(57)【要約】【課題】接続対象の抵抗値に関わらず、入力端から出力端に至る各電流経路の電流量が均一化された多層配線を提供すること。【解決手段】多層配線１０は、複数の配線層１２ａ，１２ｂ，１４と、複数の配線層１２ａ，１２ｂ，１４に電気的に接続された複数のコンタクト１１ａ〜１１ｄ，１３ａ，１３ｂ，１５と、を備える。各配線層の一方の側に接続されている複数のコンタクトは、各配線層において等間隔に配置されている。【選択図】図１
2011091178.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線層と、
前記複数の配線層に電気的に接続された複数のコンタクトと、を備え、
各配線層の一方の側に接続されている複数のコンタクトは、各配線層において等間隔に配置されていることを特徴とする多層配線。
【請求項２】
各配線層の他方の側に接続されている各コンタクトは、当該配線層の一方の側に接続されている複数のコンタクトうちの隣接する２つのコンタクトの中間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線。
【請求項３】
複数の配線層と、
前記複数の配線層に電気的に接続された複数のコンタクトと、を備え、
各配線層の他方の側に接続されている各コンタクトは、当該配線層の一方の側に接続されている複数のコンタクトうちの隣接する２つのコンタクトの中間に配置されていることを特徴とする多層配線。
【請求項４】
第一の配線層の他方の側に接続されている隣接する２つのコンタクトの間隔は、前記第１の配線層と同一層にある他の配線層の他方の側に接続されている隣接する２つのコンタクトの間隔と同じであることを特徴とする請求項３に記載の多層配線。
【請求項５】
１つの配線層、並びに前記１つの配線層の一方の側及び他方の側に配置されている複数のコンタクトは、前記１つの配線層に対して垂直な線対称軸を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の多層配線。
【請求項６】
前記１つの配線層、並びに前記１つの配線層の前記一方の側及び前記他方の側に配置されている複数のコンタクトを一組とする配線組を複数有し、
隣接する２つの配線組は、線対称となるように配置されていることを特徴とする請求項５に記載の多層配線。
【請求項７】
前記１つの配線層、並びに前記１つの配線層の前記一方の側及び前記他方の側に配置されている複数のコンタクトを一組とする配線組を複数有し、
前記配線組は、前記１つの配線層の他方の側に隣接する配線層に対して等間隔に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の多層配線。
【請求項８】
（ｎ−１）層の配線層と、
前記配線層に電気的に接続されたｎ層の複数のコンタクトと、を備え、
第ｎ層のコンタクトを通り、前記配線層に対して垂直な線対称軸を有することを特徴とする多層配線。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の多層配線と、
トランジスタと、を備え、
最下位層のコンタクトが、前記トランジスタの拡散領域に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記トランジスタは、マルチフィンガ型トランジスタであることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
最下位層のコンタクトが、トランジスタのゲート電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置、基板等に用いられる多層配線に関する。また、本発明は、該多層配線を備える半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子装置、例えば半導体集積回路装置においては、微細加工技術の進歩に伴い、性能や集積度が向上していると共に、配線の幅や厚さは世代ごとに縮小傾向にある。すなわち、配線抵抗は増加傾向にある。これにより、配線信頼性の低下や配線抵抗による微細デバイスの性能劣化が懸念されてきている。
【０００３】
