(57)【要約】【課題】狭い場所に各種情報を記載可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置にかかわり、本体部２の上面２ａに形成されたウエハー番号マーク９と、ウエハー番号マーク９と少なくとも一部が重ねて配置された特定マーク８と、を備える。そして、ウエハー番号マーク９の材料は金属を含んでいる。【選択図】図１
2011113996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面に形成された第１のマークと、
前記第１のマークと少なくとも一部が重ねて配置された第２のマークと、を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１のマークは金属を含んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１のマークの少なくとも一部は凹凸部により形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の半導体装置であって、
複数の電極を備え、前記第２のマークは前記電極を識別するマークであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２または３に記載の半導体装置であって、
前記第２のマークは前記半導体装置を識別するマークであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２に記載の半導体装置であって、
前記第１のマークはインクジェット法を用いて形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項３に記載の半導体装置であって、
前記第１のマークはレーザー光を照射して形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１のマークと前記第２のマークとの間に遮蔽膜が形成され、前記遮蔽膜は前記第１のマークを覆うことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置にかかわり、特に、表面に設置するマークに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は電気回路基板に実装されて用いられる。そして、電気回路基板に異常が発生したとき、異常の原因が調査される。その原因が半導体装置に起因しているときには、異常となった半導体装置の製造履歴が調べられる。そして、異常となった半導体装置と同じ製造工程で同じ時期に製造された半導体装置が調べられる。次に、この半導体装置が不良である場合の影響が推定される。
【０００３】
半導体装置の製造履歴を検出可能にする固体認識情報を半導体装置内に記録する方法が特許文献１に開示されている。それによると、製造上同一となる確率が極めて小さい電気特性を有する素子を半導体装置に形成する。そして、その電気特性を固体認識情報として活用することにより、半導体装置の製造履歴を検出していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第６１６１２１３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
固体認識情報が半導体装置の所定の電気特性によって識別する方法では、半導体装置が電気的に破壊されたときに電気特性を測定できない場合がある。このときには、半導体装置の固体認識情報を検出することができないので、半導体装置の製造履歴を検出できない。
【０００６】
半導体装置は年々半導体素子の集積度が高くなっている。従って、半導体装置の大きさが小さいときには半導体装置の表面が狭くなる。そして、半導体素子の狭い表面に機種情報や固体認識情報等の各種情報を記載することが困難になっている。そこで、各種情報を記載可能な半導体装置が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本適用例にかかる半導体装置であって、基材の表面に形成された第１のマークと、前記第１のマークと少なくとも一部が重ねて配置された第２のマークと、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
この半導体装置によれば、基材の表面に第１のマークと第２のマークとが配置されている。従って、半導体装置が電気的に破壊された後でも、第１のマークと第２のマークとを判読することができる。そして、第１のマークと第２のマークとが重ねて配置されている。従って、基材の表面の面積が狭いときにも、第１のマークが示す情報と第２のマークが示す情報とを基材の表面に配置することができる。その結果、基材に多くの情報を配置することができる。
【００１０】
［適用例２］
上記適用例にかかる半導体装置において、前記第１のマークは金属を含んでいることを特徴とする。
【００１１】
この半導体装置によれば、第１のマークは金属を含んでいる。従って、金属を検出して第１のマークの形状を推定することにより、第１のマークを判読することができる。
【００１２】
［適用例３］
上記適用例にかかる半導体装置において、前記第１のマークの少なくとも一部は凹凸部により形成されることを特徴とする。
【００１３】
この半導体装置によれば、第１のマークは凹凸部により形成されている。従って、凹凸を検出して第１のマークの形状を推定することにより、第１のマークを判読することができる。
【００１４】
［適用例４］
上記適用例にかかる半導体装置において、複数の電極を備え、前記第２のマークは前記電極を識別するマークであることを特徴とする。
【００１５】
この半導体装置によれば、複数の電極を備えている。通常、電極が複数ある場合には複数の電極の配列における１つの固有の電極を認識することにより、各電極を識別可能となっている。そして、第２のマークにより１つの固有の電極を識別することができる為、各電極を識別することができる。
【００１６】
［適用例５］
上記適用例にかかる半導体装置において、前記第２のマークは前記半導体装置を識別するマークであることを特徴とする。
【００１７】
この半導体装置によれば、第２のマークを判読することにより半導体装置を識別することができる。
【００１８】
［適用例６］
