(57)【要約】【課題】半導体素子の故障の可能性を低減することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１は、半導体素子１０と、半導体素子１０に積層される第１電極部材２１と、半導体素子１０を挟んで第１電極部材２１の反対側に積層される第２電極部材２２と、半導体素子１０と第１電極部材２１とを接合する第１半田３１と、半導体素子１０と第２電極部材２２とを接合する第２半田３２と、を備えている。第２電極部材２２は、半導体素子１０と電極部材２１，２２との積層方向に伸びる絶縁性の複数の支柱２２ａ〜２２ｄを有している。また、複数の支柱２２ａ〜２２ｄは、半導体素子１０の配置領域Ａと異なる領域Ｂに位置し、且つ、半導体素子１０が回転した場合に半導体素子１０に接触する領域Ｃにおいて回転方向に不均一な間隔ａ，ｂでそれぞれが配置されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、当該半導体素子に積層される第１通電部材と、当該半導体素子を挟んで当該第１通電部材の反対側に積層される第２通電部材と、前記半導体素子と前記第１通電部材とを接合する第１接合部材と、前記半導体素子と前記第２通電部材とを接合する第２接合部材と、を備えた半導体装置であって、
前記第１及び第２通電部材の少なくとも一方は、前記半導体素子と前記第１及び第２通電部材との積層方向に伸びる絶縁性の複数の支柱を有し、
前記複数の支柱は、前記第１及び第２通電部材の間に配置される前記半導体素子の配置領域と異なる領域に位置し、且つ、前記半導体素子が回転した場合に前記半導体素子に接触する領域において回転方向に不均一な間隔でそれぞれが配置されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１及び第２通電部材のうち、前記複数の支柱を有する側の通電部材は複数の貫通孔を有し、
前記複数の支柱は、当該複数の貫通孔に挿入された状態で配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数の支柱は、弾性率が前記半導体素子、前記第１及び第２通電部材、並びに、前記第１及び第２接合部材よりも大きい部材によって構成されている
ことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数の支柱は、それぞれ切り欠き部を有し、
前記第１及び第２通電部材のうち、前記複数の支柱を有しない側の通電部材は、前記切り欠き部に合致した状態で配置されている
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子を２つの放熱部材で挟み、半導体素子と各放熱部材との間を半田等の接合部材により接合して一体化した半導体装置が提案されている。この半導体装置では、当該半導体装置の上下に配置される治具を用いて、放熱部材間の距離を制御する。詳細に説明すると、治具は、突起が半導体素子と各放熱部材との積層方向に沿って伸び、各放熱部材は治具の突起が貫通する貫通孔を有する。また、半導体素子の上方に配置された治具の突起は、半導体素子の上方に配される放熱部材の貫通孔を貫通して、半導体素子の下方に配される放熱部材に当接する。同様に、半導体素子の下方に配置された治具の突起は、半導体素子の下方に配される放熱部材の貫通孔を貫通して、半導体素子の上方に配される放熱部材に当接する。このような当接により、放熱部材間の距離（半導体装置の高さ）が制御される。よって、各放熱部材の寸法公差の影響を受けることなく、寸法公差を考慮して半田等の接合部材を厚くする必要が無くなり、接合部材の厚さは低減されることとなる。なお、治具はその使用後に不要となり、貫通孔から引き抜かれるようにして取り外されることとなる（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３６２０３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、特許文献１に記載の半導体装置の製造工程には半導体素子と２つの放熱部材とを接合するために半田を溶融させる工程がある。この工程において、半田が溶融することから、半導体素子の横方向（具体的に回転方向）に半導体素子がズレてしまうことがある。このため、半導体装置の完成後に治具を貫通孔から引き抜く段階で、治具の突起と横方向にズレた半導体素子とが接触して、半導体素子の故障を招いてしまう可能性があった。
