(57)【要約】【課題】半導体ウェーハから取得できるチップ数を増大させることが可能な半導体ウェーハのパターン露光方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハ１８に、長方形状の露光単位領域３５を長方形の短辺に平行な第１の方向に順次移動させながら回路パターンを露光するに際に、露光単位領域３５における半導体ウェーハ１８の厚みムラによる表面凹凸が露光焦点面において小さくなるように半導体ウェーハ１８を傾けて露光する半導体ウェーハのパターン露光方法であって、半導体ウェーハ１８に、外周部を露光あるいは露光焦点面を決定する領域から除外するエッジ除外領域３１を、第１の方向における第１除外幅ｄ１が第１の方向に直角な第２の方向における第２除外幅ｄ２より小さくなるように設定し、エッジ除外領域３１を含まない露光単位領域３５内で、表面凹凸が露光焦点面において小さくなるように半導体ウェーハ１８を傾けて露光焦点面を設定する。【選択図】  図３
2011249627.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハに、長方形状の露光単位領域を前記長方形の短辺に平行な第１の方向に順次移動させながら、回路パターンを露光するに際に、前記露光単位領域における前記半導体ウェーハの厚みムラによる表面凹凸が露光焦点面において小さくなるように前記半導体ウェーハを傾けて露光する半導体ウェーハのパターン露光方法であって、
前記半導体ウェーハに、前記半導体ウェーハの外周部を露光あるいは露光焦点面を決定する領域から除外するエッジ除外領域を、前記第１の方向における第１除外幅が前記第１の方向に直角な第２の方向における第２除外幅より小さくなるように設定し、
前記エッジ除外領域を含まない前記露光単位領域内で、前記表面凹凸が前記露光焦点面において小さくなるように半導体ウェーハを傾けて露光焦点面を設定する
ことを特徴とする半導体ウェーハのパターン露光方法。
【請求項２】
前記エッジ除外領域は、前記半導体ウェーハの半径と前記第１除外幅の差を長径とし、前記半導体ウェーハの半径と前記第２除外幅の差を短径とする楕円と前記半導体ウェーハの外周縁の間であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハのパターン露光方法。
【請求項３】
前記エッジ除外領域は、前記半導体ウェーハの外周部の露光単位領域において前記半導体ウェーハの外周部のダレに基づく最小２乗平面に垂直な方向における前記ダレの深さが露光光学系の焦点深度より大きくなるデフォーカスが発生する領域を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハのパターン露光方法。
【請求項４】
予め前記露光単位領域における前記半導体ウェーハの外周部のダレを示すデータを求め、前記データに基づいて、前記デフォーカスが発生しない領域を予測し、前記外周部から前記予測した領域を除いた領域を前記エッジ除外領域として設定した後に、露光を行うことすること特徴とする請求項３記載の半導体ウェーハのパターン露光方法。
【請求項５】
前記露光単位領域における前記半導体ウェーハの外周部のダレを示すデータを求め、前記データに基づいて、前記デフォーカスが発生しない領域を予測し、前記外周部から前記予測した領域を除いた領域を前記エッジ除外領域として設定しながら、露光を行うこと特徴とする請求項３記載の半導体ウェーハのパターン露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハのパターン露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハに大規模集積回路（ＬＳＩ）等を形成する際、レチクルに描かれた回路パターンをステッパーと呼ばれる露光装置により半導体ウェーハ上に縮小投影して焼き付ける工程（リソグラフィー工程）を行う。
【０００３】
通常、１チップあるいは複数チップ分の回路パターンを１回の露光で行い、半導体ウェーハ上の露光位置を移動して隣のチップ（あるいはチップ群）の露光を行うという動作を繰り返すことにより、半導体ウェーハの全面に焼き付けていく。
【０００４】
