(57)【要約】【課題】クロストークが少なく高周波特性のよいコネクタを提供する。【解決手段】雌コネクタと接続するための雄コネクタにおいて、前記雄コネクタは、複数の雄コネクタモジュールを複数段重ねた構造のものであって、前記雄コネクタモジュールの一方の面には、電気信号を伝送するための複数の配線部が形成されており、他方の面には、前記他方の面を略覆うように雄コネクタグランド部が形成されており、前記一方の面における前記配線部の一方の端には雄コネクタ接点部が設けられ、他方の端には雄コネクタ端子部が接合されており、前記雌コネクタと接続された側に設けられ、前記雄コネクタグランド部と接続された雄コネクタシールド部は、前記雄コネクタ接点部の端部よりも、前記雌コネクタとの接続方向に長く形成されていることを特徴とする雄コネクタを提供することにより上記課題を解決する。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
雌コネクタと接続するための雄コネクタにおいて、
前記雄コネクタは、複数の雄コネクタモジュールを複数段重ねた構造のものであって、
前記雄コネクタモジュールの一方の面には、電気信号を伝送するための複数の配線部が形成されており、他方の面には、前記他方の面を略覆うように雄コネクタグランド部が形成されており、
前記一方の面における前記配線部の一方の端には雄コネクタ接点部が設けられ、他方の端には雄コネクタ端子部が接合されており、
前記雌コネクタと接続された側に設けられ、前記雄コネクタグランド部と接続された雄コネクタシールド部は、前記雄コネクタ接点部の端部よりも、前記雌コネクタとの接続方向に長く形成されていることを特徴とする雄コネクタ。
【請求項２】
前記一方の面において、複数の前記雄コネクタ端子部の間には、前記雄コネクタシールド部が露出していることを特徴とする請求項１に記載の雄コネクタ。
【請求項３】
前記配線部と前記雄コネクタ端子部との接合は、ハンダまたは導電性接着剤により接合されているものであることを特徴とする請求項１または２に記載の雄コネクタ。
【請求項４】
前記雄コネクタ端子部または、前記雄コネクタグランド部と接合される雄コネクタグランド端子部は、配線基板に設けられた電極と接続されるものであって、
前記雄コネクタ端子部または、前記雄コネクタグランド端子部と、前記電極との接続は、ＳＭＴにより行われるものであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の雄コネクタ。
【請求項５】
前記雄コネクタ端子部または、前記雄コネクタグランド部と接合される雄コネクタグランド端子部は、配線基板に設けられた電極と接続されるものであって、
前記雄コネクタ端子部または、前記雄コネクタグランド端子部と、前記電極との接続は、前記雄コネクタ端子部に設けられたプレスフィットピンにより行われるものであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の雄コネクタ。
【請求項６】
雄コネクタと接続するための雌コネクタにおいて、
前記雌コネクタは、複数の雌コネクタモジュールを複数段重ねた構造のものであって、
前記雌コネクタモジュールの一方の側には、バネ状に形成された雌コネクタ接点部と雌コネクタグランド接点部とが設けられており、他方の側には、前記雌コネクタ接点部と接合されている雌コネクタ端子部と、雌コネクタグランド端子部が設けられており、
前記雌コネクタ端子部が露出している面と反対側の面には、前記雌コネクタ端子部を覆うように、前記雌コネクタグランド接点部と接続される雌コネクタシールド部が設けられており、前記雌コネクタグランド端子部は、雌コネクタシールド部に接合されていることを特徴とする雌コネクタ。
【請求項７】
前記雌コネクタシールド部は、前記雌コネクタ端子部をシールドする雌コネクタシールド本体部と、前記雌コネクタ接点部をシールドする雌コネクタシールド先端部とを有するものであることを特徴とする請求項６に記載の雌コネクタ。
【請求項８】
前記雌コネクタ接点部と前記雌コネクタ端子部との接合は、ハンダまたは導電性接着剤により接続されているものであることを特徴とする請求項６または７に記載の雌コネクタ。
【請求項９】
前記雌コネクタ端子部または、前記雌コネクタグランド端子部は、バックプレーンボードに設けられた電極と接続されるものであって、
前記雌コネクタ端子部または、前記雌コネクタグランド端子部と、前記電極と接続は、ＳＭＴにより行われるものであることを特徴とする請求項６から８のいずれかに記載の雌コネクタ。
【請求項１０】
