(57)【要約】      （修正有）【課題】基板、樹脂との混合物に分散された金属酸化物を含むその上の下引き層、光生成層および少なくとも１つの電荷輸送層を有する光導電体において、良好な電気的特性を与えかつ、ゴースト発生を抑制する。【解決手段】基板、スルホンアミド樹脂とフェノール樹脂の混合物に分散された金属酸化物を有するその上の下引き層、光生成層、電荷輸送層を備える光導電体。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、スルホンアミド樹脂とフェノール樹脂の混合物に分散された金属酸化物を有するその上の下引き層、光生成層、電荷輸送層を備える光導電体。
【請求項２】
支持基板、金属酸化物、スルホンアミド樹脂とフェノール樹脂の混合物から成るその上の下引き層、光生成層および電荷輸送層を備える光導電体であって、前記樹脂混合物は架橋高分子網目を形成する、光導電体。
【請求項３】
支持基板、金属酸化物並びにスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂とフェノールホルムアルデヒド樹脂の架橋共重合体網目混合物から成るその上の下引き層、光生成層および正孔輸送層を備える光導電体であって、前記スルホンアミドホルムアルデヒド樹脂は、ｏ−トルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂、ｐ−トルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂、またはベンゼンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂から成る群から選択され、前記フェノールホルムアルデヒド樹脂は、フェノールホルムアルデヒド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールホルムアルデヒド、クレゾールホルムアルデヒド樹脂、４，４’−（１−メチルエチリデン)ビスフェノールホルムアルデヒド樹脂、フェノールおよびクレゾールホルムアルデヒド樹脂、あるいはフェノールおよびｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールホルムアルデヒド樹脂並びにそれらの混合物から成る群から選択され、前記金属酸化物は、酸化チタン, 酸化亜鉛, 酸化錫, 酸化アルミニウム, 酸化シリコン, 酸化ジルコニウム, 酸化インジウム、および酸化モリブデンからなる群から選択され、前記光生成層は、顔料および樹脂バインダから成り、前記正孔輸送層は、アリールアミン分子と樹脂バインダから成り、前記架橋の値は、約４０〜約９０パーセントである、光導電体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書は正孔阻止層を開示するものであり、より具体的には、正孔阻止層または下引き層 （ＵＣＬ：ｕｎｄｅｒｃｏａｔ  ｌａｙｅｒ）を含む光導電体を開示するものである。この層は、例えば、トルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂などのスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂のようなスルホンアミド樹脂と、フェノールホルムアルデヒド樹脂のようなフェノール樹脂との混合物に分散されたＴｉＯ2などの金属酸化物から成り、また、例えば、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、金もしくは金含有化合物などの支持基板および／またはグラウンドプレーン層にコーティングまたは堆積されている。
【背景技術】
【０００２】
米国特許第７，５４４，４５２号は、金属酸化物ナノ粒子、フェノール樹脂およびアミノプラスト樹脂の共樹脂を含有するバインダ、およびバインダを含有する電子写真画像形成部材下引き層を説明するものである。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本明細書に記載の、例えば、電子写真画像形成システムで印刷される画像において、ゴースト発生が最小限におさえられるか、または実質的に除去される実施形態によると、例えば、酸化チタンがフェノールホルムアルデヒド樹脂中に分散された同様の光導電体と比較して高い転移電流と向上したＣＤＳ特性を持つシステムにおいて、合格の印刷品質を可能にすると考えられる光導電体を提供する。
【発明を実施するための形態】
【０００４】
本開示の態様は、下記のものに関する；基板、その上の下引き層、光生成層および電荷輸送層を有する光導電体であって、この下引き層は、スルホンアミド樹脂とフェノール樹脂の混合物の中に分散された金属酸化物を有するもの；支持基板、金属酸化物並びにスルホンアミド樹脂およびフェノール樹脂の混合物から成るその上の下引き層、光生成層および電荷輸送層を有する光導電体であって、樹脂混合物は架橋高分子網目を形成するもの；支持基板、金属酸化物並びにスルホンアミド樹脂およびフェノールホルムアルデヒド樹脂の架橋共重合体ネットワーク混合物から成るその上の下引き層、光生成層および正孔輸送層を含む光導電体であって、スルホンアミドホルムアルデヒド樹脂は、ｏ−トルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂、ｐ−トルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂、またはベンゼンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂およびそれらの混合物から成る群から選択され、フェノールホルムアルデヒド樹脂は、フェノールホルムアルデヒド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールホルムアルデヒド、クレゾールホルムアルデヒド樹脂、４，４’ −（１−メチルエチリデン)ビスフェノールホルムアルデヒド樹脂、フェノールおよびクレゾールホルムアルデヒド樹脂、またはフェノールおよびｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールホルムアルデヒド樹脂、およびそれらの混合物から成る群から選択され、金属酸化物は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫, 酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化ジルコニウム、酸化インジウムおよび酸化モリブデンから成る群から選択され、光生成層は顔料と樹脂バインダから成り、正孔輸送層は、アリールアミン分子と樹脂バインダから成り、架橋値は約４０〜 約９０パーセントであるもの; 基板、グラウンドプレーン層、その上の下引き層、光生成層および少なくとも１つの電荷輸送層を有する光導電体であって、この下引き層は、トルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂およびフェノールホルムアルデヒド樹脂などのスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂の混合物に分散される金属酸化物を含むもの。
