(57)【要約】【課題】スペーサによる光漏れを抑制しつつ開口率を向上させる。【解決手段】表示装置の製造方法は、表面１０１の上方にトランジスタ１１０が形成された透明基板１００の表面１０１の上方に、トランジスタ１１０を覆うポジ型フォトレジスト１３０を形成する工程と、ポジ型フォトレジスト１３０が形成された透明基板１００に対して、透明基板１００の裏面１０２側から光を照射し、ポジ型フォトレジスト１３０を露光する工程と、露光されたポジ型フォトレジスト１３０を現像してトランジスタ１１０の上方に位置するポジ型フォトレジスト１３０を選択的に残すことにより、スペーサ１５０を形成する工程と、透明基板１００の表面１０１の上方に、スペーサ１５０を介して透明基板２００を積層する工程と、を有する。【選択図】図２
2011242506.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の上方にトランジスタが形成された第１の透明基板の前記表面の上方に、前記トランジスタを覆うポジ型フォトレジストを形成する工程と、
前記ポジ型フォトレジストが形成された前記第１の透明基板に対して、前記第１の透明基板の裏面側から光を照射し、前記ポジ型フォトレジストを露光する工程と、
露光された前記ポジ型フォトレジストを現像して前記トランジスタの上方に位置する前記ポジ型フォトレジストを選択的に残すことにより、スペーサを形成する工程と、
前記第１の透明基板の前記表面の上方に、前記スペーサを介して第２の透明基板を積層する工程と、
を有する
表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記ポジ型フォトレジストが形成された前記第１の透明基板に対して、前記表面側からマスクを介して光を照射し、前記ポジ型フォトレジストを選択的に露光する工程を有する
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の透明基板の前記表面の上方には、遮光性を備える遮光パターンが形成され、
前記ポジ型フォトレジストは、前記トランジスタと前記遮光パターンとを覆って形成され、
露光された前記ポジ型フォトレジストを現像して前記トランジスタおよび前記遮光パターンの上方に位置する前記ポジ型フォトレジストを選択的に残すことにより、前記スペーサおよび配向核を形成する、
請求項２記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記遮光パターンの上方に位置する前記ポジ型フォトレジストを、ハーフ露光する工程を有する
請求項３記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記スペーサは、前記トランジスタを構成するドレイン電極の上方に位置する
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の透明基板と前記第２の透明基板との間には、前記スペーサを包囲する液晶層が形成される
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記トランジスタは、遮光性を備える金属パターンを有する
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の透明基板の表面の上方にはカラーフィルタが形成され、
前記第１の透明基板の前記表面と前記第２の透明基板の前記表面とが対向するように、前記第１の透明基板の前記表面の上方に、前記第２の透明基板が積層される
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
表面の上方にトランジスタが形成された第１の透明基板と、
前記第１の透明基板の前記表面の上方に形成され、前記トランジスタを構成するドレイン電極の上方に位置し、ポジ型フォトレジストを材料とするスペーサと、
前記第１の透明基板の前記表面の上方に、前記スペーサを包囲して形成された液晶層と、
前記第１の透明基板の前記表面の上方に、前記スペーサおよび前記液晶層を介して積層された第２の透明基板と、
を有する
表示装置。
【請求項１０】
前記第１の透明基板の前記表面の上方に形成された遮光性を備える遮光パターンと、
前記第１の透明基板の前記表面の上方に形成され、前記遮光パターンの上方に位置し、ポジ型フォトレジストを材料とする配向核と、
を有する
