(57)【要約】【課題】温度補償調整可能な磁気式減衰装置を提供する。【解決手段】少なくとも１対の磁石と、導電性部材と、磁気分路部と、温度検出機構部とを具備する減衰装置が提供される。少なくとも１対の磁石はそれらの間に間隙を形成している。磁石は、間隙内に磁束経路を、間隙外に磁束帰還路をそれぞれ有してなる磁束回路を発生させる。導電性部材は、少なくとも部分的に間隙内に配置される。磁気分路部は、少なくとも部分的に磁石の磁束帰還路内に配置される。温度検出機構部は磁気分路部に連結されている。温度検出機構部は、検出された温度に基づいて磁気分路部の位置を制御するように構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
減衰装置であって、
１対の磁石を具備し、該１対の磁石は、これら磁石の間に間隙を形成するとともに、前記間隙内の磁束経路および前記間隙外の磁束帰還路を有してなる磁束回路を発生させており、
さらに、
温度検出機構部を具備し、該温度検出機構部は、検出された温度に基づいて前記磁束帰還路における磁束の強さを制御するように構成されており、
減衰力が前記間隙内の前記磁束経路に基づいて発生される、減衰装置。
【請求項２】
低温の検出温度において、前記温度検出機構部が前記磁束帰還路における磁束の強さを低減させるとともに、高温の検出温度において、前記温度検出機構部が前記磁束帰還路における磁束の強さを増大させる、請求項１に記載の減衰装置。
【請求項３】
前記低温の検出温度が２３３Ｋであり、前記高温の検出温度が３７３Ｋである、請求項２に記載の減衰装置。
【請求項４】
前記温度検出機構部が、前記磁束帰還路内における高透磁性物質の位置を制御することによって前記磁束帰還路における磁束の強さを制御する、請求項１に記載の減衰装置。
【請求項５】
前記温度検出機構部が、前記１対の磁石の温度を検出するとともにその検出された前記１対の磁石の温度に基づいて前記磁束帰還路における磁束の強さを制御する、請求項１に記載の減衰装置。
【請求項６】
減衰装置であって、
少なくとも１対の磁石を具備し、該少なくとも１対の磁石は、これら磁石の間に間隙を形成するとともに、前記間隙内の磁束経路および前記間隙外の磁束帰還路を有してなる磁束回路を発生させており、
さらに、
前記間隙内に少なくとも部分的に配置された導電性部材と、
前記磁石の磁束帰還路内に少なくとも部分的に配置された磁気分路部と、
前記磁気分路部に連結された温度検出機構部とを具備し、該温度検出機構部は、検出された温度に基づいて磁気分路部の位置を制御するように構成されており、
減衰力が前記間隙内の前記磁束経路に基づいて発生される、減衰装置。
【請求項７】
低温の検出温度において、前記温度検出機構部が前記磁気分路部を前記磁束帰還路の外部に概ね配置するとともに、高温の検出温度において、前記温度検出機構部が前記磁気分路部を前記磁束帰還路の内部に概ね配置する、請求項６に記載の減衰装置。
【請求項８】
前記低温の検出温度が２３３Ｋであり、前記高温の検出温度が３７３Ｋである、請求項７に記載の減衰装置。
【請求項９】
前記少なくとも１対の磁石に連結された磁気コアをさらに具備し、該磁気コアが前記磁束帰還路を少なくとも部分的に形成する、請求項６に記載の減衰装置。
【請求項１０】
前記磁気分路部が前記磁気コアに形成されたスロット内に配置される、請求項９に記載の減衰装置。
【請求項１１】
低温の検出温度において、前記温度検出機構部が前記磁気分路部を前記磁気コアに形成された前記スロットの外部に概ね配置するとともに、高温の検出温度において、前記温度検出機構部が前記磁気分路部を前記磁気コアに形成された前記スロットの内部に概ね配置する、請求項１０に記載の減衰装置。
【請求項１２】
前記低温の検出温度が２３３Ｋであり、前記高温の検出温度が３７３Ｋである、請求項１１に記載の減衰装置。
【請求項１３】
前記磁気分路部が高透磁性材料から形成される、請求項６に記載の減衰装置。
【請求項１４】
前記温度検出機構部が、前記導電性部材の温度を検出するとともにその検出された前記導電性部材の温度に基づいて前記磁気分路部の位置を制御する、請求項６に記載の減衰装置。
【請求項１５】
前記温度検出機構部が前記少なくとも１対の磁石の温度を検出するとともにその検出された前記少なくとも１対の磁石の温度に基づいて前記磁気分路部の位置を制御する、請求項６に記載の減衰装置。
