(57)【要約】  【課題】  測定端子を固定するための基板の変形が少なく、測定端子が半導体チップとなる部分の電気特性を正確に測定することができ、かつアライメントマークを認識しやすくするためのインターポーザ基板を提供する。  【解決手段】  セラミックスからなるインターポーザ基板の主面に、アライメントマークとしての有底穴を有し、有底穴の底面が中心に向かって深くなっている凹状であることとしたことから、インターポーザ基板の強度がアライメントマークが貫通穴である場合に比べて増加し製品の撓みが抑えられ、高精度な位置決めを行なうことができる。さらに有底穴の底面のフラットに近い面積が小さくなるため、画像認識のための反射光を減少させることができ、アライメントマークと主面とのコントラストを大きくすることができアライメントマークの認識性を向上できる。【選択図】  図１
2011204889.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックスからなるインターポーザ基板の主面に、アライメントマークとしての有底穴を有し、該有底穴の底面が中心に向かって深くなっている凹状であることを特徴とするインターポーザ基板。
【請求項２】
前記有底穴の底面が、円錐状または角錐状であることを特徴とする請求項１に記載のインターポーザ基板。
【請求項３】
前記有底穴の内径をＤ，深さをＬとしたとき、Ｌ／Ｄが１〜４であることを特徴とする請求項１または２に記載のインターポーザ基板。
【請求項４】
前記インターポーザ基板の主面の算術平均粗さＲａよりも、前記有底穴の底面の算術平均粗さＲａが大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のインターポーザ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多数の半導体素子が形成されたウエハの電気特性試験に使用するプローブカード用部品であるインターポーザ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＰＵ（Central Processing Unit：中央演算処理装置），ＭＰＵ（Microprocessor Unit：超小型演算処理装置）やフラッシュメモリ等に用いられる半導体ウエハに形成された回路の電気特性の検査は、高温に加熱した状態でプローブカードを用いて行なわれる。
【０００３】
図４は、従来のプローブカードを用いて半導体チップの電気特性を検査する構成を示す概略断面図である。
【０００４】
図４で示すプローブカード100は、プローブピンタイプの垂直型プローブカードであっ
て、支持部材104に形成された配線基板103の端子103ａに固着されたプローブピン102が、プローブピン102を案内するガイド部材101の貫通穴101ａを通して、被検品である多数の
半導体チップ111を載置したウエハ110のリード電極112と接触することにより、多数の半
導体チップ111の電気特性の検査を一挙に実施するものである。
【０００５】
しかしながら、プローブカード100には、多数のプローブピン102が、それぞれのリード電極112に確実に接触するように、屈曲部を設けて弾力性を持たせているが、半導体チッ
プ111のさらなる高集積化に伴い、それぞれのリード電極112の間のピッチの狭小化が進んで、屈曲したプローブピン102を用いるとプローブピン102同士が接触し易くなり、電気的な短絡不良を起こすという問題が生じている。
【０００６】
このため、従来のプローブピン方式の垂直型プローブカードに替わって、ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  Systems）と呼ばれる微細加工技術（例えばフォトリソグラ
フィー法）を用いてプローブピン102を用いない垂直型プローブカードを得る方法が採用
されつつある。
【０００７】