請求項９記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法、および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明基板にＴＦＴ（Thin Film Transistor）等のトランジスタが複数個アレイ状に形成されたアレイ基板と、アレイ基板の上方に液晶層を介して積層され、透明基板にカラーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板とを有する表示装置が存在する。
【０００３】
この表示装置では、アレイ基板とカラーフィルタ基板との間に、液晶層を形成するためのスペースを確保するため、複数のスペーサが配置されている。スペーサが存在する領域には液晶層が形成されていないため、スペーサを透過した光が常に漏れてしまい、コントラストが低下してしまう可能性がある。
【０００４】
このため、アレイ基板において、スペーサの配置領域に対応する領域に、光を遮る遮光パターンが形成される。しかしながら、この構成では、遮光パターンを形成するための領域を、アレイ基板に新たに設ける必要があるため、画素中の光透過領域、すなわち、開口領域が低減してしまう。つまり、画素の開口率が低減してしまう。
【０００５】
これに対して、スペーサを、アレイ基板のＴＦＴが形成された領域の上方に配置する技術がある。ＴＦＴは光を遮る金属パターンを有しているため、ＴＦＴは遮光領域として機能する。このため、スペーサをＴＦＴが形成された領域の上方に配置することで、ＴＦＴを、スペーサによる光漏れ対策用の遮光パターンとして流用することができる。この技術では、アレイ基板に、遮光パターンを形成するための領域を新たに設ける必要がないため、画素の開口率を向上させることが可能となる。
【０００６】
例えば、アクティブ素子側基板に形成されたアクティブ素子の上方に、アクティブ素子側基板と対向側基板との間隙を制御するギャップ制御層が形成された技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
また、スペーサの製造方法の１つとして、遮光層が形成されている基板上に、感光性樹脂を形成し、これに対し遮光層をマスクとして基板の裏面側から露光した後、現像焼成処理して遮光層上に選択的にスペーサを形成する技術がある（例えば、特許文献２参照）。また、平行基板間の突起体を、基板上のブラックマトリクスパターンをマスクとして用い、線状光で背面露光パターニングして形成する技術がある（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−６２７８９号公報
【特許文献２】特開平５−３０７１８１号公報
【特許文献３】特開平７−１２０７６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１の技術では、スペーサとなるギャップ制御層を対向側基板に形成した後、アクティブ素子側基板と対向側基板とを重ね合わせているため、重ね合わせ精度の誤差により、ギャップ制御層がアクティブ素子が形成された領域からずれて光透過領域にはみ出してしまい、はみ出したギャップ制御層から光りが漏れてしまう可能性がある。
【００１０】
このような点に鑑み、本発明は、スペーサによる光漏れを抑制しつつ開口率を向上させた表示装置の製造方法、および表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために以下のような表示装置の製造方法、および表示装置が提供される。
この表示装置の製造方法は、表面の上方にトランジスタが形成された第１の透明基板の表面の上方に、トランジスタを覆うポジ型フォトレジストを形成する工程と、ポジ型フォトレジストが形成された第１の透明基板に対して、第１の透明基板の裏面側から光を照射し、ポジ型フォトレジストを露光する工程と、露光されたポジ型フォトレジストを現像してトランジスタの上方に位置するポジ型フォトレジストを選択的に残すことにより、スペーサを形成する工程と、第１の透明基板の表面の上方に、スペーサを介して第２の透明基板を積層する工程と、を有する。
【００１２】
