(57)【要約】【課題】疑似エラーの発生を抑制する。【解決手段】設計装置は、設計データ２１に含まれる回路パターンの光学的近接効果に対するアウターセリフパターンとインナーセリフパターンを生成し、それらを含む中間データ２３を描画データ２４に変換する。設計装置は、アウターセリフパターン，インナーセリフパターンを回路パターンと分離して配置した。そして、設計装置は、アウターセリフパターン，インナーセリフパターンを描画データ２４から除去したチェック用描画データ２６を生成し、そのチェック用描画データ２６に含まれる描画用パターンの形状を検証ルールに従って検証する。【選択図】図３
2011112770.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設計装置が実行する設計方法であって、
設計データに含まれる回路パターンの光学的近接効果に対する補正パターンを生成し、前記回路パターン及び補正パターンを露光するための描画データに変換する作成工程と、
前記描画データに含まれる描画用パターンの形状を検証ルールに従って検証する検証工程と、を含み、
前記作成工程において、前記補正パターンを前記回路パターンと分離して配置し、
前記検証工程において、前記補正パターンに対応する描画用パターンを検証対象から除外する、
ことを特徴とする設計方法。
【請求項２】
設計装置が実行する設計方法であって、
作成基準に従って、設計データに含まれる回路パターンの外角部と内角部における光学的近接効果に対する補正パターンを、前記回路パターンと分離して配置し、前記回路パターン及び補正パターンを露光するための描画データに変換する作成工程を含む、
ことを特徴とする設計方法。
【請求項３】
設計装置が実行する設計方法であって、
請求項２に記載の設計方法により作成された描画データから、回路パターンに対応する描画用パターンを対象物に露光した際にその描画用パターンの角部に生じる丸みを抑制するための補正パターンの作成基準に応じた描画用パターンを検証対象から除外し、描画用パターンの形状を検証ルールに従って検証する検証工程を含む、
ことを特徴とする設計方法。
【請求項４】
設計装置が実行する設計方法であって、
回路パターンを変換した描画用パターンと、作成基準に従って前記回路パターンの光学的近接効果に対応して作成された補正パターンを変換した描画用パターンを含む描画データから、前記作成基準に応じた描画用パターンを削除してチェック用描画データを生成し、そのチェック用描画データに含まれる描画用パターンの形状を検証ルールに従って検証する検証工程を含む、
ことを特徴とする設計方法。
【請求項５】
請求項１〜４のうちの何れか一項に記載の設計方法により作成された描画データに基づき作成された露光用マスク。
【請求項６】
設計データに含まれる回路パターンの角部における光学的近接効果に対する補正パターンを、前記回路パターンと分離して配置し、前記回路パターン及び補正パターンを露光するための描画データに変換する作成処理を実行する、
ことを特徴とする設計装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
設計方法、露光用マスク、設計装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路装置の製造において、例えばシリコン等の基板上に素子や配線などの図形（パターン）を形成するためフォトマスクが用いられている。そして、フォトマスク上のマスクパターンの形状と、フォトマスクを用いて基板上に形成されたパターン（例えば、レジストパターン）の形状とに差が生じる。例えば、内角即ち凹部では脹らみが生じ、外角即ち凸部では丸みが生じる。
【０００３】
このような形状の差は、近接効果によるものであり、これを補正する方法の１つに光近接効果補正（Optical Proximity Correction：ＯＰＣ）がある。この補正は、先端補正、線幅補正、コーナー補正を含む。設計装置は、予め設定されたルールに従って、半導体集積回路装置のパターンデータに、上記補正の補正データを付加した形状のパターンデータを含む描画データを生成する（例えば、特許文献１参照）。そして、設計装置は、この描画データに対して、データの妥当性を保証するための検査（マスクルールチェック：Mask Rule Check:ＭＲＣ）を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−９３７０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記の補正処理において、補正により作成する補正データの大きさ（補正量）は、補正の種類に応じて異なる。このため、先端補正や線幅補正に対応するＭＲＣ検証では、図１０に示すように、インナーセリフによって補正されたパターン幅Ｗが設計ルールを満たさない場合がある。マスクパターンを形成した場合、この部分のパターン幅は、所望の値となる。つまり、マスクルールチェックでは、正しく形成される部分についてエラーを出力する、つまり疑似エラーを発生させてしまう。このような疑似エラーは、半導体装置の集積度に応じて増加し、真のルールエラーの発見を妨げる要因となる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によれば、設計装置が実行する設計方法であって、設計データに含まれる回路パターンの光学的近接効果に対する補正パターンを生成し、前記回路パターン及び補正パターンを露光するための描画データに変換する作成工程と、前記描画データに含まれる描画用パターンの形状を検証ルールに従って検証する検証工程とを含み、前記作成工程において、前記補正パターンを前記回路パターンと識別可能に形成し、前記検証工程において、前記補正パターンに対応する描画用パターンを識別し、その識別した描画用パターンを前記描画データから削除して検証する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一観点によれば、疑似エラーの発生が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】設計装置の概略構成図である。
