(57)【要約】【課題】集合基板から個々の電子回路モジュールを製造する場合であっても、回路基板の側面を充分にシールドすることができる技術の提供を課題とする。【解決手段】電子回路モジュールの製造方法は、集合基板２０の下面を溝形成用ダイシングテープ３０に貼り付ける貼付工程Ｓ１００と、集合基板２０の上面側から、分離予定ライン１５に沿って封止樹脂層１３及び回路基板１１を切削するとともに、溝形成用ダイシングテープ３０の一部を切削することにより、封止樹脂層１３と回路基板１１と溝形成用ダイシングテープ３０との間に溝１６を形成する溝形成工程Ｓ１１０と、溝１６に導電性樹脂を充填して、封止樹脂層１３の上面及び側面、回路基板１１の側面に、導電性樹脂のシールド層１４を形成するシールド層形成工程Ｓ１２０と、集合基板２０に複数配列された電子回路モジュール１０を個々の電子回路モジュールとして個片化する個片化工程Ｓ１３０とを備える。【選択図】図４
2011228322.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンを有する回路基板と、前記回路基板上に実装された電子部品と、前記電子部品を封止する封止樹脂層とを備える電子回路モジュールが分離予定ラインを挟んで複数配列された集合基板について、その集合基板の下面を溝形成用ダイシングテープに貼り付ける貼付工程と、
前記集合基板の上面側から、前記分離予定ラインに沿って前記封止樹脂層及び前記回路基板を切削するとともに、前記溝形成用ダイシングテープの一部を切削することにより、前記封止樹脂層及び前記回路基板を切削した部分と、前記溝形成用ダイシングテープの一部を切削した部分とで構成され、厚み方向で前記封止樹脂層の上面から前記溝形成用ダイシングテープの一部にまで達する深さを有する溝を形成する溝形成工程と、
前記溝形成工程で形成した溝を用いて、前記封止樹脂層の上面及び側面、前記回路基板の側面にシールド層を形成するシールド層形成工程と、
前記集合基板に複数配列された電子回路モジュールを個々の電子回路モジュールとして個片化する個片化工程と
を備える電子回路モジュールの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記シールド層形成工程は、前記溝に導電性樹脂を充填して、前記封止樹脂層の上面及び側面、前記回路基板の側面に、導電性樹脂のシールド層を形成する工程であり、
前記個片化工程は、
前記溝形成用ダイシングテープの下面側から、前記溝形成用ダイシングテープの前記溝に入り込んだ前記導電性樹脂のシールド層を前記溝形成用ダイシングテープとともに切削する切削工程と、
前記溝形成用ダイシングテープの下面に、分離・剥離用ダイシングテープを貼り付ける分離・剥離用ダイシングテープ貼付工程と、
前記導電性樹脂のシールド層の上面側から、前記溝形成工程の切削幅よりも狭い切削幅で前記分離予定ラインに沿って前記導電性樹脂のシールド層を切削することにより、前記集合基板に複数配列された電子回路モジュール同士を分離する分離工程とを備えることを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記個片化工程は、
前記分離工程の後に、前記溝形成用ダイシングテープ及び前記分離・剥離用ダイシングテープを前記回路基板から剥離する剥離工程をさらに備えることを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記シールド層形成工程は、前記溝に金属性材料を塗布して、前記封止樹脂層の上面及び側面、前記回路基板の側面に、金属性メッキのシールド層を形成する工程であり、
前記個片化工程は、
前記封止樹脂層の上面に形成した前記金属性メッキのシールド層の上面に、切削用ダイシングテープを貼り付ける切削用ダイシングテープ貼付工程と、
前記溝形成用ダイシングテープの下面側から、前記溝形成用ダイシングテープの前記溝に入り込んだ前記金属性メッキのシールド層を前記溝形成用ダイシングテープとともに切削する切削工程とを備えることを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記個片化工程は、
前記切削工程の後に、前記溝形成用ダイシングテープの下面に、剥離用ダイシングテープを貼り付ける剥離用ダイシングテープ貼付工程と、
前記溝形成用ダイシングテープ及び前記剥離用ダイシングテープを前記回路基板から剥離し、前記切削用ダイシングテープを前記金属性メッキのシールド層から剥離する剥離工程を備えることを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記溝形成工程と前記シールド層形成工程との間に、
前記溝形成工程で形成した前記溝の間隔を保ちながら各電子回路モジュールを前記溝形成用ダイシングテープから新たな新ダイシングテープに載せ替える載せ替え工程をさらに備え、
前記シールド層形成工程は、前記溝に導電性樹脂を充填して、前記封止樹脂層の上面及び側面、前記回路基板の側面に、導電性樹脂のシールド層を形成する工程であり、
前記個片化工程は、前記導電性樹脂のシールド層の上面側から、前記溝形成工程の切削幅よりも狭い切削幅で前記分離予定ラインに沿って前記導電性樹脂のシールド層を切削することにより、前記集合基板に複数配列された電子回路モジュール同士を分離する分離工程を備えることを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記個片化工程は、
前記分離工程の後に、前記封止樹脂層の上面に形成された前記シールド層の上面を吸着することにより、前記新ダイシングテープから個々の電子回路モジュールを剥離する剥離工程をさらに備えることを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記溝形成工程と前記シールド層形成工程との間に、
前記溝形成工程で形成した前記溝の間隔を保ちながら各電子回路モジュールを前記溝形成用ダイシングテープから新たな新ダイシングテープに載せ替える載せ替え工程をさらに備え、
前記シールド層形成工程は、前記溝に金属性材料を塗布して、前記封止樹脂層の上面及び側面、前記回路基板の側面に、金属性メッキのシールド層を形成する工程であることを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記個片化工程は、前記封止樹脂層の上面に形成された前記シールド層の上面を吸着することにより、前記新ダイシングテープから個々の電子回路モジュールを剥離する工程であることを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項１０】
請求項６又は８に記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記載せ替え工程は、
前記封止樹脂層の上面に、載せ替え用ダイシングテープを貼り付ける載せ替え用ダイシングテープ貼付工程と、
前記回路基板から、前記溝形成用ダイシングテープを剥離する溝形成用ダイシングテープ剥離工程と、
前記回路基板の下面に、前記新ダイシングテープを貼り付ける新ダイシングテープ貼付工程と、
前記封止樹脂層から、前記載せ替え用ダイシングテープを剥離する載せ替え用ダイシングテープ剥離工程とを備えることを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項１１】
配線パターンを有する回路基板と、
前記回路基板上に実装された電子部品と、
前記電子部品を封止する封止樹脂層と、
前記回路基板の側面の下面側周縁部に形成され、前記回路基板の内側に向けて凹んだ凹み部と、
