(57)【要約】【課題】両面電極タイプの半導体チップの表面側電極とリード端子とをワイヤボンディングにより接続し、半導体チップの表面側をモールド樹脂で封止するとともに、半導体チップの裏面をモールド樹脂より露出させて外部との接続を行うようにしたモールドパッケージにおいて、ペーストの塗布・固化により形成される導電性接合部材を介して、半導体チップの裏面側電極を外部に接続する場合に、導電性接合部材の過剰な拡がりを防止する。【解決手段】半導体チップ１０の裏面側に、電気絶縁性の樹脂よりなるフィルム５０を設け、このフィルム５０の一面に半導体チップ１０の裏面およびリード端子２０を貼り付け、フィルム５０のうち裏面側電極１２に対応する位置に、穴部５１を設けて裏面側電極１２を露出させ、穴部５１において裏面側電極１２を、フィルム５０の厚さ方向に段差を有してフィルム５０の表面よりも引っこんでいるものとする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に表面側電極（１１）、裏面に複数の裏面側電極（１２）を有する半導体チップ（１０）と、
前記半導体チップ（１０）の近傍に設けられたリード端子（２０）と、
前記表面側電極（１１）と前記リード端子（２０）とを結線して電気的に接続するボンディングワイヤ（３０）と、
前記半導体チップ（１０）の表面、前記リード端子（２０）および前記ボンディングワイヤ（３０）を封止するモールド樹脂（４０）と、を備え、
前記半導体チップ（１０）の裏面は前記モールド樹脂（４０）より露出しており、
前記半導体チップ（１０）の裏面側には、電気絶縁性の樹脂よりなるフィルム（５０）が設けられ、このフィルム（５０）の一面に前記半導体チップ（１０）の裏面および前記リード端子（２０）が貼り付けられており、
前記フィルム（５０）のうち個々の前記裏面側電極（１２）に対応する位置には、前記フィルム（５０）の厚さ方向に貫通する穴部（５１）が設けられ、この穴部（５１）より前記個々の裏面側電極（１２）が露出しており、
前記穴部（５１）において個々の前記裏面側電極（１２）は、前記フィルム（５０）の厚さ方向に段差を有して前記フィルム（５０）の表面よりも引っこんでいることを特徴とするモールドパッケージ。
【請求項２】
ペースト状態で配置され当該ペースト状態のものを固化することにより形成された導電性接合部材（６０）が、前記穴部（５１）を介して個々の前記裏面側電極（１２）に電気的・機械的に接続されており、
この導電性接合部材（６０）を介して、個々の前記裏面側電極（１２）と外部との電気的接続を行うようにしたことを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。
【請求項３】
前記リード端子（２０）において前記半導体チップ（１０）の裏面と同じ側の面は、前記モールド樹脂（４０）より露出するとともに、このモールド樹脂（４０）より露出する前記リード端子（２０）の面の一部が、外部の部材と接続される外部接続部（２１）とされており、
前記モールド樹脂（４０）より露出する前記リード端子（２０）の面に前記フィルム（５０）が貼り付けられており、
前記フィルム（５０）のうち前記リード端子（２０）の前記外部接続部（２１）に対応する位置には、前記穴部（５１）が設けられ、この穴部（５１）より前記外部接続部（２１）が露出しており、
前記穴部（５１）において前記外部接続部（２１）は、前記フィルム（５０）の厚さ方向に段差を有して前記フィルム（５０）の表面よりも引っこんでいることを特徴とする請求項１または２に記載のモールドパッケージ。
【請求項４】
ペースト状態で配置され当該ペースト状態のものを固化することにより形成された導電性接合部材（６０）が、前記穴部（５１）を介して前記外部接続部（２１）に電気的・機械的に接続されており、
この導電性接合部材（６０）を介して、前記外部接続部（２１）と外部との電気的接続を行うようにしたことを特徴とする請求項３に記載のモールドパッケージ。
【請求項５】
前記半導体チップ（１０）の表裏両面から見て、前記リード端子（２０）は前記モールド樹脂（４０）の外郭より突出せず、当該モールド樹脂（４０）の外郭の内部に位置していることを特徴とする請求項３または４に記載のモールドパッケージ。
【請求項６】
前記フィルム（５０）を構成する樹脂は、フォトリソグラフ法によるエッチングが可能な感光性の樹脂であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
【請求項７】
前記導電性接合部材（６０）は、はんだであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
【請求項８】
表面に表面側電極（１１）、裏面に裏面側電極（１２）を有する半導体チップ（１０）の近傍に、リード端子（２０）を設け、
前記表面側電極（１１）と前記リード端子（２０）とをボンディングワイヤ（３０）で結線して電気的に接続した後、
前記半導体チップ（１０）の表面、前記リード端子（２０）および前記ボンディングワイヤ（３０）をモールド樹脂（４０）で封止するとともに、前記半導体チップ（１０）の裏面を前記モールド樹脂（４０）より露出させるようにしたモールドパッケージの製造方法において、
フォトリソグラフ法によるエッチングが可能な感光性且つ電気絶縁性の樹脂よりなるフィルム（５０）の一面に、前記半導体チップ（１０）の裏面および前記リード端子（２０）を貼り付けて、前記半導体チップ（１０）および前記リード端子（２０）を前記フィルム（５０）に支持させた後、
前記フィルム（５０）の一面上にて、前記表面側電極（１２）と前記リード端子（２０）との間でワイヤボンディングを行って前記ボンディングワイヤ（３０）による結線を行い、
次に、前記半導体チップ（１０）の表面側に前記モールド樹脂（４０）を配置して、前記モールド樹脂（４０）による封止を行い、
その後、フォトリソグラフ法によるエッチングによって、前記フィルム（５０）のうち個々の前記裏面側電極（１２）に対応する位置に、前記フィルム（５０）の厚さ方向に貫通する穴部（５１）を形成することによって、この穴部（５１）より前記個々の裏面側電極（１２）を露出させるとともに、前記穴部（５１）において個々の前記裏面側電極（１２）が、前記フィルム（５０）の厚さ方向に段差を有して前記フィルム（５０）の表面よりも引っこんだ状態となるようにしたことを特徴とするモールドパッケージの製造方法。
【請求項９】
前記穴部（５１）の形成後に、前記穴部（５１）を介して個々の前記裏面側電極（１２）に、ペースト状態の導電性材料を配置し、このペースト状態の導電性材料を固化することにより、前記裏面側電極（１２）と電気的・機械的に接続された導電性接合部材（６０）を形成することを特徴とする請求項８に記載のモールドパッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記リード端子（２０）において前記半導体チップ（１０）の裏面と同じ側の面を、前記モールド樹脂（４０）より露出させるとともに、このモールド樹脂（４０）より露出する前記リード端子（２０）の面の一部が、外部の部材と接続される外部接続部（２１）とされており、
