(57)【要約】【課題】メッキ液等の水分が積層体内に侵入することを防止し、信頼性を向上させることができる積層コンデンサの製造方法及び積層コンデンサを提供する。【解決手段】積層コンデンサ１の製造方法では、焼付電極１６ａを形成した後に、焼付電極１６ａ全体を覆うようにメッキ層１７を形成するメッキ層形成工程Ｓ６と、メッキ層１７を酸素雰囲気中で加熱処理する酸化熱処理工程Ｓ７と、酸化熱処理工程Ｓ７の後、メッキ層１７を還元雰囲気中で加熱処理する還元熱処理工程Ｓ８とを有している。これにより、緻密な外部電極を形成することができ、メッキ液の侵入を防止できる。その結果、信頼性の向上を図ることができる。【選択図】図２
2011253952.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部電極と誘電体層とが積層された積層体と、前記積層体の外表面に形成された外部電極とを備える積層コンデンサの製造方法であって、
前記積層体の外表面に導電性ペーストにて形成されたペースト層を有する積層体を準備する積層体準備工程と、
前記ペースト層を焼き付けて、焼付電極を形成する第一焼付工程と、
前記焼付電極全体を覆うように金属メッキ層を形成するメッキ層形成工程と、
前記金属メッキ層を酸素雰囲気中で加熱処理する第一熱処理工程と、
前記第一熱処理工程の後、前記金属メッキ層を還元雰囲気中で加熱処理する第二熱処理工程と、
を有することを特徴とする積層コンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記第二熱処理工程の後、前記金属メッキ層を焼き付ける第二焼付工程を更に有することを特徴とする請求項１記載の積層コンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記ペースト層及び前記金属メッキ層には、主成分としてＣｕが含有されていることを特徴とする請求項１又は２記載の積層コンデンサの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項記載の積層コンデンサの製造方法によって製造された積層コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層コンデンサの製造方法及び積層コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の積層コンデンサの製造方法として、グリーンシートと内部電極材料を交互に積層して焼成することによって形成した積層セラミックコンデンサ本体（積層体）の端面を金属粉末、ガラス粉末及びチクソトロピック剤を含む電子部品用導電性ペーストに浸漬させてペースト膜を形成し、焼成して外部電極を形成するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１９０４９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の電子部品の製造方法においては、積層体を形成した後、導電性ペーストに端部を浸漬させて焼成することによって外部電極を形成している。しかしながら、この製造方法では、浸漬後に素体を引き離す際、端面の中央位置付近で導電性ペーストが引っ張られることによって、ペースト膜の中央位置付近の厚みが大きくなる一方、積層体の端面と側面の間の角部分付近の厚みが薄くなっていた。また、導電性ペーストを焼き付ける際に、金属粉末を完全に焼結させる条件とした場合、導電性ペーストに含まれるガラス粉末が過剰に析出するため、外部電極において緻密性を確保することができないといった問題がある。この結果、焼付工程後のメッキ工程において、薄くなった部分や緻密性が確保されていない部分からメッキ液等の水分が積層体内に侵入する虞があった。従って、従来の製造方法によって製造された積層コンデンサでは、メッキ工程の際に積層体内に侵入した水分の影響によって、積層コンデンサの特性が劣化してしまう虞があった。
【０００５】
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、メッキ液等の水分が積層体内に侵入することを防止し、信頼性を向上させることができる積層コンデンサの製造方法及び積層コンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る積層コンデンサの製造方法は、内部電極と誘電体層とが積層された積層体と、積層体の外表面に形成された外部電極とを備える積層コンデンサの製造方法であって、積層体の外表面に導電性ペーストにて形成されたペースト層を有する積層体を準備する積層体準備工程と、ペースト層を焼き付けて、焼付電極を形成する第一焼付工程と、焼付電極全体を覆うように金属メッキ層を形成するメッキ層形成工程と、金属メッキ層を酸素雰囲気中で加熱処理する第一熱処理工程と、第一熱処理工程の後、金属メッキ層を還元雰囲気中で加熱処理する第二熱処理工程と、を有することを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る積層コンデンサの製造方法では、焼付電極全体を覆うようにメッキ層を形成した後に、酸素雰囲気中で熱処理を行い、更にその後に還元雰囲気中において熱処理を行っている。金属メッキ層は、酸素雰囲気中において熱処理されることにより酸化し、水分やメッキ液等の残留物は、酸化分解、燃焼分解等によって離脱される。また、金属メッキ層内に形成された空隙やボイド等も、酸素雰囲気中の熱処理に伴う体積膨張により消滅させることができる。そして、還元雰囲気中において熱処理を行うことにより、緻密化された状態のまま金属メッキ層を金属に還元すると共に、焼付電極と金属メッキ層とを強固に結合することができる。これにより、緻密な外部電極を形成することができるので、積層体内へのメッキ液等の侵入を防止することができる。その結果、積層コンデンサの信頼性を向上させることができる。
【０００８】
第二熱処理工程の後、金属メッキ層を焼き付ける第二焼付工程を更に有することが好ましい。金属メッキ層は、第一熱処理工程において酸化され、更に第二熱処理工程において元の金属に戻る過程で初期の層の結晶構造が再構成されて緻密化される。この状態において、更に焼き付けることにより、金属メッキ層の焼結が進むので、外部電極の緻密化を更に図ることができる。
【０００９】
ペースト層及び金属メッキ層には、主成分としてＣｕが含有されている。このように、主成分としてペースト層及び金属メッキ層がＣｕを含有する場合、Ｓｎ、Ｎｉメッキ等の実装時のハンダ付け性を改善するメッキを施すことになる。この場合には、上述の積層コンデンサの製造方法が特に有効であり、Ｓｎ、Ｎｉメッキ液が積層体内に侵入することを確実に防止できる。
【００１０】
本発明に係る積層コンデンサは、上述のいずれかの積層コンデンサの製造方法によって製造された積層コンデンサである。上述の方法によって積層コンデンサを製造することにより、緻密な外部電極が形成されるので、積層体内へのメッキ液等の侵入を防止することができる。その結果、信頼性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、メッキ液等の水分が積層体内に侵入することを防止し、積層コンデンサの信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態に係る製造方法によって製造された積層コンデンサを示す断面図である。
【図２】積層コンデンサの製造方法を示すフロー図である。
【図３】素体保持工程及びペースト層形成工程の工程内容を示す図である。
【図４】第一焼付工程及びメッキ層形成工程の工程内容を示す図である。
【図５】酸化熱処理工程及び還元熱処理工程の工程内容を示す図である。
【図６】第一焼付工程及びメッキ層形成工程後の素体を拡大して示す図である。
【図７】酸化熱処理工程及び第二焼付工程後の素体を拡大して示す図である。
【図８】第２実施形態に係る積層コンデンサの製造方法によって製造された多端子型積層コンデンサを示す斜視図である。
【図９】図８に示す多端子型積層コンデンサの断面図である。
