(57)【要約】【課題】本発明の目的は、電界吸収型光変調器の光ゲート動作の時間幅を短縮することにある。【解決手段】本願発明のサンプリング波形測定装置１０１は、光パルスＰｓを発生する光パルス発生器１１と、被測定光信号Ｐｘ及び光パルスＰｓが入力されて光信号Ｐｙを出力する電界吸収型光変調器１２と、電界吸収型光変調器１２から出力された光信号Ｐｙを電気信号Ｄｙに変換する受光器１５と、を備え、光パルスＰｓが入力された際の電界吸収型光変調器１２の相互吸収飽和による光ゲート動作を利用して被測定光信号Ｐｘをサンプリングし、等価サンプリング方式で被測定光信号Ｐｘの波形を測定するサンプリング波形測定装置１０１において、光ゲート動作の立ち下がり速度を速めるゲート幅調整用電気パルスＶｐｍを電界吸収型光変調器１２に入力するゲート幅調整手段１６を備えることを特徴とする。【選択図】図１
2011021956.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光パルスを発生する光パルス発生器（１１）と、
被測定光信号及び前記光パルスが入力される電界吸収型光変調器（１２）と、
前記電界吸収型光変調器から出力された光信号を電気信号に変換する受光器（１５）と、を備え、
前記光パルスが入力された際の前記電界吸収型光変調器の相互吸収飽和による光ゲート動作を利用して前記被測定光信号をサンプリングし、等価サンプリング方式で前記被測定光信号の波形を測定するサンプリング波形測定装置（１０１）において、
前記光ゲート動作の立ち下がり速度を速めるゲート幅調整用電気パルスを前記電界吸収型光変調器に入力するゲート幅調整手段（１６）を備えることを特徴とするサンプリング波形測定装置。
【請求項２】
前記ゲート幅調整手段は、
前記光パルスが入力された際に前記電界吸収型光変調器の電極に発生する電気パルスの極性を反転させ、所定の遅延時間後に前記電界吸収型光変調器の電極に戻すことによって、前記ゲート幅調整用電気パルスを前記電界吸収型光変調器に入力することを特徴とする請求項１に記載のサンプリング波形測定装置。
【請求項３】
前記ゲート幅調整手段は、
一端が前記電界吸収型光変調器の電極に接続され、他端が短絡された電気導波路（２１）を備え、
前記電界吸収型光変調器の電極で発生した電気パルスを前記電気導波路に伝搬させた後、前記短絡端で前記電気パルスの極性を反転させて反射させ、前記ゲート幅調整用電気パルスとして前記電界吸収型光変調器の電極に戻すことを特徴とする請求項２に記載のサンプリング波形測定装置。
【請求項４】
前記ゲート幅調整手段は、
一端が前記電界吸収型光変調器の電極に接続された同軸ケーブル（３１）と、
前記同軸ケーブルに設けられ、前記電界吸収型光変調器に印加された直流バイアス電圧を遮断する直流遮断コンデンサ（３２）と、
前記同軸ケーブルの他端に接続された短絡器（３３）とを備え、
前記電界吸収型光変調器の電極で発生した電気パルスを前記同軸ケーブルに伝搬させた後、前記短絡器で前記電気パルスの極性を反転させて反射させ、前記ゲート幅調整用電気パルスとして前記電界吸収型光変調器の電極に戻すことを特徴とする請求項２に記載のサンプリング波形測定装置。
【請求項５】
前記ゲート幅調整手段は、
前記光パルスと同期したゲート幅調整用電気パルスを発生する電気パルス発生器（４１）を有し、
前記光ゲートが開いている間のうちの後方時点で、前記電気パルス発生器からの前記ゲート幅調整用電気パルスを前記電界吸収型光変調器に入力することを特徴とする請求項１に記載のサンプリング波形測定装置。
【請求項６】
前記ゲート幅調整手段は、
前記光パルスが入力されゲート幅調整用電気パルスを出力する第２の受光器（５１）を有し、
