(57)【要約】【課題】スポット溶接するワーク、ウェルドナット或いはウェルドボルトが変更された場合や下部電極が面研された場合であっても、簡単に再設定することができる、セット不良検出装置を提供する。【解決手段】正常にワーク及びウェルドナットがセットされた場合における加圧時のセンターピンの上下方向位置である正規位置を正規位置情報記憶領域１４ａに記憶させ、セット不良検出プログラム１３ｂは、通電前の加圧時に、測定されたセンターピンの上下方向位置と、正規位置情報記憶領域１４ａに記憶されたセンターピンの正規位置を比較して、ワーク及びウェルドナットの少なくとも一方のセット不良を検出する。このため、ユーザーは、正規位置情報記憶領域１４ａに前記正規位置を記憶させるという簡単な操作で、初期設定が完了する。【選択図】図７
2011161502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心に挿通穴が形成された下部電極と、前記下部電極の挿通穴を貫通した状態で上下方向摺動自在に配設されたセンターピンとからなる下部電極ユニットと、
前記下部電極と対向して離接自在に配設された上部電極を有し、
ワークを前記下部電極上に載置させ、ウェルドナットのネジ穴を前記センターピンに挿通させて保持させたセット状態で、前記ワーク及びウェルドナットを前記下部電極上及び上部電極で加圧させながら通電させて溶接するスポット溶接機の前記ワーク及びウェルドナットの少なくとも一方のセット不良を検出するセット不良検出装置において、
前記センターピンの上下方向位置を測定するポテンショメータと、
正規にワーク及びウェルドナットがセットされた場合における加圧時のセンターピンの上下方向位置である正規位置を記憶する正規位置情報記憶手段と、
通電前の加圧時に、前記センターピンの上下方向位置を前記ポテンショメータで測定させ、前記測定されたセンターピンの上下方向位置と、前記正規位置情報記憶手段に記憶されたセンターピンの正規位置を比較し、前記測定されたセンターピンの上下方向位置が、前記センターピンの正規位置から所定距離以上離れている場合に、ワーク及びウェルドナットの少なくとも一方のセット不良と判断するセット不良検出手段と、
を有することを特徴とするセット不良検出装置。
【請求項２】
中心に挿通穴が形成された下部電極と、前記下部電極の挿通穴内に挿通された状態で上下方向摺動自在に配設されたセンターピンとからなる下部電極ユニットと、
前記下部電極と対向して離接自在に配設された上部電極を有し、
ワークを前記下部電極上に載置させ、ウェルドボルトを前記挿通穴に挿通させ、ウェルドボルトの先端を前記センターピンで保持させたセット状態で、前記ワーク及びウェルドボルトを前記下部電極上及び上部電極で加圧させながら通電させて溶接するスポット溶接機の前記ワーク及びウェルドボルトの少なくとも一方のセット不良を検出するセット不良検出装置において、
前記センターピンの上下方向位置を測定するポテンショメータと、
正規にワーク及びウェルドボルトがセットされた場合における加圧時のセンターピンの上下方向位置である正規位置を記憶する正規位置情報記憶手段と、
通電前の加圧時に、前記センターピンの上下方向位置を前記ポテンショメータで測定させ、前記測定されたセンターピンの上下方向位置と、前記正規位置情報記憶手段に記憶されたセンターピンの正規位置を比較し、前記測定されたセンターピンの上下方向位置が、前記センターピンの正規位置から所定距離以上離れている場合に、ワーク及びウェルドボルトの少なくとも一方のセット不良と判断するセット不良検出手段と、
を有することを特徴とするセット不良検出装置。
【請求項３】
正規位置を基準として、センターピンの位置が正常と判断される範囲である正常判断範囲が記憶される正常判断範囲記憶手段と、
前記正常判断範囲を設定するための操作部を有し、
セット不良検出手段は、測定されたセンターピンの上下方向位置が、前記正常判断範囲に無い場合に、セット不良と判断することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のセット不良検出装置。
【請求項４】
加圧開始時からの経過時間である判断開始時間が記憶される判断開始時間記憶手段と、
前記判断開始時間を設定する操作部を有し、
セット不良検出手段は、加圧開始時から前記判断開始時間が経過した際に、センターピンの上下方向位置を前記ポテンショメータで測定させて、セット不良を判断することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載のセット不良検出装置。
【請求項５】
セット不良検出手段が、セット不良を検出した場合に、加圧から通電への移行を中止させる溶接制御手段を有することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載のセット不良検出装置。
【請求項６】
セット不良検出手段が、セット不良を検出しない場合に、加圧後に通電させてスポット溶接を実行させる溶接制御手段を有することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載のセット不良検出装置。
【請求項７】
セット不良検出手段が、セット不良を検出した場合には、
ポテンショメータにより測定されたセンターピンの上下方向位置と正規位置情報記憶手段に記憶されているセンターピンの正規位置との差分を報知するセット不良報知手段を有することを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載のセット不良検出装置。
【請求項８】
ポテンショメータは、可変抵抗式であることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載のセット不良検出装置。
【請求項９】
ポテンショメータは、
直線上の膜状抵抗体と、
前記膜状抵抗体と接触しつつ、前記膜状抵抗体上に摺動自在に配設された接触子を有する直動可変抵抗式であることを特徴とする請求項８に記載のセット不良検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スポット溶接機でワークにウェルドナットやウェルドボルトをスポット溶接する際に、ワーク、ウェルドナット、ウェルドボルトのセット不良を検出することができる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ワークにウェルドナットをスポット溶接するには、ワークに形成された下穴に、下部電極ユニットのセンターピンを挿通して上方に突出させ、ウェルドナットのネジ穴に前記センターピンを下側から挿通してウェルドナットをセットした後に、上部電極を下降させて、ウェルドナットをワークに押し付け、この状態で上部電極と下部電極間で通電させることにより行われる。このような、一連のスポット溶接は、スポット溶接機のシーケンス制御により自動的に行われる。なお、ウェルドナットは、ナットフィーダにより連続的・自動的に供給されるのが一般的である。
【０００３】
しかし、ナットフィーダ内に規定サイズ以外のナット（以下規定外ナットと略す）が混入している場合であっても、前記シーケンス制御により、前記規定外ナットがワークに溶接されてしまい、不良品を生産してしまうという問題があった。更に、当該不良品が看過されて下工程に流通してしまうと、規定外ナットにはボルトを螺合させることができないので、製品を組み付けることができず、半製品の全てを廃棄しなければならず、損害が大きくなってしまうという問題があった。
【０００４】
ウェルドナットの下面には、溶接電流を集中させて、確実にウェルドナットをワークに溶接させるためのプロジェクションが設けられている。ところが、ウェルドナットが裏向きにセットされた場合には、溶接電流が集中しないので、ナットとワークの溶融が不十分となり、ウェルドナットがワークから剥がれ落ちてしまうという問題があった。上記問題以外に、ナットが無い状態でスポット溶接機を作動させてしまう問題や、ワークが２枚重なった状態でスポット溶接機を作動させてしまうという問題があり、いずれの場合にも溶接不良となってしまう。
【０００５】
そこで、前述したようなウェルドナットの溶接不良を検出するために、特許文献１に示されるように、ウェルドナットのセット不良を検出することができるスポット溶接機が提案されている。この特許文献１に示されるスポット溶接機は、センターピンに接続されるシャフトの下端に被検出体が取り付けられ、この被検出体と対向する位置に高周波センサーが取り付けられていて、前記高周波センサーにより被検出体の近接を検出することにより、センターピンの降下位置を検出し、当該降下位置が規定の範囲外にある場合に、ワークやウェルドナットのセット不良を検出する構成のものである。しかしながら、センターピンの降下位置を高周波センサーで検出していることから、センターピンの正確な位置を検出することができず、実際には、セット不良であっても正常と判断され、逆に正常であってもセット不良と判断されることが頻発していた。また、溶接するワークやウェルドナットの種類を変更する場合には、被検出体に対する高周波センサーの離間位置を変更する必要があり、この変更作業が大変煩雑であった。なお、ウェルドナットの溶接に伴いワークと当接する下部電極が変形することから、この下部電極の上面を定期的に面研して整形する必要があるが、下部電極を面研すると、スポット溶接時のセンターピン下降量も変化してしまので、検出体に対する高周波センサーの離間位置を変更する必要があり、下部電極を面研する度に、被検出体に対する高周波センサーの離間位置を変更する必要があり、変更作業が大変煩雑であった。
