(57)【要約】【課題】量産性が高く、かつ高温環境下における被検査装置の特性検査に好適な接続装置を提供する。【解決手段】  本発明に係る接続装置は、被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、支持板１０と、支持板１０上に固定され、互いに離間している第１及び第２の高さ調節ブロック２０と、第１の高さ調節ブロック２０上に固定され、第１の貫通孔３６を有する第１のコンタクトベース部材３０と、第２の高さ調節ブロック２０上に固定され、第２の貫通孔３６を有する第２のコンタクトベース部材３０と、第１の貫通孔３６に挿通されることにより位置決めされた第１の接触子３６ａと、第２の貫通孔３６に挿通されることにより位置決めされた第２の接触子３６ａとを具備する。【選択図】図１
2011117970.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、
支持板と、
前記支持板上に固定され、互いに離間している第１及び第２の高さ調節ブロックと、
前記第１の高さ調節ブロック上に固定され、第１の貫通孔を有する第１のコンタクトベース部材と、
前記第２の高さ調節ブロック上に固定され、第２の貫通孔を有する第２のコンタクトベース部材と、
前記第１の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第１の接触子と、
前記第２の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第２の接触子と、
前記支持板の上面に、該上面を覆うために設けられ、該支持板より熱膨張率が低い第１の低熱膨張率部材と、
を具備する接続装置。
【請求項２】
被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、
支持板と、
前記支持板上に固定され、互いに離間している第１及び第２の高さ調節ブロックと、
前記第１の高さ調節ブロック上に固定され、第１の貫通孔を有する第１のコンタクトベース部材と、
前記第２の高さ調節ブロック上に固定され、第２の貫通孔を有する第２のコンタクトベース部材と、
前記第１の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第１の接触子と、
前記第２の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第２の接触子と、
前記第１及び第２の高さ調節ブロックの上面に支持されることにより、前記支持板の上方に、該支持板を覆うように位置し、前記支持板より熱膨張率が低い第２の低熱膨張率部材と、
を具備する接続装置。
【請求項３】
被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、
支持板と、
前記支持板上に固定され、互いに離間している第１乃至第３の高さ調節ブロックと、
前記第１及び第２の高さ調節ブロックに跨る位置に配置され、該第１及び第２の高さ調節ブロックそれぞれ上に固定された第１のコンタクトベース部材と、
前記第２及び第３の高さ調節ブロックに跨る位置に配置され、該第２及び第３の高さ調節ブロックそれぞれ上に固定された第２のコンタクトベース部材と、
前記第１のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロックそれぞれと干渉しない位置に配置された第１及び第２の貫通孔と、
前記第２のコンタクトベース部材に設けられ、前記第２及び第３の高さ調節ブロックそれぞれと干渉しない位置に配置された第３及び第４の貫通孔と、
前記第１の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第１の接触子と、
前記第２の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第２の接触子と、
前記第３の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第３の接触子と、
前記第４の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第４の接触子と、
を具備する接続装置。
【請求項４】
前記第１の接触子は、第１の被検査装置の第１の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、
前記第２の接触子は、前記第１の被検査装置の第１の辺と対向する第２の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、
前記第３の接触子は、前記第１の被検査装置の隣に位置する第２の被検査装置の一辺である第３の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、
前記第４の接触子は、前記第２の被検査装置の前記第３の辺と対向する第４の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続する請求項３に記載の接続装置。
【請求項５】
被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、
支持板と、
前記支持板上に固定され、互いに離間している第１及び第２の高さ調節ブロックと、
前記第１の高さ調節ブロックに固定された第１のコンタクトベース部材と、
前記第２の高さ調節ブロックに固定された第２のコンタクトベース部材と、
前記第１のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１の高さ調節ブロックを挟んで前記第２の高さ調節ブロックの反対側に配置された第１の貫通孔と、
前記第１のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロック相互間側に配置された第２の貫通孔と、
前記第１のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロック相互間側に配置され、前記第２の貫通孔より前記第２の高さ調節ブロックの近くに位置する第３の貫通孔と、
前記第２のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロック相互間側に位置する第４の貫通孔と、
前記第２のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロック相互間側に位置し、前記第４の貫通孔より前記第２の高さ調節ブロックの近くに位置する第５の貫通孔と、
前記第２のコンタクトベース部材に設けられ、前記第２の高さ調節ブロックを挟んで前記第１の高さ調節ブロックの反対側に配置された第６の貫通孔と、
前記第１乃至第６の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第１乃至第６の接触子と、
を具備する接続装置。
【請求項６】
前記第１の接触子は、第１の被検査装置の第１の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、
前記第２の接触子は、前記第１の被検査装置の前記第１の辺と対向する第２の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、
前記第３の接触子は、前記第１の被検査装置の隣に位置する第２の被検査装置の一辺である第３の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、
前記第４の接触子は、前記第２の被検査装置の前記第３の辺と対向する第４の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、
前記第５の接触子は、前記第２の被検査装置の隣に位置する第３の被検査装置の一辺である第５の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、
前記第６の接触子は、前記第３の被検査装置の前記第５の辺と対向する第６の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続する、請求項５に記載の接続装置。
【請求項７】
前記第１及び第２のコンタクトベース部材は、エンジニアリングプラスチック、シリコン樹脂、エラストマ、又はガラスにより形成されている請求項１〜６のいずれか一項に記載の接続装置。
【請求項８】
前記第１及び第２のコンタクトベース部材は、それぞれ、該コンタクトベース部材の向きを示すマークを有する請求項１〜７のいずれか一項に記載の接続装置。
【請求項９】
被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、
支持板と、
前記支持板上に固定され、互いに離間した第１及び第２の高さ調節ブロックと、
前記第１の高さ調節ブロックの上面に固定された第１及び第２のコンタクトベース部材と、
