(57)【要約】【目的】製造方法の時間消費を短縮し、信頼性を向上させる回路基板を製造する方法を提供する。【解決手段】回路基板の製造方法は、以下のステップを含む。２つの金属層の周縁を接合して、密封エリアを形成する。２つの絶縁層を２つの金属層上に形成する。２つの上部および下部を含む導電層を２つの絶縁層上に形成する。そして、２つの絶縁層および２つの導電層をラミネートして、互いに接合された２つの金属層を２つの絶縁層の間に埋め込む。２つの絶縁層の一部および２つの導電層の一部を除去して、２つの金属層を露出する多数個の盲孔を形成する。導電材料を盲孔中および保留された２つの導電層上に形成する。２つの金属層の密封エリアを分離して、２つの分離された回路基板を形成する。【選択図】図１Ｇ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの金属層の周縁を接合して密封エリアを形成することと；
前記２つの金属層上に２つの絶縁層を形成することと；
前記２つの絶縁層上に２つの導電層を形成することと；
前記２つの絶縁層および前記２つの導電層をラミネートするとともに、前記２つの金属層を前記２つの絶縁層の間に埋め込むことと；
前記２つの絶縁層の一部および前記２つの導電層の一部を除去して前記２つの金属層を露出する多数個の盲孔を形成することと；
前記盲孔中および前記２つの導電層の保留された部分に導電材料を形成することと；
前記２つの金属層の前記密封エリアを分離して２つの分離された回路基板を形成することと
を含む回路基板を製造する方法。
【請求項２】
前記２つの金属層の前記周縁を接合する方法が、電気溶接プロセスまたはスポット溶接プロセスを含む請求項１記載の回路基板を製造する方法。
【請求項３】
前記２つの金属層の前記周縁を接合した後、前記方法が更に前記密封エリアを貫通する少なくとも１つのスルーホールを形成することを含むとともに、前記２つの絶縁層がラミネートされた時、前記２つの絶縁層を前記スルーホール中に充填する請求項１記載の回路基板を製造する方法。
【請求項４】
前記導電材料を形成する前記方法が、電気メッキプロセスを含む請求項１記載の回路基板を製造する方法。
【請求項５】
前記２つの金属層の前記密封エリアを分離した後、前記方法が更に前記導電材料および前記２つの導電層をパターン化することを含む請求項１記載の回路基板を製造する方法。
【請求項６】
２つの金属層の周縁を接合して密封エリアを形成することと；
前記２つの金属層上に２つの絶縁層を形成するとともに、前記２つの絶縁層上に２つの内部導電層を形成することと；
前記２つの絶縁層および前記２つの内部導電層をラミネートするとともに、互いに接合された前記２つの金属層を前記２つの絶縁層中に埋め込むことと；
前記２つの内部導電層をパターン化するとともに、前記２つの内部導電層上に別な２つの絶縁層を形成し、かつ前記別な２つの絶縁層上に２つの外部導電層を形成することと；
前記絶縁層および前記２つの外部導電層をラミネートするとともに、前記２つの内部導電層を前記絶縁層中に埋め込むことと；
前記２つの金属層の前記密封エリアを分離して、２つの分離された回路基板を形成することと
を含む回路基板を製造する方法。
【請求項７】
前記２つの金属層の前記周縁を接合する方法が、電気溶接プロセスまたはスポット溶接プロセスを含む請求項６記載の回路基板を製造する方法。
【請求項８】
前記２つの金属層の前記周縁を接合した後、前記方法が更に前記密封エリアを貫通する少なくとも１つのスルーホールを形成することを含むとともに、前記２つの絶縁層がラミネートされた時に、前記２つの絶縁層を前記スルーホール中に充填する請求項６記載の回路基板を製造する方法。
【請求項９】
前記２つの金属層の前記密封エリアを分離した後、前記方法が更に：
前記絶縁層の一部および前記金属層の一部ならびに前記外部導電層の一部を除去して、前記内部導電層を露出する多数個の盲孔を形成することと；
前記盲孔中および前記金属層の保留された部分ならびに前記外部導電層上に導電材料を形成することと
を含む請求項６記載の回路基板を製造する方法。
【請求項１０】
前記導電材料を形成した後、前記方法が更に前記導電材料および前記金属層ならびに前記外部導電層をパターン化することを含む請求項９記載の回路基板を製造する方法。
【請求項１１】
請求項６により形成される回路基板が：
金属層と；
外部導電層と；
前記金属層と前記外部導電層の間に位置する内部導電層と；
前記金属層と前記内部導電層の間、および前記外部導電層と前記内部導電層の間にそれぞれ位置する２つの絶縁層と
を含む回路基板。
【請求項１２】
