(57)【要約】【課題】プリント基板に形成される回路層の回路配線の間にゾルゲル層を形成して放熱特性を向上させることができ、回路層の回路配線の間に発生する電気的短絡を防止することができるうえ、回路層の形成されていない金属基板の他面の陽極酸化層を除去することにより放熱効果を増加させることができるプリント基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のプリント基板は、金属基板１０と、金属基板１０を陽極酸化処理して形成される陽極酸化層２０と、陽極酸化層２０に形成される回路層３０、３１と、陽極酸化層２０を露出させる、回路層３０、３１の回路配線の間に光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させて形成される第１ゾルゲル層５０とを含む。【選択図】図２
2011249744.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と、
前記金属基板に陽極酸化処理を施して形成される陽極酸化層と、
前記陽極酸化層に形成される回路層と、
前記陽極酸化層を露出させる、前記回路層の回路配線の間に光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させて形成される第１ゾルゲル層とを含んでなることを特徴とするプリント基板。
【請求項２】
前記光触媒剤が、アルミナまたは二酸化チタニウムであることを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
前記陽極酸化層が、前記金属基板の一面および両側面にのみ形成されることを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項４】
（Ａ）金属基板を準備する段階と、
（Ｂ）前記金属基板の全面に陽極酸化処理を施して陽極酸化層を形成する段階と、
（Ｃ）前記金属基板の一面に形成された前記陽極酸化層に回路層を形成する段階と、
（Ｄ）前記陽極酸化層を露出させる、前記回路層の回路配線の間に光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させて第１ゾルゲル層を形成する段階とを含んでなることを特徴とするプリント基板の製造方法。
【請求項５】
前記（Ｂ）段階では、前記金属基板の一面および両側面にのみ陽極酸化処理を施して陽極酸化層を形成することを特徴とする請求項４に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項６】
前記（Ｃ）段階が、
（Ｃ−１）前記陽極酸化層にシード層を形成する段階と、
（Ｃ−２）前記シード層に電解メッキで回路メッキ層を形成する段階と、
（Ｃ−３）前記回路メッキ層に回路パターンの形成のためにエッチングレジストを塗布した後、エッチングを行う段階と、
（Ｃ−４）前記エッチングレジストを除去する段階とを含むことを特徴とする請求項４に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項７】
前記（Ｃ）段階が、
（Ｃ−１）前記陽極酸化層にシード層を形成する段階と、
（Ｃ−２）前記シード層に回路パターンのためのメッキレジストを塗布する段階と、
（Ｃ−３）前記シード層に回路メッキ層を形成する段階と、
（Ｃ−４）前記メッキレジストを除去し、露出された前記シード層をエッチングする段階とを含むことを特徴とする請求項４に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項８】
前記（Ｄ）段階が、
（Ｄ−１）前記金属基板の他面に形成された陽極酸化層に光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させて第２ゾルゲル層を形成する段階と、
（Ｄ−２）前記第２ゾルゲル層を除去する段階と、
（Ｄ−３）前記金属基板の他面に形成された前記陽極酸化層を除去する段階とを含むことを特徴とする請求項４に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項９】
前記光触媒剤が、アルミナまたは二酸化チタニウムであることを特徴とする請求項４に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１０】
前記光触媒剤のコーティング処理が、スプレー噴射法、ディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）法またはエアロゾル沈着法で行われることを特徴とする請求項４に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１１】
