(57)【要約】【課題】シリコンマスクの作製を容易に行うことができるとともに作業性の向上を図ることができるガラス基板のエッチング方法を提供する。【解決手段】シリコン基板をマスクとするガラス基板のドライエッチング方法において、ガラス基板１２の表面にシリコン基板１１を接合する工程と、ガラス基板１２上でシリコン基板１１からなるシリコンマスク１１Ｍを形成する工程と、シリコンマスク１１Ｍを介してガラス基板１２をエッチングする工程と、シリコンマスク１１Ｍをガラス基板１２から除去する工程とを有する。これにより、ガラス基板１２に対するシリコンマスク１１Ｍの作製を容易に行うことができるとともに、マスク形成後の接合作業を廃止できるので加工プロセスを簡素化でき、作業性の向上を図ることが可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板の表面に凹部または貫通孔を形成するためのエッチング方法であって、
ガラス基板の表面にシリコン基板を接合する工程と、
前記ガラス基板上で前記シリコン基板からなるシリコンマスクを、前記シリコン基板の上に形成したレジストパターンをマスクとする前記シリコン基板のエッチング処理によって形成する工程と、
前記シリコンマスクを介して前記ガラス基板を、基板バイアス電力を４００Ｗ〜８００Ｗとし、ＣＦ系ガスでドライエッチングする工程と、
前記シリコンマスクを前記ガラス基板から除去する工程とを有する
ことを特徴とするガラス基板のエッチング方法。
【請求項２】
前記ガラス基板のエッチングを、磁気中性線放電エッチング装置を用いて行う
ことを特徴とする請求項１に記載のガラス基板のエッチング方法。
【請求項３】
前記ガラス基板は、石英、希土類をドープしたガラス系材料、低膨張結晶化ガラス、珪酸ソーダガラス、硼珪酸ガラス、無アルカリガラス、白板ガラス、青板ガラスのいずれかである
ことを特徴とする請求項１に記載のガラス基板のエッチング方法。
【請求項４】
前記ガラス基板と前記シリコン基板との接合を陽極接合、常温接合または樹脂接合によって行う
ことを特徴とする請求項１に記載のガラス基板のエッチング方法。
【請求項５】
前記シリコンマスクの形成をドライエッチングまたはウェットエッチングで行う
ことを特徴とする請求項１に記載のガラス基板のエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板の表面に凹部または貫通孔を形成する工程に用いて好適なガラス基板のエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体製造分野において広く実施されている薄膜製造技術、フォトリソグラフィ技術および微細加工技術を応用したＭＥＭＳ（Micro-Electro-Mechanical System）と呼ばれるマイクロ構造体の開発が進められている。これらのマイクロ構造体としては、圧電素子を用いたポンプ装置やジャイロ装置、ＳＡＷ（弾性表面波）素子を用いたフィルタ装置などが提案されており、例えば携帯型電子機器に搭載されるような小型、軽量化が求められる各種デバイス部品に応用が進められている。
【０００３】
ＭＥＭＳ部品は、半導体その他の電気・電子部品と同様に、配線基板上に実装されて使用される。従って、ＭＥＭＳ部品には、外部ストレスや熱ストレス等から内部の機能素子を有効に保護することができる筺体構造が不可欠である。そこで、ＭＥＭＳ部品の筺体に、石英や硼珪酸ガラス等のガラス材料が用いられるようになっている。例えば、下記特許文献１には、筺体部にガラス基板を用いた多層基板型マイクロポンプの製造方法が開示されている。
【０００４】
一方、ＭＥＭＳ部品の筺体部には、内部の機能素子と外部の配線基板との間を電気的に接続するために外部端子を設ける必要がある。この外部端子は、筺体部を構成するガラス基板に貫通孔を形成し、この貫通孔の内壁面または内部に導電材料を形成あるいは充填することによって構成することができる。例えば、下記特許文献２には、ガラス基板にサンドブラストにより貫通孔を形成し、この貫通孔の内壁面にめっき配線または導電性物質を充填して多層配線基板を形成する技術が開示されている。
【０００５】
サンドブラスト法は、図６Ａ，Ｂに示すように、ガラス基板８の表面にマスク９を形成し、マスク９の開口領域に臨むガラス基板８の表面をブラスト処理して貫通孔１０を形成する加工技術であり、加工スピードが速いというメリットがある。
