(57)【要約】【課題】近接スキャン露光方法でも共取りが可能で、高精度に露光を行うことができる近接スキャン露光装置及びその制御方法を提供する。【解決手段】基板Ｗを所定方向に搬送する基板搬送機構と、パターンＭｐ１〜Ｍｐ４を形成した複数のマスクＭをそれぞれ保持し、所定方向と交差する方向に沿って千鳥状に配置される複数のマスク保持部１１ａ、１１ｃと、複数のマスク駆動部と、複数のマスク保持部の上部に配置される複数の照射部とを備え、所定方向に搬送される基板Ｗに対してマスクＭを介して露光用光を照射し、基板にマスクＭのパターンを露光する近接スキャン露光装置であって、マスクＭに複数のパターンが配置され、露光動作中にマスク駆動部を駆動し、パターンＭｐ１〜Ｍｐ４を切り替えるマスクパターン切り替え機能を備えることにより一定速度で基板が搬送され続ける近接スキャン露光方法でも共取りが可能で、高精度に露光を行うことができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を所定方向に搬送する基板搬送機構と、
パターンを形成した複数のマスクをそれぞれ保持し、前記所定方向と交差する方向に沿って千鳥状に配置される複数のマスク保持部と、
前記各マスク保持部をそれぞれ駆動する複数のマスク駆動部と、
前記複数のマスク保持部の上部にそれぞれ配置され、露光用光を照射する複数の照射部と、
前記マスク駆動部を制御する制御装置と、を備え、
前記所定方向に搬送される基板に対して前記マスクを介して前記露光用光を照射し、前記基板に前記マスクのパターンに対応したセルを露光する近接スキャン露光装置であって、
前記マスクに複数のパターンが配置され、
前記制御装置に、露光動作中に前記マスク駆動部を駆動し、前記マスクのパターンを切り替えるマスクパターン切り替え機能を備えたことを特徴とする近接スキャン露光装置。
【請求項２】
前記マスク切り替え機能が前記セルの切り替わるセル間で前記マスクのパターンを切り替える機能を有することを特徴とする請求項１記載の近接スキャン露光装置。
【請求項３】
前記制御装置は、前記マスク駆動部を駆動し、前記基板に対して前記マスクを近接退避させるマスク近接退避機能を有し、さらに、前記制御装置は、前記マスクパターン切り替え機能と前記マスク近接退避機能とを同期させる同期制御機能を有することを特徴とする請求項１または２近接スキャン露光装置。
【請求項４】
基板を所定方向に搬送する基板搬送機構と、パターンを形成した複数のマスクをそれぞれ保持し、前記所定方向と交差する方向に沿って千鳥状に配置される複数のマスク保持部と、前記各マスク保持部をそれぞれ駆動する複数のマスク駆動部と、前記複数のマスク保持部の上部にそれぞれ配置され、露光用光を照射する複数の照射部と、を備え、前記所定方向に搬送される基板に対して前記マスクを介して前記露光用光を照射し、前記基板に前記マスクのパターンを露光する近接スキャン露光装置の制御方法であって、
前記マスクに複数のパターンが配置され、露光動作中に前記マスク駆動部を駆動し、前記マスクのパターンを切り替えることを特徴とする近接スキャン露光装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近接スキャン露光装置及びその制御方法に関し、より詳細には、基板を搬送しながら露光する際に、一枚の基板に複数のサイズのセルを露光する近接スキャン露光装置及びその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
