(57)【要約】【課題】安定に作製ができ、特性も安定で良好である振動式圧力センサおよびその製造方法を実現すること。【解決手段】  半導体基板に形成された梁状の振動子を真空室内に配置し、前記振動子に加わる歪みの大きさを前記振動子の共振周波数の変化として検出する振動式圧力センサにおいて、前記振動子を覆うように前記半導体基板の一方の面上に配置されて空隙部を形成するシェル部と、このシェル部を覆うように前記半導体基板の一方の面上に減圧化学気相成長法により形成されて、前記空隙部が真空となった前記真空室を形成する封止め部を備え、前記半導体基板は、前記一方の面が略平面状に形成されることを特徴とする。【選択図】図１
2011252824.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成された梁状の振動子を真空室内に配置し、前記振動子に加わる歪みの大きさを前記振動子の共振周波数の変化として検出する振動式圧力センサにおいて、
前記振動子を覆うように前記半導体基板の一方の面上に配置されて空隙部を形成するシェル部と、
このシェル部を覆うように前記半導体基板の一方の面上に減圧化学気相成長法により形成されて、前記空隙部が真空となった前記真空室を形成する封止め部を備え、
前記半導体基板は、前記一方の面が略平面状に形成されることを特徴とする振動式圧力センサ。
【請求項２】
前記振動子は、前記振動子の厚さに相当する予め定められた第１のシリコン層、前記真空室における振動子の下側ギャップの厚さに相当する予め定められた厚さの酸化膜、および第２のシリコン層を有するシリコン基板を用いて、前記振動子の領域以外の前記第１のシリコン層の上面の一部をエッチングすることにより形成されることを特徴とする請求項１記載の振動式圧力センサ。
【請求項３】
半導体基板に形成された梁状の振動子を真空室内に配置し、前記振動子に加わる歪みの大きさを前記振動子の共振周波数の変化として検出する振動式圧力センサの製造方法であって、
前記振動子の厚さに相当する予め定められた第１のシリコン層、前記真空室における振動子の下側ギャップの厚さに相当する予め定められた厚さの酸化膜、および第２のシリコン層を有するシリコン基板を用いて、前記振動子の領域以外の前記第１のシリコン層の上面の一部をエッチングする第１のステップと、
前記シリコン基板の前記第１のシリコン層の上面の一部および前記酸化膜の上面の一部を第１のガラス膜で覆い、前記第１のガラス膜および前記酸化膜の前記真空室における前記振動子の上側ギャップの一部および下側ギャップに相当する領域以外の部分をエッチングする第２のステップと、
前記第１のガラス膜の上面および前記第２のシリコン層の上面の一部を第２のガラス膜で覆う第３のステップと、
前記第２のガラス膜の上面の一部を第１のポリシリコン膜で覆い、前記第１のガラス膜、前記第２のガラス膜及び前記酸化膜をエッチングして前記振動子を形成する第４のステップと、
減圧化学気相成長法により、前記第１のポリシリコン膜の上面の一部および前記第２のシリコン層の一部を覆うように第２のポリシリコン膜を形成して前記真空室を形成する第５のステップとからなる振動式圧力センサの製造方法。
【請求項４】
前記第１のステップは、
前記第１のシリコン層の上面の一部をボロン拡散して拡散部を形成し、前記第１のシリコン層の拡散部の領域以外の部分をエッチングし、
前記第４のステップは、
前記振動子を形成するとともに、前記振動子を覆うように前記シリコン基板の一方の面上に配置され空隙部を形成し、
第５のステップは、
減圧化学気相成長法により、第２のポリシリコン膜を形成し、前記空隙部を真空にして、前記真空室を形成することを特徴とする請求項３記載の振動式圧力センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板に形成された梁状の振動子を真空室内に配置し、振動子に加わる歪みの大きさを振動子の共振周波数の変化として検出する振動式圧力センサに関し、特に形状のばらつきが小さく、安定的に製造することが可能で、特性も安定的な振動式圧力センサに関する。
