(57)【要約】【課題】精度よく半導体レーザの発光量を制御できる半導体レーザ駆動装置、及びそれを備えた画像形成装置を提供することを目的とする。さらには、半導体レーザの発光量を高い精度でかつより細かいタイミングで制御できる半導体レーザ駆動装置、及びそれを備えた画像形成装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体レーザ駆動装置は、半導体レーザ（ＬＤ）の発光強度を制御するための発光強度切替情報を記憶する記憶手段（１６、１７、１８）と、記憶手段に記憶された発光強度切替情報に基づき、半導体レーザの発光強度を設定する発光強度設定手段（１９ａ）と、発光強度設定手段により設定された発光強度に基づき半導体レーザの駆動電流を生成して、半導体レーザに出力する駆動手段（１３）とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動装置であって、
半導体レーザの発光強度を制御するための発光強度切替情報を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された発光強度切替情報に基づき、半導体レーザの発光強度を設定する発光強度設定手段と、
前記発光強度設定手段により設定された発光強度に基づき半導体レーザの駆動電流を生成して、半導体レーザに出力する駆動手段と
を備えた半導体レーザ駆動装置。
【請求項２】
前記記憶手段は、前記発光強度切替情報として、所定の周期を持つ信号を逓倍して、その信号より高い周波数を持つクロック信号を生成するための情報を記憶する、ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ駆動装置。
【請求項３】
前記記憶手段は、前記発光強度切替情報として、複数の発光強度レベルを示す情報を記憶する、ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ駆動装置。
【請求項４】
前記記憶手段は、前記発光強度切替情報として、各発光強度レベルを切り替えるタイミングを示す情報を記憶する、ことを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ駆動装置。
【請求項５】
前記記憶手段は不揮発性メモリであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体レーザ駆動装置。
【請求項６】
前記発光強度設定手段と前記駆動手段とが１つの半導体素子に集積化される、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体レーザ駆動装置。
【請求項７】
請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体レーザ駆動装置を備えた画像形成装置
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザの駆動装置及びその半導体レーザ駆動装置を備えた画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザは、小型・安価で電流を流すだけで容易にレーザ光を得ることができるため、プリンタや、光ディスク、光通信等の分野で広く用いられている（例えば特許文献１参照）。しかしながら、半導体レーザは発光量が温度依存性を有するので、一定の光量を得るためには特別な光量制御が必要である。一般にこの光量制御はＡＰＣ（Automatic Power Control）と呼ばれている（例えば特許文献２、３参照）。
【０００３】
ＡＰＣは、半導体レーザの実際の駆動に先立って半導体レーザを駆動してその発光量を温度依存なく電流に変換できる受光素子で受光し、受光素子の出力が所定のレベルになる電流値を記憶手段に記憶しておくことで、安定した発光量を得ることができるように制御するものである。
【０００４】