図５は、従来のＭＥＭＳ方式の垂直型プローブカードを用いて半導体チップの電気特性を検査する構成を示す概略断面図である。
【０００８】
図５のプローブカード200は、ＳＴ基板（スペーストランスフォーマ）204と、ＳＴ基板204に形成された配線基板203と、貫通穴201ｂを備えたインターポーザ基板201とを有している。配線基板203には端子203ａを形成して、この端子203ａと、インターポーザ基板201の主面にＭＥＭＳの微細加工技術で形成した測定端子202とが貫通穴201ｂに通したボンディングワイヤ205で電気的に結んである。そして、測定端子202が、被検品である多数の半導体チップ111を載置したウエハ110のリード電極112と接触することにより、多数の半導
体チップ111の電気特性の検査を一挙に実施するものである。
【０００９】
このようなＭＥＭＳの加工技術を用いた垂直型プローブカードの組立においては、インターポーザ基板201の測定端子202とＳＴ基板204の配線基板203上に形成された端子203ａ
とが、ボンディングワイヤ205により電気的に結ばれているが、測定端子202は、目視では視認できないような微細なものであり、配線基板203から引き出されたボンディングワイ
ヤ205と測定端子202との正確な位置認識が必要であり、従来はインターポーザ基板201に
備えられた貫通穴201ａを位置認識用のアライメントマークとしていた。
【００１０】
そして、このようなアライメントマークを用いて位置決めするためには、アライメントマークに向けて光源から光を照射して、照射した光が貫通穴201ａ周囲のインターポーザ
基板201の主面によって反射された反射光をＣＣＤカメラで撮像して、その画像を画像処
理装置で２値化処理を行ない、貫通穴201ａの径方向の中心位置を求めることによって、
インターポーザ基板201の正確な位置を認識して行なう。なお、このような位置決めをす
るためのアライメントマークとしては突起物，貫通穴または有底穴などが用いられている。
【００１１】
特許文献１には、平面上に設けられる位置決め用マークにして、ＣＣＤカメラで読み取り、その結果得られたデータに基づいてその基準位置となる一点を定めることが可能な位置決め用マークにおいて、複数のマーク要素から構成されている位置決め用マークが記載され、そのようなマーク要素が底付き穴であることが記載されている。これによれば、一つの位置決め用マークが複数のマーク要素によって構成されているので、個々のマーク要素は、ＣＣＤカメラで正確に読み取り可能な程度に小さくできる一方で、これらの小さなマーク要素が集まって構成する位置決め用マークの大きさは従来の位置決め用マークと同等程度の大きさにすることができる。したがって、ＣＣＤカメラに対して位置決め用マークを粗く位置合わせする際に、ＣＣＤカメラの倍率を上げて焦点深度を浅くすることなく、また、視野を狭めることなく、位置決め用マークを容易にとらえることができる。したがって、効率よく位置合わせ作業を行なうことができるというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開2000−112151号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、ＭＥＭＳ方式の垂直型プローブカードで採用されているプローブカード200のＳＴ基板204とインターポーザ基板201との組立においては、ボンディングワイヤ205の位置を正確に合わせるためにインターポーザ基板201に位置決め用のアライメントマー
クとしての貫通穴201ａを備えてはいるが、半導体チップ111の高集積化により、配線基板203上の配線がさらに複雑化して、アライメントマークに貫通穴201ａを用いると、ＳＴ基板204の配線に当たった光が貫通穴201ａを通って反射し、インターポーザ基板201の主面
と貫通穴201ａとの画像の明暗の差が少なくなって、アライメントマークの位置認識に悪
影響を及ぼすという問題が発生していた。
【００１４】