【０００５】
本発明はこのような従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、半導体素子の故障の可能性を低減することが可能な半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体装置は、半導体素子と、半導体素子に積層される第１通電部材と、半導体素子を挟んで第１通電部材の反対側に積層される第２通電部材と、半導体素子と第１通電部材とを接合する第１接合部材と、半導体素子と第２通電部材とを接合する第２接合部材とを備えている。第１及び通電部材の少なくとも一方は、半導体素子と第１及び第２通電部材との積層方向に伸びる絶縁性の複数の支柱を有している。複数の支柱は、第１及び第２通電部材の間に配置される半導体素子の配置領域と異なる領域に位置し、且つ、半導体素子が回転した場合に半導体素子に接触する領域において回転方向に不均一な間隔でそれぞれが配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、第１及び第２通電部材の少なくとも一方は、半導体素子と第１及び第２通電部材との積層方向に伸びる複数の支柱を有しているため、支柱によって半導体装置
の高さが制御される。さらに、複数の支柱は、半導体素子が回転した場合に前記半導体素子に接触する領域において回転方向に不均一な間隔でそれぞれが配置されているため、半導体素子が時計回り及び反時計回りのいずれの方向に回転しようとしても、支柱が不均一に配置されることから、半導体素子は支柱に当接し易く、回転方向のズレが規制される。加えて、支柱は冶具のように後工程において引き抜く必要がないことから、高さの制御や回転方向のズレを規制しつつも、冶具の引き抜きによる半導体素子の故障を抑制することができる。従って、半導体素子の故障の可能性を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態に係る半導体装置を示す構成図である。
【図２】図１に示した半導体装置の上面図である。
【図３】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す第１側面図である。
【図４】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す第２側面図である。
【図５】図１に示した半導体装置の変形例を示す上面図である。
【図６】図１に示した半導体装置の使用時における状態を示す側面図である。
【図７】第２実施形態に係る半導体装置を示す構成図である。
【図８】第３実施形態に係る半導体装３を示す構成図である。
【図９】図８に示した半導体装置の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の好適な実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本実施形態に係る半導体装置１を示す構成図である。なお、図１は後述する図２のＩ−Ｉ断面図でもある。図１に示すように、半導体装置１は、半導体素子１０、第１電極部材（第１通電部材）２１、第２電極部材（第２通電部材）２２、第１半田（第１接合部材）３１、及び第２半田（第２接合部材）３２、モールド樹脂４０を備えている。この半導体装置１は、半導体素子１０、第１電極部材２１、第２電極部材２２、第１半田３１、及び第２半田３２が、モールド樹脂４０によってモールドされた構成となっている。次に、各部について説明する。
【００１０】
半導体素子１０は、電極部材２１，２２を通じで電流が供給されることにより駆動するＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やダイオード等のパワー半導体素子で