さらに、前記絶縁層を貫通する多数個の盲孔中に位置する導電材料を含むとともに、前記導電材料が前記金属層と前記内部導電層の間、および前記外部導電層と前記内部導電層の間に電気接続される請求項１１記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、回路基板とそれを製造する方法に関し、特に、分離できる（separable）回路基板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、多層回路基板の回路構造は、積層プロセス（laminated process）または集積プロセス（build up process）のような方法により形成されるため、多層回路基板は、高い回路配置密度を有し、かつ配線間隔（line pitches）が縮小される。積層プロセスにおいて、多数の回路層をそれぞれ多数の絶縁層上に形成してから、形成された回路基板と２つの物体を接合させるためのガラス繊維樹脂薄膜とを整合かつラミネートして、多層回路基板を形成する。
【０００３】
多層回路基板が積層プロセスによって形成される時、４層、６層または６層以上のような偶数の回路層だけが形成される。もしも多層回路基板が集積プロセスにより形成されるなら、必要に応じて奇数または偶数の回路層を有する回路構造が形成される。しかしながら、集積プロセスは、高い位置精度および長い時間消費を必要としコストが増大するために、大量生産には向いていない。もし回路基板が単一側面において積層プロセスを実施することによって形成されるならば、単一側面回路層と単一側面絶縁層は、積層（ラミネート）プロセス後に容易に丸まってしまう（warped）ため、その信頼性が低下する。従って、この発明の重点は、多層回路基板の製造時間消費をいかに短縮するか及び回路基板の信頼性を増強するかにある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、この発明の目的は、製造方法の時間消費を短縮する回路基板を製造する方法を提供することにある。
【０００５】
また、この発明の別な目的は、高い信頼性を有する回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、以下のステップを含む回路基板の製造方法を提供する。２つの金属層の周縁を接合して密封エリアを形成する。上部絶縁層および下部絶縁層を含む２つの絶縁層を２つの金属層上に形成する。２つの導電層を２つの絶縁層上に形成する。そして、２つの絶縁層および２つの導電層をラミネートして、互いに接合された２つの金属層を２つの絶縁層の間に埋め込む。２つの絶縁層の一部および２つの導電層の一部を除去して、２つの金属層を露出する多数個の盲孔を形成する。導電材料を盲孔中および保留された２つの導電層上に形成する。２つの金属層の密封エリアを分離して、２つの分離された回路基板を形成する。
【０００７】
この発明は、以下のステップを含む回路基板の製造方法を提供する。２つの金属層の周縁を接合して、密封エリアを形成する。２つの絶縁層を２つの金属層上に形成するとともに、２つの内部導電層を２つの絶縁層上に形成する。絶縁層および内部導電層をラミネートするとともに、互いに接合された金属層を絶縁層中に埋め込む。内部導電層をパターン化して、２つの外部絶縁層および２つの外部導電層をそれぞれ内部導電層上に配置する。外部絶縁層および外部導電層をラミネートするとともに、内部導電層を外部絶縁層中に埋め込む。２つの金属層の密封エリアを分離して、２つの分離された回路基板を形成する。
【０００８】
この発明は、金属層と外部導電層と内部導電層と２つの絶縁層とを含む回路基板を提供する。内部導電層が金属層および外部導電層の間に位置する。２つの絶縁層がそれぞれ金属層と内部導電層の間、および外部導電層と内部導電層の間に位置する。
【０００９】
この発明の実施形態に従い、２つの金属層の周縁を接合する方法が、電気溶接プロセスを含む。
【００１０】
この発明の実施形態に従い、２つの金属層の周縁を接合した後、この方法が更に密封エリアを貫通する少なくとも１つのスルーホールを形成することを含むとともに、２つの絶縁層がラミネートされた時、２つの絶縁層を更にスルーホール中に充填する。
【００１１】
この発明の実施形態に従い、導電材料を形成する方法が、電気メッキプロセスを含む。
【００１２】
この発明の実施形態に従い、２つの金属層の密封エリアを分離した後、この方法が更に導電材料および２つの導電層をパターン化することを含む。
【００１３】
この発明の実施形態に従い、回路基板が更に前記絶縁層を貫通する多数個の盲孔中に位置する導電材料を含むとともに、導電材料が金属層と内部導電層の間、および外部導電層と前記内部導電層の間に電気接続される。
