(57)【要約】【課題】加熱時にヒーターからの輻射熱を遮ることなく、冷却時に被処理物との間に周辺から流れ込む冷気によって発生する被処理物の端部の温度ムラを低減できる熱処理装置を提供する。【解決手段】加熱時に被処理物１１に接することなく被処理物１１の周囲を囲うように可動板１４を配設し、冷却時には可動板１４が回転して被処理物１１の周囲および被処理物１１の周縁部に接することなく囲うように、被処理物１１の面１１ｂとの隙間を形成することで、冷却時における被処理物の端部をガス流れ抵抗を大きくして、ガス流れによる被処理物の端部の温度変化を抑える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基端が固定側に取り付けられ先端で被処理物を支持する複数の被処理物支持材と、
前記被処理物支持材によって支持された状態の前記被処理物の外周ならびに隣接した前記被処理物支持材の間および前記固定側によって囲まれたエリアに配置され、蓄熱した熱量で前記被処理物を加熱するよう前記被処理物の外周端面に近づいた状態と、前記被処理物の面内に向かって供給される冷却ガスの通過量を低減するように前記被処理物の外周端面ならびに前記被処理物の面内に近づいた状態に、姿勢が切り換えられる可動板と
を設けた
熱処理装置。
【請求項２】
前記可動板は、
加熱時には前記被処理物に接することなく前記被処理物の周囲を囲うように、かつ前記被処理物の面に対して垂直方向の領域に位置しない状態に切り換えられ、
冷却時には前記被処理物に接することなく前記被処理物の周囲を囲うように、かつ前記被処理物の面に対して垂直領域に入って位置する状態に切り換えられる
請求項１記載の熱処理装置。
【請求項３】
加熱時と冷却時において前記可動板が回転して姿勢を変化させることを特徴とする
請求項２記載の熱処理装置。
【請求項４】
加熱時と冷却時において前記可動板が平行移動して位置を変化させることを特徴とする
請求項２記載の熱処理装置。
【請求項５】
リンク機構によって前記可動板が平行移動することを特徴とする
請求項４記載の熱処理装置。
【請求項６】
冷却時に前記被処理物の面に対して垂直領域に入って位置する可動板の前記被処理物の面に対峙する面と前記被処理物の面との距離が、前記被処理物の厚さの３．２倍以下であり、前記被処理物の面に対して垂直方向領域での前記被処理物と前記可動板の重なり幅が、前記被処理物の厚さの１．６倍〜７倍であることを特徴とする
請求項２記載の熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）を始め、液晶、太陽電池、半導体などのデバイス製造装置に関するもので、特に基板を加熱・冷却する熱処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰは、高精細化、大画面化の実現が可能であることから、１００インチクラスのテレビなどが製品化されている。近年、ＰＤＰにおいては、従来のＮＴＳＣ方式に比べて走査線数が２倍以上の高精細テレビへの適用が進められており、エネルギー問題に対応してさらなる消費電力低減への取り組みや、環境問題に配慮した鉛成分を含まないＰＤＰへの要求なども高まっている。
【０００３】
ＰＤＰは、基本的には、前面板と背面板とで構成されている。前面板は、フロート法により製造された硼硅酸ナトリウム系ガラスのガラス基板と、ガラス基板の一方の主面上に形成されたストライプ状の透明電極とバス電極とで構成される表示電極と、表示電極を覆ってコンデンサとしての働きをする誘電体層と、誘電体層上に形成された酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層とで構成されている。
【０００４】
一方、背面板は、ガラス基板と、その一方の主面上に形成されたストライプ状のアドレス電極と、アドレス電極を覆う下地誘電体層と、下地誘電体層上に形成された隔壁と、各隔壁間に形成された赤色、緑色及び青色それぞれに発光する蛍光体層とで構成されている。
【０００５】