ある。第１電極部材２１は半導体素子１０に積層される通電部材である。第２電極部材２２は半導体素子１０を挟んで第１電極部材２１の反対側に積層される通電部材である。これら電極部材２１，２２は、電気伝導性及び熱伝導性が良好な材料からなり、例えば銅やアルミニウム、又はこれらの合金により構成される。また、電極部材２１，２２は、それぞれ半導体装置１外部の配線部材に電気的に接続され、電力変換装置として機能する。
【００１１】
第１半田３１は、半導体素子１０の一方側の主面と第１電極部材２１とを接合するための接合部材である。同様に第２半田３２は、半導体素子１０の他方側の主面と第２電極部材２２とを接合するための接合部材である。具体的に第１半田３１及び第２半田３２は、シート半田であるが、半田ペーストであってもよい。なお、半導体素子１０がＩＧＢＴである場合、第１半田３１に接続される主面がエミッタ電極となり、第２半田３２に接続される主面がコレクタ電極となる。
【００１２】
さらに、本実施形態に係る半導体装置１において、第２電極部材２２は複数の支柱２２ａ〜２２ｄを有している。図２は、図１に示した半導体装置１の上面図である。なお、図２においては説明の便宜上、第１電極部材２１及びモールド樹脂４０の図示を省略している。
【００１３】
図１に示すように、複数の支柱２２ａ〜２２ｄは、半導体素子１０と電極部材２１，２
２との積層方向に伸びる絶縁性（例えばＰＰＳ（Polyphenylenesulfide）等の樹脂）の円柱部材である。これら支柱２２ａ〜２２ｄは、弾性率（トランスファーモールド時の温度における弾性率）が半導体素子１０、第１及び第２電極部材２１，２２、並びに、第１及び第２半田３１，３２よりも大きい部材により構成されている。また、これら支柱２２ａ〜２２ｄは、金属−樹脂接合技術等により第２電極部材２２の板部２２ｅと一体的に形成されている。
【００１４】
複数の支柱２２ａ〜２２ｄは、図２に示すように、半導体素子１０の配置領域Ａとは異なる領域Ｂ（平面視して第２電極部材２２上における領域）に位置している。さらに、本実施形態において支柱２２ａ〜２２ｄは、半導体素子１０が回転した場合に半導体素子１０に接触する領域Ｃに配置されている。ここで、「接触する領域Ｃに配置されている」とは、支柱２２ａ〜２２ｄの全体が領域Ｃに配置されている場合のみならず、一部が領域Ｃに配置されていることも含む概念である。半導体素子１０が回転した場合とは、当該半導体素子１０の中心Ｏを基準に回転した場合をいう。
【００１５】
加えて、複数の支柱２２ａ〜２２ｄは、半導体素子１０の回転方向に不均一な間隔で配置されている。具体的に説明すると、第１支柱２２ａと第２支柱２２ｂとの回転方向の間隔ａは、第１支柱２２ａと第４支柱２２ｄとの回転方向の間隔ｂと異なっている。同様に、第３支柱２２ｃと第４支柱２２ｄとの回転方向の間隔ａは、第３支柱２２ｃと第２支柱２２ｂとの回転方向の間隔ｂと異なっている。なお、本実施形態では、第１支柱２２ａと第２支柱２２ｂとの回転方向の間隔ａが、第３支柱２２ｃと第４支柱２２ｄとの回転方向の間隔ａと同じになっているが、これら間隔は異なっていてもよい。同様に、第１支柱２２ａと第４支柱２２ｄとの回転方向の間隔ｂが、第３支柱２２ｃと第２支柱２２ｂとの回転方向の間隔ｂと同じになっているが、これら間隔は異なっていてもよい。すなわち、本実施形態に係る複数の支柱２２ａ〜２２ｄは、各間隔がすべて同じでなく、一部でも異なっていればよく、「不均一」とは各間隔のうち少なくとも一部が異なっていることを意味する概念である。
【００１６】
なお、複数の支柱２２ａ〜２２ｄは、半導体素子１０が平面視して四角形状となっている場合、１辺毎に少なくとも１つ存在することが好ましい。これにより、複数の支柱２２ａ〜２２ｄは半導体素子１０を囲むように位置することとなり、半導体素子１０を第２半田３２上に載置する際に、特別な治具なしに位置決めを行うことができるからである。
【００１７】
図３は、本実施形態に係る半導体装置１の製造方法を示す第１側面図であり、図４は、本実施形態に係る半導体装置１の製造方法を示す第２側面図である。
