(57)【要約】【課題】コンデンサのさらなる大容量化を容易に実現可能な技術を提供する。【解決手段】本発明のコンデンサ用電極体の製造方法は、弁作用金属およびその合金の少なくとも一方からなる第１金属粒子７の２次粒子の空孔部に、第１金属粒子７よりも優先的に除去される第２金属粒子１３を含む複合粒子１４を、陽極用基材５上に吹き付けることにより複合層１５を形成する第１の工程と、複合層１５から第２金属粒子１３を除去する第２の工程とを含むことを特徴としている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁作用金属およびその合金の少なくとも一方からなる第１の金属の２次粒子の空孔部に、前記第１の金属よりも優先的に除去される第２の金属を含む複合粒子を、基材上に吹き付けることにより複合層を形成する第１の工程と、
前記複合層から前記第２の金属を除去する第２の工程とを含むことを特徴とするコンデンサ用電極体の製造方法。
【請求項２】
前記複合粒子は、前記第１の金属の２次粒子の空孔部に、前記第２の金属の１次粒子を含むことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ用電極体の製造方法。
【請求項３】
前記複合粒子は、前記第１の金属の２次粒子の空孔部および表面に、前記第２の金属の金属膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ用電極体の製造方法。
【請求項４】
前記第１の工程において、前記複合層を形成する前に、前記複合粒子の表面の前記第２の金属を除去することを特徴とする請求項３に記載のコンデンサ用電極体の製造方法。
【請求項５】
前記第２の金属は、前記第１の金属よりも所定の溶液に対して優先的に溶解する材料からなり、
前記第２の工程では、前記複合層を前記所定の溶液で処理することにより、前記複合層から前記第２の金属を溶出させることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のコンデンサ用電極体の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法によって形成されたコンデンサ用電極体を陽極体として用意する工程と、
前記陽極体の表面を酸化させて誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、
前記誘電体層の表面を覆うように陰極体を形成する陰極体形成工程とを含むことを特徴とするコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサ用電極体の製造方法およびコンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パソコン、携帯電話機等に代表される電子機器の小型化、高性能化に伴い、これらの電子機器に搭載される電子回路には、年々、小型化、高速化および高集積化が求められている。このことは、電子回路を形成する受動部品に関しても同様である。例えば、コンデンサについても、可能な限り低背であり、かつ、大容量であることが求められている。
【０００３】
特許文献１には、体積当たりの静電容量が大きなコンデンサの製造方法が記載されている。特許文献１に記載されたコンデンサの製造方法では、所定の粒子径を有する弁作用金属と異相成分とを均一に分布した薄膜を形成する工程と、薄膜を熱処理することにより粒子径を調整するとともに適度に焼結を進める工程と、薄膜から異相成分を除去する工程とにより陽極体を形成後、陽極体の表面を酸化させて誘電体層を形成している。
【特許文献１】特開２００６−４９８１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されたコンデンサの製造方法では、微細な弁作用金属および異相成分を用いて薄膜を形成しているため、熱処理により粒子を粒成長させた後、異相成分を除去しなければ陽極体の表面積を十分に確保することができないという問題があった。
【０００５】
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、コンデンサのさらなる大容量化を容易に実現可能な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るコンデンサ用電極体の製造方法は、上記課題を解決するために、弁作用金属およびその合金の少なくとも一方からなる第１の金属の２次粒子の空孔部に、第１の金属よりも優先的に除去される第２の金属を含む複合粒子を、基材上に吹き付けることにより複合層を形成する第１の工程と、複合層から前記第２の金属を除去する第２の工程とを含むことを特徴としている。
