(57)【要約】      （修正有）【課題】清掃対象面を自転させる第１回転機構と、前記清掃対象面を前記自転の軸と異なる軸周りに回転させる第２回転機構と、を備える回転台において、清掃対象面に付着する塵埃を除く。【解決手段】清掃対象面を自転させる第１回転機構と、前記清掃対象面を前記自転の軸と異なる軸周りに回転させる第２回転機構とを備える回転台であって、前記回転台は、清掃対象面に付着した塵埃を取除く清掃手段を備える。【選択図】図２
2011245360.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物を載置する載置台と、
前記載置台を自転させる第１回転機構と、
前記載置台を前記自転の軸と異なる軸周りに回転させる第２回転機構とを備える回転台であって、
前記回転台は、前記載置台に付着した塵埃を取除く清掃手段を備える、
ことを特徴とする回転台。
【請求項２】
前記第１回転機構および第２回転機構は、前記載置台を第２回転機構により一周回転させた時点における前記載置台の自転位相が、当該一周回転する直前における自転位相と異なる回転機構であることを特徴とする請求項１記載の回転台。
【請求項３】
前記清掃手段によって清掃できる範囲の前記第２回転機構の回転軸の径方向における長さは、前記第１回転機構によって前記載置台が自転することでできる前記載置台の軌跡の直径未満の長さであることを特徴とする請求項１記載の回転台。
【請求項４】
請求項１記載の回転台を備える気相成長装置。
【請求項５】
清掃対象面を自転させる第１回転機構と、前記清掃対象面を前記自転の軸と異なる軸周りに回転させる第２回転機構と、を備え、
前記第１回転機構および第２回転機構は、前記清掃対象面を第２回転機構により一周回転させた時点における前記清掃対象面の自転位相が、当該一周回転する直前における自転位相と異なる回転機構である清掃対象物を、清掃手段によって清掃することを特徴とする回転する清掃対象物の清掃方法。
【請求項６】
前記清掃手段によって清掃することができる範囲を、前記第２回転機構によって前記清掃対象面が回転することでできる軌跡の一方の端線と前記軌跡の中心線とに被せるように配置し、前記第１回転機構および第２回転機構によって清掃対象面を回転させつつ清掃することを特徴とする請求項５記載の回転する清掃対象物の清掃方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、載置物を自転させながら他の軸周りを回転させる回転台および気相成長装置、並びに自転運動しながら他の軸周りを回転している回転する清掃対象物を清掃する清掃方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板等を載置する載置台を自転させながら他の軸周りを回転させる回転台を有する気相成長装置の清掃装置としては、適当なものがなかった。
特許文献１には、化学気相成長法により成膜を行なう半導体製造装置が開示されている。
【０００３】
図９は、特許文献１記載の半導体製造装置の側方断面図の例を示す。図９を用いて、従来技術の半導体製造装置を説明する。反応室を限定するハウジング１０１内下部には、図示していない駆動手段が設けられ、これに連結された回転軸１１１にターンテーブル１１０が回転可能に取り付けられている。前記ターンテーブル１１０の中心から円周方向に所定の距離を存してターンテーブル１１０表面から上方へ複数の基板回転軸１６８を等間隔に起立させ、その上端に基板を載置するため基板支持台１０９をそれぞれ取付ける。前記ターンテーブル１１０と基板支持台１０９との間にはヒータ１６７が付設されている。
【０００４】
前記各基板支持台１０９の上方には、リング状大径管１６１とリング状中径管１６２とリング状小径管１６３がそれぞれ設けられている。前記リング状大径管１６１、リング状中径管１６２、リング状小径管１６３の下面には、複数のガス噴射孔１６１ａ、１６２ａ、１６３ａを開孔している。１６４、１６５、１６６はそれぞれ管１６１、１６２、１６３へ連接される供給管である。
【０００５】
