(57)【要約】【課題】封止樹脂のマスキング性を損なうことなく、リードフレームとマスキング用テープとの線膨張係数の違いに起因して常温と樹脂封止温度との温度差によってリードフレームに発生する反りを低減する。【解決手段】マスキング用テープ２０は、半導体素子６０が一方面（上面１６）に搭載されるリードフレーム１０の他方面（下面１８）に被着して用いられる。そして、本実施形態のマスキング用テープ２０は、厚み方向に非貫通の凹部３０が、長さ方向に亘って連続的にまたは繰り返して形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が一方面に搭載されるリードフレームの他方面に被着して用いられるマスキング用テープであって、
厚み方向に非貫通の凹部が、長さ方向に亘って連続的にまたは繰り返して形成されていることを特徴とするマスキング用テープ。
【請求項２】
前記凹部の深さが、前記マスキング用テープの厚みの半分以上である請求項１に記載のマスキング用テープ。
【請求項３】
前記凹部の非形成領域が、長さ方向に延在して帯状に設けられている請求項１または２に記載のマスキング用テープ。
【請求項４】
前記非形成領域が、幅方向の両側にそれぞれ設けられている請求項３に記載のマスキング用テープ。
【請求項５】
前記凹部が、長さ方向に亘って連続的に形成された第一の溝と、前記第一の溝に交差し長さ方向に亘って繰り返して形成された複数本の第二の溝と、を含み、前記第二の溝の間隔が、前記マスキング用テープの幅寸法の二分の一以下である請求項１から４のいずれか１項に記載のマスキング用テープ。
【請求項６】
前記凹部が、長さ方向に亘って連続的に形成された、一本のまたは互いに平行に並ぶ複数本の溝である請求項１から４のいずれか１項に記載のマスキング用テープ。
【請求項７】
前記凹部が、長さ方向に亘って繰り返して形成された複数本の溝であり、
前記溝の間隔が、前記マスキング用テープの幅寸法の二分の一以下である請求項１から４のいずれか１項に記載のマスキング用テープ。
【請求項８】
前記凹部は、前記リードフレームに被着される面とは反対側の面に形成されている請求項１から７のいずれか１項に記載のマスキング用テープ。
【請求項９】
半導体素子の搭載領域が複数区画され前記搭載領域の内部または前記搭載領域同士の間に開口を有するリードフレームに対して、厚み方向に非貫通の凹部が前記搭載領域よりも小さな間隔で幅方向と長さ方向との少なくとも一方に並んで形成され、線膨張係数が前記リードフレームよりも小さいマスキング用テープを被着して、前記開口を塞ぐ工程と、
複数個の半導体素子を前記搭載領域にそれぞれ搭載する工程と、
前記複数個の前記半導体素子を封止樹脂により一括して封止する工程と、
前記マスキング用テープを前記リードフレームから剥離する工程と、
前記封止樹脂および前記リードフレームをダイシングして前記半導体素子に個片化する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスキング用テープ、およびマスキング用テープを用いて行う半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数個の半導体装置をリードフレームの片側面に搭載し、一括モールディング方式により当該片側面の全面を樹脂封止することが行われている。一般的なリードフレームには、半導体装置の各搭載領域の内側や周囲に、大小様々な開口が形成されている。このため、封止樹脂が開口を通じてリードフレームの反対面側に漏れ出すことを防止するために、その反対面にテープ材（マスキング用テープ）を貼り付けた状態で樹脂封止工程を行うことが提案されている。
【０００３】
