(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体チップの取り付けられたリードプレームが投入されて加熱される時間を管理することによって、リードフレームのボンディング性を向上させるワイヤボンディング装置及びその方法を提供する。【解決手段】半導体チップの取り付けられたリードフレームを移送レール１０２にロードするリードフレームローディング部１０４と、ロードされたリードフレームを加熱するヒータブロック１０６と、半導体チップとリードフレームのリードとをワイヤボンディングするワイヤボンディングツール１０８と、ワイヤボンディングが完了したリードフレームを移送レール１０２からアンロードするリードフレームアンローディング部１１０と、リードフレームにワイヤボンディング不良が発生した場合、これを感知し、ワイヤボンディング不良の発生時点から予め決められた時間が経過すると、ヒータブロック１０６をリードフレームから分離する制御部を含む。【選択図】図１
2011249806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの取り付けられたリードフレームを移送レールにロードするリードフレームローディング部と、
該ロードされたリードフレームを加熱するヒータブロックと、
前記半導体チップと前記リードフレームのリードとをワイヤボンディングするワイヤボンディングツールと、
ワイヤボンディングが完了した前記リードフレームを送りレールからアンロードするリードフレームアンローディング部と、
前記リードフレームにワイヤボンディング不良が発生した場合、これを感知し、該ワイヤボンディング不良の発生時点から予め決められた時間が経過すると、前記ヒータブロックを前記リードフレームから分離する制御部と、
を含むワイヤボンディング装置。
【請求項２】
前記リードフレームに還元性ガスを供給するガス供給部を、さらに含み、
前記制御部は、前記ワイヤボンディング不良の発生時点から予め決められた時間が経過すると、前記ヒータブロックを前記リードフレームから分離して前記リードフレームに還元性ガスを噴射する請求項１に記載のワイヤボンディング装置。
【請求項３】
前記制御部は、
前記ワイヤボンディング不良を感知するエラー感知部と、
前記エラー感知部による前記ワイヤボンディング不良の感知時点からの経過時間を計算するタイマと、
前記タイマで計算された前記経過時間が予め決められた時間を超過する場合、前記ヒータブロックを前記リードフレームから分離して前記リードフレームに還元性ガスを噴射するエラー処理部と、
を含む請求項２に記載のワイヤボンディング装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記タイマで計算された前記経過時間が予め決められた時間を超過する場合、警告画面を出力するディスプレイ部をさらに含む請求項３に記載のワイヤボンディング装置。
【請求項５】
半導体チップの取り付けられたリードフレームを移送レールにロードするリードフレームローディング部と、
該ロードされたリードフレームを加熱するヒータブロックと、
前記半導体チップと前記リードフレームのリードとをワイヤボンディングするワイヤボンディングツールと、
ワイヤボンディングが完了した前記リードフレームを移送レールからアンロードするリードフレームアンローディング部と、
前記リードフレームにワイヤボンディング不良が発生した場合、これを感知し、該ワイヤボンディング不良の発生時点から予め決められた時間が経過すると、前記ヒータブロックに供給される電源を遮断する制御部と、
を含むワイヤボンディング装置。
【請求項６】
前記リードフレームに還元性ガスを供給するガス供給部を、さらに含み、
前記制御部は、前記ワイヤボンディング不良の発生時点から予め決められた時間が経過すると、前記ヒータブロックに供給される電源を遮断し、前記リードフレームに還元性ガスを噴射する請求項５に記載のワイヤボンディング装置。
【請求項７】
前記制御部は、
前記ワイヤボンディング不良を感知するエラー感知部と、
前記エラー感知部による前記ワイヤボンディング不良の感知時点からの経過時間を計算するタイマと、
前記タイマで計算された前記経過時間が予め決められた時間を超過する場合、前記ヒータブロックに供給される電源を遮断し、前記リードフレームに還元性ガスを噴射するエラー処理部と、を含む請求項６に記載のワイヤボンディング装置。
