(57)【要約】【課題】より高速な信号伝送を行うこと。【解決手段】本発明の配線基板は、側壁導電層３と、ランド４とを具備している。側壁導電層３は、基板１に開口されたスルーホール２の側壁に形成されている。ランド４は、側壁導電層３に接続された導電層であり、配線に使用される必要最小限の部分であるランド部分１１だけが基板１の表面に形成されている。本発明では、ランド４のうちのランド部分１１以外の不要部分１２が削除される。このため、ランド４のうちの、配線に使用される必要最小限の部分だけを残し、不要な部分を削除することにより、ランド４による配線容量のうちの、不要な配線容量を減らすことができる。これにより、本発明では、配線抵抗Ｒと配線容量Ｃの掛け算で表される「時定数」を充分に小さくすることができ、信号の立ち上がり又は立下りの速度を上げることができるため、より高速な信号伝送を行うことができる。【選択図】図１Ｂ
2011204733.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に開口されたスルーホールの側壁に形成された導電層である側壁導電層と、
前記側壁導電層に接続され、前記基板の表面に形成された導電層であるランドと
を具備し、
前記側壁導電層は、
前記スルーホールの側壁に沿って延びて前記基板の表面に達し、前記ランドに接続された第1側壁導電層と、
前記第１側壁導電層に接続され、前記スルーホールの側壁に沿って延びて前記基板の表面に達しない第２側壁導電層と
を有する配線基板。
【請求項２】
前記側壁導電層を覆う絶縁物
を更に具備する請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記ランド上に形成されたビアと、
前記ビア上に形成された信号線と
を更に具備する請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記基板と前記絶縁物上に形成されたシールド用の第１プレーン
を更に具備する請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１プレーンの上方に形成された他の信号線と、
前記信号線及び前記他の信号線の上方に形成されたシールド用の第２プレーンと
を更に具備する請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
基板にスルーホールを開口する工程と、
前記スルーホールの側壁に導電層である側壁導電層を形成する工程と、
前記側壁導電層に接続された導電層であるランドを前記基板の表面に形成する工程と、
前記ランドの配線に使用されない不要部分と、前記側壁導電層の前記不要部分に接する部分とを削除する工程と
を具備し、
前記削除する工程により、前記側壁導電層には、
前記スルーホールの側壁に沿って延びて前記基板の表面に達し、前記ランドに接続された第1側壁導電層と、
前記第１側壁導電層に接続され、前記スルーホールの側壁に沿って延びて前記基板の表面に達しない第２側壁導電層と
が形成される配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記側壁導電層を絶縁物で覆う工程
を更に具備する請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記ランド上にビアを形成する工程と、
前記ビア上に信号線を形成する工程と
を更に具備する請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記基板と前記絶縁物上にシールド用の第１プレーンを形成する工程
を更に具備する請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１プレーンの上方に他の信号線を形成する工程と、
前記信号線及び前記他の信号線の上方にシールド用の第２プレーンを形成する工程と
を更に具備する請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板の一形態として、基板にスルーホールが開口されたタイプがある。この配線基板は、基板と、側壁導電層と、ランドとを具備している。側壁導電層は、基板に開口されたスルーホールの側壁に沿って延び、基板の表面に達する導電層である。ランドは、基板の表面に形成され、側壁導電層に接続された導電層である。ランド上には、例えばビアを介して信号線が接続される。
【０００３】
この信号線により信号を高速で伝送する場合、その信号の反射だけでなく、信号のレベルが切り替わったときの立ち上がり（又は立下り）の速度も考慮しなければならない。