上記適用例にかかる半導体装置において、前記第１のマークはインクジェット法を用いて形成されることを特徴とする。
【００１９】
この半導体装置によれば、第１のマークはインクジェット法を用いて形成される。インクジェット法は微細な形状のマークを形成することができるので、小さな面積に多くの情報を配置することができる。
【００２０】
［適用例７］
上記適用例にかかる半導体装置において、前記第１のマークはレーザー光を照射して形成されることを特徴とする。
【００２１】
この半導体装置によれば、第１のマークはレーザー光を照射して形成される。レーザー光を集光して微小な空間にエネルギーを集めることにより、微細な形状のマークを形成することができる。従って、小さな面積に多くの情報を配置することができる。
【００２２】
［適用例８］
上記適用例にかかる半導体装置において、前記第１のマークと前記第２のマークとの間に遮蔽膜が形成され、前記遮蔽膜は前記第１のマークを覆うことを特徴とする。
【００２３】
この半導体装置によれば、第１のマークと第２のマークとの間に遮蔽膜が配置される。従って、第２のマークを判読するときに第１のマークの影響を受け難くすることができる。その結果、第２のマークを判読し易くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１の実施形態にかかわり、（ａ）は、半導体装置を示す概略斜視図、（ｂ）は、特定マークを示す要部拡大模式図、（ｃ）は、１番電極指示マークを示す要部拡大模式図、（ｄ）は、ウエハー上のチップを示す模式図。
【図２】（ａ）は、液滴吐出装置の構成を示す概略斜視図、（ｂ）は、ヘッドユニットを示す模式平面図、（ｃ）は、液滴吐出ヘッドの構造を説明するための要部模式断面図。
【図３】液滴吐出装置を使った描画方法を説明するための模式図。
【図４】マークの判読方法を説明するための模式図。
【図５】第２の実施形態にかかわり、（ａ）は、半導体装置を示す概略斜視図、（ｂ）は、特定マークを示す要部拡大模式図、（ｃ）は、１番電極指示マークを示す要部拡大模式図、（ｄ）は、液滴吐出装置の構成を示す概略斜視図。
【図６】液滴吐出装置を使った描画方法を説明するための模式図。
【図７】マークの判読方法を説明するための模式図。
【図８】第３の実施形態にかかわり、（ａ）は、半導体装置を示す概略斜視図、（ｂ）は、半導体装置を示す模式平面図。
【図９】第４の実施形態にかかわり、（ａ）は、半導体装置を示す概略斜視図、（ｂ）は、半導体装置を示す模式平面図、（ｃ）は、マーク部を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
【００２６】
（第１の実施形態）
本実施形態では、本発明の特徴的な半導体装置と、この半導体装置に描画する液滴吐出装置を説明する。さらに、この液滴吐出装置を用いてマークを描画する描画方法及びマークを判読する方法の例について、図１〜図４に従って説明する。
【００２７】
（半導体装置）
図１（ａ）は、半導体装置を示す概略斜視図である。最初に、マークが形成された半導体装置１について図１に従って説明する。半導体装置１は１方向に長い略直方体の基材としての本体部２を備えている。そして、半導体装置１の内部には半導体等により構成された回路基板が収納されている。この半導体装置１の本体部２はセラミックにより形成されているのでセラミックパッケージと呼ばれている。半導体装置１は図中上下方向が薄く形成され、図中上側の面を上面２ａとし上面２ａと隣接する図中右下及び左上の面を側面２ｂとする。側面２ｂには電極３が等間隔に配置されている。電極３は半導体装置１の内部に配置された回路基板と電気的に接続されている。以下、半導体装置１の内部に配置された回路基板をチップと称す。
【００２８】
上面２ａには社名マーク４、機種コードマーク５、ロット番号マーク６、第２のマークとしての１番電極指示マーク７、第２のマークとしての特定マーク８が配置されている。社名マーク４は会社名を示すマークであり、例えば、図中では”ＥＰＳＯＮ”と記載されている。機種コードマーク５は半導体装置１の機能を示すコードと対応するマークであり、数字と文字の組み合わせにより構成される。機種コードマーク５は、例えば、図中では”１ＮＢＳ”と記載されている。ロット番号マーク６は製造時に同一条件で製造する集団を示す識別番号のマークである。以下、同一条件で製造する集団をロットと称す。ロット番号マーク６は、例えば、図中では”０９１３９”と記載されている。
【００２９】
本体部２と各種マークとは異なる色に着色され、本体部２を背景として各種マークが判読可能になっている。本体部２及び各種マークの色は特に限定されず、各種マークが判読可能な色の組み合わせであれば良い。本実施形態では、例えば、本体部２が暗い灰色に着色され、各種マークは白色に着色されている。
【００３０】
配列して配置された各電極３では１番電極３ａから１２番電極３ｂまで順番に番号が設定されている。そして、１番電極指示マーク７は１番電極３ａに近い場所に配置されている。従って、観察者は、１番電極指示マーク７を検出することにより複数の電極３の中から１番電極３ａを認識することができる。特定マーク８はマークの形状と特定の意味とが対応したマークである。例えば、特定マーク８が半導体装置１の概略の機能を示すマークや販売会社を示すマークにすることができる。半導体装置１の概略の機能には、例えば、ゲートウェイ機能、ドライバー機能、発振機能等の機能が上げられる。そして、観察者が特定マーク８を見慣れている場合には特定マーク８を見て瞬時に半導体装置１の概略の機能や会社名を認識することができる。
【００３１】
図１（ｂ）は、特定マークを示す要部拡大模式図である。図１（ｂ）に示すように、特定マーク８と上面２ａとの間には第１のマークとしてのウエハー番号マーク９が形成されている。チップはシリコン基板からなるウエハー上に回路や半導体素子を形成して製造される。そして、１つのロットは複数のウエハーにより構成されている。各ウエハーには管理番号が付番されて管理されている。各ウエハーの管理番号をウエハー番号マーク９が示している。ウエハー番号マーク９は、例えば、図中では”００１９”と記載されている。このとき、半導体装置１に内蔵されたチップは管理番号が１９番のウエハーから製造されたことを示している。
【００３２】
ウエハー番号マーク９は特定マーク８に比べてＸ線を透過し難い材料で形成されている。ウエハー番号マーク９は、例えば、金属を含む材料にて形成されている。そして、特定マーク８は染料または顔料等により形成されている。
