(57)【要約】【課題】耐久性に優れ、しかも発光効率の高い新規な有機ＥＬ素子を提供すること。【解決手段】陽極、発光層、ホスフィンオキサイド含有層および陰極がこの順序で積層されてなり、該ホスフィンオキサイドが下記式（１）で表されるホスフィンオキサイド系化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。2011119591.tif 000062〔式（１）において、Ｒ1は、それぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ハロゲン原子または水素原子を表し、  Ａｒは、それぞれ独立に、ヘテロ原子を有していてもよい１価の置換または非置換の芳香族基を表す。〕【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、発光層、ホスフィンオキサイド含有層および陰極がこの順序で積層されてなり、
該ホスフィンオキサイドが下記式（１）で表されるホスフィンオキサイド系化合物である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2011119591.tif 000058
〔式（１）において、Ｒ1は、それぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ハロゲン原子または水素原子を表し、
Ａｒは、それぞれ独立に、ヘテロ原子を有していてもよい１価の置換または非置換の芳香族基を表す。〕
【請求項２】
前記ホスフィンオキサイド系化合物が、下記化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）および化合物（Ｃ）から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２】
2011119591.tif 000059
【請求項３】
前記化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）および化合物（Ｃ）におけるＡｒがすべてフェニル基であることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
陽極上に形成された発光層の上に、下記式（１）で表されるホスフィンオキサイド系化合物からなるホスフィンオキサイド含有層を形成する工程、および
該ホスフィンオキサイド含有層上に陰極を形成する工程
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【化３】
2011119591.tif 000060
〔式（１）において、Ｒ1は、それぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ハロゲン原子または水素原子を表し、
Ａｒは、それぞれ独立に、ヘテロ原子を有していてもよい１価の置換または非置換の芳香族基を表す。〕
【請求項５】
前記ホスフィンオキサイド系化合物が、下記化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）および化合物（Ｃ）から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【化４】
2011119591.tif 000061
【請求項６】
前記化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）および化合物（Ｃ）におけるＡｒがすべてフェニル基であることを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする光照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス（以下「有機ＥＬ」ともいう。）素子、その製造方法およびその用途に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ素子の材料開発、素子構造の改良等が活発に行われている。
たとえば特許文献１には、「アノード層、カソード層、およびアノード層とカソード層との間に挿入された少なくとも１つの有機層とを有する有機発光素子であって、該有機層の少なくとも１つが、架橋基によって結合された２つ以上のホスフィンオキシド部分を有する物質であって、該ホスフィン部分の各々が単結合によって２つの外側の基に対してさらに結合された物質を含む、有機発光素子」が開示されている（請求項６）。
【０００３】
この物質の構造としては、以下のような構造が開示され；
【０００４】
【化１】
2011119591.tif 000002
「外側の基」としては
【０００５】
【化２】
2011119591.tif 000003
などが挙げられ、「架橋基」としては
【０００６】
【化３】
2011119591.tif 000004
などが挙げられている。
【０００７】
さらに具体的態様として、ＩＴＯ陽極／銅フタロシアニン層／ホスフィンオキサイド系化合物層／ＬｉＦ層／Ａｌ陰極という構成の有機ＥＬ素子が記載されている。
この特許文献１には、従来の燐光発光有機ＥＬ素子について、量子効率は高いが、駆動電圧が高いために電力効率は低いということ、および特に青色発光有機ＥＬ素子では適当なホスト物質がないために電力効率が低く、新規なホスト物質が必要であるということが記載されている（段落［０００７］〜［０００９］）。
【０００８】
また、発明の開示の欄には、「限定は意味しないが、有機金属リン光体ドープ型電界発光素子における電荷輸送ホスト物質としての本発明の物質の使用によって、ホスフィンオキシド物質が特定の適用のために「整調」され得る方法の、優れた例が提供される」（段落［００１５］）と記載されている。
【０００９】
これらの記載によれば、特許文献１に開示された発明は、特定のホスフィンオキサイド系化合物を発光層のホストとして使用することにより、従来の燐光発光有機ＥＬ素子における上記問題点を解決すること、つまり電力効率に優れた有機ＥＬ素子、特に青色燐光発光有機ＥＬ素子を得ることを目的としていると考えられる。ただし、ホスフィンオキサイド系化合物を青色燐光発光色素のホストとして使用した例は開示されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特表２００７−５２４６７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１に記載された有機発光素子には、発光効率（電力効率）および耐久性の点でさらなる改良が必要であった。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、耐久性に優れ、しかも発光効率の高い新規な有機ＥＬ素子を提供することを目的としている。
【００１２】
なお、特許文献１には、有機ＥＬ素子の構造として“アノード層／有機層（発光層）／有機層（特定の「ホスフィンオキサイド系化合物」を含む層）／カソード層”という構造は開示されていない。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、たとえば以下の［１］〜［８］に関する。
［１］
陽極、発光層、ホスフィンオキサイド含有層および陰極がこの順序で積層されてなり、
該ホスフィンオキサイドが下記式（１）で表されるホスフィンオキサイド系化合物である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１４】
【化４】
2011119591.tif 000005
〔式（１）において、Ｒ1は、それぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ハロゲン原子または水素原子を表し、
Ａｒは、それぞれ独立に、ヘテロ原子を有していてもよい１価の置換または非置換の芳香族基を表す。〕
【００１５】
［２］
前記ホスフィンオキサイド系化合物が、下記化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）および化合物（Ｃ）から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする上記［１］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１６】
【化５】
2011119591.tif 000006
［３］
前記化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）および化合物（Ｃ）におけるＡｒがすべてフェニル基であることを特徴とする上記［２］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１７】
［４］
陽極上に形成された発光層の上に、下記式（１）で表されるホスフィンオキサイド系化合物からなるホスフィンオキサイド含有層を形成する工程、および
該ホスフィンオキサイド含有層上に陰極を形成する工程
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１８】
【化６】
2011119591.tif 000007
〔式（１）において、Ｒ1は、それぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ハロゲン原子または水素原子を表し、
Ａｒは、それぞれ独立に、ヘテロ原子を有していてもよい１価の置換または非置換の芳香族基を表す。〕
【００１９】
［５］
前記ホスフィンオキサイド系化合物が、下記化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）および化合物（Ｃ）から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする上記［４］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２０】
【化７】
2011119591.tif 000008
［６］
