(57)【要約】【課題】画像形成装置に搭載した状態で半導体レーザのフィードバック制御のゲインやバイアス調節を容易に行うことが可能な光走査装置を提供する。【解決手段】レーザダイオード毎に、レーザダイオードの光出力レベルをフォトダイオードにより検出して、このフォトダイオードの検出出力をレーザダイオードのフィードバック制御に用い、レーザダイオードの光出力レベルの安定化を図っている。また、フィードバック制御のゲインやレーザダイオードのバイアスをＥＥＰＲＯＭ（不揮発性メモリ）に記憶しておき、このＥＥＰＲＯＭ内のゲインやバイアスを用いて、そのようなフィードバック制御を集積回路による演算処理で行っており、光走査装置の故障時にはＥＥＰＲＯＭ内のゲインやバイアスの書き換えにより対処することができるようにしている。【選択図】図４
2011098494.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ビームを出力する半導体レーザと、半導体レーザの光出力レベルを検出する受光素子とを備え、受光素子の検出出力を半導体レーザの駆動電流のフィードバック制御に用い、半導体レーザの光ビームにより画像形成装置の感光体表面を走査する光走査装置において、
前記フィードバック制御のゲインを記憶した不揮発性メモリと、
前記受光素子の検出出力及び前記不揮発性メモリ内のフィードバック制御のゲインに基づき前記半導体レーザの駆動電流を演算して求め、この求めた駆動電流を半導体レーザに流す集積回路と、
前記集積回路及び前記不揮発性メモリを共に搭載した基板とを備えたことを特徴とする光走査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光走査装置であって、
前記不揮発性メモリは、前記半導体レーザのバイアス電流値を記憶し、
前記集積回路は、前記不揮発性メモリから前記半導体レーザのバイアス電流値を読み出して、この値のバイアス電流を半導体レーザに流すことを特徴とする光走査装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光走査装置であって、
前記不揮発性メモリは、前記半導体レーザの光ビームによる感光体表面の一走査期間における該光ビームの強度の変化パターンを記憶しており、
前記集積回路は、前記不揮発性メモリから感光体表面の一走査期間における光ビームの強度の変化パターンを読み出して、感光体表面の一走査毎に、この読み出した変化パターンが再現されるように前記半導体レーザの駆動電流を制御することを特徴とする光走査装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の光走査装置であって、
前記不揮発性メモリは、前記画像形成装置もしくは外部端末からのアクセスにより読み出し及び書き込みが行われることを特徴とする光走査装置。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の光走査装置であって、
前記不揮発性メモリは、前記基板に対して着脱可能であることを特徴とする光走査装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の光走査装置であって、
前記不揮発性メモリは、前記光走査装置に係わる情報を記憶したことを特徴とする光走査装置。
【請求項７】
光ビームを出力する半導体レーザを備え、半導体レーザの光ビームにより画像形成装置の感光体表面を走査する光走査装置において、
前記光走査装置に係わる情報を記憶した不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリ内の情報に基づき半導体レーザを制御する集積回路と、
前記集積回路及び前記不揮発性メモリを共に搭載した基板とを備え、
前記不揮発性メモリは、外部からのアクセスにより読み出し及び書き込みが可能であることを特徴とする光走査装置。
【請求項８】
請求項１〜７いずれか１つに記載の光走査装置を備えることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザの光ビームにより画像形成装置の感光体表面を走査する光走査装置、及びその光走査装置を備える画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の光走査装置は、電子写真方式の画像形成装置に適用される。この方式の画像形成装置では、静電潜像を感光体表面に形成し、トナーにより感光体表面の静電潜像を現像して、感光体表面にトナー像を形成し、トナー像を感光体から記録用紙に転写し、記録用紙を加熱及び加圧して、トナー像を記録用紙上に定着させる。
【０００３】
光走査装置は、静電潜像を感光体表面に形成するために用いられる。この装置では、画像データに応じて半導体レーザから出力される光ビームの強度を変調し、また半導体レーザの光ビームをポリゴンミラーへと出射して、この光ビームをポリゴンミラーで反射させ、このポリゴンミラーの回転により光ビームを走査方向に繰り返し偏向させ、更にｆθレンズにより光ビームを感光体上で等速度となるように偏向させ、この光ビームにより感光体表面を走査して、感光体表面に静電潜像を形成する。
【０００４】
ここで、半導体レーザ（レーザダイオード）は、その駆動電流に対する出力レベル特性のバラツキが大きい。図９は、３個のレーザダイオードの特性を示すグラフである。このグラフからも明らかなようにレーザダイオード毎に、その駆動電流に対する出力レベル特性が異なり、発振開始の駆動電流や出力レベル特性の傾きにバラツキがある。このため、レーザダイオード毎に、レーザダイオードの光出力レベルを検出する受光素子を設け、受光素子の検出出力に基づきレーザダイオードの駆動電流をフィードバック制御している。また、フィードバック制御のゲインやレーザダイオードのバイアス電流の調整を行う必要がある。
【０００５】
例えば、図１０に示すようにレーザダイオード２０１の近傍にフォトダイオード２０２を設けて、フォトダイオード２０２によりレーザダイオード２０１の光出力レベルを検出し、フォトダイオード２０２の検出出力をコンデンサ２０３に蓄積して、コンデンサ２０３の端子電圧をコンパレータ２０４に加える。コンパレータ２０４は、コンデンサ２０３の端子電圧と規定の光出力レベルを示す規定電圧を比較し、この比較結果をアナログ制御部２０５に出力する。アナログ制御部２０５は、その比較結果に基づいてレーザダイオード２０１の駆動電流ＩFを増減させる。これにより、点灯時のレーザダイオード２０１の出力レベルがフィードバック制御される。
【０００６】
