(57)【要約】【課題】発光面がグラデーション発光する有機ＥＬ装置を提供する。【解決手段】基板１０と、基板１０上に配置された第１電極層１２と、第１電極層１２上に配置された有機ＥＬ層１４と、有機ＥＬ層１４上に配置された第２電極層１６と、第２電極層１６上に配置された封止層２０と、第１電極層１２に接続された第１端子電極１２ａと、第１端子電極１２ａに離隔して、第１電極層１２に接続された第２端子電極１２ｂと、第２電極層１６に接続された第３端子電極１６ａとを備え、第３端子電極１６ａを固定接地電位とし、第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂの電位を制御して、第１電極層１２内の電位分布を制御し、有機ＥＬ層１４の面内発光輝度分布を制御する有機ＥＬ装置。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置された第１電極層と、
前記第１電極層上に配置された有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に配置された第２電極層と、
前記第２電極層上に配置された封止層と、
前記第１電極層に接続された第１端子電極と、
前記第１端子電極に離隔して、前記第１電極層に接続された第２端子電極と、
前記第２電極層に接続された第３端子電極と
を備え、前記第３端子電極を接地電位とし、前記第１端子電極および前記第２端子電極の電位を制御して、前記第１電極層内の電位分布を制御し、前記有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を制御することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記基板は四角形の形状を備え、前記第１端子電極および前記第２端子電極は、互いに対向する辺部に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記第１電極層に離隔して接続される端子電極の数は、３個以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記第１端子電極および前記第２端子電極に印加する電圧の値を制御して、前記第１電極層内の電位分布を制御し、前記有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を制御することを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記第１端子電極および前記第２端子電極に印加する電圧を時間的に制御して、前記第１電極層内の電位分布を制御し、前記有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を時間的に制御することを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記第１端子電極および前記第２端子電極に印加する電圧の時間的な制御は、周期的であることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記第１端子電極および前記第２端子電極に印加する電圧の時間的な制御は、非周期的であることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記第１端子電極に接続され、前記第１端子電極に第１制御電圧を供給して、前記第１端子電極の電位を制御する第１電圧制御部と、
前記第２端子電極に接続され、前記第２端子電極に第２制御電圧を供給して、前記第２端子電極の電位を制御する第２電圧制御部と
を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
前記第１制御電圧および前記第２制御電圧は、互いに位相が異なる正弦波電圧であることを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
基板と、
前記基板上に配置された第１電極層と、
前記第１電極層上に配置された有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に配置された第２電極層と、
前記第２電極層上に配置された封止層と、
前記第１電極層に接続された第１端子電極と、
前記第２電極層に接続された第３端子電極と
を備え、前記第３端子電極を接地電位とし、前記第１端子電極の電位を制御して、前記第１電極層内の電位分布を制御し、前記有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を制御することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１１】
前記基板は四角形の形状を備え、前記第１端子電極および前記第３端子電極は、共通の辺部に配置されたことを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１２】
前記基板は四角形の形状を備え、前記第１端子電極および前記第３端子電極は、互いに対向する辺部に配置されたことを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１３】
前記第１端子電極に印加する電圧の値を制御して、前記第１電極層内の電位分布を制御し、前記有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を制御することを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１４】
前記第１端子電極に印加する電圧を時間的に制御して、前記第１電極層内の電位分布を制御し、前記有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を時間的に制御することを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１５】
前記第１端子電極に印加する電圧の時間的な制御は、周期的であることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１６】
前記第１端子電極に印加する電圧の時間的な制御は、非周期的であることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１７】
前記第１端子電極および前記第２端子電極が配置された互いに対向する辺部とは異なる他の互いに対向する辺部に配置された第４端子電極および第５端子電極を備えることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１８】
基板と、
前記基板上に配置された第１電極層と、
前記第１電極層上に配置された有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に配置された第２電極層と、
前記第２電極層上に配置された封止層と、
前記第１電極層に接続された複数の端子電極と、
前記第２電極層に接続された第３端子電極と
を備え、前記第３端子電極を固定電位とし、前記複数の端子電極の電位を制御して、前記第１電極層内の電位分布を制御し、前記有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を制御することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１９】
前記基板は四角形の形状を備え、前記複数の端子電極は、前記四角形の一辺に配置され、前記第３端子電極は、前記複数の端子電極が配置された前記一辺に隣接する辺に配置されたことを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項２０】
前記一辺に対向する前記四角形の他辺に、前記複数の端子電極に対向して配置された別の複数の端子電極と、
前記第３端子電極が配置された前記辺に対向する前記四角形の他辺に、前記第３端子電極に対向して配置された別の第３端子電極と
を備え、前記別の第３端子電極は、前記第３端子電極と同電位の固定電位とし、前記別の複数の端子電極および前記複数の端子電極の電位を同期して制御して、前記第１電極層内の電位分布を制御し、前記有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を制御することを特徴とする請求項１９に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置を複数並列に配置したことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２２】
請求項１〜２０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置と、
前記有機ＥＬ装置の前記基板の発光面上に配置された透明電極と、前記透明電極上に配置された接触層とを有するタッチパネルと
を備えることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２３】
請求項１〜２０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置と、
前記有機ＥＬ装置の前記基板の発光面上に配置された第１透明電極と、前記第１透明電極上に配置された支持基板と、前記支持基板上に配置された第２透明電極と、前記第２透明電極上に配置された接触層とを有するタッチパネルと
を備えることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２４】
請求項１〜２０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置と、
前記有機ＥＬ装置の前記基板の発光面上に配置された下部電極板と、前記下部電極板上に配置された第１透明電極と、前記第１透明電極上に配置されたスペーサと、前記スペーサ上に離隔して配置された第２透明電極と、前記第２透明電極上に配置された上部電極板と、前記上部電極板上に配置された接触層とを有するタッチパネルと
を備えることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置に関し、特に、発光方法に特徴を有する有機ＥＬ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光素子として有機ＥＬ（ＥＬ：Electroluminescence）素子を用いた表示装置や照明装置が実用化に向けて開発が進められている。
【０００３】
