(57)【要約】【課題】安価で安定して温度を検出できる温度検出回路を提供することができる。【解決手段】温度検出回路は、定電流を生成する定電流回路と、定電流が供給されると、温度に応じて変化する降伏電圧を生成するツェナーダイオードと、降伏電圧と所定電圧との大小関係に基づいて、ツェナーダイオードの温度が、降伏電圧が所定電圧となる際のツェナーダイオードの温度より高いか否かを示す出力信号を出力する信号出力回路と、を備える。【選択図】図３
2011133439.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
定電流を生成する定電流回路と、
前記定電流が供給されると、温度に応じて変化する降伏電圧を生成するツェナーダイオードと、
前記降伏電圧と所定電圧との大小関係に基づいて、前記ツェナーダイオードの温度が、前記降伏電圧が前記所定電圧となる際の前記ツェナーダイオードの温度より高いか否かを示す出力信号を出力する信号出力回路と、
を備えることを特徴とする温度検出回路。
【請求項２】
請求項１に記載の温度検出回路であって、
前記信号出力回路は、
温度の上昇に応じて前記降伏電圧が前記所定電圧となると生成され、温度の上昇に応じて前記降伏電圧と前記所定電圧との差が大きくなるにつれて増加するバイアス電流を出力するバイアス電流回路と、
前記バイアス電流に応じた電圧を前記出力信号として出力する電圧出力回路と、
を含むことを特徴とする温度検出回路。
【請求項３】
請求項２に記載の温度検出回路であって、
前記バイアス電流回路は、
前記降伏電圧に応じた電圧を分圧する分圧回路と、
前記分圧回路の分圧電圧のレベルを調整するための端子と、
温度の上昇に応じて前記分圧電圧が所定のしきい値電圧となるとオンし、温度の上昇に応じて前記分圧電圧と前記所定のしきい値電圧との差が大きくなるにつれてオン抵抗が小さくなるトランジスタと、
前記トランジスタがオンされると生成され、前記オン抵抗が小さくなるにつれて大きくなる電流を前記バイアス電流として出力する電流出力回路と、
を含むことを特徴とする温度検出回路。
【請求項４】
負荷を駆動するパワートランジスタと、
定電流を生成する定電流回路と、前記定電流が供給されると温度に応じて変化する降伏電圧を生成するツェナーダイオードと、前記降伏電圧と所定電圧との大小関係に基づいて、前記ツェナーダイオードの温度が、前記降伏電圧が前記所定電圧となる際の前記ツェナーダイオードの温度より高いか否かを示す信号を出力する信号出力回路と、を含む集積回路と、
前記パワートランジスタ及び前記集積回路が実装される絶縁金属基板と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置であって、
前記集積回路は、
前記パワートランジスタを駆動する駆動回路を更に含むこと、
を特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度検出回路、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器等の温度を検出するためには、例えばサーミスタが用いられることがある。しかしながら、一般的なサーミスタの製造バラツキは大きいため、精度よく温度を検出するためには、製造バラツキが小さく高価なサーミスタを用いる必要がある。このため、例えば、電子機器の温度を検出する際には、電子機器に搭載される集積回路にショットキーダイオードを製造し、ショットキーダイオードに流れる逆方向電流に基づいて温度検出することがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００４／０１７５０７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ショットキーダイオードに流れる逆方向電流に基づいて温度を検出する際には、逆方向電流の電流値が小さいと、例えば逆方向電流がノイズ等の影響を受け易くなる。このため、一般的に逆方向電流の電流値は、ノイズ等の影響を受けない程度に大きく設定される必要がある。しかしながら、逆方向電流は温度が上昇するにつれて増加するため、ショットキーダイオードに熱暴走が発生し易くなる。
