(57)【要約】【課題】より容易に製造可能なＸ線遮蔽格子の製造方法、Ｘ線遮蔽格子及びＸ線撮像装置を提供する。【解決手段】複数の柱状構造体を、２方向に対して周期的に形成する第１の工程と、  前記複数の柱状構造体の夫々の少なくとも側面を取り囲むように膜を形成する第２の工程と、を有し、  前記第２の工程では、前記複数の柱状構造体のうち前記２方向で隣り合う柱状構造体の側面に形成された前記膜が前記２方向で互いにつながり、前記複数の柱状構造体のうち前記２方向に対して斜めの方向に隣り合う柱状構造体の間に柱状の空孔が形成されるように、前記膜を形成する。【選択図】            図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の柱状構造体を、２方向に対して周期的に形成する第１の工程と、
前記複数の柱状構造体の夫々の少なくとも側面を取り囲むように膜を形成する第２の工程と、を有し、
前記第２の工程では、前記複数の柱状構造体のうち前記２方向で隣り合う柱状構造体の側面に形成された前記膜が前記２方向で互いにつながり、
前記複数の柱状構造体のうち前記２方向に対して斜めの方向に隣り合う柱状構造体の間に柱状の空孔が形成されるように、前記膜を形成することを特徴とする遮蔽格子の製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程の後に、前記柱状構造体の先端部及び底部に形成された前記膜を除去する第３の工程を有することを特徴とする請求項１に記載の遮蔽格子の製造方法。
【請求項３】
２方向に対して周期的に配列している複数の柱状構造体と、
前記複数の柱状構造体の夫々の少なくとも側面を取り囲んでいる膜とを有し、
前記複数の柱状構造体のうち、前記２方向で隣り合う柱状構造体の側面を取り囲んでいる前記膜が、互いにつながっており、
前記複数の柱状構造体のうち斜め方向に隣り合う柱状構造体の間に前記膜に側面が取り囲まれている柱状の空孔を有することを特徴とするＸ線遮蔽格子。
【請求項４】
前記２方向が互いに直交する２方向であることを特徴とする請求項３に記載のＸ線遮蔽格子。
【請求項５】
前記複数の柱状構造体のうちの１つの中心と前記１つの柱状構造体の最も近くに形成された前記空孔の中心とを結んだ線と、
前記複数の柱状構造体の配列方向とのなす角度は４５°であることを特徴とする請求項３または請求項４に記載のＸ線遮蔽格子。
【請求項６】
前記複数の柱状構造体の断面形状は正方形であり、
前記正方形の一辺と前記複数の柱状構造体の周期方向とのなす角が４５°であることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載のＸ線遮蔽格子。
【請求項７】
前記複数の柱状構造体の断面形状は円形であることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載のＸ線遮蔽格子。
【請求項８】
前記柱状構造体よりも前記膜の方が、Ｘ線吸収係数が大きいことを特徴とする請求項３乃至７のいずれか１項に記載のＸ線遮蔽格子。
【請求項９】
Ｘ線源と、
前記Ｘ線源から出射したＸ線を回折する回折格子と、
前記回折格子によって回折された前記Ｘ線の一部を遮蔽する前記請求項３に記載のＸ線遮蔽格子と、
前記遮蔽格子を経たＸ線を検出する検出器と、
を備え、被検体を撮像することを特徴とするＸ線撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線遮蔽格子の製造方法、Ｘ線遮蔽格子及びＸ線撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線位相イメージングは、Ｘ線の位相シフトを検出することで被検体の位相像を得る方法である。このＸ線位相イメージングの一つとして、タルボ干渉を用いた方法がある。
本明細書では、タルボ干渉法を用いてＸ線位相イメージングを行う方法のことを以下Ｘ線タルボ干渉法と呼ぶ。