前記第２の高さ調節ブロックの上面に固定された第３及び第４のコンタクトベース部材と、
前記第１乃至第４のコンタクトベース部材それぞれに設けられた貫通孔と、
前記貫通孔それぞれに挿通されることにより位置決めされた接触子と、
を具備する接続装置。
【請求項１０】
接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程を具備する被検査装置の検査方法であって、
前記接続装置は、
支持板と、
前記支持板上に固定され、互いに離間している第１乃至第３の高さ調節ブロックと、
前記第１及び第２の高さ調節ブロックに跨る位置に配置され、該第１及び第２の高さ調節ブロックそれぞれ上に固定された第１のコンタクトベース部材と、
前記第２及び第３の高さ調節ブロックに跨る位置に配置され、該第２及び第３の高さ調節ブロックそれぞれ上に固定された第２のコンタクトベース部材と、
前記第１のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロックそれぞれと干渉しない位置に配置された第１及び第２の貫通孔と、
前記第２のコンタクトベース部材に設けられ、前記第２及び第３の高さ調節ブロックそれぞれと干渉しない位置に配置された第３及び第４の貫通孔と、
前記第１の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第１の接触子と、
前記第２の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第２の接触子と、
前記第３の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第３の接触子と、
前記第４の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第４の接触子と、
を具備し、
前記接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程は、前記第１及び第２の接触子を第１の被検査装置に接触させ、前記第３及び第４の接触子を、前記第１の被検査装置の隣に位置する第２の被検査装置に接触させる工程である被検査装置の検査方法。
【請求項１１】
接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程を具備する被検査装置の検査方法であって、
前記接続装置は、
支持板と、
前記支持板上に固定され、互いに離間している第１及び第２の高さ調節ブロックと、
前記第１の高さ調節ブロックに固定された第１のコンタクトベース部材と、
前記第２の高さ調節ブロックに固定された第２のコンタクトベース部材と、
前記第１のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１の高さ調節ブロックを挟んで前記第２の高さ調節ブロックの反対側に配置された第１の貫通孔と、
前記第１のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロック相互間側に配置された第２の貫通孔と、
前記第１のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロック相互間側に配置され、前記第２の貫通孔より前記第２の高さ調節ブロックの近くに位置する第３の貫通孔と、
前記第２のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロック相互間側に位置する第４の貫通孔と、
前記第２のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロック相互間側に位置し、前記第４の貫通孔より前記第２の高さ調節ブロックの近くに位置する第５の貫通孔と、
前記第２のコンタクトベース部材に設けられ、前記第２の高さ調節ブロックを挟んで前記第１の高さ調節ブロックの反対側に配置された第６の貫通孔と、
前記第１乃至第６の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第１乃至第６の接触子と、
を具備し、
前記接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程は、
前記第１の接触子を、第１の被検査装置の第１の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第２の接触子を、前記第１の被検査装置の前記第１の辺と対向する第２の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、
前記第３の接触子を、前記第１の被検査装置の隣に位置する第２の被検査装置の一辺である第３の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第４の接触子を、前記第２の被検査装置の前記第３の辺と対向する第４の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、
前記第５の接触子を、前記第２の被検査装置に隣に位置する第３の被検査装置の一辺である第５の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第６の接触子を、前記第３の被検査装置の前記第５の辺と対向する第６の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続する工程である、被検査装置の検査方法。
【請求項１２】
接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程を具備する被検査装置の検査方法であって、
前記接続装置は、
支持板と、
前記支持板上に固定され、互いに離間した第１及び第２の高さ調節ブロックと、
前記第１の高さ調節ブロックの上面に固定された第１及び第２のコンタクトベース部材と、
前記第２の高さ調節ブロックの上面に固定された第３及び第４のコンタクトベース部材と、
前記第１乃至第４のコンタクトベース部材それぞれに設けられた貫通孔と、
前記貫通孔それぞれに挿通されることにより位置決めされた接触子と、
を具備し、
前記接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程は、前記第１のコンタクトベースの前記貫通孔によって位置決めされた前記接触子を第１の被検査装置に接触させ、前記第２のコンタクトベースの前記貫通孔によって位置決めされた前記接触子を第２の被検査装置に接触させ、前記第３のコンタクトベースの前記貫通孔によって位置決めされた前記接触子を第３の被検査装置に接触させ、前記第４のコンタクトベースの前記貫通孔によって位置決めされた前記接触子を第４の被検査装置に接触させる工程である被検査装置の検査方法。
【請求項１３】
前記被検査装置の検査を行う工程において、前記被検査装置は加熱されている請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の被検査装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置、及び被検査装置の検査方法に関する。特に本発明は、量産性が高く、かつ高温環境下における被検査装置の特性検査に好適な接続装置及び被検査装置の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１３は、従来の半導体チップの検査に用いられる接続装置の構成を説明する為の概略図である。この接続装置は、プローブカード１００を有している。プローブカード１００は、板状のコンタクトベース部材１０１及び複数のプローブ針１０２を有している。板状のコンタクトベース部材１０１は、例えば半導体基板（例えばシリコン基板）に近い熱膨張率を有する材料（例えばセラミックス）により形成される。複数のプローブ針１０２は、板状のコンタクトベース部材１０１に設けられた貫通孔１０１ａに挿通され、位置決めされている。これにより、複数のプローブ針１０２は、それぞれの半導体チップが有する外部接続端子（例えばパッド）に精度よく接触することができる。
【０００３】
プローブカード１００は、電子回路が形成されたマザーボード（図示せず）上に固定される。マザーボードが有する電子回路は、プローブカード１００のプローブ針１０２を介して半導体チップと接続し、この半導体チップとの間で信号の送受信を行う。
【０００４】
