(57)【要約】【課題】  プリカット加工が施されており、剥離基材からの接着層、粘着層及び基材フィルムの剥離不良を十分に抑制することが可能な接着シートを提供する。【解決手段】  剥離基材、接着層、粘着層及び基材フィルムが順次積層された構成を有する接着シートであって、前記接着層は、所定の第１の平面形状を有し、且つ、前記剥離基材上に部分的に形成されており、前記剥離基材には、前記第１の平面形状の周縁に沿って、前記接着層に接する側の面から第１の切り込み部が形成されており、前記第１の切り込み部の剥離基材の破断強度は、２５Ｎ以上であり、且つ１００Ｎ以下であることを特徴とする接着シート。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
剥離基材、接着層、粘着層及び基材フィルムが順次積層された構成を有する接着シートであって、
前記接着層は、前記剥離基材上に部分的に形成され、所定の第１の平面形状を有し、前記剥離基材には、前記第１の平面形状の周縁に沿って、前記接着層に接する側の面から第１の切り込み部が形成されており、前記剥離基材の第１の切り込み部の破断強度が、２５Ｎ以上であり、且つ１００Ｎ以下であることを特徴とする接着シート。
【請求項２】
剥離基材、接着層、粘着層及び基材フィルムが順次積層された構成を有する接着シートであって、
前記粘着層及び前記基材フィルムは、所定の第２の平面形状を有し、且つ、前記剥離基材に対して部分的に形成されており、前記剥離基材には、前記第２の平面形状の周縁に沿って、前記粘着層に接する側の面から第２の切り込み部が形成されており、前記剥離基材の第２の切り込み部の破断強度が、２５Ｎ以上であり、且つ１００Ｎ以下であることを特徴とする接着シート。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の接着シートの製造方法であって、前記剥離基材上に接着層を積層する第１の積層工程、前記接着層の前記剥離基材に接する側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで該剥離基材平面に対して切り込みをいれ、前記切り込まれた外周部分の接着層を除去し、所定の平面形状の接着層を形成する第１の切断工程、前記所定の平面形状の接着層及び前記剥離基材を覆うように、前記粘着層及び基材フィルムを積層する第２の積層工程、及び前記粘着層及び基材フィルムの前記剥離基材側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで該剥離基材平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切り込まれた外周部分の粘着層及び基材フィルムを除去し、前記所定の平面形状の接着層と、該接着層を覆い且つ該接着層の周囲で前記剥離基材に接する粘着層及び基材フィルムとからなる、所定の形状の積層体とを形成する第２の切断工程を含むことを特徴とする接着シートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造に使用する接着シート及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル関連機器の多機能化及び軽量小型化の要求が急速に高まりつつある。これに伴い、半導体素子の高密度実装に対するニーズは年々強まり、特に半導体素子を積層するスタックドマルチチップパッケージ（以下「スタックドＭＣＰ」という）の開発がその中心を担っている。
【０００３】
スタックドＭＣＰの技術開発は、パッケージの小型化と多段積載という相反する目標の両立にある。そのため、特に半導体素子に使用されるシリコンウェハの厚さは薄膜化が急速に進み、ウェハ厚さ１００μｍ以下のものが積極的に使用、検討されている。また多段積載は、パッケージ作製工程の複雑化を引き起こすため、パッケージ作製工程の簡素化及び、多段積載によるワイヤーボンディングの熱履歴回数の増加に対応した作製プロセス、材料の提案が求められている。
【０００４】
このような状況の中、スタックドＭＣＰの接着部材としては従来からペースト材料が用いられてきた。しかし、ペースト材料では、半導体素子の接着プロセスにおいて樹脂のはみ出しが生じたり、膜厚精度が低いといった問題がある。これらの問題は、ワイヤーボンディング時の不具合発生やペースト剤のボイド発生などの原因となるため、ペースト材料を用いた場合では、上述の要求に対処しきれなくなってきている。
【０００５】
こうした問題を改善するために、近年、ペースト材料に代えてフィルム状の接着剤が使用される傾向にある。フィルム状の接着剤はペースト材料と比較して、半導体素子の接着プロセスにおけるはみ出し量を少なく制御することが可能であり、且つ、フィルムの膜厚精度を高めて、膜厚のばらつきを小さくすることが可能であることから、特にスタックドＭＣＰへの適用が積極的に検討されている。
【０００６】
このフィルム状接着剤は、通常、接着層が剥離基材上に形成された構成を有しており、その代表的な使用方法の一つにウェハ裏面貼付け方式がある。ウェハ裏面貼り付け方式とは、半導体素子の作製に用いられるシリコンウェハの裏面にフィルム状接着剤を直接貼付ける方法である。この方法では、半導体ウェハに対するフィルム状接着剤の貼付けを行った後、剥離基材を除去し、接着層上にダイシングテープを貼り付け、その後、ウェハリングに装着させて所望の半導体素子寸法にウェハを接着層ごと切削加工する。ダイシング後の半導体素子は裏面に同じ寸法に切り出された接着層を有する構造となっており、この接着層付きの半導体素子をピックアップして搭載されるべき基板に熱圧着等の方法で貼り付ける。
【０００７】
この裏面貼付け方式に用いられるダイシングテープは、通常、粘着層が基材フィルム上に形成された構成を有しており、感圧型ダイシングテープとＵＶ型ダイシングテープとの２種類に大別される。ダイシングテープに要求される機能としては、ダイシング時には、ウェハ切断に伴う負荷によって半導体素子が飛散しない十分な粘着力が求められ、ダイシングした各半導体素子をピックアップする際には、各素子への粘着剤残りが無く、接着層付きの半導体素子がダイボンダー設備で容易にピックアップできることが求められる。
【０００８】
