(57)【要約】【課題】フォトレジスト上において現像液の液引きの生じない半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板上にフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布工程と、塗布された前記フォトレジストに対して所定のパターンを露光する露光工程と、前記露光工程の後、前記基板を回転させることなく、前記基板上において現像液を供給するノズルを移動させながら、前記基板上の前記フォトレジストに現像液を供給し、前記フォトレジストの現像を行う現像工程と、を有し、前記露光工程における露光は、前記所定のパターンと、前記所定のパターンの他に前記所定のパターンの以外の領域に設けられたダミーパターンに対して行われることを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。【選択図】  図２
2011134883.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布工程と、
塗布された前記フォトレジストに対して所定のパターンを露光する露光工程と、
前記露光工程の後、前記基板を回転させることなく、前記基板上において現像液を供給するノズルを移動させながら、前記基板上の前記フォトレジストに現像液を供給し、前記フォトレジストの現像を行う現像工程と、を有し、
前記露光工程における露光は、前記所定のパターンと、前記所定のパターンの他に前記所定のパターンの以外の領域に設けられたダミーパターンに対して行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記フォトレジストは、ポジレジストであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板上に塗布された前記フォトレジストの面積に対し、前記所定のパターンの面積が２０％以下である場合に、前記所定のパターンの面積と前記ダミーパターンの面積の和が、前記フォトレジストの面積に対し２０％以上となるように、前記ダミーパターンを設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板は半導体基板であって、前記現像工程の後、前記半導体基板において前記所定のパターンが形成されていない所定の領域にイオン注入を行うイオン注入工程を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記フォトレジスト塗布工程の前に、金属膜、導体膜、半導体膜、絶縁膜のいずれかの膜を成膜する成膜工程と、
前記現像工程の後、前記所定のパターンの形成されていない領域における前記成膜された膜のエッチングするエッチング工程と、
を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ（Integrated Circuit）等の半導体装置を製造する際には、フォトリソグラフィ工程が行われる。具体的には、フォトリソグラフィ工程では、ウエハ等の基板の表面上にフォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、現像装置による現像を行うことによりレジストパターンが形成される。この後、基板上に形成されたレジストパターンを用いて、基板表面に形成された膜等のエッチング、またはイオン注入が行われる。
【０００３】
半導体装置の製造プロセスにおいて用いられる現像装置としては、ディップ現像方式、ストレートノズルにより基板を回転させながら現像液を塗布する方式、基板を回転させることなくノズルをスキャンさせながら現像液を供給する方式等がある。ディップ現像方式は、レジストが塗布された基板を現像液槽に浸漬させて現像を行う方式である。このうち特に、ノズルをスキャンさせながら現像液を供給する方式では、基板を高速に回転させる必要がなく、現像液の消費を抑えることができるため、面積の大きな基板に容易に対応することが可能である。更に、製造される半導体装置の低コスト化にも有利であることから、近年、多くの現像装置において採用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭５７−１３１８０号公報
【特許文献２】特開平１−１８６６２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、半導体プロセスにおいて、レジストパターンを形成した後に行われるプロセスとしては、主に、レジストパターンを形成した後にドライエッチング等のエッチングを行うプロセスと、レジストパターンを形成した後にイオン注入を行うプロセスとがある。
