(57)【要約】【課題】導電率が高く転写性の良い転写用電極を提供することを目的とするものである。【解決手段】レジストパターン１３を形成したベース基板１１上にメッキにより形成した転写用導体１６であって、前記転写用導体１６は、第１のメッキ層１４と、この第１のメッキ層の上に設けた前記第１のメッキ層と同じ金属でできた第２のメッキ層１５とからなり、前記第１のメッキ層１４はその金属材料の理論密度に近い密度を有し、前記第２のメッキ層１５は前記第１のメッキ層よりも小さな密度を有するものであり、これにより導電率が高く転写性の良い転写用導体１６を得ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジストパターンを形成したベース基板上にメッキにより形成した転写用導体であって、前記転写用導体は、第１のメッキ層と、この第１のメッキ層の上に設けた前記第１のメッキ層と同じ金属でできた第２のメッキ層とからなり、前記第１のメッキ層はその金属材料の理論密度に近い密度を有し、前記第２のメッキ層は前記第１のメッキ層よりも小さな密度を有することを特徴とする転写用導体。
【請求項２】
前記第１のメッキ層の密度は、その金属材料の理論密度の９０％から１００％であることを特徴とする請求項１記載の転写用導体。
【請求項３】
前記第２のメッキ層の密度は、その金属材料の理論密度の５０％から８０％であることを特徴とする請求項１または２記載の転写用導体。
【請求項４】
ベース基板の第１面に所定の開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの開口部に第１のメッキ層を形成する工程と、前記第１のメッキ層と同じ金属材料を前記第１のメッキ層よりも速い速度で、前記第１のメッキ層の上に第２のメッキ層を形成する工程と、を備えた転写用導体の製造方法であって、前記第１のメッキ層よりも前記第２のメッキ層のメッキ形成速度を速くすることにより、前記第１のメッキ層の密度よりも前記第２のメッキ層の密度を小さくしたことを特徴とする転写用導体の製造方法。
【請求項５】
前記第１のメッキ層の厚さが前記レジストパターンの厚さにほぼ等しくなったときに、メッキ層の形成速度を上げて前記第２のメッキ層を形成することを特徴とする請求項４記載の転写用導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種積層型電子部品に用いられる転写用導体およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年機器の小型化に伴って、積層電子部品が多く使われるようになってきているが、大電流に対応できるように直流抵抗を低減することが強く求められている。このためメッキにより形成した電極パターンを転写することによって内部電極に用いる方法が提案されている。
【０００３】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２２７０４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来は、図４のように、ベース基板１に所定のレジストパターン３を形成し、その開口部２に銀からなる転写用導体６を電解メッキにより形成し、これを転写することで電極パターンを形成していた。しかしながら、転写するためには転写用導体をレジストパターンから突出させておく必要があり、また転写用導体の導電率を良くしようとすると、電解メッキの時の電流値をある一定まで下げ、メッキ速度を比較的遅くしておく必要があり、このようにするとレジストパターンよりも厚くなったときに周辺方向に広がり、図４のようなきのこ状の断面となる。このようにきのこ状断面になると、コイル電極のような周回パターンを作る場合等には、電極間でショートしないようにその電極間隔を大きくとる必要があり、小型化した場合十分なインダクタ値を得るのが難しくなる。さらに電極幅に対する電極厚さが大きなアスペクト比の大きな電極を形成しようとすると、レジストパターンと転写用導体の摩擦抵抗が大きくなり、転写性に問題が生じてくる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は上記課題を解決するために、レジストパターンを形成したベース基板上にメッキにより形成した転写用導体であって、転写用導体は、第１のメッキ層と、第１のメッキ層と同じ金属でできた第２のメッキ層とからなり、第１のメッキ層はその金属材料の理論密度に近い密度を有し、第２のメッキ層は前記第１のメッキ層よりも小さな密度を有するように構成したものである。