また、パッケージ作製工程の短縮化の要望から、更にプロセス改善の要求が高まっている。従来のウェハ裏面貼付け方式ではウェハへフィルム状接着剤を貼付けた後、ダイシングテープを貼付けるという２つの工程が必要であったことから、このプロセスを簡略化するために、フィルム状接着剤とダイシングテープとの両方の機能を併せ持つ接着シート（ダイボンドダイシングシート）が開発されている。この接着シートとしては、フィルム状接着剤とダイシングテープとを貼り合わせた構造を持つ積層タイプ（例えば、特許文献１〜３参照）や、一つの樹脂層で粘着層と接着層との両方の機能を兼ね備えた単層タイプ（例えば、特許文献４参照）がある。
【０００９】
また、このような接着シートを、半導体素子を構成するウェハの形状にあらかじめ加工しておく方法（いわゆるプリカット加工）が知られている（例えば特許文献５、６）。
かかるプリカット加工は、使用されるウェハの形状に合わせて樹脂層を打ち抜き、ウェハを貼り付ける部分以外の樹脂層を剥離しておく方法である。
【００１０】
かかるプリカット加工を施す場合、積層タイプの接着シートは一般的に、フィルム状接着剤において接着層をウェハ形状に合わせてプリカット加工し、それとダイシングテープとを貼り合わせた後、このダイシングテープに対してウェハリング形状に合わせたプリカット加工を施すか、又は、あらかじめウェハリング形状にプリカット加工したダイシングテープを、プリカット加工したフィルム状接着剤と貼り合わせることによって作製される。
【００１１】
また、単層タイプの接着シートは一般的に、剥離基材上に接着層と粘着層の両方の機能を有する樹脂層（以下、「粘接着層」という）を形成し、この粘接着層に対してプリカット加工を行い、樹脂層の不要部分を除去した後に基材フィルムと貼り合わせる等の方法により作製される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特許第３３４８９２３号公報
【特許文献２】特開平１０−３３５２７１号公報
【特許文献３】特許第２６７８６５５号公報
【特許文献４】特公平０７−０１５０８７号公報
【特許文献５】実公平０６−０１８３８３号公報
【特許文献６】登録実用新案第３０２１６４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
接着フィルムのプリカット加工は、ロール状に形成された積層タイプの接着シートに対してプリカット加工を行う一連の工程である。まず、剥離基材及び接着層からなるロールになったフィルム状接着剤を、所望形状に応じたプリカット刃を剥離基材と反対の面から接着層を切断し剥離基材に達するまで進入させてカット作業を連続的に行い、接着層の不要部分を剥離する。
その後、基材フィルム及び粘着層からなるダイシングテープの粘着層面と、カット作業を行った前記フィルム状接着剤の接着面を貼り合わせて接着シートを作製する。
次に、接着層の周囲で基材フィルムの粘着層に接する側と反対側の面から剥離基材に達するまで切り込みを入れ、基材フィルム及び粘着層を第２の平面形状に切断するとともに、剥離基材に第２の切り込み部を形成する。その後、ダイシングテープの不要部分を剥離することで、プリカット加工を完了する。
しかし、上記のいずれのプリカット加工時においても、プリカット刃が剥離基材に到達していないとカット加工が不十分となり、不要部分の剥離作業時に必要部分も剥離されるといった不具合を生じる。このようなカット不良を回避するために、プリカット刃の進入量は、接着層と剥離基材との界面よりも深く設定されていた。
【００１４】
ところが、このようにプリカット刃の進入量を深く設定してプリカット加工を行った接着シートでは、このフィルムを巻き取る際に剥離基材が破断し、巻き取り不良を生じることや、ウェハにラミネートしようとした場合、剥離基材から接着層を剥離する際に、剥離基材が破断して、剥離不良が生じやすくなることがあった。
【００１５】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、プリカット加工が施されており、剥離基材からの接着層、粘着層及び基材フィルムの剥離不良を十分に抑制することが可能な接着シート及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明は、第１の切り込み部及び第２の切り込み部の破断強度が２５Ｎ以上で、且つ、１００Ｎ以下であることを特徴とする接着シート及びその製造方法を提供する。
すなわち本発明は、[１]  剥離基材、接着層、粘着層及び基材フィルムが順次積層された構成を有する接着シートであって、前記接着層は、前記剥離基材上に部分的に形成され、所定の第１の平面形状を有し、前記剥離基材には、前記第１の平面形状の周縁に沿って、前記接着層に接する側の面から第１の切り込み部が形成されており、前記剥離基材の第１の切り込み部の破断強度が、２５Ｎ以上であり、且つ１００Ｎ以下であることを特徴とする接着シートに関する。
また、本発明は、[２]  剥離基材、接着層、粘着層及び基材フィルムが順次積層された構成を有する接着シートであって、前記粘着層及び前記基材フィルムは、所定の第２の平面形状を有し、且つ、前記剥離基材に対して部分的に形成されており、前記剥離基材には、前記第２の平面形状の周縁に沿って、前記粘着層に接する側の面から第２の切り込み部が形成されており、前記剥離基材の第２の切り込み部の破断強度が、２５Ｎ以上であり、且つ１００Ｎ以下であることを特徴とする接着シートに関する。
さらに、本発明は、［３］  上記［１］または［２］に記載の接着シートの製造方法であって、前記剥離基材上に接着層を積層する第１の積層工程、前記接着層の前記剥離基材に接する側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで該剥離基材平面に対して切り込みをいれ、前記切り込まれた外周部分の接着層を除去し、所定の平面形状の接着層を形成する第１の切断工程、前記所定の平面形状の接着層及び前記剥離基材を覆うように、前記粘着層及び基材フィルムを積層する第２の積層工程、及び前記粘着層及び基材フィルムの前記剥離基材側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで該剥離基材平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切り込まれた外周部分の粘着層及び基材フィルムを除去し、前記所定の平面形状の接着層と、該接着層を覆い且つ該接着層の周囲で前記剥離基材に接する粘着層及び基材フィルムとからなる、所定の形状の積層体とを形成する第２の切断工程を含むことを特徴とする接着シートの製造方法に関する。
【００１７】
本発明の接着シートは、剥離基材と剥離基材上に配置され、所定の平面形状を有した接着層及び接着層を覆い且つ接着層の周囲で剥離基材に接するように形成された粘着層からなり、所定の形状を有する積層体は、剥離基材上に積層体が複数個長さ方向に分散配置されていることが好ましい。