【０００３】
図７に、従来例におけるＸ線タルボ干渉法を用いたＸ線撮像装置の構成を説明する図を示す。
従来例による一般的なＸ線タルボ干渉法を用いたＸ線撮像装置は、空間的に可干渉なＸ線を放出するＸ線源８、Ｘ線の位相を周期的に変調するための回折格子１０、Ｘ線の遮蔽部と透過部が周期的に配列されたＸ線遮蔽格子１１、Ｘ線を検出する検出器１２を備えている。
タルボ干渉法の原理について簡単に説明する。
空間的に可干渉なＸ線が回折格子１０によって回折されると自己像と呼ばれる干渉パターンが形成される。
Ｘ線源８と回折格子１０の間に被検体９を配置すると、Ｘ線源から照射されたＸ線は被検体９により屈折する。被検体９により屈折したＸ線が回折格子によって回折されることにより形成された自己像を検出すると、被検体９の位相像を得ることができる。
この時形成される自己像の周期は検出器１２の分解能よりも小さい。そこで、Ｘ線を遮蔽する遮蔽部とＸ線を透過する透過部とが周期的に配列されたＸ線遮蔽格子１１を自己像が形成される位置に配置し、自己像とＸ線遮蔽格子１１を重ねることでモアレを発生させる。すると、被検体９によるＸ線の位相シフト情報はモアレとして検出器により観察することができる。
【０００４】
モアレを観察するためには、Ｘ線遮蔽格子の遮蔽部が充分にＸ線を遮蔽する必要がある。Ｘ線を充分に遮蔽するためには、遮蔽部の厚みを大きくすれば良い。しかし、遮蔽部は数μｍ周期で配列される必要があるため、遮蔽部の厚みが大きいＸ線遮蔽格子を製造することは一般的に困難である。
このため、種々のＸ線遮蔽格子の製造方法が提案されている。例えば、非特許文献１では、Ｘ線遮蔽格子と比較して周期が２倍のＳｉ構造体を製造し、Ｓｉ構造体表面に金めっき膜を形成することで所望の周期のＸ線遮蔽格子を得ている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  Ｖｏｌｕｍｅ  ８４  （２００７）  １１７２−１１７７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記非特許文献１のＸ線遮蔽格子の製造方法では、周期がＸ線遮蔽格子の２倍であるＳｉ構造体の周期方向と、その表面に金めっき膜を形成して得られる最終的な構造体の周期方向が同一となる。
そのため、非特許文献１のＸ線遮蔽格子の製造方法では、１次元にのみ周期をもつライン状のＸ線遮蔽格子を製造することはできるが、２次元に周期をもつＸ線遮蔽格子（以下、２次元Ｘ線遮蔽格子と呼ぶ）を製造することは困難である。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑み、より容易に製造可能なＸ線遮蔽格子の製造方法、Ｘ線遮蔽格子及びＸ線撮像装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のＸ線遮蔽格子の製造方法は、複数の柱状構造体を、２方向に対して周期的に形成する第１の工程と、
前記複数の柱状構造体の夫々の少なくとも側面を取り囲むように膜を形成する第２の工程と、を有し、
前記第２の工程では、前記複数の柱状構造体のうち前記２方向で隣り合う柱状構造体の側面に形成された前記膜が前記２方向で互いにつながり、
前記複数の柱状構造体のうち前記２方向に対して斜めの方向に隣り合う柱状構造体の間に柱状の空孔が形成されるように、前記膜を形成することを特徴とする。また、本発明のＸ線遮蔽格子は、２方向に対して周期的に配列している複数の柱状構造体と、
前記複数の柱状構造体の夫々の少なくとも側面を取り囲んでいる膜とを有し、  前記複数の柱状構造体のうち、前記２方向で隣り合う柱状構造体の側面を取り囲んでいる前記膜が、互いにつながっており、
前記複数の柱状構造体のうち斜め方向に隣り合う柱状構造体の間に前記膜に側  面が取り囲まれている柱状の空孔を有することを特徴とする。
また、本発明のＸ線撮像装置は、Ｘ線源と、
前記Ｘ線源から出射したＸ線を回折する回折格子と、
