(57)【要約】【課題】有機発光層を容易に形成できる有機発光表示装置の製造方法、有機発光表示装置用の表面処理装置及び有機発光表示装置を提供する。【解決手段】基板上に第１電極を形成する工程と、第１電極上に第１電極の所定の部分を露出するように開口部を持つ画素定義膜を形成する工程と、画素定義膜及び開口部を通じて露出された第１電極上に電荷伝達層を形成する工程と、電荷伝達層の露出された表面のうち、開口部と対応しない表面を、選択的にレーザーを利用して疎水化する工程と、電荷伝達層上に有機発光層を形成する工程と、有機発光層と電気的に接続されるように第２電極を形成する工程と、を含む有機発光表示装置の製造方法である。【選択図】図１Ｅ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に前記第１電極の一部を露出するように開口部を持つ画素定義膜を形成する工程と、
前記画素定義膜及び前記開口部を通じて露出された前記第１電極上に電荷伝達層を形成する工程と、
前記電荷伝達層の露出された表面のうち、前記開口部と対応しない表面を、選択的にレーザーを利用して疎水化する工程と、
前記電荷伝達層上に有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層と電気的に接続されるように第２電極を形成する工程と、
を含む、有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記有機発光層は、前記電荷伝達層上に前記開口部と対応するように形成される、請求項１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記電荷伝達層は、正孔輸送層または正孔注入層である、請求項１または２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記疎水化する工程は、フッ素化合物ガス雰囲気で行われる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記フッ素化合物は、ＣＦ４である、請求項４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記疎水化する工程は、紫外線レーザーソースで発生したレーザービームがＤＯＥ（Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｅｌｅｍｅｎｔ）レンズ、コリメートレンズ及びプロジェクションレンズを通じて集光された形態で前記電荷伝達層に照射される工程を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記疎水化する工程は、前記レーザービームを所望の方向にガイドするようにガイドミラーを利用する、請求項６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記疎水化する工程は、紫外線レーザーソースを備える光学系で発生したレーザービームが、ポリゴンミラーを経て前記電荷伝達層に照射される工程を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記疎水化する工程は、前記光学系で前記レーザービームを連続的に発生させる間に、前記ポリゴンミラーを回転させつつ行われる、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記疎水化する工程は、前記ポリゴンミラーの回転を通じて前記基板の一端から他端までストライプ状にレーザービームをスキャニングしつつ行われる、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記疎水化する工程は、前記基板の一端から前記他端までストライプ状にレーザービームをスキャニングした後、前記ストライプと垂直方向に前記基板または前記光学系及びポリゴンミラーを移動する工程を含む、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記基板をステージによって前記ストライプと垂直方向に移動させる、請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記有機発光層を形成する工程は、ノズルプリンティングを利用して行われる、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
基板、前記基板上に形成された第１電極、前記第１電極上に形成された電荷伝達層、前記電荷伝達層に形成された有機発光層及び前記有機発光層と電気的に接続される第２電極と、を備える有機発光表示装置の表面のうち一表面を処理する装置であって、
紫外線レーザーソースを備える光学系と、
前記光学系で発生したレーザービームが到達するポリゴンミラーと、
を備える、有機発光表示装置用の表面処理装置。
【請求項１５】
フッ素ガス雰囲気で前記光学系から前記レーザービームを連続的に発生させる間に、前記ポリゴンミラーを回転させる、請求項１４に記載の有機発光表示装置用の表面処理装置。
【請求項１６】
