(57)【要約】【課題】ターゲット物質の供給部とレーザ光の相対位置を容易に調整できる位置調整装置を提供する。【解決手段】ターゲット物質を供給する供給部１４と、供給されたターゲット物質を励起させるレーザ光Ｌとの相対位置を調整する。供給部と所定の位置関係で配置される被照射部材ＷＸ、ＷＹと、供給部と被照射部材とを所定の位置関係を維持した状態で、レーザ光に対して被照射部材を相対移動する移動装置７１、７２とを備える。被照射部材にレーザ光が照射された結果に基づいて、供給部とレーザ光との相対位置を調整する。【選択図】図２
2011134887.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット物質を供給する供給部と、供給された前記ターゲット物質を励起させるレーザ光との相対位置を調整する位置調整装置であって、
前記供給部と所定の位置関係で配置される被照射部材と、
前記供給部と前記被照射部材とを前記所定の位置関係を維持した状態で、前記レーザ光に対して前記被照射部材を相対移動する移動装置とを備え、
前記被照射部材に前記レーザ光が照射された結果に基づいて、前記供給部と前記レーザ光との相対位置を調整することを特徴とする位置調整装置。
【請求項２】
請求項１記載の位置調整装置において、
前記被照射部材と前記レーザ光との相対位置に応じて生じる、前記被照射部材よりも前記レーザ光の進行方向前方側での光量変化に応じて、前記相対移動方向における前記レーザ光の位置情報の指標を示す指標装置を有することを特徴とする位置調整装置。
【請求項３】
請求項２記載の位置調整装置において、
前記被照射部材は、前記レーザ光の光路と略直交する方向に延在する線状部材であることを特徴とする位置調整装置。
【請求項４】
請求項３記載の位置調整装置において、
前記移動装置は、前記供給部と前記被照射部材とを、前記レーザ光の光路と略直交し、且つ互いに略直交する第１方向及び第２方向にそれぞれ移動可能に支持し、
前記被照射部材は、前記第１方向及び前記第２方向にぞれぞれ延在して設けられることを特徴とする位置調整装置。
【請求項５】
請求項４記載の位置調整装置において、
前記被照射部材は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面で交差部をもって前記第１方向及び前記第２方向にぞれぞれ延在して設けられることを特徴とする位置調整装置。
【請求項６】
請求項３記載の位置調整装置において、
前記移動装置は、前記供給部と前記被照射部材とを、前記レーザ光の光路と略直交し、且つ互いに略直交する第１方向及び第２方向にそれぞれ移動可能に支持し、
前記被照射部材は、前記第１方向及び前記第２方向の双方と交差する方向に延在して設けられることを特徴とする位置調整装置。
【請求項７】
請求項３記載の位置調整装置において、
前記移動装置は、前記供給部と前記被照射部材とを、前記レーザ光の光路と略直交し、且つ互いに略直交する第１方向及び第２方向にそれぞれ移動可能に支持し、
前記被照射部材を前記第１方向に延在する第１位置と、前記第２方向に延在する第２位置との間を移動可能に支持する支持装置が設けられることを特徴とする位置調整装置。
【請求項８】
請求項３から７のいずれか一項に記載の位置調整装置において、
前記被照射部材に対して前記相対移動方向及び前記レーザ光の光路方向に間隔をあけて略平行配置され、前記被照射部材と前記相対移動方向に一体的に移動する第２被照射部材を有することを特徴とする位置調整装置。
【請求項９】
請求項２から８のいずれか一項に記載の位置調整装置において、
前記指標装置は、前記光量変化を検出する検出装置を有し、
前記検出装置の検出結果に基づいて、前記移動装置を前記相対移動方向に駆動する駆動装置を備えることを特徴とする位置調整装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の位置調整装置において、
前記レーザ光に対する前記被照射部材の耐性に基づいて、前記レーザ光を減光する減光装置を有することを特徴とする位置調整装置。
【請求項１１】
請求項１記載の位置調整装置において、
前記被照射部材は、照射された前記レーザ光の位置情報の指標を可視化することを特徴とする位置調整装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の位置調整装置において、
前記被照射部材は、前記レーザ光の照射面に形成され、前記相対移動方向に関する前記レーザ光の位置情報を示すスケールを有することを特徴とする位置調整装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の位置調整装置において、
前記移動装置は、前記供給部と前記被照射部材とを、前記レーザ光の光路と略直交し、且つ互いに略直交する第１方向及び第２方向にそれぞれ移動可能に支持し、
前記被照射部材は、前記レーザ光の位置情報を示すスケールを前記第１方向及び前記第２方向のそれぞれについて有することを特徴とする位置調整装置。
【請求項１４】
請求項１１から１３のいずれか一項に記載の位置調整装置において、
前記被照射部材に対して前記相対移動方向及び前記レーザ光の光路方向に間隔をあけて配置され前記被照射部材と前記相対移動方向に一体的に移動可能に設けられるとともに、照射された前記レーザ光の位置情報の指標を可視化する第２被照射部材を有することを特徴とする位置調整装置。
【請求項１５】
請求項１１から１４のいずれか一項に記載の位置調整装置において、
前記レーザ光に対する前記被照射部材の耐性に基づいて、前記レーザ光を減光する減光装置を有することを特徴とする位置調整装置。
【請求項１６】
ターゲット物質を供給する供給部と、供給された前記ターゲット物質を励起させるレーザ光との相対位置を調整する位置調整方法であって、
前記供給部と、該供給部と所定の位置関係で配置される被照射部材とを前記所定の位置関係を維持した状態で、前記レーザ光に対して前記被照射部材を相対移動させる第１工程と、
前記被照射部材に前記レーザ光が照射された結果に基づいて、前記供給部と前記レーザ光との相対位置を調整する第２工程とを有することを特徴とする位置調整方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の位置調整方法において、
前記第２工程では、前記被照射部材と前記レーザ光との相対位置に応じて生じる、前記被照射部材よりも前記レーザ光の進行方向前方側での光量変化に応じて示される、前記相対移動方向における前記レーザ光の位置情報の指標に基づいて、前記供給部と前記レーザ光との相対位置を調整することを特徴とする位置調整方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の位置調整方法において、