【０００６】
レジストパターンを形成した後に、ドライエッチング等のエッチングを行うプロセスでは、形成されるレジストパターンの比率により、エッチング条件が変動する。このため、レジストパターンのパターン密度を略均一にするためのダミーパターンを形成し、エッチング条件を調整する方法が開示されている（例えば、特許文献１）。
【０００７】
しかしながら、レジストパターンを形成した後に、イオン注入を行うプロセスでは、レジストパターンの密度により、イオン注入量等は変化しないため、このようなダミーパターンを形成する必要はない。
【０００８】
一方、上述したように、ノズルをスキャンさせながら現像液を供給する方式においては、いわゆる液引きと呼ばれる現象が生じ、基板上に塗布されたレジスト面上において、現像液がはじかれ、現像液が塗布されない領域が生じる場合がある。このような液引きが生じてしまうと、露光装置により露光されたパターンが正確に現像されないため、電極同士がショートしてしまうという問題や、所望の領域にイオン注入をすることができないという問題が生じてしまう。
【０００９】
このため、基板を回転させることなくノズルをスキャンさせながら現像液を供給する方式において、現像液の液引きが生じることなく、フォトレジスト面の全面にわたり現像液が広がる半導体装置の製造方法が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本実施の形態の一観点によれば、基板上にフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布工程と、塗布された前記フォトレジストに対して所定のパターンを露光する露光工程と、前記露光工程の後、前記基板を回転させることなく、前記基板上において現像液を供給するノズルを移動させながら、前記基板上の前記フォトレジストに現像液を供給し、前記フォトレジストの現像を行う現像工程と、を有し、前記露光工程における露光は、前記所定のパターンと、前記所定のパターンの他に前記所定のパターンの以外の領域に設けられたダミーパターンに対して行われることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
開示の半導体装置の製造方法によれば、基板を回転させることなくノズルをスキャンさせながら現像液を供給する場合においても、現像液の液引きが生じることなく、フォトレジスト面の全面に現像液を供給することができる。これにより高い歩留まりの半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】現像液の液引きの説明図
【図２】第１の実施の形態における半導体装置の製造方法の工程図（１）
【図３】第１の実施の形態における半導体装置の製造方法の工程図（２）
【図４】第１の実施の形態に用いられるレチクルの上面図（１）
【図５】露光装置による１ショットとレジストパターン及びダミーレジストパターンの関係図
【図６】ノズルスキャン方式の現像方法の説明図
【図７】ノズルスキャン方式の現像装置におけるノズルの構成図
【図８】第１の実施の形態に用いられるレチクルの上面図（２）
【図９】第２の実施の形態における半導体装置の製造方法の工程図
【図１０】第２の実施の形態に用いられるレチクルの上面図
【図１１】第３の実施の形態におけるレチクルの上面図
【図１２】第３の実施の形態における他のレチクルの上面図
【図１３】第３の実施の形態における更に他のレチクルの説明図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
発明を実施するための形態について、以下に説明する。
【００１４】
発明者がフォトレジストの現像について鋭意研究した結果、上述した現像液の液引きは、フォトレジスト上に現像液を供給する際に、現像液を供給するためのノズルをスキャンさせる方式を用いた現像装置において多く発生するという知見が得られた。更に、現像液の液引きは、ポジレジストを用いた場合において、塗布されたフォトレジストの面積に対し、未露光領域における面積の比率が、所定の値以上であれば、現像液の液引きが生じないという知見が得られた。本発明は、上記得られた知見に基づくものである。
【００１５】
