(57)【要約】【課題】データ伝送の高速化を図りながらも、安定したデータ伝送を可能にするメモリカード用ソケットを提供する。【解決手段】前面にカード挿入口が開口した角筒状に形成され、メモリカードが挿抜される金属シェル５と、メモリカードの一表面に並設された複数のＩ／Ｏ接触面に各別に接触可能な複数本のコンタクト３が絶縁性の合成樹脂からなる保持部１３に保持され、金属シェル５の後部内に装着されたコンタクトブロック１２とを備え、コンタクトブロック１２の各コンタクト３の一端側に設けられ、実装相手の配線基板に形成された信号用導電パターンに接合される端子部３ｃが、金属シェル５の後部から導出されてなるメモリカード用ソケットであって、金属シェル５に、配線基板の安定電位となる導電パターンに接合して電気的に接続可能な３つの基板接続部４０を設けている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面にカード挿入口が開口した角筒状に形成され、メモリカードが挿抜される金属シェルと、前記メモリカードの一表面に並設された複数のＩ／Ｏ接触面に各別に接触可能な複数本のコンタクトが絶縁性の合成樹脂からなる保持部に保持され、前記金属シェルの後部内に装着されたコンタクトブロックとを備え、前記コンタクトブロックの前記各コンタクトの一端側に設けられ、実装相手の配線基板に形成された信号用導電パターンに接合される端子部が、前記金属シェルの後部から導出されてなるメモリカード用ソケットであって、前記金属シェルに、前記配線基板の安定電位となる導電パターンに接合して電気的に接続可能な少なくとも３つの基板接続部が設けられてなることを特徴とするメモリカード用ソケット。
【請求項２】
前記基板接続部は、前記金属シェルの隅部に設けられてなることを特徴とする請求項１記載のメモリカード用ソケット。
【請求項３】
前記金属シェルにおける前記配線基板との対向面となる一面の中央部に、少なくとも１つの前記基板接続部を設けてなることを特徴とする請求項１記載のメモリカード用ソケット。
【請求項４】
前記金属シェルの前部側の２つの隅部および前記金属シェルの後部側の一方の隅部に、前記基板接続部を設けてなることを特徴とする請求項２記載のメモリカード用ソケット。
【請求項５】
前記金属シェルの前部側の２つの隅部および前記金属シェルの後端縁の近傍に、前記基板接続部を設けてなることを特徴とする請求項１記載のメモリカード用ソケット。
【請求項６】
前記金属シェルの前部側の２つの隅部および前記金属シェルにおける前記配線基板との対向面となる一面の中央部に、前記基板接続部を設けてなることを特徴とする請求項１記載のメモリカード用ソケット。
【請求項７】
前記金属シェルの後部側の２つの隅部および前記金属シェルの前端縁の近傍に、前記基板接続部を設けてなることを特徴とする請求項１記載のメモリカード用ソケット。
【請求項８】
前記金属シェルの後部側の２つの隅部および前記金属シェルにおける前記配線基板との対向面となる一面の中央部に、前記基板接続部を設けてなることを特徴とする請求項１記載のメモリカード用ソケット。
【請求項９】
前記基板接続部は、前記金属シェルの４つの隅部に設けられてなることを特徴とする請求項２記載のメモリカード用ソケット。
【請求項１０】
前記基板接続部は、前記金属シェルの一部を切り起こすことにより形成された切り起こし片であることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載のメモリカード用ソケット。
【請求項１１】
前記基板接続部は、前記金属シェルの一部をしぼり加工することによって形成された突起部であることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載のメモリカード用ソケット。
【請求項１２】
前記基板接続部は、前記金属シェルの一部に金属膜を被着して形成された導体層であることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載のメモリカード用ソケット。
【請求項１３】
前記切り起こし片は、前記金属シェルにおけるメモリカードの挿抜方向に直交する左右方向の側面部で前記金属シェルから前記メモリカードの挿抜方向および前記金属シェルの左右方向に直交する方向へ延設されてなることを特徴とする請求項１０記載のメモリカード用ソケット。
【請求項１４】
前記金属シェルは、第１の金属板により形成され、前記配線基板側に位置する下側シェルと、第２の金属板により形成され、下側シェルの一表面側に被着された上側シェルとで構成され、前記切り起こし片が、後方に突設されてなることを特徴とする請求項１０記載のメモリカード用ソケット。
【請求項１５】
前記切り起こし片は、前記金属シェルの左右方向の両側部から突設されてなることを特徴とする請求項１０記載のメモリカード用ソケット。
【請求項１６】
前記切り起こし片は、前記上側シェルの後端縁の近傍から突設されてなることを特徴とする請求項１４記載のメモリカード用ソケット。