【０００５】
本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、安価で安定して温度を検出できる温度検出回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一つの側面に係る温度検出回路は、定電流を生成する定電流回路と、前記定電流が供給されると、温度に応じて変化する降伏電圧を生成するツェナーダイオードと、前記降伏電圧と所定電圧との大小関係に基づいて、前記ツェナーダイオードの温度が、前記降伏電圧が前記所定電圧となる際の前記ツェナーダイオードの温度より高いか否かを示す出力信号を出力する信号出力回路と、を備える。
【発明の効果】
【０００７】
安価で安定して温度を検出できる温度検出回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態であるハイブリッドＩＣ１０の構成を示す図である。
【図２】ハイブリッドＩＣ１０の平面図である。
【図３】温度検出回路７８の構成を示す図である。
【図４】温度検出回路７８の動作を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本明細書および添付図面の記載により、少なくとも以下の事項が明らかとなる。
【００１０】
図１は、本発明の一実施形態であるハイブリッドＩＣ（Hybrid Integrated Circuit：混成集積回路）１０の構成を示す図であり、図２はハイブリッドＩＣ１０の平面図である。ハイブリッドＩＣ１０（半導体装置）は、例えば、オーディオ機器（不図示）のスピーカ１５，１６を駆動するための回路であり、絶縁金属基板２０、プリドライバＩＣ３０、抵抗３２、ＰＭＯＳトランジスタ３５，３６、及びＮＭＯＳトランジスタ３７，３８を含んで構成される。なお、完成されたハイブリッドＩＣ１０は、パッケージ（不図示）に格納されるが、ここではハイブリッドＩＣ１０の構造を容易に理解できるよう、パッケージは省略されている。
【００１１】
スピーカ１５は、例えば、右側の音声信号Ｖｉｎ１を再生し、スピーカ１６は、例えば、左側の音声信号Ｖｉｎ２を再生する。
【００１２】
絶縁金属基板２０は、例えば、アルミ板の上に絶縁層が設けられた基板であり、プリドライバＩＣ３０、抵抗３２、ＰＭＯＳトランジスタ３５，３６、及びＮＭＯＳトランジスタ３７，３８が表面に実装される。また、絶縁金属基板２０は、端子４０〜４８を含み、端子４０〜４８は、例えば絶縁金属基板２０の表面に設けられた銅のパターン配線（不図示）やワイヤボンディング等（不図示）を介して、プリドライバＩＣ３０等に接続される。
【００１３】
端子４０には、プリドライバＩＣ３０等を動作させるための正電源Ｖｄｄが印加される。端子４１には、プリドライバＩＣ３０等を動作させるための負電源−Ｖｄｄが印加される。端子４２には、０（ゼロ）Ｖとなるグランド電圧ＧＮＤが印加される。  
端子４３には、例えば、オーディオ機器を統括制御するマイコン（不図示）から、プリドライバＩＣ３０の起動、停止を制御する制御信号が入力される。  
