(57)【要約】【課題】  不安定画素が存在した場合にも、正確な欠損登録を実行することが可能なＸ線撮影装置、Ｘ線検出器における欠損画素の補間方法、および、Ｘ線検出器における欠損マップの作成方法を提供する。【解決手段】  フラットパネルディテクタ４にＸ線を照射しない状態で各画素の画素値を測定して、欠損画素を検出する欠損画素検出部６１と、このときの画素値の分散を求めることにより不安定画素を検出する不安定画素検出部６２と、欠損マップ作成部６３で作成した欠損マップをもとに、欠損画素の近傍の画素のうち不安定画素以外の画素の画素値に基づいて欠損画素の補間処理を行う補間処理部６４とを備える。【選択図】        図１
2011019591.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体に向けてＸ線を照射するＸ線管と、Ｘ線に感応する変換膜と画素を区画する二次元アレイ状の検出素子とを有し、前記Ｘ線管から照射され被検体を通過したＸ線を検出するＸ線検出器と、を備えたＸ線撮影装置において、
前記Ｘ線検出器にＸ線を照射しない状態、または、前記Ｘ線検出器に一様なＸ線を照射した状態において、前記Ｘ線検出器における各画素の画素値を測定して、欠損画素を検出する欠損画素検出手段と、
前記Ｘ線検出器にＸ線を照射しない状態、または、前記Ｘ線検出器に一様なＸ線を照射した状態において、前記Ｘ線検出器における各画素の画素値を経時的に測定してその分散を求めることにより、不安定画素を検出する不安定画素検出手段と、
前記欠損画素の近傍の画素のうち、前記不安定画素以外の画素の画素値に基づいて、前記欠損画素の補間処理を行う補間処理手段と、
を備えたことを特徴とするＸ線撮影装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＸ線撮影装置において、
前記不安定画素検出手段により検出した不安定画素に対して、不安定画素のデータを付与するとともに、前記欠損画素検出手段により検出した欠損画素に対して、欠損画素の補間を行うときに使用すべき画素の位置情報を含む欠損画素のデータを付与することにより、欠陥マップを作成する欠損マップ作成手段を備え、
前記補間処理手段は、前記欠損マップを使用して前記欠損画素の補間処理を行うＸ線撮影装置。
【請求項３】
請求項２に記載のＸ線撮影装置において、
前記欠損画素の補間を行うときに使用すべき画素は、前記欠損画素の近傍で、かつ、前記不安定画素のデータが付与された画素以外の画素から選択されるＸ線撮影装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のＸ線撮影装置において、
前記欠陥画素検出手段は、前記Ｘ線検出器にＸ線を照射しない状態、または、前記Ｘ線検出器に一様なＸ線を照射した状態において、前記Ｘ線検出器における各画素の画素値を経時的に測定して画素値の平均値を演算するとともに、
画素値の平均値による画像に対してフィルターを適用した画像と、画素値の平均値による画像との間で減算処理を行うことにより欠損画素を検出するＸ線撮影装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のＸ線撮影装置において、
前記不安定画素検出手段は、各画素の画素値の標準偏差が、各画素の画素値の標準偏差の平均値よりも一定以上大きな画素、または、一定以上小さな画素を不安定画素として検出するＸ線撮影装置。
【請求項６】
Ｘ線に感応する変換膜と画素を区画する二次元アレイ状の検出素子とを有し、前記Ｘ線管から照射され被検体を通過したＸ線を検出するＸ線検出器に対して、欠損画素を補間するＸ線検出器における欠損画素の補間方法において、
前記Ｘ線検出器にＸ線を照射しない状態、または、前記Ｘ線検出器に一様なＸ線を照射した状態において、前記Ｘ線検出器における各画素の画素値を経時的に測定して画素値の平均値を演算するとともに、画素値の平均値による画像に対してフィルターを適用した画像と画素値の平均値による画像との間で減算処理を行うことにより欠損画素を検出する欠損画素検出工程と、
