(57)【要約】【課題】発光素子のダイ（Ｄｉｅ）とワイヤーボンディング工程などを容易にすること。【解決手段】本発明は、第１支持部材と、前記第１支持部材上に複数個の接合層と、前記それぞれの接合層上に第２支持部材と、前記第２支持部材上に、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上の第１電極と、を含む発光素子アレイを提供する。【選択図】図１
2011249772.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１支持部材と、
前記第１支持部材上に複数個の接合層と、
前記それぞれの接合層上に第２支持部材と、
前記第２支持部材上に、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、
前記発光構造物上の第１電極と、を含む、発光素子アレイ。
【請求項２】
前記接合層の周縁は、前記発光構造物の周縁よりも１〜１０μｍ内側に位置する、請求項１に記載の発光素子アレイ。
【請求項３】
前記接合層は、前記第１支持部材上の表面に凹凸を含む、請求項１に記載の発光素子アレイ。
【請求項４】
前記それぞれの発光素子の第２支持部材は、金属層によって互いに連結された、請求項１に記載の発光素子アレイ。
【請求項５】
前記金属層は、前記第２支持部材と少なくとも一部の組成が同一である、請求項４に記載の発光素子アレイ。
【請求項６】
前記金属層は、前記接合層と一部の組成が同一である、請求項４に記載の発光素子アレイ。
【請求項７】
前記金属層は、前記発光構造物と一部の組成が同一である、請求項４に記載の発光素子アレイ。
【請求項８】
前記第２導電型半導体層と第２支持部材との間にオーミック層をさらに含む、請求項１に記載の発光素子アレイ。
【請求項９】
前記オーミック層と第２支持部材との間に反射層をさらに含む、請求項８に記載の発光素子アレイ。
【請求項１０】
前記オーミック層と第２支持部材との間に結合層をさらに含む、請求項９に記載の発光素子アレイ。
【請求項１１】
前記第２支持部材は、導電性支持基板であって、前記導電性支持基板は、
Ｍｏ、Ｓｉ、Ｗ、Ｃｕ及びＡｌで構成される群から選択される物質、又はこれらの合金、Ａｕ、Ｃｕ  Ａｌｌｏｙ、Ｎｉ−ｎｉｃｋｅｌ、Ｃｕ−Ｗ及びキャリアウエハのうち少なくとも一つを含む、請求項１に記載の発光素子アレイ。
【請求項１２】
前記オーミック層は、
ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＩＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＴＯ、ＡＺＯ、ＡＴＯ、ＧＺＯ、ＩＺＯＮ、ＡＧＺＯ、ＩＧＺＯ、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ及びＨｆのうち少なくとも一つを含む、請求項８に記載の発光素子アレイ。
【請求項１３】
前記反射層は、
Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈのうち一つを含む合金と、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｔ及びＲｈのうち少なくとも一つを含む、請求項９に記載の発光素子アレイ。
【請求項１４】
前記結合層は、
Ａｕ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕで構成される群から選択される物質、又はこれらの合金を含む、請求項１０に記載の発光素子アレイ。
【請求項１５】
前記第１支持部材は、ＰＶＣ、ＰＡＴ及びＰＰＴのうちいずれか一つを含む、請求項１に記載の発光素子アレイ。
【請求項１６】
前記第１支持部材は、エポキシ樹脂をさらに含む、請求項１５に記載の発光素子アレイ。
【請求項１７】
パッケージボディーと、
前記パッケージボディー上に具備され、少なくとも一つの接合層と、前記それぞれの接合層上に導電性支持基板、及び前記それぞれの導電性支持基板上に、第２導電型半導体層と活性層と第１導電型半導体層からなる発光構造物を含む発光素子と、
前記パッケージボディー上に具備され、前記発光素子とそれぞれ連結される第１電極と第２電極と、
前記発光素子を取り囲む充填材と、を含む、発光素子パッケージ。
【請求項１８】
前記接合層の周縁は、前記発光構造物の周縁よりも１〜１０μｍ内側に位置する、請求項１７に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１９】
前記接合層は、前記パッケージボディー上の表面に凹凸が形成された、請求項１７に記載の発光素子パッケージ。
【請求項２０】
前記それぞれの発光素子の導電性支持基板は、金属層によって互いに連結された、請求項１７に記載の発光素子パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子、発光素子の製造方法及び発光素子パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体の３-５族または２-６族化合物半導体物質を用いた発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）やレーザーダイオードのような発光素子は、薄膜成長技術及び素子材料の開発によって赤色、緑色、青色及び紫外線などの様々な色を具現することができ、蛍光物質を用いたり、色を組み合わせることで効率の良い白色光線も具現可能であり、蛍光灯、白熱灯などの既存の光源に比べて低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、環境親和性の長所を有する。
【０００３】
