(57)【要約】【課題】信頼性の低下、光学特性の劣化を防ぐことが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板に形成された光電変換素子１２を備えた固体撮像素子の製造方法であって、光電変換素子１２上方に下凸形状の層内レンズを形成する層内レンズ形成工程を備え、層内レンズ形成工程は、光電変換素子１２上に凹部を有する層間絶縁膜１７を基板上方に形成する工程と、層間絶縁膜１７の上に層内レンズを構成する第一のレンズ材料の膜１８を形成する工程と、第一のレンズ材料の膜１８をスパッタエッチングによって削り、第一のレンズ材料の膜１８内に空隙が発生するのを防止する工程と、スパッタエッチングの後、酸素プラズマ処理及び熱処理の少なくとも一方を行って、第一のレンズ材料の膜１８の表面の改質を行う工程と、改質を行う工程の後、第一のレンズ材料の膜１８の上に第二のレンズ材料の膜１９を形成する工程とを含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された光電変換素子を備えた固体撮像素子の製造方法であって、
前記光電変換素子上方に下凸形状の層内レンズを形成する層内レンズ形成工程を備え、
前記層内レンズ形成工程は、
前記光電変換素子上に凹部を有する層間絶縁膜を前記基板上方に形成する工程と、
前記層間絶縁膜の上に前記層内レンズを構成する第一のレンズ材料の膜を形成する工程と、
前記第一のレンズ材料の膜をスパッタエッチングによって削り、前記第一のレンズ材料の膜の孔部を変形させる工程と、
酸素プラズマ処理及び熱処理の少なくとも一方を行って、前記第一のレンズ材料の膜の表面の改質を行う工程と、
前記改質を行う工程の後、前記第一のレンズ材料の膜の上に第二のレンズ材料の膜を形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記改質を行う工程を、前記孔部を変形させる工程の後に行う固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記改質を行う工程を、前記孔部を変形させる工程と同時に行う固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記スパッタエッチングで用いるガスがアルゴンガスを含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記スパッタエッチングで用いるガスが、ＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記熱処理を、窒素ガス下又は窒素ガスと水素ガスの混合ガス下で行う固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記第一のレンズ材料の膜の表面の改質を行う工程では、酸素プラズマ処理と熱処理の両方を行う固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記スパッタエッチングと前記酸素プラズマ処理とを同一の装置で行う固体撮像素子の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記第一のレンズ材料の膜が、窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜であり、
前記第二のレンズ材料の膜が、窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜である固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサ、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサ等の固体撮像素子には、シリコン基板とカラーフィルタとの間に、シリコン基板内のフォトダイオードに光を集光するための下凸形状の層内レンズが設けられるのが一般的である。この層内レンズは、シリコン基板上に層間絶縁膜としてのＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜を形成し、これをリフローした後、ＢＰＳＧ膜の上に層内レンズ材料を成膜することで形成される。