【請求項１７】
前記切り起こし片は、前記上側シェルにおいて、前記メモリカードの挿抜方向に直交する左右方向の両側縁から突設されてなることを特徴とする請求項１４記載のメモリカード用ソケット。
【請求項１８】
前記突起部は、前記金属シェルにおける前記配線基板との対向面となる一面の隅部に形成されてなることを特徴とする請求項１１記載のメモリカード用ソケット。
【請求項１９】
前記基板接続部は、前記金属シェルに接続される端子片であって、前記金属シェルの後方へ突出してなることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載のメモリカード用ソケット。
【請求項２０】
前記基板接続部は、前記金属シェルの両側部に接続される端子片であって、前記メモリカードの挿抜方向および前記金属シェルの左右方向に直交する方向へ突設してなることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載のメモリカード用ソケット。
【請求項２１】
前記基板接続部は、前記金属シェルに溶接もしくは接着して形成されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載のメモリカード用ソケット。
【請求項２２】
前記基板接続部は、前記金属シェルの左右方向の両側部に圧接して形成されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載のメモリカード用ソケット。
【請求項２３】
前記基板接続部は、前記金属シェルの被嵌合部に嵌合して形成されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載のメモリカード用ソケット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＳＤメモリカード（登録商標）などのメモリカードを挿抜自在に接続するためのメモリカード用ソケットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＳＤメモリカード（登録商標）などのメモリカードが、各種のデジタル機器（例えば、デジタルカメラやデジタルビデオカメラなど）に広く用いられている。近年、これらのメモリカードにおいて、高精細な静止画や動画など大容量のコンテンツを読み書きするために、メモリカードの更なる大容量化およびデータ伝送の高速化が要求されている。
【０００３】
このようなメモリカードを挿抜自在に接続するためのメモリカード用ソケットとしては、例えば、図２７に示すように、ステンレス製の金属板によって形成され、メモリカード用ソケットを実装する配線基板側に位置する下側シェル（ベースシェル）１と、下側シェル１と同様にステンレス製の金属板によって形成され、下側シェル１の一表面側に被着することで前面にカード挿入口５ａが開口する角筒状の金属シェル５を下側シェル１とで構成する上側シェル（カバーシェル）２と、メモリカードの一表面に並設された複数のＩ／Ｏ接触面（図示せず）に各別に接触可能な複数本（図示例では、９本）のコンタクト３が絶縁性の合成樹脂からなる保持部１３に保持され、金属シェル５の後部内に装着されたコンタクトブロック１２と、金属シェル５の前部側で下側シェル１におけるメモリカードの挿抜方向に直交する左右方向の両側縁からメモリカード用ソケットを実装する配線基板（図示せず）側に連続一体に突設された２つの接続部４とを備えたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。なお、接続部４は、上記配線基板に設けられた保持孔（図示せず）に挿入されて、上記配線基板のグランドに電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１６３１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、メモリカードのデータ伝送の高速化を図るために、データ伝送のクロック周波数を高めることが考えられるが、データ伝送のクロック周波数を高めると、クロック周波数の高調波成分が影響し、データ伝送時に発生するノイズが大きくなる傾向にある。そのため、メモリカードの動作時に、読み出しエラーや書き込みエラーなどが発生し、安定したデータ伝送ができなくなる可能性がある。
【０００６】
上述のメモリカード用ソケットは、メモリカードのデータ伝送時に発生するノイズを、下側シェル１に連続一体に突設された各接続部４から上記配線基板のグランドに逃がすことができる。しかしながら、上述のメモリカード用ソケットでも、メモリカードの大容量化およびデータ伝送の高速化に伴い、ノイズが大きくなる傾向にある。
【０００７】
