(57)【要約】 【課題】マスクの光学特性を変化させるイベントが発生した場合でも簡易に露光量マップを生成し、精度よく露光を行うことができる露光方法および露光システムを提供する。【解決手段】露光システムは、露光装置１と、イベント情報取得部２と、記憶部（ＤＢ）３と、露光量マップ生成部４と、を備えている。イベントに起因して生じる露光量マップＹ（ｘ，ｙ）の変化を示す変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を予め取得しておく。そして、マスク１１にイベントが発生すると、変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）に基づいてイベント前の露光量マップ生成関数を更新し、イベント後の露光量マップを生成する。そのため、イベントが発生する度に露光量マップＹ（ｘ，ｙ）を測定により取得する必要がなく、簡易に短時間でイベント後の露光量マップＹ（ｘ，ｙ）を生成でき、これにより精度よく露光できる。【選択図】図１
2011204738.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光量マップ生成関数を用いて生成される、露光領域内の位置と露光量との関係を示す露光量マップに基づいてマスクに光を照射する露光方法であって、
前記マスクの光学特性を変化させるイベントがマスクに発生したことを取得するステップと、
予め取得した、前記マスクの光学特性の変化に起因する前記露光量マップ生成関数の変化を示す変換関数に基づいて、前記イベントが発生する前の露光量マップ生成関数を更新するステップと、
前記更新された露光量マップ生成関数を用いて前記イベント後の露光量マップを生成するステップと、
前記イベント後の露光量マップに基づいて前記マスクに光を照射するステップと、を備えることを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記イベントが発生した後に、前記マスクのパターン寸法および前記マスクの光学特性の少なくとも１つの検査を行うステップを備え、
前記イベントが発生する前の露光量マップ生成関数を更新するステップでは、前記変換関数および前記検査の結果に基づいて、前記イベントが発生する前の露光量マップ生成関数を更新することを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記イベントが発生する前の露光量マップ生成関数を更新するステップでは、前記イベントが行われた時間を考慮した変換関数に基づいて、前記イベントが発生する前の露光量マップ生成関数を更新することを特徴とする請求項１または２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記マスクの光学特性は、前記マスクの透過率、反射率、屈折率、および、光透過領域から発する光と位相シフト領域から発する光の位相差のうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の露光方法。
【請求項５】
前記イベントは、前記マスクの洗浄、露光、保管、ペリクルの交換、検査、輸送のうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の露光方法。
【請求項６】
露光量マップ生成関数を用いて生成される、露光領域内の位置と露光量との関係を示す露光量マップに基づいてマスクに光を照射する露光方法であって、
前記マスクの光学特性を変化させるイベントがマスクに発生したことを取得するイベント情報取得部と、
前記光学特性の変化に起因する露光量マップ生成関数の変化を示す変換関数を記憶した記憶部と、
前記変換関数に基づいて、前記イベントが発生する前の露光量マップ生成関数を更新するとともに、前記更新された露光量マップ生成関数を用いて前記イベント後の露光量マップを生成する露光量マップ生成部と、
前記イベント後の露光量マップに基づいて前記マスクに光を照射する露光装置と、を備えることを特徴とする露光システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクに光を照射して露光を行う露光方法および露光システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する際、露光装置からマスクを介して半導体ウエハに光を照射し、マスクパターンを半導体ウエハ上の感光性レジストに転写することが行われている。近年では、半導体装置の微細化に伴い、高精度にマスクパターンを形成するのが困難になってきている。そのため、マスクパターンに寸法ばらつきが存在するのを前提とし、露光領域における露光量を意図的に不均一にすることにより寸法ばらつきをキャンセルし、レジストに転写されるパターンのばらつきを抑制する手法が検討されている（特許文献１）。露光領域における位置と露光量との関係は露光量マップと呼ばれる。
【０００３】