【０００６】
そこで、特許文献２に示されるように、センターピンの上下方向の移動と連動するシャフトに磁性目盛りを形成し、磁気検出素子で前記磁性目盛りを検出し、スポット溶接時のセンターピンの降下量を精度高く測定し、セット不良を正確に検出する溶接装置が提案されている。ところで、スポット溶接では大電流を使用することから、溶接時には大きな磁界が発生してしまう。そこで、特許文献２に示される溶接装置では、前記磁界の影響を排除するために、磁気検出素子で前記磁性目盛りを磁性材料で覆っている。しかしながら、磁気検出素子での磁性目盛りを検出することにより、センターピンの降下量を測定しているので、溶接時の発生する磁界の影響を完全に排除することができず、セット不良を誤検出する恐れがあった。
【０００７】
なお、ウェルドナットの溶接不良と同様に、ウェルドボルトをワークにスポット溶接する場合のワークやウェルドボルトのセット不良も問題となっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平９−２９５１６２号公報
【特許文献２】特許第３８３８５６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記問題を解決し、スポット溶接するワークやウェルドナット或いはウェルドボルトが変更された場合や下部電極が面研された場合であっても、簡単に再設定することが可能なセット不良検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するためになされた請求項１に記載の発明は、
中心に挿通穴が形成された下部電極と、前記下部電極の挿通穴を貫通した状態で上下方向摺動自在に配設されたセンターピンとからなる下部電極ユニットと、
前記下部電極と対向して離接自在に配設された上部電極を有し、
ワークを前記下部電極上に載置させ、ウェルドナットのネジ穴を前記センターピンに挿通させて保持させたセット状態で、前記ワーク及びウェルドナットを前記下部電極上及び上部電極で加圧させながら通電させて溶接するスポット溶接機の前記ワーク及びウェルドナットの少なくとも一方のセット不良を検出するセット不良検出装置において、
前記センターピンの上下方向位置を測定するポテンショメータと、
正規にワーク及びウェルドナットがセットされた場合における加圧時のセンターピンの上下方向位置である正規位置を記憶する正規位置情報記憶手段と、
通電前の加圧時に、前記センターピンの上下方向位置を前記ポテンショメータで測定させ、前記測定されたセンターピンの上下方向位置と、前記正規位置情報記憶手段に記憶されたセンターピンの正規位置を比較し、前記測定されたセンターピンの上下方向位置が、前記センターピンの正規位置から所定距離以上離れている場合に、ワーク及びウェルドナットの少なくとも一方のセット不良と判断するセット不良検出手段と、
を有することを特徴とする。
なお、前記正規位置情報記憶手段を不揮発性メモリーで構成すると、電源が遮断された場合であっても、正規位置が保存されているので、再設定する必要が無く、煩わしくなく、便利である。
【００１１】
上記課題を解決するためになされた請求項２に記載の発明は、
中心に挿通穴が形成された下部電極と、前記下部電極の挿通穴内に挿通された状態で上下方向摺動自在に配設されたセンターピンとからなる下部電極ユニットと、
前記下部電極と対向して離接自在に配設された上部電極を有し、
ワークを前記下部電極上に載置させ、ウェルドボルトを前記挿通穴に挿通させ、ウェルドボルトの先端を前記センターピンで保持させたセット状態で、前記ワーク及びウェルドボルトを前記下部電極上及び上部電極で加圧させながら通電させて溶接するスポット溶接機の前記ワーク及びウェルドボルトの少なくとも一方のセット不良を検出するセット不良検出装置において、
前記センターピンの上下方向位置を測定するポテンショメータと、
正規にワーク及びウェルドボルトがセットされた場合における加圧時のセンターピンの上下方向位置である正規位置を記憶する正規位置情報記憶手段と、
通電前の加圧時に、前記センターピンの上下方向位置を前記ポテンショメータで測定させ、前記測定されたセンターピンの上下方向位置と、前記正規位置情報記憶手段に記憶されたセンターピンの正規位置を比較し、前記測定されたセンターピンの上下方向位置が、前記センターピンの正規位置から所定距離以上離れている場合に、ワーク及びウェルドボルトの少なくとも一方のセット不良と判断するセット不良検出手段と、
を有することを特徴とする。
なお、前記正規位置情報記憶手段を不揮発性メモリーで構成すると、電源が遮断された場合であっても、正規位置が保存されているので、再設定する必要が無く、煩わしくなく、便利である。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、
正規位置を基準として、センターピンの位置が正常と判断される範囲である正常判断範囲が記憶される正常判断範囲記憶手段と、
前記正常判断範囲を設定するための操作部を有し、
セット不良検出手段は、測定されたセンターピンの上下方向位置が、前記正常判断範囲に無い場合に、セット不良と判断することを特徴とする。
これにより、ユーザーが前記操作部を操作することにより、任意の正常判断範囲を設定することが可能となる。このため、セット不良の検出が敏感すぎて、正常な場合であってもセット不良とされてしまう誤検出や、これと逆に、セット不良の検出が緩慢すぎて、セット不良の場合であっても正常と判断されてしまう誤検出を、ユーザーが前記正常判断範囲を変更することにより、前記誤検出を回避することが可能となる。
また、スポット溶接するワーク、ウェルドナット、ウェルドボルトが変更された場合であっても、ユーザーが柔軟に再設定することが可能となる。
なお、正常判断範囲記憶手段を不揮発性メモリーで構成すると、電源が遮断された場合であっても、正常判断範囲が保存されているので、再設定する必要が無く、煩わしくなく、便利である。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３に記載の発明において、
加圧開始時からの経過時間である判断開始時間が記憶される判断開始時間記憶手段と、
前記判断開始時間を設定する操作部を有し、
セット不良検出手段は、加圧開始時から前記判断開始時間が経過した際に、センターピンの上下方向位置を前記ポテンショメータで測定させて、セット不良を判断することを特徴とする。
これにより、ユーザーが前記操作部を操作することにより、任意に判断開始時間を記憶させることが可能となる。このため、下降時間、初期加圧時間が異なるスポット溶接機であっても、ユーザーが前記判断開始時間を変更することにより、セット不良を検出することが可能となり、汎用性の高いセット不良検出装置を提供することが可能となる。
なお、判断開始時間記憶手段を不揮発性メモリーで構成すると、電源が遮断された場合であっても、判断開始時間が保存されているので、再設定する必要が無く、煩わしくなく、便利である。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜請求項４に記載の発明において、
セット不良検出手段が、セット不良を検出した場合に、加圧から通電への移行を中止させる溶接制御手段を有することを特徴とする。
これにより、セット不良による不良品の発生を防止すること可能となる。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、請求項１〜請求項５に記載の発明において、
セット不良検出手段が、セット不良を検出しない場合に、加圧後に通電させてスポット溶接を実行させる溶接制御手段を有することを特徴とする。
これにより、セット不良と判断されない場合に限り、スポット溶接が実行されるので、セット不良による不良品の発生を防止すること可能となる。
【００１６】
請求項７に記載の発明は、請求項１〜請求項６に記載の発明において、
セット不良検出手段が、セット不良を検出した場合には、
ポテンショメータにより測定されたセンターピンの上下方向位置と正規位置情報記憶手段に記憶されているセンターピンの正規位置との差分を報知するセット不良報知手段を有することを特徴とする。
これにより、ユーザーは、前記差分を確認することにより、セット不良の原因の調査が容易となる。
【００１７】
請求項８に記載の発明は、請求項１〜請求項７に記載の発明において、
ポテンショメータは、可変抵抗式であることを特徴とする。
これにより、スポット溶接時に発生する磁界の影響を受けること無く、セット不良の誤検出を排除することが可能となる。
【００１８】
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、
ポテンショメータは、
直線上の膜状抵抗体と、
前記膜状抵抗体と接触しつつ、前記膜状抵抗体上に摺動自在に配設された接触子を有する直動可変抵抗式であることを特徴とする。
これにより、ポテンショメータの直線性を向上させることができ、正確にセンターピンの上下方向位置を測定することが可能となる。このため、セット不良の誤検出を排除することが可能となる。
