(57)【要約】【課題】消費電流が入射光の照度の高さに依存しない照度センサを提供する。【解決手段】アンプ２１〜２４及び減算回路２５は、定電流源（図示せず）で駆動される。減算回路２５は、光検出素子１５と光検出素子１６との出力電圧の差分電圧を出力する。サンプルホールド回路３０は、その差分電圧に基づく容量１３の他端の電圧のサンプルまたはホールドを行う。スイッチ２８は、減算回路２５の出力電圧が変化し始めている状態では、オンすることにより、容量１３の他端の電圧を基準電圧に固定する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧出力型の照度センサにおいて、
入射光に基づく光電圧を出力する第一光検出素子及び第二光検出素子と、
定電流源で駆動され、前記第一光検出素子と前記第二光検出素子との出力電圧の差分電圧を出力する減算回路と、
一端は前記減算回路の出力端子に設けられ、他端はサンプルホールド回路の入力端子に設けられる容量と、
基準電圧を供給されるノードと前記容量の他端との間に設けられるスイッチと、
前記差分電圧に基づく前記容量の他端の電圧のサンプルまたはホールドを行う前記サンプルホールド回路と、
を備えることを特徴とする照度センサ。
【請求項２】
前記第一光検出素子は、人間の視感度に基づく波長の入射光だけを通過させるフィルタを有し、
前記第二光検出素子は、遮光フィルタを有し、
前記第一光検出素子及び前記第二光検出素子は、同一の深さのＰＮ接合によってそれぞれ構成される、
ことを特徴とする請求項１記載の照度センサ。
【請求項３】
前記第一光検出素子及び前記第二光検出素子は、異なる深さのＰＮ接合によってそれぞれ構成される、
ことを特徴とする請求項１記載の照度センサ。
【請求項４】
前記スイッチは、前記減算回路の出力電圧が変化し始めている状態では、オンすることにより、前記容量の他端の電圧を基準電圧に固定する、
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の照度センサ。
【請求項５】
前記光電圧が飽和電圧に達したことを検出し、照度センサの出力電圧を固定する制御回路、
をさらに備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の照度センサ。
【請求項６】
前記制御回路は、
インバータで構成される電圧検出回路と、
ゲートが前記電圧検出回路の出力端子に接続され、ソースが電源端子に接続される、オープンドレイン型のＰＭＯＳトランジスタと、
を備えることを特徴とする請求項５記載の照度センサ。
【請求項７】
前記制御回路は、
コンパレータで構成される電圧検出回路と、
ゲートが前記電圧検出回路の出力端子に接続され、ソースが電源端子に接続される、オープンドレイン型のＰＭＯＳトランジスタと、
を備えることを特徴とする請求項５記載の照度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電圧出力型の照度センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の照度センサについて説明する。図５は、従来の照度センサを示す回路図である。
入射光に基づき、フォトダイオードＰＤ１及びＰＤ２は光電流Ｉｐｄ１及びＩｐｄ２をそれぞれ流す。ＮＰＮバイポーラトランジスタ５１及び５２のカレントミラー回路によって増幅された光電流Ｉｐｄ１と光電流Ｉｐｄ２との差分電流は、ＰＮＰバイポーラトランジスタ５３のコレクタから引き出される。この差分電流は、ＰＮＰバイポーラトランジスタ５３及び５４のカレントミラー回路により、増幅され、ＰＮＰバイポーラトランジスタ５４に入射光の照度の高さを示す出力電流Ｉｏｕｔとして流れる。