前記コーティング処理された光触媒剤を硬化させる段階が、１００℃〜２００℃の温度で行われることを特徴とする請求項４に記載のプリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、信号処理に必要な半導体技術の急速な発展に伴い、半導体素子が目覚ましい成長を遂げている。これと共に、半導体素子などの電子素子をプリント基板に予め実装してパッケージとして構成するＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  ｓｉｚｅｄ  ｐａｃｋａｇｅ）、ＦＣＰ（Ｆｌｉｐ  ｃｈｉｐ  ｐａｃｋａｇｅ）などの半導体パッケージに対する開発が盛んに行われている。最近では、半導体技術の発展によってダイ（ｄｉｅ）の大きさが縮小しており、これにより半導体素子などを実装するためのパッケージ用基板の大きさも縮小して、電子素子との電気的接続のために基板に形成されるボンドパッド（Ｂｏｎｄ  ｐａｄ）を実現することが可能な面積も減っている実情である。
【０００３】
電力素子、例えば、シリコン制御整流器、電力トランジスタ、絶縁されたゲートバイポーラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタ、電力整流器、電力レギュレータ、インバータ、コンバータ、またはこれらが組み合わせられた高電力半導体チップは、３０Ｖ〜１０００Ｖ或いはそれ以上の電圧で動作するように設計される。高電力半導体チップは、論理素子またはメモリ素子などの低電力半導体チップとは異なり高電圧で動作するので、高電力半導体チップから発生する熱の優れた放出能力と高圧における絶縁能力が要求される。
【０００４】
図１は、従来の高電力半導体パッケージ１００の構造を図式的に示す断面図である。
【０００５】
従来の高電力半導体パッケージ１００の構造は、基板１４０上に高電力半導体チップ１５０ａまたは低電力半導体チップ１５０ｂが搭載され、高電力半導体チップ１５０ａおよび低電力半導体チップ１５０ｂの一面には対応する回路層１３０に電気的に接続されるボンディングパッド１５１が形成される。
【０００６】
高電力半導体チップ１５０ａまたは低電力半導体チップ１５０ｂのボンディングパッド１５１は、一般にワイヤー１７０によって回路層１３０に電気的に接続される。ワイヤーボンディング工程の後、回路層１３０は半導体パッケージの外部端子の役割を果たすリードに接続される。しかる後に、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  ｍｏｌｄｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）などのモールディング部材の注入工程が行われ、これにより高電力半導体パッケージ１００が完成される。
【０００７】
一般に、高電力半導体パッケージは、動作の際に多くの熱を発生させるので、基底金属層１１０上に放熱板１８０が取り付けられて使用される。放熱板１８０は、通常、熱伝導率に優れた金属からなる。放熱板１８０は、耐熱グリースなどの接着部材１８５によって基底金属層１１０上に付着できる。
【０００８】
このような放熱板１８０を備えた従来の高電力半導体パッケージは、熱放出のための放熱板１８０を備えるために別途の基底金属層１１０が必要であり、放熱板１８０が備わることにより、構造上の厚さ制御が容易ではなく、小型化の実現が難しいという問題点があった。また、製造工程上でリードフレームを用いてチップを実装し、ワイヤーボンディングする工程の他にも、基底金属層１１０を接着し注入する工程などの複雑な工程が追加されるので、工程の迅速性および信頼性に問題が発生するおそれがあった。また、別途の基底金属層１１０の具備および接着部材１８５の必要性により、全体的な製造コストが増加する問題点があった。そして、基底金属層１１０による放熱効果のみでは限界があって、必要な放熱効果が十分実現できないという問題点があった。
【０００９】
また、パッケージ用プリント基板の場合、従来、放熱効果のためにアルミニウム基板に陽極酸化層を絶縁層として形成して使用したが、この場合、回路層の回路配線間の電気的短絡が発生する問題点があった。しかも、回路層の形成のための金属層の残留物、または陽極酸化工程でアルミニウム基板の添加物（Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃｕなど）が析出される過程から発生する絶縁層の不安定状態による電気的短絡などが発生する問題点もあった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、本発明は、上述した従来の技術の問題点を解決するためのもので、その目的は、プリント基板に形成される回路層の回路配線の間にゾルゲル層を形成して放熱特性を向上させることができ、回路層の回路配線の間に発生する電気的短絡を防止することができるうえ、回路層の形成されていない金属基板の他面の陽極酸化層を除去することにより放熱効果を増加させることができるプリント基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の好適な実施例に係るプリント基板は、金属基板と、前記金属基板を陽極酸化処理（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ）して形成される陽極酸化層と、前記陽極酸化層に形成される回路層と、前記陽極酸化層を露出させる、前記回路層の回路配線の間に光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させて形成される第１ゾルゲル層とを含んでなるものである。