【０００４】
信号の立ち上がり（又は立下り）の速度は、配線抵抗Ｒと配線容量Ｃの掛け算で表される「時定数」により物理的に決まる。従って、信号伝送の高速化を実現しようとする場合、配線抵抗を下げるか、配線容量を減らすことにより対応を行う必要がある。一般的には、配線容量を減らすことにより対応を行う。
【０００５】
配線基板に関連する技術として、特開平１０−５１１３７号公報、特開昭６０−２５７５８５号公報には、スルーホール、側壁導電層及びランドを分割して、２以上の配線パターンを形成する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−５１１３７号公報
【特許文献２】特開昭６０−２５７５８５号公報
【特許文献３】特開２００３−２７３２７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特開平１０−５１１３７号公報、特開昭６０−２５７５８５号公報に記載された技術では、ランドの最小径が制限されている条件において電子機器の高密度化、高集積化を実現するために、ランドと共に、スルーホール及び側壁導電層を分割している。
【０００８】
しかし、近年では、高密度化、高集積化が更に進み、スルーホールの径が小さくなっているため、単に、ランドを分割するだけでは、配線容量を充分に減らすことはできない。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以下に、発明を実施するための形態で使用される符号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を記載する。この符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための形態の記載との対応を明らかにするために付加されたものであり、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１０】
本発明の配線基板は、側壁導電層（３）と、ランド（４）とを具備している。側壁導電層（３）は、基板（１）に開口されたスルーホール（２）の側壁に形成された導電層である。ランド（４）は、側壁導電層（３）に接続された導電層であり、基板（１）の表面に形成されている。
【００１１】
側壁導電層（３）は、スルーホール（２）の側壁に沿って延びる第１側壁導電層（３−１）と第２側壁導電層（３−２）とを有する。第１側壁導電層（３−１）は、基板（１）の表面に達し、ランド（４）に接続されている。第２側壁導電層（３−２）は、第１側壁導電層（３−１）に接続され、基板（１）の表面に達しない。この第２側壁導電層（３−２）は、ランド（４）の不要部分（１２）が削除されるときに形成される。
【００１２】
本発明によれば、本発明では、ランド（４）のうちのランド部分（１１）以外の不要部分（１２）が削除される。このため、ランド（４）のうちの、配線に使用される必要最小限の部分だけを残し、不要な部分を削除することにより、ランド（４）及び側壁導電層（３）による配線容量のうちの、不要な配線容量を減らすことができる。このため、配線抵抗Ｒと配線容量Ｃの掛け算で表される「時定数」を充分に小さくすることができ、信号の立ち上がり（又は立下り）の速度を上げることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明では、高速な信号伝送を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の第１実施形態による配線基板の構成を示す上面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態による配線基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図３Ａ】図３Ａは、図２のスルーホール開口工程（Ｓ１）、側壁導電層形成工程（Ｓ２）、ランド形成工程（Ｓ３）を説明するための断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図２のランド形成工程（Ｓ３）を説明するための上面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、図２の不要部分削除工程（Ｓ４）を説明するための断面図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、図２の不要部分削除工程（Ｓ４）を説明するための上面図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、図２の不要部分削除工程（Ｓ４）を説明するための断面図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、図２の穴うめ工程（Ｓ５）を説明するための断面図である。