前記雌コネクタ端子部または、前記雌コネクタグランド端子部は、バックプレーンボードに設けられた電極と接続されるものであって、
前記雌コネクタ端子部または、前記雌コネクタグランド端子部と、前記電極と接続は、前記雌コネクタ端子部に設けられたプレスフィットピンにより行われるものであることを特徴とする請求項６から８のいずれかに記載の雌コネクタ。
【請求項１１】
請求項１から５に記載のいずれかの雄コネクタと、
請求項６から１０に記載のいずれかの雌コネクタと、
を有し、前記雄コネクタと雌コネクタとの嵌合状態においては、前記雄コネクタ接点部と前記雌コネクタ接点部とが接触し、前記雌コネクタグランド接点部と前記雄コネクタシールド部とが接触するものであることを特徴とするコネクタ。
【請求項１２】
前記雌コネクタに設けられた複数の前記雌コネクタグランド接点部は、前記雌コネクタ接点部の間に設けられており、
前記雌コネクタグランド接点部及び前記雌コネクタ接点部は、前記雄コネクタモジュールの一方の面において接続されるものであることを特徴とする請求項１１に記載のコネクタ。
【請求項１３】
前記雄コネクタと前記雌コネクタとの嵌合状態において、
前記雌コネクタ接点部は、前記雄コネクタシールド部によりシールドされるものであることを特徴とする請求項１０から１２のいずれかに記載のコネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、雄コネクタ、雌コネクタ及びコネクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
通信機器等においては、内部にバックプレーンとバックプレーンに対して略垂直に接続される基板が複数配置された構成のものがある。バックプレーンには、プラグコネクタまたはジャックコネクタが装着されており、接続される基板の端部には、対応するジャックコネクタまたはプラグコネクタが装着されている。バックプレーンと各々の基板とが電気的な接続は、このジャックコネクタとプラグコネクタとを接続することにより行われる。
【０００３】
近年、信号の伝送速度が高速になってきており、上述のジャックコネクタ及びプラグコネクタからなるコネクタにおいて、複数の信号伝送用コンタクトが二次元的に配列され、密に組み込まれた構造のコネクタがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２１８１１９号公報
【特許文献２】特表２００５−５２２０１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、信号伝送用コンタクトが２次元的に配列された構造のコネクタの場合、信号伝送用コンタクトが密に配列されているため、信号伝送用コンタクト間におけるクロストークにより、伝送信号にノイズが多く含まれる場合ある。また、高周波化の要求から、インピーダンスがより整合されたコネクタが望まれている。
【０００６】
本発明は、基板とバックプレーンとの間を電気的に接続するため信号伝送用コンタクトが２次元的に配列されたものであって、クロストークが低く、高周波特性の良い雄コネクタ、雌コネクタ及びコネクタを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、雌コネクタと接続するための雄コネクタにおいて、前記雄コネクタは、複数の雄コネクタモジュールを複数段重ねた構造のものであって、前記雄コネクタモジュールの一方の面には、電気信号を伝送するための複数の配線部が形成されており、他方の面には、前記他方の面を略覆うように雄コネクタグランド部が形成されており、前記一方の面における前記配線部の一方の端には雄コネクタ接点部が設けられ、他方の端には雄コネクタ端子部が接合されており、前記雌コネクタと接続された側に設けられ、前記雄コネクタグランド部と接続された雄コネクタシールド部は、前記雄コネクタ接点部の端部よりも、前記雌コネクタとの接続方向に長く形成されていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明は、前記一方の面において、複数の前記雄コネクタ端子部の間には、前記雄コネクタシールド部が露出していることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、前記配線部と前記雄コネクタ端子部との接合は、ハンダまたは導電性接着剤により接合されているものであることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、前記雄コネクタ端子部または、前記雄コネクタグランド部と接合される雄コネクタグランド端子部は、配線基板に設けられた電