(57)【要約】      （修正有）【課題】静電チャックアセンブリは、基板へ十分な量の熱交換ガスを供給しながら、静電チャック内又はその周囲、例えば静電チャックアセンブリを貫通する開口及び導管内又はその周囲でのプラズマの形成を低減できることが望まれる。【解決手段】静電チャックの熱交換ガス導管用のアイソレータが開示される。該アイソレータ３００は、スリーブ３０４と、前記スリーブ３０４内に配置され、前記スリーブ３０４との間に熱交換ガスを流す環３１２を形成する本体３０８とを含む。前記本体３０８は静電チャックの誘電体パック１１１に当接配置し、ばね３２８によりこの位置に支持することができる。前記スリーブ３０４と前記パック１１１との間にシリコーンシール３３４を設けて前記導管内にプラズマが形成されないようにすることができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電チャックの熱交換ガス導管内に配置し得るアイソレータであって、
スリーブと、前記スリーブ内に配置され、前記スリーブとの間に環を形成する本体とを備え、前記環が熱交換媒体を当該静電チャックの上面まで供給するように構成されている、
アイソレータ。
【請求項２】
前記本体を前記静電チャックの誘電体パックの表面に対し押し付けるばねを更に備える、請求項１記載のアイソレータ。
【請求項３】
前記スリーブと前記静電チャックとの間にシールを更に備える、請求項１記載のアイソレータ。
【請求項４】
前記シールは熱伝導性及び電気絶縁性シリコーンである請求項３記載のアイソレータ。
【請求項５】
前記本体は、熱交換ガスを前記誘電チャックの誘電体パックに形成された送出開口に供給するように構成された転送スリットを更に備える、請求項１記載のアイソレータ。
【請求項６】
前記スリーブ及び前記本体は誘電体である、請求項１記載のアイソレータ。
【請求項７】
冷却基部と、
前記冷却基部の上にあって、電極と該電極を少なくとも部分的に覆う誘電体とを備えるパックと、
前記パックに形成された複数の開口と、
前記冷却基部に形成された、前記複数の開口と流体連通する複数の熱交換導管と、
前記複数の熱交換導管内に設けられた複数のアイソレータであって、前記アイソレータの各々はスリーブ、本体及び前記スリーブと前記本体との間の環を備え、前記環が熱交換媒体を前記複数の開口へ送出するように構成されているアイソレータと、
を備える、静電チャック。
【請求項８】
前記スリーブの各々と前記静電チャックとの間にシールを更に備える、請求項７記載のアイソレータ。
【請求項９】
前記シールは熱伝導性及び電気絶縁性シリコーンである請求項８記載の静電チャック。
【請求項１０】
前記冷却基部内に複数のばねを備え、各ばねが前記本体を前記静電チャックの誘電体パックの表面に圧接するように構成されている、請求項７記載の静電チャック。
【請求項１１】
前記本体は、前記複数の開口と流体連通する転送スリットを更に備える、請求項７記載の静電チャック。
【請求項１２】
前記転送スリットと前記複数の開口との間にプレナムを備え、前記プレナムが前記転送スリット及び前記複数の開口と流体連通している、請求項１１記載の静電チャック。
【請求項１３】
前記複数のアイソレータはセラミックである、請求項７記載の静電チャック。
【請求項１４】
複数の開口を備えるパック及び
冷却基部を備え、
前記冷却基部は、熱交換ガス源と流体連通する複数の熱交換ガス通路及び該熱交換通路内に配置された複数のアイソレータを備え、前記アイソレータの各々は、スリーブ、本体及び前記スリーブと前記本体との間の環を備え、前記複数の開口が前記複数のアイソレータの各々の前記環と流体連通している、
基板処理システム。
【請求項１５】
前記スリーブの各々と前記静電チャックとの間にシールを更に備える、請求項１４記載の基板処理システム。
【請求項１６】
前記シールは熱伝導性及び電気絶縁性シリコーンである請求項１５記載の基板処理システム。
【請求項１７】
前記冷却基部内に複数のばねを備え、各ばねが前記複数の本体の各々の上面を前記静電チャックの誘電体パックに圧接するように構成されている、請求項１４記載の基板処理システム。
【請求項１８】
前記複数の本体の各々は、前記環及び前記複数の開口と流体連通する転送スリットを更に備える、請求項１４記載の基板処理システム。
【請求項１９】
前記転送スリットと前記複数の開口との間にプレナムを備え、前記プレナムが前記転送スリット及び前記複数の開口と流体連通している、請求項１８記載の静電チャック。
