(57)【要約】【課題】  デバイス製造工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、固体撮像素子の白傷欠陥の発生を低減させることができるエピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】  炭素が添加されたシリコン基板上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャル基板を形成する工程と、該エピタキシャル基板を形成する工程後に、該エピタキシャル基板を構成する前記シリコン基板の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度よりも大きくなるよう、前記エピタキシャル基板に第１熱処理および第２熱処理を施す熱処理工程とを含むことを特徴とする。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素が添加されたシリコン基板上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャル基板を形成する工程と、
該エピタキシャル基板を形成する工程後に、該エピタキシャル基板を構成する前記シリコン基板の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度よりも大きくなるよう、前記エピタキシャル基板に第１熱処理および第２熱処理を施す熱処理工程と
を含むことを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項２】
前記シリコン基板の表層部は、前記シリコン基板の表面から厚み方向に５μｍの位置から３０μｍまでの範囲である請求項１に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項３】
前記シリコン基板の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度の２倍以上である請求項１または２に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項４】
前記シリコン基板の表層部における酸素析出物密度が5×105個/cm2以上である請求項１、２または３に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項５】
前記シリコン基板の厚さ中心部における酸素析出物密度が3×105個/cm2以下である請求項１〜４のいずれか一項に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１熱処理は、前記エピタキシャル基板を、窒素を含む雰囲気中で、500〜700℃の範囲に保たれる装置に配置し、1100〜1300℃の範囲まで10〜100℃／分の速度で昇温して0.01〜60秒間保持した後、500〜700℃の範囲まで10〜100℃／分の速度で降温することを含む請求項１〜５のいずれか一項に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２熱処理は、前記エピタキシャル基板を、窒素を含む雰囲気中で、600〜1100℃の範囲で15分間〜15時間保持することを含む請求項１〜６のいずれか一項に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項８】
前記シリコン基板は、炭素濃度が0.1×1016〜20×1016atoms/cm3の範囲である請求項１〜７のいずれか一項に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項９】
前記シリコン基板は、窒素がさらに添加されたシリコン基板であり、窒素濃度が0.5×1013〜50×1013atoms/cm3の範囲である請求項１〜８のいずれか一項に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項１０】
前記ゲッタリングシンクを形成する工程前のシリコン基板は、格子間酸素濃度が1.0×1018〜2.0×1018atoms/cm3の範囲である請求項１〜９のいずれか一項に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項１１】
炭素が添加されたシリコン基板上にエピタキシャル層を有するエピタキシャル基板であって、
前記シリコン基板の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度よりも大きいことを特徴とするエピタキシャル基板。
【請求項１２】
前記シリコン基板の表層部における酸素析出物密度が5×105個/cm2以上である請求項１１に記載のエピタキシャル基板。
【請求項１３】
前記シリコン基板の厚さ中心部における酸素析出物密度が3×105個/cm2以下である請求項１１または１２に記載のエピタキシャル基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャル基板およびその製造方法に関し、特に、デジタルビデオカメラや携帯電話等に用いられる固体撮像素子用エピタキシャル基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像素子は、ＣＺ(チョクラルスキー)法等により引き上げられたシリコン単結晶からスライスしたシリコン基板にエピタキシャル層を形成してエピタキシャル基板とし、エピタキシャル層に回路を形成することにより製造される。しかしながら、エピタキシャル基板に不純物として金属が混入した場合、この混入した金属は、イメージセンサの暗電流を増加させる要因となり、白傷欠陥と呼ばれる欠陥が発生するなど、固体撮像素子の電気特性が著しく劣化してしまうという問題がある。
