(57)【要約】    【課題】  半田バンプをファインピッチに配置することができるプリント配線板を提供する。    【解決手段】  半田パッド１５８L１の周囲にリング状のダミーパターン１５８Ｌ２が設けられているので、プリント配線板を搭載する器機が落下等により衝撃を受けた際に、プリント配線板の表面上を振動が伝わるが、振動の伝達をダミーパターン１５８Ｌ２が食い止め、内側の半田パッド１５８Ｌ１へ伝わるのを防ぐ。このため、接続信頼性を高めることができる。また、半田パッド上の半田バンプがダミーパターンの外側まで延在することが無く、半田量の多い高さの有る半田パッドをファインピッチに設けても、半田バンプが他の半田バンプと短絡することが無い。【選択図】  図８
2011249796.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する絶縁層と、
前記絶縁層の第２面上の導体回路と、
前記絶縁層の第２面と前記導体回路上に形成されていて、第１面と第１面とは反対側の第２面を有すると共にビア導体用の開口を有する最外の層間樹脂絶縁層と、
前記最外の層間樹脂絶縁層の第２面上に形成されていて前記ビア導体用の開口の周囲に形成されている第１のランドと、
前記最外の層間樹脂絶縁層のビア導体用の開口に形成されていて前記絶縁層の第２面上の導体回路と前記第１のランドとを接続しているビア導体と、
前記最外の層間樹脂絶縁層の第２面上に形成されていて前記第１のランドの周囲にスペースを介して形成されている第２のランドと、
前記ビア導体と前記第１のランドとからなる第２の半田パッド上に形成されている第２の半田バンプとからなるプリント配線板であって、
前記第１のランドと前記ビア導体は直接接続されていて、前記絶縁層の第２面と前記最外の層間樹脂絶縁層の第１面は対向している。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板において、前記最外の層間樹脂絶縁層の第２面は前記第１のランドと第２のランドから露出している。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板において、第２のランドは前記最外の層間樹脂絶縁層の第２面上で独立している。
【請求項４】
請求項１または２のプリント配線板において、前記第１のランドと前記第２のランドは前記最外の層間樹脂絶縁層の第２面上に形成されている短絡配線によって直接接続されている。
【請求項５】
請求項２又は請求項３のプリント配線板において、前記絶縁層は樹脂と補強材とからなる。
【請求項６】
請求項５のプリント配線板において、さらに、前記絶縁層の第１面に形成されている導体回路と、
前記絶縁層の第１面及び前記絶縁層の第１面上の導体回路上に形成され、第１面と該第１面と反対側の第２面とを有すると共にビア導体用の開口を有している上層の第１層間樹脂絶縁層と、
前記上層の第１層間樹脂絶縁層の第２面上に形成されているビアランドと、
前記上層の第１層間樹脂絶縁層のビア導体用の開口に形成され前記絶縁層の第１面上の導体回路と前記上層の第１層間樹脂絶縁層の第２面上に形成されているビアランドと接続している第３ビア導体と、
前記上層の第１層間樹脂絶縁層の第２面と前記第３ビア導体と前記ビアランド上に形成されていると共に前記第３ビア導体を露出する開口を有するソルダーレジスト層と、
前記ソルダーレジスト層の開口から露出する第３ビア導体上に形成されている第１の半田バンプとを有し、前記絶縁層の第１面と前記上層の第１層間樹脂絶縁層の第１面は対向している。
【請求項７】
請求項１または２のプリント配線板において、第２の半田パッドは電子部品を搭載するためのパッドである。
【請求項８】
請求項１または２のプリント配線板において、第２の半田パッドはマザーボードと接続するためのパッドである。
【請求項９】
請求項６のプリント配線板において、第２の半田パッドはマザーボードと接続するためのパッドであり、前記第１の半田バンプは電子部品を搭載するためのバンプである。
【請求項１０】
請求項１のプリント配線板において、前記第２の半田パッドを構成する前記ビア導体の上面は前記第１のランドの上面に対し凹んでいる。
【請求項１１】
請求項１または２のプリント配線板において、前記第２の半田バンプは第２のランドと第２の半田パッド上に形成されている。
【請求項１２】
第１面と第１とは反対側の第２面とを有する層間樹脂絶縁層と、
前記層間樹脂絶縁層の第１面側において前記層間樹脂絶縁層に埋まっている電極と、
前記層間樹脂絶縁層の第２面に形成されている第１のランドと該第１のランドの周囲にスペースを介して形成されている第２のランドと、
前記層間樹脂絶縁層を貫通し、前記第１のランドと前記電極とを接続しているビア導体と、前記ビア導体と前記第１のランドとからなる第２の半田パッド上に形成されている第２の半田バンプとからなるプリント配線板において、層間樹脂絶縁層の第１面から露出する前記電極の第１面は層間樹脂絶縁層の第１面から凹んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品あるいは外部基板と接続するための半田パッドを有するプリント配線板、及び、該プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品あるいは外部基板と接続するために、プリント配線板の半田パッド上に半田バンプが設けられる。半田バンプは、ソルダーレジスト層の開口により露出される半田パッド上に、半田ボールを搭載し、半田ボールをリフローすることで形成されている。
【０００３】
特許文献１は、円形の導体１４−２とその導体１４−２を囲むスリット８と、スリットを囲むリング状の導体１４−１からなるパッド（第４のパッド１４）を開示している（図２参照）。パッドの一部である導体１４−１は表面パターンを介して第１のパッド１１に繋がっている。そして、第１のパッド１１は、表面パターン１７とビア導体を介して第１の内層パターン２１に繋がっている。一方、パッドの一部である導体１４−２はビア導体を介して第３の内層パターン２３に繋がっている。第４のパッド１４の目的は、入出力信号の切り替えによる改造作業を容易にすることにある。例えば、最初は第１のパッド１１と第１の内層パターンが表面パターン１７により導通している。このとき、導体１４−１と導体１４−２とは導通していない。回路網の変更が必要になったときに、表面パターン１７を切断し、導体１４−１と導体１４−２とをスダッドバンプ６で接続する。これにより、第１のパッド１１は第１の内層パターンから第３の内層パターンに繋がるので、入出力信号の切り替えが完了する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０４−３２００９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、入出力信号の切り替えのため、一部の導体回路が切断される。導体回路を切断するとき、導体回路の下の絶縁層も切断されると考えられる。そのため、特許文献１のプリント配線板は絶縁層にクラックが発生しやすいと考えられる。
特許文献１では、ソルダーレジスト層で最外層の導体回路が被覆されていない。特許文献１が、ソルダーレジスト層を設けない理由は、表面の導体回路の切断を容易にするためと考えられる。
【０００６】
本発明の目的は、半田バンプをファインピッチに配置することができるプリント配線板、及び、該プリント配線板の製造方法を提供することである。また、半田パッドと半田バンプ間の接続信頼性が高いプリント配線板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する絶縁層と、前記絶縁層の第２面上の導体回路と、前記絶縁層の第２面と前記導体回路上に形成されていて、第１面と第１面とは反対側の第２面を有すると共にビア導体用の開口を有する最外の層間樹脂絶縁層と、前記最外の層間樹脂絶縁層の第２面上に形成されていて前記ビア導体用の開口の周囲に形成されている第１のランドと、前記最外の層間樹脂絶縁層のビア導体用の開口に形成されていて前記絶縁層の第２面上の導体回路と前記第１のランドとを接続しているビア導体と、前記最外の層間樹脂絶縁層の第２面上に形成されていて前記第１のランドの周囲にスペースを介して形成されている第２のランドと、前記ビア導体と前記第１のランドとからなる第２の半田パッド上に形成されている第２の半田バンプとからなるプリント配線板であって、
前記第１のランドと前記ビア導体は直接接続されていて、前記絶縁層の第２面と前記最外の層間樹脂絶縁層の第１面は対向している。
【発明の効果】
【０００８】
プリント配線板を搭載する器機の落下等によりプリント配線板が衝撃を受ける場合がある。その時、プリント配線板の表面上を振動が伝わると考えられる。本実施形態のプリント配線板は、第２の半田パッドの周囲にリング状の第２のランドを有している。そのため、振動の伝達を第２のランドが食い止め、内側の半田パッド（第２の半田パッド）へ伝わる振動の振幅を小さくすることができると考えられる。このため、落下等の衝撃により、半田パッドから半田バンプが取れる可能性を下げ、接続信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）は第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）は第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｄ）は第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｄ）は第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図８】第１実施形態の多層プリント配線板の断面図が示されている。
【図９】図９（Ａ）は、第１実施形態の第２の半田パッドと第２のランドの平面図であり、図９（Ｂ）は、短絡配線を示す図である。
【図１０】第１と第２のランドを形成するためのメッキレジストが示されている図である。
【図１１】ビアランドを形成するためのメッキレジストが示されている図である。
【図１２】図１２（Ａ）は窪みの拡大図であり、図１２（Ｂ）は第２の半田パッドにフラックスが塗布されている状態を示す拡大図である。
【図１３】第１の半田パッドと第２の半田パッドに高い半田バンプが形成されている状態を示している図である。
【図１４】第１実施形態の第２改変例に係る多層プリント配線板の断面図が示されている。
【図１５】第１実施形態の第２改変例に係る半田バンプの形成方法が示されている図である。
【図１６】図８に示す多層プリント配線板にＩＣチップが実装されている状態を示す断面図である。
【図１７】第２実施形態に係るプリント配線板が示されている断面図である。
【図１８】第３実施形態に係るプリント配線板の製造方法が示されている工程図である。
【図１９】第３実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法が示されている工程図である。
【図２０】第３実施形態に係る多層プリント配線板とその製造方法が示されている工程図である。
【図２１】第３実施形態の第１改変例に係る多層プリント配線板とその製造方法が示されている工程図である。
【図２２】第４実施形態の多層プリント配線板を示す断面図である。
【図２３】図２２に示す多層プリント配線板にＩＣチップが実装されている状態を示す断面図である。
【図２４】第５実施形態の多層プリント配線板の断面図が示されている。
【図２５】図２４に示す多層プリント配線板にＩＣチップが実装されている状態を示す断面図である。
【図２６】第１のランドと第２のランドとスペースの拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[第１実施形態]
本発明の第１実施形態に係る製造方法により製造される多層プリント配線板１０の構成について、図８を参照して説明する。図８は多層プリント配線板１０の断面図を示している。図８に示すように、多層プリント配線板１０では、絶縁性基板３０の表面（第１面）と裏面（第２面）に導体回路３４Ｕ、３４Ｌが形成されている。絶縁性基板３０の表面の導体回路３４Uと裏面の導体回路３４Lとはスルーホール導体３６ｂを介して接続されている。絶縁性基板３０の両面に、下層の層間樹脂絶縁層５０Ｕ、５０Ｌが形成されている。
【００１１】