また、この表示装置は、表面の上方にトランジスタが形成された第１の透明基板と、第１の透明基板の表面の上方に形成され、トランジスタを構成するドレイン電極の上方に位置し、ポジ型フォトレジストを材料とするスペーサと、第１の透明基板の表面の上方に、スペーサを包囲して形成された液晶層と、第１の透明基板の表面の上方に、スペーサおよび液晶層を介して積層された第２の透明基板と、を有する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の表示装置の製造方法、および表示装置によれば、スペーサによる光漏れを抑制しつつ開口率を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図２】第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図３】第１の実施の形態に係るアレイ基板の金属パターンのレイアウトの一例を示す平面図である。
【図４】第１の実施の形態に係るアレイ基板の遮光領域のレイアウトの一例を示す平面図である。
【図５】第１の実施の形態に係るアレイ基板の一例を示す断面図である。
【図６】第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図７】第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、実施の形態を図面を参照して説明する。
［第１の実施の形態］
図１は、第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。図２は、第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。以下、図１のフローチャートに沿って、図２の工程図を用いながら第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法について説明する。
【００１６】
まず、アレイ基板側の製造方法について説明する。
［ステップＳ１０］図２（Ａ）に示すように、透明基板１００の表面１０１の上方に、トランジスタ１１０を形成する。透明基板１００には、例えば、ガラス基板が用いられる。トランジスタ１１０には、例えば、ＴＦＴが用いられる。透明基板１００にはアレイ状に多数の画素領域が設けられ、トランジスタ１１０は、画素領域毎に形成されている。トランジスタ１１０は、画素領域毎に設けられる透明電極（図示せず）への電力の供給を制御するスイッチング素子として機能する。
【００１７】
また、トランジスタ１１０は、光を遮る金属パターンにより構成されたゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有している。このような金属パターンにより、トランジスタ１１０は、光を遮る遮光パターンとして機能する。
【００１８】
なお、透明基板１００の表面１０１の上方には、トランジスタ１１０を覆うように、平坦化膜１２０が形成される。この平坦化膜１２０には、パッシベーション用途として機能する無機膜や平坦化用途として機能する有機膜が用いられ、また、両方を重ねて用いてもよい。この平坦化膜１２０の上には液晶の配向を制御するための各液晶モードに準じた画素電極などが形成される。ここで、透明基板１００の表面１０１の上方に、トランジスタ１１０と平坦化膜１２０と各液晶モードに準じた画素電極構造が形成されたものを、アレイ基板１００ａとする。
【００１９】
［ステップＳ１１］次に、アレイ基板１００ａの上方に、ポジ型フォトレジスト１３０を形成する。ポジ型フォトレジスト１３０は、感光剤として、例えば、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を含む。また、ポジ型フォトレジスト１３０には、例えば、アクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルを含む共重合体が樹脂として用いられる。ポジ型フォトレジスト１３０は、例えば、スピンコート法を用いて、液状のポジ型フォトレジスト１３０をアレイ基板１００ａの上方に塗布することで形成される。
【００２０】
［ステップＳ１２］次に、図２（Ｂ）に示すように、ポジ型フォトレジスト１３０が形成されたアレイ基板１００ａに対して、透明基板１００の裏面１０２側から光を照射し、ポジ型フォトレジスト１３０を露光する。露光は、例えば、ｉ〜ｇ線を主波長とした光を、露光量が、４００ｍＪ／ｃｍ2となる条件で照射することで行われる。
【００２１】
