(57)【要約】【課題】フォトレジストの焼けや炭化の発生を極力抑えることができるサファイア基板のエッチング方法を提供する。【解決手段】本発明は、サファイア基板上にフォトレジストパターンを形成し、波長が400nm以下の紫外線光を照射した後、前記レジストパターンをマスクとしてドライエッチングすることにより前記サファイア基板上に円錐台状や円錐状の凸部を多数形成するサファイア基板のエッチング方法である。本発明の方法は、フォトレジストを塗布した後、紫外線光を照射する前に前記紫外線光の照射時よりも高い温度で前記サファイア基板を加熱するプリベーク工程と、紫外線光を照射した後、ドライエッチングする前に前記サファイア基板をプリベーク工程よりも高い温度で加熱するポストベーク工程を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子に用いられるサファイア基板上にフォトレジストパターンを形成し、波長が400nm以下の紫外線光を照射した後、前記フォトレジストパターンをマスクとしてドライエッチングするサファイア基板のエッチング方法において、
フォトレジストを塗布した後、紫外線光を照射する前に前記紫外線光の照射時よりも高い温度で前記サファイア基板を加熱するプリベーク工程と、
紫外線光を照射した後、前記サファイア基板をプリベーク工程よりも高い温度で加熱するポストベーク工程と、
前記ポストベーク工程の後、前記フォトレジストパターンをマスクとしてドライエッチングすることにより前記サファイア基板上に当該サファイア基板の表面に対する側壁の角度が90°以下の凸部を多数形成するエッチング工程
を備えることを特徴とするサファイア基板のエッチング方法。
【請求項２】
エッチング工程では、サファイア基板の表面に対する側壁の角度が90°未満の円錐台又は円錐状の凸部を多数形成することを特徴とする請求項１に記載のサファイア基板のエッチング方法。
【請求項３】
紫外線光照射時の温度が室温〜100℃であり、プリベーク工程の加熱温度が120〜130℃であることを特徴とする請求項１又は２に記載のサファイア基板のエッチング方法。
【請求項４】
ポストベーク工程の加熱温度がドライエッチング工程におけるサファイア基板の表面温度よりも高いことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のサファイア基板のエッチング方法。
【請求項５】
ポストベーク工程の加熱温度が200℃以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のサファイア基板のエッチング方法。
【請求項６】
紫外線光を照射した後、ポストベーク工程の前に、サファイア基板を室温に戻すことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のサファイア基板のエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子に用いられるサファイア基板のエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光ダイオード（ＬＥＤ）は、基板上にｐ型半導体層及びｎ型半導体層の上に電極が形成された構造を有している。ｐ型半導体層から注入される正孔とｎ型半導体層から注入される電子との再結合によって活性層のある発光領域で光が発生すると、その光は電極が形成された面、又は半導体層を成長させない基板面から取り出されるようになっている。
【０００３】
このような構造の発光ダイオードでは、基板の表面に多数の凸部(凹部)を形成し、発光領域で発生した光を散乱、回折させることにより、外部量子効率を向上させる方法が提案されている。半導体ＬＥＤの一つであるＧａＮ（窒化ガリウム）系ＬＥＤではＧａＮ系半導体の結晶成長用基板として優れた特性を有するサファイア基板が多く用いられており、フォトレジストをマスク材としてサファイア基板をドライエッチングすることにより、基板表面に多数の凸部を形成している。
【０００４】
