(57)【要約】【課題】半導体チップのうちモールド樹脂に封止された被封止部と封止部材から突出する突出部との境界部において、第１の主面からその両側に位置する２つの側面に渡ってシール部材を塗布して配置するにあたって、これら第１の主面の端部と２つの側面との角部にてシール部材が切れるのを極力防止する。【解決手段】シール部材４０は、半導体チップ１０の境界部にて、第１の主面１１から第１の主面１１を挟んで位置する２つの側面１３、１４に渡って、連続して設けられており、２つの側面１３、１４は、第１の主面１１の端部から第２の主面１２側に向かって裾拡がりとなるように傾斜したテーパ状の面とされている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏の関係にある第１の主面（１１）および第２の主面（１２）を有し、これら両主面（１１、１２）の間に側面（１３〜１６）を有する半導体チップ（１０）を備え、
前記半導体チップ（１０）のうち一端側とは反対の他端側から中間部までの部位は、電気絶縁性の封止部材（３０）で被覆して封止された被封止部（１７）とされており、
前記半導体チップ（１０）の一端側は、前記封止部材（３０）より突出する部位である突出部（１８）とされており、
この突出部（１８）では、前記半導体チップ（１０）の一端側に位置する前記第１の主面（１１）、前記第２の主面（１２）、および、前記側面（１３〜１５）が前記封止部材（３０）より露出しており、
前記半導体チップ（１０）のうち前記被封止部（１７）と前記突出部（１８）との境界部には、前記半導体チップ（１０）と前記封止部材（３０）との間に介在し当該両者間をシールするシール部材（４０）が設けられている半導体装置において、
前記シール部材（４０）は、前記境界部にて、前記第１の主面（１１）から前記第１の主面（１１）を挟んで位置する２つの前記側面（１３、１４）に渡って、連続して設けられており、
前記２つの側面（１３、１４）は、前記第１の主面（１１）の端部から第２の主面（１２）側に向かって裾拡がりとなるように傾斜したテーパ状の面か、もしくは、階段状の段付き面とされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップ（１０）は、検出用のセンシング部（１０ａ）を備えるものであり、前記センシング部（１０ａ）は、前記半導体チップ（１０）の一端側の前記突出部（１８）のうち前記第１の主面（１１）に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップ（１０）は、検出用のセンシング部（１０ａ）を備えるものであり、前記センシング部（１０ａ）は、前記半導体チップ（１０）の一端側の前記突出部（１８）のうち前記第２の主面（１２）に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記封止部材（３０）の内部において、前記半導体チップ（１０）の前記被封止部（１７）における前記第２の主面（１２）側には、その一面が当該第２の主面（１２）に接続された基板（２０）が設けられており、この基板（２０）も前記封止部材（３０）により被覆され封止されており、
前記シール部材（４０）は、前記基板（２０）と対向する前記第２の主面（１２）には設けられず、前記第１の主面（１１）、前記２つの側面（１３、１４）に設けられているとともに、前記シール部材（４０）は、前記２つの側面（１３、１４）から前記第２の主面（１２）の両端の外側に位置する前記基板（２０）の一面まで連続して設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記シール部材（４０）は、前記第１の主面（１１）、前記２つの側面（１３、１４）に設けられているとともに、前記第２の主面（１２）にも設けられることにより、前記半導体チップ（１０）の前記境界部の全周に渡って連続して設けられたものとされていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
表裏の関係にある第１の主面（１１）および第２の主面（１２）を有し、これら両主面（１１、１２）の間に側面（１３〜１６）を有する半導体チップ（１０）を用意し、
前記半導体チップ（１０）のうち一端側とは反対の他端側から中間部までの部位を、電気絶縁性の封止部材（３０）で被覆して封止することで、当該部位を被封止部（１７）としつつ、
前記半導体チップ（１０）の一端側を、前記封止部材（３０）より突出する部位である突出部（１８）とし、この突出部（１８）では、前記半導体チップ（１０）の一端側に位置する前記第１の主面（１１）、前記第２の主面（１２）、および、前記側面（１３〜１５）を前記封止部材（３０）より露出させるようにした半導体装置の製造方法において、
前記封止部材（３０）による封止工程の前に、前記半導体チップ（１０）のうち前記被封止部（１７）と前記突出部（１８）との境界部に、前記半導体チップ（１０）と前記封止部材（３０）との間に介在し当該両者間をシールするシール部材（４０）を設けるシール部材設置工程を備え、
前記半導体チップ（１０）として、前記境界部にて、前記第１の主面（１１）から前記第１の主面（１１）を挟んで位置する２つの前記側面（１３、１４）が、前記第１の主面（１１）の端部から前記第２の主面（１２）側に向かって裾拡がりとなるように傾斜したテーパ状の面か、もしくは、階段状の段付き面とされたものを用い、