【０００３】
エピタキシャル基板に金属が混入する要因は、エピタキシャル基板の形成工程および固体撮像素子の形成工程にある。前者のエピタキシャル基板の形成工程における金属汚染は、エピタキシャル成長炉の構成材からの重金属パーティクルあるいは、塩素系ガスを用いるために、その配管材料が金属腐食して発生する重金属パーティクルによるものであると考えられる。近年、これら金属汚染は、エピタキシャル成長炉の構成材を耐腐食性のある材料に交換するなどの努力により改善されてきてはいるものの、エピタキシャル基板形成工程における金属汚染を完全に回避することは困難である。一方、後者の固体撮像素子の形成工程においては、イオン注入、拡散および酸化熱処理等の各処理中で、エピタキシャル基板の重金属汚染が懸念される。
【０００４】
そのため、従来は、シリコン基板に、金属を捕獲するためのゲッタリングシンクを形成するか、あるいは高濃度ボロン基板などの金属の捕獲能力(ゲッタリング能力)が高い基板を用いて、エピタキシャル基板への金属汚染を回避していた。
【０００５】
ここで、シリコン基板にゲッタリングシンクを形成するには、半導体基板の内部に酸素析出物を形成するイントリンシックゲッタリング(ＩＧ)法、または、半導体基板の裏面にゲッタリングシンクを形成するエキシントリックゲッタリング(ＥＧ)法を用いるのが一般的である。しかしながら、上記ＥＧ法を用いる場合、裏面にバックサイドダメージなどの損傷を形成することから、エピタキシャル基板またはイメージセンサの形成工程中に、裏面からパーティクルが発生して、イメージセンサにさらなる不良要因を形成してしまうといった問題があった。
【０００６】
一方、特許文献１には、上記ＩＧ法を用いた技術であって、炭素を添加した高濃度ボロンシリコン単結晶基板に、酸素析出物の析出を促進する熱処理を施したエピタキシャル基板が開示されている。この技術において、上記熱処理は、エピタキシャル層を形成する際の熱処理またはこれと同等の条件下での熱処理であるが、低温・短時間化や急速昇降温熱処理化が進んだ近年のデバイスプロセスにおいては、酸素析出物を十分に析出させることができず、求められるゲッタリング能力を達成することができないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２００９／０７５２８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、上述した問題を解決し、デバイス製造工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、固体撮像素子の白傷欠陥の発生を低減させることができるエピタキシャル基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、エピタキシャル基板の重金属汚染を防止する技術について鋭意検討を行ったところ、酸素析出物の析出を促進する熱処理をエピタキシャル層形成後に施すことで、この熱処理をエピタキシャル層形成の熱処理としたものと比較して多くの酸素析出物が析出し、さらに、この熱処理の前段階として、エピタキシャル層形成後に所定の熱処理を施しておくことにより、シリコン基板の表層部に酸素析出物を集中させることができることに想い到った。さらに、シリコン基板に所定量の炭素を添加しておくと、より顕著にシリコン基板の表層部に酸素析出物を集中させることができることを見出し、本発明を完成させるに到った。
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の要旨構成は以下のとおりである。
（１）炭素が添加されたシリコン基板上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャル基板を形成する工程と、該エピタキシャル基板を形成する工程後に、該エピタキシャル基板を構成する前記シリコン基板の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度よりも大きくなるよう、前記エピタキシャル基板に第１熱処理および第２熱処理を施す熱処理工程とを含むことを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法。
【００１１】
（２）前記シリコン基板の表層部は、前記シリコン基板の表面から厚み方向に５μｍの位置から３０μｍの位置までの範囲である上記（１）に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【００１２】
（３）前記シリコン基板の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度の２倍以上である上記（１）または（２）に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【００１３】
（４）前記シリコン基板の表層部における酸素析出物密度が5×105個/cm2以上である上記（１）、（２）または（３）に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【００１４】
（５）前記シリコン基板の厚さ中心部における酸素析出物密度が3×105個/cm2以下である上記（１）〜（４）のいずれか一に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【００１５】
（６）前記第１熱処理は、前記エピタキシャル基板を、窒素を含む雰囲気中で、500〜700℃の範囲に保たれる装置に配置し、1100〜1300℃の範囲まで10〜100℃／分の速度で昇温して0.01〜60秒間保持した後、500〜700℃の範囲まで10〜100℃／分の速度で降温することを含む上記（１）〜（５）のいずれか一に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【００１６】