本発明の接着シートを用いて、半導体装置を以下のように製造する。前記積層体を前記剥離基材から剥離し、前記積層体を、前記接着層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程、前記積層体付き半導体ウェハを、少なくとも前記接着層と前記粘着層との界面まで切削部材で切削し、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程、前記積層体に高エネルギー線を照射して前記接着層の前記粘着剤層に対する粘着力を低下させた後、前記粘着層から前記半導体素子を前記接着層と共にピックアップし、接着層付き半導体素子を得るピックアップ工程、及び前記接着層付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着層を介して被着体に接着する接着工程を含む半導体装置の製造方法である。前記被着体は、半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子である。そして、前記の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、プリカット加工が施されており、剥離基材からの接着層、粘着層及び基材フィルムの剥離不良を十分に抑制することが可能な接着シート及びその製造方法を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の破断強度の測定方法を説明する模式図で、（ａ）は接着シートの測定箇所を説明する上面図、（ｂ）は、プッシュプルゲージを用いた破断強度の測定方法を説明する断面図、（ｃ）は、本発明の接着シートの断面図、（ｄ）は、本発明の接着シートの卷重体を用いて被着体のシリコンウエハに積層体を貼り付ける工程を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明における破断強度は、剥離基材に形成された切り込み部を含む部分を図１（ａ）のようにそれぞれ４点採取し、プッシュプルゲージにて、図１（ｂ）のように剥離基材の接着層及び、粘着層と基材フィルムが積層されている接着シートの剥離基材面を測定部に押し当てて、剥離基材を押し込んだときの破断強度を任意に１２点測定し、これを平均した値を意味する。
【００２１】
また、上記接着シートは、各測定点の平均値が２５Ｎ以上としているが、一部分のみだけ極端に破断強度が低いと、そこから破断する恐れがあるため、各測定値の最低値が１０Ｎ以上であることが好ましい。
【００２２】
切り込み部の破断強度を２５〜１００Ｎの範囲とするための破断強度の調整方法は、プリカット刃のクリアランスを狭めるとより深く切り込まれるため、破断強度を低くすることができ、逆にプリカット刃のクリアランスを広げると、浅く切り込まれるため、破断強度を高くすることができることから、プリカット刃のクリアランスの調整により行うことができる。また、剥離基材に用いる基材の材質を切り込み部の破断強度が２５〜１００Ｎの範囲となるように選択することでもよい。
これにより、剥離基材の破断強度が十分に確保され、不要部分の剥離が問題なく行われ、フィルムの巻き取りや、ウエハラミネート時の搬送不具合を十分に抑制することができる。
【００２３】
以下に本発明の接着シートとその製造方法を説明する。
＜接着シート＞
本発明の接着シートは、剥離基材と、該剥離基材上に配置され、所定の平面形状を有した接着層及び該接着層を覆い且つ該接着層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着層と基材フィルムからなる所定の形状を有する積層体と、前記剥離基材上に前記積層体が複数個長さ方向に分散配置されたものである。この接着シートは、前記剥離基材上にプリカット加工で積層体が同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に形成されたものである。本発明の接着シートは、積層体の周囲に、図１(ａ)に示すように積層体と同様に構成された接着層、粘着層、基材フィルムの積層体を設けると、接着シートを紙管やプラスチック製円筒に巻き卷重体とした時に、巻きしわ、巻き跡等が発生せずに好ましい。
【００２４】
本発明の接着シートの接着層は、剥離基材を剥離した後に上記積層体を貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する所定の第１の平面形状を有しており、上記被着体としては、例えば半導体ウェハが挙げられるが、この半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状を接着層が有していることにより、半導体ウェハをダイシングする工程が容易となる。なお、接着層の平面形状は、半導体ウェハの平面形状に完全に一致している必要はなく、例えば、半導体ウェハの平面形状を完全に覆うことができる形状であればよく、半導体ウェハの平面形状に合致していてもよい。
【００２５】
更に、上記接着シートにおいて、上記粘着層は、上記剥離基材を剥離した後に上記接着層を貼り付けるべき被着体及び上記接着層に対して室温（２５℃）で粘着性を有することが好ましい。これにより、半導体ウェハをダイシングする際に半導体ウェハが十分に固定され、ダイシングが容易となる。また、半導体ウェハをダイシングする際にウェハリングを用い、このウェハリングに粘着層が密着するように接着シートの貼り付けを行った場合、ウェハリングへの粘着力が十分に得られてダイシングが容易となる。
上記粘着層は、高エネルギー線の照射により上記接着層に対する粘着力が低下することが好ましい。これにより、接着層を粘着層から剥離する際において、紫外線、電子線、放射線等の高エネルギー線を照射することにより、剥離が容易に可能となる。
【００２６】