【図１０】図８に示す多端子型積層コンデンサの分解斜視図である。
【図１１】第３実施形態に係る積層コンデンサの製造方法によって製造された積層セラミックチップコンデンサを示す斜視図である。
【図１２】図１１に示す積層セラミックチップコンデンサの断面図である。
【図１３】図１１に示す積層セラミックチップコンデンサの分解斜視図である。
【図１４】第４実施形態に係る積層コンデンサの製造方法によって製造された積層チップ型コンデンサを基板実装状態で示す図である。
【図１５】図１４に示す積層チップ型コンデンサにおける内部電極の積層構造を示す斜視図である。
【図１６】図１４に示す積層チップ型コンデンサにおける外部接続電極の形態を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１４】
［第１実施形態］
図１を参照して、本発明の実施形態に係る積層コンデンサの製造方法によって製造された積層コンデンサの構成を説明する。図１は、第１実施形態に係る積層コンデンサの製造方法によって製造された積層コンデンサを示す断面図である。
【００１５】
図１に示すように、積層コンデンサ１は、複数の板状のセラミックグリーンシートを積層して一体化することによって略直方体形状に構成された素体（積層体）２と、素体２の両端面（外表面）に形成された外部電極３，４とを備えて構成される。素体２は、素体２の長手方向に向かい合って互いに平行をなす一対の端面２ａ，２ｂと、端面２ａ，２ｂと直交すると共に端面２ａ，２ｂ同士を連結する四つの側面２ｃを有する。外部電極３は、一方の端面２ａ及び端面２ａと直交する四つの側面２ｃの各縁部の一部を覆うように形成されている。この四つの側面２ｃを覆う部分の大きさ、すなわち、外部電極３の端面２ａを覆う部分における厚みが最大となる位置と側面２ｃを覆う部分における端部との間の寸法（図１においてＢで示される）を以下Ｂ寸法と呼ぶ。このＢ寸法は、例えば、０．５ｍｍ〜０．６ｍｍ程度に設定される。また、外部電極４は、他方の端面２ｂ及び端面２ｂと直交する四つの側面２ｃの各縁部の一部を覆うように形成されている。積層コンデンサ１は、例えば、縦が１．９ｍｍ〜２．２ｍｍ程度に設定され、横が１．１ｍｍ〜１．３ｍｍ程度に設定され、厚みが１．１ｍｍ〜１．３ｍｍ程度に設定されている。なお、略直方体形状とは、直方体形状も含む。
【００１６】
外部電極３，４は、素体２の外面にＣｕを主成分とする導電性ペーストを浸漬方法（後述）によって付着させた後に所定温度にて焼き付け、更に電気メッキを施すことにより、形成される。電気メッキには、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ等を用いることができる。
【００１７】
素体２は、図１に示すように、複数の長方形板状の誘電体層６と、複数の内部電極７及び内部電極８とが積層された積層体として構成されている。内部電極７と内部電極８とは、素体２内において誘電体層６の積層方向（以下、単に「積層方向」と称する。）に沿ってそれぞれ一層ずつ配置されている。内部電極７と内部電極８とは、少なくとも一層の誘電体層６を挟むように対向配置されている。実際の積層コンデンサ１では、複数の誘電体層６は、互いの間の境界が視認できない程度に一体化されている。この素体２は、内部電極７，８と誘電体層６とが交互に複数積層される領域である第一領域２Ａと、第一領域２Ａを積層方向に挟み込む一対の誘電体層６からなる領域である第二領域２Ｂとを有している。なお、第二領域２Ｂは、二対以上の複数の誘電体層６から形成されていてもよい。素体２には、端面２ａ，２ｂと側面２ｃの間の角部分９が湾曲して所定の曲率半径を有するように面取り加工が施されている。図示されていないが、側面２ｃの外縁の角部分も湾曲して曲率半径を有するように面取り加工が施されている。素体２の角部分９の曲率半径は、例えば０．０５ｍｍ〜０．１５ｍｍ程度とされている。
【００１８】
内部電極７，８は、例えばＮｉやＣｕなどの導電材を含んでいる。内部電極７，８の厚みは、例えば１μｍ〜５μｍ程度である。内部電極７，８は、積層方向から見て互いに重なりあう領域を有するような形状であれば、特に形状は限定されず、例えば矩形状などの形状をなしている。内部電極７，８は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。内部電極７は外部電極３と電気的に接続されており、内部電極８は外部電極４と電気的に接続されている。
【００１９】
また、図１に示すように、積層コンデンサ１において、素体２の第一領域２Ａと第二領域２Ｂの境界部分、すなわち積層方向の最も外側の内部電極８の位置における外部電極３，４の寸法（図１においてＦで示される）を以下Ｆ寸法とし、素体２の側面２ｃにおける外部電極３，４の寸法（図１においてＨで示される）を以下Ｈ寸法とし、素体２の端面２ａ，２ｂの中央位置付近における外部電極３，４の寸法（図１においてＴで示される）を以下Ｔ寸法とする。
【００２０】
図２に示すように、積層コンデンサ１の製造工程は、素体準備工程Ｓ１から工程を開始する。この素体準備工程Ｓ１では以下の処理がなされる。すなわち、誘電体層６となるセラミックグリーンシートを形成した後、当該セラミックグリーンシート上に内部電極７，８のパターンを導電性ペーストで印刷し、乾燥することによって電極パターンを形成する。このように電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを複数枚重ね合わせ、そのセラミックグリーンシートの積層体をそれぞれ素体２の大きさのチップとなるように切断する。続いて、ポリエチレン等の材料からなる密閉回転ポットに水と複数のチップと研磨用のメディアを入れて、この密閉回転ポットを回転させることによって、チップの角部分９の面取りが行われ、それぞれの角部分９が湾曲して所定の曲率半径を有することとなる（バレル研磨）。面取り加工を施したチップに所定温度で所定時間加熱処理を施すことによって脱バインダを行う。脱バインダを行った後、更に焼成を行うことで素体２を得る。以上の処理によって、素体準備工程Ｓ１が終了する。
【００２１】
素体準備工程Ｓ１の後、素体保持工程Ｓ２が行われる。図３は、素体保持工程Ｓ２及びペースト層形成工程Ｓ３の工程内容を示す図である。この素体保持工程Ｓ２は、素体準備工程Ｓ１で準備した素体２を複数並べて保持する工程である。素体保持工程Ｓ２では、キャリアプレートなどの公知の保持治具１００を用いて、素体２の一方の端面２ａが下方を向くように他方の端面２ｂ側において側面２ｃを保持する。
【００２２】
素体保持工程Ｓ２の後、ペースト層形成工程（積層体準備工程）Ｓ３が行われる。ペースト層形成工程Ｓ３は、図３に示すように、保持治具１００で保持された素体２の端面２ａを塗布用ベッドＢＤに入れられた導電性ペーストＰ中に浸漬させることによって、ペースト層１６を形成する工程である。このペースト層形成工程Ｓ３を行うことによって、端面２ａを周り込ませて素体２の四つの側面２ｃにも導電性ペーストＰを付着させることができる。これによって、ペースト層１６が形成される。なお、導電性ペーストＰは、Ｃｕを主成分とする金属粉末からなり、ガラスを含有している。
【００２３】
ペースト層形成工程Ｓ３が行われた後、ブロット工程Ｓ４が行われる。ペースト層形成工程Ｓ３において、端面２ａ側を導電性ペーストＰに浸漬させて引き上げると、付着したペースト層１６が引っ張られて端面２ａの中央位置付近の厚みが大きくなる。従って、ブロット工程Ｓ４では、ペースト層１６をプレートに押付けて引き離すことによって厚みの大きな部分の導電性ペーストＰを拭い取り、中央位置におけるペースト層１６の厚みを薄くすることができる。導電性ペーストＰを拭い取って乾燥させた後、第一焼付工程Ｓ５が行われる。第一焼付工程Ｓ５では、ペースト層１６を例えば７８０℃で熱処理を行うことによって、図４（ａ）に示すような焼付電極１６ａを形成する。
【００２４】