【図２】描画データの説明図である。
【図３】設計処理のフローチャートである。
【図４】（ａ）（ｂ）はアウターセリフパターンの説明図である。
【図５】（ａ）（ｂ）はインナーセリフパターンの説明図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）はアウターセリフパターン生成処理の説明図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）はインナーセリフパターン生成処理の説明図である。
【図８】アウターセリフパターン選別及び抽出処理の説明図である。
【図９】インナーセリフパターン選別及び抽出処理の説明図である。
【図１０】描画データの説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、一実施形態を図１〜図９に従って説明する。
図１に示すように、設計装置１１は、半導体装置の製造工程に用いるフォトマスクの描画データを生成するための装置であり、例えば一般的なＣＡＤ（Computer Aided Design ）である。この設計装置１１は、中央処理装置（以下、ＣＰＵという）１２、メモリ１３、記憶装置１４、表示装置１５、入力装置１６、及び、ドライブ装置１７により構成され、それらはバス１８を介して相互に接続されている。
【００１０】
ＣＰＵ１２は、メモリ１３を利用してプログラムを実行し、半導体装置のレイアウト設計等の必要な処理を実現する。プログラムは、ＣＰＵ１２を、描画データを生成する設計装置としての各種手段として機能させるためのものである。メモリ１３には、各種処理を提供するために必要なプログラムとデータが格納され、メモリ１３としては、通常、キャッシュ・メモリ、システム・メモリおよびディスプレイ・メモリを含む。
【００１１】
表示装置１５は、パターン表示、パラメータ入力画面等の表示に用いられ、これにはＣＲＴ，ＬＣＤ，ＰＤＰ等が用いられる。入力装置１６は、ユーザからの要求や指示，パターン，パラメータの入力に用いられ、これにはキーボードおよびマウス装置（図示せず）等が用いられる。
【００１２】
コンピュータ１１は、レイアウトデータに基づき半導体装置に形成するパターン（図形）を表示装置１５に表示させる。そして、コンピュータ１１は、ユーザが操作する入力装置１６からの信号に従って、表示装置１５上のパターンの追加，削除を行うとともに、レイアウトデータに対してパターンデータの追加，削除を行う。
【００１３】
記憶装置１４は、通常、磁気ディスク装置、光ディスク装置、光磁気ディスク装置を含む。この記憶装置１４には、半導体装置（半導体集積回路装置）の描画データを生成するためのプログラムデータを含むファイルや、各種データを含むファイルが格納され、ＣＰＵ１２は、入力装置１６による指示に応答しているプログラム，データをメモリ１３へ転送し、それを実行する。
【００１４】
この設計装置１１において、記憶装置１４には図３に示すファイル２１，２２が格納される。設計装置１１は、記憶装置１４のファイル２１に格納されたデータを読み出し、そのデータに基づいて、実行する処理に応じて作成したデータを含むファイル２３〜２６（図３参照）を記憶装置１４に格納する。なお、以下の説明において、各ファイルに含まれるデータの総称に各ファイルの符号を付して説明する。
【００１５】
ＣＰＵ１２が実行するプログラムデータは、記録媒体１９にて提供される。ドライブ装置１７は、記録媒体１９を駆動し、その記憶内容にアクセスする。ＣＰＵ１２は、ドライブ装置１７を介して記録媒体１９からプログラムデータを読み出し、それを記憶装置１４にインストールする。
【００１６】
記録媒体１９としては、磁気テープ（MT）、メモリカード、フレキシブルディスク、光ディスク（CD-ROM,DVD-ROM,… ）、光磁気ディスク（MO,MD,…）等、任意のコンピュータ読み取り可能な記録媒体を使用することができる。この記録媒体１９に、上述のプログラム，データを格納しておき、必要に応じて、メモリ１３にロードして使用することもできる。
【００１７】
尚、記録媒体１９には、通信媒体を介してアップロード又はダウンロードされたプログラムデータを記録した媒体、ディスク装置を含む。更に、コンピュータによって直接実行可能なプログラムを記録した記録媒体だけでなく、いったん他の記録媒体（ハードディスク等）にインストールすることによって実行可能となるようなプログラムを記録した記録媒体や、暗号化されたり、圧縮されたりしたプログラムを記録した記録媒体も含む。
【００１８】
次に、設計装置１１が実行する処理の概要を説明する。
図１に示す設計装置１１は、図３に示すステップ３１〜３７の各処理を順次実行することにより、設計データに基づく描画データの作成と、作成した描画データの検証処理を行う。つまり、設計装置１１が実行する処理は、設計データから描画データを作成する作成処理と、描画データを検証する検証処理を含む。そして、作成処理（作成工程）は図３に示すステップ３１，３２を含み、検証処理（検証工程）は図３に示すステップ３３〜３７を含む。
【００１９】
設計データは、回路パターンのレイアウトデータを含む。回路パターンは、半導体等の基板に素子や配線を形成するためのパターンであり、レイアウトデータはパターンを形成する位置（座標値）を含む。
【００２０】
描画データは、半導体装置の製造工程に用いるフォトマスクを作成するためのデータである。フォトマスクは、基板と、基板上に形成されたマスクパターンを含む。基板は例えば石英ガラスであり、マスクパターンは、例えばクロム等の金属パターンである。なお、フォトマスクは、レチクルや単にマスクと呼ばれる。
【００２１】
マスクパターンは回路パターンに従って基板上の膜を露光して形成される。露光時の光学的近接効果は、回路パターンの形状に比べ、マスクパターンの形状に、パターン幅の拡大，縮小、パターン長の先端の丸み、角部の丸み（内角の脹らみ，外角の丸み）、等の変形を生じさせる。補正パターンは、基板上のパターンにおいて、露光時の光学的近接効果による変形を抑制するためのパターンを含む。つまり、補正パターンは、設計パターン通りの回路パターンを形成するためのパターンである。そして、マスクパターンは、回路パターンと補正パターンとを含む。