したがって、光通信手段の送信モジュール、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）表示装置のバックライトを構成する冷陰極管（ＣＣＦＬ：Ｃｏｌｄ  Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ  Ｌａｍｐ）を代替する発光ダイオードバックライト、蛍光灯や白熱電球を代替することができる白色発光ダイオード照明装置、自動車のヘッドライト及び信号灯にまで応用が拡大されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、発光素子のダイ（Ｄｉｅ）とワイヤーボンディング工程などを容易にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、第１支持部材と、前記第１支持部材上に複数個の接合層と、前記それぞれの接合層上に第２支持部材と、前記第２支持部材上に、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上の第１電極と、を含む発光素子アレイを提供する。
【０００６】
前記接合層の周縁は、前記発光構造物の周縁よりも１〜１０μｍ内側に位置することができる。
【０００７】
前記接合層は、前記第１支持部材上の表面に凹凸を含むことができる。
【０００８】
前記それぞれの発光素子の第２支持部材は、金属層によって互いに連結されることができる。
【０００９】
前記金属層は、前記第２支持部材と少なくとも一部の組成を同一にすることができる。
【００１０】
前記金属層は、前記接合層と一部の組成を同一にすることができる。
【００１１】
前記金属層は、前記発光構造物と一部の組成を同一にすることができる。
【００１２】
前記第２導電型半導体層と第２支持部材との間にオーミック層をさらに含むことができる。
【００１３】
前記オーミック層と第２支持部材との間に反射層をさらに含むことができる。
【００１４】
前記オーミック層と第２支持部材との間に結合層をさらに含むことができる。
【００１５】
前記第２支持部材は、導電性支持基板であって、前記導電性支持基板は、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｗ、Ｃｕ及びＡｌで構成される群から選択される物質、又はこれらの合金、Ａｕ、Ｃｕ  Ａｌｌｏｙ、Ｎｉ−ｎｉｃｋｅｌ、Ｃｕ−Ｗ及びキャリアウエハのうち少なくとも一つを含むことができる。
【００１６】
前記オーミック層は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＩＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＴＯ、ＡＺＯ、ＡＴＯ、ＧＺＯ、ＩＺＯＮ、ＡＧＺＯ、ＩＧＺＯ、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ及びＨｆのうち少なくとも一つを含むことができる。
【００１７】
前記反射層は、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈのうち一つを含む合金と、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｔ及びＲｈのうち少なくとも一つを含むことができる。
【００１８】
前記結合層は、Ａｕ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕで構成される群から選択される物質、又はこれらの合金を含むことができる。
【００１９】
前記第１支持部材は、ＰＶＣ、ＰＡＴ及びＰＰＴのうちいずれか一つを含むことができる。
【００２０】
前記第１支持部材は、エポキシ樹脂をさらに含むことができる。
【００２１】
他の実施例は、パッケージボディーと；前記パッケージボディー上に具備され、少なくとも一つの接合層と、前記それぞれの接合層上に導電性支持基板、及び前記それぞれの導電性支持基板上に、第２導電型半導体層と活性層と第１導電型半導体層からなる発光構造物を含む発光素子と；前記パッケージボディー上に具備され、前記発光素子とそれぞれ連結される第1電極と第２電極と；前記発光素子を取り囲む充填材と；を含む発光素子パッケージを提供する。
【発明の効果】
【００２２】
実施例による発光素子、その製造方法及び発光素子パッケージは、素子特性及び製造工程上の効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施例による発光素子及び発光素子アレイを示す図である。
【図２】実施例による発光素子及び発光素子アレイを示す図である。
【図３】発光素子の製造方法の一実施例を示す図である。
【図４】発光素子の製造方法の一実施例を示す図である。
【図５】発光素子の製造方法の一実施例を示す図である。
【図６】発光素子の製造方法の一実施例を示す図である。
【図７】発光素子の製造方法の一実施例を示す図である。
【図８】発光素子の製造方法の一実施例を示す図である。
【図９】発光素子の製造方法の一実施例を示す図である。
【図１０】発光素子の製造方法の一実施例を示す図である。
【図１１】発光素子の製造方法の一実施例を示す図である。
【図１２】発光素子の製造方法の一実施例を示す図である。
【図１３】発光素子パッケージの一実施例を示す図である。
【図１４】発光素子パッケージを含む照明装置の一実施例の分解斜視図である。
【図１５】発光素子パッケージを含む表示装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、上記の目的を具体的に実現できる本発明の好適な実施例を、添付の図面を参照して説明する。
【００２５】
上記の各実施例の説明において、各層（膜）、領域、パターンまたは構造物が基板、各層（膜）、領域、パッドまたはパターンの“上（ｏｎ）”にまたは“下（ｕｎｄｅｒ）”に形成されると記載される場合において、“上（ｏｎ）”と“下（ｕｎｄｅｒ）”は、“直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）”または“別の層を介在して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）”形成されることを全て含む。また、各層の上または下は、図面を基準にして説明する。
【００２６】
図面において、各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張されたり、省略されたり、又は概略的に図示されている。また、各構成要素の大きさは実際の大きさを全的に反映するものではない。
【００２７】
