(57)【要約】【課題】保護膜除去領域境界部に剥がれが生じずに保護膜を除去でき、保護膜の防湿性を低下させることなく、有機発光装置の表示性能を長期間に亘って高品質に維持できる有機発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】保護膜１０から外部接続端子９を露出させて外部回路１３と電気接続する構造を有する有機発光装置の製造方法であって、保護膜１０と有機化合物層７ｂとの吸水率の差を利用して、外部接続端子９上に設けられている保護膜１０を除去する保護膜１０の除去工程と、外部接続端子９と外部回路１３を電気接続する実装工程と、保護膜除去領域境界部を被覆するカバー層１５の形成工程と、をこの順で含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部接続端子を備える基板と、前記基板上に設けられる有機発光素子と、前記外部接続端子および前記有機発光素子を覆う保護膜と、を備え、前記保護膜から前記外部接続端子を露出させて外部回路と電気接続する構造を有する有機発光装置の製造方法であって、
前記外部接続端子上に設けられている保護膜を除去する保護膜の除去工程と、
前記外部接続端子と前記外部回路を電気接続する実装工程と、
保護膜除去領域境界部を被覆するカバー層の形成工程と、
をこの順で含むことを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記保護膜が無機材料であり、前記保護膜の除去工程が、前記保護膜と前記有機化合物層との吸水率の差を利用して、前記外部接続端子上に設けられている保護膜を除去する工程であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記カバー層は、シリコン樹脂またはエポキシ樹脂のいずれかであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項４】
外部接続端子を備える基板と、前記基板上に設けられる有機発光素子と、前記外部接続端子および前記有機発光素子を覆う保護膜と、を備え、前記保護膜から前記外部接続端子を露出させて外部回路と電気接続する構造を有する有機発光装置の製造方法であって、
前記外部接続端子上に設けられている保護膜を除去する保護膜の除去工程と、
保護膜除去領域境界部および前記外部接続端子を被覆するように異方性導電フィルムを形成する異方性導電フィルムの形成工程と、
前記異方性導電フィルムを介して、前記外部接続端子と前記外部回路を電気接続する実装工程と、
をこの順で含むことを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記保護膜が無機材料であり、前記保護膜の除去工程が、前記保護膜と前記有機化合物層との吸水率の差を利用して、前記外部接続端子上に設けられている保護膜を除去する工程であることを特徴とする請求項４に記載の有機発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部接続端子上に形成した保護膜を除去し、外部接続端子を露出させて外部回路と電気接続する構造を有する有機発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型デバイスである有機発光装置が注目され、その開発が活発に行われている。
【０００３】
また、有機発光装置が有する発光特性を生かすために、保護膜に関する技術が研究されている。ここで保護膜は、有機発光装置の主構成要素である有機発光素子の上方及びその周辺の広い範囲に被覆され、外部からの水分、酸素を遮断するという機能を有する。
【０００４】
この有機発光装置をフレキシブルプリント配線基板（以下、「ＦＰＣ」という。）等の外部回路へ電気接続するときには、通常、異方性導電フィルム（以下、「ＡＣＦ」という。）を使用する。具体的には、有機発光装置に備える外部接続端子と、ＦＰＣ等に備える複数の端子電極との間に、ＡＣＦを挟み込んで加熱圧着してこれらを電気接続している。
【０００５】
このような電気接続を行うときには、通常、外部接続端子上に保護膜が形成されないように、プラズマＣＶＤ等により保護膜を形成する際に、この外部接続端子を金属マスク等で覆って保護膜の形成を防止する方法が採用されている。特に、大判基板から多数の有機発光装置を作製する場合には、その大判基板の全面に保護膜を形成する方がコスト低減や時間短縮になるため、外部接続端子上に保護膜が形成されない工夫を施すことが特に重要となる。
【０００６】