下層の層間樹脂絶縁層５０Ｕ、５０Ｌには下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕと下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌがある。第１面と第２面を有する下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕがコア基板の表面上に形成されていて、第１面と第２面を有する下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌはコア基板の裏面上に形成されている。第１面はコア基板と対向する面であり、第２面は第１面と反対側の面である。下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕ上に下層の第１導体回路５８Ｕが形成され、下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌ上に下層の第２導体回路５８Ｌが形成されている。下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕは、下層の第１層間樹脂絶縁層を貫通する第１開口５１Ｕを有し、下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌは、下層の第２層間樹脂絶縁層を貫通する第２開口５１Ｌを有する。第１開口５１Ｕを充填している第１ビア導体６０−１がコア基板上の導体回路３４Ｕと下層の第１層間樹脂絶縁層５０U上の導体回路５８Ｕを接続している。第２開口５１Ｌを充填している第２ビア導体６０−２がコア基板上の導体回路３４Ｌと下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌ上の導体回路５８Ｌを接続している。下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕと導体回路５８Ｕ上に第１面と第２面を有する上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕが形成され、下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌと導体回路５８Ｌ上に第１面と第２面を有する上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌが形成されている。
【００１２】
上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第１面は下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕの第２面と対向する面であり、上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第２面は上層の第１層間樹脂絶縁層の第１面と反対側の面である。上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第１面は下層の第２層間樹脂絶縁層の第２面と対向する面であり、上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第２面は上層の第２層間樹脂絶縁層の第１面と反対側の面である。上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第２面上にビアランド１５８ＵＬと上層の導体回路１５８Uが形成されている。上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕは上層の第１層間樹脂絶縁層を貫通する第３開口１５１Ｕを有し、上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌは上層の第２層間樹脂絶縁層を貫通する第４開口１５１Ｌを有する。第３開口１５１Ｕを充填し、下層の第１導体回路５８Ｕまたは第１のビア導体６０−１とビアランド１５８ＵＬまたは上層の導体回路１５８Ｕを接続している第３ビア導体１６０−１が上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕに形成されている。ビアランド１５８ＵＬは第３ビア導体１６０−１の周りに形成されていて第３ビア導体１６０−１に直接接続している部分である。上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第２面上に第１のランド１５８Ｌ１と第２のランド１５８Ｌ２が形成されている。第４開口１５１Ｌを充填し、下層の第２導体回路５８Ｌまたは第２のビア導体６０−２と第１のランド１５８Ｌ１を接続している第４ビア導体１６０−２が上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌに形成されている。第１のランド１５８Ｌ１は第４ビア導体１６０−２の周りに形成されていて第４ビア導体１６０−２に直接接続している部分である。
【００１３】
第２のランド１５８Ｌ２はスペースＳを介して第１のランド１５８Ｌ１を囲んでいる。上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第２面と第３ビア導体１６０−１と上層の導体回路１５８Ｕ上にソルダーレジスト層７０が形成されている。ソルダーレジスト層は第１の半田パッドを露出する開口７１を有している。開口７１は第３ビア導体１６０−１や上層の導体回路１５８Ｕの上面を露出している。開口７１により露出している第３ビア導体１６０−１や上層の導体回路１５８Ｕの上面が第１の半田パッドとして機能する。
【００１４】
本実施形態では、上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌが最外の層間樹脂絶縁層に相当し、下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌが絶縁層に相当する。また、第１実施形態では、上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第２面は第１のランド１５８Ｌ１と第２のランド１５８Ｌ２から露出している。第１のランド１５８Ｌ１と第２のランド１５８Ｌ２が形成されている部分以外、上層の第２層間樹脂絶縁層の第２面は外部に露出している。上層の第２層間樹脂絶縁層の第２面上に第１のランド１５８Ｌ１や第２のランド１５８Ｌ２以外、導体回路やソルダーレジスト層７０は形成されていない。
【００１５】
図９（Ａ）に、図８中の第４ビア導体１６０−２と第１のランド１５８Ｌ１及び第２のランド１５８Ｌ２の平面図を示す。第４ビア導体１６０−２と第１のランド１５８Ｌ１とからなる第２の半田パッド１６０Ｒ上に第２の半田バンプ７８Ｌが形成される。第１のランド１５８Ｌ１の周囲にスペースSを介してリング状の第２のランド１５８Ｌ２が形成されている。点線Ｌ内の部分が第４ビア導体１６０−２であり、点線Ｌ外の部分が第１のランド１５８Ｌ１である。第２のランド１５８Ｌ２は、上層の第２層間樹脂絶縁層の第２面上で他の導体回路と接続していない。第４のビア導体１６０−２の直径Ｖは３０〜１５０μｍであり、第１のランド１５８Ｌ１の直径Ｒ１は４０〜１９０μｍであり、第２のランド１５８Ｌ２の内径Ｄ１は５２〜３４０μｍであり、第２のランド１５８Ｌ２の外径Ｄ２は６４〜４９０μｍであり、第２ランド１５８Ｌ２の幅は１２〜１５０μｍであり、スペースＳの幅Ｇは１２〜１５０μｍである。第４のビア導体の直径Ｖは上層の第２層間樹脂絶縁層の第２面における第４開口の直径と同等である。同様に、各ビア導体の直径は各層間樹脂絶縁層の第２面における各開口の直径と同等である。
【００１６】
プリント配線板１０を搭載する器機（例えば携帯電話）が落下すると、衝撃波がプリント配線板の表面を伝播すると考えられる。第１実施形態の多層プリント配線板１０では、第４のビア導体１６０−２と第１のランド１５８Ｌ１とからなる第２の半田パッド１６０Ｒの周囲に第２のランド１５８Ｌ２が形成されている。プリント配線板１０の表面を伝播すると考えられる衝撃波が第２のランド１５８Ｌ２に到達すると、第２のランド１５８Ｌ２は防波堤のような機能を果たすと考えられる。そのため、第２のランド１５８Ｌ２が衝撃波の進行を止めると考えられる。もしくは、第２のランド１５８Ｌ２が衝撃波の強度を弱くすると考えられる。第２のランド１５８Ｌ２は、第２のランド１５８Ｌ２内に形成されている第２の半田パッド１６０Ｒに到達する衝撃波の強度を弱くすると考えられる。このため、第１実施形態のプリント配線板では、落下等の衝撃により第２の半田パッド１６０Ｒから半田バンプ７８Lが取れる可能性を下げ、接続信頼性を高めることができる。
【００１７】
第２のランドがダムの役割をするため第２の半田パッド１６０Ｒ上の半田バンプが第２のランドを越えがたくなる。そのため、半田により隣接する第２の半田パッド間でのショートを防止することができる。第２の半田パッド１６０Ｒと第２のランド１５８Ｌ２間に半田が濡れ難い最外の層間樹脂絶縁層が存在するので、半田バンプを第２の半田パッド上に形成することができる。第１実施形態では、第２の半田パッドをファインピッチに設け、第２の半田パッド上にボリュームが多く高さが高い半田バンプを形成しても、半田バンプが他の半田バンプと短絡し難い。
【００１８】
引き続き、図８に示されている多層プリント配線板１０の製造方法について図１〜図７を参照して説明する。
（１）厚さ０．２〜０．８ｍｍのエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板３０の両面に５〜２５μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１（Ａ））。絶縁性基板３０はガラスクロスなどの心材を有することが好ましい。まず、この銅張積層板３０Ａにドリルやレーザなどでスルーホール導体用の貫通孔（スルーホール導体用貫通孔）３３を形成する（図１（Ｂ））。その後、無電解めっき処理および電解めっき処理を施し、貫通孔３３の側壁にスルーホール導体３６ｂを形成する（図１（Ｃ））。同時に、銅箔上に無電解めっき膜と電解めっき膜とからなる導電膜３６が形成される。図１（Ｃ）に示すように、第１実施形態では、貫通孔３４が金属で充填されておらず、第１実施形態のプリント配線板はスルーホール導体の内側にスルーホール導体内貫通孔３６Ａを有している。
【００１９】
スルーホール導体３６ｂの表面と導電膜３６に粗化面３６αを形成する（図１（Ｄ））。
【００２０】
（２）次に、平均粒径３〜５μｍのガラス等の無機粒子を含む樹脂充填剤３７をスルーホール導体内貫通孔３６Ａに充填し、乾燥、硬化させる（図２（Ａ））。
【００２１】
引き続き、スルーホール導体内貫通孔３６Ａからはみ出ている樹脂充填剤３７を研磨により除去し、基板３０の表面を平坦にする。スルーホール導体内貫通孔３６Ａが樹脂充填剤３７で充填される（図２（Ｂ））。
【００２２】
（３）その後、基板３０の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与し、無電解銅めっきを施すことにより、厚さ０．２〜２μｍの無電解銅めっき膜２３を形成する（図２（Ｃ））。その後、電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜２４を形成する。無電解銅めっき膜２３と電解銅めっき膜２４とからなるめっき膜が銅箔３２上に形成される。同時に、めっき膜はスルーホール導体３６ｂと樹脂充填剤３７を覆う（図２（Ｄ））。
【００２３】
（４）めっき膜を有する基板３０００の両面に、市販のドライフィルムを張り付ける。その後、フォトリソにより、めっき膜上にエッチングレジスト２５を形成する（図２（Ｅ））。そして、エッチングレジストから露出するめっき膜、導電膜３６、銅箔３２を、エッチング液にて溶解除去し、さらに、エッチングレジストを除去する（図３（Ａ））。絶縁性基板３０の第１面に表面の導体回路３４Uが形成され、絶縁性基板３０の第２面に裏面の導体回路３４Lが形成される。同時に、充填剤３７を覆う表面の被覆回路４２Ｕと裏面の被覆回路４２Ｌが形成される（図３（Ａ））。絶縁性基板３０と表面の導体回路３４Uと裏面の導体回路３４Lとスルーホール導体３６ｂと被覆回路４２Ｕ、４２Ｌとからなるコア基板３００が完成する（図２（Ｂ））。そして、表面の導体回路３４Ｕ、裏面の導体回路３４Ｌ、裏面の被覆回路４２Ｌおよび表面の被覆回路４２Ｕの表面を粗化し、粗化面を形成する（図示せず）。表面の被覆回路は表面の導体回路に含まれ、裏面の被覆回路は裏面の導体回路に含まれる。
【００２４】
[ビルドアップ層の形成]
