(57)【要約】  【課題】  光の強度分布が小さい発光素子、ならびにこれを備える光モジュールおよび画像装置を提供する。  【解決手段】  発光素子３０は、受光レセプタに光を照射するものである。この発光素子３０は、第１の波長Ｌ１の光を発する第１の発光部３０ａと、第２の波長Ｌ２の光を発する第２の発光部３０ｂとが積層されて設けられており、第１の発光部３０ａの外部量子効率η１と、受光レセプタにおける第１の波長Ｌ１の光の波長感度Ｓ１とを積算した第１の積算値Ｐ１、および第２の発光部３０ｂの外部量子効率η２と、受光レセプタにおける第２の波長Ｌ２の光の波長感度Ｓ２とを積算した第２の積算値Ｐ２を比較して、積算値Ｓ２の大きい第２の発光部３０ｂに比べて積算値Ｓ１の小さい第１の発光部３０ａの面積が大きい。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光レセプタに光を照射する発光素子であって、
第１の波長の光を発する第１の発光部と、第２の波長の光を発する第２の発光部とが積層されて設けられており、
前記第１の発光部の外部量子効率と、前記受光レセプタにおける前記第１の波長の光の波長感度とを積算した第１の積算値、および前記第２の発光部の外部量子効率と、前記受光レセプタにおける前記第２の波長の光の波長感度とを積算した第２の積算値を比較して、当該積算値の大きい一方の発光部に比べて当該積算値の小さい他方の発光部の面積が大きい、発光素子。
【請求項２】
前記第１の発光部および前記第２の発光部のいずれか一方の発光部の発する光は、他方の発光部を透過させて出力されるように設けられている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記積算値の大きい一方の発光部の発する光の一部を、前記積算値の小さい他方の発光部を透過させて出力されるように設けられている、請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
第１の発光部と、第２の発光部とに共通に接続されている電流拡散層を有している、請求項１から３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
第１の波長が５９０〜６６０〔ｎｍ〕の長さであり、
第２の波長が５６０〜５７０〔ｎｍ〕の長さである、請求項１から４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の発光素子と、第１の発光部および第２の発光部を駆動する駆動回路と、を備えている、発光モジュール。
【請求項７】
請求項１から５のいずれかに記載の発光素子と、前記発光素子を封止する筐体を備えており、
該筐体は、前記発光素子の発する光を透過する透過部を有している、画像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子、ならびにこれを備える光モジュールおよび画像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、液晶ディスプレイ、電光ディスプレイなどの画像表示装置、インクの硬化に光を用いるインクジェットプリンタなどの画像印刷装置、および画像読取装置などの画像装置がある。これらの画像は、濃淡、色の異なる小さな画素をマトリックス状に配列することで形成されている。しかし、画素となる光素子は、各色の光の強度が異なるので、単に配列しただけでは表すことができる色に制限が生じてしまう。
【０００３】
そこで、複数の光素子に流す電流の通電時間を調整することで輝度分布の均一化を図る技術がある。このように通電時間で輝度分布を調整する技術は、例えば特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０３−６９９９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、複数の光素子の輝度分布を通電時間のみで制御しようとすると回路構成が複雑化する。
