(57)【要約】【課題】十分なコントラストが得られる表示装置を提供すること。【解決手段】本発明に係る表示装置によれば、間隙Ｄにおいて、容量線７７と走査線１１とが重ねて構成されているため、２本の配線の重なり分、反射電極９間における配線が占める割合を小さくすることができる。詳しくは、Ｘ軸方向における間隙Ｄに露出する配線を容量線７７のみとすることができる。よって、間隙Ｄにおいて配線によって反射される光量が減るため、表示コントラストを高めることが可能となり、所期の表示コントラストを得ることができる。【選択図】図３
2011133604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板上に形成された複数の走査線と、
前記走査線と交差する複数のデータ線と、
前記複数の走査線、または前記複数のデータ線の延在方向に沿って形成された複数の容量線と、
前記複数の走査線、前記複数のデータ線、および前記複数の容量線の上層において、前記走査線と前記データ線とが交差する交差点ごとに配置された反射電極と、を少なくとも備え、
隣り合う前記反射電極間において、前記走査線と前記容量線の一部、または、前記データ線と前記容量線の一部が重ねて配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記走査線と前記容量線、または、前記データ線と前記容量線による２本の配線のうち、いずれか一方の前記配線は、前記反射電極側に配置されてなり、
いずれか他方の前記配線は、前記一方の配線の下層側に配置されるとともに、前記一方の配線に覆われていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記配線は、前記反射電極と重なる領域における配線幅よりも、前記反射電極間における前記配線幅の方が細く形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記透明基板は、石英基板、またはサファイア基板であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記透明基板における前記反射電極の反対側に、前記反射電極間を透過した光を吸収するための光吸収体をさらに備え、
前記光吸収体は、前記透明基板と離間して配置されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記反射電極間に露出する前記配線の表面には、反射防止膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記反射防止膜は、窒化チタンからなることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記反射電極の表面には、高屈折材料からなる増反射膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記高屈折材料は、窒化シリコン、または二酸化チタンであることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一例である反射型の液晶装置（表示装置）は、その構成上、透過型の液晶装置よりも、光の有効利用が高く、格子感が少ない画像表示が可能であるため、プロジェクターの光変調手段（ライトバルブ）として多用されている。
一般的な反射型の表示装置は、シリコン基板（素子基板）上に、各画素を走査駆動するためのスイッチングトランジスターなどの回路素子を含む回路層、走査線や、データ線などの配線層、複数の反射電極がマトリックス状に配置された反射電極層が、この順番で積層された積層構成となっていた。また、回路素子の一部は、隣り合う反射電極の間にも形成されていた。
そして、シリコン基板と対向する対向基板を備えており、複数の反射電極と、対向基板に形成された透明な共通電極との間に挟持された液晶層の透過率を調整して、表示を行っていた。詳しくは、対向基板から入射した光のうち、当該透過率に応じて透過した光を反射電極で反射することにより表示を行っていた。
【０００３】
このような表示装置では、対向基板から入射した光のうち、反射電極間に入射する光の処理が問題となっていた。具体的には、反射電極間に入射した光が屈折や反射を繰り返して回路層まで到達すると、当該光（迷光）によるトランジスターの誤動作を誘発するからである。
この問題に対して、シリコン基板上の積層構造において、反射電極間の下層に光吸収作用を有する金属などからなる光吸収層を設けて、反射電極間に入射した光を吸収する技術が知られていた。
【０００４】
しかし、この技術では、積層構造が複雑となってしまうという問題があった。また、反射電極間に入射した光を光吸収層で吸収しきれなかった場合には、迷光がシリコン基板にまで到達してしまうことも想定された。シリコン基板は、可視光領域で高い反射率を有しているため、当該基板によって迷光が反射して、トランジスターの誤動作を誘発することも想定された。
【０００５】
これらの問題を鑑み、発明者等は、特許文献１の構成を提案している。詳しくは、素子基板を透明基板で構成するとともに、反射電極によって回路素子が覆れるように、回路素子を反射電極の下層に配置する構成としている。また、素子基板の背面には、光吸収体を接着している。
この構成によれば、反射電極間に入射した光は、そのまま透明な素子基板を透過して、光吸収体に吸収されるため、迷光の発生が抑制され、誤動作を防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１０２３９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の構成では、迷光による誤動作は抑制できても、十分なコントラストを得ることが困難であるという課題があった。
詳しくは、特許文献１の平面構成を示した図８に示すように、縦方向（Ｙ軸方向）に隣り合う反射電極９間（間隙Ｄ）にはデータ線６が１本介在するとともに、横方向（Ｘ軸方向）に隣り合う反射電極９間には走査線１１と、容量線７７との２本の配線が介在していた。つまり、横方向における左右の間隙Ｄには、それぞれ２本の配線が介在しているため、縦方向の間隙Ｄよりも、配線が占める割合（面積）が多くなっていた。
そして、これらの配線（ドットハッチング部分）によって反射された光が、反射電極９で反射された表示光の間隙に介在することになるため、表示コントラストが低下してしまうという課題があった。
