(57)【要約】【課題】ワーク表面へ粒子を放出して改質し、２枚のワークを積層し、加圧（または加熱）して貼り合わせることが可能なワーク貼り合わせ装置を提供すること。【解決手段】第１のワークＷ１を反転ステージユニット３０の反転ステージ３１に載置して吸着保持させ、また、第２のワークＷ２を加圧ステージユニット２０のワークステージ２１上に載置し、例えば光照射ユニット１０からＵＶ光を照射し、ワークＷ１，Ｗ２の表面を改質する。次いで、反転ステージユニット３０、加圧ステージユニット２０を光照射ユニット１０から退避させて、反転ステージ３１を１８０°反転させて、ワークステージ２１上でワークＷ１，Ｗ２を重ね合わせ、ワークＷ１，Ｗ２を加圧（または加熱）して貼り合わせる。そして反転ステージ３１を元の状態に反転させ、貼り合わせたワークＷ１，Ｗ２（マイクロチップ）を取り出す。【選択図】    図１
2011091230.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方に微細な流路が形成されている第一および第二のワーク同士を貼り合せる装置であって、
上記第一のワークを保持するステージと、
上記ステージに保持された第一のワークの表面を改質処理するための改質能を有する粒子を放出する放出ユニットと、
上記ステージに保持された第一のワークの改質面に、第二のワークの一方の面が接触するように積層された上記第一のワークおよび第二のワークの少なくとも上下方向の移動を規制する移動規制機構と、
上記積層された状態の第一のワーク及び第二のワークを、その接触面が加圧されるように加圧する加圧機構とを備えた
ことを特徴とするワーク貼り合わせ装置。
【請求項２】
少なくとも一方に微細な流路が形成されている第一及び第二のワーク同士を貼り合せる装置であって、
上記第一のワークを保持する第一のステージと、
上記第二のワークを保持する第二のステージと、
第一のワークの表面及び／または第二のワークの表面を改質処理するための改質能を有する粒子を放出する少なくとも一つの放出ユニットと、
少なくとも、上記第一および第二のステージに保持された上記第一、第二のワークの内の一方のワークの改質面が、他方のワークの表面もしくは改質面に接触するように両者を積層させるワーク積層機構と、
積層された第一及び第二のワークの少なくとも上下方向の移動を規制する移動規制機構と、
積層された状態の上記第一のワーク及び第二のワークを、その接触面が加圧されるように加圧する加圧機構と、
第一のステージに保持された第一のワークの表面及び／または第二ステージに保持された第二のワークの表面と、上記放出ユニットとの距離をそれぞれ独立して調整するための間隙設定機構とを備えた、
ことを特徴とするワーク貼り合わせ装置。
【請求項３】
前記放出ユニットは、第一のステージに保持された第一のワークに対するユニットと、第二のステージに保持された第二のワークに対するユニットの２つより構成される
ことを特徴とする請求項２に記載のワーク貼り合わせ装置。
【請求項４】
前記ステージ、または、第一のステージ及び／または第二のステージに、加熱機構が設けられた
ことを特徴とする請求項１，２または請求項３に記載のワーク貼り合わせ装置。
【請求項５】
前記ステージと放出ユニットの間、または、前記第一のステージと前記放出ユニットの間及び／または前記第二のステージと前記放出ユニットの間に、ワーク表面の所定領域における改質処理を制限するためのマスクの脱着機構が設けられた
ことを特徴とする請求項１，２または請求項３に記載のワーク貼り合わせ装置。
【請求項６】
前記放出ユニットは、波長２００ｎｍ以下の光子を放出する光放出ユニットである
ことを特徴とする請求項１，２または請求項３に記載のワーク貼り合わせ装置。
【請求項７】
前記放出ユニットは、プラズマ粒子を放出するプラズマ放出ユニットである
ことを特徴とする請求項１，２または請求項３に記載のワーク貼り合わせ装置。
【請求項８】
前記放出ユニットと前記ステージ、または、前記放出ユニットと前記第一のステージ及び前記第二のステージが、相対的に移動するための機構を有する
ことを特徴とする請求項１，２または請求項３に記載のワーク貼り合わせ装置。
【請求項９】
前記加圧機構は、積層された状態の第一のワークと第二のワークの接触圧力を調整する機構を備えた
ことを特徴とする請求項１，２または請求項３に記載のワーク貼り合わせ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はワーク（基板）の貼り合わせ装置に関し、特に、少なくとも一方に微細な流路が形成されているワーク（基板）同士を貼り合わせるための装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばシリコン、シリコーン、ガラスなどよりなる小さな基板上に、半導体微細加工の技術によってマイクロスケールの分析用チャネルなどを形成したマイクロチップよりなるマイクロリアクタを用いて微量の試薬の分離、合成、抽出、分析などを行う手法が注目されている。
このようなマイクロリアクタを用いた反応分析システムは、マイクロ・トータル・アナリシス・システム（以下、「μＴＡＳ」という。）と称されており、μＴＡＳによれば、試薬の体積に対する表面積の比が大きくなることなどから高速かつ高精度の反応分析を行うことが可能となり、また、コンパクトで自動化されたシステムを実現することが可能となる。
【０００３】
マイクロチップでは、マイクロチャンネルとも呼ばれる流路に、試薬が配置された反応領域など、各種機能を有する領域を設けることにより、様々な用途に適したチップを構成できる。マイクロチップの用途としては、遺伝子解析、臨床診断、薬物スクリーニングなどの化学、生化学、薬学、医学、獣医学の分野における分析、あるいは、化合物の合成、環境計測などが代表的である。
上記したマイクロチップは、典型的には一対の基板が対向して接着された構造を有し、少なくとも１つの上記基板の表面に微細な流路（例えば、幅１０〜数１００μｍ、深さ１０〜数１００μｍ程度）が形成されている。これまでマイクロチップには、製造が容易であり、光学的な検出も可能であることから、主にガラス基板が用いられている。また、最近では、軽量でありながらガラス基板に比べて破損しにくく、かつ、安価な、樹脂基板を用いたマイクロチップの開発が進められている。
【０００４】
マイクロチップの貼り合わせ方法としては、接着剤を使用する方法、熱融着による方法が考えられる。しかしながら、両者は以下の理由により好ましくない。
接着剤を使用する場合、接着剤が微小流路に染みだして流路が閉塞したり、微小流路の一部が狭くなって流路が不均一となったり、また流路壁面の均質な特性の乱れの発生といった問題が発生する。
また、熱融着の場合、加熱溶融温度以上で融着すると加熱段階で流路がつぶれてしまうとか、流路が所定の断面形状に保持できないなどの問題が生じ、熱融着による接着では、マイクロチップの高機能化が困難となる。
そこで、近年は真空紫外光を基板表面に照射して、基板表面を活性化させた後に基板を貼り合わせる方法が一般的である。
【０００５】
例えば、特許文献１においては、マイクロチップ用基板の貼り合わせに際し、ポリジメチルシロキサン (Ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ: ＰＤＭＳ) などのシリコーンからなる基板に波長１７２ｎｍに輝線を有するエキシマランプからの光を照射して当該表面に改質処理（酸化処理）を施し、表面に水酸基が存在する基板（例えば、ガラス基板）を上記シリコーン基板の被改質処理表面に密着させて、両基板を接合する方法が提案されている。
また、特許文献２においては、マイクロチップ用基板として２枚の樹脂基板を使用する例を示している。すなわち、マイクロチップ用基板の貼り合わせに際し、例えば、シクロオレフィンポリマー (Ｃｙｃｌｏ  Ｏｌｅｆｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ: ＣＯＰ )等からなる２枚の樹脂基板の少なくとも一方の基板表面に波長１７２ｎｍに輝線を有するエキシマランプからの光を照射して、その後、両基板を積層して組成変形温度未満までの温度に加熱したり、あるいは加熱することなく加圧して両者を接合する方法が提案されている。なお、加熱工程と加圧工程は両方実施してもよい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１８７７３０号公報
【特許文献２】特開２００８−１９３４８号公報
【特許文献３】特開２００７−４０７５１号公報
【特許文献４】特開２００８−１６６５４８号公報
【特許文献５】特開２００４−１５４８９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上のように、少なくとも一方に微細な流路が形成されている２枚のマイクロチップ基板を貼り合わせる場合、両基板のうちの少なくとも一方の基板の表面に真空紫外光の照射等、改質能を有する粒子を放出して当該表面を改質し、その後、両者を積層して貼り合わせるという方法が有効となる。積層後は、上記したような積層基板への加熱処理や、積層基板の加圧処理が行われる。
これは、上記したように、両基板とも樹脂基板であってもよいし、一方がガラス基板で他方が樹脂基板であってもよい。
しかしながら、このような２枚の基板（ワーク）に対し、ワーク表面への改質能を有する粒子の放出工程、２枚のワークの積層工程、２枚のワークの加熱工程および／または加圧工程といった一連のワーク（マイクロチップ基板）の貼り合わせ工程を実施可能であって、かつ、装置全体がコンパクトに構成されているような貼り合わせ装置は提案されていない。
【０００８】
例えば、特許文献３に記載されているマイクロチップ基板の貼り合わせ装置は、光透過性チップ基板と光吸収性チップ基板とからなるマイクロチップ基板であって、上記光透過性チップ基板が上部に配置されるように予め両者を積層しておいたマイクロチップ基板を、まず加圧機構に設置して当該マイクロチップ基板を加圧する。
その後、上記マイクロチップ基板の上部（光透過性チップ基板の上部）側から、フラッシュランプから放出される閃光を上記マイクロチップ基板に照射し、熱融着により両チップ基板を接着するものである。
すなわち、特許文献３のものは、熱融着方法を使用した基板の貼り合わせ装置であって、前記したような一連のワークの貼り合わせ工程（光照射→積層→加圧および／または加熱）を実現するものではない。
【０００９】
また特許文献４に記載の貼り合わせ装置は、サポートプレートとウエハとを接着して貼り合わせるものである。まずサポートプレート上面に接着剤を塗布し、反転機構によりサポートプレートを反転させてサポートプレートの接着剤塗布面が下面側となるようにする。そしてサポートプレートとウエハとを接着剤を介して積層し、両者を加圧して、両者を接合する。すなわち、特許文献４のものは、接着剤を使用した基板の貼り合わせ装置であって、前記したような一連のワークの貼り合わせ工程を実現するものではない。
また特許文献５に記載の貼り合わせ装置は、マイクロチップに大気圧プラズマとＵＶ光（例えば、波長１７２ｎｍ）の少なくとも１つを照射し、それらを貼りあわせるものである。具体的には、コンベアにより搬送される基板に大気圧プラズマとＵＶ光の少なくとも１つを照射し、ハンドリングロボットにより貼り合わせ装置に基板を搬送し、その後、当該貼り合わせ装置により上記基板を貼り合せるものである。
しかしながら、特許文献５には貼り合わせ装置の具体的な構成は開示されておらず、また、コンベアを使用した光照射兼搬送装置と貼り合わせ装置が個別に存在するので、装置自体が大掛かりとなっている。
【００１０】
本発明は上記したような事情を鑑みなされたものであって、その課題は、２枚の基板（ワーク）に対し、ワーク表面への改質能を有する粒子の放出処理工程、２枚のワークの積層工程、２枚のワークの加熱工程および／または加圧工程といった一連のワークの貼り合わせ工程を実施可能であって、かつ、装置全体がコンパクトに構成されるワークの貼り合わせ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明においては、上記課題を解決するため、少なくとも一方に微細な流路が形成されている第一および第二のワーク同士を貼り合せるためのワーク貼り合わせ装置を次のように構成する。
（１）ワーク貼り合わせ装置を、第一のワークを保持するステージと、このステージに保持された第一のワークの表面を改質処理するための改質能を有する粒子を放出する放出ユニットと、上記ステージに保持された第一のワークの改質面に、第二のワークの一方の面が接触するように積層された上記第一のワークおよび第二のワークの少なくとも上下方向の移動を規制する移動規制機構と、上記積層された状態の第一のワーク及び第二のワークを、その接触面が加圧されるように加圧する加圧機構とから構成する。