【０００５】
正孔阻止層に選択されたフェノール樹脂は、多くの供給源から入手可能であるが、これは通常、酸性触媒もしくは塩基性触媒の存在下で、フェノールとアルデヒドの反応によって形成される。実施形態において、フェノール樹脂は、フェノールホルムアルデヒドおよびフェノールアルデヒドを有する。フェノールの供給源には、例えば、クレゾールおよびキシレノールなどのフェノール、アルキル-置換フェノール; クロロフェノールなどのハロゲン-置換フェノール;レゾルシノールまたはピロカテコールなどの多価フェノール;ナフトールおよびビスフェノールＡなどの多環フェノール; アリール置換フェノール、シクロアルキル置換フェノール、アリールオキシ置換フェノール、およびそれらの種々の混合物であってもよい。 多くのフェノール供給源の例には、２，６−キシレノール、ｏ−クレゾール、ｐ−クレゾール、３，５−キシレノール、３，４−キシレノール、２，３，４−トリメチルフェノール、３−エチルフェノール、 ３，５−ジエチルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、３，５−ジブチルフェノール、ｐ−アミルフェノール、ｐ−シクロヘキシルフェノール、ｐ−オクチルフェノール、３，５−ジシクロヘキシルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−クロチルフェノール、３，５−ジメトキシフェノール、３，４，５−トリメトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｐ−ブトキシフェノール、３−メチル−４−メトキシフェノール、ｐ−フェノキシフェノール、ビスフェノールＡなどの多環フェノール、およびそれらの適切な混合物がある。アルデヒドには、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ブチルアルデヒド、パラアルデヒド、グリオキサル、フルフルアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒドおよび種々のそれらの適切な混合物が含まれる。
【０００６】
実施形態において、 選択されるフェノール樹脂の例としては、例えば、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂;フェノールノボラック樹脂;クレゾールノボラック樹脂;フェノールアルアルキル樹脂;およびそれらの混合物;フェノールホルムアルデヒドポリマー、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、およびクレゾール、例えば、ＶＡＲＣＵＭ(商標) ２９１５９および２９１０１ (ＯｘｙＣｈｅｍ社より入手可能)、および ＤＵＲＩＴＥ（商標）９７ (Ｂｏｒｄｅｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社より入手可能); アンモニア、クレゾールおよびフェノール (ＯｘｙＣｈｅｍ社より入手可能)を有するホルムアルデヒドポリマー;４，４’−(１−メチルエチリデン)ビスフェノールを有するホルムアルデヒドポリマー、例えばＶＡＲＣＵＭ（商標）２９１０８および ２９１１６ (ＯｘｙＣｈｅｍ社より入手可能); クレゾールおよびフェノールを有するホルムアルデヒドポリマー、例えば、ＶＡＲＣＵＭ（商標）２９４５７(ＯｘｙＣｈｅｍ社より入手可能); ＤＵＲＩＴＥ（商標）ＳＤ−４２３Ａ、 ＳＤ−４２２Ａ（Ｂｏｒｄｅｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社より入手可能); フェノールおよびｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールを有するホルムアルデヒドポリマー、例えば、ＤＵＲＩＴＥ（商標）ＥＳＤ  ５５６Ｃ (Ｂｏｒｄｅｒ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社より入手可能); それらの混合物ならびに多くの適切な 公知のフェノール樹脂などがある。
【０００７】
実施形態において、フェノール樹脂は塩基性触媒のフェノールホルムアルデヒド樹脂であり、これらは、１以上のホルムアルデヒド／フェノールのモル比で生成される、例えば、約 １〜 約２; 約１．２〜 約１．８;もしくは 約 １．５である。アミンなどの塩基性触媒は一般に、フェノール樹脂と混合される。実施形態において、フェノール樹脂は架橋剤を必要とせずに、熱で架橋することができる。フェノール樹脂の架橋密度または架橋値は、例えば、約５０〜約１００パーセント; 約６０〜約９０パーセント; 約４０〜約９０パーセント、または 約７０〜約８０パーセントである。
【０００８】
スルホンアミド樹脂の例には、多くの公知の樹脂があり、これらは、酸性触媒もしくは塩基性触媒の存在する中で、スルホンアミド供給源を有するアルデヒドの縮合反応から生成される。スルホンアミド供給源は下記のように表すことができる；
【化１】
2011133885.tif 000002
式中、Ｒは 約１〜約５基であり、各Ｒは独立して、例えば、約１〜約１２、１〜約１０．１、１〜約６もしくは１〜約４の炭素原子を有する水素、アルキルまたは置換アルキルを表す。
【０００９】
スルホンアミドの典型的な例には、ｏ−トルエンスルホンアミド、ｐ−トルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミドがあり、それぞれ、
【化２】
2011133885.tif 000003
など、およびそれらの混合物によって表される。
【００１０】
よって、下引き層樹脂混合物に選択される典型的なスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂には、ｏ−トルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂、ｐ−トルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂、ベンゼンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂、その他の類似の公知の樹脂などと、およびそれらの混合物が含まれる。
【００１１】
実施形態において、スルホンアミド樹脂は、多くの数平均分子量約２００〜約１，０００または約３００〜約６００; ならびにゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ：Ｇｅｌ  Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ  Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ)によって定められるように、重量平均分子量 約３００〜約３，０００、約６００〜約１，０００、約２，０００〜約６，０００および約４００〜約１，０００を有する。
【００１２】