具体的には、差圧伝送器等に用いられる振動式圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
以下、簡単に従来の振動式圧力センサについて説明する。
図３は振動式圧力センサの一例を示す構成図であり、（Ａ）は上部から見た平面図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は従来の振動式圧力センサの要部を示す構成断面図であり（Ａ）の領域Ａの拡大断面図を示す。
【０００３】
図３において、従来の振動式圧力センサは、一部に溝およびダイアフラム１３を有しシリコン基板により形成されるセンサチップ１１と、ガラスにより形成され連通孔１７を有するサポートガラス１２とが、センサチップ１１の溝を覆うように陽極接合され、圧力導入室１６を形成する。このとき、圧力導入室１６が連通孔１７と連通するように陽極接合される。
【０００４】
また、振動子１４がダイアフラム１３に梁状、Ｈ型状等に形成され、その両端が固定されて設けられる。たとえば振動子１４は、選択エピタキシャル成長、犠牲層エッチング、封止のためのエピタキシャル成長などによって、シリコンのカバーで内部空間を真空状態（シェル構造）とした空隙部内に形成される。
【０００５】
ここで、振動子１４は、周囲温度または静水圧の影響を減少させるために、差動構成をとるように形成される。たとえば、振動子１４は、ダイアフラム１３に２セット（振動子１４ａ、１４ｂ）配置される。
【０００６】
このような構成で従来の振動式圧力センサは、測定圧を振動子に伝えてに測定圧に基づく変位を検出する。
具体的には、測定圧は、サポートガラス１２に設けられた連通孔１７を介して圧力導入室１６に与えられ、ダイアフラム１３に印加される。そして、振動子１４は、固有振動で発振し、測定圧に基づく変位を電気信号として検出する。
【０００７】
たとえば、中心部の振動子１４ａの固有振動数をｆａ、周縁部の振動子１４ｂの固有振動数をｆｂとする。
ダイアフラム１３に差圧が印加された場合は、振動子１４ａ、１４ｂの両者の固有振動数は変化し、その変化の方向は逆となる（逆相）。
ダイアフラム１３に静圧が印加された場合は、振動子を内蔵するシェル構造が圧縮されるので、ｆａ、ｆｂともその振動数が低下する（同相）。
【０００８】
ダイアフラム１３が形成されたシリコン基板は硼珪酸ガラス（パイレックス（登録商標）ガラスなど）からなるサポートガラス１２に接合されているため、半導体基板との熱膨張率差によって、温度変化に伴いシリコン基板上に歪が発生し、この歪はｆａ、ｆｂに同相に影響する。
【０００９】
このように、従来の振動式圧力センサでは、固有振動数ｆａ、ｆｂに対し、差圧入力は逆相、静圧入力と温度変化に対しては同相に変化するので、ｆａ、ｆｂの差信号を取ることにより、温度と静圧によらずに差圧のみに感度を有するセンサとして測定圧に基づく変位を検出する。
【００１０】
従来の振動式圧力センサの構成例としては、例えば特開２００５−０４３１９８号公報、特開２００７−７８４０６号公報に記載がある。
【００１１】
ここで、従来の振動式圧力センサの振動子周辺の製造方法の例を、図４を用いて説明する。図４は、従来の振動子の製造方法を説明する図であり、（ａ）〜（ｊ）は製造工程の説明図である。
主に、以下の（１−１）〜（１−８）の工程により従来の振動式圧力センサは形成される。
【００１２】
（１−１）
まず、（ａ）のように、ｎ型単結晶基板１の上面に、熱酸化によりＳｉＯ２膜２を形成し、フォトリソグラフィ技術により、その一部を除去する。
（１−２）
次に、（ｂ）に示すように、塩化水素ＨＣｌを用いてｎ型単結晶基板１をエッチングし、溝３を形成する。
（１−３）
（ｃ）〜（ｅ）に示すように、溝３上に、Ｐ型半導体層４、Ｐ型半導体層５、Ｐ型半導体層６を、順次、選択エピタキシャル法を用いて形成する。
（１−４）
（ｆ）に示すように、Ｐ型半導体層６の上面に、ｎ型半導体層７を形成する。