【請求項１６】
振動を受けるペイロードに減衰力を付与する減衰力付与方法において、
１対の磁石を用いて磁束経路および磁束帰還路を有してなる磁束回路を発生させ、
前記ペイロードの振動に応じて前記１対の磁石に対して振動するように構成された導電性部材を前記磁束経路内に供給し、
前記１対の磁石と前記導電性部材とのうちの一方の温度を求め、
その検出された温度に基づいて前記導電性部材を通る磁束の強さを制御する、減衰力付与方法。
【請求項１７】
前記磁束の強さを制御するに際して、前記検出された温度に基づいて前記磁束帰還路における磁束の強さを制御する、請求項１６に記載の減衰力付与方法。
【請求項１８】
前記磁束の強さを制御するに際して、前記検出された温度に基づいて前記１対の磁石に対する前記導電性部材の位置を制御する、請求項１６に記載の減衰力付与方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、線形振動減衰装置の分野に関し、より具体的には磁気式減衰器に関する。
【背景技術】
【０００２】
線形減衰器は、線形運動に適用された場合に衝撃の吸収および円滑な減速を提供するように設計されるデバイスである。減衰器は、線形運動の方向において減衰力を付与することにより衝撃の吸収を提供する。減衰器は種々の手段から減衰力を発生させうる。減衰器は、機械式のもの（例えば弾性アイソレータまたはワイヤロープアイソレータ）、流体圧式のもの（例えば気圧、空気圧、液圧式のもの）または磁気式のもの（例えば磁気的に励起された渦電流によるもの）であってもよい。
【０００３】
磁気式減衰器は小型の線形減衰要素を提供する。磁気式減衰器には、流体の摩擦または漏出を含む流体圧式減衰器に関連した特定の問題が生じない。さらに、磁気式減衰器は、流体圧式減衰器よりも広い温度範囲にわたってより安定して作動できる。例示的な磁気式減衰器がブレナン（Ｂｒｅｎｎａｎ）らによる特許文献１に開示されており、同文献を参照することにより本明細書の記載に代える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願第１１／３０４９７４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の態様は、減衰装置および減衰力を付与する減衰力付与方法を対象にする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様にしたがって、減衰装置は、１対の磁石および温度検出機構部を具備している。１対の磁石はそれらの間に間隙を形成している。それら磁石は、間隙内の磁束経路および間隙外の磁束帰還路を有してなる磁束回路を発生させる。温度検出機構部は、検出された温度に基づいて磁束帰還路における磁束強度を制御するように構成されている。
【０００７】
本発明の別の態様にしたがって、減衰装置は、少なくとも１対の磁石、導電性部材、磁気分路部および温度検出機構部を具備している。少なくとも１対の磁石はそれらの間に間隙を形成している。それら磁石は、間隙内の磁束経路および間隙外の磁束帰還路を有してなる磁束回路を発生させる。導電性部材は少なくとも部分的に間隙内に配置されている。磁気分路部は、少なくとも部分的に磁石の磁束帰還路内に配置されている。温度検出機構部は磁気分路部に連結されている。温度検出機構部は、検出された温度に基づいて磁気分路部の位置を制御するように構成されている。
【０００８】
本発明の他の態様にしたがって、振動を受けるペイロード（ｐａｙｌｏａｄ）に減衰力を付与する減衰力付与方法は、１対の磁石を用いて磁束経路および磁束帰還路を有してなる磁束回路を発生させることを含む。導電性部材は磁束経路内に供給される。導電性部材は、ペイロードの振動に応じて１対の磁石に対して振動するように構成されている。１対の磁石と導電性部材とのうちの一方の温度が求められる。その検出された温度に基づいて、導電性部材を通る磁束の強さが制御される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一態様に係る例示的な減衰装置の平面図である。
【図２】図１の減衰装置の例示的な磁束回路の側面図である。
