(57)【要約】【課題】四角形基板の各辺に基準幅の非導電性表面領域を形成することにより、従来に比べて発電面積を増加させることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供すること【解決手段】相互に反対側に位置する一対の第１辺１ａおよび第３辺１ｃと、相互に反対側に位置すると共に基準となる第１辺１ａに対して少なくとも一方が非垂直な一対の第２辺１ｂおよび第４辺１ｄとを有する透光性四角形基板Ｑの表面に、透明電極膜３と光電変換膜４と対向電極膜５とをこの順に積層して薄膜光電変換素子１１を形成する成膜工程と、左右方向および前後方向に移動可能な膜除去装置を用いて、四角形基板Ｑの第１、第２、第３および第４辺１ａ〜１ｄに沿って形成されている薄膜光電変換素子１１部分を、所定の絶縁耐電圧性を得るために最低限必要な基準幅Ｗａで除去して、第１、第２、第３および第４非導電性表面領域Ｐ１１〜Ｐ１４を形成する膜除去工程とを含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に反対側に位置する一対の第１辺および第３辺と、相互に反対側に位置すると共に基準となる第１辺に対して少なくとも一方が非垂直な一対の第２辺および第４辺とを有する透光性四角形基板の表面に設けられた透明電極膜に、光電変換膜と対向電極膜とをこの順に積層して薄膜光電変換素子を形成する成膜工程と、
膜除去装置を用いて、前記四角形基板の第１、第２、第３および第４辺に沿って形成されている前記薄膜光電変換素子部分を基準幅で除去して、第１、第２、第３および第４非導電性表面領域を形成する膜除去工程とを含み、
前記第１辺および前記第３辺のうちの少なくとも一方に対応する前記基準幅を前記第１辺または前記第３辺に基づいて設定するとともに、前記第２辺および前記第４辺のうちの少なくとも一方の前記基準幅を前記第２辺または前記第４辺に基づいて設定することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記膜除去工程が、第１〜第４辺のうち任意に選択した一辺を膜除去加工位置に位置決めした後、前記一辺に沿った前記薄膜光電変換素子部分を前記基準幅で除去するステップ（Ａ）と、前記四角形基板を基板面垂直線を軸に９０度回転させるステップ（Ｂ）とを含み、
ステップ（Ａ）とステップ（Ｂ）を交互に繰り返して第１、第２、第３および第４非導電性表面領域を任意の順で形成する請求項１に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記膜除去装置が、前記薄膜光電変換素子部分を除去するための膜除去ヘッド部と、該膜除去ヘッド部による膜除去位置を移動可能とする移動機構部とを備える請求項１または２に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記膜除去装置が、前記薄膜光電変換素子部分を除去するための膜除去ヘッド部と、該膜除去ヘッド部による膜除去位置を二軸方向に移動可能とする移動機構部と、前記四角形基板の外周端を検知する検知部と、前記移動機構部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記膜除去ヘッド部が前記外周端から前記基準幅の範囲の前記薄膜光電変換素子部分を除去できるように、前記検知部からの検知信号に基づいて前記移動機構部を制御するように構成され、
前記膜除去工程が、第１〜第４辺のうち任意に選択した一辺を膜除去加工位置に位置決めした後、前記各辺に沿って前記膜除去ヘッド部が移動して各辺に沿った前記薄膜光電変換素子部分を前記基準幅で除去する請求項１に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記膜除去ヘッド部が、レーザ加工装置または研磨装置である請求項３または４に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池の製造方法によって製造された薄膜太陽電池であって、透光性四角形基板の表面に透明電極膜と光電変換膜と対向電極膜とがこの順に積層してなる薄膜光電変換素子と、前記四角形基板の外周部の前記薄膜光電変換素子部分を除去して形成された前記第１、第２、第３および第４非導電性表面領域とを備え、第１〜第４非導電性表面領域の各幅はそれぞれ固有の一定幅であって、各幅がそれぞれ異なるか、あるいは少なくともの２つの非導電性表面領域の幅が等しい薄膜太陽電池。
【請求項７】
複数個の前記薄膜光電変換素子を備え、前記複数個の薄膜光電変換素子が互いに電気的に直列接続された請求項６に記載の薄膜太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽光発電に用いられる薄膜太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１６（Ａ）は従来の薄膜太陽電池の一方向から見た部分断面図であり、図１６（Ｂ）は（Ａ）の方向に対して垂直方向からみた部分断面図である。
この薄膜太陽電池は、透光性絶縁基板Ｑの表面に透明電極層３、光電変換層４および裏面電極層５が順次積層されてなる薄膜光電変換素子１１が複数個互いに電気的に直列接続されたストリングＧを備え、ストリングＧを含む透光性絶縁基板Ｑの表面全面が、図示しない樹脂層および保護フィルムで封止された構造を有している（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような薄膜太陽電池は、外周縁から漏電しないように絶縁耐電圧性が要求されている。
このため、この薄膜太陽電池は、所定の絶縁耐電圧性を得るために、透光性絶縁基板Ｑ（以下、単に「基板Ｑ」という場合がある）の表面の外周部に形成されていた薄膜光電変換素子部分を所定幅以上で除去することにより、基板Ｑの表面が露出してなる非導電性表面領域Ｐが形成されている。
【０００４】
この薄膜太陽電池の製造工程では、まず、基板Ｑの表面全体に透明電極層３を積層し、レーザスクライブ法によって透明電極層３に所定間隔で第１分離溝６を形成することにより複数に分割する。なお、ここで、予め透明電極層３が設けられた基板Q１を用いてもよく、この場合には、薄膜太陽電池の製造工程としては透明電極層３を積層工程が含まれないことになり、予め設けられた透明電極層３に対してレーザスクライブ法により第１分離溝６を形成すればよい。