前記フィルム（５０）の貼り付け工程では、前記モールド樹脂（４０）より露出する前記リード端子（２０）の面に前記フィルム（５０）を貼り付けるようにし、
前記フォトリソグラフ法によるエッチング工程では、前記フィルム（５０）のうち前記リード端子（２０）の前記外部接続部（２１）に対応する位置にも、前記穴部（５１）を設け、この穴部（５１）より前記外部接続部（２１）を露出させるとともに、前記穴部（５１）において前記外部接続部（２１）が、前記フィルム（５０）の厚さ方向に段差を有して前記フィルム（５０）の表面よりも引っこんだ状態となるようにしたことを特徴とする請求項８または９に記載のモールドパッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記穴部（５１）の形成後に、前記穴部（５１）を介して前記外部接続部（２１）に、ペースト状態の導電性材料を配置し、このペースト状態の導電性材料を固化することにより、前記外部接続部（２１）と電気的・機械的に接続された導電性接合部材（６０）を形成することを特徴とする請求項１０に記載のモールドパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表裏両面に電極を有する半導体チップ、いわゆる両面電極チップを備え、このチップの表面側をモールド樹脂で封止し、チップの裏面をモールド樹脂より露出させて、裏面側電極を外部と接続するようにしたモールドパッケージ、および、そのようなモールドパッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、表面に表面側電極、裏面に複数の裏面側電極を有する半導体チップを備え、その表面側電極にボンディングワイヤを接続し、ボンディングワイヤとともに半導体チップの表面側をモールド樹脂で封止し、半導体チップの裏面をモールド樹脂より露出させて、裏面側電極を外部と接続するようにしたモールドパッケージが提案されている（特許文献１、特許文献２参照）。
【０００３】
特許文献１のものは、インターポーザを使用したＢＧＡタイプの両面電極チップ用パッケージである。このものでは、モールドパッケージを、モールド樹脂より露出する半導体チップの裏面側にて、中継用配線基板であるインターポーザに搭載し、裏面側電極をインターポーザの電極にバンプを介して接続するとともに、表面側電極はワイヤボンディングによりインターポーザに接続するようにしている。そして、このインターポーザを介して外部の部材との接続を行うようにしている。
【０００４】
また、特許文献２のものは、両面電極チップのＱＦＰタイプの実装構造である。このものでは、半導体チップの近傍にリード端子を配置し、半導体チップの表面側電極とリード端子とをワイヤボンディングで接続し、その後、これら半導体チップの表面側、リード端子およびボンディングワイヤをモールド樹脂で封止してパッケージを形成した後、モールド樹脂より露出する半導体チップの裏面側電極に直接はんだを設けた状態で、モールドパッケージを外部の部材に接続するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１１８１９８号公報
【特許文献２】特開２００１−３１９９４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１のようなインターポーザを使用してモールドパッケージを外部の部材に実装する場合、高価なインターポーザを用いることからコストが高くなるという問題がある。
【０００７】
また、この場合、半導体チップをインターポーザにフリップチップ接合した後に、ワイヤボンディングを行うため、当該フリップチップ接合部へのダメージが懸念される。また、インターポーザ内に長い配線が存在するため、半導体チップがパワー系素子などである場合は、特性劣化の原因となる。
【０００８】
そこで、本発明者は、上記特許文献２のようなパッケージ構造、すなわち、半導体チップの表面側電極とリード端子とをワイヤボンディングにより接続し、半導体チップの表面側をモールド樹脂で封止するとともに、モールド樹脂より露出する裏面側電極に直接はんだを設け、このはんだを介して外部との接続を行うようにしたモールドパッケージについて検討した。
【０００９】
しかし、この場合、直接、裏面側電極にはんだを配設するので、はんだの塗布時やリフロー時など、はんだがペースト状のときに、過剰に拡がり、隣り合うはんだ同士で短絡が発生する恐れがある。
【００１０】
また、これと同じことは、裏面側電極に設ける導電性接合部材として、ペースト状態で配置され、これを固化することにより形成されるものならば、たとえば導電性接着剤などでも起こり得る可能性がある。
【００１１】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、表裏両面に電極を有する半導体チップの表面側電極とリード端子とをワイヤボンディングにより接続し、半導体チップの表面側、リード端子およびボンディングワイヤをモールド樹脂で封止するとともに、半導体チップの裏面をモールド樹脂より露出させて外部との接続を行うようにしたモールドパッケージにおいて、高価なインターポーザを用いることなく、ペーストの塗布・固化により形成される導電性接合部材を介して、半導体チップをその裏面側電極にて外部の部材に接続する場合に、導電性接合部材の形状を保持し導電性接合部材の過剰な拡がりを防止できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明においては、モールド樹脂（４０）より露出する半導体チップ（１０）の裏面側に、電気絶縁性の樹脂よりなるフィルム（５０）を設け、このフィルム（５０）の一面に半導体チップ（１０）の裏面およびリード端子（２０）を貼り付け、フィルム（５０）のうち個々の裏面側電極（１２）に対応する位置に、フィルム（５０）の厚さ方向に貫通する穴部（５１）を設け、この穴部（５１）より個々の裏面側電極（１２）を露出させ、穴部（５１）において個々の裏面側電極（１２）を、フィルム（５０）の厚さ方向に段差を有してフィルム（５０）の表面よりも引っこんでいるものとしたことを特徴としている。
【００１３】
それによれば、半導体チップ（１０）およびリード端子（２０）は、半導体チップ（１０）の裏面側にてフィルム（５０）に貼り付けられるので、当該フィルム（５０）に支持された状態となる。また、当該フィルム（５０）は樹脂であるので、エッチング等により容易に穴部（５１）を形成することができる。
【００１４】
そして、この穴部（５１）にて露出する個々の裏面側電極（１２）は、フィルム（５０）の厚さ方向に段差を有してフィルム（５０）の表面よりも引っこんでおり、穴部（５１）の内壁に取り囲まれた状態となっているから、はんだなど、ペーストの塗布・固化により形成される導電性接合部材（６０）を介して、裏面側電極（１２）を外部の部材に接続するとき、裏面側電極（１２）上に配置したペースト状態の導電性接合部材（６０）は、当該穴部（５１）の内壁により、その拡がりが規制される。
【００１５】
よって、本発明によれば、高価なインターポーザを用いることなく、ペーストの塗布・固化により形成される導電性接合部材（６０）を介して、半導体チップ（１０）をその裏面側電極（１２）にて外部の部材に接続する場合に、導電性接合部材（６０）の形状を保持し導電性接合部材（６０）の過剰な拡がりを防止することができる。