また、特許文献１で提案された位置決め用マークの底付き穴をインターポーザ基板に設けてＳＴ基板との位置決めをしようとしても、穴の底から反射する反射光がインターポーザ基板の主面との画像の明暗の差がなくなり、アライメントマークの位置認識に悪影響を及ぼすという課題がなお残り、これに対する解決策の記載はなかった。
【００１５】
本発明は、上記課題を解決すべく案出されたものであり、ＭＥＭＳ方式の垂直型プローブカードの組み立て工程において、正確な位置認識ができるインターポーザ基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明のインターポーザ基板は、セラミックスからなるインターポーザ基板の主面に、アライメントマークとしての有底穴を有し、該有底穴の底面が中心に向かって深くなっている凹状であることを特徴とするものである。
【００１７】
また、本発明のインターポーザ基板は、上記構成において、前記有底穴の底面が、円錐
状または角錐状であることを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明のインターポーザ基板は、上記いずれかの構成において、前記有底穴の内径をＤ，深さをＬとしたとき、Ｌ／Ｄが１〜４であることを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明のインターポーザ基板は、上記いずれかの構成において、前記インターポーザ基板の主面の算術平均粗さＲａよりも、前記有底穴の底面の算術平均粗さＲａが大きいことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のインターポーザ基板は、セラミックスからなるインターポーザ基板の主面に、アライメントマークとしての有底穴を有し、この有底穴の底面が中心に向かって深くなっている凹状としたので、プローブカードの組み立て工程で、ＳＴ基板の配線基板と、インターポーザ基板の測定端子とをボンディングワイヤで電気的に結ぶときに、ＳＴ基板の配線からの反射光がＣＣＤカメラに入射することがない。さらに、有底穴の底面が中心に向かって深くなっている凹状としたことによって、有底穴の底面からの反射光がＣＣＤカメラへ反射するのを減少させることができ、有底穴の周辺のインターポーザ基板の主面の反射光との差が明瞭になり、アライメントマークの画像認識精度を向上させることができる。
【００２１】
また、本発明のインターポーザ基板は、有底穴の底面が、円錐状または角錐状とした場合には、有底穴の底面がフラットである場合に比べ、有底穴の底面からの反射光を減少させることができるので、有底穴の周辺のインターポーザ基板の主面の反射光との差が明瞭になり、アライメントマークの画像認識精度を向上させることができる。
【００２２】
また、本発明のインターポーザ基板は、有底穴の内径をＤ，深さをＬとしたとき、Ｌ／Ｄが１〜４とした場合には、アライメントマークの中心部に向かう底面の反射による光を乱反射させるので、有底穴の周辺のインターポーザ基板の主面の反射光との差が明瞭になり、アライメントマークの画像認識精度を向上させることができる。
【００２３】
また、本発明のインターポーザ基板によれば、インターポーザ基板の主面の算術平均粗さＲａよりも、有底穴の底面の算術平均粗さＲａを大きくした場合には、有底穴の周辺のインターポーザ基板の主面の反射光との差が明瞭になり、アライメントマークの画像認識精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明のインターポーザ基板を有するプローブカードを用いて半導体チップの電気特性を検査する構成の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明のインターポーザ基板の有底穴の例を示す、（ａ）〜（ｃ）は底面が中心に向かって深くなっている凹状の縦断面図であり、（ｄ）〜（ｆ）は、それぞれ（ａ）〜（ｃ）の有底穴の底面の形状を示す概略上面図である。