しかしながら、例えばマスクを洗浄すると、遮光膜の変質が発生し、マスクの光学特性が変化することがある。遮光膜の変質はマスク面内で一様ではなく、ある分布をもって発生する。そのため、マスクを洗浄する度に露光量マップを生成し直さなければならない。露光量マップを実験により生成するには長時間を要するため、その間半導体装置の製造を止めるか、予備のマスクを準備しておく必要があり、製造コストが高くなるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３５６８５１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、マスクの光学特性を変化させるイベントが発生した場合でも簡易に露光量マップを生成し、精度よく露光を行うことができる露光方法および露光システムを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、露光量マップ生成関数を用いて生成される、露光領域内の位置と露光量との関係を示す露光量マップに基づいてマスクに光を照射する露光方法であって、前記マスクの光学特性を変化させるイベントがマスクに発生したことを取得するステップと、予め取得した、前記マスクの光学特性の変化に起因する前記露光量マップ生成関数の変化を示す変換関数に基づいて、前記イベントが発生する前の露光量マップ生成関数を更新するステップと、前記更新された露光量マップ生成関数を用いて前記イベント後の露光量マップを生成するステップと、前記イベント後の露光量マップに基づいて前記マスクに光を照射するステップと、を備えることを特徴とする露光方法が提供される。
【０００７】
また、本発明の一態様によれば、露光量マップ生成関数を用いて生成される、露光領域内の位置と露光量との関係を示す露光量マップに基づいてマスクに光を照射する露光方法であって、前記マスクの光学特性を変化させるイベントがマスクに発生したことを取得するイベント情報取得部と、前記光学特性の変化に起因する露光量マップ生成関数の変化を示す変換関数を記憶した記憶部と、前記変換関数に基づいて、前記イベントが発生する前の露光量マップ生成関数を更新するとともに、前記更新された露光量マップ生成関数を用いて前記イベント後の露光量マップを生成する露光量マップ生成部と、前記イベント後の露光量マップに基づいて前記マスクに光を照射する露光装置と、を備えることを特徴とする露光システムが提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、マスクの光学特性を変化させるイベントが発生した場合でも簡易に露光量マップを生成し、精度よく露光を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る露光方法に用いられる露光システムの概略構成を示す図。
【図２】露光量マップＹ（ｘ，ｙ）の一例を示す図。
【図３】図１の露光システムの処理動作の一例を示すフローチャート。
【図４】ＭＥＦを説明する図。
【図５】ＤＯＳＥ＿ＭＥＦを説明する図。
【図６】本発明の第４の実施形態に係る露光方法に用いられる露光システムの概略構成を示す図。
【図７】図６の露光システムの処理動作の一例を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明に係る露光方法の実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る露光方法に用いられる露光システムの概略構成を示す図である。図１の露光システムは、露光装置１と、イベント情報取得部２と、記憶部（ＤＢ）３と、露光量マップ生成部４と、を備えている。イベント情報取得部２、記憶部３および露光量マップ生成部４は、例えば１台または複数台のコンピュータに内蔵される。
【００１２】
図１の露光装置１は、露光領域内の位置（ｘ，ｙ）と露光量との関係を示す露光量マップＹ（ｘ，ｙ）に基づいて、マスク１１に光を照射する。この露光量マップＹ（ｘ，ｙ）は露光量マップ生成関数を用いて露光量マップ生成部４により生成される。露光量マップＹ（ｘ，ｙ）については後述する。露光装置１は、例えば、波長１９３ｎｍの深紫外（ＤＵＶ）光を光源とするＡｒＦ露光装置とする。この露光装置１は、例えば、半導体ウエハ１２上に半導体装置を形成するために用いられる。
【００１３】
マスク１１には、基板２１の一部である遮光部２２により所定のパターンが形成されている。露光装置１から照射された光のうち、遮光部２２が形成されていない部分に照射された光が投影レンズ（不図示）を介して選択的に半導体ウエハ１２に達する。半導体ウエハ１２には感光性レジスト（不図示）が形成されており、マスク１１のパターンがレジストに転写される。露光装置１がＡｒＦ露光装置である場合、マスク１１は、例えば、透過型ハーフトーン位相シフトマスクまたはバイナリ（透過または遮光の２値）マスクである。
【００１４】