半導体装置の微細化・高集積化に伴って露光装置には、半導体ウェーハの厚さムラに起因する表面凹凸によるパターンぼけの発生を抑制するために、パターン露光時に露光焦点面に対して半導体ウェーハの厚さムラに起因する表面凹凸が最も小さくなるように半導体ウェーハを傾けるレベリング機構が採用されている。
【０００５】
更に、パターンを半導体ウェーハ上に露光する際、レチクル上のパターンを一度に露光するのではなく、パターンの一部分をスキャンしながら、同時に半導体ウェーハを移動させながら露光するスキャン露光方式が採用されている。
【０００６】
一方、半導体ウェーハの外周部は、半導体ウェーハの中央部と較べて凹凸状態が異なっており、半導体ウェーハの加工上避けるのが難しい局所的に大きな傾き、所謂ダレが存在する。このダレによる平坦度の悪化に対しては、上述した方法は必ずしも有効ではなく、パターンぼけの発生を抑制することが難しい。
【０００７】
従来、このダレの影響を避けるために、予め半導体ウェーハに、半導体ウェーハの外周部を露光あるいは露光焦点面決定領域から除くためのエッジ除外領域が設けられている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
このエッジ除外領域は、円形状の半導体ウェーハに対して、外周縁から一定の除外幅、例えば４ｍｍ幅のリング状に設けられている。
【０００９】
然しながら、このエッジ除外領域は除外幅が一義的に定められているので、露光する領域の形状によってはダレの影響を受けない領域までエッジ除外領域に含まれてしまう場合がある。その結果、本来使用できるはずの領域が無駄になり、一枚の半導体ウェーハから取得できるチップ数が減少するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００９−８８５４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、半導体ウェーハから取得できるチップ数を増大させることが可能な半導体ウェーハのパターン露光方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様の半導体ウェーハの露光方法は、半導体ウェーハに、長方形状の露光単位領域を前記長方形の短辺に平行な第１の方向に順次移動させながら、回路パターンを露光するに際に、前記露光単位領域における前記半導体ウェーハの厚みムラによる表面凹凸が露光焦点面において小さくなるように前記半導体ウェーハを傾けて露光する半導体ウェーハのパターン露光方法であって、前記半導体ウェーハに、前記半導体ウェーハの外周部を露光あるいは露光焦点面を決定する領域から除外するエッジ除外領域を、前記第１の方向における第１除外幅が前記第１の方向に直角な第２の方向における第２除外幅より小さくなるように設定し、前記エッジ除外領域を含まない前記露光単位領域内で、前記表面凹凸が前記露光焦点面において小さくなるように半導体ウェーハを傾けて露光焦点面を設定することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、半導体ウェーハから取得できるチップ数を増大させることが可能な半導体ウェーハのパターン露光方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施例に係る露光方法を示すフローチャート。
【図２】本発明の実施例に係る露光装置の構成を示すブロック図。
【図３】本発明の実施例に係る半導体ウェーハのエッジ除外領域を比較例と対比して説明するための図。
【図４】本発明の実施例に係る半導体ウェーハの平坦度を示す図。
【図５】本発明の実施例に係る半導体ウェーハの平坦度を示す図。
【図６】本発明の実施例に係る半導体ウェーハ外周部の露光領域を比較例と対比して説明するための図。
【図７】本発明の実施例に係る別の露光方法を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例】
【００１６】
本実施例に係るパターン露光方法について、図１乃至図３を用いて説明する。図１は露光方法を示すフローチャート、図２は露光装置の構成を示すブロック図、図３は半導体ウェーハのエッジ除外領域を比較例と対比して説明するための図である。
【００１７】
