(57)【要約】 【課題】生産性が高く、信頼性の高い電子装置を製造することができる電子装置の製造方法および製造装置を提供すること。【解決手段】第一端子１１と第二端子２１とを半田接合させる工程では、複数の積層体４を用意するとともに、溝５３１が形成された部材５３を用意し、部材５３の溝５３１で区画された複数の領域５３２それぞれを各積層体４に当接させて、各積層体４に対し、各積層体４の積層方向にそって荷重をかけた状態で、各積層体４を前記第一端子１１の半田層１１２の融点以上に加熱して、第一端子１１と第二端子２１とを半田接合させる。【選択図】図４
2011228620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に半田層を有する第一端子を有する第一電子部品と、この第一電子部品の前記第一端子に接合される第二端子を有する第二電子部品とを備える電子装置の製造方法であって、
前記第一電子部品の第一端子と前記第二電子部品の第二端子との間にフラックス活性化合物と熱硬化性樹脂とを含む樹脂層を配置して積層体を得る工程と、
前記積層体を前記第一端子の前記半田層の融点以上に加熱して、前記第一端子と、前記第二端子とを半田接合させる工程と、
流体により前記積層体を加圧しながら、前記樹脂層を硬化させる工程とを含み、
第一端子と第二端子とを半田接合させる前記工程では、
複数の前記積層体および溝が形成された部材を用意し、
前記部材の前記溝で区画された前記各領域に、各積層体の第一電子部品または第二電子部品を当接させるとともに、
隣接する前記積層体間の空隙であり、前記溝で区画された各領域にそれぞれ当接する前記部品間に形成された前記空隙に対し、前記部材の前記溝を対向させ、
各積層体に対し、各積層体の積層方向にそって荷重をかけた状態で、各積層体を前記第一端子の前記半田層の融点以上に加熱して、前記第一端子と前記第二端子とを半田接合させる電子装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子装置の製造方法において、
溝が形成された前記部材を前記積層体に当接させた際に、
前記溝で区画された前記領域に当接する第一電子部品または第二電子部品の端面が、前記溝の側面よりも溝内側に突出している電子装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子装置の製造方法において、
溝が形成された前記部材を前記積層体に当接させた際に、
前記溝で区画された前記領域には、各積層体の第一電子部品および第二電子部品のうち一方の部品が当接し、
複数の積層体の各樹脂層は連なって、樹脂シートを構成し、
前記積層体の積層方向からみて、隣接する積層体の前記一方の部品間から前記樹脂シートの一部が露出し、
溝が形成された前記部材を前記積層体に当接させた際に、露出した前記樹脂シートの一部が前記溝と対向する電子装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
第一端子と第二端子とを半田接合させる前記工程では、
前記流体により前記積層体を加圧しながら半田接合させる電子装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
第一端子と第二端子とを半田接合させる前記工程では、
前記積層体上に、溝が形成された前記部材を配置して、前記積層体に荷重をかける電子装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の電子装置の製造方法において、
溝が形成された前記部材が、熱伝導率が４０Ｗ/ｍ・Ｋ以下の材料で構成されている電子装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の電子装置の製造方法において、
前記部材は、ガラス板またはステンレス板である電子装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至４のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
第一端子と第二端子とを半田接合させる前記工程では、
前記積層体に対し、前記積層体の積層方向から対向するように溝が形成された前記部材を配置して、
前記部材に対し前記積層体を押し当てることで、前記積層体の積層方向に沿って前記積層体に対し荷重をかける電子装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電子装置の製造方法において、
前記部材は、加熱されており、
前記部材に対し、前記積層体を押し当てることで、前記積層体が加熱される電子装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
第一端子と第二端子とを半田接合させる前記工程では、
前記第一端子および前記第二端子にかかる荷重が０．０１〜４０ＭＰａである電子装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記流体は、非酸化性ガスである電子装置の製造方法。
【請求項１２】
表面に半田層を有する第一端子を有する第一電子部品と、この第一電子部品の前記第一端子に接合される第二端子を有する第二電子部品とを備える電子装置の製造装置であって、
前記第一電子部品の第一端子と前記第二電子部品の第二端子との間に、フラックス活性化合物と熱硬化性樹脂とを含む樹脂層を配置して得られる積層体が複数配置される容器と、
前記容器内の前記積層体を前記第一端子の前記半田層の融点以上に加熱する加熱手段と、
前記容器内に加圧流体を導入する加圧流体導入手段と、
前記容器内の複数の積層体を積層方向に沿って挟圧して、各積層体の積層方向にそって各積層体に荷重を付加する挟圧手段とを備え、
前記挟圧手段は、溝が形成された部材を有し、
前記挟圧手段で前記各積層体を挟圧する際に、前記部材の前記溝で区画された前記各領域に、各積層体の第一電子部品または第二電子部品が当接し、
隣接する前記積層体間の空隙であり、前記溝で区画された各領域にそれぞれ当接する部品間の空隙に対し、前記部材の前記溝が対向するように構成されている電子装置の製造装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電子装置の製造装置において、
溝が形成された前記部材を前記積層体に当接させた際に、
前記溝で区画された前記領域に当接する第一電子部品または第二電子部品の端面が、前記溝の側面よりも溝内側に突出するように構成されている電子装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置の製造方法および電子装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子装置は、例えば、半導体素子の端子と他の半導体素子の端子、半導体素子の端子と基板の端子、又は基板の端子と他の基板の端子とを、半田を用いて接合する工程を行うことにより製造される。
【０００３】
半田を用いて接合を行った後の半導体素子間、半導体素子と基板との間、あるいは基板間（以下、半導体素子間等という）には、隙間ができるので、樹脂の硬化物で隙間を埋める必要がある。従来は、半田を用いて接合した後に、半導体素子間等に、流動性の熱硬化性樹脂を流し込み、次いで、樹脂を硬化することにより、半導体素子間等の隙間を埋めていた。