従来、フレキシブルフィルムや線材をリード線として用い、有機ＥＬ素子に電源を接続した有機ＥＬ照明パネルが知られている。従来の有機ＥＬ装置は、アノードとカソードに挟まれた有機ＥＬ層が基板上に配置され、ディスプレイパネルと同様に、四角形のパネルの四辺のうち、いずれか或いは四辺すべてにアノード端子電極を設け、カソード端子電極を対角線のコーナー部分に配置している。アノードはアノード端子電極に、カソードはカソード端子電極に接続されている。アノード端子電極およびカソード端子電極上には、例えば、フレキシブルケーブルが設けられており、このフレキシブルケーブルの端子と接続されている。
【０００４】
従来の有機ＥＬ装置は、アノード端子電極およびカソード端子電極を導通するアノード・カソード間電流の電流集中部分が、特にアノード端子電極を取り囲む周辺部に発生する。この電流集中部分は、発熱が顕著であり、温度上昇とともにさらに電流密度が増加する正帰還によるヒートスポットを形成し、有機ＥＬパネルの面内不均一熱分布、有機ＥＬパネルの面内不均一な照明輝度分布を生じる原因となっている。
【０００５】
一方、発光輝度のばらつきを抑制する有機ＥＬ発光装置、有機ＥＬ照明装置および有機ＥＬ発光装置の電流注入方法については、既に開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
特許文献１においては、有機ＥＬ層を挟み、アノード電極およびカソード電極を管状に配置し、アノード電極およびカソード電極の電気抵抗値を等しく構成することで、発光輝度のばらつきを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−２８９７４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
有機ＥＬ装置の発光面からの均一な照明輝度分布を得るためには、有機ＥＬ層を挟むカソード電極およびアノード電極間を導通する電流の均一化、カソード電極およびアノード電極の均熱化による、面内均一熱分布が不可欠である。しかしながら、有機ＥＬ装置の特にアノード電極を構成する透明電極は、シート抵抗が高いため、アノード電極を構成する透明電極内において電流の減少およびばらつきを生じ、発光面からの面内発光輝度分布は不均一となり易い。
【０００９】
本発明者は、このような従来の有機ＥＬ装置の特にアノード電極を構成する透明電極のシート抵抗が高い点を積極的に利用し、発光面からの面内輝度分布の不均一を利用した有機ＥＬ装置を検討し、 発光面がグラデーション発光する発光方法に特徴を有する有機ＥＬ装置を実現できることを見出した。
【００１０】
本発明の目的は、発光面がグラデーション発光する発光方法に特徴を有する有機ＥＬ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様によれば、基板と、前記基板上に配置された第１電極層と、前記第１電極層上に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置された第２電極層と、前記第２電極層上に配置された封止層と、前記第１電極層に接続された第１端子電極と、前記第１端子電極に離隔して、前記第１電極層に接続された第２端子電極と、前記第２電極層に接続された第３端子電極とを備え、前記第３端子電極を接地電位とし、前記第１端子電極および前記第２端子電極の電位を制御して、前記第１電極層内の電位分布を制御し、前記有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を制御する有機ＥＬ装置が提供される。
【００１２】
本発明の他の態様によれば、基板と、前記基板上に配置された第１電極層と、前記第１電極層上に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置された第２電極層と、前記第２電極層上に配置された封止層と、前記第１電極層に接続された第１端子電極と、前記第２電極層に接続された第３端子電極とを備え、前記第３端子電極を接地電位とし、前記第１端子電極の電位を制御して、前記第１電極層内の電位分布を制御し、前記有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を制御する有機ＥＬ装置が提供される。
【００１３】
本発明の他の態様によれば、基板と、前記基板上に配置された第１電極層と、前記第１電極層上に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置された第２電極層と、前記第２電極層上に配置された封止層と、前記第１電極層に接続された複数の端子電極と、前記第２電極層に接続された第３端子電極とを備え、前記第３端子電極を固定電位とし、前記複数の端子電極の電位を制御して、前記第１電極層内の電位分布を制御し、前記有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を制御するこ有機ＥＬ装置が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、発光面がグラデーション発光し、発光方法に特徴を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の模式的平面パターン構成図。
【図２】図１のＩ−Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図３】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の制御回路の模式的ブロック構成図。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の原理的説明であって、（ａ）輝度ＩＬと印加電圧Ｖとの関係を示す図、（ｂ）印加電圧Ｖ＝０〜ＶＡにおいて、非発光状態の発光面の模式図、（ｃ）印加電圧Ｖ＝ＶＡ〜ＶＢにおいて、グラデーション発光時の発光面の模式図、（ｄ）印加電圧Ｖ＝ＶＢ〜ＶＣにおいて、均一発光状態の発光面の模式図。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置において、（ａ）第１制御電圧Ｖ１（＋）の動作波形図、（ｂ）第２制御電圧Ｖ２（＋）の動作波形図。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の発光パターン例であって、（ａ）非発光（ＯＦＦ）状態の発光面の模式図、（ｂ）グラデーション発光例１の発光面の模式図、（ｃ）グラデーション発光例２の発光面の模式図、（ｄ）均一発光（ＯＮ）状態の発光面の模式図、（ｅ）グラデーション発光例３の発光面の模式図、（ｆ）グラデーション発光例４の発光面の模式図。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の正弦波発生回路を用いた電圧制御部の回路構成例。
【図９】図８の回路構成において、電圧変化範囲ΔＶを示す波形例。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の模式的平面パターン構成および制御回路の模式的ブロック構成図。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置を曲面形状に湾曲させた状態を示す模式的鳥瞰図。
【図１２】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る有機ＥＬ装置の模式的平面パターン構成および制御回路の模式的ブロック構成図。
【図１３】（ａ）本発明の第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の模式的平面パターン構成および制御回路の模式的ブロック構成図、（ｂ）本発明の第３の実施の形態の変形例に係る有機ＥＬ装置の模式的平面パターン構成図。
【図１４】本発明の第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の発光パターンであって、（ａ）第１端子電極１２ａに電圧を印加して得られた発光面のグラデーション発光例１の模式図、（ｂ）第２端子電極１２ｂに電圧を印加して得られた発光面のグラデーション発光例２の模式図、（ｃ）第４端子電極１２ｃに電圧を印加して得られた発光面のグラデーション発光例３の模式図、（ｄ）第５端子電極１２ｄに電圧を印加して得られた発光面のグラデーション発光例４の模式図、（ｅ）第１端子電極１２ａおよび第４端子電極１２ｃに電圧を印加して得られた発光面のグラデーション発光例５の模式図、（ｆ）第２端子電極１２ｂおよび第５端子電極１２ｄに電圧を印加して得られた発光面のグラデーション発光例６の模式図、（ｇ）第２端子電極１２ｂおよび第４端子電極１２ｃに電圧を印加して得られた発光面のグラデーション発光例７の模式図、（ｈ）第１端子電極１２ａおよび第５端子電極１２ｄに電圧を印加して得られた発光面のグラデーション発光例８の模式図。
【図１５】本発明の第４の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の模式的平面パターン構成および制御回路の模式的ブロック構成図。
【図１６】本発明の第４の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の発光パターン例であって、（ａ）有機ＥＬ装置２ａの発光面の非発光状態の模式図、（ｂ）有機ＥＬ装置２ｂの発光面のグラデーション発光状態の模式図、（ｃ）有機ＥＬ装置２ｃの発光面の別のグラデーション発光状態の模式図、（ｄ）有機ＥＬ装置２ｄの発光面の均一発光状態の模式図。
【図１７】本発明の第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の模式的平面パターン構成および制御回路の模式的ブロック構成図。
【図１８】本発明の第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の発光パターンであって、（ａ）端子電極１２1にのみ電圧を印加して得られた発光面のグラデーション発光例１の模式図、（ｂ）端子電極１２2にのみ電圧を印加して得られた発光面のグラデーション発光例２の模式図、（ｃ）端子電極１２3にのみ電圧を印加して得られた発光面のグラデーション発光例３の模式図、（ｄ）端子電極１２4にのみ電圧を印加して得られた発光面のグラデーション発光例４の模式図、（ｅ）端子電極１２n-1にのみ電圧を印加して得られた発光面のグラデーション発光例ｎ−１の模式図、（ｆ）端子電極１２nにのみ電圧を印加して得られた発光面のグラデーション発光例ｎの模式図。
【図１９】本発明の第５の実施の形態の変形例に係る有機ＥＬ装置の模式的平面パターン構成および制御回路の模式的ブロック構成図。
【図２０】本発明の第６の実施の形態に係る有機ＥＬ装置であって、表面型静電容量方式タッチパネルを備える有機ＥＬ装置の模式的断面構造図。
