(57)【要約】【課題】支持基板がＳｉ基板である複合基板において、共振器構造を有するＳＡＷフィルタの通過特性が温度によって大きくずれないようにする。【解決手段】まず、抵抗率の異なるＳｉ基板を用意し、Ｓｉ基板の抵抗率ごとに、圧電基板の厚みｔpzに対するＳｉ基板の厚みｔSiの比率ｒと並列腕共振器Ｒｐの共振周波数ｆｒｐにおけるＴＣＦ（以下、ＴＣＦｆｒという）との関係と、比率ｒと直列腕共振器Ｒｓの反共振周波数ｆａｓにおけるＴＣＦ（以下、ＴＣＦｆａという）との関係を調べる。次に、今回使用するＳｉ基板の抵抗率を設定し、該設定した抵抗率に対応するＴＣＦｆｒの絶対値及びＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるように比率ｒを設定する。そして、圧電基板と今回使用するＳｉ基板とを接合し、さきほど設定した比率ｒとなるように圧電基板及びＳｉ基板の少なくとも一方を研削及び／又は研磨する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振器構造を有するＳＡＷフィルタに用いられ、圧電基板と支持基板としてのＳｉ基板とが接合された複合基板を製造する方法であって、
（ａ）抵抗率の異なるＳｉ基板を用意し、Ｓｉ基板の抵抗率ごとに、圧電基板の厚みｔpzに対するＳｉ基板の厚みｔSiの比率ｒと共振器の共振周波数ｆｒにおけるＴＣＦ（以下、ＴＣＦｆｒという）との関係と、前記比率ｒと共振器の反共振周波数ｆａにおけるＴＣＦ（以下、ＴＣＦｆａという）との関係を調べる工程と、
（ｂ）予めＳｉ基板の抵抗率を設定し、該設定した抵抗率に対応するＴＣＦｆｒの絶対値及びＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるように今回使用する比率ｒを設定する工程と、
（ｃ）前記圧電基板と前記Ｓｉ基板とを接合し、前記工程（ｂ）で設定した前記比率ｒとなるように前記圧電基板及び前記Ｓｉ基板の少なくとも一方を研削及び／又は研磨する工程と、
を含む複合基板の製造方法。
【請求項２】
共振器構造を有するＳＡＷフィルタに用いられ、圧電基板と支持基板としてのＳｉ基板とが接合された複合基板を製造する方法であって、
（ａ）抵抗率の異なるＳｉ基板を用意し、Ｓｉ基板の抵抗率ごとに、圧電基板の厚みｔpzに対するＳｉ基板の厚みｔSiの比率ｒとＴＣＦｆｒとの関係と、前記比率ｒとＴＣＦｆａとの関係を調べる工程と、
（ｂ）予め比率ｒを設定し、該設定した比率ｒに対応するＴＣＦｆｒの絶対値及びＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるように今回使用するＳｉ基板の抵抗率を設定する工程と、
（ｃ）前記圧電基板と前記工程（ｂ）で設定した抵抗率を持つＳｉ基板とを接合し、予め設定した比率ｒとなるように前記圧電基板及び前記Ｓｉ基板の少なくとも一方を研削及び／又は研磨する工程と、
を含む複合基板の製造方法。
【請求項３】
前記Ｓｉ基板は、抵抗率が１００Ω・ｃｍ以上である、
請求項１又は２に記載の複合基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、図４に示すような梯子形ＳＡＷフィルタ１１０が知られている。梯子形ＳＡＷフィルタ１１０は、複数の１ポートＳＡＷ共振器１１２を梯子形に繋いだものである。１ポートＳＡＷ共振器１１２は、図５に示すように、櫛歯が互い違いに入り込むように配置された１対の櫛形電極１１４，１１４と、その両側に配置された反射器１１６とで構成される。こうした１ポートＳＡＷ共振器１１２の共振周波数ｆｒは、弾性表面波の伝搬速度ｖを周期λ（電極幅ｈと電極間距離ａとの和の２倍）で除した値で概略決定される。１ポートＳＡＷ共振器１１２には、入力端子と出力端子とを接続する入出力ライン１１８に直列に配置された直列腕共振器Ｒｓと、２つの入出力ライン１１８，１１８を架け渡すように配置された並列腕共振器Ｒｐとがある。直列腕共振器Ｒｓと並列腕共振器Ｒｐは、直列腕共振器Ｒｓの共振周波数ｆｒｓと並列腕共振器Ｒｐの反共振周波数ｆａｐとが一致するようにそれぞれの周期λｓと周期λｐとがわずかに異なるように設計されている。この梯子形ＳＡＷフィルタ１１０の通過特性は、図６のようになる。