【０００７】
また、本発明に係るコンデンサの製造方法は、上述の態様の製造方法によって形成されたコンデンサ用電極体を陽極体として用意する工程と、陽極体の表面を酸化させて誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、誘電体層の表面を覆うように陰極体を形成する陰極体形成工程とを含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、さらなる大容量化が可能なコンデンサ用電極体およびコンデンサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明に係るコンデンサの製造方法によって製造されたコンデンサの構成を示す概略断面図である。
【図２】上記コンデンサの陽極体の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、上記コンデンサの陽極体の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、上記コンデンサの陰極体の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本実施形態で用いるコールドスプレー装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の一実施形態に係るコンデンサの製造方法および当該製造方法によって製造されたコンデンサ１について、図１〜図５を参照して説明する。
【００１１】
（コンデンサ１の構成）
図１は、コンデンサ１の構成を説明するための概略断面図である。コンデンサ１は、陽極体２と、陽極体２の表面に形成された誘電体層３と、誘電体層３を挟んで陽極体２と反対側に形成された陰極体４とを備えている。
【００１２】
陽極体２は、弁作用金属（ｖａｌｖｅ  ｍｅｔａｌ）およびその合金の少なくとも一方からなる陽極用基材５と、陽極用基材５上に設けられた多孔質層６とを含む。
【００１３】
多孔質層６は、弁作用金属およびその合金の少なくとも一方からなる第１金属粒子７が多数結合した金属粒塊から構成された層である。第１金属粒子７は直径約０．５μｍの粒子であり、各第１金属粒子７間には約０．０１μｍ〜約１μｍの大きさの隙間８、隙間９および約０．０１μｍ〜約５μｍの隙間１０が形成されている。そのため、結合した第１金属粒子７は網目状のネットワークを形成している。多孔質層６の厚さは、例えば約５００μｍである。
【００１４】
陽極用基材５は、弁作用金属およびその合金の少なくとも一方から構成された板状の部材である。陽極用基材５には、薄膜（箔）やリード線が含まれており、外部引き出し用の陽極端子（図示せず）が連結されている。また、陽極用基材５の一部には、複数の第１金属粒子７が結合して膜状構造となったものも含まれる。陽極用基材５の厚さは、陽極用基材５が金属の薄膜であった場合、例えば約１００μｍである。
【００１５】
ここで、弁作用金属とは、電解酸化処理等により極めて緻密で耐久性を有する誘電体酸化皮膜を表面に形成し得る金属をいう。弁作用金属としては、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。また、弁作用金属の合金としては、上述の弁作用金属同士の合金や、上述の弁作用金属と他の金属との合金等が挙げられる。本実施形態では、陽極用基材５および第１金属粒子７を構成する金属としてＴａを用いている。なお、陽極用基材５および第１金属粒子７は、異なる金属で構成されていてもよい。
【００１６】
誘電体層３は、陽極体２の表面に形成された酸化被膜であり、電解化成処理等により形成される。誘電体層３は、陽極用基材５および多孔質層６の露出している表面、すなわち、第１金属粒子７同士が接する領域および第１金属粒子７と陽極用基材５とが接する領域以外の領域に形成されている。
【００１７】
陰極体４は、導電性高分子層１１と、導電性高分子層１１上に積層された陰極用基材１２とを含む。
【００１８】
