(57)【要約】【課題】基板上に成膜された薄膜の厚さを精度良く測定可能な膜厚測定装置及び膜厚測定方法を提供する。【解決手段】ガラス基板２上に成膜されて且つレーザ加工装置１から照射される加工用レーザによってスクライブ溝Ｇｖが形成される薄膜の厚さを測定する膜厚測定装置６であって、レーザ加工装置１から薄膜に照射された加工用レーザのガラス基板２平面内における照射位置が格納された照射位置情報に基づいて、検査対象薄膜３ａに形成されたスクライブ溝Ｇｖの位置を特定する。そして、特定した位置に形成されているスクライブ溝Ｇｖの深さを測定し、その測定値に基づいて検査対象薄膜３ａの厚さを取得する。【選択図】図６
2011013110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に成膜されて且つレーザ加工装置から照射される加工用レーザによって溝が形成される薄膜の厚さを測定する膜厚測定装置であって、
前記レーザ加工装置から薄膜に照射された加工用レーザの前記基板平面内における照射位置が少なくとも格納された照射位置情報に基づいて、膜厚測定対象となる薄膜に形成された溝の位置を特定する溝形成位置特定手段と、
前記溝形成位置特定手段により特定された位置に形成されている溝の深さを測定し、その測定値に基づいて膜厚測定対象となる薄膜の厚さを取得する膜厚取得手段と、
を備えることを特徴とする膜厚測定装置。
【請求項２】
前記レーザ加工装置は軸状集光を行う軸状集光用光学素子を有し、軸状集光ビームを照射することを特徴とする請求項１に記載の膜厚測定装置。
【請求項３】
基板上に成膜されて且つレーザ加工装置から照射される加工用レーザによって溝が形成される薄膜の厚さを測定する膜厚測定方法であって、
前記レーザ加工装置から薄膜に照射された加工用レーザの前記基板平面内における照射位置が少なくとも格納された照射位置情報に基づいて、膜厚測定対象となる薄膜に形成された溝の位置を特定する溝形成位置特定ステップと、
前記溝形成位置特定ステップで特定された位置に形成されている溝の深さを測定し、その測定値に基づいて膜厚測定対象となる薄膜の厚さを取得する膜厚取得ステップと、
を有することを特徴とする膜厚測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に成膜された薄膜の厚さを測定する膜厚測定装置及び膜厚測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に成膜された薄膜にレーザ加工装置から加工用レーザを照射するレーザ加工によって薄膜をパターニングする技術が公知であり、薄膜光電変換装置（例えば、太陽電池や受光センサ等）やプラズマディスプレイパネル等の製造プロセスにおいて一般に利用されている。
【０００３】
例えば、集積型薄膜太陽電池の構造として、透光性の基板上に透明電極層、光電変換層、裏面電極層を順次積層させる構造が一般に採用されている。ここでのレーザパターニングは、各薄膜が成膜される毎にレーザ加工装置から加工用レーザを照射して薄膜を昇華あるいは液化させ、その薄膜が電気的に絶縁するように分離溝を形成させるためのものであり、レーザスクライブと一般に称呼されている。このレーザスクライブによれば、多数のセルに分割されると共に、これらが直列接続して集積化されたモジュールを基板上に形成することができる。
【０００４】
また、近年、積層型薄膜太陽電池の光電変換効率を高めるべく、その積層薄膜の表面（薄膜同士の界面を含む概念である）に微細な凹凸構造（テクスチャ構造）を形成する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この凹凸構造は、例えば透明電極層や光電変換層等に形成される。薄膜の表面に凹凸構造を形成すると入射光が光電変換層内で散乱し、光電変換層内での光路長を長くすることができる。これによって、光電変換層において光電変換のために吸収される光量が増大し太陽電池の出力電流を増大させることができる（光電変換効率を高めることができる）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−９５７８４号公報
【特許文献２】特開２００２−３８２６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
薄膜光電変換装置としての品質を担保するためには、基板に成膜される薄膜の厚さ（以下、「膜厚」ともいう）の管理が重要となる。即ち、基板上における膜厚の平面的な分布にばらつき（ムラ）が生じると、光電変換効率が不均一となり、装置の信頼性や商品価値の低下を招く。特に近年では、基板が大型化（大パネル化）する傾向があり、基板平面上における膜厚分布にムラが生じ易いという実情がある。
【０００７】
従来から、成膜装置により成膜された薄膜の厚さを測定する膜厚計として、例えば分光エリプソメータ（以下、単に「エリプソメータ」という）が広く用いられている。エリプソメータによる膜厚測定原理の概略は、薄膜の表面で光が反射するときの偏光状態の変化（入射と反射）を測定し、その測定結果をモデル解析することで求めている。そして、薄膜の表面に形成された凹凸構造は、上記偏光状態の変化に影響を及ぼすため、このような凹凸構造を形成する薄膜の厚さをエリプソメータによって測定すると膜厚の測定精度が悪化する虞がある。
【０００８】
本発明は上記の従来技術の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、基板上に成膜された薄膜の厚さを精度良く測定可能な膜厚測定装置及び膜厚測定方法の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る膜厚測定装置は、以下の手段を採用した。即ち、基板上に成膜されて且つレーザ加工装置から照射される加工用レーザによって溝が形成される薄膜の厚さを測定する膜厚測定装置であって、前記レーザ加工装置から薄膜に照射された加工用レーザの前記基板平面内における照射位置が少なくとも格納された照射位置情報に基づいて、膜厚測定対象となる薄膜に形成された溝の位置を特定する溝形成位置特定手段と、前記溝形成位置特定手段により特定された位置に形成されている溝の深さを測定し、その測定値に基づいて膜厚測定対象となる薄膜の厚さを取得する膜厚取得手段と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