半導体チップの検査に必要な費用及び時間を削減するためには、同時に複数の半導体チップの検査を行うのが望ましい。プローブカード１００は、一つの半導体チップに対応するエリア１０１ｂを複数マトリックス状に配置して整列した構造を有している。このため、プローブカード１００を用いると、同時に複数の半導体チップを検査することができる。これに類似する技術が、下記特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２７４２５２号公報（図１７及び第４段落）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体チップ等の被検査装置の検査を高温雰囲気下で行う場合、プローブカードが複数の被検査装置を同時に検査するようにすると、１枚のコンタクトベース部材が大型化する。このため、コンタクトベース部材がエンジニアリングプラスチックにより形成されている場合、コンタクトベース部材と被検査装置の基板の間の熱膨張差により、接触子（例えばプローブ針）と被検査装置の外部接続端子との間に位置ずれが生じることがある。これを防止するために、上記した従来例では、コンタクトベース部材を、被検査装置の基板（例えばシリコン）と略同一の熱膨張率を有する材料（例えばセラミックス）で形成していた。しかし、このような材料は、エンジニアリングプラスチックと比較して、市場への供給量が少ない、加工に時間がかかる、加工コストが高い、という問題があった。このため、接続装置の量産性及び安定供給に課題があった。
【０００７】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、量産性が高く、かつ高温環境下における被検査装置の特性検査に好適な接続装置及び被検査装置の検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明に係る接続装置は、被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、
支持板と、
前記支持板上に固定され、互いに離間している第１及び第２の高さ調節ブロックと、
前記第１の高さ調節ブロック上に固定され、第１の貫通孔を有する第１のコンタクトベース部材と、
前記第２の高さ調節ブロック上に固定され、第２の貫通孔を有する第２のコンタクトベース部材と、
前記第１の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第１の接触子と、
前記第２の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第２の接触子と、
を具備する。
【０００９】
この接続装置によれば、コンタクトベース部材は分割されている。従って、従来と比べてコンタクトベース部材一つあたりの体積が小さくなり、コンタクトベース部材一つあたりの熱膨張量が少なくなる。また、高さ調節ブロックも分割されているため、高さ調節ブロック一つあたりの熱膨張量も少なくなる。従って、従来と比べて、熱膨張に起因した接触子の位置ずれ量が小さくなる。
【００１０】
このため、コンタクトベース部材の材質として、エンジニアリングプラスチック、シリコン樹脂、エラストマ、又はガラスを用いることができる。これにより、量産性が高く、かつ高温環境下における被検査装置の特性検査に好適な接続装置を提供することができる。
【００１１】
前記第１の接触子は、例えば第１の被検査装置に接続し、前記第２の接触子は、例えば第２の被検査装置に接続する。
【００１２】
前記第１及び第２の高さ調節ブロックは、それぞれ上面が、前記第１及び第２のコンタクトベース部材より小さく、前記第１及び第２の貫通孔は、前記第１及び第２のコンタクトベース部材のうち、下方に前記第１及び第２の高さ調節部材が位置していない部分に配置されており、前記第１及び第２の接触子は、ともに、前記第１及び第２の高さ調節ブロックの外部を介して前記第１及び第２の貫通孔に挿通していてもよい。この場合、前記第１の貫通孔は、前記第１のコンタクトベース部材の縁近傍に位置し、前記第２の貫通孔は、前記第２のコンタクトベース部材の縁近傍に位置するのが好ましい。
【００１３】
前記支持板及び第１のコンタクトベースそれぞれに差し込まれることにより、該第１のコンタクトベースを前記支持板に対して位置決めする第１の位置決めピンと、前記第１のコンタクトベースを前記第１の高さ調節ブロック上に固定する第１のネジ部材と、前記支持板及び第２のコンタクトベースそれぞれに差し込まれることにより、該第２のコンタクトベースを前記支持板に対して位置決めする第２の位置決めピンと、前記第２のコンタクトベースを前記第２の高さ調節ブロック上に固定する第２のネジ部材とを具備してもよい。この場合、前記第１の高さ調節ブロック及び第２の高さ調節ブロックは、それぞれ側面に、前記第１及び第２の位置決めピンとの干渉を防ぐ溝を有しているのが好ましい。また、前記第１及び第２の位置決めピンは、金属製であるのが好ましい。
【００１４】
前記支持板及び前記第１の高さ調節ブロックそれぞれに差し込まれることにより、該第１の高さ調節ブロックを前記支持板に対して位置決めする第３の位置決めピンと、前記第１の高さ調節ブロックを前記支持板上に固定する第３のネジ部材と、前記支持板及び前記第２の高さ調節ブロックそれぞれに差し込まれることにより、該第２の高さ調節ブロックを前記支持板に対して位置決めする第４位置決めピンと、前記第２の高さ調節ブロックを前記支持板上に固定する第４のネジ部材とを具備してもよい。この場合、前記第３及び第４の位置決めピンは、金属製であるのが好ましい。
【００１５】
前記支持板の上面に、該上面を覆うために設けられ、該支持板より熱膨張率が低い第１の低熱膨張率部材を更に具備してもよい。また、前記第１及び第２の高さ調節ブロックの上面に支持されることにより、前記支持板の上方に、該支持板を覆うように位置し、前記支持板より熱膨張率が低い第２の低熱膨張率部材を更に具備してもよい。これらの場合、前記支持板の熱膨張量も少なくなるため、前記支持板の熱膨張に起因した、前記接触子の位置ずれを抑制できる。
【００１６】
本発明に係る他の接続装置は、被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、
支持板と、
前記支持板上に固定され、互いに離間している第１乃至第３の高さ調節ブロックと、
前記第１及び第２の高さ調節ブロックに跨る位置に配置され、該第１及び第２の高さ調節ブロックそれぞれ上に固定された第１のコンタクトベース部材と、
前記第２及び第３の高さ調節ブロックに跨る位置に配置され、該第２及び第３の高さ調節ブロックそれぞれ上に固定された第２のコンタクトベース部材と、
前記第１のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロックそれぞれと干渉しない位置に配置された第１及び第２の貫通孔と、
前記第２のコンタクトベース部材に設けられ、前記第２及び第３の高さ調節ブロックそれぞれと干渉しない位置に配置された第３及び第４の貫通孔と、
前記第１の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第１の接触子と、
前記第２の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第２の接触子と、
前記第３の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第３の接触子と、
前記第４の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第４の接触子とを具備する。
【００１７】
この接続装置においても、コンタクトベース部材及び高さ調節ブロックは分割されているため、従来と比べて、熱膨張に起因した接触子の位置ずれ量が小さくなる。このため、コンタクトベース部材の材質として、エンジニアリングプラスチック、シリコン樹脂、エラストマ、又はガラスを用いることができる。これにより、量産性が高く、かつ高温環境下における被検査装置の特性検査に好適な接続装置を提供することができる。
【００１８】
本接続装置において、前記第１の接触子は、第１の被検査装置の第１の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第２の接触子は、前記第１の被検査装置の第１の辺と対向する第２の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第３の接触子は、前記第１の被検査装置の隣に位置する第２の被検査装置の一辺である第３の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第４の接触子は、前記第２の被検査装置の前記第３の辺と対向する第４の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続する。
【００１９】
本発明に係る他の接続装置は、被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、
支持板と、
前記支持板上に固定され、互いに離間している第１及び第２の高さ調節ブロックと、
前記第１の高さ調節ブロックに固定された第１のコンタクトベース部材と、
前記第２の高さ調節ブロックに固定された第２のコンタクトベース部材と、
前記第１のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１の高さ調節ブロックを挟んで前記第２の高さ調節ブロックの反対側に配置された第１の貫通孔と、