【請求項８】
前記制御部は、
前記タイマで計算された前記経過時間が予め決められた時間を超過する場合、警告画面を出力するディスプレイ部をさらに含む請求項７に記載のワイヤボンディング装置。
【請求項９】
ワイヤボンディング装置に用いられるワイヤボンディング方法であって、
前記ワイヤボンディング装置において、半導体チップの取り付けられたリードフレームを移送レールにロードするステップと、
前記ワイヤボンディング装置において、ヒータブロックを用いて該ロードされたリードフレームを加熱するステップと、
前記ワイヤボンディング装置において、前記半導体チップと前記リードフレームのリードとをワイヤボンディングするステップと、
前記ワイヤボンディング装置において、前記ワイヤボンディングステップでのワイヤボンディングのエラーを感知するステップと、
前記ワイヤボンディング装置において、前記ワイヤボンディングエラー感知時間からの経過時間を計算するステップと、
前記ワイヤボンディング装置において、前記経過時間が予め決められた時間を超過する場合、前記ヒータブロックを前記リードフレームから分離するステップと、を含むワイヤボンディング方法。
【請求項１０】
前記経過時間計算ステップの後及び前記ヒータブロックを前記リードフレームから分離するステップの前に、
前記ワイヤボンディング装置において、警告画面をディスプレイするステップを、さらに含む請求項９に記載のワイヤボンディング方法。
【請求項１１】
前記ヒータブロックを前記リードフレームから分離するステップは、
前記リードフレームに還元性ガスを噴射するステップをさらに含む請求項９に記載のワイヤボンディング方法。
【請求項１２】
ワイヤボンディング装置に用いられるワイヤボンディング方法であって、
前記ワイヤボンディング装置において、半導体チップの取り付けられたリードフレームを移送レールにロードするステップと、
前記ワイヤボンディング装置において、ヒータブロックを用いて該ロードされたリードフレームを加熱するステップと、
前記ワイヤボンディング装置において、前記半導体チップと前記リードフレームのリードとをワイヤボンディングするステップと、
前記ワイヤボンディング装置において、前記ワイヤボンディングステップでのワイヤボンディングのエラーを感知するステップと、
前記ワイヤボンディング装置において、前記ワイヤボンディングエラー感知時間からの経過時間を計算するステップと、
前記ワイヤボンディング装置において、前記経過時間が予め決められた時間を超過する場合、前記ヒータブロックに供給される電源を遮断するステップと、
を含むワイヤボンディング方法。
【請求項１３】
前記経過時間計算ステップの後及び前記ヒータブロックに供給される電源を遮断するステップの前に、
前記ワイヤボンディング装置において、警告画面をディスプレイするステップをさらに含む請求項１２に記載のワイヤボンディング方法。
【請求項１４】
前記ヒータブロックに供給される電源を遮断するステップは、
前記リードフレームに還元性ガスを噴射するステップをさらに含む請求項１２に記載のワイヤボンディング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイヤボンディング装置及びその方法に関するもので、特に、ワイヤボンディングにおいて不良の発生を最小化するためのワイヤボンディング装置及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リードフレーム（ｌｅａｄ  ｆｒａｍｅ）を用いる半導体パッケージ製造工程において、半導体チップをリードフレームに取り付けるチップ取り付け（ｃｈｉｐ  ａｔｔａｃｈ）工程の後に、金属細線で半導体チップとリードフレームとを電気的に連結するワイヤボンディング（ｗｉｒｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）工程を行う。該ワイヤボンディング工程は、例えば、超音波（ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ）を用いて金属ワイヤを半導体チップのメタルパッド（ｍｅｔａｌ  ｐａｄ）層に局所的な溶融現象を起こして接合する方式によって行われる。
【０００３】