（１−５）
（ｇ）に示すように、ＳｉＯ２膜２を除去してエッチング穴を形成する。
（１−６）
（ｈ）に示すように、Ｐ型半導体層４、６を選択的に除去して、振動子９を形成するとともに、空隙部Ａを形成する。
（１−７）
（ｉ）に示すように、基板１上にｎ型の封止エピタキシャル層８を形成する。
（１−８）
（ｊ）に示すように、Ｎ２雰囲気中でアニールを行い、水素（Ｈ２）を薄いエピタキシャル層を介して追い出す。これによって、空隙部Ａ内が真空となり真空室Ｂが形成される。
【００１３】
このように、従来の振動式圧力センサにおける振動子は、選択エピタキシャル成長、犠牲層エッチング、封止のためのエピタキシャル成長などによって、シリコンのカバーで内部空間を真空状態（シェル構造）とした空隙部内に形成される。
【００１４】
このような、従来の振動式圧力センサを記載した文献としては特許文献１などがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００５−３４７６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、従来の振動式圧力センサの製造方法では、選択エピタキシャル成長で振動子９（Ｐ型半導体層５）、Ｐ型半導体層４、６を形成しているため、ガス流量、処理温度、処理時間がわずかでも変化すると、Ｐ型の不純物の拡散の様子が変化して各層（Ｐ型半導体層４〜６）の厚さが変化しまう、という問題点があった。
たとえば、エピタキシャル成長のための装置の複数の装置のメンテナンス状況などにより、ガス流量、処理温度、処理時間に変化を与えることがあれば、振動子の寸法に影響を与えてしまい、安定的に作製ができない、という問題点があった。
具体的には、振動子９（Ｐ型半導体層５）をＰ型半導体層４に乗り上げる形で、選択的エピタキシャル成長で形成するので、Ｐ型半導体層４の厚みに変化があれば、振動子の厚さにも影響が生じ、振動子の寸法に影響を与えてしまう、という問題点があった。
【００１７】
また、従来の振動式圧力センサおよびその製造方法では、ヒドラジンなどのアルカリエッチ液でのエッチングでは、濃度差でのエッチングレートの違いを利用して振動子を作成し、陽極酸化してエッチングを止めるために基板を陽極酸化しているので、メンテナンスによりエッチングレートが影響を受ければ、除去すべき領域の深さ等が変化してしまう、という問題点があった。
【００１８】
このように、従来の振動式圧力センサおよびその製造方法では、エピタキシャル成長のための装置やエッチングのための装置などの複数の装置の製造装置のメンテナンスにより装置の状態が変わりガス流量、処理温度、処理時間が変化することにより、それぞれ不純物濃度や深さが同時に変化してしまい、振動子の寸法に影響を与えて振動子の特性が変化してしまい、安定に製造することが難しい、という問題点があった。
【００１９】
また、従来の振動式圧力センサおよびその製造方法では、Ｐ型半導体層５を振動子がエッチングされないように濃度でＰ型の不純物を拡散する必要がある等の制約があるという問題点もあった。
【００２０】
また、従来の振動式圧力センサおよびその製造方法では、Ｐ型半導体層４、６を選択的に除去するために用いるアルカリエッチ液は、重金属濃度が高いことなどにより半導体標準プロセスに適合しないという問題点もあった。
【００２１】
また、従来の振動式圧力センサおよびその製造方法では、Ｐ型半導体層４、５、６を形成するための選択エピキタシャル成長等のための特殊な装置が必要となってしまうという問題点もあった。
【００２２】
本発明は上述の問題点を解決するものであり、その目的は、安定に作製ができ、特性も安定で良好である振動式圧力センサおよびその製造方法を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
このような目的を達成するために、本発明のうち請求項１記載の発明は、
半導体基板に形成された梁状の振動子を真空室内に配置し、前記振動子に加わる歪みの大きさを前記振動子の共振周波数の変化として検出する振動式圧力センサにおいて、