【００１２】
ここで、光触媒剤は、アルミナまたは二酸化チタニウムであることが好ましい。
【００１３】
また、前記陽極酸化層は、前記金属基板の一面および両側面にのみ形成されることが好ましい。
【００１４】
本発明の好適な実施例に係るプリント基板の製造方法は、（Ａ）金属基板を準備する段階と、（Ｂ）前記金属基板の全面に陽極酸化処理を施して陽極酸化層を形成する段階と、（Ｃ）前記金属基板の一面に形成された前記陽極酸化層に回路層を形成する段階と、（Ｄ）前記陽極酸化層を露出させる、前記回路層の回路配線の間に光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させて第１ゾルゲル層を形成する段階とを含むものである。
【００１５】
ここで、前記（Ｂ）段階では、前記金属基板の一面および両側面にのみ陽極酸化処理を施して陽極酸化層を形成することが好ましい。
【００１６】
また、前記（Ｃ）段階は、（Ｃ−１）前記陽極酸化層にシード層を形成する段階と、（Ｃ−２）前記シード層に電解メッキで回路メッキ層を形成する段階と、（Ｃ−３）前記回路メッキ層に回路パターンの形成のためにエッチングレジストを塗布した後、エッチングを行う段階と、（Ｃ−４）前記エッチングレジストを除去する段階とを含むことが好ましい。
【００１７】
更に、前記（Ｃ）段階は、（Ｃ−１）前記陽極酸化層にシード層を形成する段階と、（Ｃ−２）前記シード層に回路パターンのためのメッキレジストを塗布する段階と、（Ｃ−３）前記シード層に回路メッキ層を形成する段階と、（Ｃ−４）前記メッキレジストを除去し、露出された前記シード層をエッチングする段階とを含むことが好ましい。
【００１８】
次に、前記（Ｄ）段階は、（Ｄ−１）前記金属基板の他面に形成された陽極酸化層に光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させて第２ゾルゲル層を形成する段階と、（Ｄ−２）前記第２ゾルゲル層を除去する段階と、（Ｄ−３）前記金属基板の他面に形成された前記陽極酸化層を除去する段階とを含むことが好ましい。
【００１９】
前記光触媒剤は、アルミナまたは二酸化チタニウムあることが好ましい。
【００２０】
前記光触媒剤のコーティング処理は、スプレー噴射法、ディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）法またはエアロゾル沈着法で行われることが好ましい。
【００２１】
前記コーティング処理された光触媒剤を硬化させる段階は、１００℃〜２００℃の温度で行われることが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、金属基板に陽極酸化処理を施して形成した陽極酸化層を絶縁層として使用することにより、放熱特性を向上させる効果がある。
【００２３】
また、本発明によれば、回路層の回路配線の間にゾルゲル層を形成することにより、従来の基板では適用が不可能であった高電圧のパッケージプリント基板の実現が可能な効果がある。
【００２４】
そして、本発明によれば、回路層の回路配線の間にゾルゲル層を形成することにより、回路層の形成のための金属層の残留物、または陽極酸化工程でアルミニウム基板の添加物（Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃｕなど）が析出される過程で発生する絶縁層の不安定を防止することができるという効果がある。
【００２５】
更に、本発明によれば、陽極酸化層を形成するための陽極酸化処理の工程条件を変更することなく、ゾルコーティングの材料、厚さに応じて絶縁電圧を向上させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】従来の高電力半導体パッケージの構造を図式的に示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施例に係るプリント基板を示す断面図である。
【図３】本発明の第２実施例に係るプリント基板を示す断面図である。
【図４】本発明の第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（１）である。
【図５】本発明の第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（２）である。
【図６】本発明の第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（３）である。
【図７】本発明の第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（４）である。
【図８】本発明の第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（５）である。
