(57)【要約】      （修正有）【課題】ＬＳＩなどに用いられるアルミニウム表面を平滑にかつ高速に研磨することができる研磨液及びこの研磨液を用いたアルミニウム膜の研磨方法を提供する。【解決手段】２５℃における第一段の酸解離指数が３以下である多価カルボン酸、コロイダルシリカ及び水を含有し、ｐＨが２〜４であるアルミニウム膜研磨用研磨液およびこの研磨液を用いてアルミニウム膜を研磨する研磨方法。およびこの研磨液を用いてアルミニウム膜を研磨する研磨方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
２５℃における第一段の酸解離指数が３以下である多価カルボン酸、コロイダルシリカ及び水を含有し、ｐＨが２〜４であるアルミニウム膜研磨用研磨液。
【請求項２】
前記多価カルボン酸が、しゅう酸、マロン酸、酒石酸から選ばれた少なくとも１種である請求項１記載のアルミニウム膜研磨用研磨液。
【請求項３】
前記コロイダルシリカの二次粒子の平均粒径が５〜１００ｎｍである請求項１記載のアルミニウム膜研磨用研磨液。
【請求項４】
さらに、酸化剤を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のアルミニウム膜研磨用研磨液。
【請求項５】
前記酸化剤が、過酸化水素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸及びオゾン水から選ばれた少なくとも１種である請求項４記載のアルミニウム膜研磨用研磨液。
【請求項６】
アルミニウム膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあてて加圧し、請求項１〜５のいずれか一項に記載のアルミニウム膜研磨用研磨液をアルミニウム膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤を動かしてアルミニウム膜を研磨することを特徴とするアルミニウム膜の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミニウム膜研磨用研磨液及びこれを用いたアルミニウム膜の研磨方法に関するものであり、特に、半導体集積回路（以下、ＬＳＩという）にダマシン配線を形成するために使用されるアルミニウム膜研磨用研磨液及びこれを用いたアルミニウム膜の研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩの高集積化、高性能化に伴って新たな微細加工技術が開発されている。化学機械研磨（以下、ＣＭＰという）法もその一つであり、ＬＳＩ製造工程、特に多層配線形成工程における層間絶縁膜の平坦化、金属プラグ形成、埋め込み配線（ダマシン配線）形成において頻繁に利用される技術である。この技術は、例えば米国特許第４９４４８３６号明細書に開示されている。
【０００３】
ダマシン配線技術は配線工程の簡略化、歩留まりと信頼性の向上が可能であり、今後適用が拡大していくと考えられている。現在、ダマシン配線に用いる配線金属として、高速ロジックデバイス用には、低抵抗である銅が主に用いられており、また、ＤＲＡＭに代表されるメモリデバイス用には、低コストであるアルミニウムまたはタングステンが用いられている。
【０００４】
しかしながら、いずれのデバイスにおいても、低抵抗と低コストを勘案し、配線金属として、銅に次ぐ低い抵抗を有するアルミニウムが有力視されている。
【０００５】
金属膜を研磨する金属ＣＭＰの一般的な方法は、円形の研磨定盤（プラテン）上に研磨パッドを貼り付け、研磨パッド表面を研磨液で浸し、基板の金属膜を形成した面を押し付けて、その裏面から所定の圧力（以下、研磨圧力と記す）を加えた状態で研磨定盤を回し、研磨液と金属膜の凸部との機械的摩擦によって凸部の金属膜を除去するものである。
【０００６】
ＣＭＰに用いられる研磨液は、一般には酸化剤及び砥粒からなっており、必要に応じてさらに酸化金属溶解剤が添加される。このＣＭＰ用研磨液によるＣＭＰの基本的なメカニズムは、まず、酸化剤によって金属膜表面を酸化し、その酸化層を砥粒によって削り取るというものであると考えられている。
【０００７】
凹部の金属表面の酸化層は研磨パッドにあまり触れず、砥粒による削り取りの効果が及ばないので、ＣＭＰの進行とともに凸部の金属層が除去されて基板表面は平坦化される。この詳細についてはジャーナル・オブ・エレクトロケミカルソサエティ誌（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ）、第１３８巻、第１１号、１９９１年発行、ｐ３４６０〜３４６４に開示されている。
【０００８】
ＣＭＰにおいては、金属膜に対する高速研磨、研磨表面の平坦性及び研磨表面における低い欠陥密度が要求される。
【０００９】
しかしながら、アルミニウム膜は、銅膜やタングステン膜等のような他のダマシン配線用金属膜と比べて軟質であるため、高速研磨は可能であるが、アルミナ粒子のような比較的硬質な研磨砥粒を含有する研磨液用いてＣＭＰを行うと、研磨表面における欠陥のうち、特に表面粗さが増大し平滑性が損なわれ、配線歩留まりを著しく低下させるといった問題がある。
