(57)【要約】【課題】機能層を備えた強化ガラス基板からなる電気的固体装置用基板を大型ガラス基板から製造する場合でも、基板の破損を防止することができる電気的固体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】電極等の機能層を備えた強化ガラス基板からなるタッチパネル用基板２０を大型ガラス基板から製造するにあたって、大型ガラス基板２００に対して化学強化処理を行なって大型強化ガラス基板２００ｆを得る際、切断予定線２００ｔに沿う領域を非強化領域２０５ｕからなる低強度領域２００ｕとする。次に、大型強化ガラス基板２００ｆに電極等の機能層を形成した後、低強度領域２００ｕに沿って大型強化ガラス基板２００ｆを切断する。【選択図】図３
2011159094.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強化ガラス基板に少なくとも配線層および／または電極層からなる機能層が形成された電気的固体装置用基板を備えた電気的固体装置の製造方法であって、
複数の前記電気的固体装置用基板が形成される大型ガラス基板に対して強化処理を行なって大型強化ガラス基板を得る際、あるいは前記強化処理を行なう前に、前記電気的固体装置用基板を形成する電気的固体装置用基板形成領域の外周に沿う領域に、前記電気的固体装置用基板形成領域よりも低い強度の低強度領域を形成する低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程と、
前記電気的固体装置用基板形成領域の少なくとも一方の面に前記機能層を形成する機能層形成工程と、
前記電気的固体装置用基板形成領域を前記低強度領域に沿って切断して前記電気的固体装置用基板を得る切断工程と、
を有することを特徴とする電気的固体装置の製造方法。
【請求項２】
前記低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程では、前記大型ガラス基板において前記低強度領域を除いて強化処理を行ない、前記強化処理が施されていない非強化領域によって前記低強度領域を形成することを特徴とする請求項１に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項３】
前記低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程では、前記大型ガラス基板に対して前記電気的固体装置用基板形成領域の外周に沿う領域に前記大型ガラス基板が厚さ方向の全体で除去されたスリットと当該大型ガラス基板が除去されていない繋ぎ部とを交互に設けて前記スリットと前記繋ぎ部とからなる前記低強度領域を形成する低強度領域形成工程と、該低強度領域形成工程の後、前記大型ガラス基板に強化処理を行なって前記大型強化ガラス基板を得る強化処理工程と、を行なうことを特徴とする請求項１に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項４】
前記低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程では、前記大型ガラス基板に対して前記電気的固体装置用基板形成領域の外周に沿う領域に前記大型ガラス基板が厚さ方向の途中まで除去された溝を形成して前記溝からなる前記低強度領域を形成する低強度領域形成工程と、前記大型ガラス基板に強化処理を行なって前記大型強化ガラス基板を得る強化処理工程と、を行なうことを特徴とする請求項１に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項５】
前記強化処理は、化学強化処理であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項６】
前記切断工程を行なう際、前記機能層を保護層で覆っておくことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項７】
前記電気的固体装置用基板は、前記機能層として入力位置検出用電極が形成されたタッチパネル用の基板であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項８】
前記電気的固体装置用基板は、前記入力位置検出用電極が入力操作面と反対側の面に形成された静電容量方式のタッチパネル用基板であることを特徴とする請求項７に記載の電気的固体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネル等の電気的固体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネル、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、太陽電池等は、配線層および／または電極層からなる機能層が形成された電気的固体装置用基板を備えた電気的固体装置として構成されている。かかる電気的固体装置においては、基板の強度を維持しながら基板の薄型化を図る手段として強化ガラスを用いることが考えられる。また、電気的固体装置を効率よく製造するには、大型ガラス基板に機能層を形成した後、大型ガラス基板を単品サイズの基板に切断する方法を採用することが好ましい。しかしながら、強化ガラスの場合、ガラスダイモンドカッターで切断溝を形成すると、強化ガラス自身の応力によって破損しやすいという問題がある。
【０００３】
一方、強化ガラスの破損を防止する技術としては、太陽電池の分野において、ニクロム線での加熱により強化ガラスに切断溝を形成し、しかる後に、圧縮荷重を印加して強化ガラスを切断する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２８９８９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の方法でも、圧縮荷重を印加して強化ガラスを切断する際、強化ガラス自身の応力によって破損するおそれがある。このため、従来は、大型ガラス基板を小型のガラス基板に切断した後、強化処理を行ない、小型の強化ガラス基板に対して機能層を形成するという方法を採用せざるを得ない。それ故、強化ガラス基板を用いた場合には、生産性が著しく低いという問題点がある。また、大型ガラス基板に対して機能層を形成した後、単品サイズに切断し、しかる後に強化処理を行なう方法では、機能層によって強化処理の際のイオン交換が妨げられるので、ガラス基板全体を強化することが困難である。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、機能層を備えた強化ガラス基板からなる電気的固体装置用基板を大型ガラス基板から製造する場合でも、基板の破損を防止することができる電気的固体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、強化ガラス基板に少なくとも配線層および／または電極層からなる機能層が形成された電気的固体装置用基板を備えた電気的固体装置の製造方法であって、複数の前記電気的固体装置用基板が形成される大型ガラス基板に対して強化処理を行なって大型強化ガラス基板を得る際、あるいは前記強化処理を行なう前に、前記電気的固体装置用基板を形成する電気的固体装置用基板形成領域の外周に沿う領域に、前記電気的固体装置用基板形成領域よりも低い強度の低強度領域を形成する低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程と、前記電気的固体装置用基板形成領域の少なくとも一方の面に前記機能層を形成する機能層形成工程と、前記電気的固体装置用基板形成領域を前記低強度領域に沿って切断して前記電気的固体装置用基板を得る切断工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明では、電気的固体装置用基板を形成する電気的固体装置用基板形成領域の外周に沿う領域に低強度領域が形成された低強度領域付きの大型強化ガラス基板を準備し、かかる大型強化ガラス基板に機能層を形成した後、大型強化ガラス基板を低強度領域に沿って切断して電気的固体装置用基板を得る。このため、大型強化ガラス基板に過大な負荷をかけずに大型強化ガラス基板を切断することができるので、切断時に大型強化ガラス基板あるいは電気的固体装置用基板が破損することを防止することができる。また、強化処理については、機能層を形成する前に行なうため、機能層に邪魔されずに大型ガラスに対して強化処理を行なうことができる。