前記光ゲートが開いている間のうちの後方時点で、前記第２の受光器からの前記ゲート幅調整用電気パルスを前記電界吸収型光変調器に入力することを特徴とする請求項１に記載のサンプリング波形測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分解能の等価サンプリングを行うサンプリング波形測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界吸収型光変調器の相互吸収飽和特性を用いた光サンプリングが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。図９は、サンプリング波形測定装置の一例を示す概略構成図である。サンプリング波形測定装置は、一定周期の光パルスＰｓを発生する光パルス発生器１１と、被測定光信号Ｐｘと光パルスＰｓが入力されて光信号Ｐｙを出力する電界吸収型光変調器１２と、電界吸収型光変調器１２に逆バイアス電圧を入力する逆バイアス電圧発生器１３と、電界吸収型光変調器１２から出射されたサンプリング後の光信号Ｐｙを光電変換する受光器１５と、を有する。光パルスＰｓが入力された際の電界吸収型光変調器１２の相互吸収飽和による光ゲート動作を利用して被測定光信号Ｐｘをサンプリングし、受光器１５からの電気信号Ｄｙを観察することで、等価サンプリング方式で被測定光信号Ｐｘの波形を測定／評価することができる。
【０００３】
しかし、電界吸収型光変調器１２の耐電圧が低く逆バイアス電圧が低い場合、図１０に示すように、ゲート幅すなわち電界吸収型光変調器１２の光ゲートが開く時間が長くなり、サンプリング波形の時間分解能が悪化する問題があった。
【０００４】
また、光パルスＰｓの強度が低い場合、図１１（ａ）に示すように、光パルスの強度変化に対する電界吸収型光変調器１２の透過率変化は非常に大きいため、光パルスの強度を精度よく一定に保つ必要があった。
【０００５】
光パルスの強度をある一定値よりも大きくすると、図１１（ａ）に示すように電界吸収型光変調器の透過率変化が小さくなり、光パルスの強度変化に対して寛容になる。しかし、図１１（ｂ）に示すようにゲート幅が長くなり、サンプリング波形の時間分解能が悪化する問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開２００８／０８７８０９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図１２に、ゲート幅が長くなったときの電界吸収型光変調器の透過率の時間変化を示す。電界吸収型光変調器の逆バイアス電圧が低い場合や、光パルスの強度が大きすぎる場合、電界吸収型光変調器の透過率は後ろに尾を引く形で時間幅が長くなるため、サンプリング波形の時間分解能が悪化し、高速の被測定光信号を精度よく測定することができなくなる。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、電界吸収型光変調器の光ゲート動作の時間幅を短縮することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本願発明のサンプリング波形測定装置は、光パルスを発生する光パルス発生器（１１）と、被測定光信号及び前記光パルスが入力される電界吸収型光変調器（１２）と、前記電界吸収型光変調器から出力された光信号を電気信号に変換する受光器（１５）と、を備え、前記光パルスが入力された際の前記電界吸収型光変調器の相互吸収飽和による光ゲート動作を利用して前記被測定光信号をサンプリングし、等価サンプリング方式で前記被測定光信号の波形を測定するサンプリング波形測定装置（１０１）において、前記光ゲート動作の立ち下がり速度を速めるゲート幅調整用電気パルスを前記電界吸収型光変調器に入力するゲート幅調整手段（１６）を備えることを特徴とする。
【００１０】
ゲート幅調整手段（１６）を備えることで、電界吸収型光変調器の透過率変化におけるパルス状の後縁の透過率が減少するため、光ゲート動作の時間幅を短縮し、サンプリングの時間分解能を改善することができる。