図１及び図２は、実施例による発光素子及び発光素子アレイを示す図である。以下、図１及び図２を参照して実施例による発光素子及び発光素子アレイについて説明する。
【００２８】
実施例による発光素子アレイは、第１支持部材上に接合層１７０（ｂｏｎｄｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）を通じてそれぞれの発光素子が接合されている。好ましくは、前記第１支持部材は、ベースシート２３０であり、前記ベースシート２３０は、前記発光素子アレイを支持することができる。
【００２９】
前記ベースシート２３０は、ＵＶテープやＳｉ処理されたテープの形状であってもよく、レーザースクライブ（ｌａｓｅｒ  ｓｃｒｉｂｅ）工程が可能なように優れた耐熱性を有さなければならない。前記ベースシート２３０は、ＰＶＣ、ＰＡＴ及びＰＰＴのうちいずれか一つに、接着性のあるエポキシ樹脂が混合されることができる。
【００３０】
そして、それぞれの発光素子の第２支持部材は、金属層１６０ａを通じて連結されて側面において互いに固定可能である。好ましくは、前記第２支持部材は、導電性支持基板１６０であり、前記金属層１６０ａは、後述のように、レーザーによって溶融した後、再凝固されたものである。また、図２には、２個の発光素子が並列に連結されているが、３個以上の発光素子が並列に金属層１６０ａを通じて連結されることもできる。
【００３１】
そして、前記接合層１７０は、下記の発光構造物の周縁より１〜１０μｍ内側に形成されることができる。そして、前記接合層１７０は、発光素子の幅よりも狭くパターニングされることができ、ここで、前記発光素子の幅は発光構造物の幅のことを意味する。そして、前記接合層１７０は、必ず発光構造物と同一の形状でなくても良く、前記導電性支持基板１６０を後述するベースシート２３０などに固定できれば、円形や四角形または他の多角形形状であっても良い。
【００３２】
また、前記接合層１７０の微細構造は、表面に凹凸が形成されて不均一な厚さを有することがある。
【００３３】
前記ベースシート２３０は、後述する工程においてそれぞれの導電性支持基板１６０が素子単位に分離された後、それぞれの発光素子が互いに分離されないように支持することができる。
【００３４】
前記導電性支持基板１６０は、電極の役割をすることができるので、優れた電気電導度を有する金属を使用することができ、素子が作動するとき発生する熱を十分に発散させるために、熱伝導度が高い金属を使用することができる。前記導電性支持基板１６０は、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）及びアルミニウム（Ａｌ）で構成される群から選択される物質、又はこれらの合金からなることができ、また、金（Ａｕ）、銅合金（Ｃｕ  Ａｌｌｏｙ）、ニッケル（Ｎｉ−ｎｉｃｋｅｌ）、銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）、キャリアウエハ（例：ＧａＮ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、Ｇａ２Ｏ３等）などを選択的に含むことができる。また、前記導電性支持基板１６０は、全体窒化物半導体に反りをもたらすことなく、スクライビング（ｓｃｒｉｂｉｎｇ）工程及び切断（ｂｒｅａｋｉｎｇ）工程を通じて別個のチップによく分離できる程度の機械的強度を有さなければならない。
【００３５】
前記導電性支持基板１６０上には反射層１４６とオーミック層１４３が形成されることができる。前記反射層１４６と前記導電性支持基板１６０との結合のために反射層１４６が結合層（ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）の機能を果たすか、又は、結合層１５０が形成されることができる。前記結合層１５０は、金（Ａｕ）、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）で構成される群から選択される物質、又はこれらの合金によって形成することができる。
【００３６】
前記反射層１４６は、約２５００Åの厚さとすることができる。前記反射層１４６は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、又は、ＡｌやＡｇやＰｔやＲｈを含む合金を、含む金属層からなることができる。アルミニウムや銀などは、活性層１３０から発生された光を効果的に反射して、発光素子の光抽出効率を大きく改善させることができる。
【００３７】
前記オーミック層１４３は、約２００Åの厚さとすることができる。そして、前記オーミック層１４３は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ)、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯＮ（ＩＺＯ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）、ＡＧＺＯ（Ａｌ−Ｇａ  ＺｎＯ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ  ＺｎＯ）、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、及びＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆのうち少なくとも一つを含んで形成されることができるが、これらの材料に限定されるものではない。
【００３８】
前記オーミック層１４３上には、第１導電型半導体層１２０と活性層１３０及び第２導電型半導体層１４０を含む発光構造物が形成されることができる。
【００３９】
前記第１導電型半導体層１２０は、第１導電型ドーパントがドーピングされた３族-５族化合物半導体で具現されることができ、前記第１導電型半導体層１２０がＮ型半導体層である場合、前記第１導電型ドーパントは、Ｎ型ドーパントとして、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅを含むことができるが、これに限定されない。
【００４０】
