(57)【要約】【課題】基板を回転させる機構のコスト低減に寄与する基板回転装置を提供する。【解決手段】本発明に係る基板回転装置３０は、センタ孔を有する基板を回転させ、キャリア１０に支持された基板９の支持位置を変化させるものであり、駆動源に連結されて進退動及び上下動可能なシャフト３４の端部側に取り付けられ、シャフト３４の進退動に伴って基板９のセンタ孔に挿入することができるピック３２が、センタ孔の内側上部に第１の支持部４３と第２の支持部４１の２箇所で接することができるように構成されており、第２の支持部４１は、第１の支持部４３よりもセンタ孔中心の直上位置から離れた位置に接するとともに第１の支持部４３に対して弾性的に屈曲可能に接続されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
センタ孔を有する基板を回転させ、キャリアに支持された前記基板の支持位置を変化させる基板回転装置であって、
前記基板回転装置は、駆動源に連結されて進退動及び上下動可能なシャフトと、前記シャフトの端部側に取り付けられ、前記シャフトの進退動に伴って前記基板のセンタ孔に挿入することができるピックと、を有してなり、
前記ピックは、前記シャフトに連結された第１の支持部と、前記第１の支持部に弾性的に屈曲可能に接続され、前記センタ孔の内側上部に接する第２の支持部とを備えることを特徴とした基板回転装置。
【請求項２】
センタ孔を有する基板を回転させ、キャリアに支持された前記基板の支持位置を変化させる基板回転装置であって、
前記基板回転装置は、駆動源に連結されて進退動及び上下動可能なシャフトと、前記シャフトの端部側に取り付けられ、前記シャフトの進退動に伴って前記基板のセンタ孔に挿入することができるピックと、を有してなり、
前記ピックは、前記シャフトに連結され、前記センタ孔の内側上部に接する第１の支持部と、前記第１の支持部よりも前記センタ孔中心の直上位置から離れた位置に接する第２の支持部と、前記第２の支持部を前記第１の支持部に対して弾性的に屈曲可能に接続する連結部材とを有することを特徴とした基板回転装置。
【請求項３】
真空処理室内で、センタ孔を有する絶縁材製の基板をキャリアによって支持し、前記基板の表面に複数層の薄膜を順次成膜する真空処理装置に備えられた基板回転装置であって、前記複数層の薄膜中、少なくとも一層がバイアススパッタリング法で成膜される薄膜形成方法において、前記バイアススパッタリング法により成膜される層より基板側の層の成膜後であって、バイアススパッタリング法による成膜前に、前記キャリアによる前記基板の支持位置を変化させる基板回転装置であって、
前記キャリアは、弾性部材からなり、一端部側が前記基板の外周部を支持し、他端部側が前記キャリアに取り付けられた基板支持爪を有し、
前記基板回転装置は、駆動源に連結されて進退動及び上下動可能なシャフトと、前記シャフトの端部側に取り付けられ、前記シャフトの進退動に伴って前記基板のセンタ孔に挿入することができるピックと、前記基板支持爪に当接して屈曲させることができるアームと、を有してなり、
前記ピックは、前記シャフトに連結され、前記センタ孔の内側上部に接する第１の支持部と、前記第１の支持部よりも前記センタ孔中心の直上位置から離れた位置に接する第２の支持部と、前記第２の支持部を前記第１の支持部に対して弾性的に屈曲可能に接続する連結部材とを有することを特徴とした基板回転装置。
【請求項４】
前記連結部材は、前記第２の支持部だけを前記基板の前記センタ孔の内側上部に接触させて前記基板の自重を支持しても屈曲せず、且つ、前記第２の支持部が前記基板の２倍の重量を支持したときには弾性的に屈曲する曲げ強度を有していることを特徴とする請求項２又は３に記載の基板回転装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板回転装置を備えることを特徴とする真空処理装置。
【請求項６】
真空処理室内で、センタ孔を有する絶縁材製の基板をキャリアによって支持し、前記基板の表面に複数層の薄膜を順次成膜し、前記複数層の薄膜中、少なくとも一層がバイアススパッタリング法で成膜される薄膜形成方法において、前記バイアススパッタリング法により成膜される層より前記基板側の層の成膜後であって、バイアススパッタリング法による成膜前に、前記キャリアによる前記基板の支持位置を変化させる薄膜形成方法であって、
前記キャリアは、弾性部材からなり、一端部側が前記基板の外周部を支持し、他端部側が前記キャリアに取り付けられた複数の基板支持爪を有し、