次に、プラズマＣＶＤ法により、複数の透明電極層３を覆うようにアモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層を順次積層して光電変換層４を形成し、レーザスクライブ法によって光電変換層４に所定間隔でコンタクトライン７を形成することにより複数に分割する。なお、第１分離溝６は光電変換層４にて埋められる。
【０００５】
次に、光電変換層４を覆うように裏面電極層５を積層する。これにより、コンタクトライン７が裏面電極層５にて埋められる。
次に、レーザスクライブ法によって、光電変換層４および裏面電極層５に所定間隔で第２分離溝８を形成することにより、互いに電気的に直列接続された複数個の薄膜光電変換素子１１（ストリングＧ）が形成される。
続いて、レーザスクライブ装置または研磨装置によって、基板Ｑの表面の外周部に形成されている薄膜光電変換素子部分を、基板外周端面から所定幅以上で除去することにより前記非導電性表面領域Ｐを形成する。
次に、ストリングＧにおける直列接続方向の一端側と他端側の薄膜光電変換素子１１上には、電流取り出し用の電極１０を電気的に接続する。
そして最後に、裏面電極層５の表面上にＥＶＡシートを設置し、そのＥＶＡシート上に保護フィルムを設置して加熱圧着することにより、薄膜太陽電池が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１０９０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者は、上述の技術について検討を行い、以下のような課題またはその源泉を見出した。
【０００８】
上述した薄膜太陽電池に用いられる透光性絶縁基板を調べると、隣接する辺が垂直になっていなものがあり、この原因として、以下のことが挙げられる。
前記薄膜太陽電池に用いられる透光性絶縁基板Ｑには、所定幅（例えば、３０００ｍｍ）の長尺ガラス基板をライン上で一定速度で流しながら所定長さ（例えば、５００〜２０００ｍｍ）に切断して形成されたものがある。このとき、長尺ガラス基板の切断は、ダイヤモンドカッターや超硬合金製のホイールカッターなどを備えたヘッド部を、長尺ガラス基板の移動方向および速度と同じ方向および速度で移動させ、かつこの方向と垂直方向にも移動させながら行われている。
しかしながら、ヘッド部を移動させる移動機構部の機械精度的な誤差により、実際のヘッド部の移動速度は長尺ガラス基板の移動速度よりも僅かに速いかまたは遅くなっている場合が多い。
【０００９】
そのため、図１７および図１８に示すように、基板Ｑは、基準となる一方の長辺１ａに対して隣接する一対の短辺１ｂ、１ｄは非垂直となっている、すなわち、長辺（第１辺）１ａと短辺（第２辺）１ｂとがなす角度θ１および長辺（第１辺）１ａと短辺（第４辺）１ｄとがなす角度θ２は９０度でない場合が多い。
つまり、基板Ｑは、厳密な長方形または正方形ではなく、略平行四辺形になっている場合が多いが、目視ではそれを判断することは困難である。
これらの角度θ１、θ２は基板メーカーが定める公差内（例えば、９０±０．２度）に抑えられている。
なお、図１７および図１８では、θ１は９０度より大きくかつθ２は９０度より小さいと共に、長辺側の一対の第１・第３辺１ａ、１ｃの平行精度よりも短辺側の一対の第２・第４辺１ｂ、１ｄの平行精度が低い略平行四辺形の基板Ｑを例示している。
【００１０】
このような略平行四辺形の基板Ｑの外周部に非導電性表面領域Ｐを形成する場合、従来は、図１８（Ａ）〜（Ｆ）で示す工程が行われていた。なお、図１８（Ａ）〜（Ｆ）において斜線部分はストリングＧを示し、白抜き部分は非導電性表面領域Ｐを示している。
まず、図１８（Ａ）に示すように、表面（一面）にストリングＧが形成された基板Ｑを膜除去加工位置に位置決めする。
このとき、基板Ｑの長辺側の第１・第３辺１ａ、１ｃと短辺側の第２・第４辺１ｂ、１ｄのうち、第１辺１ａが基準となり、第１辺１ａの任意の２点を位置決め部材２１、２２に当接させ、かつ第２辺１ｂの任意の１点（例えば中点）を位置決め部材２３に当接させて基板Ｑを位置決めする。
【００１１】
図１８（Ａ）において、符号Ｏで示された点は、隣接する２つの辺の間の角度がそれぞれ９０度である長方形または正方形の基板の２辺を位置決め部材２１、２２、２３に当接した場合の該２辺の交点位置である。
この交点位置Ｏは、膜除去装置が、相対的に９０度で交わる左右方向および前後方向に移動し、かつ基板Ｑの外周部のストリング部分を除去して非導電性表面領域を形成する際に、非導電性表面領域の幅を確定するための基準点Ｏとなっている。
すなわち、膜除去装置はこの基準点Ｏを基準にして膜除去して設定幅の非導電性表面領域を形成するように構成されている。
位置決めされた基板Ｑの第１・第２辺１ａ、１ｂの間の角度θ１は９０度を超えるため、基板Ｑの第１・第２辺１ａ、１ｂの交点（角の頂点）は基準点Ｏよりも左側にずれている。
【００１２】
次に、図１８（Ｂ）に示すように、レーザスクライブ装置または研磨装置といった膜除去装置（図示省略）を用いて、第１辺１ａに沿ったストリング部分を所定の設定幅Ｗで除去して、設定幅Ｗの第１非導電性表面領域Ｐ１を形成する。
この設定幅Ｗは、所定の絶縁耐電圧性を得るために設定された幅寸法であり、例えば、基準幅と補正幅の和に設定されている。
基準幅は、製造すべき薄膜太陽電池のシステム電圧に応じて規定された規格幅と、使用される基板Ｑの外周端面の面取り幅（製造工程上、面取り部に導電性を有する膜が付着すると予想される場合）と、膜除去装置の機械精度に応じて規定されたマージン幅とが含まれる。
補正幅は、略平行四辺形の基板Ｑにおける前記角度θ１、θ２が最大公差であると仮定して設定されるマージン幅である。
前記規格幅は、例えば、薄膜太陽電池のシステム電圧が301〜600Vでは6.4ｍｍ以上、システム電圧が601〜1000Vでは8.4ｍｍ以上必要であると、規格（ＩＥＣ：６１７３０、ＪＩＳ：Ｃ８９９２）によって規定されている。
【００１３】
次に、図１８（Ｃ）に示すように、膜除去ヘッド部が、第１辺１ａに対して９０度のＹ方向に移動しながら基板Ｑの第２辺１ｂに沿って形成されたストリング部分の膜除去を行って、第２非導電性表面領域Ｐ２を形成する。
このとき、基板Ｑの第１辺１ａと第２辺１ｂとの交点位置は基準点Ｏよりも左側にずれており、かつ第２辺１ｂは交点位置から後方（Ｙ方向）へ向うにつれて左に傾いているため、第２非導電性表面領域Ｐ２の幅は一定ではない。つまり、実際に形成された第２非導電性表面領域Ｐ２の幅は、基準点Ｏ側では設定幅Ｗよりも狭く、基準点ＯからＹ方向に遠ざかるにつれて設定幅Ｗと一致し、さらに遠ざかると設定幅Ｗよりも広がっている。