前記化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）および化合物（Ｃ）におけるＡｒがすべてフェニル基であることを特徴とする上記［５］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２１】
［７］  上記［１］〜［３］のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする表示装置。
［８］  上記［１］〜［３］のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする光照射装置。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の有機ＥＬ素子は、耐久性に優れ、しかも高い発光効率を示す。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本発明に係る有機ＥＬ素子の一例の断面図である。
【図２】図２は、本発明に係る有機ＥＬ素子の一例の断面図である。
【図３】図３は、本発明に係る有機ＥＬ素子の一例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
＜１．素子構成＞
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極、発光層、ホスフィンオキサイド含有層および陰極がこの順序で積層されてなる。
【００２５】
また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、陽極上に形成された発光層の上に、ホスフィンオキサイド含有層を形成する工程、および該ホスフィンオキサイド含有層上に陰極を形成する工程を含んでいる。なお本発明においては、陽極から陰極に向かう方向を「上」と称す。
【００２６】
本発明の有機ＥＬ素子は、前記の層以外にも、陽極バッファ層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層または陰極バッファ層を有していてもよい。なお、正孔ブロック層は発光層のホスフィンオキサイド含有層側に隣接する。また電子輸送層は、ホスフィンオキサイド含有層の発光層側もしくは陰極側または両側に隣接する。
【００２７】
前記の各層は、１層であってもよく、２種以上の層から構成されていてもよい。
図１は、本発明の有機ＥＬ素子構成の一例を示す断面図であり、透明基板１上に設けた陽極２と陰極５の間に発光層３およびホスフィンオキサイド含有層４を順次設けたものである。図２に示すように、透明基板１は、陰極５に接するように設けてもよい。
【００２８】
本発明の有機ＥＬ素子の構成は図１の例（（１）陽極／発光層／ホスフィンオキサイド含有層／陰極）に限定されず、たとえば以下のような構成が挙げられる。
（２）陽極／発光層／ホスフィンオキサイド含有層／陰極バッファ層／陰極
（３）陽極／陽極バッファ層／発光層／ホスフィンオキサイド含有層／陰極バッファ層／陰極
（４）陽極／陽極バッファ層／発光層／正孔ブロック層／ホスフィンオキサイド含有層／陰極バッファ層／陰極
（５）陽極／陽極バッファ層／発光層／電子輸送層／ホスフィンオキサイド含有層／陰極バッファ層／陰極
（６）陽極／陽極バッファ層／発光層／ホスフィンオキサイド含有層／電子輸送層／陰極バッファ層／陰極
（７）陽極／陽極バッファ層／正孔輸送層／発光層／ホスフィンオキサイド含有層／陰極バッファ層／陰極
（８）陽極／陽極バッファ層／電子ブロック層／発光層／ホスフィンオキサイド含有層／陰極バッファ層／陰極
図１に示した発光層３は１層であるが、発光層３は２層以上の層から構成されていてもよい。
【００２９】
また、本発明のもう１つの有機ＥＬ素子は、図３に示すように、基板１と、貫通孔もしくは貫通溝７を有する、陽極２および誘電体層６と、発光層３と、ホスフィンオキサイド含有層４と、陰極５とがこの順序で積層されてなり、発光層３が貫通孔もしくは貫通溝７を通じて基板１に接する有機ＥＬ素子である。このように構成された有機ＥＬ素子によれば、光取り出し効率が向上し、発光効率が一層高まる。
【００３０】
この誘電体層６の形成材料としては、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の金属窒化物；酸化ケイ素（二酸化ケイ素）、酸化アルミニウム等の金属酸化物などが挙げられ、誘電体層６の厚さは１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。また、貫通孔および貫通溝の幅は、貫通孔または貫通溝の端部から他の端部への短軸側の距離（最短距離）で表され、１０μｍ以下であり、隣り合う貫通孔または貫通溝同士の短軸側の距離（最短距離）も１０μｍである。
【００３１】
なお、本発明においては、電子輸送性化合物、正孔輸送性化合物、発光性化合物、およびこれらの全てまたは１種類以上からなる化合物層を、それぞれ「有機ＥＬ化合物」、「有機ＥＬ化合物層」ともいう。
【００３２】
＜２．陽極＞
前記陽極としては、−５〜８０℃の温度範囲で面抵抗が好ましくは１０００オーム□以下、より好ましくは１００オーム□以下である物質を用いることができる。
【００３３】
有機ＥＬ素子の陽極側から光を取り出す場合には、陽極は可視光に対して透明（３８０〜６８０ｎｍの光に対する平均透過率が５０％以上）であることが必要であるから、陽極の材料としては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などが挙げられ、有機ＥＬ素子の陽極として入手が容易であることを考慮すると、これらの中でもＩＴＯが好ましい。
【００３４】
また、有機ＥＬ素子の陰極側から光を取り出す場合には、陽極の光透過度は制限されず、陽極の材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ステンレス、あるいは銅、銀、金、白金、タングステン、チタン、タンタルもしくはニオブの単体、またはこれらの合金を使用できる。
【００３５】
陽極の厚さは、陽極側から光を取り出す場合には、高い光透過率を実現するために、好ましくは２〜３００ｎｍであり、陰極側から光を取り出す場合には、好ましくは２ｎｍ〜２ｍｍである。
【００３６】
＜３．陽極バッファ層＞
本発明の有機ＥＬ素子は、好ましくは、陽極に隣接する陽極バッファ層を有する。
陽極バッファ層を設けることにより、ホスフィンオキサイド含有層で促進された電子の移動と、陽極から注入された正孔の移動とのバランスが整えられ、本発明の有機ＥＬ素子の耐久性をより向上させることができる。
【００３７】
陽極バッファ層は抵抗加熱蒸着法や高周波プラズマ処理などのドライプロセスで作製することができ、特に有機物ガスにグロー放電を当てることによって有機物ガスを固層上に固体として析出させる高周波プラズマ処理により作製することが、密着性に優れ、耐久性の高い陽極バッファ層が得られることから好ましい。
【００３８】
前記高周波プラズマ処理による成膜で用いられる化合物は、陽極表面およびその上の有機ＥＬ化合物層に良好な付着性を有した陽極バッファ層を形成し得る化合物であれば特に制限はない。後述する有機ＥＬ化合物層を塗布法によって作製する場合には、ＣＦ4、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ10、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｆ4およびＣ4Ｆ8などの気体状のフルオロカーボンを高周波プラズマ処理して得られるフルオロカーボン膜を陽極バッファ層として形成すると、前記フルオロカーボン膜上に有機ＥＬ化合物層を安定に成膜することができる。
【００３９】
また、陽極バッファ層をウェットプロセスにて、すなわち陽極バッファ層形成材料を陽極に塗布して作製してもよい。
この場合には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法などを用いて成膜することが出来る。
【００４０】
前記ウェットプロセスによる成膜で用い得る化合物は、陽極表面とその上層に含まれる有機ＥＬ化合物に良好な付着性を有した陽極バッファ層を形成し得る化合物であればよく、たとえば、ポリ（３，４）−エチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸塩との混合物であるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ、ポリアニリンとポリスチレンスルホン酸塩との混合物であるＰＡＮＩなどの導電性ポリマーを挙げることができる。
【００４１】
また正孔輸送性高分子化合物と、電荷移動錯体を形成し得る電子受容性化合物とを含む組成物を陽極バッファ層の材料として用いることも好ましい。前記正孔輸送性高分子化合物としては、下記一般式（Ｅ−１）〜（Ｅ−９）で表される化合物などの正孔輸送性の重合性化合物を重合させたものが挙げられる。
【００４２】
【化８】
2011119591.tif 000009
前記電荷移動錯体を形成し得る電子受容性化合物としては、たとえば、Ｎ，Ｎ’−ジシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロ−１，４−キノンジイミン（Ｆ４ＤＣＮＱＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジシアノ−２，５−ジクロロ−１，４−キノンジイミン（Ｃ１２ＤＣＮＱＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジシアノ−２，５−ジクロロ−３，６−ジフルオロ−１，４−キノンジイミン（Ｃ１２Ｆ２ＤＣＮＱＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジシアノ−２，３，５，６，７，８−ヘキサフルオロ−１，４−ナフトキノンジイミン（Ｆ６ＤＣＮＮＯＩ）、１，４，５，８−テトラヒドロ−１，４，５，８−テトラチア−２，３，６，７−テトラシアノアントラキノン（ＣＮ４ＴＴＡＱ）、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３，５，６−テトラフルオロテトラシアノ−１，４−ベンゾキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）、２，５−ビス（２−ヒドロキシエトキシ）−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、２，５−ジフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、ビス（テトラブチルアンモニウム）テトラシアノジフェノキノジメタニド、２，５−ジメチル−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、２−フルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、１１，１１，１２，１２−テトラシアノナフト−２，６−キノジメタン、ＮＤＰ−９（商品名、Ｎｏｖａｌｅｄ社）などが挙げられる。
