(57)【要約】【課題】エッチングにより凸部が成形された封止部材に対して微小な開口を有するビアを形成する。【解決手段】  水晶振動子１では、ベース４と蓋６とにより水晶振動片２が気密封止されている。ベース４を構成する基材に貫通形成されるビア４９の一端開口部４９２が、一主面４２にエッチングにより成形される凸部（壁部４４と台座部４６）により、部分的に塞がれる。【選択図】図１
2011249424.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の封止部材により電子部品素子の電極が気密封止された電子部品パッケージの封止部材において、
封止部材を構成する基材に貫通形成されるビアの開口部の少なくとも一方が、前記基材の両主面の少なくとも一方の主面にエッチングにより成形される凸部により、部分的に塞がれたことを特徴とする電子部品パッケージの封止部材。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品パッケージの封止部材において、
前記エッチングは、ウエットエッチングであることを特徴とする電子部品パッケージの封止部材。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子部品パッケージの封止部材において、
前記ビアの内側面は、テーパー状に成形されたことを特徴とする電子部品パッケージの封止部材。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか１つに記載の電子部品パッケージの封止部材において、
前記凸部は、電子部品素子を搭載する台座部であることを特徴とする電子部品パッケージの封止部材。
【請求項５】
請求項１乃至４うちいずれか１つに記載の電子部品パッケージの封止部材において、
前記凸部は、当該封止部材の外形の一部となる壁部であることを特徴とする電子部品パッケージの封止部材。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちいずれか１つに記載の電子部品パッケージの封止部材において、
前記凸部は、当該封止部材に搭載する電子部品素子の搭載傾きを規制する枕部であることを特徴とする電子部品パッケージの封止部材。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちいずれか１つに記載の電子部品パッケージの封止部材において、
前記ビアの開口部の一方のみが前記凸部により部分的に塞がれ、
前記ビアの内側面には、シード層が形成され、
前記凸部により部分的に塞がれていない前記開口部の他方の開口サイズは、前記凸部により部分的に塞がれた前記開口部の一方の開口サイズよりもが大きいことを特徴とする電子部品パッケージの封止部材。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちいずれか１つに記載の電子部品パッケージの封止部材において、
前記ビアの内側面には、粗面のシード層が形成されたことを特徴とする電子部品パッケージの封止部材。
【請求項９】
複数の封止部材により電子部品素子の電極が気密封止された電子部品パッケージにおいて、
複数の封止部材のうち少なくとも１つが、請求項１乃至８のいずれか１つに記載の電子部品パッケージの封止部材であることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項１０】
複数の封止部材により電子部品素子の電極が気密封止された電子部品パッケージの封止部材の製造方法において、
エッチングにより当該封止部材の一主面に凸部を成形する成形工程と、
エッチングにより当該封止部材の両主面を貫通したビアを形成するビア形成工程と、を有し、
前記ビア形成工程では、当該封止部材の他主面からエッチングを行い、前記一主面に形成する前記ビアの開口部の一方を前記凸部により部分的に塞ぐことを特徴とする電子部品パッケージの封止部材の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子部品パッケージの封止部材の製造方法において、
前記成形工程と前記ビア形成工程とは、ウエットエッチングを用いることを特徴とする電子部品パッケージの封止部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品パッケージの封止部材、電子部品パッケージ、及び電子部品パッケージの封止部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品パッケージは少なくとも複数の封止部材により構成され、電子部品パッケージ内の内部空間に電子部品素子が気密封止された状態で搭載されている。電子部品素子が内部空間に気密封止されることで、電子部品素子の電極の特性が劣化するのを防止している。このような内部空間に電子部品素子が気密封止された電子部品パッケージとして、例えば、水晶振動子等の圧電振動デバイスのパッケージなどが挙げられる。
【０００３】
この種の電子部品パッケージとして、例えば、箱状体のベースと板状体の蓋とから構成されたものがあり、ベースに圧電振動片等の電子部品素子が搭載（保持）され、電子部品が保持されたベースに蓋が接合されて、パッケージの内部空間に圧電振動片の電極が気密封止される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１に示す水晶振動子では、ベースにガラスが用いられ、ベースには基材の両主面を貫通するビアが形成されている。この水晶振動子では、ビアを介して、ベースの両主面に設けられた電極同士が電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１２４８４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年では、圧電振動デバイス等の電子部品パッケージの小型化が求められており、これに伴って、箱状体のベース等の凸部が成形された封止部材に設けられたビアの開口部は微小化の傾向にある。
【０００７】
現在、凸部が成形されたガラスからなるベースのビアの形成は、ウェットエッチングで行われている。このウエットエッチングでは、サイドエッチング作用により、予め設定したビアの開口部の開口サイズに対して広い開口の開口部が形成され、予め設定した微小な開口サイズの開口部を形成することが難しい。
【０００８】
このように予め設定した開口サイズよりも広い開口部のビアが形成されることで、ビア内に充填する金属等の充填材が、ビアの開口部からはみ出し、ビアから盛り上がった形状となる。このビアからはみ出し盛り上がった充填材は、ベースに搭載する電子部品素子に接して、充填材が電子部品素子に干渉し、この場合、圧電振動デバイスの電気的特性や振動特性が不安定になったり、ショートしたりする。
【０００９】
また、前述のように従来のビアの形成技術によれば、予め設定した開口サイズよりも広い開口部のビアが形成されるため、ビア内に充填材を充填した際に、充填材によるビアの閉孔が不完全な状態となり、その結果、パッケージの内部空間の気密性の低下を招くことがある。
【００１０】