【００１６】
また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載のモールドパッケージにおいて、ペースト状態で配置され当該ペースト状態のものを固化することにより形成された導電性接合部材（６０）を、前記穴部（５１）を介して個々の裏面側電極（１２）に電気的・機械的に接続し、この導電性接合部材（６０）を介して、個々の裏面側電極（１２）と外部との電気的接続を行うようにしたことを特徴としている。
【００１７】
それによれば、上述したように、穴部（５１）を介して裏面側電極（１２）上に配置した導電性接合部材（６０）によって、裏面側電極（１２）が外部に接続されるが、この導電性接合部材（６０）がペースト状態のとき、当該穴部（５１）の内壁により、その拡がりが規制される。
【００１８】
また、請求項３に記載の発明では、請求項１または２に記載のモールドパッケージにおいて、リード端子（２０）において半導体チップ（１０）の裏面と同じ側の面が、モールド樹脂（４０）より露出するとともに、このモールド樹脂（４０）より露出する前記リード端子（２０）の面の一部が、外部の部材と接続される外部接続部（２１）とされている場合に、モールド樹脂（４０）より露出するリード端子（２０）の面にフィルム（５０）を貼り付け、フィルム（５０）のうちリード端子（２０）の外部接続部（２１）に対応する位置に、穴部（５１）を設け、この穴部（５１）より外部接続部（２１）を露出させ、穴部（５１）において外部接続部（２１）を、フィルム（５０）の厚さ方向に段差を有してフィルム（５０）の表面よりも引っこんでいるものとしたことを特徴としている。
【００１９】
それによれば、ペーストの塗布・固化により形成される導電性接合部材（６０）を介して、リード端子（２０）を外部の部材に接続する場合に、導電性接合部材（６０）の形状を保持し導電性接合部材（６０）の過剰な拡がりを防止することができる。
【００２０】
さらに、請求項４に記載の発明のように、請求項３に記載のモールドパッケージにおいては、ペースト状態で配置され当該ペースト状態のものを固化することにより形成された導電性接合部材（６０）を、穴部（５１）を介して外部接続部（２１）に電気的・機械的に接続し、この導電性接合部材（６０）を介して、外部接続部（２１）と外部との電気的接続を行うようにしてもよい。
【００２１】
それによれば、上述したように、穴部（５１）を介してリード端子（２０）の外部接続部（２１）上に配置した導電性接合部材（６０）によって、当該外部接続部（２１）が外部に接続されるが、この導電性接合部材（６０）がペースト状態のとき、当該穴部（５１）の内壁により、その拡がりが規制される。
【００２２】
また、請求項５に記載の発明では、請求項３または４に記載のモールドパッケージにおいて、半導体チップ（１０）の表裏両面から見て、リード端子（２０）はモールド樹脂（４０）の外郭より突出せず、当該モールド樹脂（４０）の外郭の内部に位置していることを特徴としている。
【００２３】
この場合、いわゆるＱＦＮ（クワッド・フラット・ノンリード）パッケージタイプのモールドパッケージ構成となるが、このようなＱＦＮの場合、半導体チップ（１０）の裏面側電極（１２）と同じ側で、導電性接合部材（６０）を介した接続を行うこととなるので、上記請求項３または請求項４の構成を採用することは、特に有効である。
【００２４】
また、請求項６に記載の発明では、請求項１ないし５のいずれか１つに記載のモールドパッケージにおいて、フィルム（５０）を構成する樹脂は、フォトリソグラフ法によるエッチングが可能な感光性の樹脂であることを特徴としている。
【００２５】
それによれば、フィルム（５０）に穴部（５１）を設けるとき、フォトリソグラフ法によるエッチングによって穴開けを容易に行える。
【００２６】
また、請求項７に記載の発明のように、請求項１ないし６のいずれか１つに記載のモールドパッケージにおいて、導電性接合部材（６０）としては、はんだを採用することができる。
【００２７】
請求項８に記載の発明においては、フォトリソグラフ法によるエッチングが可能な感光性且つ電気絶縁性の樹脂よりなるフィルム（５０）の一面に、半導体チップ（１０）の裏面およびリード端子（２０）を貼り付けて、半導体チップ（１０）およびリード端子（２０）をフィルム（５０）に支持させた後、フィルム（５０）の一面上にて、表面側電極（１２）とリード端子（２０）との間でワイヤボンディングを行ってボンディングワイヤ（３０）による結線を行い、次に、半導体チップ（１０）の表面側にモールド樹脂（４０）を配置して、モールド樹脂（４０）による封止を行い、その後、フォトリソグラフ法によるエッチングによって、フィルム（５０）のうち個々の裏面側電極（１２）に対応する位置に、フィルム（５０）の厚さ方向に貫通する穴部（５１）を形成することによって、この穴部（５１）より個々の裏面側電極（１２）を露出させるとともに、穴部（５１）において個々の裏面側電極（１２）が、フィルム（５０）の厚さ方向に段差を有してフィルム（５０）の表面よりも引っこんだ状態となるようにしたモールドパッケージの製造方法が提供される。
【００２８】
それによれば、上記請求項１に記載のモールドパッケージを適切に製造することができ、その効果は上記同様である。
【００２９】
ここで、請求項９に記載の発明では、請求項８に記載のモールドパッケージの製造方法において、穴部（５１）の形成後に、穴部（５１）を介して個々の裏面側電極（１２）に、ペースト状態の導電性材料を配置し、このペースト状態の導電性材料を固化することにより、裏面側電極（１２）と電気的・機械的に接続された導電性接合部材（６０）を形成することを特徴としている。
【００３０】
それによれば、上記請求項２に記載のモールドパッケージを適切に製造することができる。
【００３１】
また、請求項１０に記載の発明では、請求項８または９に記載のモールドパッケージの製造方法において、リード端子（２０）において半導体チップ（１０）の裏面と同じ側の面を、モールド樹脂（４０）より露出させるとともに、このモールド樹脂（４０）より露出するリード端子（２０）の面の一部が、外部の部材と接続される外部接続部（２１）とされている場合に、フィルム（５０）の貼り付け工程では、モールド樹脂（４０）より露出するリード端子（２０）の面にフィルム（５０）を貼り付けるようにし、フォトリソグラフ法によるエッチング工程では、フィルム（５０）のうちリード端子（２０）の外部接続部（２１）に対応する位置にも、穴部（５１）を設け、この穴部（５１）より外部接続部（２１）を露出させるとともに、穴部（５１）において外部接続部（２１）が、フィルム（５０）の厚さ方向に段差を有してフィルム（５０）の表面よりも引っこんだ状態となるようにしたことを特徴としている。
【００３２】
それによれば、上記請求項３に記載のモールドパッケージを適切に製造することができる。
【００３３】