【００１０】
このように、近年のＬＳＩにおける品質向上の要求に対し、従来技術ではアルミニウム膜の表面を十分に平滑にかつ高速で研磨することは難しかった。
【００１１】
本発明は、ＬＳＩなどに用いられるアルミニウム膜の表面を平滑にかつ高速に研磨することができるアルミニウム膜研磨用研磨液及びこれを用いたアルミニウム膜の研磨方法を提供するものである。
【発明の概要】
【００１２】
本発明は、（１）２５℃における第一段の酸解離指数が３以下である多価カルボン酸、コロイダルシリカ及び水を含有し、ｐＨが２〜４であるアルミニウム膜研磨用研磨液に関する。
【００１３】
また、本発明は、（２）前記多価カルボン酸が、しゅう酸、マロン酸、酒石酸から選ばれた少なくとも１種である前記（１）記載のアルミニウム膜研磨用研磨液に関する。
【００１４】
また、本発明は、（３）前記コロイダルシリカの二次粒子の平均粒径が５〜１００ｎｍである前記（１）記載のアルミニウム膜研磨用研磨液に関する。
【００１５】
また、本発明は、（４）さらに、酸化剤を含有することを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載のアルミニウム膜研磨用研磨液に関する。
【００１６】
また、本発明は、（５）前記酸化剤が、過酸化水素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸及びオゾン水から選ばれた少なくとも１種である前記（４）記載のアルミニウム膜研磨用研磨液に関するする。
【００１７】
さらに、本発明は、（６）アルミニウム膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあてて加圧し、前記（１）〜（５）のいずれか一項に記載のアルミニウム膜研磨用研磨液を膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤を動かしてアルミニウム膜を研磨することを特徴とするアルミニウム膜の研磨方法に関する。
【００１８】
本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液を用いることにより、アルミニウム膜の表面を平滑にかつ高速に研磨することが可能である。このため、アルミニウム膜を用いたＬＳＩなどの高品質化に寄与することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液は、２５℃における第一段の酸解離指数が３以下である多価カルボン酸、コロイダルシリカ及び水を含有し、ｐＨが２〜４であることを特徴とする。
【００２０】
本発明で用いる多価カルボン酸は、一分子内にカルボキシル基を二つ以上有するカルボン酸であり、好ましくはジカルボン酸である。該多価カルボン酸の２５℃における第一段の酸解離指数（ｐＫａ１）は３以下であり、好ましくは２．９５以下、さらに好ましくは２．９０以下である。２５℃における第一段の酸解離指数（ｐＫａ１）が３を越える多価カルボン酸では、研磨速度が遅くなってしまい本発明の目的を達成することができない。かかる多価カルボン酸としては、しゅう酸、マロン酸、酒石酸、マレイン酸、クエン酸、これらのアンモニウム塩等が挙げられ、これらは水和物であってもよい。これらの中でも、実用的な研磨速度が得られるという点でしゅう酸、マロン酸、酒石酸が好ましく、しゅう酸が特に好ましい。これら多価カルボン酸は１種類で、または２種類以上で用いることができる。なお、本発明における酸解離指数（ｐＫａ）とは、酸解離定数の逆数の対数値で、例えば「化学便覧基礎編」改定４版（平成５年９月３０日発行）、丸善株式会社、ＩＩ−３１７〜３２１頁に詳細な記載がある。
【００２１】
本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液における前記多価カルボン酸の配合量は、研磨液全重量１００ｇに対して、０．０００１〜０．０５ｍｏｌであることが好ましく、０．００１〜０．０１ｍｏｌであることがより好ましい。この配合量が０．０５ｍｏｌを超えると研磨後のアルミニウム膜の平滑性が悪化する傾向にあり、０．０００１ｍｏｌ未満では十分なアルミニウム膜の研磨速度が得られない傾向にある。
【００２２】
ＣＭＰによる研磨速度を速めるには、酸化剤によりアルミニウム膜の表面を酸化した後、酸化金属溶解剤を添加することが有効であると考えられている。これは、砥粒によって削り取られたアルミニウム膜表面の酸化物を研磨液に溶解させることで、砥粒による削り取りの効果が増すためであると解釈できる。かかる酸化金属溶解剤としては、アルミニウムに対してキレート能を有する物質が有用であり、一般的に有機酸や無機酸が用いられている。本発明者らはこれら有機酸や無機酸について鋭意検討した結果、２５℃における第一段の酸解離指数が３以下である多価カルボン酸がアルミニウム膜に対する研磨速度を向上させる効果が高いことを見出した。