本発明は上記の事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、データ伝送の高速化を図りながらも、安定したデータ伝送を可能にするメモリカード用ソケットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のメモリカード用ソケットは、前面にカード挿入口が開口した角筒状に形成され、メモリカードが挿抜される金属シェルと、前記メモリカードの一表面に並設された複数のＩ／Ｏ接触面に各別に接触可能な複数本のコンタクトが絶縁性の合成樹脂からなる保持部に保持され、前記金属シェルの後部内に装着されたコンタクトブロックとを備え、前記コンタクトブロックの前記各コンタクトの一端側に設けられ、実装相手の配線基板に形成された信号用導電パターンに接合される端子部が、前記金属シェルの後部から導出されてなるメモリカード用ソケットであって、前記金属シェルに、前記配線基板の安定電位となる導電パターンに接合して電気的に接続可能な少なくとも３つの基板接続部が設けられてなることを特徴とする。
【０００９】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記基板接続部は、前記金属シェルの隅部に設けられてなることが好ましい。
【００１０】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記金属シェルにおける前記配線基板との対向面となる一面の中央部に、少なくとも１つの前記基板接続部を設けてなることが好ましい。
【００１１】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記金属シェルの前部側の２つの隅部および前記金属シェルの後部側の一方の隅部に、前記基板接続部を設けてなることが好ましい。
【００１２】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記金属シェルの前部側の２つの隅部および前記金属シェルの後端縁の近傍に、前記基板接続部を設けてなることが好ましい。
【００１３】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記金属シェルの前部側の２つの隅部および前記金属シェルにおける前記配線基板との対向面となる一面の中央部に、前記基板接続部を設けてなることが好ましい。
【００１４】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記金属シェルの後部側の２つの隅部および前記金属シェルの前端縁の近傍に、前記基板接続部を設けてなることが好ましい。
【００１５】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記金属シェルの後部側の２つの隅部および前記金属シェルにおける前記配線基板との対向面となる一面の中央部に、前記基板接続部を設けてなることが好ましい。
【００１６】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記基板接続部は、前記金属シェルの４つの隅部に設けられてなることが好ましい。
【００１７】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記基板接続部は、前記金属シェルの一部を切り起こすことにより形成された切り起こし片であることが好ましい。
【００１８】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記基板接続部は、前記金属シェルの一部をしぼり加工することによって形成された突起部であることが好ましい。
【００１９】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記基板接続部は、前記金属シェルの一部に金属膜を被着して形成された導体層であることが好ましい。
【００２０】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記切り起こし片は、前記金属シェルにおけるメモリカードの挿抜方向に直交する左右方向の側面部で前記金属シェルから前記メモリカードの挿抜方向および前記金属シェルの左右方向に直交する方向へ延設されてなることが好ましい。
【００２１】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記金属シェルは、第１の金属板により形成され、前記配線基板側に位置する下側シェルと、第２の金属板により形成され、下側シェルの一表面側に被着された上側シェルとで構成され、前記切り起こし片が、後方に突設されてなることが好ましい。
【００２２】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記切り起こし片は、前記金属シェルの左右方向の両側部から突設されてなることが好ましい。
