(57)【要約】【目的】低周波領域から高周波領域にいたるまで安定して優れたＳ２１とＳ１１を得ることができる高周波接続配線基板を提供する。【構成】本体基板上に中心導体と接地導体とを有し、中心導体の一端側から１０Ｇｂｐｓ以上の高周波電気信号が入力され、中心導体の他端側から高周波電気信号が出力される高周波接続配線基板であって、高周波接続配線基板が台座を介して取り付けられる筐体には、高周波電気信号を外部から入力するための高周波コネクタが、その芯線が筐体と所定の距離Ｇを有した状態で筐体と固定され、また高周波コネクタの芯線と中心導体の一端側とが接続されており、中心導体の一端側において、中心導体から台座へ向かう電気力線の本数が中心導体から接地導体へ向かう電気力線の本数よりも多くなるように、中心導体の一端側における中心導体と接地導体との距離Ｗ３と距離Ｇとが所定値に設定されている。【選択図】図１
2011015200.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体基板上に中心導体と接地導体とを有し、前記中心導体の一端側から１０Ｇｂｐｓ以上の高周波電気信号が入力され、前記中心導体の他端側から前記高周波電気信号が出力される高周波接続配線基板であって、
前記高周波接続配線基板が台座を介して取り付けられる筐体には、前記高周波電気信号を外部から入力するための高周波コネクタが、その芯線が前記筐体と所定の距離Ｇを有した状態で前記筐体と固定され、また前記高周波コネクタの前記芯線と前記中心導体の前記一端側とが接続されており、
前記中心導体の前記一端側において、前記中心導体から前記台座へ向かう電気力線の本数が前記中心導体から前記接地導体へ向かう電気力線の本数よりも多くなるように、前記中心導体の前記一端側における前記中心導体と前記接地導体との距離Ｗ３と前記距離Ｇとが所定値に設定されていることを特徴とする高周波接続配線基板。
【請求項２】
前記距離Ｗ３と前記距離ＧとがＷ３＞Ｇの関係を有することを特徴とする請求項１に記載の高周波接続配線基板。
【請求項３】
前記距離Ｗ３と前記距離ＧとがＷ３＞３Ｇの関係を有することを特徴とする請求項１に記載の高周波接続配線基板。
【請求項４】
前記接地導体にビアホールが形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の高周波接続配線基板。
【請求項５】
前記ビアホールが、前記高周波コネクタの前記芯線が接続される部位の前記中心導体と相対向した部位の前記接地導体にも形成されていることを特徴とする請求項４に記載の高周波接続配線基板。
【請求項６】
前記筐体内に光変調器チップが配置され、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の高周波接続配線基板を介して前記高周波電気信号が前記光変調器チップに入力されることを特徴とする光変調器モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信などで数十ＧＨｚの高速で動作させる光デバイスや電子デバイスとそれらと駆動するための電気ドライバとの接続に適用する高周波接続配線基板、およびこれを備えた光変調器モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
高速電気接続配線を適用する代表的な光デバイスとして誘電体材料を用いた光変調器がある。近年、高速、大容量の光通信システムが実用化されているが、このような高速、大容量の光通信システムに組込むための高速、小型、かつ低価格の光変調デバイスの開発が求められている。
【０００３】
このような要望に応える光デバイスとして、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）のように電界を印加することにより屈折率が変化する、いわゆる電気光学効果を有する基板（以下、ＬＮ基板と略す）に光導波路と進行波電極を形成した進行波電極型リチウムナイオベート光変調器（以下、ＬＮ光変調器と略す）がある。このＬＮ光変調器は、その優れたチャーピング特性から２．５Ｇｂｉｔ／ｓ、１０Ｇｂｉｔ／ｓの大容量光通信システムに適用されている。最近はさらに４０Ｇｂｉｔ／ｓの超大容量光通信システムにも適用が検討されている。