極と接続されるものであって、前記雄コネクタ端子部または、前記雄コネクタグランド端子部と、前記電極との接続は、ＳＭＴにより行われるものであることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、前記雄コネクタ端子部または、前記雄コネクタグランド部と接合される雄コネクタグランド端子部は、配線基板に設けられた電極と接続されるものであって、前記雄コネクタ端子部または、前記雄コネクタグランド端子部と、前記電極との接続は、前記雄コネクタ端子部に設けられたプレスフィットピンにより行われるものであることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、雄コネクタと接続するための雌コネクタにおいて、前記雌コネクタは、複数の雌コネクタモジュールを複数段重ねた構造のものであって、前記雌コネクタモジュールの一方の側には、バネ状に形成された雌コネクタ接点部と雌コネクタグランド接点部とが設けられており、他方の側には、前記雌コネクタ接点部と接合されている雌コネクタ端子部と、雌コネクタグランド端子部が設けられており、前記雌コネクタ端子部が露出している面と反対側の面には、前記雌コネクタ端子部を覆うように、前記雌コネクタグランド接点部と接続される雌コネクタシールド部が設けられており、前記雌コネクタグランド端子部は、雌コネクタシールド部に接合されていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、前記雌コネクタシールド部は、前記雌コネクタ端子部をシールドする雌コネクタシールド本体部と、前記雌コネクタ接点部をシールドする雌コネクタシールド先端部とを有するものであることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、前記雌コネクタ接点部と前記雌コネクタ端子部との接合は、ハンダまたは導電性接着剤により接続されているものであることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、前記雌コネクタ端子部または、前記雌コネクタグランド端子部は、バックプレーンボードに設けられた電極と接続されるものであって、前記雌コネクタ端子部または、前記雌コネクタグランド端子部と、前記電極と接続は、ＳＭＴにより行われるものであることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、前記雌コネクタ端子部または、前記雌コネクタグランド端子部は、バックプレーンボードに設けられた電極と接続されるものであって、前記雌コネクタ端子部または、前記雌コネクタグランド端子部と、前記電極と接続は、前記雌コネクタ端子部に設けられたプレスフィットピンにより行われるものであることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明は、前記記載のいずれかの雄コネクタと、前記記載のいずれかの雌コネクタと、を有し、前記雄コネクタと雌コネクタとの嵌合状態においては、前記雄コネクタ接点部と前記雌コネクタ接点部とが接触し、前記雌コネクタグランド接点部と前記雄コネクタシールド部とが接触するものであることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明は、前記雌コネクタに設けられた複数の前記雌コネクタグランド接点部は、前記雌コネクタ接点部の間に設けられており、前記雌コネクタグランド接点部及び前記雌コネクタ接点部は、前記雄コネクタモジュールの一方の面において接続されるものであることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明は、前記雄コネクタと前記雌コネクタとの嵌合状態において、前記雌コネクタ接点部は、前記雄コネクタシールド部によりシールドされるものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、基板とバックプレーンとの間を電気的に接続するため信号伝送用コンタクトが２次元的に配列されたものであって、クロストークが低く、高周波特性の良い雄コネクタ、雌コネクタ及びコネクタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明における雄コネクタと雌コネクタからなるコネクタの斜視図
【図２】第１の実施の形態における雄コネクタの構造図
【図３】第１の実施の形態における雄コネクタの斜視図
【図４】第１の実施の形態における雄コネクタモジュール１１の構造図
【図５】図４（ｅ）の拡大図
