(57)【要約】【課題】透明基板に形成される配線の設計自由度を維持しつつ、表示品質を向上させる。【解決手段】表示装置１０は、表示領域Ａ１と、表示領域Ａ１を取り囲み、かつ、配線パターン形成領域Ａ３と配線パターン非形成領域Ａ４とを備えた周辺領域Ａ２とを含む表面１１ａを有する透明基板１１と、配線パターン形成領域Ａ３の上方に形成された遮光性を備える配線パターン１２と、周辺領域Ａ２の上方に、配線パターン非形成領域Ａ４を露出し、かつ、配線パターン１２を覆って形成された構造体１３と、周辺領域Ａ２の上方において、配線パターン非形成領域Ａ４を覆い、構造体１３を包囲して形成されたシール材１４と、表示領域Ａ１の上方に形成された表示層１５と、構造体１３、シール材１４、および表示層１５の上方に形成された透明基板１６と、を有する。【選択図】図１
2011242705.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と、前記表示領域を取り囲み、かつ、配線パターン形成領域と配線パターン非形成領域とを備えた周辺領域とを含む表面を有する第１の透明基板と、
前記配線パターン形成領域の上方に形成された遮光性を備える配線パターンと、
前記周辺領域の上方に、前記配線パターン非形成領域を露出し、かつ、前記配線パターンを覆って形成された構造体と、
前記周辺領域の上方において、前記配線パターン非形成領域を覆い、前記構造体を包囲して形成されたシール材と、
前記表示領域の上方に形成された表示層と、
前記構造体、前記シール材、および前記表示層の上方に形成された第２の透明基板と、
を有する
表示装置。
【請求項２】
前記周辺領域は、第１の配線パターン形成領域と、前記第１の配線パターン形成領域よりも幅の広い第２の配線パターン形成領域とを備え、
前記第１の配線パターン形成領域の上方には第１の配線パターンが形成され、前記第２の配線パターン形成領域の上方には第２の配線パターンが形成され、
前記構造体は、前記第１の配線パターンを露出し、かつ、前記第２の配線パターンを覆って形成されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記構造体および前記シール材と、前記第２の透明基板との間には、遮光層が形成されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記構造体の材料には、レジストが用いられている
請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記表示層には、液晶層が用いられている
請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
前記シール材には、光硬化性を備える樹脂が用いられている
請求項１記載の表示装置。
【請求項７】
表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域とを含む表面を有し、前記周辺領域の上方に遮光性を備える配線パターンが形成された第１の透明基板の表面側である上方に、前記周辺領域を覆うポジ型フォトレジスト層を形成する工程と、
前記ポジ型フォトレジスト層が形成された前記第１の透明基板に対して、裏面側から光を照射し、前記配線パターンをマスクとして前記ポジ型フォトレジスト層を露光する工程と、
露光された前記ポジ型フォトレジスト層を現像して前記配線パターンの上方に位置する前記ポジ型フォトレジスト層を選択的に残して構造体を形成する工程と、
前記構造体が形成された前記第１の透明基板の前記周辺領域の上方に、前記構造体を包囲するシール材を形成する工程と、
前記第１の透明基板の前記表面の上方に前記構造体および前記シール材を介して第２の透明基板を積層した積層体を形成する工程と、
前記積層体に対して前記第１の透明基板の前記裏面側から光を照射し、前記シール材を硬化させる工程と、
を有する
表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記ポジ型フォトレジスト層が形成された前記第１の透明基板に対して、前記表面側からマスクを介して光を照射し、前記ポジ型フォトレジスト層を選択的に露光する工程を有する
請求項７記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記表示領域の上方には、遮光性を備える遮光パターンが形成され、
前記ポジ型フォトレジスト層は、前記周辺領域と前記遮光パターンとを覆って形成され、
露光された前記ポジ型フォトレジスト層を現像して前記配線パターンおよび前記遮光パターンの上方に位置する前記ポジ型フォトレジスト層を選択的に残すことにより、前記構造体と、スペーサまたは配向核とを形成する
請求項７記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記遮光パターンの上方に位置する前記ポジ型フォトレジスト層を、ハーフ露光する工程を有する
請求項９記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記表示領域の上方に表示層を形成する工程をさらに有し、
前記表示層には、液晶層が用いられている
請求項７記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記液晶層は、液晶材を滴下することにより形成される
請求項１１記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記積層体に対して前記第１の透明基板の前記裏面側から照射される前記光は、紫外光である
請求項７記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記シール材には、光硬化性を備える樹脂が用いられている