【００２２】
回路パターンの内角、外角に対する補正パターンをセリフパターンと呼ぶ。そして、内角に対するセリフパターンをインナーセリフパターン、外角に対するセリフパターンをアウターセリフパターンと呼ぶ。インナーセリフパターンとアウターセリフパターンをまとめてコーナーセリフパターンと呼ぶ。
【００２３】
ステップ３１において、設計装置１１は、光学的近接効果補正処理（ＯＰＣ処理）を実行する。この処理において、設計装置１１は、設計データ２１と作成基準２２に基づいて、その設計データ２１に対して、回路パターンに対応する補正パターンのレイアウトデータを作成する。作成基準２２は、補正パターンを作成するための作成ルール（パラメータ）であり、補正パターンに係る値を含む。つまり、設計装置１１は、作成ルールに従って、設計データ２１に含まれる回路パターンに対する補正パターンを作成する。
【００２４】
上記したように、補正パターンは、パターン幅の変形を抑制するための補正パターン、パターン先端の変形を抑制するための補正パターン、角部の丸みを抑制するためのセリフパターンを含む。設計装置１１は、セリフパターンを回路パターンに対して分離して配置する。そして、設計装置１１は、回路パターンのレイアウトデータと、補正パターンのレイアウトデータを含む中間データ２３を作成する。
【００２５】
次に、ステップ３２において、設計装置１１はフラクチャ処理を実行する。この処理において、設計装置１１は、ＯＰＣ処理により生成した中間データ２３を、描画データ２４に変換する。描画データ２４は、例えば図示しない露光装置が入力可能な形式のデータであり、露光装置は、そのデータに従って、基板上の膜（例えば、クロム膜）上に形成したレジスト膜に対して、電子ビームを照射し、回路パターンと補正パターンとに応じたレジストパターンを描画する。
【００２６】
次に、ステップ３３において、設計装置１１は、セリフパターン抽出処理を実行する。この処理において、設計装置１１は、作成基準２２に含まれるセリフパターンの作成ルールに従って、描画データ２４に含まれるパターンからアウターセリフパターンを選別し、その選別したアウターセリフパターンを抽出する。そして、設計装置１１は、抽出したアウターセリフパターンのレイアウトデータを含む一時的なファイルを、例えば図１に示すメモリ１３に作成する。
【００２７】
次に、ステップ３４において、描画データ２４の白黒反転処理を行い、反転描画データを作成する。そして、設計装置は、処理後のデータである反転描画データを含む一時的なファイルを、例えばメモリ１３（図１参照）に作成する。
【００２８】
次に、ステップ３５において、設計装置１１は、セリフパターン抽出処理を実行する。この処理において、設計装置１１は、ステップ３４において作成した反転描画データに対し、ステップ３３における処理と同様に、作成基準２２に含まれるセリフパターンの作成ルールに従って、反転描画データに含まれるパターンからインナーセリフパターンを選別し、その選別したインナーセリフパターンを抽出する。つまり、設計装置１１は、メモリ１３に記憶した反転描画データに含まれるパターンからインナーセリフパターンを選別し、その選別したインナーセリフパターンを抽出する。
【００２９】
そして、設計装置１１は、ステップ３３において抽出したアウターセリフパターンと、ステップ３５において抽出したインナーセリフパターンを含むセリフパターンデータ２５を図１に示す記憶装置１４に格納する。
【００３０】
次に、ステップ３６において、設計装置１１は、セリフパターン削除処理を実行する。この処理において、設計装置１１は、描画データ２４を読み込み、その読み込んだデータに含まれるパターンデータのうち、セリフパターンデータ２５に含まれるパターンデータと一致するデータを削除する。パターンデータの一致は、同じ座標値を持つことで判断される。そして、設計装置１１は、削除後のデータをチェック用描画データ２６として図１に示す記憶装置１４に格納する。従って、このチェック用描画データ２６は、回路パターンと、セリフパターン以外の補正パターン、例えば、先端補正のための補正パターン、線幅補正のための補正パターン、を含む。
【００３１】
次に、ステップ３７において、マスクルールチェック（ＭＲＣ）処理を実行する。この処理において、設計装置１１は、チェック用描画データ２６に対してマスクルールチェックを行う。チェック用描画データ２６は、上記したように、セリフパターンを含まない。従って、設計装置１１は、セリフパターン以外の補正パターンを基準とする検証ルールに基づいてチェック用描画データ２６に対するＭＲＣ処理を行う。なお、検証ルールは、例えば作成基準２２に格納されている。このため、ＭＲＣ処理において、セリフパターンによる疑似エラーは発生しない。つまり、ＭＲＣ処理において発生する疑似エラーの数を、従来に比べて大幅に減少させることができる。
【００３２】
そして、設計装置１１は、設計者の必要時等に指示に応じてチェック結果を、例えば図１の表示装置１５に表示する。なお、設計装置１１は、チェック結果を含むファイルを作成し、入力装置１６の操作に従ってファイルに含まれるチェック結果を図１の表示装置１５に表示する、又は図示しない出力装置（例えば印刷装置）に出力するようにしてもよい。
【００３３】
次に、パターン例を用いて上記の処理を説明する。
図２に示すように、回路パターン４１の外角部４１ａには、外角部４１ａに対応するアウターセリフパターン４２が配設されている。また、回路パターン４１の内角部４１ｂには、その内角部４１ｂに対応するインナーセリフパターン４３が配設されている。なお、図２は、ステップ３１における光学的近接効果補正処理において、一部の角部に対して配設したアウターセリフパターン４２，インナーセリフパターン４３を示す。
【００３４】
図４（ａ）は、図２に示す回路パターン４１の部分拡大図である。同図には、回路パターン４１の外角部４１ａと、アウターセリフパターン４２が示されている。