【図６】第１の実施の形態における雄コネクタモジュール１１の斜視図
【図７】第１の実施の形態における雌コネクタの構造図
【図８】第１の実施の形態における雌コネクタの斜視図
【図９】第１の実施の形態における雌コネクタモジュール３１の構造図
【図１０】図９（ｅ）の拡大図
【図１１】第１の実施の形態における雌コネクタモジュール３１の斜視図
【図１２】第１の実施の形態におけるコネクタの接合状態の構造図
【図１３】第１の実施の形態におけるコネクタの接合状態の斜視図
【図１４】雄コネクタモジュール１１と雌コネクタモジュール３１の接合状態の構造図
【図１５】雄コネクタモジュール１１と雌コネクタモジュール３１の接合状態の斜視図
【図１６】雄コネクタモジュール１１と雌コネクタモジュール３１の接合状態の説明図
【図１７】第１の実施の形態における雄コネクタの実装状態の説明図（１）
【図１８】第１の実施の形態における雄コネクタの実装状態の説明図（２）
【図１９】第１の実施の形態における雄コネクタの実装状態の説明図（３）
【図２０】第１の実施の形態における他の構成の雄コネクタモジュール１１の構造図
【図２１】第２の実施の形態における雌コネクタモジュール１３１の構造図
【図２２】図２１（ｅ）の拡大図
【図２３】第２の実施の形態における雌コネクタモジュール１３１の斜視図
【図２４】雄コネクタモジュール１１と雌コネクタモジュール１３１の接合状態の構造図
【図２５】雄コネクタモジュール１１と雌コネクタモジュール１３１の接合状態の斜視図
【図２６】雄コネクタモジュール１１と雌コネクタモジュール１３１の接合状態の説明図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明を実施するための形態について、以下に説明する。
【００２３】
〔第１の実施の形態〕
第１の実施の形態について説明する。本実施の形態は、バックプレーンと基板とを接続するための雄コネクタ、雌コネクタからなるコネクタである。
【００２４】
図１に本実施の形態における雄コネクタと雌コネクタを示す。雄コネクタ１０は、不図示の基板に取り付けられており、雌コネクタ３０は、後述する不図示のバックプレーンボードに取り付けられている。この雄コネクタ１０と雌コネクタ３０とを電気的に接続することにより、バックプレーンボードと基板とが電気的に接続される。
【００２５】
（雄コネクタ）
次に、図２から図６に基づき雄コネクタ１０について説明する。図２及び図３は、本実施の形態における雄コネクタ１０を示すものである。図２（ａ）は背面図、図２（ｂ）は左側面図、図２（ｃ）は底面図、図２（ｄ）は正面図、図２（ｅ）は右側面図、図２（ｆ）は平面図であり、図３（ａ）は底面、背面、右側面を示す斜視図であり、図３（ｂ）は底面、正面、右側面を示す斜視図である。本実施の形態における雄コネクタ１０は、平板状の雄コネクタモジュール１１を複数有しており、各々の雄コネクタモジュール１１は、雄コネクタモジュール１１面に対し垂直方向に配置されている。また、雌コネクタ３０と接続される側には筐体部１２が設けられており、雄コネクタモジュール１１の配置が固定されるように構成されている。各々の雄コネクタモジュール１１には、後述するように信号を伝送するための複数の雄コネクタ接点部及び雄コネクタ端子部が設けられており、雄コネクタ１０は複数の雄コネクタモジュール１１からなるものであるため、雄コネクタ接点部及び雄コネクタ端子部は２次元的に配列されている。
【００２６】
図４、図５、図６は、雄コネクタ１０を構成する一つの雄コネクタモジュール１１を示すものである。図４（ａ）は背面図、図４（ｂ）は左側面図、図４（ｃ）は底面図、図４（ｄ）は正面図、図４（ｅ）は右側面図、図４（ｆ）は平面図であり、図５は図４（ｅ）の拡大図であり、図６（ａ）は底面、背面、右側面を示す斜視図であり、図６（ｂ）は底面、正面、右側面を示す斜視図である。雄コネクタモジュール１１の一方の面には、信号を伝達するための複数の配線部２１が設けられており、配線部２１の一方の端は、雌コネクタ３０の雌コネクタ接点部と接続するための雄コネクタ接点部２２が設けられており、他方の端には不図示の基板の端子と接続するための雄コネクタ端子部２３が接合されている。配線部２１、雄コネクタ接点部２２、雄コネクタ端子部２３の一部は、絶縁性基板２４の一方の面に金属材料等の導電性材料により形成されたものであり、雄コネクタ接点部２２は、雌コネクタ接点部と接触させるため幅広に形成されている。また、雄コネクタモジュール１１の他方の面には、一面に金属材料等の導電性材料により形成された雄コネクタグランド部２５が形成されており、雌コネクタ３０との接続側に設けられた雄コネクタシールド部２６と接続されている。また、雄コネクタグランド部２５は、不図示の基板との接続される雄コネクタグランド端子部２７が接合されている。更に、雄コネクタモジュール１１には、基板と接続される側の両端部に、雄コネクタグランド部２５に接合されたプレスフィットピン２８が設けられており、不図示の基板に設けられたスルーホールに差込むことにより、電気的に接続されるとともに、雄コネクタ１０が不図示の基板に固定される。