【０００６】
本発明は、上述の事情のもとで考え出されたものであって、光の強度分布が小さい発光素子、ならびにこれを備える光モジュールおよび画像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る光モジュールは、受光レセプタに光を照射するものである。この光モジュールは、第１の波長の光を発する第１の発光部と、第２の波長の光を発する第２の発光部とが積層されて設けられており、前記第１の発光部の外部量子効率と、前記受光レセプタにおける前記第１の波長の光の波長感度とを積算した第１の積算値、および前記第２の発光部の外部量子効率と、前記受光レセプタにおける前記第２の波長の光の波長感度とを積算した第２の積算値を比較して、当該積算値の大きい一方の発光部に比べて当該積算値の小さい他方の発光部の面積が大きい。
【０００８】
本発明に係る画像装置は、本発明の光モジュールを備えている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、光の強度分布が小さい光モジュールおよび画像装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る発光モジュールの１つの実施形態を示す平面図である。
【図２】図１に示した発光モジュールのＩＩ−ＩＩ線に沿った要部断面図である。
【図３】本発明に係る画像装置の１つの実施形態を示す要部断面図である。
【図４】本発明に係る発光モジュールの他の実施形態を示す要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜発光素子および発光モジュール＞
以下、本発明に係る光モジュールの一実施形態として発光モジュールを例示し、図面を参照しつつ説明する。
【００１２】
図１，２に示した発光モジュール１０は、支持基板２０と、発光素子３０と、電極層４０と、保護層５０と、駆動回路６０とを備えている。この発光素子３０は、一部が発光部として機能している。
【００１３】
この支持基板２０は、発光素子３０と、電極層４０と、保護層５０とを支持する機能を担っている。この支持基板２０は、電気絶縁性を有している。ここで「電気絶縁性を有する」とは、電流が実質的に流れなくなる程度をいい、例えば電気抵抗率が１．０×１０７〔Ω・ｍ〕以上であることをいう。この支持基板２０は、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）によって形成されており、不純物が殆どドープされていない。この支持基板２０の厚みとしては、例えば１００〜３５０〔μｍ〕の範囲の厚さが挙げられる。
【００１４】
この支持基板２０の上には、複数の発光素子３０が設けられている。この複数の発光素子３０は、支持基体２０の主面２０ａの法線方向から平面視（以下、単に「平面視」とする）した際に、格子状に配列されている。本実施形態では、複数の発光素子３０が直交格子状に配列されている。本実施形態では、この直交する格子の２つの方向を第１方向Ｄ１，Ｄ２、第２方向Ｄ３，Ｄ４としている。
【００１５】
発光素子３０は、第１の一型電流拡散層３１と、第１の一型クラッド層３２と、第１の活性層３３と、第１の二型クラッド層３４と、二型電流拡散層３５と、第２の二型クラッド層３６と、第２の活性層３７と、第２の一型クラッド層３８と、第２の二型電流拡散層３９とが積層されている。ここで「一型」および「二型」は、半導体のｎ型およびｐ型のいずれかをいい、一方を一型として、他方を二型として表している。
【００１６】
１つの発光素子３０として積層されている各層のうち、第１の一型クラッド層３２、第１の活性層３３、および第１の二型クラッド層３４は、第１の発光部３０ａとして機能している。また、第２の二型クラッド層３６、第２の活性層３７、および第２の一型クラッド層３８は、第２の発光部３０ｂとして機能している。つまり、この発光素子３０は、第１の発光部３０ａの上に第２の発光部３０ｂが積層して設けられている。本実施形態では、第１の発光部３０ａの発する光が第２の発光部３０ｂを透過するように構成されている。