前面板と背面板とはその電極形成面側を対向させて気密封着され、隔壁によって仕切られた放電空間にネオン（Ｎｅ）−キセノン（Ｘｅ）の放電ガスが４００Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒの圧力で封入されている。
【０００６】
ＰＤＰは、表示電極に映像信号電圧を選択的に印加することによって放電させ、その放電によって発生した紫外線が各色蛍光体層を励起して赤色、緑色、青色の発光をさせてカラー画像表示を実現している。
【０００７】
また、このようなＰＤＰの駆動方法としては、書き込みをし易い状態に壁電荷を調整する初期化期間と、入力画像信号に応じて書き込み放電を行う書き込み期間と、書き込みが行われた放電空間で維持放電を生じさせることによって表示を行う維持期間を有する駆動方法が一般的に用いられている。これらの各期間を組み合わせた期間（サブフィールド）が、画像の１コマに相当する期間（１フィールド）内で複数回繰り返されることによってＰＤＰの階調表示を行っている。
【０００８】
このようなＰＤＰにおいて、前面板の誘電体層上に形成される保護層の役割としては、放電によるイオン衝撃から誘電体層を保護すること、アドレス放電を発生させるための初期電子を放出することなどが挙げられる。イオン衝撃から誘電体層を保護することは、放電電圧の上昇を防ぐ重要な役割であり、またアドレス放電を発生させるための初期電子を放出することは、画像のちらつきの原因となるアドレス放電ミスを防ぐ重要な役割である。
【０００９】
保護層からの初期電子の放出数を増加させて画像のちらつきを低減するために、例えば、ＭｇＯ保護層に不純物を添加する例や、ＭｇＯ粒子をＭｇＯ保護層上に形成した例が開示されている（例えば、特許文献１、２、３、４、５を参照）。
【００１０】
ＰＤＰの動作電圧は、この保護層の２次電子放出係数に依存する。従って、仕事関数が酸化マグネシウムよりも小さいアルカリ土類金属の酸化物（たとえば、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムなど）を保護層として用いることで、動作電圧を低電圧化することが提案されている。
【００１１】
これらのアルカリ土類金属の酸化物は吸湿性が高く、保護層形成後に雰囲気中の水分を吸着し、水酸化物に変質し、結果的に不安定な放電特性となるという課題があった。あるいは、炭酸化物に変質し、動作電圧が低電圧化しないという課題があった。その解決のひとつに、真空ベーキングなどの活性化処理を行う方法（例えば、特許文献６を参照）が提案されている。
【００１２】
しかしながら、真空ベーキングの工程においては基板の加熱、冷却時に基板面内の温度ムラが生じやすく活性化処理が不均一となりデバイス特性が悪化するという課題が生じる。この課題を解決するためには、半導体装置分野において、基板の周辺部を支持する支持部材上に基板を囲むようして蓄熱カバーを配置する方法（例えば、特許文献７を参照）が提案され、ＰＤＰ分野にも適用することができる。
【００１３】
図８は、特許文献７に記載された従来の熱処理装置を示す。
１はシリコン基板、２はシリコン基板の周辺部を支持してチャンバに固定させるためのサセプタである。このサセプタ２は、径寸法の異なる円環状の内部サセプタ２ａと外部サセプタ２ｂで構成されている。外部サセプタ２ｂの内周部に設けられた段部に、内部サセプタ２ａが支持され、その内部サセプタ２ａの内周部にシリコン基板１が支持されている。シリコン基板１の周辺外側領域のサセプタ表面上には、蓄熱カバーとして円環状をしたシリコンカバー３を配設している。
【００１４】
この構成により、シリコン基板１をヒーターによって加熱する際に同時に加熱されたシリコンカバー３の輻射熱によって、シリコン基板１の周辺部から放熱されることによる基板周縁部の温度低下が抑えられ、シリコン基板１の面内の温度ムラが抑えられる。
【００１５】