【図２１】本発明の第７の実施の形態に係る有機ＥＬ装置であって、投影型静電容量方式タッチパネルを備える有機ＥＬ装置の模式的断面構造図。
【図２２】本発明の第８の実施の形態に係る有機ＥＬ装置であって、抵抗膜方式タッチパネルを備える有機ＥＬ装置の模式的断面構造図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
次に、図面を参照して、本発明の第１〜第７の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【００１７】
又、以下に示す第１〜第７の実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１８】
[第１の実施の形態]
（有機ＥＬ装置）
本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の模式的平面パターン構成は、図１に示すように表され、図１のＩ−Ｉ線に沿う模式的断面構造は、図２に示すように表され、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図３に示すように表される。
【００１９】
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２は、図１〜図３に示すように、基板１０と、基板１０上に配置された第１電極層１２と、第１電極層１２上に配置された有機ＥＬ層１４と、有機ＥＬ層１４上に配置された第２電極層１６と、第２電極層１６上に配置された封止層２０と、第１電極層１２に接続された第１端子電極１２ａと、第１端子電極１２ａに離隔して、第１電極層１２に接続された第２端子電極１２ｂと、第２電極層１６に接続された第３端子電極１６ａとを備える。尚、上記では、第１電極層１２に離隔して接続される端子電極の数は、２個の例が示されているが、３個以上であっても良い。
【００２０】
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２においては、第３端子電極１６ａを接地電位とし、第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂの電位を制御して、第１電極層１２内の電位分布を制御し、有機ＥＬ層１４の面内発光輝度分布を制御する。
【００２１】
また、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２においては、図１〜図２に示すように、基板１０は四角形の形状を備え、第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂは、互いに対向する辺部に配置されている。
【００２２】
第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂに印加する電圧の値を制御して、第１電極層１２内の電位分布を制御し、有機ＥＬ層１４の面内発光輝度分布を制御することができる。すなわち、第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂに印加する電圧の値を増減することで、有機ＥＬ層１４の面内発光輝度分布を制御することができる。
【００２３】
また、第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂに印加する電圧を時間的に制御して、第１電極層１２内の電位分布を制御し、有機ＥＬ層１４の面内発光輝度分布を時間的に制御することもできる。
【００２４】
第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂに印加する電圧の時間的な制御は、周期的であっても良い。第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂの電位変化を周期的に行う場合の周期は、例えば、約１〜１０秒、特に、約２秒〜５秒であることが望ましい。
【００２５】
また、第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂに印加する電圧の時間的な制御は、非周期的であっても良い。電源３０がオン／オフする時に、第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂに印加する電圧がある程度なだらかに変化するようにしても良い。電圧がなだらかに変化するのに要する時間は、例えば、約０．５秒〜１０秒、特に、約１秒〜５秒であることが望ましい。
【００２６】
基板１０は、光を透過する透明基板として、例えば、ガラス基板を適用することができる。厚さは、例えば、約０．１〜１．１ｍｍ程度である。基板１０にポリカーボネートやポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの透明な樹脂を用いてフレキシブル性を持たせることも可能である。
【００２７】
第１電極層１２は、厚さが、例えば、約１５０〜１６０ｎｍ程度のＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）の透明電極で形成することができる。また、第１電極層１２は、ＩＺＯ（インジウム−亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモンースズ酸化物）、或いはＰＥＤＯＴＴ−ＰＳＳで形成することもできる。
【００２８】
有機ＥＬ層１４は、基板１０側から、例えば、正孔輸送層、発光層および電子輸送層が順次積層されている。
【００２９】
正孔輸送層は、第１電極層１２から注入された正孔を円滑に発光層に輸送するための層であり、例えば、厚さが約６０ｎｍ程度のＮＰＢ（Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタリル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−ベンジデン）で形成することができる。
【００３０】
電子輸送層は、第２電極層１６から注入された電子を円滑に発光層に輸送するための層であり、例えば、厚さが約３５ｎｍ程度のＡｌｑ３（アルミニウムキノリノール錯体）で形成することができる。
【００３１】
発光層は、注入された正孔および電子が再結合して発光するための層であり、例えば、発光種であるクマリン化合物（Ｃ５４５Ｔ）が約１％程度ドーピングされ、厚さが約３０ｎｍ程度のＡｌｑ３で形成することができる。
【００３２】
なお、有機ＥＬ層１４は、上記、正孔輸送層、電子輸送層以外の層、例えば、正孔注入層、電子注入層等を用いて構成しても良い。
【００３３】
第２電極層１６は、例えば、厚さが約１５０ｎｍ程度で、材質が、例えば、アルミニウム（Ａｌ）の蒸着膜で形成することができる。なお、後述するトップエミッション構成の場合には、第１電極層１２と同様の透明電極で構成する。
【００３４】
接着層２２の材質としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、或いはＵＶ硬化樹脂等が挙げられる。好ましくは、熱可塑性樹脂を用いるのがよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリカーボネートなどの樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂は、好ましくは、加熱により軟化させた状態において、有機ＥＬ層１４よりも流動性を有するのがよい。熱可塑性樹脂の粘度は、例えば、加熱により軟化させた状態において、約１×１０４Ｐａ・ｓ(パスカル・セカンド)未満であるのがよい。好ましくは、約１×１０〜１×１０４Ｐａ・ｓ程度の範囲であるのがよい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。また、ＵＶ硬化樹脂としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂等が挙げられる。
【００３５】
（封止構造）
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２においては、内部に不活性ガスなどの気体を充填する中空部２３を有する中空封止構造の例が示されており、封止層２０は、図２に示すように、接着層２２を介して、第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂ上に配置され、また、図３に示すように、接着層２２を介して、基板１０および第３端子電極１６ａ上に配置される。また、封止層２０の中空部２３に面する内壁には、乾燥剤１８が配置されている。なお、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２は、中空封止構造の限定されるものではない。封止された内部空間にシリコーンオイル等の液体からなる充填材を充填する液体封止構造を適用しても良い。また、樹脂などの流動性のある封止剤を基板面に適用し、ガラス板等を重ねてＵＶ光照射や加熱などの方法により封止剤を硬化させて封止する固体封止構造を適用しても良い。
【００３６】
（基板構成例）
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２は、基板１０が透明基板で形成され、封止層２０が封止板で形成された複板型構造を備えていても良い。ここで、基板１０は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板で形成され、封止層２０は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板などで形成される。
【００３７】
また、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２は、基板１０が透明基板で形成され、封止層２０が封止膜で形成された単板型構造を備えていても良い。ここで、基板１０は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板で形成され、封止層２０は、例えば、ＣＶＤ酸化膜、ＣＶＤ窒化膜などで形成される。
【００３８】
複板型構造において基板構成をフレキシブル化するためには、基板１０および封止層２０に、ともにプラスチック基板などを適用すると良い。
【００３９】
単板型構造において基板構成をフレキシブル化するためには、基板１０に、プラスチック基板などを適用すると良い。
【００４０】
（エミッション構成）
