(57)【要約】【課題】  耐久性が高く、熱抵抗の低い発光デバイスを提供する。【解決手段】  表面２ａ側に窪み６を有するガラス基板２と、窪み６においてガラス基板２の裏面２ｂおよび表面２ａから露出するリードフレームを備えている。このリードフレームは、少なくとも１箇所の屈曲部を持ち、屈曲部を境に一方がガラス基板の裏面から露出し、他方がガラス基板内に埋め込まれている。発光素子３はガラス基板２の表面２ａから露出したリードフレームに実装されている。このような構成により、耐久性が高く、かつ熱抵抗の低い発光デバイスを提供できる。【選択図】  図１
2011228410.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に窪みが形成されたガラス基板と、
前記ガラス基板に一部が埋め込まれるとともに、前記窪みにおいて前記ガラス基板の表面および裏面から露出するリードフレームと、
前記窪みから露出したリードフレームに搭載された発光素子を備え、
前記リードフレームは少なくとも１箇所の屈曲部を持ち、前記屈曲部を境に一方が前記ガラス基板の裏面から露出し、他方が前記ガラス基板内に埋め込まれたことを特徴とする発光デバイス。
【請求項２】
前記ガラス基板は、前記窪みを構成する領域において白色又は乳白色を呈することを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記ガラス基板と前記リードフレームの熱膨張係数の差が、４×１０-6／Ｋ（Ｋはケルビン）以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記ガラス基板の熱膨張係数は８×１０-6／Ｋから１１×１０-6／Ｋであり、前記リードフレームの熱膨張係数は４×１０-6から１５×１０-6／Ｋであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記リードフレームは金属材料で形成されており、前記リードフレームと前記ガラス基板との間の接合面には、前記リードフレームを構成する金属材料の酸化物からなる酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記リードフレームは、材料の異なる金属が接合されたクラッド材からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記ガラス基板に一部が埋め込まれるとともに、前記窪みにおいて前記ガラス基板の表面および裏面から露出する第二のリードフレームを備え、
第二のリードフレームの前記窪みから露出した領域には、前記発光素子と電気的に接続するためのワイヤーが接合されており、
前記第二のリードフレームは少なくとも１箇所の屈曲部を持ち、前記屈曲部を境に一方が前記ガラス基板の裏面から露出し、他方が前記ガラス基板内に埋め込まれたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板を用いたパッケージ材料に発光素子を実装した発光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ガラスパッケージを使用した電子部品が実用化されている。ガラス材料は、外部から浸入する水分や汚染物質を防げ、気密性が高い。また、ガラス材料は、半導体素子を形成するシリコン基板と熱膨張係数が近似するので、ガラスパッケージに半導体素子を実装したときの実装面や接合面の信頼性が高い。また、ガラス材料は安価であることから、製品のコスト上昇を抑制することができる。
【０００３】
図８は、ガラス材料にＬＥＤ素子を実装したＬＥＤ発光装置の断面構成を図８に模式的に示す（例えば、特許文献１を参照）。ガラス基板５１には貫通電極５２が形成されている。貫通電極５２の上には接続用の電極メタライズ５３Ｂが形成され、電極メタライズ５３Ｂの上には複数のＬＥＤ素子５６Ａが実装されている。ＬＥＤ素子５６Ａの上面と電極メタライズ５３Ｂとはワイヤー５７により電気的に接続されている。ガラス基板５１の下面には外部と接続用の電極メタライズ５３Ａが形成されている。電極メタライズ５３Ａは貫通電極５２に電気的に接続されている。従って、ＬＥＤ素子５６Ａに対して、下面に形成した電極メタライズ５３Ａから電力を供給することができる。
【０００４】
ガラス基板５１の上面には、貫通孔５８が形成されたＳｉ基板５４が、ＬＥＤ素子５６Ａを囲むように設置されている。Ｓｉ基板５４はガラス基板５１の表面に陽極接合されている。Ｓｉ基板５４の内壁面は傾斜し、内壁面の表面には反射膜５５が形成されている。ＬＥＤ素子５６Ａで発光した光は反射膜５５により反射して、上方向に指向性のある光として射出される。ＬＥＤ素子５６Ａは複数個実装されているので、発光の強度を高くすることができる。また、ＬＥＤ素子５６Ａから生成される熱は、貫通電極５２と電極メタライズ５３Ａを介して外部へ放熱することができる。