さらに、請求項１１に記載の発明のように、請求項１０に記載のモールドパッケージの製造方法においては、穴部（５１）の形成後に、穴部（５１）を介して外部接続部（２１）に、ペースト状態の導電性材料を配置し、このペースト状態の導電性材料を固化することにより、外部接続部（２１）と電気的・機械的に接続された導電性接合部材（６０）を形成するようにしてもよい。
【００３４】
それによれば、上記請求項４に記載のモールドパッケージを適切に製造することができる。
【００３５】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の第１実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。
【図２】（ａ）は図１中の上面図、（ｂ）は下面図であり、（ｃ）は（ｂ）においてはんだバンプを省略した概略平面図である。
【図３】第1実施形態のモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。
【図４】図３に続く製造方法を示す工程図である。
【図５】（ａ）は本発明の第２実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図であり、（ｂ）は（ａ）中の下面図である。
【図６】（ａ）は本発明の第３実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図であり、（ｂ）は（ａ）中の下面図である。
【図７】本発明の第４実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。
【図８】本発明の第５実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。
【図９】本発明の第６実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。
【図１０】本発明の第７実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。
【図１１】第７実施形態のモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。
【図１２】本発明の参考例としてのモールドパッケージの概略断面図である。
【図１３】上記参考例としてのモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００３８】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るモールドパッケージＳ１の概略断面構成を示す図である。また、図２において（ａ）は図１中の上視概略平面図、（ｂ）は下視概略平面図であり、（ｃ）は（ｂ）においてはんだバンプ６０を省略した概略平面図である。
【００３９】
本実施形態のモールドパッケージＳ１は、大きくは、半導体チップ１０と、半導体チップ１０の近傍に設けられたリード端子２０と、半導体チップ１０とリード端子２０とを接続するボンディングワイヤ３０と、これらを封止するモールド樹脂４０と、モールド樹脂４０より露出する半導体チップ１０の裏面側に設けられたフィルム５０およびはんだバンプ６０とを備えて構成されている。
【００４０】
半導体チップ１０はシリコン半導体などよりなるもので、一方の板面（図１中の上面）を表面、他方の板面（図１中の下面）を裏面とする板状、ここでは矩形板状をなすものである。この半導体チップ１０は、その表面に複数の表面側電極１１、裏面に複数の裏面側電極１２を有する両面電極チップである。
【００４１】
このような半導体チップ１０は、一般的な半導体プロセスにより製造されるものであり、たとえばパワートランジスタやＩＧＢＴなどである。また、表裏面の各電極１１、１２はアルミニウムやＮｉ、Ａｕなどにより形成されている。
【００４２】
リード端子２０は、Ｃｕや４２アロイなど一般的なリードフレーム材料よりなるものであり、半導体チップ１０の近傍に設けられている。このリード端子２０は１個でもよいが、ここでは、この種の典型的なパッケージと同様、短冊板状のリード端子２０が、半導体チップ１０の外側を取り巻くように複数個配置されている。また、このリード端子２０には、後述するはんだバンプ６０との接合性を向上させるため、プリフラックス処理やＮｉ／Ａｕに代表されるメッキ処理が施されていてもよい。
【００４３】
そして、半導体チップ１０の表面側電極１１とリード端子２０とは、ボンディングワイヤ３０を介して結線され、このボンディングワイヤ３０を介して半導体チップ１０とリード端子２０とは電気的に接続されている。このボンディングワイヤ３０は、一般的なＡｕやＣｕやアルミニウムなどのワイヤボンディングにより形成されるものである。
【００４４】
また、モールド樹脂４０は、半導体チップ１０の表面、リード端子２０およびボンディングワイヤ３０を封止しており、半導体チップ１０の裏面はモールド樹脂４０より露出している。このモールド樹脂４０は、金型を用いたトランスファーモールド法により成形されるが、ここでは、全体として矩形板状に成形されており、パッケージＳ１の実質的な全体形状はモールド樹脂４０によって形成されている。
【００４５】
また、フィルム５０は、モールド樹脂４０より露出する半導体チップ１０の裏面側に設けられ、このフィルム５０の一面（図１中の上面）に半導体チップ１０の裏面およびモールド樹脂４０より露出するリード端子２０の面が貼り付けられている。
【００４６】
このフィルム５０は感光性且つ電気絶縁性の樹脂、たとえば紫外線で硬化する感光性のポリイミドや感光性のアクリル樹脂などよりなる１枚の平坦なものである。ここでいう感光性樹脂とは、フォトリソグラフ法によるエッチングが可能な感光性の樹脂である。ここでは、フィルム５０の平面形状は、図１、図２に示されるように、モールド樹脂４０と同様の矩形をなしている。
【００４７】
そして、この１枚の共通のフィルム５０の一面上に半導体チップ１０、リード端子２０が貼り付けられ、支持された形となっている。このフィルム５０と半導体チップ１０およびリード端子２０とは、当該フィルム５０を構成する樹脂の密着力により貼り付けられている。
【００４８】
ここで、図１、図２（ｃ）に示されるように、フィルム５０のうち個々の裏面側電極１２に対応する位置には、フィルム５０の厚さ方向に貫通する穴部５１が設けられている。この穴部５１は、フォトリソグラフ法によるエッチングにより形成される。そして、この穴部５１より個々の裏面側電極１２が露出し、外方に臨んだ形となっている。
【００４９】
また、図１に示されるように、穴部５１において個々の裏面側電極１２は、フィルム５０の厚さ方向に段差を有してフィルム５０の表面（図１中の下面）よりも引っこんでいる。なお、ここでフィルム５０の表面とは、フィルム５０における半導体チップ１０の裏面との貼り付け面である一面とは反対側の他面であることはもちろんであり、裏面側電極１２の表面は、このフィルム５０の他面よりも半導体チップ１０側に凹んでいる。
【００５０】
具体的に、このような裏面側電極１２の引っこんだ構成は、半導体チップ１０の裏面より突出する各裏面側電極１２の厚さ寸法よりも、フィルム５０の厚さ寸法が大きいものとすることで実現されている。
【００５１】