また、センターピンの上下方向位置を測定する際には、接触子は直線的に動くので、ポテンショメータが破損し難く、信頼性を向上させることが可能となる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、正常にワーク及びウェルドナット或いはウェルドナットがセットされた場合における加圧時のセンターピンの上下方向位置である正規位置を正規位置情報記憶手段に記憶させ、セット不良検出手段は、通電前の加圧時に、測定されたセンターピンの上下方向位置と、前記正規位置情報記憶手段に記憶されたセンターピンの正規位置を比較して、セット不良を検出することとしたので、ユーザーが、前記正規位置情報記憶手段に前記正規位置を記憶させるという簡単な操作で、初期設定が完了し、スポット溶接するワークやウェルドナット或いはウェルドボルトが変更された場合や下部電極が面研された場合であっても、簡単に再設定することができるセット不良検出装置を提供することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】スポット溶接装置の側面図である。
【図２】下部電極ユニットの説明図である。
【図３】センターピン及びウェルドナットの説明図である。
【図４】ポテンショメータの分解斜視図である。
【図５】ポテンショメータの分解上面図である。
【図６】抵抗部材の上面図である。
【図７】セット不良検出装置のブロック図である。
【図８】制御部の正面図である。
【図９】メイン処理のフロー図である。
【図１０】正規位置設定処理のフロー図である。
【図１１】セット不良判断処理のフロー図である。
【図１２】正常にワーク及びウェルドナットがセットされている状態の説明図である。
【図１３】スポット溶接時の上部電極位置と溶接時間との関係を表したグラフである。
【図１４】測定結果判断の説明図である。
【図１５】セット不良となる例の説明図である。
【図１６】自動型スポット溶接機に用いられるセット不良検出装置の制御部のブロック図である。
【図１７】自動型スポット溶接機に用いられるセット不良検出装置のセット不良判断処理のフロー図である。
【図１８】下部電極ユニットの別例である。
【図１９】ナット芯ズレが発生する場合の説明図である。
【図２０】ウェルドボルトスポット溶接用下部電極ユニットの説明図である。
【図２１】ウェルドボルトスポット溶接用下部電極ユニットの詳細図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（スポット溶接機の全体構造）
以下に図面を参照しつつ、本発明の好ましい実施の形態を示す。
本発明のセット不良検出装置は、後述する制御部２０と下部電極ユニット７０とから構成されている。
５１はスポット溶接装置１００の装置本体である。装置本体５１には、下部腕部５２及び上部腕部５３が、装置本体５１の前方側に突出して設けられている。下部腕部５２及び上部腕部５３は上下に相対向している。装置本体５１には、溶接制御部６６、溶接電流供給部６７、変圧器６８、制御部２０が取り付けられている。
【００２２】
下部腕部５２の先端には、下部給電部５７が取り付けられている。下部給電部５７は、導体６１により、変圧器６８の二次側と接続している。下部給電部５７の前端には、下部電極ユニット７０が取り付けられている。
【００２３】
上部腕部５３の先端には、加圧機構５５が設けられている。加圧機構５５は、上下方向に摺動するシリンダー５５ａを有している。シリンダー５５ａの下端には、上部給電部５８が取り付けられている。加圧機構５５には、電動式及びエア式の両方が含まれる。加圧機構５５は、溶接制御部６６と接続している。溶接制御部６６の命令により、加圧機構５５が駆動し、シリンダー５５ａが上下方向に摺動するようになっている。
【００２４】
上部給電部５８は、可撓導体６２により、変圧器６８の二次側と接続している。上部給電部５８の前端には、上部電極ユニット５６が取り付けられている。上部電極ユニット５６は、加圧機構５５によって上下動するようになっていて、下部電極ユニット７０の上端に取り付けられた下部電極７１と、上部電極ユニット５６の下端に取り付けられた上部電極５６ａとが対向して離接するようになっている。なお、図１２の（Ｂ）に示されるように、上部電極５６ａは円柱形状であり、中心にセンターピン侵入穴５６ｂが上下方向に連通形成されている。加圧時にはセンターピン７２の先端がセンターピン侵入穴５６ｂに侵入するようになっている。
【００２５】
変圧器６８の一次側には、溶接電流供給部６７が接続している。溶接電流供給部６７には、交流電源６９が接続している。交流電源６９は、周波数５０Ｈｚ、６０Ｈｚ、電圧１００Ｖ、２００Ｖの三相交流又は単相交流の所謂商用電源である。溶接電流供給部６７は、溶接制御部６６と接続している。溶接電流供給部６７は、整流回路、インバータを有している。なお、溶接電流供給部６７として、サイリスタを用いたものであっても差し支えない。
溶接制御部６６の命令により、溶接電流供給部６７は、交流電源６９から変圧器６９に電流を投入／遮断し、或いは、前記電流の電圧を変更する制御を行う。
【００２６】
溶接制御部６６は、所謂プログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ：ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｌｏｇｉｃ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を有している。溶接制御部６６は、加圧機構５５及び溶接電流供給部６７をシーケンス制御する。溶接制御部６６は、投入部６６ａ、６６ｂを有している。通常、図１に示されるようなスポット溶接機１００では、投入部６６ａ、６６ｂには、溶接開始ボタン６５が接続されていて、溶接開始ボタン６５が押下されて、溶接制御部６６の投入部６６ａ、６６ｂが電気的に直結状態となると、スポット溶接のシーケンス制御が開始し、溶接制御部６６は、加圧機構５５及び溶接電流供給部６７に命令を出力する。具体的には、溶接制御部６６は、加圧機構５５にシリンダー５５ａを下降させる命令を出力して、所定時間ワーク１０１及びウェルドナット１０２を上部電極５６及び下部電極７０で加圧し、この状態で、溶接電流供給部６７に変圧器６８に電流を流させる命令を出力する。すると、溶接電流供給部６７から供給された交流電流が、変圧器６８で降圧されて大電流となり、当該大電流が対向する電極５６ａ、７１間で通電し、被溶接部材の電気抵抗熱により、ウェルドナット１０２のプロジェクション１０２ｂが溶融して、ワーク１０１にウェルドナット１０２が溶接される。スポット溶接が終了すると、溶接制御部６６は、溶接電流供給部６７に、変圧器６８への電流の供給を停止させる命令を出力するとともに、加圧機構５５にシリンダー５５ａを上昇させる命令を出力する。スポット溶接中であっても、溶接開始ボタン６５が離されると、スポット溶接が中止される。なお、図に示される実施形態では、溶接開始ボタン６５は、足踏み式のフットペダルであるが、溶接開始ボタン６５はこれに限定されず、指や手で押下する押下式のボタンであっても差し支えない。
本発明では、投入部６６ａ、６６ｂには、制御部２０の投入遮断部２５が接続され、溶接開始ボタン６５は制御部２０の投入検出部１９（図７に示す）に接続している。後述するように、制御部２０でセット不良と判断されると、投入遮断部２５の回路が遮断されて、スポット溶接が中断されるようになっている。
【００２７】
（下部電極の構造）
図２に下部電極ユニット７０の説明図を示して、以下、下部電極ユニット７０の説明をする。なお、図２の（Ａ）は下部電極ユニット７０の正面図、図２の（Ｂ）は下部電極ユニット７０の側面図である。図２では内部構造をわかりやすくするため、後述する遮蔽ボックス７６の正面板及び側面板が取り外された状態を表している。下部電極ユニット７０は、下部電極７１、センターピン７２、電極ホルダー７３、シャフト７４、水冷ジャケット７５、遮蔽ボックス７６、エアシリンダー７７、ブラケット７８、ポテンショメータ７９、エア流入ジャック８１とから構成されている。
【００２８】
電極ホルダー７３は、略円筒形状である。電極ホルダー７３の上端には、下部電極７１が取り付けられている。本実施形態では、下部電極７１は、電極ホルダー７３の上端に螺着されている。下部電極７１は円柱形状である。下部電極７１の中心には、上下にセンターピン挿通穴７１ａが連通形成されている。電極ホルダー７３や下部電極７１は、クロム銅やベリリウム銅等の強靱で電気伝導率が良好な銅合金で構成されている。図１に示されるように、電極ホルダー７３は、下部給電部５７に握持されて取り付けられている。電極ホルダー７３内には、シャフト７４が上下方向摺動自在に配設されている、
【００２９】
シャフト７４の上端には、センターピン７２が取り付けられている。センターピン７２は、セラミックスやＫＣＦ（ステンレス系の金属で、その表面に酸化アルミニウム等のセラミックスによる絶縁被膜処理を施したもの）等の絶縁物で構成されている。図３の（Ａ）に示されるように、センターピン７２は、下側から上側に、フランジ部７２ａ、当接部７２ｆ、軸部７２ｂ、ナット保持部７２ｃ、ネジ穴挿通部７２ｄ、導入部７２ｅとなっていて、これらが同軸一体に形成されている。軸部７２ｂは、下部電極７１のセンターピン挿通穴７１ａ内を貫通している。ナット保持部７２ｃ、ネジ穴挿通部７２ｄ、導入部７２ｅが、下部電極７１の上面から突出している。フランジ部７２ａは、センターピン挿通穴７１ａより大きいフランジ形状となっていて、センターピン等７２がセンターピン挿通穴７１ａから脱落しないようになっている。このような構造により、センターピン７２が、下部電極７１のセンターピン挿通穴７１ａ内に挿通された状態で上下方向摺動自在に配設されている。当接部７２ｆは、フランジ部７２ａと軸部７２ｂを接続する円錐台形状である。ナット保持部７２ｃは、上方に向かって徐々に外径が小さくなっている。ネジ穴挿通部７２ｄは円柱形状である。ネジ穴挿通部７２ｄの外径は、ウェルドナット１０２のネジ穴１０２ａの内径よりも僅かに小さくなっている。導入部７２ｅは、上方に向かって徐々に外径が小さくなっている。図３の（Ｂ）に示されるように、プロジェクション１０２ｂが下側に向けられて、ネジ穴１０２ａにネジ穴挿通部７２ｄが挿通されて、ウェルドナット１０２がセンターピン７２にセットされる。この状態では、図１２の（Ａ）に示されるように、プロジェクション１０２ｂとワーク１０１上面とは、規定寸法ａだけ離間している。ウェルドナット１０２がセンターピン７２にセットされた状態では、ネジ穴１０２ａの下端は、ナット保持部７２ｃと当接している。ネジ穴１０２の下端が、ナット保持部７２ｃと当接しているので、溶接時には、ウェルドナット１０２が上部電極５６ｂに押圧されて、センターピン７２の軸心にセンタリングされるようになっている。ウェルドナット１０２が上部電極５６ｂに押圧されると、センターピン７４が規定寸法ａだけ降下し、センターピン７４の上下方向の位置がポテンショメータ７９で測定される。溶接するウェルドナット１０２に対応する下部電極７１及びセンターピン７２に変更するだけで、溶接するウェルドナット１０２のサイズを変更することができるようになっている。
