(57)【要約】【課題】吐出状態を安定して検知する。【解決手段】複数のノズルから吐出される液滴の飛行経路に光ビームを照射する発光素子３０と、光ビームが液滴に衝突して生じる散乱光を受光する散乱光受光素子１０３ａと、光ビームの光軸から所定の方向にずれた位置であって、散乱光受光素子１０３ａより大きい光強度の光ビームを受光可能な位置で光ビームを受光する位置検出素子１０３ｂと、位置検出素子１０３ｂにより受光される光ビームの光強度と所定の規定値とを比較し、比較結果に応じて散乱光受光素子１０３ａの上記所定の方向の位置を補正する補正部１０６と、散乱光の光強度に基づいて液滴の吐出不良を検出する検出部１０４と、を備える。【選択図】図３
2011031532.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のノズルから吐出される液滴の飛行経路に光ビームを照射する発光手段と、
前記光ビームと前記光ビームが前記液滴に衝突して生じる散乱光とを受光する第１受光手段と、
前記光ビームの光軸から予め定められた方向にずれた位置であって、前記第１受光手段より大きい光強度の前記光ビームを受光可能な位置で、前記光ビームを受光する第２受光手段と、
前記第２受光手段により受光される前記光ビームの光強度と予め定められた第１規定値とを比較し、比較結果に応じて前記第１受光手段の前記方向の位置を補正する補正手段と、
前記散乱光の光強度に基づいて前記液滴の吐出不良を検出する検出手段と、
を備えることを特徴とする液吐出不良検出装置。
【請求項２】
前記発光手段は、断面が楕円形状の前記光ビームを照射し、
前記第２受光手段は、前記光ビームの光軸から、前記楕円形状の短軸方向にずれた位置であって、前記第１受光手段より大きい光強度の前記光ビームを受光可能な位置で前記光ビームを受光し、
前記補正手段は、前記第２受光手段により受光される前記光ビームの光強度と前記第１規定値との差を算出し、算出した差が予め定められた第１閾値以下となるように前記第１受光手段の前記短軸方向の位置を補正すること、
を特徴とする請求項１に記載の液吐出不良検出装置。
【請求項３】
前記光ビームの光軸から、前記楕円形状の長軸方向にずれた位置であって、前記第１受光手段より大きい光強度の前記光ビームを受光可能な位置で前記光ビームを受光する第３受光手段をさらに備え、
前記補正手段は、さらに、前記第３受光手段により受光される前記光ビームの光強度と予め定められた第２規定値との差を算出し、算出した差が予め定められた第２閾値以下となるように前記第１受光手段の前記長軸方向の位置を補正すること、
を特徴とする請求項２に記載の液吐出不良検出装置。
【請求項４】
前記発光手段は、断面が楕円形状の前記光ビームを照射し、
前記第２受光手段は、前記光ビームの光軸から、前記楕円形状の長軸方向にずれた位置であって、前記第１受光手段より大きい光強度の前記光ビームを受光可能な位置で前記光ビームを受光し、
前記補正手段は、前記第２受光手段により受光される前記光ビームの光強度と前記第１規定値との差を算出し、算出した差が予め定められた第３閾値以下となるように前記第１受光手段の前記長軸方向の位置を補正すること、
を特徴とする請求項１に記載の液吐出不良検出装置。
【請求項５】
前記発光手段は、光軸の光強度が最大で光軸から離れるほど光強度が小さくなる光強度分布の前記光ビームを照射し、
前記第２受光手段は、光強度の変化率が最大となる部分の前記光ビームを受光可能な位置で、前記光ビームを受光すること、
を特徴とする請求項１に記載の液吐出不良検出装置。
【請求項６】
前記第１受光手段と前記第２受光手段とを一体的に支持する支持手段をさらに備え、
前記補正手段は、前記第２受光手段により受光される前記光ビームの光強度と前記第１規定値とを比較し、比較結果に応じて前記支持手段の前記方向の位置を補正すること、
を特徴とする請求項１に記載の液吐出不良検出装置。
【請求項７】
前記光ビームの迷光を低減する迷光部に前記光ビームを反射する反射手段をさらに備え、
前記第２受光手段は、前記反射手段上に形成されること、
を特徴とする請求項１に記載の液吐出不良検出装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載の液吐出不良検出装置を備えることを特徴とするインクジェット記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液吐出不良検出装置および液吐出不良検出装置を備えるインクジェット記録装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット記録装置では、微細なノズルから微小な各色インク滴を吐出する各色のインクジェットヘッドを備え、用紙等の記録媒体に対してそのインクジェットヘッドを移動させながらインク滴を吐出することで記録媒体上に画像を形成する。高解像度の画像形成のためにはノズルを微細化してインク滴サイズを微小化する必要がある。しかし、ノズルが微細なため、印刷停止時にインクが乾燥する等してノズル詰まりが起きてインク滴の吐出不良が発生し、画像にドット抜け等が生じて画像品質が低下する問題がある。
【０００３】
この問題を解決するため、インクジェット記録装置には、液吐出不良を検出する液吐出不良検出装置が備えられている。例えば、ノズルから吐出するインク滴等の液滴に、レーザーダイオード等の発光素子から射出したレーザー光を照射して散乱光を発生させ、その散乱光をフォトダイオード等の受光素子で受光し、受光素子が得る出力電圧と基準電圧値とを比較して、インク滴が正常に吐出されたか否かを判定する液吐出不良検出装置が知られている。
【０００４】
液吐出不良を高精度に検出するには、発光素子と受光素子との光軸を適切に調整することが重要となる。特許文献１では、液滴に対する光束の光軸と開口の中心位置と受光センサとの受光面の中心位置とを自動的に調整する光軸自動調整機構に関する技術が提案されている。具体的には、特許文献１の方法では、液滴が光束内を通過する際の光量変化の信号に基づいてシャッタの位置を調整し、次いで受光センサの位置を調整した後、シャッタの位置を再び調整している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−０８５１４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の方法では、光軸の位置を安定して補正することができず、このため吐出不良を安定して検出できない場合があった。すなわち、特許文献１の方法は、液滴を検知する前に光軸を調整する方法であり、液滴を検知中に光軸を補正することができなかった。