【図９】本発明の第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（６）である。
【図１０】本発明の第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（７）である。
【図１１】本発明の第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（８）である。
【図１２】本発明の第４実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（１）である。
【図１３】本発明の第４実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（２）である。
【図１４】本発明の第４実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（３）である。
【図１５】本発明の第４実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（４）である。
【図１６】本発明の第４実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（５）である。
【図１７】本発明の第４実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（６）である。
【図１８】本発明の第４実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（７）である。
【図１９】本発明の第４実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（８）である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明の目的、特定の利点および新規の特徴は、添付図面に連関する以下の詳細な説明と好適な実施例からさらに明白になるであろう。
【００２８】
これに先立ち、本明細書および請求の範囲に使用された用語または単語は、通常的で辞典的な意味で解釈されてはならず、発明者が自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に基づき、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されなければならない。
【００２９】
本発明において、各図面の構成要素に参照番号を付加するにおいて、同一の構成要素については、他の図面上に表示されても、出来る限り同一の番号を付することに留意すべきであろう。また、「第１」、「第２」などの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別するために使用されるもので、構成要素が前記用語によって限定されない。なお、本発明を説明するにおいて、関連した公知の技術に対する具体的な説明が、本発明の要旨を無駄に乱すおそれがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。
【００３０】
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００３１】
図２は、本発明の第１実施例に係るプリント基板を示す断面図である。
【００３２】
図２に示すように、本発明の第１実施例に係るプリント基板は、金属基板１０と、前記金属基板１０に陽極酸化処理を施して形成される陽極酸化層２０と、前記陽極酸化層２０に形成される回路層３０、３１と、前記陽極酸化層２０を露出させる、前記回路層３０、３１の回路配線の間に光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させて形成される第１ゾルゲル層５０とを含んでなるものである。
【００３３】
金属基板１０は、陽極酸化処理によって陽極酸化層２０を形成することが可能な材質で形成され、放熱効果を同時に有する。金属基板１０は、アルミニウム、マグネシウムおよびチタニウムなどの金属材質で形成できるが、陽極酸化処理による陽極酸化層２０を形成することができ且つ放熱特性のある材質であれば特に限定されない。
【００３４】
陽極酸化層２０は、陽極酸化処理によって形成され、陽極酸化層２０は、金属基板１０を硫酸などの特定溶液内で陽極として作用させて金属基板１０の表面に酸化作用を促進させることにより、均一な厚さで人為的な酸化膜が生成されるようにして形成される。ここで、陽極酸化層２０の形成厚さは、陽極酸化処理の処理時間および程度によって決定され、陽極酸化処は、絶縁特性のための陽極酸化層２０を形成するために必要な範囲で行われる。
【００３５】
回路層３０、３１は、陽極酸化層２０に形成される。回路層３０、３１は、サブトラクティブ（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）またはアディティブ（ａｄｄｉｔｉｖｅ）方式によって形成でき、この他にも多様な方式で形成できる。
【００３６】