ハウジングの下部にはガス排出口１７０が開口している。ターンテーブル１１０上に基板回転軸１６８を介して支持台１０９が設けられてあり、ターンテーブル１１０の回転に加えて、支持台１０９は回転軸１６８を自転させてその自転を行なわせる。
【０００６】
図１０に、基板回転軸１６８を回転させる機構の一例を示す。１６９は、ハウジング１０１の外部からの回転導入軸である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１−３１８２３５（平成２１年１１月３０日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載の技術においては、載置台（特許文献１における支持台）１０９表面に塵埃が付くという問題がある。処理装置による処理は繰り返し行なわれるので、前回の処理の際に発生した副産物が支持台１０９表面に付着することがある。また、基板等を搬入、搬出する際に、基板等に付着した塵埃が支持台１０９の上に付着することもある。
【０００９】
このように、支持台１０９表面に塵埃が付着すると、支持台１０９表面の平面性が損なわれ、ヒータ１６７からの熱が基板に一様に届かなくなり温度ムラを生じ、処理品質のムラを生じさせることとなる。
【００１０】
また、支持台１０９に付着した塵埃が、再浮遊して基板に付着し、基板の品質に問題を生じさせることもある。
【００１１】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、載置台表面（清掃対象面）に付着する塵埃を除去することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の回転台は、対象物を載置する載置台と、前記載置台を自転させる第１回転機構と、前記載置台を前記自転の軸と異なる軸周りに回転させる第２回転機構とを備える回転台であって、前記回転台は、前記載置台に付着した塵埃を取除く清掃手段を備える、ことを特徴とする。
【００１３】
また、前記第１回転機構および第２回転機構は、前記載置台を第２回転機構により一周回転させた時点における前記載置台の自転位相が、当該一周回転する直前における自転位相と異なる回転機構であることを特徴とする。
【００１４】
また、前記清掃手段によって清掃できる範囲の前記第２回転機構の回転軸の径方向における長さは、前記第１回転機構によって前記載置台が自転することでできる前記載置台の軌跡の直径未満の長さであることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の気相成長装置は、請求項１記載の回転台を備えることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の清掃方法は、清掃対象面を自転させる第１回転機構と、前記清掃対象面を前記自転の軸と異なる軸周りに回転させる第２回転機構と、を備え、
前記第１回転機構および第２回転機構は、前記清掃対象面を第２回転機構により一周回転させた時点における前記清掃対象面の自転位相が、当該一周回転する直前における自転位相と異なる回転機構である清掃対象物を、清掃手段によって清掃することを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の清掃方法は、前記清掃手段によって清掃することができる範囲を、前記第２回転機構によって前記清掃対象面が回転することでできる軌跡の一方の端線と前記軌跡の中心線とに被せるように配置し、前記第１回転機構および第２回転機構によって清掃対象面を回転させつつ清掃することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、載置台の表面または清掃対象面に付着する塵埃を清掃することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施の一形態の気相成長装置の概略構成を示す側方断面図である。
【図２】本実施の一形態の気相成長装置の概略構成を示す上面図である。