【０００７】
また、フルラインヘッドのようにヘッドが長尺となると、液滴を検知するための光軸も長くなり、受発光素子間の距離も長くなる。したがって、特に散乱光を用いて液吐出不良を検知する方式の場合、発光素子の光軸と受光素子の位置関係を精度よく維持することが重要となる。一方、印字スピードが重視される場合は、印字中に液吐出不良を検知することにより、スループットを向上させることも望まれる。
【０００８】
しかし、例えば印字中に液滴を検知する場合は、紙送りの等の駆動系による振動が発生するおそれがある。このため、発光部と受光部の保持構造を強固にしなければ、光軸の振れが生じ、適切に位置関係を維持できない可能性が生じうる。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ラインヘッドのような長尺のヘッドでインク滴を検知中の場合であっても、吐出状態を安定して検知することができる液吐出不良検出装置およびインクジェット記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、複数のノズルから吐出される液滴の飛行経路に光ビームを照射する発光手段と、前記光ビームと前記光ビームが前記液滴に衝突して生じる散乱光とを受光する第１受光手段と、前記光ビームの光軸から予め定められた方向にずれた位置であって、前記第１受光手段より大きい光強度の前記光ビームを受光可能な位置で、前記光ビームを受光する第２受光手段と、前記第２受光手段により受光される前記光ビームの光強度と予め定められた第１規定値とを比較し、比較結果に応じて前記第１受光手段の前記方向の位置を補正する補正手段と、前記散乱光の光強度に基づいて前記液滴の吐出不良を検出する検出手段と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ラインヘッドのような長尺のヘッドでインク滴を検知中の場合であっても、吐出状態を安定して検知することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本実施の形態にかかる液吐出不良検出装置を備えるインクジェットプリンタの正面図を示す。
【図２】図２は、インクジェットプリンタの一部を斜め上から観察した図を示す。
【図３】図３は、本実施の形態にかかるインクジェットプリンタの機能構成の一例を示すブロック図である。
【図４】図４は、本実施の形態の液吐出不良検出処理の概略を示す説明図である。
【図５】図５は、光ビームの光強度分布の一例を表す図である。
【図６】図６は、散乱光受光素子のオフセットと光出力値との関係を示すグラフである。
【図７】図７は、時間経過と光出力値との関係を示す図である。
【図８】図８は、時間経過と光出力値との関係を示す図である。
【図９】図９は、時間経過と光出力値との関係を示す図である。
【図１０】図１０は、図４に位置検出素子を含む受光ユニット等を追加して詳細化した図を表す。
【図１１】図１１は、図５に位置検出素子を追加して詳細化した図を表す。
【図１２】図１２は、位置検出素子の光出力値と散乱光受光素子の光出力値との関係をオフセット位置の中心を基準に示した比較グラフである。
【図１３】図１３は、図１１に位置検出素子を追加して詳細化した図を表す。
【図１４】図１４は、位置検出素子の光出力値と散乱光受光素子の光出力値との関係をオフセット位置の中心を基準に示した比較グラフである。
【図１５】図１５は、初期位置合わせ処理の全体の流れを示すフローチャートである。
【図１６】図１６は、液吐出不良検出処理の全体の流れを示すフローチャートである。
【図１７】図１７は、変形例１の液吐出不良検出処理の全体の流れを示すフローチャートである。
【図１８】図１８は、変形例２にかかる液吐出不良検出装置を備えるインクジェットプリンタの概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる液吐出不良検出装置およびインクジェット記録装置の最良な実施の形態を詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本実施の形態にかかる液吐出不良検出装置を備えるインクジェットプリンタ（インクジェット記録装置）１００の正面図を示す。また、図２は、インクジェットプリンタ１００の一部を斜め上から観察した図を示す。
【００１５】
図１に示すように、インクジェットプリンタ１００の筐体１０の左右の側板１１、１２には、ガイドシャフト１３とガイド板１４とが平行に掛け渡して設けられている。ガイドシャフト１３およびガイド板１４は、キャリッジ１５に摺動可能に貫通される。キャリッジ１５には、不図示の無端ベルトが取り付けられる。無端ベルトは、筐体１０内の左右に設けられる図示しない駆動プーリと従動プーリに掛けまわされる。そして、駆動プーリの回転とともに従動プーリが従動回転されて無端ベルトを走行する。これにより、キャリッジ１５が、図１の矢印で示されるよう左右に移動される。
【００１６】
キャリッジ１５には、イエロ、シアン、マゼンタ、ブラックの４色のインクジェットヘッド１６ｙ、１６ｃ、１６ｍ、１６ｂ（以下、単にヘッド１６という）が、キャリッジ１５の移動方向に並列配置されている。各ヘッド１６は、下向きのノズル面に複数のノズルを直線状に並べたノズル列を有する。図示しないが、直線状のノズル列は、キャリッジ１５の移動方向と直交する方向に設けられる。
【００１７】
そして、キャリッジ１５が図１のように右端のホームポジションに存在するときには、各ヘッド１６は、筐体１０内の底板１７上に設置する単独回復装置１８と対向する。単独回復装置１８は、液吐出不良検出装置２０でインク滴吐出不良を検出したノズルからインクを吸い出し、インクジェットプリンタ１００自身で単独で液体吐出不良を回復する装置である。
【００１８】
液吐出不良検出装置２０は、筐体１０内の底板１７上に、単独回復装置１８の隣接配置される。液吐出不良検出装置２０の詳細については後述する。
【００１９】