前記封止樹脂層の上面及び側面、前記回路基板の側面のうち前記凹み部を除いた部分に形成されたシールド層と
を備える電子回路モジュール。
【請求項１２】
配線パターンを有する回路基板と、
前記回路基板上に実装された電子部品と、
前記電子部品を封止する封止樹脂層と、
前記封止樹脂層の上面及び側面、前記回路基板の側面の全領域に形成されたシールド層と
を備える電子回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に電子部品が実装された電子回路モジュールの製造方法及び電子回路モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の電子回路モジュールは、配線パターンを有する回路基板上に、半導体集積回路等の電子部品が実装される。また、電子部品と配線パターンとは、ボンディングワイヤにより電気的に接続され、これらを保護するために、電子部品はシリコン樹脂等によって被覆される。このとき、例えば、隣接する回路等から電磁波等の影響を受けて、電子回路モジュールが誤動作することを防止するために、電磁界や静電誘導の影響を阻止するためのシールド対策が行われる場合がある。
【０００３】
ここで、金属製キャップを装着することによって、電子回路モジュールをシールドする方法があるが、この方法では、回路基板の表面に、金属ケース装着のためのハンダ領域を確保する必要があり、電子回路モジュールの小型化には支障があった。そこで、金属ケースを装着せずに、導電性樹脂で電子部品等を被覆して、その導電性樹脂に金属ケースの役割を果たさせる方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１の電子回路モジュールは、導電性樹脂を用いて電子部品をシールドしているので、金属ケースを使用しないで、実装する電子部品に対するシールド性を持たせることができる。また、この電子回路モジュールは、回路基板の端面と、導電性樹脂で形成されたシールド層の端面とを同一平面上に位置させることによって、電子回路モジュール全体としての小型化と低コスト化を図ることができるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１７２１７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上述した先行技術では、電子部品の周辺は導電性樹脂によってシールドされ保護されているものの、回路基板の側面は、完全には、導電性樹脂によってシールドされていない。このため、回路基板の内層に設けられた配線パターンに対するシールド対策（外部からのノイズの遮断、外部への不要電波の輻射）が不十分であった。
【０００７】
この点、上述した先行技術の出願時に、回路基板の側面のシールド意識がどの程度存在していたかは不明であるが、少なくとも現状では、回路基板の側面からの電波の漏れ等が問題になるケースは少なからず存在しており、回路基板の側面についてもしっかりとシールドしたいという要望がある。そこで、回路基板の側面に別部材のシールドカバーを装着することも考えられるが、電子回路モジュール全体のサイズが大きくなってしまうので、このような対策は施したくないのが現状の考え方である。
【０００８】
これに対して、上述した先行技術においては、回路基板の側面を完全にシールドすることができない理由がある。それは、上述した先行技術のみならず、一般に、多量の電子回路モジュールを生産する場合に共通する理由による。一般的に、電子回路モジュールを大量生産する場合には、まず、複数の回路基板が多面付けされた集合基板を用意し、この集合基板上に電子部品を実装し、電子部品をモールド樹脂により封止する。この後、封止樹脂層の上面に導電性樹脂のシールド層を形成し、最後に、この集合基板を個々のモジュールに分離切断する。ここで注目したいのは、最後の「個々のモジュールに分離切断する工程」である。大量生産であれば、個々のモジュールに個片化する工程は、必ず最後の工程になる。つまり、最後の工程が個片化工程であるがゆえに、最終工程で切断する回路基板の側面に関しては、そこにシールド層を形成することは不可能であり、切断面があらわとなってむき出しの状態となってしまう。
【０００９】
それでは、現状で言うところの最終工程のさらに後に、もう一つ新たな工程を設けて、シールド層を形成すればよい話ではあるが、実際にはそう単純な話ではなく、個片化工程の後では、すでに各電子回路モジュールがバラバラになっているため、バラバラになった個々の電子回路モジュールにさらにシールド層を形成するのは非常に大きな手間がかかる。これとは逆に、個片化工程を製造工程の最初の方にもってくればいいという考え方もありうるが、製造工程の最初の段階で個々の電子回路モジュールに分離してしまっては、もはや大量生産どころではない。
【００１０】
そこで本発明は、集合基板から個々の電子回路モジュールを製造する場合であっても、回路基板の側面を充分にシールドすることができる技術の提供を課題としたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するため、本発明は、第１に電子回路モジュールの製造方法を提供する。第２に本発明は、電子回路モジュールを提供する。
【００１２】
［電子回路モジュールの製造方法］
本発明の電子回路モジュールの製造方法は、配線パターンを有する回路基板と、回路基板上に実装された電子部品と、電子部品を封止する封止樹脂層とを備える電子回路モジュールが分離予定ラインを挟んで複数配列された集合基板について、その集合基板の下面を溝形成用ダイシングテープに貼り付ける貼付工程と、集合基板の上面側から、分離予定ラインに沿って封止樹脂層及び回路基板を切削するとともに、溝形成用ダイシングテープの一部を切削することにより、封止樹脂層及び回路基板を切削した部分と、溝形成用ダイシングテープの一部を切削した部分とで構成され、厚み方向で封止樹脂層の上面から溝形成用ダイシングテープの一部にまで達する深さを有する溝を形成する溝形成工程と、溝形成工程で形成した溝を用いて、封止樹脂層の上面及び側面、回路基板の側面にシールド層を形成するシールド層形成工程と、集合基板に複数配列された電子回路モジュールを個々の電子回路モジュールとして個片化する個片化工程とを備えるものである。
【００１３】
本発明では、まず、集合基板の下面を溝形成用ダイシングテープに貼り付ける。これにより、集合基板を溝形成用ダイシングテープに固定することができる。
ついで、集合基板の分離予定ラインに沿って封止樹脂層及び回路基板を切削するとともに、溝形成用ダイシングテープの一部を切削することにより溝を形成する。ここでは、封止樹脂層と回路基板とを完全に切削し、溝形成用ダイシングテープは完全に切削しないでその一部を残す。この溝は、封止樹脂層及び回路基板を切削した部分と、溝形成用ダイシングテープの一部を切削した部分とで構成され、厚み方向で封止樹脂層の上面から溝形成用ダイシングテープの一部にまで達する深さを有する溝である。集合基板の厚み方向において、封止樹脂層及び回路基板を完全に貫通しつつ、溝形成用ダイシングテープを完全に貫通しないでその一部を残すことによって溝が形成される。
さらに、上記溝を用いて、封止樹脂層の上面及び側面、回路基板の側面に、シールド層を形成する。封止樹脂層の上面については、特に問題なくシールド層を形成することができ、封止樹脂層の側面、回路基板の側面についても、上記溝を用いてその全領域にシールド層を形成することができる。
最後に、集合基板に複数配列された電子回路モジュールを個々の電子回路モジュールとして個片化する。これにより、電子回路モジュールを一つ一つの製品としてバラバラにし、最終製品として仕上げることができる。
