(57)【要約】【課題】イオン、ＰＨ又は生体分子のＦＥＴ効果を生じる電荷の捕獲量を大きくし、捕獲した電荷量の変化に伴いＦＥＴのチャネルに流れる電流の変化率を増大することにより、低パワー、小型で且つ高精度なセンサを提供する。【解決手段】本発明の一態様は、表面に複数の溝１０を有する第１導電型の半導体基板１と、前記半導体基板に形成され、前記複数の溝それぞれの一方側に繋げられた第２導電型のソース領域の不純物層３と、前記半導体基板に形成され、前記複数の溝それぞれの他方側に繋げられた第２導電型のドレイン領域の不純物層２と、前記半導体基板の前記複数の溝の表面上に形成され、イオン又は生体分子を捕獲するための感応膜５と、を具備することを特徴とするセンサである。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ基板上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、表面に複数の溝を有する第１導電型のＳＯＩ層と、
前記ＳＯＩ層に形成され、前記複数の溝それぞれの一方側に繋げられた第２導電型のソース領域の不純物層と、
前記ＳＯＩ層に形成され、前記複数の溝それぞれの他方側に繋げられた第２導電型のドレイン領域の不純物層と、
前記ＳＯＩ層の前記複数の溝の表面上に形成され、イオン又は生体分子を捕獲するための感応膜と、
を具備することを特徴とするセンサ。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数の溝それぞれは前記ＳＯＩ層を貫通する溝であることを特徴とするセンサ。
【請求項３】
請求項１において、
前記ＳＯＩ層における前記複数の溝の下方に位置するボディ部は、前記複数の溝が形成された領域より不純物濃度が高いことを特徴とするセンサ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記感応膜と前記ＳＯＩ層との間に形成された絶縁膜をさらに具備することを特徴とするセンサ。
【請求項５】
請求項４において、
前記絶縁膜と前記感応膜との間に形成された導電膜をさらに具備することを特徴とするセンサ。
【請求項６】
表面に複数の溝を有する第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、前記複数の溝それぞれの一方側に繋げられた第２導電型のソース領域の不純物層と、
前記半導体基板に形成され、前記複数の溝それぞれの他方側に繋げられた第２導電型のドレイン領域の不純物層と、
前記半導体基板の前記複数の溝の表面上に形成され、イオン又は生体分子を捕獲するための感応膜と、
を具備することを特徴とするセンサ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載のセンサによって液体中のイオン又は生体分子の濃度あるいはＰＨを測定する方法であって、
参照電極及び前記感応膜それぞれを前記液体に接触させ、
前記参照電極と前記ソース領域の不純物層との間に電圧を印加し、前記ソース領域の不純物層と前記ドレイン領域の不純物層との間に電圧を印加し、前記ソース領域の不純物層と前記ドレイン領域の不純物層との間に形成されたチャネルに流れる電流を検出することにより、前記液体中のイオン又は生体分子の濃度あるいはＰＨを測定することを特徴とするセンサの測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサ及びその測定方法に係わり、特に、液体中のイオン又は生体分子の濃度測定あるいはＰＨを測定するセンサ及びその測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術として特許文献１にはイオンセンサが開示されており、特許文献２には生体分子センサが開示されている。これらのセンサでは、ＦＥＴ（Field  Effective  Transistor）構造が用いられている。
【０００３】