しかしながら、この従来の構成では、シリコン基板１の周縁部が内部サセプタ２ａによって全周に渡り支持されているため、下側からのヒーターによる輻射熱を遮ることになり、シリコン基板１の中央部と周縁部との温度差が生じてしまう。特に、真空ベーキング工程においては、真空装置が必要となる分、製造コストを抑えるために熱処理時間の短縮が不可欠となり、前記のような温度差は生じやすくシリコン基板１の割れの危険性が高まる。
【００１６】
また、冷却時においても内部サセプタ２ａがシリコン基板１に接しているため、シリコン基板１の周縁部が周辺の温度影響を受けやすく、シリコン基板１の中央部と周縁部との温度差が生じ、シリコン基板１の割れの危険性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開２００２−２６０５３５号公報
【特許文献２】特開平１１−３３９６６５号公報
【特許文献３】特開２００６−５９７７９号公報
【特許文献４】特開平８−２３６０２８号公報
【特許文献５】特開平１０−３３４８０９号公報
【特許文献６】特開２００４−１３４０９５号公報
【特許文献７】特開平１０−４１２３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は加熱時にヒーターからの輻射熱を遮ることなく、かつ冷却時に基板周縁部に周辺温度の影響を少なくできる熱処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の熱処理装置は、基端が固定側に取り付けられ先端で被処理物を支持する複数の被処理物支持材と、前記被処理物支持材によって支持された状態の前記被処理物の外周ならびに隣接した前記被処理物支持材の間および前記固定側によって囲まれたエリアに配置され、蓄熱した熱量で前記被処理物を加熱するよう前記被処理物の外周端面に近づいた状態と、前記被処理物の面内に向かって供給される冷却ガスの通過量を低減するように前記被処理物の外周端面ならびに前記被処理物の面内に近づいた状態に、姿勢が切り換えられる可動板とを設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
この構成によると、加熱時においてヒーターの輻射熱を遮ることなく基板を加熱し、冷却時において基板端部への周辺からの冷気の流入を防ぐことで、加熱から冷却に至る熱処理工程において基板面内の温度ばらつきを抑え基板割れの危険性を小さくすることができ、ＰＤＰ等の大版基板の加熱冷却を行う熱処理装置などに適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態１における熱処理装置の加熱時の上面図とそのＡ−Ａ断面図およびＢ−Ｂ断面図
【図２】同実施の形態における冷却時の上面図とそのＣ−Ｃ断面図およびＣ−Ｃ断面の要部の拡大図
【図３】図２の構成を説明するための熱処理装置の上面図とＤ−Ｄ断面の断面図およびＥ−Ｅ断面の断面図
【図４】温度測定箇所と、基板温度勾配と基板割れの実験結果の説明図
【図５】基板周縁部面と蓄熱板の平面との隙間と基板温度勾配の関係を表した図と基板周縁部面と蓄熱板の平面との重なり長さと基板温度勾配の関係を表した図
【図６】同実施の形態における加熱時と搬送時および冷却時の熱処理装置の状態図
【図７】本発明の実施の形態２における熱処理装置の冷却時の上面図とそのＦ−Ｆ断面図および加熱時基板設置状態のＦ−Ｆ断面図
【図８】本発明の実施の形態３における熱処理装置の冷却時の上面図とそのＧ−Ｇ断面の断面図および加熱時の上面図
【図９】従来の熱処理装置を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１〜図６は本発明の実施の形態１を示す。
【００２３】
図１は被処理物としてのＰＤＰ基板を熱処理する熱処理装置を示す。
図１（ａ）は加熱時の基板設置状態の上面図、図１（ｂ）（ｃ）はそれぞれ図１（ａ）のＡ−Ａ，Ｂ−Ｂの断面図である。
【００２４】