【図３】本実施の一形態の気相成長装置の処理フロー図である。
【図４】本実施の一形態の気相成長装置の処理フロー図である。
【図５】本実施の一形態における清掃手段および、その周辺の側方断面図である。
【図６】本実施の一形態における１回目の清掃において清掃される領域についての説明図である。
【図７】本実施の一形態における１回目の清掃において清掃される領域についての説明図である。
【図８】本実施の一形態における清掃手段および、その周辺の側方断面図である。
【図９】従来技術の処理装置における側方断面図である。
【図１０】従来技術の処理装置において基板回転軸を回転させる機構の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本実施例の形態について、詳細に説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１は、本実施例の気相成長装置の概略構成を示す側方断面図である。
【００２２】
図２は、本実施例の気相成長装置の概略構成を示す上面図である。図１および図２を用いて本実施例の気相成長装置の構成について説明する。
【００２３】
本実施例の気相成長装置は回転台１２とグローブボックス３とチャンバ蓋６と上下動機構５とを備える。回転台１２は清掃ユニット２とチャンバ本体４とを備える。円筒形状のチャンバ本体４と、チャンバ本体４を閉塞する円筒形状のチャンバ蓋６とは一体としてチャンバ１を構成する。また、チャンバ蓋６は、上下動機構５によって上昇または下降され、チャンバ１の開閉が自在になっている。
【００２４】
また、グローブボックス３の内部には、チャンバ１及び清掃ユニット２が配される。グローブボックス３の内部は、気密性が保たれる。
【００２５】
また、回転台１２はチャンバ本体４の内部に収容されたサセプタ１０と、サセプタ１０を回転させる第２回転機構である回転機構１１とを備えている。回転機構１１は、中心軸Ｏを中心として、サセプタ１０を回転させる。また、サセプタ１０におけるチャンバ蓋６との対向面には、基板トレイ載置台９（特許文献１における支持台）は基板トレイ８を載置する台である。清掃対象物である基板トレイ載置台９が複数設けられており、図２に示されるように、平面視において中心軸Ｏから等距離かつ、隣り合う基板トレイ載置台９間の距離が等間隔となるよう配置されている。さらに、各々の基板トレイ載置台９の外周には基板トレイ載置台９の中心を中心軸Ｏ´とする外歯車である自転側歯車４１が形成されている。チャンバ本体４には、中心軸Ｏ方向に歯が向いている内歯車である公転側歯車４２が固定されており、前記公転側歯車４１は自転側歯車４１と噛合し、公転側歯車４２と自転側歯車４１とで第１回転機構である自転機構４０を構成する。このため、回転機構１１によって、サセプタ１０が回転すると、サセプタ１０に設けられた基板トレイ載置台９が中心軸Ｏを中心に回転し（以下、これを公転と呼ぶ）、さらに、基板トレイ載置台９に形成された自転側歯車４１がチャンバ本体４に固定された公転側歯車４２と噛合しているため、基板トレイ載置台９は前記公転方向の逆方向に中心軸Ｏ´を中心に回転する（以下、これを自転と呼ぶ）。すなわち、本実施例の回転台１２は、基板トレイ載置台９を中心軸Ｏ´回りに自転させる第１回転機構と、前記基板トレイ載置台９を前記自転の軸と異なる中心軸Ｏ周りに回転させる第２回転機構とを備える回転台である。
【００２６】
清掃ユニット２は、基板トレイ載置台９上面にあたる清掃対象面の塵埃を除去するための清掃手段２１と、一端に清掃手段２１が連結されたアーム２２と、アーム２２の他端が連結され、アーム２２を介して清掃手段２１を移動させる移動機構２３とを備えている。以下の説明では、図２に示す清掃ユニット２が基板トレイ載置台９上の塵埃を除去する時の清掃手段２１の位置（以下、清掃位置と呼ぶ）において、中心軸Ｏからアーム２２が延在する方向をｘ方向とする。また、チャンバ１の高さ方向をｚ方向とする。そして、ｘ方向及びｚ方向の両方向に対し垂直な方向をｙ方向とする。なお、ｚ方向は、基板トレイ載置台９の法線方向であり、かつ中心軸Ｏの方向である。
