(57)【要約】【課題】プレス装置の摺動部の過熱を抑制する。【解決手段】プレス装置１００は、ボルスタ１と、ボルスタ１上に載置され、下型（例えば、ダイプレート７及びダイ８）が設けられる下型ホルダ２と、を備えている。プレス装置１００は、更に、下型ホルダ２に立設されたガイドポスト３と、ガイドポスト３に沿って摺動するガイドブッシュ４と、ガイドブッシュ４に固定され、上型（例えば、パンチプレート９及びパンチ１０）が設けられる上型ホルダ５と、を備えている。プレス装置１００は、更に、ガイドポスト３とボルスタ１とに接触し、ガイドポスト３からボルスタ１への伝熱を促進する伝熱促進部６を備える。【選択図】図１
2011173164.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボルスタと、
前記ボルスタ上に載置され、下型が設けられる下型ホルダと、
前記下型ホルダに立設されたガイドポストと、
前記ガイドポストに沿って摺動するガイドブッシュと、
前記ガイドブッシュに固定され、上型が設けられる上型ホルダと、
前記ガイドポストと前記ボルスタとに接触し、前記ガイドポストから前記ボルスタへの伝熱を促進する伝熱促進部と、
を備えることを特徴とするプレス装置。
【請求項２】
前記伝熱促進部は、前記ガイドポストよりも熱伝導率が高い材質の第１伝熱部材を含み、
前記第１伝熱部材が前記ガイドポストと前記ボルスタとに接触していることを特徴とする請求項１に記載のプレス装置。
【請求項３】
前記第１伝熱部材は、前記下型ホルダよりも熱伝導率が高い材質であることを特徴とする請求項２に記載のプレス装置。
【請求項４】
前記伝熱促進部は、吸熱部と放熱部とを有するペルチェ素子を含み、
前記ペルチェ素子の前記吸熱部が前記ガイドポスト側に、前記放熱部が前記ボルスタ側に、それぞれ配置されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のプレス装置。
【請求項５】
前記伝熱促進部は、前記ガイドポストよりも熱伝導率が高い材質の第２及び第３伝熱部材を含み、
前記第２伝熱部材は前記ガイドポストと前記ペルチェ素子の前記吸熱部とに接触し、
前記第３伝熱部材は前記ペルチェ素子の前記放熱部と前記ボルスタとに接触していることを特徴とする請求項４に記載のプレス装置。
【請求項６】
前記第２及び第３伝熱部材は、前記下型ホルダよりも熱伝導率が高い材質であることを特徴とする請求項５に記載のプレス装置。
【請求項７】
前記ガイドポストと前記ガイドブッシュとの相対移動を利用して発電する発電部を含み、
前記発電部により発電された電力で前記ペルチェ素子が駆動することを特徴とする請求項４乃至６の何れか一項に記載のプレス装置。
【請求項８】
前記発電部は、前記ガイドポストと、前記ガイドブッシュと、前記ガイドポストと前記ガイドブッシュとのうちの何れか一方に巻回された巻線と、を含んで構成され、
前記ガイドポストと前記ガイドブッシュとのうちの何れか他方は、着磁された磁性体により構成され、
前記ガイドポストと前記ガイドブッシュとの相対移動により、電磁誘導によって前記巻線に電流が生じることを特徴とする請求項７に記載のプレス装置。
【請求項９】
前記ガイドポストの温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部による検出結果に応じて前記ペルチェ素子に供給する電流値を制御する電流制御部と、
を有することを特徴とする請求項４乃至８の何れか一項に記載のプレス装置。
【請求項１０】
前記ガイドポストの温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部による検出結果に応じて前記ペルチェ素子に供給する直流電流の正負を反転させる正負反転部と、
を有することを特徴とする請求項４乃至８の何れか一項に記載のプレス装置。
【請求項１１】
前記伝熱促進部は、当該プレス装置における当該伝熱促進部以外の部位により覆われ、当該プレス装置の外面には露出していないことを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項に記載のプレス装置。
【請求項１２】
前記下型ホルダには、前記ガイドポストの下端部と前記伝熱促進部とが嵌入される嵌入穴が形成され、
前記ガイドポストはその下端部が前記嵌入穴に嵌入されることによって前記下型ホルダに立設され、
前記伝熱促進部は、前記嵌入穴内において、前記ガイドポストの下端と前記ボルスタの上面との間に介在していることを特徴とする請求項１１に記載のプレス装置。
【請求項１３】
前記下型ホルダにおける前記嵌入穴の周囲の部分は、その部分よりも更に周囲の部分よりも熱伝導率が低い材質により構成されていることを特徴とする請求項１２に記載のプレス装置。
【請求項１４】
前記上型及び前記下型は半導体装置をプレス加工するものであり、
当該プレス装置は半導体製造装置であることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか一項に記載のプレス装置。
【請求項１５】
ボルスタと、前記ボルスタ上に載置され、下型が設けられる下型ホルダと、前記下型ホルダに立設されたガイドポストと、前記ガイドポストに沿って摺動するガイドブッシュと、前記ガイドブッシュに固定され、上型が設けられる上型ホルダと、前記ガイドポストと前記ボルスタとに接触し、前記ガイドポストから前記ボルスタへの伝熱を促進する伝熱促進部と、を備え、前記上型及び前記下型は半導体装置をプレス加工するものである半導体製造装置を用いて半導体装置をプレス加工する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プレス装置、及び、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置のリード等の加工対象物の加工（曲げ加工、切断加工等）には、上型と下型とを有するプレス装置が用いられる。プレス装置は、上型と下型とを相対的に移動させるために、立設されたガイドポストと、このガイドポストに沿って上下に摺動するガイドブッシュと、により構成される摺動部を有している。
【０００３】
このようなプレス装置は、例えば、特許文献１に記載されている。特許文献１のプレス装置は、上型としての曲げパンチと、下型としての曲げダイと、曲げパンチ及び曲げダイの背面に吸熱側が接するように設けられたペルチェ素子と、ペルチェ素子の放熱側に設けられたヒートシンクと、を有している。特許文献１には、これらの構成により曲げパンチ及び曲げダイの過熱を防止できる旨の記載がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０７−２４５３６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体装置のリード等の加工対象物を高精度に加工するためには、上型と下型とを高精度に位置決めし、その状態を安定的に維持する必要がある。そして、上型と下型とを高精度に位置決めするためには、摺動部のガイドポストとガイドブッシュとのクリアランス（遊び）を極めて狭く設定する必要がある。また、生産性向上のためにはプレス速度の高速化が求められ、大量生産のためにはプレスを長時間繰り返し行う必要がある。これらのため、プレス装置の摺動部は摩擦熱による過熱で膨張し、更に、この膨張の結果、摺動摩擦力が増大し、摺動部が一層過熱する。また、摺動摩擦力の増大により、プレス圧力が不足することがある。