【図３Ｇ】図３Ｇは、図２のビア形成工程（Ｓ１１）、信号線配線工程（Ｓ１２）を説明するための断面図である。
【図３Ｈ】図３Ｈは、図３Ｄと異なる方法で不要部分を削除した場合における配線基板の上面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の第２実施形態による配線基板の構成を示す上面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図４ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図５】図５は、本発明の第２実施形態による配線基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図６Ａ】図６Ａは、図５のスルーホール開口工程（Ｓ１）、側壁導電層形成工程（Ｓ２）、ランド形成工程（Ｓ３）を説明するための断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図５のランド形成工程（Ｓ３）を説明するための上面図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、図５の不要部分削除工程（Ｓ４）を説明するための断面図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、図５の不要部分削除工程（Ｓ４）を説明するための上面図である。
【図６Ｅ】図６Ｅは、図５の穴うめ工程（Ｓ５）を説明するための断面図である。
【図６Ｆ】図６Ｆは、図５の第１配線層形成工程（Ｓ２１）、プレーン形成工程（Ｓ２２）を説明するための断面図である。
【図６Ｇ】図６Ｇは、図５のビア形成工程（Ｓ２３）、信号線配線工程（Ｓ２４）、第２配線層形成工程（Ｓ２５）を説明するための断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明の第３実施形態による配線基板の構成を示す上面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７ＡのＣ−Ｃ’断面図である。
【図８】図８は、本発明の第３実施形態による配線基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図９Ａ】図９Ａは、図７のスルーホール開口工程（Ｓ１）、側壁導電層形成工程（Ｓ２）、ランド形成工程（Ｓ３）を説明するための断面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、図７の不要部分削除工程（Ｓ４）を説明するための断面図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、図７の不要部分削除工程（Ｓ４）を説明するための上面図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは、図７の穴うめ工程（Ｓ５）を説明するための断面図である。
【図９Ｅ】図９Ｅは、図７のランド部分削除工程（Ｓ３１）を説明するための断面図である。
【図９Ｆ】図９Ｆは、図７の信号線配線工程（Ｓ３２）を説明するための断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第３実施形態による配線基板の作用・効果を説明するための上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に添付図面を参照して、本発明の実施形態による配線基板について詳細に説明する。
【００１６】
（第１実施形態）
図１Ａは、本発明の第１実施形態による配線基板の構成を示す上面図である。図１Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ’断面図である。本発明の第１実施形態による配線基板は、基板１と、側壁導電層３と、第１ランド４と、第２ランド５と、絶縁物６と、ビア７と、信号線８とを具備している。
【００１７】