上記知見に基づき検討を行った結果、基板を回転させることなくスリットノズルを移動させながら現像液を供給する場合では、スリットノズルに、現像液が引きずられて液引き現象が生じやすくなるものと考えられる。即ち、ディップ現像方式では、基板を現像液に浸漬させる方式であるため、現像液の液引きが問題となることはない。また、基板を回転させながら現像液を塗布する方式の場合、供給された現像液には基板を回転させることにより強い遠心力が働き、これによりフォトレジストの表面の全面に現像液を供給することができる。一方、基板を回転させることなくノズルをスキャンさせながら現像液を供給する方式では、フォトレジストの表面上に広げるための強い力が現像液に働くことはないため、現像液の液引きがより発生しやすいものと推察される。
【００１６】
また、現状では、ポジレジストを用いた場合において、露光領域が広い場合における露光されている領域上においてのみ液引きが確認されている。ポジレジストは露光されることにより、表面の撥液性が高まり現像液をはじきやすくなるため、液引きが生じやすくなるものと推察される。このためポジレジストにおいて露光されている領域は、現像液により除去されるべき領域であるにもかかわらず、現像液の液引きにより、ポジレジストの露光されている領域上に現像液が存在していない状態が生じる。よって、現像液が存在していない領域においては、フォトレジストが露光されていても、現像されることなく残存し、これにより配線不良やイオン注入不良といった問題が生じてしまう。
【００１７】
また、露光領域の面積が所定の比率以下の場合では、現像液の液引きは確認されてはいない。これは、フォトレジストの塗布された領域に対し、未露光領域の密度が増えることにより、現像液に対する濡れ性の高い未露光領域上における現像液同士が表面張力によりくっつき、未露光領域間における露光領域上にも現像液が供給されるものと推察される。
【００１８】
尚、現像液の液引きとは、図１に示すように、半導体基板等の基板１上を矢印Ａに示す方向に、ノズル２をスキャンさせながら現像液を供給した場合、供給された現像液３が、基板１上の一部においてはじかれ、現像液３が塗布されない液引き領域４が形成される現象を意味する。
【００１９】
以上の知見に基づき、以下詳細に説明する。
【００２０】
〔第１の実施の形態〕
第１の実施の形態について説明する。本実施の形態は、形成されたレジストパターンを用いてイオン注入を行う場合の半導体装置の製造方法である。図２及び図３に基づき本実施の形態について説明する。
【００２１】
最初に、図２（ａ）に示すように、Ｓｉ等の半導体基板１０において、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）１１が形成されている面に、フォトレジスト１２を塗布する。尚、本実施の形態において用いられるフォトレジスト１２は、ポジレジストである。
【００２２】
次に、図２（ｂ）に示すように、プリベークを行った後、露光装置により露光を行う。具体的には、光源にｉ線、ＫｒＦまたはＡｒＦ等のエキシマ光源を有するステッパー等の露光装置により、所定のレチクルを用いて露光を行う。この際、露光に用いられるレチクルには、ダミーパターンが形成されている。即ち、図４に示すように、レチクル２０は、ガラス等からなるマスク基板上にＣｒ等により形成されるマスクパターン２１及びダミーマスクパターン２２の形成されたものである。このようなレチクル２０では、マスクパターン２１及びダミーマスクパターン２２の形成されている領域では光が遮られるため、フォトレジスト１２におけるパターン領域１２ａ及びダミーパターン領域１２ｂは未露光領域となり露光されない。一方、マスクパターン２１及びダミーマスクパターン２２の形成されていない領域では光が透過し、フォトレジスト１２にいて露光領域１２ｃが露光される。
【００２３】
尚、図４に示すように、本実施の形態において用いられるレチクル２０には、所定のイオン注入される領域を遮るためのレジストパターンを形成するためのマスクパターン２１とＳＴＩ１１上等の領域に形成されるダミーマスクパターン２２とが形成されている。マスクパターン２１は、ＳＴＩ１１の形成されていない領域であって、イオン注入が行われない領域を覆うように形成するものである。よって、形成されるマスクパターン２１の位置ズレ等を考慮して、ＳＴＩ１１の形成されていない領域であってイオン注入が行われない領域よりも若干大きめの形状で形成されている。
【００２４】