前記シール部材設置工程では、前記シール部材（４０）を、前記境界部にて、前記第１の主面（１１）から前記２つの前記側面（１３、１４）に渡って連続して設けるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの一部、たとえばセンシング部などを露出させつつ、当該半導体チップを封止部材で封止してなる半導体装置およびそのような半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の半導体装置としては、たとえば特許文献１、２に記載のものが提案されている。このものは、表裏の関係にある第１の主面および第２の主面を有し、これら両主面の間に側面を有する半導体チップと、半導体チップの一端側にて第１の主面に形成された検出用のセンシング部とを備えている。
【０００３】
そして、半導体チップのうち一端側とは反対の他端側から中間部までの部位は、電気絶縁性の封止部材で被覆して封止された被封止部とされており、半導体チップの一端側は、封止部材より突出する部位であって且つセンシング部を含む突出部とされている。
【０００４】
ここで、この突出部では、センシング部を含む第１の主面、第２の主面、および、側面が封止部材より露出しており、半導体チップのうち被封止部と突出部との境界部には、半導体チップと封止部材との間に介在し当該両者間をシールするシール部材が設けられている。
【０００５】
ここで、シール部材の必要性について述べる。封止部材の形成方法として一般的に用いられるトランスファーモールド法では、上下の金型で囲われた部分に、封止部材としての樹脂を圧入するため、半導体チップと金型とのそれぞれの寸法公差により生じる隙間から樹脂が漏れ出し、封止部材を狙いの形状に形成することが困難であった。
【０００６】
そのため、シール部材により、半導体チップにおける被封止部側から突出部側への樹脂の漏れ出しを防止するようにしているのである。具体的には、上記半導体チップを用意し、封止部材による封止工程の前に、半導体チップのうち被封止部と突出部との境界部に、シール部材を設ける。これにより、モールド時には金型と半導体チップとの間がシール部材でシールされ、上記樹脂の漏れだしが防止される。
【０００７】
このとき、シール部材の設置工程では、シール部材を塗布したり、フィルム状のものを用いることにより、上記境界部にて第１の主面から第１の主面を挟んで位置する２つの側面に渡って連続して設けるようする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−６７５２号公報
【特許文献２】特開平７−１７４５９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、シール部材をフィルムとして設置する方法では、当該フィルムの価格が高価であり、製造価格が非常に高価なものとなるため、たとえばＱＦＮ等の片面実装のような特定用途に限られる。
【００１０】
そこで、本発明者は、予め半導体チップ上に樹脂を塗布し、成型時の金型接触による変形によりシールする方法を採用することとし、この塗布方法の検討を行った。この塗布方法は、安価な樹脂を用いることができ、さらに塗布も一般的なディスペンス法で可能であることから、シール部材を安価に製造することができる。
【００１１】
しかし、この塗布方法では、次のような問題が生じる。図１５は、本発明者が試作した塗布方法によるシール部材４０の形成における問題点を示す図である。図１５に示されるように、半導体チップ１０のうち被封止部１７と突出部１８との境界部にて、センシング部１０ａが位置する第１の主面１１から第１の主面１１を挟んで位置する２つの側面１３、１４に渡って、シール部材４０を連続して設ける。ここでは、典型的なディスペンサＫ２による塗布を行っている。
【００１２】
この塗布方法では、半導体チップ１０の上面である第１の主面１１では、シール部材４０の量や形状を狙いのものに整えることができるが、第１の主面１１の両側の２つ側面１３、１４へ塗布する際、従来では、当該２つの側面１３、１４が第１の主面１１に対して垂直に切り立っているため、塗布時には、その角部にてシール部材４０の段切れが発生する（図１５（ａ）参照）。
【００１３】
また、仮に設備を工夫することで当該垂直な側面１３、１４にシール部材４０を段切れせずに塗布できたとしても、後工程に移動させる時間で、自重によりシール部材４０のダレが発生し、形状が安定しない（図１５（ｂ）参照）。
【００１４】
その結果、封止部材４０の金型成形時には、シール部材４０が少なくなった箇所から封止部材３０が漏れ出し、所定形状の封止部材３０が得られない（図１５（ｃ）参照）。図１５（ｃ）では、漏れ出した封止部材３０の長さを寸法Ｌ３にて示してある。さらには漏れ出した封止部材３０が、露出すべきセンシング部１０ａの近傍までかかり、特性変動が生じるなどの不具合が起こる可能性がある。
【００１５】
なお、このような塗布によりシール部材を配置することによる封止部材の漏れだしの問題は、センシング部を有し当該センシング部を露出させる半導体チップ以外にも、半導体チップのなんらかの一部を露出させつつ、当該半導体チップを封止部材で封止してなる半導体装置ならば、共通して発生すると推定される。
【００１６】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、半導体チップのうち封止部材に封止された被封止部と封止部材から突出する突出部との境界部において、第１の主面からその両側に位置する２つの側面に渡ってシール部材を塗布して配置するにあたって、これら第１の主面の端部と２つの側面との角部にてシール部材が切れるのを極力防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明においては、シール部材（４０）は、半導体チップ（１０）の境界部にて、第１の主面（１１）から第１の主面（１１）を挟んで位置する２つの側面（１３、１４）に渡って、連続して設けられており、２つの側面（１３、１４）は、第１の主面（１１）の端部から第２の主面（１２）側に向かって裾拡がりとなるように傾斜したテーパ状の面か、もしくは、階段状の段付き面とされていることを特徴とする。