低周波側の減衰極は並列腕共振器Ｒｐの共振周波数ｆｒｐ、高周波側の減衰極は直列腕共振器Ｒｓの反共振周波数ｆａｓ、中心周波数ｆ０は直列腕共振器Ｒｓの共振周波数ｆｒｓ（並列腕共振器Ｒｐの反共振周波数ｆａｐとほぼ一致）となる。このような梯子形ＳＡＷフィルタ１１０には、圧電基板とその圧電基板よりも小さな線熱膨張係数を持つ支持基板とを接合した複合基板が利用される（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３４７２９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、複合基板によっては周波数温度係数（ＴＣＦ：Temperature Coefficient of Frequency）を十分抑えられないことがあり、図６の通過域が温度によってずれることがあった。特に、複合基板の支持基板としてＳｉ基板を用いた場合、直列腕共振器Ｒｓの反共振周波数ｆａｓのＴＣＦの絶対値を十分小さくすることができず、通過域が温度によってずれることがあった。
【０００５】
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、支持基板がＳｉ基板である複合基板において、梯子形ＳＡＷフィルタの通過特性が温度によって大きくずれないようにすることを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、支持基板がＳｉ基板である複合基板において、抵抗率の異なるＳｉ基板を用いて圧電基板の厚みｔpzに対するＳｉ基板の厚みｔSiの比率ｒ（ｔSi／ｔpz）とＴＣＦとの関係を調べたところ、共振器の共振周波数ｆｒにおける比率ｒとＴＣＦとの関係はＳｉ基板の抵抗率にほとんど依存しないが、共振器の反共振周波数ｆａにおける比率ｒとＴＣＦとの関係はＳｉ基板の抵抗率に依存して大きく変わるという新たな知見を見いだし、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明の第１の複合基板の製造方法は、
共振器構造を有するＳＡＷフィルタに用いられ、圧電基板と支持基板としてのＳｉ基板とが接合された複合基板を製造する方法であって、
（ａ）抵抗率の異なるＳｉ基板を用意し、Ｓｉ基板の抵抗率ごとに、圧電基板の厚みｔpzに対するＳｉ基板の厚みｔSiの比率ｒと共振器の共振周波数ｆｒにおけるＴＣＦ（以下、ＴＣＦｆｒという）との関係と、前記比率ｒと共振器の反共振周波数ｆａにおけるＴＣＦ（以下、ＴＣＦｆａという）との関係を調べる工程と、
（ｂ）予めＳｉ基板の抵抗率を設定し、該設定した抵抗率に対応するＴＣＦｆｒの絶対値及びＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるように今回使用する比率ｒを設定する工程と、
（ｃ）前記圧電基板と前記Ｓｉ基板とを接合し、前記工程（ｂ）で設定した前記比率ｒとなるように前記圧電基板及び前記Ｓｉ基板の少なくとも一方を研削及び／又は研磨する工程と、
を含むものである。
【０００８】
本発明の第２の複合基板の製造方法は、
共振器構造を有するＳＡＷフィルタに用いられ、圧電基板と支持基板としてのＳｉ基板とが接合された複合基板を製造する方法であって、
（ａ）抵抗率の異なるＳｉ基板を用意し、Ｓｉ基板の抵抗率ごとに、圧電基板の厚みｔpzに対するＳｉ基板の厚みｔSiの比率ｒとＴＣＦｆｒとの関係と、前記比率ｒとＴＣＦｆａとの関係を調べる工程と、
（ｂ）予め比率ｒを設定し、該設定した比率ｒに対応するＴＣＦｆｒの絶対値及びＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるように今回使用するＳｉ基板の抵抗率を設定する工程と、
（ｃ）前記圧電基板と前記工程（ｂ）で設定した抵抗率を持つＳｉ基板とを接合し、予め設定した比率ｒとなるように前記圧電基板及び前記Ｓｉ基板の少なくとも一方を研削及び／又は研磨する工程と、
