(57)【要約】【課題】放射線検出パネルを用いた利便性が高く、高精度の放射線画像データが得られる放射線撮像装置。【解決手段】電子カセッテ１０は、パネルユニット１４Ｂ、１４Ｃがヒンジ６４により連結され、パネルユニット１４Ａ、１４Ｂがヒンジ６６により連結されている。パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃには、開状態で放射線検出パネル２０の第１面７２が同一方向へ向けられて収容され、電子カセッテでは、閉状態でパネルユニット１４Ａ、１４Ｃの放射線検出パネルの第２面が同一方向へ向き、パネルユニット１４Ｃのエネルギー変換用フィルタ８４が、パネルユニット１４Ａ、１４Ｂの間に配置される。これにより、電子カセッテでは、開状態での撮像が可能であると共に、閉状態でエネルギーサブストラクション法に用いる放射線画像データが得られ、また、放熱効率の向上が図られ、放射線検出パネルが制御ユニットから発せられる熱の影響を受けてしまうのが抑えられる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線検出パネル及び複数の放射線検出パネルを制御する制御部を有する第１のパネルユニットと、
それぞれが前記制御部に制御される放射線検出パネルを有し、それぞれの一辺が前記第１のパネルユニットの異なる辺に、該辺を軸に回動可能に連結された第２のパネルユニット及び第３のパネルユニットと、
を含む放射線撮像装置。
【請求項２】
一方の面に放射線検出パネルの一方の面が向けられて該放射線検出パネルが収容された第１のパネルユニット、第２のパネルユニット及び第３のパネルユニットと、
前記第１のパネルユニットの一端部と前記第２のパネルユニットの一端部を、前記第１のパネルユニットの一方の面と前記第２のパネルユニットの一方の面とが対向する閉状態、及び前記第１のパネルユニットの一方の面と前記第２のパネルユニットの一方の面とが同一方向へ向けられた開状態の２つの状態となるように回動可能に連結する第１の連結部材と、
前記第１のパネルユニットの前記一端部と異なる端部と前記第３のパネルユニットの一端部を、前記第１のパネルユニットの一方の面と前記第３のパネルユニットの一方の面とが対向する閉状態、及び前記第１のパネルユニットの一方の面と前記第３のパネルユニットの一方の面とが同一方向へ向けられた開状態の２つの状態となるように回動可能に連結すると共に、前記第１のパネルユニット及び前記第２のパネルユニットの前記閉状態でかつ、第１のパネルユニット及び前記第３のパネルユニットの前記閉状態では、前記第２のパネルユニットの他方の面に前記第３のパネルの一方の面が対向されるように連結する第２の連結部材と、
前記第１のパネルユニット及び前記第２のパネルユニットの前記閉状態で、かつ、前記第１のパネルユニット及び前記第３のパネルユニットの前記閉状態であるときに、前記第２のパネルユニットと前記第３のパネルユニットとの間に配置されて、入射される放射線から所定のエネルギー成分を吸収するフィルタ部材と、
を含む請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
制御部及びが電源部により構成される制御ユニットを含み、
前記第１のパネルユニット内で、第１のパネルユニットに収容された前記放射線検出パネルの他方の面側となる位置に前記制御ユニットが収容された、
請求項２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記第１のパネルユニット内の前記放射線検出パネルと前記制御ユニットとの間に、撮像時におけるバック散乱を防止する平板状の放射線吸収部材を含む、
請求項３に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
制御部及びが電源部により構成される制御ユニットを有し、該制御ユニットが、前記第１及び第２の連結部材内に収容される、
請求項２に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記第１の連結部材が、箱体形状に形成されて前記制御ユニットの前記制御部又は前記電源部の一方を収容する本体と、該本体に前記第１及び第２のパネルユニットを回動可能に連結する連結部とを含み、
前記第２の連結部材が、箱体形状に形成されて前記制御ユニットの前記制御部又は前記電源部の他方を収容する本体と、を含む、
請求項５に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記第１、第２及び第３のパネルユニットが、開状態で前記第１の連結部材の前記本体及び、前記第２の連結部材の前記本体に支持される、
請求項６に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
前記第３のパネルユニットの他方の面に、撮像時の撮像対象による散乱線を除去する平板状のグリッドが設けられた、
請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
前記放射線検出パネルは、放射線を光に変換するシンチレータで放射線を光に変換し、当該光により表わされる放射線画像を示す電気信号を出力するものとし、
前記シンチレータは、蛍光体材料の柱状結晶を含んで構成された
請求項１〜請求項８の何れか１項記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
前記蛍光体材料を、ＣｓＩとした
請求項９に記載の放射線撮像装置。
【請求項１１】
前記放射線検出パネルは、絶縁性の基板上に、前記シンチレータで変換された光を受光することにより電荷が発生するセンサ部、および当該センサ部で発生された電荷を読み出すための薄膜トランジスタが形成され、
前記センサ部は、有機光電変換材料を含んで構成され、
前記薄膜トランジスタの活性層は、非晶質酸化物又は有機半導体材料又はカーボンナノチューブを含んで構成され、
前記基板は、プラスチックにより形成された
請求項９又は請求項１０に記載の放射線撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線撮像装置に係り、詳細には、放射線検出パネルを備えたに放射線撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリックス基板上に放射線感応層を配置し、照射されたＸ線等の放射線を検出し、照射放射線量の分布を表す放射線画像のデータへ直接変換して出力するＦＤＰ（Flat Panel Detector）が実用化されている。このＦＤＰ等のパネル型の放射線検出器と、画像メモリを含む制御部及び電源部を内蔵し、放射線検出器から出力される放射線画像データを画像メモリへ記憶する放射線撮像装置（以下、電子カセッテともいう）も実用化されている。
【０００３】
例えば、電子カセッテでは、被検者をストレッチャーやベッドに載せたまま撮影できると共に、被検者に対する電子カセッテの配置位置を変更することで、撮像部位の調整も容易であるため、動作が制限されている被検者を撮影する場合にも、柔軟に対処することができる。
【０００４】
このような電子カセッテに関連して、例えば、特許文献１では、光電変換素子をマトリックス状に配置した２枚の平面センサを、互いの一辺で連結することにより開閉可能とすることにより、平面センサの面積の確保と保管性・可搬性を確保するように提案している。また、特許文献２では、放射線検出器を有するカセッテと、放射線検出器を制御する制御ユニットと、を着脱可能とすることにより軽量化を図るように提案している。
【０００５】
一方、同一の被写体に対して、高エネルギー成分の放射線画像と低エネルギー成分の放射線画像を用いることにより、被写体の特定の構造物を強調するエネルギーサブストラクション法がある。この技術において、特許文献３及び特許文献４では、放射線の低エネルギー成分吸収物質を含むフィルタ（放射線エネルギー分離フィルタなど）を用い、２枚のディテクタの間や、輝尽発光により放射線画像を取得可能とする２枚の蓄積性蛍光体シートの間に該当フィルタを配置して、１ショットエネルギーサブストラクションを行う構成が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３３９６８７号公報
【特許文献２】特開２００９−８０１０３号公報
【特許文献３】特開２００１−２９９７３３号公報
【特許文献４】特開２００４−２６４５４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＦＰＤなどを用いたパネル状の放射線検出パネルでは、ＴＦＴアクティブマトリックス基板（以下、ＴＦＴ基板ともいう）の一方の面に、放射線−電荷変換或いは、放射線−光−電荷変換を行う光電変換層などの放射線変換層を設け、放射線変換層で発生された電荷を収集する構成となっている。このような、放射線検出パネルでは、通常、放射線変換層側から照射された放射線に応じた放射線画像データを得るようにしているが、ＴＦＴ基板側から放射線が照射された場合にも、照射された放射線に応じた放射線画像データが得られる。
【０００８】
本発明はこのような放射線検出パネルを用い、各種の放射線画像の撮像に対応しうる利便性の高い放射線撮像装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成する請求項１に係る本発明は、放射線検出パネル及び複数の放射線検出パネルを制御する制御部を有する第１のパネルユニットと、それぞれが前記制御部に制御される放射線検出パネルを有し、それぞれの一辺が前記第１のパネルユニットの異なる辺に、該辺を軸に回動可能に連結された第２のパネルユニット及び第３のパネルユニットと、を含む。
【００１０】
この発明によれば、第１のパネルユニットの一辺に第２のパネルユニットを回動可能に連結し、第１のパネルユニットの、第２のパネルユニットが連結された辺と異なる辺に、第３のパネルユニットが連結されている。また、第１のパネルユニット、第２のパネルユニット及び第３のパネルユニットには、放射線検出パネルが収容され、それぞれの放射線検出パネルを制御する制御部を第１のパネルユニットに設けている。
【００１１】
これにより、第１、第２及び第３のパネルユニットのそれぞれに収容している３枚の放射検出パネルを任意の組み合わせで用いて、放射線を用いた被写体の撮像を行うことができる。
【００１２】
請求項２に係る発明は、一方の面に放射線検出パネルの一方の面が向けられて該放射線検出パネルが収容された第１のパネルユニット、第２のパネルユニット及び第３のパネルユニットと、前記第１のパネルユニットの一端部と前記第２のパネルユニットの一端部を、前記第１のパネルユニットの一方の面と前記第２のパネルユニットの一方の面とが対向する閉状態、及び前記第１のパネルユニットの一方の面と前記第２のパネルユニットの一方の面とが同一方向へ向けられた開状態の２つの状態となるように回動可能に連結する第１の連結部材と、前記第１のパネルユニットの前記一端部と異なる端部と前記第３のパネルユニットの一端部を、前記第１のパネルユニットの一方の面と前記第３のパネルユニットの一方の面とが対向する閉状態、及び前記第１のパネルユニットの一方の面と前記第３のパネルユニットの一方の面とが同一方向へ向けられた開状態の２つの状態となるように回動可能に連結すると共に、前記第１のパネルユニット及び前記第２のパネルユニットの前記閉状態でかつ、第１のパネルユニット及び前記第３のパネルユニットの前記閉状態では、前記第２のパネルユニットの他方の面に前記第３のパネルの一方の面が対向されるように連結する第２の連結部材と、前記第１のパネルユニット及び前記第２のパネルユニットの前記閉状態で、かつ、前記第１のパネルユニット及び前記第３のパネルユニットの前記閉状態であるときに、前記第２のパネルユニットと前記第３のパネルユニットとの間に配置されて、入射される放射線から所定のエネルギー成分を吸収するフィルタ部材と、を含む。