アウターセリフパターン４２は、回路パターン４１の外角部４１ａに対応する形状、つまり、外角部４１ａの辺に沿ってＬ字状に形成されている。そして、このパターン４２は、外角部４１ａの辺から離間するように形成されている。これにより、回路パターン４１とアウターセリフパターン４２との間には、回路パターン４１の外形に沿って延びる間隙（スリット）４４形成される。
【００３５】
例えば、パターンの部分を露光する場合、回路パターンのレイアウトデータは、回路パターン４１の外形を示す線分の座標値と、それらの線分に囲まれた領域内を露光する旨の情報を有する。同様に、アウターセリフパターン４２のレイアウトデータは、パターン４２の外形を示す線分の座標値と、それらの線分に囲まれた領域内を露光する旨の情報を有する。つまり、回路パターン４１とアウターセリフパターン４２は、互いに独立した領域を示すデータとなる。そして、アウターセリフパターン４２の外形は、回路パターン４１の外形と分離されている。このため、図３に示す描画データ２４に含まれるパターンデータから、アウターセリフパターン４２のみを容易に選別することが可能となる。
【００３６】
スリット４４の幅Ｗｓ、つまり、回路パターン４１の外形線とアウターセリフパターン４２の外形線との間の間隔は、レチクルに対する露光時に解像されない幅に設定されている。例えば、９０ｎｍの品種の場合、露光データ上のスリット４４の幅Ｗｓは、縮小投影露光装置に用いられるレチクル上、即ちレチクルに形成した遮光パターンの間隔のターゲットが４０ｎｍとなるように設定される。レチクルに形成されたマスクパターンは、例えば４分の１に縮小されて基板（例えば、ウェハ）上に形成されたレジスト膜に投影される。従って、スリット４４に応じてレチクルに形成されたスリットは、回路パターン４１とアウターセリフパターン４２に対する光学的近接効果により露光され、回路パターン４１によって形成されるレジストパターンと、アウターセリフパターン４２によって形成されるレジストパターンは、互いに接続される。そして、アウターセリフパターン４２により補正されたレジストパターンが形成される。
【００３７】
従来の方法により形成され描画データを図４（ｂ）に示す。この描画データは、実線で外形線が示されたパターン５１を含む。一点鎖線は、アウターセリフパターンを付加するまえの回路パターンの形状を示す。このパターン５１は、一点鎖線で示す回路パターン５１ａと、例えば実線及び二点鎖線で示す矩形状の補正用ブロック５２とを、図形論理演算することにより、アウターセリフパターンを含む形状として形成される。図形論理演算は、重なり合う複数のパターンについて、パターンの重なりを無くし、重なり合うパターンの全てを囲む外形線をレイアウトデータとして形成する処理を含む。従って、補正用ブロック５２により形成されるアウターセリフパターンの部分のレイアウトデータは、回路パターン５１ａの部分のレイアウトデータと、区別し難い。つまり、アウターセリフパターンのレイアウトデータを選別することは困難である。
【００３８】
図５（ａ）は、図２に示す回路パターン４１の部分拡大図である。同図には、回路パターン４１の内角部４１ｂと、インナーセリフパターン４３が示されている。
インナーセリフパターン４３は、回路パターン４１の内角部４１ｂに対応する形状、つまり、内角部４１ｂの辺に沿ってＬ字状に形成されている。そして、このパターン４３は、内角部４１ｂに内包される形成され、インナーセリフパターン４３の外形線と回路パターン４１の外形線は離間している。
【００３９】
このインナーセリフパターン４３は、回路パターン４１の描画情報に対して逆のタイプの描画情報を有する。例えば、回路パターン４１の描画情報を、このパターン４１の外形を囲む線分の内側を露光するタイプ（例えばポジタイプ）の情報とすると、インナーセリフパターン４３は、このパターン４３の外形を囲む線分の外側を露光するタイプ（例えばネガタイプ）の描画情報を持つ。つまり、インナーセリフパターン４３は、回路パターン４１にスリットを形成する補正パターンである。これにより、回路パターン４１とインナーセリフパターン４３との間には、回路パターン４１の内角部外形に沿って微細パターン４５形成される。
【００４０】
例えば、パターンの部分を露光する場合、回路パターンのレイアウトデータは、回路パターン４１の外形を示す線分の座標値と、それらの線分に囲まれた領域内を露光する旨の情報を有する。一方、インナーセリフパターン４３のレイアウトデータは、パターン４３の外形を示す線分の座標値と、それらの線分に囲まれた領域外を露光する旨の情報を有する。従って、白黒反転処理されたデータは、回路パターン４１とインナーセリフパターン４３は、互いに独立した領域を示すデータとなる。そして、インナーセリフパターン４３の外形は、回路パターン４１の外形と分離されている。このため、図３に示す描画データ２４に含まれるパターンデータから、インナーセリフパターン４３のみを容易に選別することが可能となる。
【００４１】
微細パターン４５の幅Ｗｐ、つまり、回路パターン４１の外形線とインナーセリフパターン４３の外形線との間の間隔は、レチクルに対する露光時に解像されない幅に設定されている。例えば、９０ｎｍの品種の場合、露光データ上の微細パターン４５の幅Ｗｐは、縮小露光装置に用いられるレチクル上、即ちレチクルに形成した遮光パターンの間隔のターゲットが４０ｎｍとなるように設定される。従って、微細パターン４５によりレチクル上に形成されたマスクパターンは、光学的近接効果により消失し、インナーセリフパターン４３によって補正されたレジストパターンが形成される。
【００４２】
従来の方法により形成され描画データを図５（ｂ）に示す。この描画データは、実線で外形が示されたパターン５３を含む。一点鎖線は、インナーセリフパターンを付加するまえの回路パターン５３ａの形状を示す。このパターン５３は、一点鎖線で示す回路パターン５３ａと、例えば実線及び二点鎖線で示す矩形状の補正用ブロック５４とを、図形論理演算することにより、インナーセリフパターンを含む形状として形成される。図形論理演算は、重なり合う複数のパターンについて、パターンの重なりを無くす処理を含む。従って、インナーセリフパターンの部分のレイアウトデータは、回路パターン５３ａの部分のレイアウトデータと、区別し難い。つまり、インナーセリフパターンのレイアウトデータを選別することは困難である。