【０００５】
この特許文献１では、ガラス基板５１の貫通電極５２は、ガラス基板５１に形成した貫通孔の内壁にＣｕ、Ｎｉなどをメッキし、その後、導電性樹脂やはんだなどを充填することにより形成されている。また、ガラス基板５１の裏面のメタライズ５３Ａは、ガラスの表面にＴｉ層、その上にＴｉ層保護のためのバリア層となるＰｔ層、あるいはＮｉ層、さらに表面酸化を防止するＡｕ層などをスパッタリング法や蒸着法などにより堆積し、フォトプロセスを通してパターニングされている。
【０００６】
また、ガラス材料にＬＥＤ発光素子６１を埋め込んだ発光装置６０の断面構成を図９に模式的に示す（例えば、特許文献２を参照）。ＬＥＤ発光素子６１は面実装によりバンプ６２を介してサブマウント６３に実装され、サブマウント６３は、リード６４Ａ、６４Ｂの先端に形成された段差部に接続されている。周囲は封止部材６５により覆われており、封止部材６５としてガラスが使用される。ガラスからなる封止部材６５はリード６４Ａ、６４Ｂの下部側で薄く、ＬＥＤ発光素子６１から発光される光が射出する側は凸状に厚く形成されている。
【０００７】
この発光装置６０は、ＬＥＤ発光素子６１に対して熱膨張率が１５０％から５００％の範囲の透光性ガラス部及び金属部で全体が包囲されている。また、ＬＥＤ発光素子６１に対し、給電部材（リード６４Ａ、６４Ｂ）及び封止部材６５の熱膨張率が大となるように形成されている。また、ＬＥＤ発光素子６１あるいはサブマウント６３の部材に対し、給電部材及び封止部材６５の熱膨張率が大となるように形成されている。これにより、応力方向が調整されて熱収縮差に起因して生じるクラック等の発生を防止できる。
【０００８】
図１０は金型を用いてガラス封止を行う直前の状態を示す模式図であり、この図面を用いて、この発光装置６０の製造方法を説明する。表面に半円状の凹部７１Ａを有する上金型７１と、底面が平坦な凹部７２Ａを有する下金型７２との間に、薄いガラスシート６８と、ＬＥＤ発光素子６１が実装されたサブマウント６３、このサブマウント６３に電気的に接続した２本のリード６４Ａ、６４Ｂと、その上に厚いガラスシート６７を設置する。次に、真空雰囲気中でガラスシート６７、６８を４５０℃に加熱して軟化させた状態で、上金型７１と下金型７２とを矢印の方向に移動させることによってガラスシート６７、６８に圧力かける。これにより、ガラスシート６７、６８が図９に示す封止部材６５のようなドーム状に成形される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−４２７８１号公報
【特許文献２】特開２００７−３０６０３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に記載されるように、貫通電極として貫通孔に導電樹脂を充填して、熱処理により固化して貫通電極を形成すると、固化の際の収縮により気密性を保持することが難しかった。また、ＬＥＤは発光すると発熱する。そのため、ＬＥＤの点灯と消灯を繰り返すと、昇温と降温が繰り返される温度サイクルにより、膨張と収縮が繰り返される。その結果、ガラスと貫通電極の界面の気密性が低下し、外部から水分等が浸入してＬＥＤの寿命を低下させる。
【００１１】
また、特許文献１においては、貫通孔に導電性樹脂やはんだなどを充填・固化して貫通電極を形成し、これとは別に、スパッタリング法や蒸着法により導体膜を堆積し、フォトマスクを用いたフォトプロセスを通して裏面電極パターンを形成している。その結果、製造工数が増えてコスト高となる要因となっていた。
【００１２】
特許文献２に記載されたＬＥＤ発光素子は、発光面側の封止部材６５がドーム形状、凸状に湾曲した形状である。そのため、ＬＥＤ発光素子６１から発光した光は周囲の全面に拡散する。したがって、ＬＥＤ発光素子６１から発光した光を上方向に集光させたり、上方向に指向性を持たせたりすることができず、発光した光を有効に活用できない。一方、この発光装置６０では、ＬＥＤ発光素子６１やサブマウント６３の熱膨張係数より周囲の封止部材６５の熱膨張係数を大きくして、熱膨張係数の差に基づく内部応力が、ＬＥＤ発光素子６１の中心に向かう圧縮応力となるように調整している。これにより、ガラス材にクラック等が発生しないようにしている。従って、ＬＥＤ発光素子６１を封止する封止部材６５の形状を、例えば凹部のような形状に変更して指向性のある光を射出させようとすると、中心部に向かう圧縮応力のバランスが崩れて、クラック等が発生して信頼性が低下する虞がある。
【００１３】