【００３３】
図１（ｃ）は、１番電極指示マークを示す要部拡大模式図である。図１（ｃ）に示すように、１番電極指示マーク７と上面２ａとの間には第１のマークとしてのチップ位置マーク１０が形成されている。１枚のウエハーからは複数のチップが形成される。そして、半導体装置１の内部に配置されたチップが形成されたチップがウエハー内に位置した場所をチップ位置マーク１０が示している。チップ位置マーク１０は、例えば、図中では”０９１２”と記載されている。
【００３４】
チップ位置マーク１０は１番電極指示マーク７に比べてＸ線を透過し難い材料で形成されている。チップ位置マーク１０は、例えば、金属を含む材料にて形成されている。そして、１番電極指示マーク７は染料または顔料等により形成されている。
【００３５】
図１（ｄ）は、ウエハー上のチップを示す模式図である。図１（ｄ）に示すように、ウエハー１１は略円盤状に形成され、外周の一部が直線に形成された辺部１１ａを備えている。ウエハー１１上には複数のチップ１２が辺部１１ａと平行に並んだマトリクス状に配置されている。チップ１２の配列において図中辺部１１ａに近い行を１行目とし、図中上側に向かって２行目、３行目と続いている。同様に、チップ１２の配列において図中左側の列を１列目とし、図中右側に向かって２列目、３列目と続いている。
【００３６】
チップ位置マーク１０の表示が、例えば、”０９１２”のとき、ウエハー１１上でチップ１２の位置が９行目で１２列目であることを示している。従って、チップ位置マーク１０は図中斜線を施したチップ１２の場所を示している。このように、観察者はチップ位置マーク１０を検出することによりウエハー１１内のチップ１２の位置を知ることができる。
【００３７】
観察者はロット番号マーク６を検出することにより半導体装置１内に設置されたチップ１２が製造されたウエハー１１のロット番号を知ることができる。次に、観察者はウエハー番号マーク９を検出することにより、チップ１２が製造されたウエハー１１のロット番号内のウエハーの番号を知ることができる。さらに、観察者はチップ位置マーク１０を検出することにより、チップ１２が製造されたウエハー１１上の位置を知ることができる。従って、観察者はロット番号マーク６、ウエハー番号マーク９、チップ位置マーク１０を知ることによりチップ１２の固体認識情報を得ることができる。
【００３８】
（液滴吐出装置）
次に、本体部２に液滴を吐出してマークを形成する液滴吐出装置１５について図２に従って説明する。液滴吐出装置に関しては様々な種類の装置があるが、インクジェット法を用いた装置が好ましい。インクジェット法は微小な液滴の吐出が可能であるため、微細加工に適している。
【００３９】
図２（ａ）は、液滴吐出装置の構成を示す概略斜視図である。液滴吐出装置１５により液滴が吐出される。図２（ａ）に示すように、液滴吐出装置１５には、直方体形状に形成された基台１６を備えている。本実施形態では、この基台１６の長手方向をＹ方向とし、水平面上でＹ方向と直交する方向をＸ方向とする。そして、鉛直方向をＺ方向とする。液滴を吐出するときに液滴吐出ヘッドと被吐出物とが相対移動する方向を主走査方向とする。そして、主走査方向と直交する方向を副走査方向とする。副走査方向は改行するときに液滴吐出ヘッドと被吐出物とを相対移動する方向である。本実施形態ではＹ方向を主走査方向とし、Ｘ方向を副走査方向とする。
【００４０】
基台１６の上面１６ａには、Ｙ方向に延在する一対の案内レール１７ａ，１７ｂがＹ方向全幅にわたり凸設されている。その基台１６の上側には、一対の案内レール１７ａ，１７ｂに対応する図示しない直動機構を備えた走査手段を構成する移動部としてのステージ１８が取付けられている。そのステージ１８の直動機構は、リニアモーターやネジ式直動機構を用いることができる。本実施形態では、例えば、リニアモーターを採用している。そして、Ｙ方向に沿って所定の速度で往動または復動するようになっている。往動と復動を繰り返すことを走査移動と称す。さらに、基台１６の上面１６ａには、案内レール１７ａ，１７ｂと平行に主走査位置検出装置１９が配置され、主走査位置検出装置１９がステージ１８の位置を検出できるようになっている。
【００４１】
そのステージ１８の上面には載置面２０が形成され、その載置面２０には図示しない吸引式の基板チャック機構が設けられている。載置面２０上には位置決め板２１が設置され、位置決め板２１上には１８個の半導体装置１がマトリクス状に配置されている。位置決め板２１には半導体装置１の形状に凹部が形成されている。そして、半導体装置１は位置決め板２１上の凹部に合わせて取り付けられている。位置決め板２１は基板チャック機構により載置面２０に固定される。
【００４２】
基台１６のＸ方向両側には一対の支持台２２ａ，２２ｂが立設され、その一対の支持台２２ａ，２２ｂにはＸ方向に延びる案内部材２３が架設されている。その案内部材２３の上側には吐出する機能液を供給可能に収容する第１収容タンク２４及び第２収容タンク２５が設置されている。第１収容タンク２４には第１機能液が収納されている。第１機能液は微細な金属粒子が分散媒に分散された液状体である。第２収容タンク２５に収納された第２機能液は染料または顔料を含む液状体である。本実施形態では、例えば、第２収容タンク２５には白色の顔料が分散媒に分散された液状体が収納されている。
【００４３】
案内部材２３の下側にはＸ方向に延びる案内レール２６がＸ方向全幅にわたり凸設されている。案内レール２６に沿って移動可能に取り付けられる移動部としてのキャリッジ２７は略直方体形状に形成されている。そのキャリッジ２７は直動機構を備え、その直動機構は、例えば、ステージ１８が備える直動機構と同様の機構を用いることができる。そして、キャリッジ２７がＸ方向に沿って走査移動する。案内部材２３とキャリッジ２７との間には副走査位置検出装置２８が配置され、キャリッジ２７の位置が計測される。キャリッジ２７の下側にはヘッドユニット２９が設置され、ヘッドユニット２９のステージ１８側の面には図示しない液滴吐出ヘッドが凸設されている。液滴吐出装置１５は図示しない制御装置を備え、制御装置がステージ１８等の各部の動作を制御する。
【００４４】