【０００６】
しかしながら、特許文献１の技術は、曲げパンチ及び曲げダイの冷却を目的としており、摺動部の過熱を抑制することはできない。
【０００７】
このように、プレス装置の摺動部の過熱を抑制することは困難だった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ボルスタと、
前記ボルスタ上に載置され、下型が設けられる下型ホルダと、
前記下型ホルダに立設されたガイドポストと、
前記ガイドポストに沿って摺動するガイドブッシュと、
前記ガイドブッシュに固定され、上型が設けられる上型ホルダと、
前記ガイドポストと前記ボルスタとに接触し、前記ガイドポストから前記ボルスタへの伝熱を促進する伝熱促進部と、
を備えることを特徴とするプレス装置を提供する。
【０００９】
このプレス装置によれば、ガイドポストとボルスタとに接触し、ガイドポストからボルスタへの伝熱を促進する伝熱促進部を備えるので、プレス装置の摺動部、すなわち、ガイドポスト及びガイドブッシュにおいて発生した摩擦熱を、伝熱促進部を介してボルスタへと効率的に伝熱することができる。よって、プレス装置の摺動部の過熱を抑制することができる。
【００１０】
また、本発明は、ボルスタと、前記ボルスタ上に載置され、下型が設けられる下型ホルダと、前記下型ホルダに立設されたガイドポストと、前記ガイドポストに沿って摺動するガイドブッシュと、前記ガイドブッシュに固定され、上型が設けられる上型ホルダと、前記ガイドポストと前記ボルスタとに接触し、前記ガイドポストから前記ボルスタへの伝熱を促進する伝熱促進部と、を備え、前記上型及び前記下型は半導体装置をプレス加工するものである半導体製造装置を用いて半導体装置をプレス加工する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、プレス装置の摺動部の過熱を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態に係る半導体製造装置（プレス装置）を示す図であり、上型ホルダが上死点に位置する状態を示し、同図の左半部は正面図、右半部は正面断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体製造装置（プレス装置）を示す図であり、上型ホルダが下死点に位置する状態を示し、同図の左半部は正面図、右半部は正面断面図である。
【図３】実施形態に係る半導体製造装置により製造される半導体装置の例を示す図であり、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図４】実施形態に係る半導体装置の製造方法の手順の一例を示す図である。
【図５】実施形態に係る半導体装置の製造方法の手順の他の一例を示す図である。
【図６】比較例の半導体製造装置（プレス装置）を示す図であり、同図の左半部は正面図、右半部は正面断面図である。
【図７】比較例の半導体製造装置（プレス装置）のガイドポストとガイドブッシュとのクリアランスと、それらの摺動時における荷重と、の関係を示す図である。
【図８】第２の実施形態に係る半導体製造装置（プレス装置）を示す図であり、上型ホルダが上死点に位置する状態を示し、同図の左半部は正面図、右半部は正面断面図である。
【図９】第２の実施形態に係る半導体製造装置（プレス装置）を示す図であり、上型ホルダが下死点に位置する状態を示し、同図の左半部は正面図、右半部は正面断面図である。
【図１０】第２の実施形態に係る半導体製造装置（プレス装置）が有する電子回路のブロック図である。
【図１１】電子回路の変形例を示すブロック図である。
【図１２】第３の実施形態に係る半導体製造装置（プレス装置）が有する電子回路周辺のブロック図である。
【図１３】第４の実施形態に係る半導体製造装置（プレス装置）が有する電子回路周辺のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。
【００１４】
〔第１の実施形態〕
図１及び図２は第１の実施形態に係るプレス装置１００を示す図であり、それぞれの左半部は正面図、右半部は正面断面図である。図１は上型ホルダ５が上死点に位置する状態を、図２は上型ホルダ５が下死点に位置する状態を、それぞれ示す。
【００１５】
本実施形態に係るプレス装置１００は、ボルスタ１と、ボルスタ１上に載置され、下型（例えば、ダイプレート７及びダイ８）が設けられる下型ホルダ２と、を備えている。プレス装置１００は、更に、下型ホルダ２に立設されたガイドポスト３と、ガイドポスト３に沿って摺動するガイドブッシュ４と、ガイドブッシュ４に固定され、上型（例えば、パンチプレート９及びパンチ１０）が設けられる上型ホルダ５と、を備えている。プレス装置１００は、更に、ガイドポスト３とボルスタ１とに接触し、ガイドポスト３からボルスタ１への伝熱を促進する伝熱促進部６を備える。以下、詳細に説明する。
【００１６】
本実施形態に係るプレス装置１００は、例えば、半導体製造装置であり、加工対象物としての半導体装置５０をプレス加工するものである。図３に示すように、半導体装置５０は、封止樹脂１４により封止された本体部５１と、この本体部５１より外方に延出するリード５２とを有している。
【００１７】
図１及び図２に示すように、ボルスタ１は、下型ホルダ２が載置される載置部１ａを有し、この載置部１ａは、例えば、平板状に形成されている。ボルスタ１の載置部１ａの上面は、水平に形成されている。ボルスタ１の載置部１ａは、その上面の一部分（下型ホルダ２に覆われていない部分）が大気に露出し、放熱面となっている。
【００１８】
下型ホルダ２は、例えば、平板状に形成され、載置部１ａ上に水平に固定されている。下型ホルダ２には、該下型ホルダ２の表裏を貫通するように、例えば４つの嵌入穴１１が形成されている。
【００１９】
下型ホルダ２の上面には、下型としてのダイプレート７及びダイ８が設けられている。ダイプレート７は、例えば平板状に形成され、下型ホルダ２上に水平に固定されている。このダイプレート７上には、ダイ８が固定されている。このダイ８の上面には、半導体装置５０の本体部５１が配置される凹部８ａと、パンチ１０が嵌入されるパンチ穴８ｂと、が形成されている。パンチ穴８ｂの数は、パンチ１０の数と対応している。半導体装置５０をプレス加工する際には、例えば、ダイ８における凹部８ａの外側の部分の上面に半導体装置５０のリード５２が載置されるとともに、凹部８ａ内に本体部５１が宙吊りで配置されるようになっている。
【００２０】
