(57)【要約】【課題】本発明は、白色発光の有機電界発光素子で、発光層が異なる発光材料を含有する２層以上からなり、且つ、発光層が湿式成膜法で形成される素子を提供する。  更に、本発明は、白色発光の有機電界発光素子で、駆動電圧が低く、また電流効率の高い有機電界発光素子を提供することを課題とする。【解決手段】陽極、陰極、及び該陽極と該陰極との間に、発光層を有する有機電界発光素子であって、該発光層は、発光材料と溶剤とを含む組成物を用いて湿式成膜法にて形成された隣接する２層を含み、該隣接する２層が、各々異なる発光材料を含有し、かつ特定のパラメータを満たすことを特徴とする、有機電界発光素子。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、陰極、及び該陽極と該陰極との間に、発光層を有する有機電界発光素子であって、
該発光層は、発光材料と溶剤とを含む組成物を用いて湿式成膜法にて形成された隣接する２層を含み、
該隣接する２層が、各々異なる発光材料を含有し、かつ下記式（１）を満たすことを特徴とする、有機電界発光素子。
Ｌ１／Ｌ０≧０．２      （１）
（上記式中、Ｌ０は、下記［Ｌ０の測定方法］で測定された、隣接する２層の下層の膜厚（ｎｍ）を表し、
Ｌ１は、下記［Ｌ１の測定方法］で測定された、隣接する２層の下層の膜厚（ｎｍ）を表す。）
［Ｌ０の測定方法］
２５ｍｍ×３７．５ｍｍサイズのガラス基板を超純水で洗浄し、乾燥窒素で乾燥して、ＵＶ／オゾン洗浄を行う。
隣接する２層の下層形成用組成物を、前記ガラス基板に、スピン回転数１５００ｒｐｍで、１２０秒間スピンコートして膜を形成する。塗布後、加熱乾燥を行い、得られた膜を約２ｍｍ幅で掻き取り、膜厚計で膜厚Ｌ０（ｎｍ）を測定する。
尚、加熱乾燥は、下層形成用組成物中に含まれる高分子化合物が、固形分中、５０重量％未満である場合は、１６０℃で１時間行い、５０重量％以上含まれている場合は、２３０℃で１時間行う。
［Ｌ１の測定方法］
Ｌ０測定後の基板をスピナにセットし、１５００ｒｐｍで回転させる。隣接する２層の上層形成用組成物に用いる溶剤と同じ溶剤を膜厚測定した箇所に垂らし、１２０秒間スピンコートを行う。
その後、［Ｌ０の測定方法］と同様に加熱乾燥を行う。加熱乾燥後、再び同じ箇所の膜厚Ｌ１（ｎｍ）を測定する。
【請求項２】
更に、下記式（２）を満たすことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子。
Ｌ０−Ｌ１≦１００ｎｍ        （２）
（上記式（２）中の、Ｌ０及びＬ１は、前記式（１）におけるものと同様である。）
【請求項３】
前記隣接する２層の、上層を形成する組成物に含まれる溶剤が、
炭素数５〜１０の脂肪族炭化水素化合物であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記隣接する２層が、陽極に近い側から順に
赤色燐光発光材料及び緑色燐光発光材料を含む層と、
青色発光材料を含む層であることを特徴とする、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記隣接する２層が、陽極に近い側から順に
青色発光材料を含む層と、
赤色燐光発光材料及び緑色燐光発光材料を含む層であることを特徴とする、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記隣接する２層の下層が、不溶性発光層材料を含む下層形成用組成物を用いて形成された層であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記陽極と前記発光層との間に、正孔輸送層を含むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記正孔輸送層が、不溶性正孔輸送性化合物を不溶化させてなる不溶正孔輸送性化合物を含むことを特徴とする、請求項７に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を含むことを特徴とする、有機ＥＬ照明。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を含むことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子、有機ＥＬ照明及び有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機薄膜を用いた電界発光素子（有機電界発光素子）の開発が行われている。有機電界発光素子における有機薄膜の形成方法としては、真空蒸着法と湿式成膜法が挙げられる。真空蒸着法は積層化が容易であるため、陽極及び／又は陰極からの電荷注入の改善、励起子の発光層封じ込めが容易であるという利点を有する。一方、湿式成膜法は真空プロセスが要らず、大面積化が容易で、１つの層（塗布液）に様々な機能をもった複数の材料を含有させることが容易である等の利点がある。
【０００３】
また、照明用途においては、発光層中の同一層に赤、青、緑の3色の発光材料を同時に
、蒸着により形成させる方法が検討されている。しかしながら、多数の異なる発光材料をそれぞれに専用のるつぼに入れ温度制御し、長時間、同じ配合率を保持しながら均一膜厚の膜を大面積に製造することは至難であった。
また、例えば、緑や赤の燐光発光材料の中に青蛍光の発光材料を混在させると、通常、青蛍光の発光材料の三重項励起エネルギーは、緑と赤燐光発光材料の三重項励起エネルギーより低いため、緑と赤燐光の三重項励起状態は容易に青蛍光発光材料に失活され、緑と赤の発光が著しく減少しやすくなる。このような不具合を解消するために、複数の層に発光材料をわけ、励起状態の失活過程を抑制する試みが行われているが、製造工程が煩雑となったり、製造設備が大掛かりになるため、実用レベルに至っていない。
【０００４】
さらに、湿式成膜法により複数の異なる色の発光層を同じ塗布溶剤を用いて積層する方法が試みられている（特許文献１）。確かに、安価に、複数種の発光材料を、長時間、同じ配合率を保持しながら均一膜厚の膜を大面積に製造することは容易であるが、湿式成膜法は積層化が困難であるため、実用レベルに至っていないのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許公表２００６０９２９６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、白色発光の有機電界発光素子で、発光層が異なる発光材料を含有する２層以上からなり、且つ、発光層が湿式成膜法で形成される素子を提供する。
更に、本発明は、白色発光の有機電界発光素子で、駆動電圧が低く、また電流効率の高い有機電界発光素子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らが鋭意検討した結果、発光層中、湿式成膜法で形成された隣接する２層が、特定の関係を満たすことで、上記課題を解決することを見出して、本発明に到達した。
即ち、本発明の要旨は、陽極、陰極、及び該陽極と該陰極との間に、発光層を有する有機電界発光素子であって、該発光層は、発光材料と溶剤とを含む組成物を用いて湿式成膜法にて形成された隣接する２層を含み、該隣接する２層が、各々異なる発光材料を含有し、かつ下記式（１）を満たすことを特徴とする、有機電界発光素子、有機ＥＬ照明及び有機ＥＬ表示装置に存する。
【０００８】
Ｌ１／Ｌ０≧０．２      （１）
（上記式中、Ｌ０は、下記［Ｌ０の測定方法］で測定された、隣接する２層の下層の膜厚（ｎｍ）を表し、
Ｌ１は、下記［Ｌ１の測定方法］で測定された、隣接する２層の下層の膜厚（ｎｍ）を表す。）
［Ｌ０の測定方法］
２５ｍｍ×３７．５ｍｍサイズのガラス基板を超純水で洗浄し、乾燥窒素で乾燥して、ＵＶ／オゾン洗浄を行う。
【０００９】
隣接する２層の下層形成用組成物を、前記ガラス基板に、スピン回転数１５００ｒｐｍで、１２０秒間スピンコートして膜を形成する。塗布後、加熱乾燥を行い、得られた膜を約２ｍｍ幅で掻き取り、膜厚計で膜厚Ｌ０（ｎｍ）を測定する。
尚、加熱乾燥は、下層形成用組成物中に含まれる高分子化合物が、固形分中、５０重量％未満である場合は、１６０℃で１時間行い、５０重量％以上含まれている場合は、２３０℃で１時間行う。
［Ｌ１の測定方法］
Ｌ０測定後の基板をスピナにセットし、１５００ｒｐｍで回転させる。隣接する２層の上層形成用組成物に用いる溶剤と同じ溶剤を膜厚測定した箇所に垂らし、１２０秒間スピンコートを行う。
その後、［Ｌ０の測定方法］と同様に加熱乾燥を行う。加熱乾燥後、再び同じ箇所の膜厚Ｌ１（ｎｍ）を測定する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の有機電界発光素子とすることで、駆動電圧が低く、また、電流効率が高い、白色発光の有機電界発光素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の有機電界発光素子の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の有機電界発光素子、有機ＥＬ照明及び有機ＥＬ表示装置の実施態様を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。
＜基本構成＞
本発明の有機電界発光素子は、  陽極、陰極、及び該陽極と該陰極との間に、発光層を有する有機電界発光素子であって、該発光層は、発光材料と溶剤とを含む組成物を用いて湿式成膜法にて形成された隣接する２層を含み、該隣接する２層が、各々異なる発光材料を含有し、かつ下記式（１）を満たすことを特徴とする、有機電界発光素子である。
【００１３】
Ｌ１／Ｌ０≧０．２      （１）
（上記式中、Ｌ０は、下記［Ｌ０の測定方法］で測定された、隣接する２層の下層の膜厚（ｎｍ）を表し、
Ｌ１は、下記［Ｌ１の測定方法］で測定された、隣接する２層の下層の膜厚（ｎｍ）を表す。）
［Ｌ０の測定方法］
２５ｍｍ×３７．５ｍｍサイズのガラス基板を超純水で洗浄し、乾燥窒素で乾燥して、ＵＶ／オゾン洗浄を行う。
隣接する２層の下層形成用組成物を、前記ガラス基板に、スピン回転数１５００ｒｐｍで、１２０秒間スピンコートして膜を形成する。塗布後、加熱乾燥を行う。
【００１４】
尚、加熱乾燥は、下層形成用組成物中に含まれる高分子化合物が、固形分中、５０重量％未満である場合は、１６０℃で１時間行い、５０重量％以上含まれている場合は、２３０℃で１時間行う。
本発明における高分子化合物とは、繰り返し単位を有する構造であればよく、また異なる２種以上の繰り返し単位を有していてもよい。
【００１５】
下層形成用組成物中に含まれる高分子化合物が、固形分濃度で５０重量％未満である場合、低分子化合物等の含有量が多いため、ガラス転移温度が低くなり易い。その為、１６０℃以上の高温で、塗布膜中の分子の移動が起き難くなり、良好な膜が得られるためである。
一方、下層形成用組成物中に含まれる高分子化合物が、固形分濃度で５０重量％以上である場合、高分子化合物によって、溶剤が揮発し難い系となる。その為、２３０℃以上の高温で加熱乾燥する。
加熱乾燥後、得られた膜を約２ｍｍ幅で掻き取り、膜厚計で膜厚Ｌ０（ｎｍ）を測定する。
【００１６】
膜厚を測定する際に用いる膜厚計は、特に制限はないが、例えば、テンコールＰ−１５（ケーエルエーテンコール社製）を用いることができる。
尚、本発明に用いる測定機器は、上記と同等の測定が可能であれば、上記の測定機器に限定されるものではなく、その他の測定機器を用いてもよいが、上記の測定機器を用いることが好ましい。
【００１７】
［Ｌ１の測定方法］
Ｌ０測定後の基板をスピナにセットし、１５００ｒｐｍで回転させる。隣接する２層の上層形成用組成物に用いる溶剤と同じ溶剤を膜厚測定した箇所に垂らし、１２０秒間スピンコートを行う。
その後、［Ｌ０の測定方法］と同様に加熱乾燥を行う。加熱乾燥後、再び同じ箇所の膜厚Ｌ１（ｎｍ）を測定する。測定機器は、前記［Ｌ０の測定方法］に記載のものと同様のものを用いる。
上記の方法で測定したＬ１／Ｌ０は、通常０．２以上、好ましくは０．４以上、更に好ましくは０．６以上、また通常１０以下である。
【００１８】
上記範囲内であると、発光層における隣接する２層中の、上層と下層とが混ざり合う領域、つまり混合領域が、過度に増加し難く、異種の電荷輸送材料間での電荷トラップ、又は異種の発光材料による、励起状態の消失などが起き難く、得られる素子の駆動電圧が低く、また電流効率が高いため好ましい。
［式（２）について］
本発明の有機電界発光素子は、更に、下記式（２）を満たすことが、電流効率向上の点で好ましい。
【００１９】
Ｌ０−Ｌ１≦１００ｎｍ        （２）
（上記式（２）中の、Ｌ０及びＬ１は、上記式（１）におけるものと同様である。）
上記式（２）の値、つまり、（Ｌ０−Ｌ１）は、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下、更に好ましくは３０ｎｍ以下、また通常０ｎｍ以上である。
上記範囲内であると、発光層における隣接する２層中の、上層と下層とが混ざり合う領域、つまり混合領域が、過度に増加し難く、異種の電荷輸送材料間での電荷トラップ、又は異種の発光材料による、励起状態の消失などが起き難く、得られる素子の駆動電圧が低く、また電流効率が高いため好ましい。
【００２０】
［発光層］
本発明における発光層は、電界を与えられた電極間において、陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
より具体的には、発光材料を含有する層である。
【００２１】
発光材料としては、通常、有機電界発光素子の発光材料として使用されているものであれば限定されない。例えば、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよい。