イベント情報取得部２は、マスク１１の光学特性を変化させるイベントが発生した場合、そのイベントが発生したことを取得し、露光量マップ生成部４に通知する。記憶部３は、予め取得された、種々のイベントに対応する露光量マップの変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を記憶するデータベースである。変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）とはマスク１１の光学特性に起因する露光量マップ生成関数の変化を示す関数である。
【００１５】
露光量マップ生成部４はマスク１１に発生したイベントに対応する変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を記憶部３から読み出す。そして、露光量マップ生成部４は読み出した変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）に基づいてイベント前の露光量マップ生成関数を更新し、イベント後の露光量マップ生成関数を生成する。さらに、露光量マップ生成部４は、イベント後の露光量マップ生成関数を用いて、露光量マップＹ（ｘ，ｙ）を生成する。
【００１６】
ここで、イベントとは、マスク１１の洗浄、露光、保管、ペリクル（マスク上に貼り付けられる透明な保護膜）の交換、検査、輸送等である。そして、マスク１１の光学特性とは、例えば、基板２１および遮光部２２の透過率、反射率および屈折率である。また、マスク１１が位相シフトマスクである場合は、光透過領域から発する光と位相シフト領域から発する光の位相差も光学特性に含まれる。
【００１７】
通常、数千回のロット処理を行う毎に、付着したパーティクルを除去するためにマスク１１を洗浄するが、この洗浄により基板２１および遮光部２２の透過率や反射率が変化する。また、マスクパターンにおける光の回折状態が変化することにより、遮光部２２の寸法（横方向長さ、もしくは厚み）が変化することもある。さらに、露光装置１から光を繰り返し照射されることで、ヘイズ（Ｈａｚｅ）と呼ばれる遮光膜の変質が発生し、マスク１１の光学特性が変化することもある。さらに、保管の条件（温度および湿度等）によっても光学特性が変化する。
【００１８】
次に、露光量マップについて説明する。図２は、露光量マップＹ（ｘ，ｙ）の一例を示す図である。露光マップは、露光装置から光を照射されるマスク内の位置（ｘ，ｙ）と、露光量との関係を示す。同図の曲線は「等露光量線」であり、同一の等露光量線上の位置には等しい露光量で照射すべきことを示す。言い換えると、同一の等露光量線上にない位置には異なる露光量で照射しなければならない。
【００１９】
マスク１１の位置（ｘ，ｙ）によって形成されるパターンの寸法にばらつきがある。そのため、図２に示すように、意図的に露光量を不均一にすることで寸法ばらつきをキャンセルし、結果としてレジスト上に形成されるパターン寸法のばらつきを抑制できる。この露光量マップＹ（ｘ，ｙ）はマスク１１の光学特性に依存する。
【００２０】
露光量マップＹ（ｘ，ｙ）は、例えば、以下のようにして取得する。まず、ｘおよびｙ方向にマスク１１をそれぞれ１００等分し、１０，０００個の領域に分割する。次に、マスク１１に対して一定露光量でテスト露光を行う。そして、レジスト上に形成された１０，０００箇所のパターン寸法をＳＥＭで測定する。その測定結果に基づいて、レジストに生成されるパターンにばらつきが生じないような露光量マップＹ（ｘ，ｙ）を生成する。より具体的には、レジスト上のパターン寸法が設計値より大きく形成される領域では露光量を大きく設定し、設計値より小さく形成される領域では露光量を小さく設定する。
【００２１】
テスト露光を行ってレジスト上にパターンを形成する代わりに、マスク１１に形成されたパターン寸法を１０，０００箇所で測定し、その測定結果に基づいて露光量マップＹ（ｘ，ｙ）を生成してもよい。すなわち、マスク１１上のパターン寸法が設計値より大きく形成されている領域では露光量を大きく設定し、設計値より小さく形成されている領域では露光量を小さく設定する。
【００２２】
イベントによりマスク１１の光学特性が変化すると、最適な露光量マップＹ（ｘ，ｙ）も変化する。ところが、露光量マップＹ（ｘ，ｙ）を取得するには上述のように多くの箇所について測定を行わなければならず、長時間を要する。そこで、本実施形態では、予めイベントに対応する露光量マップ生成関数の変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を取得しておき、簡易にイベント後の露光量マップＹ’（ｘ，ｙ）を生成する。これにより、イベントが発生する度にイベント後の露光量マップＹ’（ｘ，ｙ）を測定して生成する手間を省ける。
【００２３】
図３は、図１の露光システムの処理動作の一例を示すフローチャートである。
【００２４】