を含むものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の第１の複合基板の製造方法では、予めＳｉ基板の抵抗率を設定し、該Ｓｉ基板の抵抗率に対応するＴＣＦｆｒの絶対値及びＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるように比率ｒを設定する。そして、圧電基板と今回使用するＳｉ基板とを接合し、設定した比率ｒとなるように圧電基板及びＳｉ基板の少なくとも一方を研削及び／又は研磨する。つまり、Ｓｉ基板の抵抗率が高くても低くても中程度でも、各抵抗率に応じて比率ｒを設定することにより、ＴＣＦｆｒの絶対値及びＴＣＦｆａの絶対値を２０ｐｐｍ／℃以下にすることができる。したがって、この製造方法によって得られた複合基板を利用した共振器型ＳＡＷフィルタは、通過特性が温度によって大きくずれることがない。
【００１０】
本発明の第２の複合基板の製造方法では、予め比率ｒを設定し、該設定した比率ｒに対応するＴＣＦｆｒの絶対値及びＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるように今回使用するＳｉ基板の抵抗率を設定する。そして、圧電基板と今回使用するＳｉ基板とを接合し、予め設定した比率ｒとなるように圧電基板及びＳｉ基板の少なくとも一方を研削及び／又は研磨する。つまり、予め設定した比率ｒに対して適切な抵抗率のＳｉ基板を選択することにより、ＴＣＦｆｒの絶対値及びＴＣＦｆａの絶対値を２０ｐｐｍ／℃以下にすることができる。したがって、この製造方法によって得られた複合基板を利用した共振器型ＳＡＷフィルタは、通過特性が温度によって大きくずれることがない。
【００１１】
なお、共振器構造を有するＳＡＷフィルタとしては、例えば、梯子形ＳＡＷフィルタやラチス型ＳＡＷフィルタ、多重モードＳＡＷフィルタ、ＳＡＷデュープレクサなどが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】Ｓｉ基板の抵抗率と厚み比率ｒ（＝ｔSi／ｔpz）と共振器の共振周波数温度係数であるＴＣＦｆｒとの関係を表すグラフである。
【図２】Ｓｉ基板の抵抗率と厚み比率ｒ（＝ｔSi／ｔpz）と共振器の反共振周波数温度係数であるＴＣＦｆａとの関係を表すグラフである。
【図３】Ｓｉ基板の電気伝導率と電流密度との関係を表すグラフである。
【図４】梯子形ＳＡＷフィルタ１１０の説明図である。
【図５】１ポートＳＡＷ共振器１１２の説明図である。
【図６】梯子形ＳＡＷフィルタ１１０の通過特性を表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の第１及び第２の複合基板の製造方法によって得られる複合基板は、圧電基板と支持基板としてのＳｉ基板とが接合されたものである。圧電基板は、弾性波を伝搬可能なものであれば特に限定されないが、例えば、タンタル酸リチウム（ＬＴ）、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶、水晶、ホウ酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、ランガサイト（ＬＧＳ）、ランガテイト（ＬＧＴ）などで作製された基板が挙げられる。Ｓｉ基板は、線熱膨張係数が圧電基板よりも小さい。複合基板の大きさは、特に限定されないが、例えば、直径が５０〜２００ｍｍ、厚み１５０〜３５０ｍｍとしてもよい。この複合基板は、共振器型ＳＡＷフィルタに用いられるものである。具体的には、複合基板上に櫛形電極と反射器とからなるＳＡＷ共振器をフォトリソグラフィ技術を用いて形成し、これら電極パターンを適宜組み合わせてＳＡＷフィルタとする。その後、ＳＡＷフィルタ単位ごとに切断し、切断された１つ１つをパッケージングして素子とする。
【００１４】
本発明の第１の複合基板の製造方法において、工程（ａ）では、抵抗率の異なるＳｉ基板を用意し、Ｓｉ基板の抵抗率ごとに、圧電基板の厚みｔpzに対するＳｉ基板の厚みｔSiの比率ｒと共振器の共振周波数ｆｒにおけるＴＣＦ（以下、ＴＣＦｆｒという）との関係と、前記比率ｒと共振器の反共振周波数ｆａにおけるＴＣＦ（以下、ＴＣＦｆａという）との関係を調べる。比率ｒとＴＣＦｆｒとの関係は、Ｓｉ基板の抵抗率にかかわらず概ね同じであるが、比率ｒとＴＣＦｆａとの関係は、Ｓｉ基板の抵抗率によって大きく変化する。ここで、ＴＣＦｆｒとＴＣＦｆａは、ゼロに近ければ近いほど温度依存性が少なくなるため好ましいが、経験的には、ＴＣＦｆｒの絶対値及びＴＣＦｆａの絶対値が共に２０ｐｐｍ／℃以下（好ましくは１０ｐｐｍ／℃以下）であれば、この複合基板を利用した共振器型ＳＡＷフィルタを搭載した機器に支障が生じるほど、温度によってフィルタ特性が大きく変わることはない。このため、ＴＣＦｆｒの絶対値及びＴＣＦｆａの絶対値が共に２０ｐｐｍ／℃以下にすることが目標となる。ＴＣＦｆｒの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるときの比率ｒはＳｉ基板の抵抗率にかかわらず概ね同じであるが、ＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるときの比率ｒはＳｉ基板の抵抗率によって大きく変化する。
