(57)【要約】【課題】従来の半導体装置では、アイランドの露出面への樹脂ばりを規制し難いという問題があった。【解決手段】本発明の半導体装置では、樹脂パッケージ２の裏面５からアイランド６の一部が露出する。露出するアイランド６には、その外周端部に沿って溝７が形成される。この構造により、アイランド６の露出面に樹脂ばりが発生した場合でも、溝７の内側に樹脂ばりが形成されることはなく、確実に実装領域が確保される。そして、アイランド６も実装領域として用いることで、半導体装置の実装強度が向上される。【選択図】図１
2011091145.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイランドと、前記アイランドの周囲に配置されたリードと、前記アイランド上に接着材を介して固着された半導体素子と、前記半導体素子と前記リードとを電気的に接続する金属細線と、前記アイランド、前記リード、前記金属細線及び前記半導体素子を被覆する樹脂パッケージとを有する半導体装置において、
前記アイランドの一部は、前記樹脂パッケージの実装面から露出し、前記アイランドの露出面には、前記アイランドの外周端部よりも内側に一環状の溝が配置され、少なくとも前記溝の内側に位置する前記アイランドの露出面は実装領域として用いられることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記アイランドの外周端部と前記溝との間に位置する前記アイランドの露出面は平坦面となることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記平坦面の一部には前記アイランドの外周端部に沿って凹部が配置され、前記凹部と前記溝との間には前記平坦面が配置されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記溝は、前記外周端部に沿って配置され、前記溝の内側に位置する前記アイランドの露出面には位置認識マークが形成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記溝は、少なくとも前記接着材または前記半導体素子が配置された領域の下方に配置されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記溝の内側に位置する前記アイランドの露出面には、前記接着材内のボイド拡散溝が形成されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
アイランドと、前記アイランドの周囲に配置された複数のリードとを有する搭載部が設けられたリードフレームを準備し、
前記アイランドの一主面上に半導体素子を固着し、前記半導体素子の電極パッドと前記リードとを金属細線によりワイヤーボンディングし、
前記搭載部を樹脂で被覆し、少なくとも前記リードフレームの一主面側を被覆するように樹脂パッケージを形成する半導体装置の製造方法において、
前記アイランドの他の主面側に前記アイランドの外周端部よりも内側に一環状の溝を形成した後、前記リードフレームの他の主面側にシートを貼り合わせ、前記溝が前記シートにより塞がれた状態にて前記樹脂パッケージを形成する樹脂モールド工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記アイランドの他の主面では、前記外周端部と前記溝との間の平坦面が前記シートを構成する粘着層と密着し、前記溝が前記粘着層により塞がれた状態にて前記樹脂モールド工程を行うことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂ばりの発生領域を規制する半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の一実施例として、下記の構造が知られている。
【０００３】
図１０（Ａ）に示す如く、半導体装置６１は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）型から成り、アイランド６２上面にはヒートシンク６３が固着され、ヒートシンク６３上面に接着材６４により半導体素子６５が固着される。半導体素子６５の電極パッド（図示せず）とリード６６とは、金属細線６７により電気的に接続される。そして、半導体素子６５等は樹脂パッケージ６８内に被覆される。
【０００４】