【０００６】
しかし、孔の直径が１００μｍ以上と非常に大きいことと、貫通した孔の底部側でチッピングと呼ばれる逆テーパの形状を引き起こすこと、また多数の孔を同時に加工できない等のデメリットがある。図７に示すように、チッピング１０ｐは、貫通孔１０の底部の周縁にできる異常加工痕であり、貫通孔の外周側に向かう逆テーパ状に形成されるため、その後の貫通孔の導体化処理（めっき、充填）に重大な障害を引き起こす。
【０００７】
一方、ガラス基板に凹部または貫通孔を形成する他の技術として、ドライエッチング法がある。この方法は、ガラス基板に対し、その表面に形成したマスクを介してプラズマエッチングを施すことで、マスクの開口形状に対応した凹部あるいは貫通孔を形成するようにしたものである。例えば下記特許文献３には、ガラス基板に対して、その表面に形成したアルミニウムからなるメタルマスクを介してＳＦ6ガスと酸素ガスの混合ガスのプラズマエッチングを施すことによって、凹部あるいは貫通孔を形成する方法が開示されている。
【０００８】
ガラス基板として現在広く利用されている硼珪酸ガラスのドライエッチングは、石英ガラスよりもエッチングが困難である。理由は、硼珪酸ガラスの成分に石英ガラスにはないＮａ（ナトリウム）やＢ（ホウ素）、Ｋ（カリウム）、Ａｌ（アルミニウム）等が含まれているため、これらの成分がエッチングガスと反応し、これによりエッチング速度が低下し、エッチング加工面が荒れ易くなる。このため、ＳＦ6などの反応性の高いエッチングガスや、Ａｒ（アルゴン）やＸｅ（キセノン）等の希ガスを添加して物理スパッタ的にエッチングする方法が採用されている。
【０００９】
一方、ＳＦ6をメインガスとしてエッチングする場合や物理スパッタをメインにエッチングする場合、マスクの加工量も大きくなるため、エッチング時の対マスク選択比が低くなるという問題がある。このため、硼珪酸ガラスの深掘り加工にはマスクの形成厚を大きくする必要があり、また、エッチング選択性の高いエッチングガスを用いる必要があった。
【００１０】
そこで、下記非特許文献１には、マスクにシリコン基板を用い、エッチングガスにＣＦ系ガスを用いたガラス基板のエッチング方法が開示されている。以下、図８を参照して、この従来のシリコンマスクを用いたガラス基板のエッチング方法について説明する。
【００１１】
（図８Ａ）所定厚のシリコン基板１の表面と裏面にそれぞれシリコン酸化膜２Ａ，２Ｂを形成し、表面側のシリコン酸化膜２Ａ上にアルミニウム膜３を成膜する。そして、シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜２Ａとアルミニウム膜３の積層膜からなるマスクパターンをフォトリソグラフィ技術によって形成した後、このマスクパターンをマスクとするドライエッチングを施して、シリコン基板１の表面にマスク開口部形状に対応する凹部４を形成する。
【００１２】
（図８Ｂ）次に、シリコン基板１の表面からマスクパターンを除去した後、シリコン基板１の酸化処理を行って、凹部４を含むシリコン基板１の表面にシリコン酸化膜５を形成する。また、シリコン基板１の裏面側のシリコン酸化膜２Ｂを除去する。
（図８Ｃ）次に、シリコン基板１をエッチバックして２００μｍ程度に薄厚化し、凹部４を被覆するシリコン酸化膜５をシリコン基板１の裏面側に露出させる。エッチバック処理は、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）溶液を用いたウェットエッチングで行う。
【００１３】
（図８Ｄ）次に、薄厚化したシリコン基板１をガラス基板（パイレックス（登録商標）ガラス（ 「パイレックス（登録商標）」 は米国コーニング社の登録商標。）６の表面に陽極接合法により接合した後、シリコン基板１上のシリコン酸化膜５を除去する。これにより、ガラス基板６の上にシリコンマスク１Ｍが作製される。
（図８Ｅ）次に、シリコンマスク１Ｍを介してガラス基板６のドライエッチングを行い、ガラス基板６にシリコンマスク１Ｍの開口部形状に対応した凹部７を形成する。エッチングガスにはＣ4Ｆ8が用いられている。
（図８Ｆ）最後に、ガラス基板６からシリコンマスク１Ｍを除去する。シリコンマスク１Ｍの除去には、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液が用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００３−２２５８９８号公報
