(57)【要約】【課題】小型化を図りつつ光の走査角度の広角化を図れるＭＥＭＳ光スキャナを提供する。【解決手段】外側フレーム部１０、ミラー面２１が設けられた可動部２０、一対の捩りばね部３０，３０を有するミラー形成基板１と、ミラー形成基板１に接合された第１のカバー基板２および第２のカバー基板３とを備える。外側フレーム部１０に形成された固定電極１２と可動部２０に形成された可動電極２２とで、可動部２０を駆動する駆動手段を構成している。第１のカバー基板２におけるミラー形成基板１側に、第１のカバー基板２を通して入射し１つのミラー面２１で反射した光を当該ミラー面２１側へ反射する複数の固定ミラー６が並設されている。【選択図】図１
2011112804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を用いて形成され、外側フレーム部、外側フレーム部の内側に配置されミラー面が設けられた可動部、および外側フレーム部の内側で可動部を挟む形で配置され外側フレーム部と可動部とを連結し捩れ変形が可能な一対の捩りばね部を有するミラー形成基板と、ミラー形成基板においてミラー面が設けられた一表面側に接合された透光性基板からなる第１のカバー基板と、ミラー形成基板の他表面側に接合された第２のカバー基板と、可動部を駆動する駆動手段とを備え、第１のカバー基板におけるミラー形成基板側に、第１のカバー基板を通して入射し１つのミラー面で反射した光を当該ミラー面側へ反射する複数の固定ミラーが並設されてなることを特徴とするＭＥＭＳ光スキャナ。
【請求項２】
前記第１のカバー基板および前記第２のカバー基板が前記ミラー形成基板と同じ外形寸法に形成され、前記外側フレーム部と前記第１のカバー基板と前記第２のカバー基板とで囲まれた空間が真空雰囲気であることを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳ光スキャナ。
【請求項３】
前記ミラー形成基板は、前記一表面側において前記外側フレーム部に形成され前記駆動手段に接続された複数のパッドを備え、前記第１のカバー基板は、各パッドそれぞれを全周に亘って露出させる複数の貫通孔が形成されてなることを特徴とする請求項２記載のＭＥＭＳ光スキャナ。
【請求項４】
前記ミラー面の平面視形状が矩形状であり、前記各固定ミラーが、前記ミラー面の平面視において前記一対の捩りばね部の並設方向に直交する長手方向に沿って並設されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ光スキャナ。
【請求項５】
前記各固定ミラーは、前記ミラー面の平面視において前記一対の捩りばね部の並設方向に沿った短手方向の全長に亘って形成されてなることを特徴とする請求項４記載のＭＥＭＳ光スキャナ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ光スキャナに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、マイクロマシニング技術などを利用して形成されるＭＥＭＳ（micro  electro  mechanical  systems）デバイスの一種として、マイクロマシニング技術などを利用して形成されて、光（光ビーム）を反射するミラー面が設けられた可動部と、可動部を駆動する駆動手段とを備え、入射する光を走査するＭＥＭＳ光スキャナが各所で研究開発されている（例えば、特許文献１，２参照）。なお、この種のＭＥＭＳ光スキャナは、例えば、レーザプロジェクタ、レーザビームプリンタ、バーコードリーダ、内視鏡、距離画像センサなどの種々の光学機器への応用が考えられている。
【０００３】
ここにおいて、上記特許文献１には、画像形成装置に用いる光走査装置として、図１１に示すように、第１のミラー面８ａ’と第２のミラー面８ｂ’とが並設されレーザ光源７’からの光（光ビーム）を偏向するＭＥＭＳ光スキャナ（偏向素子）８’と、ＭＥＭＳ光スキャナ８’の両ミラー面８ａ，８ｂに対向する形で配置されＭＥＭＳ光スキャナ８’の第１のミラー面８ａ’で反射された光を第２のミラー面８ｂ’側へ反射する凹面ミラー９’とを備えた構成のものが提案されている。なお、レーザ光源７’は、光源駆動部（図示せず）により駆動され画像データに対応して変調された光を出射する。また、ＭＥＭＳ光スキャナ８’は、各ミラー８ａ’，８ｂ’それぞれが設けられた各可動板８０ａ’，８０ｂ’が各一対の捩りばね部（図示せず）を介してシリコン基板（図示せず）の凹部の周部に支持されており、各可動板８０ａ’，８０ｂ’を静電力により駆動する駆動手段（図示せず）が設けられている
図１１に示した構成のものでは、ＭＥＭＳ光スキャナ８’の第１のミラー面８ａ’に入射する光を凹面ミラー９’を介して多重反射させることで、光の走査角度を増大させることができるが、ＭＥＭＳ光スキャナ８’とは別に凹面ミラー９’が設けられているので、ＭＥＭＳ光スキャナ８’と凹面ミラー９’とを備えた光走査装置全体（システム全体）が大型化してしまう。また、上述のようにＭＥＭＳ光スキャナ８’とは別に凹面ミラー９’を備えたシステムでは、生産時に、レーザ光源７’を駆動してＭＥＭＳ光スキャナ８’と凹面ミラー９’との光軸調整（アクティブアライメント）を行う必要があり、生産性が低くなってしまう。
【０００４】
これに対して、上記特許文献２には、図１２に示すように、半導体基板であるシリコン基板１０１ａ’を用いて形成され、矩形枠状の外側フレーム部１０’の内側でそれぞれミラー面２１’，２１’を有する２つの可動部２０’，２０’が並設されたミラー形成基板１’と、ガラス基板２００’を用いて形成され、ミラー形成基板１’においてミラー面２１’，２１’が設けられた一表面側に接合された第１のカバー基板２’と、ミラー形成基板１’の他表面側に接合され可動部２０’，２０’を駆動する積層型圧電素子からなる第２のカバー基板３’とを備え、第１のカバー基板２’における可動部２０’との対向面に可動部２０’の変位空間を確保する変位空間形成用凹部２０１’が形成され、変位空間形成用凹部２０１’の内底面に、ミラー形成基板１’の一方のミラー面２１’で反射された光を他方のミラー面２１’側へ反射する金属膜からなる固定ミラー６’が設けられたＭＥＭＳ光スキャナが提案されている。
【０００５】
ここで、図１２に示した構成のＭＥＭＳ光スキャナでは、ミラー形成基板１’と同じ外形サイズの第１のカバー基板２’に金属膜からなる固定ミラー６’が設けられていることにより、小型化を図りつつ光の走査角度を大きくすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−７０２０５号公報
【特許文献２】特開２００６−２９３２３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、図１２に示した構成のＭＥＭＳ光スキャナでは、ミラー形成基板１’において、外側フレーム部１０’の内側に、それぞれミラー面２１’，２１’を有する２つの可動部２０’，２０’が並設されているので、ミラー形成基板１’の外形サイズが大きくなってしまう。
【０００８】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、小型化を図りつつ光の走査角度の広角化を図れるＭＥＭＳ光スキャナを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１の発明は、半導体基板を用いて形成され、外側フレーム部、外側フレーム部の内側に配置されミラー面が設けられた可動部、および外側フレーム部の内側で可動部を挟む形で配置され外側フレーム部と可動部とを連結し捩れ変形が可能な一対の捩りばね部を有するミラー形成基板と、ミラー形成基板においてミラー面が設けられた一表面側に接合された透光性基板からなる第１のカバー基板と、ミラー形成基板の他表面側に接合された第２のカバー基板と、可動部を駆動する駆動手段とを備え、第１のカバー基板におけるミラー形成基板側に、第１のカバー基板を通して入射し１つのミラー面で反射した光を当該ミラー面側へ反射する複数の固定ミラーが並設されてなることを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、第１のカバー基板におけるミラー形成基板側に、第１のカバー基板を通して入射し１つのミラー面で反射した光を当該ミラー面側へ反射する複数の固定ミラーが並設されているので、光の走査角度の広角化を図るためにそれぞれミラー面が設けられた複数の可動部を並設する必要がなく、小型化を図りつつ光の走査角度の広角化を図れる。
