(57)【要約】【課題】劈開及び分離されたチップの側面及び共振器面の品質が改善された半導体レーザ装置を得られるようにする。【解決手段】半導体レーザ装置は、半導体基板１０１の上に形成され、下部クラッド層と、活性層と、リッジストライプ部１０３を有する上部クラッド層とを含む半導体積層膜１０２を備えている。半導体積層膜は、リッジストライプ部と交差する端面である共振器面に形成された第１のスクライブ段差部１０４ａ、及びリッジストライプ部と並行な側面に形成された第２のスクライブ段差部１０５ａを有し、第１のスクライブ段差部は、第２のスクライブ段差部とリッジストライプ部との間に位置している。第１のスクライブ段差部の共振器面における断面形状は多角形であり、多角形の上辺の両端とそれぞれ接する辺である傾斜部の傾斜角において、リッジストライプ部に近い側の角度は、第２のスクライブ段差部に近い側の角度よりも小さい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上に形成され、下部クラッド層と、活性層と、リッジストライプ部を有する上部クラッド層とを含む半導体積層膜を備え、
前記半導体積層膜は、前記リッジストライプ部と交差する端面である共振器面に形成された第１のスクライブ段差部、及び前記リッジストライプ部と並行な側面に形成された第２のスクライブ段差部を有し、
前記第１のスクライブ段差部は、前記第２のスクライブ段差部と前記リッジストライプ部との間に位置し、
前記第１のスクライブ段差部の前記共振器面における断面形状は多角形であり、
前記多角形の上辺の両端とそれぞれ接する辺である傾斜部の傾斜角において、前記リッジストライプ部に近い側の角度は、前記第２のスクライブ段差部に近い側の角度よりも小さいことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
半導体基板の上に下部クラッド層、活性層及び上部クラッド層を含む半導体積層膜を形成する工程（ａ）と、
前記半導体積層膜の上部にリッジストライプ部を形成する工程（ｂ）と、
前記半導体積層膜に前記リッジストライプ部と直交する方向にそれぞれ離間する複数の第１のスクライブ溝部を形成する工程（ｃ）と、
前記半導体積層膜に前記リッジストライプ部と並行する方向に延びる第２のスクライブ溝部を形成する工程（ｄ）と、
前記第１のスクライブ溝部を用いて前記半導体基板及び半導体積層膜をバー状に劈開する工程（ｅ）と、
前記第２のスクライブ溝部を用いて前記バー状に劈開された半導体基板及び半導体積層膜をチップ状に分離する工程（ｆ）とを備え、
前記第１のスクライブ溝部は、前記リッジストライプ部が形成されている領域及び前記第２のスクライブ溝部が形成されている領域において離間し、
前記第１のスクライブ溝部の前記リッジストライプ部と直交する方向の断面形状は多角形であって、
前記多角形の上辺の両端とそれぞれ接する辺である傾斜部の傾斜角において、前記リッジストライプ部に近い側の角度は、前記第２のスクライブ溝部に近い側の角度よりも小さく、
前記工程（ｅ）は、前記第１のスクライブ溝部における前記第２のスクライブ溝部に近い側から前記リッジストライプ部に近い側に向かって順に押圧して、前記半導体基板及び半導体積層膜を劈開することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体基板は、主面の面方位が（０００１）面の窒化物半導体からなり、
前記工程（ｅ）において、前記半導体基板及び半導体積層膜は、面方位の（１−１００）面で劈開することを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２のスクライブ溝部は、前記リッジストライプ部と並行する方向に連続する溝部であることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｃ）及び工程（ｄ）において、前記第１のスクライブ溝部及び第２のスクライブ溝部のうちの少なくとも一方を、レーザ照射により形成することを特徴とする請求項２〜４のうちのいずれか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置及びその製造方法に関し、特に、リッジストライプ部を有する半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