始めに、本実施例に係る露光装置について説明する。図２に示すように、露光装置１０はスキャン型ステッパー装置である。露光装置１０はパターン露光用の光源１１、パターン露光用のマスク１２、縮小投影光学系１３、マスク１２をスキャン移動するマスクスキャン機構１４、プログラムに基づいて露光装置１０全体の制御を行う制御手段（ＣＰＵ）１５、ウェーハ搭載用のステージ１６、ステージ１６をスキャン移動させるステージスキャン機構１７などを備え、ステージ１６上の半導体ウェーハ１８に対して露光単位領域を順次移動させながら回路パターンの露光を行うものである。
【００１８】
また、露光装置１０は、パターン露光時に露光単位領域における半導体ウェーハ１８の厚さムラに起因する表面凹凸が露光焦点面において最も小さくなるように半導体ウェーハ１８を傾けるためのレベリング制御手段を備えている。
【００１９】
このレベリング制御手段は、半導体ウェーハ１８に回路パターンの露光を行う際、パターン露光用のマスク１２側と半導体ウェーハ１８の露光単位領域内の各チップ内の複数箇所との間で測距を行うために、レーザ光源１９から半導体ウェーハ１８に投射したレーザの反射光を複数のセンサ２０で受けて電気信号に変換し、センサ２０の出力信号を処理して測距を行い、基準面算出手段２１で基準面を算出する。
【００２０】
そして、基準面算出手段２１により算出された基準面に基づいて、ウェーハ傾き制御機構２２を制御してステージ１６の傾き（半導体ウェーハ1８の傾き）および必要に応じてステージ１６の高さ位置を制御するように構成されている。
【００２１】
このようなレベリング制御手段により、露光単位領域内で表面凹凸が露光焦点面において最小となるように半導体ウェーハ１８を傾けて露光焦点面が設定される。この場合、露光装置制御用のＣＰＵ１５は前記レベリング制御手段の制御も行う。
【００２２】
半導体ウェーハ１８の外周部にはダレが生じている。そのため、半導体ウェーハ１８には、外周部を露光あるいは露光焦点面決定領域から除外するエッジ除外領域が設けられている。
【００２３】
このエッジ除外領域データ２３は、例えば外部ストレージに記憶されており、スタート時に露光装置制御用のＣＰＵ１５に読み込まれる。
【００２４】
ＣＰＵ１５は、エッジ除外領域データ２３に基づいてエッジ除外領域を含まない露光単位領域を判別し、判別された露光単位領域内で表面凸凹が露光焦点面において最小になるように半導体ウェーハ１８を傾けて露光焦点面を設定し、マスク１２の回路パターンを露光していく。
【００２５】
なお、半導体ウェーハの外周部にダレが生じるのは、以下の理由による。半導体ウェーハの表面を鏡面にする加工は、コロイダルシリカに代表される研磨剤を用い、研磨布（ウレタンや不織布）上で半導体ウェーハを揺動、回転運動させることにより行われる。
【００２６】
この時、半導体ウェーハの裏面に荷重をかけるので、半導体ウェーハは少なからず研磨布にめり込んだ形になり、半導体ウェーハの外周部には研磨布が斜めに当接する。
【００２７】
その結果、半導体ウェーハの外周角部が研磨され、半導体ウェーハの外周部分が丸みを帯びた傾斜面になる。このダレの存在により、半導体ウェーハ周辺部の平坦度が悪化する。
【００２８】
次に、半導体ウェーハ１８のエッジ除外領域を比較例と対比して説明する。図３は半導体ウェーハ１８の１／４円の領域を示している。ここで、比較例とは、半導体ウェーハ１８の外周縁から一定の除外幅で円形状に設けられエッジ除外領域のことである。始に、比較例のエッジ除外領域について説明する。
【００２９】
図３に示すように、比較例のエッジ除外領域３６は、第１の方向（図のＹ方向）における除外幅と、第１の方向に直角な第２の方向（図のＸ方向）における除外幅がともにｄ２であり、等しく設けられている。
【００３０】
エッジ除外領域３６は、半導体ウェーハ１８の半径Ｒと除外幅ｄ２の差（Ｒ―ｄ２）を半径とする円３７の外側である。この除外幅は、通常先行ロットのパターン露光結果などを参照して経験的に定められている。
【００３１】
一方、本実施例のエッジ除外領域３１は、Ｙ方向における第１除外幅ｄ１がＸ方向における第２除外幅ｄ２より小さく設定されている（ｄ１＜ｄ２）。エッジ除外領域３１は、半導体ウェーハ１８の半径Ｒと第１除外幅ｄ１の差（Ｒ―ｄ１２）を長径とし、半導体ウェーハ１８の半径Ｒと第２除外幅ｄ２の差（Ｒ―ｄ２）を短径とする楕円３２の外側である。
【００３２】