このようなワイヤボンディングでのボンディング性（ｂｏｎｄａｂｉｌｉｔｙ）の向上のためには、Ｆ＝4μＮｆｕ、という公式からわかるように、ボンディング圧力（Ｎ：Ｂｏｎｄｉｎｇ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ）、超音波変位（ｕ）、超音波周波数（f）と共に、メタル層表面の摩擦係数（μ）が非常に重要である。このため、ワイヤボンディング工程では、原資材を工程に投入する前にプラズマクリーニング（Ｐｌａｓｍａ  ｃｌｅａｎｉｎｇ）を施す。このように、プラズマクリーニング工程を行うと、該メタル層の表面の汚染や酸化膜が除去され、高いボンディング性を得ることができる。
【０００４】
また、ワイヤボンディングにおいて良好なワイヤボンディング性を確保するため、約２００℃以上の熱をリードフレームの下面に伝達し、リードフレーム及びその上部の半導体チップを加熱した状態で、金属細線でワイヤボンディングする工程を行う。このために、ワイヤボンディング装置は別途のヒータブロック(ｈｅａｔｅｒ  ｂｌｏｃｋ)を備え、該ヒータブロックをリードフレームの下面に接触させ、該リードフレームを加熱するようになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２００１−００６５７５４号公報
【特許文献２】特開２０００−０３１１９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、この場合、ワイヤボンディング工程のうちに問題が発生するかまたはその他多様な理由で該ワイヤボンディング工程が中止しても、半導体チップの搭載されたリードフレームの下面に接触されたヒータブロックによってリードフレームが加熱され続けるようになる。これによって、該リードフレームの表面には再び酸化膜が形成され、該形成された酸化膜は金属細線とリードフレームとの間の良好なワイヤボンディング性を低下させ、半導体チップのオープン不良または不完全な接合の原因に繋がる。
【０００７】
本発明は前記の問題点に鑑みて成されたものであって、その目的は、ワイヤボンディング装置において、半導体チップの取り付けられたリードプレームが投入されて加熱される時間を管理することによって、該リードフレームのボンディング性(ｂｏｎｄａｂｉｌｉｔｙ)を向上することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を解決するために、本発明の好適な実施の形態によるワイヤボンディング装置は、半導体チップの取り付けられたリードフレーム(ｌｅａｄ  ｆｒａｍｅ）を移送レールにロードするリードフレームローディング部と、該ロードされたリードフレームを加熱するヒータブロックと、前記半導体チップと前記リードフレームのリードとをワイヤボンディングするワイヤボンディングツールと、ワイヤボンディングが完了した前記リードフレームを移送レールからアンロードするリードフレームアンローディング部と、前記リードフレームにワイヤボンディング不良が発生した場合、これを感知し、該ワイヤボンディング不良の発生時点から予め決められた時間が経過すると、前記ヒータブロックを前記リードフレームから分離する制御部とを含む。
【０００９】
ここで、前記ワイヤボンディング装置は、前記リードフレームに還元性ガスを供給するガス供給部をさらに含み、前記制御部は、前記ワイヤボンディング不良の発生時点から予め決められた時間が経過すると、前記ヒータブロックを前記リードフレームから分離して前記リードフレームに還元性ガスを噴射することができる。
【００１０】
前記制御部は、前記ワイヤボンディング不良を感知するエラー感知部と、前記エラー感知部による前記ワイヤボンディング不良の感知時点からの経過時間を計算するタイマと、前記タイマで計算された前記経過時間が予め決められた時間を超過する場合、前記ヒータブロックを前記リードフレームから分離して前記リードフレームに還元性ガスを噴射するエラー処理部とを含むことができる。
【００１１】
ここで、前記制御部は、前記タイマで計算された前記経過時間が予め決められた時間を超過する場合、警告画面を出力するディスプレイ部をさらに含むことができる。
【００１２】