上記第１、第２のワークは例えばマイクロチップ基板であり、上記放出ユニットは、例えば、ＵＶ光などの光子を放出する光源装置、あるいはプラズマ（酸素プラズマ、不活性ガスプラズマ）粒子を放出する放出ユニット等である。
なお、上記において、上記ステージに保持された第一のワークの表面と、上記放出ユニットとの間隙（距離）を調整するための間隙設定機構を設けることで、この間隙を放出ユニットに応じた最適な値に設定することができる。
（２）ワーク貼り合わせ装置を、上記第一のワークを保持する第一のステージと、上記第二のワークを保持する第二のステージと、第一のワークの表面及び／または第二のワークの表面を改質処理するための改質能を有する粒子を放出する少なくとも一つの放出ユニットと、少なくとも、上記第一および第二のステージに保持された上記第一、第二のワークの内の一方のワークの改質面が、他方のワークの表面もしくは改質面に接触するように両者を積層させるワーク積層機構と、積層された第一及び第二のワークの少なくとも上下方向の移動を規制する移動規制機構と、積層された状態の上記第一のワーク及び第二のワークを、その接触面が加圧されるように加圧する加圧機構と、第一のステージに保持された第一のワークの表面及び／または第二ステージに保持された第二のワークの表面と、上記放出ユニットとの距離をそれぞれ独立して調整するための間隙設定機構とから構成する。（３）上記（２）において、前記放出ユニットを、第一のステージに保持された第一のワークに対するユニットと、第二のステージに保持された第二のワークに対するユニットの２つより構成する。
（４）上記（１）（２）（３）において、前記ステージ、または、第一のステージ及び／または第二のステージに、加熱機構を設ける。
（５）上記（１）（２）（３）において、前記ステージと放出ユニットの間、または、前記第一のステージと前記放出ユニットの間及び／または前記第二のステージと前記放出ユニットの間に、ワーク表面の所定領域における改質処理を制限するためのマスクの脱着機構を設ける。
（６）上記（１）（２）（３）において、前記放出ユニットとして、波長２００ｎｍ以下の光子を放出する光放出ユニットを用いる。
（７）上記（１）（２）（３）において、前記放出ユニットとして、プラズマ粒子を放出するプラズマ放出ユニットを用いる。
（８）上記（１）（２）（３）において、前記放出ユニットと前記ステージ、または、前記放出ユニットと前記第一のステージ及び前記第二のステージが、相対的に移動するための機構を設ける。
（９）上記（１）（２）（３）において、前記加圧機構は、積層された状態の第一のワークと第二のワークの接触圧力を調整する機構を備える。
【発明の効果】
【００１２】
本発明においては、以下の効果を得ることができる。
（１）ワーク貼り合わせ装置を、第一のワークを保持するステージと、改質能を有する粒子を放出する放出ユニットと、第一のワークの改質面に第二のワークの一方の面が接触するように積層された状態で上記第二のワークを支持する移動規制機構と、第一のワーク及び第二のワークを加圧する加圧機構とから構成したので、ワーク表面への改質能を有する粒子の放出、積層した第一、第二のワークの加圧工程といった一連のワークの貼り合わせ工程を一台の装置で実施することができ、装置全体をコンパクトに構成することができる。
（２）ワーク貼り合わせ装置を、第一、第二のワークを保持する第一、第二のステージと、第一及び／または第二のワークの表面を改質処理するための改質能を有する粒子を放出する放出ユニットと、第一、第二のワークの改質面が接触するように両者を積層させるワーク積層機構と、その状態で上下方向の移動を規制する移動規制機構と、第一のワーク及び第二のワークを加圧する加圧機構と、第一のワークの表面及び／または第二のワークの表面と放出ユニットとの距離をそれぞれ独立して調整するための間隙設定機構とから構成したので、第一のワーク及び第二のワーク表面への改質能を有する粒子の放出、該第一、第二のワークの積層、加圧工程を一台の装置で実施することができ、装置全体をコンパクトに構成することができる。
また、第一のワークの表面及び／または第二のワークの表面と放出ユニットとの距離をそれぞれ独立して調整するための間隙設定機構を設けることで、放出ユニットと第一、第二のワークの照射面とのそれぞれの間隙（距離）を、ワーク表面を改質するのに最適な間隙に調整することができ、効果的な改質が可能となる。
また、上記間隙を放出ユニットに応じた最適な値に設定することが可能となるので、改質処理の雰囲気を例えば真空雰囲気等の特殊な雰囲気にする必要がなく、装置をコンパクトに構成することができる。
例えば、上記放出ユニットから波長１７２ｎｍのＵＶ光を照射する場合、ＵＶランプの下側と両ワークの照射面との距離を例えば、１〜５ｍｍに設定することで、ＵＶ光照射雰囲気を真空雰囲気にすることなく、照射雰囲気が大気中であってもワーク表面を改質することが可能となり、ＵＶ光照射雰囲気を波長１７２ｎｍのＵＶ光が減衰しない真空雰囲気にする必要がない。このため、装置全体をよりコンパクトに構成することができる。
（３）放出ユニットを、第一のステージに保持された第一のワークに対するユニットと、第二のステージに保持された第二のワークに対するユニットの２つより構成することにより、第一のワークと第二のワークに対して同時に放出ユニットから改質能を有する粒子を放出することが可能であり、効率的に作業を行なうことができる。
（４）ステージに加熱機構を設けることにより、ワーク表面への改質能を有する粒子の放出・ワークの積層工程を実施した後、（Ａ）２枚のワークの加圧工程、（Ｂ）２枚のワークの加熱工程、（Ｃ）２枚のワークの加圧工程および加熱工程からなる工程グループから任意の工程を選択的に実施することが可能となる。
（５）ステージと放出ユニットの間に、マスクの脱着機構を設けることにより、ワーク表面上に改質処理をしては不都合な領域があっても、マスクを装着することで、改質処理をしては不都合な領域をマスクし、改質処理しては不都合な領域を保護することができる。
（６）放出ユニットとして、波長２００ｎｍ以下の光子を放出する光放出ユニットを用いたり、プラズマ粒子を放出するプラズマ放出ユニットを用いることにより、効果的な改質処理が可能となる。
（７）放出ユニットとステージが相対的に移動できるように構成することにより、ステージ上に載置されたワーク上の空間を確保することができる。このため、第一と第二のワークの積層処理等を容易に行なうことができる。
（８）加圧機構に積層された状態の第一のワークと第二のワークの接触圧力を調整する機構を設けることにより、第一のワークと第二のワークを適正な圧力で加圧することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施例の装置構成例を示す図である。
【図２】反転ステージユニットを図１の矢印Ａの方向から見た図である。
【図３】加圧ステージユニットを図１の矢印Ｂの方向から見た図である。
【図４】本発明の第１の実施例の動作（光照射前）を説明する図（１）である。
【図５】本発明の第１の実施例の動作（光照射）を説明する図（２）である。
【図６】本発明の第１の実施例の動作（反転ステージユニット、加圧ステージユニットの退避）を説明する図（３）である。
【図７】本発明の第１の実施例の動作（反転、加圧動作の準備）を説明する図（４）である。
【図８】本発明の第１の実施例の動作（反転動作）を説明する図（５）である。
【図９】本発明の第１の実施例の動作（加圧動作）を説明する図（６）である。
【図１０】本発明の第１の実施例の動作（加圧動作）を説明する図（７）である。
【図１１】本発明の第１の実施例の動作（ワークの取り出し）を説明する図（８）である。
【図１２】光照射ユニットとワークとの間の距離（間隔）を説明する図である。
【図１３】本発明の第２の実施例である加熱機構を備えた装置構成例を示す図である。
【図１４】本発明の第３の実施例である各制御部の実行タイミングを制御する上位コントローラを設けた場合の構成例を示す図である。
【図１５】本発明の第４の実施例である光照射ユニットを上下方向に移動可能に構成した場合の装置構成例を示す図である。
【図１６】本発明の第５の実施例である、一つの光照射ユニットにより第１、第２のワークに個別に光を照射するように構成した場合の装置構成例を示す図である。
【図１７】発明の第６の実施例である、２枚のマイクロチップ基板の一方のみに真空紫外光等を照射するように構成した場合の装置構成例を示す図である。
【図１８】本発明の第６の実施例の動作（第１、第２のワークの積層）を説明する図（１）である。
【図１９】本発明の第６の実施例の動作（加圧用ふたの設置準備）を説明する図（２）である。
【図２０】本発明の第６の実施例の動作（加圧用ふたの設置）を説明する図（３）である。
【図２１】本発明の第６の実施例の動作（加圧用ふたの固定動作）を説明する図（４）である。
【図２２】本発明の第６の実施例の動作（加圧動作）を説明する図（５）である。
【図２３】本発明の第６の実施例の動作（加圧動作）を説明する図（６）である。
【図２４】本発明の第６の実施例の動作（ワークの取り出し）を説明する図（７）である。
【図２５】本発明の第７の実施例である光照射ユニットに代えてプラズマ発生手段を用いた場合の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の具体的に実施例について説明する。
１．実施例１
図１に本発明の第１の実施例のワーク貼り合わせ装置の構成例を示す。
本装置は、２枚のワーク表面へＵＶ光を照射して当該表面を改質し、上記２枚のワークを積層し、その後上記２枚のワークに圧力を加えて、上記２枚のワークを貼り合わせるためのものである。
上記２枚のワークはマイクロチップ基板であり、例えば、環状オレフィンコポリマー（Ｃｙｃｌｉｃ  Ｏｌｅｆｉｎ  Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ：ＣＯＣ）からなる。
第１のワークは、貼り合わされ形成されるマイクロチップの上側の基板であり、所謂、蓋に相当する。第２のワークは、例えば幅１０〜数１００μｍ、深さ１０〜数１００μｍ程度の微細な溝部からなる流路（マイクロチャンネル）が形成されている。なお、検査体（例えば、唾液、血液、（がん）細胞など）は、マイクロチップ基板を貼り合わせる前に一方の基板に予め設置される場合もあれば、両基板の貼り合わせ後に、マイクロチップ内部に設置される場合もある。本実施例ではマイクロチップ基板を貼り合わせる前に第２のワーク（マイクロチップ基板）に検査体を予め設置している場合を例に取り説明する。
【００１５】
［装置構成］  
図１における貼り合わせ装置は大きく分けて、光照射ユニット１０（放出ユニット）、加圧ステージユニット２０（加圧機構）、反転ステージユニット３０（ワーク積層機構）の３つのユニットから構成される。
ａ．光照射ユニット
光照射ユニット１０は、第１のワークＷ１の表面、第２のワークＷ２の表面にＵＶ光を照射して、両表面を改質するためのものである。光照射ユニット１０は、少なくとも１本以上のＵＶランプ１１ａと、ＵＶランプ１１ａから放出される光をワーク側（図１では下方向）に反射する反射ミラー１１ｂと、これらを内包するランプハウス１０ａとからなる。ＵＶランプ１１ａとしては、例えば、波長１７２ｎｍに中心波長を有する単色光の光を放出する真空紫外エキシマランプが採用される。光照射ユニット１０の各ＵＶランプ１１ａの点灯制御は、ランプ点灯装置１３により行われる。すなわち、ランプ点灯装置１３はＵＶランプ１１ａの点灯・消灯を制御したり、ＵＶランプ１１ａへの供給電力の値を調整することにより、ＵＶランプ１１ａから放出されるＵＶ光の強度を調整する機能等を有する。
【００１６】
ｂ．反転ステージユニット
反転ステージユニット３０は、加圧ステージユニット２０と協働して、反転ステージ３１に載置された第１のワークＷ１を加圧ステージユニット２０のワークステージ２１に載置された第２のワークＷ２に積層させるためのものである。
図２は反転ステージユニットを図１の矢印Ａの方向から見た図である。
反転ステージ３１には、第１のワークＷ１を位置決めするための位置決めピン３１ｃが設けられている。第１のワークＷ１のような四角形のワークの場合、位置決めピン３１ｃは３本設けられる。このうちの１本は、四角形のワークの短辺に対応し、残り２本は四角形のワークの長辺に対応する。
反転ステージ３１は、第１のワークＷ１を真空チャック機構により吸着保持可能となっている。
すなわち、反転ステージ３１のワーク載置面には、ワーク（第１のワークＷ１）形状に対応して構成されている吸着用溝部３１ａが形成されている。
