(57)【要約】  【課題】  発光制御を簡素にできる発光素子、ならびにこれを備える発光モジュールおよび画像装置を提供する。  【解決手段】  発光モジュール１０は、第１電極４１と、第２電極４２と、第１発光部３０ａと、第２発光部３０ｂとを含む発光素子を有している。この第２電極４２は、第１電極４１との間に交流電圧が印加される。この第１発光部は、第１電極４１および第２電極４２に電気的に接続される。この第１発光部３０ａは、印加される交流電圧が一方の極の時に光を発する。この第２発光部３０ｂは、第１電極４１および第２電極４２に電気的に接続される。この第２発光部３０ｂは、第１発光部３０ａの上に重なって配置される。この第２発光部３０ｂは、印加される交流電圧が他方の極の時に、第１発光部４１と異なる波長の光を発する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
該第１電極との間に交流電圧が印加される第２電極と、
前記第１電極および前記第２電極に電気的に接続され、印加される前記交流電圧が一方の極の時に光を発する第１発光部と、
前記第１電極および前記第２電極に電気的に接続され、かつ、前記第１発光部の上に重なって配置され、印加される前記交流電圧が他方の極の時に、前記第１発光部と異なる波長の光を発する第２発光部と、を含む発光素子を有する発光部品。
【請求項２】
前記第１発光部および前記第２発光部のいずれか一方の発光部の発する光の一部は、他方の発光部を透過させて出力される、請求項１に記載の発光部品。
【請求項３】
前記第１発光部および前記第２発光部との間に、当該第１発光部および第２発光部に電気的に共通に接続される電流拡散層を有している、請求項１または２に記載の発光部品。
【請求項４】
基体と、該基体の上に複数配置される請求項１から３のいずれかに記載の前記発光素子と、を有する、発光部品。
【請求項５】
前記複数の発光素子は、第１方向と、第２方向とに沿って格子状に配列される、請求項４に記載の発光部品。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の発光素子と、
第１発光部および第２発光部を駆動し、前記交流電圧のデューティ比を制御する駆動回路と、を備えている、発光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光部品および発光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、液晶ディスプレイ、電光ディスプレイなどの画像表示装置、インクの硬化に光を用いるインクジェットプリンタなどの画像印刷装置、および画像読取装置などの画像装置がある。これらの画像は、色の異なる小さな画素をマトリックス状に配列することで形成されている。しかし、画素となる光素子は、各色の光の強度が異なるので、単に配列しただけでは表すことができる色に制限が生じてしまう。
【０００３】
そこで、複数の光素子に流す電流の通電時間を調整することで輝度分布の均一化を図る技術がある。このように通電時間で輝度分布を調整する技術は、例えば特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０３−６９９９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、複数の光素子の輝度分布を通電時間のみで制御しようとすると回路構成が複雑化する。
【０００６】
本発明は、上述の事情のもとで考え出されたものであって、発光制御を簡素にできる発光部品および発光モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る発光部品は、第１電極と、該第１電極との間に交流電圧が印加される第２電極と、前記第１電極および前記第２電極に電気的に接続され、印加される前記交流電圧が一方の極の時に光を発する第１発光部と、前記第１電極および前記第２電極に電気的に接続され、かつ、前記第１発光部の上に重なって配置され、印加される前記交流電圧が他方の極の時に、前記第１発光部と異なる波長の光を発する第２発光部と、を含む発光素子を有する。
【０００８】