上記接着シートは、上記粘着層の周縁部の少なくとも一部と上記剥離基材との間に配置される接着層を更に備えており、接着層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着層を備えていることにより、半導体ウェハのダイシング時に使用するウェハリングに対してこの粘着層を貼り付け、接着層がウェハリングに直接貼り付けられないようにすることができる。接着層がウェハリングに直接貼り付けられる場合には、接着層の粘着力は、ウェハリングから容易に剥離できる程度の低い粘着力に調整する必要が生じるが、粘着層をウェハリングに貼り付けることにより、このような粘着力の調整が不要となる。したがって、接着層には十分に高い粘着力を持たせるとともに、粘着層にはウェハリングを容易に剥離できる程度の十分に低い粘着力を持たせることにより、半導体ウェハのダイシング作業及びその後のウェハリングの剥離作業をより効率的に行うことが可能となる。更に、粘着層の粘着力を十分に低く調整することができるため、剥離基材と粘着層との間に剥離起点を作り出しやすくなり、剥離基材からの接着層及び粘着層の剥離が容易となって剥離不良の発生をより十分に抑制することが可能となる。ここで、上記粘着層は、上記剥離基材を剥離した後に上記粘着層を貼り付けるべき被着体及び上記接着層に対して室温（２５℃）で粘着性を有することが好ましい。
【００２７】
本発明の接着シートは、剥離基材と、該剥離基材上に配置され、所定の平面形状を有した接着層と、該接着層の周囲で前記剥離基材に接するよう形成された粘着層と基材フィルムとが順次積層された構成を有している。本発明において、接着層と、粘着層と基材フィルムを積層体という。前記接着層及び粘着層からなる積層体は、所定の形状に切断されており、剥離基材上に部分的に積層され、上記積層体は、複数個、剥離基材の長さ方向に分散配置されている。更に、剥離基材には、積層体の形状の周縁に沿って、接着層側の面と基材フィルム（粘着層）側の面から剥離基材の厚み方向にそれぞれ切り込みがウェハリング形状に合致した形にプリカットされている。
【００２８】
ここで、積層体の上記所定の形状とは、剥離基材上に積層体が部分的に積層された状態となり、前記接着層の所定の平面形状が半導体ウェハ等の被着体の平面形状よりも大きい平面形状であれば、特に制限されないが、例えば、円形、略円形、四角形、五角形、六角形、八角形、ウェハ形状（円の外周の一部が直線である形状）等の、半導体ウェハへの貼付が容易な形状であることが好ましい。これらの中でも、半導体ウェハ搭載部以外の無駄な部分を少なくするために、円形やウェハ形状が好ましい。
【００２９】
半導体ウェハのダイシングを行う際には、通常、ダイシング装置での取り扱いのためにウェハリングが用いられる。この場合、接着シートから剥離基材を剥離し、粘着層にウェハリングを貼り付け、その内側に半導体ウェハを貼り付ける。ここで、ウェハリングは、円環状や四角環状等の枠となっており、接着シートにおける積層体の粘着層は、更にこのウェハリングに合致する第２の平面形状を有していることが好ましい。
【００３０】
粘着層は、室温（２５℃）で半導体ウェハやウェハリング等の被着体を十分に固定することが可能であり、且つ、ウェハリング等に対してはダイシング後に剥離可能な程度の粘着性を有していることが好ましい。該粘着層の高エネルギー線照射前の粘着力は３．０〜１５０Ｎ／ｍであることが好ましく、３０〜１００Ｎ／ｍであることがより好ましい。１５０Ｎ／ｍを超えるとウェハリングから剥がし難く、作業性が低下する。３．０Ｎ／ｍ未満であるとウェハリングに対する保持力が不足し、半導体装置の製造工程において支障をきたす恐れがある。
【００３１】
以下、接着シートを構成する各層について詳細に説明する。
本発明における剥離基材は、接着シートの使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものである。かかる剥離基材としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等を使用することができる。また、紙、不織布、金属箔等も使用することができる。
また、剥離基材の接着層側の面の一部若しくは全部が、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤で表面処理されていることが好ましい。剥離基材の厚さは、使用時の作業性を損なわない範囲で適宜選択することができるが、１０〜５００μｍであることが好ましく、２０〜１００μｍであることがより好ましく、２５〜５０μｍであることが特に好ましい。
【００３２】
接着層に用いられる接着剤は、耐熱性を考慮すると、熱によって硬化して接着作用を及ぼす熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。本発明の接着シートの接着層には、（１）熱重合性成分と、（２）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を含むと好ましい。
（１）熱重合性成分としては、熱により重合するものであれば特に制限は無く、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。熱重合性成分として（１）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含む好ましい。
【００３３】
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられ、特に、耐熱性、作業性、信頼性に優れる半導体用の接着フィルムが得られる点でエポキシ樹脂を使用することが好ましい。
エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に制限されない。かかるエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを使用することができる。
これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。エポキシ樹脂を使用する際は、エポキシ樹脂硬化剤を使用することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ジシアンジアミド、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。なお、本発明においてエポキシ樹脂硬化剤とは、エポキシ基に触媒的に作用し架橋を促進するような、いわゆる硬化促進剤と呼ばれるものも含む。
【００３４】
また、上記（２）の高分子量成分のうち好ましいものの一つとして、官能性モノマーを含む重合体が挙げられる。官能性モノマーとは、官能基を有するモノマーのことをいい、かかる重合体における官能基としては、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、中でもグリジシル基が好ましい。より具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有するグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等が好ましく、さらにこれらは、接着層の構成原料として用いられる、硬化前のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であることが好ましい。