【図３】従来の有底穴の例を示す、（ａ）および（ｂ）は底面が平坦な形状を示す縦断面図であり、（ｃ）および（ｄ）は、それぞれ（ａ）または（ｂ）の有底穴の底面の形状を示す概略上面図である。
【図４】従来のプローブカードを用いて半導体チップの電気特性を検査する構成を示す概略断面図である。
【図５】従来のＭＥＭＳ方式の垂直型プローブカードを用いて半導体チップの電気特性を検査する構成を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明のインターポーザ基板の実施の形態の例について説明する。
【００２６】
図１は、本発明のインターポーザ基板を有するプローブカードを用いて半導体チップの電気特性を検査する構成の一例を示す概略断面図である。
【００２７】
図１のプローブカード10は、ＳＴ基板（スペーストランスフォーマ）４と、ＳＴ基板４に形成された配線基板３と、貫通穴１ｂを備えたインターポーザ基板１とを有している。配線基板３には端子３ａを形成して、この端子３ａと、インターポーザ基板１の主面にＭＥＭＳの微細加工技術で形成した測定端子２とが貫通穴１ｂに通した結線５で電気的に結んである。
【００２８】
この測定端子２は、従来のプローロブカードのプローブピンに代わるもので、プローブカード10から電気信号を被検品である半導体チップ111からウエハ110上に引き出されたリード電極112と接触することにより、多数の半導体チップ111の電気特性の検査を一挙に実施するものである。
【００２９】
そして、インターポーザ基板１に形成された測定端子２は、視認できないような微細なものであり、ＳＴ基板４の配線基板３からインターポーザ基板１の貫通穴１ｂを通って引き出されたボンディングワイヤ５を測定端子２に電気的に結ぶときには、インターポーザ基板１の主面に備えられた有底穴１ａをアライメントマークとして画像認識することによって、正確なボンディングができるようにしている。
【００３０】
そして、このようなアライメントマークとしての有底穴１ａを用いて位置決めするためには、有底穴１ａに向けて光源から光を照射して、照射した光が有底穴１ａ周囲のインターポーザ基板201の主面によって反射された反射光をＣＣＤカメラで撮像して、その画像
を画像処理装置で２値化処理を行ない、有底穴１ａの径方向の中心位置を求めることによって、ＳＴ基板４に対するインターポーザ基板１の正確な位置を認識して行なうようにしてある。
【００３１】
そして、本発明のインターポーザ基板１は、セラミックスからなるインターポーザ基板１の主面に、アライメントマークとしての有底穴１ａを有し、この有底穴１ａの底面が中心に向かって深くなっている凹状であることが重要である。
【００３２】
図２に本発明のインターポーザ基板の有底穴の一例を示す、（ａ）〜（ｃ）は底面が中心に向かって深くなっている凹状の縦断面図であり、（ｄ）〜（ｆ）は、それぞれ（ａ）〜（ｃ）の有底穴の底面の形状を示す概略上面図である。
【００３３】
図２（ａ）および（ｄ）に示すように、本発明のインターポーザ基板１の有底穴１ａは、セラミックスからなるインターポーザ基板１の主面に、底面が中心に向かって深くなる凹状である有底穴１ａを設けているので、位置決めのために光源から照射された光が有底穴１ａの底面に届いたとしても、反射された光は一部が乱反射するので、残りの光が反射光としてＣＣＤカメラに撮像されることになる。このため、インターポーザ基板１の主面によって反射してＣＣＤカメラで撮像される光とは区別し易くなるので、有底穴１ａの位置の認識が容易になり、画像処理装置による有底穴１ａの位置が認識できなくなるという問題が減少する。さらにインターポーザ基板の強度がアライメントマークが貫通穴である場合に比べて増加し製品の撓みが抑えられ、高精度な位置決めを行なうことができる。
【００３４】
また、本発明のインターポーザ基板１の有底穴１ａの底面が、円錐状または角錐状であることが好ましい。
【００３５】