【００１７】
この発光素子３０は、外部にある受光レセプタに光を照射する機能を担っている。この発光素子３０は、この第１の発光部３０ａが第１の波長Ｌ１の光を発するように構成されており、この第２の発光部３０ｂが第２の波長Ｌ２の光を発するように構成されている。本実施形態の第１の発光部３０ａは、第１の波長Ｌ１が５９０〜６６０〔ｎｍ〕の範囲を主とする光を発し、第２の発光部３０ｂは、第２の波長Ｌ２が５６０〜５７０〔ｎｍ〕の範囲を主とする光を発する。
【００１８】
本実施形態では、光を照射する受光レセプタにおける第１の波長Ｌ１の光に対する第１の波長感度Ｓ１とし、同受光レセプタにおける第２の波長Ｌ２の光に対する第２の波長感度Ｓ２とし、第１の発光部３０ａの第１の外部量子効率η１とし、第２の発光部３０ｂの第２の外部量子効率η２としたとき、第１の波長感度Ｓ１と第１の外部量子効率η１との第１の積算値Ｐ１が、第２の波長感度Ｓ２と第２の外部量子効率η２との第２の積算値Ｐ２に比べて小さくなっている。ここで「受光レセプタ」としては、例えば人間の目、光電変換素子などが挙げられる。また、「波長感度」としては、例えば人間の視感度に基づくもの、光電変換素子の波長感度特性に基づくものが挙げられる。この第１，２の外部量子効率η１，η２は、例えば浜松ホトニクス製Ｃ９９２０−１２などの種々を用いて測定することができる。
【００１９】
この「波長感度」と「外部量子効率」との「積算値」は、発光素子に入力した電気エネルギを光エネルギとして取り出した際の効率である外部量子効率に、受光レセプタが受光した際の効率である波長感度を乗じることで、受光レセプタに対する実効的なエネルギ効率を示している。つまり、仮に外部量子効率が低い場合であっても、波長感度が大きければ、実効的なエネルギ効率を大きくすることができる。本発明の発光素子では、この実効的なエネルギ効率の違いを鑑みて、光を発する発光部の面積を調整することで、発光制御の簡素化を図りつつ、光の強度分布を小さくすることができる。
【００２０】
ここで、受光レセプタとして人間の目を採用し、波長感度として視感度を採用した場合を例に挙げる。第１の波長感度Ｓ１は、第１の波長Ｌ１を６１０．４〔ｎｍ〕の時、０．３４３であった。また、第２の波長感度Ｓ２は、第２の波長Ｌ２を５６９．５〔ｎｍ〕の時、０．６４９であった。一方、第１の波長Ｌ１（６１０．４〔ｎｍ〕）の光を発する第１の発光部３０ａを製造したところ、第１の外部量子効率η１は、５．９９〔ｌｍ／Ｗ〕であった。また、第２の波長Ｌ２（５６９．５〔ｎｍ〕）の光を発する第２の発光部３０ｂを製造したところ、第２の外部量子効率η２は、７．２９×１０−１〔ｌｍ／Ｗ〕であった。つまり、第１の波長感度Ｓ１と第１の外部量子効率η１との第１の積算値Ｐ１は、２．０５となり、第２の波長感度Ｓ２と第２の外部量子効率η２との第２の積算値Ｐ２は、０．４７３となる。本発明では、この積算値が小さい第１の発光部３０ａの面積を、積算値の大きい第２の発光部３０ｂの面積よりも大きく形成している。
【００２１】
第１の一型電流拡散層３１は、支持基板２０の主面２０ａの上に複数設けられている。この第１の一型電流拡散層３１は、第１の発光部３０ａに流れる電流を広い領域に拡散する機能を担っている。この第１の一型電流拡散層３１は、平面視において矩形状に設けられている。この第１の一型電流拡散層３１は、図２に示したように、下面の面積に比べて上面の面積が大きくなっているメサ形状をしている。
【００２２】
本実施形態の第１の一型電流拡散層３１は、ｎ型半導体として機能している。この第１の一型電流拡散層３１は、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）によって形成されており、例えばｎ型の不純物であるシリコン（Ｓｉ）がドープされている。このドーピング濃度としては、例えば１×１０１７〜１×１０１９〔ａｔｏｍ／ｃｍ３〕の範囲が挙げられる。このｎ型の不純物としては、Ｓｉの他に、例えばゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）などのＩＶ族、ＶＩ族の元素が挙げられる。