しかしながら、リードフレームとテープ材との線膨張係数の違いに起因して、常温と樹脂封止温度との温度差によってリードフレームに反りが発生することが問題となる。かかる反りを減少させる手法として、例えば特許文献１には、半導体素子の搭載領域がパターニングされたリードフレームに樹脂漏れ防止用のテープ材を貼り付けた後に、搭載領域同士の間にあたるセクション部に対応する部分にカッター刃やポンチで切り込みを入れることが記載されている。テープ材のうち、セクション部に対応する部分に切り込みを入れることで、半導体素子の搭載領域ごとに別々に分断してテーピングを行った状態と同等の状態が実現される。その結果、リードフレームの反りを減少させることが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１３３４９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の手法では、切り込みがテープ材を貫通して設けられるため、封止樹脂が漏れ出すおそれがある。なぜならば、特許文献１の図４に示されるように、セクション部にはスリットなどの開口が形成されることが一般的なためである。すなわち、上記の手法のようにセクション部と一致させて切り込みを形成した場合には、開口と切り込みを通じて封止樹脂が漏れ出し、リードフレームのマスキング性が損なわれるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のマスキング用テープは、半導体素子が一方面に搭載されるリードフレームの他方面に被着して用いられ、厚み方向に非貫通の凹部が、長さ方向に亘って連続的にまたは繰り返して形成されていることを特徴とする。
【０００７】
上記の構成によれば、リードフレームの任意の位置に開口が形成されていたとしても、凹部から封止樹脂が漏れ出すことがない。そして、本発明によれば、凹部の開き方向にテープの剛性が低下しているため、常温と樹脂封止温度との温度差によるリードフレームの反りが緩和される。
【０００８】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子の搭載領域が複数区画され前記搭載領域の内部または前記搭載領域同士の間に開口を有するリードフレームに対して、厚み方向に非貫通の凹部が前記搭載領域よりも小さな間隔で幅方向と長さ方向との少なくとも一方に並んで形成され、線膨張係数が前記リードフレームよりも小さいマスキング用テープを被着して、前記開口を塞ぐ工程と、複数個の半導体素子を前記搭載領域にそれぞれ搭載する工程と、前記複数個の前記半導体素子を封止樹脂により一括して封止する工程と、前記マスキング用テープを前記リードフレームから剥離する工程と、前記封止樹脂および前記リードフレームをダイシングして前記半導体素子に個片化する工程と、を含む。
【０００９】
上記の構成によれば、リードフレームの開口をマスクして封止樹脂の漏れ出しを防止するに際して、マスキング用テープには半導体素子の搭載領域よりも小さなピッチで凹部が形成されているため、各半導体素子に対して、リードフレームの反りを抑制する本発明の効果が提供される。
【００１０】
なお、本発明の各種の構成要素は、個々に独立した存在である必要はなく、複数の構成要素が一個の部材として形成されていること、一つの構成要素が複数の部材で形成されていること、ある構成要素が他の構成要素の一部であること、ある構成要素の一部と他の構成要素の一部とが重複していること、等を許容する。
【００１１】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の工程を順番に記載してあるが、その記載の順番は複数の工程を実行する順番を限定するものではない。このため、本発明を実施するときには、その複数の工程の順番は内容的に支障しない範囲で変更することができる。さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の工程が個々に相違するタイミングで実行されることに限定されない。このため、ある工程の実行中に他の工程が発生すること、ある工程の実行タイミングと他の工程の実行タイミングとの一部ないし全部が重複していること、等を許容する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、リードフレームとテープ材との線膨張係数の違いに起因してリードフレームに発生する反りを緩和するにあたって、リードフレームのマスキング性が損なわれるおそれのないマスキング用テープが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（ａ）は第一実施形態にかかるマスキング用テープの下面図、（ｂ）はマスキング用テープを貼り付ける前のリードフレームの下面図、（ｃ）は半導体装置の製造方法を示す説明図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）はマスキング用テープの製造工程を示す説明図であり、（ｃ）はマスキング工程を示す説明図である。
