(57)【要約】      （修正有）【課題】基板形状に温度変化、反りなどが存在する場合においても、加工速度を落とすことなく、また加工ヘッドの走査方向に依存せず、スクライブを高精度に位置制御できるレーザ加工方法および装置を提供する。【解決手段】レーザ加工装置において制御部は、検出センサ１５１により基準とする第一のスクライブ溝２０１の位置を予め検出し、第一のスクライブ溝２０１の位置情報から算出した第二のスクライブ溝２０２の制御位置情報をメモリに記憶させ、加工時にメモリから読み出した第二のスクライブ溝２０２の制御位置情報に基づいて加工ヘッド１００の位置を制御する。【選択図】図２
2011031302.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板に積層される透明な第一の層にレーザ光を照射して第一のスクライブ溝を形成し、前記第一の層に第二の層を積層した後、前記第一のスクライブ溝の位置情報を前記透明基板側から取得する工程と、
前記第二の層に形成する第二のスクライブ溝の位置情報を、前記第一のスクライブ溝の位置情報に基づいて算出し、記憶する工程と、
前記第二のスクライブ溝の位置情報に応じて前記第二の層にレーザ光を照射して前記第二のスクライブ溝を形成する工程を備えることを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項２】
位置情報は、１次元の情報であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工方法。
【請求項３】
位置情報は、２次元の情報であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工方法。
【請求項４】
予め位置ずれを位置情報として記憶しておき、第二のスクライブ溝の位置情報は、第一のスクライブ溝の位置情報と前記位置ずれ情報とに基づいて算出し、記憶する工程を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のレーザ加工方法。
【請求項５】
レーザ光を照射してスクライブ加工するレーザ照射部と、
透明基板に積層される透明な第一の層に前記レーザ照射部により形成された第一のスクライブ溝の位置情報を、前記透明基板側から取得する検出センサと、
前記レーザ照射部と前記検出センサとを摺動可能に設け、摺動方向と垂直な方向に走査する駆動部と、
前記第一のスクライブ溝の位置情報に対応する前記第一の層に積層した第二の層に形成する第二のスクライブ溝の位置情報を記憶する記憶部と、
前記駆動部により前記検出センサを走査させて取得した前記第一のスクライブ溝の位置情報に基づいて前記第二のスクライブ溝の位置情報を算出し、前記算出した第二のスクライブ溝の位置情報を前記記憶部に記憶させ、前記第二のスクライブ溝を前記レーザ照射部によりスクライブ加工する際に、前記記憶部に記憶する前記第二のスクライブ溝の位置情報に応じて、前記レーザ照射部を摺動させて位置を制御する制御部とを備えるレーザ加工装置。
【請求項６】
駆動部は、レーザ照射部と検出センサとを、直列で摺動可能に設けることを特徴とする請求項５に記載のレーザ加工装置。
【請求項７】
駆動部は、レーザ照射部と検出センサとを、並列で摺動可能に設けることを特徴とする請求項５に記載のレーザ加工装置。
【請求項８】
レーザ光を照射してスクライブ加工するレーザ照射部と、
前記レーザ照射部の前記加工方向前方または後方に、前記レーザ照射部側に傾斜して配設され、透明基板に積層される透明な第一の層に前記レーザ照射部により形成された第一のスクライブ溝に検出光を照射する照射ヘッドと、
前記加工方向において前記レーザ照射部の前記照射ヘッドと反対の位置に前記レーザ照射部側に傾斜して配設され、前記第一のスクライブ溝で反射する前記検出光を前記第一のスクライブ溝の位置情報として検出する検出センサと、
前記レーザ照射部及び前記照射ヘッドと検出センサを前記加工方向と垂直な方向に摺動可能に設け、前記透明基板を前記加工方向に移動して走査する駆動部と、
前記第一のスクライブ溝の位置情報に対応する前記第一の層に積層した第二の層に形成する第二のスクライブ溝の位置情報を記憶する記憶部と、
前記駆動部により前記検出センサを走査させて取得した前記第一のスクライブ溝の位置情報に基づいて前記第二のスクライブ溝の位置情報を算出し、前記算出した第二のスクライブ溝の位置情報を前記記憶部に記憶させ、前記第二のスクライブ溝を前記レーザ照射部によりスクライブ加工する際に、前記記憶部に記憶する前記第二のスクライブ溝の位置情報に応じて、前記レーザ照射部を摺動させて位置を制御する制御部とを備えるレーザ加工装置。
【請求項９】
検出センサは、１次元カメラであることを特徴とする請求項５乃至請求項８のいずれかに記載のレーザ加工装置。
【請求項１０】
検出センサは、２次元カメラであることを特徴とする請求項５乃至請求項８のいずれかに記載のレーザ加工装置。
【請求項１１】
記憶部は、予め位置ずれを位置情報として記憶しておき、制御部は、第一のスクライブ溝の位置情報と前記位置ずれ情報とに基づいて第二のスクライブ溝の位置情報を算出することを特徴とする請求項５乃至請求項１０のいずれかに記載のレーザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜太陽電池、液晶、有機エレクトロルミネッセンス、プラズマディスプレイ等のフラットパネル機器における基板上の薄膜を、レーザを用いて加工するレーザ加工方法および装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、薄膜シリコン太陽電池の製造においては、抵抗の高い透明電極層を流れることによる電流のロスを抑えるため、１枚の基板を複数のセルに分割し、各セルを直列接続させる。このセルを分割する際に、基板上の薄膜を分断（以下、スクライブと称す）する加工が行われる。
【０００３】
図１２は薄膜太陽電池におけるセルの断面を示す拡大図である。１１は厚さ１〜４ｍｍのガラス板からなる透光性の絶縁基板、１２（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、・・）は透光性導電酸化膜等の透明電極層、１３（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、・・）はＰＮ接合を有する例えばアモルファスシリコンの半導体層からなる発電層、１４（１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、・・）は、例えば、アルミ、銀等の裏面電極層、１５（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、・・）は発電領域である。