【００２３】
第１の一型クラッド層３２は、第１の一型電流拡散層３１の各々の上に設けられている。この第１の一型クラッド層３２は、平面視において矩形状に設けられている。この第１の一型クラッド層３２は、面積が第１の一型電流拡散層３１の面積に比べて小さくなるように構成されている。つまり、第１の一型電流拡散層３１は、第１の一型クラッド層３２の下から周囲に広がって設けられている。
【００２４】
本実施形態の第１の一型クラッド層３２は、第１の発光部３０ａにおけるｎ型半導体として機能している。この第１の一型クラッド層３２は、燐化アルミニウムインジウム（ＡｌＩｎＰ）によって形成されており、例えばｎ型の不純物であるシリコン（Ｓｉ）がドープされている。このドーピング濃度としては、例えば１×１０１７〜１×１０１９〔ａｔｏｍ／ｃｍ３〕の範囲が挙げられる。このｎ型の不純物としては、Ｓｉの他に、例えばゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）などのＩＶ族、ＶＩ族の元素が挙げられる。この第１の一型クラッド層３２の厚さとしては、例えば０．４〜１〔μｍ〕の範囲の厚みが挙げられる。
【００２５】
第１の活性層３３は、第１の一型クラッド層３２の各々の上に設けられている。この第１の活性層３３は、第１の発光部３０ａの発する光を主として発光する発光層として機能している。この第１の活性層３３は、平面視において矩形状に設けられている。
【００２６】
本実施形態の第１の活性層３３は、第１の発光部３０ａにおける真性半導体として機能している。この第１の活性層３３は、燐化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＰ）によって形成されており、不純物が殆どドープされていない。この第１の活性層３３の厚さとしては、例えば０．３〜１〔μｍ〕の範囲の厚みが挙げられる。
【００２７】
第１の二型クラッド層３４は、第１の活性層３３の各々の上に設けられている。この第１の二型クラッド層３４は、平面視において矩形状に設けられている。
【００２８】
本実施形態の第１の二型クラッド層３４は、第１の発光部３０ａにおけるｐ型半導体として機能している。この第１の二型クラッド層３４は、ＡｌＩｎＰによって形成されており、例えばｐ型の不純物である亜鉛（Ｚｎ）がドープされている。このドーピング濃度としては、例えば１×１０１７〜１×１０１９〔ａｔｏｍ／ｃｍ３〕の範囲が挙げられる。このｐ型の不純物としては、Ｚｎの他に、例えばベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、炭素（Ｃａｎｉｏｎ）などの元素が挙げられる。この第１の二型クラッド層３４の厚さとしては、例えば０．４〜１〔μｍ〕の範囲の厚みが挙げられる。
【００２９】
二型電流拡散層３５は、第１の二型クラッド層３４の各々の上に設けられている。この二型電流拡散層３５は、第１の発光部３０ａおよび第２の発光部３０ｂに流れる電流を広い領域に拡散する機能を担っている。この二型電流拡散層３５は、第１の発光部３０ａと、第２の発光部３０ｂとに共通に接続されている。この二型電流拡散層３５は、平面視において矩形状に設けられている。
【００３０】
本実施形態の二型電流拡散層３５は、ｐ型半導体として機能している。この二型電流拡散層３５は、砒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）によって形成されており、例えばｐ型の不純物であるＺｎがドープされている。このドーピング濃度としては、例えば１×１０１７〜１×１０１９〔ａｔｏｍ／ｃｍ３〕の範囲が挙げられる。このｐ型の不純物としては、Ｓｉの他に、例えばＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃａｎｉｏｎなどの元素が挙げられる。