また、リード端子２０において半導体チップ１０の裏面と同じ側の面、すなわち、リード端子２０においてボンディングワイヤ３０が接続されている面とは反対側の面（図１中の下面）も、モールド樹脂４０より露出するが、このモールド樹脂４０より露出するリード端子２０の面の一部が、外部の部材と接続される外部接続部２１とされている。
【００５２】
そして、このモールド樹脂４０より露出するリード端子２０の面にフィルム５０が貼り付けられているが、本実施形態では、フィルム５０のうちリード端子２０の外部接続部２１に対応する位置にも、上記したフィルム５０の厚さ方向に貫通する穴部５１が設けられ、この穴部５１を介して外部接続部２１は、フィルム５０から露出している。
【００５３】
そして、この外部接続部２１についても、穴部５１において外部接続部２１は、フィルム５０の厚さ方向に段差を有してフィルム５０の表面よりも引っこんでいる。この場合は、外部接続部２１は、フィルム５０の厚さの分、実質的に引っこんでいる。
【００５４】
このように、半導体チップ１０の裏面側に設けられたフィルム５０は、モールド樹脂４０より露出する半導体チップ１０の裏面およびリード端子２０の面について、裏面側電極１２およびリード端子２０の外部接続部２１を露出させつつ、それ以外は被覆している。
【００５５】
そして、裏面側電極１２およびリード端子２０の外部接続部２１は、フィルム５０の表面よりも引っこんでいるが、換言すれば、これら裏面側電極１２および外部接続部２１は、自身よりも高い穴部５１の内壁に取り囲まれた状態で、穴部５１内に位置した状態となっている。
【００５６】
そして、図１、図２に示されるように、導電性接合部材としてのはんだバンプ６０が、フィルム５０の外側から穴部５１を介して個々の裏面側電極１２および外部接続部２１に電気的・機械的に接続されている。
【００５７】
このはんだバンプ６０は、はんだペーストの状態で配置され当該ペースト状態のはんだを固化することにより形成されたものであり、たとえば印刷法やはんだボール法などにより形成される。
【００５８】
そして、このはんだバンプ６０を介して、個々の裏面側電極１２および外部接続部２１は、外部の部材との電気的接続を行うようになっている。ここで、外部の部材とは、たとえば本モールドパッケージＳ１が搭載される配線基板やリードフレームなどであり、モールドパッケージＳ１は、はんだバンプ６０を介して、これら外部の部材にはんだ付けされるようになっている。
【００５９】
ここで、本モールドパッケージＳ１では、半導体チップ１０においては、表面側電極１１は、ボンディングワイヤ３０、リード端子２０を介して外部と電気的に接続され、一方、裏面側電極１２は、はんだバンプ６０を介して外部と電気的に接続されているが、これら接続されたパッケージＳ１の各部および外部により、電気回路が形成されている。そして、当該各部および外部との間で、電気的な信号のやり取りが行われるようになっている。
【００６０】
また、図１、図２に示されるように、本モールドパッケージＳ１では、半導体チップ１０の表面側から見たパッケージ形状（図２（ａ）参照）、裏面側から見たパッケージ形状（図２（ｂ）参照）の両方について、リード端子２０はモールド樹脂４０の外郭より突出せず、当該モールド樹脂４０の外郭の内部に位置している。
【００６１】
このように本モールドパッケージＳ１は、リード端子２０がモールド樹脂４０より突出するアウターリードを持たない構成、いわゆるＱＦＮ（クワッド・フラット・ノンリード）タイプのパッケージ構造を有するものである。それゆえ、両面電極チップである半導体チップ１０だけでなく、リード端子２０についても、ボンディングワイヤ３０との接続面とは反対側の面の一部を外部接続部２１として露出させ、この外部接続部２１にて、はんだバンプ６０を介して外部接続する構成としている。
【００６２】
次に、本モールドパッケージＳ１の製造方法について、図３、図４を参照して述べる。図３は本製造方法を示す工程図であり、図４は図３に続く製造方法を示す工程図である。ここで、図３（ａ）は概略平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）中の一点鎖線Ａ−Ａに沿った概略断面図であり、以下、図３（ｃ）、図３（ｄ）および図４（ａ）〜（ｄ）は、図３（ｂ）以降の工程のワークを図３（ｂ）に相当する断面にて示した概略断面図である。
【００６３】
なお、ここでは、複数個のモールドパッケージＳ１を一括して形成した後、ダイシングカットして個々のパッケージ単位に分割する方法を採用しているが、最初から１個のモールドパッケージＳ１を形成する方法を採用してもよい。また、図３、図４中の破線ＤＬはダイシングラインＤＬであり、このダイシングラインＤＬが通る部位は、ダイシングカットにて切断される部位である。
【００６４】
まず、図３（ａ）、（ｂ）に示されるように、複数個のリード端子２０がタイバー２０ａによって一体に連結されたリードフレーム２０ｂを用意する。ここでは、複数個のモールドパッケージＳ１を一括形成するために多連状態のリードフレーム２０ｂとする。
【００６５】
そして、リード端子２０を含めてリードフレーム２０ｂに、フィルム５０の一面を貼り付ける。このとき、本製造方法では、後述するモールド工程後にモールド樹脂４０より露出することとなるリード端子２０の面を含むリードフレーム２０ｂの面に、フィルム５０を貼り付けるようにする。
【００６６】
次に、図３（ｃ）に示されるように、半導体チップ１０をフィルム５０にマウントする。具体的には、フィルム５０の一面上にて、リード端子２０の近傍に半導体チップ１０を位置合わせし、半導体チップ１０の裏面をフィルム５０の一面に貼り付ける。
【００６７】
以上の図３（ａ）〜（ｃ）に示される工程がフィルム５０の貼り付け工程であり、こうして、半導体チップ１０の近傍にリード端子２０が設けられるとともに、半導体チップ１０およびリード端子２０がフィルム５０によって支持される。
【００６８】
次に、図３（ｄ）に示されるワイヤボンディング工程を行う。この工程では、フィルム５０の一面上にて、半導体チップ１０の表面側電極１１とリード端子２０との間でワイヤボンディングを行い、ボンディングワイヤ３０による結線を行う。このとき、半導体チップ１０およびリード端子２０が共通のフィルム５０にて支持されているので、ワイヤボンディングは容易に行える。
【００６９】
次に、図４（ａ）に示されるモールド工程を行う。この工程では、半導体チップ１０の表面側にモールド樹脂４０を配置して、フィルム５０の一面上の各部分、すなわち半導体チップ１０の表面、リード端子２０およびボンディングワイヤ３０をモールド樹脂４０で封止する。
【００７０】
このとき、フィルム５０の貼り付け面である一面とは反対側の他面は、モールド樹脂４０を設けないことにより、半導体チップ１０の裏面をモールド樹脂４０より露出させ、この半導体チップ１０の裏面にフィルム５０が貼り付けられた状態とする。このモールド樹脂による封止は、上述したように金型成形により行える。
【００７１】
次に、図４（ｂ）に示されるように、フィルム５０のエッチング工程を行う。この工程では、露光・現像を行うフォトリソグラフ法によるエッチングによって、フィルム５０のうち個々の裏面側電極１２に対応する位置に、上記穴部５１を形成することによって、この穴部５１より個々の裏面側電極１２を露出させる。