本発明の発光モジュールは、上述の発光素子と、第１発光部および第２発光部を駆動し、前記交流電圧のデューティ比を制御する駆動回路と、を備えている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、発光制御を簡素にできる発光部品および発光モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る発光モジュールの１つの実施形態を示す平面図である。
【図２】図１に示した発光モジュールのＩＩ−ＩＩ線に沿った要部断面図である。
【図３】図１に示した発光モジュールの電気回路の要部構成を示す図である。
【図４】本発明に係る画像装置の１つの実施形態を示す要部断面図である。
【図５】本発明に係る発光モジュールの他の実施形態を示す要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜発光部品および発光モジュール＞
以下、本発明に係る発光部品および発光モジュールの一実施形態として発光モジュール１０を例示し、図面を参照しつつ説明する。
【００１２】
図１，２に示した発光モジュール１０は、基体としての支持基板２０と、発光素子３０と、電極層４０と、保護層５０と、駆動回路６０とを備えている。この発光モジュール１０は、一部が発光部品として機能する。
【００１３】
この支持基板２０は、発光素子３０と、電極層４０と、保護層５０とを支持する機能を担っている。この支持基板２０は、電気絶縁性を有している。ここで「電気絶縁性を有する」とは、電流が実質的に流れなくなる程度をいい、例えば電気抵抗率が１．０×１０７〔Ω・ｍ〕以上であることをいう。この支持基板２０は、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）によって形成されており、不純物が殆どドープされていない。この支持基板２０の厚みとしては、例えば１００〜３５０〔μｍ〕の範囲の厚さが挙げられる。
【００１４】
この支持基板２０の上には、複数の発光素子３０が形成されている。この複数の発光素子３０は、支持基体２０の主面２０ａの法線方向から平面視（以下、単に「平面視」とする）した際に、格子状に配列されている。本実施形態では、複数の発光素子３０が直交格子状に配列されている。本実施形態では、この直交する格子の２つの方向を第１方向Ｄ１，Ｄ２および第２方向Ｄ３，Ｄ４としている。
【００１５】
発光素子３０は、第１の一型電流拡散層３１と、第１の一型クラッド層３２と、第１の活性層３３と、第１の二型クラッド層３４と、二型電流拡散層３５と、第２の二型クラッド層３６と、第２の活性層３７と、第２の一型クラッド層３８と、第２の二型電流拡散層３９とが積層されている。ここで「一型」および「二型」は、半導体のｎ型およびｐ型のいずれかをいい、一方を一型として、他方を二型として表している。
【００１６】
１つの発光素子３０として積層されている各層のうち、第１の一型クラッド層３２、第１の活性層３３、および第１の二型クラッド層３４は、第１発光部３０ａとして機能している。また、第２の二型クラッド層３６、第２の活性層３７、および第２の一型クラッド層３８は、第２発光部３０ｂとして機能している。つまり、この発光素子３０は、第１発光部３０ａの上に第２発光部３０ｂが積層されている。本実施形態では、第１発光部３０ａの発する光が第２発光部３０ｂを透過するように構成されている。
【００１７】
この発光素子３０は、外部にある受光レセプタに光を照射する機能を担っている。ここで「受光レセプタ」としては、例えば人間の目、光電変換素子などが挙げられる。この発光素子３０は、この第１発光部３０ａが第１の波長Ｌ１の光を発するように構成されており、この第２発光部３０ｂが第２の波長Ｌ２の光を発するように構成されている。本実施形態の第１発光部３０ａは、第１の波長Ｌ１が５９０〜６６０〔ｎｍ〕の範囲を主とする光を発し、第２発光部３０ｂは、第２の波長Ｌ２が５６０〜５７０〔ｎｍ〕の範囲を主とする光を発する。この第１発光部３０ａおよび第２発光部３０ｂの発する光の波長は、第１の活性層３３および第２の活性層３７におけるバンドギャップを調整することによって調整することができる。このバンドギャップの調節は、主となる材料を変えることでもできるし、添加する材料を変えることでもできる。
【００１８】
