(57)【要約】 【課題】露光装置の特性が劣化するような露光条件においても、生産性を低下させることなく半導体装置を製造できる、半導体装置の製造方法、生産管理装置および生産管理システムを提供する。【解決手段】露光装置に接続される生産管理システムにおいて、規定された基板処理計画を実行した場合に、露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎを光Ｌが継続的に通過することに起因する露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎの特性の変化を予測し、該特性の変化が露光処理中に閾値を超える場合に、その時刻を取得する予測部１４と、上記時刻に到達する前に、露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎのそれぞれで上記特性が均一化されるように基板処理計画を変更して改めて規定する計画変更部１６と、を備える。【選択図】図２
2011204896.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から発した光を照明光学系に導いて二次光源を形成し、前記二次光源から発した光をマスクに照射し、前記マスクから発した光を、投影光学系を介して基板に投影する露光装置を用いた、半導体装置の製造方法において、
規定された基板処理計画を実行した場合に、前記露光装置を光が継続して局所的に通過することに起因する前記露光装置の特性の変化を予測する第１の工程と、
前記第１の工程による予測の結果、処理中に前記特性の変化が閾値を超えることとなる場合に、その時刻を取得する第２の工程と、
前記時刻に到達する前に、前記露光装置において前記特性が均一化されるように基板処理計画を変更して改めて規定する第３の工程と、
規定された基板処理計画に従って前記露光装置を動作させる第４の工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１乃至第３の工程は、前記閾値を超える前記特性の変化がなくなるまで反復されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記特性は、前記投影光学系の歪面収差、像面湾曲、非点収差、コマ収差、および球面収差の少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記予測は、前記露光装置の設計情報に基づいて行われることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の工程は、前記基板上に形成されるパターンの変形量を計測する工程を含み、
前記予測は、前記パターンの変形量の計測結果に基づいて行われることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の工程は、前記投影光学系を計測する工程を含み、
前記予測は、前記投影光学系の計測結果に基づいて行われることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記閾値は、前記二次光源の形状および前記マスクの種類の少なくともいずれかに応じて異なる量であることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記特性は、前記照明光学系の形状であることを特徴とする請求項１乃至２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記閾値は、前記照明光学系が有するミラー要素の変形速度を含むことを特徴とする、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の工程は、前記照明光学系を計測する工程を含み、
前記予測は、前記照明光学系の計測結果に基づいて行われることを特徴とする、請求項８または９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記基板処理計画の変更は、前記二次光源の形状および前記マスクの種類の少なくともいずれかを変更を含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記露光装置は、反射型および屈折型の少なくともいずれかの光学系を含むことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
光源から発した光を照明光学系に導いて二次光源を形成し、前記二次光源から発した光をマスクに照射し、前記マスクから発した光を、投影光学系を介して基板上に投影する露光装置に接続され、
規定された基板処理計画を実行した場合に、露光装置を光が継続して局所的に通過することに起因する前記露光装置の特性の変化を予測し、処理中に前記特性の変化が閾値を超える場合に、その時刻を取得する予測手段と、
