(57)【要約】      （修正有）【課題】基板を加熱する際に、基板以外の部分への熱伝達を極力抑制して、各部品や装置等に要求される耐熱性を向上させることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板５を加熱する加熱部１２と、該加熱部を内包した熱透過材質からなる基板載置部１１と、該基板載置部を収容する基板処理室９と、該基板処理室の外周部に設けたプラズマ生成部１４と、前記基板処理室の一部を形成し、前記加熱部と前記プラズマ生成部との間に熱遮蔽部２１を有する熱透過ドーム３とを有する。【選択図】図１
2011091389.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置する基板載置部と、
当該基板載置部を収容し、熱透過ドームを有する基板処理室と、
当該基板載置部と当該基板処理室のいずれか、若しくは両方に少なくとも１つ以上設けられた加熱部と、
前記基板処理室の外周部に設けたプラズマ生成部と、
前記加熱部と前記プラズマ生成部との間であって、当該基板処理室の内側と外側のいずれか、若しくは両方に設けられた熱遮蔽部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記熱遮蔽部は、酸化物粒子で形成されている事を特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
熱透過ドームと熱遮蔽部を有する基板処理室に基板を搬入する工程と、
当該基板処理室内に設けられた基板載置部に基板を載置する工程と、
当該基板載置部と当該基板処理室のいずれか若しくは両方に設けられた加熱部が、前記基板を加熱する工程と、
ガス供給部が前記基板処理室に処理ガスを供給する工程と、
前記基板処理室の外周部に設けられたプラズマ生成部が前記処理ガスを励起させる工程と、
ガス排出部が前記基板処理室内を排気する工程と、
前記基板を前記基板処理室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度プラズマを生成するプラズマ源を用いてウェーハ等の基板を処理する基板処理炉等の基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理炉の１つに、電界と磁界により高密度プラズマを生成できる変形マグネトロン型プラズマ源（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  Ｔｙｐｅｄ  Ｐｌａｓｍａ  Ｓｏｕｒｃｅ）を用いてウェーハ等の基板をプラズマ処理する基板処理炉（以下、ＭＭＴ装置と称する）がある。
【０００３】
このＭＭＴ装置は、気密性を確保した処理室に基板を設置し、シャワーヘッドを介して反応ガスを処理室に導入し、処理室をある一定の圧力に保ち、放電用電極に高周波電力を供給して電界を形成すると共に磁界を形成し、マグネトロン放電を起こす。放電用電極から放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回することにより長寿命となって電離生成率を高めるので高密度プラズマを生成できる。
【０００４】
この様に反応ガスを励起分離させて基板表面を酸化又は窒化等の拡散処理、又は基板表面に薄膜を形成する、又は基板表面をエッチングする等、基板へ各種のプラズマ処理を施すことができる。
【０００５】
図３は、この種のＭＭＴ装置１の概略構造を示すもので、アルミニウム等による下側容器２の上部に石英等によるドーム状の上側容器３が取付けられて基板処理室９が構成され、前記上側容器３の上部の縁部にアルミニウム等による枠体４が被せられている。この枠体４の上部には、処理対象となる基板であるウェーハ５を加熱する為のランプ６ａを備えたランプ加熱ユニット６が配されている。該ランプ６ａの光を下側容器２内に通す為に、ランプ６ａが臨む位置には光透過性を備えた上窓７が配されている。尚、下側容器２と上側容器３、枠体４、上窓７のそれぞれの接触面にはＯリング８が介在させてあり、下側容器２と上側容器３との内部の基板処理室９は気密性が確保されている。