【００７２】
また、本製造方法のエッチング工程では、フィルム５０のうちリード端子２０の外部接続部２１に対応する位置にも、上記穴部５１を設け、この穴部５１より外部接続部２１を露出させる。
【００７３】
このエッチングは、たとえばフィルム５０の他面のうち穴部５１が形成される予定の部位を、レジストなどによって選択的にマスキングした状態で光照射装置Ｋ１によって、フィルム５０の他面に紫外線などの光を照射し、光照射されたフィルム５０の部分を耐エッチング性のものとした後、フィルム５０をエッチングすることで行われる。
【００７４】
また、このエッチング工程では、穴部５１において個々の裏面側電極１２が、フィルム５０の厚さ方向に段差を有してフィルム５０の表面よりも引っこんだ状態となるようにする。この状態とすることは、上述のように、半導体チップ１０の裏面より突出する各裏面側電極１２の厚さ寸法よりもフィルム５０の厚さ寸法を大きくすることで、容易に実現される。
【００７５】
また、このエッチング工程では、リード端子２０の外部接続部２１を露出させる穴部５１の形成に伴い、当該穴部５１において外部接続部２１が、フィルム５０の厚さ方向に段差を有してフィルム５０の表面よりも引っこんだ状態とされる。
【００７６】
こうして、エッチング工程により穴部５１を形成した後、図４（ｃ）に示されるように、穴部５１を介して個々の裏面側電極１２およびリード端子２０の外部接続部２１に、ペースト状態の導電性材料であるはんだペーストを配置し、はんだペーストを固化することにより、裏面側電極１２、外部接続部２１と電気的・機械的に接続されたはんだバンプ６０を形成する。
【００７７】
こうして、複数個の単位ではあるが、個々の単位については実質的に本モールドパッケージＳ１の構成を有するワークができあがる。その後は、図４（ｄ）に示されるように、ダイシングブレードＫ２を用いて、ダイシングラインＤＬにて切断を行い、当該ワークを個々のパッケージ単位に分割することで、本モールドパッケージＳ１ができあがる。
【００７８】
ところで、本実施形態によれば、半導体チップ１０およびリード端子２０は、半導体チップ１０の裏面側にてフィルム５０に貼り付けられるので、当該フィルム５０に支持された状態となる。また、当該フィルム５０に対しては、上記製造方法に示したように、エッチングにより容易に穴部５１を形成することができる。
【００７９】
また、この穴部５１を介して裏面側電極１２上に配置されたはんだバンプ６０によって、裏面側電極１２が外部に接続されるが、この穴部５１にて露出する個々の裏面側電極１２は、フィルム５０の厚さ方向に段差を有してフィルム５０の表面よりも引っこんでおり、穴部５１の内壁に取り囲まれた状態となっている
そのため、このはんだバンプ６０がペースト状態のとき、穴部５１の内壁により、その拡がりが規制され、その結果、はんだバンプ６０の形状が保持される。なお、はんだバンプ６０のペースト状態とは、すなわち液状態のことであり、塗布時のはんだペーストの状態および外部と接続するときのリフロー時の溶融状態も含むものである。
【００８０】
このように、本実施形態によれば、高価なインターポーザを用いることなく、ペーストの塗布・固化により形成されるはんだバンプ６０を介して、半導体チップ１０をその裏面側電極１２にて外部の部材に接続する場合に、はんだバンプ６０の形状を保持し、その過剰な拡がりを防止することができる。その結果、はんだバンプ６０の過剰な拡がりによって隣接するはんだバンプ６０間が短絡するなどの不具合を防止することができる。
【００８１】
また、本モールドパッケージＳ１では、フィルム５０の穴部５１は、リード端子２０の外部接続部２１に対応する位置にも設けられ、穴部５１において外部接続部２１は、フィルム５０の厚さ方向に段差を有してフィルム５０の表面よりも引っこんでいる。そして、この外部接続部２１上にはんだバンプ６０が設けられている。
【００８２】
それによれば、はんだバンプ６０を介して、リード端子２０を外部の部材に接続することになるが、この場合も、はんだバンプ６０がペースト状態のとき、当該穴部５１の内壁により、その拡がりが規制される。その結果、はんだバンプ６０の形状保持がなされ、その過剰な拡がりによって隣接するはんだバンプ６０間が短絡するなどの不具合を防止することができる。
【００８３】
実際、本モールドパッケージＳ１においては、はんだバンプ６０は図１、図２に示されるように、その一部が穴部５１に入り込んだボール形状を成している。この穴部５１に入り込んでいる部分にて、はんだの過剰な拡がりが抑制されて、適切なボール形状が構成されているのである。
【００８４】
なお、本実施形態のモールドパッケージとして、はんだバンプ６０を有するものを示したが、本実施形態のモールドパッケージとしては、上記図１において、裏面側電極１２およびリード端子２０の外部接続部２１に、はんだバンプ６０が無い構成のもの、つまり、上記図２（ｃ）の構成のものであってもよい。
【００８５】
この場合も、はんだバンプ６０で裏面側電極１２およびリード端子２０の外部接続部２１を、外部に接続するとき、裏面側電極１２および外部接続部２１上に配置されたはんだペーストは、穴部５１の内壁により、その拡がりが規制される。そのため、はんだバンプ６０の形状を保持しはんだバンプ６０の過剰な拡がりを防止することができる。
【００８６】
また、本実施形態において、導電性接合部材としては、ペースト状態で配置され当該ペースト状態のものを固化することにより形成された導電性のものであればよく、たとえば上記したはんだ以外にも銀ペーストなどの導電性接着剤などであってもよい。
【００８７】
この場合も、導電性接着剤を介して、裏面側電極１２および外部接続部２１を外部に接続するとき、裏面側電極１２および外部接続部２１上に配置したペースト状態の導電性接着剤は、穴部５１の内壁により、その拡がりが規制される。そのため、導電性接着剤の形状を保持し、その過剰な拡がりを防止することができる。
【００８８】
（第２実施形態）
図５において、（ａ）は本発明の第２実施形態に係るモールドパッケージＳ２の概略断面構成を示す図であり、（ｂ）は（ａ）中の下視概略平面図である。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、ＱＦＮパッケージにおけるリード端子２０の配置構成が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
【００８９】
図５に示されるように、本実施形態のモールドパッケージＳ２では、リード端子２０の長さの長いものと短いものとを交互に配置することにより、外部接続部２１、穴部５１およびはんだバンプ６０を千鳥配置している。これにより、隣り合うはんだバンプ６０の間隔を確保しつつ、より多数のはんだバンプ６０を配置することができる。
【００９０】
（第３実施形態）
図６において、（ａ）は本発明の第３実施形態に係るモールドパッケージＳ３の概略断面構成を示す図であり、（ｂ）は（ａ）中の下視概略平面図である。本実施形態は、上記第１実施形態のモールドパッケージに対して、半導体チップ１０の裏面にヒートシンク７０を設けたものである。