【００２３】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記切り起こし片は、前記上側シェルの後端縁の近傍から突設されてなることが好ましい。
【００２４】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記切り起こし片は、前記上側シェルにおいて、前記メモリカードの挿抜方向に直交する左右方向の両側縁から突設されてなることが好ましい。
【００２５】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記突起部は、前記金属シェルにおける前記配線基板との対向面となる一面の隅部に形成されてなることが好ましい。
【００２６】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記基板接続部は、前記金属シェルに接続される端子片であって、前記金属シェルの後方へ突出してなることが好ましい。
【００２７】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記基板接続部は、前記金属シェルの両側部に接続される端子片であって、前記メモリカードの挿抜方向および前記金属シェルの左右方向に直交する方向へ突設してなることが好ましい。
【００２８】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記基板接続部は、前記金属シェルに溶接もしくは接着して形成されてなることが好ましい。
【００２９】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記基板接続部は、前記金属シェルの左右方向の両側部に圧接して形成されてなることが好ましい。
【００３０】
このメモリカード用ソケットにおいて、前記基板接続部は、前記金属シェルの被嵌合部に嵌合して形成されてなることが好ましい。
【発明の効果】
【００３１】
本発明のメモリカード用ソケットにおいては、データ伝送の高速化を図りながらも、安定したデータ伝送ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本実施形態のメモリカード用ソケットを示し、（ａ）は表面側から見た斜視図、（ｂ）は裏面側から見た斜視図である。
【図２】（ａ）は同上のメモリカード用ソケットの要部斜視図、（ｂ）は他の構成例の要部斜視図である。
【図３】（ａ）は同上のメモリカード用ソケットの要部斜視図、（ｂ）は他の構成例の要部斜視図である。
【図４】（ａ）は同上のメモリカード用ソケットの基板接続部の配置例を示す概略平面図、（ｂ）は他の配置例を示す概略平面図である。
【図５】（ａ）は同上のメモリカード用ソケットの基板接続部の配置例を示す概略平面図、（ｂ）は他の配置例を示す概略平面図である。
【図６】（ａ）は同上のメモリカード用ソケットの基板接続部の配置例を示す概略平面図、（ｂ）は他の配置例を示す概略平面図である。
【図７】同上のメモリカード用ソケットの基板接続部の配置例を示す概略平面図である。
【図８】同上のメモリカード用ソケットの基板接続部の配置例を示す概略平面図である。
【図９】同上のメモリカード用ソケットの基板接続部の配置例を示す概略平面図である。
【図１０】同上のメモリカード用ソケットの他の構成例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は要部拡大図である。
【図１１】同上のメモリカード用ソケットの他の構成例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は要部拡大図である。
【図１２】同上のメモリカード用ソケットの他の構成例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は要部拡大図である。
【図１３】同上のメモリカード用ソケットの他の構成例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は要部拡大図である。
【図１４】同上のメモリカード用ソケットの他の構成例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は要部拡大図である。
【図１５】同上のメモリカード用ソケットの他の構成例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は要部拡大図である。
【図１６】同上のメモリカード用ソケットの他の構成例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は要部拡大図である。
【図１７】同上のメモリカード用ソケットの他の構成例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は要部拡大図である。
【図１８】同上のメモリカード用ソケットの他の構成例を示す平面図である。
