(57)【要約】【課題】高い出力で単一基本横モード動作をさせつつ、偏光方向を安定化させることができる面発光レーザ素子を提供する。【解決手段】  射出領域内に、屈折率１．４５のＳｉＯ２からなる誘電体層の上に、屈折率１．８７のＳｉＮからなる誘電体層がそれぞれλ／４の光学的厚さで積層され、反射率を高くする高反射率領域１１６を有し、該高反射率領域１１６は、射出領域の中心部を含んで設けられ、射出領域に平行な面内の互いに直交する２方向において、形状異方性を有している。また、射出領域内には、ＳｉＮからなる誘電体層がλ／４の光学的厚さで、高反射率領域１１６を取り囲むように形成され、反射率を低くする低反射率領域１１５を有している。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
射出領域からレーザ光を射出する面発光レーザ素子において、
前記射出領域内に、屈折率が異なる複数の誘電体膜が積層され、反射率を高くした高反射率領域を有し、
前記高反射率領域は、前記射出領域の中心部を含んで設けられ、前記射出領域に平行な面内の互いに直交する２方向において、形状異方性を有することを特徴とする面発光レーザ素子。
【請求項２】
前記複数の誘電体膜は、互いに屈折率の異なる２つの誘電体膜であり、各誘電体膜の光学的厚さは、それぞれ「発振波長／４」の奇数倍であることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ素子。
【請求項３】
前記高反射率領域では、前記２つの誘電体膜のうち屈折率が低いほうの誘電体膜の上に屈折率が高いほうの誘電体膜が積層されていることを特徴とする請求項２に記載の面発光レーザ素子。
【請求項４】
前記射出領域内に、誘電体膜によって反射率を低くした少なくとも１つの低反射率領域を更に有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
【請求項５】
前記少なくとも１つの低反射率領域は、１つの低反射率領域であり、
該１つの低反射率領域は、前記高反射率領域を取り囲むように設けられていることを特徴とする請求項４に記載の面発光レーザ素子。
【請求項６】
前記少なくとも１つの低反射率領域は、複数の低反射率領域であり、
該複数の低反射率領域において、隣接する２つの低反射率領域の間は、前記高反射率領域の一部であることを特徴とする請求項４に記載の面発光レーザ素子。
【請求項７】
前記複数の低反射率領域は、２つの低反射率領域であり、
該２つの低反射率領域は、前記高反射率領域を間に挟んで設けられていることを特徴とする請求項６に記載の面発光レーザ素子。
【請求項８】
前記低反射率領域の誘電体膜は、光学的厚さが「発振波長／４」の奇数倍であることを特徴とする請求項４〜７のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
【請求項９】
前記射出領域は、少なくとも一部がコンタクト層に接している電極によって取り囲まれた領域であり、
前記電極における前記コンタクト層に接している電流注入領域は、前記２方向において、幅が異なっていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
【請求項１０】
前記射出領域は、少なくとも一部がコンタクト層に接している電極によって取り囲まれた領域であり、
前記電極における前記コンタクト層に接している電流注入領域は、前記２方向のうちの１方向において、切除部を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
【請求項１１】
前記射出領域は、少なくとも一部がコンタクト層に接している電極によって取り囲まれた領域であり、
前記電極における前記コンタクト層に接している電流注入領域は、前記２方向のうちの１方向において、切除部を有し、
前記切除部を有する方向は、前記２つの低反射率領域の間に設けられた高反射率領域が、該低反射率領域を２つに分断する方向であることを特徴とする請求項７に記載の面発光レーザ素子。
【請求項１２】
前記コンタクト層は、前記電流注入領域除く領域において、除去されていることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
【請求項１３】
前記射出領域は、全面が誘電体膜で被覆され、半導体が露出していないことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子が集積された面発光レーザアレイ。
【請求項１５】
光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子を有する光源と；
前記光源からの光を偏向する偏向器と；
前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と；を備える光走査装置。
【請求項１６】
光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項１４に記載の面発光レーザアレイを有する光源と；
前記光源からの光を偏向する偏向器と；
前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と；を備える光走査装置。
【請求項１７】
少なくとも１つの像担持体と；
前記少なくとも１つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する少なくとも１つの請求項１５又は１６に記載の光走査装置と；を備える画像形成装置。
【請求項１８】
前記画像情報は、多色のカラー画像情報であることを特徴とする請求項１７に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置に係り、更に詳しくは、基板に垂直な方向にレーザ光を射出する面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、前記面発光レーザ素子又は面発光レーザアレイを有する光走査装置、及び該光走査装置を備える画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板に垂直な方向にレーザ発振を生じる面発光レーザ素子（面発光型半導体レーザ素子）が、精力的に研究されている。面発光レーザ素子は、端面発光レーザ素子に比べて発振の閾値電流が低く、円形の高品質な出射ビーム形状を得ることが可能である。また、面発光レーザ素子は基板に垂直な方向にレーザ出力が取り出せることから、高密度で２次元的に集積することが容易であり、並列光インターコネクション用光源、高速で高精細の電子写真システム等への応用が検討されている。
【０００３】
面発光レーザ素子は、電流流入効率を高めるために狭窄構造体を有している。この狭窄構造体としては、Ａｌ（アルミニウム）の選択酸化による狭窄構造体（以下では、便宜上「酸化狭窄構造体」ともいう。例えば、非特許文献１及び非特許文献２参照）が良く用いられている。
【０００４】
また、非特許文献３には、７８０ｎｍ帯のＶＣＳＥＬアレイ（面発光レーザアレイ）を用いたプリンタが開示されている。
【０００５】
また、特許文献１には、マルチビーム光源を有する画像形成装置が開示されている。
【０００６】
ところで、面発光レーザ素子をプリンタ等の画像形成装置に応用する場合、感光体上に集光されるビームスポット径が小さいことが望ましい。また、光学系の反射率及び透過率が偏光依存性を有するため、感光体上でのレーザ光強度の変化を防止するには偏光が特定の方向に揃っている必要がある。更に、高速な書き込みのためにはレーザ出力が大きいことが望ましい。すなわち、単一基本横モード（シングルモード）動作において高出力が得られ、且つ偏光方向が特定の方向に揃っていることが必要である。なお、その他の用途においても、シングルモード出力が大きく、偏光方向が特定の方向に揃っていることが望ましい。そこで、シングルモード出力の向上、偏光の安定化が精力的に検討されている。
【０００７】
例えば、特許文献２には、上部反射鏡層構造と下部反射鏡層構造との間に発光層を配置した半導体材料の層構造が基板の上に形成され、上部反射鏡層構造の上方には、平面視形状が円環形状をした上部電極が形成され、上部電極の内側が開口部になっており、該開口部の一部表面を被覆して、発振レーザ光の発振波長に対して透明な層が形成されている面発光半導体レーザ素子が開示されている。
【０００８】
また、特許文献３には、レーザ光の放射方向に垂直な平面におけるレーザ光を放射する開口の外側の、この開口の縁部から距離を隔てた位置においてレーザ装置の本体内に、本体を構成する半導体材料と異なった材料を充填した細長い空隙によって形成されている半導体材料の不連続部を具備し、この不連続部を構成する細長い空隙の開口側の側壁は、レーザ光の放射方向に垂直な平面で見たときレーザ装置から放射される光の所望される偏光方向と整列した方向に延在するように形成されている垂直空洞表面放射型のレーザ装置が開示されている。
【０００９】
また、特許文献４には、基板上に、第１多層膜反射鏡、発光中心領域を有する活性層、第２多層膜反射鏡及び横モード調整層がこの順に積層されたレーザ構造を備え、第１多層膜反射鏡および第２多層膜反射鏡のいずれか一方は、対角線の交点が発光中心領域に対応する四辺形状の電流注入領域を有し、第２多層膜反射鏡は、電流注入領域のうち一方の対角線に対応する領域に設けられた光出射口と、光出射口を間にして設けられた一対の溝部とを有し、横モード調整層は、光出射口に対応して設けられると共に、光出射口のうち発光中心領域に対応する中央領域を除く周辺領域の反射率が中央領域のそれよりも低くなっている面発光型半導体レーザが開示されている。