【０００４】
以下、従来、ＬＮ光変調器の概略とそれを実際にモジュール化する際に必要となる高周波接続配線基板について説明する。
【０００５】
（第１の従来技術）
図８に特許文献１に開示されたｚ−カットＬＮ基板を用いたＬＮ光変調器チップ３０の斜視図を示す。また、図９には図８のＡ−Ａ´における断面図を示す。ｚ−カットＬＮ基板１上に光導波路３が形成されている。この光導波路３は、金属Ｔｉを１０５０℃で約１０時間熱拡散して形成した光導波路であり、後で述べるようにマッハツェンダ干渉系（あるいは、マッハツェンダ光導波路）を構成している。したがって、光導波路３の電気信号と光が相互作用する部（相互作用部と言う）には２本の相互作用光導波路３ａ、３ｂ、つまりマッハツェンダ光導波路の２本のアームが形成されている。
【０００６】
この光導波路３の上面にＳｉＯ２バッファ層２とその上にｚ−カットＬＮ基板１を用いて製作したＬＮ変調器に特有の焦電効果に起因する温度ドリフトを抑圧するためのＳｉ導電層２´を形成する。さらに、このＳｉ導電層２´の上面に進行波電極４が形成されている。進行波電極４としては、１つの中心導体４ａと２つの接地導体４ｂ、４ｃを有するコプレーナウェーブガイド（ＣＰＷ）を用いている。なお、通常、進行波電極４はＡｕにより形成されている。
【０００７】
変調用の１０Ｇｂｐｓ以上の高周波電気信号をこのＬＮ光変調器チップ３０の中心導体４ａと接地導体４ｂに供給すると、中心導体４ａと接地導体４ｂ、４ｃの間に電界が印加される。ｚ−カットＬＮ基板１は電気光学効果を有するので、この電界により屈折率変化を生じ、２本の相互作用光導波路３ａ、３ｂを伝搬する光の位相にずれが発生する。このずれがπになった場合、光導波路３のマッハツェンダ光導波路としての合波部において、高次モードを励振し、その結果光はＯＦＦ状態になる。中心導体４ａと接地導体４ｂの間に電圧を印加すると、光信号（あるいは、光出力）はＯＮ→ＯＦＦ→ＯＮを繰り返す。
【０００８】
ＬＮ光変調器チップを実際に使用する際には、パッケージの中に入れた、いわゆるモジュールとして使用する。図１０にその模式的な上面図を示す。ここで、５は筐体であり、筐体５の一部が突出してなる（または別部材でなる）台座６に図８と図９に示したＬＮ光変調器チップ３０が固定されている。７ａ、７ｂは各々光入射用単一モード光ファイバ、及び光出射用単一モード光ファイバ、８は高周波コネクタ、９は高周波コネクタの芯線である。また、５´は筐体５に設けた空洞であり、高周波コネクタの芯線９とのセットによりほぼ５０Ωの特性インピーダンスを実現している。
【０００９】
なお、図の説明を簡単にするために、台座６はＬＮ光変調器チップ３０と高周波接続配線基板Ｉの下方のみに設けられているとするが、本発明の適用範囲ははこれに限るものではないことはいうまでもない。
【００１０】
また、Ｉは高周波コネクタ（あるいは、ＲＦコネクタ）９とＬＮ光変調器チップ３０とを電気的に接続するという極めて重要な役割をする高周波接続配線基板であり、特許文献２に開示された構成である。なお、１０は高周波接続配線基板の本体である本体基板（以降、基板と呼ぶ）、１１は高周波接続配線基板の中心導体、１２と１３は高周波接続配線基板の接地導体、１４は台座６と接地導体１２、１３との電気的導通をとるためのビアホール、１５は高周波接続配線基板と３０とを電気的に接続するワイヤーである。これらの、高周波電気信号を外部からＬＮ光変調器チップ３０に入力するまでの構成は、高周波接続配線構造を構成している。
【００１１】