この外部接続端子上への保護膜の形成を防止する方法として、例えば、外部接続端子上にマスキングテープを貼り、保護膜を形成した後にマスキングテープを剥がすことにより、テープごと保護膜を除去する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００７】
また、外部接続端子を含む領域にレーザー除去層を形成し、その上に保護膜を形成した後、レーザーを照射してレーザー除去層ごと保護膜を除去する方法が提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１５１２５４号公報
【特許文献２】特開２００４−１６５０６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、特許文献１のように、マスキングテープを用いて保護膜を剥がす方法では、テープ周辺部の保護膜が局所的に基板から浮いてしまう現象が発生する可能性がある。これは、マスキングテープ上の保護膜とテープ周辺部の保護膜とは連続しているため、マスキングテープを上方に引き剥がす際にテープ周辺部の保護膜まで一緒に上方へ持ち上げられてしまうからである。
【００１０】
また、特許文献２のように、レーザー除去層へのレーザー照射により保護膜を除去する方法を用いた場合、レーザー除去層の気化に伴う急激な体積膨張によって保護膜が内側から弾き飛ばされる結果、レーザー除去層外周部の保護膜に同様に膜浮きが発生する可能性がある。膜浮きが発生すると、高温と低温を繰り返す過酷なヒートサイクル環境下に曝された場合、保護膜と素子基板との熱膨張係数の違いにより膜浮き箇所を起点として保護膜の剥離が進行し、防湿性の低下により高品質な表示性能を維持できなくなる。
【００１１】
しかしながら、特許文献１，２のいずれにも、保護膜除去領域境界部の保護膜の防湿性を担保すべく何らかの処置を施すことについて、全く開示されていない。
【００１２】
本発明は、外部接続端子を覆う保護膜を備え、保護膜から外部接続端子を露出させて外部回路と電気接続する構造を有する有機発光装置において、保護膜除去領域境界部の保護膜の防湿性低下を防止し、有機発光装置の表示性能を長期間に亘って高品質に維持できる有機発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成すべく成された本発明の構成は以下の通りである。
【００１４】
即ち、本発明に係る第１の製造方法は、外部接続端子を備える基板と、上記基板上に設けられる有機発光素子と、上記外部接続端子および前記有機発光素子を覆う保護膜と、を備え、上記保護膜から上記外部接続端子を露出させて外部回路と電気接続する構造を有する有機発光装置の製造方法であって、
上記外部接続端子上に設けられている保護膜を除去する保護膜の除去工程と、
上記外部接続端子と前記外部回路を電気接続する実装工程と、
保護膜除去領域境界部を被覆するカバー層の形成工程と、
をこの順で含むことを特徴とする有機発光装置の製造方法である。
【００１５】
また、本発明に係る第２の製造方法は、外部接続端子を備える基板と、上記基板上に設けられる有機発光素子と、上記外部接続端子および前記有機発光素子を覆う保護膜と、を備え、上記保護膜から上記外部接続端子を露出させて外部回路と電気接続する構造を有する有機発光装置の製造方法であって、
上記外部接続端子上に設けられている保護膜を除去する保護膜の除去工程と、
保護膜除去領域境界部および上記外部接続端子を被覆するように異方性導電フィルムを形成する異方性導電フィルムの形成工程と、
上記異方性導電フィルムを介して、上記外部接続端子と上記外部回路を電気接続する実装工程と、
をこの順で含むことを特徴とする有機発光装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、外部接続端子を覆う保護膜を備え、保護膜から外部接続端子を露出させて外部回路と電気接続する構造を有する有機発光装置において、保護膜除去領域境界部の保護膜の防湿性低下を防止し、有機発光装置の表示性能を長期間に亘って高品質に維持できるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１の実施形態の有機発光装置の製造方法を示す概略断面図である。
【図２】第１の実施形態の有機発光装置の製造方法を示す概略平面図である。
【図３】第１の実施形態の製造方法において、大判基板から装置１基ごとに分割するスクライブライン位置を示す平面模式図である。
【図４】図３のＡ−Ａ’線における断面模式図である。
【図５】本発明の第二の製造方法を示す断面概略図である。
【図６】本発明の第二の製造方法を示す平面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。
