(57)【要約】【課題】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を備えた表示装置であって、上記腐食防止用塗料の塗布や剥離といった更なる工程を設けることなく、ピンホール腐食を防止することのできる表示装置を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を備えた表示装置であって、前記Ａｌ合金膜が、Ｎｉおよび／またはＣｏを０．１５原子％以下（０原子％を含まない）、Ｇｅを０．２原子％以上２．０原子％以下、およびＬａ、Ｇｄ、ＮｄおよびＹよりなる群から選択される１種以上の元素を０．０５原子％以上１．０原子％以下含有し、かつ、前記Ａｌ合金膜の表面において観察される腐食孔のアスペクト比（腐食深さ／腐食直径）が０．１２以下であることを特徴とする表示装置。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を備えた表示装置であって、前記Ａｌ合金膜が、
Ｎｉおよび／またはＣｏ（以下、Ｘ元素という）を０．１５原子％以下（０原子％を含まない）、
Ｇｅを０．２原子％以上２．０原子％以下、および
Ｌａ、Ｇｄ、ＮｄおよびＹよりなる群から選択される１種以上の元素（以下、Ｚ元素という）を０．０５原子％以上１．０原子％以下
含有し、かつ、
前記Ａｌ合金膜の表面において観察される腐食孔のアスペクト比（腐食深さ／腐食直径）が０．１２以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記Ａｌ合金膜のＧｅとＺ元素の含有量が、下記式（１）を満たす請求項１に記載の表示装置。
Ｇｅ／Ｚ≦１０  …（１）
【請求項３】
前記Ａｌ合金膜のＧｅとＺ元素のうちいずれか少ない方の含有量が、前記Ａｌ合金膜のＸ元素の含有量の１．５倍以上である請求項１または２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関するものであり、特には、表示装置の薄膜トランジスタにおいて透明導電膜（酸化物導電膜）とＡｌ合金膜が直接接続する構造を備えた表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
小型の携帯電話から、３０インチを超す大型のテレビに至るまで様々な分野に用いられる液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下「ＴＦＴ」と呼ぶ。）をスイッチング素子とし、透明画素電極と、ゲート配線およびソース−ドレイン配線等の配線部と、半導体層とを備えたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対して所定の間隔をおいて対向配置され共通電極を備えた対向基板と、ＴＦＴ基板と対向基板との間に充填された液晶層とから構成されている。
【０００３】
前記ソース−ドレイン配線などの配線材料には、電気抵抗率が小さく、微細加工が容易であるなどの理由により、純ＡｌまたはＡｌ−ＮｄなどのＡｌ合金が汎用されている。
【０００４】
本願出願人も、上記ＴＦＴ基板において、透明画素電極を構成する透明導電膜（例えばＩＴＯ膜）と、バリアメタル層を介することなく直接接続させてもコンタクト抵抗の小さい（以下、この様な特性を「ＤＣ性」ということがある）Ａｌ合金膜とを、上記配線に適用すればよい旨提案している（例えば、特許文献１等）。
【０００５】
ところで従来、上記特許文献１の図１に示されるような液晶表示パネルの製造は、同一工場内で一貫して行われていたが、近年では、工程分離化に伴い、上記特許文献１の図２に示されるような透明導電膜（例えばＩＴＯ膜）の形成までを１工場で行い、その後の工程を別工場で行う場合が増加している。この様な場合、別工場への輸送・保管中に、水蒸気が透明導電膜に存在するピンホール（透明導電膜の不連続部、以下、単に「ピンホール」ということがある）から浸透して、この透明導電膜（ＩＴＯ膜）と前記ソース−ドレイン配線を構成するＡｌ合金膜との間で腐食（以下、「ピンホール腐食」ということがある）が生じ、黒点として認識されることがある。上記黒点が発生すると、信頼性の高い表示装置を製造することが難しくなる。