結晶構造が六方晶である窒化物半導体からなる半導体レーザ装置の製造方法において、現状、一般には面方位における（０００１）面を主面とする窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の上にエピタキシャル成長法によって、下部クラッド層、活性層及び上部クラッド層を含む積層膜を形成する。また、光の導波路として、上部クラッド層に結晶軸における＜１−１００＞方向に延びるリッジストライプ部を形成し、積層膜にはリッジストライプ部と直交する方向に延びる一次スクライブ溝部と、リッジストライプ部と並行する方向に延びる二次スクライブ溝部とを形成する。さらに、活性層に電流を注入するために積層膜の上に表面電極を形成し、ＧａＮ基板における積層膜と反対側に裏面電極を形成した後に、一次スクライブ溝部を起点とした劈開によって積層膜の（１−１００）面を露出させて、その面を共振器面とする。
【０００３】
一方、共振器面と交差する面は、二次スクライブ溝部を用いた劈開により露出させて、半導体レーザ装置を四角形のチップ形状に分離及び加工する。
【０００４】
しかしながら、窒化物半導体レーザ装置においては、分離面に凹凸が発生し、共振器面に対して３０°をなす方向（例えば（１０−１０）面を露出する方向）に割れやすく、特に分離したチップの端部における割れ及び欠けの発生が大きな問題となる。また、共振器面である（１−１００）面は、隣り合う面(例えば（１０−１０）面)との角度が、共振器面と直交する面との角度よりも大きいため、結晶構造が閃亜鉛鉱構造であるヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）のように容易に劈開できるわけではない。また、リッジストライプ部及びスクライブ溝部等の構造物が形成されていることにより、共振器面にクラック等の凹凸を発生させるため、劈開方法に工夫が必要である。
【０００５】
近年、レーザスクライブ技術の進展に伴い、硬い窒化物半導体の表面にも、スクライブ溝部の幅及び深さ並びにスクライブ溝部の先端部及び断面の形状等を容易に制御できるようになってきている。チップの分離を誘導する溝部を所望の形状に形成することが可能となり、クラック等の凹凸の発生を抑制する劈開方法が例えば特許文献１等に提示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１１７４９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、デバイスの低コスト化の流れに伴い、チップ幅の縮小の必要性が大きくなると共に、クラック等による共振器面の品質の低下を抑制する必要性も大きくなり、幅が狭いチップ加工を安定して行うことができる方法が要求されている。
【０００８】
本発明は前記の問題に鑑み、その目的は、劈開及び分離された半導体レーザ装置の側面及び共振器面の品質を改善することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するために、本発明は半導体レーザ装置を、半導体積層膜に断面多角形のスクライブ溝部が形成されている構成とする。
【００１０】
具体的に、本発明に係る半導体レーザ装置は、半導体基板の上に形成され、下部クラッド層と、活性層と、リッジストライプ部を有する上部クラッド層とを含む半導体積層膜を備え、半導体積層膜は、リッジストライプ部と交差する端面である共振器面に形成された第１のスクライブ段差部、及びリッジストライプ部と並行な側面に形成された第２のスクライブ段差部を有し、第１のスクライブ段差部は、第２のスクライブ段差部とリッジストライプ部との間に位置し、第１のスクライブ段差部の共振器面における断面形状は多角形であり、多角形の上辺の両端とそれぞれ接する辺である傾斜部の傾斜角において、リッジストライプ部に近い側の角度は、第２のスクライブ段差部に近い側の角度よりも小さい。
【００１１】
本発明に係る半導体レーザ装置によると、第１のスクライブ段差部の共振器面における断面形状は多角形であり、多角形の上辺の両端とそれぞれ接する辺である傾斜部の傾斜角において、リッジストライプ部に近い側の角度は、第２のスクライブ段差部に近い側の角度よりも小さいため、共振器面にクラックが生じることを防ぐことができる。これにより、半導体レーザ装置の側面及び共振器面の品質が改善され、チップ形状の歩留りを向上できる。
【００１２】
本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、半導体基板の上に下部クラッド層、活性層及び上部クラッド層を含む半導体積層膜を形成する工程（ａ）と、半導体積層膜の上部にリッジストライプ部を形成する工程（ｂ）と、半導体積層膜にリッジストライプ部と直交する方向にそれぞれ離間する複数の第１のスクライブ溝部を形成する工程（ｃ）と、半導体積層膜にリッジストライプ部と並行する方向に延びる第２のスクライブ溝部を形成する工程（ｄ）と、第１のスクライブ溝部を用いて半導体基板及び半導体積層膜をバー状に劈開する工程（ｅ）と、第２のスクライブ溝部を用いてバー状に劈開された半導体基板及び半導体積層膜をチップ状に分離する工程（ｆ）とを備え、第１のスクライブ溝部は、リッジストライプ部が形成されている領域及び第２のスクライブ溝部が形成されている領域において離間し、第１のスクライブ溝部のリッジストライプ部と直交する方向の断面形状は多角形であって、多角形の上辺の両端とそれぞれ接する辺である傾斜部の傾斜角において、リッジストライプ部に近い側の角度は、第２のスクライブ溝部に近い側の角度よりも小さく、工程（ｅ）は、第１のスクライブ溝部における第２のスクライブ溝部に近い側からリッジストライプ部に近い側に向かって順に押圧して、半導体基板及び半導体積層膜を劈開する。