図１１にこの高周波接続配線基板の部分的な斜視図、図１２に部分的な拡大図を示す。この図からわかるように、特許文献２に開示された高周波接続配線基板は高周波コネクタの芯線９と電気的に接続する部分を含む領域ＩＩ（つまり、高周波電気信号の入力部）ではマイクロストリップ線路としての構造を、ＣＰＷ型の進行波電極構造を有するＬＮ光変調器チップ３０と電気的に接続する部分（つまり、高周波電気信号の出力部）を含む領域ＩＩＩではＣＰＷ（厳密には接地導体付ＣＰＷ）としての構造をとっている。そのため、この構造はマイクロストリップ−ＣＰＷ変換構造と呼ばれている。また、図１２のＢ−Ｂ´での断面図を図１３に示す。後の説明のために、マイクロストリップ構造の領域ＩＩとＣＰＷ構造の領域ＩＩＩについて各々の長さをＬ２、Ｌ３とする。
【００１２】
例えば、基板１０として厚みが５００μｍのＡｌ２Ｏ３を用いた場合の高周波接続配線基板について考える。高周波接続配線基板Ｉの中心導体の高周波コネクタとの接続部の幅Ｓは５００μｍである。また、ＬＮ光変調器チップ３０との接続部については、中心導体１１の幅Ｓ１は２５０μｍ、中心導体１１と接地導体１２、１３とのギャップＷ１は１２０μｍである。
【００１３】
ここで、図１２のＣ−Ｃ´における断面図を図１４に示す。ここで、９´は高周波コネクタの芯線９と高周波接続配線基板Ｉの中心導体１１とを電気的に接続するための半田である。なお、図を簡単にするために、図１０〜図１３において半田９´を省略した。また、本明細書のほとんどの図面においても半田９´の表示を省略している。
【００１４】
図１４において４０は電気力線である。中心導体１１と高周波コネクタの芯線９との接続部はマイクロストリップ構造であるので、この図からわかるように中心導体１１と高周波コネクタの芯線９から発せられた全ての電気力線２０´は金属である台座６に落ちている。
【００１５】
第１の従来技術による高周波接続配線基板について、ＳパラメータのＳ２１とＳ１１の周波数特性を図１８に点線で示す。図からわかるように、この第１の従来技術では低周波でのＳ２１とＳ１１の特性は比較的良いが、高周波になるとＳ２１とＳ１１が著しく劣化する。
【００１６】
次に、この理由について考察する。マイクロストリップ領域ＩＩでは、基板１０の上側表面は当然のことながら筐体５の台座６と同電位とはなっていないが、ＣＰＷ領域ＩＩＩでは基板１０の上面に形成した接地導体１２と１３はビアホール１４によりアースである筐体５の台座６と同電位である。
【００１７】
従って、マイクロストリップ領域ＩＩを伝搬してきた高周波電気信号はＣＰＷ領域ＩＩＩにおいて基板１０の上側表面がアースとしての電位を持たねばならない。そのために、マイクロストリップ領域ＩＩとＣＰＷ領域ＩＩＩの境界において高周波電気信号としての位相が急激に変化する。このことは、電気信号の波長が短くなる（即ち、周波数が高くなる）に従って著しくなるため、図１８に示すように第１の従来技術であるマイクロストリップ−ＣＰＷ変換構造は高周波においてそのＳ２１とＳ１１の特性が劣化してしまう。
【００１８】
図１９にマイクロストリップ領域ＩＩの長さＬ２とＣＰＷ領域ＩＩＩの長さＬ３の和を一定とし、かつＣＰＷ領域ＩＩＩの長さＬ３を変えた場合の高周波におけるＳ２１とＳ１１の特性について示す。図から、ＣＰＷ領域ＩＩＩの長さＬ３が長いほど、マイクロストリップ領域ＩＩとＣＰＷ領域ＩＩＩにおける高周波電気信号の位相のずれが蓄積されて大きくなり、Ｓ２１とＳ１１ともに特性が劣化することがわかる。この傾向は周波数が高くなるほど顕著となる。
【００１９】
（第２の従来技術）
図１５には第２の従来技術として高周波コネクタ９との接続部もＣＰＷ構造、いわゆるＣＰＷ−ＣＰＷ変換構造を有する高周波接続配線基板の斜視図を、図１６にはその上面図を示している。この第２の従来技術は特許文献２において従来技術として示されている。図１６において、ＬＮ光変調器チップ３０と接続する側の領域Ｖにおける中心導体１６の幅Ｓ１や中心導体１６と接地導体１７、１８とのギャップＷ１は図１２に示した第１の従来技術と同じである。
【００２０】