また、前記レーザ加工装置は、軸状集光を行う軸状集光用光学装置を有し、軸状集光ビームを照射しても良い。
【００１１】
また、本発明に係る膜厚測定方法にあっては、基板上に成膜されて且つレーザ加工装置から照射される加工用レーザによって溝が形成される薄膜の厚さを測定する膜厚測定方法であって、前記レーザ加工装置から薄膜に照射された加工用レーザの前記基板平面内における照射位置が少なくとも格納された照射位置情報に基づいて、膜厚測定対象となる薄膜に形成された溝の位置を特定する溝形成位置特定ステップと、前記溝形成位置特定ステップで特定された位置に形成されている溝の深さを測定し、その測定値に基づいて膜厚測定対象となる薄膜の厚さを取得する膜厚取得ステップと、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、基板上に成膜された薄膜の厚さを精度良く測定可能な膜厚測定装置及び膜厚測定方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施例１に係る積層型薄膜太陽電池モジュールＳＣの断面模式図である。
【図２】実施例１に係るレーザ加工装置の概略構成を示した平面図である。
【図３】実施例１に係るレーザ加工装置の概略構成を示した正面図である。
【図４】実施例１に係るレーザ加工装置における要部の側面図である。
【図５】実施例１に係る膜厚測定装置の概略構成を示した斜視図である。
【図６】テーブル部にセットされたガラス基板に形成されている検査対象薄膜の上面図である。
【図７】実施例１に係る制御ルーチンを例示したフローチャートである。
【図８】図７の膜厚取得ステップで行われるサブルーチンを示したフローチャートである。
【図９】溝深さ測定器が出力するスキャン経路高さデータの一例を示した図である。
【図１０】測定目標部位ＭＰ及び膜厚Ｍｔｈの関係を例示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を例示的に詳しく説明する。本実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置等は、特に記載がない限りは、発明の技術的範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００１５】
＜実施例１＞
本実施例に係る膜厚測定装置は、基板上に成膜されて且つレーザ加工装置１から照射さ
れる加工用レーザによって溝が形成される薄膜の厚さ（膜厚）を測定するシステムであり、例えば薄膜光電変換装置やプラズマディスプレイパネル等を構成する薄膜の膜厚の測定に好適に用いることができる。本実施例では、薄膜光電変換装置として代表的な積層型薄膜太陽電池モジュールを構成する積層薄膜の膜厚を精度良く測定する手法について説明する。
【００１６】
図１は、本実施例に係る積層型薄膜太陽電池モジュールＳＣの断面模式図である。積層型薄膜太陽電池モジュールＳＣは、透光性を有するガラス基板２、透明電極層３１、光電変換層３２、裏面電極層３３を主要な構造として構成されている。そして、図示のように、ガラス基板２上には透明電極層３１、光電変換層３２、裏面電極層３３がこれらの順に積層されており、光電変換されるべき太陽光はガラス基板２側から入射されるようになっている。また、本実施例におけるガラス基板２のサイズとしては特に制限や限定があるものではないが、例えば５００〜２０００ｍｍ×５００〜２０００ｍｍ程度としても良い。本実施例におけるガラス基板２は、１１００ｍｍ×１４００ｍｍのサイズを採用している。
【００１７】
上記した透明電極層３１、光電変換層３２、裏面電極層３３の各々は本発明における薄膜に対応するものであり、これらを総称して「薄膜」と記す場合がある。各薄膜のガラス基板２上への成膜は、周知の成膜装置（不図示）を用いて行われる。透明電極層３１としては、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を用いることができる。透明電極層３１は、プラズマＣＶＤ法によって形成される。光電変換層３２は、光電変換を行う半導体素子であるアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の薄膜（例えば、５００ｎｍ程度）を採用しており、この実施例ではプラズマＣＶＤ法によりｐ層、ｉ層、ｎ層の順に積層されている。太陽光の反射層として機能する裏面電極層３３（例えば、３００ｎｍ程度）は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）等などが用いられ、スパッタ法や蒸着法などによって形成することができる。本実施例では、透明電極層３１にはＩＴＯを、裏面電極層３３にはＡｇを採用することにした。
【００１８】
更に、本実施例においては、ナノインプリント形成装置（不図示）を用いて、透明電極層３１及び光電変換層３２の表面に微細な凹凸構造を形成させることとしている。この凹凸構造は、例えば凹部と凸部の高さを数１０ｎｍ〜１００ｎｍ、ピッチを１００ｎｍ程度としても良い。このような微細な凹凸構造を薄膜の界面に形成することにより、例えば透明電極層３１と光電変換層３２の界面で、太陽光の屈折率の変化が緩やかになり、入射光となる太陽光の波長領域で反射率が低下する。その結果、光電変換層３２内における入射光の光路長を長くすることができる。このような「光の閉じこめ効果」によって、光電変換のために吸収される光量が増大して太陽電池の出力電流が増大することから、光電変換効率を高めることができる。尚、上記凹凸構造は他の方法、例えばエッチング法などを用いて形成させても良い。