【図３】図１の減衰装置の例示的な磁束回路の斜視図である。
【図４】図１の減衰装置の例示的な磁束回路の別の側面図である。
【図５】本発明の一態様にしたがってペイロードに減衰力を付与するための例示的な工程のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
類似の要素に同じ参照符号が付された添付図面と関連して以下の詳細な説明を読めば、本発明が最もよく理解される。複数の類似要素が存在する場合には、特定の要素を指し示す小文字の記号を添えた同じ参照符号がそれら複数の類似要素に割り当てられている場合がある。それらの要素を集合的に指し示す場合、或いは不特定の１または２以上の要素を指し示す場合には小文字の記号が省略されている場合がある。一般的な慣行にしたがって、図中の種々の特徴部分は縮尺どおりに描かれていないことが顕著である。むしろ種々の特徴部分の寸法は明確化のために適宜拡大され、または縮小されている。
【００１１】
本発明は温度補償式減衰装置に関し、任意の磁気式減衰装置において具現化されうる。本発明に係る例示的な減衰装置は、スペースペイロードの振動絶縁（space payload vibration isolation）に関連する多くの適用例における要求を満足するのに適した重量効率および体積効率を達成するデバイスである。
本発明の作用を説明する目的のために、器具その他の物質は、振動力によって発生する振動を受けるものとみなされうる。振動を受ける器具は、互いに対して振動する第１の部位（すなわち基部）および第２の部位（すなわちペイロード）を含みうる。本発明の例示的な減衰装置は、ペイロードに減衰力を付与して相対的な振動を低減させるように基部に形成されうる。しかしながら、この例示的な減衰装置は、相対的な振動が望ましくない任意の物体と結合されうることが理解されるであろう。
【００１２】
この例示的な減衰装置によって付与される減衰力は、振動要素の重量および体積を所定の量に制約するスペースペイロード振動絶縁システムに対して付与されうる。しかしながら、この例示的な減衰装置によって付与される減衰力は、他の適用例、例えば地上試験振動、車両振動（すなわち車、列車、飛行機など）、実験設備振動および製造設備振動（すなわち光学台、マイクロリソグラフィツール、精密機械ツール）並びに地上望遠鏡振動絶縁に適用されてもよい。
【００１３】
一般に、本発明の例示的な減衰装置は、間隙を形成する１対の磁石を具備している。導電性部材は少なくとも部分的に間隙内に配置されてもよい。本発明は、ペイロードに作用する振動力に対向する減衰力（例えば磁気的に励起された渦電流によるもの）を付与することによって、導電性部材の変位量を減少させる。ペイロードからの振動力は導電性部材（例えば導電性の羽根）に付与され、それにより導電性部材を磁石の間の間隙において振動させる。減衰力は、導電性部材が磁石の間を移動する際に磁石によって導電性部材に付与される。次いで導電性部材に作用する減衰力がペイロードに付与され、ペイロードの振動が低減される。
【００１４】
例示的な減衰装置において、１対の磁石が、間隙を通る磁束経路および間隙外の磁束帰還路を有してなる磁束回路を発生させる。導電性部材に作用する減衰力は、導電性部材を通過する磁束経路の大きさに応じて定まる。例えば、磁束経路の大きさは、透磁性物質（例えば磁気分路部）を磁束帰還路において位置決めすることによって制御される。磁束帰還路の大きさ、ひいては導電体を通る磁束経路の大きさは、温度に基づいて制御されてもよい。
【００１５】
ここで、添付図面に関して本発明を説明する。図１は、本発明の一態様に係る例示的な減衰装置１００を示す図である。前述したように、減衰装置１００は、基部に対するペイロードの振動を減衰するために用いられうる。減衰装置１００は、ハウジング１０２、磁石１０４、導電性部材１０８、磁気コア１１０、磁気分路部１１２および温度検出機構部１１４を具備している。ここで、減衰装置１００の追加の詳細について以下に説明する。
【００１６】
例示的な一実施形態において、ハウジング１０２は基部（図示せず）に取り付けられている。ハウジング１０２は減衰装置１００の構成要素のための支持部を含んでいてもよく、減衰装置１００はペイロードに減衰力を付与する。ハウジング１０２は、図１に示されるように概ね円柱状の外形を有していてもよい。しかしながら、ハウジング１０２は、減衰装置１００の構成要素を収容してそれらを支持するための任意の形状に形成されうると考えられる。ハウジング１０２は、適切な非磁性材料から、または磁性材料と非磁性材料とを組み合わせたものから形成されうる。