【００１０】
また、特許文献５には、第１多層反射膜と、第１多層反射膜上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２多層反射膜とを備え、第１多層反射膜及び第２多層反射膜のうちの少なくとも１層は、活性層に対応する領域の少なくとも一部に位置し、実質的にλ／４ｎ（λ：発振波長、ｎ：屈折率）の厚みを有する第１領域と、第１領域以外の領域に位置し、実質的にλ／４ｎ以外の厚みを有する第２領域とを含む、面発光型半導体レーザ素子が開示されている。
【００１１】
しかしながら、特許文献３に開示されているレーザ装置では、溝の深さによってレーザ光の横方向の閉じ込め作用が変化し、偏光方向は規定できても、高次横モードを抑制するのは困難であった。
【００１２】
また、特許文献４に開示されている面発光型半導体レーザでは、偏光方向を規定するために溝同士の間隔を電流狭窄領域よりも狭くすると、実質的に電流通過領域を狭めることになり、レーザ素子の電気抵抗が増加したり、電流密度が増加して、レーザ素子の寿命が低下するという不都合があった。
【００１３】
また、特許文献５に開示されている面発光型半導体レーザ素子では、活性層に隣接する層まで結晶成長を行ったあと一度結晶成長を中断し、レジストのパターニングと膜のエッチングを行った後、再び結晶成長を行う必要がある。この場合、再度の結晶成長を行う際に、エッチングを行った膜の表面状態が結晶成長に影響を及ぼし、レーザ素子の諸特性や横モードの制御特性にばらつきを生じ、デバイスとして量産する工程には適さなかった。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１４】
ところで、本願の発明者らは、種々の実験及び検討を行い、特許文献２に開示されている面発光半導体レーザ素子のように、射出領域内に円環状の低反射率部を設けると、射出領域内の反射率が一様な場合に比べて、偏光抑圧比ＰＭＳＲが低下するおそれがあることを見出した。なお、偏光抑圧比ＰＭＳＲとは、所望の偏光方向における光強度とそれに直交する方向における光強度との比である。
【００１５】
また、いわゆる傾斜基板を用いることで生じる活性層の利得異方性を利用して、偏光方向を所望の一方向に規制しようとする構成であっても、射出領域内に円環状の低反射率部を設けると、偏光方向が不安定になるおそれがあった。
【００１６】
本発明は、上述した発明者等の得た新規知見に基づいてなされたものであり、以下の構成を有する。
【００１７】
本発明は、第１の観点からすると、射出領域からレーザ光を射出する面発光レーザ素子において、前記射出領域内に、屈折率が異なる複数の誘電体膜が積層され、反射率を高くした高反射率領域を有し、前記高反射率領域は、前記射出領域の中心部を含んで設けられ、前記射出領域に平行な面内の互いに直交する２方向において、形状異方性を有することを特徴とする面発光レーザ素子である。
【００１８】
これによれば、高い出力で単一基本横モード動作をさせつつ、偏光方向を安定化させることができる。
【００１９】
本発明は、第２の観点からすると、本発明の面発光レーザ素子が集積された面発光レーザアレイである。
【００２０】
これによれば、本発明の面発光レーザ素子が集積されているため、高い出力で単一基本横モード動作をさせつつ、偏光方向を安定化させることができる。
【００２１】
本発明は、第３の観点からすると、光によって被走査面を走査する光走査装置であって、本発明の面発光レーザ素子を有する光源と；前記光源からの光を偏向する偏向器と；前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と；を備える光走査装置である。
【００２２】
これによれば、本発明の面発光レーザ素子を有しているため、精度良く光走査を行うことができる。
【００２３】
本発明は、第４の観点からすると、光によって被走査面を走査する光走査装置であって、本発明の面発光レーザアレイを有する光源と；前記光源からの光を偏向する偏向器と；前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と；を備える光走査装置である。
【００２４】
これによれば、本発明の面発光レーザアレイを有しているため、精度良く光走査を行うことができる。
【００２５】
本発明は、第５の観点からすると、少なくとも１つの像担持体と；前記少なくとも１つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する少なくとも１つの本発明の光走査装置と；を備える画像形成装置。
【００２６】
これによれば、本発明の光走査装置を備えているため、高品質の画像を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態に係るレーザプリンタの概略構成を説明するための図である。
【図２】図１における光走査装置を示す概略図である。
【図３】面発光レーザ素子１００Ａを説明するための図である。
【図４】図３のＡ−Ａ断面図である。
【図５】面発光レーザ素子１００Ａの製造方法を説明するための図（その１）である。
【図６】面発光レーザ素子１００Ａの製造方法を説明するための図（その２）である。
【図７】面発光レーザ素子１００Ａの製造方法を説明するための図（その３）である。
【図８】面発光レーザ素子１００Ａの製造方法を説明するための図（その４）である。
【図９】高反射率領域のマスクを説明するための図である。
【図１０】図９のメサ部分の拡大図である。
【図１１】面発光レーザ素子１００Ａの製造方法を説明するための図（その５）である。
【図１２】図１１の平面図である。
【図１３】面発光レーザ素子１００Ａの製造方法を説明するための図（その６）である。
【図１４】図１３の平面図である。
【図１５】面発光レーザ素子１００Ａの製造方法を説明するための図（その７）である。
【図１６】図１５の平面図である。
【図１７】面発光レーザ素子１００Ａの製造方法を説明するための図（その８）である。
【図１８】図１７の平面図である。
【図１９】面発光レーザ素子１００Ａにおける高反射率領域と低反射率領域を説明するための図である。
【図２０】面発光レーザ素子１００Ａの製造方法を説明するための図（その９）である。
【図２１】面発光レーザ素子１００Ｂを説明するための図である。
【図２２】図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）は、それぞれ面発光レーザ素子１００Ｂの基板を説明するための図である。
【図２３】高反射率領域のマスクの変形例１を説明するための図である。
【図２４】高反射率領域のマスクの変形例２を説明するための図である。
【図２５】発振モード分布を計算するのに用いた面発光レーザ素子を説明するための図である。
【図２６】内径Ｌ１１とＱ値との関係を説明するための図である。
【図２７】内径Ｌ１１と基本横モードの横方向の光閉じ込め係数との関係を説明するための図である。
【図２８】電流注入領域の形状と高反射率領域の形状の組み合わせ例１を説明するための図（その１）である。
【図２９】電流注入領域の形状と高反射率領域の形状の組み合わせ例１を説明するための図（その２）である。
【図３０】電流注入領域の形状と高反射率領域の形状の組み合わせ例２を説明するための図（その１）である。
【図３１】電流注入領域の形状と高反射率領域の形状の組み合わせ例２を説明するための図（その２）である。
【図３２】電流注入領域の形状と高反射率領域の形状の組み合わせ例３を説明するための図（その１）である。
【図３３】電流注入領域の形状と高反射率領域の形状の組み合わせ例３を説明するための図（その２）である。
【図３４】電流注入領域の形状と高反射率領域の形状の組み合わせ例４を説明するための図（その１）である。
【図３５】電流注入領域の形状と高反射率領域の形状の組み合わせ例４を説明するための図（その２）である。
【図３６】電流注入領域の形状と高反射率領域の形状の組み合わせ例５を説明するための図（その１）である。
【図３７】電流注入領域の形状と高反射率領域の形状の組み合わせ例５を説明するための図（その２）である。
【図３８】面発光レーザ素子１００Ｃを説明するための図である。
【図３９】エッチング停止層を説明するための図である。
【図４０】コンタクト層を除去する領域の形状を説明するための図である。
【図４１】コンタクト領域と各モードフィルタとの関係を説明するための図である。
【図４２】コンタクト層を除去する領域の形状の変形例を説明するための図である。
【図４３】図４２に対応するコンタクト領域と各モードフィルタとの関係を説明するための図である。
【図４４】高反射率領域の形状の変形例１を説明するための図である。
【図４５】高反射率領域の形状の変形例２を説明するための図である。
【図４６】図４６（Ａ）及び図４６（Ｂ）は、それぞれ高反射率領域の形状の変形例３を説明するための図である。
【図４７】面発光レーザアレイを説明するための図である。
【図４８】面発光レーザアレイにおける複数の発光部の配列を説明するための図である。
【図４９】図４８のＡ−Ａ断面図である。
【図５０】カラープリンタの概略構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図４３に基づいて説明する。図１には、一実施形態に係る画像形成装置としてのレーザプリンタ１０００の概略構成が示されている。
【００２９】