大型の薄形テレビ等に用いられる液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の大型のフラットパネルディスプレイは、基板上にマスクのパターンを分割逐次露光方式で近接露光転写することで製造される。従来のこの種の分割逐次露光装置としては、例えば、被露光材としての基板より小さいマスクを用い、該マスクをマスクステージで保持すると共に基板をワークステージで保持して両者を近接して対向配置し、この状態でワークステージをマスクに対してステップ移動させて、各ステップ毎にマスク側から基板にパターン露光用の光を照射することにより、マスクに描かれた複数のマスクパターンを基板上に露光転写して一枚の基板に複数のセルを作成するようにしたものが知られている。
また、特許文献１では、一定速度で搬送されている基板に対して、露光用光をマスクを介して照射し、基板上にマスクのパターンを露光転写する近接スキャン露光方法が知られている。
ところで、特許文献２に記載の分割逐次露光方式の近接露光装置では、複数のパターンを有する大型マスクを用い、使用するパターン以外をアパーチャにより遮蔽することにより、一枚の基板に複数のサイズのセルを露光（所謂、共取り）することで、基板を有効に利用するものが記載されている。これは、分割逐次露光方式であるため、ステップ後又は同時にブラインドの移動を行い、遮蔽を行い、その後露光することにより共取りを可能としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−０５７７９１号公報
【特許文献２】特開２００８−２２４７５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の様な近接スキャン露光方法で共取りをしようとした場合には、一定速度で基板が搬送され続けるため、特許文献２の様にアパーチャで遮光すると、アパーチャを移動している間にも露光が行われ、不必要な所まで露光されてしまい、共取りが不可能となる。
【０００５】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、一定速度で基板が搬送され続ける近接スキャン露光の場合にも共取りが可能で、高精度に露光を行うことができる近接スキャン露光装置及びその制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
（１）基板を所定方向に搬送する基板搬送機構と、
パターンを形成した複数のマスクをそれぞれ保持し、前記所定方向と交差する方向に沿って千鳥状に配置される複数のマスク保持部と、
前記各マスク保持部をそれぞれ駆動する複数のマスク駆動部と、
前記複数のマスク保持部の上部にそれぞれ配置され、露光用光を照射する複数の照射部と、
前記マスク駆動部を制御する制御装置と、を備え、
前記所定方向に搬送される基板に対して前記マスクを介して前記露光用光を照射し、前記基板に前記マスクのパターンに対応したセルを露光する近接スキャン露光装置であって、
前記マスクに複数のパターンが配置され、
前記制御装置に、露光動作中に前記マスク駆動部を駆動し、前記マスクのパターンを切り替えるマスクパターン切り替え機能を備えたことを特徴とする近接スキャン露光装置。
（２）前記マスク切り替え機能が前記セルの切り替わるセル間で前記マスクのパターンを切り替える機能を有することを特徴とする請求項１記載の近接スキャン露光装置。
（３）前記制御装置は、前記マスク駆動部を駆動し、前記基板に対して前記マスクを近接退避させるマスク近接退避機能を有し、さらに、前記制御装置は、前記マスクパターン切り替え機能と前記マスク近接退避機能とを同期させる同期制御機能を有することを特徴とする請求項１または２近接スキャン露光装置。