図１５に背景技術に係る配線の概略斜視図を示す。図１６に、図１５に示す配線の概略平面図を示す。配線１００は、１つの配線層１０２と、配線層１０２に接続された複数のコンタクト又はビア１０１ａ〜１０１ｄ（以下「コンタクト」という）と、を備える。図面左方から配線層１０２を流れてきた電流１０３は、コンタクト１０１ａ〜１０１ｄへと流れる。複数のコンタクト１０１ａ〜１０１ｄを並列配置することにより、コンタクト抵抗を低減している。しかしながら、配線層１０２の配線抵抗が高い場合や、配線長が長い場合には、コンタクト１０１ａ〜１０１ｄが配線層１０２に対して均等に配列されていたとしても、入出力間抵抗値が各電流経路において異なってしまうため、電流１０３は入出力間の抵抗が最も低い入力側のコンタクト１０１ａを優先的に流れる。このため、電流集中によって、コンタクト１０１ａは断線に至る危険性がある。また、近年、コンタクト材料がタングステンより低抵抗な銅に置き換わりつつある（例えば非特許文献１参照）。これにより、全配線抵抗に占める金属配線抵抗の比率が増加し、各経路での抵抗の不均一はより顕著になっている。
【０００４】
そこで、特許文献１には、複数の電流経路に流れる電流を均等化させた半導体集積回路が開示されている。特許文献１に記載の半導体集積回路は、半導体基板上に設けられた半導体領域若しくは半導体領域上に設けられた合金層と金属給電配線若しくは金属グランド配線とが電気的に接続されており、半導体領域若しくは合金層と金属給電配線若しくは金属グランド配線とは少なくとも二つの互いに独立した電流経路により接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２１４３９７号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】J. Kawahara et al., 「RF Performance Boosting for 40nm-node CMOS Device by Low-k/Cu Dual Damascene Contact」, IEDM, (2008)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以下の分析は、本発明の観点から与えられる。
【０００８】
一般的に、配線層やコンタクトの抵抗は数Ωであるのに対して、半導体装置における拡散層の抵抗は１０Ω以上である。したがって、特許文献１に記載の半導体集積回路においては、各電流経路間の抵抗差が実効的に小さくなり、各電流経路の電流が均等化される。しかしながら、特許文献１に記載の半導体集積回路においても、拡散層の抵抗が低い場合、例えば、拡散層の抵抗が配線層やコンタクトの抵抗以下になると、各電流経路間の抵抗差が相対的に大きくなってしまうので、各電流経路の電流量が不均一化されてしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１視点によれば、複数の配線層と、複数の配線層に電気的に接続された複数のコンタクトと、を備える多層配線が提供される。各配線層の一方の側に接続されている複数のコンタクトは、各配線層において等間隔に配置されている。
【００１０】
本発明の第２視点によれば、複数の配線層と、複数の配線層に電気的に接続された複数のコンタクトと、を備える多層配線が提供される。各配線層の他方の側に接続されている各コンタクトは、当該配線層の一方の側に接続されている複数のコンタクトうちの隣接する２つのコンタクトの中間に配置されている。
【００１１】
本発明の第３視点によれば、（ｎ−１）層の配線層と、配線層に電気的に接続されたｎ層の複数のコンタクトと、を備える多層配線が提供される。多層配線は、第ｎ層のコンタクトを通り、配線層に対して垂直な線対称軸を有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、以下の効果のうち少なくとも１つを有する。
【００１３】
本発明によれば、多層配線の接続対象の抵抗値に関わらず、入力端から出力端に至る各電流経路を通る電流量の均一化を図ることができる。これにより、局所的な過大電流による電流経路の断線を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る多層配線の概略斜視図。
【図２】図１に示す多層配線の概略平面図。
【図３】本発明の第２実施形態に係る多層配線の概略斜視図。
【図４】図３に示す多層配線の概略平面図。
