(57)【要約】【課題】プリント基板の配線パターンから回路動作中放射される電磁界ノイズを感度異方性の電磁界プローブで検知して電磁界強度分布などを効率よく実施する時、配線情報が必要であり、利用しない場合は長時間の測定時間を要した。【解決手段】長手方向と短手方向をもつスリット状開口の電界プローブを用い、既知の基準配線パターンで、パターン延伸方向とプローブ開口の長手方向を一致させ、パターンに直交する方向にプローブ走査して電界の強度信号プロファイルを取得し、少なくとも基準半値幅（含む許容値）を確定する。測定配線パターン対しプローブ走査をして得られた電界の強度信号プロファイルの少なくともその測定半値幅を得て、基準幅と比較し、前者が後者と同等になるようにして、配線パターン延伸方向とプローブ開口の長手方向を一致させ、かつ、同一条件下で配線パターンの延伸方向への電磁界プローブの二次元移動走査を継続して、電磁界測定を行う。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形状を有する被測定対象からの放射電磁波強度の測定を、平面方向感度異方性を有する電磁界プローブを用いて、前記被測定対象の表面を走査することで行う、電磁界プローブ走査方法であって、
基準パターン形状の第１被測定対象の延伸方向と前記平面方向感度異方性における最高感度方向との、延伸及び異方性方向交差角度を第１の角度にした前記電磁界プローブを、前記延伸方向との延伸及びプローブ走査交差角度を第２の角度で、前記第１被測定対象を走査して取得した放射電磁波の前記第１被測定対象に対する第１強度信号プロファイルを記憶する工程と、
第２被測定対象を、前記延伸及び異方性方向交差角度と前記延伸及びプローブ走査交差角度をそれぞれ任意にして前記第２被測定対象を走査して取得した放射電磁波の前記第２被測定対象に対する第２強度信号プロファイルを記憶する工程と、
前記第１強度信号プロファイルと前記第２強度信号プロファイルとを比較し、両者の特性が所定閾値内で一致する、前記延伸及び異方性方向交差角度と前記延伸及びプローブ走査交差角度を求める角度探索工程と、
前記角度探索工程で得られた前記各交差角度を維持して、前記第２被測定対象の延伸方向への二次元移動走査を継続する工程、とを含むことを特徴とする電磁界プローブ走査方法。
【請求項２】
前記角度探求工程の、前記延伸及びプローブ走査交差角度を求める工程を、前記電磁界プローブの走査方向を変更して実施することを更に含むことを特徴とする請求項１記載の電磁界プローブ走査方法。
【請求項３】
前記被測定対象は、配線パターンを有するプリント基板であり、
前記第１の角度は０度であり、前記第２の角度は９０度であることを特徴とする請求項１または２記載の電磁界プローブ走査方法。
【請求項４】
前記電磁界プローブは、電界プローブであり、
前記電界プローブの電界導入用の電界絞り開口部は、長手方向と短手方向を有するスリット形状をなし、前記平面方向感度異方性における前記最高感度方向と前記長手方向が一致することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電磁界プローブ走査方法。
【請求項５】
前記第１強度信号プロファイルと前記第２強度信号プロファイルとの前記比較における前記特性は、少なくとも前記各プロファイルの半値幅を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の電磁界プローブ走査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被測定対象上を電磁界プローブで走査する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の多機能化、高速化、更に小型化への要求が近年ますます強まり、それに伴って電子機器の動作中において、機器に組み込まれたプリント基板から放射される電磁ノイズが機器の性能を低下させ、また誤動作の要因にもなっている。こういった放射電磁ノイズの放射源を、プリント基板設計や基板製造の早期段階で特定し、適切な対処することが重要となっている。
【０００３】
製造されたプリント基板から発生する放射電磁ノイズの分布やその放射源を特定する手段として、電磁界プローブを用いてプリント基板表面を走査して行う放射電磁ノイズ計測方法が一般的といえよう。
【０００４】
これまで、プリント基板の二次元平面上における、Ｘ−Ｙ方向への走査による放射電磁ノイズ分布の自動測定方法に関する提案や、さらに、そういった自動測定方法と、プリント基板の金属配線パターン配置設計情報（例えば、ＣＡＤデータなど）との連携による、基板内での放射源位置の特定する方法の検討も行われている。とくにＣＡＤデータとの連携による磁界ノイズ分布測定とノイズ放射源の特定の際においては、磁束量測定に用いられる磁界プローブのプローブコイルが検出方向によって磁束検出強度が異なる性質、すなわち検知感度に異方性を有していることから、ＣＡＤデータを利用して磁束検出量を最大とする様に磁界プローブの方向を変える手段を有する方法も提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−８３９１８号公報
【特許文献２】特開２００４−１９８２３２号公報
【特許文献３】特開２００８−１１１７４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、検出感度が高く、かつ分解能が高い、例えばスリット状の開口をもつ電界プローブなどの検出感度に異方性をもつ電磁界プローブを用いて、プリント基板の配線から放射される電磁界の放射源位置や放射電磁界分布を測定する際、プリント基板の設計情報（ＣＡＤデータなど）などを用いること無く、また走査回数を増加させるなどの測定所要時間を大きく増加することなく、短時間に容易に測定できる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電磁化プローブ走査方法は、
パターン形状を有する被測定対象からの放射電磁波強度の測定を、平面方向感度異方性を有する電磁界プローブを用いて、前記被測定対象の表面を走査することで行う、電磁界プローブ走査方法であって、
基準パターン形状の第１被測定対象の延伸方向と前記平面方向感度異方性における最高感度方向との、延伸及び異方性方向交差角度を第１の角度にした前記電磁界プローブを、前記延伸方向との延伸及びプローブ走査交差角度を第２の角度で、前記第１被測定対象を走査して取得した放射電磁波の前記第１被測定対象に対する第１強度信号プロファイルを記憶する工程と、