また、特許文献２の製造方法では、ガラスからなる封止部材を軟化させてＬＥＤ発光素子６１を封止するので、ＬＥＤ発光素子６１が、例えば４５０℃以上の高温に晒される。また、ＬＥＤ発光素子がワイヤーボンディングにより接続される場合には、軟化したガラスの粘度が高いため、ガラスによってそのワイヤーが潰れてしまう。また、封止部材６５に蛍光体を分散させて、ＬＥＤで発光した光の波長を他の波長に変換する場合に、高温となるため使用できる蛍光体が限られてしまう。さらに、高温且つ高粘度のガラスに蛍光体を均一に分散させることは困難であり、望む効果を得ることができない。従って、ＬＥＤ発光素子の構造や実装構造が制限される、などの課題があった。
【００１４】
そこで、本発明は、少ない製造工数で製造可能な信頼性の高い電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の発光デバイスは、表面と、この表面に対向する裏面と、周囲を囲う側面を持つガラス基板上に発光素子が実装された構成である。ガラス基板の表面には窪みが形成されており、ガラス基板の窪みの底面において露出するようにリードフレームがガラス基板に埋め込まれている。そして、窪みで露出したリードフレームに発光素子が電気的に接続され、発光素子を覆うように封止材が設けられている。このとき、リードフレームは少なくとも１箇所の屈曲部を持ち、この屈曲部を境に一方がガラス基板の裏面から露出し、他方がガラス基板内に埋め込まれている。
【００１６】
また、ガラス基板の、少なくとも窪みを構成する領域が、白色又は乳白色を呈することとした。
【００１７】
また、ガラス基板とリードフレームの熱膨張係数の差を、４×１０-6／Ｋ（Ｋはケルビン）以下とした。また、ガラス基板の熱膨張係数は８×１０-6／Ｋから１１×１０-6／Ｋであり、リードフレームの熱膨張係数は４×１０-6から１５×１０-6／Ｋである。
【００１８】
リードフレームの材料として、Ｎｉ及びＦｅを含む合金、あるいは、材料の異なる金属が接合されたクラッド材が例示できる。このクラッド材が、Ｃｕからなる金属を含むこととした。
【００１９】
また、リードフレームにＡｕからなる薄膜を形成した。リードフレームとガラス基板との間の接合面には、リードフレームを構成する金属材料の酸化物からなる酸化膜を形成した。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の発光デバイスの構成によれば、発光素子が発生する熱をリードフレームを通じて逃がすことが出来るため、熱抵抗が低く、且つ耐久性の高い電子デバイスを安価に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】発光デバイスの実施形態を説明するための模式図である。
【図２】本発明の実施形態に係る発光デバイスの模式的な縦断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る発光デバイスの模式的な縦断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る発光デバイスの模式的な縦断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る発光デバイスの模式的な縦断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る発光デバイスの模式的な縦断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る発光デバイス説明するための模式図である。
【図８】従来のＬＥＤ発光装置の断面図である。
【図９】従来の発光装置の断面図である。
【図１０】従来の発光装置の製造方法を説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の発光デバイスは、表面に窪みを持つガラス基板に発光素子が実装された構成である。ガラス基板は、表面と、この表面の反対側の裏面と、周囲を囲う側面を持ち、表面に窪みが形成されている。このガラス基板には少なくとも１箇所の屈曲部を持つリードフレームが埋め込まれており、リードフレームはガラス基板の窪みの底面で表面、裏面共に露出している。窪みの表面から露出したリードフレームに発光素子が搭載されている。すなわち、発光素子が配置されたリードフレームは、ガラス基板の裏面から露出している。そして、封止材が発光素子を覆っている。このような構成によれば、窪みの裏面から露出したリードフレームにヒートシンク等を直接接続できるため、発光素子の発熱を効率よく放熱できる。また、リードフレームの一部がガラス基板内に埋め込まれているため、ガラス基板とリードフレームは一体となって十分な強度を保持できる。したがって、耐久性、放熱性に優れた発光デバイスが実現できる。
