにするには、Ｃｕ−Ｇａ合金全体がより均一に冷却されることが望ましい。従って、溶解鋳造されるＣｕ−Ｇａ合金塊は、偏平な直方体形状、具体的には、溶解鋳造の具体的な条件にもよるが、例えば２５０ｍｍ×５００ｍｍ×５０ｍｍ程度の大きさにすることが好ましい。つまり、本発明において用いられるＣｕ−Ｇａ合金塊は、従来鋳造されているＣｕ−Ｇａ合金塊（例えば２４０ｍｍ×３００ｍｍ×１０００ｍｍの大きさ）と比較して、小さくかつ偏平な直方体形状に鋳造されていることが好ましい。
【００２３】
＜切断方法＞
上記Ｃｕ−Ｇａ合金塊に対して行う本発明に係る切断方法の好適な実施形態の一例を、図１を参照しながら説明する。本発明に係る切断方法は、ワイヤー放電加工によって切断する方法である。
【００２４】
ワイヤー放電加工とは、カットワイヤー（電極）と導電性を備えた加工対象物（切断対象物であり、本発明においてはＣｕ−Ｇａ合金塊）との間で短周期に繰り返されるアーク放電（放電エネルギー）によって、当該加工対象物を非機械的に切断する方法である。ワイヤー放電加工は、ワイヤーの材質や直径等を制御することにより、微細な加工を行うことができ、加工精度も高い。
【００２５】
本発明に係る切断方法においては、一般的なワイヤー放電加工装置を用いることができる。具体的には、例えば、図１に示すように、一般的なワイヤー放電加工装置は、主に、高周波パルス電源１０、電極１１、ワイヤー１２、サーボメカニズム１３、並びに、加工槽１４で構成されている。高周波パルス電源１０は、アーク放電を行うための電力を高周波パルスとして電極１１に供給するようになっている。電極１１は、６０〜３００Ｖのパルス状の直流電流をワイヤー１２に供給し、ワイヤー１２と加工対象物１５との間でアーク放電させるようになっている。ワイヤー１２は、図示しないワイヤー供給装置から供給され、一定の張力を保った状態で、図示しない巻取装置にて巻き取られるようになっている。サーボメカニズム１３は、ワイヤー１２の供給速度および走行速度を制御するようになっている。加工槽１４は、その底面部が高周波パルス電源１０と電気的に接続されている。加工槽１４には、水や油等の一般的な加工液１６が満たされている。また、加工槽１４には、ワイヤー１２に対する加工対象物１５の位置合わせを行う図示しない調整装置が設けられている。そして、加工槽１４では、載置された加工対象物１５に対して、加工液１６中にてワイヤー１２による切断（加工）が行われるようになっている。
【００２６】
上記ワイヤー放電加工による切断工程を、手順を追って説明する。以下の説明においては、切断前のＣｕ−Ｇａ合金塊の形状が直方体であって、直方体の最も短い辺と切断面とが垂直に交わるようにして当該Ｃｕ−Ｇａ合金を切断する場合を例に挙げることとする。
【００２７】
始めに、加工槽１４に、加工対象物１５である直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金塊を、上記切断が可能な向きに載置した後、加工液１６を満たす。これにより、Ｃｕ−Ｇａ合金塊は、加工槽１４を介して高周波パルス電源１０と電気的に接続される。次に、当該Ｃｕ−Ｇａ合金塊直方体の一頂点を原点として、原点から延びる三辺を座標軸Ｘ，Ｙ，Ｚに合わせる。例えば、Ｃｕ−Ｇａ合金の長手方向をＸ軸方向とし、厚さ方向（直方体の最も短い辺の方向）をＹ軸方向とする。従って、この場合には、ワイヤー１２は、その供給方向がＺ軸方向となるように張り渡されていることになる。
【００２８】
