(57)【要約】【課題】ワイヤボンディング実装において、実装面積を縮小しつつ確実に導通を確保する。【解決手段】配線基板１０は、所定箇所に貫通する開口部１７が形成され、半導体チップ２０は、開口部１７にチップ電極２１が臨むように配線基板１０側に向けてチップ本体２２が搭載される。配線基板１０の開口部１７と連続する箇所の絶縁基材１２は除去されて電極露出部１８となり、配線層１１が露出された基板電極１１ａが形成される。チップ電極２１と基板電極１１ａとは、開口部１７及び電極露出部１８内でワイヤ１９によりボンディングされ接続される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有する基板と、この基板上に形成された配線層とを備え、
電子部品の電極が前記開口部に臨むように前記基板に実装され、
前記電子部品の電極と前記基板の配線層とが前記開口部を通じてワイヤボンディングにより接続されている
ことを特徴とする電子部品の実装基板。
【請求項２】
前記電子部品の電極と前記配線層の前記ワイヤボンディングにより接続される面は同じ方向を向いていることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装基板。
【請求項３】
前記開口部は、樹脂により封止されていることを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品の実装基板。
【請求項４】
前記配線層は、前記基板の前記電子部品の搭載側に設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の電子部品の実装基板。
【請求項５】
前記配線層は、前記基板の前記電子部品の搭載側と反対側に設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の電子部品の実装基板。
【請求項６】
前記電極は、前記基板における前記電子部品が搭載されている搭載領域外の前記配線層に接続されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の電子部品の実装基板。
【請求項７】
前記電極は、前記基板における前記電子部品が搭載されている搭載領域内の前記配線層に接続されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の電子部品の実装基板。
【請求項８】
配線層を有する基板の所定箇所に貫通する開口部を形成する工程と、
前記開口部の周縁部にて前記配線層を露出させる工程と、
電子部品をその電極が前記開口部に臨むように前記基板に実装する工程と、
前記電子部品の電極と前記露出した配線層とを前記開口部を通じてワイヤボンディングにより接続する工程と
を備えたことを特徴とする電子部品の実装基板の製造方法。
【請求項９】
前記電子部品は、前記電極が前記露出した配線層の前記ワイヤボンディングにより接続される面と同じ方向を向くように前記基板に実装されることを特徴とする請求項８記載の電子部品の実装基板の製造方法。
【請求項１０】
前記開口部を樹脂により封止する工程を更に備えた
ことを特徴とする請求項８又は９記載の電子部品の実装基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体チップなどの電子部品の実装基板及びその製造方法に関し、特にワイヤボンディング実装での実装面積の縮小や実装高さの減少を図りつつ確実に導通を確保することができる電子部品の実装基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップなどの電子部品を基板上に実装する方法として、下記特許文献１に開示されたようなワイヤボンディング実装が知られている。このワイヤボンディング実装は、例えば図９に示すように、ベース材１０１上に基板側の配線や電極１０２が形成された基板１００上の実装箇所に、チップ本体２０２にチップ側の電極２０１が形成された半導体チップ２００を電極２０１が基板１００と反対側を向くようにしてボンディングシート１０３を介して搭載する。
【０００３】