この露光により、ポジ型フォトレジスト１３０のうち、トランジスタ１１０の上方を除く領域が感光する。ポジ型フォトレジスト１３０のうち、トランジスタ１１０の上方に位置する領域は、トランジスタ１１０により露光の光が遮られるため、感光しない。すなわち、トランジスタ１１０がマスクとなり、ポジ型フォトレジスト１３０が自己整合により選択的に露光される。
【００２２】
［ステップＳ１３］次に、図２（Ｃ）に示すように、ポジ型フォトレジスト１３０が形成されたアレイ基板１００ａに対して、透明基板１００の表面１０１側からマスク１４０を介して光を照射し、ポジ型フォトレジスト１３０を選択的に露光する。露光は、例えば、ｉ〜ｇ線を主波長とした光を、露光量が、２００ｍＪ／ｃｍ2となる条件で照射することで行われる。露光は、ステッパー等、アライメントが可能な露光パターニング装置を用いて行われる。
【００２３】
この露光により、ポジ型フォトレジスト１３０のうち、トランジスタ１１０以外の金属パターンの存在により上記のステップＳ１２の露光時に感光されていない領域や、パッド領域の上方等、最終的にポジ型フォトレジスト１３０を残したくない領域を、選択的に感光させる。なお、このステップＳ１３は、上述したステップＳ１２と順番を入れ替えることも可能である。
【００２４】
［ステップＳ１４］次に、図２（Ｄ）に示すように、露光されたポジ型フォトレジスト１３０を現像する。現像により、ステップＳ１２の露光、および、ステップＳ１３の露光により感光したポジ型フォトレジスト１３０は除去され、トランジスタ１３０の上方に位置するポジ型フォトレジスト１３０が選択的に残り、スペーサ１５０となる。
【００２５】
［ステップＳ１５］次に、スペーサ１５０に対して、ＵＶ（ultraviolet）キュアを行う。これにより、スペーサ１５０のポストベーク工程での熱リフローによる変形を抑制することが可能となる。なお、スペーサ１５０が十分に高いガラス転移点を有する材料で形成されている場合は、ＵＶキュアを行わなくてもよい。
【００２６】
［ステップＳ１６］次に、スペーサ１５０に対して、ポストベークを行い、スペーサ１５０を本焼成する。
［ステップＳ１７］次に、アレイ基板１００ａの上方に配向膜（図示せず）を印刷により形成する。
【００２７】
［ステップＳ１８］次に、アレイ基板１００ａに形成された配向膜に対して、必要に応じてラビングを行う。
次に、カラーフィルタ基板側の製造方法について説明する。
【００２８】
［ステップＳ１９］まず、図２（Ｅ）に示すように、透明基板２００の表面２０１の上方に、カラーフィルタ（ＣＦ：Color Filter）２１０を形成する。透明基板２００には、例えば、ガラス基板、または、ポリカーボネート基板等が用いられる。カラーフィルタ２１０は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三原色を持つ染料、または、顔料を含む樹脂膜で構成される。ここで、透明基板２００の表面２０１の上方に、カラーフィルタ２１０が形成されたものを、カラーフィルタ基板２００ａとする。
【００２９】
［ステップＳ２０］次に、カラーフィルタ基板２００ａの上方に配向膜（図示せず）を印刷により形成する。
［ステップＳ２１］次に、カラーフィルタ基板２００ａに形成された配向膜に対して、必要に応じてラビングを行う。
【００３０】
次に、アレイ基板１００ａとカラーフィルタ基板２００ａとを積層する工程について説明する。
［ステップＳ２２］まず、アレイ基板１００ａ、または、カラーフィルタ基板２００ａのどちらか一方の上方に、シール材（図示せず）を供給する。シール材は、アレイ基板１００ａ、または、カラーフィルタ基板２００ａの外周に沿って描画される。
【００３１】
［ステップＳ２３］次に、図２（Ｆ）に示すように、アレイ基板１００ａの上方に、スペーサ１５０を介してカラーフィルタ基板２００ａを積層する。ここで、透明基板１００の表面１０１と、透明基板２００の表面２０１とが対向するように、カラーフィルタ基板２００ａは、アレイ基板１００ａの上方に積層される。すなわち、アレイ基板１００ａとカラーフィルタ基板２００ａとは、シール材により貼り合わされる。
【００３２】