【０００４】
各発電領域１５（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、・・）の発電層１３（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、・・）において、絶縁基板１１側から入射される太陽光の光エネルギーは、電気エネルギーに変換される。添え字ａ、ｂ、ｃは、発電領域の区別を表している。
【０００５】
薄膜太陽電池のセルでは、１枚の基板内で直列接続するために、まず絶縁基板上に成膜された透明電極層１２を分離する第一のスクライブ溝２１（２１ａ、２１ｂ、・・）が形成されている。透明電極層１２ｂ、１２ｃ上には、成膜された発電層１３をスクライブした第二のスクライブ溝２２（２２ａ、２２ｂ、・・）が形成されている。
【０００６】
第二のスクライブ溝２２（２２ａ、２２ｂ、・・）はそれぞれ、第一のスクライブ溝２１（２１ａ、２１ｂ、・・）から数１００μｍずれた位置に形成する必要がある。また、第二のスクライブ溝２２（２２ａ、２２ｂ、・・）はそれぞれ、第一のスクライブ溝２１（２１ａ、２１ｂ、・・）と紙面に垂直な方向で交差させないようにする。
【０００７】
さらに、発電層１３ａ、１３ｂ、１３ｃ上には、成膜された裏面電極層１４をスクライブした第三のスクライブ溝２３（２３ａ、２３ｂ、・・）が形成されている。第三のスクライブ溝２３（２３ａ、２３ｂ、・・）は、裏面電極層１４のみでなく発電層１３も同時に除去されている。
【０００８】
第三のスクライブ溝２３（２３ａ、２３ｂ、・・）もそれぞれ、上記と同様に、第二のスクライブ溝２２（２２ａ、２２ｂ、・・）から数１００μｍずらした位置に形成する必要がある。ずらす方向は、第一のスクライブ溝２１（２１ａ、２１ｂ、・・）に対してそれぞれ第二のスクライブ溝２２（２２ａ、２２ｂ、・・）をずらした方向と同じにする。
【０００９】
第三のスクライブ溝２３（２３ａ、２３ｂ、・・）はそれぞれ、第一のスクライブ溝２１（２１ａ、２１ｂ、・・）および第二のスクライブ溝２２（２２ａ、２２ｂ、・・）と紙面に垂直な方向で交差することのないように形成する必要がある。
【００１０】
第一のスクライブ溝２１（２１ａ、２１ｂ、・・）、第三のスクライブ溝２３（２３ａ、２３ｂ、・・）に短絡が発生すると、太陽電池として機能しなくなる。そのため薄膜太陽電池の直列接続形成において、基板に形成された透明電極層１２、発電層１３、裏面電極層１４などの薄膜をスクライブする技術は非常に重要とされる。
【００１１】
一般に、薄膜シリコン太陽電池においてスクライブする際には、フォトエッチングと比較して工程数を減らすことができるなどの理由から、レーザ加工が用いられている。
【００１２】
従来のレーザを用いた薄膜シリコン太陽電池のスクライブ（以下、レーザスクライブ法と称す）では、薄膜の光吸収波長に合わせたレーザを用いて、薄膜を加熱、あるいは、薄膜に含まれる一部の成分の気化を利用して、レーザ照射部の薄膜を取り除いている。（例えば、特許文献１参照）。
【００１３】
しかし、近年では、コスト削減の点から基板は大面積化する傾向にあり、温度変化による基板の形状変化、ステージ上での基板の反りなどの問題が無視できなくなってきている。
【００１４】
また、基板の大面積化に伴いスクライブの本数も増えてきており、従来のレーザスクライブ法では、スクライブ溝同士の交差を防ぐための位置精度の確保が困難になっている。そのため現状では、上述のように第一のスクライブ溝２１、第二のスクライブ溝２２、及び第三のスクライブ溝２３の間隔をそれぞれ数１００μｍまで拡げている。
【００１５】
スクライブの位置精度を向上させ、スクライブ溝間の間隔を狭めるための手法に関しては、基板上に複数の層が積層してなる堆積膜に対して、下部層のスクライブ溝を基準として上部層のスクライブ位置を決定しながらスクライブを行う手法がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００１−１６８０６８号公報（００３２〜００３６段、図３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、従来のレーザ加工方法では、下部層のスクライブ溝を検出し、それを基準としながら上部層のスクライブ位置を制御するという手法のため、加工速度を速めるのが困難であるという問題があった。
【００１８】
また、上部層をスクライブする加工ヘッドに対して、下部層のスクライブ溝を検出するためのセンサを常に先行させている必要があるため、加工ヘッドを往復させてスクライブする場合に位置制御を行うには、加工ヘッドの前後に検出センサを２台以上配置するなどの工夫が必要となり、高コストになってしまうという問題があった。
【００１９】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、レーザスクライブ法において、温度変化による基板形状の変化、基板の反りなどが存在する場合においても、加工速度を落とすことなく、また加工ヘッドの走査方向に依存せず、スクライブを高精度に位置制御することを可能とするレーザ加工方法および装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明に係るレーザ加工方法は、透明基板に積層される透明な第一の層にレーザ光を照射して第一のスクライブ溝を形成し、第一の層に第二の層を積層した後、第一のスクライブ溝の位置情報を透明基板側から取得する工程と、第二の層に形成する第二のスクライブ溝の位置情報を、第一のスクライブ溝の位置情報に基づいて算出し、記憶する工程と、第二のスクライブ溝の位置情報に応じて第二の層にレーザ光を照射して第二のスクライブ溝を形成する工程を備えるものである。
【００２１】
また、本発明に係るレーザ加工装置は、レーザ光を照射してスクライブ加工するレーザ照射部と、透明基板に積層される透明な第一の層にレーザ照射部により形成された第一のスクライブ溝の位置情報を、透明基板側から取得する検出センサと、レーザ照射部と検出センサとを摺動可能に設け、摺動方向と垂直な方向に走査する駆動部と、第一のスクライブ溝の位置情報に対応する第一の層に積層した第二の層に形成する第二のスクライブ溝の位置情報を記憶する記憶部と、駆動部により検出センサを走査させて取得した第一のスクライブ溝の位置情報に基づいて第二のスクライブ溝の位置情報を算出し、算出した第二のスクライブ溝の位置情報を記憶部に記憶させ、第二のスクライブ溝をレーザ照射部によりスクライブ加工する際に、記憶部に記憶する第二のスクライブ溝の位置情報に応じて、レーザ照射部を摺動させて位置を制御する制御部とを備えるものである。