【００１９】
〔第１の実施形態〕
本発明に係る第１の製造方法は、以下の工程（１）〜（４）をこの順で含んでいる。
（１）外部接続端子を備えた基板上に、有機発光素子及び保護層を形成する工程（有機発光素子及び保護層の形成工程）
（２）外部接続端子上の保護膜を除去する工程（保護膜の除去工程）
（３）保護膜の除去により露出させた外部接続端子と外部回路とを電気接続する工程（実装工程）
（４）保護膜除去領域境界部を被覆するカバー層を形成する工程（カバー層の形成工程）
【００２０】
以下、図１から図４を参照して、第１の実施形態の有機発光装置の製造方法の各工程について具体的に説明する。図１は、第１の実施形態の有機発光装置の製造方法を示す概略断面図である。図２は、第１の実施形態の有機発光装置の製造方法を示す概略平面図である。これらの図面において、１は基板、２はＴＦＴ回路、３は絶縁層、４は平坦化層、５は下部電極、６はバンク、７ａ，７ｂは有機化合物層、８は上部電極、９は外部接続端子、１０は保護膜である。また、１１はブラシローラー、１２はＡＣＦ、１３はＦＰＣ、１４は保護樹脂、１５はカバー層、１６は熱圧着ヘッドである。なお、図１及び図２は、上記工程（１）の有機発光素子及び保護膜形成工程から上記工程（４）のカバー層形成工程までを示している。
【００２１】
本発明に係る製造方法で製造される有機発光装置は、外部接続端子９を備える基板１と、基板１上に設けられる有機発光素子と、有機発光素子を覆う保護膜１０と、外部接続端子９を介して有機発光素子と電気接続するＦＰＣ１３等の外部回路と、を備えている。
【００２２】
＜有機発光素子の形成工程＞
まず、図１（１）及び図２（１）を参照して、外部接続端子を備えた基板上に、有機発光素子を形成する工程について説明する。図１（１）に示すように、有機発光装置の基板１上にはＴＦＴ回路２が形成されている。
【００２３】
基板１としては、例えば、ガラス基板、合成樹脂等からなる絶縁性基板、表面に酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁層を形成した導電性基板若しくは半導体基板等が挙げられるが、これに限定されない。また基板１は、透明であっても不透明であってもよい。
【００２４】
ＴＦＴ回路２を備える基板１上には、図１（１）に示すように、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド系樹脂、ノルボルネン系樹脂、フッ素系樹脂等からなる平坦化膜４がフォトリソグラフィー法等によって所望のパターンにて形成されている。ここで平坦化層４は、ＴＦＴ回路２を設けることで生じる凹凸を平坦化するための層である。また平坦化層４は、ＴＦＴ回路２を設置による凹凸を平坦化できるものであれば、材料、製法は特に限定されない。なお、図１（１）に示すように、平坦化膜４とＴＦＴ回路２との間に、例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化シリコン等の無機材料からなる絶縁層３を形成してもよい。
【００２５】
平坦化層４上に設けられＴＦＴ回路２の一部と電気接続する下部電極５は、透明電極であってもよいし、反射電極であってもよい。下部電極５が透明電極である場合の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛）等が挙げられる。下部電極５が反射電極である場合の構成材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｐｄ、ＳｅもしくはＩｒ等の金属単体、これら金属単体を複数組み合わせた合金、またはヨウ化銅等の金属化合物等が挙げられる。下部電極５の膜厚は、０．１μｍ〜１μｍの範囲が好ましいが、この範囲に限定されない。
【００２６】
図１（１）に示すように、下部電極５の周縁部にはバンク６が設けられている。このバンク６の構成材料としては、例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化シリコン等からなる無機絶縁層やアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、またはノボラック系樹脂等が挙げられる。バンク６の膜厚は、１μｍ〜５μｍの範囲が好ましいが、この範囲に限定されない。
【００２７】