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２は、図３に示すように、基板１０が発光面２４を有する透明基板で形成され、第２電極層１６が金属層で形成されたボトムエミッション構成を備えている。ここで、基板１０は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板で形成され、第２電極層１６は、例えば、アルミニウム蒸着膜で形成され、封止層２０は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板などで形成される。
【００４１】
また、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１は、基板１０が透明基板で形成され、第１電極層１２および第２電極層１６が透明電極で形成されたトップエミッションおよびボトムエミッション構成を備えていても良い。ここで、基板１０は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板で形成され、第１電極層１２および第２電極層１６は、例えば、ＩＴＯで形成され、封止層２０は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板などで形成される。なお、上述の通り、封止膜を用いても良い。
【００４２】
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２は、基板１０が不透明基板で形成され、第１電極層１２が金属層で形成され、第２電極層１６は透明電極で形成されたトップエミッション構成を備えていても良い。ここで、基板１０は、例えば、シリコン基板で形成され、第１電極層１２は、例えば、アルミニウム蒸着膜で形成され、第２電極層１６は、例えば、ＩＴＯで形成され、封止層２０は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板などで形成される。なお、同様に、封止膜を用いても良い。その際は、第２電極層１６側に複数の端子電極を接続して、第２電極層１６内の電圧分布を制御する。
【００４３】
（制御回路）
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の制御回路の模式的ブロック構成は、図４に示すように、第１端子電極１２ａに接続され、第１端子電極１２ａに第１制御電圧Ｖ１（＋）を供給して、第１端子電極１２ａの電位を制御する第１電圧制御部２６と、第２端子電極１２ｂに接続され、第２端子電極１２ｂに第２制御電圧Ｖ２（＋）を供給して、第２端子電極１２ｂの電位を制御する第２電圧制御部２８とを備える。
【００４４】
第１電圧制御部２６および第２電圧制御部２８は、共通の電源３０に接続されている。
【００４５】
また、第１電圧制御部２６および第２電圧制御部２８は、互いに異なる電源に接続されていても良い。
【００４６】
（動作原理）
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の動作原理は、図５に示すように表される。輝度ＩＬと印加電圧Ｖとの関係は、図５（ａ）に示すように表され、印加電圧Ｖ＝０〜ＶＡにおいて、非発光状態の発光面２４は、模式的に図５（ｂ）に示すように表され、印加電圧Ｖ＝ＶＡ〜ＶＢにおいて、グラデーション発光時の発光面２４は、模式的に図５（ｃ）に示すように表され、印加電圧Ｖ＝ＶＢ〜ＶＣにおいて、均一発光状態の発光面２４は、模式的に図５（ｄ）に示すように表される。
【００４７】
まず、第３端子電極１６ａを接地電位とし、第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂに共に、印加電圧Ｖ＝０〜ＶＡが供給された場合には、図５（ｂ）に示すように、発光面２４は、非発光状態を示す。
【００４８】
次に、第３端子電極１６ａを接地電位とし、第１端子電極１２ａに印加電圧Ｖ＝０〜ＶＡが供給され、第２端子電極１２ｂに印加電圧Ｖ＝ＶＡ〜ＶＢが供給された場合には、図５（ｃ）に示すように、発光面２４は、グラデーション発光状態を示す。グラデーション発光状態においては、第１端子電極１２ａに供給される第１制御電圧Ｖ１（＋）と、第２端子電極１２ｂに供給される第２制御電圧Ｖ２（＋）の大小関係は、供給される印加電圧ＶがＶＡ〜ＶＢの範囲にある限り、Ｖ１（＋）＞Ｖ２（＋）、Ｖ１（＋）＝Ｖ２（＋）、Ｖ１（＋）＜Ｖ２（＋）のいずれであっても良い。グラデーション発光状態においては、第１電極層１２から正孔輸送層を介して発光部に少量の正孔が注入されるとともに、第２電極層１６から電子輸送層を介して発光部に少量の電子が注入される。発光部に注入された少量の正孔と電子とが再結合することによって、光を発光する。発光された光は、基板１０を介して外部に出射される。少量の正孔と電子との再結合によって、発光輝度は低く抑制され、しかも発光面２４はグラデーション発光特性を示す。また、第１端子電極１２ａと第２端子電極１２ｂに印加する電圧を入れ換えれば、グラデーションは反転する。
【００４９】
次に、第３端子電極１６ａを接地電位とし、第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂに共に、印加電圧Ｖ＝ＶＢ〜ＶＣが供給された場合には、図５（ｄ）に示すように、発光面２４は、均一発光状態を示す。均一発光状態においても、第１端子電極１２ａに供給される第１制御電圧Ｖ１（＋）と、第２端子電極１２ｂに供給される第２制御電圧Ｖ２（＋）の大小関係は、供給される印加電圧ＶがＶＢ〜ＶＣの範囲にある限り、Ｖ１（＋）＞Ｖ２（＋）、Ｖ１（＋）＝Ｖ２（＋）、Ｖ１（＋）＜Ｖ２（＋）のいずれであっても良い。均一発光状態においては、第１電極層１２から正孔輸送層を介して発光部に多量の正孔が注入されるとともに、第２電極層１６から電子輸送層を介して発光部に多量の電子が注入される。発光部に注入された多量の正孔と電子とが再結合することによって、光を発光する。発光された光は、基板１０を介して外部に出射される。多量の正孔と電子との再結合によって、発光輝度は高く、しかも発光面２４は均一発光特性を示す。
【００５０】
（動作波形）
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２において、第１端子電極１２ａに供給される第１制御電圧Ｖ１（＋）の動作波形例は、図６（ａ）に示すように表され、第２端子電極１２ｂに供給される第２制御電圧Ｖ２（＋）の動作波形例は、図６（ｂ）に示すように表される。
【００５１】
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２においては、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、第１制御電圧Ｖ１（＋）および第２制御電圧Ｖ２（＋）に、互いに位相が異なる正弦波電圧波形を適用している。
【００５２】
図６（ａ）において、第１制御電圧Ｖ１（＋）＝０〜Ｖ１１の場合には、発光面２４は、非発光状態を示し、Ｖ１（＋）＝Ｖ１１〜Ｖ１２の場合には、発光面２４は、グラデーション発光状態を示し、Ｖ１（＋）＝Ｖ１２〜Ｖ１３の場合には、発光面２４は、均一発光状態を示す。同様に、図６（ｂ）において、第２制御電圧Ｖ２（＋）＝０〜Ｖ２１の場合には、発光面２４は、非発光状態を示し、Ｖ２（＋）＝Ｖ２１〜Ｖ２２の場合には、発光面２４は、グラデーション発光状態を示し、Ｖ２（＋）＝Ｖ２２〜Ｖ２３の場合には、発光面２４は、均一発光状態を示す。
【００５３】
図４に示された制御回路において、図６に示される第１制御電圧Ｖ１（＋）、第２制御電圧Ｖ２（＋）を適用した場合の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の発光パターン例は、図７に示すように表わされる。
【００５４】
（ａ）まず、時刻ｔ１〜ｔ２においては、図７（ａ）に示すように、発光面２４は、非発光（ＯＦＦ）状態を示す。
【００５５】
（ｂ）次に、時刻ｔ２〜ｔ３においては、図７（ｂ）および図７（ｃ）に示すように、発光面２４は、グラデーション発光例１およびグラデーション発光例２の発光状態を示す。
【００５６】
（ｃ）次に、時刻ｔ３〜ｔ４においては、図７（ｄ）に示すように、発光面２４は、均一発光（ＯＮ）状態を示す。
【００５７】
（ｄ）次に、時刻ｔ４〜ｔ５においては、図７（ｅ）および図７（ｆ）に示すように、発光面２４は、グラデーション発光例３およびグラデーション発光例４の発光状態を示す。
【００５８】
（ｅ）次に、時刻ｔ５〜ｔ６においては、再び、図７（ａ）に示すように、発光面２４は、非発光（ＯＦＦ）状態を示す。
【００５９】
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置においては、このように、非発光（ＯＦＦ）状態、グラデーション発光状態、均一発光（ＯＮ）状態、グラデーション発光状態、非発光（ＯＦＦ）状態の繰り返しパターンが現れることがわかる。
【００６０】
図４に示す第１電圧制御部２６若しくは第２電圧制御部２８の回路構成の一例は、図８に示すように表される。図８の回路構成例は、正弦波発生回路の一例であり、詳細な説明は省略するが、２段のオペアンプＯＡ１およびオペアンプＯＡ２と、バイポーラトランジスタＱ１およびバイポーラトランジスタＱ２からなるダーリントン回路から構成され、有機ＥＬ装置（ＯＥＬ）２に対して、電源電圧ＶＣＣから、所定の電圧範囲の正弦波電圧波形を供給している。図８の回路構成において、有機ＥＬ装置２に供給される正弦波電圧波形は、図９に示すように表される。電源電圧ＶＣＣ＝５．２Ｖから供給される正弦波電圧波形の電圧変化範囲ΔＶは、約２．７２Ｖ〜３．４６Ｖであり、時刻Ｔ１〜時刻Ｔ２間の周期Ｔは、約４．５秒である。
【００６１】
なお、上記においては、動作波形が正弦波電圧波形を有する場合を説明したが、動作波形は正弦波に限定されない。例えば、台形波、三角波、矩形波、或いはこれらの波形を組み合わせても良い。さらに、パルス幅変調（ＰＷＭ）波形、パルス数変調（ＰＮＭ）波形などを用いても良い。
【００６２】
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２においては、基板構成をフレキシブル化することによって、グラデーション発光する発光面を利用して、ブレスレット型曲面発光照明、グラデーション発光を利用した絵画、美術工芸品の展示照明など照明のバリエーションを増加することが可能である。
【００６３】
第１の実施の形態によれば、発光面がグラデーション発光し、発光方法に特徴を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００６４】
[第２の実施の形態]
（有機ＥＬ装置）
第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２の模式的平面パターン構成および制御回路は、図１０に示すように表される。
【００６５】
