(57)【要約】【課題】ＥＵＶ露光における光学系の損傷を防止して反射率の低下を防止することが可能なパターン形成方法、半導体装置の製造方法、脱水装置および露光装置を提供すること。【解決手段】被脱水膜が形成された基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗膜形成工程と、前記レジスト塗膜を加熱して前記レジスト膜の溶剤を乾燥するＰＡＢ工程と、前記乾燥後のレジスト膜に対して減圧雰囲気下でＥＵＶ露光するＥＵＶ露光工程と、前記ＥＵＶ露光後の前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、を含み、前記ＰＡＢ工程と前記ＥＵＶ露光工程との間に、前記被脱水膜を加熱することにより前記脱水膜に対して脱水を行う脱水工程を有し、前記脱水工程から前記ＥＵＶ露光工程までの間において前記基板を乾燥雰囲気下に保持する。【選択図】図１
2011204774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被脱水膜が形成された基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗膜形成工程と、
前記レジスト塗膜を加熱して前記レジスト膜の溶剤を乾燥するＰＡＢ工程と、
前記乾燥後のレジスト膜に対して減圧雰囲気下でＥＵＶ露光するＥＵＶ露光工程と、
前記ＥＵＶ露光後の前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、
を含み、
前記ＰＡＢ工程と前記ＥＵＶ露光工程との間に、前記被脱水膜を加熱することにより前記脱水膜に対して脱水を行う脱水工程を有し、
前記脱水工程から前記ＥＵＶ露光工程までの間において前記基板を乾燥雰囲気下に保持すること、
を特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記脱水工程では、前記被脱水膜に対して赤外線を照射することにより前記被脱水膜を加熱すること、
を特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記被脱水膜に対して、Ｈ２Ｏ構造あるいはＯＨ結合に起因する吸収帯の波長の赤外線を照射することにより前記被脱水膜を選択的に加熱すること、
を特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記脱水工程は、減圧雰囲気下で実施されること、
を特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
一面上に少なくとも被脱水膜とレジスト膜とが順次形成された露光前の基板における前記被脱水膜に対して脱水処理を行う脱水装置であって、
前記基板を収納して前記被脱水膜に対して加熱を行うことにより前記被脱水膜に対して脱水を行う脱水処理部と、
前記加熱処理部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部と、
前記加熱処理部内のガスを排出するガス排出部と、
を備え、
前記脱水処理部において前記乾燥ガスの雰囲気下で前記被脱水膜に対して加熱を行うことにより前記被脱水膜に対して脱水を行うこと、
を特徴とする脱水装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法および脱水装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＵＶ（Extreme  Ultra-Violet）露光装置を用いるＥＵＶリソグラフィでは、照明光学系、投影光学系、反射式である露光マスクに、多層膜からなる反射式の光学系を用いる。これらの多層膜は、雰囲気に水分が存在する状態でＥＵＶ光が照射されることで損傷して反射率が低下することが問題とされている。このため、ＥＵＶ露光装置において投影光学系や露光対象であるレジスト膜が形成された基板が位置する真空チャンバーは、１０−５Ｔｏｒｒ程度の真空に保たれ、水分の低減が図られる。
【０００３】
しかし、露光対象である基板が出し入れされる際に、真空チャンバーに水分が持ち込まれる可能性がある。そこで、発明者は、レジストが塗布された基板をベーク（塗布後加熱）した後に露光装置へ搬送するまでの間を乾燥雰囲気に保持する発明を提案している（特許文献１参照）。
【０００４】
一方、露光対象であるレジスト膜を形成するための基板が、比較的上層にシリコン酸化膜、ポーラスＳｉＯＣ膜、ＳｉＯＣＨ膜などのｌｏｗ−ｋ膜などの吸湿性膜を有する場合があるこの場合は、吸湿性膜が水分を吸収することにより基板が吸湿性を有する場合がある。このような基板上には、少なくともレジスト膜が形成される。しかし、レジスト膜が吸湿性膜からの水分の放出に関してバリア膜となるとは考え難い。したがって、吸湿性膜中の水分は、ＥＵＶ露光装置の真空チャンバー等において放出され、露光装置の光学系およびマスクにダメージを与える。
【０００５】
発明者は、別途実施した検討において、露光中のアウトガスの発生源となる膜がレジスト膜の下層に存在する場合には当該膜からのアウトガスがレジスト膜を通じて放出されている可能性が高いことを示した（例えば、非特許文献１参照）。すなわち、水分子のサイズが小さいことから、レジスト膜、および、より下層の膜を通じて真空中に水分が放出される可能性が高いと考えられる。
【０００６】
ところで、ＥＵＶ露光装置においては、真空雰囲気で露光が行われる真空チャンバーの前段には、基板雰囲気を同程度に減圧するためのロードロック機構が設けられる。ここで、ＥＵＶ露光装置を半導体装置量産へ適用するためには、コストの観点から、時間あたり１００枚以上の処理能力が必要とされる。
【０００７】
このため、枚葉式で減圧をする場合のロードロック機構における減圧処理時間は３０秒程度となり、吸湿性膜中の水分の除去には処理時間が不足すると考えられる。したがって、吸湿性膜中の水分がＥＵＶ露光装置の真空チャンバーにおいて放出される可能性が高い。仮に、ロードロック機構における減圧処理を１ロット２５枚のバッチ式と仮定し、真空待機時間が２バッチ分としても真空待機時間は３０分にすぎない。したがって、吸湿性膜中の水分の除去には処理時間が不足すると考えられる。
【０００８】
また、発明者が別途実施した検討からは、レジスト膜を形成した後に通常のベーカーにより実施される１分〜２分程度の短時間の加熱工程（ＰＡＢ：Post  Applied  Bake）では、通常のレジスト膜形成工程で施される温度では、吸湿性膜中の水分を完全に除去することは困難であると推定している。また、ＰＡＢ工程で施される温度では、吸湿性膜中の水分の脱水には温度が不足していると考えられる。そして、レジスト膜のガラス転位温度（Ｔｇ）は１５０℃〜２００℃に過ぎない。このため、より高温で加熱処理した場合には、レジストの解像性能を悪化させる可能性が高い。また、加熱処理時間を長くすることにより脱水具合が向上する可能性がある。しかし、この場合は生産性が低下するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００９−１１１１８６号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】“Pattern transfer process development for EUVL”, D. Kawamra et al, Proc. SPIE 7273-113, 2009
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、ＥＵＶ露光における光学系の損傷を防止して反射率の低下を防止することが可能なパターン形成方法および脱水装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願発明の一態様によれば、被脱水膜が形成された基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗膜形成工程と、前記レジスト塗膜を加熱して前記レジスト膜の溶剤を乾燥するＰＡＢ工程と、前記乾燥後のレジスト膜に対して減圧雰囲気下でＥＵＶ露光するＥＵＶ露光工程と、前記ＥＵＶ露光後の前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、を含み、前記ＰＡＢ工程と前記ＥＵＶ露光工程との間に、前記被脱水膜を加熱することにより前記脱水膜に対して脱水を行う脱水工程を有し、前記脱水工程から前記ＥＵＶ露光工程までの間において前記基板を乾燥雰囲気下に保持すること、を特徴とするパターン形成方法が提供される。
【００１３】