【０００３】
特許文献１，２には、層内レンズに空隙が発生するのを防止するために、ＢＰＳＧ膜上に第一の層内レンズ材料と第二の層内レンズ材料を順に積層して層内レンズを形成する方法が記載されている。
【０００４】
特許文献１には、第一の層内レンズ材料の膜に空隙が発生するのを防止するために、Ａｒ（アルゴン）とＣＨＦ３の混合ガスを用いたスパッタエッチングによって第一の層内レンズ材料の膜を削る方法が開示されている。特許文献２には、第二の層内レンズ材料の膜に空隙が発生するのを防止するために、Ａｒガスを用いたスパッタエッチングによって第一の層内レンズ材料の膜を削る方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２８１１８０号公報
【特許文献２】特開２００７−２８７９８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
層内レンズの形成において、第一の層内レンズ材料の膜をスパッタエッチングによって削る工程を追加すると、この工程によって第一の層内レンズ材料の膜の表面に、削られた第一の層内レンズ材料の一部が堆積する。本発明者は、この表面に堆積された第一の層内レンズ材料の中及び表面に、あるいは第一の層内レンズ材料表面にスパッタエッチングに用いられるガス等によって第一の層内レンズ材料とは異なる物質が存在し、第一の層内レンズ材料の膜と第二の層内レンズ材料の膜の密着性が低下することを見出した。この密着性が低下すると、膜の剥離が生じたり、空隙が生じたりして、素子の信頼性の低下、光学特性の劣化等が懸念される。
【０００７】
特許文献１、２に記載の方法は、第一の層内レンズ材料の膜や第二の層内レンズ材料の膜における空隙の発生の防止を目的にしたものであり、上述した密着性の低下という課題を解決するものではない。また、これまでは、第一の層内レンズ材料の膜や第二の層内レンズ材料の膜における空隙の発生を防止できればレンズ性能として十分だと考えられていたため、第一の層内レンズ材料の膜と第二の層内レンズ材料の膜との密着性の低下という課題については全く認識されていなかった。
【０００８】
本発明は、上記新規の課題を解決するためになされたものであり、信頼性の低下、光学特性の劣化を防ぐことが可能な固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、基板に形成された光電変換素子を備えた固体撮像素子の製造方法であって、前記光電変換素子上方に下凸形状の層内レンズを形成する層内レンズ形成工程を備え、前記層内レンズ形成工程は、前記光電変換素子上に凹部を有する層間絶縁膜を前記基板上方に形成する工程と、前記層間絶縁膜の上に前記層内レンズを構成する第一のレンズ材料の膜を形成する工程と、前記第一のレンズ材料の膜をスパッタエッチングによって削り、前記第一のレンズ材料の膜の孔部を変形させる工程と、酸素プラズマ処理及び熱処理の少なくとも一方を行って、前記第一のレンズ材料の膜の表面の改質を行う工程と、前記改質を行う工程の後、前記第一のレンズ材料の膜の上に第二のレンズ材料の膜を形成する工程とを含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、信頼性の低下、光学特性の劣化を防ぐことが可能な固体撮像素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態を説明するためのＣＣＤ型の固体撮像素子の部分断面模式図
【図２】図１に示す固体撮像素子の製造方法を説明するための図
【図３】図１に示す固体撮像素子の製造方法を説明するための図
【図４】図１に示す固体撮像素子の製造方法の効果を説明するための図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１３】