【００１３】
この発明によれば、第１のパネルユニットに、第２及び第３のパネルユニットを順に重ねた閉状態と、第１、第２及び第３のパネルユニットを同一平面上に並べた開状態を取り得るように第１及び第２の連結部材により、第１、第２及び第３のパネルユニットが連結されている。
【００１４】
開状態では、第１、第２及び第３のパネルユニット内の放射線検出パネルの同一面（一方の面）が、同一の方向へ向けられる。また、第１、第２及び第３のパネルユニットの閉状態では、第２のパネルユニットの放射線検出パネルと第３の放射検出パネルの同一面（他方の面）が、同一の方向へ向けられて重ねられ、第２及び第３のパネルユニットの間にフィルタ部材が配置される。
【００１５】
したがって、第１、第２及び第３のパネルユニットの閉状態で、同一の画像特性の放射線画像データが得られる。また、第１、第２及び第３のパネルユニットの閉状態では、第２のパネルユニットの放射線検出パネルと第３のパネルユニットの放射線検出パネルの同じ画像特性の面を用いて、エネルギーサブストラクション用の放射線画像データを得ることができる。
【００１６】
このような、本発明では、第１のパネルユニットと第２のパネルユニットの開状態及び、第１のパネルユニットと第３のパネルユニットの開状態でおいて、同一方向へ向けられているそれぞれの一方の面が、同一平面上となる構成としても良く、これにより、３枚の放射線検出パネルを用いて、同一の撮像対象を分割した放射線画像データを得ることができる。
【００１７】
請求項３に係る発明は、請求項２の発明において、制御部及び電源部により構成される制御ユニットを含み、前記第１のパネルユニット内で、第１のパネルユニットに収容された前記放射線検出パネルの他方の面側となる位置に前記制御ユニットが収容されている。
【００１８】
この発明によれば、制御ユニットが、閉状態であっても第２及び第３のパネルユニットの放射線検出パネルから離れた第１のパネルユニット内に設けているので、エネルギーサブストラクション法を用いた画像診断を行うときに、高精度の診断が可能となる放射線画像データが得られる。
【００１９】
このような請求項３の構成においては、請求項４に記載されるように、前記第１のパネルユニット内の前記放射線検出パネルと前記制御ユニットとの間に、撮像時におけるバック散乱を防止する平板状の放射線吸収部材を含むことができる。
【００２０】
請求項５に係る発明は、請求項２において、制御部及び電源部により構成される制御ユニットを有し、該制御ユニットが、前記第１及び第２の連結部材内に収容される。
【００２１】
この発明によれば、第１及び第２の連結部材に、制御ユニットの制御部及び電源部を収容する。これにより、制御部及び電源部が、放射線検出パネルから離れるために、放射線検出パネルが熱の影響を受けてしまうのを防止することができる。
【００２２】
請求項６の発明は、請求項５において、前記第１の連結部材が、箱体形状に形成されて前記制御ユニットの前記制御部又は前記電源部の一方を収容する本体と、該本体に前記第１及び第２のパネルユニットを回動可能に連結する連結部とを含み、前記第２の連結部材が、箱体形状に形成されて前記制御ユニットの前記制御部又は前記電源部の他方を収容する本体と、を含む。
【００２３】
この発明によれば、第１及び第２の連結部材の本体の周囲が閉状態及び開状態の何れでも開放されるので、制御部及び電源部に対する放熱効果の向上を図ることができる。
【００２４】
このような請求項６の発明においては、請求項７に記載するように、前記第１、第２及び第３のパネルユニットが、開状態で前記第１の連結部材の前記本体及び、前記第２の連結部材の前記本体に支持される構成を取り得る。
【００２５】
また、請求項８に係る発明は、請求項２から請求項７の何れかにおいて、前記第３のパネルユニットの他方の面に、撮像時の撮像対象による散乱線を除去する平板状のグリッドが設けられている。
【００２６】
この発明によれば、エネルギーサブストラクション法に用いる放射線画像データを得るときに、撮像対象による放射線の散乱光の影響を防止できるので、高精度の診断が可能となる放射線画像データが得られる。
【００２７】
請求項９の発明は、請求項１〜請求項８において、前記放射線検出パネルが、放射線を光に変換するシンチレータで放射線を光に変換し、当該光により表わされる放射線画像を示す電気信号を出力するものとし、前記シンチレータは、蛍光体材料の柱状結晶を含んで構成されてもよい。
【００２８】
請求項１０の発明は、請求項９において、前記蛍光体材料を、ＣｓＩとすることが好ましい。
【００２９】
請求項１１の発明は、請求項９又は請求項１０において、前記放射線検出パネルは、絶縁性の基板上に、前記シンチレータで変換された光を受光することにより電荷が発生するセンサ部、および当該センサ部で発生された電荷を読み出すための薄膜トランジスタが形成され、前記センサ部が、有機光電変換材料を含んで構成され、前記薄膜トランジスタの活性層が、非晶質酸化物又は有機半導体材料又はカーボンナノチューブを含んで構成され、前記基板が、プラスチックにより形成されてもよい。
【発明の効果】
【００３０】
以上説明したように請求項１の発明によれば、３枚の放射線検出パネルを任意に組み合わせて放射線画像データを得ることができる。
【００３１】
また、請求項２の発明によれば、閉状態及び開状態の何れであっても、放射線検出パネルの間で、画像特性の等しい面を用いた放射線画像データが得られる。
【００３２】
請求項３の発明よれば、少なくともエネルギーサブストラクション用の放射線画像データを得るときに、放射線検出パネルが熱の影響を受けてしまうのを防止することができる。
【００３３】
請求項４の発明によれば、制御ユニットが設けられている第１のパネルユニットの放射線検出パネルが、バック散乱光の影響を受けてしまうのを防止することができる。
【００３４】
請求項５の発明よれば、第１から第３のパネルユニットの何れの放射線検出パネルも、制御ユニットの熱の影響を受けてしまうのが防止される。また、請求項６の発明によれば、制御ユニットの放熱効果を向上することができる。
【００３５】
さらに、請求項８の発明によれば、エネルギーサブストラクション法による診断等に用いる放射線画像データを得るときに、撮影対象に起因する散乱光の影響を受けてしまうことがない。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１の実施の形態に係る電子カセッテの概略構成を示す斜視図である。
【図２】（Ａ）は図１の電子カセッテの閉状態を示す斜視図、（Ｂ）は図１の電子カセッテの開状態を示す斜視図である。
【図３】（Ａ）は電子カセッテの閉状態を示す概略構成図、（Ｂ）は電子カセッテの開状態を示す概略図、（Ｃ）はヒンジの一例を示す電子カセッテの要部の概略構成図である。
【図４】放射線検出パネルの層構成を模式的に示した概略図である。
【図５】放射線検出器のスイッチ素子の構成を概略的に示した断面図である。
【図６】放射線検出パネルを平面視したとの構成を模式的に示した概略図である。
【図７】制御ユニットの概略構成図である。
【図８】放射線検出器への放射線の表面読取方式と裏面読取方式を説明するための断面側面図である。
【図９】第２の実施の形態に係る電子カセッテの閉状態を示す概略構成図である。
【図１０】第２の実施の形態に係る電子カセッテの開状態を示す概略図である。
【図１１】放射線検出パネルの層構成の他の一例を示す概略構成図である。
【図１２】（Ａ）は他の形態の電子カセッテの閉状態を示す概略構成図、（Ｂ）は他の形態の電子カセッテの開状態を示す概略図である。
【図１３】（Ａ）は他の形態の電子カセッテの閉状態を示す概略構成図、（Ｂ）は他の形態の電子カセッテの開状態を示す概略図である。
【図１４】放射線検出パネルを表面読取方式で配置する際の構成の一例を断面図である。
【図１５】（Ａ）は他の形態の電子カセッテの閉状態を示す概略構成図、（Ｂ）は他の形態の電子カセッテの開状態を示す概略図である。
【図１６】他の形態の電子カセッテの開状態を示す概略図である。
【図１７】他の形態の電子カセッテの閉状態を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下に図面を参照して、本発明の実施の形態の一例を詳細に説明する。
〔第１の実施の形態〕
図１乃至図３には、本実施の形態に係る電子カセッテ１０が示されている。電子カセッテ１０は、複数の筐体を備えている。本実施の形態では、一例として３台の筐体１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃが設けられている。筐体１２Ａ〜１２Ｃのそれぞれは、高さ方向（図１乃至図３の紙面上下方向）が低い（薄い）矩形形状（平板形状）に形成されている。
【００３８】
筐体１２Ａ〜１２Ｃのそれぞれには、放射線検出パネル２０が収容されており、これにより、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃが形成されている。なお、筐体１２Ａ〜１２Ｃ（パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃ）には、同等の構成の放射線検出パネル２０が収容されるが、以下で、区別する場合には、筐体１２Ａに放射線検出パネル２０Ａが収容されてパネルユニット１４Ａが形成され、筐体１２Ｂに放射線検出パネル２０Ｂが収容されてパネルユニット１４Ｂが形成され、さらに、筐体１２Ｃに放射線検出パネル２０Ｃが収容されてパネルユニット１４Ｃが形成されているものとする。
【００３９】
電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ｂ上にパネルユニット１４Ｃが重ねられ、このパネルユニット１４Ｃに、パネルユニット１４Ａが重ねられる。図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示されるように、パネルユニット１４Ｂとパネルユニット１４Ｃとは、互いに対向される一辺が連結部材の一例とされるヒンジ６４によって連結されている。これにより、パネルユニット１４Ｃは、ヒンジ６４のピン６４Ａを軸にしてパネルユニット１４Ｂに対して、重なる位置（閉状態）と展開位置（開状態）との間で回動可能（角度θが０°〜１８０°範囲）とされている。
【００４０】
ここで、ヒンジ６４は、比較的細いピン６４Ａを使用し、複数のヒンジ６４（図３（Ａ）及び図３（Ｂ）では１つを図示）をパネルユニット１４Ｂとパネルユニット１４Ｃとの間に設けている。これにより、パネルユニット１４Ｂとパネルユニット１４Ｃとの連結強度を確保すると共に、パネルユニット１４Ｂとパネルユニット１４Ｃとの開状態で、パネルユニット１４Ｂとパネルユニット１４Ｃとの間隔が開いてしまうのを防止している。
【００４１】
また、パネルユニット１４Ａとパネルユニット１４Ｂとは、パネルユニット１４Ｂでヒンジ６４が設けられた辺と異なる一辺で、連結部材の一例とするヒンジ６６により連結されている。このヒンジ６６は、例えば、連結部材の一例とする１４Ａ、１４Ｂ側にピン６６Ａが設けられ、ピン６６Ａの間にピン６６Ｂが設けられている。ヒンジ６６は、ピン６６Ｂを軸に中折れし、パネルユニット１４Ａは、パネルユニット１４Ｂとの間隔を変えながら、パネルユニット１４Ｂと重なる閉状態及び、パネルユニット１４Ｂと同一面上に並ぶ開状態との間で回動可能とされている。
【００４２】
図３（Ｃ）に詳細に示されるように（図３（Ａ）及び図３（Ｂ）では概略のみを図示）、ヒンジ６６は、例えば、パネルユニット１４Ａの筐体１２Ａ及びパネルユニット１４Ｂの筐体１２Ｂのそれぞれに取り付けられる固定板６７Ａの一端にピン６６Ａが設けられている。それぞれの固定板６７Ａのピン６６Ａには、所定長さの揺動板６７Ｂの一端が軸支されている。それぞれの揺動板６７Ｂの他端には、ピン６６Ｂが軸支されている。これにより、２枚の揺動板６７Ｂが、ピン６６Ｂを軸に回動可能に連結されている。