液吐出不良検出装置２０に隣接する位置には、板状のプラテン２２を設置する。プラテン２２の背面側には、記録媒体である用紙２３をプラテン２２上に供給する給紙台２４が斜めに立てて設けられる。また、図示を省略するが、給紙台２４上の用紙２３をプラテン２２上に送り出す給紙ローラが備えられる。さらに、プラテン２２上の用紙２３を矢示方向に搬送して正面側に排出する搬送ローラ２５が設けられる。
【００２０】
筐体１０内の底板１７上には、さらに左端に駆動装置２６が設置される。駆動装置２６は、不図示の給紙ローラや搬送ローラ２５などを駆動するとともに、上述した駆動プーリを駆動することにより無端ベルトを走行してキャリッジ１５を移動する。
【００２１】
そして、記録時は、駆動装置２６で駆動されることにより用紙２３がプラテン２２上に移動され、所定位置に位置決めされる。また、キャリッジ１５が移動されて用紙２３上を走査され、左方向に移動しながら４色のヘッド１６ｙ、１６ｃ、１６ｍ、１６ｂを用いて順にそれぞれのノズルからインク滴が吐出され、用紙２３上に画像が記録される。画像記録後、キャリッジ１５が右方向に戻されるとともに、用紙２３が図２の矢印の方向に所定量搬送される。
【００２２】
次いで、再びキャリッジ１５が左方向に移動されながら往路で４色のヘッド１６ｙ、１６ｃ、１６ｍ、１６ｂを用いて順にそれぞれのノズルからインク滴が吐出され、用紙２３上に画像が記録される。そして、同様に画像記録後、キャリッジ１５が右方向に戻されるとともに、用紙２３が図２の矢印の方向に所定量搬送される。以下同様の動作が繰り返され、１枚の用紙２３上に画像が記録される。
【００２３】
次に、本実施の形態にかかるインクジェットプリンタ１００の機能構成について説明する。図３は、本実施の形態にかかるインクジェットプリンタ１００の機能構成の一例を示すブロック図である。本実施の形態にかかるインクジェットプリンタ１００は、ヘッド１６と、吐出制御部１０１と、発光制御部１０２と、発光素子３０と、受光ユニット１０３と、検出部１０４と、監視部１０５と、補正部１０６と、記憶部１２１とを主に備えている。
【００２４】
本実施の形態のインクジェットプリンタ１００は、ノズルｎｘ（１≦ｘ≦Ｎ、Ｎはノズルの個数）からインク滴が正常に吐出するか否かを検出する液吐出不良検出処理を行う。液吐出不良検出処理では、インク滴の飛行経路に対して発光素子３０から光ビームを出射し、出射した光ビームにノズルｎｘからインク滴を吐出して、インク滴による散乱光を発生させる。この散乱光を散乱光受光素子１０３ａが受光し、受光して得られる出力電圧によって検出部１０４がインク滴が正常に吐出されたか否かを検出する。
【００２５】
なお、図３では、主に液吐出不良検出処理に関連する機能を備えた構成部を記載しており、画像の記録に関連する構成部は図示を省略している。
【００２６】
吐出制御部１０１は、ヘッド１６の各ノズルからインク滴を吐出する吐出処理を制御する。
【００２７】
発光制御部１０２は、発光素子３０を発光させる発光処理を制御する。例えば液吐出不良検出処理では、発光制御部１０２は、一定電圧値の発光制御信号を送出して、発光素子３０を連続点灯させる。
【００２８】
発光素子３０は、例えば、半導体レーザ等の発光素子であって、発光制御部１０２から送出される発光制御信号にしたがって点灯し、光ビームを発生する。ヘッド１６が短尺である場合には、発光素子３０としてＬＥＤを用いてコスト低減を図ることもできる。
【００２９】
受光ユニット１０３は、図３に示すように、散乱光受光素子１０３ａと、位置検出素子１０３ｂと、を備えている。
【００３０】
散乱光受光素子１０３ａは、発光素子３０から発光された光ビームがインク滴に衝突して生じる散乱光を受光する受光素子である。一方、位置検出素子１０３ｂは、光ビームの光軸に対する散乱光受光素子１０３ａの位置を検出するための受光素子である。
【００３１】
散乱光受光素子１０３ａおよび位置検出素子１０３ｂは、例えば、フォトダイオード等の受光素子により構成できる。散乱光受光素子１０３ａおよび位置検出素子１０３ｂは、受光する光の強度に比例する電流を発生し、発生させた電流を電圧に変換して、受光した光強度を表す電圧値（以下、光出力値ともいう）を出力する。なお、電流を電圧に変換する機能を受光素子の外部に備えるように構成してもよい。
【００３２】
位置検出素子１０３ｂは、散乱光受光素子１０３ａより光ビームの光軸側に設置され、発光素子３０から発光された光ビームを受光する。そして、位置検出素子１０３ｂは、受光した光ビームの光強度に応じた電圧値を出力する。散乱光受光素子１０３ａおよび位置検出素子１０３ｂの設置位置の詳細については後述する。
【００３３】
検出部１０４は、散乱光受光素子１０３ａから出力された出力信号（光出力値ＶＰＤ）から、インク滴の吐出不良を検出する。例えば、検出部１０４は、光出力値ＶＰＤと、不良吐出を判定するための基準電圧として予め定められた閾値ＶＰＳＨとを比較し、光出力値ＶＰＤが閾値ＶＰＳＨより小さい場合に、インク滴に曲がりが発生したことを検出する。検出部１０４が、閾値ＶＰＳＨより小さい所定の閾値より光出力値ＶＰＤが小さい場合に、不吐出の状態であることを検出するように構成してもよい。
【００３４】
監視部１０５は、位置検出素子１０３ｂが受光した光ビーム３１の光強度を表す電圧値（光出力値）の上下変動を監視する。
【００３５】
補正部１０６は、監視された光出力値と、予め定められた光強度の規定値とを比較し、比較結果に応じて散乱光受光素子１０３ａの位置を補正する。
【００３６】
記憶部１２１は、補正部１０６が補正時に参照する規定値を記憶する。
【００３７】
次に、図４および図５を用いて、本実施の形態の液吐出不良検出装置２０の動作原理について説明する。
【００３８】
図４は、本実施の形態の液吐出不良検出処理の概略を示す説明図である。図４のノズルｎ１、ｎ２、・・・、ｎｘ、・・・、ｎＮは、キャリッジ１５に搭載する１つのヘッド１６で、１つのノズル列を構成する各ノズルである。本実施の形態の液吐出不良検出装置２０が備えられたインクジェットプリンタ１００では、このノズル列のうち１つのノズルｎｘからインク滴３６が吐出される。
【００３９】
発光素子３０から発した拡散光は、コリメートレンズ３２でほぼ平行な光ビーム３１に変換される。発光素子３０は、光ビーム３１の光軸３５がインク滴３６の吐出方向と直交する方向に配置される。
【００４０】