上側容器３の上端には石英等によるガス噴出口を多数有するシャワープレート１０が設けられており、該シャワープレート１０からガスが基板処理室９に分散して供給される。又、基板処理室９の下部にはウェーハ５を載置させて保持させる基板載置部を構成するサセプタ１１が配されており、このサセプタ１１にウェ−ハ５を加熱するヒータ１２が内包させてある。このヒータ１２は、基板処理室９の外部に設けられたヒータ用電源１３とヒータ用配線１３ａによって電気的に接続されている。又、上側容器３の胴部の周囲には電極と磁石とからなるプラズマ生成部１４が配されており、高周波を印加することによって、基板処理室９内に供給されたガスがプラズマ状態となって、イオン化され励起された粒子によってウェーハ５が処理される様にしてある。
【０００６】
ウェーハ５の処理を行う際には、基板処理室９を真空状態として前記シャワープレート１０から該基板処理室９にガスが導入される。一方、サセプタ１１は、内部に配されたヒータ１２により加熱されており、サセプタ１１を構成する石英が加熱されることにより伝熱によりサセプタ１１に載置されたウェーハ５が加熱される。又、サセプタ１１が透明石英製である為、ヒータ１２の輻射熱が石英を透過してウェーハ５を輻射加熱している。更に、ウェーハ５は前記ランプ６ａから照射される光により加熱されており、プラズマ状態となったガスと反応することによりウェーハ５が処理される。
【０００７】
ところで、上述した様に、ウェーハ５はランプ６ａとヒータ１２により加熱されることにより、８００℃以上の高温となって、反応が促進されることとなる。一方、ランプ６ａとサセプタ１１とからの輻射熱が下側容器２を加熱し、下側容器２が高温となる。この為、下側容器２に取付けられた樹脂製の部品に耐熱性が要求される。又、基板処理室９の内部の圧力を制御する圧力計その他のセンサ類が高温に曝されることが不都合である為、これらのセンサ類は熱の影響を受けにくい位置迄遠ざけて配置する必要があった。
【０００８】
この為、下側容器２を冷却する構造を備えた基板処理装置が開示されているこの基板処理装置は、基板処理容器を冷却する冷却手段、又は加熱手段を支持する支持手段への熱伝達を抑制する熱伝達抑制手段の少なくとも一方を設けた構造とされたものである（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−１８４４５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
然し乍ら、特許文献１に開示された基板処理装置では、チャンバを冷却する為に多量の冷却水を必要とする。又、前記上側容器３が透明石英製である為、ランプ６ａやサセプタ１１の輻射熱を透過し、基板処理室９の外部にあるプラズマ生成部１４やその他の部材等をも加熱して昇温させることになり、これらの部材に冷却風を供給する送風機等を設ける必要があった。
【００１１】
本発明は斯かる実情に鑑み、ランプやサセプタからの輻射熱等の影響を受けることを抑制する基板処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、基板を載置する基板載置部と、当該基板載置部を収容し、熱透過ドームを有する基板処理室と、当該基板載置部と当該基板処理室のいずれか、若しくは両方に少なくとも１つ以上設けられた加熱部と、前記基板処理室の外周部に設けたプラズマ生成部と、前記加熱部と前記プラズマ生成部との間であって、当該基板処理室の内側と外側のいずれか、若しくは両方に設けられた熱遮蔽部と、を有する基板処理装置に係るものである。
【００１３】