【００１７】
磁石１０４は減衰装置１００内に磁場を発生する。例示的な一実施形態において、磁石１０４は１対または２対以上からなる群をなしており、図１に示されるように１または２以上の間隙１０６を形成している。磁石１０４の位置は、ハウジング１０２内において固定されていてもよく、ハウジング１０２を通って軸線方向に延在していてもよい。磁石１０４は、図１に示されるようにハウジング１０２を通る１または２以上の半径方向の間隙１０６を形成するよう周方向に配列されてもよい。しかしながら、磁石１０４は任意の方向を向いて間隙１０６を形成しうることが理解されるであろう。
【００１８】
後述するように、対をなした磁石１０４は離間して配置されていて、間隙１０６を通って磁石１０４の間に延在する磁束経路を発生させる。減衰装置１００は、１または２以上の対の磁石１０４を含んでいてもよい。複数対の磁石１０４は、複数の間隙１０６を形成してもよいし、或いは単一の長尺の間隙１０６を形成してもよい。各間隙１０６は、図１に示されるように導電性部材１０８を受容するよう構成されている。磁石１０４は、任意の適切なタイプの永久磁石、例えば希土類磁石であってよい。磁石１０４は電磁石であってもよい。磁石１０４および導電性部材１０８は、本明細書に記載されるように減衰装置１００に対する配列において互いに置換可能に配列されうる。
【００１９】
導電性部材１０８は間隙１０６内まで延在している。例示的な一実施形態において、導電性部材１０８はペイロード（図示せず）に接続されるとともに間隙１０６内に配置されている。導電性部材１０８はペイロードの振動に応じて振動するように構成されている。例えば、導電性部材１０８はペイロードに直接連結されていて、それによりペイロードから直接的な振動力を受けるようにしてもよい。或いは、導電性部材１０８が、ペイロードに連結されたロッドまたは他の部材から延在していてもよい。こうすると、導電性部材１０８は、ペイロードの振動に応じてロッドまたは他の部材から間接的な振動力を受けるようになる。一般に、導電性部材１０８は、図３において矢印で示されるように、導電性部材１０８が配置される間隙１０６の平面内において任意の方向に振動しうる。
【００２０】
導電性部材１０８は、図１に示されるように導電性材料からなる概ね平坦なシート、例えば導電性の羽根であってよい。さらに導電性部材は、図１に示されるようにハウジング１０２内を外方に向かって半径方向に延在していてもよい。しかしながら、導電性部材１０８は、任意の形状を有し、かつ間隙１０６内において任意の方向を向いていてもよいことが理解されるであろう。例えば、磁石１０４は、円柱状の導電性部材１０８が配置される周方向の間隙を形成するように配置されてもよいと考えられる。
【００２１】
磁気コア１１０は対をなした磁石１０４の間に磁束帰還路部分を形成する。例示的な一実施形態において、磁石１０４は磁束回路を減衰装置１００内に概ね発生させる。磁束回路は、（図２および図４において矢印で示されるように）間隙１０６を通って延在する磁束経路部分と、磁気コア１１０を通って延在する磁束帰還路部分とを含んでいる。磁気コア１１０は、一方の磁石１０４の表面から隣接する磁石１０４の表面まで延在していて、これら磁石１０４の間に磁束帰還路を形成している。例えば、磁気コア１１０は、間隙１０６を形成している磁石１０４の表面の反対側の磁石１０４の表面に接触していてもよい。磁気コア１１０は、図２に示されるように間隙１０６内に介在することなく磁束帰還路を形成するように配置されている。
【００２２】
磁気コア１１０は、高透磁性材料、例えばダクタイル鉄またはパーメンジュールから形成されうる。この材料は磁束帰還路における強力な磁束を促進する。磁気コア１１０は、さらに磁気分路部１１２を受容するスロット１１１を形成してもよい。磁気コア１１０におけるスロット１１１は、磁束帰還路において磁束の強さを制御するために作動可能であってもよい。
【００２３】