【００４３】
これらの中でも、有機溶剤（たとえば、トルエン）への溶解性が高く、均一性の高い陽極バッファ層を形成できる点で、ＴＣＮＱ、Ｆ４ＴＣＮＱおよびＮＤＰ−９が好ましい。
陽極バッファ層をウェットプロセスにて作製する場合には、前記導電性ポリマーまたは前記組成物に、トルエン、イソプロピルアルコールなどの有機溶剤を添加してもよい。また、界面活性剤などの第三成分を、前記導電性ポリマーまたは前記組成物に添加してもよい。前記界面活性剤としては、たとえばアルキル基、アルキルアリール基、フルオロアルキル基、アルキルシロキサン基、硫酸塩、スルホン酸塩、カルボキシレート、アミド、ベタイン構造、および第４級化アンモニウム基からなる群から選択される１種の基を含む界面活性剤が用いられるが、フッ化物ベースの非イオン性界面活性剤も用い得る。
【００４４】
また、陽極バッファ層をウェットプロセスにて作製する場合には、陽極バッファ層形成材料として以下の組成物（以下「陽極バッファ層用組成物（α）」ともいう。）を用いてもよい。
【００４５】
この陽極バッファ層用組成物（α）を用いれば、陽極バッファ層形成用溶液の溶媒として有機溶剤を使用でき、有機溶剤を溶媒とする発光層形成材料溶液の塗布によっても溶解しない陽極バッファ層を形成でき、しかも発光効率が高く寿命が長い有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００４６】
［陽極バッファ層用組成物（α）］
陽極バッファ層用組成物（α）は、ホスト材料である特定の高分子化合物（以下「ホスト用高分子化合物」ともいう。）、およびドーパントである電子受容性化合物を含む。
【００４７】
＜ホスト用高分子化合物＞
（特定構成単位）
前記ホスト用高分子化合物は、下記式（α１）または下記式（α２）で表される構成単位（以下「特定構成単位」ともいう。）を有する。
【００４８】
【化９】
2011119591.tif 000010
〔式（α１）、（α２）のそれぞれにおいて、
複数個あるＲaは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、少なくとも１つのＲaは炭素数１〜１０のアルキル基を表し、
複数個あるＲbは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、
複数個あるＲcは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、同一のフェニル基の中の隣接する炭素原子にそれぞれ結合しているＲcは、互いに結合して縮合環を形成してもよく、
Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ1−（ただし、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜２０の２価の有機基（ただし、該有機基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ2−（ただし、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−からなる群より選択される原子または基を含んでいてもよい。）を表し、
Ｙ−Ｘ−は、
【００４９】
【化１０】
2011119591.tif 000011
（Ｒ3は、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
で表される基を表し、
ｐは、０または１を表す。〕
【００５０】
前記式（α１）〜（α２）のそれぞれにおける少なくとも１つのＲaが炭素数１〜１０のアルキル基であることにより、有機ＥＬ素子を製造する際に、陽極バッファ層形成用溶液の溶媒として有機溶剤を使用でき、有機溶剤を溶媒とする発光層形成材料溶液の塗布によっても溶解しない陽極バッファ層を形成でき（以下、有機溶剤を溶媒とする発光層形成材料溶液の塗布によっても陽極バッファ層が溶解しないことを「陽極バッファ層の不溶化」ともいう。）、しかも電力効率が高く寿命が長い有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００５１】
前記式（α１）および（α２）におけるＲaを有するベンゼン環においては、Ｎ（窒素原子）に対してオルト位にある少なくとも１つのＲaがアルキル基であることが好ましい。
【００５２】
Ｒbを有する各ベンゼン環においても、Ｎ（窒素原子）に対してオルト位にある少なくとも１つのＲbがアルキル基であることが好ましい。
このように、Ｎ（窒素原子）に対してオルト位にアルキル基が存在すると、前記特定構成単位中のトリフェニルアミン骨格のねじれが大きくなり、陽極バッファ層の不溶化がより促進される、と推測される。
【００５３】
したがって、前記式（α１）で表される特定構成単位における
【００５４】
【化１１】
2011119591.tif 000012
で表される部分構造の好ましい例としては、以下の構造が挙げられ、
【００５５】
【化１２】
2011119591.tif 000013
〔ただし、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基を表す。以下も同様である。〕
特に好ましい例としては、以下の構造が挙げられる。
【００５６】
【化１３】
2011119591.tif 000014
同様に、前記式（α２）で表される特定構成単位における
【００５７】
【化１４】
2011119591.tif 000015
で表される部分構造の好ましい例としては、以下の構造が挙げられ、
【００５８】
【化１５】
2011119591.tif 000016
特に好ましい例としては、以下の構造が挙げられる。
【００５９】
【化１６】
2011119591.tif 000017
前記Ｒaにおけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、アミル基、ヘキシル基等が挙げられ、特定構成単位を誘導する単量体の合成容易性の観点からは、メチル基、エチル基、イソプロピル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
【００６０】
前記Ｒbにおけるアルキル基としては、上述したＲaにおけるアルキル基の具体例が挙げられ、特定構成単位を誘導する単量体の合成容易性の観点からは、メチル基、エチル基、イソプロピル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
【００６１】
前記ホスト用高分子化合物の、有機溶剤への溶解性および溶液の均質化の観点からは、１つのベンセン環当り少なくとも１つ（例：１つ）のＲcがアルキル基またはアルコキシ基であることが好ましい。
【００６２】
前記Ｒcにおけるアルキル基としては、上述したＲaにおけるアルキル基の具体例が挙げられ、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ターシャリーブチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
【００６３】
前記Ｒcにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記Ｒcにおけるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロプキシ基、ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、およびターシャルブトキシ基等が挙げられメトキシ基、エトキシ基、プロプキシ基、ブトキシ基が好ましく、メトキシ基が特に好ましい。前記縮合環としては、ナフチレン基等が挙げられる。
【００６４】
Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ1−（ただし、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜２０の２価の有機基（ただし、該有機基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ2−（ただし、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−からなる群より選択される原子または基を含んでいてもよい。）を表す。これらの中でも、単結合、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−および炭素数１〜２０の２価の有機基（ただし、該有機基は、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−からなる群より選択される原子または基を含んでいてもよい。）が好ましい。
【００６５】
前記Ｙ−Ｘ−で表される構造としては、Ｙ−（Ｘは単結合である。）、Ｙ−Ｏ−、Ｙ−ＣＯＯ−および下記式（Ｓ１）〜（Ｓ３）のいずれかで表される基（下記式（Ｓ１）、（Ｓ３）中、ｎは、０〜５の整数を示す。）が好ましい。
【００６６】
【化１７】
2011119591.tif 000018
Ｙを誘導する重合性官能基ｙは、ビニル基、イソプロペニル基などのＣＨ2＝ＣＲ3−で表される基（Ｒ3は、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）である。これらのうちで、ビニル基が好ましい。