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、エッチングにより凸部が成形された封止部材に対して微小な開口を有するビアを形成した電子部品パッケージの封止部材、電子部品パッケージ、及び電子部品パッケージの封止部材の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品パッケージの封止部材は、複数の封止部材により電子部品素子の電極が気密封止された電子部品パッケージの封止部材において、封止部材を構成する基材に貫通形成されるビアの開口部の少なくとも一方が、前記基材の両主面の少なくとも一方の主面にエッチングにより成形される凸部により、部分的に塞がれたことを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、前記基材に貫通形成される前記ビアの開口部の少なくとも一方が、前記基材の両主面の少なくとも一方の主面にエッチングにより成形される前記凸部により、部分的に塞がれるので、エッチングにより前記凸部が成形された前記基材に対して微小な開口を有する前記ビアを形成することが可能となる。その結果、前記ビアに充填材を充填した時に、充填材が前記ビアの開口部から盛り上がり、前記開口部からはみ出すのを無くすことが可能となり、さらに充填材による前記ビアの閉孔の信頼性を向上させることが可能となる。
【００１３】
前記構成において、前記エッチングは、ウエットエッチングであってもよい。
【００１４】
前記エッチングにウエットエッチングを用いた場合、背景技術で説明したように、予め設定したビアの開口部の開口サイズに対して、開口が広いビアが形成されることになる。しかしながら、本発明によれば、前記基材が、前記両主面の少なくとも一方に前記凸部が前記エッチングにより成形され、かつ、前記両主面を前記ビアが貫通形成されてなり、前記ビアの開口部にかかるように前記凸部が位置し、前記ビアの開口部が前記凸部により部分的に塞がれるので、前記ビアの開口部の開口サイズを予め設定した開口サイズ以下にすることが可能となる。具体的には、本発明によれば、予め設定したビアの開口サイズに対して同じ開口、もしくは開口が狭い前記ビアを形成することが可能となる。
【００１５】
前記構成において、前記ビアの内側面は、テーパー状に成形されてもよい。
【００１６】
この場合、前記ビアの内側面はテーパー状に成形されるので、前記ビアの内側面にシード層を形成し易くなり、また、前記ビアに充填材を充填し易くなる。
【００１７】
前記構成において、前記凸部は、電子部品素子を搭載する台座部であってもよい。
【００１８】
この場合、前記凸部が前記台座部であるので、前記ビアに充填材を充填した時の充填材の盛り上がりによる充填材の電子部品素子への干渉を無くすことが可能となり、さらに、安定した内部空間の気密性と相俟って、当該電子部品パッケージを筺体とする電子部品の電気的特性などの各種特性の安定を図ることが可能となる。なお、前記台座部は、電子部品素子を封止部材の他の領域（部位）に接触させず、電子部品の電気的特性などの各種特性の安定を図るために用いられる。
【００１９】
前記構成において、前記凸部は、当該封止部材の外形の一部となる壁部であってもよい。
【００２０】
この場合、前記凸部が前記壁部であり、前記壁部は当該電子部品パッケージの気密封止に用いられた筺体（外形）の一部であるので、前記凸部の形成を確実に行うことが可能となり、狭い開口の前記ビアを安定して形成することが可能とあり、その結果、当該電子部品パッケージを筺体とする電子部品の電気的特性の安定を図ることが可能となる。
【００２１】
前記構成において、前記凸部は、当該封止部材に搭載する電子部品素子の搭載傾きを規制する枕部であってもよい。
【００２２】
この場合、前記凸部が前記枕部であるので、前記ビアに充填材を充填した時の充填材の盛り上がりによる充填材の電子部品素子への干渉を無くすことが可能となり、さらに、安定した内部空間の気密性と相俟って、当該電子部品パッケージを筺体とする電子部品の電気的特性などの各種特性の安定を図ることが可能となる。なお、前記枕部は、電子部品素子を封止部材の他の領域（部位）に接触させず、電子部品の電気的特性などの各種特性の安定を図るために用いられる。
【００２３】
前記構成において、前記ビアの開口部の一方のみが前記凸部により部分的に塞がれ、前記ビアの内側面には、シード層が形成され、前記凸部により部分的に塞がれていない前記開口部の他方の開口サイズは、前記凸部により部分的に塞がれた前記開口部の一方の開口サイズより大きくてもよい。
【００２４】
この場合、前記ビアの内側面全面に前記シード層を形成し易くなる。特に、この効果は、前記凸部により部分的に塞がれていない前記開口部の他方が、前記凸部により部分的に塞がれた前記開口部の一方に対して、３〜７倍の開口サイズを有している構成において顕著になる。
【００２５】
前記構成において、前記ビアの内側面には、粗面のシード層が形成されてもよい。
【００２６】
この場合、前記ビアの内側面に粗面の前記シード層が形成されるので、前記ビアに充填材を充填し易くなる。また、前記シード層の粗面によるアンカー効果が生じ、前記ビアに充填材を安定して形成することが可能となり、その結果、前記電子部品パッケージの気密信頼性を向上させることが可能となる。
【００２７】
また、当該電子部品パッケージの封止部材の製造方法では、フォトリソグラフィ法により露光および現像を行う工程において、前記基材に光を照射する。この時、前記ビアの内側面に鏡面のシード層が形成された場合、光が前記鏡面のシード層で反射し、この反射した光により、露光を行う必要のない他の部位に形成されたレジストを露光してしまう。これに対して、本構成によれば、前記ビア内に照射した光は前記粗面のシード層で乱反射するので、このような不具合はなく、フォトリソグラフィ法により所望の露光および現像を行うことが可能となる。
【００２８】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品パッケージは、複数の封止部材により電子部品素子の電極が気密封止された電子部品パッケージにおいて、複数の封止部材のうち少なくとも１つが、本発明にかかる電子部品パッケージの封止部材であることを特徴とする。
【００２９】
本発明によれば、前記複数の封止部材のうち少なくとも１つが、本発明にかかる電子部品パッケージの封止部材であるので、本発明にかかる電子部品パッケージの封止部材による効果を有する。
【００３０】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品パッケージの封止部材の製造方法は、複数の封止部材により電子部品素子の電極が気密封止された電子部品パッケージの封止部材の製造方法において、エッチングにより当該封止部材の一主面に凸部を成形する成形工程と、エッチングにより当該封止部材の両主面を貫通したビアを形成するビア形成工程と、を有し、前記ビア形成工程では、当該封止部材の他主面からエッチングを行い、前記一主面に形成する前記ビアの開口部の一方を前記凸部により部分的に塞ぐことを特徴とする。
【００３１】
本発明によれば、当該封止部材の他主面からエッチングを行い、前記一主面に形成する前記ビアの開口部の一方を前記凸部により部分的に塞ぐので、前記エッチングにより前記凸部を成形した当該封止部材に対して微小な開口を有する前記ビアを形成することが可能となる。その結果、前記ビアに充填材を充填した時に、充填材が前記ビアの開口部から盛り上がり、前記開口部からはみ出すのを無くすことが可能となり、さらに充填材による前記ビアの閉孔の信頼性を向上させることが可能となる。
【００３２】