【００１４】
本発明の製造方法によれば、封止樹脂層と回路基板とを完全に貫いて形成した溝を利用してシールド層を形成するので、回路基板の側面の全領域にシールド層を形成することができる。したがって、集合基板から個々の電子回路モジュールを大量生産する場合であっても、回路基板の側面を完全にシールドした電子回路モジュールを提供することができる。これにより、回路基板の側面からノイズが侵入してくることや、回路基板の側面から不要な電波が漏れてしまうことがなくなり、シールド性を向上させることができる結果、より高品質の電子回路モジュールを製造することができる。
【００１５】
本発明の製造方法の構成として、シールド層形成工程は、溝に導電性樹脂を充填して、封止樹脂層の上面及び側面、回路基板の側面に、導電性樹脂のシールド層を形成する工程であり、個片化工程は、溝形成用ダイシングテープの下面側から、溝形成用ダイシングテープの溝に入り込んだ導電性樹脂のシールド層を溝形成用ダイシングテープとともに切削する切削工程と、溝形成用ダイシングテープの下面に、分離・剥離用ダイシングテープを貼り付ける分離・剥離用ダイシングテープ貼付工程と、導電性樹脂のシールド層の上面側から、溝形成工程の切削幅よりも狭い切削幅で分離予定ラインに沿って導電性樹脂のシールド層を切削することにより、集合基板に複数配列された電子回路モジュール同士を分離する分離工程とを備えることが好ましい。
【００１６】
この場合、シールド層は、導電性樹脂によって形成される。個片化工程は、以下の工程を辿る。まず、溝形成用ダイシングテープの下面側から、溝形成用ダイシングテープの溝に入り込んだ導電性樹脂のシールド層を溝形成用ダイシングテープとともに切削する。これにより、溝形成用ダイシングテープに孔が開き、溝に入り込んだ余分な導電性樹脂のシールド層を必要な分だけ簡単に切削することができる。
ついで、孔の開いた溝形成用ダイシングテープに分離・剥離用ダイシングテープを貼り付ける。この分離・剥離用ダイシングテープは、加工中に電子回路モジュールがバラバラになることを防止する役割と、加工後に不要となる溝形成用ダイシングテープを剥離する役割とを兼用する。
最後に、分離予定ラインに沿って導電性樹脂のシールド層を切削することにより、集合基板に複数配列された電子回路モジュール同士を分離する。これにより、集合基板に配置された電子回路モジュールを個片化することができる。
【００１７】
この発明によれば、回路基板の裏面側から導電性樹脂のシールド層を切削するので、溝に入り込んだ余分なシールド層を極めて精度良く極僅かに切削することができる。例えば、回路基板の配線パターンの厚さが１０〜４０μｍ程度であれば、回路基板の裏面を基準とした場合に、配線パターンの厚さを少し上回る５０〜２００μｍほどの部分について、シールド層の下面を切削することができる。
【００１８】
本発明の製造方法の構成として、個片化工程は、分離工程の後に、溝形成用ダイシングテープ及び分離・剥離用ダイシングテープを回路基板から剥離する剥離工程をさらに備えることが好ましい。
【００１９】
集合基板に複数配列された電子回路モジュール同士を分離した後には、溝形成用ダイシングテープとともに分離・剥離用ダイシングテープを回路基板から剥離する。このとき、２つのダイシングテープ同士は、同素材で互いに密着しやすく、回路基板とダイシングテープとは、引き離す力が加わった場合に剥離しやすい関係にある。
【００２０】
この発明によれば、２つのダイシングテープ同士は、同素材で互いに密着しやすいため、回路基板から２つのダイシングテープを一気に剥離することができ、製造工程の負担を軽減させることができる。また、溝形成用ダイシングテープは、切削工程にて切削されて細かい断片となっているが、分離・剥離用ダイシングテープに貼り付けることによって簡単に剥離することができる。
【００２１】
本発明の製造方法の構成として、シールド層形成工程は、溝に金属性材料を塗布して、封止樹脂層の上面及び側面、回路基板の側面に、金属性メッキのシールド層を形成する工程であり、個片化工程は、封止樹脂層の上面に形成した金属性メッキのシールド層の上面に、切削用ダイシングテープを貼り付ける切削用ダイシングテープ貼付工程と、溝形成用ダイシングテープの下面側から、溝形成用ダイシングテープの溝に入り込んだ金属性メッキのシールド層を溝形成用ダイシングテープとともに切削する切削工程とを備えることが好ましい。
【００２２】
この場合、シールド層は、金属性メッキによって形成される。金属性メッキは、薄膜の層であるため、シールド層が溝をすべて埋めることはない。個片化工程は、以下の工程を辿る。まず、封止樹脂層の上面に形成した金属性メッキのシールド層の上面に、切削用ダイシングテープを貼り付ける。この切削用ダイシングテープは、加工中に電子回路モジュールがバラバラになることを防止する役割を果たす。この切削用ダイシングテープを必要とする理由は、シールド層が薄膜の金属性メッキで形成されているため、導電性樹脂のシールド層と異なり、溝がすべて埋まらず、隣り合う電子回路モジュール同士が固定されていないからである。
ついで、溝形成用ダイシングテープの下面側から、溝形成用ダイシングテープの溝に入り込んだ金属性メッキのシールド層を溝形成用ダイシングテープとともに切削する。これにより、溝形成用ダイシングテープに孔が開き、溝に入り込んだ金属性メッキのシールド層を必要な分だけ簡単に切削することができる。シールド層が薄膜の金属性メッキであるため、隣り合う電子回路モジュール同士はすでに分離している。したがって、金属性メッキのシールド層を裏面側から切削した段階で、集合基板に配置された電子回路モジュールを個片化する作業は終了する。
【００２３】
この発明によれば、シールド層が薄膜の金属性メッキであるため、金属性メッキのシールド層は溝の内面に薄く付着するだけであり、溝の内部に形成されるシールド層によって隣り合う電子回路モジュール同士が結合することはない。したがって、シールド層を切削して電子回路モジュール同士を分離する分離工程は不要となり、製造工程を簡略化することができる。
【００２４】
本発明の製造方法の構成として、個片化工程は、切削工程の後に、溝形成用ダイシングテープの下面に、剥離用ダイシングテープを貼り付ける剥離用ダイシングテープ貼付工程と、溝形成用ダイシングテープ及び剥離用ダイシングテープを回路基板から剥離し、切削用ダイシングテープを金属性メッキのシールド層から剥離する剥離工程を備えることが好ましい。
【００２５】
金属性メッキのシールド層を溝形成用ダイシングテープとともに切削した後には、溝形成用ダイシングテープの下面に、剥離用ダイシングテープを貼り付ける。そして、溝形成用ダイシングテープとともに剥離用ダイシングテープを回路基板から剥離する。このとき、２つのダイシングテープ同士は、同素材で互いに密着しやすく、回路基板とダイシングテープとは、引き離す力が加わった場合に剥離しやすい関係にある。また、これとは別に、切削用ダイシングテープも金属性メッキのシールド層から剥離する。
【００２６】
この発明によれば、２つのダイシングテープ同士は、同素材で互いに密着しやすいため、回路基板から２つのダイシングテープを一気に剥離することができ、製造工程の負担を軽減させることができる。
【００２７】
本発明の製造方法の構成として、溝形成工程とシールド層形成工程との間に、溝形成工程で形成した溝の間隔を保ちながら各電子回路モジュールを溝形成用ダイシングテープから新たな新ダイシングテープに載せ替える載せ替え工程をさらに備え、シールド層形成工程は、溝に導電性樹脂を充填して、封止樹脂層の上面及び側面、回路基板の側面に、導電性樹脂のシールド層を形成する工程であり、個片化工程は、導電性樹脂のシールド層の上面側から、溝形成工程の切削幅よりも狭い切削幅で分離予定ラインに沿って導電性樹脂のシールド層を切削することにより、集合基板に複数配列された電子回路モジュール同士を分離する分離工程を備えることが好ましい。