【００６７】
Ｙ−Ｘ−で表される構造を誘導する重合性官能基を含む部分構造としては、具体的には、下記式（Ａ１）〜（Ａ１３）で表される部分構造が好ましい。これらのうちで、下記式（Ａ１）、（Ａ５）、（Ａ８）、（Ａ１２）で表される部分構造は、特定構成単位を誘導する単量体に容易に導入できるためさらに好ましい。
【００６８】
【化１８】
2011119591.tif 000019
（特定構成単位の具体例）
前記特定構成単位の具体例としては、以下の式（Ｂ−１）〜（Ｂ−２１）のいずれかで表される構成単位が挙げられる。
【００６９】
【化１９】
2011119591.tif 000020
【００７０】
【化２０】
2011119591.tif 000021
これらの中では、式（Ｂ-１１）〜（Ｂ−２１）のいずれかで表される構成単位が好ましい。
【００７１】
前記特定構成単位のより好ましい具体例としては、以下の式（Ｂ−２２）〜（Ｂ−３２）のいずれかで表される構成単位が挙げられる。
【００７２】
【化２１】
2011119591.tif 000022
これらの中では、式（Ｂ−２２）、（Ｂ−２６）、（Ｂ−２７）、（Ｂ−３０）のいずれかで表される構成単位が特に好ましい。
前記ホスト用高分子化合物には、１種の前記特定構成単位が含まれていてもよく、２種以上の前記特定構成単位が含まれていてもよい。
【００７３】
（前記特定構成単位を誘導する単量体の製造方法）
前記特定構成単位を誘導する単量体は、従来公知の方法、たとえば以下の方法により製造することができる。
【００７４】
＜式（α１）で表される構成単位を誘導する単量体の製法の例＞
下図のように、ビフェニルジアミン誘導体（ｍ−１）と、ハロゲン化アリール誘導体（ｍ−３）とを、溶媒（たとえば、トルエン、キシレン）中で、通常のパラジウム触媒を用いてカップリング反応させることにより、（ｍ−４）および（ｍ−４′）を誘導する。
【００７５】
【化２２】
2011119591.tif 000023
次に、下図のように、（ｍ−４）および（ｍ−４′）と、重合性置換基を有したハロゲン化アリール（ｍ−６）とを、通常のパラジウム触媒を用いてカップリング反応させることにより、式（α１）で表される構成単位を誘導する単量体の１つである（ｍ−７）が（ｍ−７′）と共に製造される。
【００７６】
【化２３】
2011119591.tif 000024
また下図のように、フェニルジアミン誘導体（ｍ−２）と、ハロゲン化アリール誘導体（ｍ−３）とを、溶媒（たとえば、トルエン、キシレン）中で、通常のパラジウム触媒を用いてカップリング反応させることにより、（ｍ−５）を誘導し、（ｍ−５）と重合性置換基を有するハロゲン化アリール（ｍ−６）とを、通常のパラジウム触媒を用いてカップリング反応させることにより、式（α１）で表される構成単位を誘導する単量体の１つである（ｍ−８）が製造される。
【００７７】
【化２４】
2011119591.tif 000025
＜式（α２）で表される構成単位を誘導する単量体の製法の例＞
下図のように、（ｍ−９）とジアリールアミン（ｍ−１０）とを、溶媒（たとえば、トルエン、キシレン）中で、通常のパラジウム触媒を用いてカップリング反応させることにより、式（α２）で表される構成単位を誘導する単量体の１つである（ｍ−１１）が製造される。
【００７８】
【化２５】
2011119591.tif 000026
また、（ｍ−９）と（ｍ−１０）との１：１カップリング体である（ｍ−１２）と、ハロゲンとのカップリング性を有した反応基Ｑ（−Ｂ（ＯＨ）2、ハロゲン原子等）を有するトリフェニルアミン化合物（ｍ−１３）とを反応させることにより、式（α２）で表される構成単位を誘導する単量体の１つである（ｍ−１４）が製造される。
【００７９】
【化２６】
2011119591.tif 000027
なお、式（ｍ−１）〜（ｍ−１４）中のＲa、Ｒb、ＲcおよびＸは、それぞれ式（α１）、（α２）中のＲa、Ｒb、ＲcおよびＸと同義であり、ｙは式（α１）、（α２）の中のＹを誘導する重合性置換基である。
【００８０】
（他の構成単位）
前記ホスト用高分子化合物は、前記特定構成単位のみからなる単独重合体であってもよく前記特定構成単位以外の構成単位（以下「他の構成単位」ともいう。）を含む共重合体であってもよい。
【００８１】
前記他の構成単位の具体例としては、下記式（α３）で表される構成単位および下記式（α４）で表される構成単位が挙げられる。
【００８２】
【化２７】
2011119591.tif 000028
〔式（α３）、（α４）のそれぞれにおいて、
複数個あるＲcは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、同一のフェニル基の中の隣接する炭素原子にそれぞれ結合しているＲcは、互いに結合して縮合環を形成してもよく、
Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ1−（ただし、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜２０の２価の有機基（ただし、該有機基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ2−（ただし、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−からなる群より選択される原子または基を含んでいてもよい。）を表し、
Ｙ−Ｘ−は、
【００８３】
【化２８】
2011119591.tif 000029
（Ｒ3は、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
で表される基を表し、
ｐは、０または１を表す。〕
【００８４】
式（α３）におけるＲcの具体例および好ましい態様としては、前記式（α１）および（α２）におけるＲcの具体例および好ましい態様が挙げられる。
式（α３）におけるＸの具体例および好ましい態様としては、それぞれ、前記式（α１）および（α２）におけるＸの具体例および好ましい態様が挙げられる。
式（α３）におけるＹ−Ｘ−の具体例および好ましい態様としては、それぞれ、前記式（α１）および（α２）におけるＹ−Ｘ−の具体例および好ましい態様が挙げられ、Ｙを誘導する重合性官能基ｙとしてはビニル基が好ましい。
【００８５】
同様に、式（α４）におけるＲcの具体例および好ましい態様としては、前記式（α１）および（α２）におけるＲcの具体例および好ましい態様が挙げられる。
式（α４）におけるＸの具体例および好ましい態様としては、それぞれ、前記式（α１）および（α２）におけるＸの具体例および好ましい態様が挙げられる。
式（α４）におけるＹ−Ｘ−の具体例および好ましい態様としては、それぞれ、前記式（α１）および（α２）におけるＹ−Ｘ−の具体例および好ましい態様が挙げられ、Ｙを誘導する重合性官能基ｙとしてはビニル基が好ましい。
【００８６】
前記他の特定構成単位の具体例としては、以下の構成単位が挙げられる。
【００８７】
【化２９】
2011119591.tif 000030
前記特定構成単位の好ましい具体例としては、以下の構成単位が挙げられる。
【００８８】
【化３０】
2011119591.tif 000031
（ホスト用高分子化合物）
前記ホスト用高分子化合物は、前記特定構成単位のみからなる単独重合体であってもよく、前記他の構成単位をさらに含む共重合体であってもよい。この共重合体は、ランダム共重合体であってもよくブロック共重合体であってもよい。
【００８９】
前記ホスト用高分子化合物は、陽極バッファ層の不溶化の観点から、前記特定構成単位を好ましくは８０モル％以上、より好ましくは９０モル％以上、さらに好ましくは９５モル％以上含む。
【００９０】
前記ホスト用高分子化合物の、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）による重量平均分子量は、陽極バッファ層の不溶化の観点から、通常２０，０００以上、より好ましくは５０，０００以上、さらに好ましくは１００，０００以上である。その上限値は、ホスト用高分子化合物自体の溶解性の観点から、１，０００，０００程度である。この重量平均分子量の値（スチレン換算）は、下記の条件によって測定された場合の値である。
装置：昭和電工（株）製  Ｓｈｏｄｅｘ  ＧＰＣ−１０１
カラム：Ｓｈｏｄｅｘ  ＫＦ−Ｇ＋ＫＦ８０４Ｌ＋ＫＦ８０２＋ＫＦ８０１
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
流速：１ｍｌ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
【００９１】
前記ホスト用高分子化合物は、その原料として、前記特定構成単位を誘導する単量体および、必要に応じて、前記他の構成単位を誘導する単量体を用いる点を除けば、重合体製造における常法により製造することができる。その重合方法は、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、付加重合のいずれでもよいが、ラジカル重合が好ましい。
【００９２】
＜ホスト用低分子化合物＞
前記陽極バッファ層用組成物（α）は、ホスト用低分子化合物を含んでいても良い。このホスト用低分子化合物の具体例としては、下記式（α５）で表される化合物および下記式（α６）で表される化合物が挙げられる。
【００９３】
【化３１】
2011119591.tif 000032
〔式（α５）、（α６）のそれぞれにおいて、
複数個あるＲcは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、同一のフェニル基の隣接する炭素原子にそれぞれ結合しているＲcは、互いに結合して縮合環を形成してもよく、
ｐは、０または１を表す。〕
【００９４】
式（α５）におけるＲcの具体例および好ましい態様としては、前記式（α３）におけるＲcの具体例および好ましい態様が挙げられる。
同様に、式（α６）におけるＲcの具体例および好ましい態様としては、前記式（α４）におけるＲcの具体例および好ましい態様が挙げられる。