【特許文献２】特開２００２−３５９４４６号公報
【特許文献３】特開平５−６８７４号公報
【非特許文献】
【００１５】
【非特許文献１】T.Akashi, Y.Yoshimura, and S.Higashiyama 「Deep Reactive Ion Etching of Pyrex Glass Using a Bonded Silicon Wafer as an Etching Mask」 Proceedings of 18th IEEE Int.conf. on micro electro mechanical system (MEMS) 2005, 520-523
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
図８に示した従来のガラス基板のエッチング方法においては、マスクにシリコン基板を用い、エッチングガスにＣＦ系ガスを用いることで、エッチング時の対マスク選択比を高くでき、これによりガラス基板の深掘り加工を実現することが可能となる。
【００１７】
しかしながら、図８に示したガラス基板のエッチング方法においては、マスクを構成するシリコン基板１の形状加工工程が非常に複雑であるという問題がある。また、形状加工がなされ薄厚化したシリコン基板１はハンドリング性が悪いため、このシリコン基板１をガラス基板６に接合する作業を容易に行えないという懸念もある。
【００１８】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、シリコンマスクの作製を容易に行うことができるとともに作業性の向上を図ることができるガラス基板のエッチング方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
以上の課題を解決するに当たり、本発明のガラス基板のエッチング方法は、ガラス基板の表面にシリコン基板を接合する工程と、上記ガラス基板上で上記シリコン基板からなるシリコンマスクを、上記シリコン基板の上に形成したレジストパターンをマスクとする上記シリコン基板のエッチング処理によって形成する工程と、上記シリコンマスクを介して上記ガラス基板を、基板バイアス電力を４００Ｗ〜８００Ｗとし、ＣＦ系ガスでドライエッチングする工程と、上記シリコンマスクを上記ガラス基板から除去する工程とを有する。
【００２０】
本発明においては、マスクとなるシリコン基板を予めガラス基板の表面に接合しておき、ガラス基板でシリコン基板を支持した状態で、シリコンマスクの形状加工を行うようにしている。これにより、ガラス基板に対するシリコンマスクの作製を容易に行うことができるとともに、マスク形成後の接合作業を廃止できるので加工プロセスを簡素化でき、作業性の向上を図ることが可能となる。
【００２１】
本発明において、ガラス基板のエッチングはドライエッチング法で行われる。エッチングガスにＣＦ系、ＣＨＦ系を用いることによって、ガラス基板とシリコンマスクの選択性向上を図ることができる。また、ＳＦ6ガスに比べて環境負荷の低減を図ることができる。なお、エッチング装置として磁気中性線放電（ＮＬＤ）エッチング装置を用いることにより、上記エッチングガスでのエッチングレートを、例えば１μｍ／ｍｉｎ程度にまで向上させることができることが確認されている。
【００２２】
シリコンマスクは、シリコン基板の上に形成したレジストパターンをマスクとするシリコン基板のエッチング処理によって形成することができる。シリコン基板がガラス基板の上に支持されているので、シリコンマスクの作製が容易となり、加工工数の削減と作業性の向上を図ることができる。シリコン基板のエッチングはドライエッチングでもよいし、ウェットエッチングでもよい。
【００２３】
ガラス基板としては、石英は勿論、ＮｄやＥｒ等の希土類イオンをドープしたガラス系材料、Ｌｉ2Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系等の低膨張結晶化ガラス、珪酸ソーダガラス、硼珪酸ガラス、無アルカリガラス、白板ガラス、青板ガラスが適用可能である。また、ガラス基板とシリコン基板との接合には、陽極接合、常温接合、樹脂接合などが適用可能である。陽極接合は、ガラス基板とシリコン基板とを重ね合わせ、熱と電圧を加えることにより両基板を密着固定する接合方法である。常温接合は、接合界面をイオンビームの照射等で活性化し結合手を生成することで基板間を接合する技術である。また、樹脂接合には、例えば接着性樹脂材料を用いた接合技術が含まれる。