ガイドポスト３は、柱状（例えば円柱状に）形成され、例えば、平面視における下型ホルダ２の４隅にそれぞれ配置されている。なお、図１及び図２には、４つのガイドポスト３のうち、手前側の２つのガイドポスト３が示され、これら２つのガイドポスト３の奥にもそれぞれガイドポスト３が位置している。各ガイドポスト３は、その下端部が対応する嵌入穴１１に対して上側から嵌入されている。これより、各ガイドポスト３は、下型ホルダ２に立設されている。ガイドポスト３の下部には、例えば、嵌入穴１１の上縁に当接するフランジ部１２が形成されている。このフランジ部１２によって、ガイドポスト３の姿勢が一層安定化されているとともに、嵌入穴１１へのガイドポスト３の嵌入量が高精度に設定及び維持されている。
【００２１】
各ガイドポスト３には、それぞれガイドブッシュ４が外挿されている。すなわち、ガイドブッシュ４には挿通穴４ａが形成され、この挿通穴４ａにガイドポスト３が挿通されている。挿通穴４ａの内周とガイドポスト３の外周との間には僅かなクリアランスが設定されており、ガイドブッシュ４は、ガイドポスト３に沿って上下に摺動可能となっている。
【００２２】
上型ホルダ５は、例えば、平板状に形成され、４つのガイドブッシュ４によって水平に保持されている。上型ホルダ５の下面には、平板状のパンチプレート９が水平に固定され、このパンチプレート９の下面には、例えば、半導体装置５０の４つの側面のそれぞれと対応して、４つのパンチ１０が、それぞれ垂下するように固定されている。これらパンチ１０は、ダイ８のパンチ穴８ｂと対向するように配置されている。上型ホルダ５は、例えば、金属により構成されている。
【００２３】
上型ホルダ５は、図示しない駆動源から付与されるプレス動力によって、図１に示される上死点位置と図２に示される下死点位置との間で昇降される。この昇降に伴い、上型ホルダ５に固定されたガイドブッシュ４、パンチプレート９及びパンチ１０も昇降するようになっている。図２に示される下死点位置では、各パンチ１０が対応するパンチ穴８ｂ内に嵌入する。パンチ１０は、図１の位置から図２の位置に移動する過程で、ダイ８との協働により半導体装置５０のリード５２をプレス加工（例えば、切断、或いは曲げ加工）する。なお、パンチ１０の各々は、それぞれ半導体装置５０の対応する側面から突出している複数のリード５２を一括して加工する。
【００２４】
伝熱促進部６は、ガイドポスト３が直接ボルスタ１に接触している場合と比べて、ガイドポスト３からボルスタ１への伝熱を促進するものである。本実施形態の場合、伝熱促進部６は、ガイドポスト３よりも熱伝導率が高い材質の第１伝熱部材により構成されている。このため、ガイドポスト３が直接ボルスタ１に接触している場合と比べて、ガイドポスト３からボルスタ１への熱の伝達効率が向上する。
【００２５】
伝熱促進部６は、下型ホルダ２よりも熱伝導率が高い材質により構成されていることが更に好ましい。このようにすることにより、伝熱促進部６から下型ホルダ２への熱の流れを抑制し、下型ホルダ２に熱がこもりにくいようにでき、下型ホルダ２に熱膨張によるひずみ変形等が生じにくいようにすることができる。
【００２６】
伝熱促進部６は、熱伝導率が３００Ｗ／（ｍ・℃）以上の金属材料により構成することが好ましい。具体的には、伝熱促進部６は、例えば、銅、銀、金、それらの少なくとも何れか１つを含有する合金、それらの少なくとも何れか１つを主成分とする（例えば５０重量％以上含む）合金により構成することができる。或いは、アルミニウム、アルミニウム合金、アルミニウムを主成分とする（例えば５０重量％以上含む）合金により伝熱促進部６を構成しても良い。
【００２７】
伝熱促進部６は、各ガイドポスト３毎に設けられている。伝熱促進部６は、例えば、柱状（例えば円柱状）或いは板状（例えば円板状）に形成され、各ガイドポスト３の下端面とボルスタ１の上面との間に介在し、各ガイドポスト３の下端面とボルスタ１の上面とに接している。なお、ガイドポスト３の下端面、伝熱促進部６の上面及び下面、ボルスタ１の上面は、それぞれ、面粗度が低く滑らかな面となっている。
【００２８】
ガイドポスト３の下端面と伝熱促進部６の上面との接触面積、並びに、伝熱促進部６の下面とボルスタ１の上面との接触面積は、嵌入穴１１の断面積と略等しい。これら接触面積は、それぞれ、例えば、１００ｍｍ２以上であることが好ましく、４００ｍｍ２以上であることが更に好ましい。
【００２９】
伝熱促進部６は、例えば、嵌入穴１１の内部に配置（具体的には、例えば、嵌入）されていて、下型ホルダ２内に埋設されている。換言すれば、伝熱促進部６は、プレス装置１００における伝熱促進部６以外の部位により覆われ、プレス装置１００の外面には露出していない。これにより、伝熱促進部６による雰囲気の加熱が抑制されている。
【００３０】
下型ホルダ２における嵌入穴１１の周囲の部分は、その部分よりも更に周囲の部分よりも熱伝導率が低い材質により構成された低熱伝導部１３となっている。この低熱伝導部１３によってガイドポスト３の下端部と伝熱促進部６とが囲まれていることにより、ガイドポスト３及び伝熱促進部６から下型ホルダ２への熱の流れが抑制されている。
【００３１】
低熱伝導部１３は、熱伝導率が３０Ｗ／（ｍ・℃）以下の金属材料により構成することが好ましく、例えばステンレス鋼等を用いることができる。中でもオーステナイト系ステンレス鋼は特に低熱伝導材料であるため好ましい。オーステナイト系ステンレス鋼の熱伝導率は、例えば、２０Ｗ／（ｍ・℃）未満である。
【００３２】
なお、上面の一部が放熱面として機能するボルスタ１の材料としては、例えば、一般構造用鋼材であるＳＳ４００、機械構造用炭素鋼材であるＳ５０Ｃなどの鉄鋼材料を用いる。
【００３３】
また、ボルスタ１の載置部１ａの上面に関しては、下型ホルダ２によって覆われている領域の面積：下型ホルダ２によって覆われず大気に露出している領域の面積＝１：ｎ（ｎは１以上）であることが、放熱性の観点から好ましい。
【００３４】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図３はこの製造方法により製造される半導体装置５０を示す図であり、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。また、図４はこの製造方法の手順の一例を示す図であり、図５はこの製造方法の手順の他の一例を示す図である。
【００３５】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、ボルスタ１と、ボルスタ１上に載置され、下型（例えば、ダイプレート７及びダイ８）が設けられる下型ホルダ２と、下型ホルダ２に立設されたガイドポスト３と、ガイドポスト３に沿って摺動するガイドブッシュ４と、ガイドブッシュ４に固定され、上型（例えば、パンチプレート９及びパンチ１０）が設けられる上型ホルダ５と、ガイドポスト３とボルスタ１とに接触し、ガイドポスト３からボルスタ１への伝熱を促進する伝熱促進部６と、を備え、上型及び下型は半導体装置５０をプレス加工するものである半導体製造装置（プレス装置１００）を用いて半導体装置５０をプレス加工する工程を含む。以下、詳細に説明する。