次に、図１（１）に示すように、下部電極５上には有機化合物層７ａが設けられる。有機化合物層７ａは、一層で構成されてもよいし、複数の層で構成されてもよく、有機発光素子の発光機能を考慮して適宜選択することができる。具体的には、有機化合物層７ａを構成する層として、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層等が挙げられる。また、これらの層の構成材料としては、公知の化合物を使用することができる。なお、有機化合物層７ａは、発光する領域が特定の層内であってもよいし、隣接する層同士の界面であってもよい。有機化合物層７ａは、例えば、真空蒸着法、インクジェット法等により形成される。蒸着法等の場合は高精細マスク、インクジェット法等の場合は高精度吐出を用いて発光エリアに有機化合物層を形成する。
【００２８】
なお、図１（１）及び図２（１）に示すように、外部接続端子９上にも有機化合物層７ｂを設けておくことが望ましい。有機化合物層７ｂには、有機化合物層７ａと同等の材料を用いることができる。外部接続端子９上に有機化合物層７ｂを設けておくことで、後述するように保護膜１０と有機化合物層７ｂとの吸水率の差を利用して保護膜１０を除去する場合に、保護膜１０を外部接続端子９上から除去するのが容易になり、プロセス時間を短縮できると共に、電気接続不良を低減できるので好適である。
【００２９】
そして、図１（１）に示すように、有機化合物層７ａ上に上部電極８を形成することにより、基板１上に有機発光素子が形成される。上部電極８側から発光を取り出す場合、上部電極８は透明であることが望ましく、例えば、上記ＩＴＯやＩＺＯ等の透明電極を使用することができる。また、上部電極８としてＡｇ、Ａｕ、Ａｌ等の金属電極を用いる場合、金属電極の光線透過率の観点から、膜厚は５０ｎｍ以下であることが好ましく、さらに２０ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、有機発光素子ごとに一つ存在する外部接続端子９は、下部電極５を形成する際に、この下部電極５と同時に形成されるものである。
【００３０】
＜保護膜の形成工程＞
次に、図１（１）及び図２（１）を参照して、保護膜１０の形成工程について説明する。図（１）及び図２（１）に示すように、基板１上に形成された有機発光素子及び外部接続端子９の全面を被覆するように保護膜１０を形成する。保護膜１０の構成材料は、電気絶縁性と気密性を有し、有機発光素子の劣化を防止することができる材料であれば、特に限定されないが、保護膜１０と有機化合物層７ｂとの吸水率の差を利用して保護膜１０を除去する場合には、有機化合物と吸水率の差がある材料が好ましい。具体的には、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン等の無機材料が挙げられる。また、保護膜１０の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法等を採用することができるが、成膜速度やパーティクルに対するカバレージ性を考慮すると、プラズマＣＶＤ法が好ましい。なお、保護膜１０は、高温高湿条件下（例えば、温度６０℃湿度９０％の条件下）での耐久試験において、水分等の浸入がないと確認された膜を使用するのがよい。
【００３１】
＜大判基板の切断・分割工程＞
通常は、基板１上に単一の有機発光素子を有する有機発光装置を作製するのではなく、複数の有機発光素子がマトリクス状に配列された大判基板を作製した後、この大判基板２１をスクライバーにより切断し、装置１基ごとに分割する。
【００３２】
図３は、基板を切断するときのスクライブラインを示す平面模式図である。図４は、図３のＡ−Ａ’線における断面模式図である。図３及び図４において、２１は大判基板、３０はスクライブラインである。
【００３３】
図３及び図４に示すように、大判基板２１をスクライブライン３０で切断すれば、外部接続端子９上に形成した有機化合物層７ｂの断面が露出され、保護膜除去工程が、保護膜１０と有機化合物層７ｂとの吸水率の差を利用して保護膜１０を除去する工程である場合には、外部接続端子９上から有機化合物層７ｂ及び保護膜１０を剥離除去し易くなる。
【００３４】
＜保護膜の除去工程＞
次に、図１（２）及び図２（２）を参照して、上記工程（２）の保護膜１０の除去工程について説明する。図１（２）に示すように、大判基板２１から切断・分割して得られる装置１基を、純水又は水溶液をかけながらブラシローラー１１等を用いてブラッシングを行う。露出された有機化合物層７ｂが純水又は水溶液に曝露され、所望の圧力でブラッシングされることで、外部接続端子９上に設けられている保護膜１０は、有機化合物層７ｂとの界面から剥離する。使用される水溶液としては、例えば、オゾン水、有機アルカリ洗浄液、希フッ酸（ＤＨＦ）、または界面活性剤添加水溶液等が挙げられる。
【００３５】