【０００９】
本発明において、前記低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程では、前記大型ガラス基板において前記低強度領域に沿う領域を除いて強化処理を行ない、前記強化処理が施されていない非強化領域によって前記低強度領域を形成することが好ましい。かかる構成によれば、低強度領域の形成と、大型ガラス基板の強化とを同時に行なうことができる。
【００１０】
本発明において、前記低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程では、前記大型ガラス基板に対して前記電気的固体装置用基板形成領域の外周に沿う領域に前記大型ガラス基板が厚さ方向の全体で除去されたスリットと当該大型ガラス基板が除去されていない繋ぎ部とを交互に設けて前記スリットと前記繋ぎ部とからなる前記低強度領域を形成する低強度領域形成工程と、該低強度領域形成工程の後、前記大型ガラス基板に強化処理を行なって前記大型強化ガラス基板を得る強化処理工程と、を行なうという方法を採用してもよい。
【００１１】
また、本発明において、前記低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程では、前記大型ガラス基板に対して前記電気的固体装置用基板形成領域の外周に沿う領域に前記大型ガラス基板が厚さ方向の途中まで除去された溝を形成して前記溝からなる前記低強度領域を形成する低強度領域形成工程と、前記大型ガラス基板に強化処理を行なって前記大型強化ガラス基板を得る強化処理工程と、を行なうという方法を採用することもできる。
【００１２】
本発明において、前記強化処理は、化学強化処理であることが好ましい。本発明では、機能層を形成する前に強化処理を行なうため、化学強化処理を行なう際、機能層に邪魔されずにイオン交換を行なうことができる。
【００１３】
本発明において、前記切断工程を行なう際、前記機能層を保護層で覆っておくことが好ましい。このように構成すると、切断工程において機能層が損傷することを防止することができる。
【００１４】
本発明において、電気的固体装置としてはタッチパネルを挙げることができる。この場合、前記電気的固体装置用基板は、前記機能層として入力位置検出用電極が形成されたタッチパネル用の基板である。
【００１５】
この場合、前記電気的固体装置用基板は、前記入力位置検出用電極が入力操作面と反対側の面に形成された静電容量方式のタッチパネル用基板であることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態１に係るタッチパネルを備えた入力機能付き電気光学装置の全体構成を模式的に示す説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る静電容量型の入力装置に用いたタッチパネル用基板の概略構成を示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係るタッチパネルの製造方法において、大型ガラス基板から単品サイズのタッチパネル用基板を切り出す様子を示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係るタッチパネルの製造方法において、大型強化ガラス基板の低強度領域を拡大して示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係るタッチパネルの製造方法において、低強度領域を備えた大型強化ガラス基板の製造方法を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係るタッチパネルの製造方法において、大型ガラス基板から単品サイズのタッチパネル用基板を切り出す様子を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係るタッチパネルの製造方法において、大型強化ガラス基板の低強度領域を拡大して示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係るタッチパネルの製造方法において、低強度領域を備えた大型強化ガラス基板の製造方法を示す説明図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係るタッチパネルの製造方法において、大型ガラス基板から単品サイズのタッチパネル用基板を切り出す様子を示す説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態３に係るタッチパネルの製造方法において、大型強化ガラス基板の低強度領域を拡大して示す説明図である。
【図１１】本発明の実施の形態３に係るタッチパネルの製造方法において、低強度領域を備えた大型強化ガラス基板の製造方法を示す説明図である。
【図１２】本発明の実施の形態５に係るタッチパネルの製造方法において、大型ガラス基板から単品サイズのタッチパネル用基板と他の部材とを切り出す様子を示す説明図である。
【図１３】本発明を適用した入力機能付き電気光学装置を備えた電子機器の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、タッチパネル、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、太陽電池等々、各種の電気的固体装置に適用することができるが、以下の説明では、タッチパネルに本発明を適用した場合を例示する。このため、以下の説明では、タッチパネルが「電気的固体装置」に相当し、タッチパネル用基板が「電気的固体装置用基板」に相当し、入力位置検出用電極や配線が「機能層」に相当する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００１８】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の形態１に係るタッチパネルを備えた入力機能付き電気光学装置の全体構成を模式的に示す説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は、入力機能付き電気光学装置の外観を模式的に示す説明図、および入力機能付き電気光学装置の断面構成を模式的に示す説明図である。
【００１９】
