(57)【要約】  【課題】  上面の平坦性に優れた多層配線基板、およびその製造方法を提供する。  【解決手段】  複数の樹脂絶縁層１と複数の薄膜導体層２とが交互に積層され、樹脂絶縁層１に形成された貫通導体３を介して上下の薄膜導体層２同士が電気的に接続されてなる多層配線基板であって、薄膜導体層２は、上側に積層された樹脂絶縁層１の下面に薄膜導体層２と同じパターンで形成された溝部４内に収まっており、貫通導体３は、側面の下部の一部が溝部４の内側面に沿って露出するように樹脂絶縁層１を厚み方向に貫通して形成されており、貫通導体３の溝部４内に露出した側面の下部の一部と薄膜導体層２の側面とが接触して、貫通導体３と薄膜導体層２とが電気的に接続されている多層配線基板である。薄膜導体層２が溝部４内に収まり、貫通導体３の側面が薄膜導体層２の側面に接しているため、上側の樹脂絶縁層１の変形を抑制し、平坦性を向上できる。【選択図】  図１
2011134827.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂材料からなる複数の樹脂絶縁層と複数の薄膜導体層とが交互に積層され、前記樹脂絶縁層に形成された貫通導体を介して上下の前記薄膜導体層同士が電気的に接続されてなる多層配線基板であって、前記薄膜導体層は、上側に積層された前記樹脂絶縁層の下面に前記薄膜導体層と同じパターンで形成された溝部内に収まっており、前記貫通導体は、側面の下部の一部が前記溝部の内側面に沿って露出するように前記樹脂絶縁層を厚み方向に貫通して形成されており、該貫通導体の前記溝部内に露出した前記側面の下部の一部と前記薄膜導体層の側面とが接触して、前記貫通導体と前記薄膜導体層とが電気的に接続されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
熱可塑性樹脂材料からなる第１の樹脂絶縁層を準備し、該第１の樹脂絶縁層の上面に薄膜導体層を形成する工程と、
熱可塑性樹脂材料からなる第２の樹脂絶縁層を準備し、該第２の樹脂絶縁層の下面に前記薄膜導体層と同じパターンで溝部を形成する工程と、
外周の一部が前記溝部の内側面と重なる位置に、前記第２の樹脂絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔を形成し、該貫通孔内に、側面の下部の一部が前記溝部の内側面に沿って露出するように貫通導体を配置する工程と、
前記第２の樹脂絶縁層を前記第１の樹脂絶縁層の上面に、前記溝部内に前記薄膜導体層が収まるとともに、前記貫通導体の前記溝部内に露出した前記側面の下部の一部を前記薄膜導体層の側面に接触させるように積層し、該積層体を加熱しながら加圧する工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の樹脂絶縁層と複数の薄膜導体層とが交互に積層されてなる多層配線基板およびその製造方法に関するものであり、特に上面等の表面の平坦性に優れた多層配線基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子を上面の端子に接続し、この端子と電気的に接続された下面の接続パッドを外部電気回路に電気的に接続するための多層配線基板として、複数の樹脂絶縁層と複数の薄膜導体層とが交互に積層されてなる多層配線基板が知られている。このような多層配線基板は、例えば、半導体素子の電気的なチェックを行なう、いわゆるプローブカード用の基板として用いられている。
【０００３】
薄膜導体層は、多層配線基板の下面および上面に一部が露出するように形成されており、上面に露出した部分が半導体素子の電極と、例えばこの薄膜導体層に接合されたプローブを介して電気的に接続され、下面に露出した部分が電気特性測定用の装置等の外部電気回路基板に電気的に接続される。そして、半導体素子の電極と外部電気回路とが、プローブと薄膜導体層と貫通導体とを介して電気的に接続され、半導体素子の動作確認などの検査が行なわれる。
【０００４】
このような多層配線基板は、一般に、まず、エポキシ樹脂等の樹脂材料をシート状に成形して樹脂絶縁層を形成し、次に、その樹脂絶縁層の主面にスパッタリング法やめっき法等の方法でチタンや銅，金等からなる薄膜導体層を被着させるとともに、必要に応じてこの薄膜導体層にフォトリソグラフ法やエッチング法等のパターン形成技術を適用して所定のパターンとし、その後、この薄膜導体層が被着された樹脂絶縁層の上に他の樹脂絶縁層を積層するという各工程を繰り返すことによって製作されている。多層配線基板の層数は、この工程の繰り返しの回数に応じて調整し、必要な層数に積層した後、この積層体を加圧して各層間を密着させるようにしている。