第２被測定対象を、前記延伸及び異方性方向交差角度と前記延伸及びプローブ走査交差角度をそれぞれ任意にして前記第２被測定対象を走査して取得した放射電磁波の前記第２被測定対象に対する第２強度信号プロファイルを記憶する工程と、
前記第１強度信号プロファイルと前記第２強度信号プロファイルとを比較し、両者の特性が所定閾値内で一致する、前記延伸及び異方性方向交差角度と前記延伸及びプローブ走査交差角度を求める角度探索工程と、
前記角度探索工程で得られた前記各交差角度を維持して、前記第２被測定対象の延伸方向への二次元移動走査を継続する工程、とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
微細で高密度かつ斜線配線が多用されたプリント基板の配線などでの放射電界ノイズ測定において、適用する感度異方性を有するプローブが、高周波・微細パターンでの放射電界の高感度測定に適し、かつ斜線配線に対しても、本方法が柔軟に対応可能である。本走査方法の適用により、特に、配線の設計情報を必要とせず、例えば試作されたプリント基板を即応的に、放射ノイズ分布測定やノイズ源の配線上の特定などが、より短時間で実施できるといった効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】異方性を有する電界プローブによる強度信号プロファイル測定を説明する図
【図２】測定された強度信号プロファイルの差を説明する図
【図３】本発明の走査方法の用いる測定システムを説明する図
【図４】本発明の走査方法による測定工程を説明する図
【図５】基準となる強度信号プロファイルから基準値を得る方法を説明する図
【図６】配線例での強度信号プロファイルの差異とプローブ設定を説明する図（１）
【図７】配線例での強度信号プロファイルの差異とプローブ設定を説明する図（２）
【図８】異方性を有する電界プローブの構造を説明する図
【図９】異方性を有する電界プローブによる測定を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の実施の形態を、添付図を参照しつつ説明する。
（異方性を有する電界プローブ例）
本発明の発明者らは、先に、検出分解能と検出感度を両立させた、検出感度に異方性を有する新方式の電界プローブを提案した（特願２００９−４６６６３号）。図８は、その新方式の電界プローブの、特に先端部の模式的な斜視図および断面図である。
【００１１】
図８（１）に示すように、この新方式の電界プローブは、いわゆるセミリジッド型電界プローブであって、同軸ケーブル（セミリジッドケーブル）１０１と、その同軸ケーブル１０１の一端が切断され、切断面の端面に取り付けた電界絞り１０２からなる。同軸ケーブル１０１は外部導体１０３と芯線である内部導体１０４をもち、その間を絶縁層１０５で絶縁されていて、一端の切断により、内部導体１０４の切断面が露出する。電界絞り１０２は導電性を有しており、例えば、キャップ状の導電体部材１０６の円形底部の中心に所定形状の開口１０７が形成されている。
【００１２】
図８（２）は、同軸ケーブル１０１の切断面の端部に電界絞り１０２を取り付けた状態の、電界プローブ電界感知先端部の断面模式図であって、開口１０７を有する導電体部材１０６は、同軸ケーブル１０１の外部導体１０３と電気的接続し、同軸ケーブル１０１の切断面の端部を覆うとともに、内部導体１０４の中心と開口１０７の中心は位置整合される。開口１０７の開口形状は、適宜設計可能である。
【００１３】
図８（３）に、開口形状をスリット状（円状孔などのように中心点対称の形状では無く、長方形状あるいは楕円形状などのように長径と短径を有する線対称の形状）にした例を示す。ここにおいて、図８（３）（ａ）はその電界絞り１０２の斜視図、同（ｂ）はその円形底部から見た図を示す。これから明らかのように、導電体部材１０６の円形底部に、スリット状開口１０８が形成され、例えば、スリット状開口１０８の短手方向の径が内部導体１０４の径より短く、長手方向の径を内部導体１０４より長くした場合、同（ｂ）に示されるように、スリット状開口１０８の開口が、内部導体１０４の径を越え絶縁層１０５の領域までが見える状況となる。
【００１４】
直径が２ｍｍ程度の同軸ケーブル１０１の内部導体１０４の直径を、例えば５００μｍ程度としたとき、開口１０７の開口径は、それが円形の場合は、直径は１ｍｍ以下、例えば１００ｎｍ〜５００μｍ程度が好適といえる。図８（３）のようにスリット状開口の場合、長手方向の長さは、検知対象である配線から放射される電磁波の波長の十分の一以下の値とすることが望ましい。この開口径が測定波長と同じである場合、１波長分の振幅を全て検出してしまうことから、積分により検出値が０となる可能性がある。開口径が電磁波の波長の十分の一以下の値であれば十分な検出値を得ることができる。この場合、例えば１０ＧＨｚの電気信号で電磁波波長が１０ｍｍ程度であることを考慮すると、長手方向の長さは、１ｍｍ程度以下が望ましく、例えば１００ｎｍ〜５００μｍ程度とし、短手方向の長さは、例えば１０ｎｍ〜５０μｍ程度とすることが想定される。
【００１５】
この様な電界絞りをもつ電界プローブでは、電界絞りの開口面積が大きいほど電界の検出感度が向上し、また、開口径が小さいほど電界検知の空間分解能が高まる。勿論、高い検出感度と高い分解能が両立することが望ましい。上記のスリット状の開口をもった電界絞りを有する電界プローブは、平面方向により感度の異方性を有するものの、開口短手方向の長さに依拠して高い空間分解能を有したまま、その短手と同じ直径を有する円形開口に比べ、長手方向を有するために電界の透過する全開口面積が増えることから検出感度が高くなる、といった特長を有している。
【００１６】
図９により、スリット状の開口をもった電界絞りを有する電界プローブを用いて、金属配線を有するプリント基板の面上をＸ−Ｙ方向に走査して放射電界の分布を測定する手法を説明する。図９（１）に示すように、例えば１００μｍ幅の配線１０９（ａ）がプリント基板面Ｘ−Ｙ平面上でＹ軸と平行方向に延伸しているとき、電界プローブのスリット状開口を有する電界絞り１０２の開口１０８（例えば、長手方向長さ５００μｍ、短手方向長さ５０μｍ）の長手方向を配線１０９の延伸方向（Ｙ軸と平行）と一致させ、これと直交方向（Ｘ軸と平行方向の、図中Ｓ方向）に電界プローブを走査し、一回の走査が終わると電界プローブの位置をＹ軸方向に所定距離分移動させて、再度Ｘ軸に平行に走査する。この様に、Ｘ軸方向の連続走査とＹ軸方向のステップ移動の組み合わせにより、プリント基板上を全面走査し計測する。