前記時刻に到達する前に、前記露光装置における前記特性が均一化されるように基板処理計画を変更して改めて規定する計画変更手段と、
前記露光装置と前記計画変更手段との間の通信を行う通信手段と、
を備える生産管理装置。
【請求項１４】
前記予測手段および前記計画変更手段は、閾値を超える前記特性の変化がなくなるまで前記特性の変化の予測および処理計画の変更を繰り返すことを特徴とする請求項１３に記載の生産管理装置。
【請求項１５】
前記予測手段は、前記露光装置の設計情報に基づいて前記時刻を取得することを特徴とする、請求項１３または１４に記載の生産管理装置。
【請求項１６】
前記特性は、前記照明光学系の形状であることを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれかに記載の生産管理装置。
【請求項１７】
前記基板処理計画の変更は、前記二次光源の形状および前記マスクの種類の少なくともいずれかの変更を含むことを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれかに記載の生産管理装置。
【請求項１８】
請求項１３乃至１７のいずれかに記載の生産管理装置と、
前記露光装置と、
前記基板の搬送装置と、
を備える生産管理システム。
【請求項１９】
前記基板上に形成されるパターンの寸法を計測するパターン計測手段をさらに備え、
前記予測手段は、前記計測手段の計測結果からパターンの変形量を算出し、その算出結果に基づいて前記時刻を取得することを特徴とする、請求項１８に記載の生産管理システム。
【請求項２０】
前記照明光学系および前記投影光学系を計測する光学系計測装置をさらに備え、
前記予測手段は、前記光学系の計測結果に基づいて前記時刻を取得することを特徴とする、請求項１８または１９に記載の生産管理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法、生産管理装置および生産管理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
スループットの大きな露光装置においては、露光光が継続して局所的に通過することによるレンズの加熱量・熱蓄積が従来の装置と比較して多く、その結果として発生する収差（以下、「熱収差」という）が大きくなる。熱収差による悪影響を軽減するため、光源からの光照射量を制御する方法（例えば特許文献１）のほか、投影レンズの光学特性を調整手段により補正する方法が開示されている（例えば特許文献２および３）。
【０００３】
また、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  UｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光を用いたＥＵＶ露光装置において、より微細な回路パターンを形成するために、従来の照明形状（円盤形状、輪帯形状）とは大きく異なる、ダイポール照明などの極端変形照明の使用が検討されている。このような変形照明では、照明光学系を構成するミラー要素の表面の狭い領域のみにＥＵＶ光が集中的に照射される。この結果、ミラー要素の形状が熱によって変化し、歪みが発生するおそれがある。その場合、照明光の進行方向は所望の方向からずれ、必要な結像性能が得られない。
【０００４】
ＥＵＶ露光装置では光路が真空になっており、従来の露光装置のように空気の対流によってレンズから放熱されることが無いため、ミラーに熱が蓄積しやすい。このような問題を解決するためにミラーを裏面から冷却することが提案されている（例えば特許文献４）。
【０００５】
しかしながら、露光装置のスループットをより高めようとすると、特許文献４に開示の冷却手段の能力を超えるような熱変形も予想され、抜本的な解決が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２３１８３２号公報
【特許文献２】特開２００６−０１９５６１号公報
【特許文献３】特開平１０−２８９８６５号公報
【特許文献４】特開２００４−０３９８５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、露光装置の特性が劣化するような露光条件においても、生産性を低下させることなく半導体装置を製造できる、半導体装置の製造方法、生産管理装置および生産管理システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様によれば、