又本発明は、熱透過ドームと熱遮蔽部を有する基板処理室に基板を搬入する工程と、当該基板処理室内に設けられた基板載置部に基板を載置する工程と、当該基板載置部と当該基板処理室のいずれか若しくは両方に設けられた加熱部が、前記基板を加熱する工程と、ガス供給部が前記基板処理室に処理ガスを供給する工程と、前記基板処理室の外周部に設けられたプラズマ生成部が前記処理ガスを励起させる工程と、ガス排出部が前記基板処理室内を排気する工程と、前記基板を前記基板処理室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法に係るものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板を加熱する加熱部と、該加熱部を内包した熱透過材質からなる基板載置部と、該基板載置部を収容する基板処理室と、該基板処理室の外周部に設けたプラズマ生成部と、前記基板処理室の一部を形成し、前記加熱部と前記プラズマ生成部との間に熱遮蔽部を有する熱透過ドームとを有するので、前記基板載置部に載置された基板は、この基板載置部が内包する前記加熱部により加熱される。この加熱部からは前記基板処理室内に熱が輻射されて、基板処理室の壁部を加熱するが、前記熱遮蔽部により前記プラズマ生成部への熱の伝達が遮断されて、プラズマ生成部を構成する装置、例えば、整合器や高周波電源の出力特性を安定化させることができる。また、プラズマ生成部を構成する筒状磁石や筒状電極の劣化を防止することができる。
【００１５】
又本発明によれば、前記基板載置部が、前記基板処理室の外部に設けた加熱部用電源と前記加熱部とを接続する加熱部用配線との間に、熱遮蔽部を有するので、前記加熱部用配線と基板載置部との間に熱遮蔽部を配することにより、加熱部用配線や加熱部用電源への熱の伝達が抑制され、加熱部用配線の劣化防止や加熱部用電源の出力特性を安定化させることができるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る基板処理装置の概略構造を模式的に示す図である。
【図２】基板処理装置の構造とその原理を説明する図である。
【図３】従来の基板処理装置の概略構造を模式的に示すもので、図１に対応する図である。
【図４】熱遮蔽部を外壁面に設けた場合の基板処理装置の概略構造を模式的に示す図である。
【図５】熱遮蔽筒を設けた場合の基板処理装置の概略構造を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。
【００１８】
先ず、図２を参照して半導体基板（ウェーハ）を処理するための基板処理装置の構造と処理の原理を説明する。尚、図３に示す部材等には、同図のものと同一の符号を付してある。
【００１９】
図２に、基板処理装置としてのＭＭＴ装置３０の概略構成図を示す。ＭＭＴ装置３０は、基板処理室としての処理容器３１を有し、この処理容器３１は、熱透過型ドームである上側容器３と碗型の下側容器２により形成され、上側容器３は下側容器２の上に被せられている。上側容器３は酸化アルミニウム又は石英等の非金属材料で形成されており、下側容器２は、例えばアルミニウムで形成されている。又、処理容器３１の上面には光透過性を有する上窓７が配設され、この上窓７に対応する処理容器３１の外側に第一の加熱部としてのランプ加熱ユニット（光源）６が設けられている。又、下側容器２と上側容器３の間や上側容器３とランプ加熱ユニット６の間には、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）又はポリアミドイミド（ＰＡＩ）又はポリイミド（ＰＩ）を含むクッション剤１５（図示せず）が設けられている。又、ヒータ一体型の基板載置部であるサセプタ１１を窒化アルミニウムやセラミックス又は石英等の非金属材料で構成することによって、処理の際に膜中に取込まれる金属汚染を低減している。
【００２０】
シャワーヘッド３２は、基板処理室９の上部に設けられ、リング状の枠体４と、光透過性の上窓７と、ガス導入口３３と、バッファ室３４と、開口３５と、シャワープレート３６とを備えている。
【００２１】
ガス導入口３３には、ガスを供給するガス供給管３８が接続されており、ガス供給管３８は、開閉弁であるバルブ３８ａ、流量制御器であるマスフロコントローラ３９を介して図中省略の反応ガス４０のガス供給源に繋がっている。ガス供給管３８、開閉バルブ３８ａ、マスフロコントローラ３９をまとめてガス供給部と呼ぶ。シャワーヘッド３２から反応ガス４０が基板処理室９に供給され、又、サセプタ１１の周囲から基板処理室９の底方向へ基板処理後のガスが流れる様に下側容器２の側壁にガスを排気するガス排気口４１が設けられている。ガス排気口４１にはガスを排気するガス排気管４２が接続されており、ガス排気管４２は、圧力調整器であるＡＰＣ４３、開閉弁であるバルブ４３ａを介して排気装置である真空ポンプ４４に接続されている。ガス排気管４２、ＡＰＣ４３、バルブ４３ａ、真空ポンプをまとめてガス排気部と呼ぶ。