【００３６】
図３に示すように、半導体装置５０の本体部５１は、封止樹脂１４、この封止樹脂１４内の半導体チップ（図示略）、及びダイパッド（図示略）等を含む。封止樹脂１４の側面からは、複数のリード５２が突出している。リード５２の厚みは、例えば、０．１２５〜０．１５０ｍｍであり、幅は約０．２ｍｍである。このリード５２の上面、下面および側面（リード切断面を除く）には、めっき被膜が施されている。めっき被膜の膜厚も含めると、リード５２の厚みは、０．１２５〜０．１８０ｍｍ程度である。
【００３７】
先ず、リードフレーム（全体図示略）のダイパッド（図示略）上に半導体チップ（図示略）を搭載及び接合し、半導体チップとリード５２とをボンディングワイヤ（図示略）によりワイヤボンディングする。次に、リード５２の一部分が封止樹脂１４（図３）から突出するように、半導体チップ及びリードフレームを封止樹脂１４（図３）により封止する。次に、封止樹脂１４のバリ除去を行う。あらかじめ外装処理がなされていないリードフレームを用いる場合には、リードフレームに対する外装めっき処理も行う。
【００３８】
次に、半導体装置５０をリードフレーム５３（図４（ａ）参照；全体図示略）より切り離し、リード５２の成形加工を行う。
【００３９】
具体的には、例えば、先ず、図４（ａ）に示すようにリード５２が長めとなるようにリードフレーム５３を切断位置１５にて切断することにより、半導体装置５０をリードフレーム５３から切り離す。次に、図４（ｂ）に示すようにリード５２を下方に曲げ加工して所定のガルウイング形状に形成する。次に、図４（ｃ）に示すようにリード５２を切断位置１６にて切断し、規定寸法に仕上げる。
【００４０】
或いは、先ず、図５（ａ）に示すようにリード５２が規定寸法となるようにリードフレーム５３を切断位置１７にて切断することによって、半導体装置５０をリードフレーム５３から切り離す（図５（ｂ））。次に、図５（ｃ）に示すようにリード５２を下方に曲げ加工して所定のガルウイング形状に形成する。
【００４１】
ここで、リード５２の加工は、本実施形態に係るプレス装置１００（半導体製造装置）を用いて行う。このプレス装置１００は、半導体装置５０をリードフレームから切り離す工程（図４（ａ）、図５（ｂ））、リード５２をガルウイング形状に曲げ加工する工程（図４（ｂ）、図５（ｃ））、ガルウイング形状のリード５２を切断する工程（図４（ｂ））、の何れかの工程に用いることができる。
【００４２】
このように、プレス装置１００はリード５２の切断や曲げ加工を行うが、その加工条件として、リード５２の切断位置や曲げ位置を例えば数ミクロンの誤差範囲にする。このため、パンチ１０とダイ８を高精度に位置決めすることが重要であり、ガイドポスト３とガイドブッシュ４とのクリアランスは極狭く設定されている。このような条件において、生産性向上のために、プレス速度の高速化と長時間連続運転とが行われると、ガイドポスト３とガイドブッシュ４との摺動部で発生する摩擦熱によりガイドブッシュ４及びガイドポスト３が過熱膨張し、それらの摺動摩擦力の増大とプレス圧力不足とが生じる。
【００４３】
ここで、図６は、比較例のプレス装置１５０を示す図であり、同図の左半部は正面図、右半部は正面断面図である。このプレス装置１５０は、伝熱促進部６及び低熱伝導部１３を有していない点と、ガイドポスト３の下端面がボルスタ１の上面に直接接している点で、本実施形態に係るプレス装置１００と相違し、その他の点では、プレス装置１００と同様に構成されている。
【００４４】
図６に示すように、ガイドブッシュ４は上型ホルダ５から露出した外周面が大気に接しており、大気への放熱が常時行われる。一方、ガイドポスト３からの放熱は、主に下型ホルダ２及びボルスタ１に対して行われる。近年、ガイドポスト３とガイドブッシュ４との摺動面に塗布する潤滑剤として、潤滑油と比べて給油頻度が非常に少なくて済むグリスを採用するプレス装置が増加している。しかし、グリスは放熱性が低いため、そのグリスによりガイドポスト３の外周面が覆われたプレス装置１５０においては、運転時間が長くなるにつれて、摩擦熱によりガイドポスト３が徐々に過熱膨張する。
【００４５】
ここで、高精度位置決めを目的にガイドポスト３とガイドブッシュ４とのクリアランスを極狭く設定したプレス装置１５０の条件の一例を示す。
・ガイドポスト３とガイドブッシュ４とのクリアランスＣ：２．５μｍ
・ガイドポスト３の材質：軸受鋼（ＳＵＪ材＝高炭素鋼材）
・ガイドポスト３を構成する高炭素鋼材の線膨張率α：１０．８×１０−６／℃
・ガイドポスト３を構成する高炭素鋼材の体積膨張率β＝３α：３２．４×１０−６／℃
・ガイドポスト３の直径Ｒ：２３ｍｍ
・ガイドポスト３の長さＬ：２１０ｍｍ
・ガイドポスト３の体積Ｖ＝（π×（Ｒ／２）２×Ｌ）：８７２５０ｍｍ３
なお、クリアランスＣ、直径Ｒ、長さＬ及び体積Ｖは、プレス装置１５０を設置した室内の管理温度Ｔｓを２５℃としたときの値である。
【００４６】
これらの条件においては、ガイドポスト３の温度が１℃上昇するとガイドポスト３とガイドブッシュ４とのクリアランスＣは、理論上０．１９μｍ狭くなる。
従って、理論上、クリアランスＣが０となる温度は３８．１６℃である。クリアランスＣが０の状態では、トライボロジー上、ガイドポスト３とガイドブッシュ４との摺動摩擦は、境界潤滑領域（摺動不可領域）での摩擦となり、ガイドポスト３とガイドブッシュ４との間に存在する潤滑剤は、それらの摺動面の表面粗さ以下の膜厚となり、プレス摺動が不可能な状態となる。
【００４７】
図７は、図６に示すプレス装置１５０のガイドポスト３とガイドブッシュ４との理論上のクリアランスＣと、それらの摺動時における荷重（摺動荷重）の測定値と、の関係を示す図である。図７の横軸はガイドポスト３の温度である。図７の測定値は、プレス装置１５０を連続運転させて、ガイドポスト３の温度を徐々に上昇させることによって得たものである。潤滑剤としてはグリスを使用し、揺変性により摩擦力が高く作用する低速プレス動作時（プレススピード５ｍｍ／ｓ）に測定を行った。
【００４８】
図７に示すように、理論上のクリアランスＣは、温度変化に伴いリニアに変化する。一方、摺動荷重は、２５℃の摺動荷重６０ｋｇｆから３４℃の摺動荷重２００ｋｇｆまではほぼリニアに変化するが、３５℃付近からは二次曲線を描くように温度上昇に伴い急激に増加する。なお、プレス装置１５０の連続運転時には、摺動荷重が増加するほど、摺動部で発生する摩擦熱が大きくなり摺動荷重がさらに増加するという悪循環が生じる。
３６℃の摺動荷重３６０ｋｇｆ程度までは、安価なエア方式プレスユニットでもプレス摺動が可能であるが、３７℃の摺動荷重６１０ｋｇｆでは、モータ方式や液圧方式等、数千ｋｇｆオーダの駆動出力が可能な駆動源が必要となり、プレス装置１５０が非常に高価となる。