前記被照射部材は、前記レーザ光の光路と略直交する方向に延在する線状部材であることを特徴とする位置調整方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の位置調整方法において、
前記供給部と前記被照射部材とを、前記レーザ光の光路と略直交し、且つ互いに略直交する第１方向及び第２方向にそれぞれ移動可能に支持し、
前記被照射部材を前記第１方向及び前記第２方向にぞれぞれ延在して設け、
前記第１工程及び第２工程を、前記第１方向及び前記第２方向のそれぞれで行うことを特徴とする位置調整方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の位置調整方法において、
前記被照射部材は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面で交差部をもって前記第１方向及び前記第２方向にぞれぞれ延在して設けられることを特徴とする位置調整方法。
【請求項２１】
請求項１８記載の位置調整方法において、
前記供給部と前記被照射部材とを、前記レーザ光の光路と略直交し、且つ互いに略直交する第１方向及び第２方向にそれぞれ移動可能に支持し、
前記被照射部材は、前記第１方向及び前記第２方向の双方と交差する方向に延在して設けられることを特徴とする位置調整方法。
【請求項２２】
請求項１８記載の位置調整方法において、
前記供給部と前記被照射部材とを、前記レーザ光の光路と略直交し、且つ互いに略直交する第１方向及び第２方向にそれぞれ移動可能に支持し、
前記被照射部材を前記第１方向に延在する第１位置と、前記第２方向に延在する第２位置との間を移動させる工程を有することを特徴とする位置調整方法。
【請求項２３】
請求項１８から２２のいずれか一項に記載の位置調整方法において、
前記被照射部材に対して前記相対移動方向及び前記レーザ光の光路方向に間隔をあけて配置した第２被照射部材を、前記被照射部材と前記相対移動方向に一体的に移動させることを特徴とする位置調整方法。
【請求項２４】
請求項１７から２３のいずれか一項に記載の位置調整方法において、
前記レーザ光に対する前記被照射部材の耐性に基づいて、前記レーザ光を減光する工程を有することを特徴とする位置調整方法。
【請求項２５】
請求項１６記載の位置調整方法において、
前記第２工程では、照射された前記レーザ光の位置情報の指標を可視化する指標装置を前記レーザ光の光路上に位置させる工程と、前記指標装置により可視化された前記指標に基づいて、前記供給部を移動させる工程とを有することを特徴とする位置調整方法。
【請求項２６】
請求項２５記載の位置調整方法において、
前記指標装置は、前記レーザ光の照射面に形成され、前記相対移動方向に関する前記レーザ光の位置情報を示すスケールを有することを特徴とする位置調整方法。
【請求項２７】
請求項２６記載の位置調整方法において、
前記供給部と前記指標装置とを、前記レーザ光の光路と略直交し、且つ互いに略直交する第１方向及び第２方向にそれぞれ移動可能に支持し、
前記指標装置は、前記レーザ光の位置情報を示すスケールを前記第１方向及び前記第２方向のそれぞれについて有し、
前記第１工程及び第２工程を、前記第１方向及び前記第２方向のそれぞれで行うことを特徴とする位置調整方法。
【請求項２８】
請求項２５から２７のいずれか一項に記載の位置調整方法において、
前記指標装置に対して前記相対移動方向及び前記レーザ光の光路方向に間隔をあけて配置され照射された前記レーザ光の位置情報の指標を可視化する第２指標装置を、前記指標装置と前記相対移動方向に一体的に移動させることを特徴とする位置調整方法。
【請求項２９】
請求項２５から２８のいずれか一項に記載の位置調整方法において、
前記レーザ光に対する前記指標装置の耐性に基づいて、前記レーザ光を減光する工程を有することを特徴とする位置調整方法。
【請求項３０】
請求項１から１５のいずれか一項に記載の位置調整装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項３１】
請求項１６から２９のいずれか一項に記載の位置調整方法を用いることを特徴とする露光方法。
【請求項３２】
請求項３１記載の露光方法を用いて感光性基板を露光するステップと、
前記露光された感光性基板を処理するステップとを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位置調整装置、位置調整方法、露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路素子の微細化の進展に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、光源として紫外線に代わって、より波長の短いＥＵＶ（Extreme UltraViolet：極紫外線）を用いる手法が注目されている。
この種のＥＵＶ光源としては、例えばレーザ光をターゲットに集光照射することによって瞬時に生成する高温高密度プラズマを用いたＬＰＰ（laser produced plasma：レーザ生成プラズマ）光源が用いられている。プラズマを発生させるためには、ターゲットとレーザ光の集光点との相対位置を三次元的に一致させる必要がある。ただし、ターゲットが気体である場合には、両者は共に不可視であるため位置調整は容易ではない。
【０００３】
従来、位置調整方法としては、蛍光板や感熱紙を用いてレーザ光を可視化し、ガスターゲットを供給するノズルの先端部近傍にレーザ光が通過するように上流側の光学素子を調整する方法が挙げられる。一方、ターゲットとして液体や固体を用いる場合には、ＣＣＤカメラ等の撮像手段を用い、落下途中のターゲットの位置をモニターする手法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−８８２６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
蛍光板を用いた目視での位置調整では、レーザ光の光軸方向の集光位置が精度よく求められない。また、目視ではなく、カメラ等の撮像手段を用いて画像処理する方法も考えられるが、複雑化・高コスト化するため望ましくない。
また、ノズル射出口の近傍にレーザ集光点を配置する必要があるため、蛍光板等の配置が事実上困難であり、結果としてレーザ光の集光点位置を直接確認することが困難である。この対策として、レーザ光を集光するレンズを一時的に取り外し、且つレーザ光のパワーを落とすことにより、レーザ光のスポット内に映るノズル射出口の影を確認する方法があるが、レーザ光の光軸方向の位置合わせを行うことができないという問題点は解消できず、完全な手法とは言えない。
さらに、ターゲットが可視化できない気体の場合には、位置合わせを直接的に確認する方法が存在していない。
