(57)【要約】【課題】常にバイアス電流が原子吸収のボトムになるようにフィードバックをかけて特性の安定化を図った原子発振器を提供する。【解決手段】この原子発振器１００は、半導体レーザにより構成されるＬＤ１と、アルカリ金属が封止されたガスセル２と、ガスセル２の透過光を検出するＰＤ（光検出器）３と、電圧制御水晶発振器９の周波数を制御する制御信号を生成する同期制御部２１と、原子発振器１００の出力信号が同期しているか否か判定する同期検出部２０と、ＰＬＬ１１の出力電圧を増幅するＡＭＰ１９と、を備えて構成される。また、フィルタ１７の出力電圧は、ＡＭＰ１９のゲインコントロール端子に接続され、そこにコンデンサ１８を介して低周波発振器１４から約１０ｋＨｚの低周波信号を加算する。【選択図】図１
2011091476.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ金属原子と、
前記アルカリ金属原子に電磁誘起透過現象を発生させる共鳴光対を生成するための光源
と、
前記アルカリ金属原子を透過した前記共鳴光対を検出する光検出手段と、
前記光検出手段の出力信号に基づき前記共鳴光対の中心周波数を制御する第１の制御手
段と、
前記光検出手段の出力信号に基づき前記共鳴光対の周波数差を制御する第２の制御手段
と、
前記第２の制御手段の出力信号に基づき前記共鳴光対の周波数差に対応する周波数のマ
イクロ波を発生するマイクロ波発生手段と、
前記マイクロ波発生手段の出力電圧を増幅する増幅手段と、
前記光検出手段の出力信号に基づき前記増幅手段の増幅率を制御する第３の制御手段と
、を備えたことを特徴とする原子発振器。
【請求項２】
前記増幅手段は利得制御端子を備えた可変利得増幅器であり、
前記第３の制御手段が、低周波発振信号を出力する低周波発振器と、該低周波発振信号
と前記光検出手段の出力信号とを同期検波する乗算器と、前記乗算器の出力電圧を濾波す
るフィルタと、前記フィルタの出力電圧と前記低周波信号とを加算した信号を前記可変利
得増幅器の利得制御端子に供給した構成と、を備えたことを特徴とする請求項１記載の原
子発振器。
【請求項３】
前記マイクロ波発生手段の出力電圧を増幅する増幅手段に替わって、前記マイクロ波発
生手段の出力電圧を歪ませる歪み発生回路を備えたことを特徴とする請求項１記載の原子
発振器。
【請求項４】
前記歪み発生回路が、電流駆動型差動増幅器であり、
電流駆動源として、高速性を保つための定電流源と電圧可変による歪みを発生させるた
めの電流源とを並列接続したことを特徴とする請求項３記載の原子発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原子発振器に関し、さらに詳しくは、ＥＩＴ方式の原子発振器において、Ｅ
ＩＴ現象を安定的に発生させるための共鳴光の生成技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電磁誘起透過方式（Electromagnetically Induced Transparency:ＥＩＴ方式、Coheren
t Population Trapping:ＣＰＴ方式と呼ばれることもある）による原子発振器は、アルカ
リ金属原子に波長の異なる二つの共鳴光を同時に照射すると、二つの共鳴光の吸収が停止
する現象（ＥＩＴ現象）を利用した発振器である。図８は一つのアルカリ金属原子のエネ
ルギー状態を示したものである。第１基底準位２３と励起準位２１とのエネルギー差に相
当する波長を有する第１共鳴光、あるいは第２基底準位２４と励起準位２１とのエネルギ
ー差に相当する波長を有する第２共鳴光を、それぞれ単独でアルカリ金属原子に照射する
と、良く知られているように光吸収が起きる。ところが、このアルカリ金属原子に第１共
鳴光と第２共鳴光を同時に照射し、同時に照射される第１共鳴光と第２共鳴光の周波数差
が正確に第１基底準位２３と第２基底準位２４のエネルギー差（ΔＥ１２）に一致すると