【００３０】
電極ホルダー７３の上部には、水冷ジャケット７５が取り付けられている。水冷ジャケット７５内には、冷却水が流通する冷却水路が形成されている。水冷ジャケット７５の冷却水路内を流通する冷却水によって、電極ホルダー７３及び下部電極７１の過熱が防止されるようになっている。
【００３１】
電極ホルダー７３の下端には、遮蔽ボックス７６が取り付けられている。遮蔽ボックス７６内には、エアシリンダー７７が配設されている。エアシリンダー７７は、上下に摺動する摺動軸７７ａを有している。摺動軸７７ａは、シャフト７４の下端と接続している。エアシリンダー７７は、シャフト７４を常時上方に付勢している。この状態では、センターピン７２のナット保持部７２ｃ、ネジ穴挿通部７２ｄ、導入部７２ｅが、下部電極７１の上面から突出し、ウェルドナットをセンターピン７２にセットすることができるようになっている。上部電極５６ａが降下してウェルドナット１０２が押圧されると、センターピン７２、シャフト７４、摺動軸７７ａが下方に移動する。
【００３２】
電極ホルダー７３の下部には、内部に連通するエア流入口７３ａが形成されている。エア流入口７３ａには、エア流入ジャック８１が取り付けられている。エア流入ジャック８１には、圧縮空気が供給される。常時は、センターピン７２は上方に付勢されていて、センターピン７２の当接部７２ｆが、全周に渡って、下部電極７１のセンターピン挿通穴７１ａの下端と当接しているので、エア流入ジャック８１に供給された圧縮空気が、洩出することが無い。スポット溶接時に、センターピン７１が下方に移動すると、エア流入ジャック８１から流入した圧縮空気が、電極ホルダー７３の内部を流通し、下部電極７１のセンターピン挿通穴７１ａから噴出する。このため、下部電極７１が冷却されて、下部電極７１の過熱が防止され、更に、スパッタが吹き飛ばされて、センターピン挿通穴７１ａ内へのスパッタの侵入が防止される。
【００３３】
遮蔽ボックス７６内には、ポテンショメータ７９が取り付けられている。本実施形態では、ポテンショメータ７９は、エアシリンダー７７の側方に配設されている。ポテンショメータ７９には、上下に摺動する検出シャフト７９ａを有している。シャフト７４の下端と、検出シャフト７９ａは、略Ｌ字形状のブラケット７８により接続している。シャフト７４の上下動と連動して、検出シャフト７９ａが上下に摺動し、ポテンショメータ７９でセンターピン７２の上下方向の位置を検出することができるようになっている。なお、ポテンショメータ７０内への異物の侵入を防止するために、図２に示されるように、検出シャフト７９ａを下向きにしてポテンショメータ７９を配設することが好ましい。
【００３４】
（ポテンショメータの説明）
図４〜図６を用いて、以下、ポテンショメータ７９について説明する。本実施形態のポテンショメータ７９は、直動可変抵抗式である。ポテンショメータ７９は、筐体７９ｂ、検出シャフト７９ａ、摺動部材７９ｃ、接触子７９ｄ、抵抗部材７９ｐとから構成されている。筐体７９ｂは、一面が開口した箱形状である。検出シャフト７９ａは、筐体７９ｂに摺動自在に取り付けられている。検出シャフト７９ａの基端には、摺動部材７９ｃが取り付けられている。摺動部材７９ｃには、接触子７９ｄが取り付けられている。接触子７９ｄは、銅や銅合金等の良導体で構成されている。
【００３５】
図６に示されるように、抵抗部材７９ｐは、板状の基板７９ｇ表面に、膜状抵抗体７９ｈと膜状良導体７９ｉが長手方向に並列して形成されている。基板７９ｇは樹脂等の絶縁体で構成されている。膜状抵抗体７９ｈはカーボンと樹脂の混合物であり、その表面は鏡面状となっている。膜状良導体７９ｉは、銅、銀、金、アルミニウム等の金属被膜である。膜状抵抗体７９ｈの両端には、電極７９ｋ、７９ｍが形成されている。電極７９ｋ側の、膜状良導体７９ｉの一端には、分圧検出用電極７９ｎが形成されている。各電極７９ｋ、７９ｍ、分圧検出用電極７９ｎには、それぞれ、リード線７９ｑ、７９ｓ、７９ｔが接続している。
【００３６】
図６では便宜的に、抵抗部材７９ｐ上に、接触子７９ｄを表している。接触子７９ｄは、膜状抵抗体７９ｈと膜上良導体７９ｉと接触することによりこれらを電気的に接続している。接触子７９ｄには、複数の縦長の小片が並列配列されたブラシ７９ｅが形成され、このブラシ７９ｅが、膜状抵抗体７９ｈと膜上良導体７９ｉに接触している。このように、複数の小片から構成されるブラシ７９ｄが、膜状抵抗体７９ｈ及び膜上良導体７９ｉと接触するように構成したので、確実に膜状抵抗体７９ｈと膜上良導体７９ｉが、接触子７９ｄで電気的に接続されるようになっている。検出シャフト７９ａの摺動に伴って、接触子７９ｄも膜状抵抗体７９ｈ及び膜上良導体７９ｉ上を摺動する。電極７９ｋ、７９ｍ間には測定用電圧が印加される。検出シャフト７９ａの摺動に伴って、電極７９ｋと分圧検出用電極７９ｎ間の分圧が変化するようになっている。このような構成のポテンショメータ７９は、極めて直線性が高い。抵抗部材７９ｐは筐体７９ｂの開口面に被着されて、ポテンショメータ７９の内部に異物が侵入しないようになっている。
このように、本実施形態では、可変抵抗式のポテンショメータ７９を使用しているので、溶接時の発生する磁界の影響を受けずに、センターピン７２の上下方向の位置を検出することができる。
【００３７】
（セット不良検出装置のブロック図）
図７にセット不良検出装置のブロック図を示して、当該ブロック図について説明する。制御部２０は、ＣＰＵ１１、ＲＡＭ１２、ＲＯＭ１３、不揮発性メモリー１４を有していて、これらは相互にバス９で接続されている。バス９の入力側には、Ａ／Ｄコンバータ１５、入力インターフェース１６、投入検出部１９が接続している。バス９の出力側には、ブザー駆動回路１７、表示部駆動回路１８、投入遮断部２５が接続されている。
【００３８】
ＣＰＵ１１は、ＲＡＭ１２、ＲＯＭ１３と協動して、各種演算、処理を行う。
ＲＡＭ１２には、ＣＰＵ１１で処理されるプログラムや、ＣＰＵ１１が処理するデータが、そのアドレス空間に一時的に記憶される。ＲＡＭ１２は、測定値記憶領域１２ａ及びセット不良報知状態記憶領域１２ｂを有している。
測定値記憶領域１２ａには、ポテンショメータ７９で測定された測定値が記憶される。
セット不良報知状態記憶領域１２ｂには、「セット不良報知状態フラグ」が記憶される。なお、セット不良報知状態記憶領域１２ｂに、「セット不良報知状態フラグ」が記憶されている状態では、投入遮断部２５は閉塞することが無く、スポット溶接は実行されないようになっている。
【００３９】
ＲＯＭ１３には、制御部２０を制御する各種プログラムが記憶されている。ＲＯＭ１３には、正規位置設定プログラム１３ａ、セット不良検出プログラム１３ｂ、溶接制御プログラム１３ｃ、セット不良報知プログラム１３ｄが記憶されている。なお、これら、プログラムを、不揮発性メモリー１４に記憶させても差し支えない。
正規位置設定プログラム１３ａは、正常にワーク１０１及びウェルドナット１０２がセットされた場合における加圧時のセンターピン７２の「正規位置」を後述する正規位置情報記憶領域１４ａに記憶させるためのプログラムである。
【００４０】
セット不良検出プログラム１３ｂは、ワーク１０１及びウェルドナット１０２の少なくとも一方のセット不良を検出するプログラムである。具体的には、セット不良検出プログラム１３ｂは、通電前の加圧時に、センターピン７２の上下位置を前記ポテンショメータ７９で測定させ、前記測定されたセンターピン７２の上下位置と、後述する正規位置情報記憶領域１４ａに記憶されたセンターピン７２の「正規位置」を比較し、前記測定されたセンターピン７２の位置が、前記「正規位置」から所定距離以上離れている場合に、ワーク１０１及びウェルドナット１０２の少なくとも一方のセット不良と判断する。
溶接制御プログラム１３ｃは、セット不良判断プログラム１３ｂによりセット不良が検出された場合に、加圧から通電への移行を中止させるプログラムである。具体的には、溶接制御プログラム１３ｃは、前記セット不良と判断された場合には、投入遮断部２５を遮断して、通電する前にスポット溶接を中止させる。
セット不良報知プログラム１３ｄは、セット不良判断プログラム１３ｂによりセット不良が検出された場合に、セット不良をユーザーに報知するプログラムである。
なお、正規位置設定プログラム１３ａ、セット不良検出プログラム１３ｂ、溶接制御プログラム１３ｃ、セット不良報知プログラム１３ｄを、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）として構成しても差し支えない。