【０００６】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、ターゲット物質の供給部とレーザ光の相対位置を容易に調整できる位置調整装置、位置調整方法、露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の位置調整装置は、ターゲット物質を供給する供給部と、供給された前記ターゲット物質を励起させるレーザ光との相対位置を調整する位置調整装置であって、前記供給部と所定の位置関係で配置される被照射部材と、前記供給部と前記被照射部材とを前記所定の位置関係を維持した状態で、前記レーザ光に対して前記被照射部材を相対移動する移動装置とを備え、前記被照射部材に前記レーザ光が照射された結果に基づいて、前記供給部と前記レーザ光との相対位置を調整することを特徴とするものである。
【０００８】
そして、本発明の位置調整方法は、ターゲット物質を供給する供給部と、供給された前記ターゲット物質を励起させるレーザ光との相対位置を調整する位置調整方法であって、前記供給部と、該供給部と所定の位置関係で配置される被照射部材とを前記所定の位置関係を維持した状態で、前記レーザ光に対して前記被照射部材を相対移動させる第１工程と、前記被照射部材に前記レーザ光が照射された結果に基づいて、前記供給部と前記レーザ光との相対位置を調整する第２工程とを有することを特徴とするものである。
【０００９】
そして、本発明の露光装置は、先に記載の位置調整装置を備えることを特徴とするものである。また、本発明の露光方法は、先に記載の位置調整方法を用いることを特徴とするものである。
本発明のデバイス製造方法は、先に記載の露光方法を用いて感光性基板を露光するステップと、前記露光された感光性基板を処理するステップとを含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明では、ターゲット物質の供給部とレーザ光の相対位置を容易に調整することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態の一例の露光装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】位置調整装置７０の概略的な構成を示す外観斜視図である。
【図３】レーザ光Ｌの光路に設置された減光装置７４の平面図である。
【図４】ワイヤーＷＹの位置と、光量計７３で計測される光量との関係を示す図である。
【図５】ワイヤーＷＹの位置と、光量計７３で計測される光量との関係を示す図である。
【図６】段差をもって配置されたワイヤーとレーザ光の光路との関係を示す図である。
【図７】位置調整装置の第２実施形態の概略的な構成を示す外観斜視図である。
【図８】ワイヤーの別形態を示す図である。
【図９】ワイヤーの別形態を示す図である。
【図１０】ワイヤーの別形態を示す図である。
【図１１】減光装置の別形態を示す図である。
【図１２】減光装置の別形態を示す図である。
【図１３】減光装置の別形態を示す図である。
【図１４】ビームストッパの別形態を示す図である。
【図１５】本発明のマイクロデバイス製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図１６】マイクロデバイス製造工程のステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の位置調整装置、位置調整方法、露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法の実施の形態を、図１ないし図１６を参照して説明する。
図１は、本実施形態の露光光（照明光）ＥＬとして波長が１００ｎｍ以下で、例えば３〜５０ｎｍ程度の範囲内の１１ｎｍ又は１３ｎｍ等のＥＵＶ光（Extreme Ultraviolet Light）を用いる露光装置（ＥＵＶ露光装置）１００の全体構成を概略的に示す断面図である。
【００１３】
図１において、露光装置１００は、露光光ＥＬを発生するレーザプラズマ光源１０と、露光光ＥＬでレチクル（反射型マスク）Ｒを照明する照明光学系ＩＬＳと、レチクルＲを保持して移動するレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲのパターン面（レチクル面）に形成されたパターンの像を、レジスト（感光材料）が塗布されたウエハ（感光性基板）Ｗ上に投影する投影光学系ＰＯとを備えている。さらに、露光装置１００は、ウエハＷを保持して移動するウエハステージＷＳＴと、装置全体の動作を統括的に制御するコンピュータを含む主制御系３１等とを備えている。
【００１４】
本実施形態では、露光光ＥＬとしてＥＵＶ光が使用されているため、照明光学系ＩＬＳ及び投影光学系ＰＯは、特定のフィルタ等（不図示）を除いて複数のミラー（反射光学部材）より構成され、レチクルＲも反射型である。これらのミラーの反射面及びレチクル面には、ＥＵＶ光を反射する多層の反射膜が形成されている。
【００１５】
また、露光光ＥＬの気体による吸収を防止するため、露光装置１００はほぼ全体として箱状の真空チャンバ１内に収容され、真空チャンバ１内の空間を排気管３２Ａａ，３２Ｂａ等を介して真空排気するための大型の真空ポンプ３２Ａ，３２Ｂ等が備えられている。さらに、真空チャンバ１内で露光光ＥＬの光路上の真空度をより高めるために複数のサブチャンバ（不図示）も設けられている。一例として、真空チャンバ１内の気圧は１０−５Ｐａ程度、真空チャンバ１内で投影光学系ＰＯを収納するサブチャンバ（不図示）内の気圧は１０−５〜１０−８Ｐａ程度である。
【００１６】
以下、図１において、ウエハステージＷＳＴが載置される面（真空チャンバ１の底面）の法線方向にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で図１の紙面に垂直な方向にＸ軸を、図１の紙面に平行な方向にＹ軸を取って説明する。本実施形態では、レチクル面上での露光光ＥＬの照明領域２７Ｒは、Ｘ方向に細長い円弧状であり、露光時にレチクルＲ及びウエハＷは投影光学系ＰＯに対してＹ方向（走査方向）に同期して走査される。
【００１７】
先ず、レーザプラズマ光源１０は、高出力のレーザ光源装置１１と、このレーザ光源装置１１から真空チャンバ１の窓部材１５を介して供給されるＹＡＧレーザ等のレーザ光Ｌを集光する集光レンズ１２と、キセノン又はクリプトン等のターゲットガスを噴出するノズル（供給部）１４と、回転楕円面状の反射面を持つ集光ミラー１３とを備えた、ガスジェットクラスタ方式の光源である。レーザプラズマ光源１０から放射された露光光ＥＬは、集光ミラー１３の第２焦点に集光する。その第２焦点に集光した露光光ＥＬは、凹面ミラー２１を介してほぼ平行光束となり、露光光ＥＬの照度分布を均一化するための一対のフライアイ光学系２２及び２３からなるオプティカル・インテグレータに導かれる。フライアイ光学系２２及び２３のより具体的な構成及び作用については、例えば米国特許第６，４５２，６６１号明細書に開示されている。