側壁導電層３は、基板１に開口されたスルーホール２の側壁に沿って延びる導電層である。側壁導電層３は、第１ブロック（以下、第１側壁導電層３−１と称する）と、第１側壁導電層３−１に接続された第２ブロック（以下、第２側壁導電層３−２と称する）とを含んでいる。第１側壁導電層３−１は、基板１の表面に達している。第２側壁導電層３−２は、基板１の表面に達しない。
【００１８】
第１ランド４は、側壁導電層３に接続された導電層であり、配線に使用される必要最小限の部分であるランド部分１１だけが基板１の表面に形成されている。第１側壁導電層３−１は、ランド部分１１に接続されている。第２側壁導電層３−２は、第１ランド４のうちのランド部分１１以外の不要部分（後述）が削除されるときに形成される。
【００１９】
第２ランド５は、基板１の表面に形成され、ランド部分１１に接続される導電層である。
【００２０】
絶縁物６は、第１側壁導電層３−１と、第２側壁導電層３−２と、基板１が削られた部分１３とを覆う穴埋め材である。絶縁物６としては、樹脂が用いられる。
【００２１】
ビア７は、第２ランド５上に形成されている。信号線８は、ビア７上に形成されている。なお、図では絶縁層を省略してある。実際には信号線８と基板１との間には絶縁層（図示せず）が存在する。
【００２２】
図２は、本発明の第１実施形態による配線基板の製造方法を示すフローチャートである。
【００２３】
（ステップＳ１；スルーホール開口工程）
まず、図３Ａに示されるように、基板１が用意される。基板１には、スルーホール２が開口される。
【００２４】
（ステップＳ２；側壁導電層形成工程）
次に、図３Ａに示されるように、スルーホール２の側壁に沿って延びる導電層である側壁導電層３が形成される。例えば、側壁導電層３としては、銅、アルミニウムなどの金属が使用される。
【００２５】
（ステップＳ３；ランド形成工程）
次に、図３Ａ及び図３Ｂに示されるように、基板１の表面には、側壁導電層３に接続された導電層である第１ランド４と、第１ランド４に接続された導電層である第２ランド５とが形成される。例えば、第１ランド４、第２ランド５としては、銅、アルミニウムなどの金属が使用される。
【００２６】
（ステップＳ４；不要部分削除工程）
次に、図３Ｃに示されるように、ドリルが操作されることにより、第１ランド４のうちのランド部分１１以外の不要部分１２が削除される。ランド部分１１は、第１ランド４のうちの、配線に使用される必要最小限の部分であり、第２ランド５に接続されている。不要部分１２は、第１ランド４のうちの、配線に使用されない部分である。図３Ｄに示される例では、ドリルの位置をずらしながら４回操作することにより、不要部分１２が削除される。
【００２７】
図３Ｅに示されるように、ドリルにより不要部分１２が削除されたときに、基板１が削られると共に、側壁導電層３のうちの、不要部分１２に接する部分が削られる。このとき、側壁導電層３は、第１側壁導電層３−１と、第１側壁導電層３−１に接続された第２側壁導電層３−２とにより構成される。第１側壁導電層３−１は、基板１の表面に達し、ランド部分１１に接続されている。第２側壁導電層３−２は、不要部分１２に接する部分が削除されるときに形成される。このため、第２側壁導電層３−２は、基板１の表面に達しない。
【００２８】
本実施形態では、不要部分１２と、側壁導電層３のうちの、不要部分１２に接する部分とをドリルにより削除しているが、エッチングやレーザー加工により削除してもよい。
【００２９】
（ステップＳ５；穴うめ工程）
次に、図３Ｆに示されるように、ドリルにより不要部分１２が削除されたときに基板１が削られた部分１３が形成される。この部分１３と、第２側壁導電層３−２と第１側壁導電層３−１に接して樹脂である絶縁物６が充填される。これにより、第１側壁導電層３−１と、第２側壁導電層３−２と、基板１が削られた部分１３とが絶縁物６で覆われる。
【００３０】
（ステップＳ１１；ビア形成工程）
次に、図３Ｇに示されるように、第２ランド５上には、ビア７が形成される。なお、図３Ｇでは、図１Ｂと同様に絶縁層を省略してある。
【００３１】
（ステップＳ１２；信号線配線工程）
次に、図３Ｇに示されるように、ビア７上には、信号線８が形成される。
【００３２】
以上の工程により、図１Ａの構造を得ることができる。図１Ａの構造に限らず、例えば図３Ｈのようにすることもできる。この場合は、ステップＳ４の不要部分削除工程において、ドリルの位置を少しずつずらしながら不要部分１２を切除することで、図３Ｈの構造を得ることができる。この場合でも、図３Ｈにおける、Ａ−Ａ’断面は図３Ｅから図３Ｇのようになっている。
【００３３】
［作用１−１］
不要部分削除工程（ステップＳ４）を実施する理由について説明する。