【００４１】
不揮発性メモリー１４には、正規位置情報記憶領域１４ａ、正常判断範囲記憶領域１４ｂ、判断開始時間記憶領域１４ｃを有していて、各記憶領域には後述する各種設定値が記憶され、制御部２０の電源が遮断した場合にも、前記設定値が記憶されるようになっている。
【００４２】
Ａ／Ｄコンバータ１５には、ポテンションメータ７９から出力される分圧が入力される。Ａ／Ｄコンバータ１５は、前記分圧をデジタル変換して、センターピン７２の上下方向の「位置情報」を生成する。なお、本実施形態では、Ａ／Ｄコンバータ１５は、１２ｂｉｔの分解能を有している。本実施形態では、ポテンショメータ７９として、直線性に優れた薄膜抵抗式のポテンショメータを採用したことから、０．１ｍｍ単位で、センターピン７２の上下方向の位置を測定することができる。
【００４３】
入力インターフェース１６には、操作部２１が接続している。図８に示されように、操作部２１は、制御部２０の正面に設けられている。本実施形態では、図８に示されるように、入力インターフェース１６は、「ＭＯＤＥ」、「ＵＰ」、「ＤＯＷＮ」、「ＲＥＳＥＴ」、「ＡＬＡＲＭ  ＯＦＦ」からなるボタンから構成されている。なお、操作部２１をタッチパネルや、キーボード、マウス等のポインティングディバイス等で構成しても差し支えない。操作部２１から出力される操作信号の物理的・論理的形式が、入力インターフェース１６で変換されて、バス９に入力されるようになっている。図１４に示されるように、ユーザーは、操作部２１を操作することにより、正規位置情報記憶領域１４ａに記憶される「正規位置」を基準として、正常と判断されるセンターピン７２の上下方向のそれぞれの位置範囲である「正常判断範囲」を設定することができる。設定された「正常判断範囲」は、正常判断範囲記憶領域１４ｂに記憶される。なお、制御部２０の裏面側には、電源ボタンが設けられている。
【００４４】
ブザー駆動回路１７には、ブザー２２が接続している。図８に示されるように、ブザー２２は、制御部２０内に配設されている。ブザー２２は、振動板を有していて、ブザー駆動回路１７から出力される警告音信号を警告音として再生する。
【００４５】
表示部駆動回路１８には表示部２３が接続している。図８に示されるように、表示部２３は、制御部２０の前面に配設されている。本実施形態は、表示部２３は、複数のＬＤＥと、複数の７セグメントを表示するＬＥＤとから構成されている。表示部駆動回路１８は、表示部２３を点灯表示させる電流を生成する駆動回路を有している。或いは、表示部２３をＬＣＤ等の表示画面で構成しても差し支えなく、この場合には、表示部駆動回路１８は、前記表示画面に表示される画像を生成・保持するＧＰＵ及びＶＲＡＭを有している。
【００４６】
投入検出部１９は、溶接開始ボタン６５が押下されていることを検出するものである。溶接開始ボタン６５が押下されている状態では、投入検出部１９は、「ＯＮ信号」をバス９に出力する。
【００４７】
投入遮断部２５は、溶接制御部６６に接続している。投入遮断部２５は、半導体式又は機械式のリレーを有していて、溶接制御プログラム１３の命令によって、リレー回路が閉塞又は開放し、溶接制御部６６の投入部６６ａ、６６ｂを電気的に接続又は遮断するようになっている。
【００４８】
（メイン処理）
図９のフロー図を用いて、本発明のセット不良検出装置のメイン処理について説明する。制御部２０に電源が投入されると、Ｓ１の判断処理に進む。
Ｓ１「セット不良報知状態？」の判断処理において、ＣＰＵ１１は、セット不良報知状態記憶領域１２ｂを参照して、「セット不良報知状態フラグ」が記憶されているか否かを判断することにより、セット不良報知状態であるか否かを判断する。ＣＰＵ１１が「セット不良報知状態フラグ」が記憶されて無いと判断した場合には（Ｓ１の処理がＮＯ）、Ｓ２の判断処理に進む。一方で、ＣＰＵ１１が「セット不良報知状態フラグ」が記憶されていると判断した場合には（Ｓ１の処理がＹＥＳ）、Ｓ５の判断処理に進む。なお、本実施形態では、ユーザーは、操作部２１の「ＡＬＡＲＭ  ＯＦＦ」ボタンを押下することにより、セット不良報知状態記憶領域１２ｂに記憶されている「セット不良報知状態フラグ」を消去して、セット不良報知状態を解除することができる。
【００４９】
Ｓ２「正規位置設定？」の判断処理において、ＣＰＵ１１は、バス９に「正規位置設定要求信号」が入力されているか否かを判断する。ＣＰＵ１１が、バス９に「正規位置設定要求信号」が入力されていると判断した場合には（Ｓ２の処理がＹＥＳ）、Ｓ６の処理に進む。一方で、ＣＰＵ１１が、バス９に「正規位置設定要求信号」が入力されていないと判断した場合には（Ｓ２の処理がＮＯ）、Ｓ３の処理に進む。なお、本実施形態では、ユーザーが、操作部２１の「ＲＥＳＥＴ」ボタンを長押しすると、「正規位置設定要求信号」がバス９に入力される。
【００５０】
Ｓ３「ＯＮ信号入力？」の判断処理において、ＣＰＵ１１は、バス９に「ＯＮ信号」が入力されているか否かを判断する。ＣＰＵ１１が、バス９に「ＯＮ信号」が入力されていると判断した場合には（Ｓ３の処理がＹＥＳ）、Ｓ４の処理に進む。一方で、ＣＰＵ１１が、バス９に「ＯＮ信号」が入力されていない判断した場合には（Ｓ３の処理がＮＯ）、Ｓ５の判断処理に進む。なお、本実施形態では、溶接開始ボタン６５が押下されると、投入検出部１９がこれを検出して「ＯＮ信号」をバス９に出力する。
【００５１】
Ｓ４「セット不良判断処理」において、ワーク１０１及びウェルドナット１０２が正常にセットされたか否かが判断される。そして、正常にセットされたと判断された場合にはスポット溶接が実行される。一方で、セット不良であると判断された場合にはスポット溶接が中止されるとともに、セット不良が報知される。詳しくは、図１１のフロー図を用いて後述する。Ｓ４の処理が終了すると、Ｓ５の判断処理に進む。
【００５２】
Ｓ５「終了？」の判断処理において、制御部２０の電源が遮断された場合には、メイン処理が終了する。一方で、制御部２０の電源が遮断されない場合には、Ｓ１の判断処理に戻る。なお、本実施形態では、ユーザーが「電源ボタン」を操作することにより、制御部２０の電源が遮断されるようになっている。
【００５３】
Ｓ６「正規位置設定処理」において、スポット溶接されるワーク１０１及びウェルドナット１０２の正規位置が設定される。詳しくは、図１０のフロー図を用いて後述する。
【００５４】
（正規位置設定処理）
以下に、図１０のフロー図を用いて、「正規位置設定処理」について説明する。
「正規位置設定処理」が開始すると。Ｓ６−１の処理に進む。
Ｓ６−１「設定中表示」の処理において、正規位置設定プログラム１３ａは、表示部駆動回路１８に、信号を出力することにより、表示部２３で正規位置設定中であることを表示させる。本実施形態では、７セグである表示部２３に、「ＰＳ」（ポジションセットの略）と表示される。ユーザーは、表示部２３を確認することにより、「正規位置設定処理」中であるか否かを確認することができるようになっている。ユーザーは、「正規位置設定処理」中であることを確認して、図１２の（Ａ）に示されるように、下部電極７１上にワーク１０１をセットして、センターピン７２にウェルドナット１０２をセットする。具体的には、ユーザーは、セット穴１０１ａにセンターピン７２を挿通させて、ワーク１０１を下部電極７１上に載置し、プロジェクション１０２ｂを下向きにして、ネジ穴１０２ａをセンターピン７２のネジ穴挿通部７２ｄに挿通させて、ウェルドナット１０２をセンターピン７２で保持させる。この状態では、プロジェクション１０２ｂとワーク１０１間は、正規寸法ａだけ離間している。Ｓ６−１の処理が終了すると、Ｓ６−２の処理に進む。
【００５５】
Ｓ６−２「測定？」の処理において、正規位置設定プログラム１３ａは、バス９に「測定要求信号」が入力されているか否かを判断する。正規位置設定プログラム１３ａが、バス９に「測定要求信号」が入力されていると判断した場合には（Ｓ６−２の判断処理がＹＥＳ）、Ｓ６−３の処理に進む。
本実施形態では、ユーザーが操作部２１の「ＲＥＳＥＴ」ボタンを押下すると、「測定要求信号」がバス９に入力されるようになっている。
なお、「ＲＥＳＥＴ」ボタンの押下に先立ち、加圧機構５１を作動させ、図１２の（Ｂ）に示されるように、上部電極５６ａを下降させて加圧し、ウェルドナット１０１を下降させてプロジェクション１０２ｂをワーク１０１に接触させる。すると、センターピン７２、シャフト７４、ブラケット７８、検出シャフト７９ａが連動して下方に移動する。
【００５６】
Ｓ６−３「正規位置測定」の処理において、正規位置設定プログラム１３ａは、ポテンショメータ７９から出力された分圧を「位置情報」に変換させる命令をＡ／Ｄコンバータ１５に出力して、ワーク１０１及びウェルドナット１０２が正規にセットされている状態のセンターピン７２の上下方向の「正規位置」を測定する。図１２（Ｂ）に示されるように、センターピン７２が、正規寸法ａだけ下降した状態の「正規位置」が測定され、Ａ／Ｄコンバータ１５は「正規位置情報」を生成する。前記測定された「正規位置情報」は、測定値記憶領域１２ａに記憶される。本実施形態では、短時間に（数ミリ秒）１０回正規位置を測定して、当該１０回測定した測定値の平均値を「正規位置情報」とすることにより、より、測定精度を高めている。Ｓ６―３の処理が終了すると、Ｓ６−４の処理に進む。
【００５７】
Ｓ６−４「正規位置情報記憶」の処理において、測定値記憶領域１２ａに記憶されている「正規位置情報」を正規位置情報記憶領域１４ａに記憶させる。Ｓ６−４の処理が終了すると、Ｓ６−５の処理に進む。
【００５８】