半導体レーザを光源とするプリンタや複写機の分野では、高解像度化と高速化の要求が強くなってきている。レーザのビーム数が１本である場合、解像度やプリント速度を上げるために変調速度を上げる必要があった。しかし、入力画像データに応じて半導体レーザの駆動をオン／オフ制御する速度である変調速度には限度があった。したがって、変調速度を上げずに解像度やプリント速度を上げるには、レーザ光のビーム数を増やすしかなかった。 
【０００５】
レーザ光のビーム数を例えば４本にした場合は、変調速度とプリント速度が１本の場合と同じであると仮定すると、主走査及び副走査方向（横縦方向）の解像度を２倍に向上させることができる。 解像度が同じである場合は、プリント速度を４倍近くに上げられる可能性がある。
【０００６】
光源として使用される半導体レーザとして、レーザ光が活性層と平行な方向に取り出される構造をなす端面発光型レーザ素子（以下、端面発光レーザと呼ぶ）が主に使われる。端面発光レーザの場合、ビーム数が１、２又は４本のマルチビームレーザがプリンタや複写機に使用されている。マルチビームレーザのレーザ間の光軸は安定しているため、複数のビームが必要な場合は、シングルレーザを機器上で個別に調整するよりも、マルチビームレーザを使用する方がレーザ間の光軸調整が容易になる。 
【０００７】
通常、端面発光レーザは、レーザユニット内部に受光素子を１つだけ有している。端面発光レーザは、レーザ光として利用されるフロント側の出射パワーに比例したバック出射を発生し、このバック出射を内蔵した受光素子で受けて、受光量に略比例したモニター電流を発生する。マルチビームレーザの場合、同じフロント出射パワーであっても、発生するモニター電流の値は個体差等によりビーム間で若干異なる。
【０００８】
図１０に電子写真プロセスを利用したレーザプリンタ、デジタル複写機等の従来の画像形成装置の構成を示す図。 
【０００９】
光源である半導体レーザユニット１（端面レーザユニット）から発光されたレーザビーム（走査ビーム）は、高速で定速回転するポリゴンミラー２（多面鏡）で偏向走査（スキャン）され、走査レンズ３（ｆθレンズ）を介して被走査媒体である感光体４上に光スポットを形成する。
【００１０】
偏向されたレーザビームは、感光体４が回転する方向（副走査方向）と直交する方向（主走査方向）に露光走査され、画像信号のライン単位の記録を行う。
【００１１】
感光体４の一端近傍のレーザビームが照射される位置に、主走査同期信号を発生するビームセンサ５が配置されている。画像制御ユニット６は主走査同期信号に同期したＡＰＣタイミング信号と画像データを生成し、レーザ駆動装置７はＡＰＣタイミングに基づいたパワー制御を行うと共に画像データに同期した半導体レーザＬＤの発光を行う。
【００１２】
このように、画像制御ユニット６により生成された画像データとＡＰＣタイミングに従い、レーザ駆動装置７を介して半導体レーザＬＤの発光タイミングを制御し、感光体４の回転速度と記録密度に対応した所定の周期で主走査を繰り返すことによって、感光体４の表面上に画像(静電潜像)を形成することができる。
【００１３】
マルチビームレーザを用いた電子写真プロセスの場合、レーザユニット１を構成するレンズの透過率や反射率の違いにより、各ビームの発光量は同じであっても、感光体４上でのパワーが異なる。すなわち、感光体４上でのパワーを同じにするには、各ビームの発光量を個別に設定する必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
図１０に示す画像形成装置において、レーザ駆動装置７、レーザユニット１、並びにポリゴンミラー２及び走査レンズ３等の光学ユニットは、レーザースキャンユニット(以下「「ＬＳＵ」という)として構成される。半導体レーザＬＤを高速駆動できるようにレーザ駆動装置７とレーザユニット１は、図１１に示すように、通常同じボード(以下「ＬＤボード」という)上で直近に配置される。ＬＤボードはＬＳＵの隙間に配置できるようにできるだけ小さな形状に構成される。これに対して、画像制御ユニット６は、CPU、RAM、ROM、画像メモリ等が搭載されたメインボード上に搭載される。