【発明の効果】
【０００７】
上記構成により、第１のメッキ層の部分は密度が大きく、高い導電性を確保しながら、被転写物と接する第２のメッキ層は同じ金属材料で密度を小さくしているため、表面粗さを大きくできるため、転写性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施の形態における転写用導体の断面図
【図２】本発明の一実施の形態における転写用導体の製造方法を示す図
【図３】一般的な電解メッキにおける相対関係を示す図
【図４】従来の転写用導体の断面図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１は、本発明の一実施の形態における転写用導体の断面図であり、表面にニッケルメッキを施したステンレス板（ＳＵＳ４３０等）からなるベース基板１１の上面に、開口部１２を有するレジストパターン１３を形成し、開口部１２に電解メッキにより、Ａｇからなる第１のメッキ層１４、その上に同じＡｇからなる第２のメッキ層１５を形成したものである。ここでレジストパターン１３はフォトレジスト層を形成し、露光、現像することにより所定の開口部１２を形成したものであり、その厚さを約３５μｍとしている。第１のメッキ層１４の厚さはレジストパターン１３とほぼ同じ厚さの約３５μｍとし、その密度をＡｇの理論密度である１０．４９ｇ／ｃｍ3に近い約１０．２ｇ／ｃｍ3としている。一方第２のメッキ層１５の厚さを約１５μｍとし、その密度を約８．０ｇ／ｃｍ3としている。このように同じ金属でありながら密度を小さく形成するとその表面は凹凸が大きくなっている。このように第１のメッキ層１４と第２のメッキ層１５を積み重ねることにより転写用導体１６を形成している。
【００１０】
このようにして形成された転写用導体１６は、フェライトシート等からなる被転写体に押し付けられることにより、第２のメッキ層１５の部分が被転写体にもぐりこみ、ベース基板１１を引き離した時に転写用導体１６だけが被転写体に残り、結果として被転写体に転写用導体１６を形成した状態にすることができる。
【００１１】
通常このような転写用導体を形成する場合、導電性を考慮して緻密な導体をメッキにより形成する。そのようにするとその表面も緻密となり表面も滑らかとなる。このような状態で被転写体に押し付けても、一旦はレジストパターンから出ている部分が被転写体にもぐりこむが、被転写体との密着が悪く、ベース基板の方に残ってしまう可能性がある。このような転写性を向上させるために、レジストパターンから出ている部分を厚くする必要がある。しかしながらこのときに厚さ方向だけでなく、水平方向にもメッキ電極が広がってしまう。メッキ電極が水平方向に広がることは転写性の向上には寄与するが、コイル電極のような周回パターンを作る場合等には、電極間でショートしないようにその電極間隔を大きくとる必要があり、小型化した場合十分なインダクタ値を得るのが難しくなる。
【００１２】
これに対し本実施の形態では、第１のメッキ層１４部分で十分に導電性を確保するとともに、第２のメッキ層１５部分で転写性を確保できているため、レジストパターン１３から出ている部分を大きくする必要がなく、高密度で電極パターンを形成することができ、インダクタ等に用いた場合、小型化することができる。
【００１３】
次に、本発明の一実施の形態における転写用導体の製造方法について説明する。
【００１４】
まず図２（ａ）に示すように、可撓性を有するステンレス板（ＳＵＳ４３０等）からなるベース基板１１の上面にフォトレジスト層を形成し、露光、現像することにより所定の開口部１２を有するレジストパターン１３を形成する。このとき開口部１２の幅を約８０μｍ、レジストパターン１３の厚さを約３５μｍとしておく。
【００１５】