前記Ｘ線検出器にＸ線を照射しない状態、または、前記Ｘ線検出器に一様なＸ線を照射した状態において、前記Ｘ線検出器における各画素の画素値を経時的に測定してその分散を求めるとともに、各画素の画素値の標準偏差が、各画素の画素値の標準偏差の平均値よりも一定以上大きな画素、または、一定以上小さな画素を不安定画素として検出する不安定画素検出工程と、
前記欠損画素の近傍の画素のうち、前記不安定画素以外の画素の画素値を利用することにより、前記欠損画素の補間処理を行う補間処理工程と、
を備えたことを特徴とするＸ線検出器における欠損画素の補間方法。
【請求項７】
Ｘ線に感応する変換膜と画素を区画する二次元アレイ状の検出素子とを有し、前記Ｘ線管から照射され被検体を通過したＸ線を検出するＸ線検出器に対して、欠損登録を行うための欠損マップを作成するＸ線検出器における欠損マップの作成方法において、
前記Ｘ線検出器にＸ線を照射しない状態、または、前記Ｘ線検出器に一様なＸ線を照射した状態において、前記Ｘ線検出器における各画素の画素値を測定して、欠損画素を検出する欠損画素検出工程と、
前記Ｘ線検出器にＸ線を照射しない状態、または、前記Ｘ線検出器に一様なＸ線を照射した状態において、前記Ｘ線検出器における各画素の画素値を経時的に測定してその分散を求めることにより、不安定画素を検出する不安定画素検出工程と、
前記不安定画素検出工程において検出した不安定画素に対して、不安定画素コードを入力することにより、不安定画素のマッピングを行う不安定画素マッピング工程と、
前記欠損画素検出工程において検出した欠損画素に対して、欠損登録を行うときに使用すべき画素の位置を示す補正位置コードを入力することにより、欠損画素のマッピングを行う欠損画素マッピング工程とを備え、
前記欠損画素マッピング工程においては、欠損画素近傍の画素のうち、前記不安定画素コードが入力された画素以外の画素から欠損登録を行うときに使用される画素を選択することを特徴とするＸ線検出器における欠損マップの作成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、Ｘ線撮影装置、Ｘ線検出器における欠損画素の補間方法、および、Ｘ線検出器における欠損マップの作成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線撮影装置に使用されるＸ線検出器としては、例えば、フラットパネルディテクタ（ＦＰＤ）が知られている。このフラットパネルディテクタは、ＴＦＴ等のスイッチング素子が二次元アレイ（行列）状に配置された基板上に、ａ−Ｓｅ（アモルファス・セレン）等の変換膜を蒸着した構成を有する。このフラットパネルディテクタにおいては、被検体を通過したＸ線像が変換膜上に投影されると、像の濃淡に比例した電荷信号が変換膜内に発生する。この電荷信号は、二次元アレイ状に配置された画素電極により収集され、静電容量（キャパシタ）に蓄積される。静電容量に蓄積された電荷は、スイッチング素子の動作に伴って読み出され、電気信号として画像処理部に送信されて画像処理が行われる。
【０００３】
このようなａ−Ｓｅ等の変換膜を使用したＸ線検出器においては、製造プロセスにおいて欠損画素が発生する場合がある。このため、従来、一定期間毎にキャリブレーションを実行し、変換膜に対して一定の強度のＸ線を照射する一様照射を行ったときの画素値や、変換膜にＸ線を照射しない状態における画素値に基づいて欠損画素を検出している（特許文献１参照）。
【０００４】
また、Ｘ線検出器により検出した画素値を経時的に逐次に測定し、その画素値の時間変化分に基づいて画素値の時間に関する分散を求めることにより、恒常的に欠損画素でない画素についても欠損画素として検出することが可能なＸ線撮影装置も提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−３０１８８３号公報
【特許文献２】特開２００８−１９４１５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このようなＸ線検出器においては、特に欠損画素の周辺に、画素値が経時的に変化するような不安定な挙動を示す画素が存在する。このような不安定画素がキャリブレーションで検出されなかった場合には、この画素は正常画素として取り扱われることになる。
