(57)【要約】【課題】高アスペクト比、複数の段差構造などを有する微細パターンの加工が可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】パターン形成方法において、被処理材上に、第１のインプリント・マスク材を形成し、第１のインプリント・マスク材に、第１のテンプレートを用いて第１のインプリント・パターンを形成し、第１のインプリント・パターン上に、エッチングレートが第１のインプリント・マスク材と異なる第２のインプリント・マスク材を形成し、第２のインプリント・マスク材に、第１のテンプレートと異なる第２のテンプレートを用いて第２のインプリント・パターンを形成し、第１のインプリント・パターン及び第２のインプリント・パターンをマスクとして、被処理材をエッチングする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理材上に、第１のインプリント・マスク材を形成し、
前記第１のインプリント・マスク材に、第１のテンプレートを用いて第１のインプリント・パターンを形成し、
前記第１のインプリント・パターン上に、エッチングレートが前記第１のインプリント・マスク材と異なる第２のインプリント・マスク材を形成し、
前記第２のインプリント・マスク材に、前記第１のテンプレートと異なる第２のテンプレートを用いて第２のインプリント・パターンを形成し、
前記第１のインプリント・パターン及び前記第２のインプリント・パターンをマスクとして、前記被処理材をエッチングすることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記第１のインプリント・マスク材のエッチングレートは、前記第２のインプリント・マスク材のエッチングレートより高く、前記第２のインプリント・パターンは、前記第１のインプリント・パターンの反転パターンであることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記第１のインプリント・マスク材のエッチングレートは、前記第２のインプリント・マスク材のエッチングレートより低く、前記第２のインプリント・パターンの開口部は、前記第１のインプリント・パターンの開口部上に形成されることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記第１のインプリント・マスク材のエッチングレートは、前記第２のインプリント・マスク材のエッチングレートより高く、前記第２のインプリント・パターンの開口部は、前記第１のインプリント・パターンの残しパターンを含む領域上に形成されることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記第１のインプリント・マスク材と前記第２のインプリント・マスク材は異なる炭素濃度を有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や磁気記録装置などの微細化に伴い、より精度の高い深さ方向の加工制御技術の開発が要求されている。これまで、厚膜レジストを用い、マスクパターンを形成してパターン加工を行っていたが、さらなる微細化に伴い、アスペクト比の増大によるパターン倒れや、フォーカスマージン低下により、パターンの形成自体が困難となるという問題が生じている。
【０００３】
そこで、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）や、ＳｉＮ膜などのハードマスクなどレジストマスクとは異なる膜をマスクとして形成することにより、ある程度深さ方向の加工精度を向上させることができる。しかしながら、デュアルダマシン構造の一括加工など、加工パターンが複雑化し、コストが上昇するという問題がある。
【０００４】
近年、微細加工の手法として、パターンの形成されたテンプレートを、可塑性、硬化性のあるインプリント・マスク材の塗布膜に転写してインプリント・パターンを形成し、これをマスクとしてパターン加工を行うインプリント・リソグラフィ技術が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−７２９７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来のインプリント・リソグラフィ技術においては、高アスペクト比のパターンを形成する際には、高アスペクト比のインプリント・パターンを形成する必要があり、パターン転写後のインプリント・マスク材において、パターン倒れなどの問題が生じてしまう。また、複雑な加工パターンを一括加工することは困難であるという問題がある。
【０００７】