【００１７】
配線１０９（ａ）から放射される電界成分は、配線１０９（ａ）の延伸方向に対して直交する成分と、配線１０９（ａ）から垂直に放射される成分とが主であり、配線１０９（ａ）の延伸方向の電界成分は無視できる程度の僅かである。図９（１）のように、スリット状の開口１０８の長手方向と配線１０９（ａ）の延伸方向を一致させ、これと直交方向に走査することで、配線１０９（ａ）の延伸方向に対して開口面積が拡大され、検出される電界成分は配線１０９（ａ）から真上に放射される垂直成分が支配的になる。この様なことから、上記のスリット状開口を有する電界プローブによって、高検出感度、高空間分解能で放射電界を検知できることとなる。
【００１８】
しかし、図９（２）に示すように、例えば、配線１０９が屈曲し、Ｙ軸と平行方向に延伸する配線部分１０９（ａ）と、Ｘ軸と平行方向に延伸する配線部分１０９（ｂ）を有しているとき、電界絞り１０２（ａ）の走査方向を、Ｘ−Ｙ平面上、常にＸ軸と平行方向にし、ステップ的にＹ軸方向に移動させることで全面を走査する通常の走査方法をとる場合、配線部分１０９（ａ）の走査においては、図９（１）に示したように、電界絞り１０２（ａ）の開口１０８（ａ）の長手方向と配線部分１０９（ａ）の延伸方向（Ｙ軸に平行方向）は一致させ得る。しかし、この電界絞りの開口配置状態（長手方向の角度が同一）で、配線部分１０９（ｂ）をそのまま走査した場合においては、電界絞り１０２（ｂ）の開口１０８の長手方向と配線部分１０９（ｂ）の延伸方向（Ｘ軸に平行方向）は一致せず（この場合は直交し）、検出感度が大幅に低下し、実質的に測定不可能に陥る。
【００１９】
従って、電界絞り１０２（ｂ）の開口１０８（ｂ）の長手方向と配線部分１０９（ｂ）の延伸方向（Ｘ軸に平行方向）を一致させ、高検出感度を獲得するため、電界絞り１０２（ａ）の状態から電界絞り１０２（ｂ）の状態からへ、90度分回転させる（図中Ｒで示す）などを行う必要がある。
【００２０】
プリント基板からの放射電界分布の測定を効率化あるいは自動化するために、上に述べたような、電界絞りのスリット状開口の長手方向の角度の回転動作の自動化などを、配線の基板上の位置などを含む設計情報（ＣＡＤ情報など）との連携で実現することは、従来技術をもってして可能であろう。
【００２１】
しかし、そういった設計情報は常に入手できるとは限らず、入手できた場合でも、それらの情報を実際に利用・適用するには多くの工数も必要となる。
【００２２】
また、例えば、設計情報を用いず、単純には、スリット状の開口の長手方向角度を変えずに、プローブのＸ方向およびＹ方向移動位置決め可能な通常の現有測定装置などで対処するとするなら、基板面上のプローブ走査方向をＸ軸、Ｙ軸方向の２方向において、合計２回の全面走査を行うことで対応することが考えられる。この方法は、電界感度に異方性の無い一般的な電界プローブ（開口形状が円形などのプローブ）で測定する場合に比べ２倍の走査時間が必要となる。実際には、高周波・高密度プリント基板においては、配線パターンの延伸方向は、Ｘ軸（０度）方向、Ｙ軸（９０度）方向のみならず、＋４５度方向、−４５度方向の合計４方向が一般的であるので、上記のＸ軸、Ｙ軸方向の２方向のみの走査では不十分で適切な計測ができず、４方向の走査が必要となるとすれば、走査時間も更に増大する。
（本発明の走査方法の基本的な検討）
図１は、基板上に二本の並列配線パターンが形成された領域を、スリット状開口部を持つ電界プローブで、配線の延伸方向と直交するように一回走査をおこなったとき、スリット状開口長手方向と配線延伸方向との相対的な位置関係の差異によって、検出される電界強度の信号の分布（位置Ｘ対検出信号強度Ｄ上の強度分布；強度信号プロファイルとも略称する）におけるピーク形状の差異を検討した結果を模式的に示したものである。
【００２３】
図１（１）は、Ｘ−Ｙ平面上の配線パターンを示し、絶縁性の基板１上にＹ軸に平行に延伸する並列の配線２が形成されている。二本の配線の幅Ｐは、例えば１００μｍ、二本の配線２の中心間距離Ｓは、例えば３００μｍ(配線２間の隙間は２００μｍ）とする。
【００２４】
図１（２）、（３）に模式的に示す、プローブの電界絞り３のスリット状開口４は、長手方向の長さが、例えば５００μｍ、短手方向の長さが、例えば５０μｍとする。よって、この場合、スリット状開口４の短手方向の長さが配線幅Ｐの半分、また長手方向の長さは二本の並列配線の各外端を５０μｍづつ越える程度の長さを有することになり、図１（１）中に点線矩形４ｉで、スリット状開口の配線パターンとの相対的なサイズ関係（Ｘ軸、Ｙ軸方向それぞれに平行方向）を示す。また、図１（１）中に示す電界プローブの走査方向Ｘｓｃａｎは、Ｘ−Ｙ平面においてＸ軸に平行方向であって、従って、走査方向Ｘｓｃａｎは配線パターンの延伸方向と直交する。
【００２５】
図１（２）において、上側図のスリット状開口４の模式図に示すように、開口の長手方向と配線の延伸方向とが平行に配置されて、走査方向Ｘｓｃａｎにプローブを一回走査したときの、走査位置Ｘと検出信号強度Ｄとの模式的な関係（強度信号プロファイル）を、下側図に示したものである。この場合、スリット状開口４の短手方向の長さは５０μｍであり、一方二本の配線の幅Ｐは、例えば１００μｍ、二本の配線２の中心間距離Ｓは、例えば３００μｍであることから、スリット状開口の空間分解能上、明確に分離した二つのピークが検出できる様子を表す。配線２の延伸方向とスリット状開口４の長手方向は一致し、かつ５００μｍと長いため、配線からの電界放射成分のうちの支配的である配線から真上に放射される垂直成分の電界放射量を広く取り込むことができ、結果、強い電界強度を観測することができる。
【００２６】
以上のことから、観測される信号強度を、高分解能かつ高感度（大量の電界成分取得）状態で獲得でき、電界強度分布の走査位置Ｘ−検出信号強度Ｄ（強度信号プロファイル）のピークは、ピーク値において（最も）高く、検出幅Ｗ１（半値幅）は（最も）狭くなり、検出幅Ｗ１（半値幅）は配線のパターン幅に近い値を得ることも可能となる。
【００２７】