反転ステージ３１の内部には図示を省略した真空供給路が設けられている。この真空供給路の一方は真空供給管３５ａと接続されていて、真空供給路の他方は吸着用溝部３１ａに設けられた真空供給用孔部３１ｂと連通している。
第１のワークＷ１が反転ステージ３１上に載置されると、真空供給機構３５により真空供給管３５ａを介して真空供給路、吸着用溝部３１ａ、第１のワークＷ１の載置面からなる空間に真空が供給される（すなわち、上記空間内が減圧される）。これにより、第１のワークＷ１は反転ステージ３１上に吸着保持される。このような真空チャック機構の制御は、真空チャック駆動制御部３５ｂが真空供給機構３５の動作を制御することにより行われる。
【００１７】
反転ステージ３１の一端側には軸３３ｂが貫通している。この軸３３ｂと反転ステージ３１は、例えば、止めねじ等で固定されている。軸は、図１、図２に示すように、反転ステージベース３４上に設けられた軸受け部材３３ｄにより、回転可能に保持される。
軸３３ｂの一端は、カップリング３３ｃを介してモータ等の反転ステージ駆動機構３３の回転軸３３ｅと連結している。反転ステージ制御部３３ａは、反転ステージ駆動機構３３の動作を制御するものである。例えば、反転ステージ制御部３３ａの指令により反転ステージ駆動機構３３の回転軸３３ｅが（図１において）時計周りに１８０度回転すると、カップリング３３ｃを介して連結されている軸３３ｂも１８０度回転する。結果として、軸に固定されている反転ステージ３１も１８０度反転する。
図１において、反転ステージ３１は、反転ステージ３１に設けられているステージ保持機構３２と、上記反転ステージ３１に固定されている軸３３ｂを回転可能に保持する軸受け部材３３ｄとによりほぼ水平に保持される。
ステージ保持機構３２は、反転ステージ３１の背面側からばねを介して反転ステージ３１を保持する。
【００１８】
図１に示す貼り合わせ装置が大気中に設置される場合、光照射ユニット１０から第１のワークＷ１、第２のワークＷ２に照射される波長１７２ｎｍのＵＶ光は、大気中で著しく減衰する。よって、大気中においては、光照射ユニット１０と第１のワークＷ１の表面、第２のワークＷ２の表面とはある程度接近している必要がある。
反転ステージベース３４は、高さ調整用スペーサ３４ａを挿入することにより、その高さを調整することが可能となる。反転ステージベース３４の高さが変更されると、反転ステージベース３４上面に設置されている軸受部材３３ｄの高さも変わる。その結果、反転ステージ３１が傾くことになる。
しかしながら、反転ステージベース３４の高さ調整を行う際、ステージ保持機構３２の高さを調整することにより、反転ステージベース３４の高さを変化させても、反転ステージ３１をほぼ水平に保持することが可能となる。
なお、反転ステージ固定機構３６、固定機構駆動部３６ａ、固定機構駆動制御部３６ｂについては、後で説明する。
【００１９】
ｃ．加圧ステージユニット
加圧ステージユニット２０は、反転ステージユニット３０と協働して、反転ステージ３１に載置された第１のワークＷ１を加圧ステージユニット２０のワークステージ２１に載置された第２のワークＷ２に積層させるためのものである。
更には、積層された第１のワークＷ１と第２のワークＷ２を加圧し、両者を接合するためのものである。
加圧ステージユニット２０は、加圧ステージ２３と補助ステージ２２、および補助ステージ２２上に配置されたワークステージ２１からなる。加圧ステージ２３の上面には、ばね２７と当該ばねを内部に収容するばねケース２７ａとが設置され、補助ステージ２２はこのばね２７により保持される。
また、２本の円柱状の柱２６が、加圧ステージ２３と補助ステージ２２を貫通している。各ステージ２３，２２の柱２６が貫通する部分は軸受構造となっており、各ステージ２３，２２は柱２６に規制された直線方向（すなわち、上下方向）に移動可能となっている。
柱２６の頂部にはフランジ部２６ａが設けられる。また柱２６において、前記フランジ部２６ａと補助ステージ２２との間には、高さ調整用カラー２６ｂが挿入される。
後で詳細に述べるが、高さ調整用カラー２６ｂの厚みを調整することにより、ワークステージ２１のベース４１からの高さ（ワークステージ２１上の第２のワークＷ２の表面と光照射ユニット１０との距離）を調整することが可能となる。
加圧ステージ２３の下面は、例えばエアシリンダからなるステージ移動機構２４と接続されている。ステージ移動機構２４が駆動されることにより、加圧ステージ２３、補助ステージ２２および補助ステージ２２上に配置されたワークステージ２１は上下方向に移動する。ステージ移動機構２４の駆動は、ステージ移動機構駆動制御部２４ａにより制御される。
【００２０】
ワークステージ２１上には、第２のワークＷ２が載置される。図示は省略するが、ワークステージ２１には第２のワークＷ２の位置を位置決めする位置決め機構（図示せず）が設けられる。位置決め機構としては、例えば、反転ステージの場合と同様、位置決めピンが用いられる。
なお、必要に応じて、ワークステージ２１は図１の上下方向に対して垂直な方向であって互いに直行するＸ−Ｙ方向に移動可能なように構成される。また、場合によっては、ワークステージは、中心軸（軸の方向は、図１の上下方向と同じ）に対して回転可能、傾斜可能であるように構成される。
このようなワークステージ２１の駆動は、ワークステージ駆動制御部２１ａにより制御される。
【００２１】
図３は加圧ステージユニットを図１の矢印Ｂの方向から見た図である。
上記したように、第１、第２のワークＷ１，Ｗ２は、例えば、マイクロチップ基板であり、本実施例においては、両者を貼り合わせる前に、第２のワークＷ２（マイクロチップ基板）には検査体が予め設置されている。第２のワークＷ２の表面を改質するために、第２のワークＷ２にＵＶ光を照射する場合、当然ながら、第２のワークＷ２に搭載された検査体にもＵＶ光が照射される。
しかしながら、検査体によってはＵＶ光の照射により検査体自体の変質が発生することがある。このような場合、マイクロチップ基板を貼り合わせてマイクロチップを形成しても、検査体の分析・計測が困難となってしまう。
このような場合は、第２のワークＷ２に設置されている検査体にＵＶ光が照射されないように遮光することが望ましい。
本実施例では、光照射ユニット１０と第２のワークＷ２との間にマスクＭを配置する。マスクＭは、検査体の設置パターンに対応して、検査体にＵＶ光が照射されないようにパターニングされている。
上記マスクＭはマスクホルダ１４により保持される。マスクホルダ１４は、マスクホルダ駆動部１４ａによって例えば図３の矢印方向に移動可能であるように構成される。マスクホルダ駆動部１４ａの駆動は、マスクホルダ駆動制御部１４ｂによって制御される。
一方、加圧ステージユニット２０は、加圧ステージ２３と補助ステージ２２との間の空間に挿入・離脱可能なストッパ２８を有する。ストッパ２８は、両ワークを加圧する際、加圧ステージ２３と、補助ステージ２２との間の空間に挿入される。なお、ストッパの詳細な動作については後で述べる。
本実施例では、マスクＭを保持するマスクホルダ１４とこれを駆動するマスクホルダ駆動部１４ａとが、マスクの着脱機構に相当する。
【００２２】
ｄ．ベース
図１に示すように、上記した反転ステージユニット３０と加圧ステージユニット２０は、直動ベース４２上に設けられる。直動ベース４２はベース４１上に設置され、直線方向に移動可能であるように構成される。直動ベース４２の駆動は、直動ベース駆動制御部４３により制御される。なお、図示を簡単にするため、ここでは、直動ベース４２を駆動する直動ベース駆動部は直動ベースに含まれているものとしている。
図１において、直動ベース４２は、当該直動ベース上に設置される反転ステージユニット３０が保持する第１のワークＷ１と、加圧ステージユニット２０が保持する第２のワークＷ２とが、光照射ユニット１０から照射されるＵＶ光の照射領域に対して侵入・離脱ができるように駆動される。
【００２３】
以下、図４−図１１により、第１の実施例における貼り合わせ装置の動作例について説明する。
Ａ．動作１（光照射前）
（１）図４に示すように、直動ベース駆動制御部４３は、直動ベース４２を初期位置に位置するように駆動する。ここでの初期位置とは、当該直動ベース４２上に設置される反転ステージユニット３０が保持する第１のワークＷ１の位置と、加圧ステージユニット２０が保持する第２のワークＷ２の位置が、光照射ユニット１０から照射されるＵＶ光の照射領域から離脱している位置である。また、この初期位置は、反転ステージ３１が反転する際、光照射ユニット１０と干渉しない位置でもある。
（２）反転ステージユニット３０において、第１のワークＷ１の厚みを考慮して、高さ調整用スペーサ３４ａにより反転ステージベース３４の高さが所定の高さとなるように調整する。この所定の高さとは、反転ステージ３１に第１のワークＷ１を載置し、かつ、第１のワークＷ１が光照射ユニット１０の照射領域に位置したときに、ＵＶランプ１１ａの下側と第１のワークＷ１の照射面との距離がＤとなるような高さである。すなわち、高さ調整用スペーサ３４ａは、光照射ユニット１０（放出ユニット）と反転ステージ３１に載置された第１のワークＷ１の表面との距離を設定する間隙設定機構として機能する。
（３）第１のワークＷ１を反転ステージユニット３０の反転ステージ３１に載置し、所定の位置に位置決めする。ここで第１のワークＷ１は四角形形状であるとする。位置決めは、図２に示すように、位置決めピン３１ｃに押し当てることによりなされる。なお、第１のワークＷ１の設置は、作業者が行ってもよいし、図示、説明を省略した周知の搬送機構を用いて行ってもよい。
【００２４】
（４）真空チャック駆動制御部３５ｂが真空供給機構３５を駆動し、真空供給管３５ａを介して反転ステージ３１に真空を供給する。すなわち、真空供給路（不図示）、吸着用溝部３１ａ、第１のワークＷ１の載置面からなる空間内が減圧され、第１のワークＷ１は反転ステージ３１上に吸着保持される。
（５）一方、加圧ステージユニット２０において、第２のワークＷ２をワークステージ２１に載置し、所定の位置に位置決めする。位置決めは、例えば第１のワークＷ１における位置決めと同様であり、ここでは詳細は省略する。なお、第２のワークＷ２の設置は、作業者が行ってもよいし、図示、説明を省略した周知の搬送機構を用いて行ってもよい。
（６）第２のワークＷ２の厚みを考慮して、ステージ移動機構駆動制御部２４ａによってステージ移動機構２４を駆動することにより加圧ステージ２３、補助ステージ２２、ワークステージ２１を移動させ、ワークステージ２１の高さが所定の高さとなるように調整する。具体的には、ステージ移動機構駆動制御部２４ａによってステージ移動機構２４を駆動し、補助ステージ２２表面が高さ調整用カラー２６ｂに接触し、更に高さ調整用カラー２６ｂが柱２６のフランジ部２６ａと接触するまで、加圧ステージ２３、補助ステージ２２、ワークステージ２１を移動させる。
【００２５】
補助ステージ２２表面の高さは、補助ステージ２２と上記フランジ部２６ａとの間に設けた高さ調整用カラー２６ｂの厚みに依存する。すなわち、補助ステージ２２表面に設けられたワークステージ２１の高さも高さ調整用カラー２６ｂの厚みに依存し、高さ調整用カラー２６ｂの厚みはワークステージ２１の高さが上記した所定の高さとなるように選択される。すなわち、高さ調整用カラー２６ｂは、光照射ユニット１０（放出ユニット）とワークステージ２１に載置された第２のワークＷ２の表面との距離を設定する間隙設定機構として機能する。
ここで、この所定の高さとは、ワークステージ２１に第２のワークＷ２を載置し、かつ、第２のワークＷ２が光照射ユニット１０の照射領域に位置したときに、ＵＶランプ１１ａの下側と第２のワークＷ２の照射面との距離が後述するＤとなるような高さである。
すなわち、第１のワークＷ１の照射面のベース４１からの高さと第２のワークＷ２の照射面のベース４１からの高さとは略一致する。なお、光照射ユニット１０とワークＷ２の間にマスクホルダ１４が介在するときの上記距離Ｄについては後述する。
【００２６】
（７）第２のワークＷ２の上方に、マスクＭが配置される。具体的には、マスクＭを搭載したマスクホルダ１４が所定の位置に位置するように、マスクホルダ駆動制御部１４ｂによりマスクホルダ駆動部１４ａが駆動される（図３参照）。
なお、前記したように、マスクＭは、第２のワークＷ２上における検査体の設置パターンに対応して、検査体にＵＶ光が照射されないようにパターニングされている。
ここで、マスクＭの位置と第２のワークＷ２の位置とを精密にアライメントする必要がある場合は、予めマスクＭおよび第２のワークＷ２にアライメントマークを施しておき、図示を省略した顕微鏡によりマスクＭのアライメントマークと第２のワークＷ２のアライメントマークとを検出する。そして、検出結果に基づき、両アライメントマークの位置が一致するように、ワークステージ駆動制御部２１ａによりワークステージ２１を駆動する。なお、マスクホルダ駆動部１４ａにマスクホルダ１４を２次元方向（図４の上下方向に対して垂直なＸ−Ｙ方向）に精密に駆動する機能がある場合、ワークステージ２１上のワークＷ２の代わりにマスクＭを移動させてアライメントを行ってもよい。
