(57)【要約】【課題】開口率を充分に確保し、しかも補償容量の容量値を大きくすることができる液晶表示素子を提供する。【解決手段】画素電極１３の所定部分に誘電層を介して重なるように配置され、画素電極１３との間に補償容量Ｃｓを形成する容量電極２６を備え、前記容量電極２６を、画素電極１３と重なる辺の総距離が、画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長い形状に形成した。【選択図】図４
2011242545.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタに接続された画素電極が画素毎に形成された液晶表示素子であって、
前記画素電極の所定部分に誘電層を介して重なるように配置され、前記画素電極との間に補償容量を形成する容量電極を備え、
前記容量電極は、その各辺のうちの前記画素電極と重なる辺の総距離が、前記画素電極の全ての辺の総距離よりも長い形状に形成されていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】
前記容量電極は、前記画素電極の各辺に重なる枠形状に形成された枠状電極と、前記画素電極の前記各辺よりも内側の部分に重なるように前記枠状電極と一体に形成された枠内電極とからなっていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項３】
前記枠内電極は、前記枠状電極により囲まれた領域を所定の方向に横切るように形成された少なくとも一本の桟状電極からなっていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示素子。
【請求項４】
前記枠内電極は、前記枠状電極により囲まれた領域を所定の方向に横切るように形成された少なくとも一本の第一桟状電極と、前記領域を前記所定の方向に対して交差する方向に横切るように形成された少なくとも一本の第二桟状電極とからなっていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示素子。
【請求項５】
前記枠状電極の前記画素電極と重なる辺が、前記枠状電極と前記画素電極との重なり幅が大きくなる方向に突出した部分と、前記枠状電極と前記画素電極との重なり幅が小さくなる方向に凹入した部分とが交互に連続した凹凸形状に形成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の液晶表示素子。
【請求項６】
前記桟状電極の両側辺が、前記桟状電極と前記画素電極との重なり幅が大きくなる方向に突出した部分と、前記桟状電極と前記画素電極との重なり幅が小さくなる方向に凹入した部分とが交互に連続した凹凸形状に形成されていることを特徴とする請求項３から５の何れかに記載の液晶表示素子。
【請求項７】
前記桟状電極が、蛇行した形状に形成されていることを特徴とする請求項３から５の何れかに記載の液晶表示素子。
【請求項８】
前記容量電極は、前記画素電極の各辺に重なる枠形状に形成され、且つ該容量電極の前記画素電極と重なる辺が、前記画素電極と前記画素電極との重なり幅が大きくなる方向に突出した部分と、前記画素電極と前記画素電極との重なり幅が小さくなる方向に凹入した部分とが交互に連続した凹凸形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項９】
前記容量電極は、前記画素電極の中央部を横切るように形成され、且つ該容量電極の両側辺が、前記容量電極と前記画素電極との重なり幅が大きくなる方向に突出した部分と、前記容量電極と前記画素電極との重なり幅が小さくなる方向に凹入した部分とが交互に連続した凹凸形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項１０】
前記容量電極は、前記画素電極の中央部を横切るように形成され、且つ該容量電極の前記画素電極を横切る部分が蛇行した形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項１１】
前記画素電極は、該画素電極に設けられたスリットにより複数の画素電極部に区分されており、前記容量電極は、前記区分された各画素電極部の所定部分に重なり、且つ前記画素電極部に重なる辺の総距離がそれぞれ、前記画素電極部の前記スリットに沿った辺を含む全ての辺の総距離よりも長い形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項１２】
前記容量電極は、前記画素電極の外周の各辺に重なる枠形状に形成された枠状電極と、前記各画素電極部の前記スリットに沿った辺に重なるように前記枠状電極と一体に形成された第一の枠内電極と、前記各画素電極部の前記スリットに沿った辺を含む各辺よりも内側の部分に重なるように前記枠状電極と一体に形成された第二の枠内電極とからなっていることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタに接続された画素電極が画素毎に形成された液晶表示素子は、画素電極の電位変動を補償するために、画素電極の所定部分に誘電層を介して重なるように配置され、前記画素電極との間に補償容量を形成する容量電極を備えている。
【０００３】
前記液晶表示素子において、容量電極は、特許文献１に記載されているように、画素電極の各辺に重なるように形成されるか、或いは、特許文献２に記載されているように、画素電極の中央部を横切るように形成されている。
【０００４】
さらに、液晶表示素子には、画素電極を、該画素電極に設けられたスリットにより複数の画素電極部に区分したものがあり、この液晶表示素子では、特許文献３及び特許文献４に記載されているように、容量電極を前記画素電極の外周の各辺と前記スリットに沿った辺に重なるように形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３４１１８５号公報
【特許文献２】特開平３−１４９５２０号公報
【特許文献３】特開２００７−１４８１２３号公報
【特許文献４】ＵＳ２００３／０１１２３９８Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、前記液晶表示素子においては、画素電極の電位変動をより小さくするために、前記補償容量の容量値をできるだけ大きくすることが望まれている。
【０００７】
しかし、従来の液晶表示素子は、補償容量の容量値を大きくするために、画素電極に対する容量電極の重なり面積を大きくすると、その分だけ開口率が低下する。
【０００８】