端子４４には、例えば、音声信号を生成するオーディオ回路（不図示）から、スピーカ１５で再生するための音声信号Ｖｉｎ１が入力される。端子４５には、例えば、オーディオ回路（不図示）から、スピーカ１６で再生するための音声信号Ｖｉｎ２が入力される。  
端子４６からは、スピーカ１５を駆動するための駆動信号Ｖｏ１が出力される。端子４７からは、スピーカ１６を駆動するための駆動信号Ｖｏ２が出力される。  
端子４８からは、プリドライバＩＣ３０の温度に応じた温度電圧Ｖｔが出力される。
【００１４】
プリドライバＩＣ３０は、音声信号Ｖｉｎ１に応じてＰＭＯＳトランジスタ３５、ＮＭＯＳトランジスタ３７を駆動するとともに、音声信号Ｖｉｎ２に応じてＰＭＯＳトランジスタ３６、ＮＭＯＳトランジスタ３８を駆動する。また、プリドライバＩＣ３０は、プリドライバＩＣ３０の温度が所定の温度より高いか否かを示す温度電圧Ｖｔを出力し、端子６０〜７２、起動回路７５、駆動回路７６，７７、及び温度検出回路７８を含んで構成される。
【００１５】
端子６０は、端子４０に接続され、正電源Ｖｄｄが印加される。端子６１は、端子４１に接続され、負電源−Ｖｄｄが印加される。端子６２は、端子４２に接続され、グランド電圧ＧＮＤが印加される。なお、正電源Ｖｄｄ、負電源−Ｖｄｄ、グランド電圧ＧＮＤは、起動回路７５、駆動回路７６，７７、及び温度検出回路７８の夫々に供給される。
【００１６】
端子６３は、端子４３に接続され、制御信号が入力される。端子６４は端子４４に接続され、音声信号Ｖｉｎ１が入力される。端子６５は端子４５に接続され、音声信号Ｖｉｎ２が入力される。
【００１７】
端子６６は、ＰＭＯＳトランジスタ３５のゲートに接続され、端子６７は、ＮＭＯＳトランジスタ３７のゲートに接続される。また、端子６８は、ＰＭＯＳトランジスタ３６のゲートに接続され、端子６９は、ＮＭＯＳトランジスタ３８のゲートに接続される。
【００１８】
起動回路７５は、端子６３を介して入力される制御信号に基づいて、駆動回路６１，６２、温度検出回路６３の起動、停止を制御する。
【００１９】
駆動回路７６は、端子６４を介して音声信号Ｖｉｎ１が入力されると、スピーカ１５から音声信号Ｖｉｎ１に応じた音声が再生されるよう、ＰＭＯＳトランジスタ３５、ＮＭＯＳトランジスタ３７を駆動する。具体的には、駆動回路７６は、音声信号Ｖｉｎ１に基づいてＰＭＯＳトランジスタ３５を駆動する駆動信号Ｖｄｒ１を端子６６に出力し、ＮＭＯＳトランジスタ３７を駆動する駆動信号Ｖｄｒ２を端子６７に出力する。
【００２０】
駆動回路７７は、端子６５を介して音声信号Ｖｉｎ２が入力されると、スピーカ１６から音声信号Ｖｉｎ２に応じた音声が再生されるよう、ＰＭＯＳトランジスタ３６、ＮＭＯＳトランジスタ３８を駆動する。具体的には、駆動回路７７は、音声信号Ｖｉｎ２に基づいてＰＭＯＳトランジスタ３６を駆動する駆動信号Ｖｄｒ３を端子６８に出力し、ＮＭＯＳトランジスタ３８を駆動する駆動信号Ｖｄｒ４を端子６９に出力する。
【００２１】
温度検出回路７８は、プリドライバＩＣ３０の温度が所定の温度Ｔ１より高いか否かを示す温度電圧Ｖｔを端子７０に出力する。なお、端子７０は、端子４８に接続されるため、前述のように、端子４８からは温度電圧Ｖｔが出力されることとなる。また、端子７１と端子７２との間には、プリドライバＩＣ３０の外部に設けられた抵抗３２が接続される。なお、温度検出回路７８の詳細は後述するが、本実施形態では、抵抗３２に抵抗値に応じて前述の所定の温度Ｔ１が変化する。
【００２２】
ＰＭＯＳトランジスタ３５、ＮＭＯＳトランジスタ３７の夫々は、駆動信号Ｖｄｒ１，Ｖｄｒ２に応じた駆動信号Ｖｏ１を端子４６に出力し、スピーカ１５を駆動する。
【００２３】