、図８の系は２つの基底準位の重ね合わせ状態、即ち量子干渉状態になり、励起準位２１
への励起が停止し透明化（ＥＩＴ）現象が起きる。この現象を利用し、第１共鳴光と第２
共鳴光との波長差がΔＥ１２からずれた時の光吸収挙動の急峻な変化を検出、制御するこ
とで、高精度な発振器をつくることができる。
【０００３】
半導体レーザー（ＬＤ）の信頼性確保のため、ＬＤへのバイアス電流Ｉｂｉａｓの設定
はあまり大きくできず通常しきい値（Ｉｔｈ）付近に設定されることが多い。そのため、
出力波形はＬＤのもつ電流電圧特性によってデューティ比が５０％ではなくなる。（図２
参照）その結果、直流電圧の重畳が生じることになる。このことは、急激な外乱（主に温
度）によってＬＤに入力されるマイクロ波の振幅の変動により原子吸収が起きる領域から
外れてしまうといった現象が起きる課題を生じさせる。
この現象を回避するために、従来技術では、ＬＤの温度が一定になるように温度制御さ
れ、且つＬＤの中心波長が所望の値からずれないように、中心波長設定部にフィードバッ
ク制御が掛かっている。通常、中心波長設定部は約１０Ｈｚ程度の低い周波数でフィード
バック制御がかけられている。しかしながら、ＬＤに入力されるマイクロ波信号には、通
常温度補償がなされていないため、急激な外乱（特に温度変動）によって、その振幅が簡
単に変動してしまう。この急激な外乱を中心波長設定部で吸収することは困難であり、結
果的にＬＤの中心波長の波長ズレを引き起こし、不安定の原因となる。これを解決するた
めに、回路全体を高安定な恒温槽に入れるか、或いはＬＤへ入力されるマイクロ波信号を
一定化するために、ＡＧＣアンプを用いることが考えられる。しかしながら、回路全体を
高精度な恒温槽に入れることは、小型化を妨げることになる。また、ＡＧＣアンプの利得
自体も温度によって変動してしまうため、高精度な利得制御回路が必要になり、また温度
によって利得の変動しない高安定なＡＧＣアンプが要求される。そのため、小型化、低価
格化の要求に応えることが極めて困難であった。
特許文献１には、遷移周波数の１／２（セシウムの場合４．５９６３ＧＨｚ）でレーザ
ーを変調させ、そのサイドバンドにおいてＥＩＴスペクトルを得てロックをかける原子発
振器について開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ＵＳ６３２０４７２Ｂ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示されている従来技術は、Ｌｏｃｋ−ｉｎ  Ａｍｐを用
いた回路ループにてＥＩＴスペクトルにロックをかけることができ、回路の簡素化が可能
であるが、マイクロ波の出力が温度などの変動によって変化するため、吸収特性が安定化
しないといった問題がある。
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、マイクロ波発生回路の出力に利得
制御端子を有する増幅器を設け、その利得を低周波発振器で変調することにより、常にバ
イアス電流が原子吸収のボトムになるようにフィードバックをかけて特性の安定化を図っ
た原子発振器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］アルカリ金属原子と、前記アルカリ金属原子に電磁誘起透過現象を発生さ
せる共鳴光対を生成するための光源と、前記アルカリ金属原子を透過した前記共鳴光対を
検出する光検出手段と、前記光検出手段の出力信号に基づき前記共鳴光対の中心周波数を
制御する第１の制御手段と、前記光検出手段の出力信号に基づき前記共鳴光対の周波数差
を制御する第２の制御手段と、前記第２の制御手段の出力信号に基づき前記共鳴光対の周
波数差に対応する周波数のマイクロ波を発生するマイクロ波発生手段と、前記マイクロ波
発生手段の出力電圧を増幅する増幅手段と、前記光検出手段の出力信号に基づき前記増幅
手段の増幅率を制御する第３の制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