前記振動子を覆うように前記半導体基板の一方の面上に配置されて空隙部を形成するシェル部と、
このシェル部を覆うように前記半導体基板の一方の面上に減圧化学気相成長法により形成されて、前記空隙部が真空となった前記真空室を形成する封止め部を備え、
前記半導体基板は、前記一方の面が略平面状に形成されることを特徴とする振動式圧力センサ。
【００２４】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の振動式圧力センサにおいて、
前記振動子は、
前記振動子の厚さに相当する予め定められた第１のシリコン層、前記真空室における振動子の下側ギャップの厚さに相当する予め定められた厚さの酸化膜、および第２のシリコン層を有するシリコン基板を用いて、前記振動子の領域以外の前記第１のシリコン層の上面の一部をエッチングすることにより形成されることを特徴とする。
【００２５】
請求項３記載の発明は、
半導体基板に形成された梁状の振動子を真空室内に配置し、前記振動子に加わる歪みの大きさを前記振動子の共振周波数の変化として検出する振動式圧力センサの製造方法であって、
前記振動子の厚さに相当する予め定められた第１のシリコン層、前記真空室における振動子の下側ギャップの厚さに相当する予め定められた厚さの酸化膜、および第２のシリコン層を有するシリコン基板を用いて、前記振動子の領域以外の前記第１のシリコン層の上面の一部をエッチングする第１のステップと、
前記シリコン基板の前記第１のシリコン層の上面の一部および前記酸化膜の上面の一部を第１のガラス膜で覆い、前記第１のガラス膜および前記酸化膜の前記真空室における前記振動子の上側ギャップの一部および下側ギャップに相当する領域以外の部分をエッチングする第２のステップと、
前記第１のガラス膜の上面および前記第２のシリコン層の上面の一部を第２のガラス膜で覆う第３のステップと、
前記第２のガラス膜の上面の一部を第１のポリシリコン膜で覆い、前記第１のガラス膜、前記第２のガラス膜及び前記酸化膜をエッチングして前記振動子を形成する第４のステップと、
減圧化学気相成長法により、前記第１のポリシリコン膜の上面の一部および前記第２のシリコン層の一部を覆うように第２のポリシリコン膜を形成して前記真空室を形成する第５のステップとからなる振動式圧力センサの製造方法。
【００２６】
請求項４記載の発明は、請求項３に記載の振動式圧力センサの製造方法において、
前記第１のステップは、
前記第１のシリコン層の上面の一部をボロン拡散して拡散部を形成し、前記第１のシリコン層の拡散部の領域以外の部分をエッチングし、
前記第４のステップは、
前記振動子を形成するとともに、前記振動子を覆うように前記シリコン基板の一方の面上に配置され空隙部を形成し、
第５のステップは、
減圧化学気相成長法により、第２のポリシリコン膜を形成し、前記空隙部を真空にして、前記真空室を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、振動子の厚さに相当する予め定められた第１のシリコン層、真空室における振動子の下側ギャップの厚さに相当する予め定められた厚さの酸化膜、および第２のシリコン層を有するシリコン基板を用いて、振動子の領域以外の第１のシリコン層の上面の一部をエッチングし（第１のステップ）、シリコン基板の第１のシリコン層の上面の一部および酸化膜の上面の一部を第１のガラス膜で覆い、第１のガラス膜および酸化膜の真空室における振動子の上側ギャップの一部および下側ギャップに相当する領域以外の部分をエッチングし（第２のステップ）、第１のガラス膜の上面および第２のシリコン層の上面の一部を第２のガラス膜で覆い（第３のステップ）、第２のガラス膜の上面の一部を第１のポリシリコン膜で覆い、第１のガラス膜、第２のガラス膜及び酸化膜をエッチングして振動子を形成し（第４のステップ）、ＬＰＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法により、第１のポリシリコン膜の上面の一部および第２のシリコン層の一部を覆うように第２のポリシリコン膜を形成して真空室を形成する（第５のステップ）ことにより、従来よりも振動子の寸法等を安定的に作製でき、特性も安定的で良好である点で有効である。