（７）前記第２熱処理は、前記エピタキシャル基板を、窒素を含む雰囲気中で、600〜1100℃の範囲で15分間〜15時間保持することを含む上記（１）〜（６）のいずれか一に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【００１７】
（８）前記シリコン基板は、炭素濃度が0.1×1016〜20×1016atoms/cm3の範囲である上記（１）〜（７）のいずれか一に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【００１８】
（９）前記シリコン基板は、窒素がさらに添加されたシリコン基板であり、窒素濃度が0.5×1013〜50×1013atoms/cm3の範囲である上記（１）〜（８）のいずれか一に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【００１９】
（１０）前記ゲッタリングシンクを形成する工程前のシリコン基板は、格子間酸素濃度が1.0×1018〜2.0×1018atoms/cm3の範囲である上記（１）〜（９）のいずれか一に記載のエピタキシャル基板の製造方法。
【００２０】
（１１）炭素が添加されたシリコン基板上にエピタキシャル層を有するエピタキシャル基板であって、前記シリコン基板の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度よりも大きいことを特徴とするエピタキシャル基板。
【００２１】
（１２）前記シリコン基板の表層部における酸素析出物密度が5×105個/cm2以上である上記（１１）に記載のエピタキシャル基板。
【００２２】
（１３）前記シリコン基板の厚さ中心部における酸素析出物密度が3×105個/cm2以下である上記（１１）または（１２）に記載のエピタキシャル基板。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、炭素が添加されたシリコン基板上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャル基板を形成する工程と、このエピタキシャル基板を形成する工程後に、エピタキシャル基板を構成するシリコン基板の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度よりも大きくなるよう、エピタキシャル基板に第１熱処理および第２熱処理を施す熱処理工程とを含むことにより、デバイス工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、イメージセンサの白傷欠陥の発生を低減させることができるエピタキシャル基板およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に従うエピタキシャル基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図２】本発明に従うエピタキシャル基板の酸素析出物の密度分布を表したグラフの一例である。
【図３】実施例１および比較例１、２のシリコン基板の厚さ方向における酸素析出物の密度をそれぞれプロファイルしたグラフである。
【図４】実施例１および比較例１、２のシリコン基板に関するＩＧマップを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
次に、本発明のエピタキシャル基板およびその製造方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。図１(a)〜(c)は、本発明に従う裏面照射型イメージセンサの製造方法を説明するための模式的断面図である。なお、図１は、説明の便宜上、厚さ方向を誇張して描いたものである。
【００２６】
本発明に従うエピタキシャル基板１００の製造方法は、図１(a)〜(c)に示すように、炭素が添加されたシリコン基板１上にエピタキシャル層２(図１では、２層のエピタキシャル層２ａ,２ｂ)を成長させてエピタキシャル基板を形成する工程(図１(a),(b))と、このエピタキシャル基板を形成する工程後に、エピタキシャル基板を構成するシリコン基板１の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度よりも大きくなるよう、エピタキシャル基板に第１熱処理および第２熱処理を施す熱処理工程(図１(c))とを含むことを特徴とし、かかる構成を有することにより、デバイス工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、イメージセンサの白傷欠陥の発生を低減させることができるエピタキシャル基板およびその製造方法を提供することができる。
【００２７】
ここで、「シリコン基板１の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度よりも大きくなる」とは、一例として図２に示されるように、シリコン基板の表面から裏面までの酸素析出物の密度プロファイルが、表面および裏面から所定深さで各々ピークを示すことを意味する。このように、酸素析出物の密度がいわゆる「Ｍ字」分布を有する場合は、エピタキシャル層直下に高密度な酸素析出物の領域が形成されるため、この密度が均一な場合と比較して、高いゲッタリング能力を有する。
【００２８】
また、酸素析出物とは、炭素・酸素複合体(クラスター)である析出物を意味し、また、上記デバイス工程とは、エピタキシャル層成長工程後のイメージセンサの形成工程を意味する。
【００２９】