前記ポリゴンミラーの回転を通じて、前記基板の一端から他端までストライプ状にレーザービームをスキャニングする、請求項１４または１５に記載の有機発光表示装置用の表面処理装置。
【請求項１７】
前記基板の一端から前記他端までストライプ状にレーザービームをスキャニングした後、前記ストライプと垂直方向に前記基板に対して相対的に移動する、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の有機発光表示装置用の表面処理装置。
【請求項１８】
前記基板をステージによって前記ストライプと垂直方向に移動させる、請求項１７に記載の有機発光表示装置用の表面処理装置。
【請求項１９】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の製造方法によって製造された有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置の製造方法、有機発光表示装置用の表面処理装置及び有機発光表示装置に係り、さらに詳細には、有機発光層を容易に形成できる有機発光表示装置の製造方法、有機発光表示装置用の表面処理装置及び有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置は、ポータブルな薄型の平板表示装置で代替される勢いである。平板表示装置のうちでも電界発光表示装置は、自発光型表示装置であって、視野角が広く、コントラストに優れるだけでなく、応答速度が速いという長所を持っていて次世代表示装置として注目されている。また、発光層の形成物質が有機物で構成される有機発光表示装置は、無機発光表示装置に比べて輝度、駆動電圧及び応答速度特性に優れて多色化が可能であるという点を持っている。
【０００３】
有機発光表示装置は、カソード電極とアノード電極及び有機発光層を備える。カソード電極及びアノード電極に電圧を印加すれば、有機発光層から可視光線が取出される。
【０００４】
有機発光表示装置は、天然色画面を具現するために赤色、緑色及び青色可視光線を具現するサブピクセルを含む。赤色サブピクセルには赤色可視光線を発光する有機発光層が形成され、緑色サブピクセルには緑色可視光線を発光する有機発光層が形成され、青色サブピクセルには青色可視光線を発光する有機発光層が形成される。
【０００５】
しかし、この場合、有機発光層が所望のサブピクセルに対応するように形成されずに他のサブピクセルにも形成されれば、他の色を発光する有機発光層が混ざって有機発光表示装置の画質が低下するという問題点がある。
【０００６】
特に、有機発光層を形成するに当たって、ノズルを利用して溶液を滴下するノズルプリンティングを利用する場合、上記のような問題点があるため、画質を向上させるのに限界がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】大韓民国特許出願公開第２００７−００３６７００号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、有機発光層を容易に形成できる有機発光表示装置の製造方法、有機発光表示装置用の表面処理装置及び有機発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、基板上に第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に前記第１電極の一部を露出するように開口部を持つ画素定義膜を形成する工程と、前記画素定義膜及び前記開口部を通じて露出された前記第１電極上に電荷伝達層を形成する工程と、前記電荷伝達層の露出された表面のうち、前記開口部と対応しない表面を、選択的にレーザーを利用して疎水化する工程と、前記電荷伝達層上に有機発光層を形成する工程と、前記有機発光層と電気的に接続されるように第２電極を形成する工程と、を含む、有機発光表示装置の製造方法が提供される。
【００１０】
本発明において、前記有機発光層は、前記電荷伝達層上に前記開口部と対応するように形成できる。
【００１１】
本発明において、前記電荷伝達層は、正孔輸送層または正孔注入層であってもよい。
【００１２】
本発明において、前記疎水化する工程は、フッ素化合物ガス雰囲気で進めることができる。
【００１３】
本発明において、前記フッ素化合物としては、ＣＦ４を使用できる。
【００１４】
本発明において、前記疎水化する工程は、紫外線レーザーソースで発生したレーザービームがＤＯＥ（Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｅｌｅｍｅｎｔ）レンズ、コリメートレンズ及びプロジェクションレンズを通じて集光された形態で前記電荷伝達層に照射される工程を含んでもよい。
【００１５】
本発明において、前記疎水化する工程は、前記レーザービームを所望の方向にガイドするようにガイドミラーを利用してもよい。
【００１６】
本発明において、前記疎水化する工程は、紫外線レーザーソースを備える光学系で発生したレーザービームが、ポリゴンミラーを経て前記電荷伝達層に照射される工程を含んでもよい。
【００１７】