【００２８】
また本発明によれば、振動子の厚さ、幅や真空室の下側および上側ギャップは、独立した工程でそれぞれ決定されるため、他の工程の影響を受けず、管理が容易で形状が安定に作製できる点で有効である。
【００２９】
また本発明によれば、フォトリソで技術により振動子の形状を決めることにより、従来よりも振動子の寸法等を安定的に作製でき、特性も安定的で良好である点で有効である。
【００３０】
また、本発明の振動式圧力センサの製造方法は、アルカリ液を使用しないため、半導体標準プロセスに適合できる点で有効である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明に係る振動式圧力センサの一実施例を示す説明図である。
【図２】本発明に係る振動式圧力センサの製造過程の一実施例を示す説明図である。
【図３】振動式圧力センサの一例を示す構成図である。
【図４】従来の振動子の製造方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
＜第１の実施例＞
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
本発明に係る振動式圧力センサの特徴は、半導体基板に形成された梁状の振動子を真空室内に配置し、振動子に加わる歪みの大きさを振動子の共振周波数の変化として検出する振動式圧力センサにおいて、振動子を覆うように半導体基板の一方の面上に配置されて空隙部を形成するシェル部と、このシェル部を覆うように半導体基板の一方の面上にＬＰＣＶＤ（減圧化学気相成長法、Low Pressure Chemical Vapor Deposition）法、熱ＣＶＤ（熱化学気相成長法、thermal Chemical Vapor Deposition）法により形成されて、空隙部が真空となった真空室を形成する封止め部を備え、半導体基板は、一方の面が略平面状に形成されることにある。
【００３３】
また、本発明に係る振動式圧力センサの製造方法の主な特徴は、振動子が、振動子の厚さに相当する予め定められた第１のシリコン層、真空室における振動子の下側ギャップの厚さに相当する予め定められた厚さの酸化膜（活性層）、および第２のシリコン層を有するシリコン基板を用いて、振動子の領域以外の第１のシリコン層の上面の一部をエッチングすることにより形成されることにある。
【００３４】
図１は本発明に係る振動式圧力センサの一実施例を示す説明図、図２は本発明に係る振動式圧力センサの製造過程の一実施例を示す説明図である。図１に示す振動式圧力センサは、図２の製造工程を経て作製されるものである。
【００３５】
図１において、本発明に係る振動式圧力センサは、シリコン基板２１（もともとＳＯＩ基板（単結晶シリコン基板）を形成していたシリコン層に相当する部分）に形成された梁状の振動子３０を真空室ＶＲ内に配置し、振動子３０に加わる歪みの大きさを振動子３０の共振周波数の変化として検出する。
【００３６】
また、本発明の振動式圧力センサは、振動子３０を覆うようにシリコン基板２１の一方の面上に配置されて空隙部ＡＲを形成するシェル部２４Ｓと、このシェル部２４Ｓを覆うようにシリコン基板２１の一方の面上にＬＰＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法により形成されて、空隙部ＡＲが真空となった真空室ＶＲを形成する封止め部２５Ｓを備える。
なお、シリコン基板２１の一方の面は、略平面状に形成される。
【００３７】
図２において、（ａ）〜（ｉ）は製造工程の説明図であり、主に、以下の（２−１）〜（２−８）の工程により本発明の振動式圧力センサは形成される。
【００３８】
（２−１）