【００３５】
上記官能性モノマーを含む重合体であって、重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分としては、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等が挙げられ、その中でも硬化前のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であるものが好ましい。
【００３６】
上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、グリシジル基含有（メタ）アクリルエステル共重合体、グリシジル基含有アクリルゴム等を使用することができ、グリシジル基含有アクリルゴムがより好ましい。本発明でいうグリシジル基含有アクリルゴムとは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等からなるグリシジル基を含有する共重合体である。
【００３７】
このようなモノマーとしては、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等を使用することが好ましい。重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体として具体的には、例えば、ナガセケムテックス株式会社製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名）等が挙げられる。
【００３８】
上記グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ基含有モノマー単位の量は、加熱により硬化して網目構造を効果的に形成するためには、モノマー全量を基準として０．５〜５０質量％が好ましい。また、接着力を確保できるとともに、ゲル化を防止することができるという観点からは、０．５〜６質量％がより好ましく、０．８〜５質量％がさらに好ましく、１〜４質量％が特に好ましい。
【００３９】
グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート等のエポキシ基含有モノマー以外の官能性モノマーと共重合させることも可能であり、エポキシ基含有モノマー以外の上記官能性モノマーとしては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレート又はエチルメタクリレートを示す。エポキシ基含有モノマー以外の官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のＴｇを考慮して決定し、Ｔｇが−１０℃以上となるようにすることが好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると、未硬化状態での接着層のタック性が適当であり、取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。
【００４０】
上記官能性モノマーを重合させて、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができる。官能性モノマーを含む高分子量成分の重量平均分子量は、１０万以上であるが、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため、配線の回路充填性が確保できる傾向にある。
なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
【００４１】
また、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１０〜４００質量部が好ましい。この範囲にあると、貯蔵弾性率及び成形時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。また、高分子量成分の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１５〜３５０質量部がより好ましく、２０〜３００質量部が特に好ましい。
【００４２】
本発明の接着シートを構成する粘着層と基材フィルムとしては、基材フィルムと高エネルギー線重合性成分を含む糊層から構成されており、基材フィルムには剥離基材に用いたフィルム又はシートと同様のものを用いることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。更に、基材フィルムは、これらのフィルムが２層以上に積層されたものであってもよい。
【００４３】
また、糊層に高エネルギー線重合性成分を含有させることにより、半導体ウェハ等の被着体に接着層を貼り付けた後、ダイシングを行う前に放射線照射してダイシング時の粘着力を向上させることや、逆にダイシングを行った後に放射線照射して粘着力を低下させることでピックアップを容易にすることができる。本発明において、このような放射線重合性成分としては、従来放射線重合性のダイシングシートに使用されていた化合物を特に制限なく使用することができる。
【００４４】
粘着層に用いられる高エネルギー線重合性成分として、例えば、放射線重合性成分が挙げられる。放射線重合性成分としては、特に制限されないが、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレート等を使用することができる。
【００４５】
また、粘着層には、光重合開始剤（例えば、放射線等の高エネルギー線の照射によって遊離ラジカルを生成するようなもの）を添加することもできる。かかる光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ'−テトラメチル−４，４'−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ'−テトラエチル−４，４'−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９'−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体等が挙げられる。