図１において、本形態の入力装置付き電気光学装置１００は、概ね、液晶装置等からなる画像生成装置５と、この画像生成装置５において表示光を出射する側の面に重ねて配置された静電容量型の入力装置１とを有している。入力装置１はタッチパネル２（電気的固体装置）を備え、画像生成装置５は電気光学パネル５ａ（表示パネル）としての液晶パネルを備えている。本形態において、タッチパネル２および電気光学パネル５ａはいずれも矩形の平面形状を備えており、入力装置１および入力装置付き電気光学装置１００を平面視したときの中央領域が入力領域２ａである。また、画像生成装置５および入力装置付き電気光学装置１００において入力領域２ａと平面視で重なる領域が画像形成領域である。タッチパネル２の４つの端部２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈのうち、端部２０ｅが位置する側にはフレキシブル配線基板３５が接続され、電気光学パネル５ａにおいて端部２０ｅが位置する側にはフレキシブル配線基板７３が接続されている。
【００２０】
画像生成装置５は、透過型や半透過反射型のアクティブマトリクス型の液晶表示装置であり、電気光学パネル５ａに対してタッチパネル２が配置されている側とは反対側（表示光の出射側とは反対側）にはバックライト装置（図示せず）が配置されている。バックライト装置は、例えば、電気光学パネル５ａに対してタッチパネル２が配置されている側とは反対側に重ねて配置された透光性の導光板と、導光板の側端部に向けて白色光等を出射する発光ダイオード等の光源とを備えており、光源から出射された光は、導光板の側端部から入射した後、導光板内を伝搬しながら電気光学パネルに向けて出射される。なお、導光板と電気光学パネル５ａとの間には、光散乱シートやプリズムシート等のシート状光学部材が配置されており、導光板に対して電気光学パネル５ａが位置する側とは反対側には反射シートが配置されている。
【００２１】
画像生成装置５において、電気光学パネル５ａに対して表示光の出射側には第１偏光板８１が重ねて配置され、その反対側に第２偏光板８２が重ねて配置されている。電気光学パネル５ａは、表示光の出射側とは反対側に配置された透光性の素子基板５０と、この素子基板５０に対して表示光の出射側で対向配置された透光性の対向基板６０とを備えている。対向基板６０と素子基板５０とは、矩形枠状のシール材７１により貼り合わされており、対向基板６０と素子基板５０との間においてシール材７１で囲まれた領域内に液晶層５５が保持されている。素子基板５０において、対向基板６０と対向する面には複数の画素電極５８がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成され、対向基板６０において、素子基板５０と対向する面には共通電極６８がＩＴＯ膜等の透光性導電膜により形成されている。また、対向基板６０にはカラーフィルター（図示せず）が形成されている。なお、画像生成装置５がＩＰＳ(In Plane Switching)方式や、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式である場合、共通電極６８は素子基板５０の側に設けられる。また、素子基板５０が対向基板６０に対して表示光の出射側に配置されることもある。素子基板５０において、対向基板６０の縁から張り出した張出領域５９には駆動用ＩＣ７５がＣＯＧ実装されているとともに、張出領域５９にはフレキシブル配線基板７３が接続されている。なお、素子基板５０には、素子基板５０上のスイッチング素子と同時に駆動回路を形成することもある。
【００２２】
（入力装置１の詳細構成）
入力装置１において、タッチパネル２は、透光性のタッチパネル用基板２０を有しており、以下、タッチパネル用基板２０において、入力操作面側に位置する側を第１面２０ａとし、その反対側を第２面２０ｂとして説明する。
【００２３】
本形態の入力装置１において、タッチパネル用基板２０の第１面２０ａ側には透光性のカバー等が設けられておらず、タッチパネル用基板２０の第１面２０ａ自身が入力操作面になっている。このため、透光性のカバー等が設けられていない分、タッチパネル２の薄型化が図られている。また、タッチパネル用基板２０は強化ガラス基板であり、透光性のカバー等を設けなくても、十分な強度を備えている。また、タッチパネル用基板２０が強化ガラス基板であるため、タッチパネル用基板２０の厚さを薄くすることができる分、タッチパネル２の薄型化が図られている。タッチパネル用基板２０の第１面２０ａ側には、入力領域２ａの外側に相当する周辺領域２ｂに遮光層９０（図１（ａ）では図示せず）が設けられており、かかる遮光層９０は印刷層や遮光シートからなる。
【００２４】
本形態の入力装置１において、タッチパネル用基板２０の第２面２０ｂ側には、タッチパネル用基板２０からみて下層側から上層側に向かって第１透光性導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２透光性導電膜４ｂが形成されており、第１透光性導電膜４ａおよび第２透光性導電膜４ｂのうち、第１透光性導電膜４ａによって入力位置検出用電極２１が形成されている。また、タッチパネル用基板２０の端部２０ｅでは、第１面２０ａにフレキシブル配線基板３５が接続されている。
【００２５】
タッチパネル２と電気光学パネル５ａとの間には、透光性フィルム上にＩＴＯ膜等の透光性導電膜が形成されたシールド用の導電フィルム９９が配置されており、かかる導電フィルム９９は、タッチパネル用基板２０の第２面２０ｂ側に粘着剤層９９ｅによって接着されている。タッチパネル２において導電フィルム９９の側は、接着剤層（図示せず）によって画像生成装置５と一体化されている。導電フィルム９９は、画像生成装置５側での電位変化がノイズとして入力位置検出用電極２１に影響を及ぼすことを防止する機能を担っており、画像生成装置５と入力位置検出用電極２１との間に十分な距離が確保できる場合、導電フィルム９９は省略されることもある。
【００２６】
（入力装置１の電極等の概略構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る静電容量型の入力装置１に用いたタッチパネル用基板２０の概略構成を示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は平面構成を示す説明図および断面構成を示す説明図である。なお、図２（ａ）において、入力領域２ａについては、その角部分の位置を英文字の「Ｌ」状のマークで示してある。また、図２（ｂ）は、タッチパネル用基板２０のＣ−Ｃ′断面図に相当する。なお、図２（ａ）は、タッチパネル用基板２０の第２面２０ｂ側を示すため、図１等と左右逆になって表されている。
【００２７】
図２（ａ）に示すように、本形態の静電容量型の入力装置１において、タッチパネル用基板２０の第２面２０ｂには、入力領域２ａでＸ方向（第１方向）に延在する入力位置検出用の複数の第１電極２１１と、入力領域２ａでＸ方向に交差するＹ方向（第２方向）に延在する入力位置検出用の複数の第２電極２１２とが形成されており、これらの第１電極２１１および第２電極２１２によって入力位置検出用電極２１（電極層／機能層）が形成されている。また、タッチパネル用基板２０の第２面２０ｂにおいて、入力領域２ａの外側に相当する周辺領域２ｂには、第１電極２１１の一方側端部から延在する信号配線２７（配線層／機能層）、および第２電極２１２の一方側端部から延在する信号配線２７が形成されており、これらの信号配線２７において端部２０ｅに位置する部分は実装端子２４になっている。なお、信号配線２７や実装端子２４等に対しては、図１（ｂ）を参照して説明した遮光層９０が重なっており、入力操作面側からは信号配線２７や実装端子２４が見えないようになっている。