請求項７記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、および表示装置の製造方法に関する。詳しくは、対向する２枚の透明基板と、２枚の透明基板の間に形成された表示層とを有する表示装置、および表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
対向する２枚の透明基板と、２枚の透明基板の間に形成された表示層とを有する表示装置が存在する。このような表示装置としては、例えば、透明基板にＴＦＴ（Thin Film Transistor）等のトランジスタが複数個アレイ状に形成されたアレイ基板と、透明基板にカラーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板と、アレイ基板とカラーフィルタ基板との間に形成された液晶層とを有する液晶表示装置がある。
【０００３】
液晶表示装置では、アレイ基板とカラーフィルタ基板とを貼り合わせるため、アレイ基板およびカラーフィルタ基板の周辺領域には、シール材が形成されている。アレイ基板とカラーフィルタ基板とがシール材により貼り合わされた後、シール材に紫外（ＵＶ：ultraviolet）光が照射され、シール材は硬化する。
【０００４】
一方、液晶表示装置のサイズを小さくするため、例えば、カラーフィルタ基板の周辺領域に形成されたブラックレジストと重なるようにシール材が配置された液晶表示装置が存在する。このような液晶表示装置では、ブラックレジストが遮光性を備えるため、シール材への紫外光の照射は、カラーフィルタ基板側からは行うことができず、アレイ基板側から行う必要がある。
【０００５】
このようなアレイ基板側から紫外光を照射する液晶表示装置では、アレイ基板の周辺領域に形成された周辺回路パターンが紫外光を遮る。このため、周辺回路パターンと重なる領域に位置するシール材が、紫外光が十分に照射されずに、未硬化の状態となってしまう可能性がある。この場合、未硬化のシール材が液晶層に溶出し、シミ、焼き付き等の表示不良が発生する可能性がある。
【０００６】
これに対して、例えば、液晶層側からシール部材の外方に亘って連続してアレイ基板に形成されたアレイ配線をスリット状にして、ＵＶシールにＵＶ光が十分に照射されるようにし、ＵＶシールの液晶層への溶出を防止する技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２３３０２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、アレイ配線をスリット状に形成する方法では、アレイ配線の設計の自由度が大きく制限されてしまう可能性がある。このような問題は、対向する２枚の透明基板と、２枚の透明基板の間に形成された表示層とを有する他の表示装置、例えば、２枚の透明基板の間に有機ＥＬ（Electro Luminescence）膜が形成された有機ＥＬ表示装置にも同様に生じ得る。
【０００９】
このような点に鑑み、透明基板に形成される配線の設計自由度を維持しつつ、表示品質を向上させた表示装置、および表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために以下のような表示装置、および表示装置の製造方法が提供される。
この表示装置は、表示領域と、表示領域を取り囲み、かつ、配線パターン形成領域と配線パターン非形成領域とを備えた周辺領域とを含む表面を有する第１の透明基板と、配線パターン形成領域の上方に形成された遮光性を備える配線パターンと、周辺領域の上方に、配線パターン非形成領域を露出し、かつ、配線パターンを覆って形成された構造体と、周辺領域の上方において、配線パターン非形成領域を覆い、構造体を包囲して形成されたシール材と、表示領域の上方に形成された表示層と、構造体、シール材、および表示層の上方に形成された第２の透明基板と、を有する。
【００１１】
また、この表示装置の製造方法は、表示領域と該表示領域を取り囲む周辺領域とを含む表面を有し、周辺領域の上方に遮光性を備える配線パターンが形成された第１の透明基板の表面側である上方に、周辺領域を覆うポジ型フォトレジスト層を形成する工程と、このポジ型フォトレジスト層が形成された第１の透明基板に対して、裏面側から光を照射し、配線パターンをマスクとしてポジ型フォトレジスト層を露光する工程と、露光されたポジ型フォトレジスト層を現像して配線パターンの上方に位置するポジ型フォトレジスト層を選択的に残して構造体を形成する工程と、構造体が形成された第１の透明基板の周辺領域の上方に、構造体を包囲するシール材を形成する工程と、第１の透明基板の上方に構造体およびシール材を介して第２の透明基板を積層した積層体を形成する工程と、積層体に対して第１の透明基板の前記裏面側から光を照射しシール材を硬化させる工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の表示装置、および表示装置の製造方法によれば、透明基板に形成される配線の設計自由度を維持しつつ、表示品質を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施の形態に係る表示装置の一例を示す断面図である。
【図２】第２の実施の形態に係る液晶表示装置の一例を示す断面図である。
【図３】第２の実施の形態に係る液晶表示装置の一例を示す平面図である。
【図４】図３の拡大平面図である。
【図５】第２の実施の形態に係る液晶表示装置の変形例を示す断面図である。
【図６】第３の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図７】第３の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図８】第３の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図９】第３の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図１０】第４の実施の形態に係る液晶表示装置の一例を示す断面図である。
