(57)【要約】【課題】  構造が煩雑で製造が難しく、また保守や使用環境の整備・制御等も煩雑で、極めて高価でコスト高となる傾向にある投射光学系やその他の特殊な光学系を用いることなく、レジスト破片等の異物がフォトマスク上に転移することに起因した転写欠陥の発生を抑制ないしは解消することを可能とした、半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、フォトレジスト層３の上に所定の間隙を設けてフォトマスク６を非接触に配置した状態で、前記フォトレジスト層３に対する露光を行って、前記間隙の大きさに対応して生じる光の回折により、前記フォトマスク３のマスクパターン５のパターン寸法Ｗｍとは異なったパターン寸法Ｗｒに変化させたレジストパターン７を形成する工程を含む。【選択図】  図１
2011159875.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性フィルム基材上に形成された金属材料層の表面上に、フォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層に対して所定のマスクパターンを設けてなるフォトマスクを用いた露光および現像を行って、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして用いたエッチング法により、前記金属材料層にパターン加工を施して、少なくとも配線パターンを含む導体パターンを形成する工程とを有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、
前記フォトレジスト層の上に所定の間隙を設けて前記フォトマスクを非接触に配置した状態で、前記フォトレジスト層に対する前記露光を行って、前記間隙の大きさに対応して生じる光の回折により、前記マスクパターンのパターン寸法とは異なったパターン寸法に変化させたレジストパターンを形成する工程を含む
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、
前記間隙の大きさを、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下とする
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記フォトレジスト層として、ネガタイプのフォトレジスト層を用いる
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記レジストパターンの幅寸法と前記エッチング法により前記金属材料層にパターン加工を施して得られる前記導体パターンの幅寸法との差であるエッチング代の幅寸法を、前記間隙の大きさを調節することによって設定する
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項５】
請求項３または４記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記マスクパターンの幅寸法と前記レジストパターンの幅寸法との差異によって生じる、前記導体パターンの幅寸法の前記マスクパターンの幅寸法に対する差を、前記エッチング法により前記金属材料層にパターン加工を施す工程で、オーバーエッチングによって低減または解消する
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のうちいずれか１つの項に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
当該半導体装置用テープキャリアの全幅が、１５８ｍｍである
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトレジスト層にフォトマスクのマスクパターンを光学的に転写するフォトレジスト露光工程を含んだ半導体装置用テープキャリアの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の半導体装置用テープキャリアの製造方法では、絶縁性フィルム基材の表面上に張り合わされた金属材料層の上にフォトレジスト層を形成した後、そのフォトレジスト層に対してフォトマスクを用いた露光を行う工程が含まれている。
その露光工程では、ガラス等の透明基板上にクロム（Ｃｒ）等の遮光体を蒸着しそれにエッチング法によるパターン加工を施すことでマスクパターンを形成してなるフォトマスクを用い、このフォトマスクを通して紫外線などの露光用光源光をフォトレジスト層に照射することで、そのフォトレジスト層にフォトマスクのマスクパターンを転写する。そして、露光後に現像等を行って、フォトレジスト層における露光部または未露光部のみを選択的に残すことにより、絶縁性フィルム基材上に、マスクパターンに対応した配線パターン等のいわゆる導体パターンが形成される。