【請求項２０】
前記複数のアイソレータはセラミックである、請求項１４記載の基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理の分野に関し、特には静電チャックに関する。
【背景技術】
【０００２】
基板を処理中に静電的に保持するために（例えばシリコンウェハを半導体処理中にチャンバ内で保持するために）静電チャックが使用されている。静電チャックアセンブリは、典型的には、誘電体で被覆された静電チャック電極を含み、該電極は冷却基部上に置かれる。静電チャックアセンブリは次にカソード及びアイソレータ上に置かれる。静電チャックアセンブリはプラズマが生成されるプラズマチャンバ内に置かれる。プラズマは導電性のガス状媒質であり、ＲＦエネルギーのような電磁エネルギーをガスに供給することによって生成することができる。プラズマを生成するとともに基板を静電チャックに保持するいくつかの異なる方法がある。例えば、ＤＣ電圧を静電チャック電極に供給するとともにＲＦ電圧を陰極に供給することができ、またＤＣ電圧を静電チャック電極に供給するとともにＲＦ電圧を静電チャック電極及びカソードの両方に供給することができる。
【０００３】
また、ヘリウムのような熱交換ガスを、静電チャックアセンブリを貫通する導管及び開口（誘電体及び電極を貫通する開口及び冷却基部を貫通する導管）を通して基板の背面に供給して基板からの熱を除去することができる。静電チャックはＤＣ及びＲＦ電力の両方をウェハに供給するため、これらの開口及び導管の近くに強い電界が発生する。これらの電界はプラズマを生成するとともにウェハをチャックするために必要である。
【０００４】
これらの電界は静電チャックアセンブリの開口及び導管内へ透過することができ、また発生することができる。特に、静電チャック電極に供給される電位によって静電チャックアセンブリを貫通するヘリウムガス開口又は導管の中又は周囲にグロー放電又は電気アークを生じ得る。これは、前記ガス開口及び導管が、例えばチャンバ内のプラズマを励起又は維持するためにＲＦ電圧で附勢される静電チャックアセンブリの静電チャック電極を貫通するときに、特に問題になる。このＲＦ電圧は透過してガス開口内を流れるガスに結合して開口内にプラズマを生成する。この開口内のプラズマは開口の壁からセラミック粒子をスパッタし、これらの粒子が処理チャンバ内に侵入し処理チャンバ及び／又はウェハを汚染し得る。更に、このプラズマは開口を加熱し、また十分な電流を発生して開口を加熱し、静電チャックアセンブリに過度のストレスを生じさせ、故障を引起し得る。
【０００５】
導電性コンポーネントを互いに絶縁しながら十分なヘリウムを低い圧力低下で供給することができる静電チャックアセンブリを設計することが重要な課題である。これは、主として、静電チャックアセンブリの平面に十分なヘリウムを供給することと、チャックを透過する強い電界により駆動される電子又は原子通路によりヘリウムガスの点火を許さない空隙及びヘリウム移動を許す空洞を設けることとの間でトレードオフすることになる。従って、静電チャックアセンブリは、基板へ十分な量の熱交換ガスを供給しながら、静電チャック内又はその周囲、例えば静電チャックアセンブリを貫通する開口及び導管内又はその周囲でのプラズマの形成を低減できることが望まれる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以下に記載する本発明の概要は、本発明のいくつかの態様及び特徴の基本的な理解を提供するために記載されている。この概要は本発明の広範な概説ではなく、特に本発明の主要な又は重要な要素を特定するものでなく、また本発明の範囲を限定するものではない。その唯一の目的は、本発明のいくつかの概念を後に提示される詳細な説明の前置きとして簡略化された形で提示することにある。
【０００７】
本発明の一つの態様によれば、静電チャックの熱交換ガス導管内に配置し得るアイソレータが提供され、該アイソレータは、スリーブと、前記スリーブ内に配置され、前記スリーブとの間に環を形成する本体とを備え、前記環が熱交換媒体を当該静電チャックの上面まで供給するように構成されている。
【０００８】
前記アイソレータは、前記本体を前記静電チャックのセラミックパックの表面に押し付けるばねを含んでもよい。
【０００９】