【００２２】
また、レーザ光を照射してスクライブ加工するレーザ照射部と、レーザ照射部の加工方向前方または後方に、レーザ照射部側に傾斜して配設され、透明基板に積層される透明な第一の層にレーザ照射部により形成された第一のスクライブ溝に検出光を照射する照射ヘッドと、加工方向においてレーザ照射部の照射ヘッドと反対の位置にレーザ照射部側に傾斜して配設され、第一のスクライブ溝で反射する検出光を第一のスクライブ溝の位置情報として検出する検出センサと、レーザ照射部及び照射ヘッドと検出センサを加工方向と垂直な方向に摺動可能に設け、透明基板を加工方向に移動して走査する駆動部と、第一のスクライブ溝の位置情報に対応する第一の層に積層した第二の層に形成する第二のスクライブ溝の位置情報を記憶する記憶部と、駆動部により検出センサを走査させて取得した第一のスクライブ溝の位置情報に基づいて第二のスクライブ溝の位置情報を算出し、算出した第二のスクライブ溝の位置情報を記憶部に記憶させ、第二のスクライブ溝をレーザ照射部によりスクライブ加工する際に、記憶部に記憶する第二のスクライブ溝の位置情報に応じて、レーザ照射部を摺動させて位置を制御する制御部とを備えるものである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、基準とする第一のスクライブ溝の位置を検出し、第一のスクライブ溝の位置情報から算出した第二のスクライブ溝の位置情報を記憶しておき、記憶している第二のスクライブ溝の位置情報に基づいて第二のスクライブ溝を形成することで、加工速度を落とすことなく、また走査方向に依存せず、多層膜でのスクライブ加工の位置精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態１における構成を示すブロック図である。
【図２】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態１における構成を示す斜視概略図である。
【図３】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態１における位置情報の一例を示す図である。
【図４】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態１のレーザ加工方法により加工した薄膜太陽電池でのセルの製造工程を示す断面拡大図である。
【図５】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態１のレーザ加工方法により加工した薄膜太陽電池でのセルの全体構造を示す上面図である。
【図６】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態１における動作手順を示すフローチャート図である。
【図７】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態１のレーザ加工方法により加工している状態を示す上面図である。
【図８】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態２における構成を示す斜視概略図である。
【図９】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態２のレーザ加工方法により加工している状態を示す上面図である。
【図１０】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態３における構成を示す斜視概略図である。
【図１１】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態３のレーザ加工方法により加工している状態を示す上面図である。
【図１２】薄膜太陽電池でのセルの構造を示す断面拡大図である。
【図１３】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態４の動作原理を説明する図である。
【図１４】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態４の動作原理を説明する図である。
【図１５】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態４の動作原理を説明する図である。
【図１６】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態４の動作原理を説明する図である。
【図１７】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態４の動作原理を説明する図である。
【図１８】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態４の動作原理を説明する図である。
【図１９】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態５における構成を示す側面概略図である。
【図２０】本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態５における構成を示す上面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
実施の形態１．
実施の形態１について図面を参照して説明する。図１は、本発明に係る実施の形態１におけるレーザ加工方法を用いるレーザ加工装置５０１の構成を示すブロック図である。
【００２６】
図１において、本実施の形態１におけるレーザ加工装置５０１は、検出センサ１５１、レーザ照射部としての加工ヘッド１００、駆動部としてのレール３００、制御部１２０、記憶部としてのメモリ１３０から構成されている。
【００２７】
図２は、レーザ加工装置５０１におけるレール３００に取り付けられた検出センサ１５１及び加工ヘッド１００の一例を示す斜視概略図である。検出センサ１５１及び加工ヘッド１００はそれぞれ、Ａ方向またはＢ方向に摺動可能にレール３００に設けられている。
【００２８】
レール３００は、Ｃ方向に摺動可能にレーザ加工装置５０１に設けられている。往復でレーザ加工を行う場合には、レール３００は、Ｃ方向と逆の方向にも摺動可能に構成してもよい。