前記第１のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロック相互間側に配置された第２の貫通孔と、
前記第１のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロック相互間側に配置され、前記第２の貫通孔より前記第２の高さ調節ブロックの近くに位置する第３の貫通孔と、
前記第２のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロック相互間側に位置する第４の貫通孔と、
前記第２のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロック相互間側に位置し、前記第４の貫通孔より前記第２の高さ調節ブロックの近くに位置する第５の貫通孔と、
前記第２のコンタクトベース部材に設けられ、前記第２の高さ調節ブロックを挟んで前記第１の高さ調節ブロックの反対側に配置された第６の貫通孔と、
前記第１乃至第６の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第１乃至第６の接触子とを具備する。
【００２０】
この接続装置においても、コンタクトベース部材及び高さ調節ブロックは分割されているため、従来と比べて、熱膨張に起因した接触子の位置ずれ量が小さくなる。このため、コンタクトベース部材の材質として、エンジニアリングプラスチック、シリコン樹脂、エラストマ、又はガラスを用いることができる。これにより、量産性が高く、かつ高温環境下における被検査装置の特性検査に好適な接続装置を提供することができる。
【００２１】
本接続装置において、前記第１の接触子は、第１の被検査装置の第１の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第２の接触子は、前記第１の被検査装置の前記第１の辺と対向する第２の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第３の接触子は、前記第１の被検査装置の隣に位置する第２の被検査装置の一辺である第３の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第４の接触子は、前記第２の被検査装置の前記第３の辺と対向する第４の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第５の接触子は、前記第２の被検査装置の隣に位置する第３の被検査装置の一辺である第５の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第６の接触子は、前記第３の被検査装置の前記第５の辺と対向する第６の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続する。
【００２２】
前記第１及び第２のコンタクトベース部材は、それぞれ、該コンタクトベース部材の向きを示すマークを有するのが好ましい。このようにすると、接続装置を組み立てるとき、前記第１及び第２のコンタクトベース部材の向きを、容易に正しい方向に設定できる。
【００２３】
本発明に係る他の接続装置は、被検査装置に電気的に接続する接触子を有する接続装置であって、
支持板と、
前記支持板上に固定され、互いに離間した第１及び第２の高さ調節ブロックと、
前記第１の高さ調節ブロックの上面に固定された第１及び第２のコンタクトベース部材と、
前記第２の高さ調節ブロックの上面に固定された第３及び第４のコンタクトベース部材と、
前記第１乃至第４のコンタクトベース部材それぞれに設けられた貫通孔と、
前記貫通孔それぞれに挿通されることにより位置決めされた接触子とを具備する。
【００２４】
本発明に係る被検査装置の検査方法は、接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程を具備する被検査装置の検査方法であって、
前記接続装置は、
支持板と、
前記支持板上に固定され、互いに離間している第１及び第２の高さ調節ブロックと、
前記第１の高さ調節ブロック上に固定され、第１の貫通孔を有する第１のコンタクトベース部材と、
前記第２の高さ調節ブロック上に固定され、第２の貫通孔を有する第２のコンタクトベース部材と、
前記第１の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第１の接触子と、
前記第２の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第２の接触子と、
を具備し、
前記接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程は、前記第１の接触子を第１の被検査装置に接触させ、前記第２の接触子を第２の被検査装置に接触させる工程である。
【００２５】
本発明に係る他の被検査装置の検査方法は、接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程を具備する被検査装置の検査方法であって、
前記接続装置は、
支持板と、
前記支持板上に固定され、互いに離間している第１乃至第３の高さ調節ブロックと、
前記第１及び第２の高さ調節ブロックに跨る位置に配置され、該第１及び第２の高さ調節ブロックそれぞれ上に固定された第１のコンタクトベース部材と、
前記第２及び第３の高さ調節ブロックに跨る位置に配置され、該第２及び第３の高さ調節ブロックそれぞれ上に固定された第２のコンタクトベース部材と、
前記第１のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロックそれぞれと干渉しない位置に配置された第１及び第２の貫通孔と、
前記第２のコンタクトベース部材に設けられ、前記第２及び第３の高さ調節ブロックそれぞれと干渉しない位置に配置された第３及び第４の貫通孔と、
前記第１の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第１の接触子と、
前記第２の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第２の接触子と、
前記第３の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第３の接触子と、
前記第４の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第４の接触子と、
を具備し、
前記接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程は、前記第１及び第２の接触子を第１の被検査装置に接触させ、前記第３及び第４の接触子を、前記第１の被検査装置の隣に位置する第２の被検査装置に接触させる工程である。
【００２６】
本発明に係る他の被検査装置の検査方法は、接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程を具備する被検査装置の検査方法であって、
前記接続装置は、
支持板と、
前記支持板上に固定され、互いに離間している第１及び第２の高さ調節ブロックと、
前記第１の高さ調節ブロックに固定された第１のコンタクトベース部材と、
前記第２の高さ調節ブロックに固定された第２のコンタクトベース部材と、
前記第１のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１の高さ調節ブロックを挟んで前記第２の高さ調節ブロックの反対側に配置された第１の貫通孔と、
前記第１のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロック相互間側に配置された第２の貫通孔と、
前記第１のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロック相互間側に配置され、前記第２の貫通孔より前記第２の高さ調節ブロックの近くに位置する第３の貫通孔と、
前記第２のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロック相互間側に位置する第４の貫通孔と、
前記第２のコンタクトベース部材に設けられ、前記第１及び第２の高さ調節ブロック相互間側に位置し、前記第４の貫通孔より前記第２の高さ調節ブロックの近くに位置する第５の貫通孔と、
前記第２のコンタクトベース部材に設けられ、前記第２の高さ調節ブロックを挟んで前記第１の高さ調節ブロックの反対側に配置された第６の貫通孔と、
前記第１乃至第６の貫通孔に挿通されることにより位置決めされた第１乃至第６の接触子と、
を具備し、
前記接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程は、