一方、高周波コネクタ９との接続部を含む領域ＩＶ（つまり、高周波電気信号の入力部）は図１２に示した第１の従来技術のマイクロストリップ構造と異なり、通常のＣＰＷ構造となっている。ここで、中心導体１６の幅Ｓ２と中心導体１６と接地導体１７、１８とのギャップＷ２は不図示の高周波コネクタとのインピーダンス整合を考えて各々４００μｍ、１４０μｍとした。なお、高周波コネクタ９と筐体５に設けた空洞５´の側壁とのギャップＧは約２００μｍである。一般に、ギャップＧとギャップＷ２の間には、Ｇ＞Ｗ２の関係が用いられて来た。また、１９は接地導体１７、１８と筐体５の不図示の台座（図１０の６を参照）と電気的な導通をとるビアホールである。
【００２１】
図１７には図１６のＤ−Ｄ´における断面図を示す。この図からわかるように、高周波コネクタの芯線９との接続部を含む領域ＩＶは比較的ギャップが小さく構成された完全なＣＰＷ構造であることと、高周波コネクタの芯線９の直径は３００μｍ程度と大きいため、電気力線４１のほとんどは高周波コネクタの芯線９や中心導体１６（さらには、半田９´）から接地導体１７、１８に飛んでおり、台座６へ落ちている量は少ない。
【００２２】
図１８にはこの第２の従来技術のＳ２１とＳ１１の特性について一点鎖線で示している。図１８からわかるように、この第２の従来技術では高周波領域におけるＳ２１とＳ１１の特性の劣化は第１の従来技術ほど大きくはない。しかしながら、大きな導体である高周波コネクタの芯線９と接地導体１２、１３との間に発生するキャパシタンスの影響が大きいため、第１の従来技術よりも低周波領域におけるＳ２１とＳ１１の特性の劣化が著しい。また、低周波において劣化した特性が高周波において改善されるわけではないので、結局全体的に特性が悪くなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２３】
【特許文献１】特公平７−０１３７１１号公報
【特許文献２】特開２００３−０６０４０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
以上のように、従来技術では高周波コネクタからの高周波電気信号の変換効率、即ち伝送効率が悪かった。また、光デバイスの１つであるＬＮ光変調器へ高周波電気信号を入力する際に用いた場合にあっては、結果的にＬＮ光変調器としての変調効率を劣化させてしまうという問題があった。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、小型で、高周波コネクタからの高周波電気信号の変換効率、さらにはＬＮ光変調器への入力に用いた場合にあっては、ＬＮ光変調器の進行波電極への高周波電気信号の変換効率について大幅に改善された高周波接続配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１の高周波接続配線基板は、本体基板上に中心導体と接地導体とを有し、前記中心導体の一端側から１０Ｇｂｐｓ以上の高周波電気信号が入力され、前記中心導体の他端側から前記高周波電気信号が出力される高周波接続配線基板であって、前記高周波接続配線基板が台座を介して取り付けられる筐体には、前記高周波電気信号を外部から入力するための高周波コネクタが、その芯線が前記筐体と所定の距離Ｇを有した状態で前記筐体と固定され、また前記高周波コネクタの前記芯線と前記中心導体の前記一端側とが接続されており、前記中心導体の前記一端側において、前記中心導体から前記台座へ向かう電気力線の本数が前記中心導体から前記接地導体へ向かう電気力線の本数よりも多くなるように、前記中心導体の前記一端側における前記中心導体と前記接地導体との距離Ｗ３と前記距離Ｇとが所定値に設定されていることを特徴としている。
【００２６】
上記課題を解決するために、本発明の請求項２の高周波接続配線基板は、請求項１の高周波接続配線基板において、前記距離Ｗ３と前記距離ＧとがＷ３＞Ｇの関係を有することを特徴としている。
【００２７】
上記課題を解決するために、本発明の請求項３の高周波接続配線基板は、請求項１の高周波接続配線基板において、前記距離Ｗ３と前記距離ＧとがＷ３＞３Ｇの関係を有することを特徴としている。
