(57)【要約】【課題】蛍光体の励起効率、光抽出効率、色再現率、及び信頼性を改善させた発光素子を提供する。【解決手段】本発明による発光素子は、リセスを有する胴体と、リセスの底面より突出し、リセスの底面を複数の領域に分割する障壁部と、リセスの底面の第１領域に配置された第１発光ダイオード及びリセスの底面の第２領域に配置された第２発光ダイオードを含む複数の発光ダイオードと、リセスの内に互いに離隔され、複数の発光ダイオードに選択的に連結された複数のリード電極と、複数のリード電極と複数の発光ダイオードとを連結するワイヤと、リセスの内に形成された樹脂層と、を含み、障壁部に形成され、障壁部の上面より低く、リセスの底面より高い高さを有し、互いに反対側に配置されたリード電極と発光ダイオードとを連結するワイヤが配置される少なくとも１つの凹部を含む。【選択図】図１
2011249807.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リセスを有する胴体と、
前記リセスの底面より突出し、前記リセスの底面を複数の領域に分割する障壁部と、
前記リセスの底面の第１領域に配置された第１発光ダイオード及び前記リセスの底面の第２領域に配置された第２発光ダイオードを含む複数の発光ダイオードと、
前記リセスの内に互いに離隔され、前記複数の発光ダイオードに選択的に連結された複数のリード電極と、
前記複数のリード電極と前記複数の発光ダイオードとを連結するワイヤと、
前記リセスの内に形成された樹脂層と、を含み、
前記障壁部に形成され、前記障壁部の上面より低く、前記リセスの底面より高い高さを有し、互いに反対側に配置された前記リード電極と前記発光ダイオードとを連結する前記ワイヤが配置される少なくとも１つの凹部を含むことを特徴とする、発光素子。
【請求項２】
前記障壁部の凹部は複数個が互いに離隔され、前記複数個の凹部に前記複数個のワイヤが各々通過するように形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記障壁部の上段は前記ワイヤの頂点より高く形成されることを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記樹脂層は、
前記リセスの第１領域に形成された第１樹脂層と、
前記リセスの第２領域に形成された第２樹脂層と、
前記第１及び第２樹脂層の上に形成された第３樹脂層と、
を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１乃至第３樹脂層のうち、少なくとも１層に添加された少なくとも１種の蛍光体を含むことを特徴とする、請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１及び第２樹脂層の厚さは前記障壁部の凹部より低く形成されることを特徴とする、請求項４に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１発光ダイオードは青色発光ダイオードであり、前記第２発光ダイオードは緑色発光ダイオードであり、前記第１及び第２樹脂層に添加された赤色蛍光体を含むことを特徴とする、請求項４に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１発光ダイオードは青色発光ダイオードであり、前記第２発光ダイオードはＵＶ発光ダイオードであり、前記第１樹脂層に添加された赤色蛍光体、及び前記第２樹脂層に添加された緑色蛍光体を含むことを特徴とする、請求項４に記載の発光素子。
【請求項９】
前記障壁部は絶縁材質または伝導性材質を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記障壁部の凹部の高さは前記リセスの底面を基準にして前記第１及び第２発光ダイオードの厚さより高く形成されることを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記障壁部の両側面は前記リセスの分割領域に対応し、前記リセスの底面に対して垂直または傾斜した構造を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記複数のリード電極は、第１深さを有する前記リセスの第１領域に配置された第１リード電極と、
前記第１深さより深い第２深さを有する前記リセスの第２領域に配置された第２リード電極と、
を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記複数のリード電極は３個のリードフレームを含み、前記第１及び第２発光ダイオードとワイヤにより各々連結された第１及び第２リードフレームと、
前記第１及び第２リードフレームの間に配置され、前記第１及び第２発光ダイオードが連結された放熱フレームと、
を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記複数のリード電極のうち、少なくとも一端部は前記障壁部の上面まで延長されることを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のうち、いずれか１項による発光素子及び前記発光素子がアレイされた基板を含む発光モジュールと、
前記発光モジュールの光出射経路に配置された導光板と、を含むことを特徴とする、ライトユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子及びこれを含むライトユニットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、電気エネルギーを光に変換する半導体素子の一種である。発光ダイオードは、蛍光灯、白熱灯など、既存の光源に比べて低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、及び環境親和性の長所を有する。ここに、既存の光源を発光ダイオードに取り替えるための多くの研究が進められており、発光ダイオードは室内／外で使われる各種ランプ、液晶表示装置、電光板、街灯などの照明装置の光源として使用が増加している趨勢である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、リセス（recess；窪み部）の内に障壁部を配置して複数の領域に分割する発光素子を提供することを目的とする。
【０００４】
本発明は、リセスの分割領域に互いに異なるピーク波長の光を放出する発光ダイオードを含む発光素子を提供することを目的とする。
【０００５】
本発明は、リセスの分割領域に同一の蛍光体または互いに異なる蛍光体を配置した発光素子を提供することを目的とする。
【０００６】
本発明は、リセスの内に段差付ける、または傾斜した構造を有する凹部を有する障壁部を含む発光素子を提供することを目的とする。
【０００７】
本発明は、複数の発光素子を有するライトユニットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による発光素子は、リセスを有する胴体と、上記リセスの底面より突出し、上記リセスの底面を複数の領域に分割する障壁部と、上記リセスの底面の第１領域に配置された第１発光ダイオード及び上記リセスの底面の第２領域に配置された第２発光ダイオードを含む複数の発光ダイオードと、上記リセスの内に互いに離隔され、上記複数の発光ダイオードに選択的に連結された複数のリード電極と、上記複数のリード電極と上記複数の発光ダイオードとを連結するワイヤと、上記リセスの内に形成された樹脂層と、を含み、上記障壁部に形成され、上記障壁部の上面より低く、上記リセスの底面より高い高さを有し、互いに反対側に配置された上記リード電極と上記発光ダイオードとを連結する上記ワイヤが配置される少なくとも１つの凹部と、を含む。
【０００９】