【図１９】同上のメモリカード用ソケットの他の構成例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）および（ｃ）は要部拡大図である。
【図２０】同上のメモリカード用ソケットの他の構成例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）および（ｃ）は要部拡大図である。
【図２１】同上のメモリカード用ソケットの他の構成例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）および（ｃ）は要部拡大図である。
【図２２】同上のメモリカード用ソケットの他の構成例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は要部拡大図である。
【図２３】同上のメモリカード用ソケットの他の構成例を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）および（ｃ）は要部拡大図である。
【図２４】同上のメモリカード用ソケットの他の構成例を示す斜視図である。
【図２５】同上のメモリカード用ソケットのコンタクトに、正弦波信号を入力した場合におけるノイズ電圧の分布図である。
【図２６】同上のメモリカード用ソケットのコンタクトに、正弦波信号を入力した場合におけるノイズ電圧の他の分布図である。
【図２７】従来例のメモリカード用ソケットを示し、（ａ）は表面側から見た斜視図、（ｂ）は裏面側から見た斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本実施形態のメモリカード用ソケットを、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００３４】
本実施形態のメモリカード用ソケットは、図１に示すように、前面（図１では、右上部）にカード挿入口が開口した角筒状に形成され、メモリカードが挿抜される金属シェル５と、メモリカードの一表面に並設された複数のＩ／Ｏ接触面（図示せず）に各別に接触可能な複数本（図示例では、９本）のコンタクト３が絶縁性の合成樹脂からなる保持部１３に保持され、金属シェル５の後部（図１では、左下部）内に装着されたコンタクトブロック１２とを備え、金属シェル５には、メモリカード用ソケットを実装する実装相手の配線基板（図示せず）のグランド（安定電位である導電パターン）に接合して電気的に接続可能な３つの基板接続部４０を設けている。なお、金属シェル５には、基板接続部４０を３つ設けているが、基板接続部４０の数は３つ以上であればよい。
【００３５】
各コンタクト３は、図１（ｂ）に示すように、金属シェル５の左右方向（メモリカードの挿抜方向に直交する方向）に並んで離間されており、一端側に金属膜を被着して形成された上記Ｉ／Ｏ接触面に接触する各接触片３ｂが形成され、他端側に上記配線基板に形成された信号用導電パターン（図示せず）に接続可能な各端子部３ｃが金属シェル５の後部から前方に導出されている。なお、各コンタクト３は、例えば銅合金により形成されている。
【００３６】
基板接続部４０は、図１（ｂ）に示すように、金属シェル５の前部側（図１（ｂ）では、右上部）で金属シェル５の左右方向の両側面からメモリカード用ソケットを実装する配線基板側（図１（ｂ）では、上面側）に１つずつ突設し、金属シェル５における上記配線基板との対向面となる一面で、各コンタクト３の各接触片３ｂの先端部よりもメモリカード用ソケットの上記カード挿入口側（図１（ｂ）では、右上側）の中央部に１つ配設してある。
【００３７】
基板接続部４０の形状は、図３（ａ）に示すように、下側シェル１の左右方向の側面から左右方向に直交する方向へ突設され、上記配線基板に設けられた保持孔（図示せず）に挿入し、上記配線基板のグランドに接合して電気的に接続可能となっている。ここにおいて、基板接続部４０は、図３（ａ）の例に限らず、例えば図３（ｂ）に示すように、下側シェル１の上記側面から下側シェル１の左右方向の外側へ突設され、下側シェル１側の上記配線基板の一面に形成された上記配線基板の安定電位となる導電パターン（グランド）に接合させて電気的に接続させてもよい。
【００３８】
金属シェル５は、図２（ａ）に示すように、ステンレス製の金属板（第１の金属板）を折曲して形成され、上記配線基板側に位置する下側シェル１と、下側シェル１と同様にステンレス製の金属板（第２の金属板）を折曲して形成され、下側シェル１の一表面側に被着する上側シェル２とで構成される。ここにおいて、下側シェル１は金属シェル５の前後方向に直交する断面がコ字状であり、上側シェル２は矩形板状に形成されており、下側シェル１と上側シェル２との突き合わせ部位（コ字状の下側シェル１の側壁の先端縁と矩形板状の上側シェル２の左右方向の端部との突き合わせ部位）１４ａがレーザ溶接により接合されている。したがって、下側シェル１と上側シェル２とが同電位となる。