【００２８】
上記課題を解決するために、本発明の請求項４の高周波接続配線基板は、請求項１乃至３のいずれか一項の高周波接続配線基板において、前記接地導体にビアホールが形成されていることを特徴としている。
【００２９】
上記課題を解決するために、本発明の請求項５の高周波接続配線基板は、請求項４の高周波接続配線基板において、前記ビアホールが、前記高周波コネクタの前記芯線が接続される部位の前記中心導体と相対向した部位の前記接地導体にも形成されていることを特徴としている。
【００３０】
上記課題を解決するために、本発明の請求項６の光変調器モジュールは、前記筐体内に光変調器チップが配置され、請求項１乃至５のいずれか一項の高周波接続配線基板を介して前記高周波電気信号が前記光変調器チップに入力されることを特徴としている。
【発明の効果】
【００３１】
本発明では、ＣＰＷ−ＣＰＷ変換を使用している。従って、従来のマイクロストリップ−ＣＰＷ変換構造を含む高周波接続配線基板と異なり、高周波電気信号が伝搬するに際に位相が急激に変化する不連続部がない。また、高周波コネクタの芯線と接続する箇所では、高周波コネクタの芯線や中心導体と接地導体の間に形成されるキャパシタンスが極めて小さくなるように高周波接続配線基板の中心導体と接地導体とのギャップを充分広げている。その結果、本発明の高周波接続配線基板は低周波領域から高周波領域まで優れたＳ２１とＳ１１について伝送特性を有するという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係わる高周波接続配線基板の斜視図
【図２】本発明の第１の実施形態に係わる高周波接続配線基板について部分的に拡大した上面図
【図３】図２のＥ−Ｅ´から見た簡略的な断面図
【図４】本発明の原理を説明する図
【図５】本発明の原理を説明する図
【図６】本発明の第２の実施形態に係わる高周波接続配線基板の斜視図
【図７】本発明の第２の実施形態に係わる高周波接続配線基板について部分的に拡大した上面図
【図８】従来のＬＮ光変調器チップの概略構成を示す斜視図
【図９】図８のＡ−Ａ´から見た簡略的な断面図
【図１０】従来のＬＮ光変調器に第１の従来技術の高周波接続配線基板を適用して製作したＬＮ光変調器モジュールの概略構成を示す上面図
【図１１】第１の従来技術の高周波接続配線基板について概略構成を示す斜視図
【図１２】第１の従来技術の高周波接続配線基板について概略構成を示す上面図
【図１３】図１２のＢ−Ｂ´から見た簡略的な断面図
【図１４】図１２のＣ−Ｃ´から見た簡略的な断面図
【図１５】第２の従来技術の高周波接続配線基板について概略構成を示す斜視図
【図１６】第２の従来技術の高周波接続配線基板について概略構成を示す上面図
【図１７】図１６のＤ−Ｄ´から見た簡略的な断面図
【図１８】第１の従来技術と第２の従来技術の高周波接続配線基板について問題点を説明する図
【図１９】第１の従来技術の高周波接続配線基板について問題点を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の実施形態について説明する。なお、ここでも光変調器モジュールに適用した場合で説明していく。図８から図１９に示した従来技術と同一の符号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一の符号を持つ機能部の説明を省略する。ＬＮ光変調器モジュールとしての態様は図１０に示す従来技術の態様と同様である。
【００３４】
（第１の実施形態）
本発明の高周波接続配線基板に関する実施形態の一つについてその斜視図を図１に、その上面図を図２に示す。また、図２のＥ−Ｅ´における断面図を図３に示す。ここで、２０は中心導体、２１、２２は接地導体、２３は接地導体２１、２２と台座６との電気的な導通をとるビアホールである。
【００３５】