特に、小型、かつ高精細が求められるライトバルブ用途においては、反射電極９のサイズは小さくなるが、配線抵抗との兼ね合い上、配線の微細化には限界があるため、間隙Ｄに占める配線の割合が無視できないレベルとなってきており、コントラスト低下の要因となっていた。
【０００８】
また、従来の表示装置では、過熱により表示装置が劣化してしまうという課題もあった。これは、小型化された表示装置に、放電型ランプなどの高輝度の光を照射するため、反射し切れない光が熱に変換されて、表示装置が熱せられるからである。
特に、反射電極間に入射した光のうち、素子基板の背面の光吸収体に到達した光は、その略全てが熱となり、光吸収体、および当該光吸収体と接着されている表示装置全体が熱せられてしまっていた。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例又は形態として実現することが可能である。
【００１０】
（適用例）
透明基板と、透明基板上に形成された複数の走査線と、走査線と交差する複数のデータ線と、複数の走査線、または複数のデータ線の延在方向に沿って形成された複数の容量線と、複数の走査線、複数のデータ線、および複数の容量線の上層において、走査線とデータ線とが交差する交差点ごとに配置された反射電極と、を少なくとも備え、隣り合う反射電極間において、走査線と容量線の一部、または、データ線と容量線の一部が重ねて配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【００１１】
この電気光学装置によれば、反射電極間において、走査線と容量線の一部、または、データ線と容量線の一部が重ねて配置されているため、２本の配線の重なり分、従来の表示装置よりも、反射電極間における配線が占める割合を小さくすることができる。
よって、配線により反射電極間で反射される光量が減るため、従来の表示装置よりも、表示コントラストを高めることが可能となり、所期の表示コントラストを得ることができる。
従って、十分なコントラストが得られる電気光学装置を提供することができる。
【００１２】
また、走査線と容量線、または、データ線と容量線による２本の配線のうち、いずれか一方の配線は、反射電極側に配置されてなり、いずれか他方の配線は、一方の配線の下層側に配置されるとともに、一方の配線に覆われていることが好ましい。
また、配線は、反射電極と重なる領域における配線幅よりも、反射電極間における配線幅の方が細く形成されていることが好ましい。
また、透明基板は、石英基板、またはサファイア基板であることが好ましい。
また、透明基板における反射電極の反対側に、反射電極間を透過した光を吸収するための光吸収体をさらに備え、光吸収体は、透明基板と離間して配置されていることが好ましい。
【００１３】
また、反射電極間に露出する配線の表面には、反射防止膜が形成されていることが好ましい。
また、反射防止膜は、窒化チタンからなることが好ましい。
また、反射電極の表面には、高屈折材料からなる増反射膜が形成されていることが好ましい。
また、高屈折材料は、窒化シリコン、または二酸化チタンであることが好ましい。
【００１４】
上記記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）実施形態１に係る表示装置の平面図、（ｂ）（ａ）のｊ−ｊ断面における側断面図。
【図２】画素回路の一態様を示す画素回路図。
【図３】表示パネルにおける画素部の拡大平面図。
【図４】図３のｋ−ｋ断面における側断面図。
【図５】（ａ）実施形態２に係る表示装置の反射電極近傍の拡大側断面図、（ｂ）データ線近傍の拡大側断面図。
【図６】電子機器としてのプロジェクターの平面図。
【図７】（ａ）変形例１に係る表示パネルにおける画素部の拡大平面図、（ｂ）（ａ）におけるｍ部の拡大図。
【図８】従来の表示装置における画素部の拡大平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００１７】
（実施形態１）
「表示装置の概要」
図１（ａ）は実施形態１に係る表示装置の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のｊ−ｊ断面における側断面である。
まず、本実施形態に係る電気光学装置としての表示装置１２０の全体構成について説明する。
【００１８】
表示装置１２０は、対向基板２０側から入射する光（照明光）を素子基板１０側に配置された複数の反射電極９で反射し、液晶層５０でデータ信号に応じて変調された変調光を対向基板２０側から出射する反射式の液晶表示装置である。
図１（ｂ）に示すように、表示装置１２０は、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０を挟持した表示パネル１００と、当該パネルの背面側（素子基板１０側）に、間隙を持って配置された光吸収体１１０とから構成されている。
透明基板としての素子基板１０は、好適例として石英基板を用いている。なお、石英基板に限定するものではなく、可視光領域において透明性を有する基板であれば良い。
対向基板２０は、好適例として無アルカリガラスを用いている。なお、この構成に限定するものではなく、素子基板１０、および対向基板２０ともに、可視光領域において透明性を有する基板であれば良い。
【００１９】
素子基板１０と対向基板２０との間には、電気光学層としての液晶層５０が封入されており、その周縁部が紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂などからなるシール材５２により接着されている。なお、シール材５２中には、素子基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバーや、ガラスビーズなどのギャップ材（図示せず）が散布されている。
液晶層５０は、好適例として、一種、または数種類のネマティック液晶を混合した誘電率異方性が負の液晶を用いている。当該液晶は、電圧がかかっていない状態で液晶分子が垂直に配列し、電圧が印加されると液晶分子が寝た状態になるネガ液晶であれば、一種類からなるものでも良いし、複数種の液晶を混合したものでも良い。なお、ネガ液晶を用いることに限定するものではなく、ポジ液晶を用いても良い。換言すれば、ノーマリーブラックモードに限定するものではなく、ノーマリーホワイトモードであっても良い。