（４）基板を所定方向に搬送する基板搬送機構と、パターンを形成した複数のマスクをそれぞれ保持し、前記所定方向と交差する方向に沿って千鳥状に配置される複数のマスク保持部と、前記各マスク保持部をそれぞれ駆動する複数のマスク駆動部と、前記複数のマスク保持部の上部にそれぞれ配置され、露光用光を照射する複数の照射部と、を備え、前記所定方向に搬送される基板に対して前記マスクを介して前記露光用光を照射し、前記基板に前記マスクのパターンを露光する近接スキャン露光装置の制御方法であって、
前記マスクに複数のパターンが配置され、露光動作中に前記マスク駆動部を駆動し、前記マスクのパターンを切り替えることを特徴とする近接スキャン露光装置の制御方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の近接スキャン露光装置及びその制御方法によれば、マスクパターン切り替え機能を備えたことにより、露光動作中にマスクパターンを素早く切り替えることが可能となり、一枚の基板に複数のサイズのセルを露光する共取りができる為、基板の無駄な部分を最小限に抑えながら高精度に露光を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態である近接スキャン露光装置の平面図である。
【図２】図１における近接スキャン露光装置の正面図である。
【図３】マスク切り替え機能によりマスク駆動部を駆動し、基板の露光を行う概略図である。
【図４】（Ａ）はマスク切り替え機能によりマスク駆動部を駆動し、マスクを切り替えてマスクパターン３を露光している状態を示す図であり、（Ｂ）はマスク切り替え機能によりマスク駆動部を駆動し、マスクを切り替えてマスクパターン４を露光している状態を示す図である。
【図５】（Ａ）は同期制御機能によるマスク切り替え前の状態を示す図であり、（Ｂ）は同期制御機能によりマスクを斜め上に退避している状態を示す図であり、（Ｃ）は（Ｂ）の状態からマスクを水平移動している状態を示す図であり、（Ｄ）は（Ｃ）の状態からマスクを斜め下に近接させている状態を示す図である。
【図６】同期制御機能によるマスク切り替えの軌跡を示す図である。
【図７】マスク切り替え機能及び同期制御機能によりマスクを切り替えて露光の制御方法を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明に係る近接スキャン露光装置及び露光方法の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１０】
（第１実施形態）
先ず、第１施形態の近接スキャン露光装置１の構成について概略説明する。図１及び図２に示すように、本実施形態のスキャン露光装置１は、基板（カラーフィルタ基板）Ｗを浮上させて支持すると共に、所定方向（図１のＸ方向）に搬送する基板搬送機構１０と、複数のマスクＭをそれぞれ保持し、所定方向と交差する方向（図１のＹ方向）に沿って千鳥状に二列配置された複数（図１に示す実施形態において、左右それぞれ６個）のマスク保持部１１と、マスク保持部１１を駆動するマスク駆動部１２と、複数のマスク保持部１１の上部にそれぞれ配置されて露光用光を照射する複数の照射部１４と、スキャン露光装置１の各作動部分の動きを制御する制御部１５と、を主に備える。
【００１１】
基板搬送機構１０は、基板ＷをＸ方向に搬送する領域、即ち、複数のマスク保持部１１の下方領域、及びその下方領域からＸ方向両側に亘る領域に設けられた浮上ユニット１６と、基板ＷのＹ方向一側（図１において上辺）を保持してＸ方向に搬送する基板駆動ユニット１７とを備える。浮上ユニット１６は、複数のフレーム１９上にそれぞれ設けられた複数の排気エアパッド２０及び吸排気エアパッド２１を備え、ポンプ（図示せず）やソレノイドバルブ（図示せず）を介して排気エアパッド２０や吸排気エアパッド２１からエアを排気或いは、吸排気する。基板駆動ユニット１７は、図１に示すように、浮上ユニット１６によって浮上、支持された基板Ｗの一端を保持する吸着パッド２２を備え、モータ２３、ボールねじ２４、及びナット（図示せず）からなるボールねじ機構２５によって、ガイドレール２６に沿って基板ＷをＸ方向に搬送する。なお、図２に示すように、複数のフレーム１９は、地面にレベルブロック１８を介して設置された装置ベース２７上に他のレベルブロック２８を介して配置されている。また、基板Ｗは、ボールねじ機構２５の代わりに、リニアサーボアクチュエータによって搬送されてもよい。
