(57)【要約】【課題】アンプの検出範囲に合わせて出力される電気信号の出力特性を設定可能な放射線検出器を提供する。【解決手段】センサ部１０３にバイアス配線１０９に対してセンサ部１０３と電気的に並列になるように電荷蓄積容量４７を設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列に設けられた複数の走査配線と、
前記走査配線と交差して並列に設けられた複数の信号配線と、
前記走査配線と前記信号配線との交差部に対応して設けられ、放射線が照射されることにより電荷が発生し、照射された放射線量に応じて電荷が蓄積される複数のセンサ部と、
前記複数のセンサ部にバイアス電圧を印加するために設けられた複数のバイアス配線と、
前記複数のセンサ部の各々に設けられると共に前記バイアス配線に前記センサ部と電気的に並列になるように接続され、前記センサ部に発生した電荷を蓄積する複数の電荷蓄積容量と、
を備えた放射線検出器。
【請求項２】
前記複数のセンサ部が設けられた検出領域上に、照射された放射線に応じた光を発生する発光部をさらに備え、
前記複数のバイアス配線は、前記センサ部よりも前記発光部で発生する光の下流側に、前記センサ部と絶縁膜を介して重なるように設けられ、当該絶縁膜に形成されたコンタクトを介して前記センサ部と接続された
請求項１記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記複数のセンサ部に発生した電荷を読み出すための薄膜トランジスタをさらに備え、
前記複数の電荷蓄積容量は、２つの電極と当該２つの電極の間の絶縁膜で構成され、一方の電極が前記薄膜トランジスタを構成する配線層に形成された
請求項１又は請求項２記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記複数の電荷蓄積容量の絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を構成する絶縁層で形成された
請求項３記載の放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出器に係り、特に、マトリクス状に複数配置された画素に検出対象とする放射線が照射されることにより発生した電荷を蓄積し、蓄積した電荷量を画像を示す情報として検出する放射線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＴＦＴ（Thin film transistor）アクティブマトリックス基板上にＸ線感応層を配置し、Ｘ線情報を直接デジタルデータに変換できるＦＰＤ（flat panel detector）等の放射線検出器を用いた放射線画像撮影装置が実用化されている。この放射線検出器は、従来のイメージングプレートに比べて、即時に画像を確認でき、動画も確認できるといったメリットがあり、急速に普及が進んでいる。
【０００３】
この種の放射線検出器は、種々のタイプのものが提案されており、例えば、放射線を直接、半導体層で電荷に変換して蓄積する直接変換方式や、放射線を一度ＣｓＩ：Ｔｌ、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）などのシンチレータで光に変換し、変換した光をフォトダイオードで電荷に変換して蓄積する間接変換方式がある。放射線検出器は、各フォトダイオードに蓄積された電荷に応じた電気信号を出力する。放射線画像撮影装置では、放射線検出器から出力される電気信号をアンプで増幅した後にＡ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換部でデジタルデータに変換している。
【０００４】
ところで、アンプは、増幅可能な電気信号の範囲が定まっている。
【０００５】
このため、放射線検出器から出力される電気信号の信号レベルのうち放射線画像として用いられる範囲（所謂、ダイナミックレンジ）がアンプの検出範囲に収まらない場合がある。特に、アンプは、汎用品を用いたり、複数の製品で共通化する場合があるため、フォトダイオードから出力される電気信号のダイナミックレンジとアンプの検出範囲とがミスマッチとなる。
【０００６】
このようにミスマッチがある場合、検出範囲の広いアンプを用いる対応を行うが、アンプの検出範囲に対して電気信号のダイナミックレンジが小さくなるため、結果としてＳ/Ｎが低下する。
【０００７】