【００１８】
それによれば、シール部材（４０）を、上記境界部にて、第１の主面（１１）からその両側の２つの側面（１３、１４）まで垂れ下がるように塗布して配置する場合に、当該２つの側面（１３、１４）が、第１の主面（１１）の端部から第２の主面（１２）側に向かって裾拡がりとなるように傾斜したテーパ状の面か、もしくは、同じく裾拡がりとなるように傾斜した階段状の段付き面とされているから、この側面の傾斜構成がシール部材（４０）の自重に対する抵抗となり、重力による重力方向へのシール部材（４０）の流れを抑制する。
【００１９】
そのため、本発明によれば、半導体チップ（１０）のうち被封止部（１７）と突出部（１８）との境界部において、第１の主面（１１）からその両側に位置する２つの側面（１３、１４）に渡ってシール部材（４０）を塗布して配置するにあたって、これら第１の主面（１１）の端部と２つの側面（１３、１４）との角部にてシール部材（４０）が切れるのを極力防止することができる。
【００２０】
また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置において、半導体チップ（１０）は、検出用のセンシング部（１０ａ）を備えるものであり、センシング部（１０ａ）は、半導体チップ（１０）の一端側の突出部（１８）のうち第１の主面（１１）に形成されていることを特徴とする。
【００２１】
このように、封止部材（３０）より突出させるセンシング部（１０ａ）を有する半導体チップ（１０）の場合、センシング部（１０ａ）を第１の主面（１１）に形成したものにできる。つまり第１の主面（１１）が検出面とされたものにできる。
【００２２】
また、請求項３に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置において、半導体チップ（１０）は、検出用のセンシング部（１０ａ）を備えるものであり、センシング部（１０ａ）は、半導体チップ（１０）の一端側の突出部（１８）のうち第２の主面（１２）に形成されていることを特徴とする。
【００２３】
このように、封止部材（４０）より突出させるセンシング部（１０ａ）を有する半導体チップ（１０）の場合、センシング部（１０ａ）を第２の主面（１２）に形成したものにできる。つまり第２の主面（１２）が検出面とされたものにできる。
【００２４】
また、請求項４に記載の発明では、請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置において、封止部材（３０）の内部において、半導体チップ（１０）の被封止部（１７）における第２の主面（１２）側には、その一面が当該第２の主面（１２）に接続された基板（２０）が設けられており、この基板（２０）も封止部材（３０）により被覆され封止されており、シール部材（４０）は、基板（２０）と対向する第２の主面（１２）には設けられず、第１の主面（１１）、２つの側面（１３、１４）に設けられているとともに、シール部材（４０）は、２つの側面（１３、１４）から第２の主面（１２）の両端の外側に位置する基板（２０）の一面まで連続して設けられていることを特徴とする。このように、半導体チップ（１０）に基板（２０）を接合したものとしてもよい。
【００２５】
また、請求項５に記載の発明では、請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置において、シール部材（４０）は、第１の主面（１１）、２つの側面（１３、１４）に設けられているとともに、第２の主面（１２）にも設けられることにより、半導体チップ（１０）の境界部の全周に渡って連続して設けられたものとされていることを特徴とする。このように、半導体チップ（１０）の境界部の全周にシール部材（４０）を設けたものとしてもよい。
【００２６】
また、請求項６に記載の発明は、表裏の関係にある第１の主面（１１）および第２の主面（１２）を有し、これら両主面（１１、１２）の間に側面（１３〜１６）を有する半導体チップ（１０）を用意し、半導体チップ（１０）のうち一端側とは反対の他端側から中間部までの部位を、電気絶縁性の封止部材（３０）で被覆して封止することで、当該部位を被封止部（１７）としつつ、半導体チップ（１０）の一端側を、封止部材（３０）より突出する部位である突出部（１８）とし、この突出部（１８）では、半導体チップ（１０）の一端側に位置する第１の主面（１１）、第２の主面（１２）、および、側面（１３〜１５）を封止部材（３０）より露出させるようにした半導体装置の製造方法において、次のような点を特徴とするものである。
【００２７】
・封止部材（３０）による封止工程の前に、半導体チップ（１０）のうち被封止部（１７）と突出部（１８）との境界部に、半導体チップ（１０）と封止部材（３０）との間に介在し当該両者間をシールするシール部材（４０）を設けるシール部材設置工程を備えること。
【００２８】
・半導体チップ（１０）として、境界部にて、第１の主面（１１）から第１の主面（１１）を挟んで位置する２つの側面（１３、１４）が、第１の主面（１１）の端部から第２の主面（１２）側に向かって裾拡がりとなるように傾斜したテーパ状の面か、もしくは、階段状の段付き面とされたものを用い、シール部材設置工程では、シール部材（４０）を、境界部にて、第１の主面（１１）から２つの前記側面（１３、１４）に渡って連続して設けるようにしたこと。本製造方法は、これらの点を特徴としている。
【００２９】
それによれば、シール部材（４０）を、上記境界部にて、第１の主面（１１）からその両側の２つの側面（１３、１４）まで垂れ下がるように塗布して配置する場合に、当該２つの側面（１３、１４）が、第１の主面（１１）の端部から第２の主面（１２）側に向かって裾拡がりとなるように傾斜したテーパ状の面か、もしくは、同じく裾拡がりとなるように傾斜した階段状の段付き面とされているから、この側面の傾斜構成がシール部材（４０）の自重に対する抵抗となり、重力による重力方向へのシール部材（４０）の流れを抑制する。