つまり、下側シェル１から上記配線基板側に連続一体で突設された各基板接続部４０を上記配線基板に設けられた上記保持孔に挿入し、各基板接続部４０を上記配線基板のグランドに接合して電気的に接続すれば、下側シェル１と上側シェル２とで構成される金属シェル５が上記配線基板のグランドに接地される。その結果、各コンタクト３への静電気や外来ノイズを防ぎ、且つ、各コンタクト３から外部への輻射ノイズを低減することができる。ここにおいて、下側シェル１と上側シェル２との形状は、図２（ａ）に例示した形状に限らず、例えば図２（ｂ）に示すように、どちらも金属シェル５の前後方向に直交する断面がコ字状として、下側シェル１と上側シェル２との突き合わせ部位（コ字状の下側シェル１の側壁の先端縁とコ字状の上側シェル２の側壁の先端縁との突き合わせ部位）１４ｂをレーザ溶接により接合してもよい。
【００３９】
メモリカード用ソケットの基板接続部４０の他の配置例としては、例えば図４〜図９それぞれに示した例がある。
【００４０】
図４（ａ）に示す例では、基板接続部４０を、金属シェル５の前部側（図４では、平面視において下側）で下側シェル１における金属シェル５の左右方向の両端部それぞれに１つずつ配設し、金属シェル５の後部側（図４では、平面視において上側）で下側シェル１における後端縁の近傍に１つ配設してある。
【００４１】
また、図４（ｂ）に示した例では、基板接続部４０を、金属シェル５の前部側で下側シェル１における前端縁の近傍に１つ配設し、金属シェル５の後部側で下側シェル１の左右方向の両端部それぞれに１つずつ配設してある。したがって、基板接続部４０が、下側シェル１の中央部を囲むように配設されているため、例えば、メモリカードに内蔵された制御ＩＣなどのノイズ源となりうる部分から発生するノイズを各基板接続部４０から上記配線基板のグランドに逃がしやすくなる。
【００４２】
図５（ａ）に示す例では、基板接続部４０を、金属シェル５の前部側で金属シェル５の両隅部それぞれに１つずつ配設し、金属シェル５の後部側で金属シェル５の一方の隅部に１つ配設してある。
【００４３】
また、図５（ｂ）に示した例では、基板接続部４０を、金属シェル５の前部側で金属シェル５の一方の隅部に１つ配設し、金属シェル５の後部側で金属シェル５の両隅部それぞれに１つずつ配設してある。ここにおいて、図５（ａ）および図５（ｂ）に例示した基板接続部４０の配置例のように、金属シェル５の隅部に各基板接続部４０を設けることで、下側シェル１だけでなく、例えば、上側シェル２から上記配線基板側に連続一体で突出した基板接続部４０を設けることにより、上側シェル２も上記配線基板のグランドに接合して電気的に接続することができる。また、下側シェル１における上記配線基板側の中央部に放熱部として機能させる金属膜を被着することにより、メモリカード動作時に発生する熱の放熱性を向上させることができる。また、下側シェル１の中央部に放熱用の部品を配置することも可能である。
【００４４】
図６（ａ）に示す例では、基板接続部４０を、下側シェル１における上記配線基板との対向面となる一面の中央部に１つ設け、金属シェル５の前部側で金属シェル５の両隅部それぞれに１つずつ配設してある。
【００４５】
また、図６（ｂ）に示した例では、基板接続部４０を、金属シェル５の後部側で金属シェル５の両隅部それぞれに１つずつ配設し、下側シェル１における上記一面の中央部に１つ配設してある。ここにおいて、図６（ａ）および図６（ｂ）に例示した基板接続部４０の配置例のように、基板接続部４０を、下側シェル１における上記一面の中央部に１つ設けることによって、例えば、メモリカードに内蔵された制御ＩＣから発生するノイズを下側シェル１における上記一面の中央部に設けられた基板接続部４０から上記配線基板のグランドに逃がすことができる。したがって、データ伝送時に発生するノイズを抑制することができる。
【００４６】
図７に示す例では、基板接続部４０を、金属シェル５の前部側で金属シェル５の両隅部それぞれに１つずつ配設し、下側シェル１の後端縁の近傍に１つ配設してある。
【００４７】
また、図８に示す例では、基板接続部４０を、金属シェル５の後部側で金属シェル５の両隅部それぞれに１つずつ配設し、金属シェル５の前端縁の近傍に１つ配設してある。したがって、基板接続部４０が、金属シェル５の中央部を囲むように配設されているため、例えば、メモリカードに内蔵された制御ＩＣなどのノイズ源となりうる部分から発生するノイズを各基板接続部４０から上記配線基板のグランドに逃がしやすくなる。
【００４８】
図９に示す例では、基板接続部４０を、金属シェル５の４つの隅部に配設してある。したがって、例えば、メモリカードに内蔵された制御ＩＣなどのノイズ源となりうる部分から発生するノイズを、図８よりも上記配線基板のグランドに逃がしやすくなる。
【００４９】
また、メモリカード用ソケットの基板接続部４０の他の形状としては、例えば図１０〜図２３それぞれに示した例がある。
【００５０】
