(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体チップを互いに接続する共通配線を備えた半導体ウェハの製造コストが増大するという課題を解決する半導体ウェハおよび半導体ウェハにおける電圧供給方法を提供する。【解決手段】半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に規則的に配置された複数の半導体チップ１０２と、半導体チップ１０２を互いに接続する共通配線１０３と、共通配線１０３に接続された共用電極パッド１０４、とを有し、共用電極パッド１０４は、複数の半導体チップ１０２を内包する露光照射領域と同一の規則性をもって配置され、かつ、露光照射領域に含まれる半導体チップ１０２を囲む外縁の内部に配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板上に規則的に配置された複数の半導体チップと、前記半導体チップを互いに接続する共通配線と、前記共通配線に接続された共用電極パッド、とを有し、
前記共用電極パッドは、前記複数の半導体チップを内包する露光照射領域と同一の規則性をもって配置され、かつ、前記露光照射領域に含まれる半導体チップを囲む外縁の内部に配置されている半導体ウェハ。
【請求項２】
前記共用電極パッドは、前記半導体チップと同一の規則性を有する領域の一部に配置されている請求項１に記載した半導体ウェハ。
【請求項３】
前記半導体チップは電極パッドを備え、
前記共用電極パッドが配置される領域の大きさは、前記半導体チップの大きさと略同一であり、
前記共用電極パッドの大きさは、前記電極パッドの大きさと異なる請求項２に記載した半導体ウェハ。
【請求項４】
前記半導体チップは電極パッドを備え、
前記共用電極パッドが配置される領域の大きさは、前記半導体チップの大きさと略同一であり、
前記共用電極パッドが配置される領域における前記共用電極パッドの配置位置は、前記半導体チップにおける前記電極パッドの配置位置と異なる請求項２に記載した半導体ウェハ。
【請求項５】
前記共用電極パッドは、前記半導体チップの中の第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップに隣接する第２の半導体チップとの間の領域に配置され、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップは同一の前記露光照射領域に含まれる請求項１に記載した半導体ウェハ。
【請求項６】
前記共通配線は、前記露光照射領域毎に電気的に分離している請求項１から５のいずれか一項に記載した半導体ウェハ。
【請求項７】
前記半導体チップと前記共通配線との接続の制御を行う遮断回路を備え、前記遮断回路は前記半導体チップと前記共通配線とに接続される請求項１から６のいずれか一項に記載した半導体ウェハ。
【請求項８】
前記遮断回路は前記半導体チップ毎に配置され、前記遮断回路を互いに接続する制御線をさらに備える請求項７に記載した半導体ウェハ。
【請求項９】
識別番号出力回路と、比較回路と、選択信号配線とをさらに備え、
前記識別番号出力回路は、前記半導体チップに固有のチップ番号を出力し、
前記比較回路は、前記遮断回路と前記識別番号出力回路と前記選択信号配線とに接続され、前記選択信号配線を通して得られる選択信号と前記チップ番号を比較した結果を出力信号として出力し、
前記遮断回路は、前記出力信号と前記制御線から得られる制御信号に応じて前記半導体チップと前記共通配線との接続を制御する請求項８に記載した半導体ウェハ。
【請求項１０】
非接触で信号の送受信を行う非接触送受信部を前記半導体チップ毎に備え、
前記遮断回路は、前記非接触送受信部の出力信号に応じて前記接続を制御する請求項７に記載した半導体ウェハ。
【請求項１１】
半導体ウェハを構成する複数の半導体チップを内包する露光照射領域と同一の規則性をもって配置され、かつ、前記露光照射領域に含まれる半導体チップを囲む外縁の内部に配置された共用電極パッドに共用電圧を印加し、
前記各半導体チップと前記共用電極パッドに接続された共通配線を通して前記共用電圧を前記各半導体チップに供給する