前記方法において、前記成形工程と前記ビア形成工程とは、ウエットエッチングを用いてもよい。
【００３３】
この場合、前記成形工程と前記ビア形成工程とは前記エッチングに前記ウエットエッチングを用いる。このウエットエッチングによれば、背景技術で説明したように、予め設定したビアの開口部の開口サイズに対して、開口が広いビアが形成されることになる。しかしながら、本発明によれば、前記成形工程により当該封止部材の一主面に前記凸部を前記エッチングにより成形する前記成形工程と、当該封止部材の両主面を貫通した前記ビアを形成する前記ビア形成工程とを有し、前記ビアの開口部を部分的に前記凸部により塞ぐので、予め設定したビアの開口サイズ以下の前記ビアの開口部を形成することが可能となる。具体的には、本発明によれば、予め設定した前記ビアの開口サイズに対して同じ開口、もしくは開口が狭い前記ビアの開口部を形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、エッチングにより凸部が成形された封止部材に対して微小な開口を有するビアを形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】図１は、本実施の形態にかかる内部空間を公開した水晶振動子の概略構成図であり、図２に示すＡ−Ａ線で切断した時の水晶振動子の概略断面図である。
【図２】図２は、本実施の形態にかかるベースの概略平面図である。
【図３】図３は、本実施の形態にかかるベースの概略裏面図である。
【図４】図４は、本実施の形態にかかるビアの概略側面図である。
【図５】図５は、本実施の形態にかかる蓋の概略裏面図である。
【図６】図６は、本実施の形態にかかる水晶振動片の概略裏面図である。
【図７】図７は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図８】図８は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図９】図９は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図１０】図１０は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図１１】図１１は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図１２】図１２は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図１３】図１３は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図１４】図１４は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図１５】図１５は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図１６】図１６は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図１７】図１７は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図１８】図１８は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図１９】図１９は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図２０】図２０は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図２１】図２１は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図２２】図２２は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図２３】図２３は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図２４】図２４は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図２５】図２５は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図２６】図２６は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図２７】図２７、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図２８】図２８は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図２９】図２９は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図３０】図３０は、本実施の形態にかかるベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略側面図である。
【図３１】図３１は、他の形態にかかるベースの概略平面図である。
【図３２】図３２は、他の形態にかかるベースの概略平面図である。
【図３３】図３３は、他の形態にかかるベースの概略平面図である。
【図３４】図３４は、他の形態にかかるベースの概略平面図である。
【図３５】図３５は、他の形態にかかるベースの概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態では、電子部品パッケージとして、圧電振動デバイスである水晶振動子のパッケージに本発明を適用し、電子部品素子として、圧電振動片である水晶振動片に本発明を適用した場合を示す。
【００３７】
本実施の形態にかかる水晶振動子１には、図１に示すように、ＡＴカット水晶からなる水晶振動片２と、この水晶振動片２を保持し、水晶振動片２を気密封止するためのベース４（本発明でいう封止部材）と、ベース４と対向するように配置され、ベース４に保持した水晶振動片２を気密封止するための蓋６（本発明でいう封止部材）とが設けられている。
【００３８】
この水晶振動子１では、ベース４と蓋６とからパッケージが構成され、ベース４と蓋６とが、接合材１２（具体的には、接合材１２と第１接合層４８と第２接合層６２）により接合されて、気密封止された内部空間１１が形成される。この内部空間１１では、水晶振動片２が、ベース４に導電性バンプ１３を用いてＦＣＢ法（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）により電気機械的に超音波接合されている。なお、導電性バンプ１３には、金バンプ等の非流動性部材のメッキバンプが用いられている。
【００３９】
次に、この水晶振動子１の各構成について、図１〜５を用いて説明する。
【００４０】
ベース４は、添加剤を含むホウケイ酸ガラスの基材からなり、図１〜３に示すように、底部４１と、ベース４の一主面４２の外周に沿って底部４１から上方に延出した壁部４４（本発明でいう凸部）と、から構成された箱状体に成形されている。なお、ベース４の平面視の寸法は、２．５ｍｍ×２．０ｍｍ以下に設定され、本実施の形態では、平面視の寸法が１．６ｍｍ×１．２ｍｍに設定されたベース４を用いる。
【００４１】