この除外幅は、露光単位領域の形状および半導体ウェーハ１８の平坦度評価結果に基づいて、外周部分からダレの影響を受けてパターンぼけが発生しない領域を予測し、外周部から予測した領域を除いた領域をエッジ除外領域３１に設定するように定められている。
【００３３】
具体的には、露光単位領域における半導体ウェーハ１８の平坦度が、縮小投影光学系１３の焦点深度より小さい領域をパターンぼけが発生しない領域であると予測する。縮小投影光学系１３の焦点深度Ｄは次式で表わされる。
【００３４】
Ｒ＝Ｋ１×λ／（ＮＡ）      （１）、  Ｄ＝Ｋ２×λ／（ＮＡ）２      （２）
ここで、Ｒは解像度、ＮＡは縮小投影光学系１３の開口比、λはパターン露光用光源１１の波長、Ｋ１、Ｋ２は定数である。
【００３５】
半導体ウェーハ１８上の領域３３は、露光装置１０に用いられるマスク１２のレチクルにより、半導体ウェーハ１８上に露光できる露光領域３３を示している。露光領域３３には、例えばＹ方向に３個、Ｘ方向に２個、計６個のチップ領域３４が配列されている。
【００３６】
Ｘ方向に並ぶ２個のチップ領域３４内のハッチングを施した領域３５は、露光装置１０のスキャン露光により一度に露光される露光単位領域３５である。露光単位領域３５は長方形状であり、サイズは例えば８ｍｍ×２６ｍｍである。従って、露光領域３３のサイズは、例えば３３ｍｍ×２６ｍｍである。
【００３７】
露光装置１０は、長方形状の露光単位領域３５を、露光単位領域３５の短辺に平行なＹ方向に順次移動させながらレチクルの回路パターンを露光していく。
【００３８】
これにより、比較例のエッジ除外領域３６では、半導体ウェーハ１８上に円３７の内側に存在する白抜きで示す１３１個のチップ領域３４にパターンを露光することができる。
【００３９】
一方、本実施例のエッジ除外領域３１では、半導体ウェーハ１８上に円３７の内側に存在する白抜きで示す１３１個のチッブ領域３４に加えて、ハッチングを施した９個のチップ領域３４、計１４０個のチッブ領域３４にパターンを露光することができる。
【００４０】
その結果、半導体ウェーハ１８から取得できるチップ数（グロス）が、略７％（１３１／１４０）増加することになる。
【００４１】
このように、本実施例のエッジ除外領域３１は、露光単位領域３５が長方形状で、長方形の短辺に平行なＹ方向に沿ってスキャンされる場合、短辺方向は外周の「ダレ」があってもその形状に追従しやすいことを利用して、Ｙ方向の第１除外幅ｄ１を小さくし、Ｘ方向の第２除外幅ｄ２を大きくするように構成されている。
【００４２】
次に、このようなエッジ除外領域３１が設定できる理由について説明する。図４および図５は半導体ウェーハ１８の平坦度の分布を示す図である。
【００４３】
平坦度の定義は、ＳＦＱＲ（Site Front least sQuare Rang）である。ＳＦＱＲは、測定領域内の表面凹凸に基づいて最小２乗平面を求め、最小２乗平面に垂直な方向における表面凹凸の振幅の最大値を示すものである。
【００４４】
ＳＦＱＲの測定は、測定領域を露光単位領域３５と同じ８ｍｍ×２６ｍｍとし、エッジ除外領域はエッジ除外幅を３ｍｍ（図４）および２ｍｍ（図５）として行った。図４および図５において、ハッチングおよびクロスハッチングが施された測定領域は、ＳＦＱＲが０．０２μｍ以上の領域であり、例えばパターンぼけが発生すると予測される領域である。
【００４５】
図４に示すように、エッジ除外幅が３ｍｍの場合、ＳＦＱＲが０．０２μｍ以上の測定領域は外周部に分布しており、外周部の平坦度が低いことが分かる。ＳＦＱＲが０．０２μｍ以上の測定領域の存在比率は、略５．２％（１７／３２４）である。
【００４６】
図５示すように、エッジ除外幅が２ｍｍの場合、ＳＦＱＲが０．０２μｍ以上の測定領域は外周部で増加し、外周部の平坦度が更に低下することが分かる。ＳＦＱＲが０．０２μｍ以上の測定領域の存在比率は、略１４％（４７／３３６）である。
【００４７】
ここで、外周部の平坦度が悪化する領域は、Ｘ方向が顕著であるのに対して、Ｙ方向にはほとんど見られないことが分かる。
【００４８】
これは、平坦度の測定領域が長方形であることから、長方形の長辺に平行なＸ方向の測定幅に較べて、長方形の短辺に平行なＹ方向の測定幅が小さくなる。その結果、半導体ウェーハ１８の外周部のダレの最大傾斜が径方向であるとすると、時計の短針の方向に例えて言うと３時および９時方向の測定領域がダレの影響を強く受けるので平坦度の悪化が著しくなる。一方、６時および１２時方向の測定領域はダレの影響は少なく、平坦度の悪化が生じなかったものと考えられる。