【０００３】
露光方式には、密着露光方式、プロキシミティ露光方式、投影露光方式の、主に３種類がある。
密着露光方式は、解像度を向上させるために、被露光基板の表面（露光を施される半導体装置用テープキャリア用の銅張絶縁性フィルム基材の表面；具体的には金属材料層上に形成されているフォトレジスト層の表面）とフォトマスクの表面とを密着保持した状態で露光を行うものである。
投影露光方式は、フォトマスクと被露光基板の間に、鏡筒内にレンズを直列に並べて組み合わせた投影レンズやミラーの組み合わせで構成した投影ミラー光学系などの投影光学系を配置し、その投影光学系を通してマスクパターンの光像をフォトレジスト層上に投影して露光を行うものである。
プロキシミティ露光は、フォトマスクと被露光基板の表面上のフォトレジスト層との間に例えば１０μｍ〜５０μｍ程度の微小な間隙を設けた状態で、フォトマスクとフォトレジスト層とを近接保持して露光を行うものである（特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０４−１３６８５３号公報
【特許文献２】特開平１１−２０４３９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
密着露光方式では、フォトマスクとフォトレジスト層とを密着させるようにしているので、それら両者の間に隙間がある場合に生じる虞のある、フォトマスクの透過部から射出される光の回折に起因した解像度やパターン再現性の低下を回避することができ、解像度が向上する。
しかしながら、フォトマスクとフォトレジスト層とが接触することに起因して、例えばレジストの破片やその他の塵埃等の異物がフォトマスク上に転移しやすくなる。そのフォトマスク上に転移した異物は、次回の露光時にマスクパターンの半遮光部や遮光部となって、転写欠陥を発生させる要因となるという問題がある。
【０００６】
また、半導体装置用テープキャリアの製造工程では一般に、一本のテープが長いので、
その一本のテープあたりに複数ショットの露光を繰り返さなければならない。従って、多数回に亘って密着を繰り返すこととなるので、転移した異物に起因したフォトマスクの欠陥は、加速度的に増大することとなる。
また、投影露光装置では、フォトマスク上に形成されたパターンは、投影光学系を介してフォトレジスト層上に転写されるので、フォトマスクとフォトレジスト層とは非接触であり、従って、レジストの破片等の異物がフォトマスク上に転移して転写欠陥となるという問題は生じない。
しかしながら、いわゆるテープ幅が広くて、それに対応すべく露光領域を広く取らなければならない場合に、一括露光を行うためには、被露光基板と同等またはそれ以上の大きさの大露光フィールドを有する投影光学系が必要となる。そのような投射光学系は、大口径の投影レンズや投影ミラー光学系の使用が不可避であるため、構造が煩雑で製造が難しい上、その保守や使用環境の整備・制御等にも煩雑で特殊な工夫が必要とされる。また、それに関連して極めて高価であり、露光装置や露光プロセスに要する製造コストが大幅に増大するという問題もある。
【０００７】
プロキシミティ露光方式では、被露光基板の外形寸法が比較的小さい場合には、被露光基板上のレジスト破片等の異物がフォトマスク上に転移することを、密着露光の場合と比べて、かなりの程度、低減することができる。
しかしながら、プロキシミティ露光方式においては、大面積を露光する際には、大きなフォトマスクと大きな被露光フィルム基板を用いて、それらを例えば１０μｍ〜５０μｍ程度の小さな間隙となるまで近接させる必要があり、しかも大面積のフォトマスクが撓みやすいことに起因して、上記のような１０μｍ〜５０μｍ程度の小さな間隙を設けただけでは、フォトマスクと被露光基板上のフォトレジスト層とが部分的に接触して、レジスト破片等の異物がフォトマスクに転移し、やはり転写欠陥が生じやすくなるという問題があった。
【０００８】
このように、従来の露光技術では、露光装置系の構造やその運用上の保守等が簡易で低コストに利用可能であるプロキシミティ露光方式を採用すると、レジスト破片等の異物がフォトマスク上に転移することに起因した転写欠陥が発生するという問題があり、而してこれを回避するためには、構造が煩雑で製造が難しく、また保守や使用環境の整備・制御等も煩雑で、極めて高価でコスト高となる傾向にある投射光学系やその他の特殊な光学系を用いることが必要となるという問題があった。