ところで、従来のセンサでは、イオンや生体分子のＦＥＴ効果を生じる電荷の捕獲量が小さく、また捕獲した電荷量の変化に伴うＦＥＴのチャネルに流れる電流の変化率も小さい。このため、従来のセンサでは、イオンや生体分子の検出感度が低く、ＦＥＴのソース領域とドレイン領域との間に加える電圧の低電圧化が困難であり、その結果、センサの消費電力を低減できないという課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２１５９７４号公報
【特許文献２】特開２００３−３２９６３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように従来のセンサでは、センサの消費電力を低減できず、低パワー、小型で且つ高精度なセンサを実現することが困難である。
【０００６】
本発明の一態様は、イオン、ＰＨ又は生体分子のＦＥＴ効果を生じる電荷の捕獲量を大きくし、捕獲した電荷量の変化に伴いＦＥＴのチャネルに流れる電流の変化率を増大することにより、低パワー、小型で且つ高精度なセンサ及びその測定方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、表面に複数の溝を有する第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、前記複数の溝それぞれの一方側に繋げられた第２導電型のソース領域の不純物層と、
前記半導体基板に形成され、前記複数の溝それぞれの他方側に繋げられた第２導電型のドレイン領域の不純物層と、
前記半導体基板の前記複数の溝の表面上に形成され、イオン又は生体分子を捕獲するための感応膜と、
を具備することを特徴とするセンサである。
【０００８】
上記センサによれば、半導体基板の表面に複数の溝を形成するため、複数の溝によって形成された凹凸の上面、側面及び底面それぞれにチャネルを形成することができる。このため、ソース・ドレイン間に形成される実効チャネルの幅を、凹凸が形成されていないシリコン基板の表面に感応膜を形成した場合に比べて広くすることができる。これと共に、複数の溝によって形成された凹凸の上面、側面及び底面それぞれに感応膜を形成しているため、感応膜にも凹凸を形成することができ、感応膜の実効表面積を大きくすることができる。従って、イオン、ＰＨ又は生体分子のＦＥＴ効果を生じる電荷の捕獲量を大きくすることができる。更に、凸部の半導体層の幅を狭くすることによりFETチャネルを完全空乏化することにより、FETの電流―電圧（I-V）特性におけるサブスレッショルド領域の傾きが大きくなり、捕獲した電荷量の変化に伴うＦＥＴチャネルに流れる電流の変化率を増大することができる。それにより、低パワー、小型で且つ高精度なセンサを提供することができる。
【０００９】
本発明の一態様は、Ｓｉ基板上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、表面に複数の溝を有する第１導電型のＳＯＩ層と、
前記ＳＯＩ層に形成され、前記複数の溝それぞれの一方側に繋げられた第２導電型のソース領域の不純物層と、
前記ＳＯＩ層に形成され、前記複数の溝それぞれの他方側に繋げられた第２導電型のドレイン領域の不純物層と、
前記ＳＯＩ層の前記複数の溝の表面上に形成され、イオン又は生体分子を捕獲するための感応膜と、
を具備することを特徴とするセンサである。
【００１０】
また、本発明の一態様に係るセンサにおいて、
前記複数の溝それぞれは前記ＳＯＩ層を貫通する溝であることも可能である。
【００１１】
上記センサによれば、該溝間隔を100nm以下に狭く設定し、ＳＯＩ層に感応膜を形成することにより、完全空乏型FETのセンサを形成することが可能となる。これにより、同じイオンの捕獲量であっても完全空乏型でないセンサに比べて検出される電流値を大きくすることができ、イオン捕獲変化による電流の変化率を増大させることができる。その結果、低い電圧でのイオンセンシングが可能になり、低パワー、小型で且つ高精度なセンサを提供することができる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係るセンサにおいて、
前記ＳＯＩ層における前記複数の溝の下方に位置するボディ部は、前記複数の溝が形成された領域より不純物濃度が高いことが好ましい。これにより、ボディ部の電位を固定しやすくなり、センサの動作を安定化することができる。
【００１３】
また、本発明の一態様に係るセンサにおいて、