【００３１】
この二型電流拡散層３５の各々の上には、二型コンタクト層３５１が設けられている。この二型コンタクト層３５１は、二型電流拡散層３５と電極４０とを接続するのに際して、接触抵抗を低減するのに寄与している。
【００３２】
第２の二型クラッド層３６は、二型コンタクト層３５１の各々の上に設けられている。この第２の二型クラッド層３６は、平面視において矩形状に設けられている。この第２の二型クラッド層３６は、面積が二型電流拡散層３５の面積に比べて小さくなるように構成されている。つまり、二型電流拡散層３５は、第２の二型クラッド層３６の下から周囲に広がって設けられている。また、第２の発光部２０ｂは、第１の発光部３０ａに比べて面積が小さくなるように構成されている。
【００３３】
本実施形態の第２の二型クラッド層３６は、第２の発光部３０ｂにおけるｐ型半導体として機能している。この第２の二型クラッド層３６は、ＡｌＩｎＰによって形成されており、例えばｐ型の不純物であるＺｎがドープされている。のドーピング濃度としては、例えば１×１０１７〜１×１０１９〔ａｔｏｍ／ｃｍ３〕の範囲が挙げられる。このｐ型の不純物としては、Ｓｉの他に、例えばＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃａｎｉｏｎなどの元素が挙げられる。この第２の二型クラッド層３６の厚さとしては、例えば０．４〜１〔μｍ〕の範囲の厚みが挙げられる。この第２の二型クラッド層３６の厚さとしては、例えば０．４〜１〔μｍ〕の範囲の厚みが挙げられる。
【００３４】
第２の活性層３７は、第２の二型クラッド層３６の各々の上に設けられている。この第２の活性層３７は、第２の発光部３０ｂの発する光を主として発光する発光層として機能している。この第２の活性層３７は、平面視において矩形状に設けられている。
【００３５】
本実施形態の第２の活性層３７は、第２の発光部３０ｂにおける真性半導体として機能している。この第２の活性層３７は、ＡｌＧａＩｎＰによって形成されており、不純物が殆どドープされていない。この第２の活性層３７の厚さとしては、例えば０．３〜１〔μｍ〕の範囲の厚みが挙げられる。
【００３６】
第２の一型クラッド層３８は、第２の活性層３７の各々の上に設けられている。この第２の一型クラッド層３８は、平面視において矩形状に設けられている。
【００３７】
本実施形態の第２の一型クラッド層３８は、第２の発光部３０ｂにおけるｎ型半導体として機能している。この第２の一型クラッド層３８は、ＡｌＩｎＰによって形成されており、例えばｎ型の不純物であるＳｉがドープされている。このドーピング濃度としては、例えば１×１０１７〜１×１０１９〔ａｔｏｍ／ｃｍ３〕の範囲が挙げられる。このｎ型の不純物としては、Ｓｉの他に、例えばＧｅ、Ｓｅ、ＴｅなどのＩＶ族、ＶＩ族の元素が挙げられる。この第２の一型クラッド層３８の厚さとしては、例えば０．４〜１〔μｍ〕の範囲の厚みが挙げられる。
【００３８】
第２の一型電流拡散層３９は、第２の一型クラッド層３８の各々の上に設けられている。この第２の一型電流拡散層３９は、第２の発光部３０ｂに流れる電流を広い領域に拡散する機能を担っている。この第２の一型電流拡散層３９は、平面視において矩形状に設けられている。
【００３９】
本実施形態の第２の一型電流拡散層３９は、ｎ型半導体として機能している。この第２の一型電流拡散層３９は、ＧａＡｓによって形成されており、例えばｎ型の不純物であるＳｉがドープされている。このドーピング濃度としては、例えば１×１０１７〜１×１０１９〔ａｔｏｍ／ｃｍ３〕の範囲が挙げられる。このｎ型の不純物としては、Ｓｉの他に、例えばＧｅ、Ｓｅ、ＴｅなどのＩＶ族、ＶＩ族の元素が挙げられる。
【００４０】