次に、露光装置による露光について説明する。本実施の形態において用いた露光装置はステッパーであり、１ショットごとに露光が行われる。図５には、露光装置により露光される１ショットの領域２５を示す。この１ショットの領域２５は、通常、一方の辺の長さが２６ｍｍ以下、他方の辺の長さが３３ｍｍ以下となる方形状であるが、本実施の形態では、１ショットの領域２５は、２６ｍｍ×３３ｍｍの長方形状である。また、形成されるパターン領域１２ａは、露光装置に用いられる光源や形成されるトランジスタ等の半導体装置の種類にも依存するものの、一辺が０．２μｍ〜１０μｍで形成される場合が多く、特に、０．５μｍ〜２μｍで形成される場合が多い。
【００２５】
本実施の形態では、形成されるパターン領域１２ａは、１．５μｍ×２μｍの長方形状に形成されており、ダミーパターン領域１２ｂは、０．５μ×０．５μｍの正方形状に形成されている。ダミーパターン領域１２ｂは、現像液の液引きを防ぐために形成されるものであるため、パターン領域１２ａ間に形成されることが好ましく、また、ダミーパターン領域１２ｂは、パターン領域１２ａよりも小さな形状であることが好ましい。
【００２６】
尚、パターン領域１２ａにおけるパターン形状を考慮した場合、ダミーパターン領域１２ｂは、略正方形状、または、略長方形状で形成されていることが好ましい。
【００２７】
また、本実施の形態では、半導体装置を製造する際にイオン注入のために用いられるレジストパターンを形成しイオン注入を行う方法であるため、パターン領域１２ａは、幅が１０μｍ以下で形成されている。
【００２８】
また、検討の結果、フォトレジスト１２の面積に対する露光領域１２ｃの面積が８０％以上の場合、即ち、パターン領域１２ａ及びダミーパターン領域１２ｂとなる未露光領域の面積が２０％未満である場合に現像液の液引きが生じやすいことが知見として得られた。即ち、パターン領域１２ａ及びダミーパターン領域１２ｂとなる未露光領域の面積を２０％以上とすることにより、現像液の液引きが生じないことを知見として得ることができた。従って、フォトレジスト１２が塗布されている面の面積に対し、形成されるパターン領域１２ａの面積の比率が、２０％未満である場合、パターン領域１２ａとダミーパターン領域１２ｂとを合わせた未露光領域の面積の比率が２０％以上となるようにレチクル２０を作製する。具体的には、パターン領域１２ａが２０％以下である場合には、ダミーパターン領域１２ｂを形成するためのダミーマスクパターン２２をパターン領域１２ａとダミーパターン領域１２ｂとを合わせた未露光領域の面積の比率が２０％以上となるように設計する。
【００２９】
次に、図２（ｃ）に示すように、半導体基板１０におけるフォトレジスト１２の表面上に現像液１３を供給する。本実施の形態において用いた現像装置は、ノズルをスキャンさせながら現像液を供給するノズルスキャン方式の現像装置であり、用いた現像液１３は、ＴＭＡＨ２．３８％（水酸化テトラメチルアンモニウム２．３８％水溶液）である。この現像装置における現像液の供給方法を図６及び図７に基づき説明する。図６は、本実施の形態において用いたノズルスキャン方式の現像装置における現像液の供給方法の過程を示すものであり、図６（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）における上側の図面は現像装置の側面を示すものであり、下側の図面は上面を示すものである。
【００３０】
図６に示すように、この現像装置は、半導体基板１０の直径よりも長い棒状のノズル３１を有しており、このノズル３１が、半導体基板１０の基板面に略平行に移動することにより現像液を塗布するものである。
【００３１】
図７は、ノズル３１を半導体基板１０側から見た図である。ノズル３１には、複数の開口部３２が一列に設けられており、現像液は開口部３２より供給される。
【００３２】
図６に基づき現像液の供給方法について説明する。最初に、図６（ａ）に示すように、半導体基板１０の一方の端部の上方にノズル３１が配置され、現像液がノズル３１の開口部３２より半導体基板１０のフォトレジスト１２の塗布されている面に供給される。ノズル３１は、現像液を供給しながら半導体基板１０の基板面に略平行な矢印Ｂに示す方向に移動する。これにより、図６（ｂ）に示すように、ノズル３１の通過した領域の半導体基板１０のフォトレジスト１２上には現像液１３が塗布される。更に、ノズル３１を矢印Ｂに示す方向に移動させることにより、図６（ｃ）に示すように、半導体基板１０の他方の端部の上方までノズル３１が移動する。これにより半導体基板１０のフォトレジスト１２の塗布されている面に現像液１３を供給することができる。
【００３３】