【発明の効果】
【００１４】
上記記載に従い、上記した回路基板を製造する方法によって、奇数の回路層または偶数の回路層のいずれも形成することができるとともに、同時に２つの回路基板を形成することができるので、多層回路基板を製造するための時間消費を短縮でき、かつ丸まった（warped）回路基板の問題を防止して、信頼性を高めることができる。
【００１５】
つまり、この発明中、まず、２つの金属層の周縁を接合して、密封エリアを形成する。ダブルサイド絶縁層およびダブルサイド導電層がラミネートされるまで、２つの金属層を分離する。従って、ダブルサイド絶縁層およびダブルサイド導電層をラミネートするプロセス後には、丸まった回路基板の問題が容易には発生しないので、回路基板の信頼性が増強されるとともに、回路基板の製造時間が有効に短縮される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１Ａ】この発明の実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｂ】この発明の実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｃ】この発明の実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｄ】この発明の実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｅ】この発明の実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｆ】この発明の実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｇ】この発明の実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図１Ｈ】この発明の実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図２Ａ】この発明の別な実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図２Ｂ】この発明の別な実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図２Ｃ】この発明の別な実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図２Ｄ】この発明の別な実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図２Ｅ】この発明の別な実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図２Ｆ】この発明の別な実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図２Ｇ】この発明の別な実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図２Ｈ】この発明の別な実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【図２Ｉ】この発明の別な実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、この発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。
図１Ａ〜図１Ｈは、この発明の実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。図２Ａ〜図２Ｉは、この発明の別な実施形態にかかる回路基板を製造する方法を示す断面図である。
【００１８】
図１Ａと図１Ｂとにおいて、銅ホイル（foils）または他の金属ホイルのような２つの金属層１０２を提供して、２つの金属層１０２の周縁を接合し、密封アリア１０４を形成する。２つの金属層１０２の周縁を接合する方法は、電気溶接プロセスまたはスポット溶接プロセスを含み、２つの金属層１０２を一時的に共に接合することによって、後続プロセス中で使用される溶剤が２つの金属層１０２の間に浸透することを防止する。もちろん、電気溶接プロセスまたはスポット溶接プロセスの他に、接着剤または他のゲルを使用して、２つの金属層１０２の周縁を一時的に共に接合してもよい。この実施形態中、２つの金属層１０２の周縁を接合した後、少なくとも１つの密封アリア１０４を通過するスルーホールＨを更に形成することができる。