半導体ウェハにおける電圧供給方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハおよび半導体ウェハにおける電圧供給方法に関し、特に、半導体ウェハ上の半導体チップに電圧を供給する配線構造を備えた半導体ウェハおよび半導体ウェハにおける電圧供給方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ内の半導体集積回路（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ、以下、ＬＳＩと言う）を検査する場合、テスタ装置からＬＳＩに電源電圧および信号電圧を供給してＬＳＩ内部の動作を検査する必要がある。このとき、ＬＳＩの電源用の電極パッドおよび信号入出力用の電極パッドに電源電圧や信号電圧を供給するため、検査針（ニードル）を具備したプローブカードが用いられている。さらにＬＳＩ１個あたりのテスト時間を短縮するため、より多数のＬＳＩを同時に測定可能な多並列プローブカードが用いられるようになってきている。しかし、例えばＮ個のＬＳＩを同時に測定するためには、プローブカード上のニードル数もＮ倍にする必要があり、プローブカードの製造コストが増大するという問題点があった。
【０００３】
そこで、特許文献１に記載の半導体ウェハ５００では図１１に示すように、電源用または信号用の電極パッド５０２を検査対象となる半導体ウェハ５００の周辺部に配置している。これらの電極パッド５０２から共通配線５０３を通して、半導体ウェハ５００に配置された半導体チップ５０１の全体に電源電圧または信号電圧を供給することとしている。しかし、半導体ウェハ５００の周辺部から中心部までの距離が長くなるので、電源電圧を供給する場合は特に、電源用の共通配線５０３の抵抗値が高くなり、電源の電圧降下が大きくなるという問題点があった。この問題を回避するには断面積が大きい配線が必要となる。しかし、この場合、共通配線５０３を配置するスクライブ領域５０４の幅が大幅に増加し製造コストの増大を招くため、実用的ではない。また、半導体チップ５０１の周辺部に電極パッド５０２を形成するためには、半導体ウェハの内部に配置される半導体チップを形成するためのレチクルとは別に、電極パッド５０２のパターンを描画するための専用レチクルを用意する必要がある。そのため、半導体ウェハ製造時におけるレチクルを交換する時間の増大を招くという問題点があった。
【０００４】
このような問題点を解決する技術が特許文献２に記載されている。特許文献２に記載の半導体ウェハは、半導体ウェハに形成された複数の半導体チップを４つのグループに分割し、各半導体チップに半導体装置の駆動電圧を供給するための電源パッドを設けている。この電源パッドは金属配線により共通の電源ラインに電気的に接続され、半導体チップの電源パッドに供給されたストレス電圧は共通の電源ラインを介してグループ内の半導体チップの電源パッドに供給される構成としている。
【０００５】
また特許文献３には、ウェハ上の４つの半導体チップを１露光ショットとするショット領域の４隅に、電源パッドを備えた回路モジュールを配置した半導体装置の製造方法が記載されている。そして特許文献３では、ショット領域内の４個の半導体チップに対しては、電源ラインを共有するように配線することとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−００７７８１号公報（段落「００１７」、図１）
【特許文献２】特開２００１−３２６２６２号公報（段落「００１９」〜「００２７」、図１、図２）
【特許文献３】特開２００９−０６４８９１号公報（段落「００３８」〜「００４２」、図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した特許文献２に記載の半導体ウェハでは、各半導体チップに電源パッドを設ける構成としている。しかしながら、電源パッドのサイズは微細化しているため、大量の電源パッドに正確に電源用検査針（ニードル）を接触させることは困難である。この問題は各半導体チップに十分な大きさの電源パッドを配置し、位置ずれ耐性を持たせることで解決する。しかし、この場合には、各半導体チップの面積が増大することから半導体ウェハ１枚あたりの半導体チップの取れ数が低下し、製造コストが増大するという問題点があった。
【０００８】
また、上述した特許文献３に記載の半導体装置の製造方法においては、ショット領域外周のスクライブライン上に電源パッドを配置することとしているので、ショット領域を挟むスクライブラインの幅が増大する。そのため、半導体ウェハ１枚あたりの半導体チップの取れ数が低下し、製造コストが増大するという問題点があった。
【０００９】
このように、半導体チップを互いに接続する共通配線を備えた関連する半導体ウェハにおいては、半導体ウェハの製造コストが増大するという問題点があった。
【００１０】