【００２７】
移動機構２３は、アーム２２をｚ方向に平行な軸を中心として回転させる機構であって、チャンバ１の外にあり、アーム２２を回転移動させることにより、清掃手段２１をチャンバ１の内にある清掃位置と外にある待機位置とを移動させることができる。図２において点線で示した清掃手段２１の位置は待機位置に該当する。移動機構２３は、ｚ方向と平行に設置されたシャフト本体２３ａと、シャフトを回転させるための動力源２３ｂと、回転をグローブボックス３の外から中へ導入するための回転導入機２３ｃとを備えている。動力源２３ｂは、グローブボックス３の外部に設置されており、シャフト本体２３ａをその軸回りに回転させる。また、アーム２２に接続しているシャフト本体２３ａは、回転導入機２３ｃにより支持されている。回転導入機２３ｃは、グローブボックス３の気密性を保持したまま、動力源２３ｂの回転力をシャフト本体２３ａに伝達する。よって、移動機構２３は、アーム２２をシャフト本体２３の中心軸を中心に回転させることができる。
【００２８】
清掃手段２１の下面には、塵埃を吸引して除去する吸引口（図示せず）を備える。吸引口は配管チューブ２４に接続され、前記配管チューブ２４は吸引ポンプ（図示せず）に接続される。また、配管チューブ２４と吸引ポンプとの間には塵埃を捕捉するダストフィルタ（図示せず）が設けられる。清掃手段２１によって塵埃を一時に清掃できる範囲のＸ方向の長さは、基板トレイ載置台９の直径と同じ長さか、または前記直径より若干長い長さとする。つまり、吸引口のＸ方向の長さを、基板トレイ載置台９の直径と同じ長さか、または前記直径り若干長い長さとすれば良い。
【００２９】
なお、吸引口の形状は、Ｘ方向に長いスリット形状であり、その幅は吸引すべき塵埃の大きさより若干大きい程度の幅であることが望ましい。なぜならば、必要な吸引幅を確保しつつ、吸引時の流速を高速とするためには、吸引口の開口面積をできるだけ小さくすることが好ましく、そのために、吸引口はできるだけ幅が狭いＸ方向に長いスリット形状である必要があるが、塵埃を吸引する用途からして、少なくとも、吸引すべき塵埃の大きさよりは幅が広い必要があるからである。
【００３０】
また、本実施例の気相成長装置は、基板を加熱するヒータ（図示せず）、基板に成膜する原料ガスを供給する供給管（図示せず）、原料ガスを排出するガス排出口（図示せず）、基板をチャンバ１内に搬入／搬出する搬送手段（図示せず）を備える。
【００３１】
本実施例においては、基板トレイ載置台９の中心軸Ｏ´と公転中心軸Ｏとの距離を２１０ｍｍ、基板トレイ載置台９の直径を１１５ｍｍ、また、吸引口のｘ方向の長さを基板トレイ載置台９の直径に相当する１１５ｍｍとした。
【００３２】
図３に示す処理フロー図に則り、本実施例の気相成長装置における処理フローについて説明する。本フロー開始時において、チャンバ蓋６は上方にあり、チャンバ１は開放状態である。また、基板トレイ載置台９の上には何も載置されていない。また、清掃手段２１は、チャンバ１の外側である待機位置において停止している。
【００３３】
まず初めに、Ｓ１において、基板トレイ載置台９上の塵埃を除去する。具体的には、図２に示すように、移動機構２３が清掃手段２１を基板トレイ載置台９が公転時に描く軌跡の上方に位置する清掃位置に移動させ、基板トレイ載置台９に対し約１ｍｍの距離を離して非接触に配置する。
【００３４】
この状態で、吸引ポンプの稼動させて吸引口より塵埃を吸引しながら、回転機構１１によってサセプタ１０を回転させる。サセプタ１０の回転に伴い、清掃手段２１が清掃するサセプタ１０上の位置が移動し、サセプタ１０が１回転する間に、全ての基板トレイ載置台９上の塵埃が除去され、吸引された塵埃は配管チューブ２４を通ってダストフィルタに捕捉される。
【００３５】
最後に、移動機構２３が清掃手段２１を待機位置に移動させる。
【００３６】
次にＳ２において、搬送手段が、基板トレイ８をチャンバ１内に搬入し、基板トレイ載置台９に載置する。この時、基板トレイ８には成膜処理をする前の基板７が載置されており、基板７は基板トレイ８とともに、チャンバ１内に搬入されることとなる。