前記アイソレータは、前記アイソレータと前記静電チャックとの間にシールを含んでもよい。
【００１０】
前記シールは熱伝導性及び電気絶縁性シリコーン含であってよい。
【００１１】
前記プラグ（アイソレータ）は、熱交換ガスを前記誘電チャックのセラミックパックに形成された送出開口に供給するように構成された転送スリットを更に含んでもよい。
【００１２】
前記スリーブ及び前記本体はセラミックであってよい。
【００１３】
本発明の他の態様によれば、静電チャックが提供され、該静電チャックは、冷却基部と、前記冷却基部の上にあって、電極及び該電極を少なくとも部分的に覆う誘電体を備えるパックと、前記パックに形成された複数の開口と、前記冷却基部に形成された、前記複数の開口と流体連通する複数の熱交換導管と、前記複数の熱交換導管内に設けられた複数のアイソレータであって、前記アイソレータの各々はスリーブ、本体及び前記スリーブと前記本体との間の環を備え、前記環が熱交換媒体を前記複数の開口へ送出するように構成されているアイソレータと、を備える。
【００１４】
前記静電チャックは、前記スリーブの各々と前記パックとの間にシールを含んでもよい。
【００１５】
前記シールは熱伝導性及び電気絶縁性シリコーンであってよい。
【００１６】
前記静電チャックは、前記冷却基部内に複数のばねを備え、各ばねが前記本体の上面を前記パックの底面に圧接するように構成してもよい。
【００１７】
前記本体は、前記複数の開口と流体連通する転送スリットを含んでもよい。
【００１８】
前記静電チャックは、前記転送スリットと前記複数の開口との間にプレナムを備え、前記プレナムが前記転送スリット及び前記複数の開口と流体連通するようにしてもよい。
【００１９】
前記複数のアイソレータはセラミックであってよい。
【００２０】
本発明の他の態様によれば、基板処理システムが提供され、該システムは、複数の開口を備えるパック及び冷却基部を備え、前記冷却基部は、熱交換ガス源と流体連通する複数の熱交換ガス通路及び該熱交換通路内に配置された複数のアイソレータを備え、前記アイソレータの各々は、スリーブ、本体及び前記スリーブと前記本体との間の環を備え、前記複数の開口が前記複数のアイソレータの各々の前記環と流体連通している。
【００２１】
前記基板処理システムは、前記スリーブの各々と前記静電チャックとの間にシールを更に含んでもよい。
【００２２】
前記シールは熱伝導性及び電気絶縁性シリコーンであってよい。
【００２３】
前記基板処理システムは、前記冷却基部内に複数のばねを含み、各ばねが前記複数のプラグ（アイソレータ）の各々の上面を前記静電チャックの誘電体パックに圧接するように構成してもよい。
【００２４】
前記複数のアイソレータの各々は、前記環及び前記複数の開口と流体連通する転送スリットを更に含んでもよい。
【００２５】
前記基板処理システムは、前記転送スリットと前記複数の開口との間にプレナムを含み、前記プレナムが前記転送スリット及び前記複数の開口と流体連通するようにしてもよい。
【００２６】
前記複数のアイソレータはセラミックであってよい。
【００２７】
本明細書に含まれ本明細書の一部を構成する添付図面は、本発明の実施例を例示し、明細書の記載とともに本発明の原理を図解し説明するのに役立つものである。図面は代表的な実施例の主な特徴を概略的に示すことを意図している。図面は実施例の全ての特徴を示すことを意図するものでなく、また図示された阻止の相対寸法を示すことを意図するものでもなく、一定の寸法比で描かれていない。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は本発明の一実施例による基板処理システムの斜視図である。
【図２Ａ】本発明の一実施例による静電チャックの側面図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施例による静電チャックの上面図である。
【図３】本発明の一実施例による、静電チャックの導管内にアイソレータを備える静電チャックの詳細側面図である。
【図４】図４Ａ−４Ｃは本発明の一実施例によるアイソレータの詳細図である。
【図５】図５Ａ−５Ｃは本発明の別の実施例によるアイソレータの詳細図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明の一実施例を図１を参照して以下に詳細に説明する。図１は静電チャック１１０を有する真空チャンバ１００を示す。図１に示す構成は単なる一例であると理解されたい。真空チャンバ１００及び静電チャック１１０はもっと多数の又は少数のコンポーネントを有することができ、これらのコンポーネントの配置は当業者に知られているように変えることができる。