まず、イベントが生じる前の露光量マップ生成関数を取得する（ステップＳ１）。本実施形態では、露光量マップＹ（ｘ，ｙ）を算出するための露光量マップ生成関数は、基準露光量をＥ０に対する露光量補正ゲインＡ（ｘ，ｙ）および露光量補正オフセットＢ（ｘ，ｙ）で表されるものとする。この場合、露光量マップＹ（ｘ，ｙ）は下記（１）式により算出される。
【００２５】
Ｙ（ｘ，ｙ）＝Ｅ０＊Ａ（ｘ，ｙ）＋Ｂ（ｘ，ｙ）  ・・・（１）
基準露光量Ｅ０は予め定めた一定の露光量であり、マスクの位置（ｘ，ｙ）およびイベントの有無には依存しない定数である。基準露光量Ｅ０から露光量マップＹ（ｘ，ｙ）を算出する（１）の右辺が露光量マップ生成関数である。
【００２６】
露光装置１およびマスク１１の種類によっては、露光量補正ゲインＡ（ｘ，ｙ）が０になる場合もあるし、露光量補正オフセットＢ（ｘ，ｙ）が０になる場合もある。露光量補正オフセットＢ（ｘ，ｙ）が０で露光量マップＹ（ｘ，ｙ）が基準露光量Ｅ０に比例する場合、露光量補正ゲインＡ（ｘ，ｙ）は露光量補正係数マップと呼ばれる。
【００２７】
イベントが生じる前の初期露光量補正ゲインＡ０（ｘ，ｙ）および初期露光量補正オフセットＢ０（ｘ，ｙ）は、一旦上述のようにしてイベントが発生する前の初期露光量マップＹ０（ｘ，ｙ）を取得し、この初期露光量マップＹ０（ｘ，ｙ）から実験により算出できる。初期露光量補正ゲインＡ０（ｘ，ｙ）および初期露光量補正オフセットＢ０（ｘ，ｙ）で表される初期露光量マップ生成関数は、露光量マップ生成部４に記憶される。
【００２８】
続いて、各イベントに対応する露光量マップの変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を取得し、予め記憶部３に記憶しておく（ステップＳ２）。より具体的には、イベント後の露光量マップＹ’（ｘ，ｙ）を上述のように取得し、イベント前後の露光量マップの変化から変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を取得する。
【００２９】
露光量マップＹ（ｘ，ｙ）は、例えば、以下の（Ａ）〜（Ｃ）のいずれかのように変化する。
【００３０】
（Ａ）．イベントが発生する度に露光量補正ゲインＡ（ｘ，ｙ）が一定割合で変化する。
【００３１】
（Ｂ）．イベントが発生する度に露光量補正ゲインＡ（ｘ，ｙ）が一定量ずつ変化する。
【００３２】
（Ｃ）．イベントが発生する度に露光量補正オフセットＢ（ｘ，ｙ）が一定量ずつ変化する。
【００３３】
これらの「一定割合」または「一定量」が変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）であり、変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）は実験により高い精度で得ることができる。この変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）はイベントにより生じるマスクの光学特性の変化を反映した関数となる。
【００３４】
なお、例えばイベントが「洗浄」であり、複数の洗浄装置でマスクの洗浄を行う場合、洗浄装置（または洗浄プロセス）毎に変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を取得してもよいが、同型の洗浄装置については、そのうちの１つの洗浄装置について変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を取得し、他の洗浄装置に適用してもよい。また、同種のマスクを複数使用する場合も、そのうちの１つのマスクについて変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を取得し、これを他のマスクに適用してもよい。
【００３５】
イベントが複数種類ある場合は、各イベントに対応する変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を記憶部３に記憶しておく。
【００３６】
以上のステップＳ１，Ｓ２の処理は、マスク１１にイベントが発生する前に予め１度だけ行われ、記憶部３には、種々のイベントに対応する変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）が記憶されている。これに対し、以下に説明するステップＳ３以降の処理は、イベントが発生する度に行われる。
【００３７】
マスク１１にイベントが発生すると、イベント情報取得部２は発生したイベント情報を露光量マップ生成部４に通知する（ステップＳ３）。露光量マップ生成部４は発生したイベントに対応する変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を記憶部３から読み出す。そして、露光量マップ生成部４は変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）に基づいて、イベント前の露光量マップ生成関数を更新する（ステップＳ４）。