【００１８】
（位置調整装置の第１実施形態）
また、本実施形態では、ノズル１４と、レーザ光Ｌとの相対位置を調整する位置調整装置が設けられている。以下、位置調整装置の第１実施形態について説明する。
【００１９】
図２は、位置調整装置７０の概略的な構成を示す外観斜視図である。
この図に示すように、位置調整装置７０は、ノズル１４を下方（−Ｚ側）から支持する支持台７１と、支持台７１上に架設されたワイヤー（線状部材、被照射部材）ＷＹ、ＷＸと、支持台７１を駆動する三軸並進ステージ７２と、レーザ光Ｌの集光点ＬＳよりも下流側（−Ｚ側）に設けられてレーザ光Ｌの光量を計測する光量計７３と、レーザ光源装置１１と窓部材１５との間のレーザ光Ｌの光路上に設けられた減光装置７４（図２では不図示、図１及び図３参照）とを備えている。上記支持台７１及び三軸並進ステージ７２により、本発明に係る移動装置が構成される。
【００２０】
ワイヤーＷＹは、レーザ光Ｌの光路を挟んでノズル１４とＹ方向の逆側に、Ｘ方向に延在して架設されている。ワイヤーＷＹのＺ方向の位置は、ノズル１４の先端部１４ａ（ターゲート射出位置）のＺ方向の位置と略同一位置に設定されている。ワイヤーＷＸは、ノズル１４の−Ｘ側にＹ方向に延在して架設されている。ワイヤーＷＸのＺ方向の位置も、ノズル１４の先端部１４ａ（ターゲート射出位置）のＺ方向の位置と略同一位置に設定されている。これらワイヤーＷＹ、ＷＸの架設位置（Ｚ位置、Ｙ位置、Ｘ位置）及びノズル１４の先端部１４ａに対する、ワイヤーＷＹのＹ方向及びＺ方向の距離、ワイヤーＷＸのＸ方向及びＺ方向の距離はそれぞれ予め測定して既知であるものとする。
【００２１】
ワイヤーＷＹ、ＷＸの径としては、レーザ光Ｌの集光点ＬＳにおける光径よりも小さい方が精度上好ましいが、レーザ光Ｌに対する耐性が低い場合には切れることも考慮し、またノズル１４とレーザ光Ｌの相対位置として要求される精度に応じて適宜設定される。例えば、要求される位置精度が±０．１ｍｍであれば、直径０．２ｍｍのワイヤーを用いるものとする。
【００２２】
三軸並進ステージ７２は、Ｘ並進ステージ７２Ｘ、Ｙ並進ステージ７２Ｙ、Ｚ並進ステージ７２Ｚを有しており、支持台７１を介してノズル１４及びワイヤーＷＹ、ＷＸを一体的にＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向にそれぞれ並進させる。
光量計（指標装置）７３は、レーザ光Ｌ（集光点ＬＳ）の位置情報の指標としての光量を計測・検出するものであって、レーザ光Ｌの光路上で光量を計測する計測位置と、光路から離間した退避位置との間を移動可能となっている。
【００２３】
図３は、レーザ光Ｌの光路に設置された減光装置７４の平面図である。
減光装置７４は、レーザ光Ｌを反射して迂回させた光路を形成することにより、レーザ光Ｌを減光するものであって、支持盤８０上に設けられた複数（ここでは４つ）の反射ミラー８１と、反射ミラー８１毎に設けられ当該反射ミラー８１を透過したレーザ光Ｌを遮光するビームストッパ８２とから構成されている。支持盤８０は、レーザ光Ｌの光路に対して挿抜自在に設けられており、側面８０Ｙに位置決めピン８３Ｙが当接することによりＹ方向の位置決めがなされ、側面８０Ｚに位置決めピン８３Ｚが当接することにより、Ｚ方向の位置決めがなされる。
【００２４】
各反射ミラー８１はレーザ光Ｌが入射角４５°で入射（すなわち出射角４５°で出射）し、９０°折り曲げて反射する傾きで配置されており、４つの反射ミラー８１で折り曲げられたレーザ光Ｌは、光軸が変化することなく進行する。反射ミラー８１の数や反射率としては、レーザ光Ｌに対するワイヤーＷＹ、ＷＸの耐性に基づいて適宜選択される。例えば、レーザ光Ｌを大幅に減光させる場合には、石英ガラス（反射率４％程度）の反射ミラー８１を用いることにより、レーザ光Ｌの光量を（０．０４）４＝２．５６×１０−６に減光することができ、微細径のワイヤーを用いることが可能になる。
【００２５】
一方、レーザ光Ｌの減光量が少ない場合、すなわち反射率が高い場合には、所定の反射率を有する反射膜が形成された反射ミラー８１を用いることができる。例えば金属膜としては反射率が約９０％（レーザ光Ｌは約６５％に減光される）のＡｌ膜、反射率が約９０％弱の（Ａｌ＋ＭｇＦ２）膜、反射率が赤外域で特に高い約９５％（レーザ光Ｌは約８１％に減光される）のＡｕ膜等を用いることができる。また、非金属の反射膜としては、誘電体多層膜を使用入射角毎に最適な膜厚に設計することにより、例えばＴｉＯ２、ＳｉＯ２の組み合わせの多層膜を用いることにより、反射率を約９９％（レーザ光Ｌは約９６％に減光される）とすることができる。以上を踏まえ、必要な減光度合いに応じて反射膜種を反射ミラー８１毎に個別に自由に組み合わせる事も可能である。
【００２６】
図１に戻り、フライアイ光学系２３の反射面の近傍の面は、照明光学系ＩＬＳの瞳面であり、この瞳面又はこの近傍の位置に開口絞りＡＳが配置されている。開口絞りＡＳは、種々の形状の開口を有する複数の開口絞りを代表的に表している。主制御系３１の制御のもとで、開口絞りＡＳを交換することによって、照明条件を通常照明、輪帯照明、２極照明、又は４極照明等に切り換えることができる。
【００２７】
開口絞りＡＳを通過した露光光ＥＬは、一度集光した後に曲面ミラー２４に入射し、曲面ミラー２４で反射された露光光ＥＬは、凹面ミラー２５で反射された後、ブラインド板２６Ａの円弧状のエッジ部で−Ｙ方向の端部が遮光された後、レチクルＲのパターン面の円弧状の照明領域２７Ｒを下方から斜めに均一な照度分布で照明する。曲面ミラー２４と凹面ミラー２５とからコンデンサ光学系が構成されている。コンデンサ光学系によって、第２フライアイ光学系２３を構成する多数の反射ミラー要素からの光がレチクル面の照明領域２７Ｒを重畳的に照明する。なお、図１の例では、曲面ミラー２４は凸面ミラーであるが、曲面ミラー２４を凹面ミラーより構成し、その分だけ凹面ミラー２５の曲率を小さくするようにしてもよい。凹面ミラー２１、フライアイ光学系２２，２３、開口絞りＡＳ、曲面ミラー２４、及び凹面ミラー２５を含んで照明光学系ＩＬＳが構成されている。なお、照明光学系ＩＬＳの構成は任意であり、例えば露光光ＥＬのレチクル面に対する入射角をさらに小さくするために、例えば凹面ミラー２５とレチクルＲとの間にミラーを配置してもよい。
【００２８】