図１０（Ｂ）に示す如く、樹脂パッケージ６８の裏面６９からは、アイランド６２やリード６６が露出し、アイランド６２やリード６６の露出面は、樹脂パッケージ６８の裏面６９と、実質、同一面を形成する。そして、露出するアイランド６２やリード６６は、実装領域として用いられる（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１４７９１８号公報（第７−９頁、第１図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＱＦＮ型の樹脂パッケージ６８では、一般的には、樹脂モールド時にリードフレームの裏面側にモールド用のシートを貼り合わせることで、アイランド６２の裏面７０側への樹脂ばりの発生を抑止する。
【０００７】
しかしながら、この方法を用いた場合でも、アイランド６２とシートとの接着状況等により、アイランド６２の裏面７０側に樹脂ばり７１が発生する。樹脂ばり７１の発生量に応じて実装領域が異なり、実装強度が低下する等の問題がある。そして、アイランド６２の裏面７０側を安定した実装領域として使用し難いという問題がある。また、アイランド６２の裏面７０側に樹脂ばり７１が発生した場合には、ウォータージェット等により樹脂ばり７１の除去工程が必要となり、製造コストが余分に掛かるという問題もある。更に、昨今の半導体装置６１の微細化の流れにより、樹脂パッケージ６８から露出するアイランド６２の領域自体が狭くなり、前述したウォータージェット等によっても樹脂ばり７１を除去し難いという問題もある。そして、その除去工程にて、樹脂ばり７１だけでなく、アイランド６２周囲の樹脂まで除去された場合には、アイランド６２が樹脂パッケージ６８から抜け落ちる等の新たな問題も発生し、作業の簡略化が図り難いという問題がある。
【０００８】
また、樹脂パッケージ６８の裏面６９から露出するアイランド６２を利用して位置認識マークを形成する構造がある。この構造の場合においても、アイランド６２の裏面７０に発生する樹脂ばり７１により位置認識精度が低下し、あるいは、位置認識マークとして利用出来ないという問題がある。また、この場合においても、前述したように、樹脂ばり７１の除去により製造コストが余分に掛かる問題や樹脂ばり７１の除去自体が困難である問題も同様に発生する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前述した各事情に鑑みて成されたものであり、本発明の半導体装置では、アイランドと、前記アイランドの周囲に配置されたリードと、前記アイランド上に接着材を介して固着された半導体素子と、前記半導体素子と前記リードとを電気的に接続する金属細線と、前記アイランド、前記リード、前記金属細線及び前記半導体素子を被覆する樹脂パッケージとを有する半導体装置において、前記アイランドの一部は、前記樹脂パッケージの実装面から露出し、前記アイランドの露出面には、前記アイランドの外周端部よりも内側に一環状の溝が配置され、少なくとも前記溝の内側に位置する前記アイランドの露出面は実装領域として用いられることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、アイランドと、前記アイランドの周囲に配置された複数のリードとを有する搭載部が設けられたリードフレームを準備し、前記アイランドの一主面上に半導体素子を固着し、前記半導体素子の電極パッドと前記リードとを金属細線によりワイヤーボンディングし、前記搭載部を樹脂で被覆し、少なくとも前記リードフレームの一主面側を被覆するように樹脂パッケージを形成する半導体装置の製造方法において、前記アイランドの他の主面側に前記アイランドの外周端部よりも内側に一環状の溝を形成した後、前記リードフレームの他の主面側にシートを貼り合わせ、前記溝が前記シートにより塞がれた状態にて前記樹脂パッケージを形成する樹脂モールド工程を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、樹脂パッケージから露出するアイランドに溝が配置されることで、溝よりも内側のアイランドの露出面への樹脂ばりの発生が抑止される。
【００１２】
また、本発明では、アイランドの露出面の溝より外周側に凹部が形成されることで、樹脂パッケージのアンカー効果が得られる。
【００１３】
また、本発明では、溝よりも内側のアイランドの露出面に位置認識マークが形成されることで、位置認識精度が向上される。
【００１４】
また、本発明では、半導体素子等が固着した領域の下方に溝が配置されることで、溝に起因したアイランドの折り曲がりが防止される。
【００１５】
また、本発明では、溝よりも内側のアイランドの露出面にボイド拡散用の溝が形成されることで、実装強度が向上される。