導電性高分子層１１は、誘電体層３の表面を覆うように、すなわち陽極体２の隙間８、隙間９および隙間１０を埋めるようにして、所定の厚みを有するように形成されている。導電性高分子層１１としては、導電性を有する高分子材料を含むものであれば特に限定されないが、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性ポリマーや、ＴＣＮＱ（７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）錯塩等の材料を含むものが好適に用い
られる。
【００１９】
陰極用基材１２は、例えば導電性高分子層１１上に積層されたカーボンペースト層１２ａと、カーボンペースト層１２ａ上に積層された銀ペースト層１２ｂからなる。陰極用基材１２には、外部引き出し用の陰極端子（図示せず）が連結されている。
【００２０】
（コンデンサ１の製造方法）
次に、コンデンサ１の製造方法について図２〜図５を参照して説明する。図２および図３は、コンデンサ１の陽極体の製造方法を説明するための断面図である。
【００２１】
図２に示すように、弁作用金属であるＴａ箔からなる陽極用基材５の表面に、Ｔａからなる第１金属粒子７と、Ｃｕからなる第２金属粒子１３とを含む複合粒子１４を吹き付ける。
【００２２】
複合粒子１４は、第１金属粒子７の２次粒子の空孔部に、第２金属粒子１３が含まれたものである。複合粒子１４は、粒子内部に約０．０１μｍ〜約１μｍの隙間８を有している。この隙間８は、複合粒子１４の形成時に、第１金属粒子７および第２金属粒子１３が接触することにより、第１金属粒子７および第２金属粒子１３の径に依存して生じたものである。
【００２３】
ここで、複合粒子１４の形成方法について説明する。第１金属粒子７の２次粒子は、直径約０．５μｍの第１金属粒子７が複数個集合して形成された、直径約１０μｍ〜約１００μｍの集合体である。このような２次粒子は、多孔質であり、粒子内部に空孔部を有する。複合粒子１４は、この空孔部に直径約０．０１μｍ〜約５μｍの第２金属粒子１３が詰め込まれることにより形成されている。第１金属粒子７の２次粒子の空孔部に第２金属粒子１３を詰め込む方法としては、湿式粒子混合装置が用いられる。具体的には、湿式粒子混合装置において、第１金属粒子７の２次粒子および第２金属粒子１３を分散させた液体を高圧で加速し混合する。このとき、圧力を調整することにより、第１金属粒子７の２次粒子を粉砕することなく、２次粒子の空孔部に第１金属粒子１３を詰め込むことができる。なお、第２金属粒子１３としては、上述した銅（Ｃｕ）の他にも、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）等が好適に用いられる。
【００２４】
陽極用基材５に吹き付けられた複合粒子１４は、図３（ａ）に示すように、陽極用基材５に衝突した場合は、陽極用基材５の表面に結合する。また、複合粒子１４が、陽極用基材５に結合している複合粒子１４に衝突した場合には、その衝突した複合粒子１４に結合して金属粒塊を形成する。
【００２５】
その結果、複合粒子１４からなる複合層１５が陽極用基材５の表面に形成される。複合層１５には、陽極用基材５に吹き付けられた複合粒子１４の隙間８が維持されている。さらに、複合層１５には、複合粒子１４が陽極用基材５に吹き付けられることにより、複合粒子１４間に、約０．０１μｍ〜約１μｍの大きさの隙間９が形成されている。この隙間９は、複合粒子１４同士が接触することにより、複合粒子１４の径に依存して生じるものである。
【００２６】
次に、図３（ｂ）に示すように、複合層１５が形成された陽極用基材５を、硝酸（ＨＮＯ３）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、塩化鉄（III）（ＦｅＣｌ３）等で処理することにより第２金属粒子１３を溶出させる。第２金属粒子１３は、上述した溶液で陽極用基材５を処理した場合には、第１金属粒子７よりも優先的に溶出する。なお、第２金属粒子１３としてＮｉを用いた場合には、塩酸（ＨＣｌ）、硫酸、希硝酸等が好適に用いられる。また、第２金属粒子１３としてＦｅを用いた場合には、塩酸、硫酸、酸化鉄（III）等が好適に用
いられる。
【００２７】
これにより、第２金属粒子１３が存在していた部分が約０．０１μｍ〜約５μｍの大きさの隙間１０となる。その結果、陽極用基材５の表面に、隙間８、隙間９および隙間１０を有し、第１金属粒子７が網目状に結合した多孔質層６が形成される。
【００２８】