（５）コア基板３００の両面に、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）を積層する。その後、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを硬化することでコア基板の両面に下層の層間樹脂絶縁層５０Ｕ、５０Ｌが形成される（図２（Ｂ））。コア基板の表面に形成されている下層の層間樹脂絶縁層が下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕである。下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕは第１面と第１面とは反対側の第２面を有する。下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕの第１面はコア基板と対向する面である。コア基板の裏面に形成されている下層の層間樹脂絶縁層が下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌである。下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌは第１面と第１面とは反対側の第２面を有する。下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｌの第１面はコア基板と対向する面である。
【００２５】
（６）次に、ＣＯ2 ガスレーザにて、下層の層間樹脂絶縁層５０Ｕ、５０Ｌに、直径３０〜１５０μｍのビア導体用開口５１Ｕ、５１Ｌを形成する（図３（Ｃ））。下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕは下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕを貫通し表面の導体回路３４Ｕまたは表面の被覆回路４２Ｕに至る第１開口５１Ｕを有する。下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌは下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌを貫通し裏面の導体回路３４Ｌまたは裏面の被覆回路４２Ｌに至る第２開口５１Ｌを有する。ビア導体用開口５１Ｕ、５１Ｌを有する基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、ビア導体用開口５１Ｕ、５１Ｌの内壁を含む下層の層間樹脂絶縁層５０Ｕ、５０Ｌの表面に粗面を形成する（図４（Ａ））。
【００２６】
（７）次に、ビア導体用開口５１Ｕ、５１Ｌを有する基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、層間樹脂絶縁層５０Ｕ、５０Ｌの表面およびビア導体用開口５１Ｕ、５１Ｌの内壁に触媒を付与する（図示せず）。
【００２７】
（８）次に、市販の無電解めっき水溶液中に、基板を浸漬して、層間樹脂絶縁層の表面とビア導体用開口の内壁に厚さ０．３〜３．０μｍの無電解めっき膜５２を形成する（図４（Ｂ））。無電解めっき膜としては、銅やニッケルなどを例示することができる。本実施形態の無電解めっき膜は無電解銅めっき膜である。無電解めっき膜の代わりにスパッタ膜などの蒸着膜を層間樹脂絶縁層とビア導体用開口に形成することができる。
【００２８】
（９）ついで、無電解銅めっき膜５２上に所定パターンのメッキレジスト５４を形成する。
【００２９】
（１０）次いで、市販の電解銅めっき液（例えば上村工業社製のめっき液）に浸漬する。無電解銅めっき膜をシード層として、メッキレジストから露出する無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜５６を形成する（図４（Ｃ））。ビア導体用開口は電解めっき膜５６で充填される。電解銅めっき膜の代わりに、電解ニッケル膜や電解半田膜を形成することができる。電解めっき膜の厚さは１０〜２０μｍである。
【００３０】
（１１）メッキレジストを除去し、電解銅めっき膜間の無電解銅めっき膜５２をエッチングで除去する。下層の第１層間樹脂絶縁層の第２面上に下層の第１導体回路５８Ｕが形成される。第１開口５１Ｕを充填する第１のビア導体６０−１が下層の第１層間樹脂絶縁層に形成される。第１ビア導体６０−１は表面の導体回路３４Ｕまたは表面の被覆回路４２Ｕと下層の第１導体回路５８Ｕとを接続している。下層の第２層間樹脂絶縁層の第２面上に下層の第２導体回路５８Ｌが形成される。第２開口５１Ｌを充填する第２ビア導体６０−２が下層の第２層間樹脂絶縁層に形成される。第２のビア導体６０−２は裏面の導体回路３４Ｌまたは裏面の被覆回路４２Ｌと下層の第２導体回路５８Ｌとを接続している。
【００３１】
次に、下層の第１導体回路、下層の第２導体回路、第１ビア導体と第２ビア導体の表面を粗化する（図示せず）。
その後、下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕ、下層の第１導体回路５８Ｕと第１のビア導体６０−１上に層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）を積層する。同様に下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌ、下層の第２導体回路５８Ｌと第２のビア導体６０−２上に層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを積層する。その後、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを硬化することで下層の層間樹脂絶縁層上に上層の層間樹脂絶縁層１５０Ｕ、１５０Ｌが形成される（図５（Ａ））。
【００３２】
下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕ上に形成されている層間樹脂絶縁層が上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕである。上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕは第１面と第１面とは反対側の第２面を有する。上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第１面は下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕの第２面と対向する面である。下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌ上に形成されている層間樹脂絶縁層が上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌである。上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌは第１面と第１面とは反対側の第２面を有する。上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第１面は下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌの第２面と対向する面である。
【００３３】
（１２）次に、ＣＯ2レーザにて、上層の層間樹脂絶縁層１５０Ｕ、１５０Ｌに、直径３０〜１５０μｍのビア導体用開口１５１Ｕ、１５１Ｌを形成する。上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕは上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕを貫通し下層の第１導体回路５８Ｕまたは第１ビア導体６０−１に至る第３開口１５１Ｕを有する。上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌは上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌを貫通し下層の第２導体回路５８Ｌまたは第２ビア導体６０−２に至る第４開口１５１Ｌを有する。上層の層間樹脂絶縁層１５０Ｕ、１５０Ｌの第２面を下層の層間樹脂絶縁層の第２面と同様に粗化する（図５（Ｂ））。
【００３４】
その後、ビア導体用開口１５１Ｕ、１５１Ｌを有する基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、上層の層間樹脂絶縁層１５０Ｕ、１５０Ｌの表面およびビア導体用開口１５１Ｕ、１５１Ｌの内壁に触媒を付与する。次に、市販の無電解めっき水溶液中に、基板を浸漬して、層間樹脂絶縁層の表面とビア導体用開口の内壁に厚さ０．３〜３．０μｍの無電解めっき膜１５２Ｕ、１５２Ｌを形成する（図５（Ｃ））。無電解めっき膜としては、銅やニッケルなどを例示することができる。本実施形態の無電解めっき膜は無電解銅めっき膜である。無電解めっき膜の代わりにスパッタ膜などの蒸着膜を層間樹脂絶縁層とビア導体用開口に形成することができる。
【００３５】
ついで、無電解銅めっき膜１５２Ｕ、１５２Ｌ上に所定パターンのメッキレジスト１５４を形成する（図５（Ｄ））。図１０（Ａ）に上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第２面上に形成されている無電解めっき膜１５２Ｌを示す。この無電解めっき膜１５２Ｌ上に形成されるメッキレジスト１５４Ｌについて以下に説明する。
図１０（Ａ）はメッキレジスト１５４Ｌの断面を示す図であり、図１０（Ｂ）はメッキレジスト１５４Ｌの平面を示す図である。図１０（Ｂ）中の点線Ｌは上層の第２層間樹脂絶縁層の第２面における第４開口１５１Ｌの外周である。
【００３６】
第４開口１５１Ｌと第４開口１５１Ｌの周辺部分Ｍはメッキレジスト１５４Ｌから露出している。図１０（Ａ）、（Ｂ）中のｍは周辺部分Ｍの幅である。そして、周辺部分Ｍの外側に幅Ｗ１のメッキレジスト１５４Ｌ−１Ｗが形成されている。メッキレジスト１５４Ｌ−１Ｗの外側に幅Ｎの無電解めっき膜１５２ＬＬがメッキレジスト１５４Ｌから露出している。幅Ｎの無電解めっき膜１５２ＬＬの外側の無電解めっき膜１５２Ｌはメッキレジスト１５４Ｌで覆われている。ｍは１０〜１５０μｍであり、Ｗ１は１０〜１５５μｍであり、Ｎは１０〜１５５μｍである。
【００３７】
図１１（Ａ）に上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第２面上の無電解めっき膜１５２Ｕを示す。この無電解めっき膜１５２Ｕ上に形成されるメッキレジスト１５４Ｕについて以下に説明する。
図１１（Ａ）はメッキレジスト１５４Ｕの断面を示す図であり、図１１（Ｂ）はメッキレジスト１５４Ｕの平面を示す図である。図１１（Ａ）は、図１１（Ｂ）中のＡ‘−Ａ’部分の断面図である。図１１（Ｂ）中の点線Ｌ２は上層の第１層間樹脂絶縁層の第２面における第３開口１５１Ｕの外周である。第３開口１５１Ｕの周囲の無電解めっき膜１５２Ｕはビアランド１５８ＵＬを形成するためメッキレジスト１５４Ｕから露出している。図１１（Ｂ）中の右側では、第３開口１５１Ｕ以外にメッキレジスト１５４Ｕから露出している略円形の露出部分Ｅ２が存在している。第３開口１５１Ｕを含む露出部分Ｅ１と露出部分Ｅ２間にメッキレジスト１５４Ｕから露出している略線状の露出部分Ｅ３が存在する。これらの露出部分に電解めっき膜が形成されることで、半田パッドや導体回路やビア導体やビアランド形成される。
【００３８】
次いで、市販の電解銅めっき液（例えば上村工業社製のめっき液）に浸漬する。無電解銅めっき膜をシード層として、メッキレジスト１５４U、１５４Lから露出する無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜１５６を形成する（図６（Ａ））。ビア導体用開口は電解めっき膜１５６で充填される。電解銅めっき膜の代わりに、電解ニッケル膜や電解半田膜を形成することができる。上層の層間樹脂絶縁層の第２面上の電解めっき膜の厚さは１０〜２０μｍである。
【００３９】
