(57)【要約】【課題】金属製リードフレーム２から反射用樹脂材料４やレンズ用樹脂材料５が剥離することを抑制する。【解決手段】金属製リードフレーム２の半導体発光素子３を搭載する表面側に凹部１０を形成し、凹部１０の形成領域にその端部が位置する様に反射体１４を形成する。続いて、半導体発光素子３を搭載すると共に、反射体１４で囲繞された領域にトランスファーモールド技術を用いてレンズ用樹脂材料を充填して半導体発光素子３を被覆する。【選択図】図１
2011119557.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子搭載領域と、該発光素子搭載領域の周囲に設けられた凹部を有する基板と、
該基板の前記発光素子搭載領域に搭載された発光素子と、
前記凹部に充填されると共に、前記発光素子を囲繞する反射体を構成する反射材料と、
前記反射体により囲繞された領域に充填されると共に、前記基板の表面と同一平面上における前記反射材料との界面が前記凹部の形成領域に配された光透過性材料とを備える
発光装置。
【請求項２】
前記反射体により囲繞された領域は、前記基板から遠ざかるにつれて内周径が拡径すべく構成された
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記光透過性材料は、前記発光素子から発せられた光の光路上にレンズ形状をなすレンズ部分が設けられた
請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
発光素子搭載領域と、該発光素子搭載領域の周囲に設けられた凹部を有する基板の前記凹部を反射材料で充填すると共に、同反射材料で前記基板の表面と同一平面上における前記発光素子搭載領域側の端部が前記凹部の形成領域に位置し、前記発光素子搭載領域を囲繞する反射体を形成する工程と、
前記基板の発光素子搭載領域に発光素子を搭載する工程と、
光透過性材料を前記反射体により囲繞された領域に充填する工程とを備える
発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記反射体は、トランスファーモールド技術によって形成する
請求項４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記反射体により囲繞された領域をトランスファーモールド技術によって光透過性材料で充填する
請求項４または請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光装置及びその製造方法に関する。詳しくは、発光素子を囲繞する反射体が設けられ、反射体で囲繞した領域を光透過性材料で充填した発光装置及びこうした発光装置の製造方法に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
図６は従来の半導体発光装置（例えば、特許文献１参照。）を説明するための模式図である。ここで示す半導体発光装置は、主表面１０１ａを有するリードフレーム１０１と、主表面１０１ａ上に設けられたＬＥＤチップ１０４を備える。また、リードフレーム１０１とＬＥＤチップ１０４を接続する金線１０５と、ＬＥＤチップ１０４及び金線１０５を完全に覆う様に主表面１０１ａ上に設けられたエポキシ樹脂１０６と、エポキシ樹脂１０６を取り囲む様に設けられた樹脂部１０３を備える。
【０００３】
ここで、リードフレーム１０１の周囲には、インサート成型などによって樹脂部１０３が設けられており、この樹脂部１０３は、主表面１０１ａ上で凹形状を形成している。また、主表面１０１ａ上には、凹形状の内部に位置する様に銀（Ａｇ）ペースト１０７を介在させてＬＥＤチップ１０４が搭載されている。
【０００４】
更に、ＬＥＤチップ１０４の頂面側に形成された電極とリードフレーム１０１の主表面１０１ａとが金線１０５によって接続されている。また、主表面１０１ａ上には、ＬＥＤチップ１０４及び金線１０５を覆い、凹形状の内部を完全に充填する様にエポキシ樹脂１０６が設けられている。
【０００５】
