(57)【要約】【課題】発光のバラツキを抑え表示品質の高い画像表示装置を提供する。【解決手段】基板上に２次元的に形成されたトランジスタと、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極上に開口部を有し、前記トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、前記２次元方向のうち一方の方向に沿って、前記開口部を覆うことなく形成された複数の第２の隔壁と、前記第２の隔壁間に前記開口部を埋込み前記層間絶縁膜上の所定の領域に形成された画素電極と、前記一方の方向に交差または交差する直線上に配列するように、前記画素電極を介し前記開口部上を覆ように形成された複数の第１の隔壁と、を有し、前記第１の隔壁と前記第２の隔壁により形成される前記画素電極の露出部分における４隅の角はすべて鈍角であること、または、前記画素電極の露出部分は円形状または長円形状となるように形成されていることを特徴とする画像表示装置を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】図１
2011113815.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に２次元的に形成されたトランジスタと、
前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極上に開口部を有し、前記トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、
前記２次元方向のうち一方の方向に沿って、前記開口部を覆うことなく形成された複数の第２の隔壁と、
前記第２の隔壁間に前記開口部を埋込み前記層間絶縁膜上の所定の領域に形成された画素電極と、
前記一方の方向に交差または交差する直線上に配列するように、前記画素電極を介し前記開口部上を覆ように形成された複数の第１の隔壁と、
を有し、前記第１の隔壁と前記第２の隔壁により形成される前記画素電極の露出部分における４隅の角はすべて鈍角であること、または、前記画素電極の露出部分は円形状または長円形状となるように形成されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
基板上に２次元的に形成されたトランジスタと、
前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極上に開口部を有し、前記トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、
前記２次元方向のうち一方の方向に沿って、前記開口部を覆うことなく形成された複数の第２の隔壁と、
前記第２の隔壁間に前記開口部を埋込み前記層間絶縁膜上の所定の領域に形成された補助電極と、
前記一方の方向に交差または交差する直線上に配列するように、前記補助電極を介し前記開口部上を覆ように形成された複数の第１の隔壁と、
前記第１の隔壁間には前記補助電極が露出しており、前記第１の隔壁及び前記第２の隔壁に囲まれた領域に形成された画素電極と、
を有し、前記第１の隔壁と前記第２の隔壁により形成される前記画素電極の露出部分における４隅の角はすべて鈍角であること、または、前記画素電極の露出部分は円形状または長円形状となるように形成されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
前記第２の隔壁及び前記第１の隔壁はライン状に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記第２の隔壁及び前記第１の隔壁のいずれか一方の隔壁はライン状に形成されており、他方の隔壁は、一方の隔壁間の領域に所定の間隔で形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記第２の隔壁の端部における領域上の一部にも前記第１の隔壁が形成されることを特徴とする請求項４に記載の画像表示装置。
【請求項６】
２次元的にトランジスタが形成されている基板上に、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極上に開口部を有する層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
前記層間絶縁膜上に前記開口部を覆うことなく、前記２次元方向のうち一方の方向に沿って複数の第２の隔壁を形成する第２の隔壁形成工程と、
前記第２の隔壁間において開口部を埋込み、かつ、前記層間絶縁膜上の所定の領域に画素電極を形成する画素電極形成工程と、
前記画素電極を介して開口部を覆い、前記画素電極が露出するように前記一方の方向に交差または交差する直線上に配列するように複数の第１の隔壁を形成する第１の隔壁形成工程と、
を有し、前記第１の隔壁と前記第２の隔壁により形成される前記画素電極の露出部分における４隅の角はすべて鈍角であること、または、前記画素電極の露出部分は円形状または長円形状となるように形成されていることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項７】
２次元的にトランジスタが形成されている基板上に、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極上に開口部を有する層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
前記層間絶縁膜上に前記開口部を覆うことなく、前記２次元方向のうち一方の方向に沿って複数の第２の隔壁を形成する第２の隔壁形成工程と、
前記第２の隔壁間において開口部を埋込み、かつ、前記層間絶縁膜上の所定の領域に補助電極を形成する補助電極形成工程と、
前記補助電極を介して開口部を覆い、前記補助電極が露出するように前記一方の方向に交差または交差する直線上に配列するように複数の第１の隔壁を形成する第１の隔壁形成工程と、
前記第２の隔壁及び前記第１の隔壁に囲まれた領域に画素電極を形成する画素電極形成工程と、
を有し、前記第１の隔壁と前記第２の隔壁により形成される前記画素電極の露出部分における４隅の角はすべて鈍角であること、または、前記画素電極の露出部分は円形状または長円形状となるように形成されていることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記画素電極形成工程は、極性溶媒に導電性微粒子を分散したインクを用いて、インクジェット法により形成するものであることを特徴とする請求項６または７に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記画素電極上に有機発光層を形成する有機発光層形成工程をさらに有し、
前記有機発光層形成工程は、有機発光層を構成する材料をインクジェット法、ディスペンサー法、ノズルプリンティング法により印刷し形成するものであることを特徴とする請求項６から８のいずれかに記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の隔壁形成工程では、前記第２の隔壁の表面に撥液処理を行うことを特徴とする請求項６から９のいずれかに記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の隔壁形成工程では、前記第１の隔壁の表面に撥液処理を行うことを特徴とする請求項６から１０のいずれかに記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の隔壁形成工程では、前記第１の隔壁と前記第２の隔壁の表面に撥液処理を行うことを特徴とする請求項６から１０のいずれかに記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から５のいずれかに記載の画像表示装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置、画像表示装置の製造方法及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、有機ＥＬ（Organic Electro-Luminescence）素子を用いた画像表示装置の検討がなされている。
【０００３】
有機ＥＬ素子とは、陰極、有機発光層、陽極が積層された構造を有し、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が有機発光層において再結合し、励起されたエネルギーを光として放出することにより発光するデバイスである。
【０００４】
このような有機ＥＬ素子を用いた画像表示装置では、ガラス基板上に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等のスイッチング素子を形成し、スイッチング素子の隣にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）電極、有機発光層、金属陰極の順に積層した有機ＥＬ素子を配置し、透明基板を通して光を取り出す構造のボトムエミッション型が主流であった。
【０００５】
ボトムエミッション型は、ガラス基板上にＴＦＴと有機ＥＬ素子を並べる必要があるため、開口率が１０〜３０％程度であり、原理的に開口率を大きくすることができないという問題点を有していた。
【０００６】
このため最近ではＴＦＴを層間絶縁膜で被覆し、層間絶縁膜上に有機ＥＬ素子を形成したトップエミッション型が鋭意検討されている。
【０００７】
トップエミッション型では、ＴＦＴと有機ＥＬ素子は、層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して接続されており、さらに層間絶縁膜上には、陰極、有機発光層、透光性陽極の順に各層が積層されており、最上層に形成された透光性陽極を介し、有機発光層において発光した光を取り出す構造である。このため、ボトムエミッション型と比較して開口率を大きくすることができるという利点を有している。
【０００８】
一方、有機発光層の形成方法においては、従来は真空蒸着法により、低分子の有機発光層を成膜する方法が中心であったが、大面積化した場合のシャドウマスクの位置合せズレ、マスクからのパーティクルの発生、材料の使用効率の低さから、インクジェット法によって高分子型有機発光層を形成する高分子型有機ＥＬ素子が特に注目されている。
【０００９】
尚、現状のインクジェット装置では、ヘッド曲がり、ヘッドの蛇行、吐出バラツキ等のため、所定の陰極上の位置に、所定のＲ、Ｇ、Ｂに対応する高分子有機発光材料を塗り分けることは困難であり、層間絶縁膜上に形成される陰極の周囲に隔壁（バンク）を形成し、ＣＦ４ガスを用いたプラズマ処理により隔壁を撥液化させ、濡れ性を制御することにより、隔壁内の開口に高分子有機発光材料を形成する方法が用いられている。
【００１０】
トップエミッション型では、ＴＦＴと有機ＥＬ素子とを接続するためのコンタクトホールが必須なものとなるが、コンタクトホールが設けられた層間絶縁膜上にスパッタリングや真空蒸着により陰極材料層を形成し、フォトリソグラフィーにより陰極のパターンを形成した場合、コンタクトホールの直上では、陰極の表面にコンタクトホールに起因する凹みが生じてしまう。このため陰極上に高分子有機発光材料をインクジェット法により印刷すると、コンタクトホールの直上における凹みにより有機発光層の膜厚が厚く形成されてしまい、有機発光層における膜厚が不均一なものとなってしまう。よって、隔壁で囲まれた各々の画素内では、発光が不均一なものとなることから、有機ＥＬ素子を用いた画像表示装置としては、良好な画質を得ることが困難であった。
【００１１】
このため良好な画質を得るためには、コンタクトホール直上における陰極を平坦化することが重要であり、各種の検討がなされている。
【００１２】
例えば、特許文献１に記載された方法では、画素電極の脇にコンタクトホールを設け、コンタクトホールを導電材料で充填した接続配線によってＴＦＴと画素電極とを接続し、さらに隔壁の一部がコンタクトホール上に配置されるように形成された構造のものが開示されている。このような構造にすることにより、コンタクトホールに起因する接続配線の凹みは、隔壁で被覆されて発光領域から分離されるため、少なくとも隔壁で囲まれた開口内は平坦な陰極を形成することができる。このため、特許文献１においては、接続配線、画素電極（陰極）を形成した後に、開口を有する隔壁を形成する方法が用いられている。
【００１３】
また、特許文献２では、コンタクトホールを導電材料で埋め込んだ後に研磨（ダマシン処理）することにより平坦化し、その後、コンタクトホール上に画素電極（陰極）を形成する方法が開示されている。更に、引用文献２では、コンタクトホール上に画素電極を形成した後、画素電極上に生じた凹みをシリコン酸化物等の絶縁材料により充填する方法も開示されている。
【００１４】
また、真空蒸着やスパッタリングにより成膜された膜にレジストパターンを形成し、フォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成した後に、エッチングによりパターン形成を行う製造方法に比べて、インクジェット法は、製造工程も少なく低コストで製造可能であることから、有機ＥＬ層以外に、陰極等も印刷法により形成することにより、更なるコストダウンを図る方法が検討されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、単に陰極をインクジェット等の印刷法により形成することができたとしても、トップエミッション型有機ＥＬ素子において、コンタクトホール直上の陰極の平坦化は、実現することができないため、陰極には凹みが発生して良好な表示画像を得ることは困難であり、特許文献１または特許文献２に開示されているようなコンタクトホールに接続された陰極を平坦化する方法を用いる必要がある。