図１は、本発明の一実施形態を説明するためのＣＣＤ型の固体撮像素子の部分断面模式図である。図１では、固体撮像素子に含まれる１つの光電変換素子とその近傍の部分を模式的に示している。
【００１４】
図１に示す固体撮像素子は、ｐウェル層１１と、フォトダイオード１２と、ゲート絶縁膜１３と、電荷転送電極１４と、絶縁膜１５と、遮光膜１６と、層間絶縁膜１７と、第一のレンズ材料膜１８と、第二のレンズ材料膜１９と、カラーフィルタ２０と、マイクロレンズ２１とを備える。
【００１５】
ｐウェル層１１は、図示しないｎ型シリコン基板表面に形成されたｐ型不純物層で構成されている。フォトダイオード１２は、光を電荷に変換する光電変換素子であり、ｐウェル層１１内に形成されたｎ型不純物層で構成されている。なお、フォトダイオード１２の構造は、この図に限られるものではない。
【００１６】
ゲート絶縁膜１３は、ｐウェル層１１上に形成されており、酸化膜、酸化膜と窒化膜と酸化膜とをこの順に積層した所謂ＯＮＯ膜、又は、酸化膜と窒化膜とをこの順で積層した膜で構成されている。
【００１７】
電荷転送電極１４は、フォトダイオード１２で蓄積された電荷を垂直方向に転送する垂直ＣＣＤの一部を構成する。垂直ＣＣＤは、ｐウェル層１１内のフォトダイオード１２の両隣に垂直方向（図１の紙面に垂直な方向）に延びて設けられた電荷転送チャネル（不図示）と、この電荷転送チャネルの上方にゲート絶縁膜１３を介して設けられた電荷転送電極１４とで構成されている。
【００１８】
絶縁膜１５は、電荷転送電極１４を他から絶縁するためのものであり、電荷転送電極１４及び電荷転送電極１４の設けられていないゲート絶縁膜１３表面を覆って形成されている。
【００１９】
遮光膜１６は、絶縁膜１５上に形成されており、例えばタングステンで構成されている。遮光膜１６は、フォトダイオード１２上方に開口が設けられており、この開口からフォトダイオード１２に光が入射するようになっている。
【００２０】
層間絶縁膜１７は、例えばリフローされたＢＰＳＧ膜であり、その形状は、フォトダイオード１２上方において凹部を有するものとなっている。層間絶縁膜１７は、遮光膜１６の上に形成されている。
【００２１】
第一のレンズ材料膜１８は、層間絶縁膜１７上に層間絶縁膜１７の凹部を埋めない程度の厚みで形成されており、その形状は、層間絶縁膜１７の形状をほぼ反映したもの（フォトダイオード１２上方でシリコン基板側（下側）に突出した下凸形状）となっている。第一のレンズ材料膜１８の表面（層間絶縁膜１７と接している面の反対側の面）は、後述する酸素プラズマ処理又は熱処理によって改質がなされており、この上に形成される第二のレンズ材料膜１９との間には隙間が存在していない。第一のレンズ材料膜１８と第二のレンズ材料膜１９により、フォトダイオード１２上方で下凸形状となる層内レンズが構成される。
【００２２】
カラーフィルタ２０は、第二のレンズ材料膜１９の上に形成されている。マイクロレンズ２１は、カラーフィルタ２０の上に形成されている。
【００２３】
次に、このように構成された固体撮像素子の製造方法について説明する。
【００２４】
図２及び図３は、図１に示す固体撮像素子の製造方法を説明するための図であり、ＦＩＧ２Ａ〜２Ｃ、ＦＩＧ３Ａ〜３Ｃは、各製造工程における断面図である。遮光膜１６までの製造工程については各種方法が知られているため、ここでは説明を省略する。
【００２５】
遮光膜１６の形成後は、ＦＩＧ２Ａに示すように、遮光膜１６上に例えば常圧ＣＶＤ法によってＢＰＳＧ膜１７ａを形成する。
【００２６】
次に、ＦＩＧ２Ｂに示すように、ウエハに熱処理（例えば８５０℃での熱処理）を施してＢＰＳＧ膜１７ａをリフローし、リフロー膜である層間絶縁膜１７を形成する。層間絶縁膜１７は、遮光膜１６の凹凸を反映してフォトダイオード１２上方に凹部を有した形状となる。
【００２７】
