(57)【要約】【課題】本発明は、柱状導電体を用いて形成した多層セラミック基板とプローブ基板、及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明の実施例によると、本発明は、少なくとも１つの貫通孔を具備したセラミックシートを設けるステップと、前記貫通孔の内部を導電性物質で充填するステップと、前記導電性物質が焼成されて柱状導電体を形成するように前記セラミックシートを焼成するステップと、前記柱状導電体が残存するように前記セラミックシートを除去するステップと、を経て形成された柱状導電体を用いて形成した多層セラミック基板とプローブ基板、及びその製造方法を提供する。【選択図】図１ｄ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの貫通孔を具備したセラミックシートを設けるステップと、
前記貫通孔の内部を導電性物質で充填するステップと、
前記導電性物質が焼成されて柱状導電体を形成するように前記セラミックシートを焼成するステップと、
前記柱状導電体が残存するように前記セラミックシートを除去するステップと、
を含むことを特徴とする柱状導電体の製造方法。
【請求項２】
前記セラミックシートは、前記柱状導電体の高さが調節されるように、複数のセラミックグリーンシートが積層されて形成されることを特徴とする請求項１に記載の柱状導電体の製造方法。
【請求項３】
少なくとも１つの第１貫通孔に導電性物質が充填されたビアを含む複数のセラミックグリーンシートを積層してセラミック積層体を設けるステップと、
前記ビア上に前記ビアと接続される緩衝電極が第２貫通孔の壁面に具備された表面シートを形成するステップと、
前記第２貫通孔内に柱状導電体の一面が露出するように柱状導電体を挿入するステップと、
前記セラミック積層体を焼成してセラミック焼結体を形成するステップと、
を含むことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【請求項４】
前記表面シートは、複数のセラミックグリーンシートが積層されて形成されることを特徴とする請求項１に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項５】
前記セラミック焼結体を形成するステップの後に、
前記セラミック焼結体の表面を研磨するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項６】
少なくとも１つの第１貫通孔に導電性物質が充填されたビアを含む複数のセラミックグリーンシートを積層してセラミック積層体を設けるステップと、
前記ビア上に前記ビアと接続される緩衝電極が第２貫通孔の壁面に具備された表面シートを形成するステップと、
前記第２貫通孔内に柱状導電体の一面が露出するように柱状導電体を挿入するステップと、
前記セラミック積層体を焼成してセラミック焼結体を形成するステップと、
前記セラミック積層体上に連結パッドを形成するステップと、
前記セラミック積層体上に導電性物質からなる探針部を接合するステップと、
を含むことを特徴とするプローブ基板の製造方法。
【請求項７】
前記表面シートは、複数のセラミックグリーンシートが積層されて形成されることを特徴とする請求項６に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項８】
前記セラミック焼結体を形成するステップの後に、
前記セラミック焼結体の表面を研磨するステップをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項９】
前記セラミック焼結体の表面を研磨するステップの後に、
前記セラミック焼結体上に保護層を積層するステップをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記連結パッドは、前記保護層上に所定間隔で配列される少なくとも１つの隔壁を形成し、前記隔壁内に金属を充填して形成されることを特徴とする請求項９に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記連結パッドは、無電解めっき法により形成されることを特徴とする請求項１０に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記隔壁を形成する前に、前記保護層上にめっきシード層を形成することを特徴とする請求項１０に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記連結パッドは、電解めっき法により形成されることを特徴とする請求項１２に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記探針部は、前記めっきシード層と前記探針部との間にソルダーを介在し、前記ソルダーを溶融させることによって、前記接着パッド上に形成された保護層及びめっきシード層を除去して接合することを特徴とする請求項１０に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１５】