【００１６】
また、インクジェット法により陰極を形成する場合では、インクジェットヘッドにおけるヘッド曲がり、ヘッドの蛇行、吐出バラツキ等のため最小スペースを小さくすることができず、高精細化も課題となる。尚、一般にインクジェット法における最小スペースは、３０〜５０μｍである。
【００１７】
ところで、インクジェット法を用いた高分子有機発光材料の印刷では、隔壁を撥液化して高精細化に対応させているが、プロセスの煩雑性を考慮すると隔壁を利用した方法が最も望ましい。
【００１８】
しかしながら、特許文献１に開示されている方法では、コンタクトホール上に陰極、接続配線を形成した後に、コンタクトホール上を被覆するように隔壁を形成する必要があるため、高分子有機発光層を分離形成するための隔壁は陰極を印刷する際には利用することができず、インクジェット法の解像度によって陰極の最小スペースが決定される。このため特許文献１に開示されている方法では、陰極を平坦化した場合には、陰極の解像度を高くすることができないという問題点を有している。
【００１９】
また、特許文献２に開示されているような、コンタクトホールを導電材料により埋め込んだ後に、研磨により平坦化し、その後コンタクトホール上に画素電極を形成する方法では、研磨によりコンタクトホールを平坦化するため、導電材料を充填するための導電材料成膜装置や、研磨後の洗浄装置が必要となり、製造プロセスが複雑なものとなり、研磨の際には発塵する。このため、研磨のためのクリーンルーム等を設ける必要があり、コストアップにつながり、低コストで画像表示装置を製造することは困難となる。一方、コンタクトホール上に画素電極を形成した後に、画素電極上に生じた凹みをシリコン酸化物等の絶縁材料により充填する方法では、絶縁材料は、電極としての機能を有しておらず、実質的に陰極の面積が狭まり、表示装置の輝度や発光の均一性を低下させてしまい、良好な画像表示を行うことができなくなってしまう。また、各々の画素の有機ＥＬ素子に流れる電流密度にも差が生じることから、画像表示装置における信頼性を低下させてしまう。
【００２０】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、リーク電流のバラツキを抑え、信頼性の高い画像表示装置、画像表示装置の製造方法及び電子機器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は、基板上に２次元的に形成されたトランジスタと、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極上に開口部を有し、前記トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、前記２次元方向のうち一方の方向に沿って、前記開口部を覆うことなく形成された複数の第２の隔壁と、前記第２の隔壁間に前記開口部を埋込み前記層間絶縁膜上の所定の領域に形成された画素電極と、前記一方の方向に交差または交差する直線上に配列するように、前記画素電極を介し前記開口部上を覆ように形成された複数の第１の隔壁と、を有し、前記第１の隔壁と前記第２の隔壁により形成される前記画素電極の露出部分における４隅の角はすべて鈍角であること、または、前記画素電極の露出部分は円形状または長円形状となるように形成されていることを特徴とする。
【００２２】
また、本発明は、基板上に２次元的に形成されたトランジスタと、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極上に開口部を有し、前記トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、前記２次元方向のうち一方の方向に沿って、前記開口部を覆うことなく形成された複数の第２の隔壁と、前記第２の隔壁間に前記開口部を埋込み前記層間絶縁膜上の所定の領域に形成された補助電極と、前記一方の方向に交差または交差する直線上に配列するように、前記補助電極を介し前記開口部上を覆ように形成された複数の第１の隔壁と、前記第１の隔壁間には前記補助電極が露出しており、前記第１の隔壁及び前記第２の隔壁に囲まれた領域に形成された画素電極と、を有し、前記第１の隔壁と前記第２の隔壁により形成される前記画素電極の露出部分における４隅の角はすべて鈍角であること、または、前記画素電極の露出部分は円形状または長円形状となるように形成されていることを特徴とする。
【００２３】
また、本発明は、前記第２の隔壁及び前記第１の隔壁はライン状に形成されていることを特徴とする。
【００２４】
また、本発明は、前記第２の隔壁及び前記第１の隔壁のいずれか一方の隔壁はライン状に形成されており、他方の隔壁は、一方の隔壁間の領域に所定の間隔で形成されていることを特徴とする。
【００２５】
また、本発明は、前記第２の隔壁の端部における領域上の一部にも前記第１の隔壁が形成されることを特徴とする。
【００２６】
また、本発明は、２次元的にトランジスタが形成されている基板上に、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極上に開口部を有する層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、前記層間絶縁膜上に前記開口部を覆うことなく、前記２次元方向のうち一方の方向に沿って複数の第２の隔壁を形成する第２の隔壁形成工程と、前記第２の隔壁間において開口部を埋込み、かつ、前記層間絶縁膜上の所定の領域に画素電極を形成する画素電極形成工程と、前記画素電極を介して開口部を覆い、前記画素電極が露出するように前記一方の方向に交差または交差する直線上に配列するように複数の第１の隔壁を形成する第１の隔壁形成工程と、を有し、前記第１の隔壁と前記第２の隔壁により形成される前記画素電極の露出部分における４隅の角はすべて鈍角であること、または、前記画素電極の露出部分は円形状または長円形状となるように形成されていることを特徴とする。
【００２７】
また、本発明は、２次元的にトランジスタが形成されている基板上に、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極上に開口部を有する層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、前記層間絶縁膜上に前記開口部を覆うことなく、前記２次元方向のうち一方の方向に沿って複数の第２の隔壁を形成する第２の隔壁形成工程と、前記第２の隔壁間において開口部を埋込み、かつ、前記層間絶縁膜上の所定の領域に補助電極を形成する補助電極形成工程と、前記補助電極を介して開口部を覆い、前記補助電極が露出するように前記一方の方向に交差または交差する直線上に配列するように複数の第１の隔壁を形成する第１の隔壁形成工程と、前記第２の隔壁及び前記第１の隔壁に囲まれた領域に画素電極を形成する画素電極形成工程と、を有し、前記第１の隔壁と前記第２の隔壁により形成される前記画素電極の露出部分における４隅の角はすべて鈍角であること、または、前記画素電極の露出部分は円形状または長円形状となるように形成されていることを特徴とする。
【００２８】
また、本発明は、前記画素電極形成工程は、極性溶媒に導電性微粒子を分散したインクを用いて、インクジェット法により形成するものであることを特徴とする。
【００２９】
また、本発明は、前記画素電極上に有機発光層を形成する有機発光層形成工程をさらに有し、前記有機発光層形成工程は、有機発光層を構成する材料をインクジェット法、ディスペンサー法、ノズルプリンティング法により印刷し形成するものであることを特徴とする。
【００３０】
また、本発明は、前記第２の隔壁形成工程では、前記第２の隔壁の表面に撥液処理を行うことを特徴とする。
【００３１】
また、本発明は、前記第１の隔壁形成工程では、前記第１の隔壁の表面に撥液処理を行うことを特徴とする。
【００３２】
また、本発明は、前記第１の隔壁形成工程では、前記第１の隔壁と前記第２の隔壁の表面に撥液処理を行うことを特徴とする。
【００３３】
また、本発明は、前記記載の画像表示装置を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、ＴＦＴとトップエミッション型有機ＥＬ素子とが積層された画像表示装置において、印刷法により陰極を形成する場合、コンタクトホールがあっても平坦な陰極を形成することができ、かつ、画素電極間のスペースを狭くし開口率を高めることができ、有機ＥＬ素子におけるリーク電流のバラツキを抑え、信頼性の高い画像表示装置、画像表示装置の製造方法及び電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】第１及び第２の実施の形態における画像表示装置の第１の隔壁が形成された状態の上面図
【図２】第１及び第２の実施の形態における画像表示装置の断面図
【図３】第１及び第２の実施の形態における画像表示装置の製造方法のフローチャート
【図４】第１及び第２の実施の形態における画像表示装置の製造方法の工程図
【図５】第３の実施の形態における画像表示装置の第１の隔壁が形成された状態の上面図
【図６】第４の実施の形態における画像表示装置の第１の隔壁が形成された状態の上面図
【図７】第５の実施の形態における画像表示装置の第１の隔壁が形成された状態の上面図
【図８】第５の実施の形態における画像表示装置の断面図
【図９】第５の実施の形態における画像表示装置の製造方法のフローチャート
【図１０】第５の実施の形態における画像表示装置の製造方法の工程図
【図１１】第６の実施の形態におけるテレビジョン装置の構成を示すブロック図
【図１２】第６の実施の形態におけるテレビジョン装置の説明図（１）
【図１３】第６の実施の形態におけるテレビジョン装置の説明図（２）
【図１４】第６の実施の形態におけるテレビジョン装置の説明図（３）
【図１５】第６の実施の形態における表示素子の説明図
【図１６】第６の実施の形態における有機ＥＬの説明図
【発明を実施するための形態】
【００３６】
本発明を実施するための形態について、以下に説明する。
【００３７】
〔第１の実施の形態〕
（画像表示装置の構成）
第１の実施の形態について説明する。図１及び図２に本実施の形態における画像表示装置の構造を示す。図１は、本実施の形態における画像表示装置の対向電極及び有機発光層が形成されていない状態の上面図であり、図２は、図１における破線２Ａ−２Ｂにおいて切断した対向電極及び有機発光層が形成されている状態の本実施の形態における画像表示装置の断面図である。
【００３８】
本実施の形態における画像表示装置は、基板１１上に形成されたゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３、半導体層１４、ソース電極１５及びドレイン電極１６により薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１７が形成されている。この薄膜トランジスタ１７は、画素ごとにマトリックス状に形成されている。
【００３９】
この薄膜トランジスタ１７の上には、各々のドレイン電極１６上にコンタクトホール２２を有する層間絶縁膜２１が形成されており、層間絶縁膜２１上には、各々のドレイン電極１６と接続される画素電極２３が形成されている。画素電極２３は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向において２次元的に配列されている。尚、Ｙ軸方向において隣接する画素電極２３は、Ｘ軸方向に伸びる第２の隔壁２７において分離して形成されており、隣接する画素電極２３同士がＹ軸方向において接続することはない。また、Ｘ軸方向において隣接する画素電極２３は、隣接する画素電極２３間における間隔が所定の間隔Ａとなるように形成されている。所定の間隔Ａとなるように隔てて形成することにより、隣接する画素電極２３同士がＸ軸方向において接続することはない。
【００４０】
また、Ｘ軸方向における画素電極２３間及び画素電極２３上の一部を覆うように、交差してＹ軸方向に伸びる第１の隔壁２８が形成されている。これにより第１の隔壁２８及び第２の隔壁２７により囲まれた開口領域２９が形成される。この開口領域２９は、画素電極２３上に形成されており、この開口領域２９に有機発光層２４が形成され、更に、有機発光層２４を覆うように対向電極２５が形成されている。対向電極２５は、共通電極としての機能を有するものであり、有機発光層２４において発せられた光を透過するＩＴＯ等の透光性を有する透明導電材料により形成されている。尚、画素電極２３、有機発光層２４及び対向電極２５により有機ＥＬ素子２６が形成される。
【００４１】
本実施の形態における画像表示装置では、画素電極２３と接する第１の隔壁２８のＹ軸方向に延びる端は、画素電極２３の中央部から第２の隔壁２７側に向かって、第１の隔壁２８における幅が広がるような形状で形成されている。このような形状で形成することにより、第１の隔壁２８と第２の隔壁２７により形成される画素電極２３上の開口領域２９における４隅の形状は、すべて鈍角となるように形成することができ、電界集中が起こりにくく、有機ＥＬ素子２６におけるリーク電流のバラツキを抑制することができ、発光特性を均一にすることができる。即ち、画素電極２３の露出面の４隅の形状が鋭角または直角である場合には、電界集中が起こりやすく、有機ＥＬ素子２６におけるリーク電流のバラツキが生じ、発光特性が均一でなくなってしまうが、本実施の形態における画像表示装置では、電界集中が起こりにくく、有機ＥＬ素子２６におけるリーク電流のバラツキを抑制することができ、発光特性を均一にすることができるのである。
