(57)【要約】【課題】リカバリタイムが短く、レーダ装置に用いても性能の劣化が少ないリミッタ装置を提供すること。【解決手段】本発明一例のリミッタ装置は、高周波の大電力パルス信号が入力される入力端子に一端を接続された第１のコンデンサと、この第１のコンデンサの他端と接地の間に接続され、前記大電力パルス信号が前記入力端子に入力するとき導通する第１の半導体素子と、この第１の半導体素子及び前記コンデンサの接続点に一端を接続されたコイルと、このコイル及び前記半導体素子の接続点と出力端子の間に接続された第２のコンデンサと、前記入力端子に接続される高周波結合器と、この高周波結合器に接続され、前記大電力パルス信号が前記入力端子に入力されたことを検出する高周波検出部と、この高周波検出部により前記大電力パルス信号が検出されたとき、前記コイルの他端にバイアス電圧を印加するバイアス印加部とを備えてなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波の大電力パルス信号が入力される入力端子に一端を接続された第１のコンデンサと、
この第１のコンデンサの他端と接地の間に接続され、前記大電力パルス信号が前記入力端子に入力するとき導通する第１の半導体素子と、
この第１の半導体素子及び前記コンデンサの接続点に一端を接続されたコイルと、
このコイル及び前記半導体素子の接続点と出力端子の間に接続された第２のコンデンサと、
前記入力端子に接続される高周波結合器と、
この高周波結合器に接続され、前記大電力パルス信号が前記入力端子に入力されたことを検出する高周波検出部と、
この高周波検出部により前記大電力パルス信号が検出されたとき、前記コイルの他端にバイアス電圧を印加するバイアス印加部と
を備えてなることを特徴とするリミッタ装置。
【請求項２】
前記半導体素子は、ＰＩＮダイオードであり、このＰＩＮダイオードのアノード端子が前記第１のコンデンサの他端に接続されることを特徴とする請求項１記載のリミッタ装置。
【請求項３】
前記バイアス印加部は、前記高周波検出部により前記大電力パルス信号により駆動制御信号を生成する駆動制御回路と、この駆動制御信号に基づき前記バイアス電圧を生成するＰＩＮダイオード駆動回路を有することを特徴する請求項２記載のリミッタ装置。
【請求項４】
前記コイルと前記第２のコンデンサの接続点にそのアノード端子が接続されカソード端子は接地される第２のＰＩＮダイオードを、更に有することを特徴とする請求項３記載のリミッタ装置。
【請求項５】
前記出力端子にアノード端子を接続されカソード端子を接地される第３のＰＩＮダイオードを更に有することを特徴する請求項４記載のリミッタ装置。
【請求項６】
前記高周波検出部は、入力される信号を検波する検波回路と、この検波回路の出力信号をＡＤ変換するＡＤ変換回路を有することを特徴とする請求項５記載のリミッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一実施形態は、リミッタ装置に係わり、レーダ装置など高周波の大電力パルス信号が入力されたとき増幅回路を保護するためのリミッタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーダ装置では、高周波の大電力パルス信号を送信し、物体からの反射波を受信して一定の視野の画像を得る。増幅器などを有する受信部は、送信のときの大電力パルス信号あるいは近距離物体からの強い反射の大電力パルス信号から、保護する必要がある。
【０００３】
このための保護回路として、大電力パルス信号が入力したときには入力を制限するリミッタ装置が用いられる。レーダ装置に用いられるリミッタ装置には、小型で低価格で廃棄が容易であるために、ＰＩＮダイオードを用いることが多い。
【０００４】
このリミッタ装置における初段のＰＩＮダイオードとしては、大電力に耐えるために熱抵抗を小さくできるチップサイズの大きいダイオードが使われる。ＰＩＮダイオードはＰＮ接合の中央に真性半導体（Ｉ層）を設け、Ｐ−Ｉ−Ｎ接合としたダイオードであり、接合に印加された順方向電流を制御することによって、高周波直列抵抗を変化させることができる高周波抵抗素子である。
【０００５】