本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、構造が煩雑で製造が難しく、また保守や使用環境の整備・制御等も煩雑で、極めて高価でコスト高となる傾向にある投射光学系やその他の特殊な光学系を用いることなく、レジスト破片等の異物がフォトマスク上に転移することに起因した転写欠陥の発生を抑制ないしは解消することを可能とした半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、絶縁性フィルム基材上に形成された金属材料層の表面上に、フォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層に対して所定のマスクパターンを設けてなるフォトマスクを用いた露光および現像を行って、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして用いたエッチング法により、前記金属材料層にパターン加工を施して、少なくとも配線パターンを含む導体パターンを形成する工程とを有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、前記フォトレジスト層の上に所定の間隙を設けて前記フォトマスクを非接触に配置した状態で、前記フォトレジスト層に対する前記露光を行って、前記間隙の大きさに対応して生じる光の回折により、前記マスクパターンのパターン寸法とは異なったパターン寸法に変化させたレジストパターンを形成する工程を含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、フォトレジスト層の上に、大面積のフォトマスクが撓んだりしてもフォトマスクとフォトレジスト層の表面とを非接触な状態に保つことができる、例えば０．１ｍｍ〜１．０ｍｍのような十分な間隙を設けてフォトマスクを配置した状態で、フォトレジスト層に対する露光を行って、そのときのフォトマスクとフォトレジスト層の表面との間隙の大きさに対応して生じる光の回折を、むしろ逆手に取って積極的に利用し、例えばエッチング代に相当するようなパターン幅の増大分を含んだレジストパターンのような、マスクパターンのパターン寸法とは異なったパターン寸法に変化させたレジストパターンを形成するようにしたので、投射光学系やその他の特殊な光学系を用いることなしに、レジスト破片等の異物がフォトマスク上に転移することに起因した転写欠陥の発生を抑制ないしは解消して、所望の精確さでレジストパターンを形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法における、フォトマスクのマスクパターンのパターン幅Ｗｍと、間隙に対応した光の回折によって生じるレジストパターン（感光部）のパターン幅の拡幅量Ｗｄとを模式的に示す図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法における、露光によって形成されたレジストパターンのパターン幅Ｗｒと、出来上がりの配線パターンのパターン幅Ｗｃおよびそのエッチングバック量（エッチング代）Ｗｅとを、模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法について、図面を参照して説明する。
【００１３】
この半導体装置用テープキャリアの製造方法は、絶縁性フィルム基材１上に形成された金属材料層２の表面上に、フォトレジスト層３を形成する工程と（図１の（ａ））、そのフォトレジスト層３に対して、透明基板４上に所定のマスクパターン５を設けてなるフォトマスク６を用いた露光、および現像を行って（図１の（ｂ）、（ｃ））、レジストパターン７を形成する工程と、レジストパターン７をエッチングマスクとして用いたエッチング法により、金属材料層２にパターン加工を施して、少なくとも配線パターンを含む導体パターン９を形成する工程（図１の（ｄ）、（ｅ）、（ｆ））とを有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、特に、フォトレジスト層３と対面するように、例えば０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の所定の間隙を設けてフォトマスク６を非接触に配置した状態で、投影露光方式のような複雑で高コストな露光装置ではなく構造が簡易で低コストでもある、例えば一般的なプリント配線板製造用の露光光源および光学系を用いるなどして、フォトレジスト層３に対する露光を行うことで、フォトレジスト層３とフォトマスク６との間の間隙の大きさに対応して生じる光の回折により、フォトマスク６のマスクパターン５のパターン寸法Ｗｍとは異なったパターン寸法Ｗｒに変化させたレジストパターン７を形成する工程を含んでいる。
【００１４】