しかしながら、第２非導電性表面領域Ｐ２の最小幅は、基準幅よりも広いため、所定の絶縁耐電圧性は確保されている。
【００１４】
次に、図１８（Ｄ）に示すように、基板Ｑを基板面垂直線を軸に１８０度回転させて第３辺１ｃおよび第４辺１ｄを位置決めする。
次に、図１８（Ｅ）に示すように、第１非導電性表面領域Ｐ１を形成した手順と同様にして、第３辺１ｃに沿って設定幅Ｗの第３非導電性表面領域Ｐ３を形成し、続いて、図１８（Ｆ）に示すように、第２非導電性表面領域Ｐ２を形成した手順と同様にして、第４辺１ｄに沿って第４非導電性表面領域Ｐ４を形成する。
第４非導電性表面領域Ｐ４の幅も、基準点Ｏ側では設定幅Ｗよりも狭く、基準点ＯからＹ方向に遠ざかるにつれて設定幅Ｗと一致し、さらに遠ざかると設定幅Ｗよりも広がっているが、第４非導電性表面領域Ｐ４の最小幅も、基準幅よりも広いため、所定の絶縁耐電圧性は確保されている。
このようにして、基板Ｑの外周部全周に沿って、所定の絶縁耐電圧性を確保するための非導電性表面領域Ｐの形成を完了する。
【００１５】
薄膜太陽電池は、その設置面積に対する発電面積の割合をできるだけ増加させることが望まれている。
本発明者らは、薄膜太陽電池の発電面積の割合をいかにすれば増加させることができるか検討したところ、次のことを見出して本発明をするに至った。
【００１６】
前記薄膜太陽電池の製造において、基板Ｑの第２・第４辺１ｂ、１ｄが第１・第３辺１ａ、１ｃに対して非垂直であるため、基板Ｑの外周部に沿って形成すべき非導電性表面領域Ｐの設定幅Ｗは、前記のように基準幅と補正幅との和に設定され、この設定幅Ｗを膜除去装置に入力して第１〜第４辺１ａ〜１ｄに沿ったストリング部分の膜除去を行っている。
しかしながら、長辺側の第１・第３辺１ａ、１ｃの平行精度は短辺側の第２・第４辺１ｂ、１ｄの平行精度に比べて無視できる程高いにもかかわらず、形成すべき第１・第３非導電性表面領域Ｐ１、Ｐ３の設定幅Ｗには補正幅が含まれているため、現実的には過剰に発電を担うストリング部分が除去されており、その分発電面積の割合が減少している。
【００１７】
そこで、本発明は、四角形基板の各辺に基準幅の非導電性表面領域を形成することにより、従来に比べて発電面積を増加させることができる薄膜太陽電池の製造方法、およびこの製造方法によって製造された薄膜太陽電池を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
かくして、本発明によれば、相互に反対側に位置する一対の第１辺および第３辺と、相互に反対側に位置すると共に基準となる第１辺に対して少なくとも一方が非垂直な一対の第２辺および第４辺とを有する透光性四角形基板の表面に設けられた透明電極膜に、光電変換膜と対向電極膜とをこの順に積層して薄膜光電変換素子を形成する成膜工程と、膜除去装置を用いて、前記四角形基板の第１、第２、第３および第４辺に沿って形成されている前記薄膜光電変換素子部分を基準幅で除去して、第１、第２、第３および第４非導電性表面領域を形成する膜除去工程とを含み、前記第１辺および前記第３辺のうちの少なくとも一方に対応する前記基準幅を前記第１辺または前記第３辺に基づいて設定するとともに、前記第２辺および前記第４辺のうちの少なくとも一方の前記基準幅を前記第２辺または前記第４辺に基づいて設定する薄膜太陽電池の製造方法が提供される。
【００１９】
また、本発明の別の観点によれば、前記薄膜太陽電池の製造方法によって製造された薄膜太陽電池であって、透光性四角形基板の表面に透明電極膜と光電変換膜と対向電極膜とがこの順に積層してなる薄膜光電変換素子と、前記四角形基板の外周部の前記薄膜光電変換素子部分を除去して形成された前記第１、第２、第３および第４非導電性表面領域とを備え、第１〜第４非導電性表面領域の各幅はそれぞれ固有の一定幅であって、各幅がそれぞれ異なるか、あるいは少なくともの２つの非導電性表面領域の幅が等しい薄膜太陽電池が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の薄膜太陽電池の製造方法によれば、基準となる第１辺に隣接する第２・第４辺の少なくとも一方が第１辺に対して非垂直な四角形基板を用いても、膜除去工程において、第１〜第４辺に沿って形成すべき非導電性表面領域の幅を全て基準幅に設定して薄膜光電変換素子部分を除去するため、従来の薄膜太陽電池よりも発電面積を増加させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は本発明の実施形態１の薄膜太陽電池を示す平面図である。
【図２】図２（Ａ）は図１のＡ−Ａ線部分断面図であり、図２（Ｂ）は図１のＢ−Ｂ線部分断面図である。
【図３】図３は実施形態１における膜除去加工位置にセットされた基板を示す説明図である。
【図４】図４（Ａ）〜（Ｄ）は実施形態１の薄膜太陽電池の製造工程における膜除去工程の手順を示す説明図である。
【図５】図５（Ａ）〜（Ｄ）は図４（Ｄ）の続きの膜除去工程の手順を示す説明図である。
【図６】図６は本発明の実施例の薄膜太陽電池を示す平面図である。
【図７】図７（Ａ）および（Ｂ）は図６で示した薄膜太陽電池の製造工程を説明する工程図である。
【図８】図８（Ａ）および（Ｂ）は図７（Ａ）および（Ｂ）の続きの工程図である。
【図９】図９（Ａ）および（Ｂ）は図８（Ａ）および（Ｂ）の続きの工程図である。
【図１０】図１０（Ａ）および（Ｂ）は図９（Ａ）および（Ｂ）の続きの工程図である。
【図１１】図１１（Ａ）および（Ｂ）は図１０（Ａ）および（Ｂ）の続きの工程図である。
【図１２】図１２（Ａ）および（Ｂ）は図１１（Ａ）および（Ｂ）の続きの工程図である。
【図１３】図１３（Ａ）および（Ｂ）は図１２（Ａ）および（Ｂ）の続きの工程図である。
【図１４】図１４（Ａ）および（Ｂ）は図１３（Ａ）および（Ｂ）の続きの工程図である。
【図１５】図１５（Ａ）および（Ｂ）は図１４（Ａ）および（Ｂ）の続きの工程図である。
【図１６】図１６（Ａ）は従来の薄膜太陽電池の一方向から見た部分断面図であり、図１６（Ｂ）は（Ａ）の方向に対して垂直方向からみた部分断面図である。
【図１７】図１７は課題を説明するための薄膜太陽電池の平面図である。
【図１８】図１８（Ａ）〜（Ｆ）は課題を説明するための薄膜太陽電池の製造工程における膜除去工程の手順を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明に係る薄膜太陽電池の製造方法は、相互に反対側に位置する一対の第１辺および第３辺と、相互に反対側に位置すると共に基準となる第１辺に対して少なくとも一方が非垂直な一対の第２辺および第４辺とを有する透光性四角形基板を用いる前記成膜工程と、前記膜除去工程とを含む。