【０００７】
ところで、一般的に、欠損画素の検出後には、欠損登録が実行される。この欠損登録は、欠損画素の位置を特定するとともに、この欠損画素を補間する工程である。そして、欠損画素の補間は、欠損画素の画素値を、その欠損画素に隣接する複数の画素から中央値の画素で置換するメディアンフィルター処理や、その欠損画素に隣接する複数の画素値を利用して変換する変換処理により行われる。
【０００８】
このような欠損登録時の補間処理工程においては、上述した正常画素として取り扱われた不安定画素も、補間処理に利用されることになる。このため、この補間処理時に不安定画素が不安定な挙動を示した場合には、この不安定画素を利用して補間を行った欠損画素が適正な画素値を示さないことになり、大きな欠損塊となって画像上に現れることになる。
【０００９】
一方、上述した特許文献２のように、画素値の時間変化分に基づいて画素値の時間に関する分散を求め、恒常的に欠損画素でない画素についても欠損画素として検出する場合においては、恒久的に欠損を生じない画素についてもこれを欠損画素として検出することができるが、欠損画素と判定するか否かの閾値の設定によっては、過剰な補正を行うことになりかねない。このため、補正画素が必要以上に増大することもあり、必要な診断部位が消滅することにより正確なＸ線撮影が実行できない場合も生ずる。
【００１０】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、不安定画素が存在した場合にも、正確な欠損登録を実行することが可能なＸ線撮影装置、Ｘ線検出器における欠損画素の補間方法、および、Ｘ線検出器における欠損マップの作成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に記載の発明は、被検体に向けてＸ線を照射するＸ線管と、Ｘ線に感応する変換膜と画素を区画する二次元アレイ状の検出素子とを有し、前記Ｘ線管から照射され被検体を通過したＸ線を検出するＸ線検出器と、を備えたＸ線撮影装置において、前記Ｘ線検出器にＸ線を照射しない状態、または、前記Ｘ線検出器に一様なＸ線を照射した状態において、前記Ｘ線検出器における各画素の画素値を測定して、欠損画素を検出する欠損画素検出手段と、前記Ｘ線検出器にＸ線を照射しない状態、または、前記Ｘ線検出器に一様なＸ線を照射した状態において、前記Ｘ線検出器における各画素の画素値を経時的に測定してその分散を求めることにより、不安定画素を検出する不安定画素検出手段と、前記欠損画素の近傍の画素のうち、前記不安定画素以外の画素の画素値に基づいて、前記欠損画素の補間処理を行う補間処理手段とを備えたことを特徴とする。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記不安定画素検出手段により検出した不安定画素に対して、不安定画素のデータを付与するとともに、前記欠損画素検出手段により検出した欠損画素に対して、欠損画素の補間を行うときに使用すべき画素の位置情報を含む欠損画素のデータを付与することにより、欠陥マップを作成する欠損マップ作成手段を備え、前記補間処理手段は、前記欠損マップを使用して前記欠損画素の補間処理を行う。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記欠損画素の補間を行うときに使用すべき画素は、前記欠損画素の近傍で、かつ、前記不安定画素のデータが付与された画素以外の画素から選択される。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発明において、前記欠陥画素検出手段は、前記Ｘ線検出器にＸ線を照射しない状態、または、前記Ｘ線検出器に一様なＸ線を照射した状態において、前記Ｘ線検出器における各画素の画素値を経時的に測定して画素値の平均値を演算するとともに、画素値の平均値による画像に対してフィルターを適用した画像と、画素値の平均値による画像との間で減算処理を行うことにより欠損画素を検出する。