バイアス電流に所望のＤＣオフセット（直流電流）を設定後、マイクロ波で光源（レー
ザー）を変調させる。そのときサイドバンドを大きく発生させる場合、出力波形は光源の
持つＩ−Ｌ特性によってデューティ比が５０％ではなくなる。その結果、ＤＣオフセット
量が変わり、バイアス電流がずれてしまうので、従来はＤＣオフセット込みで、原子吸収
のボトムになるようバイアス電流を設定していた。そこで本発明では、マイクロ波と光源
の間にＡＧＣアンプを備え、光検出手段の吸収カーブがボトムになるようＡＧＣアンプの
ゲインを決定する。これにより、常にバイアス電流Ｉｂｉａｓが原子吸収のボトム（極小
値）になるようにフィードバックをかけて特性の安定化を図ることができる。
【０００９】
［適用例２］前記増幅手段は利得制御端子を備えた可変利得増幅器であり、前記第３の
制御手段が、低周波発振信号を出力する低周波発振器と、該低周波発振信号と前記光検出
手段の出力信号とを同期検波する乗算器と、前記乗算器の出力電圧を濾波するフィルタと
、前記フィルタの出力電圧と前記低周波信号とを加算した信号を前記可変利得増幅器の利
得制御端子に供給した構成と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
可変利得増幅器（ＡＧＣアンプ）は利得制御端子に印加する電圧により増幅率が制御さ
れる。本発明では、中心周波数のズレに比例して低周波発振信号成分の大きさも変化する
。このずれが、第３の制御手段によって同期検波され、フィルタにより直流電圧として検
出される。これにより、フィルタの出力電圧に基づき、ＡＧＣアンプの利得を制御してや
れば、ＡＧＣアンプにフィードバック制御が働き、それに伴いバイアス電流が変動し、原
子吸収のボトムになるよう光源への入力振幅が制御される。
【００１１】
［適用例３］前記マイクロ波発生手段の出力電圧を増幅する増幅手段に替わって、前記
マイクロ波発生手段の出力電圧を歪ませる歪み発生回路を備えたことを特徴とする。
【００１２】
高調波成分の振幅が制御され、原子吸収のボトムになるように制御されれば、他の手段
でも構わない。そこで本発明では、マイクロ波発生手段の出力電圧を増幅する増幅手段に
替わって、マイクロ波発生手段の出力電圧を歪ませる歪み発生回路により行う。即ち、マ
イクロ波発生手段の出力を遷移周波数の１/３の周波数にして、歪み発生回路ではこれを
３逓倍して遷移周波数を取り出す。また、歪み発生回路の制御端子にフィルタの出力電圧
と低周波発振器の出力信号をコンデンサを介して合成する。それにより、制御端子に供給
される直流電圧に応じて歪み量が変化し、高調波（３逓倍）成分の振幅を変化させること
ができる。
【００１３】
［適用例４］前記歪み発生回路が、電流駆動型差動増幅器であり、電流駆動源として、
高速性を保つための定電流源と電圧可変による歪みを発生させるための電流源とを並列接
続したことを特徴とする。
【００１４】
電流駆動型差動増幅器は、制御電圧に比例して３次高調波のレベルが大きくなる特性を
有している。従って、制御電圧としてフィルタの出力電圧と低周波発振器の出力信号をコ
ンデンサを介して合成することにより、可変利得増幅器と同じ動作をさせることができる
。これにより、簡単な回路構成により高調波（３逓倍）成分の振幅を変化させることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る原子発振器の構成を示す図である。
【図２】本発明の原子発振器の動作を説明する原理図である。
【図３】レーザー波長とバイアス電流の関係を示す図である。
【図４】（ａ）はＥＩＴ現象が発生しているときの本発明の原子発振器の動作を詳細に説明する図、（ｂ）は（ａ）のＡ部を拡大した図、（ｃ）はフィルタ１７とＬＤ１の中心周波数の関係を示す図、（ｄ）はフィルタ６とＰＬＬ１１の出力周波数の関係を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る原子発振器の構成を示す図である。
