(57)【要約】      （修正有）【課題】電子ビーム経路長さを低減する。【解決手段】反射電子ビームリソグラフィーのための装置に関し、電子源１０２とパターン状電子反射器生成器構造とステージ１２４と縮小電子レンズ１１２，１２０とＥｘＢセパレータ１１０とを含む。ＥｘＢセパレータは、電子ビームの軌跡をダイナミックパターンジェネレータ構造１１８に向かって屈曲させるように構成される。パターン状電子反射構造は、パターン状電子ビームを形成するように電子ビームの選択部分を反射するように構成される。ＥｘＢセパレータは、パターン状電子ビームが縮小電子レンズに向かって直線状に通過できるように構成される。縮小電子レンズは、パターン状電子ビームを縮小し、縮小されたパターン状電子ビームを目標基板１２２上に投射するように構成される。装置は、直線状の投射軸を有し、（磁気プリズムを用いた従来の装置と比較して）電子ビーム経路を実質的に３分の１まで低減する。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射電子ビームリソグラフィーのための装置であって、
出射された電子から電子ビームを形成するように配置された電子源構造と、
パターン状電子ビームを形成するように前記電子ビームの選択部分を反射するように構成された、パターン状電子反射構造と、
目標基板を保持するステージと、
前記パターン状電子ビームを縮小し、前記縮小されたパターン状電子ビームを前記目標基板上に投射するように構成された縮小電子レンズと、
ＥｘＢセパレータであって、前記電子源構造からの前記電子ビームの軌跡を前記パターン状電子反射構造に向かって偏向させ、前記パターン状電子ビームを前記縮小電子レンズに向かって直線状に通過させるように構成される、ＥｘＢセパレータと、
を含む、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記電子源構造は、電子銃および銃陰極レンズを含む、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
前記パターン状電子反射構造は、ダイナミックパターンジェネレータおよび界浸陰極レンズを含む、装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、
電子レンズを含む対物レンズであって、前記ＥｘＢセパレータと、前記パターン状電子反射器との間の前記電子ビームに作用するように構成される、対物レンズ、をさらに含む、装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
前記電子ビームパスが前記ＥｘＢセパレータ内を通過する際に前記電子ビームに作用するように構成された、電子レンズを含む対物レンズ、をさらに含む、装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、
前記電子源構造と前記ＥｘＢセパレータとの間に配置された屈曲要素であって、前記電子ビームが前記ＥｘＢセパレータに到達する前に前記電子ビームの軌跡を屈曲させるように構成される、屈曲要素、をさらに含む、装置。
【請求項７】
請求項１に記載の装置であって、
前記電子ビームが前記ＥｘＢセパレータに到達する前に前記電子ビームを反射するように配置された電子鏡、をさらに含む、装置。
【請求項８】
請求項７に記載の装置であって、
前記電子源構造および前記電子鏡は、前記ＥｘＢセパレータの対向する側部に配置される、装置。
【請求項９】
請求項１に記載の装置であって、
前記ＥｘＢセパレータは、磁極および電極を含む第１のＥｘＢセパレータであり、
前記第１のＥｘＢセパレータと前記縮小電子レンズとの間に配置された第２のＥｘＢセパレータ、をさらに含む、装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の装置であって、
前記第１のＥｘＢセパレータと比較して、前記第２のＥｘＢセパレータは、磁極の位置が逆に配置されかつ電極の位置が逆に配置されている、装置。
【請求項１１】
電子ビームリソグラフィーのためのプロセスであって、
電子源から出射された電子から電子ビームを形成するステップと、
ＥｘＢセパレータにより、前記電子ビームの軌跡をパターン状電子反射器に向かって屈曲させるステップと、
前記パターン状電子反射器により、パターン状電子ビームを形成するように前記電子ビームの選択部分を反射させるステップと、
前記パターン状電子ビームを前記ＥｘＢセパレータ内に通過させるステップと、