【発明の効果】
【００２４】
以上述べたように、本発明のガラス基板のエッチング方法によれば、ガラス基板上でシリコンマスクを作製するようにしているので、シリコンマスクの作製を容易に行うことができるとともに、マスク形成後の接合作業を廃止できるので加工プロセスを簡素化でき、作業性の向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態によるガラス基板のエッチング方法を説明するための要部の工程断面図である。
【図２】エッチングガスとしてＣ3Ｆ8ガスを用いたときの基板バイアス出力とエッチングレートの関係を示す一実験結果である。
【図３】本発明の実施形態において使用されるエッチング装置の概略構成図である。
【図４】本発明の実施形態において作製したガラス基板サンプルのＳＥＭ写真である。
【図５】代表的なエッチングガスの地球温暖化係数を示す図である。
【図６】従来のサンドブラスト法を用いたガラス基板の加工方法を説明する模式図である。
【図７】サンドブラスト法による貫通孔形成の問題点を説明する要部断面図である。
【図８】従来のガラス基板のエッチング方法を説明するための要部の工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００２７】
図１Ａ〜Ｅは、本発明の実施形態によるガラス基板のエッチング方法を説明する要部の工程断面図である。本実施形態によるガラス基板のエッチング方法は、ガラス基板の表面にシリコン基板を接合する工程（図１Ａ）と、ガラス基板上でシリコン基板からなるシリコンマスクを形成する工程（図１Ｂ，Ｃ）と、シリコンマスクを介してガラス基板をエッチングする工程（図１Ｄ）と、シリコンマスクをガラス基板から除去する工程（図１Ｅ）とを有する。以下、各工程の詳細について説明する。
【００２８】
（シリコン基板接合工程）
図１Ａに示すように、まず、シリコン基板１１がガラス基板１２の表面に接合される。ガラス基板１２は、パイレックス（登録商標）ガラス（ 「パイレックス（登録商標）」は米国コーニング社の登録商標。）に代表される硼珪酸ガラスが用いられている。シリコン基板１１は、主面が（１００）の方位面で切り出された単結晶基板である。本実施形態において、シリコン基板１１とガラス基板１２の接合には陽極接合法が採用されているが、常温接合や樹脂接合などの他の接合法を採用しても構わない。なお、シリコンとガラスは互いに同等の熱膨張係数を有しているので、特に加熱処理を伴うプロセスにおいて好適な組合せとなる。
【００２９】
シリコン基板１１は、マスクとして機能するのに十分な厚さ（例えば２０μｍ以上）に形成される。当初より所定厚のシリコン基板を準備しこれをガラス基板１２に接合する方法のほか、所定厚より厚めのシリコン基板をガラス基板１２に接合した後、ガラス基板１２をサポート材としてシリコン基板１１の薄厚化処理を行い、シリコン基板を所定厚に形成する方法も適用可能である。一方、ガラス基板１２の厚さは特に制限されず、仕様やプロセスに応じて適宜選択される。
【００３０】
シリコン基板１１とガラス基板１２とを接合した後、この接合体の表面側および裏面側にレジスト層１３，１４を形成する。表面側のレジスト層１３は、シリコン基板１１を所定形状にパターニングするためのものである。また、裏面側のレジスト層１４は、ガラス基板１２に貫通孔が形成された際、このガラス基板１２を支持するエッチング装置の基板ステージに内蔵されている基板冷却用のガスがガラス基板１２の裏面側から漏出しないようにするためのものである。レジスト層１３，１４は感光性有機レジスト材が用いられる。なお、ガラス基板１２に対して、貫通孔ではなく有底の凹部を形成する場合等においては、レジスト層１４の形成は不要である。
【００３１】
（シリコンマスク作製工程）
次に、図１Ｂに示すように、シリコン基板１１の表面に形成したレジスト層１３に対して露光・現像処理を施して所定形状のレジストマスク１３Ｍを形成する工程が行われる。その後、レジストマスク１３Ｍをエッチングマスクとするシリコン基板１１のエッチング処理を施して、図１Ｃに示すシリコンマスク１１Ｍを形成する。
【００３２】