スルホンアミドホルムアルデヒド樹脂は、Ｇｒｅｅｎｓｂｏｒｏ，ＮＣのＵｎｉｔｅｘ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社から市販にて入手可能であり、トルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂であるＵＮＩＰＬＥＸ（登録商標）６００ (硬い、無色の固体、ＧＰＣによる、重量平均分子量約５０８、数平均分子量約４５３)を含む。
【００１３】
種々の量の樹脂混合物を下引き層に対して選択することができる。例えば、約１〜 約９９重量パーセント、約１０〜約７５重量パーセントもしくは約２５〜約５０重量パーセントのスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂を選択することができる。また、約９９〜 約１ 重量パーセント、約９０〜約２５重量パーセントもしくは約７５〜約５０重量パーセントのフェノールホルムアルデヒド樹脂ポリマバインダを選択することができ、この場合、混合物中の２つの樹脂を合わせると約１００パーセントになる。実施形態において、２つの樹脂は反応して、架橋密度が約５０〜約９９パーセント、約４０〜約９０パーセント、もしくは約７０〜約９５重量パーセントの架橋高分子網目を形成することができる。
【００１４】
正孔阻止層の厚さは、例えば、約０．１〜約３０ミクロン、約１〜約２０ミクロン、もしくは約３〜約１５ミクロンの、どんな適切な値であってもよい。
【００１５】
実施形態において、ＴｉＯ2 などの下引き層金属酸化物は、表面処理されていてもされていなくてもよい。表面処理には金属酸化物とラウリン酸アルミニウム、アルミナ、ジルコニア、シリカ、 シラン、メチコン、ジメチコン、メタリン酸ナトリウムなど、およびそれらの混合物との混合が含まれるが、それらに限定されない。ＴｉＯ2の例には、ＭＴ−１５０Ｗ（商標）（メタリン酸ナトリウムによる表面処理、テイカ社から入手可能）、ＳＴＲ−６０Ｎ（商標）（非表面処理、堺化学工業株式会社から入手可能）、ＦＴＬ−１００（商標）（非表面処理、石原産業株式会社から入手可能）、ＳＴＲ−６０（商標）（Ａｌ2Ｏ3による表面処理、堺化学工業株式会社から入手可能）、ＴＴＯ−５５Ｎ（商標）（非表面処理、石原産業株式会社から入手可能）、ＴＴＯ−５５Ａ（商標）（Ａｌ2Ｏ3による表面処理、石原産業株式会社から入手可能）、ＭＴ−１５０ＡＷ（商標）（非表面処理、テイカ株式会社から入手可能）、ＭＴ−１５０Ａ（商標）（非表面処理、テイカ株式会社から入手可能）、ＭＴ−１００Ｓ（商標）（ラウリン酸アルミニウムおよびアルミナによる表面処理、テイカ株式会社から入手可能）、ＭＴ−１００ＨＤ（商標）（ジルコニアおよびアルミナによる表面処理、テイカ株式会社から入手可能）、ＭＴ−１００ＳＡ（商標）（シリカおよびアルミナによる表面処理、テイカ株式会社から入手可能）、などがある。
【００１６】
例えば、約５〜約８０重量パーセント、より具体的には、約３０〜約７０重量パーセントのような適切な量で存在する金属酸化物の例には、酸化チタン、およびそれと金属酸化物の混合物がある。実施形態において、金属酸化物は、約５〜約３００ナノメートルのサイズ直径と、約５０〜約６５０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で、約１×１０3〜約６×１０5ｏｈｍ／ｃｍの粉体抵抗とを有し、さらにより具体的には、酸化チタンは、約４〜約５の推定アスペクト比で、約１０〜約２５ナノメートル、より具体的には約１２〜約１７ナノメートル、さらにより具体的には約１５ナノメートルの主粒子サイズ直径を有し、任意で、例えば、メタリン酸ナトリウムなどの、約１〜約３重量パーセントのアルカリ金属を含有する成分で表面処理し、約６５０〜約５０ｋｇ／ｃｍ2の圧力をかけた場合に、約１×１０4〜約６×１０4ｏｈｍ／ｃｍの粉体抵抗を有する。テイカ社から入手可能な酸化チタンＭＴ−１５０Ｗ（商標）に関しては、正孔阻止層は約０．１〜約３０ミクロンの厚さなどの適切な厚さを有し、それにより、電荷漏れを防止または最小化する。チタンの他の金属酸化物の例には、クロム、亜鉛、錫、銅、アンチモンなどがあり、より具体的には、酸化亜鉛、酸化錫、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化モリブデン、およびそれらの混合物がある。
【００１７】
実施形態において、下引き層は、アゾ顔料、キノリン顔料、ペリレン顔料、インジゴ顔料、チオインジゴ顔料、ビスベンズイミダゾール顔料、フタロシアニン顔料、キナクリドン顔料、キノリン顔料、レーキ顔料、アゾレーキ顔料、アントラキノン顔料、オキサジン顔料、ジオキサジン顔料、トリフェニルメタン顔料、アズレニウム染料、スクアリウム染料、ピリリウム染料、トリアリルメタン染料、キサンテン染料、チアジン染料およびシアニン染料を含むが、これらに限定されない有機顔料および有機染料などの種々の着色料を含む。種々の実施形態において、下引き層は、アモルファスシリコン、アモルファスセレン、テルル、セレン−テルル合金、硫化カドミウム、硫化アンチモン、酸化チタン、酸化錫、酸化亜鉛、および硫化亜鉛、並びにこれらの混合物などの無機材料を含むことができる。着色料は、約０．５〜約２０重量パーセント、より具体的には、１〜約１２重量パーセントのように、種々の適切な量で選択することができる。
【００１８】
実施形態において、正孔阻止層は多くの公知の方法で調製することができ、プロセスの変数は、例えば所望の光導電体部材に依存する。正孔阻止層は、スプレーコータ、ディップコータ、押し出しコータ、ローラーコータ、ワイヤーバーコータ、スロットコータ、ドクターブレードコータ、グラビアコータなどを使用して、溶液または分散液としてグラウンドプレーン層上にコーティングし、静的条件下または空気流中で約４０℃〜約２００℃、約１分〜約１０時間などの適切な時間乾燥させることができる。このコーティングは、乾燥後の最終コーティング厚が約０．１〜約３０ミクロンまたは約１〜約２０ミクロン、または約３〜約１５ミクロンとなるように行うことができる。
【００１９】
光導電体の層は、下引き層に加えて、支持基板、接着層、光生成層、電荷輸送層および保護膜トップ層などの、多くの公知の層より構成することができる。これらの層の例は、本明細書で参照する同時係属出願に記載される通りである。
【００２０】
光導電性基板層の厚さは、経済的考察、電気的特性などを含む多くの要因に依存している、よって、この層は、例えば、３，０００ミクロン以上、約５００から約２，０００ミクロン、約３００から約７００ミクロン、または最小厚さなどと相当の厚さであってもよい。実施形態において、この層の厚さは約７５から約３００ミクロン、または約１００から約１５０ミクロンなどの十分な厚さであってもよい。
【００２１】