また、液晶モードも、ＶＡ（Vertically Aligned）モードに限定するものではなく、ＴＮ（Twisted Nematic）モードや、ＩＰＳ(in-plane switching)モードなどの各種動作モードを用いても良い。
【００２０】
対向基板２０には、シール材５２が配置されたシール領域の内側に沿って、表示領域Ｖの見切りを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が設けられている。
また、素子基板１０の一辺は、対向基板２０から張出しており、当該張出した領域（以降、「張出領域」という）には、データ線駆動回路１０１と、外部回路接続端子１０２とが形成されている。
また、表示領域Ｖの外側で、かつシール材５２の内側の領域には、サンプリング回路７と、２つの走査線駆動回路１０４とが形成されている。換言すれば、サンプリング回路７、および２つの走査線駆動回路１０４は、額縁遮光膜５３に重ねて配置されている。
サンプリング回路７は、張出領域側の辺に沿って設けられている。また、２つの走査線駆動回路１０４は、サンプリング回路７と隣接する２辺に沿って表示領域Ｖを挟むようにそれぞれ配置されている。なお、２つの走査線駆動回路１０４は、それぞれシール材５２の外側の領域に形成しても良い。
【００２１】
さらに、表示領域Ｖの両側に設けられた２つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、素子基板１０の残る一辺に沿って、かつ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線（図示せず）が設けられている。
また、シール材５２の外周における４つのコーナーには、素子基板１０と対向基板２０との間の上下導通を取るための上下導通部１０６が配置されている。上下導通部１０６には、例えば、異方性導電材料が用いられており、当該異方性導電材料を挟むように配置された各基板の配線間の電気的な導通が取られている。
また、素子基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通部１０６などとを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００２２】
ここで、図１（ａ）にて横長の長方形をなした表示領域Ｖには、画像を形成する複数の画素がマトリックス状に形成されている。
なお、図１を含む各図においては、横長の長方形をなした表示領域Ｖにおける横方向をＸ軸方向とし、当該方向と交差する縦方向をＹ軸方向と定義している。また、表示装置１２０の厚さ方向をＺ軸方向としている。また、素子基板１０から対向基板２０に向かうＺ軸（＋）方向を上層（上側、上方）とし、その反対方向Ｚ軸（−）方向を下層（下側、下方）としている。
【００２３】
図１（ｂ）の素子基板１０上において、各画素は、マトリックス状に配置された反射電極９を最上層として、画素スイッチング用のトランジスター（Thin Film Transistor）や、走査線、データ線、層間絶縁膜などを積層した積層構造となっている。
また、反射電極９上には、各反射電極上を覆って配向膜が形成されている。他方、対向基板２０の下側面には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電性材料からなる対向電極２１が複数の反射電極９と対向して略全面（共通）に形成されている。また、対向電極２１上にも配向膜が形成されている。
そして、液晶層５０は、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態を取ることになる。
なお、図示は省略するが、素子基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターンなどがさらに形成されていても良い。
【００２４】
図１（ｂ）において、光吸収体１１０は、表示パネル１００の下方において、当該パネルと離間した状態で独立して描かれているが、この構成に限定するものではなく、表示パネル１００と光吸収体１１０との間に間隙、換言すれば、空気層が介在する構成であれば良い。例えば、額縁状をなした樹脂製の支持枠（図示せず）によって、表示パネル１００と光吸収体１１０とが離間した状態で一体となっていても良い。
光吸収体１１０は、平面サイズが表示パネル１００と略同じサイズに形成されたシート部材であり、好適例としては、アルマイト処理を施した黒色のアルミニウム板を用いている。なお、この材料に限定するものではなく、可視光の吸収性に優れ、熱伝導率が高い材料であれば良い。例えば、光吸収性の高い黒色塗装を施したガラス基板を用いても良い。
また、平面サイズについても、表示領域Ｖ以上の大きさがあれば良く、さらに言えば、隣り合う反射電極９の間と重なる部分を覆う網状（格子状）の構成であっても良い。
【００２５】
「画素回路」
図２は、本実施形態に係る画素回路の一態様を示す画素回路図である。
次に、表示パネル１００の画素回路について説明する。
【００２６】
図２に示すように、表示パネル１００の表示領域Ｖには、複数の走査線１１がＸ軸方向に沿って延在している。複数の走査線１１と交差して、複数のデータ線６がＹ軸方向に沿って延在している。
また、複数の走査線１１の延在方向（Ｘ軸方向）に沿って複数の容量線７７が配線されている。なお、容量線７７は、データ線６の延在方向（Ｙ軸方向）に沿って配線されていても良い。
表示領域Ｖを形成する複数の画素の各々は、走査線１１とデータ線６とが交差する交差点ごとに形成されている。
【００２７】
各画素は、前述した反射電極９に加えて、トランジスター３０、および蓄積容量７０を備えている。なお、好適例として、トランジスター３０は、電界効果型のＮ型トランジスターを用いている。
各トランジスター３０において、ゲート端子は対応する走査線１１に接続され、ソース端子は対応するデータ線６に接続され、ドレイン端子は反射電極９、および蓄積容量７０の一端に接続されている。また、蓄積容量７０の他端は、対応する容量線７７に接続されている。
【００２８】