駆動源に連結されて進退動及び上下動可能なシャフトと、前記シャフトの端部側に取り付けられ、前記シャフトの進退動に伴って前記基板のセンタ孔に挿入することができるピックと、下方に位置する前記基板支持爪に当接して屈曲させるアームと、を有してなる基板回転装置を備え、
前記ピックは、前記シャフトに連結され、前記センタ孔の内側上部に接する第１の支持部と、前記第１の支持部よりも前記センタ孔中心の直上位置から離れた位置に接する第２の支持部と、前記第２の支持部を前記第１の支持部に対して弾性的に屈曲可能に接続する連結部材とを有してなり、
前記シャフトを前進させて、所定位置に停止させた前記キャリアに支持された前記基板の前記センタ穴に前記ピックを挿入する第１の工程と、
前記シャフトを上方に移動させて、前記センタ孔の内側に前記第２の支持部を当接させる第２の工程と、
前記アームによって前記基板支持爪を屈曲させて、前記基板の支持を解除する第３の工程と、
前記シャフトを下方に移動させて、前記センタ孔の内側を前記ピックの前記第１の支持部及び前記第２の支持部の両方で支持する第４の工程と、
前記シャフトを上方に移動させて、前記第２の支持部を前記第１の支持部に対して弾性的に屈曲させる第５の工程と、
前記アームによる前記基板支持爪の屈曲状態を解除する第６の工程と、を有することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項７】
前記第５の工程は、前記シャフトを上方に移動させたときに、上方に位置する前記基板支持爪に前記基板の外周部を当接させて、前記第２の支持部を前記第１の支持部に対して弾性的に屈曲させることを特徴とする請求項６に記載の薄膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、成膜方法及び基板回転装置並びに真空処理装置に係り、特に絶縁材製の基板に下地層膜、磁性層膜および保護層膜を順次設けてなる磁気記録媒体の製造に好適な成膜方法及び基板回転装置並びに真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体は、例えば、基板上にＮｉＰからなる下地層膜と、この下地層膜の上にスパッタリングにより設けられたＣｒ下地層および、ＣｒやＣｏ合金からなる磁性層膜とを有して構成されている。さらに、この磁性層膜の上にはカーボンスパッタ膜等による保護層膜が設けられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
磁気記録媒体の製造においては、ロードチャンバとアンロードチャンバの間に複数連設された成膜処理室に成膜を行う基板を順次搬送することにより下地層や磁性膜層など各層の成膜処理が行われている。基板の搬送には、基板が保持された状態のキャリア（基板ホルダ）を各成膜処理室の間で移送可能な搬送機構が用いられている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
ここで、ガラスなどの絶縁材料からなる基板を用いた磁気記録媒体の製造では、下地層膜の形成にもスパッタリング法が用いられる。すなわち、基板を真空処理室内に導入して、ＤＣマグネトロンスパッタにより、下地層として金属膜（例えばＮｉＰ、Ｃｒ等）を成膜した後、磁性層膜並びに保護層膜の成膜が順次行われる。磁性層膜の成膜は、基板に対してバイアスを印加した状態で行なわれる。この際、バイアスは基板支持爪を介して基板に印加される。
【０００５】
しかし、基板は、基板ホルダに設けられた基板支持爪などのばね性を有する係止部材によって係止されているため、導電性が良好な下地層が係止部材の影となる部分には成膜されず、下地層と基板支持爪が電気的に非接触状態になることがあった。この場合、バイアスを印加する際に、基板と基板ホルダ（基板支持爪）間の電気抵抗が高く、かつ不安定なために、所望の薄膜が形成できないという問題が生じる。
【０００６】
上記の問題を解決するために、下地層の成膜後、基板ホルダに保持された基板を回転させて、下地層が成膜された部分に支持部材が接するようにした技術が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００７】