ここで、上記した半導体発光装置を製造する場合には、先ず、板状のリードフレーム１０１を所定のパターンに加工し、リードフレーム１０１に銀（Ａｇ）メッキを施し、その状態でリードフレーム１０１を樹脂部１０３内にインサート成型する。次に、主表面１０１ａ上に銀ペースト１０７を介在させてＬＥＤチップ１０４を搭載し、ＬＥＤチップ１０４と主表面１０１ａとを金線１０５によって電気的に接続する。その後、ＬＥＤチップ１０４及び金線１０５をエポキシ樹脂１０６によって封止し、周縁に突出して所定の方向に伸びるリード端子を切断し、リードフレーム１０１の不要部分から切り離すことで、上記した半導体発光装置を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２７４０２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記した従来の半導体発光装置では、エポキシ樹脂１０６、樹脂部１０３及びリードフレーム１０１の界面を起点として剥離が生じる恐れがある。
即ち、エポキシ樹脂１０６、樹脂部１０３及びリードフレーム１０１はそれぞれ熱膨張係数が異なるため、温度変化に起因して３者が接する領域（図中符号Ａで示す領域）に応力が集中することとなる。そして、こうした応力の集中が一因となって、リードフレーム１０１とエポキシ樹脂１０６との間や、リードフレーム１０１と樹脂部１０３との間に剥離が生じ、光学特性が低下してしまう恐れがある。
【０００８】
本発明は、この様な点に鑑みて創案されたものであって、基板への密着性を向上させ、光学特性の低下を抑止することができる発光装置及びこうした発光装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明の発光装置では、発光素子搭載領域と、該発光素子搭載領域の周囲に設けられた凹部を有する基板と、該基板の前記発光素子搭載領域に搭載された発光素子と、前記凹部に充填されると共に、前記発光素子を囲繞する反射体を構成する反射材料と、前記反射体により囲繞された領域に充填されると共に、前記基板の表面と同一平面上における前記反射材料との界面が前記凹部の形成領域に配された光透過性材料とを備える。
【００１０】
ここで、基板の表面と同一平面上における光透過性材料と反射材料との界面が、反射材料が充填された凹部の形成領域に配されたことによって、基板と反射材料と光透過性材料が同一界面で接することを回避することができる。
【００１１】
また、上記の目的を達成するために、本発明の発光装置の製造方法では、発光素子搭載領域と、該発光素子搭載領域の周囲に設けられた凹部を有する基板の前記凹部を反射材料で充填すると共に、同反射材料で前記基板の表面と同一平面上における前記発光素子搭載領域側の端部が前記凹部の形成領域に位置し、前記発光素子搭載領域を囲繞する反射体を形成する工程と、前記基板の発光素子搭載領域に発光素子を搭載する工程と、光透過性材料を前記反射体により囲繞された領域に充填する工程とを備える。
【００１２】
ここで、反射材料で凹部を充填すると共に、同反射材料で基板の表面と同一平面上における発光素子搭載領域側の端部が凹部の形成領域に位置し、発光素子搭載領域を囲繞する反射体を形成することによって、基板と反射材料と光透過性材料が同一界面で接することを回避することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の発光装置及びその製造方法では、基板と反射材料及び光透過性材料の密着性を高めることができ、光学特性の低下を抑止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明を適用した発光装置の一例である半導体発光装置を説明するための模式図である。
【図２】金属製リードフレーム２を説明するための模式的な平面図である。
【図３Ａ】本発明を適用した発光装置の製造方法の一例である半導体発光装置の製造方法を説明するための模式図（１）である。
【図３Ｂ】本発明を適用した発光装置の製造方法の一例である半導体発光装置の製造方法を説明するための模式図（２）である。
【図４】本発明を適用した半導体発光装置の製造方法の工程を示すフローチャートである。
【図５】多連状の金属製リードフレーム基材を説明するための模式図である。