図１（３）は、上側図のスリット状開口４の模式図に示すように、開口の長手方向と配線の延伸方向とが、ずれた場合、特に本例ではθ＝４５度傾いて配置されて、走査方向Ｘｓｃａｎにプローブを一回走査したときの、走査位置Ｘと検出信号強度Ｄとの模式的な関係（強度信号プロファイル）を、下側図に示したものである。この場合、プローブ位置によっては開口部へ、同時に隣接配線からの放射電界（の垂直成分）が侵入し、隣接する各々の配線の放射電界検知信号が個別に分離されず、また配線からの放射に対する検知開口面積が相対的に狭くなることから信号強度も小さくなっている様子を表している。電界強度分布の走査位置Ｘ−検出強度Ｄのピーク信号強度は低くなり、検出幅Ｗ２（半値幅）は広く（この場合は、各配線のピーク値半値幅が分離されず、二本の配線からの電界放射の合成ピークでの半値幅の状況を示す）、配線のパターン幅より相対的に広いものとなる。このずれの程度による半値幅Ｗ２はより狭く、また２つの配線からのピークもより明確に現れるが、その場合でもそれらの半値幅は、（２）の例の半値幅Ｗ１より広くなることはいうまでも無い。
【００２８】
以上の検討から解るように、異方性を有する電磁界プローブ、例えば、上記のような、短手方向の長さと長手方向の長さを有するスリット状の開口電界絞りをもつ電界プローブを用いるプリント基板上の配線からの放射電（磁）界強度分布計測において、測定する配線パターンの幅やパターン間隔に対し十分な空間分解能を有するような短手方向の長さ（例えば、幅の半分以下）をもち、長手方向の長さは、例えば、測定対象の配線における延伸方向の長さが最短なものの長さ以下で、プローブとして可能な限りの長さを持つようにして検出強度を上げ得るような開口形状の電界絞りを持ったプローブを用いることを要する。
【００２９】
そして、こういったスリット状開口プローブを用い、先ず、プリント基板上のプローブ走査方向を定め、次いで、走査方向に対するスリット状開口の長手方向の傾斜角度を定め、これで一回走査で得られる配線からの電界検出強度プロファイルとそのピーク幅（例えば、半値幅）を取得する。次に、同じ走査方向に対するスリット状開口を回転し、その長手方向の傾斜角度を順次変化させて、同様に一回走査して強度プロファイルを得る。こうして最も電界検出強度プロファイルのピーク幅（例えば、半値幅）が小さいときが、配線パターンの延伸方向とスリット状開口の長手方向が一致したときであると判断できる。この状態でプリント基板上の配線を走査して放電電界分布を得れば良い。
【００３０】
実際的な手順としては、プリント基板の注目した配線の延伸方向が、プローブの一定走査方向（通常用いられる、電界強度分布の測定装置では、ステージ上に設置されたプリント基板上に、Ｘ方向、あるいは更にＹ方向への走査手段をもつ）に対して直交するように、基板を回転調整などして設置する。次に、スリット状開口プローブの開口長手方向の角度を調整しつつ、注目配線に対して一回走査して強度プロファイルを取得しながら、最小半値幅のときの開口長手方向の角度を確定し、全表面走査の角度として採用して測定を実施する。プリント基板上の全配線、あるいはその内の注目領域の配線方向が全て同じ方向に延伸していれば、これで高分解能・高感度に測定するための走査測定システムの調整が完了する。
【００３１】
しかし、配線パターンの延伸方向は、Ｘ（０度）方向、Ｙ（９０度）方向、さらに、＋４５度方向、−４５度方向で、プリント基板の配線パターンが形成されているのが大多数と思われる、また配線パターンの延伸方向が途中で変化することは稀なことでは無い。
【００３２】
図２は、そのような配線延伸方向が変化する状況における、プローブ走査方向を一定にし、走査方向に対しスリット状開口の長手方向を変えた場合、線パターンの延伸方向の変化に対する検知信号の差異を検討するための図である。
【００３３】
図２（１）において、左側の図は絶縁性の基板１上に配線２が形成されている模式図を示し、配線２は上方から下方に−４５度で延伸したのち屈折し、−９０度方向に延伸する（図中の右上方個所に示す、配線基板上の角度方向を参照）。この配線上を、Ｘ（０度）方向にプローブを走査する。走査線上の測定位置５の目安（丸印位置）と走査方向６（図中左から右方向矢印）を示す。同図の右側には、電界絞り３の面のスリット状開口４を模式的の示し、（ｉ）０度；スリット状開口４の長手方向が０度（走査方向６と平行）の場合、（ｉｉ）９０度；同９０度（走査方向６と直交）の場合、（ｉｉｉ）；同−４５度（走査方向６に対し、左上から右下方向）の場合、にそれぞれセットして走査する例を示す。ここにおいて、配線２の幅は、例えば１００μｍ、測定位置５の走査方向および繰り返し移動方向の各ピッチは、例えば２５μｍ、スリット状開口４の長手方向の径は、例えば５００μｍ、短手方向の径は、例えば５０μｍとする（模式的に図示されたパターンサイズとスリット状開口サイズは比例していない）。
【００３４】
まず、（ｉ）の、０度のスリット状開口位置で配線２上を一度の走査を実行したときに得られる測定放射電界強度Ｄと位置Ｘとの関係は、配線延伸方向とスリット状開口の長手方向が斜め状態で一致しない走査個所の領域では、図２（２）の（Ａ）に示した模式的な強度信号プロファイルの様に、測定放射電界強度Ｄのピーク値Ｐａは中程度に低く、その半値幅Ｗａは中程度に広いことが予想される。
【００３５】
また、配線延伸方向とスリット状開口の長手方向が直交するようになって一致しない走査個所の領域では、図２（２）の（Ｂ）に示した模式的な強度信号プロファイルの様に、測定放射電界強度Ｄのピーク値Ｐｂは最も低く、そのときの半値幅Ｗｂは、最も広いことが予想される。
【００３６】
次に、（ｉｉ）の、９０度のスリット状開口位置で配線２上を一度の走査を実行したときに得られる測定放射電界強度Ｄと位置Ｘとの関係は、配線延伸方向とスリット状開口の長手方向が斜め状態で一致しない走査個所の領域では、図２（２）の（Ａ）に示した模式的な強度信号プロファイルの様に、測定放射電界強度Ｄのピーク値Ｐａは中程度に低く、その半値幅Ｗａは中程度に広いことが予想される。また、配線延伸方向とスリット状開口の長手方向が全く一致している走査個所の領域では、図２（２）の（Ｃ）に示した模式的な強度信号プロファイルの様に、測定放射電界強度Ｄのピーク値Ｐｃは最も高く、その半値幅Ｗｂは最も狭いことが予想される。
【００３７】
そして、（ｉｉｉ）の、−４５度の、配線２の斜め部分の延伸方向と一致するスリット状開口位置で配線２上を一度の走査を実行したときに得られる測定放射電界強度Ｄと位置Ｘとの関係（強度信号プロファイル）は、配線延伸方向とスリット状開口の長手方向が一致する走査個所の領域では、図２（２）の（Ｃ）に示した模式的な強度信号プロファイルの様に、測定放射電界強度Ｄのピーク値Ｐｃは最も高く、その半値幅Ｗｃは最も狭いことが予想される。また、配線延伸方向とスリット状開口の長手方向斜め状態で一致しない走査個所の領域では、図２（２）の（Ａ）に示した模式的な強度信号プロファイルの様に、測定放射電界強度Ｄのピーク値Ｐａは中程度に低く、その半値幅Ｗａは中程度に広いことが予想される。