スイッチング素子２０６は、画像データの２値信号をレシーバ２０７を介して加えられ、画像データの２値信号に応じてオンオフに切替えられる。これにより、レーザダイオード２０１→アナログ制御部２０５→スイッチング素子２０６という駆動電流ＩFの経路がオンオフされ、画像データの２値信号に応じてレーザダイオード２０１が点灯及び消灯される。
【０００７】
また、感度調節用ボリューム２０８をコンデンサ２０３に並列接続し、感度調節用ボリューム２０８によりコンデンサ２０３の端子電圧を調節して、フィードバック制御のゲインを調節している。
【０００８】
更に、バイアス調節用ボリューム２０９をアナログ制御部２０５を介してレーザダイオード２０１のカソードに直列接続し、バイアス調節用ボリューム２０９によりレーザダイオード２０１のバイアス電流を調節し、これによりレーザダイオード２０１の応答特性を調節している。
【０００９】
図１１（ａ）〜（ｃ）は、図１０の従来回路の動作を示すタイミングチャートである。この図１１において、Ｔ2〜Ｔ3の期間は、一主走査期間である。この主走査期間の前にＴ0〜Ｔ1の期間が設定されており、図１１（ａ）に示すようにＴ0〜Ｔ1の期間に光量補正用点灯信号がレシーバ２０７を介してスイッチング素子２０６に加えられ、スイッチング素子２０６がオンとなって、駆動電流ＩFがレーザダイオード２０１に流れて、レーザダイオード２０１が発光し、フォトダイオード２０２の検出出力がコンデンサ２０３に蓄積される。そして、コンデンサ２０３の端子電圧がフィードバックされて、レーザダイオード２０１の駆動電流ＩFが制御されつつ、図１１（ｃ）に示すようなコンデンサ２０３のサンプルホールド値が設定される。
【００１０】
引き続いて、Ｔ2〜Ｔ3の主走査期間に、コンパレータ２０４は、コンデンサ２０３の端子電圧と規定電圧を比較し、この比較結果をアナログ制御部２０５に出力する。アナログ制御部２０５は、その比較結果に基づいてレーザダイオード２０１の駆動電流ＩFを制御し、点灯時のレーザダイオード２０１の出力レベルを略一定に制御する。そして、図１１（ｂ）に示すような画像データの２値信号に応じてスイッチング素子２０６がオンオフに切替えられ、レーザダイオード２０１が点灯及び消灯される。
【００１１】
このようなＴ0〜Ｔ3の動作は、主走査毎に繰り返されて、レーザダイオード２０１の光ビームによる書き込みが行われる。
【００１２】
ところで、通常、感光体表面のビームスポットは、５０ミクロン程度、あるいはそれ以下に絞られ、その走査位置も数ミクロン程度の精度が要求される。また、ビームスポットの光強度は最終的な印字濃度に対応するが、例えば薄いハーフトーンの画像の場合は、数パーセントの光強度の変化が印字濃度のムラとなって現れ、更にカラー画像であれば色ムラとなって現れる。従って、光走査装置には極めて高い光学特性が要求される。特に近年では高速化、カラー化、高精細化が進み、複数の光ビームの走査を同時に行うマルチビーム走査が採用されたり、カラー化のために各色の走査画像を重ね合わる方式が採用されることが多く、光走査ユニットに対する要求がますます高くなっている。
【００１３】
しかしながら、図１０の従来回路では、Ｔ2〜Ｔ3の主走査期間中にコンデンサ２０３の端子電圧がほぼ一定となることから、レーザダイオード２０１の出力レベルも一定となり、レーザダイオード２０１から感光体まで間で部分的な光量減衰が生じた場合、感光体表面の静電潜像に濃度ムラが生じ、これが印字濃度のムラとなった。
【００１４】
このため、特許文献１では、光ビームによる感光体の走査範囲を複数の区間に分割して、分割した各区間の光量を設定しておき、光ビームにより走査されている区間を検出して、この検出された区間の光量に光ビームの光量を調節制御している。
【００１５】
この場合は、走査範囲におけるいずれの区間でも、この区間の光量に光ビームの光量を調節制御することができ、感光体表面の静電潜像に濃度ムラが生じることはない。
【００１６】
また、特許文献２では、光走査装置の組込前に各光ビームによるそれぞれの走査位置のずれを測定して、これらの走査位置のずれを記憶しておき、光走査装置の組込後に各走査位置のずれをそれぞれの補正値として用いている。
【００１７】
この場合は、各光ビームによるそれぞれの走査位置の精度を高くすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開２００３−３２０７０３号公報
【特許文献２】特開２００７−７１９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかしながら、特許文献１では、光ビームの光量を調節制御することができても、また特許文献２では、各光ビームによるそれぞれの走査位置の精度を高くすることができても、図１０に示すようなレーザダイオード２０１とフォトダイオード２０２の組合せによるフィードバック制御において、フィードバック制御のゲインやレーザダイオード２０１のバイアス調節に関する技術的な工夫がなされていなかった。
【００２０】
図１０の従来回路では、感度調節用ボリューム２０８によりフィードバック制御のゲインを調節し、バイアス調節用ボリューム２０９によりレーザダイオード２０１のバイアスを調節しているが、光走査装置を画像形成装置に搭載した後では、光走査装置が故障しても、そのような調節を行うことはなく、光走査装置の交換で対処している。これは、光走査装置の調節を、クリーンルームで専用治具を用いて行う必要があるためである。しかも、光走査装置には、電気的にセンシティブな半導体レーザや高速回転するポリゴンミラー用のモータを搭載しており、故障頻度が高い。このため、光走査装置のメンテナンス性の向上が望まれていた。
【００２１】
そこで、本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであり、画像形成装置に搭載した状態で半導体レーザのフィードバック制御のゲインやバイアス調節を容易に行うことが可能な光走査装置、その光走査装置を備える画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記課題を解決するために、本発明の光走査装置は、光ビームを出力する半導体レーザと、半導体レーザの光出力レベルを検出する受光素子とを備え、受光素子の検出出力を半導体レーザの駆動電流のフィードバック制御に用い、半導体レーザの光ビームにより画像形成装置の感光体表面を走査する光走査装置において、前記フィードバック制御のゲインを記憶した不揮発性メモリと、前記受光素子の検出出力及び前記不揮発性メモリ内のフィードバック制御のゲインに基づき前記半導体レーザの駆動電流を演算して求め、この求めた駆動電流を半導体レーザに流す集積回路と、前記集積回路及び前記不揮発性メモリを共に搭載した基板とを備えている。