以下、発光材料のうち蛍光発光材料の例を挙げるが、蛍光発光材料は以下の例示物に限定されるものではない。 
【００２２】
青色発光を与える蛍光発光材料（青色蛍光発光材料）としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、クリセン、アントラセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。 
尚、青色発光材料が、高分子化合物である場合、該構造中に、トリアリールアミン構造を多く含むことで、正孔輸送能が向上する。更に、共役系高分子化合物であるほうが、正孔輸送能がより高くなる点で好ましい。
【００２３】
緑色発光を与える蛍光発光材料（緑色蛍光発光材料）としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Ａｌ（Ｃ９Ｈ６ＮＯ）３などのアルミニウム錯体等が挙げられる。 
黄色発光を与える蛍光発光材料（黄色蛍光発光材料）としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
【００２４】
赤色発光を与える蛍光発光材料（赤色蛍光発光材料）としては、例えば、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。 
【００２５】
燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）第７〜１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。 
周期表第７〜１１族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。 
【００２６】
錯体の配位子としては、（ヘテロ）アリールピリジン配位子、（ヘテロ）アリールピラゾール配位子などの（ヘテロ）アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、（ヘテロ）アリールとは、アリール基又はヘテロアリール基を表す。 
【００２７】
燐光発光材料として、具体的には、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。 
【００２８】
発光材料として用いる化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意で
あるが、通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上の範囲である。
上記範囲内であると、耐熱性が良好で、ガス発生の原因となりにくく、また膜を形成した際の膜質が良好で、更にマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化がし難い。加えて、有機化合物の精製が容易で、溶剤に対する溶解性が高い傾向があるため好ましい。
【００２９】
なお、上述した発光材料は、いずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
発光層における発光材料の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．０５重量％以上、通常３５重量％以下である。
上記範囲内であると、発光ムラが生じにくく、また電流効率が低下し難いため好ましい。なお、２種以上の発光材料を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。 
【００３０】
（正孔輸送性化合物） 
発光層には、その構成材料として、正孔輸送性化合物を含有させてもよい。ここで、正孔輸送性化合物のうち、低分子量の正孔輸送性化合物の例としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルに代表される、２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，  １９９７年，  Ｖｏｌ．７２−７４，  ｐｐ．９８５）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，  １９９６年，  ｐｐ．２１７５）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  Ｍｅｔａｌｓ，  １９９７年，  Ｖｏｌ．９１，ｐｐ．２０９）等が挙げられる。 
【００３１】
なお、発光層において、正孔輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
発光層における正孔輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．１重量％以上、通常６５重量％以下である。上記範囲内であると、短絡の影響が受け難く、また膜厚ムラなどを生じ難いため好ましい。
なお、２種以上の正孔輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。 
【００３２】
（電子輸送性化合物） 
発光層には、その構成材料として、電子輸送性化合物を含有させてもよい。ここで、電子輸送性化合物のうち、低分子量の電子輸送性化合物の例としては、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）や、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）や、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）や、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）や、４，４’−ビス（９−カルバゾール）−ビフェニル（ＣＢＰ）等が挙げられる。なお、発光層において、電子輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【００３３】
発光層における電子輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．１重量％以上、通常６５重量％以下である。
上記範囲内であると、短絡の影響が受け難く、また膜厚ムラなどを生じ難いため好ましい。
なお、２種以上の電子輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。 
【００３４】
本発明における発光層は、発光材料と溶剤とを含む組成物（発光層形成用組成物）を用いて湿式成膜法にて形成された隣接する２層を含み、該隣接する２層が、各々異なる発光材料を含有する。
該隣接する２層のうち、下層は、特に、不溶性発光層材料を含有する下層形成用組成物を用いて形成されることが好ましい。
【００３５】
不溶性発光層材料とは、不溶化基を有する発光層材料である。
本発明における不溶化基とは、熱及び／又は活性エネルギー線の照射により反応する基であり、反応後は反応前に比べて、該基が結合する化合物の有機溶剤や水に対する溶解性を低下させる効果を有する基である。
本発明においては、不溶化基は、架橋性基、又は解離性基であることが、有機溶媒や水への溶解性を低下させ易い点で好ましい。
【００３６】
＜解離性基＞
本発明における解離性基とは、溶剤に対して可溶性を示す基であり、結合している基（例えば、炭化水素環）から７０℃以上で熱解離する基を表す。また、解離性基が解離することにより、発光層材料の溶剤への溶解度は低下する。
本発明における解離性基は、下記式（Ｉ）における−ＣＲａ＝ＣＲｂ−、又は−ＣＲｃＲｄ−ＣＲｅＲｆ−で表される構造として含まれることが好ましい。
【００３７】
【化１】
2011253722.tif 000002
【００３８】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、互いに結合して、−ＣＲａ＝ＣＲｂ−、又は−ＣＲｃＲｄ−ＣＲｅＲｆ−で表される基を表し、
Ａｒは、置換基を有していてもよいアリールアミノ基、置換基を有していてもよいヘテロアリールアミノ基、或いは、置換基を有していてもよい芳香族環を表し、ｍは、１又は２の整数を表す。
【００３９】
Ｒａ〜Ｒｆは、水素原子、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい芳香族複素環基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールアミノ基、置換基を有していてもよいへテロアリールアミノ基又は置換基を有していてもよいアシルアミノ基を表す。
一分子内に複数のＡｒが含まれる場合は、同じでもよく、また異なっていてもよい。
【００４０】
尚、式中のシクロヘキサジエン環は、Ｒ１、Ｒ２及びＡｒ以外に置換基を有していてもよい。但し、シクロヘキサジエン環が、Ｒ１、Ｒ２、及びＡｒ以外に有する置換基同士が結合して環を形成することはない。）
式（Ｉ）中、Ｒ１及びＲ２は、互いに結合して、−ＣＲａ＝ＣＲｂ−、又は−ＣＲｃＲｄ−ＣＲｅＲｆ−で表される基を表す。
【００４１】
Ｒａ〜Ｒｆは、水素原子、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい芳香族複素環基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールアミノ基、置換基を有していてもよいへテロアリールアミノ基又は置換基を有していてもよいアシルアミノ基を表す。
上記Ｒａ〜Ｒｆが有していてもよい置換基の具体例としては、以下の置換基群Ｚが挙げられる。
【００４２】
［置換基群Ｚ］
直鎖又は分岐のアルキル基（好ましくは炭素数１以上、８以下の直鎖又は分岐のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。）；
アルケニル基（好ましくは炭素数２以上、９以下のアルケニル基であり、例えばビニル基、アリル基、１−ブテニル基等が挙げられる。）；
アルキニル基（好ましくは炭素数２以上、９以下のアルキニル基であり、例えばエチニル基、プロパルギル基等が挙げられる。）；
アラルキル基（好ましくは炭素数７以上、１５以下のアラルキル基であり、例えばベンジル基などが挙げられる。）；
アルコキシ基（好ましくは炭素数１以上、８以下のアルコキシ基であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。）；
アリールオキシ基（好ましくは炭素数６以上、１２以下の芳香族炭化水素環基を有するものであり、例えばフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。）；
【００４３】
ヘテロアリールオキシ基（好ましくは５又は６員環の芳香族複素環基を有するものであり、例えばピリジルオキシ基、チエニルオキシ基等が挙げられる。）；
アシル基（好ましくは炭素数２以上１０以下のアシル基であり、例えばホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基などが挙げられる。）；
アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２以上１０以下のアルコキシカルボニル基であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）；
アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７以上１３以下のアリールオキシカルボニル基であり、例えばフェノキシカルボニル基などが挙げられる。）；
アルキルカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数２以上１０以下のアルキルカルボニルオキシ基であり、例えばアセトキシ基などが挙げられる。）；
【００４４】
ハロゲン原子（特に、フッ素原子又は塩素原子）；
カルボキシ基；
シアノ基；
水酸基；
メルカプト基；
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１以上８以下のアルキルチオ基であり、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）；
アリールチオ基（好ましくは炭素数６以上１２以下のアリールチオ基であり、例えば、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基などが挙げられる。）；
スルホニル基（例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）；
シリル基（例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）；
ボリル基（例えばジメシチルボリル基などが挙げられる。）；
ホスフィノ基（例えばジフェニルホスフィノ基などが挙げられる。）；
【００４５】
芳香族炭化水素環基（例えばベンシクロヘキサジエン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、５又は６員環の単環又は２〜５縮合環由来の１価の基が挙げられる。）；
芳香族複素環基（例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の１価の基が挙げられる。）；
アミノ基（好ましくは、炭素数１以上８以下のアルキル基を１つ以上有するアルキルアミノ基であり、例えばメチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。）；