そして、基板１００の電極１０２と半導体チップ２００の電極２０１とを金属製のワイヤ１０９によりボンディングして接続し、基板１００の実装箇所全体を封止樹脂１０６により封止して実装が完了する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−１０２３３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来技術のワイヤボンディング実装では、半導体チップ２００の電極２０１が基板１００と反対側を向くように搭載され、更にこの電極２０１からワイヤ１０９を延ばしてループ部分を形成した上で電極１０２と接続する必要がある。このため、電極１０２を半導体チップ２００からある程度離れた位置に形成する必要があると共に、半導体チップ２００の実装高さをある程度確保する必要があり、実装に要する面積を縮小したり高さを抑えたりは困難であるという問題があった。
【０００６】
また、ワイヤ１０９を電極２０１から延ばす際に、図９に示すエッジ不良箇所Ｚのように、ループ部分の形成不良でワイヤ１０９が半導体チップ２００のチップ本体２０２のエッジ部分に接触した状態でボンディングされてしまうことがある。このような場合で、チップ本体２０２が絶縁性の低い材料からなるときは、導通不良が発生したりショートしたりしてしまうおそれがある。
【０００７】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、実装面積の縮小や実装高さの減少を図りつつ確実に導通を確保することができる電子部品の実装基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明に係る電子部品の実装基板は、開口部を有する基板と、この基板上に形成された配線層とを備え、電子部品の電極が前記開口部に臨むように前記基板に実装され、前記電子部品の電極と前記基板の配線層とが前記開口部を通じてワイヤボンディングにより接続されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る電子部品の実装基板によれば、基板の開口部に電極が臨むように電子部品を実装し、この開口部を通じて電子部品の電極と基板の配線層とをワイヤボンディングにより接続するので、ワイヤを開口部内に埋め込むような状態で接続することができ、電子部品の実装面積の縮小や実装高さの減少を図ることができる。また、構造的にワイヤが電子部品のエッジ部分に接触することがないので、電子部品の電極と基板の配線層との電気的導通を確実に確保することができる。
【００１０】
本発明の一態様に係る電子部品の実装基板において、例えば前記電子部品の電極と前記配線層の前記ワイヤボンディングにより接続される面は同じ方向を向いている。これにより、ワイヤの長さが最短に近くなるような状態で電極と配線層とを接続することができるので、実装面積の縮小や実装高さの減少を図ることができる。
【００１１】
本発明の一態様に係る電子部品の実装基板において、前記開口部は、樹脂により封止されている。
【００１２】
また、前記配線層は、例えば前記基板の前記電子部品の搭載側に設けられていたり、搭載側と反対側に設けられていたりする。しかし、前記配線層の接続される面は前記電子部品の電極と同じ方向を向くことになる。
【００１３】
更に、前記電極は、前記基板における前記電子部品が搭載されている搭載領域外の前記配線層に接続されていたり、搭載領域内の前記配線層に接続されていたりする。
【００１４】
本発明に係る電子部品の実装基板の製造方法は、配線層を有する基板の所定箇所に貫通する開口部を形成する工程と、前記開口部の周縁部にて前記配線層を露出させる工程と、電子部品をその電極が前記開口部に臨むように前記基板に実装する工程と、前記電子部品の電極と前記露出した配線層とを前記開口部を通じてワイヤボンディングにより接続する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る電子部品の実装基板の製造方法によれば、基板に開口部を形成すると共にその周縁部で配線層を露出させ、開口部に電極が臨むように電子部品を実装して、この開口部を通じて電子部品の電極と基板の配線層とをワイヤボンディングにより接続するので、ワイヤを開口部内に埋め込むような状態で接続することができ、電子部品の実装面積の縮小や実装高さの減少を図ることができる。また、構造的にワイヤが電子部品のエッジ部分に接触することがないので、電子部品の電極と基板の配線層との電気的導通を確実に確保することができる。
【００１６】