ＰＩＮダイオードはＩ層が厚く、数ｋＷの電力を加えても破壊せず、リミッタとして良好な性能を示す。反面、数ｋＷの電力を加えても破壊しないＰＩＮダイオードはＩ層が厚く、リカバリタイムが数ｍｓｅｃと長く、送信パルスを送出した後受信不能となる時間が長いので、レーダ装置の近距離性能を悪化させる原因となっていた。
【０００６】
ＰＩＮダイオードを用いた従来のリミッタ装置の回路例を図６に示す。このリミッタ装置は、図６に示すように接地したチョークコイル６１に並列に、両側にＰＩＮダイオード６２ａ、６２ｂを備え、入力端子６３及び出力端子６４に直列にコンデンサ６５ａ，６５ｂが接続された構成となっている。
【０００７】
入力端子６３に小電力信号が入力されたときには、高周波信号がそのまま出力端子６４から出力される。一方、図２（ａ）に示すような大電力信号が入力端子６３に入力されたときには、前段のＰＩＮダイオード６２ａに順方向電圧が印加され導通状態になる。
【０００８】
そしてその電圧が除かれたときには、Ｉ層に蓄積された電荷は、チョークコイル６１を介してアースに逃げることになる。ところが耐圧を上げるためにＩ層を厚くすればするほど、その電荷量が大きく、電荷がなくなり空乏層が形成されるまでの時間が長くなる。この時間はリカバリタイムといわれる。この時間はレーダ装置として感知できない時間であり、このリカバリタイムが長いと、レーダ装置の見えない近距離範囲が増加してレーダ性能の劣化をもたらす。
【０００９】
なお、特許文献１には、ＰＩＮダイオードに順方向のバイアス電圧を印加するダイオードリミッタが開示されているが、このリミッタは、大信号入力時の漏れ電力を小さくするものである。また、特許文献２には、ＰＩＮダイオードのインダクタンス成分を回路により打ち消し、高周波特性及びリミッテング特性の改善を図るリミッタ回路が開示されている。
【００１０】
しかしいずれのリミッタでも、ｋＷ級のハイパワーリミッタとして用いる場合、耐圧のためにＩ層を厚くしたＰＩＮダイオードでは、やはりリカバリタイムが長くなる問題点を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平６−２１７３９号公報
【特許文献２】特開２００８−２２２３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上記のような問題点にかんがみてなされたもので、リカバリタイムが短く、レーダ装置に用いても性能の劣化が少ないリミッタ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の請求項１によれば、高周波の大電力パルス信号が入力される入力端子に一端を接続された第１のコンデンサと、この第１のコンデンサの他端と接地の間に接続され、前記大電力パルス信号が前記入力端子に入力するとき導通する第１の半導体素子と、この第１の半導体素子及び前記コンデンサの接続点に一端を接続されたコイルと、このコイル及び前記半導体素子の接続点と出力端子の間に接続された第２のコンデンサと、前記入力端子に接続される高周波結合器と、この高周波結合器に接続され、前記大電力パルス信号が前記入力端子に入力されたことを検出する高周波検出部と、この高周波検出部により前記大電力パルス信号が検出されたとき、前記コイルの他端にバイアス電圧を印加するバイアス印加部とを備えてなることを特徴とするリミッタ装置を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、リカバリタイムが短く、レーダ装置に用いても性能の劣化が少ないリミッタ装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明一実施形態のリミッタ装置の構成を示す図である。
【図２】本発明一実施形態の動作を説明するための波形図である。
【図３】本発明の他の一実施形態の構成を示す図である。
【図４】本発明の更に他の実施形態の構成を示す図である。
【図５】本発明の更に他の実施形態の構成を示す図である。
【図６】従来のリミッタ装置の構成例を示す図である。
【図７】図６に示した従来のリミッタ装置の動作を説明するための波形図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。本発明一実施形態の回路を図１に示す。