【００３７】
次に、Ｓ３において、チャンバ１を閉塞する。具体的には、上下動機構５によりチャンバ蓋６を下降させて、チャンバ本体４とチャンバ蓋６とを合体させ、チャンバ１を閉塞状態とする。
【００３８】
次に、Ｓ４において、成膜処理を行なう。具体的には、ヒータにより、チャンバ内を高温とする。そして、この高温環境下で、回転機構１１および自転機構４０によって基板７及び基板トレイ８を、中心軸Ｏを中心に公転させながら、中心軸Ｏ´を中心に自転させ、同時に供給管から基板７に対し原料ガスを噴射する。すると、基板７上に前記原料ガスが薄膜として形成される。そののちに、ガス排出口より成膜されなかった原料ガスを排出する。
【００３９】
次に、Ｓ５において、上下動機構５により、チャンバ蓋６を上昇させ、チャンバ１を開放する。
【００４０】
次に、Ｓ６において、搬送手段が、基板７が載置された基板トレイ８をチャンバ１から搬出する。
【００４１】
本実施例によれば、基板トレイ載置台９の表面に付着する塵埃を除去することができる。また、基板トレイ８をチャンバ１内に搬入する直前に、基板トレイ載置台９上の塵埃を除去するので、基板トレイ載置台９と基板トレイ８との間に塵埃が付着することがなく、基板トレイ載置台９表面の平面性が損なわれたり、熱伝導率にムラが生じたりすることが無く、ヒータからの熱が基板７に一様に届かなくなることが無く、温度ムラを生じることが無いので、処理品質のムラを生じさせることが無い。
【００４２】
また、基板トレイ載置台９に付着した塵埃が、再浮遊して基板に付着し、基板の品質に問題を生じさせることも無い。
【００４３】
なお、Ｓ２の工程を、Ｓ１の工程と平行して行なう流れ作業として実施しても良い。具体的には、１つの基板トレイ載置台９について清掃が完了したのちに、前記清掃が完了した基板トレイ載置台９に基板トレイ８を載置すれば良く、前記基板トレイ８の載置作業と同時平行して、他の基板トレイ載置台９の清掃作業を行なっても良い。この場合、サセプタ１０を１回転余り回転させる間に、Ｓ１の工程とＳ２の工程とが完了するので、短時間で実施することができる。
【００４４】
また、図４の処理フローに示すように、Ｓ１の工程を、Ｓ２の前に実施せずに、Ｓ６の後に実施しても良い。この場合、成膜工程Ｓ４等において付着した塵埃を早期に除去することができる。なお、Ｓ１の工程を、Ｓ６の工程と平行して実施する流れ作業として実施しても良い。具体的には、１つの基板トレイ載置台９から基板トレイ８を搬出したのちに、前記基板トレイ載置台９について清掃すれば良く、前記基板トレイ載置台９の清掃作業と同時平行して、他の基板トレイ載置台９に載置された基板トレイ８の搬出作業を行なっても良い。この場合、サセプタ１０を１回転余り回転させる間に、Ｓ６の工程とＳ１の工程とが完了するので、短時間で実施することができる。
【００４５】
なお、清掃対象面および塵埃の種類に応じて、清掃手段２１はグローブボックス３内の雰囲気と同じガスを基板トレイ載置台９に向かってエアナイフ状に噴射する噴射手段を備えても良い。また、清掃手段２１をブラシ、へラ、静電気発生端子、洗浄液噴出手段、超音波発生装置等によって構成しても良い。
【実施例２】
【００４６】
本実施例に係る説明においては、実施例１と共通する部分についての説明を略し、相違する部分についてのみ説明する。
【００４７】
図５に、本実施例における清掃手段２１および、その周辺の側方断面図を示す。清掃手段２１の吸引口のＸ方向の長さは、基板トレイ載置台９の半径以上であり、かつ基板トレイ載置台９の直径未満である。換言すれば、清掃手段２１によって清掃できる範囲の前記第２回転機構の回転軸Ｏの径方向における長さは、前記第１回転機構によって前記基板トレイ載置台９が自転することでできる基板トレイ載置台９の軌跡の半径以上直径未満の長さである。また、清掃位置における吸引口の位置は、中心軸Ｏ´および基板トレイ載置台９の中心軸Ｏ側の端を含む範囲の上方である。
【００４８】
本実施例においては、Ｓ１の工程でサセプタ１０は２回転し、１回目の回転時に各基板トレイ載置台９に関し１回目の清掃を行ない、２回目の回転時に各基板トレイ載置台９に関し２回目の清掃を行なう。