少なくとも１つの第１貫通孔に導電性物質が充填されたビアを含む複数のセラミックグリーンシートが積層されて形成されたセラミック積層体と、
前記ビア上に具備され、前記ビアと接続される緩衝電極が第２貫通孔の壁面に具備された表面シートと、
前記第２貫通孔内に一面が露出するように挿入される柱状導電体と、
を含むことを特徴とする多層セラミック基板。
【請求項１６】
前記表面シートは、複数のセラミックグリーンシートが積層されたことを特徴とする請求項１５に記載の多層セラミック基板。
【請求項１７】
少なくとも１つの第１貫通孔に導電性物質が充填されたビアを含む複数のセラミックグリーンシートを積層して形成したセラミック積層体と、
前記ビア上に具備され、前記ビアと接続される緩衝電極が第２貫通孔の壁面に具備された表面シートと、
前記第２貫通孔内に一面が露出するように挿入される柱状導電体と、
前記セラミック積層体を焼成して形成されるセラミック焼結体と、
前記セラミック焼結体上に形成された連結パッドと、
前記セラミック焼結体上に接合され、導電性物質からなる探針部と、
を含むことを特徴とするプローブ基板。
【請求項１８】
前記表面シートは、複数のセラミックグリーンシートが積層されて形成されることを特徴とする請求項１７に記載のプローブ基板。
【請求項１９】
前記セラミック焼結体上に保護層をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載のプローブ基板。
【請求項２０】
前記連結パッドは、無電解めっき法により形成されたことを特徴とする請求項１７に記載のプローブ基板。
【請求項２１】
前記連結パッドは、電解めっき法により形成されたことを特徴とする請求項１７に記載のプローブ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、柱状導電体を用いて形成した多層セラミック基板とプローブ基板、及びその製造方法に関し、より具体的には、セラミック焼結体内に形成されたビアの未充填領域を充填することができる柱状導電体を採用することで、電気的特性及び表面平坦度が向上した多層セラミック基板とプローブ基板、及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的な半導体テスト装置は、テスター（ｔｅｓｔｅｒ）、パフォーマンスボード（ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  ｂｏａｒｄ）、プローブカード（ｐｒｏｂｅ  ｃａｒｄ）、チャック（ｃｈｕｃｋ）、及びプローバ（ｐｒｏｂｅｒ）を具備してウェハに製造されたチップの電気的な特性をテストする。そして、半導体テスト装置のプローブカードは、テスターで発生した信号をパフォーマンスボードを通じて伝達を受け、これをウェハ内のチップのパッドに伝達する役割、及びチップのパッドから出力される信号をパフォーマンスボードを通じてテスターに伝達する役割を果たす。
【０００３】
半導体検査装置に使用されるプローブカードは、一般的に、低温同時焼成セラミック基板（ＬＴＣＣ）、高温同時焼成セラミック基板（ＨＴＣＣ）のような多層セラミック基板を利用する。このように集積化された多層セラミック基板を製造するためには、３次元的回路を具現しなければならず、多数の内部層間通電ビア及び回路パターン構造を備えていなければならない。
【０００４】
プローブカード用の多層セラミック基板の一面には、プローブピンが形成されるためのパターンが形成され、他面には、印刷回路基板（ＰＣＢ）、或いは連結基板（ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ）を接合するためのパターンが形成される。
【０００５】
多層セラミック基板の安定した電気的特性を具現するためには、パターンとビア間の電気的連結性と接着力が確保されなければならない。特に、大面積で厚い厚さを有する多層セラミック基板である場合は、層間の高さが高いため、パターンとビアが接触する部分に内部電極が十分に埋め込まれないか、或いは、収縮温度差またはエッチング溶液の浸透に起因した連結不良によって接着力の低下、断線不良または電気的特性の低下を引き起こす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、セラミック焼結体内に形成されたビアの未充填領域を充填することができる柱状導電体を採用することで、電気的特性及び表面平坦度が向上した多層セラミック基板とプローブ基板、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した目的を達成するために、本発明の一実施形態は、少なくとも１つの貫通孔を具備したセラミックシートを設けるステップと、上記貫通孔の内部を導電性物質で充填するステップと、上記導電性物質が焼成されて柱状導電体を形成するように上記セラミックシートを焼成するステップと、上記柱状導電体が残存するように上記セラミックシートを除去するステップと、を経て形成された柱状導電体の製造方法を提供する。
【０００８】