ここで、上記のフォトレジスト層３とフォトマスク６との間の間隙の大きさの、好適な数値的態様としては、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下とすることが望ましい。これは、実施例として後述するような実験を我々が鋭意行った結果、確認できた知見の一つである。
【００１５】
また、上記のフォトレジスト層３としては、ネガタイプのフォトレジストを用いることが望ましい。ネガタイプとすることにより、フォトレジスト層３とフォトマスク６との間
の間隙の大きさに対応して生じる光の回折によって、例えばエッチング代Ｗｅに対応するようなパターン寸法の拡幅量Ｗｄを、レジストパターン７のパターン寸法（例えば典型的には配線パターンに対応する部分のレジストパターン７のパターン寸法Ｗｒ；以下、このようなパターン寸法を、幅寸法、またはパターン幅とも呼ぶ）に付与することが可能となるからである。
【００１６】
また、レジストパターン７の幅寸法Ｗｒと出来上がりの幅寸法として見込まれる（目標の）導体パターン９の幅寸法Ｗｃとの差であるエッチング代の寸法Ｗｅを、フォトレジスト層３とフォトマスク６との間の間隙の大きさを調節することによって、その間隙の大きさの範囲に対応した所定の範囲内で適宜に設定することが可能である。
【００１７】
あるいは、マスクパターン５の幅寸法Ｗｍを目標の導体パターン９の幅寸法Ｗｃに等しいものとして設計した場合、そのとき使用するマスクパターン５の幅寸法Ｗｍと実際に形成されたレジストパターン７の幅寸法Ｗｒとの差異に因って、最終的に形成される導体パターン６に生じることが予測される、その導体パターン９の幅寸法Ｗｃとマスクパターン５の幅寸法Ｗｍとの差異を、ウェットエッチング法により金属材料層２にパターン加工を施す工程で、その差異に対応した適切な寸法に亘ってオーバーエッチングする（言い換えればサイドエッチング量を制御する）ことにより、低減または解消することが可能である。
【００１８】
また、製造の対象となる半導体装置用テープキャリアの全幅が１５８ｍｍ以上のような大きなものである場合に、特に、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法は、効果的に機能する。何故なら、そのように大きな全幅を有する半導体装置用テープキャリアの露光工程では、フォトマスク６が全体的に撓みやすくなって、フォトレジスト層３上のレジスト破片等の異物がフォトマスク６上に転移する虞が急激に高くなるが、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下のような十分に大きな間隙をフォトレジスト層３とフォトマスク６との間に設けるようにしているので、フォトマスク６が全体的に大きく撓んでも、そのフォトマスク６の表面がフォトレジスト層３の表面に接触することを、確実に回避することができるからである。
【００１９】
次に、さらに具体的に、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを説明する。
まず、ポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁性フィルム基材１上に、例えば１８μｍのような厚さの金属材料層２を張り合わせてなる、いわゆるＣＣＬタイプ銅張基材を用意する。このＣＣＬタイプ銅張基材については一般的なものを使用可能である（図１（ａ））。
【００２０】
そのＣＣＬタイプ銅張基材における金属材料層２の上に、例えば厚さ１０μｍの感光性ドライフィルムレジストをラミネートして、フォトレジスト層３とする。そして、そのフォトレジスト層３に対して、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲内の所定の幅寸法の間隔を設けて、フォトマスク６を対面配置する（図１（ｂ））。ここで、フォトマスク６に設けられているマスクパターン５は、本実施の形態ではネガ型露光方式に対応したものとなっており、そのネガパターン幅（つまり隣り合うマスクパターン５同士の間のスペース）はＷｍである。なお、フォトレジスト層３は、感光性ドライフィルムを金属材料層２の表面上にラミネートして形成すること以外にも、液状レジストを金属材料層２の表面上に均一に塗布（コーティング等）して形成するようにしてもよいことは勿論である。
【００２１】
続いて、フォトレジスト層３の感光波長に対応した光を照射して、フォトマスク６上に形成されているマスクパターン５に対応したパターンの露光を行う。その露光によって、
フォトレジスト層３における露光した部分が重合硬化してレジストパターン７の潜像となる（図１（ｃ））。そして、露光に引き続いてフォトレジスト層３を現像し、レジストパターン７を得る（図１（ｄ））。