出力電流Ｉｏｕｔは、抵抗（図示せず）によって電圧に変換される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１４８０１４号公報（図４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の技術では、入射光の照度が高くなると、その分、光電流Ｉｐｄ１及びＩｐｄ２がそれぞれ多くなることにより、出力電流Ｉｏｕｔも多くなってしまう。よって、照度センサの消費電流が多くなってしまう。つまり、照度センサの消費電流が、入射光の照度の高さに依存してしまう。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされ、消費電流が入射光の照度の高さに依存しない照度センサを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するため、電圧出力型の照度センサにおいて、入射光に基づく光電流を流すことにより、光電圧を出力する第一光検出素子と、第二光検出素子と、定電流源で駆動され、前記第一光検出素子と前記第二光検出素子との出力電圧の差分電圧を出力する減算回路と、一端は前記減算回路の出力端子に設けられ、他端はサンプルホールド回路の入力端子に設けられる容量と、基準電圧を供給されるノードと前記容量の他端との間に設けられるスイッチと、前記差分電圧に基づく前記容量の他端の電圧のサンプルまたはホールドを行う前記サンプルホールド回路と、を備えることを特徴とする照度センサを提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明では、照度センサの消費電流は、減算回路の定電流源が流す電流にほぼ依存するので、入射光の照度の高さにほとんど依存しなくなる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態の照度センサを示す回路図である。
【図２】第１の実施形態の照度センサの各電圧を示すタイムチャートである。
【図３】第２の実施形態の照度センサを示す回路図である。
【図４】第２の実施形態の照度センサの各電圧を示すタイムチャートである。
【図５】従来の照度センサを示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
＜第一実施形態＞
図１は、第１の実施形態の照度センサを示す回路図である。
照度センサは、容量１１〜１３、光検出素子１５及び１６、アンプ２１〜２４、減算回路２５、スイッチ２６〜２８、サンプルホールド回路３０、発振回路３１及び論理回路３２を備える。また、照度センサは、リセット端子、制御端子、出力端子、及び、基準電圧入力端子を備える。サンプルホールド回路３０は、スイッチ２９、及び、容量１４を備える。また、サンプルホールド回路３０は、入力端子、及び、出力端子を備える。
【００１０】
スイッチ２６は、照度センサのリセット端子とアンプ２１の入力端子との間に設けられる。容量１１は、スイッチ２６の一端とアンプ２１の入力端子との接続点と、接地端子と、の間に設けられる。光検出素子１５は、スイッチ２６の一端とアンプ２１の入力端子との接続点と、接地端子と、の間に設けられる。スイッチ２７は、照度センサのリセット端子とアンプ２２の入力端子との間に設けられる。容量１２は、スイッチ２７の一端とアンプ２２の入力端子との接続点と、接地端子と、の間に設けられる。光検出素子１６は、スイッチ２７の一端とアンプ２２の入力端子との接続点と、接地端子と、の間に設けられる。
【００１１】
減算回路２５の非反転入力端子は、アンプ２２の出力端子に接続され、反転入力端子は、アンプ２１の出力端子に接続され、基準電圧入力端子は、照度センサの基準電圧入力端子に接続され、出力端子は、容量１３の一端に接続される。
【００１２】
スイッチ２８は、容量１３の他端とアンプ２３の入力端子との接続点と、照度センサの基準電圧入力端子と、の間に設けられる。スイッチ２９は、アンプ２３の出力端子とアンプ２４の入力端子との間に設けられる。容量１４は、スイッチ２９の一端とアンプ２４の入力端子との接続点と、接地端子と、の間に設けられる。アンプ２４の出力端子は、照度センサの出力端子に接続される。