【００２３】
また、前記不揮発性メモリは、前記半導体レーザのバイアス電流値を記憶し、前記集積回路は、前記不揮発性メモリから前記半導体レーザのバイアス電流値を読み出して、この値のバイアス電流を半導体レーザに流している。
【００２４】
更に、前記不揮発性メモリは、前記半導体レーザの光ビームによる感光体表面の一走査期間における該光ビームの強度の変化パターンを記憶しており、前記集積回路は、前記不揮発性メモリから感光体表面の一走査期間における光ビームの強度の変化パターンを読み出して、感光体表面の一走査毎に、この読み出した変化パターンが再現されるように前記半導体レーザの駆動電流を制御している。
【００２５】
また、前記不揮発性メモリは、前記画像形成装置もしくは外部端末からのアクセスにより読み出し及び書き込みが行われている。
【００２６】
更に、前記不揮発性メモリは、前記基板に対して着脱可能である。
【００２７】
また、前記不揮発性メモリは、前記光走査装置に係わる情報を記憶している。
【００２８】
一方、本発明の光走査装置は、光ビームを出力する半導体レーザを備え、半導体レーザの光ビームにより画像形成装置の感光体表面を走査する光走査装置において、前記光走査装置に係わる情報を記憶した不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリ内の情報に基づき半導体レーザを制御する集積回路と、前記集積回路及び前記不揮発性メモリを共に搭載した基板とを備え、前記不揮発性メモリは、外部からのアクセスにより読み出し及び書き込みが可能である。
【００２９】
また、本発明の画像形成装置は、上記本発明の光走査装置を備えている。
【発明の効果】
【００３０】
このような本発明の光走査装置において、集積回路は、受光素子の検出出力及び不揮発性メモリ内のフィードバック制御のゲインに基づき半導体レーザの駆動電流を演算して求め、この求めた駆動電流を半導体レーザに流している。このため、この演算処理に必要なフィードバック制御のゲインを設定して不揮発性メモリに記憶しておけば、半導体レーザのフィードバック制御を安定的に行うことができる。
【００３１】
また、集積回路及び不揮発性メモリを共通の基板に搭載しているので、不揮発性メモリ内のフィードバック制御のゲインと集積回路の対応関係を維持することができる。
【００３２】
更に、集積回路に内蔵のメモリを用いず、不揮発性メモリを格別に搭載して用いているため、外部から不揮発性メモリをアクセスして、不揮発性メモリ内のフィードバック制御のゲインを書き換えることが可能である。このゲインの書き換えにより光走査装置の調節修理が可能となり、従来のように故障した光走査装置を交換する頻度が減少し、メンテナンス性が向上する。
【００３３】
仮に、集積回路に内蔵のメモリにフィードバック制御のゲインを記憶した場合は、外部から集積回路のメモリへのアクセス並びにゲインの書き換えが困難になり、ゲインの書き換えによる光走査装置の調節修理を実現することができない。
【００３４】
また、不揮発性メモリに半導体レーザのバイアス電流値を記憶しておき、集積回路により不揮発性メモリから半導体レーザのバイアス電流値を読み出して設定しているので、半導体レーザの応答特性を制御することができる。
【００３５】
更に、不揮発性メモリに半導体レーザの光ビームによる感光体表面の一走査期間における該光ビームの強度の変化パターンを記憶しておき、集積回路により感光体表面の一走査期間における光ビームの強度の変化パターンが再現されるように半導体レーザの駆動電流を制御しているので、シェーディング補正を行うことができる。
【００３６】
例えば、不揮発性メモリは、画像形成装置もしくは外部端末からのアクセスにより読み出し及び書き込みが行われる。具体的には、メモリへの周知の転送方式であるＩ2Ｃやマイクロワイヤ等を用いて、画像形成装置もしくは外部端末から不揮発性メモリ内のゲイン等を書き換えることができる。
【００３７】
あるいは、不揮発性メモリは、基板に対して着脱可能である。具体的には、不揮発性メモリとしてＵＳＢメモリやメモリカードを適用し、不揮発性メモリを取り外して、不揮発性メモリ内のゲイン等を書き換える。
【００３８】
また、不揮発性メモリは、光走査装置に係わる情報を記憶している。例えば、半導体レーザの型番やロット番号、基板情報、集積回路のＲＯＭエリア、不揮発性メモリそのものの情報、ＩＤを記憶している。このような情報は、光走査装置のメンテナンスに有用である。
【００３９】
次に、他の本発明の光走査装置では、光走査装置に係わる情報を記憶した不揮発性メモリと、不揮発性メモリ内の情報に基づき半導体レーザを制御する集積回路とを共通の基板に搭載しており、外部からのアクセスにより不揮発性メモリの読み出し及び書き込みを行うことができる。不揮発性メモリ内の光走査装置に係わる情報としては、先に述べたように半導体レーザの型番やロット番号、基板情報、集積回路のＲＯＭエリア、不揮発性メモリそのものの情報、ＩＤであり、光走査装置のメンテナンスに利用される。このため、光走査装置の故障時には、不揮発性メモリ内の情報を読み出して、この読み出した情報を光走査装置の修理に用いることができる。
【００４０】
仮に、集積回路に内蔵のメモリにフィードバック制御のゲインを記憶した場合は、外部から集積回路のメモリへのアクセス並びにゲインの書き換えが困難になる。
【００４１】
一方、本発明の画像形成装置は、上記本発明の光走査装置を備えているので、同様の作用効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の光走査装置の一実施形態を適用した画像形成装置を示す断面図である。
【図２】本実施形態の光走査装置を示す斜視図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、本実施形態の光走査装置を示す平面図及び断面図である。
【図４】本実施形態の光走査装置における基板上に搭載された各レーザダイオード、各集積回路、及びＥＥＰＲＯＭ等と、画像形成装置における主制御部及び操作パネル等を示すブロック図である。
【図５】本実施形態の光走査装置の基板における回路構成全体を示すブロック図である。
【図６】本実施形態の光走査装置の基板における一組のレーザダイオードとフォトダイオード、集積回路、及びＥＥＰＲＯＭと、画像形成装置における主制御部を抜粋して示すブロック図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、図６の回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図８】光走査装置の変形例を示すブロック図である。