【００２３】
本発明で用いる酸化剤は、過酸化水素；過酢酸、過安息香酸、ｔｅｒｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、過マンガン酸カリウム、重クロム酸カリウム、ヨウ素酸カリウム、過ヨウ素酸カリウム、硝酸、硝酸鉄、過塩素酸、次亜塩素酸、フェリシアン化カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン水などが挙げられ、これらの中でも、過酸化水素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸及びオゾン水が好ましく、過酸化水素が特に好ましい。これらの酸化剤は、１種類で、または２種以上で用いることができる。基板が集積回路用素子を含むシリコン基板である場合、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物などによる汚染は望ましくないので、不揮発成分を含まない酸化剤が望ましい。また、適用対象の基板が半導体素子を含まないガラス基板などである場合は不揮発成分を含む酸化剤であっても差し支えない。
【００２４】
アルミニウム膜研磨用研磨液における酸化剤の配合量は、研磨液全重量に対して０．１〜５０重量％であることが好ましく、０．３〜４０重量％の範囲であることがより好ましい。この配合量が０．１重量％未満ではアルミニウム膜に対し充分な研磨速度が得られない傾向にあり、５０重量％を超えて加えても研磨速度の向上が見られない傾向にある。
【００２５】
本発明では砥粒としてコロイダルシリカを用いる。コロイダルシリカはアルミニウム膜表面の平滑化に優れているため、それを含んでなる研磨液は本発明の目的を達成することができる。かかるコロイダルシリカの二次粒子の平均粒径は、５〜１００ｎｍの範囲が好ましく、１０〜９０ｎｍの範囲がより好ましい。二次粒子の平均粒径が５ｎｍ未満である場合はアルミニウム膜に対し充分な研磨速度が得られない傾向にあり、二次粒子の平均粒径が１００ｎｍを超えると研磨後のアルミニウム膜表面に対して十分な平滑性が得られない傾向にある。なお、二次粒子の平均粒径は研磨液を回転数８０００ｍｉｎ−１の条件で１０分間遠心分離し、その上澄み液をマルバーン社製のゼータ電位・粒子径測定装置 ゼータサイザー３０００ＨＳにより測定することができる。
【００２６】
コロイダルシリカとしては、例えば、塩化ケイ素などを気相中で酸素および水素と反応させるヒュームド法、テトラエトキシシランなどのアルコキシシランから加水分解縮合して合成するゾルゲル法、精製により不純物を除去した無機コロイド法などにより合成されたコロイダルシリカを用いることができる。特に、テトラエトキシシランなどのアルコキシシランから加水分解縮合して合成するゾルゲル法により合成されたコロイダルシリカを用いることが好ましい。また、コロイダルシリカは、アルミニウム面の汚染を避けるため高純度であることが好ましい。具体的には、含有ナトリウム量として好ましくは１０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは８ｐｐｍ以下、とくに好ましくは５ｐｐｍ以下であるコロイダルシリカが好ましい。ナトリウム含量が１０ｐｐｍを越えると、ＣＭＰスラリーとして用いる際に、ナトリウムによるアルミニウム面の汚染が発生する場合がある。
【００２７】
アルミニウム膜研磨用研磨液におけるコロイダルシリカの配合量は、研磨液全重量に対して０．０１〜１０重量％であることが好ましく、０．０５〜５重量％の範囲であることがより好ましい。この配合量が０．０１重量％未満ではコロイダルシリカを含まない研磨液を用いた場合の研磨速度と有意差が認められない傾向にあり、１０重量％を超えて加えても研磨速度の向上は見られない傾向にある。
【００２８】
本発明の研磨液は、コロイダルシリカが水中にスラリー状に分散したものである。水の配合量は各種成分（多価カルボン酸、酸化剤、コロイダルシリカ、その他任意の添加剤）の合計量に対する残分となる。
【００２９】
本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液のｐＨは２〜４、好ましくは２．１〜３．８、より好ましくは２．２〜３．７の範囲である。ｐＨが２未満であると研磨装置の配管系にダメージを与えるため操作性に劣り、ｐＨが４を超えると研磨後のアルミニウム膜表面の平滑性が低下したり、研磨液の保存安定性が損なわれたりする。研磨液のｐＨを上記範囲に調整する方法としては、前記多価カルボン酸の添加量により調整する方法、エチレンジアミン、エタノールアミン、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアルカリ成分の添加により調整する方法などが挙げられ、通常は、アンモニアなどの無機塩基の添加により調整する方法により行なわれる。
【００３０】