ここで、上記セラミックシートは、上記柱状導電体の高さが調節されるように、複数のセラミックグリーンシートが積層されて形成されることができる。
【０００９】
上記した目的を達成するために、本発明の他の実施形態は、少なくとも１つの第１貫通孔に導電性物質が充填されたビアを含む複数のセラミックグリーンシートを積層してセラミック積層体を設けるステップと、上記ビア上に上記ビアと接続される緩衝電極が第２貫通孔の壁面に具備された表面シートを形成するステップと、上記第２貫通孔内に柱状導電体の一面が露出するように柱状導電体を挿入するステップと、上記セラミック積層体を焼成してセラミック焼結体を形成するステップと、を含む多層セラミック基板の製造方法を提供する。
【００１０】
ここで、上記表面シートは、複数のセラミックグリーンシートが積層されて形成されることができる。
【００１１】
また、上記セラミック焼結体を形成するステップの後に、上記セラミック焼結体の表面を研磨するステップをさらに含むことができる。
【００１２】
上記した目的を達成するために、本発明の他の実施形態は、少なくとも１つの第１貫通孔に導電性物質が充填されたビアを含む複数のセラミックグリーンシートを積層してセラミック積層体を設けるステップと、上記ビア上に上記ビアと接続される緩衝電極が第２貫通孔の壁面に具備された表面シートを形成するステップと、上記第２貫通孔内に柱状導電体の一面が露出するように柱状導電体を挿入するステップと、上記セラミック積層体を焼成してセラミック焼結体を形成するステップと、上記セラミック積層体上に連結パッドを形成するステップと、上記セラミック積層体上に導電性物質からなる探針部を接合するステップと、を含むプローブ基板の製造方法を提供する。
【００１３】
ここで、上記表面シートは、複数のセラミックグリーンシートが積層されて形成されることができる。
【００１４】
また、上記セラミック焼結体を形成するステップの後に、上記セラミック焼結体の表面を研磨するステップをさらに含むことができる。
【００１５】
また、上記セラミック焼結体の表面を研磨するステップの後に、上記セラミック焼結体上に保護層を積層するステップをさらに含むことができる。
【００１６】
そして、上記連結パッドは、上記保護層上に所定間隔で配列される少なくとも１つの隔壁を形成し、上記隔壁内に金属を充填して形成されることができる。
【００１７】
一方、上記連結パッドは、無電解めっき法により形成されることができる。
【００１８】
また、上記隔壁を形成する前に、上記保護層上にめっきシード層を形成することができる。
【００１９】
ここで、上記連結パッドは、電解めっき法により形成されることができる。
【００２０】
そして、上記探針部は、上記めっきシード層と上記探針部との間にソルダーを介在し、上記ソルダーを溶融させることによって、上記接着パッド上に形成された保護層及びめっきシード層を除去して接合することができる。
【００２１】
上記した目的を達成するために、本発明のさらに他の実施形態は、少なくとも１つの第１貫通孔に導電性物質が充填されたビアを含む複数のセラミックグリーンシートが積層されて形成されたセラミック積層体と、上記ビア上に具備され、上記ビアと接続される緩衝電極が第２貫通孔の壁面に具備された表面シートと、上記第２貫通孔内に一面が露出するように挿入される柱状導電体と、を含む多層セラミック基板を提供する。
【００２２】
ここで、上記表面シートは、複数のセラミックグリーンシートが積層されたものであることができる。
【００２３】
上記した目的を達成するために、本発明のさらに他の実施形態は、少なくとも１つの第１貫通孔に導電性物質が充填されたビアを含む複数のセラミックグリーンシートを積層して形成したセラミック積層体と、上記ビア上に具備され、上記ビアと接続される緩衝電極が第２貫通孔の壁面に具備された表面シートと、上記第２貫通孔内に一面が露出するように挿入される柱状導電体と、上記セラミック積層体を焼成して形成されるセラミック焼結体と、上記セラミック焼結体上に形成された連結パッドと、上記セラミック焼結体上に接合され、導電性物質からなる探針部と、を含むプローブ基板を提供する。
【００２４】
ここで、上記表面シートは、複数のセラミックグリーンシートが積層されて形成されたものであることができる。
【００２５】
また、上記セラミック焼結体上に保護層をさらに含むことができる。
【００２６】
一方、上記連結パッドは、無電解めっき法により形成されたものであることができる。
【００２７】