メッキレジスト１５４U、１５４Lを除去し、電解銅めっき膜１５６間の無電解銅めっき膜１５２をエッチングで除去する。上層の第１層間樹脂絶縁層の第２面上に上層の導体回路１５８Ｕとビアランド１５８ＵＬが形成される（図６（Ｂ））。第３開口１５１Ｕを充填する第３ビア導体１６０−１が上層の第１層間樹脂絶縁層に形成される。第３ビア導体１６０−１は下層の第１導体回路５８Ｕまたは第１ビア導体と上層の導体回路１５８Ｕまたはビアランド１５８ULとを接続している。ビアランド１５８UＬは第３ビア導体の周囲に形成されていて第３ビア導体に直接接続している。ビアランド１５８UＬは点線Ｌ２より外側の露出部分Ｅ１（図１１（B）参照）に形成されている無電解めっき膜と電解めっき膜とからなるめっき膜である。上層の導体回路１５８Ｕは露出部分Ｅ３（図１１（B）参照）の部分に形成される無電解めっき膜と電解めっき膜とからなるめっき膜である。パッドは露出部分Ｅ２（図１１（B）参照）の部分に形成される無電解めっき膜と電解めっき膜とからなるめっき膜である。第３ビア導体の上面を第１の半田パッドに利用することができる。パッドの上面を第１の半田パッドとして利用することができる。導体回路やパッドの厚みは１０〜２０μｍであって、ビア導体やパッドの上面と導体回路の上面は略同一平面に位置している。
【００４０】
上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第２面上に第１のランド１５８Ｌ１と第２のランド１５８Ｌ２が形成される。第４開口１５１Ｌを充填する第４のビア導体１６０−２が上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌに形成される。第４ビア導体１６０−２は下層の第２導体回路１５８Ｌまたは第２ビア導体と第１のランド１５８Ｌ１とを接続している。第１のランド１５８Ｌ１は第４ビア導体１６０−２の周囲に形成されていて第４ビア導体に直接接続している。
【００４１】
第３ビア導体１６０−１と第４ビア導体１６０−２の上面を半田パッドに用いる場合、第３ビア導体１６０−１と第４ビア導体１６０−２の上面が凹んでいることが好ましい（図６（Ｂ）参照）。窪み１６０ｉの深さＫは１〜７μｍが好ましい。窪みの深さＫは窪みの底から第１のランドやビアランドの上面までの距離である（図１２（Ａ）参照）。半田パッドの上面が凹んでいるとリフローで半田バンプが所定の半田パッドから他の半田パッドへ移動し難い。また、半田バンプが半田パッドから脱落し難い。従って、半田パッド上に半田バンプを形成し易い。第２の半田パッドが窪みを有するビア導体からなると、周りに第２のランドを有するため、第２の半田パッド上に半田バンプを形成し易い。第２のランドがめっき膜からなるので、半田バンプは第２のランドに濡れ易い。第２のランドと半田バンプが接着するので、半田バンプが所定の第２の半田パッドから第２のランドを越えて他の半田パッドなどへ移動しがたい。
【００４２】
（１３）次に、上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第２面と上層の導体回路１５８Ｕと第３ビア導体１６０−１上に、市販のソルダーレジスト組成物７０を１５〜２５μｍの厚さで塗布し、乾燥処理する。引き続き、露光処置、現像処理と硬化処理を行う。開口７１を有するソルダーレジスト層７０が得られる（図６（Ｃ））。ソルダーレジスト層の厚みは１５〜２５μｍである。開口７１は第３ビア導体１６０−１の上面やパッドＰの上面を露出する。開口７１により、露出している第３ビア導体１６０−１の上面やパッドＰの上面は半田パッド（第１の半田パッド）として機能する。ソルダーレジスト層に開口７１を形成するために、上層の第２層間樹脂絶縁層の第２面に付着している触媒が除去されてもよい。
【００４３】
上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第２面上にソルダーレジスト層は形成されていない。上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕ上にソルダーレジスト層を形成するとき、上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第２面上に保護フィルムを貼り付けることができる。保護フィルムを形成する場合、第２の半田パッドに金属膜を形成する前に保護フィルムを除去する必要がある。
【００４４】
（１４）次に、基板を、無電解ニッケルめっき液に浸漬して、第１の半田パッドの上面と第４のビア導体と第１のランドとからなる第２の半田パッドの表面（上面と側面）と第２のランドの表面（上面と側面）にニッケルめっき層７２が形成される。ニッケル層の厚みは１〜５μｍである。さらに、その基板を無電解金めっき液に浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、金めっき層７４が形成される。金めっき層の厚さは０．０３〜３μｍである。第１の半田パッドと第２の半田パッドと第２のランド上にニッケルめっき層７２と金めっき層７４とからなる金属層を形成する（図６（Ｄ））。ニッケル層とニッケル層上のパラジウム層とパラジウム層上の金層とからなる金属層を半田パッド上と第２のランド上に形成することができる。金属層が形成される前に、ソルダーレジスト層上に保護膜を形成し、上層の第２層間樹脂絶縁層の第２面に付着している触媒が除去されてもよい。その後、ソルダーレジスト層上の保護膜が除去され、第１の半田パッドと第２の半田パッドと第２のランド上に金属層が形成される。触媒が付いている基板を過マンガン酸溶液に浸漬するこ
とで、触媒を除去することができる。
【００４５】
（１５）第２の半田パッドに対応する開口８０ａを有するマスク８０を準備する。開口８０ａの径は第２の半田パッドの径より小さい。開口８０ａの径／第２の半田パッドの径は０．５〜０．９が好ましい。マスクの開口８０ａと第２の半田パッドとの位置合わせの精度を低くできる。第２の半田パッドと開口８０ａが位置合わせされると、マスク８０は上層の第２樹脂絶縁層１５０Ｌ上に固定される（図７（Ａ））。開口８０ａを介して第２のパッド上にフラックス８２が塗布される。フラックス８２は液状なので第２の半田パッド上を濡れ広がる。第２のパッドの周りにスペースＳを介して第２のランドが存在するので、フラックス８２は第２のランドを越えることが難しい。従って、フラックス８２は図１２（Ｂ）に示すように第２のランド１５８Ｌ２内にとどまりやすい。続いて、マスク８０が除去される。半田ボールを搭載するためのマスク８４を準備する。半田ボールを搭載するためのマスク８４は第２の半田パッドに対応する位置に開口８４ａを有している。第２の半田パッドと半田ボールを搭載するためのマスクの開口が位置合わせされると、半田ボールを搭載するためのマスク８４が上層の第２層間樹脂絶縁層上に固定される。
【００４６】
その後、ＵＳ２００６／０１５７５４０（Ａ１）に開示されている半田ボール搭載方法で第２の半田パッド上に半田ボールが搭載される。半田ボールはフラックスの接着力で第２の半田パッド上に固定される。この時、フラックス８２が第２のランド内に形成されているので、第２の半田パッド以外の部分に半田ボールが搭載される確率が小さくなる。第２の半田パッドが窪みを有すると半田ボールが第２の半田パッドから転がり落ちがたくなる。また、フラックス８２が第２のランドを越えがたくなる。その後、リフローすることで第２の半田パッド１６０Ｒ上に第２の半田バンプ７８Ｌが形成される。上述の通り、第１実施形態のプリント配線板は第２のランドを有するため、上層の第２層間樹脂絶縁層の第２面上にソルダーレジスト層を有していなくても第２の半田パッド上に第２の半田バンプを形成することができる。
【００４７】
次に、第１の半田パッドに対向する位置に開口を有するマスクがソルダーレジスト層７０上に固定される。印刷法により、半田パッド上であってソルダーレジスト層の開口７１内に半田ペーストが印刷される。次いで、リフローすることで第１の半田パッド上に第１の半田バンプ７８Ｕが形成される（図８）。第１の半田バンプ７８Ｕの融点は第２の半田バンプの融点より低い。第１の半田バンプと第２の半田バンプの組み合わせの例として、第１の半田バンプがＳｎ／Ｐｂ、第２の半田バンプがＳｎ／Ａｇの組み合わせを挙げることができる。その他の例として、第１の半田バンプがＳｎ／Ｐｂ、第２の半田バンプがＳｎ／Ｃｕの組み合わせを挙げることができる。
【００４８】
第１実施形態のプリント配線板では、上層の第１層間樹脂絶縁層上にソルダーレジスト層７０が形成されている。そのため、上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕ上に導体回路１５８Ｕを形成することが可能になる。
【００４９】
第１実施形態のプリント配線板は、上層の第２層間樹脂絶縁層の第２面上にソルダーレジスト層を有することなく、第２の半田パッドの周りに第２のランドを有している。このため、第２の半田パッド上に高い半田バンプを形成することができる。図１３（Ａ）は第２の半田パッド１６０Ｒに高い半田バンプ７８Ｌを形成している例を示している。図１３（Ｂ）は第１の半田パッドに高い半田バンプ７８Ｕを形成している例を示している。図１３（Ａ）の第２の半田パッドの径と図１３（Ｂ）の第１の半田パッドの径は同じである。また、図１３（Ａ）の第２の半田バンプのボリュームと図１３（Ｂ）の第１の半田バンプのボリュームは同じである。第１の半田パッド上の半田バンプの高さが高くなると、図１３（Ｂ）に示すようにソルダーレジスト層の開口の角（Ｘ部分）で半田バンプが屈曲しやすい。それに対し、第２の半田パッド上の半田バンプは図１３（Ｂ）に示す屈曲部を有しがたい。その結果、プリント配線板１０と外部基板（マザーボード）９４との間やプリント配線板１０と電子部品との間に生じる応力を第２の半田バンプで吸収することができる。プリント配線板１０と外部基板間９４間やプリント配線板１０と電子部品との間の接続信頼性が高くなる。半田パッド上に高い半田バンプを形成することに関し、第２の半田パッドは第１の半田パッドより有利である。
【００５０】
半田バンプの径が半田パッドの径を越えると、上述の問題が発生しやすい。そのため、半田パッドの径より半田バンプの径が大きい場合、半田パッドとして第２の半田パッドを用いることが好ましい。
【００５１】
第２の半田パッドの数は第１の半田パッドの数に比べ少ないので、上層の第２樹脂絶縁層の第２面上に導体回路を設ける必要性が少ない。そのため、上層の第２樹脂絶縁層の第２面上にソルダーレジスト層を形成する必要性は少ない。
【００５２】
第１実施形態のプリント配線板では、最外層の層間樹脂絶縁層（上層の第２層間樹脂絶縁）１５０Ｌは無機粒子と樹脂とからなることが好ましい。
【００５３】
第１の半田パッドや第２の半田パッドがビア導体からなり、ビア導体が窪み１６０ｉを有する場合、半田バンプと半田パッドとの密着性が高い。
【００５４】
第１実施形態のプリント配線板とその製造方法によれば、第２の半田パッドの周囲に第２のランドが設けられているので、リフローの際に半田パッド上の半田バンプが第２のランドの外側へ移動し難い。そのため、ボリュームが多く、高さが高い半田バンプを狭ピッチな第２の半田パッドに設けても、半田バンプが他の半田バンプと短絡し難い。
【００５５】
第１実施形態のプリント配線板の製造方法では、マスク８０を介して半田ボールを第２のパッドに搭載している。そのため、半田の供給量が一定になり、均一な高さの半田バンプ７８Ｌを形成することができる。
【００５６】
[第１実施形態の第１改変例]
図９（Ｂ）は、第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の第２の半田パッドと第２のランド１５８Ｌ２の平面図である。第１実施形態では、図９（Ａ）に示すように第２のランド１５８Ｌ２は、他の導体回路や第１のランドから独立して形成されている。これに対して、第１実施形態の第１改変例では、第２の半田パッド１６０Ｒと第２のランド１５８Ｌ２が短絡用配線１５９ａを介して接続されている。短絡用配線（短絡配線）はスペースに形成されている。第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板は、第１実施形態のプリント配線板に対し、さらに短絡配線１５９ａを有している。短絡配線１５９ａ以外、第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板と第１実施形態のプリント配線板は同様である。
【００５７】
第１実施形態の第１改変例のプリント配線板では、第２の半田パッド１６０Ｒとリング状の第２のランド１５８Ｌ２が短絡配線１５９ａで接続されている。そのため、第２のランド１５８Ｌ２が孤立しない。第２のランドが独立して存在しない。第２の半田パッドを介して高周波の信号が伝送されても、第１実施形態の第１改変例のプリント配線板は第１実施形態のプリント配線板より信号にノイズがのりにくい。それ故、第１実施形態の第１改変例のプリント配線板は高速信号伝送に適するプリント配線板であると考えられる。