特許文献３の技術は、基板ホルダの基板支持爪を一時的に屈曲させて、基板ホルダへの基板の係止を解除している間に、基板の中心孔に支持杆（ピック）を挿入して基板を支持し、支持杆を所定角度回転させた後に基板支持爪を戻す操作を行うものである。このような操作を、下地層の成膜後に行うことによって、基板支持爪と下地層との間の導通を確保して基板へのバイアス印加を確実とし、所望の膜質を有する磁気記録媒体を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６３−２６８２７号公報
【特許文献２】特開平３−１２５３２２号公報
【特許文献３】特開平７−２４３０３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献３の技術は、基板を回転させる際に用いる支持杆（ピック）は、前後・上下・回転の３軸動作が可能な機構として構成される必要がある。そのため、機構が複雑化し高価になるという問題があった。
【００１０】
本発明の目的は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり、絶縁部材からなる基板に複数層による薄膜を順次形成して所望の特性が得られるとともに、基板を回転させる機構の簡素化およびコスト低減に寄与する成膜方法及び基板回転装置並びに真空処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る基板回転装置は、センタ孔を有する基板を回転させ、キャリアに支持された基板の支持位置を変化させる基板回転装置であって、基板回転装置は、駆動源に連結されて進退動及び上下動可能なシャフトと、シャフトの端部側に取り付けられ、シャフトの進退動に伴って基板のセンタ孔に挿入することができるピックと、を有してなり、ピックは、シャフトに連結され、センタ孔の内側上部に接する第１の支持部と、第１の支持部よりもセンタ孔中心の直上位置から離れた位置に接する第２の支持部と、第２の支持部を第１の支持部に対して弾性的に屈曲可能に接続する連結部材とを有することを特徴とする。
また、本発明に係る真空処理装置はこのような基板回転装置を備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る薄膜形成方法は、真空処理室内で、センタ孔を有する絶縁材製の基板をキャリアによって支持し、基板の表面に複数層の薄膜を順次成膜し、複数層の薄膜中、少なくとも一層がバイアススパッタリング法で成膜される薄膜形成方法において、バイアススパッタリング法により成膜される層より基板側の層の成膜後であって、バイアススパッタリング法による成膜前に、キャリアによる基板の支持位置を変化させる薄膜形成方法であって、キャリアは、弾性部材からなり、一端部側が前記基板の外周部を支持し、他端部側がキャリアに取り付けられた複数の基板支持爪を有し、駆動源に連結されて進退動及び上下動可能なシャフトと、シャフトの端部側に取り付けられ、シャフトの進退動に伴って基板のセンタ孔に挿入することができるピックと、下方に位置する基板支持爪に当接して屈曲させるアームと、を有してなる基板回転装置を備え、ピックは、シャフトに連結され、センタ孔の内側上部に接する第１の支持部と、第１の支持部よりもセンタ孔中心の直上位置から離れた位置に接する第２の支持部と、第２の支持部を第１の支持部に対して弾性的に屈曲可能に接続する連結部材とを有してなり、シャフトを前進させて、所定位置に停止させたキャリアに支持された基板の前記センタ穴にピックを挿入する第１の工程と、
シャフトを上方に移動させて、センタ孔の内側に第２の支持部を当接させる第２の工程と、
アームによって基板支持爪を屈曲させて、基板の支持を解除する第３の工程と、シャフトを下方に移動させて、センタ孔の内側をピックの第１の支持部及び第２の支持部の両方で支持する第４の工程と、シャフトを上方に移動させて、第２の支持部を前記第１の支持部に対して弾性的に屈曲させる第５の工程と、アームによる基板支持爪の屈曲状態を解除する第６の工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る成膜方法及び基板回転装置並びに真空処理装置を用いることにより、絶縁部材からなる基板へ複数層による所望の特性の薄膜を得ることができる。