また、上記連結パッドは、電解めっき法により形成されたものであることができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によると、セラミック焼結体内に形成されたビアの未充填領域を充填することができる柱状導電体を採用することで、電気的特性及び表面平坦度が向上し、さらに、セラミック焼結体と連結パッド間の接着力と電気的特性が向上した柱状導電体を用いて形成した多層セラミック基板とプローブ基板、及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１ａ】本発明の一実施例による柱状導電体の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図１ｂ】本発明の一実施例による柱状導電体の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図１ｃ】本発明の一実施例による柱状導電体の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図１ｄ】本発明の一実施例による柱状導電体の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図２ａ】本発明の他の実施例による柱状導電体の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図２ｂ】本発明の他の実施例による柱状導電体の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図２ｃ】本発明の他の実施例による柱状導電体の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図２ｄ】本発明の他の実施例による柱状導電体の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図３ａ】本発明の一実施例による柱状導電体を用いた多層セラミック基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図３ｂ】本発明の一実施例による柱状導電体を用いた多層セラミック基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図３ｃ】本発明の一実施例による柱状導電体を用いた多層セラミック基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図３ｄ】本発明の一実施例による柱状導電体を用いた多層セラミック基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４ａ】本発明の他の実施例による柱状導電体を用いた多層セラミック基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４ｂ】本発明の他の実施例による柱状導電体を用いた多層セラミック基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４ｃ】本発明の他の実施例による柱状導電体を用いた多層セラミック基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４ｄ】本発明の他の実施例による柱状導電体を用いた多層セラミック基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図５ａ】本発明の実施例による柱状導電体を用いたプローブ基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図５ｂ】本発明の実施例による柱状導電体を用いたプローブ基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図５ｃ】本発明の実施例による柱状導電体を用いたプローブ基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図５ｄ】本発明の実施例による柱状導電体を用いたプローブ基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図５ｅ】本発明の実施例による柱状導電体を用いたプローブ基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図５ｆ】本発明の実施例による柱状導電体を用いたプローブ基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図５ｇ】本発明の実施例による柱状導電体を用いたプローブ基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図５ｈ】本発明の実施例による柱状導電体を用いたプローブ基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図５ｉ】本発明の実施例による柱状導電体を用いたプローブ基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図６ａ】従来のセラミック基板を上部から見た光学写真である。
【図６ｂ】本発明の実施例によって製造されたセラミック基板を上部から見た光学写真である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、添付された図面を参照し、本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００３１】
しかし、本発明の実施形態は、様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野において通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における構成要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張することもあり、図面上において同じ符号で示される構成要素は同一の構成要素である。