また、本願発明の一態様によれば、一面上に少なくとも被脱水膜とレジスト膜とが順次形成された露光前の基板における前記被脱水膜に対して脱水処理を行う脱水装置であって、前記基板を収納して前記被脱水膜に対して加熱を行うことにより前記被脱水膜に対して脱水を行う脱水処理部と、前記加熱処理部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部と、前記加熱処理部内のガスを排出するガス排出部と、を備え、前記脱水処理部において前記乾燥ガスの雰囲気下で前記被脱水膜に対して加熱を行うことにより前記被脱水膜に対して脱水を行うこと、を特徴とする脱水装置が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ＥＵＶ露光における光学系の損傷を防止して反射率の低下を防止することができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、第１の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムの構成を示す図である。
【図２】図２は、第１の実施の形態にかかる脱水装置の構成を示す図である。
【図３】図３は、第１の実施の形態にかかるＥＵＶ露光装置の構成を示す図である。
【図４】図４は、第１の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムを用いた基板の露光処理手順を説明するフロー図である。
【図５】図５は、基板の放置時間（排気時間）と真空チャンバー内の圧力との関係を示す特性図である。
【図６】図６は、第２の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムの構成を示す図である。
【図７】図７は、第２の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムを用いた基板の露光処理手順を説明するフロー図である。
【図８】図８は、第２の実施の形態の第１変形例にかかるＥＵＶ露光システムの構成を示す図である。
【図９】図９は、第２の実施の形態の第１変形例にかかるＥＵＶ露光システムを用いた基板の露光処理手順を説明するフロー図である。
【図１０】図１０は、第２の実施の形態の第２変形例にかかるＥＵＶ露光システムを用いた基板の露光処理手順を説明するフロー図である。
【図１１】図１１は、第３の実施の形態にかかる基板の露光処理手順を説明するフロー図である。
【図１２】図１２は、第３の実施の形態の変形例にかかるＥＵＶ露光システムを用いた基板の露光処理手順を説明するフロー図である。
【図１３】図１３は、第４の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムの構成を示す図である。
【図１４】図１４は、第４の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムの構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に添付図面を参照して、実施の形態にかかるレジストパターンの形成方法および脱水装置を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態により本発明が限定されるものではない。
【００１７】
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムの構成を示す図である。第１の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムは、塗布現像装置１Ｘと、脱水装置１０Ｘと、基板搬送ケース２０Ｘと、ＥＵＶ露光装置３０Ｘと、露光後加熱（Post  Exposure  Bake  :ＰＥＢ）装置４０Ｘとを備える。図１における矢印は、処理対象である基板の流れを示している。
【００１８】
ここで、塗布現像装置１Ｘと脱水装置１０Ｘとの間、およびＥＵＶ露光装置３０ＸとＰＥＢ装置４０Ｘとの間は接続されており、基板を装置外に搬出することなく次工程の装置に搬送することができる（インライン接続）。すなわち、塗布現像装置１Ｘと脱水装置１０Ｘとを含めて広い意味での塗布現像装置が構成される。また、ＥＵＶ露光装置３０ＸとＰＥＢ装置４０Ｘとを含めて広い意味でのＥＵＶ露光装置が構成される。
【００１９】
一方、脱水装置１０ＸとＥＵＶ露光装置３０Ｘとの間、およびＰＥＢ装置４０Ｘと塗布現像装置１Ｘとの間は接続されておらず、基板は基板搬送ケース２０Ｘの中に搬出して、基板搬送ケースの中に入れて次工程の装置に搬送される（オフライン接続）。
【００２０】
塗布現像装置１Ｘは、基板に対して、加工に用いる種々の膜の塗布や、エネルギー線に感光するレジストの塗布や現像を行なう装置である。塗布現像装置１Ｘは、基板上に、加工に用いる種々の膜の塗膜形成を行うとともに塗膜の乾燥工程としての加熱工程（ＡＰＢを行う。また、塗布現像装置１Ｘは、基板上に、レジストを塗布してレジスト膜を形成するとともに、レジスト膜の乾燥工程としてレジスト膜に塗布後加熱処理（Post  Applied  Bake:ＰＡＢ工程）を行なう。
【００２１】
また、塗布現像装置１Ｘは、ＰＥＢ工程が終了して潜像が形成されたレジスト膜から現像液によって不要部分を除去する現像処理、現像処理に用いた現像液やレジスト溶解物を除去するリンス処理を行なう。これによって、所望のレジストパターンが形成される。なお、塗布現像装置１Ｘは、ＥＵＶ露光装置３０Ｘで露光処理が完了して大気圧に戻された基板に、ＰＥＢ工程を行なう機能を有していてもよい。これにより、塗布現像装置１Ｘは、ＥＵＶ露光装置３０Ｘで照射されたＥＵＶ光パターンに応じた潜像をレジスト膜中に形成する。また、塗布現像装置１Ｘは、塗布装置と現像装置とに分けて構成されてもよい。
【００２２】
図２は、脱水装置１０Ｘの構成を示す図である。脱水装置１０Ｘは、搬送部１１と、脱水処理部１２と、乾燥ガス供給部１３と、ガス排出部１４と、温調部１５と、気圧調整部１６と、制御部１７とを備える。
【００２３】
搬送部１１は、塗布現像装置１ＸでのＰＡＢ工程が終了した基板を塗布現像装置１Ｘまたは基板搬送ケース２０Ｘから受け取り、脱水処理部１２に搬送する。また、搬送部１１は、脱水処理が終了した基板を脱水処理部１２からＥＵＶ露光装置３０Ｘまたは基板搬送ケース２０Ｘへ搬送する。脱水処理部１２は、基板を収納して基板におけるレジスト以外の所定の吸湿性膜に対して加熱を行うことにより該吸湿性膜に対して脱水処理を行う。脱水処理部１２は、基板が内部に保持されて密閉可能とされ、例えばチャンバーなどを用いる。脱水処理部１２は、加熱手段として例えば赤外線照射部（赤外線ランプ）を備え、所定の吸湿性膜に対して赤外線を照射することにより該吸湿性膜を選択的に加熱する。また、加熱手段として通常のベーカーを使用することも可能である。
【００２４】
乾燥ガス供給部１３は、脱水処理部１２に乾燥ガスを供給する。ガス排出部１４は、脱水処理部１２内のガスを排出し、基板上の膜に対する加熱により発生する気体（水蒸気）を脱水処理部１２から排出する。温調部１５は、基板の温度を所定の温度に制御する。気圧調整部１６は、脱水処理を減圧下において実施する場合に、基板を脱水装置１０Ｘ内に搬入した際に、圧力調整機能によって基板の周辺雰囲気を減圧する。そして、基板は基板雰囲気が減圧雰囲気とされた状態で脱水処理部１２に受け渡される。気圧調整部１６は、例えばロードロック機構などの減圧機構を有する。制御部１７は、脱水装置１０Ｘの各構成を制御する。
【００２５】
基板搬送ケース２０Ｘは、各装置における処理が終了した基板を収納して、オフライン接続された次工程の装置に搬送する搬送手段である。基板搬送ケース２０Ｘ内における基板の周辺雰囲気は、ＥＵＶ露光システムの構成によって乾燥雰囲気または大気雰囲気とされる。ここで、乾燥雰囲気とは、水分含有量が非常に少ない状態の雰囲気であり、例えば真空雰囲気、ドライ窒素雰囲気、ドライエア雰囲気等が挙げられる。
【００２６】
ＥＵＶ露光装置３０Ｘは、半導体装置を製造する際のリソグラフィ工程で用いられる露光装置であり、真空雰囲気でウェハなどの半導体基板（後述のプロセス基板Ｗ）にＥＵＶパターン露光（以下、ＥＵＶ露光と呼ぶ）を行なう。本実施の形態にかかるＥＵＶ露光装置３０Ｘには、ＥＵＶリソグラフィの際に発生するアウトガスによって光学系や反射式マスクを損傷させないようにアウトガスの発生を予め防止された基板が搬入される。具体的には、ＥＵＶ露光装置３０Ｘには、露光する直前に、基板が有する吸湿性膜（被脱水膜）の脱水処理が実施された基板が搬入される。
【００２７】
図３は、ＥＵＶ露光装置３０Ｘの構成を示す図である。ＥＵＶ露光装置３０Ｘは、気圧調整機構３１Ｘ、ＥＵＶ露光機構３２Ｘ、制御部３３を有している。気圧調整機構３１Ｘは、ロードロックチャンバなどを備えて構成され、半導体装置が形成される基板の搬入および搬出を行なう。気圧調整機構３１Ｘは、搬送部３１１、気圧調整部３１２を備えている。
【００２８】