【００２９】
検出センサ１５１は、制御用光線としての観測光線１５２を、基準とするスクライブ溝に照射し、得られる画像情報から位置情報を検出する。図２のように第二の層としての発電層１３を形成する場合には、第一の層としての透明電極層１２に先に形成されている第一のスクライブ溝２０１の基準とする部位、例えば第一のスクライブ溝２０１の一端部２０１Ｌに照射し、得られる画像情報から位置情報を検出する。
【００３０】
また、検出センサ１５１は、レール３００をＣ方向に摺動することで、照射する観測光線１５２をＣ方向に走査可能とし、基準とする第一のスクライブ溝２０１の一端部２０１Ｌの位置情報を所定走査距離毎に検出する。検出センサ１５１には、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）等の１次元カメラが用いられる。観測光１５２により、第一のスクライブ溝２０１は拡大観測される。
【００３１】
加工ヘッド１００は、加工用光線としてのレーザ光１０１を、透明基板としてのガラス板等からなる絶縁基板１１側から基準となる第一のスクライブ溝２０１の一端部２０１ＬからＢ方向で所定距離Ｄ１の位置に照射し、基準となる第一のスクライブ溝２０１が形成されている透明電極層１２の下層となる発電層１３をレーザアブレーションにより除去する。
【００３２】
また、加工ヘッド１００は、レール３００をＣ方向に摺動することで、照射するレーザ光１０１をＣ方向に走査可能とし、基準とする第一のスクライブ溝２０１の一端部２０１Ｌから所定距離Ｄ１の位置を保って、基準となるスクライブ溝が形成されている透明電極層１２の下層となる発電層１３に第二のスクライブ溝２０２を形成する。
【００３３】
レーザ光１０１は、図２において上方より下方に向けて進行している。レーザ光１０１は、加工点１１０に向け、集光あるいは結像されることにより、発電層１３に所望の形状で照射され、発電層１３でレーザ光１０１が吸収される。レーザ光１０１を吸収した発電層１３は、熱の発生によりアブレーションされ、透明電極層１２から剥離される。
【００３４】
また、レーザ光１０１は、スクライブ加工の対象となる層の光吸収特性により選択される。例えば、薄膜太陽電池では、ＹＡＧ等の固体レーザ、ファイバレーザの基本波（波長１μｍ程度）、第二高調波（波長０．５μｍ程度）、第三高調波（波長０．３〜０．４μｍ程度）が用いられる。
【００３５】
また、レーザ光１０１は、スクライブ加工の対象となる層のアブレーション特性により、マイクロ秒、ナノ秒、ピコ秒のパルスレーザあるいは連続発振のレーザが用いられる。
【００３６】
メモリ１３０は、検出センサ１５１で検出した基準とする第一のスクライブ溝２０１の一端部２０１Ｌの位置情報を記憶する。また、メモリ１３０は、記憶した基準とする第一のスクライブ溝２０１の一端部２０１Ｌの位置情報に対応する発電層１３の第二のスクライブ溝２０２の位置情報を記憶する。
【００３７】
図３は、メモリ１３０に記憶する位置情報の一例を示す。図３において、３０１は発電層１３の一端部１３Ｌからの順番Ｎ、３０２は発電層１３のもう一方の端部１３Ｆからの走査距離Ｓを示し、Ｎ番目の発電層１３の走査距離Ｓにおいて検知した基準とする第一のスクライブ溝２０１の一端部２０１Ｌの位置情報として、第一のスクライブ溝２０１の測定位置３０３を座標（ｘ、ｙ）で記憶する。
【００３８】
また、基準とする第一のスクライブ溝２０１の一端部２０１Ｌの位置情報に対応する第二のスクライブ溝２０２の位置情報として、第二のスクライブ溝２０２の制御位置３０４を座標（Ｘ、Ｙ）で記憶する。
【００３９】
制御部１２０は、検出センサ１５１からの画像情報により、レール３００を駆動して検出センサ１５１の位置を制御してＡ方向またはＢ方向に摺動させ、検出された透明電極層１２の第一のスクライブ溝２０１の一端部２０１Ｌの位置情報を取得する。
【００４０】
また、制御部１２０は、取得した基準とする第一のスクライブ溝２０１の一端部２０１Ｌの位置情報をメモリ１３０に記憶させる。さらに、制御部１２０は、基準とする第一のスクライブ溝２０１の一端部２０１Ｌの位置情報を取得すると同時に、または第二のスクライブ溝２０２を形成するまでの間に、第一のスクライブ溝２０１の一端部２０１Ｌの位置情報に基づき第二のスクライブ溝２０２の制御位置３０４を計算し、メモリ１３０に記憶させる。
【００４１】
また、制御部１２０は、メモリ１３０に記憶する第二のスクライブ溝２０２の制御位置３０４に基づき、レール３００を駆動して加工ヘッド１００の位置を制御してＡ方向またはＢ方向に摺動させ、レール３００をＣ方向に走査させることで、発電層１３の所定の位置に第二のスクライブ溝２０２を形成する。
【００４２】
次に、本実施の形態１におけるレーザ加工方法を用いるレーザ加工装置５０１により薄膜太陽電池を製造する場合について説明する。図４は、図１のレーザ加工装置５０１を用いて加工する薄膜太陽電池におけるセルの製造工程を示す断面拡大図であり、図５は全体構成を示す上面図である。薄膜太陽電池の構成については、従来技術と同様であり、相当部分には図１２と同一符号を付して説明を省略する。
【００４３】
まず、絶縁基板１１（図４（ａ））の上面に、透明電極層１２が均一に形成され（図４（ｂ））、透明電極層１２は、本実施の形態１のレーザ加工装置５０１により透明電極層１２が吸収する波長のレーザ光を用いて、透明電極層１２の一部を線状に剥離することで第一のスクライブ溝２０１−１、２０１−２、・・が形成され、発電領域１５−１、１５−２、１５−３、・・（図４（ｇ））に対応する領域で透明電極層１２−１、１２−２、１２−３、・・に分割される（図４（ｃ））。
【００４４】
続いて、発電領域１５−１、１５−２、１５−３、・・に対応する透明電極層１２の領域１２−１、１２−２、１２−３、・・を形成した絶縁基板１１の上に発電層１３をプラズマＣＶＤ等で蒸着した後（図４（ｄ））、発電層１３は、レーザ加工装置５０１により発電層１３のみが吸収する波長のレーザ光を用いて、透明電極層１２を残した状態で、発電層１３の一部のみを線状に剥離することで第二のスクライブ溝２０２−１、２０２−２、・・が形成され、発電領域１５−１、１５−２、１５−３、・・に対応する領域１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、・・に分割される（図４（ｅ））。
【００４５】