Ｓ６−５「正規位置設定完了表示」の処理において、正規位置設定プログラム１３ａは、表示部駆動回路１８に信号を出力することにより、正規位置設定が完了したことを表示部２３で表示させる。Ｓ６―５の処理が終了すると、「正規位置設定処理」が終了する。
【００５９】
（セット不良判断処理）
図１１のフロー図を用いて、「セット不良判断処理」について説明する。「セット不良判断処理」が開始すると、Ｓ４−１の処理に進む。
Ｓ４−１「投入遮断部ＯＮ」の処理において、溶接制御プログラム１３ｃは、投入遮断部２５をＯＮ状態にする。本実施形態では、投入遮断部２５のリレー回路が閉塞して、投入部６６ａ、６６ｂが直結状態になり、溶接制御部６６に「ＯＮ信号」が投入される。すると、スポット溶接装置１００によるスポット溶接が開始される。図１３に示されるように、溶接制御部６６は、加圧機構５５を起動させて、上部電極５６ａを下降させて、上部電極５６ａ及び下部電極７１でワーク１０１及びウェルドナット１０２を加圧させる。Ｓ４−１の処理が終了すると、Ｓ４−２の処理に進む。
【００６０】
Ｓ４−２「タイマーセット」の処理において、セット不良検出プログラム１３ｂは、判断開始時間情報記憶領域１４ｃを参照することにより、タイマーを「判断開始時間」にセットする。「判断開始時間」とは、スポット溶接が開始してから（つまり、ＯＮ信号が溶接制御部６６に投入されてから）セット不良を判断する時間であり、図１３に示されるように、上部電極５６ａが下端位置に達してから、通電時間までの間（つまり、初期加圧時間）に設定される。
なお、ユーザーは、操作部２１を操作することにより、前記「判断開始時間」を判断開始時間情報記憶領域１４ｃに設定することができる。Ｓ４−２の処理が終了すると、Ｓ４−３の判断処理に進む。
【００６１】
Ｓ４−３「タイマーは０？」の処理において、セット不良検出プログラム１３ｂは、Ｓ４−２で設定されたタイマーが０になったか否かを判断する。セット不良検出プログラム１３ｂが、Ｓ４−３で設定されたタイマーが０になったと判断した場合には（Ｓ４−３の判断処理がＹＥＳ）、Ｓ４−５の判断処理に進む。一方で、セット不良検出プログラム１３ｂが、Ｓ４−２で設定されたタイマーが０になったと判断しない場合には（Ｓ４−３の判断処理がＮＯ）、Ｓ４−４の判断処理に進む。
【００６２】
Ｓ４−４「ＯＮ信号入力？」の判断処理において、セット不良検出プログラム１３ｂは、バス９に「ＯＮ信号」が入力されているか否かを判断する。セット不良検出プログラム１３ｂが、バス９に「ＯＮ信号」が入力されていると判断した場合には（Ｓ４−４の判断処理がＹＥＳ）、Ｓ４−３の判断処理に戻る。一方で、セット不良検出プログラム１３ｂが、バス９に「ＯＮ信号」が入力されていない判断した場合には（Ｓ４−４の判断処理がＮＯ）、Ｓ４−９の処理に進む。なお、前述したように、本実施形態では、溶接開始ボタン６５が押下されると、「ＯＮ信号」がバス９に出力され、溶接開始ボタン６５が離されると、「ＯＮ信号」がバス９に出力されなくなる。
【００６３】
Ｓ４−５「ＯＮ信号入力？」の判断処理において、セット不良検出プログラム１３ｂは、バス９に「ＯＮ信号」が入力されているか否かを判断する。セット不良検出プログラム１３ｂが、バス９に「ＯＮ信号」が入力されていると判断した場合には（Ｓ４−５の判断処理がＹＥＳ）、Ｓ４−６の処理に進む。一方で、セット不良検出プログラム１３ｂが、バス９に「ＯＮ信号」が入力されていない判断した場合には（Ｓ４−５の判断処理がＮＯ）、Ｓ４−９の処理に進む。
【００６４】
Ｓ４−６「測定」の処理において、セット不良検出プログラム１３ｂは、ポテンショメータ７９から出力された分圧を「測定位置情報」に変換させる命令をＡ／Ｄコンバータ１５に出力して、センターピン７２の上下方向の位置（センターピン７２の降下距離）を測定する。前記変換された「測定位置情報」は、測定値記憶領域１２ａに記憶される。本実施形態では、短時間に（数ミリ秒）１０回センターピン７２の位置を測定して、当該１０回測定した測定値の平均値を「測定位置情報」とすることにより、より、測定精度を高めている。Ｓ４−６の処理が終了すると、Ｓ４−７の判断処理に進む。
【００６５】
Ｓ４−７「測定値は正常判断範囲内？」の判断処理において、セット不良検出プログラム１３ｂは、測定値記憶領域１２ａ、正規位置情報記憶領域１４ａ、及び、正常判断範囲情報記憶領域１４ｂを参照して、これらの記憶領域に記憶されている位置情報を比較することにより、ワーク１０１及びウェルドナット１０２の少なくとも一方のセット不良を検出する。具体的には、図１４に示されるように、セット不良検出プログラム１３ｂは、Ｓ４−４の処理で測定されたセンターピン７２の「測定位置」が、正規位置情報記憶領域１４ａに記憶されている「正規位置」を基準に、正常判断範囲情報記憶領域１４ｂに記憶されている「正常判断範囲」にあるか否か、つまり、ワーク１０１及びウェルドナット１０２のセットが正常であるかセット不良であるかを判断する。セット不良検出プログラム１３ｂが、「測定位置」が「正常判断範囲」にあると判断した場合（正常）には（Ｓ４−７の判断処理がＹＥＳ、図１４の（Ａ）の状態）、Ｓ４−１５の判断処理に進む。一方で、セット不良検出プログラム１３ｂが、「測定位置」が「正常判断範囲」に無いと判断した場合（セット不良）には（Ｓ４−７の判断処理がＮＯ、図１４の（Ｂ）又は（Ｃ）の状態）、Ｓ４−８の処理に進む。なお、「測定位置」が「正常判断範囲」に無い場合の具体例は、図１５を用いて後で詳細に説明する。
【００６６】
Ｓ４―８「セット不良報知」の処理において、セット不良報知プログラム１３ｄは、セット不良報知状態記憶領域１２ｂに「セット不良報知状態フラグ」を記憶させるとともに、セット不良を報知する。具体的には、セット不良報知プログラム１３ｄは、ブザー駆動回路１７を作動させて、ブザー２２で警告音を鳴らさせる。また、セット不良報知プログラム１３ｄは、表示部２３でセット不良状態を表示させる命令を表示部駆動回路１８に出力する。本実施形態では、図８に示される「ＮＧ」が点灯する。そして、センターピン７２が「正規位置」よりも下側である場合には、「ＤＯＷＮ」が点灯し、「正規位置」からの差分距離が７セグで表示される。一方で、センターピン７２が「正規位置」よりも上側である場合には、「ＵＰ」が点灯し、「正規位置」からの差分距離が７セグで表示される。このようにして、ユーザーは、セット不良時に、センターピン７２が「正規位置」から、上側にあるか下側にあるかを認識することができ、また、センターピン７２の「正規位置」からの差分距離を認識することができる。なお、前記差分距離を音声でユーザーに報知させても差し支えない。Ｓ４−８の処理が終了すると、Ｓ４−９の処理に進む。
【００６７】
Ｓ４―９「投入遮断部ＯＦＦ」の処理において、溶接制御プログラム１３ｃは、投入遮断部２５のリレー回路を遮断する命令を投入遮断部２５に出力する。すると、溶接制御部６６の投入部６６ａ、６６ｂの直結状態が解除され、通電前に、スポット溶接が中止される。このように、通電前に、スポット溶接が中止されるので、セット不良に伴う不良品の発生を未然に防止することが可能となる。Ｓ４−９の処理が終了すると、「セット不良判断処理」が終了する。
【００６８】
Ｓ４−１５「ＯＮ信号入力？」の判断処理において、ＣＰＵ１１は、バス９に「ＯＮ信号」が入力されているか否かを判断する。ＣＰＵ１１が、バス９に「ＯＮ信号」が入力されていないと判断した場合には（Ｓ４−１５の処理がＮＯ）、Ｓ４−１６の処理に進む。
【００６９】
Ｓ４−１６「投入遮断部ＯＦＦ」の処理において、溶接制御プログラム１３ｃは、投入遮断部２５のリレー回路を遮断する命令を投入遮断部２５に出力し、溶接制御部６６の投入部６６ａ、６６ｂの直結状態を解除する。通電時間前であれば、スポット溶接が中止される。一方で、通電時間中又は、通電時間後であれば、スポット溶接が実行され、ウェルドナット１０２がワーク１０１に溶接される。Ｓ４―１６の処理が終了すると、「セット不良判断処理」が終了する。
【００７０】
（セット不良の説明）
図１５を用いて、セット不良となる場合について説明する。なお、図１５の（Ａ）は、正常にワーク１０１及びウェルドナット１０２がセットされている状態であり、Ｓ４−７の判断処理において、正常と判断される。
【００７１】
図１５の（Ｂ）に示されるように、ウェルドナット１０２が正規のサイズよりも大きい場合には、ウェルドナット１０２のネジ穴１０２ａ内に、センターピン７２の軸部７２ｂが挿通してしまうため、センターピン７２が「正規位置」よりも上側となり、Ｓ４−７の判断処理において、セット不良と判断される。
【００７２】
図１５の（Ｃ）に示されるように、ウェルドナット１０２が正規のサイズよりも小さい場合には、ウェルドナット１０２のネジ穴１０２ａ内に、センターピン７２のネジ穴挿通部７２ｄが挿通することなく、センターピン７２が余分に下側に押し込まれるので、センターピン７２が「正規位置」よりも下側となり、Ｓ４−７の判断処理において、セット不良と判断される。
【００７３】
図１５の（Ｄ）に示されるように、ウェルドナット１０２が裏側にセットされた場合には、プロジェクション１０２ｂの高さ分だけ、センターピン７２が下側に押し込まれるので、センターピン７２が「正規位置」よりも下側となり、Ｓ４−７の判断処理において、セット不良と判断される。
【００７４】
図１５の（Ｅ）に示されるように、ワーク１０１が無い場合には、ワーク１０１の厚さ分だけ、センターピン７２が下側に押し込まれるので、センターピン７２が「正規位置」よりも下側となり、Ｓ４−７の判断処理において、セット不良と判断される。
【００７５】
図１５の（Ｆ）に示されるように、ウェルドナット１０２が無い場合には、センターピン７２が上部電極５６aのセンターピン侵入穴５６ｂ内に侵入して、センターピン７２が下側に押し込まれないので、センターピン７２が「正規位置」よりも上側となり、Ｓ４−７の判断処理において、セット不良と判断される。