【００３０】
図１において、ウェハ１０１が真空チャンバ１００内のチャック１１０に固着されている状態が示されている。図示の真空チャンバ１００はプラズマ処理用に構成されている（例えばプラズマ１０３がチャンバ１００内に示されている）。プラズマ処理は、例えばエッチング、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）などを含む。真空チャンバは、静電チャックを含む任意のタイプの真空チャンバとすることができ、よって他の処理をチャンバ内で実行することができる。真空チャンバは容量結合プラズマ（ＣＣＰ）チャンバとすることがで、また例えば誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）源チャンバとすることができることも理解されよう。プラズマ密度を高めるとともにイオンエネルギーをイオン発生源から減結合するプラズマ源を用いる真空チャンバはしばしば高密度プラズマ（ＨＤＰ）チャンバと呼ばれている。真空チャンバはＨＤＰチャンバとすることができ、代表的なＨＤＰ源はマイクロ波励起、誘導結合及びヘイリコン波励起プラズマ源を含むことは理解されよう。また、ＨＤＰチャンバはイオンエネルギーをイオン発生源から減結合する必要がないことも理解されよう。
【００３１】
真空チャンバ１００は真空気密筐体１０５を含む。筐体１０５はアルミニウム、ステンレススチール又は他の真空適合材料からなるものとすることがでえきる。筐体１０５は電気的に接地することができ、この場合にはチャンバ壁はアノードである。真空気密筐体１０５内にウェハを出し入れ可能にするためにスリット弁１０６が設けられている。プロセスガス源１０４からのガスを筐体１０５内に供給可能にするために弁１０７も設けられている。プロセスガスからプラズマを生成するために、インダクタコイル１０９がチャンバ１００に隣接して設けられ、コイル電源１１１により附勢できるようになっている。チャンバ１００はガス状の副産物を排気する絞り排気口１１２も備えている。
【００３２】
図１及び図２Ａ−２Ｂを参照すると、静電チャック１１０は誘電体パック（平円板）１１４及び冷却基部１１５を含む。誘電体パック１１４は電極１１３を含み、該電極１１３は誘電体１１８により被覆又は誘電体１１８内に埋め込まれ、基板１０１から電気的に絶縁される。電極１１３は、銅、ニッケル、クロム、アルミニウム、モリブデン、タングステン又はそれらの合金からなる金属層を含む。静電チャックアセンブリ１１０は、単極、双極又は多極チャックとすることができる。冷却基部１１５は誘電体パック１１４を支持し、冷却基部１１５はアイソレータ１１７に結合されたカソード１１６により支持される。
【００３３】
熱交換流体循環器１５０は熱交換流体を基部１１５内の通路１５２を経て循環させて誘電体パック１１４と熱を交換する。一つ以上の熱交換ガス導管１５４が冷却基部１１５を貫通し、一つ以上の熱交換開口１５５が誘電体パック１１４を貫通している。熱交換ガス源１６５に結合されたガス供給導管１６０が熱交換ガスを導管１５４に供給し、この導管が熱交換ガスを開口１５５に供給する。典型的には、熱交換ガスはヘリウム又はアルゴンである。ガス導管１５４及び開口１５４は、ガスを誘電体１１４の上部表面１７０に供給するように構成される。上部表面１７０に供給されたガスは、基板１０１と熱を交換することによって基板１０１の温度を調整するために用いることができる。３００ｍｍ（１２インチ）シリコンウェハに対して使用される静電チャックアセンブリ１１０においては、ガス開口１５５の出口の数は約１〜２００にすることができ、これらの出口は誘電体パック１１４の周辺にリング状の配列で位置させることができる。
【００３４】
誘電体パック１１４上に保持された基板１０１は誘電体１１４のエッジ部を覆い、封止して誘電体パック１１４の周縁から熱交換ガスが漏れるのを抑止する。誘電体１１４はメサ１６２を含み、これらのメサのサイズ及び分布は、基板を熱交換ガスが均等に分配されるように遠ざけて基板１０１の全表面が均一に加熱又は冷却されるようにする。
【００３５】