図２（ｂ）および（ｅ）に示す有底穴１ａは円錐状で、また、図２（ｃ）および（ｆ）に示す有底穴１ａは角錐状であるが、図２（ａ）および（ｄ）に示す凹状の有底穴１ａに比べて底面の円錐または角錐の頂点に近づくにしたがって、照射された光が乱反射し易くなり、そのためにＣＣＤカメラで撮像すると円錐または角錐の頂点にあたる有底穴１ａの底面は反射光が少なくなるので、中心に向かって深くなっている凹状の底面の有底穴１ａに比べ、よりインターポーザ基板１の主面によって反射してＣＣＤカメラで撮像される光とは区別し易くなるので好ましい。なお、角錐については錐面の少ない三角錐が反射光が少なくなるのでより好ましい。
【００３６】
また、本発明の有底穴１ａの内径をＤ，深さをＬとしたとき、Ｌ／Ｄが１〜４であることが好ましい。
【００３７】
このとき、有底穴１ａが円錐状の場合には、Ｄは開口部に形成される形状の直径寸法とし、有底穴１ａが角錐状の場合、Ｄは開口部に形成される形状の外接円の直径寸法とする。またＬは有底穴１ａの開口部から最深部の寸法とする。
【００３８】
ＭＥＭＳの微細加工技術で測定端子２を形成するインターポーザ基板１では、測定端子２が高密度に形成されるためアライメントマークである有底穴１ａの径Ｄも自ずと小さいものが要求され、現在0.1ｍｍ〜0.3ｍｍの範囲のものが主流で、0.1ｍｍ以下となりつつ
ある。また、有底穴１ａは精度が重要であるので、焼結後のセラミックスに有底穴１ａを加工することになる。この場合、生産性の観点からは有底穴１ａの深さＬは浅いほど良く、Ｌ／Ｄが４以下であることが好ましい。そのとき、深さＬはインターポーザ基板１の厚みの３分の１から30分の１が良く、0.1ｍｍ〜1.0ｍｍが好ましい。有底穴１ａのＬ／Ｄは１〜４であることが好ましいが、これは有底穴１ａの底面から反射される反射光が少なくなるので、インターポーザ基板１の主面からの反射光とＣＣＤカメラで撮像された画像で区別し易くなり、有底穴１ａの位置の認識が容易になるからである。Ｌ／Ｄが１未満であると、ＣＣＤカメラへ入射する反射光が多くなるので、インターポーザ基板１の主面からの反射光との差が少なくなり、有底穴１ａの位置の認識レベルが低下する傾向となる。また、Ｌ／Ｄが４を超えると、有底穴１ａが深くなるので加工コストが高くなる傾向となる。
【００３９】
なお、本発明のインターポーザ基板１を形成するためのセラミックスの材料としては、窒化珪素，窒化硼素，ジルコニア，ムライト，マイカ，窒化アルミ，アルミナ，シリカ，コージェライトまたはマグネシアから選ばれる単体もしくはこれらを組み合わせて作製される複合材料を使用すれば良い。
【００４０】
次に、本発明のインターポーザ基板１のアライメントマークを得るための製造方法の一例について説明する。
まず、アルミナの粉末が８質量％以上95質量％以下であり、残部が酸化珪素（ＳｉＯ２）の粉末となるように秤量して100質量部とし、さらにムライトと焼結助剤として炭酸カ
ルシウム（ＣａＣＯ３）および炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）の各粉末ならびに着色剤として酸化クロム，酸化コバルト，酸化マンガンおよび酸化鉄の少なくとも１種の粉末をそれぞれ所定量添加して調合粉末とする。そして、この調合粉末を溶媒である水とともに回転ミルに投入して、アルミナボールで24時間混合粉砕する。なお、混合粉砕後の平均粒径は１μｍ以上３μｍ以下にすればよい。なお、焼結助剤である炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）および炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）は、構成成分の一部である二酸化炭素（ＣＯ２）が焼成中に焼失して、それぞれ酸化カルシウム（ＣａＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ）として存在することになる。
【００４１】