【図５】本発明の第３実施形態に係る多層配線の概略斜視図。
【図６】本発明の第３実施形態に係る多層配線の概略斜視図。
【図７】図５に示す多層配線の概略平面図。
【図８】本発明の第４実施形態に係る多層配線の概略斜視図。
【図９】図８に示す多層配線の概略平面図。
【図１０】本発明の第５実施形態に係る多層配線の概略斜視図。
【図１１】図１０に示す多層配線の概略平面図。
【図１２】本発明の第６実施形態に係る半導体装置の概略斜視図。
【図１３】本発明の第７実施形態に係る半導体装置の概略斜視図。
【図１４】図１３に示す半導体装置の概略平面図。
【図１５】背景技術に係る配線の概略斜視図。
【図１６】図１５に示す配線の概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
上記第１視点の好ましい形態によれば、各配線層の他方の側に接続されている各コンタクトは、当該配線層の一方の側に接続されている複数のコンタクトうちの隣接する２つのコンタクトの中間に配置されている。
【００１６】
上記第２視点の好ましい形態によれば、第一の配線層の他方の側に接続されている隣接する２つのコンタクトの間隔は、第１の配線層と同一層にある他の配線層の他方の側に接続されている隣接する２つのコンタクトの間隔と同じである。
【００１７】
上記第１視点及び第２視点の好ましい形態によれば、１つの配線層、並びに１つの配線層の一方の側及び他方の側に配置されている複数のコンタクトは、１つの配線層に対して垂直な線対称軸を有する。
【００１８】
上記第１視点及び第２視点の好ましい形態によれば、多層配線は、１つの配線層、並びに１つの配線層の一方の側及び他方の側に配置されている複数のコンタクトを一組とする配線組を複数有する。隣接する２つの配線組は、線対称となるように配置されている。
【００１９】
上記第１視点及び第２視点の好ましい形態によれば、多層配線は、１つの配線層、並びに１つの配線層の一方の側及び他方の側に配置されている複数のコンタクトを一組とする配線組を複数有する。配線組は、１つの配線層の他方の側に隣接する配線層に対して等間隔に配置されている。
【００２０】
上記第１視点〜第３視点の好ましい形態によれば、本発明の多層配線と、トランジスタと、を備える半導体装置が提供される。最下位層のコンタクトは、トランジスタの拡散領域に電気的に接続されている。
【００２１】
上記第１視点〜第３視点の好ましい形態によれば、トランジスタは、マルチフィンガ型トランジスタである。
【００２２】
上記第１視点〜第３視点の好ましい形態によれば、最下位層のコンタクトが、トランジスタのゲート電極に電気的に接続されている。
【００２３】
本発明の第１実施形態に係る多層配線について説明する。図１に、本発明の第１実施形態に係る多層配線の概略斜視図を示す。図２に、図１に示す多層配線の概略平面図を示す。
【００２４】
本発明の多層配線１０は、複数の配線層１２ａ，１２ｂ，１４と、複数の配線層１２ａ，１２ｂ，１４に電気的に接続された複数のコンタクト１１ａ〜１１ｄ，１３ａ，１３ｂ，１５と、を備える。複数の配線層は、第１の第１層配線層１２ａ及び第２の第１層配線層１２ｂ、並びに第２層配線層１４を有する。第２層が第２配線層１４である。第１の第１配線層１２ａと第２の第１配線層１２ｂとは、同一層に配されている。複数のコンタクトは、第１の第１層コンタクト１１ａ、第２の第１層コンタクト１１ｂ、第３の第１層コンタクト１１ｃ、第４の第１層コンタクト１１ｄ、第１の第２層コンタクト１３ａ、第２の第２層コンタクト１３ｂ、及び第３層コンタクト１５を有する。第１〜第４の第１層コンタクト１１ａ〜１１ｄは同一層に配されている。第１〜第２の第２層コンタクト１３ａ，１３ｂは同一層に配されている。
【００２５】
第１〜第４の第１層コンタクト１１ａ〜１１ｂは、第１配線層１２ａ，１２ｂの一方の側（下側）に電気的に接続されている。第１の第１層コンタクト１１ａ及び第２の第１層コンタクト１１ｂは、第１の第１層配線層１２ａの他方の側（上側）に等間隔に接続され、第３の第１層コンタクト１１ｃ及び第４の第１層コンタクト１１ｄは、第２の第１層配線層１２ｂの他方の側（上側）に等間隔に接続されている。本実施形態においては、第１及び第２の第１層コンタクト１１ａ，１１ｂは、第１の第１層配線層１２ａの両端に接続され、第３及び第４の第１層コンタクト１１ｃ，１１ｄは、第２の第１層配線層１２ｂの両端に接続されている。