【００１５】
レーザ駆動装置７（ＬＤボード）と画像制御ユニット６（メインボード）との間は、通常１ｍ以上のケーブルを介して接続される。そして、メインボードからケーブルを介して電源及びグランド（ＧＮＤ）電位がＬＤボードに供給される。電源及びグランドラインはレーザ駆動装置７の消費電流と、半導体レーザＬＤの駆動電流を伝送するため、ケーブルの抵抗により電位降下や電位上昇を発生する。このため、画像制御ユニット６で発生する電位とレーザ駆動装置７で受ける電位はＤＣ的に差がある。また、画像形成時のレーザ点灯／消灯動作による電流変動によってもＬＤボード上の電源及びグランド電位は変動する。このように、ＤＣ的及びＡＣ的に電位変動があるため、光量設定値に対する実際の発光量に誤差が生じるという問題がある。
【００１６】
また、近年、画像形成装置の低コスト化、高画質化のために半導体レーザの発光量をより細かいタイミングで制御したいという要望がある。
【００１７】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、精度よく半導体レーザの発光量を制御できる半導体レーザ駆動装置、及びそれを備えた画像形成装置を提供することを目的とする。さらには、本発明は、半導体レーザの発光量を高い精度でかつより細かいタイミングで制御できる半導体レーザ駆動装置、及びそれを備えた画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明に係る半導体レーザ駆動装置は、半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動装置であって、半導体レーザの発光強度を制御するための発光強度切替情報を記憶する記憶手段と、記憶手段に記憶された発光強度切替情報に基づき、半導体レーザの発光強度を設定する発光強度設定手段と、発光強度設定手段により設定された発光強度に基づき半導体レーザの駆動電流を生成して、半導体レーザに出力する駆動手段とを備える。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、半導体レーザ駆動装置内に半導体レーザの発光強度を制御するための発光強度切替情報を記憶し、その情報に基づき半導体レーザの発光強度を制御する。このように、半導体レーザ駆動装置内部で発光強度を制御できる。このため、外部すなわち画像制御ユニットから半導体レーザの発光強度を制御される必要がなく、よって、画像制御ユニットからケーブルを介して半導体レーザＬＤの駆動電流を伝送する必要がないため、ケーブルの抵抗による電位降下、電位上昇の影響を受けず、安定したレーザ発光強度の制御が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態のレーザ駆動装置の概念を説明した図である。
【図２】本発明の実施の形態１のレーザ駆動装置の概略構成図である。
【図３】実施の形態１のレーザ駆動装置の駆動手段の具体的構成を示す図である。
【図４】半導体レーザにおける駆動電流に対する発光量の特性を示す図である。
【図５】実施の形態１のレーザ駆動装置のタイミングチャートである。
【図６】実施の形態１のレーザ駆動装置高速分割方式を用いた画像形成装置に適用した場合のタイミングチャートである。
【図７】本発明の実施の形態２のレーザ駆動装置の概略構成図である。
【図８】実施の形態２のレーザ駆動装置のタイミングチャートである。
【図９】本発明の実施の形態３のレーザ駆動装置の概略構成図である。
【図１０】従来及び本発明の実施形態のレーザ駆動装置を備えた画像形成装置の構成図である。