【００１８】
図３に示すように、半導体装置１の製造にあたっては、まず、第２電極部材２２上に第２半田３２が載置され、第２半田３２上に半導体素子１０及び第１半田３１がこの順で載置される。また、これらの部品１０，３１，３２を第２電極部材２２上に載置する際には、複数の支柱２２ａ〜２２ｄが位置決めの役割を果たすこととなり、半導体素子１０の横方向の位置決めが容易化される。
【００１９】
次いで、第１電極部材２１が第１半田３１上に載置され積層される。そして、第１電極部材２１が載置された状態で、これらの複合体が半田付け炉に投入される。これにより、半田３１，３２が溶融及び凝固して半田付けが行われる。この際、第１電極部材２１上に重りが載せられることにより、第１電極部材２１は複数の支柱２２ａ〜２２ｄに押し付けられることとなり、半導体装置１の高さが決定されることとなる。
【００２０】
その後、図４に示すように、トランスファーモールド工程において樹脂封止が行われる。トランスファーモールド工程においては、まず半導体装置１が第２モールド金型５２内
に載置される。次いで、上方から第１モールド金型５１がスライドして下方に降ろされ、両金型５１，５２が合致する。両金型５１，５２が合致した後、開口部５３からエポキシ樹脂等の熱硬化性のモールド樹脂４０が高圧状態で注入される。これにより、上記複合体がモールドされ、半導体装置１が完成することとなる。
【００２１】
なお、第１モールド金型５１には上方から型締め力Ｆ１が加えられ、第２モールド金型５２には下方から型締め力Ｆ２が加えられる。ここで、本実施形態においてはトランスファーモールド時の温度における支柱２２ａ〜２２ｄの弾性率が、半導体素子１０、第１及び第２電極部材２１，２２、並びに、第１及び第２半田３１，３２よりも大きい。このため、型締め力Ｆ１，Ｆ２を大きくしても、半導体素子１０の損傷し難くできる。また、モールド金型５１，５２の接触面圧を上げてモールド樹脂４０の漏れも抑制することができる。
【００２２】
次に、本実施形態に係る半導体装置１の変形例を説明する。図５は、図１に示した半導体装置１の変形例を示す上面図である。なお、図５においては説明の便宜上、第１電極部材２１及びモールド樹脂４０の図示を省略している。
【００２３】
図５に示すように、変形例に係る半導体装置２は四角柱からなる支柱２２ｆ〜２２ｉを備えている。このように、支柱２２ｆ〜２２ｉは、半導体素子１０の回転方向への移動を規制できれば、円柱に限らず四角柱であってもよい。さらに、支柱２２ｆ〜２２ｉは、四角柱に限らず、多角柱であってもよく楕円柱であってもよい。
【００２４】
このようにして、本実施形態に係る半導体装置１によれば、第２電極部材２２は、半導体素子１０と第１及び第２電極部材２１，２２との積層方向に伸びる複数の支柱２２ａ〜２２ｄ，２２ｆ〜２２ｉを有しているため、支柱２２ａ〜２２ｄ，２２ｆ〜２２ｉによって半導体装置１の高さが制御される。さらに、複数の支柱２２ａ〜２２ｄ，２２ｆ〜２２ｉは、半導体素子１０が回転した場合に半導体素子１０に接触する領域Ｃにおいて回転方向に不均一な間隔でそれぞれが配置されているため、半導体素子１０が時計回り及び反時計回りのいずれの方向に回転しようとしても、支柱２２ａ〜２２ｄ，２２ｆ〜２２ｉが不均一に配置されることから、半導体素子１０は支柱に当接し易く、回転方向のズレが規制される。加えて、支柱２２ａ〜２２ｄ，２２ｆ〜２２ｉは冶具のように後工程において引き抜く必要がないことから、高さの制御や回転方向のズレを規制しつつも、冶具の引き抜きによる半導体素子１０の故障を抑制することができる。従って、半導体素子１０の故障の可能性を低減することができる。
【００２５】
特に、回転方向のズレが規制されることから、半導体素子１０が回転方向にズレてワイヤボンディングを打つための端子が第１半田３１や第２半田３２で埋まってしまう事態についても防止することができる。
【００２６】