また、基板を回転させる基板回転装置の構造を簡素化することでコストを下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態に係る真空処理装置の概略図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る真空処理装置に用いるキャリアの概略図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る基板回転室の概略図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る基板回転装置のピック部分の拡大説明図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る基板回転装置の動作説明図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る基板回転装置の動作説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下に説明する部材、配置等は発明を具体化した一例であって本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨に沿って各種改変することができることは勿論である。
【００１６】
例えば、本発明に係る基板回転装置は、スパッタリング成膜装置の他にもドライエッチングのような装置においても基板側にバイアスを印加する真空処理工程を有する場合に好適に適用可能なものであるが、本実施形態においてはインライン型のスパッタリング成膜装置（真空処理装置Ｓ）に適用した例について説明する。
【００１７】
図１乃至６は本発明の一実施形態について説明した図であり、図１は真空処理装置の概略図、図２はキャリアの概略図、図３は基板回転室の概略図、図４は基板回転装置のピック部分の拡大説明図、図５乃至６は基板回転装置の動作説明図である。なお、図面の煩雑化を防ぐため一部を除いて省略している。
【００１８】
図１に示す真空処理装置Ｓは、インライン型のスパッタリング成膜装置であり、ロードチャンバＬＣ、アンロードチャンバＵＬ、成膜室Ｓ１１や基板回転室Ｓ２０その他の処理室などとして機能する複数のチャンバＳ１が四角形状にゲートバルブＧＶを介して連結されている。また、各成膜室Ｓ１１の間で基板搬送路Ｒに沿って基板９を搬送可能な基板搬送装置ＴＲが備えられている。
【００１９】
基板９は、カセットから取出された状態でロードチャンバＬＣ内に装填され、移載ロボットによってキャリア１０に移載される。基板９は、基板ホルダ１２に搭載された状態で各チャンバを貫通して設けられた基板搬送路Ｒに沿って搬送され、各チャンバで所定の処理が施される。基板搬送装置ＴＲは、基板９を垂直姿勢で保持する、いわゆる縦型搬送装置であり各成膜室Ｓ１１の間で上述の基板搬送路Ｒに沿って基板９を保持したキャリア１０を搬送できるように構成されている。
【００２０】
図２にキャリアの該略図を示す。スライダー１４の上側に基板ホルダ１２が取り付けられて構成されており、スライダー１４部分には基板搬送路Ｒに備えられる磁気ネジや電磁石装置と磁気カップリングを形成可能な永久磁石が固着されている。基板ホルダ１２には、基板９を支持するための基板支持爪（基板支持部材）２０が設けられている。基板支持爪２０は弾性を有する部材であり屈曲形状の板ばねから構成されている。また、基板支持爪２０は金属製の部材であり、基板ホルダ１２と導通した状態で設けられている。
【００２１】
本実施形態における基板９としては、磁気ディスクや光ディスクなどの記憶メディアに用いられる円盤状部材が好適に用いられるが、キャリア１０に取り付けられた基板ホルダ１２を交換することにより、種々の形状のガラス基板若しくは樹脂基板などを用いることができる。
【００２２】
成膜室Ｓ１１は、真空処理装置Ｓを構成する処理室の一つであり、垂直姿勢で基板ホルダ１２に保持された基板９に対して成膜処理を行うことができるように構成されている。この成膜室Ｓ１１内にはスパッタ源としてのターゲットを搭載可能なカソードと、基板９を搬送する基板搬送路Ｒが少なくとも設けられ、真空ポンプで内部を排気できるように構成されている。
【００２３】
カソードは、基板搬送装置ＴＲに保持された基板９に成膜するために、成膜室Ｓ１１内の側壁に取り付けられている。そのため、カソードに任意のターゲットを装着することにより、基板９の成膜面に平行にターゲットを配置することができる。また、本実施形態に係るスパッタリング装置Ｓにおいては、基板搬送装置ＴＲに保持された基板９の両面に同時に成膜処理を行うため基板搬送ルートＲを挟んだ両側にそれぞれ複数のカソードが配設されている。
【００２４】
成膜室Ｓ１１の間には基板回転室Ｓ２０が設けられている。基板回転室Ｓ２０は、下地層の成膜後、下地層が成膜された部分に基板支持爪（基板支持部材）２０が接するように基板ホルダ１２に保持された基板９を回転させる機構（基板回転装置）が設けられたチャンバである。基板回転室Ｓ２０には、基板搬送路Ｒに沿って、前工程が行われる成膜室Ｓ１０から基板９を搬送可能に基板搬送装置ＴＲが連結されている。