【００１３】
本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法によると、第１のスクライブ溝部の傾斜部の傾斜角において、リッジストライプ部に近い側の角度は、第２のスクライブ溝部に近い側の角度よりも小さく形成するため、劈開の際に生じるクラックを半導体基板の裏面側に進行させる。これにより、分離された半導体レーザ装置の側面及び共振器面の品質が改善され、チップ形状の歩留りを向上できる。
【００１４】
本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法において、半導体基板は、主面の面方位が（０００１）面の窒化物半導体からなり、工程（ｅ）において、半導体基板及び半導体積層膜は、面方位の（１−１００）面で劈開することが好ましい。
【００１５】
本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法において、第２のスクライブ溝部は、リッジストライプ部と並行する方向に連続する溝部であることが好ましい。
【００１６】
本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、工程（ｃ）及び工程（ｄ）において、第１のスクライブ溝部及び第２のスクライブ溝部のうちの少なくとも一方を、レーザ照射により形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る半導体レーザ装置及びその製造方法によると、分離された半導体レーザ装置の側面及び共振器面の品質が改善され、チップ形状の歩留りを向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置がチップ状に劈開及び分離される前の構造を示す平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を工程順に示す斜視図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を工程順に示し、図３のIV−IV線を軸として１８０°回転させたIV−IV線における断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の第１のスクライブ溝部を示す平面図及び断面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の第１のスクライブ溝の断面形状について説明する断面図である。
【図７】図５に示すθ３と共振器面におけるクラック発生率との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置について図１及び図２を参照しながら説明する。
【００２０】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、エピタキシャル成長法により、例えば、主面の面方位が（０００１）面の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる半導体基板１０１における主面の上に、例えば、ｎ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）からなる下部クラッド層、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）層からなる多重量子井戸活性層が順次形成されている。多重量子井戸活性層の上には、例えば、ｐ型ＡｌＧａＮからなる上部クラッド層及びｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるコンタクト層が順次形成されることにより、下部クラッド層からコンタクト層までの積層膜１０２が形成されている。また、図示しないが、積層膜１０２の上にｐ側電極が形成され、半導体基板１０１における積層膜１０２と反対側にｎ側電極が形成されている。
【００２１】
また、上部クラッド層には、ドライエッチング法により、結晶軸の＜１−１００＞方向に延びるリッジストライプ部１０３が形成されている。なお、リッジストライプ部１０３は、＜１１−２０＞方向において、半導体レーザ装置の中央部からずれた位置に形成されているため、リッジストライプ部１０３から半導体レーザ装置の両側面までの距離はそれぞれ異なっている。