【００３４】
信号線により信号を高速で伝送する場合、その信号の反射だけでなく、信号のレベルが切り替わったときの立ち上がり（又は立下り）の速度も考慮しなければならない。信号の立ち上がり（又は立下り）の速度は、配線抵抗Ｒと配線容量Ｃの掛け算で表される「時定数」により物理的に決まる。従って、信号伝送の高速化を実現しようとする場合、配線抵抗を下げるか、配線容量を減らすことにより対応を行う必要がある。一般的には、配線容量を減らすことにより対応を行う。
【００３５】
例えば、特開平１０−５１１３７号公報、特開昭６０−２５７５８５号公報に記載された技術では、ランドの最小径が制限されている条件において電子機器の高密度化、高集積化を実現するために、ランドと共に、スルーホール及び側壁導電層を分割している。しかし、近年では、高密度化、高集積化が更に進み、スルーホールの径が小さくなっているため、単に、ランドを分割するだけでは、配線容量Ｃを充分に減らすことはできない。
【００３６】
これに対して、本発明の第１実施形態による配線基板では、不要部分削除工程（ステップＳ４）を実施することにより、ランド４のうちのランド部分１１以外の不要部分１２が削除される。この工程において、ランド４のうちの、配線に使用される必要最小限の部分だけを残し、不要な部分を削除することにより、ランド４による配線容量のうちの、不要な配線容量を減らすことができる。
【００３７】
［作用１−２］
不要部分削除工程（ステップＳ４）において、側壁導電層３のうちの、ランド部分１１に接続された第１側壁導電層３−１以外の部分（第２側壁導電層３−２）を全て削除しない理由について説明する。
【００３８】
まず、特開平１０−５１１３７号公報、特開昭６０−２５７５８５号公報に記載された技術では、ランドと共に、スルーホール及び側壁導電層が分割されたとき、側壁導電層は２以上のブロックに分割される。このとき、ブロック間に余計な容量が発生してしまう。
【００３９】
これに対して、本発明の第１実施形態による配線基板では、不要部分削除工程（ステップＳ４）を実施することにより、側壁導電層３のうちの、不要部分１２に接する部分が削除される。この工程において、側壁導電層３の不要部分１２に接する部分だけ削り、側壁導電層３を分割しないことにより、側壁導電層３に対する余計な容量が発生しない。
【００４０】
［効果１］
このように、本発明の第１実施形態による配線基板によれば、不要部分削除工程（ステップＳ４）を実施することにより、ランド４による配線容量のうちの、不要な配線容量を減らすことができ、側壁導電層３に対する余計な容量が発生しない。これにより、時定数を充分に小さくすることができ、信号の立ち上がり（又は立下り）の速度を上げることができるため、より高速な信号伝送を行うことができる。
【００４１】
（第２実施形態）
絶縁物６上に信号線が存在する場合、配線容量が変わってしまう。そこで、本発明の第２実施形態による配線基板では、第１実施形態における穴うめ工程（ステップＳ５）の後に、シールド用のプレーンを配置する工程などが追加される。第２実施形態では、第１実施形態と重複する説明について省略する。
【００４２】
図４Ａは、本発明の第２実施形態による配線基板の構成を示す上面図である。図４Ｂは、図４ＡのＢ−Ｂ’断面図である。本発明の第２実施形態による配線基板は、基板１と、側壁導電層３と、第１ランド４と、第２ランド５と、絶縁物６と、導電層２０、２１と、第１プレーン２２と、ビア７と、信号線２４と、他の信号線２５と、第２プレーン２６とを具備している。即ち、本発明の第２実施形態による配線基板は、第１実施形態における信号線８に代えて、導電層２０、２１、第１プレーン２２、信号線２４、他の信号線２５、第２プレーン２６を具備している。なお、図４Ｂでは、基板１と第２プレーン２６との間に存在する絶縁層を省略してある。
【００４３】
導電層２１は、ランド部分１１と第２ランド５上に形成されている。
【００４４】
第１プレーン２２は、基板１の上方（即ち、導電層２０上）と絶縁物６上とに形成されたシールド用の配線層である。
【００４５】
ビア７は、導電層２１上に形成され、信号線２４は、ビア７上に形成されている。他の信号線２５は、プレーン２２の上方に形成されている。
【００４６】
第２プレーン２６は、信号線２４及び他の信号線２５の上方に形成されたシールド用の配線層である。
【００４７】
図５は、本発明の第２実施形態による配線基板の製造方法を示すフローチャートである。
【００４８】
（ステップＳ１；スルーホール開口工程）
まず、図６Ａに示されるように、基板１が用意される。基板１には、スルーホール２が開口される。