前記第１導電型半導体層１２０は、ＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質を含むことができる。そして、前記第１導電型半導体層１２０は、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＩｎＧａＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＧａＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＰのうち一つ以上で形成されることができる。
【００４１】
前記活性層１３０は、第１導電型半導体層１２０を通じて注入される電子と、以後形成される第２導電型半導体層１４０を通じて注入される正孔とが、互いに結合し活性層（発光層）物質固有のエネルギーバンドによって決定されるエネルギーを有する光を放出する層である。
【００４２】
前記活性層１３０は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ)、量子細線（Ｑｕａｎｔｕｍ  ｗｉｒｅ）構造、または量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  ｄｏｔ)構造のうち少なくとも一つで形成されることができる。例えば、前記活性層１３０は、トリメチルガリウムガス（ＴＭＧａ）、アンモニアガス（ＮＨ３）、窒素ガス（Ｎ２）、及びトリメチルインジウムガス（ＴＭＩｎ）が注入されて、多重量子井戸構造が形成されることができるが、これに限定されない。
【００４３】
前記活性層１３０の井戸層／障壁層は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＡｓ(ＩｎＧａＡｓ)／ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ(ＩｎＧａＰ)/ＡｌＧａＰのうち一つ以上のペア構造で形成されることができるが、これに限定されない。前記井戸層は、前記障壁層のバンドギャップよりも低いバンドギャップを有する物質によって形成されることができる。
【００４４】
前記活性層１３０の上又は／及び下には、導電型クラッド層（図示せず）が形成されることができる。前記導電型クラッド層は、ＡｌＧａＮ系半導体で形成されることができ、前記活性層１３０のバンドギャップよりは高いバンドギャップを有することができる。
【００４５】
前記第２導電型半導体層１４０は、第２導電型ドーパントがドーピングされた３族-５族化合物半導体、例えば、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質を含むことができる。前記第２導電型半導体層１４０がＰ型半導体層である場合、前記第２導電型ドーパントは、Ｐ型ドーパントとして、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどを含むことができる。
【００４６】
本実施例で、前記第１導電型半導体層１２０はＰ型半導体層として、前記第２導電型半導体層１４０はＮ型半導体層として具現することができる。また、前記第２導電型半導体層１４０上には、前記第２導電型と極性が異なる半導体、例えば、前記第２導電型半導体層がＰ型半導体層である場合、Ｎ型半導体層（図示せず）を形成することができる。これによって、発光構造物は、Ｎ−Ｐ接合構造、Ｐ−Ｎ接合構造、Ｎ−Ｐ−Ｎ接合構造、Ｐ−Ｎ−Ｐ接合構造のうちいずれか一つの構造として具現できる。
【００４７】
そして、前記第１導電型半導体層１２０上に第１電極１９０が形成されている。前記第１電極１９０は、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、鉛（Ｐｂ）、銅（Ｃｕ）、ロジウム（Ｒｈ）及びイリジウム（Ｉｒ）のうち選択されたいずれか一つの金属、又は前記各金属の合金からなる。
【００４８】
図２に示すように、それぞれの発光素子の導電性支持基板１６０のうち互いに連結された部分を除去すると、それぞれの素子に分離される。
【００４９】
前記分離された各素子は、ベースシート２３０に接合層１７０を通じて弱く固定されており、前記ベースシート２３０から分離して個別発光素子として使用することができる。そして、前記ベースシート２３０から分離した発光素子の第１電極１９０は、パッケージボディーとワイヤーボンディングされて電源を供給することができる。
【００５０】
図３乃至図１０は、発光素子の製造方法の一実施例を示す図である。以下、図３乃至図１０を参照して実施例による発光素子の製造方法について説明する。
【００５１】
まず、図３に示すように、基板１００上に、バッファ層１１０及び第１導電型半導体層１２０、活性層１３０及び第２導電型半導体層１４０を含む発光構造物を成長させる。
【００５２】
前記基板１００は、伝導性基板または絶縁性基板を含み、例えば、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇｅ、そしてＧａ２Ｏ３のうち少なくとも一つを使用することができる。前記基板１００上には凹凸構造が形成されることができるが、これに限定されない。前記基板１００に対して湿式洗浄を行い、表面の不純物を除去することができる。
【００５３】
前記発光構造物と基板１００との間には、バッファ層１１０を成長させることができ、それは材料の格子不整合及び熱膨張係数の差を減らすためである。前記バッファ層１１０の材料は、３族-５族化合物半導体、例えば、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮのうち少なくとも一つで形成されることができる。前記バッファ層１１０上には、非ドープ（ｕｎｄｏｐｅｄ）の半導体層が形成されることができるが、これに限定されない。
【００５４】
そして、前記発光構造物は、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）、ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法などの気相蒸着法により成長されることができる。
【００５５】