本発明の研磨液には、上述した各種成分の他に、染料、顔料等の着色剤や、水と混合可能な溶媒、水溶性ポリマ、その他一般に研磨材に添加される添加剤を、研磨液の作用効果を損なわない範囲で添加しても良い。
【００３１】
本発明のアルミニウム膜の研磨方法は、アルミニウム膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあてて加圧し、本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液をアルミニウム膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤を動かしてアルミニウム膜を研磨することを特徴とする。
【００３２】
本発明において研磨対象となるアルミニウム膜を形成した基板としては、半導体装置製造に係る基板、例えば回路素子と配線パターンが形成された段階の半導体基板、回路素子が形成された段階の半導体基板等などが挙げられる。
【００３３】
本発明のアルミニウム膜の研磨方法において、使用できる研磨装置としては、基板を保持するホルダーと、研磨布（パッド）を貼り付けた定盤（回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある）を有する一般的な研磨装置でよく、特に限定されない。例えば、株式会社ナノファクター製研磨装置：ＦＡＣＴ−２００が使用できる。
【００３４】
研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等が挙げられ、特に制限はないが、研磨布にアルミニウム膜研磨用研磨液がたまるような溝加工を施すことが好ましい。
【００３５】
さらに、研磨条件に制限はないが、定盤の回転速度は基板が飛び出さないように２００ｍｉｎ−１以下の低回転が好ましく、基板にかける圧力は研磨後に、基板のアルミニウム膜表面に傷が発生しないように１ｋｇ／ｃｍ２（９８ｋＰａ）以下にすることが好ましい。
【００３６】
本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液を研磨装置に供給する方法は、研磨している間、研磨布に研磨液をポンプなどで連続的に供給できれば特に制限はない。この研磨液の供給量についても特に制限はないが、研磨布の表面が常に研磨液で覆われていることが好ましい。具体的には、研磨布面積１ｃｍ２当たり、０．００１〜１ミリリットル供給されることが好ましい。
【００３７】
基板のアルミニウム膜を研磨布に押圧した状態で、基板と研磨定盤を動かすには、具体的には基板と研磨定盤との少なくとも一方を動かせば良い。研磨定盤を回転させる他に、ホルダーを回転や揺動させて研磨しても良い。また、研磨定盤を遊星回転させる研磨方法、ベルト状の研磨布を長尺方向の一方向に直線状に動かす研磨方法等が挙げられる。なお、ホルダーは固定、回転、揺動のいずれの状態でも良い。これらの研磨方法は、研磨装置などにより適宜選択できる。
【００３８】
研磨終了後の基板は、流水中で良く洗浄後、スピンドライヤなどを用いて基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。
【００３９】
本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液を用いてアルミニウム膜を形成した基板を研磨することにより、アルミニウム膜の表面を平滑にかつ高速に研磨することが可能である。本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液を用いて研磨することにより研磨速度２５ｎｍ／ｍｉｎ以上、かつ、平均表面粗さ（Ｒａ）１ｎｍ以下の研磨が可能となる。本発明における平滑性の指標は研磨終了後のアルミニウム膜表面の平均表面粗さ（Ｒａ）であり、アルミニウム膜表面を走査型プローブ顕微鏡（セイコーインスツルメンツ株式会社製、ＳＰＩ３８００Ｎ／ＳＰＡ５００）を用い、測定領域５ミクロン□で測定することにより求めた。また研磨速度は、研磨前後の基板のアルミニウム膜の膜厚差をシート抵抗値から換算して求め、研磨時間とから算出した。
【００４０】
本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液は、ＬＳＩ用アルミニウム膜の研磨に特に好適であるが、他の用途のアルミニウム膜の研磨についても用いることができる。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例により本発明を詳しく説明する。なお、本発明はこれらの実施例により制限されるものではない。
【００４２】
実施例１
シュウ酸２水和物０．４７重量％（研磨液全量１００ｇに対し０．００３７３モル）を水を加えて溶解した後、二次粒子の平均粒径５０ｎｍの濃度２０重量％コロイダルシリカ５重量％（固形分として１重量％）を分散させ、３０％濃度の過酸化水素水１０重量％を加えた後、濃度２５重量％のアンモニア水によりｐＨを２．５に調整しアルミニウム膜研磨用研磨液（Ａ）を作製した。