ベース４は、直方体の一枚板の基材をウエットエッチングして箱状体に成形される。このように、ベース４はウエットエッチングにより成形されるため、ベース４の壁部４４の側面（内側面および外側面）は、テーパー状に成形されている。また、壁部４４の天面は、蓋６との接合面であり、この接合面には、蓋６と接合するための第１接合層４８が設けられている。第１接合層４８は、複数の層の積層構造からなり、ベース４の壁部４４の天面にＴｉからなるＴｉ膜（図１の符号９２参照）が形成され、Ｔｉ膜の上にＡｕからなるＡｕ膜（図１の符号９２，９３参照）が積層されてなる。Ｔｉ膜は、スパッタリング法によりスパッタリング形成されたスパッタリング膜（図１の符号９２参照）であり、Ａｕ膜は、スパッタリング法によりスパッタリング形成されたスパッタリング膜（図１の符号９２参照）と、スパッタリング膜上にメッキ形成されたメッキ膜（図１の符号９３参照）とから構成される。
【００４２】
ベース４の一主面４２には、底部４１と壁部４４とによって囲まれた平面視長方形のキャビティ４５が成形され、キャビティ４５の底面４５１には、その長手方向の一端部４５２の両端部に一対の台座部４６（本発明でいう凸部）が対向してエッチング成形されている。この台座部４６に、水晶振動片２が搭載される。なお、このキャビティ４５の壁面は、壁部４４の内側面であり、上記のようにテーパー状に成形されている。
【００４３】
また、ベース４の筺体裏面（他主面４３）には、図３に示すように、２つのキャスタレーション４７が形成されている。一方のキャスタレーション４７は、壁部４４の外側面に形成され、他主面４３の一短辺４３１と、一短辺４３１に連なり隣接する両長辺４３２，４３３の一部とに沿って形成されている。他方のキャスタレーション４７は、壁部４４の外側面に形成され、他主面４３の他短辺４３４と、他短辺４３４に連なり隣接する両長辺４３２，４３３の他部とに沿って形成されている。
【００４４】
また、ベース４には、水晶振動片２の励振電極３１，３２それぞれと電気機械的に接合する一対の電極パッド５１，５２と、外部部品や外部機器と電気的に接続する外部端子電極５３，５４と、電極パッド５１と外部端子電極５３、および電極パッド５２と外部端子電極５４を電気的に接続させる配線パターン５５とが、形成されている。これら電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターン５５とによりベース４の電極５が構成される。電極パッド５１，５２は、台座部４６の表面に形成され、外部端子電極５３，５４は、他主面４３およびキャスタレーション４７に形成されている。配線パターン５５は、ビア４９の内側面４９１（下記参照）を介して、ベース４の一主面４２の電極パッド５１，５２から他主面４３の外部端子電極５３，５４にかけて形成されている。これら電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターン５５とは、第１接合層４８と同一材料による構成からなり、第１接合層４８と同時に形成される。
【００４５】
また、ベース４には、図１〜３に示すように、水晶振動片２の励振電極３１，３２をキャビティ４５内からキャビティ４５外に導出させるためのビア４９が形成されている。
【００４６】
ビア４９は、ベース４をウエットエッチングにより成形する際、キャビティ４５の成形と同時に形成され、図１〜４に示すように、ベース４に２つのビア４９が両主面４２，４３間を貫通して形成されている。具体的には、凸部（本実施の形態では台座部４６と壁部４４）それぞれが、各ビア４９の一端開口部４９２（本発明でいうビアの開口部）にかかるように位置し、２つのビア４９の一端開口部４９２が、これら台座部４６の一部と壁部４４の一部とにより部分的にそれぞれ塞がれた状態となる。ここでいうビア４０の一端開口部４９２が凸部により部分的に塞がれたとは、ビア４０の一端開口部４９２の少なくとも１か所以上が凸部により塞がれたことを意味する。
【００４７】
なお、本実施の形態にかかる２つのビア４９は同一形状からなる。そのため、便宜上、図１〜４に示す２つのビア４９の符号を同一とし、以下の説明では、台座部４６の下に位置するビア４９について説明する。
【００４８】
ビア４９の内側面４９１は、壁部４４と同様に、ベース４の一主面４２および他主面４３に対して傾斜を有し、テーパー状に形成されている。
【００４９】
ベース４の一主面４２に形成されたビア４９の一端開口部４９２は、半円形の開口からなり、ベース４の他主面４３に形成されたビア４９の他端開口部４９３（本発明でいうビアの開口部）は円形の開口からなる。このビア４９では、エッチングの開始点となる他端開口部４９３の径が最大となり、一端開口部４９２の径が最小となる。また、ビア４９の一端開口部４９２のが、台座部４６（壁部４４）によって部分的に塞がれて、ビア４９の一端開口部４９２が半円形に成形されている。また、ビア４９の一端開口部４９２の台座部４６（壁部４４）によって塞がれた部分は、図４に示すように、一端開口部４９２となる他部に比べて、高さ方向（図４に示す高さＨ参照）にもエッチングされている。また、ビア４９の開口部の具体的寸法について、他端開口部４９３は一端開口部４９２よりも開口サイズが大きく、一端開口部４９２の径に対して他端開口部４９３の径が約３〜７倍の開口サイズとなっている。なお、本実施の形態では、一端開口部４９２の開口の径（最長径）が２０μｍであり、他端開口部４９３の開口の径が２００μｍであり、一端開口部４９２の径に対して他端開口部４９３の径が約６．７倍のサイズとなっている。
【００５０】
また、このビア４９の内側面４９１には、ＴｉおよびＡｕからなるシード層４９４が形成され、ビア４９の内部には、Ｃｕから構成される充填材４９５がシード層４９４上に充填され、ビア４９が塞がれている。
【００５１】
蓋６は、透過性材料のＳｉと添加剤とを含むホウケイ酸ガラス等のガラス材料からなり、図５に示すように、直方体の一枚板に成形されている。この蓋６には、下面に蓋と接合する第２接合層６２が形成されている。なお、蓋６の平面視の寸法は、２．５ｍｍ×２．０ｍｍ以下に設定され、本実施の形態では、平面視の寸法が１．６ｍｍ×１．２ｍｍに設定された蓋６を用いる。
【００５２】
蓋６の第２接合層６２は、図５に示すように、蓋６の下面６１の外周に沿って形成されている。この第２接合層６２は、ＭｏからなるＭｏ膜（図示省略）が形成され、その上にＡｕからなるＡｕ膜（図示省略）が形成された複数の層の積層構造からなり、これらＭｏ膜およびＡｕ膜は、スパッタリング法によりスパッタリング形成されている。
【００５３】
また、蓋６の第２接合層６２上に、接合材１２が積層されている。接合材１２は、ＡｕとＳｎとの合金からなるＡｎ／Ｓｎ膜（図示省略）がメッキ形成され、その上にＡｕ膜（図示省略）がメッキ形成された複数の層の積層構造からなる。なお、Ａｕ膜は、Ａｕストライクメッキ膜がメッキ形成され、Ａｕストライクメッキ膜上にＡｕメッキ膜がメッキ形成された複数の層の積層構造からなる。このような接合材１２では、Ａｕ／Ｓｎ膜が、加熱により溶融して、ＡｕＳｎ合金膜となる。なお、接合材１２は、蓋６の第２接合層６２の上にＡｕＳｎ合金をメッキすることにより構成されたものであってもよい。
【００５４】
水晶振動片２は、ＡＴカット水晶片の基材からなり、その外形は、図１６に示すように、両主面２１，２２が略矩形状に形成された一枚板の直方体となっている。
【００５５】
水晶振動片２は、図６に示すように、振動領域を構成する振動部２３と、外部電極であるベース４の電極パッド５１，５２と接合する接合部２４とが一体成形されて構成される。また、接合部２４では、基材の平面視短辺の中央部分２５を切り欠いている。