（１）〜（７）の工程により、反転ステージ３１への第１のワークＷ１の位置決め、ワークステージ２１への第２のワークＷ２の位置決め、第１のワークＷ１表面の高さと第２のワークＷ２表面の高さの調整、マスクＭの配置が行われる。
【００２７】
Ｂ．動作２（光照射）
（８）図５に示すように、直動ベース駆動制御部４３は、反転ステージユニット３０が保持する第１のワークＷ１と加圧ステージユニット２０が保持する第２のワークＷ２が光照射ユニット１０から照射されるＵＶ光の照射領域に位置するように、直動ベース４２を駆動する。
なお、第１のワークＷ１の照射面および第２のワークＷ２の照射面は、ほぼ同一平面上に位置する。また、ＵＶランプ１１ａの下側と第１のワークＷ１の照射面との距離、ＵＶランプ１１ａの下側と第２のワークＷ２の照射面との距離をＤとする。この距離Ｄは、ＵＶランプから放出される波長１７２ｎｍのＵＶ光は大気中で著しく減衰することから、例えば、１〜５ｍｍに設定される。
【００２８】
ここで、上記距離Ｄは、図１２に示すように設定される。
図１２において、図１２（ａ）は光照射ユニット１０とワークＷとの間にマスクＭを搭載したマスクホルダ１４が設けられていない場合のＵＶランプ１１ａの下側とワークＷの照射面との距離を示し、同図（ｂ）は、光照射ユニット１０とワークＷとの間にマスクＭを搭載したマスクホルダ１４が設けられている場合のＵＶランプ１１ａの下側とワークＷの照射面との距離を示す。
光照射ユニット１０とワークＷとの間にマスクＭを搭載したマスクホルダ１４が設けられていない場合には、同図（ａ）に示すようにＵＶランプ１１ａの下側とワークＷの照射面との距離をＤとする。一方、光照射ユニット１０とワークＷとの間にマスクＭを搭載したマスクホルダ１４が設けられている場合には、同図（ｂ）に示すように、ＵＶランプ１１ａの下側とマスクＭの上面との距離をｄ１、マスクＭの下面とワークＷの照射面との距離をｄ２とすると、上記Ｄをｄ１＋ｄ２とする。これは、マスクＭを透過するときにはＵＶ光はほとんど減衰しないためである。
上記したように、本実施例においては間隙設定機構として機能する高さ調整用スペーサ３４ａや高さ調整用カラー２６ｂによって、距離Ｄが設定される。
（９）ランプ点灯装置１３によりＵＶランプ１１ａが点灯され、波長１７２ｎｍのＵＶ光が第１のワークＷ１に照射されるとともに、マスクＭを介して第２のワークＷ２に照射される。なお、ランプ点灯装置１３は、第１のワークＷ１表面および第２のワークＷ２表面における放射照度が所定の値となるようにＵＶランプ１１ａへの供給電力を制御する。
（１０）所定の照射時間経過後、ランプ点灯装置１３はＵＶランプ１１ａを消灯する。ここでランプ点灯装置１３はランプ点灯時間の設定も行うことができるものとする。
【００２９】
上述した（８）〜（１０）の工程により、第１のワークＷ１、第２のワークＷ２の照射領域への配置、および両ワークへの所定時間のＵＶ照射が行われる。
なお、（９）〜（１０）の工程では、第１のワークＷ１および第２のワークＷ２へのＵＶ光照射を同時に行っているが必ずしも同時に行う必要は無く、例えば、先に第１のワークＷ１にＵＶ光を照射して、その後、第２のワークＷ２にＵＶ光を照射してもよい。或いは、先に第２のワークＷ２にＵＶ光を照射して、その後、第１のワークＷ１にＵＶ光を照射してもよい。
【００３０】
Ｃ．動作３（反転ステージユニット、加圧ステージユニットの退避）
（１１）図６に示すように、直動ベース駆動制御部４３は、直動ベース４１を再び初期位置に位置するように駆動する。上記したように、この初期位置は、反転ステージ３１が反転する際、光照射ユニット１０と干渉しない位置である。
（１２）第２のワークＷ２の上方から、マスクＭが退避される。具体的には、マスクホルダ駆動制御部１４ｂ（図３参照）によりマスクホルダ駆動部１４ａが駆動され、マスクＭを搭載したマスクホルダ１４が第２のワークＷ２の上方から退避される。なお、マスクホルダ１４の退避位置は、反転ステージ３１が反転する際、反転ステージ３１と干渉しない位置である。
（１１）〜（１２）の工程により、反転ステージ上方から光照射ユニット、マスクホルダが退避した状態となる。
【００３１】
Ｄ．動作４（反転動作、加圧動作の準備）
（１３）図７に示すように、ステージ移動機構駆動制御部２４ａによってステージ移動機構２４を駆動することにより加圧ステージ２３、補助ステージ２２、ワークステージ２１を下方向に移動させて、ワークステージ２１の高さが所定の高さとなるように調整する。この所定の高さとは、反転ステージ３１が反転した際、反転ステージ３１上に吸着保持されている第１のワークＷ１が、ワークステージ２１上の第２のワークＷ２と衝突しない高さである。すなわち、反転ステージ３１が反転した際、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２は所定の間隙をもって保持される。
（１４）加圧ステージ２３と補助ステージ２２との間の空間にストッパ２８を挿入する。ストッパ２８はストッパ駆動部２８ａ（図３参照）により駆動され、その制御はストッパ駆動制御部２８ｂにより行われる。
（１３）〜（１４）の工程により、反転ステージ３１の反転時に反転ステージ３１が吸着保持する第１のワークＷ１がワークステージ２１上の第２のワークＷ２に衝突しない状態となり、反転ステージ３１が反転可能なスタンバイ状態となる。また、以下に続く加圧工程に移行可能な状態となる。
【００３２】
Ｅ．動作５（反転動作）
（１５）図８に示すように、反転ステージユニット３０において、第１のワークＷ１を吸着保持する反転ステージ３１が反転し、第１のワークＷ２は第２のワークＷ２と対向する位置に配置される。
具体的には、図２に示す反転ステージ制御部３３ａにより反転ステージ駆動機構３３が駆動され、反転ステージ駆動機構３３の回転軸３３ｅが１８０度回転する。ここで、反転ステージ３１が固定されている軸３３ｂは上記回転軸３３ｅとカップリング３３ｃを介して連結されているので、上記回転軸３３ｅが回転すると、軸３３ｂも回転し、結果的に軸３３ｂに固定されている反転ステージ３１も１８０度反転する。
（１６）反転ステージ３１の反転後、反転ステージ固定機構３６が駆動されて反転ステージ３１を固定する。図８において、反転ステージ固定機構３６は、反転ステージ３１が反時計周りに反転することを規制する。なお、反転ステージ３１の時計まわりの回転は図示しないストッパによって規制される。
反転ステージ固定機構３６は、固定機構駆動部３６ａにより駆動される。なお固定機構駆動部３６ａは、固定機構駆動制御部３６ｂにより制御される。ここで、反転ステージ固定機構３６は反転ステージ３１が反転した後に駆動するものであり、反転ステージ３１が反転する前は反転ステージ３１の反転動作を干渉しない位置に退避している。
【００３３】
（１７）反転ステージ３１上の第１のワークＷ１とワークステージ２１上の第２のワークＷ２は、反転ステージ３１の反転後、所定の位置関係となるように位置決めされている。ここで、所定の位置関係とは、以下に続く工程において、第１のワークＷ１が第２のワークＷ２に積層される際、第１のワークＷ１が第２のワークＷ２に所望の位置関係で重ねあわされるような関係である。
ここで、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２とを精密に位置合わせする必要がある場合は、予めワークＷ１およびワークＷ２にアライメントマークを施しておき、図示を省略したアライメントマーク検出機構により第１のワークＷ１のアライメントマークと第２のワークＷ２のアライメントマークとを検出する。そして、検出結果に基づき、両アライメントマークの位置が一致するように、ワークステージ駆動制御部２１ａによりワークステージ２１を駆動する。
（１５）〜（１７）の工程により、反転ステージ３１が反転し、当該反転ステージ３１は反転位置に固定される。なお、場合によっては、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２との位置合わせが行われる。
【００３４】
Ｆ．動作６（加圧動作）
（１８）図９に示すように、加圧ステージユニット２０において、ステージ移動機構駆動制御部２４ａによってステージ移動機構２４を駆動することにより、加圧ステージ２３、補助ステージ２２、ワークステージ２１を上方向に移動させて、ワークステージ２１に載置された第２のワークＷ２と反転ステージ３１に吸着保持されている第１のワークＷ１とを接触させる。このとき、ベース４１上面と加圧ステージ２３表面との距離はＳ１となる。
（１９）図１０に示すように、加圧ステージユニット２０において、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２とを接触させた後（第２のワークＷ２上に第１のワークＷ１を積層した後）も、ステージ移動機構駆動制御部２４ａによるステージ移動機構２４の駆動を続行する。そして、加圧ステージ２３の上面がストッパ２８に接触したときにステージ移動機構２４の駆動を停止する。
上記したように、第１のワークＷ１を吸着保持している反転ステージ３１は、反転ステージ固定機構３６により、反時計周りに反転することを規制されている。そのため、第２のワークＷ２が載置されているワークステージ２１を搭載している補助ステージ２２は上方向に移動できない。よって、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２とが接触した位置から加圧ステージ２３の上面がストッパ２８に接触する位置までの加圧ステージ２３の上方向への移動距離（ｘ）の分だけ、加圧ステージ２３と補助ステージ２２との間に挿入されているばね２７が圧縮される。
すなわち、本実施例では、反転ステージ固定機構３６が積層された第１のワークＷ１およびＷ２のワークの上方向への移動を規制する移動規制機構に相当する。
【００３５】
すなわち、加圧ステージ２３表面とストッパ２８が接触したときのベース４１上面と加圧ステージ２３表面との距離をＳ２とすると、上記移動距離ｘは、ｘ＝Ｓ２−Ｓ１となる。よって、ばね２７のばね定数をｋとするとき、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２には、Ｐ＝｜ｋｘ｜なる大きさの圧力が印加される。
すなわち、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２へ印加する圧力は、ばね２７のばね定数およびストッパ２８の挿入位置を調整することにより、所定の値に調節される。
なお、上記圧力の測定は、ワークステージ２１に設けられた圧力センサ１５を用いて行われる。圧力センサ１５によって検出された圧力情報は、例えば、ステージ移動機構駆動制御部２４ａに送出される。また例えば図示を省略した圧力表示手段に送出される。
なお、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２へ印加する圧力は、加圧中に圧力値を変更することも可能である。例えば、第１のワークＷ１、第２のワークＷ２を複数枚貼り合わせる際、ワークによっては厚みにばらつきが存在する。このようなばらつきが存在すると、第２のワークＷ２と第１のワークＷ１とが接触したときのベース４１上面と加圧ステージ２３表面との距離はＳ１の値もばらつくことなる。よって、上記移動距離ｘ＝Ｓ２−Ｓ１もばらつくことになり、結果として第１のワークＷ１と第２のワークＷ２に印加される圧力Ｐ＝｜ｋｘ｜もばらつくことになる。
【００３６】
この場合は、まず加圧ステージ２３の上面がストッパ２８に接触するまでステージ移動機構を駆動し、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２にＰ＝｜ｋｘ｜なる大きさの圧力を印加する。この加圧状態を維持したまま、次に圧力センサ１５によって検出された圧力Ｐｓを確認し、圧力Ｐｓが所定の圧力Ｐに等しくなるようにストッパ２８の位置を上下方向に移動する。すなわち、距離Ｓ２の値を調整することにより、距離Ｓ１のばらつきを補正する。
具体的には、圧力センサ１５からの圧力情報に基づき、ストッパ駆動部２８ａによりストッパ２８を駆動して加圧ステージ２３と補助ステージ２２との間の空間挿入されたストッパ２８の上下方向の位置を調整する。なお、上記したように、ストッパ駆動部２８ａの制御はストッパ駆動制御部２８ｂにより行われる。ストッパ駆動制御部２８ｂは、圧力センサ１５からの圧力情報に基づき検出圧力Ｐｓが所定の圧力Ｐに等しくなるようにストッパ駆動部２８ａを駆動する。なお、図示を省略した圧力表示手段に圧力情報が表示される場合、作業者が表示情報を見ながらストッパ駆動制御部２８ｂを操作してもよい。