また、複数の支柱２２ａ〜２２ｄ，２２ｆ〜２２ｉは、弾性率が半導体素子１０、第１及び第２電極部材２１，２２、並びに、第１及び第２半田３１，３２よりも大きい部材によって構成されているため、トランスファーモールド工程においてモールド金型５１，５２の型締め力Ｆ１，Ｆ２は、半導体素子１０側よりも支柱２２ａ〜２２ｄ，２２ｆ〜２２ｉ側に伝わり易くすることができる。これにより、モールド金型５１，５２の接触面圧を上げても半導体素子１０の損傷し難くできると共に、モールド金型５１，５２の接触面圧を上げてモールド樹脂４０の漏れも抑制することができる。加えて、モールド樹脂４０の漏れにより樹脂４０を削り取る研磨等の後工程についても省略することができる。
【００２７】
また、電極部材２１，２２は、特許文献１に記載の放熱部材のように貫通孔を備えないため、放熱面積を大きくとることができ、放熱性を向上させることができる。
【００２８】
なお、このような半導体装置１は、使用時における電力が大きくなるにつれて半導体素子１０からの放熱量が多くなり、高温に達してしまうことがある。そこで、半導体装置１の使用時には冷却器が用いられる。冷却器は、熱伝導性の良好な材料からなり、例えばアルミニウムやアルミニウム合金から構成される。このような冷却器は、ダイカスト工法、押出工法、及び摩擦攪拌接合法などによって作製される。
【００２９】
図６は、図１に示した半導体装置１の使用時における状態を示す側面図である。図６に示すように、半導体装置１は使用時において上下から２つの冷却器６１，６２に挟まれるように配置される。また、冷却器６１，６２の半導体装置１側には、半導体装置１との絶縁性を確保するために、絶縁層７１，７２が設けられる。この絶縁層７１，７２は、例えば窒化アルミニウムや窒化珪素等のセラミックス板により構成される。また、絶縁層７１，７２は、各種フィラーを混入させたエポキシ樹脂であってもよい。なお、窒化アルミニウムや窒化珪素等のセラミックス板を絶縁層７１，７２として用いる場合、冷却器６１，６２と絶縁層７１，７２との間には、放熱グリスが塗布されることとなる。
【００３０】
このような構成であるため、半導体装置１は冷却器６１，６２により冷却されつつも、絶縁層７１，７２により絶縁性が確保されることとなる。
【００３１】
次に、本発明の第２実施形態を説明する。第２実施形態に係る半導体装置は第１実施形態のものと同様であるが、構成が一部異なっている。以下、第１実施形態との相違点について説明する。
【００３２】
図７は、第２実施形態に係る半導体装置２を示す構成図である。図７に示すように、第２実施形態に係る半導体装置２は、第２電極部材２２の板部２２ｅに複数の貫通孔２２ｊが形成されている。これら貫通孔２２ｊは、その位置が複数の支柱２２ａ〜２２ｄの位置に対応しており、複数の支柱２２ａ〜２２ｄは、複数の貫通孔２２ｊに挿入された状態で配置されている。これにより、複数の支柱２２ａ〜２２ｄの下面２２ｋが、板部２２ｅの下面２２ｌと面一となっている。このため、半導体装置２の高さは第１電極部材２１と複数の支柱２２ａ〜２２ｄとの高さによって一層安定的に制御される。
【００３３】
このようにして、第２実施形態に係る半導体装置２によれば、第１実施形態と同様に、半導体素子１０の故障の可能性を低減することができ、モールド樹脂４０の漏れにより樹脂４０を削り取る研磨等の後工程についても省略することができる。
【００３４】
さらに、第２実施形態によれば、第２電極部材２２は複数の貫通孔２２ｊを有し、複数の支柱２２ａ〜２２ｄは、当該複数の貫通孔２２ｊに挿入された状態で配置されているため、半導体装置２の高さは、第１電極部材２１と支柱２２ａ〜２２ｄとの高さによって規定されることとなり、一層半導体装置２の高さのばらつきを抑えることができる。
【００３５】
また、半導体装置２の高さのばらつきを抑えられることから、半導体装置２を冷却器６１，６２で挟んで冷却する場合、高さの相違によって半導体装置２と冷却器６１，６２との接触具合が異なり、冷却効果にばらつきが生じてしまう事態も抑制することができる。
【００３６】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態に係る半導体装置は第２実施形態のものと同様であるが、構成が一部異なっている。以下、第２実施形態との相違点について説明する。
【００３７】