搬送部３１１は、基板をＥＵＶ露光装置３０Ｘ（気圧調整機構３１Ｘ）内に搬入する。気圧調整部３１２は、基板が気圧調整機構３１Ｘ内に搬入された際に、圧力調整機能によって基板の周辺雰囲気を減圧する。気圧調整機構３１Ｘは、ＥＵＶ露光機構３２Ｘに繋がっており、搬送部３１１は、減圧された状態の基板をＥＵＶ露光機構３２Ｘに搬送する。気圧調整機構３１ＸとＥＵＶ露光機構３２Ｘとの間は通常動作時には遮断されており、基板を気圧調整機構３１ＸとＥＵＶ露光機構３２Ｘとの間で搬送する際にのみ、気圧調整機構３１ＸとＥＵＶ露光機構３２Ｘとの間が開放される（ロードロック機構）。
【００２９】
また、搬送部３１１は、ＥＵＶ露光機構３２Ｘから搬送されてくる基板を気圧調整機構３１Ｘ内に格納する。気圧調整部３１２は、基板が気圧調整機構３１Ｘ外へ搬出される際に圧力調整機能によって基板の周辺雰囲気を大気圧へとパージする。搬送部３１１は、大気圧へとパージされた後の基板をＥＵＶ露光装置３０Ｘに接続されたＰＥＢ装置４０Ｘへ搬送する。
【００３０】
ＥＵＶ露光機構３２Ｘは、気圧調整機構３１Ｘから搬送されてきた基板に対してＥＵＶ露光を実施する。ＥＵＶ露光機構３２Ｘは、搬送部３２１、露光部３２２、温調部３２３を備えている。搬送部３２１は、気圧調整機構３１Ｘから搬送されてくる基板をＥＵＶ露光機構３２Ｘ内に搬入する。搬送部３２１は、基板を温調部３２３や露光部３２２に搬送するとともに、露光後の基板を気圧調整機構３１Ｘへ搬送する。
【００３１】
露光部３２２は、ＥＵＶ露光を行うメインチャンバーおよび反射型の光学系やマスクを有しており、これらの光学系と反射式のマスクを用いて温度調整後の基板にＥＵＶ光を照射して露光処理を行う。メインチャンバーには、基板に対する位置計測機構、マスク搬送機構やマスク駆動機構や付随する絞り機構、基板駆動機構、投影光学系や付随する光学系の可動機構などがこの他に存在する。また、ＥＵＶ光源機構、照明光学系、これらを稼働させるための種々の計測機構や用力機構などが付随するが、本発明の趣旨に直接関係しないため、詳細な説明は省略する。
【００３２】
温調部３２３は、基板へのＥＵＶ露光処理の前に、重ね合わせ精度を確保のための基板温度調整（基板の加熱或いは冷却）を行なう。基板の熱膨張に伴う変形を抑制することが、高精度な合わせ精度を得るために必要である。なお、温調部３２３は複数箇所および複数段の構成として設けられてもよい。
【００３３】
制御部３３は、気圧調整機構３１ＸやＥＵＶ露光機構３２Ｘを制御する。制御部３３は、塗布現像装置内部に電子処理系を設置しても良いが、装置外部に設ける電子処理系による制御であっても良い。
【００３４】
ＰＥＢ装置４０Ｘは、ＥＵＶ露光装置３０Ｘで露光処理が完了して大気圧に戻された基板に、露光後加熱処理（ＰＥＢ工程）を行なう。これにより、塗布現像装置１Ｘは、ＥＵＶ露光装置３０Ｘで照射されたＥＵＶ光パターンに応じた潜像をレジスト膜中に形成する。
【００３５】
なお、上記においては、塗布現像装置１Ｘと脱水装置１０ＸとＥＵＶ露光装置３０ＸとＰＥＢ装置４０Ｘとを別個の装置として記載しているが、それぞれの装置の機能を組み合わせた装置を構成してもよい。例えば、塗布現像装置１Ｘと脱水装置１０Ｘとの機能を備えた一体型の塗布現像装置１Ｘを構成してよい。脱水装置１０ＸとＥＵＶ露光装置３０Ｘとの機能を備えた一体型のＥＵＶ露光装置３０Ｘを構成してもよい。
【００３６】
つぎに、第１の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムを用いた基板の露光処理手順について図４を参照しながら説明する。図４は、第１の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムを用いた基板の露光処理手順を説明するフロー図である。以下では、半導体装置製造工程の中間工程の一つとして、吸湿性膜が形成されたプロセス基板Ｗに対してＥＵＶリソグラフィ工程によってレジストパターンを得た後に、該レジストパターンを加工マスクとして、プロセス基板Ｗを加工する一例を示す。
【００３７】
吸湿性膜の例は、ポーラスシリカ膜やポーラスＳｉＣＯ膜などのｌｏｗ−ｋ膜、またこれに添加物含有するものや、塗布型である塗布型シリコン（Spin  on  Glass：ＳＯＧ）膜などを含む広い意味でのシリコン酸化膜である。なお、ＥＵＶリソグラフィ工程を実施する際に吸湿性膜が最上層に位置する場合に限らず、吸湿性膜と異なる第２の膜が吸湿性膜上に形成されていても該吸湿性膜中の水分が真空中で放出される場合には、本実施の形態は適用可能であり本実施の形態の効果を得られる。
【００３８】
まず、吸湿性膜を含む所定の膜が形成されたプロセス基板Ｗに対して、塗布現像装置１Ｘにおいて塗布処理を実施する。最初にプロセス基板Ｗ上に、塗布型カーボン（Spin  on  Carbon：ＳＯＣ）膜を形成する。ＳＯＣ膜の典型的な形成方法としては、回転塗布法によりＳＯＣ塗膜形成を形成するＳＯＣ塗布工程（ＳＴ１）を実施した後に、２００℃〜３００℃程度の温度でのＳＯＣ加熱工程（ＳＴ２）を実施する。つぎに、ＳＯＣ膜が形成されたプロセス基板Ｗ上に、ＳＯＧ膜を形成する。ＳＯＧ膜の典型的な形成方法としては、回転塗布法によりＳＯＧ塗膜を形成するＳＯＧ塗布工程（ＳＴ３）を実施した後に、１８０℃〜３００℃程度の温度でのＳＯＧ加熱工程（ＳＴ４）を実施する。
【００３９】
つぎに、ＳＯＧ膜を形成したプロセス基板Ｗ上に有機膜を形成する。有機膜は、プロセス基板Ｗの最上層であるＳＯＧ膜とレジスト膜との密着性の向上、現像欠陥を低減するためのプロセス基板Ｗの最上層の表面状態の変更、レジスト膜の主にボトム形状の調整、レジスト膜の露光感度向上などを目的として形成される。有機膜の典型的な形成方法としては、回転塗布法により塗膜を形成する有機膜塗布工程（ＳＴ５）を実施した後に、１５０℃〜２５０℃程度の温度での有機膜加熱工程（ＳＴ６）を実施する。
【００４０】
つぎに、有機膜上にレジスト膜を形成する。レジスト膜の典型的な形成方法としては、回転塗布法により塗膜を形成するレジスト塗布工程（ＳＴ７）を実施した後に、８０℃〜１５０℃の温度でのレジストＰＡＢ工程（ＳＴ８）を実施する。ＰＡＢ工程が終了したプロセス基板Ｗは、塗布現像装置１Ｘと接続された脱水装置１０Ｘに受け渡され、脱水装置１０Ｘにおいて所定の脱水工程（ＳＴ１２）が実施される。
【００４１】
脱水装置１０Ｘでは、ＰＡＢ工程が終了したプロセス基板Ｗを塗布現像装置１Ｘから搬送部１１が受け取り、脱水処理部１２に搬送する。プロセス基板Ｗが内部に保持されると、脱水処理部１２は密閉される。そして、乾燥ガス供給部１３が、脱水処理部１２に乾燥ガスを供給し、ガス排出部が排気を行う。これにより、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気は乾燥雰囲気とされる。
【００４２】
つぎに、脱水処理部１２では、赤外線照射部（赤外線ランプ）によりプロセス基板Ｗに対して赤外線を照射することにより吸湿性膜中の水を選択的に加熱して、該吸湿性膜に対して脱水処理を実施する。赤外線の照射工程では、Ｈ２Ｏ構造、あるいはＯＨ結合に起因する吸収帯の波長を照射することが望ましい。これにより、ＳＯＣ膜およびＳＯＧ膜を含むプロセス基板Ｗ上の吸湿性膜を選択的に加熱して脱水処理を行うことができる。
【００４３】
脱水工程（ＳＴ１２）における赤外線の照射による脱水処理では、水分子の選択吸収帯である３μｍ付近、あるいは６μｍ付近の遠赤外線領域の照射を行う。照射する赤外線光は、必ずしも前記３μｍないし６μｍ付近の波長だけが照射される装置である必要はない。また、通常の加熱工程と同様に、加熱中に排気が必要である。加熱後の冷却工程において吸湿性膜が再度吸湿することを防止する必要があるため、少なくとも加熱後の冷却工程から次工程である露光工程までの間は乾燥雰囲気に保持する必要がある。
【００４４】
そこで、赤外線の照射と共にガス排出部１４が脱水処理部１２内のガスを排出し、吸湿性膜に対する加熱により発生する気体（水蒸気）を脱水処理部１２から排出する。これにより、乾燥雰囲気を維持した状態でプロセス基板Ｗ上の吸湿性膜に対する脱水処理を行うことができる。
【００４５】
そして、脱水工程が施された吸湿性膜が露光工程までの間に再度吸湿することを防止する必要がある。このため、脱水工程が施されたプロセス基板Ｗは、該脱水工程から後述するＥＵＶ露光工程の間は乾燥雰囲気で保持される。したがって、本実施の形態においては、脱水工程（ＳＴ１２）からＥＵＶ露光工程（ＳＴ３２）までの工程は乾燥雰囲気で実施される。
【００４６】
なお、ここでは、赤外線ランプによる赤外線照射により脱水処理を行う場合について説明したが、ベーカーによる加熱工程により脱水処理を行ってもよい。ベーカーによる加熱工程の場合には、２００℃〜３００℃で数分程度の加熱が必要である。また、赤外線照射による加熱工程と同様に、加熱中に排気が必要である。また、加熱後の冷却工程において吸湿性膜が再度吸湿することを防止する必要があるため、少なくとも加熱後の冷却工程から次工程である露光工程までの間は乾燥雰囲気に保持する必要がある。