【図６】歪み発生回路の一例を示す回路図である。
【図７】（ａ）は歪み発生回路から出力される高周波信号のスペクトルを表す図、（ｂ）は３次高調波のレベルとＶｇ＿ｉｎの関係を表す図である。
【図８】従来のＥＩＴ方式の原理を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記
載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限
り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
【００１７】
図１は本発明の第１の実施形態に係る原子発振器の構成を示す図である。この原子発振
器１００は、半導体レーザーにより構成されるＬＤ（光源）１と、ＬＤ１に直流電流を与
え、ＬＤ１の波長を所定の値に設定する中心波長設定部１３と、アルカリ金属原子が封止
されたガスセル２と、ガスセル２の透過光を検出するＰＤ（光検出器）３と、ＰＤ３の電
流出力を増幅し電圧に変換する増幅器ＡＭＰ４と、ＡＭＰ４に含まれる低周波信号（約１
００Ｈｚ）と低周波発振器８の信号を同期検波し、誤差電圧を生成する乗算器５と、乗算
器５の出力に含まれる交流成分を除去するフィルタ６と、乗算器５に入力される二つの信
号間の位相差を０度にする位相回路７と、約１００Ｈｚの低周波信号を出力する低周波発
振器８と、同期制御部２１からの制御信号に従い、出力周波数が制御される電圧制御水晶
発振器９と、電圧制御水晶発振器９の出力信号を低周波発信器８の出力信号にて位相変調
する位相変調部１０と、位相変調部１０の出力信号を逓倍し、４．５９６ＧＨｚのマイク
ロ波信号を生成するＰＬＬ１１と、約１０ｋＨｚの低周波を発振する低周波発振器１４と
、乗算器１６に入力される二つの信号間の位相差を０度にする位相回路１５と、ＡＭＰ４
に含まれる低周波信号（約１０ｋＨｚ）と低周波発振器１４の信号を同期検波し、誤差電
圧を生成する乗算器１６と、乗算器１６の出力に含まれる交流成分を除去するフィルタ１
７と、ＰＬＬ１１の出力電圧を増幅する増幅器ＡＭＰ１９と、を備えて構成される。また
、フィルタ１７の出力電圧は、ＡＭＰ１９のゲインコントロール端子に接続され、そこに
コンデンサ１８を介して低周波発振器１４から約１０ｋＨｚの低周波信号を加算する。
尚、電圧制御水晶発振器９の周波数を制御する制御信号を生成する同期制御部２１は、
乗算器５、フィルタ６、位相回路７、及び低周波発振器８により構成される。また、原子
発振器１００の出力信号が同期しているか否か判定する同期検出部２０は、低周波発振器
１４、位相回路１５、乗算器１６、及びフィルタ１７により構成される。
【００１８】
図２は本発明の原子発振器の動作を説明する原理図である。本発明に係る原子発振器１
００の動作について図２を参照して説明する。ＬＤ１の直流バイアス電流に対するレーザ
ー光の出力パワーの変化特性（Ｉ−Ｗ特性）は直流バイアス電流がＩｔｈ以下の非線形領
域と、直流バイアス電流がＩｔｈ以上の線形領域を有している。（図２を参照。直流バイ
アス電流がＩｔｈ以下では出力が出ない）。ＬＤ１のＩ−Ｗ特性の線形領域において、Ｌ
Ｄ１に加える直流バイアス電流を変化させると、ＬＤ１から出射されるレーザー光の中心
波長が変化すると共に、出力レベルが変化する。よって、線形領域において直流バイアス
電流に高周波信号（４．６ＧＨｚ）の波形２４（入力波形）を重畳すると、ＬＤ１が出力
するレーザー光は振幅変調と周波数変調が同時に掛かった出力波形２６、２７の状態にな
る（図２、３を参照）。ＬＤ１には、ある一定レベル（Ｉｔｈ）以上のバイアス電流を与
えて、Ｉ−Ｗ特性の線形領域にて動作させることにより一定レベル以上の出力を取り出し
ている。
ＬＤ１に加える直流バイアス電流の設定値は、ＬＤ１から出力されるレーザー光の中心
波長によってほぼ決まる。直流バイアス電流に重畳する高周波信号（４．６ＧＨｚ）の波