なお、関連技術として、特許文献１には、フォトダイオードの出力端子とＭＯＳトランジスタのドレイン端子を接続すると共に、当該ＭＯＳトランジスタのドレイン端子及びゲート端子に接続し、フォトダイオードに発生した電流に応じて、当該ＭＯＳトランジスタのゲート端子に発生する電圧を検出することにより、広い照度に対して出力電圧を得る技術が提案されている。
【０００８】
また、特許文献２には、フォトダイオードのグランド側にＭＩＳ型の蓄積容量を設け、ＭＩＳ型の蓄積容量を電源の正電位側、またはＧＮＤ電位に接続できるようにスイッ
チと接続し、当該スイッチにより蓄積容量の電位を切り替えて蓄積容量をアキュミュレイション（蓄積）状態又はデプレッション（空乏）状態に切り替えて使用することにより、蓄積容量での電荷の蓄積量を変更可能とする技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００８−２７０７６５号公報
【特許文献２】特開２００２−３５０５５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記特許文献１、２の技術では、放射線検出器から出力される電気信号のダイナミックレンジとアンプの検出範囲とのミスマッチを解消することができない。
【００１１】
本発明は上記事実を鑑みて成されたものであり、アンプの検出範囲に合わせて出力される電気信号の出力特性を設定可能な放射線検出器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明の放射線検出器は、並列に設けられた複数の走査配線と、前記走査配線と交差して並列に設けられた複数の信号配線と、前記走査配線と前記信号配線との交差部に対応して設けられ、放射線が照射されることにより電荷が発生し、照射された放射線量に応じて電荷が蓄積される複数のセンサ部と、前記複数のセンサ部にバイアス電圧を印加するために設けられた複数のバイアス配線と、前記複数のセンサ部の各々に設けられると共に前記バイアス配線に前記センサ部と電気的に並列になるように接続され、前記センサ部に発生した電荷を蓄積する複数の電荷蓄積容量と、を備えている。
【００１３】
本発明は、複数の走査配線が並列に設けられ、当該走査配線と交差して複数の信号配線が並列に設けられ、走査配線と信号配線の交差部に対応して複数のセンサ部が設けられており、放射線が照射されることにより各センサ部に電荷が発生し、照射された放射線量に応じて各センサ部に電荷が蓄積される。また、複数のセンサ部に対してバイアス電圧を印加するために複数のバイアス配線が設けられ、複数のセンサ部の各々に電荷蓄積容量が設けられており、バイアス配線にセンサ部と電気的に並列になるように電荷蓄積容量が接続され、センサ部に発生した電荷が電荷蓄積容量に蓄積される。
【００１４】
このように、本発明によれば、複数のセンサ部の各々に電荷蓄積容量を設け、センサ部に発生した電荷を電荷蓄積容量に蓄積させることにより、電荷蓄積容量の容量に応じて放射線検出器から出力される電気信号のゲイン特性を任意の傾きに設定できるため、アンプの検出範囲に合わせて出力される電気信号の出力特性を設定することができる。
【００１５】
なお、本発明は、請求項２に記載の発明のように、前記複数のセンサ部が設けられた検出領域上に、照射された放射線に応じた光を発生する発光部をさらに備え、前記複数のバイアス配線が、前記センサ部よりも前記発光部で発生する光の下流側に、前記センサ部と絶縁膜を介して重なるように設けられ、当該絶縁膜に形成されたコンタクトを介して前記センサ部と接続されてもよい。
【００１６】
また、本発明は、請求項３に記載の発明のように、前記複数のセンサ部に発生した電荷を読み出すための薄膜トランジスタをさらに備え、前記複数の電荷蓄積容量が、２つの電極と当該２つの電極の間の絶縁膜で構成され、一方の電極を前記薄膜トランジスタを構成する配線層で形成されてもよい。
【００１７】
また、本発明は、請求項４に記載の発明のように、前記複数の電荷蓄積容量の絶縁膜が、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を構成する絶縁層で形成されてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
このように、本発明によれば、アンプの検出範囲に合わせて出力される電気信号の出力特性を設定することができる、という優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施の形態に係る放射線画像撮影装置の構成図である。