散乱光受光素子１０３ａは、光ビーム３１のビーム径を外れた位置に配置される。具体的には、散乱光受光素子１０３ａは、受光面が光ビーム３１のビーム径と重ならない位置で、できるだけ光軸３５の中心近くにオフセットして配設される。これにより、効率の良い検知が可能となる。図４では、光ビーム３１の下部であって、ノズル直下よりも発光素子３０から離れた位置に散乱光受光素子１０３ａが配置された例が示されている。
【００４１】
図４のような構成で、ヘッド１６のノズルｎｘからインク滴３６が吐出され、光ビーム３１と交わると、散乱光Ｓ１〜Ｓ７が発生する。散乱光受光素子１０３ａは、この散乱光Ｓ１〜Ｓ７のうち、特に光強度が強い前方散乱光Ｓ１〜Ｓ３を受光し、受光した散乱光の光強度を表す電圧値（光出力値ＶＰＤ）を出力する。光出力値ＶＰＤと閾値ＶＰＳＨとを比較することにより、インク滴３６の吐出の有無（不吐出）、曲がりなどの吐出不良を検出することができる。ここで、光ビーム３１の光強度が強い場合、散乱光Ｓ１〜Ｓ７の光強度も高くなる。
【００４２】
図５は、光ビーム３１の光強度分布の一例を表す図である。図５は、発光素子側から観察した光ビーム３１の断面（レーザビーム断面５０１）を表している。
【００４３】
半導体レーザを発光する発光素子３０を使用した場合、垂直方向および水平方向にそれぞれ発散角度（一般的な例として、垂直方向に１４°および水平方向に３０°）を持つ拡散光が出射される。以下では、このような半導体レーザを使用した場合を例に説明する。
【００４４】
このようにして発光された拡散光をコリメートレンズ３２で平行光にした場合、縦横比が異なる楕円形状となる。図５は、楕円形状の長軸方向にＸ軸、短軸方向にＹ軸を取った例を示している。図５のＸ軸方向（水平方向）は、インク滴吐出方向に対して直角の方向である。また、図５のＹ軸方向（垂直方向）は、インク滴吐出方向である。ｆ（Ｘ）およびｆ（Ｙ）は、それぞれＸ軸方向およびＹ軸方向の光ビーム３１の光強度分布を示す。
【００４５】
図５から、光ビーム３１の中心（光軸３５）で最も光強度が強く、縁に行くにしたがい光強度は低下しており、ガウシャン分布となっていることがわかる。
【００４６】
ここで、光ビーム３１の外側にはフレア部５０２が存在する。Ｙ軸方向の光ビーム３１の光強度分布ｆ（Ｙ）（図５の右のグラフ）に示すように、フレア部５０２の光強度は、光ビーム３１に比べ小さい。
【００４７】
散乱光受光素子１０３ａは、散乱光強度が強い前方散乱光Ｓ１〜Ｓ３を受光できるようにするため、受光面５０３がフレア部５０２に掛かるように設置される。このため、光出力値ＶＰＤは常にある一定の値を持っている。これについて図６を用いて説明する。
【００４８】
図６は、散乱光受光素子１０３ａのオフセットＯＹと光出力値ＶＰＤとの関係を示すグラフである。オフセットＯＹとは、光軸３５の中心から散乱光受光素子１０３ａの受光面５０３の中心までのＹ軸方向の距離を表す。曲線６０１は、インク検知時以外で出力される光出力値ＶＰＤの変化を表している。上述のように、受光面５０３がフレア部５０２に掛かっているため、インク検知時以外であっても、散乱光受光素子１０３ａは、フレア部５０２の光強度に相当する光出力値ＶＰＤを出力する。
【００４９】
図６の矢印６１１〜６１５は、インク検知時に出力される散乱光の光出力値Ｉｐｄの大きさを示す。このように、インク検知時には、フレア部５０２の光ビーム３１の光強度に、散乱光の光強度が加えられた光出力値が出力される。
【００５０】
図６のΔＹ１は、オフセットＯＹの有効範囲を表す。ΔＹ１は、散乱光受光素子１０３ａが出力しうる光出力値の最大値、および、閾値ＶＰＳＨとの比較により不良を検知しうる光出力値の最小値から決定される。
【００５１】
例えば、オフセットＯＹ＝−Ｏｙの位置（図６の（１））で出力される光出力値Ｖ１２（フレア部５０２の光出力値Ｖ７＋散乱光の光出力値Ｖ５（矢印６１１））は、散乱光受光素子１０３ａの光出力値が飽和せずに適正な出力を得られる最大値を表す。すなわち、−Ｏｙの位置は、散乱光受光素子１０３ａがこれ以上光軸３５に近づくと光出力値が飽和し適正な出力を得ることができない位置を表している。そこで、この−Ｏｙに相当するオフセットＯＹを、有効なオフセットＯＹの下限（最小値）とする。
【００５２】
一方、オフセットＯＹが図６の（２）〜（５）の位置に変化すると、散乱光受光素子１０３ａが光ビーム３１から離れることを意味するため、散乱光の光出力値が低下する。オフセットＯＹ＝＋Ｏｙの位置に相当する図６の（５）では、散乱光の光出力値（矢印６１５）は、Ｖ４−Ｖ３（＝Ｖ１）となる。本実施の形態では、この値を吐出不良検知のための閾値ＶＰＳＨとする。そして、＋Ｏｙに相当するオフセットＯＹを、有効なオフセットＯＹの上限（最大値）とする。
【００５３】
したがって、オフセットＯＹの最適位置は、このグラフではΔＹ１の中心である（３）の位置に設定できる。本実施の形態では、このようにして設定されたオフセットＯＹの最適位置に散乱光受光素子１０３ａを固定し散乱光検知機構を構成する。
【００５４】
次に、散乱光受光素子１０３ａの位置を補正しない構成（従来と同様の構成）とした場合に検知される光出力値の具体例について図７〜図９を用いて詳細に説明する。図７は、吐出状態を正常に判定できる場合の時間経過と光出力値ＶＰＤとの関係を示す図である。図８および図９は、オフセットＯＹの変動等により吐出状態を誤検知する場合の時間経過と光出力値ＶＰＤとの関係を示す図である。
【００５５】
図７は、時間経過とともにノズルｎ１から順次インク滴を吐出した場合に出力される光出力値ＶＰＤを表している。
【００５６】
図７の（Ａ）のグラフに示すように、まず時刻ｔ１で発光素子３０から光ビーム３１を照射する。これにより、散乱光受光素子１０３ａの出力する電圧値である光出力値ＶＰＤは、ＶＰ０（＝０）からＶＰＭに上昇する。ＶＰＭは、フレア部５０２の光ビーム３１の光強度に相当する光出力値であり、図６では位置（３）での光出力値であるＶ４に対応する。
【００５７】
次に、時刻ｔ２でノズルｎ１、ｎ２、ｎ３、・・・、ｎＮの順で順次インク滴の吐出を開始する。これにより、時刻ｔ３、ｔ４、ｔ５、・・・、ｔｎで、インク滴と光ビーム３１の光軸の中心（光出力最大）を通過し最大の散乱光が発生する。この結果、図７に示すように、散乱光の光強度が、散乱光受光素子１０３ａが出力する電圧値である光出力値ＶＰＤとして検出できる。
【００５８】
図７の（Ｂ）のグラフは、吐出有無の判定結果を表す出力信号ＶＫＹの例を表す。すなわち、光出力値ＶＰＤが閾値ＶＰＳＨを超えたか否かによってインク滴の吐出有無が判定され、超えたと判定された場合に出力信号ＶＫＹが出力される。