前記回折格子によって回折された前記Ｘ線の一部を遮蔽する前記請求項３に記載のＸ線遮蔽格子と、
前記遮蔽格子を経たＸ線を検出する検出器と、
を備え、被検体を撮像することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、より容易に製造可能なＸ線遮蔽格子の製造方法、Ｘ線遮蔽格子及びＸ線撮像装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態におけるＸ線遮蔽格子の模式図。
【図２】（ａ）は本発明の実施形態における柱状構造体の長辺に垂直な面での断面図。（ｂ）は本発明の実施形態における柱状構造体の長辺に平行な面での断面図。
【図３】（ａ）は本発明の実施形態における柱状構造体とその側面に形成された膜の、柱状構造体の長辺に垂直な面での断面図。（ｂ）は本発明の実施形態における柱状構造体とその側面に形成された膜の、柱状構造体の長辺に平行な面での断面図。
【図４】（ａ）は本発明の実施形態における柱状構造体として用いることのできる円柱状の柱状構造体の長辺に垂直な面での断面図。（ｂ）は本発明の実施形態において円柱状の柱状構造体を用いた時の柱状構造体とその側面に形成された膜の、柱状構造体の長辺に垂直な面での断面図。
【図５】（ａ）は本発明の実施形態におけるＸ線遮蔽格子の製造方法の工程１を説明する図。（ｂ）は本発明の実施形態におけるＸ線遮蔽格子の製造方法の工程２を説明する図。（ｃ）は本発明の実施形態におけるＸ線遮蔽格子の製造方法の工程３を説明する図。（ｄ）は本発明の実施形態におけるＸ線遮蔽格子の製造方法の工程４を説明する図。
【図６】本発明の実施例２におけるＸ線タルボ干渉法を用いたＸ線撮像装置の構成例を示す図。
【図７】従来例におけるＸ線タルボ干渉法を用いたＸ線撮像装置の構成を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
つぎに、本発明の実施形態について説明する。
図１に示したように、本実施形態に係るＸ線遮蔽格子は、２方向に対して周期的に配列している複数の柱状構造体１Ａと、複数の柱状構造体の夫々の少なくとも側面を取り囲んでいる膜２を有している。
本実施形態における柱状構造体１Ａを図２（ａ）、（ｂ）に示した。図２（ａ）は柱状構造体１Ａの長辺に垂直な面での断面図、図２（ｂ）は柱状構造体の長辺に平行な面での断面図である。
図２（ａ）に示した柱状構造体１Ａは、柱状構造体の長辺に垂直な面内において、互いに直交する２方向（Ｘ方向およびＹ方向）に対して同一の間隔で平行に配列されている。
このとき、柱状構造体が配列されている間隔は、Ｘ、Ｙどちらの方向に対しても同一である。
なお、本発明において「同一」とは、タルボ干渉法によって撮像を行うことができる範囲であれば、製造上の誤差を含んでいてもよい（以下同様である）。
【００１２】
図２（ａ）に示した柱状構造体の２つの配列方向は直交しているが、直交していなくても本発明を適用することができる。
また、配列間隔はＸ、Ｙの２方向に対して同一でなくても本発明を適用することができる。
但し、本実施形態のＸ線遮蔽格子をＸ線タルボ干渉法のＸ線遮蔽格子として用いる場合、柱状構造体の２つの配列方向は直交している方が均一なモアレを形成することができ、柱状構造体の配列間隔も２方向で同一の方が均一なモアレを形成することができる。
複数の柱状構造体１Ａは図２（ｂ）に示すように支持体１Ｂによって支持されている。
【００１３】
本明細書では、柱状構造体１Ａと支持体１Ｂを併せて周期構造体１と呼ぶ。図２（ｂ）では柱状構造体と支持体は同じ材料で形成されているが、異なる材料で形成されていても良い。
柱状構造体は、柱状構造体の長辺と垂直な面での断面形状が正方形であり、正方形の一辺と柱状構造体の配列方向の成す角が４５°であることが好ましい。
但し、断面形状は正方形に限定されるものではなく、正方形の角が丸まっていても良いし、多角形や円形でも良い。
【００１４】