【００３８】
上記（Ａ）の場合、イベント前の露光量補正ゲインＡ（ｘ，ｙ）および露光量補正オフセットＢ（ｘ，ｙ）は、変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を用いて下記（２），（３）式により更新され、イベント後の露光量補正ゲインＡ’（ｘ，ｙ）および露光量補正オフセットＢ’（ｘ，ｙ）が生成される。
Ａ’（ｘ，ｙ）＝Ａ（ｘ，ｙ）＊Ｔ（ｘ，ｙ）  ・・・（２）
Ｂ’（ｘ，ｙ）＝Ｂ（ｘ，ｙ）  ・・・（３）
【００３９】
上記（Ｂ）の場合、下記（４），（５）式によりイベント後の露光量補正ゲインＡ’（ｘ，ｙ）および露光量補正オフセットＢ’（ｘ，ｙ）が生成される。
Ａ’（ｘ，ｙ）＝Ａ（ｘ，ｙ）＋Ｔ（ｘ，ｙ）  ・・・（４）
Ｂ’（ｘ，ｙ）＝Ｂ（ｘ，ｙ）  ・・・（５）
【００４０】
上記（Ｃ）の場合、下記（６），（７）式によりイベント後の露光量補正ゲインＡ’（ｘ，ｙ）および露光量補正オフセットＢ’（ｘ，ｙ）が生成される。
Ａ’（ｘ，ｙ）＝Ａ（ｘ，ｙ）  ・・・（６）
Ｂ’（ｘ，ｙ）＝Ｂ（ｘ，ｙ）＋Ｔ（ｘ，ｙ）  ・・・（７）
【００４１】
初めてイベントが発生した場合は、初期露光量補正ゲインＡ０（ｘ，ｙ）および初期露光量補正オフセットＢ０（ｘ，ｙ）を上記（２）〜（７）式により更新して、イベント後の露光量補正ゲインＡ’（ｘ，ｙ）および露光量補正オフセットＢ’（ｘ，ｙ）を生成する。また、２回目以降のイベントが発生した場合は、前回のイベント発生時に既に更新された露光量補正ゲインＡ（ｘ，ｙ）および露光量補正オフセットＢ（ｘ，ｙ）を、さらに上記（２）〜（７）式により更新して、イベント後の露光量補正ゲインＡ’（ｘ，ｙ）および露光量補正オフセットＢ’（ｘ，ｙ）を生成する。
【００４２】
続いて、露光量マップ生成部４は、生成されたイベント後の露光量マップ生成関数、すなわち、イベント後の露光量補正ゲインＡ’（ｘ，ｙ）および露光量補正オフセットＢ’（ｘ，ｙ）を用い、下記（８）式により、イベント後の露光量マップＹ’（ｘ，ｙ）を生成する（ステップＳ５）。
【００４３】
Ｙ’（ｘ，ｙ）＝Ｅ０＊Ａ’（ｘ，ｙ）＋Ｂ’（ｘ，ｙ）  ・・・（８）
【００４４】
イベント後の露光量マップＹ’（ｘ，ｙ）が生成されると、露光装置１は露光量マップＹ’（ｘ，ｙ）に応じた露光量で、マスク１１を介して半導体ウエハ１２に光を照射する（ステップＳ６）。露光量マップＹ’（ｘ，ｙ）はイベントによるマスク１１の光学特性の変化を反映して得られたものなので、イベント後も、半導体ウエハ１２上のレジストに形成されるパターンの寸法のばらつきを抑制できる。
【００４５】
このように、第１の実施形態では、イベントに起因して生じる露光量マップＹ（ｘ，ｙ）の変化を示す変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を予め取得しておく。そして、マスク１１にイベントが発生すると、変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）に基づいてイベント前の露光量マップ生成関数を更新し、イベント後の露光量マップを生成する。そのため、イベントが発生する度に露光量マップＹ（ｘ，ｙ）を測定により取得する必要がなく、簡易に短時間でイベント後の露光量マップＹ（ｘ，ｙ）を生成でき、これにより精度よく露光できる。その結果、イベント後、新たな露光量マップＹ（ｘ，ｙ）を生成するために半導体装置の製造を止めたり、予備のマスクを準備しておいたりする必要がなく、半導体装置の生産効率が向上し、製造コストを抑制できる。
【００４６】
（第２の実施形態）
上述した第１の実施形態は、露光量マップ生成関数が露光量補正ゲインＡ（ｘ，ｙ）および露光量補正オフセットＢ（ｘ，ｙ）で表されるものであった。これに対し、以下に説明する第２の実施形態は、露光量マップ生成関数がマスク寸法誤差拡大係数（Mask Error enhancement Factor：ＭＥＦ）で表されるものである。以下では、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００４７】
図４は、ＭＥＦを説明する図である。以下では、説明の簡略化のために、投影レンズの投影倍率は１倍であるとする。マスク１１に形成される遮光部２２の幅の設計値がＬであるのに対し、寸法誤差ΔＬ１があり、幅Ｌ＋ΔＬ１に形成されていたとする。このとき、露光装置１からマスク１１に露光を行ったところ、ウエハ１２のレジスト上には幅Ｌ＋ΔＬ２のパターンが形成されたとする。このとき、ＭＥＦは、マスク１１上の寸法誤差ΔＬ１とレジスト上の寸法誤差ΔＬ２の比であり、以下の（９）式で定義される。
【００４８】
ＭＥＦ＝ΔＬ２／ΔＬ１  ・・・（９）
このＭＥＦは、寸法誤差がある２つのパターンを含むマスク１１に対して露光を行い、マスク１１上の寸法誤差ΔＬ１と、対応するレジスト上の寸法誤差ΔＬ２とを計測し、これらの比から算出できる。一般的に、ＭＥＦは１より大きく、通常は２程度であり、４〜６となる場合もある。