【００４２】
本実施の形態における画像表示装置では、薄膜トランジスタ１７におけるゲート電極１２に印加される電圧により薄膜トランジスタ１７が動作し、薄膜トランジスタ１７がＯＮ状態となった場合には、ドレイン電極１６を介し、画素電極２３に電流が流れ、更には、有機発光層２４に電流が流れることにより発光する。
【００４３】
本実施の形態における画像表示装置では、平坦な層間絶縁膜２１上に画素電極２３が形成されているため、表面に凹み等が発生しない平坦な画素電極２３を形成することができる。これにより、画素電極２３上に形成される有機発光層２４も平坦かつ均一な膜厚に形成することができ、均一な発光を得ることができる。また、Ｙ軸方向の画素電極２３間は、幅Ｂで形成された第２の隔壁２７により分離されているため、高密度に画素電極２３を配置することができ、画像表示装置を高密度化させることができる。また、開口領域２９が発光領域となるため、画像表示装置の全面において、均一に発光させることができる。
【００４４】
ここで、第１の隔壁２８及び第２の隔壁２７は、感光性ポリイミド材料、感光性アクリル材料等の感光性樹脂材料により形成されている。一般的に、感光性樹脂材料の最小線幅は、５μｍ以下であるため、第２の隔壁２７の幅を狭くすることができ、これにより、画素電極におけるＹ軸方向の間隔を狭くすることができる。尚、第１の隔壁２８及び第２の隔壁２７を形成することなく、インクジェット法により画素電極を形成する場合においては、形成される画素電極の最小間隔は、３０〜５０μｍであり、本実施の形態における画像表示装置では、画素を高密度化させることが可能である。
【００４５】
尚、図１及び図２では、本実施の形態の説明ための便宜上、選択線、信号線、電源線、容量等は省略されているが、本実施の形態における画像表示装置においては、有機ＥＬ素子２６では、スイッチング素子、ドライブ素子、容量からなる２トランジスタ１キャパシタ構造は少なくとも必須であり、更には、閾値電圧に対する補償回路を設けるため、より多くのＴＦＴや容量が用いられている。
【００４６】
（画像表示装置の製造方法）
次に、図３及び図４に基づき本実施の形態における画像表示装置の製造方法について説明する。尚、図４（ａ）、（ｅ）は断面構造を示すものであり、図４（ｂ）〜（ｄ）は上面構造を示すものである。
【００４７】
最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）において、図４（ａ）に示す構成の薄膜トランジスタ１７を形成する。具体的には、ガラス基板等の基板１１上にスパッタリングによりＣｒ（クロム）膜を形成し、形成されたＣｒ膜上にフォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、現像を行うことにより、ゲート電極１２が形成される領域上にレジストパターンを形成する。この後、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等により、レジストパターンの形成されていない領域におけるＣｒ膜を除去し、さらにレジストパターンを除去することにより、Ｃｒからなるゲート電極１２を形成する。次に、プラズマＣＶＤによりＳｉＯ２膜を成膜することによりゲート絶縁膜１３を形成し、ゲート絶縁膜１３上にＣＶＤにより、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜を成膜する。次に、ａ−Ｓｉ膜上にフォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、現像を行うことにより、半導体層１４が形成される領域上にレジストパターンを形成する。この後、ＲＩＥ等により、レジストパターンの形成されていない領域におけるａ−Ｓｉ膜を除去し、さらにレジストパターンを除去することにより、ａ−Ｓｉからなる半導体層１４を形成する。次に、半導体層１４及びゲート絶縁膜１３上に、スパッタリングにより、Ａｌ−Ｓｉ膜を成膜し、Ａｌ−Ｓｉ膜上にフォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、現像を行うことにより、ソース電極１５及びドレイン電極１６が形成される領域上にレジストパターンを形成する。この後、ＲＩＥ等により、レジストパターンの形成されていない領域におけるＡｌ−Ｓｉ膜を除去し、さらにレジストパターンを除去することにより、Ａｌ−Ｓｉからなるソース電極１５及びドレイン電極１６を形成する。
【００４８】
これにより、１４０ｐｐｉの密度を有するマトリックス状に配列された薄膜トランジスタ１７を形成する。また、薄膜トランジスタ１７を形成した後、必要に応じてアニール処理を行い、トランジスタ特性の改善を行っても良い。
【００４９】
次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）において、図４（ａ）に示すように、薄膜トランジスタ１７上に、層間絶縁膜２１を形成する。具体的には、プラズマＣＶＤによりＳｉＯＮ膜からなる層間絶縁膜２１を０．５〜２μｍ成膜し、この後、層間絶縁膜２１上にフォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、現像を行うことにより、コンタクトホール２２の形成される領域に開口部を有するレジストパターンを形成する。この後、ＲＩＥ等により、レジストパターンの形成されていない領域におけるＳｉＯＮ膜を除去し、さらにレジストパターンを除去することにより、コンタクトホール２２を形成する。形成されたコンタクトホール２２は、ドレイン電極１６上に形成されており、直径が約１０μｍである。
【００５０】
次に、ステップ１０６（Ｓ１０６）において、図４（ｂ）に示すように、第２の隔壁２７を形成する。具体的には、層間絶縁膜２１上に、撥液性感光性樹脂を塗布し、所定の線幅を有する第２の隔壁２７のパターンが形成されたフォトマスクを用いて、露光装置により露光し、テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて現像し、焼成することにより第２の隔壁２７を形成する。このように形成された第２の隔壁２７は、Ｘ軸方向に沿ってライン状に形成されており、コンタクトホール２２の位置が、隣接する第２の隔壁２７間の位置となるように形成されている。形成される第２の隔壁２７は、幅Ｂが、１０〜３０μｍであり、膜厚は１〜３μｍである。
【００５１】
この後、ＵＶオゾン処理を行い、層間絶縁膜２１の表面を親液化処理し、第２の隔壁２７の表面を撥液化処理する。後述するように、画素電極２３をインクジェット方式等の印刷方式により形成する場合を考慮すると、層間絶縁膜２１の表面における親液性は、純水に対しての接触角が、３０°以下、更には、２０°以下であることが好ましく、第２の隔壁２７の表面における撥液性は、純水に対しての接触角が、５０〜１３０°、更には、６０〜１１０°であることが好ましい。撥液性感光性樹脂としては、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂等の末端にフッ素基を導入するか、ポリシロキサン、ポリシラン、ポリシロキサン骨格等を導入した感光性樹脂を用いることができる。また、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂等を用いて第２の隔壁２７を形成した後、酸素（Ｏ２）プラズマ処理により層間絶縁膜２１及び第２の隔壁２７の表面をすべて親液化処理し、その後、ＣＦ４プラズマ処理により第２の隔壁２７の表面のみを選択的に撥液化処理してもよい。尚、酸素プラズマ処理、ＣＦ４プラズマ処理は低圧または常圧のどちらの方式であってもよい。
【００５２】
次に、ステップ１０８（Ｓ１０８）において、図４（ｃ）に示すように画素電極２３を形成する。具体的には、インクジェット方式により、第２の隔壁２７間に極性溶媒にナノＡｇ粒子を分散させたインクを印刷し、焼成して画素電極２３を形成する。画素電極２３はコンタクトホール２２内にも充填されるため、コンタクトホール２２に形成される電極を介して薄膜トランジスタ１７のドレイン電極１６と画素電極２３とが接続される。形成される画素電極２３の膜厚は５０〜２００ｎｍである。この際、第２の隔壁２７の表面は撥液性であるため印刷されるナノＡｇインクは、Ｙ軸方向においては、第２の隔壁２７上に広がることなく、自己整合的に分離される。本実施の形態においては、前述したように第２の隔壁２７の幅Ｂは、１０〜３０μｍである。一方、Ｘ軸方向では、隔壁が形成されていないため、Ｙ軸方向よりも広い間隔で画素電極２３を形成する。本実施の形態では、Ｘ軸方向における画素電極２３間の間隔Ａは、３０〜４０μｍとなるよう形成する。
【００５３】
本実施の形態においてナノＡｇインクに用いられる極性溶媒としては、アルコール、エチレングリコール、エチレングリコールエーテル等が挙げられる。また、本実施の形態では極性溶媒にナノＡｇを分散させたインクを用いたが、極性溶媒に分散させる導電性微粒子としては、ナノＡｇ以外にも、ナノＡｕ、ナノＰｄ、ナノＣｕ等の導電性微粒子が挙げられる。
【００５４】
次に、ステップ１１０（Ｓ１１０）において、図４（ｄ）に示すように第１の隔壁２８を形成する。具体的には、画素電極２３を形成した後、撥液性感光性樹脂を再び全面に塗布し、第１の隔壁２８のパターンが形成されたフォトマスクを用いて露光装置により露光し、テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて現像し、焼成を行うことにより第１の隔壁２８を形成する。第１の隔壁はＹ軸方向に延びるライン状の形状のものであり、画素電極２３を介しコンタクトホール２２を覆うように第１の隔壁２８が形成されるように、フォトマスクのアライメントを行う。これにより第１の隔壁２８のＸ軸方向における幅は、画素電極２３と接する部分の中央から第２の隔壁２７側に向かって、徐々に幅が広がるような形状で形成される。即ち、画素電極２３のＸ軸方向における幅が、中央部分よりも第２の隔壁２７と接する側の幅が狭くなるように形成する。これにより、第２の隔壁２７と第１の隔壁２８とにより形成される画素電極２３が露出している領域、即ち、開口領域２９の４隅の角度は鈍角にすることができる。言い換えれば、第１の隔壁２８は、第２の隔壁２７と交差する線上に形成される。
【００５５】
この後、ＵＶオゾン処理を行い、画素電極２３の表面を親液化処理し、第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８の表面を撥液化処理する。後述するように、有機発光層２４をインクジェット方式等の印刷方式により形成する場合を考慮すると、画素電極２３の表面における親液性は、純水に対しての接触角が、３０°以下、更には、２０°以下であることが好ましく、第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８の表面における撥液性は、純水に対しての接触角が、５０〜１３０°、更には、６０〜１１０°であることが好ましい。撥液性感光性樹脂としては、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂等の末端にフッ素基を導入するか、ポリシロキサン、ポリシラン、ポリシロキサン骨格等を導入した感光性樹脂を用いることができる。また、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂等を用いて第１の隔壁２８を形成した後、酸素（Ｏ２）プラズマ処理により画素電極２３、第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８の表面をすべて親液化処理し、その後、ＣＦ４プラズマ処理により第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８の表面のみを選択的に撥液化処理してもよい。尚、酸素プラズマ処理、ＣＦ４プラズマ処理は低圧または常圧のどちらの方式であってもよい。
【００５６】
次に、ステップ１１２（Ｓ１１２）において、図４（ｅ）に示される有機発光層２４を形成する。具体的には、第１の隔壁２８を形成した後、第１の隔壁２８及び第２の隔壁２７により囲まれた画素電極２３上における開口領域２９にインクジェット方式により有機発光層２４を形成する。有機発光層２４は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に発光する３種類の有機発光材料をＹ軸方向に各々一列ずつ塗り分けることにより形成する。本実施の形態では、有機発光層２４を形成する材料として、一般的な高分子発光材料が用いられている。例えば、ポリチオフェン系、ポリパラフェニレン系、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリフルオレン系、イリジウム錯体系等を極性溶媒に溶解してインク化し、インクジェット方式により印刷した後、乾燥、焼成を行うことにより形成される。本実施の形態では、ステップ１１０において、第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８の表面が撥液処理され、露出している画素電極２３の表面が親液処理されているため、極性溶媒により溶解した高分子有機発光材料は露出している画素電極２３上にのみ形成される。即ち、第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８の表面は撥液処理されているため、極性溶媒により溶解した高分子有機発光材料ははじかれ、画素電極２３上にのみ有機発光層２４が形成される。よって、インクジェット方式に用いられるインクジェット装置において、ヘッドの曲がり、ヘッドの蛇行、吐出バラツキ等を有していても、高分子有機発光材料は開口領域２９にのみ印刷することが可能である。本実施の形態において印刷される有機発光層２４の膜厚は、Ｒ、Ｇ、Ｂの発光効率を考慮し、５０〜１５０ｎｍの範囲内で各々形成される。