【０００６】
この様な問題を解決すべく、上記腐食の防止方法が幾つか提案されている。例えば特許文献２には、フィルム形成剤とイオン交換材料を含む塗料を、表示装置の透明導電膜を構成する酸化物半導体（例えばＩＴＯ等）表面に塗布することが示されている。また特許文献３には、撥水機能を有する塗料を上記酸化物半導体表面に塗布することが示されている。これら特許文献２および３では、上記塗料を酸化物半導体表面に塗布することで、水蒸気による腐食を防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−１０５４２４号公報
【特許文献２】特開平１１−２８６６２８号公報
【特許文献３】特開平１１−３２３２０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献２および３の技術を適用すると、輸送前に上記塗料を酸化物半導体（透明導電膜）表面に塗布する工程が必要な他、輸送・保管後に別の工場で、次の工程を進めるにあたり、上記塗布して形成されたフィルム・塗料を剥離させる必要があり、生産効率が低下するといった問題がある。
【０００９】
本発明は上記の様な事情に着目してなされたものであって、その目的は、薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を備えた表示装置であって、該表示装置の製造工程において、上記腐食防止用塗料の塗布や剥離といった工程を設けることなく、ピンホール腐食を防止できる表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決し得た本発明の表示装置は、薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を備えた表示装置であって、前記Ａｌ合金膜が、
Ｎｉおよび／またはＣｏ（以下、Ｘ元素という）を０．１５原子％以下（０原子％を含まない）（１種のみを含むときは単独の量であり、ＮｉおよびＣｏを含むときは合計量をいう。以下同じ）、
Ｇｅを０．２原子％以上２．０原子％以下、および
Ｌａ、Ｇｄ、ＮｄおよびＹよりなる群から選択される１種以上の元素（以下、Ｚ元素という）を０．０５原子％以上１．０原子％以下（１種のみを含むときは単独の量であり、２種以上を含むときは合計量をいう。以下同じ）含有し、かつ、
前記Ａｌ合金膜の表面において観察される腐食孔のアスペクト比（腐食深さ／腐食直径）が０．１２以下であるところに特徴を有する。
【００１１】
好ましい実施形態において、前記Ａｌ合金膜のＧｅとＺ元素の含有量は、下記式（１）を満たしている。
Ｇｅ／Ｚ≦１０  …（１）
【００１２】
また好ましい実施形態において、前記Ａｌ合金膜のＧｅとＺ元素のうちいずれか少ない方の含有量は、前記Ａｌ合金膜のＸ元素の含有量の１．５倍以上である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、表示装置におけるＡｌ合金膜を透明画素電極（透明導電膜）と直接接続でき、且つ、上記Ａｌ合金膜上にＩＴＯ膜等の透明導電膜を、ピンホールを発生させることなく形成できる。その結果、従来の様に腐食防止用塗料の塗布や剥離といった工程を設けることなくピンホール腐食を抑制できる。よって、高性能の表示装置を、低コストかつ生産性よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、Ａｌ合金膜表面の腐食孔のアスペクト比が大きい場合、ピンホール（ＩＴＯ不連続部）が形成されることを説明した模式断面図である。