【００５６】
この水晶振動片２には、励振を行う一対の励振電極３１，３２と、ベース４の電極パッド５１，５２と電気機械的に接合する一対の端子電極３３，３４と、一対の励振電極３１，３２を一対の端子電極３３，３４に引き出す引出電極３５，３６とが形成されている。一対の励振電極３１，３２は、引出電極３５，３６により引回されて一対の端子電極３３，３４にそれぞれ電気的に接続されている。
【００５７】
一対の励振電極３１，３２は、振動部２３の両主面２１，２２の平面視中央に対向して形成されている。これら一対の励振電極３１，３２は、例えば、基材側からＣｒ、Ａｕの順に積層して形成されたＣｒ−Ａｕ膜により構成される。なお、一対の励振電極３１，３２の厚さ寸法は、０．０３μｍ〜０．５μｍの範囲に設定され、本実施の形態では、一対の励振電極３１，３２の厚さ寸法は０．３μｍに設定される。
【００５８】
一対の端子電極３３，３４は、接合部２４の他主面２２に形成されている。端子電極３３は、基材の長手方向の一側辺を含むその近傍に形成され、端子電極３４は、長手方向の他側辺を含むその近傍に形成されている。これら一対の端子電極３３，３４は、例えば、励振電極３１，３２と同様に、基材側からＣｒ、Ａｕの順に積層して形成されたＣｒ−Ａｕ膜により構成される。なお、一対の端子電極３３，３４の厚さ寸法は、１μｍ〜１５μｍの範囲に設定され、本実施の形態では、一対の端子電極３３，３４の厚さ寸法は２μｍに設定される。
【００５９】
引出電極３５，３６は、振動部２３および接合部２４に形成され、振動部２３から接合部２４に亘り、対向せずに水晶振動片２の両主面２１，２２に形成されている。これら引出電極３５，３６は、例えば、励振電極３１，３２と同様に、基材側からＣｒ、Ａｕの順に積層して形成されたＣｒ−Ａｕ膜により構成される。なお、引出電極３５，３６の厚さ寸法は、０．０３μｍ〜０．５μｍの範囲に設定され、本実施の形態では、引出電極３５，３６の厚さ寸法は０．３μｍに設定される。
【００６０】
上記した構成からなる水晶振動子１では、図１に示すように、ベース４に水晶振動片２が導電性バンプ１３を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合される。この接合により、水晶振動片２の励振電極３１，３２が、引出電極３５，３６、端子電極３３，３４、導電性バンプ１３を介してベース４の電極パッド５１，５２に電気機械的に接合され、ベース４に水晶振動片２が搭載される。そして、水晶振動片２が搭載されたベース４に、蓋６がＦＣＢ法により仮接合され、その後、窒素雰囲気下で加熱されることにより、接合材１２と第１接合層４８と第２接合層６２とが溶融し、これにより、ベース４の第１接合層４８に蓋６の第２接合層６２が接合材１２を介して接合されて、水晶振動片２を気密封止した水晶振動子１が製造される。
【００６１】
次に、この水晶振動子１およびベース４の製造方法について図面（図７〜３０）を用いて説明する。
【００６２】
ベース４を多数個形成するホウケイ酸ガラスからなるウエハ８の両主面８１，８２を洗浄する（図７に示す洗浄工程参照）。
【００６３】
洗浄工程後、図８に示すように、その両主面８１，８２にＭｏからなるＭｏ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。Ｍｏ層の形成後、Ｍｏ層上に、Ａｕ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成して積層し、保護層９１を形成する（保護膜形成工程）。
【００６４】
保護層形成工程後、図９に示すように、保護層９１上にレジストをスピンコート法により塗布し、ポジレジスト層９４を形成する（レジスト層形成工程）。
【００６５】
レジスト層形成工程後、図１〜３に示すベース４のキャビティ４５の底面４５１と、ビア４９とのパターン形成を行うためにフォトリソグラフィ法により露光および現像を行なう（図１０に示すパターン形成工程）。
【００６６】
パターン形成工程後、図１１に示すように、露出した保護層９１のうち、キャビティ４５の底面４５１と、ビア４９との部分に形成した保護層９１をメタルエッチングする（メタルエッチング工程）。
【００６７】
メタルエッチング工程後に、保護層９１（ポジレジスト層９４を含む）をマスクとし、エッチング液を用いたウェットエッチングにより、図１２に示すように、ベース４のキャビティ４５とビア４９とを形成するウエハ８の部分をエッチング形成する（ウェットエッチング工程）。このウェットエッチング工程では、キャビティ４５の一部とビア４９とを形成するウエハ８の一部とを形成する。
【００６８】
ウェットエッチング工程後に、図１３に示すように、ポジレジスト層９４を剥離除去する（レジスト剥離工程）。
【００６９】
レジスト剥離工程後、図１４に示すように、保護層９１および露出したウエハ８の両主面８１，８２上にレジストをスピンコート法により塗布し、ウエハ８上にポジレジスト層９４を形成する（第２レジスト層形成工程）。
【００７０】
第２レジスト層形成工程後、ベース４の外形とキャビティ４５とビア４９とのパターン形成を行うためにフォトリソグラフィ法により露光および現像を行なう（図１５に示す第２パターン形成工程）。
【００７１】
第２パターン形成工程後、ベース４の外形を形成する位置と、台座部４６を形成する位置とに露出した保護層９１をメタルエッチングする（図１６に示す第２メタルエッチング工程）。
【００７２】
第２メタルエッチング工程後、保護層９１（ポジレジスト層９４を含む）をマスクとし、エッチング液を用いたウェットエッチングにより、ベース４の外形と、キャビティ４５（台座部４６を含む）と、ビア４９とを形成するウエハ８の部分をエッチング形成する（図１７に示す第２ウェットエッチング工程）。図１７に示すように、この第２ウェットエッチング工程では、ベース４の台座部４６を成形したキャビティ４５と、ビア４９とを同時にエッチング形成する。具体的には、台座部４６を成形したキャビティ４５を、一主面８１から他主面８２に向かって（図１６の図中上方から下方に向かって）エッチング形成し、また、このエッチング形成と同時に、ビア４９を他主面８２から一主面８１に向かって（図１６の図中下方から上方に向かって）エッチング形成する。なお、ベース４の外形は、台座部４６の高さ分だけエッチングされずに残り、複数個のベース４が現段階でウエハ８から個片化されない状態となる。
【００７３】
第２ウェットエッチング工程後、図１８に示すように、ポジレジスト層９４を剥離除去する（第２レジスト剥離工程）。
【００７４】
第２レジスト剥離工程後、保護層９１をメタルエッチングして除去し（第３メタルエッチング工程）、図１９に示すように、ウエハ８の両主面８１，８２全面を露出させて、ベース４を成形する（ベース成形工程）。
【００７５】
ベース成形工程後、ウエハ８（両主面８１，８２やビア４９の内側面４９１など）に、ＴｉからなるＴｉ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。Ｔｉ層の形成後、Ｔｉ層上に、ＡｕからなるＡｕ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成して積層し、図２０に示すように、メタル層９２を形成する（メタル層形成工程）。ここで形成したメタル層９２が、ベース４の電極５のＴｉ膜およびＡｕ膜のスパッタリング膜となる。