次に、成形用バインダとして、ポリビニルアルコール，ポリエチレングリコールおよび
アクリル樹脂を混合粉末100質量％に対して合計６質量％となるように添加した後、混合
してスラリーとする。そして、このスラリーを用いてドクターブレード法によってシートを成形し、所定形状の金型でこのシートを打ち抜く、あるいはレーザ加工を施すことにより、成形体とすることができる。
【００４２】
また、必要に応じて、切削加工またはレーザ加工等によりシートを各種形状、例えば円板状や角板状にすればよい。そして、各種形状に加工された成形体を焼成炉に入れて、1550℃以上1650℃以下で８時間以上12時間以下保持することにより、インターポーザ基板１となる焼結体を得ることができる。
【００４３】
得られた焼結体にドリル加工，超音波加工，レーザ加工またはウォータージェット加工を施すことにより、貫通穴１ｂを得ることができる。
【００４４】
さらに、得られた焼結体にブラスト研磨，エッチング，マシニングによるドリル加工，超音波ドリル加工，レーザ加工またはウォータージェット加工を施すことにより、有底穴１ａを得ることができる。
【００４５】
また、図２（ａ）および（ｄ）に示す底面が凹状の有底穴１ａであれば、ブラスト研磨やエッチング，レーザ加工またはウォーター研磨で加工すれば良く、図２（ｂ）および（ｅ）に示す円錐状であれば、マシニングドリル加工，超音波ドリル加工，レーザ加工またはウォータージェット加工で加工すれば良く、図２（ｃ）および（ｆ）に示す角錐状であれば、超音波ドリル加工により得ることができる。
【００４６】
アライメントマークである有底穴１ａの位置精度を精度良く形成し、かつ、生産性を高めるには、凹状または円錐状の有底穴１ａは、マシニングドリル加工がよく、角錐状の有底穴１ａは超音波ドリル加工が好ましい。
【００４７】
また、厚み加工については、平面研削加工や、ＷＡ，ＧＣまたはダイヤモンドによるラップ加工を施すことにより、所定の厚みのインターポーザ基板１を得ることができる。
【実施例１】
【００４８】
以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４９】
まず、平均粒径が2.0μｍの酸化アルミニウムの粉末と、酸化珪素，ムライト，酸化カ
ルシウムおよび酸化マグネシウムの各粉末とを用意した。そして、酸化アルミニウムと酸化珪素との含有量を、それぞれ78.0質量％と14.0質量％とのセラミックスとなるように秤量した混合粉末と、さらに、残部がムライトと酸化カルシウムと酸化マグネシウムとからなる粉末を溶媒である水とともに回転ミルに投入して、純度が99.5％の酸化アルミニウムからなるセラミックボールで３時間混合した。
【００５０】
次に、成形用バインダとして、ポリビニルアルコール，ポリエチレングリコールおよびアクリル樹脂を混合粉末100質量％に対して合計10質量％となるように添加した後、混合
してスラリーを得た。そして、このスラリーを用いてドクターブレード法によりシートを成形し、所定形状の金型でこのシートを打ち抜くことにより、成形体を得た。
【００５１】
次に、この成形体を焼成炉に入れた後、1580℃の焼成温度で３時間保持することにより、厚みが３ｍｍで直径が200ｍｍの本発明のインターポーザ基板１となる焼結体を得た。
【００５２】
次に、直径が200ｍｍのインターポーザ基板１となる焼結体に、複数のアライメントマ
ークとなる有底穴１ａと、また、ボンディングワイヤ５をＳＴ基板４からインターポーザ基板１の主面側に引き出すための貫通孔１ｂを作製した。なお、有底穴１ａの形状とその寸法は表１に示す通りで、試料数は各々1000枚作製した。
【００５３】
以下、有底穴１ａの加工方法について説明する。
【００５４】
試料Ｎｏ．１，２は比較例であり、試料Ｎｏ．１の有底穴１ａは、底面が凹状で平坦、試料Ｎｏ．２は底面が平坦で底面の角にＲ状の曲面がある。これらの加工方法は、いずれも、マシニングドリル加工によるもので、（株）ソディックハイテック社製の型名：ＨＳ−430のマシニングドリル加工装置を用い、回転数を10,000ｒｐｍとして、切り込み量を