周期構造体１を形成する材料は、柱状構造体の製造が容易な他に、Ｘ線吸収係数が小さいほど良い。
好ましい材料としてはＳｉが挙げられるが、その他に、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）といった樹脂材料やガラスを用いることができる。
金属であれば、アルミニウムなどの相対的にＸ線吸収係数が小さいものを使用することができる。
周期構造体を形成するには、フォトリソグラフィー法やドライエッチング法、ウェットエッチング法、ナノインプリント法などを用いることができる。
フォトリソグラフィー法でレジストパターンを形成した後に、ドライエッチングまたはウェットエッチングで周期構造体を形成しても良いし、感光性のレジスト材料により支持体上に柱状構造体を付与することもできる。
また、ナノインプリント法により支持体又は支持体上に成膜した材料を加工したり、Ｓｉ構造体などで鋳型を形成した後に樹脂材料へ構造を転写したりして柱状構造体を形成しても良い。
【００１５】
膜２は柱状構造体の表面に成膜することで形成される。膜２を図３（ａ）、（ｂ）に示した。
図３（ａ）は柱状構造体の長辺に垂直な面の断面図、図３（ｂ）は柱状構造体の長辺に平行な面の断面図である。
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、膜２は柱状構造体の周辺を取り囲んでいる。更に図３（ａ）に示すように、柱状構造体の２つの配列方向であるＸ方向とＹ方向において、隣り合う柱状構造体の側面に形成された膜同士が互いにつながることによって、斜め方向に隣り合う柱状構造体の間に柱状の空孔が形成されている。
但し、本明細書において膜同士がつながるとは、実際に膜同士がつながっていなくても、実質的につながっているとみなせるほど膜同士が近接していれば良い。本実施形態のＸ線遮蔽格子をＸ線タルボ干渉法に用いる場合は自己像に重ねることでモアレが発生する程度に膜同士が近接していれば良い。
また、本明細書においては、斜めに隣り合う柱状構造体を以下のように定義する。まず、１つの柱状構造体の中心から、２つの配列方向の夫々の方向でその柱状構造体に隣り合う柱状構造体の中心に向かうベクトルを夫々考える。
次に、その２つのベクトルの合成ベクトルを考え、その合成ベクトルの方向に一番近くにある柱状構造体のことを、斜めに隣り合う柱状構造体とする。空孔３は側面が膜２に取り囲まれている。
【００１６】
膜２を形成する材料は、柱状構造体１Ａを形成する材料よりもＸ線吸収係数が大きい必要がある。好ましい材料としては、金・白金・銀などの貴金属、鉛、ビスマス、タングステン及びその合金が挙げられる。
膜２を形成するには、電気めっき法や無電解めっき法、ＣＶＤ法、などを用いることができる。このうち、高アスペクト比の構造体にμｍオーダーの膜厚の金属層を付与するためには電解めっき法が好ましい。
但し、電解めっき法を用いるために、柱状構造体１が絶縁性である場合にはその表面にシード層を形成する必要がある。シード層形成にはＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法や無電解めっき法を用いることができる。
【００１７】
前述のように、柱状構造体はＸとＹの２方向に同じ間隔で配列されていることが好ましい。
２方向に同じ間隔で配列されている場合、膜の厚みが均一であれば、柱状構造体のうち１つの中心と、その柱状構造体の最も近くに形成されている柱状の空孔の中心とを結んだ線は、柱状構造体の２つの配列方向の夫々と４５°の角度をなす。
柱状構造体と柱状の空孔はＸ線を透過する透過部であり、柱状構造体の側面に形成された膜の部分はＸ線を遮蔽する遮蔽部である。
但し、遮蔽部は完全にＸ線を遮蔽しなくても良い。Ｘ線遮蔽格子をＸ線タルボ干渉法に用いる場合は、この遮蔽部を持つＸ線遮蔽格子が、干渉パターンが形成される位置に配置された時にモアレが形成される程度にＸ線を遮蔽することができれば良い。
【００１８】