【図６】従来の半導体発光装置を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、発明を実施するための形態（以下、「実施の形態」と称する。）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（半導体発光装置）
２．第２の実施の形態（半導体発光装置の製造方法）
３．変形例
【００１６】
＜１．第１の実施の形態＞
図１は本発明を適用した発光装置の一例である半導体発光装置を説明するための模式図であり、ここで示す半導体発光装置１は、金属製リードフレーム２と、半導体発光素子３と、反射用樹脂材料４と、レンズ用樹脂材料５とを備えている。
【００１７】
なお、ここで示す半導体発光装置１は発光装置の一例であり、金属製リードフレーム２は基板の一例であり、半導体発光素子３は発光素子の一例であり、反射用樹脂材料４は反射材料の一例であり、レンズ用樹脂材料５は光透過性材料の一例である。
【００１８】
図２は金属製リードフレーム２を説明するための模式的な平面図であり、ここで示す金属製リードフレーム２は、厚さが概ね０．２ｍｍ程度であり、スリット６によって半導体発光素子搭載部７と金属線接続部８とに分割されている。なお、半導体発光素子３の搭載面とは反対側の面（図１の下面）はスリット６に両側に有底の溝部６Ａが形成されている。
【００１９】
更に詳しくは、半導体発光素子搭載部７及び金属線接続部８は板形状を有しており、所定のパターニング加工が施されることによって離間している。そして、離間している半導体発光素子搭載部７と金属線接続部８との間に、半導体発光素子３の搭載面から半導体発光素子３の搭載面の反対側の面にまで達するスリット６が設けられている。なお、半導体発光素子搭載部７と金属線接続部８とは、反射用樹脂材料４によって絶縁されている。つまり、スリット６に反射用樹脂材料４が充填されることによって、半導体発光素子搭載部７と金属線接続部８は絶縁されている。
【００２０】
ここで、半導体発光素子搭載部７と金属線接続部８とはスリット６によって電気的に非接続状態が保たれているために、必ずしもスリット６の両側に有底の溝部６Ａが形成される必要は無い。但し、後述する様に、半導体発光素子３の搭載面とは反対側の面には端子半田めっきが設けられており、こうした端子半田めっき同士が意図せず電気的に接続してしまわない様に、半導体発光素子３の搭載面とは反対側の面に溝部６Ａが設けられた方が好ましい。
【００２１】
なお、半導体発光素子３の搭載面とは反対側の面に溝部６Ａが設けられることによって、半導体発光素子搭載部７と金属線接続部８との間隙が拡がることとなり、意図しない端子半田めっき同士の電気的接続を抑制することが期待できる。
【００２２】
また、金属製リードフレーム２には、半導体発光素子３を搭載する半導体発光素子搭載領域９が設けられ、半導体発光素子搭載領域９の周辺には、半導体発光素子搭載領域９を取り囲む様に凹部１０が設けられている。具体的には、半導体発光素子搭載領域９を中心として、直径が１．６５ｍｍ程度の略円状を描く様に、深さ約０．０８ｍｍ、幅約０．２２５ｍｍの凹部１０が設けられている。
【００２３】
ここで、本実施の形態では、スリット６の近傍に凹部１０が形成されていない。具体的には、図２中符号Ｂで示す領域には凹部１０が形成されていない。これは、こうした領域は溝部６Ａが設けられている領域であるために、凹部１０が設けられた場合には溝部６Ａと凹部１０とによって金属製リードフレーム２を貫通してしまう可能性があり、金属製リードフレーム２の強度が低下する恐れがあるためである。
【００２４】
なお、金属製リードフレーム２に貫通孔が形成されたとしても充分な強度を確保することができる場合には、スリット６の近傍（溝部６Ａの形成領域）に凹部１０を形成しても良い。また、溝部６Ａが形成されていない場合には、スリット６の近傍に凹部１０を形成しても良い。
【００２５】
更に、金属製リードフレーム２の半導体発光素子３の搭載面のうち、半導体発光素子３と金属製ワイヤで電気的に接続される領域には、銀めっき１１が形成されている。また、金属製リードフレーム２の半導体発光素子３の搭載面とは反対側の面には、半導体発光装置１を実装基板（図示せず）等に接続するための端子半田めっき１７が設けられている。