本発明によるライトユニットは、発光素子及び上記発光素子がアレイされた基板を含む発光モジュールと、上記発光モジュールの光出射経路に配置された導光板と、を含み、上記発光素子は、リセスを有する胴体と、上記リセスの底面より突出し、上記リセスの底面を複数の領域に分割する障壁部と、上記リセスの底面の第１領域に配置された第１発光ダイオード及び上記リセスの底面の第２領域に配置された第２発光ダイオードを含む複数の発光ダイオードと、上記リセスの内に互いに離隔し、上記複数の発光ダイオードに選択的に連結された複数のリード電極と、上記複数のリード電極と上記複数の発光ダイオードとを連結するワイヤと、上記リセスの内に形成された樹脂層を含み、上記障壁部に形成され、上記障壁部の上面より低く、上記リセスの底面より高い高さを有し、互いに反対側に配置された上記リード電極と上記発光ダイオードとを連結する上記ワイヤが配置される少なくとも１つの凹部と、を含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、発光素子における蛍光体の励起効率を改善させることができる。
【００１１】
本発明によれば、発光素子における光抽出効率を改善させることができる。
【００１２】
本発明によれば、色再現率が改善された発光素子を得ることができる。
【００１３】
本発明によれば、発光素子の信頼性を改善させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態による発光素子の断面図である。
【図２】図１の部分拡大図である。
【図３】図１のＡ−Ａによる断面図である。
【図４】図１の平面図である。
【図５】発光素子の他の例を示す平面図である。
【図６】発光素子の更に他の例を示す平面図である。
【図７】本発明の第２実施形態による発光素子の断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態による発光素子の断面図である。
【図９】本発明の第４実施形態による発光素子の断面図である。
【図１０】本発明の第５実施形態による発光素子の断面図である。
【図１１】本発明の第６実施形態による発光素子の断面図である。
【図１２】図１１の側断面図である。
【図１３】発光素子の他の例を示す断面図である。
【図１４】発光素子の更に他の例を示す断面図である。
【図１５】本発明の第７実施形態による発光素子の断面図である。
【図１６】発光素子の他の例を示す部分拡大図である。
【図１７】本発明の第８実施形態による発光素子の断面図である。
【図１８】本発明の第９実施形態による発光素子の断面図である。
【図１９】図１８の平面図である。
【図２０】本発明の第１０実施形態による発光素子の断面図である。
【図２１】本発明の第１１実施形態による発光素子の斜視図である。
【図２２】図２１の背面図である。
【図２３】図２１の断面図である。
【図２４】本発明の第１２実施形態による発光素子の断面図である。
【図２５】本発明の第１３実施形態による発光素子の断面図である。
【図２６】本発明の第１４実施形態による発光素子の断面図である。
【図２７】発光素子の他の例を示す断面図である。
【図２８】図２７の平面図である。
【図２９】本発明の実施形態による表示装置の一例を示す斜視図である。
【図３０】本発明の実施形態による表示装置の他の例を示す斜視図である。
【図３１】本発明の実施形態による照明ユニットを示す図である。
【図３２】図１の発光素子パッケージの出力波長を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明を説明するに当たって、各層（膜）、領域、パターン、または構造物が、基板、各層（膜）、領域、パッド、またはパターンの“上（on）”に、または“下（under）”に形成されることと記載される場合において、“上（on）”と“下（under）”は、“直接（directly）”または“他の層を介して（indirectly）”形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。
【００１６】
図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するのではない。
【００１７】
以下、添付した図面を参照して実施形態を説明する。
【００１８】
図１は本発明の第１実施形態による発光素子の断面図であり、図２は図１の部分拡大図であり、図３は図１のＡ−Ａによる断面図であり、図４は図１の平面図である。
【００１９】
図１乃至図４を参照すると、発光素子１００は、胴体１０、リード電極２１、２２、発光ダイオード３１、３２、樹脂層４１、４２、４３、及び障壁部５１を含む。
【００２０】
上記胴体１０は絶縁材質、例えば、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Polyphthalamide）、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）、ＰＡ９Ｔ（Polyamide9T）のような樹脂材質、金属を含む材質、ＰＳＧ（photo sensitive glass）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、印刷回路基板（ＰＣＢ）のうち、少なくとも１つで形成される。
【００２１】
上記胴体１０は、上記発光素子１００の用途及び設計によって多様な形状に形成され、トップ側から見た形状は、例えば、四角形、多角形、円形など、多様な形状を有することができる。
【００２２】
上記胴体１０の上側には、カソードマーク（cathode mark）が形成される。上記カソードマークは、上記発光素子１００の第１リード電極２１または第２リード電極２２を区分して、上記第１及び第２リード電極２１、２２の極性の方向に対する混同を防止することができる。
【００２３】
上記胴体１０は、ベース部１１及び反射部１２を含むことができる。上記ベース部１１は上記反射部１２の下で素子全体を支持し、上記反射部１２は上記ベース部１１の上面の周りに形成され、上部が開放されたリセス（窪み部）１３を具備し、上記発光ダイオード３１、３２から放出された光を反射する。上記反射部１２は上記ベース部１１と同一の材質で形成され、例えば上記ベース部１１と一体形成される。または、上記反射部１２は上記ベース部１１と異なる材質で形成され、この場合、２部分は絶縁材質で形成される。
【００２４】
上記反射部１２の内にはリセス１３が形成され、上記リセス１３は上部が開放された凹形状を有する。上記リセス１３の底面には複数のリード電極２１、２２が電気的に離隔して配置される。
【００２５】
上記反射部１２の内側面は上記リセス１３の周りであって、垂直の、または傾斜した構造に形成され、その傾斜角度は１０〜８０゜範囲に形成されうるが、これに対して限定するものではない。上記反射部１２の内側面のうち、面と面との間の隅部分は曲面または所定の角度を有する構造に形成される。上記リセス１３は、素子の上面側から見て、円形状、楕円形状、多角形状などに形成されるが、いずれかに限定するものではない。
【００２６】
上記複数のリード電極２１、２２は、少なくとも２つが電気的に分離され、所定の厚さを有する金属プレートで形成され、上記金属プレートの表面に他の金属層がメッキされうるが、これに対して限定するものではない。上記複数のリード電極２１、２２は、金属材質、例えば、チタニウム（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、タンタリウム（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、燐（Ｐ）のうち、少なくとも１つを含むことができる。また、上記第１及び第２リード電極２１、２２は単層または多層構造を有するように形成されるが、いずれかに限定するものではない。