炭素数６以上１２以下の芳香族炭化水素環基を有するアリールアミノ基（例えばフェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基等が挙げられる。）
等が挙げられる。
【００４６】
また、上記置換基がさらに置換基を有する場合、その置換基としては、上記の［置換基群Ｚ］の項で記載のものが挙げられる。
尚、上記Ｒａ〜Ｒｆが有していてもよい置換基の数は、本発明の効果を損なわない限り任意であり、２種以上の異なる置換基を有していてもよい。
尚、本発明の低分子化合物は、解離した後の解離性基が、低温で層中から揮発して除去されやすい。これより得られる素子の駆動電圧や駆動寿命に影響し難い点で、Ｒａ及びＲｂ、又はＲｃ〜Ｒｆが全て水素原子であることが好ましい。
【００４７】
より具体的には、Ｒ１及びＲ２が互いに結合して形成される基が、−ＣＨ＝ＣＨ−、又は−ＣＨ２−ＣＨ２−で表される基であることが好ましい。
Ａｒは、置換基を有していてもよい芳香族環、あるいは、置換基を有していてもよいアリールアミノ基、置換基を有していてもよいヘテロアリールアミノ基を表す。
芳香族炭化水素環基としては、炭素数６〜２０の例えばベンシクロヘキサジエン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、フルオランテン環等の、５又は６員環の単環又は２〜５縮合環由来の１価又は２価の基が挙げられ、電気安定性の点で、特に好ましくはベンシクロヘキサジエン環、ナフタレン環、アントラセン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、などが挙げられる。
【００４８】
芳香族複素環基としては、炭素数が４から２０の例えばフラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミ
ダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ペリミジン環、キナゾリン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の１価又は２価の基が挙げられ、電気安定性の点で、特に好ましくフラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、などが挙げられる。
【００４９】
アリールアミノ基としては、炭素数が６から２０の上記Ａｒの芳香族炭化水素環基の群より選ばれる環を含むアミノ基、
また、ヘテロアリールアミノ基としては、炭素数が２から１５の上記Ａｒの芳香族複素環基の群より選ばれる環を含むアミノ基、
などが挙げられる。
【００５０】
得られる化合物の電気化学的安定性の点から、Ａｒが有する置換基としては、ベンシクロヘキサジエン環、ナフタレン環、アントラセン環、ジベンゾフラン環、ピレン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来のアリールアミノ基、置換基を有していてもよいヘテロアリールアミノ基が特に好ましい。
尚、Ａｒが有しうる置換基として、或いはシクロヘキサジエン環がＲ１、Ｒ２及びＡｒ以外に有しうる基の一部に、式（Ｉ）で表される基由来の１価又は２価の基を有していてもよい。
【００５１】
式（Ｉ）中のシクロヘキサジエン環は、本発明の効果を損なわない限り、Ｒ１〜Ｒ２及びＡｒ以外に有していてもよい。
ｍは、１又は２の整数を表す。
ｍが１である場合には、解離温度が低くなり易い点で好ましく、またｍが２である場合は、解離の前後で、有機溶剤に対する溶解差が大きくし易い点で好ましい。
シクロヘキサジエン環が、Ｒ１、Ｒ２、及びＡｒ以外に有する置換基同士が結合して環を形成することはない。
【００５２】
このような解離性基は、加熱処理前において、その嵩高い分子構造から、分子間のスタッキングを防止することで、有機溶剤に対する有機化合物の溶解性を向上させる。また、加熱処理によって有機化合物から解離性基が解離することで、解離後の有機化合物の、有機溶剤に対する溶解性を著しく低下させることができる点で好ましい。
【００５３】
［式（ＩＩ）について］
前記式（Ｉ）で表される低分子化合物は、解離前後での有機溶剤に対する溶解度差を大きくし易く、また塗布膜中での結晶性を抑制して、均一な膜形成がし易い点から、更に下記式（ＩＩ）で表される低分子化合物であることが好ましい。
【００５４】
【化２】
2011253722.tif 000003
【００５５】
（式中、Ｒ１及びＲ２、Ａｒ、Ｒａ〜Ｒｆ、ｍは、式（Ｉ）と同義である。
Ｒ３は、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基又は置換基を有していてもよいアシルアミノ基を表す。
【００５６】
ｎは０〜３の整数を表す。
一分子内に複数のＡｒ及びＲ３が含まれる場合は、同じでもよく、また異なっていてもよい。
尚、式中のシクロヘキサジエン環は、Ｒ１〜Ｒ３及びＡｒ以外に置換基を有していてもよい。但し、シクロヘキサジエン環が、Ｒ１〜Ｒ３及びＡｒ以外に有する置換基同士が結合して環を形成することはない。）
上記式（ＩＩ）中の、Ｒ１及びＲ２、Ａｒ、Ｒａ〜Ｒｆ、ｍは、式（Ｉ）と同義であり、具体例及び好ましい態様についても同様である。
【００５７】
Ｒ３は、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい芳香族複素環基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールアミノ基、置換基を有していてもよいへテロアリールアミノ基又は置換基を有していてもよいアシルアミノ基を表す。具体例及び好ましい態様は、式（Ｉ）におけるＲａ〜Ｒｆと同様である。
【００５８】
ｎは０〜３の整数を表す。
ｎは、有機化合物の有機溶剤に対する溶解性が高く、成膜性が良好である点で、１〜３であることが好ましく、また有機化合物の電荷輸送能が高く、ガラス転移温度が高い点で、０〜２であることが好ましい。
尚、式中のシクロヘキサジエン環は、Ｒ１〜Ｒ３及びＡｒ以外に置換基を有していてもよい。但し、シクロヘキサジエン環が、Ｒ１〜Ｒ３及びＡｒ以外に有する置換基同士が結合して環を形成することはない。
【００５９】
本発明における低分子化合物はさらに、解離性基の解離前後での、有機溶剤に対する溶解度の差の変化が大きい点で下記式（ＶＩ）〜（ＩＸ）のいずれかで表される部分構造を有する低分子化合物であることが好ましい。
【００６０】
【化３】
2011253722.tif 000004
【００６１】
（式中、Ａｒ、Ｒ３、ｍ及びｎは、式（ＩＩ）におけるものと同義である。）
上記式（ＶＩ）〜（ＩＸ）の中でも、特に以下の理由で、式（ＶＩＩＩ）で表される部分構造であることが好ましい。
上記式（ＶＩＩＩ）で表される部分構造を有する低分子化合物は、シクロヘキサジエン環の一つのＡｒに対して、もう一つのＡｒがメタ位にある。この為、低分子化合物の電荷輸送能が良好である。
【００６２】
また、該メタ位の結合は、他の部分構造に比べ立体障害の影響が比較的大きい。これより、解離した後の低分子化合物が結晶化しにくくなる。これより、膜均一性が良好なものとなる。
更に、上記式（ＶＩＩＩ）においては、解離性基が分子構造の比較的中心に含まれるため、解離前後での分子構造の変化の影響を受け易い。つまり、解離前後での、有機溶剤に対する溶解性の差が大きくなりやすい。
【００６３】
（架橋性基）
本発明における架橋性基とは、近傍に位置する他の分子の同一または異なる基と反応して、新規な化学結合を生成する基のことをいう。例えば、熱及び／または活性エネルギー線の照射により、あるいは、増感剤などの他分子からエネルギーを受け取ることにより、近傍に位置する他の分子の同一または異なる基と反応して新規な化学結合を生成する基が挙げられる。
【００６４】
架橋性基としては、制限されるものではないが、不飽和二重結合、環状エーテル構造、ベンゾシクロブテン環等を含む基が好ましい。 
中でも、架橋性基としては、不溶化し易いという点から、下記架橋性基群Ａから選ばれる基が好ましい。
【００６５】
【化４】
2011253722.tif 000005
【００６６】
（式中、Ｒ91〜Ｒ95は、各々独立に、水素原子またはアルキル基を表わす。 
Ａｒ91は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基または置換基を有してもよい芳香族複素環基を表わす。）
とりわけ、架橋性基としては、電気化学的耐久性に優れるという点から、下記架橋性基群Ａ’から選ばれる基であることがより好ましい。
【００６７】
【化５】
2011253722.tif 000006
【００６８】
更に、上記架橋性基群Ａ’の中でも、架橋後の構造が特に安定な点で、ベンゾシクロブテン環由来の基、より具体的には式（ＫＢ―６）で表される基が特に好ましい。
発光層材料中、合成のし易さの観点から、架橋性基又は解離性基を有する化合物は、電荷輸送材料であることが好ましい。
［解離性基を有する化合物の具体例］
以下、電荷輸送材料中、解離性基を有する化合物の、好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６９】
【化６】
2011253722.tif 000007
【００７０】
（上記式中の、Za11,Za12,Za111,Za221,Sa11からSa114,Sa21からSa223,Ta111からTa12,Ta221、Ua11からUa21の組み合わせについては、それぞれ下記表１〜３に示す。）
［Ａ１〜Ａ６］
上記式Ａ１〜Ａ６における、Ｚａ11及びＺａ12、Ｚａ２１及びＺａ２２、Ｓａ１１〜Ｓａ１４、Ｓａ２１〜Ｓａ２３、Ｔａ１１及びＴａ１２の組み合わせについて、表１に纏める。
【００７１】
【表１】
2011253722.tif 000008
【００７２】
［Ａ３］
上記式Ａ３について、Ｚａ12、Ｓａ１１〜Ｓａ１４、Ｔａ１１〜Ｔａ１３の別の組み合わせについて、表２に纏める。
【００７３】
【表２】
2011253722.tif 000009
【００７４】
［Ａ７〜Ａ９］
上記式Ａ７〜Ａ９について、Ｚａ１１及びＺａ１１１、Ｚａ２１及びＺａ２２1、Ｓａ
１１〜Ｓａ１４、Ｓａ２１、Ｓａ１１１〜Ｓａ１１４、Ｔａ１１及びＴａ１２、Ｔａ２１及びＴａ２２、Ｔａ１１１及びＴａ１１２、Ｔａ２２１及びＴａ２２２並びにＵａ１１及びＵａ１２の組み合わせを、表３に纏める。
【００７５】
【表３】
2011253722.tif 000010
【００７６】
［架橋性基を有する化合物の具体例］
以下、電荷輸送材料中、架橋性基を有する化合物の、好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００７７】
【化７】
2011253722.tif 000011
【００７８】
（上記式中、ＸＸ１は、前記ＫＢ１〜ＫＢ６のいずれかを表す。）
【００７９】
【表４】
2011253722.tif 000012
【００８０】
【表５】
2011253722.tif 000013
【００８１】
前記した不溶性発光層材料の他に、例えば、特許公表２００９−１０２０２７号公報、特許公開２０１０−０９８３０１号公報、特許公開２００３−０００３０４０号公報、特許願２００９−２５１０９６号公報に記載の化合物を用いてもよい。
【００８２】
［溶剤］
本発明の発光層は、発光層形成用組成物を用いて、湿式成膜法で形成する。
発光層形成用組成物は、発光材料、及び溶剤を含有する。更に電荷輸送材料を含むことが好ましい。発光材料、及び電荷輸送材料は、前記したものを用いることが好ましい。
溶剤は、発光材料及び電荷輸送材料が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されない。
溶剤の溶解性としては、常温・常圧下で、発光材料および電荷輸送材料を、各々、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上溶解することが好ましい。
【００８３】
以下に溶剤の具体例を挙げるが、本発明の効果を損なわない限り、これらに限定されるものではない。
例えば、ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル類；等が挙げられる。
【００８４】
中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。これらの溶剤は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、溶剤の沸点は通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上、また、通常２７０℃以下、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは沸点２３０℃以下である。
【００８５】
更に、隣接する２層の、上層を形成する組成物に含まれる溶剤が、炭素数６〜１０の脂肪族炭化水素化合物であることが、下層と適度な混合層を形成して、得られる素子の駆動電圧が低減する点で好ましい。
炭素数６〜１０の脂肪族炭化水素化合物としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、オクタン、ノナン、デカン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、などが挙げられる。
【００８６】
発光層形成用組成物中の溶剤の含有量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、発光層形成用組成物１００重量部に対して、好ましくは１０重量部以上、より好ましくは５０重量部以上、特に好ましくは８０重量部以上、また、好ましくは９９．９５重量部以下、より好ましくは９９．９重量部以下、特に好ましくは９９．８重量部以下である。含有量が下限を下回ると、粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、上限を上回ると、成膜後、溶剤を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。なお、発光層形成用組成物として２種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。