前記パターン状電子ビームを縮小するステップと、
前記縮小されたパターン状電子ビームを目標基板上に投射させるステップと、
を含む、プロセス。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプロセスであって、
前記電子ビームが前記ＥｘＢセパレータに到達する前に、前記電子ビームの軌跡を屈曲させるステップ、をさらに含む、プロセス。
【請求項１３】
請求項１１に記載のプロセスであって、
前記電子ビームが前記ＥｘＢセパレータに到達する前に、電子鏡によって前記電子ビームを反射させるステップ、をさらに含む、プロセス。
【請求項１４】
請求項１１に記載のプロセスであって、
前記ＥｘＢセパレータは第１のＥｘＢセパレータであり、
前記パターン状電子ビームを縮小する前に、前記パターン状電子ビームを第２のＥｘＢセパレータ内に通過させるステップ、さらに含む、プロセス。
【請求項１５】
請求項１４に記載のプロセスであって、
前記第１のＥｘＢセパレータと比較して、前記第２のＥｘＢセパレータは、磁極の位置が逆に配置されかつ電極の位置が逆に配置されている、プロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書中記載される本発明は、国防総省国防高等研究事業局から付与された契約番号ＨＲ００１１−０７−９−０００７下の政府支援によって為されたものである。よって、本発明における特定の権利は、米国政府が有し得る。
【０００２】
本発明は、主に半導体製造および関連技術に関する。より詳細には、本発明は、電子ビームリソグラフィーに関する。
【背景技術】
【０００３】
当該分野において周知のように、リソグラフィープロセスでは、レジストのパターン状露出により、レジストの部分を選択的に除去することで、下層領域を選択的処理（例えば、エッチング、材料堆積、注入）の対象として露出させ得る。従来のリソグラフィープロセスでは、このようなレジストの選択的露出において、紫外線の形態の電磁エネルギーを利用している。電磁エネルギー（ｘ線を含む）の代替として、高分解能リソグラフィーレジスト露出において荷電粒子ビームが用いられている。詳細には、電子ビームが用いられている理由として、低質量の電子により、比較的高精度の電子ビームの制御を比較的低出力および比較的高速で行うことが可能な点がある。この電子ビームシステムはまた、デジタル情報から直接パターンを生成することもでき、これにより、電子ビームリソグラフィー、マスクなしリソグラフィーが可能となる。電子ビームリソグラフィーシステムを挙げると、電子ビーム直接書き込みリソグラフィーシステムおよび電子ビーム投射リソグラフィーシステムがある。
【発明の概要】
【０００４】
本発明の一実施形態は、反射電子ビームリソグラフィーのための装置に関する。前記装置は、電子源と、パターン状電子反射構造と、ステージと、縮小電子レンズ系と、ＥｘＢセパレータとを含む。前記ＥｘＢセパレータは、前記電子源構造からの電子ビームの軌跡を前記パターン状電子反射構造に向かって偏向させるように構成される。前記ダイナミックパターンジェネレータ構造は、前記電子ビームの一部を選択的に反射させてパターン状電子ビームを形成するように、構成される。前記ＥｘＢセパレータは、前記パターン状電子ビームが内部を通過して前記縮小電子レンズに向かうように、さらに構成される。前記縮小電子レンズは、前記パターン状電子ビームを縮小し、前記縮小されたパターン状電子ビームを前記目標基板上に投射するように、構成される。
【０００５】
別の実施形態は、電子ビームリソグラフィーのためのプロセスに関する。電子源から出射された電子から、電子ビームが形成される。ＥｘＢセパレータにより、前記電子ビームの軌跡がパターン状電子反射器に向かって偏向される。前記電子ビームの選択部分が、パターン状電子ビームを形成するように、前記パターン状電子反射器によって反射される。前記パターン状電子ビームは、実質的に無偏向の状態で、前記ＥｘＢセパレータを通過する。その後、前記パターン状電子ビームは縮小され、目標基板上に投射される。
【０００６】
他の実施形態および局面も開示される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１Ａ】本発明の第１の実施形態によるＥｘＢセパレータを用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置の模式図である。
【図１Ｂ】図１Ａ中の構成の対応する光線図である。
【図１Ｃ】図１Ａ中の光線図中の像面を示す。