前記第１導電型半導体層１２０の組成は、上述した通りであり、化学蒸着方法（ＣＶＤ）、又は分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、又はスパッタリング、又は水素化物蒸気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）などの方法を用いてＮ型ＧａＮ層を形成することができる。また、前記第１導電型半導体層１２０は、チャンバにトリメチルガリウムガス（ＴＭＧａ）、アンモニアガス（ＮＨ３）、窒素ガス（Ｎ２）、及びシリコン（Ｓｉ）のようなｎ型不純物を含むシランガス（ＳｉＨ４）が注入されて形成されることができる。
【００５６】
前記活性層１３０の組成は、上述した通りであり、例えば、前記トリメチルガリウムガス（ＴＭＧａ）、アンモニアガス（ＮＨ３）、窒素ガス（Ｎ２）、及びトリメチルインジウムガス（ＴＭＩｎ）が注入されて、多重量子井戸構造が形成されることができるが、これに限定されない。
【００５７】
前記第２導電型半導体層１４０の組成は、上述した通りであり、チャンバにトリメチルガリウムガス（ＴＭＧａ）、アンモニアガス（ＮＨ３）、窒素ガス（Ｎ２）及びマグネシウム（Ｍｇ）のようなｐ型不純物を含むビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム（ＥｔＣｐ２Ｍｇ）{Ｍｇ（Ｃ２Ｈ５Ｃ５Ｈ４）２}が注入されて、ｐ型ＧａＮ層が形成されることができるが、これに限定されない。
【００５８】
そして、図４に示すように、前記第２導電型半導体層１４０上にオーミック層１４３と反射層１４６を形成する。すなわち、前記第２導電型半導体層１４０は、不純物のドーピング濃度が低くいので接触抵抗が高く、よって、オーミック特性が良くない。したがって、このようなオーミック特性を改善させるために、オーミック層１４３として透明電極を前記第２導電型半導体層１４０上に形成することができる。
【００５９】
透明電極としては、Ｎｉ／Ａｕの二重層で構成された透明電極が広く使われており、Ｎｉ／Ａｕの二重層で構成された透明電極は、電流注入面積を増加させながらオーミックコンタクトを形成して順方向電圧（Ｖｆ）を低下させる。
【００６０】
また、約６０％〜７０％の低い透過率を有する前記Ｎｉ／Ａｕの二重層の代わりに、透過率が約９０％以上であると知られているＴＣＯ（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ）層をオーミック層１４３として形成することもできる。
【００６１】
前記オーミック層１４３は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ)、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯＮ（ＩＺＯ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）、ＡＧＺＯ（Ａｌ−Ｇａ  ＺｎＯ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ  ＺｎＯ）、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ及びＨｆのうち少なくとも一つを含んで形成されることができ、これらの材料に限定されない。そして、前記オーミック層１４３は、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法によって形成されることができる。
【００６２】
そして、前記反射層１４６を約２５００Åの厚さとすることができる。前記反射層１４６は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、又は、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈのうち一つを含む合金を、含む金属層からなることができる。アルミニウムや銀などは、前記活性層１３０から発生された光を効果的に反射して、発光素子の光抽出効率を大きく改善させることができる。
【００６３】
そして、図５に示すように、前記反射層１４６上に導電性支持基板１６０を形成することができる。
【００６４】
前記導電性支持基板１６０の組成は、上述した通りであり、電気化学的な金属蒸着方法や共晶金属を用いたボンディング方法などによって形成することができる。そして、前記反射層１４６と前記導電性支持基板１６０との結合のために、前記反射層１４６が結合層の機能を行ったり、金（Ａｕ）、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）で構成される群から選択される物質、又はこれらの合金で結合層１５０を形成することができる。
【００６５】
前記導電性支持基板１６０は、熱伝導度の良い軟金属と前記各金属とが、結晶構造及び結晶格子定数がほぼ同一であるので、合金時、内部応力の発生を最小化することができ、かつ機械的強度を大きくすることができる。
【００６６】
そして、図６に示すように、前記導電性支持基板１６０上に接合層１７０とダミー基板１８０（Ｄｕｍｍｙ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を形成する。ダミー基板１８０は、図示のように、接合層１７０の形成後、除去されることができる。
【００６７】
接合層１７０は、Ａｕ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｐｂ、Ｉｎ及びＭｏからなる群から選択された物質、又はこれらの合金で形成されることができる。前記接合層１７０は、発光素子の幅よりも狭くパターニングすることができ、このとき、前記発光素子の幅は、発光構造物の幅のことを意味する。
【００６８】
そして、前記接合層１７０は、必ず窒化物半導体素子と同一の形状でなくてもよく、前記導電性支持基板１６０を後述するベースシート２３０などに固定できれば、円形や四角形または他の多角形形状であっても良い。
【００６９】
このとき、前記接合層１７０のパターニングは、前記接合層１７０の材料上にマスクを覆ってエッチングしてなることができる。そして、前記接合層１７０は、発光素子に対応する発光構造物の両側周縁においてそれぞれ１〜１０μｍ以内の大きさだけ狭くパターニングされることができる。前記接合層１７０の幅が大きすぎると、レーザースクライビング（Ｌａｓｅｒ  ｓｃｒｉｂｉｎｇ）工程において、発光構造物を分離するときバリ（ｂｕｒｒ）が発生して吸着することがある。そして、前記接合層１７０の幅が小さすぎると、発光構造物を結合するのに充分でない。