【００４７】
脱水工程が施されたプロセス基板Ｗに対して、必要に応じて所定の温度制御工程が脱水装置１０Ｘの温調部１５により実施される。温度制御工程では、重ね合わせ精度を確保のためのプロセス基板Ｗ温度調整（基板の加熱或いは冷却）を行なう。基板の熱膨張に伴う変形を抑制することが、高精度な合わせ精度を得るために必要である。
【００４８】
つぎに、必要に応じて温度制御が施されたプロセス基板Ｗは、乾燥雰囲気を維持したまま基板搬送ケース２０Ｘに移され、且つ該基板搬送ケース２０Ｘ内の雰囲気が乾燥雰囲気で維持される。そして、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気に維持された状態で該プロセス基板Ｗは基板搬送ケース２０ＸによりＥＵＶ露光装置３０Ｘへ搬送される（基板搬送工程、ＳＴ２１）。そして、プロセス基板Ｗは、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気に維持された状態で基板搬送ケース２０ＸからＥＵＶ露光装置３０Ｘへと受け渡される。
【００４９】
ＥＵＶ露光装置３０Ｘでは、プロセス基板Ｗの雰囲気を乾燥雰囲気に維持した状態で、搬送部３１１がプロセス基板ＷをＥＵＶ露光装置３０Ｘ（気圧調整機構３１Ｘ）内に搬入する。気圧調整機構３１Ｘ内にプロセス基板Ｗが搬入されると、プロセス基板Ｗの乾燥雰囲気を減圧する減圧工程（ＳＴ３１）が気圧調整部３１２により実施される。
【００５０】
気圧調整機構３１Ｘ内が露光部３２２のメインチャンバーと同程度の真空に減圧された後、気圧調整機構３１Ｘのロードロック機構によりプロセス基板ＷがＥＵＶ露光機構３２Ｘのメインチャンバー内へ搬送される。ＥＵＶ露光機構３２Ｘでは、プロセス基板Ｗへのパターン露光処理の前に重ね合わせ精度を確保のための基板温度調整が温調部３２３により行なわれる。また、ＥＵＶ露光機構３２Ｘにより基板位置やアライメントなどの所定の計測工程が実施された後、乾燥雰囲気下且つ減圧雰囲気下においてＥＵＶ露光工程（ＳＴ３２）が実施される。
【００５１】
ＥＵＶ露光工程が実施された後、プロセス基板Ｗは、気圧調整機構３１Ｘのロードロック機構によりＥＵＶ露光機構３２Ｘの搬送部３２１から気圧調整機構３１Ｘの搬送部３１１に受け渡され、気圧調整機構３１Ｘ内に格納される。気圧調整部３１２は、プロセス基板Ｗを気圧調整機構３１Ｘ外へ搬出する際に、圧力調整機能によってプロセス基板Ｗの周辺雰囲気を大気圧へと増圧するパージ工程（ＳＴ３３）を実施する。搬送部３１１は、大気圧へとパージされた後のプロセス基板ＷをＥＵＶ露光装置３０Ｘに接続されたＰＥＢ装置４０Ｘへ搬送する。なお、このパージ工程以降は、プロセス基板Ｗの雰囲気は通常の大気雰囲気とされる。
【００５２】
搬送部３１１は、大気圧へとパージされた後のプロセス基板ＷをＥＵＶ露光装置３０Ｘに接続されたＰＥＢ装置４０Ｘへ搬送する。ＰＥＢ装置４０Ｘは、プロセス基板Ｗに対して所定のＰＥＢ工程（ＳＴ４１）を実施する。レジスト膜が化学増幅型レジストである場合には、ＥＵＶ露光工程と現像工程との間に、ＰＥＢ工程を実施することが一般的である。なお、レジスト膜がＰＥＢ工程を必要としない場合には、ＰＥＢ工程を実施する必要はない。したがって、ＰＥＢ装置４０ＸがＥＵＶ露光装置３０Ｘに接続されている必要はない。
【００５３】
つぎに、ＰＥＢ工程（ＳＴ４１）が施されたプロセス基板Ｗは、基板搬送ケース２０Ｘに収納されて塗布現像装置１Ｘへと搬送される（基板搬送工程、ＳＴ５１）。ＥＵＶ露光装置３０Ｘへの搬送前後の基板搬送ケース２０Ｘは、必ずしも同一である必要はない。本発明の意図からは、ＥＵＶ露光装置３０Ｘへの搬送時は、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気である必要がある。しかし、ＥＵＶ露光装置３０Ｘでの露光処理が終了した後の搬送時には、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気は乾燥雰囲気であることを要しない。したがって、ＰＥＢ装置４０Ｘから塗布現像装置１Ｘへの搬送時には、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気は乾燥雰囲気であることを要しない。
【００５４】
つぎに、プロセス基板Ｗは、基板搬送ケース２０Ｘから塗布現像装置１Ｘへと再び受け渡される。塗布現像装置１Ｘでは、ＥＵＶ露光工程（ＳＴ３２）およびＰＥＢ工程（ＳＴ４１）が実施されたレジスト膜に対して現像工程（ＳＴ６１）および現像液に溶解したレジスト膜を除去するリンス工程（ＳＴ６２）が実施される。これにより、プロセス基板Ｗ上に所望のレジストパターンが得られる。
【００５５】
ここで、典型的なレジスト膜の現像液は、２．３８重量％のＴＭＡＨ（tetramethyl ammonium hydroxide）水溶液である。ＴＭＡＨ濃度は２．３８重量％に限られるものではない。また、ＴＭＡＨ水溶液は、界面活性剤などの添加剤を含んでもよい。有機アルカリ成分はＴＭＡＨに限定されるものではなく、ＴＢＡＨ（Tetrabuthyl  Ammonium  Hydroxide）などであっても良い。また、現像液は、レジスト膜の材料に応じた有機現像液であってもよい。
【００５６】
つぎに、得られたレジストパターンを加工マスクとして、エッチングによりＳＯＧ膜にレジストパターンのパターンを転写し、ＳＯＧ膜パターンを得る。つぎに、ＳＯＧ膜パターンを加工マスクとして、エッチングによりＳＯＣ膜にＳＯＧ膜パターンのパターンを転写し、ＳＯＣ膜パターンを得る。つぎに、ＳＯＣ膜パターンを加工マスクとしてエッチングを行うことにより、吸湿性膜を含むプロセス基板Ｗ上の所定膜にパターンを転写する。そして、一連のエッチング工程の後、ＳＯＣ膜パターンなどの除去工程を実施する。その後、当該ＥＵＶリソグラフィ工程を経たプロセス基板Ｗに対して、所定の行程処理を施し、所望の半導体装置を製造する。
【００５７】
ここで、吸湿性膜を有するシリコン基板からの真空中における水分の放出および再吸湿について発明者が検討した結果について説明する。吸湿性膜が形成されたシリコン基板（以下、吸湿基板と呼ぶ）をＦＯＵＰ（Front  Open  Unified Pod）に入れてクリーンルーム雰囲気で所定時間放置した。本検討で用いたＦＯＵＰは、ＦＯＵＰ下部が密閉された特殊な構造ではなく、クリーンルーム雰囲気との間で空気の移動が生じる普通のＦＯＵＰである。その後、圧力上昇法（Pressure-rising  method）で用いるアウトガス測定装置を流用して、以下の測定を行った。該吸湿基板を一定能力で排気を続ける真空ポンプに接続された真空チャンバー内に放置して排気を続ける実験を行った。そして、放置時間（排気時間）と真空チャンバー内の圧力とを測定した（１回目）。最終真空度に達した後の吸湿基板を取り出し、再度真空チャンバー内に放置して排気を続けた（２回目）。さらに、最終真空度に達した後（２回目）の吸湿基板を取り出して、一昼夜ＦＯＵＰ内において大気中に放置した後、再度真空チャンバー内に放置して排気を続けた（３回目）。また、吸湿性膜が形成されていないシリコン基板（以下、シリコン基板と呼ぶ）についても同様に１回のみ実験を実施した。
【００５８】
図５は、基板の放置時間（排気時間）と真空チャンバー内の圧力との関係を示す特性図であり、真空チャンバー内の圧力の時間依存性を示す特性図である。図５には、吸湿基板の１回目〜３回目の実験結果と、シリコン基板についての実験結果を併せて示している。
【００５９】
図５から分かるように、シリコン基板では約１０分程度で最終真空度までの真空度引きが終了した。一方、吸湿基板の１回目では、４時間を要してもシリコン基板の最終真空度には到達できなかった。なお、吸湿基板の２回目では、１回目の実験において吸湿基板から水分が脱水されているため、シリコン基板では約１０分程度で最終真空度までの真空度引きが終了した。
【００６０】
また、吸湿基板の３回目では、初期の真空度は１回目の真空引きと同等であり、以後の減圧挙動も同等であった。前記１回目及び３回目相当と同条件の基板に対して別途実施したＱ−Ｍａｓｓ（Quadrupole  Mass  spectroscopy）に分析では、真空チャンバー内の水と推定されるフラグメント量が、シリコン基板の場合に比べて増加していた。この結果は、吸湿基板が水分を含んだ場合は、水分が真空中で放出されること、減圧だけでは脱水に数時間程度を要すること、吸湿基板から水分が一旦放出されても該吸湿基板が基板雰囲気から再度吸湿することを示している。
【００６１】