なお、実際にはガイドブッシュ４にもガイドポスト３との摺動部で発生する摩擦熱が伝わるため、ガイドブッシュ４も温度上昇に伴い拡径している可能性はある。しかし、上述のように、ガイドポスト３は、放熱性の低いグリスにより覆われている。また、ガイドブッシュ４の熱は金属等により構成される上型ホルダ５へスムーズに放熱されるのに対し、ガイドポスト３の熱は主にその下端部から下型ホルダ２及びボルスタ１へ放熱される。これらのため、図６に示すプレス装置１５０ではガイドポスト３の放熱性が悪く、ガイドブッシュ４よりもガイドポスト３の方が大きく昇温し、結果的に、ガイドポスト３とガイドブッシュ４との摺動摩擦と、摺動荷重とが、温度上昇に伴い大きくなるものと考えられる。
【００４９】
このような事情に対し、本実施形態に係るプレス装置１００では、図１及び図２に示すように、ガイドポスト３とボルスタ１とに接触し、ガイドポスト３からボルスタ１への伝熱を促進する伝熱促進部６を備えている。このため、プレス装置１００の摺動部、すなわち、ガイドポスト３及びガイドブッシュ４において発生した摩擦熱を、伝熱促進部６を介してボルスタ１へと効率的に伝熱することができる。よって、プレス装置１００の摺動部の過熱を抑制することができる。従って、ガイドポスト３とガイドブッシュ４とのクリアランスを一定に保ち、パンチ１０とダイ８とを高精度に位置決めしつつ、プレス装置１００の摺動部において、安定かつ信頼性の高い摺動状態を得ることが可能である。
【００５０】
ここでボルスタ１は、摺動部から伝熱促進部６を介して伝導された熱を放熱する放熱部として機能するが、ボルスタ１には下型ホルダ２が搭載されるため、ボルスタ１は耐磨耗性や剛性（ヤング率）等の特性に優れていることが前提となる。ボルスタ１を上述したようなＳＳ４００、Ｓ５０Ｃといった鉄鋼材料により構成することによって、これらの特性に優れたものとすることができる。また、これらの鉄鋼材料は、熱伝導率は比較的小さいが、熱容量が比較的高いという特性を有する。熱伝導率は、鉄鋼よりも銅が大きく、熱容量は鉄鋼の方が銅よりも大きいので、特に、伝熱促進部６を銅により構成した場合、伝熱促進部６からボルスタ１へと非常に効率良く熱が伝導する。なお、ボルスタ１を鉄鋼材料により構成する場合、その熱伝導率は例えば５０Ｗ／（ｍ・℃）以上１００Ｗ／（ｍ・℃）以下となる。ただし、ボルスタ１の材料としては、ガイドポスト３の下端部を囲む低熱伝導部１３（例えばオーステナイト系ステンレス鋼）よりも熱伝導率が高く、伝熱促進部６よりも熱伝導率が低い任意の材料を選択することができる。従って、ボルスタ１の材料としては、例えば、熱伝導率が５０Ｗ／（ｍ・℃）以上２００Ｗ／（ｍ・℃）以下の材料を選択することができる。
【００５１】
ボルスタ１の載置部１ａの平面寸法は、一般的に１０００ｍｍ×１０００ｍｍ以上であり、厚みも５０ｍｍを超えるため、ガイドポスト３から伝熱促進部６を経て伝導する熱量に対し、十分な熱容量を有している。従って、ボルスタ１の放熱面において、非常に優れた放熱冷却効果を得ることができる。具体的には、例えば、ボルスタ１を鉄鋼材料により構成する場合、ボルスタ１を６０ｋｇ以上（７，５００，０００ｍｍ３以上）とすることにより、図６の構成ではガイドポスト３の上昇温度が２０度となる条件でも、図１及び図２の構成ではガイドポスト３の上昇温度を０．１度以下に抑制することができる。
【００５２】
以上のような実施形態によれば、ガイドポスト３とボルスタ１とに接触し、ガイドポスト３からボルスタ１への伝熱を促進する伝熱促進部６を備えるので、プレス装置１００の摺動部、すなわち、ガイドポスト３及びガイドブッシュ４において発生した摩擦熱を、伝熱促進部６を介してボルスタ１へと効率的に伝熱することができる。よって、プレス装置１００の摺動部の過熱を抑制することができる。また、下型ホルダ２が搭載されるボルスタ１の非常に大きな熱容量を活用し、ボルスタ１を放熱部として利用することにより、優れた放熱冷却効果が得られ、安定した温度制御を行うことが可能となる。
【００５３】
また、ガイドポスト３とガイドブッシュ４とのクリアランスを一定に保つことができることから、上型と下型の相対位置関係（例えば、パンチ１０とダイ８との相対位置）を高精度に保ち、かつ、プレス荷重を一定に維持することが可能となる。プレス荷重を一定に維持できることにより、荷重変動に対応するための液圧方式やモータ方式等の高価なプレスユニットではなく、エアシリンダ方式等の低荷重対応で安価な駆動源を用いることが可能となる。
【００５４】
なお、例えば、自動車業界では、ハイブリッドカーを始め電子化による技術革新が急速に進んでおり、特に高い接続信頼性が要求される車載用の半導体装置などに関し、実装部であるリード５２の曲げ形状や切断面に、高精度、且つ、安定した品質が要求されている。本実施形態によれば、このような高精度の加工を実施できるようにガイドポスト３とガイドブッシュ４とのクリアランスが極狭く設定されたプレス装置１００においても、摺動部の加熱を抑制することができる。
【００５５】
また、伝熱促進部６は、ガイドポスト３よりも熱伝導率が高い材質の第１伝熱部材により構成され、この第１伝熱部材（つまり伝熱促進部６）がガイドポスト３とボルスタ１とに接触しているので、ガイドポスト３が直接ボルスタ１に接触している場合と比べて、ガイドポスト３からボルスタ１への熱の伝達効率を高めることができる。
【００５６】
また、第１伝熱部材（つまり伝熱促進部６）は、下型ホルダ２よりも熱伝導率が高い材質であるので、伝熱促進部６から下型ホルダ２への熱の流れを抑制し、下型ホルダ２に熱膨張によるひずみ変形等が生じにくいようにすることができる。
【００５７】
また、伝熱促進部６は、プレス装置１００における伝熱促進部６以外の部位により覆われ、プレス装置１００の外面には露出していない。より具体的には、下型ホルダ２には、ガイドポスト３の下端部と伝熱促進部６とが嵌入される嵌入穴１１が形成され、ガイドポスト３はその下端部が嵌入穴１１に嵌入されることによって下型ホルダ２に立設され、伝熱促進部６は、嵌入穴１１内において、ガイドポスト３の下端とボルスタ１の上面との間に介在している。よって、伝熱促進部６による雰囲気の加熱を抑制することができる。
【００５８】
また、下型ホルダ２における嵌入穴１１の周囲の部分（低熱伝導部１３）は、その部分よりも更に周囲の部分よりも熱伝導率が低い材質により構成されているので、ガイドポスト３及び伝熱促進部６から下型ホルダ２への熱の流れを抑制することができる。
【００５９】
なお、特許文献１の技術では、ペルチェ素子及びヒートシンクは金型内に設置され、それらの外周が金型に覆われている。このため、金型内に熱がこもって十分な放熱が困難となり、曲げパンチ及び曲げダイの冷却効果も損なわれると考えられる。このため、仮に、特許文献１の技術を摺動部の冷却に転用したとしても、摺動部の十分な冷却は困難であると考えられる。更に、ペルチェ素子は、吸熱側で吸収した熱のみならず、当該ペルチェ素子の駆動により生じた熱も放熱側で放熱する。このため、金型内にこもる熱量が尚更増大する。