純水又は水溶液に接触させることにより、有機化合物層７ｂから保護膜１０が剥離するのは、無機材料で構成される保護膜１０と、有機化合物層７ｂとの吸水率の差によるものである。保護膜１０を構成する無機材料は吸水率がほぼ０％であるのに対し、有機化合物層７ｂは吸水率が１０-1％から数％である。このため、純水又は水溶液に切断露出部を接触させることにより、有機化合物層７ｂのみが膨張することで、有機化合物層７ｂ上に設けられている保護膜１０が剥れることになる。また、有機化合物層７ｂは蒸着法で形成されるため外部接続端子９に対する密着性が低く、ブラッシングによって外部接続端子９から容易に剥離させることができる。こうして外部接続端子９上には、保護膜１０も有機化合物層７ｂも形成されていない状態となる。
【００３６】
なお、保護膜除去方法は、上述の様な保護膜と有機化合物層との吸水率の差を利用して保護膜を除去する方法に限定されるものではない。例えば、特許文献１に記載のマスキングテープを用いて剥離する方法や特許文献２に記載のレーザー除去層毎レーザーで剥離する方法を用いてもよい。
【００３７】
＜実装工程＞
次に、図１（３）及び図２（３）を参照して、上記工程（３）の実装工程について説明する。この工程を行うに際して、まずイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の溶剤を染み込ませた不織紙等で有機発光装置の外部接続端子９の洗浄を行う。外部接続端子９上に有機化合物層７ｂが残っている場合に、ＩＰＡを染み込ませた不織紙で洗浄することにより残渣を取り去ることができると共に、外部接続端子９を露出させることができる。
【００３８】
続いて、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）１２を外部接続端子９上に仮圧着し、フレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ）１３と外部接続端子９との位置合わせを行う。仮圧着を行う際は、１００℃以下の低温で圧着を行うことが好ましい。
【００３９】
使用するＡＣＦ１２は、フィルムに含まれる導電粒子が金属粉末を含むものであってもよいし、樹脂に金属をコーティングしたものであってもよい。また、安価で劣化しにくいカーボン等を導電粒子として使用してもよい。導電粒子の直径は、有機化合物層の膜厚にもよるが、一般的には１０ｎｍ以下のものが使用される。
【００４０】
仮圧着を行った後、熱圧着ヘッド１６により熱圧着を行う。なお、熱圧着を行う際に必要な圧力、温度及び時間は、外部接続端子９とＦＰＣ１３の電極端子との電気接続が確保できれば、特に限定されるものではない。
【００４１】
通常は、外部接続端子９とＦＰＣ１３の電極端子とを電気接続した後に、その接続部分に保護樹脂１４を塗布する。保護樹脂１４には、一般にシリコン樹脂等が用いられ、接続部分に水分が侵入するのを防止すると共に、イオンマイグレーションの発生を押さえる役割を果たす。また、ＡＣＦ１２だけでは接着力が強くない場合には、接着力補強という観点からも保護樹脂１４を塗布することが好ましい。保護樹脂１４の形成方法としては、例えば、各種印刷法を用いることができるが、ＦＰＣ１３と基板との間には大きな段差が存在するため、ディスペンス法が好適である。
【００４２】
＜カバー層の形成工程＞
次に、図１（４）及び図２（４）を参照して、上記工程（４）のカバー層１５の形成工程について説明する。
【００４３】
図１（４）及び図２（４）に示すように、保護膜除去領域境界部を被覆するようにカバー層１５を形成する。カバー層１５の形成方法としては、上記保護樹脂１４に関して説明したのと同等の理由により、ディスペンス法が好適である。カバー層１５の材料としては、基板１と密着性のよい樹脂であれば任意の樹脂を用いることができるが、具体的には、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂、またはポリアミド樹脂等が挙げられる。特に、シリコン樹脂、エポキシ樹脂は封止性能の高いので好適である。カバー層１５の厚さは、例えば、５μｍ〜５０μｍ程度で十分に保護膜１０の剥れを抑制する効果が得られる。なお、カバー層１５として前述の保護樹脂１４と同等の材料を用いることで、保護樹脂１４の形成時に、カバー層１５も同時に形成することができるので好適である。その場合、保護樹脂１４の形成領域とカバー層１５の形成領域を分離する必要はなく、連続した一領域に形成することもできる。
【００４４】