【００２６】
第１〜第２の第２層コンタクト１３ａ，１３ｂは、第１層配線層１２ａ，１２ｂの他方の側（上側）に電気的に接続されていると共に、第２層配線層１４の一方の側（下側）に電気的に接続されている。第１の第２層コンタクト１３ａは、第１の第１層配線層１２ａに接続され、第２の第２層コンタクト１３ｂは、第２の第１層配線層１２ｂに接続されている。第１の第２層コンタクト１３ａは、第１の第１層コンタクト１１ａと第２の第１層コンタクト１１ｂの中間に配されている。すなわち、第１の第２層コンタクト１３ａから第１の第１層コンタクト１１ａまでの第１配線層１２ａの長さと、第１の第２層コンタクト１３ａから第２の第１層コンタクト１１ｂまでの第１配線層１２ａの長さとが同じとなるように構成されている。同様に、第２の第２層コンタクト１３ｂは、第３の第１層コンタクト１１ｃと第４の第１層コンタクト１１ｄの中間に配されている。
【００２７】
第１〜第２の第１層コンタクト１１ａ，１１ｂ、第１の第１層配線層１２ａ及び第１の第２層コンタクト１３ａからなる第１配線組は、図２に示すような第１の第１配線層１２ａの延在方向に垂直な平面（配線層及びコンタクトの積層方向に平行な平面）において、第１の第１配線層１２ａの延在方向に対して垂直であり、第１の第２層コンタクト１３ａを通る線対称軸Ａを有する。同様に、第３〜第４の第１層コンタクト１１ｃ，１１ｄ、第２の第１層配線層１２ｂ及び第２の第２層コンタクト１３ｂからなる第２配線組も線対称軸Ｃを有する。第１配線組と第２配線組の形状は同一である。第１配線組と第２配線組は、これにより、第２層コンタクト１３ａ，１３ｂから第１層コンタクト１１ａ〜１１ｄへの各電流経路は同等となり、各電流経路の電流量は均等化される。
【００２８】
第１及及び第２の第２層コンタクト１３ａ，１３ｂは、第２層配線層１４の両端に接続されている。第２層配線層１４の他方の側（上側）には、第３層コンタクト１５が電気的に接続されている。第３層コンタクト１５は、第１の第２層コンタクト１３ａと第２の第２層コンタクト１２ｂの中間に配されている。第３層コンタクト１５から第１の第２層コンタクト１３ａまでの第２層配線層１４の長さと、第３層コンタクト１５から第２の第２層コンタクト１２ｂまでの第２層配線層１４の長さとが同じとなるように構成されている。
【００２９】
第１〜第２の第１層コンタクト１１ａ，１１ｂ、第１の第１層配線層１２ａ、第１の第２層コンタクト１３ａ、第２配線層１４及び第３層コンタクト１５からなる第３配線組（図１及び図２に示す本発明の多層配線１０）は、図２に示すような第１の第１配線層１２ａの延在方向に垂直な平面（配線層及びコンタクトの積層方向に平行な平面）において、第２層配線層１４の延在方向に対して垂直であり、第３層コンタクト１５を通る線対称軸Ｂを有する。すなわち、第１配線組と第２配線組は、線対称軸Ｂに対して線対称となるように配置されている。これにより、第３層コンタクト１５から第１層コンタクト１１ａ〜１１ｄへの各電流経路は同等となり、各電流経路の電流量は均等化される。
【００３０】
第３層コンタクト１５の上側には、第３層配線層１６が電気的に接続されている。
【００３１】
第１実施形態に係る電子装置１０においては、電流は、第ｎ層（図１及び図２においてはｎ＝３）の１つのコンタクトから第１層の（ｎ＋１）個のコンタクトへの各電流経路の長さ又は抵抗値が同等になるように分岐構成されている。これにより、第２層以上に存在する各コンタクトを通る線対称軸が形成されるように構成されている。
【００３２】
本発明においては、多層配線の幾何学的対称性を高めることにより、各電流経路の電気的対称性を高めている。各配線層の抵抗及び各コンタクトの抵抗のばらつきがない理想的な場合には、各電流経路の抵抗値はすべて等しくなる。したがって、第１層コンタクトが電気的に接続される対象（例えば拡散層）の抵抗値に関わらず、各電流経路の抵抗値を相対的に等しくすることができる。これにより、電流集中による断線の発生を抑制することができる。
【００３３】
次に、本発明の第２実施形態に係る多層配線について説明する。図３に、本発明の第２実施形態に係る多層配線の概略斜視図を示す。図４に、図３に示す多層配線の概略平面図を示す。
【００３４】