【００４３】
ヒンジ６６は、２枚の揺動板６７Ｂを延ばすことにより、パネルユニット１４Ａとパネルユニット１４Ｂとの間隔を広げることができ、このときに要求される間隔に応じて揺動板６７Ｂの長さが決められている。また、ヒンジ６６は、２枚の揺動板６７Ｂを重ねることにより、パネルユニット１４Ａとパネルユニット１４Ｂとの間隔を狭めることができる。
【００４４】
このようなヒンジ６６は、例えば、筐体１２Ａに段差部１３Ａを形成すると共に、筐体１２Ｂに段差部１３Ｂを形成することにより、パネルユニット１４Ａ、１４Ｂの開状態で、パネルユニット１４Ａ（筐体１２Ａ）がパネルユニット１４Ｂ（筐体１２Ｂ）に接するようにできる。すなわち、パネルユニット１４Ａ、１４Ｂの開状態で、パネルユニット１４、１４Ｂの間の隙間をなくすことができる。ここで、段差部（段差部１３Ａ、１３Ｂ）は、筐体１２Ａ、１２Ｂの何れか一方に設ける構成であっても良い。また、電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ｂ、１４Ｃの間のヒンジ６４に換えて、ヒンジ６６を設けても良い。なお、図１、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）では、ヒンジ６４、６６の図示を省略している。
【００４５】
これにより、電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ｂにパネルユニット１４Ｃ、１４Ａを順に重ねた位置（図２（Ａ）、図３（Ａ）参照、以下、電子カセッテ１０の閉状態ともいう）及び、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの上面（図１乃至図３の紙面上方側の面）が同一平面上となる位置（以下、電子カセッテ１０の開状態ともいう）を取り得るようになっている。
【００４６】
このような電子カセッテ１０は、図示しないロック機構により、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃを重ね合わせた閉状態で保持可能とされている。また、電子カセッテ１０は、該ロック機構を解除することにより、パネルユニット１４Ａ、１４Ｃが展開状態へ移動（回動）可能となる。さらに、本実施の形態では、連結部材の一例とする１４Ａ〜１４Ｃの長辺で連結するようにしているが、これに限らず短辺で連結しても良く、また、一方を短辺で連結し、他方を長辺で連結する構成であっても良い。また、以下では、パネルユニット１４Ａ、１４Ｃが開状態でパネルユニット１４Ｂと同一方向を向く面が、同一面上となるように説明するが、これに限らず、少なくとも同一方向へ向く構成であれば良い。
【００４７】
また、図１及び図２（Ａ）に示されるように、電子カセッテ１０には、ハンドル（把手）６９を設けることができる。なお、図２（Ａ）及び図３では、ハンドル６９の図示を省略している。
【００４８】
ハンドル６９は、パネルユニット１４Ａの筐体１２Ａに設けているハンドル６９Ａ、パネルユニット１４Ｂの筐体１２Ｂに設けているハンドル６９Ｂ、及びパネルユニット１４Ｃの筐体１２Ｃに設けているハンドル６９Ａによって構成されている。ハンドル６９Ａ〜６９Ｃは、筐体１２Ａ〜１２Ｃの同一方向に向いている面に設けられている。また、ハンドル６９Ａ〜６９Ｃは、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃを重ねたときに、互いに重なる位置となっている。また、ハンドル６９Ａ〜６９Ｃは、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの閉状態（パネルユニット１４Ａ、１４Ｃ、１４Ｂの順で重ねた状態）で、例えば、ハンドル６９Ａ、６９Ｃが一端側のハンドル６９Ｂへ向けて傾くか、ハンドル６９Ａ、６９Ｂが中央側となるハンドル６９Ｃへ向けて傾いて一体となる。
【００４９】
電子カセッテ１０では、このようなハンドル６９が設けられていることにより、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの開閉操作（開状態から閉状態への移行及び、閉状態から開状態への移動）が容易となっている。また、電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの閉状態で運搬ないし保管が行われるが、ハンドル６９が設けられていることにより、このときの取り扱いが容易となっている。なお、本実施の形態では、ハンドル６９を図１及び図２（Ｂ）の紙面奥側に設けたが、後述する送受光部６２側となる紙面手前側であっても良い。
【００５０】
パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃのそれぞれに内蔵されている放射線検出パネル２０（２０Ａ〜２０Ｃ）について説明する。放射線検出パネル２０は、照射される放射線を検出し、照射放射線量の分布に応じた電気信号（放射線検出信号）を出力する。図４に示されるように、放射線検出パネル２０は、絶縁性基板２２に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）などのスイッチング素子２４が形成されて成る基板（以下、ＴＦＴ基板２６とする）を備えている。この絶縁性基板２２としては、例えば、ガラス基板、各種セラミック基板、樹脂基板を用いることができるが、これらの材料に限るものではない。
【００５１】
ＴＦＴ基板２６上には、入射される放射線を変換する放射線変換層の一例として、入射される放射線を光に変換するシンチレータ層２８が形成されている。シンチレータ層２８としては、例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）を用いることができるが、これらの材料に限るものではない。
【００５２】
シンチレータ層２８が発する光の波長域は、可視光域（波長３６０ｎｍ〜８３０ｎｍ）であることが好ましく、この放射線検出パネル２０によってモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。
【００５３】
シンチレータ層２８に用いる蛍光体としては、具体的には、放射線としてＸ線を用いて撮像する場合、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を含むものが好ましく、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４２０ｎｍ〜６００ｎｍにあるＣｓＩ（Ｔｌ）を用いることが特に好ましい。なお、ＣｓＩ（Ｔｌ）の可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。
【００５４】
シンチレータ層２８は、例えば、ＣｓＩ（Ｔｌ）等の柱状結晶で形成しようとする場合、蒸着基板への蒸着によって形成されてもよい。このように蒸着によってシンチレータ層２８を形成する場合、蒸着基板は、Ｘ線の透過率、コストの面からＡｌの板がよく使用されるがこれに限定されるものではない。なお、シンチレータ層２８としてＧＯＳを用いる場合、蒸着基板を用いずにＴＦＴ基板２６の表面にＧＯＳを塗布することにより、シンチレータ層２８を形成してもよい。
【００５５】
ＴＦＴ基板２６とシンチレータ層２８との間には、シンチレータ層２８によって変換された光が入射されることにより電荷を発生する光導電層３０が配置されている。この光導電層３０のシンチレータ層２８側の表面には、光導電層３０にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極３２が形成されている。
【００５６】
なお、ＴＦＴ基板２６上には、ＴＦＴ基板２６を平坦化するための平坦化層３８が形成されている。また、ＴＦＴ基板２６とシンチレータ層２８との間であって、平坦化層３８上には、シンチレータ層２８をＴＦＴ基板２６に接着するための接着層３９が形成されている。
【００５７】
光導電層３０は、シンチレータ層２８から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。光導電層３０は、光が照射されることにより電荷を発生する材料により形成すればよく、例えば、アモルファスシリコンや有機光電変換材料などにより形成することができる。アモルファスシリコンを含む光導電層３０であれば、幅広い吸収スペクトルを持ち、シンチレータ層２８による発光を吸収することができる。有機光電変換材料を含む光導電層３０であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ層２８による発光以外の電磁波が光導電層３０に吸収されることがほとんどなく、Ｘ線等の放射線が光導電層３０で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。
【００５８】
光導電層３０を構成する有機光電変換材料は、シンチレータ層２８で発光した光を最も効率良く吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ層２８の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータ層２８の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ層２８から発された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータ層２８の放射線に対する発光ピーク波長との差が、１０ｎｍ以内であることが好ましく、５ｎｍ以内であることがより好ましい。
【００５９】
このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は５６０ｎｍであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ層２８の材料としてＣｓＩ（Ｔｌ）を用いれば、上記ピーク波長の差を５ｎｍ以内にすることが可能となり、光導電層３０で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。
【００６０】
ＴＦＴ基板２６には、光導電層３０で発生した電荷を収集する電荷収集電極３４が形成されている。ＴＦＴ基板２６は、電荷収集電極３４のそれぞれに対応して設けられているスイッチング素子２４がオンされることで、各電荷収集電極３４で収集された電荷が読み出される。
【００６１】
次に、本実施の形態に係る放射線検出パネル２０に適用可能な光導電層３０について具体的に説明する。
【００６２】
本発明に係る放射線検出パネル２０における電磁波吸収／光電変換部位は、１対の電荷収集電極３４，バイアス電極３２と、該電荷収集電極３４，バイアス電極３２間に挟まれた有機光導電層３０を含む有機層により構成することができる。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、及び層間接触改良部位等の積み重ねもしくは混合により形成することができる。
【００６３】
上記有機層は、有機ｐ型化合物または有機ｎ型化合物を含有することが好ましい。
【００６４】
有機ｐ型半導体（化合物）は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体（化合物）であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは２つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。
【００６５】