前記第１の接触子を、第１の被検査装置の第１の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第２の接触子を、前記第１の被検査装置の前記第１の辺と対向する第２の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、
前記第３の接触子を、前記第１の被検査装置の隣に位置する第２の被検査装置の一辺である第３の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第４の接触子を、前記第２の被検査装置の前記第３の辺と対向する第４の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、
前記第５の接触子を、前記第２の被検査装置に隣に位置する第３の被検査装置の一辺である第５の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続し、前記第６の接触子を、前記第３の被検査装置の前記第５の辺と対向する第６の辺近傍に設けられた外部接続端子に接続する工程である。
【００２７】
本発明に係る他の被検査装置の検査方法は、接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程を具備する被検査装置の検査方法であって、
前記接続装置は、
支持板と、
前記支持板上に固定され、互いに離間した第１及び第２の高さ調節ブロックと、
前記第１の高さ調節ブロックの上面に固定された第１及び第２のコンタクトベース部材と、
前記第２の高さ調節ブロックの上面に固定された第３及び第４のコンタクトベース部材と、
前記第１乃至第４のコンタクトベース部材それぞれに設けられた貫通孔と、
前記貫通孔それぞれに挿通されることにより位置決めされた接触子と、
を具備し、
前記接続装置の接触子を被検査装置に接続する工程は、前記第１のコンタクトベースの前記貫通孔によって位置決めされた前記接触子を第１の被検査装置に接触させ、前記第２のコンタクトベースの前記貫通孔によって位置決めされた前記接触子を第２の被検査装置に接触させ、前記第３のコンタクトベースの前記貫通孔によって位置決めされた前記接触子を第３の被検査装置に接触させ、前記第４のコンタクトベースの前記貫通孔によって位置決めされた前記接触子を第４の被検査装置に接触させる工程である。
【００２８】
上記した各被検査装置の検査方法では、前記被検査装置の検査を行う工程において、前記被検査装置は加熱されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】第１の実施形態に係る接続装置の斜視図。
【図２】（Ａ）は、コンタクトベース部材３０に高さ調節ブロック２０及びワイヤープローブ３６ａを組み付けたものを示す斜視図、（Ｂ）は（Ａ）の分解斜視図。
【図３】図１に示した接続装置の平面図。
【図４】（Ａ）は接続装置を図３のＡ方向から見た側面図であり、（Ｂ）は接続装置を図３のＢ方向から見た側面図。
【図５】第２の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の斜視図。
【図６】（Ａ）は第３の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）の接続装置を矢印Ａ方向から見た側面図。
【図７】（Ａ）は第４の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）の接続装置を矢印Ａ方向から見た側面図。
【図８】（Ａ）は第５の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）の接続装置を矢印Ａ方向から見た側面図。
【図９】（Ａ）は第６の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）の接続装置を矢印Ａ方向から見た側面図。
【図１０】第７の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の斜視図
【図１１】第８の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の斜視図。
【図１２】第９の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の斜視図
【図１３】従来の接続装置の構成を説明する為の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る接続装置の斜視図である。この接続装置は、半導体チップの検査に用いられるものであり、電子回路が形成されたマザーボード又はインターフェース基板（以下、マザーボード等と記載：図示せず）上に固定される。本接続装置は、マザーボード等の電子回路と複数の半導体チップとを接続する装置である。複数の半導体チップはダイシング前であり、ウェハ状態にある。
【００３１】
本接続装置は、コンタクトベース部材３０を有している。コンタクトベース部材３０は長方形の板状部材であり、半導体チップ毎に個片化されている。個片化されたコンタクトベース部材３０は半導体チップと略同一形状であり、半導体チップと同様にマトリックス状に配置されている。コンタクトベース部材３０の相互間は、半導体ウェハのダイシングラインの幅に略等しい。
【００３２】
コンタクトベース部材３０は、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、芳香族ポリエステル、ポリエーテルイミド又はポリアミドイミドなど、エンジニアリングプラスチックにより形成されている。コンタクトベース部材３０は、例えば切削加工によって製造されるが、金型を用いた射出成形によって製造されてもよい。エンジニアリングプラスチックは、一般的に半導体ウェハを形成する半導体（例えばシリコン）と比較して、熱膨張率が高いが、入手が容易であり、かつ加工も容易である。
【００３３】
コンタクトベース部材３０は、高さ調節ブロック２０の上面に固定されている。高さ調節ブロック２０は、例えばステンレス、アルミニウム、又はエンジニアリングプラスチックによって形成されており、コンタクトベース部材３０ごとに個片化されている。高さ調節ブロック２０の上面は、コンタクトベース部材３０より小さい。このため、コンタクトベース部材３０は、対向する２つの辺（図中上側の辺及び下側の辺）及びその近傍が、高さ調節ブロック２０の上面から食み出ている。この食み出ている部分には、複数の貫通孔３６が設けられている。
【００３４】
各々の高さ調節ブロック２０の下面は、支持板１０の上面に固定されている。コンタクトベース部材３０は、高さ調節ブロック２０により、支持板１０からの高さが調節されている。
【００３５】
支持板１０は略正方形の板であるが、４つの角それぞれは端面が面取りされている。それぞれの角近傍には、ネジ１２ａを挿通するために上下に貫通した貫通孔１２が設けられている。ネジ１２ａは、支持板１０の上面側から貫通孔１２に挿通され、その後、上記したマザーボード等のネジ孔（図示せず）に螺合する。このようにして、支持板１０はマザーボード等に固定される。
【００３６】
支持板１０には貫通した孔（図示せず）が複数設けられている。この孔からは、複数のワイヤープローブ３６ａが上方に延伸している。各々のワイヤープローブ３６ａは、高さ調節ブロック２０相互間の隙間となる空間を上方に延伸した後、コンタクトベース部材３０の貫通孔３６を挿通している。貫通孔３６を挿通することにより、ワイヤープローブ３６ａは位置決めされている。なお、ワイヤープローブ３６ａは、先端部を除いて絶縁膜で被覆されている。これにより、隣接するワイヤープローブ３６ａ相互間で電気的に干渉することが防止される。
【００３７】
また、コンタクトベース部材３０には、コンタクトベース部材３０の向きを示すマーク３１が設けられている。マーク３１は、例えばコンタクトベース部材３０の角部の一つに位置している。このため、接続装置を組み立てるとき、コンタクトベース部材３０の向きを、容易に正しい方向に設定できる。
【００３８】
この接続装置を用いて半導体チップの検査を行う場合、半導体チップが形成された半導体ウェハ、及び接続装置それぞれは高温雰囲気下に置かれる。その後、接続装置のワイヤープローブ３６ａは、半導体チップのパッドに接続する。半導体ウェハには複数の半導体チップが形成されているが、これら半導体チップには、それぞれ、互いに異なるコンタクトベース部材３０によって位置決めされたワイヤープローブ３６ａが接続する。
【００３９】
半導体ウェハ、コンタクトベース部材３０及び高さ調節ブロック２０は、それぞれ熱膨張する。しかし、コンタクトベース部材３０は半導体チップ毎に個片化されており、一個あたりの体積が小さいため、熱膨張による貫通孔３６の位置ずれ量は、従来と比べて小さい。このため、コンタクトベース部材３０の材料となるエンジニアリングプラスチックの熱膨張率が、半導体ウェハの熱膨張率より高くても、熱膨張に起因した外部接続端子とワイヤープローブ３６ａの位置ずれが抑制される。
【００４０】