本発明の一態様に係る電子部品の実装基板の製造方法において、例えば前記電子部品は、前記電極が前記露出した配線層の前記ワイヤボンディングにより接続される面と同じ方向を向くように前記基板に実装される。これにより、ワイヤの長さが最短に近くなるような状態で電極と配線層とを接続することができるので、実装面積の縮小や実装高さの減少を図ることができる。
【００１７】
本発明の一態様に係る電子部品の実装基板の製造方法において、前記開口部を樹脂により封止する工程を更に備えても良い。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、実装面積の縮小や実装高さの減少を図りつつ確実に導通を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電子部品の実装基板の実装構造を示す断面図である。
【図２】図１のＡ矢視図である。
【図３Ａ】同電子部品の実装基板の実装例を示す平面図である。
【図３Ｂ】同電子部品の実装基板の実装例を示す平面図である。
【図３Ｃ】同電子部品の実装基板の実装例を示す平面図である。
【図３Ｄ】同電子部品の実装基板の実装例を示す平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る電子部品の実装基板の製造方法による実装工程を示すフローチャートである。
【図５】同電子部品の実装基板の製造方法による実装工程を説明するための工程図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る電子部品の実装基板の実装構造を示す断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る電子部品の実装基板の実装構造を示す断面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る電子部品の実装基板の実装構造を示す断面図である。
【図９】従来のワイヤボンディング実装を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、添付の図面を参照して、この発明に係る電子部品の実装基板及びその製造方法の実施の形態を詳細に説明する。
【００２１】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品の実装基板の実装構造を示す断面図、図２は図１のＡ矢視図である。本発明の第１の実施形態に係る電子部品の実装基板は、図１及び図２に示すように、例えば配線基板１０上に電子部品としての半導体チップ２０を実装する場合に適用される。
【００２２】
配線基板１０は、例えばフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）、リジッド基板等により構成される。この配線基板１０は、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、エポキシ樹脂（例えば、ガラスエポキシ樹脂）、或いは液晶ポリマー（ＬＣＰ）などの絶縁樹脂系材料からなる絶縁基材１２と、この絶縁基材１２の片面上に形成された銅（Ｃｕ）等の金属材料からなる配線層１１と、これら絶縁基材１２及び配線層１１の上にエポキシ系或いはアクリル系の合成樹脂系材料からなる接着剤１４を介して貼り付けられた保護部材としてのカバーレイ１３とを備える。なお、カバーレイ１３は、絶縁基材１２と同様の合成樹脂系材料からなる。
【００２３】
なお、上記カバーレイ１３と接着剤１４との組み合わせで構成される保護部材の他に、図示は省略するが、配線基板１０においては、例えば感光性或いは熱硬化性の絶縁樹脂系材料からなるソルダレジストを保護部材として用いるようにしても良い。感光性のソルダレジストを形成する場合は、例えばスクリーン印刷によりソルダレジストを構成する絶縁樹脂系材料を絶縁基材１２及び配線層１１上に塗布した後、通常のフォトリソグラフィ技術により必要箇所にソルダレジストを形成すれば良い。
【００２４】
また、熱硬化性のソルダレジストを形成する場合は、例えばスクリーン印刷により絶縁基材１２及び配線層１１上の必要箇所のみにソルダレジストを構成する絶縁樹脂系材料を塗布した後、熱により硬化させてソルダレジストを形成すれば良い。このように、ソルダレジストによっても、配線基板１０に保護部材を設けることができる。なお、ソルダレジストを構成する絶縁樹脂系材料としては、上記絶縁基材１２と同様のものを用いることができる。
【００２５】