図２（ｂ）は、ヘッドユニットを示す模式平面図である。図２（ｂ）に示すように、ヘッドユニット２９には第１ヘッド３２ａ及び第２ヘッド３２ｂの２個の液滴吐出ヘッド３２が配置され、液滴吐出ヘッド３２の表面にはノズルプレート３３が配置されている。ノズルプレート３３には複数のノズル３４が配列して形成されている。ノズル３４及びヘッドの数及び配置は吐出するパターンに合わせて設定すればよい。本実施形態においては、例えば、１個のノズルプレート３３にはノズル３４の配列が１列形成され、各列には１５個のノズル３４が配置されている。
【００４５】
第１ヘッド３２ａは第１収容タンク２４と図示しないチューブにより接続されている。そして、第１収容タンク２４内に収納された第１機能液が第１ヘッド３２ａに供給される。同様に、第２ヘッド３２ｂは第２収容タンク２５と図示しないチューブにより接続されている。そして、第２収容タンク２５内に収納された第２機能液が第２ヘッド３２ｂに供給される。
【００４６】
図２（ｃ）は、液滴吐出ヘッドの構造を説明するための要部模式断面図である。図２（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド３２はノズルプレート３３を備え、ノズルプレート３３にはノズル３４が形成されている。ノズルプレート３３の上側であってノズル３４と相対する位置にはノズル３４と連通するキャビティ３５が形成されている。そして、液滴吐出ヘッド３２のキャビティ３５には第１機能液３６ａまたは第２機能液３６ｂの機能液３６が供給される。
【００４７】
キャビティ３５の上側には上下方向に振動してキャビティ３５内の容積を拡大縮小する振動板３７が設置されている。振動板３７の上側でキャビティ３５と対向する場所には上下方向に伸縮して振動板３７を振動させる圧電素子３８が配設されている。圧電素子３８が上下方向に伸縮して振動板３７を加圧して振動し、振動板３７がキャビティ３５内の容積を拡大縮小してキャビティ３５を加圧する。それにより、キャビティ３５内の圧力が変動し、キャビティ３５内に供給された機能液３６はノズル３４を通って吐出される。
【００４８】
液滴吐出ヘッド３２が圧電素子３８を制御駆動するためのノズル駆動信号を受けると、圧電素子３８が伸張して、振動板３７がキャビティ３５内の容積を縮小する。その結果、液滴吐出ヘッド３２のノズル３４から縮小した容積分の機能液３６が液滴３９となって吐出される。
【００４９】
（描画方法）
次に、液滴吐出装置１５を用いて本体部２に各種マークを描画する方法を図３を用いて説明する。図３は、液滴吐出装置を使った描画方法を説明するための模式図である。
【００５０】
図３（ａ）に示すように、操作者は半導体装置１が配置された位置決め板２１をステージ１８上に載置し、基板チャック機構を用いて位置決め板２１を固定する。次に、制御装置がステージ１８を主走査方向に走査移動させる。そして、ノズル３４が所定の場所に位置するとき、制御装置が第１ヘッド３２ａを駆動してノズル３４から第１機能液３６ａからなる液滴３９を吐出させる。図中液滴吐出ヘッド３２のノズル３４は図をわかり易くするために１つのみ記載して他は省略した。続いて、液滴吐出装置１５は副走査移動と主走査移動とを繰り返して予定した総ての場所に液滴３９を吐出する。その結果、図３（ｂ）に示すように、本体部２の上面２ａにはウエハー番号マーク９及びチップ位置マーク１０の形状に第１機能液３６ａが塗布される。そして、第１機能液３６ａは暫く放置されることにより乾燥させられる。
【００５１】
次に、図３（ｃ）に示すように、再度、制御装置がステージ１８を主走査方向に走査移動させる。そして、ノズル３４が所定の場所に位置するとき、制御装置が第２ヘッド３２ｂを駆動してノズル３４から第２機能液３６ｂからなる液滴３９を吐出させる。続いて、液滴吐出装置１５は副走査移動と主走査移動とを繰り返して予定した総ての場所に液滴３９を吐出する。その結果、図３（ｄ）に示すように、ウエハー番号マーク９上には特定マーク８の形状に第２機能液３６ｂが重ねて塗布され、チップ位置マーク１０の上には１番電極指示マーク７の形状に第２機能液３６ｂが重ねて塗布される。そして、塗布された第１機能液３６ａ及び第２機能液３６ｂは暫く放置されることにより乾燥させられる。その後、本体部２が加熱乾燥させられて、１番電極指示マーク７及び特定マーク８は固化する。
【００５２】
（判読方法）
次に、描画されたウエハー番号マーク９及びチップ位置マーク１０を判読する方法を図４を用いて説明する。図４は、マークの判読方法を説明するための模式図である。
【００５３】
図４（ａ）に示すように、半導体装置１はＸ線透視装置４２に設置される。Ｘ線透視装置４２は中空の基台４３を備えている。そして、基台４３内にはＸ線照射部４４が設置されている。そして、基台４３においてＸ線照射部４４の上側は空洞が形成され、Ｘ線照射部４４が照射するＸ線４４ａは空洞を通過して上側に進行する。
【００５４】
基台４３上にはＸＹステージ４５が設置されている。ＸＹステージ４５には直動機構を備えた２つのステージが重ねて配置されている。２つのステージはその移動方向が直交するように配置され、各ステージはステージの位置を検出する機能を備えている。そして、ステージ位置の検出と移動とを行うことにより、所望の速度にて移動し所望の位置に停止することができる。直動機構は、例えば、リニアモーターやネジ式直動機構と回転モーターとを組み合わせた機構を用いることができる。ＸＹステージ４５においてＸ線照射部４４と対向する場所は樹脂にて形成され、Ｘ線照射部４４が照射するＸ線が通過し易くなっている。
【００５５】
ＸＹステージ４５の上側にはワーク固定板４６が設置されている。ワーク固定板４６はクランプ部４６ａを備え、クランプ部４６ａはワーク固定板４６上に配置された半導体装置１を固定する。
【００５６】
ワーク固定板４６の上側にはＸ線検出部４７を備えている。Ｘ線検出部４７は照射されるＸ線の強度を検出し、電気信号に変換して出力する。Ｘ線透視装置４２は制御装置４８を備え、Ｘ線照射部４４、ＸＹステージ４５及びＸ線検出部４７は制御装置４８と電気的に接続されている。制御装置４８は表示部４８ａを備え、表示部４８ａはＸ線検出部４７が検出したＸ線４４ａの強度分布を表示する。
【００５７】
まず、観察者は半導体装置１をワーク固定板４６に設置して、Ｘ線透視装置４２を作動させる。続いて、制御装置４８がＸ線照射部４４を駆動してＸ線４４ａを射出させる。次に、制御装置４８はＸＹステージ４５を駆動して半導体装置１を移動させることにより、Ｘ線４４ａが通過する場所に半導体装置１を移動する。続いて、半導体装置１を通過したＸ線４４ａをＸ線検出部４７が検出し、制御装置４８がＸ線４４ａの強度分布を表示部４８ａに表示させる。観察者は表示部４８ａに表示されたＸ線４４ａの強度分布を観察することにより、半導体装置１のマークを判読する。