【図１１】従来のレーザ駆動装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態のレーザ駆動装置の概念を説明した図である。前述のように従来のレーザ駆動装置７（図１１参照）では、半導体レーザＬＤの発光強度を設定する情報は画像制御ユニット６からアナログ電圧でレーザ駆動装置７に送信されていた。これに対して、本発明の実施形態では、発光強度を決定するためのアナログ電圧を生成する手段（ＤＡＣ：デジタル−アナログコンバータ）をレーザ駆動装置７ｘ内に備える。これにより、画像制御ユニット６とレーザ駆動装置７ｘ間のケーブル抵抗による電位降下、電位上昇の影響を受けずに安定したレーザ発光強度の制御が可能となる。
【００２２】
以下、本発明に係るレーザ駆動装置の実施の形態をより具体的に説明する。なお、以下の各実施形態で説明する画像形成装置は、各実施形態で説明するレーザ駆動装置を図１０に示した従来の画像形成装置の構成に組み込んで構成される。
【００２３】
実施の形態１
１．レーザ駆動装置の構成
図２を参照し、実施の形態１のレーザ駆動装置の構成を説明する。レーザ駆動装置７ａは半導体レーザの発光量を検出する光量検出手段１１と、光量検出手段１１により検出された発光量と画像データに基づき半導体レーザＬＤの駆動電流を生成し、制御する駆動手段１３とを備える。
【００２４】
さらに、レーザ駆動装置７ａは、内部クロックを生成するＰＬＬ回路１５と、発光強度の切替タイミングを設定するための情報を格納する発光強度切替タイミングレジスタ１６と、発光強度レベルを設定するための情報を格納する発光強度レジスタ１７と、ＡＰＣを実行する際の同期信号であるＡＰＣ信号を生成するための情報を格納するＡＰＣタイミングレジスタ１７とを備える。
【００２５】
さらに、レーザ駆動装置７ａは、発光強度レベルを設定する発光強度設定手段１９ａと、ＡＰＣ信号を生成するためのＡＰＣ信号生成手段２０と、発光強度を示すアナログ電圧を生成するデジタルアナログコンバータ（以下「ＤＡＣ」と称す。）２１と備える。
【００２６】
光量検出手段１１は受光素子と抵抗を備える（図３参照）。受光素子は半導体レーザＬＤの発光量に応じたモニタ電流を発生し、発生したモニタ電流が抵抗で電圧に変換されて駆動手段に出力される。
【００２７】
駆動手段１３について図３を用いて説明する。駆動手段１３は、半導体レーザＬＤの駆動電流を生成し、制御し、電圧電流変換手段３１と、ＤＡＣ３２、３３と、コンパレータ３４と、ＩthＩη検出制御手段３５とを有する。ＩthＩη検出制御手段３５は、半導体レーザのしきい値電流Ｉthと発光電流Ｉηを検出し、ＤＡＣ３２に発光電流Ｉηに対応するコードを出力し、ＤＡＣ３３にしきい値電流Ｉthに対応するコードを出力する。
【００２８】
しきい値電流Ｉthと発光電流Ｉηについて説明する。図４は、半導体レーザＬＤの駆動電流に対する発光量の特性を示した図である。同図のように、半導体レーザＬＤは、ある電流値を境として急激に発光し始める。半導体レーザLDが急激に発光し始めるときの電流がしきい値電流Ｉｔｈである。また、所望のレーザ出力に必要となるしきい値電流Ｉｔｈ以上の領域の電流を発光電流Ｉηとする。半導体レーザLDにおける発光電流Ｉηと発光量は比例関係にある。通常、半導体レーザ駆動装置では、画像を形成しない期間も定常的にバイアス電流Ｉｂｉを供給する。バイアス電流Ｉｂｉは、しきい値電流Ｉｔｈよりも若干小さい値に設定される。
【００２９】
ＩthＩη検出制御手段３５は、コンパレータ３４を介して実際のレーザ出力状態を検知しながらしきい値電流Ｉｔｈと発光電流Ｉηを個別に検出し、これらの電流値を発光強度（ＤＡＣ２１により生成、詳細は後述）に基づき適宜調整する。具体的には、消灯点灯にかかわらず常時Ｉｂｉ（＝Ｉｔｈ）を流し、点灯時にＩｓｗ（＝Ｉη）を加算する構成となっている。画像形成時は、ＤＡＣ３２により生成されたしきい値電流Ｉｔｈと、ＤＡＣ３３により生成された発光電流Iηとが加算されて出力されるようになっている。
【００３０】
また、発光電流Iηを生成するＤＡＣ３３には、電圧電流変換手段３１を介してＤＡＣ２１からの発光強度に対応した電流が供給され、これによりＤＡＣ３３のアナログ変換値の電流値がＤＡＣ２１からの発光強度に応じて設定される。
【００３１】
次に、各レジスタ１６〜１８について説明する。