基板は不透明、実質的に透明、もしくは多くの他の適切な公知の形式であってもよく、必要とされる機械特性を有する適切な材料を含むものであってもよい。よって基板は、無機または有機組成物などの、非導電性または導電性の材料の層を含むものであってもよい。非導電性材料としては、薄いウェブ(web)のように柔軟なポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリウレタンなどを含む、この目的のための公知の種々の樹脂を用いることもできる。導電性基板は、例えば、アルミニウム、ニッケル、スチール、銅などの適切な材料、または炭素、金属粉末などまたは有機導電性材料などの導電性物質を充填した上述の高分子材料であってもよい。電気絶縁または導電性の基板は、無端可撓性ベルト、ウェブ、剛性シリンダー、シートなどの形態であってもよい。基板層の厚さは、所望の強度、経済的考察などの多くの要因に依存する。ドラムに関しては、本明細書で参照する同時係属出願に開示するように、この層は例えば、数センチまでの(up to many centimeters)十分な厚さであってもいいし、１ミリ未満の最小限の厚さであってもよい。同様に、フレキシブルベルトは、例えば、約２５０ミクロンの十分な厚さであってもよいし、約５０ミクロン未満の最小限の厚さであってもよい。ただし、最終的な電子写真デバイスに悪影響を与えないものとする。基板層に導電性のない実施形態においては、基板層の表面には導電性コーティングによって導電性を与えてもよい。導電性コーティングの厚さは、光透過性、所望される可撓性の程度、および経済的な要因によって広い範囲で変化させてもよい。
【００２２】
基板の例示的な例は本明細書中に示すとおりであり、より具体的には、本開示の画像形成部材に対して選択される基板は不透明または実質的に透明のものであってよく、この例には、市販されているポリマーで、チタンを含有するＭＹＬＡＲ（登録商標）などの無機もしくは有機高分子材料を含む絶縁材料の層、酸化インジウム錫、またはアルミニウムをその上に配置した半導体表面層を有する有機もしくは無機材料または、アルミニウム、クロミウム、ニッケル、真鍮などを含む導電性材料の層が挙げられる。この基板は、可撓性、継ぎ目なし、剛性でもよく、例えばプレート、円筒形ドラム、スクロール、無端可撓性ベルトなど多数の異なる構成をとりうる。実施形態において、基板は可撓性継ぎ目なしベルトの形態である。いくつかの実施形態において、特に基板が可撓性有機高分子材料である場合、例えばＭＡＫＲＯＬＯＮ（登録商標）として市販されているポリカーボネート材料などのカール防止層を基板の裏側にコーティングすることが望ましいこともある。
【００２３】
実施形態における光生成層は、例えば、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン、ＩＶまたはＶ型チタニルフタロシアニンまたはクロロガリウムフタロシアニン、およびＶＭＣＨ (Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社から入手可能)などのポリ(塩化ビニル-コ-酢酸ビニル)共重合体のような樹脂バインダ、またはポリカーボネートを含む多くの公知の感光性顔料から成る。一般に、光生成層は、公知の感光性顔料、例えば、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニン、アルキルヒドロキシガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ペレニン、特にビス(ベンゾイミダゾ) ペリレン、チタニルフタロシアニンなど、より具体的にはバナジルフタロシアニン、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンおよびセレン、セレン合金、三方晶セレンなどの無機成分などの、公知の感光性顔料を含んでもよい。感光性顔料は、電荷輸送層に対して選択された樹脂バインダと類似の樹脂バインダに分散させてもよいし、または樹脂バインダは存在しなくてもよい。一般的に、光生成層の厚さは、他の層の厚さ、光生成層中に含まれる感光性材料の量などを含む多くの要因に依存する。従って、この層の厚さは、例えば約０．０５ミクロン〜約１０ミクロンであってもよく、より具体的には、例えば感光性組成物が約３０〜約７５体積パーセントの量で存在する場合には、約０．２５ミクロン〜約２ミクロンであってもよい。実施形態におけるこの層の最大厚さは、感光性、電気特性、力学的考察などの要因に主に依存する。光生成層のバインダ樹脂は、例えば、約１〜約５０重量パーセント、より具体的には、約１〜約１０重量パーセントの種々な適切な量で存在し、この樹脂は、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ（塩化ビニル）、ポリアクリレートおよびメタクリレート、塩化ビニルと酢酸ビニルの共重合体、フェノール樹脂、ポリウレタン、ポリ（ビニルアルコール）、ポリアクリロニトリル、ポリスチレン、などのような多くの公知のポリマーから選択することができる。前にコーティングしたデバイスの他の層を著しく妨害したり、悪影響を与えることのないコーティング溶媒を選ぶことが望ましい。しかし一般的には、約５〜約９０体積パーセントの感光性顔料を、約１０〜約９５体積パーセントの樹脂バインダ組成物中に分散させ、または、約２０〜約３０体積パーセントの感光性顔料を、約７０〜約８０体積パーセントの樹脂バインダ組成物中に分散させる。一実施形態においては、約８体積パーセントの感光性顔料を、約９２体積パーセントの樹脂バインダ組成物中に分散させる。光生成層のコーティング溶媒の例には、ケトン、アルコール、芳香族炭化水素、ハロゲン化脂肪族炭化水素、エーテル、アミン、アミド、エステルなどがある。具体的な溶媒の例には、シクロヘキサノン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、ブタノール、アミルアルコール、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン、トリクロロエチレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸メトキシエチルなどがある。
【００２４】
光生成層は、真空蒸着または真空堆積により作製された、セレン、セレンとヒ素、テルル、ゲルマニウムなどとの合金、水素化アモルファスシリコンおよびリコンとゲルマニウム、炭素、酸素、窒素等との化合物のアモルファス膜を含んでもよい。光生成層はまた、膜形成ポリマーバインダ中に分散されて、溶剤コーティング技術により作製される、結晶性セレンおよびその合金の無機顔料；ＩＩ属〜ＶＩ属の化合物；並びにキナクリドン、ジブロモアンタントロン顔料、ペリレン、ペリノンジアミン等の多環式顔料、多核式芳香族キノン、ビス−、トリス−、およびテトラキス−アゾなどを含むアゾ顔料などの有機顔料を含んでもよい。
【００２５】
光生成層成分に対するマトリックスとして選択することのできるポリマーバインダ材料の例としては、熱可塑性および熱硬化性樹脂、例えば、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリアリールエーテル、ポリアリールスルホン、ポリブタジエン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリメチルペンテン、ポリ（フェニレンスルフィド）、ポリ（酢酸ビニル）、ポリシロキサン、ポリアクリレート、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、アミノ樹脂、フェニレンオキシド樹脂、テレフタル酸樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリスチレンとアクリロニトリルの共重合体、ポリ（塩化ビニル）、塩化ビニルと酢酸ビニルの共重合体、アクリレート共重合体、アルキド樹脂、セルロース膜形成剤、ポリ（アミドイミド）、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、酢酸ビニル−塩化ビニリデン共重合体、スチレンアルキド樹脂、ポリ（ビニルカルバゾール）などがある。これらのポリマーは、ブロック、ランダム、または交互共重合体とすることができる。