図１（ａ）において被処理物としてのＰＤＰ基板１１は、固定側としてのトレイ１２に取り付けられた複数の被処理物支持材としての基板支持材１３によって複数箇所で支持されている。また、ＰＤＰ基板１１の外周の端面１１ａとトレイ１２の間に、ＰＤＰ基板１１に接しない程度にＰＤＰ基板１１を囲う複数の可動板１４が配設されている。この可動板１４は、軸まわりに回転可能にトレイ１２に取り付けられた回転軸１５に固定されている。
【００２５】
さらに具体的には、可動板１４は、基板支持材１３によって支持された状態のＰＤＰ基板１１の外周ならびに隣接した基板支持材１３の間およびトレイ１２によって囲まれたエリアに配置され、蓄熱した熱量でＰＤＰ基板１１を加熱するようＰＤＰ基板１１の外周端面１１ａに近づいた図１（ｃ）に示す状態と、後述の図２（ｂ）に示すように、ＰＤＰ基板１１の面内に向かって供給される冷却ガスの通過量を低減するようにＰＤＰ基板１１の外周端面１１ａならびにＰＤＰ基板１１の面内に近づいた状態に、姿勢が切り換えられる。
【００２６】
回転軸１５は、基板支持材１３を貫通して設けられており、回転軸１５の中間部分は基板支持材１３によって枢支されている。あるいは、基板支持材１３を回転軸１５が非接触の状態で貫通していても良い。
【００２７】
基板支持板１３によりＰＤＰ基板１１が支えられている部分は、図１（ｂ）に示すように基板支持板１３はトレイ１２に固定されＰＤＰ基板１１の周縁部をなるべく小さい面積で支持しており、基板支持板１３は、ＰＤＰ基板１１の端面１１ａと対峙する側面１３ａを有している。
【００２８】
可動板１４は、図１（ｃ）に示すようにＰＤＰ基板１１の基板端面１１ａと対峙する側面１４ａを持ち、ＰＤＰ基板１１に接触することなく配置され回転軸１５の回転によって図１（ｃ）の紙面に垂直方向の軸周りに回転する。このとき、側面１４ａの長さは基板端面１１ａの長さよりも長いことが望ましく、側面１４ａと基板端面１１ａとの距離は、ＰＤＰ基板１１の厚さ程度が望ましい。
【００２９】
基板支持材１３によって支持されたＰＤＰ基板１１の下方位置には、図１（ｂ）（ｃ）に示すようにヒーター１６が設けられており、加熱処理の場合には、ＰＤＰ基板１１の下方からヒーター１６の輻射熱によって、ＰＤＰ基板１１と複数の可動板１４を加熱する。
【００３０】
このように、図１に示した加熱処理中には、ヒーター１６とＰＤＰ基板１１との間に可動板１４が介在していない姿勢であるので、輻射熱を遮蔽せずにＰＤＰ基板１１を均一に加熱できる。しかも、可動板１４はＰＤＰ基板１１と同程度の熱容量で蓄熱し、この蓄熱によってＰＤＰ基板１１の端面１１ａを暖めるので、ＰＤＰ基板１１をより均一に加熱できる。
【００３１】
図２（ａ）は冷却時の基板設置状態の上面図で、図１に示した加熱時とは、可動板１４の状態が異なっている。図２（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｃの断面図である。図２（ｃ）は図２（ｂ）の要部の拡大図である。
【００３２】
図２に示す冷却処理中の可動板１４の姿勢と、図１の冷却処理中の可動板１４の姿勢とを比べると、回転軸１５の回転によって冷却処理中の可動板１４の回動位置が１８０°だけ回転している以外は、図１（ａ）と同様の構成である。
【００３３】
この図２に示す冷却処理中を詳しく説明する。
冷却処理中には、図２（ｂ）に示すようにＰＤＰ基板１１の上下に冷却板１７が配置されている。可動板１４は、回転軸５の回転によって図２（ｃ）の拡大図に示すように、可動板１４の鉛直面１４ｂがＰＤＰ基板１１の端面１１ａに隙間Ｓ１を空けて対峙し、可動板１４の水平面１４ｃが基板周縁部面１１ｂに隙間Ｓ２を空けて対峙している。
【００３４】
このように、冷却処理時に可動板１４の姿勢を切り換えることによって、ＰＤＰ基板１１の外周部に沿って流れる冷却ガスの流路が、隙間Ｓ１と隙間Ｓ２とによって細く制限されて流路の抵抗が大きくなり、周囲にある温度の低いガスが流れ込みにくくなって、ＰＤＰ基板１１の基板周縁部を均一に冷却できる。
【００３５】