本実施の形態では、露光装置からの光が照射されない未露光領域、即ち、パターン領域１２ａとダミーパターン領域１２ｂの面積が、フォトレジスト１２の塗布された面積の２０％以上である。このため、現像液１３の液引きが生じることなく、フォトレジスト１２の全面において現像液１３が供給される。
【００３４】
次に、図２（ｄ）に示すように、現像液１３を除去する。露光領域１２ｃにおけるフォトレジストは現像液１３に溶けて、現像液１３とともに除去されるため、パターン領域１２ａとダミーパターン領域１２ｂにおけるフォトレジストが残る。これによりパターン領域１２ａにおいてフォトレジストからなるレジストパターン１４ａが形成され、ダミーパターン領域１２ｂにおいてフォトレジストからなるダミーレジストパターン１４ｂが形成される。尚、レジストパターン１４ａをパターンと、ダミーレジストパターン１４ｂをダミーパターンと称する場合がある。
【００３５】
次に、図２（ｅ）に示すように、不純物元素のイオン注入を行う。具体的には、ＳＴＩ１１が形成されていない領域であって、レジストパターン１４ａが形成されていない領域にイオン注入がなされる。イオン注入される元素は、Ｓｉに注入することによりｐ型領域を形成することが可能な元素であればよく、本実施の形態では、イオン注入される元素としてボロン（Ｂ）を用い、ボロンのイオン注入によりｐ型領域１５が形成される。尚、ダミーレジストパターン１４ｂは、イオン注入の影響を受けないＳＴＩ１１上に形成されているため、製造される半導体装置に影響を与えることはない。また、レジストパターン１４ａの形成されている領域においては、レジストパターン１４ａによりイオンの注入が遮られるため、ボロンのイオン注入はされない。
【００３６】
次に、図２（ｆ）に示すように、酸素プラズマによるアッシング処理等によりレジストパターン１４ａ及びダミーレジストパターン１４ｂを除去する。
【００３７】
次に、図３（ｇ）に示すように、Ｓｉ等の半導体基板１０において、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）１１が形成されている面に、フォトレジスト１６を塗布する。尚、本実施の形態において用いられるフォトレジスト１６は、フォトレジスト１２と同様に、ポジレジストである。
【００３８】
次に、図３（ｈ）に示すように、プリベークを行った後、露光装置により露光を行う。具体的には、光源にｉ線、ＫｒＦまたはＡｒＦ等のエキシマ光源を有する露光装置により、所定のレチクルを用いて露光を行う。この際、露光に用いられるレチクルには、ダミーマスクパターンが形成されている。即ち、図８に示すように、レチクル４０は、ガラス等からなるマスク基板上にＣｒ等により形成されるマスクパターン４１及びダミーマスクパターン４２の形成されたものである。このようなレチクル４０では、マスクパターン４１及びダミーマスクパターン４２の形成されている領域は光が遮られるため、フォトレジスト１６におけるパターン領域１６ａ及びダミーパターン領域１６ｂは未露光領域となり露光されない。一方、マスクパターン４１及びダミーマスクパターン４２の形成されていない領域では光が透過し、フォトレジスト１６における露光領域１６ｃを露光する。
【００３９】
本実施の形態では、形成されるパターン領域１６ａは、１．５μｍ×２μｍの長方形状に形成されている。また、ダミーパターン領域１６ｂは、現像液の液引きを防ぐために形成されるものであり、本実施の形態では、ダミーパターン領域１６ｂは、０．５μ×０．５μｍの正方形状に形成されている。
【００４０】
また、マスクパターン４１は、ＳＴＩ１１の形成されていない領域であって、イオン注入が行われない領域を覆うように形成されるものである。このため、形成されるマスクパターン４１の位置ズレ等を考慮して、ＳＴＩ１１の形成されていない領域であってイオン注入が行われない領域よりも若干大きめの形状で形成されている。
【００４１】
尚、現像液の液引きを防ぐため、パターン領域１６ａとダミーパターン領域１６ｂとを合わせた未露光領域の面積の比率は２０％以上となるように、ダミーパターン領域１６ｂが設けられている。
【００４２】
次に、図３（ｉ）に示すように、半導体基板１０におけるフォトレジスト１６の表面上に現像液１７を供給する。用いた現像装置は、ノズルスキャン方式の現像装置であり、用いた現像液１３は、ＴＭＡＨ２．３８％である。
【００４３】
本実施の形態では、露光装置からの光が照射されない未露光領域、即ち、パターン領域１６ａとダミーパターン領域１６ｂの面積が、フォトレジスト１６の塗布された面積の２０％以上である。従って、現像液１７の液引きが生じることなく、フォトレジスト１６の全面において現像液１７が供給される。