これにより、アレイ基板１００ａと、カラーフィルタ基板２００ａとの間は、スペーサ１５０により所定の間隔に保たれる。なお、第１の実施の形態では、スペーサ１５０は、アレイ基板１００ａの上方に形成されたポジ型フォトレジスト１３０を、パターニングすることにより形成される。このため、例えば、個別に形成されたスペーサ１５０を用いる場合と比べて、スペーサ１５０間の高さの均一性を向上させることができる。また、スペーサ材料としてポジ型フォトレジストを使用しているため、仮にカラーフィルタ基板２００ａ側が複雑な段差構造を有していたとしても、表面からの選択的なハーフ露光によって自在にスペーサ１５０の高さを合わせ込むことができる。これにより、アレイ基板１００ａとカラーフィルタ基板２００ａとの間隔を均一にすることが可能となる。
【００３３】
アレイ基板１００ａとカラーフィルタ基板２００ａとの間には、スペーサ１５０を包囲するように液晶層１６０が形成される。液晶層１６０は、アレイ基板１００ａとカラーフィルタ基板２００ａとを積層する前に、どちらか一方の基板に液晶材を供給することで形成される。または、液晶層１６０は、アレイ基板１００ａとカラーフィルタ基板２００ａとを積層した後に、アレイ基板１００ａとカラーフィルタ基板２００ａとの間に、液晶材を供給することで形成される。
【００３４】
以上のようにして、表示装置が製造される。なお、表示装置において、表示用の光、すなわち、バックライトは、透明基板１００の裏面１０２側から照射される。
次に、アレイ基板１００ａに形成されたトランジスタ１１０を含む金属パターンのレイアウトについて説明する。
【００３５】
図３は、第１の実施の形態に係るアレイ基板の金属パターンのレイアウトの一例を示す平面図である。
透明基板１００の表面１０１の上方には、複数のゲート線３００と、複数の信号線３１０とが形成されている。複数のゲート線３００と複数の信号線３１０とは、互いに交差するように延在している。ゲート線３００は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）により構成され、信号線３１０は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）により構成される。透明基板１００の表面１０１には、ゲート線３００と信号線３１０とで囲まれた複数の画素領域３２０がアレイ状に設けられている。
【００３６】
画素領域３２０には、ゲート線３００から分岐するように形成されたゲート電極３３０と、信号線３１０と電気的に接続しているソース電極３４０と、ドレイン電極３５０とが配置されている。ソース電極３４０とドレイン電極３５０とは、例えば、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）との積層膜により構成される。ゲート電極３３０と、ソース電極３４０と、ドレイン電極３５０とにより、トランジスタ１１０が構成される。なお、ドレイン電極３５０は、画素領域３２０の上方に形成される透明電極（図示せず）と電気的に接続される。
【００３７】
これらの金属パターンは、光を遮るため、金属パターンが配置された領域は、遮光領域となる。
図４は、第１の実施の形態に係るアレイ基板の遮光領域のレイアウトの一例を示す平面図である。
【００３８】
図４に示すように、アレイ基板１００ａのうち、ゲート線３００、信号線３１０、ゲート電極３３０、ソース電極３４０、および、ドレイン電極３５０が配置されている領域は、すべて遮光領域３６０となる。そして、遮光領域３６０以外の領域が、光を透過する光透過領域、すなわち、開口領域３７０となる。ここで、画素領域３２０における開口領域３７０の割合を、開口率と称す。
【００３９】
上述したステップＳ１２の裏面露光では、この遮光領域３６０の上方に位置するポジ型フォトレジスト１３０は感光されず、開口領域３７０の上方に位置するポジ型フォトレジスト１３０が感光される。
【００４０】
さらに、上述したステップＳ１３の露光では、遮光領域３６０の上方に位置するポジ型フォトレジスト１３０のうち、除去したい領域、すなわち、スペーサ１５０を形成したくない領域のポジ型フォトレジスト１３０に対して選択的に光が照射される。例えば、ゲート線３００、および、信号線３１０の上方に位置するポジ型フォトレジスト１３０は露光される。
【００４１】
ゲート線３００、および、信号線３１０の上方の全てにわたってスペーサ１５０が形成されると、アレイ基板１００ａの上方に液晶材を供給した際、液晶材がスペーサ１５０にせき止められ、アレイ基板１００ａにむらなく液晶材を供給できない可能性がある。また、ゲート線３００、および、信号線３１０は、線幅が細いため、ゲート線３００および信号線３１０の上方に形成されたスペーサ１５０も幅が細くなり、不安定となって倒れてしまう可能性がある。