この発明は、開口率を充分に確保し、しかも補償容量の容量値を大きくすることができる液晶表示素子を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、薄膜トランジスタに接続された画素電極が画素毎に形成された液晶表示素子であって、
前記画素電極の所定部分に誘電層を介して重なるように配置され、前記画素電極との間に補償容量を形成する容量電極を備え、
前記容量電極は、その各辺のうちの前記画素電極と重なる辺の総距離が、前記画素電極の全ての辺の総距離よりも長い形状に形成されていることを特徴とする。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、前記請求項１に記載の液晶表示素子において、前記容量電極は、前記画素電極の各辺に重なる枠形状に形成された枠状電極と、前記画素電極の前記各辺よりも内側の部分に重なるように前記枠状電極と一体に形成された枠内電極とからなっていることを特徴とする。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、前記請求項２に記載の液晶表示素子において、前記枠内電極は、前記枠状電極により囲まれた領域を所定の方向に横切るように形成された少なくとも一本の桟状電極からなっていることを特徴とする。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、前記請求項２に記載の液晶表示素子において、前記枠内電極は、前記枠状電極により囲まれた領域を所定の方向に横切るように形成された少なくとも一本の第一桟状電極と、前記領域を前記所定の方向に対して交差する方向に横切るように形成された少なくとも一本の第二桟状電極とからなっていることを特徴とする。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、前記請求項３または４に記載の液晶表示素子において、前記枠状電極の前記画素電極と重なる辺が、前記枠状電極と前記画素電極との重なり幅が大きくなる方向に突出した部分と、前記枠状電極と前記画素電極との重なり幅が小さくなる方向に凹入した部分とが交互に連続した凹凸形状に形成されていることを特徴とする。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、前記請求項３から５の何れかに記載の液晶表示素子において、前記桟状電極の両側辺が、前記桟状電極と前記画素電極との重なり幅が大きくなる方向に突出した部分と、前記桟状電極と前記画素電極との重なり幅が小さくなる方向に凹入した部分とが交互に連続した凹凸形状に形成されていることを特徴とする。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、前記請求項３から５の何れかに記載の液晶表示素子において、前記桟状電極が、蛇行した形状に形成されていることを特徴とする。
【００１６】
請求項８に記載の発明は、前記請求項１に記載の液晶表示素子において、前記容量電極は、前記画素電極の各辺に重なる枠形状に形成され、且つ該容量電極の前記画素電極と重なる辺が、前記画素電極と前記画素電極との重なり幅が大きくなる方向に突出した部分と、前記画素電極と前記画素電極との重なり幅が小さくなる方向に凹入した部分とが交互に連続した凹凸形状に形成されていることを特徴とする。
【００１７】
請求項９に記載の発明は、前記請求項１に記載の液晶表示素子において、前記容量電極は、前記画素電極の中央部を横切るように形成され、且つ該容量電極の両側辺が、前記容量電極と前記画素電極との重なり幅が大きくなる方向に突出した部分と、前記容量電極と前記画素電極との重なり幅が小さくなる方向に凹入した部分とが交互に連続した凹凸形状に形成されていることを特徴とする。
【００１８】
請求項１０に記載の発明は、前記請求項１に記載の液晶表示素子において、前記容量電極は、前記画素電極の中央部を横切るように形成され、且つ該容量電極の前記画素電極を横切る部分が蛇行した形状に形成されていることを特徴とする。
【００１９】
請求項１１に記載の発明は、前記請求項１に記載の液晶表示素子において、前記画素電極は、該画素電極に設けられたスリットにより複数の画素電極部に区分されており、前記容量電極は、前記区分された各画素電極部の所定部分に重なり、且つ前記画素電極部に重なる辺の総距離がそれぞれ、前記画素電極部の前記スリットに沿った辺を含む全ての辺の総距離よりも長い形状に形成されていることを特徴とする。
【００２０】
請求項１２に記載の発明は、前記請求項１１に記載の液晶表示素子において、前記容量電極は、前記画素電極の外周の各辺に重なる枠形状に形成された枠状電極と、前記各画素電極部の前記スリットに沿った辺に重なるように前記枠状電極と一体に形成された第一の枠内電極と、前記各画素電極部の前記スリットに沿った辺を含む各辺よりも内側の部分に重なるように前記枠状電極と一体に形成された第二の枠内電極とからなっていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
この発明の液晶表示素子によれば、開口率を充分に確保し、しかも補償容量の容量値を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】この発明の第一実施例を示す液晶表示素子の平面図。
【図２】前記液晶表示素子の側面図。
【図３】前記液晶表示素子の第一基板の一部分の平面図。
【図４】図３の一つの画素部の拡大図。
【図５】図４のV−V矢視線に沿う拡大断面図。
【図６】図４のVI−VI矢視線に沿う拡大断面図。
【図７】第一実施例の液晶表示素子における図４のVII−VII矢視線に沿った断面における補償容量の幅と開口部の幅を示す模式図。
【図８】第一比較例の液晶表示素子の第一基板の一つの画素部の平面図。
【図９】第一比較例の液晶表示素子における図８のIX−IX矢視線に沿った断面における補償容量の幅と開口部の幅を示す模式図。
【図１０】第二比較例の液晶表示素子の第一基板の一つの画素部の平面図。
【図１１】第二比較例の液晶表示素子における図１０のXI−XI矢視線に沿った断面における補償容量の幅と開口部の幅を示す模式図。
【図１２】この発明の第二実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一つの画素部の平面図。
【図１３】この発明の第三実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一つの画素部の平面図。
【図１４】この発明の第四実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一つの画素部の平面図。
【図１５】この発明の第五実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一つの画素部の平面図。