例えば検査時の温度が１２５℃、通常の温度が２５℃とすると、温度差ΔＴは１００℃となる。半導体チップの一辺すなわちコンタクトベース部材３０の一辺の長さＬ１が１０ｍｍであり、半導体チップのパッドの長さが１００μｍである場合を考える。半導体チップの熱膨張量とコンタクトベース部材３０の熱膨張量の差の許容量Ｌ２は、例えばパッドの長さの半値、すなわち５０μｍである。この場合、半導体チップの熱膨張率と、コンタクトベース部材３０の熱膨張率の差の許容値は、Ｌ２／（Ｌ１×ΔＴ）＝５０×１０−６／℃となる。
【００４１】
これに対し、半導体ウェハがシリコンウェハであり、コンタクトベース部材３０がポリフェニレンサルファイドにより形成されている場合、半導体ウェハの熱膨張率は３．５×１０−６／℃であり、コンタクトベース部材３０の熱膨張率は２４〜２９×１０−６／℃となる。従って、コンタクトベース部材３０をポリフェニレンサルファイドで形成しても、熱膨張に起因してワイヤープローブ３６ａとパッドとの間で位置ずれは生じない。
【００４２】
コンタクトベース部材３０の材質は、ポリフェニレンサルファイド以外にも、芳香族ポリエステル、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ＢＴレジン材等のエンジニアリングプラスチックであってもよい。
【００４３】
また、熱膨張率が４７〜１０８×１０−６／℃と事例の許容値を上回るポリエーテルエーテルケトンであっても、他の物理特性、例えば、ガラス転移点が１４３℃と検査時の温度１２５℃よりも高いような材質であれば、このようなエンジニアリングプラスチックをコンタクトベース部材３０の材質に用いることができる。
【００４４】
また、高さ調節ブロック２０も半導体チップ毎に個片化しているため、コンタクトベース部材３０と同様の作用により、高さ調節ブロック２０が熱膨張することに起因した、外部接続端子とワイヤープローブ３６ａ位置ずれが抑制される。
【００４５】
なお、ワイヤープローブ３６ａは、高さ調節ブロック２０相互間の隙間となる空間を斜め上方に延伸してもよい。この場合、この斜めの部分がバネとなり、ワイヤープローブ３６ａの先端を半導体チップのパッドに押圧する。このため、高さ調節ブロック２０の高さを変えることにより、ワイヤープローブ３６ａの先端とパッドとの押圧力を変化させることができる。
【００４６】
図２（Ａ）は、コンタクトベース部材３０に高さ調節ブロック２０及びワイヤープローブ３６ａを組み付けたものを示す斜視図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の分解斜視図である。なお、図２（Ｂ）では、一部のネジ４０及びワイヤープローブ３６ａが説明のため省略されている。
【００４７】
コンタクトベース部材３０には、高さ調節ブロック２０の上面上に位置するネジ用の貫通孔３２が設けられている。また、高さ調節ブロック２０の上面には、貫通孔３２の下に位置するネジ孔２６が設けられている。コンタクトベース部材３０は、ネジ４０が貫通孔３２を挿通した後ネジ孔２６に羅合することにより、高さ調節ブロック２０の上面に固定される。本実施形態において貫通孔３２は、一つのコンタクトベース部材３０につき２つ設けられている。２つの貫通孔３２は、コンタクトベース部材３０の中心を挟んで互いに対向する位置に配置されている。
【００４８】
また、コンタクトベース部材３０には、貫通孔３４が２つ設けられている。２つの貫通孔３４は、それぞれ、高さ調節ブロック２０の側面２０ａ，２０ｂの上方に位置している。側面２０ａ，２０ｂは互いに対向しており、それぞれ、貫通孔３４の下方に位置する溝２４を有している。溝２４の断面形状は半円形であり、その径は、貫通孔３４の径と略同一である。貫通孔３４及び溝２４には、金属製（例えばステンレス製又はアルミニウム製）の位置決めピン３４ａが差し込まれている。位置決めピン３４ａの断面は円形である。位置決めピン３４ａの下部は、支持板１０に設けられた孔（本図では図示せず）に差し込まれる。この孔及び貫通孔３４と、位置決めピン３４ａの間の遊びはほとんどない。このため、支持板１０に対するコンタクトベース部材３０の位置は、位置決めピン３４ａによって精度良く決められる。
【００４９】
なお、本実施形態では、プローブ針３６ａを位置決めするための接続孔３６が、コンタクトベース部材３０の縁に設けられている。そして、貫通孔３２，３４は、接続孔３６ａよりコンタクトベース部材３０の中心の近くに位置している。
【００５０】
また、高さ調節ブロック２０の底面には、孔（図示せず）が設けられている。この孔には、下面から位置決めピン２２ａが差し込まれている。位置決めピン２２ａと孔の遊びはほとんどない。位置決めピン２２ａは、支持板１０（図２の両図には図示せず）に設けられた孔（図２の両図には図示せず）にも差し込まれる。この孔と位置決めピン２２ａの遊びもほとんどない。このため、高さ調節ブロック２０は、位置決めピン２２ａによって支持板１０上に精度よく位置決めされる。
【００５１】
図３は、図１に示した接続装置の平面図である。図４（Ａ）は、接続装置を図３のＡ方向から見た側面図であり、図４（Ｂ）は、接続装置を図３のＢ方向から見た側面図である。図４（Ａ）及び（Ｂ）では、接続装置の構造を分かりやすくするために、一部の貫通孔及びネジを図示している。図１を用いて説明したように、支持板１０は、ネジ１２ａを用いてマザーボード１に固定されている。
【００５２】
高さ調節ブロック２０の下面には、ネジ孔３８が設けられている。支持板１０には、ネジ孔３８の下に位置する貫通孔１１が設けられている。また、支持板１０には、貫通孔１１の下に位置する貫通孔１３が設けられている。貫通孔１３，１１には、ネジ３８ａが下方から差し込まれる。貫通孔１３，１１に差し込まれたネジ３８ａは、高さ調節ブロック２０のネジ孔３８と羅合し、支持板１０の上面に高さ調節ブロック２０を固定する。このようにして、高さ調節ブロック２０は支持板１０に固定される。
【００５３】
また、支持板１０には、位置決めピン３４ａが挿通される貫通孔１４が設けられている。上記したように、貫通孔１４と位置決めピン３４ａの間の遊びはほとんどないため、位置決めピン３４ａが貫通孔１４及びコンタクトベース部材３０の貫通孔３４に挿通されることにより、コンタクトベース部材３０は支持板１０に対して精度よく位置決めされる。
【００５４】
以上、本実施形態によれば、コンタクトベース部材３０は半導体チップ毎に個片化されているため、熱膨張による貫通孔３６の位置ずれ量は、従来と比べて小さい。このため、コンタクトベース部材３０の熱膨張率が半導体ウェハの熱膨張率より高くても、熱膨張に起因した、外部接続端子とワイヤープローブ３６ａの位置ずれが抑制される。従って、コンタクトベース部材３０にエンジニアリングプラスチックを採用することにより、接続装置の低コスト化及び納期短縮を実現し、接続装置の量産性を高くすることができる。
【００５５】
また、高さ調節ブロック２０も半導体チップ毎に個片化しているため、高さ調節ブロック２０が熱膨張することに起因した、外部接続端子とワイヤープローブ３６ａ位置ずれが抑制される。
【００５６】
また、ワイヤープローブの交換は、マザーボード１と固定するネジ１２ａを取り外し、支持板１０側を上に向けて挿通されているワイヤープローブ３６ａをピンセット等で抜き差しすることで、接続装置のメンテナンスも含めて容易に行うことができる。
【００５７】
図５は、本発明の第２の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の斜視図である。本実施形態は、高さ調節ブロック２０が図中横に繋がっており、一つの高さ調節ブロック２０の上面に複数のコンタクトベース部材３０が固定されている点が、第１の実施形態と異なる。
【００５８】
すなわち、マトリックス状に配置されたコンタクトベース部材３０は、図中行方向においては共通の高さ調節ブロック２０の上面に固定されているが、図中列方向においては互いに異なる高さ調節ブロック２０の上面に固定されている。なお、ワイヤープローブ３６ａを位置決めするための貫通孔３６は、図中コンタクトベース部材３０の上辺及び下辺それぞれの近傍に位置しているため、高さ調節ブロック２０はワイヤープローブ３６ａと干渉しない。
【００５９】
また、位置決めピン２２ａを通すための貫通孔２２が、高さ調節ブロック２０の両端部に設けられている。
その他の構成は、第１の実施形態と同一であるため、第１の実施形態と同一の符号を付し、説明を省略する。また、本接続装置を用いた半導体チップの検査方法も、第１の実施形態に係る接続装置を用いた半導体チップの検査方法と同一である。
【００６０】
本実施形態によっても、コンタクトベース部材３０は半導体チップ毎に個片化されているため、熱膨張に起因した、外部接続端子とワイヤープローブ３６ａの位置ずれが抑制される。従って、コンタクトベース部材３０にエンジニアリングプラスチックを採用し、接続装置の量産性を高くすることができる。
【００６１】
また、高さ調節ブロック２０は、マトリックス状に配置されたコンタクトベース部材３０の列方向において、分断されている。従って、この列方向に高さ調節ブロック２０が熱膨張することに起因した、外部接続端子とワイヤープローブ３６ａ位置ずれが抑制される。