【００４４】
次に、図３（ｊ）に示すように、現像液１７を除去する。露光領域１６ｃにおけるフォトレジストは現像液１７に溶け、現像液１７とともに除去されるため、パターン領域１６ａとダミーパターン領域１６ｂにおけるフォトレジストが残る。これによりパターン領域１６ａにおいてフォトレジストからなるレジストパターン１８ａが形成され、ダミーパターン領域１６ｂにおいてフォトレジストからなるダミーレジストパターン１８ｂが形成される。尚、レジストパターン１８ａをパターンと、ダミーレジストパターン１８ｂをダミーパターンと称する場合がある。
【００４５】
次に、図３（ｋ）に示すように、不純物元素のイオン注入を行う。具体的には、ＳＴＩ１１が形成されていない領域であって、レジストパターン１６ａが形成されていない領域にイオン注入がなされる。イオン注入される元素は、Ｓｉに注入することによりｎ型領域を形成することが可能な元素であればよく、本実施の形態では、リン（Ｐ）を用い、リンのイオン注入によりｎ型領域１９が形成される。尚、ダミーレジストパターン１８ｂは、イオン注入の影響を受けないＳＴＩ１１上に形成されているため、製造される半導体装置に影響を与えることはない。また、レジストパターン１８ａの形成されている領域は、レジストパターン１８ａによりイオンの注入が遮られるため、リンのイオン注入はされない。
【００４６】
次に、図３（ｌ）に示すように、レジストパターン１８ａ及びダミーレジストパターン１８ｂを除去することにより、半導体基板１０においてｐ型領域１５及びｎ型領域１９が形成されたものが作製される。
【００４７】
この後、電極、絶縁膜等を形成することにより所望の半導体装置を製造することができる。
【００４８】
本実施の形態では、ノズルスキャン方式の現像装置を用いた場合においても、フォトレジストの露光されない領域が２０％以上となるように、ダミーパターン領域を設けることにより、現像液の液引きを防ぐことができる。これによりフォトレジストの塗布されている面の全面にわたり、現像液を供給することができる。従って、ｐ型領域１５等を形成するためのレジストパターンの面積が半導体基板１０に塗布されたフォトレジストの全体の面積の２０％以下の場合であっても、ダミーパターン領域を設けることにより、所定の領域に所定の不純物を確実にイオン注入することができる。
【００４９】
〔第２の実施の形態〕
第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、形成されたレジストパターンを用いてＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等によるエッチングを行う場合の半導体装置の製造方法である。尚、エッチングされる膜等は、金属等の導電体、絶縁体、半導体等のいずれの膜においても適用可能である。本実施の形態では、一例として、金属膜の場合について説明する。図９に基づき本実施の形態について説明する。
【００５０】
最初に、図９（ａ）に示すように、表面に不図示の絶縁体膜が形成されているＳｉ等の半導体基板１１０上にＡｌからなる金属膜１１１を成膜する。金属膜１１１の成膜方法は、スパッタリング等により行う。
【００５１】
次に、図９（ｂ）に示すように、半導体基板１１０の金属膜１１１が形成されている面に、フォトレジスト１１２を塗布する。尚、本実施の形態において用いられるフォトレジスト１１２は、ポジレジストである。
【００５２】
次に、図９（ｃ）に示すように、プリベークを行った後、露光装置により露光を行う。具体的には、光源にｉ線、ＫｒＦまたはＡｒＦ等のエキシマ光源を有するステッパー等の露光装置により、所定のレチクルを用いて露光を行う。この際、露光に用いられるレチクルには、ダミーマスクパターンが形成されている。即ち、図１０に示すように、レチクル１２０は、ガラス等からなるマスク基板上にＣｒ等により形成されるマスクパターン１２１及びダミーマスクパターン１２２の形成されたものである。このようなレチクル１２０では、マスクパターン１２１及びダミーマスクパターン１２２の形成されている領域は光が遮られるため、フォトレジスト１１２におけるパターン領域１１２ａ及びダミーパターン１２２領域１１２ｂは未露光領域となり露光されない。一方、マスクパターン１２１及びダミーマスクパターン１２２の形成されていない領域では光が透過し、フォトレジスト１１２における露光領域１１２ｃを露光する。
【００５３】