本発明は、高アスペクト比、複数の段差構造などを有する微細パターンの加工が可能なパターン形成方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明の一実施形態によれば、被処理材上に、第１のインプリント・マスク材を形成し、第１のインプリント・マスク材に、第１のテンプレートを用いて第１のインプリント・パターンを形成し、第１のインプリント・パターン上に、エッチングレートが前記第１のインプリント・マスク材と異なる第２のインプリント・マスク材を形成し、第２のインプリント・マスク材に、第１のテンプレートと異なる第２のテンプレートを用いて第２のインプリント・パターンを形成し、第１のインプリント・パターン及び第２のインプリント・パターンをマスクとして、被処理材をエッチングすることを特徴とするパターン形成方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係るパターン形成工程を示すフローチャートである。
【図２】本発明の一実施形態に係るパターン形成工程を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るパターン形成工程を示すフローチャートである。
【図４】本発明の一実施形態に係るパターン形成工程を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るパターン形成工程を示すフローチャートである。
【図６】本発明の一実施形態に係るパターン形成工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照して説明する。
【００１１】
（第１の実施形態）
本実施形態のパターン形成方法を、図１に示すフローチャート及び図２（ａ）−（ｈ）に示す断面図により説明する。
【００１２】
先ず、図２（ａ）に示すように、例えば、ＳｉやＳＯＩ（Silicon On Insulator）などの半導体基板などの被処理材１１上に、例えば熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂などから構成される１層目のインプリント・マスク材として、第一のインプリント・マスク層１２をインクジェット、塗布法等を用いて形成する（Ｓｔｅｐ１−１）。なお、被処理材１１は基板である必要はなく、基板上に形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の被加工膜でも構わない。
【００１３】
次いで、図２（ｂ）に示すように、第一のインプリント・マスク層１２に、第一のテンプレート１３を接触させ、この状態で第一のインプリント・マスク層１２を硬化させて開口部１４ａ、凸パターン１４ｂを有する第一のインプリント・パターン１４を形成する（Ｓｔｅｐ１−２）。第一のインプリント・マスク層１２の硬化は光インプリントの場合は第一のインプリント・マスク層１２への紫外光の照射、熱インプリントの場合は第一のインプリント・マスク層１２に温度変化を与えることによって行われる。
【００１４】
そして、図２（ｃ）に示すように、第一のインプリント・パターン１４上に、２層目のインプリント・マスク材として、インプリント・パターン１４の開口部１４ａを埋め込むように、第二のインプリント・マスク層１５をインクジェット、塗布法等を用いて形成する（Ｓｔｅｐ１−３）。このとき、２層目のインプリント・マスク材としては、後述する被処理材１１のエッチング加工における加工レートが、１層目のインプリント・マスク材の加工レートより低いものを用いる。
【００１５】
加工レートは、例えばＣ、Ｏ、Ｆ、Ｈの含有量に依存し、Ｃの密度が上がると（Ｏ、Ｆ、Ｈの密度が低下すると）加工レートが低下する。従って、これらのインプリント・マスク材を比較して、１層目のインプリント・マスク材よりもＣの密度が高いもの（或いは、（Ｃ、Ｈ、Ｏの全原子数）／（Ｃ原子数−Ｏ原子数）で表されるパラメータが小さいもの）を２層目のインプリント・マスク材として用いることができる。以下、同様に、インプリント・マスク材において、Ｃの密度などの異なる材料を適宜選択することにより、加工レートの高低が調整される。
【００１６】
次いで、図２（ｄ）に示すように、第二のインプリント・マスク層１５に、第二のテンプレート１６を接触させ、この状態で第二のインプリント・マスク層１５を硬化させて第二のインプリント・パターン１７を形成する（Ｓｔｅｐ１−４）。このとき、第二のテンプレート１６のパターンは、先に用いられた第一のテンプレート１３のパターンの反転パターン、すなわち第一のテンプレート１３の凹部（開口部）の位置と第二のテンプレート１６の凸部の位置とが対応する形状となっている。このとき、第一のインプリント・パターン１４の凸パターン１４ｂの上部に第二のインプリント・パターン１７の開口部１７ａが形成されていれば、多少のずれは許容され、必ずしもパターンが厳密に反転していなくても構わない。
【００１７】
そして、図２（ｅ）に示すように、第二のインプリント・パターン１７をマスクとして、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）などにより、第二のインプリント・パターン１７の開口部に形成された第一のインプリント・パターン１４を加工する（Ｓｔｅｐ１−５）。