【００７６】
メタル層形成工程後、メタル層９２上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９４を形成し（第３レジスト層形成工程）、その後、ビア４９を形成する位置に形成したポジレジスト層９４に対してフォトリソグラフィ法により露光および現像を行ない、図２１に示すように、ビア４９のパターン形成を行う（第３パターン形成工程）。
【００７７】
第３パターン形成工程後、ビア４９に、図２２に示すように、シード層に対してＣｕメッキを行うことにより、Ｃｕからなる充填材４９５を充填する（充填工程）。この充填工程では、ビア４９の一端開口部４９２の開口が狭いので、充填材４９５が余分に形成され、ビア４９の一端開口部４９２からキャビティ４５内にはみ出ることを抑制できる。
【００７８】
充填工程後、図２３に示すように、ポジレジスト層９４を剥離除去する（第３レジスト剥離工程）。
【００７９】
第３レジスト剥離工程後、メタル層９２上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９４を形成する（第４レジスト層形成工程）。
【００８０】
第４レジスト層形成工程後、ベース４の第１接合層４８、ビア４９、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン５５を形成する位置上のポジレジスト層９４に対してフォトリソグラフィ法により露光および現像を行ない、ベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン５５のパターン形成を行う（図２４に示す第４パターン形成工程）。
【００８１】
第４パターン形成工程後、露出したメタル層９２および充填材４９上に、図２５に示すように、Ａｕからなるメッキ層９３をメッキ形成する（メッキ形成工程）。ここで形成したメッキ膜９３が、ベース４の電極５のＡｕ膜のメッキ膜となる。
【００８２】
メッキ形成工程後、図２６に示すように、ポジレジスト層９４を剥離除去し、その後、図２７に示すように、ウエハ８上にレジストをディップコート法により塗布し、新たなポジレジスト層９４を形成する（第５レジスト層形成工程）。
【００８３】
第５レジスト層形成工程後、ベース４の第１接合層４８と電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターン５５とをパターン形成するために、ベース４の第１接合層４８と電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターン５５とを形成する位置以外のウエハ８上のポジレジスト層９４に対してフォトリソグラフィ法により露光および現像を行ない、ベース４の第１接合層４８と電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターン５５とのパターン形成を行う（図２８に示す第５パターン形成工程）。
【００８４】
第５パターン形成工程後、図２９に示すように、露光および現像を行い露出したメタル層９２をメタルエッチングして除去し、ベース４の第１接合層４８と電極５（電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターン５５）とを形成する（第４メタルエッチング工程）。
【００８５】
第４メタルエッチング工程後、ポジレジスト層９４を剥離除去して、図３０に示すように、ベース４をウエハ８に多数個形成する（第４レジスト剥離工程）。
【００８６】
第４レジスト剥離工程後、多数個のベース４を個別分割して多数個のベース４を個片化し（ベース個片化工程）、多数個の図２４に示すベース４を製造する。
【００８７】
そして、図２４に示すベース４に、図６に示す水晶振動片２を配し、導電性バンプ１３を介してベース４に水晶振動片２をＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、ベース４に水晶振動片２を搭載保持する。また、別工程で、図５に示す蓋６の第２接合層６２上に接合材１２を積層する。その後、水晶振動片２を搭載保持したベース４を蓋６に配し、ベース４の第１接合層４８と蓋６の第２接合層６２とを接合材１２を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、図１に示す水晶振動子１を製造する。
【００８８】
なお、上記のベース４の製造工程のうち、上記のフォトリソグラフィ法によってパターン形成されたメタル層９２およびメッキ層９３により、Ｔｉ膜およびＡｕ膜からなる電極５をベース４に形成する工程を、電極形成工程という。
【００８９】
また、上記のベース４の製造工程のうち、ウエットエッチングによりベース４の一主面４２に凸部である壁部４４と台座部４６とを成形する工程（保護膜形成工程〜ベース成形工程）を、成形工程といい、また、ウエットエッチングによりベース４の両主面４２，４３間を貫通してビア４９を形成する工程（保護膜形成工程〜ベース成形工程）を、ビア形成工程という。本実施の形態では、これら成形工程とビア形成工程とを同時に行い、ビア形成工程において形成したビア４９の一端開口部４９２を凸部（壁部４４と台座部４６）により部分的に塞ぐ。
【００９０】
本実施の形態にかかる水晶振動子１、およびベース４によれば、ベース４の基材に貫通形成されるビア４９の一端開口部４９２が、一主面４２にエッチングにより成形される凸部（壁部４４と台座部４６）により、部分的に塞がれるので、エッチングにより凸部（壁部４４と台座部４６）が成形された基材に対して微小な開口（ビア４９の一端開口部４９２）を有するビア４９を形成することができる。その結果、ビア４９に充填材４９５を充填した時に、充填材４９５がビア４９の一端開口部４９２から盛り上がり、一端開口部４９２からはみ出すのを無くすことができ、さらに充填材４９５によるビア４９の閉孔の信頼性を向上させることができる。
【００９１】
また、本実施の形態によれば、エッチングにウエットエッチングを用いている。このウエットエッチングによれば、背景技術で説明したように、予め設定したビアの開口サイズに対して、開口が広いビアが形成されることになる。しかしながら、本実施の形態によれば、基材が、一主面４２に凸部（壁部４４と台座部４６）がエッチングにより成形され、かつ、両主面４２，４３をビア４９が貫通形成されてなり、ビア４９の一端開口部４９２にかかるように凸部（壁部４４と台座部４６）が位置し、一端開口部４９２が凸部（壁部４４と台座部４６）により部分的に塞がれるので、ビア４９の一端開口部４９２の開口サイズを予め設定した開口サイズ以下にすることができる。特に、本実施の形態によれば、予め設定したビア４９の一端開口部４９２の開口サイズに対して、開口が同じ、もしくは開口が狭いビア４９の一端開口部４９２を形成することができる。
【００９２】
また、ビア４９の内側面４９１はテーパー状に成形されるので、ビア４９の内側面４９１にシード層４９４を形成しやすく、また、ビア４９に充填材４９５を充填しやすい。また、シード層４９４の粗面によるアンカー効果が生じ、ビア４９に充填材４９５を安定して形成することができ、その結果、水晶振動子１の気密信頼性を向上させることができる。
【００９３】
また、本実施の形態によれば、Ａｕよりも安価な材料であるＴｉを第１接合層４８に用いているので、コスト削減を図ることができる。
【００９４】