第一焼付工程Ｓ５が行われた後、メッキ層形成工程Ｓ６が行われる。メッキ層形成工程Ｓ６は、湿式メッキ工法によって焼付電極１６ａ上にメッキ膜を析出させてメッキ層（金属メッキ層）１７を形成する工程である。メッキ層形成工程Ｓ６においては、シアン化銅、硫酸銅、又はピロリン酸銅等にてメッキ浴を行い、図４（ｂ）に示すように、メッキ層１７を形成する。このとき、メッキ層１７の厚みは、焼付電極１６ａを覆う程度の厚みであればよく、例えば３μｍ〜２０μｍである。メッキ層形成工程Ｓ６が行われた後、酸化熱処理工程（第一熱処理工程）Ｓ７が行われる。酸化熱処理工程Ｓ７は、酸素雰囲気中にてメッキ層１７の熱処理を行う工程である。この酸化熱処理工程Ｓ７では、酸素雰囲気中の熱処理炉内においてメッキ層１７が形成された素体２を例えば５００℃にて加熱し、メッキ層１７を酸化させると共に、メッキ層１７の表面にＣｕＯ層１８を形成する。この酸化熱処理工程Ｓ７における温度は、温度が低いとメッキ層形成工程Ｓ６における残留物の昇華、酸化分解、及び燃焼分解が不十分となり、更にメッキ層１７のＣｕＯ化が不十分となる一方、温度が高すぎると焼付電極１６ａが過度に酸化され、更にガラス成分とＣｕＯとが反応してしまうため、好ましくは３００℃〜７００℃であり、より好ましくは４００℃〜６００℃である。
【００２５】
酸化熱処理工程Ｓ７が行われた後、還元熱処理工程（第二熱処理工程）Ｓ８が行われる。還元熱処理工程Ｓ８は、酸化熱処理が施されたメッキ層１７を還元雰囲気中にて熱処理を行うことにより、酸化されたメッキ層１７（ＣｕＯ）をＣｕ金属に還元する工程である。この還元熱処理工程Ｓ８では、例えば水素を添加した窒素雰囲気中（還元雰囲気中）の熱処理炉内においてメッキ層１７が形成された素体２を例えば５００℃にて加熱して、酸化されたメッキ層１７をＣｕ金属に還元すると共に、メッキ層１７の表面に形成されたＣｕＯ層１８を連続した構造のＣｕ金属層とする。この還元熱処理工程Ｓ８における温度は、温度が低すぎるとメッキ層１７の還元が不十分となる一方、温度が高すぎると素体２の誘電体層６が還元されるため、好ましくは３００℃〜６００℃、より好ましくは３５０℃〜５５０℃である。
【００２６】
還元熱処理工程Ｓ８が終了すると、第二焼付工程Ｓ９が行われる。第二焼付工程Ｓ９では、例えば７００℃で熱処理を行うことによって、図５（ｂ）に示すように外部電極３，４を形成する。第二焼付工程Ｓ９における温度は、温度が低すぎると焼結効果を十分に得ることができないが、温度が高すぎると素体２に与える熱負荷が大きくなるため、好ましくは５００℃〜８５０℃、より好ましくは５５０℃〜８００℃である。第二焼付工程Ｓ９が行われた後、メッキ工程Ｓ１０が行われる。メッキ工程Ｓ１０は、積層コンデンサ１の表面にＮｉメッキ層やＳｎメッキ層を形成する工程である。具体的に、このメッキ工程Ｓ１０では、バレル内のメッキ液に積層コンデンサ１を浸漬させた後、バレルを回転させつつ積層コンデンサ１の表面にメッキが施される。以上によって、図２に示す工程が終了し、積層コンデンサ１を得ることができる。
【００２７】
次に、本発明の実施形態に係る積層コンデンサ１の製造方法の作用・効果について、図６及び図７を参照しながら説明する。図６は、第一焼付工程Ｓ５及びメッキ層形成工程Ｓ６後の素体を拡大して示す図である。図７は、酸化熱処理工程Ｓ７及び第二焼付工程Ｓ９後の素体を拡大して示す図である。
【００２８】
従来の積層コンデンサの製造方法にあっては、素体を形成した後、導電性ペーストに端部を浸漬させて（本実施形態のＳ５と同様の処理を行う）焼き付けることによって外部電極を形成していた。しかし、この製造方法では、浸漬後に素体を引き離す際、端面の中央位置付近で導電性ペーストが引っ張られることによって、ペースト膜の中央位置付近の厚くなる一方、素体の角部分付近の厚みが薄くなっていた。この結果、外部電極の厚みは、曲率半径を有する角部分付近で薄くなり、焼付工程後のメッキ工程において、薄くなった部分からメッキ液等の水分が素体内に侵入する虞があった。従って、従来の製造方法によって製造された積層コンデンサでは、メッキ工程の際に素体に侵入した水分の影響によって、積層コンデンサの特性が劣化してしまう虞があった。特に、ＭＬＣＣ（Multi-Layer Ceramic Capacitor：積層セラミックコンデンサ）においては、メッキ液等が素体内に侵入して残留すると、信頼性、特に耐湿性が著しく低下する虞があった。
【００２９】
また、一般的に、焼付電極を形成する導電性ペーストは、Ｃｕを主成分とする金属粉末からなり、素体（セラミックス）との付着性を確保するために低融点ガラスを含有している。低融点ガラスとしては、例えば融点６５０℃程度のＳｒ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｂ−Ｏ系ガラス、Ｂａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｂ−Ｏ系ガラス、Ｓｉ−Ｂａ−Ｌｉ-Ｏ系ガラス等をガラスフリットとして添加することが一般的である。ところで、この導電性ペーストにおいては、焼き付ける際に金属粉末を完全に焼結させる高温の条件にすると、低融点ガラスがＣｕ電極内部から押し出されて、素体界面及び表面にガラスが過剰に析出してしまう。素体の表面に析出したガラスは、メッキ工程においてメッキ層の析出阻害層として働くため、均一でハンダ付け性の良いメッキ層の形成を阻害する要因となる。また、素体界面に析出したガラスは、素体の内部電極と焼付電極との電気的接続を阻害し、導通不良の原因となる。更に、Ｃｕ層内から過剰にガラスが押し出されることにより、素体と電極層との付着強度が低下し、電極剥離等の不具合の原因となる。このように、従来の積層コンデンサの製造方法においては、素体内へのメッキ液等の侵入を防止するために焼付電極を完全に緻密化することは困難であるため、外部電極を厚く形成せざるを得なかった。
【００３０】
これに対して、本発明の実施形態に係る積層コンデンサ１の製造方法では、焼付電極１６ａ全体を覆うようにメッキ層１７を形成した後に、酸素雰囲気中で熱処理を行い、更にその後に還元雰囲気中において熱処理を行っている。メッキ層１７は、酸素雰囲気中において熱処理されることにより酸化し、水分やメッキ液等の残留物は、酸化分解、燃焼分解等によって離脱される。また、メッキ層１７内に形成された空隙やボイド等も、酸素雰囲気中の熱処理に伴う体積膨張により消滅させることができる。そして、還元雰囲気中において熱処理を行うことにより、緻密化された状態のままメッキ層１７を金属に還元すると共に、焼付電極１６ａとメッキ層１７とを強固に結合することができる。これにより、緻密な外部電極３，４を形成することができるので、従来のように、素体２内へのメッキ液の侵入防止のために焼付電極１６ａを厚く形成しなくとも、素体２内へのメッキ液等の侵入を防止することができる。
【００３１】
そのため、従来のように素体２の角部分９における焼付電極１６ａの厚みを確保する必要がないので、これに伴い増大する素体２の側面２ｃにおける焼付電極１６ａの厚み（Ｈ寸法）、素体２の端面２ａ，２ｂの中央位置付近における焼付電極１６ａの厚み（Ｔ寸法）を小さくすることができる。これにより、外部電極３，４の外形寸法を小さくすることができるので、積層コンデンサ１の外形寸法の増大を抑えると共に実装時におけるチップ立ち等といった実装不良の発生を防止することができる。以上のように、メッキ液等の水分が素体２内に侵入することを防止すると共に積層コンデンサ１の実装不良及び製品寸法の増大を防止でき、積層コンデンサ１の信頼性を向上させることができる。
【００３２】
また、図６（ａ）に示すように、ペースト層１６を焼き付けて形成した焼付電極１６ａは、導電性金属粒子の焼結によって形成されているため、表面に凹凸が発生する。このとき、図６（ｂ）に示すように、焼付電極１６ａ上には凹凸を覆うようにメッキ層１７が形成されるため、焼付電極１６ａの微小な凹凸を埋めて欠陥を補修する効果が得られる。また、メッキ層１７を形成する際に、メッキ液及びメッキ層形成工程Ｓ６に起因する水分が焼付電極１６ａの空隙や素体２内、及びメッキ層１７自体に残留することがある。この残留成分Ｓは、電解質であるため、Ｎｉ、Ｓｎメッキと同様に、素体２及び外部電極３，４内に残留することで積層コンデンサ１の信頼性を低下させ、特に耐湿負荷特性を劣化させる。
【００３３】