【図３】（ａ）は第二実施形態のマスキング用テープ、（ｂ）は第三実施形態のマスキング用テープを、リードフレームの下面に被着した状態を示す図である。
【図４】（ａ）は第四実施形態のマスキング用テープをリードフレームの下面に被着した状態を示す下面図であり、（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図である。
【図５】（ａ）は第五実施形態のマスキング用テープをリードフレームの下面に被着した状態を示す下面図であり、（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
なお、本実施形態では、図示するように上下および表裏の方向を規定して説明する。しかし、これは構成要素の相対関係を簡単に説明するために便宜的に規定するものであり、本発明を実施する製品の製造時や使用時の方向を限定するものではない。
【００１５】
＜第一実施形態＞
図１（ａ）は本実施形態にかかるマスキング用テープ２０の下面図であり、同図（ｂ）はマスキング用テープを貼り付ける前のリードフレーム１０の下面図である。同図（ｃ）は、本実施形態にかかるマスキング用テープ２０を用いて行う半導体装置１００の製造方法（以下、本方法という場合がある）を示す説明図である。より具体的には、同図（ｃ）は、リードフレーム１０の上面に半導体素子６０を実装し、下面にマスキング用テープ２０を被着した状態を示す側面図である。
【００１６】
はじめに、本実施形態の概要について説明する。
マスキング用テープ２０は、半導体素子６０が一方面（上面１６）に搭載されるリードフレーム１０の他方面（下面１８）に被着して用いられる。そして、本実施形態のマスキング用テープ２０は、厚み方向に非貫通の凹部３０が、長さ方向に亘って連続的にまたは繰り返して形成されていることを特徴とする。
【００１７】
以下、本実施形態を詳細に説明する。
リードフレーム１０は、半導体素子６０を搭載する基板であり、代表的には金属材料からなる。リードフレーム１０には、半導体素子６０の搭載領域１４が仮想的にまたは明示的に区画されている。本実施形態のリードフレーム１０には、搭載領域１４の内部に、または場合によっては更に搭載領域１４同士の間に、任意で開口１２が形成されている。図１（ｂ）では、隣接する搭載領域１４同士の間に、リードフレーム１０の幅方向に伸びるスリット状の開口１２がそれぞれ形成されている状態を例示する。
【００１８】
図１（ｃ）に示すように、半導体素子６０は略矩形状をなし、リードフレーム１０の上面かつ搭載領域１４の内側に実装される。半導体素子６０の上面には電極部（図示せず）が設けられており、リードフレーム１０の搭載領域１４周辺のインナーリード（リードフレーム側の電極（図示せず））とワイヤボンディングされている。
リードフレーム１０は、上面に複数個の半導体素子６０が実装され、下面にマスキング用テープ２０が被着される。かかるリードフレーム１０は、封止金型（図示せず）のキャビティ内部に装填されて、エポキシ系樹脂などの熱硬化性の封止樹脂が半導体素子６０を覆うようにリードフレーム１０の上面全体に供給される。これにより、複数個の半導体素子６０は一括モールディングされる。
樹脂封止された半導体素子６０はダイシングによってリードフレーム１０とともに個片化され、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎｅ−ｌｅａｄｅｄ  ｐａｃｋａｇｅ）やＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎｅ−ｌｅａｄｅｄ  ｐａｃｋａｇｅ）などの半導体装置１００となる。
【００１９】
マスキング用テープ２０は、長さ方向に延在する樹脂製の長尺テープであり、リードフレーム１０の長さに応じて、適宜の長さにカットして用いられる。具体的には、リードフレーム１０の長さ寸法と同等、またはリードフレーム１０に形成された開口１２のすべてを包含する長さ寸法にカットして用いられる。