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発明において、前記不安定画素検出手段は、各画素の画素値の標準偏差が、各画素の画素値の標準偏差の平均値よりも一定以上大きな画素、または、一定以上小さな画素を不安定画素として検出する。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、Ｘ線に感応する変換膜と画素を区画する二次元アレイ状の検出素子とを有し、前記Ｘ線管から照射され被検体を通過したＸ線を検出するＸ線検出器に対して、欠損画素を補間するＸ線検出器における欠損画素の補間方法において、前記Ｘ線検出器にＸ線を照射しない状態、または、前記Ｘ線検出器に一様なＸ線を照射した状態において、前記Ｘ線検出器における各画素の画素値を経時的に測定して画素値の平均値を演算するとともに、画素値の平均値による画像に対してフィルターを適用した画像と画素値の平均値による画像との間で減算処理を行うことにより欠損画素を検出する欠損画素検出工程と、前記Ｘ線検出器にＸ線を照射しない状態、または、前記Ｘ線検出器に一様なＸ線を照射した状態において、前記Ｘ線検出器における各画素の画素値を経時的に測定してその分散を求めるとともに、各画素の画素値の標準偏差が、各画素の画素値の標準偏差の平均値よりも一定以上大きな画素、または、一定以上小さな画素を不安定画素として検出する不安定画素検出工程と、前記欠損画素の近傍の画素のうち、前記不安定画素以外の画素の画素値を利用することにより、前記欠損画素の補間処理を行う補間処理工程とを備えたことを特徴とする。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、Ｘ線に感応する変換膜と画素を区画する二次元アレイ状の検出素子とを有し、前記Ｘ線管から照射され被検体を通過したＸ線を検出するＸ線検出器に対して、欠損登録を行うための欠損マップを作成するＸ線検出器における欠損マップの作成方法において、前記Ｘ線検出器にＸ線を照射しない状態、または、前記Ｘ線検出器に一様なＸ線を照射した状態において、前記Ｘ線検出器における各画素の画素値を測定して、欠損画素を検出する欠損画素検出工程と、前記Ｘ線検出器にＸ線を照射しない状態、または、前記Ｘ線検出器に一様なＸ線を照射した状態において、前記Ｘ線検出器における各画素の画素値を経時的に測定してその分散を求めることにより、不安定画素を検出する不安定画素検出工程と、前記不安定画素検出工程において検出した不安定画素に対して、不安定画素コードを入力することにより、不安定画素のマッピングを行う不安定画素マッピング工程と、前記欠損画素検出工程において検出した欠損画素に対して、欠損登録を行うときに使用すべき画素の位置を示す補正位置コードを入力することにより、欠損画素のマッピングを行う欠損画素マッピング工程とを備え、前記欠損画素マッピング工程においては、欠損画素近傍の画素のうち、前記不安定画素コードが入力された画素以外の画素から欠損登録を行うときに使用される画素を選択することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１に記載の発明によれば、欠損画素の近傍の画素のうち、不安定画素以外の画素の画素値を利用して欠損画素の補間処理を行うことから、不安定画素が存在した場合においても、適正な補間処理を実行して正確な欠損登録を行うことが可能となる。
【００１９】
請求項２に記載の発明によれば、不安定画素のデータと欠損画素のデータが付与された欠損マップを利用することにより、適正な補間処理を実行して正確な欠損登録を行うことが可能となる。
【００２０】
請求項３に記載の発明によれば、欠損画素の近傍で、かつ、不安定画素のデータが付与された画素以外の画素から補間を行うときに使用すべき画素を選択することから、適正な補間処理を実行可能な欠損マップを作成することが可能となる。
【００２１】
請求項４に記載の発明によれば、経時的に測定した画素値の平均値と、これに対してフィルターを適用した画像とを利用して欠損画素を検出することから、ランダムなノイズの影響を除去した上で欠損画素を検出することが可能となる。