【００２８】
図２（ｂ）に示すように、本形態の静電容量型の入力装置１において、タッチパネル用基板２０の第２面２０ｂの側には、タッチパネル用基板２０からみて下層側から上層側に向けて第１透光性導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２透光性導電膜４ｂが順に形成されている。また、タッチパネル用基板２０の第２面２０ｂの側には、第１透光性導電膜４ａのうち、信号配線２７を構成する部分には、第１透光性導電膜４ａの上面に金属膜４ｃが形成されている。
【００２９】
本形態において、第１透光性導電膜４ａは多結晶のＩＴＯ膜からなり、第１透光性導電膜４ａの上層側には、感光性樹脂膜やシリコン酸化膜等の透光性絶縁膜からなる層間絶縁膜２１４が形成されている。本形態において、第２透光性導電膜４ｂも、第１透光性導電膜４ａと同様、多結晶のＩＴＯ膜からなる。金属膜４ｃは、銀−パラジウム−銅の合金等からなる。なお、タッチパネル用基板２０の第２面２０ｂには、その全面にシリコン酸化膜等からなる透光性の下地保護膜が形成されている場合があり、この場合、下地保護膜上に第１透光性導電膜４ａ、層間絶縁膜２１４、および第２透光性導電膜４ｂが順に積層されることになる。
【００３０】
本形態の静電容量型の入力装置１において、第１透光性導電膜４ａは、まず、入力領域２ａに複数の菱形領域として形成され、かかる菱形領域は、入力位置検出用電極２１（第１電極２１１および第２電極２１２）のパッド部２１１ａ、２１２ａ（大面積部分）を構成する。これらのパッド部２１１ａ、２１２ａは、Ｘ方向およびＹ方向において交互に配列されている。複数のパッド部２１１ａにおいてＸ方向（第１方向）で隣り合うパッド部２１１ａ同士は連結部分２１１ｃを介して繋がっており、パッド部２１１ａおよび連結部分２１１ｃは、Ｘ方向で延在する第１電極２１１を構成している。これに対して、複数のパッド部２１２ａは、Ｙ方向（第２方向）で延在する第２電極２１２を構成するが、Ｙ方向で隣り合うパッド部２１２ａの間、すなわち、連結部分２１１ｃと重なる部分は途切れ部分２１８ａになっている。また、第１透光性導電膜４ａは、周辺領域２ｂにおいて、信号配線２７の下層側を構成する下層側配線２７１として形成されている。
【００３１】
層間絶縁膜２１４は入力領域２ａから周辺領域２ｂにわたって広い領域に形成されている。層間絶縁膜２１４には、コンタクトホール２１４ａが形成されており、かかるコンタクトホール２１４ａは、パッド部２１２ａにおいて途切れ部分２１８ａを介して対峙する端部と重なる位置に形成されている。層間絶縁膜２１４の上層側において、第２透光性導電膜４ｂは、コンタクトホール２１４ａと重なる領域に中継電極２１５として形成されている。金属層４ｃは、周辺領域２ｂにおいて、信号配線２７の上層側を構成する上層側配線２７２として形成されている。さらに、第２透光性導電膜４ｂの上層側には、タッチパネル用基板２０の略全面に感光性樹脂等からなるトップコート層２１９が形成されている。
【００３２】
このように構成した静電容量型の入力装置１において、第１電極２１１および第２電極２１２は、同一の導電膜（第１透光性導電膜４ａ）によって形成され、かつ、互いに交差する方向に延在しているため、タッチパネル用基板２０上には、第１電極２１１と第２電極２１２とが交差する交差部２１８が存在する。ここで、第１電極２１１および第２電極２１２のうち、第１電極２１１は、交差部２１８でも第２透光性導電膜４ｂからなる連結部分２１１ｃによってＸ方向で繋がって延在している。これに対して、第２電極２１２には交差部２１８に途切れ部分２１８ａが構成されている。但し、交差部２１８では、層間絶縁膜２１４の上層に中継電極２１５が形成されており、かかる中継電極２１５は、層間絶縁膜２１４のコンタクトホール２１４ａを介して、途切れ部分２１８ａを介して隣り合うパッド２１２ａ同士を電気的に接続している。このため、第２電極２１２はＹ方向で電気的に接続した状態でＹ方向に延在している。なお、中継電極２１５は、層間絶縁膜２１４を介して連結部分２１１ｃに重なっているため、短絡するおそれはない。
【００３３】
（入力位置検出方法）
このように構成した入力装置１において、入力位置検出用電極２１に矩形パルス状の位置検出信号を出力すると、入力位置検出用電極２１に容量が寄生していない場合、入力位置検出用電極２１に印加した位置検出信号と同一波形の信号が検出される。これに対して、入力位置検出用電極２１に容量が寄生していると、容量に起因する波形の歪みが発生するので、入力位置検出用電極２１に容量が寄生しているか否かを検出することができる。従って、複数の入力位置検出用電極２１のうちのいずれかに指が近接すると、指が近接した入力位置検出用電極２１では、指との間に生じた静電容量分だけ、静電容量が増大するので、指が近接した電極を特定することができる。
【００３４】
（タッチパネル２の製造方法）
図３は、本発明の実施の形態１に係るタッチパネル２の製造方法において、大型ガラス基板から単品サイズのタッチパネル用基板２０を切り出す様子を示す説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、大型ガラス基板においてタッチパネル用基板２０として切り出される基板切り出し領域（電気的固体装置用基板形成領域）の説明図、および大型強化ガラス基板に設けた低強度領域の説明図である。図４は、本発明の実施の形態１に係るタッチパネル２の製造方法において、大型強化ガラス基板の低強度領域を拡大して示す説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、大型強化ガラス基板の一部（基板切り出し領域２つ分）の平面的構成を拡大して示す説明図、Ａ１−Ａ１′断面図、および断面を拡大して示す説明図である。図５は、本発明の実施の形態１に係るタッチパネル２の製造方法において、低強度領域を備えた大型強化ガラス基板の製造方法を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、大型ガラス基板の一部（基板切り出し領域２つ分）の平面的構成を拡大して示す説明図、Ａ１−Ａ１′断面図、および断面を拡大して示す説明図である。なお、図４（ａ）および図５（ａ）には、一方の基板切り出し領域２００ｓに対して切断予定線２００ｔを太い一点鎖線で表してある。
【００３５】
本形態のタッチパネル２では、タッチパネル用基板２０として強化ガラス基板が用いられており、図３〜図５を参照して以下に説明する方法により準備した低強度領域付きの大型強化ガラス基板を用いて製造される。
【００３６】
本形態では、タッチパネル用基板２０を製造するにあたって、図３（ａ）に示すように、タッチパネル用基板２０を多数取りできる大型ガラス基板２００を用い、大型ガラス基板２００において、切断予定線２００ｔは、タッチパネル用基板２０として切り出される基板切り出し領域２００ｓの外周に沿って引かれている。
【００３７】
かかる大型ガラス基板２００を用いてタッチパネル用基板２０を製造するにあたって、本形態では、まず、図３（ｂ）および図４（ａ）、（ｂ）に示すように、低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程において、大型ガラス基板２００に対して強化処理を行なって大型強化ガラス基板２００ｆを得る際、基板切り出し領域２００ｓの外周に沿った領域に基板切り出し領域２００ｓよりも低い強度の低強度領域２００ｕを形成する。