【００５７】
次に、ステップ１１４（Ｓ１１４）において、図４（ｅ）に示される対向電極２５を形成する。具体的には、スパッタリングにより、Ｉｎ２Ｏ３・ＳｎＯ２からなる透明導電膜からなる対向電極２５を有機発光層２４、第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８の全面に成膜する。対向電極２５は共通電極となるものであり、スパッタリングにより成膜を行う際には、メタルマスク等を用いて所定の領域のみ対向電極２５を形成した。本実施の形態において形成される対向電極２５の膜厚は、５０〜２００ｎｍである。これにより画素電極２３、有機発光層２４及び対向電極２５により構成される有機ＥＬ素子２６が形成される。
【００５８】
尚、有機発光層２４におけるキャリアの注入効率を高めるために、画素電極２３と有機発光層２４との間には不図示の電子注入層を設け、有機発光層２４と対向電極２５との間には、不図示の正孔注入層を設けることが好ましい。電子注入層を構成する材料としては、シクロペンタジエン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体等の材料が挙げられる。また、正孔注入層を構成する材料としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等が挙げられる。電子注入層及び正孔注入層は、極性溶媒に電子注入層及び正孔注入層を構成する材料を溶解してインク化した溶液をインクジェット方式により印刷し、その後、乾燥させることにより形成することができる。
【００５９】
対向電極２５を形成した後、形成される画像表示装置の外周部に光硬化型エポキシ樹脂を塗布し、不図示のキャップガラスを接着することにより封止することにより、薄膜トランジスタ１７上に有機ＥＬ素子２６が積層形成された画像表示装置が完成する。
【００６０】
本実施の形態における画像表示装置の製造方法により製造される画像表示装置では、Ｙ軸方向における画素電極２３の幅が広いため、一画素当たり広い領域で発光させることができ、高い開口率の画像表示装置を得ることができる。
【００６１】
また、本実施の形態における画像表示装置に駆動用ＩＣが実装された不図示のフレキシブル基板を、異方性導電膜を介して圧着し、画像表示装置の画像評価テストを行った結果、コンタクトホール２２に起因すると思われる発光むらは、一切認められず、Ｒ、Ｇ、Ｂにおける各々の発光領域において面内で均一な発光が確認された。
【００６２】
また、本実施の形態における画像表示装置では、第１の隔壁２８及び第２の隔壁２７により形成される画素電極２３の露出している領域の４隅が、鈍角に形成されているため、有機ＥＬ素子２６間におけるリーク電流のバラツキをより低減することができ、高い発光均一性を得ることができる。
【００６３】
尚、上述した画像表示装置は、Ｘ軸方向における画素電極２３の幅が、中央部分から第２の隔壁２７との境界部分に向かって、徐々に狭くなるように第１の隔壁２８を形成したものについて説明したが、後述するように、第１の隔壁２８のＸ軸方向における幅が一定であって、Ｙ軸方向における画素電極２３の幅が、第１の隔壁２８との境界に近づくに従い狭くなるように、第２の隔壁２７を形成したものであってもよく、更に、Ｘ軸方向における画素電極２３の幅が、中央部から第２の隔壁２７との境界部分に向かって、徐々に狭くなるように第１の隔壁２８を形成し、かつ、Ｙ軸方向における画素電極２３の幅が、第１の隔壁２８との境界に近づくに従い狭くなるように、第２の隔壁２７を形成したものであってもよい。
【００６４】
尚、本実施の形態では基板としてガラス基板を用いたが、本発明の表示装置はトップエミッション型であるため透明性が必須ではなく、その他の種々の基板が採用できる。例えば、石英基板、セラミック基板、ＰＥＳ(ポリエーテルサルフォン)、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等のプラスチック基板、Ｓｉ、ＧａＡｓ等の半導体基板が使用でき、プロセス面を有機樹脂で被覆して絶縁化したＳＵＳやＡｌ等の薄膜金属も使用可能である。
【００６５】
また、本実施の形態では薄膜トランジスタの活性層としてとしてａ-Ｓｉを用いたが、本発明の表示装置はこれに限定される必要はなく、ポリシリコン、有機半導体、ＩＧＺＯ等の酸化物半導体、半導体基板を用いた場合は基板自身を活性層としてもよい。
【００６６】
また、本実施の形態ではボトムゲート型、トップコンタクト型の電界効果型トランジスタによる薄膜トランジスタを採用したが、本発明は上記構造に限定される必要はなく、活性層の種類によってはトップゲート型、トップコンタクト型等の公知の電界効果型トランジスタや接合型トランジスタ、静電誘導型トランジスタ等が採用できる。
【００６７】
また、上述した画像表示装置の製造方法では、有機発光層２４等を形成する際に、離散的に吐出させることが可能なインクジェット方式を用いた場合について説明したが、開口領域２９の周囲は、表面が撥液処理された第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８により囲まれており、第１の隔壁２８及び第２の隔壁２７上に吐出された高分子有機発光材料は自己整合的に開口領域２９内に入り込むため、連続的に吐出されるディスペンサー法、ノズルプリンティング法を用いることが可能である。尚、ノズルプリンティング法とは、大日本スクリーン製造株式会社が実用化した微小ノズルを用いた有機ＥＬ材料の塗布法である。
【００６８】
また、本実施の形態では、第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８は撥液性感光性樹脂を用いて露光装置により露光することにより形成したが、撥液性樹脂を含有するインクを用いて、インクジェット法、マイクロコンタクトプリント法等の印刷方法により、第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８の少なくとも一方を形成してもよい。また、高分子樹脂を含有するインクを用いたインクジェット法、マイクロコンタクトプリント法等の印刷方法により、第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８の少なくとも一方を形成し、その後、ＣＦ４プラズマ処理等により撥液処理を行ってもよい。
【００６９】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の形態における画像表示装置とは、略同様の構造のものであるが、画素電極２３をマイクロコンタクト法により形成するものである。図１及び図２に示す本実施の形態における画像表示装置の製造方法について、図３及び図４に基づき説明する。
【００７０】
最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）において、図４（ａ）に示す構成の薄膜トランジスタ１７を形成する。具体的には、第１の実施の形態と同様の方法により、薄膜トランジスタ１７を形成する。これにより、１４０ｐｐｉの密度を有するマトリックス状に配列された薄膜トランジスタ１７を形成する。また、薄膜トランジスタ１７を形成した後、必要に応じてアニール処理を行い、トランジスタ特性の改善を行っても良い。
【００７１】
次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）において、図４（ａ）に示すように、薄膜トランジスタ１７上に、層間絶縁膜２１を形成する。具体的には、第１の実施の形態と同様の方法により薄膜トランジスタ１７を形成する。これにより、ガラス等からなる基板１１上にアモルファスシリコンからなる半導体層１４を有する薄膜トランジスタ１７が形成される。さらに、薄膜トランジスタ１７上にコンタクトホール２２を有するＳｉＯＮ膜からなる層間絶縁膜２１を形成する。形成されたコンタクトホール２２は、ドレイン電極１６上に形成されており、直径が約１０μｍである。尚、層間絶縁膜２１の形成方法は、第１の実施の形態と同様である。
【００７２】
次に、ステップ１０６（Ｓ１０６）において、図４（ｂ）に示すように、第２の隔壁２７を形成する。具体的には、層間絶縁膜２１上に、絶縁体インクを用いて１μｍ以下のノズル径を有するインクジェット法により、所定の線幅を有する第２の隔壁２７を形成する。絶縁体インクは、ポリイミド樹脂をＮ−メチル−２−ピロリドン等に溶解したインクを用いて、インクジェット法により印刷を行い、２３０℃の温度で１時間の熱硬化を行うことにより第２の隔壁２７を形成する。尚、一回の印刷では第２の隔壁２７が所定の膜厚とはならない場合には、インクジェット法による印刷と熱硬化を繰り返し行うことにより所定の膜厚にする。このように形成された第２の隔壁２７は、Ｘ軸方向に沿ってライン状に形成されており、コンタクトホール２２の位置が、隣接する第２の隔壁２７間の位置となるように形成されている。本実施の形態で用いたノズル径は非常に微細であるため一般的なインクジェット法よりも解像度が良好であり、形成される第２の隔壁２７は、幅Ｂが、１０〜２０μｍであり、膜厚は０．２〜２μｍである。
【００７３】
この後、酸素プラズマ処理により層間絶縁膜２１及び第２の隔壁２７の表面をすべて親液化処理し、その後、ＣＦ４プラズマ処理により第２の隔壁２７の表面のみを選択的に撥液化処理を行う。尚、酸素プラズマ処理、ＣＦ４プラズマ処理は低圧または常圧のどちらの方式であってもよい。
【００７４】
尚、第２の隔壁２７の表面を撥液化処理する場合において、後述するように、画素電極２３をインクジェット方式等の印刷方式により形成する場合を考慮すると、層間絶縁膜２１の表面における親液性は、純水に対しての接触角が、３０°以下、更には、２０°以下であることが好ましく、第２の隔壁２７の表面における撥液性は、純水に対しての接触角が、５０〜１３０°、更には、６０〜１１０°であることが好ましい。第２の隔壁２７を形成するための絶縁インクとして、ポリイミド樹脂を用いた場合について説明したが、この他にも、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の末端にフッ素基を導入するか、ポリシロキサン、ポリシラン、ポリシロキサン骨格等を導入した撥液性樹脂を用いることができる。撥液性樹脂を用いた場合には、酸素プラズマ処理及びＣＦ４プラズマ処理を行う必要がない。また、第２の隔壁２７を形成するための絶縁インクとしては、熱硬化型インク以外にも、紫外線硬化型インクを用いることが可能である。
【００７５】
次に、ステップ１０８（Ｓ１０８）において、図４（ｃ）に示すように画素電極２３を形成する。具体的には、マイクロコンタクトプリント法を用いて、第２の隔壁２７間に極性溶媒にナノＡｇを分散したインクを転写し画素電極２３を形成する。画素電極２３を形成するナノＡｇを分散したインクは、コンタクトホール２２内にも充填されるため、コンタクトホール２２に形成される電極を介して薄膜トランジスタ１７のドレイン電極１６と画素電極２３とが接続される。形成される画素電極２３の膜厚は５０〜３００ｎｍである。
【００７６】
具体的に、マイクロコンタクトプリント法により画素電極２３を形成する場合について説明する。最初に、画素電極２３と同じ形状の凸パターンを有するポリジメチルシロキサンからなるスタンプに、極性溶媒にナノＡｇを分散させたインクをスピンコート法により塗布し、その後、スタンプをマイクロコンタクト装置に取り付け、スタンプのアライメントマークとコンタクトホールのアライメントとにより位置合せを行い、スタンプをガラス等の基板１１の薄膜トランジスタ１７が形成されている面に押し当ててナノＡｇインクを転写する。転写時間は５〜３０分であり、転写後に、ナノＡｇを焼成することにより画素電極２３を形成する。
【００７７】
マイクロコンタクトプリント法では、Ｙ軸方向においては、第２の隔壁２７の表面は、撥液処理されているため、ナノＡｇインクは第２の隔壁２７に広がることなく、自己整合的に分離される。前述したように第２の隔壁２７の幅Ｂは、１０〜２０μｍである。一方、Ｘ軸方向では、隔壁が形成されていないため、Ｙ軸方向よりも広い間隔で画素電極２３が形成される。一般的に、マイクロコンタクト法ではインクジェット法よりも細かいパターンを形成することができるため、形成されるＸ軸方向における画素電極２３間の間隔Ａは、２０〜３０μｍとなるよう形成される。
【００７８】
本実施の形態においてナノＡｇインクに用いられる極性溶媒としては、アルコール、エチレングリコール、エチレングリコールエーテル等が挙げられる。また、本実施の形態では極性溶媒にナノＡｇを分散させたインクを用いたが、極性溶媒に分散させる導電性微粒子としては、ナノＡｇ以外にも、ナノＡｕ、ナノＰｄ、ナノＣｕ等の導電性微粒子が挙げられる。
【００７９】