【００１９】
積層型薄膜太陽電池モジュールＳＣは、後述するレーザ加工装置１を用いた薄膜のパターニング（レーザパターニング）によって多数の光電変換セル２４に分割され且つこれらが直列に接合されることで所望の出力が得られるようになっている。本実施例におけるレーザ加工装置１は、加工対象となる薄膜に対して、波長やその他のパラメータが調節された加工用レーザを照射する。このようにして加工用レーザが照射された薄膜は昇華或いは液化するなどして除去され、その結果、図１の符号Ｇｖ１〜Ｇｖ３に示されるような溝が形成される。このような薄膜に対する溝加工は、特に「レーザスクライブ」と一般に称呼されており、溝を境に薄膜の一方側と他方側とを電気的に絶縁するために行われる。
【００２０】
以下、上記レーザスクライブによって薄膜に形成される溝を「スクライブ溝Ｇｖ」と称し、符号Ｇｖ１〜Ｇｖ３の各々を第１〜第３のスクライブ溝とする。本実施例において各
スクライブ溝は、互いに平行であって、図１の紙面に対して垂直な方向に延在している。
隣り合う光電変換セル２４間の境界領域は、近接する第１及び第３のスクライブ溝Ｇｖ１、Ｇｖ３によって規定されている。第１のスクライブ溝Ｇｖ１は、それぞれの光電変換セル２４に対応して、透明電極層３１を平面方向（ガラス基板２の平面方向）に分割（分離）している。また、第３のスクライブ溝２７は、それぞれの光電変換セル２４に対応して、裏面電極層３３と光電変換層３２のそれぞれをその平面方向に分割（分離）している。また、第２のスクライブ溝Ｇｖ２は、光電変換層３２をその平面方向に分割（分離）している。
【００２１】
次に、各薄膜の成膜プロセスと各レーザスクライブの加工プロセスについて説明する。まず、ガラス基板２上には、透明電極層３１が成膜される（ここで、透明電極層３１を成膜する工程を「第１成膜工程」と称する）。そして、レーザ加工装置１を用いて、所定間隔毎に、互いに平行な第１のスクライブ溝Ｇｖ１を透明電極層３１に形成させる（ここで、第１のスクライブ溝Ｇｖ１を透明電極層３１に形成させる工程を「第１スクライブ工程」と称する）。これにより、いわゆるストライプ状の透明電極層３１がガラス基板２上に形成されることになる。
【００２２】
次いで、透明電極層３１が成膜されたガラス基板２に対して光電変換層３２を成膜し、光電変換層３２を透明電極層３１に積層させる（ここで、光電変換層３２を成膜する工程を「第２成膜工程」と称する）。その際、第１のスクライブ溝Ｇｖ１には光電変換層３２を構成するアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）材料が充填される（つまり、第１のスクライブ溝Ｇｖ１がａ−Ｓｉによって埋められる）。その後、再びレーザ加工装置１を用いて、所定間隔毎に、互いに平行な第２のスクライブ溝Ｇｖ２を光電変換層３２に形成させる（ここで、第２のスクライブ溝Ｇｖ２を光電変換層３２に形成させる工程を「第２スクライブ工程」と称する）。この図では、第２のスクライブ溝Ｇｖ２を、第１のスクライブ溝Ｇｖ１と平行且つ隣接するように形成している。
【００２３】
次いで、成膜装置を用いて、透明電極層３１及び光電変換層３２が成膜されているガラス基板２に対して裏面電極層３３を成膜し、この裏面電極層３３を光電変換層３２上に積層させる（ここで、裏面電極層３３を成膜する工程を「第３成膜工程」と称する）。その際、第２のスクライブ溝Ｇｖ２には裏面電極層３３を構成するＡｇ（銀）が充填されるため、第２のスクライブ溝Ｇｖ２を介して裏面電極層３３と透明電極層３１が電気的に接続されることになる。次に、再びレーザ加工装置１を用いて、所定間隔毎に、互いに平行な第３のスクライブ溝Ｇｖ３を光電変換層３２及び裏面電極層３３を貫通して形成させる（ここで、第３のスクライブ溝Ｇｖ３を光電変換層３２及び裏面電極層３３に形成させる工程を「第３スクライブ工程」と称する）。この図において第３のスクライブ溝Ｇｖ３は、第２のスクライブ溝Ｇｖ２と平行且つ隣接するように形成されている。更には、第１のスクライブ溝Ｇｖ１、第２のスクライブ溝Ｇｖ２、第３のスクライブ溝Ｇｖ３が、これらの順に互いに隣接した状態に形成されている。
【００２４】
尚、第２のスクライブ溝Ｇｖ２（及びこれに充填されたＡｇ）によって、隣り合う光電変換セル２４の一方の裏面電極層３３と他方の透明電極層３１とが電気的に接続されるため、ガラス基板２上に並置された光電変換セル２４の各々を互いに直列接続することができ、所望の電圧を出力することが可能となる。
【００２５】
次に、レーザ加工装置１の構成について説明する。図２は、本実施例に係るレーザ加工装置の概略構成を示した平面図である。図３は、本実施例に係るレーザ加工装置の概略構成を示した正面図である。図４は、本実施例に係るレーザ加工装置における要部の側面図である。
【００２６】
レーザ加工装置１は、ガラス基板２（基板）の左右側縁部を支持し、且つこのガラス基板２を一の軸方向（図中、Ｙ軸方向）に設定された搬送方向に搬送自在とする基板移動機構５と、ガラス基板２の一方の面に形成された被加工層３に加工用レーザを照射し、この被加工層３に各スクライブ溝を施すレーザ照射装置５０と、レーザ加工装置１の具備する各々の装置、機構等の制御を行う制御コンピュータＣｏｍを備える。基板移動機構５及びレーザ照射装置５０の各々は電気配線を介して制御コンピュータＣｏｍと接続されており、ガラス基板２の搬送、加工用レーザの照射に係る制御が制御コンピュータＣｏｍからの制御指令に基づいて管理されている。
【００２７】
上記の被加工層３とは、第１〜第３のスクライブ工程の各々において、加工用レーザを照射して昇華或いは液化させることで除去し、溝加工を施す対象となる薄膜を指し、スクライブ工程が、第１〜第３の何れの工程であるかによって、その加工対象が変更される。尚、各スクライブ工程における加工用レーザの特性と、被加工層３との詳しい関係については後述する。