【００１６】
また、本発明では、アイランドの露出面に設けられた溝を利用して樹脂モールドを行うことで、溝より内側のアイランドへの樹脂ばりの発生を抑止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）斜視図、（Ｂ）平面図、（Ｃ）断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図である。
【図３】本発明の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図、（Ｃ）断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）平面図、（Ｃ）平面図である。
【図５】本発明の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図である。
【図６】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図７】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）平面図である。
【図８】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図、（Ｃ）断面図である。
【図９】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図である。
【図１０】従来の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明の一実施の形態である半導体装置について説明する。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す半導体装置の裏面側を説明する平面図である。図１（Ｃ）は、図１（Ａ）に示す半導体装置のＡ−Ａ線方向の断面図である。図２（Ａ）は、アイランドの樹脂ばり調整用の溝を説明する断面図である。図２（Ｂ）は、アイランドの裏面側を説明する平面図である。
【００１９】
先ず、図１（Ａ）に示す如く、半導体装置１は、例えば、ＭＡＰ（Ｍａｔｒｉｘ  Ａｒｒａｙ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ  ｍｅｔｏｄ）型の樹脂パッケージ２から成る。詳細は製造方法の説明にて後述するが、リードフレームの複数の搭載部を一括して封止した後、ダイシングにより個片化するため、樹脂パッケージ２の側面３からリード４が露出する。そして、露出するリード４は、樹脂パッケージ２の側面３とほぼ同一面を形成する。尚、樹脂パッケージ２は、その表面、裏面５及び４つの側面３から成る６面体として構成される。
【００２０】
次に、図１（Ｂ）に示す如く、樹脂パッケージ２の裏面５にはアイランド６が露出し、アイランド６の露出面は、樹脂パッケージ２の裏面５とほぼ同一面を形成する。また、樹脂パッケージ２の裏面５にはリード４が露出し、アイランド６を囲むように配置される。そして、アイランド６の露出面には、アイランド６形状に沿って一環状に溝７が形成される。また、丸印８にて示すように、アイランド６のコーナー部の一部を切り欠くことで、アイランド６の露出形状が位置認識マークとして利用される。
【００２１】
次に、図１（Ｃ）に示す如く、アイランド６上には、例えば、Ａｇペースト、半田等の接着材９により半導体素子１０が固着される。半導体素子１０上面には複数の電極パッド４７（図７（Ｂ）参照）が形成され、電極パッド４７とリード４とは金属細線１１により接続される。金属細線１１としては、金線や銅線が用いられる。
【００２２】
次に、図２（Ａ）は、樹脂パッケージ２の溝７が配置された領域を示す。詳細は製造方法の説明にて後述するが、樹脂モールド工程ではアイランド６の露出面側に樹脂モールド用シートを貼り合わせることで、アイランド６の露出面への樹脂の廻り込みを防止する。しかしながら、アイランド６の外周端部１２では、その接着状況等に応じてアイランド６の露出面へと樹脂が廻り込み、樹脂ばり１３が発生する場合もある。
【００２３】
そこで、半導体装置１では、溝７が、アイランド６の外周端部１２の近傍に配置される。そして、溝７の深さが、例えば、アイランド６の厚みの１／２〜１／３程度となり、溝７は、樹脂モールド時に樹脂を溜め込む領域となる。この構造により、アイランド６の端部１２から溝７までの領域Ｗ１は、樹脂ばり１３の形成領域として用いられる。そして、アイランド６の領域Ｗ１では、端部１２からの平坦面にて、アイランド６の露出面側への樹脂の廻り込みを規制し、樹脂ばり１３の発生自体が低減される。一方、アイランド６の溝７より内側に位置する領域Ｗ２は、実装領域として用いられ、樹脂ばり１３が発生しない領域となる。尚、溝７にて樹脂の進行を止める状況は、図８を用いて製造方法の説明にて後述する。