【００１３】
論理回路３２の入力端子は、発振回路３１の出力端子に接続され、制御端子は、照度センサの制御端子に接続され、第一出力端子の信号ΦＲは、スイッチ２６及び２７を制御し、第二出力端子の信号ΦＣＬは、スイッチ２８を制御し、第三出力端子の信号ΦＳＨは、スイッチ２９を制御する。
【００１４】
ここで、アンプ２１の入力端子の電圧は光電圧Ｖ１であるとする。アンプ２２の入力端子の電圧は出力電圧Ｖ２であるとする。減算回路２５の出力端子の電圧は電圧Ｖ３であるとする。アンプ２３の入力端子の電圧は電圧Ｖ４であるとする。アンプ２４の入力端子の電圧は電圧Ｖ５であるとする。照度センサのリセット端子の電圧はリセット電圧Ｖｒｓｔであり、制御端子の電圧は電圧Ｖｃｌであり、出力端子の電圧は出力電圧Ｖｏｕｔであり、基準電圧入力端子の電圧は基準電圧Ｖｒｅｆであるとする。
【００１５】
光検出素子１５及び１６は、人間の視感度に基づく波長の入射光を検出できるような同一の深さのＰＮ接合により、それぞれ構成される。また、光検出素子１５及び１６は、フォトダイオードやフォトトランジスタで構成される。
【００１６】
光検出素子１５は、人間の視感度に基づく波長の入射光だけを通過させるＩＲ／ＵＶカットフィルタ（図示せず）を有し、入射光に基づく光電流を流すことにより、光電圧Ｖ１を出力する。また、光検出素子１６は、遮光フィルタ（図示せず）を有し、光電流を流さない。
【００１７】
光検出素子１５及び１６は、リーク電流をそれぞれ流す。また、光検出素子１５及び１６は、照度センサを構成するＩＣの側面への赤外線などをそれぞれ誤検出することにより、意図されない電流をそれぞれ流してしまうことがある。ここで、光検出素子１５及び１６は、同一の製造プロセスでそれぞれ形成され、且つ、同一の形状でそれぞれ形成されるので、光検出素子１５及び１６が流すリーク電流は、略同一であり、光検出素子１５及び１６が流す意図されない電流も、略同一である。
【００１８】
アンプ２１〜２４及び減算回路２５は、定電流源（図示せず）でそれぞれ駆動される。減算回路２５は、光検出素子１５と光検出素子１６との出力電圧の差分電圧を出力する。サンプルホールド回路３０は、その差分電圧に基づく容量１３の他端の電圧のサンプルまたはホールドを行う。スイッチ２８は、減算回路２５の出力電圧が変化し始めている状態では、オンすることにより、容量１３の他端の電圧を基準電圧に固定する。
【００１９】
次に、照度センサの動作について説明する。図２は、第１の実施形態の照度センサの各電圧を示すタイムチャートである。ここで、説明の便宜上、アンプ２１〜２４及び減算回路２５の増幅率は１倍であるとする。
【００２０】
時間ｔ＝ｔ１において、論理回路３２は、信号ΦＳＨがローレベルになるよう動作する。すると、スイッチ２９はオフし、電圧Ｖ５及び出力電圧Ｖｏｕｔは変化しない。つまり、信号ΦＳＨがローレベルである時、電圧Ｖ５及び出力電圧Ｖｏｕｔはホールドされている。
【００２１】
論理回路３２は、信号ΦＲがハイレベルになるよう動作する。すると、スイッチ２６及び２７がそれぞれオンする。この時、光電圧Ｖ１は、スイッチ２６のオン抵抗及び容量１１に基づき、リセット電圧Ｖｒｓｔに向かって高くなり始める。また、出力電圧Ｖ２も、スイッチ２７のオン抵抗及び容量１２に基づき、リセット電圧Ｖｒｓｔに向かって高くなり始める。ここで、電圧Ｖ３は、減算回路２５によって出力電圧Ｖ２から光電圧Ｖ１が減算された電圧であり、基準電圧Ｖｒｅｆに向かって低くなり始める。
【００２２】
論理回路３２は、信号ΦＣＬがハイレベルになるよう動作する。すると、スイッチ２８がオンする。電圧Ｖ４は、スイッチ２８のオン抵抗及び容量１３に基づき、基準電圧Ｖｒｅｆに向かって低くなり始める。
【００２３】