【００２８】
基板移動機構５は、ガラス基板２の左右側縁部を保持する図示しない保持スライダ装置と、この保持スライダ装置をガイドレール５ａ、５ａに沿って移動させる図示しない駆動装置とからなる。なお、駆動装置は、例えば、ボールねじ機構、ワイヤを用いた機構、リニアモータを用いた機構等、一般に被加工物を一方向に移動させることの可能な機構を採用することができる。
【００２９】
レーザ照射装置５０は、この例において加工用レーザの光源装置等を有し、加工用レーザを生成する図示しないレーザ生成部と、加工用レーザをガラス基板２に照射するための光学系とを備える。光源装置から照射される加工用レーザは、例えばＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザ、ＣＯ2レーザや、その他の気体レーザ、固体レ
ーザ、半導体レーザ、液体レーザ、ファイバーレーザ、薄膜ディスクレーザ等を用いることでき、本実施例ではＹＡＧレーザを採用することにした。
【００３０】
また、レーザ照射装置５０の光学系は、対物光学装置５１を備え、対物光学装置５１により、被加工層３に集光もしくは結像の焦点が合わされ、加工用レーザが照射されるようになっている。
対物光学装置５１は、軸状集光ビームとしてのベッセルビームを照射するための軸状集光用光学素子（アクシコン）５２を具備する。アクシコンは、ベッセルビームを形成可能な光学素子の総称であり、本実施例では円錐形状に形成されたレンズを用いている。また、対物光学装置５１における軸状集光用光学素子５２は、回折光学素子やホログラム光学素子などの軸状集光を行うことの可能なその他の光学素子を用いて、軸状集光ビームを出力することもできる。
【００３１】
対物光学装置５１は、複数の軸状集光用光学素子５２を備え、複数の軸状集光ビームを同時に照射することが可能である。図４の対物光学装置５１では、ガラス基板２の搬送方向に平行且つ対物光学装置５１の後述する移動方向に直交する方向に並んで複数の軸状集光用光学素子５２が配置されている。各軸状集光用光学素子５２はその先端が円錐形状の光学素子であり、通常の対物用レンズを用いて集光する場合に比べて対物光学装置５１の小型化が実現される。
【００３２】
ガラス基板２の上方において、対物光学装置５１は、ガラス基板２の搬送方向への直交方向、即ち図中のＸ軸方向にガイドレール５３に案内された状態で移動自在であり、駆動装置（不図示）によりガイドレール５３に沿って往復動する。
また、光源装置側から照射された加工用レーザは、例えばミラーやプリズム等を用いて対物光学装置５１に供給され、この対物光学装置５１によって加工用レーザの照射方向が
ガラス基板２側に向けられる。これにより、各スクライブ工程における被加工層３に加工用レーザが照射され、各スクライブ溝が形成される。なお、対物光学装置５１は、高さ位置の変更等などの周知の方法により、焦点位置を調整可能となっている。
【００３３】
本実施例では、積層型薄膜太陽電池モジュールＳＣの製造プロセスのうち、第１〜第３のスクライブ工程において、上記構成のレーザ加工装置１を用いて被加工層３に第１〜第３のスクライブ溝Ｇｖ（Ｇｖ１〜Ｇｖ３）を形成させる。
レーザスクライブ加工に際しては、透明電極層３１、光電変換層３２、裏面電極層３３等の被加工層３が下面となるようにガラス基板２を基板移動機構５にセットする。即ち、ガラス基板２の被加工層３が形成された一方の面を下側に向け、他方の面を上側に向けた状態でガラス基板２がセットされる。
【００３４】
そして、制御コンピュータＣｏｍによる制御指令に基づき、基板移動機構５はガラス基板２の左右側縁部を保持しつつ、対物光学装置５１の移動方向（Ｘ軸方向）と直交する搬送方向、即ちＹ軸方向にガラス基板２を搬送する。そして、ガラス基板２の搬送方向の先端側となる端部が、対物光学装置５１による最初のレーザ加工位置まで到達すると、ガラス基板２の搬送はいったん停止される。そして、加工用レーザ（ベッセルビーム）を出力した状態で、対物光学装置５１をガイドレール５３に沿って被加工層３の一方の側縁から他方の側縁まで一方向に移動することでスクライブ溝ＧｖがＸ軸方向に沿って形成される。
【００３５】
各成膜工程及び各スクライブ工程の順序については、第１成膜工程→第１スクライブ工程→第２成膜工程→第２スクライブ工程→第３成膜工程→第３スクライブ工程の順にその処理が行われる。
そして、被加工層３は、スクライブ工程毎に変更される。この実施例では、第１のスクライブ工程においては被加工層３が透明電極層３１となり、第２のスクライブ工程においては被加工層３が光電変換層３２となり、第３のスクライブ工程では被加工層３が光電変換層３２及び裏面電極層３３となる。
【００３６】
そのため、各スクライブ工程においてレーザ照射装置５０から照射される加工用レーザのレーザ特性（レーザの波長等）は、被加工層３以外の薄膜が昇華して除去されることがないように調節されている。また、レーザ照射装置５０からの加工用レーザは、ガラス基板２において被加工層３が形成された面の裏側から照射されるため、ガラス基板２が損傷することがないように加工用レーザのレーザ特性が調節されている。
【００３７】
具体的には、各スクライブ工程において、被加工層のみに吸収される波長に調整された加工用レーザ（ここでは、ＹＡＧレーザ）がレーザ照射装置５０から照射される。例えば、第１のスクライブ工程においては、透明電極層３１に吸収されるＹＡＧレーザの基本波（波長：１０６４ｎｍ）を用いて透明電極層３１をパターニングして第１のスクライブ溝Ｇｖ１を形成することができる。
第２のスクライブ工程においては、例えばＹＡＧレーザの第２高調波（波長５３２ｎｍ）により光電変換層３２をパターニングして第２のスクライブ溝Ｇｖ２を形成することができる。このとき、ＹＡＧレーザの第２高調波は透明電極層３１ではほとんど吸収されないため、透明電極層３１は除去されない。