ここで、本発明において、「四角形基板」とは、四辺の長さが等しい平行四辺形（菱形）、一対の辺が他の一対の辺よりも長い平行四辺形、一対の辺が平行でかつ他の一対の辺が平行でない略平行四辺形または台形の基板が含まれる。
また、前記「基準となる第１辺」とは、四角形基板の四辺のうち任意に選択した一辺であり、一対の辺の平行精度が他の一対の辺の平行精度よりも高い場合には平行精度の高い方の一辺を意味する。
【００２３】
膜除去工程では、膜除去装置を用いて、前記四角形基板の第１、第２、第３および第４辺に沿って形成されている前記光電変換素子部分を基準幅で除去して、第１、第２、第３および第４非導電性表面領域を形成する。
つまり、長方形または正方形でない四角形基板を用いても、非導電性表面領域を形成する膜除去工程において従来のように補正幅を考慮する必要がなく、従来の設定幅よりも狭い基準幅で第１〜第４非導電性表面領域を形成することができる。
【００２４】
このように、第１〜第４非導電性表面領域を全て基準幅で形成する膜除去工程は、どのような方法にて行われてもよく、例えば、後述する実施形態１〜３で説明する方法が挙げられる。
以下、図面を参照しながら、本発明の薄膜太陽電池の製造方法およびそれによって製造された薄膜太陽電池についてさらに詳しく説明する。なお、図面を用いた説明では、四角形基板を平面的に見たときに、四角形基板の四辺のうち任意に選択した一辺を第１辺として他の辺を反時計回りに順番に第２〜第４辺と呼ぶが、本発明は、第１辺から時計回りに順番に第２〜第４辺となっていると解釈することもできる。
【００２５】
（実施形態１）
図１は本発明の実施形態１の薄膜太陽電池を示す平面図であり、図２（Ａ）は図１のＡ−Ａ線部分断面図であり、図２（Ｂ）は図１のＢ−Ｂ線部分断面図である。なお、図１および図２において、図６および図７中の要素と同様の要素には同一の符号を付している。
この薄膜太陽電池Ｓ１は、対向する一対の第１・第３辺１ａ、１ｃおよび対向する一対の第２・第４辺１ｂ、１ｄを有する四角形の透光性絶縁基板Ｑ（以下、単に「基板Ｑ」という）と、この基板Ｑの表面の外周部を除く領域に透明電極層３、光電変換層４および裏面電極層５が順次積層されてなる薄膜光電変換素子１１が複数個互いに電気的に直列接続されたストリングＧ１１とを備え、ストリングＧ１１を含む基板Ｑの表面全面が、図示しない樹脂層および保護フィルムで封止された構造を有している。
【００２６】
つまり、この薄膜太陽電池Ｓ１の基本構造は図６および図７で説明した従来の薄膜太陽電池と同様であるが、従来と比べて、基板Ｑの表面の外周部に形成された非導電性領域の面積は減少し、ストリングＧ１１の面積は増加している。
図１において、ストリングＧ１１中の２点鎖線で囲まれた領域が、従来の薄膜太陽電池におけるストリングＧ（図６参照）の領域であり、ストリングＧ１１における前記領域からはみ出した部分が面積増加部分である。
【００２７】
この薄膜太陽電池Ｓ１の製造工程は、基板Ｑの表面全体にストリングＧ１１を形成するまでは従来と同様であり、非導電性表面領域を形成する膜除去工程が従来とは異なる。
膜除去工程では、まず、図３および図４（Ａ）に示すように、表面（一面）にストリングＧ１１が形成された基板Ｑを膜除去加工位置に位置決めする。
膜除去加工位置には、例えば、基板Ｑを載置するためのターンテーブルＴが設定されると共に、基板Ｑの一方の長辺の２点に当接する２つの位置決め部材２１、２２および位置決めした長辺側から見て右側の短辺の１点に当接する１つの位置決め部材２３が設置される。
各位置決め部材２１〜２３は、例えば、床面から垂直方向に伸縮可能に延びる伸縮ロッドとすることができる。
【００２８】
さらに、膜除去加工位置には、基板Ｑの位置決めされた長辺に対して平行な左右方向（Ｘ方向）および垂直な前後方向（Ｙ方向）に移動可能な膜除去ヘッド部Ｒを有する膜除去装置が設置される。
膜除去装置は、レーザ加工装置または研磨装置からなる前記膜除去ヘッド部Ｒと、膜除去ヘッド部ＲをＸ方向およびＹ方向に移動させる図示しない移動機構部とを備える。
【００２９】
レーザ加工装置としては、薄膜光電変換素子１１（透明電極層３、光電変換層４および裏面電極層５）を除去できるレーザ照射装置、例えば、YAGレーザの基本波等を照射するものを用いることができる。
研磨装置としては、例えば、小型モータと、この小型モータの回転シャフト先端に固定された車輪形、円錐形等の研磨部材とを備えた構成とすることができる。
【００３０】
移動機構部としては、例えば、Ｘ方向に敷設されたガイドレールと、モータを動力源としてガイドレールに沿って移動する移動台と、移動台に膜除去ヘッド部を基板Ｑに対して接近離間させる方向に小寸法移動可能に連結する連結部等を備えた構成とすることができる。
【００３１】
基板Ｑの位置決めに際して、例えば、第１辺１ａを位置決め部材２１、２２に当接させ、かつ第２辺１ｂを位置決め部材２３に当接させる。
次に、位置決めした第１辺１ａと位置決め部材２１、２２との接線または前記基準点Ｏから矢印ｙ１方向へ基準幅Ｗａの距離だけ移動した位置から膜除去を開始できるよう、膜除去装置の膜除去ヘッド部Ｒが基準点Ｏ近傍の左右移動初期位置に待機し、図３と図４（Ｂ）に示すように、膜除去ヘッド部Ｒがｘ１方向に移動しながら膜除去を行う。この際、ｘ１方向への１回の移動だけで基準幅Ｗａ分の膜除去分が完了しない場合は、膜除去ヘッド部Ｒをｘ１方向とｘ２方向に往復移動させながらｙ２方向へも段階的に移動させて第１辺１ａの端面まで完全に膜除去を行う。
【００３２】
このようにして、基板Ｑの第１辺１ａに沿って基準幅Ｗａの第１非導電性表面領域Ｐ１１の形成を完了する。
形成された第１非導電性表面領域Ｐ１１の幅は一定の基準幅Ｗａであり、所定の絶縁耐電圧性が確保されている。
【００３３】
次に、図４（Ｃ）に示すように、位置決め部材２１〜２３を基板Ｑの下面よりも下に下降させ、ターンテーブルＴと共に基板Ｑを９０度回転させ、位置決め部材２１〜２３を基板Ｑの下面よりも上に上昇させ、第２辺１ｂおよび第３辺１ｃを位置決め部材２１〜２３に当接させて位置決めする。
次に、図４（Ｄ）に示すように、第１非導電性表面領域Ｐ１１を形成した手順と同様にして、第２辺１ｂに沿って基準幅Ｗａの第２非導電性表面領域Ｐ１２を形成する。
【００３４】
続いて、図５（Ａ）に示すように、位置決め部材２１〜２３を基板Ｑの下面よりも下に下降させ、ターンテーブルＴと共に基板Ｑを９０度回転させ、位置決め部材２１〜２３を基板Ｑの下面よりも上に上昇させ、第３辺１ｃおよび第４辺１ｄを位置決め部材２１〜２３に当接させて位置決めする。