【００２７】
尚、雄コネクタシールド部２６は、雄コネクタ接点部２２の端部よりも、雌コネクタ３０との接続方向に長く形成されている。また、雄コネクタグランド部２５は、雄コネクタモジュール１１の他方の面の略一面に形成されており、雄コネクタモジュール１１間における電磁シールドとして機能する。即ち、隣接して配置される異なる雄コネクタモジュール１１間において、配線部２１、雄コネクタ接点部２２及び雄コネクタ端子部２３の一部より生じるノイズをシールドすることができ、クロストークの発生を防止することができる。また、雄コネクタ端子部２３と配線部２１との接合及び雄コネクタグランド端子部２７と雄コネクタグランド部２５との接合は、ハンダまたは導電性接着剤により接合されている。導電性接着剤として用いられる導電性ペーストとしては、銀（Ａｇ）ペースト、ニッケル（Ｎｉ）ペースト、金（Ａｕ）ペースト、パラジウム（Ｐｄ）ペースト、カーボン（Ｃ）ペースト等が挙げられる。
【００２８】
（雌コネクタ）
次に、図７から図１１に基づき雌コネクタ３０について説明する。図７及び図８は、本実施の形態における雌コネクタ３０を示すものである。図７（ａ）は背面図、図７（ｂ）は左側面図、図７（ｃ）は底面図、図７（ｄ）は正面図、図７（ｅ）は右側面図、図７（ｆ）は平面図であり、図８（ａ）は底面、背面、右側面を示す斜視図であり、図８（ｂ）は底面、正面、右側面を示す斜視図である。本実施の形態における雌コネクタ３０は、平板状の雌コネクタモジュール３１を複数有しており、各々の雌コネクタモジュール３１は、雌コネクタモジュール３１面に対し垂直方向に配置されている。また、雄コネクタ１０と接続される側には筐体部３２が設けられており、雌コネクタモジュール３１の配置が固定されるように形成されている。各々の雌コネクタモジュール３１には、後述するように信号を伝送するための複数の雌コネクタ接点部及び雌コネクタ端子部が設けられており、雌コネクタ３０は複数の雌コネクタモジュール３１からなるものであるため、雌コネクタ接点部及び雌コネクタ端子部は２次元的に配列されている。
【００２９】
図９、図１０、図１１は、雌コネクタ３０を構成する一つの雌コネクタモジュール３１を示すものである。図９（ａ）は背面図、図９（ｂ）は左側面図、図９（ｃ）は底面図、図９（ｄ）は正面図、図９（ｅ）は右側面図、図９（ｆ）は平面図であり、図１０は図９（ｅ）の拡大図であり、図１１（ａ）は底面、背面、右側面を示す斜視図であり、図１１（ｂ）は底面、正面、右側面を示す斜視図である。雌コネクタモジュール３１の雄コネクタ１０と接続される側には、バネ状の雌コネクタ接点部４１とバネ状の雌コネクタグランド接点部４２を有している。また、雌コネクタモジュール３１の一方の面には、雌コネクタシールド部４３が設けられており、他方の面には、雌コネクタ接点部４１と接合されている雌コネクタ端子部４４及び雌コネクタシールド部４３と接合されている雌コネクタグランド端子部４５が露出している。尚、雌コネクタグランド接点部４２は、雌コネクタシールド部４３と接続されている。具体的には、雌コネクタシールド部４３は、雌コネクタ端子部４４及び雌コネクタグランド端子部４５の反対側の面に、雌コネクタ端子部４４を覆うように形成されており、隣接する雌コネクタモジュール３１間における電磁シールドとして機能するため、クロストークの発生を防止することができる。また、雌コネクタモジュール３１には、バックプレーンボードと接続される側の両端部に、雌コネクタシールド部４３と接続されたプレスフィットピン４６が設けられており、不図示のバックプレーンボードに設けられたスルーホールに差込むことにより、電気的に接続されるとともに、雌コネクタ３０が不図示のバックプレーンボードに固定される。尚、雌コネクタモジュール３１における雌コネクタ端子部４４及び雌コネクタグランド端子部４５との接続は、雄コネクタモジュール１１の場合と同様に、ハンダまたは導電性接着剤により接続されている。導電性接着剤として用いられる導電性ペーストとしては、銀（Ａｇ）ペースト、ニッケル（Ｎｉ）ペースト、金（Ａｕ）ペースト、パラジウム（Ｐｄ）ペースト、カーボン（Ｃ）ペースト等が挙げられる。
【００３０】