ところで、プラズマエッチング装置では、一般的に1μmの厚さを１０分程度でエッチングできることが望まれている。このようなエッチングレートを得るためには、高出力の高周波電力でエッチングする必要があるが、高出力の高周波電力を用いると、フォトレジストに焼けが生じたり、炭化したりする。そこで、冷却機構を内蔵した載置台にサファイア基板を載置し、クランプなどのメカチャックや静電チャックによってサファイア基板を載置台に密着させることにより前記サファイア基板を冷却することが従来より行われている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開2007-109770号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、メカチャックや静電チャックを用いると、載置台への基板の設置や処理後の基板の取り外しに手間がかかる。また、メカチャックや静電チャックを設けた場合でも基板の設置が不十分な場合には基板と載置台との密着度が低下し、ドライエッチング処理によりフォトレジストの焼けや炭化が生じるおそれがある。
【０００７】
また、外部量子効率をさらに向上させるため、サファイア層の表面にテーパ形状（円錐台状、円錐状）の凸部であって隣接する凸部の裾の間隔を狭くすることが行われている。凸部の裾の間隔が大きいとサファイア層の表面を占める平面部の割合が多くなり、発光層（ＧａＮ層）からサファイア層に入射する光のうち、臨界角より小さい角度で平面部に入射する光の割合が多くなる。このため、光の取り出し面側（ＧａＮ層側）の外部量子効率が低くなる。一方、凸部の裾の間隔を狭くするとサファイア層の表面を占める凸部の傾斜面の割合が多くなり、臨界角より小さい角度でサファイア層に入射する割合が少なくなる。このため、光の取り出し面側の外部量子効率が高くなる。
したがって、理想的には凸部の裾の間隔が狭いほど、すなわち、平面部が小さいほど好ましいが、プラズマエッチングでサファイア表面にこのような構造を形成する場合、従来のフォトマスク形成方法では平面部を充分に小さくするような形状のフォトマスクを作成することが困難であった。
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、外部量子効率の優れた半導体発光素子を形成することができるサファイア基板のエッチング方法であって、フォトレジストの焼けや炭化の発生を極力抑えることができるサファイア基板のエッチング方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために成された本発明は、半導体発光素子に用いられるサファイア基板上にフォトレジストパターンを形成し、波長が400nm以下の紫外線光を照射した後、前記フォトレジストパターンをマスクとしてドライエッチングするサファイア基板のエッチング方法において、
フォトレジストを塗布した後、紫外線光を照射する前に前記紫外線光の照射時よりも高い温度で前記サファイア基板を加熱するプリベーク工程と、
紫外線光を照射した後、前記サファイア基板をプリベーク工程よりも高い温度で加熱するポストベーク工程と、
前記ポストベーク工程の後、前記フォトレジストパターンをマスクとしてドライエッチングすることにより前記サファイア基板上に当該サファイア基板の表面に対する側壁の角度が90°以下の凸部を多数形成するエッチング工程
を備えることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明のサファイア基板のエッチング方法は、前記エッチング工程において、前記サファイア基板の表面に対する側壁の角度が90°未満の円錐台状又は円錐状の凸部を多数形成することを特徴とする
さらに、本発明のサファイア基板のエッチング方法は、紫外線光照射時の温度が室温〜100℃であり、プリベーク工程の加熱温度が120〜130℃であることを特徴とする。
さらにまた、本発明のサファイア基板のエッチング方法は、ポストベーク工程の加熱温度がドライエッチング時におけるサファイア基板の温度よりも高いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のエッチング方法によれば、メカチャックや静電チャックでサファイア基板を載置台に設置しなくても、フォトレジスト形状を維持しつつ、ポストベーク時やエッチング処理時の焼け、炭化を無くすことができ、しかも、優れたエッチングレートを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】サファイア基板表面に円錐台状の凸部を有する半導体発光素子の断面構成を概略的に示す図。
【図２】本発明の一実施形態に係るエッチング方法に用いたプラズマエッチング装置を示す概略構成図。
【図３】本実施形態に係るエッチング方法を概略的に示す工程図。