【０００４】
ところが、上述した方法では、半導体素子間等に、すきまなく流動性の熱硬化性樹脂を流し込むことが難しいため、以下のような方法が特許文献１において、提案されている。
特許文献１には、基板表面にフィルム状のアンダーフィル樹脂を配置し、その後、アンダーフィル樹脂上に半導体素子を搭載する方法および装置が開示されている。特許文献１では、基板上に配置されたアンダーフィル樹脂上に半導体素子を搭載した後、半導体素子を基板に圧接し、半田バンプを溶融させて半導体素子と基板とを接合し、高圧雰囲気中でアンダーフィル樹脂を硬化させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３１１７０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に示す製造装置では、半導体素子および基板をひとつずつ圧接し、半田バンプを溶融させて半導体素子と基板とを接合して積層体を形成しなければならず、量産に適していない。
そこで、本発明者らは、複数の積層体に荷重をかけながら、リフローを行う方法を検討した。
しかしながら、この方法においては、以下のような課題があることがわかった。
リフローを行う際に、複数の積層体上にまたがって重石を設置して荷重をかけると、半導体素子と基板との間に配置された樹脂が半導体素子および基板間からはみ出ることがある。はみ出した樹脂が大量である場合には、隣接する積層体および重石で形成される空間内を埋め込んでしまうことも考えられる。
この場合において、樹脂からガスが発生した場合、ガスの逃げ道がなくなり、樹脂中に気泡が発生してしまう。このような気泡は、半導体素子と基板との間の接合不良を起こす原因となる可能性があり、信頼性の高い電子装置を得ることが難しい。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、表面に半田層を有する第一端子を有する第一電子部品と、この第一電子部品の前記第一端子に接合される第二端子を有する第二電子部品とを備える電子装置の製造方法であって、
前記第一電子部品の第一端子と前記第二電子部品の第二端子との間にフラックス活性化合物と熱硬化性樹脂とを含む樹脂層を配置して積層体を得る工程と、
前記積層体を前記第一端子の前記半田層の融点以上に加熱して、前記第一端子と、前記第二端子とを半田接合させる工程と、
流体により前記積層体を加圧しながら、前記樹脂層を硬化させる工程とを含み、
第一端子と第二端子とを半田接合させる前記工程では、
複数の前記積層体および溝が形成された部材を用意し、
前記部材の前記溝で区画された前記各領域に、各積層体の第一電子部品または第二電子部品を当接させるとともに、
隣接する前記積層体の空隙であり、前記溝で区画された各領域にそれぞれ当接する前記部品間に形成された空隙に対し、前記部材の前記溝を対向させ、
各積層体に対し、各積層体の積層方向にそって荷重をかけた状態で、各積層体を前記第一端子の前記半田層の融点以上に加熱して、前記第一端子と前記第二端子とを半田接合させる電子装置の製造方法を提供することができる。
【０００８】
この発明によれば、複数の積層体を第一端子の前記半田層の融点以上に加熱して、第一端子と、第二端子とを半田接合させることができるので、生産性にすぐれたものとなる。
また、溝が形成された部材を積層体に当接させて、各積層体に荷重をかけている。各積層体から樹脂がはみでてしまい、樹脂からガスが発生した場合であっても、ガスを溝に逃がすことができる。これにより、樹脂層中に気泡が発生することを抑制することができる。
さらに、本発明では、第一電子部品、第二電子部品、樹脂層とを含む積層体を流体により加圧して樹脂層を硬化させているため、樹脂層の硬化物中の気泡等の空隙の発生を抑制できる。
また、本発明では、第一端子および第二端子を半田接合する際に、積層体の積層方向に沿って荷重をかけているため、第一端子および第二端子間に存在する樹脂を排除することができ、第一端子の半田層の濡れ広がりが良好となり、接続不良の発生を抑制することができる。
すなわち、本発明によれば、生産性効率が高く、信頼性の高い電子装置を提供することができる製造方法が提供できる。
【０００９】
また、本発明によれば、上述した製造方法に使用される製造装置も提供できる。
すなわち、本発明によれば、表面に半田層を有する第一端子を有する第一電子部品と、この第一電子部品の前記第一端子に接合される第二端子を有する第二電子部品とを備える電子装置の製造装置であって、
前記第一電子部品の第一端子と前記第二電子部品の第二端子との間に、フラックス活性化合物と熱硬化性樹脂とを含む樹脂層を配置して得られる積層体が複数配置される容器と、
前記容器内の前記積層体を前記第一端子の前記半田層の融点以上に加熱する加熱手段と、
前記容器内に加圧流体を導入する加圧流体導入手段と、
前記容器内の複数の積層体を積層方向に沿って挟圧して、各積層体の積層方向にそって各積層体に荷重を付加する挟圧手段とを備え、
前記挟圧手段は、溝が形成された部材を有し、
前記挟圧手段で前記各積層体を挟圧する際に、前記部材の前記溝で区画された前記各領域に、各積層体の第一電子部品または第二電子部品が当接し、
隣接する積層体間の空隙であり、前記溝で区画された各領域にそれぞれ当接する部品間の空隙に対し、前記部材の前記溝が対向するように構成されている電子装置の製造装置も提供できる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、生産性が高く、信頼性の高い電子装置を製造することができる電子装置の製造方法および製造装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第一実施形態に係る電子装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図２】電子装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図３】電子装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図４】電子装置の製造装置を示す断面図である。
【図５】製造装置の部材を示す平面図である。
【図６】電子装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図７】電子装置を示す断面図である。
【図８】本発明の第二実施形態の電子装置の製造装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
（第一実施形態）
図１〜図７を参照して、本実施形態の電子装置の製造方法の概要について説明する。
本実施形態の電子装置の製造方法は、表面に半田層１１２を有する第一端子１１を有する第一電子部品１と、この第一電子部品１の第一端子１１に接合される第二端子２１を有する第二電子部品２とを備える電子装置の製造方法である。
第一電子部品１の第一端子１１と、第二電子部品２の第二端子２１との間にフラックス活性化合物と、熱硬化性樹脂とを含む樹脂層３を配置して積層体４を得る工程と、積層体４を第一端子１１の半田層１１２の融点以上に加熱して、第一端子１１と、第二端子２１とを半田接合させる工程と、流体により積層体４を加圧しながら、樹脂層３を硬化させる工程とを含む。
第一端子１１と第二端子２１とを半田接合させる前記工程では、