【００３０】
そのため、本発明によれば、半導体チップ（１０）のうち被封止部（１７）と突出部（１８）との境界部において、第１の主面（１１）からその両側に位置する２つの側面（１３、１４）に渡ってシール部材（４０）を塗布して配置するにあたって、これら第１の主面（１１）の端部と２つの側面（１３、１４）との角部にてシール部材（４０）が切れるのを極力防止することができる。
【００３１】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す図であり、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＡ矢視図である。
【図２】第１実施形態に係る半導体チップの分割方法を示す工程図である。
【図３】第１実施形態に係るシール部材設置工程を示す工程図である。
【図４】第１実施形態に係る封止部材による封止工程を示す工程図である。
【図５】樹脂漏れ防止の効果を示すグラフである。
【図６】本発明の第２実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図７】第２実施形態に係る半導体チップの分割方法を示す工程図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る半導体装置の概略斜視図である。
【図９】本発明の第４実施形態に係るシール部材設置工程および封止工程を示す工程図である。
【図１０】本発明の第５実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を示す工程図であり、（ａ）、（ｂ）は概略断面図、（ｃ）は斜視図である。
【図１１】本発明の第６実施形態に係るシール部材設置工程を示す工程図である。
【図１２】本発明の第７実施形態に係る半導体装置を示す概略斜視図である。
【図１３】本発明の第８実施形態に係る半導体装置を示す概略斜視図である。
【図１４】本発明の第９実施形態に係る半導体装置を示す概略斜視図である。
【図１５】本発明者が試作した塗布方法によるシール部材の形成における問題点を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００３４】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す図であり、（ａ）は全体の概略斜視図、（ｂ）は（ａ）中の矢印Ａ方向から見た図である。
【００３５】
本実施形態の半導体装置は、大きくは、半導体チップ１０と、半導体チップ１０に接続された基板としてのリードフレーム２０と、半導体チップ１０の一部およびリードフレーム２０を封止する電気絶縁性の封止部材としてのモールド樹脂３０とを備えて構成されている。
【００３６】
半導体チップ１０は、シリコン半導体よりなる板状のもので、表裏の関係にある第１の主面１１および第２の主面１２を有し、これら両主面１１、１２の間に側面１３〜１６を有する。ここでは、半導体チップ１０は矩形板状をなすもので、両主面１１、１２は矩形をなし、側面は主面１１、１２の各辺に対応して４個の側面１３〜１６が存在するものである。
【００３７】
なお、このような半導体チップ１０は、一般的な半導体プロセスにより形成されるが、シリコン半導体に限定されるものではなく、たとえばＳｉＣなどの半導体よりなるものであってもよい。
【００３８】
本実施形態の半導体チップ１０は、検出用のセンシング部１０ａを備えるセンサチップとされている。ここでは、センシング部１０ａは第１の主面１１に設けられているが、このセンシング部１０ａは、薄肉部としてのダイアフラムとされており（後述の図２参照）、圧力検出を行うものである。つまり、本実施形態では、第１の主面１１が検出面とされている。
【００３９】
また、ここでは、半導体チップ１０は、長方形状の板であるが、その長手方向の両辺の一方を一端、他方を他端としている。そして、この半導体チップ１０のうち一端側とは反対の他端側から中間部までの部位は、モールド樹脂３０で被覆して封止された被封止部１７とされている。
【００４０】
つまり、被封止部１７では、半導体チップ１０の他端側に位置する第１の主面１１、第２の主面１２、および、チップ１０の長手方向に延びる側面１３、１４、さらに他端側の端面としての側面１６がモールド樹脂３０により封止されている。なお、このモールド樹脂３０は、一般的なエポキシ樹脂などであり、金型を用いた一般的なトランスファーモールド法により成形されたものである。
【００４１】
そして、半導体チップ１０の一端側は、モールド樹脂３０より突出する部位である突出部１８とされている。そして、この突出部１８では、半導体チップ１０の一端側に位置する第１の主面１１、第２の主面１２、および、チップ１０の長手方向に延びる側面１３、１４、さらに一端側の端面としての側面１５がモールド樹脂３０より露出している。
【００４２】
そして、センシング部１０ａは、半導体チップ１０の一端側の突出部１８のうち第１の主面１１に形成されている。つまり、突出部１８では、センシング部１０ａを含む第１の主面１１が露出している。これにより、センシング部１０ａは、測定環境にさらされて測定可能な状態とされる。
【００４３】
ここで、封止部材であるモールド樹脂３０の内部では、図示しないが、必要に応じて、Ｃｕ合金や４２アロイを材料とし、エッチングやプレス成型されたリードフレーム２０に対し、Ａｇを含んだ導電性ペーストなどの接着剤にて、制御回路チップやコンデンサ等の電子部品が接続されている。
【００４４】