第１の一型電流拡散層３１は、支持基板２０の主面２０ａの上に複数形成されている。この第１の一型電流拡散層３１は、第１発光部３０ａに流れる電流を広い領域に拡散する機能を担っている。この第１の一型電流拡散層３１は、平面視において矩形状に形成され
ている。この第１の一型電流拡散層３１は、図２に示したように、下面の面積に比べて上面の面積が大きくなっているメサ形状をしている。
【００１９】
本実施形態の第１の一型電流拡散層３１は、ｎ型半導体として機能している。この第１の一型電流拡散層３１は、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）によって形成されており、例えばｎ型の不純物であるシリコン（Ｓｉ）がドープされている。このドーピング濃度としては、例えば１×１０１７〜１×１０１９〔ａｔｏｍ／ｃｍ３〕の範囲が挙げられる。このｎ型の不純物としては、Ｓｉの他に、例えばゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）などのＩＶ族、ＶＩ族の元素が挙げられる。
【００２０】
第１の一型クラッド層３２は、第１の一型電流拡散層３１の各々の上に形成されている。この第１の一型クラッド層３２は、平面視において矩形状に形成されている。この第１の一型クラッド層３２は、面積が第１の一型電流拡散層３１の面積に比べて小さくなるように構成されている。つまり、第１の一型電流拡散層３１は、第１の一型クラッド層３２の下から周囲に広がっている。
【００２１】
本実施形態の第１の一型クラッド層３２は、第１発光部３０ａにおけるｎ型半導体として機能している。この第１の一型クラッド層３２は、燐化アルミニウムインジウム（ＡｌＩｎＰ）によって形成されており、例えばｎ型の不純物であるシリコン（Ｓｉ）がドープされている。このドーピング濃度としては、例えば１×１０１７〜１×１０１９〔ａｔｏｍ／ｃｍ３〕の範囲が挙げられる。この第１の一型クラッド層３２は、第１の一型電流拡散層３１に比べてドーピング濃度が薄くなっている。このｎ型の不純物としては、Ｓｉの他に、例えばゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）などのＩＶ族、ＶＩ族の元素が挙げられる。この第１の一型クラッド層３２の厚さとしては、例えば０．４〜１〔μｍ〕の範囲の厚みが挙げられる。
【００２２】
第１の活性層３３は、第１の一型クラッド層３２の各々の上に形成されている。この第１の活性層３３は、第１発光部３０ａの発する光を主として発光する発光層として機能している。この第１の活性層３３は、平面視において矩形状に形成されている。
【００２３】
本実施形態の第１の活性層３３は、第１発光部３０ａにおける真性半導体として機能している。この第１の活性層３３は、燐化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＰ）によって形成されており、不純物が殆どドープされていない。この第１の活性層３３の厚さとしては、例えば０．３〜１〔μｍ〕の範囲の厚みが挙げられる。
【００２４】
第１の二型クラッド層３４は、第１の活性層３３の各々の上に形成されている。この第１の二型クラッド層３４は、平面視において矩形状に形成されている。
【００２５】
本実施形態の第１の二型クラッド層３４は、第１発光部３０ａにおけるｐ型半導体として機能している。この第１の二型クラッド層３４は、ＡｌＩｎＰによって形成されており、例えばｐ型の不純物である亜鉛（Ｚｎ）がドープされている。このドーピング濃度としては、例えば１×１０１７〜１×１０１９〔ａｔｏｍ／ｃｍ３〕の範囲が挙げられる。このｐ型の不純物としては、Ｚｎの他に、例えばベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、炭素（Ｃａｎｉｏｎ）などの元素が挙げられる。この第１の二型クラッド層３４の厚さとしては、例えば０．４〜１〔μｍ〕の範囲の厚みが挙げられる。
【００２６】
二型電流拡散層３５は、第１の二型クラッド層３４の各々の上に形成されている。この二型電流拡散層３５は、第１発光部３０ａおよび第２発光部３０ｂに流れる電流を広い領域に拡散する機能を担っている。この二型電流拡散層３５は、第１発光部３０ａと、第２
発光部３０ｂとに共通に接続されている。この二型電流拡散層３５は、平面視において矩形状に形成されている。
【００２７】