時間ｔ１＜ｔ＜ｔ２（光検出のリセット期間）において、論理回路３２は、ローレベルの信号ΦＳＨが維持されるよう動作する。よって、電圧Ｖ５及び出力電圧Ｖｏｕｔは変化しないままである。つまり、信号ΦＳＨがローレベルである時、電圧Ｖ５及び出力電圧Ｖｏｕｔはホールドされている。
【００２４】
論理回路３２は、ハイレベルの信号ΦＲが維持されるよう動作する。よって、ハイレベルの信号ΦＲが維持されることにより、光電圧Ｖ１及び出力電圧Ｖ２は十分にリセット電圧Ｖｒｓｔになることができる。また、電圧Ｖ３も十分に基準電圧Ｖｒｅｆになることができる。
【００２５】
論理回路３２は、ハイレベルの信号ΦＣＬが維持されるよう動作する。よって、ハイレベルの信号ΦＣＬが維持されることにより、電圧Ｖ４は十分に基準電圧Ｖｒｅｆになることができる。
【００２６】
時間ｔ＝ｔ２において、論理回路３２は、ローレベルの信号ΦＳＨが維持されるよう動作する。よって、電圧Ｖ５及び出力電圧Ｖｏｕｔは変化しないままである。つまり、信号ΦＳＨがローレベルである時、電圧Ｖ５及び出力電圧Ｖｏｕｔはホールドされている。
【００２７】
論理回路３２は、信号ΦＲがローレベルになるよう動作する。すると、スイッチ２６及び２７がそれぞれオフする。この時、光電圧Ｖ１は、入射光に基づく光電流とリーク電流と意図されない電流と容量１１とに基づき、リセット電圧Ｖｒｓｔから低くなり始める。また、出力電圧Ｖ２も、リーク電流と意図されない電流と容量１２とに基づき、リセット電圧Ｖｒｓｔから低くなり始める。また、電圧Ｖ３は、減算回路２５によって出力電圧Ｖ２から光電圧Ｖ１が減算された電圧であるので、高くなり始める。
【００２８】
ここで、光検出素子１５及び１６が流すリーク電流は略同一であり、光検出素子１５及び１６が流す意図されない電流も略同一であるので、これらの電流による光電圧Ｖ１及び出力電圧Ｖ２の電圧降下は略同一である。減算回路２５は出力電圧Ｖ２から光電圧Ｖ１を減算して電圧Ｖ３を出力するので、電圧Ｖ３において前述の電圧降下は相殺され、リーク電流及び意図されない電流による電圧Ｖ３への影響はほとんど無い。つまり、電圧Ｖ３は、光電流だけに基づいた電圧になる。
【００２９】
論理回路３２は、ハイレベルの信号ΦＣＬが維持されるよう動作する。よって、電圧Ｖ４は基準電圧Ｖｒｅｆであるままである。
【００３０】
時間ｔ２＜ｔ＜ｔ３（光検出による電荷の蓄積の待機期間）において、論理回路３２は、ハイレベルの信号ΦＣＬが維持されるよう動作する。よって、電圧Ｖ４は基準電圧Ｖｒｅｆであるままである。
【００３１】
この期間では、入射光に基づく光電流に基づき、減算回路２５の出力電圧である電圧Ｖ３は高くなっていく。しかし、電圧Ｖ３は高くなり始めている状態であり、減算回路２５の挙動が不安定であるので、電圧Ｖ４が基準電圧Ｖｒｅｆに固定されることにより、この期間の電圧Ｖ３はモニタされない。
【００３２】
時間ｔ＝ｔ３において、論理回路３２は、ローレベルの信号ΦＳＨが維持されるよう動作する。よって、電圧Ｖ５及び出力電圧Ｖｏｕｔは変化しないままである。つまり、信号ΦＳＨがローレベルである時、電圧Ｖ５及び出力電圧Ｖｏｕｔはホールドされている。
【００３３】
論理回路３２は、ローレベルの信号ΦＲが維持されるよう動作する。よって、光電圧Ｖ１及び出力電圧Ｖ２は低くなっている。また、電圧Ｖ３は高くなっている。
【００３４】
論理回路３２は、信号ΦＣＬがローレベルになるよう動作する。すると、スイッチ２８がオフする。電圧Ｖ４は、電圧Ｖ３及び容量１３に基づき、基準電圧Ｖｒｅｆから高くなり始める。
【００３５】
時間ｔ３＜ｔ＜ｔ４（光検出による電荷の蓄積の期間）において、論理回路３２は、ローレベルの信号ΦＣＬが維持されるよう動作する。よって、電圧Ｖ４は高くなっている。
【００３６】
この期間では、入射光に基づく光電流に基づき、減算回路２５の出力電圧である電圧Ｖ３は高くなっている。電圧Ｖ３が高くなり始めてから所定時間（時間ｔ２から時間ｔ３までの時間）が経過したことにより、減算回路２５の挙動が安定するので、光電流に基づく電圧Ｖ４の精度が高い。