図３（ａ）において、柱状構造体１Ａの配列方向と４５°を成す直線（例えばＢ−Ｂ’）上で、柱状構造体の側面に形成された膜２の周期は柱状構造体１Ａの周期の１／√２となる。
本実施形態のＸ線遮蔽格子をＸ線タルボ干渉法に用いる場合はＢ−Ｂ’上において、周期構造体１Ａ、膜２および空孔３の幅は、柱状構造体１Ａが持つ周期の２５％±２．５％の範囲内であることが好ましく、２５％の長さとなることがより好ましい。
２５％の長さと差がある場合には、差が大きいほどタルボ干渉で得られる縞のコントラストが低下する。また、本実施形態では図３（ｂ）に示すように、柱状構造体の側面にのみ膜２が形成されているが、柱状構造体の先端部や空孔の底部にも、膜が形成されていても良い。
柱状構造体の長辺方向からＸ線が照射された時、柱状構造体の先端部や空孔の底部に形成された膜は、柱状構造体の側面に形成された膜の柱状構造体の長辺に垂直な面においての膜厚と同程度の厚みしか持たないため、充分にＸ線を透過する。
柱状構造体の先端部や空孔の先端部や底部にそのほかの構造が形成されていても良く、例えば周期構造体１を形成する材料と同一材料から成る平板が周期構造体１と膜２の表裏またはその何れかに形成されていても良い。
また、図４（ａ）に示すように、柱状構造体として円柱状構造体４を用いても良い。
但し、図４（ｂ）に示すように円柱状構造体の側面に膜５を形成した場合、空孔６の断面形状が角ばっているために、Ｘ線の透過部である円柱状構造体５と空孔６とで形状が異なることとなる。
このような格子を用いてもＸ線タルボ干渉法は可能であるが、すべてのＸ線透過部が四角錘状であったときと比較すると得られるモアレのコントラストが低下する。
【００１９】
つぎに、図５を用いて、本実施形態におけるＸ線遮蔽格子の製造方法を説明する。
まず、図５（ａ）に示す工程において、基板７を準備する。
次に、図５（ｂ）に示す工程において、基板７の表面の一部を加工して柱状構造体１０Ａを形成する。または基板の表面に、異なる材料を用いて柱状構造体を形成しても良い。
これらの工程（第１の工程）により、複数の柱状構造体が２方向に対して周期的に形成された周期構造体が得られる。
その後、図５（ｃ）に示す工程（第２の工程）において、柱状構造体の表面に、柱状構造体よりもＸ線吸収係数が大きい材料によって膜２０を形成する。膜は柱状構造体の少なくとも側面を取り囲むように形成し、図５（ｃ）のように柱状構造体の上部や空孔の底部にも形成しても良い。
膜の形成方法として電解めっき法を用いることができる。但し、柱状構造体が絶縁材料の場合は、柱状構造体の少なくとも一部に導電膜を付与してからめっきを行う。また、導電材料であっても、電気的接続が困難な場合は導電層を形成する。
図５（ｃ）の工程に示す状態で、Ｘ線遮蔽格子としてＸ線位相イメージングに用いても良いし、次の図５（ｄ）に示す工程（第３の工程）のように、柱状構造体の上部や空孔の底部に形成された膜をドライエッチングで除去してから用いても良い。
柱状構造体の上部や空孔の底部に形成された膜を除去することにより、柱状構造体の長辺方向からのＸ線照射時において、柱状構造体及び空孔部を透過するＸ線の透過率が金の除去前と比較して上昇する。
このため、Ｘ線遮蔽格子としては好ましい構造となる。
図５（ｄ）に示す工程では、柱状構造体と支持体の上部に形成された膜の両方を除去しているが、研磨により柱状構造体の上部に形成された膜のみを除去しても良い。
また、図５（ｄ）示すような構造を形成した後に、基板７の未加工部分４０を除去しても良い。
【実施例】
【００２０】
以下に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
実施例１として、４μｍ周期のＸ線遮蔽格子の作成例について説明する。
基板としてＳｉウェハーを用い、ウェハー表面にスピンコートした感光性材料を用いて所望のパターニング行う。
その後、ドライエッチングをすることで、図２に示すような２次元方向に等しい周期を持つ柱状構造体を形成する。