このレーザプリンタ１０００は、光走査装置１０１０、感光体ドラム１０３０、帯電チャージャ１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４、クリーニングユニット１０３５、トナーカートリッジ１０３６、給紙コロ１０３７、給紙トレイ１０３８、レジストローラ対１０３９、定着ローラ１０４１、排紙ローラ１０４２、排紙トレイ１０４３、通信制御装置１０５０、及び上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置１０６０などを備えている。なお、これらは、プリンタ筐体１０４４の中の所定位置に収容されている。
【００３０】
通信制御装置１０５０は、ネットワークなどを介した上位装置（例えばパソコン）との双方向の通信を制御する。
【００３１】
感光体ドラム１０３０は、円柱状の部材であり、その表面には感光層が形成されている。すなわち、感光体ドラム１０３０の表面が被走査面である。そして、感光体ドラム１０３０は、図１における矢印方向に回転するようになっている。
【００３２】
帯電チャージャ１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４及びクリーニングユニット１０３５は、それぞれ感光体ドラム１０３０の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム１０３０の回転方向に沿って、帯電チャージャ１０３１→現像ローラ１０３２→転写チャージャ１０３３→除電ユニット１０３４→クリーニングユニット１０３５の順に配置されている。
【００３３】
帯電チャージャ１０３１は、感光体ドラム１０３０の表面を均一に帯電させる。
【００３４】
光走査装置１０１０は、帯電チャージャ１０３１で帯電された感光体ドラム１０３０の表面を、上位装置からの画像情報に基づいて変調された光束により走査し、感光体ドラム１０３０の表面に画像情報に対応した潜像を形成する。ここで形成された潜像は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って現像ローラ１０３２の方向に移動する。なお、この光走査装置１０１０の構成については後述する。
【００３５】
トナーカートリッジ１０３６にはトナーが格納されており、該トナーは現像ローラ１０３２に供給される。
【００３６】
現像ローラ１０３２は、感光体ドラム１０３０の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ１０３６から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着した潜像（以下では、便宜上「トナー像」ともいう）は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って転写チャージャ１０３３の方向に移動する。
【００３７】
給紙トレイ１０３８には記録紙１０４０が格納されている。この給紙トレイ１０３８の近傍には給紙コロ１０３７が配置されており、該給紙コロ１０３７は、記録紙１０４０を給紙トレイ１０３８から１枚づつ取り出し、レジストローラ対１０３９に搬送する。該レジストローラ対１０３９は、給紙コロ１０３７によって取り出された記録紙１０４０を一旦保持するとともに、該記録紙１０４０を感光体ドラム１０３０の回転に合わせて感光体ドラム１０３０と転写チャージャ１０３３との間隙に向けて送り出す。
【００３８】
転写チャージャ１０３３には、感光体ドラム１０３０の表面のトナーを電気的に記録紙１０４０に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム１０３０の表面のトナー像が記録紙１０４０に転写される。ここで転写された記録紙１０４０は、定着ローラ１０４１に送られる。
【００３９】
定着ローラ１０４１では、熱と圧力とが記録紙１０４０に加えられ、これによってトナーが記録紙１０４０上に定着される。ここで定着された記録紙１０４０は、排紙ローラ１０４２を介して排紙トレイ１０４３に送られ、排紙トレイ１０４３上に順次スタックされる。
【００４０】
除電ユニット１０３４は、感光体ドラム１０３０の表面を除電する。
【００４１】
クリーニングユニット１０３５は、感光体ドラム１０３０の表面に残ったトナー（残留トナー）を除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム１０３０の表面は、再度帯電チャージャ１０３１に対向する位置に戻る。
【００４２】
次に、前記光走査装置１０１０の構成について説明する。
【００４３】
この光走査装置１０１０は、一例として図２に示されるように、偏向器側走査レンズ１１ａ、像面側走査レンズ１１ｂ、ポリゴンミラー１３、光源１４、カップリングレンズ１５、開口板１６、シリンドリカルレンズ１７、反射ミラー１８、及び走査制御装置（図示省略）などを備えている。そして、これらは、光学ハウジング３０の所定位置に組み付けられている。
【００４４】
なお、以下では、便宜上、主走査方向に対応する方向を「主走査対応方向」と略述し、副走査方向に対応する方向を「副走査対応方向」と略述する。
【００４５】
カップリングレンズ１５は、光源１４から出力された光束を略平行光とする。
【００４６】
開口板１６は、開口部を有し、カップリングレンズ１５を介した光束のビーム径を規定する。
【００４７】
シリンドリカルレンズ１７は、開口板１６の開口部を通過した光束を、反射ミラー１８を介してポリゴンミラー１３の偏向反射面近傍に副走査対応方向に関して結像する。
【００４８】
光源１４とポリゴンミラー１３との間の光路上に配置される光学系は、偏向器前光学系とも呼ばれている。本実施形態では、偏向器前光学系は、カップリングレンズ１５と開口板１６とシリンドリカルレンズ１７と反射ミラー１８とから構成されている。
【００４９】
ポリゴンミラー１３は、一例として内接円の半径が１８ｍｍの６面鏡を有し、各鏡がそれぞれ偏向反射面となる。このポリゴンミラー１３は、副走査対応方向に平行な軸の周りを等速回転しながら、反射ミラー１８からの光束を偏向する。
【００５０】
偏向器側走査レンズ１１ａは、ポリゴンミラー１３で偏向された光束の光路上に配置されている。
【００５１】
像面側走査レンズ１１ｂは、偏向器側走査レンズ１１ａを介した光束の光路上に配置されている。そして、この像面側走査レンズ１１ｂを介した光束が、感光体ドラム１０３０の表面に照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、ポリゴンミラー１３の回転に伴って感光体ドラム１０３０の長手方向に移動する。すなわち、感光体ドラム１０３０上を走査する。このときの光スポットの移動方向が「主走査方向」である。また、感光体ドラム１０３０の回転方向が「副走査方向」である。
【００５２】
ポリゴンミラー１３と感光体ドラム１０３０との間の光路上に配置される光学系は、走査光学系とも呼ばれている。本実施形態では、走査光学系は、偏向器側走査レンズ１１ａと像面側走査レンズ１１ｂとから構成されている。なお、偏向器側走査レンズ１１ａと像面側走査レンズ１１ｂの間の光路上、及び像面側走査レンズ１１ｂと感光体ドラム１０３０の間の光路上の少なくとも一方に、少なくとも１つの折り返しミラーが配置されても良い。
【００５３】
光源１４は、基板に垂直な方向にレーザ光を射出する垂直共振器型の面発光レーザ素子（ＶＣＳＥＬ）を有している。この面発光レーザ素子としては、種々の構成、構造のものが考えられるが、ここでは、３つの実施例（実施例１、実施例２及び実施例３）について説明する。
【００５４】
本明細書では、ＸＹＺ３次元直交座標系において、レーザ発振方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な面内における互いに直交する２つの方向をＸ軸方向及びＹ軸方向として説明する。また、誘電体の屈折率は、発振波長の光に対する屈折率である。
【００５５】
《実施例１の面発光レーザ素子１００Ａ》
この面発光レーザ素子１００Ａは、発振波長が７８０ｎｍ帯の面発光レーザ素子であり、一例として図３及び図４に示されるように、基板１０１、バッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９、ｐ側電極１１３、ｎ側電極１１４、第１のモードフィルタ１１５、及び第２のモードフィルタ１１６などを有している。なお、図４は、図３のＡ−Ａ断面図である。
【００５６】
基板１０１は、ｎ−ＧａＡｓ単結晶基板である。
【００５７】
バッファ層１０２は、基板１０１の＋Ｚ側の面上に積層され、ｎ−ＧａＡｓからなる層である。
【００５８】
下部半導体ＤＢＲ１０３は、バッファ層１０２の＋Ｚ側に積層され、ｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを４０．５ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ２０ｎｍの組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、発振波長をλとするとλ／４の光学的厚さとなるように設定されている。なお、光学的厚さがλ／４のとき、その層の実際の厚さＤは、Ｄ＝λ／４ｎ（但し、ｎはその層の媒質の屈折率）である。
【００５９】
下部スペーサ層１０４は、下部半導体ＤＢＲ１０３の＋Ｚ側に積層され、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓからなる層である。