【００２２】
請求項５に記載の発明によれば、各画素の画素値の標準偏差が各画素の画素値の標準偏差の平均値よりも一定以上大きな画素、または、一定以上小さな画素を不安定画素として検出することから、不安定画素を適切に判定することが可能となる。
【００２３】
請求項６に記載の発明によれば、欠損画素の近傍の画素のうち、不安定画素以外の画素の画素値を利用して欠損画素の補間処理を行うことから、不安定画素が存在した場合においても、適正な補間処理を実行して正確な欠損登録を行うことが可能となる。また、経時的に測定した画素値の平均値と、これに対してフィルターを適用した画像とを利用して欠損画素を検出することから、ランダムなノイズの影響を除去した上で欠損画素を検出することが可能となる。さらに、各画素の画素値の標準偏差が各画素の画素値の標準偏差の平均値よりも一定以上大きな画素、または、一定以上小さな画素を不安定画素として検出することから、不安定画素を適切に判定することが可能となる。
【００２４】
請求項７に記載の発明によれば、不安定画素に対して不安定画素コードを入力してマッピングが行われ、欠損画素に対して欠損登録を行うときに使用すべき画素の位置を示す補正位置コードを入力してマッピングが行われた欠損マップを使用して、欠損登録を行うことができる。このとき、欠損画素のマッピング時に、欠損画素近傍の画素のうち不安定画素コードが入力された画素以外の画素から欠損登録を行うときに使用される画素を選択することから、不安定画素が存在した場合においても、適正な補間処理を実行して正確な欠損登録を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】この発明に係るＸ線撮影装置の概要図である。
【図２】フラットパネルディテクタ４を側面視した等価回路である。
【図３】フラットパネルディテクタ４を平面視した等価回路である。
【図４】この発明に係る欠損画素の補間方法を示すフローチャートである。
【図５】この発明に係る欠損画素の補間方法の概念を示す説明図である。
【図６】各画素の標準偏差の分布を示すヒストグラムである。
【図７】欠損マップ作成工程により作成された欠損マップを模式的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、この発明に係るＸ線撮影装置の概要図である。
【００２７】
このＸ線撮影装置は、被検体である被検者１を載置するテーブル２と、Ｘ線管３と、フラットパネルディテクタ４と、Ａ／Ｄ変換器５と、制御部６と、記憶部７と、キーボード等の入力部１１と、ＣＲＴ等の表示部１２と、Ｘ線管３に付与する管電圧等を制御するＸ線管制御部８とを備える。また、制御部６は、後程説明するように、欠損画素を検出する欠損画素検出部６１と、不安定画素を検出する不安定画素検出部６２と、欠陥マップを作成する欠損マップ作成部６３と、欠損画素の補間処理を行う補間処理部６４とを有している。
【００２８】
このＸ線撮影装置は、Ｘ線管３からテーブル２上の被検者１に向けてＸ線を照射し、被検者１を通過したＸ線をフラットパネルディテクタ４により検出し、制御部６において検出されたＸ線を画像処理し、画像処理されたＸ線による映像信号を利用して表示部１２にＸ線透視像を表示する構成を有する。
【００２９】
次に、フラットパネルディテクタ４の構成について説明する。図２は、フラットパネルディテクタ４を側面視した等価回路である。また、図３は、フラットパネルディテクタ４を平面視した等価回路である。
【００３０】
これらの図に示すように、このフラットパネルディテクタ４は、ガラス基板４１と、このガラス基板４１上に形成されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）４２と、このＴＦＴ上に蒸着されたａ−Ｓｅ等の変換膜４３と、この変換膜４３上に配置された共通電極４４とを備える。
【００３１】