スルーホールＨを形成する方法は、レーザー除去プロセスまたは機械ドリルプロセスを含む。ここで、スルーホールＨの直径は、密封アリア１０４の面積より小さいので、密封アリア１０４の密封品質がスルーホールＨによって低下されることはない。次に、図１Ｃと図１Ｄとにおいて、２つの絶縁層１１２を金属層１０２上に形成し、２つの導電層１２２を２つの絶縁層１１２上に形成するとともに、２つの絶縁層１１２および２つの導電層１２２をラミネートして、互いに接合された２つの金属層１０２を２つの絶縁層１１２の間に埋め込む。同時に、２つの絶縁層１１２は、更に、２つの絶縁層１１２がラミネートされた時、密封アリア１０４のスルーホールＨを充填する。２つの絶縁層１１２のサイズは、２つの金属層１０２のサイズより大きいので、２つの金属層１０２が２つの絶縁層１１２中に完全に被包され、周囲の不純物または溶剤からの汚染を防止する。
【００１９】
そして、図１Ｅと図１Ｆとにおいて、２つの絶縁層１１２の一部および２つの導電層１２２の一部を除去して、２つの金属層１０２を露出する多数の盲孔（blind hole）Ｖを形成する。盲孔Ｖを形成する方法は、レーザー除去プロセスを含むとともに、導電層１２２の一部を除去する方法は、レーザー除去プロセス、フォトリソグラフィーエッチング（photolithographic etching）プロセスなどを含む。その後、導電材料１２４を盲孔Ｖ中および２つの導電層１２２の保留された部分の上に形成する。そのうち、保留された部分とは、除去されなかった２つの導電層１２２を意味する。導電材料１２４を形成するための方法は、電気メッキプロセス(electroplating process)を含むとともに、導電材料１２４は、銅または他の金属として例示することができる。次に、図１Ｇにおいて、２つの金属層１０２の密封アリア１０４を分離して、２つの分離された回路基板１００を形成する。この実施形態中、分離機械または他の工具を使用して、スルーホールＨを基準とすることにより、２つの金属層１０２を被包する密封アリア１０４の領域を取り外し、２つの金属層１０２を完全に分離することができる。もちろん、２つの金属層１０２を分離する方法は、上記したプロセスに限定されない。そして、図１Ｈにおいて、導電材料１２４および２つの導電層１２２をパターン化して、必要とされる各回路基板１００の回路配置を形成する。
【００２０】
上記した実施形態は、２つの回路層を有する回路基板１００を提供する。別な実施形態中、２つの回路層を有する回路基板１００をコア（core）として用いて、４層、６層または６層以上の回路層を有する回路基板を形成することができる。そのうち、その製造方法は、従来のプロセスを参照することができるため、ここでは繰り返し説明しない。さらに、奇数の回路層を有する回路配置を製造するために、この発明は、回路基板を製造するための別な方法を提供する。
【００２１】
図２Ａと図２Ｂとにおいて、銅ホイルまたは他の金属ホイルのような２つの金属層２０２を提供して、２つの金属層２０２の周縁を接合し、密封エリア２０４を形成する。２つの金属層２０２の周縁を接合する方法は、電気溶接プロセスまたはスポット溶接プロセスを含み、２つの金属層２０２を一時的に共に接合することによって、後続のプロセスにおいて溶剤が２つの金属層２０２の間のスペースに浸透することを防止する。もちろん、電気溶接プロセスまたはスポット溶接プロセスの他に、接合剤または他のゲルを使用して、２つの金属層２０２の周縁を一時的に共に接合してもよい。この実施形態中、２つの金属層２０２を接合した後、密封エリア２０４を通過する少なくとも１つのスルーホールＨを更に形成することができる。スルーホールＨを形成する方法は、レーザー除去プロセスまたは機械ドリルプロセスを含む。次に、図２Ｃ〜図２Ｅにおいて、２つの絶縁層２１２を２つの金属層２０２上に形成するとともに、２つの内部導電層２２２を２つの絶縁層２１２上に形成する。２つの金属層２０２がまだ互いに密封されているうちに、内部導電層２２２をパターン化する。次に、別な２つの絶縁層２３２を２つのパターン化された内部導電層２２２上に形成するとともに、２つの外部導電層２４２を２つの絶縁層２３２上に形成する。図２Ｃ中、絶縁層２１２および内部導電層２２２をラミネートするとともに、互いに接合された２つの金属層２０２を絶縁層２１２中に埋め込む。また、図２Ｅ中、絶縁層２３２および外部導電層２４２をラミネートするとともに、内部導電層２２２を絶縁層２３２中に埋め込む。同時に、絶縁層２１２をラミネートしている間に、絶縁層２１２を密封エリア２０４中のスルーホールＨ中にさらに充填する。絶縁層２１２のサイズは、２つの金属層２０２のサイズより大きいので、２つの金属層２０２が完全に絶縁層２１２中に被包され、周囲の不純物または溶剤により汚染されることを防止する。