【００５８】
[第１実施形態の第２改変例]
図１４は、第１実施形態の第２改変例に係る多層プリント配線板１２１２の断面図である。
第１実施形態の第２改変例では、第２の半田バンプ７８Ｌが第２の半田パッド１６０Ｒと第２のランド１５８Ｌ２上に形成されている。
第１実施形態では、マスク８０の開口の位置と第２の半田パッドの位置を整合させ、半田ボールは第２のパッドに搭載される。それに対し、第１実施形態の第２改変例では、マスク８０の開口の位置と第２の半田パッドの位置をずらしている（図１５（Ａ）参照）。マスク８０の開口の位置と第２の半田パッドの位置をずらすことで、半田ボール８６Ｄを第２の半田パッドと第２のランド上に搭載する（図１５（Ｂ）参照）。その後、リフローすることで、第２の半田バンプが第２の半田パッドと第２のランド上に形成される。
【００５９】
第１実施形態の第２改変例のプリント配線板では、第２の半田パッドと第２のランドが第２の半田バンプで接続されている。そのため、第2のランド１５８Ｌ２が孤立しない。第１実施形態の第１改変例と同様に第１実施形態の第２改変例のプリント配線板は高速信号伝送に適するプリント配線板である。また、第２の半田バンプは、第２の半田パッドのみならず第2のランド１５８Ｌ２とも接続しているので、第２の半田バンプと第２の半田パッド間の接続強度が高くなる。第１実施形態の第２改変例のプリント配線板が落下衝撃等を受けても半田バンプが脱落し難い。第２の半田バンプは主に第２の半田パッド上に形成されている。第１実施形態と同様に第２のランドが第２の半田パッドに伝わる衝撃波の強度を弱くすることができるので、第2の半田バンプと第２の半田パッド間の接合強度は第２のランドを有しないプリント配線板に比べ高いと考えられる。
第１実施形態とその改変例では、上層の第２層間樹脂絶縁層が最外の層間樹脂絶縁層に相当し、下層の第２層間樹脂絶縁層が絶縁層に相当する。
【００６０】
[第１実施形態とその改変例の応用例]
図１６に第１実施形態と第１実施形態の改変例の応用例を示す。第１実施形態とその改変例の応用例では上層の第１層間樹脂絶縁層側がＣ４面である。フリップチップでＩＣチップ９０などの電子部品が実装される側である。
図１６は、図８に示す多層プリント配線板１０にＩＣチップなどの電子部品９０が実装され、多層プリント配線板１０がマザーボード９４へ搭載されている状態を示している。
図１６に示すように、多層プリント配線板１０の上層の第１層間樹脂絶縁層側の半田バンプ７８Ｕは、ＩＣチップなどの電子部品９０の電極９２へ接続されている。一方、上層の第２層間樹脂絶縁層側の半田バンプ７８Ｌは、マザーボード９４のランド９６へ接続されている。上層の第１層間樹脂絶縁層の第２面上に導体回路を形成することができるので、層間樹脂絶縁層の層数を多くすることなく端子数の多い電子部品を実装することができる。
【００６１】
図示しないが、多層プリント配線板１０とＩＣチップとの間に封止樹脂が充填され、同様に、多層プリント配線板１０とマザーボード９４との間にも封止樹脂が充填される。
この応用例では、第４のビア導体１６０−２の直径Ｖは６０〜１５０μｍである。第１のランド１５８Ｌ１の幅（Ｌ１Ｗ）は１０〜４０μｍであり、外径（Ｌ１Ｄ）は８０〜２００μｍである。スペースＳの幅Ｗは７０〜１３０μｍである。第２のランド１５８Ｌ２の幅（Ｌ２Ｗ）は７０〜１３０μｍである。隣接する第２のランド１５８Ｌ２間の間隔は７０〜１３０μｍである。
【００６２】
[第２実施形態]
第２実施形態のプリント配線板を図１７に示す。第２実施形態のプリント配線板の層間樹脂絶縁層の層数は第１実施形態のプリント配線板に比べ１層少ない。図３（Ａ）に示されているコア基板３００の両面に上層の層間樹脂絶縁層１５０（上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕ、上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌ）が積層される。その後、コア基板の導体回路３４Ｕ、３４Ｌや被覆回路４２Ｕ、４２Ｌに至るビア導体用開口１５１（第３開口１５１Ｕ、第４開口１５１Ｌ）が上層の層間樹脂絶縁層１５０Ｕ、１５０Ｌに形成される。その後、第１実施形態の図５（Ｃ）〜図７と同様な処理が実施される。第２実施形態では、第３ビア導体はコア基板の導体回路３４Ｕや被覆回路４２Ｕに繋がっている。また、第４ビア導体はコア基板の導体回路３４Ｌや被覆回路４２Ｌに繋がっている。第３ビア導体と第４ビア導体が上層の層間樹脂絶縁層上で繋がっている導体は第１実施形態と同様である。
第２実施形態では、第１実施形態の改変例と同様なプリント配線板を得ることができる。
【００６３】
第２実施形態では、上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌが最外の層間樹脂絶縁層に相当し、コア基板の絶縁性基板３０が絶縁層に相当する。第２実施形態のプリント配線板は第１実施形態のプリント配線板より薄い。
【００６４】
[第３実施形態]
図１８〜図２０を参照して本発明の第３実施形態に係る多層プリント配線板について説明する。
第１実施形態に係る多層プリント配線板では、コア基板の両面に層間樹脂絶縁層及び導体回路が積層されている。これに対して、第３実施形態は、コア基板を有しない。本実施形態はコアレスの多層プリント配線板に関する。第３実施形態では、プリント配線板を薄くできる。
【００６５】
図２０（Ｄ）に示されているプリント配線板３００００Ａの製造方法を図１８〜図２０に示す。
（１）銅板１０００を出発材料とする（図１８（Ａ））。
（２）銅板上にメッキレジスト１００１を形成する（図１８（Ｂ））。
（３）メッキレジストから露出する銅板上に電気めっきでニッケルめっき膜１００２と銅めっき膜１００３を形成する（図１８（Ｃ））。
（４）メッキレジスト１００１を除去する（図１８（Ｄ））。
【００６６】
（５）銅板１０００と銅めっき膜上に層間樹脂絶縁層１００４を形成する（図１８（Ｅ））。層間樹脂絶縁層１００４は第１面と第１面とは反対側の第２面とを有する。第１面は銅板と対向する面である。第１面は外部に露出している面である（図２０参照）。
【００６７】
（６）続いて、銅めっき膜１００３に至るビア導体用開口１００５を形成する（図１８（Ｆ））。
（７）層間樹脂絶縁層１００４の第２面とビア導体用開口１００５の内壁とビア導体用開口１００５から露出する銅めっき膜１００３上に無電解めっき膜２３００を形成する（図１９（Ａ））。
【００６８】
（８）無電解めっき膜２３００上に第１のランドと第２のランドを形成するためのメッキレジスト２３０１を形成する（図１９（Ｂ））。第１のランドと第２のランドを形成するためのメッキレジスト２３０１のパターンは第１実施形態と同様である。
（９）メッキレジスト２３０１から露出する無電解めっき膜２３００上に電解めっき膜２３０４を形成する。同時にビア導体用開口１００５は電解めっき膜２３０４で充填される（図１９（Ｃ）。
【００６９】
（１０）メッキレジスト２３０１を除去する。続いて、電解めっき膜２３０４から露出する無電解めっき膜を除去する（図１９（Ｄ））。層間樹脂絶縁層１００４の第２面上に第１のランド１５８Ｌ１と第２のランド１５８Ｌ２が形成される。第１のランドと銅めっき膜１００３を接続するビア導体２３０２が形成される。第１のランド１５８Ｌ１とビア導体２３０２からなる第２の半田パッドが形成される。ビア導体２３０２の上面と第２のランドの上面は実質的に同一レベルである。層間樹脂絶縁層の第２面に付着している触媒を除去してもよい。
【００７０】
（１１）層間樹脂絶縁層１００４の第２面とビア導体２３０２と第１のランド１５８Ｌ１と第2のランド１５８Ｌ２上に保護膜２３０３を貼り付ける（図２０（Ａ））。
（１２）銅板１０００をエッチング液で除去する（図２０（Ｂ））。
（１３）ニッケルめっき膜１００２をエッチングで除去する。保護膜２３０３を除去する（図２０（Ｃ））。電極の第１面が露出する。電極の第１面は第１の半田パッドとして機能する。
図２０（Ｃ）に示されるコアレスタイプのプリント配線板３００００が完成する。
（１４）その後、第１実施形態と同様な方法で第１の半田パッドＰに第１の半田バンプ７８Ｕを形成し、第２の半田パッド１６０Ｒに第２の半田バンプ７８Ｌを形成する（図２０（Ｄ））。
【００７１】
プリント配線板３００００は第１面と第１とは反対側の第２面を有する層間樹脂絶縁層１００４と、層間樹脂絶縁層１００４の第１面側で層間樹脂絶縁層１００４に埋まっている電極（銅めっき膜）１００３と、層間樹脂絶縁層１００４の第２面に形成されている第１のランド１５８Ｌ１と第２のランド１５８Ｌ２と、層間樹脂絶縁層１００４を貫通し、第１のランド１５８Ｌ１と電極１００３とを接続しているビア導体２３０２とからなる。そして、層間樹脂絶縁層１００４の第１面から露出する電極１００３の第１面１００３Ｆは層間樹脂絶縁層１００４の第１面から凹んでいる。ビア導体２３０２は電極１００３の第２面上に形成されていて、電極の第１面と第２面は対向している。
【００７２】
[第３実施形態の第１改変例]
第３実施形態の第１改変例のプリント配線板もコアレスタイプのプリント配線板である。
図２１（Ｅ）に第３実施形態の第１改変例に関するプリント配線板４０００が示されている。プリント配線板４０００は第３実施形態と同様な方法で製造される。
第３実施形態の第１改変例の製造方法は第３実施形態の（１）〜（７）まで第３実施形態の製造方法と同様である。
【００７３】
その後、無電解めっき膜２３００上にビアランドと導体回路を形成するためのメッキレジスト３３００を形成する（図２１（Ａ））。
メッキレジスト３３００から露出する無電解めっき膜２３００上に電解めっき膜３３０１を形成する（図２１（Ｂ））。
メッキレジストを除去後、エッチング液で電解めっき膜から露出する無電解めっき膜２３００を除去する。層間樹脂絶縁層１００４の第２面に導体回路１００８とビアランド１０１０が形成される。同時にビア導体用開口１００５に下層のビア導体１００９が形成される。下層のビア導体１００９はビアランド１０１０と銅めっき膜１００３を接続している（図２１（Ｃ））。
【００７４】
層間樹脂絶縁層１００４の第２面とビア導体１００９、導体回路１００８、ビアランド１０１０上に上層の層間樹脂絶縁層１０１１を形成する。上層の層間樹脂絶縁層１０１１は第１面と第１面とは反対側の第２面とを有する。第１面は層間樹脂絶縁層１００４の第２面と対向する面である。続いて、下層のビア導体１００９に至る上層のビア導体用開口３３０６を形成する（図２１（Ｄ））。
【００７５】
その後、上層のビア導体用開口を有する上層の層間樹脂絶縁層に第３実施形態の（７）〜（１２）と同様な処理を施す。コアレスタイプのプリント配線板４０００が完成する（図２１（Ｅ））。
（１３）第３実施形態の（１３）と同様な方法で第１の半田パッド（電極１００３）に第１の半田バンプ７８Ｕを、第２の半田パッド１６０Ｒに第２の半田バンプ７８Ｌを形成する（図２１（Ｆ））。
【００７６】
第３実施形態のプリント配線板４０００は、第１面と第１とは反対側の第２面を有する層間樹脂絶縁層１００４と、層間樹脂絶縁層１００４の第１面側で層間樹脂絶縁層１００４に埋まっている電極（銅めっき膜）１００３と、層間樹脂絶縁層１００４の第２面に形成されているビアランド１０１０と導体回路１００８と、層間樹脂絶縁層を貫通し、ビアランド１０１０と電極（銅めっき膜）１００３を接続している下層のビア導体１００９と、層間樹脂絶縁層１００４の第２面とビア導体１００９、導体回路１００８、ビアランド１０１０上に形成されていて第１面と第１面とは反対側の第２面とを有する上層の層間樹脂絶縁層１０１１と、上層の層間樹脂絶縁層１０１１の第２面に形成されている第１のランド１５８Ｌ１と第２のビアランド１５８Ｌ２と、上層の層間樹脂絶縁層１０１１を貫通し第１のランド１５８Ｌ１と下層のビア導体１００９とを接続している上層のビア導体１０１３とからなる。そして、層間樹脂絶縁層１００４の第１面から露出する電極１００３の第１面は層間樹脂絶縁層１００４の第１面に対し凹んでいる。電極１００３の第２面上に下層のビア導体１００９が形成されていて、電極の第１面は第２面と対向する面である。層間樹脂絶縁層の第２面と上層の層間樹脂絶縁層の第１面が対向している。
層間樹脂絶縁層１００４が絶縁層に相当し、上層の層間樹脂絶縁層１０１１が最外層の層間樹脂絶縁層に相当する。
【００７７】