次いで、切断後のＣｕ−Ｇａ合金の厚さが所望の厚さ、例えば厚さａとなるように、原点からＺ軸方向に距離ａよりもさらに少しだけ移動した位置（後で研削することによって薄くなることを考慮した位置）に、ワイヤー１２をセットする。その後、ワイヤー１２を供給すると共に当該ワイヤー１２に直流電流を供給しながら、Ｃｕ−Ｇａ合金塊とワイヤー１２とを互いに交わる方向に相対移動させ、Ｃｕ−Ｇａ合金塊に対してその全長にわたってワイヤー放電加工を行う。即ち、ワイヤー１２の位置を固定してＣｕ−Ｇａ合金塊を−Ｘ軸方向に移動させるか、或いは、Ｃｕ−Ｇａ合金塊の位置を固定してワイヤー１２をＸ軸方向に移動させながら、加工液１６を介して、Ｃｕ−Ｇａ合金塊に対してその全長にわたってアーク放電を行うことにより、当該Ｃｕ−Ｇａ合金塊の切断を行う。
【００２９】
直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金塊を３つ以上に切り分ける場合には、上記操作と同様の操作を繰り返し行えばよい。これにより、直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金から、所望の厚さのＣｕ−Ｇａ合金を切り分けることができる。
【００３０】
ワイヤーの材質は、黄銅（Ｃｕ６５重量％−Ｚｎ３５重量％の合金）、銅等が好ましい。また、ワイヤーの直径は、０．１ｍｍ以上、０．４ｍｍ以下であることが好ましく、０．２ｍｍ程度であることがより好ましい。ワイヤーの全長は、３０００ｍ程度であることが好ましい。そして、切断に利用されるワイヤーの長さ（加工液１６中で張り渡されている長さ）、つまり、高周波パルス電源１０側のワイヤー支持端から電極１１側のワイヤー支持端までのワイヤーの長さは、「切断するＣｕ−Ｇａ合金塊の厚さ＋１ｃｍ以内」程度であることが好ましい。
【００３１】
ワイヤーの供給速度は、５ｍ／分以上、１５ｍ／分以下であることが好ましい。ワイヤーの張力は、０．１ｋｇｆ以上、０．５ｋｇｆ以下であることが好ましい。また、ワイヤーの走行速度、即ち、Ｃｕ−Ｇａ合金塊の切断速度（加工速度）は、０．１ｍｍ／分以上、８ｍｍ／分以下であることが好ましく、０．１ｍｍ／分以上、３ｍｍ／分以下であることがより好ましい。
【００３２】
放電加工条件は、例えば、パルス幅を０．１５μｓ以上、１．８５μｓ以下、パルス休止期間を２μｓ以上、１６μｓ以下、電流波高値を４．５Ａ以上、７０Ａ以下、無負荷電圧を３０Ｖ以上、１００Ｖ以下とすればよいが、加工対象物であるＣｕ−Ｇａ合金塊の大きさやワイヤーの種類に応じて、適宜設定すればよい。
【００３３】
本発明に係る切断方法においては、加工対象物であるＣｕ−Ｇａ合金塊が従来鋳造されているＣｕ−Ｇａ合金塊と比較して小さくかつ偏平であることがより好ましい。従って、所望の大きさのＣｕ−Ｇａ合金（スパッタリングターゲット）を得るには、切断前のＣｕ−Ｇａ合金塊の形状が直方体である場合には、直方体の最も短い辺と切断面とが交わるように、当該Ｃｕ−Ｇａ合金塊を切断する（いわゆる「スライス」を行う）ことが好ましい。また、上記直方体の最も短い辺の長さは、５０ｍｍ以下であることが好ましい。
このように切断して得られた直方体の切断片は、次いで酸性水溶液と接触せしめる。
【００３４】
＜酸性水溶液を用いた加工変質層の除去方法＞
上記ワイヤー放電加工により切断されたＣｕ−Ｇａ合金よりなる切断片表面には、ワイヤー放電加工時にワイヤーとワークが溶けて交じり合った加工くず等や加工時に発生する熱により、約厚さ５０μｍ程度の加工変質層が形成される。