これに対して、本実施形態の積層コンデンサ１の製造方法では、メッキ層形成工程Ｓ６の後に酸性雰囲気中において熱処理を行う酸化熱処理工程Ｓ７を実施することにより、図７（ａ）に示すように、水分の揮発だけでなく、積層コンデンサ１の信頼性を低下させるメッキ液等の残留物Ｓが酸化分解及び燃焼分解によって素体２内から離脱されると共に、非昇華性の残留物を安定的な酸化物とすることができる。また、メッキ層１７も酸素雰囲気中の熱処理によりＣｕＯ層化するが、このとき体積膨張によって層内に形成された空隙やボイド等の消滅効果が得られる。そして、還元熱処理工程Ｓ８を実施することにより、図７（ｂ）に示すように、メッキ層１７の表面に形成されたＣｕＯ層１８が連続した構造のＣｕ金属層になり、また、焼付電極１６ａと酸化処理されたメッキ層１７とが金属への還元過程を経ることでより強固に結合される。これにより、外部電極３，４が緻密化されるため、素体２内へのメッキ液等の侵入が確実に防止される。
【００３４】
更に、還元雰囲気中において熱処理をした後に更に高温で焼き付けることにより、外部電極３，４が更に緻密化されると共に、前述の凹凸形状が緩和されて平坦化し、外部電極３において局所的に厚みを有する部分が修正される。これにより、積層コンデンサ１の製品寸法を小さくすることができる。なお、第二焼付工程Ｓ９における焼付温度は、還元処理工程Ｓ８において外部電極３，４の表面に緻密で連続したＣｕ層が形成されているため、焼付電極１６ａ等からのガラス浮きが発生せず、従来よりも高温で熱処理が可能となっている。その結果、外部電極３，４の更なる緻密化を図ることができる。
【００３５】
また、本実施形態の積層コンデンサ１の製造方法では、メッキ層１７の厚みを３μｍ〜２０μｍとしている。メッキ層１７は、その厚みが薄すぎると、焼付電極１６ａの表面の粗さや導電性ペーストに含有しているガラス浮きの影響によって不連続層となるおそれがある。一方、メッキ層１７は、その厚みが厚すぎると、外部電極３，４の寸法が大きくなり、メッキ工程に要する時間が長くなるため非効率的であると共に、酸化及び還元熱処理時の応力によって剥離等の不具合が生じるおそれがある。しかし、メッキ層１７の厚みを上記の厚みとすることにより、好適な外部電極３，４を形成することができる。
【００３６】
また、本実施形態の積層コンデンサ１の製造方法においては、外部電極３，４の表面にメッキの付着性を劣化させるガラスが発生しないので、より薄いメッキ層１７でも十分な実装性を得ることができ、低コストで安定した実装性の積層コンデンサ１を製造することができる。
【実施例】
【００３７】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【００３８】
本発明者らは、上述の製造方法により積層コンデンサを作製した。外部電極を形成するため、導電性ペーストとして、電極ペーストＡ及び電極ペーストＢを準備した。電極ペーストＡは、Ｃｕ平均粒径２μｍ、固形分７０ｗｔ％、粘度２５Ｐａｓ、アクリル系バインダペーストである。また、電極ペーストＢは、Ｃｕ平均粒径２μｍ、固形分６５ｗｔ％、粘度１０Ｐａｓ、アクリル系バインダペーストである。
【００３９】
（比較例１）
まず、素体の端面側に電極ペーストＡを浸漬工法によって塗布し、焼き付け温度７８０℃で焼き付けて比較例１を得た。このとき、外部電極のＴ寸法は、６８μｍとなるように設定した。
【００４０】
（実施例１，４）
次に、素体の端面側に電極ペーストＡを浸漬工法によって塗布し、焼き付け温度７８０℃で焼き付けて焼付電極を形成して、更にピロリン酸によるメッキ浴を用いてＣｕメッキ層を形成した。このとき、Ｃｕメッキ膜（層）を狙い値１０μｍで析出させた。そして、酸素雰囲気中の熱処理炉において５００℃にて酸化熱処理を行い、更に水素濃度３％の窒素雰囲気中の熱処理炉において５００℃にて還元熱処理を行った。その後、窒素雰囲気中の熱処理炉において焼き付け温度７００℃で焼き付けて、実施例１を得た。また、酸素雰囲気中の熱処理炉において５００℃にて酸化熱処理を行った後に、水素濃度３％の窒素雰囲気中の熱処理炉において５００℃にて還元熱処理を行い、実施例４を得た。
【００４１】
（比較例２，３）
また、実施例１と同様の方法にてＣｕメッキ層を形成した後、窒素雰囲気中の熱処理炉において焼き付け温度５５０℃にて焼き付けて、比較例２を得た。また、同様に、焼き付け温度を７００℃として、比較例３を得た。
【００４２】
そして、比較例１〜３及び実施例１，４をそれぞれ複数個形成して、そのうち１０個を抜き取り、断面を研磨した後に、金属顕微鏡にて外部電極の膜厚と緻密性とを評価した。また、１００個を抜き取り、実体顕微鏡及び金属顕微鏡にて外部電極の表面の外観に異常がないかを確認した。
【００４３】
また、比較例１〜３及び実施例１，４に対して、電気メッキ法によってＮｉが４μｍ、Ｓｎが４μｍとなるようにメッキを連続で形成した。このようにして得られた比較例１〜３及び実施例１を、プレッシャークッカー槽に投入し、１２１℃−湿度９５％の雰囲気下で電圧印加を行う加速耐湿負荷試験（ＰＣＢＴ試験）を実施した。これらの試験によって得られた結果を表１に示す。
【表１】
2011253952.tif 000003
【００４４】
表１に示すように、比較例１においては、端子外観に異常は見られなかったが、超加速耐湿負荷試験結果の結果、１７％が絶縁抵抗不良となっていた。これに対して、本発明の積層コンデンサの製造方法で作製した実施例１，４は、端子外観及び超加速耐湿負荷試験結果のいずれも全て正常な結果を得ることができた。また、還元熱処理後に焼き付け処理を実施した実施例１は、還元処理後に焼き付け処理を実施していない実施例４よりもさらに好ましい結果を得ることができた。なお、表１において、Ｔｍａｘは、Ｔ寸法の最大値であり、Ｈｍａｘは、Ｈ寸法の最大値である（以下、表２においても同様）。
【００４５】
また、比較例２，３においては、端子外観を確認したところ、端子の表面に結晶状の析出物が発生していた。また、超加速耐湿負荷試験結果の結果においても多数の絶縁抵抗不良が確認された。端子表面の析出物は、Ｃｕメッキ時の残渣が焼結処理時（焼き付け時）に素体内部から析出され、窒素雰囲気中の熱処理では分解できずに残渣として残留したものであると考えられる。
【００４６】
（比較例４）
続いて、素体の端面側に電極ペーストＢを浸漬工法によって塗布し、焼き付け温度７８０℃で焼き付けて比較例４を得た。このとき、外部電極のＴ寸法は、２３μｍとなるように設定した。
【００４７】
（実施例２，３）
また、素体の端面側に電極ペーストＢを浸漬工法によって塗布し、焼き付け温度７８０℃で焼き付けて焼付電極を形成して、更にピロリン酸によるメッキ浴を用いてＣｕメッキ層を形成した。このとき、Ｃｕメッキ膜（層）を狙い値６μｍで析出させた。そして、酸素雰囲気中の熱処理炉において５５０℃にて酸化熱処理を行い、更に水素濃度３％の窒素雰囲気中の熱処理炉において５５０℃にて還元熱処理を行った。その後、窒素雰囲気中の熱処理炉において焼き付け温度７５０℃で焼き付けて、実施例２を得た。また、実施例２と同様の方法により、Ｃｕメッキ膜（層）を狙い値１０μｍで析出させて、酸素雰囲気中の熱処理炉において５５０℃にて酸化熱処理を行い、更に水素濃度３％の窒素雰囲気中の熱処理炉において５５０℃にて還元熱処理を行った。その後、窒素雰囲気中の熱処理炉において焼き付け温度７５０℃で焼き付けて、実施例３を得た。
【００４８】
そして、比較例４及び実施例２，３をそれぞれ複数個形成して、そのうち１０個を抜き取り、断面を研磨した後に、金属顕微鏡にて外部電極の膜厚と緻密性とを評価した。また、１００個を抜き取り、実体顕微鏡及び金属顕微鏡にて外部電極の表面の外観に異常がないかを確認した。
【００４９】
また、比較例４及び実施例２，３に対して、電気メッキ法によってＮｉが４μｍ、Ｓｎが４μｍとなるようにメッキを連続で形成した。このようにして得られた比較例４及び実施例２，３を、プレッシャークッカー槽に投入し、１２１℃−湿度９５％の雰囲気下で電圧印加を行う加速耐湿負荷試験（ＰＣＢＴ試験）を実施した。これらの試験によって得られた結果を表２に示す。
【表２】
2011253952.tif 000004
【００５０】