また、半導体チップ１０は、エポキシやシリコーン樹脂などよりなる絶縁性の図示しない接着樹脂を用いて、検出面である第１の主面１１を上にして第２の主面１２にてリードフレーム２０に接続されている。また、モールド樹脂３０の内部では、図示しないが、必要に応じて、ＡｕやＡｌ線などよりなるワイヤを用いて、半導体チップ１０、リードフレーム２０、上記電子部品の間が電気的に接続される。
【００４５】
そして、図１に示されるように、半導体チップ１０のうち被封止部１７と突出部１８との境界部には、半導体チップ１０とモールド樹脂３０との間に介在し当該両者間をシールするシール部材４０が設けられている。このシール部材４０は、たとえばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂よりなるもので、塗布して硬化されることにより形成される。
【００４６】
そして、シール部材４０は、上記境界部にて、当該境界部の表面すなわち第１の主面１１から第１の主面１１を挟んで位置する２つの側面１３、１４に渡って、連続して設けられている。ここでは、半導体チップ１０の一端側が突出部１８、他端側が被封止部１７であるから、当該２つの側面は、半導体チップ１０の一端側から他端側に沿って延びる側面１３、１４であることはもちろんであり、具体的には、チップ１０の長手方向に延びる側面１３、１４である。
【００４７】
さらに言うならば、シール部材４０は、半導体チップ１０の上記境界部にて、第１の主面１１から当該第１の主面１１と２つの側面１３、１４とのなす角部を超えて、当該２つの側面１３、１４に垂れ下がるように連続して設けられている。
【００４８】
そして、この２つの側面１３、１４は、第１の主面１１の端部から第２の主面１２側に向かって裾拡がりとなるように傾斜したテーパ状の面とされている。図１（ｂ）では、半導体チップ１０の一端に位置する側面は、第１の主面１１を上底、第２の主面１２を上底よりも長い下底とする台形をなしており、この台形の側辺が、当該２つの側面１３、１４となっている。
【００４９】
ここで、上述したが、モールド樹脂３０の内部において、半導体チップ１０の被封止部１７における第２の主面１２側には、その一面が当該第２の主面１２に接続された基板としてのリードフレーム２０が設けられており、このリードフレーム２０もモールド樹脂３０により被覆され封止されている。
【００５０】
そのため、シール部材４０は、基板２０と対向する第２の主面１２には設けられず、第１の主面１１、２つの側面１３、１４に設けられている。それとともに、シール部材４０は、２つの側面１３、１４から第２の主面１２の両端の外側に位置するリードフレーム２０の一面まで連続して設けられている。
【００５１】
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について述べる。図２は、半導体チップ１０の分割方法を示す工程図である。
【００５２】
図２（ａ）に示されるように、一般的な半導体プロセスにより半導体ウェハ１に対してダイアフラムをセンシング部１０ａとする構造体を複数個形成し、このウェハ１をダイシング加工用の固定テープ２に貼り付けて支持する。このテープ２は、たとえばポリイミドなどよりなる。
【００５３】
そして、図２（ｂ）に示されるように、ダイシングブレードＫ１により各構造体を分割して個片化し、半導体チップ１０とする。このカットにおいては、ブレードＫ１の先端のテーパ状にすぼまった刃先を利用し、この刃先でカットすることにより、刃先のテーパに対応したテーパ形状の切断面が形成されるが、このテーパ状の切断面を上記２つの側面１３、１４とする。
【００５４】
次に、このようにして形成された当該２つの側面１３、１４に傾斜がついた半導体チップ１０を用意し、絶縁性接着剤を用いてリードフレーム２０の一面に接続する。また、必要に応じて、リードフレーム２０には、その他の電子部品を搭載し、ワイヤなどにより、各部の電気的接続を行う。
【００５５】
次に、モールド樹脂３０による封止工程の前にシール部材設置工程を行う。図３は、このシール部材設置工程を示す工程図である。
【００５６】
このシール部材配置工程では、半導体チップ１０のうち被封止部１７と突出部１８との境界部に、シール部材４０を設ける。たとえば、シール部材４０としては、エポキシ系の熱硬化型樹脂を、ディスペンサＫ２を用いる一般的なディスペンス法にて塗布する。
【００５７】
このとき、半導体チップ１０においては、上記境界部にて２つの側面１３、１４が上記傾斜したテーパ状の面とされている。そして、シール部材４０を、上記境界部にて、第１の主面１１から２つの側面１３、１４に渡って連続して設けるようにする。
【００５８】
図３では、図中の右側から左側に向かってディスペンサＫ２を移動させつつシール部材４０を供給する。具体的には、図中の右側のリードフレーム２０の一面上から、右側の側面１４、第１の主面１１、左側の側面１３というように、順に塗布を行う。
【００５９】
このとき、傾斜したテーパ面である側面１３、１４と第１の主面１１とで面長さに対する塗布速度が同一になるように、すなわち、図３中の長さＬ１とＬ２とで塗布速度が同一となるように、塗布速度を調整してシール部材４０を形成する。これにより、各面にて均一な厚さのシール部材４０が形成される。以上がシール部材設置工程である。
【００６０】
こうして、シール部材４０を設置した後、トランスファーモールド法にて、エポキシなどの樹脂を用いてモールド樹脂３０を成型し、リードフレーム２０に接続された半導体チップ１０を封止する封止工程を行う。
【００６１】
図４は、この封止部材としてのモールド樹脂３０による封止工程を示す工程図である。図４（ａ）、（ｂ）に示されるように、モールド樹脂成形用の上型Ｋ３と下型Ｋ４とを合致させて、モールド樹脂３０に対応した形状のキャビティＫ５を形成するとともに、上下型Ｋ３、Ｋ４間にワークを挟む。ここで、キャビティＫ５内に半導体チップ１０の被封止部１７が位置し、半導体チップ１０の突出部１８はキャビティＫ５の外側に突出するようにすることはもちろんである。