形２４の振幅に比例して、ＬＤ１が出力するレーザー光の出力波形２６、２７は、サイド
バンド成分のレベルが大きく変化する。そこで、高周波信号（４．６ＧＨｚ）の波形２４
の振幅を極力大きくして、サイドバンド成分のレベルを大きくするのが望ましい。しかし
ながら、ＬＤの信頼性確保のため、ＬＤへのバイアス電流Ｉｂｉａｓの設定はあまり大き
くできず通常しきい値（Ｉｔｈ）付近に設定されることが多いことから、このような設定
状態で高周波信号（４．６ＧＨｚ）の波形２４の振幅が電流Ｉｔｈより小さい領域にまで
振れるほど過大になると、ＬＤ１が出力するレーザー光の出力波形は歪が生じた形２６と
なるので、歪が無い出力波形２７と比較して常に大きな直流成分（ＤＣオフセット）が発
生した状態になる。このオフセット分を含んだ状態で原子吸収の波長に合わせるが、高周
波信号が外乱（温度など）によってその振幅が変動し、それに伴いオフセット値が大きく
変動し、結果、原子吸収領域から外れることになる（図３の３１）。
【００１９】
そこで、本発明は外乱による高周波信号２４が急激に変動しても、原子吸収ボトムから
外れないよう、高周波信号２４の振幅を常に制御していることを特徴としている。即ち、
低周波発振器１４（約１０ｋＨｚ）の出力信号をコンデンサ１８によってＡＧＣアンプ１
９の入力端子に供給する。このとき、ＡＧＣアンプ１９の利得が１０ｋＨｚの周期で変化
する。これに伴い、ＡＧＣアンプ１９の出力振幅（高周波信号の振幅）が１０ｋＨｚで脈
動する（図２の符号２８）。これをＬＤ出力で見ると、サイドバンドのレベルが１０ｋＨ
ｚの周期で脈動しているように見える。
もし、高周波信号（４．６ＧＨｚ）２４の振幅が適正であれば、バイアスオフセットが
原子吸収ボトムで変調が掛かっているため、ＬＤ１の中心周波数にズレが生じない（図２
の波形２７）。このとき、ＰＤ３の出力を見ると２０ｋＨｚの脈動成分のみが観測される
（ＬＤ１の中心波長が吸収のボトム２１を中心として変化するため）。ところが、高周波
信号（４．６ＧＨｚ）２４の振幅が過大になると、ＬＤ１の変調歪みの大きさに応じてＬ
Ｄ１の中心周波数にズレが生じ原子吸収ボトムから外れる。このとき、ＰＤ３の出力を見
ると脈動成分の中に１０ｋＨｚの成分が含まれ、中心周波数のズレに比例してこの１０ｋ
Ｈｚ成分の大きさも変化する（ＬＤ１の中心波長が吸収のボトム２１から外れるため）。
このずれが、同期制御部２０によって同期検波され、直流電圧として検出される（フィル
タ１７の出力）。よって、フィルタ１７の出力電圧に基づき、ＡＧＣアンプ１９の利得を
制御してやれば、ＡＧＣアンプ１９にフィードバック制御が働き、ＬＤ１に対して線形領
域の範囲で変調が掛かるように、ＬＤ１への入力振幅が制御される。即ち、ＬＤ１に対し
て変調歪みが生じないように、高周波信号２４の振幅が制御されるのである。
【００２０】
図４（ａ）はＥＩＴ現象が発生しているときの本発明の原子発振器の動作を詳細に説明
する図である。波形３３は、中心周波数が合っていると、低周波発振器１４の２倍の周波
数（２０ｋＨｚ）で振幅が脈動する。また、中心周波数がずれるにつれて１０ｋＨｚの成
分が増加する。波形３４は、低周波発振器１４の信号によって、ＡＧＣアンプ１９のゲイ
ンを１０ｋＨｚの周期で変化させる。これに応じてサイドバンドのレベルが１０ｋＨｚの
周期で脈動する。中心周波数が合っていれば、２０ｋＨｚの周波数で脈動する。一方、中
心周波数がずれれば、脈動に１０ｋＨｚの成分が含まれるようになり、これを低周波発振
器１４（１０ｋＨｚ）の信号によって同期検波し、制御信号として取り出す。なお、ＥＩ
Ｔ信号の幅が極めて狭く、低周波発振器１４の信号と低周波発振器８の出力信号とは周波
数が異なり同期していないため、ＥＩＴ信号は同期制御部２０によって検出されることは
ない。
【００２１】
図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ部を拡大した図である。ＬＤ１に対して４．６ＧＨｚの信
号（ＰＬＬ１１の出力）で位相変調を与える。このとき、ＰＬＬ１１の出力信号にも低周