なお、陽極用基材５に複合粒子１４を吹き付けることにより、複合粒子１４に含まれる第１金属粒子７と第２金属粒子１３との接合面に合金が形成される場合がある。この合金は、粒子の表層に形成された非常に小さい領域であるために、第２金属粒子１３を溶出させた後に残っていたとしても、コンデンサ１の性能には何ら影響を与えない。
【００２９】
このように、陽極用基材５の表面に複合粒子１４を吹きつけ、第２金属粒子１３のみを除去することにより、陽極用基材５および多孔質層６からなる陽極体２が形成される。
【００３０】
次に、コンデンサ１の陰極体の製造方法について、図４を参照して説明する。図４（ａ）〜図４（ｃ）は、コンデンサ１の陰極体の製造方法を説明するための断面図である。
【００３１】
図４（ａ）に示すように、陽極体２の表面を酸化して誘電体層３を形成する。陽極用基材５および第１金属粒子７はＴａからなるため、誘電体層３は、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）からなる酸化皮膜である。本実施形態では、陽極体２を電解化成処理して誘電体層３を形成する。具体的には、陽極体２を０．０１〜１．０質量％のリン酸水溶液の電解液中において定電圧で陽極酸化し、その表面に酸化タンタルからなる酸化皮膜を形成することによって、陽極用基材５の露出する表面および第１金属粒子７が結合してなる金属粒塊の表面に誘電体層３を形成する。
【００３２】
次に、図４（ｂ）に示すように、誘電体層３上に、誘電体層３の表面を覆うように、すなわち陽極体２の隙間８、隙間９および隙間１０を埋めるようにして、化学酸化重合により導電性高分子層１１を形成する。具体的には、３，４−エチレンジオキシチオフェン、Ｐ−トルエンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）、１−ブタノールからなる化学重合液に陽極体２を浸漬した後、大気中で熱処理し、誘電体層３上にポリチオフェン層を形成することによって、導電性高分子層１１を形成する。化学重合液による陽極体２の浸漬、熱処理工程は複数回繰り返して行われる。
【００３３】
次に、図４（ｃ）に示すように、導電性高分子層１１上に、カーボンペースト層１２ａと、銀ペースト層１２ｂとがこの順に積層されて陰極用基材１２が形成される。これにより、導電性高分子層１１と陰極用基材１２とを含む陰極体４が形成される。
【００３４】
そして、陽極用基材５に陽極端子（図示せず）が例えば導電性接着剤を介して連結され、陰極用基材１２に陰極端子（図示せず）が例えば導電性接着剤を介して連結されることにより、コンデンサ１を製造することができる。
【００３５】
（コールドスプレー法）
陽極用基材５に複合粒子１４を吹き付ける方法としては、コールドスプレー法が好適に用いられる。コールドスプレー法とは、材料粒子あるいは材料粉末を所定の高温・高速の流れにして被覆対象物の表面に吹き付けて、被覆対象物の表面に材料粒子を堆積させて、被覆対象物をコーティングする加工法である。
【００３６】
コールドスプレー法は、吹き付ける際の材料粒子の温度が材料粒子の融点および軟化点以下の低い温度であることと、流れの速度が音速から超音速と非常に高速であるという特徴を有する。また、コールドスプレー法により吹き付けられた材料粒子は、固体の状態の
まま溶けることなく皮膜になるため、酸化や熱による変質が少ない。
【００３７】
そのため、コールドスプレー法を用いた場合には、陽極用基材５と複合粒子１４との間において、高い密着強度を有する複合層１５を形成することができる。
【００３８】
図５は、コールドスプレー装置１００の概略図である。コールドスプレー装置１００は、基材把持部１０１と、ノズル１０２と、材料供給部１０４と、ガス供給部１０６と、ヒータ１０８とを備える。なお、コールドスプレー装置１００は、大気中に設置されていてもよいし、真空チャンバ内に設置されていてもよい。
【００３９】
基材把持部１０１は、陽極用基材５を把持するものであり、陽極用基材５を加熱しながらノズル１０２に対して相対移動させることができる。
【００４０】
材料供給部１０４は、ノズル１０２に複合粒子１４を供給する。ガス供給部１０６は、ヒータ１０８を介して加圧された気体をノズル１０２に供給する。ガス供給部１０６からノズル１０２に向けて送り出された気体は、ヒータ１０８にて加熱されてノズル１０２に送られる。ノズル１０２に供給された複合粒子１４は、ガス供給部１０６から供給された気体の圧力により第１ノズル１０２から噴射される。
【００４１】