図１０における各基板接続部４０は、金属シェル５を切り起こすことにより形成された切り起こし片であって、上記切り起こし片が、金属シェル５の左右方向の側面部から上記配線基板側へ延設してある。
【００５１】
また、図１１における切り起こし片である各基板接続部４０は、下側シェル１の後端縁から後方（図１１では、左下部）へ突設し、突設した基板接続部４０の先端部が上記配線基板側へ折り曲げてある。ここにおいて、図１０および図１１に例示した切り起こし片である基板接続部４０は、金属シェル５を切り起こすことにより形成されるため、基板接続部４０を形成することが容易となり、また、部品を追加することがないため、コストを低減することができる。さらに、切り起こし片である基板接続部４０を上記配線基板の上記保持孔に挿入し、半田にて上記配線基板の上記保持孔の内周面に形成された安定電位となる導電パターン（グランド）に接合することによって、実装強度を高くすることができる。
【００５２】
図１２における切り起こし片である各基板接続部４０は、下側シェル１の後端縁から後方へ突設してある。したがって、各基板接続部４０を各端子部３ｃと同様に半田などにより上記配線基板の一面に形成された上記配線基板の安定電位となる上記導電パターンに接合させることができる。
【００５３】
図１３における切り起こし片である各基板接続部４０は、金属シェル５の後部側で上側シェル２の後端縁から上記配線基板側へ突設してある。したがって、各基板接続部４０を上記配線基板の上記保持孔に挿入し、半田にて上記配線基板の上記保持孔の内周面に形成された安定電位となる導電パターン（グランド）に接合することによって、上側シェル２を上記配線基板のグランドに電気的に接続することができる。
【００５４】
図１４における切り起こし片である各基板接続部４０は、金属シェル５の後部側で上側シェル２の後端縁から上記配線基板側へ突設し、突設した基板接続部４０の先端部が後方へ折り曲げてある。したがって、各基板接続部４０を各端子部３ｃと同様に半田などにより上記配線基板の一面に形成された上記配線基板の安定電位となる上記導電パターンに接合させることができ、且つ、上側シェル２を上記配線基板のグランドに電気的に接続することができる。
【００５５】
図１５における切り起こし片である各基板接続部４０は、金属シェル５の後部側で上側シェル２における金属シェル５の左右方向の側端縁から上記配線基板側へ突設してある。したがって、各基板接続部４０を上記配線基板の上記保持孔に挿入し、半田にて上記配線基板の上記保持孔の内周面に形成された安定電位となる導電パターン（グランド）に接合することによって、上側シェル２を上記配線基板のグランドに電気的に接続することができる。また、図１３よりも各基板接続部４０が各端子部３ｃから離れた位置にあるため、半田などによる接合がしやすくなる。
【００５６】
図１６における切り起こし片である各基板接続部４０は、下側シェル１の左右方向（下側シェル１における金属シェル５の左右方向）の側面部を切り起こすことによって形成され、下側シェル１における上記側面部から上記配線基板側へ突設してある。したがって、各基板接続部４０を上記配線基板の上記保持孔に挿入し、半田にて上記配線基板の上記保持孔の内周面に形成された安定電位となる導電パターン（グランド）に接合することによって、下側シェル１を上記配線基板のグランドに電気的に接続することができる。
【００５７】
図１７における各基板接続部４０は、下側シェル１における上記配線基板との対向面となる一面をしぼり加工することによって形成された突起部である。ここにおいて、図１７に例示したメモリカード用ソケットは、突起部である基板接続部４０を上記配線基板に設けられた上記保持孔に挿入し、基板接続部４０を半田にて上記配線基板のグランドに接合する際、上記配線基板に設けられた上記保持孔が基板接続部４０によって塞がるので、下側シェル１とは反対側の上記配線基板の一表面側から下側シェル１側への半田フラックスの侵入を防ぐことができ、且つ、上記配線基板への実装強度を高くすることができる。
【００５８】
図１８における各基板接続部４０は、下側シェル１における上記配線基板との対向面となる一表面の一部に金属膜を被着して形成された導体層である。ここにおいて、図１８に例示したメモリカード用ソケットは、放熱部として機能させる導体層である基板接続部４０を設けることによって、メモリカード動作時に発生する熱の放熱性を向上させることができ、且つ、上記配線基板への実装強度を高くすることができる。
【００５９】
図１９における各基板接続部４０は、金属シェル５の後部側で下側シェル１の後端縁から突設された接続片１ｒに接続される端子片であって、接続された端子片が上記配線基板側へ突出してある。したがって、各基板接続部４０を金属シェル５の後部側で下側シェル１の後端縁から突設された接続片１ｒに接続することが可能である。
【００６０】
図２０における各基板接続部４０は、下側シェル１の左右方向の両側部に接続される端子片であって、接続された端子片が上記配線基板側へ突設してある。したがって、各基板接続部４０を下側シェル１の左右方向の両側部に接続することが可能である。