【図２】実施の形態に係る放射線検出器の構成を示す平面図である。
【図３】実施の形態に係る放射線検出器のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】実施の形態に係る放射線検出器のＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】実施の形態に係る放射線検出器のＣ−Ｃ線断面図である。
【図６】実施の形態に係る放射線画像撮影装置の放射線検出器の構成図である。
【図７】実施の形態に係る放射線検出器の１つの画素に注目した等価回路図である。
【図８】実施の形態に係る放射線検出器の感度特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照しながら本発明を実施するための各実施の形態について説明する。
【００２１】
図１には、本実施の形態に係る放射線画像撮影装置１００の全体構成が示されている。
【００２２】
同図に示すように、本実施の形態に係る放射線画像撮影装置１００は、間接変換方式の放射線検出器１０を備えている。
【００２３】
放射線検出器１０は、後述するシンチレータから出射された光を受けて電荷を蓄積するセンサ部１０３と、センサ部１０３に電気的に並列に接続された電荷蓄積容量４７と、センサ部１０３及び電荷蓄積容量４７に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチ４と、を含んで構成される画素７が一方向（図１の横方向、以下「行方向」ともいう。）及び当該一方向に対する交差方向（図１の縦方向、以下「列方向」ともいう。）に２次元状に複数設けられている。
【００２４】
また、放射線検出器１０は、上記ＴＦＴスイッチ４をそれぞれＯＮ／ＯＦＦするための複数の走査配線１０１が行方向に並列に設けられており、上記センサ部１０３に蓄積された電荷を読み出すための複数の信号配線３が列方向に並列に設けられ、各信号配線３に並列に共通電極配線１０９が設けられている。
【００２５】
さらに、放射線検出器１０には、画素７が２次元状に設けられた検出領域の周囲を囲むように、所定のバイアス電圧を供給する電源１１０に接続された配線１０７が設けられている。各共通電極配線１０９は両端が配線１０７に接続されている。各画素７のセンサ部１０３及び電荷蓄積容量４７は、一端が共通電極配線１０９に接続されており、共通電極配線１０９及び配線１０７を介してバイアス電圧が印加されている。
【００２６】
各信号配線３には、当該信号配線３に接続された何れかの画素７のＴＦＴスイッチ４がＯＮされることによりセンサ部１０３及び電荷蓄積容量４７に蓄積された電荷量に応じた電気信号が流れる。各信号配線３には、各信号配線３に流れ出した電気信号を検出する信号検出回路１０５が接続されており、各走査配線１０１には、各走査配線１０１にＴＦＴスイッチ４をＯＮ／ＯＦＦするための制御信号を出力するスキャン信号制御装置１０４が接続されている。
【００２７】
信号検出回路１０５は、各信号配線３毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路を内蔵している。信号検出回路１０５では、各信号配線３より入力される電気信号を増幅回路により増幅して検出することにより、画像を構成する各画素の情報として、各センサ部１０３に蓄積された電荷量を検出する。
【００２８】
この信号検出回路１０５及びスキャン信号制御装置１０４には、信号検出回路１０５において検出された電気信号に所定の処理を施すとともに、信号検出回路１０５に対して信号検出のタイミングを示す制御信号を出力し、スキャン信号制御装置１０４に対してスキャン信号の出力のタイミングを示す制御信号を出力する信号処理装置１０６が接続されている。
【００２９】
図２〜図５には、本実施形態に係る放射線検出器１０の構成の一例が示されている。なお、図２には、本実施形態に係る放射線検出器１０の１つの画素７の構造を示す平面図が示されており、図３には、図２のＡ−Ａ線断面図が示され、図４には、図２のＢ−Ｂ線断面図が示され、図５には、図２のＣ−Ｃ線断面図が示されている。
【００３０】