【００２４】
次に、図２（Ｂ）は、アイランド６の露出面への樹脂ばり１３の発生状況を示す。点線１４で示す領域が、アイランド６の外周端部１２を示し、前述したアイランド６の領域Ｗ１には、樹脂ばり１３が形成される。図示したように、樹脂ばり１３は、溝７まで到達する領域と、溝７まで到達しない領域とを有するが、樹脂ばり１３はアイランド６の領域Ｗ２には形成されない。この構造により、アイランド６の領域Ｗ２は、露出領域として一定面積を有するため、確実に実装領域として利用でき、安定した実装強度も得られる。更に、領域Ｗ２には樹脂ばり１３が形成されることもなく、樹脂ばり１３を除去する工程を省くことができ、製造コストが低減される。また、樹脂パッケージ２が微細化された場合でも、樹脂ばり１３を除去する工程を省くことができ、アイランド６周囲の樹脂まで除去されることが防止され、アイランド６が樹脂パッケージ２から抜け落ち易くなる等の不良化が防止される。
【００２５】
また、前述したように、溝７は、アイランド６形状に沿って形成され、アイランド６の領域Ｗ２は、アイランド６の外形に対して相似形に形成される。丸印８にて示すように、溝７内側のアイランド６の領域Ｗ２には、アイランド６の外形と同様に切り欠き領域を有する。この構造により、アイランド６の領域Ｗ１が樹脂ばり１３により被覆された場合でも、アイランド６の領域Ｗ２を用いることで、位置認識用マークとしての役割を果たすことができる。
【００２６】
次に、本発明の他の実施の形態である半導体装置について説明する。図３（Ａ）〜図３（Ｃ）では、図１及び図２に示す構造と同一の構成部材には同じ符番を付し、その説明を参照することとする。
【００２７】
先ず、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す構造では、図１及び図２を用いて説明した構造とは、アイランド６の露出面の最外周に凹部１５が一環状に配置される点が異なる。そして、アイランド６の領域Ｗ１には、樹脂パッケージ２のアンカー効果用の凹部１５と樹脂ばりの進行を止める溝７とが配置される。
【００２８】
具体的には、図３（Ｂ）に示すように、樹脂パッケージ２を構成する樹脂は、樹脂モールドの工程時にアイランド６の露出面側まで廻り込み、凹部１５内を埋設する。そして、樹脂パッケージ２が、アイランド６の端部１６を包み込むように凹部１５を埋設し、アンカー効果が得られる。
【００２９】
更に、アイランドの凹部１５の内側には領域Ｗ１が配置され、領域Ｗ１は樹脂ばり１３の形成領域として用いられる。領域Ｗ１では、平坦領域１７よりもアイランド６中央側に溝７が配置される。前述したように、平坦領域１７表面には樹脂ばり１３が発生するが、樹脂モールド時に樹脂は、溝７内に溜り込み、アイランド６の領域Ｗ２まで進行しない。つまり、凹部１５と溝７との間に平坦領域１７を配置し、その平坦領域１７によりアイランド６の露出面側への樹脂の廻り込みを規制し、溝７にて樹脂の進行を抑止することで、領域Ｗ２での樹脂ばり１３の発生が抑止される。
【００３０】
次に、図３（Ｃ）に示す構造では、図１及び図２を用いて説明した構造とは、アイランド６に配置される溝７の位置が異なる。
【００３１】
図示したように、アイランド６の表面側に半導体素子１０や接着材９が配置された領域Ｗ３の下方に溝７が形成されることで、アイランド６の反り防止効果が得られる。尚、溝７は、半導体素子１０の配置領域下方に形成される方がより大きな効果が得られるが、少なくとも接着材９の配置領域下方に溝７が形成される場合でも効果は得られる。
【００３２】
具体的には、アイランド６上面には樹脂パッケージ２が形成され、アイランド６の線膨張係数と樹脂パッケージ２の線膨張係数とは異なる。また、樹脂パッケージ２の厚みは、アイランド６の厚みよりも厚くなるため、樹脂硬化後には、樹脂パッケージ２の収縮力に支配され、矢印で示すようにアイランド６には反り上がる力が加わる。このとき、溝７が、アイランド６の露出面側に配置されることで、溝７を起点としてアイランド６が折れ曲がる恐れがある。しかしながら、領域Ｗ３では、アイランド６、接着材９及び半導体素子１０によりその厚みが厚くなり、硬度が高くなることで、アイランド６の反り上がり難い領域となる。そして、その領域Ｗ３に溝７が配置されることで、溝７に起因したアイランド６の反り上がりが防止される。その結果、アイランド６が反り上がることでリード４も反り上がり実装不良を招く問題も誘発されるが、前述した溝７の配置によりこれら問題が発生することはない。