次に、ステップ１１０（Ｓ１１０）において、図４（ｄ）に示すように第１の隔壁２８を形成する。第１の隔壁２８は、第２の隔壁２７の延びる方向に略垂直方向であるＹ軸方向に延びるライン状に形成する。具体的には、第１の隔壁２８は、第２の隔壁２７と交差するよう形成する。第１の隔壁２８は、絶縁体インクを用いてインクジェット法により形成する。絶縁体インクは、ポリイミド樹脂をＮ−メチル−２−ピロリドン等に溶解したインクを用いて、画素電極２３を介したコンタクトホール２２の上部が覆われるように、インクジェット法により印刷を行い、２３０℃の温度で１時間の熱硬化を行うことにより第１の隔壁２８を形成する。尚、一回の印刷では第１の隔壁２８が所定の膜厚とはならない場合には、インクジェット法による印刷と熱硬化を繰り返し行うことにより所定の膜厚にする。このように形成された第１の隔壁２８は、Ｙ軸方向に沿ってライン状に形成される。形成される第１の隔壁２８のＸ軸方向における幅は、画素電極２３と接する第２の隔壁２７間の最も狭い部分で５０〜６０μｍ、第２の隔壁２７上では、６０〜８０μｍとなるように、第２の隔壁２７間において、徐々に幅が変化して形成されており、膜厚は０．２〜２μｍである。
【００８０】
この後、酸素プラズマ処理により、画素電極２３、第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８の表面をすべて親液化処理し、その後、ＣＦ４プラズマ処理により第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８の表面のみを選択的に撥液化処理を行う。尚、酸素プラズマ処理、ＣＦ４プラズマ処理は低圧または常圧のどちらの方式であってもよい。
【００８１】
尚、第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８の表面を撥液化処理する場合において、後述するように、有機発光層２４をインクジェット方式等の印刷方式により形成する場合を考慮すると、画素電極２３の表面における親液性は、純水に対しての接触角が、３０°以下、更には、２０°以下であることが好ましく、第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８の表面における撥液性は、純水に対しての接触角が、５０〜１３０°、更には、６０〜１１０°であることが好ましい。第１の隔壁２８を形成するための絶縁インクとして、ポリイミド樹脂を用いた場合について説明したが、この他にも、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の末端にフッ素基を導入するか、ポリシロキサン、ポリシラン、ポリシロキサン骨格等を導入した撥液性樹脂を用いることができる。撥液性樹脂を用いた場合には、酸素プラズマ処理及びＣＦ４プラズマ処理を省くことができる。また、第１の隔壁２８を形成するための絶縁インクとしては、熱硬化型インク以外にも、紫外線硬化型インクを用いることが可能である。
【００８２】
次に、ステップ１１２（Ｓ１１２）において、図４（ｅ）に示される有機発光層２４を形成する。具体的には、第１の隔壁２８を形成した後、第１の隔壁２８及び第２の隔壁２７により囲まれた画素電極２３上の開口領域２９にインクジェット方式により有機発光層２４を形成する。有機発光層２４は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に発光する３種類の有機発光材料をＹ軸方向に各々一列ずつ塗り分けることにより形成する。本実施の形態では、有機発光層２４を形成する材料として、一般的な高分子発光材料が用いられている。例えば、ポリチオフェン系、ポリパラフェニレン系、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリフルオレン系、イリジウム錯体系等を極性溶媒に溶解してインク化し、インクジェット方式により印刷した後、乾燥、焼成を行うことにより形成される。本実施の形態では、ステップ１１０において、第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８の表面が撥液処理され、露出している画素電極２３の表面が親液処理されているため、極性溶媒により溶解した高分子有機発光材料は露出している画素電極２３上にのみ形成される。即ち、第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８の表面は撥液処理されているため、極性溶媒により溶解した高分子有機発光材料ははじかれ、画素電極２３上にのみ有機発光層２４が形成される。よって、インクジェット方式に用いられるインクジェット装置において、ヘッドの曲がり、ヘッドの蛇行、吐出バラツキ等を有していても、高分子有機発光材料は開口領域２９にのみ印刷することが可能である。本実施の形態において印刷される有機発光層２４の膜厚は、Ｒ、Ｇ、Ｂの発光効率を考慮し、５０〜１５０ｎｍの範囲内で各々形成される。
【００８３】
次に、ステップ１１４（Ｓ１１４）において、図４（ｅ）に示される対向電極２５を形成する。具体的には、スパッタリングにより、Ｉｎ２Ｏ３・ＳｎＯ２からなる透明導電膜からなる対向電極２５を有機発光層２４、第２の隔壁２７及び第１の隔壁２８の全面に成膜する。対向電極２５は共通電極となるものであり、スパッタリングにより成膜を行う際には、メタルマスク等を用いて所定の領域のみ対向電極２５を形成した。本実施の形態において形成される対向電極２５の膜厚は、５０〜２００ｎｍである。これにより画素電極２３、有機発光層２４及び対向電極２５により構成される有機ＥＬ素子２６が形成される。
【００８４】
尚、有機発光層２４におけるキャリアの注入効率を高めるために、画素電極２３と有機発光層２４との間には不図示の電子注入層を設け、有機発光層２４と対向電極２５との間には、不図示の正孔注入層を設けることが好ましい。電子注入層を構成する材料としては、シクロペンタジエン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体等の材料が挙げられる。また、正孔注入層を構成する材料としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等が挙げられる。電子注入層及び正孔注入層は、極性溶媒に電子注入層及び正孔注入層を構成する材料を溶解してインク化した溶液をインクジェット方式により印刷し、その後、乾燥させることにより形成することができる。
【００８５】
対向電極２５を形成した後、形成される画像表示装置の外周部に光硬化型エポキシ樹脂を塗布し、不図示のキャップガラスを接着することにより封止することにより、薄膜トランジスタ１７上に有機ＥＬ素子２６が積層形成された画像表示装置が完成する。
【００８６】
本実施の形態における画像表示装置の製造方法により製造される画像表示装置では、Ｙ軸方向における画素電極２３の幅が広いため、一画素当たり広い領域で発光させることができ、高い開口率の画像表示装置を得ることができる。
【００８７】
また、本実施の形態における画像表示装置に駆動用ＩＣが実装された不図示のフレキシブル基板を、異方性導電膜を介して圧着し、画像表示装置の画像評価テストを行った結果、コンタクトホール２２に起因すると思われる発光むらは、一切認められず、Ｒ、Ｇ、Ｂにおける各々の発光領域において面内で均一な発光が確認された。
【００８８】
また、本実施の形態では、Ｙ軸方向における画素密度をより高密度にすることができるため、より均一性が高く、高精細な画像表示を行うことができる。
【００８９】
〔第３の実施の形態〕
次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態とは、第１の隔壁及び第２の隔壁の構造が異なる構成の画像表示装置である。図５に基づき本実施の形態について説明する。
【００９０】
図５（ａ）は、コンタクトホール２２ａ、画素電極２３ａ、第２の隔壁２７ａは、第１の実施の形態と同様であるが、第１の隔壁２８ａがＹ軸方向において分離して形成された構成のものである。言い換えれば、第１の隔壁２８ａは、第２の隔壁２７ａと交差する線上に形成される。具体的には、第２の隔壁２７ａ間において、画素電極２３ａを介しコンタクトホール２２ａを覆うように、第１の隔壁２８ａをＸ軸方向及びＹ軸方向に分離して形成したものである。第１の隔壁２８ａのＸ軸方向における幅は、画素電極２３ａと接する中央部分より、第２の隔壁２７ａとの境界部分に向かって、徐々に幅が広がるように形成されている。これにより形成される開口領域２９ａは、第１の実施の形態における開口領域２９と略同様の形状に形成される。このような構造を有する画像表示装置では、第２の隔壁２７ａ上に第１の隔壁２８ａが形成されないため、第１の隔壁２８ａ及び第２の隔壁２７ａにおける表面の凹凸をできるだけ抑えることができ、第１の隔壁２８ａ及び第２の隔壁２７ａ上に形成される不図示の対向電極の断線及び導電率の変化を抑えることができる。また、第２の隔壁２７ａ上には、第１の隔壁２８ａが形成されないため、第１の隔壁２８ａを構成する材料の使用を抑えることができ、より低コストで画像表示装置を製造することができる。
【００９１】
図５（ｂ）は、コンタクトホール２２ｂ、画素電極２３ｂ、第２の隔壁２７ｂは、第１の実施の形態と同様であるが、第１の隔壁２８ｂがＹ軸方向において分離して形成された構成のものであって、第１の隔壁２８ｂの一部が第２の隔壁２７ｂ上にも形成されたものである。言い換えれば、第１の隔壁２８ｂは、第２の隔壁２７ｂと交差する線上に形成される。具体的には、第２の隔壁２７ｂ間において、画素電極２３ｂを介しコンタクトホール２２ｂを覆うように、第１の隔壁２８ｂをＸ軸方向及びＹ軸方向に分離して形成されたものであり、第２の隔壁２７ｂ上の一部に第１の隔壁２８ｂが盛り上がった状態で形成されたものである。第１の隔壁２８ｂのＸ軸方向における幅は、画素電極２３ｂと接する中央部分より、第２の隔壁２７ｂとの境界部分に向かって、徐々に幅が広がるように形成されている。これにより形成される開口領域２９ｂは、第１の実施の形態における開口領域２９と略同様の形状に形成される。このような構造を有する画像表示装置では、第２の隔壁２７ｂ上の一部に第１の隔壁２８ｂが形成されるため、第１の隔壁２８ｂ及び第２の隔壁２７ｂを形成する際においてアライメントのズレが生じても、第１の隔壁２８ｂと第２の隔壁２７ｂとの間に隙間が生じることなく、開口領域２９ｂを形成することができる。また、第２の隔壁２７ｂ上の中央部分の領域では、第１の隔壁２８ｂが形成されないため、第１の隔壁２８ｂ及び第２の隔壁２７ｂにおける表面の凹凸をできるだけ抑えることができ、第１の隔壁２８ｂ及び第２の隔壁２７ｂ上に形成される不図示の対向電極の断線及び導電率の変化を抑えることができる。また、第２の隔壁２７ｂ上の一部において第１の隔壁２８ｂが形成されるものであるため、第１の隔壁２８ｂを構成する材料の使用を抑えることができ、より低コストで画像表示装置を製造することができる。
【００９２】
図５（ｃ）は、コンタクトホール２２ｃは、第１の実施の形態と同様であるが、Ｘ軸方向に延びる第２の隔壁２７ｃのＹ軸方向における幅を周期的に変化させたものであって、第１の隔壁２８ｃはＹ軸方向において分離して形成された構成のものである。言い換えれば、第１の隔壁２８ｃは、第２の隔壁２７ｃと交差する線上に形成される。具体的には、第２の隔壁２７ｃのＹ軸方向における幅は、開口領域２９ｃとなる領域と接する部分で狭く、第１の隔壁２８ｃが形成される領域において広くなるように形成されている。また、第１の隔壁２８ｃは、第２の隔壁２７ｃ間において、画素電極２３ｃを介しコンタクトホール２２ｃを覆うように、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に分離して形成されており、第２の隔壁２７ｃ上の一部に第１の隔壁２８ｃが盛り上がった状態で形成されている。このように形成される開口領域２９ｃは、画素電極２３ｃの露出面の角のすべてが鈍角となるように形成される。これにより、第１の実施の形態と同様に、不図示の有機発光層におけるリーク電流の発生を防ぎ、明るさを均一にすることができる。また、このような構造を有する画像表示装置では、第２の隔壁２７ｃ上の一部に第１の隔壁２８ｃが形成されるため、第１の隔壁２８ｃ及び第２の隔壁２７ｃを形成する際においてアライメントのズレが生じても、第１の隔壁２８ｃと第２の隔壁２７ｃとの間に隙間が生じることなく、開口領域２９ｃを形成することができる。また、第２の隔壁２７ｃ上の中央部分の領域には、第１の隔壁２８ｃが形成されないため、第１の隔壁２８ｃ及び第２の隔壁２７ｃにおける表面の凹凸をできるだけ抑えることができ、第１の隔壁２８ｃ及び第２の隔壁２７ｃ上に形成される不図示の対向電極の断線及び導電率の変化を抑えることができる。また、第２の隔壁２７ｃ上の一部において第１の隔壁２８ｃが形成されるものであるため、第１の隔壁２８ｃを構成する材料の使用を抑えることができ、より低コストで画像表示装置を製造することができる。
【００９３】
図５（ｄ）は、コンタクトホール２２ｄ、画素電極２３ｄ、第１の隔壁２８ｄは、第１の実施の形態と同様であるが、第２の隔壁２７ｄはＸ軸方向において分離して形成された構成のものである。言い換えれば、第１の隔壁２８ｄは、第２の隔壁２７ｄと交差して形成される。具体的には、Ｘ軸方向において画素電極２３ｄが形成されない領域、即ち、Ｘ軸方向における画素電極２３ｄ間の領域において、第２の隔壁２７ｄが分離されるように形成されている。即ち、第２の隔壁２７ｄは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向において分離して形成される。第１の隔壁２８ｄは、画素電極２３ｄを介しコンタクトホール２２ａを覆うように、第１の隔壁２８ｄのＸ軸方向における幅は、画素電極２３ｄと接する中央部分より、第２の隔壁２７ｄ上における部分に向かって、徐々に幅が広がるように形成されている。これにより形成される開口領域２９ｄは、第１の実施の形態における開口領域２９と略同様の形状に形成される。このような構造を有する画像表示装置では、第１の隔壁２８ｄが形成される領域の一部において、第２の隔壁２７ｄが形成されないため、第１の隔壁２８ｄ及び第２の隔壁２７ｄにおける表面の凹凸をできるだけ抑えることができ、第１の隔壁２８ｄ及び第２の隔壁２７ｄ上に形成される不図示の対向電極の断線及び導電率の変化を抑えることができる。また、第１の隔壁２８ｄが形成される領域の一部において、第２の隔壁２７ｄが形成されないため、第２の隔壁２７ｄを構成する材料の使用を抑えることができ、より低コストで画像表示装置を製造することができる。