【００２２】
次に、図２Ｆにおいて、２つの金属層２０２の密封エリア２０４を分離して、２つの分離された回路基板２００を形成する。２つの回路基板２００は、それぞれ３つの回路層を有する。この実施形態中、分離機械または他の工具を使用して、スルーホールＨを基準とすることにより、２つの金属層２０２を被包する密封アリア２０４の領域を取り外し、２つの金属層２０２を完全に分離することができる。もちろん、２つの金属層２０２を分離する方法は、上記したプロセスに限定されない。
【００２３】
次に、１つの回路基板２００だけを示した図２Ｇと図２Ｈを参照する。絶縁層２１２、２３２の一部、金属層２０２の一部および外部導電層２４２の一部を除去して、内部導電層２２２を露出する多数個の盲孔Ｖを形成する。盲孔Ｖを形成する方法は、レーザー除去プロセスを含む。その後、盲孔Ｖ中および金属層２０２の残された部分ならびに外部導電層２４２上に、導電材料２４４を形成する。導電材料２４４を形成する方法は、電気メッキプロセスを含むとともに、導電材料２４４は、銅または別な金属として例示できる。そして、図２Ｉにおいて、導電材料２４４、金属層２０２および外部導電層２４２をパターン化して、必要とされる各回路基板２００の回路配置を形成する。
【００２４】
図２Ｇに示すような３つの回路層を有する回路基板２００は、金属層２０２と、外部導電層２４２と、内部導電層２２２と、２つの絶縁層２１２および２３２とを含む。内部導電層２２２は、金属層２０２と外部導電層２４２の間に位置する。２つの絶縁層２１２および２３２は、それぞれ金属層２０２と内部導電層２２２の間、および外部導電層２４２と内部導電層２２２の間に位置する。また、図２Ｈに示すような３つの回路層を有する回路基板２００は、更に、絶縁層２１２および２３２を貫通する多数個の盲孔Ｖ中に位置する導電材料２４４を含むとともに、導電材料２４４は、金属層２０２と内部導電層２２２の間、および外部導電層２４２と内部導電層２２２の間に電気接続される。
【００２５】
上記記載に従い、上記した回路基板を製造する方法によって、奇数の回路層または偶数の回路層のいずれも形成することができるとともに、同時に２つの回路基板を形成することができるので、多層回路基板を製造するための時間消費を短縮でき、かつ丸まった（warped）回路基板の問題を防止して、信頼性を高めることができる。
【００２６】
つまり、この発明中、まず、２つの金属層の周縁を接合して、密封エリアを形成する。ダブルサイド絶縁層およびダブルサイド導電層がラミネートされるまで、２つの金属層を分離する。従って、ダブルサイド絶縁層およびダブルサイド導電層をラミネートするプロセス後には、丸まった回路基板の問題が容易には発生しないので、回路基板の信頼性が増強されるとともに、回路基板の製造時間が有効に短縮される。
【００２７】
以上のように、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【符号の説明】
【００２８】
１００  回路基板
１０２  金属層
１０４  密封エリア
１１２  絶縁層
１２２  導電層
１２４  導電材料
Ｈ  スルーホール
Ｖ  盲孔
２００  回路基板
２０２  金属層
２０４  密封エリア
２１２、２３２  絶縁層
２２２  内部導電層
２４２  外部導電層
２４４  導電材料
【図１Ａ】
2011228617.tif 000003
【図１Ｂ】
2011228617.tif 000004
【図１Ｃ】
2011228617.tif 000005
【図１Ｄ】
2011228617.tif 000006
【図１Ｅ】
2011228617.tif 000007
【図１Ｆ】
2011228617.tif 000008
【図１Ｇ】
2011228617.tif 000009
【図１Ｈ】
2011228617.tif 000010
【図２Ａ】
2011228617.tif 000011
【図２Ｂ】
2011228617.tif 000012
【図２Ｃ】
2011228617.tif 000013
【図２Ｄ】
2011228617.tif 000014
【図２Ｅ】
2011228617.tif 000015
【図２Ｆ】
2011228617.tif 000016
【図２Ｇ】
2011228617.tif 000017
【図２Ｈ】
2011228617.tif 000018
【図２Ｉ】
2011228617.tif 000019
【外国語明細書】
2011228617000001.pdf