【００２３】
また、リードフレームに搭載された発光素子と電気的に接続する第二のリードフレームを設けてもよい。これにより、リードフレームは放熱手段としてだけでなく、電圧印加手段として利用できる。すなわち、ガラス基板に一部が埋め込まれるとともに、窪みにおいてガラス基板の表面および裏面から露出する第二のリードフレームを設け、第二のリードフレームの窪みから露出した領域には、発光素子と電気的に接続するためのワイヤーを接合する。第二のリードフレームもリードフレームと同様に、少なくとも１箇所の屈曲部を持ち、屈曲部を境に一方がガラス基板の裏面から露出し、他方がガラス基板内に埋め込まれた構成である。
以下、発光デバイスの実施形態を、図面を用いて具体的に説明する。
【００２４】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係る発光デバイスの模式図である。図１（ａ）は発光デバイスの縦断面図であり、図１（ｂ）はその上面図である。図１（ｂ）のＸ−Ｘ部分の断面を図１（ａ）に示す。ガラス基板２の中央部には窪み６が形成されている。窪み６の形状は、上方の直径が大きくなるすり鉢状である。図示するように、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂには、各々２つの屈曲部８ａ、９ａ、８ｂ、９ｂがあり、屈曲部９ａ、９ｂは窪み６の周囲のガラス基板２の中に埋め込まれている。窪み６の底面から露出したリードフレームＬＦａ表面には、発光素子であるＬＥＤ３が実装されている。ＬＥＤ３の下面には図示しない電極が形成され、図示しないダイボンディング材を介してリードフレームＬＦａと電気的に接続されている。ＬＥＤ３の上面にも図示しない電極が形成され、この電極は、窪み６の底面から露出するリードフレームＬＦｂと、Ａｕ等からなるワイヤー４により電気的に接続されている。さらに、窪み６には封止材５が塗布されており、ＬＥＤ３とワイヤー４が外気に触れないように覆って封止している。また、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの端部はガラス基板２から突出しており、この突出部が端子７ａ、７ｂとして用いられる。
【００２５】
ここで、リードフレームとは、薄板状又は線状の金属や合金から一体的に形成された導体をいう。従って、半導体分野で使用されるようなテープ状の金属板をエッチングや打ち抜きにより形成した導体であってもよいし、金属等を延伸して形成した線状の導体であってもよい。
【００２６】
図１（ｂ）に示すように、窪み６の底面２ｄから露出するリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの線幅は、窪み６の周囲のガラス基板２を貫通する領域のリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの線幅よりも狭く形成されている。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂはガラス基板２の側面から突出しており、端子７ａ、７ｂを構成している。端子７ａ、７ｂに電力を供給してＬＥＤ３を発光させる。ＬＥＤ３で発光した光は、上方に照射されるとともに、窪み６の壁面で上方に反射されるので、出射光に指向性を持たせることができる。また、ＬＥＤ３の下にはリードフレームＬＦａがあるので、ＬＥＤ３で発生した熱を、リードフレームＬＦａを介して外部に放熱することができる。すなわち、リードフレームは電力供給手段であるとともに、放熱手段でもある。
【００２７】
ここでは、ガラス基板２とリードフレームの熱膨張係数の差を、４×１０-6／Ｋ以下とすることが好ましい。実装したＬＥＤ３のオンオフの繰り返しに起因する熱サイクルに晒される場合でも、熱膨張係数の差を４×１０-6／Ｋ以下とすることにより、リードフレームＬＦとガラス基板２の間の接合が維持され、リードフレームＬＦとガラス基板２の間の気密性が保持される。これにより、実装したＬＥＤ３の信頼性が向上する。
【００２８】
また、ガラス基板２の熱膨張係数を８×１０-6／Ｋから１１×１０-6／Ｋとし、リードフレームの熱膨張係数を４×１０-6から１５×１０-6／Ｋとする。これにより、ガラス基板２との間の熱膨張係数差をあまり大きくしないで、リードフレームの利用可能な材料の範囲を拡大させることができる。
【００２９】
リードフレームとして、ＮｉＦｅ合金やコバールを使用することができる。例えば４２％ＮｉＦｅ合金や、４５％ＮｉＦｅ合金を使用することができる。熱膨張係数がガラス材料に近く、ガラス材料との接合性もよい。また、リードフレームＬＦにより構成される端子電極８ａ、８ｂの表面に、ＮｉやＡｕメッキを施すことにより、はんだ付けが容易となる。なお、リードフレームＬＦの厚さは概ね０．１ｍｍから０．５ｍｍである。