ＴＦＴ４２には、縦横のマトリックス状、すなわち、二次元アレイ状の配置で、電荷収集電極である画素電極４５が配設されている。この画素電極４５は、例えば、行列方向に１０２４個×１０２４個配置されている。図２および図３においては、行列方向に３個×３個配置した場合を模式的に示している。各画素電極４５には、スイッチング素子４６と、静電容量（キャパシタ）４７とが接続されている。
【００３２】
各画素電極４５は、各スイッチング素子４６のソースＳに接続されている。図３に示すゲートドライバ５１には、複数本のゲートバスライン５２が接続されており、これらのゲートバスライン５２はスイッチング素子４６のゲートＧに接続されている。一方、図３に示すように、電荷信号を収集して１つに出力するマルチプレクサ５３には、増幅器５４を介して複数本のデータバスライン５５が接続されており、これらのデータバスライン５５は、各スイッチング素子４６のドレインＤに接続されている。
【００３３】
このフラットパネルディテクタ４においては、被検者１を通過したＸ線像が変換膜４３上に投影されると、像の濃淡に比例した電荷信号（キャリア）が変換膜４３内に発生する。この電荷信号は、二次元アレイ状に配置された画素電極４５により収集され、静電容量４７に蓄積される。そして、共通電極４４にバイアス電圧を印加した状態で、ゲートドライバ５１によりゲートバスライン５２に電圧を印加することにより、各スイッチング素子４６のゲートＧがオン状態となる。これにより、静電容量４７に蓄積された電荷信号は、スイッチング素子４６におけるソースＳとドレインＤとを介して、データバスライン５５に読み出される。各データバスライン５５に読み出された電荷信号は、増幅器５４で増幅され、マルチプレクサ５３で１つの電荷信号にまとめられて出力される。この電荷信号は、Ａ／Ｄ変換器５でディジタル化され、Ｘ線検出信号として図１に示す制御部６に出力される。
【００３４】
このような構成を有するフラットパネルディテクタ４においては、製造プロセスにおいて、ａ−Ｓｅ等からなる変換膜４３の特性に基づく欠損画素が発生する場合がある。また、このフラットパネルディテクタ４の使用を継続した場合に、変換膜４３の特性の経時的な変化に起因する欠損が生ずる場合がある。このため、一定期間毎にフラットパネルディテクタ４のキャリブレーションが実行され、この発明に係る欠損画素の補間方法により、欠損画素の補間処理を含む欠損登録が実行される。
【００３５】
次に、この発明に係る欠損画素の補間方法について説明する。図４は、この発明に係る欠損画素の補間方法を示すフローチャートである。また、図５は、この発明に係る欠損画素の補間方法の概念を示す説明図である。
【００３６】
欠損画素を確認してその補間を行う欠損登録を実行するためにキャリブレーションを行う場合には、最初に暗電流値を測定する（ステップＳ１）。この暗電流値の測定時には、図１に示す欠損画素検出部６１により、フラットパネルディテクタ４における変換膜４３にＸ線を照射していない状態で、図２および図３に示すスイッチング素子４６を順次オン状態としたときにデータバスライン５５により読み出される電荷信号に基づいて、各画素の画素値を暗電流値として順次測定する。この暗電流値の測定は、各画素毎（例えば、１０２４×１０２４個の画素毎）に一定の撮影周期で行われる。そして、各画素の暗電流値により、図５に示す複数フレームの画像Ｍｉが取得される。
【００３７】
なお、この実施形態においては、フラットパネルディテクタ４にＸ線を照射していない状態で暗電流値を測定しているが、これに変えて、フラットパネルディテクタ４に対して一様なＸ線を照射したときの電流値を測定してもよい。すなわち、このキャリブレーション時においては、フラットパネルディテクタ４の各画素が同一の条件となったときの画素値を測定することができればよい。
【００３８】
次に、アベレージング処理工程が実行される(ステップＳ２）。このアベレージング処理工程においては、暗電流値による複数フレームの画像Ｍｉをフレーム間で平均化する。すなわち、図５に示すように、各フレームＭｉの画像毎に、同一位置の画素の画素値（ｘｉ）の平均値（ｘａ）を求める。そして、この画素値の平均値（ｘａ）を有する画像Ｍａを求める。この画像Ｍａ、すなわち、各画素における暗電流値の平均値（ｘａ）は、記憶部７に記憶される。このように、複数フレームの画像に対してアベレージング処理を行うことにより、ランダムなノイズの影響を除去することができ、また、恒常的には欠損とは判定されないが画像上に欠損として表れる画素を認識することが可能となる。