【００３７】
時間ｔ４≦ｔ＜ｔ５（光検出による電荷の蓄積の期間）において、論理回路３２は、信号ΦＳＨがハイレベルになるよう動作する。すると、スイッチ２９はオンし、アンプ２３は電圧Ｖ４を増幅して出力電圧を出力していて、その出力電圧を電圧Ｖ５として容量１４がサンプルする。アンプ２４は電圧Ｖ５を増幅して出力電圧Ｖｏｕｔを出力する。
【００３８】
ここで、制御端子の電圧Ｖｃｌにより、信号ΦＳＨのタイミングが制御される。信号ΦＳＨがハイレベルになるタイミングが遅くなると、その分、電荷蓄積期間が長くなるので、照度センサの感度が高くなる。
【００３９】
なお、容量１１及び１２の容量値がそれぞれ小さいと、その分、光電圧Ｖ１及び出力電圧Ｖ２はそれぞれ変化しやすくなるので、照度センサの感度が高くなる。
【００４０】
時間ｔ＝ｔ５において、論理回路３２は、信号ΦＳＨがローレベルになるよう動作する。すると、スイッチ２９はオフし、電圧Ｖ５及び出力電圧Ｖｏｕｔは電圧Ｖ４に基づいて固定される。つまり、信号ΦＳＨがローレベルである時、電圧Ｖ５及び出力電圧Ｖｏｕｔはホールドされる。この時の出力電圧Ｖｏｕｔは、人間の視感度に基づく波長の入射光に基づく光電流に基づくので、人間の視感度に基づく分光感度特性を有する。
【００４１】
このようにすると、照度センサの消費電流は、アンプ２１〜２４及び減算回路２５の定電流源が流す電流にほぼ依存するので、入射光の照度の高さにほとんど依存しなくなる。
【００４２】
また、光検出素子１５の光電流は、電源端子からでなくて容量１１の一端から接地端子に流れるので、照度センサの消費電流に寄与しない。よって、照度センサの消費電流は、入射光の照度の高さに依存しなくなる。
【００４３】
また、照度センサは出力電圧Ｖｏｕｔを出力するので、照度センサの出力端子に電流電圧変換用の抵抗が不要になる。
なお、図示しないが、アンプ２１〜２４は、ソースフォロアでも良い。
【００４４】
また、図示しないが、リセット電圧Ｖｒｓｔから基準電圧Ｖｒｅｆを生成する回路が追加されることにより、照度センサの基準電圧入力端子が削除されても良い。また、図示しないが、基準電圧Ｖｒｅｆからリセット電圧Ｖｒｓｔを生成する回路が追加されることにより、照度センサのリセット端子が削除されても良い。
【００４５】
また、光検出素子１５及び１６は同一の深さのＰＮ接合によってそれぞれ構成され、減算回路２５がこれらの光検出素子１５及び１６の出力電圧の差分電圧を算出することにより、光検出素子１５及び１６に流れるリーク電流が相殺され、光検出素子１５及び１６に流れる意図されない電流も相殺される。しかし、光検出素子１５及び１６は異なる深さのＰＮ接合によってそれぞれ構成されても良い。この時、光検出素子１５及び１６が各種入射光をそれぞれ検出して出力電圧を出力し、減算回路２５がこれらの光検出素子１５及び１６の出力電圧の差分電圧を算出することにより、人間の視感度に基づく波長の入射光が検出される。
【００４６】
＜第二実施形態＞
図３は、第２の実施形態の照度センサを示す回路図である。
照度センサは、第一実施形態と比較されると、制御回路４０を追加される。制御回路４０は、電圧検出回路４１、及び、ＰＭＯＳトランジスタ４２を備える。
【００４７】
制御回路４０の入力端子は、スイッチ２６の一端とアンプ２１の入力端子との接続点に接続され、出力端子は、容量１３の他端とアンプ２３の入力端子との接続点に接続される。電圧検出回路４１の入力端子は、制御回路４０の入力端子に接続される。ＰＭＯＳトランジスタ４２のゲートは、電圧検出回路４１の出力端子に接続され、ソースは、電源端子に接続され、ドレインは、制御回路４０の出力端子に接続される。
ここで、アンプ２３の入力端子の電圧は電圧Ｖ４Ａであるとする。
【００４８】
電圧検出回路４１は、光電圧Ｖ１の飽和電圧を反転閾値電圧とするインバータ（図示せず）や光電圧Ｖ１の飽和電圧を基準電圧とするコンパレータ（図示せず）で構成される。ＰＭＯＳトランジスタ４２は、オープンドレイン型である。制御回路４０は、光電圧Ｖ１が飽和電圧に達したことを検出し、照度センサの出力電圧Ｖｏｕｔを固定する。