【００３３】
更に、領域Ｗ３に位置し、半導体素子１０の電極パッド４７（図７（Ｂ）参照）下方から半導体素子１０の外周端部までの領域ＷＸに溝７が配置されることが好ましい。樹脂パッケージ２は、使用状況の温度サイクルに応じて膨張や収縮を繰り返すため、樹脂パッケージ２には、絶えず前述した反り上がる力が加わる。そのため、仮に溝７に起因したアイランド６の反り上がりが発生した場合でも、溝７が領域ＷＸに配置されることで、電極パッド４７より外側の領域が反り上がる。その結果、金属細線１１の接続領域が電極パッド４７から剥離し難い構造となり、実装後の半導体装置１が接続不良等を起すことを防止できる。その一方で、領域ＷＸよりも内側のアイランド６は、確実に実装領域として用いられ、安定した実装強度も維持される。
【００３４】
尚、図示していないが、図３（Ｃ）に示す構造においても、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）を用いて説明した凹部１５をアイランド６に形成する場合でも良い。逆に、図３（Ａ）及び（Ｂ）に示す構造においても、図３（Ｃ）にて説明した箇所に溝７を配置する場合でも良い。
【００３５】
次に、本発明の他の実施の形態である半導体装置について説明する。図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、アイランドの露出面を説明する平面図である。尚、図１及び図２に示す構造と同一の構成部材には同じ符番を付し、その説明を参照することとする。
【００３６】
図４（Ａ）に示す如く、アイランド６の領域Ｗ１には、前述したように端部１２近傍に溝７が配置され、アイランド６の領域Ｗ２への樹脂ばりの進行が防止される。そして、アイランド６の領域Ｗ２には、溝７と同じ形状であり、段々と小さくなる溝１８〜２１が配置される。前述したように、アイランド６の領域Ｗ２は、半導体装置１を実装基板の導電
パターン上に固着する際の実装領域として用いられる。アイランド６の領域Ｗ２は、リード４の実装領域と比較してもその面積は大きく、使用される接着材の量も増大する。そのため、実装時に接着材内に含まれる空気や水分も多くなる。その結果、接着材内の空気やガスの量も多くなり、その空気やガスが偏った状態にて接着材が硬化することで、ボイドが発生し、実装強度を低下させる。そして、半導体装置１が導電パターン上から剥離する原因にもなる。その他、ボイド領域に水分が溜まり、駆動熱により気化し爆発し、また、放熱性を悪化させる等、ボイドにより製品品質が劣化する原因となる。
【００３７】
そこで、実装領域として用いられる領域Ｗ２に溝１８〜２１を配置することで、接着材の硬化時に溝１８〜２１を介して空気やガスを領域Ｗ２全体に拡散させる。そして、ボイドが接着材内に偏って形成されることを防止し、半導体装置１の実装強度等を向上させ、製品品質の劣化が防止される。そして、接着材内のボイドの発生を低減させるためのアイランド６の溝形状としては、様々な形状が採用される。例えば、図４（Ｂ）に示すように、領域Ｗ２の中心から外周側の４方向へと広がる花びら形状の溝２２が形成される場合でも良い。また、図４（Ｃ）に示すように、領域Ｗ２に×形状の溝２３が形成され、その溝２３に対し四角形状の溝２４〜２６が連結して形成される場合でも良い。尚、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示す構造においても、図４（Ａ）〜図４（Ｃ）に示すアイランド形状を用いることで、同様にボイドの発生を低減させる効果が得られる。
【００３８】
次に、本発明の他の実施の形態である半導体装置について説明する。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示す半導体装置のアイランドの露出面を説明する平面図である。
【００３９】
先ず、図５（Ａ）に示す如く、半導体装置２７は、例えば、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の樹脂パッケージ２８から成る。樹脂パッケージ２８の側面２９からはリード３０が導出し、リード３０はガルウイング形状に加工される。そして、アイランド３１上には、例えば、Ａｇペースト、半田等の接着材３２により半導体素子３３が固着される。半導体素子３３の電極パッド（図示せず）とリード３０とは金属細線３４により接続される。金属細線３４としては、金線や銅線が用いられる。