本発明の目的は、上述した半導体チップを互いに接続する共通配線を備えた関連する半導体ウェハにおいては、半導体ウェハの製造コストが増大するという課題を解決する半導体ウェハおよび半導体ウェハにおける電圧供給方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の半導体ウェハは、半導体基板と、半導体基板上に規則的に配置された複数の半導体チップと、半導体チップを互いに接続する共通配線と、共通配線に接続された共用電極パッド、とを有し、共用電極パッドは、複数の半導体チップを内包する露光照射領域と同一の規則性をもって配置され、かつ、露光照射領域に含まれる半導体チップを囲む外縁の内部に配置されている。
【００１２】
本発明の半導体ウェハにおける電圧供給方法は、半導体ウェハを構成する複数の半導体チップを内包する露光照射領域と同一の規則性をもって配置され、かつ、露光照射領域に含まれる半導体チップを囲む外縁の内部に配置された共用電極パッドに共用電圧を印加し、各半導体チップと共用電極パッドに接続された共通配線を通して共用電圧を各半導体チップに供給する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の半導体ウェハによれば、半導体チップを互いに接続する共通配線を備えた場合であっても、半導体ウェハの製造コストの増大を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体ウェハの構成を示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る別の半導体ウェハの構成を示す平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体ウェハの検査を説明するための、半導体ウェハの構成を示す平面図およびプローブカードの模式的な断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る半導体ウェハの検査を説明するための、別の半導体ウェハの構成を示す平面図およびプローブカードの模式的な断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る半導体ウェハの構成を模式的に示す平面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る半導体ウェハの構成を模式的に示す平面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る半導体ウェハにおける、ウェハ端近傍の構成を模式的に示す平面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る半導体ウェハにおける、ウェハ端近傍の構成を模式的に示す平面図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係る半導体ウェハの構成を示す平面図およびプローブカードの模式的な断面図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態に係る半導体ウェハの構成を模式的に示す平面図である。
【図１１】関連する半導体ウェハの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。
【００１６】
〔第１の実施形態〕
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体ウェハ１００の構成を示す平面図である。半導体ウェハ１００は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に規則的に配置された複数の半導体チップ１０２と、半導体チップ１０２を互いに接続する共通配線１０３と、共通配線１０３に接続された共用電極パッド１０４、とを有する。ここで、共用電極パッド１０４は、複数の半導体チップ１０２を内包する露光照射領域１０５と同一の規則性をもって配置される。また、共用電極パッド１０４は露光照射領域１０５に含まれる半導体チップ１０２を囲む外縁の内部に配置されている。
【００１７】
このとき、共用電極パッド１０４が配置される領域の大きさを、半導体チップ１０２の大きさと略同一とすることができる。共用電極パッド１０４の大きさは、半導体チップ１０２が備える電極パッドの大きさと異なるように構成することができる。また、共用電極パッド１０４が配置される領域における共用電極パッド１０４の配置位置は、半導体チップ１０２における電極パッドの配置位置と異なるように構成することができる。
【００１８】