【００１２】
マスク駆動部１２は、フレームＦ（図４参照）に取り付けられ、マスク保持部１１をＸ方向に沿って駆動するＸ方向駆動部３１と、Ｘ方向駆動部３１の先端に取り付けられ、マスク保持部１１をＹ方向に沿って駆動するＹ方向駆動部３２と、Ｙ方向駆動部３２の先端に取り付けられ、マスク保持部１１をθ方向（Ｘ，Ｙ方向からなる水平面の法線回り）に回転駆動するθ方向駆動部３３と、θ方向駆動部３３の先端に取り付けられ、マスク保持部１１をＺ方向（Ｘ，Ｙ方向からなる水平面の鉛直方向）に駆動するＺ方向駆動部３４と、を有する。これにより、Ｚ方向駆動部３４の先端に取り付けられたマスク保持部１１は、マスク駆動部１２によってＸ，Ｙ，Ｚ，θ方向に駆動可能である。なお、Ｘ，Ｙ，θ，Ｚ方向駆動部３１，３２，３３，３４の配置の順序は、適宜変更可能である。
【００１３】
また、図１に示すように、千鳥状に二列配置された搬入側及び搬出側マスク保持部１１ａ，１１ｂ間には、各マスク保持部１１ａ，１１ｂのマスクＭを同時に交換可能なマスクチェンジャ２が配設されている。マスクチェンジャ２により搬送される使用済み或いは未使用のマスクＭは、マスクストッカ３，４との間でローダー５により受け渡しが行われる。なお、マスクストッカ３，４とマスクチェンジャ２とで受け渡しが行われる間にマスクプリアライメント機構（図示せず）によってマスクＭのプリアライメントが行われる。
【００１４】
図２に示すように、マスク保持部１１の上部に配置される照射部１４は、光源６、ミラー７、オプチカルインテグレータ（図示せず）、シャッター（図示せず）等を備える。光源６としては、紫外線を含んだ露光用光ＥＬを放射する、例えば超高圧水銀ランプ、キセノンランプ又は紫外線発光レーザが使用される。
【００１５】
このような近接スキャン露光装置１は、浮上ユニット１６の排気エアパッド２０及び吸排気エアパッド２１の空気流によって基板Ｗを浮上させて保持し、基板Ｗの一端を基板駆動ユニット１７で吸着してＸ方向に搬送する。そして、マスク保持部１１の下方に位置する基板Ｗに対して、照射部１４からの露光用光ＥＬがマスクＭを介して照射され、マスクＭのパターンを基板Ｗに塗布されたカラーレジストに転写する。
【００１６】
図３に示すように、マスク保持部１１ａ，１１ｃに保持されたマスクＭには、複数のマスクパターン１  Ｍｐ１〜マスクパターン４  Ｍｐ４が配置されている。このマスクＭのパターンは、計１２箇所配置された各保持部１１（図１参照）に、必要に応じた形状ものが配置されている。
また、マスクパターン１  Ｍｐ１〜マスクパターン４  Ｍｐ４の切り替えは、光源６に対して、マスク駆動部１２のＸ方向駆動部３１により、マスク保持部１１ａ，１１ｂをＸ１方向に移動することで行われる。
図４（Ａ）はマスクパターン３  Ｍｐ３に対して光源６から露光光ＥＬが照射された状態であり、それをマスクパターン切り替えにより、マスクパターン４  Ｍｐ４に対して光源６から露光光ＥＬが照射された状態にしたものが、図４（Ｂ）である。
【００１７】
このマスクパターンの切り替えは、制御部１５に設けられたマスクパターン切り替え機能１５ａ（図１参照）により行われる。マスクパターン切り替え機能１５ａは、制御部１５に予め記憶されたレシピパターンに応じてマスク駆動部１２に対して指令を出力する。
マスクパターンの切り替えの切り替え速度は調節可能とされ、切り替えるマスクパターンに応じて増減速される。