トランジスター３０は、走査線１１に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍによって選択されたタイミングで、データ線６のデータ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを対応する反射電極９に書き込む。つまり、走査線駆動回路１０４から各走査線１１に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍのタイミングに従って、各画素が線順次に選択される。
また、データ線駆動回路１０１およびサンプリング回路７からは、走査信号による各画素の選択と同期して、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが各データ線６に供給される。詳しくは、サンプリング回路７は、連続する６本のデータ線に対して、データ線駆動回路１０１から供給されるサンプリング信号のタイミングに従って、６つに相展開された画像信号を同時にサンプリングし、各データ線に供給する。なお、ここでは、好適例として６相の相展開駆動を行う場合について説明したが、これに限定するものではなく、定められたフレームレートで違和感なく、画像を表示可能な駆動方法であれば良い。
【００２９】
このようにして、反射電極９を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルのデータ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
また、書き込まれたデータ信号の電位を保持するために、反射電極９と対向電極２１との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に蓄積容量７０が形成されている。蓄積容量７０の他端は、所定の電位に設定された容量線７７に接続されている。
また、対向基板２０の対向電極２１（図１（ｂ））は、対向電極生成回路（図示せず）に接続されており、周期的に極性が反転する対向電圧が供給され、反転駆動が行われる。反転駆動としては、ライン反転駆動や、フレーム反転駆動、ドット反転駆動などを用いることができる。
【００３０】
「表示パネルの詳細な構成」
図３は、表示パネルにおける画素部の拡大平面図であり、図８に対応している。図４は、図３のｋ−ｋ断面における側断面図である。
ここでは、表示パネル１００の構成について詳細に説明する。
【００３１】
図３は、表示領域Ｖにおける任意の４画素近傍を拡大した透過平面図であり、各画素の反射電極９は、走査線１１とデータ線６とが交差する交差点ごとに形成されている。詳しくは、略正方形をなした反射電極９が、当該交差点を覆って形成されている。また、容量線７７は、走査線１１と同様にＸ軸方向に延在している。
ここで、実線で示された容量線７７と点線で示された走査線１１とが、重ねて形成されている。詳しくは、容量線７７の下層に走査線１１が形成されており、平面視において、容量線７７のみが観察される構成となっている。換言すれば、容量線７７のみが表示領域Ｖ側に露出する構成となっている。
これが、本実施形態における最大の特徴点であり、特に、Ｙ軸方向に沿った反射電極間においては、容量線７７のみが露出する構成となっている。
なお、図３は、透過平面図であるため、反射電極９を点線で示しているが、断面的には、図４に示すように、素子基板１０上に形成された積層構造の最上層（第４層）に反射電極９が位置している。
【００３２】
また、画素を構成するトランジスター３０や、蓄積容量７０は、反射電極９の下層に形成されている。換言すれば、トランジスター３０や、蓄積容量７０は、反射電極９に覆われている。
なお、図３を正対した場合において、１つの反射電極９の各辺を上辺９ａ、右辺９ｂ、下辺９ｃ、左辺９ｄとしたときに、走査線１１（容量線７７）は、上辺９ａに沿って、その近傍に配置されている。また、データ線６は、左辺９ｄに沿って、その近傍に配置されている。
蓄積容量７０は、横長の略長方形をなしており、その一部が走査線１１と重なるとともに、データ線６の右側（Ｘ軸（＋）側）に配置されている。換言すれば、反射電極９の中央から少し上寄り（Ｙ軸（＋）寄り）に配置されている。
トランジスター３０は、データ線６の右側に配置されており、データ線６からＸ軸（＋）側に分岐する分岐配線６ａの末端と、蓄積容量７０との間に配置されている。換言すれば、反射電極９の中央から左下側に配置されている。
【００３３】
以下、この構成を実現するための具体的な構成について詳しく説明する。
図４に示すように、当該積層構造は、素子基板１０上に、走査線１１を含む第１層、トランジスター３０や、容量線７７を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、反射電極９を含む第４層からなる４層構造となっている。
なお、以下説明する配線、回路素子、および絶縁膜などは、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、フォトリソ法、エッチング法などを単独、または組み合せることによって、形成することができる。
【００３４】
まず、第１層は、走査線１１、下地絶縁膜１２などから構成されている。
走査線１１は、素子基板１０上に形成された電気配線であり、好適例としてアルミニウム、またはアルミニウムを主体とした合金（アルミ合金）により形成されている。なお、この構成に限定するものではなく、所期の導電性が確保できる電気配線であれば良い。
例えば、アルミニウムと窒化チタンとをこの順番で積層した２層構造の配線であっても良い。窒化チタンは、遮光膜としても機能するため、走査線１１が平面的に容量線７７からはみ出した場合であっても、反射を抑制することができる。
そして、素子基板１０、および走査線１１上には、好適例としてシリコン酸化膜や、窒化シリコン膜などの透明な無機膜からなる下地絶縁膜１２が形成されている。この下地絶縁膜１２には、走査線１１とトランジスター３０のゲート電極３とを接続するコンタクトホール８５が形成されている。
【００３５】
図３に示すように、平面的には、反射電極９と重なる領域において、Ｘ軸方向に延在する走査線１１からＹ軸方向に分岐する分岐配線１１ａが形成されており、当該分岐配線の末端にコンタクトホール８５が形成されている。そして、コンタクトホール８５により、分岐配線１１ａと、上層のゲート電極３から延在する分岐配線１１ｂとが電気的に接続されている。
【００３６】
図４に戻る。
第２層は、容量線７７、トランジスター３０、層間絶縁膜４１などから構成されている。下地絶縁膜１２上には、好適例として高温ポリシリコン膜からなる半導体層１ａが形成されている。また、下地絶縁膜１２、および半導体層１ａ上には、シリコン酸化膜などの無機絶縁材料からなるゲート絶縁膜２が形成されている。