第３実施形態とその改変例のプリント配線板は厚い絶縁基板３０を有しないので、第１実施形態のプリント配線板より強度が低い。第３実施形態とその改変例のプリント配線板は落下衝撃に弱いと考えられるが、第３実施形態とその改変例のプリント配線板は第２のランドを有しているので、半田バンプと第２の半田パッド間の接合強度が強くなる。第３実施形態とその改変例のプリント配線板は第２のランドを有すると共に電極１００３（第１の半田パッド）が層間樹脂絶縁層１００４から凹んでいる。そのため、第３実施形態とその改変例のプリント配線板では、プリント配線板の両面にソルダーレジスト層７０を設けなくても、電極と第２の半田パッド上に半田バンプを形成することができる。第３実施形態とその改変例のプリント配線板の厚みを薄くすることができる。ソルダーレジスト層を有しないことから、第３実施形態とその改変例のプリント配線板は曲げに対して強くなる。また、変形しやすいので、電子部品とプリント配線板間の接続信頼性が高くなる。実装歩留まりが高くなる。
【００７８】
第３実施形態とその改変例に用いられる層間樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂とからなり、厚みは３０μｍ〜１８０μｍである。第１実施形態の絶縁基板３０に比べ厚みが薄い。第３実施形態とその改変例のプリント配線板の強度を増すため、第３実施形態に用いられる層間樹脂絶縁層は、さらに、ガラスクロス等の補強材を有しても良い。
第１実施形態と同様に、第３実施形態とその改変例のプリント配線板の第２の半田パッドは窪み１６０ｉを有することが好ましい。
【００７９】
[第３実施形態とその改変例の応用例]
[応用例１]
第３実施形態とその改変例のプリント配線板に第１の半田バンプを介してＩＣチップなどの電子部品を搭載することができる。第３実施形態とその改変例のプリント配線板は第２の半田バンプを介してマザーボードと接続することができる。
【００８０】
この応用例では、第２の半田パッドを構成するビア導体の直径Ｖは６０〜１５０μｍである。第１のランド１５８Ｌ１の幅は１０〜４０μｍであり、外径は８０〜２００μｍである。スペースＳの幅Ｗは７０〜１３０μｍである。第２のランド１５８Ｌ２の幅は７０〜１３０μｍである。隣接する第２のランド１５８Ｌ２間の間隔は７０〜１３０μｍである。
電極間の間隔が狭い電子部品を搭載することができる。
【００８１】
[応用例２]
第３実施形態とその改変例のプリント配線板に第２の半田バンプを介してＩＣチップなどの電子部品を搭載することができる。第３実施形態とその改変例のプリント配線板は第１の半田バンプを介して第１の半田パッドとマザーボードを接続することができる。
【００８２】
この応用例では、第４のビア導体の直径は４０〜８０μｍであり、第１のランド１５８Ｌ１の幅は１０〜２０μｍであり、外径は６０〜１２０μｍである。スペースＳの幅Ｗは１２〜２０μｍである。第２のランド１５８Ｌ２の幅は１２〜２０μｍである。隣接する第２のランド１５８Ｌ２間の間隔は１２〜２０μｍである。
第２のパッドは、その上に高い半田バンプを有することができる。そのため、電子部品の電極と第２の半田パッド間の距離が長くなるので、電子部品とプリント配線板間の応力が緩和されやすい。
【００８３】
[第４実施形態]
図２２を参照して本発明の第４実施形態に係る多層プリント配線板について説明する。
図２２は第４実施形態の多層プリント配線板１３１３の断面図を示している。図２３に第４実施形態の応用例を示す。図２３は、図２２に示す多層プリント配線板１３１３にＩＣチップ９０が実装され、マザーボード９４へ搭載されている状態を示している。第４実施形態のプリント配線板１３１３は第１実施形態のプリント配線板と同様である。しかしながら、第１実施形態と第４実施形態ではマザーボードや電子部品に接続する半田バンプが異なる。それ以外、第１実施形態のプリント配線板と第４実施形態のプリント配線板は同様である。第４実施形態では、第２の半田パッド上にＩＣなどの電子部品が実装される。また、第１の半田バンプ７８Ｕを介してプリント配線板１３１３の第１の半田パッドとマザーボードが接続されている。上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌにソルダーレジストが形成されていない。上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第２面は第１のランド１５８Ｌ１と第２のランド１５８Ｌ２から露出している。一方、マザーボード９４に接続する側の上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第２面上にソルダーレジスト７０が形成されている。
【００８４】
本実施形態では、第２の半田パッドにＩＣチップが実装されるので、第４のビア導体の直径Ｖは４０〜８０μｍである。第１のランド１５８Ｌ１の幅Ｌ１Ｗは１０〜２０μｍであり、外径Ｌ１Ｄは６０〜１２０μｍである。スペースＳの幅Ｗは１２〜２０μｍである。第２のランド１５８Ｌ２の幅Ｌ２Ｗは１２〜２０μｍである（図２６参照）。隣接する第２のランド１５８Ｌ２間の間隔は１２〜２０μｍである。
【００８５】
[第４実施形態の改変例]
第４実施形態のプリント配線板において、第１のランドと第２のランドとを短絡配線１５９ａや第２の半田バンプで接続することができる。本改変例のプリント配線板では、第２の半田パッド上にＩＣチップを実装することができる。本改変例のプリント配線板では、第１の半田パッドにマザーボードを接続することができる。
【００８６】
第４実施形態とその改変例では上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌが最外の層間樹脂絶縁層に相当し、下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌが絶縁層に相当する。第４実施形態とその改変例の応用例では上層の第２層間樹脂絶縁層側がＣ４面である。フリップチップでＩＣチップ９０などの電子部品が実装される側である。第４実施形態とその改変例では、高い第２の半田バンプでＩＣチップを搭載できるので、ＩＣチップなどの電子部品とプリント配線板間の応力を緩和することができる。
【００８７】
[第５実施形態]
図２４、図２５を参照して本発明の第５実施形態に係る多層プリント配線板１５１５について説明する。
図２４は第５実施形態の多層プリント配線板１５１５の断面図を示している。図２５に第５実施形態の応用例を示す。図２５は、図２４に示す多層プリント配線板１５１５にＩＣチップ９０が実装され、マザーボード９４へ搭載されている状態を示している。
第５実施形態の多層プリント配線板では、上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第２面と上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第２面上に第１のランド１５８Ｌ１と第２のランド１５８Ｌ２が形成されている。また、両面の最外の層間樹脂絶縁層上にソルダーレジストが形成されていない。
【００８８】
[第５実施形態の改変例]
第５実施形態のプリント配線板において、第１のランド１５８Ｌ１と第２のランド１５８Ｌ２とを短絡配線１５９ａや第２の半田バンプで接続することができる。
第５実施形態とその改変例では、上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕと上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌが最外の層間樹脂絶縁層に相当し、下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕと下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌが絶縁層に相当する。
【００８９】
第５実施形態において、下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕと下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌを削除することができる。その場合、絶縁性基板３０が絶縁層に相当し、上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌや上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕが最外の層間樹脂絶縁層に相当する。
第５実施形態とその改変例では、落下衝撃に対し、両側の半田バンプが半田パッドから脱落し難くなる。
【００９０】
[第５実施形態の応用例]
第５実施形態とその改変例のプリント配線板では、上層の第１層間樹脂絶縁層側の第２の半田パッド上にＩＣチップを実装することができる。また、上層の第２層間樹脂絶縁層側の第２の半田パッドを介してプリント配線板１５１５とマザーボードを接続することができる。
【００９１】
第５実施形態とその改変例のプリント配線板では、第３のビア導体の直径Ｖは４０〜８０μｍである。上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第２面に形成されている第１のランド１５８Ｌ１の幅Ｌ１Ｗは１０〜２０μｍであり、外径は６０〜１２０μｍである。上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第２面に形成されている第１のランドと第２のランド間のスペースＳの幅Ｗは１２〜２０μｍである。上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第２面に形成されている第２のランド１５８Ｌ２の幅は１２〜２０μｍである。上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第２面に形成されていて、隣接する第２のランド１５８Ｌ２間の間隔は１２〜２０μｍである。第４のビア導体の直径Ｖは６０〜１５０μｍである。上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第２面に形成されている第１のランド１５８Ｌ１の幅Ｌ１Ｗは１０〜４０μｍであり、外径Ｌ１Ｄは８０〜２００μｍである。上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第２面に形成されている第１のランドと第２のランド間のスペースＳの幅Ｗは７０〜１３０μｍである。上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第２面に形成されている第２のランド１５８Ｌ２の幅は７０〜１３０μｍである。上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第２面に形成されていて隣接する第２のランド１５８Ｌ２間の間隔は７０〜１３０μｍである。
いずれの実施形態のプリント配線板において、第１のランドと第２のランドとを短絡配線１５９ａや第２の半田バンプで接続することができる。
【００９２】
[第１実施例]
[コア基板の作成]
（１）銅張積層板３０Ａが出発材料である（図１（Ａ））。銅張積層板３０Ａの絶縁性基板３０はガラスクロスとエポキシ樹脂とからなり、厚さは０．６ｍｍである。また、絶縁性基板３０の両面に１２μｍの銅箔３２がラミネートされている。まず、この銅張積層板３０Ａにドリルでスルーホール導体用の貫通孔（スルーホール導体用貫通孔）３３を形成する（図１（Ｂ））。その後、無電解めっき処理および電解めっき処理を施し、貫通孔３３の側壁にスルーホール導体３６ｂを形成する（図１（Ｃ））。同時に、銅箔上に無電解めっき膜と電解めっき膜とからなる導電膜３６が形成される。図１（Ｃ）に示すように、第１実施形態では、貫通孔３４が金属で充填されておらず、第１実施例のプリント配線板はスルーホール導体の内側にスルーホール導体内貫通孔３６Ａを有している。
スルーホール導体３６ｂの表面と導電膜３６に粗化面を形成する（図１（Ｄ））。
【００９３】
（２）次に、平均粒径５μｍのガラス粒子を含む樹脂充填剤３７をスルーホール導体内貫通孔３６Ａに充填し、乾燥、硬化させる（図２（Ａ））。
引き続き、スルーホール導体内貫通孔３６Ａからはみ出ている樹脂充填剤３７を研磨により除去し、基板３０の表面を平坦にする（図示せず）。スルーホール導体内貫通孔３６Ａが樹脂充填剤３７で充填される（図２（Ｂ））。
【００９４】