【００２７】
上記複数のリード電極２１、２２は上記リセス１３の底面に各々配置され、上記胴体１０の内部を貫通して外部に露出される。上記複数のリード電極２１、２２は、上記胴体１０のベース部１１と反射部１２との間を経て上記胴体１０の外側に露出される。また、上記複数のリード電極２１、２２の他端部２１Ａ、２２Ａは、上記胴体１０の下面または外側面に形成され、これは電極端子として使われる。また、上記複数のリード電極２１、２２は、上記胴体１０のベース部１１にビア構造に配置されるが、これに対して限定するものではない。
【００２８】
上記リセス１３の内には複数の発光ダイオード３１、３２が配置され、上記複数の発光ダイオード３１、３２は互いに同一の色または互いに異なる色の光を放出することができる。上記発光ダイオード３１、３２は、赤色、緑色、青色、白色などの光を放出する可視光線帯域または紫外線（Ultra Violet）帯域を発光するダイオードで具現できるが、これに対して限定するものではない。
【００２９】
上記発光ダイオード３１、３２は、チップの内の２電極が平行するように配置された水平型チップ、または／及び２電極が互いに反対側面に配置された垂直型チップで具現できる。上記水平型チップは、少なくとも２つのワイヤに連結され、垂直型チップは少なくとも１つのワイヤに連結される。
【００３０】
上記発光ダイオード３１、３２は、図示したように、ワイヤボンディング（wire bonding）方式により上記第１及び第２リード電極２１、２２と電気的に連結されるか、またはフリップチップ（flip chip）、ダイボンディング（die bonding）方式などにより上記第１及び第２リード電極２１、２２と電気的に連結される。
【００３１】
第１発光ダイオード３１は、複数のワイヤ３１Ａ、３１Ｂにより第１及び第２リード電極２１、２２に連結され、第２発光ダイオード３２は複数のワイヤ３２Ａ、３２Ｂにより第１及び第２リード電極２１、２２に連結される。
【００３２】
上記第１発光ダイオード３１と第２発光ダイオード３２との間の領域には障壁部５１が配置される。上記障壁部５１は、上記胴体１０のベース部１１から上方に突出し、その材質は上記胴体１０の材質で形成される。または、上記障壁部５１は絶縁材質であって、上記胴体１０と異なる材質で形成されるが、いずれかに限定するものではない。
【００３３】
上記リセス１３の底面は上記障壁部５１により少なくとも２領域１３Ａ、１３Ｂに分割され、分割された第１及び第２領域１３Ａ、１３Ｂのサイズは同一または異なるように形成することができ、これに対して限定するものではない。
【００３４】
図２に示すように、上記障壁部５１は下部幅（Ｗ１）が上部より広い断面形状を含み、例えば三角形、四角形、台形、半球形、またはこれらの組合せのうちから選択された少なくとも１つの断面形状を有するように形成される。上記障壁部５１の下部幅（Ｗ１）は、上記第１リード電極２１と上記第２リード電極２２との間のギャップ（Ｇ１）よりは広いことがあり、この場合、上記第１リード電極２１と上記第２リード電極２２との間のギャップ（Ｇ１）を通じた湿気の流入を減らすことができる。
【００３５】
上記障壁部５１の高さ（Ｄ２）は、上記リセスの底面または上記リード電極２１、２２の上面を基準とすることができ、例えば２０μｍ以上に形成され、好ましくは１００〜１５０μｍに形成される。また、上記障壁部５１の高さ（Ｄ２）は、上記発光ダイオード３１、３２の厚さよりは高く形成され、上記リセス１３の深く（Ｄ１）よりは低く形成される。上記障壁部５１は、上記障壁部５１の上を経由するワイヤ３１Ｂ、３２Ａよりは低く形成される。例えば、上記ワイヤ３１Ｂ、３２Ａは、上記障壁部５１の上段との間隔（Ｄ４）が少なくとも５０μｍ程度離隔するように配置することができる。図３に示すように、上記障壁部５１の上面の長さ（Ｌ１）は上記リセス１３の底面の幅（Ｗ２）よりは長く形成されうるが、これに対して限定するものではない。
【００３６】
図１のように、上記リセス１３には投光性の樹脂層４１、４２、４３が形成される。上記樹脂層４１、４２、４３は、透明なエポキシ、シリコンなどの樹脂材質を含むことができる。また、上記樹脂層４１、４２、４３には、蛍光体、エアーギャップ、または拡散剤などが選択的に添加されるが、いずれかに限定するものではない。上記樹脂層４１、４２、４３の上にはレンズが形成され、上記レンズは、凹レンズ形状、凸レンズ形状、一定の部分が凹み、他の部分が凸形状のレンズを含むことができる。
【００３７】
上記障壁部５１を基準としてリセス１３の第１領域１３Ａには第１樹脂層４１が形成され、リセス１３の第２領域１３Ｂには第２樹脂層４２が形成される。上記第１及び第２樹脂層４１、４２は上記障壁部５１の上段より低く形成され、この場合、第１樹脂層４１と上記第２樹脂層４２とは、上記障壁部５１により物理的に分離される。
【００３８】
上記リセス１３の上部には第３樹脂層４３が形成される。上記第３樹脂層４３は上記第１及び第２樹脂層４１、４２の上に形成され、所定の色の蛍光体が添加されるか添加されないことがあり、そのいずれかに限定するものではない。
【００３９】
上記第１樹脂層４１及び上記第２樹脂層４２の表面は、フラットな形状、凹形状、または凸形状に形成される。上記第３樹脂層４３の表面は、フラットな形状、凹形状、または凸形状に形成されるが、いずれかに限定するものではない。また、上記第１樹脂層４１及び上記第２樹脂層４２は、上記第３樹脂層４３よりは硬度が低い樹脂（例：エポキシ）で形成されうるが、これに対して限定するものではない。
【００４０】
実施形態は、上記第１発光ダイオード３１は青色ＬＥＤチップであり、上記第２発光ダイオード３２は緑色ＬＥＤチップであり、この場合、上記第１樹脂層４１及び上記第２樹脂層４２には赤色蛍光体が添加される。上記第１樹脂層４１の赤色蛍光体は青色波長の光を吸収して赤色波長の光を発光し、上記第２樹脂層４２の赤色蛍光体は緑色波長の光を吸収して赤色波長の光を発光する。このような実施形態は、第１発光ダイオード３１が配置された領域を通じて青色波長の光と赤色波長の光が放出され、上記第２発光ダイオード３２が配置された領域を通じて緑色波長の光と赤色波長の光が放出され、このような構造は三色波長の光を効果的に発光することができるので、各色別の色再現率を改善させることができる。すなわち、図３２に示すように、青色波長スペクトル（例：４３０〜４８０ｎｍ）、緑色波長スペクトル（５００〜５５０ｎｍ）、赤色波長スペクトル（６００〜６９０ｎｍ）の光強度が一定の以上のレベルに抽出される。これによって、図３２のように、緑色と赤色波長の光強度は１２０以上で抽出される。このような発光素子１００のパッケージング構造は、リセス１３の内で青色ＬＥＤチップと黄色蛍光体を適用する場合より白色効率がさらに改善される。また、上記青色ＬＥＤチップと緑色ＬＥＤチップは、同一駆動電圧で駆動されるため、両者で駆動電圧が異なる場合の配線の問題等を簡単に解決することができる。 
【００４１】
一方、図４に示すように、上記複数の発光ダイオード３１、３２は、同一軸上（Ｌｘ）にアレイ（配列）される。上記第１及び第２発光ダイオード３１、３２は、障壁部５１を基準にして一定間隔（Ｄ／２）の内に配置される。上記リセス領域において、発光ダイオード３１、３２の間の距離（Ｄ）と、各発光ダイオード３１、３２からリセス１３の周りまでの距離（Ｄ）は同一の間隔で形成される。
【００４２】
図５に示すように、上記リセス１３の第１領域１３Ａには複数の第１発光ダイオード３１が配置され、リセス１３の第２領域１３Ｂには複数の第２発光ダイオード３２が配置される。上記第１及び第２発光ダイオード３１、３２は、直列または並列に連結されるが、いずれかに限定するものではない。
【００４３】