そして、図５（Ｂ）に示すように、第１非導電性表面領域Ｐ１１を形成した手順と同様にして、第３辺１ｃに沿って基準幅Ｗａの第３非導電性表面領域Ｐ１３を形成する。
【００３５】
続いて、図５（Ｃ）に示すように、位置決め部材２１〜２３を基板Ｑの下面よりも下に下降させ、ターンテーブルＴと共に基板Ｑを９０度回転させ、位置決め部材２１〜２３を基板Ｑの下面よりも上に上昇させ、第４辺１ｄおよび第１辺１ａを位置決め部材２１〜２３に当接させて位置決めする。
そして、図５（Ｄ）に示すように、第１非導電性表面領域Ｐ１１を形成した手順と同様にして、第４辺１ｄに沿って基準幅Ｗａの第４非導電性表面領域Ｐ１４を形成する。
【００３６】
このようにして、基板Ｑの外周部全周に沿って、所定の絶縁耐電圧性を確保するための第１〜第４非導電性表面領域Ｐ１１〜Ｐ１４の形成を完了する。
この薄膜太陽電池Ｓ１は、第１〜第４辺１ａ〜１ｄに沿って形成された第１〜第４非導電性表面領域Ｐ１１〜Ｐ１４の幅が全て同じ一定の基準幅Ｗａであるため、図６で示した従来の薄膜太陽電池の第１〜第４非導電性表面領域Ｐ１〜Ｐ４の幅よりも狭いため、ストリングＧ１１の面積もその分増加している。
なお、実施形態１では、図１に示すように、第１辺１ａに対して第２・第４辺１ｂ、１ｄが右に傾いた略平行四辺形基板Ｑを用いた場合を例示したが、この膜除去工程は、第２・第４辺の傾き方向が基板Ｑとは逆方向の基板にも対応できる。また、位置決め部材２３は省略することができる。
【００３７】
（実施形態２）
実施形態１では、基板Ｑを９０度毎に回転させながら各辺に沿った薄膜光電変換素子部分を除去していく手順を例示したが、実施形態２では基板Ｑを回転させずに各辺に沿った薄膜光電変換素子部分を除去していく手順を説明する。
【００３８】
実施形態２の場合、図示しない膜除去装置は、薄膜光電変換素子部分を除去するための膜除去ヘッド部と、該膜除去ヘッド部の左右方向の移動および前後方向の移動を可能とする移動機構部と、四角形基板の外周端を検知する検知部と、移動機構部を制御する制御部とを備える。
この制御部は、膜除去ヘッド部が前記外周端から前記基準幅の範囲の薄膜光電変換素子部分を除去できるように、前記検知部からの検知信号に基づいて移動機構部を制御するように構成される。
【００３９】
検知部としては、例えば、膜除去加工位置に位置決めされた基板Ｑの上方位置に設置されるＣＣＤカメラと、ＣＣＤカメラにて撮影した基板Ｑの画像から基板Ｑの外周端（四辺）の位置を検知する外周端検知部とを備え、外終端検知部からの基板Ｑの外周端の位置データ（前記検知信号）が前記制御部へ送信される構成とすることができる。
また、移動機構部としては、例えば、膜除去ヘッド部を保持し、かつ前記制御部からの指令に基づいて膜除去ヘッド部を基板Ｑの各辺に沿って平行に移動させるロボットアームを用いることができる。
【００４０】
あるいは、移動機構部としては、例えば、第１辺が位置決めされた基板の各辺に沿う上方位置に敷設された□形または♯形のガイドレールおよびモータを動力源としてガイドレールに沿って移動する移動台を有するリニア駆動部と、移動台に膜除去ヘッド部を基板Ｑに対して接近離間させる方向に高精度に移動可能に連結する可動連結部（例えば、ボールネジ機構）等を備えた構成とすることができる。
この場合、前記制御部からの指令に基づいて、リニア駆動部の移動台および可動連結部における膜除去ヘッド部との連結部分が所定の方向および移動量で移動することにより、膜除去ヘッド部を基板Ｑの各辺に沿って平行に移動させる構成とすることができる。
さらに、移動台、連結部および膜除去ヘッド部を備えたユニットが各方向のガイドレールに乗り換えられるようにするか、あるいは各方向のガイドレールに個別に前記ユニットを設けることができる。
【００４１】
このような膜除去装置を用いた膜除去工程では、基板Ｑの第１〜第４辺のうち任意に選択した一辺を膜除去加工位置に位置決めした後、各辺と平行に膜除去ヘッド部が移動して各辺に沿った薄膜光電変換素子部分を基準幅で除去する。
例えば、基板Ｑの第１辺１ａと第２辺１ｂを位置決めした後、まず、第１辺１ａに沿って膜除去ヘッド部がＸ方向および段階的にｙ１方向に移動して第１辺１ａの端面から基準幅の範囲の薄膜光電変換素子部分を除去して基準幅の第１非導電性表面領域Ｐ１１を形成し（図３、図４（Ｂ）参照）、その後、時計回りまたは反時計回りの順に他の３辺にも同様に基準幅の第２〜第４非導電性表面領域Ｐ１２〜Ｐ１４を形成する。
なお、実施形態２でも、第２・第４辺１ｂ、１ｄの傾き方向が基板Ｑとは逆方向の基板にも対応できる。
【００４２】
（実施形態３）
実施形態２では、膜除去加工位置に位置決めした基板の各辺に沿って平行に膜除去ヘッド部を移動させて膜除去することにより、基板Ｑを移動させずに、第１〜第４非導電性表面領域Ｐ１１〜Ｐ１４を形成する膜除去工程を説明した（図１参照）。
これに対し、実施形態３では、まず、膜除去加工位置に位置決めした基板の２辺（例えば、第１・第２辺１ａ、１ｂ）に沿って平行に膜除去ヘッド部を移動させて膜除去することにより、第１・第２非導電性表面領域Ｐ１１、Ｐ１２を形成し、その後、ターンテーブルＴ（図３参照）にて基板Ｑを１８０度回転させて位置決めし、基板の他の２辺（例えば、第３・第４辺１ｃ、１ｄ）に沿って平行に膜除去ヘッド部を移動させて膜除去することにより、第３・第４非導電性表面領域Ｐ１３、Ｐ１４を形成する。
【００４３】
この場合、移動機構部としては、例えば、位置決め部材２１、２２側のＸ軸方向および位置決め部材２３側のＹ軸方向に敷設されたガイドレールおよびモータを動力源としてガイドレールに沿って移動する移動台を有するリニア駆動部と、移動台に膜除去ヘッド部を基板Ｑ１に対して接近離間させる方向に高精度に移動可能に連結する可動連結部（例えば、ボールネジ機構）と、リニア駆動部および可動連結部を予め設定された所定の方向および移動量で移動するように制御する制御部等を備えた構成とすることができる。
この場合、前記制御部からの指令に基づいて、リニア駆動部の移動台および可動連結部における膜除去ヘッド部との連結部分が所定の方向および移動量で移動することにより、膜除去ヘッド部を基板Ｑの位置決めされた２辺に沿ってＸ−Ｙ二軸方向に移動させることができる。
さらに、移動台、可動連結部および膜除去ヘッド部を備えたユニットがＸ軸方向とＹ軸方向のガイドレールに乗り換えられるようにするか、あるいはＸ軸方向とＹ軸方向のガイドレールに個別に前記ユニットを設けることができる。