【００１７】
このダイオードリミッタ装置１０は、入力端子１１ａに接続された高周波結合器１２と、この高周波結合器１２に一端が接続された第１のコンデンサ１３ａと、この第１のコンデンサの他端にアノード端子が接続され、カソード端子が接地された第１のＰＩＮダイオード１４ａと、この第１のＰＩＮダイオードのアノード端子に一端が接続されたチョークコイル１５と、チョークコイル１５に負電圧をかけてＰＩＮダイオードを駆動するＰＩＮダイオード駆動部１６と、ＰＩＮダイオード駆動部１６の駆動を制御する駆動制御信号を生成する駆動制御部１７と、前記高周波結合器１２に接続され高周波の入力を検出する高周波検出部１８と、前記高周波結合器１２に接続され他端が接地された終端抵抗器１９と、第１のＰＩＮダイオード１４ａのアノード端子とチョークコイル１５の接続点にそのアノード端子を接続されカソード端子を接地された第２のＰＩＮダイオード１４ｂと、この第２のＰＩＮダイオード１４ｂのアノード端子と出力端子１１ｂとの間に接続された第２のコンデンサ１３ｂとを有する。なお、ＰＩＮダイオードに印加されるバイアス電圧を生成するＰＩＮダイオード駆動部１６と駆動制御部１７はバイアス印加部を構成する。
【００１８】
高周波結合器１２は、入力端子１１ａに入力される高周波信号を第１のコンデンサ１３ａに入力する経路と、この経路に結合して、上記高周波信号を高周波検出部１８に伝送し、他端は終端抵抗器１９で電力を消費する経路とから成る。高周波検出部１８は、入力端子１１ａに入る高周波信号を検波する高周波検波回路１８ａと、この高周波検波回路１８ａで検波された信号をＡＤ変換するＡＤ変換回路１８ｂとから成る。
【００１９】
次に、図２の波形図を用いてこの実施形態の動作を説明する。図２の(ａ)は入力端子１１ａから入力される高周波高電圧の大電力パルス信号波形、（ｂ）は高周波検出部１８の出力波形、（ｃ）は駆動制御回路１７の出力波形、（ｄ）はＰＩＮダイオード駆動回路１６の波形、（ｅ）は出力端子１１ｂにおける波形を示す。また、図２（ｆ）は、本実施形態の図２（ｅ）の出力波形と比較するために示す従来の場合の出力波形である。
【００２０】
入力端子１１ａから時点ｔ１から時点ｔ３まで高電圧で高周波の大電力パルス信号が入ってくると、このパルス信号に対してＰＩＮダイオード１４ａが応答する前に、コンデンサ１３ａを介してスパイク漏れ電力が出力側に生ずる。図２（ｄ）（ｅ）に示す小パルスｍｐは、このスパイク漏れ電力によるパルスを示す。高周波の大電力パルス信号は高周波結合器１２を介して高周波検出部１８に入力され、その中の検波回路１８ａにおいて検波されＡＤ変換回路１８ｂでＡＤ変換される。大電力パルス信号に対して、高周波検出部１８からパルスの立ち上がり及び立下りが各々時点ｔ２、ｔ４の出力信号が得られる。
【００２１】
駆動制御回路１７は、図２（ｃ）に示す高周波検出部１８の出力パルスの立下りによりトリガされる、時点ｔ４から時点ｔ６までの所定幅の負のパルスを発生し、この信号はＰＩＮダイオード駆動回路１６に入力される。ＰＩＮダイオード駆動回路１６は駆動制御回路１７から入力されたパルスを高電圧の負パルス（ＰＩＮダイオード駆動パルス）に変えて、チョークコイル１５に印加する。駆動制御回路１７の出力パルスは数μｓｅｃであり、電圧値は−１０Ｖ程度から−１００Ｖ程度であることが好ましい。
【００２２】
したがって、時点ｔ３から時点ｔ４までは、ＰＩＮダイオード１４ａ，１４ｂのＩ層における電荷の消失は従来と同様であるから、この時間では通常のリカバリ曲線を描く。
【００２３】
しかし、時点ｔ４において、ＰＩＮダイオード１４ａ，１４ｂのアノード端子には、図２（ｄ）に示す高電圧の負パルスが印加される。これにより、ＰＩＮダイオード１４ａ，１４ｂのＩ層における電荷消失は加速され、図２（ｅ）に示すように例えば時点ｔ６より前の時点ｔ５において、電荷が消失する。しかし時点ｔ６までは、ＰＩＮダイオードにバイアスがかかってＯＮ状態にあるから、受信可能状態にはならない。
【００２４】