レチクルＲの照明領域２７Ｒで反射した露光光ＥＬは、ブラインド板２６Ｂの円弧状のエッジ部で＋Ｙ方向の端部が遮光された後、投影光学系ＰＯに入射する。投影光学系ＰＯを通過した露光光ＥＬは、ウエハＷ上の露光領域（照明領域２７Ｒと共役な領域）２７Ｗに投影される。なお、ブラインド板２６Ａ，２６Ｂは、例えば照明光学系ＩＬＳ内のレチクル面との共役面の近傍に配置してもよい。
【００２９】
次に、レチクルＲは、レチクルステージＲＳＴの底面に静電チャックＲＨを介して吸着保持されている。レチクルステージＲＳＴは、レーザ干渉計（不図示）の計測値及び主制御系３１の制御情報に基づいて、真空チャンバ１の外面のＸＹ平面に平行なガイド面に沿って、例えば磁気浮上型２次元リニアアクチュエータよりなる駆動系（不図示）によってＹ方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Ｘ方向及びθｚ方向（Ｚ軸回りの回転方向）等にも微小量駆動される。レチクルステージＲＳＴを真空チャンバ１側に覆うようにパーティション８が設けられ、パーティション８内は不図示の真空ポンプによって大気圧と真空チャンバ１内の気圧との間の気圧に維持されている。
【００３０】
レチクルＲのパターン面側には、レチクル面に対して例えば斜めに計測光を照射して、レチクル面のＺ方向の位置（Ｚ位置）を計測する光学式のレチクルオートフォーカス系（不図示）が配置されている。主制御系３１は、走査露光中にレチクルオートフォーカス系の計測値に基づいて、例えばレチクルステージＲＳＴ内のＺ駆動機構（不図示）を用いてレチクルＲのＺ位置を許容範囲内に設定する。
【００３１】
投影光学系ＰＯは、一例として、６枚のミラーＭ１〜Ｍ６を不図示の鏡筒で保持することによって構成され、物体（レチクルＲ）側に非テレセントリックで、像（ウエハＷ）側にテレセントリックの反射系であり、投影倍率は１／４倍等の縮小倍率である。レチクルＲの照明領域２７Ｒで反射された露光光ＥＬが、投影光学系ＰＯを介してウエハＷ上の露光領域２７Ｗに、レチクルＲのパターンの一部の縮小像を形成する。
【００３２】
投影光学系ＰＯにおいて、レチクルＲからの露光光ＥＬは、ミラーＭ１で上方（＋Ｚ方向）に反射され、続いてミラーＭ２で下方に反射された後、ミラーＭ３で上方に反射され、ミラーＭ４で下方に反射される。次にミラーＭ５で上方に反射された露光光ＥＬは、ミラーＭ６で下方に反射されて、ウエハＷ上にレチクルＲのパターンの一部の像を形成する。一例として、ミラーＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ６は凹面鏡であり、他のミラーＭ５は凸面鏡である。
【００３３】
一方、ウエハＷは、静電チャック（不図示）を介してウエハステージＷＳＴ上に吸着保持されている。ウエハステージＷＳＴは、ＸＹ平面に沿って配置されたガイド面上に配置されている。ウエハステージＷＳＴは、レーザ干渉計（不図示）の計測値及び主制御系３１の制御情報に基づいて、例えば磁気浮上型２次元リニアアクチュエータよりなる駆動系（不図示）によってＸ方向及びＹ方向に所定ストロ−クで駆動され、必要に応じてθｚ方向等にも駆動される。
【００３４】
ウエハステージＷＳＴ上のウエハＷの近傍には、例えばレチクルＲのアライメントマークの像を検出する空間像計測系２９が設置され、空間像計測系２９の検出結果が主制御系３１に供給されている。主制御系３１は、空間像計測系２９の検出結果から投影光学系ＰＯの光学特性（諸収差、あるいは波面収差等）を求めることができ、一例としてその光学特性が所定の許容範囲内に維持されるように、ミラーＭ１等の反射面の形状（面形状）を、不図示の駆動装置を用いてアクティブに制御する。なお、その光学特性は、テストプリント等で求めることも可能である。さらに、露光光ＥＬの照射熱によるミラーＭ１等の面形状の変形は予測できるため、露光中の面形状の変形を相殺するようにミラーＭ１等の面形状をアクティブに制御することも可能である。
【００３５】
露光の際には、ウエハＷ上のレジストから生じるガスが投影光学系ＰＬのミラーＭ１〜Ｍ６に悪影響を与えないように、ウエハＷはパーティション７の内部に配置される。パーティション７には露光光ＥＬを通過させる開口が形成され、パーティション７内の空間は、真空ポンプ（不図示）により真空排気されている。
ウエハＷ上の１つのショット領域（ダイ）を露光するときには、露光光ＥＬが照明光学系ＩＬＳによりレチクルＲの照明領域２７Ｒに照射され、レチクルＲとウエハＷとは投影光学系ＰＯに対して投影光学系ＰＯの縮小倍率に従った所定の速度比でＹ方向に同期して移動する（同期走査）。このようにして、レチクルパターンはウエハＷ上の一つのショット領域に露光される。その後、ウエハステージＷＳＴを駆動してウエハＷをステップ移動した後、ウエハＷ上の次のショット領域に対してレチクルＲのパターンが走査露光される。このようにステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷ上の複数のショット領域に対して順次レチクルＲのパターンの像が露光される。
【００３６】
続いて、上記の位置調整装置７０を用いて、レーザ光Ｌの集光位置ＬＳとノズル１４の先端部１４ａの相対位置を調整する方法について説明する。
ここでは、レーザ光Ｌを減光装置７４により減光させる必要があるワイヤーＷＹ、ＷＸを用いる場合について説明する。
この場合、予め光量計７３を計測位置に移動させるとともに、減光装置７４をレーザ光Ｌの光路上に設置する。
【００３７】
まず、ワイヤーＷＹを用いてレーザ光Ｌ（集光点ＬＳ）のＹ方向の位置を求める。
具体的には、三軸並進ステージ７２（Ｙ並進ステージ７２Ｙ）により支持台７１をＹ方向に移動させ、ワイヤーＷＹをレーザ光Ｌの光路に対してＹ方向に相対移動させる（横切らせる）。ここで、ワイヤーＷＹは、レーザ光Ｌの光路上に位置している間に、レーザ光Ｌを遮光するため、ワイヤーＷＹよりも下流側（進行方向前方側）のレーザ光Ｌの光量は、ワイヤーＷＹの位置に応じて変動し、光量計７３によって計測される。
【００３８】
図４は、ワイヤーＷＹの位置と、そのときに光量計７３で計測される光量との関係を示す図である。ワイヤーＷＹの直径とレーザ光Ｌの集光点ＬＳにおける光径が同一である場合には、図４（ａ）に示すように、ワイヤー中心がレーザ光Ｌの光軸位置と一致したときに、計測される光量がゼロとなるＶ字状の相関関係となり、この位置ＬＹがレーザ光ＬのＹ方向の位置となる。
【００３９】
続いて、ワイヤーＷＸを用い、Ｙ方向の場合と同様に、Ｘ並進ステージ７２Ｘにより支持台７１をＸ方向に移動させ、ワイヤーＷＸをレーザ光Ｌの光路に対してＸ方向に相対移動させてレーザ光Ｌ（集光点ＬＳ）のＸ方向の位置ＬＸを求める。
ワイヤーＷＹとノズル１４の先端部１４ａとのＹ方向及びＺ方向の距離、及びワイヤーＷＸとノズル１４の先端部１４ａとのＸ方向及びＺ方向の距離は既知であるため、位置ＬＹ及び位置ＬＸとの差分だけ、三軸並進ステージ７２により支持台７１を介してノズル１４をＹ方向及びＸ方向に移動させ、また予め求めてあるワイヤーＷＹ、ＷＸと先端部１４ａとのＺ方向の距離分、ノズル１４をＺ方向に移動させることにより、ノズル１４の先端部１４ａをレーザ光Ｌの集光点ＬＳに３次元的に位置決め調整することができる。