【図１Ｄ】図１Ａ中の光線図における場クロスオーバーを示す。
【図２Ａ】本発明の第２の実施形態による、ＥｘＢセパレータを用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置の模式図である。
【図２Ｂ】図２Ａ中の構成の対応する光線図である。
【図２Ｃ】図２Ａ中の光線図中の像面を示す。
【図２Ｄ】図２Ａ中の光線図における場クロスオーバーを示す。
【図３】本発明の第３の実施形態による、ＥｘＢセパレータを用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置の模式図である。
【図４】本発明の第４の実施形態による、ＥｘＢセパレータを用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置の模式図である。
【図５】本発明の第５の実施形態による、ＥｘＢセパレータを用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置の模式図である。
【図６】本発明の第６の実施形態による、ＥｘＢセパレータを用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置の模式図である。
【図７Ａ】本発明の実施形態によるダイナミックパターンジェネレータ（ＤＰＧ）の動作を示す図である。
【図７Ｂ】本発明の実施形態によるダイナミックパターンジェネレータ（ＤＰＧ）の動作を示す図である。
【図８Ａ】本発明の実施形態によるＥｘＢセパレータを示す断面図である。
【図８Ｂ】本発明の実施形態によるＥｘＢセパレータを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１Ａは、本発明の第１の実施形態によるＥｘＢセパレータ１１０を用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置１００の模式図である。図１Ｂ、図１Ｃおよび図１Ｄは、図１Ａ中の構成の対応する電子／光線図である。装置１００は、電子銃（源）１０２を含む。電子銃（源）１０２は、陰極１０３と、銃陰極レンズ１０４とを含み、これにより電子ビームを形成する。
【０００９】
銃陰極レンズ１０４は、界浸陰極レンズであり得、陰極１０３から出射された電子を、第１の対物レンズ１０６の近隣のクロスオーバー内に集束させる。この第１の対物レンズ１０６は、ＥｘＢセパレータ１１０の近隣において、前記陰極を結像させる。一実施構成において、陰極レンズ１０４は、第１の対物レンズ１０６内においてまたは第１の対物レンズ１０６の近隣において、ビームクロスオーバーを形成する。ＥｘＢセパレータ１１０は、第１の縮小（ｄｅｍａｇ）レンズ１１２の真下に配置され、電子ビーム１０７の軌跡をＤＰＧ１１８に向かって屈曲または偏向するように、配置される。この偏向が発生する理由は、前記電子ビームを含む電子の速度の方向は主にＥｘＢセパレータからの（等しい値の）電気力および磁力が増加する方向であるため、偏向力が倍加するためである。偏向１０９の角度は比較的小さく、例えば、１０〜２０度の範囲である。（セパレータ１１０による偏向１０９の角度も、電子ビーム１０７がセパレータ１１０内に入る入射角１０９である）。ＥｘＢセパレータ１１０について、図８Ａおよび図８Ｂを参照してさらに以下に説明する。
【００１０】
第１の縮小レンズ１１２は、第１の縮小レンズ１１２の上に別のクロスオーバーを形成するように、再度方向付けられた電子ビーム１１３を集束させ、それと同時に、ＥｘＢセパレータ１１０の近隣に配置された陰極１０３の拡大像をＤＰＧ１１８上に形成する。この陰極の拡大像は、ＤＰＧ１１８における照明均一性を増加させるよう、意図的に若干焦点から外れさせてもよい。ＤＰＧレンズ１１６は、二重目的を果たす静電レンズであり得る。詳細には、ＤＰＧレンズ１１６は、無限遠において前記クロスオーバーの虚像を形成し得、前記再度方向付けられた電子ビーム１１３の電子を数ボルトの陰極電位内に収まるように減速させる。ＤＰＧレンズ１１６は、例えば、界浸陰極レンズを含み得る。界浸陰極レンズは、ＤＰＧ１１８の表面における大領域の平面上に実質的に均一な電流密度（すなわち、比較的均質のフラッドビーム）を送達するように、構成される。
【００１１】
一実施形態において、ＤＰＧ１１８は、二次元配列の画素を含む。各画素は、導電性接点を含み得る。この導電性接点に対し、電圧レベルが制御された様式で付加される。以下、ＤＰＧ１１８の動作について、図７Ａおよび図７Ｂに関連して説明する。あるいは、前記ダイナミックパターンジェネレータの代わりに、別のパターン状電子反射器（例えば、静電パターン状電子反射器）を用いてもよく、その場合、パターンは動的に構成可能ではない。