【００３８】
かかる低強度領域２００ｕを形成するにあたって、本形態では、図４（ｃ）に示すように、低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程において、大型ガラス基板２００において切断予定線２００ｔに沿った低強度領域２００ｕを形成する領域を除いて強化処理を行ない、強化処理が施されていない非強化領域２０５ｕによって低強度領域２００ｕを形成する。
【００３９】
より具体的には、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、大型ガラス基板２００の第１面２００ａ（タッチパネル用基板２０の第１面２０ａ）および第２面２００ｂ（タッチパネル用基板２０の第２面２０ｂ）の双方に対して、切断予定線２００ｔに沿うようにマスク２１０ａを形成し、かかる状態で、強化処理を行なう。本形態では、強化処理として、大型ガラス基板２００を温度が４００℃程度のカリウム塩溶融浴に浸漬して化学強化処理を行う。従って、マスク２１０ａとしては、かかる浴温度に耐え得る耐熱性とイオン交換素子機能とを備えたレジストや酸化膜等が用いられる。その結果、大型ガラス基板２００においてマスク２１０ａから露出している領域の表面では、大型ガラス基板２００のナトリウムイオンがカリウムイオンにイオン交換される。ここで、ナトリウムのイオン半径は９５ｎｍであるのに対して、カリウムイオンのイオン半径は１３３ｎｍであり、カリウムイオンの方がナトリウムイオンよりもイオン半径が大きい。このため、大型ガラス基板２００は、表面の化学強化層２０５に起因する圧縮応力によって強度が強化された大型強化ガラス基板２００ｆとなり、かかる大型強化ガラス基板２００ｆにおいて、基板切り出し領域２００ｓは化学強化されているのに対して、マスク２１０ａで覆われていた領域は、化学強化されていない低強度領域２００ｕ（非強化領域）となる。このため、低強度領域２００ｕは、基板切り出し領域２００ｓ等に比して強度が低い。
【００４０】
なお、本形態において、隣り合う基板切り出し領域２００ｓ同士の間には、マスク２１０ａの幅寸法より広い幅寸法の境界領域が介在しており、マスク２１０ａは、１つの基板切り出し領域２００ｓ毎に独立して形成されている。このため、隣り合う基板切り出し領域２００ｓの間には、２列のマスク２１０ａが所定の隙間を介して並列するように形成されているため、隣り合う基板切り出し領域２００ｓの間には、２列のマスク２１０ａの間には化学強化された補強領域２００ｗが存在する。
【００４１】
このようにして低強度領域２００ｕ付きの大型強化ガラス基板２００ｆを形成した後は、マスク２１０ａを除去し、機能層形成工程を行なう。機能層形成工程では、成膜工程とパターニング工程とを繰り返し行なって、大型強化ガラス基板２００ｆの第２面２００ｂ側に、図２（ａ）、（ｂ）等を参照して説明した入力位置検出用電極２１、信号配線２７、実装端子２４等の機能層を形成する。また、大型強化ガラス基板２００ｆの段階で、入力位置検出用電極２１や信号配線２７等のトップコート層２１９も形成しておく。ここで、実装端子２４は、層間絶縁膜２１４やトップコート層２１９から露出している。そこで、本形態では、大型強化ガラス基板２００ｆの段階で、図２（ａ）に一点鎖線で示すように、実装端子２４を覆う保護層２４０を形成しておき、かかる保護層２４０によって実装端子２４を覆った状態で、次の切断工程を行なう。なお、保護層２４０は切断工程の後、除去する必要があるため、保護層２４０としては、切断工程の後、剥離させやすいシートや樹脂層が用いられる。
【００４２】
次に、切断工程では、大型強化ガラス基板２００ｆを低強度領域２００ｕ（切断予定線２００ｔ）およびその延長線に沿って切断してタッチパネル用基板２０を得た後、保護層２４０を除去する。その結果、単品サイズのタッチパネル用基板２０を得ることができる。かかる切断工程において、大型強化ガラス基板２００ｆの切断には、ケミカルエッチング、ＣＮＣ切断、ダイシング、ウォータージェット等の切断方法を採用すればよい。
【００４３】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、タッチパネル用基板２０（電気的固体装置用基板）を切り出す際の切断予定線２００ｔに沿って低強度領域２００ｕが形成された大型強化ガラス基板２００ｆを準備し、かかる大型強化ガラス基板２００ｆに入力位置検出用電極２１や信号配線２７等の機能層を形成した後、大型強化ガラス基板２００ｆを低強度領域２００ｕに沿って切断してタッチパネル用基板２０を得る。このため、大型強化ガラス基板２００ｆに過大な負荷をかけずに大型強化ガラス基板２００ｆを切断することができるので、切断時に大型強化ガラス基板２００ｆあるいはタッチパネル用基板２０がそれ自身の内部応力に起因して破損することを防止することができる。また、化学強化処理については、大型強化ガラス基板２００ｆに入力位置検出用電極２１や信号配線２７等の機能層を形成する前に行なうため、機能層に邪魔されずにイオン交換（強化処理）を行なうことができる。それ故、タッチパネル用基板２０に強化ガラスを用いた場合でも、複数枚のタッチパネル用基板２０を切り出すことができる大型の基板の状態で、入力位置検出用電極２１や信号配線２７等の機能層を形成すればよいので、生産性を向上することができる。また、機能層を形成するための成膜装置等については、大型ガラス基板２００のサイズに対応できればよく、単品サイズのタッチパネル用基板２０の大きさに合わせた仕様とする必要がない。それ故、タッチパネル用基板２０の大きさが機種によって相違する場合でも、成膜装置を効率的に使用することができる。
【００４４】
また、本形態では、タッチパネル用基板２０に強化ガラス基板を用いているため、タッチパネル用基板２０の厚さが薄くてよい。さらに、タッチパネル用基板２０に強化ガラス基板を用い、かつ、タッチパネル用基板２０の第２面２０ｂに入力位置検出用電極２１や信号配線２７等の機能層を形成している。このため、タッチパネル用基板２０の第１面２０ａを入力操作面として利用でき、タッチパネル用基板２０の入力操作面側にカバーを別途、設ける必要がない。従って、タッチパネル２の薄型化を図ることができる。
【００４５】
また、本形態において、低強度領域付きの大型強化ガラス基板２００ｆを形成する低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程では、大型ガラス基板２００において切断予定線２００ｔに沿う領域を除いて強化処理を行ない、強化処理が施されていない非強化領域によって低強度領域２００ｕを形成する。このため、低強度領域２００ｕの形成と、大型ガラス基板２００の強化とを同時に行なうことができる。
【００４６】
また、切断工程を行なう際、入力位置検出用電極２１、信号配線２７、実装端子２４等の機能層については、トップコート層２１９（保護層）や保護層２４０で覆っておくため、切断工程において機能層が損傷することを防止することができる。
【００４７】
［実施の形態２］