表２に示すように、比較例４においては、端子の外観を確認したところ、全てにおいて素体の角部分付近で電極が掠れた様な状態となっていた。これは、外部電極を焼き付けた際に、外部電極のＣｕと素体の内部電極のＮｉとが反応した反応層が、外部電極の薄い部分において外観異常として検出されたことが原因であると考えられる。また、比較例４においては、超加速耐湿負荷試験結果の結果においても、全ての積層コンデンサにおいて絶縁抵抗不良が確認された。これに対して、実施例２，３においては、端子外観及び超加速耐湿負荷試験結果のいずれも全て正常な結果を得ることができた。
【００５１】
［第２実施形態］
続いて、第２実施形態について説明する。図８は、第２実施形態に係る積層コンデンサの製造方法によって製造された多端子型積層コンデンサを示す斜視図、図９は、図８に示す多端子型積層コンデンサの断面図、図１０は、図８に示す多端子型積層コンデンサの分解斜視図である。
【００５２】
各図に示すように、誘電体層とされるセラミックグリーンシートを複数枚積層した積層体を焼成することで得られた直方体状の焼結体である誘電体素体（積層体）２１を主要部として、多端子型積層コンデンサ２０が構成されている。
【００５３】
この誘電体素体２１内の所定の高さ位置には、面状の第１の内部電極２２が配置されており、誘電体素体２１内においてセラミック層（誘電体層）２１Ａを隔てた第１の内部電極２２の下方には、同じく面状の第２の内部電極２３が配置されている。同じく誘電体素体２１内においてセラミック層２１Ａを隔てた第２の内部電極２３の下方には、同じく面状の第３の内部電極２４が配置され、同じく誘電体素体２１内においてセラミック層２１Ａを隔てた第３の内部電極２４の下方には、同じく面状の第４の内部電極２５が配置されている。
【００５４】
さらに、同じく誘電体素体２１内においてセラミック層２１Ａを隔てた第４の内部電極２５の下方には、同じく面状の第５の内部電極２６が配置されており、誘電体素体２１内においてセラミック層２１Ａを隔てた第５の内部電極２６の下方には、同じく面状の第６の内部電極２７が配置されている。同じく誘電体素体２１内においてセラミック層２１Ａを隔てた第６の内部電極２７の下方には、同じく面状の第７の内部電極２８が配置され、同じく誘電体素体２１内においてセラミック層２１Ａを隔てた第７の内部電極２８の下方には、同じく面状の第８の内部電極２９が配置されている。
【００５５】
このため、これら第１の内部電極２２から第８の内部電極２９までが誘電体素体２１内においてセラミック層２１Ａを介して隔てられつつ相互に対向して配置されることになる。そして、これら第１の内部電極２２から第８の内部電極２９までの中心は、誘電体素体２１の中心とほぼ同位置に配置されており、また、第１の内部電極２２から第８の内部電極２９までの縦横寸法は、対応する誘電体素体２１の辺の長さより小さくされている。
【００５６】
さらに、図１０に示すように、第１の内部電極２２のから電極が１箇所引き出されることで、第１の内部電極２２に１つの引出部２２Ａが形成されている。また、第２の内部電極２３から電極が１箇所引き出されることで、第２の内部電極２３に１つの引出部２３Ａが形成されている。一方、第３の内部電極２４から電極が１箇所引き出されることで、第３の内部電極２４に１つの引出部２４Ａが形成されている。また、第４の内部電極２５から電極が１箇所引き出されることで、第４の内部電極２５に１つの引出部２５Ａが形成されている。
【００５７】
そして、第５の内部電極２６から電極が１箇所引き出されることで、第５の内部電極２６に１つの引出部２６Ａが形成されている。また、第６の内部電極２７から電極が１箇所引き出されることで、第６の内部電極２７に１つの引出部２７Ａが形成されている。他方、第７の内部電極２８から電極が１箇所引き出されることで、第７の内部電極２８に１つの引出部２８Ａが形成されている。また、第８の内部電極２９から電極が１箇所引き出されることで、第８の内部電極２９に１つの引出部２９Ａが形成されている。以上より、引出部２２Ａ〜２９Ａまでの計８ヵ所の引出部分が相互に重ならない位置で内部電極２２〜２９からそれぞれ引き出されている。
【００５８】
さらに、図８〜図１０に示すように、第１の内部電極２２の引出部２２Ａに接続される第１の端子電極３０、第２内部電極２３の引出部２３Ａに接続される第２の端子電極３１、第３の内部電極２４の引出部２４Ａに接続される第３の端子電極３２及び、第４の内部電極２５の引出部２５Ａに接続される第４の端子電極３３が、誘電体素体２１の左側の側面２１Ｂにそれぞれ配置されている。
【００５９】
つまり、第１の内部電極２２の引出部２２Ａから第４の内部電極２５の引出部２４Ａまでがこれらが相互に重ならずに位置しているので、これら引出部２２Ａ〜２５Ａを介して、隣り合う端子電極同士が相互に異なる内部電極２１〜２５に順次接続される形で、これら端子電極３１〜３４が誘電体素体２１の側面（外表面）２１Ｂに配置されて、例えば隣り合う端子電極同士が相互に逆の極性で使用可能となる。
【００６０】
また、第５の内部電極２６の引出部２６Ａに接続される第５の端子電極３４、第６の内部電極２７の引出部２７Ａに接続される第６の端子電極３５、第７の内部電極２８の引出部２８Ａに接続される第７の端子電極３６及び、第８の内部電極２９の引出部２９Ａに接続される第８の端子電極３７が、誘電体素体２１の側面（外表面）２１Ｂにそれぞれ配置されている。
【００６１】
つまり、第５の内部電極２６の引出部２６Ａから第８の内部電極２９の引出部２９Ａまでがこれらが相互に重ならずに位置しているので、これら引出部２６Ａ〜２９Ａを介して、隣り合う端子電極同士が相互に異なる内部電極２６〜２９に順次接続される形で、これら端子電極３４〜３７が誘電体素体２１の側面１２Ｂに配置されて、例えば隣り合う端子電極同士が相互に逆の極性で使用可能となる。以上より、本実施の形態では、多端子型積層コンデンサ２０の一方の側面１２Ｂに端子電極（外部電極）３０〜３３がそれぞれ配置され、他方の側面１２Ｂに端子電極３４〜３７がそれぞれ配置されることで、直方体である六面体形状とされる誘電体素体２１の４つの側面１２Ｂ，１２Ｃの内の２つの側面１２Ｂに端子電極３０〜３７がそれぞれ配置されることになる。
【００６２】
次に、本実施の形態に係る多端子型積層コンデンサ２０の製造について、図１０を参照しながら説明する。まず、多端子型積層コンデンサ２０の製造に際しては、コンデンサとして機能する誘電体材料よりなる複数枚のセラミックグリーンシート３９〜４７を用意する。
【００６３】
図１０に示すように、１箇所の引出部２２Ａ〜２５Ａを有した内部電極２２〜２５を形成するために、セラミックグリーンシート４０〜４３の上面に、それぞれこれらの内部電極２２〜２５に応じて電極形成部が配置されている。さらに、１箇所の引出部２６Ａ〜２９Ａを有した内部電極２６〜２９を形成するために、セラミックグリーンシート４４〜４７の上面に、それぞれこれらの内部電極２６〜２９に応じて電極形成部が配置されている。
【００６４】
なお、セラミックグリーンシート４０〜４７の上面に配置される電極形成部は、例えば導電ペーストが印刷又はスパッタされて設けられる。また、セラミックグリーンシート４０〜４３とセラミックグリーンシート４４〜４７との間で、必要とされる特性に合わせてシート厚等を相違させてもよい。そして、それぞれ平面形状を矩形としたセラミックグリーンシート３９〜４７をこの図の順序で積層し、焼成を行うことで誘電体素体２１を得る（素体準備工程）。
【００６５】
誘電体素体２１を得た後、素体保持工程が行われる。素体保持工程では、図示しない保持治具にて誘電体素体２１を複数並べて保持する。素体保持工程の後、ペースト層形成工程（積層体準備工程）が行われる。ペースト層形成工程では、第１の内部電極２２の引出部２２Ａに接続される第１の端子電極３０、第２の内部電極２３の引出部２３Ａに接続される第２の端子電極３１、第３の内部電極２４の引出部２４Ａに接続される第３の端子電極３２、第４の内部電極２５の引出部２５Ａに接続される第４の端子電極３３、第５の内部電極２６の引出部２６Ａに接続される第５の端子電極３４、第６の内部電極２７の引出部２７Ａに接続される第６の端子電極３５、第７の内部電極２８の引出部２８Ａに接続される第７の端子電極３６及び、第８の内部電極２９の引出部２９Ａに接続される第８の端子電極３７の形成部分に、導電性ペーストを付与してペースト層を形成する。導電性ペーストは、Ｃｕを主成分とする金属粉末からなり、ガラスを含有している。
