(57)【要約】【目的】本発明は、チャンネルからチャンネルの電流の歪みを改善し、静止電流を減らすことのできる多チャンネル電流ドライバーを提供する。【解決手段】１つのチャンネルは、チャンネルスイッチと、メモリ型電流ミラーとを備える。チャンネルスイッチの第１端は、基準電流を受け取る。メモリ型電流ミラーのマスター電流端は、チャンネルスイッチの第２端に接続される。チャンネルスイッチが基準電流をメモリ型電流ミラーに提供している時、メモリ型電流ミラーのスレーブ電流端は、基準電流に基づいて駆動電流を出力し、チャンネルスイッチが基準電流を停止している時、メモリ型電流ミラーのスレーブ電流端は、駆動電流を保持する。【選択図】図6
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチャンネルを有する多チャンネル電流ドライバーであって、
そのうち１つのチャンネルが、
第１基準電流を受け取る第１端を有するチャンネルスイッチと、メモリ型電流ミラーとを備え、
前記メモリ型電流ミラーは、前記チャンネルスイッチの第２端に接続されたマスター電流端を有し、前記チャンネルスイッチが前記第１基準電流を前記メモリ型電流ミラーに提供している時、前記メモリ型電流ミラーのスレーブ電流端が駆動電流を出力し、前記チャンネルスイッチが前記第１基準電流の提供を停止している時、前記メモリ型電流ミラーの前記スレーブ電流端が継続して前記駆動電流を出力する多チャンネル電流ドライバー。
【請求項２】
前記メモリ型電流ミラーの前記スレーブ電流端が、ＬＥＤストリングに接続された請求項１記載の多チャンネル電流ドライバー。
【請求項３】
前記メモリ型電流ミラーが、
前記メモリ型電流ミラーの前記マスター電流端として用いられる第１端を有する第１トランジスタと、
前記第１トランジスタの制御端に接続されたサンプリングコンデンサと、
前記第１トランジスタの前記第１端に接続された第１端、および前記サンプリングコンデンサに接続された第２端を有するサンプリングスイッチと、
前記メモリ型電流ミラーの前記スレーブ電流端として用いられる第１端、および前記サンプリングコンデンサに接続された制御端を有する第２トランジスタと
を備えた請求項１記載の多チャンネル電流ドライバー。
【請求項４】
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタが、ＮＭＯＳトランジスタである請求項３記載の多チャンネル電流ドライバー。
【請求項５】
前記メモリ型電流ミラーが、
前記メモリ型電流ミラーの前記マスター電流端として用いられる第１端を有する第１抵抗と、
前記第１抵抗の前記第１端に接続された第１端を有するサンプリングスイッチと、
前記サンプリングスイッチの第２端に接続されたサンプリングコンデンサと、
前記サンプリングコンデンサに接続された第１入力端を有するアンプと、
前記メモリ型電流ミラーの前記スレーブ電流端として用いられる第１端、前記アンプの第２入力端に接続された第２端、および前記アンプの出力端に接続された制御端を有する第３トランジスタと、
前記第３トランジスタの前記第２端に接続された第１端を有する第２抵抗と
を備えた請求項１記載の多チャンネル電流ドライバー。
【請求項６】
前記アンプが、オペアンプである請求項５記載の多チャンネル電流ドライバー。
【請求項７】
前記第３トランジスタが、ＮＭＯＳトランジスタである請求項５記載の多チャンネル電流ドライバー。
【請求項８】
前記チャンネルに接続され、前記第１基準電流を提供する電流源をさらに備えた請求項１記載の多チャンネル電流ドライバー。
【請求項９】
第２基準電流を提供する電流源と、
前記電流源に接続され、前記第２基準電流を受け取るマスター電流端、および前記チャンネルに接続され、前記第１基準電流を提供するスレーブ電流端を有する電流ミラーと
をさらに備えた請求項１記載の多チャンネル電流ドライバー。
【請求項１０】
前記電流ミラーが、
前記電流ミラーの前記マスター電流端として用いられる第１端、第１電圧に接続される第２端、および前記第４トランジスタの前記第１端に接続された制御端を有する第４トランジスタと、