図３〜図５に示すように、本実施の形態の放射線検出器１０は、無アルカリガラス等からなる絶縁性の基板１上に、走査配線１０１、ゲート電極２、が形成されており、走査配線１０１とゲート電極２は接続されている（図２参照。）。走査配線１０１及びゲート電極２が形成された配線層（以下、この配線層を「第１信号配線層」ともいう。）は、Ａｌ若しくはＣｕ、又はＡｌ若しくはＣｕを主体とした積層膜を用いて形成されているが、これらに限定されるものではない。
【００３１】
この走査配線１０１及びゲート電極２上には、走査配線１０１及びゲート電極２を覆い一面に絶縁膜１５Ａが形成されており、ゲート電極２上に位置する部位がＴＦＴスイッチ４におけるゲート絶縁膜として作用する。この絶縁膜１５Ａは、例えば、ＳｉＮＸ 等からなっており、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）成膜により形成される。
【００３２】
絶縁膜１５Ａ上のゲート電極２上には、半導体活性層８が島状に形成されている。この半導体活性層８は、ＴＦＴスイッチ４のチャネル部であり、例えば、アモルファスシリコン膜からなる。
【００３３】
これらの上層には、ソース電極９、及びドレイン電極１３が形成されている。このソース電極９及びドレイン電極１３が形成された配線層には、ソース電極９、ドレイン電極１３とともに、共通電極配線１０９が形成されている。信号配線３、ソース電極９、及び共通電極配線１０９が形成された配線層（以下、この配線層を「第２信号配線層」ともいう。）は、Ａｌ若しくはＣｕ、又はＡｌ若しくはＣｕを主体とした積層膜が用いて形成されるが、これらに限定されるものではない。
【００３４】
このソース電極９及びドレイン電極１３と半導体活性層８との間にはコンタクト層（不図示）が形成されている。このコンタクト層は、不純物添加アモルファスシリコン等の不純物添加半導体からなる。ゲート電極２、半導体活性層８、ソース電極９、及びドレイン電極１３によりＴＦＴスイッチ４が構成されれる。
【００３５】
これら半導体活性層８、ソース電極９、ドレイン電極１３、及び共通電極配線１０９を覆い、基板１上の画素７が設けられた領域のほぼ全面（ほぼ全領域）には、第２絶縁膜１５Ｂが形成されている。この第２絶縁膜１５Ｂは、例えば、ＳｉＮＸ 等からなっており、例えば、ＣＶＤ成膜により形成される。
【００３６】
第２絶縁膜１５Ｂ上には、信号配線３、コンタクト２４、及びコンタクト３６が形成されている。信号配線３、コンタクト２４、及びコンタクト３６が形成された配線層（以下、この配線層を「第３信号配線層」ともいう。）は、Ａｌ若しくはＣｕ、又はＡｌ若しくはＣｕを主体とした積層膜が用いて形成されるが、これらに限定されるものではない。
【００３７】
第２絶縁膜１５Ｂには、信号配線３とソース電極９とが対向する位置にコンタクトホール３７（図２参照）が形成され、コンタクト３６とドレイン電極１３とが対向する位置にコンタクトホール３８が形成され、コンタクト２４と共通電極配線１０９と対向する位置にコンタクトホール３９Ａが形成されている。
【００３８】
信号配線３はコンタクトホール３７を介してソース電極９に接続されており（図１参照。）、コンタクト３６はコンタクトホール３８を介してドレイン電極１３に接続され、コンタクト２４はコンタクトホール３９Ａを介して共通電極配線１０９に接続されている（図４参照。）。
【００３９】
本実施の形態に係る放射線検出器１０では、センサ部１０３部分においてコンタクト３６を広く形成して電極部４７Ａを形成し、センサ部１０３部分において共通電極配線１０９を広く形成して電極部４７Ａと対向するように電極部４７Ｂを形成しており、電極部４７Ａと電極部４７Ｂにより電荷蓄積容量４７を形成している。
【００４０】
第３信号配線層上には、一面に第３絶縁膜１５Ｃが形成され、さらに塗布型の層間絶縁膜１２が形成されている。この第３絶縁膜１５Ｃは、例えば、ＳｉＮＸ 等からなっており、例えば、ＣＶＤ成膜により形成される。層間絶縁膜１２及び第３絶縁膜１５Ｃには、コンタクト３６と対向する位置にコンタクトホール４０が形成され、コンタクト２４と対向する位置にコンタクトホール３９Ｂが形成されている。
【００４１】
層間絶縁膜１２上には、コンタクトホール４０を埋めるように下部電極１８が形成されている。下部電極１８は、コンタクトホール４０を介してコンタクト３６に接続され、コンタクト３６を介してＴＦＴスイッチ４のドレイン電極１３と接続されている。この下部電極１８は、後述する半導体層６が１μｍ前後と厚い場合には導電性があれば材料に制限がほとんどない。このため、Ａｌ系材料、ＩＴＯなど導電性の金属を用いて形成すれば問題ない。