【００２８】
この発明では、溝形成工程とシールド層形成工程との間に、載せ替え工程を備える。載せ替え工程は、溝の間隔を保ちながら各電子回路モジュールを溝形成用ダイシングテープから新ダイシングテープに載せ替える工程である。電子回路モジュールの載せ替え作業については、作業者が手作業で各電子回路モジュールを載せ替えてもよく、載せ替え用の機構を用いて機械的に各電子回路モジュールを載せ替えてもよい。
この場合、シールド層は、導電性樹脂によって形成される。個片化工程は、分離予定ラインに沿って導電性樹脂のシールド層を切削することにより、集合基板に複数配列された電子回路モジュール同士を分離する。これにより、集合基板に配置された電子回路モジュールを個片化することができる。
【００２９】
この発明によれば、溝を形成してその効用を終えた溝形成用ダイシングテープをそのまま使用するのではなく、その溝形成用ダイシングテープをまっさらな新ダイシングテープに交換する。これにより、溝形成用ダイシングテープの溝に、導電性樹脂のシールド層が入り込むことはなくなり、溝形成用ダイシングテープの溝に入り込んだ導電性樹脂のシールド層を溝形成用ダイシングテープとともに切削する必要はなくなる。したがって、余分なシールド層を裏面側から切削する工程をなくすことができ、切削工程をなくすことによって製造工程を簡略化し、しかも、切削工程をなくした分だけ加工精度のよい電子回路モジュールを提供することができる。
【００３０】
本発明の製造方法の構成として、個片化工程は、分離工程の後に、封止樹脂層の上面に形成されたシールド層の上面を吸着することにより、新ダイシングテープから個々の電子回路モジュールを剥離する剥離工程をさらに備えることが好ましい。
【００３１】
集合基板に複数配列された電子回路モジュール同士を分離した後に、シールド層の上面を吸着することにより、新ダイシングテープから個々の電子回路モジュールを剥離する。これにより、電子回路モジュールを個々の電子回路モジュールとして個片化することができる。
【００３２】
この発明によれば、シールド層の上面を吸着するといった簡単な工程で、電子回路モジュールを個片化することができる。
【００３３】
本発明の製造方法の構成として、溝形成工程とシールド層形成工程との間に、溝形成工程で形成した溝の間隔を保ちながら各電子回路モジュールを溝形成用ダイシングテープから新たな新ダイシングテープに載せ替える載せ替え工程をさらに備え、シールド層形成工程は、溝に金属性材料を塗布して、封止樹脂層の上面及び側面、回路基板の側面に、金属性メッキのシールド層を形成する工程であることが好ましい。
【００３４】
この発明では、溝形成工程とシールド層形成工程との間に、載せ替え工程を備える。載せ替え工程は、溝の間隔を保ちながら各電子回路モジュールを溝形成用ダイシングテープから新ダイシングテープに載せ替える工程である。この場合、シールド層は、金属性メッキによって形成される。金属性メッキは、薄膜の層であるため、シールド層が溝をすべて埋めることはなく、隣り合う電子回路モジュール同士を分離する工程は不要である。しかも、載せ替え工程を採用しているので、余分なシールド層を裏面側から切削する工程も不要である。
【００３５】
この発明によれば、シールド層を金属性メッキとし、さらに載せ替え工程を採用することで、余分なシールド層を裏面側から切削する必要はなく、電子回路モジュール同士を分離するためにシールド層を切削する必要もない。したがって、最も簡単かつ簡略化した製造方法を提供することができる。
【００３６】
本発明の製造方法の構成として、個片化工程は、封止樹脂層の上面に形成されたシールド層の上面を吸着することにより、新ダイシングテープから個々の電子回路モジュールを剥離する工程であることが好ましい。
【００３７】
集合基板に複数配列された電子回路モジュール同士を分離した後に、シールド層の上面を吸着することにより、新ダイシングテープから個々の電子回路モジュールを剥離する。これにより、電子回路モジュールを個々の電子回路モジュールとして個片化することができる。
【００３８】
この発明によれば、シールド層の上面を吸着するといった簡単な工程で、電子回路モジュールを個片化することができる。また、この発明では、余分なシールド層を裏面側から切削する工程も、電子回路モジュール同士を分離するためにシールド層を切削する工程も必要ないので、新ダイシングテープから個々の電子回路モジュールを剥離した際には、金属性メッキのシールド層の終端部分にバリが発生する場合がある。このようなバリが発生した場合であっても、ヤスリ等で研磨してそのバリを簡単に取り除くことができる。
【００３９】
本発明の製造方法の構成として、載せ替え工程は、封止樹脂層の上面に、載せ替え用ダイシングテープを貼り付ける載せ替え用ダイシングテープ貼付工程と、回路基板から、溝形成用ダイシングテープを剥離する溝形成用ダイシングテープ剥離工程と、回路基板の下面に、新ダイシングテープを貼り付ける新ダイシングテープ貼付工程と、封止樹脂層から、載せ替え用ダイシングテープを剥離する載せ替え用ダイシングテープ剥離工程とを備えることが好ましい。
【００４０】
本発明では、載せ替え工程を以下の具体的な工程によって実現している。まず、封止樹脂層の上面に、載せ替え用ダイシングテープを貼り付ける。ついで、回路基板から、溝形成用ダイシングテープを剥離する。さらに、回路基板の下面に、新ダイシングテープを貼り付ける。最後に、封止樹脂層から、載せ替え用ダイシングテープを剥離する。
【００４１】
この発明によれば、載せ替え用ダイシングテープを用意して、その載せ替え用ダイシングテープを貼付したり剥離したりするだけで、溝の間隔を正確に保ちながら、各電子回路モジュールを溝形成用ダイシングテープから新ダイシングテープに簡単に載せ替えることができる。
【００４２】
［電子回路モジュール］
本発明の電子回路モジュールは、配線パターンを有する回路基板と、回路基板上に実装された電子部品と、電子部品を封止する封止樹脂層と、回路基板の側面の下面側周縁部に形成され、回路基板の内側に向けて凹んだ凹み部と、封止樹脂層の上面及び側面、回路基板の側面のうち凹み部を除いた部分に形成されたシールド層とを備えるものである。
【００４３】
本発明では、回路基板の側面の下面側周縁部に、回路基板の内側に向けて凹んだ凹み部が形成されている。そして、回路基板の側面のうち凹み部を除いた部分に、シールド層が形成されている。ここで、シールド層は、グランドパターン（接地導体）と接続されることにより、グランドとして機能するため、グランドパターン以外の配線パターンとシールド層とは接触してはならない。このため、回路基板の配線パターンの配置によっては、シールド層は、回路基板の下面より極僅かに上面側に引っ込んでいた方がよい場合がある。
【００４４】
本発明では、このような場合に、この凹み部を形成することで、僅かな引っ込みを実現することができ、回路基板の配線パターンをその凹み部で逃げることができる。また、凹み部を形成することで電子回路モジュールの軽量化を図ることができる。さらに、凹み部を形成する際には、シールド層とともに回路基板を切削して凹み部を形成することができ、製造方法の効率化に寄与することができる。このように、本発明によれば、回路基板の側面を極僅かの隙間（凹み部）を除いてシールドすることにより、回路基板の側面を充分にシールドするだけでなく、複雑化した配線パターンの配置等にも対応できるという格別の効果がある。
【００４５】