【００５８】
図４（ｂ）はＸ線透視装置４２が検出した半導体装置１のＸ線透視画像４９の一例を示す。Ｘ線透視画像４９には電極３に対応する電極像５０、ウエハー番号マーク９に対応するウエハー番号マーク像５１、チップ位置マーク１０に対応するチップ位置マーク像５２が映し出されている。電極３、ウエハー番号マーク９、チップ位置マーク１０は金属を含んでいるので、Ｘ線が透過し難くなっている。従って、電極像５０、ウエハー番号マーク像５１、チップ位置マーク像５２が撮像される。観察者は、Ｘ線透視画像４９を観察することにより、ウエハー番号マーク像５１からウエハー番号を知り、チップ位置マーク像５２からチップ位置を知ることができる。
【００５９】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、本体部２の表面にウエハー番号マーク９と特定マーク８とが配置されている。従って、半導体装置１が電気的に破壊された後でも、ウエハー番号マーク９と特定マーク８とを判読することができる。そして、ウエハー番号マーク９と特定マーク８とが重ねて配置されている。従って、本体部２の上面２ａの面積が狭いときにも、ウエハー番号マーク９が示す情報と特定マーク８が示す情報とを本体部２の上面２ａに配置することができる。同様に、チップ位置マーク１０と１番電極指示マーク７とが重ねて配置されている。従って、本体部２の上面２ａの面積が狭いときにも、チップ位置マーク１０が示す情報と１番電極指示マーク７が示す情報とを本体部２の上面２ａに配置することができる。その結果、本体部２の上面２ａに多くの情報を配置することができる。
【００６０】
（２）本実施形態によれば、ウエハー番号マーク９及びチップ位置マーク１０は金属を含んでいる。従って、Ｘ線を用いて金属を検出する方法を用いることにより、ウエハー番号マーク９及びチップ位置マーク１０を判読することができる。
【００６１】
（３）本実施形態によれば、半導体装置１は複数の電極３を備えている。通常、電極３が複数ある場合には、複数の電極３に対して電極番号等の識別名が割り振られている。そして、１番電極指示マーク７により１番電極３ａを識別することができる。
【００６２】
（４）本実施形態によれば、特定マーク８を判読することにより半導体装置１を識別することができる。そして、特定マーク８と重ねて配置されたウエハー番号マーク９により、ウエハー番号を得ることができる。さらに、チップ位置マーク１０により、半導体装置１に内蔵されたチップ１２におけるウエハー１１内の位置情報を得ることができる。
【００６３】
（５）本実施形態によれば、１番電極指示マーク７、特定マーク８、ウエハー番号マーク９、チップ位置マーク１０の各種マークはインクジェット法を用いて形成される。インクジェット法は微細な形状のマークを形成することができるので、小さな面積に多くの情報を配置することができる。
【００６４】
（６）本実施形態によれば、第１のマークとしてのウエハー番号マーク９及び第１のマークとしてのチップ位置マーク１０はＸ線透視装置４２を用いて判読することができる。この内容について半導体装置１の利用者に対して秘密にすることにより、製造者のみ判読可能な情報とすることができる。従って、利用者がこの情報を用いて間違った判断または憶測をすることを防止することができる。
【００６５】
（第２の実施形態）
次に、半導体装置の一実施形態について図５〜図７を用いて説明する。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、図１に示したウエハー番号マーク９及びチップ位置マーク１０がレーザー光を用いて形成される点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００６６】
本実施形態では、本発明の特徴的な半導体装置と、この半導体装置に描画する液滴吐出装置を説明する。さらに、この液滴吐出装置を用いてマークを描画する描画方法及びマークを判読する方法の例について説明する。
【００６７】
（半導体装置）
図５（ａ）は、半導体装置を示す概略斜視図である。最初に、マークが形成された半導体装置５５について図５（ａ）に従って説明する。半導体装置５５は、第１の実施形態における本体部２と同じ形状に樹脂により形成された基材としての本体部５６を備えている。そして、半導体装置５５の内部には半導体等により構成された回路基板が収納されている。この半導体装置５５はプラスチックパッケージと呼ばれている。
【００６８】
第１の実施形態と同様に本体部５６の上面５６ａには社名マーク４、機種コードマーク５、ロット番号マーク６、１番電極指示マーク７、特定マーク８が形成されている。本体部５６の側面５６ｂには第１の実施形態と同様に複数の電極３が配置されている。
【００６９】
図５（ｂ）は、特定マークを示す要部拡大模式図である。図５（ｂ）に示すように、特定マーク８に覆われている場所の上面５６ａにはウエハー番号マーク５７が形成されている。ウエハー番号マーク５７は上面５６ａに対して凹凸状に形成されている。従って、ウエハー番号マーク５７は視覚的に認識し難く、表面形状を測定することにより検出可能となっている。
【００７０】
図５（ｃ）は、１番電極指示マークを示す要部拡大模式図である。図５（ｃ）に示すように、１番電極指示マーク７に覆われている場所の上面５６ａにはチップ位置マーク５８が形成されている。チップ位置マーク５８は上面５６ａに対して凹凸状に形成されている。従って、チップ位置マーク５８は視覚的に認識し難く、表面形状を測定することにより検出可能となっている。そして、半導体装置５５の内部にはチップが配置され、このチップが製造されたウエハー内で位置した場所をチップ位置マーク５８が示している。
【００７１】
（液滴吐出装置）
次に、本体部５６に液滴３９の吐出とレーザー光の照射とを行ってマークを形成する液滴吐出装置５９について図５（ｄ）を用いて説明する。図５（ｄ）は、液滴吐出装置の構成を示す概略斜視図である。図５（ｄ）に示すように、液滴吐出装置５９は、Ｙ方向に走査移動する移動部としてのステージ１８とＸ方向に走査移動する移動部としてのキャリッジ２７とを備えている。ステージ１８上には位置決め板２１が設置され、位置決め板２１上には半導体装置５５がマトリクス状に配置されている。