第３のスクライブ工程においては、上記第２高調波（波長５３２ｎｍ）によって光電変換層３２及び裏面電極層３３を除去して第３のスクライブ溝Ｇｖ３を形成することができる。
【００３８】
次に、本実施例に係る膜厚測定装置６について説明する。本実施例における膜厚測定装置６はいわゆるオフライン型の装置であり、レーザ加工装置１によって膜厚測定対象（検
査対象）となる薄膜（以下、「検査対象薄膜」と称する）３ａに対してスクライブ溝Ｇｖが形成された状態のガラス基板２を検査試料として製造ラインから抜き出し、検査対象薄膜３ａの厚さを測定する。
【００３９】
図５は、本実施例に係る膜厚測定装置６の概略構成を示した斜視図である。なお、図中、水平方向に互いに直交する直交軸をＸ軸及びＹ軸にて表し、鉛直方向の軸をＺ軸として表す。Ｚ軸廻りに回転する方向をθ方向と称する。
【００４０】
膜厚測定装置６のステージ６１には、Ｙ軸スライダ機構６２を介して回転テーブル６３が備えられている。回転テーブル６３は、ガラス基板２がセットされると共に、これを支持するテーブル部６３ａと、テーブル部６３ａをθ方向に回転させる回転機構６３ｂを含んで構成されている。
【００４１】
この実施例では、検査対象薄膜３ａが形成された面を上面としてガラス基板２がテーブル部６３ａにセットされ、固定部材によってガラス基板２が回転テーブル６３に固定されている。なお、この固定部材によるガラス基板２の固定方式は周知の様々な方式を採用でき、クランプ等による機械的な固定方式であっても良いし、静電吸着や真空吸着等の吸着方式であっても構わない。また、本実施例では、回転機構６３ｂを用いて、テーブル部６３ａにセットされた状態のガラス基板２をθ方向に適宜回転させ、スクライブ溝とＸ軸との平行性を維持する（アライメント調整）。
【００４２】
Ｙ軸スライダ機構６２は、図中のＹ軸方向に沿って配置されたＹ軸案内レール（不図示）を有し、このＹ軸案内レールに沿って回転テーブル６３はスライド（搬送）自在となっている。
更に、膜厚測定装置６のステージ６１上には、いわゆる門型のフレーム部材６４がＸ軸に平行に設置されている。フレーム部材６４を構成する水平部材である梁部６４ａには、Ｘ軸及びＺ軸の何れに対してもスライド可能な態様で溝深さ測定器６５が設けられている。この溝深さ測定器６５は、後述するように検査対象薄膜３ａに形成されているスクライブ溝の溝深さ（以下、「スクライブ溝深さ」ＤＧｖと称する）を測定する光学装置である。
【００４３】
溝深さ測定器６５と梁部６４ａとの間にはＸ―Ｚ軸スライダ機構６６が介在している。このＸ―Ｚ軸スライダ機構６６は、梁部６４ａにおいてＸ軸方向に沿って形成されたＸ軸案内レール６４ｂ上をスライド自在なＸ軸スライド部６６ａと、Ｘ軸スライド部６６ａにおいてＺ軸方向に沿って形成されたＺ軸案内レール（不図示）上をスライド自在なＺ軸スライド部６６ｂを有している。そして、Ｘ―Ｚ軸スライダ機構６６のＺ軸スライド部６６ｂに溝深さ測定器６５が取り付けられている。これによれば、Ｚ軸スライド部６６ｂがＺ軸案内レール上をスライドすることで溝深さ測定器６５はＺ軸方向にスライド可能となり、Ｘ軸スライド部６６ａがＸ軸案内レール６４ｂ上をスライドすることで溝深さ測定器６５はＸ軸方向にスライド可能となる。
【００４４】
次に、溝深さ測定器６５について説明する。溝深さ測定器６５としてはスクライブ溝の溝深さを高精度（例えば、ｎｍオーダーの精度）に測定することが可能であれば良く、例えば共焦点レーザ顕微鏡、白色干渉計、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、レーザ変位計等を用いることができる。
本実施例における溝深さ測定器６５は、いわゆる走査型の共焦点レーザ顕微鏡を採用しており、照射部からレーザ光線をスキャン経路ＳＬに沿って照射しつつその反射光を受光部により受光することで、被照射面の高さを測定する。
【００４５】
膜厚測定装置６は、既述した制御コンピュータＣｏｍをレーザ加工装置１と共用してい
る。即ち、膜厚測定装置６は、該膜厚測定装置６全般に係る制御を行う制御コンピュータＣｏｍを備えており、この制御コンピュータＣｏｍによってＹ軸スライダ機構６２、Ｘ―Ｚ軸スライダ機構６６、回転機構６３ｂに係る変位制御や、溝深さ測定器６５を用いたスクライブ溝深さＤＧｖの測定に係る制御が行われる。
【００４６】
次に、検査対象薄膜３ａの膜厚測定方法について説明する。ここでは、光電変換層３２を検査対象薄膜３ａとする場合を例として、この光電変換層３２の膜厚を測定する手順について説明する。この場合、第２のスクライブ工程が終了することで第２のスクライブ溝Ｇｖ２が光電変換層３２に形成された後のガラス基板２を一旦製造ラインから抜き取り、光電変換層３２の膜厚を検査するためにガラス基板２をテーブル部６３ａにセットする。ここでは、検査対象薄膜３ａ（光電変換層３２）が上面となり、且つガラス基板２に形成されたスクライブ溝ＧｖがＸ軸方向と平行になるようにガラス基板２をセットする。
【００４７】
図６は、テーブル部６３ａにセットされたガラス基板２に形成されている検査対象薄膜３ａ（光電変換層３２）の上面図である。ガラス基板２は、検査対象薄膜３ａ及びスクライブ溝Ｇｖが形成されている側の面が上面となるようにセットされる。上述した如く、ここでは光電変換層３２を検査対象薄膜３ａとした場合を説明するため、上記スクライブ溝Ｇｖ（図中、白抜き部分）は第２のスクライブ溝Ｇｖ２を指す。また、図中に示したＸ軸、Ｙ軸方向は、図５に示したそれぞれの方向と対応している。また、作図上、第２のスクライブ溝Ｇｖ２が形成されるピッチ（間隔）とガラス基板２の相対的な大小関係は実際と相違する。
【００４８】
図示のように、ガラス基板２における所定位置には位置決め用の基準位置マーク（いわゆるアライメントマーク）が加工形成されている。この図では、第１及び第２の基準位置マークＭ１，Ｍ２がガラス基板２の４隅のうちのそれぞれ異なる箇所に形成されている。