本実施形態のマスキング用テープ２０の線膨張係数は、リードフレーム１０の線膨張係数よりも小さい。
【００２０】
マスキング用テープ２０の下面には、厚み方向（上下方向）に非貫通の凹部３０が、長さ方向に亘って形成されている。すなわち、凹部３０は、リードフレーム１０に被着される面（上面）とは反対側の面（下面）に形成されている。ここで、長さ方向に亘って凹部３０が形成されているとは、凹部３０が長さ方向にひと続きに伸びて形成されている場合と、複数の繰り返しパターンが長さ方向に並んで形成されている場合とを少なくとも含む。
【００２１】
本実施形態の凹部３０は、長さ方向に亘って連続的に形成された第一の溝（長手溝３１）と、第一の溝（長手溝３１）に交差し長さ方向に亘って繰り返して形成された複数本の第二の溝（短手溝３２）と、を含む。そして、第二の溝（短手溝３２）の間隔は、マスキング用テープ２０の幅寸法の二分の一以下である。
【００２２】
本実施形態の長手溝３１は、長さ方向に互いに平行に伸びる複数本の溝である。短手溝３２は、長手溝３１と直交して幅方向に伸びる。すなわち、本実施形態の凹部３０は、テープの長さ方向にひと続きに伸びる長手溝３１と、長さ方向に繰り返し間欠的に形成された短手溝３２とをともに含んでいる。
【００２３】
短手溝３２の繰り返し間隔をマスキング用テープ２０の幅寸法の二分の一以下とすることにより、リードフレーム１０の搭載領域１４（図１（ｂ）を参照）が略正方形状の場合に、複数本の短手溝３２が各搭載領域１４に配置されることとなる。これにより、リードフレーム１０の熱変形によって生じる反りを、個別の搭載領域１４ごとに抑制することができる。
【００２４】
凹部３０（長手溝３１および短手溝３２）は、図１（ｃ）に示すように、マスキング用テープ２０の下面に設けられたＶ字溝である。マスキング用テープ２０に凹部３０を設けたことにより、凹部３０が脆弱部となり、Ｖ字断面の開き方向に向かってマスキング用テープ２０の引張弾性が低下する。すなわち、本実施形態のマスキング用テープ２０は、凹部３０を設けたことで、溝の幅方向に向かってともに引張弾性が低下して弾性的な伸張性が向上している。このため、リードフレーム１０が常温から樹脂封止温度まで加熱された場合に、マスキング用テープ２０はリードフレーム１０に追随して伸張してリードフレーム１０に生じる反り変形が抑制される。また、リードフレーム１０が樹脂封止温度から樹脂硬化温度まで、および樹脂硬化温度から常温まで冷却された場合にも、マスキング用テープ２０はリードフレーム１０に追随して短縮し、リードフレーム１０に生じる反り変形が抑制される。
【００２５】
凹部３０はマスキング用テープ２０を厚み方向に貫通せず、マスキング用テープ２０の一方面（下面）から厚み方向の内部にかけて形成されている。ただし、凹部３０がマスキング用テープ２０の表面に露出することなく、マスキング用テープ２０の厚み方向の内部を管状に中空化して凹部３０を形成してもよい。例えば、図１（ａ）のマスキング用テープ２０の下面（紙面上方面）に薄膜を積層してマスキング用テープ２０と一体化し、凹部３０をマスキング用テープ２０の内部に埋設することとしてもよい。
【００２６】
マスキング用テープ２０は、凹部３０の非形成面（上面）をリードフレーム１０に接合する。このため、リードフレーム１０の開口１２と凹部３０との位置関係によらず、封止金型の内部において、封止樹脂が半導体素子６０側（上面側）からマスキング用テープ２０側（下面側）に漏れ出すことがない。また、リードフレーム１０の開口１２と凹部３０とが連通することがなく、封止樹脂が開口１２から凹部３０に流入することもない。このため、凹部３０が封止樹脂で埋められてマスキング用テープ２０の伸縮性が損なわれることがない。
【００２７】
ここで、特許文献１に記載の発明では、リードフレームにテープ材を貼り付けた後にカッター刃やポンチで切り込みを入れるため、搭載領域の内側を保護する観点から、搭載領域の内側まで切り込みを形成することはできない。これに対し、本実施形態のマスキング用テープ２０は、厚み方向に貫通しない深さの切り込みによって凹部３０が予め形成されている。このため、搭載領域１４の内側を損傷することなく、リードフレーム１０の全面に対して任意の位置に凹部３０を配置することができる。