有機ｎ型半導体（化合物）は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体（化合物）であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは２つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。
【００６６】
この有機ｐ型半導体及び有機ｎ型半導体として適用可能な材料、及び光導電層３０の構成については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。なお、光導電層３０は、さらにフラーレン若しくはカーボンナノチューブを含有させて形成してもよい。
【００６７】
各画素部を構成するセンサ部３５は、少なくとも電荷収集電極３４、光導電層３０、及びバイアス電極３２を含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜及び正孔ブロッキング膜の少なくともいずれかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。
【００６８】
電子ブロッキング膜は、電荷収集電極３４と光導電層３０との間に設けることができ、電荷収集電極３４とバイアス電極３２間にバイアス電圧を印加したときに、電荷収集電極３４から光導電層３０に電子が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。
【００６９】
電子ブロッキング膜には、電子供与性有機材料を用いることができる。
【００７０】
実際に電子ブロッキング膜に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光導電層３０の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上電子親和力（Ｅａ）が大きく、かつ、隣接する光導電層３０の材料のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）と同等のＩｐもしくはそれより小さいＩｐを持つものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。
【００７１】
電子ブロッキング膜の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部３５の光電変換効率の低下を防ぐため、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００７２】
正孔ブロッキング膜は、光導電層３０とバイアス電極３２との間に設けることができ、電荷収集電極３４とバイアス電極３２間にバイアス電圧を印加したときに、バイアス電極３２から光導電層３０に正孔が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。
【００７３】
正孔ブロッキング膜には、電子受容性有機材料を用いることができる。
【００７４】
正孔ブロッキング膜の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部３５の光電変換効率の低下を防ぐため、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００７５】
実際に正孔ブロッキング膜に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光導電層３０の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）が大きく、かつ、隣接する光導電層３０の材料の電子親和力（Ｅａ）と同等のＥａもしくはそれより大きいＥａを持つものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。
【００７６】
なお、光導電層３０で発生した電荷のうち、正孔がバイアス電極３２に移動し、電子が電荷収集電極３４に移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜の位置を逆にすれば良い。又、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜は両方設けなくてもよく、いずれかを設けておけば、ある程度の暗電流抑制効果を得ることができる。
【００７７】
図５には、スイッチング素子２４の構成が概略的に示されている。
【００７８】
電荷収集電極３４に対応して、電荷収集電極３４に移動した電荷を電気信号に変換して出力するスイッチング素子２４が形成されている。スイッチング素子２４の形成された領域は、平面視において電荷収集電極３４と重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素部におけるスイッチング素子２４とセンサ部３５とが厚さ方向で重なりを有することとなる。なお、放射線検出パネル２０（画素部）の平面積を最小にするために、スイッチング素子２４の形成された領域が電荷収集電極３４によって完全に覆われていることが望ましい。
【００７９】
スイッチング素子２４は、ゲート電極２２０、ゲート絶縁膜２２２、及び活性層（チャネル層）２２４が積層され、さらに、活性層２２４上にソース電極２２６とドレイン電極２２８が所定の間隔を開けて形成されている。
【００８０】
ドレイン電極２２８は、絶縁性基板２２と電荷収集電極３４との間に設けられた絶縁膜２１９を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する電荷収集電極３４と電気的に接続されている。これにより、電荷収集電極３４で捕集された電荷をスイッチング素子２４に移動させることができる。
【００８１】
活性層２２４は、例えば、アモルファスシリコンや非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブなどにより形成することができる。なお、活性層２２４を構成する材料は、これらに限定されるものではない。
【００８２】
活性層２２４を構成可能な非晶質酸化物としては、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも１つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｏ系）が好ましく、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも２つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系）がより好ましく、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含む酸化物が特に好ましい。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、ＩｎＧａＺｎＯ４がより好ましい。なお、活性層２２４を構成可能な非晶質酸化物は、これらに限定されるものではない。
【００８３】
活性層２２４を構成可能な有機半導体材料としては、フタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。なお、フタロシアニン化合物の構成については、特開２００９−２１２３８９号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。
【００８４】
スイッチング素子２４の活性層２２４を非晶質酸化物や有機半導体材料、カーボンナノチューブで形成したものとすれば、Ｘ線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、スイッチング素子２４におけるノイズの発生を効果的に抑制することができる。
【００８５】
また、活性層２２４をカーボンナノチューブで形成した場合、スイッチング素子２４のスイッチング速度を高速化することができ、また、可視光域での光の吸収度合の低いスイッチング素子２４を形成できる。なお、カーボンナノチューブで活性層２２４を形成する場合、活性層２２４に極微量の金属性不純物が混入するだけで、スイッチング素子２４の性能は著しく低下するため、遠心分離などにより極めて高純度のカーボンナノチューブを分離・抽出して形成する必要がある。
【００８６】
ここで、上述した非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブや、有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、絶縁性基板２２としては、半導体基板、石英基板、及びガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。特に本実施の形態に係る電子カセッテ１０は、放射線検出パネル２０を３枚内蔵している。このため、放射線検出パネル２０の各光導電層３０を有機光電変換材料を含んで構成し、各スイッチング素子２４の活性層２２４を、非晶質酸化物又は有機半導体材料又はカーボンナノチューブを含んで構成して、絶縁性基板２２にプラスチック製を用いることにより、電子カセッテ１０を大幅に軽量化できる。
【００８７】
また、基板２２には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。
【００８８】
アラミドは、２００度以上の高温プロセスを適用できるために，透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバＩＣの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ＩＴＯ（indium tin oxide）やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して絶縁性基板２２を形成してもよい。
【００８９】
バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束（バクテリアセルロース）と透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅５０ｎｍと可視光波長に対して１／１０のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を６０−７０％も含有しながら、波長５００nmで約９０％の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数（３−７ｐｐｍ）を有し、鋼鉄並の強度(４６０ＭＰa)、高弾性(３０ＧＰａ)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く絶縁性基板２２を形成できる。
【００９０】
本実施の形態では、絶縁性基板２２上に、スイッチング素子２４、センサ部３５、透明な平坦化層３８を順に形成し、当該絶縁性基板２２上に光吸収性の低い接着樹脂等を用いた接着層３９でシンチレータ層２８を貼り付けることにより放射線検出パネル２０を形成している。以下、透明絶縁膜２０６まで形成された絶縁性基板２２をＴＦＴ基板２６と称する。
【００９１】
図６に示されるように、センサ部３５及びスイッチング素子２４は、ＴＦＴ基板２６に二次元状に配置されている。ＴＦＴ基板２６には、一定方向（行方向）に延設された各スイッチング素子２４をオン／オフするための複数本のゲート配線４０と、ゲート配線４０と交差する方向（列方向）に延設され、オン状態のスイッチング素子２４を介して電荷を読み出すための複数本のデータ配線４２が設けられている。ＴＦＴ基板２６は、例えば、平面視において外縁に４辺を有する矩形状とされ、平面視におけるＴＦＴ基板２６の周縁部のうちの一辺には、個々のゲート配線４０及び個々のデータ配線４２が接続された接続端子４３が配置されている。
【００９２】