【００４９】
なお、投影レンズの投影倍率がｍ倍である場合、ＭＥＦは以下の（９’）式で定義される。
【００５０】
ＭＥＦ＝ΔＬ２／（ｍ＊ΔＬ１）  ・・・（９’）
このＭＥＦとマスク寸法誤差マップΔＬ（ｘ，ｙ）とを用いて、露光量マップＹ（ｘ，ｙ）は下記（１０）式により算出される。
【００５１】
Ｙ（ｘ，ｙ）＝Ｅ０＋ｋ＊ＭＥＦ＊ΔＬ（ｘ，ｙ）  ・・・（１０）
【００５２】
マスク寸法誤差マップΔＬ（ｘ，ｙ）はマスク１１上の位置（ｘ，ｙ）での寸法誤差であり、予め取得しておく。また、定数ｋはマスク１１上の位置（ｘ，ｙ）およびイベントの有無には依存しない定数であり、予め実験により算出される。
【００５３】
ＭＥＦはイベントにより変化する。例えば、イベントが発生する度に、ＭＥＦは一定割合で変化する。本実施形態では、この一定割合が図２のステップＳ２で取得される変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）である。
【００５４】
図１の露光量マップ生成部４はイベント情報を取得すると（ステップＳ３）、変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）に基づいて、イベント前の露光量マップ生成関数を更新し、イベント後の露光量マップ生成関数（ｘ，ｙ）を生成する（ステップＳ４）。
【００５５】
本実施形態の場合、変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を用いて、イベント後のＭＥＦ’は下記（１１）式により生成される。
【００５６】
ＭＥＦ’＝ＭＥＦ＊Ｔ（ｘ，ｙ）  ・・・（１１）
このＭＥＦ’を用い、露光量マップ生成部は、下記（１２）式により、イベント後の露光量マップＹ’（ｘ，ｙ）を算出する（ステップＳ５）
Ｙ’ （ｘ，ｙ）＝Ｅ０＋ｋ＊ＭＥＦ’＊ΔＬ（ｘ，ｙ）  ・・・（１２）
【００５７】
以下の処理は第１の実施形態と同様である。
【００５８】
このように、第２の実施形態でも、イベントが発生する度に露光量マップを取得することなく、簡易に短時間でイベント後の露光量マップを生成できる。
【００５９】
（第３の実施形態）
上述した第２の実施形態は、露光量マップ生成関数がＭＥＦで表されるものであった。これに対し、以下に説明する第３の実施形態は、露光量マップ生成関数がＤＯＳＥ＿ＭＥＦで表されるものである。以下では、第２の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００６０】
図５は、ＤＯＳＥ＿ＭＥＦを説明する図である。マスク１１に形成される遮光部２２の幅の設計値がＬであるのに対し、寸法誤差ΔＬ１があり、幅Ｌ＋ΔＬ１に形成されていたとする。このとき、露光装置１からマスク１１に露光量Ｅ１で露光を行ったところ、ウエハ１２のレジスト上には設計値である幅Ｌのパターンが形成されたとする。また、マスク１１上の寸法誤差がない場合、すなわちΔＬ１＝０の場合、露光量Ｅ０で露光を行うと、レジスト上には幅Ｌのパターンが形成されるとする。
【００６１】
このとき、ＤＯＳＥ＿ＭＥＦは、設計値の寸法パターンを得るための露光量の変化率（Ｅ１−Ｅ０）／Ｅ０と、マスク１１上の寸法誤差ΔＬ１との比であり、以下の（１３）式で定義される。
【００６２】
ＤＯＳＥ＿ＭＥＦ＝露光量の変化率／ΔＬ１  ・・・（１３）
このＤＯＳＥ＿ＭＥＦは、寸法誤差がある２つのパターンを含むマスク１１に対して露光を行い、マスク１１上の寸法誤差ΔＬ１と、レジスト上のパターンが設計値となるときの露光量の変化率とを計測し、これらの比から算出できる。
【００６３】
なお、投影レンズの投影倍率がｍ倍である場合、ＤＯＳＥ＿ＭＥＦは以下の（１３’）式で定義される。
【００６４】
ＤＯＳＥ＿ＭＥＦ＝露光量の変化率／（ｍ＊ΔＬ１）  ・・・（１３’）
このＤＯＳＥ＿ＭＥＦとマスク寸法誤差マップΔＬ（ｘ，ｙ）とを用いて、露光量マップＹ（ｘ，ｙ）は下記（１４）式により算出される。
【００６５】
Ｙ（ｘ，ｙ）＝Ｅ０＋ｋ＊ＤＯＳＥ＿ＭＥＦ＊ΔＬ（ｘ，ｙ）  ・・・（１４）
定数ｋはマスク１１上の位置（ｘ，ｙ）およびイベントの有無には依存しない定数であり、予め実験により算出される。
【００６６】
ＤＯＳＥ＿ＭＥＦはイベントにより変化する。例えば、イベントが発生する度に、ＤＯＳＥ＿ＭＥＦは一定割合で変化する。本実施形態では、この一定割合が図３のステップＳ２で取得される変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）である。
【００６７】
図１の露光量マップ生成部４はイベントの発生を取得すると（ステップＳ３）、変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）に基づいて、イベント前の露光量マップ生成関数を更新し、イベント後の露光量マップ生成関数（ｘ，ｙ）を生成する（ステップＳ４）。