磁気分路部１１２は磁気コア１１０におけるスロット１１１内に位置決め可能である。例示的な一実施形態において、磁気分路部１１２の位置は磁束帰還路における磁束の強さを制御する。磁気分路部１１２は高透磁性材料から形成されている。磁気分路部１１２は、磁気コア１１０と同じ材料から形成されても異なる材料から構成されてもよい。磁気分路部１１２は、図２に示されるようにスロット１１１内に完全に挿入されてもよい。この構成において、磁気分路部１１２の高透磁性物質部分が磁束帰還路の一部を形成している。そうすることによって、（図２において大きい矢印で表されるように）磁束帰還路においてより大きな磁束が生じるようになる。磁気分路部１１２は、図４に示されるようにスロット１１１から引き出されていてもよい。この構成においては、磁気分路部１１２ではなくスロット１１１が磁束帰還路の一部を形成している。スロット１１１は透磁性が低いため、このようにすることによって、（図４において小さい矢印で表されるように）磁束帰還路においてより弱い磁束が生じるようになる。磁束帰還路における磁束の強さは、磁石１０４によって発生される磁束回路全体を通る磁束を必然的に制御することが当業者であれば理解されるであろう。
【００２４】
温度検出機構部１１４は減衰装置１００の温度を検出する。例示的な一実施形態において、温度検出機構部１１４は、検出された温度に基づいて磁気分路部１１２の位置を制御するように構成されている。本明細書において記載されるように、温度検出機構部１１４は磁石１０４または導電性部材１０８の温度を検出しうる。図２および図４に示されるように、導電性部材１０８の温度を検出するために温度検出機構部１１４が導電性部材１０８に連結されていてもよい。或いは、温度検出機構部１１４は、減衰装置１００の他の部分における温度を検出するように構成されてもよく、その温度から導電性部材１０８の温度が推定されうる。
【００２５】
そして温度検出機構部１１４は、温度検出機構部１１４によって検出された温度に基づいて磁気分路部１１２を挿入し、または引き出してもよい。例示的な一実施形態において、温度検出機構部１１４は磁気分路部１１２の位置を制御するための制御器（図示せず）を含んでいてもよい。したがって、温度検出機構部１１４は検出された温度に基づいて磁束帰還路における磁束を制御しうる。温度検出機構部１１４は、例えばサーミスタであってよい。温度検出機構部１１４は、能動的または受動的に磁気分路部１１２の位置を制御しうる。温度検出機構部１１４は、例えば熱的に作動されるバイメタルアクチュエータを用いて磁気分路部１１２を受動的に制御しうる。或いは、温度検出機構部１１４は、例えば適切な電子機械式アクチュエータおよび制御器を用いて磁気分路部１１２を能動的に制御してもよい。適切な温度検出機構部、アクチュエータおよび制御器は、当業者であれば理解されるであろう。
【００２６】
ハウジング１０２、磁石１０４、導電性部材１０８、磁気コア１１０および磁気分路部１１２それぞれの大きさ、形状および位置は、説明のためであって本発明を限定するものではないことが認識されよう。さらに、図１に示された導電性部材および磁石の数は説明のためであって本発明を限定するものではない。さらに、導電性部材１０８または永久磁石１０４のいずれかがペイロードに連結されてもよいことが認識されよう。したがって、磁石１０４は固定された導電性部材１０８によって形成された間隙内において振動してもよいと考えられる。
【００２７】
ここで、本発明の一態様にしたがって磁石１０４と導電性部材１０８との間の相互作用について説明する。磁石１０４は、前述したように間隙１０６を通る磁束経路を発生させる。磁束経路は、導電性部材１０８の移動方向に概ね直交する方向において導電性部材１０８を通って流れうる。磁束経路内における導電性部材１０８のいかなる動きも渦電流を導電性部材１０８内に励起する。それら渦電流は導電性部材１０８を通って対向する磁場を発生し、その磁場が導電性部材１０８に作用する減衰力を発生させる。
【００２８】
発生される減衰力の強さは渦電流の大きさに応じて定まることが当業者であれば理解されるであろう。したがって、導電性部材１０８に付与される減衰力は、導電性部材１０８における渦電流の大きさを制御することによって制御されうる。
【００２９】