【００３８】
配線の延伸走行方向が、Ｘ（０度）方向、Ｙ（９０度）方向、さらに、＋４５度方向、−４５度方向の配線を有するような一般的な配線基板の配線からの電界放射分布を、異方性を有するプローブで測定する場合、特に空間分解能を有して基板上の配線位置を同定するに足る測定を行うためには、図２（２）の（Ｃ）に示されたような、狭い半値幅を有する測定放射電界強度Ｄと位置Ｘとの関係（強度信号プロファイル）が得られる走査測定を行う必要がある。
【００３９】
逆に言えば、最適な放射電界分布の測定結果を得るためには、配線上の走査の過程で得られる測定放射電界強度Ｄと位置Ｘ（強度信号プロファイル）のピークが、その測定系で得られる最も狭い半値幅が常に得られるようにする必要があり、そのためには、この場合、スリット状開口の長手方向の角度を制御し、常に配線の延伸方向と一致させるようにすれば良い。こうした、半値幅の値のフィードバックによって動的なスリット状開口の角度制御を行うことは、システム上、実現可能であると考えられる。
【００４０】
上記の半値幅の値は、測定する配線の材料やエッジなどの形成状況、配線・スリット状開口などのサイズ状況、プローブと基板との位置関係、測定電界周波数など電界測定を行う環境状況により、それぞれ変化する。
【００４１】
しかし、測定系や対象測定物が定まり、同一基板上に作成された典型的な配線パターン（複数パターン）を用いて、事前に、高精度に位置会わせ・方向合わせした状態での測定放射電界強度Ｄと位置Ｘ（強度信号プロファイル）でのピーク値の半値幅（パターン幅に依存）の測定し、その検出半値幅の値ないしそれの許容値幅（閾値）を確定し、この検出半値幅ないし閾値を用いて、他の領域の配線における電界放射分布の測定において、動的なスリット状開口の角度制御を行って、配線延伸方向とスリット長手方向の角度を一致させ、これで電界測定走査を行うことで、高精度の電界分布の測定走査を行うことが可能である。
【００４２】
この事前走査を用いる走査方法による測定では、設計情報を用いず、実際に製作された配線基板を入手した時点で、まず予備的に事前測定でプローブ走査による（電気駆動中の）基準となる配線（複数の異なる幅や間隔などを有する配線）からの位置―強度の放射電界ピーク（強度信号プロファイルのピーク）を測定して、測定誤差や繰り返し測定誤差範囲などの許容値幅を持たせた半値幅の値（期待半値幅と称する）を設定する（パターン幅毎に複数設定することも含む）。そして、実際に対象配線基板の全域あるいは目的とする領域内に対してプローブ走査を行い、測定放射電界強度Ｄと位置Ｘのピーク値（強度信号プロファイルのピーク値）の半値幅を測定して、測定半値幅が期待半値幅に合致するか否かをモニタしつつ、合致するようにスリット状開口の角度制御を行うようにすれば良い。
【００４３】
一度スリットの適正角度制御が確立し、測定環境が良好な状態で、配線からの放射電界の分布測定が行われる始め、その測定が配線延伸方向と異なっている他の領域に至ったとき（これは、強度信号プロファイルでの測定半値幅が、期待半値幅より大きくなったり、プロファイル形状自体が変形するなどのずれが生じることで判定できるが）、再度、前記方法を繰り返して、プローブの走査方向を含めたスリット状開口の角度制御を行い、スリット角度適正化をするようにすれば良い。
【００４４】
このようなプローブの走査方法による放射電磁界測定は、特に高周波動作用電子機器の微細で高密度かつ斜線配線が多用されて製作されたような、比較的小面積のプリント配線などでの測定に大きな効果を発揮する。適用する感度異方性を有するプローブが、高周波・微細・高密度配線での放射電界の測定に適しており、またこの方法事態が斜線配線に対しても、本方法が柔軟に対応可能であるためである。
（実施例）
図３に、本発明の走査方法を実施するための測定システムのブロック図を示す。例えばＸ−Ｙ―Ｚ−θ軸などの駆動制御可能なステージ１１上に、測定対象のプリント基板１２を搭載する。このプリント基板１２上を、検出部１３の電磁界プローブ１８を用いて走査する。
【００４５】
本実施例では、放射電磁界を検出する検出部１３には電磁界プローブ１８（異方性がある、例えばスリット状開口を有する電界絞りが装着されたセミリジッド型電界プローブなどのプローブ）を用いる。
【００４６】
電磁界プローブ１８は、駆動制御部１４により各種制御が行われる。この制御は、例えば、電磁界プローブ１８の配置位置に関し、プリント基板１２表面に対する相対的な位置決めなどを行うためのＸ−Ｙ−Ｚ−θ軸方向駆動装置１９などとそれをコントロールするための制御装置２０により実施される。ここにおいて、プリント基板１２の搭載状況と配線の延伸方向などの読み取り、あるいは入力により各初期値設定なども行われる。プローブのＸ軸、Ｙ軸方向、更に＋４５度、−４５度各方向（あるいは任意方向角度）の走査方向の駆動制御や、測定点ピッチ、走査ピッチなどの駆動制御をし、またプローブ自体の基板からの浮上高さや、感度異方性が生じる原因であるスリット状開口長手方向の角度を決める、プローブ開口面の回転角の駆動制御などを実施する。
【００４７】
駆動制御部１４は、メモリ／外部記憶装置２４を有するコンピュータ２３などから構成されるデータ処理部１６と接続され、両者間で、データ処理部１６から上記のようなステージ制御設定、プローブ制御設定などを含む、電磁界測定条件などを駆動制御部１４へデジタル入力する。他方、駆動制御部１４からは駆動制御結果のデジタル出力がデータ処理部１６に行われる。
【００４８】
検出部１３の電磁界プローブ１８で検知された電磁界強度の検知信号は、演算部１５に入力される。演算部１５では、アンプ２１で検知信号が増幅され、スペクトラムアナライザ２２にアナログ電圧として送られる。スペクトラムアナライザ２２では、設定した周波数帯域と周波数分解能で検知された信号強度を取得してデジタル信号に変換する。
【００４９】
デジタル信号化された検知信号は、データ処理部１６のコンピュータ２３に送られ、そこで、駆動制御部１４から送られるデータと統合し、プローブ走査による測定位置毎の各周波数帯域における検知信号強度を電磁界強度分布作成などへ適用されるべく、メモリ／外部記憶装置２４に記憶され、その後の演算処理、比較処理などに用いられる。それら測定結果は、メモリ／外部記憶装置２４に記憶されるとともに、表示部１７に送られ、ディスプレイ２５に表示、またプリンタ２６で印刷される。