（３）その後、基板３０表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与し、無電解銅めっきを施すことにより、厚さ１．２μｍの無電解銅めっき膜２３を形成する（図２（Ｃ））。その後、電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜２４を形成する。無電解銅めっき膜２３と電解銅めっき膜２４とからなるめっき膜が銅箔３２上に形成される。同時に、めっき膜はスルーホール導体３６ｂと樹脂充填剤３７を覆う（図２（Ｄ））。
【００９５】
（４）めっき膜を有する基板３０００の両面に、市販のドライフィルムを張り付ける。その後、フォトリソにより、めっき膜上にエッチングレジスト２５を形成する（図２（Ｅ））。そして、エッチングレジストから露出するめっき膜、導電膜３６、銅箔３２を、エッチング液にて溶解除去し、さらに、エッチングレジストを除去する。絶縁性基板３０上に表面の導体回路３４Uと裏面の導体回路３４Lが形成される。同時に、充填剤３７を覆う表面の被覆回路４２Ｕと裏面の被覆回路４２Ｌが形成される（図３（Ａ））。絶縁性基板３０と表面の導体回路３４Uと裏面の導体回路３４Lとスルーホール導体３６ｂと被覆回路４２とからなるコア基板３００が完成する。そして、表面の導体回路３４Ｕ、裏面の導体回路３４Ｌ、裏面の被覆回路４２Ｌおよび表面の被覆回路４２Ｕの表面を粗化し、粗化面を形成する（図示せず）。
【００９６】
[ビルドアップ層の形成]
（１）コア基板３００の両面に、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）を積層する。その後、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを硬化することでコア基板の両面に下層の層間樹脂絶縁層５０Ｕ、５０Ｌが形成される（図２（Ｂ））。コア基板の表面に形成されている下層の層間樹脂絶縁層が下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕである。下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕは第１面と第１面とは反対側の第２面を有する。下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕの第１面はコア基板と対向する面である。
【００９７】
コア基板の裏面に形成されている下層の層間樹脂絶縁層が下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌである。下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌは第１面と第１面とは反対側の第２面を有する。下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｌの第１面はコア基板と対向する面である。
【００９８】
（２）次に、ＣＯ2 ガスレーザにて、下層の層間樹脂絶縁層５０に、直径６０μｍのビア導体用開口５１を形成する（図３（Ｃ））。下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕは下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕを貫通し表面の導体回路３４Ｕまたは表面の被覆回路４２Ｕに至る第１開口５１Ｕを有する。下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌは下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌを貫通し裏面の導体回路３４Ｌまたは裏面の被覆回路４２Ｌに至る第２開口５１Ｌを有する。ビア導体用開口５１を有する基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、ビア導体用開口５１Ｕ、５１Ｌの内壁を含む下層の層間樹脂絶縁層５０Ｕ、５０Ｌの表面に粗面を形成する（図４（Ａ））。
【００９９】
（３）次に、ビア導体用開口５１を有する基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、層間樹脂絶縁層５０の表面およびビア導体用開口５１の内壁に触媒を付与する（図示せず）。
【０１００】
（４）次に、市販の無電解めっき水溶液中に、基板を浸漬して、層間樹脂絶縁層の表面とビア導体用開口の内壁に厚さ０．３〜３．０μｍの無電解銅めっき膜５２を形成する（図４（Ｂ））。
（５）ついで、無電解銅めっき膜５２上に所定パターンのメッキレジスト５４を形成する。
【０１０１】
（６）次いで、市販の電解銅めっき液（例えば上村工業社製のめっき液）に浸漬する。無電解銅めっき膜をシード層として、メッキレジストから露出する無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜５６を形成する（図４（Ｃ））。ビア導体用開口は電解銅めっき膜５６で充填される。電解めっき膜の厚さは１２μｍである。
【０１０２】
（７）メッキレジストを除去し、電解銅めっき膜間の無電解銅めっき膜５２をエッチングで除去する。下層の第１層間樹脂絶縁層の第２面上に下層の第１導体回路５８Ｕが形成される。下層の第１層間樹脂絶縁層にビア導体用開口５１Ｕを充填する第１のビア導体６０−１が形成される。第１のビア導体６０−１は表面の導体回路３４Ｕまたは表面の被覆回路４２Ｕと下層の第１導体回路５８Ｕとを接続している。
【０１０３】
下層の第２層間樹脂絶縁層の第２面上に下層の第２導体回路５８Ｌが形成される。下層の第２層間樹脂絶縁層に第２開口５１Ｌを充填する第２のビア導体６０−２が形成される。第２ビア導体６０−２は裏面の導体回路３４Ｌまたは裏面の被覆回路４２Ｌと下層の第２導体回路５８Ｌとを接続している。
次に、下層の第１導体回路、下層の第２導体回路、第１のビア導体と第２のビア導体の表面を粗化する（図示せず）。
【０１０４】
（８）その後、下層の第１層間樹脂絶縁層、下層の第１導体回路と第１のビア導体上に層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）を積層する。下層の第２層間樹脂絶縁層、下層の第２導体回路と第２のビア導体上に層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）を積層する。その後、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを硬化することで下層の層間樹脂絶縁層５０Ｕ、５０Ｌ上に上層の層間樹脂絶縁層１５０Ｕ、１５０Ｌが形成される（図５（Ａ））。
【０１０５】
下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕ上に形成されている上層の層間樹脂絶縁層が上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕである。上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕは第１面と第１面とは反対側の第２面を有する。上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第１面は下層の第１層間樹脂絶縁層５０Ｕの第２面と対向する面である。
下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌ上に形成されている上層の層間樹脂絶縁層が上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌである。上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌは第１面と第１面とは反対側の第２面を有する。上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第１面は下層の第２層間樹脂絶縁層５０Ｌの第２面と対向する面である。
【０１０６】
（９）次に、ＣＯ2 レーザにて、上層の層間樹脂絶縁層１５０Ｕ、１５０Ｌにビア導体用開口１５１Ｕ、１５１Ｌを形成する（図５（Ｂ））。上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕは上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕを貫通し下層の第１導体回路５８Ｕまたは第１ビア導体６０−１に至る第３開口１５１Ｕを有する。ビア導体用開口１５１Ｕの直径は６０μｍである。上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌは上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌを貫通し下層の第２導体回路５８Ｌまたは第２ビア導体６０−２に至る第４開口１５１Ｌを有する。ビア導体用開口１５１Ｌの直径は１２０μｍである。
（１０）上層の層間樹脂絶縁層１５０Ｕ、１５０Ｌの表面を下層の層間樹脂絶縁層の表面と同様に粗化する（図５（Ｂ））。
【０１０７】
（１１）その後、ビア導体用開口１５１を有する基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、上層の層間樹脂絶縁層１５０Ｕ、１５０Ｌの表面およびビア導体用開口１５１Ｕ、１５１Ｌの内壁に触媒を付与する。
（１２）次に、市販の無電解めっき水溶液中に、基板を浸漬して、層間樹脂絶縁層の表面とビア導体用開口の内壁に厚さ０．３〜３．０μｍの無電解銅めっき膜１５２Ｕ、１５２Ｌを形成する（図５（Ｃ））。
【０１０８】
（１３）図１０に示すよう、上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの無電解銅めっき膜１５２Ｕ上に第１のランドと第２のランドを形成するための所定パターンを有するメッキレジスト１５４Ｕが形成される。また、上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの無電解銅めっき膜１５２Ｌ上に第１のランドと第２のランドを形成するための所定パターンを有するメッキレジスト１５４Ｌが形成される。
上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第２面上におけるｍは２２μｍであり、Ｗ１は１２μｍであり、Ｎは２０μｍでである。
上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第２面上におけるｍは２２μｍであり、Ｗ１は１０５μｍであり、Ｎは１０５μｍである。
【０１０９】
（１４）次いで、市販の電解銅めっき液（上村工業社製）に浸漬する。無電解銅めっき膜をシード層として、メッキレジストから露出する無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜１５６を形成する。ビア導体用開口１５１は電解めっき膜１５６で充填される。上層の層間樹脂絶縁層上の電解めっき膜の厚さは１２μｍである。
【０１１０】
（１５）メッキレジストを除去し、電解銅めっき膜１５６間の無電解銅めっき膜１５２Ｕ、１５２Ｌをエッチングで除去する。上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第２面と上層の第２層間樹脂絶縁層の第２面上に第１のランド１５８Ｌ１と第２のランド１５８Ｌ２が形成される（図２４参照）。第３のビア導体１６０−１と第１のランドとからなる第２−１の半田パッドが形成される。第４のビア導体１６０−２と第１のランドとからなる第２−２の半田パッドが形成される。第１のランドと第２のランドを有する基板は、６０ｇ／ｌの過マンガン酸水溶液に浸漬される。水溶液の温度は６０℃で、浸漬される時間は１分である。上層の層間樹脂絶縁層の第２面に付着している触媒が除去される。
【０１１１】
上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第２面上における第１のランド１５８Ｌ１の幅Ｌ１Ｗは２０μｍであり、スペースＳの幅Ｇは１６μｍであり、第２のランドの幅は１６μｍである。隣接する第２のランド間の間隔は１６μｍである。
上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第２面上における第１のランド１５８Ｌ１の幅Ｌ１Ｗは２０μｍであり、スペースＳの幅Ｇは１００μｍであり、第２のランドの幅は１００μｍである。隣接する第２のランド間の間隔は１００μｍである。
第３のビア導体１６０−１と第４のビア導体１６０−２の上面は凹んでいる。窪み１６０ｉの深さは５μｍである。