図２（ａ）に示すように、振動子の厚さに相当する予め定められた第１のシリコン層２１ａ、振動子が内部に配置される真空室における下側ギャップの厚さに相当する予め定められた厚さのＳｉＯ２などの酸化膜２１ｂ、および、第２のシリコン層２１ｃを有するシリコン基板の一例であるＳＯＩ基板（単結晶シリコン基板）２１を作成する。
【００３９】
なお酸化膜２１ｂは、第１のシリコン層２１ａと第２のシリコン層２１ｃの間に形成される。また、酸化膜２１ｂは、空隙部ＡＲ（（２−８）の工程で形成される）の振動子の下側ギャップを設けるために形成されている。
【００４０】
（２−２）
図２（ｂ）に示すように、振動子になる部分に予め定められた（所望の）シート抵抗になるように、第１のシリコン層２１ａの上面の一部をボロン拡散して拡散部（ｐ＋＋）を形成する。
【００４１】
（２−３）
図２（ｃ）に示すように、第１のシリコン層２１ａの拡散部の領域以外の部分をエッチングする。
具体的には、振動子を形成する部分を残すようにＩＣＰ（誘導結合方式、Inductively Coupled Plasma）等のドライエッチングを行い、第１のシリコン層２１ａの拡散部の領域を予め定められた（所望の）幅に加工する。
【００４２】
（２−４）
図２（ｄ）に示すように、ＳＯＩ基板２１の第１のシリコン層２１ａの上面の一部および酸化膜２１ｂの上面の一部を覆うように、ＣＶＤ法等により、予め定められた厚さで第１のＮＳＧ（None-doped Silicate Glass）膜２２を形成する。
ここで、第１のＮＳＧ膜２２は、ガラス膜の一例であって、後述の（２−５）で説明するような生成される真空室よりも上側のギャップ（以下、上側ギャップという）に相当する。
【００４３】
（２−５）
図２（ｅ）に示すように、第１のＮＳＧ膜２２および酸化膜２１ｂの真空室における上側ギャップの一部および振動子よりも下側のギャップ（以下、下側ギャップという）に相当する領域以外の部分をエッチングする。
【００４４】
（２−６）
図２（ｆ）に示すように、第１のＮＳＧ膜２２の上面および第２のシリコン層２１ｃの上面の一部を覆うように、ＣＶＤ法等により、ガラス膜の一例である第２のＮＳＧ膜２３を形成する。
なお、第１のＮＳＧ膜２２と第２のＮＳＧ膜２３は、空隙部ＡＲ（（２−８）の工程で形成される）の振動子の上側ギャップを設けるために形成されている。
【００４５】
（２−７）
図２（ｇ）に示すように、第２のＮＳＧ膜２３の上面の一部を覆うように第１のポリシリコン膜（Ｎ＋ｐｏｌｙＳｉ膜）２４を形成する。
【００４６】
（２−８）
図２（ｈ）に示すように、第１のＮＳＧ膜２２、第２のＮＳＧ膜２３及び酸化膜２１ｂをフッ化水素（ＨＦ）などを用いてエッチングして、シリコン基板２１に両端が固定される梁状の振動子３０を形成するとともに、シリコン基板２１の一方の面上と第１のポリシリコン膜２４により囲われた空隙部ＡＲを形成する。この空隙部ＡＲには内部に振動子３０が配置される。
【００４７】
（２−９）
図２（ｉ）に示すように、ＬＰＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法により、第１のポリシリコン膜２４の上面の一部および第２のシリコン層２１ｃの一部を覆うように第２のポリシリコン膜（Ｎ＋ｐｏｌｙＳｉ膜）２５を形成して空隙部ＡＲを真空にし、真空室ＶＲを形成する。
【００４８】
このように、本発明の振動式圧力センサは、振動子が振動子の厚さに相当する予め定められた第１のシリコン層、真空室における振動子の下側ギャップの厚さに相当する予め定められた厚さの酸化膜、および第２のシリコン層を有するシリコン基板を用いて、振動子の領域以外の第１のシリコン層の上面の一部をエッチングすることにより形成され、犠牲層エッチング、封止のためのエピタキシャル成長などによって、シリコンのカバーで内部空間を真空状態（シェル構造）とした空隙部内に形成される。
【００４９】