【００４６】
また、粘着層の厚さは、１０〜５００μｍであることが好ましく、２５〜２００μｍであることがより好ましく、５０〜１５０μｍであることが特に好ましい。
【００４７】
本発明の接着シートは、以上説明したような剥離基材、接着層及び、粘着層と基材フィルムを備えるものである。本発明の接着シートにおいて、剥離基材には、接着層と、粘着層と基材フィルムとからなる積層体の平面形状の周縁に沿って、剥離基材の粘着剤層側の面から剥離基材の厚み方向にそれぞれ切り込みが形成されている。
【００４８】
本発明の接着シートに用いる接着層は、２５℃での貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が０．５〜１０００ＭＰａである接着層を有することが好ましい。２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が上記範囲であると、プリカット加工性を確保でき、また、２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が上記範囲であると、半導体装置の信頼性に優れる。この貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、接着層硬化物に引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／ｍｉｎの条件で−７０℃から３００℃まで測定する、温度依存性測定モードによって測定できる。
熱で硬化する接着層の貯蔵弾性率を大きくするために、例えば、エポキシ樹脂の使用量を増やしたり、グリシジル基濃度の高いエポキシ樹脂又は水酸基濃度の高いフェノール樹脂を使用する等してポリマー全体の架橋密度を上げたり、無機フィラーを添加するといった方法を用いることができる。
接着層の貯蔵弾性率を大きくするための無機フィラーは、後述する。
更に、接着層には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、熱重合性成分と相溶性がある高分子量成分を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に制限されないが、例えばフェノキシ樹脂、高分子量熱重合性成分、超高分子量熱重合性成分等が挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４９】
また、接着層には、その取り扱い性向上、前記貯蔵弾性率向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与等を目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はないが、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられ、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
これらのなかでも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。
また、無機フィラーの平均粒径は０．００５μｍ〜１．０μｍが好ましく、これより小さくても大きくても接着性が低下する可能性がある。
無機フィラーの配合量は、接着層１００質量％に対して１〜２０質量％であることが好ましい。前記配合量が１質量％未満では添加効果が得られない傾向があり、２０質量％を超えると、接着層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。
【００５０】
接着層の厚さは、半導体素子搭載用の支持部材等の被着体への接着性は十分に確保しつつ、半導体ウェハへの貼り付け作業及び貼り付け後のダイシング作業に影響を及ぼさない範囲であることが望ましい。かかる観点から、接着層の厚さは１〜３００μｍであることが好ましく、１〜７５μｍであることがより好ましく、１〜２０μｍであることが特に好ましい。厚さが１μｍ未満であると、十分なダイボンド接着力を確保することが困難となる傾向があり、３００μｍを超えると、貼り付け作業やダイシング作業への影響等の不具合が生じる傾向がある。
【００５１】
＜半導体用接着シートの製造方法＞
上記半導体用の接着シートの製造方法について説明する。
本発明の接着シートの製造方法は、剥離基材上に接着層を積層する第１の積層工程と前記接着層の前記剥離基材に接する側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで該剥離基材平面に対して切り込みをいれ、前記切り込まれた外周部分の接着層を除去し、所定の平面形状の接着層を形成する第１の切断工程を含むことを特徴とする。
【００５２】
次いで第１の積層工程と第１の切断工程を終えた上記剥離基材上に、上記粘着層を積層する第２の積層工程と、前記粘着層及び基材フィルムを積層する第２の積層工程を行い、前記粘着層及び基材フィルムの前記剥離基材側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで該剥離基材平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切り込まれた外周部分の粘着層及び基材フィルムを除去し、前記所定の平面形状の接着層と、該接着層を覆い且つ該接着層の周囲で前記剥離基材に接する粘着層及び基材フィルムとからなる、所定の形状の積層体とを形成する第２の切断工程を行い、接着フィルムを得る。
【００５３】
以下、各製造工程についてより詳細に説明する。
第１の積層工程においては、まず、接着層を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して接着層形成用ワニスとし、これを剥離基材上に塗布後、加熱により溶剤を除去する。
一方、第２の積層工程において用いる粘着層は、まず、粘着層を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して粘着層形成用ワニスとし、これを基材フィルム上に塗布後、加熱により溶剤を除去して粘着層付基材フィルムを得る。
【００５４】