ゾルゲル層５０、５１は、陽極酸化層２０に形成される回路層３０、３１、および陽極酸化層２０を露出させる、回路層３０、３１の回路配線の間に、光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させることにより形成される。
【００３７】
ここで、ゾルゲル層５０、５１は、ゾルゲル（ｓｏｌ−ｇｅｌ）法によって積層される層である。ゾルゲル法とは、「ゾルゲルセラミックス（ｓｏｌ−ｇｅｌ  ｄｅｒｉｖｅｄ  ｃｅｒａｍｉｃｓ）」を製造する方法を意味する。特に、ゾルゲル法では、水とアルコキシドの割合、溶液のｐＨ、溶媒の種類および量などの様々な要素などにより反応速度の変化および最終構造物の構造変化が起こる。このようなゾルゲル法は、実験者によってそれぞれ異なる結果を得ることができるほど敏感な反応である。
【００３８】
ゾルゲル層５０、５１の形成では、適切な温度、熱処理時の適切な昇温温度および冷却速度の調節が重要である。ここで、ゾル（ｓｏｌ）は、アルコール系の溶媒にナノセラミック粉末を分散させ、コートした後、熱処理する工程を経るが、この際、有機成分を除いたセラミック粉末のみをコートする。熱処理の後、コーティング処理されたゾルゲル層５０、５１は、一定の密着力を有し、最終動作の際に金属基板１０の破損問題を防止することができる。ゾルゲル層５０、５１のコーティング方法は、スプレー噴射法、ディッピング法またはエアロゾル沈着法である。ゾルゲル層５０、５１の形成の際に、溶媒として光処理剤を用いることができる。光触媒剤のコーティング処理後、コートされた光触媒剤を硬化させることにより、ゾルゲル層５０、５１を形成することができる。光触媒剤は、二酸化チタニウム（ＴｉＯ２）またはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の材質で形成できる。ゾル硬化は、ゾルの有機成分を除去するためのもので、約１００℃〜２００℃の範囲内で行われることが好ましい。
【００３９】
図３は、本発明の第２実施例に係るプリント基板を示す断面図である。
【００４０】
図３に示すように、本発明の第２実施例に係るプリント基板は、金属基板１０と、前記金属基板１０に陽極酸化処理を施して形成される陽極酸化層２０と、前記陽極酸化層２０に形成される回路層３０、３１と、前記陽極酸化層２０を露出させる、前記回路層３０、３１の回路配線の間に光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させて形成された第１ゾルゲル層５０とを含み、前記陽極酸化層２０は、前記金属基板１０の回路層３０、３１が形成された一面および両側面にのみ形成されることを特徴とする。したがって、回路層３０、３１の形成されていない金属基板１０の他面に陽極酸化層２０を形成せず、金属基板１０を露出させることにより、放熱効果を向上させることができる。
【００４１】
本発明の第２実施例は、プリント基板の放熱特性をさらに向上させるために、回路層３０、３１の形成されていない金属基板１０の他面から陽極酸化層２０を除去することができる。これは、陽極酸化層２０の場合も一般な絶縁層よりは放熱特性があるが、陽極酸化層を除去して金属基板１０の他面をそのまま露出させることにより、放熱特性をさらに向上させることができるためである。陽極酸化層２０以外の構成による説明は、第１実施例のそれと重複するので省略する。
【００４２】
図４〜１１は、本発明の第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（１）〜（８）である。特に、プリント基板の回路層３０、３１をサブトラクティブ方式によって形成してプリント基板を製造する工程である。
【００４３】
以下、図４〜１１を参照して本発明の第３実施例に係るプリント基板の製造工程を説明する。また、本発明の第１実施例および第２実施例に係るプリント基板の構成および作用と重複する内容は、以下で省略する。
【００４４】
本発明に係る第３実施例のプリント基板の製造工程は、（Ａ）金属基板１０を準備する段階と、（Ｂ）前記金属基板１０の全面に陽極酸化処理を施して陽極酸化層２０を形成する段階と、（Ｃ）前記金属基板１０の一面に形成された前記陽極酸化層２０に回路層３０、３１を形成する段階と、（Ｄ）前記回路層３０、３１の形成された前記陽極酸化層２０を露出させる、前記回路層３０、３１の回路配線の間に光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させて第１ゾルゲル層５０を形成する段階とを含むものである。
【００４５】
以下、図４〜１１を参照してプリント基板の製造工程を説明する。
【００４６】
図４は、（Ａ）金属基板１０を準備する段階、および（Ｂ）前記金属基板１０の全面に陽極酸化処理を施して陽極酸化層２０を形成する段階を示す断面図である。
【００４７】
本段階における金属基板１０は、陽極酸化処理による陽極酸化層２０を形成し、放熱特性のある材質で形成することが好ましい。例えば、金属基板１０は、アルミニウム、マグネシウムおよびチタニウムなどの金属材質で構成できる。（Ｂ）段階では、金属基板１０を硫酸などの特定の溶液内で陽極として作用させて金属基板１０の表面に酸化作用を促進させることにより、均一な厚さで人為的な酸化膜が形成されるようにする。ここで、陽極酸化層２０の形成厚さは、陽極酸化処理の処理時間および程度によって決定され、 陽極酸化処理は、絶縁特性のための陽極酸化層２０を形成するために必要な範囲で行われる。