【００１８】
このとき、第二のインプリント・パターン１７の開口部１７ａの下部には、第二のインプリント・パターン１７と比較して加工レートが高い第一のインプリント・パターン１４が形成されている。そのため、開口部１７ａの下部のエッチングがインプリント・パターン１７の形成された他の領域より早く進行する（図２（ｆ））。従って、第二のインプリント・パターン１７の膜厚をあまり減らすことなく第二のインプリント・パターン１７の開口部１７ａに形成された第一のインプリント・パターン１４を除去することができる。このとき、ハンドリングなどは生じないため、パターン倒れを生ずることなく、パターン形状を維持することができる。
【００１９】
さらに、エッチングが進行することにより、図２（ｇ）に示すように、被処理材１１に所望の深さのパターンが形成される。この時、第一のインプリント・パターン１４よりもアスペクト比の高い第二のインプリント・パターン１７をマスクとして用いることにより被処理材１１の加工を行うための十分な膜厚を確保することができる。そして、残存した第一、第二のインプリント・パターン１４、１７を除去し（Ｓｔｅｐ１−６）、図２（ｈ）に示すような所望のパターンが形成される。
【００２０】
本実施形態によれば、インプリント・パターンのパターン倒れを生じることなく、例えばアスペクト比が２．５を超える高アスペクト比のパターンを形成することが可能となる。
【００２１】
（第２の実施形態）
本実施形態のパターン形成方法を、図３に示すフローチャート及び図４（ａ）−（ｉ）に示す断面図により説明する。
【００２２】
先ず、図４（ａ）に示すように、例えば、半導体基板上に形成されたＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）膜や、ＳｉＯＣ膜などの低誘電率膜などからなる層間絶縁膜などの被処理材２１上に、第１の実施形態と同様に、１層目のインプリント・マスク材として、第一のインプリント・マスク層２２を形成する（Ｓｔｅｐ２−１）。
【００２３】
次いで、図４（ｂ）に示すように、第一のインプリント・マスク層２２に、第一のテンプレート２３を接触させ、例えば配線溝パターンなどを形成するための開口部２４ａを有する第一のインプリント・パターン２４を形成する（Ｓｔｅｐ２−２）。
【００２４】
そして、図４（ｃ）に示すように、第一のインプリント・パターン２４上に、２層目のインプリント・マスク材として、インプリント・パターン２４の開口部２４ａを埋め込むように、第二のインプリント・マスク層２５を形成する（Ｓｔｅｐ２−３）。このとき、２層目のインプリント・マスク材としては、後述する被処理材２１のエッチング加工における加工レートが、１層目のインプリント・マスク材の加工レートより高いものを用いる。
【００２５】
次いで、図４（ｄ）に示すように、第二のインプリント・マスク層２５に、第二のテンプレート２６を接触させ、例えば、ヴィアパターンなどを形成するための開口部２７ａを有する第二のインプリント・パターン２７を形成する（Ｓｔｅｐ２−４）。これにより、先に形成された開口部２４ａ上の一部に開口部２７ａが設けられる。
【００２６】
そして、図４（ｅ）に示すように、このようにして形成された第二のインプリント・パターン２７をマスクとして、ＲＩＥなどにより、被処理材２１を一括加工する（Ｓｔｅｐ２−５）。
【００２７】
このとき、加工レートが高い第二のインプリント・パターン２７がエッチングされ、先ず、図４（ｆ）に示すように、被処理材２１が露出する。そして、開口部２７ａの下部において、被処理材２１がエッチングされるとともに、その他の領域の第二のインプリント・パターン２７がエッチングされ、図４（ｇ）に示すように、被処理材２１が露出する。
【００２８】
さらに、エッチングが進行することにより、図４（ｈ）に示すように、被処理材２１に所望の段差構造を有するパターンが形成される。従来のように１種類のインプリント材に段差を設けて段差構造を形成しようとした場合、被処理材２１に配線溝、Ｖｉａホールを一括して形成するためにはそれぞれの領域のインプリント・マスクの膜厚差を大きくしなければならず、欠陥等を抑制してパターンを形成することは困難である。対して、本実施形態の場合は領域毎に異なるエッチングレートを有する複数のインプリント材を用いているためパターン形成時の欠陥等を抑制することができる。
【００２９】
そして、図４（ｉ）に示すように、残存した第一、第二のインプリント・パターン２４、２７を除去し（Ｓｔｅｐ２−６）、所望のパターンが形成される。
【００３０】
本実施形態によれば、複数の段差構造を有するパターンを、異なるエッチングレートを有する複数のインプリント材を用い、一括加工で形成することが可能となる。
【００３１】
（第３の実施形態）