【００６２】
具体的には、たとえば１７５℃に加熱された下型Ｋ４にワークをセットし、同温度の上型Ｋ３を下型Ｋ４に押し付け、シール部材４０を変形させると同時に硬化させる。これにより、半導体チップ１０の上記境界部にて、半導体チップ１０と上型Ｋ３との間がシール部材４０により隙間なくシールされる。そして、この状態で、キャビティＫ５にモールド樹脂３０を注入することで、モールド樹脂３０の成形を行い、封止工程が完了する。
【００６３】
こうして、封止工程では、半導体チップ１０のうち一端側とは反対の他端側から中間部までの部位を、モールド樹脂３０で被覆して封止することで、当該部位を被封止部１７としつつ、半導体チップ１０の一端側を突出部１８とする。
【００６４】
そして、この突出部１８では、半導体チップ１０の一端側に位置する第１の主面１１、第２の主面１２、および、側面１３〜１５をモールド樹脂３０より露出させる。以上が本実施形態の製造方法であり、これにより、本半導体装置ができあがる。
【００６５】
ところで、本実施形態によれば、シール部材４０を、半導体チップ１０の上記境界部にて、第１の主面１１からその両側の２つの側面１３、１４まで垂れ下がるように塗布して配置する場合に、当該２つの側面１３、１４が、第１の主面１１の端部から第２の主面１２側に向かって裾拡がりとなるように傾斜したテーパ状の面とされているから、この側面の傾斜構成がシール部材４０の自重に対する抵抗となり、重力による重力方向へのシール部材４０の流れを抑制する。
【００６６】
そのため、本実施形態によれば、半導体チップ１０のうち被封止部１７と突出部１８との境界部において、第１の主面１１からその両側に位置する２つの側面１３、１４に渡ってシール部材４０を塗布して配置するにあたって、これら第１の主面１１の端部と２つの側面１３、１４とのなす角部にてシール部材４０が切れるのを極力防止することができる。
【００６７】
そして、本実施形態によれば、当該２つの側面１３、１４のシール部材４０の塗布量が平均化されることになる。そのため、モールド樹脂３０の形状を狙いの形状に確保するために、金型Ｋ３、Ｋ４で半導体チップ１０を押さえたときに、チップ側面１３、１４のシール部材４０がほぼ均等に塗布されていることから、シール部材４０を潰した際に隙間が生じにくくなる。その結果、モールド樹脂３０をキャビティＫ５に充填した際に樹脂漏れが生じにくくなる。
【００６８】
この本実施形態の効果について、図５を参照してより具体的に述べる。図５は、本発明者による樹脂漏れ防止の効果について測定した結果を示すグラフである。
【００６９】
上記図１５（ｃ）の寸法Ｌ３に示されるように、狙いの形状のモールド樹脂３０における端部からのモールド樹脂３０の漏れ出し部の長さＬ３を、樹脂漏れ長さＬ３とする。また、本実施形態のものに対して、上記図１５に示されるように、第１の主面１１に対して側面１３、１４が垂直に切り立った面である従来のものを比較例とした。
【００７０】
そして、比較例のものでは、上記角部におけるシール部材４０の段切れが発生し、そこからチップ１０の側面１３、１４に沿って樹脂漏れが生じる。そして、その樹脂漏れ長さＬ３は、図５に示されるように、０．３〜１．８μｍ程度であった。このくらいの大きな樹脂漏れが発生すると、漏れた樹脂によってセンシング部１０ａに大きな応力が発生し問題となる。
【００７１】
しかし、本実施形態によれば、図５に示されるように樹脂漏れ長さＬ３は０であり、上記段切れが生じることはなく、樹脂漏れは発生しなかった。なお、本実施形態では、モールド樹脂３０のはみ出しは無いが、金型の押し付けによるシール部材４０の半導体チップ１０の突出部１８側へのはみ出しは、多少発生する。しかし、そのはみ出しの長さは、おおよそ２００μｍ以下であり、特に問題とはならない。
【００７２】
このように、本実施形態によれば、半導体チップ１０の側面１３、１４にシール部材４０を塗布する際、一般的に用いられているような、チップ１０の上方すなわち第１の主面１１の上方からシール部材４０を塗布する設備を使用して塗布しても、第１の主面１１とその両側の側面１３、１４との間の角部で段切れが生じず、全面に均一にシール部材４０を塗布することが可能となる。
【００７３】
（第２実施形態）
図６は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置を示す図である。なお、この図６は、上記図１（ｂ）に対応した方向から本半導体装置を視た図である。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、上記２つの側面１３、１４の形状が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
【００７４】
上記第１実施形態では、この２つの側面１３、１４は、第１の主面１１の端部から第２の主面１２側に向かって裾拡がりとなるように傾斜したテーパ状の面とされていたが、本実施形態では、図６に示されるように、本実施形態では、２つの側面１３、１４は、第１の主面１１の端部から第２の主面１２側に向かって裾拡がりとなるように傾斜した階段状の段付き面とされている。
【００７５】
この場合も、シール部材４０を、上記被封止部１７と突出部１８との境界部にて、第１の主面１１からその両側の２つの側面１３、１４まで垂れ下がるように塗布して配置する場合に、当該２つの側面１３、１４が、第１の主面１１の端部から第２の主面１２側に向かって裾拡がりとなるように傾斜した階段状の段付き面とされているから、この側面の傾斜構成がシール部材４０の自重に対する抵抗となり、重力による重力方向へのシール部材４０の流れを抑制する。