図３に示されるように、電子カセッテ１０では、放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃのそれぞれを用いた放射線画像の撮像等の制御を行う制御ユニット１８が、パネルユニット１４Ｂに設けられている。図７に示されるように、放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃのそれぞれの接続端子４３は、接続配線４４を介して制御ユニット１８に設けられている制御部５０に接続されている。なお、図７では、模式的に、放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃをずらして並べ、接続端子４３を一辺に設けて接続配線４４を引き出すようにして図示している。また、パネルユニット１４Ａ、１４Ｃのそれぞれとパネルユニット１４Ｂとの間は、例えば、接続配線４４としてフレキシブルケーブルなどを用いて接続するなど、公知の任意の接続形態を取り得る。
【００９３】
制御部５０は、放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃの駆動や、放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃから出力された放射線検出信号の放射線画像データへの変換を行う。また、制御ユニット１８には、制御部５０等に電力を供給する電源部７０が設けられている。
【００９４】
制御部５０は、ゲート配線ドライバ５２、信号処理部５４、画像メモリ５６、カセッテ制御部５８及び無線通信部６０を備えている。放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃの各スイッチング素子２４（図７では、図示を省略。図４、図６参照。）は、ゲート配線ドライバ５２からゲート配線４０を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、オン状態とされたスイッチング素子２４により読み出された電荷は、電気信号としてデータ配線４２から接続配線４４を伝送されて信号処理部５４に入力される。これにより、電荷は行単位で順に読み出され、二次元状の放射線画像を表す放射線検出信号が取得される。
【００９５】
図示は省略するが、信号処理部５４には、入力される電気信号を増幅する増幅回路及びサンプルホールド回路が、データ配線４２ごとに備えられている。個々のデータ配線４２を伝送されて入力された電気信号は、増幅回路で増幅された後にサンプルホールド回路で保持される。また、サンプルホールド回路の出力側には、マルチプレクサ、Ａ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換器（何れも図示省略）が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号は、マルチプレクサに順に（シリアルに）入力され、Ａ／Ｄ変換器によりデジタルの画像データ（放射線画像データ）へ変換される。
【００９６】
信号処理部５４は、画像メモリ５６に接続されており、信号処理部５４のＡ／Ｄ変換器から出力された画像データが、放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃを用いて撮影された放射線画像データとして、画像メモリ５６に順に記憶される。画像メモリ５６は、複数枚分（複数画像分）の放射線画像データを記憶可能とする記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた放射線画像データが、画像メモリ５６に順に記憶される。ゲート配線ドライバ５２及び信号処理部５４は、放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃを別々に動作可能としている。これにより、電子カセッテ１０では、３枚の放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃを用いて同時に得られる放射線画像データを、一つの連続する放射線画像データとして処理することができると共に、特性の異なる一組の放射線画像データとして処理することもできる。
【００９７】
カセッテ制御部５８には、ゲート配線ドライバ５２、信号処理部５４及び画像メモリ５６が接続されている。カセッテ制御部５８は、マイクロコンピュータから成り、ＣＰＵ５８Ａ、ＲＯＭ及びＲＡＭを含むメモリ５８Ｂ、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部５８Ｃを備え、電子カセッテ１０の全体の動作を制御する。
【００９８】
また、カセッテ制御部５８には、無線通信部６０が接続されている。無線通信部６０は、例えば、ＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）８０２．１１ａ／ｂ／ｇ／ｎ等に代表される無線ＬＡＮ（Local Area Network）規格に対応しており、無線通信による外部装置との間での各種情報の伝送を制御する。
【００９９】
無線通信部６０は、例えば、赤外線通信により双方向で各種の情報の伝送がなされる。この場合、図１、図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示されるように（図３（Ａ）及び図３（Ｂ）では図示省略）、電子カセッテ１０では、例えば、筐体１２Ａの側面に送受光部６２が設けられる。これにより、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの閉状態、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの開状態の何れであっても、送受光部６２が被検者の影になって情報の伝送が妨げられてしまうのを防止できる。
【０１００】
カセッテ制御部５８は、無線通信部６０を介して、放射線撮影の制御又は管理を行う外部装置（例えば、放射線発生装置等の機器の動作を制御するコンソール、或いは病院内ネットワークに接続されたサーバ等）と無線通信が可能とされている。なお、ここでは、一例として、コンソールとの間で各種情報の送受信が行われるものとする。また、本実施の形態では、無線通信部６０を例に説明するが、これに換えて有線接続されることにより通信を行う有線通信部を適用しても良く、また、通信規格は、任意の規格を適用して良い。
【０１０１】
カセッテ制御部５８は、コンソールから無線通信部６０を介して受信される撮影条件情報や被検者である患者に関する患者情報などの各種の情報を記憶し、撮影条件情報に基づいて各放射線検出パネル２０の動作制御及び各放射線検出パネル２０からの電荷の読出制御を行う。
【０１０２】
このようなカセッテ１０では、例えば、液晶パネル（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）などを用いた表示部が設けられても良い。表示部が設けられている場合、カセッテ制御部５８が表示部の表示を制御すればよい。このとき、カセッテ制御部５８は、例えば、無線通信部６０を介してコンソールから入力される撮影条件情報、患者情報などから、撮影時に有用であると設定されている情報を表示する。このような情報としては、例えば、被検者（患者）を特定する氏名やＩＤ等の情報を適用することができ、これにより、撮影技師等の操作者は、被検者本人に対して、本人であるか否かの確認が可能となり、撮影を行う被検者の取り違えが生じるのを防止することができる。
【０１０３】
また、表示部に表示する情報としては、撮影部位や撮影条件を含んでも良く、これにより、撮影部位がずれたり、誤った撮影条件などで撮影されてしまうのを未然に防止することができる。例えば、撮影部位を特定する方法としては、該当部位を文字などによって表示しても良く、また、撮像部位のサンプル画像を表示するようにしても良い。さらに、表示部には、被検者に対する撮影手順などの撮影ガイダンスを表示しても良い。これにより、撮影技師は、被検者と離れた場所で被検者の動作を確認しながら撮影を行うことができるので、撮影技師が受ける放射線の量を抑えることができる。
【０１０４】
電源部７０は、上述した各種回路や各素子（ゲート線ドライバ５２、信号処理部５４、画像メモリ５６、無線通信部６０及び、カセッテ制御部５８として機能するマイクロコンピュータ）に電力を供給する。なお、図７では、電源部７０と各種回路や各素子を接続する配線の図示を省略している。また、電源部７０は、バッテリ（二次電池）を内蔵し、このバッテリが電力源として用いられても良い。
【０１０５】
ところで、図４に示されるように、放射線検出パネル２０は、ＴＦＴ基板２６、平坦化層３８、接着層３９が放射線を透過する材料から形成されている。放射線検出パネル２０を用いた撮像に用いられる放射線には、高エネルギー成分（例えば、エネルギーが５０ｋｅＶ以上）の放射線と、低エネルギー成分の放射線（例えば、エネルギーが４０ｋｅＶ以下）が含まれ、放射線検出パネル２０では、高エネルギー成分及び低エネルギー成分の何れの放射線も透過するが、高エネルギー成分の放射線の透過率に比べて、低エネルギー成分の放射線の透過率が低くなっている。
【０１０６】
なお、以下では、放射線検出パネル２０のシンチレータ層２８側の面（通常の放射線照射面、表面）を第１面７２とし、シンチレータ層２８と反対側（ＴＦＴ基板２６側）の面（通常の放射線照射面と反対側の面、裏面）を第２面７４として説明する。
【０１０７】
放射線検出パネル２０では、シンチレータ層２８側（第１面７２側）から放射線が照射された場合、シンチレータ層２８の厚さ方向に沿って光導電層３０から離れた部分で放射線から光への変換が行われる。また、放射線検出パネル２０では、ＴＦＴ基板２６側（第２面７４側）から放射線が照射された場合、シンチレータ層２８の厚さ方向で光導電層３０に近い部分で放射線から光への変換が行われる。
【０１０８】
したがって、放射線検出パネル２０では、第１面７２側から放射線が照射された場合に得られる放射線画像データと、第２面７４側から放射線が照射された場合に得られる放射線画像データとの間には、得られる画像の間に相違が生じる。
【０１０９】
具体的に、放射線検出パネル２０は、図８に示すように、シンチレータ層２８が形成された側（第１面７２側）から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の裏面側に設けられたＴＦＴ基板２６により放射線画像を読み取る、いわゆる裏面読取方式（所謂ＰＳＳ（Penetration Side Sampling）方式）とされた場合、シンチレータ層２８の同図上面側（ＴＦＴ基板２６の反対側）でより強く発光し、ＴＦＴ基板２６側（第２面７４側）から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の表面側に設けられたＴＦＴ基板２６により放射線画像を読み取る、いわゆる表面読取方式（所謂ＩＳＳ（Irradiation Side Sampling）方式）とされた場合、ＴＦＴ基板２６を透過した放射線がシンチレータ層２８に入射してシンチレータ層２８のＴＦＴ基板２６側がより強く発光する。ＴＦＴ基板２６に設けられた各センサ部３５には、シンチレータ層２８で発生した光により電荷が発生する。このため、放射線検出パネル２０は、表面読取方式とされた場合の方が裏面読取方式とされた場合よりもＴＦＴ基板２６に対するシンチレータ層２８の発光位置が近いため、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高い。
【０１１０】