【００７０】
前記接合層１７０は、図示のように、ダミー基板１８０を除去した後、パターニングすることができるが、接合層１７０の蒸着時にマスクなどを用いて上述した幅でパターニングすることもできる。
【００７１】
上述した工程で、導電性支持基板１６０の大きさよりも小さく形成された接合層１７０は、後述するレーザースクライビング工程において側面のバリの発生が減少するので、素子の特性を向上させることができる。また、従来の銀（Ａｇ）系列の接合材料を用いたボンディング方式よりは接合材料の剥離が減少する。
【００７２】
そして、図７に示すように、基板１００を第１導電型半導体層１２０から分離させる。基板１００の除去は、エキシマレーザーなどを用いたレーザーリフトオフ（Ｌａｓｅｒ  Ｌｉｆｔ  Ｏｆｆ：ＬＬＯ）、乾式及び湿式エッチング方法によって行うことができる。
【００７３】
特に、基板１００の除去は、レーザーリフトオフ方法によって行われることができ、基板１００に一定領域の波長を有するエキシマレーザー光をフォーカシング（ｆｏｃｕｓｉｎｇ；集光）して照射すると、基板１００と第１導電型半導体層１２０との境界面に熱エネルギーが集中される。したがって、第１導電型半導体層１２０の界面が、ガリウムと窒素分子に分離されながら、レーザー光が通過する部分において瞬間的に基板１００の分離が発生する。このとき、バッファ層１１０も共に分離されることができる。
【００７４】
次いで、図８に示すように、前記発光構造物を素子単位にダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）する。そして、分離されたそれぞれの発光構造物の第１導電型半導体層１２０上に第１電極１９０を形成する。第１電極１９０は、ｎ型電極として作用し、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）のうち少なくとも一つを含み、単層または多層構造で形成されることができる。図８では、前記接合層１７０の幅が、前記発光構造物の幅よりも狭くパターニングされている。
【００７５】
図９は、図８の‘Ａ’部分の拡大図である。図示のように、前記導電性支持基板１６０上に接合層１７０は屈曲がある凹凸形状となっている。前記接合層１７０の表面は、図示のように、尖状ではなく、丸みを帯びた形状の凹凸形状からなることもできる。また、前記接合層１７０表面の凹凸は、規則的であっても良く、不規則的であっても良い。
【００７６】
すなわち、前記接合層１７０の厚さが一定でなく不規則であれば良い。このとき、接合層１７０の表面積が増加して、後述する工程においてベースシート２３０との接着力が強くなる。
【００７７】
そして、図１０に示すように、接合層１７０が形成された導電性支持基板１６０上に保護層２００を形成する。このとき、第１電極１９０が形成された窒化物半導体上にも保護層２１０を形成することができる。前記保護層２００、２１０は、後述するチップの分離工程などにおいてそれぞれの発光素子を保護する役割を果たす。
【００７８】
そして、前記保護層２１０上にベースシート２２０を形成することができる。前記ベースシート２２０は、後述する工程においてそれぞれの導電性支持基板１６０が、チップ単位に分離された後、それぞれの発光素子が互いに分離されないように支持する役割を果たす。
【００７９】
次いで、図１１に示されたように、それぞれの発光素子を分離する。
【００８０】
すなわち、図示のように、レーザースクライビング方法（ｌａｓｅｒ  ｓｃｒｉｂｉｎｇ）によって、前記導電性支持基板１６０と結合層１５０と反射層１４６及びオーミック層１４３を、それぞれの発光構造物に対応して分離させる。
【００８１】
そして、前記レーザースクライビング工程の後、溶融された金属の一部が再凝固されて金属層１６０ａをなして、前記分離された導電性支持基板１６０を連結することができる。また、レーザースクライビング工程において導電性支持基板１６０の一部を残存させて金属層１６０ａを形成することもできる。
【００８２】
前記金属層１６０ａは、再凝固工程において、前記接合層１７０や発光構造物の組成が一部含まれることができる。そして、図示されていないが、それぞれの発光構造物の周りのパッシベーション層の材料が前記金属層１６０ａに含まれることもできる。
【００８３】
そして、図１２に示すように、ベースシート２３０上に前記発光素子を接合する。このとき、ベースシート２３０上に、それぞれの発光素子の接合層１７０が接合された状態で固定される。ベースシート２３０は、図１０におけるベースシート２２０と同一であるが、発光素子を支持する位置が互いに異なる。
【００８４】
図示のように、それぞれの発光素子の下面は、接合層１７０を通じてベースシート２３０に固定され、それぞれの発光素子の導電性支持基板１６０は、再凝固された金属層１６０ａを通じて側面において互いに固定される。
【００８５】
そして、図１２に示すように、それぞれの発光素子を連結する金属層１６０ａを除去して、それぞれの素子に分離する。このとき、除去工程を行う前に、それぞれの発光素子の上部に保護層（図示せず）を形成することもできる。
【００８６】
上述した工程による発光素子アレイは、ベースシート２３０上に接合層１７０を通じて複数個の発光素子が固定されている。それぞれの素子単位に分離されたそれぞれの発光素子は、ベースシート２３０に接合層１７０を通じて固定されており、切断（ｂｒｅａｋｉｎｇ）工程等によって前記ベースシート２３０から分離して個別発光素子として使用することができる。
【００８７】
そして、前記ベースシート２３０から分離した発光素子の第１電極１９０は、パッケージボディーとワイヤーボンディングして発光素子パッケージを製造することができる。
【００８８】
上述した工程のうち、ダミー基板１８０下端の接合層の一部が除去されて、レーザースクライビング工程において金属バリが発生せず、したがって、チップ特性が正確になり、パッケージ工程においてダイ／ワイヤーボンディング工程が容易になる。そして、接合層１７０の表面が凹凸となっており、素子の接着力を増大させることができ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｐｂ、Ｉｎ及びＭｏなどを接合材料として使用して、従来のＡｇ系列の接合材料を用いたボンディング方式より接合材料の剥離が減少する。