【００４９】
（ステップＳ２；側壁導電層形成工程）
次に、図６Ａに示されるように、スルーホール２の側壁には、導電層である側壁導電層３が形成される。
【００５０】
（ステップＳ３；ランド形成工程）
次に、図６Ａ及び図６Ｂに示されるように、基板１の表面には、側壁導電層３に接続された第１ランド４と、第１ランド４に接続された第２ランド５と、第１ランド４に接続された導電層２０とが形成される。例えば、導電層２０としては、銅、アルミニウムなどの金属が使用される。
【００５１】
（ステップＳ４；不要部分削除工程）
次に、図６Ｃに示されるように、ドリルが操作されることにより、第１ランド４のうちのランド部分１１以外の不要部分１２が削除される。ランド部分１１は、第１ランド４のうちの、配線に使用される必要最小限の部分であり、第２ランド５に接続されている。不要部分１２は、第１ランド４のうちの、配線に使用されない部分であり、導電層２０に接続されている。図６Ｄに示される例では、ドリルの位置をずらしながら４回操作することにより、不要部分１２が削除される。
【００５２】
図６Ｅに示されるように、ドリルにより不要部分１２が削除されたときに、基板１が削られると共に、側壁導電層３のうちの、不要部分１２に接する部分が削られる。このとき、側壁導電層３は、第１側壁導電層３−１と、第１側壁導電層３−１に接続された第２側壁導電層３−２とにより構成される。第１側壁導電層３−１は、基板１の表面に達し、ランド部分１１に接続されている。第２側壁導電層３−２は、不要部分１２に接する部分が削除されるときに形成される。このため、第２側壁導電層３−２は、基板１の表面に達しない。
【００５３】
本実施形態では、不要部分１２と、側壁導電層３のうちの、不要部分１２に接する部分とをドリルにより削除しているが、エッチングやレーザー加工により削除してもよい。
【００５４】
（ステップＳ５；穴うめ工程）
次に、図６Ｅに示されるように、ドリルにより不要部分１２が削除されたときに基板１が削られた部分１３が形成される。この部分１３は、第２側壁導電層３−２に接し、第１側壁導電層３−１と第２側壁導電層３−２と共に露出している。このため、第１側壁導電層３−１と、第２側壁導電層３−２と、基板１が削られた部分１３上には、樹脂である絶縁物６が形成される。これにより、第１側壁導電層３−１と、第２側壁導電層３−２と、基板１が削られた部分１３とが絶縁物６で覆われる。
【００５５】
（ステップＳ２１；第１プレーン形成工程）
次に、図６Ｆに示されるように、基板１の上方（即ち、導電層２０上）と絶縁物６上には、シールド用の第１プレーン２２が形成される。このとき、第１プレーン２２との高さを合わせるために、ランド部分１１と第２ランド５上には、導電層２１が形成される。例えば、導電層２１としては、銅、アルミニウムなどの金属が使用され、第１プレーン２２には、めっきが使用される。
【００５６】
（ステップＳ２２；ビア形成工程）
次に、図６Ｇに示されるように、導電層２１上には、ビア７が形成される。
【００５７】
（ステップＳ２３；信号線配線工程）
次に、図６Ｇに示されるように、ビア７上には、信号線２４が形成される。第１プレーン２２上には、第１の絶縁層（図示しない）を介して他の信号線２５が形成される。
【００５８】
（ステップＳ２４；第２プレーン形成工程）
次に、図６Ｇに示されるように、信号線２４及び他の信号線２５の上方には、第２の絶縁層（図示しない）を介してシールド用の第２プレーン２６が形成される。例えば、第２プレーン２６には、めっきが使用される。
【００５９】
［作用２］
第１プレーン形成工程（ステップＳ２１）を実施する理由について説明する。
【００６０】
一般的に、信号線の直下にプレーンがあれば、その部分にリターンパス（帰還電流経路）ができるが、側壁導電層上に形成された絶縁物の上方に信号線が存在する場合、その部分でプレーンがないので、帰還電流は絶縁物の直下の側壁導電層に沿って流れる。そのため、その部分だけ信号線の特性が狂う。特に高速信号の場合、絶縁物上を３回程度跨いで配線するだけで、配線容量が変わってしまい、高速信号の信号特性が満足できなくなる場合もある。
【００６１】
そこで、特開２００３−２７３２７３号公報に記載された技術では、絶縁層（上述の例では、第１、２の絶縁層に相当）の厚みを変えることにより、理想的な信号特性を実現している。
【００６２】