したがって、これらのことからプロセス基板Ｗ上の吸湿性膜の脱水工程とＥＵＶ露光工程までの間に待機時間があり、且つプロセス基板Ｗが大気雰囲気中に保持された場合には、吸湿性膜における吸湿が発生することが分かる。従来のＥＵＶ露光装置では、レジスト膜の塗布工程および露光工程が１つの装置内で連続して行われている。しかしながら、レジスト膜の塗布工程のスループットは高く、ＥＵＶ露光工程のスループットは低いため、レジスト膜の塗布工程と露光工程とではスループットの差が生じる。このため、塗布工程と露光工程とを別個の装置とし（オフライン）、塗布工程の後に基板を塗布装置から搬出して所定の容器等で保持した後、露光装置内に搬入して露光工程を実施するオフライン工程が主流になると想定される。しかし、この場合は、塗布工程後の基板には、露光工程までの間に待機時間が発生し、吸湿性膜における吸湿が発生する虞がある。
【００６２】
しかしながら、上述した第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法では、脱水工程からＥＵＶ露光工程までの工程中において、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気で維持される。このため、オフライン作業の場合でも、脱水工程後におけるプロセス基板Ｗ上の吸湿性膜での再度の吸湿が防止される。
【００６３】
上述した第１の実施の形態では、ＥＵＶ露光工程の前に実施される脱水工程によってプロセス基板Ｗ上の吸湿性膜中の水分が除去される。そして、脱水工程からＥＵＶ露光工程までの工程中は、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気で維持される。このため、脱水工程後におけるプロセス基板Ｗ上の吸湿性膜での再度の吸湿が防止される。これにより、ＥＵＶ露光工程に持ち込むプロセス基板Ｗ中の水分を低減することができ、ＥＵＶ露光工程におけるプロセス基板Ｗからの水分の蒸発量を低減することができる。したがって、第１の実施の形態によれば、ＥＵＶ露光工程におけるプロセス基板Ｗからの水分の蒸発に起因したＥＵＶ露光装置の光学系の損傷を低減し、反射率の低下を防止することが可能となる。
【００６４】
また、第１の実施の形態では、脱水工程において、プロセス基板Ｗに対してＨ２Ｏ構造、あるいはＯＨ結合に起因する吸収帯の波長の赤外線を照射する。これにより、吸湿性膜内の水分を選択的に加熱して脱水処理を行うことができ、効率的に吸湿性膜内の水分を脱水することができる。
【００６５】
また、第１の実施の形態では、ＰＡＢ工程後に脱水工程を実施する。これにより、ＰＡＢ工程後に吸湿性膜が吸湿した水分についても、ＥＵＶ露光工程の前に脱水することができる。
【００６６】
また、第１の実施の形態では、例えば脱水工程をＳＯＣ膜の形成の前段等において実施する場合と比べて、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気を乾燥雰囲気に保持すべき期間を短縮することができるため、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気を乾燥雰囲気に保持するために使用する乾燥雰囲気の使用量や供給に掛かるエネルギー量を低減することができる。
【００６７】
また、一部のプロセス基板Ｗあるいは塗膜上において、レジスト膜、有機膜、ＳＯＣ膜などの膜は、乾燥雰囲気下での回転塗布による塗膜形成では、塗膜にピンホールなどの異常を生じる可能性が考えられる。しかしながら、第１の実施の形態では、上記の塗膜形成を必ずしも乾燥雰囲気で実施する必要がないため、塗膜形成の異常を回避できる。
【００６８】
また、第１の実施の形態では、脱水工程からＥＵＶ露光工程までの工程中、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気で維持される。このため、塗布工程と露光工程とを別個の装置で行うオフライン作業の場合でも、塗布工程から露光工程までの間に待機時間が発生しても脱水工程後におけるプロセス基板Ｗ上の吸湿性膜での再度の吸湿が防止される。
【００６９】
このように、第１の実施の形態によれば、プロセス基板Ｗ上の吸湿性膜の脱水を効率的に行って、プロセス基板Ｗからの水分の蒸発に起因したＥＵＶ露光装置の光学系の損傷を確実に低減し、反射率の低下を防止することが可能となる。
【００７０】
（第２の実施の形態）
図６は、第２の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムの構成を示す図である。第２の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムは、塗布現像装置１Ｘと、基板搬送ケース２０Ｘと、脱水装置１０Ｘと、ＥＵＶ露光装置３０Ｘと、ＰＥＢ装置４０Ｘとを備える。図６における矢印は、処理対象である基板の流れを示している。
【００７１】
脱水装置１０ＸとＥＵＶ露光装置３０Ｘとの間、およびＥＵＶ露光装置３０ＸとＰＥＢ装置４０Ｘとの間は接続されており、基板を装置外に搬出することなく次工程の装置に搬送することができる（インライン接続）。すなわち、脱水装置１０ＸとＥＵＶ露光装置３０ＸとＰＥＢ装置４０Ｘとを含めて広い意味でのＥＵＶ露光装置が構成される。
【００７２】
一方、塗布現像装置１Ｘと脱水装置１０Ｘとの間、およびＰＥＢ装置４０Ｘと塗布現像装置１Ｘとの間は接続されておらず、基板は装置外に搬出されて基板搬送ケース２０Ｘにより次工程の装置に搬送される（オフライン接続）。なお、上記の各装置の基本的な構成は、第１の実施の形態の場合と同じであるため、図１と同じ符号を付すことで詳細な説明は省略する。以下では、第１の実施の形態の場合と異なる部分のみ、適宜説明する。
【００７３】
つぎに、第２の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムを用いた基板の露光処理手順について図７を参照しながら説明する。図７は、第２の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムを用いた基板の露光処理手順を説明するフロー図である。以下では、第１の実施の形態の場合と同様に、半導体装置製造工程の中間工程の一つとして、吸湿性膜が形成されたプロセス基板Ｗに対してＥＵＶリソグラフィ工程によってレジストパターンを得た後に、該レジストパターンを加工マスクとして、プロセス基板Ｗを加工する一例を示す。
【００７４】
まず、吸湿性膜を含む所定の膜が形成されたプロセス基板Ｗに対して、第１の実施の形態の場合と同様にして塗布現像装置１Ｘにおいて塗布処理を実施する。すなわち、塗布現像装置１Ｘにおいて、プロセス基板Ｗに対してＳＯＣ塗布工程（ＳＴ１）〜ＰＡＢ加熱工程（ＳＴ８）が実施される。
【００７５】
つぎに、ＰＡＢ加熱工程（ＳＴ８）が施されたプロセス基板Ｗに対して、必要に応じて所定の温度制御工程が脱水装置１０Ｘの温調部１５により実施される。そして、温度制御が施されたプロセス基板Ｗは、基板搬送ケース２０Ｘに収納されて塗布現像装置１Ｘから脱水装置１０Ｘへと搬送される（基板搬送工程、ＳＴ２１）。なお、脱水工程前の搬送時には、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気は乾燥雰囲気であることを要しない。したがって、本実施の形態における基板搬送工程（ＳＴ２１）では、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気は大気雰囲気でかまわない。但し、レジスト膜が化学増幅型レジストである場合には、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気は、少なくとも塩基成分が低減された雰囲気であることが好ましい。ＥＵＶ露光処理において化学増幅型レジストの露光部に酸成分が発生する。しかし、基板周囲に塩基成分があると、塩基成分がレジスト膜中に侵入し、発生した酸成分が塩基成分と反応して酸成分が減少し、精度の良いパターン形成ができなくなる。
【００７６】
つぎに、プロセス基板Ｗは、脱水装置１０Ｘにおいて第１の実施の形態の場合と同様にして赤外線の照射による脱水工程（ＳＴ１２）が実施される。すなわち、プロセス基板Ｗに対して赤外線を照射することにより吸湿性膜を加熱して、該吸湿性膜に対する脱水処理を実施する。赤外線としては、Ｈ２Ｏ構造、あるいはＯＨ結合に起因する吸収帯の波長を照射することが望ましい。これにより、吸湿性膜を選択的に加熱して脱水処理を行うことができる。なお、脱水工程（ＳＴ１２）の後に、脱水雰囲気における増圧工程、或いは脱水工程と同水準の圧力における基板の保持工程が存在しても良い。また、本実施の形態においても、ベーカーによる加熱工程により脱水処理を行ってもよい。
【００７７】
脱水工程が施された吸湿性膜が露光工程までの間に再度吸湿することを防止する必要がある。このため、脱水工程が施されたプロセス基板Ｗは、該脱水工程から後述するＥＵＶ露光工程の間は乾燥雰囲気で保持される。したがって、本実施の形態においては、脱水工程（ＳＴ１２）からＥＵＶ露光工程（ＳＴ３２）までの工程は乾燥雰囲気で実施される。その後、脱水工程が施されたプロセス基板Ｗに対して、必要に応じて所定の温度制御工程が脱水装置１０Ｘの温調部１５により実施される。