【図１１】第５の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図１２】第５の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図１３】第５の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図１４】第５の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、実施の形態を図面を参照して説明する。
［第１の実施の形態］
図１は、第１の実施の形態に係る表示装置の一例を示す断面図である。
【００１５】
表示装置１０は、表示領域Ａ１と、表示領域Ａ１を取り囲む周辺領域Ａ２とを含む表面１１ａを備える透明基板１１を有している。さらに、周辺領域Ａ２は、配線パターン形成領域Ａ３と、配線パターン非形成領域Ａ４とを備えている。
【００１６】
配線パターン形成領域Ａ３の上方には、遮光性を備える配線パターン１２が形成されている。なお、表示領域Ａ１の上方には、複数のＴＦＴ等のトランジスタ（図示せず）がアレイ状に形成されている。配線パターン１２は、これらのトランジスタと電気的に接続された周辺回路を構成している。また、表示領域Ａ１の上方には、複数の透明電極（図示せず）が形成されている。複数の透明電極のそれぞれは、複数のトランジスタのそれぞれと電気的に接続されている。
【００１７】
周辺領域Ａ２の上方には、配線パターン非形成領域Ａ４を露出し、かつ、配線パターン１２を覆う構造体１３が形成されている。
さらに、周辺領域Ａ２の上方には、例えば構造体１３と同じ層に、シール材１４が形成されている。シール材は、例えば、紫外光により硬化する光硬化性を備えている。シール材１４は、構造体１３を包囲して形成されている。すなわち、シール材１４は、配線パターン１２を露出し、かつ、配線パターン非形成領域Ａ４を覆って形成されている。
【００１８】
表示領域Ａ１の上方には、表示層１５が形成されている。表示層１５には、例えば、液晶層や有機ＥＬ膜等が用いられる。
さらに、構造体１３、シール材１４、および表示層１５の上方には、透明基板１６が形成されている。透明基板１６には、例えば、カラーフィルタ（図示せず）や、透明電極（図示せず）が形成されている。従って、透明基板１６が構造体１３およびその構造体１３の周りに充填されたシール材１４を介して透明基板１１に対向して配置される。
【００１９】
このように表示装置１０では、周辺領域Ａ２の上方に、配線パターン非形成領域Ａ４を露出し、かつ、配線パターン１２を覆う構造体１３が形成され、シール材１４は構造体１３を包囲して形成されている。すなわち、シール材１４を硬化するための光が配線パターン１２により遮られる箇所には、構造体１３が形成され、シール材１４は形成されていない。これにより、シール材１４を十分に硬化された状態で構成することができ、シール材１４が表示層１５に溶出してしまう可能性を抑制することができる。
【００２０】
また、表示装置１０では、配線パターン１２の配置や形状を変更する必要はないため、配線パターン１２の設計自由度が制限されてしまうこともない。
次に、表示装置１０を液晶表示装置に適用した実施の形態を、第２の実施の形態として説明する。
【００２１】
［第２の実施の形態］
図２は、第２の実施の形態に係る液晶表示装置の一例を示す断面図である。
液晶表示装置１００は、表示領域Ａ１１と、表示領域Ａ１１を取り囲む周辺領域Ａ１２と、周辺領域Ａ１２の外側に位置する引き出し配線形成領域Ａ１３とを含む表面１１１を備える透明基板１１０を有している。さらに、周辺領域Ａ１２は、配線パターン形成領域Ａ１４と、配線パターン非形成領域Ａ１５とを備えている。透明基板１１０には、例えば、ガラス基板が用いられている。
【００２２】
配線パターン形成領域Ａ１４の上方には、遮光性を備える配線パターン１２０が形成されている。配線パターン１２０には、例えば、金属パターンが用いられている。配線パターン１２０は、周辺回路を構成する配線パターンである。配線パターン１２０は、例えば、複数形成されている。複数の配線パターン１２０は、例えば、多層にわたって形成されている。
【００２３】
表示領域Ａ１１の上方には、複数のＴＦＴ等のトランジスタ１３０がアレイ状に形成されている。ここでは、代表して１つのトランジスタ１３０を図示している。トランジスタ１３０は、配線パターン１２０と電気的に接続されている。また、表示領域Ａ１１におけるスペーサ形成領域の上方には、遮光パターン１３７が形成されている。
【００２４】
トランジスタ１３０は、ゲート電極１３１と、ゲート電極１３１を覆って形成されたゲート絶縁膜１３２と、ゲート絶縁膜１３２の上方に形成された半導体層１３３と、半導体層１３３を覆って形成された層間絶縁膜１３４と、層間絶縁膜１３４の上方に形成され、半導体層１３３と電気的に接続されたソース電極１３５とドレイン電極１３６とを有している。
【００２５】
引き出し配線形成領域Ａ１３の上方には、絶縁膜１４０を介して、複数の引き出し配線１５０が形成されている。引き出し配線１５０は、配線パターン１２０と電気的に接続されている。
【００２６】
表示領域Ａ１１および周辺領域Ａ１２の上方には、配線パターン１２０およびトランジスタ１３０を覆う絶縁膜１６０が形成されている。絶縁膜１６０の上面は平坦化されている。絶縁膜１６０は、引き出し配線１５０を露出して形成されている。
【００２７】
絶縁膜１６０の上方には、透明電極１７０が形成されている。透明電極１７０には、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が用いられている。透明電極１７０は、表示領域Ａ１１の上方に位置している。透明電極１７０は、トランジスタ１３０のドレイン電極１３６と電気的に接続され、透明電極１７０への電圧の供給は、トランジスタ１３０により制御されている。
【００２８】