図１には、共用電極パッド１０４は半導体チップ１０２と同一の規則性を有する領域の一部に配置された場合を示した。これに限らず、図２に示すように、共用電極パッド１０４は互いに隣接する半導体チップ１０２の間の領域に配置することとしてもよい。ここで、これらの隣接する半導体チップ１０２は同一の露光照射領域１０５に含まれている。
【００１９】
また、半導体ウェハ１００では、共用電極パッド１０４は露光照射領域１０５と同一の規則性をもって配置されている。そのため、共通配線を露光照射領域毎に電気的に分離する構成としても、各共用電極パッド１０４から共通配線を通して各半導体チップ１０２に電圧を供給することができる。
【００２０】
このように本実施形態による半導体ウェハ１００によれば、共用電極パッド１０４は露光照射領域１０５に含まれる半導体チップ１０２を囲む外縁の内部に配置される。すなわち、例えば半導体チップ１０２が形成される領域、または同一の露光照射領域に含まれる隣接する半導体チップの間の領域に、共用電極パッド１０４が配置される。したがって、共用電極パッド１０４に接続される共通配線１０３を備えた場合であっても、各半導体チップの面積、または露光照射領域１０５を挟む領域の面積が増大することを回避できる。以上より、本実施形態によれば、半導体チップを互いに接続する共通配線を備えた場合であっても、半導体ウェハの製造コストの増大を抑制することができる。
【００２１】
次に、本実施形態による半導体ウェハ１００を検査する場合について、詳細に説明する。図３は、半導体ウェハ１００の検査を説明するための半導体ウェハ１００の平面図およびプローブカード１０６の模式的な断面図である。図３に示すように、半導体ウェハ１００内の、例えば縦ｍ個、横ｎ個（ｍ、ｎは整数）の半導体チップ１０２の集合を１つのグループとする。このとき、このグループの大きさが、半導体ウェハ１００を製造するときの露光照射領域（ショットサイズ）と等しくなるようにｍ、ｎの値を選択する。このような構成とすることによって、露光照射領域１０５を特徴づけるマーク（例えば、レチクル位置あわせマーク１０７など）が各グループの同じ座標位置に配置される。半導体ウェハ１００全体のレイアウトは、これらのグループが縦横方向に等間隔に配置された構成となる。
【００２２】
プローブカード１０６を用いて半導体ウェハ１００上の半導体チップ１０２の検査をする場合、プローブカード１０６から検査針（ニードル）１０８を通して電源を供給する必要がある。本実施形態によれば、例えば図３に示すように、各グループ内の半導体チップを形成する領域の中で、少なくとも一の領域を共用電極パッド１０４が配置される領域とし、残りの領域に形成された半導体チップ１０２を被測定チップとすることができる。ここで、共用電極パッド１０４の少なくとも１個に接続された共通配線１０３は、グループ内の全ての被測定チップである半導体チップ１０２に接続されている。この共通配線１０３によって、検査針（ニードル）１０８を通して入力された電源電圧が各半導体チップ１０２に供給される。
【００２３】
また図４に示すように、グループ内の隣接する２つの半導体チップ１０２の境界線（例えば、スクライブ線）上の任意の箇所に共用電極パッド１０４を配置することとしてもよい。
【００２４】
本実施形態によれば、半導体チップ１０２のグループの範囲が露光照射領域１０５と等しくなるので、１種類のレチクルで共用電極パッド１０４と被測定チップとなる半導体チップ１０２の両方を描画することが可能となる。そのため、半導体ウェハの製造時間を短縮することができる。
【００２５】
また、本実施形態によれば、半導体チップ１０２と共用電極パッド１０４との配線長は、露光照射領域１０５の外周の長さの２分の１（対角に位置する場合）以下となる。一般にレチクルの露光照射領域（ショットサイズ）は半導体ウェハサイズの１／１０程度であるため、半導体ウェハ周辺部に共用電極パッドを配置する場合に比べ、共通配線１０３の配線長を短くすることができる。その結果、配線抵抗を低減させ、電源電流が流れた場合の電圧降下を縮小することができる。
【００２６】
また、本実施形態の図１、３に示した構成では、共用電極パッド１０４を半導体チップが形成される領域の一つに配置することとしている。そのため、共用電極パッド１０４のサイズを数１００μｍと大きくした場合であっても、他の領域の半導体チップ１０２のサイズには影響を及ぼさない。一方、検査針（ニードル）の共用電極パッドに対する位置ずれの許容量は、共用電極パッドの大きさに比例する。したがって、本実施形態によれば、半導体ウェハ１枚あたりの半導体チップの取れ数の低下を招くことなく共用電極パッド１０４のサイズを拡大でき、検査針（ニードル）の位置ずれに対する耐性を高めることができる。この結果、プローブカードの設計が容易になるとともに、半導体チップ当たりの製造コストの増加を抑制することができる。