渦電流の大きさに影響する１つの要因は導電性部材１０８の抵抗である。導電性部材１０８における渦電流の大きさは導電性部材１０８における抵抗によって阻害される。すなわち、例えば導電性部材１０８の抵抗が増大するのに従って、渦電流が減少してより小さい減衰力が発生する。逆に、導電性部材１０８の抵抗が低下するのに従って、渦電流が増大してより大きい減衰力が発生する。
【００３０】
渦電流の大きさに影響する別の要因は、渦電流を励起する磁束経路に関するものである。前述したように、導電性部材１０８における渦電流は磁束経路によって生成される。すなわち、磁束経路における磁束の強さが増大するのに従って、渦電流が増大してより大きい減衰力が発生する。逆に、磁束経路における磁束の強さが低下するのに従って、渦電流が減少してより小さい減衰力が発生する。
【００３１】
減衰装置１００の作動時において、導電性部材１０８が磁石１０４に対して振動する際に渦電流が生成されて減衰力を生じさせる。導電性部材における渦電流の流れは導電性部材１０８の温度上昇を生じさせうる。導電性部材１０８の抵抗はその温度に基づいて変化することが理解されよう。例えば、導電性部材１０８の温度が上昇するのに従ってその抵抗も増大する。そして、導電性部材１０８における渦電流が減少して減衰力の低下を生じさせる。
【００３２】
減衰装置１００によって付与される減衰力が広範な温度範囲にわたって一定であることが望ましい場合がある。したがって、本発明の態様は、減衰装置１００の温度変化に応じて導電性部材１０８に発生する渦電流を制御することに関する。
【００３３】
例示的な一実施形態において、温度検出機構部１１４は導電性部材１０８の温度が上昇したことを検知しうる。前述したように、温度の上昇は、導電性部材１０８の抵抗を増大させるとともに導電性部材１０８を通って流れる渦電流の大きさを減少させる。この減少に対処するために、温度検出機構部１１４が磁束の強さを増大させるように構成されてもよい。前述したように、磁束の強さが増大することによって、導電性部材１０８を通って流れる渦電流の大きさが増大する。したがって、温度検出機構部１１４は、導電性部材１０８の温度上昇に応じて磁束回路における磁束の強さを増大させるように構成されてもよく、その逆もまた同様である。
【００３４】
例えば、導電体１０８が作動温度Ｔにおける場合に特定の減衰率を呈するように設計された例示的な減衰デバイスを考える。この実施例に係る減衰デバイスは、下限温度Ｔ−Ｔ１から上限温度Ｔ＋Ｔ２まで広がる温度範囲にわたって概ね一定の減衰作用を提供するように設計されうる。この実施例において、温度検出機構部１１４は、導電性部材１０８および／または磁石１０４が高温、すなわちＴ＋Ｔ２であることを検出してもよい。導電性部材１０８および／または磁石１０４における高温とは、およそ約３７３Ｋでありうる。高温の検出温度において、温度検出機構部１１４は、磁束回路、すなわち導電性部材１０８を通る磁束経路における磁束の強さを増大させてもよい。温度検出機構部１１４は、図２に示されるように磁気分路部１１２を磁気コア１１０のスロット１１１に挿入することによって磁束の強さを増大させうる。前述したように、こうすることによって磁束帰還路における高透性磁性物質の量を増大させ、それにより磁束回路全体を通じて磁束の強さを増大させる。磁束の強さが増大することによって、導電性部材１０８に流れる渦電流の大きさが増大し、それにより発生される減衰力が増大するようになる。
【００３５】
同様に、この実施例において、温度検出機構部１１４は、導電性部材１０８および／または磁石１０４が低温、すなわちＴ−Ｔ１であることを検出してもよい。導電性部材１０８および／または磁石１０４における低温とは、約２３３Ｋでありうる。低温の検出温度において、温度検出機構部１１４は、磁束回路、すなわち導電性部材１０８を通る磁束経路における磁束の強さを低減させうる。温度検出機構部１１４は、図４に示されるように磁気分路部１１２を磁気コア１１０のスロット１１１から引き出すことによって磁束の強さを低減させうる。前述したように、こうすることによって磁束帰還路における高透磁性物質の量を減少させ、それにより磁束回路全体を通じて磁束の強さを低減させる。磁束の強さが低下することによって、導電性部材１０８に流れる渦電流の大きさが低下し、それにより発生される減衰力が低下するようになる。
【００３６】