本発明において、前記疎水化する工程は、前記光学系で前記レーザービームを連続的に発生させる間に、前記ポリゴンミラーを回転させつつ実施することができる。
【００１８】
本発明において、前記疎水化する工程は、前記ポリゴンミラーの回転を通じて前記基板の一端から他端までストライプ状にレーザービームをスキャニングしつつ実施することができる。
【００１９】
本発明において、前記疎水化する工程は、前記基板の一端から前記他端までストライプ状にレーザービームをスキャニングした後、前記ストライプと垂直方向に前記基板または前記光学系及びポリゴンミラーを移動する工程を含んでもよい。
【００２０】
本発明において、前記基板をステージによって前記ストライプと垂直方向に移動させてもよい。
【００２１】
本発明において、前記有機発光層を形成する工程は、ノズルプリンティングを利用してもよい。
【００２２】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、基板、前記基板上に形成された第１電極、前記第１電極上に形成された電荷伝達層、前記電荷伝達層に形成された有機発光層及び前記有機発光層と電気的に接続される第２電極を備える有機発光表示装置の表面のうち一表面を処理する装置であって、紫外線レーザーソースを備える光学系と、前記光学系で発生したレーザービームが到達するポリゴンミラーと、を備える有機発光表示装置用の表面処理装置が提供される。
【００２３】
本発明において、フッ素ガス雰囲気で前記光学系から前記レーザービームを連続的に発生させる間に、前記ポリゴンミラーを回転させてもよい。
【００２４】
本発明において、前記ポリゴンミラーの回転を通じて、前記基板の一端から他端までストライプ状にレーザービームをスキャニングすることができる。
【００２５】
本発明において、前記基板の一端から前記他端までストライプ状にレーザービームをスキャニングした後、前記ストライプと垂直方向に前記基板に対して相対的に前記表面処理装置を移動させてもよい。
【００２６】
また、上記課題を解決するために、本発明のさらに別の観点によれば、本発明の製造方法によって製造された有機発光表示装置が提供される。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に関する有機発光表示装置の製造方法、有機発光表示装置用の表面処理装置及び有機発光表示装置は、各サブピクセルに対応するように有機発光層が互いに混ざらないように形成して有機発光表示装置の画質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１Ａ】本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。
【図１Ｃ】本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。
【図１Ｄ】本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。
【図１Ｅ】本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。
【図１Ｆ】本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。
【図１Ｇ】本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。
【図２Ａ】本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。
【図２Ｂ】本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。
【図２Ｃ】本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。
【図２Ｄ】本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。
【図３Ａ】本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。
【図３Ｂ】本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。
【図３Ｃ】本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。
【図３Ｄ】本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。
【図３Ｅ】本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３０】
図１Ａから図１Ｇは、本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。
【００３１】
図１Ａを参照すれば、基板１０１上に第１電極１１０を形成する。第１電極１１０を形成する前に、基板１０１上に薄膜トランジスタを形成できる。もちろん本実施形態の有機発光素子の製造方法は、能動型有機発光素子だけでなく受動型有機発光素子の製造方法にも適用できる。
【００３２】