【００８７】
［発光層の成膜方法］
本発明における発光層が、発光材料と溶剤とを含む組成物を用いて湿式成膜法にて形成された隣接する２層を含む層である。
尚、本発明において湿式成膜法とは、成膜方法、即ち、塗布方法として、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法を採用し、この塗布膜を乾燥して膜形成を行う方法をいう。これらの成膜方法の中でも、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、が好ましい。これは、湿式成膜法において、塗布用組成物として用いられる本発明の有機電界発光素子用組成物に特有の液性に合うためである。
【００８８】
＜有機電界発光素子＞
本発明の有機電界発光素子は  陽極、陰極、及び該陽極と該陰極との間に、発光層を有する有機電界発光素子であって、
該発光層は、発光材料と溶剤とを含む組成物を用いて湿式成膜法にて形成された隣接する２層を含み、
該隣接する２層が、各々異なる発光材料を含有し、かつ下記式（１）を満たす有機電界発光素子である。
【００８９】
Ｌ１／Ｌ０≧０．２      （１）
（上記式中、Ｌ０は、下記［Ｌ０の測定方法］で測定された、隣接する２層の下層の膜厚（ｎｍ）を表し、
Ｌ１は、下記［Ｌ１の測定方法］で測定された、隣接する２層の下層の膜厚（ｎｍ）を表す。）
［Ｌ０の測定方法］
２５ｍｍ×３７．５ｍｍサイズのガラス基板を超純水で洗浄し、乾燥窒素で乾燥して、ＵＶ／オゾン洗浄を行う。
隣接する２層の下層形成用組成物を、前記ガラス基板に、スピン回転数１５００ｒｐｍで、１２０秒間スピンコートして膜を形成する。塗布後、加熱乾燥を行い、得られた膜を約２ｍｍ幅で掻き取り、膜厚計で膜厚Ｌ０（ｎｍ）を測定する。
尚、加熱乾燥は、下層形成用組成物中に含まれる高分子化合物が、固形分中、５０重量％未満である場合は、１６０℃で１時間行い、５０重量％以上含まれている場合は、２３０℃で１時間行う。
【００９０】
［Ｌ１の測定方法］
Ｌ０測定後の基板をスピナにセットし、１５００ｒｐｍで回転させる。隣接する２層の上層形成用組成物に用いる溶剤と同じ溶剤を膜厚測定した箇所に垂らし、１２０秒間スピンコートを行う。
その後、加熱乾燥を行う。加熱乾燥は、下層形成用組成物中に含まれる高分子化合物が、固形分中、５０重量％未満である場合は、１６０℃で１時間行い、５０重量％以上含まれている場合は、２３０℃で１時間行う。
続いて再び同じ箇所の膜厚Ｌ１（ｎｍ）を測定する。
本発明においては、赤色発光材料及び緑色発光材料を含む層の正孔輸送能が高い場合には、同様に、陽極側から正孔がより注入し易く得られる素子の駆動電圧が低減できる点で、前記隣接する２層が、陽極に近い側から順に赤色燐光発光材料及び緑色燐光発光材料を含む層と、青色発光材料を含む層であることが好ましい。
【００９１】
また、本発明の有機電界発光素子は、青色発光材料を含む層の正孔輸送能が高い場合に、陽極側から正孔がより注入し易く得られる素子の駆動電圧が低減できる点で、前記隣接する２層が、陽極に近い側から順に青色発光材料を含む層と、赤色燐光発光材料及び緑色
燐光発光材料を含む層であることが好ましい。
本発明は、更に、前記陽極と前記発光層との間に、正孔輸送層を有することが、陽極から陰極に最も近い発光層に十分な正孔を注入するために好ましい。
【００９２】
以下に、本発明の方法で製造される有機電界発光素子の層構成及びその形成方法等について、図１を参照して説明する。 
図１は本発明にかかる有機電界発光素子の構造例を示す断面の模式図であり、図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔緩和層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極を各々表す。 
【００９３】
｛基板｝ 
基板は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。 
【００９４】
｛陽極｝ 
陽極は発光層側の層への正孔注入の役割を果たすものである。 
この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。 
【００９５】
陽極の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板上に塗布することにより陽極を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に導電性高分子を塗布して陽極を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。 
陽極は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。 
【００９６】
陽極の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陽極の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極の厚みは任意であり、陽極は基板と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極の上に異なる導電材料を積層することも可能である。 
陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
【００９７】
（正孔注入層） 
正孔注入層は、陽極から発光層へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極上に形成される。 
本発明に係る正孔注入層の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限
はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。 
【００９８】
＜湿式成膜法による正孔注入層の形成＞ 
湿式成膜により正孔注入層を形成する場合、通常は、正孔注入層を構成する材料を適切な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層を形成する。 
【００９９】
（正孔輸送性化合物） 
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物及び溶剤を含有する。 
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。 
【０１００】
正孔輸送性化合物としては、陽極から正孔注入層への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。
【０１０１】
尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。
正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種又は２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種又は２種以上とを併用することが好ましい。 
【０１０２】
上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。 
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
【０１０３】
【化８】
2011253722.tif 000014
【０１０４】
（式（ＡＩ）中、Ａｒ１及びＡｒ２は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ３〜Ａｒ５は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｚｂは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ１〜Ａｒ５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。
【０１０５】
【化９】
2011253722.tif 000015
【０１０６】
（上記各式中、Ａｒ６〜Ａｒ１６は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ１及びＲ２は、各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。）） 
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。
【０１０７】
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。 
Ｒ１及びＲ２が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル
基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。 
【０１０８】
式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のものが挙げられる。
また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である3,4-ethylenedioxythiophene（3,4-エチレンジオキシチオフェン）を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー（PEDOT/PSS）もまた好ましい。また、このポリマーの末端を
メタクリレート等でキャップしたものであってもよい。
【０１０９】
尚、正孔輸送性化合物は、下記｛正孔輸送層｝の項に記載の架橋性重合体であってもよい。該架橋性重合体を用いた場合の成膜方法についても同様である。
正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。 
【０１１０】
（電子受容性化合物） 
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。 
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物がさらに好ましい。 
【０１１１】
このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開２００５／０８９０２４号パンフレット）；塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アン
モニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素；ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。
【０１１２】
これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。
正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。 
【０１１３】
（その他の構成材料） 
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【０１１４】
（溶剤） 
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも１種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、中でも２００℃以上、通常４００℃以下、中でも３００℃以下であることが好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があし、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。 
【０１１５】
溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。 
エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。 
【０１１６】
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。 
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。 
アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。 
その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。 
これらの溶剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。 
【０１１７】
（成膜方法） 
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層を形成する。 
塗布工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、１０℃以上が好ましく、５０℃以下が好ましくい。 
【０１１８】
塗布工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、通常８０％以下である。