【００４９】
露光単位領域３５は平坦度の測定領域と同じ長方形なので、露光単位領域３５においても、３時および９時方向の露光単位領域３５はダレの影響を強く受けてパターンぼけが生じやすいが、６時および１２時方向の露光単位領域３５はダレの影響は少なくパターンぼけが生じにくいものと考えられる。
【００５０】
従って、６時および１２時方向のエッジ除外領域は、３時および９時方向のエッジ除外領域より少なくても、パターンぼけによる露光不良は生じないものと考えられる。
【００５１】
図６は本実施例の半導体ウェーハ１８の露光領域を比較例と対比して説明するための図である。図はチップ領域３４がＸ方向に２個、Ｙ方向に３個の計６個が配列された単位露光領域４１、４２、４３を有する露光領域４４が、半導体ウェーハ１８の１２時方向の外周縁に内接している場合を示している。
【００５２】
比較例では、Ｙ方向におけるエッジ除外領域３６の除外幅はｄ２である。露光領域４４のうちの露光単位領域４１は、エッジ除外領域３６より内側にあるので、通常通りスキャン露光される。露光単位領域４２は、エッジ除外領域３６の一部にかかるので、スキャン露光されない。露光単位領域４３は、一部が半導体ウェーハ１８より外側にあるので、露光範囲外である。
【００５３】
一方、本実施例では、Ｙ方向におけるエッジ除外領域３１の除外幅はｄ２より小さいｄ１である。露光領域４４のうちの露光単位領域４１、４３については、比較例と同様である。然し、露光単位領域４２は、エッジ除外領域３１より内側にあるので、通常通りスキャン露光される。その結果、比較例では無駄にしていた露光単位領域４２を有効に使用することができる。
【００５４】
次に、これを確かめるために半導体ウェーハに回路パターンの露光を行なった結果について説明する。始めに、直径３００ｍｍの両面研磨された半導体ウェーハを１００枚用意した。そのうち５０枚の半導体ウェーハには、除外幅ｄ２を２ｍｍとして比較例のエッジ除外領域３６を設定した。
【００５５】
この半導体ウェーハ上にレジスト膜を形成し、幅が０．０２５μｍ、ピッチが０．０４０μｍのストライプパターンを露光した。
【００５６】
この際、露光単位面積が８×２６ｍｍとしてレベリング制御手段を用いて半導体ウェーハのレベリング制御を行いつつ、３３ｍｍ（Ｙ方向）×２６ｍｍ（Ｘ方向）の範囲を１ショットとしてスキャンして露光を行ない、１２×１０．５ｍｍの素子を作成した。この場合、１セル内のＸ方向には２チップ、Ｙ方向には３チップの計６チップの露光を行った。
【００５７】
露光後、レジスト膜に現像処理を施し、レジストに転写されたストライプパターンを寸法ＳＥＭにより測長した。始の５０枚のうちの１２枚の半導体ウェーハにおいて、外周部の半導体チップにパターンぼけが発生していた。
【００５８】
次に、ストライプパターンが転写されたレジスト膜を剥離した後、再度半導体ウェーハにレジスト膜を形成した。今度は、除外幅ｄ２を４ｍｍとして比較例のエッジ除外領域３６を設定して、同様に露光を行った。その結果、パターンぼけは発生していなかったが、代わりにチップの収率は３％低下した。
【００５９】
一方、本実施例では、残り５０枚の半導体ウェーハの平坦度（ＳＦＱＲ）を測定した。その測定結果を基に、ＳＦＱＲが焦点深度Ｄより大きくパターンぼけが発生する領域を予測し、予測された領域を除外するようにエッジ除外領域３１を設定した。エッジ除外領域３１は、概ねＹ方向の第１除外幅ｄ１が２ｍｍ、Ｘ方向の第２除外幅が４ｍｍになった。
【００６０】
このエッジ除外領域３１を含まない領域にのみスキャン露光を行なった。その結果、全ての半導体ウェーハにおいて、デフォーカスは発生せず、チップの収率の低下は見られなかった。
【００６１】
以上のことから、図１に戻って本実施例のパターン露光方法について説明する。図１に示すように、始に、半導体ウェーハ１８を平坦度（ＳＦＱＲ）測定装置にセットし、露光単位領域３５に相当する測定領域における半導体ウェーハ１８の平坦度（ＳＦＱＲ）を測定する（ステップＳ０１）。
【００６２】
半導体ウェーハ１８上の測定領域を全て測定するまでステップＳ０１を繰り返す（ステップＳ０２）。測定領域は、半導体ウェーハ１８の全面である必要は無く、半導体ウェーハ１８の外周部およびその近傍で十分である。