【００５９】
図８の（Ａ）のグラフは、時刻ｔ１で発光素子３０から光ビーム３１を照射後、例えば駆動系の微振動によりオフセットＯＹの変動が発生した場合に検知される光出力値の例を示している。オフセットＯＹが変動すると、フレア部５０２の光ビーム３１の光強度が変動し、閾値ＶＰＳＨを超えるピーク値が生じる場合がある。図８は、上方のピーク値ＶＰＵに相当するピーク値８０１〜８０５が発生し（（Ａ）のグラフ）、出力信号ＶＫＹが出力されたため（（Ｂ）のグラフ）、インク滴の吐出が誤検知される例を示している。なお、（Ａ）のグラフのＶＰＬは下方のピーク値を表す。
【００６０】
図９は、インク滴が吐出されていない状態では誤検知が生じないが、インク滴が吐出された場合に誤検知が生じる例を表している。すなわち、図９の（Ａ）のグラフに示すように、オフセットＯＹの変動により生じたピーク値ＶＰＵは、閾値ＶＰＳＨを超えていない。したがって、この状態では誤検知は生じない。一方、図９の（Ｂ）のグラフに示すように、インク滴が吐出され、散乱光の検知波形が出力されると閾値ＶＰＳＨを超えるピーク値ＶＨ等が出力される。この例では、時刻ｔ３の前後および時刻ｔ４の前の時刻で、閾値ＶＰＳＨを超えるピーク値９０１〜９０３が生じ、出力信号ＶＫＹが誤って出力される（図９の（Ｃ））。
【００６１】
このように、駆動系の微振動等によりオフセットＯＹが変動したときに、散乱光受光素子１０３ａの位置を補正しないと、インク滴の吐出不良を正常に検知できない場合がある。そこで、本実施の形態では、位置検出素子１０３ｂによって光ビーム３１の位置を検出し、事前に設定された光強度の規定値と比較しながら補正部１０６によって散乱光受光素子１０３ａの位置を補正しながらインク滴の吐出有無を検知する。
【００６２】
まず、Ｙ軸上に位置検出素子１０３ｂ（以下、Ｙ軸上の位置検出素子１０３ｂを位置検出素子１０３ｂ−Ｙとする）を配設した場合について図１０および図１１を用いて説明する。図１０は、図４に位置検出素子１０３ｂ−Ｙを含む受光ユニット１０３等を追加して詳細化した図を表す。また、図１１は、図５に位置検出素子１０３ｂ−Ｙを追加して詳細化した図を表す。
【００６３】
図１０および図１１に示すように、位置検出素子１０３ｂ−Ｙは、散乱光受光素子１０３ａより大きい光強度の光ビームを受光可能な位置に配設する。具体的には、図１１に示すように、散乱光受光素子１０３ａが受光するレーザビーム断面５０１の微小なフレア光の光出力値ｆ０より高い光出力値ｆ２に相当する位置に、位置検出素子１０３ｂ−Ｙの中心を配設する。
【００６４】
そして、本実施の形態のインクジェットプリンタ１００は、位置検出素子１０３ｂ−Ｙの光出力値の上下変動を監視する監視部１０５と、所定の規定値を記憶する記憶部１２１と、記憶された規定値と監視される光出力値とを比較しながら散乱光受光素子１０３ａの位置を補正する補正部１０６とを備える。これにより、受光ユニット１０３として一体構成された状態で上下調節（矢印：上下）を行い、光軸３５と散乱光受光素子１０３ａとのオフセットＯＹを一定に保つことができる。
【００６５】
なお、図１０は、散乱光受光素子１０３ａと位置検出素子１０３ｂ−Ｙとを一体的に支持する支持手段としての受光ユニット１０３を備える構成例を表している。位置検出素子１０３ｂ−Ｙを散乱光受光素子１０３ａと一体構成せず、位置検出素子１０３ｂ−Ｙによる検出結果に応じて、散乱光受光素子１０３ａの位置のみを補正するように構成してもよい。
【００６６】
散乱光検知のＹ軸方向の変動許容量をΔＹ１とすると（図６のオフセットＯＹの有効範囲ΔＹ１）、位置検出素子１０３ｂ−Ｙの変動量も同様のΔＹ１となる（図１１右のグラフ）。
【００６７】
位置検出素子１０３ｂ−Ｙは、光ビーム断面のＹ軸方向の光強度分布ｆ（Ｙ）の傾斜面の光出力値ｆ２に対応する位置が受光面の中心位置と一致するように配設する。図１１のオフセットＯＳＹは、光軸３５の中心から位置検出素子１０３ｂ−Ｙの受光面の中心までのＹ軸方向の距離を表す。
【００６８】
監視部１０５は、位置検出素子１０３ｂ−Ｙの光出力値の上下変動を、ΔＹ１に対応する光出力値ｆ１〜ｆ３の範囲内で監視する。そして、補正部１０６は、位置検出素子１０３ｂ−Ｙの光出力値と記憶部１２１に記憶された規定値（第１規定値）とを比較する。そして、比較の結果、差が検出された場合は、補正部１０６は、その差が０（または所定の閾値以下）となるように受光ユニット１０３の上下の位置（Ｙ軸方向の位置）を補正する。これにより、散乱光受光素子１０３ａのオフセット位置（オフセットＯＹ）を一定に保つことができる。このとき、Ｙ軸方向の光強度分布ｆ（Ｙ）の傾斜面の光出力値ｆ１〜ｆ３の間には、ｆ１＜ｆ２＜ｆ３の関係がある。このため、補正部１０６は、いずれの方向に変動しているかを容易に判定できる。
【００６９】
一方、Ｘ軸方向のずれを表すΔＸ１は、光ビーム断面のＸ軸方向の光強度分布ｆ（Ｘ）の頂点付近での光出力値の変動であり、無視できる範囲である。
【００７０】
図１２は、位置検出素子１０３ｂ−Ｙの光出力値と散乱光受光素子１０３ａの光出力値との関係を、各素子のオフセット位置の中心であるＯＳＹとＯＹとを基準に示した比較グラフである。
【００７１】
図１２の縦軸は、散乱光受光素子１０３ａの光出力値１２１１（Ｖ０〜Ｖ１２）、および、位置検出素子１０３ｂ−Ｙの光出力値１２１２（ＶｙＬ、ＶｙＭ、ＶｙＨ、ＶｙＰ）を表す。図１２の横軸は、散乱光受光素子１０３ａのオフセットＯＹおよび位置検出素子１０３ｂ−ＹのオフセットＯＳＹを表す。
【００７２】
ここで、Ｙ軸方向の変動許容量であるオフセットの有効範囲ΔＹ１での各素子の光出力値を比較する。オフセットＯＹ（オフセットＯＳＹ）が−Ｏｙ（＋Ｏｓｙ）側に移動した場合は、散乱光受光素子１０３ａの光出力値はＶ１２（図１２の（１））となる。また、このときの位置検出素子１０３ｂ−Ｙの光出力値は、ＶｙＬとなる。
【００７３】
また、図１２に示すように、Ｖ１２＜ＶｙＬであるため、散乱光が位置検出素子１０３ｂ−Ｙの光出力値に与える影響は小さい。なお、Ｖ１２に対するＶｙＬの倍率が大きいほど散乱光による影響は小さくなる。このため、インク滴の検知中であっても安定した位置補正の制御を行うことができる。
【００７４】