【００２５】
本実施形体においては、前工程が行われる成膜室Ｓ１０は下地層を成膜するチャンバである。下地層としては、例えば、ＮｉＰ層、ＣｏＦｅ合金層などが形成される。なお、基板回転室Ｓ２０の基板搬送路Ｒの下流側には、他の下地層や磁性層膜を成膜するチャンバ（成膜室Ｓ１１）が連結されている。
【００２６】
図３に基板回転室の断面概略図を示す。
基板回転室Ｓ２０は、基板９を搭載したキャリア１０を搬送する基板搬送路Ｒ（不図示）と、キャリア１０に搭載された基板９を回転させる基板回転装置３０とが備えられている。基板回転装置３０は、基板回転室Ｓ２０の外側の側面に取り付けられており、先端にピック３２が取り付けられたシャフト３４、シャフト３４を介してピック３２を動作させる２つのモーターＭ１、モーターＭ１の回転を制御する制御装置（不図示）とを主要構成要素として備えている。
【００２７】
また、基板回転室Ｓ２０内には、基板下側を支持する基板支持爪（下爪）２０ａを押し下げるためのアーム３６が設置されている。アーム３６は、基板回転室Ｓ２０内に設置された真空モーター（ステッピングモーター）Ｍ２に連結されており、真空モーターＭ２を回転させることでアーム３６を動作させることができる。アーム３６は、略ピン状の部材であり、キャリア１０の停止状態でアーム３６を動作させることによって、下爪２０ａを押し下げ、基板９の係止を開放することができる。
【００２８】
シャフト３４は、棒状の部材であり、基板回転室Ｓ２０の外側にある端部側に接続された２つのモーターＭ１によって基板９に近づく方向に対して進退動及び、重力方向に上下動することができる。基板回転室Ｓ２０に配置される側のシャフト３４の先端にはピック３２が取り付けられている。すなわち、ディスク面と垂直方向に伸縮動作（進退動）によって、停止状態のキャリア１０に搭載された基板９のセンタ孔９ａにピック３２を挿入することができる。また、上下方向の動作（上下動）によって、センタ孔９ａにピック３２が挿入された状態の基板９を上下方向に移動させることができる。ピック３２およびピック３２が取り付いているシャフト３４をモーターＭ１により動作させている。
【００２９】
図４にピックの拡大図を示す。
ピック３２は、基板９に当接する部材として第２の支持部４１と第１の支持部４３とを備えている。第２の支持部４１及び第１の支持部４３とも、上部側に突起状に形成された凸部４２、４４を有しており、この凸部４２，４４には、隙間状に形成された凹部４２ａ，４４ａを有しており、この凹部４２ａ，４４ａに挿入するように基板９を保持することによって安定した状態での基板９の係止ができる。第１の支持部４３はシャフト３４の先端に固着されており、第２の支持部４１は第１の支持部４３に、連結ばね４５（ばね４５）などの弾性部材を介して取り付けられている。
【００３０】
連結部材としてのばね４５は、第２の支持部４１が基板重量をわずかに上回る程度の所定荷重を受けたときに変形するような変形特性（ばね特性）を有している。すなわち、ばね４５のばね特性は、基板９のセンタ穴９ａの上側にピック３２を押し当てた状態で、基板重量を越える所定荷重を負荷すると折れ曲がるように調整されている。より具体的には、ばね４５は、第２の支持部４１に負荷される荷重が、基板重量の１倍よりも重く２倍以下で弾性変形するように調整されている。
【００３１】
さらに、第２の支持部４１をばね４５と一体に形成してもよい。この場合、ばね４５は、一端部側で第１の支持部４３に取り付けられ、他端部側に凸部４２（凹部４２ａ）が直接取り付けられる構成となる。部品点数の削減と低コスト化を図ることができる。
【００３２】
ばね４５としては、プリテンションが付いたコイルばねや板ばねなどのように、一定荷重以上の負荷で変形するばねが望ましい。通常の線ばねや板ばね若しくはゴムなどの弾性部材であっても材質や寸法を適宜選択して変形特性を調整することでばね４５として使用することができる。
【００３３】
図５（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）及び図６（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に基づいて、基板回転装置の動作について説明する。