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記第１のカバー基板および前記第２のカバー基板が前記ミラー形成基板と同じ外形寸法に形成され、前記外側フレーム部と前記第１のカバー基板と前記第２のカバー基板とで囲まれた空間が真空雰囲気であることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、前記第１のカバー基板および前記第２のカバー基板が前記ミラー形成基板と同じ外形寸法に形成されていることにより、前記第１のカバー基板および前記第２のカバー基板の外形寸法が前記ミラー形成基板の外形寸法よりも大きい場合に比べて小型化を図れ、しかも、前記外側フレーム部と前記第１のカバー基板と前記第２のカバー基板とで囲まれた空間が真空雰囲気であることにより、ミラー面の機械振れ角を大きくでき、光の走査角度の広角化を図れる。また、この発明によれば、前記ミラー形成基板が複数形成された第１のウェハと、前記第１のカバー基板が複数形成された第２のウェハおよび前記第２のカバー基板が複数形成された第３のウェハとを接合したウェハレベルパッケージ構造体を形成してから、個々のＭＥＭＳ光スキャナに分割する製造プロセスを採用することができて低コスト化を図れ、その上、前記ミラー面と前記各固定ミラーとの相対的な位置精度を高めることができる。
【００１３】
請求項３の発明は、請求項２の発明において、前記ミラー形成基板は、前記一表面側において前記外側フレーム部に形成され前記駆動手段に接続された複数のパッドを備え、前記第１のカバー基板は、各パッドそれぞれを全周に亘って露出させる複数の貫通孔が形成されてなることを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、前記第１のカバー基板が各パッドと重なることがなく、前記第１のカバー基板と前記外側フレーム部との間に各パッドの一部が介在することもないので、前記第１のカバー基板と前記ミラー形成基板の前記外側フレーム部との接合が各パッドにより妨げられるのを防止することができるから、各パッドの厚みの影響で接合性や気密性が損なわれるのを防止することができ、歩留まりの向上による低コスト化を図れるとともに、動作安定性の低下、経時安定性の低下を抑制することができる。
【００１５】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３の発明において、前記ミラー面の平面視形状が矩形状であり、前記各固定ミラーが、前記ミラー面の平面視において前記一対の捩りばね部の並設方向に直交する長手方向に沿って並設されてなることを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、前記各固定ミラーが、前記ミラー面の平面視において前記一対の捩りばね部の並設方向に直交する長手方向に沿って並設されているので、短手方向に沿って並設されている場合に比べて、光の走査角度の広角化を図れる。
【００１７】
請求項５の発明は、請求項４の発明において、前記各固定ミラーは、前記ミラー面の平面視において前記一対の捩りばね部の並設方向に沿った短手方向の全長に亘って形成されてなることを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、前記ミラー面の短手方向に光軸がずれても光が確実に前記固定ミラーに入射するので、光源や他の光学系と組み合わせたシステムの組み立て時に、光源や他の光学系との光軸調整の精度が緩和され、組み立てが容易になる。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１の発明では、小型化を図りつつ光の走査角度の広角化を図れるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施形態１のＭＥＭＳ光スキャナを示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’概略断面図である。
【図２】同上のＭＥＭＳ光スキャナの概略分解斜視図である。
【図３】同上のＭＥＭＳ光スキャナの製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図４】同上のＭＥＭＳ光スキャナの他の構成例を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’概略断面図である。
【図５】実施形態２のＭＥＭＳ光スキャナを示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’概略断面図である。
【図６】同上のＭＥＭＳ光スキャナの他の構成例を示す概略断面図である。
【図７】実施形態３のＭＥＭＳ光スキャナの概略分解斜視図である。
【図８】同上のＭＥＭＳ光スキャナの概略斜視図である。
【図９】同上のＭＥＭＳ光スキャナの製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図１０】同上のＭＥＭＳ光スキャナの他の構成例の概略断面図である。
【図１１】従来例のＭＥＭＳ光スキャナを用いた光走査装置の概略構成図である。
【図１２】他の従来例のＭＥＭＳ光スキャナを示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は要部概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（実施形態１）
以下、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナについて図１および図２を参照しながら説明する。
【００２２】
本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナは、半導体基板であるＳＯＩ基板１００を用いて形成され、外周形状が矩形状の枠状（ここでは、矩形枠状）の外側フレーム部（固定フレーム部）１０、外側フレーム部１０の内側に配置され平面視矩形状のミラー面２１が設けられた平面視矩形状の可動部２０、および外側フレーム部１０の内側で可動部２０を挟む形で配置され外側フレーム部１０と可動部２０とを連結し捩れ変形が可能な一対の捩りばね部３０，３０を有するミラー形成基板１と、第１のガラス基板２００を用いて形成されミラー形成基板１においてミラー面２１が設けられた一表面側に接合された第１のカバー基板２と、第２のガラス基板３００を用いて形成されミラー形成基板１の他表面側に接合された第２のカバー基板３とを備えている。
【００２３】
ここにおいて、ミラー形成基板１および各カバー基板２，３の外周形状は矩形状であり、各カバー基板２，３はミラー形成基板１と同じ外形寸法に形成されている。
【００２４】
上述のミラー形成基板１は、導電性を有する第１のシリコン層（活性層）１００ａと第２のシリコン層（シリコン基板）１００ｂとの間に絶縁層（ＳｉＯ２層）１００ｃが介在する上述のＳＯＩ基板１００をバルクマイクロマシニング技術などにより加工することによって形成してある。また、第１のカバー基板２は、それぞれパイレックス（登録商標）ガラスなどからなる２枚のガラス板を厚み方向に重ねて接合することにより形成した第１のガラス基板２００を用いて形成してあり、第２のカバー基板３は、パイレックス（登録商標）ガラスなどからなる第２のガラス基板３００を加工することにより形成してある。なお、ＳＯＩ基板１００は、第１のシリコン層１００ａの厚さを３０μｍ、第２のシリコン層１００ｂの厚さを４００μｍに設定し、第１のガラス基板２００および第２のガラス基板３００の厚さは、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度の範囲で設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。また、半導体基板たるＳＯＩ基板１００の一表面である第１のシリコン層１０ｃの表面は（１００）面としてある。また、本実施形態では、第１のガラス基板２００が、透光性基板を構成しているが、透光性基板の材料は、走査対象の光に対して透明な材料であればよく、ガラスに限らず、例えば、透光性セラミックスでもよく、半導体基板たるＳＯＩ基板１００の主材料であるシリコンとの線膨張率差の小さな材料を採用することが好ましい。
【００２５】
ミラー形成基板１の外側フレーム部１０は、ＳＯＩ基板１００の第１のシリコン層１００ａ、絶縁層１００ｃ、第２のシリコン層１００ｂそれぞれを利用して形成してあり、外側フレーム部１０のうち第１のシリコン層１００ａにより形成された部位が第１のカバー基板２の外周部と全周に亘って接合され、外側フレーム部１０のうち第２のシリコン層１００ｃにより形成された部位が第２のカバー基板３の外周部と全周に亘って接合されており、上記一表面側において外側フレーム部１０に、可動部２０を駆動する後述の駆動手段に電気的に接続される２つのパッド１３，１３が形成されている。各パッド１３，１３は平面視形状が円形状であり、第１の金属膜（例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜など）により構成されている。なお、本実施形態では、各パッド１３，１３の膜厚を５００ｎｍに設定してあるが、この数値は一例であり、特に限定するものではない。