【００３９】
次に、この平均値（ｘａ）を有する画像Ｍａに対して、メディアンフィルターを適用する（ステップＳ３）。この場合には、画素値の平均値（ｘａ）を有する画像Ｍａに対して、例えば、Ｎ×１のメディアンフィルターと１×Ｎのメディアンフィルターを、互いに直交する方向に適用する。そして、画素値の平均値（ｘａ）を有する画像Ｍａに対してメディアンフィルターを適用した画像と、画素値の平均値（ｘａ）を有する画像Ｍａとの間で減算処理を行う（ステップＳ４）。しかる後、減算処理後の画素値が突出している画素を欠損画素と判定する（ステップＳ５）。判定された欠損画素の情報は、図１に示す記憶部７に記憶される。
【００４０】
上述した実施形態においては、Ｎ×１のメディアンフィルターと１×Ｎのメディアンフィルターを、互いに直交する方向に適用することにより、ターゲットの画像を抽出している。このように行数または列数が１のメディアンフィルターを利用した場合には、フィルター処理を高速に実行することができる。そして、これらのフィルターを互いに直交する方向に対して適用して画像の全面をフィルター処理することにより、Ｎ×Ｎのメディアンフィルターを使用した場合と比較して、フィルター処理に要する時間を大幅に短縮することが可能となる。
【００４１】
なお、上述した実施形態においては、フィルター処理にメディアンフィルターを使用しているが、このメディアンフィルターに替えて、ローパスフィルター等の他のフィルターを適用することも可能である。
【００４２】
次に、各フレームＭｉの画素値（ｘｉ）に対して、分散の演算を行う（ステップＳ６）。この演算は、図１に示す不安定画素検出部６２により実行され、同一位置の画素の画素値（ｘｉ）の分散（σ２）が求められる。この分散（σ２）を求めるときには、下記の式（１）が使用される。
【００４３】
【数１】
2011019591.tif 000003
ここで、画素の平均値（ｘａ）は下記の式（２）で表される。
【００４４】
【数２】
2011019591.tif 000004
【００４５】
次に、分散演算処理工程（ステップＳ６）で求められた分散（σ２）をもとにして、不安定画素を判定する（ステップＳ７）。この不安定画素の判定は、図１に示す不安定画素検出部６２により実行される。
【００４６】
図６は、各画素の標準偏差の分布を示すヒストグラムである。この図においては、分散（σ２）からもとめた標準偏差（σ）を横軸に、また、各画素の度数（例えば、１０２０×１０２０個の頻度に対する度数）を縦軸にとっている。
【００４７】
このヒストグラムは、ほぼ正規分布であると考えられ、正常な画素の標準偏差は標準偏差の平均値あたりに集中する。そして、画素値が経時的に変化する不安定画素は、その標準偏差が正常画素よりもかなり大きいか、かなり小さい値を有している。このため、不安定画素検出部６２は、その標準偏差が標準偏差の平均値より予め設定した閾値Ｅ以上大きい画素と、閾値Ｅ以上小さい画素を不安定画素として判定する。判定された不安定画素の情報は、図１に示す記憶部７に記憶される。
【００４８】
なお、この閾値Ｅは、予め実験的に求めておく。この閾値Ｅを、上述した特許文献２に記載されたように、先に求めた分散（σ２）の空間分布の標準偏差に基づいて決定するようにしてもよい。
【００４９】
次に、欠損画素判定工程（ステップＳ５）で判定された欠損画素と不安定画素判定工程（ステップＳ７）で判定された不安定画素に基づいて、欠損画素と不安定画素のマッピングを行う欠損マップ作成工程を実行する（ステップＳ８）。この欠損マップ作成工程は、図１に示す欠損マップ作成部６３により実行される。この欠損マップ作成工程は、不安定画素マッピング工程と欠損画素マッピング工程とから構成される。
【００５０】