そして、ゲート絶縁膜２上には、ポリシリコン膜からなるゲート電極３、および容量線７７が形成されている。なお、この材料に限定するものではなく、導電性のポリシリコン膜の他に、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属、金属シリサイド、ポリシリサイド、または、これらの合金、若しくは、これらの積層体を用いても良い。
【００３７】
ここで、半導体層１ａからゲート電極３までの積層構造により、トランジスター３０が形成される。トランジスター３０は、好適例としてＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を採用している。
詳しくは、トランジスター３０は、ゲート電極３、ゲート電極３からの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ、および低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ、および高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。なお、この構成に限定するものではなく、半導体層１ａとして低温ポリシリコンや、アモルファスシリコンを用いた構成であっても良い。
なお、本実施形態に係るトランジスター３０は、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であっても良い。
【００３８】
また、ゲート絶縁膜２、ゲート電極３、および容量線７７を覆って、シリコン酸化膜や、窒化シリコン膜などからなる層間絶縁膜４１が形成されている。なお、これらの材料に限定するものではなく、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などのシリケートガラスを用いても良い。この層間絶縁膜４１には、コンタクトホール８１，８２，８４が形成されている。
コンタクトホール８１は、トランジスター３０の高濃度ソース領域１ｄ（ソース電極）と、第３層のデータ線６との間を電気的に接続している。
コンタクトホール８２は、トランジスター３０の高濃度ドレイン領域１ｅ（ドレイン電極）と、第３層における蓄積容量７０の下部電極７２との間を電気的に接続している。
コンタクトホール８４は、容量線７７と、第３層における蓄積容量７０の上部電極７１との間を電気的に接続している。
【００３９】
図３に示すように、平面的には、半導体層１ａは、データ線６に沿って、そのＸ軸（＋）側に形成されており、長手方向の略中央部にハッチングで示したゲート電極３が形成されている。また、長手方向の両端には、コンタクトホール８１とコンタクトホール８２とがそれぞれ形成されている。
また、チャネル領域上に形成されたゲート電極３から、Ｘ軸（＋）方向に沿って分岐配線１１ｂが延在し、その末端にはコンタクトホール８５が形成されている。
また、コンタクトホール８１は、データ線６の分岐配線６ａの末端に形成されている。
コンタクトホール８２は、蓄積容量７０の下部電極７２の角部に形成されている。
【００４０】
図４に戻る。
第３層は、データ線６、蓄積容量７０、層間絶縁膜４２などから構成されている。
データ線６は、層間絶縁膜４１上に形成された電気配線であり、好適例としてアルミニウム、またはアルミ合金により形成されている。なお、この構成に限定するものではなく、所期の導電性が確保できる電気配線であれば良い。例えば、走査線１１と同様に、複数層からなる積層構成としても良い。
蓄積容量７０は、下部電極７２、誘電体膜７５、上部電極７１などから構成されている。換言すれば、誘電体膜７５を下部電極７２と上部電極７１とで、挟持した構成となっている。
下部電極７２は、好適例としてデータ線６と同一層、つまり、アルミニウムなどの金属層から形成されている。下部電極７２は、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８２を介して、トランジスター３０のドレイン電極１ｅと電気的に接続されている。
また、下部電極７２は、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８３を介して、反射電極９と電気的に接続されている。つまり、反射電極９とトランジスター３０のドレイン電極１ｅとは、下部電極７２を中継して中継接続されている。
【００４１】
誘電体膜７５は、層間絶縁膜４１、データ線６、および下部電極７２を覆って形成されており、好適例として誘電率が高いシリコン窒化膜から形成されている。なお、この材料に限定するものではなく、酸化ハフニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）からなる膜や、これらの積層体から形成しても良い。
上部電極７１は、好適例としてアルミニウム、またはアルミ合金により形成されている。なお、この材料に限定するものではなく、例えば、導電性ポリシリコンから形成しても良い。上部電極７１は、誘電体膜７５、および層間絶縁膜４１を貫通して開孔されたコンタクトホール８４を介して、容量線７７と電気的に接続されている。
そして、誘電体膜７５、および上部電極７１を覆って、層間絶縁膜４２が形成されている。なお、層間絶縁膜４２は、層間絶縁膜４１と同様な材料から構成されている。
【００４２】
図３に示すように、平面的には、それぞれが横長の略長方形をなした下部電極７２と上部電極７１とが、略重なった状態に配置されている。
また、コンタクトホール８３は、反射電極９の略中央に形成されている。より詳細には、データ線６と上部電極７１との間に配置されている。
【００４３】
図４に戻る。
第４層は、反射電極９、配向膜６１などから構成されている。
反射電極９は、好適例として反射性に優れたアルミニウム、またはアルミ合金により形成されている。なお、この材料に限定するものではなく、所期の導電性が確保できるとともに、反射性に優れた材料であれば良い。または、画素電極上に、反射性を有する反射膜を形成したものであっても良い。
配向膜６１は、層間絶縁膜４２、および反射電極９を覆って形成されており、ラビング処理などの所定の配向処理が施されている。
なお、層間絶縁膜４２、および反射電極９上に、シリコン酸化膜や、窒化シリコン膜などの平坦化層を形成した後に、配向膜６１を形成することであっても良い。
