(57)【要約】【課題】太陽電池の薄膜型光吸収層製造方法を提供する。【解決手段】光吸収層の製造方法は、ＣＩＧＳ結晶粉末をチャンバの蒸発源に充填させるステップ、ＣＩＧＳ結晶粉末を同時に蒸発させるステップ、および蒸発したＣＩＧＳ結晶粉末を基板に蒸着させてＣＩＧＳ薄膜を形成するステップを含む。【選択図】図１
2011109052.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＩＧＳ結晶粉末をチャンバの蒸発源に充填させるステップ；
前記ＣＩＧＳ結晶粉末を同時に蒸発させるステップ；および
蒸発したＣＩＧＳ結晶粉末を基板に蒸着させてＣＩＧＳ薄膜を形成するステップを含む薄膜型光吸収層製造方法。
【請求項２】
前記ＣＩＧＳ薄膜を形成した後、セレニウム金属粉末を蒸発させて前記ＣＩＧＳ薄膜にセレン化工程を実行するステップをさらに含む請求項１に記載の薄膜型光吸収層製造方法。
【請求項３】
前記ＣＩＧＳ結晶粉末は、１０ｎｍ〜２μｍの直径を有する請求項１に記載の薄膜型光吸収層製造方法。
【請求項４】
前記ＣＩＧＳ結晶粉末は、１：（１−ｘ）：ｘ：ｙの銅：インジウム：ガリウム：セレニウムの組成比を有する請求項１に記載の薄膜型光吸収層製造方法。
ここで、ｘは０〜１範囲、ｙは１〜３範囲の陽（＋）の実数を示す。
【請求項５】
前記ＣＩＧＳ薄膜は、前記基板に１００ｎｍ〜３μｍの厚さで形成される請求項１に記載の薄膜型光吸収層製造方法。
【請求項６】
前記ＣＩＧＳ結晶粉末を同時に蒸発させるステップは、
前記チャンバを真空状態で維持させ、前記基板を加熱するステップ；および
前記蒸発源を加熱して前記ＣＩＧＳ結晶粉末を蒸発させるステップを含む請求項１に記載の薄膜型光吸収層製造方法。
【請求項７】
前記蒸発源は、１０００〜１４００℃で加熱される請求項６に記載の薄膜型光吸収層製造方法。
【請求項８】
前記ＣＩＧＳ薄膜を形成する前に前記基板上に電極層を形成するステップをさらに含み、前記ＣＩＧＳ薄膜は前記電極層上に形成される請求項１に記載の薄膜型光吸収層製造方法。
【請求項９】
基板の一面に背面電極層を形成するステップ；
前記背面電極層上にＣＩＧＳ結晶粉末を蒸発蒸着させて薄膜型光吸収層を形成するステップ；
前記薄膜型光吸収層上にバッファ層を形成するステップ；および
前記バッファ層上にウィンドウ層を形成するステップを含む薄膜太陽電池製造方法。
【請求項１０】
前記薄膜型光吸収層を形成するステップは、
前記ＣＩＧＳ結晶粉末をチャンバの蒸発源に充填させるステップ；
前記ＣＩＧＳ結晶粉末を同時に蒸発させるステップ；および
蒸発した前記ＣＩＧＳ結晶粉末を前記背面電極層上に蒸着させて前記薄膜型光吸収層を形成するステップを含む請求項９に記載の薄膜太陽電池製造方法。
【請求項１１】
前記薄膜型光吸収層を形成した後、セレニウム金属粉末を蒸発させて前記薄膜型光吸収層にセレン化工程を実行するステップをさらに含む請求項１０に記載の薄膜太陽電池製造方法。
【請求項１２】
前記ＣＩＧＳ結晶粉末は、１０ｎｍ〜２μｍの直径を有する請求項１０に記載の薄膜太陽電池製造方法。
【請求項１３】
前記ＣＩＧＳ結晶粉末は、１：（１−ｘ）：ｘ：ｙの銅：インジウム：ガリウム：セレニウムの組成比を有する請求項１０に記載の薄膜太陽電池製造方法。
ここで、ｘは０〜１範囲、ｙは１〜３範囲の陽（＋）の実数を示す。
【請求項１４】
前記薄膜型光吸収層は、前記背面電極層上に１００ｎｍ〜３μｍの厚さで形成される請求項１０に記載の薄膜太陽電池製造方法。
【請求項１５】
前記ウィンドウ層上に反射防止層を形成するステップをさらに含む請求項９に記載の薄膜太陽電池製造方法。
【請求項１６】
前記ウィンドウ層上に前面電極層を形成するステップをさらに含む請求項９に記載の薄膜太陽電池製造方法。
【請求項１７】
基板の一面に形成された背面電極層；
前記背面電極層上にＣＩＧＳ結晶粉末を蒸発蒸着させて形成された薄膜型光吸収層；
前記薄膜型光吸収層上に形成されたバッファ層；および
前記バッファ層上に形成されたウィンドウ層を含む薄膜太陽電池。
【請求項１８】
前記ウィンドウ層上に形成された前面電極層をさらに含む請求項１７に記載の薄膜太陽電池。
【請求項１９】