なお、レーザ加工装置を用いる場合、ガルバノミラーを用いてレーザ照射位置（膜除去位置）を二軸方向に移動可能に構成することもできる。
【００４４】
（他の実施形態）
前記実施形態１〜３では、第１辺に基づいて設定した同じ基準幅で第１〜第４非導電性領域を形成した場合を例示したが、第１〜第４非導電性表面領域の各幅はそれぞれ固有の一定幅であって、各幅がそれぞれ異なるか、あるいは少なくともの２つの非導電性表面領域の幅が等しくてもよい。具体的には次の（１）〜（４）のようにすることができる。なお、第１〜第４非導電性表面領域の形成手順は実施形態１〜３と同様である。
【００４５】
（１）第１辺に基づいて設定した基準幅で一定幅の第１非導電性領域を形成し、第２辺に基づいて設定した基準幅で一定幅の第２非導電性領域を形成し、第３辺に基づいて設定した基準幅で一定幅の第３非導電性領域を形成し、第４辺に基づいて設定した基準幅で一定幅の第４非導電性領域を形成する。
この場合、形成された第１〜第４非導電性領域の各幅はそれぞれ異なる場合がある。
【００４６】
（２）第１辺または第３辺に基づいて設定した基準幅で一定幅の第１・第３非導電性領域を形成し、第２辺に基づいて設定した基準幅で一定幅の第２非導電性領域を形成し、第４辺に基づいて設定した基準幅で一定幅の第４非導電性領域を形成する。
この場合、形成された第１〜第４非導電性領域のうち少なくとも第１・第３非導電性領域の各幅は等しい。
【００４７】
（３）第１辺に基づいて設定した基準幅で一定幅の第１非導電性領域を形成し、第２辺または第４辺に基づいて設定した基準幅で一定幅の第２・第４非導電性領域を形成し、第３辺に基づいて設定した基準幅で一定幅の第３非導電性領域を形成する。
この場合、形成された第１〜第４非導電性領域のうち少なくとも第２・第４非導電性領域の各幅は等しい。
【００４８】
（４）第１辺または第３辺に基づいて設定した基準幅で一定幅の第１・第３非導電性領域を形成し、第２辺または第４辺に基づいて設定した基準幅で一定幅の第２・第４非導電性領域を形成する。
この場合、形成された第１〜第４非導電性領域のうち、第１・第３非導電性領域の各幅は等しく、第２・第４非導電性領域の各幅は等しい。
【００４９】
製造ラインの装置に構成により、面取り部に導電性の膜が残存する辺と無い辺がある場合、レーザ加工にて非導電性エリアを確保する際に、レーザ照射側のガラス基板等に成膜装置による膜の裏周りなどによりレーザ加工性が劣る場合、太陽電池の施工上品質向上のためにマージン幅を増加させたい辺が存在する場合、ガラスの納入仕様にて第１・第３非導電性領域の面取り幅と第２・第４非導電性領域の面取り幅とが異なる場合等、各辺のマージン幅を変更することがあるため、前記（１）〜（４）のように行われる。
【実施例】
【００５０】
（実施例）
図６は本発明の実施例の薄膜太陽電池を示す平面図である。
図６に示すように、透光性絶縁基板Ｑ1として、ガラス基板納入仕様として、外形基準サイズが幅１０００ｍｍ×長さ１４００ｍｍで、外形基板公差±１ｍｍ、面取り幅（Ｒ面取り実施）が最大１．５ｍｍ以下、直角度９０±０．１１４５９１４０６°範囲（即ちｔａｎα≦２、Ｗα＝２ｍｍ、１ｍｍ／５００ｍｍ：垂直方向に５００ｍｍ進むとその直交方向に１ｍｍずれることを意味する）、形状は平行四辺形（長さ方向が平行）であるガラス基板を用意した。なお、このガラス基板は外周に面取り幅ＷＭの面取り部を有している。
【００５１】
以下、システム電圧１０００Ｖに対応する薄膜太陽電池を作製する場合の非導電性表面領域Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３、Ｐ１４の幅の設計方法について説明する。
図６において、一点鎖線は理想状態にある基板の外郭線を示し、実線は用意した基板Ｑ１の外郭線を示している。
第１〜第４非導電性表面領域Ｐ１１〜Ｐ１４の設定幅は全て１０．２ｍｍ（基準幅１０．２ｍｍ＝規格幅８．４ｍｍ＋面取り幅１．５ｍｍ＋寸法公差０ｍｍ＋マージン幅０．３ｍｍ、補正幅０ｍｍ）で設計した。
【００５２】
図７（Ａ）および（Ｂ）〜図１５（Ａ）および（Ｂ）は図６で示した薄膜太陽電池の製造工程を説明する工程図である。なお、図７（Ａ）〜図１５（Ａ）は図９中のＡ１−Ａ２線断面図であり、図７（Ｂ）〜図１５（Ｂ）は図９中のＢ１−Ｂ２線断面図である。
【００５３】
図７の模式的断面図に示すように、まず、熱ＣＶＤ法で、透明電極層３である酸化錫（ＳｎＯ2）を膜厚７００ｎｍで基板Ｑ１の表面に形成した。この際、面取り部には導電性の膜である酸化錫が成膜されている。
なお、上記基準幅の設計では面取り幅ＷＭが考慮されているが、例えば、透明電極層３を成膜時にマスクを用いて成膜し、且つ、以降の工程において、面取り部に導電性の膜が成膜されなければ、基準幅の設計において面取り部を考慮する必要性はなくなる。
これ以降に示す図面において、模式図では便宜上、面取り部を垂直に表現し、かつ面取り部に堆積した膜の表記は省略する。
【００５４】
次に、得られた基板Ｑ１に対して純水を用いて超音波洗浄を行なった後、図８（Ａ）および（Ｂ）の模式的断面図に示すように、基板Ｑ１側からＹＡＧレーザ光の基本波を長手方向に走査して照射することによって、透明導電層３をストライプ状に除去して、図８（Ａ）および（Ｂ）に示すように、複数本の第１分離溝６を形成した。
このとき、図８（Ｂ）に示すように基板Ｑ１の第１辺１ａ（図６参照）と平行な第１分離溝６を９１本すると共に、図８（Ａ）に示すように後工程でのレーザアライメントに用いる２本の第１分離溝６を基板Ｑ１の両端から８ｍｍの位置に第１辺１ａと直交する方向に形成した。各第１分離溝６の幅は０．０６ｍｍであり、隣接する２本の第１分離溝６、６間の距離ＷＰ６は１０．７３５ｍｍである。
なお、酸化錫（ＳｎＯ2）を除去するレーザとしては、ファイバーレーザやＹＶＯ4レーザ光の基本波を用いてもよい。
【００５５】
得られた基板Ｑ１に対して純水により超音波洗浄を行なった後、図９（Ａ）および（Ｂ）の模式的断面図に示すように、第１分離溝６が形成された透明電極層３上に光電変換層４をプラズマＣＶＤ法を用いて形成した。
この際、透明電極層３側から、アモルファスシリコン薄膜からなるｐ層（膜厚２０ｎｍ）、ｉ層（膜厚２６０ｎｍ）およびｎ層（膜厚２０ｎｍ）をこの順に積層したトップセル（第１光電変換層）と、トップセル上に、微結晶シリコン薄膜からなるｐ層（膜厚２０ｎｍ）、ｉ層（膜厚２０００ｎｍ）およびｎ層（膜厚３０ｎｍ）をこの順に積層したボトムセル（第２光電変換層）とを成膜した。