（雄コネクタと雌コネクタの嵌合）
次に、図１２から図１６に基づき、本実施の形態における雄コネクタ１０と雌コネクタ３０との嵌合状態について説明する。図１２及び図１３は、本実施の形態における雄コネクタ１０と雌コネクタ３０との嵌合状態を示すものである。図１２（ａ）は背面図、図１２（ｂ）は左側面図、図１２（ｃ）は底面図、図１２（ｄ）は正面図、図１２（ｅ）は右側面図、図１２（ｆ）は平面図であり、図１３（ａ）は底面、背面、右側面を示す斜視図であり、図１３（ｂ）は底面、正面、右側面を示す斜視図である。
【００３１】
本実施の形態におけるコネクタは雄コネクタ１０と雌コネクタ３０とにより構成されるものであり、雄コネクタ１０と雌コネクタ３０とが嵌合した際には、雄コネクタ１０の筐体部１２が雌コネクタ３０の筐体部３２の一部に入り込むような状態で嵌合する。
【００３２】
次に、図１４、図１５、図１６に基づき、雄コネクタ１０と雌コネクタ３０との嵌合状態における内部の様子について説明する。図１４及び図１５は、本実施の形態における雄コネクタ１０と雌コネクタ３０とが嵌合した状態における雄コネクタモジュール１１と雌コネクタモジュール３１との様子を示すものである。図１４（ａ）は左側面図、図１４（ｂ）は右側面図であり、図１５（ａ）は底面、背面、右側面を示す斜視図であり、図１５（ｂ）は底面、正面、右側面を示す斜視図である。雄コネクタ１０と雌コネクタ３０とが嵌合した状態では、雄コネクタモジュール１１の雄コネクタ接点部２２に、バネ状に形成された雌コネクタモジュール３１の雌コネクタ接点部４１が接触し電気的に接続される。また、雄コネクタモジュール１１の雄コネクタシールド部２６に、バネ状に形成された雌コネクタモジュール３１の雌コネクタグランド接点部４２が接触している。雌コネクタ接点部４１と雌コネクタグランド接点部４２とは、雄コネクタモジュール１１の同じ側の面において接触しているため、雌コネクタ接点部４１をより密にすることができ、雄コネクタ１０及び雌コネクタ３０をより小型化させることができる。この際、雄コネクタシールド部２６により、雌コネクタ接点部４１がシールドされる。
【００３３】
より詳細に、図１６に基づき説明すると、雄コネクタモジュール１１に形成された雄コネクタグランド部２５及び雄コネクタシールド部２６により、領域Ａに示される部分のシールドがされ、雌コネクタモジュール３１に形成された雌コネクタシールド部４３により、領域Ｂに示される部分のシールドがされる。よって、雌コネクタモジュール３１における雌コネクタ接点部４１は、領域Ａに示す雄コネクタモジュール１１に形成された雄コネクタシールド部２６によりシールドされる。このように、雄コネクタ１０と雌コネクタ３０とが嵌合した状態では、雄コネクタモジュール１１及び雌コネクタモジュール３１が、雄コネクタグランド部２５、雄コネクタシールド部２６及び雌コネクタシールド部４３により全体的にシールドされ、クロストークの発生を防ぐことができる。
【００３４】
尚、雄コネクタモジュール１１において、雄コネクタシールド部２６は、雄コネクタ接点部２２の端部よりも長く形成されているため、雌コネクタモジュール３１の雌コネクタ接点部４１が雄コネクタ接点部２２に接触するよりも早く、雌コネクタモジュール３１の雌コネクタグランド接点部４２が雄コネクタシールド部２６に接触する。
【００３５】
次に、図１７に基づき雄コネクタ１０と基板５０との接続について説明する。本実施の形態における雄コネクタ１０の雄コネクタモジュール１１には、基板５０と接続するための雄コネクタ端子部２３及び雄コネクタグランド端子部２７が設けられており、雄コネクタ端子部２３及び雄コネクタグランド端子部２７はＬ字状に形成されている。この雄コネクタ端子部２３、雄コネクタグランド端子部２７のＬ字状の一方の面は雄コネクタモジュール１１の面方向に沿って、雄コネクタモジュール１１の配線部２１、雄コネクタグランド部２５に接合されており、Ｌ字状の他方の面は、基板５０面と略平行となるように形成されており、Ｌ字状の他方の面において、基板５０の表面に設けられた不図示の電極と接続することができるように形成されている。雄コネクタ端子部２３及び雄コネクタグランド端子部２７をこのような形状で形成することにより、雄コネクタ端子部２３及び雄コネクタグランド端子部２７と基板５０の表面に設けられた電極とをＳＭＴ（Surface Mount Technology）により接続することができる。尚、本実施の形態における雄コネクタ１０と基板５０とは、雄コネクタ１０の筐体部１２を基板５０にネジ６０によりネジ留めすることにより固定されている。
【００３６】