【００８９】
図１３は、発光素子パッケージの一実施例の断面図である。以下、図１３を参照して発光素子パッケージの一実施例について説明する。
【００９０】
図示のように、実施例による発光素子パッケージは、パッケージボディー３２０と、前記パッケージボディー３２０に設置された第１電極３１１及び第２電極３１２と、前記パッケージボディー３２０に設置されて、前記第１電極３１１及び第２電極３１２と電気的に連結される実施例による発光素子３００と、前記発光素子３００を取り囲む充填材３４０と、を含む。
【００９１】
前記パッケージボディー３２０は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されることができ、前記発光素子３００の周囲に傾斜面が形成されて、光抽出効率を高めることができる。
【００９２】
前記第１電極３１１及び第２電極３１２は互いに電気的に分離され、前記発光素子３００に電源を提供する。また、前記第１電極３１１及び第２電極３１２は、前記発光素子３００から発生された光を反射させて、光効率を増加させることができ、前記発光素子３００で発生した熱を外部に排出させる役割を果たすこともできる。
【００９３】
前記発光素子３００は、前記パッケージボディー３２０上に設置されても良く、前記第１電極３１１または第２電極３１２上に設置されても良い。そして、前記発光素子３００は、図１の発光素子アレイにおいてそれぞれの発光素子を連結する金属層１６０ａが除去され、前記ベースシート２３０から分離された後、前記接合層１７０を通じてパッケージボディー３２０上に固定されることができる。
【００９４】
前記発光素子３００は、前記第１電極３１１及び第２電極３１２と、ワイヤー方式、フリップチップ方式、またはダイボンディング方式のうちいずれが一つによって電気的に連結されることができる。
【００９５】
前記充填材３４０は、前記発光素子３００を取り囲んで保護することができる。また、前記充填材３４０には蛍光体が含まれ、前記発光素子３００から放出された光の波長を変化させることができる。
【００９６】
前記発光素子パッケージは、上記に開示された各実施例の発光素子のうち少なくとも一つ、または複数個で搭載することができるが、これに限定しない。そして、一つの発光素子パッケージに複数個の発光素子が搭載されるとき、前記それぞれの発光素子の導電性支持基板を連結する金属層１６０ａは除去される。
【００９７】
実施例による発光素子パッケージは、複数個が基板上にアレイされ、前記発光素子パッケージの光経路上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シートなどが配置されることができる。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材は、ライトユニットとして機能することができる。また他の実施例は、上述した実施例に記載された半導体発光素子または発光素子パッケージを含む表示装置、指示装置、照明システムとして具現されることができ、例えば、照明システムは、ランプ及び街灯を含むことができる。
【００９８】
図１４は、発光素子パッケージを含む照明装置の一実施例の分解斜視図である。
【００９９】
実施例による照明装置は、光を投射する光源６００と、前記光源６００が内蔵されるハウジング４００と、前記光源６００の熱を放出する放熱部５００と、前記光源６００と放熱部５００とを前記ハウジング４００に結合するホルダー７００と、を含んでなる。
【０１００】
前記ハウジング４００は、電気ソケット（図示せず）に結合されるソケット結合部４１０と、前記ソケット結合部４１０と連結され、光源６００が内蔵されるボディー部４００とを含む。ボディー部４２０には、一つの空気流動口４３０が貫通して形成されることができる。
【０１０１】
前記ハウジング４００のボディー部４２０上に複数個の空気流動口４３０が具備されており、前記空気流動口４３０は、一つの空気流動口からなることもでき、複数個の流動口を、図示のような放射状の配置以外に多様に配置することもできる。
【０１０２】
そして、前記光源６００は、基板６１０上に複数個の発光素子パッケージ６５０が具備される。ここで、前記基板６１０は、前記ハウジング４００の開口部に挿入可能な形状とすることができ、後述のように、放熱部５００に熱を伝達するために熱伝導率の高い物質からなることができる
【０１０３】
そして、前記光源６００の下部にはホルダー７００が具備され、前記ホルダー７００はフレームと、また他の空気流動口とを含むことができる。また、図示されていないが、前記光源６００の下部には光学部材が具備されて、前記光源６００の発光素子パッケージ６５０から投射される光を拡散、散乱または収斂させることができる。
【０１０４】
実施例による照明装置は、光出力が向上した発光素子パッケージを使用して、照明装置の輝度を増加させることができる。
【０１０５】
図１５は、発光素子パッケージを含むバックライトを示す図である。
【０１０６】
図示のように、本実施例による表示装置８００は、光源モジュール８３０，８３５と、ボトムカバー８１０上の反射板８２０と、前記反射板８２０の前方に配置され、前記光源モジュール８３０，８３５から発散される光を表示装置の前方に案内する導光板８４０と、導光板８４０の前方に配置される第１プリズムシート８５０と第２プリズムシート８６０と、前記第２プリズムシート８６０の前方に配置されるパネル８７０と、前記パネル８７０の前方に配置されるカラーフィルタ８８０と、を含んでなる。
【０１０７】
光源モジュールは、基板８３０上の発光素子パッケージ８３５を含んでなる。基板８３０は、ＰＣＢなどが使用されることができ、発光素子パッケージ８３５は、図１３で説明した通りである。
【０１０８】
前記ボトムカバー８１０は、表示装置８００内の各構成要素を収納することができる。そして、前記反射板８２０は、本図面のように、別途の構成要素として設けられることもでき、導光板８４０の後面や前記ボトムカバー８１０の前面に反射度の高い物質でコーティングされる形態で設けられることもできる。