また、マスクパターン切り替えは、露光動作中に、セル間であるマスク切り替え区間Ｋで行われる。この場合に、基板Ｗの搬送を一時的に減速又は停止しても良い。そして、このように減速又は停止する場合には、セルの積算露光量に影響を与えるため、セルに対応する光源６の供給電力を落としても良いし、一時的にシャッターにより遮光を行っても良い。
マスク切り替え区間Ｋは、マスクパターンのパターン間隔と同じにすることも可能であるし、広くすることも狭くすることも可能である。
【００１８】
ここで、基板Ｗにサイズの異なる二種類のＳｅ１〜Ｓｅ４０及びＳｅ２〜Ｓｅ７０が共取り（露光）される場合される場合について説明する。
マスク保持部１１ａマスクＭのマスクパターン３  Ｍｐ３に露光光ＥＬが照射された状態で基板Ｗがその直下を通過する。その状態を示すものが、基板Ｗの左下Ｓｅ１及びＳｅ６のマスクパターン３  Ｍｐ３（斜線部）である。そして、基板の搬送により、順次、Ｓｅ２及びＳｅ７、Ｓｅ３及びＳｅ８、Ｓｅ４及びＳｅ９そしてＳｅ５及びＳｅ１０と露光される。
その後、異なる大きさのセルＳｅ５１及びＳｅ５５の露光が行われるが、この時には、マスクパターン４  Ｍｐ４が使用される。サイズの異なるセル間、即ちマスク切り替え区間ＫでマスクＭを切り替えが行われる。
そして、マスクパターン４  Ｍｐ４の直下で、Ｓｅ５１及びＳｅ５５の露光が行われ、順次、Ｓｅ５２及びＳｅ５６、Ｓｅ５３及びＳｅ５７、そしてＳｅ５４及びＳｅ５８と露光が行われる。
【００１９】
次に、マスク保持部１１ｃのマスクＭによるＳｅ１６〜Ｓｅ２６及びＳｅ５９〜Ｓｅ６３が共取り（露光）される場合を説明するが、前記マスク保持部１１ａのマスクＭによる露光と同時に行われる。また、同様な制御が行われる。
マスク保持部１１ｃのマスクＭのマスクパターン１  Ｍｐ１に露光光ＥＬが照射された状態で基板Ｗがその直下を追加する。その状態を示すものが、基板Ｗの中央Ｓｅ１６、Ｓｅ２１及びＳｅ２６のマスクパターン１  Ｍｐ１（斜線部）である。そして、基板の搬送により、順次、Ｓｅ１７、Ｓｅ２２及びＳｅ２７、Ｓｅ１８、Ｓｅ２３及びＳｅ２８、Ｓｅ１９、Ｓｅ２４及びＳｅ２９、そして、Ｓｅ２０、Ｓｅ２５及びＳｅ３０と露光される。
その後、異なる大きさのセルＳｅ５９及びＳｅ６３の露光が行われるが、この時には、マスクパターン２  Ｍｐ２が使用される。サイズの異なるセル間、即ちマスク切り替え区間ＫでマスクＭを切り替えが行われる。
そして、マスクパターン２  Ｍｐ２の直下で、Ｓｅ５９及びＳｅ６３の露光が行われ、順次、Ｓｅ６０及びＳｅ６４、Ｓｅ６１及びＳｅ６５、そしてＳｅ６２及びＳｅ６６と露光が行われる。
【００２０】
尚、マスク保持部１１ａとマスク保持部１１ｃの間のセルＳｅ１１〜Ｓｅ２０及びＳｅ５５〜Ｓｅ６２の露光は、マスク保持部１１ｂのマスクにより繋ぎ露光が行われる。このマスクには、マスクパターンＭｐ１とＭｐ３の間を繋ぐ形状のマスクパターンが形成されている。
【００２１】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る近接スキャン露光装置について、図５及び図６を参照して説明する。なお、第１実施形態と同等部分については、同一符号を付して説明を省略或いは簡略化する。
【００２２】
本実施形態の近接スキャン露光装置は、第１の実施形態とはマスクパターンを切り替えながら基板Ｗに対してマスクＭを近接遠退させる点で異なる。
通常、マスクパターン切り替えは、マスク保持部１１と基板Ｗのギャップを正規ギャップ（例えば、１００〜３００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍ）のままで行われる。