前記基板は、ソーダ灰ガラス基板、ステンレス金属基板、またはポリイミドポリマー基板のうちの１つである請求項１７に記載の薄膜太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、薄膜太陽電池技術に関し、より詳しくは、ＣＩＧＳ結晶粉末によって形成される薄膜型光吸収層製造方法、これを用いた薄膜太陽電池製造方法、およびこれによって製造された薄膜太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池技術は、親環境的な新再生エネルギー技術として脚光を浴びており、商業的な電力生産と携帯用またはモバイル型の電子装置のエネルギー源として大きな注目を引いている。
【０００３】
太陽電池には光を吸収するための吸収層が形成され、このような光吸収層は薄膜型で製造される。
【０００４】
薄膜型光吸収層は、太陽電池の光電吸収変換効率を高めるために、銅（ＣＵ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、およびセレン（またはセレニウム）（Ｓｅ）の組成を有するシーアイジーエス（ＣＩＧＳ）薄膜が用いられていた。これは、ＣＩＧＳが高い光吸収係数と広いバンドギャップを有することができるため光学的に安全性が高く、高い光電吸収変換効率を示すためである。
【０００５】
従来のＣＩＧＳ薄膜を用いた光吸収層は、真空蒸着に基づいた蒸着法、例えば、蒸発蒸着法またはスパッタリング蒸着法などを用いてガラス基板に蒸着されることによって形成されていた。
【０００６】
しかしながら、従来技術による蒸発蒸着法を用いた光吸収層の形成は、各蒸発物質の気化温度が異なるために正確な蒸発温度や蒸発速度を制御することが困難であり、蒸発物質が蒸発源から飛び出る現象によってＣＩＧＳ光吸収層の組成比の制御が困難である。
【０００７】
さらに、従来技術によるスパッタリング蒸着法を用いた光吸収層形成は、ＣＩＧＳの各元素の組成制御が困難であり、セレニウムの陰イオンによるスパッタリングのために光吸収層に衝撃を与え、多くの欠陥を引き起こすようになる。
したがって、従来の光吸収層形成方法は、製造工程に長時間を必要とするようになり、工程が複雑で組成制御が困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−３０７２７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
これにより、本発明が解決しようとする課題は、迅速かつ簡単に高品質のＣＩＧＳ光吸収層を製造することができる薄膜型光吸収層製造方法を提供することにある。
【００１０】
また、本発明が解決しようとする他の課題は、薄膜型光吸収層製造方法を用いた薄膜太陽電池製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明が解決しようとするさらに他の課題は、薄膜型光吸収層を含む薄膜太陽電池を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した課題を解決するために、本発明の一実施形態に係る薄膜型光吸収層製造方法は、ＣＩＧＳ結晶粉末をチャンバの蒸発源に充填させるステップ、ＣＩＧＳ結晶粉末を同時に蒸発させるステップ、および蒸発したＣＩＧＳ結晶粉末を基板に蒸着させてＣＩＧＳ薄膜を形成するステップを含む。
【００１３】
前記薄膜型光吸収層製造方法は、前記ＣＩＧＳ薄膜を形成した後にセレニウム金属粉末を蒸発させ、前記ＣＩＧＳ薄膜にセレン化工程を実行するステップをさらに含む。
【００１４】
前記ＣＩＧＳ結晶粉末は、１０ｎｍ〜２μｍの直径を有し、１：（１−ｘ）：ｘ：ｙの銅：インジウム：ガリウム：セレニウムの組成比を有する。ここで、ｘは０〜１範囲、ｙは１〜３範囲の陽（＋）の実数を示す。
【００１５】
前記ＣＩＧＳ薄膜は、前記基板に１００ｎｍ〜３μｍの厚さで形成される。
【００１６】
前記ＣＩＧＳ結晶粉末を同時に蒸発させるステップは、前記チャンバを真空状態で維持させ、前記基板を加熱するステップと、前記蒸発源を加熱して前記ＣＩＧＳ結晶粉末を蒸発させるステップとを含む。前記蒸発源は、１０００〜１４００℃で加熱される。
【００１７】
前記薄膜型光吸収層製造方法は、前記ＣＩＧＳ薄膜を形成する前に前記基板上に電極層を形成するステップをさらに含み、前記ＣＩＧＳ薄膜は、前記電極層上に形成される。
【００１８】