塗布後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブン及びホットプレートが好ましい。 
【０１１９】
加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶剤が２種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも１種類がその溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは１２０℃以上、好ましくは４１０℃以下で加熱することが好ましい。
【０１２０】
加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは１０秒以上、通常１８０分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は２回に分けて行ってもよい。 
【０１２１】
＜真空蒸着法による正孔注入層の形成＞ 
真空蒸着により正孔注入層を形成する場合には、正孔注入層の構成材料（前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種又は２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上の材料を用いる場合は各々独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極上に正孔注入層を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層を形成することもできる。 
【０１２２】
蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０−４Ｐａ）以上、通常９．０×１０−６Ｔｏｒｒ（１２．０×１０−４Ｐａ）以下である。 蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない
限り限定されないが、通常０．１Å／秒以上、通常５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上で、好ましくは５０℃以下で行われる。
【０１２３】
｛正孔輸送層｝   
本発明に係る正孔輸送層の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔輸送層は、正孔注入層がある場合には正孔注入層の上に、正孔注入層が無い場合には陽極の上に形成することができる。 また、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層
を省いた構成であってもよい。 
【０１２４】
正孔輸送層を形成する材料としては、正孔輸送能が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層に接するため、発光層からの発光を消光したり、発光層との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。 
【０１２５】
このような正孔輸送層の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。
【０１２６】
また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビ
ニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。
中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
ポリアリールアミン誘導体としては、下記式（ＡＩＩ）で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式（ＡＩＩ）で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、Ａｒａ又はＡｒｂが異なっているものであってもよい。
【０１２７】
【化１０】
2011253722.tif 000016
【０１２８】
（式（ＡＩＩ）中、Ａｒａ及びＡｒｂは、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。） 
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、６員環の単環又は２〜５縮合環由来の基及びこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。 
【０１２９】
置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の基及びこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。 
【０１３０】
溶剤に対する溶解性及び耐熱性の点から、Ａｒａ及びＡｒｂは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が２環以上連結してなる基（例えば、ビフェニル基（ビフェニル基）やターフェニレン基（ターフェニレン基））が好ましい。 
【０１３１】
中でも、ベンゼン環由来の基（フェニル基）、ベンゼン環が２環連結してなる基（ビフェニル基）及びフルオレン環由来の基（フルオレニル基）が好ましい。
Ａｒａ及びＡｒｂにおける芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。
ポリアリーレン誘導体としては、前記式（ＡＩＩ）におけるＡｒａやＡｒｂとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基などのアリーレン
基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
ポリアリーレン誘導体としては、下記式（ＡＩＩＩ−１）及び／又は下記式（ＡＩＩＩ−２）からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
【０１３２】
【化１１】
2011253722.tif 000017
【０１３３】
（式（ＡＩＩＩ−１）中、Ｒa、Ｒb、Ｒｃ及びＲｄは、各々独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシ基を表す。ｔ及びｓは、各々独立に、０〜３の整数を表す。ｔ又はｓが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲa又はＲbは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲa又はＲb同士で環を形成していてもよい。）
【０１３４】
【化１２】
2011253722.tif 000018
【０１３５】
（式（ＡＩＩＩ−２）中、Ｒｅ及びＲｆは、各々独立に、上記式（ＡＩＩＩ−１）におけるＲa、Ｒb、Ｒｃ又はＲｄと同義である。ｒ及びｕは、各々独立に、０〜３の整数を表す。ｒ又はｕが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲｅ及びＲｆは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲｅ又はＲｆ同士で環を形成していてもよい。Ｘは、５員環又は６員環を構成する原子又は原子群を表す。）
Ｘの具体例としては、―Ｏ―、―ＢＲ―、―ＮＲ―、―ＳｉＲ２―、―ＰＲ―、―ＳＲ―、―ＣＲ２―又はこれらが結合してなる基である。尚、Ｒは、水素原子又は任意の有機基を表す。本発明における有機基とは、少なくとも一つの炭素原子を含む基である。
【０１３６】
また、ポリアリーレン誘導体としては、前記式（ＡＩＩＩ−１）及び／又は前記式（ＡＩＩＩ−２）からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式（ＡＩＩＩ−３）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。
【０１３７】
【化１３】
2011253722.tif 000019
【０１３８】
（式（ＡＩＩＩ−３）中、Ａｒｃ〜Ａｒｊは、各々独立に、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。ｖ及びｗは、各々独立に０又は１を表す。）
Ａｒｃ〜Ａｒｊの具体例としては、前記式（ＩＩ）における、Ａｒａ及びＡｒｂと同様である。
【０１３９】
上記式（ＡＩＩＩ−１）〜（ＡＩＩＩ−３）の具体例及びポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開2008-98619号公報に記載のものなどが挙げられる。
湿式成膜法で正孔輸送層を形成する場合は、上記正孔注入層の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。 
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層の形成の場合と同様である。 
【０１４０】
真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層の形成の場合と同様である。 
正孔輸送層は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。 
正孔輸送層はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。 
【０１４１】
この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基；ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。 
架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。 架橋性
化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。 
【０１４２】
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物としては、上記の例示したものが挙げられ、これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖又は側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。また、特に正孔輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、上記式（ＡＩＩ）や式（ＡＩＩＩ−１）〜（ＡＩＩＩ−３）に架橋性基が直接又は連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。
【０１４３】
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。
正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。
【０１４４】
架橋性化合物を架橋して正孔輸送層を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解又は分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。
正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤及び重合促進剤；縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤；などが挙げられる。 
【０１４５】
また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤；電子受容性化合物；バインダー樹脂；などを含有していてもよい。 
正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上、通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下含有する。 
【０１４６】
このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層（通常は正孔注入層）上に成膜後、加熱及び／又は光などの活性エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。 
成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層の湿式成膜時と同様である。 
成膜後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下である。 
【０１４７】
加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。 
光などの活性エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の活性エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。 
【０１４８】
加熱及び光などの活性エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。 
このようにして形成される正孔輸送層の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。 
【０１４９】
｛発光層｝