【図４】実施例５に係るエッチング方法の各工程で得られるサファイア基板のＳＥＭ画像を示し、（ａ）は初期（プリベーク後）、（ｂ）はポストベーク後、（ｃ）はエッチング後のＳＥＭ画像をそれぞれ示す。
【図５】実施例６に係るエッチング方法の各工程で得られるサファイア基板のＳＥＭ画像を示し、（ａ）は初期（プリベーク後）、（ｂ）はポストベーク後、（ｃ）はエッチング後のＳＥＭ画像をそれぞれ示す。
【図６】実施例８に係るエッチング方法の各工程で得られるサファイア基板のＳＥＭ画像を示し、（ａ）は初期（プリベーク後）、（ｂ）はポストベーク後、（ｃ）はエッチング後のＳＥＭ画像をそれぞれ示す。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は比較例３に係るエッチング方法の各工程で得られるサファイア基板のＳＥＭ画像を示し、（ａ）は初期（プリベーク後）、（ｂ）は紫外線照射後のＳＥＭ画像をそれぞれ示す。（ｃ）は比較例４に係るエッチング方法の紫外線照射後のＳＥＭ画像を示し、（ｄ）は初期（プリベーク後）及び紫外線照射後（150℃及び200℃）におけるフォトレジスト厚及びフォトレジストの凸部の側壁の角度を示す。
【図８】実施例１〜８及び比較例１〜４に係るエッチング方法におけるポストベーク後及びエッチング後の基板表面のフォトレジスト形状等の評価やエッチングレートを示す表。
【図９】実施例９に係るエッチング方法の各工程で得られるサファイア基板のＳＥＭ象を示し、（ａ）はリソグラフィ後、（ｂ）はプリベーク後、（ｃ）はプラズマエッチング後のＳＥＭ画像をそれぞれ示す。
【図１０】実施例１０に係るエッチング方法の各工程で得られるサファイア基板のＳＥＭ象を示し、（ａ）はリソグラフィ後、（ｂ）はプリベーク後、（ｃ）はプラズマエッチング後のＳＥＭ画像をそれぞれ示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図１は、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子（ＧａＮ系半導体ＬＥＤ）の断面構成の一例を示す。ＧａＮ系半導体ＬＥＤ２０は、サファイア基板２１の上にｎ型ＧａＮ層２２、ＧａＮ活性層２３、ｐ型ＧａＮ層２４を積層して成る。前記ＧａＮ系半導体ＬＥＤ２０では、外部量子効率を向上するために、サファイア基板２１にフォトレジストパターンを形成し、エッチングすることにより基板表面に多数の凸部２１ａを形成した上で、ｎ型ＧａＮ層２２、ＧａＮ活性層２３、ｐ型ＧａＮ層２４を積層している。
本実施の形態では、サファイア基板２１に多数の凸部２１ａを形成するために後述するエッチング方法を用いた。
【００１４】
図２は本実施形態に係るエッチング方法に用いたプラズマエッチング装置の概略構成を示す。この装置は誘導結合型（ICP）であり、密閉された反応室１１の中には平板状の下部電極１２が、反応室１１の上部（外部）には石英板１４を介して励起コイル１５が、それぞれ設けられている。励起コイル１５は立体渦巻形（インバーテッド・トルネード形）のコイルであり、コイル中央から高周波電力を供給し、コイル外周の末端が接地されている。サファイア基板を搬送するトレーは下部電極１２に載置される。また、下部電極１２は高周波電源１３に接続されている。下部電極１２にはサファイア基板を冷却するための冷却機構が内蔵されており、冷却制御部１７によって制御される。
【００１５】
本実施形態のエッチング方法では、図３に示すフォトレジストパターンの形成工程、プリベーク工程、UV−キュア工程（紫外線照射工程ともいう）、ポストベーク工程、エッチング工程、フォトレジストの除去工程を順に実行した。フォトレジストとしてノボラック系樹脂を用いた。プリベーク工程はサファイア基板上に塗布したレジスト中の余分な有機溶剤を蒸発させる工程である。プリベーク工程の温度はレジストの種類により80〜200℃程度であるが、ノボラック系樹脂では120℃程度である。プリベーク工程ではレジストを塗布したサファイア基板をホットプレート上に載置し前記温度で１〜２分程度のプリベーク処理が行われる。その後、パターンの露光、現像、洗浄等の処理が行われてフォトレジストパターンが形成される。
【００１６】
なお、後述するサファイア基板のエッチング処理によって基板表面に形成される凸部の当該基板表面に対する側壁の角度が90°未満の設計通りのテーパ角が得られるように、前記基板表面に対する側壁の角度が90°未満のマスク（円錐台状）とすることが好ましい（特開2003-264171号公報参照）。ただし、高出力の高周波電力でエッチングが必要なサファイア基板においては、マスクを強固にしてエッチング中にマスクが焼けたり炭化したりしないように、本発明のUV-キュア工程およびポストベーク工程が必要となる。