【図２】図２は、Ａｌ合金膜表面の腐食孔のアスペクト比が小さい場合、ピンホール（ＩＴＯ不連続部）の形成が抑制されることを説明した模式断面図である。
【図３】図３は、実施例において撮影した平面ＴＥＭ観察写真、ならびに該写真中の析出物（Ｎｏ．１と２）のＥＤＸ分析結果およびｎａｎｏ−ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ解析結果を示した図である。
【図４】図４は、前記図３における析出物（Ｎｏ．２）のｎａｎｏ−ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ ｐａｔｔｅｒｎと詳細解析結果を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明者らは、バリアメタル層を省略して透明画素電極（透明導電膜）と直接接続させた場合にもコンタクト抵抗を十分に低減できる（優れたＤＣ性を備える）ことを前提に、湿潤環境下でもピンホール腐食（黒点）の抑制された表示装置を実現すべく鋭意研究を行った。以下、本発明について経緯と共に詳述する。
【００１６】
上述した通りピンホール腐食は、透明電極膜が例えばＩＴＯ膜である場合、このＩＴＯ膜に形成されたピンホールから水分が浸透し、該ＩＴＯ膜とＡｌ合金膜との界面に水分が到達してガルバニック腐食を引き起こすことが原因と考えられる。
【００１７】
そこで本発明者らは、上記ピンホールの発生原因について調べた結果、黒点（ピンホール腐食）部分のＡｌ合金膜表面に粗大な腐食孔が生じており、この粗大な腐食孔が上記ピンホールの発生原因であると思われること、即ち、ＩＴＯ膜形成の土台となるＡｌ合金膜表面の状態にその原因があることに着目した。そして更に、この腐食孔の形状とピンホール発生の関係について調べたところ、表示装置の製造過程におけるレジスト剥離液での洗浄で形成される腐食孔のアスペクト比（腐食深さ／腐食直径）がピンホール発生と関係することがわかった。
【００１８】
図１、図２は、Ａｌ合金膜表面に形成される腐食孔のアスペクト比が、該Ａｌ合金膜上にＩＴＯ膜を形成した場合のピンホール発生有無に影響することを説明した模式断面図である。
【００１９】
図１に示す通り腐食孔のアスペクト比が大きいと（図１（ａ））、ＩＴＯ膜を形成した場合にＩＴＯ膜に不連続部（ピンホール）が生じる（図１（ｂ））。これに対し、図２に示す通り腐食孔のアスペクト比が小さいと（図２（ａ））、ＩＴＯ膜を形成した場合にほぼ連続してＩＴＯ膜を形成することができる（図２（ｂ））。つまりピンホールの形成は、Ａｌ合金膜の表面状態（具体的には、腐食状態）の影響を受け、ピンホールの発生防止には、Ａｌ合金膜表面に存在する腐食孔のアスペクト比を小さくする必要があると考えられる。
【００２０】
そこで、上記腐食孔のアスペクト比をどの程度小さくすれば、ピンホールが形成され難いかについて更に検討したところ、腐食孔のアスペクト比を０．１２以下とすれば、上記ピンホールが形成され難く、湿潤環境下において黒点発生を防止できることがわかった。上記アスペクト比は、好ましくは０．１以下である。
【００２１】
尚、本発明でいう腐食孔とは、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）装置において認識される１００ｎｍ以上の腐食径を有する腐食孔をいう。また上記アスペクト比は、後述する実施例に示す方法で求めたものである。
【００２２】
ところで、前記ＩＴＯ膜形成の土台となるＡｌ合金膜は、一般に次のような工程を経ている。即ち、Ａｌ合金膜形成後、Ａｌ合金膜上に絶縁膜を形成するが、この絶縁膜の成膜工程で熱履歴を受けてＡｌマトリクス中に析出物が形成される。次いで、フォトリソグラフィー法による前記絶縁膜のパターン形成工程で、アミン類を含むレジスト剥離液（以下、単に「剥離液」という）を用いて前記絶縁膜上のフォトレジストを除去（剥離液洗浄）するが、この工程で、上記析出物とＡｌマトリクスの電位差が大きいことに起因してガルバニック腐食が生じ、電気化学的に卑であるＡｌがイオン化して溶出し、析出物周囲に腐食孔が形成される（前記図１（ａ）、図２（ａ）参照）。