次に図２（ｂ）のように、ベース基板１１を電解メッキ槽１７に入れ、電流を流すことにより開口部１２にＡｇからなる第１のメッキ層１４を形成する。このときメッキ液にはシアン化合物を含まないノンシアンＡｇめっき浴を用い、電流密度を０．４４Ａ／ｄｍ2とする。一般に電解メッキでは図３（ａ）に示すように、電流値を上げていくとメッキ層形成速度が速くなるが、図３（ｂ）に示すように、電流密度を上げてメッキ層形成速度が速くなると密度が小さくなってくる。密度が小さくなってくると、図３（ｃ）に示すように抵抗値も大きくなる。そのため一般に電解メッキを用いる場合、抵抗値が大きくならない範囲でメッキ層形成速度が比較的速い図３（ａ）、（ｂ）における領域Ａ付近の条件で形成している。本実施の形態で行なった第１のメッキ層形成の条件も領域Ａを用いている。このようにすることにより、メッキ層形成速度はおよそ０．３μｍ／分、第１のメッキ層の密度は約１０．２ｇ／ｃｍ3となった。また第１のメッキ層の厚さは、レジストパターンの厚さとほぼ同じ約３５μｍとした。
【００１６】
次に、ベース基板１１を電解メッキ槽１７に入れたままで、電流密度を２．２Ａ／ｄｍ2まで上げて図２（ｃ）のように第２のメッキ層１５を、レジストパターン１３の天面からの高さが約１５μｍとなるまで形成する。このようにすることにより、メッキ層形成速度はおよそ１．８μｍ／分、第２のメッキ層の密度は約８．０ｇ／ｃｍ3となった。また第２のメッキ層では密度が小さくなるに伴い、粒径が大きくなり、第１のメッキ層のような領域Ａでは析出したＡｇめっきの平均粒子径が約８．９μｍのような状態から、第２のメッキ層では析出したＡｇめっきの平均粒子径が約１９．５μｍと成長した。このように第２のメッキ層の平均粒子径を第１のメッキ層の平均粒子径の２倍以上にすることで、表面の凹凸が大きくなり、被転写体に転写させようとする時に被転写体に食い込み、転写性を向上させることができる。
【００１７】
さらに、レジストパターンの厚さよりも厚いメッキ層を形成しようとすると、メッキ層は厚さ方向だけでなく、水平方向にも広がって形成されるため、レジストパターンより上の部分が広がったきのこ状の電極となる。開口部の幅をＷ１、レジストパターンから突出している部分の最大幅をＷ２とした時に、従来の領域Ａの条件で本実施の形態と同様にレジストパターンから約１５μｍ突出するように形成したところ、Ｗ１が約８０μｍに対して、Ｗ２が約１００μｍと大きくなった。これに対し本実施の形態ではＷ２が約９０μｍと、従来のものに対して小さくすることができた。これは、メッキを行なう時間が長くなると水平方向にもメッキが広がってしまうものであるが、メッキ形成速度を上げることにより、所定の厚さのメッキが短時間で終わってしまうため、従来のように速度が遅いメッキに対して水平方向への広がりが小さくなったものである。
【００１８】
なお、第２のメッキ層１５はその密度を小さくすることにより、抵抗値がやや大きくなるが、その厚さを第１のメッキ層１４の厚さの半分以下にしているため、抵抗値は第１のメッキ層１４の方で決まり、全体としてはほとんど影響を受けることが無いため、抵抗値を劣化させることなく転写性を向上させ、より高密度の電極パターンを形成することができる。
【００１９】
第１のメッキ層１４の密度は、その金属材料の理論密度に近い方が望ましいが、そのためにはメッキ成長速度が極端に遅くなって量産性に課題が出てくる。理論密度の９０％以上あればほとんど抵抗値に影響を与えないため、第１のメッキ層１４の密度は、その金属材料の理論密度の９０％から１００％とすることが望ましい。
【００２０】
また、第２のメッキ層１５は、転写性を確保するためにはその金属材料の理論密度の８０％以下とする必要があるが、極端に小さくなるとメッキ層そのものの強度が弱くなってしまうため、理論密度の５０％以上とすることが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００２１】
本発明に係る転写用導体およびその製造方法は、積層電子部品の小型化、および量産性を向上させることができ、産業上有用なものとなる。
【符号の説明】
【００２２】
１１  ベース基板
１２  開口部
１３  レジストパターン
１４  第１のメッキ層
１５  第２のメッキ層
１６  転写用導体
１７  電解メッキ槽
【図１】
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【図２】
2011119570.tif 000004
【図３】
2011119570.tif 000005
【図４】
2011119570.tif 000006