また、Ｘ―Ｚ軸スライダ機構６６のＺ軸スライド部６６ｂには、溝深さ測定器６５に隣接してアライメント用カメラ（不図示）が取り付けられている。このアライメント用カメラも制御コンピュータＣｏｍと電気的に接続されており、制御コンピュータＣｏｍからの制御信号に基づいて制御され、その撮像結果は制御コンピュータＣｏｍへと入力される。
【００４９】
図７は、本実施例に係る制御ルーチンを例示したフローチャートである。本フローチャートに示される各処理は、制御コンピュータＣｏｍによって行われる。尚、本実施例においては本ルーチンを実行する制御コンピュータＣｏｍが、本発明における溝形成位置特定手段、膜厚取得手段のそれぞれに対応する。
【００５０】
先ず、ステップＳ１０１の「基準位置取得ステップ」では、ガラス基板２における第１及び第２の基準位置ＢＰ１，ＢＰ２の位置情報（ＸＹＺ座標データ）が取得される。第１の基準位置ＢＰ１は、ガラス基板２上において第１の基準位置マークＭ1が形成される位
置であり、第２の基準位置ＢＰ２はガラス基板２上において第２の基準位置マークＭ２が形成される位置である。これらの位置情報は、アライメント用カメラ（不図示）を用いて第１及び第２の基準位置マークＭ１，Ｍ２を撮像することにより取得され、取得された位置情報は制御コンピュータＣｏｍのメモリに記憶される。
【００５１】
次に、ステップＳ１０２の「アライメント調整ステップ」では、ステップＳ１０１の基準位置取得ステップで取得された第１及び第２の基準位置ＢＰ１，ＢＰ２の位置情報に基づいて、検査対象薄膜３ａ（光電変換層３２）に形成されているスクライブ溝Ｇｖ（第２のスクライブ溝Ｇｖ２）をＸ軸と平行にするために必要なθ方向の回転角度を算出する。そして、回転機構６３ｂを算出された角度だけ回転させることでアライメント調整が行われる。
【００５２】
アライメント調整を行うことにより、第１及び第２の基準位置ＢＰ１，ＢＰ２はアライメント調整前に比べて変位する。そのため、本ステップでは、アライメント調整における回転機構６３ｂの制御量（θ方向の回転角度）に基づき、アライメント調整後における第１及び第２の基準位置ＢＰ１，ＢＰ２を算出し、制御コンピュータＣｏｍに記憶されている基準位置ＢＰ１，ＢＰ２に関する位置情報を更新しておく。
【００５３】
ステップＳ１０３の「照射位置情報取得ステップ」では、レーザ加工装置１から検査対象薄膜３ａ（光電変換層３２）に照射された加工用レーザの、ガラス基板２平面内における照射位置情報（ＸＹ座標データ）が取得される。ここでいう加工用レーザは、検査対象薄膜３ａのみを加工（除去）するために選定、調整されている加工用レーザである。したがって、本ステップでは、第２のスクライブ工程において光電変換層３２を除去するために波長が選定された加工用レーザの照射位置情報（ＸＹ座標データ）が取得される。この照射位置情報は、例えば第１（第２）の基準位置ＢＰ１（ＢＰ２）を原点（基点）としたときのＸＹ座標データとして特定される。
【００５４】
本実施例では、各スクライブ工程において、レーザ加工装置１から照射された加工用レーザのガラス基板２平面内における照射位置情報を格納したレーザ加工データが制御コンピュータＣｏｍのメモリ（記憶部）に記憶されるようになっている。そのため、本ステップにおいては、各スクライブ工程で記憶しておいたレーザ加工データを制御コンピュータＣｏｍのメモリから読み出すことによって、上記の照射位置情報が取得される。
【００５５】
ステップＳ１０４の「溝形成位置特定ステップ」では、照射位置情報取得ステップにおいて取得した加工用レーザの照射位置情報に基づき、検査対象薄膜３ａ（光電変換層３２）に形成されたスクライブ溝Ｇｖ（第２のスクライブ溝Ｇｖ２）の位置（ＸＹ座標データ）が特定される（図６中、白抜き部分で表された第２のスクライブ溝Ｇｖ２のＸＹ座標データが取得される）。
【００５６】
次いで、ステップＳ１０５の「膜厚取得ステップ」では、溝形成位置特定ステップにて特定された位置に形成されているスクライブ溝Ｇｖの深さ（ＤＧｖ）が測定され、その測定値に基づいて検査対象薄膜３ａ（光電変換層３２）の膜厚Ｍｔｈが取得される。この膜厚取得ステップにおける具体的な処理内容は、図８に示すサブルーチンに従って実行される。
【００５７】
図８は、図７の膜厚取得ステップ（Ｓ１０５）で行われるサブルーチンを示したフローチャートであり、制御コンピュータＣｏｍによって実行される。
ステップＳ１０５１の「測定目標部位選定ステップ」では、スクライブ溝深さＤＧｖを測定する目標となる部位（以下、「測定目標部位」と称する）ＭＰが選定される。図６には、測定目標部位ＭＰ（破線で囲まれた部位）の設定（配置）例が示されている。この図では、符号ＭＰ１、ＭＰ２、ＭＰ３・・・、ＭＰ９で表すように、ガラス基板２平面内においてマトリックス状（格子状）に各々の測定目標部位ＭＰが設定される。本ステップでは、ＭＰ１、ＭＰ２、ＭＰ３・・・のうち、何れかが測定目標部位ＭＰとして選定される。
【００５８】
ステップＳ１０５２の「スキャン経路設定ステップ」では、選定された測定目標部位ＭＰ（例えば、ＭＰ１）に属するスクライブ溝Ｇｖ（第２のスクライブ溝Ｇｖ２）の深さを測定するための、溝深さ測定器６５のスキャン経路ＳＬが設定される。図６における矢印ＳＬは、スキャン経路ＳＬの進行方向を表している。スキャン経路ＳＬは深さの測定対象となるスクライブ溝Ｇｖを横断する方向に設定される。より詳しくは、図７の例ではスクライブ溝Ｇｖの延在方向（Ｘ軸方向）と直交する方向（以下、「スクライブ溝直交方向」という）、すなわちＹ軸方向と平行にスキャン経路ＳＬを設定している。なお、スキャン
経路ＳＬは、ステップＳ１０４において特定されたスクライブ溝Ｇｖ（第２のスクライブ溝Ｇｖ２）の位置情報（ＸＹ座標データ）と、ステップＳ１０５１で選定された測定目標部位ＭＰに基づき、ＸＹ座標データとして求めておくことができる。
【００５９】