図１に戻り説明すると、チャック電極１１３はＤＣ電圧源１２０に接続される。ＲＦ電圧源１２４に接続されたＲＦ整合回路網１２１がカソード１１６に接続される。異なる静電チャックアセンブリを使用することができ、ＤＣ電圧源、ＲＦ整合回路網及びＲＦ電圧源をチャック電極及び／又はカソードに図１と異なる構成で接続することができることは理解されよう。プラズマを励起するために複数のＲＦ電源を使用できることも理解されよう。一例では、第１のＲＦ電源を第１の周波数で動作させ、第２のＲＦ電源を第２の周波数で動作させることができる。ＲＦ電力の周波数範囲は約１００ｋＨｚから１００ＭＨｚ間の任意の値又は範囲とすることができる。
【００３６】
動作中、ロボットアーム（図示せず）がウェハ１０１をスリット弁１０６からチャンバ１００内に搬入する。次に、チャック電圧がウェハに供給され、プラズマが活性化されるか、それとも、プラズマが活性化され、チャック電圧が供給されるかのいずれかである。チャック電圧は、ＤＣ電圧源１２０を用いて電極１１３に電圧を供給することによって、ウェハ１０１に供給される。チャック電圧は、後続のプロセスステップ中ウェハの移動を阻止するのに最適な静電力をウェハとチャックとの間に発生させるために、十分高い値に設定される。例えば、チャック電圧は約−５０００Ｖから＋５０００Ｖの間の任意の値又は範囲（例えば、クーロン力チャックに対しては−５０００Ｖから＋５０００Ｖ及びＪＲ型チャックに対しては−１０００Ｖから＋１０００Ｖなど）とすることができる。チャンバ１００内にプラズマ１０３を励起するために、ＲＦ電圧源１２４がＲＦ電圧をカソード１１６に供給するとともに、コイル電源１１１がＲＦ電力をインダクタコイル１０９に供給する。
【００３７】
ウェハ１０１がチャックされた後に、ウェハ上の膜の堆積又はエッチングなどの一つ以上の半導体製造プロセスステップがチャンバ１００内で実行される。半導体製造プロセスの終了後に、ウェハはデチャックされ、追加の処理のためにチャンバから取り出すことができる。
【００３８】
図３−５を参照すると、ガス導管１５４により供給されるガスからプラズマが生成されるのを低減又は阻止するために、各ガス導管１５４内にアイソレータ３００が設けられる。このバージョンの静電チャックアセンブリ１００は高密度プラズマ環境内でウェハを保持するのに有用である。薄いプラズマシース内の荷電プラズマ種は典型的には１０００ｅＶを超えるイオンエネルギーを有する。アイソレータ３００は、導管１５４の周囲又は内部でのプラズマの生成を低減又は完全に阻止する。
【００３９】
図３に示されるように、アイソレータ３００は冷却基部１１５内の熱交換ガス導管内に位置するスリーブ３０４を含む。スリーブ３０４内には本体３０８が、スリーブ３０４と本体３０８との間に環３１２が形成されるように設けられる。一実施例では、本体３０８はスリーブ３０４内にほぼ線対線嵌合（line-to-line fit）で配置される（例えば直径上で５０ミクロン）。環３１２は、熱交換ガスが本体３０８の底部から供給されて環３１２内へ導入されるようにガス供給導管１５４に流動的に結合される。それゆえ、環３１２はアーク放電電位を抑圧しながら十分なヘリウムの流れを可能にするのに十分な大きさである。
【００４０】
スリーブ３０４及び本体３０８はセラミックや熱可塑性又は熱硬化性ポリマなどの任意の誘電体材料で製造することができる。代表的なポリマは、ポリイミド、ポリキシメチレン、ポリアセタール、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチルイミド及びシリコーンなどであるが、これらに限定されない。高いスタンドオフ電圧、低い誘電率及び高い抵抗値を有するポリマを使用できることが理解されよう。代表的な適切なセラミック材料は、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ４などであるが、これらに限定されない。
【００４１】
図４及び図５に示されえるように、環３１２から、本体３０８の上面３１８と誘電体パック１１４の底面との間に形成されるプレナム３２０への熱交換ガスの通過を可能にするために、本体３０８の上面３１８に転送スリット３１６が設けられる。一実施例では、プレナム３２０は約１００ミクロンの深さ及び数ミリメートルの直径を有する。図４Ａ−４Ｃは、転送スリット３１６がほぼ管状である実施例を示すが、図５Ａ−５Ｃは転送スリット３１６がほぼ多角形である実施例を示す。転送スリット３１６は図４及び図５に示されるものと異なる構造にすることができることは理解されよう。