【００１１】
本願発明のサンプリング波形測定装置では、前記ゲート幅調整手段は、前記光パルスが入力された際に前記電界吸収型光変調器の電極に発生する電気パルスの極性を反転させ、所定の遅延時間後に前記電界吸収型光変調器の電極に戻すことによって、前記ゲート幅調整用電気パルスを前記電界吸収型光変調器に入力することが好ましい。
【００１２】
電界吸収型光変調器の電極に発生するゲート幅調整用電気パルスを用いるため、ゲート幅調整用電気パルスを発生させるための手段を別途設けることなく光ゲート動作の立ち下がり速度を速めることができる。これにより、簡易な構成で本発明に係るサンプリング波形測定装置を構成することができる。
また、電界吸収型光変調器の電圧のゲート動作時に発生する電気パルスを用いるため、光ゲート動作の立ち下がりにタイミングを合わせることができる。
【００１３】
本願発明のサンプリング波形測定装置では、前記ゲート幅調整手段は、一端が前記電界吸収型光変調器の電極に接続され、他端が短絡された電気導波路（２１）を備え、前記電界吸収型光変調器の電極で発生した電気パルスを前記電気導波路に伝搬させた後、前記短絡端で前記電気パルスの極性を反転させて反射させ、前記ゲート幅調整用電気パルスとして前記電界吸収型光変調器の電極に戻すことが好ましい。
【００１４】
短絡器をコンデンサで構成すれば、交流成分が短絡されるので、電界吸収型光変調器の電極で発生した電気パルスの極性を反転して反射させることと、直流の逆バイアス電圧を印加することと、を簡単な構成で両立することができる。光パルスによって発生したゲート幅調整用電気パルスをその光パルスによって光ゲートが開いている間に電界吸収型光変調器に戻す構成では、電気導波路の長さが短くなるので、ゲート幅調整手段の電界吸収型光変調器への集積化が可能である。
【００１５】
本願発明のサンプリング波形測定装置では、前記ゲート幅調整手段は、一端が前記電界吸収型光変調器の電極に接続された同軸ケーブル（３１）と、前記同軸ケーブルに設けられ、前記電界吸収型光変調器に印加された直流バイアス電圧を遮断する直流遮断コンデンサ（３２）と、前記同軸ケーブルの他端に接続された短絡器（３３）とを備え、前記電界吸収型光変調器の電極で発生した電気パルスを前記同軸ケーブルに伝搬させた後、前記短絡器で前記電気パルスの極性を反転させて反射させ、前記ゲート幅調整用電気パルスとして前記電界吸収型光変調器の電極に戻すことが好ましい。
【００１６】
電気導波路を比較的長い同軸ケーブルとすることで、比較的長い遅延時間の後に電気パルスを電界吸収型光変調器に戻すことができる。これにより、光パルスによって発生したゲート幅調整用電気パルスをその次以降の光パルスによって光ゲートが開いている間に電界吸収型光変調器に戻すサンプリング波形測定装置を構成することができる。
【００１７】
本願発明のサンプリング波形測定装置では、前記ゲート幅調整手段は、前記光パルスと同期したゲート幅調整用電気パルスを発生する電気パルス発生器（４１）を有し、前記光ゲートが開いている間のうちの後方時点で、前記電気パルス発生器からの前記ゲート幅調整用電気パルスを前記電界吸収型光変調器に入力することが好ましい。
【００１８】
独立した電気パルス発生器を備えることで、電界吸収型光変調器に発生する電気パルスよりも振幅の大きな電気パルスや任意の形状の電気パルスをゲート幅調整用電気パルスとして発生させることができる。これにより、光ゲート動作の立ち下がり速度を効率よく速めるとともに、電界吸収型光変調器の透過率変化におけるパルス状の透過率の形状を調整することができる。
【００１９】
本願発明のサンプリング波形測定装置では、前記ゲート幅調整手段は、前記光パルスが入力されゲート幅調整用電気パルスを出力する第２の受光器（５１）を有し、前記光ゲートが開いている間のうちの後方時点で、前記第２の受光器からの前記ゲート幅調整用電気パルスを前記電界吸収型光変調器に入力することが好ましい。