図７は、欠損マップ作成工程（ステップＳ８）により作成された欠損マップを模式的に示す説明図である。この図において、符号Ａを付した矩形は欠損画素判定工程（ステップＳ５）で判定された欠損画素を示しており、符号Ｂを付した矩形は不安定画素判定工程（ステップＳ７）で判定された不安定画素を示しており、符号を付していない矩形は正常画素を示している。また、この図における矢印は、欠損画素を補間するために使用する補間対象の正常画素を示している。
【００５１】
欠損マップ作成工程における不安定画素マッピング工程においては、不安定画素判定工程（ステップＳ７）において検出した不安定画素に対して、不安定画素コードを入力することにより、不安定画素のマッピングを行う。一方、欠損マップ作成工程における欠損画素マッピング工程においては、欠損画素判定工程（ステップＳ５）において検出した欠損画素に対して、欠損登録を行うときに使用すべき画素の位置を示す補正位置コードを入力することにより、欠損画素のマッピングを行う。
【００５２】
このとき、欠損画素に対して欠損登録を行うときに使用すべき画素としては、欠損画素近傍の画素のうち、不安定画素コードが入力された不安定画素以外の画素が使用される。すなわち、一般的な補間処理においては、欠損画素に対して、その欠損画素の近傍の画素の画素値を利用することにより、メディアンフィルター処理や置換処理を行っている。しかしながら、この発明に係る欠損画素の補間方法においては、図７に示すように、欠損画素近傍の複数の画素のうち、不安定画素と欠損画素を除いた近傍の正常画素が使用される。
【００５３】
なお、図７に示す実施例においては、近傍の２個の画素から補間処理を行う場合を示している。但し、２個以上の正常画素を利用して補間処理を行ってもよい。また、図７においては、９個の欠損画素のうちの３個の欠損画素に対して、選択された正常画素を示している。
【００５４】
このようにして欠損登録を行うときに使用すべき画素が決定すれば、その画素の位置を示す補正位置コードが、欠損画素に対して入力される。この欠損登録を行うときに使用すべき画素の決定と、その画素の位置を示す補正位置コードの入力動作は、図１に示す欠損マップ作成部６３により実行される。
【００５５】
このようにして欠損マップ作成工程（ステップＳ８）において欠損マップが作成されれば、この欠損マップを利用して補間処理工程を実行する（ステップＳ９）。この補間処理工程においては、欠損マップ作成工程（ステップＳ８）により作成された欠損マップにおける欠損画素を、そこに入力された補正位置コードに基づいて選択した正常画素を利用して補間処理する。この補間処理としては、上述したメディアンフィルター処理や置換処理等の公知の補間方法が採用される。
【００５６】
なお、この補間処理工程においては、不安定画素判定工程（ステップＳ７）において検出した不安定画素については、正常画素と同様、補間処理は行わない。この不安定画素については、次のキャリブレーション時に欠損画素と判定された場合に、補間処理が実行される。なお、不安定画素は、経時的に欠損画素に推移する可能性が高い。このため、この不安定画素を特別に監視することにより、フラットパネルディテクタ４の交換時期の予測等を行うようにしてもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１      被検者
２      テーブル
３      Ｘ線管
４      フラットパネルディテクタ
６      制御部
７      記憶部
８      Ｘ線管制御部
１１    入力部
１２    表示部
４１    ガラス基板
４２    ＴＦＴ
４３    変換膜
４４    共通電極
４５    画素電極
４６    スイッチング素子
４７    静電容量
５１    ゲートドライバ
５２    ゲートバスライン
５３    マルチプレクサ
５４    増幅器
５５    データバスライン
６１    欠損画素検出部
６２    不安定画素検出部
６３    欠損マップ検出部
６４    補間処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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