【００４９】
図６を用いて、１回目の清掃において清掃される領域について説明する。図６は、清掃手段２１が基板トレイ載置台９の上を通過した直後の配置関係を示す上面図である。清掃手段２１によって清掃することができる範囲である吸引口２１ａの一方の端２１ｃは、第２回転機構によって基板トレイ載置台９の清掃対象面が回転することでできる軌跡の一方の端線３０ａ上またはそれより回転軸Ｏ側に配置され、他方の端２１ｂは、前記軌跡の中心線３０またはそれより回転軸Ｏから遠い側に配置される。つまり、吸引口２１ａを端線３０ａおよび中心線３０に被さるように配置する。
【００５０】
基板トレイ載置台９は、サセプタ１０の中心軸Ｏを中心として公転するので、基板トレイ載置台９の中心軸Ｏ´は、中心軸Ｏを中心とする中心線３０に沿って移動する。また、基板トレイ載置台９は、前記中心軸Ｏ´を中心として一定の速度で自転する。このため、吸引口２１ａの中心軸Ｏ´側の端２１ｂの基板トレイ載置台９における軌跡９ａは大きく彎曲した曲線となる。吸引口２１ａの通過時において、端２１ｂ（すなわち、軌跡９ａ）より中心軸Ｏ側にあった領域９ｂは、吸引口２１ａが通過することとなるので、清掃される。逆に、吸引口２１ａの通過時において、端２１ｂ（すなわち、軌跡９ａ）より中心軸Ｏから遠い側にあった領域９ｃは、吸引口２１ａが通過しないので、清掃されない。
【００５１】
本実施例においては、公転側歯車４２の歯数が自転側歯車４１の歯数の整数倍ではない。さらに望ましくはＮ＋１／２倍（Ｎは自然数）である。このため、サセプタ１０を一周回転させた時点で公転側歯車４２と噛合している自転側歯車４１の歯は、当該一周回転する前において公転側歯車４２と噛合している自転側歯車４１の歯とは異なる歯となる。換言すれば、第１回転機構および第２回転機構は、前記基板トレイ載置台９を第２回転機構によって一周回転させた時点における前記基板トレイ載置台９の自転位相が、当該一周回転する直前における自転位相と異なる回転機構である。具体的には、サセプタ１０を一周回転させると、自転側歯車４１の向きは、回転前と異なる向きとなる。例えば、自転側歯車４１の歯数が１２で公転側歯車４２の歯数が５４である場合、サセプタ１０を一周回転させると、自転側歯車４１は５４／１２＝４．５回転し、０．５回転分、すなわち、３６０×０．５＝１８０度ほど異なる向きを向いていることなる。
【００５２】
次に２回目の清掃を行なうが、この時、セサプタ１０が１回目の清掃の時から１回転しているので、各基板トレイ載置台９は、１回目の清掃の時と異なる向き、本実施例においては１８０度異なる向きを向いている。この状態で２回目の清掃を行なうのであるから、２回目の清掃においては、１回目の清掃において清掃されなった領域９ｃを含む領域を清掃することができる。すなわち、２回の清掃によって、基板トレイ載置台９の全面を清掃することができる。
【００５３】
本実施例によれば、載置台９の自転位相が、清掃する回ごとに異なるので、載置台９をムラなく、均一に清掃できる。
【００５４】
また、吸引口２１ａの長さは基板トレイ載置台９の直径未満で良いので、吸引口２１ａの開口面積を小さくすることができ、清掃ユニット２を小型化・低価格化することができる。また、吸引時の流速を高速とすることができるので、より確実に塵埃を除去することができる。あるいは、出力の小さな吸引ポンプを用いることができるので、低価格化・省エネルギー化を実現できる。
【００５５】
例えば、実施例１においては、吸引口の長さを１１５ｍｍとしていた所を、本実施例では６８ｍｍとすることができるので、その流速を１１５÷６８と計算して約１．７倍とすることができる。
【００５６】
本実施例においては、Ｓ２の工程を、Ｓ１の工程における２回目の清掃と平行して行なう流れ作業として実施しても良い。
【００５７】
また、Ｓ１の工程を、Ｓ２の前に実施せずに、Ｓ６の後に実施しても良い。この場合、Ｓ１における１回目の清掃を、Ｓ６の工程と平行して実施する流れ作業として実施しても良い。
【００５８】