【００４２】
図３に戻り説明すると、アイソレータ３００からの熱交換ガスを環３１２及びプレナム３２０を経てウェハ１０１に供給するために、誘電体パック１１４を貫通する開口１５５が設けられる。一実施例では、開口１５５は直径が約１００ミクロン〜約１０００ミクロンである。
【００４３】
本体３０８の上面３１８をパック１１４の底面３３０に密接して位置させるために、ばね機構３２８を設けることができる。ばね３２８は、本体３０８の表面３１８とパック１１４との間のプレナム３２０を封止するように構成される。
【００４４】
スリーブ３０４を冷却基部１１５に封止するためにシール３３４が設けられる。一実施例では、シール３３４は熱伝導性及び電気絶縁性のシリコーンシールである。しかし、シール３３４は電気絶縁性及び熱伝導性の他の柔軟材料とすることができる。組み立て中に、スリーブ３０４とパック１１４の底面との間に小さな空隙を設けてスリーブ３０４の上面３３１とパック１１４の底面３３０との間へのシリコーン（又は他の封止材料）の侵入を可能にしてもよい。一実施例では、組み立て中にスリーブ３０４の内径から余分のシリコーンを除去するためにアイソレータ３００（即ち冷却基部１１５）の底面からシリコーン（又は他の封止材料）へアクセスが与えられる。転送スリット３１６によってシール３３４に妨害されることなく熱交換ガスを転送するが可能になる。一実施例では、シール３３４の厚さは約１００−２００ミクロンである。
【００４５】
使用中、熱交換ガスは本体３０８の底面において冷却基部１１５を貫通する環３１２に流入する。熱交換ガスは環３１２及び転送スリット３１６を通って移動し、プレナム３２０に入る。熱交換ガスは次にプレナム３２０からパック１１４を貫通する開口１５５内へ入る。アイソレータ３００の上端部はシール３３４及びばね３２８により封止されているため、本体３０８の上端の近くにおける電子励起が防止される。転送スリット３１６は、アイソレータ３００のアーク抑圧について妥協することなく、ヘリウムをシリコーンシール３３４のそばを通ってプレナム３２０に流入させ、次いで開口１５５に流入させることができる。
【００４６】
本発明の実施例は、改善された電気特性を提供するとともにウェハへの十分な熱交換ガスの供給も提供するために有利である。例えば、上述したアイソレータは、一つの開口につき２sccmを上回る熱交換ガス（例えばヘリウム）を供給するとともに＋/−３ＫＶの電気的スタンドオフを供給することができる（即ち、従来設計の静電チャックに比較してスタンドオフ電圧を５０％増大できる）。
【００４７】
アイソレータ３００は、ウェハ１０１の下部のガス導管１５４に隣接するプラズマの生成を不活性化し阻止することができるプラズマ不活性化材料としてもよいことが理解されよう。プラズマ不活性化材料は、導管内でイオン化され得るガス種の運動エネルギーを制限する及び／又はその電気エネルギーを消散する多孔性材料又は大表面積材料とすることができる。
【００４８】
本明細書に記載されたプロセス及び技術は任意の特定の装置に本質的に関するものでなく、任意の適切なコンポーネントの組み合わせで実現することができることを理解すべきである。更に、本明細書に記載された技術に従って種々のタイプの汎用デバイスを使用することができる。本発明は特定の実施例について記載されているが、これらの実施例はすべての点で限定のためではなく説明のためある。当業者は、本発明の実施に適切な多くの異なる組み合わせがあることが理解されよう。
【００４９】
更に、本明細書及びここに開示された本発明の実施例の考察から本発明の他の多くの実施例が当業者に明らかであろう。記載されている実施例の種々の特徴及び／又はコンポーネントは単独で又は任意の組み合わせで使用することができる。明細書及び開示の実施例は単に例示を目的としており、本発明の真の範囲及び精神は次の特許請求の範囲により特定される。
【図１】
2011091361.tif 000003
【図２Ａ】
2011091361.tif 000004
【図２Ｂ】
2011091361.tif 000005
【図３】
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【図４】
2011091361.tif 000007
【図５】
2011091361.tif 000008
【外国語明細書】
2011091361000001.pdf