【００２３】
そこで本発明者らは、上記Ａｌ合金膜の成分や製造工程の履歴を考慮して、腐食孔を上記形状（アスペクト比：０．１２以下）とするための手段について更に検討したところ、
（１）析出物周囲に形成される腐食孔のサイズは、析出物のサイズに依存することから、剥離液洗浄に供するＡｌ合金膜の析出物形態を制御する必要があること、そしてそのためには、（１−１）Ａｌ合金膜の成分組成を規定する必要があり、かつ（１−２）Ａｌ合金膜の加熱条件を、推奨される条件で行うこと、更には（２）剥離液洗浄を推奨される条件で行う必要があることを見出し、各手段について更に詳細に検討した。以下、各手段について詳述する。
【００２４】
（１）剥離液洗浄に供するＡｌ合金膜の析出物形態制御について
Ａｌ合金膜とＩＴＯ膜のＤＣ性を確保するには、剥離液洗浄工程でＡｌ合金膜の表面酸化皮膜を除去する必要があり、そのためにはＡｌ合金膜の表面で腐食を生じさせる必要がある。析出物が全く存在しない状態では上記腐食が進行せず、表面酸化皮膜の除去を行うことができないため、析出物を存在させてＡｌ合金膜表面をある程度腐食させる必要がある。
【００２５】
しかしながら、上記析出物が例えばＡｌ３ＮｉやＡｌ９Ｃｏ２である場合、腐食速度が速くアスペクト比の大きな腐食孔が形成される。これに対し、析出物として例えばＧｅＮｄ等のＧｅ−（希土類元素）金属間化合物を析出させた場合には、腐食速度が遅すぎて、通常行われている剥離液洗浄工程で上記酸化皮膜を除去できる程度の腐食が発生しない。
【００２６】
そこで、上記事情に鑑みて、
（ａ）ＤＣ性確保のため、通常行われている剥離液洗浄工程で、上記酸化皮膜を十分に除去する観点；および
（ｂ）アスペクト比の小さい腐食孔（アスペクト比：０．１２以下の腐食孔）を形成する観点；から、好ましい態様の析出物について検討したところ、本発明では、Ｇｅと、Ｌａ、Ｇｄ、ＮｄおよびＹよりなる群から選択される１種以上の元素（Ｚ元素）との金属間化合物（Ｇｅ−Ｚ）にＸ元素が微量含まれる（Ｇｅ−Ｚ金属間化合物にＸ元素が固溶していると考えられる）析出物（以下、この析出物を「Ｘ含有Ｇｅ−Ｚ」という）を析出させればよいことを見出した。
【００２７】
このＸ含有Ｇｅ−Ｚは、Ｘ元素（Ｎｉおよび／またはＣｏ）が微量含まれることで、腐食速度をＡｌ３ＮｉやＡｌ９Ｃｏ２よりも遅く、かつＧｅ−Ｚ金属間化合物（例えばＧｅＮｄ）よりも早めうると考えられる。その結果、十分な腐食を生じさせて上記酸化皮膜を除去でき、ＤＣ性を確保できると共に、上記Ａｌ３Ｎｉ等の形成を抑えて、アスペクト比の小さな腐食孔を形成できると考えられる。尚、本発明において、上記Ｘ含有Ｇｅ−Ｚは、問題となるような粗大な析出物とはならないことから、そのサイズについては特に問わない。
【００２８】
次に、優れたＤＣ性等を確保しつつ、上記Ｘ含有Ｇｅ−Ｚを積極的に析出させるための（１−１）Ａｌ合金膜の成分組成、および（１−２）Ａｌ合金膜成膜後の加熱条件について詳述する。
【００２９】
（１−１）Ａｌ合金膜の成分組成について
本発明にかかるＡｌ合金膜は、まずＮｉおよび／またはＣｏ（Ｘ元素）を０．１５原子％以下（０原子％を含まない）含む。Ｎｉ、Ｃｏは、ＩＴＯ膜とのＤＣ性を向上させる元素である。この様な観点から、Ｘ元素を０．０２原子％以上含有させることが好ましい。より好ましくは０．０４原子％以上である。しかしこれらの元素は、剥離液洗浄工程で、アスペクト比の大きいクレーター腐食の原因となるＡｌ３ＮｉやＡｌ９Ｃｏ２などを形成させる元素でもある。これらの元素が過剰に含まれると、析出物の抑制が困難となるため、Ｘ元素の含有量は０．１５原子％以下とする。好ましくは０．１２原子％以下である。
【００３０】
また本発明にかかるＡｌ合金膜は、更にＧｅを０．２原子％以上２．０原子％以下含む。このＧｅも、優れたＤＣ性を確保するのに必要な元素であるため、０．２原子％以上含有させる。好ましくは０．４原子％以上である。尚、Ｇｅは、上記Ｘ含有Ｇｅ−Ｚの形成にも寄与する元素である。