以上の製造工程を経て、有機発光装置が製造される。第１の実施形態の製造方法によれば、外部接続端子９上の保護膜１０を除去し外部接続端子９を露出させて外部回路と電気接続する場合に、無機材料である保護膜１０と有機化合物層７ｂとの吸水率の差を利用して有機化合物層７ｂと共に保護膜１０を除去する。即ち、外部接続端子９上の有機化合物層７ｂに含水させて、この有機化合物層７ｂごと保護膜１０を機械的に除去する。したがって、保護膜１０を除去する際に保護膜除去領域境界部に剥がれが生じ難く、さらにカバー層で保護膜除去領域境界部を覆うので保護膜１０の防湿性を低下せず、有機発光装置の表示性能を長期間に亘って高品質に維持することができる。
【００４５】
〔第２の実施形態〕
本発明に係る第２の製造方法は、以下の工程（１）〜（４）をこの順で含んでいる。
（１）外部接続端子を備えた基板上に、有機発光素子及び保護層を形成する工程（有機発光素子及び保護層の形成工程）
（２）外部接続端子上の保護膜を除去する工程（保護膜の除去工程）
（３）保護膜除去領域境界部及び外部接続端子上を覆うように異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を形成する工程（ＡＣＦの形成工程）
（４）ＡＣＦを介して、外部接続端子と外部回路（ＦＰＣ）とを電気接続する工程（実装工程）
【００４６】
以下、図５及び図６を参照して、第２の実施形態の有機発光装置の製造方法の各工程について具体的に説明する。図５は、第２の実施形態の有機発光装置の製造方法を示す概略断面図である。図６は、第２の実施形態の有機発光装置の製造方法を示す概略平面図である。これらの図面において、第１の実施形態と同一の部材については同一の符号を付し、第１の実施形態と同一の製造方法については適宜説明を省略する。なお、図５及び図６は、上記工程（１）の有機発光素子及び保護膜形成工程から上記工程（４）の実装工程までを示している。
【００４７】
前述したように、有機発光装置は、外部接続端子９を備える基板１と、基板１上に設けられる有機発光素子と、有機発光素子を覆う保護膜１０と、外部接続端子９を介して有機発光素子と電気接続するＦＰＣ１３等の外部回路と、を備えている。
【００４８】
＜有機発光素子の形成工程＞
第２の実施形態では、図５（１）及び図６（１）に示すように、基板１上に有機発光素子及び外部接続端子９が第１の実施形態と同様の製造方法で形成される。
【００４９】
＜保護膜の形成工程、大判基板の切断・分割工程＞
第１の実施形態と同様の製造方法で保護膜１０を全面に形成した後、大判基板２１を第１の実施形態と同様の方法によりスクライバーライン６で切断し、装置１基ごとに分割する。この分割によって、外部接続端子９上に形成した有機化合物層７ｂの断面が露出される。
【００５０】
＜保護膜の除去工程＞
次に、図５（２）及び図６（２）に示すように、上記工程（２）の保護膜１０の除去工程により、外部接続端子９上の保護膜１０を有機化合物層７ｂごと剥離する。この工程も第１の実施形態と同様の製造方法を用いることができる。
【００５１】
＜異方性導電フィルムの形成工程＞
次に、図５（３）及び図６（３）を参照して、上記工程（３）の異方性導電フィルム（ＡＣＦ）１２の形成工程について説明する。まず、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の溶剤を染み込ませた不織紙等で外部接続端子９の洗浄を行った後に、図５（３）及び図６（３）に示すように、保護膜除去領域境界部及び外部接続端子９を完全に被覆するようにＡＣＦ１２を仮圧着する。このようにＡＣＦ１２を外部接続端子９上だけでなく、保護膜除去領域境界部をも完全に覆うように広めに形成することで、カバー層１５の形成工程を別途追加することなく、保護膜除去領域境界部の保護膜１０を保護することができる。なお、仮圧着を行う際は、１００℃以下の低温で圧着を行うことが好ましい。ＡＣＦ１２に含まれる導電粒子に関しては第１の実施形態において説明したものと同様のものを用いることができる。
【００５２】
＜実装工程＞
次に、図５（４）及び図６（４）に示すように、上記工程（４）の実装工程において、外部接続端子９とＦＰＣ１３とを電気接続する。その具体的な製造方法は、第１の実施形態と同様である。
【００５３】
以上の製造工程を経て、有機発光装置が製造される。第２の実施形態の製造方法は、第１の実施形態の製造方法と基本的には同様の作用効果を奏する。特に、ＡＣＦ１２の形成工程第２の実施形態の製造方法では、ＦＰＣ１３を熱圧着するためのＡＣＦ１２を外部接続端子９上だけでなく、保護膜除去領域境界部をも完全に覆うように広めに形成している。したがって、第２の実施形態の製造方法は、熱圧着に使用するＡＣＦ１２の拡大形成により保護膜除去領域境界部の保護膜１０をも保護することができ、上記カバー層１５の形成工程を省略できるという特有の効果を奏する。
【００５４】