【００１７】
UV-キュア工程では、プリベーク後のサファイア基板を、プリベーク温度よりも低い温度、例えば100℃に温度制御された紫外線照射装置（図示せず）の載置台上に載置して、サファイア基板表面が100℃に達した後にレジストパターンに波長が400nm以下の紫外線を20分間照射した。紫外線照射によりレジスト樹脂の架橋反応が生じる。この結果、レジスト樹脂が硬化され、レジストパターンの耐熱性が向上する。その後、紫外線照射装置内の温度を室温まで低下させた。
【００１８】
ポストベーク工程は、フォトレジストパターンが形成されたサファイア基板を前記紫外線照射装置の載置台上に載置し、当該載置台をプリベーク温度よりも高い温度、例えば150〜250℃に温度制御することにより行った。この結果、プリベーク工程では除去できずにレジスト中に残存していた余分な有機溶剤を完全に除去でき、サファイア基板を高出力の高周波電力でエッチングしても焼けたり炭化したりしない強固なマスクを形成することができた。なお、前記プリベーク工程をポストベーク工程と同様の温度で処理すると、レジスト中の溶剤を完全に除去できるが、その後の露光や現像工程で所望のパターンが形成できない。また、UV-キュア工程をポストベーク工程と同様の温度で処理すると、レジスト樹脂の架橋と有機溶剤の除去が同時に生じるので、レジスト樹脂中のモノマー等の架橋反応が充分に進行しなかったり、レジストパターンが変形したりしてしまう。
【００１９】
サファイア基板のエッチング工程は、まず、プラズマエッチング装置１０の反応室１１の下部電極１２の上に前記サファイア基板２１を載置したまま、反応室１１内の空気を排出して、反応室内の圧力を減圧状態にする。その後、反応室１１にサファイア基板をエッチングするためのCl2ガス、BCl3ガス及びArガスなどを供給し、反応室１１内のガス圧力を調整する。そして、励起コイル１５及び下部電極１２に高出力の高周波電力を10分間供給することにより、反応ガスのプラズマ２６を生成させる。このプラズマ２６によりサファイア基板のエッチングを行うことによりサファイア基板の表面に対する側壁の角度が90°未満の円錐台状又は円錐状の凸部を形成することができる。
つぎに具体的な実施例及び比較例について説明する。
【実施例１】
【００２０】
フォトレジスト用のノボラック樹脂を回転塗布法によってサファイ基板上に塗布した後、サファイア基板を120℃に調整したホットプレート上に載置してプリベークを行った。つぎに、リソグラフィによりサファイア基板上に多数の円錐台状のフォトレジストパターンを形成した。このとき、フォトレジストの形状が円錐台状となるように露光条件を調整した。続いて、紫外線照射装置（装置名：UV-1、サムコ株式会社製）を用い、前記サファイア基板を、100℃に温度制御された載置台上に載置して、サファイア基板表面が100℃に達した後にレジストパターンに波長が400nm以下の紫外線を20分間照射した。その後、載置台を室温まで冷却した後、前記紫外線照射装置の載置台を150℃に昇温して20分間のポストベークを行った。なお、ポストベークでは紫外線照射装置の紫外線ランプは動作させなかった。
【００２１】
続いて、プラズマエッチング装置１０の反応室１１の下部電極１２の上にサファイア基板２１を載置したまま、反応室１１内の空気を排出して、反応室内の圧力を2×10-3Paとした。その後、反応室１１にCl2ガス、BCl3ガス及びArガスをそれぞれ20sccm、50sccm及び40sccmの流量で供給し、反応室１１内のガス圧力を0.7Paとした。そして、励起コイル１５及び下部電極１２に200W及び200W(ICP/Bias=200/200W)の高周波電力を10分間供給することにより、反応ガスのプラズマ２６を生成させた。このプラズマ２６によりエッチングを行った。
【実施例２】
【００２２】
ポストベークを180℃で行った以外は実施例１と同様にしてサファイア基板のエッチングを行った。
【実施例３】
【００２３】
ポストベークを200℃で行った以外は実施例１と同様にしてサファイア基板のエッチングを行った。
【実施例４】
【００２４】
ポストベークを250℃で行った以外は実施例１と同様にしてサファイア基板のエッチングを行った。
【実施例５】