【図９】３個のレーザダイオードの特性を示すグラフである。
【図１０】従来の光走査装置の回路構成を示すブロック図である。
【図１１】図１０の従来回路の動作を示すタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下、本発明の実施形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
【００４４】
図１は、本発明の光走査装置の一実施形態を適用した画像形成装置を示す断面図である。この画像形成装置Ａは、スキャナ機能、複写機能、プリンター機能、及びファクシミリ機能等を有する所謂複合機であり、画像読取り装置４１により読取られた原稿の画像を外部に送信したり（スキャナ機能に相当する）、この読取られた原稿の画像又は外部から受信した画像をカラーもしくは単色で記録用紙に記録形成する（複写機能、プリンター機能、及びファクシミリ機能に相当する）。
【００４５】
この画像形成装置Ａは、画像を記録用紙に印刷するべく、光走査装置１、現像装置２、感光体ドラム３、帯電器５、クリーナ装置４、中間転写ベルト装置８、定着装置１２、用紙搬送経路Ｓ、給紙トレイ１０、及び用紙排出トレイ１５等を備えている。
【００４６】
画像形成装置Ａにおいて扱われる画像データは、ブラック（Ｋ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）の各色を用いたカラー画像に応じたもの、又は単色（例えばブラック）を用いたモノクロ画像に応じたものである。このため、現像装置２、感光体ドラム３、帯電器５、及びクリーナ装置４は、各色に応じた４種類のトナー像を形成するようにそれぞれ４個ずつ設けられ、それぞれがブラック、シアン、マゼンタ、及びイエローに対応付けられて、４つの画像ステーションＰａ、Ｐｂ、Ｐｃ、Ｐｄが構成されている。
【００４７】
各感光体ドラム３は、それらの表面に光感光層を有している。各帯電器５は、それぞれの感光体ドラム３の表面を所定の電位に均一に帯電させるための帯電手段であり、接触型であるローラ型やブラシ型の帯電器のほか、チャージャー型の帯電器が用いられる。
【００４８】
光走査装置１は、レーザダイオード及び反射ミラーを備えたレーザスキャニングユニット（ＬＳＵ）であり、帯電された各感光体ドラム３表面を画像データに応じて露光して、それらの表面に画像データに対応する静電潜像を形成する。
【００４９】
各現像装置２は、それぞれの感光体ドラム３表面に形成された静電潜像を（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）のトナーにより現像し、これらの感光体ドラム３表面にトナー像を形成する。各クリーナ装置４は、現像及び画像転写後にそれぞれの感光体ドラム３表面に残留したトナーを除去及び回収する。
【００５０】
中間転写ベルト装置８は、各感光体ドラム３の上方に配置されており、中間転写ベルト７、中間転写ベルト駆動ローラ２１、従動ローラ２２、４つの中間転写ローラ６、及び中間転写ベルトクリーニング装置９を備えている。
【００５１】
中間転写ベルト７は、厚さ１００μｍ〜１５０μｍ程度のフィルムを無端ベルト状に形成したものである。中間転写ベルト駆動ローラ２１、各中間転写ローラ６、従動ローラ２２等は、中間転写ベルト７を張架して支持し、中間転写ベルト７を矢印Ｃ方向に周回移動させる。
【００５２】
各中間転写ローラ６は、中間転写ベルト７近傍に回転可能に支持され、中間転写ベルト７を介してそれぞれの感光体ドラム３に押圧されている。
【００５３】
各感光体ドラム３表面のトナー像が中間転写ベルト７に順次重ねて転写されて、中間転写ベルト７上にカラーのトナー像（各色のトナー像）が形成される。各感光体ドラム３から中間転写ベルト７へのトナー像の転写は、中間転写ベルト７裏面に圧接されている各中間転写ローラ６によって行われる。各中間転写ローラ６は、直径８〜１０ｍｍの金属（例えばステンレス）軸をベースとし、その表面が導電性の弾性材（例えばＥＰＤＭ、発泡ウレタン等）により覆われたローラである。各中間転写ローラ６には、トナー像を転写するために高電圧の転写バイアス（トナーの帯電極性（−）とは逆極性（＋）の高電圧）が印加されており、その導電性の弾性材により高電圧が記録用紙に対して均一に印加される。
【００５４】
こうして各感光体ドラム３表面のトナー像は、中間転写ベルト７で積層され、画像データによって示されるカラーのトナー像となる。このカラーのトナー像は、中間転写ベルト７と共に搬送され、中間転写ベルト７と２次転写装置１１の転写ローラ１１ａ間のニップ域で記録用紙上に転写される。
【００５５】
２次転写装置１１の転写ローラ１１ａには、中間転写ベルト７上の各色のトナー像を記録用紙に転写させるための電圧（トナーの帯電極性（−）とは逆極性（＋）の高電圧）が印加されている。また、中間転写ベルト７と２次転写装置１１の転写ローラ１１ａ間のニップ域を定常的に得るために、２次転写装置１１の転写ローラ１１ａもしくは中間転写ベルト駆動ローラ２１の何れか一方を硬質材料（金属等）とし、他方を弾性ローラ等の軟質材料（弾性ゴムローラ、または発泡性樹脂ローラ等）としている。
【００５６】
また、２次転写装置１１によって中間転写ベルト７上のトナー像が記録用紙上に完全に転写されず、中間転写ベルト７上にトナーが残留することがあり、この残留トナーが次工程でトナーの混色を発生させる原因となる。このため、中間転写ベルトクリーニング装置９によって残留トナーを除去及び回収する。中間転写ベルトクリーニング装置９には、例えばクリーニング部材として、中間転写ベルト７に接触して残留トナーを除去するクリーニングブレードが設けられており、クリーニングブレードが接触する部位で、従動ローラ２２により中間転写ベルト７裏側が支持されている。
【００５７】
記録用紙は、中間転写ベルト７と２次転写装置１１の転写ローラ１１ａ間のニップ域でカラーのトナー像を転写された後、定着装置１２へと搬送される。定着装置１２は、加熱ローラ３１及び加圧ローラ３２等を備えており、加熱ローラ３１と加圧ローラ３２間に記録用紙を挟み込んで搬送する。
【００５８】
加熱ローラ３１は、図示しない温度検出器の検出出力に基づき、所定の定着温度となるように制御されており、加圧ローラ３２と共に記録用紙を熱圧着することにより、記録用紙に転写されたカラーのトナー像を溶融、混合、圧接し、記録用紙に対して熱定着させる。
【００５９】