【００２２】
なお、半導体レーザ装置の＜１−１００＞方向の共振器長は８００μｍであり、＜１１−２０＞方向の半導体レーザ装置の幅は１５０μｍであり、リッジストライプ部１０３から一方向の半導体レーザ装置の側面までの幅は１００μｍである。
【００２３】
積層膜１０２における、（１−１００）面である共振器面には、リッジストライプ部１０３から一方向の側面までの間にのみ、第１のスクライブ段差部１０４ａが形成され、半導体レーザ装置の側面に第２のスクライブ段差部１０５ａが形成されている。第１のスクライブ段差部１０４ａは第２のスクライブ段差部１０５ａとは接することなく形成されている。すなわち、第１のスクライブ段差部１０４ａは第２のスクライブ段差部１０５ａとリッジストライプ部１０３との間に形成されている。
【００２４】
第１のスクライブ段差部１０４ａの共振器面における断面形状は、三角形である。なお、本願明細書において、第１のスクライブ段差部１０４ａの断面形状は、積層膜１０２の表面に位置する２つの頂点を結ぶ線分をも一辺と定義する。前記の三角形の傾斜部の傾斜角は、リッジストライプ部１０３に近い側が第２のスクライブ段差部１０５ａに近い側よりも小さいことを特徴とする。ここで、第１のスクライブ段差部１０４ａの断面形状は三角形に限られず多角形であればよい。多角形とは、３つ以上の線分により囲まれた平面図形のことをいう。
【００２５】
ここで、図２に示すように第１のスクライブ段差部１０４ａ及び第２のスクライブ段差部１０５ａは、それぞれチップ状に分離される前における第１のスクライブ溝部１０４及び第２のスクライブ溝部１０５に当たる。なお、図２において、矢印２０１は劈開方向を示している。
【００２６】
本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置によると、分離された半導体レーザ装置の側面及び共振器面の品質が改善され、チップ形状の歩留りを向上することができる。
【００２７】
以下に、本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法について図３及び図４を参照しながら説明する。
【００２８】
まず、図３（ａ）に示すように、主面の面方位が（０００１）面のＧａＮからなる半導体基板１０１における主面の上に、ｎ型ＡｌＧａＮからなる下部クラッド層、ＩｎＧａＮからなる多重量子井戸活性層、ｐ型ＡｌＧａＮからなる上部クラッド層及びｐ型ＧａＮからなるコンタクト層等を順次形成することにより積層膜１０２を形成する。
【００２９】
次に、図３（ｂ）に示すように、積層膜１０２の上部にオリエンテーションフラット１０６を基準にして、エッチングにより光の導波路となるリッジストライプ部１０３を、結晶軸の＜１−１００＞方向に延びるように形成する。
【００３０】
次に、図３（ｃ）に示すように、＜１１−２０＞方向に延びる複数の離間した第１のスクライブ溝部１０４を形成し、＜１−１００＞方向に連続するように延びる第２のスクライブ溝部１０５を形成する。また、図示しないが、積層膜１０２の上にｐ側電極を形成し、半導体基板１０１における積層膜１０２と反対側にｎ側電極を形成する。
【００３１】
次に、図４（ａ）に示すように、積層膜１０２の（１−１００）面を共振器面とするように第１のスクライブ溝部１０４に沿って、一方向（図の右側）から半導体基板１０１の裏面にブレード１１０等を押圧して、他方向（図の左側）に向かって半導体基板１０１及び積層膜１０２を劈開して、複数のバーに分割する。この後、共振器面の酸化の抑制及び反射率の制御のために、誘電体保護膜を共振器面の上に被覆してもよい。
【００３２】
次に、図４（ｂ）に示すように、第２のスクライブ溝部１０５に沿って裏面にブレード１１０等を押圧して、複数の半導体レーザ装置（図４（ｃ））を形成する。このとき、第１のスクライブ溝部１０４及び第２のスクライブ溝部１０５は、それぞれ第１のスクライブ段差部１０４ａ及び第２のスクライブ段差部１０５ａとなる。
【００３３】
本実施形態において、第１のスクライブ溝部１０４同士は、第２のスクライブ溝部１０５及びリッジストライプ部１０３が形成されている領域において離間していることを特徴としている。また、図３（ｃ）に示すように、第１のスクライブ溝部１０４は、リッジストライプ部１０３の一方の側方に設けているが、リッジストライプ部１０３の両方の側方に設けてもよい。リッジストライプ部１０３と第２のスクライブ溝部１０５との間に第１のスクライブ溝部１０４が１列ずつ形成されているが複数列形成されていてもよい。
【００３４】
第２のスクライブ溝部１０５に沿ってバーを分割する際に、第２のスクライブ溝部１０５が第１のスクライブ溝部１０４と交差する近傍において、分離が進行する方向に凹凸が存在すると、応力の分散によって、所望の方向に分割されず、チップの四隅に割れ及び欠けが発生することがある。本実施形態に係る半導体レーザ装置によると、チップの四隅における割れ及び欠けの発生を著しく抑制できる。また、第２のスクライブ溝部１０５において、チップの四隅における割れ及び欠けの要因にならない不連続部があっても構わない。