次いで、発電領域１５−１、１５−２、１５−３、・・に対応する発電層１３の領域１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、・・を形成した絶縁基板１１の上に裏面電極１４を蒸着した後（図４（ｆ））、裏面電極１４は、レーザ加工装置５０１により、裏面電極１４及び発電層１３の領域１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、・・の一部を線状に剥離することで第三のスクライブ溝２０３−１、２０３−２、・・が形成され、発電領域１５−１、１５−２、１５−３、・・に対応する領域１４−１、１４−２、１４−３、・・及び領域１３−１、１３−２、１３−３、・・に分割される（図４（ｇ））。
【００４６】
透明電極１２を残した状態で、発電領域１５に対応する裏面電極１４の領域１４−１、１４−２、１４−３、・・及び発電層１３の領域１３−１、１３−２、１３−３、・・に分割することで、各発電領域１５−１、１５−２、１５−３、・・の直列接続が成される。
【００４７】
以上のように形成された薄膜太陽電池のセルにおいては、図５に示すように、例えば、１ｍ角の絶縁基板１１上に複数の発電領域１５が、第一のスクライブ溝２０１、第二のスクライブ溝２０２、第三のスクライブ溝２０３からなるスクライブライン１６で分割され、直列接続されている。
【００４８】
なお、裏面電極１４及び発電層１３領域１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、・・を発電領域１５−１、１５−２、１５−３、・・に対応する領域１４−１、１４−２、１４−３、・・及び領域１３−１、１３−２、１３−３、・・に分割する際には、裏面電極１４及び発電層１３が共に吸収する波長のレーザ光を用いて、裏面電極１４及び発電層１３の一部を線状に剥離する。
【００４９】
また、裏面電極１４及び発電層１３の領域１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、・・の一部を上記のように両方が吸収する波長のレーザ光を用いる代わりに、裏面電極１４の発電層１３の領域１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、・・の一部にレーザ光を吸収させ、その発電層１３の領域１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、・・のアブレーションと同時に裏面電極１４を剥離する方法により剥離してもよい。また、発電層１３の領域１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、・・からの伝熱により裏面電極１４をアブレーションする方法により剥離してもよい。これらの場合、裏面電極１４の種類の選択、もしくはレーザ光の種類の選択等の幅が広がる。
【００５０】
次に、図６のフローチャート図に従い、本実施の形態１におけるレーザ加工装置５０１の動作について、第一のスクライブ溝２０１を基準として第二のスクライブ溝２０２を形成する場合で説明する。
【００５１】
図６においては、発電層１３の一端部１３ＬからＮ番目の第一のスクライブ溝２０１の一端部２０１Ｌの位置を、基準とする第一のスクライブ溝２０１−ｎとし、第一のスクライブ溝２０１−ｎの位置を検出と同時に、第二のスクライブ溝２０２−（ｎ−ｍ）を形成する場合について示す。なお、ｎは整数、ｍは定数（ｍ≧1）である。
【００５２】
まず最初に、レーザ加工装置５０１の制御部１２０は、レール３００を駆動して、検出センサ１５１を１番目の発電層１３の位置に移動させ（Ｓ６０１）、検出センサ１５１により透明電極層１２の第一のスクライブ溝２０１−１の位置を検出させる（Ｓ６０２）。
【００５３】
続いて、制御部１２０は、メモリ１３０に、検出した第一のスクライブ溝２０１−１の位置を位置情報として記憶させる（Ｓ６０３）。例えば、図３に示すように、第一のスクライブ溝２０１−１の走査距離ｓ１、ｓ２、ｓ３、・・、ｓｐにおける各第一のスクライブ溝２０１−１の位置を座標（ｘ１１、ｙ１１）、（ｘ１２、ｙ１２）、（ｘ１３、ｙ１３）、・・、（ｘ１ｐ、ｙ１ｐ）で記憶させる。ここで、ｐは走査における検出ポイント数である。検出ポイント数ｐの値が大きいほどスクライブ加工時の位置制御の精度が向上する。
【００５４】
次いで、制御部１２０は、基準とする第一のスクライブ溝２０１−１の位置情報を取得すると同時に、または発電層１３の第二のスクライブ溝２０２−１を形成するまでの間に、第一のスクライブ溝２０１−１の位置情報に基づいて、第二のスクライブ溝２０２−１の制御位置を算出し、位置情報としてメモリ１３０に記憶させる（Ｓ６０４）。
【００５５】
例えば、図３に示すように、第一のスクライブ溝２０１−１の走査距離ｓ１、ｓ２、ｓ３、・・、ｓｐにおけるスクライブ溝２０２−１の各制御位置を座標（（ｘ１１−Ｄ１）、ｙ１１）、（（ｘ１２−Ｄ１）、ｙ１２）、（（ｘ１３−Ｄ１）、ｙ１３）、・・、（（ｘ１ｐ−Ｄ１）、ｙ１ｐ）で記憶させる。ここで、Ｄ１は、基準とする第一のスクライブ溝２０１−１から第二のスクライブ溝２０２−１の制御位置までの距離を示す（図４（ｅ））。
【００５６】
続いて、制御部１２０は、ｎ＞ｍであるか否かを判断し（Ｓ６０５）、ｎ≦ｍと判断した場合はｎ＞ｍとなるまでＳ６０２乃至Ｓ６０５を繰り返す（Ｓ６０６）。ｎ＞ｍであると判断すると、制御部１２０は、メモリ１３０から第一のスクライブ溝２０１−（ｎ−ｍ）の位置情報に基づく第二のスクライブ溝２０２−（ｎ−ｍ）の位置情報を読み出す（Ｓ６０７）。
【００５７】
次いで、制御部１２０は、読み出した第二のスクライブ溝２０２−（ｎ−ｍ）の位置情報に基づき、レール３００を駆動して加工ヘッド１００を所定の位置に制御し（Ｓ６０８）、走査しながら、加工ヘッド１００からレーザ光１０１を照射し、発電層１３に第二のスクライブ溝２０２−（ｎ−ｍ）を形成する（Ｓ６０９）。このとき同時に、制御部１２０は、検出センサ１５１により第一のスクライブ溝２０１−ｎの位置を検出する。
【００５８】
図７は、検出センサ１５１により第一のスクライブ溝２０１−ｎの位置を検出しながら、読み出した第二のスクライブ溝２０２−（ｎ−ｍ）の位置情報に基づき、加工ヘッド１００により第二のスクライブ溝２０２−（ｎ−ｍ）を形成している状態を示す上面図である。
【００５９】
続いて、制御部１２０は、第二のスクライブ溝２０２をすべて形成したか否かを判断し（Ｓ６１０）、すべて形成していないと判断した場合は、第二のスクライブ溝２０２をすべて形成するまでＳ６０７乃至Ｓ６１０を繰り返す。第二のスクライブ溝２０２をすべて形成すると、制御部１２０は、動作を終了する。
【００６０】