【００３２】
以下では、図１ａから図１ｄを参照し、本発明の一実施例による柱状導電体の製造工程について説明する。
【００３３】
図１ａから図１ｄは、本発明の一実施例による柱状導電体の製造工程を概略的に示す断面図である。
【００３４】
図１ａのように、少なくとも１つの貫通孔１１を具備したセラミックシート１０’を設ける。
【００３５】
その後、図１ｂのように、上記貫通孔１１の内部を導電性物質１５’で充填して、セラミックシート１０’を焼成すると、貫通孔１１の内部の導電性物質１５’も同時に焼成され、図１ｃのように焼成されたセラミックシート１０の貫通孔１１の内部に柱状導電体１５が形成される。
【００３６】
次いで、図１ｄのように、焼成されたセラミックシート１０を除去して柱状導電体１５を完成する。ここで、柱状導電体１５の形状は、図示したように円柱状であってもよいが、柱状導電体１５の形状はこれに限らず、柱状導電体１５が挿入されるビアの形状によって多様に変わってもよい。
【００３７】
以下では、図２ａから図２ｄを参照し、本発明の他の実施例による柱状導電体の製造工程について説明する。
【００３８】
図２ａから図２ｄは、本発明の他の実施例による柱状導電体の製造工程を概略的に示す断面図である。
【００３９】
図２ａのように、少なくとも１つの貫通孔２１を具備したセラミックシート２０’を設ける。ここで、セラミックシート２０’は、充填される導電性物質２５’の高さが調節されるように、複数のセラミックグリーンシート２０ａ’、２０ｂ’を積層して形成する。
【００４０】
次いで、上記貫通孔２１の内部を導電性物質２５’で充填して、セラミックシート２０’を焼成すると、貫通孔２１の内部の導電性物質２５’も同時に焼成され、図２ｃのように焼成されたセラミックシート２０の貫通孔２１の内部に柱状導電体２５が形成される。
【００４１】
その後、図２ｄのように、焼成されたセラミックシート２０を除去して柱状導電体２５を完成する。ここで、柱状導電体２５の形状は、図示したように円柱状であってもよいが、柱状導電体２５の形状はこれに限らず、柱状導電体２５が挿入されるビアの形状によって多様に変わってもよい。
【００４２】
以下では、図３ａから図３ｄを参照し、本発明の実施例による柱状導電体を用いた多層セラミック基板の製造工程について説明する。
【００４３】
図３ａから図３ｄは、本発明の一実施例による柱状導電体を用いた多層セラミック基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【００４４】
図３ａのように、少なくとも１つの第１貫通孔３２’に導電性物質が充填されたビア３３’を含む複数のセラミックグリーンシート３１ａ’、３１ｂ’、３１ｃ’、３１ｄ’を積層してセラミック積層体３１’を設ける。
【００４５】
その後、図３ｂのように、上記ビア３３’上に上記ビア３３’と接続される緩衝電極４３”が第２貫通孔４２”の壁面に具備されたセラミックシート４１”で構成された表面シート４０”を形成した後、第２貫通孔４２”内に柱状導電体１５の一面が露出するように柱状導電体１５を挿入する。
【００４６】
次いで、図３ｃのように、前工程におけるセラミック積層体３１’を焼成してセラミック焼結体３１を形成する。ここで、セラミック焼結体３１は、焼成工程を経る過程で厚さ方向に収縮した状態であるが、柱状導電体１５は既に焼成されて形成されたものであるため、収縮しない。従って、図示したように、柱状導電体１５の所定部分がセラミック焼結体３１の外部に突出している形状を有するようになる。
【００４７】
これによって、図３ｄのように、セラミック焼結体３１を形成するステップの後に、上記セラミック焼結体３１の表面を研磨する工程をさらに行うことができる。研磨工程の後、表面シート４０は、それぞれ縮小されたサイズの第２貫通孔４２、緩衝電極４３、上記緩衝電極４３と接触する柱状導電体１５ａ及びセラミックシート４１を具備する。
【００４８】
以下では、図４ａから図４ｄを参照し、本発明の他の実施例による柱状導電体を用いた多層セラミック基板の製造工程について説明する。
【００４９】
図４ａから図４ｄは、本発明の他の実施例による柱状導電体を用いた多層セラミック基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【００５０】
図４ａのように、少なくとも１つの第１貫通孔５２’に導電性物質が充填されたビア５３’を含む複数のセラミックグリーンシート５１ａ’、５１ｂ’、５１ｃ’を積層してセラミック積層体５１’を設ける。
【００５１】
その後、図４ｂのように、上記ビア５３’上に上記ビア５３’と接続される緩衝電極６３”が第２貫通孔６２”の壁面に具備されたセラミックシート６１”で構成された表面シート６０”を形成した後、第２貫通孔６２”内に第２貫通孔６２”の長さに応じて異なる長さを有する柱状導電体１５、２５の一面が露出するように柱状導電体１５、２５を挿入する。ここで、セラミックシート６１”は、複数のセラミックグリーンシート６１ａ”、６０ｂ”を積層して形成する。