【００６０】
活性層１０５は、下部スペーサ層１０４の＋Ｚ側に積層され、Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓの３重量子井戸構造の活性層である。
【００６１】
上部スペーサ層１０６は、活性層１０５の＋Ｚ側に積層され、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓからなる層である。
【００６２】
下部スペーサ層１０４と活性層１０５と上部スペーサ層１０６とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、その厚さが１波長の光学的厚さとなるように設定されている。なお、活性層１０５は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。
【００６３】
上部半導体ＤＢＲ１０７は、上部スペーサ層１０６の＋Ｚ側に積層され、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層とｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを２０ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。
【００６４】
上部半導体ＤＢＲ１０７における低屈折率層の１つには、ｐ−ＡｌＡｓからなる被選択酸化層１０８が厚さ３０ｎｍで挿入されている。
【００６５】
この被選択酸化層１０８の挿入位置は、電界の定在波分布において、活性層１０５から３番目となる節に対応する位置である。
【００６６】
コンタクト層１０９は、上部半導体ＤＢＲ１０７の＋Ｚ側に積層され、ｐ−ＧａＡｓからなる層である。
【００６７】
ところで、上部半導体ＤＢＲ１０７における共振器構造体に近い層では、ｐ型ドーパントのドーピング濃度を、他の領域に対して相対的に低濃度となるように調整している。
【００６８】
具体的には、上部半導体ＤＢＲ１０７では、上部スペーサ層１０６に接した領域から４ペアを低ドーピング濃度領域とし、残りの１６ペアに対して相対的に低ドーピング濃度となるようにしている。
【００６９】
また、下部半導体ＤＢＲ１０３における共振器構造体に近い複数の層では、ｎ型ドーパントのドーピング濃度を、他の領域に対して相対的に低濃度となるように調整している。
【００７０】
具体的には、下部半導体ＤＢＲ１０３では、下部スペーサ層１０４に接した領域から４ペアを低ドーピング濃度領域とし、残りの３６．５ペアに対して相対的に低ドーピング濃度となるようにしている。
【００７１】
すなわち、各半導体ＤＢＲでは、共振器構造体に隣接する部分が他の領域に対して相対的に低ドープとなっている。
【００７２】
各半導体ＤＢＲ中の光の定在波強度は、活性層から４ペア程度で半減する。この強度分布が大きな領域のドーピング濃度を低濃度に設定することによって、自由キャリア吸収を効果的に低減することができる。
【００７３】
そして、自由キャリア吸収による損失（以下、便宜上、「吸収損失」ともいう）が低減されることにより、発振閾値電流が低減し、スロープ効率が向上するので、素子の駆動電流を低減することができる。
【００７４】
なお、上記のように、基板１０１上に複数の半導体層が積層されたものを、以下では、便宜上「積層体」ともいう。
【００７５】
第１のモードフィルタ１１５は、コンタクト層１０９の＋Ｚ側であって、射出領域内でその中心部から外れた部分に設けられ、該部分の反射率を低くする透明な誘電体層からなる。
【００７６】
第２のモードフィルタ１１６は、コンタクト層１０９の＋Ｚ側であって、射出領域内でその中心部を含んで設けられ、該部分の反射率を高くする透明な誘電体層からなる。
【００７７】
次に、面発光レーザ素子１００Ａの製造方法について簡単に説明する。
【００７８】
（１）上記積層体を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）あるいは分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）による結晶成長によって作成する（図５参照）。
【００７９】
ここでは、ＭＯＣＶＤ法の場合には、ＩＩＩ族の原料には、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、を用い、Ｖ族の原料には、アルシン（ＡｓＨ３）を用いている。また、ｐ型ドーパントの原料には四臭化炭素（ＣＢｒ４）を用い、ｎ型ドーパントの原料にはセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を用いている。
【００８０】
（２）積層体の表面に一辺が２５μｍの正方形状のレジストパターンを形成する。
【００８１】
（３）Ｃｌ２ガスを用いるＥＣＲエッチング法で、上記レジストパターンをフォトマスクとして四角柱状のメサ構造体（以下では、便宜上「メサ」と略述する）を形成する。ここでは、エッチングの底面は下部スペーサ層１０４中に位置するようにした。
【００８２】
（４）フォトマスクを除去する（図６参照）。
【００８３】
（５）積層体を水蒸気中で熱処理する。これにより、被選択酸化層１０８中のＡｌ（アルミニウム）がメサの外周部から選択的に酸化され、メサの中央部に、Ａｌの酸化層１０８ａによって囲まれた酸化されていない領域１０８ｂが残留する（図７参照）。すなわち、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限する、いわゆる酸化狭窄構造体が形成される。上記酸化されていない領域１０８ｂが電流通過領域である。このようにして、例えば幅４μｍ程度の略正方形状の電流通過領域が形成される。
【００８４】
（６）気相化学堆積法（ＣＶＤ法）を用いて、ＳｉＯ２からなる誘電体層１１１を形成する（図８参照）。ここでは、誘電体層１１１の光学的厚さがλ／４となるようにした。具体的には、ＳｉＯ２の屈折率ｎが１．４５、発振波長λが７８０ｎｍであるため、実際の膜厚（＝λ／４ｎ）は約１３４ｎｍに設定した。
【００８５】
（７）メサ上面の中心部を含み高反射率領域となる部分がエッチングされないようにマスクＭを作成する（図９参照）。
【００８６】
図１０は、図９におけるメサ上面部の拡大図である。図１０の符号Ｌ１は６．０μｍ、Ｌ３は２．０μｍ、Ｌ４は２．０μｍである。すなわち、高反射率領域となる部分のマスクＭは、Ｘ軸方向とＹ軸方向に関して形状異方性を有している。
【００８７】
（８）ＢＨＦにて誘電体層１１１をエッチングする。
【００８８】
（９）マスクＭを除去する（図１１及び図１２参照）。
【００８９】
（１０）気相化学堆積法（ＣＶＤ法）を用いて、ＳｉＮからなる誘電体層１１７を形成する（図１３参照）。ここでは、誘電体層１１７の光学的厚さがλ／４となるようにした。具体的には、ＳｉＮの屈折率ｎが１．８７、発振波長λが７８０ｎｍであるため、実際の膜厚（＝λ／４ｎ）は約１０４ｎｍに設定した。
【００９０】
（１１）レーザ光の射出面となるメサ上部にｐ側電極コンタクトの窓開けを行うためのエッチングマスク（マスクＭ）を作成する。ここでは、一例として図１４に示されるように、メサの周囲、メサの側面、メサ上面の外周近傍、及びメサ上面の射出領域となる部分がエッチングされないようにマスクＭを作成する。
【００９１】
（１２）ＢＨＦにて誘電体層１１７をエッチングし、ｐ側電極コンタクトの窓開けを行う。
【００９２】
（１３）マスクＭを除去する（図１５及び図１６参照）。
【００９３】
（１４）メサ上部の光射出部となる領域（射出領域）に一辺１４μｍの正方形状のレジストパターンを形成し、ｐ側の電極材料の蒸着を行なう。ｐ側の電極材料としてはＣｒ／ＡｕＺｎ／Ａｕからなる多層膜、もしくはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる多層膜が用いられる。
【００９４】
（１５）光射出部となる領域に蒸着された電極材料をリフトオフし、ｐ側電極１１３を形成する（図１７参照）。このｐ側電極１１３で囲まれた領域が射出領域である。
【００９５】
これにより、一例として図１８に示されるように、射出領域内に、光学的厚さがλ／４のＳｉＯ２からなる誘電体層１１１と光学的厚さがλ／４のＳｉＮからなる誘電体層１１７とが積層された部分と、光学的厚さがλ／４のＳｉＮからなる誘電体層１１７のみの部分とが存在している。
【００９６】
そして、光学的厚さがλ／４のＳｉＮからなる誘電体層１１７のみの部分が第１のモードフィルタ１１５であり、光学的厚さがλ／４のＳｉＯ２からなる誘電体層１１１と光学的厚さがλ／４のＳｉＮからなる誘電体層１１７とが積層された部分が第２のモードフィルタ１１６である。
【００９７】
すなわち、第２のモードフィルタ１１６が設けられている領域では、屈折率ｎが１．４５のＳｉＯ２の上に、屈折率ｎが１．８７のＳｉＮが積層されている。
【００９８】
そこで、第２のモードフィルタ１１６が設けられている領域では、ＳｉＯ２／ＳｉＮの１ペアの半導体ＤＢＲが付加されたこととなり、反射率が高くなる。すなわち、第２のモードフィルタ１１６が設けられている領域が高反射率領域である。
【００９９】
一方、第１のモードフィルタ１１５が設けられている領域では、反射率が低くなる。すなわち、第１のモードフィルタ１１５が設けられている領域が低反射率領域である（図１９参照）。
【０１００】
（１６）基板１０１の裏側を所定の厚さ（例えば２００μｍ程度）まで研磨した後、ｎ側電極１１４を形成する（図２０参照）。ここでは、ｎ側電極１１４はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる多層膜である。