上述した他の課題を解決するために、本発明の一実施形態に係る薄膜太陽電池製造方法は、基板の一面に背面電極層を形成するステップ、背面電極層上にＣＩＧＳ結晶粉末を蒸発蒸着させて薄膜型光吸収層を形成するステップ、薄膜型光吸収層上にバッファ層を形成するステップ、およびバッファ層上にウィンドウ層を形成するステップを含む。
【００１９】
前記薄膜太陽電池製造方法は、前記ウィンドウ層上に反射防止層を形成するステップをさらに含む。
【００２０】
前記薄膜太陽電池製造方法は、前記ウィンドウ層上に前面電極層を形成するステップをさらに含む。
【００２１】
上述したさらに他の課題を解決するために、本発明の一実施形態に係る薄膜太陽電池は、基板の一面に形成された背面電極層、背面電極層上にＣＩＧＳ結晶粉末を蒸発蒸着させて形成された薄膜型光吸収層、薄膜型光吸収層上に形成されたバッファ層、およびバッファ層上に形成されたウィンドウ層を含む。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る薄膜型光吸収層製造方法、これを用いた薄膜太陽電池製造方法、および薄膜太陽電池によれば、ＣＩＧＳ結晶粉末を用いた熱蒸発蒸着法で光吸収層を形成することにより、高品質のＣＩＧＳ薄膜型光吸収層を形成することができる。
【００２３】
また、ＣＩＧＳ結晶粉末は、同時に蒸発させることにより、薄膜型光吸収層を製造する工程時間を短縮させることができ、工程作業の効率を高めることができ、低費用で高品質のＣＩＧＳ薄膜型光吸収層およびＣＩＧＳ薄膜太陽電池を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
本発明の詳細な説明において引用される図面をより十分に理解するために、各図面の簡単な説明を提供する。
【図１】本発明の一実施形態に係る薄膜太陽電池の薄膜型光吸収層を形成するためのフローチャートである。
【図２】薄膜型光吸収層を形成するための装置を概略的に示す構成図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る薄膜太陽電池の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図４ａ】図３のフローチャートによる図である。
【図４ｂ】図３のフローチャートによる図である。
【図４ｃ】図３のフローチャートによる図である。
【図４ｄ】図３のフローチャートによる図である。
【図４ｅ】図３のフローチャートによる図である。
【図４ｆ】図３のフローチャートによる図である。
【図５】薄膜型光吸収層を形成するＣＩＧＳ結晶粉末のＸ線結晶構造分析グラフである。
【図６】ＣＩＧＳ結晶粉末の結晶粒子を示す図である。
【図７】薄膜型光吸収層のＸ線結晶構造分析グラフである。
【図８】薄膜型光吸収層の表面を示す図である。
【図９】薄膜型光吸収層の断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明と本発明の動作上の利点および本発明の実施形態によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の実施形態を示す添付の図面および添付の図面に記載された内容を参照しなければならない。
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について説明することによって本発明を詳しく説明する。各図面に提示された同じ参照符号は同じ部材を示す。
【００２６】
図１は、本発明の一実施形態に係る薄膜太陽電池の薄膜型光吸収層を形成するためのフローチャートであり、図２は、薄膜型光吸収層を形成するための装置を概略的に示す構成図である。
【００２７】
図１および図２を参照すれば、薄膜型光吸収層形成装置１００は、チャンバ１０１、第１蒸発源１０５、第２蒸発源１０７、および基板固定部１０３を含むことができる。
【００２８】
チャンバ１０１は、内部を真空状態で維持させることができる。図に詳細に示してはいないが、チャンバ１０１は、真空状態を維持させるための真空ポンプ（図示せず）をさらに含むことができる。真空ポンプは、チャンバ１０１の内部を大略１０-6トル（Ｔｏｒｒ）以下の真空状態で維持させることができる。
【００２９】