ＰＭＯＳトランジスタ３６、ＮＭＯＳトランジスタ３８の夫々は、駆動信号Ｖｄｒ３，Ｖｄｒ４に応じた駆動信号Ｖｏ２を端子４７に出力してスピーカ１６を駆動する。なお、ＰＭＯＳトランジスタ３５，３６、ＮＭＯＳトランジスタ３７，３８は、いわゆる、パワーＭＯＳトランジスタである。
【００２４】
＝＝温度検出回路７８の構成＝＝
ここで、温度検出回路７８の詳細について、図３を参照しつつ説明する。温度検出回路７８は、定電流回路９０、ツェナーダイオード１００〜１０２、ＮＭＯＳトランジスタ１１０〜１１２、ＰＭＯＳトランジスタ１１５，１１６、及び抵抗１２０〜１２５を含んで構成される。なお、ツェナーダイオード１０１，１０２、ＮＭＯＳトランジスタ１１０〜１１２、ＰＭＯＳトランジスタ１１５，１１６、及び抵抗１２０〜１２５は信号出力回路に相当し、ＮＭＯＳトランジスタ１１０，１１１、ＰＭＯＳトランジスタ１１５，１１６、及び抵抗１２０〜１２３はバイアス電流回路に相当する。また、ツェナーダイオード１０１，１０２、ＮＭＯＳトランジスタ１１２、抵抗１２４，１２５は電圧出力回路に相当する。
【００２５】
定電流回路９０は、所定の電流Ｉｂ１を生成し、ツェナーダイオード１００に供給する。
【００２６】
ツェナーダイオード１００は、電流Ｉｂ１が供給されると、温度に応じて変化する降伏電圧Ｖｚ（いわゆる、ツェナー電圧）を生成する。なお、本実施形態の降伏電圧Ｖｚの温度係数は、例えば正であることとする。
【００２７】
ＮＭＯＳトランジスタ１１０のゲートは、ツェナーダイオード１００のカソードに接続され、ＮＭＯＳトランジスタ１１０のソースには、直列接続された抵抗１２０，１２１が接続される。また、ＮＭＯＳトランジスタ１１０のソース及び抵抗１２０の一端は、端子７１に接続され、抵抗１２０の他端は端子７２に接続される。端子７１，７２の間には、プリドライバＩＣ３０の外部に設けられた抵抗３２が接続されている。このため、抵抗３２，１２０，１２１は、ＮＭＯＳトランジスタ１１０のソースの電圧を分圧する分圧回路となる。なお、本実施形態では、抵抗１２０，１２１が接続されるノードの電圧、すなわち、抵抗３２，１２０，１２１からなる分圧回路の分圧電圧を電圧Ｖａ１とする。このため、電圧Ｖａ１は、ＮＭＯＳトランジスタ１１０の電流Ｉｂ２が増加に応じて高くなる。
【００２８】
ＮＭＯＳトランジスタ１１１のゲートは、抵抗１２０の他端と、抵抗１２１の一端と、端子７２とに接続されるため、電圧Ｖａ１が印加される。また、ＮＭＯＳトランジスタ１１１のドレインには、ダイオード接続されたＰＭＯＳトランジスタ１１５が接続される。ＰＭＯＳトランジスタ１１５のソースには、いわゆるソース抵抗として抵抗１２２が接続される。また、ＰＭＯＳトランジスタ１１５のゲートは、ＰＭＯＳトランジスタ１１６のゲートに接続され、ＰＭＯＳトランジスタ１１６のソースには、抵抗１２２と同様のソース抵抗である抵抗１２３が接続される。このため、ＰＭＯＳトランジスタ１１５，１１６はカレントミラー回路を構成する。なお、ここでは、ＰＭＯＳトランジスタ１１５に流れる電流を電流Ｉｂ３とし、ＰＭＯＳトランジスタ１１６に流れる電流を電流Ｉｂ４とする。
【００２９】
ＰＭＯＳトランジスタ１１６のドレインと、グランドＧＮＤとの間には、ツェナーダイオード１０１，１０２、抵抗１２４が接続される。ツェナーダイオード１０１のアノードは、ＰＭＯＳトランジスタ１１６のドレインに接続され、ツェナーダイオード１０１のカソードは、ツェナーダイオード１０２のカソードに接続される。また、ツェナーダイオード１０２のアノードは、グランドＧＮＤに接続される。このため、ツェナーダイオード１０１，１０２は、ＰＭＯＳトランジスタ１１６のドレインの電圧Ｖａ２をクランプするクランプ回路として動作する。具体的には、ツェナーダイオード１０１，１０２は、電圧Ｖａ２を、グランドＧＮＤを基準として、ツェナーダイオード１０１の順方向電圧と、ツェナーダイオード１０２の降伏電圧との和の電圧より高くならないようクランプする。