すなわち、ストッパ２８の上下方向の位置を調整することにより、上記距離Ｓ２の値を調整して上記移動距離がｘとなるようにし、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２に印加される圧力Ｐ＝｜ｋｘ｜の大きさが調整される。
（１８）〜（１９）の工程により、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２の積層ならびにこれらへの加圧が行われる。
なお、本実施例においては、ストッパ２８及びストッパ駆動部２８ａが、積層された状態の第１のワークＷ１と第２のワークＷ２の接触圧力を調整する機構に相当する。
【００３７】
Ｇ．動作７（ワーク（マイクロチップ）の取り出し）
（２０）第１のワークＷ１と第２のワークＷ２への圧力印加開始から所定時間経過後、反転ステージユニット３０において、真空チャック駆動制御部３５ｂが真空供給機構３５の駆動を停止し、反転ステージ３１への真空の供給が停止する。そして不図示のパージ機構により反転ステージ３１に空気が供給される。すなわち、真空供給路、吸着用溝部３１ａ、第１のワークＷ１の載置面からなる空間内は、減圧雰囲気から大気圧雰囲気となり、反転ステージ３１とマイクロチップ表面（マイクロチップの第１のワークＷ１側表面）との間の吸着関係が解除される。
なお、上記した所定時間とは、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２への圧力印加開始から第１のワークＷ１と第２のワークＷ２との接合が完了してマイクロチップが形成するまでの時間である。
（２１）図１１に示すように、加圧ステージユニット２０において、ステージ移動機構駆動制御部２４ａによってステージ移動機構２４を駆動することにより加圧ステージ２３、補助ステージ２２、ワークステージ２１を下方向に移動させる。移動位置は、反転ステージ３１からマイクロチップ表面が離間状態となり、マイクロチップへの加圧が解除される任意の位置である。
【００３８】
（２２）固定機構駆動部３６ａにより反転ステージ固定機構３６が駆動されて、反転ステージ固定機構３６は反転ステージ３１の反転動作を干渉しない位置に退避する。これにより、反転ステージ３１の固定が解除される。
（２３）反転ステージユニット３０において、第１のワークＷ１を吸着保持する反転ステージ３１が工程（１５）とは逆方向に反転し、マイクロチップ上方から反転ステージ３１が退避する。
具体的には、反転ステージ制御部３３ａにより反転ステージ駆動機構３３が駆動し、反転ステージ３１が固定されている軸３３ｂとカップリング３３ｃを介して連結されている反転ステージ駆動機構３３（図２参照）の回転軸３３ｅが図１１に示すように−１８０度回転する。
（２４）加圧ステージユニット２０において、ワークステージ２１上に載置されているマイクロチップが取り出される。なお、マイクロチップの取り出しは、作業者が行ってもよいし、図示、説明を省略した周知の搬送機構を用いて行ってもよい。
（２０）〜（２４）の工程により、マイクロチップへの加圧の解除、反転ステージ３１の真空チャックの解除、反転ステージ３１の固定の解除および元の位置への反転、ワークステージ２１からマイクロチップの取り出しが行われる。
【００３９】
なお、上記動作（１）〜（７）において、直動ベース４２上に設けられた反転ステージユニット３０と加圧ステージユニット２０は、ＵＶ光照射前（（１）〜（７）の工程）においては光照射ユニットから照射されるＵＶ光の照射領域から外れた位置（初期位置）に位置し、ＵＶ光照射工程（（８〜１０）の工程）においては上記したＵＶ光の照射領域に位置するように移動し、後に続く加圧（加熱）工程以降（（１１）〜（２４）の工程）では、再び上記したＵＶ光の照射領域から外れた位置に移動する。
これは、ＵＶランプ１１ａから放出されるＵＶ光の波長が１７２ｎｍであるとき、ＵＶランプ１１ａの下側と各ワークＷの照射面と距離Ｄが例えば、１〜５ｍｍであるので、反転ステージユニット３０と加圧ステージユニット２０がＵＶ光の照射領域にある場合、反転ステージ３１、ワークステージ２１にそれぞれ第１のワークＷ１、第２のワークＷ２を配置したり、反転ステージ３１を反転することが困難であるためである。
仮にＵＶ光の波長を波長１７２ｎｍより長波長に設定し、上記距離Ｄを比較的大きく設定できるのであれば、反転ステージユニット３０と加圧ステージユニット２０をＵＶ光の照射領域に配置したままでもよい。
【００４０】
上述した第１の実施例の装置によれば以下の効果を得ることができる。
本実施例に示す貼り合わせ装置は、反転ステージユニット３０の反転ステージ３１に保持された第１のワークＷ１と加圧ステージユニット２０のワークステージ２１に保持された第２のワークＷ２に対し、光照射ユニットからのＵＶ光を照射することが可能であり、また、反転ステージユニット３０の反転ステージ３１を反転させて、加圧ステージユニット２０の高さを制御することにより、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２とを積層することが可能である。更に、加圧ステージユニット２０の加圧機構により積層された第１のワークＷ１と第２ワークとに圧力を印加することが可能となる。
すなわち、一台の装置でマイクロチップの貼り合わせ工程が実施可能であり、装置全体がコンパクトに構成することができる。
【００４１】
更に、第１のワークＷ１のＵＶ光照射面と第２のワークＷ２のＵＶ光照射面とをほぼ同じ高さに調節することが可能であり、更にはこれらの照射面と光照射ユニットとの距離とを任意に設定することができる。
例えば、光照射ユニットから両ワークの照射面に照射されるＵＶ光が中心波長１７２ｎｍのＵＶ光であるとき、ＵＶランプの下側と両ワークの照射面との距離を例えば、１〜５ｍｍに設定することが可能となる。
よって、大気中で著しく減衰する波長１７２ｎｍのＵＶ光を照射する際、照射雰囲気が大気中であっても第１のワークＷ１表面と、第２のワークＷ２表面を改質することが可能となる。すなわち、ＵＶ光照射雰囲気を波長１７２ｎｍのＵＶ光が減衰しない真空雰囲気にする必要がないので、装置全体をよりコンパクトに構成することができる。
なお、上記したように本実施例では、間隙設定機構として機能する高さ調整用スペーサ３４ａにより、反転ステージ（第１のステージ）３１に保持された第１のワークＷ１の表面と、光照射ユニット（放出ユニット）１０との距離を調整することができる。また、同様に間隙設定機構として機能する高さ調整用カラー２６ｂにより、ワークステージ（第２のステージ）２１に保持された第２のワークＷ２の表面と、光照射ユニット（放出ユニット）１０との距離を調整することができる。すなわち、本実施例では、間隙設定機構により、反転ステージ（第１のステージ）３１に保持された第１のワークＷ１の表面と光照射ユニット（放出ユニット）１０との距離および／またはワークステージ（第２のステージ）２１に保持された第２のワークＷ２の表面と光照射ユニット（放出ユニット）１０との距離をそれぞれ独立に調整することができる。
【００４２】
２．実施例２
実施例１に示した貼り合わせ装置は、２枚のワーク（基板）に対し、ワーク表面への光照射処理工程、２枚のワークの積層工程、２枚のワークの加圧工程からなる一連のワーク（マイクロチップ基板）の貼り合わせ工程を実施することが可能である。
実施例２の貼り合わせ装置は、実施例１の貼り合わせ装置に基板加熱機能を付加したものである。これにより、上記した２枚のワークの積層工程後、（Ａ）２枚のワークの加圧工程、（Ｂ）２枚のワークの加熱工程、（Ｃ）２枚のワークの加圧工程および加熱工程からなる工程グループから任意の工程を選択することが可能となる。
【００４３】
［装置構成］  
上記したように、実施例２の貼り合わせ装置は、実施例１の貼り合わせ装置にワーク加熱機構を加えたものであり、ワーク加熱機構以外は実施例１の貼り合わせ装置と同等である。よって、以下、ワーク加熱機構についてのみ説明する。
図１３に示すように、実施例２の貼り合わせ装置の加圧ステージユニット２０において、第２のワークＷ２を載置するワークステージ２１に加熱機構１６を設ける。加熱機構１６は、例えば、ワークステージ２１内部にシースヒータを埋設することにより構成される。ワークステージ２１の温度制御は、温度制御部１６ａにより行われる。温度制御部１６ａは、図示を省略した温度センサによって計測されたワークステージ２１表面の温度情報に基づき、ワークステージ２１表面の温度が所定の温度となるように加熱機構１６を制御する。
【００４４】
以下、本実施例の貼り合わせ装置の動作について説明する。なお、上記第１の実施例では、２枚のワークを加圧して貼り合わせる場合について説明したので、ここでは、（イ）２枚のワークを加熱のみにより貼り合わせる場合、（ロ）２枚のワークを加圧および加熱により貼り合わせ場合について説明する。なお、前記第１の実施例と動作が同じてある工程については説明を省略する。
（イ）加熱工程のみ行う場合。
以下に説明するようにＡ（動作１：光照射前）〜Ｅ（動作５：反転動作）の工程は第１の実施例と同じであり、第１の実施例におけるＦ（動作５：加圧動作），Ｇ（動作６：ワークの取り出し）の工程が、以下のＦ’（加熱動作），Ｇ’（ワークの取り出し）の工程に置き換わる。
Ａ．動作１（光照射前）
前記図４で説明した実施例１の（１）〜（７）と同様であるので説明を省略する。
Ｂ．動作２（光照射）
前記図５で説明した実施例１の（８）〜（１０）と同様であるので説明を省略する。
Ｃ．動作３（反転ステージユニット３０、加圧ステージユニット２０の退避）
前記図６で説明した実施例１の（１１）〜（１２）と同様であるので説明を省略する。Ｄ．動作４（反転動作、加圧動作の準備）
前記図７で説明した実施例１の（１３）〜（１４）と同様であるので説明を省略する。Ｅ．動作５（反転動作）
前記図８で説明した実施例１の（１５）〜（１７）と同様であるので説明を省略する。  
【００４５】
Ｆ’．動作６’（加熱動作）
（１８）図９に示すように、加圧ステージユニット２０において、ステージ移動機構駆動制御部２４ａによってステージ移動機構２４を駆動することにより、加圧ステージ２３、補助ステージ２２、ワークステージ２１を上方向に移動させて、ワークステージ２１に載置された第２のワークＷ２と反転ステージ３１に吸着保持されている第１のワークＷ１とを接触させる。
（１９−１）図１３に示す温度制御部１６ａにより、ワークステージ２１の温度制御を開始する。温度制御部１６ａは、図示を省略した温度センサによって計測されたワークステージ２１表面の温度情報に基づき、ワークステージ２１表面の温度が所定の温度となるように加熱機構を制御する。
（１８）〜（１９−１）の工程により、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２の積層ならびにこれらへの加熱が行われる。
【００４６】
Ｇ’．動作７’（ワーク（マイクロチップ）の取り出し）
（１９−２）第１のワークＷ１と第２のワークＷ２への加熱開始から所定時間経過後、図１３に示す温度制御部１６ａによるワークステージ２１の温度制御を停止する。ワークステージ２１上の第１のワークＷ１と第２のワークＷ２は接合してマイクロチップとなる。  上記したようにワークステージ２１の温度制御を停止したので、ワークステージ２１およびワークステージ２１上のマイクロチップは室温まで冷却される。
なお、冷却時間を短縮する場合は、ワークステージ２１内に図示を省略した冷却機構を設けてもよい。冷却機構としては、例えば、ワークステージ２１内に冷却管を埋設し、当該冷却管に冷媒を流す。そして冷媒とワークステージ２１との熱交換により、ワークステージ２１の冷却を実施する。なお、冷却機構の制御も、例えば、温度制御部１６ａにより行われる。温度制御部１６ａは、加熱機構１６の動作を停止後、冷却機構を動作させ、図示を省略した温度センサによって計測されたワークステージ２１表面の温度情報に基づき、ワークステージ２１表面の温度が所定の温度となるように冷却機構を制御する。
なお、上記した所定時間とは、積層させた第１のワークＷ１と第２のワークＷ２への加熱開始から第１のワークＷ１と第２のワークＷ２との接合が完了してマイクロチップが形成するまでの時間である。
【００４７】
（２０’）第１のワークＷ１と第２のワークＷ２の温度が所定の温度まで冷却された後、反転ステージユニット３０において、真空チャック駆動制御部３５ｂが真空供給機構３５の駆動を停止し、反転ステージ３１への真空の供給が停止する。