【００２６】
また、ミラー形成基板１の可動部２０および各捩りばね部３０，３０は、ＳＯＩ基板１００の第１のシリコン層１００ａを用いて形成されており、外側フレーム部１０よりも十分に薄肉となっている。また、可動部２０に設けられたミラー面２１は、可動部２０において第１のシリコン層１００ａにより形成された部位上に形成した第２の金属膜（例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜など）からなる反射膜２１ａの表面により構成されている。なお、本実施形態では、反射膜２１ａの膜厚を５００ｎｍに設定してあるが、この数値は一例であり、特に限定するものではない。
【００２７】
以下では、図１（ａ），（ｂ）それぞれの左下に示すように、平面視において一対の捩りばね部３０，３０の並設方向に直交する方向をｘ軸方向、一対の捩りばね部３０，３０の並設方向をｙ軸方向、ｘ軸方向およびｙ軸方向に直交する方向をｚ軸方向として説明する。
【００２８】
上述のミラー形成基板１は、一対の捩りばね部３０，３０がｙ軸方向に並設されており、可動部２０が、外側フレーム部１０に対して一対の捩りばね部３０，３０の回りで変位可能となっている（ｙ軸方向の軸回りで回動可能となっている）。つまり、一対の捩りばね部３０，３０は、外側フレーム部１０に対して可動部２０が揺動自在となるように外側フレーム部１０と可動部２０とを連結している。言い換えれば、外側フレーム部１０の内側に配置される可動部２０は、可動部２０から相反する２方向へ連続一体に延長された２つの捩りばね部３０，３０を介して外側フレーム部１０に揺動自在に支持されている。ここで、一対の捩りばね部３０，３０は、両者のｙ軸方向に沿った中心線同士を結ぶ直線が、平面視で可動部２０の重心を通るように形成されている。なお、各捩りばね部３０，３０は、厚み寸法（ｚ軸方向の寸法）を３０μｍ、幅寸法（ｘ軸方向の寸法）を、５μｍに設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。また、可動部２０およびミラー面２１の平面視形状は、矩形状に限らず、例えば、円形状でもよい。また、外側フレーム部１０の内周形状も矩形状に限らず、例えば、円形状でもよい。
【００２９】
上述のミラー形成基板１は、可動部２０において一対の捩りばね部３０，３０を結ぶ方向（一対の捩りばね部３０，３０の並設方向）に直交する方向（つまり、ｘ軸方向）の両側に形成された櫛形状の可動電極２２と、外側フレーム部１０に形成され可動電極２２の複数の可動櫛歯片２２ｂに対向する複数の固定櫛歯片１２ｂを有する櫛形状の固定電極１２とで構成され静電力により可動部２０を駆動する静電駆動式の駆動手段を備えている。なお、本実施形態では、駆動手段が、静電力により可動部２０を駆動するものであるが、静電力によって可動部２０を駆動する静電駆動式に限らず、電磁力によって可動部２０を駆動する電磁駆動式でもよいし、圧電素子によって可動部２０を駆動する圧電駆動式でもよい。
【００３０】
上述の固定電極１２，１２は、平面視形状が櫛形状であり、櫛骨部１２ａが外側フレーム部１０のうちｙ軸方向に沿った枠片部において第１のシリコン層１００ａにより形成された部位の一部により構成されており、櫛骨部１２ａにおける可動部２０との対向面（外側フレーム部１０におけるｙ軸方向に沿った内側面）には、第１のシリコン層１００ａの一部からなる多数の固定櫛歯片１２ｂが一対の捩りばね部３０，３０の並設方向に沿って列設されている。一方、可動電極２２，２２は、可動部２０における固定電極１２の櫛骨部１２ａ側の櫛骨部２２ａ，２２ａの側面（可動部２０におけるｙ軸方向に沿った側面）において、第１のシリコン層１００ａの一部により構成され固定櫛歯片１２ｂにそれぞれ対向する多数の可動櫛歯片２２ｂが上記並設方向に列設されている。ここで、櫛形状の固定電極１２と櫛形状の可動電極２２とは、櫛骨部１２ａ，２２ａが互いに対向し、固定電極１２の各固定櫛歯片１２ｂが可動電極２２の櫛溝に入り組んでおり、固定櫛歯片１２ｂと可動櫛歯片２２ｂとが、ｙ軸方向において互いに離間しており、固定電極１２と可動電極２２との間に電圧が印加されることにより、固定電極１２と可動電極２２との間に互いに引き合う方向に作用する静電力が発生する。なお、ｙ軸方向における固定櫛歯片１２ｂと可動櫛歯片２２ｂとの間の隙間は、例えば、２μｍ〜５μｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。
【００３１】
ミラー形成基板１の外側フレーム部１０において第１のシリコン層１００ａにより形成された部位には、一方のパッド１３（図２における右側のパッド１３ｂ）が固定電極１２，１２に電気的に接続されるとともに他方のパッド１３（図２における左側のパッド１３ａ）が可動電極２２，２２に電気的に接続され、且つ、固定電極１２，１２と可動電極２２，２２とが電気的に絶縁されるように、複数のスリット１０ａ，１０ａ，１０ａが絶縁層１００ｃに達する深さで形成されている。ここで、本実施形態では、各スリット１０ａ，１０ａ，１０ａをトレンチとし、各スリット１０ａ，１０ａ，１０ａの平面視形状を外側フレーム部１０の外側面側に開放されない形状とすることで、外側フレーム部１０にスリット１０ａ，１０ａ，１０ａを形成した構造を採用しながらも、外側フレーム部１０と第１のカバー基板２との接合性が低下するのを防止し、外側フレーム部１０と各カバー基板２，３とで囲まれる空間の気密性を確保している。
【００３２】
ここで、外側フレーム部１０において第１のシリコン層１００ａにより形成された部分は、上述のスリット１０ａ，１０ａ，１０ａを形成することにより、一端部が可動部２０の外側面に連続一体に連結された各捩りばね部３０，３０それぞれの他端部が内側面に連続一体に連結された２つのアンカー部１１ａ，１１ｂと、一方のアンカー部１１ａａと一方のパッド１３ａが形成された矩形状の島部１１ｃと、上記一方のアンカー部１１ａｂと島部１１ａｃとをつなぐ平面視Ｌ字状の導電部１１ａｄとで構成される第１の導電性構造体１１ａが、可動部２０の可動電極２２，２２と同電位になり、残りの部分からなり他方のパッド１３ｂが形成された第２の導電性構造体１１ｂが固定電極１２，１２と同電位になる。
【００３３】
第１のカバー基板２は、上述のように第１のガラス基板２００を用いており、第１のガラス基板２００の厚み方向に貫通して各パッド１３，１３それぞれを全周に亘って露出させる２つの貫通孔２０２，２０２が形成されている。ここにおいて、第１のガラス基板２００の各貫通孔２０２，２０２は、ミラー形成基板１から離れるにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ状に形成されている。ここで、第１のカバー基板２の各貫通孔２０２，２０２は、サンドブラスト法により形成してあるが、サンドブラスト法に限定するものではなく、貫通孔２０２，２０２の形状や材料によってはドリル加工法やエッチング法などを適宜採用してもよい。
【００３４】
本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、各パッド１３，１３の平面視形状を直径が０．５ｍｍの円形状としてあり、各貫通孔２０２，２０２の第１のミラー形成基板１側での開口径が０．５ｍｍよりも大きくなるようにしてあるが、各パッド１３，１３の直径は特に限定するものではなく、また、必ずしも円形状とする必要はなく、例えば、正方形状としてもよいが、貫通孔２０２，２０２の開口径を小さくするうえでは円形状の方が正方形状よりも好ましい。
【００３５】
ここにおいて、各パッド１３，１３の一部が厚み方向において第１のカバー基板２に重なる場合には、パッド１３，１３の厚みの影響で接合性や気密性が損なわれて製造時の歩留まり低下や、動作安定性の低下、経時安定性の低下の原因となる懸念があり、外側フレーム部１０の幅寸法（外側フレーム部１０の外側面と内側面との距離）を増大させる必要が生じてＭＥＭＳ光スキャナの小型化が制限されてしまうことが考えられる。
【００３６】
これに対して、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、第１のカバー基板２が各パッド１３，１３と重なることがなく、第１のカバー基板２と外側フレーム部１０との間にパッド１３，１３の一部が介在することもないので、第１のカバー基板２とミラー形成基板１の外側フレーム部１０との接合が各パッド１３，１３により妨げられるのを防止することができるから、パッド１３，１３の厚みの影響で接合性や気密性が損なわれるのを防止することができ、外側フレーム部１０の幅寸法を増大させずに歩留まりの向上による低コスト化を図れるとともに、動作安定性の低下、経時安定性の低下を抑制することができる。
【００３７】