次に、ＦＩＧ２Ｃに示すように、層間絶縁膜１７上に第一の層内レンズ材料（窒化シリコン又は酸窒化シリコン）を例えばプラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜１７の凹部を埋めない程度の厚みで成膜して、第一の層内レンズ材料膜１８を形成する。埋めない程度の厚みとする理由は、膜厚を厚くし、凹部を埋めようとすると、空隙が発生し、そのあとの製造工程では、その空隙を除去できないためである。第一の層内レンズ材料膜１８は、層間絶縁膜１７に形成された凹部でシリコン基板側に凹むため、フォトダイオード１２上方において孔部Ｋを有する形状となっている。
【００２８】
次に、ＦＩＧ３Ａに示すように、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより、孔部Ｋを変形させる。この孔部Ｋを変形させる工程は、第一の層内レンズ材料膜１８を形成し、続いて第二の層内レンズ材料膜１９を形成した後に空隙が発生するのを防止するものであり、例えば特許文献１、２に開示されている方法を採用することができる。この工程で用いる不活性ガスとしては、例えばＡｒ（アルゴン）ガスを用い、反応性ガスとしては、ＣＦ４（四フッ化炭素）ガスを用いる。なお、この工程では、不活性ガスのみを用いたスパッタエッチングによって孔部Ｋを変形させてもよい。
【００２９】
このスパッタエッチングにより、第一の層内レンズ材料膜１８上には、スパッタエッチングによって削られた第一の層内レンズ材料が堆積する部分と、アルゴンによりスパッタされ削り取れれる部分とが存在するが、前者の堆積物の表面付近には、スパッタエッチング時に用いたガスによって第一の層内レンズ材料とは異なる物質（有機化合物、炭素化合物等）が存在する。また、削り取られた部分の表面にもプラズマ中に炭素化合物が含まれる場合には、同様に第一の層内レンズ材料とは異なる物質（有機化合物、炭素化合物など）が存在する。この物質が残ったままだと、第一の層内レンズ材料膜１８の上に第二の層内レンズ材料膜１９を形成したときに、第一の層内レンズ材料膜１８と第二の層内レンズ材料膜１９との密着性が低下してしまう。
【００３０】
そこで、本製造方法では、スパッタエッチング工程の後に、上記物質の除去を目的として、第一の層内レンズ材料膜１８の表面を改質する工程を行う（ＦＩＧ３Ｂ）。具体的には、第一の層内レンズ材料膜１８の表面改質が期待できる、酸素プラズマ処理又は熱処理を実施する。
【００３１】
酸素プラズマ処理とは、酸素ガスの入ったガス雰囲気下で行うプラズマ処理のことを言う。熱処理とは、窒素ガス又は窒素ガスと水素ガスの混合ガス下でウエハを加熱する処理のことを言う。熱処理時の温度は、第一の層内レンズ材料膜１８表面に堆積する堆積物として予測される物質に応じて、この物質が除去できる程度の温度（最大で４００℃程度。ただし、ウエハ上に存在する材料の耐熱性（融点）以下であれば、加熱することができ、効果が期待できる）に適宜設定すればよい。
【００３２】
この酸素プラズマ処理又は熱処理によって上記物質を除去することができ、第一の層内レンズ材料膜１８と第二の層内レンズ材料膜１９との密着性の低下を防ぐことができる。
【００３３】
表面を改質する工程の後、第一の層内レンズ材料膜１８の上に第二の層内レンズ材料（窒化シリコン又は酸窒化シリコン）をプラズマＣＶＤ法によって成膜して、第二の層内レンズ材料膜１９を形成する。この第二の層内レンズ材料膜１９の形成方法としては、窒化シリコン膜、または、酸窒化シリコン膜の光学的屈折率に相当する溶剤に溶解した材料を回転塗布により形成し、熱処理により溶剤を気化させることで、固体薄膜として形成する方法でもよい。これにより、層内レンズが形成される。この後は、第二の層内レンズ材料膜１９の上にカラーフィルタ２０及びマイクロレンズ２１を周知の方法で順次形成して固体撮像素子を完成させる。なお、第二の層内レンズ材料膜１９の形成後に上凸の層内レンズを形成し、カラーフィルタ２０及びマイクロレンズ２１を順次形成し完成させる方法もある（不図示）。
【００３４】