このように、基準とする第一のスクライブ溝２０１の位置を検出し、第一のスクライブ溝２０１の位置情報から算出した第二のスクライブ溝２０２の制御位置情報を記憶しておき、記憶している第二のスクライブ溝２０２の制御位置情報に基づいて第二のスクライブ溝２０２を形成することで、加工速度を落とすことなく、多層膜でのスクライブ加工の位置精度を向上させることができる。
【００６１】
また、発電に寄与しないスクライブ加工領域Ｌを狭くできる（図４（ｇ））。スクライブ加工領域Ｌでは、透明電極層１２と裏面電極層１３が接触しているため電位差が生じないため発電に寄与しない。
【００６２】
裏面電極層１４の第三のスクライブ溝２０３を形成する場合も、上記第二のスクライブ溝２０２を形成する場合と同様に、予め記憶する第三のスクライブ溝２０３の制御位置情報に基づいて第三のスクライブ溝２０３を形成することができる。
【００６３】
この場合、基準とする位置は、第一のスクライブ溝２０１の位置を基準としてもよいし、第二のスクライブ溝２０２の位置を基準としてもよい。第一のスクライブ溝２０１の位置を基準とする場合、図４（ｇ）に示すように、制御位置までの距離はＤ２であり、第二のスクライブ溝２０２の位置を基準とする場合は、制御位置までの距離はＤ３である。
【００６４】
以上のように、本実施の形態１では、レーザ加工装置５０１において制御部１２０は、検出センサ１５１により基準とする第一のスクライブ溝２０１の位置を予め検出し、第一のスクライブ溝２０１の位置情報から算出した第二のスクライブ溝２０２の制御位置情報をメモリ１３０に記憶させ、加工時にメモリ１３０から読み出した第二のスクライブ溝２０２の制御位置情報に基づいて加工ヘッド１００の位置を制御するようにしたので、加工速度を落とすことなく、また走査方向に依存せず、多層膜でのスクライブ加工の位置を高精度に制御することができる。
【００６５】
また、発電に寄与しないスクライブ加工領域を狭くでき、発電に寄与する発電層の拡大により発電効率の向上を図ることができる。
【００６６】
なお、検出センサ１５１として、１次元カメラを用いた場合について説明したが、２次元の位置情報を取得するセンサであってもよい。この場合、スクライブ溝の位置情報を２次元で得ることができるため、スクライブ不良や異物が付着していたとしてもスクライブ溝を検出することができ、信頼性を向上させることができる。
【００６７】
また、検出センサ１５１として、ＣＣＤカメラ等を用いた場合について説明したが、検出センサの受光素子にＰＳＤ（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）等の明点の位置情報を検出するセンサを用いてもよい。
【００６８】
また、絶縁基板１１としてガラス板を例示したが、フレキシブルな透明樹脂フィルムでもよい。
【００６９】
実施の形態２．
図８は、本発明に係る実施の形態２におけるレーザ加工装置でのレール３０１に取り付けられた検出センサ１５１及び加工ヘッド１００の一例を示す斜視概略図である。実施の形態２においては、検出センサ１５１及び加工ヘッド１００はそれぞれ、並列してＡ方向またはＢ方向に摺動可能にレール３０１に設けられている。
【００７０】
図９は、検出センサ１５１により第一のスクライブ溝２０１−ｎの位置を検出しながら、読み出した第二のスクライブ溝２０２−（ｎ−ｍ）の位置情報に基づき、加工ヘッド１００により第二のスクライブ溝２０２−（ｎ−ｍ）を形成している状態を示す上面図である。
【００７１】
加工ヘッド１００は、図９に示すように、ｍ＝１の場合のような装置の形状によっては検出センサ１５１と重なる領域においても位置を制御することができ、第一のスクライブライン２０１−ｎの位置を検出しながら第二のスクライブ溝２０２−（ｎ−ｍ）を加工することができる。
【００７２】
その他の構成及び動作に関しては、実施の形態１と同様であり、相当部分には図２と同一符号を付して説明を省略する。
【００７３】
以上のように、本実施の形態２では、検出センサ１５１及び加工ヘッド１００をそれぞれ、並列して摺動するようにレール３０１に設けたので、加工ヘッドおよび検出センサの大きさに依存することなく、また、互いに摺動領域を制限することなく、位置制御できる。
【００７４】
実施の形態３．
図１０は、本発明に係る実施の形態３におけるレーザ加工装置でのレール３００に取り付けられた検出センサ１５１及び加工ヘッド１００の一例を示す斜視概略図である。実施の形態３においては、検出センサ１５１及び加工ヘッド１００は基台１８０に固定され、基台１８０がＡ方向またはＢ方向に摺動可能にレール３００に設けられている。検出センサ１５１及び加工ヘッド１００は、走査方向に対して横に並んで設けられている。
【００７５】
その他の構成に関しては、実施の形態１と同様であり、相当部分には図２と同一符号を付して説明を省略する。
【００７６】
図１１は、検出センサ１５１により第一のスクライブ溝２０１−ｎの位置を検出しながら、加工ヘッド１００により第二のスクライブ溝２０２−（ｎ−ｍ）を形成している状態を示す上面図である。
【００７７】
加工ヘッド１００は、図１１に示すように、基台１８０により検出センサ１５１と所定の間隔を保った状態で、一体となって位置制御されることで、第一のスクライブ溝２０１−ｎの位置を検出しながら、追従して加工ヘッド１００により第一のスクライブ溝２０１−ｎの位置に応じた位置に、第二のスクライブ溝２０２−（ｎ−ｍ）を形成する。
【００７８】
以上のように、本実施の形態３では、検出センサ１５１及び加工ヘッド１００を一体としてレール３００に摺動するように設けたので、検出センサの制御位置に応じて加工ヘッドの位置が制御され、簡単な装置で走査方向に依存せず、多層膜でのスクライブ加工の位置を高精度に制御することができる。また、検出センサを複数設置する必要がなく、低コスト化を図ることができる。
【００７９】
実施の形態４．
実施の形態２では、図９に示したように検出センサ１５１の検出位置と加工ヘッド１００の加工位置とはＹ方向にずれた構成になっている。この様な構成では、レール３０１がＣ方向に摺動する際にレール３０１がＸ方向に無視できない振幅のうねりを生じる場合、これがスクライブ溝２０２の第１のスクライブ溝への位置あわせの系統誤差として加わる。
【００８０】
実施の形態４においては、メモリ１３０は、レール３０１の摺動の際に生じるＸ方向の位置ずれを、位置情報として予め記憶しておき、制御部１２０は、この位置ずれの位置情報と第一のスクライブ溝２０１の一端部２０１Ｌの位置情報とに基づき、図３に示される第二のスクライブ溝２０２の制御位置（Ｘ、Ｙ）３０４の計算する。
【００８１】