基板１０１は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材質からなりうる。基板１０１は、必ずしもこれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材で形成してもよい。プラスチック基板は絶縁性有機物で形成できるが、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）からなる群から選択される有機物からなりうる。
【００３３】
また、基板１０１は金属でも形成できるが、金属で基板１０１を形成する場合、基板１０１は、鉄、クロム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレススチール（ＳＵＳ）、インバー合金、インコネル合金及びコバール合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、これに限定されるものではない。この時、基板１０１はホイル形態でありうる。
【００３４】
基板１０１の上面の平滑性及び、基板１０１への不純元素の浸透の遮断のために、基板１０１上にバッファ層（図示せず）を形成できる。バッファ層（図示せず）は、ＳｉＯ２及び／またはＳｉＮｘなどで形成できる。
【００３５】
基板１０１上に第１電極１１０を形成する。第１電極１１０は、フォトリソグラフィー法により所定のパターンで形成できる。第１電極１１０のパターンは、受動駆動型（Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  ｔｙｐｅ：ＰＭ）の有機発光表示装置の場合には、互いに所定間隔離れたストライプ状のラインで形成され、能動駆動型（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  ｔｙｐｅ：ＡＭ）の有機発光表示装置の場合には、サブピクセルに対応する形態で形成されうる。
【００３６】
第１電極１１０は、反射型電極または透過型電極でありうる。第１電極１１０が反射型電極である場合、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物で反射膜を形成した後、その上に仕事関数の高いＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などを配して第１電極１１０を形成する。
【００３７】
第１電極１１０が透過型電極である場合、第１電極１１０は仕事関数の高いＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などで形成される。
【００３８】
次いで、図１Ｂを参照すれば、第１電極１１０上に画素定義膜１２０を形成する。画素定義膜１２０は、第１電極の表面の一部を露出するように開口部１２０ａを備え、開口部１２０ａを通じて第１電極１１０が露出される。画素定義膜１２０は、多様な絶縁物質を利用して形成する。
【００３９】
図１Ｃは、図１ＢのＸ方向から見た正面図である。開口部１２０ａは、略長方形の形態である。しかし、本発明においてはこれに限定されず、開口部１２０ａは、サブピクセルの形態によって多角形または曲線形態を持つように形成できる。
【００４０】
次いで、図１Ｄを参照すれば、電荷伝達層１３１を形成する。電荷伝達層１３１は、画素定義膜１２０の全面及び開口部１２０ａを通じて露出された第１電極１１０上に全体的に形成される。すなわち、別途のパターニング工程なしに電荷伝達層１３１を形成する。
【００４１】
電荷伝達層１３１は、正孔輸送層または正孔注入層を含む。電荷伝達層１３１は正孔輸送層及び正孔注入層のうちいずれか１層のみ含んでもよく、正孔輸送層及び正孔注入層をいずれも含んでもよい。電荷伝達層１３１が正孔輸送層及び正孔注入層をいずれも含む場合、正孔注入層が正孔輸送層より第１電極１１０に近い側に配置される。
【００４２】
次いで、図１Ｅを参照すれば、レーザー照射装置１６０を利用して電荷伝達層１３１の表面を疎水化する工程を実施する。具体的に、電荷伝達層１３１の表面のうち、開口部１２０ａと対応しない部分を選択的に疎水化する。これは、言い換えれば、電荷伝達層１３１の表面のうち、開口部１２０ａの底面及び内側面に対応する部分を除外した部分を疎水化することである。
【００４３】
レーザー照射装置１６０は、具体的には、紫外線レーザー照射装置であって、電荷伝達層１３１の表面のうち、開口部１２０ａと対応しない部分に集光されたレーザービームを照射する。
【００４４】
疎水化処理には反応ガスが必要であるが、本実施形態では、フッ素化合物を反応ガスとして利用する。具体的には、ＣＦ４のようなガスを反応ガスとして利用する。ＣＦ４ガス雰囲気でレーザー照射装置１６０が紫外線レーザービームを発生させれば、ＣＦ４ガスのような反応ガスが分解されてフッ素イオンが生成され、このように生成されたフッ素イオンが電荷伝達層１３１の表面に吸着される。レーザービームが照射された電荷伝達層１３１の表面はフッ素と結合した状態で存在し、低い表面エネルギーを持って疏水性表面を持つようになる。
【００４５】
このように、レーザー照射装置１６０を利用することにより、別途のマスクなしに電荷伝達層１３１の表面のうち所望の部分を疎水化処理することができる。