これにより、搭載領域１４同士の間のセクション部のみならず、搭載領域１４の内側領域においてもマスキング用テープ２０の伸張性を低減させてリードフレーム１０の反りを効果的に抑制することができる。
【００２８】
長手溝３１は、長尺のマスキング用テープ２０の長手方向の一端から他端まで連続して設けられている。
短手溝３２は、マスキング用テープ２０の幅方向の中間位置に設けられ、図１（ａ）に示すように、凹部３０（長手溝３１および短手溝３２）の非形成領域３３が、長さ方向に延在して帯状に設けられている。
【００２９】
非形成領域３３は、マスキング用テープ２０の幅方向の両側にそれぞれ設けられている。これにより、マスキング用テープ２０は、長さ方向に伸びる両側のエッジが比較的高強度を有している。このため、マスキング用テープ２０を走行させてリードフレーム１０と位置合わせする場合に、および樹脂封止後にマスキング用テープ２０をリードフレーム１０から剥離する場合に、これが千切れることがない。また、マスキング用テープ２０のエッジが長さ方向に亘って高強度を有しているため、亀裂の発生や伸展が防止される。このため、開口１２を通じて封止樹脂から圧力を受けた場合にも、マスキング用テープ２０が凹部３０の開き方向に過大に伸張することはなく、マスキング用テープ２０の破断が防止される。
【００３０】
（半導体装置の製造方法）
図１各図を参照して、半導体装置１００の製造方法（本方法）を説明する。
【００３１】
本方法は、マスキング工程と、搭載工程と、封止工程と、剥離工程と、ダイシング工程と、を含む。
マスキング工程は、リードフレーム１０に対して、リードフレーム１０よりも小さいマスキング用テープ２０を被着して、開口１２を塞ぐ工程である。リードフレーム１０は、半導体素子６０の搭載領域１４が複数区画され、搭載領域１４の内部または搭載領域１４同士の間に開口１２を有する。マスキング用テープ２０は、厚み方向に非貫通の凹部３０が搭載領域１４よりも小さな間隔で幅方向と長さ方向との少なくとも一方に並んで形成されている。
搭載工程は、複数個の半導体素子６０を搭載領域１４にそれぞれ搭載する工程である。
封止工程は、複数個の半導体素子６０を封止樹脂（図示せず）により一括して封止する工程である。
剥離工程は、マスキング用テープ２０をリードフレーム１０から剥離する工程である。
ダイシング工程は、封止樹脂およびリードフレーム１０をダイシングして半導体素子６０を個片化する工程である。
【００３２】
図２（ａ）、（ｂ）は、本実施形態のマスキング用テープ２０の製造工程を示す説明図であり、同図（ｃ）はマスキング工程を示す説明図である。
【００３３】
図２（ａ）は準備工程を示す縦断面図である。同図に示すように、本実施形態のマスキング用テープ２０は、テープ状の基材層５０の一方面（上面５２）に粘着性の接着層４０が積層された積層テープである。接着層４０の更に上面には、剥離紙（図示せず）が設けられている。
【００３４】
基材層５０には、ポリイミド、ポリエステル、ポリスルホン、フッ素樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂などの樹脂材料を用いることができる。
【００３５】
図２（ｂ）は、凹部３０がＶ字溝として形成された状態のマスキング用テープ２０を示す縦断面図である。同図に示すように、凹部３０は、基材層５０の他方面（下面５４）に、基材層５０に対して非貫通に形成されている。
【００３６】
基材層５０にＶ字溝（凹部３０）を形成する方法の一例としては、凹部３０に対応する突条が周囲に設けられたローラーに基材層５０を押し当てた状態で両者を相対移動させて、基材層５０の下面にＶ字溝をスタンピングにより連続形成する手法が挙げられる。
【００３７】
なお、マスキング用テープ２０の作製にあたっては、基材層５０と接着層４０とが予め積層された積層テープに対して凹部３０を後から形成する上記手法に限られない。基材層５０に凹部３０を形成した後に、凹部３０の反対面側に接着層４０を積層形成してもよい。
【００３８】