また、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、ミラー形成基板１の外側フレーム部１０と各カバー基板２，３とで囲まれる気密空間を真空（真空雰囲気）とすることで、空気雰囲気や不活性ガス雰囲気（例えば、Ｎ２ガス雰囲気など）の場合に比べて、低消費電力化を図りつつ可動部２０の機械振れ角を大きくすることが可能となるので、上記気密空間を真空雰囲気とするとともに、第２のカバー基板３におけるミラー形成基板１との対向面において外側フレーム部１０に接合される部位よりも内側の適宜部位に非蒸発型ゲッタ（図示せず）を設けてある。なお、非蒸発型ゲッタは、例えば、Ｚｒを主成分とする合金やＴｉを主成分とする合金などにより形成すればよい。
【００３８】
ところで、第１のガラス基板２００は、ミラー形成基板１との対向面に可動部２０の変位空間を確保する変位空間形成用凹部（以下、第１の変位空間形成用凹部と称する）２０１を有しているが、上述のように２枚のガラス板を接合して形成されており、ミラー形成基板１に近い側に配置するガラス板（以下、第１のガラス板と称する）において第１の変位空間形成用凹部２０１に対応する部位に厚み方向に貫通する開孔部を形成するとともにミラー形成基板１から遠い側に配置するガラス板（以下、第２のガラス板と称する）を平板状としてあるので、１枚のガラス基板を用いて当該ガラス基板にサンドブラスト加工などにより第１の変位空間形成用凹部２０１を形成する場合に比べて、第１の変位空間形成用凹部２０１の内底面を滑らかな表面とすることができ、第１の変位空間形成用凹部２０１の内底面での拡散反射、光拡散、散乱損失などを低減できる。
【００３９】
第２のカバー基板３は、第２のガラス基板３００を用いて形成されており、厚み方向の両面を平面状としてあるが、可動部２０の厚みや、半導体基板を構成するＳＯＩ基板１００の第２のシリコン層１００ｂの厚みなどによっては、第２のガラス基板３００におけるミラー形成基板１側の一表面に、可動部２０の変位空間を確保するための凹部（以下、第２の変位空間形成用凹部と称する）を形成してもよい。ここにおいて、第２のガラス基板３００の上記一表面に第２の変位空間形成用凹部を形成する場合は、例えば、サンドブラスト法などにより形成すればよい。なお、第２のカバー基板３は、光を透過させる必要がないので、第２のガラス基板３００に限らず、例えば、シリコン基板を用いて形成してもよく、この場合の第２の変位空間形成用凹部は、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して形成すればよい。
【００４０】
上述の各ガラス基板２００，３００のガラス材料としては、硼珪酸ガラスであるパイレックス（登録商標）を採用しているが、硼珪酸ガラスに限らず、例えば、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどを採用してもよい。また、本実施形態では、各カバー基板２，３の厚さを０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度の範囲で設定し、第１の変位空間形成用凹部２０１の深さを０．３ｍｍ程度に設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。
【００４１】
ここで、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナの基本的な動作について簡単に説明する。
【００４２】
本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、一対のパッド１３，１３を通して、対向する可動電極２２と固定電極１２との間に可動部２０を駆動するためのパルス電圧を与えることにより、可動電極２２・固定電極１２間に静電力が発生し、可動部２０がｙ軸方向の軸回りで回動する。しかして、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、可動電極２２・固定電極１２間に所定の駆動周波数のパルス電圧を印加することにより、周期的に静電力を発生させることができ、可動部２０を揺動させることができる。
【００４３】
ここで、上述の可動部２０は、内部応力に起因して、静止状態でも水平姿勢（ｘｙ平面に平行な姿勢）ではなく、きわめて僅かであるが傾いているので、例えば、可動電極２２・固定電極１２間にパルス電圧が印加されると、静止状態からであっても、可動部２０に略垂直な方向（ｚ軸方向）の駆動力が加わり、可動部２０が一対の捩りばね部３０，３０を回動軸として当該一対の捩りばね部３０，３０を捩りながら回動する。そして、可動電極２２・固定電極１２間の駆動力を、可動櫛歯片２２ｂと固定櫛歯片１２ｂとが完全に重なりあうような姿勢となったときに解除すると、可動部２０は、慣性力により、一対の捩りばね部３０，３０を捩りながら回動し続ける。そして、可動部２０の回動方向への慣性力と、一対の捩りばね部３０，３０の復元力とが等しくなったとき、当該回動方向への可動部２０の回動が停止する。このとき、可動電極２２・固定電極１２間に再びパルス電圧が印加されて静電力が発生すると、可動部２０は、一対の捩りばね部３０，３０の復元力と可動電極２２および固定電極１２により構成される駆動手段の駆動力により、それまでとは逆の方向への回動を開始する。可動部２０は、駆動手段の駆動力と一対の捩りばね部３０，３０の復元力とによる回動を繰り返して、一対の捩りばね部３０，３０を回動軸として揺動する。
【００４４】
本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、可動部２０と一対の捩りばね部３０，３０とにより構成される振動系の共振周波数の略２倍の周波数のパルス電圧を印加することにより、可動部２０が共振現象を伴って駆動され、機械振れ角（ｘｙ平面に平行な水平面を基準としたときの傾き）が大きくなる。なお、可動電極２２・固定電極１２間への電圧（駆動電圧）の印加形態や周波数は特に限定するものではなく、例えば、可動電極２２・固定電極１２間に印加する電圧を正弦波電圧としてもよい。
【００４５】
ところで、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナは、第１のカバー基板２におけるミラー形成基板１側の表面に、第１のカバー基板２を通して入射し１つのミラー面２１で反射した光を当該ミラー面２１側へ反射する複数（ここでは、２つ）の金属膜（例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜など）からなる固定ミラー６が並設されている（なお、図１（ｂ）では、可動部２０が一点鎖線で示した位置まで回動した状態において、第１のカバー基板２を通してミラー面２１へ入射する光Ｉの進行経路を示してある）。ここにおいて、各固定ミラー６は、第１のカバー基板２における第１の変位空間形成用凹部２０１の内底面においてミラー面２１に対向する部位に形成されている。ここで、各固定ミラー６は、第１のカバー基板２の上記表面においてミラー面２１と対向する位置であって、第１のカバー基板２へ入射させる光（入射光）および第１のカバー基板２から出射させる光（最終的な反射光）を遮光しない位置に配置してある。さらに説明すれば、各固定ミラー６は、矩形状のミラー面２１において一対の捩りばね部３０，３０を結ぶ方向（一対の捩りばね部３０，３０の並設方向）に直交する長手方向に沿って並設されている。
【００４６】
以下、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナの製造方法について図３を参照しながら説明するが、（ａ）〜（ｄ）は図１（ａ）のＡ−Ｃ断面に対応する部分の概略断面を示している。
【００４７】
まず、半導体基板であるＳＯＩ基板１００の上記一表面側に所定膜厚（例えば、５００ｎｍ）の金属膜（例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜）をスパッタ法や蒸着法などにより成膜する金属膜形成工程を行い、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して金属膜をパターニングすることにより各パッド１３，１３および反射膜２１ａを形成する金属膜パターニング工程を行うことによって、図３（ａ）に示す構造を得る。なお、本実施形態では、各パッド１３，１３と反射膜２１ａとの材料および膜厚を同じに設定してあるので、各パッド１３，１３と反射膜２１ａとを同時に形成しているが、各パッド１３，１３と反射膜２１ａとの材料や膜厚が相違する場合には、各パッド１３，１３を形成するパッド形成工程と反射膜を形成する反射膜形成工程とを別々に設ければよく、パッド形成工程と反射膜形成工程との順序はどちらが先でもよい。
【００４８】