図１８に基づきＳＭＴについて説明すると、基板５０の表面に設けられた電極５１と雄コネクタ１０における雄コネクタモジュール１１の絶縁性基板２４に設けられた雄コネクタ端子部２３のＬ字状の他方の面２３ａを接続することにより、基板５０の表面の電極５１と雄コネクタ１０における雄コネクタ端子部２３とが電気的に接続される（一例として、雄コネクタ端子部２３の場合について説明するものであり、雄コネクタグランド端子部２７の場合についても同様である。）。ＳＭＴによる具体的な接続方法としては、ハンダによる接続、異方性導電シートを介した接続等が挙げられる。ＳＭＴによる接続により、インピーダンスを低くすることができ、高周波特性等を良好なものとすることができる。
【００３７】
また、周波数があまり高くない信号を伝送する際には、図１９に示すように、雄コネクタ１０における雄コネクタモジュール１１の絶縁性基板２４に設けられた雄コネクタ端子部２３にプレスフィットピン２３ｂを設け、基板５０に設けられたスルーホール５２に差込むことにより接続する方法であってもよい。スルーホール５２内には、電極５３が設けられており、プレスフィットピン２３ｂをスルーホール５２に挿入することにより、プレスフィットピン２３ｂ及び電極５３を介して、雄コネクタ１０と基板５０とが電気的に接続される。尚、プレスフィットピン２３ｂの形状は、図４から図６に示すプレスフィットピン２８と同様の形状のものであってもよい。
【００３８】
上記説明では、雄コネクタ１０と基板５０との接続方法について説明したが、雌コネクタ３０と不図示のバックプレーンボードとの接続についても同様の方法により行われる。
【００３９】
尚、雄コネクタモジュール１１は、図４から図６に示す構造のものについて説明したが、図２０に示すようにプレスフィットピン２８に代えて、バネ部２９を設けた構造のものであってもよい。バネ部２９は、図１７に示されるように、雄コネクタ１０を基板５０にネジ６０によりネジ留めすることにより、バネ部２９と基板５０に設けられた不図示のグランド電極とが接触する。この際、バネ部２９は基板５０に押しつけられるため変形して接触する。更に、プレスフィットピン２８に代えて、ＳＭＴによる接続であってもよい。
【００４０】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態と異なる構造の雌コネクタ及び、本実施の形態における雌コネクタと第１の実施の形態の雄コネクタからなるコネクタである、
（雌コネクタ）
本実施の形態における雌コネクタの外観は、第１の実施の形態における雌コネクタ３０と略同様のものであるが、本実施の形態における雌コネクタを構成する雌コネクタモジュール１３１の構造は、第１の実施の形態における雌コネクタモジュールと異なる。
【００４１】
図２１、図２２、図２３に基づき、本実施の形態における雌コネクタを構成する雌コネクタモジュール３１について説明する。図２１、図２２、図２３は、本実施の形態における雌コネクタを構成する一つの雌コネクタモジュール１３１を示すものである。図２１（ａ）は背面図、図２１（ｂ）は左側面図、図２１（ｃ）は底面図、図２１（ｄ）は正面図、図２１（ｅ）は右側面図、図２１（ｆ）は平面図であり、図２２は図２１（ｅ）の拡大図であり、図２３（ａ）は底面、背面、右側面を示す斜視図であり、図２３（ｂ）は底面、正面、右側面を示す斜視図である。雌コネクタモジュール１３１の第１の実施の形態における雄コネクタ１０と接続される側には、バネ状の雌コネクタ接点部１４１とバネ状の雌コネクタグランド接点部１４２を有している。また、雌コネクタモジュール１３１の一方の面には、雌コネクタシールド部１４３が設けられており、他方の面には、雌コネクタ接点部１４１と接合されている雌コネクタ端子部１４４及び雌コネクタシールド部１４３と接合される雌コネクタグランド端子部１４５が設けられている。尚、雌コネクタグランド接点部１４２は、雌コネクタシールド部１４３と接続されている。雌コネクタシールド部１４３は、雌コネクタシールド本体部１４３ａと雌コネクタシールド先端部１４３ｂとを有している。雌コネクタシールド部１４３は、雌コネクタ端子部１４４及び雌コネクタグランド端子部１４５の反対側の面に設けられているため、隣接する雌コネクタモジュール１３１間における電磁シールドとなり、クロストークの発生を防止する。また、雌コネクタモジュール１３１における雌コネクタ端子部１４４及び雌コネクタグランド端子部１４５との接続は、第１の実施の形態の場合と同様に、ハンダまたは導電性接着剤により接続されている。導電性接着剤として用いられる導電性ペーストとしては、銀（Ａｇ）ペースト、ニッケル（Ｎｉ）ペースト、金（Ａｕ）ペースト、パラジウム（Ｐｄ）ペースト、カーボン（Ｃ）ペースト等が挙げられる。