この露光工程では、図２に図１（ｃ）のレジストパターン７の潜像の部分近傍８を抽出・拡大して示したように、フォトレジスト層３とフォトマスク６との間に０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲内の所定の間隔を設けて露光しているので、その間隔に対応した光の回折が生じて、レジストパターン７の全体的な潜像は、マスクパターン５の直進的な光による潜像のパターンの左右にそれぞれ拡幅量Ｗｄずつ広がる。従って、得られるレジストパターン７の幅寸法Ｗｒは、マスクパターン５の幅寸法Ｗｍよりも左右に合計２・Ｗｄだけ広がって（拡幅して）、Ｗｒ＝Ｗｍ＋２・Ｗｄとなる。
そして、このようにレジストパターン７の拡幅量Ｗｄはフォトレジスト層３とフォトマスク６との間の間隔に対応した大きさで生じるのであるから、その間隔を適宜に調節することにより、レジストパターン７の拡幅量Ｗｄを、所望の大きさに設定（あるいは制御）することができるのである。
【００２２】
続いて、レジストパターン７をエッチングマスクとして用いたエッチング法により、金属材料層２にパターン加工を施して、配線パターン等の各種の導体パターン９を得る（図１（ｅ））。
【００２３】
このとき、ウェットエッチングプロセスでは一般にサイドエッチングが生じるので、図３に図１（ｅ）レジストパターン７および導体パターン９の部分近傍１０を抽出・拡大して示したように、得られた導体パターン９の幅寸法Ｗｃは、そのサイドエッチング量Ｗｅの左右合計２・Ｗｅだけ、レジストパターン７の幅寸法Ｗｒよりも小さく（狭く）なる。つまり、Ｗｃ＝Ｗｒ−２・Ｗｅとなる（式−１）。
そうすると、上記の露光工程で得られたレジストパターン７の幅寸法Ｗｒ＝Ｗｍ＋２・Ｗｄであるから（式−２）、最終的に得られる導体パターン９の幅寸法Ｗｃとマスクパターン５の幅寸法Ｗｍとの関係は、式−１に式−２を代入して、Ｗｃ＝Ｗｍ＋２（Ｗｄ−Ｗｅ）となる（式−３）。
すなわち、この式−３から明らかなように、出来上がりの導体パターン９の幅寸法Ｗｃをマスクパターン５の幅寸法Ｗｍと等しくなるようにするためには、レジストパターン７の拡幅量Ｗｄをサイドエッチング量Ｗｅと等しい寸法となるようにして、両者を相殺してやればよい、ということである。
あるいは、別の観点からすると、レジストパターン７における拡幅量Ｗｄを、そのレジストパターン７におけるエッチング代の寸法Ｗｅと同等になるようにして、両者を相殺してやればよい、ということである。そのような適切な拡幅量Ｗｄを得るためには、フォトマスク６とフォトレジスト層３との間の間隔を調節することが有効である。ここで、一般に（特殊な補正等を施す場合を除いて）、エッチング代の寸法は、サイドエッチング量と同等の値に設定される場合が多い。このため、本実施の形態では、エッチング代の寸法もサイドエッチング量も、同じＷｅで表すようにしている。
【００２４】
あるいは、レジストパターン７における拡幅量Ｗｄを調節するのではなく、拡幅量Ｗｄはそのまま変化させずにいて、サイドエッチング量Ｗｅを調節することで、そのサイドエッチング量Ｗｅと拡幅量Ｗｄとを相殺させるようにすることも可能である。
例えば、要求されるパターン形成精度が極めて厳しくかつ超ファインパターンである場合などには、サイドエッチング量Ｗｅを所望の量に調節することは容易ではない傾向にある。そこで、そのような場合には、レジストパターン７における拡幅量Ｗｄを調節することで、そのサイドエッチング量Ｗｅと拡幅量Ｗｄとを相殺させるようにすればよい。
【００２５】
あるいは、例えばフォトレジスト層３とフォトマスク６との間の間隔を、どうしても所定の値から変更することができない、といった場合には、サイドエッチング量Ｗｅを調節
することで、そのサイドエッチング量Ｗｅと拡幅量Ｗｄとを相殺させるようにすればよい。
【００２６】
このようにして導体パターン９を形成した後、レジストパターン７を剥離除去する（図１（ｆ））。
【００２７】
以上のような本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、フォトレジスト層３の上に、例えば大面積のフォトマスク６が撓んだりしても、そのフォトマスク６の表面とフォトレジスト層３の表面とを非接触な状態に保つことが可能な、例えば０．１ｍｍ〜１．０ｍｍのような十分な大きさの間隙を設けてフォトマスク６を対面配置した状態で、フォトレジスト層３に対する露光を行って、そのときのフォトマスク６とフォトレジスト層３の表面との間隙の大きさに対応して生じる光の回折を、むしろ逆手に取って積極的に利用して、例えばエッチング代Ｗｅ（またはサイドエッチング量Ｗｅ）に相当するようなパターン幅の増大分である拡幅量Ｗｄを含んだ寸法Ｗｒの、つまりマスクパターン５のパターン寸法Ｗｍとは異なったパターン寸法Ｗｒに変化させたレジストパターン７を形成するようにしたので、投射光学系やその他の特殊な光学系を用いることなしに、レジスト破片等の異物がフォトマスク６上に転移することに起因した転写欠陥の発生を抑制ないしは解消して、所望の精確さでレジストパターン７を得ることができる。そして、その結果、精確な幅寸法Ｗｃを有する配線パターンなど各種の導体パターン９を形成することが可能となる。