絶縁膜１６０の上方には、構造体１８０、シール材１９０、液晶層２００、およびスペーサ２１０が形成されている。構造体１８０は、周辺領域Ａ１２の上方において、配線パターン非形成領域Ａ１５を露出し、かつ、配線パターン１２０を覆って形成されている。構造体１８０には、例えば、樹脂等のレジスト材料が用いられている。
【００２９】
シール材１９０は、周辺領域Ａ１２の上方において、構造体１８０と同じ層に、構造体１８０を包囲して形成されている。すなわち、シール材１９０は、配線パターン１２０を露出し、かつ、配線パターン非形成領域Ａ１５を覆って形成されている。シール材１９０は、例えば、紫外光により硬化する光硬化性を備えている。シール材１９０の材料には、例えば、アクリルエポキシ系の熱硬化樹脂に、光重合開始剤が混合されたものが用いられている。
【００３０】
液晶層２００は、表示領域Ａ１１の上方に形成されている。ここで、液晶層２００の側面２０１は、シール材１９０と接触している。スペーサ２１０は、遮光パターン１３７の上方に形成され、液晶層２００により包囲されている。
【００３１】
構造体１８０、シール材１９０、液晶層２００、およびスペーサ２１０の上方には、透明電極２２０が形成されている。透明電極２２０には、例えば、ＩＴＯが用いられている。
【００３２】
さらに、構造体１８０、シール材１９０、液晶層２００、およびスペーサ２１０の上方には、透明電極２２０を介して、オーバーコート層２３０が形成されている。オーバーコート層２３０の上方には、ブラックレジスト２４０およびカラーフィルタ（ＣＦ：Color Filter）２５０が形成されている。
【００３３】
ブラックレジスト２４０は、遮光性を備えている。ブラックレジスト２４０は、周辺領域Ａ１２および引き出し配線形成領域Ａ１３の上方に形成されている。カラーフィルタ２５０は、表示領域Ａ１１の上方に形成されている。カラーフィルタ２５０は、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三原色を持つ染料、または顔料を含む樹脂膜で構成されている。
【００３４】
さらに、オーバーコート層２３０の上方には、ブラックレジスト２４０またはカラーフィルタ２５０を介して、透明基板２７０が形成されている。透明基板２７０は、透明基板１１０の表面１１１と対向している表面２７１を備えている。透明基板２７０には、例えば、ガラス基板が用いられている。
【００３５】
次に、液晶表示装置１００の平面構造について説明する。
図３は、第２の実施の形態に係る液晶表示装置の一例を示す平面図である。さらに、図
４は、図３の拡大平面図である。なお、図３では、引き出し配線１５０を除く、透明基板１１０よりも上層の構成については、図示を省略している。また、図４では、絶縁膜１６０および絶縁膜１６０よりも上層の構成については図示を省略している。
【００３６】
図３に示すとおり、透明基板１１０の表面１１１は、中央に位置する表示領域Ａ１１と、表示領域Ａ１１を取り囲む周辺領域Ａ１２と、周辺領域Ａ１２の外側に位置する引き出し配線形成領域Ａ１３とを含む。引き出し配線形成領域Ａ１３の上方には、引き出し配線１５０が配置されている。
【００３７】
周辺領域Ａ１２の上方には、図４（Ａ）に示すように、配線パターン１２０が配置されている。ここでは、幅の異なる複数の配線パターン１２０が配置されている。表示領域Ａ１１の上方には、図４（Ｂ）に示すように、複数の信号線３００と、複数のゲート線３１０と、複数のトランジスタ１３０とが配置されている。ここで、表示領域Ａ１１は、信号線３００とゲート線３１０とにより取り囲まれた複数の画素領域Ａ１１ａを含む。トランジスタ１３０は、画素領域Ａ１１ａ毎に、それぞれ配置されている。
【００３８】
このように液晶表示装置１００では、周辺領域Ａ１２の上方に、配線パターン非形成領域Ａ１５を露出し、かつ、配線パターン１２０を覆う構造体１８０が形成され、シール材１９０は構造体１８０を包囲して形成されている。すなわち、シール材１９０を硬化するための光が配線パターン１２０により遮られる箇所には、構造体１８０が形成され、シール材１９０は形成されていない。これにより、シール材１９０を十分に硬化された状態で構成することができ、シール材１９０が液晶層２００に溶出してしまう可能性を抑制することができる。
【００３９】
また、液晶表示装置１００では、配線パターン１２０の配置や形状を変更する必要はないため、配線パターン１２０の設計自由度が制限されてしまうこともない。
次に、液晶表示装置１００の変形例について説明する。
【００４０】
（変形例）
図５は、第２の実施の形態に係る液晶表示装置の変形例を示す断面図である。
液晶表示装置１００ａでは、周辺領域Ａ１２が、配線パターン形成領域Ａ１４ａと、配線パターン形成領域Ａ１４ａよりも幅の広い配線パターン形成領域Ａ１４ｂとを備えている。そして、配線パターン形成領域Ａ１４ａの上方には、配線パターン１２０ａが形成され、配線パターン形成領域Ａ１４ｂの上方には、配線パターン１２０ｂが形成されている。
【００４１】
そして、構造体１８０は、周辺領域Ａ１２の上方において、配線パターン非形成領域Ａ１５、および配線パターン１２０ａを露出し、配線パターン１２０ｂを覆って形成されている。その他の構成は、液晶表示装置１００と同様である。
【００４２】
すなわち、液晶表示装置１００ａでは、構造体１８０は、幅の狭い配線パターン形成領域Ａ１４ａの上方には形成されずに、配線パターン形成領域Ａ１４ａよりも幅の広い配線パターン形成領域Ａ１４ｂの上方に形成されている。
【００４３】
これにより、液晶表示装置１００ａでは、配線パターン形成領域Ａ１４ａの分だけ、シール材１９０が形成される面積を増大させることが可能となり、絶縁膜１６０およびオーバーコート層２３０との接着性を向上させることができる。
【００４４】
なお、幅の狭い配線パターン形成領域Ａ１４ａの上方に位置するシール材１９０には、シール材１９０を硬化させるための光が配線パターン１２０ａの周囲から回り込んで照射されることが期待できるため、シール材１９０を十分に硬化された状態で構成することも可能である。
