(57)【要約】【課題】本発明の課題は、ロードダンプの場合、すなわち負荷の遮断の急に行われる場合にも、ロードダンプエネルギが全てのダイオードに均等に分配される整流器ブリッジ回路を提供することである。【解決手段】前記課題は、請求項１に従う整流器ブリッジ回路によって解決される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
整流器ブリッジ回路であって、
該整流器ブリッジ回路の整流素子は、降伏時に動作する場合には逆電圧のドリフトを有している、
ことを特徴とする整流器ブリッジ回路。
【請求項２】
前記整流素子は、逆方向電圧降伏を決めるＭＯＳ構造又はトレンチＭＯＳ構造を含んでいる、請求項１記載の整流器ブリッジ回路。
【請求項３】
前記整流素子は、それぞれショットキーダイオードと、ＭＯＳ又はトレンチＭＯＳ構造との組合せを有している、請求項１又は２記載の整流器ブリッジ回路。
【請求項４】
前記整流素子は、ＴＭＢＳダイオード（トレンチＭＯＳバリアショットキーダイオード）である、請求項１から３のいずれか１項記載の整流器ブリッジ回路。
【請求項５】
前記整流素子は、０．６５ｅＶ〜０．７ｅＶのショットキーバリアを有するＴＭＢＳダイオード（トレンチＭＯＳバリアショットキーダイオード）である、請求項４記載の整流器ブリッジ回路。
【請求項６】
前記整流素子は、ニッケル又はケイ化ニッケルから成るショットキーバリア金属を備えたＴＭＢＳダイオード（トレンチＭＯＳバリアショットキーダイオード）である、請求項１から５のいずれか１項記載の整流器ブリッジ回路。
【請求項７】
前記整流素子は、溝が１〜３μｍ、溝と溝との間の間隔が０．５〜１μｍのＴＭＢＳダイオード（トレンチＭＯＳバリアショットキーダイオード）である、請求項１から６のいずれか１項記載の整流器ブリッジ回路。
【請求項８】
前記整流素子は、それぞれｐｎダイオードと、ＭＯＳ又はトレンチＭＯＳ構造との組合せを有している、請求項１又は２記載の整流器ブリッジ回路。
【請求項９】
前記整流素子は、それぞれＭＯＳトランジスタと、ＭＯＳ又はトレンチＭＯＳ構造との組合せを有している、請求項１又は２記載の整流器ブリッジ回路。
【請求項１０】
前記ＭＯＳ構造は、チップ全体に一様に分布するように配置されている、請求項１から９のいずれか１項記載の整流器ブリッジ回路。
【請求項１１】
前記整流素子のうちの少なくとも１つは、圧入ダイオードとして形成されている、請求項１から１０のいずれか１項記載の整流器ブリッジ回路。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項記載の整流器ブリッジ回路を備えている、
ことを特徴とする自動車発電機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、殊に自動車の発電機に使用できる整流器ブリッジ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
交流発電機（オルタネータ）では、整流するために交流ブリッジが用いられる。例えば３相交流発電システムの場合には、整流素子としてシリコンから成る６つのｐｎ半導体ダイオードを含むいわゆるＢ６ブリッジが用いられる。このようなＢ６ブリッジは図１に示されている。これらの半導体ダイオードは、通常ツェナーダイオードとして設計されている。３相のシステム以外に、相数の異なる交流発電機も用いられる。整流器として用いられるブリッジも相応に形成されている。発電機システム全体としては、発電機及び交流ブリッジの他に電圧レギュレータが含まれており、整流電圧が所定値、例えば１４．３Ｖであるようにしている。また、例えば２．２μＦの雑音防止コンデンサが正の直流端子Ｂ＋とアースとの間に接続されている。これらのレギュレータ、交流発電機及びコンデンサは、図１には示されていない。
【０００３】