また、本実施の形態によれば、凸部として台座部４６を用いているので、ビア４９に充填材４９５を充填した時の充填材４９５の盛り上がりによる充填材４９５の水晶振動片２への干渉を無くすことができ、さらに、安定した内部空間１１の気密性と相俟って、水晶振動子１の電気的特性などの各種特性の安定を図ることができる。なお、台座部４６は、水晶振動片２をベース４の他の領域（部位）に接触させず、水晶振動子１の電気的特性などの各種特性の安定を図るために用いられる。
【００９５】
また、本実施の形態によれば、凸部として壁部４４を用い、壁部４４が水晶振動子１の気密封止に用いられた筺体（外形）の一部であるので、凸部の形成を確実に行うことができ、狭い開口となる一端開口部４９２を有するビア４９を安定して形成することができ、その結果、水晶振動子１の電気的特性の安定を図ることが可能となる。
【００９６】
また、ビア４９の一端開口部４９２が凸部（壁部４４と台座部４６）により部分的に塞がれ、ビア４９の内側面には、シード層４９４が形成され、凸部（壁部４４と台座部４６）により部分的に塞がれていない他端開口部４９３の開口サイズが、凸部（壁部４４と台座部４６）により部分的に塞がれた一端開口部４９２の開口サイズより大きいので、ビア４９の内側面４９１全面にシード層を形成し易くなる。特に、この効果は、凸部（壁部４４と台座部４６）により部分的に塞がれていない他端開口部４９３が、凸部（壁部４４と台座部４６）により部分的に塞がれた一端開口部４９２に対して、３〜７倍の開口サイズを有している構成において顕著になる。
【００９７】
また、本実施の形態によれば、Ｓｎ合金から構成された接合材１２を介してベース４と蓋６とを接合するため、ベース４の第１接合層４８が接合材１２に拡散するのを抑えて、第１接合層４８がベース４から剥離するのを抑えることができる。その結果、接合材１２とベース４との接合強度を向上させることができ、接合材１２を介したベース４と蓋６との接合強度を向上させることができる。
【００９８】
また、ホウケイ酸ガラスからなるベース４は添加剤を含むので、第１接合層４８にＮｉを用いた（本実施の形態と異なる形態の）場合と比較して、第１接合層４８がバリアの役割を成して、接合材１２とベース４との反応を抑えることができ、ベース４に対する第１接合層４８の形成強度を保つことができる。その結果、本実施の形態によれば、ベース４から第１接合層４８が剥がれるのを抑えることができ、ベース４に対する第１接合層４８の形成が良好となる。
【００９９】
また、本実施の形態にかかる水晶振動子１のベース４の製造方法によれば、ベース４の他主面４３からエッチングを行い、一主面４２に形成するビア４９の一端開口部４９２を凸部（壁部４４と台座部４６）により塞ぐので、エッチングにより凸部（壁部４４と台座部４６）を成形した基材（ウエハ８）に対して微小な開口を有するビア４９を形成することができる。その結果、ビア４９に充填材４９５を充填した時に、充填材４９５がビア４９の一端開口部４９２から盛り上がり、一端開口部４９２からはみ出すのを無くすことができ、さらに充填材４９５によるビア４９の閉孔の信頼性を向上させることができる。
【０１００】
また、本実施の形態にかかる水晶振動子１のベース４の製造方法によれば、成形工程により基材の一主面４２（ウエハ８の一主面８１）に凸部（壁部４４と台座部４６）をウエットエッチングにより成形する成形工程と、基材の両主面４２，４３（ウエハ８の両主面８１，８２）を貫通したビア４９を形成するビア形成工程とを行い、ビア４９の一端開口部４９２を凸部（壁部４４と台座部４６）により部分的に塞ぐので、予め設定したビア４９の開口サイズ以下の開口となるビア４９の一端開口部４９２を形成することができる。特に、本実施の形態によれば、予め設定したビア４９の開口サイズに対して、開口が同じ、もしくは開口が狭いビア４９の一端開口部４９２を形成することができる。
【０１０１】
さらに、本実施の形態にかかる水晶振動子１およびその製造方法によれば、ベース４にホウケイ酸ガラスを用いているので、ベースにセラミック材料を用いた形態の問題を解決することができる。具体的に、Ｓｉを含むベース４は、セラミック材料のようなポーラスな材質ではなく、ベース４の強度を保つためには一定の高さを有する必要はなく、任意の高さに設定することができる。すなわち、ベース４の低背化を図ることができる。さらに、ベースにセラミック材料を用いた場合、本実施の形態でいう電極５にＣｒからなるＣｒ層と、ＡｕからなるＡｕ層を積層した電極を採用することが多い。このような電極の構成の場合、水晶振動子の製造工程において加熱プロセスを行うと、ＣｒがＡｕに拡散していき、ベースから電極が剥がれ易くなるが、本実施の形態によれば、このような不具合は生じない。
【０１０２】
なお、本実施の形態では、圧電振動デバイスとして水晶振動子を適用しているが、これに限定されるものではなく、圧電振動を行う圧電振動片の励振電極を気密封止する圧電振動デバイスであれば、他のデバイスであってもよく、例えば水晶発振器であってもよい。
【０１０３】
また、本実施の形態では、エッチングによりベース４の一主面４２に凸部を成形する工程を、成形工程としているが、これに限定されるものではなく、エッチングによりベース４の両主面４２，４３、もしくは他主面４３に凸部を成形する工程であってもよい。
【０１０４】
また、本実施の形態では、ビア４９の内側面４９１に鏡面のシード層４９４（ＴｉおよびＡｕ）が形成されているが、これに限定されるものではなく、Ｃｕなどの粗面のシード層であってもよい。この場合、ビア４９の内側面４９１に粗面のシード層４９４が形成されるので、ビア４９に充填材４９５を充填し易い。特に、本実施の形態にかかる水晶振動子１のベース４の製造方法では、フォトリソグラフィ法により露光および現像を行う工程において、基材（ウエハ８）に光を照射する。この時、ビア４９の内側面４９１に鏡面のシード層（例えば、Ａｕからなるシード層など）が形成された場合、光が鏡面のシード層で反射し、この反射した光により、露光を行う必要のない他の部位に形成されたレジストを露光してしまう。これに対して、本実施の形態によれば、ビア４９内に照射した光は粗面のシード層４９４（Ｔｉからなるシード層）で乱反射するので、このような不具合はなく、フォトリソグラフィ法により所望の露光および現像を行うことができる。
【０１０５】
また、本実施の形態では、２つのビア４９をベース４に形成しているが、これに限定されるものではなく、ビア４９の数は任意に設定可能であり、図３１に示すように、３つのビア４９が形成されてもよい。
【０１０６】
また、図３１に示すように、さらに、ベース４に搭載した水晶振動片２の傾きを規制する枕部７１が設けられてもよく、この枕部７１は本発明でいう凸部である。
【０１０７】
図３１に示す実施の形態によれば、凸部として枕部７１を用いているので、ビア４９に充填材４９５を充填した時の充填材４９５の盛り上がりによる充填材４９５の水晶振動片２への干渉を無くすことができ、さらに、安定した内部空間１１の気密性と相俟って、水晶振動子１の電気的特性などの各種特性の安定を図ることができる。なお、枕部７１は、水晶振動片２をベース４の他の領域（部位）に接触させず、水晶振動子１の電気的特性などの各種特性の安定を図るために用いられる。
【０１０８】
また、本実施の形態では、ビア４０の一端開口部４９２にかかるように位置する凸部として壁部４４と台座部４６とを併用しているが、当該凸部として、壁部４４と、台座部４６と、図３１に示す枕部７１とを併用してもよい。また、当該凸部として、壁部４４と、台座部４６と、図３１に示す枕部７１とのいずれか一つを当該凸部として用いてもよい。