同様に、各素子のオフセットが最適位置ＯＹ（ＯＳＹ）の場合は、位置検出素子１０３ｂ−Ｙの光出力値はＶｙＭとなる。また、オフセットＯＹ（オフセットＯＳＹ）が＋Ｏｙ（−Ｏｓｙ）側に移動した場合は、位置検出素子１０３ｂ−Ｙの光出力値はＶｙＨとなる。したがって、位置検出素子１０３ｂ−Ｙの光出力値の曲線１２０１の頂点ＶｙＰより低い位置で、ＶｙＨ〜ＶｙＬを配置する位置での曲線１２０１の傾斜が概ね最大になるように、受光感度と位置検知の規定値の光出力値ＶｙＭを決定する。言い換えると、光出力値の変化率が最大となる部分の光ビームを受光可能な位置を、位置検出素子１０３ｂ−Ｙのオフセットの最適位置（ＯＳＹ）とする。これにより、光出力値の幅が広くなり調整精度を向上できる。
【００７５】
これまでは、Ｙ軸上に位置検出素子１０３ｂ（位置検出素子１０３ｂ−Ｙ）を配設し、散乱光受光素子１０３ａのＹ軸方向の位置を補正する場合を例に説明した。補正の方向は上下方向（Ｙ軸方向）に限られるものではなく、予め定められた任意の方向に位置を補正するように構成することができる。また、互いに異なる方向の位置を補正するための複数の位置検出素子１０３ｂを備えるように構成してもよい。例えば、光ビームが楕円形状の場合は、楕円形状の短軸方向（Ｙ軸方向）および長軸方向（Ｘ軸方向）で位置を補正するように構成してもよい。
【００７６】
以下では、さらにＸ軸上に位置検出素子１０３ｂ（以下、Ｘ軸上の位置検出素子１０３ｂを位置検出素子１０３ｂ−Ｘとする）を配設し、散乱光受光素子１０３ａのＸ軸方向の位置も補正可能とする構成について、図１３および図１４を用いて説明する。
【００７７】
図１３は、図１１に位置検出素子１０３ｂ−Ｘを追加して詳細化した図を表す。また、図１４は、位置検出素子１０３ｂ−Ｘの光出力値と散乱光受光素子１０３ａの光出力値との関係を、オフセット位置の中心であるＯＳＸを基準に示した比較グラフである。
【００７８】
図１３に示すように、位置検出素子１０３ｂ−Ｘは、概ねレーザビーム断面５０１のＸ軸上に中心を置き、光ビームのＸ軸方向の光強度分布ｆ（Ｘ）の傾斜面の光出力値ｆ５に対応する位置が受光面の中心と一致するように配設する。図１３のオフセットＯＳＸは、光軸３５の中心から位置検出素子１０３ｂ−Ｘの受光面の中心までのＸ軸方向の距離を表す。
【００７９】
監視部１０５は、さらに、位置検出素子１０３ｂ−Ｘの光出力値の上下変動を監視する。また、補正部１０６は、監視された位置検出素子１０３ｂ−Ｘの光出力値と、予め定められた光強度の規定値（第２規定値）とを比較し、比較結果に応じて散乱光受光素子１０３ａの位置を補正する。記憶部１２１は、このときに参照される規定値（第２規定値）を記憶する。
【００８０】
これにより、補正部１０６が、位置検出素子１０３ｂ−Ｘの光出力値に応じて、散乱光受光素子１０３ａの左右方向（Ｘ軸方向）のオフセット位置（オフセットＯＳＸ）を一定に保つことができる。このとき、Ｘ軸方向の光強度分布ｆ（Ｘ）の傾斜面の光出力値ｆ４〜ｆ６の間には、ｆ４＜ｆ５＜ｆ６の関係がある。このため、補正部１０６は、いずれの方向に変動しているかを容易に判定できる。
【００８１】
一方、Ｙ軸方向のずれを表すΔＹ２は、光ビーム断面のＹ軸方向の光強度分布ｆ（Ｙ）の頂点付近での光出力値の変動であり、無視できる範囲である。
【００８２】
このような構成により、受光ユニット１０３として一体構成された状態で上下調節（矢印：上下）と左右調節（矢印：左右）とを行い、光軸３５と散乱光受光素子１０３ａの上下左右の位置関係を最適規定値に常に保つことができる。すなわち、光ビーム３１の光軸３５の全ての方向の変動に対しても追従が可能となる。なお、上下左右に調節する補正部１０６は、例えばＸＹ２軸の超音波リニアアクチェ−タ等を用いることができる。
【００８３】
図１４は、位置検出素子１０３ｂ−Ｘの光出力値と散乱光受光素子１０３ａの光出力値との関係を、各素子のオフセット位置の中心であるＯＳＸを基準に示した比較グラフである。
【００８４】
図１４のΔＸ２は、オフセットＯＳＸの有効範囲（散乱光検知のＸ軸方向の変動許容量）を表す。図１４の縦軸は、散乱光受光素子１０３ａの光出力値１４１１（Ｖ０〜Ｖ１２）、および、位置検出素子１０３ｂ−Ｘの光出力値１４１２（ＶｘＬ、ＶｘＭ、ＶｘＨ、ＶｘＰ）を表す。図１４の横軸は、位置検出素子１０３ｂ−ＸのオフセットＯＳＸを表す。また、曲線１４０１は、インク検知時以外で出力される光出力値ＶＰＤの変化を表している。図１４の矢印１４２１〜１４２３は、インク検知時に出力される散乱光の光出力値の大きさを示す。
【００８５】
ここで、Ｘ軸方向の変動許容量であるオフセットの有効範囲ΔＸ２での各素子の光出力値を比較する。オフセットＯＳＸが＋Ｏｓｘ側に移動した場合は、散乱光受光素子１０３ａの光出力値は約Ｖ７（図１４の（１））となる。また、このときの位置検出素子１０３ｂ−Ｘの光出力値は、ＶｘＬとなる。
【００８６】
また、図１４に示すように、Ｖ７＜ＶｘＬであるため、散乱光が位置検出素子１０３ｂ−Ｘの光出力値に与える影響は小さい。なお、Ｖ７に対するＶｘＬの倍率が大きいほど散乱光による影響は小さくなる。このため、インク滴の検知中であっても安定した位置補正の制御を行うことができる。
【００８７】
同様に、オフセットＯＳＸが最適位置ＯＳＸの場合は、位置検出素子１０３ｂ−Ｘの光出力値はＶｘＭとなる。また、オフセットＯＳＸが−Ｏｓｘ側に移動した場合は、位置検出素子１０３ｂ−Ｘの光出力値はＶｘＨとなる。したがって、位置検出素子１０３ｂ−Ｘの光出力値の曲線１４０２の頂点ＶｘＰより低い位置で、ＶｘＨ〜ＶｘＬを配置する位置での曲線１４０２の傾斜が概ね最大になるように、受光感度と位置検知の規定値の光出力値ＶｘＭを決定する。言い換えると、光出力値の変化率が最大となる部分の光ビームを受光可能な位置を、位置検出素子１０３ｂ−Ｘのオフセットの最適位置（ＯＳＸ）とする。これにより、光出力値の幅が広くなり調整精度を向上できる。
【００８８】
次に、本実施の形態のインクジェットプリンタ１００による初期位置合わせ処理について説明する。図１５は、初期位置合わせ処理の全体の流れを示すフローチャートである。なお、初期位置合わせ処理とは、受光ユニット１０３内の各受光素子の初期位置を決定する処理をいう。
【００８９】
まず、発光制御部１０２が、レーザダイオード（ＬＤ）などで構成される発光素子３０の発光を開始する（ステップＳ１０１）。次に、補正部１０６が、散乱光受光素子１０３ａのオフセットＯＹを調節する（ステップＳ１０２）。そして、補正部１０６が、散乱光受光素子１０３ａの光出力値と規定値（図６ではＶ４）とを比較し、光出力値と規定値とが一致するか否かを判定する（ステップＳ１０３）。