シリコン基板１は、炭素濃度が0.1×1016〜20×1016atoms/cm3の範囲であるのが好ましい。炭素濃度が0.1×1016atoms/cm3未満では、ゲッタリングシンクとして作用する酸素析出物を十分に形成することができず、一方、炭素濃度が20×1016atoms/cm3を超えた場合、酸素析出物の１個当たりのサイズが50nm未満となり、十分なゲッタリング能力を保持することができないためである。なお、シリコン基板１は、炭素を固溶状態で含むものとすることができる。これにより、シリコン格子中に、シリコンと置換させる形で炭素を導入することができる。炭素の原子半径はシリコン原子と比較して短いため、置換位置に炭素が配位した場合、結晶の応力場は圧縮応力場となり、格子間の酸素および不純物が圧縮応力場に捕獲され易くなる。この置換位置炭素を起点に、所定の熱処理を施すと、転位を伴う酸素との析出物が高密度で発現しやすくなり、シリコン基板１に高いゲッタリング効果を付与することができるものである。
【００３０】
また、シリコン基板１は、窒素がさらに添加されたシリコン基板１としてもよく、窒素濃度は0.5×1013〜50×1013atoms/cm3の範囲であるのが好ましい。窒素濃度が0.5×1013atoms/cm3未満では、ゲッタリングシンクとして作用する酸素析出物を十分に形成することが出来なくなるおそれがあり、一方、窒素濃度が50×1013atoms/cm3を超えた場合、エピタキシャル層に転位が入るおそれがあるためである。
【００３１】
シリコン基板１の表層部は、シリコン基板の表面から厚み方向に５μｍの位置から３０μｍの位置までの範囲であるのが好ましい。シリコン基板の表面から厚み方向に０μｍ以上５μｍ未満の位置に酸素析出物密度のピークがあると、リーク電流の発生等が生じるおそれがあることから、この領域は無欠陥層とするのが好ましい。一方、シリコン基板の表面から厚み方向に３０μｍ超えの位置からシリコン基板の厚み中心側の位置に酸素析出物密度のピークがあると、ゲッタリング効果が不十分となるためである。
【００３２】
さらに、シリコン基板１の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度の２倍以上であるのが好ましい。ここで、シリコン基板１の表層部における酸素析出物密度とは、ピークの最大値のことをいう。さらに、シリコン基板１の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度の２倍以上とすることにより、エピタキシャル層直下に高密度な酸素析出物の領域が形成され、十分なゲッタリング効果を付与することができる。
【００３３】
シリコン基板１の表層部における酸素析出物密度が5×105個/cm2以上であるのが好ましい。酸素析出物密度が5×105個/cm2未満だと、ゲッタリング効果が不十分となるおそれがあるためである。
【００３４】
一方、シリコン基板１の厚さ中心部における酸素析出物密度が3×105個/cm2以下であるのが好ましい。酸素析出物密度が3×105個/cm2を超えてもゲッタリング効果に寄与するが、逆に表層部への酸素析出の促進を抑制するおそれがあるためである。
【００３５】
第１熱処理は、エピタキシャル基板を、窒素を含む雰囲気中で、500〜700℃の範囲に保たれる装置に配置し、1100〜1300℃の範囲まで10〜100℃／分の速度で昇温して0.01〜60秒間保持した後、500〜700℃の範囲まで10〜100℃／分の速度で降温することを含むのが好ましい。この処理により、シリコン基板１の表面が窒化されて空孔が注入され、基板表層部に高密度の空孔注入層が形成することができる。
【００３６】
第２熱処理は、エピタキシャル基板を、窒素を含む雰囲気中で、600〜1100℃の範囲で15分間〜15時間保持することを含むのが好ましい。この処理により、上記第１熱処理により形成された空孔を析出核とし、イメージセンサの形成工程において熱処理を施しても、消滅しないサイズのBMDを形成することができる。
【００３７】
なお、ゲッタリングシンクを形成する工程前のシリコン基板１は、格子間酸素濃度が1.0×1018〜2.0×1018atoms/cm3の範囲であるのが好ましい。また、格子間酸素濃度が1.0×1018atoms/cm3未満だと酸素析出が抑制され酸素析出密度が低さくなるおそれがあり、一方、格子間酸素濃度が2.0×1018atoms/cm3を超えると析出過多となるおそれがあるためである。
【００３８】
また、炭素が添加されたシリコン基板１上にエピタキシャル層２を成長させてエピタキシャル基板を形成する工程(図１(b))の前に、シリコン基板１を研磨および洗浄する工程をさらに具えるのが好ましい。なお、洗浄方法としては、SC-1およびSC-2を組み合わせたRCA洗浄等が挙げられる。
【００３９】
本発明に従うエピタキシャル基板１００は、図１(c)に示すように、炭素が添加されたシリコン基板１上にエピタキシャル層２(図１(c)では、２層のエピタキシャル層２ａ,２ｂ)を有し、シリコン基板１の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度よりも大きいことを特徴とし、かかる構成を有することにより、デバイス工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、イメージセンサの白傷欠陥の発生を低減させることができるエピタキシャル基板およびその製造方法を提供することができる。
【００４０】
また、上述した理由から、シリコン基板１の表層部における酸素析出物密度が5×105個/cm2以上であるのが好ましく、シリコン基板１の厚さ中心部における酸素析出物密度が3×105個/cm2以下であるのが好ましい。
【００４１】