前記ホスト用低分子化合物としては、たとえば以下の化合物が挙げられる。
【００９５】
【化３２】
2011119591.tif 000033
＜電子受容性化合物＞
前記電子受容性化合物（ドーパント）としては、上述した化合物が挙げられ、有機溶剤（たとえば、トルエン）への溶解性が高く、均一性の高い陽極バッファ層を形成できる点で、ＴＣＮＱ、Ｆ４ＴＣＮＱおよびＮＤＰ−９が好ましい。
【００９６】
（陽極バッファ層用組成物（α））
前記陽極バッファ層用組成物（α）は、前記ホスト用高分子化合物および電子受容性化合物を含んでいる。
【００９７】
前記電子受容性化合物は、前記ホスト用高分子化合物および任意成分である前記ホスト用低分子化合物の合計１００質量部に対して、通常０．１〜２０質量部、好ましくは０．５〜１０質量部、さらに好ましくは１〜５質量部含まれる。含有量が上記範囲にあると、陽極バッファ層は十分な電荷注入能を発揮する。一方、含有量が上記範囲よりも過大であると、電子受容性化合物の結晶化などにより有機ＥＬ素子の劣化を引き起こす場合がある。
【００９８】
前記ホスト用高分子化合物１００質量部に対する前記ホスト用低分子化合物の割合は、好ましくは３〜２０質量部、さらに好ましくは５〜１０質量部である。
前記組成物（α）は、有機溶剤をさらに含んでいても良い。
【００９９】
有機溶剤を含む前記組成物（α）は、陽極バッファ層形成用塗布液として使用することができる。
前記有機溶剤としては、種々の有機溶媒を用いることができ、たとえばトルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒やクロロホルムやジクロロエタン等のハロゲン化アルキル溶媒などが挙げられる。
【０１００】
前記組成物（α）中の前記有機溶剤の含量は、形成しようとする陽極バッファ層の膜厚や製膜の条件等を考慮して適宜設定することができるが、目安としては、前記組成物（α）中の固形分含量（有機溶剤を除く成分の合計量）が好ましくは０．１〜４質量％、さらに好ましくは０．４〜２質量％となるように調製される。
【０１０１】
（陽極バッファ層）
前記陽極バッファ層用組成物（α）を用いる場合には、陽極バッファ層を、好ましくは、陽極上に前記陽極バッファ層用組成物（α）を塗布し、さらに加熱することによって形成する。このようにして形成された陽極バッファ層は、有機溶剤に対する耐性が高いため、この陽極バッファ層上に有機溶剤を溶媒とする発光層等形成材料の溶液を塗布しても、溶解し難い。
【０１０２】
この塗布操作においては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の公知の塗布法を適用することがきできる。
【０１０３】
また、前記塗布操作に続く加熱操作において、加熱温度は、後述する有機ＥＬ化合物層形成の際に陽極バッファ層が溶解するのを防ぐ観点、および陽極バッファ層が熱分解するのを防ぐ観点から、目安としては、たとえば７０℃以上、好ましくは１００〜３５０℃、さらに好ましくは１５０〜２５０℃である。
【０１０４】
また加熱時間は、後述する有機ＥＬ化合物層形成の際に陽極バッファ層が溶解するのを防ぐ観点から、好ましくは１０〜１８０分、さらに好ましくは３０〜１２０分である。
陽極バッファ層の不溶化の程度を、たとえば陽極バッファ層に下記の処理を施した際の陽極バッファ層の厚さの減少率（（１−処理後の厚さ／処理前の厚さ）×１００）として評価すると、この減少率はたとえば３０％以下、好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下である。
【０１０５】
〔処理〕：厚さ２０ｎｍの陽極バッファ層を表面に備えた基板（２５ｍｍ角、板厚１．１ｍｍ、青板ガラス）を、スピンコーターにセットし、陽極バッファ層上に０．１０ｍｌのトルエンを滴下した後、３０００ｒｐｍで３０秒間の条件で回転させる。この回転はトルエンの滴下後５秒以内に開始する。その後、陽極バッファ層を窒素雰囲気下に１４０℃で１時間放置する。
【０１０６】
陽極バッファ層の厚さは、バッファ層としての効果を十分に発揮させ、また有機ＥＬ素子の駆動電圧の上昇を防ぐ観点から、好ましくは５〜５０ｎｍ、さらに好ましくは１０〜３０ｎｍである。
【０１０７】
＜４．有機ＥＬ化合物層＞
本発明の有機ＥＬ素子における有機ＥＬ化合物層、すなわち発光層、正孔輸送層、及び電子輸送層に使用する化合物としては、低分子化合物及び高分子化合物のいずれをも使用することができる。
【０１０８】
本発明の有機ＥＬ素子の発光層を形成するための有機ＥＬ化合物としては、大森裕：応用物理、第７０巻、第１２号、１４１９−１４２５頁（２００１年）に記載されている発光性低分子化合物及び発光性高分子化合物などを例示することができる。この中でも、素子作製プロセスが簡素化されるという点で発光性高分子化合物が好ましく、発光効率が高い点で燐光発光性化合物が好ましい。従って、特に燐光発光性高分子化合物が好ましい。
【０１０９】
また、発光性高分子化合物は、共役発光性高分子化合物と非共役発光性高分子化合物とに分類することもできるが、中でも非共役発光性高分子化合物が好ましい。
上記の理由から、本発明で用いられる発光材料としては、燐光発光性非共役高分子化合物（前記燐光発光性高分子であり、かつ前記非共役発光性高分子化合物でもある発光材料）が特に好ましい。
【０１１０】
本発明の有機ＥＬ素子における発光層は、好ましくは、燐光を発光する燐光発光性単位とキャリアを輸送するキャリア輸送性単位とを一つの分子内に備えた、燐光発光性高分子を少なくとも含む。前記燐光発光性高分子は、重合性置換基を有する燐光発光性化合物と、重合性置換基を有するキャリア輸送性化合物とを共重合することによって得られる。燐光発光性化合物はイリジウム、白金および金の中から一つ選ばれる金属元素を含む金属錯体であり、中でもイリジウム錯体が好ましい。
【０１１１】
燐光発光性高分子のさらに具体的な例と合成法は、例えば特開２００３−３４２３２５号公報、特開２００３−１１９１７９号公報、特開２００３−１１３２４６号公報、特開２００３−２０６３２０号公報、特開２００３−１４７０２１号公報、特開２００３−１７１３９１号公報、特開２００４−３４６３１２号公報、特開２００５−９７５８９号公報に開示されている。
【０１１２】
本発明によれば、発光材料として、従来、高耐久性および高発光効率の両立が困難であった、青色燐光発光性化合物を用いた有機ＥＬ素子であっても、高耐久性および高発光効率が実現される。
【０１１３】
ここで青色燐光発光性化合物とは、前記燐光発光性化合物のうち最大発光波長が３８０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である化合物を言い、好ましくは下記式（ｅ１）〜（ｅ４）で表される部分構造を有する化合物である。
【０１１４】
燐光発光性化合物の最大発光波長は、光路長を１ｃｍとした場合の、波長３５０ｎｍの単色光の吸光度が０．１となるように調製した燐光発光性化合物のジクロロメタン溶液中、２５℃において、波長３５０ｎｍの単色光で励起して得られる発光スペクトル中、最大の発光強度を示す波長である。
【０１１５】
燐光発光性化合物の最大発光波長は、燐光発光性化合物の溶液（光路長を１ｃｍとした場合の、波長３５０ｎｍの単色光の吸光度が０．１となるように調製した燐光発光性化合物のジクロロメタン溶液）を、２５℃において、波長３５０ｎｍの単色光で励起して得られる発光スペクトル中、最大の発光強度を示す波長である。
【０１１６】
【化３３】
2011119591.tif 000034
本発明の方法により製造される有機ＥＬ素子における発光層は、好ましくは前記燐光発光性化合物を含む層であるが、発光層のキャリア輸送性を補う目的で正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物が含まれていてもよい。これらの目的で用いられる正孔輸送性化合物としては、例えば、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’ジアミン）、α−ＮＰＤ（４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４、４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）などの低分子トリフェニルアミン誘導体や、ポリビニルカルバゾール、前記トリフェニルアミン誘導体に重合性官能基を導入して高分子化したもの、例えば特開平８−１５７５７５号公報に開示されているトリフェニルアミン骨格の高分子化合物、ポリパラフェニレンビニレン、ポリジアルキルフルオレンなどが挙げられ、また、電子輸送性化合物としては、例えば、Ａｌｑ３（トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（III））などのキノリノール誘導体金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリアジン誘導体、トリアリールボラン誘導体などの低分子材料や、上記の低分子電子輸送性化合物に重合性官能基を導入して高分子化したもの、例えば特開平１０−１６６５号公報に開示されているポリＰＢＤなどの既知の電子輸送性化合物が使用できる。
【０１１７】
（有機ＥＬ化合物層の形成方法）
上記の有機ＥＬ化合物層は、有機ＥＬ化合物が発光性高分子化合物である場合には、主にスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法により形成することができる。
【０１１８】
上述したように、前記陽極バッファ層用組成物（α）から形成された陽極バッファ層は、有機溶剤に対する耐性が高いため、その表面に有機溶剤を溶媒とする有機ＥＬ化合物溶液を塗布しても、有機溶剤に溶解し難い。
一方、有機ＥＬ化合物が発光性低分子化合物の場合には、主として抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法により有機ＥＬ化合物層を形成することができる。
【０１１９】
＜５．正孔ブロック層＞