コールドスプレー装置１００を用いて、陽極用基材５に対し、ノズル１０２から複合粒子１４を吹き付けながら、基材把持部１０１が陽極用基材５をノズル１０２に対して相対移動させることにより、陽極用基材５の所定領域全面に複合粒子１４を吹き付けることができる。
【００４２】
なお、多孔質層６の空隙率（空孔率）は、複合層５における第１金属粒子７および第２金属粒子１３の比率を調整することにより、容易に調整することができる。ここで、複合層５における第１金属粒子７および第２金属粒子１３の比率は、複合粒子１４の第１金属粒子７および第２金属粒子１３の含有量を調整することで調整可能である。
【００４３】
また、多孔質層６の空隙率は、第１金属粒子７および第２金属粒子１３の粒径や、ノズルからの噴射速度、噴射ガス温度等を調整することによっても調整可能である。例えば、第１金属粒子７の粒径が小さく、粒子の噴射速度を下げることで、より多孔質（ポーラス）な多孔質層６を形成することができる。また、噴射ガス温度を下げることで、より多孔質な多孔質層６を形成することができる。
【００４４】
なお、多孔質層６の空隙率は水銀ポロシメータを用いた水銀圧入法により算出することができる。具体的には、陽極体２を入れた容器を真空排気し、容器内に水銀を満たす。水銀は物質を濡らさない性質があるために、そのままの状態では多孔質層６の細孔に水銀は入ってこない。しかし、水銀に圧力をかけ、その圧力を増大させていくことにより、多孔質層６の大きい孔から小さい孔に順番に水銀が入り込んでくる。このようにして、多孔質層６の細孔の大きさと体積を測定し、多孔質層６の空隙率を算出することが可能である。
【００４５】
また、多孔質層６の空隙率は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）等で撮影した多孔質層６の断面画像等において、例えば１００個程度の第１金属粒子７を含む領域を定め、当該領域における誘電体層３を含む第１金属粒子７部分と、それ以外の部分、すなわち隙間８、隙間９および隙間１０（コンデンサ１の完成後では導電性高分子層１１部分）との面積比から算出することも可能である。
【００４６】
以下に、本実施形態のコンデンサ用電極体およびコンデンサの製造方法の効果について説明する。
【００４７】
（１）陽極用基材５に複合粒子１４を吹き付けて複合層１５を形成し、複合層１５から第２金属粒子１３を除去して多孔質層６を形成している。ここで、複合粒子１４として、第１金属粒子７の２次粒子の空孔部に、第２金属粒子１３を詰め込んだものを用いている。
本実施形態では、特許文献１に記載された従来のコンデンサの製造方法と比較して、熱処理工程を行わなくても、複合粒子１４を陽極用基材５に吹き付けて第２金属粒子１３を除去するだけで、非常に大きな表面積を有する陽極体２を形成することができる。そのため、コンデンサの製造工程を簡略化することができ、低コストで大容量のコンデンサを製造することができる。
また、複合粒子１４は、第１金属粒子７の２次粒子の空孔部の大部分が第２金属粒子１３により埋められている。そのため、複合粒子１４を陽極用基材５に吹き付けた場合であっても、その衝突エネルギーにより２次粒子の空孔部が潰れてしまうことを抑制することができる。その結果、陽極体２の容量の低下を抑制することができる。
【００４８】
（２）陽極用基材５に隙間８を有する複合粒子１４を吹き付けることにより、隙間８および隙間９を有する複合層１５を形成している。このように、複合層１５は多くの隙間を有するために、第２金属粒子１３を溶出するための溶液が隙間を介して複合層１５の表層から離れた内深部にまで届く。そのため、複合層１５に隙間が形成されていない場合と比較して、複合層１５の内深部に位置する第２金属粒子１３を容易に溶出することができる。その結果、陽極体２の表面積を大きくすることができ、コンデンサ１の大容量化が可能となる。さらに、複合層５の膜厚を厚くしても、内深部の第２金属粒子１３を溶出することができるため、陽極体２を厚膜化することが可能である。
【００４９】
（３）陽極用基材５に隙間８を有する複合粒子１４を吹き付けて複合層１５を形成し、複合層１５から第２金属粒子１３を除去することにより、隙間８、隙間９および隙間１０を有する多孔質層６を形成している。多孔質膜６は第１金属粒子７間に互いに押し付けられるような力が加わることにより形成されている。そのため、多孔質膜６が形成された陽極用基材５には、第１金属粒子７が押し付けられた状態を戻そうとする力が働く。すなわち、陽極用基材５には、多孔質膜６が形成されている面が凸状に反り返る方向に力が働く。しかし、多孔質膜６に隙間８、隙間９および隙間１０が形成されていることにより、各粒子間に隙間が無い場合と比較して、その応力を隙間８、隙間９および隙間１０で緩和することが可能である。その結果、コンデンサ１の破損等を抑制することができ、コンデンサ１の信頼性を高めることが可能である。