【００９０】
一致しない場合は（ステップＳ１０３：ＮＯ）、補正部１０６は、さらにオフセットＯＹを調節して処理を繰り返す（ステップＳ１０２）。一致する場合は（ステップＳ１０３：ＹＥＳ）、補正部１０６は、一致するときのオフセットＯＹを記憶部１２１等に記憶する（ステップＳ１０４）。
【００９１】
このように、補正部１０６は、散乱光受光素子１０３ａの光出力値を規定値に合わせ込み、光ビーム３１と散乱光受光素子１０３ａとの位置関係を決定して記憶する。この位置関係は常に補正する必要はないため、機械的に固定して構成の簡略化を図ることもできる。
【００９２】
同様にして、Ｙ軸上の位置検出素子１０３ｂ−ＹのＹ軸方向のオフセットと、Ｘ軸上の位置検出素子１０３ｂ−ＸのＸ軸方向のオフセットとを決定して記憶する。
【００９３】
すなわち、まず補正部１０６が、位置検出素子１０３ｂ−ＹのオフセットＯＳＹを調節する（ステップＳ１０５）。そして、補正部１０６が、位置検出素子１０３ｂ−Ｙの光出力値と規定値（図１２ではＶｙＭ）とを比較し、光出力値と規定値とが一致するか否かを判定する（ステップＳ１０６）。
【００９４】
一致しない場合は（ステップＳ１０６：ＮＯ）、補正部１０６は、さらにオフセットＯＳＹを調節して処理を繰り返す（ステップＳ１０５）。一致する場合は（ステップＳ１０６：ＹＥＳ）、補正部１０６は、一致するときのオフセットＯＳＹを記憶部１２１等に記憶する（ステップＳ１０７）。
【００９５】
次に、補正部１０６が、位置検出素子１０３ｂ−ＸのオフセットＯＳＸを調節する（ステップＳ１０８）。そして、補正部１０６が、位置検出素子１０３ｂ−Ｘの光出力値と規定値（図１４ではＶｘＭ）とを比較し、光出力値と規定値とが一致するか否かを判定する（ステップＳ１０９）。
【００９６】
一致しない場合は（ステップＳ１０９：ＮＯ）、補正部１０６は、さらにオフセットＯＳＸを調節して処理を繰り返す（ステップＳ１０８）。一致する場合は（ステップＳ１０９：ＹＥＳ）、補正部１０６は、一致するときのオフセットＯＳＸを記憶部１２１等に記憶する（ステップＳ１１０）。
【００９７】
そして、発光制御部１０２が、発光素子３０の発光を終了して（ステップＳ１１１）、初期位置合わせ処理を終了する。
【００９８】
次に、本実施の形態のインクジェットプリンタ１００による液吐出不良検出処理について説明する。図１６は、液吐出不良検出処理の全体の流れを示すフローチャートである。
【００９９】
まず、発光制御部１０２が、発光素子３０の発光を開始する（ステップＳ２０１）。次に、補正部１０６が、位置検出素子１０３ｂ−Ｙおよび位置検出素子１０３−Ｘを、それぞれ初期位置合わせ処理で記憶したオフセットＯＳＹおよびオフセットＯＳＸに対応する位置に移動する（ステップＳ２０２）。
【０１００】
その後、補正部１０６は、散乱光受光素子１０３ａの光出力値が所定の検出規格値内か否かを判定する（ステップＳ２０３）。補正部１０６は、例えば図１２の光出力値Ｖ４−Ａ〜光出力値Ｖ４＋Ａまでの範囲を検出規格値として用いる。値Ａは、図１２の−Ｏｙ〜＋Ｏｙの範囲での散乱光受光素子１０３ａの光出力値の範囲（Ｖ3〜Ｖ7）内で、ばらつき等の余裕分を見込んで設定することが好ましい。
【０１０１】
光出力値が検出規格値内でない場合（ステップＳ２０３：ＮＯ）、再度、初期位置合わせ処理が実行される。光出力値が検出規格値内の場合（ステップＳ２０３：ＹＥＳ）、ノズルｎ１からｎＮの順に順次インク滴を吐出して吐出不良を検出する（ステップＳ２０５〜ステップＳ２１３）
【０１０２】
まず、吐出制御部１０１が、未処理のノズルからインクを吐出する（ステップＳ２０５）。次に、補正部１０６が、Ｙ軸上の位置検出素子１０３ｂ−Ｙの光出力値と規定値とを比較し、光出力値と規定値（図１２ではＶｙＭ）とが一致するか否かを判定する（ステップＳ２０６）。なお、光出力値と規定値とは厳密に一致する必要はなく、所定の誤差範囲内の場合に一致すると判定してもよい。例えば、光出力値が、図１２の規定値ＶｙＭ−Ｂ〜規定値ＶｙＭ＋Ｂまでの範囲内であれば一致すると判定してもよい。このときの値Ｂは、図１２の−Ｏｙ〜＋ＯｙのＹ軸上の位置検出素子１０３ｂ−Ｙの光出力ＶｙＬ〜ＶｙＨの範囲内で、ばらつき等の余裕分を見込んで設定することが好ましい。
【０１０３】
位置検出素子１０３ｂ−Ｙの光出力値と規定値とが一致しない場合（ステップＳ２０６：ＮＯ）、補正部１０６は、散乱光受光素子１０３ａの上下位置を調整し（ステップＳ２０７）、再度光出力値と規定値とを比較して処理を繰り返す（ステップＳ２０６）。
【０１０４】
位置検出素子１０３ｂ−Ｙの光出力値と規定値とが一致する場合（ステップＳ２０６：ＹＥＳ）、補正部１０６が、Ｘ軸上の位置検出素子１０３ｂ−Ｘの光出力値と規定値とを比較し、光出力値と規定値（図１４ではＶｘＭ）とが一致するか否かを判定する（ステップＳ２０８）。上述のように、例えば、光出力値が、図１４の規定値ＶｘＭ−Ｃ〜規定値ＶｘＭ＋Ｃまでの範囲内であれば一致すると判定してもよい。このときの値Ｃは、図１４の−Ｏｓｘ〜＋ＯｓｘのＸ軸上の位置検出素子１０３ｂ−Ｘの光出力ＶｘＬ〜ＶｘＨの範囲内で、ばらつき等の余裕分を見込んで設定することが好ましい。
【０１０５】
位置検出素子１０３ｂ−Ｘの光出力値と規定値とが一致しない場合（ステップＳ２０８：ＮＯ）、補正部１０６は、散乱光受光素子１０３ａの左右位置を調整し（ステップＳ２０９）、再度光出力値と規定値とを比較して処理を繰り返す（ステップＳ２０８）。
【０１０６】
なお、位置の補正後に散乱光受光素子１０３ａによる散乱光の計測が行われる。検知時間のスループットは、インク滴の吐出サイクルの高速化および補正部１０６の制御スピードの高速化に左右される。このため、補正部１０６として超音波アクチュエータ等による補正機構を用いることが有効である。
【０１０７】
位置検出素子１０３ｂ−Ｘの光出力値と規定値とが一致する場合（ステップＳ２０８：ＹＥＳ）、散乱光受光素子１０３ａが散乱光を計測し、散乱光の光強度に応じた光出力値を出力する（ステップＳ２１０）。次に、検出部１０４が、光出力値（ＶＰＤ）と予め定められた閾値（ＶＰＳＨ）とを比較する（ステップＳ２１１）。
【０１０８】
光出力値が閾値より小さい場合（ステップＳ２１１：ＹＥＳ）、検出部１０４は、不良ノズルであると判定し、ノズルを識別する番号（不良ノズルＮｏ．）を記憶部１２１等に記憶する（ステップＳ２１２）。