【００７６】
そのため、本実施形態によっても、半導体チップ１０のうち上記境界部において、第１の主面１１からその両側に位置する２つの側面１３、１４に渡ってシール部材４０を塗布して配置するにあたって、これら第１の主面１１の端部と２つの側面１３、１４との角部にてシール部材４０が切れるのを極力防止することができる。
【００７７】
また、本実施形態によれば、当該２つの側面１３、１４のシール部材４０の塗布量が平均化されることになるが、さらに当該２つの側面１３、１４が階段状の面であるから、段差でシール部材４０の自重を分散させ、側面１３、１４のシール部材４０の塗布量を分割することになり、塗布量の平均化が促進されることとなる。
【００７８】
次に、本実施形態のような当該２つの側面１３、１４を階段状の段付き面とするための半導体チップ１０の分割方法について、図７を参照して述べる。図７は、本実施形態の半導体チップ１０の分割方法を示す工程図である。なお、この分割方法以外は、上記第１実施形態と同様の製造方法により本実施形態の半導体装置が製造される。
【００７９】
本製造方法では、１個のダイシングブレードで、１回のカットを行って分割するのではなく、半導体ウェハ１のダイシングラインの同一箇所を、ダイシングブレードＫ１ａ〜Ｋ１ｃの刃幅を段階的に大きくし且つ溝を入れる深さを段階的に深くしながら、複数回に分けてカットを行う。それにより、前後の回におけるブレードＫ１ａ〜Ｋ１ｃの刃幅差と溝の深さの差により、切断面に段が形成されるようにしたものである。
【００８０】
一具体例を述べると、まず刃幅０．５ｍｍのダイシングブレードＫ１ａを用いて半導体ウェハ１の上面から大凡５０μｍ深さの溝を形成し（図７（ａ）参照）、次に刃幅０．４５ｍｍのダイシングブレードＫ１ｂを用いて半導体ウェハ１の上面から大凡１００μｍの深さの溝を形成する（図７（ｂ）参照）。
【００８１】
さらに刃幅０．０５ｍｍ刻みでダイシングブレードの刃幅を小さくし、且つ溝を入れる深さも大凡５０μｍ刻みで深くしていく。そして、最後に刃幅０．０１ｍｍのダイシングブレードＫ１ｃを用いて半導体ウェハ１を半導体チップ１０に分割する（図７（ｃ）、（ｄ）参照）。
【００８２】
なお、上記図７の（ａ）→（ｂ）→（ｃ）のカット動作を逆に、（ｃ）→（ｂ）→（ａ）の順に行ってもよい。つまり、最も細い刃幅のブレードＫ１ｃでウェハ１の厚さ方向の全体をカットした後、その同じカット部分を、より厚い刃幅のブレードで、より浅い深さまでカットし、次に、さらにより厚い刃幅のブレードで、さらにより浅い深さまでカットする・・・、というカットの動作を複数回行うのである。これによっても、最終的には、図７（ｄ）に示される階段形状の側面１３、１４が形成される。
【００８３】
（第３実施形態）
図８は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の全体の概略斜視図である。上記第１実施形態の半導体装置では、半導体チップ１０の突出部１８の第１の主面１１にセンシング部１０ａを設け、この第１の主面１１を検出面としたが、本半導体装置は、逆に、突出部１８の第２の主面１２にセンシング部１０ａを設け、この第２の主面１２を検出面としたものである。
【００８４】
なお、この場合、センシング部１０ａは、リードフレーム２０よりも突出しており、外部環境にさらされる状態にあることはもちろんである。さらに言えば、たとえば上記図１では、断面台形の半導体チップ１０の上底に検出面があったが、本実施形態では、同じ断面台形の上底ではなく下底に検出面があるものとしている。
【００８５】
このように、本実施形態では、半導体チップ１０における検出用のセンシング部１０ａは、半導体チップ１０の一端側の突出部１８のうち第２の主面１）に形成されている。この場合も、上記２つの側面１３、１４を上記テーパ面とすることによる効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００８６】
（第４実施形態）
図９は、本発明の第４実施形態に係るシール部材設置工程および封止工程を示す工程図である。本実施形態のように、半導体チップ１０側ではなく、ディスペンス法によって、金型側ここでは上型Ｋ３側にシール部材４０を塗布してもよい。この場合も上記同様の効果が得られる。
【００８７】
（第５実施形態）
図１０は、本発明の第５実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を示す工程図であり、（ａ）、（ｂ）は概略断面図、（ｃ）は斜視図である。
【００８８】
本実施形態の半導体装置は、最終的には図１０（ｃ）に示される構成を有するものであり、上記第１実施形態の構成に対して、リードフレームを廃止し、半導体チップ１０の第２の主面１２にもシール部材４０を設けた物である。
【００８９】
すなわち、本半導体装置では、シール部材４０は、第１の主面１１、２つの側面１３、１４に設けられているとともに、第２の主面１２にも設けられることにより、半導体チップ１０の上記境界部の全周に渡って連続して設けられたものとされている。
【００９０】
このような本半導体装置は、図１０（ａ）、（ｂ）に示されるように、半導体チップ１０の第２の主面１２に接してこれを支持する下型Ｋ４にも、例えば印刷などによる塗布によってシール部材４０を設ける方法により、形成される。なお、図１０（ａ）では第１の主面１１側については、上型Ｋ３にシール部材４０を塗布しているが、上記第１実施形態と同様、半導体チップ１０側にシール部材４０を塗布してもよい。
【００９１】
（第６実施形態）
図１１は、本発明の第６実施形態に係るシール部材設置工程を示す工程図である。上記第１実施形態では、上記図３に示したように、半導体チップ１０の境界部における上記２つの側面１３、１４の全面を、傾斜したテーパ面としていたが、シール部材４０を形成する部分のみに傾斜をつけるようにしてもよい。