第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２は、図１０に示すように、基板１０と、基板１０上に配置された第１電極層１２と、第１電極層１２上に配置された有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に配置された第２電極層１６と、第２電極層１６上に配置された封止層と、第１電極層１２に接続された第１端子電極１２ａと、第２電極層１６に接続された第３端子電極１６ａとを備える。
【００６６】
第３端子電極１６ａを接地電位とし、第１端子電極１２ａの電位を制御して、第１電極層１２内の電位分布を制御し、有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を制御することができる。
【００６７】
第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２においては、第１電極層１２に接続される端子電極を第１端子電極１２ａの１個のみで構成している。
【００６８】
また、図１０に示すように、基板１０は四角形の形状を備え、第１端子電極１２ａおよび第３端子電極１６ａは、同一の辺部に配置されている。その他の構成は、第１の実施の形態と同様であるため、重複説明は省略する。
【００６９】
第１端子電極１２ａに印加する電圧の値を制御して、第１電極層１２内の電位分布を制御し、有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を制御することができる。すなわち、第１端子電極１２ａに印加する電圧の値を増減することで、有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を制御することができる。
【００７０】
また、第１端子電極１２ａに印加する電圧を時間的に制御して、第１電極層１２内の電位分布を制御し、有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を時間的に制御することもできる。すなわち、第１端子電極１２ａに印加する電圧を時間分解により制御することが可能である。
【００７１】
第１端子電極１２ａに印加する電圧の時間的な制御は、周期的であっても良い。第１端子電極１２ａの電位変化を周期的に行う場合の周期は、例えば、約１〜１０秒、特に、約２秒〜５秒であることが望ましい。
【００７２】
また、第１端子電極１２ａに印加する電圧の時間的な制御は、非周期的であっても良い。すなわち、第１端子電極１２ａの電位変化は、周期的である必要は必ずしもない。電源３０がオン／オフする時に、第１端子電極１２ａに印加する電圧がある程度なだらかに変化するようにしても良い。第１端子電極１２ａに印加する電圧がなだらかに変化するのに要する時間は、例えば、約０．５秒〜約１０秒、特に、約１秒〜５秒であることが望ましい。
【００７３】
（封止構造）
第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２は、中空封止構造に限定されるものではなく、液体封止構造、固体封止構造を適用しても良い。
【００７４】
（基板構成例）
第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２においても基板構成例は、第１の実施の形態と同様に、複板型構造、単板型構造を備えていても良い。
【００７５】
（エミッション構成）
第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２は、第１の実施の形態と同様に、基板１０が発光面２４を有する透明基板で形成され、第２電極層１６が金属層で形成されたボトムエミッション構成を備えている。
【００７６】
また、第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２は、基板１０が透明基板で形成され、第１電極層１２および第２電極層１６が透明電極で形成されたトップエミッションおよびボトムエミッション構成を備えていても良い。
【００７７】
また、第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２は、基板１０が不透明基板で形成され、第１電極層１２が金属層で形成され、第２電極層１６は透明電極で形成されたトップエミッション構成を備えていても良い。その際は、第２電極層１６側に複数の端子電極を接続して、第２電極層１６内の電圧分布を制御する。
【００７８】
（制御回路）
第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２の制御回路の模式的ブロック構成は、図１０に示すように、第１端子電極１２ａに接続され、第１端子電極１２ａに第１制御電圧Ｖ１（＋）を供給して、第１端子電極１２ａの電位を制御する第１電圧制御部３２を備える。
【００７９】
第１電圧制御部３２は、電源３０に接続されている。
【００８０】
第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置においても、動作原理は図５と同様であるため、重複説明は省略する。
【００８１】
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２において、第１端子電極１２ａに供給される第１制御電圧Ｖ１（＋）の動作波形例は、図６（ａ）と同様に表されるため、重複説明は省略する。
【００８２】
図１０に示された制御回路において、図６（ａ）に示される第１制御電圧Ｖ１（＋）を適用した場合の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の発光パターン例も、図７と同様に表され、非発光（ＯＦＦ）状態、グラデーション発光状態、均一発光（ＯＮ）状態、グラデーション発光状態、非発光（ＯＦＦ）状態の繰り返しパターンが現れる。
【００８３】
なお、上記においては、動作波形が正弦波電圧を有する場合を説明したが、正弦波に限定されない点も第１の実施の形態と同様である。
【００８４】
第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２において、基板構成を上述の通りフレキシブル化し、基板１０を曲面形状に湾曲させた状態を示す模式的鳥瞰構造は、図１１に示すように表される。図１１は、ボトムエミッション型の例であるが、トップエミッション型、或いは、トップおよびボトムエミッション型として構成することも可能である。
【００８５】
第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２においては、フレキシブル化することによって、グラデーション発光する発光面を利用して、ブレスレット型曲面発光照明、グラデーション発光を利用した絵画、美術工芸品の展示照明など照明のバリエーションを増加することが可能である。
【００８６】
（変形例）
第２の実施の形態の変形例に係る有機ＥＬ装置および制御回路の模式的ブロック構成は、図１２に示すように表される。
【００８７】
第２の実施の形態の変形例に係る有機ＥＬ装置において、基板１０は四角形の形状を備え、第１端子電極１２ａおよび第３端子電極１６ａは、互いに対向する辺部に配置されている。その他の構成は、第２の実施の形態と同様であるため、重複説明は省略する。
【００８８】
第２の実施の形態およびその変形例によれば、発光面がグラデーション発光し、発光方法に特徴を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００８９】
[第３の実施の形態］
（有機ＥＬ装置）
第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置４の模式的平面パターン構成および制御回路は、図１３（ａ）に示すように表される。
【００９０】
第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置４は、図１３（ａ）に示すように、第１の実施の形態の構成に加えて、第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂが配置された互いに対向する辺部とは異なる他の互いに対向する辺部に配置された第４端子電極１２ｃおよび第５端子電極１２ｄを備える。
【００９１】
第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置４においては、第３端子電極１６ａを接地電位とし、第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂ、および第４端子電極１２ｃおよび第５端子電極１２ｄの電位を制御して、第１電極層１２内の電位分布を制御し、有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を制御する。その他の構成は、第１の実施の形態と同様であるため、重複説明は省略する。
【００９２】
また、第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置４は、第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂに印加する電圧の値、および第４端子電極１２ｃおよび第５端子電極１２ｄに印加する電圧の値を制御して、第１電極層１２内の電位分布を制御し、有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を制御しても良い。
【００９３】
また、第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置４は、第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂに印加する電圧、および第４端子電極１２ｃおよび第５端子電極１２ｄに印加する電圧を時間的に制御して、第１電極層１２内の電位分布を制御し、有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を時間的に制御しても良い。
【００９４】
第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂ、および第４端子電極１２ｃおよび第５端子電極１２ｄに印加する電圧の時間的な制御は、周期的であっても良い。電位変化を周期的に行う場合の周期は、例えば、約１〜１０秒、特に、約２秒〜５秒であることが望ましい。
【００９５】
また、第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂ、および第４端子電極１２ｃおよび第５端子電極１２ｄに印加する電圧の時間的な制御は、非周期的であっても良い。すなわち、電位変化は、周期的である必要は必ずしもない。電源３０がオン／オフする時に、第１端子電極１２ａおよび第２端子電極１２ｂ、および第４端子電極１２ｃおよび第５端子電極１２ｄに印加する電圧がある程度なだらかに変化するようにしても良い。印加する電圧がなだらかに変化するのに要する時間は、例えば、約０．５秒〜約１０秒、特に、約１秒〜５秒であることが望ましい。