複数の積層体４を用意するとともに、溝５３１が形成された部材５３を用意し、部材５３の溝５３１で区画された複数の領域５３２それぞれを各積層体４に当接させて、各積層体４に対し、各積層体４の積層方向にそって荷重をかけた状態で、各積層体４を前記第一端子１１の半田層１１２の融点以上に加熱して、第一端子１１と第二端子２１とを半田接合させる。この半田接合の際、部材５３の溝５３１で区画された各領域５３２に、各積層体の第一電子部品１または第二電子部品２を当接させるとともに、隣接する前記積層体４のうち、溝５３１で区画された各領域５３２にそれぞれ当接する部品間に形成された空隙に対し、部材５３の溝５３１を対向させる。
【００１３】
次に、本実施形態の電子装置の製造方法について詳細に説明する。
はじめに、図１に示すように、第一電子部品１を用意する。
この第一電子部品１は、たとえば、基板（フレキシブル基板、リジット基板、セラミック基板等）、半導体チップ、半導体素子搭載基板等である。
この第一電子部品１は第一端子１１を有し、この第一端子１１は、第一端子本体１１１と、第一端子本体１１１表面に設けられた半田層１１２とを備える。
第一端子本体１１１の形状は、特に限定されず、凸状のものや、凹状のものが挙げられる。また、第一端子本体１１１の材質は、特に制限されず、金、銅、ニッケル、パラジウム、アルミニウムが挙げられる。
半田層１１２の材料は、特に制限されず、錫、銀、鉛、亜鉛、ビスマス、インジウム及び銅からなる群から選択される少なくとも２種以上を含む合金等が挙げられる。これらのうち、錫、銀、鉛、亜鉛及び銅からなる群から選択される少なくとも２種以上を含む合金が好ましい。半田層１１２の融点は、１１０〜２５０℃、好ましくは１７０〜２３０℃である。
半田層１１２は、第一端子本体１１１に対し半田メッキされたものであってもよく、また、第一端子本体１１１に対し半田ボールや半田ペースト配置し、半田バンプ等で構成されるものであってもよい。
ここで、図４に示すように、第一電子部品１は、複数個連なって形成されている。たとえば、第一電子部品１が基板である場合には、各基板同士が接続されて１枚の大型の基板を構成している。なお、大型の基板には、図４の点線で示すように、第一電子部品１同士を切り離すための切断ラインが形成されている。
【００１４】
次に、第二電子部品２を用意する（図１参照）。
第二電子部品２は、たとえば、半導体チップや、半導体素子搭載基板である。
この第二電子部品２は、第二端子２１を有する。
第二端子２１の形状は、特に制限されず、第一端子１１に対して半田接合が行える形状であればよく、例えば、凸状のものや、凹状のものが挙げられる。また、第二端子２１の材質は、特に制限されず、金、銅、ニッケル、パラジウム、アルミニウムが挙げられる。
【００１５】
次に、図２に示すように、第一電子部品１の第一端子１１と、第二電子部品２の第二端子２１との間にフラックス活性化合物と、熱硬化性樹脂とを含む樹脂層３を配置し、第一端子１１と第二端子２１との位置あわせを行う。このとき、第一端子１１と第二端子２１とが接触するように第二端子２１を樹脂層３にめり込ませ、積層体４を得る（図３参照）。
ここで、第一端子１１と第二端子２１とを接触させるために、樹脂層３を挟んで第一電子部品１および第二電子部品２を積層した後、加熱してもよい。ただし、この位置あわせ工程では、第一端子１１の半田層１１２により、第一端子１１と第二端子２１とが半田接合されることはない。
【００１６】
樹脂層３は、第一電子部品１と、第二電子部品２との隙間を埋めることができる熱硬化性樹脂を含んで構成される。
樹脂層３に含まれる熱硬化性樹脂は、たとえば、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等を用いることができる。これらは、単独または２種以上を混合して用いることができる。
中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるエポキシ樹脂が好適に用いられる。
【００１７】
樹脂層３の１００〜２００℃における最低溶融粘度は、好ましくは１〜１０００Ｐａ・ｓ、特に好ましくは１〜５００Ｐａ・ｓである。樹脂層３の１００〜２００℃における最低溶融粘度が上記範囲にあることにより、硬化物中に空隙（ボイド）が発生し難くなる。溶融粘度は、例えば、粘弾性測定装置であるレオメーターを用いて、フィルム状態のサンプルに１０℃／分の昇温速度で、周波数１Ｈｚのずり剪断を与えて測定される。
【００１８】
樹脂層３は、半田接合の際に、半田層１１２の表面の酸化被膜を除去する作用を有する樹脂層である。樹脂層３が、フラックス作用を有することにより、半田層１１２の表面を覆っている酸化被膜が除去されるので、半田接合を行うことができる。樹脂層３がフラックス作用を有するためには、樹脂層３が、フラックス活性化合物を含有する必要がある。樹脂層３に含有されるフラックス活性化合物としては、半田接合に用いられるものであれば、特に制限されないが、カルボキシル基又はフェノール水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基及びフェノール水酸基の両方を備える化合物が好ましい。
【００１９】
樹脂層３中のフラックス活性化合物の配合量は、１〜３０重量％が好ましく、３〜２０重量％が特に好ましい。樹脂層３中のフラックス活性化合物の配合量が、上記範囲であることにより、樹脂層３のフラックス活性を向上させることができるとともに、樹脂層３中に、熱硬化性樹脂と未反応のフラックス活性化合物が残存するのが防止される。なお、未反応のフラックス活性化合物が残存すると、マイグレーションが発生する可能性がある。
【００２０】
また、熱硬化性樹脂の硬化剤として作用する化合物の中には、フラックス作用も有する化合物がある（以下、このような化合物を、フラックス活性硬化剤とも記載する）。例えば、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、脂肪族ジカルボン酸、芳香族ジカルボン酸等は、フラックス作用も有している。このような、フラックス活性化合物としても作用し、熱硬化性樹脂の硬化剤としても作用するようなフラックス活性硬化剤を、熱硬化性樹脂の硬化剤として含有する樹脂層３は、フラックス作用を有する樹脂層となる。
【００２１】
なお、カルボキシル基を備えるフラックス活性化合物とは、分子中にカルボキシル基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、フェノール性水酸基を備えるフラックス活性化合物とは、分子中にフェノール性水酸基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、カルボキシル基及びフェノール性水酸基を備えるフラックス活性化合物とは、分子中にカルボキシル基及びフェノール性水酸基がそれぞれ１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。
【００２２】
これらのうち、カルボキシル基を備えるフラックス活性化合物としては、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。
【００２３】
カルボキシル基を備えるフラックス活性化合物に係る脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。