【００７２】
ステージ１８のＸ方向にはレーザー光源６０が設置されている。レーザー光源６０は電源供給部及び発光部等を備えている。発光部は電源供給部から供給された電力を用いて発光させ、対向する鏡の間で光を反射させることによりレーザー光を形成する。レーザー光は樹脂材料に照射して凹状のマークを形成できればよく、ＹＡＧ（Ｎｄ：Ｙ3ＡＬ5Ｏ12）レーザー、炭酸ガスレーザー、アルゴンレーザー等を用いることができる。本実施形態では、例えば、ＹＡＧレーザーを採用している。レーザー光源６０は射出口６０ａを有し、射出口６０ａから−Ｘ方向にレーザー光６１を照射する。
【００７３】
射出口６０ａの−Ｘ方向にはキャリッジ２７と接続して照射部６２が設置されている。照射部６２は反射鏡、集光レンズ等を備えている。射出口６０ａから射出されたレーザー光６１は照射部６２を照射する。そして、レーザー光６１は反射鏡により−Ｚ方向に進行方向を変えられて、さらに、集光レンズを通過することにより集光されて図中下方向を照射する。
【００７４】
照射部６２と対向する場所に半導体装置５５が位置するとき、集光されたレーザー光６１が照射される。そして、レーザー光６１が照射された場所が加熱されることにより、半導体装置５５の上面５６ａに凹凸部が形成される。液滴吐出装置５９は、レーザー光６１を照射しながらステージ１８及びキャリッジ２７を駆動して照射部６２と対向する場所の半導体装置５５を移動させる。その結果、半導体装置５５は本体部５６の上面５６ａに凹凸状のウエハー番号マーク５７及びチップ位置マーク５８が形成される。
【００７５】
キャリッジ２７の下側には照射部６２と並んでヘッドユニット６３が設置され、ヘッドユニット６３のステージ１８側の面には第２ヘッド３２ｂが凸設されている。第２ヘッド３２ｂは第２収容タンク２５から図示しないチューブを介して第２機能液３６ｂが供給される。液滴吐出装置５９は、第２ヘッド３２ｂから液滴３９を吐出しながらステージ１８及びキャリッジ２７を駆動して照射部６２と対向する場所の半導体装置５５を移動させる。その結果、半導体装置５５は本体部５６の上面５６ａに社名マーク４、機種コードマーク５、ロット番号マーク６、１番電極指示マーク７、特定マーク８が形成される。
【００７６】
（描画方法）
次に、液滴吐出装置５９を用いて本体部５６に各種マークを描画する方法を図６を用いて説明する。図６は、液滴吐出装置を使った描画方法を説明するための模式図である。
【００７７】
図６（ａ）に示すように、操作者は半導体装置５５が配置された位置決め板２１をステージ１８上に載置し、基板チャック機構を用いて位置決め板２１を固定する。次に、制御装置がステージ１８を主走査方向に走査移動させる。そして、照射部６２が所定の場所に位置するとき、制御装置がレーザー光源６０を駆動して照射部６２からレーザー光６１を照射させる。
【００７８】
レーザー光６１が照射された場所は局所的に温度が上昇する。本体部５６は樹脂により形成されているので、温度が上昇する場所は樹脂材料が溶融して凹部と凸部とが形成された凹凸部６４となる。従って、本体部５６の上面５６ａにおいてレーザー光６１が照射された場所には凹凸部６４が形成される。レーザー光６１のエネルギー量や樹脂材料の種類によっては、レーザー光６１が照射された場所の樹脂材料が蒸発して凹部が形成される場合や、樹脂内の気泡が膨張することにより凸部が形成される場合もある。他にも、レーザー光６１が照射された場所の樹脂材料が酸化または改質されることにより、凹凸部６４の表面が細かな凹凸になる場合もある。凹凸部６４は以上の様な形態を含んだ状態を示す。
【００７９】
続いて、液滴吐出装置５９は副走査移動と主走査移動とを繰り返して予定した総ての場所に凹凸部６４を形成する。その結果、図６（ｂ）に示すように、本体部５６の上面５６ａにはウエハー番号マーク５７及びチップ位置マーク５８の形状に凹凸部６４が形成される。
【００８０】
次に、図６（ｃ）に示すように、再度、制御装置がステージ１８を主走査方向に走査移動させる。そして、ノズル３４が所定の場所に位置するとき、制御装置が第２ヘッド３２ｂを駆動してノズル３４から液滴３９を吐出させる。続いて、液滴吐出装置５９は副走査移動と主走査移動とを繰り返して予定した総ての場所に液滴３９を吐出する。その結果、図６（ｄ）に示すように、ウエハー番号マーク５７上には特定マーク８の形状に第２機能液３６ｂが重ねて塗布され、チップ位置マーク５８の上には１番電極指示マーク７の形状に第２機能液３６ｂが重ねて塗布される。そして、塗布された第２機能液３６ｂは暫く放置されることにより乾燥させられる。その後、本体部５６が加熱乾燥させられて、１番電極指示マーク７及び特定マーク８は固化する。
【００８１】
（判読方法）
次に、描画されたウエハー番号マーク５７及びチップ位置マーク５８を判読する方法を図７を用いて説明する。図７は、マークの判読方法を説明するための模式図である。
【００８２】
図７（ａ）に示すように、半導体装置５５は表面形状測定装置６５に設置される。表面形状測定装置６５は基台６６を備えている。基台６６上にはＸＹステージ６７が設置されている。ＸＹステージ６７には直動機構を備えた２つのステージが重ねて配置されている。２つのステージはその移動方向が直交するように配置されている。各ステージにはステージの位置を検出する機能を備えている。そして、ステージ位置の検出と移動とを行うことにより、所望の速度にて移動し所望の位置に停止することができる。直動機構は、リニアモーターやネジ式直動機構とモーターとを組合せて構成することができる。
【００８３】
ＸＹステージ６７の上側にはワーク固定板６８が設置されている。ワーク固定板６８はクランプ部６８ａを備え、クランプ部６８ａはワーク固定板６８上に配置された半導体装置５５を固定する。
【００８４】
基台６６上においてＸＹステージ６７の右側には支持台６９を介して検出部７０が配置されている。支持台６９は昇降機能を備え、検出部７０を上下動することができる。検出部７０の半導体装置５５側には上下動可能に設置された針部７０ａを備えている。そして、検出部７０の内部にはコイルが設置され、針部７０ａが上下動するとき針部７０ａの一部がコイル内に侵入する。このとき、コイルのインダクタンスが変化する。コイルに電流を流動させながら針部７０ａを上下動させることにより、針部７０ａの移動量を電気信号に変換することが可能になっている。
【００８５】