半導体チップ２０は、各種集積回路やパッケージ、メモリ等であり、チップ本体２２と、このチップ本体２２の配線基板１０への実装面２２ａ側に形成されたチップ電極２１とを備える。この半導体チップ２０は、配線基板１０側にチップ電極２１を向けた状態で、例えば絶縁基材１２のみが露出するように形成された実装箇所上にボンディングシート１５を介して搭載されている。
【００２６】
配線基板１０の所定箇所には、例えば金型による打ち抜き加工やドリルによる孔あけ加工によって、基板厚方向に貫通する開口部１７が形成されている。所定箇所は、例えば上記実装箇所において半導体チップ２０のチップ電極２１と対向する領域を含む箇所のことを指し、この開口部１７内にチップ電極２１が臨むように半導体チップ２０が搭載される。
【００２７】
また、配線基板１０の半導体チップ２０の実装側と反対側においては、絶縁基材１２が炭酸ガスレーザやＵＶ−ＹＡＧレーザなどを用いたレーザ加工によって除去されて、開口部１７と連続する電極露出部１８が形成され、この電極露出部１８においては、本例では絶縁基材１２が除去されることにより配線層１１の一面がチップ電極２１の電極面と同じ方向を向くように露出することで、配線基板１０の基板電極１１ａが形成されている。
【００２８】
そして、この基板電極１１ａとチップ電極２１とは、開口部１７及び電極露出部１８内において金（Ａｕ）や銅などの金属材料からなるワイヤ１９を、ワイヤ１９の長さが最短に近くなるようにボンディングすることにより、開口部１７を通じて電気的に接続されている。なお、基板電極１１ａの表面には、ワイヤ１９と同様の金などの金属材料でメッキが施されていることが好ましい。
【００２９】
更に、開口部１７及び電極露出部１８内には、これらチップ電極２１、基板電極１１ａ及びワイヤ１９を覆うように熱硬化性樹脂又は紫外線硬化性樹脂からなる封止樹脂１６が充填され、配線基板１０と半導体チップ２０とが封止されている。このように封止樹脂１６で開口部１７及び電極露出部１８を封止することにより、半導体チップ２０の実装面積の縮小や実装高さの減少を図ることができる。
【００３０】
なお、半導体チップ２０は、具体的には次のように実装され、配線基板１０に支持される。図３Ａ〜図３Ｄは、配線基板１０への半導体チップ２０の実装例を示す平面図である。例えば図３Ａに示すように、矩形状に形成され角部を除く一対の対向する２辺側にそれぞれチップ電極２１が形成された半導体チップ２０を、これらチップ電極２１が臨むように実装箇所の周縁部に一対形成された開口部１７と、この開口部１７と連続する電極露出部１８により基板電極１１ａの電極面がチップ電極２１の電極面と同じ方向を向くように露出した配線基板１０に実装する。
【００３１】
この場合、角部を含む他の一対の対向する２辺側にて、半導体チップ２０の実装箇所は配線基板１０の絶縁基材１２（図示せず）と連続しているため、開口部１７及び電極露出部１８を設けたとしても半導体チップ２０は配線基板１０上に確実に支持された状態で搭載される。
【００３２】
また、図３Ｂに示すように、角部を除く二対の対向する２辺側にそれぞれチップ電極２１が形成された半導体チップ２０を、これらチップ電極２１が臨むように実装箇所の周縁部に二対形成された開口部１７と、この開口部１７と連続する電極露出部１８により基板電極１１ａの電極面がチップ電極２１の電極面と同じ方向を向くように露出した配線基板１０に実装する。
【００３３】
この場合、二対の対向する２辺を除く４つの角部にて、半導体チップ２０の実装箇所は配線基板１０の絶縁基材１２と連続しているため、開口部１７及び電極露出部１８を設けたとしても半導体チップ２０は配線基板１０上に十分支持された状態で搭載される。なお、開口部１７及び電極露出部１８を封止樹脂１６で封止すれば、この封止樹脂１６も半導体チップ２０の支持メンバ（部材）として機能するため、強度的には何ら問題はない。
【００３４】
更に、図３Ｃに示すように、二対の対向する２辺の中間部及び角部を除く部分にそれぞれチップ電極２１が形成された半導体チップ２０を、これらチップ電極２１が臨むように上記中間部に対応する箇所を除く実装箇所の角部を含む対角線上に対向するくの字状の連続する２辺からなる二組の周縁部に形成された開口部１７と、この開口部１７と連続する電極露出部１８により基板電極１１ａの電極面がチップ電極２１の電極面と同じ方向を向くように露出した配線基板１０に実装する。
【００３５】