【００４６】
次いで、図１Ｆを参照すれば、電荷伝達層１３１上に有機発光層１３２を形成する。この際、ノズルプリンティング方法を利用して有機発光層１３２を形成できる。有機発光層１３２は赤色、緑色及び青色可視光線を発光する有機発光層を含むことができる。
【００４７】
前述したように、電荷伝達層１３１の表面のうち、開口部１２０ａの底面及び内側面に対応する部分を除外した部分は疎水化して、有機発光層１３２が各開口部１２０ａに対応するように載置される。すなわち、有機発光層１３２は、各開口部１２０ａ内に位置する電荷伝達層１３１の表面に容易に整列されて形成され、開口部１２０ａを外れた画素定義膜１２０の上面に対応する領域や開口部１２０ａの外部に形成されない。
【００４８】
このような工程を通じて、所望のパターンで有機発光層１３２を容易に形成することができるので、結果的に有機発光表示装置の画質を向上させることができる。
【００４９】
有機発光層１３２は多様な材料を利用して形成されるが、具体的に赤色可視光線を発光する有機発光層１３２である場合、テトラフェニルナフタセン（ルブレン：Ｒｕｂｒｅｎｅ）、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル−ピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、トリス（ジベンゾイルメタン）フェナントロリンユウロピウム（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ｄｂｍ）３（ｐｈｅｎ））、トリス［４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−（２，２’）−ビピリジン］ルテニウム（ＩＩＩ）錯体（Ｒｕ（ｄｔｂ−ｂｐｙ）３＊２（ＰＦ６））、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２、Ｅｕ（テノイルトリフルオロアセトン）３（Ｅｕ（ＴＴＡ）３，ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン）（ＤＣＪＴＢ）などを含むことができ、その他にポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子などの高分子発光物質を含むことができる。
【００５０】
また、緑色可視光線を発光する有機発光層１３２の場合、緑色発光材料である３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−（ジエチルアミノ）クマリン（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）、２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７，−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ−１０−（２−ベンゾチアゾリル）キノリジン−［９，９ａ，１ｇｈ］クマリン（Ｃ５４５Ｔ）、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−キナクリドン（ＤＭＱＡ）、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）などを含むことができ、その他にポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子などの高分子発光物質を含むことができる。
【００５１】
また、青色可視光線を発光する有機発光層１３２の場合、青色発光材料であるオキサジアゾールダイマー染料（Ｂｉｓ−ＤＡＰＯＸＰ）、スピロ化合物（Ｓｐｉｒｏ−ＤＰＶＢｉ、Ｓｐｉｒｏ−６Ｐ）、トリアリールアミン化合物、ビス（スチリル）アミン（ＤＰＶＢｉ、ＤＳＡ）、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（ＴＰＢｅ）、９Ｈ−カルバゾール−３，３’−（１，４−フェニレン−ジ−２，１−エテン−ジイル）ビス［９−エチル−（９Ｃ）］（ＢＣｚＶＢ）、４，４−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン（ＤＰＡＶＢ）、４，４’−ビス［４−（ジフェニルアミノ）スチリル］ビフェニル（ＢＤＡＶＢｉ）、ビス（３，５−ジフルオロ−２−（２−ピリジル）フェニル−（２−カルボキシピリジル）イリジウムＩＩＩ（ＦＩｒＰｉｃ）などを含むことができ、その他にポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子などの高分子発光物質を含むことができる。
【００５２】
次いで、図１Ｇを参照すれば、有機発光層１３２上に第２電極１４０を形成し、最終的に有機発光表示装置１００を製造する。
【００５３】
図示していないが、有機発光層１３２と第２電極１４０との間に電子輸送層または電子注入層をさらに形成できる。
【００５４】