【００２６】
スプレー、ディップコーティング、ロールコーティング、巻線ロッドコーティング、真空昇華など、種々の適切な従来の公知のプロセスを選択して、混合し、次いで光生成層のコーティング混合物を基板に、より具体的には、正層阻止層または他の層に塗布することができる。いくつかの用途に関しては、光生成層は、ドット状または線状に作成することができる。溶媒コーティング層の溶媒の除去は、オーブン乾燥、赤外線乾燥、空気乾燥などの公知の従来技術によって行うことができる。本開示の実施形態におけるＵＣＬ（下引き層）への光生成層のコーティングは、光生成層の最終的な乾燥厚さが、本明細書に示すように、例えば、約４０℃〜約１５０℃で約１〜約９０分間乾燥させた後に、約０．０１〜約３０ミクロンとなり得るように遂行することができる。より具体的には、例えば、約０．１〜約３０ミクロン、または約０．５〜約２ミクロンの厚さの光生成層を、基板上、基板と電荷輸送層などとの間の別の表面上に塗布するか、または堆積させることができる。正層阻止層またはＵＣＬは、光生成層の塗布前にグラウンドプレーン層に塗布することができる。
【００２７】
光導電体には、適切な公知の接着層を含めることができる。典型的な接着層の材料には、例えば、ポリエステル、ポリウレタンなどがある。接着層の厚さは変化させることができ、実施形態において、例えば、約０．０５〜約０．３ミクロンである。接着層は、スプレー、ディップコーティング、ロールコーティング、巻線ロッドコーティング、グラビアコーティング、バードアプリケータコーティングなどによって、正層阻止層上に堆積させることができる。堆積させたコーティングの乾燥は、例えば、オーブン乾燥、赤外線乾燥、空気乾燥などによって行うことができる。正層阻止層と光生成層に通常接触させる、またはそれらの間に配置される任意の接着層として、コポリエステル、ポリアミド、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリウレタンおよびポリアクリロニトリルを含む種々の公知の物質を選択することができる。この層は、例えば、約０．００１ミクロン〜約１ミクロン、または、約０．１〜約０．５ミクロンの厚さを有する。任意で、この層は、有効な適切な量、例えば、約１〜約１０重量パーセントの導電性および非導電性粒子、例えば、酸化亜鉛、二酸化チタン、窒化シリコン、カーボンブラックなどを含めて、例えば、本開示の実施形態において、さらに望ましい電気的および光学的特性をもたらすようにすることができる。
【００２８】
多くの電荷輸送材料、特に、公知の正孔輸送分子を電荷輸送層用に選択することができ、その例として、以下の化学式／構造式を有するアリールアミンがあり、この層は、一般に、約５ミクロン〜約７５ミクロン、より具体的には、約１０ミクロン〜約４０ミクロンの厚さを有する。
【化３】
2011133885.tif 000004
式中、Ｘはアルキル、アルコキシ、およびアリールのような適切な炭化水素；ハロゲン、またはそれらの混合物であり、特に、ＣｌおよびＣＨ3から成る群から選択される置換基；、並びに以下の化学式を有する分子である。
【化４】
2011133885.tif 000005
式中、Ｘ、Ｙ、Ｚは、例えば、独立して、アルキル、アルコキシ、またはアリールなどの炭化水素；ハロゲンまたはそれらの混合物のような適切な置換基であり、この場合、ＹまたはＺのうちの少なくとも１つが存在する。アルキルおよびアルコキシは、例えば、１〜約２５個の炭素原子、より具体的には、１〜約１２個の炭素原子を包含し、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、および対応するアルコキシドがある。アリールは６〜約３６個の炭素原子を包含することができ、例えばフェニルなどがある。ハロゲンは、塩化物、臭化物、ヨウ化物、およびフッ化物を含む。実施形態において、置換アルキル、アルコキシ、およびアリールも選択することもできる。少なくとも１つの電荷輸送層は、例えば、１層、１〜約７層、１〜約４層、および１〜約２層を指す。
【００２９】
アリールアミンの具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（アルキルフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４’−ジアミン（この場合、アルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシルなどからなる群から選択される）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（ハロフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（この場合、ハロ置換基はクロロ置換基である）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミンなどがある。例えば、米国特許第４，９２１，７７３号および同第４，４６４，４５０号を参照して、その他の公知の電荷輸送層分子を選択してもよい。
【００３０】
１つまたは複数の電荷輸送層に選択されるバインダ材料の例としては、ポリカーボネート、ポリアリーレート、アクリレートポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ（シクロオレフィン）、エポキシ、およびこれらのランダム共重合体または交互共重合体があり、より具体的には、ポリ（４，４’−イソプロピリデン−ジフェニレン）カーボネート（ビスフェノール−Ａ−ポリカーボネートとも呼ばれる）、ポリ（４，４’−シクロヘキシリジンジフェニレン）カーボネート（ビスフェノール−Ｚ−ポリカーボネートとも呼ばれる）、ポリ（４，４’−イソプロピリデン−３，３’−ジメチル−ジフェニル）カーボネート（ビスフェノール−Ｃ−ポリカーボネートとも呼ばれる）などのポリカーボネートがある。実施形態において、電気的に不活性なバインダは、分子量が約２０，０００〜約１００，０００、好ましくは分子量ＭWが約５０，０００〜約１００，０００のポリカーボネート樹脂から成る。一般的に、輸送層は約１０〜約７５重量パーセントの電荷輸送材料、より具体的には、約３５パーセント〜約５０パーセントの電荷輸送材料を含む。
【００３１】