【００４２】
（雄コネクタと雌コネクタの嵌合）
次に、本実施の形態における雌コネクタと第１の実施の形態に示す雄コネクタ１０との嵌合状態について説明する。尚、本実施の形態における雌コネクタと第１の実施の形態に示す雄コネクタ１０との嵌合状態における外観は、第１の実施の形態と略同様である。よって、嵌合状態にある雌コネクタと雄コネクタ１０との内部状態、即ち、雄コネクタモジュール１１と雌コネクタモジュール３１との接続されている状態について説明する。
【００４３】
図２４、図２５、図２６に基づき、雄コネクタ１０と雌コネクタとの嵌合状態における内部の状態について説明する。図２４及び図２５は、雄コネクタ１０と雌コネクタとが嵌合した状態における雄コネクタモジュール１１と雌コネクタモジュール１３１との状態を示すものである。図２４（ａ）は左側面図、図２４（ｂ）は右側面図であり、図２５（ａ）は底面、背面、右側面を示す斜視図であり、図２５（ｂ）は底面、正面、右側面を示す斜視図である。雄コネクタ１０と雌コネクタとが嵌合した状態では、雄コネクタモジュール１１の雄コネクタ接点部２２に、バネ状に形成された雌コネクタモジュール１３１の雌コネクタ接点部１４１が接触し電気的に接続される。また、雄コネクタモジュール１１の雄コネクタシールド部２６に、バネ状に形成された雌コネクタモジュール１３１の雌コネクタグランド接点部１４２が接触している。この際、雄コネクタシールド部２６により、雌コネクタ接点部１４１がシールドされる。
【００４４】
図２６に基づき、より詳細に説明すると、雄コネクタモジュール１１に形成された雄コネクタグランド部２５及び雄コネクタシールド部２６により、領域Ａに示す部分のシールドがされ、雌コネクタモジュール１３１に形成された雌コネクタシールド部１４３により、領域Ｃに示す部分のシールドがされる。従って、雌コネクタモジュール１３１における雌コネクタ接点部１４１は、領域Ａに示す雄コネクタモジュール１１に形成された雄コネクタシールド部２６と、領域Ｃに示す雌コネクタモジュール１３１に形成された雌コネクタシールド部１４３における雌コネクタシールド先端部１４３ｂにより、両面からシールドされている。このように、雌コネクタ接点部１４１は両面からシールドされているため、より効果的にクロストークの発生を防ぐことができる。
【００４５】
本実施の形態における雌コネクタは、雌コネクタモジュール１３１を複数有する構成のものであり、第１の実施の形態における雌コネクタ３０と同様に用いることができる。また、本実施の形態におけるコネクタは、本実施の形態における雌コネクタと第１の実施の形態における雄コネクタ１０からなるものであり、第１の実施の形態におけるコネクタと同様に用いることができる。尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
【００４６】
以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。
【符号の説明】
【００４７】
１０    雄コネクタ
１１    雄コネクタモジュール
１２    筐体部
２１    配線部
２２    雄コネクタ接点部
２３    雄コネクタ端子部
２４    絶縁性基板
２５    雄コネクタグランド部
２６    雄コネクタシールド部
２７    雄コネクタグランド端子部
２８    プレスフィットピン
３０    雌コネクタ
３１    雌コネクタモジュール
３２    筐体部
４１    雌コネクタ接点部
４２    雌コネクタグランド接点部
４３    雌コネクタシールド部
４４    雌コネクタ端子部
４５    雌コネクタグランド端子部
４６    プレスフィットピン
【図５】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１４】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２４】
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【図２６】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１５】
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【図２３】
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【図２５】
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