【００１５】
本発明の第１の複合基板の製造方法において、工程（ｂ）では、予めＳｉ基板の抵抗率を設定し、該Ｓｉ基板の抵抗率に対応するＴＣＦｆｒの絶対値及びＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるように比率ｒを設定する。上述したように、ＴＣＦｆｒの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるときの比率ｒはＳｉ基板の抵抗率にかかわらず概ね同じであるが、ＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるときの比率ｒはＳｉ基板の抵抗率によって大きく変化する。このため、工程（ｂ）では、まずＳｉ基板の抵抗率にかかわらずＴＣＦｆｒの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となる比率ｒの数値範囲を求めておき、次にその数値範囲内でＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となる比率ｒの数値を探索するようにしてもよい。また、使用するＳｉ基板は、抵抗率が１００Ω・ｃｍ以上であるとフィルタの挿入損失が小さいため好ましく、抵抗率が５００Ω・ｃｍ以下であると厚み比率ｒが変化するとＴＣＦｆａの値が負から正に移行するためＴＣＦｆａをよりゼロに近づけることが可能となるため好ましい。ちなみに、抵抗率が５００Ω・ｃｍを超えると厚み比率ｒが変化してもＴＣＦｆａの値が負の領域で変化するにとどまるためＴＣＦｆａを十分ゼロに近づけることが難しい。図３は、３０μｍのＬＮ基板と３５０μｍのＳｉ基板とを接合した複合基板のＬＮ基板上に３本の線状電極（厚さ４μｍ）を電極周期４０μｍで配置した解析モデルに、３本の線状電極のうち両側をグランドとし、中央に１Ｖの電圧が周波数１．９ＧＨｚで入力するようにしてＳｉ基板の電気伝導率と電流密度との関係を調べたときのグラフである。Ｓｉ基板内の電流密度が高いほど熱が多く発生して損失が大きくなるが、このグラフから電気伝導率が１Ｓ／ｍ以下（抵抗率に換算すると１００Ω・ｃｍ以下）であれば電流密度が低いため損失を小さく抑えることができることがわかる。
【００１６】
本発明の第１の複合基板の製造方法において、工程（ｃ）では、圧電基板とＳｉ基板とを接合し、工程（ｂ）で選択した比率ｒとなるように圧電基板及びＳｉ基板の少なくとも一方を研削及び／又は研磨する。ここで、圧電基板とＳｉ基板とは、直接接合してもよいが、有機接着層を介して間接的に接合してもよい。両基板を直接接合する方法としては、以下の方法が例示される。すなわち、まず、両基板の接合面を洗浄し、該接合面に付着している不純物（酸化物や吸着物等）を除去する。次に、両基板にアルゴン等の不活性ガスのイオンビームを両基板の接合面に照射することで、残留した不純物を除去すると共に接合面を活性化させる。その後、真空中、常温で両基板を貼り合わせ接合させる。一方、有機接着層を介して間接的に接合する方法としては、以下の方法が例示される。すなわち、まず、両基板の接合面を洗浄し、該接合面に付着している不純物を除去する。次に、両基板の接合面の少なくとも一方に有機接着剤を均一に塗布する。その後、両基板を貼り合わせ、有機接着剤が熱硬化性樹脂の場合には加熱して硬化させ、有機接着剤が光硬化性樹脂の場合には光を照射して硬化させる。このように有機接着層を介して間接的に接合する場合には、有機接着層を厚み０．１〜１．０μｍとするのが好ましい。有機接着層の厚みが１．０μｍを超えると圧電基板と支持基板との熱膨張係数の差がこの有機接着層に吸収され、温度に対する周波数特性の変化を抑える効果が得られにくくなるため好ましくない。