【００２６】
また、金属製リードフレーム２の半導体発光素子３の搭載面の凹部１０よりも半導体発光素子３とは反対側に第２の凹部１８が設けられている。ここで、第２の凹部１８に反射用樹脂材料４が充填されることで、金属製リードフレーム２と反射体１４との接着強度がアンカー効果によって強化されることとなる。
なお、第２の凹部１８を形成しなくても、金属製リードフレーム２と反射体１４との接着強度を充分に確保することができる場合には、必ずしも第２の凹部１８が形成される必要は無い。
【００２７】
半導体発光素子３とは、例えば、ＬＥＤチップ等であり、金属製リードフレーム２の半導体発光素子搭載領域９に所定の導電性接着材料１２を介して搭載されている。具体的には、半導体発光素子３は、例えば銀ペースト等の導電性ペーストを接着材料として、金属製リードフレーム２の半導体発光素子搭載領域９に固定保持されることとなる。
【００２８】
また、半導体発光素子３の外部接続パッド（図示せず）と金属製リードフレーム２とは金属製ワイヤ１３で電気的に接続されている。
【００２９】
具体的には、半導体発光素子３の頂面（金属製リードフレーム２と対向する側の面と反対側の面であって、図１に示す上側の面）に設けられた外部接続パッド（図示せず）と、金属線接続部８とを例えば金細線によって電気的に接続されている。
【００３０】
この様に、半導体発光素子３は、導電性接着材料（例えば銀ペースト）１２及び金属製ワイヤ（例えば金細線）１３によって、金属製リードフレーム２の半導体発光素子３の搭載面と電気的に接続されている。
【００３１】
反射用樹脂材料４は、絶縁性材料であり、スリット６、溝部６Ａ、凹部１０及び第２の凹部１８に充填されている。また、反射用樹脂材料４は、半導体発光素子３を囲繞する反射体１４を構成し、半導体発光素子３から発せられた光は反射体によって指向性が制御されることとなる。
【００３２】
具体的には、反射体１４によって形作られる凹形状部１５の底部に半導体発光素子３及びその周辺領域が位置する様に構成されている。そして、この様に構成することによって、半導体発光素子３から発せられた光を凹形状の側壁で反射し、光の指向性を制御している。なお、反射体１４は半導体発光素子３よりもその厚みが大きくなる様に構成されている。
【００３３】
なお、反射用樹脂材料４は、半導体発光素子３から発生する光を高効率で反射できる様に、反射率が高い白色の材料であることが好ましい。また、半導体発光素子３から発せられる光で劣化し難い材料であることが好ましい。
【００３４】
また、反射体１４は、金属製リードフレーム２の半導体発光素子３の搭載面と同一平面上における半導体発光素子３側の端部（図１中符号Ｃで示す領域）が凹部１０の形成領域に位置すべく構成されている。具体的には、図１中の拡大図で示す様に、反射体１４は凹部１０の幅方向の略中心位置を起点としが概ね４５°の角度をなす傾斜部を有して構成されている。
【００３５】
なお、反射体１４と半導体発光素子３との間隔や、反射体１４の傾斜部の角度については、半導体発光装置１の特性に応じて適宜変更となるものである。
【００３６】
ここで、本実施の形態における反射体１４は、半導体発光素子３よりも厚みが大きい場合を例に挙げて説明を行っているが、反射体１４は必ずしも半導体発光素子３よりも厚みが大きく構成される必要は無い。但し、反射体１４は半導体発光素子３から発せられる光の指向性を制御するものであり、より充分に光の指向性を制御するためには、反射体１４は半導体発光素子３よりも大きな厚みである方が好ましい。
【００３７】
レンズ用樹脂材料５は、光透過性を有する絶縁性材料であり、半導体発光素子３を完全に覆う様に反射体１４が形成する凹形状部１５に充填されると共に、反射体１４を被覆する様に構成されている。なお、レンズ用樹脂材料５は高い光透過性を実現できる様に、透明の材料であることが好ましい。
【００３８】
また、本実施の形態では、レンズ用樹脂材料５が反射体１４の表面を被覆して構成された場合を例に挙げて説明を行っているが、必ずしもレンズ用樹脂材料５が反射体１４の表面を被覆する必要は無い。
【００３９】