この結果、本発明の振動式圧力センサおよびこの製造方法は、振動子の厚さに相当する予め定められた第１のシリコン層、真空室における振動子の下側ギャップの厚さに相当する予め定められた厚さの酸化膜、および第２のシリコン層を有するシリコン基板を用いて、振動子の領域以外の第１のシリコン層の上面の一部をエッチングし（第１のステップ）、シリコン基板の第１のシリコン層の上面の一部および酸化膜の上面の一部を第１のＮＳＧ膜で覆い、第１のＮＳＧ膜および酸化膜の真空室における振動子の上側ギャップの一部および下側ギャップに相当する領域以外の部分をエッチングし（第２のステップ）、第１のＮＳＧ膜の上面および第２のシリコン層の上面の一部を第２のＮＳＧ膜で覆い（第３のステップ）、第２のＮＳＧ膜の上面の一部を第１のポリシリコン膜で覆い、第１のＮＳＧ膜、第２のＮＳＧ膜及び酸化膜をエッチングして振動子を形成し（第４のステップ）、ＬＰＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法により、第１のポリシリコン膜の上面の一部および第２のシリコン層の一部を覆うように第２のポリシリコン膜を形成して真空室を形成する（第５のステップ）ことにより、従来よりも振動子の寸法等を安定的に作製でき、特性も安定的で良好である点で有効である。
【００５０】
また、本発明の振動式圧力センサの製造方法は、振動子３０の厚さ、幅や真空室ＶＲの下側および上側ギャップは、独立した工程でそれぞれ決定されるため、他の工程の影響を受けず、管理が容易で形状が安定に作製できる点で有効である。
【００５１】
また、本発明の振動式圧力センサの製造方法は、フォトリソで技術により振動子の形状を決めることにより、従来よりも振動子の寸法等を安定的に作製でき、特性も安定的で良好である点で有効である。
【００５２】
また、本発明の振動式圧力センサの製造方法は、アルカリ液を使用しないため、半導体標準プロセスに適合できる点で有効である。
【００５３】
また、本発明の振動式圧力センサの製造方法は、振動子が振動子の厚さに相当する予め定められた第１のシリコン層、真空室における振動子の下側ギャップの厚さに相当する予め定められた厚さの酸化膜、および第２のシリコン層を有するシリコン基板を用いて、振動子の領域以外の第１のシリコン層の上面の一部をエッチングすることにより形成されるため、従来技術のように選択エピタキシャル成長を用いないので振動子を形成するための不純物種類や濃度に特に制約がない点でも有効である。
【００５４】
（その他の実施例）
なお、本発明に係る振動式圧力センサの製造方法は、上述の実施例の説明では、図２（ｄ）に示すように、ＳＯＩ基板２１の第１のシリコン層２１ａの上面の一部および酸化膜２１ｂの上面の一部を第１のＮＳＧ膜２２で覆うように形成するとして説明しているが、特にこれに限定するものではなく、熱酸化によって第１のＮＳＧ膜２２を形成するものでもよい。
【００５５】
また、本発明に係る振動式圧力センサの製造方法は、従来例の（１−７）、（１−８）の工程を用いて真空室ＶＲを形成することによりなるものでもよい。
【００５６】
また、本発明に係る振動式圧力センサの製造方法は、酸化膜層２１はＳｉ３Ｈ４などの、ＨＦエッチングできる膜であればどのようなものでもよい。
【符号の説明】
【００５７】
２１  ＳＯＩ基板（シリコン基板）
２１ａ  第１のシリコン層
２１ｂ  酸化膜
２１ｃ  第２のシリコン層
２２  第１のＮＳＧ膜（ガラス膜）
２３  第２のＮＳＧ膜（ガラス膜）
２４  第１のポリシリコン膜
２４Ｓ  シェル部
２５  第２のポリシリコン膜
２５Ｓ  封止め部
３０  振動子
【図３】
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【図４】
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【図１】
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【図２】
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