従来よりスパッタリングターゲットとしてはスパッタリングターゲットとしての適用に際し生じるアーキング等の異常放電を防止し得る点より、ターゲット表面の平滑性がＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準拠するＲａで０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以下のものが要求されているが、従来公知の湿式研磨方法でワイヤー放電加工により切断加工されたターゲット材の表面を研磨する場合には、最初から微粒の研磨材を用いた場合には極めて長い研磨時間を必要とするため、工業的ではなく、他方、研磨速度を上げるべく研磨材の粒度が粗いものを用いる場合には、研磨対象物が高硬度で極めて脆い、所謂、高脆性物質であるため、研磨面にヒビ割れや欠け等が生じ、所望するヒビ割れや欠けがなく優れた平滑面を有するＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットを供給することはできない。
【００３５】
本発明においては、上記ワイヤー放電加工により切断された切断片（ターゲット材）を、表面研磨前に酸性水溶液と接触せしめ、切断片表面に形成された加工変質層を除去する。より具体的には加工変質層を有する切断片を酸性水溶液中に浸漬、必要により酸性水溶液を攪拌することにより、切断片上に形成された加工変質層を溶解、除去し得る。
【００３６】
本発明の実施において使用する酸性水溶液としては、硝酸、硫酸、塩酸等の鉱酸が使用し得る。これら酸性水溶液の濃度は使用する酸の種類により一義的ではないが、通常５重量％〜６０重量％であり、本発明者の実験結果からは、濃度１５重量％〜４５重量％の硝酸水溶液の使用が推奨される。加工対象物である切断片と酸性水溶液の接触時間は、使用する酸の種類、濃度、更には加工対象物である切断片が有する加工変質層の厚み等により一義的ではないが、接触時間は約３０秒〜約２分間、好ましくは約１分間〜約１分３０秒程度である。ワイヤー放電加工により切断層及びその周辺に生起する加工変質層は通常茶褐色であり、酸性水溶液により加工変質層が除去されると切断片の表面は茶褐色から銀色へと変化する。それ故、酸性水溶液による加工変質層の除去時間の目安は、予備実験により、切断片の表面が茶褐色から銀色へと変化する時間を測定することにより、容易に設定可能である。切断片と酸性水溶液の接触時間が長過ぎると、Ｃｕ−Ｇａ合金の粒界が現れ、後処理である表面研磨時間が長くなるので好ましくない。
尚、本発明において切断片と酸性水溶液の接触は、切断片をスパッタリングターゲットとして用いるに際し、スパッタリングに供する面を高度に平滑にするために行うものであることより、スパッタリングに供さない加工面は、その表面をテープ等で覆い酸性水溶液と接触せしめてもよい。用いるテープとしては耐酸性のものがより好ましい。
【００３７】
酸性水溶液による加工変質層を除去した後の切断片は、次いで、公知の湿式研磨処理を行う。かかる研磨処理としては、研磨処理後のＲａが約０．３μｍ以下、好ましくは
Ｒａが約０．１μｍ以下にし得る湿式研磨処理方法であれば特に制限されるものではなく、例えば、特開平９−１５５７２４号公報の図２に記載のような、回転機能を有する支持盤上に加工対象物を載置し、載置した加工対象物上面（加工面）には回転機能、押圧機能を有するバフホイールが設置されており、このバフホイールは回転しながら、加工対象物と接する研磨面により加工対象物を研磨し、このとき、回転するバフホイールの研磨面と加工対象物の被研磨面との間に研磨液が供給される構造の湿式研磨処理方法等が適用可能である。
【００３８】
バフホイールに用いる琢磨布の材質や研磨液も研磨処理後のＲａが所望範囲のものが得られればよく、例えば琢磨布は羊毛製、研磨液としては平均粒子径が約０．１μｍ〜約０．６μｍ、好ましくは約０．４μｍ〜０．６μｍのアルミナ微粒子を分散した水スラリー、あるいは平均粒子径が約０．１μｍ〜約０．６μｍ、好ましくは約０．２μｍ〜０．４μｍのダイヤモンド微粒子を分散した水スラリーが使用される。研磨材を分散する溶液として、水の例を挙げたが、必要に応じて、酸性溶液やアルカリ性溶液を用いてもよい。また研磨時間は加工対象物や使用する研磨液等により一義的ではないが、通常約５分〜１０分である。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、実施例は本発明の一実施態様であり、本発明を限定するものではない。尚、実施例においてＲａはＪＩＳＢ０６４１−１９９４に準拠して測定した。