ここで、レンズ用樹脂材料５としては、例えば熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂、シリコン樹脂等）を用いることができる。そして、この熱硬化性樹脂の形状によって半導体発光素子３が発する光に目的とする光学特性を持たせることができることとなる。本実施の形態では、レンズ用樹脂材料５には半球状のレンズ部分１６が設けられている。
【００４０】
また、レンズ用樹脂材料５は、外部からの物理的または電気的な接触に対して、半導体発光素子３や金属製ワイヤ１３を保護するといった役割をも果たしている。
【００４１】
本発明を適用した半導体発光装置１では、上述の様に、金属製リードフレーム２の半導体発光素子３の搭載面と同一平面上における半導体発光素子３側の反射体１４の端部が凹部１０の形成領域に位置すべく形成されている。そのため、金属製リードフレーム２と反射用樹脂材料４とレンズ用樹脂材料５が同一界面で接することを回避することができ、温度変化に起因した応力の集中による反射用樹脂材料４やレンズ用樹脂材料５の剥離を抑制することができるのである。
【００４２】
また、凹部１０に反射用樹脂材料４が充填されているために、金属製リードフレーム２と反射体１４との接着強度がアンカー効果によって強化されることとなり、この点においても反射用樹脂材料４の剥離を抑制することができる。
【００４３】
なお、半導体発光装置１に凹部１０が設けられた場合（本発明を適用した半導体発光装置）と、凹部１０が設けられていない場合（従来の半導体発光装置）の双方について、応力シミュレーション解析を行った。なお、応力シミュレーションは、モールド成形時を想定して１５０℃の状態から２５℃の状態へと温度変化が生じた場合の反射体１４の半導体発光素子３側の端部に加わる応力値を解析した。
【００４４】
その結果、半導体発光装置１に凹部１０が設けられていない場合には、反射体１４の半導体発光素子３側の端部に１．９５４Ｋｇｆ／ｍｍ２の応力が加わっていることが確認できた。一方、凹部１０が設けられた場合には、反射体１４の半導体発光素子３側の端部に１．６１７Ｋｇｆ／ｍｍ２の応力しか加わっていないことが確認できた。
即ち、凹部１０が設けられたことによって、反射体１４の半導体発光素子３側の端部に加わる応力を緩和することができることを確認することができた。
【００４５】
＜２．第２の実施の形態＞
以下、上記の様に構成された半導体発光装置１の製造方法について説明を行う。即ち、本発明を適用した発光装置の製造方法の一例である半導体発光装置の製造方法について説明を行う。
【００４６】
図３Ａ及び図３Ｂは本発明を適用した半導体発光装置の製造方法を説明するための模式図であり、図４は本発明を適用した半導体発光装置の製造方法の工程を示すフローチャートである。
【００４７】
本発明を適用した半導体発光装置の製造方法では、先ず、図３Ａ（ａ）で示す様に、金属の板材を所定形状にパターニングして金属製リードフレーム基材２０を形成する。
【００４８】
具体的には、例えば、打ち抜きプレス加工やエッチング加工等の適当な加工方法を用いて、金属の板材を所定形状にパターニングすることによって図５で示す様な、多連状の金属製リードフレーム基材２０を形成する。
【００４９】
ここで、図５で示す金属製リードフレーム基材２０は、半導体発光装置１を構成する金属製リードフレーム２が複数個連なったものである。金属製リードフレーム基材２０は、リードフレーム２のみならず、両端に配置されたサポートフレーム２１と、サポートフレーム２１同士の間に架橋する様に渡され骨組み状となっている複数の桟フレーム２２とを含んでいる。
【００５０】
ここで、個々の金属製リードフレーム２は、上述した様に、スリット６によって半導体発光素子搭載部７と金属線接続部８とに分割され、有底の溝部６Ａ、凹部１０や第２の凹部１８が設けられている。なお、半導体発光素子搭載部７と金属線接続部８とは、金属製リードフレーム基材２０では分離されており、隣接する桟フレーム２２によって吊られる様に保持されている。
【００５１】
ところで、半導体発光素子搭載部７と金属線接続部８とを分離するスリット６の間隔が小さければ、半導体発光装置１の小型化に寄与することとなる。