【００４５】
次に、液晶表示装置１００，１００ａの製造方法を、第３の実施の形態として説明する。
［第３の実施の形態］
図６は、第３の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。図７〜図９は、第３の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。以下、図６のフローチャートに沿って、図７〜図９の工程図を用いながら第３の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。なお、第３の実施の形態では、液晶表示装置１００，１００ａを製造するための全ての工程のうち、代表的な工程について説明を行う。
【００４６】
まず、アレイ基板側の製造方法について説明する。
［ステップＳ１０］まず、図７（Ａ）に示すように、透明基板１１０の表面１１１の上方に、配線パターン１２０（または配線パターン１２０ａ，１２０ｂ）およびトランジスタ（図示せず）を形成する。配線パターン１２０（または配線パターン１２０ａ，１２０ｂ）は、周辺領域Ａ１２の上方に形成され、トランジスタは、表示領域Ａ１１の上方に形成される。
【００４７】
さらに、透明基板１１０の表面１１１の上方に、配線パターン１２０（または配線パターン１２０ａ，１２０ｂ）およびトランジスタを覆うように絶縁膜１６０が形成される。ここで、透明基板１１０の表面１１１の上方に、配線パターン１２０（または配線パターン１２０ａ，１２０ｂ）とトランジスタと絶縁膜１６０とが形成されたものを、アレイ基板１１０ａとする。
【００４８】
［ステップＳ１１］次に、図７（Ｂ）に示すように、アレイ基板１１０ａの上方に、ポジ型フォトレジスト層３２０を形成する。ポジ型フォトレジスト層３２０は、感光剤として、例えば、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を含む樹脂である。ポジ型フォトレジスト層３２０は、例えば、スピンコート法を用いて、液状のポジ型フォトレジスト材料をアレイ基板１１０ａの上方に塗布することで形成される。
【００４９】
［ステップＳ１２］次に、図７（Ｃ）に示すように、ポジ型フォトレジスト層３２０が形成されたアレイ基板１１０ａに対して、透明基板１１０の裏面１１２側から光を照射し、ポジ型フォトレジスト層３２０を露光する。露光は、例えば、ｉ〜ｇ線を主波長とした光を、露光量が、４００ｍＪ／ｃｍ2となる条件で照射することで行われる。
【００５０】
この露光により、ポジ型フォトレジスト層３２０のうち、配線パターン１２０（または配線パターン１２０ａ，１２０ｂ）の上方を除く領域が感光する。ポジ型フォトレジスト層３２０のうち、配線パターン１２０（または配線パターン１２０ａ，１２０ｂ）の上方に位置する領域は、配線パターン１２０（または配線パターン１２０ａ，１２０ｂ）により露光の光が遮られるため、感光しない。すなわち、配線パターン１２０（または配線パターン１２０ａ，１２０ｂ）がマスクとなり、ポジ型フォトレジスト層３２０が自己整合により選択的に露光される。
【００５１】
［ステップＳ１３］次に、図７（Ｄ）に示すように、ポジ型フォトレジスト層３２０が形成されたアレイ基板１１０ａに対して、透明基板１１０の表面１１１側からマスク３３０を介して光を照射し、ポジ型フォトレジスト層３２０を選択的に露光する。露光は、例えば、ｉ〜ｇ線を主波長とした光を、露光量が、２００ｍＪ／ｃｍ2となる条件で照射することで行われる。露光は、アライナーやステッパー等、アライメントが可能な露光パターニング装置を用いて行われる。
【００５２】
この露光により、ポジ型フォトレジスト層３２０のうち、配線パターン１２０（または配線パターン１２０ａ，１２０ｂ）以外の金属パターンの存在により上記のステップＳ１２の露光時に感光されていない領域や、最終的にポジ型フォトレジスト層３２０を残したくない領域を、選択的に感光させる。例えば、この工程で、引き出し配線１５０の上方に位置しているポジ型フォトレジスト層３２０を露光する。また、例えば、液晶表示装置１００ａの製造方法では、この工程で、配線パターン１２０ａの上方に位置しているポジ型フォトレジスト層３２０を露光する。
【００５３】
なお、このステップＳ１３は、上述したステップＳ１２と順番を入れ替えることも可能であり、また、ステップＳ１３をステップＳ１２とを同時に行うことも可能である。
［ステップＳ１４］次に、図８（Ａ）に示すように、露光されたポジ型フォトレジスト層３２０を現像する。現像により、ステップＳ１２の露光、および、ステップＳ１３の露光により感光したポジ型フォトレジスト層３２０は除去され、配線パターン１２０（または配線パターン１２０ｂ）の上方に位置するポジ型フォトレジスト層３２０が選択的に残り、構造体１８０となる。
【００５４】
ここで、構造体１８０は、配線パターン１２０（または配線パターン１２０ｂ）をマスクとして自己整合的に形成されるため、構造体１８０は配線パターン１２０（または配線パターン１２０ｂ）の上方に、位置精度よく配置される。
【００５５】
［ステップＳ１５］次に、構造体１８０に対して、ＵＶキュアを行う。これにより、構造体１８０のポストベーク工程での熱リフローによる変形を抑制することが可能となる。なお、構造体１８０が十分に高いガラス転移点を有している場合は、ＵＶキュアを行わなくてもよい。
【００５６】
［ステップＳ１６］次に、構造体１８０に対して、ポストベークを行い、構造体１８０を本焼成する。
［ステップＳ１７］次に、アレイ基板１１０ａの上方に配向膜（図示せず）を印刷により形成する。
【００５７】
［ステップＳ１８］次に、アレイ基板１１０ａに形成された配向膜に対して、必要に応じてラビングを行う。
次に、カラーフィルタ基板側の製造方法について説明する。
【００５８】
［ステップＳ１９］まず、図８（Ｂ）に示すように、透明基板２７０の表面２７１の上方に、カラーフィルタ２５０およびブラックレジスト２４０を形成する。ここで、透明基板２７０の表面２７１の上方に、カラーフィルタ２５０およびブラックレジスト２４０が形成されたものを、カラーフィルタ基板２７０ａとする。