以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、これは本発明の説明のための例示であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、上記実施形態とは異なる種々の態様で実施することができる。
【００５５】
例えば、上記実施形態では、一例としてアクティブ型の有機発光装置を例示したが、パッシブ型の有機発光装置でもよい。また、本実施形態で作製される有機発光装置は、外部接続端子９が１辺にのみ設けられているが、２辺以上の複数箇所に外部接続端子９が設けられていてもよい。
【実施例】
【００５６】
以下、実施例を挙げて、本発明に係る有機発光装置の製造方法をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５７】
〔実施例１〕
実施例１は、本発明に係る第１の製造方法を用いて有機発光装置を作製したものであり、以下に各工程について詳述する。
【００５８】
＜ＴＦＴアレイ基板の作製工程＞
ＬＴＰＳ（低温ポリＳｉ  ＴＦＴ）プロセスで形成したＴＦＴ基板に、ポジ型の感光性アクリル樹脂からなる平坦化膜を約２μｍの厚さに形成した後、このＴＦＴ基板を２２０℃に加熱して加熱処理を行った。
【００５９】
次に、ＴＦＴと後述する下部電極とを電気接続するコンタクトホール及び外部接続端子に相当する部分に所望のパターンを形成するためのフォトマスクを用いて、ＵＶ露光、現像処理、加熱ＵＶ処理を順番に行った。これらの処理により、所望のパターンが形成された平坦化膜を得た。このとき、表示部（後述する有機発光素子が形成される部分）と外周部との間に、平坦化膜のない帯状の部分を設けてＴＦＴ基板の配線が露出されるようにした。なお、このＴＦＴ基板の配線が露出されている部分は水分遮断構造を形成するものであり、平坦化膜を介して外周部から表示部へ水分が浸入するのを防ぐ役割がある。
【００６０】
次に、スパッタ法により、Ａｌ及びＩＺＯを順次積層し、下部電極及び外部接続端子をそれぞれ形成した。このとき、Ａｌ及びＩＺＯの膜厚をそれぞれ２００ｎｍ、５０ｎｍとした。次に、フォトリソグラフィ工程により、画素を形成する部分の周辺にポジ型のポリイミド樹脂（商品名：フォトニース  ＤＬ−１０００）からなるバンクを所望のパターンで形成した。このときバンクの膜厚は２μｍであった。以上のようにして、ＴＦＴアレイ基板を作製した。
【００６１】
＜有機発光素子の形成工程＞
次に、真空蒸着法により、有機化合物層を構成する正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を、この順で形成した。具体的には、まず、下部電極上及び外部接続端子上にαＮＰＤを成膜し正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚は５０ｎｍであった。
【００６２】
次に、下部電極の正孔輸送層上に、ホストであるアルミキレート錯体（Ａｌｑ3）と、ゲストであるクマリン６とを、重量比で１００：６となるように共蒸着し発光層を形成した。このとき発光層の膜厚を５０ｎｍとした。
【００６３】
次に、発光層上に、フェナントロリン化合物（Ｂｐｈｅｎ）を成膜し電子輸送層を形成した。このとき電子輸送層の膜厚を１０ｎｍとした。次に、電子輸送層上に、フェナントロリン化合物（Ｂｐｈｅｎ）と炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）とを、重量比で１００：１となるように共蒸着して電子注入層を形成した。このとき電子注入層の膜厚を３０ｎｍとした。
【００６４】
次に、電子注入層上に、スパッタリング法によりＩＺＯを成膜し上部電極を形成した。このとき上部電極の膜厚を１００ｎｍとした。以上のようにして、有機発光素子を作製した。
【００６５】
＜保護膜の形成工程＞
上部電極形成後、大判基板をＣＶＤ室に移動し、プラズマＣＶＤ法により大判基板全面に保護膜を形成した。保護膜を形成するときは、材料ガスとして、ＳｉＨ4ガス及びＮ2ガスを使用し、それぞれ４ｓｃｃｍ及び２００ｓｃｃｍの流量で流した。また、保護膜を形成するときは、高周波電力４０Ｗ、圧力７０Ｐａの条件の下で行った。このとき保護膜の膜厚を３μｍとした。保護膜を形成した後、大判基板を成膜装置から前室に移動した後、ベント（真空の解除）を開始し、ベント完了後にチャンバーの蓋を開けて保護膜が形成されている基板を外に取り出した。
【００６６】
＜基板の切断・分割工程と保護膜の除去工程＞
次に、有機発光装置がマトリックス状に形成されている大判基板を、スクライバーで装置１基ごとに切断した。切断後、装置１基ごとに５０℃の温水によるブラシスピン洗浄（保持回転数３０００ｒｐｍ、保持時間４５秒）を行って、保護膜を除去した。