【００５０】
データ処理部１６においては、さらに、メモリ／外部記憶装置２４にて、事前測定で得られた強度信号プロファイルでの期待半値幅（配線パターン形状、特に配線パターン幅毎の複数の期待半値幅）やピーク値などを記憶し、かつこれと測定実行中における対象配線の強度信号プロファイルでの半値幅やピーク値とをコンピュータ２３で比較・判定する処理も含む。
【００５１】
スペクトラムアナライザ２２におけるデータ取得条件などは、データ処理部１６にある測定条件プログラムによりコンピュータ２３から指示され、この条件も先の検知信号強度との関係を維持して統合管理される。任意の走査位置におけるスペクトラムアナライザでの電磁界強度周波数分布データには、複数の周波数でのピークが観測されることが多い。従って、放射電磁波の測定評価においては、例えば、特定周波数での検出値を、あるいは注目周波数帯域における最大検出値を採用するなど、用途に応じて測定を行う必要があり、それを上記のスペクトラムアナライザ２２におけるデータ取得条件に反映する。
【００５２】
図４に、本発明の走査方法を実施するための工程フローを示す。
【００５３】
まず、測定対象の配線基板に含まれる、基準となる、各配線パターン幅、並列配線間隔、また使用するプローブ分解能情報（これは、例えばスリット状開口の長手方向、短手方向サイズなどの情報から得ることが可能）を、測長などを通じて所得する（Ｓ１）。
【００５４】
次に、同一測定配線基板上ないしは同時に製作された上記の基準配線（配線パターン幅毎、並列配線間隔毎の作製された配線）を用い、所定の異方性プローブを用い、（基板に通電し稼動状態にして）配線から漏洩する放射電界の強度信号プロファイルを測定し、そのピーク値が最も高く、かつピークの半値幅が狭い状態でのプロファイルをもとに、漏洩信号分布の期待形状（例えば半値幅）を確定する。その際、期待形状（半値幅）の許容範囲（閾値）も定める（Ｓ２）。
【００５５】
図５に、上記で述べた基準となる配線（この場合は単一の孤立配線）の強度信号プロファイルから期待形状（半値幅）を得る状況を示す。図５（１）において、絶縁性の基板１上に配線２が、Ｙ軸に平行に延伸形成されている。配線２の延伸方向と直交方向のＸ軸と平行に、異方性を有するプローブ３を、測定個所である走査位置５ごとに走査方向６でＡからＢに向かって一回走査する。プローブ３のスリット状開口３の長手方向は配線延伸方向と同一方向とする。なお、配線２のパターン幅は、例えば１００μｍ、一方スリット状開口３の長手方向の長さは、例えば５００μｍ、短手方向の長さは、例えば５０μｍである。なお配線２とプローブ３の図面上の大きさの相関性は無い。
【００５６】
図５（２）に、このときの、強度信号プロファイルを示し、この測定結果のプロファイル形状Ｃｍｅａ（ピーク値Ｐｍｅａ）は、この後の実際の電界分布測定における同一幅を有する配線を測定したときの期待形状Ｃｒｅｆ（ピーク値Ｐｒｅｆ）となり、このときの測定半値幅Ｗｍｅａが期待半値幅Ｗｒｅｆとなる。また測定誤差などによる強度信号プロファイルの変化許容範囲を設定し、強度信号プロファイルのピーク値や半値幅として、例えば、１０〜１５％低下した値や広くなった値までを許容値（閾値）とし、この許容形状Ｃｔｈ（ピーク値Ｐｔｈ）の許容半値幅Ｗｔｈを設定する。このときＷｒｅｆ＞Ｗｔｈ＝Ｗｍｅａとなり、Ｐｔｈ＝Ｐｍｅａ＞Ｐｒｅｆについても通常、成立している。
【００５７】
単一幅の単一線の配線についての期待半値幅Ｗｒｅｆや許容半値幅Ｗｔｈについて述べたが、測定対象の配線基板に含まれる、異なる配線幅隣接配線距離対応配線についてもそれぞれ期待半値幅Ｗｒｅｆや許容半値幅Ｗｔｈを測定ないし推定し、確定する。
【００５８】
次いで、図４の工程フローにおいて、測定対象のプリント基板に対し、配線に所定の電流など流すなどして、基板使用状態での放射電界を測定するためのプローブ走査をし、そこで得られた信号強度プロファイルを得、その測定形状(測定半値幅Ｗｍｅａ)と期待形状（期待半値幅Ｗｒｅｆないし許容半値幅Ｗｔｈ）と比較する（Ｓ３）。
【００５９】
そして、両者の形状（半値幅）を比較し、測定形状(測定半値幅Ｗｍｅａ)が所定の誤差範囲内か（期待半値幅Ｗｒｅｆと同一か、ないしは許容半値幅Ｗｔｈ内か）否か（ＹＥＳまたはＮＯ）を判定する（Ｓ４）。ＹＥＳならばＳ５に、ＮＯならばＳ６の工程に進む。
【００６０】
この判定実施例を図６〜７により示す。図６（１）の模式図は、絶縁性の基板１上に、配線２が形成されていることを示し、配線２は、上方から下方に−４５度で延伸したのち屈折し、−９０度方向に延伸する（図中の右上方個所に示す、配線基板上の角度方向を参照）。同図の右側には、電界絞り３の面のスリット状開口４を模式的の示し、（ｉ）−４５度；スリット状開口４の長手方法が−４５度（配線２上の−４５度で延伸した個所と平行）の場合、（ｉｉ）９０度；同９０度（配線２上の−９０度で延伸した個所と平行）の場合、をそれぞれ示す。
【００６１】
なお、配線パターンサイズとスリット状開口サイズは模式図中では比例しておらず、前述のように、測定実態レベルに即し、配線２の幅は、例えば１００μｍ、測定位置５の走査方向の各測定点ピッチは、例えば２５μｍ、スリット状開口４の長手方向の径は、例えば５００μｍ、短手方向の径は、例えば５０μｍとしている。
【００６２】
図６（１）において、プローブの走査は、所定位置からＸ軸（０度）方向に所定距離走査（図中；Ａ１−１→Ｂ１−１）後、Ｙ軸（−９０度）方向に走査ラインをずらしながら走査するが、図に示したように、走査開始点をもとの所定Ｘ軸位置上に復帰させて繰り返す（図中；Ａ１−２→Ｂ１−２、Ａ１−３→Ｂ１−３など）としても、所定距離走査から折り返しジグザグ的に走査しても、データ処理方法が異なるだけで測定制御上の両者の差異は無い。
【００６３】
プローブを所定の走査測定点間のピッチで移動させ、各測定点毎にスペクトラムアナライザ(図３参照)での測定データ（電界強度データ）を取得後、このデータをコンピュータへのデータ転送が完了してから次の測定点への走査を行う。この繰り返しにより１走査ラインでの測定を終了して信号強度プロファイルを得る。スペクトラムアナライザ内部で複数回測定値の平均処理をする場合、測定取得回数に応じて同一測定点に留まる時間が相対的に増加する。こういった場合は、１走査ライン毎に折り返す方法をとった場合に生じるプローブ折り返し移動時間が無視できることが多くなる。このプロセスは、図５において述べた期待半値幅を得る強度信号プロファイルを得るプロセスにおいても同様である。