【００２０】
第２の受光器を備えることで、光パルスと同期したタイミングで、タイミングジッタの少ないゲート幅調整用電気パルスを発生させることができる。また、変換効率の高い第２の受光器を用いたり、第２の受光器の出力に電気増幅器を挿入したりすることにより、電界吸収型光変調器に発生する電気パルスよりも振幅の大きなゲート幅調整用電気パルスを発生することもできる。
【００２１】
なお、上記各発明は、可能な限り組み合わせることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、電界吸収型光変調器の光ゲート動作の時間幅を短縮することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施形態１に係るサンプリング波形測定装置の一例を示す構成概略図である。
【図２】実施形態１に係るサンプリング波形測定装置の効果を示す図であり、（ａ）はゲート幅調整用電気パルスＶｐｍの一例を示し、（ｂ）は電界吸収型光変調器の透過率変化を示す。
【図３】実施形態２に係るサンプリング波形測定装置の一例を示す構成概略図である。
【図４】電気導波路の往復の遅延時間の設定例を示し、（ａ）は光ゲートが開いている間に戻す場合を示し、（ｂ）は次の光パルスによって光ゲートが開いている間に戻す場合を示す。
【図５】ゲート幅調整手段の具体的な第１例を示す。
【図６】ゲート幅調整手段の具体的な第２例を示す。
【図７】実施形態３に係るサンプリング波形測定装置の一例を示す構成概略図である。
【図８】実施形態４に係るサンプリング波形測定装置の一例を示す構成概略図である。
【図９】サンプリング波形測定装置の一例を示す構成概略図である。
【図１０】逆バイアス電圧に対するゲート幅の一例を示す。
【図１１】光パルスの強度に対する電界吸収型光変調器の特性の一例であり、（ａ）は電界吸収型光変調器の透過率を示し、（ｂ）は電界吸収型光変調器のゲート幅を示す。
【図１２】光ゲートの時間幅が長くなった場合のゲート透過率の時間変化を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下に説明する実施形態は本発明の実施例であり、本発明は、以下の実施形態に制限されるものではない。なお、本明細書及び図面において符号が同じ構成要素は、相互に同一のものを示すものとする。
【００２５】
（実施形態１）
図１は、本実施形態に係るサンプリング波形測定装置の一例を示す構成概略図である。本実施形態に係るサンプリング波形測定装置１０１は、光パルス発生器１１と、電界吸収型光変調器１２と、逆バイアス電圧発生器１３と、光カプラ１４と、受光器１５と、ゲート幅調整手段１６を備える。
【００２６】
電界吸収型光変調器１２に被測定光信号Ｐｘが入射される。光パルス発生器１１は、光パルスＰｓを発生する。逆バイアス電圧発生器１３は、電界吸収型光変調器１２にバイアス電圧を印加する。電界吸収型光変調器１２は、被測定光信号Ｐｘ及び光パルスＰｓが入力され、光信号Ｐｙを出力する。光パルスＰｓが入力された際の電界吸収型光変調器１２の相互吸収飽和による光ゲート動作を利用して被測定光信号Ｐｘをサンプリングし、等価サンプリング方式で被測定光信号Ｐｘの波形を測定する。
【００２７】
サンプリング後の光信号Ｐｙは、電界吸収型光変調器１２から出射され、受光器１５に入射される。受光器１５は、電界吸収型光変調器１２から出力された光信号Ｐｙを電気信号に変換し、電気信号Ｄｙを出力する。電気信号Ｄｙを観察することで、等価サンプリング方式で被測定光信号Ｐｘの波形評価を行うことができる。
【００２８】