以上のように、本製造方法によれば、従来の製造工程に加えて、第一の層内レンズ材料膜１８をスパッタエッチングした後に第一の層内レンズ材料膜１８表面を改質する工程を追加しているため、第一の層内レンズ材料膜１８と第二の層内レンズ材料膜１９との密着性を良くすることができる。したがって、空隙の発生による素子の信頼性の低下、層内レンズの光学特性の劣化を防ぐことができる。
【００３５】
図４は、第一の層内レンズ材料膜１８表面を改質する工程を行った場合の効果を説明するための図である。ＦＩＧ４Ａは、第一の層内レンズ材料膜１８表面を改質する工程を行わなかったとき（比較例）の断面写真を示し、ＦＩＧ４Ｂは、第一の層内レンズ材料膜１８表面を改質する工程を行ったとき（実施例）の断面写真を示している。なお、図４の写真において、図１に示す構成と対応する構成要素には同一符号を付してある。
【００３６】
比較例では、層間絶縁膜１７としてＢＰＳＧ膜を用い、第一の層内レンズ材料として
窒化シリコン膜を用い、第二の層内レンズ材料として同じく窒化シリコン膜を用いた。遮光膜１６を形成した後の製造工程としては、層間絶縁膜１７形成、第一の層内レンズ材料膜１８形成、第一の層内レンズ材料膜１８のスパッタエッチング、第二の層内レンズ材料膜１９形成の順で行った。また、第一の層内レンズ材料膜１８のスパッタエッチングには平行平板型スパッタ装置を用いた。スパッタ条件として、高周波出力は４．７７［Ｗ／ｃｍ2］とし、周波数は３８０［ｋＨｚ］とし、圧力は４０［Ｐａ］とし、ガス種・流量をＣＦ４：１５［ｓｃｃｍ］，Ａｒ：８００［ｓｃｃｍ］とし、電極間ギャップ幅を１１［ｍｍ］とした。
【００３７】
実施例では、スパッタエッチング工程の後に酸素プラズマ処理を行ってから第二の層内レンズ材料膜１９を形成した以外は、比較例と同じ工程で固体撮像素子を製造した。酸素プラズマ処理にはマイクロ波アッシャー装置を用いた。アッシャー条件として、圧力を７０［Ｐａ］とし、μ波パワーを１０００［Ｗ］とし、ガス種・流量を酸素ガス：１０００［ｓｃｃｍ］とし、温度を２５０［℃］とした。
【００３８】
この結果、酸素プラズマ処理を行わないときには、ＦＩＧ４Ａに示すように、第一の層内レンズ材料膜１８と第二の層内レンズ材料膜１９との間に空隙Ａが発生し、双方の密着性が低下することが分かった。これに対し、酸素プラズマ処理を行ったときには、ＦＩＧ４Ｂに示すように、第一の層内レンズ材料膜１８と第二の層内レンズ材料膜１９との間に空隙は存在せず、双方の密着性が良いことが分かった。
【００３９】
なお、実施例において、酸素プラズマ処理の代わりに熱処理を実施する場合には、次のような条件とすることで、実施例と同等の効果を得ることができる。
Ｎ２（窒素ガス）単体、あるいは、Ｎ２（窒素ガス）とＨ２〔水素ガス〕の混合ガスで４００℃６０分処理を行う。水素ガスの存在により、スパッタエッチング後の窒化シリコン膜表面を含む表面内側の炭素化合物をより還元することができる。
【００４０】
なお、以上の説明では、第一の層内レンズ材料膜１８の表面を改質する処理として、酸素プラズマ処理又は熱処理を実施するものとしたが、これら２つの処理を併せて実施してもよい。酸素プラズマ処理は、第一の層内レンズ材料膜１８の表面の改質に適しており、熱処理は第一の層内レンズ材料膜１８表面の内側の改質に適しているため、双方を併せて実施することで、第一の層内レンズ材料膜１８の表面の改質効果を高めることができる。
【００４１】
また、以上の説明では、第一の層内レンズ材料膜１８の表面を改質する工程をスパッタエッチング工程の後に行うものとしたが、スパッタエッチング工程と同時に行ってもよい。また、表面を改質する工程とスパッタエッチング工程は、同一の装置を用いて行ってもよい。このようにすることで、製造工程数の削減、使用装置の削減を図ることができ、製造コストの削減が可能となる。
【００４２】
ここで、表面を改質する工程とスパッタエッチング工程を同一の装置で実施する具体例を説明する。例えば、表面を改質する工程として酸素プラズマ処理を実施するときには、同一プラズマ容器内において、アルゴンガスと酸素ガスの混合ガスによるプラズマ処理により、第一の層内レンズ材料膜１８のスパッタエッチングと酸素プラズマ処理を同時に実施することができる。