【００６６】
ペースト形成工程の後、第一焼付工程が行われる。第一焼付工程では、ペースト層が形成された後、ペースト層に熱処理を行うことによって、焼付電極を形成する。第一焼付工程が行われた後、メッキ層形成工程が行われる。メッキ層形成工程では、湿式メッキ法によって焼付電極上にメッキ膜を析出させてメッキ層を形成する。メッキ層形成工程が行われた後、酸化処理工程が行われる。酸化処理工程では、酸化雰囲気中の熱処理炉内においてメッキ層が形成された誘電体素体２１を加熱し、メッキ層を酸化させると共に、メッキ層の表面にＣｕＯ層を形成する。
【００６７】
酸化熱処理工程が行われた後、還元熱処理工程が行われる。還元熱処理工程では、水素を添加した窒素雰囲気中（還元雰囲気中）の熱処理炉内においてメッキ層が形成された誘電体素体２１を加熱して、酸化させたメッキ層をＣｕ金属に還元すると共に、メッキ層の表面に形成されたＣｕＯ層を連続した構造の金属層とする。還元処理工程が終了すると、第二焼付工程が行われる。第二焼付工程では、熱処理を行うことによって、端子電極３０〜３７を形成する。第二焼付工程が行われた後、メッキ工程が行われる。メッキ工程では、Ｎｉメッキ層やＳｎメッキ層を形成する。
【００６８】
以上によって、誘電体素体２１の４つの側面１２Ｂ，１２Ｃの内の一方の側面１２Ｂに端子電極３０〜３３が配置されると共に他方の側面１２Ｂに端子電極３４〜３７が配置された多端子型積層コンデンサ２０を得ることができる。
【００６９】
以上説明したように、多端子型積層コンデンサ２０では、第１実施形態と同様に、焼付電極全体を覆うようにメッキ層を形成した後に、酸素雰囲気中で熱処理を行い、更にその後に還元雰囲気中において熱処理を行っている。メッキ層は、酸素雰囲気中において熱処理されることにより酸化し、水分やメッキ液等の残留物は、酸化分解、燃焼分解等によって離脱される。また、メッキ層内に形成された空隙やボイド等も、酸素雰囲気中の熱処理に伴う体積膨張により消滅させることができる。そして、還元雰囲気中において熱処理を行うことにより、緻密化された状態のままメッキ層を金属に還元すると共に、焼付電極とメッキ層とを強固に結合することができる。これにより、緻密な端子電極３０〜３７を形成することができるので、誘電体素体２１内へのメッキ液等の侵入を防止することができる。その結果、信頼性の向上を図ることができる。
【００７０】
［第３実施形態］
続いて、第３実施形態について説明する。図１１は、第３実施形態に係る積層コンデンサの製造方法によって製造された積層セラミックチップコンデンサを示す斜視図、図１２は、図１１に示す積層セラミックチップコンデンサの断面図、図１３は、図１１に示す積層セラミックチップコンデンサの分解斜視図である。
【００７１】
各図に示すように、誘電体層とされるセラミックグリーンシートを複数枚積層した積層体を焼成することで得られた直方体状の焼結体である誘電体素体５１を主要部として、積層セラミックチップコンデンサ５０が構成されている。
【００７２】
この誘電体素体５１内のある高さ位置には、面状の第１の内部電極５２が配置されており、誘電体素体５１内においてセラミック層（誘電体層）５１Ａを隔てた第１の内部電極５２の下方には、同じく面状の第２の内部電極５３が配置されている。このため、これら第１の内部電極５２と第２の内部電極５３とが誘電体素体５１内において誘電体層を介して隔てられつつ相互に対向して配置されることになる。これら第１の内部電極５２及び第２の内部電極５３の中心は、誘電体素体５１の中心とほぼ同位置に配置されており、また、第１の内部電極５２及び第２の内部電極５３の縦横寸法は、対応する誘電体素体５１の辺の長さより若干小さくされているので、これら第１の内部電極５２及び第２の内部電極５３の端部は誘電体素体５１の端部に面さない構造となっている。
【００７３】
この誘電体素体５１内には、第２の内部電極５３を貫通して第１の内部電極５２に電気的に接続される第１のスルーホール電極５４及び、第１の内部電極５２を貫通して第２の内部電極５３に電気的に接続される第２のスルーホール電極５５が、これら内部電極５２，５３と直交するように交差してそれぞれ延びる形で、柱状に設けられている。なお、これら内部電極５２，５３及びスルーホール電極５４，５５はニッケル（Ｎｉ）系の金属で形成されている。
【００７４】
図１１に示すように、誘電体素体５１には、この第１のスルーホール電極５４と第２のスルーホール電極５５とが交互に２つずつ配置されることで、列が形成されている。この列と隣り合う誘電体素体５１の奥側寄りの部分には、この列と平行であって逆の配列で第１のスルーホール電極５４と第２のスルーホール電極５５とが交互に２つずつ配置される列が同様に配置されている。これら第１のスルーホール電極５４は、誘電体素体２１の表面である上下の平面部（外表面）５１Ｂに島状に配置された第１の外部電極５６に電気的に接続されており、また、これら第２のスルーホール電極５５は、誘電体素体５１の平面部に島状に配置された第２の外部電極５７に電気的に接続されている。
【００７５】
つまり、誘電体素体５１の手前側寄りの部分には、この第１の外部電極５６と第２の外部電極５７とが交互に２つずつ配置されることで、第１列５８が形成されている。この第１列５８と隣り合う誘電体素体５１の奥側寄りの部分には、第１列５８と平行であって、第１列５８と逆の配列で第１の外部電極５６と第２の外部電極５７とが交互に２つずつ配置される第２列５９が同様に配置されている。このため、第１の外部電極５６と第２の外部電極５７とが互いに隣同士に配置されるように、これら外部電極５６，５７が誘電体素体２１の表面に千鳥状に交互に並んで複数列配置されることになる。
【００７６】
次に、積層セラミックチップコンデンサ５０の製造について、図１３を参照しながら説明する。まず、積層セラミックチップコンデンサ５０の製造に際しては、コンデンサとして機能する誘電体材料よりなる複数枚のセラミックグリーンシート６０〜６３を用意する。
【００７７】
図１３に示すように、上面に電極が印刷またはスパッタされていないセラミックグリーンシート６０の下方にセラミックグリーンシート６１が位置している。このセラミックグリーンシート６１上には、第１の内部電極５２を形成するために、この第１の内部電極５２に応じて例えば導電ペーストが印刷又はスパッタされている。さらに、セラミックグリーンシート６１の下方に上面に電極が印刷またはスパッタされていないセラミックグリーンシート６２が位置している。このセラミックグリーンシート６２の下方にセラミックグリーンシート６３が位置している。このセラミックグリーンシート６３上には、第２の内部電極５３を形成するために、この第２の内部電極５３に応じて同様に印刷又はスパッタされている。
【００７８】
これらセラミックグリーンシート６０〜６３には、相互に同位置で２列に並んで計８個のスルーホール６４が設けられている。また、内部電極層とされるセラミックグリーンシート６１，６３の内部電極５２，５３にスルーホール６４と接触しない様に交互に抜き穴６５が設けられている。
【００７９】
つまり、第１の内部電極５２に配置されたスルーホール６４には、このスルーホール６４とそれぞれ同軸状の抜き穴６５がこれらスルーホール６４より大径に形成されている。また、第２の内部電極５３には、第１の内部電極５２上で抜き穴６５が設けられていないスルーホール６４に、上記と同様に抜き穴６５が形成されている。そして、それぞれ平面形状を矩形としたセラミックグリーンシート６０〜６３を積層すると共に、貫通したスルーホール６４と各内部電極５２，５３の抜き穴６５がない箇所とを接続するようにニッケル金属を主成分としたペーストを流しこんで第１のスルーホール電極５４及び第２のスルーホール電極５５を形成し、グリーン状態の素体を得る。
【００８０】