【００６２】
なお、本実施形態において、高さ調節ブロック２０を、マトリックス状に配置されたコンタクトベース部材３０の行方向において、複数に分割してもよい。この場合、一つの高さ調節ブロック２０の上面には、２つ以上のコンタクトベース部材３０が固定されるが、その数は任意である。
【００６３】
図６（Ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の平面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示した接続装置を矢印Ａ方向から見た側面図である。本実施形態に係る接続装置は、コンタクトベース部材３０における貫通孔３２，３４，３６の配置、及び高さ調節ブロック２０とコンタクトベース部材３０の位置関係を除いて、第１の実施形態に係る接続装置と同一の構成である。また、本接続装置を用いた半導体チップの検査方法も、第１の実施形態に係る接続装置を用いた半導体チップの検査方法と同一である。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００６４】
本実施形態において、複数の貫通孔３６は第１及び第２の列を形成するように配置されているが、これらの列はコンタクトベース部材３０の中央部を通る位置にある。２つの貫通孔３２は、コンタクトベース部材３０の中心、及び貫通孔３６が形成した第１及び第２の列それぞれを挟んで互いに対向する位置に配置されている。２つの貫通孔３４も、コンタクトベース部材３０の中心、及び貫通孔３６が形成した第１及び第２の列それぞれを挟んで互いに対向する位置に配置されている。
【００６５】
複数のコンタクトベース部材３０はマトリックス状に配置されている。高さ調節ブロック２０は、図６（Ａ）において上下に隣接する２つのコンタクトベース部材３０の境界と重なる位置に配置されている。すなわち、一つの高さ調節ブロック２０が、２つのコンタクトベース部材３０の縁それぞれを支持している。また、貫通孔３６の下方には高さ調節ブロック２０が位置しない。
【００６６】
半導体チップ（図示せず）はコンタクトベース部材３０の境界と重なる位置に配置される。そして、半導体チップの第１の辺近傍に配置された第１のパッド列（図示せず）は、第１のコンタクトベース部材３０の第２列に属する貫通孔３６によって位置決めされたワイヤープローブ３６ａに接続する。また、この半導体チップの第２の辺（第１の辺に対向する辺）近傍に配置された第２のパッド列は、第２のコンタクトベース部材３０の第１列に属する貫通孔３６によって位置決めされたワイヤープローブ３６ａに接続する。
【００６７】
本実施形態によっても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、第１の実施形態と比較して、貫通孔３６がコンタクトベース部材３０の中心寄りに位置しているため、貫通孔３６の形成を容易に行える。
【００６８】
図７（Ａ）は、本発明の第４の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の平面図である。図７（Ｂ）は図７（Ａ）の接続装置を矢印Ａ方向から見た側面図である。本実施形態に係る接続装置は、コンタクトベース部材３０及び高さ調節ブロック２０の数、及びコンタクトベース部材３０における貫通孔３２，３４，３６の配置を除いて、第１の実施形態に係る接続装置と同一の構成である。また、本接続装置を用いた半導体チップの検査方法も、第１の実施形態に係る接続装置を用いた半導体チップの検査方法と同一である。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００６９】
本実施形態において、８個のコンタクトベース部材３０が、２×４のマトリックスを形成するように配置されている。第２行目に属するコンタクトベース部材３０は、第１行目に属するコンタクトベース部材３０を１８０°回転させた状態で、高さ調節ブロック２０上に固定されている。
【００７０】
それぞれのコンタクトベース部材３０において、複数の貫通孔３６は、３つの平行な列３６１，３６２，３６３を形成するように配置されている。列３６１，３６２の相互間距離は、検査対象となる半導体チップの幅よりやや狭い程度であり、半導体チップが有する２列のパッド列の相互間距離と略同一である。列３６２，３６３相互間の距離は、半導体チップの縁とパッド列の距離を２倍にした値と、半導体ウェハのダイシングラインの幅との和に略等しい。
【００７１】
また、２つの貫通孔３２は、列３６１，３６２の相互間に、コンタクトベース部材３０の中心を挟んで互いに対向する位置に配置されている。２つの貫通孔３４も、列３６１，３６２の相互間に、コンタクトベース部材３０の中心を挟んで互いに対向する位置に配置されている。
【００７２】
高さ調節ブロック２０は、平面的な位置関係において、列３６１と列３６２の間に位置している。すなわち、列３６１は、第１列目の高さ調節ブロック２０を挟んで第２列目の高さ調節ブロック２０の反対側に位置し、列３６２，３６３は、それぞれ第１列目の高さ調節ブロック２０と第２列目の高さ調節ブロック相互間に位置している。列３６３は、列３６２より第２列目の高さ調節ブロック２０の近くに位置している。
【００７３】
この接続装置は、３×４のマトリックスを形成するように配置された１２個の半導体チップに接続する。
すなわち、第１行目に属するコンタクトベース部材３０の列３６１によって位置決めされているワイヤープローブ３６ａは、第１行目の半導体チップの第１の辺近傍に配置された第１のパッド列（図示せず）に接続する。第１行目に属するコンタクトベース部材３０の列３６２によって位置決めされているワイヤープローブ３６ａは、第１行目の半導体チップの第２の辺（第１の辺に対向する辺）近傍に配置された第２のパッド列（図示せず）に接続する。
【００７４】
また、第１行目に属するコンタクトベース部材３０の列３６３によって位置決めされているワイヤープローブ３６ａは、第２行目の半導体チップの辺である第３の辺近傍に配置された第３のパッド列（図示せず）に接続する。第２行目に属するコンタクトベース部材３０の列３６３によって位置決めされているワイヤープローブ３６ａは、第２の半導体チップの第４の辺（第３の辺に対向する辺）近傍に配置された第４のパッド列（図示せず）に接続する。
【００７５】
また、第２行目に属するコンタクトベース部材３０の列３６２によって位置決めされているワイヤープローブ３６ａは、第３行目の半導体チップの辺である第５の辺近傍に配置された第５のパッド列（図示せず）に接続する。第２行目に属するコンタクトベース部材３０の列３６１によって位置決めされているワイヤープローブ３６ａは、第３行目の半導体チップの第６の辺（第５の辺に対向する辺）近傍に配置された第６のパッド列（図示せず）に接続する。
【００７６】
本実施形態によっても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、第１の実施形態と比較して、貫通孔３６がコンタクトベース部材３０の中心寄りに位置しているため、貫通孔３６の形成を容易に行える。
【００７７】
図８（Ａ）は、第５の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の平面図である。図８（Ｂ）は図８（Ａ）の接続装置を矢印Ａ方向から見た側面図である。本実施形態に係る接続装置は、貫通孔３２，３４、位置決めピン３４ａ、ネジ４０、及び高さ調節ブロック２０が追加されている点を除いて、第４の実施形態に係る接続装置と同一の構成である。また、本接続装置を用いた半導体チップの検査方法も、第４の実施形態に係る接続装置を用いた半導体チップの検査方法と同一である。以下、第４の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００７８】
本実施形態のコンタクトベース部材３０において、追加された貫通孔３２，３４は、列３６３と縁の間に位置している。追加された貫通孔３２にはネジ４０が挿通される。また、追加された貫通孔３４には位置決めピン３４ａが挿通される。
【００７９】
追加された高さ調節ブロック２０は、第１行目のコンタクトベース部材３０と第２行目のコンタクトベース部材３０を跨ぐ位置に配置されている。追加された高さ調節ブロック２０は、追加された貫通孔３２を用いて、第１行目のコンタクトベース部材３０及び第２のコンタクトベース部材３０の双方に固定されている。
本実施形態によっても第４の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００８０】
図９（Ａ）は、第６の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の平面図である。図９（Ｂ）は図９（Ａ）の接続装置を矢印Ａ方向から見た側面図である。本実施形態に係る接続装置は、１２個のコンタクトベース部材３０が３×４のマトリックスを形成するように配置されている。以下、第４の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００８１】