本実施形態の二型電流拡散層３５は、ｐ型半導体として機能している。この二型電流拡散層３５は、砒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）によって形成されており、例えばｐ型の不純物であるＺｎがドープされている。このドーピング濃度としては、例えば１×１０１７〜１×１０１９〔ａｔｏｍ／ｃｍ３〕の範囲が挙げられる。この二型電流拡散層３５は、第１の二型クラッド層３４に比べてドーピング濃度が濃くなっている。このｐ型の不純物としては、Ｓｉの他に、例えばＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃａｎｉｏｎなどの元素が挙げられる。
【００２８】
この二型電流拡散層３５の各々の上には、二型コンタクト層３５１が形成されている。この二型コンタクト層３５１は、二型電流拡散層３５と電極４０とを接続するのに際して、接触抵抗を低減するのに寄与している。この二型コンタクト層３５１は、ｐ型半導体として機能している。この二型コンタクト層３５１は、ＡｌＧａＡｓによって形成されており、ｐ型の不純物であるＺｎがドープされている。このドーピング濃度としては、例えば１×１０１９〔ａｔｏｍ／ｃｍ３〕以上の範囲が挙げられる。この二型コンタクト層３５１は、二型電流拡散層３５に比べてドーピング濃度が濃くなっている。このｐ型の不純物としては、Ｓｉの他に、例えばＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃａｎｉｏｎなどの元素が挙げられる。このｐ型の不純物としては、二型電流拡散層３５と同じものを用いるのが好ましい。
【００２９】
第２の二型クラッド層３６は、二型コンタクト層３５１の各々の上に形成されている。この第２の二型クラッド層３６は、平面視において矩形状に形成されている。この第２の二型クラッド層３６は、面積が二型電流拡散層３５の面積に比べて小さくなるように構成されている。つまり、二型電流拡散層３５は、第２の二型クラッド層３６の下から周囲に広がって形成されている。また、第２発光部２０ｂは、第１発光部３０ａに比べて面積が小さくなるように構成されている。
【００３０】
本実施形態の第２の二型クラッド層３６は、第２発光部３０ｂにおけるｐ型半導体として機能している。この第２の二型クラッド層３６は、ＡｌＩｎＰによって形成されており、例えばｐ型の不純物であるＺｎがドープされている。のドーピング濃度としては、例えば１×１０１７〜１×１０１９〔ａｔｏｍ／ｃｍ３〕の範囲が挙げられる。この第２の二型クラッド層３６は、二型電流拡散層３５に比べてドーピング濃度が薄くなっている。このｐ型の不純物としては、Ｓｉの他に、例えばＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃａｎｉｏｎなどの元素が挙げられる。この第２の二型クラッド層３６の厚さとしては、例えば０．４〜１〔μｍ〕の範囲の厚みが挙げられる。この第２の二型クラッド層３６の厚さとしては、例えば０．４〜１〔μｍ〕の範囲の厚みが挙げられる。
【００３１】
第２の活性層３７は、第２の二型クラッド層３６の各々の上に形成されている。この第２の活性層３７は、第２発光部３０ｂの発する光を主として発光する発光層として機能している。この第２の活性層３７は、平面視において矩形状に形成されている。
【００３２】
本実施形態の第２の活性層３７は、第２発光部３０ｂにおける真性半導体として機能している。この第２の活性層３７は、ＡｌＧａＩｎＰによって形成されており、不純物が殆どドープされていない。この第２の活性層３７の厚さとしては、例えば０．３〜１〔μｍ〕の範囲の厚みが挙げられる。
【００３３】
第２の一型クラッド層３８は、第２の活性層３７の各々の上に形成されている。この第２の一型クラッド層３８は、平面視において矩形状に形成されている。
【００３４】
本実施形態の第２の一型クラッド層３８は、第２発光部３０ｂにおけるｎ型半導体として機能している。この第２の一型クラッド層３８は、ＡｌＩｎＰによって形成されており、例えばｎ型の不純物であるＳｉがドープされている。このドーピング濃度としては、例えば１×１０１７〜１×１０１９〔ａｔｏｍ／ｃｍ３〕の範囲が挙げられる。このｎ型の不純物としては、Ｓｉの他に、例えばＧｅ、Ｓｅ、ＴｅなどのＩＶ族、ＶＩ族の元素が挙げられる。この第２の一型クラッド層３８の厚さとしては、例えば０．４〜１〔μｍ〕の範囲の厚みが挙げられる。