図６に示すように、上記リセス１３には複数の障壁部５１Ｃが形成され、上記隣接した２障壁部５１Ｃは上記リセス１３の中心から一定角度（例：θ３：１２０゜）を有し、上記リセス１３の周りまで延びる。上記障壁部５１Ｃは、上記リセス１３の底面を少なくとも３個の領域に分割することができ、上記分割個数によって角度θ３は変わることができ、これに対して限定するものではない。各領域１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃには少なくとも１つの発光ダイオード３１、３２、３３が配置され、各領域１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ別の発光ダイオード３１、３２、３３は樹脂層によりカバーされる。上記各領域別の発光ダイオード３１、３２、３３は、ＵＶ ＬＥＤチップに配置し、各領域別の樹脂層には、赤色、緑色、青色の蛍光体を各々含めて白色光を具現することができる。または、各領域別の発光ダイオード３１、３２、３３は、赤色ＬＥＤチップ、緑色ＬＥＤチップ、青色ＬＥＤチップであるとか、全て同一の色のＬＥＤチップであることがあり、これに対して限定するものではない。上記樹脂層及び障壁部５１Ｃの高さは図１を参照する。
【００４４】
図７は、本発明の第２実施形態による発光素子の断面図である。
【００４５】
図７を参照すれば、発光素子１０１はリセス１３の内に障壁部５２が配置され、上記障壁部５２により分割された第１領域１３Ａには第１発光ダイオード３１をカバーする第１樹脂層４５が形成され、第２領域１３Ｂには第２発光ダイオード３２をカバーする第２樹脂層４６が形成される。上記第１発光ダイオード３１は青色ＬＥＤチップであり、上記第２発光ダイオード３２はＵＶ ＬＥＤチップであり、上記第１樹脂層４５には赤色蛍光体が添加され、上記第２樹脂層４６には緑色蛍光体が添加される。これによって、発光素子１０１は、青色、赤色、及び緑色の光を発光することができる。ここで、上記青色ＬＥＤチップとＵＶ ＬＥＤチップとの駆動電圧の差が存在した場合には並列回路パターンで構成することができるが、このような回路パターンに対して限定するものではない。また、上記第３樹脂層４３には赤色または緑色の蛍光体が添加されるが、いずれかに限定するものではない。
【００４６】
図８は、第３実施形態の発光素子を示す断面図である。
【００４７】
図８を参照すれば、発光素子１０２は障壁部５１を基準にしてリセス１３の第１領域１３Ａには第１発光ダイオード３１及び第１樹脂層４１が形成され、上記リセス１３の第２領域１３Ｂには第２発光ダイオード３２が形成される。上記第１樹脂層４１の上及び上記第２領域１３Ｂには第３樹脂層４３Ａが形成される。
【００４８】
上記第１発光ダイオード３１は青色ＬＥＤチップであり、上記第２発光ダイオード３２は緑色ＬＥＤチップであり、上記第１樹脂層４１には赤色蛍光体が添加される。このようなパッケージング構造は青色波長の一部光を吸収して赤色光に変換することによって、緑色光の損失を減らすことができる。
【００４９】
図９は、本発明の第４実施形態による発光素子を示す断面図である。
【００５０】
図９を参照すると、発光素子１０３は障壁部５２を基準にして互いに反対側に配置された第１及び第２発光ダイオード３１、３２と、上記リード電極２１、２２を基準にして上記障壁部５２の下に配置された保護素子３０を含む。上記保護素子３０は、上記リード電極２１、２２の下面に電気的に連結され、上記ベース部１１の内に組み込まれた形態で形成される。上記保護素子３０は、ツェナーダイオードまたはＴＶＳ（Transient voltage suppression）ダイオードを含むことができる。
【００５１】
上記障壁部５２は台形状を有する断面に形成され、その両側面はリセス１３の両側面と対応される。上記障壁部５２の側面傾斜角度（θ２）と上記反射部１２の側面傾斜角度（θ１）とは互いに同一または異なるように形成することができ、他の場合、上記θ１＞θ２の条件を満たすことができる。このような角度の条件はパッケージ内での光混合がリセス１３の上部でなされるように誘導することができる。
【００５２】
上記リセス１３の内の第１樹脂層４７Ａ及び第２樹脂層４７Ｂは凸レンズ形状に形成され、第３樹脂層４３の上には凸レンズ４０が配置される。
【００５３】
図１０は、本発明の第５実施形態による発光素子を示す断面図である。
【００５４】
図１０を参照すると、発光素子１０４はリセス１３の内に複数の障壁部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃを含み、上記複数の障壁部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃは上記胴体１０の長手方向に沿って所定間隔で配置される。上記複数の障壁部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃにより分割された領域１３Ｄの各々にはリード電極２３、２４、２５、２６が各々配置され、上記各リード電極２３、２４、２５、２６の上には発光ダイオード３３が各々配置される。上記発光ダイオード３３は同一の色を発光するＬＥＤチップ、または少なくとも２色を発光するＬＥＤチップで配置することができ、例えば全て青色ＬＥＤチップであるとか、２つは青色ＬＥＤチップであり、２つは緑色ＬＥＤチップで具現できる。
【００５５】
上記各発光ダイオード３３は、互いに直列に連結されるか、並列に連結されるが、いずれかに限定するものではない。
【００５６】
上記障壁部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃにより分割された領域１３Ｄには樹脂層４８Ａ、４８Ｂ、４８Ｃ、４８Ｄが各々配置され、上記樹脂層４８Ａ、４８Ｂ、４８Ｃ、４８Ｄには赤色蛍光体が配置されるか、他の色の蛍光体を添加することができるが、いずれかに限定するものではない。
【００５７】
図１１は本発明の第６実施形態による発光素子を示す図であり、図１２は図１１のＢ−Ｂによる断面図である。
【００５８】
図１１を参照すると、発光素子１０５は上面から段差付けた凹部５３Ａを有する障壁部５３を含む。上記障壁部５３の凹部５３Ａは１つまたは複数で配置され、上記障壁部５３の上面より低い高さ（Ｄ５）に形成される。上記障壁部５３の上面は上記反射部１２の上面と等しいか低いことがあり、いずれかに限定するものではない。
【００５９】
上記リセス１３の第１領域１３Ａと第２領域１３Ｂは、上記障壁部５３を基準にして上記凹部５３Ａの高さ程度の深さに形成される。上記障壁部５３の凹部５３Ａの高さは上記リセス底面を基準にして上記第１及び第２発光ダイオード３１、３２の厚さより高く形成される。
【００６０】
上記障壁部５３の凹部５３Ａには、上記第１発光ダイオード３１と第２リード電極２２とを連結するワイヤ３１Ｂと、上記第２発光ダイオード３２と第１リード電極２１とを連結するワイヤ３２Ａが通過する通路として用いられる。上記凹部５３Ａは、ワイヤ３１Ｂ、３２Ａの通路として使用されるので、上記障壁部５３の高さによるワイヤ高さが高まる問題を改善することができる。
【００６１】
図１２のように、上記凹部５３Ａの底面は平坦な構造または凸構造で形成され、その両側面は互いに対応する側面として上記リセス底面に対して傾斜または垂直な面に形成される。
【００６２】
図１１及び図１２のように、リセス１３には樹脂層４１、４２、４３Ｂが形成される。上記樹脂層４１、４２、４３Ｂのうち、第１樹脂層４１及び第２樹脂層４２は上記リセス１３の底面の両側領域で上記障壁部５３の凹部高さ（Ｄ５）まで形成され、この場合、上記第１及び第２樹脂層４１、４２の上面は上記ワイヤ３１Ａ、３１Ｂ、３２Ａ、３２Ｂの頂点よりは低く形成される。
【００６３】
また、上記第１樹脂層４１及び上記第２樹脂層４２は上記障壁部５３の上面高さ程度の厚さに形成され、この場合、上記ワイヤ３１Ａ、３１Ｂ、３２Ａ、３２Ｂの頂点よりは高く形成される。
【００６４】