そして不図示のパージ機構により反転ステージ３１に空気が供給される。すなわち、真空供給路、吸着用溝部３１ａ、第１のワークＷ１の載置面からなる空間内は、減圧雰囲気から大気圧雰囲気となり、反転ステージ３１とマイクロチップ表面（マイクロチップの第１のワークＷ１側表面）との間の吸着関係が解除される。
（２１’）図１１に示すように、加圧ステージユニット２０において、ステージ移動機構駆動制御部２４ａによってステージ移動機構２４を駆動することにより加圧ステージ２３、補助ステージ２２、ワークステージ２１を下方向に移動させる。移動位置は、反転ステージ３１からマイクロチップ表面が離間状態となる任意の位置である。
以下の動作は、前記第１の実施例の（２２）〜（２４）と同様であるので説明を省略する。
上記（１９−２）（２０’）（２１’）（２２）〜（２４）の工程により、マイクロチップへの加熱の解除、反転ステージ３１の真空チャックの解除、反転ステージ３１の固定の解除および元の位置への反転、ワークステージ２１からマイクロチップの取り出しが行われる。
【００４８】
（ロ）加圧工程と加熱工程を両方行う場合。
以下に説明するようにＡ（動作１：光照射前）〜Ｅ（動作５：反転動作）の工程は第１の実施例と同じであり、第１の実施例におけるＦ（動作５：加圧動作），Ｇ（動作６：ワークの取り出し）の工程が、以下のＦ’（加熱動作），Ｇ’（ワークの取り出し）の工程に置き換わる。
Ａ．動作１（光照射前）
前記図４で説明した実施例１の（１）〜（７）と同様であるので説明を省略する。
Ｂ．動作２（光照射）
前記図５で説明した実施例１の（８）〜（１０）と同様であるので説明を省略する。
Ｃ．動作３（反転ステージユニット３０、加圧ステージユニット２０の退避）
前記図６で説明した実施例１の（１１）〜（１２）と同様であるので説明を省略する。Ｄ．動作４（反転動作、加圧動作の準備）
前記図７で説明した実施例１の（１３）〜（１４）と同様であるので説明を省略する。Ｅ．動作５（反転動作）
前記図８で説明した実施例１の（１５）〜（１７）と同様であるので説明を省略する。  
【００４９】
Ｆ”．動作６”（加圧・加熱動作）
（１８）図９に示すように、加圧ステージユニット２０において、ステージ移動機構駆動制御部２４ａによってステージ移動機構２４を駆動することにより、加圧ステージ２３、補助ステージ２２、ワークステージ２１を上方向に移動させて、ワークステージ２１に載置された第２のワークＷ２と反転ステージ３１に吸着保持されている第１のワークＷ１とを接触させる。
（１９）図１０に示すように、加圧ステージユニット２０において、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２とを接触させた後（第２のワークＷ２上に第１のワークＷ１を積層した後）も、ステージ移動機構駆動制御部２４ａによるステージ移動機構２４の駆動を続行する。そして、加圧ステージ２３の上面がストッパ２８に接触したときにステージ移動機構２４の駆動を停止する。
実施例１で説明したとおり、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２とが接触した位置から加圧ステージ２３の上面がストッパ２８に接触する位置までの加圧ステージ２３の上方向への移動距離をｘ、ばねのばね定数をｋとするとき、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２には、Ｐ＝｜ｋｘ｜なる大きさの圧力が印加される。
（１９”）図１３に示す温度制御部１６ａにより、ワークステージ２１の温度制御を開始する。温度制御部１６ａは、図示を省略した温度センサによって計測されたワークステージ２１表面の温度情報に基づき、ワークステージ２１表面の温度が所定の温度となるように加熱機構を制御する。
【００５０】
（１８）（１９）（１９”）の工程により、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２の積層ならびにこれらへの加圧および加熱が行われる。
なお、上記したように、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２へ印加する圧力は加圧中に圧力値を変更することも可能である。具体的には、ストッパ駆動部２８ａによりストッパ２８を駆動して、加圧ステージ２３と補助ステージ２２との間の空間に挿入されたストッパ２８の上下方向の位置を調整する。なお、上記したように、ストッパ駆動部２８ａの制御はストッパ駆動制御部２８ｂにより行われる。
すなわち、加圧状態を維持したままストッパ２８の上下方向の位置を調整することにより、上記距離Ｓ２の値を調整して上記移動距離がｘとなるようにし、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２に印加される圧力Ｐ＝｜ｋｘ｜の大きさが調整される。
【００５１】
Ｇ”．動作７”（ワーク（マイクロチップ）の取り出し）
（１９−３）第１のワークＷ１と第２のワークＷ２への加圧および加熱開始から所定時間経過後、図１２に示す温度制御部１６ａによるワークステージ２１の温度制御を停止する。ワークステージ２１上の第１のワークＷ１と第２のワークＷ２は接合してマイクロチップとなる。上記したようにワークステージ２１の温度制御を停止したので、ワークステージ２１およびワークステージ２１上のマイクロチップは室温まで冷却される。
なお、冷却時間を短縮する場合は、前述したように、ワークステージ２１内に図示を省略した冷却機構を設けてもよい。冷却機構としては、例えば、ワークステージ２１内に冷却管を埋設し、当該冷却管に冷媒を流す。そして冷媒とワークステージ２１との熱交換により、ワークステージ２１の冷却を実施する。なお、冷却機構の制御も、例えば、温度制御部１６ａにより行われる。温度制御部１６ａは、加熱機構１６の動作を停止後、冷却機構を動作させ、図示を省略した温度センサによって計測されたワークステージ２１表面の温度情報に基づき、ワークステージ２１表面の温度が所定の温度となるように冷却機構を制御する。
なお、上記した所定時間とは、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２への加圧および加熱開始から第１のワークＷ１と第２のワークＷ２との接合が完了してマイクロチップが形成するまでの時間である。
【００５２】
（２０”）第１のワークＷ１と第２のワークＷ２の温度が所定の温度まで冷却された後、反転ステージユニット３０において、真空チャック駆動制御部３５ｂが真空供給機構３５の駆動を停止し、反転ステージ３１への真空の供給が停止する。
そして不図示のパージ機構により反転ステージ３１に空気が供給される。すなわち、真空供給路、吸着用溝部３１ａ、第１のワークＷ１の載置面からなる空間内は、減圧雰囲気から大気圧雰囲気となり、反転ステージ３１とマイクロチップ表面（マイクロチップの第１のワークＷ１側表面）との間の吸着関係が解除される。
以下の動作は、前記第１の実施例の（２１）〜（２４）と同様であるので説明を省略する。
上記（１９−３）（２０”）（２１）〜（２４）の工程により、マイクロチップへの加圧および加熱の解除、反転ステージ３１の真空チャックの解除、反転ステージ３１の固定の解除および元の位置への反転、ワークステージ２１からマイクロチップの取り出しが行われる。
【００５３】
上述した第２の実施例の装置によれば、前記第１の実施例の装置の効果に加え、以下の効果を得ることができる。
すなわち、ワークステージ２１に加熱機構１６を付与したので、２枚のワーク（基板）に対し、ワーク表面への光照射処理工程、２枚のワークの積層工程を実施した後、前記第１の実施例で説明した「２枚のワークの加圧工程」に加え、「（イ）２枚のワークの加熱工程」、「（ロ）２枚のワークの加圧工程および加熱工程」からなる３つの工程グループから任意の工程を選択して実施することが可能となる。
【００５４】
３．実施例３
次に、上記第１、第２の実施例の変更例である第３の実施例について説明する。
前記したように、第１、第２の実施例の各構成要素の動作は各制御部で行われる。
すなわち、ランプ点灯装置１３はＵＶランプ１１ａの点灯・消灯、ランプ点灯時間の制御を行う。真空チャック駆動制御部３５ｂは、真空チャック機構を動作させるための真空供給機構３５の動作を制御する。
反転ステージ制御部３３ａは、反転ステージ３１を反転させるための反転ステージ駆動機構３３の動作を制御する。
ステージ移動機構駆動制御部２４ａは、加圧ステージ２３、補助ステージ２２、ワークステージ２１を上下方向に移動させるステージ移動機構２４の動作を制御する。
ワークステージ駆動制御部２１ａは、必要に応じて第１のワークＷ１、第２のワークＷ２の位置合わせを行うためにワークステージ２１を駆動制御する。
【００５５】
マスクホルダ駆動制御部１４ｂは、マスクＭを搭載したマスクホルダ１４を所定の位置に配置するためのマスクホルダ駆動部１４ａの動作を制御する。
直動ベース駆動制御部４３は、反転ステージユニット３０、加圧ステージユニット２０搭載した直動ベース４２を駆動制御する。
ストッパ駆動制御部２８ｂは、マイクロチップへの加圧に寄与するストッパ２８を駆動するためのストッパ駆動部２８ａの動作を制御する。
固定機構駆動制御部３６ｂは、反転ステージ３１が図８において反時計周りに反転することを規制するための反転ステージ固定機構３６を駆動する固定機構駆動部３６ａの動作を制御する。
温度制御部１６ａは、図示を省略した温度センサによって計測されたワークステージ２１表面の温度情報に基づき、ワークステージ２１表面の温度が所定の温度となるように加熱機構１６の動作を制御する。また、必要に応じて温度制御部１６ａは、上記温度情報に基づき、ワークステージ２１表面の温度が所定の温度となるように図示を省略した冷却機構を制御する。これらの制御部は、上記した（１）〜（２４）の各工程において、その都度制御を行う。
【００５６】
ここで、図１４に示すように、これらの制御部の実行タイミングを指令する制御部である上位コントローラ５０を設け、一連の工程を自動的に実施してもよい。
上位コントローラ５０は、上記した（１）〜（２４）の工程手続きに関する指令内容を予め記憶しており、この指令内容に基づき、上記した各制御部を制御する。
なお、圧力センサ１５は、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２へ印加される圧力を検出し、例えば前述したようにステージ移動機構駆動制御部２４ａに送出されるが、上位コントローラ５０を設ける場合には、圧力センサ１５の出力を上位コントローラ５０に送り、上位コントローラ５０を介してステージ移動機構駆動制御部２４ａを制御するようにしてもよい。
なお、周知の搬送機構を用いて第１のワークＷ１、第２のワークＷ２をそれぞれ反転ステージ３１、ワークステージ２１に搬入、設置、搬出を行う場合、このような搬送機構を制御する制御部を上位コントローラ５０と接続してもよい。
【００５７】
４．実施例４
次に、上記第１、第２、第３の実施例のその他の変更例である第４の実施例について説明する。
上記したように、波長１７２ｎｍのＵＶ光を第１のワークＷ１、第２のワークＷ２に照射する場合、反転ステージユニット３０と加圧ステージユニット２０はＵＶ光照射工程（前記（８）〜（１０）の工程）においては上記したＵＶ光の照射領域に位置するように移動し、それ以外の工程においては、ＵＶ光の照射領域から退避する。
上記した実施例においては、反転ステージユニット３０と加圧ステージユニット２０は直動ベース４２上に設けられ、ベース４１上を移動するように構成されている。
しかしながら、必ずしもこのように構成する必要はない。例えば、図１５に示すように、光照射ユニット１０を上下方向に移動可能なように構成してもよい
具体的には、光照射ユニット１０は光照射ユニット駆動部１７により上下方向に駆動される。ここで光照射ユニット駆動部１７の動作は、光照射ユニット駆動制御部１７ａにより制御される。
【００５８】
例えば、前記第１の実施例の動作（１）〜（７）において、光照射ユニット１０は、ＵＶ光照射前（（１）〜（７）の工程）においては光照射ユニット駆動部１７により上方向に移動して所定の位置に維持される。この所定の位置とは、光照射ユニット１０と反転ステージユニット３０および加圧ステージユニット２０との間に、反転ステージ３１、ワークステージ２１上にそれぞれ第１のワークＷ１、第２のワークＷ２を配置することが可能な空間を確保することができる位置である。また、上記所定の位置とは、加圧（加熱）工程以降（（１１）〜（２４）の工程）において、光照射ユニット１０と反転ステージユニット３０および加圧ステージユニット２０との間に、反転ステージ３１が反転する際に光照射ユニット１０が干渉しないような空間を確保することができる位置である。
【００５９】