ここで、両層形成用ワニスの調製に使用する上記溶剤としては、各構成材料を溶解又は分散することが可能なものであれば特に制限されないが、層形成時の揮発性等を考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させる等の目的で、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、ワニスを調製した後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。
【００５５】
第１の積層工程における接着層形成用ワニスの剥離基材への塗布方法、また第２の積層工程における粘着層形成用ワニスの基材フィルムへの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法、ダイコート法等を用いることができる。
【００５６】
本発明の接着シートの製造方法においては、第１の積層工程後、前記接着層の前記剥離基材に接する側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで該剥離基材平面に対して切り込みをいれ、前記切り込まれた外周部分の接着層を除去し、所定の平面形状の接着層を形成する第１の切断工程を行い、上記で得られた粘着層付基材フィルムを前記所定の平面形状の接着層及び前記剥離基材を覆うように、積層する第２の積層工程を行い、上記粘着層付基材フィルムの基材フィルム面から上記剥離基材に達するまで、該剥離基材平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切込まれた外周部分の粘着層付基材フィルムを除去し、所定の形状の積層体を形成するよう、上記剥離基材に切り込みを環状に形成する第２の切断工程を経て、半導体用の接着シートを得る。
【００５７】
上記第１の切断工程において、この切り込み部の角度は上記剥離基材平面を基準（０°）としたとき、０〜９０°となるように切り込みを入れる。
また、上記第２の切断工程において、切り込み部の角度は、上記剥離基材平面を基準（０°）としたとき、０°よりも大きく、７０°以下となるように切り込みを入れると好ましい。なお、より良好な貼付外観を有する接着シートを得る観点から、切り込み部の角度は、３〜４５°であることがより好ましく、５〜３０°であることが更に好ましく、７〜１５°であることが特に好ましい。このように、現行のプリカット装置で切り込み部の角度を０°に近づける場合、装置の調整とプリカット工程の実施に多くの時間がかかり、生産効率が低下する傾向がある。したがって、生産効率と剥離不良抑制のバランスの点では、切り込み部の角度は３〜１５°となるようにすることが好ましい。その後、必要に応じて積層体の不要部分を剥離除去し、目的の接着シートを得る。
【００５８】
なお、接着層と粘着層との貼り合わせは、従来公知の方法によって行うことができ、例えば、ラミネーター等を用いて行うことができる。
以上、本発明の半導体用の接着シート及び半導体用の接着シートの製造方法の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はこれらの実施形態に制限されるものではない。
【００５９】
＜半導体装置の製造方法＞
本発明の半導体用の接着シートを用いて半導体装置を製造する方法について説明する。
本発明の半導体用の接着シートは、剥離基材がキャリアフィルムの役割を果たしており、２つのロール及び楔状の部材とに支持されながら、その一端が円柱状の巻芯に接続された状態で巻回され第１のロールを形成し、他端が円柱状の巻芯に接続された状態で巻回され第２のロールを形成している。そして、第２のロールの巻芯には、当該巻芯を回転させるための巻芯駆動用モータが接続されており、半導体用の接着シートにおける積層体が剥離された後の剥離基材が所定の速度で巻回されるようになっている。
【００６０】
まず、巻芯駆動用モータが回転すると、第２のロールの巻芯が回転し、第１のロールの巻芯に巻回されている半導体用の接着シートが第１のロールの外部に引き出される。そして、引き出された半導体用の接着シートは、移動式のステージ上に配置された円板状の半導体ウェハ及びそれを囲むように配置されたウェハリング上に導かれる。
【００６１】
次に、剥離基材から、接着層及び、粘着層と支持フィルムからなる積層体が剥離される。このとき、半導体用の接着シートの剥離基材側から楔状の部材が当てられており、剥離基材は部材側へ鋭角に曲げられ、剥離基材と積層体との間に剥離起点が作り出されることとなる（図１（ｄ）参照）。更に、剥離起点がより効率的に作り出されるように、剥離基材と積層体との境界面にエアーが吹き付けられている。
【００６２】
このようにして剥離基材と積層体との間に剥離起点が作り出された後、粘着層がウェハリングと密着し、接着層が半導体ウェハと密着するように積層体の貼り付けが行われる。このとき、ロールによって積層体は半導体ウェハ及びウェハリングに圧着されることとなる。そして半導体ウェハ及びウェハリング上への積層体の貼り付けが完了する。
【００６３】
以上のような手順により、半導体ウェハへの積層体の貼り付けを、自動化された工程で連続して行うことができる。このような半導体ウェハへの積層体の貼り付け作業を行う装置としては、例えば、リンテック株式会社製のＲＡＤ−２５００（商品名）等が挙げられる。
そして、このような工程により積層体を半導体ウェハに貼り付ける場合、半導体用の接着シートを用いることにより、剥離基材と積層体との間の剥離起点（剥離基材と粘着層との間の剥離起点）を容易に作り出すことができ、剥離不良の発生を十分に抑制することができる。
【００６４】
次に、上記の工程により積層体が貼り付けられた半導体ウェハを、切削部材、例えばダイシング刃により必要な大きさにダイシングして、接着層が付着した半導体素子を得る。ここで更に、洗浄、乾燥等の工程を行ってもよい。このとき、接着層により半導体ウェハは粘着剤層に十分に粘着保持されているので、上記各工程中に半導体ウェハやダイシング後の半導体素子が脱落することが十分に抑制される。
【００６５】
次に、放射線等の高エネルギー線を粘着層に照射し、粘着層を重合硬化させる。この際、高エネルギー線照射と同時に又は照射後に、硬化反応を促進する目的で更に加熱を行っても良い。粘着層への高エネルギー線の照射は、粘着層の接着層が設けられていない側の面から行う。
【００６６】