【００７６】
図１５の（Ｇ）に示されるように、ワーク１０１が２枚以上重ねられてセットされた場合には、余分に重ねられたワーク１０１の厚さ分だけ、センターピン７２が下側に押し込まれないので、センターピン７２が「正規位置」よりも上側となり、Ｓ４−７の判断処理において、セット不良と判断される。
【００７７】
図１５の（Ｈ）に示されるように、ワーク１０１がセンターピン７２に対して水平方向ズレてセットされた場合には、センターピン７２の軸部７２ｂがワーク１０１のセット穴１０１ａに挿通できずに、ワーク１０１がセンターピン７２を下側に押し込んでしまい、センターピン７２が「正規位置」よりも下側となり、Ｓ４−７の判断処理において、セット不良と判断される。
【００７８】
図１５の（Ｉ）に示されるように、加圧時にウェルドナット１０２がセンタリングされず、ウェルドナット１０２がセンターピン７２に対して水平方向ズレた場合には、ウェルドナット１０２がセンタリングされなかった分だけセンターピン７２が下側に余分に押し込まれるので、センターピン７２が「正規位置」よりも下側となり、Ｓ４−７の判断処理において、セット不良と判断される。なお、ナットの芯ズレが発生するのは、図１９の（Ａ）に示されるように、ネジ穴１０２ａがセンターピン７２の導入部７２ｅに引っかかった状態でウェルドナット１０２が加圧された場合や、図１９の（Ｂ）に示されるように、ウェルドナット１０２が回転している状態で加圧された場合である。ウェルドナット１０２が芯ズレした状態で、スポット溶接が実行されると、ワーク１０１に溶接されたウェルドナット１０２のネジ穴１０２ａ位置は正規の位置からズレているので、ネジ穴１０２ａにネジを締め付けることができない。従来では、ナット芯ズレが発生し、ウェルドナット１０２がセンタリングされなかった分だけセンターピン７２が押し込まれる僅かな違いを検出することができなかった。しかし、本発明では、前述したように、直線性に優れた膜状抵抗体を用いた直動可変抵抗式のポテンショメータ７９でセンターピンピン７２の上下方向の位置を測定することにしたので、０．１ｍｍの精度で測定することが可能となり、ナット芯ズレのような重大な溶接不良を未然に防止することが可能となる。
【００７９】
図１５の（Ｊ）に示されるように、プロジェクション１０２ｂがつぶれている場合、若しくは、加圧時にプロジェクション１０２ｂがつぶれた場合には、プロジェクション１０２ｂのつぶれ分だけセンターピン７２が下側に余分に押し込まれ、センターピン７２が「正規位置」よりも下側となり、Ｓ４−７の判断処理において、セット不良と判断される。
【００８０】
（自動型スポット溶接機の実施形態）
以下に、図１６及び図１７を用いて、自動型スポット溶接機の実施形態について、以上説明した実施形態と異なる点について説明する。なお、自動型スポット溶接機とは、ロボットにより、ワーク１０１やウェルドナット１０２が自動供給されて、セットされ、自動でスポット溶接が行われるスポット溶接機のことである。自動型スポット溶接機の実施形態では、図１６に示されるように、制御部２０は投入検出部１９及び投入遮断部２５を有さず、代わりに、信号の物理的・論理的形式を変更するインターフェース１９がバス９に接続されている。インターフェース１９には、溶接制御部６６が接続されている。この実施形態では、制御部２０でセットが正常に行われていると判断され、制御部２０から溶接制御部６６に「ＯＫ信号」が出力された場合に、溶接制御部６６は加圧後の通電が開始させる。一方で、制御部２０でセット不良と判断された場合には、制御部２０から溶接制御部６６に「ＮＧ信号」が出力され、溶接制御部６６は通電前にスポット溶接を中止させて、セット不良に伴う不良品が生成されないようになっている。この実施形態では、図９のＳ３の処理において、溶接制御部６６が、スポット溶接の開始信号である「ＯＮ信号」をインターフェース１９に出力する。
【００８１】
図１７のフローを用いて、自動型スポット溶接機の実施形態の「セット不良判断処理」の説明をする。「セット不良判断処理」が開始されると、Ｓ４−５２「タイマーセット」の処理に進む。
Ｓ４−５２「タイマーセット」の処理において、セット不良検出プログラム１３ｂは、判断開始時間情報記憶領域１４ｃを参照することにより、タイマーを「判断開始時間」にセットする。Ｓ４−５２の処理が終了すると、Ｓ４−５３の判断処理に進む。
【００８２】
Ｓ４−５３「タイマーは０？」の処理において、セット不良検出プログラム１３ｂは、Ｓ４−５２で設定されたタイマーが０になったか否かを判断する。セット不良検出プログラム１３ｂが、Ｓ４−５２で設定されたタイマーが０になったと判断した場合には（Ｓ４−５３の判断処理がＹＥＳ）、Ｓ４−５６の処理に進む。
【００８３】
Ｓ４−５６「測定」の処理において、セット不良検出プログラム１３ｂは、ポテンショメータ７９から出力された分圧を「測定位置情報」に変換させる命令をＡ／Ｄコンバータ１５に出力して、センターピン７２の上下方向の位置（センターピン７２の降下距離）を測定する。前記変換された「測定位置情報」は、測定値記憶領域１２ａに記憶される。本実施形態では、短時間に（数ミリ秒）１０回センターピン７２の位置を測定して、当該１０回測定した測定値の平均値を「測定位置情報」とすることにより、より、測定精度を高めている。Ｓ４−５６の処理が終了すると、Ｓ４−５７の判断処理に進む。
【００８４】
Ｓ４−５７「測定値は正常判断範囲内？」の判断処理において、セット不良検出プログラム１３ｂは、測定値記憶領域１２ａ、正規位置情報記憶領域１４ａ、及び、正常判断範囲情報記憶領域１４ｂを参照して、これら記憶領域に記憶されている情報を比較することにより、ワーク１０１及びウェルドナット１０２のセット不良を判断する。具体的には、図１４に示されるように、セット不良検出プログラム１３ｂは、Ｓ４−４の処理で測定されたセンターピン７２の「測定位置」が、正規位置情報記憶領域１４ａに記憶されている「正規位置」を基準に、正常判断範囲情報記憶領域１４ｂに記憶されている「正常判断範囲」にあるか否か、つまり、ワーク１０１及びウェルドナット１０２のセットが正常であるかセット不良であるかを判断する。セット不良検出プログラム１３ｂが、「測定位置」が「正常判断範囲」にあると判断した場合（正常）には（Ｓ４−５７の判断処理がＹＥＳ、図１４の（Ａ）の状態）、Ｓ４−６６の処理に進む。一方で、セット不良検出プログラム１３ｂが、「測定位置」が「正常判断範囲」に無いと判断した場合（セット不良）には（Ｓ４−５７の判断処理がＮＯ、図１４の（Ｂ）又は（Ｃ）の状態）、Ｓ４−５８の処理に進む。
【００８５】
Ｓ４―５８「セット不良報知」の処理において、セット不良報知プログラム１３ｄは、セット不良報知状態記憶領域１２ｂに「セット不良報知状態フラグ」を記憶させるとともに、セット不良を報知する。具体的には、セット不良報知プログラム１３ｄは、ブザー駆動回路１７を作動させて、ブザー２２で警告音を鳴らさせる。また、セット不良報知プログラム１３ｄは、表示部２３でセット不良を表示させる命令を表示部駆動回路１８に出力する。Ｓ４−５８の処理が終了すると、Ｓ４−５９の処理に進む。
【００８６】
Ｓ４―５９「ＮＧ信号出力」の処理において、溶接制御プログラム１３ｃは、インターフェース１９を介して、溶接制御部６６に「ＮＧ信号」を出力する。すると、通電前にスポット溶接が中止される。このように、通電前に、スポット溶接が中止されるので、セット不良に伴う不良品の発生を未然に防止することが可能となる。Ｓ４−５９の処理が終了すると、「セット不良判断処理」が終了する。
【００８７】
Ｓ４−６６「ＯＫ信号出力」の処理において、溶接制御プログラム１３ｃは、インターフェース１９を介して、溶接制御部６６に「ＯＫ信号」を出力する。すると、加圧後に通電されて、スポット溶接が実行される。Ｓ４―６６の処理が終了すると、「セット不良判断処理」が終了する。
【００８８】
（総括）
本発明では、以上詳細に説明したように、ユーザーが、正常にワーク１０１及びウェルドナット１０２をセットした後に、上部電極５６ａを下降させた状態で、操作部２１を操作することにより、センターピン７２の「正規位置」を正規位置情報記憶手段１４ａさせて正規位置設定を容易にすることができるので、スポット溶接するワーク１０１やウェルドナット１０２が変更された場合や下部電極７１が面研された場合であっても、極めて簡単に再設定することができるセット不良検出装置を提供することが可能となった。
また、センターピン７２の上下方向位置を検出するポテンショメータ７９として、直線性に優れた、薄膜抵抗を用いた直動可変抵抗式のものを採用することとしたので、スポット溶接時に発生する磁界の影響を受けること無く、正確にセンターピンの上下方向位置を測定することが可能となり、セット不良の誤検出を排除することが可能なセット不良検出装置を提供することが可能となった。
【００８９】
本発明では、ユーザーが操作部２１を操作することにより、任意に図１４に示される「正常判断範囲」を設定することができる。このため、前記「正常判断範囲」が狭すぎて、セット不良の検出が敏感となり、正常な場合であってもセット不良とされてしまう誤検出や、これと逆に、前記「正常判断範囲」が大きすぎて、セット不良の検出が甘く、セット不良の場合であっても正常と判断されてしまう誤検出を、ユーザーが「正常判断範囲」を微調整することにより、回避することが可能となる。
【００９０】