前記感応膜と前記ＳＯＩ層との間に形成された絶縁膜をさらに具備することも可能である。これにより、感応膜とソース・ドレイン間のチャネル領域の表面との干渉を防止することができる。
【００１４】
また、本発明の一態様に係るセンサにおいて、
前記絶縁膜と前記感応膜との間に形成された導電膜をさらに具備することも可能である。なお、該導電膜はフローテイング状態に保たれている。
【００１５】
本発明の一態様は、上述したセンサによって液体中のイオン又は生体分子の濃度あるいはＰＨを測定する方法であって、
参照電極及び前記感応膜それぞれを前記液体に接触させ、
前記参照電極と前記ソース領域の不純物層との間に電圧（ＶRS）を印加し、前記ソース領域の不純物層と前記ドレイン領域の不純物層との間に電圧（Ｖds）を印加し、前記ソース領域の不純物層と前記ドレイン領域の不純物層との間に形成されたチャネルに流れる電流（Ｉd）を検出することにより、前記液体中のイオン又は生体分子の濃度あるいはＰＨを測定することを特徴とするセンサの測定方法である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施形態によるセンサの平面図。
【図２】（ａ）は図１に示すＢ−Ｂ'部を示す断面図、（ｂ）は図１に示すＡ−Ａ'部を示す断面図。
【図３】（ａ），（ｂ）は、図２（ａ），（ｂ）の次の工程を示す断面図。
【図４】図３に示すセンサによって液体中のイオン又は生体分子等の濃度あるいはＰＨを測定する方法を説明するための模式図。
【図５】図４に示す方法で測定した際の参照電極７とソース領域の不純物層３又はシリコン基板１との間に印加される可変電圧ＶＲＳと、チャネルに流れる電流Ｉｄとの関係を示す図。
【図６】第２の実施形態によるセンサの平面図。
【図７】（ａ）は図６に示すｂ−ｂ'部を示す断面図、（ｂ）は図６に示すａ−ａ'部を示す断面図。
【図８】第３の実施形態によるセンサを示す断面図。
【図９】第４の実施形態によるセンサを示す断面図。
【図１０】第５の実施形態によるセンサを示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１〜図３は、第１の実施形態によるセンサの製造方法を示すものである。図１は、センサの平面図である。図２（ａ）は、図１に示すＢ−Ｂ'部を示す断面図であり、図２（ｂ）は、図１に示すＡ−Ａ'部を示す断面図である。図３（ａ），（ｂ）は、図２（ａ），（ｂ）の次の工程を示す断面図である。
【００１９】
まず、図１及び図２（ａ），（ｂ）に示すように、Ｐ−型のシリコン基板１上に第１のレジストパターン（図示せず）を形成し、第１のレジストパターンをマスクとしてシリコン基板１をエッチングする。これにより、シリコン基板１の表面には複数の溝１０が形成され、これら複数の溝によって図２（ａ）に示す凹凸が形成される。次いで、第１のレジストパターンを剥離する。
【００２０】
次に、シリコン基板１上に第２のレジストパターン（図示せず）を形成し、第２のレジストパターンをマスクとしてイオン注入することにより、シリコン基板１にはＮ型のソース領域の不純物層３及びＮ型のドレイン領域の不純物層２が形成される。ソース領域の不純物層３は複数の溝１０それぞれの一方側に繋げられており、ドレイン領域の不純物層２は複数の溝１０それぞれの他方側に繋げられている。
【００２１】
次に、図３（ａ），（ｂ）に示すように、シリコン基板１の複数の溝１０の表面上に第１の絶縁膜４を形成し、第１の絶縁膜４上にイオン又は生体分子等を捕獲するための感応膜５を形成する。第１の絶縁膜４は例えばＳｉＯ２膜により形成され、感応膜５は検出しようとする物質（イオン又は生体分子等）により自由に選択することができ、特に限定するものではないが、例えば次に示すものを用いることができる。
【００２２】
検出するイオンをＨ＋とするならば、Ｓｉ3Ｎ4やＴａ2Ｏ2を用いることができる。検出するイオンをＫ＋とするならば、バリノマイシンを用いることができる。検出するイオンをＮａ＋とするならば、ビスクラウンエーテル誘導体を用いることができる。検出するイオンをＣａ2＋とするならば、非環状ポリエーテルアミド誘導体を用いることができる。検出するイオンをＮＨ4＋とするならば、ノナクチンやＣｌ−テトラセチルアンモニア塩を用いることができる。