【００７８】
つぎに、必要に応じて温度制御が施されたプロセス基板Ｗは、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気に維持された状態で、脱水装置１０ＸからＥＵＶ露光装置３０Ｘへと受け渡される。そして、第１の実施の形態の場合と同様にして、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気に維持された状態でＥＵＶ露光装置３０Ｘにおいて減圧工程（ＳＴ３１）〜パージ工程（ＳＴ３３）が実施される。
【００７９】
以降の工程は、第１の実施の形態の場合と同様にしてプロセス基板Ｗに対してＰＥＢ工程（ＳＴ４１）〜リンス工程（ＳＴ６２）が実施される。これにより、第１の実施の形態の場合と同様にプロセス基板Ｗ上に所望のレジストパターンが得られる。
【００８０】
そして、得られたレジストパターンを加工マスクとして、第１の実施の形態の場合と同様にして一連のエッチング工程を実施後、ＳＯＣ膜パターンなどの除去工程を実施する。その後、当該ＥＵＶリソグラフィ工程を経たプロセス基板Ｗに対して、所定の行程処理を施し、所望の半導体装置を製造する。
【００８１】
上述した第２の実施の形態では、第１の実施の形態の場合と同様にＥＵＶ露光工程の前に実施される脱水工程によってプロセス基板Ｗ上の吸湿性膜中の水分が除去される。そして、脱水工程からＥＵＶ露光工程までの工程中は、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気で維持される。このため、脱水工程後におけるプロセス基板Ｗ上の吸湿性膜での再度の吸湿が防止される。これにより、ＥＵＶ露光工程に持ち込むプロセス基板Ｗ中の水分を低減することができ、ＥＵＶ露光工程におけるプロセス基板Ｗからの水分の蒸発量を低減することができる。したがって、第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態の場合と同様にＥＵＶ露光工程におけるプロセス基板Ｗからの水分の蒸発に起因したＥＵＶ露光装置の光学系の損傷を低減し、反射率の低下を防止することが可能となる。
【００８２】
また、第２の実施の形態では、脱水工程において、第１の実施の形態の場合と同様にプロセス基板Ｗに対してＨ２Ｏ構造、あるいはＯＨ結合に起因する吸収帯の波長の赤外線を照射する。これにより、吸湿性膜内の水分を選択的に加熱して脱水処理を行うことができ、効率的に吸湿性膜内の水分を脱水することができる。
【００８３】
また、第２の実施の形態では、ＰＡＢ工程後であってＥＵＶ露光工程の直前に脱水工程を実施する。これにより、ＰＡＢ工程後に吸湿性膜が吸湿した水分についても、ＥＵＶ露光工程の前に脱水することができる。
【００８４】
また、第２の実施の形態では、ＥＵＶ露光工程の直前に脱水工程を実施するため、第１の実施の形態の場合と比べてプロセス基板Ｗの周辺雰囲気を乾燥雰囲気に保持すべき期間を短縮することができるため、脱水のために使用するエネルギー量をより低減することができる。
【００８５】
また、一部のプロセス基板Ｗあるいは塗膜上において、レジスト膜、有機膜、ＳＯＣ膜などの膜は、乾燥雰囲気下での回転塗布による塗膜形成では、塗膜にピンホールなどの異常を生じる可能性が考えられる。しかしながら、第２の実施の形態では、上記の塗膜形成を必ずしも乾燥雰囲気で実施する必要がないため、第１の実施の形態の場合と同様に塗膜形成の異常を回避できる。
【００８６】
また、第２の実施の形態では、脱水工程からＥＵＶ露光工程までの工程中、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気で維持される。このため、第１の実施の形態の場合と同様に塗布工程と露光工程とを別個の装置で行うオフライン作業の場合でも、塗布工程から露光工程までの間に待機時間が発生しても脱水工程後におけるプロセス基板Ｗ上の吸湿性膜での再度の吸湿が防止される。
【００８７】
さらに、第２の実施の形態では、ＥＵＶ露光装置３０Ｘとインライン接続された脱水装置１０Ｘにおいて露光工程の直前に脱水処理を行う。このため、塗布工程と露光工程とを別個の装置で行うオフライン作業の場合でも、第１の実施の形態の場合と異なり、脱水装置１０Ｘにプロセス基板を搬送する基板搬送ケース２０Ｘ内を必ずしも乾燥雰囲気に維持する必要がない。したがって、オフライン構造においても比較的簡略な機構で本実施の形態の効果を得ることが可能である。
【００８８】
このように、第２の実施の形態によれば、プロセス基板Ｗ上の吸湿性膜の脱水を効率的に行って、プロセス基板Ｗからの水分の蒸発に起因したＥＵＶ露光装置の光学系の損傷を確実に低減し、反射率の低下を防止することが可能となる。
【００８９】
以下、第２の実施の形態の変形例について説明する。上述した第２の実施の形態においてはオフライン接続構造のＥＵＶ露光システムについて説明したが、インライン接続構造のＥＵＶ露光システムを構成してもよい。この場合も、第２の実施の形態のオフライン接続構造のＥＵＶ露光システムと同様の効果が得られる。
【００９０】
図８は、第２の実施の形態の第１変形例にかかるＥＵＶ露光システムの構成を示す図である。第１変形例にかかるＥＵＶ露光システムは、塗布現像装置１Ｘと、脱水装置１０Ｘと、ＥＵＶ露光装置３０Ｘとを備える。また、ＰＥＢ装置４０Ｘの機能が、塗布現像装置１Ｘの中に組み込まれている。なお、ＰＥＢ装置４０Ｘの機能は、ＥＵＶ露光装置３０Ｘの中に組み込まれてもよい。図８における矢印は、処理対象である基板の流れを示している。
【００９１】
ここで、塗布現像装置１Ｘと脱水装置１０ＸとＥＵＶ露光装置３０Ｘとの間は接続されており、基板を装置外に搬出することなく次工程の装置に搬送することができる（インライン接続）。なお、上記の各装置の基本的な構成は、第１の実施の形態の場合と同じであるため、図１と同じ符号を付すことで詳細な説明は省略する。
【００９２】
図９は、第１変形例にかかるＥＵＶ露光システムを用いた基板の露光処理手順を説明するフロー図である。基板の露光手順は、有機膜の形成工程を省略していること、およびプロセス基板Ｗが基板搬送ケース２０Ｘを用いることなく装置間において受け渡されること以外は、上述した第２の実施の形態の場合と同様である。すなわち、この第１変形例では、レジストＰＡＢ工程（ＳＴ８）後に必要に応じて所定の温度制御工程が施されたプロセス基板Ｗは、基板搬送ケース２０Ｘを用いることなく塗布現像装置１Ｘから脱水装置１０Ｘに受け渡される。また、パージ工程（ＳＴ３３）の実施後、プロセス基板Ｗは、基板搬送ケース２０Ｘを用いることなくＥＵＶ露光装置３０Ｘから塗布現像装置１Ｘに受け渡される。なお、第１変形例においても、脱水工程（ＳＴ１２）からＥＵＶ露光工程（ＳＴ３２）までの工程は乾燥雰囲気で実施される。
【００９３】
上述したような第１変形例によっても、第２の実施の形態の場合と同様に、プロセス基板Ｗ上の吸湿性膜の脱水を効率的に行って、プロセス基板Ｗからの水分の蒸発に起因したＥＵＶ露光装置の光学系の損傷を確実に低減し、反射率の低下を防止することが可能となる。
【００９４】
図１０は、第２の実施の形態の第２変形例にかかるＥＵＶ露光システムを用いた基板の露光処理手順を説明するフロー図である。第２変形例にかかるＥＵＶ露光システムは、第１変形例にかかるＥＵＶ露光システムにおいて脱水装置１０Ｘの機能が塗布現像装置１Ｘの中に組み込まれた構成を有する。基板の露光手順は、ＰＡＢ工程（ＳＴ８）の終了後、必要に応じて温度制御工程が施されたプロセス基板Ｗに、塗布現像装置１Ｘ内において脱水工程（ＳＴ１２）が実施されること、脱水工程（ＳＴ１２）の実施後にプロセス基板Ｗが塗布現像装置１ＸからＥＵＶ露光装置３０Ｘに受け渡されること以外は、上述した、第１変形例の場合と同様である。なお、第２変形例においても、脱水工程（ＳＴ１２）からＥＵＶ露光工程（ＳＴ３２）までの工程は乾燥雰囲気で実施される。
【００９５】
上述したような第２変形例によっても、第２の実施の形態の場合と同様に、プロセス基板Ｗ上の吸湿性膜の脱水を効率的に行って、プロセス基板Ｗからの水分の蒸発に起因したＥＵＶ露光装置の光学系の損傷を確実に低減し、反射率の低下を防止することが可能となる。
【００９６】
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態では、第２の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムの構成において、脱水処理を減圧下において実施する例について説明する。図１１は、第３の実施の形態にかかる基板の露光処理手順を説明するフロー図である。以下では、第１の実施の形態の場合と同様に、半導体装置製造工程の中間工程の一つとして、吸湿性膜が形成されたプロセス基板Ｗに対してＥＵＶリソグラフィ工程によってレジストパターンを得た後に、該レジストパターンを加工マスクとして、プロセス基板Ｗを加工する一例を示す。基板の露光手順は、脱水処理を減圧下において実施すること以外は、上述した第２の実施の形態の場合と同様である。以下、第３の実施の形態にかかる脱水処理について説明する。