この構成により、レール３０１のＸ方向の位置ずれに対して、第二のスクライブ溝２０２の制御位置（Ｘ、Ｙ）３０４の計算の際に、所定の値（オフセット値）を加えることで、この系統誤差をなくすことが可能である。
【００８２】
次に、本実施の形態４におけるレーザ加工装置の動作について説明する。メモリ１３０は、例えば、位置ずれの位置情報として所定の値ｘ０１１〜ｘ０１ｐ、ｘ０２１〜ｘ０２ｐ、・・・を予め記憶しておく。
【００８３】
図６のフローチャート図において、Ｓ６０４で、制御部１２０は、基準とする第一のスクライブ溝２０１−１の位置情報を取得すると同時に、または発電層１３の第二のスクライブ溝２０２−１を形成するまでの間に、上記位置ずれの位置情報と第一のスクライブ溝２０１−１の位置情報に基づいて、第二のスクライブ溝２０２−１の制御位置を算出し、位置情報としてメモリ１３０に記憶させる。
【００８４】
この場合、図３に示される第二のスクライブ溝２０２の制御位置（Ｘ、Ｙ）３０４は、上から（（ｘ１１−ｘ０１１−Ｄ）、ｙ１１）〜（ｘ１ｐ−ｘ０１ｐ−Ｄ）、ｙ１ｐ）、（ｘ１１−ｘ０１１−Ｄ）、ｙ１１）〜（ｘ１ｐ−ｘ０１ｐ−Ｄ）、ｙ１ｐ）、・・・となる。
【００８５】
その他の構成及び動作に関しては、実施の形態１及び実施の形態２と同様であり、その説明を省略する。
【００８６】
次に、この位置ずれの位置情報である所定の値ｘ０１１〜ｘ０１ｐ、ｘ０２１〜ｘ０２ｐ、・・・を求める方法を以下に説明する。なお、レール３０１のＸ方向への位置ずれを測定する方法はこれに限るものではない。
【００８７】
まず、加工する基板と同等の計測用の基板を用意し、これに、本実施の形態４のレーザ加工装置を用いて、第二のスクライブ溝２０２を形成する。その位置は第一のスクライブ溝２０１への位置あわせをせず、実際に加工する位置の近傍に加工ヘッド１００を設定し、検出センサからの位置情報を無視して加工する。このときの加工ヘッド１００のｘ座標値をｘ０とする。
【００８８】
続いて、検出センサ１５１を用いて、形成したスクライブ溝２０２の位置計測を行なう。計測はスクライブ溝２０１の計測と同じ要領で、計測点も同じｙ座標で行なう。こうして、図３の３０３と同様に（ｘｓ１１、ｙ１１）〜（ｘｓ１ｐ、ｙ１ｐ）、（ｘｓ２１、ｙ２１）〜（ｘｓ２ｐ、ｙ２ｐ）、・・・のデータを取得する。
【００８９】
次いで、このデータを用いてｘ０１１＝ｘｓ１１−ｘ０、ｘ０１２＝ｘｓ１２−ｘ０、・・・の計算により、位置ずれの位置情報としての所定の値ｘ０１１〜ｘ０１ｐ、ｘ０２１〜ｘ０２ｐ、・・・を求める。
【００９０】
この様にして求めた位置ずれの位置情報としての所定の値を用いることにより、実施の形態４では、レール３０１がＣ方向に摺動する際、Ｘ方向のうねりが生じたとしても、スクライブ溝２０１の位置あわせを誤差無く行うことができる。
【００９１】
次に、図１３乃至図１８を用いて、位置ずれの位置情報で誤差をなくす動作原理について説明する。図８において、レール３０１がＣ方向に摺動する際のＸ方向のうねりを、図１３のグラフに示すような波形であるとする。
【００９２】
図１３において、座標点１３１は、検出センサ１５１の検出位置が基板１１のエッジ１３Ｆにあるときのレール３０１のｙ座標であり、座標点１３２は、加工位置１１０が基板１１のエッジ１３Ｆにあるときのｙ座標である。
【００９３】
また、座標点１３３は、検出センサ１５１の検出位置が基板１１の反対側のエッジに到達したときのｙ座標であり、座標点１３４は、加工位置１１０が反対側のエッジに到達したときのｙ座標である。グラフの上下の中央は加工ヘッドのｘ座標の設定値ｘ０である。
【００９４】
これに対し、基板１１上にあるスクライブ溝２０１のｘ位置が、図１４のグラフの波形であるとする。図１４において、座標点１３６は基板１１のエッジ１３Ｆの位置、座標点１３７は基板１１の反対側のエッジの位置に相当する。この基板を用いてそのまま、実施の形態１及び実施の形態２の方法で加工位置を制御して、スクライブ溝２０２を形成する。
【００９５】
このとき、検出センサ１５１で計測されたデータは、図１３の座標点１３１〜１３３のｘがｘ０に対して逆位相で重畳されるため、図１５の様になる。更にこのデータで加工ヘッド１００を制御して、スクライブ溝２０２を加工すると、図１５のデータに図１３の座標点１３２〜１３４が今度はｘ０に対して同位相で重畳されるため、図１６の様になる。
【００９６】
他方、位置制御せずにスクライブ溝２０２を加工すると、その波形は図１３の座標点１３２〜１３６がｘ０に対して同位相で現れるため、図１７の様になり、これをこのまま位置センサで計測すると、今度は図１３の座標点１３１〜１３３がｘ０に対して逆位相で重畳されるため、図１８の様になる。
【００９７】
この図１８の波形をｘ０に対して逆位相で図１６に重畳すれば、図１４のもとのスクライブ溝２０１の形状に戻すことができる。従って、この図１８の波形に相当する位置ずれの位置情報としての所定の値を計測値から減じ、加工ヘッド１００のＸ方向の制御データとすれば、レール３０１がＣ方向に摺動する際のＸ方向のうねりの影響を除くことができる。
【００９８】
以上のように、本実施の形態４では、制御部１２０は、メモリ１３０にレール３０１の摺動の際に生じるＸ方向の位置ずれを位置情報として予め記憶させ、この位置ずれの位置情報と第一のスクライブ溝２０１の一端部２０１Ｌの位置情報とに基づき、第二のスクライブ溝２０２の制御位置（Ｘ、Ｙ）３０４の計算するようにしたので、レールがＣ方向に摺動する際のＸ方向のうねりの影響を除くことができ、スクライブ溝の位置あわせを誤差無く行うことができる。
【００９９】
実施の形態５．
図１９は、本発明に係る実施の形態５におけるレーザ加工装置でのレール３０２に取り付けられた検出センサ１６１及び加工ヘッド１００のＸ軸方向からみた側面図を示す。図２０は、これをＺ軸方向から見た上面図である。
【０１００】
図１９及び図２０に示すように、加工ヘッド１００及び、検出センサ１６１、照射ヘッド１６３を搭載したステージ１８１は、Ａ方向またはＢ方向に摺動可能に駆動部としてのレール３０２に設けられている。
【０１０１】
本実施の形態５においては、第二のスクライブ溝２０２を加工する際は、レール３０２はＣ方向には摺動せず、絶縁基板１１をＣ方向と逆方向に移動する。また、検出センサ１６１は２次元ＣＣＤカメラであり、検出のための光を照射する照射ヘッド１６３が別に設けられており、検出センサ１６１は検出光１６２２を垂直に対して加工方向前方から角度θ１で傾斜して受ける構成になっている。例えば、本実施の形態５の図１９では、角度θ１＝１４度に設定している。
【０１０２】