したがって、大電力パルス信号の送信が終わった直後から受信可能な状態になるまでのリカバリタイム（Ｔｒ）は時点ｔ３から時点ｔ６までとなる。このように、駆動制御回路１７から出力される負パルスの幅（時点ｔ４から時点ｔ６までの時間）が重要ある。この時間は、ＰＩＮダイオードのＩ層の電荷が消失する時間より長いことが好ましいが、この時間が長過ぎると、Ｉ層の電荷がなくなったにもかかわらず、ＰＩＮダイオードが導通（ＯＮ）状態を持続し、受信不可能な状態を続けることになるからである。この時間は通常、数マイクロ秒程度取ればよい。
【００２５】
比較のために従来の場合のリカバリタイムを図２（ｆ）に示した。図２（ｅ）と図２(ｆ)を比較すると、この実施形態のリカバリタイムを、従来の場合のリカバリタイムである時点ｔ３から時点ｔ７までの時間よりも相当、短縮することが可能となる。
【００２６】
上記実施形態では、ＰＩＮダイオードがチョークコイル１５の入力側及び出力側に設けられているダイオードリミッタ装置について説明した。このようなダイオードリミッタ装置では、大電力パルス信号の入力時には、第１のＰＩＮダイオード１４ａだけでなく、第２のＰＩＮダイオード１４ｂも導通（ＯＮ）することによって、ダイオードリミッタ装置の後ろに接続される受信回路を十分保護することが可能である。
【００２７】
しかし、第２のＰＩＮダイオードはなくても後続の受信回路を保護することは可能である。このような本発明の第２の実施形態のダイオードリミッタ装置を図３に示す。
【００２８】
図３において、番号、符号３１ａ〜３８ｂは、図１における番号、符号１１ａ〜１８ｂに対応する。但し、図３には図１における第２のＰＩＮダイオード１４ｂに相当するＰＩＮダイオードはなく、第１のＰＩＮダイオード１４ａに対応するＰＩＮダイオード３４ａのみが設けられている。
【００２９】
このダイオードリミッタ装置は、入力端子３１ａに接続された高周波結合器３２と、この結合器３２に一端が接続された第１のコンデンサ３３ａと、この第１のコンデンサの他端にアノード端子が接続され、カソード端子が接地されたＰＩＮダイオード３４ａと、このＰＩＮダイオードのアノード端子に一端が接続されたチョークコイル３５と、チョークコイル３５に負電圧をかけてＰＩＮダイオードを駆動するＰＩＮダイオード駆動部３６と、ＰＩＮダイオード駆動部３６の駆動を制御する駆動制御部３７と、前記高周波結合器３２に接続され高周波の入力を検出する高周波検出部３８と、前記高周波結合器３２に接続され他端が接地された終端抵抗器３９と、ＰＩＮダイオード３４ａのアノード端子と出力端子３１ｂとの間に接続された第２のコンデンサ３３ｂとを有する。なお、ＰＩＮダイオードに印加されるバイアス電圧を生成するＰＩＮダイオード駆動部３６と駆動制御部３７はバイアス印加部を構成する。
【００３０】
高周波結合器３２は、入力端子１１ａに入力される高周波信号を第１のコンデンサ１３ａに入力する経路と、この経路に結合して、上記高周波信号を高周波検出部３８に伝送し、他端は終端抵抗器３９で電力を消費する経路とから成る。高周波検出部３８は、入力端子１１に入る高周波信号を検波する高周波検波回路３８ａと、この高周波検波回路で検波された信号をＡＤ変換するＡＤ変換回路３８ｂとから成る。
【００３１】
このダイオードリミッタ装置においても、入力端子３１ａに大電力パルス信号が入力されると、ＰＩＮダイオード３４ａはショートし、出力端子３１ｂに接続される後続の受信回路を保護する。
【００３２】
入力端子３１ａに入力される大電力信号パルスは高周波結合器３２に伝えられ、高周波検波回路３８から駆動制御回路３７に検波出力のデジタル信号が入力され、その立下りのタイミングで負のパルスを発生する。この負パルスはＰＩＮダイオード駆動回路３６で高電圧のＰＩＮダイオード駆動パルスに変えられてチョークコイル３５に印加される。このバイアス信号によりＰＩＮダイオードは導通状態になる。
【００３３】
したがって、この実施形態によれば、ＰＩＮダイオード３４ａのＩ層に蓄積された電荷は急速に接地に逃がすことができ、リカバリタイムを短縮することが可能となる。
【００３４】
図１に示した本発明一実施形態のダイオードリミッタ装置は、チョークコイル４５の後の１つのＰＩＮダイオード１４ｂを設けていた。しかし、このようなＰＩＮダイオードを複数個並列に設けることも可能である。
【００３５】
このような本発明の更に他の実施形態の構成を図４に示す。この実施形態では、チョークコイルの後に２つのＰＩＮダイオードを設けている。
【００３６】