【００４２】
一方、半導体層６の膜厚が薄い場合（０．２〜０．５μｍ前後）、半導体層６で光の吸収が十分でないため、ＴＦＴスイッチ４への光照射によるリーク電流の増加を防ぐため、遮光性メタルを主体とする合金、もしくは積層膜とすることが好ましい。
【００４３】
下部電極１８上には、フォトダイオードとして機能する半導体層６が形成されている。本実施の形態では、半導体層６として、ＰＩＮ構造のフォトダイオードを採用しており、下層からｎ＋層、ｉ層、ｐ＋層を順に積層して形成する。なお、本実施の形態では、下部電極１８をそれぞれ半導体層６よりも大きくしている。なお、半導体層６の膜厚が薄い場合（例えば、０．５μｍ以下の場合）には、ＴＦＴスイッチ４への光入射を防ぐ目的で、遮光性金属を配置してＴＦＴスイッチ４を覆うことが好ましい。
【００４４】
好ましくは、デバイス内部の光の乱反射によるＴＦＴスイッチ４への光進入を抑制するため、ＴＦＴスイッチ４のチャネル部から遮光性金属からなる下部電極１８の端部への間隔を５μｍ以上確保している。
【００４５】
半導体層６上には、上部電極２２が形成されている。この上部電極２２には、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ（酸化亜鉛インジウム）などの光透過性の高い材料を用いている。
【００４６】
本実施の形態に係る放射線検出器１０では、上部電極２２、半導体層６、下部電極１８によりセンサ部１０３を構成している。
【００４７】
この層間絶縁膜１２、上部電極２２上には、上部電極２２に対応する一部で開口４１を持つ半導体層６を覆うように、塗布型の層間絶縁膜２３が形成されている。この層間絶縁膜２３は、コンタクト２４に対応する位置にコンタクトホール３９Ｂが形成されている。
【００４８】
この層間絶縁膜２３上には、画素領域を覆うように電極４５が形成されている。この電極４５には、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性の高い材料を用いている。電極４５は、開口４１を介して上部電極２２に接続され、さらに、コンタクトホール３９Ｂを介してコンタクト２４に接続されている。よって、上部電極２２はコンタクト２４及び電極４５を介して共通電極配線１０９と電気的に接続されている。
【００４９】
このように形成された放射線検出器１０には、図６に示すように、必要に応じてさらに光吸収性の低い絶縁性の材料により保護膜２８が形成され、その表面に光吸収性の低い接着樹脂を用いてＧＯＳ等からなるシンチレータ７０が貼り付けられる。シンチレータ７０は、照射された放射線を光に変換して、光を出射する。図６に示すように、本実施の形態のシンチレータ７０の下部には、光を反射させるための部材である反射体が設けられている。
【００５０】
次に、上記構造の放射線画像撮影装置１００の動作原理について説明する。
【００５１】
図６の上方からＸ線が照射されると、照射されたＸ線は、シンチレータ７０に吸収され、可視光に変換される。なお、Ｘ線は図６の下方から照射されてもよく、この場合においても照射されたＸ線は、シンチレータ７０に吸収され、可視光に変換される。この発生した光は、接着樹脂２８の層を通過して、センサ部１０３にそれぞれ照射される。
【００５２】
図７には、本実施の形態に係る放射線検出器１０の１つの画素７に注目した等価回路図が示されている。
【００５３】
センサ部１０３は、放射線が照射されることにより電荷が発生する。
【００５４】
本実施の形態に係る放射線検出器１０は、センサ部１０３に電気的に並列に電荷蓄積容量４７が接続されているため、上部電極２２Ａの電位がバイアス電圧Ｖｄと同電位になるまでセンサ部１０３に発生した電荷がセンサ部１０３及び電荷蓄積容量４７に蓄積される。
【００５５】
本実施の形態に係る放射線検出器１０は、電荷蓄積容量４７の容量によって電荷の蓄積に応じた上部電極２２の電位の上昇度合が異なり、電荷蓄積容量４７の容量が小さい場合、図８の実線で示すようにゲイン特性が高くなり上部電極２２の電位が早く上昇し、上部電極２２Ａの電位がバイアス電圧Ｖｄと同電位となるまでの範囲ＤＬＡがセンサ部１０３のダイナミックレンジとなり、電荷蓄積容量４７の容量が大きくなるほど、図８の破線で示すようにゲイン特性が低くなり、範囲ＤＬＢがセンサ部１０３のダイナミックレンジとなる。
【００５６】