グリーン状態の素体を得た後、素体保持工程が行われる。素体保持工程では、図示しない保持治具にて素体を複数並べて保持する。素体保持工程の後、ペースト層形成工程（積層体準備工程）が行われる。ペースト層形成工程では、素体の両平面部（第１スルーホール電極５４及び第２スルーホール電極５５の両端部）に、導電性ペーストを例えばスクリーン印刷にて付与してペースト層を形成する。導電性ペーストは、Ｎｉを主成分とする金属粉末からなる。
【００８１】
ペースト形成工程の後、第一焼付工程が行われる。第一焼付工程では、ペースト層が形成された素体を一体焼成する。これにより、素体が焼成されて焼成後の誘電体素体５１が得られると共に、ペースト層に熱処理が行われることで、焼付電極が形成される。第一焼付工程が行われた後、メッキ層形成工程が行われる。メッキ層形成工程では、湿式メッキ法によってＮｉペースト層の焼付電極上にＣｕメッキ膜を析出させてメッキ層を形成する。メッキ層形成工程が行われた後、酸化処理工程が行われる。酸化処理工程では、酸化雰囲気中の熱処理炉内においてメッキ層が形成された誘電体素体５１を加熱し、メッキ層を酸化させると共に、メッキ層の表面にＣｕＯ層を形成する。
【００８２】
酸化熱処理工程が行われた後、還元熱処理工程が行われる。還元熱処理工程では、水素を添加した窒素雰囲気中（還元雰囲気中）の熱処理炉内においてメッキ層が形成された誘電体素体２１を加熱して、酸化させたメッキ層をＣｕ金属に還元すると共に、メッキ層の表面に形成されたＣｕＯ層を連続した構造の金属層とする。還元処理工程が終了すると、第二焼付工程が行われる。第二焼付工程では、熱処理を行うことによって、第１の外部電極５６及び第２の外部電極５７を形成する。第二焼付工程が行われた後、必要に応じてメッキ工程を行ってもよい。メッキ工程では、Ｎｉメッキ層やＳｎメッキ層を形成する。
【００８３】
以上によって、誘電体素体５１の平面部５１Ｂに第１の外部電極５６及び第２の外部電極５７が配置された積層セラミックチップコンデンサ５０を得ることができる。
【００８４】
以上説明したように、積層セラミックチップコンデンサ５０では、第１実施形態と同様に、焼付電極全体を覆うようにメッキ層を形成した後に、酸素雰囲気中で熱処理を行い、更にその後に還元雰囲気中において熱処理を行っている。メッキ層は、酸素雰囲気中において熱処理されることにより酸化し、水分やメッキ液等の残留物は、酸化分解、燃焼分解等によって離脱される。また、メッキ層内に形成された空隙やボイド等も、酸素雰囲気中の熱処理に伴う体積膨張により消滅させることができる。そして、還元雰囲気中において熱処理を行うことにより、緻密化された状態のままメッキ層を金属に還元すると共に、焼付電極とメッキ層とを強固に結合することができる。これにより、緻密な第１及び第２の外部電極５６，５７を形成することができるので、誘電体素体５１内へのメッキ液等の侵入を防止することができる。その結果、信頼性の向上を図ることができる。
【００８５】
なお、上述の説明では、セラミックグリーンシート６０〜６３を積層した焼成前のグリーン状態の素体に第１及び第２スルーホール電極５４，５５を形成し、素体の両平面部にＮｉのペースト層を形成した後に一体焼成しているが、第１及び第２スルーホール電極５４，５５を形成して素体を焼成した後に、ペースト層を形成して焼き付けてもよい。
【００８６】
また、誘電体素体５１をセラミックグリーンシート６０〜６３を積層して構成しているが、セラミックグリーンシート６２は、必ずしも積層されなくてもよい。この場合、積層セラミックチップコンデンサ５０の高さ寸法を確保する場合には、セラミックグリーンシート６１の厚み寸法を大きくすればよい。
【００８７】
［第４実施形態］
続いて、第４実施形態について説明する。図１４は、第４実施形態に係る積層コンデンサの製造方法によって製造された積層チップ型コンデンサを基板実装状態で示す図、図１５は、図１４に示す積層チップ型コンデンサにおける内部電極の積層構造を示す斜視図、図１６は、図１４に示す積層チップ型コンデンサにおける外部接続電極の形態を示す斜視図である。
【００８８】
図１４及び図１５に示すように、図部品本体７１は、誘電体層と内部電極７２，７３とを交互に積層し、互いに電気的に接続されない内部電極７２，７３の端面の一部７２ａ，７２ｂ，７３ａ，７３ｂを、その端面と平行する部品本体７１の両端部寄りに、各面内で隔離して露出することにより形成されている。この内部電極７２，７３は、後で詳述する如く各端部７２ａ，７２ｂ，７３ａ，７３ｂが部品本体７１の上下各面側に引き出されるＴ字状等の電極パターンで誘電体層となる誘電体グリーンシートに印刷し、その電極パターンを逆向きに印刷した誘電体グリーンシートを複数積層することから形成できる。
【００８９】
部品本体７１においては、図１６で示すように左右対の外部接続電極（外部電極）７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂが部品本体７１の上下各面（外表面）に設けられている。この対の外部接続電極７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂは上述した互いに電気的に接続されない内部電極７２，７３の端面の一部７２ａ，７２ｂ，７３ａ，７３ｂとそれぞれ個別に電気的に接続するもので、部品本体７１の外周縁より各面内に距離Ｌ１，Ｌ２を保って部品本体７１の上下各面でそれぞれ同形態を呈するように設けられている。
【００９０】
チップ部品７０の搭載用とし、回路基板ＣＢの板面には図１４で示す如く各対の外部接続電極７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂが渡るよう位置合わせて導電パターンのランド部Ｒ１，Ｒ２が印刷形成されている。このランド部Ｒ１，Ｒ２は半田ペーストが外部接続電極７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂの厚み面回りに凝集することを考慮し、外部接続電極７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂが部品本体７１の外郭辺より内側に隔てる距離Ｌ１，Ｌ２の範囲内において外部接続電極７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂよりも広面積に広げて形成することができる。なお、この回路基板ＣＢは導電パターンのランド部Ｒ１，Ｒ２を除き、板面がソルダーレジスト膜（図示せず）で被覆されている。
【００９１】
上述したチップ部品７０は、リフローソルダリングで回路基板ＣＢの板面に半田付け固定することができる。このリフローソルダリングでは、まず、クリーム半田を導電パターンのランド部Ｒ１，Ｒ２に印刷する。次に、チップ部品７０を回路基板ＣＢの板面に載置するが、そのチップ部品７０は外部接続電極７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂが部品本体７１の上下各面で同形態に設けられているため、部品本体７１の上下各面のいずれかからでも回路基板ＣＢの板面に向けて載置することにより、外部接続電極７４ａ，７４ｂ又は外部接続電極７５ａ，７５ｂをクリーム半田に接触させて仮止めすることができる。それと同様に、他の電子部品も回路基板ＣＢの板面上に載置したならば、赤外線の照射炉に送り込んでクリーム半田を溶融することにより半田付け処理すればよい。
【００９２】
この半田付け処理に伴ってはクリーム半田が溶融固化することにより半田フィレットＳ１，Ｓ２が形成されるが、その半田フィレットＳ１，Ｓ２は部品本体７１の外郭辺より内側に離隔位置する外部接続電極７４ａ，７４ｂ又は外部接続電極７５ａ，７５ｂとの間に形成されるため、少なくとも部品本体１より側方にはみ出さない。また、この半田フィレットＳ１，Ｓ２が外部接続電極７４ａ，７４ｂ又は外部接続電極７５ａ，７５ｂの厚み面回りに凝集しても、ランド部Ｒ１，Ｒ２の面積を越えないから部品本体７１より側方にはみ出ない。
【００９３】