実施形態は、障壁部５３の凹部５３Ａをワイヤ通路として利用することで、上記障壁部５３の高さを他の実施形態に比べて高く形成することができる。
【００６５】
図１３の（Ａ）、（Ｂ）を参照すると、障壁部５３は、複数の凹部５３Ａ、５３Ｄを含む。上記複数の凹部５３Ａ、５３Ｄは、ワイヤ３１Ｂ、３２Ａの両端を直線で連結する時、そのワイヤ３１Ｂ、３２Ａが通過する経路上に所定の深さで形成される。ここで、上記凹部５３Ａ、５３Ｄは両側面の傾斜した方向が上記ワイヤの両地点を連結した仮想線が通過する方向と同一の方向に形成される。
【００６６】
図１４を参照すると、障壁部５３の上面は２段以上の段差付けた凹部５３Ｅ、５３Ｆを含む。上記凹部５３Ｅ、５３Ｆは、上記障壁部５３の外側より低い高さを有し、２段に段差付けた構造で形成され、この場合、上記障壁部５３の中央部分が最も低い凹部５３Ｆで形成される。
【００６７】
図１５は、本発明の第７実施形態による発光素子を示す断面図である。
【００６８】
図１５を参照すると、発光素子１０６のリセス１３の内に配置された障壁部５４は段差付けた側面を含む。上記障壁部５４の側面段差構造５４Ａは、傾斜した側面に１段または２段に段差付けて、上記段差付けた側面は上記胴体１０の両側面１２Ａと対応する面となる。上記障壁部５４の側面段差構造５４Ａは、上記障壁部５４の長手方向に形成される。
【００６９】
上記障壁部５４の段差構造５４Ａは、樹脂層４３Ｂの接着力を強化させることができる。上記障壁部５４の長手方向は、バー形状、折り曲げられた形状、所定の曲率を有する形状を有し、直線または斜線方向に形成される。ここで、上記障壁部５４の一部は上記リセス１３の側面と平行な構造で形成されうるが、これに対して限定するものではない。
【００７０】
上記障壁部５４の段差構造は、上記障壁部５４の上面に対し、傾斜した構造で連結されるか、図１６のように直角構造に連結される。
【００７１】
図１６を参照すると、第１リード電極２１及び第２リード電極２２は所定のギャップ（Ｇ１）を有して離隔され、その上面は凹凸構造２１Ｂ、２２Ｂで形成される。上記障壁部５６の下部幅（Ｗ２）は上記ギャップ（Ｇ１）より広く形成される。上記障壁部５６の下面は上記リード電極２１、２２の凹凸構造２１Ｂ、２２Ｂと対応するように形成される。
【００７２】
上記障壁部５６の両側面５６Ｂで段差付けた構造５６Ｄの高さは上記発光ダイオードの厚さ程度にすることができ、これに対して限定するものではない。
【００７３】
図１７は、本発明の第８実施形態による発光素子を示す断面図である。
【００７４】
図１７を参照すると、発光素子１０７において、第１リード電極２３と第２リード電極２４は上記リセス１３の内で互いに異なる平面上に配置される。上記リセス１３の内で第１リード電極２３は上記第２リード電極２４の上面から所定高さの差（Ｈ１）で配置される。
【００７５】
上記第１リード電極２３と上記第２リード電極２４との間には障壁部５５Ｂが配置され、上記障壁部５５Ｂは両側面の高さが異なるように形成され、その差は上記リード電極２３、２４の段差構造で発生される。
【００７６】
上記第２リード電極２４の一端部は上記障壁部５５Ｂの領域内で上記第１リード電極２３の他端部に対し垂直方向にオーバーラップされるように配置されうるが、これに対して限定するものではない。
【００７７】
上記第２リード電極２４の上には上記第２発光ダイオード３２をカバーする第２樹脂層４２Ａが形成され、上記第２樹脂層４２Ａの厚さは上記第１樹脂層４１の厚さよりは厚く形成される。この場合、上記第２樹脂層４２Ａには上記第１樹脂層４１に添加された蛍光体の量より多い量の蛍光体を添加することができる。上記第２樹脂層４２Ａと上記第１樹脂層４１の厚さを異なるように提供することによって、第１樹脂層４１と第２樹脂層４２Ａから放出された蛍光体の光量は異なるように発光される。このような第１及び第２樹脂層４１、４２Ａの厚さの差を用いて色再現性を改善させることができる。
【００７８】
図１８は本発明の第９実施形態による発光素子を示す断面図であり、図１９は図１８の平面図である。
【００７９】
図１８及び図１９を参照すると、発光素子１０８は障壁部１１５の上に第１リード電極２１及び／または上記第２リード電極２２の端部が配置される。
【００８０】
上記第１リード電極２１の一端部１２１は上記障壁部１１５の一側面及び上面の一側まで延長され、上記第２リード電極２２の他端部１２２は上記障壁部１１５の他の側面または／及び上面他側まで延長される。上記第１リード電極２１の一端部１２１と上記第２リード電極２２の他端部１２２は、上記障壁部１１５の上面まで延長され、互いに物理的に分離された構造を有する。
【００８１】
上記障壁部１１５の周りのうち、殆ど６０％以上が上記第１リード電極２１及び第２リード電極２２によりカバーされることで、他の実施形態の障壁部１１５の構造よりは光反射効率を改善させることができる。
【００８２】
また、障壁部１１５の一端部の上に形成された上記第１リード電極２１の一端部１２１には、上記第２ワイヤ３１Ｂがボンディングされ、上記第２リード電極２２の他端部１２２には第３ワイヤ３２Ａがボンディングされる。これによって、他の領域に上記ワイヤが配置される問題を解決することができ、上記ワイヤの長さを縮めることができる。また、ワイヤの長さを縮めることで、ワイヤが長過ぎることによって生ずる断線の問題を解決することができる。
【００８３】
実施形態は、上記第１リード電極２１、２２の端部が障壁部１１５の上側まで延びる構造を一例として説明したが、上記第１リード電極２１または／及び上記第２リード電極２２の端部は反対側のリセス領域まで延長され、この場合、リセス１３の各領域内でワイヤのボンディングがなされることができる。
【００８４】
図２０は、本発明の第１０実施形態による発光素子の断面図である。
【００８５】
図２０を参照すると、発光素子１０９は放熱フレーム１１６を含む。放熱フレーム１１６は第１リード電極２１と第２リード電極２２との間に配置され、上記第１及び第２発光ダイオード１３１、１３２が上記第１リード電極２１及び上記第２リード電極２２に各々配置される。上記放熱フレーム１１６は、リセス１３の底面に配置されたボンディング部１１６Ａ、１１６Ｂ、リセス１３の底面領域を分割する障壁部１１６Ｄ、胴体１０の下面まで延びる放熱部１１６Ｃを含むことができる。上記障壁部１１６Ｄは、伝導性材質としてリセス１３の底面で両発光ダイオード１３１、１３２の障壁の役割を遂行し、入射される光を反射させる。
【００８６】
上記放熱部１１６Ｃは、上記発光ダイオード１３１、１３２から放出された熱を下部に伝達して放熱効率を改善させることができる。上記放熱部１１６Ｃは、電極機能を有するように設計するか、単純に放熱機能のみを有するように設計することができる。
【００８７】
上記ボンディング部１１６Ａ、１１６Ｂは、上記障壁部１１６Ｄを基準にして両側方向に延長され、上記複数のボンディング部１１６Ａ、１１６Ｂに発光ダイオード１３１、１３２が各々搭載される。
【００８８】
図２１は本発明の第１１実施形態による発光素子の斜視図であり、図２２は図２１に図示された発光素子の背面図であり、図２３は図２１に図示された発光素子の断面図である。
【００８９】
図２１乃至図２３を参照すると、発光素子１１０は第１及び第２リード電極７１、７２の下面と上記胴体６０の下面６５Ａが同一平面上に配置される。上記胴体６０の一部にはカソードマーク６０Ａが形成される。
【００９０】
第１リード電極７１の他側部７１Ａは上記胴体６０の外側面に分割されて突出し、上記第２リード電極７２の一側部７２Ａは上記胴体６０の反対側の外側に分割されて突出する。
【００９１】
障壁部６５は第１リード電極７１と上記第２リード電極７２との間に突出し、上記胴体６０の材質で形成される。上記障壁部６５の上面は発光ダイオード３１、３２の上面より少なくても高い位置に形成される。
【００９２】