【００９６】
（封止構造）
第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置４は、中空封止構造に限定されるものではなく、液体封止構造、固体封止構造を適用しても良い。
【００９７】
（基板構成例）
第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置４においても基板構成例は、第１の実施の形態と同様に、複板型構造、単板型構造を備えていても良い。
【００９８】
（エミッション構成）
第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置４は、第１の実施の形態と同様に、基板１０が発光面２４を有する透明基板で形成され、第２電極層１６が金属層で形成されたボトムエミッション構成を備えている。
【００９９】
また、第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置４は、基板１０が透明基板で形成され、第１電極層１２および第２電極層１６が透明電極で形成されたトップエミッションおよびボトムエミッション構成を備えていても良い。
【０１００】
また、第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置４は、基板１０が不透明基板で形成され、第１電極層１２が金属層で形成され、第２電極層１６は透明電極で形成されたトップエミッション構成を備えていても良い。その際は、第２電極層１６側に複数の端子電極を接続して、第２電極層１６内の電圧分布を制御する。
【０１０１】
（制御回路）
第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の制御回路の模式的ブロック構成は、図１３（ａ）に示すように、第１端子電極１２ａに接続され、第１端子電極１２ａに第１制御電圧Ｖ１（＋）を供給して、第１端子電極１２ａの電位を制御する第１電圧制御部３６と、第２端子電極１２ｂに接続され、第２端子電極１２ｂに第２制御電圧Ｖ２（＋）を供給して、第２端子電極１２ｂの電位を制御する第２電圧制御部４０と、第４端子電極１２ｃに接続され、第４端子電極１２ｃに第３制御電圧Ｖ３（＋）を供給して、第４端子電極１２ｃの電位を制御する第３電圧制御部３４と、第５端子電極１２ｄに接続され、第５端子電極１２ｄに第４制御電圧Ｖ４（＋）を供給して、第５端子電極１２ｄの電位を制御する第４電圧制御部３８とを備える。
【０１０２】
第１電圧制御部３６、第２電圧制御部４０、第３電圧制御部３４、および第４電圧制御部３８は、共通の電源３０に接続されている。また、異なる電源に接続されていても良い。
【０１０３】
第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置４においても、動作原理は図５と同様であるため、重複説明は省略する。
【０１０４】
第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置４においても、第１端子電極１２ａに供給される第１制御電圧Ｖ１（＋）の動作波形と第２端子電極１２ｂに供給される第２制御電圧Ｖ２（＋）の動作波形には、第１の実施の形態と同様に位相差を持たせても良い。また、第４端子電極１２ｃに供給される第３制御電圧Ｖ３（＋）の動作波形および第５端子電極１２ｄに供給される第４制御電圧Ｖ４（＋）の動作波形も位相差を持たせても良い。
【０１０５】
第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置４の発光パターン例は、図１４に示すように表される。ここでは、第３端子電極１６ａを接地電位としている。
【０１０６】
第１端子電極１２ａのみに電圧を印加して得られた発光面２４のグラデーション発光例１は、図１４（ａ）に示すように表され、第２端子電極１２ｂに電圧を印加して得られた発光面２４のグラデーション発光例２は、図１４（ｂ）に示すように表される。
【０１０７】
第４端子電極１２ｃに電圧を印加して得られた発光面２４のグラデーション発光例３は、図１４（ｃ）に示すように表され、第５端子電極１２ｄに電圧を印加して得られた発光面２４のグラデーション発光例４は、図１４（ｄ）に示すように表される。
【０１０８】
さらに、第１端子電極１２ａおよび第４端子電極１２ｃに電圧を印加して得られた発光面２４のグラデーション発光例５は、図１４（ｅ）に示すように表され、第２端子電極１２ｂおよび第５端子電極１２ｄに電圧を印加して得られた発光面２４のグラデーション発光例６は、図１４（ｆ）に示すように表される。
【０１０９】
さらに、第２端子電極１２ｂおよび第４端子電極１２ｃに電圧を印加して得られた発光面２４のグラデーション発光例７は、図１４（ｇ）に示すように表され、第１端子電極１２ａおよび第５端子電極１２ｄに電圧を印加して得られた発光面のグラデーション発光例８は、図１４（ｈ）に示すように表される。
【０１１０】
また、非発光（ＯＦＦ）状態および均一発光（ＯＮ）状態も得ることができ、第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置４においても、発光面２４上には、非発光（ＯＦＦ）状態、グラデーション発光状態、均一発光（ＯＮ）状態、グラデーション発光状態、非発光（ＯＦＦ）状態の繰り返しパターンが現れる。
【０１１１】
なお、上記においては、動作波形が正弦波電圧を有する場合を説明したが、正弦波に限定されない点も第１の実施の形態と同様である。
【０１１２】
第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置４においては、図１３（ａ）に示すように、第１電極層１２に接続された端子電極を２対配置した例を開示したが、端子電極対数は、２対に限定されない。基板１０の多角形形状に応じて、３対以上配置しても良い。
【０１１３】
（変形例）
また、図１３（ｂ）に示すように、一辺に接続する端子電極の数は、２個以上であっても良い。図１３（ｂ）の例では、第１端子電極１２ａは、１２ａ１、１２ａ２と２つに分割され、第２端子電極１２ｂは、１２ｂ１、１２ｂ２と２つに分割され、第４端子電極１２ｃは、１２ｃ１、１２ｃ２と２つに分割され、第５端子電極１２ｄは、１２ｄ１、１２ｄ２と２つに分割されている。その他の構成は、第３の実施の形態と同様であるため、重複説明は省略する。
【０１１４】
第３の実施の形態およびその変形例に係る有機ＥＬ装置４においては、フレキシブル化することによって、グラデーション発光する発光面を利用して、ブレスレット型曲面発光照明、グラデーション発光を利用した絵画、美術工芸品の展示照明など照明のバリエーションを増加することが可能である。
【０１１５】
第３の実施の形態およびその変形例によれば、発光面がグラデーション発光し、発光方法に特徴を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。
【０１１６】
[第４の実施の形態］
第４の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２ａ〜２ｄの平面パターン構成および制御回路は、図１５に示すように表される。
【０１１７】
第４の実施の形態においては、図１２に示した第２の実施の形態の変形例に係る有機ＥＬ装置２を４個並列に配置した例が示されている。有機ＥＬ装置２ａ〜２ｄの各々の第１端子電極１２ａには、それぞれ電圧制御部４２〜４８が接続され、電圧制御部４２〜４８には単一の電源３０が接続されている。なお、電圧制御部４２〜４８に接続される電源は、個別に配置されていても良い。その他の構成は、第２の実施の形態の変形例と同様であるため、重複説明は省略する。
【０１１８】
第４の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の発光パターン例は、図１６に示すように表される。有機ＥＬ装置２ａの発光面２４は、図１６（ａ）に示すように、非発光状態であり、有機ＥＬ装置２ｂおよび有機ＥＬ装置２ｃの発光面２４は、グラデーション発光状態であり、有機ＥＬ装置２ｄの発光面２４は、図１６（ｄ）に示すように、均一発光状態である。
【０１１９】
有機ＥＬ装置２ａ〜２ｄの各々の第１端子電極１２ａの電位を調整することで、各発光面２４上には、非発光（ＯＦＦ）状態、グラデーション発光状態、均一発光（ＯＮ）状態、グラデーション発光状態、非発光（ＯＦＦ）状態の繰り返しパターンが現れる。しかも供給電圧の位相を調整することで、有機ＥＬ装置２ａ〜２ｄの各々の各発光面２４上において、非発光（ＯＦＦ）状態、グラデーション発光状態、均一発光（ＯＮ）状態、グラデーション発光状態、非発光（ＯＦＦ）状態の繰り返しパターンを変化させることもできる。
【０１２０】
なお、複数個の有機ＥＬ装置の配置方法は、並列に限定されない。直列構成、直並列構成であっても良い。
【０１２１】
第４の実施の形態によれば、有機ＥＬ装置を複数個配置することによって、複数の発光面が各々グラデーション発光する発光方法に特徴を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。
【０１２２】
［第５の実施の形態］
（有機ＥＬ装置）
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５の模式的平面パターン構成および制御回路は、図１７に示すように表される。
【０１２３】
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５は、図１７に示すように、基板１０と、基板１０上に配置された第１電極層１２と、第１電極層１２上に配置された有機ＥＬ層１４と、有機ＥＬ層１４上に配置された第２電極層１６と、第２電極層１６上に配置された封止層２０と、第１電極層１２に接続された複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nと、第２電極層１６に接続された第３端子電極１６ａとを備える。ここで、第３端子電極１６ａを固定電位、例えば、接地電位とし、複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nの電位を制御して、第１電極層１２内の電位分布を制御し、有機ＥＬ層１４の面内発光輝度分布を制御する。
【０１２４】