【００４２】
第１の実施の形態では、スペーサ１５０は、比較的面積の広い、ゲート電極３３０、ソース電極３４０、および、ドレイン電極３５０の上方に形成される。これにより、倒れにくく安定したスペーサ１５０を形成することが可能となる。特に、ドレイン電極３５０は、面積が大きいため、ドレイン電極３５０の上方にスペーサ１５０を配置させることが望ましい。
【００４３】
このように、第１の実施の形態では、スペーサ１５０を遮光領域３６０の上方に形成する。このため、スペーサ１５０による光漏れ対策用の遮光パターンを新たに設ける必要がないため、開口率を向上させることが可能となる。例えば、スペーサ１５０を、図４に示す開口領域３７０に位置する領域３７１に配置した場合、この領域３７１に遮光パターンを設ける必要があり、開口領域３７０の面積が小さくなり、開口率が低減してしまう。
【００４４】
次に、アレイ基板１００ａにおけるトランジスタ１１０の詳細について説明する。
図５は、第１の実施の形態に係るアレイ基板の一例を示す断面図である。
透明基板１００の表面１０１の上方には、ゲート電極３３０が形成されている。さらに、表面１０１の上方には、ゲート電極３３０を覆うように、ゲート絶縁膜３８０が形成されている。さらに、ゲート絶縁膜３８０の上方に、ゲート電極３３０を横切るように半導体層３９０が形成されている。半導体層３９０には、ゲート電極３３０を挟んだ領域に、ソース領域３９１とドレイン領域３９２とが設けられている。
【００４５】
さらに、透明基板１００の表面１０１の上方には、半導体層３９０を覆うように層間絶縁膜４００が形成されている。層間絶縁膜４００には、半導体層３９０のソース領域３９１を露出するコンタクトホール４０１と、ドレイン領域３９２を露出するコンタクトホール４０２とが設けられている。
【００４６】
さらに、層間絶縁膜４００の上方には、ソース電極３４０とドレイン電極３５０とが形成されている。ソース電極３４０は、コンタクトホール４０１を介して半導体層３９０のソース領域３９１と電気的に接続され、ドレイン電極３５０は、コンタクトホール４０２を介して半導体層３９０のドレイン領域３９２と電気的に接続されている。さらに、層間絶縁膜４００の上方には、ソース電極３４０、および、ドレイン電極３５０を覆うように、平坦化膜１２０が形成されている。この平坦化膜１２０には、パッシベーション用途として機能する無機膜や平坦化用途として機能する有機膜が用いられ、また、両方を重ねて用いてもよい。この平坦化膜１２０の上には液晶の配向を制御するための各液晶モードに準じた画素電極などが形成される。
【００４７】
これらが形成されたアレイ基板１００ａの上方には、複数のスペーサ１５０が形成されている。各スペーサ１５０はそれぞれ、ゲート電極３３０、ソース電極３４０、および、ドレイン電極３５０の上方に位置している。各スペーサ１５０は、上述したステップＳ１２における、ゲート電極３３０、ソース電極３４０、および、ドレイン電極３５０をマスクとした露光と、上述したステップＳ１４における現像により、自己整合的にパターニングされる。
【００４８】
このため、各スペーサ１５０は、ゲート電極３３０、ソース電極３４０、および、ドレイン電極３５０の上方に、位置精度よく配置されている。すなわち、各スペーサ１５０は、開口領域３７０にはみ出すことなく配置されている。
【００４９】
なお、各スペーサ１５０を、ゲート電極３３０、ソース電極３４０、および、ドレイン電極３５０よりも小さくするには、例えば、上述したステップＳ１２における露光の露光量を増大させればよい。露光量を増大させることで、感光が横方向にも進むため、各スペーサ１５０の幅は細くなる。
【００５０】
以上説明したように、第１の実施の形態では、トランジスタ１１０が形成された透明基板１００に、ポジ型フォトレジスト１３０を形成する工程と、ポジ型フォトレジスト１３０が形成された透明基板１００に対して、裏面１０２側から光を照射し、ポジ型フォトレジスト１３０を露光する工程とを有する。
【００５１】
これによれば、トランジスタ１１０をマスクとして、ポジ型フォトレジスト１３０が自己整合的に感光される。このため、トランジスタ１１０上に位置精度よくスペーサ１５０を配置させることが可能となる。
【００５２】
すなわち、スペーサ１５０を、開口領域３７０にはみ出すことなく形成することが可能となり、スペーサ１５０による光漏れを抑制することが可能となる。