【００３１】
一方、Ｇｅ量が過剰になると、電気抵抗率の増加を招くため、２．０原子％以下とする。好ましくは１原子％以下である。
【００３２】
本発明にかかるＡｌ合金膜は、更にＬａ、Ｇｄ、ＮｄおよびＹよりなる群から選択される１種以上の元素（Ｚ元素）を０．０５原子％以上１．０原子％以下含むものである。
【００３３】
Ｌａ、Ｇｄ、Ｎｄ、Ｙは、Ｇｅと結合し、前記Ｘ含有Ｇｅ−Ｚを形成する元素である。つまりＧｅと同時に含有させることで、Ａｌ３ＮｉやＡｌ９Ｃｏ２などの粗大析出物形成に用いられるＮｉやＣｏを、Ｘ含有Ｇｅ−Ｚ（Ｎｉ含有Ｇｅ−ＺやＣｏ含有Ｇｅ−Ｚ等）の形成に消費させて、上記Ａｌ３ＮｉやＡｌ９Ｃｏ２といった粗大析出物の形成を抑制できる。この様な効果を発揮させるため、上記Ｚ元素を０．０５原子％以上（好ましくは０．１原子％以上）含有させる。一方、熱処理後の電気抵抗率低減の観点から、上記Ｚ元素量は１．０原子％以下（好ましくは０．７原子％以下）とする。上記Ｚ元素のうち、好ましくはＮｄ、Ｌａ、Ｙであり、特に好ましくはＺ元素として、Ｎｄを０．２原子％以上０．５原子％以下含有させるのがよい。
【００３４】
本発明にかかるＡｌ合金膜として、前記成分を満たし、残部がＡｌおよび不可避不純物からなるものが挙げられる。
【００３５】
また、前記ＧｅとＺ元素の含有量は、更に下記式（１）を満たすことが好ましい。
Ｇｅ／Ｚ≦１０    …（１）
【００３６】
上記のように、ＧｅとＺ元素を同時に含有させることにより、Ａｌ合金膜中の析出物としてＸ含有Ｇｅ−Ｚを形成することができる。Ｘ含有Ｇｅ−ＺにおけるＧｅとＺの原子比率はほぼ１：１である。よって、Ｚ元素量に対してＧｅ量が極端に少ない場合、Ｘ含有Ｇｅ−Ｚの形成が十分でなく、Ａｌ３ＮｉやＡｌ９Ｃｏ２等が形成されやすくなる。そこで本発明では、Ｇｅ／Ｚの比を０．３以上とすることが好ましい。より好ましくは２．０以上である。一方、Ｚ元素量に対してＧｅ量が過剰であっても、Ｘ含有Ｇｅ−Ｚの形成量は飽和し、熱処理後の電気抵抗率が高くなりやすい。よって、Ｇｅ／Ｚの比は１０以下とすることが好ましい。より好ましくは５以下である。
【００３７】
更に本発明では、前記Ａｌ合金膜のＧｅとＺ元素のうちいずれか少ない方の含有量を、前記Ａｌ合金膜のＸ元素の含有量（１種のみを含むときは単独の量であり、ＮｉおよびＣｏを含むときは合計量をいう）の１．５倍以上とすることが好ましい。
【００３８】
本発明では、Ｘ元素を、Ａｌ３ＮｉやＡｌ９Ｃｏ２でなく、Ｘ含有Ｇｅ−Ｚとして析出させるが、Ａｌ合金膜中のＸ元素量に対して、Ｘ含有Ｇｅ−Ｚを構成するＧｅ−Ｚ金属間化合物の量が少ないと、Ｘ元素が余剰となり上記Ａｌ３Ｎｉ等が析出しやすくなる。よって、Ａｌ合金膜のＸ元素量に対し、十分量のＧｅ−Ｚ金属間化合物を存在させて、Ｘ含有Ｇｅ−Ｚを積極的に形成すべく、Ａｌ合金膜において、ＧｅとＺ元素のうちのいずれか少ない方の含有量を、Ｘ元素の含有量の１．５倍以上（より好ましくは２倍以上）とすることが好ましい。
【００３９】
（１−２）Ａｌ合金膜の加熱条件について
本発明において、Ａｌ３Ｎｉ等の析出を抑えてＸ含有Ｇｅ−Ｚを積極的に析出させるには、更にＡｌ合金膜の熱処理において、到達温度までの昇温速度を５℃／ｍｉｎ以下とすることが好ましい。より好ましくは１℃／ｍｉｎ以下である。尚、本発明で規定する成分系では、熱処理過程において、例えばＮｉ含有Ｇｅ−Ｚが約２５０℃で析出するのに対し、例えばＡｌ３Ｎｉは約２９０〜３００℃で析出する。よって本発明では、Ａｌ３Ｎｉの形成を抑制するため、上記到達温度は、２９０℃よりも低い温度とすることが有効である。
【００４０】
前記Ａｌ合金膜の加熱は、Ａｌ合金膜形成後の熱履歴（例えば、Ａｌ合金膜の成膜後に形成する絶縁膜（例えばＳｉＮ膜）を成膜する工程）が、上記温度・時間を満たすようにする他、前記析出を目的とした熱処理工程を設けてもよい。