【００６８】
本実施形態の場合、変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を用いて、イベント後のＤＯＳＥ＿ＭＥＦ’は下記（１５）式により生成される。
【００６９】
ＤＯＳＥ＿ＭＥＦ’＝ＤＯＳＥ＿ＭＥＦ＊Ｔ（ｘ，ｙ）  ・・・（１５）
このＤＯＳＥ＿ＭＥＦ’を用い、下記（１６）式により、イベント後の露光量マップＹ’（ｘ，ｙ）を算出する（ステップＳ５）
Ｙ’ （ｘ，ｙ）＝Ｅ０＋ｋ＊ＤＯＳＥ＿ＭＥＦ’＊ΔＬ（ｘ，ｙ）  ・・・（１６）
【００７０】
以下の処理は第１の実施形態と同様である。
【００７１】
このように、第３の実施形態でも、イベントが発生する度に露光量マップを取得することなく、簡易に短時間でイベント後の露光量マップを生成できる。
【００７２】
（第４の実施形態）
上述した第１〜第３の実施形態は、常に一定の変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を用いて補正量マップ生成関数を更新するものであった。これに対し、以下に説明する第４の実施形態は、イベント毎に変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）の「大きさ」を調整するものである。
【００７３】
イベントが「洗浄」である場合、マスク１１の汚染の程度により洗浄量が調節される。その場合、変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）が洗浄量にも依存することがある。すなわち、洗浄量が多い場合は変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）の絶対値は大きくなり、洗浄量が小さい場合は変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）の絶対値は小さくなる。その一方で、洗浄量に関わらず、変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）の形状はほとんど変化しない。
【００７４】
そこで、本実施形態は、イベントの発生後、マスク１１の簡易検査を行い、変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）の大きさを決定するものである。
【００７５】
図６は、本発明の第４の実施形態に係る露光方法に用いられる露光システムの概略構成を示す図である。図６では、図１と共通する構成部分には同一の符号を付しており、以下では相違点を中心に説明する。
【００７６】
図６の露光システムは、図１の露光システムに加え、検査部５をさらに備えている。検査部５はイベントの発生後にマスク１１の簡易検査を行う。露光量マップ生成部４は、検査結果に応じて、変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）の大きさを調整する。
【００７７】
図７は、図６の露光システムの処理動作の一例を示すフローチャートである。ステップＳ１〜Ｓ３の処理は第１の実施形態と同様である。イベントの発生後、検査部５はマスク１１の簡易検査を行う（ステップＳ１１）。より具体的には、検査部５は、マスク１１のパターン寸法および光学特性のうちの少なくとも１つを、１または複数箇所で検査する。複数箇所といっても例えば１０箇所でも十分であり、分割された１０，０００個の領域全ての箇所について検査する必要はないため、簡易検査は短時間で完了する。
【００７８】
そして、露光量マップ生成部４は、検査部５の検査結果に基づいて、記憶部３に記憶されている変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）の大きさを調整する（ステップＳ１２）。すなわち、下記（１７）式により調整後の変換関数Ｔ’（ｘ，ｙ）を生成する。
【００７９】
Ｔ’（ｘ，ｙ）＝Ｍ＊Ｔ（ｘ，ｙ）  ・・・（１７）
【００８０】
露光量マップ生成部４は検査結果に基づいて上記（１７）式の係数Ｍを設定する。例えば、イベントにより、検査したマスク１１のパターン寸法または光学特性が大きく変化した場合、露光量マップ生成部４は係数Ｍを大きく設定し、変化が小さい場合は係数Ｍを小さく設定する。
【００８１】
その後、露光量マップ生成部４は露光量マップ生成関数を更新する（ステップＳ４）。本実施形態では、第１の実施形態における（２）〜（７）式、第２の実施形態における（１１）式、第３の実施形態における（１５）式のＴ（ｘ，ｙ）の代わりに、調整後の変換関数Ｔ’（ｘ，ｙ）を用いる。
【００８２】
以降の処理は第１〜第３の実施形態と同様である。
【００８３】
このように、第４の実施形態では、イベント後にマスク１１の簡易検査を行い、検査結果に応じた係数Ｍと変換関数Ｔ（ｘ，ｙ）を用いて、露光量マップ生成関数が更新するため、第１〜第３の実施形態よりさらに高精度に露光量マップを生成できる。