【００９４】
〔第４の実施の形態〕
次に、第４の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第３の実施の形態を更に変形したものであり、第１の隔壁の構造が異なる構成のものである。図６に基づき本実施の形態について説明する。
【００９５】
図６（ａ）は、コンタクトホール２２ｅ、画素電極２３ｅ、第２の隔壁２７ｅは、第１の実施の形態と同様であるが、第１の隔壁２８ｅがＹ軸方向において分離して形成された構成のものであって、画素電極２３ｅが露出している領域がより多角形となるように第１の隔壁２８ｅを形成したものである。言い換えれば、第１の隔壁２８ｅは、第２の隔壁２７ｅと交差する線上に形成される。具体的には、第２の隔壁２７ｅ間において、画素電極２３ｅを介しコンタクトホール２２ｅを覆うように、第１の隔壁２８ｅをＸ軸方向及びＹ軸方向に分離して形成し、第１の隔壁２８ｅのＸ軸方向における幅は、画素電極２３ｅと接する中央部分ではＹ軸方向に沿って狭く直線的に形成されているが、第２の隔壁２７ｅとの境界部分に向かって、徐々に幅が広くなるように形成されている。これにより形成される画素電極２３ｅ上の開口領域２９ｅは略８角形となり、第１の隔壁２８ｅ及び第２の隔壁２７ｅにより形成される４隅の角を含めて、各々の角はより鈍角なものとすることができ、形成される有機ＥＬ素子におけるリーク電流のバラツキを更に低減することができるため、より一層、均一な発光の画像表示装置を得ることができる。また、この構造の画像表示装置では、第２の隔壁２７ｅ上に第１の隔壁２８ｅが形成されないため、第１の隔壁２８ｅ及び第２の隔壁２７ｅにおける表面の凹凸をできるだけ抑えることができ、第１の隔壁２８ｅ及び第２の隔壁２７ｅ上に形成される不図示の対向電極の断線及び導電率の変化を抑えることができる。また、第２の隔壁２７ｅ上には、第１の隔壁２８ｅが形成されないため、第１の隔壁２８ｅを構成する材料の使用を抑えることができ、より低コストで画像表示装置を製造することができる。
【００９６】
図６（ｂ）は、コンタクトホール２２ｆ、画素電極２３ｆ、第２の隔壁２７ｆは、第１の実施の形態と同様であるが、第１の隔壁２８ｆがＹ軸方向において分離して形成された構成のものであって、画素電極２３ｆが露出している領域を図６（ａ）に示すものよりも更に多角形となるように第１の隔壁２８ｆを形成したものである。言い換えれば、第１の隔壁２８ｆは、第２の隔壁２７ｆと交差する線上に形成される。具体的には、第２の隔壁２７ｆ間において、画素電極２３ｆを介しコンタクトホール２２ｆを覆うように、第１の隔壁２８ｆがＸ軸方向及びＹ軸方向に分離して形成されており、第１の隔壁２８ｆのＸ軸方向における幅は、画素電極２３ｆと接する中央部分から第２の隔壁２７ｆとの境界領域に向かって段階的に角度が変化し、徐々に幅が広くなるように形成されている。これにより形成される画素電極２３ｆ上における開口領域２９ｆは更に多角形となり、各々の角はより鈍角に形成することができ、形成される有機ＥＬ素子におけるリーク電流のバラツキをより一層低減することができるため、より一層、均一な発光の画像表示装置を得ることができる。また、この構造の画像表示装置では、第２の隔壁２７ｆ上に第１の隔壁２８ｆが形成されないため、第１の隔壁２８ｆ及び第２の隔壁２７ｆにおける表面の凹凸をできるだけ抑えることができ、第１の隔壁２８ｆ及び第２の隔壁２７ｆ上に形成される不図示の対向電極の断線及び導電率の変化を抑えることができる。また、第２の隔壁２７ｆ上には、第１の隔壁２８ｆが形成されないため、第１の隔壁２８ｆを構成する材料の使用を抑えることができ、より低コストで画像表示装置を製造することができる。
【００９７】
図６（ｃ）は、コンタクトホール２２ｇ、画素電極２３ｇ、第２の隔壁２７ｇは、第１の実施の形態と同様であるが、第１の隔壁２８ｇがＹ軸方向において分離して形成された構成のものであって、画素電極２３ｇが露出している領域の周囲が滑らかな曲線状となるように、第１の隔壁２８ｇを形成したものである。言い換えれば、第１の隔壁２８ｇは、第２の隔壁２７ｇと交差する線上に形成される。具体的には、第２の隔壁２７ｇ間において、画素電極２３ｇを介しコンタクトホール２２ｇを覆うように、第１の隔壁２８ｇをＸ軸方向及びＹ軸方向に分離して形成されており、第１の隔壁２８ｇのＸ軸方向における幅は、画素電極２３ｇと接する中央部分から第２の隔壁２７ｇとの境界部分に向かって、徐々に滑らかに円弧状に曲線的に幅が広がるように形成されている。即ち、画素電極２３ｇ上における開口領域２９ｇの形状は、第１の隔壁２８ｇと接する領域に半円状の円弧を有する円形状又は長円形状に形成されている。これにより形成される画素電極２３ｇ上の開口領域２９ｇは角を有していないため、形成される有機ＥＬ素子におけるリーク電流のバラツキを更に一層低減することができ、より一層均一な発光の画像表示装置を得ることができる。また、この構造の画像表示装置では、第２の隔壁２７ｇ上に第１の隔壁２８ｇが形成されないため、第１の隔壁２８ｇ及び第２の隔壁２７ｇにおける表面の凹凸をできるだけ抑えることができ、第１の隔壁２８ｇ及び第２の隔壁２７ｇ上に形成される不図示の対向電極の断線及び導電率の変化を抑えることができる。また、第２の隔壁２７ｇ上には、第１の隔壁２８ｇが形成されないため、第１の隔壁２８ｇを構成する材料の使用を抑えることができ、より低コストで画像表示装置を製造することができる。
【００９８】
また、図６（ｃ）の変形例として、画素電極２３ｇ上における開口領域２９ｇの形状は、第１の隔壁２８ｇと接する領域に半円状の円弧を有する円形に形成してもよい。
【００９９】
尚、本実施の形態では、特に、第３の実施の形態における図５（ａ）における構造の変形例について説明したが、図５（ｂ）〜（ｄ）における構造のものについても、本実施の形態に示したものと同様の変形を行うことが可能である。
【０１００】
〔第５の実施の形態〕
次に、第５の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態と異なる構成の画像表示装置である。
【０１０１】
（画像表示装置の構成）
図７及び図８に基づき本実施の形態における画像表示装置の構成を説明する。尚、図７は、本実施の形態における画像表示装置の対向電極及び有機発光層が形成されていない状態の上面図であり、図８は、図７における破線８Ａ−８Ｂにおいて切断した対向電極及び有機発光層が形成されている状態の本実施の形態における画像表示装置の断面図である。
【０１０２】
本実施の形態における画像表示装置は、基板１１１上に形成されたゲート電極１１２、ゲート絶縁膜１１３、半導体層１１４、ソース電極１１５及びドレイン電極１１６により薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１７が形成されている。この薄膜トランジスタ１１７は、画素ごとにマトリックス状に形成されている。
【０１０３】
この薄膜トランジスタ１１７の上には、各々のドレイン電極１１６上にコンタクトホール１２２を有する層間絶縁膜１２１が形成されており、層間絶縁膜１２１上には、画素電極１２３が形成されている。画素電極１２３は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向において２次元的に配列されており、ドレイン電極１１６と画素電極１２３とは、コンタクトホール１２２を埋込形成された補助電極１２０により接続されている。尚、Ｙ軸方向において隣接する画素電極１２３は、Ｘ軸方向に伸びる第２の隔壁１２７において分離して形成されており、隣接する画素電極１２３同士がＹ軸方向において接続することはない。また、本実施の形態における画像表示装置は、第１の隔壁１２８を形成した後に、画素電極１２３が形成されるため、隣接する画素電極１２３同士がＸ軸方向において接続することはない。
【０１０４】
即ち、本実施の形態における画像表示装置は、第２の隔壁１２７及び第１の隔壁１２８により開口領域１２９が形成されており、開口領域１２９に画素電極１２３が形成される。尚、開口領域１２９においては、補助電極１２０の表面の一部が露出するように形成されている。開口領域１２９では、画素電極１２３上に、有機発光層１２４が形成され、更に、有機発光層１２４を覆うように対向電極１２５が形成されている。対向電極１２５は、共通電極としての機能を有するものであり、有機発光層１２４において発せられた光を透過するＩＴＯ等の透光性を有する材料により形成されている。尚、画素電極１２３、有機発光層１２４及び対向電極１２５により有機ＥＬ素子１２６が形成される。また、第１の隔壁１２８は、第２の隔壁１２７と交差する線上に形成される。
【０１０５】
本実施の形態における画像表示装置では、第２の隔壁１２７のＹ軸方向における幅
は、第１の隔壁１２８が形成される部分において広く、画素電極１２３と接する部分において狭くなるように形成されており、第２の隔壁１２７のＹ軸方向における幅は、画素電極１２３と接する部分において、第１の隔壁が形成される部分に近づくにつれて徐々に幅が広くなるように形成されている。これにより、第１の隔壁１２８と第２の隔壁１２７により形成される画素電極１２３上の開口領域１２９の４隅は、すべて鈍角に形成することができ、電界集中が起こりにくく、有機ＥＬ素子１２６におけるリーク電流のバラツキを抑制することができ、発光特性を均一にすることができる。即ち、画素電極１２３の露出面の４隅の形状が鋭角または直角である場合には、電界集中が起こりやすく、有機ＥＬ素子１２６におけるリーク電流のバラツキが生じ、発光特性が均一でなくなってしまうが、本実施の形態における画像表示装置では、電界集中が起こりにくく、有機ＥＬ素子１２６におけるリーク電流のバラツキを抑制することができ、発光特性を均一にすることができるのである。
【０１０６】
本実施の形態における画像表示装置では、薄膜トランジスタ１１７におけるゲート電極１１２に印加される電圧により薄膜トランジスタ１１７が動作し、薄膜トランジスタ１１７がＯＮ状態となった場合には、ドレイン電極１１６及び補助電極１２０を介し、画素電極１２３に電流が流れ、更には、有機発光層１２４に電流が流れることにより発光する。
【０１０７】
本実施の形態における画像表示装置では、平坦な層間絶縁膜１２１上に画素電極１２３が形成されているため、表面に凹み等が発生しない平坦な画素電極１２３を形成することができる。これにより、画素電極１２３上に形成される有機発光層１２４も平坦かつ均一な膜厚に形成することができ、均一な発光を得ることができる。また、Ｙ軸方向の画素電極１２３間は、第２の隔壁１２７により分離されているため、高密度に画素電極１２３を配置することができ、Ｘ軸方向の画素電極１２３間は、第１の隔壁１２８により分離されているため、高密度に画素電極１２３を配置することができ、より一層、画像表示装置を高密度化させることができる。また、開口領域１２９が発光領域となるため、画像表示装置の全面にわたり均一な発光領域を形成することができる。
【０１０８】
ここで、第１の隔壁１２８及び第２の隔壁１２７は、感光性ポリイミド材料、感光性アクリル材料等の感光性樹脂材料により形成されている。一般的に感光性樹脂材料の最小線幅は、５μｍ以下であるため、第１の隔壁１２８、第２の隔壁１２７の幅を狭くすることができ、その結果、画素電極のＸ軸方向、Ｙ軸方向の間隔を狭くすることができる。尚、第１の隔壁１２８及び第２の隔壁１２７を形成することなく、インクジェット法により画素電極を形成する場合においては、形成される画素電極の最小幅は、３０〜５０μｍであり、本実施の形態における画像表示装置では、画素を高密度化させることができる。
【０１０９】
尚、図７及び図８では、本実施の形態の説明ための便宜上、選択線、信号線、電源線、容量等は省略されているが、本実施の形態における画像表示装置においては、有機ＥＬ素子１２６では、スイッチング素子、ドライブ素子、容量からなる２トランジスタ１キャパシタ構造は少なくとも必須であり、更には、閾値電圧に対する補償回路を設けるため、より多くのＴＦＴや容量が用いられている。
【０１１０】
（画像表示装置の製造方法）
次に、図９及び図１０に基づき本実施の形態における画像表示装置の製造方法について説明する。尚、図１０（ａ）、（ｆ）は断面構造を示すものであり、図４（ｂ）〜（ｅ）は上面構造を示すものである。
【０１１１】