また、上記目的を解決するために、本発明の他の好適な実摘形態によるワイヤボンディング装置は、半導体チップの取り付けられたリードフレームを移送レールにロードするリードフレームローディング部と、該ローディングされたリードフレームを加熱するヒータブロックと、前記半導体チップと前記リードフレームのリードとをワイヤボンディングするワイヤボンディングツールと、ワイヤボンディングが完了した前記リードフレームを移送レールからアンロードするリードフレームアンローディング部と、前記リードフレームにワイヤボンディング不良が発生した場合、これを感知し、該ワイヤボンディング不良の発生時点から予め決められた時間が経過すると、前記ヒータブロックに供給される電源を遮断する制御部とを含む。
【００１３】
ここで、前記ワイヤボンディング装置は、前記リードフレームに還元性ガスを供給するガス供給部をさらに含み、前記制御部は、前記ワイヤボンディング不良の発生時点から予め決められた時間が経過すると、前記ヒータブロックに供給される電源を遮断して前記リードプレームに還元性ガスを噴射することができる。
【００１４】
また、前記制御部は、前記ワイヤボンディング不良を感知するエラー感知部と、前記エラー感知部による前記ワイヤボンディング不良の感知時点からの経過時間を計算するタイマと、前記タイマで計算された前記経過時間が予め決められた時間を超過する場合、前記ヒータブロックに供給される電源を遮断して前記リードフレームに還元性ガスを噴射するエラー処理部とを含むことができる。
【００１５】
ここで、前記制御部は、前記タイマで計算された前記経過時間が予め決められた時間を超過する場合、警告画面を出力するディスプレイ部をさらに含むことができる。
【００１６】
また、上記目的を解決するために、本発明の好適な実施の形態によるワイヤボンディング方法は、前記のワイヤボンディング装置において、半導体チップの取り付けられたリードフレームを移送レールにロードするステップと、前記ワイヤボンディング装置において、ヒータブロックを用いて該ロードされたリードプレームを加熱するステップと、前記ワイヤボンディング装置において、前記半導体チップと前記リードフレームのリードとをワイヤボンディングするステップと、前記ワイヤボンディング装置において、前記ワイヤボンディングステップでのワイヤボンディングのエラーを感知するステップと、前記ワイヤボンディング装置において、前記ワイヤボンディングエラー感知時間からの経過時間を計算するステップと、前記ワイヤボンディング装置において、前記経過時間が予め決められた時間を超過する場合、前記ヒータブロックを前記リードフレームから分離するステップとを含む。
【００１７】
ここで、前記経過時間計算ステップの後及び前記ヒータブロックを前記リードフレームから分離するステップの前に、前記ワイヤボンディング装置において、警告画面をディスプレイするステップをさらに含むことができる。
【００１８】
また、前記ヒータブロックを前記リードフレームから分離するステップは、前記リードフレームに還元性ガスを噴射するステップをさらに含むことができる。
【００１９】
また、上記目的を解決するために、本発明の他の好適な実施形態によるワイヤボンディング方法は、前記のワイヤボンディング装置において、半導体チップの取り付けられたリードフレームを移送レールにロードするステップと、前記ワイヤボンディング装置において、ヒータブロックを用いて該ロードされたリードフレームを加熱するステップと、前記ワイヤボンディング装置において、前記半導体チップと前記リードフレームのリードとをワイヤボンディングするステップと、前記ワイヤボンディング装置において、前記ワイヤボンディングステップでのワイヤボンディングのエラーを感知するステップと、前記ワイヤボンディング装置において、前記ワイヤボンディングエラー感知時間からの経過時間を計算するステップと、前記ワイヤボンディング装置において、前記経過時間が予め決められた時間を超過する場合、前記ヒータブロックに供給される電源を遮断するステップとを含む。
【００２０】
ここで、前記経過時間計算ステップの後及び前記ヒータブロックに供給される電源を遮断するステップの前に、前記ワイヤボンディング装置において、警告画面をディスプレイするステップをさらに含むことができる。
【００２１】