１つまたは複数の電荷輸送層、より具体的には、光生成層に接触する第１電荷輸送層と、その上の最上部または第２の電荷輸送保護膜層は、ポリカーボネートなどの膜形成性の電気的不活性ポリマー中に溶解または分子状に分散させた電荷輸送小分子を含むことができる。実施形態において、「溶解させる」とは、例えば、小分子をポリマー中に溶解して均一な相を形成する溶液を形成することを指し、また「実施形態において分子状に分散させる」とは、例えば、電荷輸送分子をポリマー中に分散させ、その小分子が分子スケールでポリマー中に分散していることを指す。種々の電荷輸送性または電気的活性な小分子を、１つまたは複数の電荷輸送層に選択することができる。実施形態において、電荷輸送は、例えば、光生成層内で生成した自由電荷が輸送層を横切って輸送されることを可能にするモノマーとしての電荷輸送分子を指す。
【００３２】
１つまたは複数の電荷輸送層に選択され、様々な有効量で存在する正孔輸送分子の例には、例えば、１−フェニル−３−（４′−ジエチルアミノスチリル）−５−（４″−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリンなどのピラゾリン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、テトラ−ｐ−トリルビフェニル−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−メトキシフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４″−ジアミン, Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４″−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス(４−ブチルフェニル)−Ｎ，Ｎ′−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４″−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４″−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］-４，４″−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス(２−エチル−６−メチルフェニル)−［ｐ−テルフェニル］−４，４″−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４″−ジアミン、およびＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４″−ジアミンなどのアリールアミン；Ｎ−フェニル−Ｎ−メチル−３−（９−エチル）カルバジルヒドラゾン、および４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，２−ジフェニルヒドラゾンなどのヒドラゾン；および２，５−ビス（４−Ｎ，Ｎ′−ジエチルアミノフェニル）−１，２，４−オキサジアゾールなどのオキサジアゾール、スチルベンなどがある。高い効率で光生成層への正孔注入を可能にし、それらを短い輸送時間で電荷輸送層を横切って輸送する小分子電荷輸送化合物には、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、テトラ−ｐ−トリルビフェニル−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−メトキシフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４″−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジ−ｐ−トリル−[ｐ−テルフェニル]−４，４″−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４″−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジ−ｏ−トリル−[ｐ−テルフェニル]−４，４″−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４″−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４″−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４″−ジアミン、およびＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４���−ジアミン、またはこれらの混合物がある。必要であれば、電荷輸送層内の電荷輸送材料は、ポリマー電荷輸送材料または小分子電荷輸送材料とポリマー電荷輸送材料との組合せを含むことができる。
【００３３】
実施形態において、電荷輸送成分は下記の化学式／構造式によって表すことができる。
【化５】
2011133885.tif 000006
【００３４】
例えば、向上した横方向電荷移動（Ｌａｔｅｒａｌ  Ｃｈａｒｇｅ  Ｍｉｇｒａｔｉｏｎ：ＬＣＭ）抵抗を可能にするために、複数の電荷輸送層または少なくとも１つの電荷輸送層に任意で取り込む成分または材料の例には、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、例えば、テトラキスメチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシナメート）メタン（ＩＲＧＡＮＯＸ（登録）１０１０、Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社から入手可能）、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）、および他のヒンダードフェノール系酸化防止剤、例えば、ＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＢＨＴ−Ｒ、ＭＤＰ−Ｓ、ＢＢＭ−Ｓ、ＷＸ−Ｒ、ＮＷ、ＢＰ−７６、ＢＰ−１０１、ＧＡ−８０、ＧＭおよびＧＳ（住友化学株式会社から入手可能）、ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０３５、１０７６、１０９８、１１３５、１１４１、１２２２、１３３０、１４２５ＷＬ、１５２０Ｌ、２４５、２５９、３１１４、３７９０、５０５７および５６５（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社から入手可能）、およびＡＤＥＫＡ ＳＴＡＢ（商標）ＡＯ−２０、ＡＯ−３０、ＡＯ−４０、ＡＯ−５０、ＡＯ−６０、ＡＯ−７０、ＡＯ−８０およびＡＯ−３３０（旭電化株式会社から入手可能）；ヒンダードアミン系酸化防止剤、例えば、ＳＡＮＯＬ（商標）ＬＳ−２６２６、ＬＳ−７６５、ＬＳ−７７０およびＬＳ−７４４（三共株式会社から入手可能）、ＴＩＮＵＶＩＮ（商標）１４４および６２２ＬＤ（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌから入手可能）、ＭＡＲＫ（商標）ＬＡ５７、ＬＡ６７、ＬＡ６２、ＬＡ６８およびＬＡ６３（旭電化株式会社から入手可能）、およびＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＴＰＳ（住友化学株式会社から入手可能）；チオエーテル系酸化防止剤、例えば、ＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＴＰ−Ｄ（住友化学株式会社から入手可能）、亜リン酸塩系酸化防止剤、例えば、ＭＡＲＫ（商標）２１１２、ＰＥＰ−８、ＰＥＰ−２４Ｇ、ＰＥＰ−３６、３２９ＫおよびＨＰ−１０（旭電化株式会社から入手可能）；その他の分子、例えば、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン（ＢＤＥＴＰＭ）、ビス［２−メチル−４−（Ｎ−２−ヒドロキシエチル−Ｎ−エチル−アミノフェニル）］−フェニルメタン（ＤＨＴＰＭ）などがある。少なくとも１つの電荷輸送層内の酸化防止剤の重量パーセントは、約０〜約２０重量パーセント、約１〜約１０重量パーセント、または約３〜約８重量パーセントである。