高周波接続配線基板の中心導体２０について、高周波コネクタの芯線９との接続部の幅をＳ３、接地導体２１、２２とのギャップをＷ３とする。また、図２において、ＬＮ光変調器チップ３０と接続する（つまり、高周波電気信号の出力部）側における中心導体２０の幅Ｓ１や中心導体２０と接地導体２１、２２とのギャップＷ１は図１２に示した第１の従来技術と同じである。
【００３６】
次に、本発明の動作原理について説明する。本発明では高周波接続配線基板の中心導体２０と高周波コネクタの芯線９との接続部（つまり、高周波電気信号の入力部）において、中心導体２０と接地導体２１、２２とのギャップＷ３を図１６に示した第２の従来技術における中心導体１６と接地導体１７、１８とのギャップＷ２よりも極めて広くなるように構成している。さらに、高周波接続配線基板の中心導体２０と接地導体２１、２２とのギャップＷ３を筐体５に設けた空洞５´内の高周波コネクタの芯線と空洞５´の側壁とのギャップＧよりも広くしている（つまり、Ｇ＜Ｗ３）。具体的にはギャップＧが約２００μｍに対し、高周波接続配線基板の中心導体２０と接地導体２１、２２とのギャップＷ３を４００μｍから３ｍｍとした。
【００３７】
その結果、高周波コネクタの芯線９から筐体５に設けた空洞５´の側壁へ軸対称に分布していた電気力線が高周波接続配線基板に乗り移る際に、本実施形態は図１６と同様のＣＰＷ構造を有している。そして、高周波コネクタの芯線９や中心導体２０（さらには、半田９´）から接地導体２１、２２へ飛ぶ電気力線の量を充分少なくしている。図３によりこの様子が理解できる。つまり、電気力線４２のうちごくわずかな量が接地導体２１、２２に飛んではいるが、電気力線４２のほとんどは台座６に落ちている。このように本実施形態では、高周波コネクタの芯線９と接地導体２１、２２との間に形成されるキャパシタンスの影響が極めて小さくなるように構成している。
【００３８】
また、本実施形態において重要なことは、本実施形態は図１２に示した第１の従来技術とは異なり、マイクロストリップ−ＣＰＷ変換の構造をとっておらず、高周波コネクタの芯線９との接続領域ＶＩ、及び不図示のＬＮ光変調器チップ３０へ伝えるために高周波電気信号が伝搬する領域ＶＩＩともにＣＰＷ構造としている。
【００３９】
このように、図１６に示した第２の従来技術と同じく、本実施形態もＣＰＷ−ＣＰＷ変換の構造ということができる。その結果、図１２の第１の従来技術において問題となったマイクロストリップ領域ＩＩとＣＰＷ領域ＩＩＩとの接続部における位相ずれに起因する高周波電気信号のモードの乱れが生じることはない。この構造の変化に起因する位相ずれを生じさせないことが、高周波における低損失で安定な伝送を実現する上で極めて重要である。そして、本実施形態の場合には高周波コネクタの芯線９との接続領域ＶＩにもビアホール２３を設けることにより、接地導体２１、２２と台座６との電気的導通を図っている。
【００４０】
なお、台座６と筐体５は電気的に導通しているので、このビアホール２３の代わりに、リボンやワイヤーなどを用いて、接地導体２１、２２と筐体５の壁との導通をとっても良い。さらには、高周波コネクタの芯線９との接続領域ＶＩにも接地導体２１、２２を設けているので、例えビアホール２３、あるいはリボンやワイヤーを使用しなくても、マイクロストリップ領域とＣＰＷ領域との接続部における位相ずれがなく、第１の従来技術よりも優れた特性を実現できる。
【００４１】
図４に本発明の第１の実施形態による高周波接続配線基板のＳ２１とＳ１１の特性を実線で示す。なお、比較のために第１の従来技術と第２の従来技術による特性を各々点線と一点鎖線で示す。図４からわかるように、本実施形態は低周波から高周波にいたるまで安定して優れたＳ２１とＳ１１を得ることができる。
【００４２】
図５には中心導体２０と接地導体２１、２２とのギャップＷ３と高周波コネクタの芯線と空洞５´の側壁とのギャップＧとの比Ｗ３／Ｇに対するＳ１１の特性を示す。ここで、周波数は約３０ＧＨｚとした。図からわかるように、一般的に実用上最低限必要とされる−１０ｄＢより優れた反射特性を得るにはＧ＜Ｗ３が必要であるが、さらにそれよりも良い−１０ｄＢ〜−１５ｄＢ程度の反射特性を得るには３Ｇ＜Ｗ３程度必要であり、実用上ほぼ完全といえる特性を実現できる−１５ｄＢより優れた反射特性を得るには４Ｇ＜Ｗ３以上、最も好ましくは５Ｇ＜Ｗ３とすれば良いことがわかる。