第２実施形態に係る多層配線２０は、第１実施形態と同様に、第１〜第４の第１層コンタクト２１ａ〜２１ｄ、第１及び第２の第１層配線層２２ａ，２２ｂ、第１及び第２の第２層コンタクト２３ａ，２３ｂ、第２層配線層２４及び第３層コンタクト２５を有する。多層配線２０の構成は、第１実施形態に係る多層配線１０の構成と同様である。第３層コンタクト２５の上側には、第３層配線層２６が電気的に接続されている。
【００３５】
第１実施形態においては、配線層の幅は第１層コンタクト及び第２層コンタクトの幅と同等に図示していたが、第２実施形態においては、配線層２２ａ，２２ｂ，２４の幅（又は断面積）は、低抵抗化のために第１層コンタクト２１ａ〜２１ｄ及び第２層コンタクト２３ａ〜２３ｂの幅（太さ）よりも広くしてある。なお、図３及び図４に示すように、第１層コンタクト２１ａ〜２１ｄ及び第２層コンタクト２３ａ〜２３ｂは配線層２２ａ，２２ｂ，２４の端部に接続されていなくてもよい。配線層２２ａ，２２ｂ，２４は、各コンタクトに対して均等に拡張すると好ましい。第２実施形態によれば、各電流経路における電気的対称性を損なうことなく、配線層２２ａ，２２ｂ，２４の配線抵抗を低減することができる。また、配線層２２ａ，２２ｂ，２４の電流密度も低下させることができる。第２実施形態は、例えば、配線層の寄生容量や占有面積が問題とならない場合に好適に適用することができる。
【００３６】
次に、本発明の第３実施形態に係る多層配線について説明する。図５及び図６に、本発明の第３実施形態に係る多層配線の概略斜視図を示す。図６は、図５とは異なる方向から見た概略斜視図である。図７に、図５に示す多層配線の概略平面図を示す。
【００３７】
第３実施形態に係る多層配線３０は、第１〜第８の第１層コンタクト３１ａ〜３１ｈ、第１及び第２の第１層配線層３２ａ，３２ｂ、第１〜第４の第２層コンタクト３３ａ〜３３ｄ、第２層配線層３４及び第１及び第２の第３層コンタクト３５ａ，３５ｂを有する。第３層コンタクト３５ａ，３５ｂの上側には、第３層配線層３６が電気的に接続されている。
【００３８】
第３実施形態に係る多層配線３０は、第１実施形態におけるコンタクトを二重に配列させ、第１実施形態における配線層の幅を拡張させたような構成を有している。
【００３９】
第１の第１層配線層３２ａの他方の側（上側）に接続されている第１の第２層コンタクト３２ａは、第１層コンタクト３１ａ〜３１ｈのうち、第１の第１層配線層３２ａの一方の側（下側）に接続され、隣接する２つの第１及び第２の第１層コンタクト３１ａ，３１ｂ間の中間に配置されている。第２〜第４の第２層コンタクト３２ｂ〜３２ｄについても同様である。また、第２層配線層３４の他方の側（上側）に接続されている第１の第３層コンタクト３５ａは、第２層コンタクト３３ａ〜３３ｄのうち、第２層配線層３４の一方の側（下側）に接続され、隣接する２つの第１の第２層コンタクト３３ａと第３の第２層コンタクト３３ｃの間の中間に配置されている。第２の第２層コンタクト３５ｂについても同様である。
【００４０】
第１の第１配線層３２ａの一方の側（下側）に接続されている第１〜第４の第１層コンタクト３１ａ〜３１ｄは、第１の第１配線層３２ａに対して、正方形の格子状に、等間隔に配列されている。第５〜第８の第１層コンタクト３１ｅ〜３１ｈについても同様である。また、第１の第１配線層３２ａの一方の側（下側）に接続され、隣接する２つのコンタクト間の間隔（例えば第１の第１層コンタクト３１ａと第２の第１層コンタクト３１ｂの間隔）は、第１の第１層配線層３２ａと同一層にある第２の第１層配線層３２ｂの一方の側（下側）に接続され、隣接する２つのコンタクト間の間隔（例えば第５の第１層コンタクト３１ｅと第６の第１層コンタクト３１ｆの間隔）と同じである。
【００４１】
第１の第１層配線層３２ａの他方の側（上側）に接続されている第１の第２層コンタクト３２ａと第２の第２層コンタクト３２ｂとの間隔は、第１の第１層配線層３２ａと同一層にある第２の第１層配線層３２ｂの他方の側（上側）に接続されている第３の第２層コンタクト３２ｃと第４の第２層コンタクト３２ｄとの間隔と同じである。
【００４２】
図７に示すような平面図において、多層配線３０は、第１実施形態と同様にして、線対称軸Ａ，Ｂ，Ｃを有する。
【００４３】
第３実施形態においては、配線組、例えば第１配線組は、第１〜第４の第１層コンタクト３１ａ〜３１ｄ、第１の第２層配線層３２ａ及び第１及び第２の第２層コンタクト３３ａ，３３ｂによって形成されている。