キャリア１０が基板回転室Ｓ２０内に無いときは、ピック３２は基板搬送経路Ｒ上より基板回転装置３０側（側方の壁側）に引っ込んだ状態で待機している。キャリア１０が搬送された後実施される基板９の回転動作は以下の通りである。
【００３４】
図５（ａ）は、基板回転室Ｓ２０内の所定位置にキャリア１０が係止され、且つ、基板回転前の状態を示している。すなわち、キャリア１０が基板回転室Ｓ２０内の所定位置に係止されると、ピック３２を延ばして基板９のセンタ孔９ａに侵入させる（第１の工程）。基板９が基板ホルダ１２に支持されている状態で、縦中心Ｙ上から外れて位置するピック３２をセンタ孔９ａの内側縁部に近接して位置させている（第２の工程）。このとき、ピック３２の上側に形成されている２箇所の凸部４２，４４のうち、凸部４４は基板９の縦中心線Ｙ上にあり、他方の凸部４２は基板９の縦中心線Ｙ上から外れつつ、センタ孔９ａの内側に接触した状態、若しくは極僅かな間隔を有して配置された状態である。
【００３５】
図５（ｂ）は、下爪２０ａが下方に曲げられて、基板ホルダ１２からの基板９の係止が開放された状態である（第３の工程）。下爪２０ａはアーム３６に引っ掛けられるようにして下方に押し下げられる。なお、図５（ｂ）の状態では、凸部４２はセンタ孔９ａの内側に接触した状態であることが望ましいため、接触位置までピック３２を動かして上下方向の位置調整をしてもよい。
【００３６】
図５（ｂ）〜（ｄ）は、ピック３２を下方向に移動させ、基板９と基板支持爪２０の間に空間を設けることで、縦中心線Ｙ上から外れた凸部４２を支点として基板９は自重により回転する。回転は２つの凸部４２，４４に保持された時点で終了する（第４の工程）。なお、基板９のセンタ孔９ａの縁部が凹部４２ａ，４４ａに入り込んだ状態で基板９を保持することができるため、基板９の倒れを防ぐことができる。
【００３７】
図６（ａ）〜（ｄ）は、ピック３２を上方向に移動させ、基板９を再び基板支持爪２０に係止される様子を示している。このとき基板９は中心から外した凸部４２がある側（図中左側）の基板支持爪２０に先に接触する。図中右側（凸部４４側）の基板支持爪２０に基板９を接触させるべく、さらにピック３２を上方向に移動させるとき、図６（ｂ）に示すように、縦中心Ｙ上から外れた凸部４２の根元のばね４５が弾性変形し、図６（ｃ）に示すように縦中心Ｙ上に位置する凸部４４は基板回転後の保持位置を変えることなく上側の２つの基板支持爪２０に基板９を接触させる（第５の工程）。
【００３８】
ピック３２を上方向に移動させる際、上側に配置された基板支持爪に基板の外周部を当接させてばね４５を弾性変形させてもよい。ばね４５として基板の自重では変形しないものを用いた場合でも、より確実に基板を回転させることができる。
【００３９】
最後に図（ｄ）に示すように基板ホルダ１２の基板支持爪２０，２０，２０ａの３点で基板９を支持させ（第６の工程）、ピック３２を基板９に干渉することなく基板搬送経路Ｒから退避させて基板回転動作を終了する。
【００４０】
本発明に係る基板回転装置３０を用いることで、基板９の固定を解除するとき、中心からずれたピック３２が基板９を支持することで、重力により基板９は中心からずれたピック３２との接点を軸として、ピック３２の２点で保持されるまで回転し、従来と同様の回転能力を実現することができる。
【００４１】
本発明に係る成膜方法によれば、絶縁部材からなる基板へ複数層による所望の特性の薄膜を得ることができる。本発明に係る基板回転装置は、従来、前後・上下・回転の３軸制御を要したピックの動作を、前後・上下の２軸制御に減らすことが出来るため、基板回転装置及び真空処理装置の製造コストやメンテナンスコストを従来よりも低減することができる。
【符号の説明】
【００４２】
Ｓ  真空処理装置
ＬＣ  ロードチャンバ
ＵＬ  アンロードチャンバ
ＴＲ  基板搬送装置
Ｒ  基板搬送路
Ｓ１０、Ｓ１１  成膜室
Ｓ２０  基板回転室
Ｍ１，Ｍ２  モーター
９  基板（ディスク）
９ａ  センタ孔
１０  キャリア
１２  基板ホルダ
１４  スライダー
２０  基板支持爪
２０ａ  下爪
３０  基板回転装置
３２  ピック（支持杆）
３４  シャフト
３６  アーム
４１  第２の支持部
４３  第１の支持部
４２，４４  凸部
４２ａ，４４ａ  凹部
４５  連結ばね（ばね）
【図１】
2011134375.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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