次に、光照射ユニット１０は、ＵＶ光照射工程（（８〜１０）の工程）においては光照射ユニット駆動部１７により下方向に移動して、ＵＶランプ１１ａの下側と各ワークの照射面と距離Ｄが例えば、１〜５ｍｍとなる位置に維持される。
光照射終了後、光照射ユニット１０は光照射ユニット駆動部１７により上方向に移動して、上記した所定の位置に維持される。
前記第１の実施例に示したように反転ステージユニット３０と加圧ステージユニット２０を直動ベース４２上に設け、反転ステージユニット３０が保持する第１のワークＷ１と、加圧ステージユニット２０が保持する第２のワークＷ２とが光照射ユニット１０から照射されるＵＶ光の照射領域に対して侵入・離脱ができるように、直動ベース４２をベース４１上で駆動する場合、直動ベース４２の移動方向に沿ってベース４１が長くなる。このため、貼り合わせ装置の床面積もそれに応じて大きくなる。
しかしながら、第４の実施例に示す貼り合わせ装置は、直動ベース４２を設ける必要がないので貼り合わせ装置の床面積を小さくすることが可能となる。
【００６０】
５．実施例５
次に、上記第１、第２、第３、第４の実施例のその他の変更例である第５の実施例について説明する。
上記した各実施例においては、ＵＶ光照射工程において第１のワークＷ１と第２のワークＷ２に対して同時にＵＶ光を照射していたが、必ずしもこれに限るものではなく、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２に対して個別にＵＶ光を照射してもよい。
図１６は、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２に対して個別にＵＶ光を照射する貼り合わせ装置の構成例を示す図である。
光照射ユニット１０は光照射ユニット駆動部１７により図１６の左右に駆動可能なように構成される。ここで光照射ユニット駆動部１７の動作は、光照射ユニット駆動制御部１７ａにより制御される。このような構成により、光照射ユニット１０から放出されるＵＶ光を第１のワークＷ１と第２のワークＷ２に対して個別に照射することが可能となる。
図１６に示す貼り合わせ装置は、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２に対して個別にＵＶ光を照射することが可能であるので、光照射ユニット１０をコンパクトに構成することが可能となる。
【００６１】
なお、図１６に示す貼り合わせ装置においても、反転ステージユニット３０と加圧ステージユニット２０はＵＶ光照射工程においてはＵＶ光の照射領域に位置するように移動し、それ以外の工程においては、ＵＶ光の照射領域から退避させる必要がある。
そのため、第１の実施例に示したように、反転ステージユニット３０と加圧ステージユニット２０を直動ベース４２上に設けてベース４１上を移動するように構成してもよいが、前記第４の実施例と同様に、図１６の点線で示すように、光照射ユニット１０は光照射ユニット駆動部１７により上下方向にも駆動可能なように構成してもよい。
このような構成にすることにより、第４の実施例に示す貼り合わせ装置と同等の効果を奏することが可能となる。
【００６２】
６．実施例６
上記した実施例１〜５においては、２枚のマイクロチップ基板の両方に真空紫外光等を照射する例を示した。すなわち、両基板の表面に真空紫外光等を照射して当該表面を改質し、上記２枚のワークを積層し、その後上記２枚のワークに圧力を加えて、上記２枚のワークを貼り合わせるための装置を提示した。
本実施例においては、２枚のマイクロチップ基板の一方のみに真空紫外光等を照射する場合におけるワークの貼り合わせ装置の例を示す。特に本実施例では、ワーク表面に真空紫外光を照射して、表面を改質する例について述べる。
【００６３】
［装置構成］  
本実施例の装置構成例を図１７に示す。本実施例の貼り合わせ装置は、主として図１に示した、第１の実施例の貼り合わせ装置と同様の構成の光照射ユニット１０（放出ユニット）、加圧ステージユニット２０（加圧機構）の２つのユニットから構成されるが、更に、後に述べるワーク加圧時にワークを固定するための加圧用ふた６１を有する。なお、光照射ユニット１０、加圧ステージユニット２０の構成は、第１の実施例のものと同様であるので、以下、簡単に説明する。
ａ．光照射ユニット
光照射ユニット１０は、第２のワークＷ２の表面にＵＶ光を照射して、同表面を改質するためのものである。ランプ１１ａとしては、前述したように波長１７２ｎｍに中心波長を有する単色光の光を放出する真空紫外エキシマランプが採用され、各ランプの点灯制御は、ランプ点灯装置１３により行われる。
なお、光照射ユニット１０は光照射ユニット駆動部１７により図１７の左右に駆動可能なように構成される。ここで光照射ユニット駆動部１７の動作は、光照射ユニット駆動制御部１７ａにより制御される。
【００６４】
ｂ．加圧ステージユニット
加圧ステージユニット２０は、積層された第１のワークＷ１と第２のワークＷ２を加圧し、両者を接合するためのものである。
加圧ステージユニット２０は、加圧ステージ２３と補助ステージ２２、および補助ステージ２２上に配置されたワークステージ２１からなる。各ステージは柱２６に規制された直線方向（すなわち、上下方向）に移動可能となっている。
ここで、具体的な構成は、第１の実施例のものと同様であるのでここでは説明を省略し、本実施例において新規の構成である加圧用ふた６１について説明する。
加圧用ふた６１は、積層された第１のワークＷ１、第２のワークＷ２を加圧する際、両ワークの上方向への移動を規制するためのものである。加圧用ふた６１は、後述する図１９、図２０に示すように、加圧用ふた駆動部６１ａによって図１７の左右方向に駆動される。加圧用ふた駆動部６１ａの動作は、加圧用ふた駆動制御部６１ｂにより制御される。  上記したように、加圧用ふた６１は、加圧動作時において両ワークの上方向への移動を規制するために固定される。ここで加圧用ふた６１の固定は、加圧用ふた固定機構６２によって行われる。加圧用ふた固定機構６２は、第１の実施例の反転ステージ固定機構３６と同様の構成であり、固定機構駆動部６２ａにより駆動される。なお固定機構駆動部６２ａは、固定機構駆動制御部６２ｂにより制御される。
すなわち、本実施例では、加圧用ふた固定機構６２が両ワーク（積層された第１のワークＷ１、第２のワークＷ２）の上方向への移動を規制する移動規制機構に相当する。
ｃ．ベース
図１７に示すように、上記した加圧ステージユニット２０は、ベース４１上に設けられる。
【００６５】
以下、本実施例における貼り合わせ装置の動作例について説明する。
なお説明を簡単にするため、本実施例では第１のワークＷ１、第２のワークＷ２を貼り合わせてマイクロチップを構成した後で、当該マイクロチップに検査体を設置する場合について述べる。
すなわち、第１の実施例のように、マイクロチップ基板を貼り合わせる前に第２のワークＷ２（マイクロチップ基板）に検査体を予め設置しないので、検査体にＵＶ光が照射されないように遮光するためのマスクＭ、マスクホルダ１４、マスクホルダ駆動部１４ａ、マスクホルダ駆動制御部１４ｂは省略される。
【００６６】
Ａ．動作１（第２のワークＷ２設置から光照射まで）
（１）図１７に示すように、加圧ステージユニット２０において、第２のワークＷ２をワークステージ２１に載置し、所定の位置に位置決めする。位置決めは、例えば図２に示すように、位置決めピンに押し当てることによりなされる。なお、第２のワークＷ２の設置は、作業者が行ってもよいし、図示、説明を省略した周知の搬送機構を用いて行ってもよい。
（２）第２のワークＷ２の厚みを考慮して、ステージ移動機構駆動制御部２４ａによってステージ移動機構２４を駆動することにより加圧ステージ２３、補助ステージ２２、ワークステージ２１を移動させ、ワークステージ２１の高さが所定の高さとなるように調整する。
具体的には、ステージ移動機構駆動制御部２４ａによってステージ移動機構２４を駆動し、補助ステージ２２表面が高さ調整用カラー２６ｂに接触し、更に高さ調整用カラー２６ｂが柱２６のフランジ部２６ａと接触するまで、加圧ステージ２３、補助ステージ２２、ワークステージ２１を移動させる。
【００６７】
補助ステージ２２表面の高さは、補助ステージ２２と上記フランジ部２６ａとの間に設けた高さ調整用カラー２６ｂの厚みに依存する。すなわち、補助ステージ２２表面に設けられたワークステージ２１の高さも高さ調整用カラー２６ｂの厚みに依存し、高さ調整用カラー２６ｂの厚みはワークステージ２１の高さが上記した所定の高さとなるように選択される。
ここで、この所定の高さとは、ワークステージ２１に第２のワークＷ２を載置し、かつ、第２のワークＷ２が光照射ユニット１０の照射領域に位置したときに、ＵＶランプ１１ａの下側と第２のワークＷ２の照射面との距離がＤとなるような高さである。
【００６８】
（３）光照射ユニット駆動部１７は、第２のワークＷ２が光照射ユニット１０から照射されるＵＶ光の照射領域に位置するように、光照射ユニット１０を駆動する。ここで光照射ユニット駆動部１７の動作は、光照射ユニット駆動制御部１７ａにより制御される。
前記したように、ＵＶランプ１１ａの下側と第２のワークＷ２の照射面との距離はＤとなる。ＵＶランプから放出される波長１７２ｎｍのＵＶ光は、大気中で著しく減衰するので、上記距離Ｄは、例えば、１〜５ｍｍに設定される。
（４）ランプ点灯装置１３によりＵＶランプ１１ａが点灯され、波長１７２ｎｍのＵＶ光が第２のワークＷ２に照射される。なお、ランプ点灯装置１３は、第２のワークＷ２表面における放射照度が所定の値となるように、ＵＶランプ１１ａへの供給電力を制御する。（５）所定の照射時間経過後、ランプ点灯装置１３はＵＶランプ１１ａを消灯する。ここでランプ点灯装置１３はランプ点灯時間の設定も行うことができるものとする。
上記（１）〜（５）の工程により、ワークステージ２１への第２のワークＷ２の位置決め、第２のワークＷ２表面の高さの調整、第２のワークＷ２の照射領域への配置、および第２のワークＷ２への所定時間のＵＶ照射が行われる。
【００６９】
Ｂ．動作２（第１のワークＷ１と第２のワークＷ２との積層）
（６）図１８に示すように、光照射ユニット駆動部１７は、光照射ユニット１０を第２のワークＷ２上から退避させる。退避位置は、後に示す第１のワークＷ１を第２のワークＷ２に積層する際、積層工程に支障をきたさない位置である。
（７）第２のワークＷ２上に第１のワークＷ１が設置される。なお、第１のワークＷ１の設置は、作業者が行ってもよいし、図示、説明を省略した周知の搬送機構を用いて行ってもよい。
第１のワークＷ１の位置決めは、第２のワークＷ２のときと同様、位置決めピンに押し当てることによりなされる。この場合、位置決めピンの高さは、第２のワークＷ２の厚みよりは高く、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２を積層したときの両ワークの高さよりは低い高さに設定される。また、この高さは、後で示す加圧工程に影響を及ぼさない高さに設定される。
ここで、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２とを精密に位置合わせする必要がある場合は、予めワークＷ１およびワークＷ２にアライメントマークを施しておく。そして、第１のワークＷ１を周知の搬送機構で第２のワークＷ２上に搬送し、図示を省略したアライメントマーク検出機構により第１のワークＷ１のアライメントマークと第２のワークＷ２のアライメントマークとを検出する。そして、検出結果に基づき、両アライメントマークの位置が一致するように、ワークステージ駆動制御部によりワークステージ２１を駆動する。そして、上記搬送機構を駆動して、第２のワークＷ２上に第１のワークＷ１を設置する。（６）〜（７）の工程により、第２のワークＷ２上から光照射ユニット１０が退避し、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２とが積層した状態となる。
【００７０】
Ｃ．動作３（加圧用ふたの設置準備）
（８）図１９に示すように、ステージ移動機構駆動制御部２４ａによってステージ移動機構２４を駆動することにより加圧ステージ２３、補助ステージ２２、ワークステージ２１を下方向に移動させて、ワークステージ２１の高さが所定の高さとなるように調整する。この所定の高さとは、後に示す加圧用ふた６１が両ワーク上に進入する際、加圧用ふた６１が両ワークやワークステージ２１と衝突しない高さである。
上記（８）の工程により、加圧用ふた６１が第１および第２のワークＷ１，Ｗ２の上方に挿入可能な状態となる。
【００７１】
Ｄ．動作４（加圧用ふたの設置）