より具体的には、基板周縁部面１１ｂと可動板１４の水平面１４ｃの距離Ｘは基板厚みとの比が３．２以下で、基板周縁部面１１ｂと可動板１４の水平面１４ｃが対峙する幅Ｙは基板厚みとの比が１．６〜７が好適であった。また、ＰＤＰ基板１１の端面１１ａと可動板１４の鉛直面１４ｂの距離Ｚは、図１（ｃ）に示す加熱時の端面１１ａと可動板１４の側面１４ａの距離と同様に、ＰＤＰ基板１１の厚さ程度が望ましい。
【００３６】
この図２に示した冷却時の構成に至った経緯を、図３を用いて説明する。
図９に示す従来の熱処理装置における内部サセプタが基板を全周に渡って支持していることによる周辺温度の影響を解決するために、基板周縁部を部分的に必要最小限の面積で支持することが容易に考えられる。
【００３７】
図３（ａ）に示したように、ＰＤＰ基板１１を必要最小限の面積で支持した熱処理装置を考える。図３（ａ）のＤ−Ｄ断面図を図３（ｂ）に、Ｅ−Ｅ断面図を図３（ｃ）に示す。
【００３８】
図３（ａ）（ｂ）に示すように、ＰＤＰ基板１１がトレイ１２の内側に取り付けられた複数の基板支持材１３の上に乗っている。
また、図３（ａ）（ｃ）に示すように、ＰＤＰ基板１１の周囲に一定の隙間を設けて、トレイ１２に取り付けられた可動板１４が基板端面と対峙するように配置されている。加熱時、ヒーター１６により図３（ｂ）の下方より輻射熱で加熱される。このとき基板支持材１３の幅をＰＤＰ基板１１を支持できる最小限の幅にすることで輻射熱の遮断を最小にする。
【００３９】
しかしながら、本発明者の分析によると、加熱終了時にトレイ１２の周縁部の温度がＰＤＰ基板１１や可動板１４の温度よりも低い状態にあり、冷却時において図３（ｃ）に示すトレイ１２の周縁部にある温度の低いガスがＰＤＰ基板１１と可動板１４の間の隙間１８に流れ込み、ＰＤＰ基板１１の端部が冷やされ、ＰＤＰ基板１１の中央部との温度差が大きくなることで基板割れの危険性が高まる。
【００４０】
そこで、図２（ｃ）に示したように可動板１４の姿勢を切り換えて冷却ガスの流路の抵抗を大きくして冷却ガスの流量を減らしてＰＤＰ基板１１の周縁部を均一に冷却している。
【００４１】
つぎに、前記幅Ｘ、幅Ｙの値を導出した経緯について図４、図５を用いて説明する。
まず、ＰＤＰ基板１１が割れる場合のＰＤＰ基板１１の面内の温度勾配について説明する。
【００４２】
図４（ａ）は発明者が行った実験における温度測定箇所を示したもので、ＰＤＰ基板１１を加熱した際の基板中央部の点Ａと基板端部の点Ｂの温度を熱電対で測定し、その距離ｄで除した値を温度勾配とする。図４（ｂ）は実験で得られた温度勾配と基板割れの有無を示した表である。実験は幅が約５５ｃｍ、長さが約１００ｃｍで板厚が１．８ｍｍのガラス基板を用いて行い、目視により割れているか否かを判定した。
【００４３】
図４（ｂ）において、温度勾配が０．１℃／ｍｍでは基板は割れず、温度勾配が０．１２℃／ｍｍの場合に基板が割れた。そのしきい値が０．１℃／ｍｍであることが分かる。すなわち、ＰＤＰ基板１１が割れないためには、温度勾配を０．１℃／ｍｍ以下にしなければならない。ＰＤＰ基板１１の割れは温度勾配で生じる内部応力によって起こるものであり、理論的に内部応力が温度勾配に比例するため基板の大きさに関係なく温度勾配を判定基準とする。
【００４４】
図２（ｃ）における可動板１４の寸法と温度勾配の関係を図５に示す。
図５に示す関係は、コンピュータシミュレーションにより有限体積法を用いて計算したもので、図２（ｂ）に示す断面形状のモデルを用い、ＰＤＰ基板１１を５００℃に加熱した実験で求められた各部温度を初期値としてＰＤＰ基板１１が１００℃になるまで周囲のガス流れと各部温度の時間変化を計算し、そのときの最大温度勾配を抽出したものである。
【００４５】
図５（ａ）において、横軸は図２（ｃ）における距離ＸのＰＤＰ基板１１の厚みに対する比“Ｘ長さ比”であり、縦軸は基板温度勾配である。温度勾配の値は基板端部の温度からＰＤＰ基板１１の中央部の温度を引いたものでマイナス値は基板端部の方が中央部よりも温度が低いことを表している。図５（ａ）より、基板が割れないためには基板温度勾配が図４（ｂ）で示すしきい値０．１℃／ｍｍ以下になるようにＸ長さ比を３．２以下にする必要がある。可動板１４が基板に接すると熱伝導により基板周縁温度が変化するためＸ長さ比は０よりも大きく３．２以下となる。