ゲート幅調整手段１６は、光ゲート動作の立ち下がり速度を速めるゲート幅調整用電気パルスＶｐｍを発生して電界吸収型光変調器１２に入力する。図２（ａ）はゲート幅調整用電気パルスＶｐｍの一例を示し、図２（ｂ）の破線はゲート幅調整用電気パルスＶｐｍを印加しないときの電界吸収型光変調器１２の透過率変化を示し、図２（ｂ）の実線はゲート幅調整用電気パルスＶｐｍを印加したときの電界吸収型光変調器１２の透過率変化を示す。図２（ｂ）の破線に示すように、ゲート幅調整用電気パルスＶｐｍを印加しない場合、光ゲートが開いている間のうちの後方時点では、透過率変化におけるパルス状の後縁は尾を引いている。光ゲートが開いている間のうちの後方時点で、図２（ａ）に示す負のゲート幅調整用電気パルスＶｐｍを電界吸収型光変調器１２に印加する。これにより、負のゲート幅調整用電気パルスＶｐｍによって光ゲートが閉じる方向に作用するので、図２（ｂ）の実線に示すように、光ゲート動作の立ち下がり速度が速まり、ゲート幅が狭くなる。したがって、サンプリング波形測定装置１０１は、電界吸収型光変調器１２の光ゲート動作の時間幅を短縮することが可能となる。
【００２９】
（実施形態２）
図３は、本実施形態に係るサンプリング波形測定装置の一例を示す構成概略図である。本実施形態に係るサンプリング波形測定装置１０２では、ゲート幅調整手段１６は、光パルスＰｓが入力された際に電界吸収型光変調器１２の電極（不図示）に発生する電気パルスＶｐｐの極性を反転させ、所定の遅延時間後に電界吸収型光変調器１２の電極に戻すことによって、電気パルスＶｐｐの極性を反転させたゲート幅調整用電気パルスＶｐｍを電界吸収型光変調器１２に入力することを特徴とする。
【００３０】
電界吸収型光変調器１２に光パルスＰｓを入力すると、電界吸収型光変調器１２の電気入力端子に正の電気パルスＶｐｐが発生する。この正の電気パルスＶｐｐが電気導波路２１を伝搬し、短絡器２２で極性が反転し、負のゲート幅調整用電気パルスＶｐｍとなり電気導波路２１を逆に伝搬して電界吸収型光変調器１２に戻る。
【００３１】
光ゲートが開いているとき（尾を引いているとき）に負のゲート幅調整用電気パルスＶｐｍが電界吸収型光変調器１２に戻るように電気導波路２１の遅延時間を設定すると、負のゲート幅調整用電気パルスＶｐｍによって光ゲートが閉じる方向に作用するので、図２（ｂ）の実線に示すようにゲート幅が狭くなる。
【００３２】
電気導波路２１の往復の遅延時間は、例えば、図４（ａ）のように、光パルスＰｓによって発生したゲート幅調整用電気パルスＶｐｍを、その光パルスＰｓによって光ゲートが開いている間に電界吸収型光変調器に戻す。または、図４（ｂ）のように、光パルスＰｓによって発生したゲート幅調整用電気パルスＶｐｍを、その次以降の光パルスＰｓによって光ゲートが開いている間に電界吸収型光変調器に戻す。図４（ｂ）では、一例として、次の光パルスＰｓによって光ゲートが開いている間に電界吸収型光変調器に戻す例を示したが、次の光パルスＰｓは、ｎ周期（ｎは１以上の整数。）後のいずれであってもよい。
【００３３】
なお、電界吸収型光変調器１２には直流の逆バイアス電圧を印加するので、電気導波路２１を短絡する場合は途中に直流遮断コンデンサを挿入するか又はコンデンサによる交流成分の短絡にする必要がある。
【００３４】
図５に、ゲート幅調整手段の具体的な第１例を示す。ゲート幅調整手段６１は、一端が電界吸収型光変調器１２の電極に接続され、他端が短絡された電気導波路２１を備え、電界吸収型光変調器１２の電極で発生した電気パルスを電気導波路２１に伝搬させた後、短絡端に配置されたコンデンサ２３で電気パルスの極性を反転させて反射させ、ゲート幅調整用電気パルスとして電界吸収型光変調器１２の電極に戻す。図５は、電気導波路２１と端落用コンデンサ２３を電界吸収型光変調器１２のチップに集積化した例である。
【００３５】