【実施例】
【００２８】
上記の実施の形態で説明した製造方法によって、半導体装置用テープキャリアを作製した。
１５８μｍ幅のポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁性フィルム基材１上に形成された厚さ１８μｍの金属材料層２の表面に、厚さ１０μｍの感光性ドライフィルムレジストをフォトレジスト層３として貼り付けた。
【００２９】
続いて、フォトマスク６とフォトレジスト層３との間の間隔を、０μｍ、５０μｍ、１００μｍ、２００μｍ、４００μｍ、８００μｍ、１０００μｍ、１２００μｍのような８種類の異なった寸法となるように、非接触で配置し、その８種類の条件で、それぞれ露光を行った。このとき、８種類の条件の各々に対応して、それぞれの露光で用いるマスクパターン５のパターン幅Ｗｍを、３２μｍ、３０μｍ、２８μｍ、２６μｍ、２４μｍ、１６μｍ、１２μｍに設定することで、レジストパターン７のパターン幅Ｗｒが、８種類のどの条件の場合でも３２μｍとなるようにした。
【００３０】
引き続いて、現像を行って、レジストパターン７を得た。そして、そのレジストパターン７を用いて、ウェットエッチング法により、金属材料層２にパターン加工を施して、テストパターン的な配線パターンからなる導体パターン９を形成した。その導体パターン９は、配線幅２５μｍ、配線間スペース２５μｍを目標値（狙い値）とした。すなわち、配線幅２５μｍの左右にそれぞれエッチング代Ｗｅ＝３．５μｍを付加して、レジストパターン７のパターン幅Ｗｒを３２μｍとした。
【００３１】
その後、レジストパターン７を剥離除去して、８種類の異なった条件（フォトマスク６とフォトレジスト層３との間の間隔）設定による製造工程で作製された、８種類の半導体装置用テープキャリアを得た。
そして、本実施例による実験では、作製した半導体装置用テープキャリアから１０００ピース（実装される半導体装置１０００個分の個片）を切り出して、それらについて、導体パターン９のパターン再現精度に関する一般的な基準に従った検査を実施して、歩留り（％）を確認した。
その結果を、纏めて表１に示す。
【００３２】
【表１】
2011159875.tif 000003
【００３３】
上記のような本実施例の実験結果から、フォトマスク６とフォトレジスト層３との間の間隔を大きくしていくにつれて、露光で得られるレジストパターン７のパターン幅Ｗｒの拡幅量Ｗｄが、０μｍ、１μｍ、２μｍ、３μｍ、４μｍ、８μｍ、１０μｍのように、次第に大きくなっていくということが、明らかに確認された。また、このことから、フォトマスク６とフォトレジスト層３との間の間隔を適宜に調節することで、所望の寸法のエッチング代Ｗｅに相当した拡幅量Ｗｄを付加してなるレジストパターン７を得ることができる、ということが確認された。
【００３４】
そしてまた、フォトマスク６とフォトレジスト層３との間の間隔が、１００μｍ〜１０００μｍ（つまり０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下）のときに、８５％以上の良好な歩留りとなるが、０μｍ、５０μｍ（つまり０．１ｍｍ未満）のときには、それぞれ歩留りは４５％、６８％のような低い値となり、また１０００μｍ超（つまり１．０ｍｍ超）では、さらに甚だしく、解像不可になった。この結果から、フォトマスク６とフォトレジスト層３との間の間隔を、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下とすることにより、１５８ｍｍのような幅広の半導体装置用テープキャリアを、高歩留りで精確に製造することが可能となることが、実験的に確認された。
【符号の説明】
【００３５】
１    絶縁性フィルム基材
２    金属材料層
３    フォトレジスト層
４    透明基板
５    マスクパターン
６    フォトマスク
７    レジストパターン
８    レジストパターンの潜像の近傍の部分
９    導体パターン
１０  レジストパターンおよび導体パターンの近傍の部分
【図１】
2011159875.tif 000004
【図２】
2011159875.tif 000005
【図３】
2011159875.tif 000006