［実施例１］
【００４０】
２５０ｍｍ×２５０ｍｍ×５０ｍｍの直方体形状に溶解鋳造したＧａの組成比が３０モル％であるＣｕ−Ｇａ合金１を用い、長さ５０ｍｍの辺と切断面とが垂直に交わるようにして、ワイヤー放電加工で２５０×２５０×１０ｍｍになるように切断し、得られた切断片をさらにワイヤー放電加工により２５ｍｍ×２５ｍｍ×１０ｍｍの大きさに切断した。
【００４１】
ワイヤーの材質として黄銅（Ｃｕ６５重量％−Ｚｎ３５重量％の合金）を用い、直径を０．３ｍｍとし、長さを０．２６ｍとした。そして、ワイヤーの供給速度を１．３ｍ／分とし、切断速度（ワイヤーの走行速度）を１．１〜１．５ｍｍ／分に制御して、Ｃｕ−Ｇａ合金１を切断した。切断速度の平均値は１．３ｍｍ／分であった。
【００４２】
切断された合金片のスパッタリング面以外の面はその表面を布粘着テープ（商品名：高品位タイプ＜ＬＳ＞Ｎｏ．１０２Ｎ、ニチバン株式会社製）で覆い、これを３１．５重量％の硝酸水溶液１リットル中に１分間浸漬（合金片の表面の色が茶褐色から銀色に変わって直ちに）後、硝酸水溶液中より取り出し、水洗後、湿式研磨装置（丸本ストルアス株式会社製、型番：５６２７型）を用い、研磨剤としてアルミナ水スラリー（商品名：ＡＫＰ−３０００、住友化学株式会社製）を３０ｃｃ／分（スラリー濃度：２重量％）を供給しつつ、１０分間、湿式表面研磨処理を行った。その結果、加工表面にヒビ割れや、欠けはなく、表面平滑性を測定したところ、Ｒａは０．０２μｍであった。
［実施例２］
【００４３】
市販の焼結法により製造されたＧａの組成比が３０モル％であるＣｕ−Ｇａ合金を用い、実施例１と同様にワイヤー放電加工により２５ｍｍ×２５ｍｍ×１０ｍｍの大きさの切断片を得た。得られた切断片を実施例１と同様に酸性水溶液により加工変質層を除去し、同様に湿式研磨処理を行った結果、加工表面にヒビ割れや、欠けはなく、表面平滑性を測定したところ、Ｒａは０．０８μｍであった。
［比較例１］
【００４４】
上記実施例１と同じワイヤー放電加工により得た切断片を用い、酸性水溶液による加工変質層除去処理は行わず、研磨紙（商品名：丸本耐水研磨紙、丸本ストルアス社製）を用いて加工変質層を除去した後、実施例１と同じ湿式研磨装置、研磨条件で、湿式研磨を実施した。その結果、得られた切断片には０．１ｍｍ程度の欠けが１ｃｍ当りに２個あった。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明によれば、比較的Ｇａ濃度の高いＣｕ−Ｇａ合金塊から、割れや欠けがなく所望形状の切断片を得ることができ、またターゲット表面にヒビ割れや欠けがなく、Ｒａが０．１μｍ以下の優れた表面平滑性を有するＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの供給を可能とするもので、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ化合物半導体薄膜太陽電池用スパッタリングターゲット等、幅広い産業上の利用が可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  高周波パルス電源
１１  電極
１２  ワイヤー
１３  サーボメカニズム
１４  加工槽
１５  加工対象物（Ｃｕ−Ｇａ合金）
【図１】
2011089197.tif 000002
【図２】
2011089197.tif 000003