また、放射線検出パネル２０は、光導電層３０を有機光電変換材料により構成した場合、光導電層３０で放射線がほとんど吸収されない。このため、本実施の形態に係る放射線検出パネル２０は、表面読取方式により放射線がＴＦＴ基板２６を透過する場合でも光導電層３０による放射線の吸収量を少ないため、放射線Ｘに対する感度の低下を抑えることができる。表面読取方式では、放射線がＴＦＴ基板２６を透過してシンチレータ層２８に到達するが、このように、ＴＦＴ基板２６の光導電層３０を有機光電変換材料により構成した場合、光導電層３０での放射線の吸収が殆どなく放射線の減衰を少なく抑えることができるため、表面読取方式に適している。
【０１１１】
また、スイッチング素子２４の活性層２２４を構成する非晶質酸化物や光導電層３０を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。このため、絶縁性基板２２を放射線の吸収が少ないプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成することができる。このように形成された絶縁性基板２２は放射線の吸収量を少ないため、表面読取方式により放射線がＴＦＴ基板２６を透過する場合でも、放射線Ｘに対する感度の低下を抑えることができる。
【０１１２】
ここで、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示されるように、パネルユニット１４Ｂには、下方側（紙面下方側）に制御ユニット１８が配置され、この制御ユニット１８の上方に放射線検出パネル２０Ｂが配置されている。また、パネルユニット１４Ｂには、制御ユニット１８と放射線検出パネル２０Ｂとの間に、放射線吸収板７６が配置されている。放射線吸収板７６は、例えば、鉛（鉛板）などによって形成され、放射線検出パネル２０Ｂを通過した放射線を吸収する。
【０１１３】
電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ｂに設ける放射線検出パネル２０Ｂを、第１面７２側が上方に向けられ、第２面７４側が制御ユニット１８側へ向けられて配置されている。また、電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの開状態で、パネルユニット１４Ａの放射線検出パネル２０Ａ及びパネルユニット１４Ｃの放射線検出パネル２０Ｃのそれぞれを、第１面７２が放射線検出パネル２０Ｂの第１面と同じ向きとなるように配置されている。
【０１１４】
電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの開状態及び、閉状態で放射線画像データが得られるようにしている。電子カセッテ１０は、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの開状態でパネルユニット１４Ａ〜１４Ｃのそれぞれの上面が撮像面７８Ａ、７８Ｂ、７８Ｃとされ、この撮像面７８Ａ〜７８Ｃに放射線が照射されることにより、放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃのそれぞれの第１面７２に放射線が照射される。また、電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの閉状態で、パネルユニット１４Ａの上面（撮像面７８Ａと反対側の面）が撮像面７８Ｄとされ、この撮像面７８Ｄに放射線が照射されることにより、放射線検出パネル２０Ａ、２０Ｃの第２面７４に放射線が照射される。なお、図２及び図３では、放射線の照射方向を矢印Ａで示している。
【０１１５】
電子カセッテ１０は、閉状態でパネルユニット１４Ａ内の放射線検出パネル２０Ａ及びパネルユニット１４Ｃ内の放射線検出パネル２０Ｃが共に表面読取方式となる。このため、電子カセッテ１０は、閉状態の１回の放射線の照射で、パネルユニット１４Ａ、１４Ｃによりエネルギーサブストラクション用の放射線画像を撮影する際に、高画質な画像を得ることができる。
【０１１６】
また、電子カセッテ１０は、開状態でパネルユニット１４Ａ〜１４Ｃ内の放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃが共に裏面読取方式となるため、開状態で放射線検出パネル２０〜２０Ｃにより撮影される放射線画像の画質の差が生じない。
【０１１７】
一方、図１乃至図３に示されるように、パネルユニット１４Ａには、撮像面７８Ｄにグリッド８０が設けられている。このグリッド８０は、パネルユニット１４Ａの撮像面７８Ｄに照射される放射線（矢印Ａ）から撮像対象に起因する散乱線を除去する。なお、グリッド８０は、放射線から散乱線を除去する構成であれば任意の構成を適用することができる。
【０１１８】
図１乃至図３に示されように、電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ｂ内に制御ユニット１８が設けられているため、パネルユニット１４Ｂの高さが、パネルユニット１４Ａ、１４Ｃの高さよりも高くなっている。図３（Ｂ）に示されるように、電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ａにグリッド８０を設けることにより、パネルユニット１４Ａの高さ（放射線の照射方向に沿った高さ）がパネルユニット１４Ｂの高さと一致するようにしている。
【０１１９】
なお、パネルユニット１４Ｃに対しては、例えば、図２（Ｂ）に示されるように、側面に一端部が軸支されるように脚部８２を設ける構成として、パネルユニット１４Ｃの開状態で、撮像面７８Ｃが撮像面７８Ａ、７８Ｂと同一面となるように支持されるものであっても良い。このような脚部８２は、パネルユニット１４Ｃの筐体１２Ｃに着脱可能な構成を適用することもできる。また、電子カセッテ１０を図示しない基台上に載置して撮像を行う場合、基台に段差を設けるなどして、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの間の高さの差を解消する構成であっても良い。
【０１２０】
一方、図３（Ａ）に示されるように、電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ａ、１４Ｃを重ねたとき（閉状態）に、パネルユニット１４Ａ、１４Ｃの間に、フィルタ部材の一例とされるエネルギー変換用フィルタ８４が配置される。エネルギー変換用フィルタ７８は、例えば、銅、タングステン、モリブデンなどの重金属が用いられ、薄板状（例えば、厚さ０．８ｍｍ〜２．０ｍｍ程度、また、厚さはこれに限らず２．０ｍｍ以上であっても良い）に形成されている。なお、エネルギー変換用フィルタ８４の構成は、これに限るものでなく、所望の波長の放射線が吸収される任意の構成を適用できる。
【０１２１】
このエネルギー変換用フィルタ８４は、例えば、所定の波長範囲の放射線のエネルギーを吸収するように構成され、これにより、エネルギー変換用フィルタ８４に入射された放射線が所定のエネルギー成分が吸収される。
【０１２２】
前記したように、放射線検出パネル２０に照射される放射線には、比較的周波数の高い高エネルギー成分（高周波数成分）と、比較的周波数の低い低エネルギー成分とが含まれ、放射線中の高エネルギー成分の放射線画像データから高圧画像が得られ、低エネルギー成分の放射線画像データから低圧画像が得られる。また、エネルギー変換用フィルタ８４で低エネルギー成分を殆ど吸収することで、軟部組織と骨部組織とを強調又は分離した画像（軟部画像と骨部画像）が得られる（エネルギーサブストラクション法）。電子カセッテ１０では、エネルギー変換用フィルタ８４により低エネルギー成分が吸収されるようにしている。
【０１２３】
図１、図２（Ｂ）及び図３（Ｂ）に示されるように、電子カセッテ１０では、このエネルギー変換用フィルタ８４をパネルユニット１４Ｃの撮像面７８Ｃと反対側の面、すなわち、パネルユニット１４Ａ、１４Ｃを重ねたときにパネルユニット１４Ａに対向する面（紙面上方側の面）、パネルユニット１２Ｃの開状態で紙面下方側となる面に取り付けられている。なお、エネルギー変換用フィルタ８４は、パネルユニット１４Ｃの筐体１２Ｃ内に収容されていても良く、また、必要に応じてパネルユニット１２に取り付けられるものであっても良い。
【０１２４】
これにより、電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの閉状態で、パネルユニット１４Ａとパネルユニット１４Ｃとの間にエネルギー変換用フィルタ８４が配置され、パネルユニット１４Ａの撮像面７８Ｄに照射された放射線が放射線検出パネル２０Ａ、２０Ｃに照射される。このとき、放射線検出パネル２０Ａの第２面７４には、高エネルギー成分と低エネルギー成分とを含む放射線が照射されるが、放射線検出パネル２０Ｃの第２面７４には、エネルギー変換用フィルタ８４により低エネルギー成分が吸収されて、高エネルギー成分の放射線が照射される。
【０１２５】
したがって、電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの閉状態では、パネルユニット１４Ａの放射線検出パネル２０Ａから低圧画像の放射線画像データが得られ、パネルユニット１４Ｃの放射線検出パネル２０Ｃから高圧画像の放射線画像データが得られる。
【０１２６】
次に第１の実施の形態の作用を説明する。電子カセッテ１０には、それぞれに放射線検出パネル２０（２０Ａ〜２０Ｃ）が設けられたパネルユニット１４Ａ〜１４Ｃを有し、パネルユニット１４Ｂとパネルユニット１４Ｃとがヒンジ６４により連結され、パネルユニット１４Ａとパネルユニット１４Ｂとがヒンジ６６により連結されている。これにより、電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの閉状態及び、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの開状態で放射線画像の撮像が可能となっている。
【０１２７】
電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの開状態で、３枚の放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃが並べて得られる面積での撮像が可能となり、１枚の放射線検出パネル２０を用いる場合に比べて、撮像面積が拡大され、大きな被写体であっても１回の放射線の照射で、複数枚に分割された放射線画像として得られる。このときで、電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ａとパネルユニット１４Ｂの間隙及び、パネルユニット１４Ｂとパネルユニット１４Ｃの間隙が狭められるようになっている。また、電子カセッテ１０では、ハンドル６９が設けられていることにより、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの開閉操作（パネルユニット１４Ｂに対するパネルユニット１４Ａ、１４Ｃの開閉操作）が容易となっている。
【０１２８】
また、電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの閉状態で、パネルユニット１４Ａの撮像面７８Ｄに照射される放射線により２枚の放射線検出パネル２０Ａ、２０Ｃに並行して放射線画像の撮像を行なうことができる。
【０１２９】
ここで、電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ｃにエネルギー変換用フィルタ８４が設けられており、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの閉状態で、パネルユニット１４Ａ、１４Ｃの間にエネルギー変換用フィルタ８４が配置される。これにより、電子カセッテ１０では、放射線がパネルユニット１４Ａの撮像面７８Ｄに照射されることにより、放射線検出パネル２０Ａの第２面７４には、低エネルギー成分を含む放射線が照射されて、該当放射線による放射線画像データが得られる。また、パネルユニット１４Ｃには、エネルギー変換用フィルタ８４を透過することにより、低エネルギー成分が吸収された放射線が照射され、これにより、パネルユニット１４Ｃ内の放射線検出パネル２０Ｃには、高エネルギー成分の放射線が照射される。電子カセッテ１０では、放射線検出パネル２０Ａにおいても、低エネルギー成分の放射線が照射されるが、エネルギー変換用フィルタ８４が設けられていることにより、低エネルギー成分が確実に吸収されて除去された放射線が放射線検出パネル２０Ｃに照射される。