【図１６】この発明の第六実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一つの画素部の平面図。
【図１７】この発明の第七実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一つの画素部の平面図。
【図１８】この発明の第八実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一つの画素部の平面図。
【図１９】この発明の第九実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一つの画素部の平面図。
【図２０】この発明の第十実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一つの画素部の平面図。
【図２１】この発明の第十一実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一つの画素部の平面図。
【図２２】この発明の第十二実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一つの画素部の平面図。
【図２３】図２２のXXIII−XXIII矢視線に沿う拡大断面図。
【図２４】この発明の第十三実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一つの画素部の平面図。
【図２５】この発明の第十四実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一つの画素部の平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
［第一実施例］
この発明の液晶表示素子１は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）をスイッチング素子としたアクティブマトリックス型液晶表示素子であり、図１〜図６のように、画面エリア２内に複数の画素１０が行方向及び列方向に配列され、各画素１０毎に、ＴＦＴ１４に接続された画素電極１３が形成されている。
【００２４】
この液晶表示素子１は、所定の間隙を設けて対向配置された透明な第一基板１１と透明な第二基板１２とを備えている。そして、各画素電極１３とＴＦＴ１４は、第一基板（この実施例では表示面側とは反対側の基板）１１の第二基板１２と対向する面に形成されている。
【００２５】
前記画素電極１３は、ＩＴＯ膜等の透明導電膜により、例えば縦幅（列方向に沿った長さ）が横幅（行方向に沿った長さ）よりも大きい矩形形状に形成されている。また、前記ＴＦＴ１４は、各画素電極１３にそれぞれ対応させて、前記画素電極１３の縦幅方向の一端側の近傍に配置されている。
【００２６】
前記ＴＦＴ１４は、第一基板１１上に形成されたゲート電極１５と、前記第一基板１１上の全域に前記ゲート電極１５を覆って形成された透明なゲート絶縁膜１６と、このゲート絶縁膜１６上にゲート電極１５と対向させて形成された真正アモルファスシリコンからなる半導体薄膜１７と、前記半導体薄膜１７の上面の中央部に設けられたチャネル保護膜１８と、前記半導体薄膜１７のチャネル領域を挟んで、その一方の側と他方の側との上にそれぞれｎ型アモルファスシリコンからなるコンタクト層１９を介して形成されたソース電極２０及びドレイン電極２１とからなっている。
【００２７】
また、前記第一基板１１には、各画素電極１３の行毎に行方向に延伸させて配線された複数の走査信号線２２が設けられている。この走査信号線２２は、各画素電極行の間の領域に、ＴＦＴ１４の配置位置を通るように形成されており、各行のＴＦＴ１４のゲート電極１５に接続されている。なお、この走査信号線２２は、第一基板１１上に、前記ゲート電極１５と一体に形成されており、前記ゲート絶縁膜１６により覆われている。
【００２８】
さらに、前記第一基板１１には、各画素電極１３の列毎に列方向に延伸させて配線された複数のデータ信号線２３が設けられている。このデータ信号線２３は、各画素電極列の間の領域に形成されており、各列のＴＦＴ１４のソース電極２０に接続されている。なお、このデータ信号線２３は、前記ゲート絶縁膜１６の上に、前記ソース電極２０と一体に形成されている。
【００２９】
この実施例において、前記ＴＦＴ１４と走査信号線２２とデータ信号線２３は、第一基板１１上にゲート電極１５と走査信号線２２を形成し、さらにゲート絶縁膜１６と半導体薄膜１７とチャネル保護膜１８とを順次成膜して前記チャネル保護膜１８を半導体薄膜１７の中央部を覆う形状にパターニングした後に、コンタクト層１９と金属膜とを順次成膜し、前記金属膜とコンタクト層１９及び半導体薄膜１７を一括してソース電極２０及びドレイン電極２１とデータ信号線２３の形状にパターニングする工程で形成されている。そのため、前記データ信号線２３は、図６のように、ＴＦＴ１４を構成する積層膜のうちの半導体薄膜１７とコンタクト層１９とからなる下地層の上に形成されている。
【００３０】
さらに、前記ゲート絶縁膜１６の上には、各ＴＦＴ１４及びデータ信号線２３を覆って透明な被覆絶縁膜２４が設けられており、この被覆絶縁膜２４の上に、画素電極１３が形成されている。なお、図３及び図４では、便宜上、前記被覆絶縁膜２４を省略している。
【００３１】
また、前記ＴＦＴ１４のドレイン電極２１は、該ＴＦＴ１４に対応する画素電極１３の端部に重なるように延長されており、前記画素電極１３は、前記被覆絶縁膜２４に穿設されたコンタクト孔２５において、前記ドレイン電極２１の延長部に接続されている。
【００３２】
また、前記第一基板１１には、各画素１０毎に、画素電極１３の所定部分に誘電層を介して重なるように配置され、前記画素電極１３との間に補償容量Ｃｓを形成する容量電極２６が設けられている。
【００３３】
この容量電極２６は、第一基板１１上に、前記ゲート電極１５及び走査信号線２２と同じ金属膜により形成されており、前記誘電層は、ゲート絶縁膜１６と被覆絶縁膜２４との二層膜からなっている。
【００３４】
前記容量電極２６は、その各辺のうちの画素電極１３と重なる辺の総距離が、前記画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長い形状に形成されている。この実施例において、前記容量電極２６は、画素電極１３の各辺に重なる枠形状に形成された枠状電極２７と、前記画素電極１３の各辺よりも内側の部分に重なるように前記枠状電極２７と一体に形成された枠内電極２８とからなっている。
【００３５】