【００３５】
第２の一型電流拡散層３９は、第２の一型クラッド層３８の各々の上に形成されている。この第２の一型電流拡散層３９は、第２発光部３０ｂに流れる電流を広い領域に拡散する機能を担っている。この第２の一型電流拡散層３９は、平面視において矩形状に形成されている。
【００３６】
本実施形態の第２の一型電流拡散層３９は、ｎ型半導体として機能している。この第２の一型電流拡散層３９は、ＧａＡｓによって形成されており、例えばｎ型の不純物であるＳｉがドープされている。このドーピング濃度としては、例えば１×１０１７〜１×１０１９〔ａｔｏｍ／ｃｍ３〕の範囲が挙げられる。この第２の一型電流拡散層３９は、第２の一型クラッド層３８に比べてドーピング濃度が濃くなっている。このｎ型の不純物としては、Ｓｉの他に、例えばＧｅ、Ｓｅ、ＴｅなどのＩＶ族、ＶＩ族の元素が挙げられる。
【００３７】
この第２の一型電流拡散層３９の各々の上には、一型コンタクト層３９１が形成されている。この一型コンタクト層３９１は、一型電流拡散層３９と電極４０とを接続するのに際して、接触抵抗を低減するのに寄与している。この一型コンタクト層３９１は、ｎ型半導体として機能している。この一型コンタクト層３９１は、ＧａＡｓによって形成されており、例えばｎ型の不純物であるＳｉがドープされている。このドーピング濃度としては、例えば１×１０１９〔ａｔｏｍ／ｃｍ３〕以上の範囲が挙げられる。この一型コンタクト層３９１は、第２の一型電流拡散層３９に比べてドーピング濃度が濃くなっている。このｎ型の不純物としては、Ｓｉの他に、例えばＧｅ、Ｓｅ、ＴｅなどのＩＶ族、ＶＩ族の元素が挙げられる。このｎ型の不純物としては、第２の一型電流拡散層３９と同じものを用いるのが好ましい。
【００３８】
電極層４０は、第１電極４１と、第２電極４２とを含んでいる。電極層４０は、第１発光部３０ａおよび第２発光部３０ｂに電流を流して発光させる際に、当該第１発光部３０ａおよび第２発光部３０ｂに流れる電流の伝送路として機能している。
【００３９】
第１電極４１は、二型コンタクト層３５１を介して二型電流拡散層３５に電気的に接続されている。この第１電極４１は、二型電流拡散層３５の上面のうち、第２の二型クラッド層３６の下から周囲に広がっている部分に接続されている。本実施形態では、格子状に配列されている複数の発光素子３０のうち、第１の方向Ｄ１，Ｄ２に配列されている複数の発光層３０に対して、１つの第１電極４１が共通に接続されている。
【００４０】
第２電極４２は、第１の一型電流拡散層３１に電気的に接続されている。この第２電極４２は、この第２電極４２は、第１の一型電流拡散層３１の上面のうち、第１の一型クラッド層３２の下から周囲に広がっている部分に接続されている。また、この第２電極４１は、一型コンタクト層３９１を介して第２の一型電流拡散層３９に電気的に接続されている。本実施形態では、格子状に配列されている複数の発光素子３０のうち、第２の方向Ｄ３，Ｄ４に配列されている複数の発光層３０に対して、１つの第２電極４２が共通に接続されている。
【００４１】
図３に発光モジュール１０の電気回路の要部構成を示す。この図３には、第１発光部３
０ａ、第２発光部３０ｂ、第１電極４１、および第２電極４２の電気的な接続関係を示している。第１電極４１と第２電極４２との間に印加した交番電圧が一方の極のとき、第１発光部３０ａに順方向に電圧が印加され、当該第１発光部３０ａに電流が供給されて、第１の活性層３３が発光する。このとき、第２発光部３０ｂには、逆方向に電圧が印加され、当該第２発光部３０ｂに電流が供給されず、第２の活性層３７が発光しない。また、第１電極４１と第２電極４２との間に印加した交番電圧が他方の極のとき、第２発光部３０ｂに順方向に電圧が印加され、当該第２発光部３０ｂに電流が供給されて、第２の活性層３７が発光する。このとき、第１発光部３０ａには、逆方向に電圧が印加され、当該第１発光部３０ａに電流が供給されず、第１の活性層３３が発光しない。つまり、本実施形態では、交番電圧の極によって、第１発光部３０ａおよび第２発光部３０ｂを選択的に発光させることができる。この第１発光部３０ａおよび第２発光部３０ｂを選択的に発光させる際には、順方向降下電圧よりも大きく、耐電圧よりも小さい範囲の電圧が印加される。