また、特許文献１の技術において、ペルチェ素子の設置空間の外周が断熱材で覆われている場合は、放熱された熱によりペルチェ素子が更に高温となり、冷却能力の低下に留まらず、ペルチェ素子自体が破壊故障に至る可能性が有る。また、外周が断熱材で覆われていない場合は、金型の内部から熱が伝導してしまい、局所的な熱膨張により金型にひずみ変形等を生じ、加工精度の悪化を引き起こす要因となる。
更に、特許文献１の技術では、加工対象物を加工するプレス装置に加え、電流制御部など外部電源を要する比較的大掛かりな付帯装置や、それに伴う多数の配線を必要としている。そのため、金型を交換するには、金型の交換作業の他、付帯装置の取り外しや設置および調整などに、多大な時間と工数を要する。
【００６０】
〔第２の実施形態〕
図８及び図９は第２の実施形態に係るプレス装置２００を示す図であり、それぞれの左半部は正面図、右半部は正面断面図である。図８は上型ホルダ５が上死点に位置する状態を、図９は上型ホルダ５が下死点に位置する状態を、それぞれ示す。本実施形態に係るプレス装置２００は、以下に説明する点でのみ上記の第１の実施形態に係るプレス装置１００と相違し、その他の点はプレス装置１００と同様に構成されている。
【００６１】
本実施形態の場合、各伝熱促進部６は、吸熱部２２と放熱部２３とを有するペルチェ素子２１を含んで構成されている。ペルチェ素子２１は、例えば、薄く平たい円板状に形成され、片面側が吸熱作用を有する吸熱部（吸熱面）２２、もう片面側が放熱作用を有する放熱部（放熱面）２３となっている。ペルチェ素子２１は、その吸熱部２２がガイドポスト３側（上側）に、放熱部２３がボルスタ１側（下側）に、それぞれ配置されている。
【００６２】
更に、本実施形態の場合、各伝熱促進部６は、ガイドポスト３よりも熱伝導率が高い材質の第２及び第３伝熱部材２４、２５を含み、第２伝熱部材２４はガイドポスト３とペルチェ素子２１の吸熱部２２とに接触し、第３伝熱部材２５はペルチェ素子２１の放熱部２３とボルスタ１とに接触している。
【００６３】
より具体的には、第２伝熱部材２４、ペルチェ素子２１及び第３伝熱部材２５は、嵌入穴１１内に配置されている。第２伝熱部材２４は、例えば、板状（例えば円板状）或いは柱状（例えば円柱状）に形成され、ガイドポスト３の下端面とペルチェ素子２１の上面とに挟まれて、ガイドポスト３の下端面とペルチェ素子２１の上面とに接している。同様に、第３伝熱部材２５は、例えば、板状（例えば円板状）或いは柱状（例えば円柱状）に形成され、ペルチェ素子２１の下面とボルスタ１の上面とに挟まれて、ペルチェ素子２１の下面とボルスタ１の上面とに接している。なお、ガイドポスト３の下端面、第２伝熱部材２４の上面及び下面、ペルチェ素子２１の上面及び下面、第３伝熱部材２５の上面及び下面、ボルスタ１の上面は、それぞれ、面粗度が低く滑らかな面となっている。
【００６４】
第２及び第３伝熱部材２４、２５は、上記の第１の実施形態で説明した第１伝熱部材と同様の材質により構成されている。また、第１伝熱部材と同様に、第２及び第３伝熱部材２４、２５は、下型ホルダ２よりも熱伝導率が高い材質により構成されていることが好ましい。
【００６５】
プレス装置２００は、更に、ペルチェ素子２１に対する駆動電流の供給等を行う電子回路３０を有している。図１０はこの電子回路３０の構成を示すブロック図である。
【００６６】
図１０に示すように、電子回路３０は、例えば、交流電流が入力される電流入力部３１と、電流入力部３１に入力された交流電流を直流電流に変換して出力する整流部３２と、ペルチェ素子２１に入力される電流を所定の上限値に制限する電流制限部３３と、を有している。電流制限部３３は、整流部３２から出力される直流電流のうち、所定の上限値以下の電流のみをペルチェ素子２１に対して駆動電流として出力する。ペルチェ素子２１は、電子回路３０の電流制限部３３から入力される駆動電流により駆動し、その吸熱部２２では吸熱動作を行うとともに、放熱部２３では放熱動作を行う。電子回路３０は、例えば、ダイプレート７に内蔵されている。
【００６７】
また、プレス装置２００は、ガイドポスト３とガイドブッシュ４との相対移動を利用して発電する発電部を含み、この発電部により発電された電力でペルチェ素子２１を駆動させるように構成されている。
【００６８】
発電部は、例えば、ガイドポスト３と、ガイドブッシュ４と、ガイドポスト３とガイドブッシュ４とのうちの何れか一方に巻回された巻線４１と、を含んで構成され、ガイドポスト３とガイドブッシュ４とのうちの何れか他方は、着磁された磁性体により構成されている。そして、ガイドポスト３とガイドブッシュ４との相対移動により、電磁誘導によって巻線４１に電流が生じるようになっている。
【００６９】
より具体的には、巻線４１は、各ガイドブッシュ４の周囲に巻回され、各ガイドポスト３は、着磁された磁性体により構成されている。ガイドポスト３への着磁範囲、着磁部位及び着磁量と、巻線４１の径、巻回数及びガイドブッシュ４に対する巻回範囲等は、ガイドポスト３の制御設定温度とペルチェ素子２１の定格とに応じて適宜に設定する。
【００７０】
各ガイドブッシュ４に巻回された巻線４１の両端は、電子回路３０の電流入力部３１に接続され、各巻線４１に生じた交流電流が電流入力部３１に入力されるようになっている。従って、電流入力部３１は、巻線４１からの電流の入力端子を例えば４対有している。また、電流制限部３３は、各伝熱促進部６のペルチェ素子２１に対して直流電流を出力する。従って、電流制限部３３は、ペルチェ素子２１への電流の出力端子を例えば４対有している。
【００７１】
なお、本実施形態の場合、上記の第１の実施形態と同様にガイドポスト３がフランジ部１２を有していることにより、ガイドポスト３の姿勢の安定化と、嵌入穴１１へのガイドポスト３の嵌入量を高精度に設定及び維持することが可能であるほかに、ガイドポスト３に加わる衝撃や荷重がペルチェ素子２１に加わってしまうことを極力抑制することが可能となる。
【００７２】
また、本実施形態の場合、上記の第１の実施形態と同様に下型ホルダ２における嵌入穴１１の周囲の部分が低熱伝導部１３となっていることにより、ガイドポスト３及び伝熱促進部６（第２伝熱部材２４、ペルチェ素子２１及び第３伝熱部材２５）から下型ホルダ２への熱の流れが抑制されている。
【００７３】
また、電磁誘導により巻線４１に生じる磁界が悪影響を及ぼす部位をプレス装置２００が有している場合、その部位を非磁性体材料により構成したり、或いは、その部位を非磁性体材料による囲んで電磁遮蔽したりすることが好ましい。
【００７４】
次に、本実施形態の場合の動作を説明する。
【００７５】
本実施形態の場合、プレス装置２００の駆動時に、各ガイドポスト３に対してガイドブッシュ４が相対移動するのに伴い、各ガイドブッシュ４の周囲の巻線４１に電磁誘導により交流電流が生じる。この交流電流は、電子回路３０の電流入力部３１を介して整流部３２に入力され、該整流部３２にて直流電流に変換される。更に、この直流電流は、電流制限部３３に入力され、該電流制限部３３にて所定の上限値以下の電流値に制限された後に、該電流制限部３３から各伝熱促進部６のペルチェ素子２１へと駆動電流として出力される。