本発明の電子回路モジュールは、配線パターンを有する回路基板と、回路基板上に実装された電子部品と、電子部品を封止する封止樹脂層と、封止樹脂層の上面及び側面、回路基板の側面の全領域に形成されたシールド層とを備えるものである。
【００４６】
本発明では、回路基板の側面の全領域に、シールド層が形成されている。回路基板の側面の全領域にシールド層を形成することにより、電子回路モジュールのシールド効果をより確実なものとしている。
【００４７】
この発明によれば、回路基板の側面の全領域に、シールド層が形成されているので、回路基板の側面からの電波の漏れ等が発生して電子回路モジュールに悪影響を与えることがなくなる。
【発明の効果】
【００４８】
本発明によれば、回路基板の側面にシールド層を形成するので、回路基板の側面からノイズが侵入してくることや、回路基板の側面から不要な電波が漏れてしまうことがなくなり、電子回路モジュールのシールド性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る製造方法によって製造される電子回路モジュールを示す図である。
【図２】第１実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する模式図である（１／２）。
【図３】第１実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する模式図である（２／２）。
【図４】第１実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する工程図である。
【図５】第２実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する模式図である（１／２）。
【図６】第２実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する模式図である（２／２）。
【図７】第２実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する工程図である。
【図８】第３実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する模式図である（１／２）。
【図９】第３実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する模式図である（２／２）。
【図１０】第３実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する工程図である。
【図１１】第４実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する模式図である（１／２）。
【図１２】第４実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する模式図である（２／２）。
【図１３】第４実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００５０】
以下、本発明の電子回路モジュールの製造方法及び電子回路モジュールについて説明する。なお、以下の実施形態では、４つの実施形態について説明する。各実施形態の相違点は、シールド層にどの材料（導電性樹脂，金属性メッキ）を使用するかという点と、個片化工程をどのような工程（裏面側からの切削工程，載せ替え工程）で行うかという点にある。
【００５１】
〔第１実施形態〕
図１は、本発明の第１実施形態に係る製造方法によって製造される電子回路モジュールを示す図である。なお、図１中（Ａ）は電子回路モジュールの斜視図であり、図１中（Ｂ）は図１中（Ａ）のＢ−Ｂ断面図であり、図１中（Ｃ）は図１中（Ｂ）のＣ部分拡大図である。以下、電子回路モジュール１０の各部位の構成について説明する。
【００５２】
電子回路モジュール１０は、回路基板１１と、電子部品１２とを備える。
回路基板１１は、複数の接続端子を有する配線パターン１１ａ及びグランドパターン１１ｂを備える基板である。また、回路基板１１は、図１中（Ｃ）に示すように、回路基板１１の側面の下面側周縁部に形成され、回路基板１１の内側に向けて凹んだ（窪んだ）凹み部１１ｃを有する。凹み部１１ｃは、回路基板１１の下面側から上面側に向けて、かつ、回路基板１１の側面側から内側に向けて凹んだ部分である。
【００５３】
電子部品１２は、回路基板１１上に実装された電子的な要素であり、例えば、回路基板１１上に実装された半導体集積回路や、半導体集積回路と接続端子とを電気的に接続するボンディングワイヤ等の部品である。
【００５４】
また、電子回路モジュール１０は、封止樹脂層１３と、シールド層１４とを備える。
封止樹脂層１３は、電子部品１２を上面から覆うことによって、その電子部品１２を封止する樹脂の層であり、シリコン系やエポキシ系の絶縁性樹脂により形成される。
【００５５】
シールド層１４は、封止樹脂層１３の上面及び側面、回路基板１１の側面のうち凹み部１１ｃを除いた部分に形成され、電子部品１２に対する電磁界や静電誘導の影響を阻止する層である。シールド層１４は、金属性の導電性材料が含まれた樹脂の層であり、このシールド層１４を回路基板１１のグランドパターン１１ｂに接続することにより、シールド層１４がグランドとして機能するようになる。これにより、電子部品１２等から発生するノイズやそのノイズよる回路の誤動作を防止することができる。
【００５６】
次に、図２〜図４を参照しながら、第１実施形態による電子回路モジュールの製造方法について説明する。
図２及び図３は、第１実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する模式図であり、図４は、第１実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する工程図である。
〔集合基板〕
まず、集合基板２０について説明する。図２中（Ａ）に示すように、集合基板２０は、回路基板１１と、回路基板１１上に実装された電子部品１２と、電子部品１２を封止する封止樹脂層１３とを備える電子回路モジュール１０が分離予定ライン１５を挟んで複数配列された基板である。
この集合基板２０を製造する場合は、まず、複数の回路基板１１がマトリクス状（格子状）に配置された基板を用意し、ついで、各回路基板１１の上面に電子部品１２を実装し、電子部品１２の上面にモールドにより封止樹脂層１３を形成する。分離予定ライン１５は、後述する個片化時の目安として各電子回路モジュール１０の間に存在する線である。電子回路モジュール１０の製造方法は、以下の各工程を実行することで進行する。
【００５７】
〔貼付工程；図２中（Ａ）及び図４中Ｓ（ステップ）１００参照〕
集合基板２０の下面を溝形成用ダイシングテープ３０に貼り付ける。実際には、加工用のテーブルに溝形成用ダイシングテープ３０を予め載置しておき、その上に集合基板２０を載せる。この工程により、集合基板２０を溝形成用ダイシングテープ３０に固定することができる。ここで、ダイシングテープとは、半導体・光学部品・電子回路モジュール等の製造時に、ワーク（製造対象物）を保護・固定するためのテープであり、集合基板２０と接触する面（図２中（Ａ）では、溝形成用ダイシングテープ３０の上面）に粘着剤が塗布されている。この溝形成用ダイシングテープ３０は、以下の溝形成工程において少し切削するため、通常のダイシングテープより厚いものを使用した方がよい。
【００５８】
〔溝形成工程；図２中（Ｂ）及び図４中Ｓ１１０参照〕