【００３０】
ＮＭＯＳトランジスタ１１２のゲートは、ＰＭＯＳトランジスタ１１６のドレインに接続されるため、ＮＭＯＳトランジスタ１１２のゲートには電圧Ｖａ２が印加される。このため、ＮＭＯＳトランジスタ１１２に流れる電流Ｉｂ５は、電圧Ｖａ２に応じて変化する。また、ＮＭＯＳトランジスタ１１２のソースと、グランドＧＮＤとの間には抵抗１２５が接続される。このため、抵抗１２５の一端には、電流Ｉｂ５と抵抗１２５の抵抗値との積で定まる電圧が生成される。なお、本実施形態では、抵抗１２５の電圧を温度電圧Ｖｔとする。
【００３１】
また、本実施形態では、抵抗１２０，１２１が分圧回路に相当し、ＮＭＯＳトランジスタ１１１がトランジスタに相当し、ＰＭＯＳトランジスタ１１５，１１６、及び抵抗１２２，１２３が電流出力回路に相当する。
【００３２】
＝＝温度検出回路７８の動作＝＝
ここで、図３、図４を参照しつつ、温度検出回路７８の動作について説明する。なお、ここでは、ＮＭＯＳトランジスタ１１０のゲート電圧が例えば、所定の電圧Ｖ１となるとＮＭＯＳトランジスタ１１１がオンするよう、抵抗３２，１２０，１２１が設計されていることとする。また、本実施形態では、プリドライバＩＣ３０の温度は、略均一であることとする。さらに、ツェナーダイオード１００が温度Ｔ１（＞２５℃）となる際に、降伏電圧Ｖｚは電圧Ｖ１となることとする。
【００３３】
例えば、ツェナーダイオード１００の温度、すなわち、プリドライバＩＣ３０の温度が常温の２５℃である場合、降伏電圧Ｖｚは、前述の電圧Ｖ１より低い。このため、ＮＭＯＳトランジスタ１１１のゲート−ソース電圧は、ＮＭＯＳトランジスタ１１１のしきい値電圧よりも低く、ＮＭＯＳトランジスタ１１１はオフしている。このため、電流Ｉｂ３，Ｉｂ４はゼロであり、電圧Ｖａ２も０Ｖとなる。したがって、ＮＭＯＳトランジスタ１１２はオフするため、温度電圧Ｖｔは０Ｖとなる。
【００３４】
そして、プリドライバＩＣ３０の温度が上昇して温度Ｔ１となると、ＮＭＯＳトランジスタ１１１はオンする。この結果、電流Ｉｂ３，Ｉｂ４は生成される。そして、電流Ｉｂ４が抵抗１２４に供給されると、電圧Ｖａ２は増加する。なお、本実施形態では、電流Ｉｂ４が生成されて抵抗１２４に供給された際の電圧Ｖａ２は、ＮＭＯＳトランジスタ１１２のしきい値よりも大きくなるよう、抵抗１２４の抵抗値が設計されている。このため、温度電圧Ｖｔは０Ｖより高くなる。
【００３５】
また、プリドライバＩＣ３０の温度が温度Ｔ１より高くなると、降伏電圧Ｖｚも電圧Ｖ１よりさらに高くなり、電圧Ｖａ１も上昇する。このため、ＮＭＯＳトランジスタ１１１のオン抵抗は小さくなり、電流Ｉｂ３，Ｉｂ４も増加し、電圧Ｖａ２も高くなる。したがって、電流Ｉｂ５も増加し、温度電圧Ｖｔも徐々に高くなる。ただし、電圧Ｖａ２は、前述のように、ツェナーダイオード１０１の順方向電圧と、ツェナーダイオード１０２の降伏電圧との和の電圧でクランプされる。このため、電圧Ｖａ２がクランプされると、温度電圧Ｖｔも同様にクランプされる。なお、電圧Ｖａ２がクランプされる際の温度は、例えば温度Ｔ２であるとする。
【００３６】
このように、温度検出回路７８は、プリドライバＩＣ３０の温度が温度Ｔ１より低い場合は温度電圧Ｖｔをゼロとし、温度Ｔ１となると徐々に温度電圧Ｖｔを上昇させる。そして、プリドライバＩＣ３０の温度が温度Ｔ２となると、温度検出回路７８は温度電圧Ｖｔの上昇を停止させる。したがって、温度電圧Ｖｔを、例えばマイコン（不図示）に供給することにより、マイコンに、プリドライバＩＣ３０の温度が、温度Ｔ１より低いか、温度Ｔ１〜Ｔ２の範囲内であるか、温度Ｔ２より高いか等を判定させることができる。