この場合、二対の対向する２辺の中間部にて、半導体チップ２０の実装箇所は配線基板１０の絶縁基材１２と連続しているため、実装箇所の周縁部の大部分に開口部１７及び電極露出部１８を設けた状態であっても、半導体チップ２０は配線基板１０上に十分支持された状態で搭載される。なお、この場合も、開口部１７及び電極露出部１８を封止樹脂１６で封止すれば強度的な問題は発生しない。
【００３６】
また、図３Ｄに示すように、角部を含む一組の２辺側にそれぞれチップ電極２１が形成された半導体チップ２０を、これらチップ電極２１が臨むように実装箇所の周縁部の角部を含むくの字状の連続する２辺に形成された開口部１７と、この開口部１７と連続する電極露出部１８により基板電極１１ａの電極面がチップ電極２１の電極面と同じ方向を向くように露出した配線基板１０に実装する。
【００３７】
この場合、角部を含む他の一組の２辺側にて、半導体チップ２０の実装箇所は配線基板１０の絶縁基材１２と連続しているため、開口部１７及び電極露出部１８を設けたとしても半導体チップ２０は配線基板１０上に十分支持された状態で搭載されると共に、開口部１７及び電極露出部１８を封止樹脂１６で封止すれば同様に強度的な問題は発生しない。なお、半導体チップ２０の支持メンバとして配線基板１０以外の部材で代用できる場合は、それで半導体チップ２０を支持するようにしても良い。
【００３８】
このような実装構造を実現する第１の実施形態に係る電子部品の実装基板によれば、半導体チップ２０は配線層１１と絶縁基材１２を基準とした場合の同一面側に実装され、チップ電極２１は半導体チップ２０の搭載領域外にチップ電極２１の電極面と同じ方向を向くように電極面が形成された基板電極１１ａに接続される。このため、配線基板１０の基板電極１１ａを半導体チップ２０と隣接する位置に形成して開口部１７及び電極露出部１８を介してチップ電極２１とワイヤ１９によりワイヤの長さが最短に近くなるように接続することができるので、従来のワイヤボンディング実装よりも半導体チップ２０の実装面積の縮小や実装高さの減少を図ることができる。
【００３９】
また、図１に示すように、その構造上ワイヤ１９のループ部分が半導体チップ２０のエッジ部分に接触することはなく、仮にループ部分が接触したとしてもその接触箇所は基板電極１１ａのエッジ部分であるため、基板電極１１ａとチップ電極２１とを確実に接続し導通を確保することが可能となる。
【００４０】
更に、図示は省略するが、チップ電極２１と基板電極１１ａとを開口部１７及び電極露出部１８を介してワイヤ１９により接続することができるため、配線基板１０における半導体チップ２０の実装箇所近傍の表裏面いずれにおいても他の電子部品を配置することができるので、実装スペースを縮小化して配線基板１０を用いた部品の小型化を図ることが可能となる。
【００４１】
ここで、本発明の第１の実施形態に係る電子部品の実装基板の製造方法による実装工程について、図４のフローチャートを参照しながら、図５を参照して説明する。まず、図５（ａ）に示すように、別途加工工程により半導体チップ２０の実装箇所を除く絶縁基材１２上に配線層１１が形成され、更に接着剤１４を介してカバーレイ１３が形成された配線基板１０を用意して準備する（ステップＳ１００）。
【００４２】
そして、図５（ｂ）に示すように、所定箇所に上述したような打ち抜き加工又は孔あけ加工を施して配線基板１０を貫通する開口部１７を形成する（ステップＳ１０２）。更に、図５（ｃ）に示すように、半導体チップ２０の搭載側と反対側の開口部１７と連続する箇所の絶縁基材１２を上述したようなレーザ加工によって除去して電極露出部１８を形成し、配線層１１を露出させた基板電極１１ａをその電極面が実装されるチップ電極２１の電極面と同じ方向を向くように形成する（ステップＳ１０４）。なお、これらステップＳ１０２とステップＳ１０４の順序は入れ替わっても良い。
【００４３】
基板電極１１ａを形成したら、図５（ｄ）に示すように、半導体チップ２０のチップ電極２１が配線基板１０側を向き且つ開口部１７に臨むように、半導体チップ２０のチップ本体２２をボンディングシート１５を介して配線基板１０の実装箇所にダイボンディングにより搭載する（ステップＳ１０６）。
【００４４】
そして、図５（ｅ）に示すように、開口部１７内のチップ電極２１と電極露出部１８により形成された基板電極１１ａとを開口部１７内でワイヤ１９によりボンディングして接続し（ステップＳ１０８）、最後に、開口部１７及び電極露出部１８を満たすように封止樹脂１６を充填して配線基板１０と半導体チップ２０とを樹脂封止し（ステップＳ１１０）、本フローチャートによる一連の実装工程が終了する。これにより、図１に示したように、基板電極１１ａとチップ電極２１とが開口部１７及び電極露出部１８内でワイヤ１９により接続された上で半導体チップ２０が配線基板１０上に実装される。