最初に、ステップ２０２（Ｓ２０２）において、図１０（ａ）に示されるような薄膜トランジスタ１１７を形成する。具体的には、ガラス基板等の基板１１１上にスパッタリングによりＣｒ（クロム）膜を形成し、形成されたＣｒ膜上にフォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、現像を行うことにより、ゲート電極１１２が形成される領域上にレジストパターンを形成する。この後、ＲＩＥにより、レジストパターンの形成されていない領域におけるＣｒ膜を除去し、さらにレジストパターンを除去することにより、Ｃｒからなるゲート電極１１２を形成する。次に、プラズマＣＶＤによりＳｉＯ２膜を成膜することによりゲート絶縁膜１１３を形成し、ゲート絶縁膜１１３上にＣＶＤにより、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜を成膜する。次に、ａ−Ｓｉ膜上にフォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、現像を行うことにより、半導体層１１４が形成される領域上にレジストパターンを形成する。この後、ＲＩＥ等により、レジストパターンの形成されていない領域におけるａ−Ｓｉ膜を除去し、さらにレジストパターンを除去することにより、ａ−Ｓｉからなる半導体層１１４を形成する。次に、半導体層１４及びゲート絶縁膜１１３上に、スパッタリングにより、Ａｌ−Ｓｉ膜を成膜し、Ａｌ−Ｓｉ膜上にフォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、現像を行うことにより、ソース電極１１５及びドレイン電極１１６が形成される領域上にレジストパターンを形成する。この後、ＲＩＥ等により、レジストパターンの形成されていない領域におけるＡｌ−Ｓｉ膜を除去し、さらにレジストパターンを除去することにより、Ａｌ−Ｓｉからなるソース電極１１５及びドレイン電極１１６を形成する。
【０１１２】
これにより、１４０ｐｐｉの密度を有するマトリックス状に配列された薄膜トランジスタ１１７を形成する。また、薄膜トランジスタ１１７を形成した後、必要に応じてアニール処理を行い、トランジスタ特性の改善を行っても良い。
【０１１３】
次に、ステップ２０４（Ｓ２０４）において、図１０（ａ）に示されるような薄膜トランジスタ１１７上に、層間絶縁膜１２１を形成する。具体的には、プラズマＣＶＤによりＳｉＯＮ膜からなる層間絶縁膜１２１を０．５〜２μｍ成膜し、この後、層間絶縁膜１２１上にフォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、現像を行うことにより、コンタクトホール１２２の形成される領域に開口部を有するレジストパターンを形成する。この後、ＲＩＥ等により、レジストパターンの形成されていない領域におけるＳｉＯＮ膜を除去し、さらにレジストパターンを除去することにより、コンタクトホール１２２を形成する。形成されたコンタクトホール１２２は、ドレイン電極１１６上に形成されており、直径が約１０μｍである。
【０１１４】
次に、ステップ２０６（Ｓ２０６）において、図１０（ｂ）に示すように、第２の隔壁１２７を形成する。具体的には、層間絶縁膜１２１上に、撥液性感光性樹脂を塗布し、所定の線幅を有する第２の隔壁１２７のパターンが形成されたフォトマスクを用い、露光装置により露光し、テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて現像し、焼成することにより第２の隔壁１２７を形成する。このように形成された第２の隔壁１２７は、Ｘ軸方向に沿ってライン状に形成されており、コンタクトホール１２２が、隣接する第２の隔壁１２７間の位置となるように形成されている。形成される第２の隔壁１２７は、後述する画素電極１２３と接する領域における幅は、１０〜２０μｍであり、第１の隔壁１２８が形成される領域における幅は、２０〜３０μｍとなるように形成し、画素電極１２３が形成される領域から、第１の隔壁１２８が形成される領域に向かって、幅が徐々に広くなるように形成する。尚、第２の隔壁１２７の膜厚は１〜３μｍである。
【０１１５】
この後、ＵＶオゾン処理を行い、層間絶縁膜１２１の表面を親液化処理し、第２の隔壁１２７の表面を撥液化処理する。後述するように、画素電極１２３をインクジェット方式等の印刷方式により形成する場合を考慮すると、層間絶縁膜１２１の表面における親液性は、純水に対しての接触角が、３０°以下、更には、２０°以下であることが好ましく、第２の隔壁１２７の表面における撥液性は、純水に対しての接触角が、５０〜１３０°、更には、６０〜１１０°であることが好ましい。撥液性感光性樹脂としては、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂等の末端にフッ素基を導入するか、ポリシロキサン、ポリシラン、ポリシロキサン骨格等を導入した感光性樹脂を用いることができる。また、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂等を用いて第２の隔壁１２７を形成した後、酸素（Ｏ２）プラズマ処理により層間絶縁膜１２１及び第２の隔壁１２７の表面をすべて親液化処理し、その後、ＣＦ４プラズマ処理により第２の隔壁１２７の表面のみを選択的に撥液化処理してもよい。尚、酸素プラズマ処理、ＣＦ４プラズマ処理は低圧または常圧のどちらの方式であってもよい。
【０１１６】
次に、ステップ２０８（Ｓ２０８）において、図１０（ｃ）に示すように、補助電極１２０を形成する。具体的には、インクジェット方式により、第２の隔壁１２７間における層間絶縁膜１２１上に極性溶媒にナノＡｇ粒子を分散させたインクを所定の間隔毎に印刷し、焼成して補助電極１２０を形成する。補助電極１２０はコンタクトホール１２２内にも充填されるため、薄膜トランジスタ１１７のドレイン電極１１６と接続される。形成される補助電極１２０の膜厚は３０〜１００ｎｍである。この際、Ｙ軸方向では、第２の隔壁１２７の表面が撥液性であるため印刷されるナノＡｇインクは、第２の隔壁１２７において留まり、自己整合的に分離される。一方、Ｘ軸方向では、隔壁が形成されていないため、Ｙ軸方向よりも広い間隔で補助電極１２０が形成される。本実施の形態では、Ｘ軸方向における補助電極１２０間の間隔Ｄは、１２５〜１４０μｍとなるよう形成されている。
【０１１７】
本実施の形態においてナノＡｇインクに用いられる極性溶媒としては、アルコール、エチレングリコール、エチレングリコールエーテル等が挙げられる。また、本実施の形態では極性溶媒にナノＡｇを分散させたインクを用いたが、極性溶媒に分散させる導電性微粒子としては、ナノＡｇ以外にも、ナノＡｕ、ナノＰｄ、ナノＣｕ等の導電性微粒子が挙げられる。
【０１１８】
次に、ステップ２１０（Ｓ２１０）において、図１０（ｄ）に示すように第１の隔壁１２８を形成する。具体的には、補助電極１２０を形成した後、撥液性感光性樹脂を再び全面に塗布し、第１の隔壁１２８のパターンが形成されたフォトマスクを用いて露光装置により露光し、テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて現像し、焼成を行うことにより第１の隔壁１２８を形成する。第１の隔壁１２８は、第２の隔壁１２７間においてＹ軸方向に所定の間隔を隔てて形成される、補助電極１２０を介しコンタクトホール１２２を覆うように第１の隔壁１２８が形成されるように、フォトマスクのアライメントを行う。形成される第１の隔壁１２８のＹ軸方向に延びる端部は、Ｘ軸方向における幅が一定のものであるが、第２の隔壁１２７の形状は第１の隔壁１２８に近づくに従い、徐々に幅が広くなるものであるため、第１の隔壁１２８と第２の隔壁１２７により形成される開口領域１２９の４隅の角度は鈍角に形成される。
【０１１９】
この後、ＵＶオゾン処理を行い、露出している補助電極１２０の表面及び層間絶縁膜１２１の表面を親液化処理し、第２の隔壁１２７及び第１の隔壁１２８の表面を撥液化処理する。後述するように、画素電極１２３をインクジェット方式等の印刷方式により形成する場合を考慮すると、露出している補助電極１２０の表面及び層間絶縁膜１２１の表面における親液性は、純水に対しての接触角が、３０°以下、更には、２０°以下であることが好ましく、第２の隔壁１２７及び第１の隔壁１２８の表面における撥液性は、純水に対しての接触角が、５０〜１３０°、更には、６０〜１１０°であることが好ましい。撥液性感光性樹脂としては、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂等の末端にフッ素基を導入するか、ポリシロキサン、ポリシラン、ポリシロキサン骨格等を導入した感光性樹脂を用いることができる。また、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂等を用いて第１の隔壁１２８を形成した後、酸素（Ｏ２）プラズマ処理により露出している補助電極１２０、層間絶縁膜１２１、第２の隔壁１２７及び第１の隔壁１２８の表面をすべて親液化処理し、その後、ＣＦ４プラズマ処理により第２の隔壁１２７及び第１の隔壁１２８の表面のみを選択的に撥液化処理してもよい。尚、酸素プラズマ処理、ＣＦ４プラズマ処理は低圧または常圧のどちらの方式であってもよい。
【０１２０】
次に、ステップ２１２（Ｓ２１２）において、図１０（ｅ）に示すように画素電極１２３を形成する。具体的には、インクジェット方式により、第２の隔壁１２７と第１の隔壁に囲まれた開口領域１２９に極性溶媒にナノＡｇ粒子を分散させたインクを印刷し、焼成して画素電極１２３を形成する。画素電極１２３は露出していた補助電極１２０上にも形成されるため、コンタクトホール１２２に形成される補助電極１２０を介して薄膜トランジスタ１１７のドレイン電極１１６と画素電極１２３とが接続される。形成される画素電極１２３の膜厚は５０〜２００ｎｍである。この際、Ｙ軸方向では、第２の隔壁１２７の表面が撥液性であるため印刷されるナノＡｇインクは、第２の隔壁１２７において留まり、自己整合的に分離される。また、Ｘ軸方向では、第１の隔壁１２８の表面が撥液性であるため印刷されるナノＡｇインクは、第１の隔壁１２８において留まり、自己整合的に分離される。
【０１２１】
本実施の形態においてナノＡｇインクに用いられる極性溶媒としては、アルコール、エチレングリコール、エチレングリコールエーテル等が挙げられる。また、本実施の形態では極性溶媒にナノＡｇを分散させたインクを用いたが、極性溶媒に分散させる導電性微粒子としては、ナノＡｇ以外にも、ナノＡｕ、ナノＰｄ、ナノＣｕ等の導電性微粒子が挙げられる。
【０１２２】
尚、補助電極１２０を形成することにより、画素電極１２３の表面の平坦性は若干低下するが、この平坦性の低下は極めて微小なものであり、画像表示装置における画質に殆ど影響を与えるものではない。また、開口領域１２９に露出する補助電極１２０の領域を可能な限り狭く、また、薄く形成することにより、平坦性の低下を可能な限り防ぐことができる。本実施の形態では、開口領域１２９において露出している補助電極１２０のＸ軸方向の長さは、５〜１５μｍとなるように、第１の隔壁１２８を形成している。
【０１２３】
次に、ステップ２１４（Ｓ２１４）において、図１０（ｆ）に示される有機発光層１２４を形成する。具体的には、画素電極１２３を形成した後、第１の隔壁１２８及び第２の隔壁１２７により囲まれた画素電極１２３上の開口領域１２９にインクジェット方式により有機発光層１２４を形成する。有機発光層１２４は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に発光する３種類の有機発光材料をＹ軸方向に各々一列ずつ塗り分けることにより形成した。本実施の形態では、有機発光層１２４を形成する材料として、一般的な高分子発光材料が用いられており、例えば、ポリチオフェン系、ポリパラフェニレン系、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリフルオレン系、イリジウム錯体系等を極性溶媒に溶解してインク化し、インクジェット方式により印刷した後、乾燥、焼成を行うことにより形成される。本実施の形態では、ステップ２１０において、第２の隔壁１２７及び第１の隔壁１２８の表面が撥液処理されているため、画素電極１２３上に有機発光層１２４が形成される。即ち、第２の隔壁１２７及び第１の隔壁１２８の表面は撥液処理されているため、極性溶媒により溶解した高分子有機発光材料ははじかれ、画素電極１２３上にのみ有機発光層１２４が形成される。よって、インクジェット方式に用いられるインクジェット装置において、ヘッドの曲がり、ヘッドの蛇行、吐出バラツキ等を有していても、高分子有機発光材料は開口領域１２９にのみ印刷することが可能である。本実施の形態において印刷される有機発光層１２４の膜厚は、Ｒ、Ｇ、Ｂの発光効率を考慮し、５０〜１５０ｎｍの範囲内で各々形成した。
【０１２４】
次に、ステップ２１６（Ｓ２１６）において、図１０（ｆ）に示される対向電極１２５を形成する。具体的には、スパッタリングにより、Ｉｎ２Ｏ３・ＳｎＯ２からなる透明導電膜からなる対向電極１２５を有機発光層１２４、第２の隔壁１２７及び第１の隔壁１２８の全面に成膜する。対向電極１２５は共通電極となるものであり、スパッタリングにより成膜を行う際には、メタルマスク等を用いて所定の領域のみ対向電極２５を形成した。本実施の形態において形成される対向電極１２５の膜厚は、５０〜２００μｍである。
【０１２５】
尚、有機発光層１２４におけるキャリアの注入効率を高めるために、画素電極１２３と有機発光層１２４との間には不図示の電子注入層を設け、有機発光層１２４と対向電極１２５との間には、不図示の正孔注入層を設けることが好ましい。電子注入層を構成する材料としては、シクロペンタジエン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体等の材料が挙げられる。また、正孔注入層を構成する材料としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等が挙げられる。電子注入層及び正孔注入層は、極性溶媒に電子注入層及び正孔注入層を構成する材料を溶解してインク化した溶液をインクジェット方式により印刷し、その後、乾燥させることにより形成することができる。
【０１２６】
対向電極１２５を形成した後、形成される画像表示装置の外周部に光硬化型エポキシ樹脂を塗布し、不図示のキャップガラスを接着することにより封止することにより、薄膜トランジスタ１１７上に有機ＥＬ素子１２６が積層形成された画像表示装置が完成する。