【００３５】
多くのプロセスを使って混合し、その後、１つまたは複数の電荷輸送層のコーティング混合物を光生成層に塗布することができる。典型的な用途の技術には、スプレー、ディップコーティング、ロールコーティング、巻線ロッドコーティングなどがある。電荷輸送層のコーティングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外線照射乾燥、空気乾燥等の適切な従来技術によって行うことができる。
【００３６】
実施形態における各電荷輸送層の厚さは、例えば約１０〜約７５ミクロン、約１５〜約５０ミクロンであるが、実施形態において、この範囲外の厚さを選択することもできる。電荷輸送層は、正孔輸送層上の静電荷が、その上での静電潜像の形成および保持を防止するのに十分な割合の照射がない場合には伝導されない程度に、絶縁体であるべきである。一般的に、電荷輸送層と光生成層の厚さの比率は約２：１〜約２００：１、場合によっては４００：１であってもよい。電荷輸送層は、意図された使用領域において可視光または可視放射を実質的に吸収しないが、光導電層または光生成層からの光生成した正孔の注入を可能にし、これらの正孔をそれ自身を通して輸送し、活性層の表面上の表面電荷を選択的に放電することを可能にするという点で、電気的に「活性」である。
【００３７】
選択された連続的な電荷輸送層の厚さは、使用されるシステムにおける帯電（バイアス帯電ロール）、洗浄（ブレードまたはウェブ）、現像（ブラシ）、転写（バイアス転写ロール）などにおける磨耗性に依存し、約１０マイクロメートルまでとすることができる。実施形態において、各電荷輸送層の厚さは、例えば、約１〜約５ミクロンとすることができる。種々の適切な従来の方法を用いて、保護膜上部電荷輸送層コーティング混合液を混合し、次いでその混合液を光導電体に塗布することができる。典型的な塗布技術には、スプレー、ディップコーティング、ロールコーティング、巻線ロッドコーティングなどがある。堆積されたコーティングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外線乾燥、空気乾燥などのような適切な従来技法によって行うことができる。本開示の乾燥した保護膜層は、画像形成中に正孔を輸送する必要があり、且つ、自由キャリア濃度を過大にしない必要がある。保護膜中の自由キャリア濃度は、暗減衰を強める。
【実施例】
【００３８】
下記の実施例を提供する。他に指定のない限り、全ての特性は重量表示である。
【００３９】
（比較例）
１８グラムのＴｉＯ2（ＭＴ−１５０Ｗ、テイカ株式会社製，日本）および２４グラムのフェノール樹脂（ＶＡＲＣＵＭ（登録商標）２９１５９、ＯｘｙＣｈｅｍ社、５０／５０の比率で、キシレン／１−ブタノール内で約５０パーセント）とを、キシレンと１−ブタノール（５０／５０混合）の混合溶媒の中で、総固形分約４８％とし、約０．４〜約０．６ミリメートルサイズのＺｒＯ2ビーズと共に磨砕器中で６．５時間粉砕し、次いで得られた混合物を２０ミクロンのナイロンフィルタでろ過して正孔阻止層の分散液を調製した。次いで、３０ミリメートルのアルミニウムドラム基板を、本明細書に示した公知のコーティング技術を用いて、上述の生成した分散液でコーティングした。１６０℃で２０分間乾燥した後、フェノール樹脂内で約６ミクロンの厚さのＴｉＯ2（ＴｉＯ2／フェノール樹脂の比率６０／４０）の正孔阻止層が得られた。  
【００４０】
クロロガリウムフタロシアニン（Ｃ型）を含有する光生成層を、上記の正孔阻止層または下引き層の上に、厚さ約０．２ミクロンで堆積させた。光生成層コーティング分散液は、次の通りに調製した。２．７グラムのクロロガリウムフタロシアニン（ＣｌＧａＰｃ）Ｃ型顔料を、２．３グラムのポリマーバインダ（カルボキシル修飾ビニル共重合体、ＶＭＣＨ、Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社）、１５グラムのｎ−ブチルアセテート、および３０グラムのキシレンと混合した。得られた混合物を、約２００グラムの１ミリメートルのＨｉ−Ｂｅａホウケイ酸ガラスビーズと共に、磨砕器中で、約３時間粉砕した。次に、得られた分散混合物を、２０ミクロンのナイロン布フィルタで濾過し、分散液の固形分含量を約６重量パーセントに希釈した。
【００４１】
次に、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン（５．３８グラム）、三菱ガス化学株式会社から入手可能な膜形成ポリマーバインダＰＣＺ４００［ポリ（４，４′−ジヒドロキシ−ジフェニル−１−１−シクロヘキサン、ＭWは４０，０００）］（７．１３グラム）、およびダイキン工業から入手可能なＰＴＦＥ ＰＯＬＹＦＬＯＮ（商標）Ｌ−２ミクロ粒子（１グラム）を、２０グラムのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）と６．７グラムのトルエンの混合溶媒中に、ＣＡＶＩＰＲＯ（商標）３００ナノマイザ（Ｆｉｖｅ Ｓｔａｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社、クリーブランド，オハイオ）を用いて溶解／分散させて調製した分散液を用いて、光生成層の上に３０ミクロンの電荷輸送層をコーティングした。電荷輸送層は、約１２０℃で約４０分間乾燥させた。
【００４２】
（実施例I）
光導電体を、以下を除く上述の比較例１のプロセスを繰り返すことによって調製した。正孔阻止層の分散液は、１８グラムのＴｉＯ2（ＭＴ−１５０Ｗ、テイカ株式会社製，日本）と、１６．８グラムのフェノール樹脂（ＶＡＲＣＵＭ（登録商標）２９１５９、ＯｘｙＣｈｅｍ社、キシレン／１−ブタノール内で約５０パーセント、５０／５０）および３．６グラムのトルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂 (ＵＮＩＰＬＥＸ（登録商標）６００、 硬い無色の固体、ＧＰＣによる重量平均分子量約５０８、数平均分子量約４５３、Ｇｒｅｅｎｓｂｏｒｏ，ＮＣのＵｎｉｔｅｘ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社から入手可能)を、キシレンと１−ブタノール（５０／５０混合）の混合溶媒の中で、総固形分約４８％とし、約０．４〜約０．６ミリメートルサイズのＺｒＯ2ビーズと共に磨砕器中で６．５時間粉砕し、次いで２０ミクロンのナイロンフィルタでろ過した。次いで、３０ミリメートルのアルミニウムドラム基板を、本明細書に示す公知のコーティング技術を用いて、上述の生成した分散液でコーティングした。１６０℃で２０分間乾燥した後、フェノール樹脂およびトルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂 (ＴｉＯ2／フェノール樹脂／トルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂の比率は、６０／２８／１２)内でＴｉＯ2の正孔阻止層は、約６ミクロンの厚さで得られた。