【００４６】
また、図５（ｂ）において、横軸は図２（ｃ）における距離Ｙの基板厚みに対する比“Ｙ長さ比”であり、縦軸は図５（ａ）と同様に基板温度勾配である。図５（ｂ）より、基板が割れないためには温度勾配が−０．１℃／ｍｍ〜０．１℃／ｍｍとなるようにＹ長さ比を１．６〜７にする必要がある。
【００４７】
ここで、加熱から冷却に至る熱処理装置のＰＤＰ基板１１および可動板１４の動作について図６を用いて説明する。
まず、加熱時の状態について図６（ａ）を用いて説明する。
【００４８】
図６（ａ）において２１は加熱室、２２は冷却室であり、その間に搬送室２３があり、それぞれはゲート２４で仕切られている。熱処理は、図の左から右にトレイ１２に乗せられたＰＤＰ基板１１が図示しない搬送装置によって各部屋間を移動し、加熱室２１で加熱処理、冷却室２２で冷却処理が行われる。ＰＤＰ基板１１の移動の際にはゲート２４が開き、移動後に閉じる。
【００４９】
加熱時において、加熱室２１は真空ポンプ２５によって真空状態になっている。加熱室２１内には中央にヒーター１６があり、それを挟むようにトレイ１２に乗ったＰＤＰ基板１１が上下に配置され、さらにその上下に反射板２６が配置されている。このとき、可動板１４は図１に示す状態になっており、上側のＰＤＰ基板１１はヒーター１６からの輻射熱を遮られることなく下側のＰＤＰ基板１１と同様に加熱される。
【００５０】
なお、この図６（ａ）に示すヒーターと基板、反射板の構成や位置関係などは本発明を限定するものではなく、基板が１段の構成や３段以上の構成であってもよく、基板が縦置きになる構成であってもよい。
【００５１】
加熱処理が終了しヒーター１６が切られた後に加熱室２１内において、可動板１４を回転させて図２に示す姿勢にする。また、搬送室２３を真空状態にする。図６（ｂ）はＰＤＰ基板１１が搬送室２３に位置する状態を表している。搬送室２３は真空状態から大気圧状態へ戻す役割があり、ＰＤＰ基板１１が搬送室２３に入りゲート２４が閉められた後に空気や窒素などのガスを注入して大気圧にする。また、冷却室２２内に搬送室２３と同様のガスを注入し大気圧にする。図６（ｃ）は基板１が冷却室２２に位置する状態を表している。図６（ｃ）において、ＰＤＰ基板１１は冷却板１７への輻射によって冷却される。このとき、可動板１４は図２に示す姿勢になっている。所定の温度まで冷却した後、ゲートを開いて図の右方向に搬送させる。
【００５２】
なお、図６（ｃ）に示す冷却板の構成や配置は本発明を限定するものではなく、ガスによる冷却など他の冷却手段を用いる、あるいは併用してもよい。
このように、図１と図２に示した具体的な構成にすることで、加熱時において可動板１４がヒーター１６からの輻射熱を遮ることがなく、ＰＤＰ基板１１の端部が均等に加熱され温度ばらつきを抑えることができる。さらに、冷却時においてＰＤＰ基板１１の周縁部面１１ｂと可動板１４の水平面１４ｃの間で形成される隙間の流れ抵抗が大きくなり、トレイ１２など周辺部からの冷たいガスの流れ込みを抑え、ＰＤＰ基板１１の端部の温度ばらつきを小さくすることができ、加熱から冷却に至る熱処理においてＰＤＰ基板１１の面内温度を均一にすることが可能となって、ＰＤＰ基板１１の割れの危険性の小さい熱処理装置を実現できる。
【００５３】
また、回転軸５によって可動板１４の状態を切り換えるように構成したため、ＰＤＰ基板１１の１辺にある可動板１４を１軸で動作させることができるので、複数の可動板１４の位置精度が得やすく、精度面で信頼性が高い。
【００５４】
（実施の形態２）
図７は本発明の実施の形態２を示す。
実施の形態１の可動板１４の回転軸１５による回転によって姿勢を切り換えていたが、この実施の形態２では可動板１４を水平にスライドさせて姿勢を切り換えている点が異なっている。ＰＤＰ基板１１は実施の形態１と同じように複数の基板支持材１３によって支持されている。
【００５５】