この第２の一型電流拡散層３９の各々の上には、一型コンタクト層３９１が設けられている。この一型コンタクト層３９１は、一型電流拡散層３９と電極４０とを接続するのに際して、接触抵抗を低減するのに寄与している。
【００４１】
電極層４０は、第１の電極４１と、第２の電極４２と、第３の電極４３とを含んで構成されている。電極層４０は、第１の発光部３０ａおよび第２の発光部３０ｂに電流を流して発光させる際に、当該第１の発光部３０ａおよび第２の発光部３０ｂに流れる電流の伝送路として機能している。
【００４２】
第１の電極４１は、二型コンタクト層３５１を介して二型電流拡散層３５に電気的に接続されている。この第１の電極４１は、二型電流拡散層３５の上面のうち、第２の二型クラッド層３６の下から周囲に広がっている部分に接続されている。本実施形態では、格子状に配列されている複数の発光素子３０のうち、第１の方向Ｄ１，Ｄ２に配列されている複数の発光層３０に対して、１つの第１の電極４１が共通に接続されている。
【００４３】
第２の電極４２は、第１の一型電流拡散層３１に電気的に接続されている。この第２の電極４２は、この第２の電極４２は、第１の一型電流拡散層３１の上面のうち、第１の一型クラッド層３２の下から周囲に広がっている部分に接続されている。本実施形態では、格子状に配列されている複数の発光素子３０のうち、第２の方向Ｄ３，Ｄ４に配列されている複数の発光層３０に対して、１つの第２の電極４２が共通に接続されている。
【００４４】
第３の電極４３は、一型コンタクト層３９１を介して第２の一型電流拡散層３９に電気的に接続されている。本実施形態では、格子状に配列されている複数の発光素子３０のうち、第２の方向Ｄ３，Ｄ４に配列されている複数の発光層３０に対して、１つの第３の電極４３が共通に接続されている。
【００４５】
本実施形態では、第１の発光部３０ａは、第１の電極４１と第２の電極４２との間に順方向に電圧を印加することで、当該第１の発光部３０ａに電流が供給され、第１の活性層３３が発光する。また、第２の発光部３０ｂは、第１の電極４１と第３の電極４３との間に順方向に電圧を印加することで、当該第２の発光部３０ｂに電流が供給され、第２の活性層３７が発光する。
【００４６】
本実施形態の発光素子３０は、第１の発光部３０ａと、第２の発光部３０ｂとに共通に接続されている二型電流拡散層３５を有しているので、発光素子３０を構成する層を少なくして、生産性を高めることができる。また、第１の発光部３０ａおよび第２の発光部３０ｂに電流を流す伝送路の数を少なくすることで、電極層４０を簡略することができる。このようにして電極層４０を簡略化することで、発光素子３０ａを狭い間隔で配置したり、支持基体２０の上面２０ａに対して発光素子３０ａの面積が占める割合を大きくしたりすることができるようになる。
【００４７】
保護層５０は、発光素子３０の所望の層と、電極層４０とを電気的に接続する機能を担っている。ここの保護層５０は、複数の発光素子３０を覆うように形成されている。また、の保護層５０は、第１の電極４１と、第２の電極４２と、第３の電極４３とを互い電気的に絶縁する機能を担っている。この保護層５０は、第１の電極４１と、第２の電極４２と、第３の電極４３とが交差する際に、交差する２つの電極の間に設けられている。このように２つの電極の間に保護層５０を設けるには、下側に位置する電極の形成後に、保護層５０を形成することで可能となる。なお、この保護層５０は、図１において省略している。
【００４８】
この保護層５０は、複数の貫通孔５０ａを有している。この貫通孔５０ａは、二型電流拡散層３５の上面のうち、第２の二型クラッド層３６の下から周囲に広がっている部分の上に設けられている。第１の電極４１は、この二型電流拡散層３５の上面の上に設けられている貫通孔５０ａを介して、当該二型電流拡散層３５に接続されている。また、この貫通孔５０ａは、第１の一型電流拡散層３１の上面のうち、第１の一型クラッド層３２の下から周囲に広がっている部分の上に設けられている。第２の電極４２は、この第１の一型電流拡散層３１の上面の上に設けられている貫通孔５０ａを介して、当該第１の一型電流拡散層３１に接続されている。また、この貫通孔５０ａは、一型コンタクト層３９１の上に設けられている。第３の電極４３は、この一型コンタクト層３９１の上面の上に設けられている貫通孔５０ａを介して、当該一型コンタクト層３９１に接続されている。