正孔が発光層を通過することを抑え、正孔を発光層内で電子と効率よく再結合させる目的で、発光層とホスフィンオキサイド含有層との間に、発光層に隣接して正孔ブロック層を設けてもよい。この正孔ブロック層には発光性化合物より最高占有分子軌道（Highest Occupied Molecular Orbital；ＨＯＭＯ）準位の深い化合物を用いることができ、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、アルミニウム錯体などを例示することができる。
【０１２０】
さらに、励起子（エキシトン）が陰極金属で失活することを防ぐ目的で、発光層の陰極側に隣接してエキシトンブロック層を設けてもよい。このエキシトンブロック層には発光性化合物より励起三重項エネルギーの大きな化合物を用いることができ、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、アルミニウム錯体などを例示することができる。
【０１２１】
＜６．ホスフィンオキサイド含有層＞
（ホスフィンオキサイド含有層）
ホスフィンオキサイド含有層は下記式（１）で表されるホスフィンオキサイド系化合物（以下「特定のホスフィンオキサイド系化合物」ともいう。）からなる。
【０１２２】
【化３４】
2011119591.tif 000035
〔式（１）において、Ｒ1は、それぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ハロゲン原子または水素原子を表し、
Ａｒは、それぞれ独立に、ヘテロ原子を有していてもよい１価の置換または非置換の芳香族基を表す。〕
【０１２３】
前記Ｒ1としては、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基およびエチル基が特に好ましい。
前記Ａｒが表す１価の芳香族基としては、置換または非置換の炭素数６〜３０のアリール基、置換または非置換の炭素数２〜２０の複素環式芳香族基が挙げられ、置換または非置換の炭素数６〜３０のアリール基が好ましい。
【０１２４】
前記の置換または非置換の炭素数６〜３０のアリール基としては、下記式（ａ）〜（ｎ）で表される基が挙げられ、式（ａ）で表される基が特に好ましい。
【０１２５】
【化３５】
2011119591.tif 000036
式（ａ）〜（ｎ）において、Ｒ2〜Ｒ15は、それぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケニル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ハロゲン原子または水素原子を表し、Ｒ16はメチル基またはエチル基を表す。
【０１２６】
また、前記の置換または非置換の炭素数２〜２０の複素環式芳香族基としては、下記式（ｏ）〜（ｘ）で表される基が挙げられる。
【０１２７】
【化３６】
2011119591.tif 000037
式（ｏ）〜（ｘ）において、Ｒ17〜Ｒ29は、それぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基または水素原子を表す。
【０１２８】
前記ホスフィンオキサイド系化合物としては、下記の化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）および化合物（Ｃ）が好ましい。
【０１２９】
【化３７】
2011119591.tif 000038
前記化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）および化合物（Ｃ）におけるＡｒは、すべてフェニル記であることが好ましい。
【０１３０】
（特定のホスフィンオキサイド系化合物の製造方法）
前記式（１）で表されるホスフィンオキサイド系化合物は、たとえば、下記式（１ａ）：
【０１３１】
【化３８】
2011119591.tif 000039
で表される４−ハロアセトフェノン誘導体をテトラクロロシランの存在下で縮合させて、下記式（１ｂ）：
【０１３２】
【化３９】
2011119591.tif 000040
で表されるトリフェニルベンゼン誘導体（１ｂ）を製造し、このトリフェニルベンゼン誘導体（１ｂ）を、ノルマルブチルリチウムなどの塩基で処理したのち、下記式（１ｃ）：
【０１３３】
【化４０】
2011119591.tif 000041
で表されるハロジアリールホスフィン化合物と反応させて下記式（１ｄ）：
【０１３４】
【化４１】
2011119591.tif 000042
で表されるトリフェニルベンゼン誘導体（１ｄ）を製造し、このトリフェニルベンゼン誘導体（１ｄ）のリン原子を酸化することによって得ることができる。
（下記式（１ａ）〜（１ｄ）中、Ｒ1およびＡｒはそれぞれ前記式（１）の中のＲ1およびＡｒと同義であり、Ｘ1およびＸ2はそれぞれハロゲン原子を表す）
ホスフィンオキサイド含有層の厚さは、０．５〜１００ｎｍ程度、好ましくは１〜５０ｎｍ、さらに好ましくは５〜２０ｎｍである。
【０１３５】
（ホスフィンオキサイド含有層の形成方法）
ホスフィンオキサイド含有層は、発光層の、陽極側とは反対側の表面に、前記ホスフィンオキサイド系化合物を蒸着させることにより形成できる。
蒸着の条件は、ホスフィンオキサイド系化合物の種類によっても異なるので一概には言えないが、目安としては以下のとおりである。
【０１３６】
加熱方法；
抵抗加熱法、電子ビーム法などが挙げられる。
加熱温度；
５０〜４８０℃程度、好ましくは１００〜４５０℃である。
基板温度；
−５０〜３００℃程度、好ましくは２０〜２００℃である。また、基板を加熱しないことが好ましい。
【０１３７】
圧力；
１．０×１０-7〜１．０×１０-4Ｐａ程度であり、好ましくは１．０×１０-6〜１．０×１０-5Ｐａである。
【０１３８】
蒸着速度；
ホスフィンオキサイド系化合物の蒸着速度は、０．０１〜５００Å／ｓ程度、好ましくは０．０５〜１０Å／ｓである。
【０１３９】
＜７．陰極バッファ層＞
陰極から有機層への電子注入障壁を下げて電子の注入効率を上げる目的で、陰極バッファ層として、陰極より仕事関数の低い金属層を、陰極と隣接して設けることが好ましい。このような目的に使用できる低仕事関数の金属としては、アルカリ金属（Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）、アルカリ土類金属（Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ）、希土類金属（Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ）等を挙げることができる。また、陰極より仕事関数の低いものであれば、合金またはＮａＦ、ＭｇＦ2、ＭｇＯなどの金属化合物も使用することができる。これらの陰極バッファ層の成膜方法としては、蒸着法やスパッタ法などを用いることができる。陰極バッファ層の厚さは０．０５〜５０ｎｍが好ましく、０．１〜２０ｎｍがより好ましく、０．５〜１０ｎｍがより一層好ましい。
【０１４０】
さらに、陰極バッファ層は、前記の低仕事関数の物質と電子輸送性化合物の混合物として形成することもできる。なお、ここで用いられる電子輸送性化合物としては前述の電子輸送層に用いられる有機化合物を用いることができる。この場合の成膜方法としては共蒸着法を用いることができる。また、溶液による塗布成膜が可能な場合は、スピンコーティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、印刷法、スプレー法、ディスペンサー法などの既述の成膜方法を用いることができる。この場合の陰極バッファ層の厚さは０．１〜１００ｎｍが好ましく、０．５〜５０ｎｍがより好ましく、１〜２０ｎｍがより一層好ましい。陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【０１４１】
＜８．陰極＞
本発明の有機ＥＬ光素子の陰極材料としては、陽極側から光を取り出す場合には、仕事関数が低く、かつ化学的に安定なものが使用され、Ａｌ、ＭｇＡｇ合金、ＡｌＬｉやＡｌＣａなどのＡｌとアルカリ金属の合金などの既知の陰極材料を例示することができる。陰極の化学的安定性を考慮すると、その仕事関数は−２．９ｅＶ以下であることが好ましい。これらの陰極材料の成膜方法としては、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などを用いることができる。陰極の厚さは１０ｎｍ〜１μｍが好ましく、５０〜５００ｎｍがより好ましい。
【０１４２】
また陰極側から光を取り出す場合には、陰極は可視光に対して透明（３８０〜６８０ｎｍの光に対する平均透過率が５０％以上）であることが必要であるから、陰極の材料としては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などが挙げられ、有機ＥＬ素子の陽極として入手が容易であることを考慮すると、これらの中でもＩＴＯが好ましい。
【０１４３】
＜９．封止＞
陰極作製後、該有機ＥＬ素子を保護する保護層を装着していてもよい。該有機ＥＬ素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板、金属などを用いることができ、該カバーを熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
【０１４４】
＜１０．基板＞
本発明に係る有機ＥＬ素子の基板には、有機ＥＬ素子に要求される機械的強度を満たす材料が用いられる。
【０１４５】
ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子には、可視光に対して透明な基板が用いられ、具体的には、ソーダガラス、無アルカリガラスなどのガラス；アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ナイロン樹脂などの透明プラスチック；シリコンなどからなる基板を使用できる。
【０１４６】
トップエミッション型の有機ＥＬ素子においては、基板の光透過度に制限はなく、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子に用いられる基板に加えて、銅、銀、金、白金、タングステン、チタン、タンタルもしくはニオブの単体、またはこれらの合金、あるいはステンレスなどからなる基板を使用できる。