一方、給紙トレイ１０は、記録用紙を格納しておくためのトレイであり、画像形成装置Ａの下部に設けられて、トレイ内の記録用紙を供給する。
【００６０】
画像形成装置Ａには、給紙トレイ１０から供給された記録用紙を２次転写装置１１や定着装置１２を経由させて用紙排出トレイ１５に送るための、Ｓの字形状の用紙搬送経路Ｓが設けられている。この用紙搬送経路Ｓに沿って、用紙ピックアップローラ１６、用紙レジストローラ１４、定着装置１２、搬送ローラ１３、及び排紙ローラ１７等が配置されている。
【００６１】
用紙ピックアップローラ１６は、給紙トレイ１０の端部に設けられ、給紙トレイ１０から記録用紙を１枚ずつ用紙搬送経路Ｓに供給する呼び込みローラである。搬送ローラ１３は、記録用紙の搬送を促進補助するための小型のローラであり、複数組設けられている。
【００６２】
用紙レジストローラ１４は、搬送されて来た記録用紙を一旦停止させて、記録用紙の先端を揃え、中間転写ベルト７と２次転写装置１１の転写ローラ１１ａ間のニップ域で中間転写ベルト７上のカラーのトナー像が記録用紙に転写されるように、各感光体ドラム３及び中間転写ベルト７の回転にあわせて、記録用紙をタイミングよく搬送する。
【００６３】
例えば、用紙レジストローラ１４は、図示しないレジスト前検知スイッチの検出出力に基づき、中間転写ベルト７と２次転写装置１１の転写ローラ１１ａ間のニップ域で中間転写ベルト７上のカラーのトナー像の先端が記録用紙の画像形成領域の先端に合うように、記録用紙を搬送する。
【００６４】
更に、記録用紙は、定着装置１２でカラーのトナー像を定着され、定着装置１２を通過した後、排紙ローラ１７によって用紙排出トレイ１５上にフェイスダウンで排出される。
【００６５】
また、記録用紙の表面だけではなく、両面の印字を行う場合は、記録用紙を用紙搬送経路Ｓの排紙ローラ１７により搬送する途中で、排紙ローラ１７を停止させてから逆回転させ、記録用紙を反転経路Ｓｒに通して、記録用紙の表裏を反転させ、記録用紙をレジストローラ１４へと導き、記録用紙の表面と同様に、記録用紙の裏面に画像を記録して定着し、記録用紙を排紙トレイ１５に排出する。
【００６６】
次に、画像読取り装置４１及び原稿搬送装置４２を説明する。原稿搬送装置４２は、その奥一辺をヒンジ（図示せず）により画像読取り装置４１の奥一辺に枢支され、その手前部分を上下させることにより開閉される。原稿搬送装置４２が開かれたときには、画像読取り装置４１のプラテンガラス４４が開放され、このプラテンガラス４４上に原稿が載置される。
【００６７】
画像読取り装置４１は、プラテンガラス４４、第１走査ユニット４５、第２走査ユニット４６、結像レンズ４７、及びＣＣＤ（Charge Coupled Device）４８等を備えている。第１走査ユニット４５は、光源５１及び第１反射ミラー５２を備えており、副走査方向Ｙへと原稿サイズに応じた距離だけ一定速度Ｖで移動しながら、プラテンガラス４４上の原稿を光源５１によって露光し、その反射光を第１反射ミラー５２により反射して第２走査ユニット４６へと導き、これにより原稿表面の画像を副走査方向Ｙに走査する。第２走査ユニット４６は、第２及び第３反射ミラー５３、５４を備えており、第１走査ユニット４５に追従して速度Ｖ／２で移動しつつ、原稿からの反射光を第２及び第３反射ミラー５３、５４により反射して結像レンズ４７へと導く。結像レンズ４７は、原稿からの反射光をＣＣＤ４８に集光して、原稿表面の画像をＣＣＤ４８上に結像させる。ＣＣＤ４８は、原稿の画像を繰り返し主走査方向に走査し、その度に、１主走査ラインのアナログ画像信号を出力する。
【００６８】
また、画像読取り装置４１は、静止原稿だけではなく、原稿搬送装置４２により搬送されている原稿表面の画像を読取ることができる。この場合は、第１走査ユニット４５を原稿読取りガラス６５下方の読取り範囲に移動させ、第１走査ユニット４５の位置に応じて第２走査ユニット４６を位置決めし、この状態で、原稿搬送装置４２による原稿の搬送を開始する。
【００６９】
原稿搬送装置４２では、ピックアップローラ５５を原稿トレイ５６上の原稿に押し当て回転させて、原稿を引き出して搬送し、原稿の先端をレジストローラ６２に突き当てて、この原稿の先端を揃えてから、原稿を原稿読取りガラス６５と読取りガイド板６６間に通過させ、原稿を排紙ローラ５８から排紙トレイ４９へと排出する。
【００７０】
この原稿の搬送に際し、第１走査ユニット４５の光源５１により原稿表面を原稿読取りガラス６５を介して照明し、原稿表面からの反射光を第１及び第２走行ユニット４５、４６の各反射ミラーにより結像レンズ４７へと導き、原稿表面からの反射光を結像レンズ４７によりＣＣＤ４８に集光させ、原稿表面の画像をＣＣＤ４８上に結像させ、これにより原稿表面の画像を読取る。
【００７１】
また、原稿の裏面を読取る場合は、中間トレイ６７をその軸６７ａ周りで点線で示すように回転させておき、原稿を排紙ローラ５８から排紙トレイ４９へと排出する途中で、排紙ローラ５８を停止させて、原稿を中間トレイ６７上に受け、排紙ローラ５８を逆回転させて、原稿を反転搬送路６８を介してレジストローラ６２へと導いて、原稿の表裏を反転させ、原稿表面の画像と同様に、原稿裏面の画像を読取り、中間トレイ６７を実線で示す元の位置に戻して、原稿を排紙ローラ５８から排紙トレイ４９へと排出する。
【００７２】
こうしてＣＣＤ４８により読取られた原稿表面の画像は、ＣＣＤ４８からアナログ画像信号として出力され、このアナログ画像信号がデジタル画像信号にＡ／Ｄ変換される。そして、このデジタル画像信号は、種々の画像処理を施されてから画像形成装置Ａの光走査装置１へと送受され、画像形成装置Ａにおいて画像が記録用紙に記録され、この記録用紙が複写原稿として出力される。
【００７３】
次に、本実施形態の光走査装置１を詳細に説明する。図２、図３（ａ）、（ｂ）は、本実施形態の光走査装置１を示す斜視図、平面図、断面図である。
【００７４】
本実施形態の光学走査装置１では、ブラック（Ｋ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）の各色に対応するそれぞれのレーザダイオード７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、７１ｄと、各レーザダイオード７１ａ〜７１ｄの光ビームを反射するハーフミラーもしくはミラー７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７２ｄと、ハーフミラーもしくはミラー７２ａ〜７２ｄからの各光ビームを反射するミラー７３と、ミラー７３からの各光ビームを反射するポリゴンミラー（回転多面鏡）７４と、ポリゴンミラー７４からの各光ビームを屈折させる第１ｆθレンズ７５と、第１ｆθレンズ７５を透過した各光ビームを個別に反射する複数のミラー７６ａ、７６ｂ、７６ｃ、７６ｄと、各ミラー７６ａ〜７６ｄからの各光ビームをそれぞれ個別に屈折させる４つの第２ｆθレンズ７７ａ、７７ｂ、７７ｃ、７７ｄとを備えている。