【００３７】
なお、抵抗１２４の抵抗値を大きくすると、図４の温度電圧Ｖｔの立ち上がりは急峻になり、抵抗１２４の抵抗値を小さくすると、温度電圧Ｖｔの立ち上がりは緩やかとなる。このため、例えば抵抗１２４の抵抗値を調整することにより、所望の立ち上がり波形を実現できる。  
また、温度電圧ＶｔをマイコンのＡＤコンバータ等（不図示）に入力させる際には、例えば、温度電圧Ｖｔがクランプされるレベルを、ＡＤコンバータのフルスケールより小さくすると良い。温度電圧Ｖｔの最大値がフルスケールより小さくなることにより、例えばＡＤコンバータは精度よく、温度電圧Ｖｔを処理することができる。
【００３８】
＝＝ハイブリッドＩＣ１０の動作＝＝
ここで、例えば、端子４６とグランドＧＮＤとの間に負荷短絡が生じた場合のハイブリッドＩＣ１０の動作について図１、４を適宜参照しつつ説明する。なお、ハイブリッドＩＣ１０におけるプリドライバＩＣ３０の発熱は、例えばＰＭＯＳトランジスタ３５等のパワーＭＯＳトランジスタの発熱より十分小さい。また、スピーカ１５が通常駆動されている際のＰＭＯＳトランジスタ３５等の発熱は、負荷短絡が生じた際のＰＭＯＳトランジスタ３５等の発熱より十分小さいこととする。前述のように、ＰＭＯＳトランジスタ３５やプリドライバＩＣ３０は、絶縁金属基板２０の上に実装されており、絶縁金属基板２０はアルミ板であるため熱伝導が良い。このため、プリドライバＩＣ３０の温度は、ＰＭＯＳトランジスタ３５等の温度に応じて上昇する。ここで、本実施形態では、前述の温度Ｔ１を、スピーカ１５，１６が通常通り駆動されている際のプリドライバＩＣ３０の温度よりも高く、負荷短絡が生じた際のプリドライバＩＣ３０の温度よりも低くなるよう設定している。
【００３９】
まず、プリドライバＩＣ３０が起動され、スピーカ１５，１６が音声信号Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２に応じて駆動されている場合、プリドライバＩＣ３０の温度は温度Ｔ１より低い。このため、この場合においては、温度電圧Ｖｔは０Ｖとなる。
【００４０】
一方、例えば、端子４６とグランドＧＮＤとの間に負荷短絡が生じると、端子４６の電圧がほぼ０Ｖとなるため、スピーカ１５を駆動しているＰＭＯＳトランジスタ３５、ＮＭＯＳトランジスタ３７からは非常に大きな電流が流れる。したがって、ＰＭＯＳトランジスタ３５、ＮＭＯＳトランジスタ３７の発熱は増加し、プリドライバＩＣ３０の温度も上昇する。そして、プリドライバＩＣ３０の温度が温度Ｔ１より高くなると、温度電圧Ｖｔは０Ｖから上昇する。このように、例えば、端子４８から出力される温度電圧Ｖｔのレベルを判定することにより、ハイブリッドＩＣ１０の内部温度上昇に関する情報を得ることができる。
【００４１】
以上、本実施形態のハイブリッドＩＣ１０について説明した。温度検出回路７８におけるツェナーダイオード１００は、定電流回路９０からの電流Ｉｂ１が供給されると、温度の上昇に応じて高くなる降伏電圧Ｖｚを生成する。そして、ツェナーダイオード１００の温度が温度Ｔ１となることにより降伏電圧Ｖｚが所定の電圧Ｖ１となると、温度電圧Ｖｔは０Ｖから上昇する。例えば、特許文献１には、ショットキーダイオードの逆方向電流に基づいて温度検出する方法が開示されているが、逆方向電流は温度に応じて増加する。このため、ショットキーダイオードは熱暴走することがある。しかしながら、温度検出回路７８では、温度が上昇した際にもツェナーダイオード１００に供給される電流は、常に所定の電流値の電流Ｉｂ１である。このため、温度検出回路７８は温度が上昇した際も安定に動作する。さらに、温度検出回路７８は、高価なサーミスタ等を用いていないため安価である。つまり、温度検出回路７８は、安価で安定して温度を検出することができる。