【００５９】
［ステップＳ２０］次に、カラーフィルタ基板２７０ａの上方に配向膜（図示せず）を印刷により形成する。
［ステップＳ２１］次に、カラーフィルタ基板２７０ａに形成された配向膜に対して、必要に応じてラビングを行う。
【００６０】
次に、アレイ基板１１０ａとカラーフィルタ基板２７０ａとを積層する工程について説明する。
［ステップＳ２２］まず、図８（Ｃ）に示すように、アレイ基板１１０ａの上方に、シール材１９０を供給する。シール材１９０は、透明基板１１０の周辺領域Ａ１２の上方に、構造体１８０を覆うように描画される。なお、カラーフィルタ基板２７０ａ側に、シール材１９０を供給してもよい。
【００６１】
［ステップＳ２３］次に、図８（Ｄ）に示すように、シール材１９０が供給されたアレイ基板１１０ａの上方に、液晶材３４０を供給する。液晶材３４０は、透明基板１１０の表示領域Ａ１１の上方に供給される。液晶材３４０は、例えば、ディスペンサを用いて滴下することにより供給される。なお、カラーフィルタ基板２７０ａ側に、液晶材３４０を供給してもよい。
【００６２】
［ステップＳ２４］次に、図９（Ａ）に示すように、アレイ基板１１０ａの上方に、構造体１８０、シール材１９０、または液晶材３４０を介してカラーフィルタ基板２７０ａを積層して積層体３５０を形成する。すなわち、アレイ基板１１０ａとカラーフィルタ基板２７０ａとは、シール材１９０により貼り合わされる。ここで、透明基板１１０の表面１１１と、透明基板２７０の表面２７１とが対向するように、カラーフィルタ基板２７０ａは、アレイ基板１１０ａの上方に積層される。
【００６３】
また、カラーフィルタ基板２７０ａをアレイ基板１１０ａの上方に積層する際の圧力により、液晶材３４０が、アレイ基板１１０ａとカラーフィルタ基板２７０ａとシール材１９０とにより挟まれた空間内を拡がり、この空間を満たす。これにより、液晶層２００が形成される。さらに、カラーフィルタ基板２７０ａをアレイ基板１１０ａの上方に積層する際の圧力により、構造体１８０の上方に位置しているシール材１９０は、構造体１８０の周囲に押し出される。
【００６４】
なお、液晶材３４０の供給は、上記のステップＳ２３に替えて、アレイ基板１１０ａとカラーフィルタ基板２７０ａとを貼り合わせた後に行ってもよい。この場合、液晶材３４０は、アレイ基板１１０ａとカラーフィルタ基板２７０ａとシール材１９０とにより挟まれた空間に、例えば、シール材１９０に設けられた開口を介して外部から注入される。
【００６５】
［ステップＳ２５］次に、図９（Ｂ）に示すように、積層体３５０に対して、透明基板１１０の裏面１１２側から紫外光を照射し、シール材１９０を硬化させる。
［ステップＳ２６］次に、積層体３５０を加熱し、液晶層２００を硬化させる。
【００６６】
以上のようにして、液晶表示装置１００，１００ａが製造される。
このように、第３の実施の形態では、配線パターン１２０の上方に構造体１８０が形成された積層体３５０に対して、透明基板１１０の裏面１１２側から、シール材１９０を硬化するための光が照射される。すなわち、シール材１９０を硬化するための光が配線パターン１２０により遮られる箇所には、構造体１８０が形成され、シール材１９０は形成されていない。これにより、シール材１９０の全域に光を照射することが可能となり、シール材１９０を全域にわたって十分に硬化させることができる。このため、シール材１９０が液晶層２００に溶出してしまう可能性を抑制することが可能となる。
【００６７】
また、配線パターン１２０（または配線パターン１２０ａ，１２０ｂ）の配置や形状を変更する必要がないため、配線パターン１２０（または配線パターン１２０ａ，１２０ｂ）の設計自由度が制限されてしまうこともない。
【００６８】
次に、液晶表示装置１００に配向核を形成した実施の形態を、第４の実施の形態として説明する。
［第４の実施の形態］
図１０は、第４の実施の形態に係る液晶表示装置の一例を示す断面図である。
【００６９】
液晶表示装置１００ｂは、液晶表示装置１００の構成に加えて以下の構成を有する。
液晶表示装置１００ｂでは、表示領域Ａ１１の上方に、遮光性を備える遮光パターン３６０，３７０が形成されている。遮光パターン３６０，３７０には、例えば、モリブデン（Ｍｏ）等の金属パターンが用いられている。そして、絶縁膜１６０は、遮光パターン３６０，３７０を覆って形成されている。
【００７０】
さらに、絶縁膜１６０の上方には、配向核３８０が形成されている。配向核３８０は、遮光パターン３６０の上方に形成されている。そして、液晶層２００は、配向核３８０を覆って形成されている。配向核３８０は、液晶層２００の配向を制御する。また、スペーサ２１０は、遮光パターン３７０の上方に形成されている。
【００７１】
図中では配向核３８０およびスペーサ２１０はそれぞれ、１つずつ図示されているが、それぞれが複数形成されていてもよい。さらに、配向核３８０、およびスペーサ２１０には、構造体１８０と同じ材料が用いられている。ここでは、配向核３８０、およびスペーサ２１０の材料に、樹脂等のレジスト材料が用いられている。
【００７２】
このように、液晶表示装置１００ｂでは、構造体１８０と、配向核３８０と、スペーサ２１０とが、同じ材料で形成されている。これにより、材料コストを抑制することが可能となる。また、液晶表示装置１００と同様に、シール材１９０を十分に硬化された状態で構成することができ、シール材１９０が液晶層２００に溶出してしまう可能性を抑制することができる。
【００７３】
次に、液晶表示装置１００ｂの製造方法を、第５の実施の形態として説明する。
［第５の実施の形態］