【００４３】
次に、アウターセリフパターンの生成方法を説明する。
図１に示す設計装置１１は、図６（ａ）に示すように、回路パターン４１の外角部４１ａに対応するアウターセリフパターン４２（図４（ａ）参照）を作成する場合、中間パターン６１を用いる。この中間パターン６１の大きさは、基板上に形成される実パターンの外角部に生じるコーナラウンディング、即ち凸部に生じる丸みの大きさに応じて設定されている。本実施形態において、中間パターン６１は、Ｌ字状に形成されている。そして、中間パターン６１の線幅Ｗ６１は、外角部に生じる丸みの大きさに応じて、回路パターン４１から中間パターン６１を突出させる量よりも大きい値に設定されている。この突出量は、例えば作成ルールに含まれる。つまり、中間パターン６１の大きさは、図６（ｂ）に示すように、中間パターン６１を回路パターン４１から突出させたとき、中間パターン６１の内角側が、回路パターン４１の外角部４１ａと重なるように設定されている。
【００４４】
次に、図１に示す設計装置１１は、図６（ｃ）に示すように、回路パターン４１と中間パターン６１とを図形論理演算し、中間パターン６１のうちの回路パターン４１と重なる領域（重なり部）を第１の補助パターン６２として生成する。次に、設計装置１１は、第１の補助パターン６２を作成ルールに従ってサイジング（拡大）し、図６（ｃ）において一点鎖線で示す第２の補助パターン６３を生成する。なお、第１及び第２の補助パターン６２，６３は、一時的に作成されるデータであり、例えば図１に示すメモリ１３に記憶される。
【００４５】
次に、図１に示す設計装置１１は、図６（ｄ）に示すように、第２の補助パターン６３と中間パターン６１とを図形論理演算し、中間パターン６１のうち、第２の補助パターン６３と重ならない領域（非重なり部）をアウターセリフパターン４２として生成する。言い換えると、中間パターン６１と第２の補助パターン６３とが重なる領域（重なり部）を、中間パターン６１から除去することにより、アウターセリフパターン４２を生成する。これにより、回路パターン４１の外形線から離間したアウターセリフパターン４２が形成される。また、第１の補助パターン６２に対して、第１の補助パターン６２のサイジングにおける拡大量に応じた幅のスリット４４が形成される。なお、図６（ｄ）に示す二点鎖線は、中間パターン６１の外形を示す。
【００４６】
次に、インナーセリフパターンの生成方法を説明する。
図１に示す設計装置１１は、図７（ａ）に示すように、回路パターン４１の内角部４１ｂに対応するインナーセリフパターン４３（図５（ａ）参照）を作成する場合、中間パターン７１を用いる。この中間パターン７１の大きさは、基板上に形成される実パターンの内角部に生じるコーナラウンディング、即ち凹部に生じる脹らみの大きさに応じて設定されている。本実施形態において、中間パターン７１は、Ｌ字状に形成されている。そして、中間パターン７１の線幅Ｗ７１は、内角部に生じる脹らみの大きさに応じて、中間パターン７１を回路パターン４１に重ねる量よりも大きい値に設定されている。この重なり量は、例えば作成ルールに含まれる。つまり、中間パターン７１の大きさは、図７（ｂ）に示すように、中間パターン７１を回路パターン４１に重ねたとき、中間パターン７１の内角側が、回路パターン４１の内角部４１ｂと重ならない設定されている。
【００４７】
次に、図１に示す設計装置１１は、図７（ｃ）に示すように、回路パターン４１と中間パターン７１とを図形論理演算し、中間パターン７１のうちの回路パターン４１と重ならない領域（非重なり部）を第１の補助パターン７２として生成する。次に、設計装置１１は、第１の補助パターン７２を作成ルールに従ってサイジング（拡大）し、図７（ｃ）において一点鎖線で示す第２の補助パターン７３を生成する。なお、第１及び第２の補助パターン７２，７３は、一時的に作成されるデータであり、例えば図１に示すメモリ１３に記憶される。
【００４８】
次に、図１に示す設計装置１１は、図７（ｄ）に示すように、第２の補助パターン７３と中間パターン７１とを図形論理演算し、中間パターン７１のうち、第２の補助パターン７３と重ならない領域（非重なり部）をインナーセリフパターン４３として生成する。言い換えると、中間パターン７１と第２の補助パターン７３とが重なる領域（重なり部）を、中間パターン７１から除去することにより、インナーセリフパターン４３を生成する。これにより、回路パターン４１の外形線からその回路パターン４１の内側に入り込んだ、即ち回路パターン４１に内包されたインナーセリフパターン４３が形成される。また、第１の補助パターン７２に対して、第１の補助パターン７２のサイジングにおける拡大量に応じた幅の微細パターン４５が形成される。なお、図７（ｄ）に示す二点鎖線は、中間パターン７１の外形を示す。
【００４９】
次に、アウターセリフパターン選別及び抽出処理を説明する。
描画データ２４は、図８に示すように、描画用パターン８１，８２を含む。描画用パターン８２はＬ字状に形成され、描画用パターン８１の外角部８１ａと離間して配置されている。描画用パターン８１は、図４（ａ）に示す回路パターン４１を変換して作成したものであり、描画用パターン８２は、アウターセリフパターン４２を変換して作成したものである。
【００５０】
描画用パターン８１の外形線から、描画用パターン８２の外角側の外形線までの距離Ｗｏは、スリット８３の幅Ｗｓと、描画用パターン８２の線幅Ｗ１の合計値である。そして、この距離Ｗｏは、リソグラフィの実験値から設定される。そして、１つのレチクル上に形成された各パターンは、同一の露光条件で基板上のレジスト膜に投射される。従って、１つのレチクル上に形成される複数の回路パターンについて、各回路パターンの外形線から、各回路パターンの外角部に対応して形成されたアウターセリフパターンの外角側の外形線までの距離は、同一値となる。同様の理由により、描画用パターン８１の外形線と、描画用パターン８２の内角側の外形線とについて、対向する部分の長さＬ１は、同一値となる。
【００５１】