【００６７】
＜外部回路の実装工程＞
次に、有機発光装置を駆動させるための駆動回路と外部回路とを電気接続するのに必要なＦＰＣの実装を行った。まず、ＩＰＡを含ませた不織布にて基板上の外部接続端子上を洗浄することで、外部接続端子表面を清浄した。
【００６８】
次に、外部接続端子上にＡＣＦを８０℃で１秒程度の条件で仮圧着した後、ＡＣＦ上の保護シートを除去し、基板位置合わせマークとＦＰＣのＦＰＣ位置合わせマークとの位置合わせを行った。マーク位置が合った後、熱圧着ヘッドの下にセットし、ＡＣＦの融解温度（２５０℃）までヒーターヘッドを加熱し、圧着圧力３ＭＰａ、圧着時間１２秒で圧着を完了した。
【００６９】
＜保護樹脂及びカバー層の形成工程＞
次に、有機発光装置の外部接続端子とＦＰＣとの接合部に保護樹脂を形成し、ＦＰＣ端面を完全に被覆した。また、保護膜除去領域境界部を完全に被覆するようにカバー層を形成した。保護樹脂及びカバー層は、共に１液室温硬化性シリコン樹脂（Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ（登録商標）  ＪＳＲ６２２４）を使用し、ディスペンサーによって同時に塗布形成した。カバー層の膜厚は５０μｍとし、保護樹脂の厚さは３００μｍとした。以上の工程により、有機発光装置を１０基作製した。
【００７０】
＜有機発光装置の評価＞
実施例１で作製した有機発光装置について、ヒートサイクル（−３５℃〜８０℃）を１００回繰り返した後に、温度８０℃湿度９０％の条件下で１０００時間耐久試験を実施した。試験後の有機発光装置１０基を点灯して表示欠陥の有無を確認した結果、１０基全て保護膜除去領域境界部からの表示欠陥の発生・進行は見られず、表示品質を維持できていることが確認された。
【００７１】
〔実施例２〕
実施例２は、本発明に係る第２の製造方法を用いて有機発光装置を作製したものであり、以下に各工程について詳述する。
【００７２】
＜ＴＦＴアレイ基板作製工程から基板の切断及び保護膜除去工程まで）
ＴＦＴアレイ基板作製工程、有機発光素子の作製、保護膜の形成と基板取り出し工程、基板の切断及び保護膜除去工程は、実施例１と同様にして、この順序で行った。
【００７３】
＜ＡＣＦの形成工程＞
次に、ＡＣＦを外部接続端子上及び保護膜除去領域境界部の保護膜を完全に被覆するようにＡＣＦを形成し、温度８０℃、１秒という条件で仮圧着した。その後、ＡＣＦの保護フィルムを剥離した。なお、使用したＡＣＦは実施例１と同一のものとした。
【００７４】
＜外部回路の実装工程＞
実施例１と同様にして、外部回路の実装工程を行った。以上の工程により、有機発光装置を１０基作製した。
【００７５】
＜有機発光装置の評価＞
実施例２で作製した有機発光装置について、実施例１と同様にヒートサイクル（−３５℃〜８０℃）を１００回繰り返した後に、温度８０℃、湿度９０％の条件下で１０００時間耐久試験を実施した。試験後の有機発光装置１０基を点灯して表示欠陥の有無を確認した結果、１０基全て保護膜除去領域境界部からの表示欠陥の発生・進行は見られず、表示品質を維持できていることが確認された。
【００７６】
〔比較例〕
上記実施例１に記載の方法で実装までを行い、保護膜除去領域境界部にカバー層を形成していない有機発光装置を１０基作製した。
【００７７】
実施例１と同様にヒートサイクル（−３５℃〜８０℃）を１００回繰り返した後に、温度８０℃、湿度９０％の条件下で１０００時間耐久試験を実施した。試験後の有機発光装置１０基を点灯して表示欠陥の発生を確認した結果、１０基全てに保護膜除去領域の存在する辺からのみ表示欠陥（非表示エリア）の進行が確認された。有機発光装置を点灯させずに光学顕微鏡で観察したところ、保護膜除去領域境界部から表示エリアの方向に保護膜の膜剥れが延伸しているのが確認された。
【００７８】
以上の結果から、本発明の製造方法を用いることで、過酷な環境下における保護膜除去領域境界部の保護膜の防湿性低下を防止し、長期間に亘り高品質な表示品質を維持できることが判った。
【符号の説明】
【００７９】
１  基板、５  下部電極、７ａ  有機化合物層、７ｂ  有機化合物層、８  上部電極、９  外部接続端子、１０  保護膜、１２  異方導電フィルム（ＡＣＦ）、１３  フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）、１５  カバー層、２１  大判基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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