光源から発した光を照明光学系に導いて二次光源を形成し、前記二次光源から発した光をマスクに照射し、前記マスクから発した光を、投影光学系を介して基板に投影する露光装置を用いた、半導体装置の製造方法において、規定された基板処理計画を実行した場合に、前記露光装置を光が継続して局所的に通過することに起因する前記露光装置の特性の変化を予測する第１の工程と、前記第１の工程による予測の結果、処理中に前記特性の変化が閾値を超えることとなる場合に、その時刻を取得する第２の工程と、前記時刻に到達する前に、前記露光装置において前記特性が均一化されるように基板処理計画を変更して改めて規定する第３の工程と、規定された基板処理計画に従って前記露光装置を動作させる第４の工程と、を備える半導体装置の製造方法が提供される。
【０００９】
また、本発明の第２の態様によれば、
光源から発した光を照明光学系に導いて二次光源を形成し、前記二次光源から発した光をマスクに照射し、前記マスクから発した光を、投影光学系を介して基板上に投影する露光装置に接続され、規定された基板処理計画を実行した場合に、露光装置を光が継続して局所的に通過することに起因する前記露光装置の特性の変化を予測し、処理中に前記特性の変化が閾値を超える場合に、その時刻を取得する予測手段と、前記時刻に到達する前に、前記露光装置における前記特性が均一化されるように基板処理計画を変更して改めて規定する計画変更手段と、前記露光装置と前記計画変更手段との間の通信を行う通信手段と、を備える生産管理装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、露光装置の特性が劣化するような露光条件においても、生産性を低下させることなく半導体装置を製造できる、半導体装置の製造方法、生産管理装置および生産管理システムが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の一形態による生産管理システムの概略構成を示すブロック図。
【図２】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の製造方法の概略手順を示すフローチャート。
【図３Ａ】初期のロット処理計画による露光装置毎の結像特性の変化予測の説明図。
【図３Ｂ】図３Ａの変化予測の結果の一例を示すグラフ。
【図４Ａ】変更後のロット処理計画による露光装置毎の結像特性の変化予測の説明図。
【図４Ｂ】図４Ａの変化予測の結果の一例を示すグラフ。
【図４Ｃ】マスクの種類毎に異なる許容範囲を設定する場合の一例を示す図。
【図５】従来技術の問題点を説明するグラフ。
【図６】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の製造方法に使用される露光装置の概略構成を示すブロック図。
【図７】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の製造方法の概略手順を示すフローチャート。
【図８】照明形状の変更方法の一例の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態のいくつかについて、図面を参照しながら詳細に説明する。図面において、同一の部分には同一の番号を付し、重複説明は必要な場合に限り行う。
【００１３】
（１）生産管理システム
図１は、本発明の実施の一形態による生産管理システムの概略構成を示すブロック図である。本実施形態の生産管理システムは、生産管理装置１０と、ｎ（ｎは自然数）台の露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎと、パターン寸法計測装置６０と、ウェハ搬送装置５０と、光学系計測装置４１〜４１ｎを備える。
【００１４】
生産管理装置１０は、制御部１２と、予測部１４と、計画変更部１６と、外部装置とのインターフェイスをなす通信部１８とを含む。制御部１２は、メモリＭＲ１，ＭＲ２に接続されるほか、予測部１４、計画変更部１６および通信部１８にも接続され、制御信号を生成してこれらの構成要素を制御する。制御部１２は、通信部１８を介して露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎ、ウェハ搬送装置５０、パターン寸法計測装置６０および光学系計測装置４１〜４１ｎに接続され、制御信号を生成してこれらの構成要素を制御する。メモリＭＲ１には、本実施形態による半導体製造方法の一連の手順を記述したレシピファイルが格納され、制御部１２は、このレシピファイルを読み込んで後述する生産管理を行う。メモリＭＲ２は、各種レンズの熱特性に関する情報を中心に露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎの設計情報が格納される。予測部１４は、後に詳述する方法で露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎ毎に結像特性（熱収差）の変化を予測し、処理中に結像特性の変化が所与の閾値を超えると予測された場合に、その時刻を取得して計画変更部１６に送る。計画変更部１６は、予測部１４から送られた時刻に到達する前に、露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎにおける結像特性が均一化されるように基板処理計画を変更する。