上記障壁部６５はバー形態に形成され、上記バー形状の幅は位置によって同一または異なるように形成することができる。
【００９３】
上記第１及び第２リード電極７１、７２は互いに対称的に形成され、このような対称構造は上記発光ダイオード３１、３２から発生した熱を分散させることができる。
【００９４】
上記発光ダイオード３１、３２は直列に連結される。ここで、上記第１リード電極７１に配置された第１発光ダイオード３１と上記第２リード電極７２に配置された第２発光ダイオード３２とはワイヤ３１Ｃにより直接連結される。
【００９５】
図２３を参照すると、障壁部６５の上部幅（Ｗ３）は、上記第１リード電極７１と上記第２リード電極７２との間のギャップ（Ｇ２）よりは広く形成され、下面６５Ａの幅（Ｗ４）は上記上部幅（Ｗ３）より広く形成される。
【００９６】
図２４は、本発明の第１２実施形態による発光素子の断面図である。
【００９７】
図２４を参照すると、発光素子１１２は第１リード電極７１と第２リード電極７２との間に斜線構造で配置された障壁部６６を含むことができる。上記障壁部６６の一側６６Ａは上記障壁部６６の中央（または、リセス中央）を基準にして上記第２リード電極７２の方向に配置され、他側６６Ｂは上記障壁部６６の中央（または、リセス中央）を基準にして上記第１リード電極７１方向に配置された状態である。
【００９８】
上記障壁部６６の斜線構造により上記第１リード電極７１の一側は上記第２リード電極７２の方向にさらに延長され、上記第２リード電極７２の他側は上記第１リード電極７１方向にさらに延長される。上記第１リード電極７１の一側と上記第２発光ダイオード３２とはワイヤ３２Ａにより連結され、上記第２リード電極７２の他側と上記第１発光ダイオード３１とはワイヤ３１Ｂにより連結される。これによって、第１リード電極７１及び第２リード電極７２に連結されるワイヤ３１Ｂ、３２Ａが互いに行き違いに配置される。
【００９９】
上記障壁部６６には少なくとも１つの凹部が配置されるが、これに対して限定するものではない。
【０１００】
図２５は、本発明の第１３実施形態による発光素子の断面図である。
【０１０１】
図２５を参照すると、発光素子１１３は第１リード電極７１と第２リード電極７２との間に形成された分離部６２と、上記リセス６３の底面を少なくとも２領域６３Ａ、６３Ｂに分割する障壁部６７を含む。上記分離部６２は、上記第１リード電極７１と上記第２リード電極７２の上面と同一平面上に配置され、胴体６０の材質で形成される。
【０１０２】
上記分離部６２の一側は上記障壁部６７を基準にして上記第１リード電極７１の方向に配置されており、他側は上記障壁部６７を基準にして上記第２リード電極７２の方向に配置される。これによって、上記障壁部６７と上記分離部６２の一側との間には上記第２リード電極７２の一端部が上記第１リード電極７１の方向に延長配置され、上記障壁部６７と上記分離部６２の他側との間には上記第１リード電極７１の一部が上記第２リード電極７２の方向に延長配置される。
【０１０３】
上記障壁部６７を基準にして上記リセス６３の第１領域６３Ａには上記第１リード電極７１と上記第２リード電極７２の一端部７２Ｂが配置される。上記障壁部６７を基準にして上記リセス６３の第２領域６３Ｂには上記第２リード電極７２と上記第１リード電極７１の一端部７１Ｂが配置される。これによって、第１発光ダイオード３１は上記リセス６３の第１領域６３Ａに配置された上記第１リード電極７１に搭載され、上記第２リード電極７２の一端部７２Ｂにワイヤ３１Ｂにより電気的に連結される。上記第２発光ダイオード３２は、上記リセス６３の第２領域６３Ｂに配置された上記第２リード電極７２に搭載され、上記第１リード電極７１の一端部７１Ｂとワイヤ３２Ａにより電気的に連結される。
【０１０４】
言い換えると、上記第１発光ダイオード３１に連結されたワイヤ３１Ｂは障壁部６７の上を通じて第２リード電極７２に連結されなくても、第２リード電極７２の一端部７２Ｂに連結される。また、上記第２発光ダイオード３２に連結されたワイヤ３２Ａは障壁部６７の上を通じて連結されなくても、上記第１リード電極７１の一端部７１Ｂに連結される。
【０１０５】
また、上記障壁部６７の一部にはツェナーダイオードのような保護素子９０が組み込まれ（エンベッディド（embeded）され）、この場合、保護素子９０による光損失を減らすことができる。
【０１０６】
図２６は、本発明の第１４実施形態による発光素子の断面図である。
【０１０７】
図２６を参照すると、発光素子１１４はウエハレベルパッケージで具現できる。上記発光素子１１４は、胴体１５のエッチングを通じて所定の深さを有するリセス１３を含むことができる。
【０１０８】
例えば、胴体１５はシリコン（Ｓｉ）材質を用いたウエハレベルパッケージ（wafer level package：ＷＬＰ）で具現できる。上記胴体１５は、シリコン（Ｓｉ）の以外の他の材料のアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムナイトライド（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、ＰＳＧ（photo sensitive glass）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ベリリウムオキサイド（ＢｅＯ）などで形成され、実施形態はパッケージの製造効率及び放熱効率に優れるシリコンをその例として説明する。
【０１０９】
上記胴体１５はエッチングプロセスであって、バルクエッチング方法を使用して形成される。上記エッチング方法は、湿式エッチング（wet etching）方法、乾式エッチング（dry etching）方法、レーザードリリング（laser drilling）方法などが利用され、また上記の方法のうち、２つ以上の方法を共に利用することもできる。上記の乾式エッチング方法の代表的な方法には、ディープ反応性イオンエッチング（deep reactive ion etching）方法がある。 
【０１１０】
上記胴体１５には上部が開放されたリセス１３が形成され、その表面形状はバスタブ（bath tub）形態の凹部、多角形凹部、または円形凹部のうち、いずれか１形態に形成されるが、いずれかに限定するものではない。上記リセス１３の形成方法は、マスクによりパターニングした後、湿式エッチング液、例えば、ＫＯＨ溶液、ＴＭＡＨ、ＥＤＰのような異方性湿式エッチング溶液を使用して形成することができる。
【０１１１】
上記胴体１５のリセス１３の側面１５Ａはリセスの底面に対し、所定の角度または所定の曲率で傾斜するか、垂直となるように形成されるが、いずれかに限定するものではない。上記胴体１５の外側面は所定の角度に折り曲げられた構造または垂直な構造に形成される。
【０１１２】
上記胴体１５の表面には絶縁層１６が形成される。上記絶縁層１６は、例えば、シリコン熱酸化膜（ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ等）、アルミニウムオキサイド（ＡｌＯｘ）、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ等）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、Ａｌ２Ｏ３等からなる群から少なくとも１つが選択されて形成されるが、いずれかに限定するものではない。
【０１１３】
上記胴体１５は、上記リセス１３が形成された領域の厚さが他の領域よりは薄く形成され、このような厚さの差はエッチングの程度によって変えることができる。
【０１１４】
上記胴体１５には少なくとも１つのウェルが形成され、上記ウェルは上記胴体１５の上面または／及び背面などに導電型不純物の注入または拡散工程により形成される。上記のウェルは複数のリード電極１２１、１２２のうち、少なくとも１つに回路的（電気的）に連結されて、ツェナーダイオードのような保護素子や定電流素子に接続できる。