【０１３０】
このように、電子カセッテ１０では、１回の放射線の照射で、エネルギーサブストラクション法に用いられる、低エネルギー成分を含む放射線による放射線画像データと、高エネルギー成分の放射線による放射線画像データとが得られる。これらの放射線画像データを用いることにより、エネルギーサブストラクション法に用いる低圧画像と高圧画像が得られる。
【０１３１】
なお、この場合、放射線検出パネル２０Ｂにも放射線が照射されるが、放射線検出パネル２０Ｂから得られる放射線画像データが不要であれば、放射線検出パネル２０Ｂからの放射線画像データの読込を停止すれば良い。また、放射線検出パネル２０Ｂでは、第２面７４と画像特性の異なる第１面７２に放射線が照射されるので、放射線検出パネル２０Ｃとは異なる画像特性の放射線画像データとして読み込むようにしても良い。
【０１３２】
電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃを開状態とすることにより、１回の放射線の照射で、放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃにより被写体を分割した放射線画像データが得られる。このとき、電子カセッテ１０では、放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃのそれぞれで、同じ第１面７２に放射線が照射される。
【０１３３】
一方、制御ユニット１８に設けられる制御部５０や電源部７０は、多数の電子分品を含んで構成されており、電源部７０の電力により作動することにより発熱する。また、放射線検出パネル２０は、温度変化によって電気的特性が変化する。例えば、放射線検出パネル２０にＡＳＩＣが設けられている場合、このＡＳＩＣが温度上昇により特性が悪化し、ノイズ成分が増加する（Ｓ／Ｎ比が悪化）。また、放射線検出パネル２０では、温度上昇によりＴＦＴ（スイッチング素子２４）の暗電流が増加し、出力される放射線画像データに影響を及ぼす。
【０１３４】
さらに、放射線検出パネル２０は、温度上昇により積層構造を形成する各部材の熱膨張係数の相違に起因する変形、破損が生じたり、温度変化が繰り返されることによる接着剤の劣化による層の剥離などによる劣化が生じる。
【０１３５】
ここで、電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃを重ねた閉状態のみでなく、開状態とすることで、放熱面積が広がるので冷却効率／放熱効率を高く、制御ユニット１８から発生する熱を放出できる。これにより、電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ａの放射線検出パネル２０Ｂ又は、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃの放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃを用いて、連続した放射線画像データを取得する場合でも、放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃの温度変化に起因する放射線画像データの品質低下や、放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃの劣化等が抑えられる。
【０１３６】
また、ＧＯＳは温度変化による感度の変化はほとんどないが、ＣｓＩは温度の上昇により感度が変化（例えば、温度が１℃上昇する毎に感度が約０．３％低下）する。従って、シンチレータ層２８をＣｓＩにより形成した場合、連続的に撮影を繰り返す動画撮影（透視撮影）中にシンチレータ層２８の温度が大きく変化すると、シンチレータ層２８の感度変化が大きくなり、一連の動画撮影画像において、フレーム初期の画像と最後の画像で濃度差が大きくなり、視認性が悪くなり、また、診断精度も低下してしまう。しかし、本実施の形態に係る電子カセッテ１０は、パネルユニット１４Ａ、１４Ｃの放射線検出パネル２０Ａ、２０Ｃで動画撮像を行うことにより、制御ユニット１８の熱が放射線検出パネル２０Ｂに伝わり難いため、ＣｓＩの温度変化による感度変化を抑制できる。
【０１３７】
また、電子カセッテ１０では、パネルユニット１４Ａ〜１４Ｃを閉状態として、エネルギーサブストラクション用の放射線画像データを取得するときに、熱源となる制御ユニット１８に近い放射線検出パネル２０Ｂを用いず、熱源から離れた放射線検出パネル２０Ａ、２０Ｃを用いるので、ノイズを抑えた放射線画像データが得られる。
【０１３８】
なお、電子カセッテ１０では、例えば、制御ユニット１８が設けられる筐体１２Ｂの底面に放熱用のフィンを形成するなどしても良く、これにより、より一層の放熱効果が得られ、放射線検出パネル２０の劣化防止のみでなく、ノイズ成分の少ない放射線画像データを得ることができる。
〔第２の実施の形態〕
以下に第２の実施の形態を説明する。なお、第２の実施の形態において、第１の実施の形態と同等の構成については、第１の実施の形態と同じ符号を付与してその説明を省略する。
【０１３９】
図９及び図１０には、第２の実施の形態に係る電子カセッテ１１０の概略構成が示されている。この電子カセッテ１１０は、それぞれが矩形薄箱状（平板状）に形成された筐体１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃを備え、放射線検出パネル２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃが収容されることにより、パネルユニット１１４Ａ、１１４Ｂ、１１４Ｃが形成されている。なお、パネルユニット１１４Ａ〜１１４Ｃは、放射線検出パネル２０のみを収容する構成なので薄く形成することができる。
【０１４０】
この電子カセッテ１１０には、連結部材とされるヒンジ部１１６、１１８が設けられている。ヒンジ部１１６は、パネルユニット１１４Ｂとパネルユニット１１４Ｃとを連結している。また、ヒンジ部１１８は、パネルユニット１１４Ａとパネルユニット１１４Ｂとを連結している。
【０１４１】
ヒンジ部１１６は、箱体形状に形成された本体１２０と本体１２０から対で突出された支持壁１２２（図９及び図１０では、一方のみを図示）を備え、ヒンジ部１１６に対応するパネルユニット１４Ｂ、１４Ｃには、端部に支軸１２４が設けられている。パネルユニット１１４Ｂ、１１４Ｃは、支軸１２４が設けられた端部が、ヒンジ部１１６の支持壁１２２の間に嵌め込まれ、支軸１２４が支持壁１２２に軸支されることより回動可能に連結されている。
【０１４２】
また、ヒンジ部１１８は、前記ヒンジ部１１６の本体１２０と同様に箱体形状に形成された本体１２６と本体１２６から対で突出された支持壁１２８（図９及び図１０では、一方のみを図示）を備え、ヒンジ部１１８に対応するパネルユニット１１４Ａ、１１４Ｂには、端部に支軸１３０が設けられている。パネルユニット１１４Ａ、１１４Ｂは、支軸１３０が設けられた端部が、ヒンジ部１１８の支持壁１２８の間に嵌め込まれ、支軸１３０が支持壁１２８に軸支されることより回動可能に連結されている。また、支持壁１２８には、パネルユニット１１４Ａの支軸１３０に対応して長孔１３２が形成され、パネルユニット１１４Ａの支軸１３０がこの長孔１３２に挿入され、パネルユニット１１４Ｂの支軸１３０との接離方向へ移動可能となっている。
【０１４３】
これにより、図９に示されるように、電子カセッテ１１０では、パネルユニット１１４Ｂに重ねたパネルユニット１１４Ｃに載せるようにパネルユニット１１４Ａを重ねることができる。このとき、パネルユニット１１４Ｃにエネルギー変換用フィルタ８４が設けられていることにより、パネルユニット１１４Ａとパネルユニット１１４Ｃの間、すなわち、放射線検出パネル２０Ａと放射線検出パネル２０Ｃの間にエネルギー変換用フィルタ８４が配置される。
【０１４４】
図１０に示されるように、電子カセッテ１１０では、パネルユニット１１４Ａを開いたときに、パネルユニット１１４Ａがパネルユニット１１４Ｂへ向けて移動可能となり、パネルユニット１１４Ａをパネルユニット１１４Ｂへ向けて移動することにより、パネルユニット１１４Ｂとの間隔が詰められる。
【０１４５】
また、電子カセッテ１１０では、パネルユニット１１４Ｃを開いたときに、パネルユニット１１４Ｃが、パネルユニット１１４Ｂから離れることがないので、開状態でパネルユニット１１４Ｂ、１１４Ｃの間隙が開くことがない。なお、パネルユニット１１４Ａ，１１４Ｃの開状態で、パネルユニット１１４Ｃに設けているエネルギー変換用フィルタ８４が、ヒンジ部１１６の本体１２０と干渉する場合、本体１２０に段差部１２０Ａを設けるようにしても良い。
【０１４６】
また、電子カセッテ１１０では、パネルユニット１１４Ａ〜１１４Ｃの開状態で、撮像面７８Ａ〜７８Ｃが同一平面上となるようにヒンジ部１１６の本体１２０とヒンジ部１１８の本体１２６とによって支持される。なお、電子カセッテ１１０においても、ハンドル６９が設けられていることが好ましい。
【０１４７】
一方、電子カセッテ１１０では、例えば、ヒンジ部１１６を形成している本体１２０内に、制御ユニット１８の電源部７０が収容され、また、ヒンジ部１１８を形成している本体１２６内に制御ユニット１８の制御部５０が収容されている。
【０１４８】
このように構成された電子カセッテ１１０では、開状態で、放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃの第１面７０が同一方向（放射線の照射方向）へ向けられ、放射線が照射されることにより放射線画像データを得ることができる。また、電子カセッテ１１０では、パネルユニット１１４Ａ〜１１４Ｃの閉状態でパネルユニット１１４Ａ、１１４Ｃの間にエネルギー変換用フィルタ８４が配置される。これにより、電子カセッテ１１０では、放射線検出パネル２０Ａの第２面７４に放射される放射線から低エネルギー成分を含む放射線画像データが得られ、放射線検出パネル２０Ｃの第２面７４に放射される放射線から高エネルギー成分の放射線画像データが得られる。
【０１４９】
一方、電子カセッテ１０では、発熱源となる制御ユニット１８の制御部５０及び電源部７０を、パネルユニット１１４Ａ〜１１４Ｃから離れえたヒンジ部１１６の本体１２０及び、ヒンジ部１１８の本体１２６内に設けている。これにより、パネルユニット１１４Ａ〜１１４Ｂ内の放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃが制御部５０や電源部７０が発する熱の影響を受けることがない。
【０１５０】
また、ヒンジ部１１６の本体１２０及びヒンジ部１１８の本体１２６は、周囲が開放されているために放熱効果が高い。このために、制御部５０及び電源部７０に発熱が生じても、パネルユニット１１４Ａ〜１１４Ｃや、パネルユニット１１４Ａ〜１１４Ｃ内の放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃの温度上昇が抑制される。
【０１５１】
一般に、パネルユニット１１４Ａ〜１１４Ｃは、撮像される被検者が触れることが多く、温度上昇が生じていると、被検者に不快感や不安感を生じさせてしまうことがある。このときに、電子カセッテ１１０では、被検者の触れるパネルユニット１１４Ａ〜１１４Ｃの温度上昇は勿論、制御部５０と電源部７０が設けられているヒンジ部１１６の本体１２０及びヒンジ部１１８の本体１２６の温度上昇が抑えられるので、被検者に不快感や不安感を生じさせてしまうことがない。