上述の各パッド１３，１３および反射膜２１ａを形成した後、ＳＯＩ基板１００の上記一表面側で、第１のシリコン層１００ａのうち可動部２０、一対の捩りばね部３０，３０、外側フレーム部１０、固定電極１２，１２、可動電極２２，２２に対応する部位を覆うようにパターニングされた第１のレジスト層１３０をマスクとして、第１のシリコン層１００ａを絶縁層１００ｃに達する深さ（第１の所定深さ）までエッチングすることにより第１のシリコン層１００ａをパターニングする第１のシリコン層パターニング工程（表面側パターニング工程）を行うことによって、図３（ｂ）に示す構造を得る。要するに、第１のシリコン層パターニング工程は、半導体基板であるＳＯＩ基板１００を上記一表面から第１の所定深さまでエッチングする表面側パターニング工程を構成している。第１のシリコン層パターニング工程での第１のシリコン層１００ａのエッチングは、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）型のエッチング装置などの異方性の高いエッチングが可能なドライエッチング装置により行えばよい。また、第１のシリコン層パターニング工程では、絶縁層１００ｃをエッチングストッパ層として利用している。
【００４９】
上述の第１のシリコン層パターニング工程の後、ＳＯＩ基板１００の上記一表面側の第１のレジスト層１３０を除去してから、ＳＯＩ基板１００の上記一表面側の全面に第２のレジスト層１３１を形成し、続いて、ＳＯＩ基板１００の他表面側で、第２のシリコン層１００ｂのうち外側フレーム部１０に対応する部位以外を露出させるようにパターニングされた第３のレジスト層１３２をマスクとして、第２のシリコン層１００ｂを絶縁層１００ｃに達する深さ（第２の所定深さ）までエッチングすることにより第２のシリコン層１００ｂをパターニングする第２のシリコン層パターニング工程を行うことによって、図３（ｃ）に示す構造を得る。要するに、第２のシリコン層パターニング工程は、半導体基板であるＳＯＩ基板１００を上記他表面から第２の所定深さまでエッチングする裏面側パターニング工程を構成している。第２のシリコン層パターニング工程での第２のシリコン層１００ｂのエッチングは、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）型のエッチング装置などの異方性が高く垂直深堀が可能なドライエッチング装置により行えばよい。また、第２のシリコン層パターニング工程では、絶縁層１００ｃをエッチングストッパ層として利用している。
【００５０】
上述の第２のシリコン層パターニング工程の後、ＳＯＩ基板１００の絶縁層１００ｃにおいて外側フレーム部１０と可動部２０との間の部位、可動電極２２，２２と固定電極１２，１２との間の部位を、ＳＯＩ基板１００の上記他表面側からエッチングする絶縁層パターニング工程を行うことでミラー形成基板１を形成してから、第２のレジスト層１３１および第３のレジスト層１３２を除去し、その後、ミラー形成基板１と、第１のカバー基板２および第２のカバー基板３とを陽極接合などにより接合する接合工程を行うことによって、図３（ｄ）に示す構造のＭＥＭＳ光スキャナを得る。
【００５１】
ここにおいて、接合工程では、ミラー形成基板１のミラー面２１を保護する観点から、固定ミラー６を形成した第１のカバー基板２とミラー形成基板１とを接合する第１の接合過程を行ってから、ミラー形成基板１と第２のカバー基板３とを接合する第２の接合過程を行うことが好ましい。ここで、第１の接合過程では、先ず、第１のガラス基板２００に第１の変位空間形成用凹部２０１や各貫通孔２０２，２０２や各固定ミラー６などを形成した第１のカバー基板２とミラー形成基板１とを重ねた積層体を、所定真空度（例えば、１０Ｐａ以下）の真空中で所定の接合温度（例えば、３００℃〜４００℃程度）に加熱した状態で、第１のシリコン層１００ａと第１のカバー基板２との間に第１のカバー基板２側を低電位側として所定電圧（例えば、４００Ｖ〜８００Ｖ程度）を印加し、この状態を所定の接合時間（例えば、２０分〜６０分程度）だけ保持すればよい。また、第２の接合過程では、上述の第１の接合過程に準じて、第２のシリコン層１００ｂと第２のカバー基板３との陽極接合を行う。なお、ミラー形成基板１と各カバー基板２，３を接合する接合方法は、陽極接合に限らず、例えば、常温接合法などでもよい。また、第１のシリコン層パターニング工程の後に、ＳＯＩ基板１００と第１のカバー基板２とを接合し、その後、第２のシリコン層パターニング工程、絶縁層パターニング工程を行うことでミラー形成基板１を形成し、その後、ミラー形成基板１と第２のカバー基板３とを接合するようにしてもよい。また、上述の固定ミラー６は、蒸着法やスパッタ法やＣＶＤ法などの薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術などを利用して形成すればよい。
【００５２】
ところで、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナの製造方法では、接合工程が終了するまでの全工程をミラー形成基板１および各カバー基板２，３それぞれについてウェハレベルで行うことでＭＥＭＳ光スキャナを複数備えたウェハレベルパッケージ構造体を形成するようにし、当該ウェハレベルパッケージ構造体から個々のＭＥＭＳ光スキャナに分割する分割工程を行うようにしている。要するに、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナの製造方法では、ミラー形成基板１を複数形成した第１のウェハと、第１のカバー基板２を複数形成した第２のウェハおよび第２のカバー基板３を複数形成した第３のウェハとを接合することでウェハレベルパッケージ構造体を形成し、その後、ウェハレベルパッケージ構造体からミラー形成基板１の外形サイズに分割するようにしているので、各カバー基板２，３の平面サイズをミラー形成基板１の外形サイズに合わせることができるから、複数の固定ミラー６を備えた小型のＭＥＭＳ光スキャナセンサを簡易なプロセスで製造することができ、また、量産性を高めることができる。また、分割工程のダイシング時にミラー形成基板１が純水の水圧によって破損するのを防止することもできる。
【００５３】
以上説明した本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、第１のカバー基板２におけるミラー形成基板１側に、第１のカバー基板２を通して入射し１つのミラー面２１で反射した光を当該ミラー面２１側へ反射する複数の固定ミラー６が並設されているので、第１のカバー基板２を通して入射した光を多重反射させてから出射させることができ、図１２に示した従来例のように光の走査角度の広角化を図るためにそれぞれミラー面２１’が設けられた複数の可動部２０’を並設する必要がなく、小型化を図りつつ光の走査角度の広角化を図れる。ここで、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、固定ミラー６の数をＮ（図１に示した例では、Ｎ＝２）、ミラー面２１の機械振れ角をθとすれば、最終的な光走査角度は、２Ｎθとなるから、固定ミラー６の数に比例して大きくなる。
【００５４】
また、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、各カバー基板２，３がミラー形成基板１と同じ外形寸法に形成されていることにより、各カバー基板２，３の外形寸法がミラー形成基板１の外形寸法よりも大きい場合に比べて小型化を図れ、しかも、外側フレーム部１０と第１のカバー基板２と第２のカバー基板３とで囲まれた空間が真空雰囲気であることにより、駆動電圧の低電圧化（低消費電力化）を図りながらもミラー面２１の機械振れ角を大きくでき、光の走査角度の広角化を図れ、しかも、ミラー面２１の酸化を防止できるから、ミラー面２１の材料の選択肢が多くなるとともに、ミラー面２１の反射特性の経時変化を抑制することができる。また、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナにおいて、外側フレーム部１０と第１のカバー基板２と第２のカバー基板３とで囲まれた空間を不活性ガス雰囲気（例えば、ドライ窒素ガス雰囲気など）としてもよく、この場合も、ミラー面２１の酸化を防止できるから、ミラー面２１の材料の選択肢が多くなるとともに、ミラー面２１の反射特性の経時変化を抑制することができる。また、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、各カバー基板２，３がミラー形成基板１と同じ外形寸法なので、ミラー形成基板１が複数形成された第１のウェハと、第１のカバー基板２が複数形成された第２のウェハおよび第２のカバー基板３が複数形成された第３のウェハとを接合したウェハレベルパッケージ構造体を形成してから、個々のＭＥＭＳ光スキャナに分割する製造プロセスを採用することができて低コスト化を図れ、その上、ミラー面２１と各固定ミラー６との相対的な位置精度を高めることができる。