（９）図２０に示すように、加圧用ふた駆動部６１ａは、加圧用ふた６１が積層した第１および第２のワークＷ１，Ｗ２の上方に位置するように、加圧用ふた６１を駆動する。ここで加圧用ふた駆動部６１ａの動作は、加圧用ふた駆動制御部６１ｂにより制御される。（１０）加圧ステージ２３と補助ステージ２２との間の空間にストッパ２８を挿入する。ストッパ２８は前述したストッパ駆動部２８ａにより駆動され、その制御はストッパ駆動制御部２８ｂ（図３参照）により行われる
（９）〜（１０）の工程により、加圧用ふた６１が第１および第２のワークＷ２の上方に位置した状態となる。
【００７２】
Ｅ．動作５（加圧用ふたの固定動作）
（１１）図２１に示すように、加圧用ふた固定機構６２が駆動されて加圧用ふた６１を固定する。加圧用ふた固定機構６２は、後で示す加圧工程において、加圧用ふた６１が上方向に移動することを規制する。結果として、積層された第１のワークＷ１、第２のワークＷ２は、加圧工程において、上方向への移動が規制される。
加圧用ふた固定機構６２は、固定機構駆動部６２ａにより駆動される。なお固定機構駆動部６２ａは、固定機構駆動制御部６２ｂにより制御される。
上記（１１）の工程により、加圧用ふた６１が固定された状態となり、また、以下に続く加圧工程に移行可能な状態となる。
【００７３】
Ｆ．動作６（加圧動作）
（１２）図２２に示すように、加圧ステージユニット２０において、ステージ移動機構駆動制御部２４ａによってステージ移動機構２４を駆動することにより、加圧ステージ２３、補助ステージ２２、ワークステージ２１を上方向に移動させて、ワークステージ２１上の積層された第１のワークＷ１、第２のワークＷ２と加圧用ふた６１とを接触させる（すなわち、第１のワークＷ１の上側表面と加圧用ふた６１とを接触させる）。このとき、ベース４１上面と加圧ステージ２３表面との距離はＳ１’となる。
（１３）図２３に示すように、加圧ステージユニット２０において、両ワークと加圧用ふた６１とを接触させた後も、ステージ移動機構駆動制御部２４ａによるステージ移動機構２４の駆動を続行する。
そして、加圧ステージ２３の上面がストッパ２８に接触したときにステージ移動機構２４の駆動を停止する。
【００７４】
上記したように、積層された第１のワークＷ１、第２のワークＷ２は、固定機構６２により固定された加圧用ふた６１により、上方向への移動を規制されている。そのため、両ワークＷ１，Ｗ２が載置されているワークステージ２１を搭載している補助ステージ２２は上方向に移動できない。よって、両ワークＷ１，Ｗ２と加圧用ふた６１とが接触した位置から加圧ステージ２３の上面がストッパ２８に接触する位置までの加圧ステージ２３の上方向への移動距離（ｘ）の分だけ、加圧ステージ２３と補助ステージ２２との間に挿入されているばね２７が圧縮される。
すなわち、加圧ステージ２３表面とストッパ２８が接触したときのベース４１上面と加圧ステージ２３表面との距離をＳ２’とすると、上記移動距離ｘは、ｘ＝Ｓ２’−Ｓ１’となる。
よって、ばね２７のばね定数をｋとするとき、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２には、Ｐ＝｜ｋｘ｜なる大きさの圧力が印加される。
すなわち、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２へ印加する圧力は、ばね２７のばね定数およびストッパ２８の挿入位置を調整することにより、所定の値に調節される。
なお、上記圧力の測定は、圧力センサ１５を用いて行われる。圧力センサ１５によって検出された圧力情報は、例えば、ステージ移動機構駆動制御部２４ａに送出される。また例えば図示を省略した圧力表示手段に送出される。
（１２）〜（１３）の工程により、積層された第１のワークＷ１と第２のワークＷ２への加圧が行われる。
【００７５】
Ｇ．動作７（ワーク（マイクロチップ）の取り出し）
（１４）図２４に示すように、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２への圧力印加開始から所定時間経過後、ステージ移動機構駆動制御部２４ａによってステージ移動機構２４を駆動することにより加圧ステージ２３、補助ステージ２２、ワークステージ２１を下方向に移動させる。移動位置は、加圧用ふた６１から第１のワークＷ１表面が離間状態となり、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２への加圧が解除される任意の位置である。なお、上記した所定時間とは、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２への圧力印加開始から第１のワークＷ１と第２のワークＷ２との接合が完了してマイクロチップが形成するまでの時間である。
（１５）固定機構駆動部６２ａにより加圧用ふた固定機構６２が駆動されて、加圧用ふた固定機構６２ａは図２４の右側に移動する。これにより、加圧用ふた６１の固定が解除される。
【００７６】
（１６）加圧用ふた駆動部６１ａは、加圧用ふた６１が積層した第１および第２のワークＷ２（すなわち、マイクロチップ）の上方から退避するように、加圧用ふた６１を図２４の左側へ駆動する。ここで加圧用ふた駆動部６１ａの動作は、加圧用ふた駆動制御部６１ｂにより制御される。
（１７）加圧ステージユニット２０において、ワークステージ２１上に載置されているマイクロチップが取り出される。なお、マイクロチップの取り出しは、作業者が行ってもよいし、図示、説明を省略した周知の搬送機構を用いて行ってもよい。
（１５）〜（１７）の工程により、マイクロチップへの加圧の解除、加圧用ふた６１の固定の解除および元の位置への反転、ワークステージ２１からマイクロチップの取り出しが行われる。
【００７７】
本実施例の装置によれば、以下の効果を得ることができる。
本実施例に示す貼り合わせ装置は、加圧ステージユニット２０のワークステージ２１に保持された第２のワークＷ２に対し、光照射ユニット１０からのＵＶ光を照射することが可能であり、改質処理された第２のワークＷ２表面に第１のワークＷ１を積層後、加圧ステージユニット２０の加圧機構により積層された第１のワークＷ１と第２ワークとに圧力を印加することが可能となる。
すなわち、一台の装置でマイクロチップの貼り合わせ工程が実施可能であり、装置全体をコンパクトに構成することができる。
【００７８】
更に、第２のワークＷ２のＵＶ光照射面と光照射ユニット１０との距離とを任意に設定することができる。例えば、光照射ユニット１０から両ワークの照射面に照射されるＵＶ光が中心波長１７２ｎｍのＵＶ光であるとき、ＵＶランプの下側と両ワークの照射面との距離を例えば、１〜５ｍｍに設定することが可能となる。よって、大気中で著しく減衰する波長１７２ｎｍのＵＶ光を照射する際、照射雰囲気が大気中であっても第２のワークＷ２表面を改質することが可能となる。
すなわち、ＵＶ光照射雰囲気を波長１７２ｎｍのＵＶ光が減衰しない真空雰囲気にする必要がないので、装置全体をよりコンパクトに構成することができる。
なお、第２の実施例と同様、本実施例の貼り合わせ装置に基板加熱機能を付加することも可能である。これにより、上記した２枚のワークの積層工程後、（Ａ）２枚のワークの加圧工程、（Ｂ）２枚のワークの加熱工程、（Ｃ）２枚のワークの加圧工程および加熱工程からなる工程グループから任意の工程を選択することが可能となる。
また、第３の実施例と同様、上位コントローラ５０を設け、一連の工程を自動的に実施してもよい。
【００７９】
７．実施例７
上記した実施例１〜６では、光照射ユニットからワークの表面にＵＶ光を照射して改質する場合について説明したが、ワークの表面を改質処理するための改質能を有する粒子を放出する放出ユニットとしては、プラズマ（酸素プラズマ、不活性ガスプラズマ）粒子を放出する放出ユニットを用いることもできる。
図２５にプラズマ発生手段の構成例を示す。なお、プラズマ発生手段以外の構成は、前記実施例１〜６と同様の構成であり、同図では、加圧ステージユニット２０近傍の構成のみを示している。
同図に示すように、プラズマ発生手段７０は、所定の間隔を隔てて対向する一対の電極７１ａ，７１ｂと、前記一対の電極７１ａ，７１ｂ間にガスを供給するガス供給手段７３と、ガス供給手段７３からガスを供給しながら電極７１ａ，７１ｂ間にパルス状の電圧を印加する電源装置７２とから構成される。電極間距離は数ｍｍ以下に設定され、電極７１ａ，７１ｂ間がプラズマ発生空間となる。上記ガスの主成分としては例えば酸素や不活性ガスを用いることができる。
【００８０】
電極７１ａ，７１ｂ間に発生したプラズマは、電極７１ａ，７１ｂの下端開口から放出され、マスクホルダ１４に設けられたマスクＭを介してワークステージ２１に載置されたワークＷに照射される。なおマスクＭの構造は、検査体の設置パターンに対応して、検査体にプラズマ粒子が接触しないようにパターニングされたステンシルプレート構造である。
上記プラズマ発生手段７０には走査手段７４が設けられており、走査手段７４によりプラズマ発生手段７０を同図の矢印方向に走査することにより、電極７１ａ，７１ｂの下端の開口から放出されるプラズマがワークＷの全表面に放出される。
これにより、ワークを酸素プラズマ雰囲気にさらしてプラズマ処理したり、不活性ガスを用いワークを不活性ガスプラズマ雰囲気にさらしてプラズマ処理することができる。
その他の構成は前記実施例１〜６と同様であり、第１の実施例に示したように第１のワークＷ１の表面と第２のワークＷ２の表面に同時にプラズマを放出できるように、プラズマ発生手段７０を２組設けてもよいし、あるいは、第５の実施例のように、第１のワークＷ１と第２のワークＷ２に対して個別にプラズマを放出できるように構成してもよい。
また、図２５ではプラズマ発生手段７０とワークＷの間にマスクＭを設ける場合について示したが、第６の実施例に示したようにマスクを配置しない場合もある。
【符号の説明】
【００８１】
１０        光照射ユニット
１０ａ      ランプハウス
１１ａ      ＵＶランプ
１１ｂ      反射ミラー
１３        ランプ点灯装置
１４        マスクホルダ
１４ａ      マスクホルダ駆動部
１４ｂ      マスクホルダ駆動制御部
１５        圧力センサ
１６        加熱機構
１６ａ      温度制御部
１７        光照射ユニット駆動部
１７ａ      光照射ユニット駆動制御部
２０        加圧ステージユニット
２１        ワークステージ
２１ａ      ワークステージ駆動制御部
２２        補助ステージ
２３        加圧ステージ
２４        ステージ移動機構
２４ａ      ステージ移動機構駆動制御部
２５        駆動軸
２６        柱
２６ａ      フランジ部
２６ｂ      高さ調整用カラー
２７        ばね
２７ａ      ばねケース
２８        ストッパ
２８ａ      ストッパ駆動部
２８ｂ      ストッパ駆動制御部
３０        反転ステージユニット
３１        反転ステージ
３１ａ      吸着用溝部
３１ｂ      真空供給用孔部
３１ｃ      位置決めピン
３２        ステージ保持機構
３３        反転ステージ駆動機構
３３ａ      反転ステージ制御部
３３ｂ      軸
３３ｃ      カップリング
３３ｄ      軸受け部材
３３ｅ      回転軸
３４        反転ステージベース
３４ａ      高さ調整用スペーサ
３５        真空供給機構
３５ａ      真空供給管
３５ｂ      真空チャック駆動制御部
３６        反転ステージ固定機構
３６ａ      固定機構駆動部
３６ｂ      固定機構駆動制御部
４１        ベース
４２        直動ベース
４３        直動ベース駆動制御部
５０        上位コントローラ
６１        加圧用ふた
６１ａ      加圧用ふた駆動部
６１ｂ      加圧用ふた駆動制御部
６２        加圧用ふた固定機構
６２ａ      固定機構
６２ｂ      固定機構駆動制御部
７０        プラズマ発生手段
７１ａ，７１ｂ  電極
７２        電源
７３        ガス供給手段
７４        走査手段        
Ｍ          マスク
Ｗ，Ｗ１，Ｗ２  ワーク
【図１】
2011091230.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2011091230.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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