電界吸収型光変調器１２で電気パルスが発生してから電界吸収型光変調器１２に戻るまでの時間は、電気導波路２１の往復の遅延時間となる。光ゲートが開いているとき（尾を引いているとき）に負の電気パルスがゲート幅調整用電気パルスＶｐｍとして電界吸収型光変調器１２に戻るように電気導波路２１の遅延時間を設定する。コンデンサ２３は、電気導波路２１の短絡端に配置されていてもよいし、電気導波路２１の途中に配置されていてもよい。
【００３６】
逆バイアス電圧発生器１３は、直流電源１３ａ、バイアスＴ１３ｂ、終端器１３ｃからなり、電界吸収型光変調器１２に直流のバイアス電圧を印加するときに、ゲート幅調整手段６１からのゲート幅調整用電気パルスや光パルスＰｓによって電界吸収型光変調器１２の電極に発生する電気パルスが反射しないようにインピーダンス整合をとって終端する。
【００３７】
図６に、ゲート幅調整手段の具体的な第２例を示す。ゲート幅調整手段６２は、一端が電界吸収型光変調器１２の電極に接続された同軸ケーブル３１と、同軸ケーブル３１に設けられ、電界吸収型光変調器１２に印加された直流バイアス電圧を遮断する直流遮断コンデンサ３２と、同軸ケーブル３１の他端に接続された短絡器３３とを備え、電界吸収型光変調器１２の電極で発生した電気パルスを同軸ケーブル３１に伝搬させた後、短絡器３３で電気パルスの極性を反転させて反射させ、電界吸収型光変調器１２の電極に戻す。
【００３８】
電界吸収型光変調器１２で電気パルスが発生してから電界吸収型光変調器１２に戻るまでの時間は、同軸ケーブル３１と直流遮断コンデンサ３２の往復の遅延時間となる。光ゲートが開いているとき（尾を引いているとき）に負のゲート幅調整用電気パルスが電界吸収型光変調器１２に戻るように同軸ケーブル３１の遅延時間を設定する。
【００３９】
図４（ａ）のように、光パルスＰｓによって発生したゲート幅調整用電気パルスＶｐｍをその光パルスＰｓによって光ゲートが開いている間に電界吸収型光変調器に戻す場合、例えば１０ｐｓ後に戻す場合、図３に示す電気導波路２１の長さがミリメートルオーダとなるため、図５に示すように電界吸収型光変調器１２のチップに電気導波路２１とコンデンサ２３を集積する構成が有効である。集積化されたコンデンサ２３の容量が不足する場合は、チップ外に別途コンデンサを並列接続することもできる。
【００４０】
図４（ｂ）のように、光パルスＰｓによって発生したゲート幅調整用電気パルスＶｐｍをその次以降の光パルスＰｓによって光ゲートが開いている間に電界吸収型光変調器に戻す場合、例えば１０ｎｓ後に戻す場合、図３に示す電気導波路２１の長さがメートルオーダとなるため、図６に示す同軸ケーブルによる構成が有効である。
【００４１】
（実施形態３）
図７は、本実施形態に係るサンプリング波形測定装置の一例を示す構成概略図である。本実施形態に係るサンプリング波形測定装置１０３では、ゲート幅調整手段１６は、光パルスＰｓと同期したゲート幅調整用電気パルスＶｐｍを発生する電気パルス発生器４１を有し、電界吸収型光変調器１２の光ゲートが開いている間のうちの後方時点で、電気パルス発生器４１からのゲート幅調整用電気パルスＶｐｍを電界吸収型光変調器１２の電極に入力する。
【００４２】
本実施形態の構成を採用することで、電界吸収型光変調器１２に光パルスが入力された際に発生する電気パルスＶｐｐを使用せず、別途電気パルス発生器４１を用いて光パルスＰｓに同期した負のゲート幅調整用電気パルスＶｐｍを発生し、電界吸収型光変調器１２に入力することにより、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００４３】
ここで、ゲート幅調整用電気パルスＶｐｍと光パルスＰｓとの同期は、光パルス発生器１１から同期信号を電気パルス発生器４１に入力する場合と、電気パルス発生器４１から同期信号を光パルス発生器１１に入力する場合と、別途設けた同期信号発生器（不図示）からの同期信号を光パルス発生器１１と電気パルス発生器４１の両方に入力する場合、のいずれでもよい。
【００４４】