シリコン基板１１のエッチング処理は、例えば、ＳＦ6ガスやＨＢｒガスを用いたドライエッチングで行うことができる。なお、ドライエッチングに代えて、例えば、ＴＭＡＨやＫＯＨ溶液を用いたウェットエッチングによって行うことも可能である。また、ガラス基板１２とのエッチング選択性がとれるエッチャントを用いることで、シリコン基板１１に対するエッチング処理の制御性を高めることができる。
【００３３】
（ガラス基板エッチング工程）
次に、図１Ｄに示すように、シリコンマスク１１Ｍをエッチングマスクとするエッチング処理を施して、ガラス基板１２に貫通孔１５を形成する。ガラス基板１２のエッチングはドライエッチングで行う。エッチングガスは、シリコンマスク１１Ｍとの選択性がとれるエッチングガスであれば特に制限されない。すなわち、ガラス基板１２に貫通孔が形成される前に、シリコンマスク１１Ｍがエッチング除去されない程度の選択性が必要である。具体的に、本実施形態では、エッチングガスとして、Ｃ3Ｆ8ガスが用いられるが、ＣＦ4、ｃ−Ｃ4Ｆ8等の他のＣＦ系ガスも適用可能である。また、ＣＨＦ3等のＣＨＦ系ガスも適用可能である。また、これらのＣＦ系ガス、ＣＨＦ系ガスと酸素ガス（Ｏ2）との混合ガスを用いてもよい。
【００３４】
なお、ガラス基板１２に貫通孔１５を形成する以外に、有底の凹部（孔）を形成する場合には、当該凹部の形成深さが所定値に達した時点でエッチング処理を停止すればよい。
【００３５】
最後に、ガラス基板１２からシリコンマスク１１Ｍおよびレジスト層１４を除去する（図１Ｅ）。シリコンマスク１１Ｍの除去は、シリコンの全面エッチバックのほか、ＴＭＡＨやＫＯＨなどのエッチング液を用いた溶解除去が適用可能である。また、レジスト層１４の除去は、酸素プラズマによるアッシング処理のほか、所定の溶解液を用いた溶解除去が適用可能である。
【００３６】
なお、作製されたガラス基板１２は、その後、貫通孔１５が導電めっき被着又は導体物充填などの導体化処理がなされるとともに、ガラス基板１２の表面および裏面に必要な配線層が形成されることで、ＭＥＭＳ部品やＩＣ部品などが実装される配線基板として構成される。
【００３７】
以上のようにして、ガラス基板１２の所定領域に対して貫通孔１５が形成される。本実施形態によれば、マスクとなるシリコン基板１１を予めガラス基板１２の表面に接合しておき、ガラス基板１２でシリコン基板１１を支持した状態で、シリコンマスク１１Ｍの作製を行うようにしている。これにより、ガラス基板１２に対するシリコンマスク１１Ｍの作製を容易に行うことができるとともに、マスク形成後の接合作業を廃止できるので加工プロセスを簡素化でき、作業性の向上を図ることが可能となる。
【００３８】
また、シリコン基板１１の上に形成したレジストパターンをマスクとするシリコン基板１１のエッチング処理によってシリコンマスク１１Ｍを形成しているので、シリコンマスク１１Ｍの作製が容易であり、作業性の向上を図ることができる。
【００３９】
また、本実施形態によれば、ガラス基板１２に貫通孔１５を形成するに際して、エッチングガスにＣＦ系あるいはＣＨＦ系のエッチングガスを用いることにより、シリコンマスク１１Ｍとの選択性に優れ、かつ、所定のエッチングレートを維持することが可能となる。
【００４０】
図２は、エッチングガスにＣ3Ｆ8ガスを用いてガラス基板（パイレックス（登録商標）ガラス（「パイレックス（登録商標）」は米国コーニング社の登録商標。））をエッチングしたときの基板バイアス電力とエッチングレートとの関係を示している。エッチング装置は、図３に示す磁気中性線放電（ＮＬＤ）エッチング装置を用いた。バイアス電力の上昇に伴って、エッチング速度が向上することがわかり、最大１μｍ／ｍｉｎ程度のエッチング速度が得られる。
【００４１】
図３はＮＬＤエッチング装置２０の概略構成図である。２１は真空チャンバであり、内部にプラズマ発生部２１ａと基板処理部２１ｂとを形成している。真空チャンバ２１にはターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）等の真空ポンプが接続され、真空チャンバ２１の内部が所定の真空度に真空排気されている。
【００４２】