【００４２】
本実施形態の発光素子３０は、第１発光部３０ａと、第２発光部３０ｂとに共通に接続されている二型電流拡散層３５を有しているので、発光素子３０を構成する層を少なくして、生産性を高めることができる。また、第１発光部３０ａおよび第２発光部３０ｂに電流を流す伝送路の数を少なくすることで、電極層４０を簡略することができる。このようにして電極層４０を簡略化することで、発光素子３０ａを狭い間隔で配置したり、支持基体２０の上面２０ａに対して発光素子３０ａの面積が占める割合を大きくしたりすることができるようになる。
【００４３】
保護層５０は、発光素子３０の所望の層と、電極層４０とを電気的に接続する機能を担っている。この保護層５０は、複数の発光素子３０を覆うように形成されている。また、の保護層５０は、第１電極４１と、第２電極４２とを互い電気的に絶縁する機能を担っている。この保護層５０は、第１電極４１と、第２電極４２とが交差する際に、交差する２つの電極の間に形成されている。つまり、この保護層５０は、第１電極４１と、第２電極４２とを離隔している。このように２つの電極の間に保護層５０を形成するには、下側に位置する電極の形成後に、保護層５０を形成することで可能となる。なお、この保護層５０は、図１において省略している。
【００４４】
この保護層５０は、複数の貫通孔５０ａを有している。この貫通孔５０ａは、二型電流拡散層３５の上面のうち、第２の二型クラッド層３６の下から周囲に広がっている部分の上に形成されている。第１電極４１は、この二型電流拡散層３５の上面の上に形成されている貫通孔５０ａを介して、当該二型電流拡散層３５に接続されている。また、この貫通孔５０ａは、第１の一型電流拡散層３１の上面のうち、第１の一型クラッド層３２の下から周囲に広がっている部分の上に形成されている。第２電極４２は、この第１の一型電流拡散層３１の上面の上に形成されている貫通孔５０ａを介して、当該第１の一型電流拡散層３１に接続されている。また、この貫通孔５０ａは、一型コンタクト層３９１の上に形成されている。第２電極４２は、この一型コンタクト層３９１の上面の上に形成されている貫通孔５０ａを介して、当該一型コンタクト層３９１に接続されている。
【００４５】
駆動回路６０は、発光層３０の第１発光部３０ａおよび第２発光部３０ｂの駆動を制御する機能を担っている。つまり、この駆動回路６０は、第１発光部３０ａおよび第２発光部３０ｂに流れる電流を制御して、発光層３０が光を発するのを制御している。この駆動回路６０は、第１電極４１と、第２電極４２とに接続されている。この駆動回路６０は、第１電極４１および第２電極４２の間に交流電圧を印加している。この交流電圧の一方の極および他方の極における電圧の印加時間を制御して、第１発光部３０ａおよび第２発光部３０ｂの発する光が合わさって認識される色を調節している。
【００４６】
本実施形態の発光モジュール１０は、第１電極４１と、第２電極４２と、第１発光部３
０ａと、第２発光部３０ｂとを含む発光素子を有している。この第２電極４２は、第１電極４１との間に交流電圧が印加される。この第１発光部は、第１電極４１および第２電極４２に電気的に接続される。この第１発光部３０ａは、印加される交流電圧が一方の極の時に光を発する。この第２発光部３０ｂは、第１電極４１および第２電極４２に電気的に接続される。この第２発光部３０ｂは、第１発光部３０ａの上に重なって配置される。この第２発光部３０ｂは、印加される交流電圧が他方の極の時に、第１発光部４１と異なる波長の光を発する。そのため、この発光モジュール１０は、受光レセプタに、第１発光部３０ａおよび第２発光部３０ｂの発する光を良好に照射することができる。また、本実施形態の発光モジュール１０では、交流電圧の交番周期によって、第１発光部３０ａおよび第２発光部３０ｂの制御を簡素にすることもできる。
【００４７】
本実施形態の発光モジュール１０は、第１発光部３０ａの発する光が、第２発光部３０ｂを透過させて出力されるように形成されている。そのため、この発光モジュール１０は、第１発光部３０ａの発する光と、第２発光部３０ｂの発する光との間で位置ずれが生じるのを低減することができる。
【００４８】
＜画像装置＞
以下、本発明に係る画像装置の一実施形態を例示し、図面を参照しつつ説明する。