また、有機接着層の厚みが、０．１μｍ未満になるとボイドの影響で、温度変化に対する周波数特性の変化を抑える効果が得られにくくなるため好ましくない。圧電基板の研磨は、通常知られている研磨機を使用して実施すればよい。例えば、片面研磨機を使用する場合には、研磨定盤とプレッシャープレートとの間に圧電基板とＳｉ基板とを接合した貼り合わせ基板を挟み込み、圧電基板と研磨定盤との間に研磨砥粒を含むスラリーを供給し、プレッシャープレートにより貼り合わせ基板を定盤面に押しつけながらプレッシャープレートを自転させるか自転させながら公転させる。
【００１７】
本発明の第２の複合基板の製造方法において、工程（ａ）では、抵抗率の異なるＳｉ基板を用意し、Ｓｉ基板の抵抗率ごとに、比率ｒとＴＣＦｆｒとの関係と、比率ｒとＴＣＦｆａとの関係を調べる。この工程（ａ）は、本発明の第１の複合基板の製造方法の工程（ａ）と同じであるため、説明を省略する。
【００１８】
本発明の第２の複合基板の製造方法において、工程（ｂ）では、予め比率ｒを設定し、該設定した比率ｒに対応するＴＣＦｆｒの絶対値及びＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるように今回使用するＳｉ基板の抵抗率を設定する。上述したように、ＴＣＦｆｒの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるときの比率ｒはＳｉ基板の抵抗率にかかわらず概ね同じであるが、ＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるときの比率ｒはＳｉ基板の抵抗率によって大きく変わる。このため、工程（ｂ）では、予め比率ｒを設定するにあたり、ＴＣＦｆｒの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるように比率ｒを設定し、設定した比率ｒにおいてＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるＳｉ基板の抵抗率の数値を設定するようにしてもよい。また、使用するＳｉ基板は、抵抗率が１００Ω・ｃｍ以上であるとフィルタの挿入損失が小さいため好ましく、抵抗率が５００Ω・ｃｍ以下であると厚み比率ｒが変化するとＴＣＦｆａの値が負から正に移行するためＴＣＦｆａをよりゼロに近づけることが可能となるため好ましい。ちなみに、抵抗率が５００Ω・ｃｍを超えると厚み比率ｒが変化してもＴＣＦｆａの値が負の領域で変化するにとどまるためＴＣＦｆａを十分ゼロに近づけることが難しい。
【００１９】
本発明の第２の複合基板の製造方法において、工程（ｃ）では、圧電基板と工程（ｂ）で選択した抵抗率のＳｉ基板とを接合し、予め設定した比率ｒとなるように圧電基板及びＳｉ基板の少なくとも一方を研削及び／又は研磨する。ここで、圧電基板とＳｉ基板との接合方法や圧電基板の研磨方法については、本発明の第１の複合基板の製造方法の工程（ｃ）と同じであるため、説明を省略する。
【００２０】
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
【実施例】
【００２１】
以下の基本手順にしたがって、Ｓｉ基板の抵抗率ρや厚み比率ｒが異なる複合基板をいくつか作製し、その複合基板を利用して１ポートＳＡＷ共振器を作製した。
【００２２】
［基本手順］
支持基板として直径が１００ｍｍ、厚みが２５０μｍ、抵抗率がρΩ・ｃｍのＳｉ（１１１）基板を用意し、圧電基板として直径が１００ｍｍ、厚みが２５０μｍのＬＴ４２°Ｙカット基板を用意した。そして、圧電基板の裏面と支持基板の表面にエポキシ系の有機接着剤をスピンコートにより均一に薄く塗布し、両者を重ね合わせた状態で有機接着剤を固化させて貼り合わせ基板を作製した。このときの有機接着層の厚みは約０．７μｍとした。次に、この貼り合わせ基板の圧電基板を所定の厚みになるまで片面研磨機により研磨して複合基板を得た。なお、この複合基板の圧電基板の厚みｔpzに対するＳｉ基板の厚みｔSiの割合を厚み比率ｒ（＝ｔSi／ｔpz）と称する。
【００２３】