【００１５】
露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎの光学系は、屈折型（図３Ａ参照）でも反射型（図６参照）でもよく、これらが混在していてもよい。
【００１６】
光学系計測装置４１〜４１ｎは、露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎにそれぞれ設置され、これら装置の投影光学系の波面収差および照明光学系内の二次光源の形状の少なくともいずれかをウェハ処理中もしくは非処理中に計測し、その計測結果を、制御部１２を介して予測部１４に送る。
【００１７】
パターン寸法計測装置６０は、ウェハ上に形成されたパターンの寸法をウェハ処理中に計測し、計測結果を、制御部１２を介して予測部１４に送る。
【００１８】
搬送装置５０は、生産管理装置１０の制御部１２からの制御信号に従い、初期のロット処理計画および変更されたロット処理計画に沿ってウェハＷを搬送し、または露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎの配置を変更する。ウェハＷは、図１に示す例では、２４枚で１つロットＬを構成する。一つのロットＬに含まれるウェハＷは一般には、同一のマスクを用いて投影露光される。
【００１９】
図１に示す生産管理システムによる生産管理を、本発明による半導体装置の製造方法の実施の形態として図２乃至図８を参照しながら説明する。
【００２０】
（２）半導体装置の製造方法の第１の実施の形態
図２は、本実施形態の半導体装置の製造方法の概略手順を示すフローチャートである。まず、例えば図示しない入力端末を介して初期のロット処理計画と待ちロットの情報とが生産管理装置１０に入力され、予測部１４が処理ロットＬに対して露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎを暫定的に割り当てる。
【００２１】
次に、予測部１４は、制御部１２を介してメモリＭＲ２から露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎの設計情報を引き出し、各種レンズの熱特性に関する情報を参照して露光装置毎に結像特性（熱収差）の変化を予測する（ステップＳ２）。
【００２２】
続いて、予測部１４は、予測結果の変化量と予め定められた許容範囲ＴＬ（図３Ｂ参照）とを比較し、処理中に結像特性（熱収差）の変化が許容範囲を上回ることになる場合はその時刻を算出し、比較結果と時刻のデータを計画変更部１６へ供給する（ステップＳ３）。本実施形態において、許容範囲ＴＬは例えば閾値に対応する。
【００２３】
次に、計画変更部１６は、与えられた比較結果に基づいてロット処理計画を、予測された時刻までに変更する（ステップＳ４）。これにより、割り当てが変更されたロット処理計画は、再び予測部１４に送られ、変更後のロット処理計画で露光装置毎に結像特性（熱収差）の変化が再び予測され（ステップＳ２）、予測結果の変化量と予め定められた許容範囲ＴＬとが再度比較され、該比較結果に基づいてロット処理計画がさらに変更される（ステップＳ３）。これらのステップＳ２乃至Ｓ４の手順は、許容範囲ＴＬを上回る結像特性（熱収差）の変化がなくなるまで繰り返される。本実施形態において、「初期のロット処理計画」および「変更されたロット処理計画」は、例えば規定された基板処理計画に対応する。初期のロット処理計画の段階で、または、ロット処理計画の変更により、許容範囲を上回って変化する結像特性が無い場合には、そのときのロット処理計画を確定的な処理計画とし、制御部１２がこれに基づく制御信号を生成して露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎおよび搬送装置５０に供給する。これにより、ロットが処理される（ステップＳ６）。なお、ロット処理計画の変更は、ロットの実際の処理前に予め行って画定させておく他、上記時刻の到来までであれば処理中に行ってもよい。
【００２４】
図２の処理のうち、ステップＳ２乃至Ｓ４の手順について、図３Ａ乃至図４Ｂを参照してより具体的に説明する。以下の説明では、透過型の露光装置を使用した例を取り挙げる。
【００２５】