【００４０】
次に、図５（Ｂ）に示す如く、樹脂パッケージ２８の裏面３５にはアイランド３１が露出し、アイランド３１の露出面は、樹脂パッケージ２８の裏面３５とほぼ同一面を形成する。そして、アイランド３１の露出面には、アイランド３１形状に沿って一環状に溝３６が形成される。
【００４１】
図１〜図３を用いて前述したように、実装領域として用いられるアイランド３１に溝３６が形成されることで、アイランド３１の領域Ｗ５へ樹脂ばりが形成されることを防止できる。その他、半導体装置２７においても、アイランド３１の領域Ｗ４に凹部を配置することで、図３（Ａ）及び（Ｂ）に説明した効果が得られる。尚、アイランド３１の領域Ｗ４は樹脂ばりが形成される領域である。また、図４を用いて前述したように、アイランド３１の領域Ｗ５においても、ボイドを低減する溝構造を同様に配置することで、同様な効果が得られる。
【００４２】
尚、図示していないが、例えば、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の樹脂パッケージにおいても、アイランドの露出面に前述した溝や凹部を配置することで、同様な効果が得られる。更に、ＱＦＮ型のパッケージでは、アイランド近傍の吊りリードをパッケージの実装面（裏面）側から打ち抜く工程を有する。そのため、図３（Ｃ）を用いて説明したように、溝が半導体素子等の下方のアイランドに配置されることで、溝に起因したアイランドの反り上がりが防止される。その他、パッケージの実装面側からアイランドが露出するパッケージにおいても、アイランドの露出面に前述した溝や凹部を配置することで、同様な効果が得られる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００４３】
次に、本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造方法について説明する。図６は、リードフレームを説明する平面図である。図７（Ａ）及び（Ｂ）は、ボンディング工程を説明する平面図である。図８（Ａ）〜図８（Ｃ）は、樹脂モールド工程を説明する断面図である。図９はスクライブ工程を説明する（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図である。尚、本実施の形態では、図１及び図２に示す構造の製造方法を説明するため、同一の構成部材には同一の符番を付している。
【００４４】
先ず、図６に示す如く、例えば、銅を主材料とするリードフレーム４１を準備する。リードフレーム４１には、一点鎖線で示すように、複数の搭載部４２が形成される。リードフレーム４１の長手方向（紙面Ｘ軸方向）は、スリット４３により一定間隔に区切られる。そして、スリット４３にて区切られたリードフレーム４１の１区間には、例えば、４つの搭載部４２の集合から成る１つの集合ブロックが形成される。複数の集合ブロックが、リードフレーム４１の長手方向に形成される。また、リードフレーム４１の長手方向には、その上下端部領域にインデックス孔４４が設けられ、各工程での位置決めに用いられる。
【００４５】
次に、図７（Ａ）では、リードフレーム４１に形成された１つの搭載部４２を示す。搭載部４２は、主に、アイランド６と、アイランド６を支持する吊りリード４５と、アイランド６の４側辺の近傍にその一端が位置するリード４と、複数のリード４を支持するタイバー４６とから構成される。そして、吊りリード４５はアイランド６の４つのコーナー部から延在し、タイバー４６と連結し、アイランド６がリードフレーム４１に支持される。図示したように、リード４、アイランド６及び吊りリード４５の斜線のハッチングにて示す領域は、リードフレーム４１の裏面側からハーフエッチングされ、窪んだ領域となる。この工程により、アイランド６の実装面側に溝７が形成される。
【００４６】
次に、図７（Ｂ）に示す如く、ダイボンド装置の載置台上にリードフレーム４１を配置し、リードフレーム４１の搭載部４２毎にダイボンディングを行う。具体的には、リードフレーム４１のアイランド６上に接着材９（図１（Ｃ）参照）を塗布し、半導体素子１０を固着する。次に、ワイヤーボンディング装置の載置台上にリードフレーム４１を配置し、リードフレーム４１の搭載部４２毎にワイヤーボンディングを行う。具体的には、金属細線１１が、電極パッド４７上面にボールボンディングされ、リード４上面にステッチボンディングされる。
【００４７】