【００８４】
（第５の実施形態）
以下に説明する第５の実施形態は、イベントが行われた時間ｔも考慮して露光量マップを生成するものである。
【００８５】
イベントが、例えば「露光」である場合、長時間露光を行った場合と、短時間露光を行った場合とでは、マスク１１の光学特性の変化は異なる。この場合、変換関数は、位置（ｘ，ｙ）のみならず、露光時間ｔにも依存する変換関数Ｔ’’（ｘ，ｙ，ｔ）となる。
【００８６】
そこで、本実施形態では、図３または図７のステップＳ２で、例えば以下のようにしてＴ’’（ｘ，ｙ，ｔ）を取得する。すなわち、露光を行う前および一定時間露光を行った後の両方でマスク１１のテスト露光を行い、レジスト上に形成されるパターン寸法の変化と、露光時間ｔとの関係を取得する。この関係に基づいて変換関数Ｔ’’（ｘ，ｙ，ｔ）を取得する。もしくは、露光前後でマスク１１上のパターン寸法または光学特性の検査を行い、露光前後の変化と露光時間ｔとの関係に基づいて変換関数Ｔ’’（ｘ，ｙ，ｔ）を取得してもよい。
【００８７】
また、変換関数Ｔ’’（ｘ，ｙ，ｔ）が近似的に露光時間ｔに比例する場合、実験により算出可能な単位時間あたりの変換関数ｆ（ｘ，ｙ）を用い、変換関数Ｔ’’（ｘ，ｙ，ｔ）は下記（１８）式で近似してもよい。
【００８８】
Ｔ’’（ｘ，ｙ，ｔ）＝ｔ＊ｆ（ｘ，ｙ）  ・・・（１８）
【００８９】
そして、図３または図７のステップＳ４では、第１の実施形態における（２）〜（７）式、第２の実施形態における（１１）式、第３の実施形態における（１５）式のＴ（ｘ，ｙ）の代わりに、変換関数Ｔ’’（ｘ，ｙ，ｔ）を用いて、露光量マップ生成関数を更新する。
【００９０】
以降の処理は第１〜第３の実施形態と同様である。
【００９１】
このように、第５の実施形態では、イベントが行われた時間ｔも考慮して露光量マップ生成マップを更新するため、高精度に露光量マップを生成できる。
【００９２】
なお、上述した第１〜第５の実施形態において、露光装置１は波長１３〜１４ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ）光を光源とするＥＵＶ露光装置とし、マスクは反射型のマスクであってもよい。その他、露光装置１およびマスク１１の種類に限定されることなく、各実施形態を適用できる。
【００９３】
また、上述した各実施形態で用いられる変換関数は、イベントがマスクに与える影響を示すものであり、マスク上に形成されたパターンには依存しない。例えば、最小ハーフピッチ４５ｎｍの回路パターン転写に用いられるハーフトーン型位相シフトマスクを用いて、変換関数を取得したとする。この場合、同じく最小ハーフピッチ４５ｎｍの回路パターン転写に用いられるハーフトーン型位相シフトマスクであって、異なるパターンが形成されたマスクに対しては、変換関数を別途取得する必要はなく、同一の変換関数を適用できる。
【００９４】
すなわち、図３のステップＳ２で変換関数を取得するために用いたマスクと、ステップＳ６で露光されるマスクとは、必ずしも同一でなくてもよい。例えば、変換関数を取得するために用いるマスクおよび露光されるマスクは、ともに透過型（またはともに反射型）のマスクであれば、両者に形成されるパターンが異なっていてもよい。
【００９５】
上述した実施形態で説明した露光システムの少なくとも一部は、ハードウェアで構成してもよいし、ソフトウェアで構成してもよい。ソフトウェアで構成する場合には、露光システムの少なくとも一部の機能を実現するプログラムをフレキシブルディスクやＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体に収納し、コンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。
【００９６】
また、露光システムの少なくとも一部の機能を実現するプログラムを、インターネット等の通信回線（無線通信も含む）を介して頒布してもよい。さらに、同プログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布してもよい。
【００９７】
上記の記載に基づいて、当業者であれば、本発明の追加の効果や種々の変形を想到できるかもしれないが、本発明の態様は、上述した個々の実施形態には限定されるものではない。特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本発明の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。
【符号の説明】
【００９８】
１  露光装置
２  イベント情報取得部
３  記憶部
４  露光量マップ生成部
５  検査部
１１  マスク
１２  半導体ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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