図６は、本発明の実施の形態２に係るタッチパネル２の製造方法において、大型ガラス基板２００から単品サイズのタッチパネル用基板２０を切り出す様子を示す説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）は、大型ガラス基板２００においてタッチパネル用基板２０として切り出される基板切り出し領域２００ｓの説明図、および大型強化ガラス基板２００ｆに設けた低強度領域２００ｕの説明図である。図７は、本発明の実施の形態２に係るタッチパネル２の製造方法において、大型強化ガラス基板２００ｆの低強度領域２００ｕを拡大して示す説明図であり、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、大型強化ガラス基板２００ｆの一部（基板切り出し領域２つ分）の平面的構成を拡大して示す説明図、Ａ２−Ａ２′断面図、Ｂ２−Ｂ２′断面、および断面を拡大して示す説明図である。図８は、本発明の実施の形態２に係るタッチパネル２の製造方法において、低強度領域２００ｕを備えた大型強化ガラス基板２００ｆの製造方法を示す説明図であり、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、大型ガラス基板２００の一部（基板切り出し領域２つ分）の平面的構成を拡大して示す説明図、Ａ２−Ａ２′断面図、Ｂ２−Ｂ２′断面、および断面を拡大して示す説明図である。なお、図７（ａ）および図８（ａ）には、一方の基板切り出し領域に対して切断予定線を太い一点鎖線で表してある。
【００４８】
本形態では、タッチパネル２の構造等は、実施の形態１と同様であり、その製造方法のみが実施の形態１と相違する。従って、以下の説明において、共通する部分には同一の符号を付して図示し、構造等の説明を省略する。
【００４９】
本形態でも、実施の形態１と同様、図１および図２を参照して説明したタッチパネル２のタッチパネル用基板２０には強化ガラス基板が用いられており、タッチパネル用基板２０は、図６〜図８を参照して以下に説明する方法により準備した低強度領域付きの大型強化ガラス基板を用いて製造される。
【００５０】
本形態でも、実施の形態１と同様、タッチパネル用基板２０を製造するにあたって、図６（ａ）に示すように、タッチパネル用基板２０を多数取りできる大型ガラス基板２００を用い、大型ガラス基板２００において、タッチパネル用基板２０として切り出される基板切り出し領域２００ｓは切断予定線２００ｔで囲まれた領域として表される。
【００５１】
かかる大型ガラス基板２００を用いてタッチパネル用基板２０を製造するにあたって、本形態では、まず、図６（ｂ）および図７（ａ）に示すように、低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程において、大型ガラス基板２００に対して強化処理を行なって大型強化ガラス基板２００ｆを得る前、切断予定線２００ｔに沿って基板切り出し領域２００ｓよりも低い強度の低強度領域２００ｕを形成する。
【００５２】
かかる低強度領域２００ｕを形成するにあたって、本形態では、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程において、大型ガラス基板２００に対して切断予定線２００ｔに沿って大型ガラス基板２００が厚さ方向の全体で除去された貫通穴からなるスリット２０１ｕと、大型ガラス基板２００が除去されていない細幅の繋ぎ部２０２ｕとを交互に設けてスリット２０１ｕと繋ぎ部２０２ｕとからなる低強度領域２００ｕを形成する。
【００５３】
より具体的には、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、大型ガラス基板２００の第１面２００ａ（タッチパネル用基板２０の第１面２０ａ）および第２面２００ｂ（タッチパネル用基板２０の第２面２０ｂ）の双方に対して、切断予定線２００ｔに沿う領域を除いてマスク２１０ｂを形成し、かかる状態で、大型ガラス基板２００に対してエッチングをおこなう。その際、切断予定線２００ｔに沿う領域でも、周方向の複数個所（図６および図７に示す繋ぎ部２０２ｕを形成すべき領域）にマスク２１０ｂを残す。その結果、図６（ｂ）および図７に示すように、切断予定線２００ｔに沿う領域において、マスク２１０ｂから露出していた領域では、大型ガラス基板２００の厚さ方向の全体がエッチングされ、スリット２０１ｕが形成される。また、切断予定線２００ｔに沿う領域であっても、マスク２１０ｂで覆われていた領域はエッチングされず、繋ぎ部２０２ｕが残る。本形態では、基板切り出し領域２００ａの４つの辺部分のいずれにおいても、両端の角部分近くに繋ぎ部２０２ｕを残す。従って、本形態では、辺部分および角部分に計８本のスリット２０１ｕと計８つの繋ぎ部２０２ｕとによって１つの低強度領域２００ｕを形成する。
【００５４】
なお、本形態において、隣り合う基板切り出し領域２００ｓ同士の間には、マスク２１０ｂの幅寸法より広い幅寸法の境界領域が介在しており、マスク２１０ｂは、１つの基板切り出し領域２００ｓ毎に独立して形成されている。このため、隣り合う基板切り出し領域２００ｓの間には、２列のマスク２１０ｂが所定の隙間を介して並列するように形成されているため、隣り合う基板切り出し領域２００ｓの間には、スリット２０１ｕの間に、途切れずに連続して延在する補強領域２００ｗが残る。
【００５５】
このようにして低強度領域２００ｕを形成した後、マスク２１０ｂを除去し、その後、大型ガラス基板２００に強化処理を行なう。本形態でも、実施の形態１と同様、強化処理として、大型ガラス基板２００を温度が４００℃程度のカリウム塩溶融浴に浸漬して化学強化処理を行う。その結果、図７に示すように、スリット２０１ｕの内面や繋ぎ部２０２ｕも含めて大型ガラス基板２００の表面全体において、大型ガラス基板２００のナトリウムイオンがカリウムイオンにイオン交換される。このため、大型ガラス基板２００は、表面の化学強化層２０５に起因する圧縮応力によって強度が強化された大型強化ガラス基板２００ｆとなる。その際、繋ぎ部２０２ｕも化学強化されるが、幅寸法が狭いため、基板切り出し領域２００ｓ等に比して強度が低い。
【００５６】
このようにして低強度領域２００ｕ付きの大型強化ガラス基板２００ｆを形成した後は、実施の形態１と同様、機能層形成工程において、成膜工程とパターニング工程とを繰り返し行なって、大型強化ガラス基板２００ｆの第２面２００ｂ側に、図２（ａ）、（ｂ）等を参照して説明した入力位置検出用電極２１、信号配線２７、実装端子２４等の機能層を形成する。ここで、大型強化ガラス基板２００ｆにはスリット２０１ｕが形成されているため、パターニング工程でレジストマスクを形成する場合には、スピーコート法よりもスリットコート法を用いれば、スリット２０１ｕ内にレジストが侵入することを防止することができる。また、本形態では、大型強化ガラス基板２００ｆの段階で、入力位置検出用電極２１や信号配線２７等のトップコート層２１９も形成しておく。ここで、実装端子２４は、層間絶縁膜２１４やトップコート層２１９から露出している。そこで、本形態では、大型強化ガラス基板２００ｆの段階で、図２（ａ）に一点鎖線で示すように、実装端子２４を覆う保護層２４０を形成しておき、かかる保護層２４０によって実装端子２４を覆った状態で、次の切断工程を行なう。なお、保護層２４０は切断工程の後、除去する必要があるため、保護層２４０としては、切断工程の後、剥離させやすいシートや樹脂層が用いられる。
【００５７】
次に、切断工程では、大型強化ガラス基板２００ｆを低強度領域２００ｕ（切断予定線２００ｔ）およびその延長線に沿って切断してタッチパネル用基板２０を得た後、保護層２４０を除去する。その結果、単品サイズのタッチパネル用基板２０を得ることができる。かかる切断工程において、大型強化ガラス基板２００ｆの切断には、ケミカルエッチング、ＣＮＣ切断、ダイシング、ウォータージェット等の切断方法を採用すればよい。
【００５８】