ここで、一般に金属製リードフレーム基材２０を形成する金属の板材の厚みが大きければ大きいほど、スリット６の幅も広くなってしまう。そのため、金属製リードフレーム基材２０を形成する金属の板材の厚みは小さい方が好ましく、本実施の形態では概ね０．２ｍｍの板材を用いている。
【００５２】
次に、金属製リードフレーム基材２０の半導体発光素子３の搭載面のうち、半導体発光素子３と金属製ワイヤで電気的に接続される領域に銀めっき１１を形成する。
【００５３】
続いて、トランスファーモールド技術を用いて、スリット６、溝部６Ａ、凹部１０及び第２の凹部１８に反射用樹脂材料４を充填する。
また、同時に、反射用樹脂材料４によって、半導体発光素子搭載領域９を囲繞する反射体１４を形成する。更に、桟フレーム２２の下方（半導体発光素子３の搭載面とは反対側方向）にも反射用樹脂材料４を充填する（図３Ａ（ｂ）参照。）。
【００５４】
ここで、反射体１４は、金属製リードフレーム２の半導体発光素子３の搭載面と同一平面上における半導体発光素子搭載領域９側の端部が凹部１０の形成領域に位置する様に形成する。なお、製造誤差を考慮すると、反射体１４の端部が凹部１０の略中心に位置する様な設計とすることが好ましい。
【００５５】
また、反射体１４によって形作られる凹形状部１５の底部に半導体発光素子搭載領域９及びその周辺領域が位置する様に構成されている。このとき、半導体発光素子３から発生する光を高効率で反射できる様に、反射用樹脂材料４としては白色の材料を用いることが好ましい。
【００５６】
ここで、本実施の形態ではトランスファーモールド技術を用いる場合を例に挙げて説明を行っている。しかし、スリット６、溝部６Ａ、凹部１０及び第２の凹部１８に反射用樹脂材料４を充填することができ、反射体１４を形成することができれば充分であり、必ずしもトランスファーモールド技術を用いる必要は無い。
【００５７】
続いて、熱硬化性の銀ペースト等の導電性接着材料１２を、個々の金属製リードフレーム２の半導体素子搭載部７の半導体発光素子搭載領域９に塗布する。そして、導電性接着材料１２を介在させて半導体発光素子３を半導体発光素子搭載領域９に搭載する（図３Ａ（ｃ）参照。）。この様にして、半導体発光素子３を金属製リードフレーム２に搭載するダイボンド処理が行われることとなる。
【００５８】
次に、半導体発光素子搭載領域９に搭載された半導体発光素子３の外部接続パッド（図示せず）と金属製リードフレーム２とを、例えば直径２０〜３０μｍ程度の金細線等の金属製ワイヤ１３によって電気的に接続を行うワイヤーボンドを行う（図３Ａ（ｄ）参照。）。これにより、半導体発光装置１としての電気的回路が形成されることとなる。
【００５９】
次に、半導体発光素子３と金属製ワイヤ１３を完全に覆う様に、トランスファーモールド技術を用いて、レンズ用樹脂材料５を凹形状部１５に充填する。また、同時に、レンズ用樹脂材料５で半球状のレンズ部分１６を形成する（図３Ｂ（ｅ）参照。）。なお、高い光透過性を実現できる様に、レンズ用樹脂材料５としては透明の材料を用いることが好ましい。
【００６０】
ここで、本実施の形態ではトランスファーモールド技術を用いる場合を例に挙げて説明を行っている。しかし、凹形状部１５にレンズ用樹脂材料５を充填することができ、レンズ部分１６を形成することができれば充分であり、必ずしもトランスファーモールド技術を用いる必要は無い。
【００６１】
但し、例えば、ポッティング技術を用いて凹形状部１５にレンズ用樹脂材料５を充填する場合には、レンズ用樹脂材料５の粘度の影響を受けて充填量のバラツキを受けやすく、また、レンズ部分１６の形状制御が非常に困難である。更に、熱硬化時の揮発成分の蒸発や硬化収縮等の影響によっても均一な封止形状を実現することが難しい。そのため、こうした点に鑑みると、トランスファーモールド技術を用いた方が好ましい。
【００６２】
次に、金属製リードフレーム基材２０の半導体発光素子３の搭載面とは反対側の面にめっき処理を行い、端子半田めっき１７を形成する（図３Ｂ（ｆ）参照。）。
【００６３】
こうした工程を経ることによって、複数の半導体発光装置１が格子状に配列された状態となる。
【００６４】
その後、ダイシングブレード２３によって、格子状に配列された半導体発光装置１の外形に沿って、多連状の金属製リードフレーム基材２０を切断する（図３Ｂ（ｇ）参照。）。これにより、複数の半導体発光装置１が多連状の金属製リードフレーム２０より切り出され、単個の半導体発光装置１を得ることができる。