基板固定部１０３は、薄膜型光吸収層が形成される面が下部に位置するように基板１０を固定させることができる。換言すれば、基板固定部１０３は、銅（Ｃｕ）−インジウム（Ｉｎ）−ガリウム（Ｇａ）−セレニウム（Ｓｅ）（以下、ＣＩＧＳ）結晶粉末１１０が充填される第１蒸発源１０５と基板１０の一面、すなわち、薄膜型光吸収層が形成される一面が対向するように基板１０を固定させることができる。
【００３０】
一方、図に詳細に示してはいないが、基板固定部１０３には、基板１０を加熱させることができる加熱部（図示せず）をさらに含むことができる。
【００３１】
加熱部は、基板固定部１０３に固定された基板１０が大略３００〜６５０℃を維持するように加熱することができる。
【００３２】
第１蒸発源１０５は、基板固定部１０３と対向して位置することができ、ＣＩＧＳ結晶粉末１１０を充填して蒸発させることができる。
【００３３】
第１蒸発源１０５は、モリブデニウム（Ｍｏ）またはタングステン（Ｗ）などで形成することができ、大略１０００〜１４００℃で加熱されてＣＩＧＳ結晶粉末１１０を蒸発させることができる。
【００３４】
第２蒸発源１０７は、基板１０にセレン化工程を実行するためのセレニウム金属粉末１２０を充填して蒸発させることができる。第２蒸発源１０７は、大略１００〜２００℃で加熱されてセレニウム金属粉末１２０を蒸発させることができる。
【００３５】
まず、薄膜型光吸収層を形成するために、チャンバ１０１の基板固定部１０３に基板１０を固定させることができる。
【００３６】
基板１０は、ソーダ灰（ｓｏｄａ  ａｓｈ）ガラス基板、ステンレス金属基板、またはポリイミドポリマー基板のうちの１つとすることができる。
【００３７】
本発明の他の実施形態によって、基板１０の一面にモリブデニウムの電極層が蒸着され、電極層が第１蒸発源１０５と対向するように固定されることもできる。
【００３８】
基板固定部１０３に基板１０が固定された後、第１蒸発源１０５にＣＩＧＳ結晶粉末１１０を充填させることができる（Ｓ１０）。
【００３９】
ＣＩＧＳ結晶粉末１１０は、黄銅鉱（ｃｈａｌｃｏｐｙｒｉｔｅ）結晶構造を有することができ、結晶粉末自体が純粋なＣＩＧＳ構造でなされているため、薄膜型光吸収層の組成制御が容易であり、均質度が高いという特徴がある。
【００４０】
また、ＣＩＧＳ結晶粉末１１０は、１：（１−ｘ）：ｘ：ｙの銅：インジウム：ガリウム：セレニウムの組成比を有することができる。ここで、ｘは０〜１の範囲を有する陽（＋）の実数であり、ｙは１〜３の範囲を有する陽の実数であることができる。
【００４１】
本実施形態では、１つの例として、ＣＩＧＳ結晶粉末１１０が１：（０．８〜０．９）：（０．１〜０．４）：（１．８〜３）の銅：インジウム：ガリウム：セレニウムの組成比を有することができる。
【００４２】
このようなＣＩＧＳ結晶粉末１１０は、図５および図６に示すように、数十ナノ（ｎｍ）から数マイクロ（μｍ）の結晶粒子直径を有することができ、例えば、本実施形態では、１つの例として、ＣＩＧＳ結晶粉末１１０が１０ｎｍ〜２μｍの結晶粒子直径を有することができる。
【００４３】
第１蒸発源１０５にＣＩＧＳ結晶粉末１１０が充填されれば、チャンバ１０１は真空状態を維持させることができ、基板固定部１０３は基板１０を所定の温度で加熱することができる。
【００４４】
基板１０を加熱することは、後述する第１蒸発源１０５から蒸発するＣＩＧＳ結晶粉末１１０が基板１０の表面に均一に蒸着されるようにするためである。
【００４５】
続いて、第１蒸発源１０５を加熱してＣＩＧＳ結晶粉末１１０が加熱されるようにし、これにより、ＣＩＧＳ結晶粉末１１０は、第１蒸発源１０５から蒸発（または、気化）することができる（Ｓ２０）。
【００４６】
第１蒸発源１０５から蒸発したＣＩＧＳ結晶粉末１１０は、基板１０に蒸着することができる（Ｓ３０）。実施形態により、基板１０には電極層が先に形成されることができ、ＣＩＧＳ結晶粉末１１０は蒸発して電極層上に蒸着されることもできる。
【００４７】
蒸発したＣＩＧＳ結晶粉末１１０が基板１０にＣＩＧＳ薄膜を形成した後、ＣＩＧＳ薄膜の特性向上のためにセレン化工程を実行することができる（Ｓ４０）。
【００４８】
セレン化工程は、第２蒸発源１０７に充填されたセレニウム金属粉末１２０を蒸発させて実行することができる。
例えば、基板１０にＣＩＧＳ薄膜が形成された後に第２蒸発源１０７を加熱し、これにより、第２蒸発源１０７に充填されたセレニウム金属粉末１２０は蒸発することができる。このように蒸発されたセレニウム金属粉末１２０を用いてＣＩＧＳ薄膜にセレン化工程を実行することができる。