集合基板２０の上面側から、分離予定ライン１５に沿って封止樹脂層１３及び回路基板１１を切削するとともに、溝形成用ダイシングテープ３０の一部を切削する。ここでは、集合基板２０の厚み方向において封止樹脂層１３及び回路基板１１を完全に貫通しつつ、溝形成用ダイシングテープ３０を完全に貫通しないでその一部を残すことによって溝１６が形成される。溝１６は、封止樹脂層１３及び回路基板１１を切削した部分と、溝形成用ダイシングテープ３０の一部を切削した部分とで構成され、厚み方向で封止樹脂層１３の上面から溝形成用ダイシングテープ３０の一部にまで達する深さを有する溝である。溝１６を形成する際の切削は、図示しない切削機により行う。例えば、集合基板２０の上面側から、切削機のドリルを下降させることで、厚み方向に溝１６を形成することができる。そして、そのドリルを下降させた状態のまま、個々の電子回路モジュール１０の周りを一周させることで、個々の電子回路モジュール１０の周りに溝１６を形成することができる。このとき、封止樹脂層１３及び回路基板１１のみを切削し、溝形成用ダイシングテープ３０は切削しないことも考えられるが、封止樹脂層１３及び回路基板１１のみを切削することは技術的に困難であり、また、封止樹脂層１３及び回路基板１１を完全にフルカットするために、溝形成用ダイシングテープ３０までドリルを突入させること（余計に切削させること）で、封止樹脂層１３及び回路基板１１の切削を確実なものとしている。
【００５９】
〔シールド層形成工程；図２中（Ｃ）及び図４中Ｓ１２０参照〕
上述した溝形成工程で形成した溝１６に導電性樹脂を充填して、封止樹脂層１３の上面及び側面、回路基板１１の側面に、導電性樹脂のシールド層１４を形成する。導電性樹脂のシールド層１４を形成する材料としては、導電性を有する材料であればよく、金属性の導電性材料を含む樹脂材料を溝１６に流し込んで形成する。
【００６０】
〔個片化工程；図２中（Ｄ）〜図３中（Ｇ）及び図４中Ｓ１３０参照〕
集合基板２０に複数配列された電子回路モジュール１０を個々の電子回路モジュール１０として個片化する。具体的には、個片化工程は、以下の工程Ｓ１３１〜Ｓ１３４を実行することにより実現できる。
【００６１】
〔切削工程；図２中（Ｄ）及び図４中Ｓ１３１参照〕
溝形成用ダイシングテープ３０の下面側から、溝形成用ダイシングテープ３０の溝１６に入り込んだ導電性樹脂のシールド層１４を溝形成用ダイシングテープ３０とともに切削する（図中、矢印Ｄ参照）。この工程は、溝形成用ダイシングテープ３０を切削することによって生じる導電性樹脂のシールド層１４の出っ張り部分を取り除く工程である。なお、裏面側から切削することが困難であれば、作業をしやすくするために、全体的にひっくり返して表面側から切削してもよい。ここでは、溝形成用ダイシングテープ３０の溝１６に入り込んだ導電性樹脂のシールド層１４だけでなく、回路基板１１の側面の下面側周縁部も若干切削し、回路基板１１の側面に凹み部１１ｃを形成する（図１参照）。凹み部１１ｃの寸法は、使用する回路基板１１の配線パターン等の都合により、任意に変更することができる。このときの切削幅は、理論上は、溝１６の幅と同一でよいが、溝１６の幅と同一の切削幅だと切削不良が生じるおそれがあるため、実際には、溝１６の幅よりも若干広い切削幅で切削している。仮に、溝１６の幅寸法が３００μｍ程度であれば、本工程の切削幅の寸法は、４００μｍ程度とすればよい。
【００６２】
〔分離・剥離用ダイシングテープ貼付工程；図３中（Ｅ）及び図４中Ｓ１３２参照〕
溝形成用ダイシングテープ３０の下面に、分離・剥離用ダイシングテープ４０を貼り付ける。この分離・剥離用ダイシングテープ４０は、以下の分離工程において、各電子回路モジュール１０がバラバラになることを防止する役割と、最終的に不要となる溝形成用ダイシングテープ３０を剥離するための役割とを兼用している。分離・剥離用ダイシングテープ４０は、溝形成用ダイシングテープ３０と接触する面（図３中（Ｅ）では、分離・剥離用ダイシングテープ４０の上面）に粘着剤が塗布されている。また、この分離・剥離用ダイシングテープ４０は、通常通り、薄めのダイシングテープを用いればよい。
【００６３】
〔分離工程；図３中（Ｆ）及び図４中Ｓ１３３参照〕
導電性樹脂のシールド層１４の上面側から、溝形成工程の切削幅よりも狭い切削幅で分離予定ライン１５に沿って導電性樹脂のシールド層１４を切削することにより、集合基板２０に複数配列された電子回路モジュール１０同士を分離する（図３中矢印Ｆ参照）。このシールド層１４の切削は、上述した溝形成工程と同様に、図示しない切削機で行い、切削幅の調整は、使用するドリルの径を変更することより行う。電子回路モジュール１０同士を分離した後でも、分離・剥離用ダイシングテープ４０を貼付しているため、各電子回路モジュール１０がバラバラになることはない。仮に、溝１６の幅寸法が３００μｍ程度であれば、本工程の切削幅の寸法は、１００μｍ程度とすればよい。
【００６４】
〔剥離工程；図３中（Ｇ）及び図４中Ｓ１３４参照〕
最後に、溝形成用ダイシングテープ３０及び分離・剥離用ダイシングテープを回路基板１１から剥離する。このとき、溝形成用ダイシングテープ３０と分離・剥離用ダイシングテープ４０とは、同素材で互いに密着しやすく、回路基板１１と溝形成用ダイシングテープ３０とは、引き離す力が加わった場合に剥離しやすい関係にある。したがって、分離・剥離用ダイシングテープ４０を剥離すれば、溝形成用ダイシングテープ３０が分離・剥離用ダイシングテープ４０に引っ張られて回路基板１１から剥離し、溝形成用ダイシングテープ３０及び分離・剥離用ダイシングテープ４０を一気に剥離することができる。なお、基本的には、回路基板１１は、金属板やエポキシ樹脂からなるため、回路基板１１と溝形成用ダイシングテープ３０とがくっつこうとする力よりも、テープ同士がくっつこうとする力が充分強く、両テープの一括剥離は可能であるが、両テープの一括剥離を確実なものとするために、溝形成用ダイシングテープ３０の粘着力よりも、分離・剥離用ダイシングテープ４０の粘着力を強くしておいてもよい。
これらの工程を経て、図１に示す電子回路モジュール１０が完成する。
【００６５】
このように、第１実施形態の電子回路モジュールの製造方法によれば、封止樹脂層１３と回路基板１１とを完全に貫いて形成した溝１６を利用してシールド層１４を形成するので、回路基板１１の側面の略全領域にシールド層１４を形成することができる。したがって、集合基板２０から個々の電子回路モジュール１０を大量生産する場合であっても、回路基板１１の側面を略完全にシールドした電子回路モジュール１０を提供することができる。これにより、回路基板１１の側面からノイズが侵入してくることや、回路基板１１の側面から不要な電波が漏れてしまうことがなくなり、シールド性を向上させることができる結果、より高品質の電子回路モジュール１０を製造することができる。
【００６６】
また、回路基板１１の裏面側から導電性樹脂のシールド層１４を切削するので、溝１６に入り込んだ余分なシールド層１４を極めて精度良く極僅かに切削することができる。例えば、回路基板１１の配線パターン１１ａの厚さが１０〜４０μｍであれば、回路基板１１の裏面を基準とした場合に、配線パターン１１ａの厚さを少し上回る５０〜２００μｍほどの部分について、シールド層１４の下面を切削することができる。
さらに、２つのダイシングテープ３０，４０同士は、同素材で互いに密着しやすいため、回路基板１１から２つのダイシングテープを一気に剥離することができ、製造工程の負担を軽減させることができる。溝形成用ダイシングテープ３０は、切削工程にて切削されて細かい断片となっているが、分離・剥離用ダイシングテープ４０に貼り付けることによって簡単に剥離することができる。
【００６７】