正孔注入層の上、又は正孔輸送層を設けた場合には正孔輸送層の上には発光層が設けられる。発光層は、電界を与えられた電極間において、陽極から注入された正孔と、陰極か
ら注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。 
本発明の発光層は、発光材料と溶剤とを含む組成物を用いて湿式成膜法にて形成された隣接する２層を含み、該隣接する２層が、各々異なる発光材料を含有し、且つ前記式（１）を満たせばよく、該隣接する２層の形成方法としては、前記［発光層］の項に記載の材料及び方法を用いる。
【０１５０】
その他、発光層が、各々異なる発光層好材料を含有する３層以上からなる場合、前記隣接する２層以外の層は、真空蒸着法で形成してもよい。真空蒸着法での形成方法としては、前記［正孔注入層］の項に記載の方法を用いることができる。
膜厚は、通常１〜５００ｎｍ、好ましくは５〜４００ｎｍ、更に好ましくは１０〜３００ｎｍである。この範囲にあることで、素子の電流電圧特性に大きな負荷を与えないと考えられる。
【０１５１】
｛正孔緩和層｝
正孔緩和層は、発光層の陰極側に隣接して形成される層であり、発光層と正孔緩和層界面への正孔の蓄積を緩和する働きをする層である。また、電子を効率よく発光層の方向へ輸送する役割も有する。
正孔緩和層のイオン化ポテンシャルは通常５．５ｅＶ以上、好ましくは５．６ｅＶ以上、より好ましくは５．７ｅＶ以上、また通常６．７ｅＶ以下、好ましくは６．４ｅＶ以下、より好ましくは６．０ｅＶ以下である。このイオン化ポテンシャルの値が大きすぎても、小さすぎても正孔を発光層と正孔緩和層の界面に留めてしまう可能性がある。
【０１５２】
正孔緩和層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、好ましくは０．３ｎｍ以上、より好ましくは０．５ｎｍ以上であり、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下である。膜厚が薄すぎると、薄膜に欠陥が発生する可能性があり、厚すぎれば、駆動電圧が高くなる可能性がある。
【０１５３】
正孔緩和層は蒸着法によって形成するのが好ましく、蒸着法として前記の方法が挙げられる。
正孔緩和層の陰極側には通常隣接して電子輸送層が形成されるが、正孔緩和層と電子輸送層のイオン化ポテンシャルの差は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．５ｅＶ未満、好ましくは０．３ｅＶ未満、より好ましくは０．２ｅＶ未満である。イオン化ポテンシャルの差が大きすぎると正孔が正孔緩和層内に溜まり劣化の原因となる可能性がある。
【０１５４】
本発明において、正孔緩和層には、正孔緩和材料として、正孔輸送性のユニットと電子輸送性のユニットとを有する有機化合物が用いられる。ここで正孔輸送性のユニット（正孔輸送ユニット）とは、正孔に対する耐久性に優れており、正孔輸送特性を有する構造（ユニット）である。
また、電子輸送性のユニット（電子輸送ユニット）とは、電子に対する耐久性に優れており、電子輸送特性を有する構造（ユニット）である。
【０１５５】
本発明における正孔緩和材料の正孔移動度μＨは、下記の電荷移動度の測定方法で、通常１×１０−６ｃｍ−２／Ｖ・ｓ以上、好ましくは１×１０−４ｃｍ−２／Ｖ・ｓ以上、より好ましくは１×１０−３ｃｍ−２／Ｖ・ｓ以上である。
正孔移動度は、速ければ速い程、素子とした場合の駆動電圧が低下できる為、上限値は特にはないが、通常１×１０−１ｃｍ−２／Ｖ・ｓ以下である。
【０１５６】
また、電子移動度μＥは、下記の電荷移動度の測定方法で通常１×１０−６ｃｍ−２／Ｖ・ｓ以上、好ましくは１×１０−５ｃｍ−２／Ｖ・ｓ、より好ましくは１×１０−４ｃ
ｍ−２／Ｖ・ｓ以上である。
電子移動度は、速ければ速い程、素子とした場合の駆動電圧が低下できる為、上限値は特にはないが、通常１×１０−１ｃｍ−２／Ｖ・ｓ以下である。
【０１５７】
上記範囲内であると、層内における電荷の滞在時間が短く、正孔や電子によって層が劣化され難いため好ましい。
また、正孔緩和材料の電子移動度と正孔移動度との比率（μＥ／μＨ）は、通常１００〜０．１、好ましくは５０〜０．５、より好ましくは１０〜０．５の範囲である。
この比率（μＥ／μＨ）が、上記範囲内であると、正孔や電子が発光層から他の層へ流れ難いため、正孔や電子による素子の劣化が生じ難く、得られる素子の駆動寿命が長い点で好ましい。
【０１５８】
本発明で用いる正孔緩和材料は、正孔輸送ユニット１個以上と電子輸送ユニット１個以上とを任意の割合で組み合わせた構造を有する有機化合物である。
本発明における正孔輸送ユニットとは、正孔に対する耐久性が優れており、正孔輸送性を有する構造（ユニット）である。より具体的には、発光層から正孔を取り出し易いイオン化ポテンシャルを有し、また正孔に安定であるユニットである。
【０１５９】
発光層から正孔を取り出し易いイオン化ポテンシャルとは、通常５．４〜６．３ｅＶ、好ましくは５．５〜６．２ｅＶ、より好ましくは５．６〜６．１ｅＶである。
また、正孔に安定であるとは、正孔輸送ユニットが、ラジカル状態になっても分解され難いということである。これは、ラジカルカチオンが非局在化されることにより、ラジカル状態でも安定化するということである。
【０１６０】
上記の様な性能を有するユニットの構造としては、ｓｐ３軌道を有するヘテロ原子を含む構造、又は、炭素数が４ｎ系の芳香族縮合環が挙げられる。
より具体的には、カルバゾール環、フタロシアニン環、ナフタロシアニン構造、ポルフィリン構造、トリアリールアミン構造、トリアリールホスフィン構造、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピレン環、フェニレンジアミン構造、ピロール環、ベンジジン構造、アニリン構造、ジアリールアミン構造、イミダゾリジノン構造、ピラゾール環等が挙げられる。
【０１６１】
この中でも好ましくは、カルバゾール環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピレン環、トリアリールアミン構造であり、より好ましくはカルバゾール環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピレン環であり、特に好ましくは、カルバゾール環、ピレン環であり、最も好ましくはカルバゾール環である。
本発明における電子輸送ユニットとは、電子に対する耐久性に優れており、電子輸送特性を有する構造（ユニット）である。より具体的には、ユニットに電子が入り易く、また入った電子を安定化し易いユニットである。例えばピリジン環等は窒素原子のために環が僅かに電子不足であり、電子を受け取りやすく、環に入った電子は非局在化されることにより、ピリジン環上で安定化する。
【０１６２】
上記の様な性能を有するユニットの構造としては、ｓｐ２混成軌道からなるヘテロ原子を含む単環又は縮合環が挙げられる。
より具体的には、キノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フェナントロリン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トリアジン環、チアジアゾール環、ベンゾチアジアゾール環、キノリノール金属錯体、フェナントロリン金属錯体、ヘキサアザトリフェニレン構造、テトラシアルベンゾキノリン構造等が挙げられる。
【０１６３】
この中でも好ましくは、キノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フェナントロリ
ン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トリアジン環が挙げられ、中でも電気的安定性に優れる点でキノリン環、キナゾリン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、１，１０−フェナントロリン環が特に好ましい。
尚、上記電子輸送ユニットが、窒素原子を含む６員環の単環又は縮合環である場合、窒素原子に対して、ｏ−位及びｐ−位が全て芳香族環で置換されているのが好ましい。
【０１６４】
これは、窒素原子を含む６員環のｏ−位及びｐ−位は、活性部位であり、ここが芳香族環基によって置換されることで電子が非局在化する。このことで、電子により安定となる。
つまり、本発明における正孔緩和材料は、電気的酸化還元に対する耐久性が優れたものとなる。
【０１６５】
尚、上記電子輸送ユニットが縮合環である場合は、窒素原子のｏ−位及びｐ−位のうち、縮合環の一部を形成していない部位が、芳香族環基で置換されていればよい。
正孔緩和材料としては、下記（ａ）群（正孔輸送ユニット）に挙げられる環の誘導体と下記（ｂ）群（電子輸送ユニット）に挙げられる環の誘導体の組み合わせを有する有機化合物がより好ましい。
【０１６６】
【化１４】
2011253722.tif 000020
【０１６７】
（但し、上記（ｂ）群に含まれる環はいずれも、窒素原子に対して、ｏ−位及びｐ−位が全て芳香族環で置換されている。）
前記（ｂ）群中の、窒素原子に対して、同一環状の２，４，６位の炭素原子上の水素原子が置換されている芳香族環基は、特に制限はない。つまり、芳香族炭化水素基であっても、芳香族複素環基であってもよいが、電気的酸化に対して優れた耐久性を有する点で、芳香族炭化水素基であることが好ましい。
【０１６８】
正孔緩和材料としては、例えば下記一般式（ＡＩＶ）で表される構造を有する化合物が挙げられる。
【０１６９】
【化１５】
2011253722.tif 000021
【０１７０】
（一般式（ＡＩＶ）中、
Ａは各々独立に炭素数１〜３０の正孔輸送ユニットを示し、
Ｂは各々独立に炭素数１〜３０の電子輸送ユニットを示し、
Ｌは炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数２〜１０のアルケニレン基、又は炭素数６〜３０の２価の芳香族炭化水素基を示し、
これらは置換基を有していてもよい。
【０１７１】
ｎ１及びｍ１は１〜４の整数を示し、ｌ１は０〜３の整数を示す。
一般式（ＡＩＶ）において、ｌ、ｍ、ｎが２以上の場合、複数含まれるＬ、Ａ、Ｂは、各々、同じでもよく、また異なっていてもよい。）
正孔輸送ユニットＡ及び電子輸送ユニットＢとしては、前述したものが挙げられる。具体例及び好ましい態様も同様である。
【０１７２】
式（ＡＩＶ）中、Ｌは炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数２〜１０のアルケニレン基又は炭素数６〜３０の２価の芳香族炭化水素基を示す。
炭素数１〜１０のアルキレン基としては、炭素数１〜８のアルキレン基が好ましく、その具体的な例としては、メチレン基、１，２−エチレン基、１，３−プロピレン基、１，４−ブチレン基、１，５−ペンチレン基、１，８−オクチレン基等が挙げられ、合成が簡便であるという点で、好ましくはメチレン基、１，２−エチレン基である。
【０１７３】
また、炭素数２〜１０のアルケニレン基としては炭素数２〜６のアルケニレン基が好ましく、その具体的な例としては、１，２−ビニレン基、１，３−プロペニレン基、１，２−プロペニレン基、１，４−ブテニレン基等が挙げられ、さらに、分子の平面性が向上することで共役面が広がって、電荷をより非局在化することで化合物の安定性が向上する点で、好ましくはビニレン基である。
また、炭素数６〜３０の２価の芳香族炭化水素基としては、単環及び２〜５縮合環、又はこれらが複数個連結してなる２価の基が挙げられる。ここで、該複数個とは、環の安定性が高い点で、通常２〜８個、好ましくは２〜５個である。
【０１７４】
該２価の芳香族炭化水素基の具体的な例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、トリフェニレン環、クリセン環、ナフタセン環、ペリレン環、コロネン環等由来の２価の芳香族炭化水素基が挙げられ、環の安定性が高い点で、好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリフェニレン環由来の２価の基である。
正孔緩和材料の分子量は、通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、さらに好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、さらに好ましくは４００以上の範囲である。
【０１７５】
｛正孔阻止層｝
発光層と後述の電子注入層との間に、正孔阻止層を設けてもよい。正孔阻止層は、発光層の上に、発光層の陰極側の界面に接するように積層される層である。つまり、前記正孔緩和層の代わりに、正孔阻止層を設けてもよい。
この正孔阻止層は、陽極から移動してくる正孔を陰極に到達するのを阻止する役割と、陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送する役割とを有する。 
【０１７６】
正孔阻止層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号公報に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層の材料として好ましい。 
【０１７７】
なお、正孔阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
正孔阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。 
正孔阻止層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。 
【０１７８】
｛電子輸送層｝
発光層と後述の電子注入層の間に、電子輸送層を設けてもよい。 