従って、上述した構成のチップ部品７０によると、導電パターンのランド部Ｒ１，Ｒ２として回路基板ＣＢの板面上で部品本体７１より側方に広げるよう形成しないでよいばかりでなく、半田フィレットＳ１，Ｓ２も部品本体７１より側方にはみ出さないから、相隣接する電子部品の搭載位置乃至は導電パターンのランド部は部品本体７１より卑近の狭間位置に設定することができる。これにより、回路基板の限られた板面の面積内を有効活用できて高密度実装可能な積層チップ型電子部品として構成できる。
【００９４】
このチップ部品７０を製造するには、まず、誘電材ペーストからグリーンシートを得た後に、内部電極をＣｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｎｉ等の導電性ペーストを誘電体グリーンシートのシート面にスクリーン印刷することにより内部電極を形成する。その内部電極は、Ｔ字状を呈する電極パターンのものではＴ字の頭部辺で横方向に連続させて複数個分を一列に並べることにより複数列を共通パターンで誘電体グリーンシートのシート面に形成することができる。
【００９５】
その内部電極の形成後に、誘電体グリーンシートは複数層を内部電極７２，７３と交互になるよう上下に積層する。この積層にあたっては、内部電極７２，７３が上下の相対する誘電体グリーンシートの間で逆向きの電極パターンとなるよう位置し、所定枚複数層を順次に重ね合わせてプレス成形することにより多数個取り用の積層体として形成する。なお、特に図示しないが、積層体の最外層には誘電体の保護層が積層されている。
【００９６】
積層体は、部品素体単位に個々に切断する。この切断は、上述したＴ字の頭部辺で横方向に連続させたものでは各Ｔ字の頭部辺毎に切断する方向Ｃ１と、複数列形成したＴ字毎に切断する方向Ｃ２とに沿ってそれぞれ行うことにより、互いに電気的に接続されない内部電極７２，７３の端面の一部７２ａ，７２ｂ，７３ａ，７３ｂが上下二面の各面内で両端部寄りに露出する部品素体を得ることができる。また、その切断は積層体が未焼成の生の状態で行うため、通常の直線刃状のスライサーを用いて容易に行うことができる。
【００９７】
その部品素体単位に切断後、内部電極の端面の一部が露出するように研削仕上する。この後に、各部品素体は焼成炉に送り込むことにより焼成処理を施す。その焼成処理は１０００〜１４００℃程度の温度で行い、誘電体層を一体に焼結する。これにより、図１５で示すような内部電極７２，７３の互いに電気的に接続されない端面の一部７２ａ，７２ｂ，７３ａ，７３ｂが上下二面の各面内で両端部寄りに露出する部品本体（積層体）７１を得ることができる（素体準備工程）。
【００９８】
その焼成処理後の部品本体７１に対し、Ｃｕの導電性ペーストを塗布することにより外部接続電極７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂを形成する。この電極７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂの形成は、部品本体７１を凹部に収容させて複数整列保持するパレット状の治具と、部品本体７１の研削面に露出する内部電極の各端部と対応する開孔部を有するメタルマスクと、導電性ペーストを移動するスキージとを用い、部品本体７１を治具で保持（素体保持工程）して反転させることにより部品本体７１の両面に印刷処理することができる（ペースト層形成工程）。その印刷処理によると、複数個の部品本体を治具で整列保持することにより一括処理できるばかりでなく、導電性ペーストを部品本体７１の研削面に高精度に塗布することができる。
【００９９】
その印刷された導電性ペーストには５００〜９００℃程度の温度で焼付け処理を施し、焼付電極を形成する（第一焼付電極）。第一焼付工程が行われた後、メッキ層形成工程が行われる。メッキ層形成工程では、湿式メッキ法によって焼付電極上にメッキ膜を析出させてメッキ層を形成する。メッキ層形成工程が行われた後、酸化処理工程が行われる。酸化処理工程では、酸化雰囲気中の熱処理炉内においてメッキ層が形成された部品本体７１を加熱し、メッキ層を酸化させると共に、メッキ層の表面にＣｕＯ層を形成する。
【０１００】
酸化熱処理工程が行われた後、還元熱処理工程が行われる。還元熱処理工程では、水素を添加した窒素雰囲気中（還元雰囲気中）の熱処理炉内においてメッキ層が形成された部品本体７１を加熱して、酸化させたメッキ層をＣｕ金属に還元すると共に、メッキ層の表面に形成されたＣｕＯ層を連続した構造の金属層とする。還元処理工程が終了すると、第二焼付工程が行われる。第二焼付工程では、熱処理を行うことによって、図１６に示すように、外部接続電極７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂを形成する。第二焼付工程が行われた後、メッキ工程が行われる。メッキ工程では、Ｎｉメッキ層やＳｎメッキ層を形成する。
【０１０１】
以上によって、外部接続電極７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂが配置されたチップ部品７０を得ることができる。
【０１０２】
以上説明したように、チップ部品７０では、第１実施形態と同様に、焼付電極全体を覆うようにメッキ層を形成した後に、酸素雰囲気中で熱処理を行い、更にその後に還元雰囲気中において熱処理を行っている。メッキ層は、酸素雰囲気中において熱処理されることにより酸化し、水分やメッキ液等の残留物は、酸化分解、燃焼分解等によって離脱される。また、メッキ層内に形成された空隙やボイド等も、酸素雰囲気中の熱処理に伴う体積膨張により消滅させることができる。そして、還元雰囲気中において熱処理を行うことにより、緻密化された状態のままメッキ層を金属に還元すると共に、焼付電極とメッキ層とを強固に結合することができる。これにより、緻密な外部接続電極７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂを形成することができるので、部品本体７１内へのメッキ液等の侵入を防止することができる。その結果、信頼性の向上を図ることができる。
【０１０３】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、外部電極を形成した後に、Ｎｉメッキ層やＳｎメッキ層を形成しているが、Ｎｉメッキ層やＳｎメッキ層は、必ずしも形成されなくてもよい。
【０１０４】
また、第１実施形態では、素体２において、端面２ａ，２ｂと側面２ｃの間の角部分９が湾曲して所定の曲率半径を有するように面取り加工が施されているが、本発明では、素体２の角部分９が必ずしも所定の曲率半径を有するように面取り加工が実施される必要はない。
【０１０５】
また、外部電極は、焼成された後の素体にＣｕのペースト層を付与して焼き付け、焼付電極を形成した後にメッキ層形成工程、酸化熱処理工程、還元熱処理工程を行って形成してもよいし、或いは、焼成前のグリーン状態の素体にペースト層を付与して一体焼成することで、グリーン状態の素体を焼成すると共に焼付電極を形成し、その後にＣｕのメッキ層形成工程、酸化熱処理工程、還元熱処理工程を行って形成してもよい。
【符号の説明】
【０１０６】
１…積層コンデンサ、２…素体、２ａ，２ｂ…端面（外表面）、２ｃ…側面、３，４…外部電極、１６…ペースト層、１６ａ…焼付電極、１７…メッキ層、２０…多端子型積層コンデンサ、２１Ｂ…側面（外表面）、３０〜３３…端子電極（外部電極）、５０…積層セラミックチップコンデンサ、５１Ｂ…平面部（外表面）、５６…第１の外部電極（外部電極）、５７…第２の外部電極（外部電極）、７０…積層チップコンデンサ、７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂ…外部接続電極（外部電極）、Ｐ…導電性ペースト、Ｓ３…ペースト層形成工程（積層体準備工程）、Ｓ５…第一焼付工程、Ｓ６…メッキ層形成工程、Ｓ７…酸化熱処理工程（第一熱処理工程）、Ｓ８…還元熱処理工程（第二熱処理工程）、Ｓ９…第二焼付工程。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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