５μｍとした。また、ドリルの先端は平坦な面の加工ができるものを用い、ツールの材質は超硬材を用いた。そして、有底穴１ａの径Ｄが0.1ｍｍ、深さＬが0.2ｍｍとした。
【００５５】
次に、試料Ｎｏ．３〜７は本発明の試料で、有底穴１ａの底面を円錐状としたもので、その加工方法は比較例と同じ方法とした。ただし、ツールは有底穴の形状に合わせて変更した。有底穴１ａの径Ｄは、全て0.1ｍｍであるが、深さＬを試料Ｎｏ．３が0.06ｍｍ、
試料Ｎｏ．４が0.10ｍｍ、試料Ｎｏ．５−１が0.2ｍｍ、試料Ｎｏ．６が0.4ｍｍ、試料Ｎｏ．７が0.5ｍｍとした。
【００５６】
次に、試料Ｎｏ．８〜12も本発明の試料で、有底穴１ａの底面を角錐状のものとしたもので、その加工方法は、いずれも、超音波ドリル加工によるもので、日本電子工業（株）社製の型名：ＵＭ−150Ｃの超音波ドリル加工装置を用い、周波数が25ＫＨｚ，振幅数が
５μｍ，送り速度が５ｍｍ／分として、砥粒はダイヤモンドパウダーの粒径が４〜８μｍ程度のものを用いた。超音波ドリル加工は、加工品に対して、上下に振動させて有底穴１ａを形成するものでツールは超硬材からなり先端形状が角錐状のものである。
【００５７】
次に、上記のインターポーザ基板１の主面の両面に対して、厚み加工を行なった。厚み加工の目的は、有底穴１ａと貫通孔１ｂの穴の表面のバリを除去するためである。まず、平面研削を行なうが、平面研削装置は（株）三井ハイテック社製の型名：ＭＳＧ−250Ｈ
１を用い、砥粒が200番のレジンダイヤを用い、回転数を3000ｒｐｍとして、切り込み量
を0.01ｍｍとした。次に、ラップ研磨を、ＳＰＥＥＤ ＦＡＭ ＣＯ，ＬＴＤ社製の型名：ＤＳＭ 16Ｂ−５Ｌ／Ｐ−Ｖを用い、砥粒が1000番で回転数が60ｒｐｍとして、30分加工
することにより、それぞれの主面を0.02ｍｍ研削した。
【００５８】
表１示す有底穴１ａの深さＬは、厚み加工後の寸法である。
【００５９】
次に、インターポーザ基板１のアライメントマークである有底穴１ａの画像認識の精度についてテストを行なった。
【００６０】
まず、インターポーザ基板１の、有底穴１ａは、１枚の基板に41個形成され、各有底穴１ａの穴位置はインターポーザ基板１の寸法値の原点が中心位置であり、中心位置からの穴座標になる。そして、テストに用いる有底穴１ａは原点位置に形成された有底穴１ａによることとした。
【００６１】
そして、インターポーザ基板１の有底穴１ａが形成された主面の鉛直方向に、照明とＣＣＤカメラをセットし、各試料の有底穴１ａの撮像を行なった。
【００６２】
照明は、（株）キーエンス社製の型名：ＶＨ−Ｚ100Ｒ／Ｗのリング照明を用い、ＣＣ
Ｄカメラは、（株）キーエンス社製の型名：ＶＨＸ−1000 画素数が211万のものを用いた。また、撮像した画像の２値化データによる穴座標の精度を評価する基準穴座標は、レー
ザ顕微鏡で測定した寸法値を基準にした。レーザ顕微鏡は、（株）キーエンス社製の型名：ＶＫ−8700により、658ｎｍの赤色レーザの最大出力0.9ｍＷで行なった。
【００６３】
次に、インターポーザ基板１の中心に位置する有底穴１ａを撮像した画像を一般的に用いられる閾値50％（127階調）で２値化し、この２値化したデータにより有底穴１ａの穴
座標を算出し、レーザ顕微鏡で得られた穴座標との誤差により画像認識による各試料の有底穴１ａの位置精度を評価した。
【００６４】
有底穴１ａの穴位置が、レーザ顕微鏡のデータに対して、２μｍ以内であれば良品とし、２μｍを超えるものを不良とした。そして、各試料の不良率が０％であれば、評価は優良で◎とし、０％超え0.2％以下のものを評価は良で○、0.2％を超えるものを不合格で×として、その結果を表１に示す。
【００６５】
【表１】
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【００６６】