【００４３】
（第２の実施形態）
図６には本発明の第２の実施形態についてその斜視図を示す。また図７にはその上面図を示す。この実施形態では、不図示のＬＮ光変調器チップ３０に接続する箇所を含む領域ＩＸにはビアホール２６を設けているが、接地導体２４、２５について、中心導体２０と高周波コネクタの芯線９とを接続する領域ＶＩＩＩにはビアホール２６を設けていない。
【００４４】
これまで説明してきたように、中心導体２０と高周波コネクタの芯線９との接続には一般に半田を用いるので半田溶融時における部材の熱膨張係数の差により機械的な応力が掛かる。そのため、この領域ＶＩＩＩにビアホール２６がないということは機械的な強度が向上し、製作時の歩留まりが高いというメリットがある。そして、ビアホール２６が無くても、第１の実施形態と異なり、領域ＶＩＩＩにも接地導体２４、２５を設けているので、領域ＶＩＩＩと領域ＩＸの境界における高周波電気信号の位相ずれはほとんど無視できる。
【００４５】
また、第２の従来技術と異なり、本発明では中心導体２０や高周波コネクタの芯線９と接地導体２４、２５との間のキャパシタンスが充分小さくなるように設定されている。このように、この第２の実施形態は機械的強度が高いばかりでなく、第１の実施形態や第２の実施形態よりも特性的に大変有利であるという利点を有する。但し、中心導体２０と高周波コネクタの芯線９とを接続する領域ＶＩＩＩの長さが長くなると、図２に示した第１の実施形態の方が特性的に有利となる。
【００４６】
（各種実施形態）
以上において、本発明の高周波接続配線基板を適用するデバイスとしてＬＮ光変調器という光デバイスをとり上げたが、これに限るものではなく、電界吸収型や進行波電極型の半導体光デバイスでも良いし、電子デバイスでも良い。また、高周波接続配線基板を形成する基板としてＡｌ２Ｏ３基板、ＡＬＮ、あるいは石英基板、ＬＮ基板などその他の絶縁体基板でも良いし、半導体基板でも良い。さらに、電極構成としては構造が対称なＣＰＷ電極を用いた構成について説明したが、構造が非対称なＣＰＷ電極でも良いし、さらには本発明としての効果が薄れるものの非対称コプレーナストリップ（ＡＣＰＳ）あるいは対称コプレーナストリップ（ＣＰＳ）など、その他の構成でも良い。また、本実施形態では高周波接続配線基板に1つのＣＰＷ（つまり、１つの中心導体）がある場合について説明したが、複数のＣＰＷ（つまり、複数の中心導体）がある実施形態にも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
以上のように、本発明により高周波電気信号の高周波コネクタからデバイスへの伝搬特性について大幅に改善された高周波接続配線基板を提供できる。
【符号の説明】
【００４８】
１：ｚ−カットＬＮ基板（ＬＮ基板）
２：ＳｉＯ２バッファ層
２´：Ｓｉ導電層
３：マッハツェンダ光導波路（光導波路）
３ａ、３ｂ：相互作用光導波路
４：進行波電極（電極）
４ａ：中心導体
４ｂ、４ｃ：接地導体
５：筺体
５´：空洞
６：台座
７ａ：光入射用単一モード光ファイバ
７ｂ：光出射用単一モード光ファイバ
８：高周波コネクタ
９：高周波コネクタの芯線
９´：半田
１０：高周波接続配線基板の本体基板（基板）
１１、１６、２０：高周波接続配線基板の基板の中心導体
１２、１３、１７、１８、２１、２２、２４、２５：高周波接続配線基板の基板の接地導体
１４、１９、２３、２６：ビアホール
１５：ワイヤー
３０：ＬＮ光変調器チップ
４０、４１、４２：電気力線
Ｉ：高周波接続配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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