高エネルギー線照射後、ピックアップすべき半導体素子を、例えば吸引コレットによりピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子を粘着層の下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。粘着層を硬化させることにより、半導体素子のピックアップ時において、接着層と粘着層との界面で剥離が生じやすくなり、接着層が半導体素子の下面に付着した状態でピックアップされることとなる。そして、接着層が付着した半導体素子を、接着層を介して半導体素子搭載用の支持部材に載置し、加熱を行う。加熱により接着層は接着力が発現し、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着が完了する。その後、必要に応じてワイヤボンド工程や封止工程等を経て、半導体装置が製造される。
【００６７】
＜半導体装置＞
半導体装置は、半導体素子搭載用の支持部材となる有機基板または他の半導体素子上に半導体素子が、接着層を介して積層されている。また、有機基板には、回路パターン及び端子が形成されており、この回路パターンと半導体素子とが、ワイヤボンドによってそれぞれ接続されている。そして、これらが封止材により封止され、半導体装置が形成されている。この半導体装置は、上述した半導体装置の製造方法により、本発明の半導体用の接着シートを用いて製造されるものである。以上、半導体装置の製造方法及び半導体装置の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はこれらの実施形態に制限されるものではない。
【実施例】
【００６８】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に制限されるものではない。
【００６９】
［実施例１］
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（商品名：ＹＤＣＮ−７０３、東都化成株式会社製、エポキシ当量：２２０）６０質量部、及び、硬化剤として低吸水性フェノール樹脂（商品名：ＸＬＣ−ＬＬ、三井化学株式会社製、フェノールキシレングリコールジメチルエーテル縮合物）４０質量部に、シクロヘキサノン１５００質量部を加えて撹拌混合し、第１のワニスを調製した。次に、この第１のワニスに、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（商品名：ＮＵＣ  Ａ−１８９、日本ユニカー株式会社製）１．５質量部、及び、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＮＵＣ  Ａ−１１６０、日本ユニカー株式会社製）３質量部を加え、更に無機物フィラーとしてシリカフィラー（商品名：Ｒ９７２Ｖ、日本アエロジル株式会社製）３２質量部を加えて撹拌混合した後、ビーズミルにより分散処理を行うことで第２のワニスを調製した。次に、この第２のワニスに、エポキシ基含有アクリル系共重合体（商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３、帝国化学産業株式会社製）２００質量部、及び、硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ、四国化成工業株式会社製）０．５質量部を加えて撹拌混合し、接着層形成用ワニスを調整した。
【００７０】
この接着層形成用ワニスを、厚さ３８μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、テイジンピューレックスＡ３１）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥を行い、厚さ１０μｍのＢステージ状態の接着層を形成した。これにより、ＰＥＴフィルム（剥離基材）と接着層とからなる接着フィルムを得た。
【００７１】
得られた接着フィルムに対して、剥離基材への切り込み角度が９０°となるように調節して、刃物の切り込み深さ設定を１０、１５、２５μｍに調節して、直径２２０ｍｍの円形プリカット加工（第１のプリカット加工）を行った。その後、接着層の不要部分を除去し、粘着フィルム（日立化成工業株式会社製、ＳＤ-３０００シリーズ）をその粘着層が接着層と接するように、室温（２５℃）、線圧１ｋｇ／ｃｍ、速度５ｍ／分の条件で貼付けた。
そして、粘着フィルムに対して、剥離基材への切り込み角度が１５°となるように調節して、刃物の切り込み深さ設定を１０、１５、２５μｍに調節して接着層と同心円状に直径２７０ｍｍの円形プリカット加工（第２のプリカット加工）を行い、不要部分を剥離し、実施例１の接着シートを作製した。
【００７２】
なお、第１及び第２のプリカット加工における剥離基材の破断強度を任意に各１２点測定した。
また、その時の不要部分の剥離不具合有無の確認を行った。
破断強度の測定は、プッシュプルゲージ（アイコーエンジニアリング株式会社製、ＲＸ−２０）を用い、測定サンプルはフィルムの進行方向に対し、垂直方向、平行方向に対して４分割にしてこれを３セット作製した。このサンプルを剥離基材に切り込みがある部分を測定治具に押し当てて、フィルムが破断するまで押し込み、破断した時の強度を読み取った。
更にリンテック株式会社製のウェハマウント装置（ＲＡＤ−２５００）を用いて、ウェハへのラミネート試験を行った。そして、プリカット加工における剥離基材からの不要部分の剥離不具合の有無と、剥離基材から積層体を剥離する際に、剥離基材が破断して、剥離不良が発生の有無を評価し、これらの結果を表１に示した。
不要部分の剥離不具合の発生が無い場合を「○」、発生した場合を「×」として評価した。また、積層体の剥離不良の発生の有無を、発生が無い場合を「○」発生した場合を「×」として評価した。
【００７３】
【表１】
2011144313.tif 000003
【００７４】
［比較例１］
実施例１において第１及び第２のプリカット加工の切り込み深さ設定を７、３０μｍとなるように調節して行った以外は実施例１と同様にして、接着シートを作製し、実施例１と同様の評価を行った。その結果を表２に示した。表２中の判定は、不要部分の剥離不具合の発生や積層体の剥離不良が無く使用可能であるものは、「○」、不具合の発生や剥離不良があり生産性に劣るものを「×」として評価した。
【００７５】
【表２】
2011144313.tif 000004
【００７６】
表１、２に示した結果から明らかなように、剥離基材への第１の切り込み部または第２の切り込み部の破断強度を、２５〜１００Ｎの範囲に入るようにすることで、プリカット加工での剥離基材からの不要部分の剥離不具合がなくなり、また、剥離基材から積層体を剥離する際に、剥離基材が破断して、剥離不良の発生のない接着シートを提供することができる。
【図１】
2011144313.tif 000005