【００４９】
駆動回路６０は、発光層３０の第１の発光部３０ａおよび第２の発光部３０ｂの駆動を制御する機能を担っている。つまり、この駆動回路６０は、第１の発光部３０ａおよび第２の発光部３０ｂに流れる電流を制御して、発光層３０が光を発するのを制御している。この駆動回路６０は、第１の電極４１と、第２の電極４２と、第３の電極４３とに接続されている。
【００５０】
本実施形態の発光モジュール１０は、受光レセプタに光を照射するものである。この発光モジュール１０は、第１の波長Ｌ１の光を発する第１の発光部３０ａと、第２の波長Ｌ２の光を発する第２の発光部３０ｂとが積層されて設けられている。この発光モジュール１０は、第１の発光部３０ａの外部量子効率η１と、受光レセプタにおける第１の波長Ｌ１の光の波長感度Ｓ１とを積算した第１の積算値Ｐ１、および第２の発光部３０ｂの外部量子効率η２と、受光レセプタにおける第２の波長Ｌ２の光の波長感度Ｓ２とを積算した第２の積算値Ｐ２を比較して、当該積算値の大きい第２の発光部３０ｂに比べて当該積算値の小さい第１の発光部３０ａの面積が大きい。そのため、この発光モジュール１０は、第１の発光部３０ａと、第２の発光部３０ｂとの輝度の差を小さくすることができる。また、本実施形態の発光モジュール１０では、制御を簡素にすることもできる。
【００５１】
本実施形態の発光モジュール１０は、第１の発光部３０ａの発する光が、第２の発光部３０ｂを透過させて出力されるように設けられている。そのため、この発光モジュール１０は、第１の発光部３０ａの発する光と、第２の発光部３０ｂの発する光との間で強度分布が生じるのを低減することができる。
【００５２】
＜画像装置＞
以下、本発明に係る画像装置の一実施形態を例示し、図面を参照しつつ説明する。
【００５３】
図３に示した画像装置１は、上述の発光モジュール１０と、筐体７０とを備えている。
【００５４】
この筐体７０は、発光モジュール１０を保持する機能を担っている。この筐体７０は、第１の筐体７１と、第２の筐体７２とを含んで構成されている。第１の筐体７１は、発光モジュール１０を支持する機能を担っている。この第１の筐体７１の上面には、発光モジュール１０が載置されている。第２の筐体７１は、第１の筐体７１と対となって発光モジュール１０を覆うように設けられている。この第２の筐体７１は、発光モジュール１０の発光素子３０の発する光を透過する機能を担っている。本実施形態の第２の筐体７１は、発光素子３０の発する光を透過する材料で全体が形成されている。なお、第２の筐体７１は、一部のみが発光素子３０の発する光を透過するように構成されていてもよい。
【００５５】
本実施形態の画像装置１は、発光モジュール１０を備えており、当該発光モジュール１０の有する効果を享受することができる。本実施形態の画像装置１は、光の強度分布が小さい画像装置を提供することができる。
【００５６】
以上、本発明の具体的な実施形態を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の要旨から逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。
【００５７】
本実施形態に記載された発光素子３０は、二型電流拡散層３５が第１の発光部３０ａと、第２の発光部３０ｂとに共通に接続されているが、このような構成に限られない。例えば、第１の発光部３０ａおよび第２の発光部３０ｂの間に絶縁層が形成されており、当該第１の発光部３０ａおよび第２の発光部３０ｂが異なる電流拡散層に接続されていてもよい。
【００５８】