【００２２】
供給される反応ガス４０を励起させる放電機構である、筒状、例えば円筒状に形成された筒状電極４５が設けられる。筒状電極４５は処理容器３１（上側容器３）の外周に設置されて基板処理室９内のプラズマ生成領域Ｓを囲んでいる。筒状電極４５にはインピーダンスの整合を行う整合器４６を介して高周波電力を印加する高周波電源４７が接続されている。
【００２３】
尚、筒状電極４５、整合器４６、高周波電源４７により前記プラズマ生成部１４が構成されている。
【００２４】
又、筒状、例えば円筒状に形成された磁界形成機構である筒状磁石４８は筒状の永久磁石となっている。筒状磁石４８は、筒状電極４５の外表面の上下端近傍に配置される。上下の筒状磁石４８，４８は、基板処理室９の半径方向に沿った両端（内周端と外周端）に磁極を持ち、上下の筒状磁石４８，４８の磁極の向きが逆向きに設定されている。従って、内周部の磁極同士が異極となっており、これにより、筒状電極４５の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成する様になっている。
【００２５】
基板処理室９の底側中央には、基板であるウェーハ５を載置する為の基板載置部としてサセプタ１１が配置されている。サセプタ１１は、例えば窒化アルミニウムやセラミックス、又は石英等の非金属材料で形成され、内部に第２の加熱部としてのヒータ１２が一体的に埋込まれており、ウェーハ５を加熱できる様になっている。ヒータ１２は、電力が印加されてウェーハ５を５００℃程度に迄加熱できる様になっている。
【００２６】
又、サセプタ１１の内部には、更にインピーダンスを変化させる為の電極である第２の電極も装備されており、この第２の電極がインピーダンス可変機構４９を介して接地されている。インピーダンス可変機構４９は、コイルや可変コンデンサから構成され、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、上記電極及びサセプタ１１を介してウェーハ５の電位を制御できる様になっている。
【００２７】
ウェーハ５をマグネトロン型プラズマ源でのマグネトロン放電により処理する為の処理炉５０は、少なくとも基板処理室９、処理容器３１、サセプタ１１、筒状電極４５、筒状磁石４８、シャワーヘッド３２、及び排気口４１から構成されており、基板処理室９でウェーハ５をプラズマ処理することが可能となっている。
【００２８】
筒状電極４５及び筒状磁石４８の周囲には、この筒状電極４５及び筒状磁石４８で形成される電界や磁界を外部環境や他の処理炉等の装置に悪影響を及ぼさない様に、電界や磁界を有効に遮蔽する遮蔽板５１が設けられている。
【００２９】
サセプタ１１は下側容器２と絶縁され、サセプタ１１を昇降させるサセプタ昇降機構５２が設けられている。又サセプタ１１には貫通孔１１ａが設けられ、下側容器２底面にはウェーハ５を突上げる為のウェーハ突上げピン５３が少なくとも３箇所に設けられている。そして、サセプタ昇降機構５２によりサセプタ１１が下降させられた時にはウェーハ突上げピン５３がサセプタ１１と非接触な状態で貫通孔１１ａを突抜ける様な位置関係となる様、貫通孔１１ａ及びウェーハ突上げピン５３が配置される。
【００３０】
又、下側容器２の側壁には仕切弁となるゲートバルブ５４が設けられ、開いている時には図中省略の搬送機構により基板処理室９に対してウェーハ５を搬入、又は搬出することができ、閉まっている時には基板処理室９を気密に閉じることができる。
【００３１】
又、制御部としてのコントローラ５６は信号線Ａを通じてＡＰＣ４３、バルブ４３ａ、真空ポンプ４４を、信号線Ｂを通じてサセプタ昇降機構５２を、信号線Ｃを通じてゲートバルブ５４を、信号線Ｄを通じて整合器４６、高周波電源４７を、信号線Ｅを通じてマスフロコントローラ３９、バルブ３８ａを、更に図示しない信号線を通じてサセプタに埋込まれたヒータやインピーダンス可変機構４９を、信号線Ｆを通じてランプ加熱ユニット６をそれぞれ制御する様構成されている。