得られた複合基板を有機溶媒で超音波洗浄し、更に純水で超音波洗浄した。続いて、圧電基板の表面にスパッタリングにより厚み２４００ÅのＡｌ膜を形成した。形成したＡｌ膜にポジレジストを塗布し、ベーキングした後、マスクアライナーを用いて紫外線露光を行い、現像して所定のレジストパターンとした。現像後の複合基板を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置に入れ、塩素ガスを用いてＡｌ膜のエッチングを行った。その結果、図５に示すように、一対の櫛形電極とその両側の反射器とを一組とする電極パターンからなる１ポートＳＡＷ共振器が圧電基板の表面に多数形成された。その後、パターンごとに複合基板を切断し、多数の１ポートＳＡＷ共振器を得た。１つの１ポートＳＡＷ共振器の櫛形電極の櫛歯の数は２００本とした。また、電極周期は３μｍに設定した。
【００２４】
［温度特性］
抵抗率が２Ω・ｃｍ，１０００Ω・ｃｍのＳｉ基板を用いて、上述した基本手順にしたがって厚み比率ｒを種々変更した１ポートＳＡＷ共振器を作製し、厚み比率ｒと共振器の共振周波数温度係数であるＴＣＦｆｒとの関係をグラフ化した。なお、ＴＣＦｆｒは、基準温度を２５℃として測定した。そのグラフを図１に示す。図１から明らかなように、厚み比率ｒとＴＣＦｆｒとの関係はＳｉ基板の抵抗率にかかわらず概ね同じであり、厚み比率ｒが４以上であればＳｉ基板の抵抗率にかかわらずＴＣＦｆｒの絶対値は２０ｐｐｍ／℃以内に収まることがわかる。
【００２５】
また、厚み比率ｒと共振器の反共振周波数温度係数であるＴＣＦｆａの関係もグラフ化した。なお、ＴＣＦｆａも、基準温度を２５℃として測定した。そのグラフを図２に示す。図２から明らかなように、厚み比率ｒとＴＣＦｆａとの関係はＳｉ基板の抵抗率によって異なる。例えば、抵抗率が２Ω・ｃｍのＳｉ基板を用いた場合には、厚み比率ｒが２〜９であればＴＣＦｆａの絶対値は２０ｐｐｍ／℃以内に収まり、抵抗率が１０００Ω・ｃｍのＳｉ基板を用いた場合には、厚み比率ｒが４以上であればＴＣＦｆａの絶対値は２０ｐｐｍ／℃以内に収まることがわかる。
【００２６】
［複合基板の作製方法］
予め今回使用するＳｉ基板が設定されている場合、複合基板は次のようにして作製する。すなわち、そのＳｉ基板の抵抗率に対応するＴＣＦｆｒの絶対値及びＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となる厚み比率ｒの数値範囲を図１及び図２からそれぞれ求め、両方の数値範囲の重複範囲に入る厚み比率ｒを選択設定する。なお、ここでは重複範囲は、ＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となる厚み比率ｒの数値範囲になるため、ＴＣＦｆｒについて考慮するのを省略してもよい。そして、圧電基板とＳｉ基板とを接合し、さきほど選択設定した比率ｒとなるように圧電基板及びＳｉ基板の少なくとも一方を研削及び／又は研磨し、複合基板を得る。
【００２７】
また、予め今回使用する厚み比率ｒが決まっている場合、複合基板は次のようにして作製する。すなわち、予め設定した厚み比率ｒに対応するＴＣＦｆｒの絶対値及びＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるＳｉ基板の抵抗率の数値範囲を図１及び図２からそれぞれ求め、両方の数値範囲の重複範囲に入るＳｉ基板の抵抗率を選択設定する。そして、圧電基板と先ほど選択設定した抵抗率を持つＳｉ基板とを接合し、予め設定した厚み比率ｒとなるように圧電基板及びＳｉ基板の少なくとも一方を研削及び／又は研磨し、複合基板を得る。
【産業上の利用可能性】
【００２８】
本発明の複合基板は、共振器構造を有するＳＡＷフィルタに利用可能である。
【符号の説明】
【００２９】
１１０ 梯子形ＳＡＷフィルタ、１１２ １ポートＳＡＷ共振器、１１４ 櫛形電極、１１６ 反射器、１１８ 入出力ライン、Ｒｐ 並列腕共振器、Ｒｓ 直列腕共振器、ａ 電極間距離、ｆ０ 中心周波数、ｆａｓ，ｆａ 反共振周波数、ｆｒｐ，ｆｒ 共振周波数、ｈ 電極幅、ｒ 比率、ｔSi Ｓｉ基板の厚み、ｔpz 圧電基板の厚み。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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