なお、前記枠状電極２７は、画素電極１３の全ての辺に重なるように、前記画素電極１３の全周に亘って連続した枠形状に形成されている。さらに、この枠状電極２７は、画素電極１３の各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ前記画素電極１３の外方に張り出した形状に形成されている。以下、前記枠状電極２７のうちの画素電極１３の走査信号線２２の延伸方向と平行な辺に重なる部分を横枠部、前記画素電極１３のデータ信号線２３の延伸方向と平行な辺に重なる部分を縦枠部という。
【００３６】
また、前記枠内電極２８は、前記枠状電極２７により囲まれた領域を所定の方向に横切るように形成された少なくとも一本の桟状電極２９からなっている。この実施例において、前記桟状電極２９は、前記枠状電極２７により囲まれた領域を画素電極１３の横幅方向と平行な方向に横切るように形成されている。さらに、前記桟状電極２９は、前記枠状電極２７により囲まれた領域を同程度の面積の複数の開口部に区画するように、画素電極１３の縦幅方向に間隔をおいて複数本（図では四本）互いに平行に形成されている。
【００３７】
そして、各画素１０の容量電極２６は、行毎に、隣り合う容量電極２６，２６の枠状電極２７，２７同士を、その一端側（図では走査信号線２２に隣接する側とは反対側）において連続させて形成することにより共通接続されている。
【００３８】
一方、第二基板１２の第一基板１１と対向する面には、図５及び図６のように、赤、緑、青の三色のカラーフィルタ３０が、各画素１０の列毎に交互に並べて形成される共に、各行及び各列の隣り合う画素１０，１０の間の領域に対応させて遮光膜３１が形成されている。なお、図５及び図６に示したカラーフィルタ３０は、前記三色のうちの一色のフィルタである。また、前記遮光膜３１は、例えば黒色系の顔料を添加した感光性樹脂により形成されており、各色のカラーフィルタ３０は、第二基板１２上の遮光膜３１の無い領域に形成されている。
【００３９】
さらに、前記第二基板１２には、前記各画素電極１３と対向する共通電極３２が設けられている。この共通電極３２は、前記カラーフィルタ３０及び遮光膜３１の上に、ＩＴＯ膜等の透明導電膜により、画面エリア２の全域に亘って形成されている。
【００４０】
また、前記第一基板１１には、各画素電極１３を覆って第一配向膜３３が設けられ、第二基板１２には、共通電極３２を覆って第二配向膜３４が設けられている。なお、図３及び図４では、前記第一配向膜３３を省略している。
【００４１】
前記第一基板１１と第二基板１２は、図１及び図２のように、画面エリア２を囲む枠状のシール材３５を介して貼り合わされており、これらの基板１１，１２間の間隙の前記シール材３５で囲まれた領域に液晶３６が封入されている。
【００４２】
さらに、第一基板１１の外面には、第一偏光板３７が、その吸収軸を所定の方向に向けて配置され、第二基板１２の外面には、第二偏光板３８が、その吸収軸を所定の方向に向けて配置されている。
【００４３】
なお、この実施例の液晶表示素子１における液晶分子の配向モードは、液晶分子を基板１１，１２間においてツイスト配向させたＴＮ型またはＳＴＮ型、液晶分子を分子長軸を一方向に揃えてホモジニアス配向させた非ツイストの水平配向型、液晶分子を基板１１，１２面に対して垂直な方向に分子長軸を向けて配向させた垂直配向型、液晶分子をベンド配向させたベンド配向型等の何れのモードでもよい。
【００４４】
また、前記第一基板１１には、図２及び図３のように、例えば画面エリア２の上下方向（列方向）の一端側に、第二基板１２の外方に張出すドライバ搭載部１１ａが形成されており、このドライバ搭載部１１ａに、複数の入力端子と複数の走査信号出力端子及び複数のデータ信号出力端子（図示せず）が形成されたＬＳＩからなるドライバ素子３９が搭載されている。
【００４５】
そして、各走査信号線２２は、画面エリア１ａの外側を迂回させて前記ドライバ素子３９の各走査信号出力端子にそれぞれ接続され、各データ信号線２３は、前記ドライバ素子３９の各データ信号出力端子にそれぞれ接続されている。
【００４６】
さらに、前記ドライバ搭載部１１ａには、共通電極端子４０が形成されており、前記共通電極３２は、前記シール材３５による基板接合部に設けられたクロス接続部（図示せず）を介して、前記共通電極端子４０に接続されている。
【００４７】
また、図では省略しているが、行毎に共通接続された全ての行の容量電極２６は、画面エリア２の外側にデータ信号線２３と平行に配線された一本の電圧供給線に接続され、この電圧供給線を介して前記共通電極端子４０に接続されている。すなわち、前記全ての行の容量電極２６には、共通電極端子４０への印加信号と同じ信号が印加される。
【００４８】
前記液晶表示素子１は、各画素１０の行（以下、画素行という）を一行ずつ順次選択し、各画素行毎にその行の各画素１０の画素電極１３と共通電極３２との間に電圧を印加することにより駆動され、前記電圧の印加による液晶分子の配向状態の変化により、前記画素１０の光の透過を制御して画像を表示する。なお、この液晶表示素子１の背後（表示面側とは反対側）には、画面エリア２の全域に向けて均一な照度の光を照射する面光源（図示せず）が配置されている。
【００４９】
この液晶表示素子１は、前記容量電極２６が、その各辺のうちの画素電極１３と重なる辺の総距離、つまり枠状電極２７の各横枠部及び各縦枠部の内側辺の距離と各桟状電極２９の両側辺の距離の合計値が、前記画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長い形状に形成されているため、開口率を充分に確保し、しかも補償容量Ｃｓの容量値を大きくすることができる。
【００５０】
すなわち、前記容量電極２６は、画素電極１３の各辺に重なり、且つ前記画素電極１３の各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ画素電極１３の外方に張り出した枠形状に形成された枠状電極２７と、前記画素電極１３の各辺よりも内側の部分に重なるように前記枠状電極２７と一体に形成された枠内電極２８とからなっている。
【００５１】
そのため、前記枠状電極２７と画素電極１３との間の補償容量Ｃｓは、枠状電極２７と画素電極１３とが重なっている領域だけでなく、枠状電極２７の各横枠部の内側辺及び各縦枠部の内側辺から画素電極１３の中央方向に向かって斜めに広がった領域と、前記画素電極１３の各辺から枠状電極２７の張り出し部に向かって斜めに広がった領域にも形成される。
【００５２】
また、各桟状電極２９と画素電極１３との間の補償容量Ｃｓは、桟状電極２９と画素電極１３とが重なっている領域だけでなく、桟状電極２９の一側辺及び他側辺から画素電極１３に向かって斜めに広がった領域にも形成される。
【００５３】