【００４１】
（２）剥離液洗浄条件について
Ａｌ合金膜上に絶縁膜を形成後、絶縁膜に対してフォトリソグラフィー法によりパターン形成を行う。この工程において、前記絶縁膜上のフォトレジストの除去は、一般にアミン類を含む剥離液が用いられるが、剥離液に水分が混入するとアルカリ性を示すため、水分が混入した剥離液にＡｌ合金膜が長時間曝されると、Ａｌ合金膜の腐食が過剰に進行し、上記析出物としてＸ含有Ｇｅ−Ｚを析出させたとしても、アスペクト比の大きい腐食孔が形成されやすくなる。よって、腐食孔を所望の形状とするには、この工程において、剥離液浸漬時間を短くするのがよく、２分以下とすることが好ましい。より好ましくは１．５分以下である。尚、剥離液を十分に洗浄する観点からは、１分以上であることが好ましい。
【００４２】
また腐食速度は、浸漬させる溶液の温度やｐＨに影響を受けるため、上記剥離液浸漬後は直ちに、低温（好ましくは２０℃以下）かつ中性（ｐＨ６〜８）にする（例えば後述する実施例に示す通り、上記温度の純水で洗浄する）ことが好ましい。
【００４３】
本発明の表示装置を製造するにあたっては、Ａｌ合金膜の成分組成を規定の通りとし、かつ加熱条件（熱処理・熱履歴条件）、剥離液洗浄工程における条件を上述した推奨される条件とすること以外は、特に限定されず、表示装置の一般的な工程（例えば、前記特許文献１に記載の製造工程）を採用すればよい。
【００４４】
本発明にかかるＡｌ合金膜は、表示装置のＴＦＴ基板におけるソース電極および／またはドレイン電極並びに信号線に用いられることを好ましい形態とする。特に、Ａｌ合金膜が透明導電膜と直接接続するドレイン電極に適用することで、本発明の効果が十分に発揮される。本発明にかかるＡｌ合金膜は、更に、ゲート電極および走査線としても使用できる。この場合、ＴＦＴ基板におけるＡｌ合金配線の全てを同一成分組成とすることができる。
【００４５】
本発明において、表示装置におけるＡｌ合金膜以外の、ＴＦＴ基板や表示装置を構成する要件は、通常用いられるものであれば特に限定されない。例えば、本発明に用いられる透明画素電極（透明導電膜）として、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）膜などが挙げられる。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
【００４７】
表１に示す種々の合金組成のＡｌ合金膜（膜厚＝３００ｎｍ）を、ＤＣマグネトロン・スパッタ法（条件は、基板＝ガラス基板（コーニング社製  Ｅａｇｌｅ２０００）、雰囲気ガス＝アルゴン、圧力＝２ｍＴｏｒｒ、基板温度＝１００℃）で成膜した。
【００４８】
尚、上記種々のＡｌ合金膜における各合金元素の含有量は、ＩＣＰ発光分析（誘導結合プラズマ発光分析）法によって求めた。
【００４９】
そして、Ａｌ合金膜上の絶縁膜（ＳｉＮ膜）の成膜で受ける熱履歴を模擬して、３２０℃で３０分間保持する熱処理を施した。尚、３２０℃までの昇温速度は３℃／ｍｉｎとした。
【００５０】
上記熱処理後であって下記に示す剥離液洗浄前のＡｌ合金膜（表１のＮｏ．１及びＮｏ．２のＡｌ合金膜）に存在する析出物を、ＴＥＭ−ＨＡＡＤＦ（高角度暗視野法）で観察し（分解能：１ｎｍ）、２つの析出物（図３中の１と２）についてＥＤＸ分析を行い、このうち析出物２についてｎａｎｏ−ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ解析を行った。その結果を図３および図４に示す。
【００５１】
この図３および図４より、本発明のＡｌ合金膜では、析出物として、Ｇｅ−Ｎｄの結晶構造を有し、かつＮｉが含まれたＮｉ含有Ｇｅ−Ｎｄが存在していることがわかる。
【００５２】
〈剥離液洗浄〉