従って、図１に示す設計装置１１は、図３に示す作成基準２２に従って、以下の条件ａ１及びａ２にて、図３に示す描画データ２４に含まれる描画用パターンから、アウターセリフパターンに対応する描画用パターンを選別する。
ａ１：描画用パターンの端部（外形線）から距離Ｗｏ（＝Ｗ１＋Ｗｓ）内に配置された描画用パターン。
ａ２：２つの描画用パターンが対向し、互いに対向する部分の長さがＬ１以下であり、幅Ｗ１の描画用パターン。
【００５２】
そして、図１に示す設計装置１１は、選別した描画用パターン８２のレイアウトデータを、第１データとする。従って、図３に示すセリフパターンデータ２５は、第１データ、つまり描画用パターン８２のレイアウトデータを含む。つまり、設計装置１１は、描画データに含まれるパターンのうち、作成基準２２に応じた条件に該当するパターンをアウターセリフパターンと判定し、そのアウターセリフパターンを抽出する。
【００５３】
次に、インナーセリフパターン選別及び抽出処理を説明する。
上記したように、インナーセリフパターン４３は、内部にパターンが存在しない抜き図形であるため、図１に示す設計装置１１は、認識を容易にするために、内部をパターンとするデータに変換する、つまり図３に示す描画データ２４を白黒反転処理した反転描画データを作成する。この反転描画データは、一時的なデータファイルとして、例えば図１に示す記憶装置１４に記憶される。
【００５４】
反転描画データは、図９に示すように、反転描画用パターン９１，９２を含む。描画用パターン９２はＬ字状に形成され、反転描画用パターン９１の外角部９１ａと離間して配置されている。反転描画用パターン９１は、図５（ａ）に示す回路パターン４１の外形線より外側を露光するように設定されたパターンである。反転描画用パターン９２は、図５（ａ）に示す回路パターン４１に内包されたインナーセリフパターン４３の外形線の内側を露光するように設定されたパターンである。
【００５５】
反転描画用パターン９１の外形線から、反転描画用パターン９２の外角側の外形線までの距離Ｗｉは、スリット９３として示される微細パターン４５（図５（ａ）参照）の幅Ｗｐと、反転描画用パターン９２の線幅Ｗ２の合計値である。そして、この距離Ｗｉは、リソグラフィの実験値から設定される。そして、アウターセリフパターン４２の場合と同様に、距離Ｗｉは、同一値となる。同様の理由により、反転描画用パターン９１の外形線と、反転描画用パターン９２の内角側の外形線とについて、対向する部分の長さＬ２は、同一値となる。
【００５６】
従って、図１に示す設計装置１１は、図３に示す作成基準２２に従って、以下の条件ｂ１及びｂ２にて、白黒反転処理後のデータに含まれるパターンから、反転描画用パターン９２を選別する。
ｂ１：パターンから距離Ｗｉ（＝Ｗ２＋Ｗｐ）内に配置されたパターン。
ｂ２：パターンと対向する部分の長さがＬ２以下であり、幅Ｗ２のパターン。
【００５７】
この選別された反転描画用パターン９２は、インナーセリフパターンを白黒反転したパターンである。従って、反転描画用パターン９２の座標値は、インナーセリフパターン４３の座標値と等しい。そして、図１に示す設計装置１１は、選別した反転描画用パターン９２のレイアウトデータを、第２データとする。従って、図３に示すセリフパターンデータ２５は、第２データ、つまりインナーセリフパターン４３を白黒反転したレイアウトデータを含む。つまり、設計装置１１は、反転描画データに含まれるパターンのうち、作成基準２２に応じた条件に該当するパターンをインナーセリフパターンと判定し、そのインナーセリフパターンを抽出する。
【００５８】
次に、セリフパターン除去処理について説明する。
図１に示す設計装置１１は、図３に示すセリフパターンデータ２５により、描画データ２４からセリフパターンのレイアウトデータを削除する。
【００５９】
セリフパターンデータ２５は、アウターセリフパターンに対応する第１データと、インナーセリフパターンに対応する第２データを含む。そして、第１データに含まれるレイアウトデータは、アウターセリフパターンと同様に、矩形の内部を描画するデータである。従って、設計装置１１は、描画データ２４に対して、図形論理演算処理として、ＳＵＢ処理（減算処理）を行う。ＳＵＢ処理は、基準とする図形に対して、参照する図形が重なる部分を基準とする図形から削除する処理である。従って、描画データ２４に含まれるアウターセリフパターン４２と、セリフパターンデータ２５に含まれる第１データのパターンとが重なるため、描画データ２４に含まれるアウターセリフパターン４２のレイアウトデータが削除される。このアウターセリフパターン４２を削除した描画データを、第１削除描画データとする。
【００６０】
第２データに含まれるレイアウトデータは、上記した反転描画用パターン９２のレイアウトデータ、つまりインナーセリフパターン４３を白黒反転したデータである。従って、設計装置１１は、第１削除描画データに対して、図形論理演算処理として、ＯＲ処理（和処理）を行う。ＯＲ処理は、基準とする図形と、参照する図形とを合成し、その合成した図形の外形線をレイアウトデータとする処理である。
【００６１】
第１削除描画データに含まれるインナーセリフパターン４３は、外形線から外側を露光するデータである。一方、セリフパターンデータ２５に含まれる第２データの反転描画用パターン９２は、外形線から内側を露光するデータである。そして、反転描画用パターン９２の座標値は、インナーセリフパターン４３の外形線の座標値と等しい。従って、第１削除描画データと、セリフパターンデータ２５に含まれる第２データとをＯＲ処理した処理後のデータは、第１削除描画データから、反転描画用パターン９２のレイアウトデータを削除したデータ、つまりインナーセリフパターンのレイアウトデータを削除したデータとなる。従って、図１に示す設計装置１１は、この処理後のデータを、図３に示すチェック用描画データ２６として、図１に示す記憶装置１４に格納する。