【０１５２】
なお、電子カセッテ１１０では、グリッド８０を省略しているが、グリッド８０は、パネルユニット１１４Ａに予め設けられていても良く、また、必要に応じて装着されるものであっても良い。また、エネルギー変換用フィルタ８４は、パネルユニット１１４Ｃ内に収容されていても良い。さらに、ヒンジ部１１６の本体１２０及びヒンジ部１１８の本体１２６の表面には、凹凸や多数の放熱フィンなどを設けた構成としても良く、これにより、放熱効果の向上と温度上昇の抑制を図ることができる。
【０１５３】
なお、以上説明した本実施の形態では、放射線検出パネルの一例として、放射線をシンチレータ層２８で一旦光に変換した後、変換した光を光導電層３０で電荷に変換して蓄積する間接変換方式の放射線検出パネル２０を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、放射線を、アモルファスセレン等を用いたセンサ部により電荷へ直接変換して蓄積する直接変換方式の放射線検出パネルを用いても良い。
【０１５４】
図１１には、直接変換方式の放射線検出パネル１００の一例と示している。この放射線検出パネル１００では、入射される放射線を電荷に変換する光導電層１０２が、ＴＦＴ基板２６上に形成されている。光導電層１０２としては、アモルファスＳｅ、Ｂｉ１２ＭＯ３０（Ｍ：Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ）、Ｂｉ４Ｍ３Ｏ１２（Ｍ：Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ）、Ｂｉ２Ｏ３、ＢｉＭＯ４（Ｍ：Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ）、Ｂｉ２ＷＯ６、Ｂｉ２４Ｂ２Ｏ３９、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＭＮｂＯ３（Ｍ：Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ）、ＰｂＯ、ＨｇＩ２、ＰｂＩ２、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＢｉＩ３、ＧａＡｓ等のうち少なくとも１つを主成分とする化合物などが用いられるが、暗抵抗が高く、Ｘ線（放射線）照射に対して良好な光導電性を示し、真空蒸着法により低温で大面積成膜が可能な非結晶（アモルファス）材料が好適である。
【０１５５】
光導電層１０２上には、光導電層１０２の表面側に、光導電層１０２へバイアス電圧を印加するためのバイアス電極１０４が形成される。また、ＴＦＴ基板２６には、間接変換方式の放射線検出パネル２０と同様に、光導電層１０２で発生した電荷を収集する電荷収集電極３４が形成されている。さらに、直接変換方式の放射線検出パネル１００のＴＦＴ基板２６には、各電荷収集電極３４で収集された電荷を蓄積する電荷蓄積容量１０６が設けられている。各電荷蓄積容量１０６に蓄積された電荷は、スイッチング素子２４がオンされることで読み出される。
【０１５６】
また、電子カセッテ１０は、図１２（Ａ）に示すように、閉状態で、パネルユニット１４Ａ内の放射線検出パネル２０Ａ及びパネルユニット１４Ｃ内の放射線検出パネル２０Ｃを第１面７２側が上方側（図１２（Ａ）の紙面上方側）へ向くように配置すると共に、パネルユニット１４Ｂ内の放射線検出パネル２０Ｂを第２面７４側が上方側（図１２（Ａ）の紙面上方側）へ向くように配置してもよい。
【０１５７】
これにより、図１２（Ｂ）に示すように、電子カセッテ１０は、開状態でパネルユニット１４Ａ〜１４Ｃ内の放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃが表面読取方式となるため、高い画質で撮影できる。また、開状態で放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃにより撮影される放射線画像の画質の差が生じない。
【０１５８】
また、電子カセッテ１０は、図１３（Ａ）に示すように、閉状態で、パネルユニット１４Ａ内の放射線検出パネル２０Ａを第２面７４側が上方側（図１３（Ａ）の紙面上方側）へ向くように配置すると共に、パネルユニット１４Ｂ内の放射線検出パネル２０Ｂ及びパネルユニット１４Ｃ内の放射線検出パネル２０Ｃを第１面７２側が上方側（図１３（Ａ）の紙面上方側）へ向くように配置してもよい。
【０１５９】
これにより、閉状態でパネルユニット１４Ａ内の放射線検出パネル２０Ａが表面読取方式となるため、閉状態の撮影で高画質な画像を得ることができる。なお、この場合、電子カセッテ１０は、図１３（Ｂ）に示すように、開状態でパネルユニット１４Ｃ内の放射線検出パネル２０Ｃが表面読取方式となり、パネルユニット１４Ａ、１４Ｂ内の放射線検出パネル２０Ａ、２０Ｂが裏面読取方式となり、開状態で放射線検出パネル２０Ａ、２０Ｂと放射線検出パネル２０Ｃにより撮影される放射線画像の画質の差が生じるが、所定の画像処理を行うことで解消すれば良い。
【０１６０】
また、電子カセッテ１０は、図１５（Ａ）に示すように、閉状態で、パネルユニット１４Ａ内の放射線検出パネル２０Ａ及びパネルユニット１４Ｃ内の放射線検出パネル２０Ｃを第２面７４側が上方側（図１５（Ａ）の紙面上方側）へ向くように配置すると共に、パネルユニット１４Ｂ内の放射線検出パネル２０Ｂを第１面７２側が上方側（図１５（Ａ）の紙面上方側）へ向くように配置してもよい。これにより、閉状態でパネルユニット１４Ａ内の放射線検出パネル２０Ａが表面読取方式となるため、閉状態の撮影で高画質な画像を得ることができる。なお、この場合、電子カセッテ１０は、図１５（Ｂ）に示すように、開状態でパネルユニット１４Ｂ、１４Ｃ内の放射線検出パネル２０Ｂ、２０Ｃが表面読取方式となり、パネルユニット１４Ａ内の放射線検出パネル２０Ａが裏面読取方式となり、開状態で放射線検出パネル２０Ｂ、２０Ｃと放射線検出パネル２０Ａにより撮影される放射線画像の画質の差が生じるが、所定の画像処理を行うことで解消すれば良い。
【０１６１】
また、放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃを表面読取方式で配置する場合、例えば、図１４に示すように、それぞれパネルユニット１４Ａ〜１４Ｃ内部の筐体部分に貼り付けるものとしもよい。絶縁性基板２２を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出パネル２０自体の剛性が高いため、パネルユニット１４やパネルユニット１６の筐体を薄く形成することができる。また、絶縁性基板２２を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出パネル２０自体が可撓性を有するため、衝撃が加わった場合でも放射線検出パネル２０が破損しづらい。
【０１６２】
放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃのシンチレータ層２８は、同一の構成としてもよく、異なる構成としてもよい。例えば、放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃのシンチレータ層２８を全てＧＯＳで構成してもよい。この場合、電子カセッテ１０を安価に製造できる。
【０１６３】
また、放射線検出パネル２０Ａ〜２０Ｃのシンチレータ層２８を全てＣｓＩ等による柱状結晶で構成してもよい。この場合、放射線の照射されることにより柱状結晶で発生した光が柱状結晶に沿って導かれるため、高画質化できる。
【０１６４】
また、パネルユニット１４Ａ、１４Ｃ内の放射線検出パネル２０Ａ、２０Ｃのシンチレータ層２８をＣｓＩ等による柱状結晶で構成し、パネルユニット１４Ｂ内の放射線検出パネル２０Ｂのシンチレータ層２８をＧＯＳで構成してもよい。この場合、電子カセッテ１０を閉状態として１回の放射線の照射で、パネルユニット１４Ａ、１４Ｃによりエネルギーサブストラクション用の放射線画像を撮影する際に、高画質な画像を得ることができる。また、パネルユニット１４Ｂに温度変化が発生してもパネルユニット１４Ｂで撮影される放射線画像の画質変化を抑制できる。また、パネルユニット１４Ａ内の放射線検出パネル２０Ａのシンチレータ層２８をＣｓＩ等による柱状結晶で構成し、パネルユニット１４Ｂ、１４Ｃ内の放射線検出パネル２０Ｂ、２０Ｃのシンチレータ層２８をＧＯＳで構成してもよい。これらの場合、また、図３や図１３、図１５に示すように、パネルユニット１４Ａ内の放射線検出パネル２０Ａを閉状態で第２面７４側が上方側へ向くように配置することにより、グリッド８０を通過した放射線による画像を放射線検出パネル２０Ａで撮影できるため、高画質な画像を得ることができる。また、エネルギーサブストラクション用の放射線画像の撮影において放射線検出パネル２０Ａにより高画質な低エネルギーの照射線画像を得ることができる。
【０１６５】
例えば、上記実施の形態では、パネルユニット１４Ｂを平板状とした場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、放射線検出パネル２０は、液晶ディスプレイと同様にガラス基板などに形成することができ、比較的薄くすることができる。一方、パネルユニット１４Ｂは制御ユニット１８を内蔵しており、制御ユニット１８に内蔵されるインダクタンスやコイルなどの回路素子やバッテリは、高さが放射線検出パネル２０に比較して高い。このため、パネルユニット１４Ｂはパネルユニット１４Ａ、１４Ｃに比べ厚く形成されている。
【０１６６】
そこで、図１６、図１７に示すように、パネルユニット１４Ａ、１４を薄く形成する。また、パネルユニット１４Ａ、１４Ｃに比べてパネルユニット１４Ｂの筐体１２Ｂを長く形成すると共に、閉状態とされている際にパネルユニット１４Ａ、１４Ｃが折り畳まれて重なる重畳部分１５０内に放射線検出パネル２０Ｂを配置してパネルユニット１４Ａ、１４と略同一の厚さに形成し、閉状態とされている際にパネルユニット１４Ａ、１４Ｃと重ならない非重畳部分１５２を重畳部分１５０より厚く形成して、非重畳部分１４Ｂ内に制御ユニット１８を配置するようにしてもよい。
【０１６７】
さらに、本実施の形態では、電子カセッテ１０、１１０を例に説明したが、本発明が適用される放射線画像撮像装置は、これに限らず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において適宜変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【０１６８】
１０、１１０    電子カセッテ
１４Ａ、１１４Ａ    パネルユニット（第３のパネルユニット）
１４Ｂ、１１４Ｂ    パネルユニット（第１のパネルユニット）
１４Ｃ、１１４Ｃ    パネルユニット（第２のパネルユニット）
１８    制御ユニット
２０（２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ）、１００    放射線検出パネル
５０    制御部
６４    ヒンジ（第１の連結部材）
６６    ヒンジ（第２の連結部材）
７０    電源部
７２    第１面
７４    第２面
７６    放射線吸収板
８０    グリッド
８４    エネルギー変換用フィルタ（フィルタ部材）
１１６    ヒンジ部（第１の連結部材）
１１８    ヒンジ部（第２の連結部材）
１２０、１２６    本体
１２２、１２８    支持壁
１２４、１３０    支軸
１３２    長孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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