【００４４】
第３実施形態に係る電子装置３０においては、電流は、第ｎ層（図５〜図７においてはｎ＝３）のｍ個（図５〜図７においてはｍ＝２）のコンタクトから第１層の（ｎ＋１）×ｍ個のコンタクトへの各電流経路の長さ又は抵抗値が同等になるように分岐構成されている。これにより、図７に示すような平面図において、第２層以上に存在する各コンタクトを通る線対称軸が形成されるように構成されている。
【００４５】
第３実施形態においては、配線層の幅方向に複数のコンタクトを並列配置させている。これにより、各電流経路の電気的対称性を損なうことなく、配線層３２ａ，３２ｂ，３４の配線抵抗を低減することができると共に、電流密度も低下させることができる。第３実施形態は、例えば、配線層の寄生容量や占有面積が問題とならない場合に好適に適用することができる。
【００４６】
次に、本発明の第４実施形態に係る多層配線について説明する。図８に、本発明の第４実施形態に係る多層配線の概略斜視図を示す。図９に、図８に示す多層配線の概略平面図を示す。
【００４７】
第４実施形態に係る多層配線４０は、第１〜第３の第１層コンタクト４１ａ〜４１ｃ、第１層配線層４２、第１及び第２の第２層コンタクト４３ａ，４３ｂ、第２層配線層４４及び第３層コンタクト４５を有する。第３層コンタクト４５の上側には、第３層配線層４６が電気的に接続されている。
【００４８】
第４実施形態においては、第１層配線層が１つの配線層で形成されている。第１〜第３の第１層コンタクト４１ａ〜４１ｃは、等間隔に配列されている。第１及び第２の第２層コンタクト４３ａ，４３ｂは、第３層コンタクト４５から第１〜第３の第１層コンタクト４１ａ〜４１ｃへの各電流量が同等となるように配置されている。
【００４９】
第４実施形態に係る多層配線４０においては、第ｎ層のコンタクト（図８及び図９においてはｎ＝３）から第１層のｎ個のコンタクトへの各電流量が同等になるように分岐構成されている。これにより、多層配線４０は、図９に示すような平面において、最上層の第３層コンタクト４５を通り、配線層４２，４４に対して垂直な線対称軸Ａを有する。
【００５０】
第４実施形態においては、２層の配線層（３層のコンタクト）を用いて全体として幾何学的対称性を有する配線組を形成している。これにより、第１層への電流量を均等化することができる。第４実施形態は、配線長が長い場合や配線リソースが少ない場合に好適に適用することができる。
【００５１】
次に、本発明の第５実施形態に係る多層配線について説明する。図１０に、本発明の第５実施形態に係る多層配線の概略斜視図を示す。図１１に、図１０に示す多層配線の概略平面図を示す。
【００５２】
第５実施形態に係る多層配線５０は、第１〜第８の第１層コンタクト５１ａ〜５１ｈ、第１〜第４の第１層配線層５２ａ〜５２ｄ、第１〜第４の第２層コンタクト５３ａ〜５３ｄ、第１〜第２の第２層配線層５４ａ〜５４ｂ、及び第１〜第２の第３層コンタクト５５ａ〜５５ｄ、第３層配線層５６、及び第４層コンタクト５７を有する。第４層コンタクト５７の上側には、第４層配線層５８が電気的に接続されている。
【００５３】
第１実施形態に係る多層配線は、３層のコンタクト層及び２層の配線層を有していたが、第５実施形態に係る多層配線５０は、４層のコンタクト層５１ａ〜５１ｈ，５３ａ〜５３ｄ，５５ａ〜５５ｂ，５７及び３層の配線層５２ａ〜５２ｄ，５４ａ〜５４ｂ，５６を有している。多層配線５０は、第１実施形態に係る多層配線を配線組とし、第４層コンタクト５７が２つの第３層コンタクト５５ａ，５５ｂの中間に配置されるように構成している。多層配線５０及びその一部は、線対称軸Ａ〜Ｇを有する。これにより、第４層コンタクト５７から第１層コンタクト５１ａ〜５１ｈへの各電流経路は同等となり、各電流経路の電流量は均等化される。
【００５４】
本発明の多層配線においては、層数は限定されることなく、適宜好適な層数を選択することができる。
【００５５】
本発明の多層配線は、上記実施形態のうち複数の実施形態を組み合わせることも可能である。例えば、第２実施形態と第３実施形態とを組み合わせる（第３実施形態における配線幅又は配線長を拡張する）ことも可能である。
【００５６】
次に、本発明の第６実施形態に係る半導体装置について説明する。図１２に、本発明の第６実施形態に係る半導体装置の概略斜視図を示す。
【００５７】