電子輸送層は、素子の電流効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物より形成される。 
【０１７９】
電子輸送層に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極又は電子注入層からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０１８０】
なお、電子輸送層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
電子輸送層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。 
電子輸送層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。 
【０１８１】
｛電子注入層｝
電子注入層は、陰極から注入された電子を効率良く発光層へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられ、その膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。 
【０１８２】
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常、５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。 
【０１８３】
なお、電子注入層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
電子注入層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。 
【０１８４】
｛陰極｝
陰極は、発光層側の層（電子注入層又は発光層など）に電子を注入する役割を果たすものである。 
陰極の材料としては、前記の陽極に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。 
【０１８５】
なお、陰極の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
陰極の膜厚は、通常、陽極と同様である。 
さらに、低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【０１８６】
｛その他の層｝
本発明の有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極と陰極との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
｛電子阻止層｝
有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。 
【０１８７】
電子阻止層は、正孔注入層又は正孔輸送層と発光層との間に設けられ、発光層から移動してくる電子が正孔注入層に到達するのを阻止することで、発光層内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層内に閉じこめる役割と、正孔注入層から注入された正孔を効率よく発光層の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。 
【０１８８】
電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層を本発明に係る有機層として湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号パンフレット）等が挙げられる。 
なお、電子阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。 
【０１８９】
さらに陰極と発光層又は電子輸送層との界面に、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、炭酸セシウム（ＩＩ）（ＣｓＣＯ3）等で形成された極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を
向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  １９９７年，  Ｖｏｌ．７０，  ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，  １ ９９７
年，Ｖｏｌ．４４，  ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ  ０４  Ｄｉｇｅｓｔ，  ｐｐ．１５４等参照）。 
【０１９０】
また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図１の層構成であれば、基板上に他の構成要素を陰極、電子注入層、電子輸送層、正孔緩和層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に設けてもよい。
更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明の有機電界発光素子を構成することも可能である。 
【０１９１】
また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、電流効率・駆動電圧の観点からより好ましい。 
【０１９２】
更には、本発明の有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。 
また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
【０１９３】
＜有機ＥＬ照明＞
本発明の有機ＥＬ照明は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機ＥＬ照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
【０１９４】
＜有機ＥＬ表示装置＞
本発明の有機ＥＬ表示装置は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機ＥＬ表示装置の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発行、時任静士
、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、本発明の有機ＥＬ表示装置を形成することができる。
【実施例】
【０１９５】
次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。 
＜膜減りの測定＞
以下、実施例１〜７及び比較例１及び２で、前記式（１）及び（２）の値を測定した。
【０１９６】
［実施例１］
まず、２５ｍｍ×３７．５ｍｍサイズのガラス基板を超純水で洗浄し、乾燥窒素で乾燥して、ＵＶ／オゾン洗浄を行う。
（Ｌ０の測定）
次に、発光層１を塗布成膜するための発光層形成用組成物（Ａ１）を調製した。
下記式（ＩＶ）で表される化合物を１００重量部、緑発光材料として下記式（ＶＩ）で表される化合物を１重量部、赤発光材料として下記式（ＶＩＩ）で表される化合物を０．５重量部を、濃度２．０wt%で溶剤としてクロロホルムに溶解させ、発光層形成用組成物
（Ａ１）を調製した。
【０１９７】
【化１６】
2011253722.tif 000022
【０１９８】
基板上に、発光層形成用組成物（Ａ１）を用いてスピンコートし、発光層（Ａ１）を形成した。
スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間は１２０秒、次いで塗布後、１６０℃にて、1時間加熱乾燥を行った。得られた膜を約２ｍｍ幅で掻き取り、膜厚計で膜厚Ｌ０
（ｎｍ）を、テンコールＰ−１５（ケーエルエーテンコール社製）を用いて膜厚を測定した。膜厚Ｌ０は、２７０ｎｍであった。
【０１９９】
（Ｌ１の測定）
膜厚Ｌ０測定後の基板をスピナにセットし、１５００ｒｐｍに回転させた。その後、膜厚測定した箇所に、シクロヘキサンを垂らし、１２０秒回転させた。続いて再び同じ箇所の膜厚Ｌ１（ｎｍ）が、２６０ｎｍであることを測定した。
結果を表１に示す。
【０２００】
［実施例２］
実施例１の（Ｌ０の測定）において、下記の通り、発光層形成用組成物（Ａ１）を発光層形成用組成物（Ｂ１）に変更した他は、実施例１と同様にして、測定サンプルを作成し、膜厚の測定を行った。
（Ｌ０の測定）
式（ＩＶ）で表される化合物を１００重量部、緑発光材料として式（ＶＩ）で表される化合物を４重量部、赤発光材料として式（ＶＩＩ）で表される化合物を１重量部を、濃度１．０wt%で溶剤としてクロロホルムに溶解させ、発光層形成用組成物（Ｂ１）を調製し
、実施例１と同様にして基板上に発光層（Ｂ１）を膜厚１３０ｎｍで形成した。
【０２０１】
尚、（Ｌ１の測定）は、実施例１と同様にして測定を行い、Ｌ１として膜厚１００ｎｍを測定した。
【０２０２】
［実施例３］
実施例１の（Ｌ０の測定）において、下記の通り、発光層形成用組成物（Ａ１）を発光層形成用組成物（Ｃ１）に変更した他は、実施例１と同様にして、測定サンプルを作成し、膜厚の測定を行った。
（Ｌ０の測定）
式（ＩＶ）で表される化合物を７５重量部、下記式（Ｖ）で表される化合物を２５重量部、緑発光材料として式（ＶＩ）で表される化合物を１重量部、赤発光材料として式（ＶＩＩ）で表される化合物を０．５重量部を、濃度２．０wt%で溶剤としてクロロホルムに
溶解させ、発光層形成用組成物を調製し、実施例１と同様にして正孔輸送層上に発光層（Ｃ１）を膜厚２６０ｎｍで形成した。
尚、（Ｌ１の測定）は、実施例１と同様にして測定を行い、Ｌ１として膜厚２３０ｎｍを測定した。
【０２０３】
【化１７】
2011253722.tif 000023
【０２０４】
［実施例４］
実施例１の（Ｌ０の測定）において、下記の通り、発光層形成用組成物（Ａ１）を発光層形成用組成物（Ｄ１）に変更した他は、実施例１と同様にして、測定サンプルを作成し、膜厚の測定を行った。
（Ｌ０の測定）
式（ＩＶ）で表される化合物を１００重量部、緑発光材料として式（ＶＩ）で表される化合物を５重量部を、濃度１．０wt%で溶剤としてクロロホルムに溶解させ、発光層形成
用組成物（Ｄ１）を調製し、実施例１と同様にして正孔輸送層上に発光層（Ｄ１）を膜厚１５０ｎｍで形成した。
尚、（Ｌ１の測定）は、実施例１と同様にして測定を行い、Ｌ１として膜厚１２０ｎｍを測定した。
【０２０５】
［実施例５］
実施例１の（Ｌ０の測定）において、下記の通り、発光層形成用組成物（Ａ１）を発光層形成用組成物（Ｅ１）に変更した他は、実施例１と同様にして、測定サンプルを作成し、膜厚の測定を行った。
（Ｌ０の測定）
青発光材料として、下記式（ＸＶ）の繰り返し構造を有するポリマー（重量平均分子質量４７０００）を、濃度１．０重量％で溶剤としてトルエンに溶解し、発光層形成用組成物（Ｅ１）を調製した。
【０２０６】
【化１８】
2011253722.tif 000024
【０２０７】
基板上に、発光層形成用組成物（Ｅ１）を用いてスピンコート法にて発光層（Ｅ１）を形成した。回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は１２０秒とした。塗布後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で２３０℃１時間加熱乾燥して下記式（ＸＶＩ）の繰り返し構造を有するポリマーに変換し、膜厚９０ｎｍの発光層（Ｅ１）を形成した。
【０２０８】
【化１９】
2011253722.tif 000025
【０２０９】
尚、（Ｌ１の測定）は、実施例１で溶剤であるシクロヘキサンから、シクロヘキシルベンゼンに変更した他は、実施例１と同様にして測定を行った。Ｌ１として膜厚９０ｎｍを測定した。
結果を表１に纏める。
【０２１０】
［実施例６］
実施例１の（Ｌ０の測定）において、下記の通り、発光層形成用組成物（Ａ１）を発光層形成用組成物（Ｆ１）に変更した他は、実施例１と同様にして、測定サンプルを作成し、膜厚の測定を行った。
（Ｌ０の測定）
次に、青発光材料として、式（ＸＶＩＩ）の繰り返し構造を有するポリマー（重量平均分子質量７３０００）を、濃度３．０重量％で溶剤としてシクロヘキシルベンセンに溶解し、発光層形成用組成物（Ｆ１）を調製した。
【０２１１】
【化２０】
2011253722.tif 000026
【０２１２】
基板上に、発光層形成用組成物（Ｆ１）を用い、スピンコート法にて発光層（Ｆ１）を形成した。
回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は１２０秒とした。塗布後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で２３０℃１時間加熱乾燥し式（ＸＶＩＩＩ）の繰り返し構造を有するポリマーに変換し、膜厚６９ｎｍの発光層（Ｆ１）を形成した。
【０２１３】
【化２１】
2011253722.tif 000027
【０２１４】
尚、（Ｌ１の測定）は、実施例１で溶剤であるシクロヘキサンから、シクロヘキシルベンゼンに変更した他は、実施例１と同様にして測定を行った。Ｌ１として膜厚６９ｎｍを測定した。
結果を表１に纏める。
【０２１５】
［実施例７］
実施例１の（Ｌ０の測定）において、下記の通り、発光層形成用組成物（Ａ１）を発光層形成用組成物（Ｇ１）に変更した他は、実施例１と同様にして、測定サンプルを作成し、膜厚の測定を行った。
（Ｌ０の測定）
次に、青発光材料として、式（ＸＶＩV）の繰り返し構造を有するポリマー（重量平均
分子質量  ７２０００）を、濃度３．０重量％で溶剤としてシクロヘキシルベンセンに溶解し、発光層形成用組成物（Ｇ１）を調製した。