また、前記ヒータブロックに供給される電源を遮断するステップは、前記リードフレームに還元性ガスを噴射するステップをさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、ワイヤボンディングエラーが発生した後から所定時間が経過すると、リードフレームに伝えられる熱を遮断し、還元性ガスを噴射することによってリードフレームの劣化及び酸化膜の発生を効果よく遮断して、ワイヤボンディング工程のボンディング性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態によるワイヤボンディング装置１００を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態によるワイヤボンディング装置１００の制御部の詳細構成を示すブロック図である。
【図３】ワイヤボンディング工程において作業時間の経過によるワイヤプール(ｗｉｒｅ  ｐｏｏｌ)値の変化を示すグラフである。
【図４】ワイヤボンディング工程において作業時間の経過による不良率を示すグラフである。
【図５】本発明の一実施形態によるワイヤボンディング装置１００でのワイヤボンディング方法（５００）を示すフローチャートである。
【図６】本発明の他の実施形態によるワイヤボンディング装置１００でのワイヤボンディング方法（６００）を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の好適な実施の形態は図面を参考にして詳細に説明する。次に示される各実施の形態は当業者にとって本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために例として挙げられるものである。従って、本発明は以下示している各実施の形態に限定されることなく他の形態で具体化されることができる。そして、図面において、装置の大きさ及び厚さなどは便宜上誇張して表現されることができる。明細書全体に亘って同一の参照符号は同一の構成要素を示している。
【００２５】
図１は、本発明の一実施形態によるワイヤボンディング装置１００を示すブロック図である。
【００２６】
同図のように、本発明の一実施形態によるワイヤボンディング装置１００は、移送レール１０２、リードフレームローディング部１０４、ヒータブロック１０６、ワイヤボンディングツール１０８、リードプレームアンローディング部１１０及び制御部（図示せず）を含み、必要によって、ガス供給部１１２をさらに含んでもよい。
【００２７】
移送レール１０２は、半導体チップの取り付けられたリードフレームにワイヤボンディングを行うために該リードフレームを移動するものである。リードフレームローディング部１０４は、前記半導体チップの取り付けられたリードフレームを移送レール１０２にロードする。リードフレームアンローディング部１１０は、ワイヤボンディングの完了したリードフレームを移送レール１０２からアンロードする。同図のように、移送レール１０２はリードフレームローディング部１０４とリードフレームアンローディング部１０６との間に位置し、半導体チップの取り付けられたリードフレームはリードフレームローディング部１０４によって移送レール１０２にロードされた後、ワイヤボンディング過程を経ってリードフレームアンローディング部１１０によってアンロードされる。図１中の矢印は、リードフレームが移動する方向を示す。
【００２８】
ヒータブロック１０６は、移送レール１０２の下部に位置し、リードフレームローディング部１０４によって移送レール１０２にロードされた前記リードフレームを加熱する。ヒータブロック１０６は、その位置によってプレヒータ(Ｐｒｅ−Ｈｅａｔｅｒ)及びメインヒータ(Ｍａｉｎ  Ｈｅａｔｅｒ)に分けられ、前記プレヒータは、ワイヤボンディングの前に前記リードフレームを予熱し、メインヒータは、ワイヤボンディング過程で前記プレヒータによって予熱された前記リードフレームを加熱する。
【００２９】
ワイヤボンディングツール１０８は、ヒータブロック１０６によって加熱された前記リードフレームにワイヤボンディング工程を行う。詳しくは、ワイヤボンディングツール１０８は、前記リードフレームに取り付けられた半導体チップの電極パッドと前記リードフレームの先端部とを金属細線で連結することによってワイヤボンディングを行う。
【００３０】
リードフレームアンローディング部１１０は、ワイヤボンディングツール１０８によってワイヤボンディングが完了したリードフレームを移送レール１０２からアンロードする。
【００３１】