【００１２】
反射された電子１１９がＤＰＧ１１８から出て行くと、ＤＰＧレンズ１１６は、反射された電子１１９を第１の縮小レンズ１１２およびＥｘＢセパレータ１１０を通じてその第２のパスに向かって再加速させるように構成され、また、陰極１０３からのビームと同一の位置において第１の縮小レンズ１１２の上方にクロスオーバーを形成するよう、ビームを集束させる。ＥｘＢセパレータ１１０は、第１の縮小レンズ１１２からの反射された電子１１９を受け取り、前記反射された電子を（偏向させることなく）第２の縮小レンズ１２０へと送るように、構成される。この場合、電子ビームを含む電子は偏向されること無く送られる。なぜならば、その速度の方向は、主に前記ＥｘＢセパレータの電気力および磁力が打ち消し合う方向であるからである。第１の縮小レンズ１１２は、ＥｘＢセパレータ１１０の近隣の陰極の像と同じ位置において、ＤＰＧ１１８の縮小像を同時に形成し、最終縮小レンズ１２０の真上の近隣において別のクロスオーバーを形成するように、無偏向電子ビーム１１３を集束させる。理解されるように、ＤＰＧ１１８からステージ１２４へと延びる投射軸（図１において垂直方向）は直線状である。これは、磁気プリズムセパレータを用いた従来の装置における屈曲した投射軸と比較して、有利である。
【００１３】
最終縮小レンズ１２０は、ＥｘＢセパレータ１１０と、目標基板１２２との間に配置される。最終縮小レンズ１２０は、反射された電子ビーム１１９を集束させ、前記ビームを目標基板１２２上に縮小するように、構成される。目標基板１２２は、例えば、表面上にフォトレジスト層を備えた半導体ウェーハであり得る。最終縮小レンズ１２０に起因するぼけおよび歪みは好適には、画素サイズのごく一部である。
【００１４】
基板ステージ１２４は、目標基板１２２を保持する。一実施形態において、ステージ１２４は、リソグラフィー投射時において静止している。別の実施形態において、ステージ１２４は、リソグラフィー投射時において動いている。ステージ１２４が動いている場合、リソグラフィー投射時において、このステージ１２４の動きを補償するように、ＤＰＧ１１８上のパターンを動的に調整すればよく、これにより、投射されたパターンは、ウェーハの動きに対応して移動する。ステージ１２４は、直線運動または回転運動に合わせて構成され得る。
【００１５】
図１Ｂは、光線トレース１５２の外形（点線）および線場トレース１５４の外形（実線）を示す。線場トレース１５４は、電子ビームの形状に概ね対応し、光（または像）線トレース１５２は、像面位置を示すために設けられている。図１Ｃにおいて、光線トレース１５２中のクロスオーバー点において、像面１６２が図示されている。図１Ｄにおいて、線場トレース１５４中のクロスオーバー点において、場クロスオーバー１６４が図示されている。
【００１６】
図２Ａは、本発明の第２の実施形態による、ＥｘＢセパレータ１１０を用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置２００の模式図である。図２Ｂ、図２Ｃおよび図２Ｄは、図２Ａ中の構成の対応する光学図および線場図である。
【００１７】
図２Ａ中の装置２００が図１Ａの装置１００と異なる点として、第１の対物レンズ１０６とＥｘＢセパレータ１１０との間に屈曲要素２０２が挿入されている点がある。加えて、電子銃１０２および第１の対物レンズ１０６の位置は、電子ビームが屈曲要素２０２を通じて屈曲要素２０２によって屈曲されながらＥｘＢセパレータ１１０へと向かうように、調整される。有利なことに、この屈曲要素により、電子ビームがＥｘＢセパレータ１１０内に入るときの入射角１０９を比較的浅くしつつ、電子銃１０２および第１の対物レンズ１０６を投射軸からさらに遠離方向に配置することが可能となる。屈曲要素２０２は、例えば、静電プリズムまたは磁気プリズムを含み得る。これらは、レンズ効果の弱い光学素子が得られるように、機能することもできる。
【００１８】
図２Ｂは、光線トレース２５２の外形（点線）と、線場トレース２５４の外形（実線）とを示す。線場トレース２５４は、電子ビームの形状に概ね対応し、光線（または像）トレース２５２は、像面位置を示すために設けられている。図２Ｃ中、光線トレース２５２中のクロスオーバー点において、像面２６２が図示されている。図２Ｄ中、線場トレース２５４中のクロスオーバー点において、場クロスオーバー２６４が図示されている。