前記電流ミラーの前記スレーブ電流端として用いられる第１端、前記第１電圧に接続される第２端、および前記第４トランジスタの前記制御端に接続された制御端を有する第５トランジスタと
を備えた請求項９記載の多チャンネル電流ドライバー。
【請求項１１】
前記第４トランジスタおよび前記第５トランジスタが、ＰＭＯＳトランジスタである請求項１０記載の多チャンネル電流ドライバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流駆動回路に関するものであり、特に、多チャンネル（multi channel）電流ドライバーに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、多チャンネル電流ドライバーは、マルチＬＥＤ（light emitting diode）のように、複数の電流負荷（current load）を駆動するのに用いられる。例えば、大型ＬＥＤディスプレイボードは、複数のＬＥＤを結合して完全な画像を形成する。多チャンネル電流ドライバーは複数のチャンネルを有し、これらのチャンネルが一対一方式（one-to-one method）で電流負荷を駆動する。しかしながら、チャンネルの数が増えると、チャンネルからチャンネルの電流の歪みが激しくなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、チャンネルからチャンネルの電流の歪みを改善し、静止電流を減らすことのできる多チャンネル電流ドライバーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の１つの実施形態は、複数のチャンネルを備えた多チャンネル電流ドライバーを提供する。そのうち１つのチャンネルは、チャンネルスイッチと、メモリ型（memory-type）電流ミラーとを備える。チャンネルスイッチの第１端は、第１基準電流を受け取る。メモリ型電流ミラーのマスター電流端（master current end）は、チャンネルスイッチの第２端に接続される。チャンネルスイッチがメモリ型電流ミラーに第１基準電流を提供している時、メモリ型電流ミラーのスレーブ電流端（slave current end）は、それに応じて、駆動電流を出力する。さらに、チャンネルスイッチが第１基準電流の提供を停止している時、スレーブ電流端は、継続して駆動電流を提供する。
【０００５】
本発明の１つの実施形態において、上述したメモリ型電流ミラーは、第１トランジスタと、サンプリングコンデンサと、サンプリングスイッチと、第２トランジスタとを備える。第１トランジスタの第１端は、メモリ型電流ミラーのマスター電流端として用いられ、第２トランジスタの第１端は、メモリ型電流ミラーのスレーブ電流端として用いられる。サンプリングコンデンサは、第１トランジスタの制御端に接続される。サンプリングスイッチの第１端は、第１トランジスタの第１端に接続され、サンプリングスイッチの第２端は、サンプリングコンデンサに接続される。第２トランジスタの制御端は、サンプリングコンデンサに接続される。
【０００６】
本発明の１つの実施形態において、メモリ型電流ミラーは、第１抵抗と、サンプリングスイッチと、サンプリングコンデンサと、アンプと、第３トランジスタと、第２抵抗とを備える。第１抵抗の第１端は、メモリ型電流ミラーのマスター電流端として用いられ、第３トランジスタの第１端は、メモリ型電流ミラースレーブ電流端として用いられる。サンプリングスイッチの第１端は、第１抵抗の第１端に接続される。サンプリングコンデンサは、サンプリングスイッチの第２端に接続される。アンプの第１入力端は、サンプリングコンデンサに接続される。第３トランジスタの第２端は、アンプの第２入力端に接続される。第３トランジスタの制御端は、アンプの出力端に接続される。第２抵抗の第１端は、第３トランジスタの第２端に接続される。
【０００７】