図４において、番号、符号４１ａ〜４８ｂは、図１における番号、符号１１ａ〜１８ｂに対応する。但し、図４には図１における第２のＰＩＮダイオード１４ｂだけでなく第２のコンデンサ４３ｂの一端と接地の間に第３のＰＩＮダイオード４４ｃが設けられている。
【００３７】
このダイオードリミッタ装置は、入力端子４１ａに接続された高周波結合器４２と、この高周波結合器４２に一端が接続された第１のコンデンサ４３ａと、この第１のコンデンサ４３ａの他端にアノード端子が接続され、カソード端子が接地された第１のＰＩＮダイオード４４ａと、このＰＩＮダイオード４４ａのアノード端子に一端が接続されたチョークコイル４５と、このチョークコイル４５と上記ＰＩＮダイオード４４ａのアノード端子の接続点にアノード端子を接続されカソード端子を接地された第２のＰＩＮダイオード４４ｂと、ＰＩＮダイオード４４ｂのアノード端子と出力端子４１ｂとの間に接続された第２のコンデンサ４３ｂと、出力端子４１ｂにアノード端子を接続されカソード端子を接地された第３のＰＩＮダイオード４４ｃと、上記チョークコイル４５に負電圧をかけてＰＩＮダイオードを駆動するＰＩＮダイオード駆動部４６と、ＰＩＮダイオード駆動部４６の駆動を制御する駆動制御部４７と、前記高周波結合器４２に接続され高周波の入力を検出する高周波検出部４８と、前記高周波結合器４２に接続され他端が接地された終端抵抗器４９とを有する。なお、ＰＩＮダイオードに印加されるバイアス電圧を生成するＰＩＮダイオード駆動部４６と駆動制御部４７はバイアス印加部を構成する。
【００３８】
高周波結合器４２は、入力端子４１ａに入力される高周波信号を第１のコンデンサ４３ａに入力する経路と、この経路に結合して、上記高周波信号を高周波検出部４８に伝送し、他端は終端抵抗器４９で電力を消費する経路とから成る。高周波検出部４８は、入力端子４１ａに入る高周波信号を検波する高周波検波回路４８ａと、この高周波検波回路で検波された信号をＡＤ変換するＡＤ変換回路４８ｂとから成る。
【００３９】
入力端子４１ａに入力される大電力パルス信号は高周波結合器４２に伝えられ、高周波検波回路４８から駆動制御回路４７に検波出力のデジタル信号が入力され、その立下りのタイミングで負のパルスを発生する。この負パルスはＰＩＮダイオード駆動回路４６で高電圧のＰＩＮダイオード駆動パルスに変えられてチョークコイル４５に印加される。
【００４０】
したがって、この実施形態によれば、ＰＩＮダイオード４４ａのＩ層に蓄積された電荷は急速に地面に逃がすことができ、リカバリタイムを短縮することが可能となる。
【００４１】
本発明のこの実施形態によれば、入力側の第１のＰＩＮダイオードだけでなく出力側に２つのＰＩＮダイオードがチョークコイルと並列に設けられている。大電力信号パルスが入力されたとき、これらのＰＩＮダイオードもショートすることになり、出力端子４１ｂへの大電力パルスの漏れを抑制でき、出力端子４１ｂに接続される後続の受信回路を、更に厚く保護することができる利点がある。
【００４２】
上記すべての実施形態では、大電力パルス信号の入力時にショートして信号通過を抑止する素子として、ＰＩＮダイオードを用いた場合について説明した。しかし、このような機能を有するものはＰＩＮダイオード以外にもあり、これらＰＩＮダイオード以外の半導体素子を用いることも可能である。次にこのような本発明の更に他の実施形態について説明する。
【００４３】
このような実施形態のリミッタ装置の構成例を図５に示す。この実施形態は、図１に示す構成における第１、第２のＰＩＮダイオード１４ａ，１４ｂを第１、第２の半導体素子５４ａ、５４ｂに置き換えたものである。これらの半導体素子としては、トランジスタ、ＦＥＴなどを用いることができる。図５における番号、符号５１ａ〜５８ｂは、符号５４ａ，５４ｂ及び半導体素子駆動回路５６を除いて、図１における番号、符号１１ａ〜１８ｂに対応する。
【００４４】