これに対応して、照射ヘッド１６３も正しい反射光が検出ヘッド１６１に向かうように傾けられ、照射光１６２３が垂直に対して加工方向後方から角度θ２で傾斜して計測スポットに当るように構成されている。例えば、本実施の形態５の図１９では、角度θ２＝１４度に設定している。
【０１０３】
検出センサ１６１及び照射ヘッド１６３は、図１９に示すように、それぞれ第一ステージ１６５、１６７に固定され、第一ステージ１６５、１６７は、検出位置を予め調整するための機能として、レーザ光１０１と略平行となるＤ方向またはＥ方向に摺動可能に第二ステージ１６４、１６６に設けられている。
【０１０４】
第二ステージ１６４、１６６は、図２０に示すように、それぞれ第一ステージ１６５、１６７を固定すると共に、検出位置を予め調整するための機能として、Ｃ方向に略平行となるＦ方向またはＧ方向に摺動可能に第三ステージ１８１に設けられている。
【０１０５】
また、第二ステージ１６４、１６６は、検出位置を予め調整するための機能として、Ｃ方向に垂直、かつ絶縁基板１１の面に略平行となるＡ方向またはＢ方向に摺動可能に、さらにはそれぞれステージ１８１に垂直となるＪ軸、Ｋ軸を中心に回動可能に、第三ステージ１８１に設けられている。
【０１０６】
実施の形態１及び実施の形態３では加工ヘッド１００と検出センサ１６１はそれぞれ、第二のスクライブ溝２０２、第一のスクライブ溝２０１の直上に存在するため、加工ヘッド１００と検出センサ１６１の大きさによる制限から、位置情報を取得する第一のスクライブ溝２０１と加工する第二のスクライブ溝２０２の間隔は、ある程度以上、例えば数十ｍｍ程度の距離が必要であった。
【０１０７】
本実施の形態５では、検出センサ１６１を傾けて配置させるため、その距離を前記の制限以下に近づけることが可能である。本実施の形態５では、検出光１６２２の傾斜角度θ１及び照射光１６２３の傾斜角度θ２を１４度に設定したが、これに限るものではなく、この角度は加工ヘッド１００と検出センサ１６１の干渉を避けるように設定すればよい。
【０１０８】
実施の形態１で説明した薄膜太陽電池の製造方法では、加工のはじめにスクライブ溝の位置情報を取得するため、ｍ回だけ加工せずにレール３００をスキャンする必要がある。このため、加工したいスクライブ溝の数に加えてｍ回スキャン回数が増えるため、加工時間が長くなる問題があった。
【０１０９】
本実施の形態５では、検出センサ１６１を傾けて配置させることで、実施の形態１及び実施の形態３の場合よりも加工ヘッド１００と検出センサ１６１の距離を近づけることにより、この余分なスキャン回数を減らすことができ、加工時間を短くし生産性を上げることができる利点がある。
【０１１０】
一方、検出光１６２２の方向は上面からみて、第一のスクライブ溝２０１に平行である必要がある。絶縁基板１１は基板のそりなどの影響で、Ｃ方向の移動時にＺ方向に１ｍｍ程度上下する可能性があるが、検出光１６２２が上面からみて、第一のスクライブ溝２０１と角度を成すと、その上下の際に検出位置のＸ方向のずれが生じ、これが位置検出の誤差になるためである。
【０１１１】
このため、検出センサ１６１は、図２０に示すように、第三ステージ１８１に垂直となるＪ軸を中心に回動可能に設けられた第二ステージ１６４に搭載され、検出光１６２２の方向と第一のスクライブ溝２０１との成す角の角度調整が可能な様に構成されている。
【０１１２】
予め行う検出位置の調整では、絶縁基板１１をＺ軸方向に動かす代わりに、検出センサ１６１の位置をＤ方向またはＥ方向に摺動可能な第一ステージ１６５を用いて絶縁基板１１のＺ方向へのずれと同じ距離だけ動かし、検出光１６２２の方向と第一のスクライブ溝２０１との成す角の角度を、検出位置が変化しないようにステージ１６４を用いて調整することができる。
【０１１３】
前記検出位置を調整する際には、第二ステージ１６４をＦ方向またはＧ方向に、またはＡ方向またはＢ方向に、移動させることでも検出位置を調整できる。同様に、照射ヘッド１６３を搭載する第一ステージ１６７及び第二ステージ１６６を動かすことで、照射光１６２３の向き及び照射位置を調整することができ、検出センサ１６１の感度が高くなる様に調整することができる。
【０１１４】
なお、本実施の形態５では検出センサ１６１は２次元ＣＣＤカメラとしたが、検出光１６２２と垂直方向の１次元センサを用いてもよい。
【０１１５】
以上のように、本実施の形態５では、検出センサ１６１は照射ヘッド１６３を別に設け、それぞれ加工方向の前方、後方に傾斜して加工ヘッド１００と検出センサ１６１の距離を近づけるようにしたので、位置情報を取得するスクライブ溝と加工するスクライブ溝との距離を近づけることができ、この余分なスキャン回数を減らすことで加工時間を短くし生産性を上げることができる利点がある。
【０１１６】
また、検出センサ１６１及び照射ヘッド１６３の位置をそれぞれ移動させて検出位置を調整できるようにしたので、検出センサ１６１の感度が高くなる様に調整することができ、位置検出の誤差を低減できる。
【符号の説明】
【０１１７】
１１  絶縁基板
１２  透明電極層
１３  発電層
１００  加工ヘッド
１０１  レーザ光
１２０  制御部
１３０  メモリ
２０１  第一のスクライブ溝
２０２  第二のスクライブ溝
１５１、１６１  検出センサ
１６３  照射ヘッド
３００、３０１、３０２  レール
５０１  レーザ加工装置  
【図１】
2011031302.tif 000003
【図２】
2011031302.tif 000004
【図３】
2011031302.tif 000005
【図４】
2011031302.tif 000006
【図５】
2011031302.tif 000007
【図６】
2011031302.tif 000008
【図７】
2011031302.tif 000009
【図８】
2011031302.tif 000010
【図９】
2011031302.tif 000011
【図１０】
2011031302.tif 000012
【図１１】
2011031302.tif 000013
【図１２】
2011031302.tif 000014
【図１３】
2011031302.tif 000015
【図１４】
2011031302.tif 000016
【図１５】
2011031302.tif 000017
【図１６】
2011031302.tif 000018
【図１７】
2011031302.tif 000019
【図１８】
2011031302.tif 000020
【図１９】
2011031302.tif 000021
【図２０】
2011031302.tif 000022