【００５５】
また、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、ミラー面２１の平面視形状が矩形状であり、各固定ミラー６が、ミラー面２１の平面視において一対の捩りばね部３０，３０の並設方向に直交する長手方向（ｘ軸方向）に沿って並設されているので、図４に示すようにミラー面２１の短手方向に沿って並設されている場合に比べて、光の走査角度の広角化を図れる。
【００５６】
ところで、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、各固定ミラー６をＡｌ−Ｓｉ膜などの金属膜により構成してあるが、各固定ミラー６を構成する金属膜の材料はＡｌ−Ｓｉに限らず、走査対象（スキャン対象）の光の波長や波長帯に応じてＡｇ、Ａｌ、Ａｕなどを採用してもよい。ここで、例えば、光源として赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色混合レーザを用いる場合、ＡｇやＡｌは可視光の反射率が９０％以上であるので、赤色、緑色、青色それぞれの光を走査することができる。これに対して、Ａｕは、赤色，緑色の光の反射率が８０％以上であるのに対し、青色の光の反射率が５０％以下であるので、各固定ミラー６を構成する金属膜の材料としてＡｕを採用すれば、青色の光を多重反射により効果的に減衰させ、赤色の光および緑色の光のみ走査することも可能となる。要するに、各固定ミラー６を構成する金属膜の材料を適宜選択することにより、波長選択性をもたせることが可能となる。また、各固定ミラー６は、金属膜に限らず、誘電体多層膜により構成してもよく、誘電体多層膜の材料（例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５など)や膜厚を適宜設計することにより、所望の波長選択性をもたせることも可能となる。また、各固定ミラー６は、金属膜と波長選択フィルタとを積層した構成でもよい。
【００５７】
また、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、ＳＯＩ基板１００の第１のシリコン層１００ａにより各捩りばね部３０，３０を形成してあるので、半導体基板としてシリコン基板を用いる場合に比べて各捩りばね部３０，３０の厚み寸法の精度を高めることができ、可動部２０と一対の捩りばね部３０，３０とで構成される振動系の共振周波数の精度を高めることができる。
【００５８】
また、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、平面視において、第１のカバー基板２を通して、ミラー面２１の一部、各捩りばね部３０，３０、固定櫛歯片１２ｂ、可動櫛歯片２２ｂを光学顕微鏡などにより観察できるように各固定ミラー６が配置されているので、外観検査が容易になる。ここで、本実施形態では、上述のように２枚のガラス基板を用いて第１のカバー基板２を形成してあるので、１枚のガラス基板を用いて当該ガラス基板にサンドブラスト加工などにより第１の変位空間形成用凹部２０１を形成する場合に比べて、第１の変位空間形成用凹部２０１の内底面を滑らかな表面とすることができ、外観検査が容易になる。
【００５９】
（実施形態２）
本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナの基本構成は実施形態１と略同じであり、図５に示すように、各固定ミラー６が、ミラー面２１の平面視において一対の捩りばね部３０，３０の並設方向に沿った短手方向の全長に亘って形成されている点が相違するだけである。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００６０】
しかして、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、ミラー面２１の短手方向に光軸がずれても光が確実に各固定ミラー６に入射するので、光源や他の光学系と組み合わせたシステムの組み立て時に、光源や他の光学系との光軸調整の精度が緩和され、組み立てが容易になる。
【００６１】
ところで、実施形態１，２では、半導体基板としてＳＯＩ基板１００を用いてミラー形成基板１を形成し、第１のカバー基板２に第１の変位空間形成用凹部２０１を形成してあるが、図６に示すように、半導体基板として、第３のシリコン層１００ｄ／絶縁層１００ｅ／第１のシリコン層１００ａ／絶縁層１００ｃ／第２のシリコン層１００ｂの５層構造（ダブルＳＯＩ構造）を有するダブルＳＯＩ基板１５０を用い、第３のシリコン層１００ｄおよび絶縁層１００ｅを外側フレーム部１０と同じ矩形枠状の形状に加工するとともに、第１のカバー基板２を平板状の形状とすることで、可動部２０の変位空間を確保するようにしてもよい。
【００６２】
（実施形態３）
本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナの基本構成は実施形態１，２と略同じであって、図７および図８に示すように、可動部２０および第２のカバー基板３などの構造が相違する。なお、実施形態１，２と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
【００６３】
本実施形態では、可動部２０が、外側フレーム部１０に一対の捩りばね部３０，３０（以下、第１の捩りばね部３０，３０と称する）を介して揺動自在に支持された枠状（ここでは、矩形枠状）の可動フレーム部２３と、可動フレーム部２３の内側に配置されミラー面２１が設けられた平面視矩形状のミラー部２４と、可動フレーム部２３の内側でミラー部２４を挟む形で配置され可動フレーム部２３とミラー部２４とを連結し捩れ変形が可能な一対の捩りばね部２５，２５（以下、第２の捩りばね部２５，２５と称する）とを有している。
【００６４】
第２の捩りばね部２５，２５は、第１の捩りばね部３０，３０の並設方向（ｙ軸方向）とは直交する方向（ｘ軸方向）に並設されている。要するに、可動部２０は、一対の第２の捩りばね部２５，２５がｘ軸方向に並設されており、ミラー部２４が、可動フレーム部２３に対して一対の第２の捩りばね部２５，２５の回りで変位可能となっている（ｘ軸方向の軸回りで回動可能となっている）。つまり、一対の第２の捩りばね部２５，２５は、可動フレーム部２３に対してミラー部２４が揺動自在となるように可動フレーム部２３とミラー部２４とを連結している。言い換えれば、可動フレーム部２３の内側に配置されるミラー部２４は、ミラー部２４から相反する２方向へ連続一体に延長された２つの第２の捩りばね部２５，２５を介して可動フレーム部２３に揺動自在に支持されている。ここで、一対の第２の捩りばね部２５，２５は、両者のｘ軸方向に沿った中心線同士を結ぶ直線が、平面視でミラー部２４の重心を通るように形成されている。なお、各第２の捩りばね部２５，２５は、厚み寸法（ｚ軸方向の寸法）を３０μｍ、幅寸法（ｙ軸方向の寸法）を、３０μｍに設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。また、ミラー部２４およびミラー面２１の平面視形状は、矩形状に限らず、例えば、円形状でもよい。また、可動フレーム部２３の内周形状も矩形状に限らず、例えば、円形状でもよい。
【００６５】
上述の説明から分かるように、ミラー部２４は、一対の第１の捩りばね部３０，３０の軸回りの回動と、一対の第２の捩りばね部２５，２５の軸回りの回動とが可能である。要するに、ミラー部２４のミラー面２１が、２次元的に回動可能に構成されている。ここにおいて、可動部２０は、可動フレーム部２３における第１のカバー基板２側とは反対側に一体に設けられ可動フレーム部２３を支持する枠状の支持体２９を備えており、当該支持体２９が可動フレーム部２３と一体に回動可能となっている。
【００６６】
そこで、第２のカバー基板３は、第２のガラス基板３００におけるミラー形成基板１側の上記一表面に、可動部２０の変位空間を確保するための第２の変位空間形成用凹部３０１を形成してある。
【００６７】
また、本実施形態では、外側フレーム部１０に、３つのパッド１３，１３，１３が平面視において一直線上に並ぶように略等間隔で並設されており、第１のカバー基板２に、各パッド１３，１３，１３それぞれを各別に露出させる３つのテーパ状の貫通孔２０２，２０２，２０２が貫設されている。
【００６８】