ツェナーダイオードは、温度の高い場合と、順方向電流の大きな、すなわち電流密度が約５００Ａ／ｃｍ２まで生じる場合との動作のために設計されている。典型的には、順方向での電圧降下、すなわち順方向電圧ＵＦは、使用する電流が大きい場合には、約１Ｖに達する。これとは反対に、逆方向の動作では、降伏電圧ＵＺまでは非常に小さな逆方向電流ＩＲしか流れないが、降伏電圧ＵＺを超えると、逆方向電流が非常に強く増大する。それ故に、更なる電圧の上昇が防止される。
【０００４】
ツェナーダイオードの降伏電圧は、１２Ｖの電気系統の場合には、発電機電圧を超えて約１９〜２６Ｖの範囲にある。これらのツェナーダイオードは、降伏時に非常に大きな電流が短時間で負荷されるように設計されている。これによって、ツェナーダイオードは、発電機電圧を制限することで、発電機電圧が急に上昇して生じる過電圧から電気系統及びレギュレータを保護する。発電機電圧は、バッテリが接続されていない、または故障したときに大きな負荷変化が起きると、急な負荷変化で急激に上昇する（ロードダンプ）。
【０００５】
ロードダンプの場合には、ツェナーダイオードの降伏電圧に達するまで、発電機の相電圧が上昇する。２つの相電圧の間の差については次の式が成り立つ。
線間電圧＝ＵＦ＋ＵＺ。
電流は降伏電流として、ちょうど降伏状態にあるツェナーダイオードを流れる。この場合、いつも一方のダイオードが順方向になり、他方のダイオードが降伏方向になるように直列に接続されている。Ｂ６ブリッジの場合には、通常発電機電流は、例えば降伏方向の１つのプラス側ダイオード及び２つのマイナス側ダイオードを流れ、次の相では降伏方向の２つのプラス側ダイオード及び１つのマイナス側ダイオードを流れるように分配される。１つの相がゼロである極端な場合には、１つのプラス側ダイオードおよび１つのマイナス側ダイオードが降伏状態にある。レギュレータは、電圧の上昇を検出すると、励磁電流を遮断する。しかしながら、励磁巻線の磁界は急には消えないので、上昇した発電機電圧は約１００〜４００ｍｓの時間をかけて比較的緩慢にしか減衰しない。端子Ｂ＋で測定される発電機電圧ＵＢ＋はＵＺ−ＵＦに制限される。
【０００６】
ロードダンプの間、非常に大きな降伏電流がダイオードを流れる。完全なロードダンプ時、すなわちバッテリ及び負荷が完全に遮断された場合には、全ての発電機電流が降伏状態にあるダイオードによって受け取られる。エネルギＵＺ*ＩＺはダイオードで熱に変換される。それ故に、ダイオードの接合部温度Ｔｊは短時間で大きく上昇する。通例この現象のために、この温度Ｔｊはダイオードの最大許容動作温度よりはるかに高く設定される。このような温度上昇を緩和するために、ツェナーダイオードは、例えば特許文献１に記載されているように、圧入ダイオードケーシング内に取り付けられる。この場合、ダイオードの一方の端子が接続線として引き出されている一方で、他方の端子は、丸い金属ソケットから成っている。この金属ソケットは、整流器の冷却板の既存の孔部に圧入され、良好な熱的及び電気的結合を実現する。両側の熱結合は、熱キャパシタの機能を果たし、ロードダンプ時の温度上昇を効果的に緩和する。
【０００７】
少なくとも全てのダイオードがロードダンプの前に同じ温度を有していれば、ブリッジの全てのツェナーダイオードの降伏電圧は等しいのが理想である。
【０００８】
降伏電圧が等しければ、ダイオードにおける発電機電流の減少は短時間では最大で半分までである。しかしながら、製造上の誤差を避けることができないために、整流器内のダイオードのツェナー電圧ＵＺは全て等しくはならない。これによって、降伏時にダイオードにかかる負荷が均一にはならず、ひいては発電機のロードダンプ耐性が全体的に低下してしまう。
【０００９】
ツェナーダイオードの降伏電圧は温度の上昇と共に上昇するので（正の温度係数）、この降伏電圧の温度特性によって上述した問題のある程度の軽減が行われる。
【００１０】