本実施の形態では、形成されるパターン領域１１２ａは、１．５μｍ×２μｍの長方形状に形成されている。また、ダミーパターン領域１１２ｂは、現像液の液引きを防ぐために形成されるものであるため、パターン領域１１２ａよりも小さな形状であることが好ましい。本実施の形態では、ダミーパターン領域１１２ｂは、０．５μ×０．５μｍの正方形状に形成されている。
【００５４】
尚、現像液の液引きを防ぐため、第１の実施の形態と同様に、パターン領域１１２ａとダミーパターン領域１１２ｂとを合わせた未露光領域の面積の比率は２０％以上となるように、ダミーパターン領域１１２ｂが設けられている。
【００５５】
次に、図９（ｄ）に示すように、半導体基板１１０におけるフォトレジスト１１２の表面上に現像液１１３を供給する。本実施の形態において用いた現像装置は、ノズルをスキャンさせながら現像液を供給するノズルスキャン方式の現像装置であり、用いた現像液１１３は、ＴＭＡＨ２．３８％（水酸化テトラメチルアンモニウム２．３８％水溶液）である。
【００５６】
次に、図９（ｅ）に示すように、現像液１１３を除去する。露光領域１１２ｃにおけるフォトレジストは現像液１１３に溶け、現像液１１３とともに除去されるため、パターン領域１１２ａとダミーパターン領域１１２ｂにおけるフォトレジストが残る。これにより、パターン領域１１２ａにおいてフォトレジストからなるレジストパターン１１４ａが形成され、ダミーパターン領域１１２ｂにおいてフォトレジストからなるダミーレジストパターン１１４ｂが形成される。尚、レジストパターン１１４ａをパターンと、ダミーレジストパターン１１４ｂをダミーパターンと称する場合がある。
【００５７】
次に、図９（ｆ）に示すように、レジストパターン１１４ａ及びダミーレジストパターン１１４ｂが形成されていない領域の金属膜１１１をＲＩＥ等により除去する。尚、本実施の形態では、半導体装置を製造する際にレジストパターン１１４ａをマスクとしてエッチングを行うものであるため、レジストパターン１１４ａは、幅が１０μｍ以下で形成されている。
【００５８】
次に、図９（ｇ）に示すように、レジストパターン１１４ａ及びダミーレジストパターン１１４ｂを除去することにより、半導体基板１１０において所定の領域に金属層１１５及び１１６が形成される。尚、形成される金属層１１６は、ダミーの金属層であり、製造される半導体装置に影響を与えない位置に形成される。
【００５９】
このようにして、電極等となる金属膜１１５が形成される。これにより所望の領域に所定の形状の金属膜を確実に形成することができる。
【００６０】
また、同様のプロセスにより、所定の形状の半導体層、絶縁層等を形成することができ、更に他のプロセスを組み合わせることにより半導体装置を製造することができる。この場合においても、所望の領域に所定の形状の膜を確実に形成することができる。
【００６１】
本実施の形態において露光及び現像装置等に関しては、第１の実施の形態と同様である。
【００６２】
〔第３の実施の形態〕
次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１及び第２の実施の形態におけるレチクルにおいて、ダミーマスクパターンの配置が異なるものである。
【００６３】
具体的には、本実施の形態におけるレチクルは、図１１に示すように、マスクパターン２２１の周囲に均等にマスクパターン２２１よりも小さなダミーマスクパターン２２２を設けた構成のレチクル２２０である。
【００６４】
また、図１２に示すように、マスクパターン２３１の周囲の禁止領域２３２と開口領域２３３を除く領域以外にダミーマスクパターン２３４を設けた構成のレチクル２３０であってもよい。
【００６５】
また、図１３（ａ）に示すように、開口領域２４１とダミー開口部２４２を除いたすべての領域に遮光領域となるダミー領域２４３を設けた構成のレチクル２４０であってもよい。尚、図１３（ｂ）は、レチクル２４０において露光された半導体基板２５０上に形成されたレジストパターン２５１の断面形状を示すものであり、破線１３Ａ−１３Ｂに示す領域に対応する断面図である。
【００６６】
本実施の形態におけるレチクルは、第１及び第２の実施の形態におけるレチクルと、同様に用いることができる。
【００６７】
尚、第１のから第３の実施の形態では、露光装置においてレチクルを用いた場合について説明したが、これはステッパー等により縮小露光を行う際には、レチクルが用いられるためである。このため、フォトマスクを用いた露光を行う場合においても、第１から第３の実施の形態と同様の方法により行うことができる。
【００６８】