こうした場合には、基板Ｗ及びマスクＭの走り精度（ピッチング、ヨーイング、ローリングを含めた直進精度）が問題となり、これが悪い場合には、マスクＭと基板Ｗが接触（衝突）し、どちらか又は両方が破損、傷の原因となる。
このような場合に、一度マスクを退避（鉛直方向上側に移動）させてから、マスク切り替えを行うことも考えられるが、このように、マスク退避の完了を待ってからマスク切り替えを行った場合には、マスク退避動作分だけタクト増の原因となってしまう。
【００２３】
これらを考慮し、マスク保持部１１を基板Ｗに対して退避させながらマスク切り替えを行うことも可能である。この制御は、制御部１５（図１参照）に設けられた同期制御機能１５ｂ（図１参照）により行われる。同期制御機能１５ｂからの指令により、マスクパターン切り替え機能１５ａ（図１参照）とマスク近接退避機能１５ｃ（図１参照）とを同期制御することにより行われる。
マスクパターン切り替え機能１５ａは、マスク保持部１１をＸ方向（水平方向）に沿って駆動するＸ方向駆動部３１を駆動し、マスク近接退避機能１５ｃはマスク保持部１１をＺ方向（鉛直方向）に駆動するするＺ方向駆動部３４を駆動する。
図５はマスクパターン３  Ｍｐ３からマスクパターン４  Ｍｐ４への切り替えに同期制御を用いたものである。図５（Ａ）は、光源６の露光用光ＥＬがマスクパターン３  Ｍｐ３に照射され、所定のセルの露光を終了した状態である。そして、マスクＭを斜め上に上昇退避させるが、これはマスク保持部１１ａ，１１ｂをＸ方向駆動部３１によりＸ１方向（図５の紙面右側）に駆動しながら、Ｚ方向駆動部３４を鉛直方向上側（図５の紙面上側）に駆動することにより行われ、図５（Ｂ）の状態となる。
次いで、マスクＭを水平移動（基板Ｗと平行移動）させる。これはマスク保持部１１ａ，１１ｂをＸ方向駆動部３１によりＸ１方向（図５の紙面右側）に駆動することで行われ、図５（Ｃ）の状態となる。
さらに、マスクＭを斜め下に下降近接させるが、これはマスク保持部１１ａ，１１ｂをＸ方向駆動部３１によりＸ１方向（図５の紙面右側）に駆動しながら、Ｚ方向駆動部３４を鉛直方向下側（図５の紙面下側）に駆動することにより行われる。これにより図５（Ｄ）に示すように、光源６の露光用光ＥＬがマスクパターン４  Ｍｐ４に照射される状態となる。
以上でマスク切り替えが完了するが、その軌跡は図６に示すようにアーチ状となる。こうすることで、基板Ｗの送り精度又はマスクＭの送り制度を問題とすることなく、マスク切り替え時にマスクと基板との接触を避けることが可能となる。
【００２４】
本実施形態では、マスクＭの上昇退避動作とＸ１方向移動動作の同期制御と、マスクＭの下降近接動作とマスクＭのＸ１方向移動動作の同期制御との間に、マスクＭのＸ１方向移動動作のみを行う工程を含んでいるが、これを省き、常にマスクＭの上昇退避動作とＸ１方向移動動作の同期制御を行うことで、さらに動作時間の短縮を図ってもよい。
尚、この同期制御によるマスクＭの軌跡は曲線でも直線でも良く、さらにそれを組み合わせたものでも良い。
【００２５】
また、マスクＭとワークＷとの接触をより確実に回避するため、マスクＭの上昇退避動作をＸ１方向移動動作より若干早く作動させることが好ましく、また、Ｘ１方向移動動作を下降近接動作より若干早く終了させることが好ましい。
【００２６】
さらに、マスクＭの上昇退避動作とマスクＭのＸ１方向移動動作の同期制御は、開始時点から終了時点に向かって徐々に増速させ、マスクＭの下降近接動作とマスクＭのＸ１方向移動動作の同期制御も、開始時点から終了時点に向かって徐々に減速させるようにしてもよく、これにより、動作時間を短縮することができる。
【００２７】
以下、図５を参照し、具体的な処理について説明する。
まず、露光開始信号により露光開始される（ステップＳ１）と、基板位置検出（ステップＳ２）及び、Ｙ方向基板ズレ検出（ステップＳ３）が行われ、ズレがあった場合には、Ｙ方向基板ズレ補正（ステップＳ４）が行われる。