第２電極１４０は、受動駆動型の場合には、第１電極１１０のパターンに直交するストライプ状であり、能動駆動型の場合には、画像が具現される活性化領域全体にかけて形成されうる。
【００５５】
第２電極１４０は、透過型電極または反射型電極でありうる。第２電極１４０が透過型電極である場合、第２電極１４０は仕事関数の小さな金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物を蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明導電物質で補助電極層やバス電極ラインを形成できる。
【００５６】
第２電極１４０が反射型電極である場合、第２電極１４０は仕事関数の小さな金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａなどで形成されうる。前記では、第１電極１１０をアノード電極、第２電極１４０をカソード電極と仮定しているが、電極の極性が逆になってもよいということはいうまでもない。
【００５７】
図示していないが、基板１０１の一面に対向するように密封部材（図示せず）が配置されうる。密封部材（図示せず）は、外部の水分や酸素などから有機発光層１３２を保護するために形成するものであって、密封部材（図示せず）は透明な材質で形成される。このために、ガラス、プラスチックまたは有機物と無機物との複数の重畳した構造になってもよい。
【００５８】
本実施形態の有機発光表示装置の製造方法は、電荷伝達層１３１を全面に形成した後、電荷伝達層１３１の表面のうち有機発光層１３２が形成されてはならない部分を疎水化する。すなわち、電荷伝達層１３１の表面のうち、開口部１２０ａと対応しない部分を疎水化する。
【００５９】
このような工程を通じて、有機発光層１３２を所望の部分に容易に形成させることができる。すなわち、有機発光層１３２が、所望のサブピクセルだけでなく隣接した他のサブピクセルにも混入することを防止して、有機発光表示装置１００の画質特性を向上させることができる。
【００６０】
特に、有機発光層１３２と直接的に接する電荷伝達層１３１の表面を処理するので、有機発光層１３２が載置される効果を高める。すなわち、有機発光層１３２が、望ましい領域で、より容易に形成される。また、表面処理進行工程で第１電極１１０の損傷を防止できる。結果的に有機発光表示装置の画質を向上させることができる。
【００６１】
図２Ａから図２Ｄは、本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。説明の便宜のために、前述した実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００６２】
図２Ａを参照すれば、基板２０１上に第１電極２１０、画素定義膜２２０及び電荷伝達層２３１が形成されている。
【００６３】
具体的には、第１電極２１０を形成し、第１電極２１０上に画素定義膜２２０を形成する。画素定義膜２２０は開口部２２０ａを備え、開口部２２０ａを通じて第１電極２１０が露出される。
【００６４】
次いで、電荷伝達層２３１を形成する。電荷伝達層２３１は、画素定義膜２２０の全面及び開口部２２０ａを通じて露出された第１電極２１０上に全体的に形成される。すなわち、別途のパターニング工程なしに電荷伝達層２３１を形成する。
【００６５】
電荷伝達層２３１は、正孔輸送層または正孔注入層を含む。電荷伝達層２３１は正孔輸送層及び正孔注入層のうちいずれか１層のみを含んでもよく、正孔輸送層及び正孔注入層をいずれも含んでもよい。
【００６６】
基板２０１、第１電極２１０、画素定義膜２２０及び電荷伝達層２３１の構成及び材料については、前述した実施形態と同一であるので具体的な説明は省略する。
【００６７】
次いで、図２Ｂを参照すれば、電荷伝達層２３１の表面を疎水化する工程を実施する。この時、電荷伝達層２３１の表面のうち、開口部２２０ａと対応しない部分を選択的に疎水化する。これは、言い換えれば、電荷伝達層２３１の表面のうち、開口部２２０ａの底面及び内側面に対応する部分を除外した部分を疎水化することである。
【００６８】
具体的に、疎水化処理は、紫外線レーザーソース２６０で発生したレーザービーム２６０ａを利用する。レーザービーム２６０ａは、所望の形態、すなわち、電荷伝達層２３１の表面のうち、開口部２２０ａの底面及び内側面に対応する部分を除外した部分に照射されるように変形されねばならない。このために、一方向に進むレーザービーム２６０ａは、ガイドミラー２６１によって所望の方向にガイドされ、ＤＯＥ（Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｅｌｅｍｅｎｔ）レンズ２６２を経てからフラットビーム形態になり、次いで、コリメートレンズ２６３を経てから均一なエネルギーを持つようになり、次いで、プロジェクションレンズ２６４を経てから、所望の倍率のサイズを持つビームになって、最終的に電荷伝達層２３１の表面に照射される。
【００６９】