【００７６】
各伝熱促進部６のペルチェ素子２１は、駆動電流が入力されることにより、その吸熱部２２では吸熱動作を、放熱部２３では放熱動作を、それぞれ行う。従って、ガイドポスト３から第２伝熱部材２４を介して吸熱部２２に伝達された熱は、吸熱部２２から放熱部２３へとスムーズに伝熱され、更に、第３伝熱部材２５を介してボルスタ１へと伝熱される。
【００７７】
ここで、ペルチェ素子２１の駆動電流は、電流制限部３３によって制限される。このため、吸熱部２２が過度に冷却されてしまうことが抑制され、例えば、ガイドポスト３の下部等に結露が生じてしまったりしないようになっている。また、ペルチェ素子２１に供給する電流が多くなり過ぎると、ペルチェ素子２１の発熱量が大きくなって、ガイドポスト３の冷却効果がむしろ低下する場合があるが、電流制限部３３によって駆動電流を制限することにより、このような問題の発生も抑制できる。
【００７８】
また、ペルチェ素子２１によるガイドポスト３の冷却作用の大きさは、電流制限部３３により制限される電流の上限値を適宜に設定することにより調節することができる。高精度の位置決めを目的としてガイドポスト３とガイドブッシュ４とのクリアランスを極狭く設定したプレス装置２００では、ガイドポスト３の温度を例えば２５℃〜３０℃の範囲内に制御することが好ましい。図７に示すクリアランスＣと摺動荷重との関係から、ガイドポスト３の温度が２５℃〜３０℃の範囲では、高精度な位置決めを保ちつつ、摺動荷重も１００ｋｇｆ以下に抑制することができ、理想的なプレス動作が実現可能であることが分かる。このため、例えば、ガイドポスト３を２５℃〜３０℃に制御できるように、電流制限部３３により制限される電流の上限値を設定することが、好ましい一例である。
【００７９】
また、本実施形態のようにペルチェ素子２１の駆動電流をガイドポスト３とガイドブッシュ４との相対移動を利用した発電により得ることにより、以下のメリットもある。
すなわち、プレス装置２００が駆動していないとき（ガイドポスト３とガイドブッシュ４とが相対移動していないとき）には、ガイドポスト３とガイドブッシュ４との摩擦による発熱量も発電量もゼロである。このためペルチェ素子２１は駆動せず、ペルチェ素子２１によるガイドポスト３の冷却は行われないが、摩擦によるガイドポスト３の温度上昇も起こらない。
一方、ガイドポスト３とガイドブッシュ４との相対移動の継続時間が長くなるにつれて、或いは、その相対移動速度が大きくなるにつれて、ガイドポスト３とガイドブッシュ４との摩擦による発熱量が増えるが、発電量も多くなるため、ペルチェ素子２１によるガイドポスト３の冷却作用が大きくなる。つまり、このような自律的な温度調節作用により、ガイドポスト３の温度上昇（温度変化）を緩やかにすることができる。
【００８０】
以上のような第２の実施形態によれば、伝熱促進部６は、吸熱部２２と放熱部２３とを有するペルチェ素子２１を含み、ペルチェ素子２１の吸熱部２２がガイドポスト３側に、放熱部２３がボルスタ１側に、それぞれ配置されている。よって、ペルチェ素子２１を駆動させることによって、ガイドポスト３側からボルスタ１側への伝熱、すなわち、ガイドポスト３の冷却を行うことができる。
【００８１】
また、伝熱促進部６は、ガイドポスト３よりも熱伝導率が高い材質の第２及び第３伝熱部材２４、２５を含み、第２伝熱部材２４はガイドポスト３とペルチェ素子２１の吸熱部２２とに接触し、第３伝熱部材２５はペルチェ素子２１の放熱部２３とボルスタ１とに接触している。よって、ガイドポスト３からペルチェ素子２１の吸熱部２２への伝熱を第２伝熱部材２４を介して好適に行うことができるとともに、ペルチェ素子２１の放熱部２３からボルスタ１への伝熱を第３伝熱部材２５を介して好適に行うことができる。また、第２及び第３伝熱部材２４、２５を下型ホルダ２よりも熱伝導率が高い材質により構成することにより、一層、それらの伝熱作用を向上させることができる。
【００８２】
また、プレス装置２００は、ガイドポスト３とガイドブッシュ４との相対移動を利用して発電する発電部を含み、この発電部により発電された電力でペルチェ素子２１が駆動するように構成されている。よって、ペルチェ素子２１の駆動に外部の電源を必要としないようにできる。
【００８３】
また、発電部は、ガイドポスト３と、ガイドブッシュ４と、ガイドポスト３とガイドブッシュ４とのうちの何れか一方に巻回された巻線４１と、を含んで構成され、ガイドポスト３とガイドブッシュ４とのうちの何れか他方は、着磁された磁性体により構成されている。よって、ガイドポスト３とガイドブッシュ４との相対移動により、電磁誘導によって巻線４１に電流が生じるので、ガイドポスト３とガイドブッシュ４との相対移動を利用した発電を好適に実現することができる。
【００８４】
なお、上記の第２の実施形態では、ガイドポスト３が着磁された磁性体により構成され、ガイドブッシュ４に巻線４１が巻回されている例を説明したが、この例に限らない。例えば、ガイドブッシュ４（或いは上型ホルダ５、パンチプレート９、パンチ１０の少なくとも何れか１つ）が着磁された磁性体により構成され、ガイドポスト３（或いは下型ホルダ２、ダイプレート７、ダイ８の少なくとも何れか１つ）に巻線４１が巻回されていても良い。例えば、ガイドポスト３に巻線４１を巻回する場合、ガイドブッシュ４の摺動範囲を避けて巻線４１を配置する必要があるため、例えば、ガイドポスト３を上型ホルダ５の上死点位置よりも高く上方に延在するような形状に形成し、該上死点位置よりも高い部分に巻線４１を巻回すると良い。あるいは、巻線４１の内径をガイドブッシュ４の外形よりも大きく形成し、着磁された磁性体により構成されたガイドブッシュ４が巻線４１内を通過するようにしても良い。
【００８５】
図１１は電子回路３０の変形例を示すブロック図である。上記の第２の実施形態においては、例えば、図１１に示す変形例のように、電子回路３０が直流電流を蓄電する蓄電部３４を有する構成としても良い。この変形例では、例えば、電流制限部３３は、所定の上限値を超える電流は、蓄電部３４に入力する。蓄電部３４は、電流制限部３３から入力される電流を蓄電する。そして、例えば、電流入力部３１に交流電流が入力されないときには、その旨を示す制御信号を電流入力部３１から蓄電部３４に出力し、蓄電部３４は、この制御信号を受けると電流制限部３３を介して各ペルチェ素子２１に直流電流を出力し、ペルチェ素子２１を駆動させる。この変形例によれば、ガイドポスト３とガイドブッシュ４とが相対移動していないときにも、ペルチェ素子２１を駆動させて、ガイドポスト３を冷却させることができる。
【００８６】
〔第３の実施形態〕
図１２は第３の実施形態に係るプレス装置が有する電子回路３０の周辺のブロック図である。図１２に示すように、本実施形態に係るプレス装置は、ガイドポスト３の温度を検出する温度センサ（温度検出部）６０を有している点でのみ上記の第２の実施形態に係るプレス装置２００と相違し、その他の点はプレス装置２００と同様に構成されている。