【００５６】
ここで、光電変換層４としては、上記の他に、例えば、透明電極層３側から、アモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層をこの順に積層したトップセル（第１光電変換層）と、トップセル上に、アモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層をこの順に積層したミドルセル（第２光電変換層）と、ミドルセル上に、微結晶シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層をこの順に積層したボトムセル（第３光電変換層）とを、例えばプラズマＣＶＤ法により積層してもよい。なお、光電変換層の数をこれ以上とすることもできる。
【００５７】
第１光電変換層から第３光電変換層の各光電変換層は、全て同種のシリコン系半導体からなってもよく、互いに異なる種類のシリコン系半導体からなってもよい。
第１光電変換層から第３光電変換層の各光電変換層は、それぞれ、ｐ型半導体層、ｉ型半導体層及びｎ型半導体層を含んでおり、各半導体層は、シリコン系半導体からなってもよい。光電変換層に含まれる各半導体層は、全て同種のシリコン系半導体からなってもよく、互いに異なる種類のシリコン系半導体からなってもよい。例えば、ｐ型半導体層とｉ型半導体層を非晶質シリコンで形成し、ｎ型半導体層を微結晶シリコンで形成してもよい。また、例えば、ｐ型半導体層とｎ型半導体層をシリコンカーバイド又はシリコンゲルマニウムで形成し、ｉ型半導体層をシリコンで形成してもよい。
また、ｐ型、ｉ型及びｎ型の各半導体層は、１層構造であっても複数層構造であってもよい。複数層構造である場合は、各層は、互いに異なる種類のシリコン系半導体からなってもよい。
なお、本明細書において、「非晶質シリコン」は「水素化非晶質シリコン」を含む概念であり、「微結晶シリコン」は「水素化微結晶シリコン」を含む概念である。
【００５８】
続いて、図１０（Ａ）および（Ｂ）の模式的断面図に示すように、基板Ｑ１側から、ＹＡＧレーザ光の第２高調波（波長：５３２ｎｍ）を第１分離溝６の長手方向に走査し照射することによって、光電変換層４の一部をストライプ状に除去して、コンタクトライン７を幅０．０６ｍｍで９０本形成した。
隣接する２本のコンタクトライン７、７間の距離ＷＰ７は等間隔の１０．７３５ｍｍであり、第１分離溝６とコンタクトライン７のラインスペース間は、０．０７ｍｍである。なお、光電変換層４の除去には、レーザ光として、ＹＶＯ4レーザ光の第２高調波（波長：５３２ｎｍ）を用いても構わない。
【００５９】
次に、図１１（Ａ）および（Ｂ）の模式的断面図に示すように、コンタクトライン７が形成された光電変換層４を覆うように裏面電極層５をスパッタリング法により、膜厚５０ｎｍの酸化亜鉛（ＺｎＯ）と膜厚１５０ｎｍの銀（Ａｇ）をこの順に形成した。
なお、裏面電極層５の形成方法としては、上記以外に、例えば従来公知の蒸着法またはイオンプレーティング法などを用いてもよい。
【００６０】
ここで、裏面電極層５としては、ＺｎＯとＡｇの積層膜の他に、例えばＡｇの単層、Ａｌ（アルミニウム）の単層、またはこれらの積層膜などの導電性を有する層を用いることができる。
また、裏面電極層５は、光電変換層４側の表面に透明導電膜を有していてもよい。透明導電膜としては、例えば、ＳｎＯ2膜、ＩＴＯ膜、ＺｎＯ膜、若しくはこれらの膜に微量の不純物を添加した膜の単層、またはこれらを複数重ね合わせた積層膜などが挙げられる。裏面電極層が透明導電膜を有していることは、薄膜太陽電池の変換効率を向上させる観点から好ましい。
透明導電膜が複数層から構成される場合には、すべての層が同一の材料から形成されていてもよく、少なくとも１層が他と異なる材料から形成されていてもよい。
【００６１】
次いで、図１２（Ａ）および（Ｂ）の模式的断面図に示すように、透光性絶縁基板Ｑ1側からＹＡＧレーザ光の第２高調波（波長：５３２ｎｍ）を第１分離溝６の長手方向に走査して照射することによって、光電変換層４および裏面電極層５の一部をストライプ状に除去し、幅０．０６ｍｍの第２分離溝８を９０本形成した。これにより、複数の薄膜光電変換素子１１が電気的に直列接続されたストリングを形成した。
隣接する２本の第２分離溝８、８間の距離ＷＰ８は等間隔の１０．７３５ｍｍであり、コンタクトライン７と第２分離溝８のラインスペース間は０．０７ｍｍである。
第２分離溝８の形成においては、透明電極層３へのダメージを抑え、かつ第２分離溝８の形成後の裏面電極層５のバリの発生を抑制することが可能な加工条件を選択することが好ましい。
なお、光電変換層４および裏面電極層５を除去するレーザ光としては、ＹＶＯ4レーザ光の第２高調波（波長：５３２ｎｍ）を用いても構わない。
【００６２】
次いで、図６で示すように、膜除去加工位置に基板Ｑ１を搬送し、基板Ｑ１の第１辺１ａの２点を位置決め部材２００Ａに当接させ、かつ第２辺１ｂの中点を位置決め部材２００Ｂに当接させて、基板Ｑ１を位置決めする。位置決めすることにより、カメラ視野に安定していれることが可能となる。
そして、図１３（Ａ）および（Ｂ）の模式的断面図に示すように、基板Ｑ1側からＹＡＧレーザ光の基本波を照射することによって、基板Ｑ１の外周部の透明電極層３、半導体光電変換層４および裏面電極層５を除去して、加工幅ＷＰ１１が１０．２ｍｍの第１非導電性表面領域Ｐ１１と、加工幅ＷＰ１２が１０．２ｍｍの第２非導電性表面領域Ｐ1２と、加工幅ＷＰ１３が１０．２ｍｍの第３非導電性表面領域Ｐ1３と、加工幅ＷＰ１４が１０．２ｍの第４非導電性表面領域Ｐ1４を形成した。この際、実施形態２の膜除去装置を用いた。
これにより、直列接続方向の上流と下流の薄膜光電変換素子１１が取り出し電極として形成され、下流側の取り出し電極の幅ＷＤ1は６．４ｍｍであり、上流側の取り出し電極の幅ＷＤ２は７．０６ｍｍとした。ＷＤ２を７．０６ｍｍと比較例と比較して広くしたのは、ガラスの寸法公差を考慮し、電極幅ＷＤ２として必要な幅を確保するためである。
【００６３】
次いで、加工端での透明電極層３の再付着等によるリークを無くす為に、図１４（Ａ）の模式的断面図に示すように、短辺方向の透明電極層３のみが幅ＷＴとして０．２ｍｍ突出するように、基板Ｑ１側からＹＡＧレーザ光の第２高調波（波長：５３２ｎｍ）を照射して光電変換層４および裏面電極層５を除去した。