疎水化処理には反応ガスが必要であるが、フッ素化合物を反応ガスとして利用する。具体的に、ＣＦ４などのガスを利用する。紫外線レーザービームを発生させれば、ＣＦ４ガスなどの反応ガスが分解されてフッ素イオンが生成され、このように生成されたフッ素イオンは電荷伝達層２３１の表面に吸着される。レーザービームが照射された電荷伝達層２３１の表面は、フッ素と結合した状態に存在して低い表面エネルギーを持って疏水性表面を持つようになる。
【００７０】
本実施形態では、別途のマスクなしに紫外線レーザーソース２６０で発生した光を制御して、電荷伝達層２３１の表面のうち、所望の部分を疎水化処理する。
【００７１】
次いで、図２Ｃを参照すれば、電荷伝達層２３１上に有機発光層２３２を形成する。この時、ノズルプリンティング方法を利用して有機発光層２３２を形成できる。
【００７２】
前述したように、電荷伝達層２３１の表面のうち、開口部２２０ａの底面及び内側面に対応する領域を除外した部分は疎水化して、有機発光層２３２が各開口部２２０ａに対応する領域に載置される。すなわち、有機発光層２３２が各開口部２２０ａ内に容易に整列されて形成され、開口部２２０ａを外れた画素定義膜２２０の上面に対応する領域や開口部２２０ａの外部に形成されない。
【００７３】
このような工程を通じて、所望のパターンで有機発光層２３２を容易に形成することができるので、結果的に有機発光表示装置の画質を向上させることができる。
【００７４】
次いで、図２Ｄを参照すれば、有機発光層２３２上に第２電極２４０を形成し、最終的に有機発光表示装置２００を製造する。
【００７５】
図示していないが、有機発光層２３２と第２電極２４０との間に電子輸送層または電子注入層をさらに形成できる。
【００７６】
図示していないが、基板２０１の一面に対向するように密封部材（図示せず）が配されうる。密封部材（図示せず）は外部の水分や酸素から有機発光層２３２を保護するために形成するものであって、密封部材（図示せず）は透明な材質で形成される。このためにガラス、プラスチックまたは有機物と無機物との複数の重畳した構造になってもよい。
【００７７】
図３Ａから図３Ｅは、本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面図である。説明の便宜のために、前述した実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００７８】
図３Ａを参照すれば、基板３０１上に第１電極３１０、画素定義膜３２０及び電荷伝達層３３１が形成されている。
【００７９】
具体的には、第１電極３１０を形成し、第１電極３１０上に画素定義膜３２０を形成する。画素定義膜３２０は開口部３２０ａを備え、開口部３２０ａを通じて第１電極３１０が露出される。
【００８０】
次いで、電荷伝達層３３１を形成する。電荷伝達層３３１は、画素定義膜３２０の全面及び開口部３２０ａを通じて露出された第１電極３１０上に全体的に形成される。すなわち、別途のパターニング工程なしに電荷伝達層３３１を形成する。
【００８１】
電荷伝達層３３１は、正孔輸送層または正孔注入層を含む。電荷伝達層３３１は、正孔輸送層及び正孔注入層のうちいずれか１層のみを含んでもよく、正孔輸送層及び正孔注入層をいずれも含んでもよい。
【００８２】
基板３０１、第１電極３１０、画素定義膜３２０及び電荷伝達層３３１の構成及び材料については、前述した実施形態と同一であるので、具体的な説明は省略する。
【００８３】
次いで、図３Ｂ及び図３Ｃを参照すれば、電荷伝達層３３１の表面を疎水化する工程を実施する。図３Ｃは、図３Ｂを概略的に図示した斜視図である。説明の便宜のために、図３Ｃには基板３０１のみを表示した。
【００８４】
電荷伝達層３３１を形成した後、電荷伝達層３３１の表面のうち、開口部３２０ａと対応しない部分を選択的に疎水化する。これは、言い換えれば、電荷伝達層３３１の表面のうち、開口部３２０ａの底面及び内側面に対応する部分を除外した部分を疎水化することである。
【００８５】
具体的に、疎水化処理は表面処理装置３６０を利用する。表面処理装置３６０は、紫外線レーザーソースを備える光学系３６１及びポリゴンミラー３６５を備える。
【００８６】
光学系３６１は、紫外線レーザーソースを備えて紫外線レーザービームを生成し、所望の形態とエネルギーサイズ、すなわち、電荷伝達層３３１の表面のうち、開口部３２０ａの底面及び内側面に対応する部分を除外した部分に照射されるように、変形されたレーザービーム３６２を最終的に発生する。
【００８７】
これらのレーザービーム３６２はポリゴンミラー３６５に入射される。ポリゴンミラー３６５で反射されたレーザービーム３６６は電荷伝達層３３１の表面に照射される。
【００８８】
さらに具体的に説明すれば、ポリゴンミラー３６５は軸３６５ａを備え、軸３６５ａを中心に、例えば、図３ＣにＲで表示された矢印方向に回転する。ポリゴンミラー３６５が連続的に回転する間に、レーザービーム３６２がポリゴンミラー３６５に照射され続ければ、ポリゴンミラー３６５に反射されて連続的にレーザービーム３６６が電荷伝達層３３１に照射される。
【００８９】