本実施形態に記載された発光素子３０は、第１の発光部３０ａの発する光が第２の発光部３０ｂを透過して出力されるように構成されているが、このような構成に限られない。例えば図４に示したように、第２の発光部３０Ａｂの発する光が第１の発光部３０Ａａを透過するように構成されていてもよい。このとき、支持基体２０は、第１の発光部３０ａおよび第２の発光部の発する光を透過する材料によって形成される。本実施形態では、第１の発光部３０ａの積算値Ｐ１が第２の発光部３０ｂの積算値Ｐ２に比べて小さい。そのため、このような構成とすることによって、第１の発光部３０ａの発する光が第２の発光部３０ｂで減衰するのを低減することができる。また、このような構成とすると、第１の発光部３０ａおよび第２の発光部の発する光を第１の電極４１を介さずに取り出すことができる。そのため、第二の電極４２および第３の電極に比べて多くの電流が流れる第１の電極４１の面積を大きくすることができる。
【００５９】
本実施形態に記載された発光素子３０は、ＤＢＲ層を含んで構成されていてもよい。なお、この「ＤＢＲ」は、Distributed Bragg. Reflector（分布ブラッグ反射体）の略称である。このＤＢＲ層は、第１の発光部３０ａおよび第２の発光部３０ｂが発する光を反射させる機能を担っている。このＤＢＲ層を形成する位置としては、第１の一型電流拡散層３１と第１の一型クラッド層３２との間、および二型コンタクト層３５１と第２の二型クラッド層３６との間が挙げられる。このＤＢＲ層は、この両方の位置に形成されてもよいし、いずれか一方のみに形成されてもよい。なお、二型コンタクト層３５１と第２の二型クラッド層３６との間にＤＢＲ層を形成する際には、第２の発光部３０ｂの発する光を反射する特性と、第１の発光部３０ａの発する光が透過する特性とを両立するように設計される。
【００６０】
本実施形態に記載された発光素子３０は、エッチ緩衝層を含んで構成されていてもよい。このエッチ緩衝層は、第１の発光部３０ａと第２の発光部３０ｂとを形成するのに際して、一方の発光部を形成する際に他方の発光部がエッチされるのを緩衝する機能を担っている。このエッチ緩衝層を形成する位置としては、第１の一型電流拡散層３１と第１の一型クラッド層３２との間、および二型コンタクト層３５１と第２の二型クラッド層３６との間が挙げられる。このエッチ緩衝層は、この両方の位置に形成されてもよいし、いずれか一方のみに形成されてもよい。
【符号の説明】
【００６１】
１・・・画像装置
１０・・・発光モジュール
２０・・・支持基体
３０・・・発光素子
３０ａ・・・第１の発光部
３０ｂ・・・第２の発光部
３１・・・第１の一型電流拡散層
３２・・・第１の一型クラッド層
３３・・・第１の活性層
３４・・・第１の二型クラッド層
３５・・・二型電流拡散層
３５１・・・二型コンタクト層
３６・・・第２の二型クラッド層
３７・・・第２の活性層
３８・・・第２の一型クラッド層
３９・・・第２の一型電流拡散層
３９１・・・一型コンタクト層
４０・・・電極層
４１・・・第１の電極
４２・・・第２の電極
４３・・・第３の電極
５０・・・保護層
５０ａ・・・貫通孔
６０・・・駆動回路
７０・・・筐体
７１・・・第１の筐体
７２・・・第２の筐体
Ｌ１・・・第１の発光部の発する光の波長（第１の波長）
Ｌ２・・・第２の発光部の発する光の波長（第２の波長）
Ｓ１・・・第１の波長の光に対する波長感度（第１の波長感度）
Ｓ２・・・第２の波長の光に対する波長感度（第２の波長感度）
η１・・・第１の発光部の外部量子効率（第１の外部量子効率）
η２・・・第２の発光部の外部量子効率（第２の外部量子効率）
Ｐ１・・・第１の波長感度と第１の外部量子効率との積算値（第１の積算値）
Ｐ２・・・第２の波長感度と第２の外部量子効率との積算値（第２の積算値）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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