【００４３】
なお、コロイダルシリカは、常法に従いテトラエトキシシランのアンモニア溶液中での加水分解により作製した。
【００４４】
次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液（Ａ）を定盤に貼り付けたパッドに滴下しながら、下記に示す研磨条件でＣＭＰ処理を行い、下記に示す評価を行った。その評価結果を表１に示す。
【００４５】
（研磨条件）
研磨装置：株式会社ナノファクター製、ＦＡＣＴ―２００
研磨パッド：独立気泡を持つ発泡ポリウレタン樹脂
研磨圧力：３０ｋＰａ（３００ｇｆ／ｃｍ２）
研磨定盤の回転速度：５０ｍｉｎ−１
研磨液の流量：１１ｃｃ／ｍｉｎ
研磨時間：１分
（使用基板）
厚さ２．４μｍのアルミニウム膜を形成したシリコン基板（２ｃｍ角）
研磨前の平均表面粗さ（Ｒａ）：３．１ｎｍ
（評価項目及び評価方法）
ＣＭＰによるアルミニウム膜に対する研磨速度：基板の研磨前後での膜厚差をシート抵抗値の変化から換算して求め、研磨時間とから算出した。
【００４６】
平均表面粗さ：研磨後のアルミニウム膜平均表面粗さを走査型プローブ顕微鏡（セイコーインスツルメンツ株式会社製、ＳＰＩ３８００Ｎ／ＳＰＡ５００）を用い、測定領域５ミクロン□で測定することにより求めた。
【００４７】
評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は６５ｎｍ／ｍｉｎ、平均表面粗さ（Ｒａ）は０．４ｎｍであり、高速に研磨することができ、かつ良好な平滑性を示した。
【００４８】
実施例２
過酸化水素水を添加しないこと以外は実施例１と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｂ）を作製した。
【００４９】
次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｂ）を使用して実施例１と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は６３ｎｍ／ｍｉｎ、平均表面粗さ（Ｒａ）は０．４ｎｍであり、高速に研磨することができ、かつ良好な平滑性を示した。
【００５０】
実施例３
３０％濃度の過酸化水素水を３重量％用いること以外は実施例１と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｃ）を作製した。
【００５１】
次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｃ）を使用して実施例１と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は６３ｎｍ／ｍｉｎ、平均表面粗さ（Ｒａ）は０．４ｎｍであり、高速に研磨することができ、かつ良好な平滑性を示した。
【００５２】
実施例４
シュウ酸２水和物０．４７重量％の代りに酒石酸０．５６重量％（研磨液全量１００ｇに対し０．００３７３モル）を用いること以外は実施例１と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｄ）を作製した。
【００５３】
次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｄ）を使用して実施例１と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は３２ｎｍ／ｍｉｎ、平均表面粗さ（Ｒａ）は０．６ｎｍであり、高速に研磨することができ、かつ良好な平滑性を示した。
【００５４】
実施例５
シュウ酸２水和物０．４７重量％の代りにマロン酸０．３９重量％（研磨液全量１００ｇに対し０．００３７５モル）を用いること以外は実施例１と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｅ）を作製した。
【００５５】
次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｅ）を使用して実施例１と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は４１ｎｍ／ｍｉｎ、平均表面粗さ（Ｒａ）は０．６ｎｍであり、高速に研磨することができ、かつ良好な平滑性を示した。
【００５６】
実施例６
二次粒子の平均粒径５０ｎｍの濃度２０重量％コロイダルシリカ５重量％の代りに二次粒子の平均粒径８０ｎｍの濃度２０ｗｔ％コロイダルシリカ５重量％（固形分として１重量％）を用いること以外は実施例１と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｆ）を作製した。
【００５７】
次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｆ）を使用して実施例１と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度量は６７ｎｍ／ｍｉｎ、平均表面粗さ（Ｒａ）は０．８ｎｍであり、高速に研磨することができ、かつ良好な平滑性を示した。