【００４０】
そして、この状態ではレーザ光Ｌとノズル先端部１４ａとが干渉することから、ノズル先端部１４ａから実際にプラズマ生成させる位置１４ｂ（図２参照）までの距離（例えば、０．５ｍｍ）、ノズル１４を＋Ｙ側に移動させる。
これにより、レーザ光Ｌに対してプラズマ生成する位置へのノズル１４の位置決め調整が完了する。
【００４１】
なお、ワイヤーＷＹ、ＷＸの直径が、集光点ＬＳの光径よりも小さい場合には、図４（ｂ）に示すように、例えばワイヤーＷＹをレーザ光Ｌの光路に対してＹ方向に相対移動させている際に、一定の光量が計測される。従って、この一定光量が計測される端部位置Ｙ１、Ｙ２の中点ＬＹをレーザ光ＬのＹ方向の位置として求めることができる。これは、Ｘ方向についても同様である。
【００４２】
逆に、ワイヤーＷＹ、ＷＸの直径が、集光点ＬＳの光径よりも大きい場合には、図４（ｃ）に示すように、例えばワイヤーＷＹをレーザ光Ｌの光路に対してＹ方向に相対移動させた際に、ワイヤーＷＹ、ＷＸの径に応じた位置でレーザ光Ｌが完全に遮光される。従って、この光量がゼロとなる位置Ｙ１、Ｙ２の中点ＬＹをレーザ光ＬのＹ方向の位置として求めることができる。これは、Ｘ方向についても同様である。
【００４３】
さらに、ワイヤーＷＹ、ＷＸのＺ方向の位置がノズル先端部１４ａの位置と一致していない場合には、Ｘ方向及びＹ方向と同様に、Ｚ方向についても集光点ＬＳの位置を計測する。具体的には、例えばワイヤーＷＹを用いて計測する場合には、まず上記で求めたレーザ光Ｌの位置ＬＹにワイヤーＷＹを位置させた後に、Ｚ並進ステージ７２ＺによりワイヤーＷＹを移動させる。このとき、レーザ光Ｌは集光点ＬＳにおける光径が最小で、集光点ＬＳから離間するに従って光径が大きくなることから、ワイヤーＷＹで遮光されないレーザ光Ｌの光量を光量計７３で計測すると、ワイヤーＷＹが集光点ＬＳに近いほど計測される光量は小さくなり、逆にワイヤーＷＹが集光点ＬＳに遠いほど計測される光量は大きくなる。従って、ワイヤーＷＹをレーザ光Ｌの光路に沿ってＺ方向に移動させたときに、計測される光量が最小となる位置が集光点ＬＳのＺ位置となる。
【００４４】
ここで、ワイヤーＷＹの直径とレーザ光Ｌの集光点ＬＳにおける光径が同一である場合には、図５（ａ）に示すように、ワイヤー中心がレーザ光Ｌの光軸位置と一致したときに、計測される光量がゼロとなるＶ字状の相関関係となり、この位置ＬＺがレーザ光ＬのＺ方向の位置となる。
【００４５】
また、ワイヤーＷＹの直径が、集光点ＬＳの光径よりも小さい場合には、図５（ｂ）に示すように、ワイヤーＷＹが集光点ＬＳに位置したときに最小光量となるようなＶ字状の相関関係となり、この位置ＬＺがレーザ光ＬのＺ方向の位置となる。
【００４６】
一方、ワイヤーＷＹの直径が、集光点ＬＳの光径よりも大きい場合には、図５（ｃ）に示すように、ワイヤーＷＹをレーザ光Ｌの光路に沿って移動させた際に、ワイヤーＷＹの径に応じた位置でレーザ光Ｌが完全に遮光される。従って、この光量がゼロとなる位置Ｚ１、Ｚ２の中点ＬＺをレーザ光ＬのＺ方向の位置として求めることができる。
【００４７】
このように、集光点ＬＳのＺ位置が求められると、ワイヤーＷＹとノズル先端部１４ａとのＺ方向の距離は既知であるため、位置ＬＺとの差分だけ、三軸並進ステージ７２により支持台７１を介してノズル１４をＺ方向に移動させることにより、ノズル１４の先端部１４ａをレーザ光Ｌの集光点ＬＳの位置に３次元的に位置決め調整することができる。
【００４８】
なお、上述した集光点ＬＳのＺ位置を計測する際には、ワイヤーＷＹを集光点ＬＳに向けて移動させる際に、＋Ｚ側または−Ｚ側のいずれかが不明であるため、試行錯誤する事態を招きかねない。そのため、例えば、図６（ａ）の断面矢視図に示すように、ワイヤーＷＹと平行に、Ｙ方向（ここでは−Ｙ側）及びＺ方向（ここでは−Ｚ側）に間隔をあけてワイヤー（第２被照射部材）ＷＹ２を一体的に移動するように設け、これらワイヤーＷＹ、ＷＹ２をＹ方向に移動させてレーザ光ＬのＹ位置を計測する。このとき、ワイヤーＷＹ、ＷＹ２はレーザ光Ｌを順次横切ることから、ワイヤー毎に光量が計測される。計測される光量は、ワイヤーＷＹ、ＷＹ２がＺ方向に離間しているため、集光点ＬＳとの距離に応じて異なる相関関係で計測される。
【００４９】
ワイヤーＷＹ、ＷＹ２の直径が集光点ＬＳの光径よりも小さい場合に、各ワイヤーがレーザ光Ｌの光路を移動したときに計測される光量を図６（ｂ）に示す。この図に示されるように、集光点ＬＳに近いワイヤーＷＹがレーザ光Ｌの光路を移動したときには、最小光量Ｓ１の相関関係ＳＳ１が計測され、集光点ＬＳから遠いワイヤーＷＹ２がレーザ光Ｌの光路を移動したときには、光量Ｓ１よりも大きな値の最小光量Ｓ２の相関関係ＳＳ２が計測される。従って、ワイヤーＷＹを用いて得られた光量Ｓ１がより小さいことから、ワイヤーＷＹが集光点ＬＳに近い位置にあり、集光点ＬＳに接近させるにはワイヤーＷＹを＋Ｚ側に移動させればよいことが判断できる。また、ワイヤーＷＹ、ＷＹ２が集光点ＬＳよりも＋Ｚ側に位置する場合には、最小光量Ｓ１、Ｓ２の大小関係が逆になることから、集光点ＬＳに接近させるにはワイヤーＷＹを＋Ｚ側に移動させればよいことが判断できる。
なお、ワイヤーＷＹ、ＷＹ２が集光点ＬＳを挟んだ位置にあるときには、上記移動方向を判断することが困難になるため、両ワイヤーがいずれも集光点ＬＳに対して＋Ｚ側または−Ｚ側に位置する状態で計測することが好ましい。
【００５０】
以上説明したように、本実施の形態では、ノズル１４と所定の位置関係で設けられたワイヤーＷＹ、ＷＸを用いてレーザ光Ｌの位置を計測するため、蛍光板等の配置を考慮することなく、また可視化できないターゲットを用いる場合でも容易にレーザ光Ｌの集光点ＬＳの位置をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向のそれぞれで計測することができ、また計測したレーザ光Ｌの集光点ＬＳの位置を用いて容易にノズル１４との相対位置を調整することが可能になる。また、本実施形態では、被照射部材としてワイヤーを用いているため、真空チャンバ１内に常時位置調整装置７０を設置しておくことが可能であり、大気圧環境下で位置調整装置７０を用いた場合に、位置調整後に大気圧環境から真空環境への移行時に真空チャンバ１が変形して、チャンバ１内に収容した駆動ステージやノズル等の部品の位置が変化することで、露光精度に悪影響を与えることを防止できる。
【００５１】