【００４４】
図３に示すように、平面的には、複数の反射電極９は、隣り合う反射電極９間におけるショートを防止するために、間隙Ｄを隔てて配置されている。換言すれば、格子状に間隙Ｄを設けることにより、複数の反射電極９を区画している。
以上が、素子基板１０側の積層構造の詳細である。
【００４５】
図４に戻る。
他方、対向基板２０上には、対向電極２１と、配向膜２２とが、この順番で積層されている。対向電極２１は、好適例としてＩＴＯ膜から構成されている。
配向膜２２は、配向膜６１と同様な配向膜である。
【００４６】
「好適例における寸法事例」
ここでは、図３を用いて、表示パネル１００の積層構造を上述した好適例で構成した場合における平面寸法事例を紹介する。なお、この寸法事例は、発明者等が実際に試作評価したものである。
まず、反射電極９の寸法は「８．０μｍ×８．０μｍ」の正方形とした。また、反射電極９間における間隙Ｄは、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向ともに、０．５μｍとした。
つまり、□８．０μｍの反射電極９を縦および横ピッチともに、８．５μｍでマトリックス状に形成した。
また、走査線１１の幅は１．２５μｍとし、容量線７７の幅は２．２５μｍとした。よって、反射電極９の右辺９ｂの長さに占める容量線７７の幅の割合は、「２．２５／８．０」であった。また、反射電極９の左辺９ｄにおいても同様である。
また、データ線６の幅は１．２５μｍとした。よって、反射電極９の上辺９ａの長さに占めるデータ線６の幅の割合は、「１．２５／８．０」であった。また、反射電極９の下辺９ｃにおいても同様である。
なお、容量線７７の幅が走査線１１や、データ線６に比べて幅広なのは、配線材料の違いによるものである。詳しくは、走査線１１や、データ線６に用いられるアルミニウムに較べて、容量線７７のポリシリコン膜は導電率が低いため、電気配線として必要な導電率を確保するのに幅広とする必要があるからである。このため、走査線の分岐配線１１ａの幅は１．２５μｍであるが、分岐配線１１ｂの幅は２．２５μｍとしている。
【００４７】
なお、ここまで、容量線７７によって走査線１１が覆われる（隠れる）構成、換言すれば、容量線７７のみが間隙Ｄに露出する構成について説明したが、この構成に限定するものではなく、間隙Ｄにおいて、走査線１１と容量線７７の一部が重なる構成であれば良い。例えば、間隙Ｄにおいて、平面的に容量線７７から走査線１１がはみだしていても良い。この構成であっても、容量線７７と走査線１１の一部が重なっていれば、その重なり分だけ間隙Ｄに露出する配線部分を減らすことができる。
また、容量線７７が走査線１１の上層にある構成に限定するものではなく、両者の一部が重なっていれば、走査線１１が容量線７７の上層にある構成であっても良い。この構成であっても、両者の重なり分だけ間隙Ｄに露出する配線部分を減らすことができる。
【００４８】
また、ここまで、容量線７７の延在方向が走査線１１の延在方向と同じ場合について説明したが、この構成に限定するものではなく、容量線７７の延在方向がデータ線６の延在方向と同じであっても良い。
詳しくは、間隙Ｄにおいて、データ線６と容量線７７の一部が重なる構成であれば良く、その重なり分だけ間隙Ｄに露出する配線部分を減らすことができる。また、積層構造において、両者の上下関係が問われないことは、前述した通りである。なお、この場合、図２の回路配線を遵守した上で、容量線７７の延在方向をデータ線６に沿った配線、および積層構造とする必要がある。
つまり、間隙Ｄにおいて、走査線１１と容量線７７の一部、または、データ線６と容量線７７の一部が重なる構成であれば良く、それを実現するための積層構造、および配線態様は如何なる構成であっても良い。
【００４９】
上述した通り、本実施形態に係る表示装置１２０によれば、以下の効果を得ることができる。
表示装置１２０によれば、間隙Ｄにおいて、容量線７７と走査線１１とが重ねて構成されているため、２本の配線の重なり分、従来の表示装置よりも、反射電極９間における配線が占める割合を小さくすることができる。詳しくは、Ｘ軸方向における間隙Ｄに露出する配線を容量線７７のみとすることができる。
よって、間隙Ｄにおいて配線によって反射される光量が減るため、従来の表示装置よりも、表示コントラストを高めることが可能となり、所期の表示コントラストを得ることができる。
従って、十分なコントラストが得られる表示装置１２０を提供することができる。
【００５０】
また、走査線１１よりも幅広となる容量線７７を走査線１１の上層に形成することにより、走査線１１を効率良く覆うことができる。換言すれば、配線材料の特性に応じて配線の上下関係を設定したことにより、間隙Ｄに占める配線量（面積）を減らすことができる。詳しくは、容量線７７は、ゲート電極３と同一層であり、同一工程で形成されるため、走査線１１や、データ線６に用いられるアルミニウムよりも、導電率が低いポリシリコン膜によって形成される。
よって、電気配線として必要な導電率を確保するために、走査線１１よりも幅広となるが、この特性を利用して、走査線１１の上層に形成することにより、走査線１１を効率良く覆って、隠すことができる。これにより、間隙Ｄに走査線１１が露出することを防止することができる。
従って、十分な表示コントラストを得ることができる。
【００５１】
また、素子基板１０を透明基板で構成するとともに、反射電極９によってトランジスター３０などの回路素子が覆れるように、回路素子を反射電極９の下層に配置する構成としている。そして、素子基板１０の背面側には、光吸収体１１０を配置している。
この構成によれば、間隙Ｄに入射した光は、そのまま透明な素子基板１０を透過して、光吸収体１１０に吸収されるため、迷光の発生が抑制され、回路素子の誤動作を防止することができる。
従って、安定した画像が得られる表示装置１２０を提供することができる。
【００５２】
また、光吸収体１１０は、表示パネル１００の下方（背面）において、当該パネルと離間した状態で配置されている。つまり、表示パネル１００と光吸収体１１０との間に間隙（空気層）が介在する構成となっている。
これにより、間隙Ｄを透過した光によって光吸収体１１０が熱せられた場合であっても、光吸収体１１０の熱が表示パネル１００に直接伝わることを防止することができる。つまり、表示パネル１００と光吸収体１１０とを熱的に略独立した構成とすることにより、光吸収体と表示パネルとが接着されていた従来の表示装置よりも、表示パネルの発熱を低減することができる。