また、スペーサ１５０は、トランジスタ１１０の上方に形成されるため、アレイ基板１００ａに、スペーサ１５０による光漏れ対策用の遮光パターンを新たに設ける必要がないため、開口率を向上させることが可能となる。
【００５３】
次に、第１の実施の形態の表示装置の製造方法を配向核の形成に適用した実施の形態を、第２の実施の形態として説明する。
［第２の実施の形態］
図６は、第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。図７は、第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。以下、図６のフローチャートに沿って、図７の工程図を用いながら第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法について説明する。
【００５４】
まず、アレイ基板側の製造方法について説明する。
［ステップＳ３０］図７（Ａ）に示すように、透明基板１００の表面１０１の上方に、トランジスタ１１０と遮光パターン１１１とを形成する。遮光パターン１１１は、配向核形成領域に配置される。遮光パターン１１１は、例えば、モリブデンやチタン等の金属パターンにより形成される。また、例えば、遮光パターン１１１とトランジスタ１１０とは、同じ金属層をパターニングすることにより形成される。
【００５５】
透明基板１００の表面１０１の上方には、トランジスタ１１０および遮光パターン１１１を覆うように、平坦化膜１２０が形成される。この平坦化膜１２０には、パッシベーション用途として機能する無機膜や平坦化用途として機能する有機膜が用いられ、また、両方を重ねて用いてもよい。この平坦化膜１２０の上には液晶の配向を制御するための各液晶モードに準じた画素電極などが形成される。ここで、透明基板１００の表面１０１の上方に、トランジスタ１１０と平坦化膜１２０と各液晶モードに準じた画素電極構造が形成されたものを、アレイ基板１００ｂとする。
【００５６】
［ステップＳ３１］次に、アレイ基板１００ｂの上方に、ポジ型フォトレジスト１３０を形成する。
［ステップＳ３２］次に、図７（Ｂ）に示すように、ポジ型フォトレジスト１３０が形成されたアレイ基板１００ｂに対して、透明基板１００の裏面１０２側から光を照射し、ポジ型フォトレジスト１３０を露光する。
【００５７】
この露光により、ポジ型フォトレジスト１３０のうち、トランジスタ１１０および遮光パターン１１１の上方を除く領域が感光する。ポジ型フォトレジスト１３０のうち、トランジスタ１１０および遮光パターン１１１の上方に位置する領域は、トランジスタ１１０および遮光パターン１１１により露光の光が遮られるため、感光しない。すなわち、トランジスタ１１０および遮光パターン１１１がマスクとなり、ポジ型フォトレジスト１３０が自己整合により選択的に露光される。
【００５８】
［ステップＳ３３］次に、図７（Ｃ）に示すように、ポジ型フォトレジスト１３０が形成されたアレイ基板１００ｂに対して、透明基板１００の表面１０１側からマスク１４１を介して光を照射し、ポジ型フォトレジスト１３０を選択的に露光する。
【００５９】
この露光により、ポジ型フォトレジスト１３０のうち、トランジスタ１１０以外の金属パターンの存在により上記のステップＳ３２の露光時に感光されていない領域や、パッド領域の上方等、最終的にポジ型フォトレジスト１３０を残したくない領域を、選択的に感光させる。
【００６０】
さらに、このとき、配向核形成領域に位置するポジ型フォトレジスト１３０に対して、ハーフ露光を行う。
なお、このステップＳ３３は、上述したステップＳ３２と順番を入れ替えることも可能である。
【００６１】
［ステップＳ３４］次に、図７（Ｄ）に示すように、露光されたポジ型フォトレジスト１３０を現像する。現像により、ステップＳ３２の露光、および、ステップＳ３３の露光により感光したポジ型フォトレジスト１３０は除去され、トランジスタ１１０の上方に位置するポジ型フォトレジスト１３０が選択的に残り、スペーサ１５０となる。また、遮光パターン１１１の上方に位置するポジ型フォトレジスト１３０も、選択的に残り、配向核１５１となる。なお、配向核１５１は、ポジ型フォトレジスト１３０がハーフ露光されている関係で、スペーサ１５０よりも高さが低くなる。
【００６２】