本実施形態において、第１行目のコンタクトベース部材３０は、第４の実施形態における第１行目のコンタクトベース部材３０と同一の構成であり、第３行目のコンタクトベース部材３０は、第４の実施形態における第２行目のコンタクトベース部材３０と同一の構成である。
【００８２】
第２行目のコンタクトベース部材３０は、第１行目のコンタクトベース部材３０に、貫通孔３６の列３６４を追加したものである。列３６４は、列３６１と平行であり、平面的な位置関係において、列３６１を挟んで高さ調節ブロック２０の反対側に位置している。列３６４と、第１行目のコンタクトベース部材３０の列３６３との距離は、検査対象となる半導体チップの縁とパッド列の距離を２倍にした値と、半導体ウェハのダイシングラインの幅との和に略等しい。
【００８３】
この接続装置は、５×４のマトリックスを形成するように配置された２０個の半導体チップに接続する。
【００８４】
すなわち、第１行目に属する半導体チップにおいて、第１のパッド列は、第１行目に属するコンタクトベース部材３０の列３６１によって位置決めされているワイヤープローブ３６ａに接続し、第２のパッド列は、第１行目に属するコンタクトベース部材３０の列３６２によって位置決めされているワイヤープローブ３６ａに接続する。
【００８５】
また、第２行目に属する半導体チップにおいて、第１のパッド列は、第１行目に属するコンタクトベース部材３０の列３６３によって位置決めされているワイヤープローブ３６ａに接続し、第２のパッド列は、第２行目に属するコンタクトベース部材３０の列３６４によって位置決めされているワイヤープローブ３６ａに接続する。
【００８６】
また、第３行目に属する半導体チップにおいて、第１のパッド列は、第２行目に属するコンタクトベース部材３０の列３６１によって位置決めされているワイヤープローブ３６ａに接続し、第２のパッド列は、第２行目に属するコンタクトベース部材３０の列３６２によって位置決めされているワイヤープローブ３６ａに接続する。
【００８７】
また、第４行目に属する半導体チップにおいて、第１のパッド列は、第２行目に属するコンタクトベース部材３０の列３６３によって位置決めされているワイヤープローブ３６ａに接続し、第２のパッド列は、第３行目に属するコンタクトベース部材３０の列３６３によって位置決めされているワイヤープローブ３６ａに接続する。
【００８８】
また、第５行目に属する半導体チップにおいて、第１のパッド列は、第３行目に属するコンタクトベース部材３０の列３６２によって位置決めされているワイヤープローブ３６ａに接続し、第２のパッド列は、第３行目に属するコンタクトベース部材３０の列３６１によって位置決めされているワイヤープローブ３６ａに接続する。
【００８９】
本実施形態によっても、第４の実施形態と同一の効果を得ることができる。なお、コンタクトベース部材３０によるマトリックスにおいて、行数を増やし、接続装置が同時に接続する半導体チップの数を増やしてもよい。この場合、第１行目と第３行目の間に、第２行目に属するコンタクトベース部材３０と同一の構造を有するコンタクトベース部材３０の列を挿入すればよい。
【００９０】
図１０は、本発明の第７の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の斜視図である。本実施形態に係る接続装置は、支持板１０の上面に、該上面を覆う熱遮蔽板１５を有する点を除いて、第１の実施形態に係る接続装置と同一の構成である。また、本接続装置を用いた半導体チップの検査方法も、第１の実施形態に係る接続装置を用いた半導体チップの検査方法と同一である。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００９１】
熱遮蔽板１５は、支持板１０より熱膨張率が低い材料（例えばビスマレイミドトリアジン樹脂等からなる熱硬化性樹脂：ＢＴレジン（登録商標））によって形成されている。熱遮蔽板１５には、ネジ１２ａを通すための開口部、高さ調節ブロック２０又はネジ３８ａを通すための開口部、位置決めピン２２ａを通すための開口部、及びワイヤープローブ３６ａを通すための開口部が設けられている。
【００９２】
本実施形態によっても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、支持板１０の上面に、熱膨張率が低い熱遮蔽板１５が設けられているため、支持板１０の熱膨張が抑制される。また、熱遮蔽板１５の熱膨張量も小さい。従って、ワイヤープローブ３６ａと半導体チップのパッドの相対位置が、支持板１０の熱膨張に起因してずれることを抑制できる。
【００９３】
図１１は、本発明の第８の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の斜視図である。本実施形態に係る接続装置は、熱遮蔽板１５の代わりに、高さ調節ブロック２０とコンタクトベース部材３０の間に位置する熱遮蔽板１６が設けられている点を除いて、第７の実施形態に係る接続装置と同一の構成である。以下、第７の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００９４】
熱遮蔽板１６は、熱遮蔽板１５と同様の材料によって形成されており、ネジ４０を通すための開口部、位置決めピン３４ａを通すための開口部、及びワイヤープローブ３６ａを通すための開口部が設けられている。熱遮蔽板１６は、コンタクトベース部材３０がマトリックス状に配置されたエリアの全面に位置しており、複数の高さ調節ブロック２０の上面によって支持されている。
本実施形態によっても、支持板１０は、熱膨張率が低い熱遮蔽板１６によって覆われているため、第７の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００９５】
図１２は、本発明の第９の実施形態に係る接続装置の構成を説明する為の斜視図である。本実施形態に係る接続装置は、第７の実施形態に示した熱遮蔽板１５を有する点を除いて、第８の実施形態に係る接続装置と同一の構成である。以下、第８の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態によっても、第７の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００９６】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば上記した各実施形態において、コンタクトベース部材３０はエンジニアリングプラスチックにより形成されていたが、エンジニアリングプラスチックより熱膨張率が低い材料（例えばシリコン樹脂、エラストマ、又はガラス）により形成されていてもよい。また、位置決めピン３４ａの断面形状を円形としたが、多角形（例えば三角形又は四角形）であってもよい。この場合、貫通孔３４及び溝２４の断面形状も、これに合わせて変更する。
【００９７】
また、上記した各実施形態において、一つのコンタクトベース部材３０は一つの半導体チップに対応していたが、複数の半導体チップ（例えば２個又は３個）に対応してもよい。この場合、コンタクトベース部材３０の形状及び大きさは、ワイヤープローブ３６ａを挿通させるための貫通孔３６の配置に影響を与えない範囲で任意である。
また、コンタクトベース部材３０と支持板１０の間の空間に位置するワイヤープローブ３６ａに、バネ（例えばツルマキバネ）を設けてもよい。
【００９８】
また、熱遮蔽板１６，１５を組み合わせる場合などにおいて、それぞれのコンタクトベース部材３０がネジ４０により熱遮蔽板１６と固定される構造にしてもよい。そして、コンタクトベース部材３０の高さが、複数の高さ調節ブロック２０ではなく位置決めピン３４ａによって調節されるようにしてもよい。
【００９９】
また、第１の実施形態において、一個の高さ調節ブロック２０に対して位置決めピン３４ａを一つ取り付けるようにして、位置決めピン３４ａを中心として高さ調節ブロック２０が回転できるようにしてもよい。このようにすると、高さ調節ブロック２０を微小回転させることにより、コンタクトベース部材３０の位置を微調整することができる。
【符号の説明】
【０１００】
１０…支持板、１１，１２，１３，１４，２２，３２，３４，３６，１０１ａ…貫通孔、１２ａ…ネジ、１５，１６…熱遮蔽板、２０…高さ調節ブロック、２０ａ，２０ｂ…側面、２２ａ…位置決めピン、２４…溝、２６，３８…ネジ孔、３０，１０１…コンタクトベース部材、３１…マーク、３４ａ…位置決めピン、３６ａ…ワイヤープローブ、３８ａ，４０…ネジ、１００…プローブカード、１０２…プローブ針、３６１，３６２，３６３，３６４…ワイヤープローブの列
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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