【００２４】
カルボキシル基を備えるフラックス活性化合物に係る脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。
【００２５】
カルボキシル基を備えるフラックス活性化合物に係る芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。
【００２６】
カルボキシル基を備えるフラックス活性化合物に係る脂肪族カルボン酸としては、下記一般式（１）で示される化合物や、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。
ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ      （１）
（式（１）中、ｎは、０以上２０以下の整数を表す。）
【００２７】
カルボキシル基を備えるフラックス活性化合物に係る芳香族カルボン酸としては、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレーニト酸、ピロメリット酸、メリット酸、トリイル酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。
【００２８】
これらのカルボキシル基を備えるフラックス活性化合物のうち、フラックス活性化合物が有する活性度、樹脂層の硬化時におけるアウトガスの発生量、及び硬化後の樹脂層の弾性率やガラス転移温度等のバランスが良い点で、前記一般式（１）で示される化合物が好ましい。そして、前記一般式（１）で示される化合物のうち、式（１）中のｎが３〜１０である化合物が、硬化後の樹脂層における弾性率が増加するのを抑制することができるとともに、第一電子部品１と第二電子部品２との接着性を向上させることができる点で、特に好ましい。
【００２９】
前記一般式（１）で示される化合物のうち、式（１）中のｎが３〜１０である化合物としては、例えば、ｎ＝３のグルタル酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）３−ＣＯＯＨ）、ｎ＝４のアジピン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）４−ＣＯＯＨ）、ｎ＝５のピメリン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）５−ＣＯＯＨ）、ｎ＝８のセバシン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）８−ＣＯＯＨ）及びｎ＝１０のＨＯＯＣ−（ＣＨ２）１０−ＣＯＯＨ等が挙げられる。
【００３０】
フェノール性水酸基を備えるフラックス活性化合物としては、フェノール類が挙げられ、具体的には、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メジトール、３，５−キシレノール、ｐ−ターシャリブチルフェノール、カテコール、ｐ−ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、ｏ−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＦノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等が挙げられる。
【００３１】
上述したようなカルボキシル基又はフェノール水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基及びフェノール水酸基の両方を備える化合物は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂との反応で三次元的に取り込まれる。
【００３２】
そのため、硬化後のエポキシ樹脂の三次元的なネットワークの形成を向上させるという観点からは、フラックス活性化合物としては、フラックス作用を有し且つエポキシ樹脂の硬化剤として作用するフラックス活性硬化剤が好ましい。フラックス活性硬化剤としては、例えば、１分子中に、エポキシ樹脂に付加することができる２つ以上のフェノール性水酸基と、フラックス作用（還元作用）を示す芳香族に直接結合した１つ以上のカルボキシル基とを備える化合物が挙げられる。このようなフラックス活性硬化剤としては、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；及びジフェノール酸等が挙げられ、これらは１種単独又は２種以上を組み合わせでもよい。
なかでも、第一端子１１および第二端子２１の接合を良好なものとするためには、フェノールフタリンを使用することが特に好ましい。フェノールフタリンを使用することで、半田層１１２の表面の酸化物を除去した後、エポキシ樹脂を硬化することが可能となると推測され、半田層１１２表面の酸化物が除去されないまま、エポキシ樹脂が硬化してしまうことを抑制でき、第一端子１１および第二端子２１の半田接合を良好なものとすることができる。
【００３３】
また、樹脂層３中、フラックス活性硬化剤の配合量は、１〜３０重量％が好ましく、３〜２０重量％が特に好ましい。樹脂層３中のフラックス活性硬化剤の配合量が、上記範囲であることにより、樹脂層のフラックス活性を向上させることができるとともに、樹脂層中に、熱硬化性樹脂と未反応のフラックス活性硬化剤が残存するのが防止される。なお、未反応のフラックス活性硬化剤が残存すると、マイグレーションが発生する。
また、樹脂層３は、無機充填材を含んでいてもよい。
樹脂層３中に無機充填材を含有させることで、樹脂層３の最低溶融粘度を高め、第一端子１１および第二端子２１間に隙間が形成されてしまうことを抑制できる。なお、樹脂層３の最低溶融粘度が非常に低い場合には、樹脂層３の流動性が非常に高くなり、第一端子１１と第二端子２１との間に、樹脂層３が入り込み、第一端子１１と第二端子２１とが離間してしまうことがある。
ここで、無機充填材としては、シリカや、アルミナ等があげられる。
【００３４】
さらに、樹脂層３は、硬化触媒を含んでいてもよい。
硬化触媒は、樹脂層３中の熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜選択できるが、たとえば、塗膜成形性向上の観点から、イミダゾール化合物を使用することができる。イミダゾール化合物として、２−フェニルヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチルヒドロキシイミダゾール等が挙げられる。
【００３５】
また、硬化触媒の配合比は、樹脂層３の構成成分の合計を１００としたときに、たとえば０．０１重量％以上５重量％以下とする。硬化触媒の配合比を０．０１重量％以上とすることにより、硬化触媒としての機能をさらに効果的に発揮させて、樹脂層３の硬化性を向上させることができる。また、硬化触媒の配合比を５重量％以下とすることにより、樹脂層３の保存性をさらに向上させることができる。
【００３６】
第一電子部品１と、第二電子部品２との間に樹脂層３を配置する方法としては、例えば、
（１）フラックス活性化合物を含有する樹脂組成物をフィルム状に成形した樹脂フィルムを用意し、この樹脂フィルムを、第一電子部品１又は第二電子部品２にラミネートする方法、