基板の厚さは、要求される機械的強度にもよるが、好ましくは、０．１〜１０ｍｍ、より好ましくは０．２５〜２ｍｍである。
【０１４７】
［用途］
本発明の有機ＥＬ素子は、マトリックス方式またはセグメント方式による画素として画像表示装置に好適に用いられる。また、前記有機ＥＬ素子は、画素を形成せずに、面発光光源としても好適に用いられる。
【０１４８】
本発明の有機ＥＬ素子は、具体的には、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、標識、看板、ビデオカメラのビューファインダー等における表示装置、バックライト、電子写真、照明、レジスト露光、読み取り装置、インテリア照明、光通信システム等における光照射装置に好適に用いられる。
【実施例】
【０１４９】
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［合成例１］
（化合物（Ａ１）の合成）
【０１５０】
【化４２】
2011119591.tif 000043
上記スキームを参照しながら説明する。
【０１５１】
化合物（２）の合成；
窒素気流下で、４'−ブロモアセトフェノン８．９６ｇ（４５ｍｍｏｌ）を脱水エタノール３００ｍＬに溶解させた溶液に、氷冷下、撹拌しながらテトラクロロシラン１５．２９ｇ（９０ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、これらを、氷冷のまま１時間撹拌し、続いて３０℃で２４時間撹拌し、反応液を調製した。反応液を氷冷後、析出した固体を、ろ別し、水およびメタノールで洗浄した。得られた粗体を酢酸エチルで再結晶し、化合物（２）を１５．８８ｇ得た。
【０１５２】
化合物（３）の合成；
窒素気流下で、化合物（２）を５４４ｍｇ（１．００ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２０ｍＬに溶解させた溶液に、−７８℃で１．５７Ｍノルマルブチルリチウムのヘキサン溶液２．０ｍＬを１０分間かけて滴下し、同温で２時間撹拌し、反応液を調製した。この反応液に、−７８℃でクロロジフェニルホスフィン０．７ｍＬ（３．８０ｍｍｏｌ）を５分間かけて滴下し、−７８℃で１時間撹拌し、その後徐々に０℃まで昇温させ、０℃で２時間撹拌し、反応液を調製した。この反応液に、脱気したメタノールを１ｍＬ加え、５分撹拌した後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム＝７／３（ｖ／ｖ））で精製し、化合物（３）を５００ｍｇ得た。
【０１５３】
化合物（Ａ１）の合成；
化合物（３）４８０ｍｇ（０．５５９ｍｍｏｌ）をジクロロメタン１０ｍＬに溶解させ、この溶液に３０％過酸化水素２ｍＬを加え、室温で２時間撹拌した。反応液にジクロロメタンを加えて抽出操作を行い、抽出物を水で洗浄した。溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム／メタノール＝９７／３（ｖ／ｖ））で精製し、化合物（Ａ１）を４６０ｍｇ得た。
化合物（Ａ１）の同定データは以下の通りである。
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）；ｄＴＭＳ＝７．４６−７．５２（ｍ，１２Ｈ，ＡｒＨ），  ７．５５−７．５９（ｍ，６Ｈ，ＡｒＨ），  ７．６９−７．８３（ｍ，２７Ｈ，ＡｒＨ）
31Ｐ−ＮＭＲ（５００ｍＨｚ，ＣＤＣｌ3）；ｄりん酸＝２９．２ｐｐｍ
【０１５４】
［合成例２］
（化合物（Ｂ１）の合成）
【０１５５】
【化４３】
2011119591.tif 000044
上記スキームを参照しながら説明する。
【０１５６】
化合物（４）の合成；
４'−ブロモアセトフェノン８．９６ｇ（４５ｍｍｏｌ）の代わりに３'−ブロモアセトフェノン８．９６ｇ（４５ｍｍｏｌ）を用いた以外は化合物（２）の合成の場合と同様の操作を行い、化合物（４）を１４．６６ｇ得た。
【０１５７】
化合物（５）の合成；
化合物（２）に替えて化合物（４）を用いた以外は化合物（３）の合成の場合と同様の操作を行い、化合物（４）５４４ｍｇから化合物（５）を３９０ｍｇ得た。
【０１５８】
化合物（Ｂ１）の合成；
化合物（３）に替えて化合物（５）を用いた以外は化合物（Ａ１）の合成の場合と同様の操作を行い、化合物（５）３９０ｍｇから化合物（Ｂ１）を３８０ｍｇ得た。
化合物（Ｂ１）の同定データは以下の通りである。
1Ｈ−ＮＭＲ(５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3)；ｄＴＭＳ＝７．４５−７．５７（ｍ，２４Ｈ，ＡｒＨ），  ７．６７−７．７３（ｍ，１５Ｈ，ＡｒＨ）,  ７．７８−７．８２（ｍ，３Ｈ，ＡｒＨ），  ８．０６−８．１０（ｍ，３Ｈ，ＡｒＨ）
31Ｐ−ＮＭＲ（５００ｍＨｚ，ＣＤＣｌ3）；ｄりん酸＝２９．７ｐｐｍ
【０１５９】
［合成例３］
（化合物（Ｃ１）の合成）
【０１６０】
【化４４】
2011119591.tif 000045
上記スキームを参照しながら説明する。
【０１６１】
化合物（６）の合成；
４'−ブロモアセトフェノン８．９６ｇ（４５ｍｍｏｌ）の代わりに３'−ブロモ−４'−メチルアセトフェノン９．５９ｇ（４５ｍｍｏｌ）を用いた以外は化合物（２）の合成の場合と同様に行い化合物（６）を１５．９１ｇ取得した。
【０１６２】
化合物（７）の合成；
化合物（２）に替えて化合物（６）を用いた以外は化合物（３）の合成の場合と同様の操作を行い、化合物（６）８７８ｍｇから化合物（７）を４８０ｍｇ得た。
【０１６３】
化合物（Ｃ１）の合成；
化合物（３）に替えて化合物（７）を用いた以外は化合物（Ａ１）の合成の場合と同様の操作を行い、化合物（７）４８０ｍｇから化合物（Ｃ１）を３８０ｍｇ得た。
化合物（Ｃ１）の同定データは以下の通りである。
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）；ｄＴＭＳ＝２．４２（ｓ，９Ｈ，Ａｒ−ＣＨ3），  ７．３６−７．４４（ｍ，９Ｈ，ＡｒＨ），  ７．４７−７．６１（ｍ，２１Ｈ，ＡｒＨ），  ７．６９−７．７５（ｍ，１２Ｈ，ＡｒＨ）
31Ｐ−ＮＭＲ（５００ｍＨｚ，ＣＤＣｌ3）；ｄりん酸＝２７．７ｐｐｍ
【０１６４】
［合成例４］
Ｎａ２２２Ｔｚ（化合物（８））の合成例；
【０１６５】
【化４５】
2011119591.tif 000046
冷却管を備えた１００ｍＬ２口フラスコを氷冷し、これにトリフルオロメタンスルホン酸１．７５ｍＬを加え、３−ブロモベンゾニトリル１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）をクロロホルム２５ｍｌに溶解させた溶液を、撹拌下、３０分かけて滴下した。滴下終了後、氷浴を外し、さらに１時間攪拌し、次いで１６時間加熱還流した。反応液を、放冷後、炭酸水素ナトリウム水溶液をゆっくり加えて中和し、クロロホルムを加えて抽出操作を行った。有機層（クロロホルム層）を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／ジクロロメタン＝４／１（ｖ／ｖ））で精製し、化合物（９）（０．６４ｇ）を得た。
【０１６６】
【化４６】
2011119591.tif 000047
温度計およびリフラックスコンデンサーを取り付けた１００ｍｌの三つ口フラスコに、化合物（９）０．６４ｇ (１．１７ｍｍｏｌ)、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホウ酸０．６９ｇ（３．８６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１．４６ｇ（１０．５３ｍｍｏｌ）、トルエン１５ｍＬおよび水１０ｍＬを加え、窒素気流下１１０℃で１時間撹拌した。この反応混合物にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）２０３ｍｇ（０．１８ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流下１１０℃で４時間撹拌した。反応液をろ過して不溶物を除去し、ろ液に分液操作を施し、有機層を抽出し、濃縮した。得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／ジクロロメタン＝２／１（ｖ／ｖ））により精製し、化合物（８）（０．７０ｇ）を得た。
【０１６７】
［合成例５］
青色燐光発光性化合物（化合物（１０））合成；
【０１６８】
【化４７】
2011119591.tif 000048
酢酸２８０ｍｌに、４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン ７５ｇ（５５５ｍｍｏｌ）を溶解させ、さらに３０％Ｈ2Ｏ2ａｑ．  １０９ｍｌを加え、８０℃で３時間攪拌した。氷冷後、ゆっくりと１Ｍ  ＮａＯＨａｑ．をアルカリ性になるまで加え、クロロホルムを加えて抽出操作を行った。抽出物を、硫酸マグネシウムで脱水させてから、ろ過し、溶媒を減圧留去した。残渣（淡黄色油状物）をアルミナカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン）で精製し、化合物（１１）（６２．９ｇ）を得た。
【０１６９】
【化４８】
2011119591.tif 000049
クロロホルム１５０ｍｌに、化合物（１１）５７ｇ（３７７ｍｍｏｌ）を溶解させ、オキシ塩化リン４０５ｇ（２．６４ｍｏｌ）を加え、４８時間還流攪拌した。溶媒およびオキシ塩化リンを減圧留去し、残渣を氷水に注いだ。水層が中性になるまで１Ｎ  ＮａＯＨａｑを加え、クロロホルムを加えて抽出操作を行った。抽出物を、硫酸マグネシウムで脱水してから、ろ過し、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝２０／１（ｖ／ｖ））で精製し、化合物（１２）（３７．１ｇ）を得た。
【０１７０】
【化４９】
2011119591.tif 000050