【００５８】
実施例７
過酸化水素水を添加しないこと以外は実施例６と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｇ）を作製した。
【００５９】
次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｇ）を使用して実施例１と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度量は７０ｎｍ／ｍｉｎ、平均表面粗さ（Ｒａ）は０．８ｎｍであり、高速に研磨することができ、かつ良好な平滑性を示した。
【００６０】
実施例８
実施例１と同様の成分を用いアンモニア水の添加量をコントロールしてｐＨを３．０に調整してアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｈ）を作製した。
【００６１】
次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｈ）を使用して実施例１と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は６４ｎｍ／ｍｉｎ、平均表面粗さ（Ｒａ）は０．８ｎｍであり、高速に研磨することができ、かつ良好な平滑性を示した。
【００６２】
比較例１
シュウ酸２水和物０．４７重量％の代りにリンゴ酸０．５重量％（研磨液全量１００ｇに対し０．００３７３モル）を用いること以外は実施例１と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｉ）を作製した。
【００６３】
次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｉ）を使用して実施例１と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は１５ｎｍ／ｍｉｎ、平均表面粗さ（Ｒａ）は０．６ｎｍであり、平滑性は良好であったが研磨速度は実施例１〜８に比べ大きく低下した。
【００６４】
比較例２
実施例１と同様の成分を用いアンモニア水の添加量をコントロールしてｐＨを５．０に調整してアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｊ）を作製した。
【００６５】
次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｊ）を使用して実施例１と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は６４ｎｍ／ｍｉｎ、平均表面粗さ（Ｒａ）は１．４ｎｍであり、高速に研磨することができたが、アルミニウム膜表面の平滑性は実施例１〜８に比べ悪化した。
【００６６】
比較例３
平均粒径５０ｎｍの濃度２０重量％コロイダルシリカ５重量％の代りに平均粒径１６０ｎｍの濃度２０重量％ヒュームドシリカ懸濁液５重量％（固形分として１重量％）を用いること以外は実施例１と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｋ）を作製した。なお、ヒュームドシリカ懸濁液はアエロジル２００（日本アエロジル株式会社社製）を純水中に懸濁し超音波分散して作製した。
【００６７】
次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｋ）を使用して実施例１と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は８９ｎｍ／ｍｉｎ、平均表面粗さＲａは１．６ｎｍであり、高速に研磨することができたが、アルミニウム表面の平滑性は実施例１〜８に比べ悪化した。
【００６８】
比較例４
シュウ酸２水和物０．４７重量％の代りにブロモ酢酸０．５２重量％（研磨液全量１００ｇに対し０．００３７４モル）を用いること以外は実施例１と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｌ）を作製した。
【００６９】
次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液（Ｌ）を使用して実施例１と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は１８ｎｍ／ｍｉｎ、平均表面粗さ（Ｒａ）は０．８ｎｍであり、平滑性は良好であったが研磨速度は実施例１〜８に比べ大きく低下した。
【００７０】
以上の実施例１〜８及び比較例１〜４に関する研磨液の組成及び研磨評価について表１及び表２にそれぞれ示す。なお、表１及び表２中の砥粒、有機酸及び酸化剤の濃度（重量％）は研磨液全重量に対する各成分の濃度を示す。
【表１】
2011228728.tif 000002
【表２】
2011228728.tif 000003