【００５２】
次いで、図４ｃのように、前工程におけるセラミック積層体５１’を焼成してセラミック焼結体５１を形成する。ここで、セラミック焼結体５１は、焼成工程を経る過程で厚さ方向に収縮した状態であるが、柱状導電体１５、２５は既に焼成されて形成されたものであるため、収縮しない。従って、図示したように、柱状導電体１５、２５の所定部分がセラミック焼結体５１の外部に突出している形状を有するようになる。
【００５３】
これによって、図４ｄのように、セラミック焼結体５１を形成するステップの後に、上記セラミック焼結体５１の表面を研磨する工程をさらに行うことができる。研磨工程の後、表面シート６０は、それぞれ縮小されたサイズの第２貫通孔６２、緩衝電極６３、上記緩衝電極６３と接触する柱状導電体１５ａ、２５ａ及びセラミックシート６１を具備する。
【００５４】
以下では、図５ａから図５ｉを参照し、本発明の実施例による柱状導電体を用いたプローブ基板の製造工程について説明する。
【００５５】
図５ａから図５ｉは、本発明の実施例による柱状導電体を用いたプローブ基板の製造工程を概略的に示す断面図である。
【００５６】
図５ａのように、少なくとも１つの第１貫通孔７２’に導電性物質が充填されたビア７３’を含む複数のセラミックグリーンシート７１ａ’、７１ｂ’、７１ｃ’、７１ｄ’を積層してセラミック積層体７１’を設ける。
【００５７】
その後、図５ｂのように、上記ビア７３’上に上記ビア７３’と接続される緩衝電極８３”が第２貫通孔８２”の壁面に具備されたセラミックシート８１”で構成された表面シート８０”を形成した後、第２貫通孔８２”内に柱状導電体１５の一面が露出するように柱状導電体１５を挿入する。
【００５８】
次いで、図５ｃのように、前工程におけるセラミック積層体７１’を焼成してセラミック焼結体７１を形成する。ここで、セラミック焼結体７１は、焼成工程を経る過程で厚さ方向に収縮した状態であるが、柱状導電体１５は既に焼成されて形成されたものであるため、収縮しない。従って、図示したように柱状導電体１５の所定部分がセラミック焼結体７１の外部に突出している形状を有するようになる。
【００５９】
これによって、図５ｄのように、セラミック焼結体７１を形成するステップの後に、上記セラミック焼結体７１の表面を研磨する工程をさらに行うことができる。研磨工程の後、表面シート８０は、それぞれ縮小されたサイズの第２貫通孔８２、緩衝電極８３、上記緩衝電極８３と接触する柱状導電体１５ａ及びセラミックシート８１を具備する。
【００６０】
その後、図５ｅに示したように、上記セラミック焼結体７１の上面または下面のうち少なくとも一面を覆うように保護層９１、９１”を形成する。上記保護層９１、９１”は、探針部９５（図５ｉを参照）を接合する過程で使われる強酸や強塩基からセラミック焼結体７１を保護するために採用されたものである。このために、上記保護層９１、９１”はセラミック材料からなってもよく、テフロン（登録商標）、繊維強化プラスチック、ポリ塩化ビニル、ウレタン等の高分子物質からなってもよいが、保護層９１、９１”を構成する物質はこれに限定されるものではない。
【００６１】
次いで、図５ｆに示したように、保護層９１、９１”が形成されたセラミック焼結体７１上にめっきシード層９２を形成する。上記めっきシード層９２は、後の工程において連結パッド９４（図５ｇ参照）が形成されるセラミック焼結体７１上に形成されることができる。
【００６２】
一方、上記めっきシード層９２は、電解めっき法を使用する場合に必要なものであるため、無電解めっき法を使用する場合は形成されないこともある。
【００６３】
その後、図５ｇに示したように、めっきシード層９２上にフォトレジスト（不図示）を塗布した後、露光、現像及びエッチングしてめっき用隔壁９３を形成する。
【００６４】
次いで、図５ｈに示したように、めっき用隔壁９３の間に金属物質を充填して連結パッド９４を形成し、図５ｉに示したように、めっき用隔壁９３を除去して連結パッド９４を形成するようになる。ここで、連結パッド９４は電解めっき法により形成されるが、上記したように無電解めっき法により形成されることもできる。その後、図示してはいないが、連結パッド９４には印刷回路基板のような部品が連結されてもよい。
【００６５】
その後、図５ｉに示したように、連結パッド９４をマスクとして使用してエッチング工程を実施することによって、めっきシード層９２の不要な部分を除去することができ、最後に、セラミック焼結体７１の一表面に探針部９５を接合し、本発明によるプローブ基板１を完成することができる。
【００６６】
ここで、探針部９５の接合は、保護層９１”と探針部９５との間にソルダーを介在した後、ソルダーを溶融させて一部が除去された保護層９１’を形成することによって行われることができる。保護層９１”上にめっきシード層９２がさらに形成された場合は、めっきシード層９２と探針部９５との間にソルダーを介在した後、ソルダーを溶融させて保護層９１”とめっきシード層９２とを除去することによって探針部９５を接合することができる。
【００６７】