図７は、上記実施例の液晶表示素子１における図４のVII−VII矢視線に沿った断面における補償容量Ｃｓの幅と開口部の幅を模式的に示しており、図において、破線ハッチングを施した領域が、前記補償容量Ｃｓが形成される領域である。なお、図７では、画素電極１３と容量電極２６との間の誘電層（ゲート絶縁膜１６と被覆絶縁膜２４との二層膜）を単層膜のように簡略化している。
【００５４】
このように、前記枠状電極２７の各辺部と画素電極１３との間の補償容量Ｃｓは、枠状電極２７の辺部の幅よりも広い幅に形成され、前記桟状電極２９と画素電極１３との間の補償容量Ｃｓは、桟状電極２９の幅よりも広い幅に形成される。
【００５５】
ここで、枠状電極２７の各横枠部の画素電極１３との重なり幅が等しく、また、桟状電極２９の数が四本で、これらの桟状電極２９の幅が等しい場合、前記枠状電極２７の各横枠部と画素電極１３との間に形成される補償容量Ｃｓのうちの画素電極１３内の領域に形成される容量の幅をそれぞれＳ１、各桟状電極２９と画素電極１３との間に形成される補償容量Ｃｓの幅をそれぞれＳ２とすると、図７の断面における画素電極１３内の領域の補償容量Ｃｓの総幅は、Ｓ１×２＋Ｓ２×４になる。
【００５６】
また、画素１０の光が透過する開口部は、前記画素電極１３の面積のうちの容量電極２６が重なっていない部分であり、図７の断面における開口部の総幅は、画素電極１３の幅Ｗから、前記枠状電極２７の画素電極１３と重なる部分の幅と、全ての桟状電極２９の幅とを差しいた値である。ここで、枠状電極２７の各横枠部の画素電極１３と重なる部分の幅をｄ１、各桟状電極２９の幅をｄ２とすると、前記断面における開口部の総幅は、Ｗ−（ｄ１×２＋ｄ２×４）になる。
【００５７】
一方、図８に示した第一比較例の液晶表示素子は、容量電極１２６を、画素電極１３の各辺に重なる枠形状に形成したものである。この第一比較例は、容量電極１２６の内側辺の形状が、画素電極１３の外形よりも一回り小さいため、前記容量電極１２６の画素電極１３と重なる辺の総距離は、前記画素電極１３の全ての辺の総距離よりも短い。なお、この第一比較例の液晶表示素子は、容量電極１２６以外は上記実施例と同じ構成のものであるから、重複する説明は図に同符号を付して省略する。
【００５８】
図９は、上記第一比較例の液晶表示素子における図８のIX−IX矢視線に沿った断面における補償容量Ｃｓの幅と開口部の幅を模式的に示しており、この第一比較例では、容量電極１２６の各横枠部と画素電極１３との間に形成される補償容量Ｃｓのうちの画素電極１３内の領域に形成される容量の幅をそれぞれＳ１０とすると、図９の断面における画素電極１３内の領域の補償容量Ｃｓの総幅はＳ１０×２である。また、前記断面における開口幅は、画素電極１３の幅Ｗから前記枠状電極１２７の各辺部の画素電極１３と重なる部分の幅をｄ１０を差し引いた値（Ｗ−ｄ１０×２）である。
【００５９】
この第一比較例の液晶表示素子は、画素電極１３の各辺に沿って補償容量Ｃｓを形成したものであるため、補償容量Ｃｓの容量値を大きくするには、前記容量電極１２６の各辺の幅を大きくし、画素電極１３に対する容量電極１２６の重なり面積を大きくしなければならない。しかし、このように画素電極１３に対する容量電極２２６の重なり面積を大きくしたのでは、その分だけ開口率が低下する。
【００６０】
また、図１０に示した第二比較例の液晶表示素子は、容量電極２２６を、画素電極１３の中央部を横切るように形成したものである。この第二比較例は、容量電極１２６の画素電極１３を横切る部分の長さが画素電極１３の横幅と同じであるため、前記容量電極２２６の画素電極１３と重なる辺の総距離は、前記画素電極１３の全ての辺の総距離よりも短い。なお、この第二比較例の液晶表示素子は、容量電極２２６以外は上記実施例と同じ構成のものであるから、重複する説明は図に同符号を付して省略する。
【００６１】
図１１は、上記第二比較例の液晶表示素子における図１０のXＩ−XＩ矢視線に沿った断面における補償容量Ｃｓの幅と開口部の幅を模式的に示しており、この第二比較例では、図１１の断面における補償容量Ｃｓの幅Ｓ２０が容量電極２２６の幅ｄ２０よりもある程度大きい。また、前記断面における開口部の総幅は、画素電極１３の幅Ｗから前記容量電極２２６の幅ｄ２０を差し引いた値（Ｗ−ｄ２０）である。
【００６２】
この第二比較例の液晶表示素子は、画素電極１３の中央部を横切るように、前記容量電極２２６と画素電極１３との重なり幅よりも幅広の補償容量Ｃｓを形成したものであるため、補償容量Ｃｓの容量値を大きくするには、前記容量電極２２６の幅を大きくし、画素電極１３に対する容量電極２２６の重なり面積を大きくしなければならない。しかし、このように画素電極１３に対する容量電極２２６の重なり面積を大きくしたのでは、その分だけ開口率が低下する。
【００６３】
上記実施例の液晶表示素子１は、画素電極１３の各辺に重なる枠状電極２７と、前記枠状電極２７により囲まれた領域を横切るように形成された複数本の桟状電極２９とからなる容量電極２６を備え、前記枠状電極２７と画素電極１３との間及び各桟状電極２９と画素電極との間に補償容量Ｃｓを形成しているため、前記補償容量Ｃｓが形成される領域の総距離が、上記第一比較例及び第二比較例の液晶表示素子よりも大きい。
【００６４】
そして、図７に示したように、画素電極１３と前記枠状電極２７との間に形成される補償容量Ｃｓの幅Ｓ１は、前記枠状電極２７の画素電極１３と重なる部分の幅ｄ１よりも広く、また、前記画素電極１３と桟状電極２９との間に形成される補償容量Ｃｓの幅Ｓ２は、前記桟状電極２９の幅ｄ２よりも広い。
【００６５】
そのため、上記実施例の液晶表示素子１は、容量電極２６と画素電極１３との重なり部の総面積が、上記第一比較例における容量電極１２６と画素電極１３との重なり部の総面積と同じでも、補償容量Ｃｓの総面積は第一比較例よりも大きい。
【００６６】
また、上記実施例の液晶表示素子１は、前記容量電極２６と画素電極１３との重なり部の総面積が、上記第二比較例における容量電極２２６と画素電極１３との重なり部の総面積と同じでも、補償容量Ｃｓの総面積は第一比較例よりも大きい。
【００６７】
そして、前記補償容量Ｃｓの容量値は、その面積と誘電層１６，２４の層厚とによって決まるが、前記誘電層１６，２４の層厚が同じであれば、面積が大きいほど容量値が大きくなる。
【００６８】
上記実施例の液晶表示素子１は、容量電極２６の画素電極１３と重なる辺の総距離が前記画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長いため、上記第一及び第二比較例のように画素電極１３に対する容量電極１２６，２２６の重なり面積を大きくしなくても補償容量Ｃｓの総面積を充分に確保することができる。従って、開口率を充分に確保し、しかも補償容量Ｃｓの容量値を大きくすることができる。