【０１０１】
（１７）アニールによって、ｐ側電極１１３とｎ側電極１１４のオーミック導通をとる。これにより、メサは発光部となる。
【０１０２】
（１８）チップ毎に切断する。
【０１０３】
そして、種々の後工程を経て、面発光レーザ素子１００Ａとなる。
【０１０４】
このようにして製造された面発光レーザ素子１００Ａは、偏光方向がＸ軸方向に揃い、３ｍＷ以上のシングルモード出力と、２０ｄＢ以上の偏光抑圧比を得ることができた。
【０１０５】
続いて、実施例２について説明するが、前述した実施例１との相違点を中心に説明するとともに、実施例１と同一若しくは同等の構成部分については、その説明を簡略化し若しくは省略するものとする。
【０１０６】
《実施例２の面発光レーザ素子１００Ｂ》
この面発光レーザ素子１００Ｂは、発振波長が７８０ｎｍ帯の面発光レーザ素子であり、一例として図２１に示されるように、基板２０１、バッファ層２０２、下部半導体ＤＢＲ２０３、下部スペーサ層２０４、活性層２０５、上部スペーサ層２０６、上部半導体ＤＢＲ２０７、コンタクト層２０９、ｐ側電極２１３、ｎ側電極２１４、第１のモードフィルタ２１５、及び第２のモードフィルタ２１６などを有している。
【０１０７】
基板２０１は、表面が鏡面研磨面であり、図２２（Ａ）に示されるように、鏡面研磨面の法線方向が、結晶方位［１  ０  ０］方向に対して、結晶方位［１  １  １］Ａ方向に向かって１５度（θ＝１５度）傾斜したｎ−ＧａＡｓ単結晶基板である。すなわち、基板１０１はいわゆる傾斜基板である。ここでは、図２２（Ｂ）に示されるように、結晶方位［０  １  −１］方向が−Ｘ方向、結晶方位［０  −１  １］方向が＋Ｘ方向となるように配置されている。
【０１０８】
バッファ層２０２は、基板２０１の＋Ｚ側の面上に積層され、ｎ−ＧａＡｓからなる層である。
【０１０９】
下部半導体ＤＢＲ２０３は、バッファ層２０２の＋Ｚ側に積層され、ｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを４０．５ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ２０ｎｍの組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、発振波長をλとするとλ／４の光学的厚さとなるように設定されている。
【０１１０】
下部スペーサ層２０４は、下部半導体ＤＢＲ２０３の＋Ｚ側に積層され、ノンドープの（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる層である。
【０１１１】
活性層２０５は、下部スペーサ層２０４の＋Ｚ側に積層され、ＧａＩｎＡｓＰ／ＧａＩｎＰの３重量子井戸構造の活性層である。
【０１１２】
量子井戸層は７８０ｎｍ帯の発振波長を得るために、ＧａＩｎＰ混晶にＡｓを導入したものであり０．７％の圧縮歪みを有する。
【０１１３】
バリア層は、０．６％の引張歪みを導入することによってバンドギャップを大きくし、高いキャリア閉じ込めを実現するとともに、量子井戸層の歪み補償構造を形成している。
【０１１４】
上部スペーサ層２０６は、活性層２０５の＋Ｚ側に積層され、ノンドープの（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる層である。
【０１１５】
下部スペーサ層２０４と活性層２０５と上部スペーサ層２０６とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、その厚さが１波長の光学的厚さとなるように設定されている。なお、活性層２０５は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。
【０１１６】
上部半導体ＤＢＲ２０７は、第１の上部半導体ＤＢＲ２０７１及び第２の上部半導体ＤＢＲ２０７２を有している。
【０１１７】
第１の上部半導体ＤＢＲ２０７１は、上部スペーサ層２０６の＋Ｚ側に積層され、ｐ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる低屈折率層とｐ−（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる高屈折率層のペアを１ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、組成が一定のバッファ層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接するバッファ層の１／２を含んで、λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。なお、バッファ層は、（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる層である。
【０１１８】
この第１の上部半導体ＤＢＲ２０７１は、ＡｌＧａＡｓ層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、活性領域へ注入された電子のブロック層として機能する。
【０１１９】
第２の上部半導体ＤＢＲ２０７２は、第１の上部半導体ＤＢＲ２０７１の＋Ｚ側に積層され、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層とｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを２２ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。
【０１２０】
第２の上部半導体ＤＢＲ２０７２における低屈折率層の１つには、ｐ−ＡｌＡｓからなる被選択酸化層２０８が厚さ３０ｎｍで挿入されている。
【０１２１】
この被選択酸化層２０８の挿入位置は、電界の定在波分布において、活性層２０５から３番目となる節に対応する位置である。
【０１２２】
コンタクト層２０９は、第２の上部半導体ＤＢＲ２０７２の＋Ｚ側に積層され、ｐ−ＧａＡｓからなる層である。
【０１２３】
第１のモードフィルタ２１５は、光学的厚さがλ／４のＳｉＮからなる誘電体層２１７のみの部分であり、第２のモードフィルタ２１６は、光学的厚さがλ／４のＳｉＯ２からなる誘電体層２１１と光学的厚さがλ／４のＳｉＮからなる誘電体層２１７とが積層された部分である。
【０１２４】
この面発光レーザ素子１００Ｂは、上記面発光レーザ素子１００Ａと同様な手順で製造することができる。なお、ＡｌＧａＩｎＡｓＰ系材料におけるＶ族Ｐの原料には、ホスフィン（ＰＨ３）ガスを用いている。また、ＡｌＧａＩｎＰのｐ型ドーパント原料には、ジメチルジンク（ＤＭＺｎ）を用いている。
【０１２５】
また、面発光レーザ素子１００Ｂでは、傾斜基板を用いているため、ＡｌＧａＩｎＰ材料の丘状欠陥（ヒロック）の発生を抑制し、結晶性が向上できるとともに、自然超格子の発生を抑制し、バンドギャップエネルギーの減少を防止することができる。従って、ＡｌＧａＩｎＰからなる半導体ＤＢＲは、バンドギャップエネルギーを大きく保つことができ、電子のブロック層として良好に機能する。
【０１２６】
また、傾斜基板と歪活性層により、活性層の利得に異方性が導入され、偏光方向を特定の方向（ここでは、Ｘ軸方向）に揃えることが可能になっている。
【０１２７】
面発光レーザ素子１００Ｂは、偏光方向がＸ軸方向に揃い、３．０ｍＷのシングルモード出力と、２３ｄＢ以上の偏光抑圧比を得ることができた。
【０１２８】
ところで、図２１における符号２０８ａは、被選択酸化層２０８中のＡｌが選択的に酸化されてできたＡｌの酸化層であり、符号２０８ｂは電流通過領域である。
【０１２９】
なお、上記各実施例において、高反射率領域となる部分のマスクＭが、一例として図２３に示されるように、射出領域内の低反射率領域となる部分を２分割するように形成されても良い。ここでは、射出開口の一辺を１０μｍ、Ｌ１＝４μｍ、Ｌ３＝２μｍ、Ｌ４＝３μｍとしている。
【０１３０】
また、上記各実施例において、高反射率領域となる部分のマスクＭが、一例として図２４に示されるように、メサ上面の外周とつながっていても良い。
【０１３１】
ここで、面発光レーザ素子１００Ｂの第２の上部半導体ＤＢＲ２０７２におけるペア数のみを１９ペアに変更するとともに、一例として図２５に示されるように、円形状の射出領域の中心部に円形の高反射率領域を有し、該高反射率領域を低反射率領域が取り囲んでいる面発光レーザ素子（計算上の面発光レーザ素子）について、高反射率領域の直径Ｌ１１を変更しつつ発振モード分布を計算により求めた。なお、計算では、メサの外径を２５μｍ、電流通過領域の直径を４．５μｍとしている。
【０１３２】
上記計算結果から得られた、Ｌ１１と基本横モード、一次の高次横モード及び二次の高次横モードにおけるＱ値との関係が図２６に示されている。ここでＱ値とは、各モードに対する共振器の性能を示す無次元の数値であり、発振波長及び共振器の損失係数に反比例する。すなわち、発振波長をλ［ｍ］、共振器の損失係数をα［１／ｍ］とすると、Ｑ∝１／λαである。ところで、発振波長λは一定であるため、Ｑ値は共振器損失により決まる。そこで、各モードに対するＱ値が大きいほど共振器損失が小さく、そのモードが発振しやすい状態にある。
【０１３３】