また、検出するイオンをＦ−とするならば、ＬａＦ3を用いることができる。検出するイオンをＡｇ＋やＰｂ2＋とするならば、カリックスアレンなどを用いることができる。また、感応膜５を液膜型イオンセンサ溶媒とすることもでき、その場合は、ニトロベンゼンやニトロフェニルオチルエーテルなどを用いることができる。
また、種々のたんぱく質やDNAなどの生体分子検出では、シリコン半導体層上の自然酸化膜（SiO2）の表面を感応化処理した膜を用いることができる。
【００２３】
なお、第１の絶縁膜４は、感応膜５とソース・ドレイン間のチャネル領域の表面との干渉を防止する保護膜として機能するが、第１の絶縁膜４を設けない構成としても良い。その場合、感応膜５にＳｉＯ２膜を用いても良い。また、感応膜５としては上記のものの他にＴｉＯ２膜、ＳｉＮ膜、Ｓｉ３ＮＯ膜を用いても良い。
【００２４】
次いで、感応膜５上に保護膜６を成膜し、この保護膜６上に第３のレジストパターン（図示せず）を形成し、第３のレジストパターンをマスクとして保護膜６をエッチングする。これにより、保護膜６にはソース・ドレイン間のチャネル領域上に位置する開口部６ａが形成される。保護膜６はチャネル領域以外を覆っている。
【００２５】
なお、本実施形態では、感応膜５を形成した後に保護膜６を形成しているが、保護膜６を形成した後に感応膜５を形成しても良い。詳細には、第１の絶縁膜４上に保護膜６を成膜し、この保護膜６に開孔部６ａを形成した後に、この開口部６ａ内に感応膜５を形成しても良い。
【００２６】
以下に、本実施形態によるセンサの測定方法について図４及び図５を参照しつつ説明する。
図４は、図３に示すセンサによって液体中のイオン又は生体分子等の濃度あるいはＰＨを測定する方法を説明するための模式図である。
図５は、図４に示す方法で測定した際の参照電極７とソース領域の不純物層３又はシリコン基板１との間に印加される可変電圧ＶＲＳと、ソース領域の不純物層３とドレイン領域の不純物層２との間に形成されたチャネルに流れる電流Ｉｄとの関係を示す図である。
【００２７】
図４に示すように、ソース領域の不純物層３及びシリコン基板１それぞれとドレイン領域の不純物層２との間に一定電圧（Vds）を印加するように電源８を配置し、参照電極７とソース領域の不純物層３又はシリコン基板１との間に可変電圧ＶＲＳを印加するように可変電源９を配置する。
【００２８】
そして、参照電極７及び感応膜５それぞれを測定対象である液体（図示せず）に接触させ、参照電極７とソース領域の不純物層３又はシリコン基板１との間に可変電源９によって可変電圧ＶＲＳを印加し、ソース領域の不純物層３とドレイン領域の不純物層２との間に電源８によって一定電圧Ｖdsを印加し、ソース領域の不純物層３とドレイン領域の不純物層２との間に形成されたチャネルに流れる電流Ｉｄを図示せぬ電流検出器によって検出する。これにより、例えば図５に示す凹凸有りのような電流値Ｉｄが検出され、前記液体中のイオン又は生体分子等の濃度あるいはＰＨを測定することが可能となる。
【００２９】
詳細には、感応膜５が液体中の物質(イオン又は生体分子等)との反応（例えば酸化反応又は還元反応等）により帯電イオン化し、そのイオン電荷により第１の絶縁膜４下のチャネル部分のシリコン基板１の表面に電荷が蓄積され、導電路であるチャネルが形成される。図４に示すセンサは、その感応膜５に液体中のイオンが到来したあと、ドレイン領域の不純物層２とソース領域の不純物層３との間に電源８によって一定電圧を印加することで、形成されたチャネルに見合った電流が流れる。この電流の変化を電流検出器によって検出することにより、液体中のイオン又は生体分子等の濃度あるいはＰＨを測定することが可能となる。
【００３０】
図５に示す凹凸無しは、従来技術のようなシリコン基板の凹凸の無い表面上に感応膜を設けたセンサによって測定した場合の可変電圧ＶＲＳと電流Ｉｄとの関係を示しており、凹凸有りの場合に比べて検出される電流値Ｉｄが小さいことを示している。
【００３１】
なお、上記の測定方法は、本発明の一態様に係るセンサの測定方法であり、上記の測定方法とは異なる測定方法を用いることも可能である。
【００３２】