また、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナにおけるミラー形成基板１は、実施形態１，２と同様、可動部２０において一対の第１の捩りばね部３０，３０を結ぶ方向（一対の第１の捩りばね部３０，３０の並設方向）に直交する方向（つまり、ｘ軸方向）の両側に形成された櫛形状の可動電極２２，２２（以下、第１の可動電極２２，２２と称する）と、外側フレーム部１０に形成され第１の可動電極２２，２２の複数の可動櫛歯片２２ｂに対向する複数の固定櫛歯片１２ｂを有する櫛形状の固定電極１２，１２（以下、第１の固定電極１２，１２と称する）とを備えているだけでなく、さらに、ミラー部２４において一対の第２の捩りばね部２５，２５を結ぶ方向（一対の第２の捩りばね部２５，２５の並設方向）に直交する方向（つまり、ｙ軸方向）の両側に形成された櫛形状の第２の可動電極２７，２７と、可動フレーム部２３に形成され第２の可動電極２７，２７の複数の可動櫛歯片２７ｂに対向する複数の固定櫛歯片２６ｂを有する櫛形状の第２の固定電極２６，２６とを備えており、第１の可動電極２２，２２と第１の固定電極１２，１２との組、第２の可動電極２７，２７と第２の固定電極２６，２６との組、それぞれが静電力により可動部２０を駆動する静電駆動式の駆動手段を構成している。
【００６９】
上述の第２の固定電極２６，２６は、平面視形状が櫛形状であり、櫛骨部２６ａが可動フレーム部２３の一部により構成されており、櫛骨部２６ａにおけるミラー部２４との対向面（可動フレーム部２３におけるｘ軸方向に沿った内側面）には多数の固定櫛歯片２６ｂが一対の第２の捩りばね部２５，２５の並設方向に沿って列設されている。一方、第２の可動電極２７，２７はミラー部２４の一部により構成されており、第２の固定電極２６，２６の櫛骨部２６ａ，２６ａ側の側面（ミラー部２４におけるｘ軸方向に沿った側面）には、固定櫛歯片２６ｂにそれぞれ対向する多数の可動櫛歯片２７ｂが上記並設方向に列設されている。ここで、櫛形状の第２の固定電極２６と櫛形状の第２の可動電極２７とは、櫛骨部２６ａ，２７ａが互いに対向し、第２の固定電極２６の各固定櫛歯片２６ｂが第２の可動電極２７の櫛溝に入り組んでおり、固定櫛歯片２６ｂと可動櫛歯片２７ｂとが、ｘ軸方向において互いに離間しており、第２の固定電極２６と第２の可動電極２２との間に電圧が印加されることにより、第２の固定電極２６と第２の可動電極２７との間に互いに引き合う方向に作用する静電力が発生する。なお、ｘ軸方向における固定櫛歯片２６ｂと可動櫛歯片２７ｂとの間の隙間は、例えば、２μｍ〜５μｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。
【００７０】
ミラー形成基板１は、外側フレーム部１０において第１のシリコン層１００ａにより形成された部位に複数のスリット１０ａ，１０ａ，１０ａを形成するとともに、可動部２０の可動フレーム部２３において第１のシリコン層１００ａにより形成された部位に複数のスリット２０ａ，２０ａ，２０ａ，２０ａを形成することにより、３つのパッド１３，１３，１３のうち図７における真ん中のパッド１３（１３ｂ）が第１の固定電極１２，１２と電気的に接続されて同電位となり、右側のパッド１３（１３ａ）が第１の可動電極２２，２２および第２の可動電極２６，２６と電気的に接続されて同電位となり、左側のパッド１３（１３ｃ）がミラー部２４の第２の可動電極２７，２７と電気的に接続されて同電位となっている。
【００７１】
ここで、外側フレーム部１０の複数のスリット１０ａ，１０ａ，１０ａは絶縁層１００ｃに達する深さで形成されている。本実施形態においても、実施形態１と同様、各スリット１０ａ，１０ａ，１０ａをトレンチとし、各スリット１０ａ，１０ａ，１０ａの平面視形状を外側フレーム部１０の外側面側に開放されない形状とすることで、外側フレーム部１０にスリット１０ａ，１０ａ，１０ａを形成した構造を採用しながらも、外側フレーム部１０と第１のカバー基板２との接合性が低下するのを防止し、外側フレーム部１０と各カバー基板２，３とで囲まれる空間の気密性を確保している。
【００７２】
また、可動部２０における可動フレーム部２３の各スリット２０ａ，２０ａ，２０ａ，２０ａは、トレンチとしてあり、ＳＯＩ基板１００の絶縁層１００ｃの一部と第２のシリコン層１００ｂの一部とで構成される上述の支持体２９における絶縁層１００ｃに達する深さに形成してある。要するに、本実施形態では、可動フレーム部２３に複数のスリット２０ａ，２０ａ，２０ａ，２０ａを形成した構成を採用しながらも支持体２９により可動フレーム部２３を支持しているので、可動フレーム部２３と支持体２９とが、一対の第１の捩りばね部３０，３０の軸回りで一体に回動可能となっている。ここにおいて、支持体２９は、可動フレーム部２３のうち各固定櫛歯片２６ｂおよび各可動櫛歯片２２ｂを除く部位を覆う枠状（矩形枠状）に形成されている（図８参照）。また、可動フレーム部２３の複数のトレンチ２０ａ，２０ａ，２０ａ，２０ａは、支持体２９を含めた可動部２０の重心が、平面視において一対の第１の捩りばね部３０，３０のｙ軸方向に沿った中心線を結ぶ直線の略真ん中に位置するように形状設計してある。しかして、可動部２０が一対の第１の捩りばね部３０，３０の軸回りでスムーズに揺動し、反射光のスキャンが適正に行われる。なお、本実施形態では、支持体２９において第２のシリコン層１００ｂにより構成される部位の厚さを外側フレーム部１０において第２のシリコン層１００ｂにより構成される部位と同じ厚さに設定してあるが、同じに限らず、厚くしてもよいし薄くしてもよい。
【００７３】
本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、例えば、第１の可動電極２２および第２の固定電極２６が電気的に接続されたパッド１３ａの電位を基準電位として、第１の固定電極１２および第２の可動電極２７それぞれの電位を周期的に変化させることにより、可動部２０を一対の第１の捩りばね部３０，３０の軸回りで回動させることができるとともに、ミラー部２４を一対の第２の捩りばね部２５，２５の軸回りで回動させることができる。要するに、一対のパッド１３ｂ，１３ａを通して、対向する第１の固定電極１２と可動電極２２との間に可動部２０を駆動するためのパルス電圧を与えることにより、第１の固定電極１２・第１の可動電極２２間に静電力が発生し、可動部２０がｙ軸方向の軸回りで回動し、また、一対のパッド１３ａ，１３ｃを通して、対向する第２の固定電極２６と第２の可動電極２７との間にミラー部２４を駆動するためのパルス電圧を与えることにより、第２の固定電極２６・第２の可動電極２７間に静電力が発生し、ミラー部２４がｘ軸方向の軸回りで回動する。しかして、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、第１の固定電極１２・第１の可動電極２２間に所定の第１の駆動周波数のパルス電圧を印加することにより、周期的に静電力を発生させることができ、可動部２０全体を揺動させることができ、さらに、第２の固定電極２６・第２の可動電極２７間に所定の第２の駆動周波数のパルス電圧を印加することにより、周期的に静電力を発生させることができ、可動部２０のミラー部２４を揺動させることができる。なお、本実施形態におけるミラー形成基板１は、外側フレーム部１０と第１のカバー基板２とで囲まれた空間側において、第１のシリコン層１００ａの反射膜２１ａが形成されていない部位の表面に、シリコン酸化膜１１１ａ（図９（ｆ）参照）が形成されている。
【００７４】
本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、第１の固定電極１２・第１の可動電極２２間に、可動部２０と一対の第１の捩りばね部３０，３０とにより構成される振動系の共振周波数の略２倍の周波数のパルス電圧を印加することにより、可動部２０が共振現象を伴って駆動され、機械振れ角（ｘｙ平面に平行な水平面を基準としたときの傾き）が大きくなる。また、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、第２の固定電極２６・第２の可動電極２７間に、ミラー部２４と一対の第２の捩りばね部２５，２５とにより構成される振動系の共振周波数の略２倍の周波数のパルス電圧を印加することにより、ミラー部２４が共振現象を伴って駆動され、機械振れ角（可動フレーム部２３における第１のカバー基板２側の表面に平行な面を基準としたときの傾き）が大きくなる。
【００７５】
ところで、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、上述のように、ミラー面２１が設けられたミラー部２４が、一対の第１の捩りばね部３０，３０の軸回りの回動と、一対の第２の捩りばね部２５，２５の軸回りの回動とが可能であるから、第１のカバー基板２のミラー形成基板１側の表面には、ミラー面２１の平面視において一対の第１の捩りばね部３０，３０の並設方向に直交する方向に沿って複数の固定ミラー６を並設し、一対の第２の捩りばね部２５，２５の並設方向に直交する方向に沿って複数の固定ミラー６を並設してある。
【００７６】
以下、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナの製造方法について図９を参照しながら説明するが、（ａ）〜（ｄ）は図６のＡ−Ｂ断面に対応する部分の概略断面を示している。