【００２５】
励起コイル１５及び下部電極１２の高周波電力を500W及び450W(ICP/Bias=500/450W)に変更した以外は実施例１と同様にしてエッチングを行った。
図４に実施例５の方法により得られたサファイア基板のＳＥＭ画像を示す。図４（ａ）はプリベーク後のＳＥＭ画像（図では「初期」と示す）、図４（ｂ）はポストベーク後のＳＥＭ画像（図では「ベーク後」と示す）、および、図４（ｃ）はエッチング後のＳＥＭ画像（図では「500/450W処理後」と示す）である。
【実施例６】
【００２６】
励起コイル１５及び下部電極１２の高周波電力を500W及び450W(ICP/Bias=500/450W)に変更した以外は実施例２と同様にしてエッチングを行った。
図５に実施例６の方法により得られたサファイア基板のＳＥＭ画像を示す。図５（ａ）はプリベーク後のＳＥＭ画像（図では「初期」と示す）、図５（ｂ）はポストベーク後のＳＥＭ画像（図では「180℃ベーク後」と示す）、および、図５（ｃ）はエッチング後のＳＥＭ画像（図では「500/450W処理後」と示す）である。
【実施例７】
【００２７】
励起コイル１５及び下部電極１２の高周波電力を500W及び450W(ICP/Bias=500/450W)に変更した以外は実施例３と同様にしてエッチングを行った。
【実施例８】
【００２８】
励起コイル１５及び下部電極１２の高周波電力を500W及び450W(ICP/Bias=500/450W)に変更した以外は実施例４と同様にしてエッチングを行った。
図６に実施例８の方法により得られたサファイア基板のＳＥＭ画像を示す。図６（ａ）はプリベーク後のＳＥＭ画像（図では「初期」と示す）、図６（ｂ）はポストベーク後のＳＥＭ画像（図では「250℃ベーク後」と示す）、および、図６（ｃ）はエッチング後のＳＥＭ画像（図では「500/450W処理後」と示す）である。
[比較例１]
【００２９】
ポストベークを行わなかった以外は実施例１と同様にしてサファイア基板のエッチングを行った。
[比較例２]
【００３０】
励起コイル１５及び下部電極１２の高周波電力を500W及び450W(ICP/Bias=500/450W)に変更した以外は比較例１と同様にしてエッチングを行った。
[比較例３]
【００３１】
プリベーク温度を130℃、紫外線照射時温度を150℃にした以外は実施例１と同様にしたところ、紫外線照射後にフォトレジストの形状が変化した。このため、ポストベークおよびエッチング処理を行わなかった。
図７の（ａ）及び（ｂ）に比較例３の方法により得られたサファイア基板のＳＥＭ画像を示す。図７（ａ）はプリベーク後のＳＥＭ画像（図では「before」と示す）、図７（ｂ）は紫外線照射後のＳＥＭ画像（図では「UV at 150℃」と示す）である。プリベーク工程後はサファイア基板に多数の円錐台状の凸部からなるレジストパターンが形成されている。プリベーク工程後はフォトレジストが円錐台状の凸部を有し厚さが1.5μmであった。しかし、紫外線照射後後はフォトレジストの形状が変化し厚さが1.3μmになった。さらに、プリベーク後はサファイア基板の表面に対するフォトレジストの凸部の側壁の角度が70°であった。しかし、紫外線照射後は当該角度が65°になった、このように、150℃で紫外線照射を行った場合は、レジストパターンの形状が著しく変化した。
[比較例４]
【００３２】
紫外線照射温度を200℃に変更した以外は比較例３と同様にしたところ、紫外線照射後にフォトレジストの形状が変化した。このため、ポストベークおよびエッチング処理を行わなかった。
図７（ｃ）に比較例４の方法により得られた紫外線照射後のサファイア基板のＳＥＭ画像を示す（図では「UV at 200℃」と示す）。プリベーク後のＳＥＭ画像は比較例３と同じ図７（ａ）となる。比較例３と同様、プリベーク工程後はサファイア基板に多数の円錐台状の凸部からなるレジストパターンが形成されており、前記凸部の厚さが1.5μmであった。しかし、紫外線照射後後はフォトレジストの形状が変化し厚さが0.4μmになった。さらに、プリベーク後はサファイア基板の表面に対するフォトレジストの凸部の側壁の角度が70°であったが、紫外線照射後は当該角度が25°になった、このように、200℃で紫外線照射を行った場合は、レジストパターンの形状が著しく変化した。図７の（ｄ）に初期（プリベーク後）及び紫外線照射後（150℃及び200℃）におけるフォトレジスト厚及びフォトレジストの凸部の側壁の角度を示す。
【００３３】