ロードダンプが生じると、最も降伏電圧ＵＺの低いダイオードがまず降伏状態に陥る。これによって、他のダイオードより大きな電流がそのダイオードを流れる。これによって、このダイオードは急激に加熱され、その降伏電圧ＵＺはほぼ他のダイオードと同じになる。ただし、この作用は、完全に均等な電流及び電圧分配を実現するには、大抵十分ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】ドイツ国特許出願公開公報明細書ＤＥ１０２４２５２１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の課題は、ロードダンプの場合、すなわち負荷の遮断が急に生じる場合にも、ロードダンプエネルギが全てのダイオードに均等に分配される整流器ブリッジ回路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記課題は、請求項１に従う整流器ブリッジ回路によって解決される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明による整流器ブリッジ回路は、一般的なツェナーダイオードの代わりに、降伏動作時に降伏電圧ＵＺが上昇する素子を整流素子として備えている。これによって、ダイオードの降伏電圧が動作前に種々異なっていても、整流器のダイオードの等しい降伏電圧が実現する。ロードダンプの場合、ロードダンプエネルギは全てのダイオードに均等に分配され、ひいては得られるロードダンプエネルギが最大化される。
【００１５】
殊に、主にｐｎ半導体構造である整流器内の単純なツェナーダイオードの代わりに、降伏電圧が降伏動作時に上昇する構造をクランプ部材として用いる素子が提案される。有利にはクランプ部材として、ＭＯＳ構造が用いられる。整流器内で使用する場合には、殊に有利な形態としてＴＭＢＳダイオード（トレンチＭＯＳバリアショットキーダイオード）、つまりショットキーダイオードとトレンチＭＯＳ構造とを組合わせたダイオードが提案される。その上尚この構造は、順電圧をｐｎダイオードの場合より低く実現することができるという利点を有している。例えば、５００Ａ／ｃｍ２の場合に０．５Ｖ〜０．７Ｖの間の順電圧を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】３相発電機のためのＢ６ブリッジを示した図
【図２】チップとして構成されるＴＭＢＳダイオードを示した図
【図３】降伏電荷Ｑｋの蓄積に依存するＴＭＢＳダイオードの電圧ドリフトＤの特性を示した図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図２には、第１の実施例として、チップとして構成されたＴＭＢＳダイオードが示されており、このＴＭＢＳダイオードはｎ＋基体１と、ｎエピタキシャル層２と、このｎエピタキシャル層２へのエッチングにより形成される少なくとも２つの溝６（トレンチ）と、アノード電極であるチップ表面にある金属層４と、カソード電極であるチップ背面にある金属層５と、溝６とチップ表面にある金属層４との間の酸化膜７とから成る。電気的には、ＴＭＢＳダイオードは、ＭＯＳ構造（金属層、酸化膜７及びｎエピタキシャル層２）と、ショットキーダイオード（アノードである金属層とカソードであるｎエピタキシャル層２との間のショットキーバリア）との組合せである。
【００１８】
順方向では、電流は溝６の間のメサ領域を流れる。これらの溝６自体は、電流を流すことには使用されない。ＴＭＢＳダイオードは、非常に小さな逆電流しか有さない。逆方向では、ＭＯＳ構造でもショットキーダイオードでも空乏層が形成される。空乏層は、電圧が上昇すると共に拡がり、ＴＭＢＳダイオードの降伏電圧より低い電圧でも隣接する溝６の間の領域の中央でぶつかる。これによって、大きな逆電流の原因であるショットキー効果を遮蔽し、逆電流を低減する。この遮蔽効果は構造パラメータＤｔ（溝の深さ）、Ｗｍ（溝と溝との間の間隔）、Ｗｆ（溝の幅）並びにＴｏ（酸化膜の厚さ）に強く依存する。
【００１９】
ＴＭＢＳダイオードを製造するときに、ｎエピタキシャル層２をエッチングし、酸化膜７を成長させ、ドープされた導電性のポリシリコンから成る層で溝を充填することによって溝６が形成される。選択的には、溝は金属で充填してもよい。溝６の間のメサ領域における空乏層の拡大は、溝の深さＤｔが溝と溝との間の間隔Ｗｍより著しく大きい限り、疑似一次元的である。