【００３２】
次に上記の様な構成の処理炉を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ウェーハ５表面に対し、又はウェーハ５上に形成された下地膜の表面に対し所定のプラズマ処理を施す方法について説明する。尚、以下の説明に於いて、ＭＭＴ装置３０を構成する各部の動作はコントローラ５６により制御される。
【００３３】
ウェーハ５は処理炉５０を構成する基板処理室９の外部からウェーハ５を搬送する図中省略の搬送機構によって基板処理室９に搬入され、サセプタ１１上に搬送される。この搬送動作の詳細は次の通りである。サセプタ１１が基板搬送位置迄下降し、ウェーハ突上げピン５３の先端がサセプタ１１の貫通孔１１ａを通過する。このときサセプタ１１表面よりも所定の高さ分だけ突上げピン５３が突出された状態となる。次に、下側容器２に設けられたゲートバルブ５４が開かれ、図中省略の搬送機構によってウェーハ５をウェーハ突上げピン５３の先端に載置する。搬送機構が基板処理室９外へ退避すると、ゲートバルブ５４が閉じられる。サセプタ１１がサセプタ昇降機構５２により上昇すると、サセプタ１１上面にウェーハ５を載置することができ、更にウェーハ５を処理する位置迄上昇する。  
【００３４】
サセプタ１１に埋込まれたヒータ１２は予め加熱されており、搬入されたウェーハ５を１５０〜５００℃の範囲の内、所定のウェーハ処理温度に加熱する。５００℃以下にすることにより、ゲート酸化膜の再酸化が生じないからである。又、高温（８００℃以上）のプロセスの場合、更にランプ加熱ユニット６により、所定のウェーハ処理温度に加熱する。真空ポンプ４４、及びＡＰＣ４３を用いて基板処理室９の圧力を１〜２００Ｐａの範囲の内、所定の圧力に維持する。
【００３５】
ウェーハ５の温度が処理温度に達し、安定化したら、ガス導入口３３からシャワープレート３６のガス噴出口３７を介して、窒素含有ガスを基板処理室９に配置されているウェーハ５の上面（処理面）に向けて導入する。このときのガス流量は所定の流量（例えば１００〜５００ｓｃｃｍ）とする。同時に筒状電極４５に高周波電源４７から整合器４６を介して高周波電力を印加する。印加する電力は、１５０〜２００Ｗの範囲の内、所定の出力値を投入する。このときインピーダンス可変機構４９は予め所望のインピーダンス値となる様に制御しておく。
【００３６】
筒状磁石４８の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、ウェーハ５の上方空間に電荷をトラップしてプラズマ生成領域Ｓに高密度プラズマが生成される。そして、生成された高密度プラズマにより、サセプタ１１上のウェーハ５の表面にプラズマ処理が施される。
【００３７】
プラズマ処理が終わると、筒状電極４５への電力供給を停止し、窒素含有ガスを基板処理室９から排気する。排気した後、ウェーハ５は、図示省略の搬送機構を用いて、基板搬入と逆の手順で基板処理室９外へ搬送される。
【００３８】
次に、図１を参照して、本実施例に係る基板処理装置（ＭＭＴ装置）２０を説明する。尚、図３に示す基板処理装置と同等の部分については同一の符号を付してある。この基板処理装置２０の上側容器３の内壁面であって、少なくともプラズマ生成部１４とヒータ１２の間に、内壁熱遮蔽部２１が形成されている。この内壁熱遮蔽部２１は酸化物粒子である二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）粒子を内壁面に被覆したものであり、いわゆるシリカコートにより形成されている。又、サセプタ１１の外側表面に、二酸化ケイ素粒子によるサセプタ熱遮蔽部２２が形成されている。これによって、基板処理室９内から基板処理室９外への光や熱の放出量を減らすことができ、基板処理室９の外側に設けられた機器、例えば筒状電極４５、整合器４６、高周波電源４７、筒状磁石４８などの温度上昇を防ぎ、筒状電極４５、筒状磁石４８の劣化の防止や、整合器４６、高周波電源４７の出力特性を安定化させることができる。
【００３９】