【００７７】
まず、半導体基板であるＳＯＩ基板１００の上記一表面側および上記他表面側それぞれに熱酸化法などによりシリコン酸化膜１１１ａ，１１１ｂを形成する酸化膜形成工程を行うことによって、図９（ａ）に示す構造を得る。
【００７８】
その後、ＳＯＩ基板１００の上記一表面側のシリコン酸化膜１１１ａのうち可動部２０において反射膜２１ａの形成予定領域以外の部分、第１の捩りばね部３０，３０などに対応する部位などが残るようにフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第１のシリコン層１００ａをパターニングする第１のシリコン層パターニング工程を行うことによって、図９（ｂ）に示す構造を得る。
【００７９】
その後、ＳＯＩ基板１００の上記一表面側に所定膜厚（例えば、５００ｎｍ）の金属膜（例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜）をスパッタ法や蒸着法などにより成膜する金属膜形成工程を行い、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して金属膜をパターニングすることにより各パッド１３，１３，１３および反射膜２１ａを形成する金属膜パターニング工程を行うことによって、図９（ｃ）に示す構造を得る。なお、本実施形態では、各パッド１３，１３と反射膜２１ａとの材料および膜厚を同じに設定してあるので、各パッド１３，１３と反射膜２１ａとを同時に形成しているが、各パッド１３，１３，１３と反射膜２１ａとの材料や膜厚が相違する場合には、各パッド１３，１３，１３を形成するパッド形成工程と反射膜を形成する反射膜形成工程とを別々に設ければよい。
【００８０】
上述の各パッド１３，１３，１３および反射膜２１ａを形成した後、ＳＯＩ基板１００の上記一表面側で、第１のシリコン層１００ａのうち可動フレーム部２３、ミラー部２４、一対の第１の捩りばね部３０，３０、一対の第２の捩りばね部２５，２５、外側フレーム部１０、第１の固定電極１２，１２、第２の可動電極２２，２２、第２の固定電極２６，２６、第２の可動電極２７，２７に対応する部位を覆うようにパターニングされた第１のレジスト層１３０をマスクとして、第１のシリコン層１００ａを絶縁層１００ｃに達する深さ（第１の所定深さ）までエッチングすることにより第１のシリコン層１００ａをパターニングする第１のシリコン層パターニング工程（表面側パターニング工程）を行うことによって、図９（ｄ）に示す構造を得る。第１のシリコン層パターニング工程での第１のシリコン層１００ａのエッチングは、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）型のエッチング装置などの異方性の高いエッチングが可能なドライエッチング装置により行えばよい。また、第１のシリコン層パターニング工程では、絶縁層１００ｃをエッチングストッパ層として利用している。
【００８１】
上述の第１のシリコン層パターニング工程の後、ＳＯＩ基板１００の上記一表面側の第１のレジスト層１３０を除去してから、ＳＯＩ基板１００の上記一表面側の全面に第２のレジスト層１３１を形成し、続いて、ＳＯＩ基板１００の他表面側で、第２のシリコン層１００ｂのうち外側フレーム部１０、支持体２９に対応する部位以外を露出させるようにパターニングされた第３のレジスト層１３２をマスクとして、第２のシリコン層１００ｂを絶縁層１００ｃに達する深さ（第２の所定深さ）までエッチングすることにより第２のシリコン層１００ｂをパターニングする第２のシリコン層パターニング工程を行うことによって、図９（ｅ）に示す構造を得る。第２のシリコン層パターニング工程での第２のシリコン層１００ｂのエッチングは、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）型のエッチング装置などの異方性が高く垂直深堀が可能なドライエッチング装置により行えばよい。また、第２のシリコン層パターニング工程では、絶縁層１００ｃをエッチングストッパ層として利用している。
【００８２】
上述の第２のシリコン層パターニング工程の後、ＳＯＩ基板１００の絶縁層１００ｃの不要部分をＳＯＩ基板１００の上記他表面側からエッチングする絶縁層パターニング工程を行うことでミラー形成基板１を形成し、続いて、第２のレジスト層１３１および第３のレジスト層１３２を除去し、その後、ミラー形成基板１と、第１のカバー基板２および第２のカバー基板３とを陽極接合などにより接合する接合工程を行うことによって、図９（ｆ）に示す構造のＭＥＭＳ光スキャナを得る。ここにおいて、接合工程では、ミラー形成基板１のミラー面２１を保護する観点から、各固定ミラー６などを形成した第１のカバー基板２とミラー形成基板１とを接合する第１の接合過程を行ってから、ミラー形成基板１と第２のカバー基板３とを接合する第２の接合過程を行うことが好ましい。なお、第１のシリコン層パターニング工程の後に、ＳＯＩ基板１００と第１のカバー基板２とを接合し、その後、第２のシリコン層パターニング工程、絶縁層パターニング工程を行うことでミラー形成基板１を形成し、その後、ミラー形成基板１と第２のカバー基板３とを接合するようにしてもよい。
【００８３】
ところで、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナの製造方法では、接合工程が終了するまでの全工程をミラー形成基板１および各カバー基板２，３それぞれについてウェハレベルで行うことでＭＥＭＳ光スキャナを複数備えたウェハレベルパッケージ構造体を形成するようにし、当該ウェハレベルパッケージ構造体から個々のＭＥＭＳ光スキャナに分割する分割工程を行うようにしている。要するに、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナの製造方法では、ミラー形成基板１を複数形成した第１のウェハと、第１のカバー基板２を複数形成した第２のウェハおよび第２のカバー基板３を複数形成した第３のウェハとを接合することでウェハレベルパッケージ構造体を形成し、その後、ウェハレベルパッケージ構造体からミラー形成基板１の外形サイズに分割するようにしているので、各カバー基板２，３の平面サイズをミラー形成基板１の外形サイズに合わせることができるから、複数の固定ミラー６を備えた小型のＭＥＭＳ光スキャナを簡易なプロセスで製造することができ、また、量産性を高めることができる。
【００８４】
以上説明した本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナでは、実施形態１と同様、外側フレーム部１０と第１のカバー基板２と第２のカバー基板３とで囲まれた空間が真空雰囲気であることにより、駆動電圧の低電圧化を図りながらもミラー面２１の振れ角を大きくすることができ、しかも、ミラー面２１が設けられたミラー部２４が、一対の第１の捩りばね部３０，３０の軸回りの回動と、一対の第２の捩りばね部２５，２５の軸回りの回動とが可能であって、いずれの軸回りに回動させた場合にも、複数の固定ミラー６と１つのミラー面２１とで多重反射が起こるから、小型化を図りながらも走査角度の広角化を図れる。なお、本実施形態においても、外側フレーム部１０と第１のカバー基板２と第２のカバー基板３とで囲まれた空間を不活性ガス雰囲気としてもよい。
【００８５】
また、本実施形態のＭＥＭＳ光スキャナにおいて、各パッド１３それぞれの代わりに、例えば、図１０に示すように、第１のカバー基板２の外表面とミラー形成基板１における外側フレーム部１０の表面と貫通孔２０２の内側面とに跨って形成された貫通配線２１３を外部接続電極として形成してもよく、他の実施形態において同様の外部接続電極を採用してもよい。
【符号の説明】
【００８６】
１  ミラー形成基板
２  第１のカバー基板
３  第２のカバー基板
６  固定ミラー
１２  固定電極
１３  パッド
２０  可動部
２１  ミラー面
２２  可動電極
３０  捩りばね部
１００  ＳＯＩ基板（半導体基板）
２００  第１のガラス基板（透光性基板）
２０２  貫通孔
３００  第２のガラス基板
【図１】
2011112804.tif 000003
【図２】
2011112804.tif 000004
【図３】
2011112804.tif 000005
【図４】
2011112804.tif 000006
【図５】
2011112804.tif 000007
【図６】
2011112804.tif 000008
【図７】
2011112804.tif 000009
【図８】
2011112804.tif 000010
【図９】
2011112804.tif 000011
【図１０】
2011112804.tif 000012
【図１１】
2011112804.tif 000013
【図１２】
2011112804.tif 000014