図８は、実施例１〜８及び比較例１〜４のエッチング後の基板表面のフォトレジストの状態、および基板表面の円錐台状の凸部の形成状態の評価結果をまとめて示す表である。なお、各実施例については、ポストベーク後のフォトレジストの形状評価及び焼けの評価も行った。各評価の基準は表の下に記載した。
【実施例９】
【００３４】
フォトレジスト用のノボラック樹脂を回転塗布法によってサファイ基板上に塗布した後、サファイア基板を120℃に調整したホットプレート上に載置してベークを行った。つぎに、リソグラフィによりサファイア基板上に円柱状（高さ3.0μm、底面部の直径2.2μm）のフォトレジストパターンを形成した（図９（ａ）参照）。続いて、ホットプレートの温度を160℃に調整してプリベークを行った。プリベーク工程によりフォトレジスト中の余分な有機溶剤が蒸発すると同時に円柱状であったフォトレジストパターンが半球状（高さ2.0μｍ、底面部の直径3.0μｍ）に変形した（図９（ｂ））。
【００３５】
つぎに、紫外線照射装置を用い、155℃に温度制御された載置台に前記サファイア基板を載置して、サファイア基板表面が155℃に達した後に紫外線を5分間照射した。用いた紫外線照射装置、紫外線の波長は実施例１と同じであった。
続いて、紫外線照射装置の載置台を250℃に昇温して、ポストベークを5分間行った。なお、ポストベークでは紫外線照射装置の紫外線ランプは動作させなかった。ポストベーク後のフォトレジストパターン形状は高さが2.0μm、底面部の直径が3.0μmの半球状であり、プリベーク後の形状と変化していなかった。
【００３６】
その後、プラズマエッチング装置の反応室にCl2ガス、BCl3ガス及びArガスをそれぞれ20sccm、30sccm及び20sccmの流量で供給し、反応室１１内のガス圧力を0.7Pa、励起コイル１５及び下部電極１２に500W及び450W(ICP/Bias=500/450W)の高周波電力を15分間供給した以外は実施例１と同様にしてプラズマによりエッチングを行った。その結果、図９（ｃ）に示すように、プラズマ処理後、サファイア基板の表面には円錐状の凸部が形成された。この円錐状の凸部の高さは1.7μm、底面部の直径は3.5μmであった。
【実施例１０】
【００３７】
プリベーク温度を100℃、紫外線照射時の温度を95℃にした以外は実施例９と同様の方法でサファイア基板の表面に円錐状の凸部を形成した。図１０（ａ）に示すように、実施例１０でも、リソグラフィによりサファイア基板上に形成したフォトレジストパターンは円柱状（高さ3.0μｍ、底面部の直径2.2μm）であった。これに対して、図１０（ｂ）に示すように、プリベーク後のフォトレジストパターン形状は、高さ3.0μm、底面部の直径が2.2μmの円柱状であった。つまり、実施例１０では、実施例９と異なりプリベークによってフォトレジストパターンの形状が変化しなかった。一方、プラズマ処理後は、実施例９と同様、サファイア基板の表面に円錐状の凸部が形成された（図１０（ｃ）参照）。この円錐状の凸部の高さは1.9μm、底面部の直径は2.4μmであった。
【００３８】
なお、上記実施の形態及び実施例では、サファイア基板をエッチングすることにより、サファイア基板の表面に対する側壁の角度が90°未満の円錐台状の凸部や円錐状の凸部を形成する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、サファイア基板の表面に対して垂直な側壁を有する凸部を多数形成する場合にも適用できる。また、凸部は、円錐台状の他、角錐台状の凸部や細長く延びる畝状の凸部を多数形成する場合にも適用できる。
【符号の説明】
【００３９】
２０…素子基板
２１…サファイア基板
２１ａ…凸部
２２…ｎ型ＧａＮ層
２３…ＧａＮ活性層
２４…ｐ型ＧａＮ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図８】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2011091374.tif 000009
【図７】
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【図９】
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【図１０】
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