【００３０】
また、窪み６の傾斜面と底面に金属又は絶縁体の多層膜を形成して、反射面を構成させてもよい。これにより、ＬＥＤ３から発光した光を効率よく上方に反射させることができる。また、反射膜を形成する代わりに、ガラス基板２を白色又は乳白色を呈する材料で構成してもよい。例えば、ガラス材料に燐酸（Ｐ２Ｏ５）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ボロン（Ｂ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、ジルコン（ＺｒＳｉＯ４）、等の酸化物やフッ化カルシウム等を混入させることにより乳白色ガラスとすることができる。この白色又は乳白色はＬＥＤ３から発光した光や熱により変色することがないので、発光デバイス１の劣化を防ぐことができる。
【００３１】
また、封止材５は、ガラス基板２を成形加工した後で設けられている。従って、封止材５には、蛍光体分散に適した粘度の材料を選択することができる。また、ガラスが軟化するような高温に晒されないため、封止材５に混入する蛍光体等の選択肢が制限されることがない。
【００３２】
（第２実施形態）
図４（ａ）〜（ｂ）に、本実施形態に係る発光デバイス１の断面構成を模式的に示す。ここでは、発光デバイス１の側面から突出したリードフレームＬＦａ、ＬＦｂが折り曲げられて、ガラス基板の裏面２ｂと同じ平面上に端子７ａおよび７ｂが形成されている。側面から突出した端子形状以外の構成は、第１実施形態と同様なので、説明を省略する。
【００３３】
図４（ａ）では、２つの端子７ａ、７ｂは、発光デバイス１の底面と同じ高さにあるため、発光デバイス1の回路基板等への実装が容易になる。また、第１実施形態の発光デバイスを作製後にリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの折り曲げを行うようにすれば、折り曲げ位置の調整が容易になる。
【００３４】
図４（ｂ）では、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂが折り曲げられて、ガラス基板２の側面に接合し、更に折り曲げられて端子７ａおよび７ｂが形成されている。このような構成では、リードフレームとガラスの接合面積が増えるため、更に耐久性を高めることが可能である。
【００３５】
（第３実施形態）
本実施形態に係る発光デバイス１の断面構成を、図５及び図６に模式的に示す。本実施形態では、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂをガラス基板２の側面から突出させず、ガラス基板の裏面で露出しているリードフレームＬＦａ、ＬＦｂを端子７ａ、７ｂとして使用している。これにより、場所をとらないで発光デバイス１を回路基板等へ実装することが出来る。また、ガラス基板２から完全に露出したリードフレームがなくなるため、耐久性も更に向上させることができる。
【００３６】
図５では、２箇所の屈曲部を持つリードフレームＬＦａ、ＬＦｂをガラス基板２の中に埋め込んでおり、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの端部がガラス基板２の側面から突出していない点以外は、第１実施形態と同様の構成である。
【００３７】
図６では、１箇所の屈曲部８ａ、８ｂを持つリードフレームＬＦａ、ＬＦｂを、その先端部が全てガラス基板２の中に埋め込まれるように構成されている。その他は、図５の構成と同様である。図６に示すように、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂは、窪み６の底面とガラス基板２の裏面のみで露出している。しかし、窪み６の底面は封止剤５で封止され、ガラス基板の裏面から露出している端子７ａ、７ｂはハンダ等を介して回路基板に実装されるため、最終的に露出するリードフレームの部位はなくなる。従ってリードフレームの金属が腐食することがなく、更に高耐久の発光デバイスを得ることが出来る。
【００３８】
（第４実施形態）
図７は、本実施形態に係る発光デバイス１の模式図である。図７（ａ）は発光デバイスの上面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＸ−Ｘ部分の縦断面図である。ＬＥＤ３は素子表面にアノードとカソード電極を有するタイプを用いている。ＬＥＤ３はリードフレームＬＦｃに固定され、ワイヤー４ａによりリードフレームＬＦａと、ワイヤー４ｂによりリードフレームＬＦｂと電気的に接続されている。電力は端子７ａおよび端子７ｂから供給される。その他の構成は、第１実施形態の構成と同様なので、説明を省略する。