表１の結果から分かるように、比較例である試料Ｎｏ．１および２は、有底穴１ａの穴位置の不良率が、それぞれ10％高く、評価は不合格で×であった。これは、円形の有底穴１ａの底面が平坦もしくは、角にＲ面があるものの底面が平坦であることから、レーザ顕微鏡では有底穴１ａの主面のエッジと底面との違いがレーザ光の反射時間の差から明瞭に分かるものの、画像処理においては、照射された光が底面に当たり、その反射光の多くがＣＣＤカメラに入射し有底穴１ａのエッジと主面の反射光の明暗の差が小さく、したがって、２値化処理された画像データの位置精度が低下したものである。
【００６７】
本発明の実施例である試料Ｎｏ．３〜12は、有底穴１ａの穴位置の不良率は0.2％以下
であり優良の◎または良の○であった。これは、有底穴１ａの外周形状が円形もしくは角形であるが、底面が中心に向かって凹状になっているために、照射された光は中心に向かって凹状となっている底面に当たり、乱反射しながら有底穴１ａの外部に放射されＣＣＤカメラへの入射光を抑制できるから有底穴１ａのエッジと主面の反射光の明暗の差が大きくなり、２値化処理された画像データの位置精度が向上できたものである。
【００６８】
また、有底穴１ａの径Ｄと深さＬとの関係が、１以上の試料Ｎｏ．４〜７と９〜12とは、上記の不良率が全て０％であり、穴位置評価は優良の◎であった。しかし、試料Ｎｏ．７および12は、深さＬが0.5ｍｍであり、有底穴１ａの加工時間が長くなるため総合評価
は○とした。したがって、Ｌ／Ｄが１〜４であることが好ましいと言える。
【実施例２】
【００６９】
次に、実施例１で用いた試料Ｎｏ．５−１と同じインターポーザ基板１と、また同じ寸法の有底穴１ａを用い、有底穴１ａの底面の表面粗さを変化させたときの画像認識による有底穴１ａの穴位置の精度の確認を行なった。それぞれ、有底穴１ａの底面の算術平均粗さＲａを表２に示す試料を作製した。
【００７０】
ここで、表面粗さは、測定器を（株）キーエンス製（型名：ＶＫ−8700）のレーザ顕微鏡により、ＪＩＳ Ｂ 0601（2001）に準拠して測定した。このときの測定長さをそれぞれ0.1ｍｍに設定して、算術平均粗さ（Ｒａ）を測定した。また、それぞれの試料はマシニ
ングによるドリル加工の砥石の回転数およびスパークアウト（切り込みゼロで砥石を保持して仕上げ加工を行なう状態）の保持時間を変えることにより、表面粗さの異なるものを作製した。以上の結果を表２に示す。
【００７１】
【表２】
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【００７２】
表２の結果から分かるように、インターポーザ基板１の主面の算術平均粗さ（Ｒａ）よりも、有底穴１ａの底面の算術平均粗さ（Ｒａ）が同等か小さい試料Ｎｏ．５−２と５−３は、有底穴１ａの穴位置の不良率が0.7％と0.8％で、評価は良の○であったが、インターポーザ基板１の主面の算術平均粗さ（Ｒａ）よりも、有底穴１ａの底面の算術平均粗さ（Ｒａ）が大きい試料Ｎｏ．５−１と５−５は、有底穴１ａの穴位置の不良率が０％で、評価は優良の◎であった。
【００７３】
これは、有底穴１ａの底面の表面粗さがインターポーザ基板１の主面の表面粗さよりも粗であることによって、底面の反射光がより多く乱反射し、ＣＣＤカメラへ入射する有底穴１ａの反射光と主面の反射光の差が大きくなり、画像を２値化処理したときに明瞭な有底穴１ａとなり位置精度の高いアライメントマークとすることができる。
【符号の説明】
【００７４】
１：インターポーザ基板
１ａ：有底穴
１ｂ：貫通穴
２：測定端子
３：配線基板
３ａ：端子
４：ＳＴ基板（スペーストランスフォーマ）
５：ボンディングワイヤ
10：プローブカード
110：ウエハ
111：半導体チップ
112：リード電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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