図３Ａに示すように、照明光学系ＩＬから発した光Ｌは透過型マスクＴＭに照射し、マスクＴＭから発した光Ｌが投影光学系ＰＬを介してウェハＷに投影することにより、マスクのパターンがウェハＷに転写される。マスクのパターンは一般にレイア毎に異なり、それに応じて図３Ａに示すようにその照明形状はマスクの種類毎に異なる。図３Ａに示す例では、露光装置ＰＭ１では、レイアＬａ用のマスクＴＭ１のパターン形状により、照明光Ｌが投影光学系の周辺部分において紙面左右方向で対向する一対の円弧をなすように局所的に照射される。このため、その円弧状の周辺部分の加熱量が大きくなって波面収差が発生し、予測部１４の予測結果では、図３Ｂの波面収差ＲＭＳ（Ｒｏｏｔ  Ｍｅａｎ  Ｓｑｕａｒｅ）の曲線ｌ１に示すように、時刻Ｔ１で許容範囲ＴＬを超えるものと予測された。露光装置ＰＭ２でも、レイアＬｂ用のマスクＴＭ２のパターン形状により、照明光Ｌが投影光学系の周辺部分において紙面上下方向で対向する一対の円弧をなすように局所的に照射される。このため、その部分の加熱量が大きくなって波面収差が発生し、予測部１４の予測結果では、図３Ｂの波面収差ＲＭＳの曲線ｌ２に示すように、時刻Ｔ２で許容範囲ＴＬを超えるものと予測された。このため、露光装置ＰＭ１およびＰＭ２では、基板Ｗ上に形成されるパターンの寸法精度が悪化することが予想される。
【００２６】
この一方、露光装置ＰＭ３については、レイアＬｃ用のマスクＴＭ３においてパターン形状が回転対称の４つの円弧で構成されるが、他のマスクＴＭ１，ＴＭ２と比較して遮光部が多いため、図３Ｂの波面収差ＲＭＳの曲線ｌ３に示すように、処理時間中は許容範囲を超えないものと予測された。
【００２７】
このような予測結果を受けて計画変更部１６がロット処理計画を変更した例を図４Ａに示す。図４Ａの例では、露光装置ＰＭ１の透過マスクＴＭが時刻Ｔ３でマスクＴＭ１からマスクＴＭ２に、照明形状がＰＬ１からＰＬ２に、それぞれ変更され、時刻Ｔ５で再びマスクＴＭ１および照明形状ＰＬ１へそれぞれ戻るよう変更されている。露光装置ＰＭ２については、時刻Ｔ３においてマスクＴＭ２からマスクＴＭ３に、照明形状ＰＬ２からＰＬ３にそれぞれ変更され、時刻Ｔ６では再びマスクＴＭ２および照明形状ＰＬ２へそれぞれ戻されている。さらに、露光装置ＰＭ３では、時刻Ｔ４までマスクＴＭ３および照明形状ＰＬ３で露光が続行され、時刻Ｔ３でマスクＴＭ１および照明形状ＰＬ１へそれぞれ変更された後、時刻Ｔ６でウェハ処理が終了されている。このように修正されたロット処理計画について予測部１２で結像特性の変化を予測したところ、図４Ｂにそれぞれ示す曲線ｌ１１〜ｌ１３のように、いずれの露光装置ＰＭ１〜ＰＭ３でも限界値ＴＬに達する結像特性はなかった。そこで、図４Ａに示すロット処理計画が採用され、これを実行することで半導体装置の製造が行われた。
【００２８】
ここで、収差量の予測については、露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎの設計情報を利用する方法の他、図１に示すように、露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎに光学系計測装置４１〜４１ｎをそれぞれ取り付けてレンズの波面収差を所定間隔、例えば１０分毎に直接計測する方法と、パターン寸法計測装置６０を用いて、ウェハ上に実際に形成されたパターンの寸法をウェハ処理中に計測し、その計測結果を利用する方法がある。なお、結像特性には、露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎの投影光学系の歪面収差、像面湾曲、非点収差、コマ収差、および球面収差の少なくとも１つが含まれる。
【００２９】
図５は、従来技術の問題点を説明するグラフである。前述した特許文献２および３のように、例えば投影レンズの光学特性を調整手段により補正することで波面収差ＲＭＳを許容範囲ＴＬ１００以下にすることにより、経時変化する熱収差を小さく制御する方法も提案されている。しかしながら、パターンの微細化の更なる進展により、レンズ収差の許容量が縮小し、図５のグラフで許容範囲ＴＬ１００が下方に移動することが今後予想される。この一方で、生産性をより一層向上させるために、露光装置のスループットをさらに引き上げることが予想され、その場合は、単位時間当たりの光の照射量が増大するため、図５における「補正あり」の曲線が上方に拡大して許容範囲ＴＬ１００を超えてしまうことになるおそれがある。このように、露光装置における光学素子の特性を調整手段により補正することには限界が見えてしまっている。
【００３０】
これに対して本実施形態によれば、光の局所的な継続照射による露光装置内の熱分布が均一化されるようにロット処理計画を変更するので、生産性を低下させることなく、かつ高い歩留まりで半導体装置を製造することが可能になる。
【００３１】
なお、図３Ａ乃至図４Ｂに示す例では、マスクの種類にかかわらず許容範囲ＴＬが一定であるとしたが、例えば図４Ｃに示すように、マスクの種類毎に変えても良い。図４Ｃの例では、マスクＴＭ１について許容範囲ＴＬａが設定され、マスクＴＭ２について許容範囲ＴＬｂ（＞ＴＬａ）が設定されている。一般に、形成しようとするパターンの種類や微細度に応じて、波面収差の許容量をマスク毎に定めることができる。