基板１０は四角形の形状を備え、複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nは、四角形の一辺に配置され、第３端子電極１６ａは、複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nが配置された一辺に隣接する辺に配置されていても良い。その他の構成は、第１の実施の形態と同様であるため、重複説明は省略する。
【０１２５】
ここで、複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nの配置構造は、一辺の端子電極を分割した構造、若しくは複数の端子電極の配置を一辺に集合させた構造と見なすこともできる。
【０１２６】
ここで、第１電極層１２上の局所的な発光を可能にするためには、第１電極層１２のシート抵抗は、１０Ω／□以上であることが望ましく、より望ましくは、５０Ω／□以上であることが望ましい。
【０１２７】
また、第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５は、複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nに印加する電圧の値を制御して、第１電極層１２内の電位分布を制御し、有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を制御しても良い。
【０１２８】
また、第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５は、複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nに印加する電圧を時間的に制御して、第１電極層１２内の電位分布を制御し、有機ＥＬ層の面内発光輝度分布を時間的に制御しても良い。
【０１２９】
複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nに印加する電圧の時間的な制御は、周期的であっても良い。例えば、図１８（ａ）〜（ｆ）、および図１８（ｆ）〜（ａ）までの往復の電位変化を周期的に行う場合の周期は、例えば、約１〜１０秒、特に、約２秒〜５秒であることが望ましい。
【０１３０】
また、複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nに印加する電圧の時間的な制御は、非周期的であっても良い。すなわち、電位変化は、周期的である必要は必ずしもない。電源３０がオン／オフする時に、複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nに印加する電圧がある程度なだらかに変化するようにしても良い。印加する電圧がなだらかに変化するのに要する時間は、例えば、約０．５秒〜約１０秒、特に、約１秒〜５秒であることが望ましい。
【０１３１】
（封止構造）
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５は、中空封止構造に限定されるものではなく、液体封止構造、固体封止構造を適用しても良い。
【０１３２】
（基板構成例）
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５においても基板構成例は、第１の実施の形態と同様に、複板型構造、単板型構造を備えていても良い。
【０１３３】
（エミッション構成）
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５は、第１の実施の形態と同様に、基板１０が発光面２４を有する透明基板で形成され、第２電極層１６が金属層で形成されたボトムエミッション構成を備えている。
【０１３４】
また、第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５は、基板１０が透明基板で形成され、第１電極層１２および第２電極層１６が透明電極で形成されたトップエミッションおよびボトムエミッション構成を備えていても良い。
【０１３５】
また、第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５は、基板１０が不透明基板で形成され、第１電極層１２が金属層で形成され、第２電極層１６は透明電極で形成されたトップエミッション構成を備えていても良い。その際は、第２電極層１６側に複数の端子電極を接続して、第２電極層１６内の電圧分布を制御する。
【０１３６】
（制御回路）
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５の制御回路の模式的ブロック構成は、図１７に示すように、複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nに接続され、それぞれの端子電極に制御電圧を供給して、それぞれの端子電極の電位を制御する電圧制御部３２を備える。
【０１３７】
電圧制御部３２は、電源３０に接続されている。
【０１３８】
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５においても、動作原理は図５と同様であるため、重複説明は省略する。
【０１３９】
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５においても、複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nに供給される制御電圧の動作波形には、第１の実施の形態と同様に位相差を持たせても良い。
【０１４０】
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５の発光パターン例は、図１８に示すように表される。ここでは、各端子電極に供給する電圧は、例えば、１０Ｖであり、第３端子電極１６ａには、０Ｖの固定電位を供給している。
【０１４１】
端子電極１２1にのみ電圧を印加して得られた発光面２４のグラデーション発光例１は、図１８（ａ）に示すように表される。ここで、他の端子電極１２2,１２3,・・・,１２nは、開放状態としている。
【０１４２】
同様に、端子電極１２2にのみ電圧を印加して得られた発光面２４のグラデーション発光例２は、図１８（ｂ）に示すように表される。ここで、他の端子電極１２1,１２3,・・・,１２nは、開放状態としている。
【０１４３】
同様に、端子電極１２3にのみ電圧を印加して得られた発光面２４のグラデーション発光例３は、図１８（ｃ）に示すように表される。ここで、他の端子電極１２1,１２2,１２4
,・・・,１２nは、開放状態としている。
【０１４４】
同様に、端子電極１２4にのみ電圧を印加して得られた発光面２４のグラデーション発光例４は、図１８（ｄ）に示すように表される。ここで、他の端子電極１２1,１２2,１２3
,１２5,・・・,１２nは、開放状態としている。
【０１４５】
同様に、端子電極１２n-1にのみ電圧を印加して得られた発光面２４のグラデーション発光例ｎ−１は、図１８（ｅ）に示すように表される。ここで、他の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nは、開放状態としている。
【０１４６】
同様に、端子電極１２nにのみ電圧を印加して得られた発光面２４のグラデーション発光例ｎは、図１８（ｆ）に示すように表される。
【０１４７】
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５においては、図１８（ａ）〜図１８（ｆ）に示すように、発光面２４上には、各端子電極に電圧を印加することによって、光のスポットが移動するグラデーション発光パターンを得ることができる。
【０１４８】
また、複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nに供給される制御電圧を、全て開放状態にすることにより非発光（ＯＦＦ）状態を得ることもできる。また、複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nに供給される制御電圧を、全て電圧印加状態にすることにより均一発光（ＯＮ）状態も得ることもできる。したがって、第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５においても、発光面２４上には、非発光（ＯＦＦ）状態、グラデーション発光状態、均一発光（ＯＮ）状態、グラデーション発光状態、非発光（ＯＦＦ）状態の繰り返しパターンを得ることができる。
【０１４９】
また、第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５においては、各端子電極に印加する電圧に強度変調をかけることもできる。各端子電極に印加する電圧として、例えば、振幅変調された正弦波電圧を適用することもできる。
【０１５０】
なお、上記においては、動作波形が正弦波電圧を有する場合を説明したが、正弦波に限定されない点も第１の実施の形態と同様である。
【０１５１】
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５によれば、複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nを配置することによって、グラデーション効果の明暗さをより明確化することができる。
【０１５２】
また、第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置５によれば、複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nを配置することによって、グラデーション効果の明暗の位置を自由に変えることができる。
【０１５３】
（変形例）
第５の実施の形態の変形例に係る有機ＥＬ装置５の模式的平面パターン構成および制御回路は、図１９に示すように表される。
【０１５４】
第５の実施の形態の変形例に係る有機ＥＬ装置５は、図１９に示すように、一辺に対向する四角形の他辺に、複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nに対向して配置された別の複数の端子電極１３1,１３2,１３3,・・・,１３nと、第３端子電極１６ａ１が配置された辺に対向する四角形の他辺に、第３端子電極１６ａ１に対向して配置された別の第３端子電極１６ａ２とを備える。ここで、別の第３端子電極１６ａ２は、第３端子電極１６ａ１と同電位の固定電位、例えば、接地電位とし、別の複数の端子電極１３1,１３2,１３3,・・・,１３nおよび複数の端子電極１２1,１２2,１２3,・・・,１２nの電位を同期して制御して、第１電極層１２内の電位分布を制御し、有機ＥＬ層１４の面内発光輝度分布を制御することができる。その他の構成は、第５の実施の形態と同様であるため、重複説明は省略する。
【０１５５】