更に、スキャン経路ＳＬは、スクライブ溝の溝底部Ｇｖｂと、この溝底部Ｇｖｂに隣接する検査対象薄膜３ａの表面部分（以下、「隣接薄膜表面部」という）Ａｓとの境界部分を跨ぐように設定される。つまり、スキャン経路ＳＬには、スクライブ溝の溝底部Ｇｖｂと隣接薄膜表面部Ａｓの双方が含まれる。尚、隣接薄膜表面部Ａｓは溝底部Ｇｖｂを挟んで両側に存在するが、そのうちの少なくとも一方（片側）がスキャン経路ＳＬに含まれていれば良い。
【００６０】
次いで、ステップＳ１０５３の「位置関係調整ステップ」では、スキャン経路設定ステップで設定したスキャン経路ＳＬに沿ったスキャンが可能な位置まで、ガラス基板２及び溝深さ測定器６５のＸＹ平面内における相対的な位置関係が調整される。ガラス基板２及び溝深さ測定器６５のＸＹ平面内における相対的な位置関係のうち、Ｙ軸方向への調整はＹ軸スライダ機構６２により行われ、Ｘ軸方向への調整はＸ―Ｚ軸スライダ機構６６のＸ軸スライド部６６ａにより行われる。また、Ｙ軸スライダ機構６２及びＸ軸スライド部６６ａのそれぞれの制御量は、設定したスキャン経路ＳＬ及びアライメント調整後における第１（第２）の基準位置ＢＰ１（ＢＰ２）の位置情報（ＸＹ座標データ）に基づいて演算される。
さらに、本ステップでは、スキャン経路ＳＬに沿って溝深さ測定器６５がスキャンする際に焦点を確実に合わせられる高さまで、テーブル部６３ａの高さが調整される。テーブル部６３ａの高さ調整は、必要量だけＺ軸スライド部６６ｂを駆動させることにより行われる。
【００６１】
ステップＳ１０５４の「高さデータ取得ステップ」では、溝深さ測定器６５がスキャン経路ＳＬに沿ってスキャンを行い、スキャン経路ＳＬ上における被照射面の高さデータ（以下、これを「スキャン経路高さデータ」という）が取得される。図９は、溝深さ測定器６５が出力するスキャン経路高さデータの一例を示した図である。この図では、スキャン経路ＳＬの前半は隣接薄膜表面部Ａｓとして設定され、後半が溝底部Ｇｖｂに設定されている。図示のスキャン経路高さデータは制御コンピュータＣｏｍに入力され、そのメモリに記憶される。
【００６２】
ステップＳ１０５５の「統計処理ステップ」では、高さデータ取得ステップで取得したスキャン経路高さデータに統計処理を施し、隣接薄膜表面部Ａｓの高さを代表する第１の代表値Ｖａ１と、溝底部Ｇｖｂの高さを代表する第２の代表値Ｖａ２とのそれぞれが取得される。この統計処理方法は、平均化処理等の一般的な統計処理方法を採用することができる。即ち、例えば第１の代表値Ｖａ１として、隣接薄膜表面部Ａｓに対応するスキャン経路高さデータ（以下、「Ａｓ対応高さデータ」という）の全部又は一部における平均値、中央値等を採用できる。同様に、第２の代表値Ｖａ２として、溝底部Ｇｖｂに対応するスキャン経路高さデータ（以下、「Ｇｖｂ対応高さデータ」という）の全部又は一部における平均値や中央値等を採用できる。
【００６３】
ステップＳ１０５６の「膜厚取得ステップ」では、検査対象薄膜３ａ（光電変換層３２）の膜厚Ｍｔｈが取得される。具体的には、制御コンピュータＣｏｍは、隣接薄膜表面部Ａｓの高さを代表する第１の代表値Ｖａ１から溝底部Ｇｖｂの高さを代表する第２の代表値Ｖａ２を減算し、スクライブ溝深さＤＧｖ（ＤＧｖ＝Ｖａ１―Ｖａ２）を算出する。
【００６４】
ここで、第２のスクライブ工程においてレーザ加工装置１から照射された加工用レーザは、光電変換層３２のみを加工（除去）するために調整されている。よって、この加工用
レーザが照射された被照射面に光電変換層３２が残留したり、その下地層である透明電極層３１が加工用レーザによって除去されることが殆どない。従って、本ステップで算出されたスクライブ溝深さＤＧｖは、検査対象薄膜３ａ（光電変換層３２）の膜厚Ｍｔｈと一致する（同一視することができる）。故に、本実施例では、上記算出したスクライブ溝深さＤＧｖの測定値を検査対象薄膜３ａ（光電変換層３２）の膜厚Ｍｔｈとして取得すると共に、膜厚Ｍｔｈを測定目標領域ＭＰと対応づけてメモリに記憶する。ステップＳ１０５６の処理が終了すると、本サブルーチン、及び図７に係るルーチンを終了する。
【００６５】
本実施例に係る膜厚測定装置６及び、これを用いた膜厚測定方法によれば、検査対象薄膜３ａの膜厚Ｍｔｈを精度良く求めることができる。特に、積層型薄膜太陽電池モジュールＳＣを構成する積層薄膜の表面に光閉じこめ効果を期待して凹凸構造が形成される場合が多い。これに対して、本構成に係る膜厚Ｍｔｈの測定手法によれば、検査対象薄膜３ａのみを除去するように調整された加工用レーザによって該検査対象薄膜３ａに形成されたスクライブ溝Ｇｖの深さを計測し、その計測値を膜厚Ｍｔｈと見なしている。従って、上記のように検査対象薄膜３ａ表面に微細な凹凸構造が形成される場合であっても膜厚Ｍｔｈの測定に際して影響が及ぶことが無く、膜厚Ｍｔｈの測定精度を良好に維持できる。そして、本実施例のように検査対象薄膜３ａ表面に微細な凹凸構造が形成された際の膜厚Ｍｔｈを測定する場合に本発明を適用することで、その作用効果をより顕著なものとすることができる。
【００６６】
更に、レーザ加工装置１における対物光学装置５１は、軸状集光用光学素子（アクシコン）５２を具備し、軸状集光ビームとしてのベッセルビームを照射する構成を採用する。ベッセルビームの焦点深度は、通常の対物用レンズを用いて集光したレーザに比べて大きい点に特徴がある。そのため、スクライブ溝加工時にガラス基板２の撓み等により被加工層３の位置が多少上下方向にずれても、焦点深度の範囲内であればレーザビームの強度が殆ど低下しない。その結果、通常の対物用レンズを採用する場合に比べて、より一層フラットな溝底部Ｇｖｂを形成することができる。つまり、本来完全に除去されるはずの被加工層３が部分的に残留し、或いは被加工層３ではない薄膜がレーザによって除去されることを、より好適に抑制できる。これにより、スクライブ溝Ｇｖの加工精度を高く維持でき、ひいては膜厚測定装置６による膜厚Ｍｔｈの測定精度を向上できる。但し、レーザ加工装置１の対物光学装置５１がアクシコンの代わりに通常の対物用レンズを用いて集光する場合においても、本発明の適用がなんら阻害されるものではない。