【００６９】
なお、上記第一実施例では、容量電極２６を、枠状電極２７と枠内電極２８とにより形成し、さらに、前記枠内電極２８を四本の桟状電極２９により形成しているが、前記枠内電極２８は、他の本数、例えば一本の桟状電極２９により形成してもよい。
【００７０】
［第二実施例］
図１２に示した第二実施例は、前記枠内電極２８を一本の桟状電極２９により形成したものであり、他の構成は上記第一実施例と同じである。この第二実施例においても、前記容量電極２６の画素電極１３と重なる辺の総距離が、前記画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長いため、開口率を充分に確保し、しかも補償容量Ｃｓの容量値を大きくすることができる。
【００７１】
なお、この第二実施例において、前記枠状電極２７の横枠部及び縦枠部と桟状電極２９とを、前記枠状電極２７の画素電極１３と重なる部分の幅と前記桟状電極２９の幅との和が、第一実施例における枠状電極２７の画素電極１３と重なる部分の幅と各桟状電極２９の幅との和と等しくなるような幅に形成すれば、開口率と補償容量Ｃｓの容量値を第一実施例と同じにすることができる。
【００７２】
［第三実施例］
図１３に示した第三実施例は、前記枠内電極２８を、枠状電極２７により囲まれた領域を所定の方向に横切るように形成された一本の第一桟状電極２９ａと、前記領域を前記所定の方向に対して交差する方向に横切るように形成された一本の第二桟状電極２９ｂとにより形成したものであり、他の構成は上記第一実施例と同じである。
【００７３】
なお、この第三実施例では、第一桟状電極２９ａを、枠状電極２７により囲まれた領域を画素電極１３の横幅方向と平行な方向に横切るように形成し、第二桟状電極２９ｂを、前記領域を画素電極１３の縦幅方向と平行な方向に横切るように形成している。
【００７４】
この第三実施例においても、前記容量電極２６の画素電極１３と重なる辺の総距離が、前記画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長いため、開口率を充分に確保し、しかも補償容量Ｃｓの容量値を大きくすることができる。
【００７５】
［第四実施例］
図１４に示した第四実施例は、前記枠内電極２８を、複数本（図では四本）の第一桟状電極２９ａと複数本（図では三本）の第二桟状電極２９ｂとからなる格子形状に形成したものであり、他の構成は上記第一実施例と同じである。
【００７６】
この第四実施例においても、前記容量電極２６の画素電極１３と重なる辺の総距離が、前記画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長いため、開口率を充分に確保し、しかも補償容量Ｃｓの容量値を大きくすることができる。
【００７７】
［第五実施例］
図１５に示した第五実施例は、容量電極２６を、枠状電極２７と、前記枠状電極２７により囲まれた領域を所定の方向、例えば画素電極１３の横幅方向と平行な方向に横切るように形成された少なくとも一本の桟状電極２９からなる枠内電極２８とにより形成すると共に、前記枠状電極２７の画素電極１３と重なる辺を、枠状電極２７と画素電極１３との重なり幅が大きくなる方向に突出した部分と、枠状電極２７と画素電極１３との重なり幅が小さくなる方向に凹入した部分とが交互に連続した凹凸形状に形成したものであり、他の構成は上記第一実施例と同じである。
【００７８】
なお、この第五実施例では、前記枠状電極２７の画素電極１３と重なる辺を、矩形波状の凹凸形状に形成している。また、この第五実施例では、前記枠状電極２７により囲まれた領域に一本の桟状電極２９を形成している。
【００７９】
この第五実施例では、枠状電極２７の画素電極１３と重なる辺、つまり横枠部及び縦枠部の内側辺をそれぞれ凹凸形状に形成しているため、前記横枠部及び縦枠部の内側辺をそれぞれ直線辺に形成したものよりも長くすることができる。
【００８０】
そして、前記枠状電極２７の画素電極１３との間の補償容量Ｃｓは、枠状電極２７と画素電極１３とが重なっている領域だけでなく、枠状電極２７の各横枠部の内側辺及び各縦枠部の内側辺から画素電極１３の中央方向に向かって斜めに広がった領域及び前記画素電極１３の各辺から枠状電極２７の張り出し部に向かって斜めに広がった領域にも形成されるが、枠状電極２７の横枠部及び縦枠部の内側辺が凹凸形状に形成されているため、前記補償容量Ｃｓのうちの枠状電極２７の内側辺側の領域の容量が、前記横枠部及び縦枠部の内側辺のうちの突出辺と凹入辺からそれぞれ画素電極１３の内側方向に広がり、さらに前記突出辺と凹入辺との間の二つの辺からこれらの辺間の方向に広がるように形成される。
【００８１】
そのため、この第五実施例によれば、開口率を充分に確保し、しかも、補償容量Ｃｓの容量値を、開口率が同じで、且つ枠状電極２７の横枠部及び縦枠部の内側辺を直線辺に形成したものよりも大きくすることができる。
【００８２】
［第六実施例］
図１６に示した第六実施例は、容量電極２６を、枠状電極２７と、前記枠状電極２７により囲まれた領域を所定の方向、例えば画素電極１３の横幅方向と平行な方向に横切るように形成された少なくとも一本（図では二本）の桟状電極２９からなる枠内電極２８とにより形成すると共に、前記桟状電極２９の両側辺をそれぞれ、桟状電極２９と画素電極１３との重なり幅が大きくなる方向に突出した部分と、桟状電極２９と前記画素電極１３との重なり幅が小さくなる方向に凹入した部分とが交互に連続した凹凸形状に形成したものであり、他の構成は上記第一実施例と同じである。
【００８３】
この第六実施例では、前記桟状電極２９の両側辺を凹凸形状に形成しているため、この桟状電極２９の両側辺の距離を、前記両側辺を直線辺に形成したものよりも長くすることができる。
【００８４】
そのため、この第六実施例によれば、開口率を充分に確保し、しかも、補償容量Ｃｓの容量値を、開口率が同じで、且つ桟状電極２９の両側辺を直線辺に形成したものよりも大きくすることができる。
【００８５】
［第七実施例］
図１７に示した第七実施例は、容量電極２６を、枠状電極２７と、前記枠状電極２７により囲まれた領域を所定の方向、例えば画素電極１３の横幅方向と平行な方向に横切るように形成された少なくとも一本（図では二本）の桟状電極２９からなる枠内電極２８とにより形成すると共に、前記桟状電極２９を蛇行した形状に形成したものであり、他の構成は上記第一実施例と同じである。なお、この第七実施例では、前記桟状電極２９を矩形波状に蛇行した形状に形成している。
【００８６】
この第七実施例では、前記桟状電極２９を蛇行した形状に形成しているため、この桟状電極２９の両側辺の距離を、桟状電極２９を直線状に形成したものよりも長くすることができる。