【００７５】
ポリゴンミラー７４は、正多角形柱状のものであって、高速回転駆動されており、その各周面のミラーにより各光ビームを反射しつつ主走査方向Ｘに繰り返し走査する。第１ｆθレンズ７５、各ミラー７６、及び各第２ｆθレンズ７７は、主走査方向Ｘに繰り返し走査されるそれぞれの光ビームを反射したり屈折させるため、主走査方向Ｘに長くされかつ主走査方向Ｘに直交する方向で短くされた棒状に形成され、それらの両端を支持されている。
【００７６】
ブラックに対応するレーザダイオード７１ａから出射された光ビームは、ハーフミラー７２ａを透過し、ミラー７３で反射され、ポリゴンミラー７４で反射されて主走査方向Ｘに走査され、更に第１ｆθレンズ７５を透過して、ミラー７６ａで反射され、第２ｆθレンズ７７ａを透過して、ブラックに対応する感光体ドラム３に入射する。シアンに対応するレーザダイオード７１ｂから出射された光ビームは、ハーフミラー７２ｂ、７２ａ及びミラー７３で順次反射され、ポリゴンミラー７４で反射されて主走査方向Ｘに走査され、更に第１ｆθレンズ７５を透過して、２個のミラー７６ｂで反射され、第２ｆθレンズ７７ｂを透過して、シアンに対応する感光体ドラム３に入射する。マゼンタに対応するレーザダイオード７１ｃから出射された光ビームは、ハーフミラー７２ｃで反射されて、ハーフミラー７２ｂを透過し、ハーフミラー７２ａ及びミラー７３で順次反射され、ポリゴンミラー７４で反射されて主走査方向Ｘに走査され、更に第１ｆθレンズ７５を透過して、２個のミラー７６ｃで反射され、第２ｆθレンズ７７ｃを透過して、マゼンタに対応する感光体ドラム３に入射する。イエローに対応するレーザダイオード７１ｄから出射された光ビームは、ミラー７２ｄで反射され、ハーフミラー７２ｃ、７２ｂを順次透過し、ハーフミラー７２ａ及びミラー７３で順次反射され、ポリゴンミラー７４で反射されて主走査方向Ｘに走査され、更に第１ｆθレンズ７５を透過して、２個のミラー７６ｄで反射され、第２ｆθレンズ７７ｄを透過して、マゼンタに対応する感光体ドラム３に入射する。
【００７７】
先に述べたように各感光体ドラム３は、矢印方向に回転駆動されており、主走査方向Ｘに繰り返し走査されるそれぞれの光ビームを照射されて、各感光体ドラム３の表面にそれぞれの静電潜像が形成される。各感光体ドラム３表面の静電潜像は、それぞれ現像されてトナー像となり、これらのトナー像が中間転写ベルト７を介して記録用紙に重ねて転写され、記録用紙上でカラーのトナー像となる。
【００７８】
また、光学走査装置１の本体筐体１ａの上側は、各第２ｆθレンズ７７ａ〜７７ｄの部位だけが開口されて、他の部位が閉じられ遮光されており（図示せず）、外乱光の浸入が防止されている。
【００７９】
ところで、このような光走査装置１においては、各レーザダイオード７１ａ〜７１ｄの光出力にムラがあったならば、これが各感光体ドラム３表面の静電潜像のムラとなり、その結果としてカラーのトナー像の印字濃度にムラが生じる。
【００８０】
このため、本実施形態では、レーザダイオード毎に、レーザダイオードの光出力レベルをフォトダイオードにより検出して、このフォトダイオードの検出出力をレーザダイオードのフィードバック制御に用い、レーザダイオードの光出力レベルの安定化を図っている。
【００８１】
また、図１０に示す従来の回路では、感度調節用ボリューム２０８によりフィードバック制御のゲインを調節し、バイアス調節用ボリューム２０９によりレーザダイオード２０１のバイアスを調節しているが、このような構成では、光走査装置の調節を、クリーンルームで専用治具を用いて行う必要があって、光走査装置の故障時には装置の交換でしか対処することができない。
【００８２】
そこで、本実施形態では、フィードバック制御のゲインやレーザダイオードのバイアスをＥＥＰＲＯＭ（不揮発性メモリ）に記憶しておき、このＥＥＰＲＯＭ内のゲインやバイアスを用いて、そのようなフィードバック制御を集積回路による演算処理で行っており、光走査装置の故障時にはＥＥＰＲＯＭ内のゲインやバイアスの書き換えにより対処することができるようにしている。
【００８３】
次に、そのような本実施形態の光走査装置１における集積回路及びＥＥＰＲＯＭの構成を説明する。
【００８４】
図４は、光走査装置１における基板上に搭載された各レーザダイオード７１ａ〜７１ｄ、各集積回路、及びＥＥＰＲＯＭ等と、画像形成装置Ａにおける主制御部及び操作パネル等を示すブロック図である。尚、以降は、各レーザダイオードの符号７１ａ〜７１ｄを符号７１に統一する。
【００８５】
図４において、光走査装置１の基板８１は、光学走査装置１の本体筐体１ａ（図２に示す）の背面側に固定されており、この基板８１上に４個のレーザダイオード７１、各レーザダイオード７１を制御するそれぞれの集積回路８２、及びＥＥＰＲＯＭ８３が搭載されている。
【００８６】
基板８１上の各集積回路８２は、画像形成装置Ａの主制御部８５から制御信号、及びブラック（Ｋ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）の各色の画像データを入力し、制御信号に基づき各レーザダイオード７１の光ビームによるそれぞれの主走査期間等を設定したり、各色の画像データに応じて各レーザダイオード７１をオンオフさせる。
【００８７】
また、基板８１上のＥＥＰＲＯＭ８３は、画像形成装置Ａの操作パネル８６の操作により入力された制御情報、又はパーソナルコンピュータ等の外部端末（図示せず）から画像形成装置ＡのＬＡＮ端子８７を通じて入力された制御情報を主制御部８５から入力し、この制御情報を記憶する。これにより、ＥＥＰＲＯＭ８３内の制御情報が書き換えられる。具体的には、メモリへの周知の転送方式であるＩ2Ｃやマイクロワイヤ等を適用して、画像形成装置１００もしくは外部端末からＥＥＰＲＯＭ８３内の制御情報を書き換えることができる。
【００８８】
図５は、光走査装置１の基板８１における回路構成全体を示すブロック図である。図５において、各レーザダイオード７１には、該各レーザダイオード７１の光出力レベルを検出するそれぞれのフォトダイオード９１が並設されている。各レーザダイオード７１と各フォトダイオード９１のいずれの組合せにおいても、レーザダイオード７１のアノードとフォトダイオード９１のカソードが集積回路８２の電源端子８２ａに共通接続され、レーザダイオード７１に順方向の電圧５Ｖが印加され、フォトダイオード９１に逆方向の電圧５Ｖが印加されている。また、フォトダイオード９１のアノードが集積回路８２のＡＤコンバータ８２-1に接続され、レーザダイオード７１のカソードが集積回路８２のＤＡコンバータ８２-2に接続されている。