本発明の１つの実施形態において、多チャンネル電流ドライバーは、さらに、電流源と、電流ミラーとを備える。電流源は、第２基準電流を提供する。電流ミラーのマスター電流端は、電流源に接続され、第２基準電流を受け取り、電流ミラーのスレーブ電流端は、チャンネルに接続され、第１基準電流を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
以上のように、本発明の実施形態は、時分割多重（Time Division Multiplexing, TDM）方式を採用した多チャンネル電流ドライバーによって、各チャンネルのメモリ型電流ミラーに基準電流を提供し、それによって、チャンネルからチャンネルの電流の歪みを改善し、静止電流を減らす。
【０００９】
本発明の上記及び他の目的、特徴、および利点をより分かり易くするため、図面と併せた幾つかの実施形態を以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る多チャンネル電流ドライバーの機能を示した概略的ブロック図である。
【図２】本発明の実施形態に係る別の多チャンネル電流ドライバーの機能を示した概略的ブロック図である。
【図３】本発明の実施形態に係る図２に示した複数の制御信号のタイミング図である。
【図４】本発明の実施形態に係る図２に示したメモリ型電流ミラーの概略的回路図である。
【図５】本発明の別の実施形態に係る図２に示したメモリ型電流ミラーの概略的回路図である。
【図６】本発明の別の実施形態に係る多チャンネル電流ドライバーの機能を示した概略的ブロック図である。
【図７】本発明の実施形態に係る図６に示した電流ミラーの概略的回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は、本発明の実施形態に係る多チャンネル電流ドライバー１００の機能を示した概略的ブロック図である。多チャンネル電流ドライバー１００を用いて、複数の電流負荷を駆動する。図１において、ＬＥＤストリングＤ１およびＬＥＤストリングＤＮは、電流負荷を表す。ＬＥＤストリングＤ１およびＤＮの陽極は電圧源ＶLEDに接続され、陰極は多チャンネル電流ドライバー１００に接続される。多チャンネル電流ドライバー１００は、複数のチャンネルを有し、これらのチャンネルが一対一方式でＬＥＤストリングＤ１およびＤＮを駆動する。各チャンネルは、それぞれ電流ミラー（例えば、電流ミラー１３０‐１または電流ミラー１３０‐Ｎ）を有する。
【００１２】
図１を参照すると、多チャンネル電流ドライバー１００は、また、電流源１１０と、電流ミラー１２０とを備える。マスター電流端（の電流例えば、電流源１１０によって提供された基準電流Ｉref）に基づいて、電流ミラー１２０が、同量の電流Ｉ11〜Ｉ1Nをそれぞれ電流ミラー１３０‐１〜１３０‐Ｎに提供する。マスター電流端の電流（例えば、電流ミラー１２０によって提供された基準電流Ｉ11〜Ｉ1N）に基づいて、各チャンネルの電流ミラー１３０‐１〜１３０‐Ｎが、Ｋ倍の駆動電流ＩLED1〜ＩLEDNをそれぞれＬＥＤストリングＤ１〜ＤＮに提供する。
【００１３】
理想的には、電流ミラーが、基準電流Ｉrefに基づいて、同量の電流Ｉ11〜Ｉ1Nを生成する。しかしながら、実際には、製造工程のずれやその他の要因によって、わずかなエラーが発生する。チャンネルの数が増えると、チャンネルからチャンネルの電流の歪みが激しくなる。
【００１４】
さらに、駆動電流ＩLED1〜ＩLEDNは、１０ｍＡの大きさを有する。１：Ｋの電流比を有する電流ミラー１３０‐１〜１３０‐Ｎを使用することによって、基準電流ＩrefおよびＩ11〜Ｉ1Nの電流値を大幅に減らすことができる。つまり、多チャンネル電流ドライバー１００の静止電流が低下する。上述したＫは、どの実数でもよい。しかしながら、チャンネルの数が拡大すると、静止電流も比例して増加する。例えば、ＩLED1〜ＩLEDNが５０ｍＡ、Ｋ＝５０、チャンネルの数Ｎが８の場合、電流ミラー１２０の静止電流は、Ｉref ＋Ｉ11＋…＋Ｉ1N＝１ｍＡ＋１ｍＡ＋…＋１ｍＡ＝９ｍＡである。チャンネルの数Ｎが１９６の場合、電流ミラー１２０の静止電流Ｉref ＋Ｉ11＋…＋Ｉ1Nは、１９７ｍＡである。明らかに、チャンネルの数Ｎが１９６の時の静止電流は、チャンネルの数Ｎが８の時の静止電流よりもはるかに大きい。静止電流が大きければ、多チャンネル電流ドライバー１００の使用温度が上がる。