【０００５】
また、最下層の樹脂絶縁層の下側に、多層配線基板としての剛性の確保等のために、セラミック多層配線基板を接合する場合もある。この場合には、セラミック多層配線基板の配線導体が多層配線基板の薄膜配線導体と電気的に接続され、このセラミック多層配線基板の配線導体と外部電気回路とを電気的に接続することで、半導体素子と外部電気回路とを電気的に接続させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開2004−253512
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このような多層配線基板およびその製造方法においては、薄膜配線導体が形成されている部分で、薄膜配線導体層の厚みの影響を受けて、その上に積層される樹脂絶縁層が凸状に変形しやすいという問題点があった。
【０００８】
このように樹脂絶縁層の一部が凸状に変形した場合には、最上層の樹脂絶縁層にも変形が生じ、多層配線基板の上面の平坦性が低くなる可能性がある。そして、多層配線基板の上面の平坦性が低くなってしまうと、例えば、その上面の複数の薄膜配線導体を、プローブを介して半導体素子の複数の電極にそれぞれ電気的に接続させることが難しくなってしまうという不具合を生じる。
【０００９】
本発明は上記従来の技術の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、上面の平坦性に優れた多層配線基板、およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の多層配線基板は、熱可塑性樹脂材料からなる複数の樹脂絶縁層と複数の薄膜導体層とが交互に積層され、前記樹脂絶縁層に形成された貫通導体を介して上下の前記薄膜導体層同士が電気的に接続されてなる多層配線基板であって、前記薄膜導体層は、上側に積層された前記樹脂絶縁層の下面に前記薄膜導体層と同じパターンで形成された溝部内に収まっており、前記貫通導体は、側面の下部の一部が前記溝部の内側面に沿って露出するように前記樹脂絶縁層を厚み方向に貫通して形成されており、該貫通導体の前記溝部内に露出した前記側面の下部の一部と前記薄膜導体層の側面とが接触して、前記貫通導体と前記薄膜導体層とが電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の多層配線基板の製造方法は、熱可塑性樹脂材料からなる第１の樹脂絶縁層を準備し、該第１の樹脂絶縁層の上面に薄膜導体層を形成する工程と、
熱可塑性樹脂材料からなる第２の樹脂絶縁層を準備し、該第２の樹脂絶縁層の下面に前記薄膜導体層と同じパターンで溝部を形成する工程と、
外周の一部が前記溝部の内側面と重なる位置に、前記第２の樹脂絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔を形成し、該貫通孔内に、側面の下部の一部が前記溝部の内側面に沿って露出するように貫通導体を配置する工程と、
前記第２の樹脂絶縁層を前記第１の樹脂絶縁層の上面に、前記溝部内に前記薄膜導体層が収まるとともに、前記貫通導体の前記溝部内に露出した前記側面の下部の一部を前記薄膜導体層の側面に接触させるように積層し、該積層体を加熱しながら加圧する工程とを含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の多層配線基板によれば、薄膜導体層は、上側に積層された前記樹脂絶縁層の下面に前記薄膜導体層と同じパターンで形成された溝部内に収まっていることから、薄膜導体層の厚みの影響を、その上の樹脂絶縁層が受けることは効果的に抑制される。
【００１３】
また、貫通導体は、側面の下部の一部が溝部の内側面に沿って露出するように樹脂絶縁層を厚み方向に貫通して形成されており、その貫通導体の溝部内に露出した側面の下部の一部と薄膜導体層の側面とが接触して、貫通導体と薄膜導体層とが電気的に接続されていることから、貫通導体の下端が薄膜配線導体と接しているときに比べて、例えば加圧時に貫通導体の下部が薄膜配線導体と接する方向に延びることによって、貫通導体の上端が樹脂絶縁層の上面よりも高くなってしまうようなことも効果的に抑制することができる。そのため、貫通導体が形成されている部分で、その上側の薄膜導体層や、さらにその上の樹脂絶縁層の一部が凸状に変形するようなことも効果的に抑制することができる。