例えば、測定対象である電解質液体において、感応膜５として1nm程度の薄い自然酸化膜（SiO2）にオルガノシラン感応性界面層を結合し、レセプターを固定した場合には、液体中のアラナイト分子を検出することができる。
【００３３】
上記実施形態によれば、シリコン基板１の表面に複数の溝１０を形成するため、複数の溝１０によって形成された凹凸の上面、側面及び底面それぞれにチャネルを形成することができる。このため、ソース・ドレイン間に形成される実効チャネルの幅を、凹凸が形成されていないシリコン基板の表面に感応膜を形成した場合に比べて広くすることができる。これと共に、複数の溝１０によって形成された凹凸の上面、側面及び底面それぞれに感応膜５を形成しているため、感応膜５にも凹凸１１を形成することができ、感応膜５の表面積を大きくすることができる。従って、感応膜５に捕獲する物質（イオン又は生体分子等）の量を多くすることができ、その結果、イオン、ＰＨ又は生体分子等のＦＥＴ効果を生じる電荷の捕獲量を大きくすることができる。更に、凸部の半導体層の幅を狭くすることによりFETチャネルを完全空乏化することにより、FETの電流―電圧（Id-ＶRS）特性におけるサブスレッショルド領域の傾きが大きくなり、捕獲した電荷量の変化に伴うＦＥＴのチャネルに流れる電流の変化率を増大させることができ、検出されるドレイン電流Ｉｄ及びその変化率を大きくすることができる。よって、FETの小型化や低い電圧（ＶdsとＶRS）でのセンシングが可能になり、センサの消費電力を低減することができ、低パワー、小型で且つ高精度なセンサを実現することが可能となる。
【００３４】
なお、上記実施形態では、液体中のイオン又は生体分子等の濃度あるいはＰＨを測定するセンサについて説明しているが、本発明の他の態様としては、水分センサ、コンクリート中のＰＨ又は水分を測定するセンサに用いることも可能である。
【００３５】
（第２の実施形態）
図６及び図７は、第２の実施形態によるセンサを示すものである。図６は、センサの平面図である。図７（ａ）は、図６に示すｂ−ｂ'部を示す断面図であり、図７（ｂ）は、図６に示すａ−ａ'部を示す断面図である。
【００３６】
図６及び図７（ａ），（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板１、絶縁層（ＢＯＸ）１５、Ｐ−型のＳＯＩ(silicon on insulator)層１６が下から順に積層されたＳＯＩ基板を用意し、ＳＯＩ層１６上に第１のレジストパターン（図示せず）を形成し、第１のレジストパターンをマスクとしてＳＯＩ層１６をエッチングする。これにより、ＳＯＩ層１６には複数の溝１０が形成され、これら複数の溝によって図７（ａ）に示す凹凸が形成される。次いで、第１のレジストパターンを剥離する。なお、複数の溝１０それぞれはＳＯＩ層１６を貫通する溝である。
【００３７】
次に、ＳＯＩ層１６上に第２のレジストパターン（図示せず）を形成し、第２のレジストパターンをマスクとしてイオン注入することにより、ＳＯＩ層１６にはＮ型のソース領域の不純物層３及びＮ型のドレイン領域の不純物層２が形成される。ソース領域の不純物層３は複数の溝１０それぞれの一方側に繋げられており、ドレイン領域の不純物層２は複数の溝１０それぞれの他方側に繋げられている。
【００３８】
次に、図７（ａ），（ｂ）に示すように、ＳＯＩ層１６の複数の溝１０の表面上に第１の絶縁膜４を形成し、第１の絶縁膜４上にイオン又は生体分子等を捕獲するための感応膜５を形成する。第１の絶縁膜４及び感応膜５それぞれは第１の実施形態と同様のものを用いることができる。
【００３９】
なお、第１の絶縁膜４は、感応膜５とソース・ドレイン間のチャネル領域の表面との干渉を防止する保護膜として機能するが、第１の絶縁膜４を設けない構成としても良い。その場合、感応膜５にＳｉＯ２膜を用いても良い。
【００４０】
次いで、感応膜５上に保護膜６を成膜し、この保護膜６上に第３のレジストパターン（図示せず）を形成し、第３のレジストパターンをマスクとして保護膜６をエッチングする。これにより、保護膜６にはソース・ドレイン間のチャネル領域上に位置する開口部６ａが形成される。保護膜６はチャネル領域以外を覆っている。
【００４１】