【００１５】
図２は、本発明の実施形態に係る別の多チャンネル電流ドライバー２００の機能を示した概略的ブロック図である。多チャンネル電流ドライバー２００は、電流源２１０と、複数のチャンネルとを備える。電流源２１０は、チャンネルに接続され、第１基準電流Ｉref1を提供する。チャンネルは、第１基準電流Ｉref1に基づいて、複数の電流負荷を駆動する。図２において、ＬＥＤストリングＤ１およびＬＥＤストリングＤＮは、電流負荷を表す。本実施形態において、チャンネルの実施方法は、同じでもよい。第１チャンネルは、チャンネルスイッチ２２０‐１と、メモリ型電流ミラー２３０‐１とを備え、チャンネルスイッチ２２０‐１は、制御信号Ｓ１によって制御される。同様にして、第Ｎチャンネルは、チャンネルスイッチ２２０‐Ｎと、メモリ型電流ミラー２３０‐Ｎとを備え、チャンネルスイッチ２２０‐Ｎは、制御信号ＳＮによって制御される。
【００１６】
図３は、本発明の実施形態に係る図２に示した複数の制御信号のタイミング図である。制御信号Ｓ１がロジカル高レベルにある時、他の制御信号（例えば、Ｓ２、ＳＮ）は、ロジック低レベルにある。そのため、この期間中は、第１チャンネルのチャンネルスイッチ２２０‐１だけがオンになる。制御信号Ｓ２がロジック高レベルにある時、他の制御信号（例えば、Ｓ１、ＳＮ）は、ロジック低レベルにある。そのため、この期間中は、第２チャンネルのチャンネルスイッチ（図示していないため、第１チャンネルを参照されたい）だけがオンになる。よって、制御信号ＳＮがロジカル高レベルにある時、他の制御信号（例えば、Ｓ１、Ｓ２）は、ロジック低レベルにある。そのため、この期間中は、第Ｎチャンネルのチャンネルスイッチ（図示していないため、第１チャンネルを参照されたい）だけがオンになる。このように、電流源２１０が、ＴＤＭ方式を用いて、基準電流Ｉref1を各チャンネルのメモリ型電流ミラー２３０‐１〜２３０‐Ｎに提供することによって、チャンネルからチャンネルの電流の歪みを改善し、静止電流を減らすことができる。
【００１７】
以下、第１チャンネルを用いて実施形態を説明する。他のチャンネル（例えば、第Ｎチャンネル）に関する説明は、第１チャンネルの説明を参照されたい。図２を参照すると、第１チャンネルにおいて、チャンネルスイッチ２２０‐１の第１端は、電流源２１０に接続され、第１基準電流Ｉref1を受け取る。メモリ型電流ミラー２３０‐１のマスター電流端は、チャンネルスイッチ２２０‐１の第２端に接続される。チャンネルスイッチ２２０‐１が第１基準電流Ｉref1をメモリ型電流ミラー２３０‐１に提供している時（すなわち、制御信号Ｓ１がロジック高レベルにある時）、メモリ型電流ミラー２３０‐１のスレーブ電流端は、それに応じて、駆動電流ＩLED1をＬＥＤストリングＤ１に出力する。チャンネルスイッチ２２０‐１が第１基準電流Ｉref1の提供を停止している時（すなわち、制御信号Ｓ１がロジック低レベルにある時）、メモリ型電流ミラー２３０‐１のスレーブ電流端は、継続して駆動電流ＩLED1をＬＥＤストリングＤ１に出力する。
【００１８】
注意すべきこととして、メモリ型電流ミラー２３０‐１は、第１基準電流Ｉref1の電流値を記録することができる。そのため、第１基準電流Ｉref1が提供されていない期間の間、メモリ型電流ミラー２３０‐１は、前に記録された電流値に基づいて、継続して駆動電流ＩLED1をＬＥＤストリングＤ１に出力することができる。本実施形態では、メモリ型電流ミラー２３０‐１の実施方法を限定しない。本実施形態を応用するユーザーは、設計の要求に応じて、メモリ型電流ミラー２３０‐１を実施してもよい。例えば、電荷蓄積型（charge storage type）電流ミラーを用いて、メモリ型電流ミラー２３０‐１を実施してもよい。
【００１９】