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【００６９】
上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
基板上にフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布工程と、
塗布された前記フォトレジストに対して所定のパターンを露光する露光工程と、
前記露光工程の後、前記基板を回転させることなく、前記基板上において現像液を供給するノズルを移動させながら、前記基板上の前記フォトレジストに現像液を供給し、前記フォトレジストの現像を行う現像工程と、を有し、
前記露光工程における露光は、前記所定のパターンと、前記所定のパターンの他に前記所定のパターンの以外の領域に設けられたダミーパターンに対して行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２）
前記フォトレジストは、ポジレジストであることを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記３）
前記基板上に塗布された前記フォトレジストの面積に対し、前記所定のパターンの面積が２０％以下である場合に、前記所定のパターンの面積と前記ダミーパターンの面積の和が、前記フォトレジストの面積に対し２０％以上となるように、前記ダミーパターンを設けたことを特徴とする付記１または２に記載の半導体装置の製造方法。
（付記４）
前記基板は半導体基板であって、前記現像工程の後、前記半導体基板において前記所定のパターンが形成されていない所定の領域にイオン注入を行うイオン注入工程を有することを特徴とする付記１から３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記５）
前記フォトレジスト塗布工程の前に、金属膜、導体膜、半導体膜、絶縁膜のいずれかの膜を成膜する成膜工程と、
前記現像工程の後、前記所定のパターンの形成されていない領域における前記成膜された膜のエッチングするエッチング工程と、
を有することを特徴とする付記１から３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記６）
前記ダミーパターンの形状は、略正方形状または略長方形であることを特徴とする付記１から５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記７）
前記所定のパターンは、幅が１０μｍ以下のパターンであることを特徴とする付記１から６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記８）
前記露光工程は、レチクルまたはフォトマスクを用いて露光装置により行われるものであって、
前記レチクルまたはフォトマスクには、前記所定のパターン及びダミーパターンに対応する遮光部材により形成されたパターンが設けられているものであることを特徴とする付記１から７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００７０】
１          基板
２          ノズル
３          現像液
４          液引き領域
１０        半導体基板
１１        ＳＴＩ
１２        フォトレジスト
１２ａ      パターン領域
１２ｂ      ダミーパターン領域
１２ｃ      露光領域
１３        現像液
１４ａ      レジストパターン
１４ｂ      ダミーレジストパターン
１５        ｐ型領域
１６        フォトレジスト
１６ａ      パターン領域
１６ｂ      ダミーパターン領域
１６ｃ      露光領域
１７        現像液
１８ａ      レジストパターン
１８ｂ      ダミーレジストパターン
１９        ｎ型領域
２０        レチクル
２１        マスクパターン
２２        ダミーマスクパターン
３１        ノズル
３２        開口部
４０        レチクル
４１        マスクパターン
４２        ダミーマスクパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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