また、本実施形態では、ワイヤーＷＹとレーザ光Ｌの光路に対して相対移動方向であるＹ方向、及び光路に沿う方向であるＺ方向に離間して配置されたワイヤーＷＹ２を用いて集光点ＬＳのＹ方向の位置を計測することにより、集光点ＬＳのＺ位置を計測する際のＺ方向への移動方向を容易に判断することが可能になり、計測効率を向上させることができる。
【００５２】
加えて、本実施形態では、減光装置７４によりレーザ光ＬをワイヤーＷＹ（ＷＹ２）、ＷＸの耐性に応じて減光するため、微細径のワイヤーを使用して高精度の集光点ＬＳの位置計測が可能になる。また、減光装置７４が複数の反射ミラー８１が支持盤８０上に一体的に設けられたユニットとしてレーザ光Ｌの光路に対して挿抜自在であるため、ワイヤーの耐性に応じて容易、且つ迅速に減光状態の切替が可能になる。また、本実施形態では、減光装置７４が真空チャンバ１の外部に配置されているため、真空チャンバ１内を大気圧環境下で調整する場合に必要なレーザ出力を落とすことが不要になり、レーザ光の運転パラメータ変更に伴って生じるレーザ光の発散角変動（すなわち集光点ＬＳの位置変動）等の不具合を回避できる。これは、大気圧下でレーザ光Ｌを集光させるとエネルギー密度があがって放電を引き起こすことから、レーザ光の出力を落とすことが必要になってしまうからである。
【００５３】
（位置調整装置の第２実施形態）
続いて、位置調整装置の第２実施形態について、図７を参照して説明する。
この図において、図１乃至図６に示す第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
第２実施の形態は、位置調整装置７０において、レーザ光Ｌの位置情報の指標を可視化して示している。
【００５４】
図７に示すように、本実施形態では支持台７１上に、レーザ光Ｌを可視化させる蛍光板（指標装置）９０が被照射部材として、ＸＹ平面に沿って設けられている。蛍光板９０の＋Ｚ側の表面（レーザ光Ｌの照射面）９０ａは、レーザ光Ｌの照射面とされており、ノズル先端部１４ａとＺ方向の位置が略同一位置に配置されている。また、この表面９０ａには、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれについてスケール９１が設けられている。スケール９１は、Ｘ方向及びＹ方向の両方向について、ノズル先端部１４ａに対して所定の位置関係で形成され、その相関関係は予め計測・記憶されている。
他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００５５】
上記構成の位置調整装置７０では、三軸並進ステージ７２の駆動によりレーザ光Ｌの光路に蛍光板９０を位置させることで、表面９０ａにレーザ光Ｌが照射されて可視化される。可視化されたレーザ光Ｌの位置（スポット光の位置）ＬＸ、ＬＹはスケール９１を用いて、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれについて求められる。また、三軸並進ステージ７２の駆動により蛍光板９０をＺ方向に移動させることにより、表面９０ａと集光点ＬＳとの距離に応じて表面９０ａ上のレーザ光Ｌの光径が変化するため、スケール９１を用いて光径が最小となる表面９０ａのＺ方向の位置ＬＺを求める。スケール９１とノズル先端部１４ａとのＸ方向及びＹ方向の位置関係は既知であり、また、蛍光板９０の表面９０ａとノズル先端部１４ａとのＺ方向の位置関係は既知であるため、蛍光板９０を用いて求めた集光点ＬＳの位置ＬＸ、ＬＹ、ＬＺとの差分だけ三軸並進ステージ７２により支持台７１を介してノズル１４をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向のそれぞれに移動させることにより、ノズル１４の先端部１４ａをレーザ光Ｌの集光点ＬＳの位置に３次元的に位置決め調整することができ、上記第１実施形態と同様の効果を奏することになる。
【００５６】
なお、本実施形態においても、上記第１実施形態で図６を用いて説明したように、蛍光板９０に対して、例えばＹ方向及びＺ方向に間隔をあけて、スケールを有する第２の蛍光板（第２指標装置）を設け、これらをレーザ光Ｌの光路に対してＹ方向に移動させ、各蛍光板でスケールを用いて求められるレーザ光のスポット径の大きさに基づいて、集光点ＬＳに向けて蛍光板９０をＺ方向に移動させる際の向きを判断することができる。
【００５７】
また、本実施形態においても、蛍光板９０の材質によっては、レーザ光Ｌを減光させる必要が生じる場合には、所望の減光率を有する減光装置７４を設置することで対応可能である。
【００５８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００５９】
例えば、上記実施形態では、ターゲットとして気体を例示したが、本発明はターゲットが液体また液滴の場合にも適用可能である。
【００６０】
また、上記実施形態では、ワイヤーＷＹ、ＷＸをそれぞれ個別に架設する構成としたが、これに限定されるものではなく、例えば図８に示すように、ワイヤーＷＸ、ＷＹをＸＹ平面で交差部４０をもって十字状に一体的に支持する支持枠４１を、支持台７１と一体化して用いる構成であってもよい。
この構成では、ワイヤーＷＹ、ＷＸの位置決めを一括して行えるため、位置調整作業の簡便化を図ることができる。
【００６１】
また、図９に示すように、略半円弧形状の枠体４２に、円弧中心ＷＯを通る径方向にワイヤーＷＨを設け、枠体４２を上記円弧の周方向に移動可能（回転可能）に支持する支持装置４３を支持台７１と一体的に設ける構成としてもよい。
上記構成でレーザ光ＬのＹ方向の位置を計測する際には、図９に一点鎖線で示すように、Ｘ方向に延在する第１位置にワイヤーＷＨを位置決めし、レーザ光ＬのＸ方向の位置を計測する際には、図９に実線で示すように、Ｙ方向に延在する第２位置にワイヤーＷＨを位置決めし、各位置にて支持台７１を介してワイヤーＷＨを上述したように移動させてレーザ光Ｌ（集光点ＬＳ）の位置を求めればよい。
この構成では、支持装置４３に対する枠体４２の回転角度を調整することにより、ワイヤーＷＨの位置を容易に調整することが可能になる。
【００６２】
また、上記実施形態では、ワイヤーをＸ方向またはＹ方向に延在して配置する構成としたが、これに限られるものではなく、例えば図９に示した枠体４２の回転角度を調整してワイヤーＷＨを第１位置と第２位置との間に位置させたり、図１０に示すように、支持台７１に斜めにワイヤーＷＨを架設することにより、ワイヤーＷＨをＸ方向及びＹ方向の双方と交差する方向に延在して設けることもできる。
この場合、ワイヤーＷＨにおけるＸ位置とＹ位置との関係を、予め例えばＸ＝ａＹ＋ｂ（ａ≠０）という関数で保持しておき、支持台７１をＹ方向に移動させてレーザ光Ｌの集光点ＬＳのＹ位置を計測すれば、このＹ位置と上記関数を用いることにより、一度の計測でＸ位置及びＹ位置の両方を求めることが可能になり、位置調整作業を効率的に行うことも可能になる。
【００６３】