図４は、本発明の実施形態に係る図２に示したメモリ型電流ミラー２３０‐１の概略的回路図である。図４を参照すると、メモリ型電流ミラー２３０‐１は、第１トランジスタＭ１と、第２トランジスタＭ２と、サンプリングコンデンサＣ１と、サンプリングスイッチＳＷ１とを備える。本実施形態において、第１トランジスタＭ１および第２トランジスタＭ２は、いずれもＮＭＯＳ（N-channel metal oxide semiconductor）トランジスタである。第１トランジスタＭ１の第１端（例えば、ドレイン）は、メモリ型電流ミラー２３０‐１のマスター電流端として用いられ、第２トランジスタＭ２の第１端（例えば、ドレイン）は、メモリ型電流ミラー２３０‐１のスレーブ電流端として用いられる。
【００２０】
サンプリングスイッチＳＷ１の第１端は、第１トランジスタＭ１のドレインに接続され、サンプリングスイッチＳＷ１の第２端は、サンプリングコンデンサＣ１の第１端に接続される。サンプリングコンデンサＣ１の第２端は、第２電圧（例えば、接地電圧）に接続される。第１トランジスタＭ１の制御端（例えば、ゲート）は、サンプリングコンデンサＣ１の第１端に接続され、第１トランジスタＭ１の第２端（例えば、ソース）は、第２電圧（例えば、接地電圧）に接続される。第２トランジスタＭ２の制御端（例えば、ゲート）は、サンプリングコンデンサＣ１の第１端に接続され、第２トランジスタＭ２の第２端（例えば、ソース）は、第２電圧（例えば、接地電圧）に接続される。
【００２１】
上述したサンプリングスイッチＳＷ１は、制御信号Ｓ１によって制御される。制御信号Ｓ１がロジック高レベルにある時、チャンネルスイッチ２２０‐１およびサンプリングスイッチＳＷ１がオンになる。この時、メモリ型電流ミラー２３０‐１の第１および第２トランジスタＭ１およびＭ２は、所定の倍率（例えば、Ｋ倍）で、第１基準電流Ｉref1を駆動電流ＩLED1として写像する普通の電流ミラーを形成する。さらに、サンプリングスイッチＳＷ１がオンの時、サンプリングコンデンサＣ１が並行して第１および第２トランジスタＭ１およびＭ２のバイアス電圧を蓄積する。制御信号Ｓ１がロジック低レベルにある時、チャンネルスイッチ２２０‐１およびサンプリングスイッチＳＷ１がオフになる。この時、メモリ型電流ミラー２３０‐１のマスター電流端は第１基準電流Ｉref1を持っていないが、サンプリングコンデンサＣ１が既に第１および第２トランジスタＭ１およびＭ２のバイアス電圧を蓄積しているため、メモリ型電流ミラー２３０‐１のスレーブ電流端は、継続して駆動電流ＩLED1をＬＥＤストリングＤ１に出力できる。
【００２２】
メモリ型電流ミラー２３０‐１の実施方法は、図４に示した方法だけに限定されない。例えば、図５は、本発明の別の実施形態に係る図２に示したメモリ型電流ミラー２３０‐１の概略的回路図である。図５を参照すると、メモリ型電流ミラー２３０‐１は、第１抵抗Ｒ１と、第２抵抗Ｒ２と、サンプリングスイッチＳＷ２と、サンプリングコンデンサＣ２と、アンプＡｍｐと、第３トランジスタＭ３とを備える。第１抵抗Ｒ１の第１端は、メモリ型電流ミラー２３０‐１のマスター電流端として用いられ、第３トランジスタＭ３の第１端（例えば、ドレイン）は、メモリ型電流ミラー２３０‐１のスレーブ電流端として用いられる。本実施形態において、アンプＡｍｐはオペアンプ（operational amplifier）であり、第３トランジスタＭ３はＮＭＯＳトランジスタである。
【００２３】
第１抵抗Ｒ１の第２端は、第２電圧（例えば、接地電圧）に接続される。サンプリングスイッチＳＷ２の第１端は、第１抵抗Ｒ１の第１端に接続される。サンプリングコンデンサＣ２の第１端は、サンプリングスイッチＳＷ２の第２端に接続され、サンプリングコンデンサＣ２の第２端は、第２電圧に接続される。アンプＡｍｐの第１入力端は、サンプリングコンデンサＣ２の第１端に接続される。アンプＡｍｐの第２入力端および出力端は、それぞれ第２端（例えば、ソース）および第３トランジスタＭ３の制御端（例えば、ゲート）に接続される。第２抵抗Ｒ２の第１端は、第３トランジスタＭ３のソースに接続され、第２抵抗Ｒ２の第２端は、第２電圧に接続される。上述したアンプＡｍｐの第１入力端は、非反転入力（non-inverting input node）でもよく、アンプＡｍｐの第２入力端は、反転入力（inverting input node）でもよい。