【００１４】
本発明の多層配線基板の製造方法によれば、上記各工程を含み、その下側の第１の樹脂絶縁層の上面に形成した薄膜配線導体層を第２の樹脂絶縁層の下面に薄膜導体層と同じパターンで形成した溝部に収めて、第１の樹脂絶縁層に第２の樹脂絶縁層を積層するようにしたことから、第１の樹脂絶縁層の上面の薄膜配線導体の厚みの影響を、その上の第２の樹脂絶縁層が受けることを効果的に抑制して、積層することができる。
【００１５】
また、上記構成のように第２の樹脂絶縁層に貫通導体を配置するとともに、貫通導体の側面の下部の一部を薄膜導体層の側面に接触させるように積層して、この積層体を加熱しながら加圧するようにしたことから、つまり、貫通導体の側面の下部の一部が薄膜配線導体の側面に接するように配置した貫通導体について、加熱および加圧によって溝部内の薄膜配線導体の側面側に延びて変形できるようにしたことから、加圧によって厚み方向に縮む樹脂絶縁層の上面に比べて貫通導体の上面の方が高くなるようなことも効果的に抑制することができる。そのため、貫通導体が形成されている部分で、その上側の薄膜配線導体層や、さらにその上の樹脂絶縁層の一部が凸状に変形するようなことも効果的に抑制しながら、多層配線基板を製作することができる。
【００１６】
したがって、本発明の多層配線基板およびその製造方法によれば、上面の平坦性に優れた多層配線基板、およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明の多層配線基板の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図３】図２（ｄ）に示す工程における要部を上側から見た状態を示す要部拡大上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の多層配線基板を添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１９】
図１は本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。図１において、１は樹脂絶縁層，２は薄膜導体層，３は貫通導体，４は溝部である。複数の樹脂絶縁層１と複数の薄膜導体層２とが交互に積層され、樹脂絶縁層１に形成された貫通導体３を介して上下の薄膜導体層２同士が電気的に接続されて多層配線基板が基本的に構成されている。
【００２０】
なお、この図１に示す例においては、最下層の樹脂絶縁層１の下面にセラミック配線基板６を接合している。セラミック配線基板６は、多層配線基板の剛性等の特性を向上させるためのものであり、上面から下面にかけて配線導体（図示せず）が形成されている。
【００２１】
そして、多層配線基板の上面の薄膜配線導体２が半導体素子（図示せず）の電極とプローブ等を介して電気的に接続され、セラミック配線基板の下面に位置する配線導体（多層配線基板の薄膜配線導体２と電気的に接続されたもの）が電気特性測定用の装置等の外部電気回路に電気的に接続される。これにより、半導体素子の電極と外部電気回路とが、プローブと薄膜導体層２と貫通導体３と配線導体とを介して電気的に接続され、半導体素子の動作確認などの検査が行なわれる。
【００２２】
それぞれの絶縁層１は、例えば平面視で１辺の寸法または直径が25ｍｍ〜300ｍｍ程度の四角形状や円形状である。また、図１に示す例において、平面視でそれぞれの外形寸法および形状は同様であり、多層配線基板の外側面に凹凸が生じないように積層されている。なお、多層配線基板の下面に接合されているセラミック基板６も、平面視で絶縁層１と同様の外形寸法および形状である。
【００２３】
つまり、多層配線基板は、例えば全体が四角板状や円板状等であり、上面が、実装や電気チェックを行なう半導体素子（図示せず）を搭載（半導体素子に対して電気的なチェックを施すための一時的な載置、または半導体素子を多層配線基板に電気的および機械的に接続して半導体装置とするための実装）するための部位として使用される。半導体素子としては、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路素子や、半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等が挙げられる。
【００２４】
絶縁層１は、例えば、厚みが25〜100μｍ程度であり、ポリイミド樹脂やポリアミドイミド樹脂，ポリエーテルエーテルケトン樹脂，液晶ポリマー樹脂等の熱可塑性樹脂材料からなり、この樹脂材料をフィルム状に成形することによって作製されている。