従って、過熱による劣化を抑制した表示装置１２０を提供することができる。換言すれば、信頼性に優れた表示装置１２０を提供することができる。
【００５３】
（実施形態２）
図５（ａ）は実施形態２に係る表示装置の反射電極近傍の拡大側断面図であり、（ｂ）はデータ線近傍の拡大側断面図であり、それぞれ図４に対応している。
以下、本発明の実施形態２に係る表示装置について説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。
まず、本実施形態に係る表示装置の基本構成は、実施形態１の表示装置１２０の構成と略同一である。本実施形態では、間隙Ｄに露出する配線の構成、および反射電極の構成が実施形態１と異なる。それ以外は、実施形態１での説明と同様である。
【００５４】
図５（ａ）は図４における第４層の反射電極９近傍の拡大図であり、隣り合う２つの反射電極９と、当該電極間の間隙Ｄ周辺の構成が示されている。ここで、本実施形態の表示装置では、反射電極９の表面に増反射膜９２が形成されている。
また、図５（ｂ）は図４における第３層のデータ線近傍の拡大図であり、データ線６の構成が示されている。ここで、本実施形態の表示装置では、データ線６の表面に反射防止膜６２が形成されている。
本実施形態の表示装置は、反射電極９の表面に増反射膜９２を形成することと、間隙Ｄに露出する配線の表面に反射防止膜を設けることを特徴としている。それ以外は、実施形態１の表示装置１２０の構成と同様である。
【００５５】
図５（ａ）の層間絶縁膜４２上において、間隙Ｄには、シリコン酸化膜からなる絶縁層９１が形成されている。
また、反射電極９表面の増反射膜９２は、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜から形成されている。なお、この材料に限定するものではなく、可視光領域において透明で、屈折率が高い材料であれば良く、例えば、二酸化チタン（ＴｉＯ2）を用いても良い。
これらの形成方法としては、反射電極９を形成した後、ＣＶＤ法により層間絶縁膜４２、および反射電極９上にシリコン酸化膜を堆積させる。続いて、シリコン酸化膜をドライエッチング（エッチバック）することにより、反射電極９の表面を露出させる。この際、間隙Ｄのシリコン酸化膜は若干オーバーエッチングされるため、図５（ａ）では、凹形状に描かれている。
そして、露出した反射電極９の表面に、ＣＶＤ法、およびフォトリソ法を用いて、増反射膜９２を形成する。
【００５６】
図５（ｂ）において、データ線６はアルミ合金の配線であり、その上に積層された反射防止膜６２は、窒化チタン（ＴｉＮ）膜から構成されている。なお、反射防止膜６２は、データ線６の全面に形成することが好ましいが、間隙Ｄに露出する配線部分のみに選択的に形成することであっても良い。
これらの形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、フォトリソ法などを用いる。詳しくは、データ線６を形成した後に、データ線６上に窒化チタン膜を選択的に形成する。
また、ここでは、データ線６の表面に反射防止膜６２を形成する場合について説明したが、同様に間隙Ｄに露出する容量線７７についても、その表面に反射防止膜を形成する。詳しくは、図４における容量線７７上に、真空蒸着法、スパッタリング法、フォトリソ法などを用いて、窒化チタン膜からなる反射防止膜を形成する。
なお、上述したように、反射電極９の表面に増反射膜９２を形成すること、および間隙Ｄに露出する配線の表面に反射防止膜を設けることの２つの構成を２つとも盛り込むことが好ましいが、いずれか一方だけ実施することであっても良い。いずれか一方の実施であっても、コントラストを高めることができる。
【００５７】
上述した通り、本実施形態に係る表示装置によれば、実施形態１における効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
実施形態２の表示装置によれば、各反射電極９の表面には増反射膜９２が形成されるとともに、間隙Ｄに露出するデータ線６の表面、および容量線７７の表面には反射防止膜が形成される。
よって、各反射電極９による表示光の反射率が高まり表示光の輝度が向上するのに加えて、間隙Ｄの配線によって反射される光量が減少するため、表示コントラストが高くなる。従って、十分なコントラストが得られる表示装置を提供することができる。
【００５８】
（電子機器）
図６は、上述した表示装置をライトバルブとして用いた３板式プロジェクターの構成を示す平面図である。
次に、上述した実施形態に係る表示装置を用いた電子機器の例について説明する。
プロジェクター５００は、ＲＧＢ各色用のライトバルブ１２０Ｒ，１２０Ｇ，１２０Ｂの３枚のライトバルブを用いた３板式の液晶プロジェクターである。
ライトバルブ１２０Ｒ，１２０Ｇ，１２０Ｂには、それぞれ上述した表示装置を用いており、外部上位装置（図示省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画像信号によりそれぞれ駆動される。
【００５９】
プロジェクター５００では、メタルハライドランプなどの略白色光を放つランプユニット５０２から投射光が発せられると、２枚のミラー５０６、および２枚のダイクロイックミラー５０８の光学作用によって、略白色光がＲＧＢの３原色に分離される。
そして、分離されたＲＧＢの各色光は、各々が対応する偏光ビームスプリッター（ＰＢＳ）５１３Ｒ，５１３Ｇ，５１３Ｂに入射し、ライトバルブ１２０Ｒ，１２０Ｇ，１２０Ｂに導かれる。なお、この際、各光路における光損失を防ぐために、光路の途中にレンズを適宜設けてもよい。
ライトバルブ１２０Ｒ，１２０Ｇ，１２０Ｂで反射、および画像信号に応じて光変調された各色変調光は、ダイクロイックプリズム５１２に３方向から入射する。なお、このダイクロイックプリズム５１２において、Ｒ光およびＢ光は、内部のダイクロイック膜の光学作用により９０度に屈折する一方、Ｇ光は直進することになる。
ダイクロイックプリズム５１２において合成されたカラー画像を表す光は、レンズユニット５１４によって拡大投射され、スクリーンＳｃ上にフルカラー画像が表示される。
このように、上記実施形態の表示装置をライトバルブとして用いたプロジェクター５００によれば、十分なコントラストの投射画像を映し出すことができる。