また、必要に応じて、可変遅延器４２を、電気パルス発生器４１の出力、又は光パルス発生器１１の出力、又は同期信号発生器（不図示）の出力に挿入することにより、光ゲートに対するゲート幅調整用電気パルスＶｐｍの相対タイミングを調整することができる。
【００４５】
（実施形態４）
図８は、本実施形態に係るサンプリング波形測定装置の一例を示す構成概略図である。本実施形態に係るサンプリング波形測定装置１０４では、ゲート幅調整手段１６は、光パルスＰｓが入力されゲート幅調整用電気パルスＶｐｍを出力する第２の受光器５１を有し、電界吸収型光変調器１２の光ゲートが開いている間のうちの後方時点で、第２の受光器５１からのゲート幅調整用電気パルスＶｐｍを電界吸収型光変調器１２に入力する。
【００４６】
本実施形態の構成を採用することで、電界吸収型光変調器１２に光パルスが入力された際に発生する電気パルスＶｐｐを使用せず、別途第２の受光器５１を用いて光パルスＰｓに同期した負のゲート幅調整用電気パルスＶｐｍを発生し、電界吸収型光変調器１２に入力することにより、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００４７】
ここで、必要に応じて、可変遅延器５２を、第２の受光器５１の入力又は出力に挿入することにより、光ゲートに対するゲート幅調整用電気パルスＶｐｍの相対タイミングを調整することができる。
【００４８】
以上の実施形態１から実施形態４までの説明は、通常の電界吸収型光変調器１２の極性である信号側がｐ型、接地側がｎ型の場合について説明したが、これに限られるものではなく、逆極性の電界吸収型光変調器の場合にも適用することができる。この場合、実施形態２における電界吸収型光変調器１２では負の電気パルスＶｐｍが発生し、短絡器２２で極性が反転し、正の電気パルスＶｐｐがゲート幅調整用電気パルスとして電界吸収型光変調器１２に戻る。実施形態３又は実施形態４のように別途電気パルス発生器４１又は第２の受光器５１を用いる場合は、電気パルス発生器４１又は第２の受光器５１は、ゲート幅調整用電気パルスとして正の電気パルスＶｐｐを発生するようにする必要がある。
【００４９】
また、本実施例では、電界吸収型光変調器１２の後方から光パルスを入力する構成を示したが、これに限られるものではなく前方から光パルスを入力する構成においても本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、高分解能の光サンプリングを行うことができるので、情報通信産業及び光を用いる各種産業に適用することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１１：光パルス発生器
１２：電界吸収型光変調器
１３：逆バイアス電圧発生器
１３ａ：直流電源
１３ｂ：バイアスＴ
１３ｃ：終端器
１４：光カプラ
１５：受光器
１６、６１、６２：ゲート幅調整手段
２１：電気導波路
２２：短絡器
２３：コンデンサ
３１：同軸ケーブル
３２：直流遮断コンデンサ
３３：短絡器
４１：電気パルス発生器
４２：可変遅延器
５１：第２の受光器
５２：可変遅延器
１０１、１０２、１０３、１０４：サンプリング波形測定装置
【図１】
2011021956.tif 000003
【図２】
2011021956.tif 000004
【図３】
2011021956.tif 000005
【図４】
2011021956.tif 000006
【図５】
2011021956.tif 000007
【図６】
2011021956.tif 000008
【図７】
2011021956.tif 000009
【図８】
2011021956.tif 000010
【図９】
2011021956.tif 000011
【図１０】
2011021956.tif 000012
【図１１】
2011021956.tif 000013
【図１２】
2011021956.tif 000014