（２）フラックス活性化合物を含有する液状の樹脂組成物を用意し、この液状の樹脂組成物を、第一電子部品１又は第二電子部品２の表面に塗布する方法、
（３）フラックス活性化合物を含有する樹脂組成物が溶剤に溶解又は分散されている樹脂ワニスを用意し、この樹脂ワニスを、第一電子部品１又は第二電子部品２の表面に塗布し、次いで、樹脂ワニス中の溶剤を揮発させる方法、
が挙げられる。なお、方法（２）に係る液状の樹脂組成物は、溶剤を含有しない。
ここで、図４に示すように、樹脂層３は複数連なっており、複数の第一電子部品１上にまたがる１枚の樹脂シートを構成している。より詳細に説明すると、樹脂シート３は複数の樹脂層３と、樹脂層３同士を連結している連結部分とで構成され、樹脂層３同士は連結部分を介して連なっている。
【００３７】
次に、図４に示す装置５を使用して、積層体４を加熱加圧して、積層体４を第一端子１１の半田層１１２の融点以上に加熱して、第一端子１１と、第二端子２１とを半田接合させる。
【００３８】
ここで、装置５の概要について説明する。
この装置５は、表面に半田層１１２を有する第一端子１１を有する第一電子部品１と、この第一電子部品１の前記第一端子１１に接合される第二端子２１を有する第二電子部品２とを備える電子装置の製造装置である。
装置５は、積層体４が複数配置される容器５１と、容器５１内の積層体４を第一端子１１の半田層１１２の融点以上に加熱する加熱手段（図示略）と、容器５１内に加圧流体を導入する加圧流体導入手段５２と、容器５１内の複数の積層体４を積層方向に沿って挟圧して、各積層体４の積層方向にそって各積層体４に荷重を付加する挟圧手段とを備える。
挟圧手段は、溝５３１が形成された部材５３を有し、挟圧手段は、溝５３１が形成された前記部材５３の前記溝５３１で区画された複数の領域５３２それぞれを容器５１内の各積層体４に当接させて各積層体４を挟圧する。
積層体４を挟圧する際、隣接する積層体４のうち、前記溝５３１で区画された各領域５３２それぞれに当接する部品間に形成された空隙に、前記部材５３の溝５３１が対向する。
すなわち、本実施形態では、第二電子部品２間の空隙に、溝５３１が対向する。
【００３９】
次に、装置５について詳細に説明する。
装置５は、積層体４をリフローするとともに、加圧雰囲気下で加熱することができるものである。
容器５１は圧力容器であり、容器５１の材料としては、金属等があげられ、たとえば、ステンレス、チタン、銅である。
容器５１の底面部上には、複数の積層体４が設置される設置部５４が配置されている。
隣接する積層体４のうち、隣接する第一電子部品１同士、樹脂層３同士は連なって形成されているが、隣接する第二電子部品２間には空隙が形成されている。
図４および図５に示すように、部材５３は、板状であり、平面矩形形状である。
部材５３としては、特に制限されず、金属板、セラミックス板等があがられる。金属板としては、たとえば、ステンレス板、チタン板、鉛板があげられる。また、セラミックス板としては、ガラス板、アルミナ板、窒化ケイ素板、ジルコニア板があげられる。
ただし、積層体４の熱が部材５３に奪われてしまうことを抑制させるため熱伝導率が４０ｗ／ｍ・Ｋ以下の材料で構成されることが好ましい。熱伝導率が４０ｗ／ｍ・Ｋ以下の材料としては、ステンレス板、ガラス板があげられる。なかでも、ガラス板は、線膨張係数が小さいので、加熱／冷却工程において撓むような変形することなく、積層体４に対し、均一に荷重をかけることができる。
部材５３には、複数の溝５３１が形成されており、一部の溝同士５３１が交差している。本実施形態では、溝５３１が格子状に形成されている。
溝５３１で区画された領域５３２で、積層体４に荷重をかける。ひとつの領域５３２に対しひとつの積層体４が当接する。
部材５３は、溝５３１が形成された面が設置部５４と対向するように配置されている。
【００４０】
次に、図４および図６を参照して装置５を使用した電子装置の製造方法について説明する。
まず、容器５１の設置部５４上に複数の積層体４を配置する。
次に、図示しない移動手段により、部材５３を容器５１底面側に降下させて、複数の積層体４上に部材５３を載せる。これにより、複数の積層体４は、部材５３と設置部５４とで挟圧され、各積層体４には、少なくとも部材５３の重量分の荷重がかかることとなる。すなわち、前述した挟圧手段は、部材５３と設置部５４とで構成されることとなる。なお、容器５１内に設置部を設けない場合には、容器５１の底面部と部材５３とで挟圧手段が構成されることとなる。
このとき、溝５３１で区画された領域５３２それぞれに各積層体４が接する。
ここで、図６に示すように、溝５３１の幅Ｗ１（溝５３１の延在方向と直交する方向の長さ）は、隣接する積層体４間の隙間Ｗ２よりも大きい。言い換えると、溝５３１で区画された前記領域５３２に当接する第二電子部品２の端面が、溝５３１の側面５３１Ａよりも溝５３１内側に突出している。
また、前述したように、隣接する積層体４のうち、樹脂層３同士は連なって形成されているが、隣接する第二電子部品２間には空隙が形成されているため、前記空隙から樹脂層３が連なることで構成される樹脂シートの一部が露出することとなる。樹脂シートの露出部分は、溝５３１と対向する。
【００４１】
このようにして、複数の積層体４が挟圧され、複数の積層体４に荷重をかけた状態で、各積層体４を第一端子１１の半田層１１２の融点以上に加熱して、第一端子１１と、第二端子２１とを半田接合させる（リフロー工程）。
積層体４には積層方向に荷重がかかるため、第一端子１１と第二端子２１とが接触した状態が維持される。
ここで、第一端子１１と第二端子２１とを半田接合させる際、第一端子１１および第二端子２１それぞれにかかる荷重は、０．０１ＭＰａ以上、４０ＭＰａ以下であることが好ましい。
０．０１ＭＰａ以上とすることで、第二電子部品２と第一電子部品１との間の距離を一定に保つことができる。また、第一端子１１と第二端子２１との間に存在する樹脂層３を第一端子１１および第二端子２１間から排除でき良好な接続が得られる。
一方で、４０ＭＰａ以下とすることで、第二電子部品２のクラック発生を抑制できるという効果がある。
ここで、前述した「第一端子１１および第二端子２１それぞれにかかる荷重」とは、部材５３により積層体４に荷重をかけ、第一端子１１の半田層１１２に第二端子２１が食い込み、第一端子１１および第二端子２１間の距離が変動せずに一定となった状態において、第一端子１１および第二端子２１にかかる荷重を意味する。
【００４２】
積層体４を加熱する方法としては、容器５１自体を加熱手段、たとえば、ヒータ等で加熱する方法が考えられる。
その後、積層体４の樹脂層３の硬化を実施する。なお、リフロー工程においても、加熱温度が、樹脂層３の硬化温度より高い場合には、樹脂層３の一部が硬化する。
加圧流体導入手段５２である配管５２から流体を容器５１内へ流入させ、加圧雰囲気下にしつつ、容器５１を加熱することにより、積層体４を加熱し、樹脂層３を硬化させる。
ここで、容器５１内に加熱流体を流入し、積層体４を加熱するとともに加圧してもよい。
【００４３】
なお、積層体４のリフローと、積層体４の樹脂層の硬化とを同時に行ってもよい。
この場合には、積層体４を半田層１１２の融点以上に加熱しつつ、容器５１内に加圧流体を導入すればよい。
【００４４】
流体により、積層体４を加圧する際の加圧力は、０．１〜１０ＭＰａ、好ましくは０．５〜５ＭＰａである。このようにすることで、硬化した樹脂層３中に空隙（ボイド）が発生し難くなる。なお、本発明において、流体で加圧するとは、積層体４の雰囲気の圧力を、大気圧より加圧力分だけ高くすることを指す。すなわち、加圧力１０ＭＰａとは、大気圧よりも、積層体にかかる圧力が１０ＭＰａ大きいことを示す。