【００２７】
また本実施形態では、共用電極パッド１０４を設け、半導体チップ１０２には検査針（ニードル）を接触させない構成としているため、半導体チップ１０２の電源パッドに針跡が残るという問題は生じない。これに対して、特許文献２に記載の半導体ウェハでは、検査針（ニードル）を接触させた半導体チップの電源パッドには検査針（ニードル）の跡が残る。そのため、半導体チップをパッケージ化する際に、針跡のある電源パッドに半田を接合することとなり、接触不良が生じる可能性が高くなる、という問題があった。
【００２８】
〔第２の実施形態〕
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図５は、本発明の第２の実施形態に係る半導体ウェハ２００の構成を模式的に示す平面図である。半導体ウェハ２００は、半導体チップ２０２と共通配線２０３との間に、半導体チップ２０２と共通配線２０３との接続の制御を行う遮断回路２０６を半導体チップ２０２毎に備えている点が、第１の実施形態の半導体ウェハ１００と異なる。ここで、遮断回路２０６はそれぞれ制御線２０７に接続されている。
【００２９】
本実施形態によれば、一の半導体チップに対して共通配線２０３を通して所望の電圧に設定できない場合には、その半導体チップ２０２と共通配線２０３との接続を遮断回路２０６によって遮断することができる。それによって、他の半導体チップに対しては所望の電圧に設定することが可能となる。すなわち、複数の半導体チップが共通配線２０３を共有することから、例えば一の半導体チップにおいて電源とグランド間が短絡すると、他の半導体チップにおいても所望の電圧に設定することができない場合が生じ得る。しかし、本実施形態によれば、上述の理由により、このような状態を回避することができる。
【００３０】
次に、本実施形態による半導体ウェハ２００について詳細に説明する。遮断回路２０６は、制御線２０７を通して送られる制御信号に基づいて、被測定チップ領域２１０の半導体チップ２０２に共通配線２０３から電源電圧を供給するか、あるいは遮断するかを制御する。このとき、遮断回路２０６は制御信号を保存するシフトレジスタ２０８を備えることができる。
【００３１】
共用電極パッドを配置する共用電極パッド領域２２０には、電源電圧を供給するための第１の共用電極パッド２２１に加えて、第２の共用電極パッド２２２と第３の共用電極パッド２２３が備えられている。ここで、第２の共用電極パッド２２２はシフトレジスタ２０８を駆動するためのクロック信号を供給するためのものであり、第３の共用電極パッド２２３は制御信号を供給するためのものである。第１、第２および第３の共用電極パッドにプローブカードの検査針（ニードル）が接触することによって、各信号が供給される。
【００３２】
制御信号の分配は、例えば、各被測定チップ領域２１０に配置されたシフトレジスタ２０８をそれぞれ数珠繋ぎ状に接続することにより行うことができる。つまり、第２の共用電極パッド２２２からクロック信号が入力される毎に、制御線２０７を通して隣接するシフトレジスタ２０８にデータが送出される構成とすることができる。このときクロックごとに第３の共用電極パッド２２３に入力するデータを設定することによって、各被測定チップ領域２１０のシフトレジスタ２０８の値を所望の値に設定することができる。
【００３３】
具体的には、例えば次のように設定することができる。図５において、例えば第１の被測定チップ領域２１１における半導体チップ２０２だけを遮断する場合、制御信号として「０１１」を順次送出する。ここでは、半導体チップ２０２と共通配線２０３を接続する場合をデータ「１」に対応させ、遮断する場合はデータ「０」に対応させている。シフトレジスタ２０８を用いてデータを数珠繋ぎに送出する場合、第１の被測定チップ領域２１１のシフトレジスタ２０８には「０」が格納され、第２の被測定チップ領域２１２および第３の被測定チップ領域２１３に配置されたシフトレジスタ２０８にはそれぞれ「１」が格納される。このようにすることにより、第１の被測定チップ領域２１１における半導体チップ２０２だけを遮断することができる。
【００３４】
なお、一の半導体チップ２０２おいて電源とグランド間で短絡が検出された場合、その半導体チップ２０２において共通配線２０３との接続が遮断状態となるように、制御信号を再度入力しなおすことができる。短絡状態の検出は、例えば、半導体チップ２０２に流れる電流をモニタすることにより行うことができる。
【００３５】