化合物（１２）３５ｇ（２０６ｍｍｏｌ）、４−フルオロフェニルボロン酸  ３４．６ｇ（２４８ｍｍｏｌ）および２Ｍ  Ｎａ2ＣＯ3ａｑ．  ３０９ｍＬの混合物に、１，２−ジメトキシエタン７００  ｍｌおよびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ3）4）４．７６ｇ（４．１２ｍｍｏｌ）を加え、２４時間還流しつつ攪拌した。冷却後の反応液に、酢酸エチルを加えて抽出操作を行い、抽出物を硫酸マグネシウムで脱水してから、ろ過し、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラム（ヘキサン／酢酸エチル＝９／１（ｖ／ｖ））で精製し、化合物（１３）（３０．７ｇ）を得た。
【０１７１】
【化５０】
2011119591.tif 000051
化合物（１３）１５ｇ（６５．４ｍｍｏｌ）、塩化イリジウム三水和物８．６３ｇ  （２７．３ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール３５０ｍｌおよび水１１５ｍｌの混合物を、アルゴン雰囲気下１６時間還流しつつ攪拌し、次いで室温まで冷却した。反応液に水を加え、析出物を、ろ過して、水・メタノール混合溶液（水：メタノール＝７：３（ｖ／ｖ）溶液）で洗浄し、さらにトルエンで懸濁洗浄して、化合物（１４）（１３．１ｇ）を得た。
【０１７２】
【化５１】
2011119591.tif 000052
配位子である化合物（１３）５．１ｇ（２２．１ｍｍｏｌ）、Ｉｒ二核錯体である化合物（１４）１２．６ｇ（９．２１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム ７．３ｇ（５２．５ｍｍｏｌ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀 ５．６９ｇ（２２．１ｍｍｏｌ）およびメシチレン  １８０ｍｌの混合物を、アルゴン雰囲気下、１２時間還流攪拌した。反応液を、冷却後にろ過して溶媒を除去し、残渣をクロロホルムに加熱溶解させて得られたクロロホルム溶液を濃縮した残渣（濃縮物）をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製し、化合物（１０）（１２ｇ）を得た。
【０１７３】
得られた化合物（１０）をジクロロメタンに溶解して光路長を１ｃｍとした場合の、波長３５０ｎｍの単色光の吸光度が０．１となるように濃度を調整、紫外−可視吸光分光光度計（島津製作所製ＵＶ−２４００ＰＣ）を用いて、波長３５０ｎｍの単色光を励起光として２５℃における発光スペクトルを測定したところ、最大発光波長は４８３ｎｍであった。
【０１７４】
［実施例１］（有機ＥＬ素子）
ＩＴＯ膜付ガラス基板を、アルカリ洗剤中で３０分間超音波をかけて洗浄した。洗浄後の基板上に陽極バッファ層として、リアクティブイオンエッチング装置（Ｓａｍｃｏ  ＲＩＥ−２００ｉＰ）を用いてＣＨＦ3ガスによる高周波プラズマによりフルオロカーボン膜を形成し、陽極バッファ層付き基板（１）を得た。
【０１７５】
次に、下記式（１５）で表される正孔輸送材料（以下「ｐＥｔＣｚ」ともいう。重量平均分子量（ポリスチレン換算）：１０００００）、下記式（８）で表される電子輸送材料（以下「Ｎａ２２２Ｔｚ」ともいう。）および下記式（１０）で表される青色燐光発光性化合物（以下「ＢＧ１９」ともいう。）を、固形分濃度が３．２質量％になるようにトルエンに溶解し、発光層形成用材料（１）を調製した。ｐＥｔＣｚとＮａ２２２Ｔｚとの質量比は２：１であり、青色燐光発光性化合物の割合は、全固形分のうち１０質量％であった。
【０１７６】
【化５２】
2011119591.tif 000053
【０１７７】
【化５３】
2011119591.tif 000054
【０１７８】
【化５４】
2011119591.tif 000055
発光層形成用材料（１）を、陽極バッファ層付き基板（１）上に、回転数３０００ｒｐｍ、塗布時間３０秒間の条件でスピンコート法により塗布し、窒素雰囲気下に１４０℃で１時間放置し、発光層を形成した。
【０１７９】
発光層が形成された基板を真空蒸着室に投入し、真空蒸着装置で発光層上に、合成例（１）で製造された化合物（Ａ１）（１，３，５−トリス［４−（ジフェニルホスフィニル）フェニル］ベンゼン）を以下の条件で蒸着し、厚さ５０Åの層を形成した。
【０１８０】
蒸着条件；
セル温度４００℃
基板加熱なし
圧力３．０×１０-5Ｐａ
蒸着速度０．１Å／秒
次に、化合物（Ａ１）の層の上に陰極バッファ層として厚さ５０ÅのＮａＦ層を形成し、続いて陰極として厚さ１５００ÅのＡｌ層を形成した。
【０１８１】
最後に、基板上に形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、ＵＶ硬化型エポキシ樹脂により接着し、紫外線を照射して封止を行い有機ＥＬ素子１を作製した。
【０１８２】
有機ＥＬ素子１に定電圧電源電流計（ケイスレーインスツルメンツ（株）製、ＳＭ２４００）を用いて段階的に電圧を印加し、有機ＥＬ１の発光強度を輝度計（（株）トプコン製、ＢＭ−９）で計測した。そして、電流密度に対する発光強度の比から発光効率を決定した。
【０１８３】
また、有機ＥＬ素子１に７Ｖの電圧を印加し、輝度が初期の輝度に対して半減するまでの時間を測定し、この時間を耐久性の指標とした。
これらの評価結果を、表１に示す。なお、発光効率および耐久性の評価結果は、後述する比較例１における測定値を１として規格化した。
【０１８４】
［実施例２］
特開２００５−２００６３８号公報（［０１１２］）に記載の方法に従い、下記式で表される化合物（以下「ｖｉＨＭＴＰＤ」という。）を合成し、これを重合し、ホスト用高分子化合物（上記式（Ｂ−２２）で表される構成単位を有する高分子化合物）（重量平均分子量（ポリスチレン換算）＝７００００、以下「ｐＨＭＴＰＤ」ともいう。）を調製した。
【０１８５】
【化５５】
2011119591.tif 000056
ｐＨＭＴＰＤ、および電荷移動錯体を形成し得る電子受容性化合物であるＮＤＰ−９（商品名、ＮＯＶＡＬＥＤ社）を、ｐＨＭＴＰＤ１００質量％に対して５質量％添加し、固形濃度が０．８質量％となるようにトルエンに溶解し、陽極バッファ層形成用材料を調製した。
【０１８６】
ＩＴＯ膜付ガラス基板を、アルカリ洗剤中で３０分間超音波をかけて洗浄した後、この基板上に、前記陽極バッファ層形成用材料を、回転数３０００ｒｐｍ、塗布時間３０秒間の条件でスピンコート法により塗布し、窒素雰囲気下に２１０℃で１時間放置し、陽極バッファ層を形成することにより、陽極バッファ層付き基板（２）を得た。
【０１８７】
陽極バッファ層付き基板（１）に替えて陽極バッファ層付き基板（２）を用いた以外は実施例１と同様の手順により、有機ＥＬ素子２を作製した。
有機ＥＬ素子２を有機ＥＬ素子１と同様に評価した。評価結果を表１に示す。
【０１８８】
［実施例３］
発光層上に、化合物（Ａ１）に替えて合成例（２）で製造された化合物（Ｂ１）（１，３，５−トリス［３−（ジフェニルホスフィニル）フェニル］ベンゼン）を以下の条件で蒸着して厚さ５０Åの層を形成した以外は実施例１と同様の手順により、有機ＥＬ素子３を作成した。
【０１８９】
蒸着条件；
セル温度４３０℃
基板加熱なし
圧力３．０×１０-5Ｐａ
蒸着速度０．１Å／秒
有機ＥＬ素子３を有機ＥＬ素子１と同様に評価した。評価結果を表１に示す。
【０１９０】
［実施例４］
陽極バッファ層付き基板（１）に替えて陽極バッファ層付き基板（２）を用いた以外は実施例３と同様の手順により、有機ＥＬ素子４を作製した。
有機ＥＬ素子４を有機ＥＬ素子１と同様に評価した。評価結果を表１に示す。
【０１９１】
［実施例５］
発光層上に、化合物（Ａ１）に替えて合成例（３）で製造された化合物（Ｃ１）（１，３，５−トリス［３−（ジフェニルホスフィニル）−４−メチル−フェニル］ベンゼン）を以下の条件で蒸着して厚さ５０Åの層を形成した以外は実施例１と同様の手順により、有機ＥＬ素子５を作成した。
【０１９２】
蒸着条件；
セル温度３５０℃
基板加熱なし
圧力３．０×１０-5Ｐａ
蒸着速度０．１Å／秒
有機ＥＬ素子５を有機ＥＬ素子１と同様に評価した。評価結果を表１に示す。
【０１９３】
［実施例６］
陽極バッファ層付き基板（１）に替えて陽極バッファ層付き基板（３）を用いた以外は実施例５と同様の手順により、有機ＥＬ素子６を作製した。
有機ＥＬ素子６を有機ＥＬ素子１と同様に評価した。評価結果を表１に示す。
【０１９４】
［比較例１］
化合物（Ａ１）の層を形成しなかった以外は実施例１と同様の手順により、有機ＥＬ素子７を作製した。
有機ＥＬ素子７を有機ＥＬ素子１と同様に評価した。評価結果を表１に示す。
【０１９５】
［比較例２］
ｐＥｔＣｚ、化合物（Ａ１）およびＢＧ１９を、固形分濃度が３．２質量％になるようにクロロホルムに溶解し、発光層形成用材料（２）を調製した。ｐＥｔＣｚと化合物（Ａ）との質量比は１：１であり、青色燐光発光性化合物の割合は、全固形分のうち１０質量％であった。
【０１９６】
発光層形成用材料（１）に替えて発光層形成用材料（２）を用いた以外は実施例１と同様の手順により、有機ＥＬ素子８を作製した。
有機ＥＬ素子８を有機ＥＬ素子１と同様に評価した。評価結果を表１に示す。
【０１９７】
［比較例３］
化合物（Ａ１）を化合物（Ｂ１）に、クロロホルムをジクロロエタンに変更した以外は比較例２と同様の手順により、有機ＥＬ素子９を作製した。
有機ＥＬ素子９を有機ＥＬ素子１と同様に評価した。評価結果を表１に示す。
【０１９８】
［比較例４］
化合物（Ａ１）を化合物（Ｃ１）に、クロロホルムをテトラヒドロフランに変更した以外は比較例２と同様の手順により、有機ＥＬ素子１０を作製した。
有機ＥＬ素子１０を有機ＥＬ素子１と同様に評価した。評価結果を表１に示す。
【０１９９】
【表１】
2011119591.tif 000057
【符号の説明】
【０２００】
１・・・基板
２・・・陽極
３・・・発光層
４・・・ホスフィンオキサイド含有層
５・・・陰極
６・・・誘電体層
７・・・貫通孔もしくは貫通溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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