波発振器８の出力信号３８によって、周期１１１Ｈｚの浅い位相変調がかかっている。Ｐ
ＬＬ１１の出力信号の周波数が周期１１１Ｈｚで変化していると考えればよい。ＥＩＴ信
号３６の線幅は極めて小さいので、周波数範囲（同期制御部２１の周波数制御範囲）は極
めて狭くなっている。
図４（ｃ）はフィルタ１７とＬＤ１の中心周波数の関係を示す図である。この特性３９
は、比較的広い周波数範囲でフィルタ１７の出力電圧に対してＬＤ１の中心周波数が変化
することがわかる。図４（ｄ）はフィルタ６とＰＬＬ１１の出力周波数の関係を示す図で
ある。この特性４０は、比較的狭い周波数範囲でフィルタ６の出力電圧に対してＰＬＬ１
１の出力周波数が変化することがわかる。
【００２２】
図５は本発明の第２の実施形態に係る原子発振器の構成を示す図である。同じ構成要素
には図１と同じ参照番号を付し、説明を省略する。この原子発振器１１０が図１の原子発
振器１００と異なる点は、ＰＬＬ１１の出力電圧を増幅するＡＭＰ１９に替えて、ＰＬＬ
１１の出力電圧を歪ませる歪み発生回路２０を備えた点である。歪み発生回路２０には電
圧により高調波レベルを可変するＶｇｉｎ端子を備え、その端子にフィルタ１７の出力を
接続する。
即ち、ＰＬＬ１１の出力を４．６ＧＨｚの１/３の周波数にする。そして、歪み発生回
路２０ではこれを３逓倍して４．６ＧＨｚを取り出している。また、Ｖｇ＿ｉｎ端子にフ
ィルタ１７の出力電圧＋低周波発振器１４の出力信号をコンデンサ１８を介して供給する
。それにより、Ｖｇ＿ｉｎ端子に供給される直流電圧に応じて歪み量が変化し、高調波（
３逓倍）成分の振幅が変化する。その結果、図１のＡＧＣアンプ１９と同様に、高調波成
分の振幅が制御され、ＬＤ１の中心周波数（中心波長）が原子吸収ボトムから外れないよ
う制御される。
【００２３】
図６は歪み発生回路の一例を示す回路図である。この歪み発生回路４１は、トランジス
タ４２、４６で構成される電流駆動型差動増幅器であり、電流駆動源として、高速性を保
つための定電流源４４と電圧可変（Ｖｇ＿ｉｎ）による歪みを発生させるための電流源４
３とを並列接続した。そして、ＩＮ±には４．６ＧＨｚの１／３（ｆ０＝約１．５ＧＨｚ
）の周波数を入力し、Ｖｇ＿ｉｎ端子にはフィルタ１７からの出力電圧とコンデンサ１８
を介して低周波発振器１４からの約１０ｋＨｚの信号を入力する。その結果、ＯＵＴには
、高調波（歪）成分４．６ＧＨｚを含んだ高周波信号が出力される。
【００２４】
図７（ａ）は歪み発生回路から出力される高周波信号のスペクトルを表す図、（ｂ）は
３次高調波のレベルとＶｇ＿ｉｎの関係を表す図である。図７（ｂ）より、Ｖｇ＿ｉｎに
比例して３次高調波のレベルが高くなることが特性４７から分かる。即ち、Ｖｇ＿ｉｎの
レベルにより３次高調波のレベルが変化するので、３次高調波を遷移周波数若しくはその
１／２として使用することにより、高調波成分の振幅が制御され、原子吸収ボトムから外
れないようＬＤ１の中心周波数（中心波長）が制御される。
【符号の説明】
【００２５】
１  ＬＤ、２  ガスセル、３  ＰＤ、４  ＡＭＰ、５  乗算器、６  フィルタ、７  位
相回路、８  低周波発振器、９  電圧制御水晶発振器、１０  位相変調部、１１  ＰＬＬ
、１３  中心波長設定部、１４  低周波発振器、１５  位相回路、１６  乗算器、１７  
フィルタ、１８  コンデンサ、１９  ＡＧＣアンプ、２０  同期制御部、２１  同期制御
部、１００  原子発振器
【図１】
2011091476.tif 000003
【図２】
2011091476.tif 000004
【図３】
2011091476.tif 000005
【図４】
2011091476.tif 000006
【図５】
2011091476.tif 000007
【図６】
2011091476.tif 000008
【図７】
2011091476.tif 000009
【図８】
2011091476.tif 000010