第５の実施の形態の変形例に係る有機ＥＬ装置によれば、互いに対向した複数の端子電極を配置し、かつ同期させた電位制御を行なうことによって、グラデーション効果の明暗さをより明確化することができる。
【０１５６】
また、第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置によれば、互いに対向した複数の端子電極を配置し、かつ同期させた電位制御を行なうことによって、グラデーション効果の明暗の位置を自由に変えることができる。
【０１５７】
また、第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置によれば、互いに対向した複数の端子電極を配置し、かつ同期させた電位制御を行なうことによって、グラデーション発光に伴う輝度の対象性を良好にすることができる。
【０１５８】
第５の実施の形態およびその変形例に係る有機ＥＬ装置においては、フレキシブル化することによって、グラデーション発光する発光面を利用して、ブレスレット型曲面発光照明、グラデーション発光を利用した絵画、美術工芸品の展示照明など照明のバリエーションを増加することが可能である。
【０１５９】
第５の実施の形態およびその変形例によれば、発光面がグラデーション発光し、発光方法に特徴を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。
【０１６０】
［第６の実施の形態］
第６の実施の形態に係る有機ＥＬ装置６であって、表面型静電容量方式タッチパネルを備える有機ＥＬ装置６の模式的断面構造は、図２０に示すように表される。
【０１６１】
図２に示された第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２の中空封止構造を固体封止構造に変更するために、図２０に示すように、有機ＥＬ層１４および第２電極層１６上に保護膜５０を配置し、さらに保護膜５０上に接着層５２を介して封止基板５４を配置する。
【０１６２】
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置６において、有機ＥＬ装置部は上記の固体封止構成の有機ＥＬ装置で構成され、表面型静電容量方式タッチパネル部は、基板１０の発光面上に配置された透明電極５６と、透明電極５６上に粘着層５８を介して配置された接触層６０とを備える。
【０１６３】
接触層６０には、カバーガラス若しくはＰＥＴフィルムを用いることができる。
【０１６４】
第６の実施の形態に係る有機ＥＬ装置６は、タッチパネルユニットの四隅にセンサ（図示省略）が設けられており、接触手段６２によるシングルタッチをセンシングすることができる。
【０１６５】
なお、第２〜第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置を用いても、表面型静電容量方式タッチパネルを備える有機ＥＬ装置６を構成することができる。
【０１６６】
第６の実施の形態に係る有機ＥＬ装置６は、グラデーション発光する発光面２５に接触手段６２によってシングルタッチすることで、グラデーション発光パターンをオン／オフしたり、発光パターンを変更したりすることが可能となり、有機ＥＬ照明の制御を容易にすることができる。
【０１６７】
［第７の実施の形態］
第７の実施の形態に係る有機ＥＬ装置６であって、投影型静電容量方式タッチパネルを備える有機ＥＬ装置６の模式的断面構造は、図２１に示すように表される。
【０１６８】
図２に示された第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２の中空封止構造を固体封止構造に変更するために、図２０と同様に、有機ＥＬ層１４および第２電極層１６上に保護膜５０を配置し、さらに保護膜５０上に接着層５２を介して封止基板５４を配置する。
【０１６９】
第７の実施の形態に係る有機ＥＬ装置６において、有機ＥＬ装置部は上記の固体封止構成の有機ＥＬ装置で構成され、投影型静電容量方式タッチパネル部は、基板１０の発光面上に粘着層５８ａを介して配置された透明電極５６ａと、透明電極５６ａ上に配置された支持基板６４と、支持基板６４上に配置された透明電極５６ｂと、透明電極５６ｂ上に粘着層５８ｂを介して配置された接触層６０とを備える。
【０１７０】
支持基板６４には、ガラスまたはＰＣ板を適用することができる。接触層６０には、カバーガラス若しくはＰＥＴフィルムを用いることができる。
【０１７１】
第７の実施の形態に係る有機ＥＬ装置６は、上下２枚の透明電極５６ｂ，５６ａがパターンを組んで構成され、接触手段６２によるマルチタッチをセンシングすることができる。
【０１７２】
なお、第２〜第４の実施の形態に係る有機ＥＬ装置を用いても、表面型静電容量方式タッチパネルを備える有機ＥＬ装置６を構成することができる。
【０１７３】
第７の実施の形態に係る有機ＥＬ装置６は、グラデーション発光する発光面２５に接触手段６２によってマルチタッチすることで、グラデーション発光パターンをオン／オフしたり、発光パターンを変更したりすることが可能となり、有機ＥＬ照明の制御を容易にすることができる。
【０１７４】
［第８の実施の形態］
第８の実施の形態に係る有機ＥＬ装置６であって、抵抗膜方式タッチパネルを備える有機ＥＬ装置６の模式的断面構造は、図２２に示すように表される。
【０１７５】
図２に示された第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２の中空封止構造を固体封止構造に変更するために、図２０と同様に、有機ＥＬ層１４および第２電極層１６上に保護膜５０を配置し、さらに保護膜５０上に接着層５２を介して封止基板５４を配置する。
【０１７６】
第８の実施の形態に係る有機ＥＬ装置６において、有機ＥＬ装置部は上記の固体封止構成の有機ＥＬ装置で構成され、抵抗膜方式タッチパネル部は、基板１０の発光面上に粘着層５８ａを介して配置された下部電極板６８と、下部電極板６８上に配置された透明電極５６ａと、透明電極５６ａ上に配置されたスペーサ７０と、スペーサ７０上に離隔され、かつ透明電極５６ａ上に貼り合せ剤を介して配置された透明電極５６ａと、透明電極５６ｂ上に配置された上部電極板７２と、上部電極板７２上に粘着層５８ｂを介して配置された接触層６０とを備える。
【０１７７】
下部電極板６８および上部電極板７２には、ＰＥＴフィルムまたはガラスを適用することができる。接触層６０には、カバーガラス若しくはＰＥＴフィルムを用いることができる。
【０１７８】
第８の実施の形態に係る有機ＥＬ装置６は、上下２枚の透明電極５６ｂ，５６ａがパターンを組んで構成され、接触手段６２によるタッチを抵抗膜の抵抗値によりセンシングすることができる。
【０１７９】
なお、第２〜第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置を用いても、抵抗膜方式タッチパネルを備える有機ＥＬ装置６を構成することができる。
【０１８０】
第８の実施の形態に係る有機ＥＬ装置６は、グラデーション発光する発光面２５に接触手段６２によってタッチすることで、グラデーション発光パターンをオン／オフしたり、発光パターンを変更したりすることが可能となり、有機ＥＬ照明の制御を容易にすることができる。
【０１８１】
［その他の実施の形態］
上記のように、本発明は第１〜第８の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
【０１８２】
第１〜第８の実施の形態においては、四角形を基本パターンとする平面構造の有機ＥＬパネルについて主として開示したが、これらに限定されるものではなく、有機ＥＬパネル本体は、円筒構造、球体構造、フラーレン構造などであっても良い。また、有機ＥＬパネルの基本パターンも四角形に限定されるものではなく、５角形、６角形、多角形、円形、楕円形、若しくはこれらの組み合わせパターンなどであっても良い。また、有機ＥＬパネルは、ペンローズタイルのようなパターン構造として、配置されていても良い。
【０１８３】
また、第１〜第８の実施の形態、第２の実施の形態においては、主として、第１電極層１２を有機ＥＬ層のアノードに接続された透明電極、第２電極層１６を有機ＥＬ層のカソードに接続された金属電極で形成する例を説明したが、第１電極層１２と第２電極層の役割を反対にしても良い。
【０１８４】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【産業上の利用可能性】
【０１８５】
本発明の有機ＥＬ装置は、有機ＥＬディスプレイ分野、有機ＥＬ照明パネル、ＦＥＤ（Field Emission Display）照明パネルなどの分野に適用可能である。
【符号の説明】
【０１８６】
２、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、４、５、６…有機ＥＬ装置
１０…基板
１２…第１電極層（アノード電極層）
１２ａ…第１端子電極
１２ｂ…第２端子電極
１２ｃ…第４端子電極
１２ｄ…第５端子電極
１２1,１２2,１２3,・・・,１２n,１３1,１３2,１３3,・・・,１３n・・・端子電極
１４…有機ＥＬ層
１６…第２電極層（カソード電極層）
１６ａ、１６ａ１、１６ａ２…第３端子電極
１８…乾燥材
２０…封止層
２２、５２…接着層
２３…中空部
２４、２５…発光面
２６、２８、３２、３４，３６、３８、４０、４２、４４、４６、４８…電圧制御部
３０…電源
５０…保護膜
５４…封止基板
５６、５６ａ、５６ｂ…透明電極
５８、５８ａ、５８ｂ…粘着層
６０…接触層
６２…接触手段
６４…支持基板
６６…貼り合せ剤
６８…下部電極板
７０…スペーサ
７２…上部電極板
【図１】
2011204664.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011204664.tif 000009
【図８】
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【図９】
2011204664.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2011204664.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2011204664.tif 000017
【図１６】
2011204664.tif 000018
【図１７】
2011204664.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2011204664.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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