【００６５】
本発明を適用した半導体発光装置の製造方法では、上述の様に、金属製リードフレーム２の半導体発光素子３の搭載面と同一平面上における半導体発光素子搭載領域９側の反射体１４の端部が凹部１０の形成領域に位置する様に、反射体１４を形成している。そのため、金属製リードフレーム２と反射用樹脂材料４とレンズ用樹脂材料５が同一界面で接することを回避することができ、温度変化に起因した応力の集中による反射用樹脂材料４やレンズ用樹脂材料５の剥離を抑制することができるのである。
【００６６】
また、凹部１０に反射用樹脂材料４を充填しているために、金属製リードフレーム２と反射体１４との接着強度がアンカー効果によって強化されることとなり、この点においても反射用樹脂材料４の剥離を抑制することができる。
【００６７】
更に、本発明を適用した半導体発光装置の製造方法では、トランスファーモールド技術を用いてレンズ用樹脂材料５を凹形状部１５に充填している。そのため、レンズ用樹脂材料５を、半導体発光素子３が発する光に関して目的とされる光学特性に基づいた形状に成形することを極めて容易に実現することができ、かつ、その形状安定性を確保することができる。更に、トランスファーモールド金型内でレンズ用樹脂材料５の硬化を行うために、硬化時の揮発成分の蒸発や硬化収縮による封止形状のバラツキをも抑えることができることとなる。
【００６８】
また、本発明を適用した半導体発光装置の製造方法では、桟フレーム２２の下方にも反射用樹脂材料４を充填し、そのことによって、ダイシングブレード２３によるダイシング時にバリが発生することを抑制することができる。
即ち、ダイシングブレード２３によって切断する桟フレーム２２の上方（半導体発光素子３の搭載面方向）及び下方（半導体発光素子３の搭載面とは反対側方向）の双方が反射用樹脂材料４で被覆されている。そのため、ダイシング時に桟フレーム２２が表面に露出することなく、上述の様に、バリの発生を抑制することができるのである。
【００６９】
＜３．変形例＞
本発明を適用した半導体発光装置１では、反射体１４の半導体発光素子３側の端部が凹部１０の形成領域に位置することによって、金属製リードフレーム２と反射用樹脂材料４とレンズ用樹脂材料５が同一界面で接することを回避することができる。
【００７０】
そして、上記した第１の実施の形態では、半導体発光素子搭載領域９を中心として略円状を描く様に凹部１０が設けられている場合を例に挙げて説明を行っている。即ち、図２中符号Ｂで示す領域を除いて凹部１０が設けられ、反射体１４の半導体発光素子３側の概ね全ての端部が凹部１０の形成領域に位置する場合を例に挙げて説明を行っている。しかしながら、必ずしも反射体１４の半導体発光素子３側の概ね全ての端部が凹部１０に位置する必要は無く、反射体１４の半導体発光素子３側の端部の一部のみが凹部１０の形成領域に位置する様に構成されても構わない。
【００７１】
即ち、例え一部であったとしても、凹部１０の形成領域において、金属製リードフレーム２と反射用樹脂材料４とレンズ用樹脂材料５が同一界面で接することを回避することによって、光学特性の低下を抑止することが期待できる。
【符号の説明】
【００７２】
１半導体発光装置
２金属製リードフレーム
３半導体発光素子
４反射用樹脂材料
５レンズ用樹脂材料
６スリット
６Ａ溝部
７半導体発光素子搭載部
８金属線接続部
９半導体発光素子搭載領域
１０凹部
１１銀めっき
１２導電性接着材料
１３金属製ワイヤ
１４反射体
１５凹形状部
１６レンズ部分
１７端子半田めっき
１８第２の凹部
２０金属製リードフレーム基材
２１サポートフレーム
２２桟フレーム
２３ダイシングブレード
【図１】
2011119557.tif 000003
【図２】
2011119557.tif 000004
【図３Ａ】
2011119557.tif 000005
【図３Ｂ】
2011119557.tif 000006
【図４】
2011119557.tif 000007
【図５】
2011119557.tif 000008
【図６】
2011119557.tif 000009