【０１０９】
また、本実施の形態では、ベース４に本発明を適用しているが、これに限定されるものではなく、蓋６にも本発明を適用してもよい。
【０１１０】
また、本実施の形態では、ビア４９の一端開口部４９２の形状が半円形とされているが、これに限定されるものではなく、円形の形状は任意に設定可能であり、図３２に示すように頂角が９０度の扇形であってもよい。
【０１１１】
また、本実施の形態では、凸部（壁部４４と台座部４６）の側面の形状は面一とされ平坦面であるが、図３３に示すように壁部４４と台座部４６とにそれぞれ突出部７２が成形されてもよく、突出部７２がビア４９の一端開口部４９２にかかるように位置し、ビア４９の一端開口部４９２の形状が、突出部７２の形状に合わせたものであってもよい。特に、図３３に示すように、突出部７２が半円筒状からなり、その端面がビア４９の一端開口部４９２に対して半径が異なる同一の曲率半径であるような、ビア４９の一端開口部４９２の最短の開口距離（開口幅）がどの位置であっても同じとする設計が好ましく、この場合、ビア４９を充填材４９５により効率よく塞ぐことができる。
【０１１２】
また、本実施の形態では、２つの直方体の台座部４６が設けられているが、台座部４６の形状はこれに限定されるものではなく、図３４に示すように、図２に示す台座部４６に細棒状の延出部７３が一体的に形成された平面視Ｔ字の台座部４６であってもよい。また、この時、図３５に示すように延出部７３の下にビア４９が形成されてもよい。
【０１１３】
また、本実施の形態では、ベース４と蓋６とから水晶振動子１のパッケージを構成しているが、これに限定されるものではなく、ベース４と水晶振動片２と蓋６とを積層し、サンドイッチ構造とした水晶振動子１のパッケージであってもよい。このサンドイッチ構造の水晶振動子１では、水晶振動片２の両主面２１，２２にベース４や蓋６と接合するための接合層（例えば、上記の第１接合層４８や第２接合層６２と同構成の接合層）が形成され、ベース４と水晶振動片２とが接合材１２を介して接合され、水晶振動片２と蓋６とが接合材１２を介して接合される。この場合、例えば、水晶振動片２の励振電極３２がベース４と水晶振動片２とによって気密封止され、水晶振動片２の励振電極３１が蓋６と水晶振動片２とによって気密封止される。
【０１１４】
また、本実施の形態では、ベース４に第１接合層４８が形成され、蓋６に第２接合層６２が形成されているが、これに限定されるものではなく、ベース４に第２接合層６２が形成され、蓋６に第１接合層４８が形成されてもよい。
【０１１５】
また、本実施の形態では、ベース４と蓋６とを接合する前に蓋６に接合材１２を形成しているが、これに限定されるものではなく、ベース４と蓋６とを接合する前にベース４に接合材１２を形成してもよい。
【０１１６】
また、本実施の形態では、ベース４の電極５がＴｉ膜とＡｕ膜とから構成されているが、これは好適な例であり、これに限定されるものではなく、例えば、電極５がＴｉ膜のみから構成されてもよく、また、Ｔｉ膜の代わりに、ＭｏからなるＭｏ膜やＷからなるＷ膜やＣｒからなるＣｒ膜を用いてもよい。
【０１１７】
また、本実施の形態では、ベース４の第１接合層４８がＴｉ膜とＡｕ膜とから構成されているが、これは好適な例であり、これに限定されるものではなく、例えば、第１接合層４８がＴｉ膜のみから構成されてもよく、また、Ｔｉ膜の代わりに、ＭｏからなるＭｏ膜やＷからなるＷ膜やＣｒからなるＣｒ膜を用いてもよい。
【０１１８】
また、本実施の形態では、蓋６の第２接合層６２がＭｏ膜とＡｕ膜とから構成されているが、これは好適な例であり、これに限定されるものではなく、例えば、第２接合層６２がＭｏ膜のみから構成されてもよく、また、Ｍｏ膜の代わりにＷ膜やＣｒ膜を用いてもよい。
【０１１９】
また、本実施の形態では、Ｃｕから構成される充填材４９５はＣｕから構成されているが、これに限定されるものではなく、ＡｕとＳｎとの溶融拡散によりＡｕとＳｎとが均一に混在したＳｎ合金から構成されてもよい。この場合、ビア４９内では、ベース４の両主面４２，４３における充填材４９５の端面が、ＡｕとＳｎが溶融拡散によりそれぞれ主面４２，４３の面方向に引っ張られてベース４の両主面４２，４３に対して凹形状となる。このＡｕとＳｎの溶融拡散によりベース４と充填材４９５との接合を良好にし、ベース４と充填材４９５との間に隙間が生じるのを抑制して、ベース４に対する充填材４９５の充填不良を抑えることができる。
【０１２０】
また、本実施の形態では、充填材４９５として金属材料を用いているが、これに限定されるものではなく、金属材料に代えて樹脂材料を用いてもよい。この場合、樹脂材料に導電フィラを添加して充填材４９５を導電材料とするか、もしくは、ビア４９に形成したシード層４９４（下地層）に導電膜を形成し、ビア４９における導通を確保する。
【０１２１】
また、本実施の形態では、振動部２３と接合部２４の厚みを同じ厚みとしているが、これに限定されるものではなく、振動部２３の厚みを薄くし、高周波化に対応させてもよい。
【０１２２】
また、本実施の形態では、接合材１２として、ＡｕとＳｎとからなるＳｎ合金を用いているが、Ｓｎ合金に含まれるのはＡｕに限定されるものではなく、Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉであってもよく、また、これらの材料を複数合わせてもよい。
【０１２３】
また、本実施の形態では、第２ウエットエッチング工程において、ベース４の台座部４６を成形したキャビティ４５と、ビア４９とを同時にエッチング形成しているが、これに限定されるものではなく、キャビティ４５とビア４９とを別々にエッチング形成してもよい。
【０１２４】
なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】
本発明は、電子部品パッケージの封止部材として、エッチングにより凸部が成形された絶縁材料であるガラスなどに好適である。
【符号の説明】
【０１２６】
１  水晶振動子（電子部品パッケージ）
１１  内部空間
１２  接合材
１３  導電性バンプ
２  水晶振動片（電子部品素子）
２１，２２  主面
２３  振動部
２４  接合部
２５  短辺の中央部分
３１，３２  励振電極
３３，３４  端子電極
３５，３６  引出電極
４  ベース（封止部材）
４１  底部
４２  一主面
４３  他主面
４３１  一短辺
４３２，４３３  長辺
４３４  他短辺
４４  壁部（凸部）
４５  キャビティ
４５１  底面
４５２  一端部
４６  台座部（凸部）
４７  キャスタレーション
４８  第１接合層
４９  ビア
４９１  内側面
４９２  一端開口部
４９３  他端開口部
４９４  シード層
４９５  充填材
５  電極
５１，５２  電極パッド
５３，５４  外部端子電極
５５  配線パターン
６  蓋（封止部材）
６１  下面
６２  第２接合層
７１  枕部（凸部）
７２  突出部
７３  延出部
８  ウエハ
８１，８２  主面
９１  保護層
９２  メタル層
９３  メッキ層
９４  ポジレジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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