【００９７】
ＰＡＢ工程（ＳＴ８）が施されたプロセス基板Ｗに対して、必要に応じて所定の温度制御工程を実施する。そして、必要に応じて温度制御が施されたプロセス基板Ｗは、基板搬送ケース２０Ｘに収納されて塗布現像装置１Ｘから脱水装置１０Ｘへと搬送される（基板搬送工程、ＳＴ２１）。なお、脱水工程前の搬送時には、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気は乾燥雰囲気であることを要しない。したがって、本実施の形態における基板搬送工程（ＳＴ２１）では、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気は大気雰囲気でかまわない。但し、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気は、少なくとも塩基成分が低減された雰囲気であることが好ましい。
【００９８】
脱水装置１０Ｘへ搬送されたプロセス基板Ｗは、気圧調整部１６の圧力調整機能によって基板の周辺雰囲気が所定の圧力に減圧される第１減圧工程（ＳＴ１１）が実施される。脱水処理では、処理によって水が気化することから、真空度はＥＵＶ露光装置３０Ｘのメインチャンバーと同等にすることは効率的でなく、大気圧とメインチャンバーの圧力との間とすることが効率的である。したがって、この第１減圧工程（ＳＴ１１）における圧力は、ＥＵＶ露光工程（ＳＴ３２）における減圧雰囲気の圧力と大気圧との中間圧である。また、本実施の形態においては、第１減圧工程（ＳＴ１１）からＥＵＶ露光工程（ＳＴ３２）までの工程は乾燥雰囲気で実施される。
【００９９】
そして、プロセス基板Ｗは、気圧調整部１６のロードロック機構により、基板の周辺雰囲気が減圧雰囲気且つ乾燥雰囲気とされた状態で脱水処理部１２に受け渡される。脱水処理部１２では、基板の周辺雰囲気が減圧雰囲気且つ乾燥雰囲気とされた状態で、第１の実施の形態の場合と同様にして赤外線の照射による脱水工程（ＳＴ１２）が実施される。すなわち、プロセス基板Ｗに対して赤外線を照射することにより吸湿性膜を加熱して、該吸湿性膜に対して脱水処理を実施する。
【０１００】
赤外線としては、Ｈ２Ｏ構造、あるいはＯＨ結合に起因する吸収帯の波長を照射することが望ましい。これにより、水分を含んだ吸湿性膜をＳＯＣ膜およびＳＯＧ膜を選択的に加熱して脱水処理を行うことができる。また、減圧下で加熱、あるいは赤外線ランプ照射を実施することにより、ある程度の脱水速度の上昇が期待される。なお、脱水工程（ＳＴ１２）の後に、脱水雰囲気における増圧工程、或いは脱水工程と同水準の圧力における基板の保持工程が存在しても良い。なお、本実施の形態においても、ベーカーによる加熱工程により脱水処理を行ってもよい。
【０１０１】
脱水工程が施された吸湿性膜が露光工程までの間に再度吸湿することを防止する必要がある。このため、脱水工程が施されたプロセス基板Ｗは、該脱水工程から後述するＥＵＶ露光工程の間は乾燥雰囲気で保持される。したがって、本実施の形態においては、脱水工程からＥＵＶ露光工程までの工程は乾燥雰囲気で実施される。
【０１０２】
そして、脱水処理を実施されたプロセス基板Ｗは、脱水処理部１２のロードロック機構により、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が減圧雰囲気且つ乾燥雰囲気に維持された状態でＥＵＶ露光装置３０Ｘへと受け渡される。脱水処理部１２にロードロック機構を設けることで、脱水装置１０Ｘでプロセス基板Ｗから除去された水が、直接にＥＵＶ露光装置３０Ｘに入ることが防止できる。
【０１０３】
ＥＵＶ露光装置３０Ｘでは、プロセス基板Ｗの雰囲気を減圧雰囲気且つ乾燥雰囲気に維持した状態で、搬送部３１１がプロセス基板ＷをＥＵＶ露光装置３０Ｘ（気圧調整機構３１Ｘ）内に搬入する。気圧調整機構３１Ｘ内にプロセス基板Ｗが搬入されると、気圧調整部３１２により、プロセス基板Ｗの乾燥雰囲気をさらに減圧する第２減圧工程（ＳＴ３１−１）が実施される。そして、第１の実施の形態の場合と同様にして、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気に維持された状態でＥＵＶ露光装置３０ＸにおいてＥＵＶ露光工程（ＳＴ３２）が実施される。
【０１０４】
以降の工程は、第１の実施の形態の場合と同様にしてプロセス基板Ｗに対してパージ工程（ＳＴ３３）〜リンス工程（ＳＴ６２）が実施される。これにより、第１の実施の形態の場合と同様にプロセス基板Ｗ上に所望のレジストパターンが得られる。
【０１０５】
そして、得られたレジストパターンを加工マスクとして、第１の実施の形態の場合と同様にして一連のエッチング工程を実施後、ＳＯＣ膜パターンなどの除去工程を実施する。その後、当該ＥＵＶリソグラフィ工程を経たプロセス基板Ｗに対して、所定の行程処理を施し、所望の半導体装置を製造する。
【０１０６】
上述した第３の実施の形態では、第２の実施の形態の場合と同様にＥＵＶ露光工程の前に実施される脱水工程によってプロセス基板Ｗ上の吸湿性膜中の水分が除去される。そして、脱水工程からＥＵＶ露光工程までの工程中は、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気で維持される。このため、脱水工程後におけるプロセス基板Ｗ上の吸湿性膜での再度の吸湿が防止される。これにより、ＥＵＶ露光工程に持ち込むプロセス基板Ｗ中の水分を低減することができ、ＥＵＶ露光工程におけるプロセス基板Ｗからの水分の蒸発量を低減することができる。したがって、第３の実施の形態によれば、第２の実施の形態の場合と同様にＥＵＶ露光工程におけるプロセス基板Ｗからの水分の蒸発に起因したＥＵＶ露光装置の光学系の損傷を低減し、反射率の低下を防止することが可能となる。
【０１０７】
また、第３の実施の形態では、脱水工程において第２の実施の形態の場合と同様にプロセス基板Ｗに対してＨ２Ｏ構造、あるいはＯＨ結合に起因する吸収帯の波長の赤外線を照射する。これにより、吸湿性膜内の水分を選択的に加熱して脱水処理を行うことができ、効率的に吸湿性膜内の水分を脱水することができる。
【０１０８】
また、第３の実施の形態では、ＰＡＢ工程後であってＥＵＶ露光工程の直前に脱水工程を実施する。これにより、第２の実施の形態の場合と同様にＰＡＢ工程後に吸湿性膜が吸湿した水分についても、ＥＵＶ露光工程の前に脱水することができる。
【０１０９】
また、第３の実施の形態では、ＥＵＶ露光工程の直前に脱水工程を実施するため、第１の実施の形態の場合と比べてプロセス基板Ｗの周辺雰囲気を乾燥雰囲気に保持すべき期間を短縮することができるため、脱水のために使用するエネルギー量をより低減することができる。
【０１１０】
また、一部のプロセス基板Ｗあるいは塗膜上において、レジスト膜、有機膜、ＳＯＣ膜などの膜は、乾燥雰囲気下での回転塗布による塗膜形成では、塗膜にピンホールなどの異常を生じる可能性が考えられる。しかしながら、第３の実施の形態では、上記の塗膜形成を必ずしも乾燥雰囲気で実施する必要がないため、第２の実施の形態の場合と同様に塗膜形成の異常を回避できる。
【０１１１】
また、第３の実施の形態では、脱水工程からＥＵＶ露光工程までの工程中、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気で維持される。このため、塗布工程と露光工程とを別個の装置で行うオフライン作業の場合でも、塗布工程から露光工程までの間に待機時間が発生しても脱水工程後におけるプロセス基板Ｗ上の吸湿性膜での再度の吸湿が防止される。
【０１１２】
さらに、第３の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法では、ＥＵＶ露光装置３０Ｘとインライン接続された脱水装置１０Ｘにおいて露光工程の直前に脱水処理を行う。このため、塗布工程と露光工程とを別個の装置で行うオフライン作業の場合でも、第１の実施の形態の場合と異なり、脱水装置１０Ｘにプロセス基板を搬送する基板搬送ケース２０Ｘ内を必ずしも乾燥雰囲気に維持する必要がない。したがって、オフライン構造においても比較的簡略な機構で本実施の形態の効果を得ることが可能である。
【０１１３】
そして、第３の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法では、脱水工程の前に第１減圧工程を実施して、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が減圧された状態で脱水処理を行う。これにより、予めプロセス基板Ｗの周辺雰囲気中の水分を減らすことができるため、脱水速度の上昇が期待される。また、脱水装置１０ＸとＥＵＶ露光装置３０Ｘとの間にロードロック機構を設けることで、脱水装置１０Ｘでプロセス基板Ｗから除去された水が、直接にＥＵＶ露光装置３０Ｘに入ることが防止できる。