図１１は、第５の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。図１２〜図１４は、第５の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。以下、図１１のフローチャートに沿って、図１２〜図１４の工程図を用いながら第５の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。なお、第５の実施の形態では、液晶表示装置１００ｂを製造するための全ての工程のうち、代表的な工程について説明を行う。
【００７４】
まず、アレイ基板側の製造方法について説明する。
［ステップＳ３０］まず、図１２（Ａ）に示すように、透明基板１１０の表面１１１の上方に、配線パターン１２０、トランジスタ（図示せず）、および遮光パターン３６０，３７０を形成する。配線パターン１２０は、周辺領域Ａ１２の上方に形成され、トランジスタは、表示領域Ａ１１の上方に形成される。遮光パターン３６０は、表示領域Ａ１１における配向核形成領域の上方に形成され、遮光パターン３７０は、表示領域Ａ１１におけるスペーサ形成領域の上方に形成される。
【００７５】
さらに、透明基板１１０の表面１１１の上方に、配線パターン１２０、トランジスタ、および遮光パターン３６０，３７０を覆うように絶縁膜１６０が形成される。ここで、透明基板１１０の表面１１１の上方に、配線パターン１２０とトランジスタと遮光パターン３６０，３７０と絶縁膜１６０とが形成されたものを、アレイ基板１１０ｂとする。
【００７６】
［ステップＳ３１］次に、図１２（Ｂ）に示すように、アレイ基板１１０ｂの上方に、ポジ型フォトレジスト層３２０を形成する。ポジ型フォトレジスト層３２０は、例えば、スピンコート法を用いて、液状のポジ型フォトレジスト材料をアレイ基板１１０ｂの上方に塗布することで形成される。
【００７７】
［ステップＳ３２］次に、図１２（Ｃ）に示すように、ポジ型フォトレジスト層３２０が形成されたアレイ基板１１０ｂに対して、透明基板１１０の裏面１１２側から光を照射し、ポジ型フォトレジスト層３２０を露光する。露光は、例えば、ｉ〜ｇ線を主波長とした光を、露光量が、４００ｍＪ／ｃｍ2となる条件で照射することで行われる。
【００７８】
この露光により、ポジ型フォトレジスト層３２０のうち、配線パターン１２０および遮光パターン３６０，３７０の上方を除く領域が感光する。ポジ型フォトレジスト層３２０のうち、配線パターン１２０および遮光パターン３６０，３７０の上方に位置する領域は、配線パターン１２０および遮光パターン３６０，３７０により露光の光が遮られるため、感光しない。すなわち、配線パターン１２０および遮光パターン３６０，３７０がマスクとなり、ポジ型フォトレジスト層３２０が自己整合により選択的に露光される。
【００７９】
［ステップＳ３３］次に、図１２（Ｄ）に示すように、ポジ型フォトレジスト層３２０が形成されたアレイ基板１１０ｂに対して、透明基板１１０の表面１１１側からマスク３３１を介して光を照射し、ポジ型フォトレジスト層３２０を選択的に露光する。露光は、例えば、ｉ〜ｇ線を主波長とした光を、露光量が、２００ｍＪ／ｃｍ2となる条件で照射することで行われる。露光は、アライナーやステッパー等、アライメントが可能な露光パターニング装置を用いて行われる。
【００８０】
この露光により、ポジ型フォトレジスト層３２０のうち、配線パターン１２０および遮光パターン３６０，３７０以外の金属パターンの存在により上記のステップＳ３２の露光時に感光されていない領域や、最終的にポジ型フォトレジスト層３２０を残したくない領域を、選択的に感光させる。例えば、この工程で、引き出し配線１５０の上方に位置しているポジ型フォトレジスト層３２０を露光する。
【００８１】
さらに、このとき、配向核形成領域の上方、すなわち、遮光パターン３６０の上方に位置するポジ型フォトレジスト層３２０に対して、ハーフ露光を行う。
なお、このステップＳ３３は、上述したステップＳ３２と順番を入れ替えることも可能であり、また、ステップＳ３３とステップＳ３２とを同時に行うことも可能である。
【００８２】
［ステップＳ３４］次に、図１３（Ａ）に示すように、露光されたポジ型フォトレジスト層３２０を現像する。現像により、ステップＳ３２の露光、および、ステップＳ３３の露光により感光したポジ型フォトレジスト層３２０は除去され、配線パターン１２０の上方に位置するポジ型フォトレジスト層３２０が選択的に残り、構造体１８０となる。
【００８３】
さらに、遮光パターン３６０の上方に位置するポジ型フォトレジスト層３２０が選択的に残り、配向核３８０となる。さらに、遮光パターン３７０の上方に位置するポジ型フォトレジスト層３２０が選択的に残り、スペーサ２１０となる。なお、配向核３８０は、前駆体であるポジ型フォトレジスト層３２０がハーフ露光されている関係で、構造体１８０およびスペーサ２１０よりも高さが低くなる。
【００８４】
ここで、構造体１８０、配向核３８０、およびスペーサ２１０は、配線パターン１２０、および遮光パターン３６０，３７０をマスクとして自己整合的に形成される。このため、構造体１８０、配向核３８０、およびスペーサ２１０は、配線パターン１２０、および遮光パターン３６０，３７０の上方に、位置精度よく配置される。
【００８５】
［ステップＳ３５］次に、構造体１８０、配向核３８０、およびスペーサ２１０に対して、ＵＶキュアを行う。これにより、構造体１８０、配向核３８０、およびスペーサ２１０のポストベーク工程での熱リフローによる変形を抑制することが可能となる。なお、構造体１８０、配向核３８０、およびスペーサ２１０が十分に高いガラス転移点を有している場合は、ＵＶキュアを行わなくてもよい。
【００８６】
［ステップＳ３６］次に、構造体１８０、配向核３８０、およびスペーサ２１０に対して、ポストベークを行い、構造体１８０、配向核３８０、およびスペーサ２１０を本焼成する。
【００８７】
［ステップＳ３７］次に、アレイ基板１１０ｂの上方に配向膜（図示せず）を印刷により形成する。
次に、カラーフィルタ基板側の製造方法について説明する。
【００８８】