【００４５】
積層体４を加圧する流体は、配管５２から容器５１内に導入され、積層体４を加圧することとなる。積層体４を加圧する流体としては、窒素ガス、アルゴンガス等の非酸化性ガス、空気等のガスが好ましい。
なかでも、非酸化性ガスを使用することが好ましい。非酸化性ガスを使用することで、第一端子１１および第二端子２１の接合をより良好なものとすることができる。なお、非酸化性ガスとは、不活性ガス、窒素ガスのことを意味する。
【００４６】
その後、装置５から積層体４を取り出し、必要に応じて積層体４を再度硬化させる。
以上により、電子装置を得ることができる（図７参照）。図７では、第一端子１１と第二端子２１とが半田層１１２により接合され、第二端子２１の先端が、半田層１１２に食い込んだ状態となっている。なお、図４で示した点線の切断ラインに従い、第一電子部品１間、樹脂層３間を切断することで、分離した複数の電子装置を得ることができる。
【００４７】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態では、複数の積層体４を第一端子１１の半田層１１２の融点以上に加熱して、第一端子１１と、第二端子２１とを半田接合させることができるので、生産性にすぐれている。
また、溝５３１が形成された部材５３を積層体４に当接させて、各積層体４に荷重をかけている。これにより、第一端子１１と第二端子２１とを接合する際に、第一端子１１および半田層１１２との間に存在する樹脂等が排除されて半田の濡れ広がりが良好となり、接続不良の発生を抑制できる。
さらに、溝５３１が形成された部材５３を積層体４に当接させて、各積層体４に荷重をかけることで、各積層体４からはみ出た樹脂からガスが発生した場合であっても、ガスを溝５３１に逃がすことができる。これにより、樹脂層３中に気泡が発生することを抑制することができる。
特に、本実施形態では、積層体４の樹脂層３は連なって樹脂シートを構成しており、隣接する第二電子部品２間の隙間から樹脂シートの一部が露出している。このような場合においては、積層体４からはみ出した樹脂のみならず、あらかじめ露出している樹脂シートの一部からガスが発生した場合であっても、ガスを溝５３１に逃がすことができ、樹脂シート中、特に、樹脂層３中に気泡が残ってしまうことを抑制できる。
【００４８】
また、本実施形態では、積層体４を加圧流体により加圧して樹脂層３を硬化させているため、樹脂層３の硬化物中の気泡等の空隙の発生を抑制できる。さらに、第一端子１１および第二端子２１を半田接合する際に、流体により積層体４を加圧すれば、樹脂層３の密度を高めて、体積を低減させることにより、第一端子１１と第二端子２１とが圧着する方向に力を作用させることが可能となる。
さらに、第一端子１１および第二端子２１を接合する際に、流体により積層体４を加圧すれば、樹脂層３の発泡による樹脂流動が抑制でき、第一端子１１および第二端子２１間のずれを確実に低減させることができる。
【００４９】
また、本実施形態では、積層体４に荷重をかける部材５３に溝５３１を形成している。第一端子１１および第二端子２１を接合する際に、積層体４の樹脂層３が積層体４からはみ出すことがあるが、はみ出した樹脂層３を溝５３１内に逃がすことができる。
これにより、第二電子部品２と部材５３との間に樹脂が入り込んでしまうことが防止できる。
【００５０】
さらに、本実施形態では、溝５３１で区画された前記領域５３２に当接する第二電子部品２の端面が、溝５３１の側面５３１Ａよりも溝５３１内側に突出している。
積層体４に部材５３により荷重をかけた際、積層体４からはみ出した樹脂が、積層体４の第二電子部品２の端面に沿って這い上がってくることがある。溝５３１の側面５３１Ａが、第二電子部品２の端面よりも、溝５３１内側に突出していないため、第二電子部品２の端面を這い上がってくる樹脂が部材５３に付着してしまうことを抑制できる。そのため、部材５３の樹脂による汚染を防止することができる。
【００５１】
また、積層体４に荷重をかける部材に溝を形成しない場合には、積層体４からはみ出した樹脂が前記部材に付着してしまい前記部材の積層体４側の面が平坦なものでなくなる可能性がある。そのため、積層体４にかかる荷重にばらつきが生じることがある。
これに対し、本実施形態では、前述したように部材５３への樹脂の付着を防止できるので、積層体４にかかる荷重のばらつきの発生を抑制することができる。
【００５２】
（第二実施形態）
図８を参照して、本実施形態について説明する。
前記実施形態では、第一端子１１と第二端子２１とを半田接合させる工程および、樹脂層３を硬化させる工程において、装置５を使用していた。これに対し、本実施形態では、図８に示す装置６を使用する。
装置５では、部材５３を積層体４上に載せ、部材５３と、設置部５４とで積層体４を挟圧していたが、本実施形態の装置６では、荷重付加手段６１により、部材５３側に積層体４を押しあて、荷重付加手段６１と部材５３とで積層体４を挟圧し、積層体４の積層方向に沿って荷重をかける構成となっている。他の点は、前記実施形態と同様である。
【００５３】
より詳細に説明すると、本実施形態の装置６は、前記実施形態と同様の容器５１、加圧流体導入手段５２、部材５３を備えるとともに、荷重付加手段６１を備える。
容器５１の上面には、部材５３が固定されており、部材５３の溝５３１が形成された面と、後述する設置部６１１とが対向している。
荷重付加手段６１は、複数の積層体４が設置される設置部６１１と、この設置部６１１を部材５３側に付勢する付勢手段６１２とを備える。
設置部６１１は、複数の積層体４を設置するためのものであり、たとえば、板状の部材である。設置部６１１上には、複数の積層体４が配置される。
付勢手段６１２は、設置部６１１の裏面側に配置される。付勢手段６１２は、たとえば、ばねであり、設置部６１１上の積層体４を部材５３の領域５３２に押し当てて、積層体４に荷重をかける。前記実施形態と同様、ひとつの領域５３２に対しひとつの積層体４が当接する。本実施形態では、荷重付加手段６１と部材５３とで積層体４が挟まれるため、荷重付加手段６１と部材５３とで挟圧手段が構成されることとなる。
また、積層体４を部材５３の領域５３２に押し当てた際、隣接する積層体４の第二電子部品２間の隙間は、部材５３の溝５３１と対向する。換言すると、隣接する積層体４の第二電子部品２間の隙間から露出する樹脂シートは、部材５３の溝５３１と対向する。
【００５４】
本実施形態においては、容器５１は上金型５１１、下金型５１２で構成され、上金型５１１が半田層１１２の融点以上に加熱されている。また、下金型５１２も所定温度、たとえば、５０℃程度まで加熱されている。
また、部材５３は、本実施形態では熱伝導性の高い部材、たとえば、金属製の部材で構成されているため、上金型５１１の熱が部材５３を介して積層体４に伝達され、積層体４が加熱されることとなる。部材５３は、上金型５１１と同程度の温度まで加熱される。
【００５５】
次に、装置６を使用した電子装置の製造方法について説明する。
まず、容器５１の設置部６１１上に複数の積層体４を配置する。
この際、図示しない付勢抑制手段により、付勢手段６１２の付勢を抑制して、設置部６１１と部材５３との間の距離をあけておく。