なお、本実施形態においても第１の実施形態と同様に、感応膜５と保護膜６の形成順序を変更しても良い。また、本実施形態によるセンサの測定方法は、第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００４２】
上記実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態では、該溝間隔を100nm以下に狭く設定し、ＳＯＩ層１６に感応膜５を形成することにより、完全空乏型FETのセンサを形成することが可能となる。完全空乏型とすることにより、同じイオンの捕獲量であっても完全空乏型でないセンサに比べて検出される電流値Ｉｄを大きくすることができ、イオン捕獲変化による電流の変化率を増大させることができる。その結果、低い電圧でのイオンセンシングが可能になり、センサの消費電力をより低減でき、より低パワー、小型で且つ高精度なセンサを実現することが可能となる。
【００４３】
（第３の実施形態）
図８は、第３の実施形態によるセンサを示す断面図であり、図７（ａ）と同一部分には同一符合を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００４４】
ＳＯＩ層１６の表面には複数の溝１０が形成されるが、複数の溝１０それぞれはＳＯＩ層１６を貫通しない溝である。
【００４５】
本実施形態においても第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４６】
（第４の実施形態）
図９は、第４の実施形態によるセンサを示す断面図であり、図８と同一部分には同一符合を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００４７】
ＳＯＩ層１６における複数の溝１０の下方に位置するＰ＋型のボディ部１６ａは、複数の溝１０が形成された領域より不純物濃度が高く形成されている。つまり、ボディ部１６ａには濃い拡散層（低抵抗層）が形成されている。
【００４８】
本実施形態においても第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、ボディ部１６に低抵抗層を形成することにより、ボディ部１６の電位を固定しやすくなり、センサの動作を安定化することができる。
なお、ボディ部の電位の取出口は図示していない。
【００４９】
（第５の実施形態）
図１０は、第５の実施形態によるセンサを示す断面図であり、図３（ａ）と同一部分には同一符合を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００５０】
第１の絶縁膜４と感応膜５との間には導電膜１７が形成されている。この導電膜１７は、例えばポリシリコン膜によって形成されている。
また、導電膜１７は、フローテイング状態を保っている。本実施形態では感応膜５を形成した後に保護膜６を形成しているが、保護膜６を形成した後に感応膜５を形成しても良い。FETチャネル領域の第一の絶縁膜上に導電膜１７を形成し、保護膜６で覆った後、チャネル領域に保護膜６の開口部を形成し、この開口部に感応膜５を形成する。この製造方法では、導電膜１７は、保護膜６の開口部形成時のエッチングストッパーとしても機能する。
【００５１】
本実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、第１の絶縁膜４と感応膜５との間に導電膜１６を形成する構成は、第２乃至第４の実施形態それぞれに適用することも可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１…シリコン基板、２…ドレイン領域の不純物層、３…ソース領域の不純物層、４…第１の絶縁膜、５…感応膜、６…保護膜、６ａ…開口部、７…参照電極、８…電源、９…可変電源、１０…溝、１１…凹凸、１５…絶縁層、１６…ＳＯＩ層、１６ａ…Ｐ＋型のボディ部、１７…導電膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011133234.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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