【００３５】
スクライブ溝部はエッチング、レーザ照射又はダイヤモンドスクライブにより形成することができる。ただし、特にレーザ照射を用いる場合には、第１のスクライブ溝部１０４と第２のスクライブ溝部１０５とが直接交差すると、交差部では二度のレーザ照射を受けることとなるため、チップの四隅にドット状に深い溝が形成されることとなる。これにより、ウェハのハンドリング時の割れだけでなく、劈開ライン方向及び分離ライン方向の双方に凹凸が発生し、チップの四隅における割れ及び欠けの発生頻度が高くなる。従って、本実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法は、レーザ照射によりスクライブ溝部を形成する場合に、極めて有効である。
【００３６】
また、第１のスクライブ溝部１０４は、積層膜１０２の表面側に設けることが望ましい。その理由として、表面に設けられたリッジストライプ部１０３等の主要な構造体に合わせてアライメントを行い、スクライブ溝部を形成する方が位置精度が高いためである。さらに、劈開はスクライブ面と反対の面にブレード１１０を当てて行うため、構造体の少ないＧａＮ基板１０１の裏面側にブレード１１０を当てて行うのが好ましく、この場合、リッジストライプ部１０３が損傷を受けることを避けることができる。
【００３７】
第２のスクライブ溝部１０５についても、同様に積層膜１０２の表面側に設けることが望ましい。一般に、青紫色レーザ装置はジャンクションアップ実装を行うため、半導体レーザ装置の裏面が半田材を介してサブマウントに実装される。裏面側にレーザ照射によりスクライブ溝部を形成した場合、スクライブ溝部の近傍にデブリ（スクライブ時の飛散物）が発生してしまうことにより半田材の濡れ性が悪化し、サブマウントと半導体レーザ装置との間のシェア強度（密着性）が悪化する。
【００３８】
こうした理由により、第１のスクライブ溝部１０４及び第２のスクライブ溝部１０５を共に、同一表面(表面側)に設けることが望ましい。
【００３９】
第１のスクライブ溝部１０４の共振器面における断面形状は、三角形である。前記の三角形の傾斜部の傾斜角において、リッジストライプ部１０３に近い側の角度は、第２のスクライブ溝部１０５に近い側の角度よりも小さいことを特徴とする。ここで、第１のスクライブ溝部１０４の断面形状は三角形に限られず多角形であればよい。
【００４０】
この理由について、図５を参照しながら説明する。なお、図５において、矢印２０１は劈開方向を示している。
【００４１】
図５に示すように、第１のスクライブ溝部１０４は平面形状が四角形であり、また、劈開ライン１２０における断面形状は三角形である。劈開ライン１２０上には四角形の対向する２つの頂点（Ａ、Ａ’）が配置されていて、図５の平面図における第１のスクライブ溝部１０４の表面のチップ分離ライン１２１側の頂点Ａ’の角度をθ１とする。また、図５の断面図の劈開ライン１２０上における断面のチップ分離ライン１２１に近い側の傾斜の角度をθ２とし、リッジストライプ部１０３に近い側の傾斜の角度をθ３とする。
【００４２】
なお、第１のスクライブ溝部１０４は上記の形状に限定されるものではなく、錐体等であって、劈開ライン１２０上に対向する２つの頂点が配置され、これらの頂点同士の間に直線状の谷線を有していればよい。
【００４３】
本実施形態では、第１のスクライブ溝部１０４の幅（Ｂ−Ｂ’）は捕獲すべき劈開面における逸れのばらつき範囲を鑑みて３μｍとする。この場合、共振器長のばらつきは３μｍ以内となる。第１のスクライブ溝部１０４の深さは１０μｍ、劈開の進行方向から見て上流側（Ａ’−Ｃ）の第１のスクライブ溝部１０４の長さは１５μｍ、下流側（Ｃ−Ａ）の第１のスクライブ溝部１０４の長さは３０μｍとし、第１のスクライブ溝部１０４の全長が４５μｍとする。
【００４４】
図５において、チップ分離ライン１２１側より、押圧して劈開するため、劈開方向はチップ分離ライン１２１側から、リッジストライプ部１０３側に進行する。この時、劈開方向から見て上流となる三角形（Ａ’−Ｂ−Ｂ’）は、劈開ライン１２０から逸脱した劈開逸れを劈開ライン１２０上に戻す作用を果たす。劈開逸れした劈開面は、第１のスクライブ溝部１０４のＡ’−Ｂ間又はＡ’−Ｂ’間において捕獲され、Ａ’−Ｂ−Ｃ面又はＡ’−Ｂ’−Ｃ面の傾斜を経て錐形の底部に向って進行し、劈開ライン１２０上に導かれる。このため、劈開逸れの補正効果が得られる。θ１は劈開ライン１２０から逸脱した劈開逸れを捕獲するのに必要な幅を確保できる角度が設定されればよい。
【００４５】