【００２４】
上述したサンプリングスイッチＳＷ２は、制御信号Ｓ１によって制御される。制御信号Ｓ１がロジック高レベルにある時、チャンネルスイッチ２２０‐１およびサンプリングスイッチＳＷ２がオンになる。この時、第１抵抗Ｒ１は、第１基準電流Ｉref1を対応する電圧に変換する。この対応する電圧は、サンプリングコンデンサＣ２に蓄積される。アンプＡｍｐおよび第３トランジスタＭ３は、電圧フォローワー（voltage follower）を形成する。サンプリングコンデンサＣ２に蓄積された電圧に基づき、電圧フォローワーがそれに応じて第２抵抗Ｒ２の第１端の電圧を調整する。第２抵抗Ｒ２を使用することによって、上述した第２抵抗Ｒ２の第１端の電圧を対応する駆動電流ＩLED1に変換することができる。制御信号Ｓ１がロジック低レベルにある時、チャンネルスイッチ２２０‐１およびサンプリングスイッチＳＷ１がオフになる。この時、メモリ型電流ミラー２３０‐１のマスター電流端は第１基準電流Ｉref1を持っていないが、サンプリングコンデンサＣ２が既に上述した電圧を蓄積しているため、メモリ型電流ミラー２３０‐１のスレーブ電流端は、継続して駆動電流ＩLED1をＬＥＤストリングＤ１に出力できる。
【００２５】
多チャンネル電流ドライバー２００の実施方法は、図２に示した方法だけに限定されない。例えば、図６は、本発明の別の実施形態に係る多チャンネル電流ドライバー６００の機能を示した概略的ブロック図である。多チャンネル電流ドライバー６００も、複数のチャンネルを有する。これらのチャンネルの実施に関する説明は、多チャンネル電流ドライバー２００の説明を参照できるため、ここではさらに言及しない。多チャンネル電流ドライバー６００は、電流源６１０および電流ミラー６２０を有するという点で、多チャンネル電流ドライバー２００と異なる。電流源６１０は、第２基準電流Ｉref2を提供する。電流ミラー６２０のマスター電流端は、電流源６１０に接続され、電流ミラー６２０のスレーブ電流端は、各チャンネルに接続される。電流ミラー６２０は、電流源６１０によって提供された第２基準電流Ｉref2を受け取り、電流ミラー６２０は、所定の倍率（例えば、Ｌ倍）で、第２基準電流Ｉref2を第１基準電流Ｉref1として写像し、第１基準電流Ｉref1を各チャンネルのチャンネルスイッチ２２０‐１〜２２０‐Ｎに提供する。上述したＬは、どの実数でもよく、例えば、Ｌ＝１である。
【００２６】
本実施形態は、電流ミラー６２０の実施方法を限定しない。本実施形態を応用するユーザーは、設計の要求に応じて、電流ミラー６２０を実施してもよい。例えば、図７は、本発明の実施形態に係る図６に示した電流ミラー６２０の概略的回路図である。電流ミラー６２０は、第４トランジスタＭ４と、第５トランジスタＭ５とを備える。第４トランジスタＭ４の第１端（例えば、ドレイン）は、電流ミラー６２０のマスター電流端として用いられ、第５トランジスタＭ５の第１端（例えば、ドレイン）は、電流ミラー６２０のスレーブ電流端として用いられる。第４トランジスタＭ４の第２端（例えば、ソース）は、第５電圧（例えば、システム電圧ＶDD）に接続され、第４トランジスタＭ４の制御端（例えば、ゲート）は、第４トランジスタＭ４のドレインに接続される。第５トランジスタＭ５の第２端（例えば、ソース）は、第１電圧に接続され、第５トランジスタＭ５の制御端（例えば、ゲート）は、第４トランジスタＭ４のゲートに接続される。本実施形態において、上述した第４トランジスタＭ４および第５トランジスタＭ５は、いずれもＰＭＯＳ（P-channel metal oxide semiconductor）トランジスタである。
【００２７】