この際、第２・第４非導電性表面領域Ｐ１２、Ｐ１４の加工跡を画像認識することにより、幅ＷＴを最小に抑えることが可能となる。また、第２・第４非導電性表面領域Ｐ１２、Ｐ１４の加工する前に、本加工を実施する場合は、本加工装置にて基板Ｑ１の外周端面を認識する必要がある。認識しない場合、基板Ｑ１の寸法公差や直角度の影響を受けて、図１４に示したように透明電極層３が突出した構造にならない場合があると共に、第２・第４非導電性表面領域Ｐ１２、Ｐ１４の各辺に対して平行に加工できなくなるので発電面積拡大が不十分となり易い。
またこの際、透明電極層３へのダメージを抑え、形成後の裏面電極層５のバリの発生を抑制することが可能な加工条件を選択することが好ましい。
なお、光電変換層４および裏面電極層５を除去するレーザ光としては、ＹＶＯ4レーザ光の第２高調波（波長：５３２ｎｍ）を用いても構わない。
【００６４】
その後、逆バイアス処理装置の正負両極端子を得られた薄膜太陽電池の隣接したセルの裏面電極層５に各々接触させて逆電圧を印加することにより、各薄膜光電変換素子１１内のリークを修復した。
次に、第１〜第４非導電性表面領域Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３、Ｐ１４の絶縁耐電圧性を評価するために、絶縁耐圧試験装置を用いて６０００Ｖの電圧を印加することにより検査を行い、絶縁耐圧性に問題の無いことを確認した。絶縁耐圧性の合格基準として、ＪＩＳのＣ８９９２の規定により、漏れ電流５０μＡ未満とした。この際、絶縁耐圧試験装置の正負両極端子を薄膜太陽電池の取り出し電極と基板周辺部に接触させて電圧を印加した。この際、基板周辺部は、端子が全周辺部に接触するようにした。
【００６５】
続いて、図１４（Ｂ）に示すように、直列接続方向の上流と下流の裏面電極層５の表面上にそれぞれ、銀ペーストなどの導電性ペーストを介して電流取り出し用電極１０を形成した。
その後、図１５（Ａ）および（Ｂ）の模式的断面図に示すように、電極１０を形成した後の裏面電極層５の表面上に、透明なＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）からなる透明接着材２０を設置し、その上に、アルミニウムの両面にＰＥＴを積層した積層フィルムからなる裏面封止材２１設置した後、真空ラミネート装置によって裏面封止材２１と絶縁基板Ｑ１とを接着した。
【００６６】
その後、得られた薄膜太陽電池の裏面封止材２１に端子ボックスを接着し、端子ボックス内をシリコーン樹脂で充填し、アルミニウムフレームを取り付けることによって、薄膜太陽電池を完成させた。
フレームと薄膜太陽電池の電極１０との間に６０００Ｖを印加し、絶縁耐電圧性の最終試験を行った結果、漏れ電流５０μＡ未満であったため、合格であった。
なお、フレームを取り付けないフレームレスタイプの場合には、例えば、薄膜太陽電池の外周縁の端面に外部電極を接触させて、その外部電極と薄膜太陽電池の電極との間に所定の電圧を印加することにより、絶縁耐電圧性の最終試験を行うことができる。
最後に、ソーラーシミュレーター装置にてＡＭ1.5、放射照度100ｍＷ/ｃｍ2の条件で薄膜太陽電池の出力を測定し、その結果を表１に示した。
【００６７】
（比較例）
次の事項以外は実施例と同様にして比較例の薄膜太陽電池を作製した。
設計において、最大になる第４非導電性表面領域Ｐ１４の設定幅ＷＰ１４の１３．２ｍｍ（基準幅１１．２ｍｍ＝規格幅８．４ｍｍ＋面取り幅１．５ｍｍ＋寸法公差１ｍｍ＋マージン幅０．３ｍｍ、補正幅２ｍｍ（第１辺1ｂの基準を基板端でとった場合））に、第１非導電性表面領域Ｐ１１の設定幅ＷＰ１１、第２非導電性表面領域Ｐ１２の設定幅ＷＰ１２および第３非導電性表面領域Ｐ１３の設定幅ＷＰ１３を合わせた。
また、取り出し電極１０の電極エリアがほぼ同じになるように、隣接する２本の第１分離溝６、６間の距離ＷＰ６、隣接する２本のコンタクトライン７、７間の距離ＷＰ７および隣接する２本の第２分離溝８、８間の距離ＷＰ８をそれぞれ１０．６８ｍｍとした。
また、下流側の取り出し電極の幅ＷＤ1を６．４ｍｍとし、上流側の取り出し電極の幅ＷＤ２を６．００ｍｍとした。
【００６８】
（発電面積の増加分による特性向上の予想割合Ｄ）
実施例の発電面積ＡＺ
（１０．７３５−０．３２）×｛１４００−（１０．２＋０．２）−（１０．２＋０．２）｝＝１４３６４．３６８ｍｍ2
比較例の発電面積ＡＨ
（１０．６８０−０．３２）×｛１４００−（１３．２＋０．２）−（１３．２＋０．２）｝＝１４２２６．３５２ｍｍ2
実施例の発電面積ＡＺは比較例の発電面積ＡＨよりも増加しており、実施例は発電面積ＡＺの増加分、比較例よりも特性が向上していると予想された。
そして、比較例に対する実施例の特性向上の予想割合Ｄを次の式から求めた。
特性向上の予想割合Ｄ＝（ＡＺ＊１００／ＡＨ）−１００＝１．００９７％
【００６９】
【表１】
2011204758.tif 000003
【００７０】
表１の結果から、実施例の出力は、比較例の出力よりも、発電面積の増加予想割合と同程度上がっていることを確認できた。
【符号の説明】
【００７１】
１ａ  第１辺
１ｂ  第２辺
１ｃ  第３辺
１ｄ  第４辺
３  透明電極膜
４  光電変換膜
５  対向電極膜
１１  薄膜光電変換素子
Ｆ１  垂線
Ｏ  基準点
Ｐ１１  第１非導電性表面領域
Ｐ１２  第２非導電性表面領域
Ｐ１３  第３非導電性表面領域
Ｐ１４  第４非導電性表面領域
Ｑ  透光性四角形基板
Ｒ  膜除去ヘッド部
Ｓ１  薄膜太陽電池
Ｗａ  基準幅
【図１】
2011204758.tif 000004
【図２】
2011204758.tif 000005
【図３】
2011204758.tif 000006
【図４】
2011204758.tif 000007
【図５】
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【図６】
2011204758.tif 000009
【図７】
2011204758.tif 000010
【図８】
2011204758.tif 000011
【図９】
2011204758.tif 000012
【図１０】
2011204758.tif 000013
【図１１】
2011204758.tif 000014
【図１２】
2011204758.tif 000015
【図１３】
2011204758.tif 000016
【図１４】
2011204758.tif 000017
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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