一方、第１実施形態の電子回路モジュール１０は、回路基板１１の側面の下面側周縁部に、回路基板１１の内側に向けて凹んだ凹み部１１ｃが形成されている。そして、回路基板１１の側面のうち凹み部１１ｃを除いた部分に、シールド層１４が形成されている。ここで、シールド層１４は、グランドパターン１１ｂと接続されることにより、グランドとして機能するため、配線パターン１１ａとシールド層１４とは接触してはならない。このため、回路基板１１の配線パターン１１ａの配置によっては、シールド層１４は、回路基板１１の下面より極僅かに上面側に引っ込んでいた方がよい場合がある。本実施形態では、このような場合に、この凹み部１１ｃを形成することで、僅かな引っ込みを実現することができ、回路基板１１の配線パターン１１ａをその凹み部１１ｃで逃げることができる。また、凹み部１１ｃを形成することで電子回路モジュール１０の軽量化を図ることができる。さらに、凹み部１１ｃを形成する際には、シールド層１４とともに回路基板１１を切削して凹み部１１ｃを形成することができ、製造方法の効率化に寄与することができる。このように、本実施形態の電子回路モジュール１０によれば、回路基板１１の側面を極僅かの隙間（凹み部１１ｃ）を除いてシールドすることにより、回路基板１１の側面を充分にシールドするだけでなく、複雑化した配線パターンの配置等にも対応できるという格別の効果がある。
【００６８】
〔第２実施形態〕
次に、図５〜図７を参照しながら、第２実施形態による電子回路モジュールの製造方法について説明する。
図５及び図６は、第２実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する模式図であり、図７は、第２実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する工程図である。なお、以下の実施形態では、第１実施形態と共通する事項については同じ符号を付与するものとし、その重複した説明を省略する。
【００６９】
第２実施形態の製造方法と、第１実施形態の製造方法とが異なる点は、第１実施形態では、導電性樹脂を用いてシールド層を形成しているのに対して、第２実施形態では、金属性メッキを用いてシールド層を形成している点にある。
【００７０】
貼付工程（図５中（Ａ）及び図７中Ｓ２００参照）、及び溝形成工程（図５中（Ｂ）及び図７中Ｓ２１０参照）は、第１実施形態の貼付工程Ｓ１００、及び溝形成工程Ｓ１１０と同様である。
【００７１】
〔シールド層形成工程；図５中（Ｃ）及び図７中Ｓ２２０参照〕
第１実施形態では、溝形成工程で形成した溝１６に導電性樹脂を充填して、導電性樹脂のシールド層１４を形成していたが、第２実施形態では、溝形成工程で形成した溝１６に、図示しないスプレー機構を用いて金属性材料を塗布し、封止樹脂層１３の上面及び側面、回路基板１１の側面に、金属性メッキのシールド層１４Ａを形成している。このとき、金属性メッキは、薄膜の層であるため、金属性メッキのシールド層１４Ａが溝１６をすべて埋めることはない。したがって、第１実施形態のように、溝形成工程で形成した溝１６が樹脂の層で固まることはなく、一定の隙間を残して金属性メッキのシールド層１４Ａが形成され、隣り合う電子回路モジュール１０は、溝１６の部分で結合していない。
【００７２】
〔個片化工程；図５中（Ｄ）〜図６（Ｇ）及び図７中Ｓ２３０参照〕
集合基板２０に複数配列された電子回路モジュール１０を個々の電子回路モジュール１０として個片化する。具体的には、個片化工程は、以下の工程を実行することにより実現できる。なお、第２実施形態では、金属性メッキを用いてシールド層１４Ａを形成しているため、第１実施形態の個片化工程と比較して、その内容が若干異なる。
【００７３】
〔切削用ダイシングテープ貼付工程；図５中（Ｄ）及び図７中Ｓ２３１参照〕
封止樹脂層１３の上面に形成した金属性メッキのシールド層１４Ａの上面に、切削用ダイシングテープ５０を貼り付ける。切削用ダイシングテープ５０は、シールド層１４Ａと接触する面（図５中（Ｄ）では、切削用ダイシングテープ５０の下面）に粘着剤が塗布されている。この切削用ダイシングテープ５０は、実施形態１の製造方法では不要なものである。なぜならば、実施形態１の製造方法では、導電性樹脂のシールド層１４を溝１６に充填しているため、その導電性樹脂のシールド層１４が、隣り合う電子回路モジュール１０同士を結合しているからである。しかし、実施形態２の製造方法では、溝１６の内面に形成された金属性メッキのシールド層１４Ａに一定の隙間があるため、この切削用ダイシングテープ５０を貼り付けないと、以下の切削工程において、各電子回路モジュール１０がバラバラになってしまう。したがって、この切削用ダイシングテープ５０は、以下の切削工程において、各電子回路モジュール１０がバラバラになることを防止する役割を果たしている。
【００７４】
〔切削工程；図６中（Ｅ）及び図７中Ｓ２３２参照〕
溝形成用ダイシングテープ３０の下面側から、溝形成用ダイシングテープ３０の溝１６に入り込んだ金属性メッキのシールド層１４Ａを溝形成用ダイシングテープ３０とともに切削する（図中、矢印Ｅ参照）。この工程は、シールド層が、導電性樹脂のものから金属性メッキのものに変わっただけであり、工程自体は第１実施形態の工程Ｓ１３１と同様である。
【００７５】
〔剥離用ダイシングテープ貼付工程；図６中（Ｆ）及び図７中Ｓ２３３参照〕
溝形成用ダイシングテープ３０の下面に、剥離用ダイシングテープ６０を貼り付ける。
【００７６】
〔剥離工程；図６中（Ｇ）及び図７中Ｓ３４参照〕
最後に、溝形成用ダイシングテープ３０及び剥離用ダイシングテープ６０を回路基板１１から剥離し、切削用ダイシングテープ５０を金属性メッキのシールド層１４Ａから剥離する。剥離の仕方は、第１実施形態のやり方と同様である。
これらの工程を経て、図１に示す電子回路モジュール１０が完成する。なお、第２実施形態の製造方法では、図１に示す電子回路モジュール１０の導電性樹脂のシールド層１４が金属性メッキのシールド層１４Ａに変更されたものが製造される。両者は、シールド層の厚みが若干相違するものの、その他の構成に変更はない。
【００７７】
このように、第２実施形態の電子回路モジュールの製造方法によれば、シールド層１４Ａが薄膜の金属性メッキであるため、金属性メッキのシールド層１４Ａは溝１６の内面に付着するだけであり、溝１６の内部に形成されるシールド層１４Ａによって隣り合う電子回路モジュール１０同士が結合することはない。したがって、シールド層１４Ａを切削して電子回路モジュール１０同士を分離する分離工程は不要となり、製造工程を簡略化することができる。
【００７８】
〔第３実施形態〕
次に、図８〜図１０を参照しながら、第３実施形態による電子回路モジュールの製造方法について説明する。
図８及び図９は、第３実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する模式図であり、図１０は、第３実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する工程図である。
【００７９】
第３実施形態の製造方法と、第１，２実施形態の製造方法とが異なる点は、第３実施形態では、新たな思想として載せ替え工程を採用している点にある。
【００８０】
貼付工程（図８中（Ａ）及び図１０中Ｓ３００参照）、及び溝形成工程（図８中（Ｂ）及び図１０中Ｓ３１０参照）は、第１実施形態の貼付工程Ｓ１００、及び溝形成工程Ｓ１１０と同様である。
【００８１】
〔載せ替え工程；図８中（Ｃ）〜図９中（Ｅ）及び図１０中Ｓ３１５参照〕
載せ替え工程は、溝形成工程Ｓ３１０とシールド層形成工程Ｓ３２０との間に、配置される。