【００４３】
（実施例II）
光導電体を、以下を除く、上述の比較例１のプロセスを繰り返すことによって調製した。正孔阻止層の分散液は、１８グラムのＴｉＯ2（ＭＴ−１５０Ｗ、テイカ株式会社製，日本）と、１４．４グラムのフェノール樹脂（ＶＡＲＣＵＭ（登録商標）２９１５９、ＯｘｙＣｈｅｍ社、キシレン／１−ブタノール内で約５０パーセント、５０／５０）および４．８グラムのトルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂 (ＵＮＩＰＬＥＸ（登録商標）６００、 硬い無色の固体、ＧＰＣによる重量平均分子量約５０８、数平均分子量約４５３、Ｇｒｅｅｎｓｂｏｒｏ，ＮＣのＵｎｉｔｅｘ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社から入手可能)を、キシレンと１−ブタノール（５０／５０混合）の混合溶媒の中で、総固形分約４８％とし、約０．４〜約０．６ミリメートルサイズのＺｒＯ2ビーズと共に磨砕器中で６．５時間粉砕し、次いで２０ミクロンのナイロンフィルタでろ過した。次いで、３０ミリメートルのアルミニウムドラム基板を、本明細書に示す公知のコーティング技術を用いて、上述の生成した分散液でコーティングした。１６０℃で２０分間乾燥した後、フェノール樹脂およびトルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂 (ＴｉＯ2／フェノール樹脂／トルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂の比率は、６０／２４／１６)内でＴｉＯ2の正孔阻止層は、約６ミクロンの厚さで得られた。
【００４４】
（実施例III）
光導電体を、以下を除く上述の比較例１のプロセスを繰り返すことによって調製した。正孔阻止層の分散液は、１８グラムのＴｉＯ2（ＭＴ−１５０Ｗ、テイカ株式会社製，日本）と、１２グラムのフェノール樹脂（ＶＡＲＣＵＭ（登録商標）２９１５９、ＯｘｙＣｈｅｍ社、キシレン／１−ブタノール内で約５０パーセント、５０／５０）および６グラムのトルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂 (ＵＮＩＰＬＥＸ（登録商標）６００、 硬い無色の固体、重量平均分子量約５０８、数平均分子量約４５３、ＧＰＣによる、Ｇｒｅｅｎｓｂｏｒｏ，ＮＣのＵｎｉｔｅｘ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社から入手可能)を、キシレンと１−ブタノール（５０／５０混合）の混合溶媒の中で、総固形分約４８％とし、約０．４〜約０．６ミリメートルサイズのＺｒＯ2ビーズと共に磨砕器中で６．５時間粉砕し、次いで２０ミクロンのナイロンフィルタでろ過した。次いで、３０ミリメートルのアルミニウムドラム基板を、本明細書に示す公知のコーティング技術を用いて、上述の生成した分散液でコーティングした。１６０℃で２０分間乾燥した後、フェノール樹脂およびトルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂 (ＴｉＯ2／フェノール樹脂／トルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂の比率は、６０／２０／２０)内でＴｉＯ2の正孔阻止層は、約６ミクロンの厚さで得られた。
【００４５】
比較例１および実施例Ｉ，ＩＩ、ＩＩＩの上述の調製した光導電体をスキャナ装置内で試験して、１つの帯電−消去サイクルとそれに続く１つの帯電−露光−消去サイクルの順番の光誘起放電サイクルを取得したが、その際、光強度をサイクルと共に徐々に増加させて一連の光誘起放電特性（ＰＩＤＣ）曲線を作成し、これから種々の露光強度における感光性および表面電位を測定した。付加的な電気特性を、表面電位を徐々に増加させた一連の帯電−消去サイクルによって取得し、幾つかの電圧対電荷密度曲線を作成した。スキャナには、種々の表面電位で一定の電圧帯電を行うために、スコロトロン装置を装備した。これらの４つの光導電体は、表面電位７００Ｖにおいて、露光強度を一組の減光フィルタを調節することによって徐々に増加させながら試験した。露光用光源は７８０ナノメートルの発光ダイオードであった。電子写真シミュレーションは、乾燥条件（相対湿度１０％および２２℃）において環境制御された遮光チャンバ内で完了した。
【００４６】
上述の調製した光導電体は、実質的に類似のＰＩＤＣを示した。よって、正孔阻止層または下引き層への実施例Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩの樹脂混合物の取り込みは、試験された光導電体の電気的特性に悪影響を及ぼさなかった。
【００４７】
Ａゾーン（８５°Ｆおよび湿度８０％）においてＡゾーンゴースト発生について試験する前に、比較例１および実施例Ｉ，ＩＩ、ＩＩＩの光導電体を２４時間、室温で順化させた。ゼロックス社 ＷｏｒｋCｅｎｔｒｅ(商標) Ｐｒｏ  Ｃ３５４５でＫ（ブラックトナー）ステーションを用い、時間ｔ０からｔ５００プリントカウントまで（ｔ＝０は最初の印刷であり、ｔ＝５００は５００回目の印刷である）印刷試験を行った。カラーＷｏｒｋＣｅｎｔｒｅ（商標）Ｐｒｏ  Ｃ３５４５のＣＭＹステーションにおいて、光導電体のｔ０〜ｔ５００印刷カウントの準備を行った。ゴースト発生特性を決める印刷には、ハーフトーン画像のＸ記号または文字が含まれる。Ｘが不可視の場合には、ゴーストレベルはグレード０であり、Ｘがほぼ不可視の場合には、ゴーストレベルはグレード１である、そして、グレード２〜５はＸが可視レベルであり、グレード５は濃くて可視的なＸを意味する。ゴースト発生レベルは、経験的尺度に対して視覚的に測定を行い、ゴースト発生グレード（絶対値）が小さいほど、印刷の品質は良好となる。負のゴースト発生グレードは、負のゴースト発生を示す。ゴースト発生の結果を表１にまとめる。
【００４８】
【表１】
2011133885.tif 000007
【００４９】
ｔ＝０の場合、実施例Ｉ、ＩＩ 、ＩＩＩの 光導電体のゴースト発生レベルは低く、グレード０だった。ところが対照的に、比較例１の光導電体は上昇ゴースト発生レベルのグレード−３だった。５００回の印刷後、実施例Ｉ、 ＩＩ、ＩＩＩの光導電体のゴースト発生レベルはグレード−１．５，−１．５，−１と低いままだった。ところが、比較例１の光導電体は、上昇ゴースト発生レベルのグレード−４だった。フェノール樹脂／スルホンアミド樹脂混合物から成る開示された正孔阻止層のゴースト発生はほぼなかった。ところが、フェノール樹脂から成る比較の正孔阻止層は高い不合格のゴースト発生特性を示した。