【００４３】
また、同一プラズマ容器内において、アルゴンガスを用いてスパッタエッチングを行った後に、酸素プラズマ処理を行うこともできる。
【００４４】
また、同一プラズマ容器内において、アルゴンガスを用いたスパッタエッチング処理と酸素プラズマ処理とを交互に行ってもよい（ただし、スパッタエッチング処理が最後とならないようにする）。
【００４５】
また、以上の説明では、固体撮像素子がＣＣＤ型であるものとしたが、本製造方法は、ＣＭＯＳ型の固体撮像素子に対しても適用可能である。
【００４６】
以上のように、本明細書には次の事項が開示されている。
【００４７】
開示された固体撮像素子の製造方法は、基板に形成された光電変換素子を備えた固体撮像素子の製造方法であって、前記光電変換素子上方に下凸形状の層内レンズを形成する層内レンズ形成工程を備え、前記層内レンズ形成工程は、前記光電変換素子上に凹部を有する層間絶縁膜を前記基板上方に形成する工程と、前記層間絶縁膜の上に前記層内レンズを構成する第一のレンズ材料の膜を形成する工程と、前記第一のレンズ材料の膜をスパッタエッチングによって削り、前記第一のレンズ材料の膜の孔部を変形させる工程と、酸素プラズマ処理及び熱処理の少なくとも一方を行って、前記第一のレンズ材料の膜の表面の改質を行う工程と、前記改質を行う工程の後、前記第一のレンズ材料の膜の上に第二のレンズ材料の膜を形成する工程とを含む。
【００４８】
この方法によれば、第一のレンズ材料の膜の表面の改質を行う工程を行っているため、第一のレンズ材料の膜と第二のレンズ材料の膜との密着性を良好なものにすることができる。したがって、素子の信頼性の低下、層内レンズの光学特性の劣化を防ぐことができる。
【００４９】
開示された固体撮像素子の製造方法は、前記改質を行う工程を、前記孔部を変形させる工程の後に行う。
【００５０】
開示された固体撮像素子の製造方法は、前記改質を行う工程を、前記孔部を変形させる工程と同時に行う。
【００５１】
この方法によれば、製造工程の簡略化が可能となる。
【００５２】
開示された固体撮像素子の製造方法は、前記スパッタエッチングで用いるガスがアルゴンガスを含む。
【００５３】
開示された固体撮像素子の製造方法は、前記スパッタエッチングで用いるガスが、ＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を含む。
【００５４】
開示された固体撮像素子の製造方法は、前記熱処理を、窒素ガス下又は窒素ガスと水素ガスの混合ガス下で行う。
【００５５】
この方法により、第一のレンズ材料の膜の表面の改質を良好に行うことができる。
【００５６】
開示された固体撮像素子の製造方法は、前記第一のレンズ材料の膜の表面の改質を行う工程では、酸素プラズマ処理と熱処理の両方を行う。
【００５７】
この方法によれば、酸素プラズマ処理と熱処理の両方を行うため、第一のレンズ材料の膜の表面の改質効果を上げることができる。
【００５８】
開示された固体撮像素子の製造方法は、前記スパッタエッチングと前記酸素プラズマ処理とを同一の装置で行う。
【００５９】
この方法によれば、固体撮像素子を効率よく製造することができる。
【００６０】
開示された固体撮像素子の製造方法は、前記第一のレンズ材料の膜が、窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜であり、前記第二のレンズ材料の膜が、窒化シリコン膜又は酸窒化シリコン膜である。
【符号の説明】
【００６１】
１２  光電変換素子
１７  層間絶縁膜
１８  第一のレンズ材料の膜
１９  第二のレンズ材料の膜
【図１】
2011134917.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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