【０１１４】
このように、第３の実施の形態によれば、プロセス基板Ｗ上の吸湿性膜の脱水を効率的に行って、プロセス基板Ｗからの水分の蒸発に起因したＥＵＶ露光装置の光学系の損傷を確実に低減し、反射率の低下を防止することが可能となる。
【０１１５】
以下、第３の実施の形態の変形例について説明する。上述した第３の実施の形態においてはオフライン接続構造のＥＵＶ露光システムについて説明したが、インライン接続構造のＥＵＶ露光システムを構成してもよい。この場合も、第３の実施の形態のオフライン接続構造のＥＵＶ露光システムと同様の効果が得られる。
【０１１６】
第３の実施の形態の変形例にかかるＥＵＶ露光システムの構成は、第２の実施の形態の変形例にかかるＥＵＶ露光システムと同様であり、図８に示す構成となる。このため、詳細な説明は省略する。
【０１１７】
図１２は、第３の実施の形態の変形例にかかるＥＵＶ露光システムを用いた基板の露光処理手順を説明するフロー図である。基板の露光手順は、有機膜の形成工程を省略していること、およびプロセス基板Ｗが基板搬送ケース２０Ｘを用いることなく装置間において受け渡されること以外は、上述した第３の実施の形態の場合と同様である。すなわち、この変形例では、レジスト加熱工程（ＳＴ８、ＰＡＢ工程）後に必要に応じて所定の温度制御工程が施されたプロセス基板Ｗは、基板搬送ケース２０Ｘを用いることなく塗布現像装置１Ｘから脱水装置１０Ｘに受け渡される。また、パージ工程（ＳＴ３３）の実施後、プロセス基板Ｗは、基板搬送ケース２０Ｘを用いることなくＥＵＶ露光装置３０Ｘから塗布現像装置１Ｘに受け渡される。
【０１１８】
上述したような変形例によっても、第３の実施の形態の場合と同様に、プロセス基板Ｗ上の吸湿性膜の脱水を効率的に行って、プロセス基板Ｗからの水分の蒸発に起因したＥＵＶ露光装置の光学系の損傷を確実に低減し、反射率の低下を防止することが可能となる。
【０１１９】
（第４の実施の形態）
本発明の別形態としては、以下のような構成も考えられる。図１３は、第４の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムの構成を示す図である。第４の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムは、脱水装置１０Ｘと、塗布現像装置１Ｘと、ＥＵＶ露光装置３０Ｘとを備える。また、ＰＥＢ装置４０Ｘの機能が、塗布現像装置１Ｘの中に組み込まれている。図１３における矢印は、処理対象である基板の流れを示している。
【０１２０】
ここで、脱水装置１０Ｘと塗布現像装置１ＸとＥＵＶ露光装置３０Ｘとの間は接続されており、基板を装置外に搬出することなく次工程の装置に搬送することができる（インライン接続）。なお、上記の各装置の基本的な構成は、第１の実施の形態の場合と同じであるため、図１と同じ符号を付すことで詳細な説明は省略する。
【０１２１】
つぎに、第４の実施の形態にかかるＥＵＶ露光システムを用いた基板の露光処理手順について図１４を参照しながら説明する。図１４は、実施の形態４にかかるＥＵＶ露光システムを用いた基板の露光処理手順を説明するフロー図である。以下では、第１の実施の形態の場合と同様に、半導体装置製造工程の中間工程の一つとして、吸湿性膜が形成されたプロセス基板Ｗに対してＥＵＶリソグラフィ工程によってレジストパターンを得た後に、該レジストパターンを加工マスクとして、プロセス基板Ｗを加工する一例を示す。
【０１２２】
まず、吸湿性膜を含む所定の膜が形成されたプロセス基板Ｗに対して、脱水装置１０Ｘにおいて第１の実施の形態の場合と同様にして赤外線の照射による脱水工程（ＳＴ１２）が実施される。すなわち、プロセス基板Ｗに対して赤外線を照射することにより吸湿性膜を加熱して、該吸湿性膜に対する脱水処理を実施する。
【０１２３】
脱水工程が施された吸湿性膜が露光工程までの間に再度吸湿することを防止する必要がある。このため、脱水工程が施されたプロセス基板Ｗは、該脱水工程から後述するＥＵＶ露光工程の間は乾燥雰囲気で保持される。したがって、本実施の形態においては、脱水工（ＳＴ１２）程からＥＵＶ露光工程（ＳＴ３２）までの工程は乾燥雰囲気で実施される。なお、本実施の形態においても、ベーカーによる加熱工程により脱水処理を行ってもよい。
【０１２４】
つぎに、脱水処理が施されたプロセス基板Ｗは、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気に維持された状態で、基板搬送ケース２０Ｘを用いることなく脱水装置１０Ｘから塗布現像装置１Ｘへと受け渡される。そして、第１の実施の形態の場合と同様にして塗布現像装置１Ｘにおいて塗布処理が実施される。すなわち、塗布現像装置１Ｘにおいてプロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気に維持された状態で、プロセス基板Ｗに対してＳＯＣ塗布工程（ＳＴ１）〜レジスト加熱工程（ＳＴ８、ＰＡＢ工程）が実施される。
【０１２５】
つぎに、ＰＡＢ工程（ＳＴ８）が施されたプロセス基板Ｗは、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気に維持された状態で、基板搬送ケース２０Ｘを用いることなく塗布現像装置１ＸからＥＵＶ露光装置３０Ｘに受け渡される。そして、第１の実施の形態の場合と同様にして、ＥＵＶ露光装置３０Ｘにおいて減圧工程（ＳＴ３１）〜パージ工程（ＳＴ３３）が実施される。なお、パージ工程（ＳＴ３３）で増圧されるまでの間は、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気に維持される。
【０１２６】
以降の工程は、第１の実施の形態の場合と同様にしてプロセス基板Ｗに対してＰＥＢ工程（ＳＴ４１）〜リンス工程（ＳＴ６２）が実施される。これにより、第１の実施の形態の場合と同様にプロセス基板Ｗ上に所望のレジストパターンが得られる。
【０１２７】
そして、得られたレジストパターンを加工マスクとして、第１の実施の形態の場合と同様にして一連のエッチング工程を実施後、ＳＯＣ膜パターンなどの除去工程を実施する。その後、当該ＥＵＶリソグラフィ工程を経たプロセス基板Ｗに対して、所定の行程処理を施し、所望の半導体装置を製造する。
【０１２８】
上述した第４の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法では、第１の実施の形態の場合と同様にＥＵＶ露光工程の前に脱水工程でプロセス基板Ｗ上の吸湿性膜中の水分が除去される。そして、脱水工程からＥＵＶ露光工程までの間は、プロセス基板Ｗの周辺雰囲気が乾燥雰囲気で維持される。このため、脱水工程後におけるプロセス基板Ｗ上の吸湿性膜での再度の吸湿が防止される。これにより、ＥＵＶ露光工程に持ち込むプロセス基板Ｗ中の水分を低減することができ、ＥＵＶ露光工程におけるプロセス基板Ｗからの水分の蒸発量を低減することができる。したがって、第４の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法によれば、第１の実施の形態の場合と同様にＥＵＶ露光工程におけるプロセス基板Ｗからの水分の蒸発に起因したＥＵＶ露光装置の光学系の損傷を低減し、反射率の低下を防止することが可能となる。
【０１２９】
また、第４の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法では、脱水工程において、第１の実施の形態の場合と同様にプロセス基板Ｗに対してＨ２Ｏ構造、あるいはＯＨ結合に起因する吸収帯の波長の赤外線を照射する。これにより、吸湿性膜内の水分を選択的に加熱して脱水処理を行うことができ、効率的に吸湿性膜内の水分を脱水することができる。
【０１３０】
このように、第４の実施の形態によれば、プロセス基板Ｗ上の吸湿性膜の脱水を効率的に行って、プロセス基板Ｗからの水分の蒸発に起因したＥＵＶ露光装置の光学系の損傷を確実に低減し、反射率の低下を防止することが可能となる。
【符号の説明】
【０１３１】
１Ｘ  塗布現像装置、１０Ｘ  脱水装置、１１  搬送部、１２  脱水処理部、１３  乾ガス供給部、１４  ガス排出部、１５  温調部、１６  気圧調整部、１７  制御部、２０Ｘ  基板搬送ケース、３０Ｘ  ＥＵＶ露光装置、３１Ｘ  気圧調整機構、３２Ｘ  露光機構、３３  制御部、４０Ｘ  露光後加熱（ＰＥＢ）装置、３１１  搬送部、３１２  気圧調整部、３２１  搬送部、３２２  露光部、３２３  温調部、Ｗ  プロセス基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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