【００２５】
また、この多層配線基板は、下面（図１に示す例では下面に接合したセラミック配線基板６の下面）側が外部電気回路（図示せず）と対向して、外部電気回路の端子等の所定部位と電気的に接続される部位となる。
【００２６】
多層配線基板の下面の薄膜導体層２とセラミック配線基板の配線導体を介して電気的に接続される外部電気回路と、上面の薄膜導体層２に電気的に接続される半導体素子の電極とが、薄膜配線導体２，貫通導体３およびセラミック基板６の配線導体からなる導電路を介して電気的に接続される。そして、半導体素子と外部電気回路とが多層配線基板を介して電気的に接続され、各種の信号の授受や半導体素子に対する電気的な検査等が行なわれる。
【００２７】
つまり、薄膜導体層２および貫通導体３は、半導体素子と外部電気回路とを電気的に接続する導電路の一部として機能する。薄膜導体層２は、回路状のパターンや、四角形状や円形状等のパッド状のパターン等であり、例えば線幅が20〜50μｍで厚みが３〜18μｍ程度の回路状のパターンで形成されている。また、貫通導体３は、平面視で円形状や楕円形状等であり、例えば、直径が30〜100μｍ程度の円形状に形成されている。
【００２８】
薄膜導体層２は、例えばチタンやクロム，銅，銀，パラジウム，金，白金等の金属材料からなる。薄膜導体層２は、例えば、チタンや銅等の金属材料をスパッタリング法や蒸着法，めっき法等の方法で絶縁層１の表面に被着させることにより形成することができる。
【００２９】
また、貫通導体３は、錫−銀系や錫−銀−銅系等のはんだ等の金属材料によって形成されている。貫通導体３は、例えば錫−銀系はんだからなる場合であれば、絶縁層１にドリル加工やレーザ加工等の方法で貫通孔５を形成しておいて、この貫通孔５内にはんだのペーストを充填する方法で形成することができる。
【００３０】
本発明の多層配線基板において、薄膜導体層２は、上側に積層された樹脂絶縁層１の下面に薄膜導体層２と同じパターンで形成された溝部４内に収まっており、貫通導体３は、側面の下部の一部が溝部４の内側面に沿って露出するように樹脂絶縁層１を厚み方向に貫通して形成されており、貫通導体３の溝部４内に露出した側面の下部の一部と薄膜導体層２の側面とが接触して、貫通導体３と薄膜導体層２とが電気的に接続されている。
【００３１】
このような多層配線基板によれば、薄膜導体層２が、上側に積層された樹脂絶縁層１の下面に薄膜導体層２と同じパターンで形成された溝部４内に収まっていることから、薄膜導体層２の厚みの影響を、その上の樹脂絶縁層１が受けることは効果的に抑制される。
【００３２】
また、貫通導体３は、側面の下部の一部が溝部４の内側面に沿って露出するように樹脂絶縁層１を厚み方向に貫通して形成されており、その貫通導体３の溝部４内に露出した側面の下部の一部と薄膜導体層２の側面とが接触して、貫通導体３と薄膜導体層２とが電気的に接続されていることから、貫通導体３の下端が薄膜配線導体と接しているとき（図示せず）に比べて、例えば加圧時に貫通導体３の下部が薄膜配線導体３と接する方向に延びることによって、貫通導体３の上端が樹脂絶縁層１の上面よりも高くなってしまうようなことも効果的に抑制することができる。そのため、貫通導体３が形成されている部分で、その上側の薄膜導体層２や、さらにその上の樹脂絶縁層１の一部が凸状に変形するようなことも効果的に抑制することができる。したがって、本発明の多層配線基板によれば、上面の平坦性に優れた多層配線基板を提供することができる。
【００３３】
このような溝部４は、例えば、樹脂絶縁層１の表面に、エッチング法等の方法で薄膜導体層と同様の形状に加工した金属板（図示せず）を押し付けて凹ませる方法で形成することができる。また、樹脂絶縁層１の表面に薄膜導体層２と同じパターンで開口を設けるようにマスク材（図示せず）をセットしておいて、エッチング加工を施して樹脂絶縁層１の表面部分を一定の深さで、薄膜導体層２と同じパターンで除去する方法等によっても、溝部４を形成することができる。
【００３４】
貫通導体３は、前述したように樹脂絶縁層１に形成した貫通孔５内にはんだ等の導体を充填することにより形成されているが、この貫通導体３の側面の下部の一部を、溝部４の内側面に沿って露出させるようにしておく必要がある。このような貫通導体３は、貫通孔５について、その側面の一部が溝部４の内側面と重なるようにしておけば、形成することができる。つまり、溝部４の内側面と重なる部分において、貫通孔５内に充填した導体（貫通導体３）が溝部４内に露出する。このような貫通孔５内への導体の充填方法については後に詳しく説明する。