プラズマ発生部２１ａを構成するベルジャ２２の周囲には、第１高周波電源ＲＦ１に接続されたプラズマ発生用の高周波コイル２３と、この高周波コイル２３の外周側に配置された三つの磁場コイル２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃがそれぞれ配置されている。磁場コイル２４Ａと磁場コイル２４Ｃにはそれぞれ同一方向に電流が供給され、磁場コイル２４Ｂには他の磁場コイル２４Ａ，２４Ｃと逆方向に電流が供給される。その結果、プラズマ発生部２１ａにおいて、リング状に磁気中性線２５が形成され、高周波コイル２３により磁気中性線２５に沿って誘導電場が印加されることで、放電プラズマが形成される。
【００４３】
一方、基板処理部２１ｂには、被処理基板（本例ではガラス基板）を支持するステージ２６が設置されている。このステージ２６は、ブロッキングコンデンサ２７を介してバイアス電源として第２高周波電源ＲＦ２に接続されている。また、ステージ２６の対向電極としてプラズマ発生部２１ａの上部に形成される天板２８には、コンデンサ２９を介して第３高周波電源ＲＦ３が接続されている。
【００４４】
エッチングガスは、天板２８の近傍に設置されたガス導入部３０を介してプラズマ発生部２１ａに導入される。エッチングガスには上述のように例えばＣＦ系、ＣＨＦ系ガスが用いられる。導入されたエッチングガスは、プラズマ発生部２１ａでプラズマ化し、生成されたイオンとラジカルによりステージ２６上のガラス基板（図示略）をエッチング処理する。高周波電源ＲＦ２は、基板バイアスによりイオンをステージ２６側に加速させ、ガラス基板上のラジカル生成物をスパッタ除去してエッチング性を高める。高周波電源ＲＦ３は、エッチング領域の正イオンによるチャージアップを抑制し、ガラス基板の深掘り加工を実現する。
【００４５】
図４Ａ，Ｂは、以上の構成のＮＬＤエッチング装置２０を用いてガラス基板に凹部（有底孔）を形成したときのＳＥＭ写真である。シリコンマスクの開口部は直径５０μｍの円形であり、シリコンマスクの厚さは３０μｍである。また、ガラス基板は硼珪酸ガラス（コーニング７７４０（商品名））であり、孔の深さは８０μｍ、底部の直径は３０μｍである。このときのエッチング装置の運転条件は、以下のとおりである。
［エッチング条件］
・圧力：１Ｐａ
・高周波電源（ＲＦ１） 周波数：１３．５６ＭＨｚ  電力：２３００Ｗ
・高周波電源（ＲＦ２） 周波数：１２．５ＭＨｚ  電力：５００Ｗ
・高周波電源（ＲＦ３） 周波数：１２．５ＭＨｚ  電力：５００Ｗ
・磁場コイル電流２４Ａ：３０．６Ａ
２４Ｂ：５２Ａ
２４Ｃ：３０．６Ａ
・エッチングガス  Ｃ4Ｆ8：３０ｓｃｃｍ
ＣＨＦ3：２０ｓｃｃｍ
Ｏ2：１０ｓｃｃｍ
【００４６】
なお、エッチングガスにＣＦ系ガスを用いることにより、ＳＦ6ガスに比べて、環境負荷の大幅な低減を図ることが可能となる。図５に、代表的なＣＦ系ガスとＳＦ6ガスの地球温暖化係数（ＧＷＰ）を二酸化炭素（ＣＯ2）に対する相対値で示す。
【００４７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることはなく本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００４８】
例えば以上の実施形態では、ガラス基板１２に対して貫通孔あるいは有底孔を形成する例について説明したが、これに限らず、グルーブ（溝）あるいはスロット状の凹部をドライエッチングでガラス基板上に形成する場合にも、本発明は適用可能である。
【００４９】
また、以上の実施形態では、ガラス基板のドライエッチング工程にＮＬＤエッチング装置を用いる例について説明したが、これに限らず、シリコンマスクのエッチング加工に上記ＮＬＤエッチング装置を用いることも勿論可能である。なお、エッチング装置はＮＬＤに限らず、ＩＣＰ等の他の放電形式のプラズマエッチング装置を用いてもよい。
【符号の説明】
【００５０】
１１  シリコン基板
１２  ガラス基板
１３  レジスト層
１５  貫通孔
２０  ＮＬＤエッチング装置
２１  真空チャンバ
２１ａ  プラズマ発生部
２１ｂ  基板処理部
２３  高周波コイル
２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ  磁場コイル
２５  磁気中性線
２６  ステージ
２８  天板
ＲＦ１，ＲＦ２，ＲＦ３  高周波電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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