以上述べたように、本実施形態の半導体ウェハ２００では、各半導体チップ２０２は電源の供給または遮断を行う遮断回路２０６を備えているので、半導体チップ２０２に電源−グランド間などで短絡が検出された場合であっても、他の半導体チップ２０２の検査が可能となる。
【００３６】
〔第３の実施形態〕
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図６は、本発明の第３の実施形態に係る半導体ウェハ３００の構成を模式的に示す平面図である。半導体ウェハ３００は、識別番号出力回路３３１と、比較回路３３２と、選択信号配線３３３を、半導体チップ３０２が配置された被測定チップ領域３１０毎にさらに備えている点において、第２の実施形態の半導体ウェハ２００と異なる。また、共用電極パッドを配置する共用電極パッド領域３２０には、選択信号配線３３３に接続された第４の共用電極パッド３２４をさらに備えている。この第４の共用電極パッド３２４を通してチップ選択信号が入力される。
【００３７】
ここで、識別番号出力回路３３１は半導体チップ３０２に固有のチップ番号を出力する。例えば、第Ｔ番目の半導体チップ３０２が配置された被測定チップ領域３１０の識別番号出力回路３３１は、数値「Ｔ」を出力するとすることができる。具体的には例えば、ビット数分のバッファ回路を用い、バッファ回路の一端を電源電圧に接続する（例えば「１」に対応）か、またはグランドに接続する（例えば「０」に対応）ことにより識別番号出力回路３３１を構成することができる。
【００３８】
比較回路３３２は識別番号出力回路３３１と選択信号配線３３３とに接続され、選択信号配線３３３を通して得られるチップ選択信号とチップ番号を比較した結果を出力信号として出力する。また比較回路３３２はレジスタ３０８を介して遮断回路３０６と接続される。比較回路３３２は比較結果である出力信号をレジスタ３０８に出力し、レジスタ３０８はこの出力信号に応じて制御線３０７から制御信号を入力する。遮断回路３０６は、制御信号に応じて半導体チップ３０２と共通配線３０３との接続を制御する。
【００３９】
次に、本実施形態による半導体ウェハ３００を検査する場合について、詳細に説明する。チップ選択信号が例えば「１」であるとする。この場合、第１の被測定チップ領域３１１に配置された比較回路３３２は、チップ番号とチップ選択信号が一致するので、例えばハイレベル信号を出力する。このときのハイレベル信号の入力を契機として、レジスタ３０８はクロック信号に同期して制御線３０７から制御信号を取得する。同様にして、チップ選択信号が「２」である場合には、第２の被測定チップ領域３１２に配置されたレジスタ３０８が制御信号を取得する。つまり、チップ選択信号が「Ｔ」である場合、第Ｔ番目の被測定チップ領域に配置されたレジスタ３０８が制御信号を取得する。その結果、チップ選択信号で指定された半導体チップ３０２と共通配線３０３との接続を制御することができる。
【００４０】
次に、本実施形態による効果について説明する。第２の実施形態に係る半導体ウェハ２００においては、半導体ウェハ２００のウェハ端２０９の近傍に配置された半導体チップ２０２には、制御信号が分配できない場合があり得る。つまり、図７に示すように、ウェハ端２０９の近傍においては、露光照射領域１０５に含まれる一部の半導体チップがウェハ端２０９からはみ出す場合があり得る。半導体ウェハ２００の構成では、各被測定チップ領域２１０に配置されたシフトレジスタ２０８をそれぞれ数珠繋ぎ状に接続することにより、制御信号を分配することとしている。そのため、制御線２０７の一部が遮断された場合には、露光照射領域１０５に含まれる全ての半導体チップに制御信号を分配することができない。図７に示した例では、被測定チップ領域１〜５には制御信号が分配できないことになる。
【００４１】
それに対して本実施形態による半導体ウェハ３００によれば、図８に示すように、バス状に配置された制御線３０７と選択信号配線３３３により、シフトレジスタを介することなく制御信号とチップ選択信号とを分配することができる。したがって、ウェハ端３０９によって一部の経路が遮断された場合であっても、残り全ての半導体チップにこれらの信号を伝達することができる。このように本実施形態によれば、遮断回路３０６を制御する制御信号はバス型の配線により分配されるので、ウェハ端の近傍など露光照射領域に含まれる一部の半導体チップがウェハ領域から外れた場合であっても、電源を供給または遮断する制御が可能となる。
【００４２】
〔第４の実施形態〕