［ステップＳ３５］次に、スペーサ１５０および配向核１５１に対して、ＵＶキュアを行う。これにより、スペーサ１５０および配向核１５１のポストベーク工程での熱リフローによる変形を抑制することが可能となる。なお、スペーサ１５０および配向核１５１が十分に高いガラス転移点を有している場合は、ＵＶキュアを行わなくてもよい。
【００６３】
［ステップＳ３６］次に、スペーサ１５０および配向核１５１に対して、ポストベークを行い、スペーサ１５０および配向核１５１を本焼成する。
［ステップＳ３７］次に、アレイ基板１００ｂの上方に配向膜（図示せず）を印刷により形成する。
【００６４】
次に、カラーフィルタ基板側の製造方法について説明する。
［ステップＳ３８］まず、図７（Ｅ）に示すように、透明基板２００の表面２０１の上方に、カラーフィルタ２１０を形成する。ここで、透明基板２００の表面２０１の上方に、カラーフィルタ２１０が形成されたものを、カラーフィルタ基板２００ｂとする。
【００６５】
［ステップＳ３９］次に、カラーフィルタ基板２００ｂの上方に、オーバーコート層（図示せず）を形成する。必要に応じてオーバーコート層に段差を形成してもよい。
［ステップＳ４０］次に、カラーフィルタ基板２００ｂの上方に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）パターン（図示せず）を形成する。
【００６６】
［ステップＳ４１］次に、カラーフィルタ基板２００ｂの上方に、突起パターン（図示せず）を形成する。なお、このステップＳ４１は、上述したステップＳ４０と順番を入れ替えることも可能であり、また、どちらか一方のみを形成してもよい。
【００６７】
［ステップＳ４２］次に、カラーフィルタ基板２００ｂの上方に配向膜（図示せず）を印刷により形成する。
次に、アレイ基板１００ｂとカラーフィルタ基板２００ｂとを積層する工程について説明する。
【００６８】
［ステップＳ４３］まず、アレイ基板１００ｂ、または、カラーフィルタ基板２００ｂのどちらか一方の上方に、シール材（図示せず）を供給する。シール材は、アレイ基板１００ｂ、または、カラーフィルタ基板２００ｂの外周に沿って描画される。
【００６９】
［ステップＳ４４］次に、図７（Ｆ）に示すように、アレイ基板１００ｂの上方に、スペーサ１５０を介してカラーフィルタ基板２００ｂを積層する。すなわち、アレイ基板１００ｂとカラーフィルタ基板２００ｂとは、シール材により貼り合わされる。
【００７０】
アレイ基板１００ｂとカラーフィルタ基板２００ｂとの間には、スペーサ１５０を包囲し、かつ、配向核１５１を覆うように液晶層１６０が形成される。
以上のようにして、表示装置が製造される。このように、第２の実施の形態では、スペーサ１５０を形成するための、裏面露光、および、現像工程を用いて、配向核１５１を形成することが可能となる。このため、配向核１５１を形成するための工程を簡略化することが可能となる。
【００７１】
また、第２の実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、スペーサ１５０を、開口領域３７０にはみ出すことなく形成することが可能となり、スペーサ１５０による光漏れを抑制することが可能となる。また、スペーサ１５０は、トランジスタ１１０の上方に形成されるため、アレイ基板１００ｂに、スペーサ１５０による光漏れ対策用の遮光パターンを新たに設ける必要がないため、開口率を向上させることが可能となる。
【符号の説明】
【００７２】
１００，２００……透明基板、１００ａ，１００ｂ……アレイ基板、１０１，２０１……表面、１０２……裏面、１１０……トランジスタ、１１１……遮光パターン、１２０……平坦化膜、１３０……ポジ型フォトレジスト、１４０，１４１……マスク、１５０……スペーサ、１５１……配向核、１６０……液晶層、２００ａ，２００ｂ……カラーフィルタ基板、２１０……カラーフィルタ、３００……ゲート線、３１０……信号線、３２０……画素領域、３３０……ゲート電極、３４０……ソース電極、３５０……ドレイン電極、３６０……遮光領域、３７０……開口領域、３７１……領域、３８０……ゲート絶縁膜、３９０……半導体層、３９１……ソース領域、３９２……ドレイン領域、４００……層間絶縁膜、４０１，４０２……コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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