図２６によると、Ｌ１１を１６μｍより小さくすると、基本横モードに対して、高次横モードのＱ値が低下してゆく様子が分かる。従って、Ｌ１１をこの値よりも小さくすると、高次横モードの発振が抑制される。すなわち、大きなシングルモード出力を得ることができる。
【０１３４】
また、上記計算結果から得られた、Ｌ１１と基本横モードの横方向の光閉じ込め係数との関係が図２７に示されている。これによると、Ｌ１１の値を１６μｍから小さくしていくと、光閉じ込め係数は少しずつ大きくなり、１０μｍを過ぎると急激に増大し始める。これは、Ｌ１１がこの値以下で上記のＱ値が急激に低下することと対応しており、高反射率領域の面積が小さくなることにより、低反射率領域におけるレーザ共振が抑制され、Ｌ１１の大きさで基本横モードのモード広がりが規定される様になるためである。
【０１３５】
このように、Ｌ１１の大きさによって、基本横モードの横方向の光閉じ込め係数が変化するため、反射率の高い領域の形状を、射出方向に対して垂直な面内の互いに直交する２方向で異方性を持つようにすると、横方向の光閉じ込め係数を２方向で異なった値にすることができる。
【０１３６】
この場合、横方向の光閉じ込め係数が大きい程、発振の閾値電流は低くなるので、横方向の光閉じ込め係数が大きな方向に偏光を有するモードが優先的に発振する。これにより、偏光方向を特定の方向に規定することができる。
【０１３７】
上記各実施例では、Ｘ軸方向における横方向の光閉じ込め係数が大きくなり、Ｘ軸方向に偏光を有するモードで発振する。さらに、射出領域内の周辺部分の反射率が低くなっているため、高次横モードの発振が抑制され、大きなシングルモード出力を得ることができる。
【０１３８】
また、活性領域に対してキャリアを均等ではなく不均一に注入すると、活性層の光学利得に異方性が生じ、偏光抑圧比をより高くすることができる。具体的には、ｐ側電極１１３とコンタクト層１０９とが接している領域（以下では、「電流注入領域」ともいう）の形状に異方性をもたせることで、活性層へのキャリアの注入を不均一にすることができる。
【０１３９】
図２８には、ｐ側の電極材料の蒸着を行なう前の状態が示されている。Ｘ軸方向における電流注入領域の幅ｄ３は、Ｙ軸方向における電流注入領域の幅２よりも大きい。ここでは、一例として、ｄ１＝４μｍ、ｄ２＝１μｍ、ｄ３＝３．５μｍとしている。そして、ｐ側電極１１３を形成した後の状態が図２９に示されている。
【０１４０】
この結果、幅を狭くした部分からのキャリアの注入量が減り、Ｙ軸方向に偏光したモードに対する光学利得が減少して、Ｘ軸方向に偏光したモードで発振し易くなる。また、第２のモードフィルタの形状異方性から、偏光方向はＸ軸方向に揃う作用が得られる。すなわち、第２のモードフィルタにより偏光が制御される方向と、電流注入領域の幅を狭くすることにより偏光が制御される方向とを同じにすることにより、より高い偏光抑圧比を得ることができる。
【０１４１】
この場合に、第１のモードフィルタが、第２のモードフィルタによって、２つに分断されても良い（図３０及び図３１参照）。図３０には、ｐ側の電極材料の蒸着を行なう前の状態が示されている。そして、図３１には、ｐ側電極１１３を形成した後の状態が示されている。このときも、高い偏光抑圧比を得ることができる。
【０１４２】
また、電流注入領域のＹ軸方向の端部が部分的に切除され、Ｘ軸方向に対向する２つの部分から構成されていても良い（図３２及び図３３参照）。図３２には、ｐ側の電極材料の蒸着を行なう前の状態が示されている。そして、図３３には、ｐ側電極１１３を形成した後の状態が示されている。このときは、Ｙ軸方向からのキャリア注入が大幅に減少し、活性層へのキャリア注入が非常に不均一になる。従って、この場合には、光学利得の異方性が極めて大きくなる。すなわち、Ｙ軸方向に偏光したモードの光学利得が大幅に低下する。この結果、第２のモードフィルタの偏光制御の効果とも合わせて、より高い偏光抑圧比でＸ軸方向に偏光が揃う効果が得られる。
【０１４３】
この場合に、電流注入領域のＸ軸方向に対向する２つの部分が長方形状となるように、大きく切除されても良い（図３４及び図３５参照）。図３４には、ｐ側の電極材料の蒸着を行なう前の状態が示されている。そして、図３５には、ｐ側電極１１３を形成した後の状態が示されている。このときは、Ｙ軸方向からのキャリアの注入は殆ど無くなるので、更に大きな偏光抑圧比を得ることができる。
【０１４４】
また、電流注入領域の切除された部分に第２のモードフィルタが延長されても良い（図３６及び図３７参照）。図３６には、ｐ側の電極材料の蒸着を行なう前の状態が示されている。そして、図３７には、ｐ側電極１１３を形成した後の状態が示されている。このときは、第２のモードフィルタによる偏光制御効果をより大きくすることができるので、Ｘ軸方向に偏光が揃い、より大きな偏光抑圧比を得ることができる。
【０１４５】
なお、第２のモードフィルタの形状、電流注入領域の形状は、上記の組み合わせに限定されるものではなく、モードフィルタの異方性、キャリアの不均一注入により偏光方向を制御することを意図したものであれば、この他の組み合わせ、また本実施形態に記載した以外の寸法、形状とすることができる。
【０１４６】
続いて、実施例３について説明するが、前述した実施例１との相違点を中心に説明するとともに、実施例１と同一若しくは同等の構成部分については、その説明を簡略化し若しくは省略するものとする。
【０１４７】
《実施例３の面発光レーザ素子１００Ｃ》
この面発光レーザ素子１００Ｃは、発振波長が７８０ｎｍ帯の面発光レーザ素子であり、上記面発光レーザ素子１００Ａにおける各モードフィルタ直下のコンタクト層１０９が除去されたものである。
【０１４８】
ここでは、積層体を作成する際に、一例として図３９に示されるように、ｐ−ＧａＡｓからなるコンタクト層１０９の下側（−Ｚ側）にＧａＡｓに格子整合する組成のｐ−ＧａＩｎＰからなるエッチング停止層１１９が設けられる。
【０１４９】
一例として、エッチング停止層１１９の厚さは２０ｎｍであり、コンタクト層１０９の厚さは２５ｎｍである。また、エッチング停止層１１９におけるドーピング濃度は、上部半導体ＤＢＲ１０７を構成する他の半導体層と同程度とし、コンタクト層１０９におけるドーピング濃度は、これより高い値としている。例えば、エッチング停止層１１９におけるドーピング濃度は、１×１０１８ｃｍ−３程度であり、コンタクト層１０９におけるドーピング濃度は、１×１０１９ｃｍ−３程度である。
【０１５０】
また、上部半導体ＤＢＲ１０７は、エッチング停止層１１９を含めてブラッグの反射条件が満たされるように最表面の高屈折率層の厚さが調整されている。すなわち、コンタクト層１０９がエッチング除去された状態で、ブラッグの反射条件が満たされるように調整されている。
【０１５１】
このような積層体に対して、メサの形成、及び被選択酸化層の選択酸化を上記実施例１と同様にして行う。そして、写真製版技術と湿式エッチング技術により、ｐ側電極１１３とのコンタクト導通を取る領域を残してコンタクト層１０９をエッチング除去する。
【０１５２】
この際、エッチング除去されずに残存するコンタクト層１０９（コンタクト領域、電流注入領域）は、その幅が一様ではなく、一例として図４０に示されるように、Ｙ軸方向の一部で狭くなるようにしている。
【０１５３】
ところで、硫酸と過酸化水素水が混合されたエッチング液を用いると、ＧａＩｎＰ層に対して選択的に（Ａｌ）ＧａＡｓ層をエッチング除去することが可能である。
【０１５４】
その後、上記実施例１と同様にして、第１及び第２のモードフィルタを形成し、各電極を設けた。
【０１５５】
このときの、コンタクト領域（電流注入領域）と各モードフィルタとの関係が図４１に示されている。
【０１５６】
面発光レーザ素子１００Ｃでは、活性層へのキャリアの注入に大きな異方性を持たせることができ、偏光抑圧比をより向上させることが可能である。
【０１５７】
一般にコンタクト層は、ｐ側電極との間で良好なオーミック導通をとるために、ドーパントを高濃度にドープする必要がある。これにより、金属材料と半導体材料とのコンタクト抵抗（接触抵抗）を実用に問題が無い程度にまで低減することができる。しかし、コンタクト層自体の抵抗が低減することによってキャリアが横方向へ広がり易くなる。この影響は、コンタクト層の下にある層の抵抗が大きいほど大きい。この結果、コンタクト層におけるｐ側電極に接していない部分からも上部半導体ＤＢＲへキャリア注入が行われることになる。
【０１５８】
面発光レーザ素子１００Ｃでは、コンタクト層１０９の幅を直交する２方向（Ｘ軸方向とＹ軸方向）において異なるようにして電流注入領域に形状異方性をもたせ、更に電流注入領域以外の部分におけるコンタクト層１０９を除去するようにした。このようにコンタクト層１０９を除去すると、上記キャリアの横方向への広がりが無くなるので、電流注入領域以外からのキャリア注入が無くなる。
【０１５９】
これによって、上記２方向では、活性層に注入されるキャリア量が大幅に異なることとなる。この結果、光学利得の異方性がより大きくなり、偏光抑圧比を極めて効果的に向上させることができる。
【０１６０】
なお、コンタクト層１０９を除去する領域の形状は、上記形状に限定されるものではない。例えば、図４２に示されるように、エッチング除去されずに残存するコンタクト層１０９（コンタクト領域、電流注入領域）が、直交する２方向のうちの１方向において切除部を有していても良い。この場合のコンタクト領域（電流注入領域）と各モードフィルタとの関係が図４３に示されている。要するに、コンタクト領域（電流注入領域）の形状が、直交する２方向におけるキャリアの注入量を異ならせる形状であれば良い。
【０１６１】