【００１９】
図３は、本発明の第３の実施形態による、ＥｘＢセパレータ１１０を用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置７００の模式図である。この実施形態において、第１の縮小器レンズ３０４および転送レンズ３０６が、ＥｘＢセパレータ１１０と、最終縮小レンズ１２０との間に配意されている。
【００２０】
図４は、本発明の第４の実施形態による、ＥｘＢセパレータ１１０を用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置４００の模式図である。図４中の装置４００と、図１Ａの装置１００との間の相違点として、電子ビームが電子鏡４０４によって反射された後、その軌跡がＥｘＢセパレータ１１０によって屈曲されるように、電子銃１０２および第１の対物レンズ１０６の位置が調整されている点がある。このように電子鏡４０４を使用することで、有利なことに、電子ビームがＥｘＢセパレータ１１０内に入るときの入射角１０９を比較的浅くしつつ、電子銃１０２および第１の対物レンズ１０６を投射軸からさらに遠離方向に配置することが可能になる。電子鏡４０４は、例えば、静電デバイスを含み得る。別の相違点として、図４の装置４００が、ＥｘＢセパレータ１１０内に場を付加するように配置された対物レンズ４０２と、ＥｘＢセパレータ１１０とＤＰＧ１１８との間に配置された転送レンズ４０６とを有する点がある。
【００２１】
図５は、本発明の第５の実施形態による、ＥｘＢセパレータ１１０を用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置５００の模式図である。図５中の装置５００と、図４の装置４００との間の相違点として、電子銃１０２、銃陰極レンズ１０４、第１の対物レンズ１０６、電子鏡４０４の位置が変更されている点がある。図４と同様に、電子ビームは、電子鏡４０４によって反射された後、その軌跡がＥｘＢセパレータ１１０によって屈曲される。
【００２２】
図６は、本発明の第６の実施形態による、ＥｘＢセパレータ１１０を用いたマスクなし反射電子ビーム投射リソグラフィー装置６００の模式図である。この実施形態において、ＥｘＢセパレータ１１０内を通過した後、電子ビームは、第２のＥｘＢセパレータ６０２を通過する。第２のＥｘＢセパレータ６０２は、第１のＥｘＢセパレータ１１０と反対の様態で構成されており、すなわち、第１のＥｘＢセパレータ１１０に起因するビームの色収差を打ち消すようになっている。例えば、第１のＥｘＢセパレータ１１０と比較して、第２のＥｘＢセパレータ６０２の磁極（南北）および電極（正負）が逆になっている。その結果得られた電子ビームは、最終縮小レンズ１２０に送られ、基板１２２の表面上に投射される。このような収差を打ち消すＥｘＢセパレータは、その他の構成のうちほとんどにおいて適用可能である。
【００２３】
図７Ａおよび図７Ｂは、本発明の実施形態によるダイナミックパターンジェネレータ（ＤＰＧ）の動作を示す図である。図７Ａは、ＤＰＧ基板７０２の断面図であり、画素の列（または行）を示す。各画素は、導電領域７０４を含む。各画素に対し、制御された電圧レベルが付加される。図７Ａ中に示す例において、４つの画素が「オフ」であり、これら４つの画素に対しゼロ（０）ボルトが付加されており、一方、１つの画素が（７０４ａとして記載された導電領域と共に）は「オン」であり、この１つの画素に対し１ボルトが付加されている。（具体的な電圧は、システムのパラメータによって異なり得る。）その結果得られた局所的静電等電位線７０６が歪み７０６ａと共に図示されており、歪み７０６ａは、図示の「オフ」画素に関連する。この例において、前記ＤＰＧに接近した入射電子７０８は、前方において停止状態となり、前記「オン」画素それぞれによって反射されるが、入射電子７０８ａは、前記「オフ」画素内に引き寄せられ、前記「オフ」画素によって吸収される。その結果得られた反射電流（単位は任意）を図７Ｂ中に示す。図７Ｂから分かるように、前記反射電流は、前記「オフ」画素に対して「０」であり、前記「オン」画素に対して「１」である。
【００２４】