【００３５】
次に、本発明の多層配線基板の製造方法について、図２（ａ）〜（ｄ）を参照しつつ説明する。図２（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明の多層配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。図２において図１と同様の部位には同様の符号を付している。
【００３６】
まず、図２（ａ）に示すように、熱可塑性樹脂材料からなる第１の樹脂絶縁層１ａを準備し、この第１の樹脂絶縁層１ａの上面に薄膜導体層２を形成する。熱可塑性樹脂材料としては、前述したような各種の熱可塑性樹脂を用いることができる。
【００３７】
また、薄膜導体層２は、前述したようにチタンやクロム，銅，銀，パラジウム，金，白金等の金属材料からなる。薄膜導体層２は、例えば、まずチタン等の金属材料を密着層（図示せず）としてスパッタリング法で第１の樹脂絶縁層１ａの表面に１μｍ程度の厚みで被着させ、その後、密着層の表面に銅や金等の金属材料を導体層（図示せず）としてスパッタリング法やめっき法で３〜18μｍ程度の厚みで被着させることによって形成することができる。
【００３８】
次に、図２（ｂ）に示すように、熱可塑性樹脂材料からなる第２の樹脂絶縁層１ｂを準備し、この第２の樹脂絶縁層１ｂの下面に薄膜導体層２と同じパターンで溝部４を形成する。
【００３９】
溝部４は、後の工程で薄膜導体層２を内側に収めるためのものであるため、薄膜導体層２と同じパターンで形成する必要がある。また、溝部４は、薄膜導体層２を収めるのを容易とするためには、薄膜導体層２よりも大きく（外形寸法および深さを大きく）しておくようにすればよい。例えば、薄膜導体層２が線幅約20μｍで高さが約18μｍの線状のパターンの場合であれば、溝部４は、線幅約25μｍで深さが約18μｍの線状の溝とすればよい。
【００４０】
このような溝部４は、例えば、前述したように、樹脂絶縁層１の表面（第２の樹脂絶縁層１ｂの下面）に、エッチング法等の方法で薄膜導体層２と同様の形状に加工したアルミ合金、鋼材等の金属板を押し付けて凹ませる方法で形成することができる。また、樹脂絶縁層１の表面（第２の樹脂絶縁層１ｂの下面）に薄膜導体層２と同じパターンで開口を設けるようにマスク材をセットしておいて、エッチング加工を施して樹脂絶縁層１の表面（第２の樹脂絶縁層１ｂの下面）部分を一定の深さで、薄膜導体層２と同じパターンで除去する方法等によっても、溝部４を形成することができる。このエッチング加工は、例えばプラズマを用いたドライエッチングで行なう。
【００４１】
次に、図２（ｃ）に示すように、外周の一部が溝部４の内側面と重なる位置に、第２の樹脂絶縁層１ｂを厚み方向に貫通する貫通孔５を形成し、この貫通孔５内に、側面の下部の一部が溝部４の内側面に沿って露出するように貫通導体３を配置する。
【００４２】
貫通孔５は、例えば絶縁層２にドリル加工やレーザ加工等の孔あけ加工を施すことによって形成することができる。この貫通孔５は、その内側に配置する貫通導体３の側面の下部の一部を溝部４内に露出させる必要があるため、外周の一部が溝部４の内側面と重なる位置に形成する必要がある。
【００４３】
貫通孔５と溝部４との重なる範囲については、貫通孔５の寸法や溝部４の形状および寸法等に応じて適宜設定すればよい。例えば、貫通孔５が直径約30〜100μｍ程度の円形状の場合であれば、平面視で、その円周の約50％以下程度の範囲が溝部４と重なる位置に形成すればよい。
【００４４】
貫通導体３は、前述したように錫−銀系等のはんだ等の金属材料によって形成されている。このような貫通導体３は、例えば錫−銀系はんだのペーストを貫通孔５内にスクリーン印刷法等の方法で充填することによって貫通孔５内に配置することができる。
【００４５】
この工程において、積層時の熱可塑性樹脂の収縮体積（厚みの10％程度）分の体積の貫通導体３の一部が薄膜導体層２と接する方向に伸びることで、貫通導体３の上層部が平坦化する。なお、貫通孔５の外周の一部が溝部４の内側面と重なっている、つまり貫通孔５の外周の下部の一部において内側面が途切れている貫通孔５内に貫通導体３となる金属材料を充填する際には、例えば溝部４の内部に、貫通孔５の外周に相当する部分に沿ってレジスト材を充填しておいて、貫通導体３となるはんだペーストが溝部４内に余計に広がってしまわないようにすればよい。
【００４６】