【００６０】
なお、各ライトバルブ１２０Ｒ，１２０Ｇ，１２０Ｂには、２枚のミラー５０６、および２枚のダイクロイックミラー５０８の光学作用によって、それぞれＲＧＢの各色光が入射することになるため、カラーフィルターを設ける必要はない。
また、ライトバルブ１２０Ｒ，１２０Ｂの投射像がダイクロイックプリズム５１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１２０Ｇの投射像はそのまま投射されるため、ライトバルブ１２０Ｒ，１２０Ｂにより形成される画像と、ライトバルブ１２０Ｇにより形成される画像とは、左右反転の関係になるように設定されている。
【００６１】
ここで、各ライトバルブ１２０Ｒ，１２０Ｇ，１２０Ｂにおける表示パネル１００と、光吸収体１１０とは、プロジェクター固体内の支持枠（図示せず）によって、それぞれ間隙を持って配置されている。また、各ライトバルブ１２０Ｒ，１２０Ｇ，１２０Ｂごとに、排気ファンＦ１，Ｆ２，Ｆ３が設置されている。
例えば、ライトバルブ１２０Ｒにおいては、表示パネル１００Ｒと、光吸収体１１０Ｒとの間隙領域の空気を含むプロジェクター固体内の空気を外部に排気するための排気ファンＦ１が設置されている。これにより、表示パネル１００Ｒ、および光吸収体１１０Ｒを効率的に冷却することができる。
同様に、ライトバルブ１２０Ｇには排気ファンＦ３が、ライトバルブ１２０Ｂには排気ファンＦ２が、それぞれ配置されている。なお、排気ファンを３つ設けることに限定するものではなく、各間隙部分の空気（熱気）を排気可能な構成であれば、排気ファンは１つであっても良い。
この構成によれば、表示パネル１００が光吸収体１１０の熱によって直接熱せられることを防止できるばかりでなく、間隙部分の空気を介して間接的に熱せられることも防止することができる。
従って、過熱による劣化を抑制したプロジェクター５００を提供することができる。換言すれば、信頼性に優れたプロジェクター５００を提供することができる。
【００６２】
また、電子機器としては、図６を参照して説明した他にも、リアプロジェクション型のテレビジョンや、直視型、例えば携帯電話や、パーソナルコンピューター、ビデオカメラのモニター、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの電子機器に対しても、上記実施形態に係る表示装置を適用させることができる。
【００６３】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【００６４】
（変形例１）
図７（ａ）は、変形例１に係る表示パネルにおける画素部の拡大平面図であり、図３に対応している。（ｂ）は、（ａ）におけるｍ部の拡大図である。
以下、変形例１に係る表示装置について説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。
上記実施形態では、各配線の幅は、積層構造において同一層であれば略同一であるものとして説明したが、この構成に限定するものではなく、反射電極９に覆われる部分と、間隙Ｄに露出する部分とで、配線幅を変えても良い。
【００６５】
変形例１に係る表示パネルでは、間隙Ｄに露出する部分の配線幅を、反射電極９に覆われる部分よりも細く（狭く）している。
具体的には、図７に示すように、容量線７７、走査線１１、およびデータ線６の太さを間隙Ｄにおいて、反射電極９の下層部分よりも細くしている。
例えば、容量線７７の場合、図７（ｂ）に示すように、反射電極９と重なる部分における配線幅Ｗ１から、間隙Ｄにおける配線幅Ｗ２に除々に細くなっている。好適例としては、配線幅の比率「Ｗ２／Ｗ１＝０．６〜０．８」の範囲内となるように設定する。
また、同様に、走査線１１についても、配線幅の比率「Ｗ６／Ｗ５＝０．６〜０．８」の範囲内となるように設定するが、間隙Ｄにおける配線幅Ｗ６が容量線７７の最も細い部分の配線幅Ｗ２以下となるように設定する。
また、データ線６についても容量線７７の場合と同様に設定する。これらの構成以外は、上記各実施形態の表示装置の構成と同様である。
【００６６】
変形例１に係る表示装置によれば、間隙Ｄに露出する部分の配線幅が細くなっているため、その分、間隙Ｄに占める配線部分の割合（面積）を減らすことができる。
よって、間隙Ｄにおいて配線によって反射される光量が減少するため、表示コントラストをより高めることができる。
従って、十分なコントラストが得られる表示装置を提供することができる。
なお、間隙Ｄにおいて配線幅を細くしても、前述したように間隙Ｄの長さ（幅）は、約０．５μｍと短いため、好適例の範囲内の比率であれば実用上の問題は生じないが、幅広部との配線抵抗を揃えるために、間隙Ｄにおける配線の厚さを厚くして、配線抵抗の均一化を図っても良い。
【００６７】
（変形例２）
図４を用いて説明する。
以下、変形例２に係る表示装置について説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。
上記実施形態では、素子基板１０は、石英基板であるものとして説明したが、この構成に限定するものではなく、可視光領域において透明性を有するサファイア基板を用いても良い。
素子基板１０としてサファイア基板を用いた場合、石英基板と同様に、間隙Ｄから入射した光を透過できることに加えて、トランジスター３０の動作スピードを含む性能を向上させることができる。詳しくは、サファイア基板を用いた場合、素子基板１０上に単結晶シリコン膜からなる半導体層１ａを形成することが可能となる。
よって、半導体層１ａをポリシリコン膜から形成した場合よりも、トランジスター３０の性能を向上させることができる。
従って、表示レスポンスに優れた表示装置を提供することができる。
【符号の説明】
【００６８】
６…データ線、９…反射電極、１０…透明基板としての素子基板、１１…走査線、２０…対向基板、３０…トランジスター、５０…液晶層、６２…反射防止膜、７７…容量線、９２…増反射膜、１００…表示パネル、１１０…光吸収体、１２０…表示装置、５００…電子機器としてのプロジェクター、Ｄ…反射電極間の間隙、Ｖ…表示領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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