前述した実施例において磁気分路部の二元的な配置について説明したが、温度検出機構部１１４は、検出された温度が変化するのに従って磁気分路部１１２の位置を漸次調整してもよいことが理解されよう。温度検出機構部１１４は、磁気コア１１０に完全に挿入される位置から磁気コア１１０から完全に引き出される位置までの範囲全体にわたって磁気分路部１１２を移動させうる。一実施形態において、温度検出機構部１１４は磁気分路部１１２の位置を制御して、それにより減衰装置１００の温度が変化しても導電性部材１０８に生じる渦電流が一定のままであるようにしている。
【００３７】
図５は、本発明の一態様にしたがってペイロードに減衰力を付与するための例示的な工程のフローチャート２００である。説明を容易にするために、図５の工程は図１〜図４に示された減衰装置の構成要素を参照して記載されている。本発明の精神および範囲から逸脱することなく、１または２以上の工程が省略されてもよく、かつ／または異なる構成要素が利用されてもよいことが理解されよう。
【００３８】
工程２０２において磁束回路が発生される。例示的な一実施形態において、１対の磁石１０４が磁束回路を発生させる。磁束回路はそれら磁石１０４の間の間隙１０６を通って延在する磁束経路を有している。磁束回路は、磁石１０４の間において磁気コア１１０を通って延在する磁束帰還路をさらに有している。
【００３９】
工程２０４において導電性部材が磁束回路内に供給される。例示的な一実施形態において、導電性部材１０８は間隙１０６を通って延在する磁束経路内に供給される。導電性部材１０８はペイロードの振動に応じて振動するように構成される。導電性部材１０８は間隙１０６内において磁石１０４に対して振動する。
【００４０】
工程２０６において減衰装置の温度が求められる。例示的な一実施形態において、温度検出機構部１１４が磁石１０４または導電性部材１０８のいずれかの温度を求める。温度検出機構部１１４は、例えば１対の磁石１０４および／または導電性部材１０８の温度を直接検出するように構成されてもよい。或いは、温度検出機構部１１４が減衰デバイスの他の部分または減衰デバイスの周囲環境を検知して、それらから磁石１０４または導電性部材１０８の温度が正確に推定されうるように構成されてもよい。
【００４１】
工程２０８において、導電性部材を通る磁束の強さは、検出された温度に基づいて制御される。例示的な一実施形態において、温度検出機構部１１４は、工程２０６において検出された温度に基づいて磁束回路における磁束の強さを制御することによって、導電性部材１０８を通る磁束の強さを制御する。温度検出機構部１１４は、磁気分路部１１２の位置を変化させることによって磁束回路における磁束の強さを制御してもよい。例えば、磁束の強さを増大させるために、温度検出機構部１１４が磁気分路部１１２を磁気コア１１０のスロット１１１内に挿入してもよい。逆に、磁束の強さを低減させるために、温度検出機構部１１４が磁気分路部１１２を磁気コア１１０のスロット１１１から引き出してもよい。前述したように、温度検出機構部１１４は、検出された温度が上昇したときに磁束の強さを増大させてもよいし、または検出された温度が低下したときに磁束の強さを低減させてもよい。
【００４２】
例示的な別の実施形態において、温度検出機構部は、磁石（１つまたは複数）１０４に対する導電性部材１０８の位置を制御することによって導電性部材１０８を通る磁束の強さを制御する。温度検出機構部１１４は、導電性部材１０８の縁部を調整して、または適切に移動させて、導電性部材１０８を通る磁束を増大または低減させるように構成されてもよい。温度検出機構部１１４が導電性部材１０８の位置を制御して、それにより、検出された温度が低いかまたは高いかに応じて、利用可能な渦電流経路の制限をそれぞれ大きくするか、または制限を小さくするようにしてもよい。
【００４３】
特定の実施形態を参照することによって、本発明を本明細書において図示するとともに説明したが、本発明が本明細書に記載された具体物に限定されることを意図するものではない。むしろ、本発明から逸脱することなく、請求の範囲およびその均等の範囲内においてその詳細について種々の改変がなされうる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【外国語明細書】
2011133109000001.pdf