上述した実施例によって製造された多層セラミック基板３０は、少なくとも１つの第１貫通孔３２に導電性物質が充填されたビア３３を含む複数のセラミックグリーンシート３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄが積層されて形成されたセラミック積層体３１、上記ビア３３上に具備され、上記ビア３３と接続される緩衝電極４３が第２貫通孔４２の壁面に具備された表面シート４０、及び上記第２貫通孔４２内に一面が露出するように挿入される柱状導電体１５ａを含んで構成されることができる。
【００６８】
また、上述した実施例によって製造されたプローブ基板１は、少なくとも１つの第１貫通孔７２に導電性物質が充填されたビア７３を含む複数のセラミックグリーンシート７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、７１ｄが積層されて形成されたセラミック積層体７１’、上記ビア７３上に具備され、上記ビア７３と接続される緩衝電極８３が第２貫通孔８２の壁面に具備された表面シート８０、及び上記第２貫通孔８２内に一面が露出するように挿入される柱状導電体１５ａ、上記セラミック積層体７１’を焼成して形成されるセラミック焼結体７１、上記セラミック焼結体７１上に形成された連結パッド９４、及び上記セラミック焼結体７１上に接合され、導電性物質からなる探針部９５を含んで構成されることができる。
【００６９】
図６ａ及び図６ｂを参照し、本発明の実施形態によって製造された多層セラミック基板と従来の多層セラミック基板とを上部から見た写真を説明する。
【００７０】
図６ａを参照すると、従来のセラミック基板を上部から見た写真では、赤円で表示したＡ部分からＨ部分のように、ビア上に空き空間が形成されていることが確認できる。
【００７１】
これに対し、図６ｂを参照すると、本発明の実施形態によって製造されたセラミック基板３０の上部から見た写真では、柱状導電体１５上に空き空間が形成されず、平坦な表面が形成されていることが確認できる。
【００７２】
本発明によると、セラミック焼結体内に形成されたビアの未充填領域を充填することができる柱状導電体を採用することで、電気的特性及び表面平坦度が向上し、さらに、セラミック焼結体と連結パッド間の接着力と電気的特性が向上した柱状導電体を用いて形成した多層セラミック基板とプローブ基板、及びその製造方法を提供することができる。
【００７３】
本発明は、上述した実施形態及び添付された図面によって限定されるものではなく、添付された請求範囲によって限定される。従って、請求範囲に記載の本発明の技術的思想を外れない範囲内において様々な形態の置換、変形及び変更が可能であることは当技術分野において通常の知識を有する者には自明であり、これも添付された請求範囲に記載された技術的思想に属する。
【符号の説明】
【００７４】
１  プローブ基板
１０、２０  焼成されたセラミックシート
１１、２１、３２、４２、５２、６２、７２、８２  貫通孔
１５、２５  柱状導電体
３１、５１、７１  セラミック焼結体
３３、５３、７３  ビア
４０、６０、８０  表面シート
４１、６１、８１  セラミックシート
４３、６３、８３  緩衝電極
９１、９１”  保護層
９２  めっきシード層
９３  めっき用隔壁
９４  連結パッド
９５  探針部
【図１ａ】
2011133456.tif 000003
【図１ｂ】
2011133456.tif 000004
【図１ｃ】
2011133456.tif 000005
【図１ｄ】
2011133456.tif 000006
【図２ａ】
2011133456.tif 000007
【図２ｂ】
2011133456.tif 000008
【図２ｃ】
2011133456.tif 000009
【図２ｄ】
2011133456.tif 000010
【図３ａ】
2011133456.tif 000011
【図３ｂ】
2011133456.tif 000012
【図３ｃ】
2011133456.tif 000013
【図３ｄ】
2011133456.tif 000014
【図４ａ】
2011133456.tif 000015
【図４ｂ】
2011133456.tif 000016
【図４ｃ】
2011133456.tif 000017
【図４ｄ】
2011133456.tif 000018
【図５ａ】
2011133456.tif 000019
【図５ｂ】
2011133456.tif 000020
【図５ｃ】
2011133456.tif 000021
【図５ｄ】
2011133456.tif 000022
【図５ｅ】
2011133456.tif 000023
【図５ｆ】
2011133456.tif 000024
【図５ｇ】
2011133456.tif 000025
【図５ｈ】
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【図５ｉ】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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