【００８７】
そのため、この第六実施例によれば、開口率を充分に確保し、しかも、補償容量Ｃｓの容量値を、開口率が同じで、且つ桟状電極２９を直線状に形成したものよりも大きくすることができる。
【００８８】
［第八実施例］
図１８に示した第八実施例は、容量電極２６を、枠状電極２７と、前記枠状電極２７により囲まれた領域を所定の方向、例えば画素電極１３の横幅方向と平行な方向に横切るように形成された少なくとも一本の桟状電極２９からなる枠内電極２８とにより形成すると共に、前記枠状電極２７の画素電極１３と重なる辺を上記第五実施例のような凹凸形状に形成し、さらに前記桟状電極２９の両側辺を、上記第六実施例のような凹凸形状に形成したものであり、他の構成は上記第一実施例と同じである。なお、この第八実施例において、前記桟状電極２９は、その両側辺を凹凸形状に形成する代わりに、上記第七実施例のような蛇行形状に形成してもよい。
【００８９】
この第八実施例では、枠状電極２７の横枠部及び縦枠部の内側辺の距離を、前記横枠部及び縦枠部の内側辺をそれぞれ直線辺に形成したものよりも長くすると共に、前記桟状電極２９の両側辺の距離を、桟状電極２９を直線状に形成したものよりも長くすることができる。
【００９０】
そのため、この第六実施例によれば、開口率を充分に確保し、しかも、補償容量Ｃｓの容量値を、開口率が同じで、且つ枠状電極２７の横枠部及び縦枠部の内側辺を直線辺に形成し、桟状電極２９を直線状に形成したものよりも大きくすることができる。
【００９１】
［第九実施例］
図１９に示した第九実施例は、容量電極２６を、画素電極１３の各辺に重なる枠形状に形成し、且つ該容量電極２６の画素電極１３と重なる辺を上記第五実施例のような凹凸形状に形成することにより、この容量電極２６の画素電極１３と重なる辺の総距離を、前記画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長くしたものであり、他の構成は上記第一実施例と同じである。
【００９２】
この第九実施例によれば、前記容量電極２６を、画素電極１３と重なる辺の総距離が画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長い形状に形成しているため、開口率を充分に確保し、しかも補償容量Ｃｓの容量値を大きくすることができる。
【００９３】
［第十実施例］
図２０に示した第十実施例は、容量電極２６を、画素電極１３の中央部を横切るように形成し、且つ該容量電極２６の両側辺を、上記第五実施例のような凹凸形状に形成することにより、この容量電極２６の画素電極１３と重なる辺の総距離を、前記画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長くしたものであり、他の構成は上記第一実施例と同じである。
【００９４】
この第十実施例によれば、前記容量電極２６を、画素電極１３と重なる辺の総距離が画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長い形状に形成しているため、開口率を充分に確保し、しかも補償容量Ｃｓの容量値を大きくすることができる。
【００９５】
［第十一実施例］
図２１に示した第十一実施例は、容量電極２６を、画素電極１３の中央部を横切るように形成し、且つ該容量電極２６の画素電極１３を横切る部分を蛇行した形状に形成することにより、この容量電極２６の画素電極１３と重なる辺の総距離を、前記画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長くしたものであり、他の構成は上記第一実施例と同じである。
【００９６】
この第十一実施例によれば、前記容量電極２６を、画素電極１３と重なる辺の総距離が画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長い形状に形成しているため、開口率を充分に確保し、しかも補償容量Ｃｓの容量値を大きくすることができる。
【００９７】
［第十二実施例］
図２２及び図に示した第十二実施例は、容量電極２６を、ＴＦＴ１４の形成面よりも上層に配置したものである。なお、この第十二実施例において、上記第一実施例に対応するものには同符号を付し、同一のものについてはその説明を省略する。
【００９８】
この第十二実施例において、ＴＦＴ１４は、上記第一実施例と同じ積層膜により構成されている。また、走査信号線２２は、第一基板１１上に形成され、ＴＦＴ１４のゲート絶縁膜１６により覆われている。そして、データ信号線２３は、前記ゲート絶縁膜１６の上に形成されている。なお、この第二実施例においても、データ信号線２３は、ＴＦＴ１４を構成する積層膜のうちの半導体薄膜１７とコンタクト層１９とからなる下地層の上に形成されている。
【００９９】
そして、前記容量電極２６は、前記ゲート絶縁膜１６上にＴＦＴ１４及びデータ信号線２３を覆って設けられた透明な第一被覆絶縁膜２４ａの上に、上記第一実施例と同じ形状に形成されている。
【０１００】
また、画素電極１３は、前記第一被覆絶縁膜２４ａの上に容量電極２６を覆って設けられた透明な第二被覆絶縁膜２４ｂの上に、上記第一実施例と同じ形状に形成されている。すなわち、この第十二実施例において、画素電極１３と容量電極２６との間の誘電層は、前記第二被覆絶縁膜２４ｂからなっている。なお、図２２では、前記第二被覆絶縁膜２４ｂを省略している。
【０１０１】
前記第一被覆絶縁膜２４ａ及び第二被覆絶縁膜２４ｂには、ＴＦＴ１４のドレイン電極２１から該ＴＦＴ１４に対応する画素電極１３の端部に重なるように延長された部分と重なる部分に穿設されたコンタクト孔２５ａが形成されている。そして、画素電極１３は、前記コンタクト孔２５ａにおいてＴＦＴ１４のドレイン電極２１の延長部に接続されている。
【０１０２】
なお、この第十二実施例では、画素電極１３のコンタクト孔２５ａ内に入り込んだ部分（ＴＦＴ１４との接続部）が容量電極２６と短絡することがないように、前記容量電極２６の枠状電極２７のうちのコンタクト孔２５ａに対応する部分を、前記コンタクト孔２５ａの平面形状よりも大きく切欠した形状に形成している。
【０１０３】
この第十二実施例においても、容量電極２６を、上記第一実施例と同じ形状、つまり、枠状電極２７と複数本の桟状電極２９からなる枠内電極２８とを有する形状に形成することにより、この容量電極２６の画素電極１３と重なる辺の総距離を、前記画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長くしているため、開口率を充分に確保し、しかも補償容量Ｃｓの容量値を大きくすることができる。
【０１０４】