【００８９】
各集積回路８２においては、ＤＡコンバータ８２-2のアナログ出力側と接地間にスイッチング素子８２-3が挿入されている。スイッチング素子８２-3のゲートには、画像形成装置Ａの主制御部８５からの画像データがレシーバ８２-4を介して加えられ、画像データの２値信号に応じてスイッチング素子８２-3がオンオフに切り替わる。
【００９０】
ＥＥＰＲＯＭ８３は、画像形成装置Ａの主制御部８５からの制御情報を入力して記憶する。ＥＥＰＲＯＭ８３に記憶された制御情報の一部は、各集積回路８２のレジスタ８２-5にロードされて記憶される。
【００９１】
各集積回路８２のレジスタ８２-5内の制御情報は、レーザダイオード７１とフォトダイオード９１の組合せ毎に設定されたフィードバック制御のゲイン及びレーザダイオードのバイアス電流値を含む。
【００９２】
各集積回路８２の制御部８２-6は、それぞれのレジスタ８２-5内の制御情報に基づき各レーザダイオード７１を駆動制御する。
【００９３】
また、制御情報は、レーザダイオード７１の光ビームによる感光体表面の一主走査期間における該光ビームの強度の変化パターン（光量補正データ）を含む。詳しくは、この変化パターンは、一主走査ラインの各画素の濃度を設定するためのそれぞれの光ビームの強度の比率であり、一主走査期間毎に繰り返される。
【００９４】
更に、制御情報は、レーザダイオード７１の型番やロット番号、基板８１の情報、集積回路８２のＲＯＭエリア、ＥＥＰＲＯＭ８３の情報、ＩＤ等をも含む。
【００９５】
図６は、一組のレーザダイオード７１とフォトダイオード９１、集積回路８２、ＥＥＰＲＯＭ８３、及び画像形成装置Ａの主制御部８５を抜粋して示すブロック図である。この図６を参照しつつ、レーザダイオード７１の制御を詳しく説明する。
【００９６】
フォトダイオード９１は、レーザダイオード７１の発光時にその光出力レベルを検出し、この光出力レベルに対応する検出出力をＡＤコンバータ８２-1に出力する。ＡＤコンバータ８２-1は、フォトダイオード９１の検出出力をアナログデジタル変換し、この変換した検出出力の値（レーザダイオード７１の光出力レベルに対応する）を制御部８２-6に出力する。
【００９７】
制御部８２-6は、その変換した検出出力の値を入力すると、この値が目標となる規定値となるようなレーザダイオード７１の駆動電流ＩFを示す値を求め、この駆動電流ＩFを示す値をＤＡコンバータ８２-2に出力する。
【００９８】
ＤＡコンバータ８２-2は、駆動電流ＩFを示す値をデジタルアナログ変換して、このＤＡコンバータ８２-2を通じて流れる駆動電流ＩFを設定する。
【００９９】
スイッチング素子８２-3は、画像データの２値信号をレシーバ８２-4を介して加えられ、画像データの２値信号に応じてオンオフに切替えられる。これにより、レーザダイオード７１→ＤＡコンバータ８２-2→スイッチング素子８２-3という駆動電流ＩFの経路がオンオフされる。この経路がオンのときには、ＤＡコンバータ８２-2を通じて駆動電流ＩFが流れ、レーザダイオード２０１の光出力レベルが目標となる規定値に対応するものとなる。また、画像データの２値信号に応じてレーザダイオード７１が点灯及び消灯される。
【０１００】
図７（ａ）〜（ｄ）は、図６の回路の動作を示すタイミングチャートである。この図７において、Ｔ2〜Ｔ3の期間は、一主走査期間である。この主走査期間の前にＴ0〜Ｔ1の期間が設定されており、図７（ａ）に示すようにＴ0〜Ｔ1の期間に光量補正用点灯信号がレシーバ８２-4を介してスイッチング素子８２-3に加えられ、スイッチング素子８２-3がオンとなって、駆動電流ＩFがレーザダイオード７１に流れ、レーザダイオード７１が発光して、フォトダイオード９１の検出出力がＡＤコンバータ８２-1でアナログデジタル変換され、この変換された検出出力の値（レーザダイオード７１の光出力レベルに対応する）が制御部８２-6に加えられる。制御部８２-6は、その変換された検出出力の値を入力すると、この値が基準値（基準となる規定値）に収束するようなレーザダイオード７１の駆動電流ＩFを示す値を求め、この駆動電流ＩFを示す値をＤＡコンバータ８２-2に出力する。ＤＡコンバータ８２-2は、駆動電流ＩFを示す値をデジタルアナログ変換して、このＤＡコンバータ８２-2を通じて流れる駆動電流ＩFを設定する。これにより、レーザダイオード７１の出力レベルがフィードバック制御される。
【０１０１】
図７（ｄ）に示すようなＴ0〜Ｔ1の期間におけるフォトダイオード９１の検出出力をアナログデジタル変換したサンプルホールド値は、レジスタ８２-5に記憶される。
【０１０２】
引き続いて、Ｔ2〜Ｔ3の主走査期間において、制御部８２-6は、レジスタ８２-5内の主走査期間における光ビームの強度の変化パターン（図７（ｃ）に示す）を参照し、主走査ラインの画素毎に、その変化パターンから光ビームの強度の比率を取得して、この比率をレジスタ８２-5内のサンプルホールド値に乗算し、この積を目標となる規定値として設定し、フォトダイオード９１の検出出力を示す値がその規定値となるようなレーザダイオード７１の駆動電流ＩFを示す値を求める。これにより、レーザダイオード７１の光ビームによる主走査ラインの各画素の走査に伴い、その変化パターンでレーザダイオード７１の出力レベルが変化するような駆動電流ＩFの値が逐次求められる。ＤＡコンバータ８２-2は、主走査期間の画素毎に、駆動電流ＩFの値を入力して、この値をデジタルアナログ変換し、この値の駆動電流ＩFを設定する。そして、図７（ｂ）に示すような画像データの２値信号に応じてスイッチング素子８２-3がオンオフに切替えられ、レーザダイオード７１が点灯及び消灯される。これにより、図７（ｄ）に示すようにＴ2〜Ｔ3の主走査期間において、レーザダイオード７１の出力レベルがレジスタ８２-5内の主走査期間における変化パターンで変化する。
【０１０３】
図７（ｃ）に示す主走査期間におけるレーザダイオード７１の出力レベルの変化パターンは、シェーディング補正のためのものである。これにより、光学系の周辺減光等が補正される。
【０１０４】
このようなＴ0〜Ｔ3の動作は、主走査毎に繰り返されて、レーザダイオード７１の光ビームによる書き込みが行われる。
【０１０５】