以上説明したように、本形態でも、実施の形態１と同様、タッチパネル用基板２０（電気的固体装置用基板）を切り出す際の切断予定線２００ｔに沿って低強度領域２００ｕが形成された大型強化ガラス基板２００ｆを準備し、かかる大型強化ガラス基板２００ｆに入力位置検出用電極２１や信号配線２７等の機能層を形成した後、大型強化ガラス基板２００ｆを低強度領域２００ｕに沿って切断してタッチパネル用基板２０を得る。このため、大型強化ガラス基板２００ｆに過大な負荷をかけずに大型強化ガラス基板２００ｆを切断することができるので、切断時に大型強化ガラス基板２００ｆあるいはタッチパネル用基板２０がそれ自身の内部応力に起因して破損することを防止することができる。また、化学強化処理については、大型強化ガラス基板２００ｆに入力位置検出用電極２１や信号配線２７等の機能層を形成する前に行なうため、機能層に邪魔されずにイオン交換（強化処理）を行なうことができる。それ故、タッチパネル用基板２０に強化ガラスを用いた場合でも、複数枚のタッチパネル用基板２０を切り出すことができる大型の基板の状態で、入力位置検出用電極２１や信号配線２７等の機能層を形成すればよいので、生産性を向上することができる等、実施の形態１と略同様な効果を奏する。
【００５９】
［実施の形態３］
図９は、本発明の実施の形態３に係るタッチパネル２の製造方法において、大型ガラス基板２００から単品サイズのタッチパネル用基板２０を切り出す様子を示す説明図であり、図９（ａ）、（ｂ）は、大型ガラス基板２００においてタッチパネル用基板２０として切り出される基板切り出し領域２００ｓの説明図、および大型強化ガラス基板２００ｆに設けた低強度領域２００ｕの説明図である。図１０は、本発明の実施の形態３に係るタッチパネル２の製造方法において、大型強化ガラス基板２００ｆの低強度領域２００ｕを拡大して示す説明図であり、図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、大型強化ガラス基板２００ｆの一部（基板切り出し領域２つ分）の平面的構成を拡大して示す説明図、Ａ３−Ａ３′断面図、および断面を拡大して示す説明図である。図１１は、本発明の実施の形態３に係るタッチパネル２の製造方法において、低強度領域２００ｕを備えた大型強化ガラス基板２００ｆの製造方法を示す説明図であり、図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、大型ガラス基板２００の一部（基板切り出し領域２つ分）の平面的構成を拡大して示す説明図、Ａ３−Ａ３′断面図、および断面を拡大して示す説明図である。なお、図１０（ａ）および図１１（ａ）には、一方の基板切り出し領域に対して切断予定線を太い一点鎖線で表してある。
【００６０】
本形態では、タッチパネル２の構造等は、実施の形態１と同様であり、その製造方法のみが実施の形態１、２と相違する。従って、以下の説明において、共通する部分には同一の符号を付して図示し、構造等の説明を省略する。
【００６１】
本形態でも、実施の形態１、２と同様、図１および図２を参照して説明したタッチパネル２のタッチパネル用基板２０には強化ガラス基板が用いられており、タッチパネル用基板２０は、図９〜図１１を参照して以下に説明する方法により準備した低強度領域付きの大型強化ガラス基板を用いて製造される。
【００６２】
本形態でも、実施の形態１、２と同様、タッチパネル用基板２０を製造するにあたって、図９（ａ）に示すように、タッチパネル用基板２０を多数取りできる大型ガラス基板２００を用い、大型ガラス基板２００において、タッチパネル用基板２０として切り出される基板切り出し領域２００ｓは切断予定線２００ｔで囲まれた領域として表される。
【００６３】
かかる大型ガラス基板２００を用いてタッチパネル用基板２０を製造するにあたって、本形態では、まず、図９（ｂ）および図１０（ａ）に示すように、低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程において、大型ガラス基板２００に対して強化処理を行なって大型強化ガラス基板２００ｆを得る前、切断予定線２００ｔに沿って基板切り出し領域２００ｓよりも低い強度の低強度領域２００ｕを形成する。
【００６４】
かかる低強度領域２００ｕを形成するにあたって、本形態では、図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、低強度領域付き大型強化ガラス基板形成工程において、大型ガラス基板２００に対して切断予定線２００ｔに沿って大型ガラス基板２００が厚さ方向の途中位置まで除去された有底の溝２０３ｕからなる低強度領域２００ｕを形成する。
【００６５】
より具体的には、図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、大型ガラス基板２００の第１面２００ａ（タッチパネル用基板２０の第１面２０ａ）および第２面２００ｂ（タッチパネル用基板２０の第２面２０ｂ）のうち、第２面２００ｂの全面にマスク２１０ｃを形成する一方、第１面２００ａの側には、切断予定線２００ｔに沿う領域を除いてマスク２１０ｃを形成する。そして、大型ガラス基板２００に対してエッチングをおこなう。その結果、図９（ｂ）および図１０に示すように、切断予定線２００ｔに沿う領域において、マスク２１０ｃから露出していた領域では、大型ガラス基板２００の厚さ方向の途中位置までエッチングされ、溝２０３ｕからなる低強度領域２００ｕが形成される。
【００６６】
なお、本形態において、隣り合う基板切り出し領域２００ｓ同士の間には、マスク２１０ｃの幅寸法より広い幅寸法の境界領域が介在しており、マスク２１０ｃは、１つの基板切り出し領域２００ｓ毎に独立して形成されている。このため、隣り合う基板切り出し領域２００ｓの間には、２列のマスク２１０ｃが所定の隙間を介して並列するように形成されているため、隣り合う基板切り出し領域２００ｓの間には、溝２０３ｕの間に、途切れずに連続して延在する補強領域２００ｗが残る。
【００６７】
このようにして低強度領域２００ｕを形成した後、マスク２１０ｃを除去し、その後、大型ガラス基板２００に強化処理を行なう。本形態でも、実施の形態１と同様、強化処理として、大型ガラス基板２００を温度が４００℃程度のカリウム塩溶融浴に浸漬して化学強化処理を行う。その結果、図１０に示すように、溝２０３ｕの内面も含めて大型ガラス基板２００の表面全体において、大型ガラス基板２００のナトリウムイオンがカリウムイオンにイオン交換される。このため、大型ガラス基板２００は、表面の化学強化層２０５に起因する圧縮応力によって強度が強化された大型強化ガラス基板２００ｆとなる。その際、溝２０３ｕの内面も化学強化されるが、厚さが薄いため、基板切り出し領域２００ｓ等に比して強度が低い。
【００６８】
このようにして低強度領域２００ｕ付きの大型強化ガラス基板２００ｆを形成した後は、実施の形態１と同様、機能層形成工程において、成膜工程とパターニング工程とを繰り返し行なって、大型強化ガラス基板２００ｆの第２面２００ｂ側に、図２（ａ）、（ｂ）等を参照して説明した入力位置検出用電極２１、信号配線２７、実装端子２４等の機能層を形成する。また、本形態では、大型強化ガラス基板２００ｆの段階で、入力位置検出用電極２１や信号配線２７等のトップコート層２１９も形成しておく。ここで、実装端子２４は、層間絶縁膜２１４やトップコート層２１９から露出している。そこで、本形態では、大型強化ガラス基板２００ｆの段階で、図２（ａ）に一点鎖線で示すように、実装端子２４を覆う保護層２４０を形成しておき、かかる保護層２４０によって実装端子２４を覆った状態で、次の切断工程を行なう。なお、保護層２４０は切断工程の後、除去する必要があるため、保護層２４０としては、切断工程の後、剥離させやすいシートや樹脂層が用いられる。