【００６４】
図６（１）において、Ａ１→Ｂ１の線（Ａ１−１→Ｂ１−１、Ａ１−２→Ｂ１−２、Ａ１−３→Ｂ１−３など）は、この配線２上の−４５度で延伸した配線領域をＸ（０度）方向にプローブを走査する軌跡（各円は、測定点）を示し、Ａ２→Ｂ２の線は、この配線２上の−９０度で延伸した配線領域をＸ（０度）方向にプローブを走査する軌跡を示している。
【００６５】
図６（２）は、測定される信号強度プロファイルＣｍｅａ（ピーク値Ｐｍｅａ）と期待信号強度プロファイルＣｒｅｆ（ピーク値Ｐｒｅｆ）および許容信号強度プロファイルＣｔｈ（ピーク値Ｐｔｈ）の関係を模式的に表したもので、（２−１）はＣｍｅａのピーク値ＰｍｅａがＣｒｅｆとＣｔｈの各ピークＰｒｅｆおよびＰｔｈ間にある場合、（２−２）はＣｍｅａのピークＰｍｅａがＣｔｈのピークＰｔｈより下にある場合を表す。
【００６６】
図６（１）の右側領域に、これら走査を実施する場合の、配線上の走査領域とそのときにおける電界プローブのスリット状開口４の長手方向（但し、プローブの走査方向は常に図中の０度方向）の角度（ｉ）−４５度、（ｉｉ）９０度を示す。
【００６７】
図４工程図のＳ３の工程に基づく測定される夫々の信号強度プロファイルにおいて、以下のように、走査する配線の延伸方向と測定時のスリット状開口の長手方向の傾斜角(スリット角)との関係に基づく、取得される信号強度プロファイル（特に半値幅）との対応関係を得ることができる。
（イ）走査ライン；Ａ１→Ｂ１、スリット状開口；（ｉ）―４５度の場合
信号強度プロファイル（２−１）に示す、Ｃｍｅａ―Ｃｒｅｆ−Ｃｔｈ関係となる。
【００６８】
即ち、（Ｗｔｈ≧Ｗｍｅａ≧Ｗｒｅｆ）かつ（Ｐｒｅｆ≧Ｐｍｅａ≧Ｐｔｈ）
但し、Ｃｍｅａ、Ｗｍｅａ、Ｐｍｅａ他の記号の意味は、図５において説明したのと
同じであり、以下同様とする。
（ロ）走査ライン；Ａ１→Ｂ１、スリット状開口；（ｉｉ）９０度の場合
信号強度プロファイル（２−２）に示す、Ｃｍｅａ―Ｃｒｅｆ−Ｃｔｈ関係となる。
【００６９】
即ち、（Ｗｍｅａ＞Ｗｔｈ＞Ｗｒｅｆ）かつ（Ｐｒｅｆ＞Ｐｔｈ＞Ｐｍｅａ）
（ハ）走査ライン；Ａ２→Ｂ２、スリット状開口；（ｉ）−４５度の場合
信号強度プロファイル（２−２）に示す、Ｃｍｅａ―Ｃｒｅｆ−Ｃｔｈ関係となる。
【００７０】
即ち、（Ｗｍｅａ＞Ｗｔｈ＞Ｗｒｅｆ）かつ（Ｐｒｅｆ＞Ｐｔｈ＞Ｐｍｅａ）
（ニ）走査ライン；Ａ２→Ｂ２、スリット状開口；（ｉｉ）９０度の場合
信号強度プロファイル（２−１）に示す、Ｃｍｅａ―Ｃｒｅｆ−Ｃｔｈ関係となる。
【００７１】
即ち、（Ｗｔｈ≧Ｗｍｅａ≧Ｗｒｅｆ）かつ（Ｐｒｅｆ≧Ｐｍｅａ≧Ｐｔｈ）
ここで示した例では、配線の延伸方向とスリット状開口の傾斜方向を２種について説明したが、配線およびスリット状開口の傾斜方向が他の場合においても同様に測定信号強度プロファイルの取得と期待信号強度プロファイルおよび許容信号強度プロファイルとの比較を実施できる。こうして、特に、配線のある程度の傾斜傾向(延伸角度方向)が解っていれば、その近傍の幾つかのスリット傾斜角を設定（大多数の配線では、０、±４５、９０度の４方向の延伸角度方向の設定でカバーできよう）したスリット状開口のプローブで走査し、信号強度プロファイルが図６の（２−１）のＣｍｅａおよびＷｍｅａが得られる、最も近いスリット角度を、容易に確定できる。
【００７２】
取得した信号強度プロファイルは、上記のように、測定点を離散的にした、いわばサンプリングによって得られたデータである。サンプリングの分解能が十分（測定点間距離が十分短かく、かつプローブの分解能が十分）ならば、測定した信号強度プロファイルのデータ（の例えば、半値幅）から配線幅を高精度に判定でき、事前測定された配線幅のものと同定できる。更に高精度を必要とする場合、公知の手法（例えば、直線補間や曲線近時補間など）によって補間演算を加えることも可能である。
【００７３】
図４の測定の工程フローに戻り、以上のように、図６（２）、（２−２）のような測定信号強度プロファイルが、期待値、許容値範囲内にあれば、Ｓ４の工程でＹＥＳと判定され、プローブ異方性が配線の走行方向と合致と判定（Ｓ５）でき、走査を継続（Ｓ９）に移って、所定範囲内の走査によって電界強度分布を正確に測定可能となる。
【００７４】
所定許容範囲内か？（Ｓ４）でＮＯの場合、上述のように、プローブの設定角度を少なくとも１回所定角度だけ変更して近傍を探索（Ｓ６）すればよい。設定角度の変更は、適宜、所定角度ごとに増減して走査を繰り返し、信号強度プロファイルを得ることが基本であるが、先述のように、例えば±４５度ずつ振るのが最も簡便な実施手順となろう。
【００７５】
そして、信号（強度）プロファイルの中から最も期待形状に近い（プローブ設定）角度を最適角とする（Ｓ７）。測定形状（信号強度プロファイルの形状関し、特にその半値幅に、更にピーク強度）は期待形状に近く、また許容形状の範囲内であることが実現できた測定条件（プローブ角度条件）を最適角とする。
【００７６】
その際、さらに、その（測定された個所での配線の）信号強度プロファイル形状に関し、それと、プローブ開始位置をシフトしつつ配線の二次元走査を行ってプロファイル測定をしたときの測定信号強度プロファイルとが同形状で連続して得られたとき、その限りにおいて配線延伸方向と、プローブ走査方向を考慮したプローブ設定角度の関係が維持されているので、測定対象の配線の延伸走行方向と一致していると決定（Ｓ８）し、二次元走査を継続して正しい電界強度分布を得るべく、走査を継続（Ｓ９）する。
【００７７】
上記のＳ８の条件に関し、図６（１）において、−４５度方向に延伸する配線をＡ１−１→Ｂ１−１から下方矢印方向に−４５度プローブ角で走査繰り返し範囲をシフトして行った場合は、同じ測定信号強度プロファイルを得られ、プローブ走査方向（０度）とし、繰り返し走査開始位置のシフト方向はこれに垂直方向（−９０度）の走査条件下で、配線の延伸方向（−４５度）とプローブ設定角度（スリット状開口の長手方向の角度＝−４５度）で一致しているので、この範囲で正確な測定が継続される。しかし、更に測定を進め、Ａ２→Ｂ２に領域に至れば、上記条件は満たされず、新たな測定条件設定(この場合は、正しいプローブ角度の設定)を再度しなおすこととなる（Ｓ３からの再設定）。
【００７８】