ところで、上記各実施例において、Ｌ４の値が異なる複数の面発光レーザ素子を作製し、それぞれ偏光抑圧比を実測したところ、Ｌ４が大きくなるにつれて偏光抑圧比が高くなった。そして、低反射率領域が高反射率領域によって分断される場合（図２３及び図２４参照）が最も高い値であった。なお、この場合、２つの低反射率領が対称形状となるように分断するのが好ましい。
【０１６２】
以上説明したように、本実施形態に係る面発光レーザ素子１００Ａ、１００Ｂ、及び１００Ｃによると、射出領域内に、屈折率が１．４５のＳｉＯ２からなる誘電体層の上に、屈折率が１．８７のＳｉＮからなる誘電体層がそれぞれλ／４の光学的厚さで積層され、反射率を高くする高反射率領域１１６を有し、該高反射率領域１１６は、射出領域の中心部を含んで設けられ、射出領域に平行な面内の互いに直交する２方向において、形状異方性を有している。
【０１６３】
また、射出領域内には、屈折率が１．８７のＳｉＮからなる誘電体層がλ／４の光学的厚さで、高反射率領域１１６を取り囲むように形成され、反射率を低くする低反射率領域１１５を有している。
【０１６４】
この場合は、高い出力で単一基本横モード動作をさせつつ、偏光方向を安定化させることができる。
【０１６５】
本実施形態に係る光走査装置１０１０によると、光源１４が面発光レーザ素子１００Ａ又は１００Ｂ又は１００Ｃを有しているため、ほぼ円形で微小なレーザスポットを感光体ドラム１０３０の表面に容易に安定して形成することができる。そこで、精度の良い光走査を行うことが可能である。
【０１６６】
本実施形態に係るレーザプリンタ１０００によると、光走査装置１０１０を備えているため、高品質の画像を形成することが可能となる。
【０１６７】
なお、上記実施形態では、高反射率領域に、ＳｉＯ２（下層）とＳｉＮ（上層）が積層されている場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、ＳｉＯ２（屈折率：１．４５）、ＡｌＯｘ（屈折率：１．６２）、ＳｉＮ（屈折率：１．８７）、ＴｉＯｘ（屈折率：２．１７）等を組み合わせて用いることができる。この他にも、ＭｇＦ、ＣａＦ等のフッ化物系の材料もこの順で屈折率が大きくなり、同様に用いることができる。要するに、下層の透明な誘電体層が上層の透明な誘電体層よりも屈折率が低くなるように設定されていれば、種々のものを用いることができる。
【０１６８】
そこで、高反射率領域に、ＳｉＯ２（下層）とＴｉＯｘ（上層）を積層しても良い。この場合は、上記実施形態に比べて屈折率差が大きくなる。屈折率差が大きい程、高反射率領域の反射率が高くなるため、高反射率領域と低反射率領域との反射率差が大きくなり、より効果的に高次横モードの発振を抑制することができる。この結果、より大きなシングルモード出力を得ることができる。
【０１６９】
また、上記実施形態では、２層の誘電体層を形成した後に、ｐ側電極を形成する場合について説明したが、これに限定されるものではない。
【０１７０】
例えば、高反射率領域に、ＳｉＯ２（下層）とＴｉＯｘ（上層）を積層する場合に、ＳｉＯ２（下層）を形成した後にｐ側電極を形成し、その後でＴｉＯｘ（上層）を形成しても良い。このような工程を採用すると、高屈折率層となる誘電体で素子全面を被覆することができるとともに、エッチングが難しい材料（例えば、ＴｉＯｘ）を上層とする場合に素子の作製が容易になる。
【０１７１】
また、上層を形成した後にエッチングを行う必要がないので、製造が容易になるとともに、特性ばらつきを少なくすることができる。従って、低コスト化を図ることができる。
【０１７２】
なお、ＴｉＯｘを上層とした場合、電気的導通は面積の大きなパッド部分のＴｉＯｘ膜をドライエッチングによって除去することで得られるので、フォトリソグラフィー工程やエッチング工程の管理が簡便になる。
【０１７３】
なお、高反射率領域の形状は、上記実施形態の形状に限定されるものではない。例えば、図４４に示されるように、楕円形状であっても良い。また、一例として図４５に示されるように、長方形状であっても良い。
【０１７４】
また、一例として図４６（Ａ）に示されるように、低反射率領域が、高反射率領域によって４つに分断されても良い。この場合、図４６（Ｂ）に示されるように、Ｌ３１＞Ｌ３２とすることにより、Ｙ軸方向における横方向の光閉じ込めが小さくなり、Ｘ軸方向に偏光が揃って発振する。なお、低反射率領域は、もっと細かく（複数個に）分断されても良い。
【０１７５】
また、上記実施形態では、各誘電体層の光学的厚さがλ／４の場合について説明したが、これに限定されるものではなく、各誘電体層の光学的厚さがλ／４の奇数倍であれば良い。
【０１７６】
また、上記実施形態において、光源１４は、前記面発光レーザ素子１００Ａ、１００Ｂ、及び１００Ｃに代えて、一例として図４７に示される面発光レーザアレイ１００Ｍを有しても良い。
【０１７７】
この面発光レーザアレイ１００Ｍは、同一基板上に２次元的に配列されている３２個の発光部、及び３２個の発光部の周囲に設けられ、各発光部に対応した３２個の電極パッドを有している。なお、発光部の数は３２個に限定されるものではない。
【０１７８】
３２個の発光部は、図４８に示されるように、全ての発光部をＸ軸方向に延びる仮想線上に正射影したときに、発光部間隔が等しく（図４２では「ｄ１」）なるように配置されている。なお、本明細書では、「発光部間隔」とは２つの発光部の中心間距離をいう。
【０１７９】
各発光部は、図４８のＡ−Ａ断面図である図４９に示されるように、前述した面発光レーザ素子１００Ａと同様な構造を有している。そして、この面発光レーザアレイ１００Ｍは、前述した面発光レーザ素子１００Ａと同様な方法で製造することができる。そこで、各発光部間で均一な偏光方向を持つ単一基本横モードの複数のレーザ光を安定して得ることができる。従って、円形で且つ光密度の高い微小な光スポットを３２個同時に感光体ドラム１０３０上に安定的に形成することが可能である。
【０１８０】
また、面発光レーザアレイ１００Ｍでは、各発光部を副走査対応方向（Ｘ軸方向）に延びる仮想線上に正射影したときの発光部間隔が等間隔ｄ１であるので、点灯のタイミングを調整することで感光体ドラム１０３０上では副走査方向に等間隔で発光部が並んでいる場合と同様な構成と捉えることができる。
【０１８１】
そして、例えば、上記間隔ｄ１を２．６５μｍ、光走査装置１０１０の光学系の倍率を２倍とすれば、４８００ｄｐｉ（ドット／インチ）の高密度書込みができる。もちろん、主走査対応方向（Ｙ軸方向）の発光部数を増加したり、副走査対応方向のピッチｄ２を狭くして間隔ｄ１を更に小さくするアレイ配置としたり、光学系の倍率を下げる等を行えばより高密度化でき、より高品質の印刷が可能となる。なお、主走査方向の書き込み間隔は、発光部の点灯のタイミングで容易に制御できる。
【０１８２】
また、この場合には、レーザプリンタ１０００では書きこみドット密度が上昇しても印刷速度を落とすことなく印刷することができる。また、同じ書きこみドット密度の場合には印刷速度を更に速くすることができる。
【０１８３】
また、この場合には、各発光部からの光束の偏光方向が安定して揃っているため、レーザプリンタ１０００では、高品質の画像を安定して形成することができる。
【０１８４】
また、上記実施形態において、前記面発光レーザ素子１００Ａ、１００Ｂ、及び１００Ｃに代えて、面発光レーザ素子１００Ａ、１００Ｂ、及び１００Ｃと同様の発光部が１次元配列された面発光レーザアレイを用いても良い。
【０１８５】
また、上記実施例２では、基板の主面の法線方向が、結晶方位［１  ０  ０］方向に対して、結晶方位［１  １  １］Ａ方向に向かって１５度傾斜している場合について説明したが、これに限定されるものではない。基板の主面の法線方向が、結晶方位＜１  ０  ０＞の一の方向に対して、結晶方位＜１  １  １＞の一の方向に向かって傾斜していれば良い。
【０１８６】
また、上記実施形態では、発光部の発振波長が７８０ｎｍ帯の場合について説明したが、これに限定されるものではない。感光体の特性に応じて、発光部の発振波長を変更しても良い。
【０１８７】
また、上記各面発光レーザ素子は、画像形成装置以外の用途にも用いることができる。その場合には、発振波長は、その用途に応じて、６５０ｎｍ帯、８５０ｎｍ帯、９８０ｎｍ帯、１．３μｍ帯、１．５μｍ帯等の波長帯であっても良い。この場合に、活性層を構成する半導体材料は、発振波長に応じた混晶半導体材料を用いることができる。例えば、６５０ｎｍ帯ではＡｌＧａＩｎＰ系混晶半導体材料、９８０ｎｍ帯ではＩｎＧａＡｓ系混晶半導体材料、１．３μｍ帯及び１．５μｍ帯ではＧａＩｎＮＡｓ（Ｓｂ）系混晶半導体材料を用いることができる。
【０１８８】
また、各反射鏡の材料及び構成を発振波長に応じて選択することにより、任意の発振波長に対応した発光部を形成することができる。例えば、ＡｌＧａＩｎＰ混晶などのＡｌＧａＡｓ混晶以外のものを用いることができる。なお、低屈折率層及び高屈折率層は、発振波長に対して透明で、かつ可能な限り互いの屈折率差が大きく取れる組み合わせが好ましい。
【０１８９】
また、上記実施形態では、画像形成装置としてレーザプリンタ１０００の場合について説明したが、これに限定されるものではない。
【０１９０】
また、媒体（例えば、用紙）に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。
【０１９１】
例えば、媒体が、ＣＴＰ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  ｔｏ  Ｐｌａｔｅ）として知られている印刷版であっても良い。つまり、光走査装置１０１０は、印刷版材料にレーザアブレーションによって直接画像形成を行い、印刷版を形成する画像形成装置にも好適である。