続いて、劈開方向から見て下流となる三角形（Ａ−Ｂ−Ｂ’）は、劈開面を劈開ライン１２０に導き、谷線に沿って精度良く誘導する作用を果たす。劈開ライン１２０上に誘導された劈開面はそのまま進行し、リッジストライプ部１０３方向に鏡面の劈開面を形成できる。しかしながら、三角形（Ａ’−Ｂ−Ｂ’）から劈開ライン１２０上に十分に誘導できない場合があり、リッジストライプ部１０３方向にクラックの発生した品質が低い劈開面となってしまうおそれがある。このような場合にも、本実施形態に係る半導体レーザ装置によると、リッジストライプ部１０３近傍にクラックを進行させないようにできる。
【００４６】
この働きについて図６を参照しながら説明する。
【００４７】
従来、劈開がチップ分離ライン３２１側からリッジストライプ部３０３側に進行する場合、図６（ａ）に示すように、第１のスクライブ溝部３０４から発生した端面クラック（微小段差）３３０が横方向に伝播し、リッジストライプ部３０３まで到達してしまう。こうした段差はレーザ光の拡がり角等の光学特性に影響を及ぼす。本実施形態においては、図６（ｂ）に示すように、端面クラック１３０は主に、応力が集中しやすい断面三角形の底部及び傾斜部から、傾斜部に対して垂直方向に発生した後、基板の裏面に進行する。このように、クラックはθ３が小さいほうが基板の裏面に進行し易いため、クラックのリッジストライプ部１０３への進行を抑制できる。また、θ３が大きいと三角形（図５のＡ−Ｂ−Ｂ’）の谷線は短くなるため谷線への誘導が不十分となる。その結果、段差が大きいクラックが発生し、次々にクラックを誘発してリッジストライプ部１０３方向に進行し、リッジストライプ部１０３近傍において品質が低い劈開面となる。
【００４８】
図５に示すθ３と共振器面のクラック発生率との検討結果について図７を参照しながら説明する。
【００４９】
図７に示すように、例えばリッジストライプ部近傍におけるクラック発生率は、θ３が２０°を越えると徐々に悪化し、光学特性に影響を及ぼす。
【００５０】
このように、θ３は小さくする必要があるが、θ２は劈開面が劈開ラインから逸れた場合に捕獲することを主たる目的とするものであるため、θ２を小さくする必要はない。θ２が小さい場合、スクライブ溝部の底部に誘導ができず、さらに逸れてしまうため、θ２はチップ幅が縮小されたレイアウトに見合ったスクライブ溝部の長さとなるようにすればよい。このため、θ３＜θ２となり、リッジストライプ部と直交する方向の断面形状は、両端が非対称な傾斜部を有することが好ましい。
【００５１】
図５に示すように、リッジストライプ部１０３から３０μｍ以上離間して第１のスクライブ溝部１０４を形成すればよいため、第１のスクライブ溝部１０４の長さは、リッジストライプ部１０３から第２のスクライブ溝部１０５までの長さよりも最低でも３０μｍ短い長さに限定される。一方、ｐサイドアップで実装される半導体レーザ装置においては、ワイヤボンディングがこの領域に施され、チップ幅の縮小幅を制限する。これらを満たすようにするには、第１のスクライブ溝部１０４の長さをできるだけ短くする必要がある。上記の結果によると、劈開を誘導するための先端角度θ３を維持しながら、θ２を大きくして非対称な形状とすることにより第１のスクライブ溝部１０４の長さを短くすることができる。
【００５２】
また、端面クラックは劈開の進行方向に伝播するため、劈開方向とは逆に位置する第２のスクライブ溝部１０５には、クラックが伝播しないため、二次劈開の際のチップの割れ及び欠けの発生率をさらに抑制することができる。
【００５３】
本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法によると、分離された半導体レーザ装置の側面及び共振器面の品質が改善され、チップ形状の歩留りを向上することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明に係る半導体レーザ装置及びその製造方法は、分離された半導体レーザ装置の側面及び共振器面の品質が改善され、チップ形状の歩留りを向上でき、特に、リッジストライプ部を有する半導体レーザ装置及びその製造方法等に有用である。
【符号の説明】
【００５５】
１０１  半導体基板
１０２  積層膜
１０３  リッジストライプ部
１０４  第１のスクライブ溝部
１０４ａ  第１のスクライブ段差部
１０５  第２のスクライブ溝部
１０５ａ  第２のスクライブ段差部
１０６  オリエンテーションフラット
１１０  ブレード
１２０  劈開ライン
１２１  チップ分離ライン
１３０  端面クラック
２０１  劈開方向
３０３  リッジストライプ部
３０４  第１のスクライブ溝部
３２１  チップ分離ライン
３３０  端面クラック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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