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。図９は、本発明の第４の実施形態に係る半導体ウェハ４００の平面図およびプローブカード４４０の模式的な断面図である。半導体ウェハ４００は、第２の実施形態による半導体ウェハ２００と同様に、規則的に配置された複数の半導体チップ４０２と、半導体チップ４０２を互いに接続する共通配線４０３と、共通配線４０３に接続された共用電極パッド４０４、とを有する。共用電極パッド４０４は露光照射領域４０５に含まれる半導体チップ４０２を囲む外縁の内部に配置されている。また、半導体チップ４０２毎に半導体チップ４０２と共通配線４０３との接続の制御を行う遮断回路４０６を備えている。
【００４３】
本実施形態による半導体ウェハ４００は、信号を非接触方式で伝送する第１の非接触送受信部４４１を半導体チップ４０２毎に備える点で、第２の実施形態による半導体ウェハ２００と異なる。ここで遮断回路４０６は第１の非接触送受信部４４１を介して取得した制御信号に基づいて半導体チップ４０２と共通配線４０３との接続の制御を行う。
【００４４】
次に、本実施形態による半導体ウェハ４００を検査する場合について説明する。半導体ウェハ４００の検査にはプローブカード４４０を用いる。図９に示すように、プローブカード４４０上には検査針（ニードル）４０８に加えて検査用ＬＳＩ４４２が備えられている。検査用ＬＳＩ４４２は、半導体ウェハ４００に配置された第１の非接触送受信部４４１との間で信号の送受を非接触で行う第２の非接触送受信部４４３を有する。この構成により、半導体ウェハ４００とプローブカード４４０との間で、遮断回路４０６の制御信号を非接触方式で伝送することが可能となる。
【００４５】
本実施形態によれば、ウェハ端によって露光照射領域に含まれる一部の半導体チップがウェハ領域の外部に配置される場合であっても、残り全ての半導体チップについて電源の供給または遮断の制御が可能となる。
【００４６】
図１０に、本実施形態による半導体ウェハ４００の構成を模式的に示す。各半導体チップ４０２に第１の共用電極パッド４２１を通して電源電圧が供給される。本実施形態によれば、第１の非接触送受信部４４１の出力信号レベルに応じて、被測定チップ領域４１０毎に電源電圧の供給を制御することができる。本実施形態によれば、第２の実施形態による半導体ウェハ２００と異なり、シフトレジスタを駆動するためのクロック信号を供給する配線および制御信号を供給する制御線が不要となる。さらに、各信号を供給するための共用電極パッドも不要となるので、各被測定チップ領域４１０に加え共用電極パッド領域４２０の面積も縮小でき、半導体ウェハの製造コストの増大を抑制することができる。
【００４７】
本発明は上記実施形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で、種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれるものであることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００４８】
１００、２００、３００、４００    半導体ウェハ
１０１    半導体基板
１０２、２０２、３０２、４０２    半導体チップ
１０３、２０３、３０３、４０３    共通配線
１０４、４０４    共用電極パッド
１０５、４０５    露光照射領域
１０６、４４０    プローブカード
１０７    レチクル位置あわせマーク
１０８、４０８    検査針（ニードル）
２０５    被測定回路
２０６、３０６、４０６    遮断回路
２０７、３０７    制御線
２０８    シフトレジスタ
２０９、３０９    ウェハ端
２１０、３１０、４１０    被測定チップ領域
２１１、３１１    第１の被測定チップ領域
２１２、３１２    第２の被測定チップ領域
２１３    第３の被測定チップ領域
２２０、３２０、４２０    共用電極パッド領域
２２１、４２１    第１の共用電極パッド
２２２    第２の共用電極パッド
２２３    第３の共用電極パッド
３０８    レジスタ
３２４    第４の共用電極パッド
３３１    識別番号出力回路
３３２    比較回路
３３３    選択信号配線
４４１    第１の非接触送受信部
４４２    検査用ＬＳＩ
４４３    第２の非接触送受信部
５００    半導体ウェハ
５０１    半導体チップ
５０２    電極パッド
５０３    共通配線
５０４    スクライブ領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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