【００４９】
次に、照度センサの動作について説明する。図４は、第２の実施形態の照度センサの各電圧を示すタイムチャートである。
ここで、光検出素子１５は、所定値よりも照度の高い入射光を入射され、光電圧Ｖ１は、電荷蓄積期間中に飽和してしまうとする。
【００５０】
時間ｔ３＜ｔ＜ｔａにおいて、光電圧Ｖ１は、入射光に基づく光電流とリーク電流と意図されない電流と容量１１とに基づき、急激に低くなっている。また、出力電圧Ｖ２も、リーク電流と意図されない電流と容量１２とに基づき、低くなっている。また、電圧Ｖ３は、減算回路２５によって出力電圧Ｖ２から光電圧Ｖ１が減算された電圧であるので、急激に高くなっている。また、電圧Ｖ４Ａは、電圧Ｖ３及び容量１３に基づき、急激に高くなっている。
【００５１】
時間ｔ＝ｔａにおいて、光電圧Ｖ１は、急激に低くなり、飽和電圧に達する。電圧検出回路４１は、光電圧Ｖ１を監視していて、光電圧Ｖ１が飽和電圧に達したことを検出し、ローレベルの信号をＰＭＯＳトランジスタ４２のゲートに出力する。すると、ＰＭＯＳトランジスタ４２はオンし、電圧Ｖ４Ａは強制的に電源電圧ＶＤＤに固定される。よって、アンプ２３の出力電圧と電圧Ｖ５と出力電圧Ｖｏｕｔとも、固定される。
【００５２】
ここで、所定値よりも照度の高い入射光により、光電圧Ｖ１が飽和電圧に達して一定になると、出力電圧Ｖ２は低くなっているので、電圧Ｖ３（Ｖ３＝Ｖ２−Ｖ１）は低くなり始めてしまう。すると、電圧検出回路４１及びＰＭＯＳトランジスタ４２を備える制御回路４０が存在しない第一実施形態の場合、電圧Ｖ３に基づき、電圧Ｖ４も低くなり始めてしまう。つまり、入射光の照度の高さに応じ、電圧Ｖ４は高くなって飽和レベルになるべきであるが、第一実施形態の場合、入射光の照度が所定値よりも高いと、電圧Ｖ４は飽和レベルから低くなってしまう。よって、照度センサは、出力電圧Ｖｏｕｔの飽和レベルを維持できなくなってしまう。ここで、第二実施形態の場合、入射光の照度が所定値よりも高いと、電圧Ｖ４Ａは強制的に電源電圧ＶＤＤに固定される。よって、照度センサは、出力電圧Ｖｏｕｔの飽和レベルを維持できる。つまり、所定値よりも照度の高い入射光は、照度センサの検出可能な範囲での最高の照度を持つ入射光として検出される。
【００５３】
このようにすると、入射光の照度が所定値よりも高くても、照度センサは入射光を誤って検出しなくなる。
【００５４】
なお、電圧検出回路４１は、図３では、アンプ２１の入力端子を監視しているが、図示しないが、アンプ２１の出力端子を監視しても良い。この時、電圧検出回路４１は、アンプ２１の出力電圧を監視し、アンプ２１の出力電圧が所定電圧よりも低くなったことを検出することにより、光電圧Ｖ１が飽和電圧に達したことを検出する。また、図示しないが、減算回路２５の出力端子を監視しても良い。この時、電圧検出回路４１は、減算回路２５の出力電圧である電圧Ｖ３を監視し、電圧Ｖ３が所定電圧よりも高くなったことを検出することにより、光電圧Ｖ１が飽和電圧に達したことを検出する。
【００５５】
また、電圧検出回路４１は、図３では、電圧Ｖ４Ａを強制的に電源電圧ＶＤＤに固定するが、図示しないが、アンプ２３の出力電圧と電圧Ｖ５と出力電圧Ｖｏｕｔとのいずれかの電圧を電源電圧ＶＤＤに固定しても良い。
【符号の説明】
【００５６】
１１〜１４  容量
１５〜１６  光検出素子
２１〜２４  アンプ
２５  減算回路
２６〜２９  スイッチ
３０  サンプルホールド回路
３１  発振回路
３２  論理回路
【図１】
2011228590.tif 000003
【図２】
2011228590.tif 000004
【図３】
2011228590.tif 000005
【図４】
2011228590.tif 000006
【図５】
2011228590.tif 000007