以上のように、上述した実施形態は、ＴＤＭ方式を採用して、第１基準電流Ｉref1を各チャンネルのメモリ型電流ミラー２３０‐１〜２３０‐Ｎに伝送する。メモリ型電流ミラー２３０‐１〜２３０‐Ｎのマスター電流端が第１基準電流Ｉref1を持っていない時、メモリ型電流ミラー２３０‐１〜２３０‐Ｎのメモリ機能を用いることによって、メモリ型電流ミラー２３０‐１〜２３０‐Ｎのスレーブ電流端は、継続して駆動電流ＩLED1〜ＩLEDNをＬＥＤストリングＤ１〜ＤＮに出力することができる。駆動電流ＩLED1〜ＩLEDNが５０ｍＡ、Ｋ＝５０、Ｌ＝1という例を再度使用して、図１と比較すると、図６のチャンネルの数Ｎが８の場合、電流ミラー６２０の静止電流は、Ｉref1＋Ｉref2＝１ｍＡ＋１ｍＡ＝２ｍＡである。明らかに、多チャンネル電流ドライバー６００の静止電流（２ｍＡ）は、多チャンネル電流ドライバー１００の静止電流（９ｍＡ）よりも小さい。図６のチャンネルの数Ｎが１９６の場合、電流ミラー６２０の静止電流は、Ｉref1＋Ｉref2＝１ｍＡ＋１ｍＡ＝２ｍＡである。明らかに、多チャンネル電流ドライバー６００の静止電流（２ｍＡ）は、多チャンネル電流ドライバー１００の静止電流（１９７ｍＡ）よりもはるかに小さい。この例によってはっきりと示されているように、多チャンネル電流ドライバー６００の省エネルギーは、チャンネルの数が増えるほど大きくなる。
【００２８】
また、実際には、Ｎ＝１９６の時、製造工程のずれや他の要因によって、多チャンネル電流ドライバー１００のチャンネルからチャンネルの電流の歪みは激しくなる。図６に示した多チャンネル電流ドライバー２００および６００は、１入力多出力（single-input multiple-outputs）（Ｎ）を有する電流ミラー１２０を使用しない。一方で、多チャンネル電流ドライバー２００および６００は、ＴＤＭ方式を採用して、同じ第１基準電流Ｉref1を各チャンネルのメモリ型電流ミラー２３０‐１〜２３０‐Ｎに伝送する。そのため、チャンネルの数Ｎが１９６であるか、８であるか、あるいは２であるかに関わらず、チャンネルからチャンネルの電流の歪みは同じで、悪化しにくい。したがって、上述した実施形態における多チャンネル電流ドライバー２００および６００は、例えば、大型ＬＥＤディスプレイボードにおける複数のチャンネル間の均一性を要求した応用に適している。
【００２９】
以上のごとく、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【符号の説明】
【００３０】
１００、２００、６００  多チャンネル電流ドライバー
１１０、２１０、６１０  電流源
１２０、１３０‐1〜１３０‐Ｎ、６２０  電流ミラー
２２０‐１〜２２０‐Ｎ  チャンネルスイッチ
２３０‐１〜２３０‐Ｎ  メモリ型電流ミラー
Ａｍｐ  アンプ
Ｃ１、Ｃ２  サンプリングコンデンサ
Ｄ１、ＤＮ  ＬＥＤストリング
Ｉref  基準電流
Ｉref1  第１基準電流
Ｉref2  第２基準電流
Ｉ11〜Ｉ1N  電流
ＩLED1〜ＩLEDN  駆動電流
Ｍ１  第１トランジスタ
Ｍ２  第２トランジスタ
Ｍ３  第３トランジスタ
Ｍ４  第４トランジスタ
Ｍ５  第５トランジスタ
Ｒ１  第１抵抗
Ｒ２  第２抵抗
Ｓ１、Ｓ２、ＳＮ  制御信号
ＳＷ１、ＳＷ２  サンプリングスイッチ
ＶDD  システム電圧
ＶLED  電圧源
【図１】
2011109053.tif 000003
【図２】
2011109053.tif 000004
【図３】
2011109053.tif 000005
【図４】
2011109053.tif 000006
【図５】
2011109053.tif 000007
【図６】
2011109053.tif 000008
【図７】
2011109053.tif 000009
【外国語明細書】
2011109053.tif 000010
2011109053.tif 000011
2011109053.tif 000012
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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