【００９２】
本実施形態では、半導体チップ１０として、図１１に示されるように、上記２つの側面１３、１４のうち境界部のシール部材４０を設ける部位のみを上記テーパ面とし、それ以外の部分は、従来と同様、第１の主面１１に対して垂直に切り立った面としたものを用いている。このように部分的に傾斜を形成することは切削などにより実現される。
【００９３】
そして、本実施形態の方法であれば、２つの側面１３、１４の全体をテーパ面とする場合に比べて、第１の主面１１側の幅を広く維持できるから、第１の主面１１側にセンシング部１０ａを設ける場合、そのセンシング部１０ａを大きく採ることが可能となる。なお、本実施形態は、上記部分的な傾斜形成を行えばよいものであるから、上記各実施形態と組み合わせて適用が可能である。
【００９４】
（第７実施形態）
図１２は、本発明の第７実施形態に係る半導体装置を示す概略斜視図である。本半導体装置は、上記図１の構成に加えて、モールド樹脂３０の一部として、モールド樹脂３０の成型時に同時に形成された囲い部３１を有している。
【００９５】
この囲い部３１は、半導体チップ１０の突出部１８の第２の主面１２、各側面１３、１４、１５を囲うもので、当該突出部１８の防風や、急激な圧力変動が突出部１８に伝わるのを防止する等の役割を果たすものである。
【００９６】
（第８実施形態）
図１３は、本発明の第８実施形態に係る半導体装置を示す概略斜視図である。上記各実施形態の半導体チップ１０は、長方形板状をなし、その長手方向と直交する断面が台形をなしていたが、本実施形態では、半導体チップ１０が、その長手方向と直交する断面が六角形をなす。
【００９７】
ここで、上記２つの側面１３、１４のうち第１の主面１１側の部位は、上記各実施形態と同様に傾斜したテーパ面であるが、第２の主面１２側の部位は、第１の主面１１側の部位に対して逆テーパ面とされている。この逆テーパ面に対しては、たとえばモールド樹脂３０の成形時に下型にシール部材４０を塗布してやれば、シール部材４０を形成することができる。
【００９８】
（第９実施形態）
図１４は、本発明の第９実施形態に係る半導体装置を示す概略斜視図である。このように、単一のモールド樹脂３０により複数個の半導体チップ１０を封止してなる構成であってもかまわない。図１４では半導体チップ１０は２個であるが、もちろん３個以上でもよい。
【００９９】
（他の実施形態）
なお、封止部材は電気絶縁性であれば適宜変更してもよく、上記モールド樹脂３０以外にも、たとえばセラミックなどであってもよい。
【０１００】
また、半導体チップのセンシング部としては、上述した圧力検出用のダイアフラムに限定するものではなく、たとえば、エアフローセンサのメンブレン、加速度センサや角速度センサなどの梁構造体などであってもよい。さらには、センシング部を有する有しないにかかわらず、半導体チップの他端側から中間部までが封止部材で被覆封止され、一端側が突出するような半導体チップであればよい。
【０１０１】
また、半導体チップは、複数枚の半導体チップが貼り合わされてなる貼り合わせチップであってもよい。たとえば、上記図１０において、半導体チップ１０の第２の主面１２にさらに別の半導体チップを貼り合わせ、これによりダイアフラムの凹部を封止し、当該封止された凹部を圧力基準室とするようにしてもよい。また、基板としてはリードフレーム１０以外にも、プリント基板やセラミック基板などでもよい。
【０１０２】
また、半導体チップの２つの側面１３、１４を上記の傾斜したテーパ面として形成する方法としては、上記ダイシングカット以外にも、たとえば水酸化カリウム等を含んだアルカリ性溶液によるテーパエッチング法や、フォトリソグラフィによるレジストを保護膜としたドライエッチングなどを採用してもよい。
【０１０３】
また、シール部材４０の塗布方法としては、上記したディスペンス法以外にも、例えばインクジェット法やポッティング、転写等、半導体チップ１０の境界部に樹脂を形成することが可能な手法であれば、特に手段は問わない。
【０１０４】
また、上記各実施形態では、シール部材４０として熱硬化性樹脂を用いてシール性を得ているが、熱可塑性樹脂を用いてもよい。この熱可塑性樹脂の場合、モールド成型時の金型温度にて、モールド成型圧力に耐えうる粘度を保つことができれば、使用可能である。
【０１０５】
また、シール部材４０としては、樹脂材料以外にも、例えばはんだのような金属材料を含んだ材料でもよい。たとえば、はんだの場合、一旦、はんだの溶融温度以上に金型を昇温させ、その後はんだを固化して金型のシールを行った後、モールド樹脂の成型温度まで金型を降温して、モールド樹脂のキャビティへの注入を行えばよい。
【０１０６】
つまり、塗布されたシール部材の自重による垂れという問題を上記各実施形態では解決するものであるから、シール部材４０としては、樹脂、はんだに限らず、ペースト状のものを塗布して配置し、これを固化することで形成する材料であれば、適宜採用が可能である。
【符号の説明】
【０１０７】
１０        半導体チップ
１０ａ      センシング部
１１        第１の主面
１２        第２の主面
１３、１４  半導体チップの境界部にて第１の主面を挟んで位置する２つの側面
１７        半導体チップの被封止部
１８        半導体チップの突出部
２０        基板としてのリードフレーム
３０        封止部材としてのモールド樹脂
４０        シール部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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