半導体装置６０は、多層配線１０と、ゲート電極６１及び拡散領域６２を有する半導体装置と、を備える。図１２に示す形態においては、本発明の多層配線として、第１実施形態に係る多層配線１０を示しているが、他の実施形態に係る半導体装置であってもよい。半導体装置は、例えば、複数のゲート電極６１を並列に配列したマルチフィンガ型のＭＩＳＦＥＴ（Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor）であってもよい。多層配線１０の最下位層の第１層コンタクトは、拡散領域６２に電気的に接続されている。第１層コンタクトの配列方向及び配線層の延在方向は、ゲート電極６１の延在方向に対して平行となっている。本発明の多層配線は、例えば、電流の均一性やＥＭ（Electro Migration）耐性が要求される半導体装置、例えばＥＳＤ（Electro Static Discharge）保護用ＭＩＳＦＥＴに好適に適用することができる。また、本発明によれば、トランジスタにおけるバイアスの均一性を高め、実効的な活性領域の低減を抑制することができる。
【００５８】
次に、本発明の第７実施形態に係る半導体装置について説明する。図１３に、本発明の第７実施形態に係る半導体装置の概略斜視図を示す。図１４に、図１３に示す半導体装置の概略平面図を示す。
【００５９】
半導体装置７０は、多層配線１０と、ゲート電極７１及び拡散領域７２を有する半導体装置と、を備える。第６実施形態においては、本発明の多層配線を半導体装置の拡散領域に接続していたが、第７実施形態においては、本発明の多層配線１０を半導体装置のゲート電極７２に電気的に接続させている。多層配線１０の最下位層の第１層コンタクトは、ゲート電極７１に沿って配列され、ゲート電極７１に電気的に接続されている。本発明の多層配線１０は、ゲート電極７１の低抵抗化のために、例えば、裏打ちされたゲート電極７１に好適に適用することができる。
【００６０】
本発明の多層配線及び半導体装置は、上記実施形態に基づいて説明されているが、上記実施形態に限定されることなく、本発明の範囲内において、かつ本発明の基本的技術思想に基づいて、上記実施形態に対し種々の変形、変更及び改良を含むことができることはいうまでもない。また、本発明の請求の範囲の枠内において、種々の開示要素の多様な組み合わせ・置換ないし選択が可能である。
【００６１】
本発明のさらなる課題、目的及び展開形態は、請求の範囲を含む本発明の全開示事項からも明らかにされる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
上記においては、本発明の多層配線を半導体装置（例えばトランジスタ）に適用した例を示したが、本発明の多層配線は、これに限定されることなく、種々の装置等（例えば、多層配線基板等）にも好適に適用することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１０，２０，３０，４０，５０            多層配線
１１ａ〜１１ｄ，２１ａ〜２１ｄ，３１ａ〜３１ｈ，４１ａ〜４１ｃ，５１ａ〜５１ｈ          第１層コンタクト
１２ａ，１２ｂ，２２ａ，２２ｂ，３２ａ，３２ｂ，４２，５２ａ〜５２ｄ          第１層配線層
１３ａ，１３ｂ，２３ａ，２３ｂ，３３ａ〜３３ｄ，４３ａ，４３ｂ，５３ａ〜５３ｄ          第２層コンタクト
１４，２４，３４，４４，５４ａ，５４ｂ          第２層配線層
１５，２５，３５ａ，３５ｂ，４５，５５ａ，５５ｂ          第３層コンタクト
１６，２６，３６，４６，５６          第３層配線層
５７          第４層コンタクト
５８          第４層配線層
６０，７０          半導体装置
６１，７１          ゲート電極
６２，７２          拡散領域
１００          配線
１０１ａ〜１０１ｄ          コンタクト
１０２          配線層
１０３          電流
Ａ〜Ｇ          線対称軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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