前記制御部は、本発明の一実施形態によるワイヤボンディング装置１００の各構成要素を制御してワイヤボンディング工程を行い、前記リードフレームにワイヤボンディング不良が発生した場合、これを感知し、該ワイヤボンディング不良の発生時点から予め決められた時間が経過すると、前記リードフレームへ伝えられる熱を遮断し、また必要な場合、前記リードフレームに還元性ガスを供給して、前記リードフレームが劣化されて酸化膜が発生することを遮断する。
【００３２】
ガス供給部１１２は、前記制御部の制御によって、前記リードフレームに還元性ガスを噴射して前記リードフレームの酸化膜の発生を遮断する。
【００３３】
図２は、本発明の一実施形態によるワイヤボンディング装置１００の制御部の詳細構成を示すブロック図である。
【００３４】
同図のように、前記制御部は、エラー感知部２００、タイマ２０２及びエラー処理部２０４を含み、必要によってディスプレイ部２０６をさらに含んで構成されることができる。
【００３５】
エラー感知部２００は、ワイヤボンディングツール１０８によるワイヤボンディング過程でのワイヤボンディングも不良（エラー）を感知する。該ワイヤボンディングエラーの感知は、例えばワイヤボンディングが完了したワイヤに微細電流を印加し、これを測定することによって行われる。ここで、ワイヤが正常にチップパッドにボンディングされない場合には、該ワイヤに電流が流れなくなる。これを、チップパッドオープンエラー(ｃｈｉｐ  ｐａｄ  ｏｐｅｎ  ｅｒｒｏｒ)と呼ばれる。ただ、前述のような微細電流を用いるワイヤボンディング不良感知方法は、一つの例示であって、これに限定するものではない。
【００３６】
タイマ２０２は、エラー感知部２００による前記ワイヤボンディングエラー感知時点からの経過時間を計算する。
【００３７】
エラー処理部２０４は、タイマ２０２で計算された前記経過時間が予め決められた時間を超過する場合、前記リードフレームへ加えられる熱を遮断して前記リードフレームが劣化することを防止する。
【００３８】
本発明において、前記リードフレームへ加えられる熱を遮断する方法は、次のような二つの実施形態のうちから一つを選択してもよい。
【００３９】
第一に、移送レール１０２の下端に位置するヒータブロック１０６をエラー処理部２０４の制御によって移動可能になるように構成する。この場合、エラー処理部２０４は、タイマ２０４で計算された前記経過時間が予め決められた時間を超過する場合、ヒータブロック１０６が前記リードフレームから離間して分離されるようにヒータブロック１０６を移動させることによって、前記リードフレームへ加えられる熱を遮断することができる。
【００４０】
第二に、エラー処理部２０４の制御によって、ヒータブロック１０６に供給される電源を遮断する。この実施形態の場合、ヒータブロック１０６に供給された電源が遮られても、ヒータブロック１０６が冷えるのに時間がかかることになり、前の実施形態よりは熱遮断効果が多少落ちることもあるが、ヒータブロック１０６を動かす必要がないので、ヒータブロック１０６が固定式で構成されたワイヤボンディング装置１００にも適用可能な長所がある。
【００４１】
また、エラー処理部２０４は、前述のようにヒータブロック１０６を分離するかまたはヒータブロック１０６に供給される電源を遮断するかしてリードフレームへ熱が供給されないようにすると共に、必要な場合、前記リードフレームに還元性ガスを噴射して該リードフレームに酸化膜が形成されることを防止することができる。該還元性ガスは、例えばＮ２ガスまたはＨ２およびＮ２ガスから構成されることができる。
【００４２】
ディスプレイ部２０６は、タイマ２０２で計算された前記経過時間が予め決められた時間を超過する場合、警告画面を出力することによって現在ワイヤボンディングエラーが発生したことを作業者などに報知するように構成される。
【００４３】
図３は、ワイヤボンディング工程において作業時間の経過によるワイヤプール(ｗｉｒｅ  ｐｏｏｌ)値の変化を示すグラフである。図４は、ワイヤボンディング工程において作業時間の経過によるオープンエラー率を示すグラフである。同図のように、ワイヤプール値はボンディングされたワイヤを引っぱった時ボンディングが落ち始める強さを意味する。
【００４４】
同図のように、ワイヤボンディング工程が始まって一定期間の間は、ワイヤプール値が一定な水準を維持し、オープンエラーも発生しない。しかし、図４から分かるように、約１０分経過すると、ワイヤプール値が急減し、図５から分かるように、約３０分まではオープンエラーが発生しないが、３０分から１時間の間の区間でオープンエラー率が急増するようになる。