【００４５】
［第２の実施形態］
図６は、本発明の第２の実施形態に係る電子部品の実装基板の実装構造を示す断面図である。なお、以降において、既に説明した部分と重複する箇所には同一の符号を附して説明を割愛し、本発明に特に関連しない部分については明記しないことがあるとする。
【００４６】
第２の実施形態は、半導体チップ２０が配線層１１と絶縁基材１２を基準とした場合の同一面側に実装されているが、電極露出部１８及び基板電極１１ａの電極面が半導体チップ２０の実装箇所の搭載領域内にチップ電極２１の電極面と同じ方向を向くように形成されている点が、先の第１の実施形態と相違している。従って、半導体チップ２０のチップ本体２２は、配線層１１を含めた絶縁基材１２上にボンディングシート１５を介して搭載されている。このように半導体チップ２０を配線基板１０上に実装しても、第１の実施形態と同様の作用効果を有することができる。
【００４７】
［第３の実施形態］
図７は、本発明の第３の実施形態に係る電子部品の実装基板の実装構造を示す断面図である。第３の実施形態は、半導体チップ２０が配線層１１と反対面側（絶縁基材１２の裏面側）に実装されており、電極露出部１８及び基板電極１１ａの電極面が配線基板１０の表面側にチップ電極２１の電極面と同じ方向を向くように形成されると共に、半導体チップ２０の実装箇所の搭載領域外に形成されている点が、先の実施形態と相違している。
【００４８】
すなわち、半導体チップ２０のチップ本体２２は、チップ電極２１が開口部１７に臨むようにボンディングシート１５を介して絶縁基材１２の裏面上に搭載され、電極露出部１８は、接着剤１４を介して貼り付けられるカバーレイ１３を予め加工しておくことにより形成される。このように半導体チップ２０を配線基板上に実装しても、実装面積を縮小して確実に導通を図ることができると共に、カバーレイ１３を除去して電極露出部１８を形成し基板電極１１ａを形成する工程を省くことができるので、実装工程をより簡略化することが可能となる。
【００４９】
［第４の実施形態］
図８は、本発明の第４の実施形態に係る電子部品の実装基板の実装構造を示す断面図である。第４の実施形態は、半導体チップ２０が配線層１１と反対面側に実装されているが、電極露出部１８及び基板電極１１ａの電極面が配線基板１０の表面側にチップ電極２１の電極面と同じ方向を向くように形成されると共に、半導体チップ２０の実装箇所の搭載領域内に形成されている点が、第３の実施形態と相違している。その他の構成、作用効果等は第３の実施形態と同様である。
【００５０】
なお、上述した第１の実施形態に係る実装構造と第２の実施形態に係る実装構造とを組み合わせたり、第３の実施形態に係る実装構造と第４の実施形態に係る実装構造とを組み合わせたりして配線基板１０に半導体チップ２０を実装するようにしても良い。このようにすれば、半導体チップ２０の実装態様の自由度を更に広げることができる。
【符号の説明】
【００５１】
１０          配線基板
１１          配線
１２          絶縁基板
１３          カバーレイ
１４          接着剤
１５          ボンディングシート
１６          封止樹脂
１７          貫通孔
１８          開口部
２０          半導体チップ
２１          チップ電極
２２          チップ本体
【図１】
2011253880.tif 000003
【図２】
2011253880.tif 000004
【図３Ａ】
2011253880.tif 000005
【図３Ｂ】
2011253880.tif 000006
【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
2011253880.tif 000008
【図４】
2011253880.tif 000009
【図５】
2011253880.tif 000010
【図６】
2011253880.tif 000011
【図７】
2011253880.tif 000012
【図８】
2011253880.tif 000013
【図９】
2011253880.tif 000014