［ステップＳ３８］まず、図１３（Ｂ）に示すように、透明基板２７０の表面２７１の上方に、カラーフィルタ２５０およびブラックレジスト２４０を形成する。ここで、透明基板２７０の表面２７１の上方に、カラーフィルタ２５０およびブラックレジスト２４０が形成されたものを、カラーフィルタ基板２７０ｂとする。
【００８９】
［ステップＳ３９］次に、カラーフィルタ基板２７０ｂの上方に配向膜（図示せず）を印刷により形成する。
次に、アレイ基板１１０ｂとカラーフィルタ基板２７０ｂとを積層する工程について説明する。
【００９０】
［ステップＳ４０］まず、図１３（Ｃ）に示すように、アレイ基板１１０ｂの上方に、シール材１９０を供給する。シール材１９０は、透明基板１１０の周辺領域Ａ１２の上方に、構造体１８０を覆うように描画される。なお、カラーフィルタ基板２７０ｂ側に、シール材１９０を供給してもよい。
【００９１】
［ステップＳ４１］次に、図１３（Ｄ）に示すように、シール材１９０が供給されたアレイ基板１１０ｂの上方に、液晶材３４０を供給する。液晶材３４０は、透明基板１１０の表示領域Ａ１１の上方に供給される。液晶材３４０は、例えば、ディスペンサを用いて滴下することにより供給される。なお、カラーフィルタ基板２７０ｂ側に、液晶材３４０を供給してもよい。
【００９２】
［ステップＳ４２］次に、図１４（Ａ）に示すように、アレイ基板１１０ｂの上方に、構造体１８０、シール材１９０、スペーサ２１０、または液晶材３４０を介してカラーフィルタ基板２７０ｂを積層して積層体３５１を形成する。すなわち、アレイ基板１１０ｂとカラーフィルタ基板２７０ｂとは、シール材１９０により貼り合わされる。
【００９３】
また、アレイ基板１１０ｂとカラーフィルタ基板２７０ｂとの間隔は、スペーサ２１０により保たれる。ここで、透明基板１１０の表面１１１と、透明基板２７０の表面２７１とが対向するように、カラーフィルタ基板２７０ｂは、アレイ基板１１０ｂの上方に積層される。
【００９４】
また、カラーフィルタ基板２７０ｂをアレイ基板１１０ｂの上方に積層する際の圧力により、液晶材３４０が、アレイ基板１１０ｂとカラーフィルタ基板２７０ｂとシール材１９０とにより挟まれた空間内を拡がり、この空間を満たす。これにより、液晶層２００が形成される。さらに、カラーフィルタ基板２７０ｂをアレイ基板１１０ｂの上方に積層する際の圧力により、構造体１８０の上方に位置しているシール材１９０は、構造体１８０の周囲に押し出される。
【００９５】
なお、液晶材３４０の供給は、上記のステップＳ４１に替えて、アレイ基板１１０ｂとカラーフィルタ基板２７０ｂとを貼り合わせた後に行ってもよい。この場合、液晶材３４０は、アレイ基板１１０ｂとカラーフィルタ基板２７０ｂとシール材１９０とにより挟まれた空間に、例えば、シール材１９０に設けられた開口を介して外部から注入される。
【００９６】
［ステップＳ４３］次に、図１４（Ｂ）に示すように、積層体３５１に対して、透明基板１１０の裏面１１２側から紫外光を照射し、シール材１９０を硬化させる。
［ステップＳ４４］次に、積層体３５１を加熱し、液晶層２００を硬化させる。
【００９７】
以上のようにして、液晶表示装置１００ｂが製造される。
このように、第５の実施の形態では、構造体１８０を形成するための、裏面露光、および、現像工程を用いて、配向核３８０およびスペーサ２１０を形成することが可能となる。このため、配向核３８０およびスペーサ２１０を形成するための工程を簡略化することが可能となる。
【００９８】
また、第５の実施の形態においても、第３の実施の形態と同様に、シール材１９０の全域に光を照射することが可能となり、シール材１９０を全域に亘って十分に硬化させることができる。このため、シール材１９０が液晶層２００に溶出してしまう可能性を抑制することが可能となる。
【００９９】
また、配線パターン１２０の配置や形状を変更する必要がないため、配線パターン１２０の設計自由度が制限されてしまうこともない。
【符号の説明】
【０１００】
１０……表示装置、１１，１６，１１０，２７０……透明基板、１１ａ，１１１，２７１……表面、１２，１２０，１２０ａ，１２０ｂ……配線パターン、１３，１８０……構造体、１４，１９０……シール材、１５……表示層、１００，１００ａ，１００ｂ……液晶表示装置、１１０ａ，１１０ｂ……アレイ基板、１３０……トランジスタ、１３１……ゲート電極、１３２……ゲート絶縁膜、１３３……半導体層、１３４……層間絶縁膜、１３５……ソース電極、１３６……ドレイン電極、１３７，３６０，３７０……遮光パターン、１４０，１６０……絶縁膜、１５０……引き出し配線、１７０，２２０……透明電極、２００……液晶層、２０１……側面、２１０……スペーサ、２３０……オーバーコート層、２４０……ブラックレジスト、２５０……カラーフィルタ、２７０ａ，２７０ｂ……カラーフィルタ基板、３００……信号線、３１０……ゲート線、３２０……ポジ型フォトレジスト層、３３０，３３１……マスク、３４０……液晶材、３５０，３５１……積層体、３８０……配向核、Ａ１，Ａ１１……表示領域、Ａ２，Ａ１２……周辺領域、Ａ３，Ａ１４，Ａ１４ａ，Ａ１４ｂ……配線パターン形成領域、Ａ４，Ａ１５……配線パターン非形成領域、Ａ１１ａ……画素領域、Ａ１３……引き出し配線形成領域
【図１】
2011242705.tif 000003
【図２】
2011242705.tif 000004
【図３】
2011242705.tif 000005
【図４】
2011242705.tif 000006
【図５】
2011242705.tif 000007
【図６】
2011242705.tif 000008
【図７】
2011242705.tif 000009
【図８】
2011242705.tif 000010
【図９】
2011242705.tif 000011
【図１０】
2011242705.tif 000012
【図１１】
2011242705.tif 000013
【図１２】
2011242705.tif 000014
【図１３】
2011242705.tif 000015
【図１４】
2011242705.tif 000016