そして、図２（ｄ）に示すように、第２の樹脂絶縁層１ｂを第１の樹脂絶縁層１ａの上面に、溝部４内に薄膜導体層２が収まるとともに、貫通導体３の溝部４内に露出した側面の下部の一部を薄膜導体層２の側面に接触させるように積層し、この積層体（符号なし）を加熱しながら加圧する。
【００４７】
溝部４内に薄膜導体層２を収めるための位置合わせは、例えば、第１の樹脂絶縁層１ａおよび第２の樹脂絶縁層１ｂそれぞれの外周の形状および寸法を揃えておいて、この外周の位置を一致させるように積層することによって行なうことができる。
【００４８】
溝部４内において、収められた薄膜導体層２と貫通孔５および貫通導体３の状態の一例を図３に示す。図３は、  図２（ｄ）に示す工程における要部を上側から見た状態を示す要部拡大上面図である。図３において図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００４９】
積層体に対する加熱および加圧は、上下の第１および第２の樹脂絶縁層１ａ，１ｂの間を密着させるとともに、薄膜導体層２に比べて大きく形成しておいた溝部４の内側面を薄膜導体層２に密着させるための加工である。
【００５０】
例えば、第１および第２の樹脂絶縁層１ａ，１ｂが厚み25μｍ程度の、液晶ポリマー樹脂からなる場合であり、溝部４の内側面と薄膜導体層２との間の隙間が10μｍ程度の場合であれば、加圧の条件としては、２〜４ＭＰａ程度が適当であり、加熱の条件としては２60〜300℃で５〜60分程度が適当である。
【００５１】
なお、以上の各工程は、２層分の樹脂絶縁層１（第１および第２の樹脂絶縁層１ａ，１ｂ）のみを示すものであり、これらの工程を繰り返すことによって３層以上の樹脂絶縁層１からなる多層配線基板を製作することができる。この場合には、全ての樹脂絶縁層１および薄膜導体層２の積層を終えてから、その積層体の全体にまとめて加熱しながら加圧する加工を行なうようにすれば、多層配線基板の生産性を高める上で有利である。
【００５２】
また、最上層の薄膜導体層２に被着される薄膜導体層２、つまり多層配線基板の上面の薄膜導体層２については、その露出表面を金めっき層で被覆して、酸化の抑制やプローブピンの接続性の向上等を図るようにしてもよい。
【実施例】
【００５３】
多層配線基板に接続される端子が、50×50個の縦横の並びで、互いの隣接間隔が１ｍｍとして樹脂絶縁基板の上面に配列された回路基板と、シリコン基板の下面に電極が、50×50個の縦横の並びで、互いの隣接間隔が0.2ｍｍとして配列された半導体集積回路素子とを電気的に接続するための多層配線基板として、本発明の多層配線基板における１実施例の多層配線基板と、比較例としての従来技術による多層配線基板とを作製し、それぞれの上面の平坦度を測定して比較した。
【００５４】
実施例の多層配線基板は液晶ポリマー樹脂からなる厚さ25μｍで、１辺の寸法が76ｍｍの正方形状の樹脂絶縁層を10層積層して作製した。この樹脂絶縁層と交互に積層した薄膜導体層は、厚みが12μｍの銅からなる導体層とによって形成し、その上側に積層した樹脂絶縁層の下面にあらかじめプラズマを用いたドライエッチングによって形成しておいた溝部内に収めるようにした。また、貫通導体は、樹脂絶縁層に形成した直径約50μｍの円形状の貫通孔内に錫−銀はんだを配置して形成した。
【００５５】
比較例の多層配線基板は、樹脂絶縁層の材料および寸法、ならびに薄膜配線導体層および貫通導体の材料を上記実施例の多層配線基板と同様にして作製した。この比較例の多層配線基板においては、樹脂絶縁層には溝部は形成せず、薄膜配線導体に対する貫通導体の接続は、下層の薄膜配線導体の位置で樹脂絶縁層を厚み方向に貫通する貫通導体を形成し、この貫通導体の下端を薄膜配線導体と接続する従来の技術によって行なった。
【００５６】
これらの実施例および比較例の多層配線基板について、その上面の平坦度を表面粗さ計で測定した。その結果、実施例の多層配線基板では最大表面粗さＲｍａｘが13μｍ以下であったのに対し、比較例の多層配線基板ではＲｍａｘが37μｍ程度であった。
【００５７】
以上のように、本発明の多層配線基板においては、上面の平坦性を効果的に向上させることができることが確認できた。
【符号の説明】
【００５８】
１・・・樹脂絶縁層
１ａ・・第１の樹脂絶縁層
１ｂ・・第２の樹脂絶縁層
２・・・薄膜導体層
３・・・貫通導体
４・・・溝部
５・・・貫通孔
６・・・セラミック配線基板
【図１】
2011134827.tif 000003
【図２】
2011134827.tif 000004
【図３】
2011134827.tif 000005