これに対して、本発明の第２実施形態による配線基板では、第１プレーン形成工程（ステップＳ２１）を実施することにより、側壁導電層３と電気的に接続しなければならない最低限の場所（ランド部分１１周辺）を避けるように、基板１の上方（導電層２０上）と絶縁物６とが第１プレーン２２で覆われる。この工程において、絶縁物６の直下の側壁導電層３に対してプレーンで覆われる面積（プレーン面積）が広がることにより、絶縁物６上に信号線が存在しても、配線容量を維持でき、高速信号の信号特性を満足できる。
【００６３】
また、本発明の第２実施形態による配線基板では、基板１の上方（導電層２０上）と絶縁物６とが第１プレーン２２で覆われることにより、第１、２の絶縁層の厚みを変えなくても、理想的な信号特性を実現している。
【００６４】
［効果２］
このように、本発明の第２実施形態による配線基板によれば、絶縁物６上に信号線が配線される場合でも、第１プレーン形成工程（ステップＳ２１）を実施することにより、第１実施形態における効果に加えて、高速信号の信号特性を満足できる。そのため、第１ランド４が小型になり、且つ、プレーン面積が広がることにより、そのエリアに配線できる信号線の密度が上がり、より小型の製品を作ることが可能となる。
【００６５】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態による配線基板では、第１実施形態に対して安価に作成するために、ビア７上ではなく、基板１上に信号線を配線する。第３実施形態では、第１、２実施形態と重複する説明について省略する。
【００６６】
図７Ａは、本発明の第３実施形態による配線基板の構成を示す上面図である。図７Ｂは、図７ＡのＣ−Ｃ’断面図である。本発明の第３実施形態による配線基板は、基板１と、側壁導電層３と、第１ランド４（以下、ランド４と称する）と、絶縁物６と、信号線３１と、他の信号線３２〜３５とを具備している。即ち、本発明の第３実施形態による配線基板は、第１実施形態における第２ランド５、ビア７、信号線８に代えて、信号線３１、他の信号線３２〜３５を具備している。
【００６７】
信号線３１は、基板１の表面に形成され、側壁導電層３に接続されている。
【００６８】
他の信号線３２〜３５は、絶縁物６の表面、基板１の表面に形成されている。
【００６９】
図８は、本発明の第３実施形態による配線基板の製造方法を示すフローチャートである。
【００７０】
（ステップＳ１；スルーホール開口工程）
まず、図９Ａに示されるように、基板１が用意される。基板１には、スルーホール２が開口される。
【００７１】
（ステップＳ２；側壁導電層形成工程）
次に、図９Ａに示されるように、スルーホール２の側壁には、導電層である側壁導電層３が形成される。
【００７２】
（ステップＳ３；ランド形成工程）
次に、図９Ａに示されるように、基板１の表面には、側壁導電層３に接続されたランド４と、ランド４に接続された導電層２０とが形成される。
【００７３】
（ステップＳ４；不要部分削除工程）
次に、図９Ｂに示されるように、ドリルが操作されることにより、ランド４のうちのランド部分１１以外の不要部分１２が削除される。ランド部分１１は、ランド４のうちの、配線に使用される必要最小限の部分である。不要部分１２は、第１ランド４のうちの、配線に使用されない部分であり、導電層２０に接続されている。図９Ｃに示される例では、ドリルの位置をずらしながら４回操作することにより、不要部分１２が削除される。
【００７４】
図９Ｄに示されるように、ドリルにより不要部分１２が削除されたときに、基板１が削られると共に、側壁導電層３のうちの、不要部分１２に接する部分が削られる。このとき、側壁導電層３は、第１側壁導電層３−１と、第１側壁導電層３−１に接続された第２側壁導電層３−２とにより構成される。第１側壁導電層３−１は、基板１の表面に達し、ランド部分１１に接続されている。第２側壁導電層３−２は、不要部分１２に接する部分が削除されるときに形成される。このため、第２側壁導電層３−２は、基板１の表面に達しない。
【００７５】
本実施形態では、不要部分１２と、側壁導電層３のうちの、不要部分１２に接する部分とをドリルにより削除しているが、エッチングにより削除してもよい。
【００７６】
（ステップＳ５；穴うめ工程）
次に、図９Ｄに示されるように、ドリルにより不要部分１２が削除されたときに基板１が削られた部分１３が形成される。この部分１３は、第２側壁導電層３−２に接し、第１側壁導電層３−１と第２側壁導電層３−２と共に露出している。このため、第１側壁導電層３−１と、第２側壁導電層３−２と、基板１が削られた部分１３上には、樹脂である絶縁物６が形成される。これにより、第１側壁導電層３−１と、第２側壁導電層３−２と、基板１が削られた部分１３とが絶縁物６で覆われる。
【００７７】