【００６１】
図２１における各基板接続部４０は、金属シェル５の後部側で下側シェル１の左右方向の側面部に溶接もしくは導電性接着剤などによって接着して形成される端子片である。したがって、各基板接続部４０を金属シェル５の後部側で下側シェル１の左右方向の側面部に溶接もしくは導電性接着剤などによって接着することが可能である。
【００６２】
図２２における各基板接続部４０は、金属シェル５の後部側で下側シェル１の左右方向の両側部に設けられた被圧接部１ｐに圧接して形成される端子片である。したがって、各基板接続部４０を金属シェル５の後部側で下側シェル１の左右方向の両側部に設けられた被圧接部１ｐに圧接することが可能である。
【００６３】
図２３における各基板接続部４０は、金属シェル５の後部側で下側シェル１の左右方向の側面部に設けられた被嵌合部１ｑに嵌合して形成される嵌合部である。したがって、各基板接続部４０を金属シェル５の後部側で下側シェル１の左右方向の側面部に設けられた被嵌合部１ｑに嵌合することが可能である。
【００６４】
ここで、上述の図１０に示すようなメモリカード用ソケットに関して、金属シェル５におけるノイズ電圧の分布を測定した結果を図２５および図２６に示す。ここにおいて、金属シェル５におけるノイズ電圧の分布を測定する方法としては、上述のメモリカード用ソケットにＳＤメモリカードを挿入した状態で、上述のメモリカード用ソケットのコンタクト３に正弦波信号（例えば、周波数１００ＭＨｚ）を入力し、金属シェル５およびこの金属シェル５の周囲に発生する電磁界を検出するアンテナでノイズ電圧の分布を測定した。また、メモリカード用ソケットは、図２５および図２６に示す一点鎖線の位置に配置してある。
【００６５】
図２５は、各基板接続部４０を上記配線基板のグランドに接地しない場合におけるノイズ電圧の分布を示し、金属シェル５の中心付近のノイズ電圧が、８２．７［ｄＢμＶ］〜８７．０［ｄＢμＶ］であった。一方、図２６は、各基板接続部４０を上記配線基板のグランドに接地した場合におけるノイズ電圧の分布を示し、金属シェル５の中心付近のノイズ電圧が、７１．８［ｄＢμＶ］〜７８．３［ｄＢμＶ］であった。したがって、図２５と図２６との金属シェル５の中心付近のノイズ電圧を比較すると、各基板接続部４０を上記配線基板のグランドに接地させることにより、金属シェル５の中心付近のノイズ電圧が８．７［ｄＢμＶ］〜１０．９［ｄＢμＶ］の範囲で低減しており、ノイズを抑制する効果が得られていることが分かる。
【００６６】
メモリカードのデータ伝送の高速化を図るために、データ伝送のクロック周波数を高めると、クロック周波数の高調波成分が影響し、データ伝送時に発生するノイズが大きくなるが、上述のメモリカード用ソケットは、メモリカードのデータ伝送時に発生するノイズを、金属シェル５の各基板接続部４０から、上記配線基板のグランドに逃がして、データ伝送時に発生するノイズを抑制することができる。したがって、金属シェル５に設けられた３つの基板接続部４０を、上記配線基板のグランドに接合して電気的に接続することにより、各コンタクト３への静電気や外来ノイズを防ぎ、且つ、各コンタクト３から外部への輻射ノイズを低減することができる。つまり、メモリカードのデータ伝送時に発生するノイズを上記配線基板のグランドに逃がすことができ、データ伝送の高速化を図りながらも、安定したデータ伝送が可能となる。
【００６７】
また、上述のメモリカード用ソケットの構成は、図１に例示した構成に限らず、例えば図２４に示すように、各コンタクト３の各端子部３ｃが、金属シェル５の後部から後方に導出して上記配線基板側に折り曲げられ、基板接続部４０が、下側シェル１の左右方向の両側面から上記配線基板側へ突設されたものであってもよい。なお、図１に示したメモリカード用ソケットと、図２４に示したメモリカード用ソケットとでは、各コンタクト３の各端子部３ｃが、金属シェル５の後部から導出して折り曲げられる方向が異なる。
【００６８】
以上説明した本実施形態のメモリカード用ソケットは、データ伝送の高速化を図りながらも、安定したデータ伝送ができる。
【符号の説明】
【００６９】
１  下側シェル
１ｑ  被嵌合部
２  上側シェル
３  コンタクト
３ｂ  接触片
３ｃ  端子部
５  金属シェル
１２  コンタクトブロック
１３  保持部
４０  基板接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２７】
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【図２５】
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【図２６】
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