【０１１５】
上記リード電極１２１、１２２は、蒸着または／及びメッキ工程により形成され、単層または多層に形成される。上記リード電極１２１、１２２は、Ｔａ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕなどの金属を選択的に用いて形成され、例えばＣｒ／Ａｕ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｕ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｔａ／Ｃｕ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ、またはＴａ／Ｔｉ／Ｃｕ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕなどの積層構造に形成される。
【０１１６】
上記リード電極１２１、１２２の最上層には反射金属または／及びボンディング金属が形成されるが、いずれかに限定するものではない。
【０１１７】
上記第１リード電極１２１の上には第１発光ダイオード３１が配置され、第２リード電極１２２の上には第２発光ダイオード３２が配置される。
【０１１８】
上記リセス１３の内には障壁部１１７が突出し、上記障壁部１１７は胴体材質のエッチング過程により突出させるか、絶縁層１６の材質で突出させることができる。
【０１１９】
上記第１リード電極１２１は、上記リセス１３の内で上記胴体１５の一側に沿って胴体の下面まで延びて電極端子１２１Ｂとして使用され、上記第２リード電極１２２はリセス１３の内で上記胴体１５の他側に沿って胴体１５の下面まで延びて電極端子１２２Ｂとして使われる。上記第１及び第２リード電極１２１、１２２は上記リセス１３の内で互いに離隔され、電気的及び物理的に分離される。
【０１２０】
上記第１リード電極１２１の一部１２１Ａは上記障壁部１１７の側面及び上面まで延長され、上記第２リード電極１２２の一部１２２Ａは上記障壁部１１７の側面及び上面まで延長される。これによって、上記障壁部１１７の上側には上記第１リード電極１２１と上記第２リード電極１２２の端部とが互いに異なる領域に各々配置される。
【０１２１】
また、上記第１リード電極１２１及び上記第２リード電極１２２の一端は上記障壁部１１７を越えて他の領域まで延長されるが、これに対して限定するものではない。
【０１２２】
上記第１発光ダイオード３１に連結されたワイヤ３１Ｂは第２領域１３Ｂに配置された第２リード電極１２２にボンディングされ、上記第２発光ダイオード３２に連結されたワイヤ３２Ａは第１領域１３Ａに配置された第１リード電極１２１にボンディングされる。
【０１２３】
上記第１発光ダイオード３１はリセス１３の第１領域１３Ａに配置され、上記第２発光ダイオード３２はリセス１３の第２領域１３Ｂに配置される。上記第１領域１３Ａに第１樹脂層１４１が配置され、上記第２領域１３Ｂに第２樹脂層１４２が配置される。上記第１及び第２樹脂層１４１、１４２には蛍光体が添加され、例えば赤色蛍光体が添加される。上記第１発光ダイオード３１は青色発光ダイオードを含むことができ、上記第２発光ダイオード３２は緑色発光ダイオードを含むことができる。これによって、青色光、緑色光、そして赤色光が発光され、これから白色光が具現できる。 
【０１２４】
上記赤色光はリセス１３の第１領域１３Ａと第２領域１３Ｂを通じて発光され、上記青色光は大部分上記リセス１３の第１領域１３Ａを通じて放出され、上記緑色光は大部分上記リセス１３の第２領域１３Ｂを通じて放出される。ここで、上記第２発光ダイオード３２は上記第１発光ダイオード３１の個数より多いことがあり、これに対して限定するものではない。また、上記リセス１３には単一の樹脂層が形成されうるが、これに対して限定するものではない。
【０１２５】
図２７は発光素子の他の例を示す断面図であり、図２８は図２７の平面図である。図２６を参照して説明されたものと重複する部分に対しては説明を省略する。
【０１２６】
図２７及び図２８を参照すると、障壁部１１７の上に配置された第１リード電極１２１の一端部１２１Ｃと上記第２リード電極１２２の一端部１２２Ｃにワイヤ３１Ｂ、３２Ａを各々ボンディングするようになって、ワイヤの長さを縮めることができる。上記障壁部１１７の上に互いに異なる極性を有する複数のワイヤ３１Ｂ、３２Ａがボンディングされうるが、これに対して限定するものではない。
【０１２７】
実施形態のパッケージは、トップビュー形態で図示及び説明したが、サイドビュー方式の場合にも上記のような放熱特性、伝導性、及び反射特性の改善効果を具現することができる。このようなトップビューまたはサイドビュー方式の発光素子は、上記のように樹脂層でパッケージングした後、レンズを上記樹脂層の上に形成するか、接着することができ、これに対して限定するものではない。
【０１２８】
実施形態による発光素子はライトユニットに適用される。上記ライトユニットは複数の発光素子がアレイされた構造を含み、図２９及び図３０に図示された表示装置、図３１に図示された照明装置を含むことができる。また、実施形態による発光素子が適用されたライトユニットは、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板などを含むことができる。
【０１２９】
図２９は、本発明の実施形態による表示装置の分解斜視図である。
【０１３０】
図２９を参照すると、実施形態による表示装置１０００は、導光板１０４１と、上記導光板１０４１に光を提供する発光モジュール１０３１と、上記導光板１０４１の下に反射部材１０２２と、上記導光板１０４１の上に光学シート１０５１と、上記光学シート１０５１の上に表示パネル１０６１と、上記導光板１０４１、発光モジュール１０３１、及び反射部材１０２２を収納するボトムカバー１０１１と、を含むことができるが、これに限定されるものではない。
【０１３１】
上記ボトムカバー１０１１、反射部材１０２２、導光板１０４１、及び光学シート１０５１は、ライトユニット１０５０と定義することができる。
【０１３２】
上記導光板１０４１は光を拡散させて面光源化する役割をする。上記導光板１０４１は透明な材質からなり、例えば、ＰＭＭＡ（polymethyl metaacrylate）のようなアクリル樹脂系列、ＰＥＴ（polyethylene terephthlate）、ＰＣ（poly carbonate）、ＣＯＣ（cycloolefin copolymer）、及びＰＥＮ（polyethylene naphthalate）樹脂のうちの１つを含むことができる。
【０１３３】
上記発光モジュール１０３１は、上記導光板１０４１の少なくとも一側面に光を提供し、窮極的には表示装置の光源として作用する。
【０１３４】
上記発光モジュール１０３１は少なくとも１つが提供され、上記導光板１０４１の一側面で直接または間接的に光を提供することができる。上記発光モジュール１０３１は、基板１０３３と前述した実施形態による発光素子２００を含むことができる。上記発光素子２００は、上記基板１０３３の上に所定の間隔でアレイされる。
【０１３５】
上記基板１０３３は回路パターンを含む印刷回路基板（ＰＣＢ：Printed Circuit Board）でありうる。但し、上記基板１０３３は一般ＰＣＢだけでなく、メタルコアＰＣＢ（ＭＣＰＣＢ：Metal Core PCB）、軟性ＰＣＢ（ＦＰＣＢ：Flexible PCB）などを含むこともでき、これに対して限定するものではない。上記発光素子２００は、上記ボトムカバー１０１１の側面または放熱プレートの上に搭載される場合、上記基板１０３３は除去される。ここで、上記放熱プレートの一部は上記ボトムカバー１０１１の上面に接触される。
【０１３６】