（ステップＳ３１；ランド部分削除工程）
次に、図９Ｅに示されるように、研磨により導電層２０とランド部分１１とが削除される。
【００７８】
（ステップＳ３２；信号線配線工程）
次に、図９Ｆに示されるように、基板１の表面には、第１側壁導電層３−１に接続された信号線３１が形成される。絶縁物６の表面、基板１の表面には、他の信号線３２〜３４が形成される。
【００７９】
本実施形態では、基板１上にパターンが形成される配線方式だが、例えば基板１の表面にレーザーなどで溝を掘って、そこにパターンを形成するような埋め込み型の配線方式でもよい。
【００８０】
［作用３］
ランド部分削除工程（ステップＳ３１）と信号線配線工程（ステップＳ３２）とを実施する理由について説明する。
【００８１】
一般的に、信号線の幅に比べてランドの径は数倍以上大きいので、ランドがある層で配線を行うと、あまり配線密度を上げられない。
【００８２】
これに対して、本発明の第３実施形態による配線基板では、不要部分削除工程（ステップＳ４）を実施することにより、ランド４のうちの不要部分１２が削除され、側壁導電層３のうちの、不要部分１２に接する部分が削除される。そこで、ランド部分削除工程（ステップＳ３１）と信号線配線工程（ステップＳ３２）とを実施することにより、ランド部分１１が削除されて、第１側壁導電層３−１に接続された信号線３１が形成される。この場合、図１０に示されるように、信号線３１と他の信号線３２〜３５とが同じ層で配線が行われる場合、信号線３１、他の信号線３２〜３５の間隔はランドの半径よりも狭くすることが可能である。
【００８３】
［効果３］
このように、本発明の第３実施形態による配線基板によれば、ランド部分削除工程（ステップＳ３１）と信号線配線工程（ステップＳ３２）を実施することにより、第１実施形態における効果に加えて、配線密度を上げることができる。これにより、更に高密度のパターンを形成でき、製品の更なる小型化も実現できる。
【符号の説明】
【００８４】
１    基板、
２    スルーホール、
３    側壁導電層、
３−１    第１側壁導電層、
３−２    第２側壁導電層、
４    第１ランド、
５    第２ランド、
６    絶縁物、
７    ビア、
８    信号線、
１１    ランド部分、
１２    不要部分、
１３    部分、
２０    導電層、
２１    導電層、
２２    第１プレーン、
２４    信号線、
２５    他の信号線、
２６    第２プレーン、
３１    信号線、
３２〜３５    他の信号線
【図１Ａ】
2011204733.tif 000003
【図１Ｂ】
2011204733.tif 000004
【図２】
2011204733.tif 000005
【図３Ａ】
2011204733.tif 000006
【図３Ｂ】
2011204733.tif 000007
【図３Ｃ】
2011204733.tif 000008
【図３Ｄ】
2011204733.tif 000009
【図３Ｅ】
2011204733.tif 000010
【図３Ｆ】
2011204733.tif 000011
【図３Ｇ】
2011204733.tif 000012
【図３Ｈ】
2011204733.tif 000013
【図４Ａ】
2011204733.tif 000014
【図４Ｂ】
2011204733.tif 000015
【図５】
2011204733.tif 000016
【図６Ａ】
2011204733.tif 000017
【図６Ｂ】
2011204733.tif 000018
【図６Ｃ】
2011204733.tif 000019
【図６Ｄ】
2011204733.tif 000020
【図６Ｅ】
2011204733.tif 000021
【図６Ｆ】
2011204733.tif 000022
【図６Ｇ】
2011204733.tif 000023
【図７Ａ】
2011204733.tif 000024
【図７Ｂ】
2011204733.tif 000025
【図８】
2011204733.tif 000026
【図９Ａ】
2011204733.tif 000027
【図９Ｂ】
2011204733.tif 000028
【図９Ｃ】
2011204733.tif 000029
【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図９Ｆ】
2011204733.tif 000032
【図１０】
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