また、図３のフローを繰り返して実施することにより、複数回の成膜を行なう場合、Ｓ１における１回目の清掃を、Ｓ６の工程と平行して実施する流れ作業として実施し、次のＳ２の工程を、Ｓ１の工程における２回目の清掃と平行して行なう流れ作業として実施しても良い。この場合、Ｓ６の搬出工程およびＳ２の搬入工程と同時にＳ１の工程が実施できるので、本実施例の実施に係る時間を短縮することができる。
【実施例３】
【００５９】
本実施例に係る説明においては、実施例２と共通する部分についての説明を略し、相違する部分についてのみ説明する。
【００６０】
本実施例においては、基板トレイ載置台９の自転方向が実施例２と異なる。
【００６１】
図７を用いて、１回目の清掃において清掃される領域について説明する。図７は、清掃手段２１が基板トレイ載置台９の上を通過した直後の配置関係を示す上面図である。本実施例においては、吸引口２１ａの下方において、公転方向と自転方向とが逆となるので、吸引口２１ａに対する基板トレイ載置台９の移動速度が小さくなり、清掃する領域９ｂについて、より確実に塵埃を除去することができる。しかし、１回の清掃で清掃できる領域９ｂも小さくなるので、２回の清掃だけでは、基板トレイ載置台９の全面を清掃することはできない。
【００６２】
この場合、１つの基板トレイ載置台９に関し、軌跡９ａの始点と中心軸Ｏ´と軌跡９ａの終点とのなす角度をθとすると、２π／θ以上の回数、清掃することが必要である。図７の例ではθは約３１度であるので、少なくとも１２回清掃する必要がある。これを実現するために、公転１回につき、基板トレイ載置台９が右ないし左に３６０／１２＝３０度向きが変化するように公転側歯車４２の歯数と自転側歯車４１の歯数とを設定する。
【００６３】
言い替えると、公転側歯車４２の歯数と自転側歯車４１の歯数との最小公倍数を公転側歯車４２の歯数で割った回数だけ公転すれば、自転側歯車４１の向きは最初の向きに戻るのであるから、本実施例においては２πを前記回数で除した角度をθ以下とするよう、公転側歯車４２の歯数と自転側歯車４１の比率を設定し、清掃できない領域が無いようにすることが望ましい。
【実施例４】
【００６４】
本実施例に係る説明においては、実施例２と共通する部分についての説明を略し、相違する部分についてのみ説明する。
【００６５】
図８に、本実施例における清掃手段２１および、その周囲の側方断面図を示す。清掃手段２１の吸引口のｘ方向の長さは、基板トレイ載置台９の半径以上であり、かつ基板トレイ載置台９の直径未満である。また、清掃位置における吸引口の位置は、中心軸Ｏ´および基板トレイ載置台９の中心軸Ｏ側から遠い端を含む範囲の上方である。
【００６６】
本実施例によれば、アーム２２を短くすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、対象面を自転かつ公転をさせる装置において、清掃等の表面処理を行なうに際し広く利用することができる。
【符号の説明】
【００６８】
２  清掃ユニット
４  チャンバ本体
９  基板トレイ載置台
１０  サセプタ
１１  回転機構
１２  回転台
２１  清掃手段
２１ａ  吸引口
４０  自転機構
【図３】
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【図４】
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【図９】
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【図１０】
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【図１】
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【図２】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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