図７（ａ）は実施の形態２における冷却時の基板設置状態の上面図を示す。図７（ｂ）は図７（ａ）におけるＦ−Ｆ断面図、図７（ｃ）は加熱時における図７（ａ）のＦ−Ｆ断面図である。
【００５６】
この実施の形態２の各可動板１４は、トレイ１２にＰＤＰ基板１１の面内に沿う方向に摺動自在になるようフランジ３１によって取り付けられた板下部品１４ｅと、ＰＤＰ基板１１の対向する辺との間に隙間Ｓ１が形成されるように基板支持材１３に固定された板上部品１４ｄとで構成されている。
【００５７】
加熱状態では図７（ｃ）のように、板下部品１４ｅがトレイ１２の内周に当接し、図１と同じようにヒーター１６からの輻射熱を可動板１４が遮らない姿勢となる。
冷却状態では図７（ｂ）に示すように、板下部品１４ｅがトレイ１２の内周から離間して板下部品１４ｅの先端がＰＤＰ基板１１の下面に沿って侵入して隙間Ｓ２が形成され、冷却ガスの流路抵抗が図２と同じように大きくなって、温度の低いガスがＰＤＰ基板１１の外周部に向かって流れ込みにくくなり基板周縁部を均一に冷却できる。
【００５８】
このような構成にすることで、加熱時と冷却時において可動板１４の姿勢を変えることができ、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、加熱から冷却に移る際の板の移動において上下空間を必要としないので多段炉の場合に積み上げ高さ方向の空間を小さくでき、消費エネルギーを抑えた熱処理が可能となる。
【００５９】
（実施の形態３）
図８は本発明の実施の形態３を示す。
実施の形態１の可動板１４の回転軸１５による回転によって姿勢を切り換えていたが、この実施の形態３では可動板１４をリンク機構によって平行移動させて姿勢を切り換えている点が異なっている。
【００６０】
図８（ａ）は実施の形態３における冷却時の基板設置状態の上面図を示す。図８（ｂ）は図８（ａ）におけるＧ−Ｇ断面図、図８（ｃ）は加熱時における図８（ａ）のＧ−Ｇ断面図である。
【００６１】
この実施の形態３の各可動板１４は、一対の連結棒３３Ａ，３３Ｂとピン３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄによってトレイ１２に連結された板下部品１４ｅと、ＰＤＰ基板１１の対向する辺との間に隙間Ｓ１が形成されるように基板支持材１３に固定された板上部品１４ｄとで構成されている。
【００６２】
加熱状態では図８（ｃ）のように、板下部品１４ｅがトレイ１２の内周に接近する方向に回動して板下部品１４ｅの先端がＰＤＰ基板１１の裏面よりも外側に移動するため、図１と同じようにヒーター１６からの輻射熱を可動板１４が遮らない姿勢となる。
【００６３】
冷却状態では図８（ａ）（ｂ）に示すように、板下部品１４ｅがトレイ１２の内周から離間して板下部品１４ｅの先端がＰＤＰ基板１１の下面に沿って侵入して隙間Ｓ２が形成され、冷却ガスの流路抵抗が図２と同じように大きくなって、温度の低いガスがＰＤＰ基板１１の外周部に向かって流れ込みにくくなり基板周縁部を均一に冷却できる。
【００６４】
このような構成にすることで加熱時と冷却時において可動板１４の姿勢を変えることができ、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、摺動部がほとんどないので焼きつきが起こりにくく、駆動の信頼性が高い。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、ＰＤＰ等の大版基板の生産性の向上に寄与できる。
【符号の説明】
【００６６】
１１    ＰＤＰ基板（被処理物）
１１ａ  ＰＤＰ基板の端面
１１ｂ  ＰＤＰ基板の周縁部の面
１２    トレイ（固定側）
１３    基板支持材（被処理物支持材）
１４    可動板
１５    回転軸
１６    ヒーター
１７    冷却板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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