【０１０９】
不良ノズルＮｏ．を記憶後、または、光出力値が閾値以上の場合（ステップＳ２１１：ＮＯ）、吐出制御部１０１は、すべてのノズルを処理したか否かを判定する（ステップＳ２１３）。すべてのノズルを処理していない場合（ステップＳ２１３：ＮＯ）、吐出制御部１０１は、次のノズルからインクを吐出して処理を繰り返す（ステップＳ２０５）。すべてのノズルを処理した場合（ステップＳ２１３：ＹＥＳ）、発光制御部１０２が、発光素子３０の発光を終了して（ステップＳ２１４）、液吐出不良検出処理を終了する。
【０１１０】
なお、この後、記憶された不良ノズルＮｏ．のノズルに対して、別途定められた判定基準によりクリーニング等の再生処置が実行される。
【０１１１】
（変形例１）
ここで、液吐出不良検出処理の変形例について説明する。図１７は、変形例１の液吐出不良検出処理の全体の流れを示すフローチャートである。図１７のフローチャートは、吐出不良の検出と、散乱光受光素子１０３ａの位置の補正とを独立に制御する例を表している。
【０１１２】
ステップＳ３０１からステップＳ３０４までは、図１６のステップＳ２０１からステップＳ２０４までと同様であるため、説明を省略する。この後、本変形例では、インクの吐出と無関係に、位置検出素子１０３ｂによる位置の補正を実行する（ステップＳ３０６〜ステップＳ３０９）。ステップＳ３０６、ステップＳ３０７、およびステップＳ３０９の処理は、図１６のステップＳ２０６、ステップＳ２０７、およびステップＳ２０８と同様であるため、説明を省略する。
【０１１３】
本変形例では、吐出不良の検出と独立に位置の補正が実行されるため、ステップＳ３０８で位置検出素子１０３ｂ−Ｘの光出力値と規定値とが一致すると判定された場合（ステップＳ３０８：ＹＥＳ）、ステップＳ３０６に戻って位置の補正が繰り返される点が、図１６と異なっている。
【０１１４】
一方、吐出不良の検出は、若干のタイムラグを持って開始される。すなわち、ノズルｎ１からｎＮの順に順次インク滴を吐出して吐出不良の検出が開始される（ステップＳ３０５）。この後、ステップＳ３１０からステップＳ３１４までの処理は、図１６のステップＳ２１０からステップＳ２１４までと同様であるため、説明を省略する。
【０１１５】
このような手順により、吐出サイクルに関係なく、散乱光受光素子１０３ａの位置を制御することができる。また、補正部１０６の影響を受けることなく、吐出不良検出のスループットを決定することができる。
【０１１６】
なお、多列のノズル列を有する場合は、ノズル列それぞれに同様の検知装置を設け個々に吐出不良を検知するように構成すればよい。
【０１１７】
（変形例２）
次に、ラインヘッド方式によるインクジェット記録装置に液吐出不良検出装置を搭載した例について説明する。図１８は、変形例２にかかる液吐出不良検出装置を備えるインクジェットプリンタ（インクジェット記録装置）２００の概略構成図である。
【０１１８】
ヘッド２１６は、ライン印字が可能な長尺タイプのヘッドであり、ヘッドベース２０９に固定されている。発光素子３０およびコリメートレンズ３２等を含む発光部２０８は、ヘッドベース２０９に固定されている。発光素子３０から照射した光は、コリメートレンズ３２で平行光に変換される。この平行光は、ヘッド２１６のノズルｎ１、ｎ２、・・・、ｎＮ（ノズル列）と平行に位置合わせされる。そして、上記実施の形態と同様の補正部１０６が、位置検出素子２０３ｂの光出力値等を参照して受光ユニット２０３をＹ軸上の規定の位置に合わせるように位置調節を実行する。
【０１１９】
このように長尺のラインヘッドを用いる場合、発光素子３０と散乱光受光素子１０３ａとの間隔が長くなる。このようなラインプリンタの特性上、紙送りの駆動中の検知がスループット向上のために必須となる。一方、上述のように、紙送りの駆動中に吐出不良を検出するように構成すると、駆動系の振動等が、光軸の変動、および、受発光素子の位置関係の変動等の要因となることが考えられる。そこで、液吐出不良検出装置として、上記実施の形態と同様の装置を搭載することが有効になる。
【０１２０】
なお、図１８に示すように、本変形例のインクジェットプリンタ２００は、光ビーム３１の迷光を低減する迷光部２０７をさらに備えている。迷光部２０７は、光ビーム３１を反射する反射手段としての反射面２０７ａを備え、光ビーム３１を迷光部２０７内に反射させることで光ビーム３１の迷光を低減する。そして、本変形例の位置検出素子２０３ｂは、少なくとも反射面２０７ａの一部として迷光部２０７へ入射する光ビーム３１の光軸上に設けられる。これにより、装置の小型化を図ることができる。
【０１２１】
以上のように、本実施の形態の液吐出不良検出装置およびインクジェット記録装置によれば、インク滴の吐出検知中でも光軸と受光素子との位置関係の変化を監視し、最適な位置を保つことができる。これにより、ラインヘッドのような長尺のヘッドでインク滴を検知中の場合であっても、インク滴吐出不良の誤検知を回避し、インク滴の吐出状態を安定して検知することができる。
【０１２２】
また、光軸に対する散乱光受光素子の位置関係を監視するための位置検出素子を、散乱光検知出力の影響を受けない程度の光ビームの高光出力域に設置する。これにより、散乱光の影響を回避し、より安定的に吐出不良の検知を実行できる。
【符号の説明】
【０１２３】
１０  筐体
１１、１２  側板
１３  ガイドシャフト
１４  ガイド板
１５  キャリッジ
１６ｙ、１６ｃ、１６ｍ、１６ｂ  インクジェットヘッド
１７  底板
１８  単独回復装置
２０  液吐出不良検出装置
２２  プラテン
２３  用紙
２４  給紙台
２５  搬送ローラ
２６  駆動装置
３０  発光素子
３１  光ビーム
３２  コリメートレンズ
３５  光軸
３６  インク滴
１００、２００  インクジェットプリンタ
１０１  吐出制御部
１０２  発光制御部
１０３、２０３  受光ユニット
１０３ａ  散乱光受光素子
１０３ｂ、２０３ｂ  位置検出素子
１０４  検出部
１０５  監視部
１０６  補正部
１２１  記憶部
２０７  迷光部
２０７ａ  反射面
２０８  発光部
２０９  ヘッドベース
２１６  ヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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