この工程では、溝形成工程Ｓ３１０で形成した溝１６の間隔を保ちながら、各電子回路モジュール１０Ａを、溝形成用ダイシングテープ３０から、傷の付いていない新たな新ダイシングテープ７０に載せ替える。具体的には、載せ替え工程は、以下の工程Ｓ３１６〜Ｓ３１９を実行することにより実現できる。
【００８２】
〔載せ替え用ダイシングテープ貼付工程；図８中（Ｃ）及び図１０中Ｓ３１６参照〕
封止樹脂層１３の上面に、載せ替え用ダイシングテープ８０を貼り付ける。
〔溝形成用ダイシングテープ剥離工程；図８中（Ｃ）及び図１０中Ｓ３１７参照〕
回路基板１１から、溝形成用ダイシングテープ３０を剥離する。
〔新ダイシングテープ貼付工程；図８中（Ｄ）及び図１０中Ｓ３１８参照〕
回路基板１１の下面に、新ダイシングテープ７０を貼り付ける。
〔載せ替え用ダイシングテープ剥離工程；図９中（Ｅ）及び図１０中Ｓ３１９参照〕
封止樹脂層１３から、載せ替え用ダイシングテープ８０を剥離する。
【００８３】
〔シールド層形成工程；図９中（Ｆ）及び図１０中Ｓ３２０参照〕
溝１６に導電性樹脂を充填して、封止樹脂層１３の上面及び側面、回路基板１１の側面に、導電性樹脂のシールド層１４を形成する。本工程は、実施形態１のものと略同様であるが、第３実施形態では、新ダイシングテープ７０に載せ替えているため、導電性樹脂のシールド層１４が溝形成用ダイシングテープ３０の溝に入り込むことがない。
【００８４】
〔個片化工程；図９中（Ｇ）〜（Ｉ）及び図１０中Ｓ３３０参照〕
集合基板２０に複数配列された電子回路モジュール１０Ａを個々の電子回路モジュール１０Ａとして個片化する。具体的には、個片化工程は、以下の工程Ｓ３３１，Ｓ３３２を実行することにより実現できる。
【００８５】
〔分離工程；図９中（Ｇ）及び図１０中Ｓ３３１参照〕
導電性樹脂のシールド層１４の上面側から、溝形成工程の切削幅よりも狭い切削幅で分離予定ライン１５に沿って導電性樹脂のシールド層１４を切削することにより、集合基板２０に複数配列された電子回路モジュール１０Ａ同士を分離する。なお、本工程は、第１実施形態の分離工程と同様である。
【００８６】
〔剥離工程；図９中（Ｈ）及び図４中Ｓ３３２参照〕
最後に、封止樹脂層１３の上面に形成されたシールド層１４の上面を、図示しないピックアップ機の吸着ノズル９０で吸着することにより、新ダイシングテープ７０から個々の電子回路モジュール１０Ａを剥離する。
これらの工程を経て、図９中（Ｉ）に示す電子回路モジュール１０Ａが完成する。
この電子回路モジュール１０Ａは、第１実施形態のものと略同様の構成であるが、回路基板１１の側面については、その全領域にシールド層１４が形成されている。
【００８７】
このように、第３実施形態の電子回路モジュールの製造方法によれば、溝１６を形成してその効用を終えた溝形成用ダイシングテープ３０をそのまま使用するのではなく、その溝形成用ダイシングテープ３０をまっさらな新ダイシングテープ７０に交換する。これにより、溝形成用ダイシングテープ３０の溝１６に、導電性樹脂のシールド層１４が入り込むことはなくなり、第１実施形態のように溝形成用ダイシングテープ３０の溝１６に入り込んだ導電性樹脂のシールド層１４を溝形成用ダイシングテープ３０とともに切削する必要はなくなる。したがって、余分なシールド層１４を裏面側から切削する工程をなくすことができ、切削工程をなくすことによって製造工程を簡略化し、しかも、切削工程をなくした分だけ加工精度のよい電子回路モジュール１０Ａを提供することができる。
また、シールド層１４の上面を吸着するといった簡単な工程で、電子回路モジュール１０Ａを個片化することができる。
【００８８】
さらに、載せ替え用ダイシングテープ８０を用意して、その載せ替え用ダイシングテープ８０を貼付したり剥離したりするだけで、溝１６の間隔を正確に保ちながら、各電子回路モジュール１０Ａを溝形成用ダイシングテープ３０から新ダイシングテープ７０に簡単に載せ替えることができる。
一方、第３実施形態の電子回路モジュールの製造方法で製造した電子回路モジュール１０Ａによれば、回路基板１１の側面の全領域に、シールド層１４が形成されているので、回路基板１１の側面からの電波の漏れ等が発生して電子回路モジュール１０Ａに悪影響を与えることがなくなる。
【００８９】
〔第４実施形態〕
次に、図１１〜図１３を参照しながら、第４実施形態による電子回路モジュールの製造方法について説明する。
図１１及び図１２は、第４実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する模式図であり、図１３は、第４実施形態の電子回路モジュールの製造方法について説明する工程図である。
第４実施形態の製造方法は、第３実施形態のように載せ替え工程を採用しており、しかも、第２実施形態のように金属性メッキを用いてシールド層１４Ａを形成している。
【００９０】
貼付工程（図１１中（Ａ）及び図１３中Ｓ４００）から、載せ替え工程（図１２中（Ｅ）及び図１３中Ｓ４１５）までは、第３実施形態と同様である。
【００９１】
〔シールド層形成工程；図１２中（Ｆ）及び図１３中Ｓ４２０参照〕
溝１６に金属性材料を塗布して、封止樹脂層１３の上面及び側面、回路基板１１の側面に、金属性メッキのシールド層１４Ａを形成する。
【００９２】
〔個片化工程；図１２中（Ｇ）（Ｉ）及び図１０中Ｓ４３０参照〕
集合基板２０に複数配列された電子回路モジュール１０Ａを個々の電子回路モジュール１０Ａとして個片化する。具体的には、個片化工程は、封止樹脂層１３の上面に形成されたシールド層１４Ａの上面を、図示しないピックアップ機の吸着ノズル９０で吸着することにより、新ダイシングテープ７０から個々の電子回路モジュール１０Ａを剥離する工程である。ここで、新ダイシングテープ７０から個々の電子回路モジュール１０Ａを剥離した際には、金属性メッキのシールド層１４Ａの終端部分にバリ１４Ｂが発生する場合がある。このようなバリ１４Ｂが発生した場合は、ヤスリ等で研磨してそのバリ１４Ｂを取り除く。
これらの工程を経て、図１２中（Ｈ）に示す電子回路モジュール１０Ａが完成する。
この電子回路モジュール１０Ａは、第３実施形態のものと略同様の構成であるが、第３実施形態のものと比較して、導電性樹脂のシールド層１４が金属性メッキのシールド層１４Ａに変更されている。
【００９３】
このように、第４実施形態の電子回路モジュールの製造方法によれば、シールド層１４Ａを金属性メッキとし、さらに載せ替え工程Ｓ４１５を採用することで、余分なシールド層１４Ａを裏面側から切削する必要はなく、電子回路モジュール１０Ａ同士を分離するためにシールド層１４Ａを切削する必要もない。したがって、最も簡単かつ簡略化した製造方法を提供することができる。
また、シールド層１４Ａの上面を吸着するといった簡単な工程で、電子回路モジュール１０Ａを個片化することができる。
【００９４】
本発明は、上述した一実施形態に制約されることなく、各種の変形や置換を伴って実施することができる。また、一実施形態で挙げた電子回路モジュール１０，１０Ａの構成はいずれも好ましい例示であり、これらを適宜変形して実施可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００９５】
１０，１０Ａ  電子回路モジュール
１１  回路基板
１２  電子部品
１３  封止樹脂層
１４，１４Ａ  シールド層
２０  集合基板
３０  溝形成用ダイシングテープ
４０  分離・剥離用ダイシングテープ
５０  切削用ダイシングテープ
６０  剥離用ダイシングテープ
７０  新ダイシングテープ
８０  載せ替え用ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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