次に、付勢抑制手段による抑制を解除し、付勢手段６１２により設置部６１１を上方に移動させ、複数の積層体４と部材５３とを当接させるとともに複数の積層体４に荷重をかける。このとき、溝５３１で区画された領域５３２それぞれに各積層体４が接する。
ここで、前記実施形態と同様、溝５３１の幅（溝５３１の延在方向と直交する方向の長さ）は、隣接する積層体４間の隙間よりも大きい。言い換えると、溝５３１で区画された前記領域５３２に当接する第二電子部品２の端面が、溝５３１の側面５３１Ａよりも溝５３１内側に突出している。
【００５６】
このようにして、複数の積層体４に荷重をかけた状態で、各積層体４を第一端子１１の半田層１１２の融点以上に加熱して、第一端子１１と、第二端子２１とを半田接合させる（リフロー工程）。
ここで、第一端子１１と第二端子２１とを半田接合させる際、第一端子１１および第二端子２１にかかる荷重は、０．０１ＭＰａ以上、４０ＭＰａ以下であることが好ましい。
０．０１ＭＰａ以上とすることで、第二電子部品２と第一電子部品１との間の距離を一定に保つことができる。また、第一端子１１と第二端子２１との間に存在する樹脂層３を第一端子１１および第二端子２１間から排除でき良好な接続が得られる。
一方で、４０ＭＰａ以下とすることで第二電子部品２のクラック発生を抑制できるという効果がある。
その他の工程は、前記実施形態と同様である。なお、前記実施形態と同様、リフロー工程と、樹脂層３の硬化工程とを同時に実施してもよい。
【００５７】
このような本実施形態によれば、第一実施形態と同様の効果を得ることができる。
さらに、本実施形態では、熱伝導率が高く、加熱された部材５３に積層体４を押し当てているため、積層体４を急速に加熱することが可能となる。また、部材５３は加熱された
上金型５１１に固定されているため、部材５３の熱が低下してしまうことが防止できる。
【００５８】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
たとえば、第二実施形態では、部材５３を上金型５１１に取り付けていたが、上金型５１１に溝が形成できる場合には、部材５３を上金型５１１と一体化してもよい。
さらに、第二実施形態では、加熱された部材５３に対し積層体４を押し当てていたが、たとえば、加熱された部材５３を下降させて、積層体４に押し当ててもよい。ただし、この場合には、部材５３の熱が低下してしまわないようにする必要がある。
また、前記各実施形態では、第一電子部品１同士、樹脂層３同士が連なっていたが、これに限られるものではない。たとえば、あらかじめ第一電子部品１同士、樹脂層３同士が分離しており、第一電子部品１間、樹脂層３間に隙間（空隙）があってもよい。
さらに、前記各実施形態では、第二電子部品２に部材５３を当接させていたが、これに限られるものではなく、第一電子部品１に部材５３を当接させてもよい。
また、一方の積層体４においては、第一電子部品１に部材５３が当接するようにし、他方の積層体４においては、第二電子部品２に部材５３が当接するようにしてもよい。ただし、端子同士の接合安定性の観点からは、前記各実施形態のように、部材５３に接触する部品は同じ部品であることが好ましい。
【実施例】
【００５９】
次に、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
第一実施形態と同様の方法で電子装置を製造した。
（樹脂層３の作製）
フラックス活性化合物としてフェノールフタリン（東京化成（株）社製）１５重量部と、フェノールノボラック樹脂としてＰＲ−５３６４７（住友ベークライト（株）社製）１５重量部と、エポキシ樹脂としてＥＯＣＮ‐１０２０−７０（日本化薬（株）社製）５０重量部と、フェノキシ樹脂としてＹＰ−５０（東都化成（株）社製）２０重量部と、シランカップリング剤としてＫＢＭ−３０３（信越シリコーン（株）社製）１．０重量部と、イミダゾール化合物として２Ｐ４ＭＺ（四国化成（株）社製）０．０５重量部とをアセトンに溶解し、ワニス状の樹脂組成物を作製した。
上記で得られたワニス状の樹脂組成物を、ポリエステルシート（基材）にコンマコータを用いて塗布し、上記アセトンが揮発する温度１００℃で３分間乾燥させて、基材上に形成された厚み２５μｍのフィルムを得た。ここで、前記第一実施形態と同様、フィルムは、複数の樹脂層３が連なって構成されたものである。
【００６０】
（電子装置の作製）
前記基材上に形成されたフィルム（複数の樹脂層３が連なって構成されたもの）を、回路基板（第一電子部品１）の半田バンプ（半田層１１２）が形成された面に、真空ラミネータを用い、温度：１００℃、０．７ＭＰａの条件でラミネートし、次いで、基材を剥離した。
ここで、前記実施形態と同様、第一電子部品１は、複数個つらなって、１枚の大型の回路基板を構成している。
次に、複数個の半導体チップ（第二電子部品２）を用意した。
また、部材５３としては、溝５３１が格子状に形成されたガラス板（重量が４５０ｇ）を使用した。
まず、回路基板の第一端子１１と、半導体チップ（第二電子部品２）の第二端子２１が対向するように位置合わせして搭載して積層体４を作製した。なお、第一実施形態と同様、隣接する半導体チップ間からは、複数の樹脂層３を含んで構成されるフィルムの一部が露出している。
次に、装置５の容器５１をあらかじめ１００℃に加熱しておき、容器５１内の設置部５４の上に積層体４を載せて、さらに積層体４の上に電子部品２の端面が溝５３１の側面５３１Ａよりも溝５３１内側に突出するように位置あわせしてガラス板を積層した。なお、部材５３の溝５３１と第二電子部品間２の隙間とは対向し、溝５３１と、フィルムの一部とは対向している。
その後、容器５１内に流体（空気）を送り、加圧力０．５ＭＰaで加圧しつつ、積層体４を半田層１１２の融点（２２５℃）まで加熱して、１８０℃に降温し、６０分間、積層体４を加熱加圧した。
なお、第一端子１１および第二端子２１を半田接合する際（部材５３により積層体４に荷重をかけ、第一端子１１の半田層１１２に第二端子２１が食い込み、第一端子１１および第二端子２１間の距離が変動せずに一定となった際）に、第一端子１１と第二端子２１とにかかる荷重は、０．００１ＭＰaとなった。
【００６１】
（実施例２）
（電子装置の作製）
第一端子１１および第二端子２１を半田接合する際に、第一端子１１と第二端子２１とにかかる荷重が０．０１ＭＰaになるようにした点以外は、実施例１と同様に電子部品を作製した。
なお、端子にかかる荷重を調整するために、実施例１に比べ、半導体チップの個数を少なくした。ただし、実施例１と同様に複数の積層体４を同時に半田接合するとともに樹脂層３を硬化させた。
【００６２】
（実施例３）
（電子装置の作製）
第一端子１１および第二端子２１を半田接合する際に、第一端子１１と第二端子２１とにかかる荷重が４０ＭＰaになるようにした点以外は、実施例１と同様に電子部品を作製した。
なお、端子にかかる荷重を調整するために、実施例１に比べ、半導体チップの個数を少なくした。ただし、実施例１と同様に複数の積層体４を同時に半田接合するとともに樹脂層３を硬化させた。
【００６３】
（実施例４）
（電子装置の作製）
第一端子１１および第二端子２１を半田接合する際に、第一端子１１と第二端子２１とにかかる荷重が５０ＭＰaになるようにした点以外は、実施例１と同様に電子部品を作製した。
なお、端子にかかる荷重を調整するために、実施例１に比べ、半導体チップの個数を少なくした。ただし、実施例１と同様に複数の積層体４を同時に半田接合するとともに樹脂層３を硬化させた。