次いで、絶縁膜のパターン形成時におけるフォトレジストの除去を模擬して、前記熱処理後のＡｌ合金膜に対し、次の様な剥離液洗浄を行った。即ち、東京応化工業（株）製のアミン系レジスト剥離液「ＴＯＫ１０６」を用い、ｐＨ＝１０．５に調整した水溶液（液温：約２５℃）に１分間浸漬後、ｐＨ＝９．５に調整した水溶液（液温：約２５℃）に３分間浸漬させ、その後、純水（液温：約２５℃）で洗浄してから乾燥させてサンプルを得た。尚、表１のＮｏ．１４については、上記ｐＨ＝９．５に調整した水溶液（液温：約２５℃）の浸漬時間を２０分間とすること以外は、上記と同様にして剥離液洗浄を行った。
【００５３】
〈腐食孔のアスペクト比評価〉
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用い、上記サンプルの表面における２０μｍ×２０μｍの５視野を観察し、この視野内の任意の１０点の腐食孔について、それぞれの腐食深さおよび腐食直径を求めてアスペクト比（腐食深さ／腐食直径）を算出した。そして上記腐食孔１０点のアスペクト比の平均値を求めた。
【００５４】
〈ピンホール腐食試験〉
次いで、剥離液洗浄後のサンプル表面にＩＴＯ膜（膜厚６０ｎｍ）を下記条件で形成した。即ち、４インチのＩＴＯターゲットを用い、ＤＣマグネトロン・スパッタ法（条件は、基板温度：室温、成膜パワー：１５０Ｗ、雰囲気ガス：アルゴン、圧力：０．８ｍＴｏｒｒ）でＩＴＯ膜の成膜を行った。
【００５５】
それから、上述した様な輸送・保管状態を模擬して、６０℃×９０％ＲＨの湿潤環境に５００時間曝露するピンホール腐食試験を行い、この試験後の表面を、光学顕微鏡にて倍率１０００倍で観察（観察範囲：８６００μｍ２程度）し、存在する黒点の数をカウントして１００μｍ２あたりの個数を算出し、試験後の黒点密度（ＩＴＯピンホール密度）を求めた。
【００５６】
そして、上記黒点密度が０．１５個／１００μｍ２以下である場合を、ＩＴＯ膜のピンホール発生が抑えられて、ピンホール腐食が十分に抑制されている（○）と評価し、上記黒点密度が０．１５個／１００μｍ２超である場合を、ＩＴＯ膜にピンホールが多く生じ、腐食試験でピンホール腐食が発生している（×）と評価した。
【００５７】
これらの結果を表１に示す。
【００５８】
【表１】
2011112934.tif 000002
【００５９】
表１より、次のように考察することができる。
【００６０】
即ち、Ｎｏ．１〜１０は、本発明で規定する要件を満たすため、Ａｌ３Ｎｉ等の粗大な析出物の形成が抑制されて、腐食孔のアスペクト比を０．１２以下とすることができ、ＩＴＯ膜がほぼ連続して形成されていると考えられる。その結果、腐食試験による黒点（ピンホール腐食）の発生も十分抑制されている。
【００６１】
これに対しＮｏ．１１は、ＮｉおよびＣｏの合計量が過剰であり、Ａｌ３ＮｉやＡｌ９Ｃｏ２の形成を抑制することができず、結果として、剥離液洗浄工程でアスペクト比の大きい腐食孔が発生し、ピンホール腐食が多数生じた。
【００６２】
Ｎｏ．１２および１３は、Ｇｅを含むものでない（Ｎｏ．１３は、更にＮｉ量が過剰である）ため、Ｎｉ含有Ｇｅ−Ｚが形成されず、Ａｌ３Ｎｉの形成を抑制することができなかった。その結果、アスペクト比の大きい腐食孔が発生して黒点（ピンホール腐食）が多数発生した。
【００６３】
これらＮｏ．１１〜１３では、剥離液洗浄工程で析出物基点のクレーター腐食が発生しており、ＩＴＯ膜を積層後も黒点として認識され、かつ湿潤曝露で更に目立つようになった。
【００６４】
Ｎｏ．１４は、Ａｌ合金膜の成分組成は規定を満たすものであるが、剥離液洗浄工程が長時間に及んだため、アスペクト比の大きい腐食孔が発生し、結果として黒点（ピンホール腐食）が生じた。
【００６５】
Ｎｏ．１５は、ＧｅとＮｉの比（Ｇｅ／Ｎｉ）が本発明の好ましい範囲（１．５倍以上）を満足しない例であり、黒点（ピンホール腐食）が多数発生した。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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