次に、図８（Ａ）に示す如く、リードフレーム４１上の集合ブロック毎に樹脂モールドし、共通の樹脂パッケージを形成する。例えば、リードフレーム４１の裏面側に樹脂モールド用のシート４８を貼り合せた後、樹脂封止金型の下金型４９上面にシート４８が当接するようにリードフレーム４１を配置する。そして、各集合ブロック間に位置するリードフレーム４１を上金型５０と下金型４９にて挟持し、樹脂封止金型内にリードフレーム４１を固定する。このとき、１つのキャビティ５１内には、４つの搭載部４２が配置され、一体に樹脂モールドされる。尚、図示していないが、例えば、下金型４９に吸引機構を設けることで、下金型４９とシート４８の密着性が向上され、樹脂パッケージの裏面（実装面）側の平坦性が実現され、樹脂ばりが発生し難い状況にて樹脂モールドが行われる。
【００４８】
図８（Ｂ）に示すように、樹脂モールド用のシート４８は、例えば、破断強度が大きく、簡単には伸縮しない材料であるＰＥＴ材からなる基材５２上面に３μｍ程度の粘着層５３が全面に設けられている。そのため、リードフレーム４１をシート４８に貼り合わせ、樹脂封止金型内にて固定すると、リードフレーム４１が粘着層５３へと入り込む。そして、アイランド６の溝７の形成領域では、アイランド６が粘着層５３へと入り込むことで流動した粘着層５３が溝７へと入り込む。このとき、溝７周辺のアイランド６の平坦面５４は粘着層５３と密着し、溝７内では粘着層５３は若干盛り上がり、溝７は粘着層５３により塞がれた状態となる。
【００４９】
図８（Ｃ）では、樹脂モールド工程によりアイランド６の露出面側に樹脂ばり１３が発生した状況を示す。アイランド６と粘着層５３とが密着した状態により樹脂モールド工程を行うが、樹脂の圧力等によりアイランド６の端部１２から平坦面５４が粘着層５３から若干剥がれ、樹脂ばり１３が発生する場合もある。この場合でも、平坦面５４が段々と粘着層５３が剥がれることでアイランド６の露出面側に廻り込む樹脂量は規制され、樹脂ばり１３の厚みも数十μｍ程度である。
【００５０】
そして、樹脂が溝７まで到達した場合、丸印５５で示すように、先ず、アイランド６の端部１２側から溝７内へと樹脂が入り込み、端部１２側の溝７内から充填される。一方、丸印５６で示すように、アイランド６の中央側の溝７では粘着層５３が更に押し込まれることで、溝７側面と粘着層５３との密着性が強まる。その結果、溝７内に入り込んだ樹脂は、一環状に配置された溝７内を移動し、溝７よりもアイランド６の中央側へと進行せず、領域Ｗ２（図２（Ｂ）参照）への樹脂ばり１３の発生が抑止される。
【００５１】
次に、図９（Ａ）に示す如く、樹脂モールド工程によりリードフレーム４１上には、集合ブロック毎に共通の樹脂パッケージ５７が形成される。上述したように、共通の樹脂パッケージ５７内には、４つの搭載部４２が含まれる。
【００５２】
最後に、図９（Ｂ）に示す如く、リードフレーム４１から搭載部４２毎に共通の樹脂パッケージ５７を切断して、個々の樹脂パッケージ２に個片化する。切断にはスクライブ装置のダイシングブレード５８を用い、ダイシングライン５９に沿って共通の樹脂パッケージ５７とリードフレーム４１とを同時に切断する。このとき、シート４８は、その一部のみが切断されることで、個片化された個々の樹脂パッケージ２はシート４８上に支持される。また、本実施の形態では、図７（Ａ）に示すように、リード４の窪んだ領域をダイシングブレード５８にて切断することで、ダイシングブレード５８の負担が軽減され、長期間の使用が可能となる。
【００５３】
尚、本実施の形態では、ワイヤーボンディング工程後にリードフレーム４１に樹脂モールド用のシート４８を貼り合せる工程について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、リードフレームに樹脂モールド用のシート４８を貼り合せた後にリードフレームに対しダイボンディング、ワイヤーボンディング工程を行う場合でも良い。
【００５４】
また、図４を用いて前述したように、アイランド６に溝７を形成する工程、あるいは別工程にて、アイランド６にボイド拡散用の溝を形成する場合でも良い。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１  半導体装置
２  樹脂パッケージ
４  リード
６  アイランド
７  溝
１３  樹脂ばり
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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