発光強度切替タイミングレジスタ１６は、発光強度の切替タイミングを設定するための情報を格納する。この情報は、例えばレーザ駆動装置７ａに対する電源投入時に画像制御ユニット６から取得され、発光強度切替タイミングレジスタ１６に格納される。この情報は、ある発光強度が維持される期間を示す情報であり、例えば、内部クロックのカウント数で表される。
【００３２】
発光強度レジスタ１７は発光強度レベルを設定するための情報を格納し、複数の発光強度レベルに対する設定情報を格納する。
【００３３】
ＡＰＣタイミングレジスタ１８は、ＡＰＣ信号を生成するための情報を格納する。この情報は、ＡＰＣ信号の周期を示す情報であり、例えば、内部クロックのカウント数で表される。
【００３４】
以上のように構成されるレーザ駆動装置において、駆動手段１３は半導体レーザＬＤに駆動電流を供給し、半導体レーザＬＤを発光させる。その際、光量検出手段１１により半導体レーザＬＤの光量が検出され、検出結果が駆動手段１３に入力される。駆動手段１３は検出結果に基づき半導体レーザＬＤの発光量が所望の値になるように駆動電流を制御する。
【００３５】
２．発光強度の設定動作
図５を参照し、本実施形態のレーザ駆動装置７ａの半導体レーザＬＤの発光強度の設定動作について説明する。図５は、本実施形態のレーザ駆動装置７ａにおける半導体レーザの発光強度の設定動作におけるタイミングチャートである。なお、図５において、同期検知信号は、半導体レーザＬＤの感光体４上の主走査方向の照射位置を認識するためのビームセンサ７から出力される主走査同期信号である。
【００３６】
発光強度レジスタ１７には発光強度レベルを設定するための情報として、図５の例では、４とおりの発光強度ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４をそれぞれ示す値が格納されている。
【００３７】
発光強度切替タイミングレジスタ１６には、各発光強度の切替タイミングを設定するための情報として、図５の例では、発光強度ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４に対応する時間ｔ３、ｔ４、ｔ５、ｔ６、ｔ７に対応する内部クロックのカウント数がそれぞれ格納されている。
【００３８】
ＡＰＣタイミングレジスタ１８には、ＡＰＣ信号を生成するための情報として、図５の例では、時間ｔ１、ｔ２に対応する内部クロックのカウント数が格納されている。
【００３９】
発光強度の切替タイミングを設定するための情報、発光強度レベルを設定するための情報、ＡＰＣ信号を生成するための情報は、レーザ駆動装置７ａの電源投入時に画像制御ユニット６から各レジスタ１６、１７、１８に送信される。その後は、各レジスタ１６、１７、１８からこれらの情報が読み出されて半導体レーザの発光量の制御に使用される。
【００４０】
ＰＬＬ回路１５は、所定の周期を持つ基準クロックを入力し、それを逓倍して高い周波数の内部ロックを生成する。
【００４１】
ＡＰＣ信号生成手段２０は、ＡＰＣタイミングレジスタ１８からＡＰＣ信号を生成するための情報を読み出し、その情報と、基準クロック及び内部クロックに基づきＡＰＣ信号を生成する。例えば、図５の例では、ＡＰＣタイミングレジスタ１８に、時間ｔ１に対応する内部クロックのカウント数ｍと、時間ｔ２に対応する内部クロックのカウント数ｎが格納されている場合、ＡＰＣ信号生成手段２０は、基準クロックが立ち下がった時点からカウントを開始し、内部クロックをｍ個カウントするまでは（すなわち時間ｔ１の間）Ｈｉｇｈとなり、その後内部クロックがｎ個カウントされる間（すなわち時間ｔ２の間）ＬｏｗになるようなＡＰＣ信号を生成する。
【００４２】