また、制御部８２-6は、レジスタ８２-5内の制御情報に含まれるフィードバック制御のゲインを取得し、先に述べたようにフォトダイオード９１の検出出力を示す値が規定値となるようなレーザダイオード７１の駆動電流ＩFを示す値を求めるときに、このゲインを用いて、駆動電流ＩFの値を求める。すなわち、駆動電流ＩFの値を求める演算式において、光出力レベルの値、フォトダイオード９１の検出出力を示す値の目標となる規定値、及びゲインを代入して、駆動電流ＩFを求める。これにより、レーザダイオードの個々の特性のバラツキが大きくても、レーザダイオードを安定的に制御することができる。尚、この演算式は、レーザダイオードのフィードバック制御に用いられる一般的なものでよい。
【０１０６】
更に、制御部８２-6は、レジスタ８２-5内の制御情報に含まれるレーザダイオードのバイアス電流値を取得し、このバイアス電流値をＤＡコンバータ８２-2に出力する。
【０１０７】
ＤＡコンバータ８２-2は、このバイアス電流値をデジタルアナログ変換して、この値のバイアス電流を設定し、このバイアス電流をレーザダイオード７１からＤＡコンバータ８２-2へと流す。スイッチング素子８２-3がオンとなったときには、バイアス電流よりも大きな駆動電流ＩFがレーザダイオード７１に流れるので、スイッチング素子８２-3がオフのときにバイアス電流が流れることになる。このバイアス電流の増減により、レーザダイオード７１の応答特性を調節することができる。
【０１０８】
このように本実施形態の光走査装置１において、集積回路８２は、フォトダイオード９１の検出出力をアナログデジタル変換し、この変換した検出出力の値（レーザダイオード７１の光出力レベルの値）、ＥＥＰＲＯＭ８３内の規定値、及びフィードバック制御のゲインを用いて、レーザダイオード７１の駆動電流ＩFを示す値を演算して求め、この求めた駆動電流ＩFを示す値をデジタルアナログ変換して、この変換された値の駆動電流ＩFをレーザダイオード７１に流している。このため、レーザダイオード７１のフィードバック制御を常に適確に行うことができる。
【０１０９】
また、ＥＥＰＲＯＭ８３にレーザダイオード７１のバイアス電流値を記憶しておき、集積回路８２によりＥＥＰＲＯＭ８３からレーザダイオード７１のバイアス電流値を読み出して設定しているので、レーザダイオード７１の応答特性を制御することができる。
【０１１０】
更に、ＥＥＰＲＯＭ８３にレーザダイオード７１の光ビームによる一主走査期間における該光ビームの強度の変化パターンを記憶しておき、集積回路８２により一主走査期間における光ビームの強度の変化パターンが再現されるようにレーザダイオード７１の駆動電流ＩFを制御しているので、シェーディング補正を行うことができる。
【０１１１】
また、集積回路８２及びＥＥＰＲＯＭ８３を共通の基板８１に搭載しているので、ＥＥＰＲＯＭ８３内のフィードバック制御のゲイン等を示す制御情報と集積回路８２の対応関係を維持することができる。
【０１１２】
更に、集積回路８２に内蔵のメモリを用いず、ＥＥＰＲＯＭ８３を格別に搭載して用いているため、画像形成装置Ａの操作パネル８６の操作により入力された制御情報、又はパーソナルコンピュータ等の外部端末（図示せず）から画像形成装置ＡのＬＡＮ端子８７を通じて入力された制御情報をＥＥＰＲＯＭ８３に記憶することができ、ＥＥＰＲＯＭ８３内のフィードバック制御のゲインやレーザダイオード７１のバイアス電流値を書き換えることが可能である。これらのゲインやバイアス電流値の書き換えにより光走査装置１の調節修理が可能となり、従来のように故障した光走査装置を交換する頻度が減少し、メンテナンス性が向上する。
【０１１３】
仮に、集積回路８２に内蔵のメモリにフィードバック制御のゲインやバイアス電流値を記憶した場合は、外部から集積回路８２のメモリへのアクセスが困難なため、メンテナンス性を向上させることができない。
【０１１４】
一方、ＥＥＰＲＯＭ８３には、レーザダイオード７１の型番やロット番号、基板８１の情報、集積回路８２のＲＯＭエリア、ＥＥＰＲＯＭ８３の情報、ＩＤ等をも記憶しており、先に述べたように画像形成装置Ａや外部端末からＥＥＰＲＯＭ８３をアクセスすることができるため、光走査装置１のメンテナンス性が向上する。例えば、レーザダイオード７１の型番やロット番号をＥＥＰＲＯＭ８３から読み出して、これらの型番やロット番号に基づいてレーザダイオードの特性の傾向把握したり、基板８１の情報やＩＤ等をＥＥＰＲＯＭ８３から読み出して、これらの基板８１の情報やＩＤ等に基づいて光走査装置１を管理することができる。
【０１１５】
更に、画像形成装置Ａや外部端末からのアクセスにより、メンテナンスの履歴情報をＥＥＰＲＯＭ８３に書き込めば、光走査装置１が故障したときに、その履歴情報に基づき故障の原因等の究明が容易になる。
【０１１６】
このようにＥＥＰＲＯＭ８３を集積回路８２とは別に設けることにより、光走査装置１のメンテナンス性を飛躍的に向上させることができる。
【０１１７】
尚、ＥＥＰＲＯＭ８３の代わりに、基板８１に対して着脱可能な不揮発性メモリを適用しても構わない。具体的には、図８に示すようにＵＳＢメモリの接続端子又はメモリカードのスロット９２を基板８１に搭載し、この接続端子又はスロット９２にＵＳＢメモリ又はメモリカード９３を着脱自在に接続し、ＵＳＢメモリ又はメモリカード９３内の制御情報を集積回路８２の制御部８２-6に取り込む。また、ＵＳＢメモリ又はメモリカード９３を取り外してパーソナルコンピュータ等に接続し、ＵＳＢメモリ又はメモリカード９３内の制御情報を書き換える。
【０１１８】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態及び変形例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと解される。
【符号の説明】
【０１１９】
１  光走査装置
２  現像装置
３  感光体ドラム
４  クリーナ装置
５  帯電器
８  中間転写ベルト装置
１０  給紙トレイ
１１  ２次転写装置
１２  定着装置
４１  画像読取り装置
４２  原稿搬送装置
４４  プラテンガラス
４５  第１走査ユニット
４６  第２走査ユニット
４７  結像レンズ
４８  ＣＣＤ（Charge Coupled Device）
５１  光源
５２  第１反射ミラー
５３  第２反射ミラー
５４  第３反射ミラー
６５  原稿読取りガラス
Ａ  画像形成装置
【図１】
2011098494.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2011098494.tif 000012
【図１１】
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