図７は、プローブ角度の再設定だけでは、配線の正確な電界測定修正ができない例を示す。図７（１）の模式図は、絶縁性の基板１上に、配線２が形成されていることを示し、配線２は、上方から下方に−４５度で延伸したのち屈折し、０度方向に延伸する（図中の右上方個所に示す、配線基板上の角度方向を参照）。同図の右側には、電界絞り３の面のスリット状開口４を模式的に示し、（ｉ）−４５度；スリット状開口４の長手方法が−４５度（配線２上の−４５度で延伸した個所と平行）の場合であることを示す。また同図の下側には、同様に電界絞り３の面のスリット状開口４を模式的に示し、この場合は、（ｉｉ）０度；スリット状開口４の長手方向が０度（配線２上の０度で延伸した個所と平行）であることを示す。なお、このときも、配線パターンサイズとスリット状開口サイズは模式図中では比例しておらず、前述のように、測定実態レベルに即し、配線２の幅は、例えば１００μｍ、測定位置５の走査方向の各測定点ピッチは、例えば２５μｍ、スリット状開口４の長手方向の径は、例えば５００μｍ、短手方向の径は、例えば５０μｍとしている。
【００７９】
ここにおいて、プローブの走査方向を、図５、６と同様に、０度（Ｘ軸と平行）方向に走査したときの信号強度プロファイルの変化を検証する。図６の様に、（イ）上方から下方に−４５度で延伸した配線上の範囲で走査した場合と、引き続き、（ロ）右から左に０度方向に延伸した配線上の範囲を走査した場合は以下のようになる。即ち、
（イ）走査ライン；Ａ１→Ｂ１、スリット状開口；（ｉ）―４５度の場合
信号強度プロファイル、図６（２−１）に示す、Ｃｍｅａ―Ｃｒｅｆ−Ｃｔｈ関係となる。
【００８０】
即ち、（Ｗｔｈ≧Ｗｍｅａ≧Ｗｒｅｆ）かつ（Ｐｒｅｆ≧Ｐｍｅａ≧Ｐｔｈ）と、なって、これが成立する範囲で、正確な配線幅検出と高感度に放射強度を得られる。
（ロ）走査ライン；Ａ３→Ｂ３、スリット状開口；（ｉ）―４５度の場合
信号強度プロファイル、図７（２）に示す、Ｃｍｅａ―Ｃｒｅｆ−Ｃｔｈ関係となる。
【００８１】
また、Ｃｍｅａのプロファイルが対称（正規分布）形にならない。
【００８２】
そして、（Ｗｍｅａ＞Ｗｔｈ＞Ｗｒｅｆ）かつ（Ｐｒｅｆ＞Ｐｔｈ＞Ｐｍｅａ）である。
【００８３】
この（ロ）の条件のもとで、Ａ３→Ｂ３走査したときのＣｍｅａのような信号強度プロファイルは、スリット状開口の角度を、―４５度以外の＋４５度、０度、９０度などに設定しても、（Ｗｔｈ≧Ｗｍｅａ≧Ｗｒｅｆ）かつ（Ｐｒｅｆ≧Ｐｍｅａ≧Ｐｔｈ）の結果を得ることができない。
【００８４】
このような測定結果を得た場合は、走査方向を、例えば９０度（Ｙ軸と平行）方向に変える必要がある。即ち図中Ｃ→Ｄ方向に走査し、
（ハ）走査ライン；Ｃ→Ｄ、スリット状開口；（ｉｉ）０度の場合
信号強度プロファイル、図６（２−１）に示す、Ｃｍｅａ―Ｃｒｅｆ−Ｃｔｈ関係となる。
【００８５】
即ち、（Ｗｔｈ≧Ｗｍｅａ≧Ｗｒｅｆ）かつ（Ｐｒｅｆ≧Ｐｍｅａ≧Ｐｔｈ）と、なって、これが成立する範囲で、正確な配線幅検出と放射強度を得られる。
（ニ）走査ライン；Ｃ→Ｄ、例えば、スリット状開口；（ｉ）−４５度の場合（図示せず）
信号強度プロファイル、図６（２−２）に示す、Ｃｍｅａ―Ｃｒｅｆ−Ｃｔｈ関係となる。
【００８６】
即ち、（Ｗｍｅａ＞Ｗｔｈ＞Ｗｒｅｆ）かつ（Ｐｒｅｆ＞Ｐｔｈ＞Ｐｍｅａ）で、正確な配線幅検出と放射強度を得られないことは、いうまでも無い。つまり、走査ライン方向をＣ→Ｄに変更し、（Ｗｔｈ≧Ｗｍｅａ≧Ｗｒｅｆ）かつ（Ｐｒｅｆ≧Ｐｍｅａ≧Ｐｔｈ）の信号強度が得られるように、配線の延伸方向とスリット状開口の角度方向を一致させる工程が必要である。すなわち図４の工程図のＳ８の工程では、上記のような方法での配線延伸方向の確認を含んでいる。
【００８７】
以上のように、図４に示した測定工程フローにより、電界プローブ（とくに異方性を有する電界プローブ）の走査方向、異方性を生じさせるスリット状開口の長手方向角度などのプローブ走査条件の設定を、各配線上の走査による放射電界の信号強度プロファイルにおける半値幅や、あるいは更にピーク強度を、事前に得た許容値を含む基準値との比較を元に、より正確な配線幅と配線延伸方向の検出を可能とし、その結果に基づくより正確な放射強度を得られるようにプローブ角度や走査方向を、例えば自動変更し、測定対象のプリント板上を走査する。こういった本走査方法を用いることで、プリント基板上の配線設計情報などを使用せず、配線パターンの位置関係を把握することを可能とし、かつその把握した配線位置における、異方性プローブ採用の高感度、高精度な放射電界強度の測定を実施し、その測定集積による放射電界分布を求め、その結果から、例えば、課題とすべき放射源の特定などを可能とすることができる。
【００８８】
こうして、本発明の方法は、例えば、高周波動作用電子機器に使用される、微細で高密度かつ斜線配線が多用されて製作されたようなプリント基板の配線などでの測定において、適用する感度異方性を有するプローブが、高周波・微細・高密度配線での放射電界の高感度測定に適し、かつ斜線配線に対しても、本方法が柔軟に対応可能である。また、配線の設計情報を用いていないため、ＣＡＤ情報を必要とせず、例えば試作されたプリント基板それ自体を対象にして、即応的にプリント基板上の放射ノイズ分布測定やノイズ源の配線上の特定が、より短時間で実施可能となる。
【００８９】
なお、上記の実施例においては、スリット状開口を有するセミリジッド型電界プローブを用いて説明しているが、異方性を有する電磁界プローブとしてはこれに限らない。他のプローブ、例えばコイルを用いた磁界プローブなども同様に感度異方性を有しており、本方法を適用可能であることは言うまでも無い。
【符号の説明】
【００９０】
１  基板
２、１０９  配線
３、１０２  電界絞り
４、１０８  スリット状開口
５  走査位置
６  走査方向
１１  ステージ
１２  プリント基板
１３  検出部
１４  駆動制御部
１５  演算部
１６  データ処理部
１７  表示部
１８  電磁界プローブ
１９  駆動装置
２０  制御装置
２１  アンプ
２２  スプクトラムアナライザ
２３  コンピュータ
２４  メモリ／外部記憶装置
２５  ディスプレイ
２６  プリンタ
１０１  同軸ケーブル
１０３  外部導体
１０４  内部導体
１０５  絶縁層
１０６  導電体部材
１０７  開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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