なお、上記第十二実施例では、容量電極２６を上記第一実施例と同じ形状に形成しているが、この容量電極２６は、第一実施例の形状に限らず、上記第二実施例から第十一実施例の何れかの形状に形成してもよい。
【０１０５】
［第十三実施例］
図２４に示した第十三実施例は、画素電極１３を、該画素電極１３に設けられたスリット１１３により複数（図では三つ）の画素電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃに区分したものである。なお、この第十三実施例において、上記第一実施例に対応するものには同符号を付し、同一のものについてはその説明を省略する。
【０１０６】
この第十三実施例は、垂直配向型で、且つ画素電極１３を細長の矩形形状に形成した液晶表示素子に適用される。すなわち、垂直配向型の液晶表示素子は、画素電極１３と共通電極３２（図５及び図６参照）との間への電圧の印加により、液晶分子を倒れ込み配向させて光の透過を制御するため、良好な表示品質を得るには、液晶分子を、画素電極１３の各辺から画素電極１３の中心に向かって倒れ込ませて、画素の中心から放射状に配列させることが望まれる。しかし、画素電極１３が細長の矩形形状に形成されている場合は、良好な放射状配列が得られない。
【０１０７】
そのため、画素電極１３を細長の矩形形状に形成した垂直配向型液晶表示素子では、図２４のように、画素電極１３を、該画素電極１３に設けられたスリット１１３により正方形またはそれに近い形状の複数の画素電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃに区分し、液晶分子が、各画素電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃ毎に、該画素電極部の各辺から中心に向かって倒れ込むようにしている。
【０１０８】
そして、この第第十三実施例では、容量電極２６を、区分された各画素電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃの所定部分に重なり、且つ画素電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃに重なる辺の総距離がそれぞれ、画素電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃの前記スリット１１３に沿った辺を含む全ての辺の総距離よりも長い形状に形成している。
【０１０９】
この第第十三実施例において、前記容量電極２６は、画素電極１３の外周の各辺に重なる枠形状に形成された枠状電極２７と、前記各画素電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃのスリット１１３に沿った辺に重なるように枠状電極２７と一体に形成された第一の枠内電極２８ａと、前記各画素電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃのスリット１１３に沿った辺を含む各辺よりも内側の部分に重なるように枠状電極２７と一体に形成された第二の枠内電極２８ｂとからなっている。
【０１１０】
なお、前記第一の枠内電極２８ａは、前記スリット１１３の幅よりもある程度広い幅、つまり両側辺がスリット１１３を挟んで隣り合う画素電極部１３ａ，１３ｂ及び１３ｂ，１３ｃの両方の辺に重なる幅に形成されている。
【０１１１】
また、第二の枠内電極２８ｂは、各画素電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃの枠状電極２７及び第一の枠内電極２８ａにより囲まれた領域毎に、この領域を所定の方向（図２４では画素電極１３の横幅方向と平行な方向）に横切るように形成された少なくとも一本（図２４では二本）の桟状電極２９からなっている。
【０１１２】
この第十三実施例においても、前記容量電極２６の各画素電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃに重なる辺の総距離が、前記各画素電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃのスリットに沿った辺を含む全ての辺の総距離よりも長いため、開口率を充分に確保し、しかも補償容量Ｃｓの容量値を大きくすることができる。
【０１１３】
なお、上記第十三実施例では、容量電極２６の枠状電極２７の内側辺と、第一の枠内電極２８ａの両側辺と、第二の枠内電極２８ｂである桟状電極２９の両側辺とをそれぞれ直線辺に形成しているが、これらの辺の何れかまたは全てを、上記第五実施例または第六実施例のような凹凸形状に形成してもよい。
【０１１４】
また、上記第十三実施例の容量電極２６は、前記第二の枠内電極２８ｂを備えているが、この第二の枠内電極２８ｂを省略し、枠状電極２７の内側辺を前記凹凸形状に形成してもよい。
【０１１５】
［第十四実施例］
なお、上記各実施例では、各画素１０の容量電極２６を、行毎に、隣り合う容量電極２６，２６の枠状電極２７，２７同士をその一端側において連続させて形成することにより共通接続しているが、前記容量電極２６は、図２５に示した第十四実施例のように、各行の隣り合う容量電極２６，２６の枠状電極２７，２７同士が縦枠部の全長にわたって一体に繋がった形状に形成してもよい。
【０１１６】
さらに、図２２及び図に示した第十二実施例のように、容量電極２６を、ＴＦＴ１４の形成面よりも上層（第一被覆絶縁膜２４ａの上）に配置する場合は、各画素１０の容量電極２６を、各行の隣り合う容量電極２６，２６の枠状電極２７，２７同士が縦枠部の全長にわたって一体に繋がり、各列の隣り合う容量電極２６，２６の枠状電極２７，２７同士が横枠部の全長にわたって一体に繋がった形状に形成してもよい。
【符号の説明】
【０１１７】
１…液晶表示素子、１０…画素、１１，１２…基板、１３…画素電極、１１３…スリット、１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…画素電極部、１４…ＴＦＴ、１５…ゲート電極、１６…ゲート絶縁膜、１７…半導体薄膜、１８…チャネル保護膜、１９…コンタクト層、２０…ソース電極、２１…ドレイン電極、２２…走査信号線、２３…データ信号線、２４…被覆絶縁膜、２４ａ…第一被覆絶縁膜、２４ｂ…第二被覆絶縁膜、２５，２５ａ…コンタクト孔、２６…容量電極、２７…枠状電極、２８…枠内電極、２８ａ…第一の枠内電極、２８ｂ…第二の枠内電極、２９，２９ａ，２９ｂ…桟状電極、Ｃｓ…補償容量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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