表面形状測定装置６５は制御装置７１を備え、ＸＹステージ６７、支持台６９及び検出部７０は制御装置７１と電気的に接続されている。制御装置７１は表示部７１ａを備え、表示部７１ａは表面形状測定装置６５が検出した上面５６ａの表面形状を表示する。
【００８６】
まず、制御装置７１は支持台６９を下降させることにより、針部７０ａを半導体装置５５の上面５６ａに接触させる。次に、針部７０ａが上面５６ａに接触した状態で制御装置７１がＸＹステージ６７を駆動することにより半導体装置５５を水平移動させる。そして、検出部７０が針部７０ａの移動量を電気信号に変換して制御装置７１に出力する。制御装置７１は検出部７０が出力する電気信号を用いて針部７０ａが上下動した移動量を算出する。次に、制御装置７１は半導体装置５５の移動量と針部７０ａが上下動した移動量とを組み合わせることにより、上面５６ａの表面形状を算出し、表示部７１ａに出力する。
【００８７】
図７（ｂ）は、表面形状測定装置が検出したマークの模式平面図であり、１番電極指示マーク７及びチップ位置マーク５８の場所の凹凸部６４を検出した状態を示す図である。図７（ｂ）に示すように表示部７１ａは凹凸部６４の形状に対応する段差線７２を表示する。段差線７２は上面５６ａにおいて段差となっている場所を示す。そして、第１段差線７２ａは１番電極指示マーク７の輪郭と対応する段差線７２であり、第２段差線７２ｂはチップ位置マーク５８と対応する段差線７２である。チップ位置マーク５８は人が目視にて検出し難いマークであるが、第２段差線７２ｂを観察することにより判読することができる。
【００８８】
図７（ｃ）は、表面形状測定装置が検出したマークの模式平面図であり、特定マーク８及びウエハー番号マーク５７の場所の凹凸部６４を検出した状態を示す図である。図７（ｃ）に示すように表示部７１ａは凹凸部６４の形状に対応する段差線７２を表示する。段差線７２は上面５６ａにおいて段差となっている場所を示す。そして、第３段差線７２ｃは特定マーク８の輪郭と対応する段差線７２であり、第４段差線７２ｄはウエハー番号マーク５７と対応する段差線７２である。ウエハー番号マーク５７は人が目視にて検出し難いマークであるが、第４段差線７２ｄを観察することにより判読することができる。
【００８９】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、ウエハー番号マーク５７及びチップ位置マーク５８はレーザー光６１を照射して形成される。レーザー光６１を集光して微小な空間にエネルギーを集めることにより、微細な形状のマークを形成することができる。従って、小さな面積に多くの情報を配置することができる。
【００９０】
（第３の実施形態）
次に、半導体装置の一実施形態について図８を用いて説明する。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、半導体装置が図１に示したパッケージ状でなくチップ状である点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００９１】
本実施形態では、本発明の特徴的な半導体装置を説明する。図８（ａ）は、半導体装置を示す概略斜視図である。図８（ａ）に示すように、半導体装置７５は図中上下方向に薄い直方体状に形成された基材としての本体部７６を備えている。本体部７６の図中上側を向く面を上面７６ａとし、上面７６ａと対向する面を回路面７６ｂとする。本体部７６はシリコンにより形成され、回路面７６ｂには半導体素子、配線、電極等により構成される電気回路が形成されている。
【００９２】
上面７６ａには第２のマークとしての特定マーク７７が形成されている。特定マーク７７は第１の実施形態における特定マーク８と同様の機能を有し、マークの形状と特定の意味が対応したマークである。
【００９３】
図８（ｂ）は、半導体装置を示す模式平面図である。図８（ｂ）に示すように、特定マーク７７と上面７６ａとの間には第１のマークとしてのチップ位置マーク７８が形成されている。チップ位置マーク７８は第１の実施形態におけるチップ位置マーク１０に相当するマークである。そして、チップ位置マーク７８はチップ位置マーク１０と同様にＸ線を透過し難い材料で形成されている。特定マーク７７は特定マーク８と同様に染料または顔料等により形成されており、Ｘ線を透過し易い材料で形成されている。そして、第１の実施形態と同様の方法を用いて液滴吐出装置１５はチップ位置マーク７８及び特定マーク７７を描画することができる。さらに、第１の実施形態と同様の方法を用いてチップ位置マーク７８を判読することができる。
【００９４】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、半導体装置７５がチップ状で本体部７６の上面７６ａの面積が狭いときにも、特定マーク７７が示す情報とチップ位置マーク７８が示す情報とを上面７６ａに配置することができる。その結果、本体部７６の上面７６ａに多くの情報を配置することができる。
【００９５】
（第４の実施形態）
次に、半導体装置の一実施形態について図９を用いて説明する。本実施形態が第３の実施形態と異なるところは、半導体装置が特定マーク７７とチップ位置マーク７８との間に遮蔽膜が形成されている点にある。尚、第３の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００９６】
本実施形態では、本発明の特徴的な半導体装置を説明する。図９（ａ）は、半導体装置を示す概略斜視図である。図９（ａ）に示すように、半導体装置７９は本体部７６を備えている。本体部７６の図中上側を向く面を上面７６ａとし、上面７６ａと対向する面を回路面７６ｂとする。上面７６ａには特定マーク７７が形成されている。
【００９７】
図９（ｂ）は、半導体装置を示す模式平面図であり、図９（ｃ）は、マーク部を示す模式断面図である。図９（ｂ）及び図９（ｃ）に示すように、本体部７６の上面７６ａにはチップ位置マーク７８及び第１のマークとしてのウエハー番号マーク８０が形成されている。ウエハー番号マーク８０は第１の実施形態におけるウエハー番号マーク９に相当するマークである。そして、ウエハー番号マーク８０はウエハー番号マーク９と同様にＸ線を透過し難い材料で形成されている。
【００９８】