凹部３０の深さは、マスキング用テープ２０の厚みの半分以上である。より具体的には、凹部３０は、基材層５０の厚みの半分を超える深さに彫り込み形成されている。また、凹部３０は基材層５０の一部厚さまで形成され、基材層５０に対して非貫通である。
【００３９】
図２（ｃ）に示すマスキング工程では、マスキング用テープ２０をリードフレーム１０に被着する。複数の開口１２は、いずれもマスキング用テープ２０の上面によって閉塞されている。
【００４０】
図１（ｃ）に戻り、搭載工程では、半導体素子６０を搭載領域１４にそれぞれ搭載する。本実施形態では、複数個の半導体素子６０がリードフレーム１０の長さ方向に一列に並んで搭載されるが、半導体素子６０は複数列に搭載されてもよい。
【００４１】
本実施形態の凹部３０は、図１（ａ）に示すように長手溝３１と短手溝３２とを含む。そして、各搭載領域１４には、ともに複数本の長手溝３１および短手溝３２が格子状に交差して配置される。これにより、搭載領域１４の長さ方向と幅方向への熱変形にともに追随してマスキング用テープ２０は高い伸張性を有することとなる。
【００４２】
封止工程では、封止樹脂によって半導体素子６０を一括モールディングする。常温に除熱された後、剥離工程にてマスキング用テープ２０を剥離する。
マスキング用テープ２０が剥離されたリードフレーム１０の下面には、ダイシングテープが被着される。
【００４３】
ダイシング工程では、封止樹脂とリードフレーム１０とをダイシングする。続けて、ダイシングテープをリードフレーム１０の長さ方向に伸張することで、半導体素子６０は個片化されて半導体装置１００が得られる。
【００４４】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的が達成される限りにおける種々の変形、改良等の態様も含む。
【００４５】
＜第二実施形態＞
図３（ａ）は、本実施形態にかかるマスキング用テープ２０をリードフレーム１０の下面に被着した状態を示す下面図である。
本実施形態のマスキング用テープ２０は、凹部３０が、長さ方向に亘って連続的に形成された、一本のまたは互いに平行に並ぶ複数本の溝（長手溝３１）である点で第一実施形態と相違している。
【００４６】
すなわち、本発明においては、長手溝３１のみによって凹部３０を構成してもよい。
これにより、マスキング用テープ２０は長さ方向への剛性を維持したまま、実質的に幅方向への剛性のみが低下する。このため、熱変形特性が既知のリードフレーム１０において、幅方向への反りがもっぱら問題となっている場合には、本実施形態のように幅方向への剛性を低下させたマスキング用テープ２０を用いてマスキングするとよい。
【００４７】
長手溝３１は一本でも複数本でもよい。長手溝３１を一本とする場合、長手溝３１をマスキング用テープ２０の幅方向の中央に形成してもよく、または中央からずれた位置に形成してもよい。既存のリードフレーム１０において幅方向に非対称の反りが生じる場合には、中央からずれた位置に長手溝３１が形成されたマスキング用テープ２０を用いて封止樹脂をマスキングするとよい。
【００４８】
本実施形態のマスキング用テープ２０では、長手溝３１同士の間、およびマスキング用テープ２０の幅方向の両側に、凹部３０（長手溝３１）の非形成領域３３が長さ方向に延在して帯状に設けられている。
【００４９】
本実施形態のマスキング用テープ２０のように凹部３０として長手溝３１のみを有する場合には、カッター刃によって基材層５０に所望の深さのＶ字溝を削成するとよい。
【００５０】
＜第三実施形態＞
図３（ｂ）は、本実施形態にかかるマスキング用テープ２０をリードフレーム１０の下面に被着した状態を示す下面模式図である。
本実施形態のマスキング用テープ２０は、凹部３０が、長さ方向に亘って繰り返して形成された複数本の溝（短手溝３２）であり、短手溝３２の間隔がマスキング用テープ２０の幅寸法の二分の一以下であることを特徴とする。
【００５１】