図１〜図１４に示される実施形態では、通常のスポット溶接機の下部電極ユニットを、本発明の下部電極ユニット７０に交換し、本発明の制御部２０を取り付け、溶接制御部６６の投入部６６ａ、６６ｂに接続されていた溶接開始ボタン６５を、制御部２０の投入検出部１９に接続するだけで、ワーク１０１及びウェルドナット１０２の少なくとも一方のセット不良を検出することができるので、極めて汎用性が高い。また、図１３に示される、「下降時間」、「初期加圧時間」は、スポット溶接機によって異なるが、本実施形態では、「判断開始時間」が記憶される判断開始時間記憶領域１４ｃを有し、ユーザーが操作部２１を操作することにより「判断開始時間」を任意に設定することにより、「下降時間」、「初期加圧時間」が異なるスポット溶接機であっても、前記セット不良を検出することができるので、汎用性が高い。
【００９１】
なお、図１８に示されるように、エアシリンダー７７の代わりに、コイルスプリング８８を使用して、シャフト７４を上方に付勢しても差し支えない。このように構成すれは、エアシリンダー７７を使用した場合と比較して、遮蔽ボックス７６を小型化することが可能となり、より低コストにセット不良検出装置を提供することが可能となる。
【００９２】
（ウェルドボルト溶接の実施形態）
図２０〜図２１を用いて、ウェルドボルトをスポット溶接する下部電極ユニット９０について、ウェルドナットをスポット溶接する下部電極ユニット７０と異なる点について説明する。なお、ブッロク図及び処理フローは、ウェルドナットの実施形態と同一である。
図２０や図２１に示されるように、本実施形態では、電極ホルダー７３の上端には、ウェルドボルト溶接用の下部電極９１が取り付けられている。本実施形態では、下部電極９１は、電極ホルダー７３の上端に螺着されている。下部電極９１は、前述した上部電極５６ａと対向している。図２１に示されるように、下部電極９１の中心には、挿通穴９１ａが連通形成されている。挿通穴９１ａ内には、円筒形状の絶縁部材９２が配設されている。この絶縁部材９２は、ベークライト、ＫＣＦ、セラミックス等の絶縁体でできている。絶縁部材９２は、スポット溶接時に、ウェルドボルト１０３のネジ部１０３ａを保護するためのものである。
【００９３】
図２１に示されるように、シャフト７４の上端には、ウェルドボルト溶接用のセンターピン９３が取り付けられている。センターピン９３は、電極ホルダー７３の内径よりも僅かに小さい外径の基部９３ａと、この基部９３ａの上端から上方に突出しているボルト保持部９３ｂとから構成されている。ボルト保持部９３ｂの外径は、絶縁部材９２の内径よりも僅かに小さくなっている。ボルト保持部９３ｂは、絶縁部材９２内の下方途中にまで挿通している。ボルト保持部９３ｂの先端には、円錐形状に凹陥したセンタリング凹部９３ｃが形成されている。ボルト保持部９３ｂの基端には、Ｏリング９４が取り付けられている。Ｏリング９４は、下部電極９１の挿通穴９１ａ下端を塞ぐように当接していて、エア流入ジャック８１から流入した圧縮空気の洩出を防止している。センターピン９３は、ボルト保持部９３ｂが絶縁部材９２（挿通穴９１ａ）内に挿通された状態で、上下方向摺動自在となっている。
【００９４】
次に、ウェルドボルト１０３をスポット溶接する方法について説明する。なお、ウェルドボルト１０３をスポット溶接する上部電極５６ａの接触面は平面である。図２１に示されるように、ネジ挿通穴１０４ａが形成されたワーク１０４を、ネジ挿通穴１０４ａを絶縁部材９２の開口部に合わせて下部電極９１上に載置する。次に、ウェルドボルト１０３のネジ部１０３を、絶縁部材９２（挿通孔９１ａ）内に挿通させると、ウェルドボルト１０３のネジ部１０３ａの先端が、センターピン９３のボルト保持部９３ｂで保持され、ウェルドボルト１０３の頭部１０３ｂに形成されたプロジェクション１０３ｂとワーク１０４上面とが、規定寸法ｂだけ離間する。ウェルドボルト１０３の頭部１０３ａが上部電極５６ａで押圧されると、センターピン９３が規定寸法ｂだけ降下し、センターピン９３の上下方向の位置がポテンショメータ７９で測定される。前述したように、図１３に示される初期加圧時間内に、セット不良が判断される。なお、正規位置設定方法は、ウェルドボルトの実施形態と同一である。なお、ウェルドボルト１０３の頭部１０３ａが上部電極５６ａで押圧されると、センタリング凹部９３ｃと当接しているネジ部１０３ａがセンタリングされ、ウェルドボルト１０３の水平方向の位置が位置決めされる。セット不良が検出されず、初期加圧時間が経過すると、プロジェクション１０２ｂとワーク１０４が接触した状態で、上部電極５６ａと下部電極９１間で通電し、プロジェクション１０２ｂが通電により溶融して、ウェルドボルト１０３がワーク１０４に溶接される。なお、通電時には、センターピン９３は降下していて、Ｏリング９４が、下部電極９１の挿通孔９１ａ下端から離れるので、エア流入ジャック８１から流入した圧縮空気が、電極ホルダー７３の内部を流通し、下部電極９３の挿通穴９３ａから噴出する。このため、下部電極９３が冷却され、スパッタの絶縁部材９２内への侵入が防止される。
【００９５】
ウェルドナットの実施形態と同様に、本実施形態でも、ウェルドボルト１０３のサイズが違う場合、ワーク１０４がセットされていない場合、ウェルドボルト１０３がセットされていない場合、ウェルドボルト１０３のプロジェクション１０３ｃがつぶれている場合には、初期加圧時の、センターピン９３の降下量が、前述した正規寸法ｂと異なるので、セット不良が検出される。
【００９６】
ウェルドボルトの実施形態もまた、ウェルドナットの実施形態と同様に、ユーザーが、操作部２１を操作することにより、正規位置情報記憶領域１４ａに「正規位置」を記憶させるという簡単な操作で、初期設定が完了し、スポット溶接するワーク１０４やウェルドボルト１０３が変更された場合や、下部電極９１が面研された場合であっても、簡単に再設定することができる。
【００９７】
以上、現時点において、もっとも、実践的であり、かつ好ましいと思われる実施形態に関連して本発明を説明したが、本発明は、本願明細書中に開示された実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うセット不良検出装置もまた技術的範囲に包含されるものとして理解されなければならない。  
【符号の説明】
【００９８】
１１      ＣＰＵ
１２      ＲＡＭ
１２ａ    測定値記憶領域
１２ｂ    セット不良報知状態記憶領域
１３      ＲＡＭ
１３ａ    正規位置設定プログラム
１３ｂ    セット不良検出プログラム
１３ｃ    溶接制御プログラム
１３ｄ    セット不良報知プログラム
１４      不揮発性メモリー
１４ａ    正規位置情報記憶領域
１４ｂ    正常判断範囲記憶領域
１４ｃ    判断開始時間記憶領域
１５      Ａ／Ｄコンバータ
１６      入力インターフェース
１７      ブザー駆動回路
１８      表示部駆動回路
１９      投入検出部
２０      制御部
２１      操作部
２２      ブザー
２３      表示部
２５      投入遮断部
５１      装置本体
５２      下部腕部
５３      上部腕部
５５      加圧機構
５５ａ    シリンダー
５６      上部電極ユニット
５６ａ    上部電極
５６ｂ    センターピン侵入穴
５７      下部給電部
５８      上部給電部
６１      導体
６５      溶接開始ボタン
６６      溶接制御部
６６ａ、６６ｂ  投入部
６７      溶接電流供給部
６８      変圧器
６９      交流電源
７０      下部電極ユニット
７１      下部電極
７１ａ    センターピン挿通穴
７２      センターピン
７２ａ    フランジ部
７２ｂ    軸部
７２ｃ    ナット保持部
７２ｄ    ネジ穴挿通部
７２ｅ    導入部
７２ｆ    当接部
７３      電極ホルダー
７３ａ    エア流入口
７４      シャフト
７５      水冷ジャケット
７６      遮蔽ボックス
７７      エアシリンダー
７７ａ    摺動軸
７８      ブラケット
７９      ポテンショメータ
７９ａ    検出シャフト
７９ｂ    筐体
７９ｃ    摺動部材
７９ｄ    接触子
７９ｅ    ブラシ
７９ｇ    基板
７９ｈ    膜状抵抗体
７９ｉ    膜状良導体
７９ｋ    電極
７９ｍ    電極
７９ｎ    分圧検出用電極
７９ｐ    抵抗部材
７９ｑ    リード線
７９ｓ    リード線
７９ｔ    リード線
８１      エア流入ジャック
８２      コイルスプリング
９０      下部電極ユニット（ウェルドボルト溶接用）
９１      下部電極（ウェルドボルト溶接用）
９１ａ    挿通穴
９２      絶縁体
９３      センターピン（ウェルドボルト溶接用）
９３ａ    基部
９３ｂ    ボルト保持部
９３ｃ    センタリング凹部
９４      Ｏリング
１００    スポット溶接装置
１０１    ワーク（ウェルドナット溶接用）
１０１ａ  セット穴
１０２    ウェルドナット
１０２ａ  ネジ穴
１０２ｂ  プロジェクション
１０３    ウェルドボルト
１０３ａ  ネジ部
１０３ｂ  頭部
１０３ｃ  プロジェクション
１０４    ワーク（ウェルドボルト溶接用）
１０４ａ  ネジ挿通穴
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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