【０１１２】
（１６）次に、基板を、無電解ニッケルめっき液に浸漬して、第２−１の半田パッドの表面（上面と側面）と第２−２半田パッドの表面（上面と側面）と第２のランドの表面（上面と側面）に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を無電解金めっき液に浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する（図２４）。
【０１１３】
（１７）第２−２の半田パッドに対応する開口８０ａを有するマスク８０を準備する。開口８０ａの径は１２０μｍであり、第２−２の半田パッドの径は１６０μｍである。第２−２の半田パッドと開口８０ａが位置合わせされ、マスク８０は上層の第２樹脂絶縁層上に置かれる（図７（Ａ））。マスク８０の開口８０ａを介して第２のパッド上にフラックス８２が塗布される。続いて、マスク８０を上層の第２樹脂絶縁層から取り外す（図７（Ｂ）。半田ボールを搭載するためのマスクを準備する。半田ボールを搭載するためのマスクは第２−２の半田パッドに対応する位置に開口を有している。第２の半田パッドと半田ボールを搭載するためのマスクの開口８４ａが位置合わせされ、半田ボール搭載用のマスク８４が上層の第２樹脂絶縁層上に固定される（図７（Ｃ））。その後、ＵＳ２００６／０１５７５４０（Ａ１）に開示されている半田ボール搭載方法で第２−２の半田パッド上にＳｎ／Ａｇからなる半田ボールが搭載される。半田ボールを搭載するためのマスクが基板から取り外される。リフローすることで第２−２の半田パッド上に第２の半田バンプ７８Ｌが形成される。
【０１１４】
（１８）次に、第２−１の半田パッドに対向する位置にマスク８０が位置あわせされる。その後、上層の第１層間樹脂絶縁層の第１面上にマスクが固定される。マスク８０の開口の径は６０μｍであり、第２−１の半田パッドの径は１００μｍである。マスク８０の開口８０ａを介して、第２−１の半田パッド上にフラックスが塗布される。続いて、マスク８０を上層の第１樹脂絶縁層から取り外す。半田ボールを搭載するためのマスクを準備する。半田ボールを搭載するためのマスクは第２−１の半田パッドに対応する位置に開口を有している。第２−１の半田パッドと半田ボールを搭載するためのマスクの開口が位置合わせされ、半田ボール搭載用のマスクが上層の第１樹脂絶縁層上に置かれる。その後、ＵＳ２００６／０１５７５４０（Ａ１）に開示されている半田ボール搭載方法で第２−１の半田パッド上にＳｎ／Ｐｂからなる半田ボールが搭載される。半田ボールを搭載するためのマスクが基板から取り外される。リフローすることで第２−１の半田パッド上に第１の半田バンプが形成される。図２４に示されているプリント配線板１５１５が完成する。
【０１１５】
（第２実施例）
[コア基板の形成方法]
コア基板の形成方法は第１実施例と同様である。
【０１１６】
[ビルドアップ層の形成]
ビルドアップ層の形成方法は第１実施例と類似している。第２実施例のプリント配線板は、上層の層間樹脂絶縁層上に無電解銅めっき膜が形成されるまで、第１実施例と同様に製造される。上層の第２層間樹脂絶縁層上に形成されている無電解銅めっき膜上に第１のランドと第２のランドを形成するための所定パターンを有するメッキレジストが形成される（図１０参照）。上層の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｌの第２面上におけるｍは２２μｍであり、Ｗ１は１０５μｍであり、Ｎは１０５μｍである。
【０１１７】
上層の第１層間樹脂絶縁層上に形成されている無電解銅めっき膜上にビアランドと導体回路とパッドを形成するための所定パターンを有するメッキレジストが形成される（図１１参照）。上層の第１層間樹脂絶縁層１５０Ｕの第２面上におけるＸは２２μｍである。
次いで、市販の電解銅めっき液（上村工業社製）に浸漬する。無電解銅めっき膜をシード層として、メッキレジストから露出する無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜１５６を形成する（図６（Ａ））。ビア導体用開口は電解めっき膜１５６で充填される。上層の層間樹脂絶縁層上の電解めっき膜の厚さは１２μｍである。
【０１１８】
メッキレジストを除去し、電解銅めっき膜１５６間の無電解銅めっき膜１５２をエッチングで除去する。上層の第１層間樹脂絶縁層上にビアランドと導体回路とパッドが形成される。ビアランドの幅は２０μｍであり、外径は１００μｍである。上層の第２層間樹脂絶縁層上に第１のランド１５８Ｌ１と第２のランド１５８Ｌ２が形成される。第４のビア導体と第１のランドとからなる第２の半田パッドが形成される。第１のランド１５８Ｌ１の幅Ｌ１Ｗは２０μｍである。第１のランドの外径Ｌ１Ｄは１８０μｍである。スペースＳの幅Ｇは１００μｍである。第２のランドの幅は１００μｍである。第４のビア導体の上面は凹んでいる。窪み１６０ｉの深さは２μｍである。
【０１１９】
次に、上層の第１層間樹脂絶縁層の第２面と第３のビア導体とビアランドと導体回路とパッドを覆うソルダーレジスト層７０を形成する。第３のビア導体の上面とパッドの上面を露出させる開口がレーザでソルダーレジスト層に形成される。ソルダーレジスト層から露出している第３のビア導体の上面やパッドの上面が第１の半田パッドになる。上層の第２層間樹脂絶縁層の第２面にウエットタイプのブラスト処理を施す。上層の第２層間樹脂絶縁層の第２面から触媒が除去される。
第１の半田パッドの表面と第２の半田パッドの表面と第２のランドの表面にＮｉ／Ｐｄ／Ａｕからなる金属層が形成される。
【０１２０】
第２の半田パッド上に第１実施例の（１７）に記載されている方法で第２の半田バンプが形成される。
第１の半田パッド上にＳｎ／Ｐｂからなる半田ペーストが印刷され、リフローされることで第１の半田パッド上にＳｎ／Ｐｂからなる第１の半田バンプが形成される。図８に示されているプリント配線板１０が完成する。
【０１２１】
[第３実施例]
（１）０．３ｍｍの銅板１０００を準備する（図１８（Ａ））。
（２）銅板上に電極を形成するための所定パターンを有するメッキレジスト１００１を形成する（図１８（Ｂ））。
（３）銅板をシード層として、メッキレジストから露出する銅板上にニッケルめっき膜１００２を形成する。続いて、ニッケルめっき膜上に銅めっき膜１００３を形成する（図１８（Ｃ））。ニッケル膜の厚みは５μｍであり、銅めっき膜の厚みは１５μｍである。
【０１２２】
（４）メッキレジスト１００１を除去する（図１８（Ｄ））。
（５）銅板と銅めっき膜上に第１面と第１面とは反対側の第２面とを有する層間樹脂絶縁層１００４（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）を形成する。第１面は銅板と対向する面である（図１８（Ｅ））。
（６）層間樹脂絶縁層１００４に銅めっき膜に至る開口１００５を形成する（図１８（Ｆ））。開口の径（層間樹脂絶縁層の第２面での直径）は５０μｍである。
【０１２３】
（７）無電解銅めっき液（上村工業社製のスルカップ）に層間樹脂絶縁層１００４の表面（開口１００５の内壁が含まれる）と開口１００５により露出している電極を浸漬する。層間樹脂絶縁層１００４の表面（開口１００５の内壁が含まれる）と開口１００５により露出している電極に１．２μｍの無電解銅めっき膜２３００が形成される（図１９（Ａ））。
【０１２４】
（８）無電解銅めっき膜２３００上に第１のランドと第２のランドを形成するためのメッキレジスト２３０１を形成する（図１９（Ｂ））。
（９）メッキレジスト２３０１から露出する無電解銅めっき膜を硫酸銅めっき液に浸漬する。無電解銅めっき膜２３００をシード層として、メッキレジスト２３０１から露出する無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜２３０４を形成する（図１９（Ｃ））。同時に、開口１００５は電解銅めっき膜で充填されビア導体２３０２が形成される。層間樹脂絶縁層１００４上の電解銅めっき膜２３０２の厚さは１２μｍである。
【０１２５】
（１１）めっきレジスト１００１が除去される。電解銅めっき膜間の無電解銅めっき膜がエッチング液で除去されることで、層間樹脂絶縁層１００４の第２面上に第１のランド１５８Ｌ１と第２のランド１５８Ｌ２が形成される（図１９（Ｄ））。第１のランドの外径は８０μｍであり、第２のランドの内径は１１０μｍであり、第２のランドの外径は１４０μｍである。スペースＳの幅Ｗは１５μｍである。第２のランドの上面とビア導体２３０２の上面は略同一レベルである。第１のランド１５８Ｌ１とビア導体２３０２とからなる第２の半田パッドが得られる。過マンガン酸水溶液に浸漬することで触媒が除去される。
【０１２６】
（１２）層間樹脂絶縁層の第２面と第２の半田パッドと第２のランドをＰＥＴフィルム２３０３で覆う（図２０（Ａ））。
（１３）銅板１０００をエッチング液（日本化学産業社製のCopper selective  etchant-CS series）で選択的にエッチングする（図２０（Ｂ））。
（１４）ニッケルめっき膜１００２をエッチング液（日本化学産業社製のNickel selective  etchant-NC）で選択的にエッチングする。ＰＥＴフィルム２３０３を剥がすことで図２０（Ｃ）に示されるプリント配線板３００００が完成する。
【０１２７】
（１５）ＵＳ２００６／０１５７５４０（Ａ１）に開示されている半田ボール搭載方法で第２の半田パッドと電極上に半田バンプを形成する。第２の半田パッド１６０Ｒ上に形成される半田バンプが第２の半田バンプ７８Ｌであり、電極１００３上に形成される半田バンプが第１の半田バンプ７８Ｕである。
【０１２８】
[第４実施例]
第４実施例は第３実施例に類似しているプリント配線板である。第３実施例の（１）〜（７）の手順は同様である。
その後、無電解銅めっき膜２３００上にビアランドと導体回路を形成するためのメッキレジスト３３００を形成する（図２１（Ａ））。
【０１２９】
無電解めっき膜２３００をシード層として、メッキレジスト３３００から露出する無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜３３０１を形成する（図２１（Ｂ））。同時に、開口１００５は電解銅めっき膜で充填され下層のビア導体１００９が形成される。下層の層間樹脂絶縁層１００４上の電解銅めっき膜３３０１の厚さは１２μｍである。
メッキレジスト３３００を除去する。電解銅めっき膜３３０１から露出している無電解銅めっき膜を除去する（図２１（Ｃ））。下層の層間樹脂絶縁層１００４の第２面上にビアランド３３０１と下層の導体回路１００８が形成される。
【０１３０】
下層の層間樹脂絶縁層１００４の第２面と下層のビア導体１００９とビアランド３３０１と下層の導体回路１００８上に上層の層間樹脂絶縁層１０１１を形成する。上層の層間樹脂絶縁層１１０１は第１面と第１面とは反対側の第２面を有する。上層の層間樹脂絶縁層１１０１の第１面は下層の層間樹脂絶縁層１００４の第２面と対向している。上層の層間樹脂絶縁層を貫通し、下層のビア導体１１０９に至る上層の開口３３３６を上層の層間樹脂絶縁層に形成する（図２１（Ｄ））。
【０１３１】
以降、第３実施例の（７）〜（１４）の処理が施され、図２１（Ｅ）に示されるプリント配線板４０００が完成する。
【０１３２】
[応用例３]
第１実施例や第２実施例、第３実施例、第４実施例で得られるプリント配線板は、第１の半田バンプを介してＩＣチップなどの電子部品を実装することができ、第２の半田のバンプを介してマザーボードに搭載されることができる。
【０１３３】
[応用例４]
第１実施例や第２実施例、第３実施例、第４実施例で得られるプリント配線板は、第２の半田バンプを介してＩＣチップなどの電子部品を実装することができ、第１の半田のバンプを介してマザーボードに搭載されることができる。
多端子の電子部品を搭載する観点からすると、応用例１は応用例２より優れ、応用例３は応用例４より優れている。
【符号の説明】
【０１３４】
３０  基板
３６  スルーホール
４０  樹脂充填層
５０  層間樹脂絶縁層
５８  導体回路
６０  バイアホール
７０  ソルダーレジスト層
１５９  ダミーパターン
１５９ａ  短絡用配線
１６０Ｄ  バイアホール
１６０Ｒ  ランド
１６０ｉ  窪み
【図１】
2011249796.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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