更に、サセプタ１１に内包されているヒータ１２と下側容器２の外部に設けられている加熱部用電源としてのヒータ用電源１３とを接続するヒータ用配線１３ａ及びサセプタ１１との間にも二酸化ケイ素粒子によるサセプタ下部熱遮蔽部２３が形成されている。これによって、サセプタ１１内からサセプタ１１外への光や熱の放出量を減らすことができ、基板処理室９の外側に設けられた機器の温度上昇を防ぐ事ができる。
【００４０】
尚、内壁熱遮蔽部２１，サセプタ熱遮蔽部２２，サセプタ下部熱遮蔽部２３も、例えば０．５〜１．０ｍｍ程度のシリカコートを行って形成されている。好ましくは、０．８ｍｍ以上１．０ｍｍ以下にする。これによって、より透過率を下げる事ができ、サセプタ１１や基板処理室９の外側への光や熱の放出量を減らすことができ、基板処理室９の外側に設けられた機器の温度上昇を防ぐ事ができる。
【００４１】
前記内壁熱遮蔽部２１，前記サセプタ熱遮蔽部２２の材質として用いた二酸化ケイ素粒子は、細かい粒子が集合した構造である為、入射光が乱反射する。そのため内壁熱遮蔽部２１、サセプタ熱遮蔽部２２は不透明な状態となる。このような構成とすることで、石英等で成形された上側容器３の壁部を透過することが抑制され、前記内壁熱遮蔽部２１はプラズマ生成部１４に対する熱の影響を減じることができる。又、サセプタ１１の表面に形成したサセプタ熱遮蔽部２２により、サセプタ１１から下側容器２に向かって発せられた輻射熱が減少して、下側容器２を加熱しにくくなると共に、サセプタ熱遮蔽部２２で反射した光がウェーハ５を効率よく加熱することができる。更に、ヒータ用配線１３ａとサセプタ１１との間に形成されたサセプタ下部熱遮蔽部２３により、ヒータ１２からの輻射熱がヒータ用電源１３等へ伝達されることが抑制される。
【００４２】
本実施例の基板処理装置によれば、加熱源となるランプやヒータから発せられる輻射熱を熱遮蔽部で遮蔽することにより、付属する部品や装置への耐熱性の要求が緩和される為、ウェーハ等の基板をプラズマ処理する基板処理炉に好適に利用できる。
【００４３】
本発明の他の実施例について図４を参照して説明する。尚、図１、３に示す基板処理装置と同等の部分については同一の符号を付してある。この基板処理装置２０の上側容器３の外壁面であって、少なくともプラズマ生成部１４とヒータ１２の間に、外壁熱遮蔽部２４が形成されている。この外壁熱遮蔽部２４は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）粒子又は、三酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）粒子を内壁面に被覆したものであり、いわゆるシリカコート又は、アルミナコートにより形成されている。上側容器３の外壁面に外壁熱遮蔽部２４を設けることによって、より光や熱の放出量を減らす材料を用いる事ができ、基板処理室９外への光や熱の放出量を減らすことができ、基板処理室９の外側に設けられた機器の温度上昇を防ぐ事ができる。又、サセプタ１１の表面に形成したサセプタ熱遮蔽部２２により、サセプタ１１から下側容器２に向かって発せられた輻射熱が減少して、下側容器２を加熱しにくくなると共に、サセプタ熱遮蔽部２２で反射した光がウェーハ５を効率よく加熱することができる。更に、ヒータ用配線１３ａとサセプタ１１との間に形成されたサセプタ下部熱遮蔽部２３により、ヒータ１２からの輻射熱がヒータ用電源１３等へ伝達されることが抑制される。
【００４４】
尚、サセプタ熱遮蔽部２２、サセプタ下部熱遮蔽部２３、外壁熱遮蔽部２４の厚さは、例えば０．５〜１．０ｍｍ程度となっている。
【００４５】
また、前述の内壁熱遮蔽部２１，外壁熱遮蔽部２４が吸収する熱量が多く、上側容器３周辺に設けたＯリング８周辺部の温度が、Ｏリング８の耐熱温度に近くなる場合や耐熱温度を超える場合は、Ｏリング周辺に内壁熱遮蔽部２１，外壁熱遮蔽部２４を設けないように構成しても良い。図１及び図４を参照して例を示すと、内壁熱遮蔽部２１，外壁熱遮蔽部２４を、枠体４の直下に設けないように構成する、又は枠体４の直下とプラズマ生成部１４の下端より下の部分に設けないように構成する。又はプラズマ生成部１４に対抗する面に構成する。これによって、Ｏリングや、下側容器２と上側容器３の間や上側容器３とランプ加熱ユニット６の間に設けられたクッション剤の劣化を防ぐとともに、基板処理室９内から基板処理室９外への光や熱の放出量を減らすことができ、基板処理室９の外側に設けられた機器の温度上昇を防ぐ事ができる。