本実施形態のパターン形成方法を、図５に示すフローチャート及び図６（ａ）−（ｉ）に示す断面図により説明する。
【００３２】
先ず、図６（ａ）に示すように、例えば、半導体基板上に形成された低誘電率膜からなる層間絶縁膜などの被処理材３１上に、第１の実施形態と同様に、１層目のインプリント・マスク材として、第一のインプリント・マスク層３２を形成する（Ｓｔｅｐ３−１）。
【００３３】
次いで、図６（ｂ）に示すように、第一のインプリント・マスク層３２に、第一のテンプレート３３を接触させ、例えばヴィアのパターンなどとなる孤立パターン３４ａを有する第一のインプリント・パターン３４を形成する（Ｓｔｅｐ３−２）。
【００３４】
そして、図６（ｃ）に示すように、孤立パターン３４ａ上を含む第一のインプリント・パターン３４上に、２層目のインプリント・マスク材として、第二のインプリント・マスク層３５を形成する（Ｓｔｅｐ３−３）。このとき、２層目のインプリント・マスク材としては、後述する被処理材３１のエッチング加工における加工レートが、１層目のインプリント・マスク材の加工レートより低いものを用いる。
【００３５】
次いで、図６（ｄ）に示すように、第二のインプリント・マスク層３５に、第二のテンプレート３６を接触させ、例えば、配線溝パターン等となる開口部３７ａを有する第二のインプリント・パターン３７を形成する（Ｓｔｅｐ３−４）。これにより、先に形成された孤立パターン３４ａ上を含む領域に開口部３７ａが設けられる。
【００３６】
そして、図６（ｅ）に示すように、このようにして形成されたインプリント・パターン３７をマスクとして、ＲＩＥなどにより、被処理材３１を加工する（Ｓｔｅｐ３−５）。
【００３７】
このとき、第二のインプリント・パターン３７の開口部３７ａの下部の、加工レートが高い孤立パターン３４ａのエッチングが、他の領域より早く進行する。そして、図６（ｆ）に示すように、被処理材３１が露出する。
【００３８】
さらに、第二のインプリント・パターン３７のエッチングが進行することにより、図６（ｇ）に示すように、膜厚の薄い開口部３７ａの下部の被処理材３１が露出する。そして、エッチングが進行することにより、図６（ｈ）に示すように、被処理材３１に所望の段差構造を有するパターンが形成される。そして、図６（ｉ）に示すように、残存したインプリント・マスク層３２、３５を除去し（Ｓｔｅｐ２−６）、所望のパターンが形成される。従来のように１種類のインプリント材に段差を設けて段差構造を形成しようとした場合、被処理材２１に配線溝、Ｖｉａホールを一括して形成するためにはそれぞれの領域のインプリント・マスクの膜厚差を大きくしなければならず、欠陥等を抑制してパターンを形成することは困難である。対して、本実施形態の場合は領域毎に異なるエッチングレートを有する複数のインプリント材を用いているためパターン形成時の欠陥等を抑制することができる。
【００３９】
本実施形態によれば、複数の段差構造を有するパターンを、一括加工で形成することが可能となる。
【００４０】
これら実施形態において、被処理材は特に限定されるものではなく、上述したような、ＳｉやＳＯＩなどの半導体基板や、その上層に設けられたＴＥＯＳ膜や、ＳｉＯＣ膜などの低誘電率膜といった層間絶縁膜のみならず、ガラス、アルミニウム、セラミックス、カーボンなどの記録媒体基板などを挙げることができる。
【００４１】
また、インプリント・マスク材としては、転写パターンを形成することができる材料であればよく、上述した熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂や、ＳＯＧなどの高粘性材料などを用いることができる。熱可塑性樹脂を用いる場合には、インプリント・マスク材を加熱塗布した後、テンプレートを接触させ、冷却することにより、パターンを形成することができる。また、光硬化性樹脂を用いる場合には、インプリント・マスク材を塗布後、石英など透過性のテンプレートを接触させ、露光することにより、パターンを形成することができる。また、ＳＯＧなどの高粘性材料などを用いる場合には、テンプレートを押し付けることにより、パターンを形成することができる。
【００４２】
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００４３】
１１、２１、３１…被処理材
１２、２２、３２…第一のインプリント・マスク層
１５、２５、３５…第二のインプリント・マスク層
１３、２３、３３…第一のテンプレート
１６、２６、３６…第二のテンプレート
１４、２４、３４…第一のインプリント・パターン
１７、２７、３７…第二のインプリント・パターン
１４ａ、１７ａ、２４ａ、２７ａ、３７ａ…開口部
１４ｂ…凸パターン
３４ａ…孤立パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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