ＥｘＢセパレータは、ウィーンフィルタと呼ばれる場合もある。図８Ａおよび図８Ｂは、例示的なＥｘＢセパレータの断面図である。図８Ａおよび図８Ｂ中に図示されているのは、磁界磁極片（北）４０および（南）４２と、電界磁極片（正）４４および（負）４６である。例示的な磁界線（５０および５２）が、図８Ａ中に図示されている。これらの磁界線（５０および５２）は、磁性材料からなる磁極片４０および４２内を通過し、空間４８内においてこれら磁極片４０および４２の間を通過し、これを通じてビーム１４が通過する。一方、図８Ｂは、例示的な電界線（５４、５６、５８および６０）を示す。これらの電界線（５４、５６、５８および６０）は、電圧＋Ｖおよび電圧−Ｖが電極片４４および４６にそれぞれ付加されたときに、発生する。記載のＥｘＢセパレータまたはウィーンフィルタの例は、最も単純な形態のものであり、電気双極子および磁界のものである。収差を低減させるために、高次電気多重極偏向器および磁気偏向器を用いてもよく、その場合、典型的には８極子またはこれよりも高次のものが理想的である。一般的に、高次多極の場合、電界および磁界の双方を規定する際に同一の磁極片が用いられる。
【００２５】
先ず、電子ビームの軌跡がページ面からＺ軸に沿って出て行く場合（すなわち、＋Ｚ方向に移動してく場合）を考える。磁界から、前記ビームに対しＸ方向への力が付加される（図８Ａにおいて左方向）。電界から、前記ビームに対し＋Ｘ方向への力が付加される（図８Ｂにおいて右方向）。この場合に磁力および電気力が打ち消し合うように、界強度が調整される。そのため、前記電子ビームは、軌跡が実質的に不変のまま、ＥｘＢセパレータ内を通過する。
【００２６】
第２に、電子ビームの軌跡がＺ軸に沿ってページ面内に入る場合（すなわち、−Ｚ方向に移動する場合）を考える。磁界から、前記ビームに対し＋Ｘ方向への力が付加される（図８Ａにおいて右方向）。電界からも、前記ビームに対し＋Ｘ方向への力が付加される（図８Ｂにおいて右方向）。そのため、前記電子ビームは、電力または磁力のいずれかの２倍に等しい状態で、ＥｘＢセパレータを通過しつつ、右に偏向される。
【００２７】
本明細書中開示される反射電子ビームリソグラフィーのための装置は、驚くほど有利である。詳細には、この装置は、直線状の投射軸を有し、また、（磁気プリズムを用いた従来装置と比較して）電子ビーム経路を実質的に３分の１まで低減する。このような電子ビーム経路長さの低減により、電子間相互作用に起因するクーロンぼけが実質的に低減する。クーロンぼけが低減すると、ビーム内において利用される電流が（ぼけは同じままで）実質的に増加する。このように電流が実質的に増加すると、リソグラフィーシステムにおけるスループットが増加する。さらなる利点として、投射軸が軸方向において対称であるため、装置のセットアップおよびアライメントが簡略化される点がある。
【００２８】
上記の図は、必ずしも縮尺通りではなく、例示的なものであり、特定の実行形態に限定されない。上記記載において、本発明の実施形態を深く理解してもらうために、多数の具体的な詳細を記載している。しかし、上記記載の本発明の実施形態は、包括的なものではなく、本発明を開示の形態のみに限定することも意図していない。関連分野の当業者であれば、本発明は、上記の具体的な詳細のうちの１つ以上無しでも実行可能であり、あるいは、他の方法、部品などと共に実行することも可能であることを認識する。他の場合において、周知の構造または動作については、本発明の局面が曖昧になるのを回避するために、詳細な図示または説明を省略している。本発明の具体的実施形態および例について例示目的のため本明細書中記載しているが、関連分野の当業者であれば理解するように、多様な均等な改変が本発明の範囲内において可能である。
【００２９】
本発明のこのような改変は、上記の詳細な説明を鑑みれば実行可能である。以下の特許請求の範囲において用いられる用語は、本発明を明細書および特許請求の範囲中に開示された具体的実施形態に限定するものとして解釈されるべきではない。すなわち、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。以下の特許請求の範囲は、クレーム解釈についての確立された原理に基づいて解釈されるべきである。
【図１Ａ】
2011249811.tif 000003
【図１Ｂ】
2011249811.tif 000004
【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
2011249811.tif 000015
【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
2011249811.tif 000017
【図８Ｂ】
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【外国語明細書】
2011249811000001.pdf