本実施形態のマスキング用テープ２０は、幅方向への剛性を維持したまま、実質的に長さ方向への剛性のみが低下している。また、短手溝３２はマスキング用テープ２０の幅寸法の二分の一以下のピッチで形成されている。これにより、リードフレーム１０の搭載領域１４（図１（ｂ）を参照）が略正方形状の場合に、複数本の短手溝３２が各搭載領域１４に配置されることとなる。このため、熱変形特性が既知のリードフレーム１０において長さ方向への反りがもっぱら問題となっている場合には、本実施形態のように長さ方向への剛性を低下させたマスキング用テープ２０を用いて封止樹脂をマスキングするとよい。
【００５２】
＜第四実施形態＞
図４（ａ）は、本実施形態にかかるマスキング用テープ２０を示す下面模式図であり、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図である。
本実施形態のマスキング用テープ２０は、凹部３０が幅方向および長さ方向に分散して配置された複数の凹穴３５である。
【００５３】
本実施形態の凹部３０は、錐状または錐台状をなしている。同図に図示された凹部３０は、四角錐状の止まり穴として基材層５０に非貫通に形成された凹穴３５が、マスキング用テープ２０の幅方向、長さ方向ともに複数個ずつ分散配置されたものである。本実施形態の凹穴３５は千鳥状に配置されているが、凹穴３５は直交格子状に配置されてもよく、またはランダムに分散配置されてもよい。
【００５４】
第三および第四実施形態のように、幅方向に連続的にまたは離散的に凹部３０が伸びて形成されたマスキング用テープ２０の場合は、凹部３０の配置形状に対応する突起がパターン形成された金型に対して基材層５０を押し付け、スタンピングによって凹部３０を形成するとよい。
【００５５】
本実施形態のように、溝ではなく凹穴３５によって凹部３０を形成することにより、マスキング用テープ２０の脆弱部が全体に分散される。このため、熱変形時のリードフレーム１０への追随性を良好としつつも、テープの破断強度の低下が抑制される。
【００５６】
凹穴３５の分散密度は均一でもよく、または幅方向の中間部の密度と、両側の密度とを相違させてもよい。例えば、幅方向の中間部における凹穴３５の密度を、両側の密度よりも高くするとよい。これにより、マスキング用テープ２０の両側における強度を維持しつつ、熱変形時にリードフレーム１０の歪みの集中する幅中央においてマスキング用テープ２０の伸張性を高めることができる。
【００５７】
＜第五実施形態＞
図５（ａ）は、本実施形態のマスキング用テープ２０をリードフレーム１０の下面１８に被着した状態を示す下面図であり、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図である。
本実施形態のマスキング用テープ２０は、基材層５０に削成された凹部３０の面積が、凹部３０の非形成領域の面積よりも大きい点で、図３（ａ）に示した第二実施形態と相違している。
【００５８】
本実施形態の凹部３０は、幅方向に並んで形成された二本の長手溝３１からなる。マスキング用テープ２０の幅方向の両側には側リブ３６が立設され、二本の長手溝３１同士の間には中央リブ３７が立設されている。
側リブ３６と中央リブ３７とはいずれも長手溝３１よりも幅寸法が小さく、互いに略並行に延在している。また、側リブ３６と中央リブ３７の高さは等しい。
【００５９】
幅方向の両側に帯状に形成された側リブ３６は、マスキング用テープ２０における凹部３０の非形成領域３３である。これにより、凹部３０がマスキング用テープ２０の下面の過半を占める本実施形態のマスキング用テープ２０において、両側のエッジの強度を確保している。また、中央リブ３７を帯状に残置することにより、マスキング用テープ２０が封止樹脂の封止圧を受けた際に、マスキング用テープ２０が厚み方向に押潰することが防止される。
【符号の説明】
【００６０】
１０    リードフレーム
１２    開口
１４    搭載領域
２０    マスキング用テープ
３０    凹部
３１    長手溝
３２    短手溝
３３    非形成領域
３５    凹穴
３６    側リブ
３７    中央リブ
４０    接着層
５０    基材層
６０    半導体素子
１００    半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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