【００９１】
このヒートシンク７０は、一般的なものと同様、たとえばＣｕやＦｅなどの放熱性に優れた材料よりなるものである。ヒートシンク７０が設けられる半導体チップ１０の裏面部分は、フィルム５０をエッチング等により除去し、このフィルム５０より露出した半導体チップ１０の裏面部分に対して、はんだやＡｇペーストなどの熱伝導性の接着材７１を介してヒートシンク７０を接合・固定している。
【００９２】
これによれば、半導体チップ１０の熱をヒートシンク７０から放熱させることができるので、より放熱性に優れたモールドパッケージＳ３が得られる。なお、モールドパッケージＳ３を外部の部材に搭載するときには、このヒートシンク７０も外部の部材に接触させれば、放熱性の向上が図れる。また、上記第２実施形態のモールドパッケージにおいても、上記同様に、ヒートシンク７０を設けてもよい。
【００９３】
（第４実施形態）
図７は本発明の第４実施形態に係るモールドパッケージＳ４の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第１実施形態のモールドパッケージに対して、はんだバンプ６０の間のフィルム５０の表面を保護樹脂８０で被覆したものである。
【００９４】
この保護樹脂８０は、感光性樹脂よりなるフィルムや液状樹脂を塗布して硬化したもの等よりなる。感光性樹脂のフィルムとした場合は、穴部５１を形成する前のフィルム５０の上に当該フィルムを積層し、穴部５１の形成工程にてフィルム５０とともに穴部５１の位置に穴開け加工すればよい。また、液状樹脂の場合は、はんだバンプ６０まで形成した後、スピンコートなどにより塗布・硬化すればよい。
【００９５】
この保護樹脂８０によって、フィルム５０の表面が保護されるため、半導体チップ１０の保護性能の向上が図れる。また、この保護樹脂８０は、上記第１実施形態だけでなく、上記第２および第３実施形態に適用してもよいことはもちろんである。
【００９６】
（第５実施形態）
図８は本発明の第５実施形態に係るモールドパッケージＳ５の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、リード端子２０の構成が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
【００９７】
上記第１実施形態では、半導体チップ１０の表裏両面上から見て、リード端子２０がモールド樹脂４０の外郭よりも突出せず当該外郭の内側に位置する構成、すなわちアウターリードを持たないＱＦＮ構造であった。
【００９８】
それに対して、図８に示されるように、本実施形態では、リード端子２０におけるボンディングワイヤ３０との接続側とは反対側がモールド樹脂４０の外郭より突出し、アウターリードとされている。
【００９９】
ここで、このリード端子２０のアウターリードは曲げ加工されることなく、リード端子２０は、そのインナーリードからアウターリードの全体に渡って、フィルム５０の一面に沿った平板形状とされている。そして、本モールドパッケージＳ５では、このリード端子２０のアウターリードに外部接続部２１が設けられており、その外部接続部２１にはんだバンプ６０が接続されている。
【０１００】
一方で、本パッケージＳ５においても、上記第１実施形態と同様に、モールド樹脂４０の外郭の内側にて、半導体チップ１０の裏面と同じ側のリード端子２０の面が、モールド樹脂４０より露出し、その露出面にフィルム５０が貼り付けられている。しかし、本パッケージＳ５では、外部接続部２１は、モールド樹脂４０の外郭の外側に位置しているため、このリード端子２０に貼り付けられているフィルム５０の部分には、穴部５１は存在しない。
【０１０１】
つまり、本モールドパッケージＳ５では、アウターリードにて外部接続を行う構造であるがゆえに、フィルム５０の穴部５１は、半導体チップ１０の裏面側電極１２についてのみ設けられ、リード端子２０については不要であるため、フィルム５０の穴部５１は設けられない構造とされている。
【０１０２】
また、本モールドパッケージＳ５の場合、リード端子２０のアウターリードとしての外部接続部２１の面積は、はんだバンプ６０が拡がり過ぎないように、極力、必要な面積にとどめることが肝要である。そして、本実施形態は上記第１実施形態だけでなく、第２〜第４の各実施形態に対しても組み合わせて適用が可能である。
【０１０３】
（第６実施形態）
図９は本発明の第６実施形態に係るモールドパッケージＳ６の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第５実施形態と同様、モールド樹脂４０の外郭より突出するリード端子２０のアウターリードに外部接続部２１を設けたものである。
【０１０４】
ここで、本実施形態では、図９に示されるように、リード端子２０は、そのアウターリードが曲げ加工されている。具体的には、リード端子２０のアウターリードは、インナーリード側と突出先端部との間の部位にて半導体チップ１０の表面から裏面に向かう方向へ曲げられている。
【０１０５】
そして、このリード端子２０のアウターリードの突出先端部に外部接続部２１が設けられており、この外部接続部２１にて、一般的なはんだ付けなどの手法により、外部の部材との接合が行われるようになっている。つまり、本実施形態のモールドパッケージＳ６では、リード端子２０には、はんだバンプ６０を設けずに、一般的なはんだ接合によって外部接続を行うようにしている。
【０１０６】
このような本実施形態についても、上記第１実施形態だけでなく、第２〜第４の各実施形態との組み合わせが可能である。また、これら第５および第６実施形態に示したように、フィルム５０に穴部５１を設ける構成は、少なくとも半導体チップ１０の裏面側電極１２については必須であるが、リード端子２０については、外部接続部２１の構成により、適宜設ければよいのである。
【０１０７】
（第７実施形態）
図１０は本発明の第７実施形態に係るモールドパッケージＳ７の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第１実施形態などに示した穴部５１を有するフィルム５０を用いた構成を応用した例を示すものである。
【０１０８】
図１０に示されるように、本モールドパッケージＳ７も、表裏両面に電極１１、１２を有する半導体チップ１０と、この半導体チップ１０の近傍に設けられたリード端子２０と、表面側電極１１とリード端子２０とを接続するボンディングワイヤ３０と、を備えている。
【０１０９】
そして、半導体チップ１０の裏面側にはフィルム５０が設けられ、フィルム５０の一面に半導体チップ１０の裏面およびリード端子２０が貼り付けられており、フィルム５０のうち個々の裏面側電極１２に対応する位置に穴部５１が設けられ、この穴部５１より露出する裏面側電極１２はフィルム５０の表面よりも引っこんでいることについても、上記各実施形態と同様である。
【０１１０】
ここで、本モールドパッケージＳ７では、裏面側電極１２に対応するフィルム５０の穴部５１は、リード端子２０まで拡がったものとなっている。そして、この穴部５１を介して導電性接合部材６１が配置され、穴部５１では、この導電性接合部材６１により裏面側電極１２とリード端子２０とが電気的に接続されている。