そして、１つのセルの露光が行われている間はこの動作が繰り返され（ステップＳ５）、完了した場合にはセル種類の変更の有無が確認される（ステップＳ６）。
【００２８】
セル種類の変更がある場合には、セル間では倣い露光が不可能なため予想制御が行われ、Ｙ方向追従位置変更が行われる（ステップＳ７）。
【００２９】
これと同時にマスクパターン切り替えが行われる。そして、マスクＭのＺ軸方向の上昇退避動作とマスクＭのＸ１方向移動動作とをほぼ同時に開始する（ステップＳ８）。
その後、マスクＭとワークＷとが接触が確実に回避される所定の隙間離れた時点で、マスクＭのＸ１方向移動動作のみの水平方向移動が行なわれ、（ステップＳ９）
マスクＭの下降近接動作とマスクＭのＸ１方向移動動作がほぼ同時に開始され、所定位置にてほぼ同時に終了する（ステップＳ１０）。
このように、マスクＭのＺ軸方向（鉛直方向）とマスクＭのＸ１方向移動動作（水平方向）とを同期させるように制御するので、安全性を確保しつつ、短時間でのマスク切り替え動作を行い、露光動作のタクトタイムを短縮することができ、これにより、スループットを向上することができる。
【００３０】
そして、セル内の追従ライン検出が行われながら露光が行われる（ステップＳ１１）。ここで、全セルの露光が完了した場合（ステップＳ１２）、露光動作が完了し（ステップＳ１３）、次の露光シーケンスが行われる（ステップＳ１４）。
【００３１】
また、セル種類の変更が行われない場合には、セル間は追従不可能領域ため、Ｙ方向予想制御が行われる（ステップＳ１５）。そして、セル内追従ライン検出が行われながら順次露光が行われる（ステップＳ１６）。
【００３２】
以上のように、本実施形態の近接スキャン露光装置及びその制御方法によれば、マスクパターン切り替え機能を備えたことにより、露光動作中にマスクパターンを素早く切り替えることが可能となり、一枚の基板に複数のサイズのセルを露光する共取りができる為、基板の無駄な部分を最小限に抑えながら高精度な露光を実現することができる。
【００３３】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものでなく、適宜、変更、改良等が可能である。
上記実施形態においては、基板搬送機構１０は、浮上ユニット１６と基板駆動ユニット１７によって基板Ｗを浮上して保持しながら搬送する場合について述べたが、これに限らず、基板を上面に載置しながら保持及び搬送するものであってもよい。
また、上記実施形態においては、図１に示すように、複数のマスクＭをそれぞれ保持するマスク保持部１１が、図１のＹ方向に沿って千鳥状に二列配置されているが、一列ずつ別の搬送機構とすることも可能である。この場合には、搬送機構毎に搬送速度を調整することが可能となる為、色々な露光パターンに対応可能となる。
【００３４】
そして、上記実施形態においては、基板Ｗがカラーフィルタ基板である場合について述べたが、これに限られず、所定の露光パターンを形成するものであれば半導体基板等如何なるものであってもよい。
【符号の説明】
【００３５】
１  近接スキャン露光装置
１０  基板搬送機構
１１  マスク保持部
１２  マスク駆動部
１４  照射部
１５  制御部
１５ａ  マスクパターン切り替え機能
１５ｂ  同期制御機能
１５ｃ  マスク近接退避機能
ＥＬ  露光用光
Ｍ  マスク
Ｍｐ  マスクパターン
Ｗ  カラーフィルタ基板（基板）
Ｓｅ  セル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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