シリコン基板１は、ｐ型不純物としてボロンを4.4×1013atoms/cm3以上2.8×1017atoms/cm3以下の範囲だけ含む、抵抗率が0.1Ωcm以上300Ωcm以下のｐ-基板や、ｎ型不純物としてリンを1.4×1013atoms/cm3以上7.8×1016atoms/cm3以下の範囲だけ含む、抵抗率が0.1Ωcm以上300Ωcm以下のｎ−基板としてもよいが、酸素析出物の凝集を起こり易くするため、ｐ型不純物としてボロンを2.8×1017atoms/cm3超え1.06×1020atoms/cm3以下の範囲だけ含む、抵抗率が1.1mΩcm以上100mΩcm未満のｐ＋基板とするのがより好ましい。
【００４２】
エピタキシャル層２が、図１(c)に示すように２層のエピタキシャル層２ａ,２ｂを有するのが好ましく、この場合、エピタキシャル層２ａを、ｐ型不純物としてボロンを1.1×1019atoms/cm3以上1.2×1020atoms/cm3以下の範囲だけ含む、抵抗率が1mΩcm以上8mΩcm以下のｐ＋＋基板(厚さ:0.1〜5μm)とし、エピタキシャル層２ｂを、ｐ型不純物としてボロンを4.4×1013atoms/cm3以上2.8×1017atoms/cm3以下の範囲だけ含む、抵抗率が0.1Ωcm以上300Ωcm以下のｐ−基板(厚さ:2.5〜10μm)またはｎ型不純物としてリンを1.4×1013atoms/cm3以上7.8×1016atoms/cm3以下の範囲だけ含む、抵抗率が0.1Ωcm以上300Ωcm以下のｎ−基板(厚さ:2.5〜10μm)とするのが好ましい。フォトダイオードの空乏層を確保するためである。
【００４３】
なお、図には示されないが、エピタキシャル層２が１層の場合、エピタキシャル層２を、ｐ型不純物としてボロンを4.4×1013atoms/cm3以上2.8×1017atoms/cm3以下の範囲だけ含む、抵抗率が0.1Ωcm以上300Ωcm以下のｐ−基板(厚さ:2.5〜10μm)またはｎ型不純物としてリンを1.4×1013atoms/cm3以上7.8×1016atoms/cm3以下の範囲だけ含む、抵抗率が0.1Ωcm以上300Ωcm以下のｎ−基板(厚さ:2.5〜10μm)とするのが好ましい。
【００４４】
なお、図１および図２は、代表的な実施形態の例を示したものであって、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。なお、本願発明のエピタキシャル基板は、固体撮像素子に用いるのが好適であるが、これ以外の高ゲッタリング能を必要とするいかなる基板としても適用可能である。
【実施例】
【００４５】
（実施例１）
実施例１は、炭素が添加されたシリコン基板(炭素濃度：9×1016atoms/cm3、格子間酸素濃度：1.5×1018atoms/cm3、不純物元素：ボロン、抵抗値:10Ωcm、厚さ:775μm)上にエピタキシャル層(ボロン、10Ωcm、5μm)を成長させた後、第１熱処理および第２熱処理を施してエピタキシャル基板(厚さ:780μm)を形成し、サンプルとなるエピタキシャル基板を得た。
第１熱処理は、エピタキシャル基板を、Ar＋NH3の雰囲気中で、600℃に保たれる装置に配置し、1200℃まで90℃／分の速度で昇温して30秒間保持した後、600℃まで70℃／分の速度で降温した。
第２熱処理は、エピタキシャル基板を、N2＋O2の雰囲気中で、600℃で1h保持した後、3℃/minで1000℃まで昇温し、1000℃で2h保持した。
【００４６】
（比較例１）
比較例１は、炭素を添加しないシリコン基板(格子間酸素濃度：1.5×1018atoms/cm3、不純物元素：ボロン、抵抗値:10.5Ωcm、厚さ:775μm)を用いたこと以外は実施例１と同様の方法によりサンプルとなるエピタキシャル基板を作製した。
【００４７】
（比較例２）
比較例２は、第１熱処理を施さないこと以外は実施例１と同様の方法によりサンプルとなるエピタキシャル基板を作製した。
【００４８】
実施例１および比較例１〜２について、シリコン基板の厚さ方向における酸素析出物の密度をプロファイルしたグラフを図３に示す。図３に示すように、本発明に従う実施例１のエピタキシャル基板は、比較例１および２のエピタキシャル基板と比較して、表層部の酸素析出物密度が大きいことがわかる。
【００４９】
また、図４は、析出密度とゲッタリングとの関係を示したＩＧマップであるが、ＩＧラインは5×1011atoms/cm2のNiを強制汚染した際に、その90%をゲッタリングすることができるBMDのサイズと密度の境界を示しており、ＩＧラインより右側に遠ざかれる位置にプロットされるほど、Niに対するゲッタリング能力が高い基板ということになる。ＩＧマップ上の対比から、実施例１のゲッタリング能力は、比較例１および２と比較して高いことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明によれば、炭素が添加されたシリコン基板上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャル基板を形成する工程と、このエピタキシャル基板を形成する工程後に、エピタキシャル基板を構成するシリコン基板の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度よりも大きくなるよう、エピタキシャル基板に第１熱処理および第２熱処理を施す熱処理工程とを含むことにより、デバイス工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、イメージセンサの白傷欠陥の発生を低減させることができるエピタキシャル基板およびその製造方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１００  エピタキシャル基板
１      シリコン基板
２      エピタキシャル層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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