【００２０】
逆方向電圧降伏時に、非常に高い電界が、トレンチ底面近傍の酸化膜７内と、ｎエピタキシャル層２内の酸化膜のごく近傍とに形成される。結果として、逆方向電圧降伏またはアバランシェ降伏時に、ホットキャリアがｎエピタキシャル層２からＭＯＳ構造の酸化膜７へ注入される。ｎドープされたエピタキシャル層２を備えた構造において、ホットキャリアは正孔である。このプロセスの結果、酸化膜内には正の電荷が残り、外部から加わる逆電圧の電界を遮蔽する。それ故に、シリコンにおいて降伏電界強度を実現するために、比較的高い外部電界ないし比較的高い外部電圧が必要とされる。ＴＭＢＳ構造の降伏電圧は上昇する。
【００２１】
殊に有利には、チップ表面にあるショットキー金属４にはニッケルまたはケイ化ニッケルが用いられる。これによって、小さな逆電流を実現するのと同時に、０．５Ｖ〜０．７Ｖの範囲の低い順電圧が得られる。有利には、ＴＭＢＳ構造は、降伏時の大電流の際にダイオードが破壊されること無しに動作することができる。この場合逆電圧は上へドリフトし、この電圧の上昇は時間と共に低下する。これは図３に示しており、蓄積された降伏電荷Ｑｋに依存してＴＭＢＳの電圧ドリフトＤの特性が示されている。降伏電荷は、降伏電力ＵＺ*ＩＺが低下する際の降伏動作における時間が経過するとともに蓄積されていく。
【００２２】
例えば図１のＢ６ブリッジにおいて、ツェナーダイオードＺＤ１〜ＺＤ６を、図３の逆電圧のドリフト特性を示す図２のＴＭＢＳダイオードと代替すると、降伏時の動作の際にＴＭＢＳダイオードの降伏電圧が等しくなる。本発明の整流器ブリッジ回路を構成要素とする自動車発電機のロードダンプ耐性が高まる。もちろん、図２の素子を備えた、交流発電機のための整流器には、３相より多い、例えば５〜７相が備わっていてもよい。発電機でのロードダンプ測定が示すように、従来技術に比してさらに約２０％のロードダンプ電流をカットすることができる。
【００２３】
整流構造と、降伏時に電圧ドリフトを示すトレンチＭＯＳ構造との組合せの別の実施例では、図２におけるｎシリコン２とチップ表面にある金属４との間にｐ層が挿入されており、その降伏電圧ＵＺＰＮはＭＯＳ構造の降伏電圧ＵＺＭＯＳより大きいのである。
【００２４】
さらに、トレンチＭＯＳ構造の代わりに、平坦に形成されたプレーナ型ＭＯＳ構造を用いてもよく、これらのＭＯＳ構造はチップ全体に一様に分布するように配置されており、このＭＯＳ構造においても逆方向電圧降伏は同様に生じる。
【００２５】
整流素子は、溝が約１〜３μｍ、溝と溝との間の間隔が約０．５〜１μｍのＴＭＢＳダイオード（トレンチＭＯＳバリアショットキーダイオード）である。
【００２６】
本発明による整流器ブリッジ回路は、回収モードを有する交流発電機においても用いることができる。
【符号の説明】
【００２７】
１                  ｎ＋基体
２                  ｎエピタキシャル層
４                  チップ表面にある金属層
５                  チップ背面にある金属層
６                  溝
７                  酸化膜
ＺＤ１〜ＺＤ６      ツェナーダイオード
Ｕ，Ｖ，Ｗ          各相の接続端子
Ｂ＋                正の直流端子
Ｄｔ                溝の深さ
Ｗｍ                溝と溝との間の間隔
Ｗｆ                溝の幅
Ｔｏ                酸化膜の厚さ
Ｑｋ                降伏電荷
Ｄ                  電圧ドリフト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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