【００６２】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）設計装置１１は、設計データ２１に含まれる回路パターン４１の光学的近接効果に対するアウターセリフパターン４２とインナーセリフパターン４３を生成し、それらを含む中間データ２３を描画データ２４に変換する。次に、設計装置１１は、描画データ２４に含まれる描画用パターンの形状を検証ルールに従って検証する。そして、設計装置１１は、アウターセリフパターン４２，インナーセリフパターン４３を回路パターン４１と分離して配置した。従って、描画データからアウターセリフパターン４２，インナーセリフパターン４３を削除することが容易であり、アウターセリフパターン４２，インナーセリフパターン４３を削除したチェック用描画データ２６を生成し、そのチェック用描画データ２６に含まれる描画用パターンの形状を検証ルールに従って検証することにより、検証の際に発生する疑似エラーを低減することができる。これにより、真の検証エラーを容易に把握することができるようになる。そして、検証エラーの把握が容易になるため、設計処理に要する時間を短縮ることができる。
【００６３】
（２）設計装置１１は、中間パターン６１，７１と回路パターン４１とを図形論理演算して第１の補助パターン６２，７２を生成し、その第１の補助パターン６２，７２をサイジングして第２の補助パターン６３，７３を生成する。そして、設計装置１１は、第２の補助パターン６３，７３と中間パターン６１，７１とを図形論理演算してアウターセリフパターン４２，インナーセリフパターン４３を生成した。従って、回路パターン４１のレイアウトデータ（外形線）はアウターセリフパターン４２，インナーセリフパターン４３の作成に対して変更されないため、回路パターン４１に対して分離したアウターセリフパターン４２，インナーセリフパターン４３を生成することができる。
【００６４】
（３）設計装置１１は、描画データ２４について、作成基準に応じた条件に対応する描画用パターンを選別するようにした。その結果、描画データ２４から容易にアウターセリフパターン４２を抽出することができる。
【００６５】
（４）設計装置１１は、描画データ２４を白黒反転した反転描画データを生成し、その反転描画データについて、作成基準に応じた条件に対応する描画用パターンを選別するようにした。その結果、アウターセリフパターン４２と同様の条件によりインナーセリフパターン４３を描画データ２４から容易に抽出することができる。
【００６６】
尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・複数の設計装置を用い、各設計装置に割り当てた処理を実行させるようにしてもよい。
【００６７】
例えば、第１の設計装置にてステップ３１，３２の処理を行い、第１の装置と異なる第２の設計装置にてステップ３３〜３７の処理を行う。
第１の設計装置は、図３に示す作成基準２２に従って、設計データ２１の回路パターンに対応する補正パターンを作成し、描画データ２４を作成する。そして、第１の設計装置により生成した描画データ２４を、光ファイバ等の通信媒体や、磁気ディスク等の記憶媒体を用いて、第１の設計装置から第２設計の装置に供給する。第２の設計装置は、作成基準２２に従って、描画データ２４からアウターセリフパターン及びインナーセリフパターンに対応する描画用パターンを抽出し、その描画用パターンを描画データ２４から削除したチェック用描画データ２６を作成する。そして、第２の設計装置は、チェック用描画データ２６に対してＭＲＣ処理を行い、描画用パターンを検証する。
【００６８】
つまり、第２の装置において、設計データ２１や中間データ２３を用いる必要が無いため、データを転送する媒体にかかる負荷を低減することができる。また、マスクルールチェック処理（ステップ３７）を行う第２の装置において、設計データ２１や中間データ２３を用いる必要が無いため、記憶装置等のリソースが少ない装置であっても、描画データ２４に対するマスクルールチェック処理を行うことができる。
【００６９】
・中間パターン６１，７１の形状は適宜変更されてもよく、例えば四角形状（正方形状）の中間パターンを用いてアウターセリフパターンとインナーセリフパターンを形成するようにしても良い。また、アウターセリフパターン４２を形成するための中間パターン６１と、インナーセリフパターン４３を形成するための中間パターン７１とを、互いに異なる形状としてもよい。この形態では、上記実施形態と同様の効果が得られる。
【００７０】
・セリフパターン４２，４３をＭＲＣ処理におけるチェックの対象から除外する方法として、例えば、ステップ３６において、セリフパターン４２，４３に対応する描画用パターンのデータにフラグを設定し、ステップ３７においてフラグが設定されたパターンをチェックの対象として扱わないようにする。この形態では、上記実施形態と同様の効果が得られる。
【００７１】
・インナーセリフパターン４３を抽出した後にアウターセリフパターン４２を抽出する。また、アウターセリフパターン４２の抽出処理とインナーセリフパターン４３を抽出する処理とを異なるプロセッサ（処理装置）にて実行する、又は異なるプロセス（スレッド）にて実行するようにしてもよい。これらの形態では、上記実施形態と同様の効果が得られる。
【００７２】
・セリフパターンの抽出と削除を一括して１つの工程（ステップ）において実行する。つまり、図３に示すステップ３３〜３６の処理を１つのステップにおいて実行する。この場合、図３に示すセリフパターンデータ２５を作成する必要が無く、記憶装置等のリソースが少ない装置であっても、描画データ２４に対するマスクルールチェック処理を行うことができる。
【００７３】
上記各実施形態に関し、以下の付記を開示する。
（付記１）
設計装置が実行する設計方法であって、
設計データに含まれる回路パターンの光学的近接効果に対する補正パターンを生成し、前記回路パターン及び補正パターンを露光するための描画データに変換する作成工程と、
前記描画データに含まれる描画用パターンの形状を検証ルールに従って検証する検証工程と、を含み、
前記作成工程において、前記補正パターンを前記回路パターンと分離して配置し、
前記検証工程において、前記補正パターンに対応する描画用パターンを検証対象から除外する、
ことを特徴とする設計方法。
（付記２）
設計装置が実行する設計方法であって、