【００４８】
図５〜８は、（Ｃ）陽極酸化層２０に回路層３０、３１を形成する工程を示す断面図である。特に、本実施例では、回路層３０、３１をサブトラクティブ方式によって形成するので、これによるプリント基板の製造工程を説明する。
【００４９】
このような回路層３０、３１の形成工程は、（Ｃ−１）前記陽極酸化層２０にシード層３１を形成する段階と、（Ｃ−２）前記シード層３１に電解メッキで回路メッキ層３０を形成する段階と、（Ｃ−３）前記回路メッキ層３０に回路パターンのためのエッチングレジスト４０を塗布した後、エッチングを行う段階と、（Ｃ−４）前記エッチングレジスト４０を除去する段階とを含む。
【００５０】
図５は、（Ｃ−１）前記陽極酸化層２０にシード層３１を形成する段階、および（Ｃ−２）前記シード層３１に電解メッキで回路メッキ層３０を形成する段階を示す断面図である。
【００５１】
シード層３１は、電解メッキのための引き込み線の役割を果たすもので、爾後回路メッキ層３０の積層のために湿式メッキ法（無電解）または乾式メッキ法（スパッタリング）で形成できる。シード層３１の形成後、シード層３１に回路メッキ層３０を電解メッキ方式で形成することにより、所望の厚さの回路層３０、３１を形成することができる。
【００５２】
図６および図７は、（Ｃ−３）前記回路メッキ層３０に回路パターン形成のためのエッチングレジスト４０を塗布した後、エッチングを行う段階を示す断面図である。
【００５３】
図６に示すように、回路メッキ層３０に回路層３０、３１を形成するために、回路パターンに応じるエッチングレジスト４０を塗布する。図７に示すように、エッチングを行って回路パターンを形成する。この場合、エッチングは、湿式エッチングまたは乾式エッチングによって行われ得る。ところが、このようなエッチング方式に限定されず、これ以外の方法でも回路パターンを形成することができる。
【００５４】
図８は、（Ｃ−４）前記エッチングレジスト４０を除去する段階を示す断面図である。  エッチングレジスト４０を除去することにより、最終的に所望の回路層３０、３１が陽極酸化層２０に形成される。
【００５５】
図９〜１１は、（Ｄ）前記陽極酸化層２０を露出させる、前記回路層３０、３１の回路配線の間に光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させて第１ゾルゲル層５０を形成する段階を示す。
【００５６】
ここで、（Ｄ）段階は、（Ｄ−１）前記金属基板１０の他面に形成された陽極酸化層２０に光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させて第２ゾルゲル層５１を形成する段階と、（Ｄ−２）前記第２ゾルゲル層５１を除去する段階と、（Ｄ−３）前記金属基板１０の他面に形成された前記陽極酸化層２０を除去する段階とを含んでなるものである。
【００５７】
図９は、（Ｄ）陽極酸化層２０を露出させる、回路層３０、３１の回路配線の間に光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させて第１ゾルゲル層５０を形成する段階と、（Ｄ−１）金属基板１０の他面に形成された陽極酸化層２０に光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させて第２ゾルゲル層５１を形成する段階とを示す。
【００５８】
（Ｄ）段階で工程が完了してプリント基板を形成することができ、工程において金属基板１０の両面に同時または順次第１ゾルゲル層５０および第２ゾルゲル層５１を付着させて形成することができる。ここでの第１ゾルゲル層５０および第２ゾルゲル層５１の形成と光触媒剤のコーティングおよび硬化に関する説明は、本発明の第１実施例および第２実施例に係る内容と同一なので省略する。
【００５９】
図１０は、（Ｄ−２）前記第２ゾルゲル層５１を除去する段階を示す断面図である。これは、金属基板１０の他面から第２ゾルゲル層５１を除去して放熱特性を向上させるためである。
【００６０】
また、図１１に示すように、（Ｄ−３）前記金属基板１０の他面に形成された前記陽極酸化層２０を除去する段階をさらに含むことにより、金属基板１０が直接露出されて放熱特性効果がさらに増進できる。
【００６１】
図１２〜１９は、本発明の第４実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（１）〜（８）である。特に、プリント基板の回路層３０、３１をアディティブ方式によって形成してプリント基板を製造する工程である。
【００６２】
以下、図１２〜１９を参照して本発明の第４実施例に係るプリント基板の製造工程を説明する。また、第３実施例に係るプリント基板の製造工程と重複する内容は以下で省略する。
【００６３】