そして、上記多数の発光素子２００は光が放出される出射面が上記導光板１０４１と所定距離離隔するように搭載されるが、これに対して限定するものではない。上記発光素子２００は、上記導光板１０４１の一側面である入光部に光を直接または間接的に提供することができ、これに対して限定するものではない。
【０１３７】
上記導光板１０４１の下には上記反射部材１０２２が配置される。上記反射部材１０２２は上記導光板１０４１の下面に入射された光を反射させて上方に向かうようにすることで、上記ライトユニット１０５０の輝度を向上させることができる。上記反射部材１０２２は、例えば、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＶＣレジンなどで形成されるが、これに対して限定するものではない。上記反射部材１０２２は、上記ボトムカバー１０１１の上面であることがあり、これに対して限定するものではない。
【０１３８】
上記ボトムカバー１０１１は、上記導光板１０４１、発光モジュール１０３１、及び反射部材１０２２などを収納することができる。このために、上記ボトムカバー１０１１は上面が開口したボックス（box）形状を有する収納部１０１２が備えられ、これに対して限定するものではない。上記ボトムカバー１０１１はトップカバーと結合されるが、これに対して限定するものではない。
【０１３９】
上記ボトムカバー１０１１は金属材質または樹脂材質で形成され、プレス成形または圧出成形などの工程を用いて製造される。また、上記ボトムカバー１０１１は熱伝導性の良い金属または非金属材料を含むことができ、これに対して限定するものではない。
【０１４０】
上記表示パネル１０６１は、例えば、ＬＣＤパネルであって、互いに対向する透明な材質の第１及び第２基板、そして第１及び第２基板の間に介された液晶層を含む。上記表示パネル１０６１の少なくとも一面には偏光板が付着され、このような偏光板の付着構造に限定するものではない。上記表示パネル１０６１は光学シート１０５１を通過した光により情報を表示するようになる。このような表示装置１０００は、各種の携帯端末機、ノートブックコンピュータのモニター、ラップトップコンピュータのモニター、テレビなどに適用可能である。
【０１４１】
上記光学シート１０５１は、上記表示パネル１０６１と上記導光板１０４１との間に配置され、少なくとも一枚の投光性シートを含む。上記光学シート１０５１は、例えば拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートのようなシートのうち、少なくとも１つを含むことができる。上記拡散シートは入射される光を拡散させ、上記水平または／及び垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。また、上記表示パネル１０６１の上には保護シートが配置されるが、これに対して限定するものではない。
【０１４２】
ここで、上記発光モジュール１０３１の光経路上には光学部材として、上記導光板１０４１、及び光学シート１０５１を含むことができ、これに対して限定するものではない。
【０１４３】
図３０は、本発明の実施形態による表示装置を示す図である。
【０１４４】
図３０を参照すると、表示装置１１００は、ボトムカバー１１５２、上記に開示された発光素子２００がアレイされた基板１０２０、光学部材１１５４、及び表示パネル１１５５を含む。
【０１４５】
上記基板１０２０及び上記発光素子２００は、発光モジュール１０６０と定義することができる。上記ボトムカバー１１５２、少なくとも１つの発光モジュール１０６０、及び光学部材１１５４はライトユニットと定義することができる。
【０１４６】
上記ボトムカバー１１５２には収納部１１５３を具備することができるが、これに対して限定するものではない。
【０１４７】
ここで、上記光学部材１１５４は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートのうち、少なくとも１つを含むことができる。上記導光板はＰＣ材質またはＰＭＭＡ（Polymethyl methacrylate）材質からなり、このような導光板は除去できる。上記拡散シートは入射される光を拡散させ、上記水平及び垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。
【０１４８】
上記光学部材１１５４は上記発光モジュール１０６０の上に配置され、上記発光モジュール１０６０から放出された光を面光源化する、または拡散、集光などを遂行する。
【０１４９】
図３１は、本発明の実施形態による照明装置の斜視図である。
【０１５０】
図３１を参照すると、照明装置１５００は、ケース１５１０と、上記ケース１５１０に設置された発光モジュール１５３０と、上記ケース１５１０に設置されて外部電源から電源が提供される連結端子１５２０と、を含むことができる。
【０１５１】
上記ケース１５１０は放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成される。
【０１５２】
上記発光モジュール１５３０は、基板１５３２と、上記基板１５３２に搭載される実施形態による発光素子２００を含むことができる。上記発光素子２００は、複数個がマトリックス形態または所定の間隔で離隔してアレイされる。
【０１５３】
上記基板１５３２は絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることがあり、例えば、一般印刷回路基板（ＰＣＢ：Printed Circuit Board）、メタルコア（Metal Core）ＰＣＢ、軟性（Flexible）ＰＣＢ、セラミックＰＣＢ、ＦＲ−４基板などを含むことができる。
【０１５４】
また、上記基板１５３２は光を効率的に反射する材質で形成されるか、その表面を、光が効率的に反射される色、例えば白色、銀色などのコーティング層とすることができる。
【０１５５】
上記基板１５３２には少なくとも１つの発光素子２００が搭載される。上記発光素子２００の各々は少なくとも１つのＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップを含むことができる。上記ＬＥＤチップは、赤色、緑色、青色、または白色の有色光を各々発光する有色発光ダイオード及び紫外線（ＵＶ：Ultra Violet）を発光するＵＶ発光ダイオードを含むことができる。
【０１５６】
上記発光モジュール１５３０は、色感及び輝度を得るために多様な発光素子２００の組合を有するように配置される。例えば、高演色性（ＣＲＩ）を確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置することができる。
【０１５７】
上記連結端子１５２０は、上記発光モジュール１５３０と電気的に連結されて電源を供給することができる。上記連結端子１５２０はソケット方式により外部電源に結合されるが、これに対して限定するものではない。例えば、上記連結端子１５２０はピン（pin）形態に形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもできる。
【０１５８】
実施形態は、上記発光素子２００がパッケージングされた後、上記基板に搭載されて発光モジュールで具現されるか、ＬＥＤチップ形態に搭載されてパッケージングして発光モジュールで具現できる。
【０１５９】
以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれ、必ず１つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。
【０１６０】
以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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