【００５０】
本発明は、上述の各実施の形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうるものである。
【００５１】
例えば、本実施形態では、コールドスプレー法を用いて多孔質な陽極体を形成したが、周知のエアロゾルデポジション法やパウダージェット法等の非溶融状態の粒子を高速で吹き付けることで膜を形成する技術を用いて陽極体を形成してもよい。また、半溶融状態の粒子を吹き付けることで膜を形成する溶射法を用いてもよい。これらの方法によっても、多孔質な陽極体を形成することができる。
【００５２】
また、本実施形態では、複合粒子１４は、湿式粒子混合装置を用いて第１金属粒子７の２次粒子の空孔部に第２金属粒子１３を詰め込むことにより形成されているが、本発明はこれに限られない。例えば、複合粒子１４は、第１金属粒子７の２次粒子に対して無電解メッキ法によりＣｕ膜をメッキすることにより、２次粒子の空孔部および表面にＣｕ膜を形成してもよい。
【００５３】
また、複合粒子１４としてＣｕ膜がメッキされたものを用いた場合には、コールドスプレー装置１００のガス圧を調整することにより、複合粒子１４を陽極用基材５に衝突させたとき、衝突エネルギーにより複合粒子１４の表面のＣｕ膜が剥がれるようにしてもよい。この場合、陽極用基材５と複合粒子１４の第１金属粒子７とがＣｕ膜を介さず直接結合するとともに、複合粒子１４の第１金属粒子７同士もＣｕ膜を介さず直接結合する。そのため、第２金属粒子１３を除去した後、陽極用基材５と第１金属粒子７とが強固に結合するとともに、第１金属粒子７同士が強固に結合した多孔質層６を形成することができる。なお、複合粒子１４の表面に存在するＣｕ膜は、上述したように衝突エネルギーにより剥離させる代わりに、コールドスプレー法により陽極用基材５に対して複合粒子１４を照射する前に、化学的または物理的な方法で剥離してもよい。
【００５４】
また、本実施形態では、複合層１５から第２金属粒子１３を除去して多孔質層６を形成した後、すぐに誘電体層３を形成しているが、本発明はこれに限られない。例えば、多孔質層６を形成した後、陽極用基材５と第１金属粒子７との間の結合および第１金属粒子７間の結合を強めるため、放電プラズマ焼結等の焼結装置により、融点よりも低い温度で熱処理を行ってもよい。
【００５５】
また、本実施形態では、陽極用基材４としてＴａ箔を用いたが、陽極用基材４として複数の第１金属粒子８が結合して膜状構造となったものを用いてもよい。その場合、陽極用基材４は以下のようにして形成することができる。すなわち、コールドスプレー法により板部材上に第１金属粒子８を吹き付けて当該板部材の表面に第１金属粒子８の膜を成膜し、その後、板部材を除去することで第１金属粒子８からなる陽極用基材４を形成することができる。
【符号の説明】
【００５６】
１              コンデンサ
２              陽極体
３              誘電体層
４              陰極体
５              陽極用基材
６              多孔質層
７              第１金属粒子
８、９、１０    隙間
１１            導電性高分子層、
１２            陰極用基材
１２ａ          カーボンペースト層
１２ｂ          銀ペースト層
１３            第２金属粒子
１４            複合粒子
１５            複合層
１００          コールドスプレー装置
１０１          基材把持部
１０２          ノズル
１０４          材料供給部
１０６          ガス供給部
１０８          ヒータ
【図１】
2011204753.tif 000003
【図２】
2011204753.tif 000004
【図３】
2011204753.tif 000005
【図４】
2011204753.tif 000006
【図５】
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