【００４５】
本発明の実施形態では、これを考慮して、最初エラー発生時点から所定時間分をカウントした後、エラー処理部２０４でヒータ熱遮断及び還元性ガス注入工程を行うことによって、ワイヤボンディング過程でエラー率が急増することを防止すると共に、ワイヤプール値が一定な水準を維持するようにすることができる。タイマ２０２でカウントされる時間は、具体的なワイヤボンディング環境及び工程条件によって適切に決めてもよく、これに限定するものではない。
【００４６】
図５は、本発明の一実施形態によるワイヤボンディング装置１００でのワイヤボンディング方法（５００）を示すフローチャートである。
【００４７】
先に、半導体チップの取り付けられたリードフレームを移送レールにロードし（５０２）、ヒータブロックを用いて該ロードされたリードフレームを加熱し（５０４）、該加熱された半導体チップと前記リードフレームのリードとをワイヤボンディングするワイヤボンディング工程を行う（５０６）。
【００４８】
続いて、エラー感知部２００で前記ワイヤボンディング工程（５０６）でのワイヤボンディングのエラーを感知すると（５０８）、該ワイヤボンディングエラーの感知時点からの経過時間を計算する（５１０）。
【００４９】
もし、前記経過時間が予め決められた時間を超過すると、ディスプレイ部２０６は、ワイヤボンディングエラーに対する警告画面を出力し（５１２）、エラー処理部２０４はヒータブロック１０６を前記リードフレームから分離することによって前記リードフレームの劣化を遮断するようになる。またワイヤボンディング装置１００がガス供給部１１２を備える場合には、ヒータブロック１０６の分離とともに前記リードフレームへ還元性ガスを流入することによって、前記リードフレームに酸化膜が発生することを遮断する（５１４）。
【００５０】
続いて、前記リードフレームが正常になると、ワイヤボンディング装置１００は、ワイヤボンディング作業を再開し（５１６）、ワイヤボンディングが完了すると、リードフレームを移送レール１０２からアンロードする（５１８）。
【００５１】
一方、図面では警告画面出力ステップ（５１２）及びヒータブロック分離、還元性ガス噴射ステップ（５１４）が順次に行われることとして示されているが、実施形態によってそれらのステップは同時に行われてもよく、手順を変えて行われてもよく、これに限定するものではない。
【００５２】
図６は、本発明の他の実施形態によるワイヤボンディング装置１００でのワイヤボンディング方法（６００）を示すフローチャートである。
【００５３】
同図のように、この実施形態によるワイヤボンディング方法（６００）は、図５と同じ符号は同じ工程を行い、ステップ（６０２）でヒータブロック１０６を離間させるのではなくヒータブロック１０６に供給される電源を遮断するという点だけが異なる。前述のように、本実施形態の場合、ヒータブロック１０６が固定式で構成された従来のワイヤボンディング装置１００の場合にも本発明を適用することができるという長所がある。
【００５４】
また、図５と同様に、図６では、警告画面出力ステップ（５１２）及びヒータブロック電源遮断、還元性ガス噴射ステップ（６０２）が順次に行われることとして示されているが、これに限定するものではない。例えば、実施形態によって、それらのステップは同時に行われてもよく、順序を変えて行われてもよい。
【００５５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、前記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５６】
１００  ワイヤボンディング装置
１０２  移送レール
１０４  リードフレームローディング部
１０６  ヒータブロック
１０８  ワイヤボンディングツール
１１０  リードフレームアンローディング部
１１２  ガス供給部
２００  エラー感知部
２０２  タイマ
２０４  エラー処理部
２０６  ディスプレイ部
【図１】
2011249806.tif 000003
【図２】
2011249806.tif 000004
【図３】
2011249806.tif 000005
【図４】
2011249806.tif 000006
【図５】
2011249806.tif 000007
【図６】
2011249806.tif 000008