【０１０９】
反射板８２０は、反射率が高く、超薄型で使用可能な素材を使用することができ、ポリエチレンテレフタルレート（ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔａｌａｔｅ；ＰＥＴ）を使用することができる。
【０１１０】
そして、導光板８４０は、発光素子パッケージモジュールから放出される光を散乱させて、その光が液晶表示装置の画面の全領域にわたって均一に分布されるようにする。したがって、導光板８４０は、屈折率と透過率の良い材料からなり、ポリメチルメタアクリレート（ＰｏｌｙＭｅｔｈｙｌＭｅｔｈＡｃｒｙｌａｔｅ；ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ；ＰＣ）、又はポリエチレン（ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ；ＰＥ）などで形成されることができる。
【０１１１】
そして、前記第１プリズムシート８５０は、支持フィルムの一面に、投光性かつ弾性を有する重合体材料によって形成されることができ、前記重合体は、複数個の立体構造が反復的に形成されたプリズム層を有することができる。前記複数個のパターンは、図示のように山と谷が反復的にストライプ状で具備されることができる。
【０１１２】
そして、前記第２プリズムシート８６０において、支持フィルムの一面の山と谷の方向は、前記第１プリズムシート８５０内の支持フィルムの一面の山と谷の方向と垂直とすることができる。これは、光源モジュールと反射シートから伝達された光を前記パネル８７０の全方向に均一に分散させるためである。
【０１１３】
そして、図示されていないが、前記それぞれのプリズムシート上には、保護シートが具備されることができ、支持フィルムの両面に光拡散性粒子とバインダーを含む保護層が具備されることができる。また、前記プリズム層は、ポリウレタン、スチレンブタジエン共重合体、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレートエラストマー、ポリイソプレン、ポリシリコンで構成される群から選択される重合体材料からなることができる。
【０１１４】
そして、図示されていないが、前記導光板８４０と第１プリズムシート８５０との間に拡散シートが配置されることができる。前記拡散シートは、ポリエステルとポリカーボネート系の材料からなることができ、バックライトユニットから入射された光を、屈折と散乱を通じて光投射角を最大に広げることができる。そして、前記拡散シートは、光拡散剤を含む支持層と、光射出面（第１プリズムシート方向）と光入射面（反射シート方向）に形成され、光拡散剤を含まない第１レイヤーと第２レイヤーと、を含むことができる。
【０１１５】
そして、前記支持層は、メタクリル酸−スチレン共重合体とメタクリル酸メチル−スチレン共重合体が混合された樹脂１００重量％に対して、１〜１０μｍの平均粒径を有するシロキサン系光拡散剤０．１〜１０重量％、１〜１０μｍの平均粒径を有するアクリル系光拡散剤０．１〜１０重量％が含まれることができる。
【０１１６】
そして、前記第１レイヤーと第２レイヤーは、メタクリル酸メチル−スチレン共重合体樹脂１００重量％に対して、紫外線吸収剤０．０１〜１重量％、帯電防止剤０．００１〜１０重量％が含まれることができる。
【０１１７】
前記拡散シートにおいて前記支持層の厚さは、１００〜１００００μｍとすることができ、前記それぞれのレイヤーの厚さは、１０〜１０００μｍとすることができる。
【０１１８】
本実施例で、前記拡散シートと第１プリズムシート８５０と第２プリズムシート８６０とが光学シートをなし、前記光学シートは他の組合せ、例えば、マイクロレンズアレイからなるか、または、拡散シートとマイクロレンズアレイとの組合せ、または、一つのプリズムシートとマイクロレンズアレイの組合せなど、からなることができる。
【０１１９】
前記パネル８７０は、液晶表示パネル（Ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）が配置されることができ、液晶表示パネルの他に、光源を必要とする他の種類のディスプレイ装置が具備されることができる。
【０１２０】
前記パネル８７０は、ガラスボディーの間に液晶が位置し、光の偏光性を用いるために偏光板を両ガラスボディーに載せた状態となっている。ここで、液晶は、液体と固体の中間的な特性を持ち、液体のように流動性を有する有機分子である液晶が結晶のように規則的に配列された状態を有するものであって、前記分子配列が外部電界により変化される性質を利用して画像を表示する。
【０１２１】
表示装置に使用される液晶表示パネルは、アクティブマトリックス（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ）方式であって、各画素に供給される電圧を調節するスイッチとしてトランジスタを使用する。
【０１２２】
そして、前記パネル８７０の前面にはカラーフィルタ８８０が具備されて、前記パネル８７０から投射された光を、画素ごとに赤色、緑色及び青色の光のみを透過するので、画像を表現することができる。
【０１２３】
以上では、実施例を中心にして説明したが、これは例示に過ぎないもので、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者なら、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上で例示していない多様な変形と応用が可能であることが分かるだろう。例えば、実施例に具体的に示した各構成要素は、変形して実施することができる。そして、このような変形と応用と関連した各差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈すべきである。
【産業上の利用可能性】
【０１２４】
実施例による発光素子と発光素子パッケージは、表示装置と照明装置などに使用されることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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