発光強度設定手段１９ａは、発光強度切替タイミングレジスタ１６から得られる発光強度の切替タイミングの情報と、基準クロックと、内部クロックと、に基づき発光強度の切替タイミングを決定する。同時に、発光強度設定手段１９ａは、発光強度レジスタ１７から発光強度レベルに関する情報を読み出す。発光強度設定手段１９ａは、決定した切替タイミングに応じた発光強度レベルを示す情報（デジタル信号）を切替タイミングに基づき切替ながらＤＡＣ２１に出力する。例えば、図５において、基準クロックの立ち下がりから時間ｔ３経過後に発光強度をＰ１に設定し、その後時間ｔ４経過後にＰ２に切り替えるというように発光強度が切り替えられる。時間ｔ３、ｔ４等は、発光強度切替タイミングレジスタ１６から得られるクロック数に基づいて決定される。
【００４３】
ＤＡＣ２１は、発光強度設定手段１９ａから出力された発光強度レベル（コード値）に基づき発光強度に対応したアナログ電圧信号を生成し、駆動手段１３に出力する。
【００４４】
以上のように、本実施形態のレーザ駆動装置７ａによれば、画像制御ユニット６から独立してレーザ駆動装置７ａ内部で半導体レーザＬＤの駆動電流を設定できる。すなわち、従来のように画像制御ユニット６を搭載したメインボード側からケーブルを介してＬＤボード上のレーザ駆動装置７ａに半導体レーザＬＤの駆動電流を伝送する必要がないため、ケーブルの抵抗による電位降下や電位上昇の影響を受けず、精度のよい発光量制御が可能となる。
【００４５】
３．高速分割方式への適用例
高速分割方式とは、１主走査ライン中に２画像分の画像データの出力を可能とするものであり、１つの光源からのレーザ光をハーフミラーを介して２つの光に分離し、１組の半導体レーザ素子とレーザ駆動装置で、２色分（２つ）の感光体への感光処理を可能とする方式である。なお、ポリゴンミラー以後の要素は色毎に２組設ける。この方式の場合、従来の１主走査の画像領域の期間の前半を例えばＹ（イエロー）、後半をＭ（マゼンタ）の感光体に照射する。一般に色毎に発光強度が異なるので、ＹとＭとの間でも発光強度を異ならせる必要があり、そのため主走査１ラインの途中で発光強度を変更する必要がある。特に、高速分割方式の場合、主走査１ライン中、ＡＰＣ、同期検知、画像１（Ｙ）、画像２（Ｍ）の計４種類の発光強度を設定する必要がある。
【００４６】
このような場合であっても、本実施形態のレーザ駆動装置は、発光強度切替タイミングレジスタ１６、発光強度レジスタ１７に、所望の発光強度に関して、切替タイミング及び強度レベルの情報を格納しておくことで発光強度を容易に設定することができる。
【００４７】
図６に、本実施の形態のレーザ駆動装置７ａを、高速分割方式を用いた画像形成装置に適用した場合のタイミングチャートを示す。同図に示すように、主走査１ライン中、Ｙ画像用の発光強度と、Ｍ画像用の発光強度とがそれぞれ設定されている。
【００４８】
通常同期検知点灯の前にＡＰＣ動作が実行される。ＡＰＣで所望の発光量に正確に調整した後同期検知信号が得られる。同期検知時の半導体レーザＬＤの光量が変動すると、信号の鈍りにより同期タイミングに誤差を生じる。このため、半導体レーザＬＤの光量を同期検知の直前に調整する。なお、同期検知用の光量を最も大きくする。
【００４９】
ＡＰＣ実行時の光量は２色の画像データ出力時の発光量の平均値としている。これは、発光強度信号と発光量が比例する回路構成にしていても、若干の誤差が生じるため、ＡＰＣ実行時の発光強度に対し、ＡＰＣ実行時の発光量と画像領域での発光量との差をできるだけ小さくしておくことが望ましいためである。
【００５０】
実施の形態２
実施の形態１のレーザ駆動装置７ａは、基準クロックに基づき内部クロック及びＡＰＣ信号を生成し、それらに基づき発光強度及び発光強度切替タイミングを制御していた。これに対して、実施の形態２のレーザ駆動装置は、画像制御ユニット６からＡＰＣ信号を入力し、このＡＰＣ信号に基づき発光強度及び発光強度切替タイミングを制御する。
【００５１】
図７は、実施の形態２のレーザ駆動装置の構成を説明した図である。図８は、実施の形態２のレーザ駆動装置７ｂにおける半導体レーザの発光強度の設定動作におけるタイミングチャートである。以下、実施の形態２のレーザ駆動装置において実施の形態１のレーザ駆動装置７ａと構成上、動作上異なる点についてのみ説明する。
【００５２】