基板上に、発光層形成用組成物（Ｇ１）を用いてスピンコート法にて発光層（Ｇ１）を形成した。回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は１２０秒とした。塗布後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で２３０℃１時間ベークし式（ＸＶＩV）の繰り返し
構造を有するポリマーに変換し、膜厚８０ｎｍの発光層（Ｇ１）を形成した。
【０２１６】
【化２２】
2011253722.tif 000028
【０２１７】
尚、（Ｌ１の測定）は、実施例１で溶剤であるシクロヘキサンから、シクロヘキシルベンゼンに変更した他は、実施例１と同様にして測定を行った。Ｌ１として膜厚８０ｎｍを測定した。
結果を表１に纏める。
【０２１８】
［比較例１］
実施例１の（Ｌ０の測定）において、下記の通り、発光層形成用組成物（Ａ１）を発光層形成用組成物（Ｈ１）に変更した他は、実施例１と同様にして、測定サンプルを作成し、膜厚の測定を行った。
（Ｌ０の測定）
式（Ｖ）で表される化合物を１００重量部、緑発光材料として式（ＶＩ）で表される化合物を１重量部を、濃度２．０wt%で溶剤としてクロロホルムに溶解させ、発光層形成用
組成物（Ｈ１）を調製し、実施例１と同様にして基板上に発光層（Ｈ１）を膜厚２７０ｎｍで形成した。
【０２１９】
次いで、（Ｌ１の測定）は、実施例１と同様にして測定を行ったが、シクロヘキサンにてスピンコートを行った際に、該発光層（Ｈ１）は、溶解してしまった。
【０２２０】
【表６】
2011253722.tif 000029
【０２２１】
＜有機電界発光素子の作成＞
［実施例８］
まず、ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜（三容真空社製、スパッタ成膜品）が、２ｍｍ幅のストライプ状にパターニングされている基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行なった。
【０２２２】
（正孔注入層の形成）
下記式（Ｉ−１）の繰り返し構造を有するポリマー（重量平均分子質量６００００）１００重量部と、下記式（ＩＩ−１）であらわされる化合物２０重量部を、濃度２重量％で溶剤として安息香酸エチルに溶解し、正孔注入層用塗布液を作製した。
【０２２３】
【化２３】
2011253722.tif 000030
【０２２４】
浄処理したＩＴＯ基板に、上記正孔注入層用塗布溶液を用いてスピンコート法にて正孔注入層を形成した。スピンコートは、回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は３０秒とした。塗布後、ホットプレート上で８０℃１分間加熱乾燥した後、電極上の不要部分を拭き取り、オーブン大気中で２３０℃１時間ベークし、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を形成した。
（正孔輸送層の形成）
次に、下記式（ＩＩＩ）の繰り返し構造を有するポリマー（重量平均分子質量５５０００）１．４重量部を、濃度１．４重量％で溶剤としてシクロヘキシルベンゼンに溶解し、正孔輸送層用塗布液を作製した。
【０２２５】
【化２４】
2011253722.tif 000031
【０２２６】
正孔注入層を塗布した基板を窒素グローブボックスに入れ、正孔注入層上に、上記正孔輸送層用塗布液を用いてスピンコート法にて正孔輸送層を形成した。回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は１２０秒とした。塗布後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で２３０℃１時間ベークし、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
（発光層（Ａ１）の形成）
次に、実施例１で調製した、発光層形成用組成物（Ａ１）を用い、同様の成膜条件で、正孔輸送層上にスピンコートを行い、発光層（Ａ１）を膜厚２７０ｎｍで得た。
【０２２７】
（発光層（Ａ２）の形成）
次に、発光層（Ａ２）を塗布成膜するための発光層形成用組成物（Ａ２）を調製した。
下記式（ＶＩＩＩ）で表される化合物を１００重量部、青発光材料として下記式（Ｘ）で表される化合物を１０重量部を、溶剤としてシクロヘキサンに溶解させ、濃度１．０wt%の発光層形成用組成物（Ａ２）を調製した。
【０２２８】
【化２５】
2011253722.tif 000032
【０２２９】
発光層（Ａ１）上に、発光層形成用組成物（Ａ２）を用いてスピンコートした。スピンコートの回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は３０秒とした。スピンコート後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で１４０℃１時間加熱し、乾燥するとともに、式（ＶＩＩＩ）で表される化合物を下記式（ＩＸ）で表される化合物に変換し、膜厚５０ｎｍの発光層（Ａ２）を形成した。
【０２３０】
【化２６】
2011253722.tif 000033
【０２３１】
（正孔阻止層の形成）
この基板を一旦大気中に取り出し、真空蒸着装置のチャンバー内に設置し、すみやかにチャンバーをロータリーポンプで粗引きした後、クライオポンプにて減圧した。基板には、所定の領域に、蒸着用マスクを配置し、チャンバーにはあらかじめ必要な蒸着材料をそれぞれ別の坩堝に入れて配置しておいた。
【０２３２】
そして、下記式ＸＩで表される材料をいれた坩堝をヒーター加熱し、発光層２の上に蒸着した。蒸着時の真空度は１．０×１０−４Ｐａ、蒸着速度０．７Å／ｓとし、正孔阻止層を膜厚１０ｎｍで形成した。
【０２３３】
【化２７】
2011253722.tif 000034
【０２３４】
（電子輸送層の形成）
次に、下記式ＸＩＩで表される材料を入れた坩堝をヒーター加熱し、正孔阻止層の上に蒸着した。蒸着時の真空度は１．０×１０−４Ｐａ、蒸着速度１．０Å／ｓとし、電子輸送層を膜厚３０ｎｍで形成した。
【０２３５】
【化２８】
2011253722.tif 000035
【０２３６】
（陰極形成および封止）
陰極形成及び封止は参考例１と同様に行ない、有機電界発光素子を作製した。
（素子発光確認）
この素子に電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２で通電したところ、発光層１からは、式（ＶＩ）、式（ＶＩＩ）で表される化合物からそれぞれ緑成分及び赤成分の発光を、発光層２からは、式（Ｘ）で表される化合物からの青成分の発光を確認した。この発光の色度および、発光スペクトルをピーク強度で規格化した場合の青成分、緑成分、赤成分の発光強度を表２に示す。
【０２３７】
［実施例９］
実施例８の（発光層（Ａ１）の形成）で用いた、発光層形成用組成物（Ａ１）を、実施例２で用いた発光層形成用組成物（Ｂ１）に変更した他は、実施例８と同様にして素子を作製した。
発光層形成用組成物（Ｂ１）を用いて、正孔輸送層上に形成された発光層（Ｂ１）は、膜厚１３０ｎｍであった。
（素子発光確認）
この素子を実施例８と同様に発光させた結果を表２に示す。
【０２３８】
［実施例１０］
実施例８の（発光層（Ａ１）の形成）で用いた、発光層形成用組成物（Ａ１）を、実施
例３で用いた発光層形成用組成物（Ｃ１）に変更した他は、実施例８と同様にして素子を作製した。
発光層形成用組成物（Ｃ１）を用いて、正孔輸送層上に形成された発光層（Ｃ１）は、膜厚２６０ｎｍであった。
（素子発光確認）
この素子を実施例８と同様に発光させた結果を表２に示す。
【０２３９】
［実施例１１］
実施例８の（発光層（Ａ１）の形成）で用いた、発光層形成用組成物（Ａ１）を、実施例４で用いた発光層形成用組成物（Ｄ１）に変更した他は、実施例８と同様にして素子を作製した。
発光層形成用組成物（Ｄ１）を用いて、正孔輸送層上に形成された発光層（Ｄ１）は、膜厚１５０ｎｍであった。
（素子発光確認）
この素子を実施例８と同様に発光させた結果を表２に示す。
【０２４０】
【表７】
2011253722.tif 000036
【０２４１】
青、緑、赤成分欄の（）内は次の通り。
ｐｋ：最大強度成分
ｓｔ：最大強度ではないが強い成分
ｓｈ：ショルダー成分
実施例の素子において、各成分の波長は、明らかに極大成分であるもの以外は、
次の波長とした。
【０２４２】
青成分：４７５ｎｍ
緑成分：５０９ｎｍ
赤成分：６２０ｎｍ
表２より、各素子とも発光層中の、緑色発光材料、赤発光材料（実施例１１は赤成分材料無し）及び、青色発光材料の全てが発光していることが分かる。
【０２４３】
［実施例１２］
正孔注入層の形成までは、実施例８と同様にして形成した。
（発光層（Ｅ１）の形成）
次に、実施例５で調製した発光層形成用組成物（Ｅ１）を用い、実施例５と同様の成膜条件で、正孔注入層上に、膜厚９０ｎｍの発光層（Ｅ１）を形成した。
【０２４４】
（発光層（Ｅ２）の形成）
次いで、発光層（Ｅ１）上に、発光層（Ｅ２）を形成した。
発光層（Ｅ２）を塗布成膜するための発光層形成用組成物（Ｅ２）を次のように調製した。
前記式（ＸＸＩ）で表される化合物を１００重量部、下記式（ＸＩＸ）で表される緑発光化合物を１．０重量部を、濃度３．０wt%で溶剤としてシクロヘキシルベンゼンに溶解
させ、発光層形成用組成物（Ｅ２）を調製した。
【０２４５】
【化２９】
2011253722.tif 000037
【０２４６】
発光層（Ｅ１）上に、発光層形成用組成物（Ｅ２）を用いてスピンコートした。スピンコートの回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は１２０秒とした。スピンコート後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で真空に引いて１３０℃１時間加熱乾燥し、膜厚４９ｎｍの発光層（Ｅ２）を形成した。
（正孔阻止層〜封止）
次いで、実施例８における正孔阻止層〜封止で、電子輸送層の形成を下記に変更した他は、実施例８と同様にして素子を作製した。
【０２４７】
（電子輸送層の形成）
次に、下記式（ＸＸＩＩ）で表される材料を入れた坩堝をヒーター加熱し、正孔阻止層の上に蒸着した。蒸着時の真空度は１．０×１０−４Ｐａ、蒸着速度１．０Å／ｓとし、電子輸送層を膜厚３０ｎｍで形成した。
【０２４８】
【化３０】
2011253722.tif 000038
【０２４９】
［実施例１３］
実施例１２（正孔輸送層の形成）と発光層の形成［（発光層（Ｆ１）の形成）及び（発光層（Ｆ２）の形成）］を、下記の通り変更した他は、実施例１２と同様にして素子を作製した。
（正孔輸送層の形成）
次に、前記式（ＸＶ）の繰り返し構造を有するポリマーを、濃度１．４重量％で溶剤としシクロヘキシルベンゼンに溶解し、正孔輸送層形成用組成物を調製した。
【０２５０】
正孔注入層を塗布した基板を窒素グローブボックスに入れ、正孔注入層上に、正孔輸送層形成用組成物を用いてスピンコート法にて正孔輸送層を形成した。回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は１２０秒とした。塗布後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で２３０℃１時間ベークして式（ＸＶＩ）の繰り返し構造を有するポリマーに変換し、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０２５１】
（発光層（Ｆ１）の形成）
次に、実施例６で調製した発光層形成用組成物（Ｆ１）を用い、実施例５と同様の成膜条件で、正孔輸送層上に、膜厚６９ｎｍの発光層（Ｆ１）を形成した。
（発光層（Ｆ２）の形成）
発光層（Ｆ２）を塗布成膜するための発光層形成用組成物（Ｆ２）を次のように調製した。
【０２５２】
前記式（ＸＸＩＩ）で表される化合物を１００重量部、前記式（ＸＩＸ）で表される緑色発光材料を１．０重量部、式（ＶＩＩ）で表される赤発光材料を０．５重量部を、濃度５．０wt%で溶剤としてシクロヘキシルベンゼンに溶解させ、発光層形成用組成物（Ｆ２
）を調製した。
発光層（Ｆ１）上に、発光層形成用組成物（Ｆ２）を用いてスピンコートした。スピンコートの回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は１２０秒とした。スピンコート後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で真空に引いて１３０℃１時間加熱乾燥し、膜厚４９ｎｍの発光層（Ｆ２）を形成した。
【０２５３】
［実施例１４］
正孔注入層の形成までは実施例８と同様に実施した。
（発光層（Ｇ１）の形成）
次に、実施例７で調製した発光層形成用組成物（Ｆ１）を用い、実施例７と同様の成膜条件で、正孔輸送層上に、膜厚８０ｎｍの発光層（Ｆ１）を形成した。
【０２５４】
（発光層（Ｇ２）の形成）
実施例１３で調製した、発光層形成用組成物（Ｆ２）を用い、実施例１３と同様の成膜条件で、発光層（Ｇ１）上に、膜厚４９ｎｍの発光層（Ｇ２）を形成した。
（正孔阻止層の形成から封止まで）
正孔阻止層の形成から封止までは、実施例１３と同様にして行った。
【０２５５】
（素子発光確認）
この素子を実施例８と同様に発光させた結果を表３に示す。
【０２５６】
【表８】
2011253722.tif 000039
【０２５７】
以上の結果より、実施例１２、１３、１４とも、発光層１および発光層２の発光材料からの発光成分があることが分かる。
【符号の説明】
【０２５８】
１  基板
２  陽極
３  正孔注入層
４  正孔輸送層
５  発光層
６  正孔緩和層
７  電子輸送層
８  電子注入層
９  陰極 
【図１】
2011253722.tif 000040