【００４９】
一方、セレン化工程は、ＣＩＧＳ薄膜が形成される間に実行することもできる。すなわち、第１蒸発源１０５を加熱してＣＩＧＳ結晶粉末１１０を蒸発させながら第２蒸発源１０７も加熱してセレニウム金属粉末１２０を蒸発させることもできる。
【００５０】
セレン化工程を実行して完成したＣＩＧＳ薄膜、すなわち、薄膜型光吸収層は、基板１０に大略１００ｎｍ〜３μｍの厚さで形成することができる。このような薄膜型光吸収層は、図７および８に示すように、結晶粒子が緻密であり結晶粒が好適に形成されたＣＩＧＳ薄膜構造を有することができる。
【００５１】
以上のように、ＣＩＧＳ結晶粉末１１０を蒸発させる方法を用いて薄膜太陽電池に薄膜型ＣＩＧＳ光吸収層を形成する過程について説明した。以下では、上述した薄膜型光吸収層の形成過程を含む薄膜太陽電池の製造方法について説明する。
【００５２】
図３は、本発明の一実施形態に係る薄膜太陽電池の製造方法を説明するためのフローチャートであり、図４ａ〜４ｆは、図３のフローチャートによる図である。
【００５３】
本実施形態に係る薄膜太陽電池の製造方法は、ＣＩＧＳ結晶粉末を用いた薄膜型光吸収層を形成するステップＳ２００を含む。これは、上述で図１および図２を参照しながら詳しく説明したため、本実施形態における詳細な説明は省略する。
【００５４】
図３および図４ａを参照すれば、基板１０上に電極層、例えば、背面電極層２０を形成することができる（Ｓ１００）。
【００５５】
基板１０は、上述したように、ソーダ灰ガラス基板、ステンレス金属基板、またはポリイミドポリマー基板のうちの１つとすることができる。基板１０は、超イオン水（ＤＩ  ｗａｔｅｒ）とアセトン、エタノールなどの溶液で洗浄されて乾燥することができる。
【００５６】
背面電極層２０は、基板１０の一面に形成されることができる。背面電極層２０は、モリブデニウム（Ｍｏ）などのような金属物質を基板１０の一面にスパッタリング蒸着法を用いて蒸着させることによって形成することができる。
【００５７】
例えば、背面電極層２０は、大略１〜１０ｍＴｏｒｒのアルゴンガスチャンバでモリブデニウムに大略３０〜１００ワット（ｗａｔｔ）のスパッタリング電力を印加するスパッタリング蒸着法で形成することができる。
【００５８】
背面電極層２０は、基板１０の一面に大略１μｍの厚さで蒸着することができる。
【００５９】
図３および図４ｂを参照すれば、基板１０の一面に背面電極層２０が形成されれば、上述で図１および図２を参照して説明したように、背面電極層２０上に薄膜型光吸収層３０を形成することができる（Ｓ２００）。
【００６０】
薄膜型光吸収層３０は、ＣＩＧＳ結晶粉末を蒸発させる蒸発蒸着法を用いて背面電極層２０上に形成することができる。
【００６１】
図３および図４ｃを参照すれば、基板１０の一面に背面電極層２０と薄膜型光吸収層３０が形成されれば、薄膜型光吸収層３０上にバッファ層４０を形成することができる（Ｓ３００）。
【００６２】
バッファ層４０は、硫化カドミウム（ＣｄＳ）薄膜を化学蒸着法を用いて薄膜型光吸収層３０上に蒸着させることによって形成することができる。
【００６３】
例えば、背面電極層２０と薄膜型光吸収層３０が形成された基板１０を硫酸カドミウム（ＣｄＳＯ4）、水酸化アンモニウム（ＮＨ4ＯＨ）、塩化アンモニウム（ＮＨ4Ｃｌ）、チオ尿素（ＣＳ（ＮＨ2）2）、および超イオン水が混合された混合溶液に沈積させることによって、薄膜型光吸収層３０にバッファ層４０を蒸着させることができる。
【００６４】
このとき、混合溶液を大略７０℃で加熱してバッファ層４０を蒸着させることができ、バッファ層４０は、薄膜型光吸収層３０上に大略５０ｎｍの厚さで蒸着することができる。
【００６５】
図３および図４ｄを参照すれば、背面電極層２０、薄膜型光吸収層３０、およびバッファ層４０が形成されれば、バッファ層４０上に第１ウィンドウ層５１を形成することができる（Ｓ４００）。
【００６６】
第１ウィンドウ層５１は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの金属をＲＦスパッタリング蒸着法を用いてバッファ層４０上に蒸着させることによって形成することができる。
【００６７】