作成基準に従って、設計データに含まれる回路パターンの外角部と内角部における光学的近接効果に対する補正パターンを、前記回路パターンと分離して配置し、前記回路パターン及び補正パターンを露光するための描画データに変換する作成工程を含む、
ことを特徴とする設計方法。
（付記３）
設計装置が実行する設計方法であって、
付記２に記載の設計方法により作成された描画データから、回路パターンに対応する描画用パターンを対象物に露光した際にその描画用パターンの角部に生じる丸みを抑制するための補正パターンの作成基準に応じた描画用パターンを検証対象から除外し、描画用パターンの形状を検証ルールに従って検証する検証工程を含む、
ことを特徴とする設計方法。
（付記４）
設計装置が実行する設計方法であって、
回路パターンを変換した描画用パターンと、作成基準に従って前記回路パターンの光学的近接効果に対応して作成された補正パターンを変換した描画用パターンを含む描画データから、前記作成基準に応じた描画用パターンを削除してチェック用描画データを生成し、そのチェック用描画データに含まれる描画用パターンの形状を検証ルールに従って検証する検証工程を含む、
ことを特徴とする設計方法。
（付記５）
前記回路パターンと、前記回路パターンの外角部に応じた前記補正パターンとにより形成されるスリットの幅は、前記描画用パターンを基板に露光する際に、露光の解像度又は光学的近接効果に応じて、前記回路パターンに基づいて形成される第１のパターンと前記補正パターンに基づいて形成される第２のパターンとが接続されるように設定される、
ことを特徴とする付記１〜４のうちの何れか一項に記載の設計方法。
（付記６）
前記回路パターンと、前記回路パターンの内角部に応じた前記補正パターンとにより形成される微細パターンの幅は、前記描画用パターンを基板に露光する際に、露光の解像度又は光学的近接効果に応じて前記微細パターンが消失することにより、前記回路パターンに基づいて形成される第１のパターンに、前記補正パターンに応じた凹部が形成されるように設定される、
ことを特徴とする付記１〜５のうちの何れか一項に記載の設計方法。
（付記７）
前記設計装置は、
前記回路パターンと中間パターンとを図形論理演算して第１の補助パターンを生成し、前記第１の補助パターンをサイジングして第２の補助パターンを生成し、前記第１の補助パターンと前記中間パターンとを図形論理して前記補正パターンを生成する、
ことを特徴とする付記１〜６のうちの何れか一項に記載の設計方法。
（付記８）
前記光学的近接効果補正は、先端補正，線幅補正，コーナー補正を含み、
前記コーナー補正に対応し、前記回路パターンの角部に生じる丸みを補正するセリフパターンを、前記回路パターンと分離して配置した、
ことを特徴とする付記１〜７のうちの何れか一項に記載の設計方法。
（付記９）
前記補正パターンは、前記回路パターンの外角部に生じる丸みを補正するアウターセリフパターンと、前記回路パターンの内角部に生じる丸みを補正するインナーセリフパターンを含み、
前記描画データに含まれるパターンから、作成基準に応じた条件に該当するパターンをアウターセリフパターンと判定し、そのアウターセリフパターンを抽出する工程と、
描画データを白黒反転して反転描画データを作成する工程と、
前記反転描画データに含まれるパターンから、前記作成基準に応じた条件に該当するパターンをインナーセリフパターンと判定し、そのインナーセリフパターンを抽出する工程と、
前記工程により抽出されたアウターセリフパターン及びインナーセリフパターンを前記描画データから削除してチェック用描画データを生成する工程と、
を含むことを特徴とする付記１〜８のうちの何れか一項に記載の設計方法。
（付記１０）
設計装置が実行するプログラムであって、
設計データに含まれる回路パターンの光学的近接効果に対する補正パターンを生成し、前記回路パターン及び補正パターンを露光するための描画データに変換する第１のステップと、
前記描画データに含まれる描画用パターンの形状を検証ルールに従って検証する第２のステップと、を含み、
前記第１のステップにおいて、前記補正パターンを前記回路パターンと分離して配置し、
前記第２のステップにおいて、前記補正パターンに対応する描画用パターンを検証対象から除外して検証する、
ことを特徴とするプログラム。
（付記１１）
設計装置が実行するプログラムであって、
作成基準に従って、設計データに含まれる回路パターンの角部における光学的近接効果に対する補正パターンを、前記回路パターンと分離して配置し、前記回路パターン及び補正パターンを露光するための描画データに変換するステップを含む、
ことを特徴とする設計方法。
（付記１２）
付記１〜９のうちの何れか一項に記載の設計方法により作成された描画データに基づき作成された露光用マスク。
（付記１３）
設計データに含まれる回路パターンの角部における光学的近接効果に対する補正パターンを、前記回路パターンと分離して配置し、前記回路パターン及び補正パターンを露光するための描画データに変換する作成処理を実行する、
ことを特徴とする設計装置。
【符号の説明】
【００７４】
１１  設計装置
２１  設計データ
２２  作成基準（作成ルール）
２３  中間データ
２４  描画データ
２５  セリフパターンデータ
２６  チェック用描画データ
４１  回路パターン
４２  アウターセリフパターン
４３  インナーセリフパターン
４４  スリット
４５  微細パターン（消失するパターン）
６１，７１  中間パターン
８１，８２  描画用パターン
９１，９２  反転描画用パターン
【図１】
2011112770.tif 000003
【図２】
2011112770.tif 000004
【図３】
2011112770.tif 000005
【図４】
2011112770.tif 000006
【図５】
2011112770.tif 000007
【図６】
2011112770.tif 000008
【図７】
2011112770.tif 000009
【図８】
2011112770.tif 000010
【図９】
2011112770.tif 000011
【図１０】
2011112770.tif 000012