【００４２】
また、温度検出回路７８では、電流Ｉｂ４は、降伏電圧Ｖｚが電圧Ｖ１となると生成され、降伏電圧Ｖｚと電圧Ｖ１との差が大きくなるにつれて増加する。そして、抵抗１２５には、電流Ｉｂ４に応じた温度電圧Ｖｔが生成される。このため、例えば、図４に示すように、温度電圧Ｖｔは、緩やかに上昇することとなる。したがって、例えば、温度電圧Ｖｔのレベルと、所定レベルの電圧とを比較することにより、温度Ｔ１より高く、所定レベルの電圧に応じた温度を検出することができる。
【００４３】
また、抵抗１２０の両端には、端子７１，７２が設けられている。端子７１，７２に抵抗３２が接続される抵抗３２の抵抗値に応じて、分圧電圧である電圧Ｖａ２のレベルは変化する。例えば、抵抗３２の抵抗値を大きくすると、ＮＭＯＳトランジスタ１１０のゲート電圧が電圧Ｖ１の際であっても、ＮＭＯＳトランジスタ１１１がオンしなくなる。そして、ＮＭＯＳトランジスタ１１０のゲート電圧が電圧Ｖ１より高い所定の値となると、ＮＭＯＳトランジスタ１１１がオンする。つまり、所定の電圧Ｖ１が高いレベルへとシフトされることとなる。このように、抵抗１２０の両端に、端子７１，７２を設けることにより、温度検出回路７８が検出する温度Ｔ１を自由に変更できる。
【００４４】
また、温度検出回路７８が含まれるプリドライバＩＣ３０と、発熱量の大きいパワーＭＯＳトランジスタ（例えば、ＰＭＯＳトランジスタ３５等）は、絶縁金属基板２０に実装されている。絶縁金属基板２０の熱伝導は良いため、このような構成とすることで、精度よくパワーＭＯＳトランジスタ等の発熱素子の温度上昇を検出することができる。
【００４５】
また、温度検出回路７８は、駆動回路７６，７７が含まれるプリドライバＩＣ３０に設けられている。一般に、プリドライバＩＣ３０は、駆動するパワーＭＯＳトランジスタの全てを効率良く駆動できるような絶縁金属基板２０上の位置に設けられている。このため、プリドライバＩＣ３０は、駆動するパワーＭＯＳトランジスタ夫々からの発熱を偏りなく検出できる。
【００４６】
なお、上記実施例は本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物も含まれる。
【００４７】
例えば、降伏電圧Ｖｚと、所定の電圧Ｖ１とを比較するコンパレータ（不図示）を用いると、コンパレータの出力は、温度Ｔ１となると反転する。したがって、温度検出回路７８の代わりに、定電流回路９０、ツェナーダイオード１００、及びコンパレータ（不図示）を用いても温度Ｔ１を検出することはできる。
【００４８】
また、ハイブリッドＩＣ１０が、例えば、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）、やＤ級アンプの変調回路等の他の集積回路を含む場合、温度検出回路７８は、ＤＳＰ等に設けられることとしても良い。  
また、絶縁金属基板２０には、例えば銅板上に絶縁層を設けた基板を用いても良い。
【符号の説明】
【００４９】
１０  ハイブリッドＩＣ
１５，１６  スピーカ
２０  絶縁金属基板
３０  プリドライバＩＣ
３２，１２０〜１２５  抵抗
３５，３６，１１５，１１６  ＰＭＯＳトランジスタ
３７，３８，１１０〜１１２  ＮＭＯＳトランジスタ
４０〜４８，６０〜７２  端子
７５  起動回路
７６，７７  駆動回路
７８  温度検出回路
９０  定電流回路
１００〜１０２  ツェナーダイオード
【図１】
2011133439.tif 000003
【図２】
2011133439.tif 000004
【図３】
2011133439.tif 000005
【図４】
2011133439.tif 000006