上面７６ａの一部、チップ位置マーク７８及びウエハー番号マーク８０を覆って遮蔽膜８１が配置されている。遮蔽膜８１はチップ位置マーク７８及びウエハー番号マーク８０を隠すための膜であり、染料または顔料等のＸ線を透過し易い材料で形成されている。遮蔽膜８１上には特定マーク７７が形成されている。遮蔽膜８１と特定マーク７７とは異なる色調に配色され、特定マーク７７は目視により認識し易くなっている。第１の実施形態と同様の方法を用いて液滴吐出装置１５はチップ位置マーク７８、ウエハー番号マーク８０、遮蔽膜８１及び特定マーク７７を描画することができる。さらに、第１の実施形態と同様の方法を用いてチップ位置マーク７８及びウエハー番号マーク８０を判読することができる。
【００９９】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、ウエハー番号マーク８０と特定マーク７７との間に遮蔽膜８１が配置される。従って、特定マーク７７を判読するときにウエハー番号マーク８０の影響を受け難くすることができる。その結果、特定マーク７７を判読し易くすることができる。
【０１００】
（２）本実施形態によれば、特定マーク７７がウエハー番号マーク８０を覆いきれないときにも、遮蔽膜８１がウエハー番号マーク８０を覆うことができる。従って、ウエハー番号マーク８０を隠すことができる。
【０１０１】
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
第１の実施形態では、液滴吐出装置１５を用いて各マークを描画した。各マークを形成する方法はこれに限らない。オフセット印刷やスクリーン印刷等の印刷方法を採用しても良い。他にも、インクが塗布されたシートを当てて加熱することにより描画する方法を採用しても良い。この場合にも、Ｘ線が通過し難い材料にて形成したマークの上に重ねて別のマークを配置することにより、下側のマークを隠しながら判読可能にすることができる。第２の実施形態においてもインクジェット法の代わりにオフセット印刷やスクリーン印刷等の印刷方法を採用しても良い。同一形状のマークを形成する場合には生産性良くマークを形成することができる。
【０１０２】
（変形例２）
第１の実施形態において、機能液３６は紫外線硬化性の液状体にしても良い。液滴吐出装置１５にて描画した後に紫外線を照射して吐出した液滴３９を硬化させることができる。吐出された第１機能液３６ａを短時間で固化することができる。その結果、生産性良く各マークを形成することができる。この内容は第２の実施形態においても採用することができる。
【０１０３】
（変形例３）
第１の実施形態において、半導体装置１内の回路基板に製造履歴情報や固有情報を電気的に記憶しても良い。そして、描画時に回路基板からその情報を入力して製造履歴情報や固有情報を描画しても良い。この内容は第２の実施形態においても採用することができる。
【０１０４】
（変形例４）
第２の実施形態において、本体部５６にレーザー光６１を照射して凹凸部６４を形成した。他の方法を用いて凹凸部６４を形成しても良い。例えば、彫刻、エッチング、サンドブラスト等の方法を採用しても良い。この場合にも同様に凹凸部６４を形成することができる。
【０１０５】
（変形例５）
第２の実施形態において、本体部５６がレーザー光６１によって凹凸部６４が形成されない材質のとき、上面５６ａに膜を形成しても良い。そして、この膜にレーザー光６１を照射して凹凸部６４を形成しても良い。本体部５６の材質にかかわらず凹凸部６４を形成することができる。
【０１０６】
（変形例６）
第１の実施形態において、第１機能液３６ａは金属を含む液状体を採用したが、検出可能な他の液状体を用いても良い。例えば、紫外線照射により発光する液状体、微弱な放射線を放射する液状体、蛍光塗料を含む液状体、蓄光材料を含む液状体、磁気を含む液状体等を用いることができる。
【０１０７】
（変形例７）
第１の実施形態において、２つマークが重ねて配置された。重ねて配置されるマークは２つに限らない。３つ以上でも良い。例えば、レーザー光６１を照射して凹凸部６４によるマークを形成し、その上に第１機能液３６ａを用いてマークを形成する。さらに、そのマークの上に第２機能液３６ｂを用いてマークを形成しても良い。多くの情報を配置することができる。
【０１０８】
（変形例８）
第１の実施形態において、ウエハー番号マーク９及びチップ位置マーク１０は金属を含んだ機能液３６を塗布して形成された。そして、これらのマークはＸ線透視装置４２を用いて判読された。ウエハー番号マーク９及びチップ位置マーク１０は金属を含まない材料を用いて形成しても良い。そして、重ねて配置した１番電極指示マーク７及び特定マーク８を除去することにより、ウエハー番号マーク９及びチップ位置マーク１０を判読しても良い。
【０１０９】
（変形例９）
第１の実施形態において、ヘッドユニット２９には液滴吐出ヘッド３２が２つ設置されたが、３つ以上の液滴吐出ヘッド３２が設置されても良い。そして、例えば、第４の実施形態においてチップ位置マーク７８、ウエハー番号マーク８０、遮蔽膜８１、特定マーク７７を形成するとき３つの液滴吐出ヘッド３２を用いて各マークを形成しても良い。そして、第１ヘッド３２ａから第１機能液３６ａを液滴３９にして吐出してチップ位置マーク７８、ウエハー番号マーク８０を形成する。第２ヘッド３２ｂから第２機能液３６ｂを液滴３９にして吐出して遮蔽膜８１を形成する。さらに、第３ヘッドから第３機能液を液滴３９にして吐出して特定マーク７７を形成する。以上の様に、液滴吐出ヘッド３２の数を多くすることにより多くの種類の機能液３６のマークもしくは膜を形成することができる。
【符号の説明】
【０１１０】
１，５５，７５，７９…半導体装置、２，５６，７６…基材としての本体部、３…電極、７…第２のマークとしての１番電極指示マーク、８，７７…第２のマークとしての特定マーク、９，５７，８０…第１のマークとしてのウエハー番号マーク、１０，５８，７８…第１のマークとしてのチップ位置マーク、６４…凹凸部、８１…遮蔽膜。
【図１】
2011113996.tif 000003
【図２】
2011113996.tif 000004
【図３】
2011113996.tif 000005
【図４】
2011113996.tif 000006
【図５】
2011113996.tif 000007
【図６】
2011113996.tif 000008
【図７】
2011113996.tif 000009
【図８】
2011113996.tif 000010
【図９】
2011113996.tif 000011