【０１２７】
本実施の形態における画像表示装置の製造方法により製造される画像表示装置では、第２の隔壁１２７及び第１の隔壁１２８に囲まれた領域に画素電極１２３及び有機発光層１２４が形成されるため、より一層開口率を高めることができる。
【０１２８】
また、本実施の形態における画像表示装置に駆動用ＩＣが実装された不図示のフレキシブル基板を、異方性導電膜を介して圧着し、画像表示装置の画像評価テストを行った結果、コンタクトホール１２２に起因すると思われる発光むらは、一切認められず、Ｒ、Ｇ、Ｂにおける各々の発光領域において面内で均一な発光が確認された。
【０１２９】
また、本実施の形態における画像表示装置では、第１の隔壁１２８と第２の隔壁１２７により形成される画素電極１２３の４隅は、鈍角に形成されているため、有機ＥＬ素子１２６間におけるリーク電流のバラツキをより低減することができ、高い発光均一性を有する画像表示装置を得ることができる。
【０１３０】
尚、上述した画像表示装置は、第２の隔壁１２７は、Ｙ軸方向における幅が、画素電極と接する部分で狭く形成され、第１の隔壁１２８が形成される領域に向かって徐々に広くなる形状であって、第１の隔壁１２８は、第２の隔壁１２７間において、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に分離して形成されるものについて説明したが、第２の隔壁１２７は、Ｙ軸方向における幅が一定であって、第１の隔壁１２８におけるＸ軸方向における幅が、中央部分から第２の隔壁１２７の境界部分に向かって、徐々に幅が広がる構成のものでもよく、更に、Ｘ軸方向における画素電極１２３の幅が、中央部分から第２の隔壁１２７との境界部分に向かって、徐々に狭くなるように第１の隔壁１２８を形成し、かつ、Ｙ軸方向における画素電極１２３の幅が、第１の隔壁１２８との境界に近づくに従い狭くなるように、第２の隔壁１２７を形成したものであってもよい。
【０１３１】
また、上述した画像表示装置の製造方法では、有機発光層１２４等を形成する際に、離散的に吐出が可能なインクジェット方式を用いた場合について説明したが、開口領域１２９の周囲は、表面が撥液処理された第２の隔壁１２７及び第１の隔壁１２８により囲まれており、第１の隔壁１２８及び第２の隔壁１２７上に吐出された高分子有機発光材料は自己整合的に開口領域１２９内に入り込むため、連続的に吐出されるディスペンサー法、ノズルプリンティング法を用いることが可能である。
【０１３２】
また、本実施の形態では、第２の隔壁１２７及び第１の隔壁１２８は撥液性感光性樹脂を用いて露光装置により露光することにより形成したが、撥液性樹脂を含有するインクを用いて、インクジェット法、マイクロコンタクトプリント法等の印刷方法により、第２の隔壁１２７及び第１の隔壁１２８の少なくとも一方を形成してもよい。また、高分子樹脂を含有するインクを用いたインクジェット法、マイクロコンタクトプリント法等の印刷方法により、第２の隔壁１２７及び第１の隔壁１２８の少なくとも一方を形成し、その後ＣＦ４プラズマ処理等により撥液処理を行ってもよい。
【０１３３】
更に、本実施の形態における第１の隔壁１２８及び第２の隔壁１２７は、第３の実施形態及び第４の実施の形態における第１の隔壁及び第２の隔壁により構成されるものであってもよい。
【０１３４】
〔第６の実施の形態〕
次に、第６の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る電子機器は画像表示装置を有するテレビジョン装置である。図１１から図１６に基づき本実施の形態におけるテレビジョン装置について説明する。
【０１３５】
本実施の形態におけるテレビジョン装置２００は、主制御装置２０１、チューナ２０３、ＡＤコンバータ（ＡＤＣ）２０４、復調回路２０５、ＴＳ（Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｓｔｒｅａｍ）デコーダ２０６、音声デコーダ２１１、ＤＡコンバータ（ＤＡＣ）２１２、音声出力回路２１３、スピーカ２１４、映像デコーダ２２１、映像・ＯＳＤ合成回路２２２、映像出力回路２２３、画像表示装置２２４、ＯＳＤ描画回路２２５、メモリ２３１、操作装置２３２、ドライブインターフェース（ドライブＩＦ）２４１、ハードディスク装置２４２、光ディスク装置２４３、ＩＲ受光器２５１、及び通信制御装置２５２などを備えている。
【０１３６】
主制御装置２０１は、テレビジョン装置２００の全体を制御し、ＣＰＵ、フラッシュＲＯＭ、及びＲＡＭなどから構成されている。フラッシュＲＯＭには、ＣＰＵにて解読可能なコードで記述されたプログラム、及びＣＰＵでの処理に用いられる各種データなどが格納されている。また、ＲＡＭは、作業用のメモリである。
【０１３７】
チューナ２０３は、アンテナ２７０で受信された放送波の中から、予め設定されているチャンネルの放送を選局する。
【０１３８】
ＡＤＣ２０４は、チューナ２０３の出力信号（アナログ情報）をデジタル情報に変換する。
【０１３９】
復調回路２０５は、ＡＤＣ２０４からのデジタル情報を復調する。
【０１４０】
ＴＳデコーダ２０６は、復調回路２０５の出力信号をＴＳデコードし、音声情報及び映像情報を分離する。
【０１４１】
音声デコーダ２１１は、ＴＳデコーダ２０６からの音声情報をデコードする。
【０１４２】
ＤＡコンバータ（ＤＡＣ）２１２は、音声デコーダ２１１の出力信号をアナログ信号に変換する。
【０１４３】
音声出力回路２１３は、ＤＡコンバータ（ＤＡＣ）２１２の出力信号をスピーカ５１４に出力する。
【０１４４】
映像デコーダ２２１は、ＴＳデコーダ２０６からの映像情報をデコードする。
【０１４５】
映像・ＯＳＤ合成回路２２２は、映像デコーダ２２１の出力信号とＯＳＤ描画回路２２５の出力信号を合成する。
【０１４６】
映像出力回路２２３は、映像・ＯＳＤ合成回路２２２の出力信号を画像表示装置２２４に出力する。
【０１４７】
ＯＳＤ描画回路２２５は、画像表示装置２２４の画面に文字や図形を表示するためのキャラクタ・ジェネレータを備えており、操作装置２３２やＩＲ受光器２５１からの指示に応じて表示情報が含まれる信号を生成する。
【０１４８】
メモリ２３１には、ＡＶ（Ａｕｄｉｏ−Ｖｉｓｕａｌ）データ等が一時的に蓄積される。
【０１４９】
操作装置２３２は、例えばコントロールパネルなどの入力媒体（図示省略）を備え、ユーザから入力された各種情報を主制御装置２０１に通知する。
【０１５０】
ドライブＩＦ２４１は、双方向の通信インターフェースであり、一例としてＡＴＡＰＩ（ＡＴ  Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ  Ｐａｃｋｅｔ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）に準拠している。
【０１５１】
ハードディスク装置２４２は、ハードディスクと、このハードディスクを駆動するための駆動装置などから構成されている。駆動装置は、ハードディスクにデータを記録するとともに、ハードディスクに記録されているデータを再生する。
【０１５２】
光ディスク装置２４３は、光ディスク（例えば、ＤＶＤ）にデータを記録するとともに、光ディスクに記録されているデータを再生する。
【０１５３】
ＩＲ受光器２５１は、リモコン送信機２８０からの光信号を受信し、主制御装置２０１に通知する。
【０１５４】
通信制御装置２５２は、インターネットとの通信を制御する。インターネットを介して各種情報を取得することができる。
【０１５５】
画像表示装置２２４は、一例として図１２に示されるように、表示器３００、及び表示制御装置３８０を有している。
【０１５６】
表示器３００は、一例として図１３に示されるように、複数（ここでは、ｎ×ｍ個）の表示素子３０２がマトリックス状に配置されたディスプレイ３１０を有している。
【０１５７】
また、ディスプレイ３１０は、一例として図１４に示されるように、Ｘ軸方向に沿って等間隔に配置されているｎ本の選択線（Ｘ０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、・・・・・、Ｘｎ−２、Ｘｎ−１）、Ｙ軸方向に沿って等間隔に配置されているｍ本の信号線（Ｙ０、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、・・・・・、Ｙｍ−１）、Ｙ軸方向に沿って等間隔に配置されているｍ本の電源線（Ｙ０ｉ、Ｙ１ｉ、Ｙ２ｉ、Ｙ３ｉ、・・・・・、Ｙｍ−１ｉ）を有している。そして、選択線と信号線とによって、表示素子３０２を特定することができる。
【０１５８】
各表示素子３０２は、一例として図１５に示されるように、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子３５０と、この有機ＥＬ素子３５０を発光させるためのドライブ回路３２０とを有している。すなわち、ディスプレイ３１０は、いわゆるアクティブマトリックス方式の有機ＥＬディスプレイである。また、ディスプレイ３１０は、カラー対応の３２インチ型のディスプレイである。なお、大きさは、これに限定されるものではない。
【０１５９】
有機ＥＬ素子３５０は、一例として図１６に示されるように、有機ＥＬ薄膜層３４０と、陰極３１２と、陽極３１４とを有している。
【０１６０】
陰極３１２には、アルミニウム（Ａｌ）が用いられている。なお、マグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａｇ）合金、アルミニウム（Ａｌ）−リチウム（Ｌｉ）合金などを用いても良い。
【０１６１】
陽極３１４には、ＩＴＯが用いられている。なお、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｎＯなどの導電性を有する酸化物などを用いてもよい。
【０１６２】
有機ＥＬ薄膜層３４０は、電子輸送層３４２と発光層３４４と正孔輸送層３４６とを有している。そして、電子輸送層３４２に陰極３１２が接続され、正孔輸送層３４６に陽極３１４が接続されている。陽極３１４と陰極３１２との間に所定の電圧を印加すると発光層３４４が発光する。
【０１６３】
また、図１５に示すように、ドライブ回路３２０は、２つの電界効果型トランジスタ３２１及び３２２、コンデンサ３２３を有している。
【０１６４】
電界効果型トランジスタ３２１は、スイッチ素子として動作する。ゲート電極Ｇは、所定の選択線に接続され、ソース電極Ｓは、所定の信号線に接続されている。また、ドレイン電極Ｄは、コンデンサ３２３の一方の端子に接続されている。
【０１６５】
コンデンサ３２３は、電界効果型トランジスタ３２１の状態、すなわちデータを記憶しておくためのものである。コンデンサ３２３の他方の端子は、所定の電源線に接続されている。
【０１６６】
電界効果型トランジスタ３２２は、有機ＥＬ素子３５０に大きな電流を供給するためのものである。ゲート電極Ｇは、電界効果型トランジスタ３２１のドレイン電極Ｄと接続されている。そして、ドレイン電極Ｄは、有機ＥＬ素子３５０の陽極３１４に接続され、ソース電極Ｓは、所定の電源線に接続されている。
【０１６７】
そこで、電界効果型トランジスタ３２１が「オン」状態になると、電界効果型トランジスタ３２２によって、有機ＥＬ素子３５０は駆動される。
【０１６８】
尚、本実施の形態においては、一例として、上述した画像表示装置２２４を用いたが、第１から第５の実施の形態における画像表示装置は、画像表示装置２２４に代えて用いられる。これにより、本実施の形態では、低コストで高性能なテレビジョン装置を得ることができる。
【０１６９】
また、第１から第５の実施の携帯における画像形成装置は、テレビジョン装置以外にも携帯電話、ゲーム機等にも用いることができる。
【０１７０】
以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。
【符号の説明】
【０１７１】
１１    基板
１２    ゲート電極
１３    ゲート絶縁膜
１４    半導体層
１５    ソース電極
１６    ドレイン電極
１７    薄膜トランジスタ
２１    層間絶縁膜
２２    コンタクトホール
２３    画素電極
２４    有機発光層
２５    対向電極
２６    有機ＥＬ素子
２７    第２の隔壁
２８    第１の隔壁
２９    開口領域
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１７２】
【特許文献１】特開２００４−１１９２１９号公報
【特許文献２】特開２００５−１９７０２７号公報
【図１】
2011113815.tif 000003
【図２】
2011113815.tif 000004
【図３】
2011113815.tif 000005
【図４】
2011113815.tif 000006
【図５】
2011113815.tif 000007
【図６】
2011113815.tif 000008
【図７】
2011113815.tif 000009
【図８】
2011113815.tif 000010
【図９】
2011113815.tif 000011
【図１０】
2011113815.tif 000012
【図１１】
2011113815.tif 000013
【図１２】
2011113815.tif 000014
【図１３】
2011113815.tif 000015
【図１４】
2011113815.tif 000016
【図１５】
2011113815.tif 000017
【図１６】
2011113815.tif 000018