このリミッタ装置は、入力端子５１ａに接続された高周波結合器５２と、この高周波結合器５２に一端が接続された第１のコンデンサ５３ａと、この第１のコンデンサ６５ａの他端にアノード端子が接続され、アース端子が接地された第１の半導体素子５４ａと、この第１の半導体素子５４ａの入力端子に一端が接続されたチョークコイル５５と、チョークコイル５５に負電圧をかけて半導体スイッチ素子を駆動する半導体素子駆動部５６と、半導体素子駆動部５６の駆動を制御する駆動制御部５７と、前記高周波結合器５２に接続され高周波の入力を検出する高周波検出部５８と、前記高周波結合器５２に接続され他端が接地された終端抵抗器５９と、第１の半導体素子５４ａの入力端子とチョークコイル１５の接続点にその入力端子を接続されアース端子を接地された第２の半導体素子５４ｂと、この第２の半導体素子５４ｂの入力端子と出力端子５１ｂとの間に接続された第２のコンデンサ５３ｂとを有する。半導体素子５４ａ、５４ｂは、入力端子に大信号が入力すると導通し、信号の通過を阻止する機能を有する素子である。なお、半導体素子駆動部５６と駆動制御部５７はバイアス印加部を構成する。
【００４５】
高周波結合器５２は、入力端子５１ａに入力される高周波信号を第１のコンデンサ５３ａに入力する経路と、この経路に結合して、上記高周波信号を高周波検出部５８に伝送し、他端は終端抵抗器５９で電力を消費する経路とから成る。高周波検出部５８は、入力端子５１ａに入る高周波信号を検波する高周波検波回路５８ａと、この高周波検波回路５８ａで検波された信号をＡＤ変換するＡＤ変換回路５８ｂとから成る。
【００４６】
入力端子５１ａに入力される大電力信号パルスは高周波結合器５２に伝えられ、高周波検波回路５８から駆動制御回路５７に検波出力のデジタル信号が入力され、その立下りのタイミングで負のパルスを発生する。この負パルスは半導体素子駆動回路５６で高電圧の半導体素子駆動パルスに変えられてチョークコイル５５に印加される。
【００４７】
したがって、この実施形態によれば、半導体素子に蓄積された電荷は急速に地面に逃がすことができ、リカバリタイムを短縮することが可能となる。
【００４８】
半導体素子を用いる場合にも、図３、図４に示したように、この半導体素子の数を変えて本発明に適用することが可能である。すなわち、本発明は図３に示すように１個の半導体素子を用いてリミッタ装置を構成しても良いし、図４に示すようにチョークコイルの後にコンデンサを介して２個又はそれ以上のチョークコイルを接続してもよい。後者においては大電力パルス信号が出力端子に伝送されることを大きく抑制することができ、したがって後段に接続される受信回路を保護することができる効果は更に大きくなる。
【００４９】
上記実施形態では、大電力パルス信号が検出されたとき、負バイアス信号がチョークコイルを介してＰＩＮダイオードなど半導体素子に加えられていた。しかし、本発明ではチョークコイルに限られず、一般的にはコイルを介して、半導体素子にバイアス信号が印加されればよい。
【００５０】
そのほか本発明は、上記実施形態に限定されず種々変形して実施可能である。これらの変形例は本発明の技術思想を用いる限り本発明に含まれる。
【符号の説明】
【００５１】
１０・・・・ダイオードリミッタ装置、
１１ａ，３１ａ，４１ａ，５１ａ・・・・入力端子、
１１ｂ，３１ｂ，４１ｂ，５１ｂ・・・・出力端子、
１２，３２，４２，５２・・・・高周波結合器、
１３ａ，３３ａ，４３ａ，５３ａ・・・・第１のコンデンサ、
１３ｂ，３３ｂ，４３ｂ，５３ｂ・・・・第２のコンデンサ、
１４ａ，３４ａ，４４ａ・・・・第１のＰＩＮダイオード、
１４ｂ，４４ｂ・・・・第２のＰＩＮダイオード、
１５，３５，４５，５５・・・・チョークコイル、
１６，３６，４６・・・・ＰＩＮダイオード駆動部、
１７，３７，４７，５７・・・・駆動制御部、
１８，３８，４８，５８・・・・高周波検出部、
１９，３９，４９，５９・・・・終端抵抗器、
１８ａ，３８ａ，４８ａ，５８ａ・・・・検波回路、
１８ｂ，３８ｂ，４８ｂ，５８ｂ・・・・ＡＤ変換回路、
５４ａ・・・・第１の半導体素子、
５４ｂ・・・・第２の半導体素子、
５６・・・・半導体素子駆動回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2011228847.tif 000005
【図４】
2011228847.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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