【００６４】
（実施例５）
（電子装置の作製）
容器５１内に送る流体を空気ではなく、窒素を送る以外は、実施例１と同様に電子装置を作製した。
【００６５】
（実施例６）
（電子装置の作製）
容器５１内に送る流体を空気ではなく、窒素を送る以外は、実施例２と同様に電子装置を作製した。
【００６６】
（実施例７）
（電子装置の作製）
容器５１内に送る流体を空気ではなく、窒素を送る以外は、実施例３と同様に電子装置を作製した。
【００６７】
（実施例８）
（電子装置の作製）
容器５１内に送る流体を空気ではなく、窒素を送る以外は、実施例４と同様に電子装置を作製した。
【００６８】
（実施例９）
第二実施形態と同様にして電子装置を作製した。図８に示す装置を使用して、電子装置を作製した。他の点は、実施例１と同様である。
具体的には、
前記基材上に形成されたフィルム（樹脂層３が複数つらなったもの、第一実施形態で製造したフィルム）を、回路基板（第一電子部品１）の半田バンプ（半田層１１２）が形成された面に、真空ラミネータを用い、温度：１００℃、０．７ＭＰａの条件でラミネートし、次いで、基材を剥離した。
ここで、前記実施形態と同様、第一電子部品１は、複数個つらなって、１枚の大型の回路基板を構成している。
次に、複数個の半導体チップ（第二電子部品２）を用意した。
また、部材５３としては、溝５３１が格子状に形成された金属板を使用した。
まず、回路基板の第一端子１１と、半導体チップ（第二電子部品２）の第二端子２１が対向するように位置合わせして搭載して積層体４を作製した。なお、第二実施形態と同様、隣接する半導体チップ間からは、複数の樹脂層３を含んで構成されるフィルムの一部が露出している。
次に、装置６の容器５１の上金型５１１をあらかじめ２６０℃に加熱し、下金型５１２を５０℃に加熱しておき、容器５１内の設置部６１１の上に複数の積層体４を載せた。
次に、付勢手段６１２により、設置部６１１を上金型５１１側に移動させ、積層体４の電子部品２の端面が溝５３１の側面５３１Ａよりも溝５３１内側に突出するように部材５３に積層体４を当接させた。なお、部材５３の溝５３１と第二電子部品間２の隙間とは対向し、溝５３１と、フィルムの一部とは対向している。
その後、容器５１内に流体（空気）を送り、加圧力０．５ＭＰaで加圧しつつ、積層体４を半田層１１２の融点（２２５℃）まで加熱して、１８０℃に降温し、６０分間、積層体４を加熱加圧した。
なお、第一端子１１および第二端子２１を半田接合する際（部材５３により積層体４に荷重をかけ、第一端子１１の半田層１１２に第二端子２１が食い込み、第一端子１１および第二端子２１間の距離が変動せずに一定となった際）に、第一端子１１と第二端子２１とにかかる荷重は、０．１ＭＰaとなった。
【００６９】
（比較例１）
（電子装置の作製）
実施例１の部材として溝５３１が形成されていないもの（積層体４側の面が平坦面であるガラスの板材）を使用した点以外は、実施例１と同様に電子装置を作製した。他の点は、実施例１と同じである。
【００７０】
（比較例２）
（電子装置の作製）
実施例１の部材として溝５３１が形成されていないもの（積層体４側の面が平坦面であるガラスの板材）を使用した点以外は、実施例２と同様に電子装置を作製した。他の点は、実施例２と同じである。
【００７１】
（比較例３）
（電子装置の作製）
実施例１の部材として溝５３１が形成されていないもの（積層体４側の面が平坦面であるガラスの板材）を使用した点以外は、実施例３と同様に電子装置を作製した。他の点は、実施例３と同じである。
【００７２】
（比較例４）
（電子装置の作製）
実施例１の部材として溝５３１が形成されていないもの（積層体４側の面が平坦面であるガラスの板材）を使用した点以外は、実施例４と同様に電子装置を作製した。他の点は、実施例４と同じである。
【００７３】
（電子装置の評価）
各実施例、比較例で得られた電子装置の評価を以下のように行った。
１．導通接続の測定および接続部樹脂排除性の観察
得られた電子装置について、任意に選択した隣接する２箇所の半田接合部（第一端子と第二端子とが半田接合された部分）の接続抵抗を、デジタルマルチメータにより測定した。ついで、他に９点、隣接する２箇所の半田接合部を任意に選択し、同様に、接続抵抗を測定し、合計１０点の導通接続の測定を行った。次に、得られた電子部品を切断して、硬化物の断面を研磨したのち、接続抵抗を測定した半田接続部をＳＥＭにて観察した。
◎ ：１０点すべて導通がとれて、半田接合部において、樹脂が排除されている断面形状である。
○ ：１０点すべて導通がとれるが、１〜９点の範囲で半田接続部に樹脂が排除しきれず、樹脂かみ形状の接合部がある。
△ ：１０点すべて導通がとれるが、１０点すべてが、樹脂かみ形状をしている。
×：１点でも導通不良箇所があった場合
なお、◎、○、△の場合には、実用上問題はないが、×の場合は、実用上問題となる。
【００７４】
２．樹脂層のマイクロボイドの有無
得られた電子装置を切断し、樹脂層の断面を研磨した。次いで、第一電子部品、第二電子部品及び隣接する２つの半田接合部で囲まれた部分すべてのマイクロボイドの有無を金属顕微鏡にて観察した。各符号は、以下の通りである。
○ ：全てでマイクロボイドが観察されなかった場合
× ：１箇所でもマイクロボイドが観察された場合
なお、ここで観察されたマイクロボイドは、現状では、実用上問題ないレベルの大きさである。
【００７５】
３．半導体チップ上面への樹脂の付着
各実施例、比較例それぞれにおいて得られた５個の電子部品について、半導体チップ上面に樹脂の付着があるかどうか観察した。
○：樹脂の付着なし
×：樹脂付着あり
【００７６】
評価結果および電子装置の製造条件を表１〜表３に示す。
【００７７】
【表１】
2011228620.tif 000003
【００７８】
【表２】
2011228620.tif 000004
【００７９】
【表３】
2011228620.tif 000005
【００８０】
実施例１から９では、いずれも導通不良がなく、かつ、マイクロボイドも発生しなかった。
また、実施例１から９では、半導体チップ上面に樹脂が付着していなかった。
これに対し、比較例１から４では、樹脂かみが発生し、マイクロボイドも発生していた。さらに、半導体チップ上面への樹脂の付着も確認された。
【符号の説明】
【００８１】
１    第一電子部品
２    第二電子部品
３    樹脂層
４    積層体
５    装置
６    装置
１１    第一端子
２１    第二端子
５１    容器
５２    加圧流体導入手段（配管）
５３    部材
５４    設置部
６１    荷重付加手段
１１１    第一端子本体
１１２    半田層
５１１    上金型
５１２    下金型
５３１    溝
５３１Ａ    側面
５３２    領域
６１１    設置部
６１２    付勢手段
【図１】
2011228620.tif 000006
【図２】
2011228620.tif 000007
【図３】
2011228620.tif 000008
【図４】
2011228620.tif 000009
【図５】
2011228620.tif 000010
【図６】
2011228620.tif 000011
【図７】
2011228620.tif 000012
【図８】
2011228620.tif 000013