図８は、第３実施形態に係る半導体装置３を示す構成図であり、図９は、図８に示した半導体装置３の上面図である。なお、図９においては説明の便宜上、モールド樹脂４０の
図示を省略している。なお、図８は図９のII−II断面図でもある。
【００３８】
図８お呼び図９に示すように、第３実施形態に係る複数の支柱２２ｍ〜２２ｐは、それぞれ切り欠き部２２ｍ１〜２２ｐ１を有している。また、第３実施形態では、上面視した場合に第２電極部材２２よりも第１電極部材２１が一回り小さく形成されており、切り欠き部２２ｍ１〜２２ｐ１に第１電極部材２１が合致した状態で配置されている。このため、製造工程において第１電極部材２１の位置決めが容易化される。
【００３９】
このようにして、第３実施形態に係る半導体装置３によれば、第２実施形態と同様に、半導体素子１０の故障の可能性を低減することができ、モールド樹脂４０の漏れにより樹脂４０を削り取る研磨等の後工程についても省略することができる。また、一層半導体装置２の高さのばらつきを抑えることができると共に、冷却効果にばらつきが生じてしまう事態も抑制することができる。
【００４０】
さらに、第３実施形態によれば、複数の支柱２２ｍ〜２２ｐは、それぞれ切り欠き部２２ｍ１〜２２ｐ１を有し、第１電極部材２１は、切り欠き部２２ｍ１〜２２ｐ１に合致した状態で配置されている。このように、第１電極部材２１は切り欠き部２２ｍ１〜２２ｐ１に合致することから、第１電極部材２１の位置決めを容易化して生産性の向上につなげることができる。
【００４１】
以上、実施形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限られるものでは無く、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、変更を加えてもよいし、各実施形態を組み合わせるようにしてもよい。
【００４２】
例えば、上記実施形態において、支柱２２ａ〜２２ｄ，２２ｆ〜２２ｉ，２２ｍ〜２２ｐは第２電極部材２２の一部として構成されているが、これに限らず、第１電極部材２１の一部として構成されていてもよい。すなわち、支柱２２ａ〜２２ｄ，２２ｆ〜２２ｉ，２２ｍ〜２２ｐは、第１電極部材２１及び第２電極部材２２の少なくとも一方に設けられていればよい。
【００４３】
また、第２及び第３実施形態において、貫通孔２２ｊは第２電極部材２２に形成されているが、これに限らず、第１電極部材２１が支柱２２ｆ〜２２ｉ，２２ｍ〜２２ｐを有する場合には、第１電極部材２１に形成されていてもよい。すなわち、貫通孔２２ｊは、支柱２２ｆ〜２２ｉ，２２ｍ〜２２ｐを有する側の電極部材２１，２２に形成されていればよい。
【００４４】
また、第３実施形態において、第２電極部材２２は支柱２２ｍ〜２２ｐを有し、第１電極部材２１は切り欠き部２２ｍ１〜２２ｐ１に合致した状態で配置されているが、第１電極部材２１が支柱２２ｍ〜２２ｐを有する場合には、第２電極部材２２が切り欠き部２２ｍ１〜２２ｐ１に合致した状態で配置されていてもよい。すなわち、第１電極部材２１及び第２電極部材２２のうち複数の支柱２２ｍ〜２２ｐを有しない側の電極部材２１，２２が切り欠き部２２ｍ１〜２２ｐ１に合致した状態で配置されていればよい。
【符号の説明】
【００４５】
１〜３…半導体装置
１０…半導体素子
２１…第１電極部材（第１通電部材）
２２…第２電極部材（第２通電部材）
２２ａ〜２２ｄ，２２ｆ〜２２ｉ，２２ｍ〜２２ｐ…支柱
２２ｅ…板部
２２ｊ…貫通孔
２２ｋ…支柱の下面
２２ｌ…板部の下面
２２ｍ１〜２２ｐ１…切り欠き部
３１…第１半田
３２…第２半田
４０…モールド樹脂
５１，５２…モールド金型
５３…開口部
６１，６２…冷却器
７１，７２…絶縁層
Ａ…半導体素子１０の配置領域
Ｂ…配置領域Ａとは異なる領域
Ｃ…半導体素子１０が回転した場合に半導体素子１０に接触する領域
ａ，ｂ…間隔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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