【００３９】
図７に示すように、ＬＥＤ３はリードフレームＬＦｃに固定されているため、ＬＥＤ３が発生する熱はリードフレームＬＦｃから外部に放熱される。また、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂ、ＬＦｃは、少なくともその一部がガラス基板２の中に埋め込まれて形成されているため、高耐久の発光デバイスを得ることが出来る。
【００４０】
（第５実施形態）
本実施形態では、ガラス基板と接合するリードフレーム表面に酸化膜が形成された構成を説明する。図２に、本実施形態に係る発光デバイス１の断面構成を模式的に示す。図２は実施形態１の構成に適用した場合であるが、他の実施形態に適用することもできる。このように、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂのガラス基板２との接合面に酸化膜を設けることにより、リードフレームとガラス基板２の接合性を向上させている。
【００４１】
図２に示すように、ガラス基板２の中央部には窪み６が形成されている。窪み６の形状は上方の直径が大きくなるすり鉢状である。窪み６の底面においてガラス基板２から露出し、窪み６の周囲のガラス基板２を貫通してその側面から突出するように、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂが設置されている。窪み６の底面に露出したリードフレームＬＦａの表面には発光素子であるＬＥＤ３が実装されている。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂとガラス基板２との間には、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂを構成する金属材料を酸化させた酸化膜１１が形成されている。この酸化膜１１を形成することにより、ガラス基板２とリードフレームＬＦａ、ＬＦｂとの間の接合性、密着性が向上する。また、リードフレームＬＦａのＬＥＤ３が実装される表面、リードフレームＬＦｂのワイヤー４との接続面、および、端子７ａ、７ｂの表面は、電気的接続のために酸化膜１１が除去されている。
【００４２】
（第６実施形態）
次に、リードフレームにクラッド材を使用した場合の実施形態を説明する。図３に、本実施形態に係る発光デバイス１の断面構成を模式的に示す。図３は実施形態１の構成に適用した場合であるが、他の実施形態に適用してもよい。リードフレームとしてクラッド材を用いた以外は第１実施形態と同じなので説明を省略する。
【００４３】
リードフレームを２種類以上の異なる金属を貼り合わせたクラッド材で作製することもできる。例えば、一層目をＮｉＦｅ合金（ＬＦａ１、ＬＦｂ１）とし、二層目をＣｕ（ＬＦａ２、ＬＦｂ２）とする。また、更に三層目にＮｉＦｅ合金を貼り合わせることもできる。このようにすれば、熱膨張係数がガラス基板２に近くなり、例えば、熱膨張係数の差を４×１０-6／Ｋ以下にすることができる。また、電気抵抗が小さく、かつ熱伝導性を高くすることができる。これにより、ＬＥＤ３に電力を供給する際の電圧降下を低減することができる。更に、ＬＥＤ３で発生した熱を、リードフレームＬＦを介して効率よく放熱することができる。また、リードフレームＬＦの一層目をＮｉＦｅ合金、二層目をＣｕとすれば、リードフレームＬＦに対するはんだ付けが可能となる。また、ＮｉＦｅ合金が外側にむき出しの場合でも、ＣｕやＡｕのメッキ処理を施すことにより、はんだ付けが容易となる。
【符号の説明】
【００４４】
１  発光デバイス
２  ガラス基板
３  ＬＥＤ
４  ワイヤー
５  封止材
６  窪み
７  端子
８、９  屈曲部
【図１】
2011228410.tif 000003
【図２】
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【図３】
2011228410.tif 000005
【図４】
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【図５】
2011228410.tif 000007
【図６】
2011228410.tif 000008
【図７】
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【図８】
2011228410.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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