回転するポリゴンミラー３６５によって、ポリゴンミラー３６５で最初に反射されたレーザービーム３６６ａが基板３０１方向に照射され、次いで、レーザービーム３６６ｂが照射され、その後でレーザービーム３６６ｃが照射される。このような方式で、基板３０１の一端３０１ａから他端３０１ｂまで至るストライプＳ１形態にレーザービーム３６６が照射される。ここで説明した各レーザービーム３６６ａ、レーザービーム３６６ｂ及びレーザービーム３６６ｃは、説明の便宜のために挙げたものであって、本発明はこれに限定されない。すなわち、光学系３６１で発生したレーザービーム３６２の発生持続時間及びポリゴンミラー３６５の回転速度を多様に調節して、ストライプＳ１形態にレーザービーム３６６をスキャニングできる。
【００９０】
そして、かかるストライプＳ１形態にレーザービーム３６６をスキャニングした後、基板３０１または表面処理装置３６０を互いに対して相対的にストライプＳ１方向と垂直方向に移動させた後、継続的に疎水化処理を進める。具体的な例として基板３０１をＹ軸方向に移動させることができるが、このために基板３０１をステージ（図示せず）に載せ、ステージ３０１をＹ軸方向に移動させることができる。
【００９１】
疎水化処理には反応ガスが必要であるが、フッ素化合物を反応ガスとして利用する。具体的に、ＣＦ４などのガスを利用する。ＣＦ４が分解されてフッ素イオンが生成され、このように生成されたフッ素イオンは電荷伝達層３３１の表面に吸着される。レーザービームが照射された電荷伝達層３３１の表面はフッ素と結合した状態に存在して、低い表面エネルギーを持って疏水性表面を持つようになる。
【００９２】
本実施形態では、別途のマスクなしに紫外線表面処理装置３６０を利用して電荷伝達層３３１の表面のうち、所望の部分（例えば、上述したストライプＳ１形態の部分）を疎水化処理する。また、基板３０１の一端３０１ａから他端３０１ｂまで連続的に疎水化処理工程を進めた後、基板３０１または表面処理装置３６０を順次に移動させつつ疎水化処理工程を進めることができるので、工程の効率性を向上させることが可能となる。
【００９３】
次いで、図３Ｄを参照すれば、電荷伝達層３３１上に有機発光層３３２を形成する。この時、ノズルプリンティング方法を利用して有機発光層３３２を形成できる。
【００９４】
前述したように、電荷伝達層３３１の表面のうち、開口部３２０ａの底面及び内側面に対応する領域を除外した部分は疎水化して、有機発光層３３２が各開口部３２０ａに対応する領域に載置される。すなわち、有機発光層３３２が各開口部３２０ａに容易に整列されて形成され、開口部３２０ａを外れた画素定義膜３２０の上面に対応する領域や開口部３２０ａの外部に形成されない。
【００９５】
このような工程を通じて、所望のパターンで有機発光層３３２を容易に形成することができるので、結果的に有機発光表示装置の画質を向上させることができる。
【００９６】
次いで、図３Ｅを参照すれば、有機発光層３３２上に第２電極３４０を形成し、最終的に有機発光表示装置３００を製造する。
【００９７】
図示していないが、有機発光層３３２と第２電極３４０との間に電子輸送層または電子注入層をさらに形成できる。
【００９８】
図示していないが、基板３０１の一面に対向するように密封部材（図示せず）が配置されうる。密封部材（図示せず）は、外部の水分や酸素などから有機発光層１５４を保護するために形成するものであって、密封部材（図示せず）は透明な材質で形成される。このために、ガラス、プラスチックまたは有機物と無機物との複数の重畳した構造になってもよい。
【００９９】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１００】
１００、２００、３００    有機発光表示装置
１０１、２０１、３０１    基板
１１０、２１０、３１０    第１電極
１２０、２２０、３２０    画素定義膜
１２０ａ、２２０ａ、３２０ａ    開口部
１３１、２３１、３３１    電荷伝達層
１３２、２３２、３３２    有機発光層
１４０、２４０、３４０    第２電極
１６０    レーザー照射装置
２６０    紫外線レーザーソース
２６１    ガイドミラー
２６２    ＤＯＥレンズ
２６３    コリメートレンズ
２６４    プロジェクションレンズ
３６０    表面処理装置
３６１    光学系
３６２    レーザービーム
３６５    ポリゴンミラー
【図１Ａ】
2011113982.tif 000003
【図１Ｂ】
2011113982.tif 000004
【図１Ｃ】
2011113982.tif 000005
【図１Ｄ】
2011113982.tif 000006
【図１Ｅ】
2011113982.tif 000007
【図１Ｆ】
2011113982.tif 000008
【図１Ｇ】
2011113982.tif 000009
【図２Ａ】
2011113982.tif 000010
【図２Ｂ】
2011113982.tif 000011
【図２Ｃ】
2011113982.tif 000012
【図２Ｄ】
2011113982.tif 000013
【図３Ａ】
2011113982.tif 000014
【図３Ｂ】
2011113982.tif 000015
【図３Ｃ】
2011113982.tif 000016
【図３Ｄ】
2011113982.tif 000017
【図３Ｅ】
2011113982.tif 000018