【００６７】
その他、本発明の実施形態は、その本旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を加え得る。例えば、積層型薄膜太陽電池モジュールＳＣを構成する薄膜の種類や、薄膜の積層数等は適宜変更しても勿論構わない。また、成膜装置によって薄膜をガラス基板２に成膜する際の成膜方法についても本発明に本質的な事項ではない。更に、本実施例では、表面に微細な凹凸構造を有する薄膜の厚さを測定しているが、凹凸構造のない薄膜の厚さを測定する際に本発明を適用しても良い。また、本実施例では、電変換層３２を検査対象薄膜３ａとする場合を例としたが、図７及び８に係るルーチンを適用して他の薄膜の厚さを測定して良いのは勿論である。
【００６８】
また、図６の例では、溝深さ測定器６５におけるスキャン経路ＳＬの進行方向をスクライブ溝直交方向のみの一次元としているが、例えばスキャン経路ＳＬの進行方向を二次元としても良い。例えばスキャン経路ＳＬの進行方向を、スクライブ溝直交方向及びこれに直交するスクライブ溝Ｇｖの延在方向に設定すると良い。このように、スクライブ溝の溝底部Ｇｖｂ及び隣接薄膜表面部Ａｓを含んだ二次元領域をスキャンすることで、より多くのスキャン経路高さデータが得られる。これにより、スクライブ溝深さＤＧｖの測定精度が向上し、以って検査対象薄膜３ａの膜厚測定に係る精度を向上させることができる。
【００６９】
また、本実施例における膜厚測定装置６はいわゆるオフライン型の装置として用いる場合を例に説明しているが、オンライン型の装置として使用することができる。その場合、例えばレーザ加工装置１のガイドレール５３に沿ってスライド可能な対物光学装置５１に、溝深さ測定器６５を一体的に配置する構成を採用すると良い。そして、レーザ照射装置５０によるスクライブ溝加工の直後に、溝深さ測定器６５を用いてスクライブ溝深さＤＧｖを測定し、その測定値に基づいて検査対象薄膜３ａの膜厚Ｍｔｈを取得すると良い。これによれば、レーザ加工装置１と膜厚測定装置６との間でガラス基板２の移動や再セット等を行う手間を省くことができ、検査対象薄膜３ａの膜厚Ｍｔｈを測定する際の所要時間を短縮することができる。
【００７０】
＜実施例２＞
本実施例では、ガラス基板２平面内（ＸＹ平面内）の複数箇所において検査対象薄膜３ａの膜厚Ｍｔｈを測定し、その平面的な分布（以下、「膜厚分布」という）を求める。図６に示した例では、ガラス基板２平面内に９点の測定目標部位ＭＰが設定されている。この場合、ＭＰ１〜ＭＰ９の各々において検査対象薄膜３ａの膜厚Ｍｔｈを測定することで、例えば図１０に示すような膜厚分布が得られる。この膜厚分布は、ガラス基板２の平面内における膜厚Ｍｔｈの均一性や、ばらつき（ムラ）の大きさの程度、或いは目標膜厚との乖離の大きさ等を評価する際の指標となる。
【００７１】
そこで本実施例では、複数箇所において測定した膜厚Ｍｔｈから得た膜厚分布に基づいて検査対象薄膜３ａにおける平面的な均一性を評価し、その評価結果を成膜装置にフィードバックさせることとした。例えば、各々の測定目標部位ＭＰにおける膜厚Ｍｔｈに基づいて分散、或いは目標膜厚との差分等を算出しても良い。そして、成膜装置が検査対象薄膜３ａを成膜する際に制御するパラメータの制御値を上記算出値に基づいて補正しても良い。これによれば、今後、成膜装置によって検査対象薄膜３ａと同一の薄膜を成膜する場合に、その膜厚分布のばらつき（ムラ）を好適に低減することができる。
【００７２】
また、図中、ＭＰ１、ＭＰ３、ＭＰ７、ＭＰ９が配置されている部位のように、ガラス基板２の隅部はその他の領域（例えば、中央部）に比べて、膜厚がその目標膜厚からずれ易くなる場合がある（隅部に該当する測定目標部位ＭＰのプロットをハッチングにて表す）。そこで、上記膜厚分布に基づいて成膜装置における制御パラメータの制御値を補正する場合、ガラス基板２における中央部と隅部とでは異なる補正値をそれぞれ求めておき、成膜する部位に応じて異なる補正値を採用しても良い。これによれば、成膜装置における制御パラメータの制御値を細やかに補正することができ、好適である。
【００７３】
尚、図６及び１０における測定目標部位ＭＰの設定（配置）パターンはあくまでも一例であり、その数や間隔等は適宜変更できる。また、上記のようにガラス基板２の中央部に比べて成膜時における膜厚管理が難しいと考えられる隅部に対しては、中央部に比べて多くの測定目標部位ＭＰを配置しても良い。
また、本実施例では、複数箇所で測定した膜厚Ｍｔｈから得た膜厚分布を成膜装置にフィードバックさせているが、ある単一の部位において測定した膜厚Ｍｔｈの測定結果（例えば、測定値と目標膜厚との差分）に基づいて上記フィードバックを行い、成膜装置における制御パラメータの制御値を補正しても良い。
【符号の説明】
【００７４】
１・・・レーザ加工装置
２・・・ガラス基板
３・・・被加工層
５・・・基板移動機構
６・・・薄膜測定装置
３１・・透明電極層
３２・・光電変換層
３３・・裏面電極層
５０・・レーザ照射装置
６５・・溝深さ測定器
ＳＣ・・積層型薄膜太陽電池モジュール
Ｇｖ・・スクライブ溝
Ｇｖ１・第１のスクライブ溝
Ｇｖ２・第２のスクライブ溝
Ｇｖ３・第３のスクライブ溝
Ｃｏｍ・制御コンピュータ
【図１】
2011013110.tif 000003
【図２】
2011013110.tif 000004
【図３】
2011013110.tif 000005
【図４】
2011013110.tif 000006
【図５】
2011013110.tif 000007
【図６】
2011013110.tif 000008
【図７】
2011013110.tif 000009
【図８】
2011013110.tif 000010
【図９】
2011013110.tif 000011
【図１０】
2011013110.tif 000012