【００８７】
図７に示すクリアランスＣと摺動荷重との関係から、ガイドポスト３の温度を任意に設定することにより、ガイドポスト３とガイドブッシュ４のクリアランスＣを例えば１／１０μｍ〜１／１００μｍのオーダのきざみで微細かつ容易に設定することが可能となる。
【００８８】
そこで、本実施形態では、温度センサ６０による検出結果が電流制限部３３に入力されるようになっており、電流制限部（電流制御部）３３は、温度センサ６０による検出温度が高いほど、制限する電流の上限値が大きくなるように構成されている。これにより、ガイドポスト３の温度が高いほど、ペルチェ素子２１に供給する電流を増大させて、ペルチェ素子２１によるガイドポスト３の冷却作用を高めることができる。この結果、ガイドポスト３の温度を、なるべく一定となるよう高精度に制御することができる。なお、ペルチェ素子２１に供給する電流が多くなり過ぎると、ペルチェ素子２１の発熱量が大きくなって、ガイドポスト３の冷却効果がむしろ低下する場合があるため、ペルチェ素子２１に供給する電流値は、ペルチェ素子２１の発熱量が過大とならないような所定範囲内において制御する。
【００８９】
図７の関係から分かるように、ガイドポスト３の温度を所定の範囲にすることにより、クリアランスＣと摺動荷重という、トレードオフの関係にある２つの因子を所望の状態に制御することができる。
【００９０】
〔第４の実施形態〕
図１３は第４の実施形態に係るプレス装置が有する電子回路３０の周辺のブロック図である。図１３に示すように、本実施形態の場合、電子回路３０は、接続切替部６１、電流計測部６２、判定部６３及び正負反転部６５を有している点で、第２の実施形態（図１０）と相違する。更に、本実施形態に係るプレス装置は、例えば、ガイドポスト３とボルスタ１との温度差の計測結果を報知する報知部６４を有している。本実施形態の場合、接続切替部６１、ペルチェ素子２１、電流計測部６２及び判定部６３によって温度検出部が構成されている。なお、第４の実施形態に係るプレス装置は、その他の点では第２の実施形態に係るプレス装置２００と同様に構成されている。
【００９１】
ペルチェ素子２１は、吸熱部２２と放熱部２３との温度差に応じた起電力が得られるゼーベック効果を有しているため、ペルチェ素子２１によりガイドポスト３とボルスタ１との温度差の計測が可能である。
【００９２】
接続切替部６１は、例えば、複数（例えば４つ）のペルチェ素子２１のうち、何れか１つのペルチェ素子２１と電流制限部３３又は電流計測部６２との接続状態を、第１状態と第２状態とに切り替える。第１状態では、ペルチェ素子２１の入出力端子が電流計測部６２からは切り離されるとともに電流制限部３３に接続されて該電流制限部３３からペルチェ素子２１に電流が供給される。第２状態では、ペルチェ素子２１の入出力端子が電流制限部３３からは切り離されるとともに電流計測部６２に接続されて、該電流計測部６２によりペルチェ素子２１の吸熱部２２と放熱部２３との温度差が計測される。
【００９３】
電流計測部６２による計測結果（計測電流値）は、判定部６３に入力される。判定部６３は、計測電流値と温度差との関係を予めテーブルとして記憶しており、このテーブルを参照することにより、計測電流に応じた温度差を判定する。
【００９４】
判定部６３による判定結果、すなわち、ガイドポスト３とボルスタ１との温度差の計測結果は、報知部６４に入力される。報知部６４は、例えば、液晶表示装置等の表示装置、或いは、スピーカ等により構成され、判定部６３から入力される計測結果を報知する。
【００９５】
ここで、接続切替部６１は、正負反転部６５を含んで構成されているとともに、接続切替部６１に接続されていない他の（例えば３つの）ペルチェ素子２１と電流制限部３３との間にも、それぞれ正負反転部６５が設けられている。
【００９６】
更に、判定部６３は、ガイドポスト３が冷却されすぎている場合（例えば、ボルスタ１よりもガイドポスト３の方が低温の場合）には、正負反転部６５のそれぞれに対し、正負切替信号を出力し、電流制限部３３からペルチェ素子２１に供給される直流電流の正負を反転させる。これにより、ペルチェ素子２１の吸熱部２２と放熱部２３とが切り替わる（吸熱部２２で放熱し、放熱部２３で吸熱する状態となる）ので、ガイドポスト３の過冷却が緩和される。
【００９７】
なお、接続切替部６１は、例えば、内部にタイマー６１ａを有しており、このタイマー６１ａにより所定時間の経過が計測される毎に、一時的に第１状態から第２状態への切り替えを行って、電流計測部６２に温度差の計測を行わせたあと、再び、第２状態から第１状態へ切り替えるように動作することが挙げられる。
【００９８】
第４の実施形態によれば、接続切替部６１がペルチェ素子２１と電流制限部３３又は電流計測部６２との接続状態を第１状態から第２状態に切り替えることにより、電流制限部３３からペルチェ素子２１への直流電流の供給が停止されるとともに、ペルチェ素子２１の入出力端子が電流計測部６２に接続される。よって、電流計測部６２によりガイドポスト３とボルスタ１との温度差を計測することができる。
そして、計測した温度差に応じて正負反転部６５を制御し、電流制限部３３からペルチェ素子２１に供給される直流電流の正負を反転させることにより、ペルチェ素子２１の吸熱部２２と放熱部２３とを切り替えて、ガイドポスト３の過冷却を緩和することができる。
【００９９】
なお、第４の実施形態（図１３）では、複数（例えば４つ）のペルチェ素子２１のうち、１つのペルチェ素子２１についてのみ、接続切替部６１による接続状態の切り替えを行う例を説明したが、各ペルチェ素子２１について、個別に、接続切替部６１による接続状態の切り替えを行うようにしても良い。
【０１００】
上記の各実施形態では、プレス装置が半導体製造装置である例を説明したが、本発明は、半導体製造装置以外のプレス装置にも適用可能である。
【符号の説明】
【０１０１】
１ ボルスタ
１ａ 載置部
２ 下型ホルダ
３ ガイドポスト
４ ガイドブッシュ
４ａ 挿通穴
５ 上型ホルダ
６ 伝熱促進部
７ ダイプレート
８ ダイ
８ａ 凹部
８ｂ パンチ穴
９ パンチプレート
１０ パンチ
１１ 嵌入穴
１２ フランジ部
１３ 低熱伝導部
１４ 封止樹脂
１５ 切断位置
１６ 切断位置
１７ 切断位置
２１ ペルチェ素子
２２ 吸熱部
２３ 放熱部
２４ 第２伝熱部材
２５ 第３伝熱部材
３０ 電子回路
３１ 電流入力部
３２ 整流部
３３ 電流制限部
３４ 蓄電部
４１ 巻線
５０ 半導体装置
５１ 本体部
５２ リード
５３ リードフレーム
６０ 温度センサ
６１ 接続切替部
６１ａ タイマー
６２ 電流計測部
６３ 判定部
６４ 報知部
６５ 正負反転部
１００ プレス装置
１５０ プレス装置
２００ プレス装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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