形成される個々の柱状構造体は、長辺方向に垂直な面で断裁した時に一辺が２μｍの正方形であり、互いに直交するＸおよびＹ方向に対して周期の長さを５．６μｍとする。
また、柱状構造の高さは５０μｍとする。その後、蒸着法によりＳｉ柱状構造の先端部においてＴｉを１０ｎｍ成膜し、続けてＡｕを２００ｎｍ成膜する。
【００２１】
得られたＴｉ／Ａｕ層をシード層として金めっきを付与する。めっき液としては、亜硫酸金を金属塩とするめっき液であるＥＥＪＡ製Ａｕ１１０１を用いる。めっき液温度６０度で０．５ｍＡ／ｃｍ2の条件において金めっきを行い、Ｓｉ柱状構造体先端での金厚を２μｍとする。
これにより、図５（ｃ）に示すような、周期構造体表面を金で被覆した構造体が得られる。
このＳｉ−Ａｕ複合構造体をＳｉ柱状構造体の長辺方向からＸ線顕微鏡で観察したところ、Ｓｉ側面に析出した金によりＸ線は周期的に遮断され、この遮断される周期は４μｍとなった。
また、Ｘ線の透過部の周期方向とＳｉ柱状構造体の周期方向が成す角度は４５°である。
次に、Ａｒを用いて全面をドライエッチングすることにより、Ｓｉ柱状構造体の上部および支持体の上部の金を除去する。これにより図５（ｄ）に示すような構造体が得られる。
これにより、４μｍ周期のＸ線遮蔽格子として使用可能な金周期構造体を得ることができる。
【００２２】
［実施例２］
実施例２として、まず、８μｍ周期のＸ線遮蔽格子の作成例について説明する。
基板としてＳｉウェハーを用い、ウェハー表面に感光性材料をスピンコートする。
実施例１と同様に、所望のパターニングを行い、ドライエッチングをすることで、柱状構造体を形成する。
形成される夫々の柱状構造体は、長辺方向に垂直な面で断裁した時に一辺が４μｍの正方形であり、互いに直交するＸおよびＹ方向に対して１１．３μｍ周期で配列されている。
その後、実施例１と同様の方法で金めっきにより４μｍ厚の金層を形成し、Ｓｉ柱状構造体の上部および支持体の上部の金をＡｒのドライエッチングで除去する。
次に基板であるＳｉをＣＦ4のドライエッチングで除去する。
これにより、８μｍ周期のＸ線遮蔽格子として使用可能な金周期構造体を得ることができる。
【００２３】
つぎに、上記のようにして作成したＸ線遮蔽格子を用いた本実施例におけるＸ線タルボ干渉法によるＸ線撮像装置の構成例について説明する。
図６は、本実施例において上記のようにして作成したＸ線遮蔽格子を用いたＸ線撮像装置の構成例を示す図である。
本実施例のＸ線撮像装置は、空間的に可干渉なＸ線を放出するＸ線源８、該Ｘ線源から出射したＸ線の位相を周期的に変調するための回折格子１０、上記のようにして作成した本実施例のＸ線遮蔽格子１１０、Ｘ線を検出する検出器１２を備えている。
Ｘ線源８と回折格子１０の間に被検体９を配置すると、被検体９によるＸ線の位相シフト情報がモアレとして検出器に検出される。
つまり、このＸ線撮像装置は被検体９の位相情報を持つモアレを撮像することで被検体９を撮像している。
この検出結果に基づいてフーリエ変換等の位相回復処理を行うと、被検体の位相像を得ることができる。
本実施例のＸ線撮像装置によれば、より容易に製造可能なＸ線遮蔽格子を用いているため、Ｘ線遮蔽格子の欠陥が少なくなるため、被検体をより正確に撮像することができる。
以上、本発明の好ましい実施形態及び実施例について説明したが、本発明はこれらに限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００２４】
１Ａ：柱状構造体
２：膜
３：空孔
１１０：Ｘ線遮蔽格子
【図１】
2011172914.tif 000003
【図２】
2011172914.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2011172914.tif 000007
【図６】
2011172914.tif 000008
【図７】
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