第１ウィンドウ層５１は、バッファ層４０上に大略５０ｎｍの厚さで蒸着することができる。
【００６８】
図３および図４ｅを参照すれば、背面電極層２０、薄膜型光吸収層３０、バッファ層４０、および第１ウィンドウ層５１が形成されれば、第１ウィンドウ層５１上に第２ウィンドウ層５５を形成することができる（Ｓ４００）。
【００６９】
第２ウィンドウ層５５は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）がドーピングされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）をＲＦスパッタリング蒸着法を用いて第１ウィンドウ層５１上に蒸着させることによって形成することができる。
【００７０】
第２ウィンドウ層５５は、第１ウィンドウ層５１上に大略５００ｎｍの厚さで蒸着することができる。
【００７１】
すなわち、ウィンドウ層５０は、第１ウィンドウ層５１と第２ウィンドウ層５５を含むことができ、ターゲットとして用いられる物質、例えば、真性酸化亜鉛または酸化アルミニウムがドーピングされた酸化亜鉛をＲＦスパッタリング蒸着法を用いて順に蒸着させることによって形成することができる。
【００７２】
一方、図に示してはいないが、ウィンドウ層５０上に反射防止層（図示せず）を形成するステップＳ５００をさらに含むことができる。反射防止層は、ウィンドウ層５０上にフッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）を蒸着することによって形成することができる。
【００７３】
図３および図４ｆを参照すれば、背面電極層２０、薄膜型光吸収層３０、バッファ層４０、およびウィンドウ層５０が形成されれば、ウィンドウ層５０（または、反射防止層）上に前面電極層６０を形成することができる（Ｓ６００）。
【００７４】
前面電極層６０は、アルミニウム（Ａｌ）をスパッタリング蒸着法を用いてウィンドウ層５０上に蒸着させることによって形成することができる。
【００７５】
これにより、基板１０の一面に形成された背面電極層２０、薄膜型光吸収層３０、バッファ層４０、ウィンドウ層５０、および前面電極層６０を含む薄膜太陽電池１を完成することができる。
【００７６】
一方、図には示されているが説明がなされていない図５は、薄膜型光吸収層を形成するＣＩＧＳ結晶粉末のＸ線結晶構造分析グラフであり、図６は、ＣＩＧＳ結晶粉末の結晶粒子を示す図である。
【００７７】
また、図７は、薄膜型光吸収層のＸ線結晶構造分析グラフであり、図８は、薄膜型光吸収層の表面を示す図であり、図９は、薄膜型光吸収層の断面を示す図である。
【００７８】
本発明の内容は、図面に示す一実施形態を参照しながら説明されたが、これらは例示的なものに過ぎず、本技術分野において通常の知識を有する者であれば、これから多様な変形および均等な他の実施形態が可能であるという点を理解することができるであろう。したがって、本発明の真正な技術的保護範囲は、添付の特許請求の範囲の技術的思想によって定められなければならない。
【符号の説明】
【００７９】
１０・・・基板
２０・・・背面電極層
３０・・・薄膜型光吸収層
４０・・・バッファ層
５０・・・ウィンドウ層
５１・・・第１ウィンドウ層
５５・・・第２ウィンドウ層
６０・・・前面電極層
１００・・・薄膜型光吸収層形成装置
１０１・・・チャンバ
１０３・・・基板固定部
１０５・・・第１蒸発源
１０７・・・第２蒸発源
１１０・・・ＣＩＧＳ結晶粉末
１２０・・・セレニウム金属粉末
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
2011109052.tif 000007
【図４ｃ】
2011109052.tif 000008
【図４ｄ】
2011109052.tif 000009
【図４ｅ】
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【図４ｆ】
2011109052.tif 000011
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2011109052.tif 000015
【図９】
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