本発明のプリント基板の製造工程は、（Ａ）金属基板１０を準備する段階と、（Ｂ）前記金属基板１０の全面に陽極酸化処理して陽極酸化層２０を形成する段階と、（Ｃ）前記金属基板１０の一面に形成された前記陽極酸化層２０に回路層３０、３１を形成する段階と、（Ｄ）前記陽極酸化層３０、３１の形成された前記陽極酸化層２０を露出させる、前記回路層３０、３１の回路配線の間に光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させて第１ゾルゲル層５０を形成する段階とを含むものである。
【００６４】
以下、図１２〜１９を参照してプリント基板の製造工程を説明する。
【００６５】
図１２は、（Ａ）金属基板１０を準備する段階、および（Ｂ）前記金属基板１０の全面に陽極酸化処理を施して陽極酸化層２０を形成する段階を示す断面図である。これについての詳細な説明は、本発明の第３実施例に係るプリント基板の製造工程と同様なので省略する。
【００６６】
図１３〜１６は、（Ｃ）陽極酸化層２０に回路層３０、３１を形成する工程を示す断面図である。特に、本実施例では、回路層３０、３１をアディティブ方式によって形成するので、これによるプリント基板の製造工程を説明する。
【００６７】
このような回路層３０、３１の形成工程は、（Ｃ−１）前記陽極酸化層２０にシード層３１を形成する段階と、（Ｃ−２）前記シード層３１に回路パターンのためのメッキレジスト４１を塗布する段階と、（Ｃ−３）前記シード層３１に回路メッキ層３０を形成する段階と、（Ｃ−４）前記メッキレジスト４１を除去し、露出された前記シード層３１をエッチングする段階とを含むことを特徴とする。
【００６８】
図１３は、（Ｃ−１）前記陽極酸化層２０にシード層３１を形成する段階、および（Ｃ−２）前記シード層３１に回路パターンのためのメッキレジスト４１を塗布する段階を示す断面図である。
【００６９】
シード層３１は、電解メッキのための引き込み線の役割を果たすもので、爾後回路メッキ層３０の形成のために湿式メッキ法（無電解）または乾式メッキ法（スパッタリング）で形成できる。シード層３１の形成後、シード層３１に回路メッキ層３０を電解メッキ方式で形成する。その後、所望の回路パターン形成のためにメッキレジスト４１を塗布する。
【００７０】
図１４は、（Ｃ−３）前記シード層３１に回路メッキ層３０を形成する段階を示す断面図である。メッキレジストの塗布された部分以外に回路メッキ層３０が形成される。
【００７１】
図１５は、（Ｃ−４）前記メッキレジスト４１を除去する段階を示し、図１６は、（Ｃ−４）露出された前記シード層３１をエッチングする段階を示す断面図である。メッキレジスト４１を除去した後、回路パターンの間に露出されたシード層３１を選択的にエッチングすることにより、最終回路層３０、３１を形成する。
【００７２】
図１７は、（Ｄ）前記陽極酸化層２０を露出させる、前記回路層３０、３１の回路配線の間に光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させて第１ゾルゲル層５０を形成し、（Ｄ−１）回路層３０、３１の形成されていない金属基板１０の他面に第２ゾルゲル層５１を形成する段階を示す。
【００７３】
その後、図１８に示すように、（Ｄ−２）金属基板１０の他面に形成された第２ゾルゲル層５１を除去する段階によって、プリント基板が完成できる。その上、図１９に示すように、（Ｄ−３）前記金属基板１０の他面に形成された前記陽極酸化層２０を除去する段階を行って金属基板１０の他面を露出させることにより、放熱特性をさらに向上させることができる。その他の詳細な説明は、上述した第３実施例に係るプリント基板製造工程の図９〜１１の工程と同様なので、ここでは省略する。
【００７４】
以上、本発明を具体的な実施例によって詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのもので、本発明に係るタッチパネル製造装置は、これに限定されず、本発明の技術的思想内で当該分野における通常の知識を有する者によって多様な変形または改良を加え得るのは明白であろう。本発明の単純な変形または変更は、いずれも本発明の領域に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は、特許請求の範囲によって明白になるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は、放熱特性を向上させることができ、回路層の回路配線の間に発生する電気的短絡を防止することができるうえ、放熱効果を増加させることができるプリント基板およびその製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００７６】
１０    金属基板
２０    陽極酸化層
３０    回路メッキ層
３１    シード層
３０、３１  回路層
４０    エッチングレジスト
４１    メッキレジスト
５０    第１ゾルゲル層
５１    第２ゾルゲル層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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