【００６９】
次に、切断工程では、大型強化ガラス基板２００ｆを低強度領域２００ｕ（切断予定線２００ｔ）およびその延長線に沿って切断してタッチパネル用基板２０を得た後、保護層２４０を除去する。その結果、単品サイズのタッチパネル用基板２０を得ることができる。かかる切断工程において、大型強化ガラス基板２００ｆの切断には、ケミカルエッチング、ＣＮＣ切断、ダイシング、ウォータージェット等の切断方法を採用すればよい。
【００７０】
以上説明したように、本形態でも、実施の形態１、２と同様、タッチパネル用基板２０（電気的固体装置用基板）を切り出す際の切断予定線２００ｔに沿って低強度領域２００ｕが形成された大型強化ガラス基板２００ｆを準備し、かかる大型強化ガラス基板２００ｆに入力位置検出用電極２１や信号配線２７等の機能層を形成した後、大型強化ガラス基板２００ｆを低強度領域２００ｕに沿って切断してタッチパネル用基板２０を得る。このため、大型強化ガラス基板２００ｆに過大な負荷をかけずに大型強化ガラス基板２００ｆを切断することができるので、切断時に大型強化ガラス基板２００ｆあるいはタッチパネル用基板２０がそれ自身の内部応力に起因して破損することを防止することができる。また、化学強化処理については、大型強化ガラス基板２００ｆに入力位置検出用電極２１や信号配線２７等の機能層を形成する前に行なうため、機能層に邪魔されずにイオン交換（強化処理）を行なうことができる。それ故、タッチパネル用基板２０に強化ガラスを用いた場合でも、複数枚のタッチパネル用基板２０を切り出すことができる大型の基板の状態で、入力位置検出用電極２１や信号配線２７等の機能層を形成すればよいので、生産性を向上することができる等、実施の形態１と略同様な効果を奏する。
【００７１】
さらに、本形態では、大型ガラス基板２００において、機能層が形成されない第１面２００ａ側に溝２０３ｕを形成するため、機能層が形成される第２面２００ｂは全体が平坦である。このため、成膜時やパターニング用のレジストマスクを形成する際、溝２０３ｕの影響を受けないという利点がある。
【００７２】
［実施の形態４］
上記実施の形態２、３では、低強度領域２００ｕに化学強化されたガラスが残る構成であったが、化学強化処理を行なう際、実施の形態１で説明したマスクを形成し、低強度領域２００ｕに対して化学強化を行なわない方法を採用してもよい。かかる構成によれば、低強度領域２００ｕの強度をさらに低減することができるので、切断時に大型強化ガラス基板２００ｆあるいはタッチパネル用基板２０がそれ自身の内部応力に起因して破損することを確実に防止することができるという利点がある。
【００７３】
［実施の形態５］
図１２は、本発明の実施の形態５に係るタッチパネル２の製造方法において、大型ガラス基板２００から単品サイズのタッチパネル用基板２０と他の部材とを切り出す様子を示す説明図であり、図１２（ａ）、（ｂ）は、他の部材としてカバーを切り出す際の説明図、および他の部材としてボタンを切り出す際の説明図である。
【００７４】
上記実施の形態では、タッチパネル用基板２０を多数取りするのに本発明を適用したが、以下に説明するように、タッチパネル用基板２０より大きなガラス基板から１枚乃至複数枚のタッチパネル用基板２０を切り出すとともに、図１２（ａ）に示すように、タッチパネル用基板２０の側方に配置される異形のカバー部材９７や、図１２（ｂ）に示すように、タッチパネル用基板２０の端部に設けた穴内に配置されるボタン９８等を強化ガラスとして大型ガラス基板から切り出すのに本発明を適用してもよい。
【００７５】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、画像生成装置５として液晶装置を用いたが、画像生成装置５としては有機エレクトロルミネッセンス装置を用いてもよい。
【００７６】
また、上記実施の形態では、電気的固体装置として静電容量方式のタッチパネルを説明したが、電極構造が相違する他の静電容量方式のタッチパネル、静電容量方式以外のタッチパネル、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、太陽電池等の電気的固体装置に用いる基板（電気的固体装置用基板）を製造するのに本発明を適用してもよい。
【００７７】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る入力機能付き電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図１３は、本発明を適用した入力機能付き電気光学装置１００を備えた電子機器の説明図である。図１３（ａ）に、入力機能付き電気光学装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す。パーソナルコンピューター２０００は、表示ユニットとしての入力機能付き電気光学装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。図１３（ｂ）に、入力機能付き電気光学装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１、スクロールボタン３００２、および表示ユニットとしての入力機能付き電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、入力機能付き電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１３（ｃ）に、入力機能付き電気光学装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１、電源スイッチ４００２、および表示ユニットとしての入力機能付き電気光学装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が入力機能付き電気光学装置１００に表示される。
【００７８】
なお、入力機能付き電気光学装置１００が適用される電子機器としては、図１３に示すものの他、デジタルスチールカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、銀行端末等の電子機器等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した入力機能付き電気光学装置１００が適用可能である。
【符号の説明】
【００７９】
１・・静電容量型の入力装置、２・・タッチパネル（電気的固体装置）、２ａ・・基板の入力領域、２ｂ・・基板の周辺領域、２０・・タッチパネル用基板（電気的固体装置用基板）、２１・・入力位置検出用電極(機能層)、２７・・信号配線（機能層）、１００・・入力機能付き電気光学装置、２００・・大型ガラス基板、２００ｆ・・大型強化ガラス基板、２００ｓ・・基板切り出し領域、２００ｔ・・切断予定線、２００ｕ・・低強度領域、２０１ｕ・・スリット、２０２ｕ・・繋ぎ部、２０３ｕ・・溝、２０５・・化学強化層、２０５ｕ・・非強化領域、２４０・・保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１３】
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【図１２】
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