【００４９】
図４に示した画像装置１は、上述の発光モジュール１０と、筐体７０とを備えている。
【００５０】
この筐体７０は、発光モジュール１０を保持する機能を担っている。この筐体７０は、第１の筐体７１と、第２の筐体７２とを含んで構成されている。第１の筐体７１は、発光モジュール１０を支持する機能を担っている。この第１の筐体７１の上面には、発光モジュール１０が載置されている。第２の筐体７１は、第１の筐体７１と対となって発光モジュール１０を覆っている。この第２の筐体７１は、発光モジュール１０の発光素子３０の発する光を透過する機能を担っている。本実施形態の第２の筐体７１は、発光素子３０の発する光を透過する材料で全体が形成されている。なお、第２の筐体７１は、一部のみが発光素子３０の発する光を透過するように構成されていてもよい。
【００５１】
本実施形態の画像装置１は、発光モジュール１０を備えており、当該発光モジュール１０の有する効果を享受することができる。本実施形態の画像装置１は、光の強度分布が小さい画像装置を提供することができる。
【００５２】
以上、本発明の具体的な実施形態を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の要旨から逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。
【００５３】
本実施形態に記載された発光素子３０は、第１発光部３０ａの発する光が第２発光部３０ｂを透過して出力されるように構成されているが、このような構成に限られない。例えば図５に示したように、第２発光部３０Ａｂの発する光が第１発光部３０Ａａを透過するように構成されていてもよい。このとき、支持基体２０は、第１発光部３０ａおよび第２発光部の発する光を透過する材料によって形成される。
【００５４】
本実施形態に記載された発光素子３０は、ＤＢＲ層を含んで構成されていてもよい。なお、この「ＤＢＲ」は、Distributed Bragg. Reflector（分布ブラッグ反射体）の略称である。このＤＢＲ層は、第１発光部３０ａおよび第２発光部３０ｂが発する光を反射させる機能を担っている。このＤＢＲ層を形成する位置としては、第１の一型電流拡散層３１と第１の一型クラッド層３２との間、および二型コンタクト層３５１と第２の二型クラッド層３６との間が挙げられる。このＤＢＲ層は、この両方の位置に形成されてもよいし、いずれか一方のみに形成されてもよい。なお、二型コンタクト層３５１と第２の二型クラ
ッド層３６との間にＤＢＲ層を形成する際には、第２発光部３０ｂの発する光を反射する特性と、第１発光部３０ａの発する光が透過する特性とを両立するように設計される。
【００５５】
本実施形態に記載された発光素子３０は、エッチ緩衝層を含んで構成されていてもよい。このエッチ緩衝層は、第１発光部３０ａと第２発光部３０ｂとを形成するのに際して、一方の発光部を形成する際に他方の発光部がエッチされるのを緩衝する機能を担っている。このエッチ緩衝層を形成する位置としては、第１の一型電流拡散層３１と第１の一型クラッド層３２との間、および二型コンタクト層３５１と第２の二型クラッド層３６との間が挙げられる。このエッチ緩衝層は、この両方の位置に形成されてもよいし、いずれか一方のみに形成されてもよい。
【符号の説明】
【００５６】
１・・・画像装置
１０・・・発光モジュール
２０・・・支持基体
３０・・・発光素子
３０ａ・・・第１発光部
３０ｂ・・・第２発光部
３１・・・第１の一型電流拡散層
３２・・・第１の一型クラッド層
３３・・・第１の活性層
３４・・・第１の二型クラッド層
３５・・・二型電流拡散層
３５１・・・二型コンタクト層
３６・・・第２の二型クラッド層
３７・・・第２の活性層
３８・・・第２の一型クラッド層
３９・・・第２の一型電流拡散層
３９１・・・一型コンタクト層
４０・・・電極層
４１・・・第１電極
４２・・・第２電極
５０・・・保護層
５０ａ・・・貫通孔
６０・・・駆動回路
７０・・・筐体
７１・・・第１の筐体
７２・・・第２の筐体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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