【００６３】
次に、測定結果を基に、ＳＦＱＲが縮小投影光学系１３の焦点深度Ｄより大きい測定領域がエッジ除外領域なるように、Ｙ方向に置ける除外幅をｄ１、Ｘ方向に置ける除外幅をｄ２とする楕円状のエッジ除外領域を設定し、エッジ除外領域データ２３を作成する（ステップＳ０３）。
【００６４】
次に、半導体ウェーハ１８を露光装置１０のステージ１６に載置し、エッジ除外領域データ２３をＣＰＵ１５に読み込ませて、露光装置１０の動作を開始させる。これにより、露光装置１０は、露光する露光単位領域がエッジ除外領域の内側に位置しているかをチェックし（ステップＳ０４）、エッジ除外領域の内側に位置している場合（ステップＳ０４のＹＥＳ）、次のステップＳ０５に行き、基準面算出手段２１により、全てのセンサ２０の情報を用いて露光基準面を演算する（ステップＳ０５）。
【００６５】
次に、ステージ傾き制御機構２２により、半導体ウェーハ１８のレベリングを行い（ステップＳ０６）、縮小投影光学系１３により半導体ウェーハ１８の露光単位領域に回路パターンを露光する（ステップＳ０７）。
【００６６】
次に、露光単位領域を全て露光するまで、ステップＳ０４からステップＳ０７を繰り返す（ステップＳ０８）。
【００６７】
一方、露光単位領域にエッジ除外領域が含まれている場合（ステップＳ０４のＮＯ）、その露光単位領域には露光せずに、ステップＳ０８へスキップする。
【００６８】
以上説明したように、本実施例の半導体ウェーハのパターン露光方法では、半導体ウェーハ１８に、露光単位領域３５における半導体ウェーハ１８の平坦度に基づいて、外周部からダレの影響を受けてパターンぼけが発生しない領域を予測し、外周部から予測した領域を除いた領域を露光あるいは露光焦点面決定領域から除外するために、Ｙ方向の第１除外幅ｄ１がＸ方向の第２除外幅ｄ２より小さいエッジ除外領域３１を設けている。
【００６９】
その結果、半導体ウェーハ１８の外周部のダレの影響を受けない領域を無駄なく有効に利用することができる。従って、一枚の半導体ウェーハから取得できるチップ数を増大させることが可能な半導体ウェーハのパターン露光方法が得られる。
【００７０】
ここでは、予め半導体ウェーハ１８の平坦度を測定し、その結果に基づいてエッジ除外領域を設定した後、スキャン露光を行なう場合について説明したが、本実施例に限定されることなく、その場でエッジ除外領域か否かを判定しながらスキャン露光を行う方法も可能である。その場合は、露光装置１０に、全てのセンサ情報で基準面を換算するとともに、平坦度（ＳＦＱＲ）を算出する機能を持たせておく。
【００７１】
図７は、その場でエッジ除外領域か否かを判定しながらスキャン露光を行う方法を示すフローチャートである。図７において、全てのセンサ２０の情報を用いて露光基準面を演算するとともに、平坦度（ＳＦＱＲ）を算出する（ステップＳ１２）。
【００７２】
次に、ＳＦＱＲが縮小投影光学系１３の焦点深度Ｄ以下か否かを判定し（ステップＳ１３）、焦点深度Ｄ以下の場合（ステップＳ１３のＹＥＳ）、エッジ除外領域の内側であると判断し、ステップＳ０６へ行く。一方、焦点深度Ｄより大きい場合（ステップＳ１３のＮＯ）、エッジ除外領域であると判断し、ステップＳ０８へスキップする。
【符号の説明】
【００７３】
１０  露光装置
１１  パターン露光用光源
１２  マスク
１３  縮小投影光学系
１４  マスクスキャン機構
１５  制御手段（ＣＰＵ）
１６  ステージ
１７  ステージスキャン機構
１８  半導体ウェーハ
１９  レーザ光源
２０  センサ
２１  基準面算出手段
２２  ステージ傾き制御機構
２３  エッジ除外領域データ
３１、３６  エッジ除外領域
３２  楕円
３３、４４  露光領域
３４  チップ領域
３５、４１、４２、４３  露光単位領域
３７  円
ｄ１  第１除外幅
ｄ２  第２除外幅
【図１】
2011249627.tif 000003
【図２】
2011249627.tif 000004
【図３】
2011249627.tif 000005
【図４】
2011249627.tif 000006
【図５】
2011249627.tif 000007
【図６】
2011249627.tif 000008
【図７】
2011249627.tif 000009