【０１９２】
また、例えば、媒体が、いわゆるリライタブルペーパーであっても良い。これは、例えば紙や樹脂フィルム等の支持体上に、以下に説明するような材料が記録層として塗布されている。そして、レーザ光による熱エネルギー制御によって発色に可逆性を与え、表示／消去を可逆的に行うものである。
【０１９３】
透明白濁型リライタブルマーキング法とロイコ染料を用いた発消色型リライタブルマーキング法があり、いずれも適用できる。
【０１９４】
透明白濁型は、高分子薄膜の中に脂肪酸の微粒子を分散したもので、１１０℃以上に加熱すると脂肪酸の溶融により樹脂が膨張する。その後、冷却すると脂肪酸は過冷却状態になり液体のまま存在し、膨張した樹脂が固化する。その後、脂肪酸が固化収縮して多結晶の微粒子となり樹脂と微粒子間に空隙が生まれる。この空隙により光が散乱されて白色に見える。次に、８０℃から１１０℃の消去温度範囲に加熱すると、脂肪酸は一部溶融し、樹脂は熱膨張して空隙を埋める。この状態で冷却すると透明状態となり画像の消去が行われる。
【０１９５】
ロイコ染料を用いたリライタブルマーキング法は、無色のロイコ型染料と長鎖アルキル基を有する顕消色剤との可逆的な発色及び消色反応を利用している。レーザ光により加熱されるとロイコ染料と顕消色剤が反応して発色し、そのまま急冷すると発色状態が保持される。そして、加熱後、ゆっくり冷却すると顕消色剤の長鎖アルキル基の自己凝集作用により相分離が起こり、ロイコ染料と顕消色剤が物理的に分離されて消色する。
【０１９６】
また、媒体が、紫外光を当てるとＣ（シアン）に発色し、可視光のＲ（レッド）の光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとＭ（マゼンタ）に発色し、可視光のＧ（グリーン）の光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとＹ（イエロー）に発色し、可視光のＢ（ブルー）の光で消色するフォトクロミック化合物が、紙や樹脂フィルム等の支持体上に設けられた、いわゆるカラーリライタブルペーパーであっても良い。
【０１９７】
これは、一旦紫外光を当てて真っ黒にし、Ｒ・Ｇ・Ｂの光を当てる時間や強さで、Ｙ・Ｍ・Ｃに発色する３種類の材料の発色濃度を制御してフルカラーを表現し、仮に、Ｒ・Ｇ・Ｂの強力な光を当て続ければ３種類とも消色して真っ白にすることもできる。
【０１９８】
このような、光エネルギー制御によって発色に可逆性を与えるものも上記実施形態と同様な光走査装置を備える画像形成装置として実現できる。
【０１９９】
また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、ＣＴスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。
【０２００】
また、一例として図５０に示されるように、複数の感光体ドラムを備えるカラープリンタ２０００であっても良い。
【０２０１】
このカラープリンタ２０００は、４色（ブラック、シアン、マゼンタ、イエロー）を重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、ブラック用の「感光体ドラムＫ１、帯電装置Ｋ２、現像装置Ｋ４、クリーニングユニットＫ５、及び転写装置Ｋ６」と、シアン用の「感光体ドラムＣ１、帯電装置Ｃ２、現像装置Ｃ４、クリーニングユニットＣ５、及び転写装置Ｃ６」と、マゼンタ用の「感光体ドラムＭ１、帯電装置Ｍ２、現像装置Ｍ４、クリーニングユニットＭ５、及び転写装置Ｍ６」と、イエロー用の「感光体ドラムＹ１、帯電装置Ｙ２、現像装置Ｙ４、クリーニングユニットＹ５、及び転写装置Ｙ６」と、光走査装置２０１０と、転写ベルト２０８０と、定着ユニット２０３０などを備えている。
【０２０２】
各感光体ドラムは、図５０中の矢印の方向に回転し、各感光体ドラムの周囲には、回転方向に沿って、それぞれ帯電装置、現像装置、転写装置、クリーニングユニットが配置されている。各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。帯電装置によって帯電された各感光体ドラム表面に光走査装置２０１０により光が照射され、各感光体ドラムに潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像装置により各感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写装置により、転写ベルト２０８０上の記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着ユニット２０３０により記録紙に画像が定着される。
【０２０３】
光走査装置２０１０は、前記面発光レーザ素子１００Ａ又は１００Ｂと同様な面発光レーザ素子、あるいは前記面発光レーザアレイ１００Ｍと同様な面発光レーザアレイのいずれかを含む光源を、色毎に有している。そこで、上記光走査装置１０１０と同様の効果を得ることができる。また、カラープリンタ２０００は、この光走査装置２０１０を備えているため、上記レーザプリンタ１０００と同様の効果を得ることができる。
【０２０４】
ところで、カラープリンタ２０００では、各部品の製造誤差や位置誤差等によって色ずれが発生する場合がある。このような場合であっても、光走査装置２０１０の各光源が前記面発光レーザアレイ１００Ｍと同様な面発光レーザアレイを有していると、点灯させる発光部を選択することで色ずれを低減することができる。
【産業上の利用可能性】
【０２０５】
以上説明したように、本発明の面発光レーザ素子及び面発光レーザアレイによれば、高い出力で単一基本横モード動作をさせつつ、偏光方向を安定化させるのに適している。また、本発明の光走査装置によれば、精度良く光走査を行うのに適している。また、本発明の画像形成装置によれば、高品質の画像を形成するのに適している。
【符号の説明】
【０２０６】
１１ａ…偏向器側走査レンズ（走査光学系の一部）、１１ｂ…像面側走査レンズ（走査光学系の一部）、１３…ポリゴンミラー（偏向器）、１４…光源、１００Ａ…面発光レーザ素子、１００Ｂ…面発光レーザ素子、１００Ｃ…面発光レーザ素子、１００Ｍ…面発光レーザアレイ、１１３…ｐ側電極（電極）、１１５…第１のモードフィルタ（低反射率領域に積層されている誘電体膜）、１１６…第２のモードフィルタ（高反射率領域に積層されている誘電体膜）、１０００…レーザプリンタ（画像形成装置）、１０１０…光走査装置、１０３０…感光体ドラム（像担持体）、２０００…カラープリンタ（画像形成装置）、２０１０…光走査装置、Ｋ１，Ｃ１，Ｍ１，Ｙ１…感光体ドラム（像担持体）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０２０７】
【特許文献１】特開平１１−４８５２０号公報
【特許文献２】特開２００１−１５６３９５号公報
【特許文献３】特許第３９５５９２５号公報
【特許文献４】特開２００７−２０１３９８号公報
【特許文献５】特開２００４−２８９０３３号公報
【非特許文献】
【０２０８】
【非特許文献１】Ｋ．Ｄ．Ｃｈｏｑｕｅｔｔｅ、Ｋ．Ｌ．Ｌｅａｒ、Ｒ．Ｐ．Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒ，Ｊｒ．、Ｋ．Ｍ．Ｇｅｉｂ、「Ｃａｖｉｔｙ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ  ｏｆ  ｓｅｌｅｃｔｉｖｅｌｙ  ｏｘｉｄｉｚｅｄ  ｖｅｒｔｉｃａｌ−ｃａｖｉｔｙ  ｌａｓｅｒｓ」、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、ｖｏｌ．６６、Ｎｏ．２５、ｐｐ．３４１３−３４１５、１９９５
【非特許文献２】Ｋ．Ｄ．Ｃｈｏｑｕｅｔｔｅ、Ｒ．Ｐ．Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒ，Ｊｒ．、Ｋ．Ｌ．Ｌｅａｒ、Ｋ．Ｍ．Ｇｅｉｂ、「Ｌｏｗ  ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ  ｖｏｌｔａｇｅ  ｖｅｒｔｉｃａｌ−ｃａｖｉｔｙ  ｌａｓｅｒｓ  ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ  ｂｙ  ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  ｏｘｉｄａｔｉｏｎ」、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、Ｎｏ．２４、Ｖｏｌ．３０、ｐｐ．２０４３−２０４４、１９９４
【非特許文献３】Ｈ．Ｎａｋａｙａｍａ、Ｔ．Ｎａｋａｍｕｒａ、Ｍ．Ｆｕｎａｄａ、Ｙ．Ｏｈａｓｈｉ、Ｍ．Ｋａｔｏ、「７８０ｎｍ  ＶＣＳＥＬｓ  ｆｏｒ  Ｈｏｍｅ  Ｎｅｔｗｏｒｋｓ  ａｎｄ  Ｐｒｉｎｔｅｒｓ」、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ、５４ｔｈ、Ｖｏｌ．２、Ｊｕｎｅ、２００４、ｐｐ．１３７１−１３７５
【図１】
2011159943.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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