【００３２】
（３）半導体装置の製造方法の第２の実施の形態
本実施形態は、ＥＵＶ露光装置を用いた半導体装置の製造に好適な態様を提供する。図６に示すように、ＥＵＶ露光装置は、照明光学系ＩＬ２を介してＥＵＶ光を反射型のマスクＲＭに照射し、反射光を、投影光学系ＰＬ２を介してウェハに投影する装置である。
【００３３】
図７は、本実施形態の半導体装置の製造方法の概略手順を示すフローチャートである。図２との対比により明らかなように、本実施形態の特徴は、予測部１２が、結像特性（熱収差）の変化ではなく、照明形状の変形速度を露光装置毎に予測する点にある。また、ステップＳ１３の比較手順における許容範囲ＴＬは、照明形状の変形量の上限を表す。そして、処理中に照明形状の変形量が許容範囲を上回ることになる場合はその時刻を算出し、算出された時刻までにロット処理計画を変更する（ステップＳ１４）。また、光学系計測装置４１〜４１ｎは、投影光学系の波面収差ではなく、照明光学系内の二次光源の形状をウェハ処理中もしくは非処理中に計測し、その計測結果を、制御部１２を介して予測部１４に送る。計画変更部１６は照明形状の変形量に関する予測を受けて、与えられた比較結果に基づいてロット処理計画を、予測された時刻までに変更する。ロット処理計画の変更は、照明形状が予測された時刻までに変更されるように行われる。照明光学系の照明形状の変更は、具体的には、例えば図８に開示のターレット板５１（特開平１１−３１２６３８参照）のように、複数種類の開口絞り５０ａ〜５０ｆを円板の周辺領域に形成し、所望の開口絞りが光路中に設置されるように回転軸５２を中心に回転させればよい。照明形状の変形量の許容範囲は、照明形状の種類毎に設定でき、さらに、同一の照明形状であっても使用されるマスク毎に異なる値となるように設定してもよい。一般に、形成しようとするパターン種類や微細度に応じて、照明形状の変形量の許容量をマスク毎に定めることができる。
【００３４】
本実施形態におけるその他の手順は、図２に示す各手順の番号に１０を加えたものと実質的に同一であり、重複説明は省略する。
【００３５】
このように、本実施形態によれば、極端な変形照明を使用したＥＵＶ露光装置であっても、装置を停止させたり、処理速度を遅くさせたりすることなく、高スループットかつ高い歩留まりで半導体装置を製造することが可能になる。
【００３６】
なお、本実施形態と前述した第１の実施形態とを同時に実施することも勿論可能である。
【００３７】
（３）プログラム
上述した生産管理のうち、露光装置の設計情報に基づいて特性の変化を予想する生産管理については、その生産管理の一連の手順をコンピュータに実行させるプログラムとしてコンピュータに読み込ませて実行させてもよい。これにより、本発明にかかる生産管理を汎用の生産管理サーバコンピュータを用いて実現することができる。プログラムは、記録媒体に収納した上でコンピュータに読み込ませてもよい。記録媒体は、フレキシブルディスクや磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、光ディスク等の携帯可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でも良い。
【００３８】
（４）その他
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記形態に限るものではなく、その技術的範囲内で種々変形して適用できることは勿論である。例えば、図１、図３Ａ乃至図４Ｃでは複数台の露光装置が設置される場合を示したが、これに限ることなく、１台の露光装置しか無い場合でも、例えば初期のロット処理計画におけるレイアＬａ→レイアＬａ→レイアＬｂ→レイアＬｂの順序を、レイアＬａ→レイアＬｂ→レイアＬａ→レイアＬｂの順序に変更するなど、処理順序の適正化は可能である。
【符号の説明】
【００３９】
１０：生産管理装置
１２：制御部
１４：予測部
１６：計画変更部
１８：通信部
４１〜４ｎ：レンズ寸法計測部
５０ａ〜５０ｆ：開口絞り
６０：パターン寸法計測装置
Ｌ：光
ＴＭ，ＴＭ１〜ＴＭ３，ＲＭ：マスク
ＰＬ：投影光学系
ＰＭ１〜ＰＭｎ：露光装置
ＳＬ：二次光源
ＴＬ：閾値
【図１】
2011204896.tif 000003
【図２】
2011204896.tif 000004
【図３Ａ】
2011204896.tif 000005
【図３Ｂ】
2011204896.tif 000006
【図４Ａ】
2011204896.tif 000007
【図４Ｂ】
2011204896.tif 000008
【図４Ｃ】
2011204896.tif 000009
【図５】
2011204896.tif 000010
【図６】
2011204896.tif 000011
【図７】
2011204896.tif 000012
【図８】
2011204896.tif 000013