本実施形態のレーザ駆動装置７ｂは、ＡＰＣタイミングレジスタ１８及びＡＰＣ信号生成手段２０を備えていない。これは、ＡＰＣ信号は画像制御ユニット６から入力するために内部で生成する必要がないからである。
【００５３】
発光強度設定手段１９ｂは、発光強度切替タイミングレジスタ１６から得られる発光強度の切替タイミングの情報と、内部クロックと、ＡＰＣ信号とに基づき発光強度の切替タイミングを決定する。同時に、発光強度設定手段１９ｂは、発光強度レジスタ１７から発光強度レベルに関する情報を読み出す。発光強度設定手段１９ｂは、決定した切替タイミングに応じた発光強度レベルを示す情報（デジタル信号）を、切替タイミングに基づき切替ながらＤＡＣ２１に出力する。
【００５４】
例えば、図８において、ＡＰＣ信号の立ち下がりから時間ｔ１経過後に発光強度をＰ２に設定し、その後時間ｔ２経過後にＰ３に切り替えるというように発光強度が切り替えられる。ここで、時間ｔ１、ｔ２等は、発光強度切替タイミングレジスタ１６から得られるクロック数に基づいて決定される。
【００５５】
本実施形態の構成によっても、実施の形態１と同様の効果が得られ、さらに、実施の形態１よりもより簡単な構成でレーザ駆動装置７ｂを実現できる。
【００５６】
実施の形態３
図９は、レーザ駆動装置のさらに別の構成を示した図である。図９に示す構成は、図２に示す実施の形態１のレーザ駆動装置７ａにおける発光強度切替タイミングレジスタ１６、発光強度レジスタ１７及びＡＰＣタイミングレジスタ１８、または、図７に示す実施の形態２のレーザ駆動装置７ｂにおける発光強度切替タイミングレジスタ１６及び発光強度レジスタ１７を不揮発性メモリで構成した例を示す概念図である。
【００５７】
実施の形態１、２では、レーザ駆動装置７ａ、７ｂの電源投入時に、画像制御ユニット６から発光強度や発光強度切替タイミング等の設定情報を受けて各レジスタ１６〜１８に設定していた。これに対して、本実施形態では、それらの設定情報を不揮発性メモリに格納することから、電源ＯＮの度に画像制御ユニット６から読み出して設定する必要がなくなり、レーザ駆動装置７ａ、７ｂ及び画像制御ユニット６において電源ＯＮ時の処理が簡略化される。
【００５８】
上記の実施の形態で説明したレーザ駆動装置７ａ〜７ｃは１つの半導体素子（ＩＣ）で実現してもよいし、複数の半導体素子で実現してもよい。少なくとも発光強度設定手段１９ａ〜１９ｃと駆動手段１３とは１つの半導体素子に集積化されることが好ましい。
【符号の説明】
【００５９】
１      レーザユニット
２      ポリゴンミラー
３      走査レンズ
４      感光体
５      ビームセンサ
６      画像制御ユニット
７、７ａ、７ｂ、７ｃ  レーザ駆動装置
１３  駆動手段
１５  ＰＬＬ回路
１６  発光強度切替タイミングレジスタ
１７  発光強度レジスタ
１８  ＡＰＣタイミングレジスタ
１９ａ、１９ｂ、１９ｃ  発光強度設定手段
２１  ＤＡＣ（デジタル−アナログコンバータ）
５１    不揮発メモリ
ＬＤ    半導体レーザ
ＰＤ    受光素子
【先行技術文献】
【特許文献】
【００６０】
【特許文献１】特開２０００−７１５１０号公報
【特許文献２】特開２００５−１１９４３号公報
【特許文献３】特開２００５−２６２５０９号公報
【図１】
2011198918.tif 000003
【図２】
2011198918.tif 000004
【図３】
2011198918.tif 000005
【図４】
2011198918.tif 000006
【図５】
2011198918.tif 000007
【図６】
2011198918.tif 000008
【図７】
2011198918.tif 000009
【図８】
2011198918.tif 000010
【図９】
2011198918.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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