【０１１１】
この導電性接合部材６１は、上記各実施形態に示したはんだバンプ６０のようなバンプ形状ではないが、ペースト状態で配置され当該ペースト状態のものを固化することにより形成された導電性のものであり、たとえばはんだやＡｇペーストなどの導電性接着剤に代表される導電性ペーストよりなる。
【０１１２】
また、本パッケージＳ７では、半導体チップ１０の表面側だけでなく裏面側についても、フィルム５０および導電性接合部材６１とともにモールド樹脂４０により被覆され封止されている。そして、リード端子２０は、モールド樹脂４０より突出するアウターリードに外部接続部２１を有しており、これによって外部の部材との接続が成されるようになっている。
【０１１３】
次に、図１１を参照して、本モールドパッケージＳ７の製造方法を述べる。図１１は本モールドパッケージＳ７の製造方法を示す工程図であり、図１０の断面に対応した断面にて各ワークを示している。
【０１１４】
まず、図１１（ａ）に示されるように、支持台Ｋ３の上にフィルム５０を搭載し、その一面に半導体チップ１０の裏面およびリード端子２０を貼り付けて、フィルム５０に支持させ、この状態で、半導体チップ１０の表面側電極１１とリード端子２０とをワイヤボンディングにより接続する。
【０１１５】
次に、図１１（ｂ）に示されるように、半導体チップ１０の表面側にモールド樹脂４０を配置して、フィルム５０の一面上の各部分、すなわち半導体チップ１０の表面、リード端子２０およびボンディングワイヤ３０をモールド樹脂４０で封止する。
【０１１６】
次に、図１１（ｃ）に示されるように、光照射装置Ｋ１を用いたフォトリソグラフ法によるエッチングによって、フィルム５０のうち個々の裏面側電極１２に対応する部位からこれに隣り合うリード端子２０の部位に渡って、穴部５１を形成する。それによって、この穴部５１より個々の裏面側電極１２およびリード端子２０を露出させる。
【０１１７】
このエッチング工程後には、穴部５１において、個々の裏面側電極１２およびこれに隣り合うリード端子２０が、フィルム５０の厚さ方向に段差を有してフィルム５０の表面よりも引っこんだ状態となる。
【０１１８】
ここで、この図１１（ｃ）に示されるワークは、両面電極チップとしての半導体チップ１０の表面側電極１１とリード端子２０とをボンディングワイヤ３０で接続し、半導体チップ１０の表面、リード端子２０およびボンディングワイヤ３０をモールド樹脂４０で封止し、半導体チップ１０の裏面をモールド樹脂４０より露出させている。
【０１１９】
そして、上記各実施形態と同様に、半導体チップ１０の裏面側にはフィルム５０が設けられ、フィルム５０の一面に半導体チップ１０の裏面およびリード端子２０が貼り付けられており、フィルム５０のうち個々の裏面側電極１２に対応する位置に穴部５１が設けられ、この穴部５１より露出する裏面側電極１２はフィルム５０の表面よりも引っこんでいる構成とされている。
【０１２０】
続いて、図１１（ｄ）に示される工程では、導電性ペーストよりなる導電性接合部材６１を、スキージＫ４を用いた印刷法により、穴部５１を介して、裏面側電極１２およびこれに隣り合うリード端子２０の面に配置する。なお、ここでは、スキージＫ４を用いた印刷法を採用するが、それ以外にも、たとえばインクジェット印刷なども可能である。
【０１２１】
そして、導電性接合部材６１を硬化させれば、穴部５１において、導電性接合部材６１を介した裏面側電極１２とリード端子２０との接続が成される。その後は、図１１（ｅ）に示されるように、このワークにおける半導体チップ１０の裏面側をモールド樹脂４０で封止すれば、本モールドパッケージＳ７ができあがる。
【０１２２】
このように、本モールドパッケージＳ７は、両面電極チップである半導体チップ１０の表面側電極１１はボンディングワイヤ３０、裏面側電極１２は印刷によってインナーリードと電気的に接続されたことを特徴としたパッケージ構造である。このような構造では、裏面側電極１２の接続は、印刷法にて形成厚く、幅広く形成される導電性接合部材６１により成されるため、大電流に有利という利点がある。
【０１２３】
（参考例）
図１２は本発明の参考例としてのモールドパッケージＳ８の概略断面構成を示す図である。本例のモールドパッケージＳ８は上記第７実施形態のモールドパッケージを変形したものであり、主たる相違点は、上記第７実施形態に示したモールドパッケージにおいて、半導体チップ１０の裏面側電極１２とリード端子２０との接続を、導電性接合部材に代えてボンディングワイヤ３０によって行ったことである。
【０１２４】
次に、図１３を参照して、本モールドパッケージＳ８の製造方法を述べる。図１３は本モールドパッケージＳ８の製造方法を示す工程図であり、図１２の断面に対応した断面にて各ワークを示している。
【０１２５】
まず、図１３（ａ）に示されるように、フィルム５０の一面に半導体チップ１０の裏面およびリード端子２０を貼り付けて、フィルム５０に支持させ、この状態で、半導体チップ１０の表面側電極１１とリード端子２０とをワイヤボンディングにより接続する。
【０１２６】
次に、図１３（ｂ）に示されるように、光照射装置Ｋ１を用いたフォトリソグラフ法によるエッチングによって、フィルム５０のうち個々の裏面側電極１２に対応する位置に穴部５１を形成する。それによって、この穴部５１より個々の裏面側電極１２を露出させ、穴部５１において、個々の裏面側電極１２が、フィルム５０の厚さ方向に段差を有してフィルム５０の表面よりも引っこんだ状態となるようにする。
【０１２７】
次に、図１３（ｃ）に示されるように、支持台Ｋ５により、半導体チップ１０およびリード端子２０を支持した状態で、穴部５１より露出する裏面側電極１２とリード端子２０との間でワイヤボンディングを行い、これらをボンディングワイヤ３０により結線して接続する。
【０１２８】
続いて、図１３（ｄ）に示されるように、このワークのうちリード端子２０のアウターリード以外の部位をモールド樹脂４０で封止すれば、本例のモールドパッケージＳ８ができあがる。
【０１２９】
（他の実施形態）
なお、フィルム５０としては、感光性樹脂以外にも、感光性を有しない樹脂、たとえばエポキシ樹脂などでもよい。この場合も、一般的な樹脂フィルムのエッチングにより穴部５１の形成は容易に行える。
【０１３０】
また、上記各実施形態においては、エッチングやレーザ加工などによって、予めフィルム５０に穴部５１を形成した後に、穴部５１を有するフィルム５０を半導体チップ１０の裏面およびリード端子２０に貼り付けるようにしてもよい。この場合、穴部５１と裏面側電極１２およびリード端子２０の外部接続部２１との位置合わせに留意する必要がある。
【符号の説明】
【０１３１】
１０  半導体チップ
１１  表面側電極
１２  裏面側電極
２０  リード端子
２１  リード端子の外部接続部
３０  ボンディングワイヤ
４０  モールド樹脂
５０  フィルム
５１  フィルムの穴部
６０  導電性接合部材としてのはんだバンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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