例えば、フォトダイオードの容量を１ｐＦのとき、蓄積容量がない場合に３ｍＲで飽和電荷量に到達し、すなわちフォトダイオード下部電極がバイアス電圧に到達したとする。本発明の構成を適用し、電気的に並列な蓄積容量０．５ｐＦを配置することにより、飽和電荷量は１．５倍となり、その結果、ダイナミックレンジを４．５ｍＲまで拡大することができる。
【００５７】
このように、本実施の形態に係る放射線検出器１０は、電荷蓄積容量４７の容量を変えることにより飽和電荷量を変えることでゲイン特性を変えることができるため、出力される電気信号のダイナミックレンジ（飽和電荷量）がアンプの検出範囲と合うようなゲイン特性となるように電荷蓄積容量４７の容量を定めて電荷蓄積容量４７を形成することにより、信号検出回路１０５に内蔵された増幅回路の検出範囲に合わせて出力される電気信号の出力特性を設定することができる。これにより、放射線検出器１０から出力される電気信号のダイナミックレンジとアンプの検出範囲とのミスマッチを解消することができる。
【００５８】
また、本実施の形態に係る放射線検出器１０は、共通電極配線１０９を、センサ部１０３よりもシンチレータ７０で発生する光の下流側に、センサ部１０３と第３絶縁膜１５Ｃ及び層間絶縁膜１２を介して重なるように設け、コンタクト２４を介してセンサ部１０３と接続しているため、共通電極配線１０９によってセンサ部１０３の光の受光面積を遮光するのを防ぐことができるため、受光面積を大きくすることができる。これは特に、高精細化によってセンサ部が微細化された際、受光面積を確保する上で有効である。
【００５９】
また、本実施の形態に係る放射線検出器１０は、電荷蓄積容量４７の一方の電極４７ＢをＴＦＴスイッチ４のソース電極９、及びドレイン電極１３が形成される第２信号配線層に形成したことにより、電荷蓄積容量４７を形成するために配線層が増加することを抑えることができるため、製造プロセスを簡素化することができる。
【００６０】
なお、上記実施の形態で説明した放射線画像撮影装置１００の構成、及び放射線検出器１０の構成は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において適宜変更可能であることは言うまでもない。
【００６１】
上記実施の形態では、各共通電極配線１０９を各信号配線３に並列に設けた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、各共通電極配線１０９を各走査配線１０１に並列に設けてもよい。
【００６２】
また、上記実施の形態では、共通電極配線１０９及び電極４７Ｂを第２信号配線層に形成し、コンタクト３６を第３信号配線層に形成した場合ついて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、共通電極配線１０９及び電極４７Ｂを第１信号配線層に形成してもよい。この場合、第２絶縁膜１５Ｂにもコンタクトホール４０を形成するようにしてコンタクト３６を第２信号配線層に形成してもよい。
【００６３】
また、共通電極配線１０９及び電荷蓄積容量４７をセンサ部１０３と同じ層又はセンサ部１０３よりもシンチレータ７０で発生する光の上流側に形成してもよい。
【００６４】
また、上記実施の形態では、Ｘ線を検出することにより画像を検出する放射線画像撮影装置１００に本発明を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、検出対象とする放射線はＸ線や可視光、紫外線、赤外線、ガンマ線、粒子線等いずれであってもよい。
【符号の説明】
【００６５】
３      信号配線
４      ＴＦＴスイッチ（スイッチ素子）
１０    放射線検出器
４７    電荷蓄積容量
７０    シンチレータ（発光部）
１０１  走査配線
１０３  センサ部
１０９  共通電極配線（バイアス配線）
【図１】
2011249370.tif 000003
【図２】
2011249370.tif 000004
【図３】
2011249370.tif 000005
【図４】
2011249370.tif 000006
【図５】
2011249370.tif 000007
【図６】
2011249370.tif 000008
【図７】
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【図８】
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