【００４６】
本発明の他の実施例について図５を参照して説明する。尚、図１、３に示す基板処理装置と同等の部分については同一の符号を付してある。この基板処理装置２０の基板処理室９内であって、プラズマ生成部１４とヒータ１２の間に、熱遮蔽筒２５を設ける。この熱遮蔽筒２５には、石英製の筒の内壁と外壁のいずれか若しくは両方にシリカコーティングが施されている。これによって、基板処理室９内から基板処理室９外への光や熱の放出量を減らすことができ、基板処理室９の外側に設けられた機器の温度上昇を防ぐ事ができる。
【００４７】
上記の熱遮蔽部である、内壁熱遮蔽部２１、サセプタ熱遮蔽部２２、サセプタ下側熱遮蔽部２３、外壁熱遮蔽部２４は、二酸化ケイ素粒子からなるシリカコートや三酸化アルミニウム粒子からなるアルミナコートで形成されているが、熱透過ドーム３や熱遮蔽筒２５の内壁表面や外壁表面に厚さ１μｍ〜７μｍのＳｉＯ２膜や、Ａｌ２Ｏ３膜を施して形成しても良い。また、熱透過ドーム３や熱遮蔽筒２５の内壁表面や外壁表面の粗さを１μｍ〜７μｍの粗さにすることによって形成しても良い。これによって、光や熱を熱遮蔽部で反射や吸収することができ、基板処理室９内から基板処理室９外への光や熱の放出量を減らすことができ、基板処理室９の外側に設けられた機器の温度上昇を防ぐ事ができる。
【符号の説明】
【００４８】
１              ＭＭＴ装置
２              下側容器
３              上側容器（熱透過ドーム）
４              枠体
５              ウェーハ（基板）
６              ランプ加熱ユニット
６ａ            ランプ
７              上窓
８              Ｏリング
９              基板処理室
１０            シャワープレート
１１            サセプタ（基板載置部）
１２            ヒータ（加熱部）
１３            ヒータ用電源（加熱部用電源）
１３ａ          ヒータ用配線
１４            プラズマ生成部
１５            クッション剤
２０            基板処理装置
２１            内壁熱遮蔽部
２２            サセプタ熱遮蔽部
２３            サセプタ下部熱遮蔽部
２４            外壁熱遮蔽部
２５            熱遮蔽筒
３０            ＭＭＴ装置（基板処理装置）
３１            処理容器（基板処理室）
３２            シャワーヘッド
３３            ガス導入口
３６            シャワープレート
３７            ガス噴出口
４０            反応ガス
４１            ガス排気口
４２            ガス排気管
４３            ＡＰＣ
４３ａ          バルブ
４４            真空ポンプ
４５            筒状電極
４６            整合器
４７            高周波電源
４８            筒状磁石
４９            インピーダンス可変機構
５０            処理炉
５１            遮蔽板
５２            サセプタ昇降機構
５３            ウェーハ突上げピン
５４            ゲートバルブ
Ｓ              プラズマ生成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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