また、上記実施形態では、反射ミラー８１を用いて減光装置７４を構成したが、これに限定されるものではなく、例えば、図１１に示すように、筐体７５内に液体として水７７を収容し、レーザ光Ｌの入射部及び出射部をガラス板７６で密閉したものを用いる構成としてもよい。
例えば、波長１μｍのレーザ光に対する水の吸収係数は、０．１ｃｍ−１であり、レーザ光が水を１ｃｍ透過したときの透過率は約９０．５％（減光率約９．５％）となり、水を１０ｃｍ透過したときの透過率は約３６．８％（減光率約６３．２％）となる。従って、レーザ光に対する減光率に応じた長さで水７７が密封された筺体７５をレーザ光Ｌの光路に設置することにより、容易にレーザ光Ｌを減光できるとともに、冷却機構としても作用することになる。
【００６４】
なお、レーザ光Ｌの入射部におけるガラス板７６の表面の法線方向がレーザ光Ｌの光軸方向と一致した場合には、ガラス板７６での反射光と入射光とで干渉する可能性があるため、図１１に示す減光装置７４では、ガラス板７６の表面をレーザ光Ｌの光軸方向に対して傾けることが好ましい。また、入射部のガラス板７６の表面が上記光軸方向に対して傾いている場合には、屈折率の違いによりガラス板７６及び水７７を透過したレーザ光の光路に変化が生じるため、出射部のガラス板７６についても、入射部のガラス板７６と同じ角度で、且つ傾斜方向が逆となるように、光軸方向に対して傾いている。これにより、入射部で屈折により変動した光路を出射部で元の光路に戻すことができる。
【００６５】
さらに、減光装置７４の別形態を図１２に示す。
この図に示す減光装置７４は、導入部７８Ａ及び排出部７８Ｂを介して、筺体７５内の水を循環させる循環装置７９を有している。また、循環装置７９は、筺体７８内に循環させる水として、減光率に応じて、例えば黒色に着色した水を循環させる。具体的には、レーザ光Ｌに対して所定の吸収率を有する着色剤を減光率に応じた量で含有させた水を筺体７５内に循環させる。
この減光装置７４では、筺体７５内の水７７を透過したレーザ光Ｌは、水７７の着色度合いに応じて減光されるため、図１１に示した減光装置と比べて減光率を容易に変更することができる。また、この減光装置７４では、水が循環するため、水の冷却も効果的に行うこともできる。
【００６６】
さらに、減光装置７４の別形態を図１３に示す。
この図に示す減光装置７４は、筺体７５を紙面と垂直な方向に延びる軸周りに回転させることにより、水７７を透過するレーザ光Ｌの光路長を調整する構成となっている。具体的には、入射部と出射部におけるガラス板７６間の距離をＷＬ、筺体７５の回転角をθとすると、水７７を透過する光路長は、ＷＬ／ｃｏｓθとなる。
ここで、筺体７５を一基のみ用いた場合には、上述したように、筺体７５が回転してガラス板７６の表面がレーザ光Ｌの光軸に対して傾き、レーザ光Ｌの光路が変化するため、筺体７５を対で用い、他方の筺体７５は一方の筺体に対して同じ角度で、且つ傾斜方向が逆となるように、光軸方向に対して傾くように逆方向に回転させればよい。
従って、この形態では、レーザ光Ｌが水７７を透過する光路長は、２×ＷＬ／ｃｏｓθとなり、上述した水の吸収係数に応じた所望の減光率を容易に得ることが可能になる。
【００６７】
また、図３に示したビームストッパ８２についても、図１４に示すように、入射部にガラス板７６が設けられて水７７が封入された筺体７５を用いることができる。この構成では、出射部は設けられず、入射したレーザ光Ｌを吸収するための突部７５ａが設けられている。なお、この構成においても、ガラス板７６の表面は、レーザ光Ｌの光軸に対して傾けられている。
このように、ビームストッパについても、レーザ光Ｌの光路の一部に水７７を配置することにより、ビームストッパを効果的に冷却することが可能になる。
【００６８】
上記各実施形態の感光性基板としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００６９】
露光装置１００としては、レチクルＲとウエハＷとを同期移動してレチクルＲのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、レチクルＲとウエハＷとを静止した状態でレチクルＲのパターンを一括露光し、ウエハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明はウエハＷ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００７０】
また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのレチクルのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。
【００７１】
露光装置１００の種類としては、ウエハＷに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００７２】
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１５は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００７３】
まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
【００７４】
次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００７５】
図１６は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。  
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００７６】
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００７７】
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。
【符号の説明】
【００７８】
１４…ノズル（供給部）、  交差部…４０、  ４３…支持装置、  ７０…位置調整装置、  ７１…支持台（移動装置）、  ７２…三軸並進ステージ（移動装置）、  ７３…光量計（指標装置、検出装置）、  ７４…減光装置、  ９０…蛍光板（指標装置、被照射部材）、  ９０ａ…表面（照射面）、  ９１…スケール、  １００…露光装置（ＥＵＶ露光装置）、  ＷＸ、ＷＹ…ワイヤー（線状部材、被照射部材）、  ＷＹ２…ワイヤー（第２被照射部材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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