(57)【要約】【課題】配線基板に対して金属シールドを確実に固定できるようにする。【解決手段】半導体装置１は、配線基板２に半導体素子３が実装されており、配線基板２の外周部に設けられた接地端子１３には掛け止め部材５が接合されている。半導体素子３は、樹脂６で封止されており、樹脂６の側面６Ｃに掛け止め部材５の一部が露出している。掛け止め部材５の端面５Ｄは、配線基板２の側面２Ｃ及び樹脂６の側面６Ｃに面一になっている。樹脂６を覆う金属シールド７は、側部７Ｂに爪７Ｃが形成されており、爪７Ｃを掛け止め部材５に係合させることで、掛け止め部材５を介して配線基板２に取り付けられる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板の一方の面の上に実装された半導体素子と、
前記半導体素子を覆う金属シールドと、
前記配線基板の前記一方の面に形成された接地端子と、
前記接地端子に電気的に接続されると共に、前記一方の面の上で前記金属シールドに係合する掛け止め部材と、
を含む半導体装置。
【請求項２】
前記金属シールドは、内側、外側のいずれかに折り曲げられた爪を有し、
前記掛け止め部材は、前記爪に係合する壁部を有する
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記掛け止め部材は、前記爪を挿入する空間を有する請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記掛け止め部材は、四角形の前記配線基板の辺又は角の対向位置に配置されている請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
配線基板を複数隣接して形成する領域を有する集合基板に半導体素子を実装する工程と、
前記集合基板上で隣り合う前記配線基板の領域の境界線上に、凹部又は空隙を有する蓋部材を固定する工程と、
前記境界線に沿って前記集合基板及び前記蓋部材を切断し、前記集合基板から前記配線基板を形成すると同時に、前記蓋部材から前記半導体素子を覆う金属シールドを係合させる凹形状を有する掛け止め部材を形成する工程と、
前記掛け止め部材に前記金属シールドを係合させる工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置には、配線基板に半導体素子などを実装した後に樹脂で封止し、さらに、樹脂を金属シールドで覆ったものがある。金属シールドは、配線基板に設けられた接地端子に電気的に接続され、半導体素子などから発生したノイズが外部に放射されることを防止したり、外部で生じたノイズが内部に浸入することを防止したりする機能を有する。
【０００３】
金属シールドを有する半導体装置の一例の断面図として、図２８に、無線通信モジュールの断面図を示す。無線通信モジュール２０１は、配線基板２０２を有し、配線基板２０２の上面には半導体素子２０３と、コンデンサやコイルなどの受動部品２０４とが搭載されている。さらに、配線基板２０２の外周部には、金属ポスト２０５が取り付けられている。半導体素子２０３及び受動部品２０４は、エポキシ樹脂２０６で封止されている。さらに、無線通信モジュール２０１には、エポキシ樹脂２０６の外表面を覆うように、金属シールド２０７が取り付けられている。
金属シールド２０７は、エポキシ樹脂２０６の表面から露出した金属ポスト２０５にハンダ２０５Ａを介して固定されている。また、金属シールド２０７は、エポキシ樹脂２０６の上面を覆う天井部２０７Ａと、エポキシ樹脂２０６の側面を覆う側部２０７Ｂとを有する。
なお、配線基板２０２の下面には、配線基板２０２内のビア（不図示）を介して半導体素子２０３、受動部品２０４に接続される配線パッド２０２Ａが形成されている。
【０００４】
配線基板の金属シールドの接合構造の他の例として、図２９に半導体装置２０８の断面図を示す。半導体装置２０８は、エポキシ樹脂２０６を覆う金属シールド２０９を有している。金属シールド２０９の側部２０９Ｂは、配線基板２０２の半導体素子２０３が搭載されない下面２０２Ｂ側に折り返しされた曲折部２０９Ｃを有する。曲折部２０９Ｃを配線基板２０２の下面に係合させることで、金属シールド２０９が配線基板２０２に固定される。
【０００５】
さらに、このような金属シールドは、半導体素子や受動部品を樹脂封止しない半導体装置においても設けられることがある。このような半導体装置の一例を図３０に示す。半導体装置２１０は、空間を介して半導体素子２０３や受動部品２０４を覆う金属シールド２１１を有し、金属シールド２１１の側部２１１Ａの端を外側に屈曲させた屈曲部２１２を配線基板２０２上に載せ、屈曲部２１２をハンダ２１３で接合している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００８／０９３４１４号公報
【特許文献２】特開２００８−１４７５７２号公報
【特許文献３】特開２００６−１３３７５号公報
【特許文献４】特開２００１−２４３１２号公報
【特許文献５】特開２００４−１７２１７６号公報
【特許文献６】特開２００８−２８８６１０号公報
【特許文献７】特開２００４−２６０１０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、図２８に示すような従来の半導体装置では、金属シールド２０７と金属ポスト２０５の接合面積が小さい。このため、電極パッド２０２Ａのハンダ付け工程で金属シールド２０７が熱変形すると、条件によってはハンダ２０５Ａの接着力に抗して金属ポスト２０５から金属シールド２０７が浮くおそれがあった。これは、金属シールド２０７と金属ポスト２０５の接合面積が小さいからである。これに対し、金属ポスト２０５の数を増やせば接合面積を増大できるが、半導体装置の外形サイズが大きくなってしまう。
【０００８】
また、図２９に示すように金属シールド２０９の側部２０９Ｂの曲折部２０９Ｃを配線基板２０２の下面に係合させる構造では、金属ポストを用いて接合する場合に比べて、金属シールド２０９と配線基板２０２の接触面積を大きくすることができる。しかしながら、配線基板２０２の下面から金属シールド２０９が突出するので、半導体装置２０８を他の装置等に搭載するときの取り付け高さを低くできなかった。
【０００９】
さらに、図３０に示すように樹脂封止しない半導体装置２１０では、金属シールド２１１の屈曲部２１２の面積を大きくして金属シールド２１１と配線基板２０２の接合面積の増大が図れる。しかしながら、半導体装置の外形サイズは、金属シールド２１１の接合部分を広げた分だけ大型化してしまう。
【００１０】
本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、配線基板に対して金属シールドを簡単に、かつ確実に固定できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願の一観点によれば、配線基板と、前記配線基板の一方の面の上に実装された半導体素子と、前記半導体素子を覆う金属シールドと、前記配線基板の前記一方の面に形成された接地端子と、前記接地端子に電気的に接続されると共に、前記一方の面の上で前記金属シールドに係合する掛け止め部材と、を含む半導体装置が提供される。
【００１２】
また、本発明の別の観点によれば、配線基板を複数隣接して形成する領域を有する集合基板に半導体素子を実装する工程と、前記集合基板上で隣り合う前記配線基板の領域の境界線上に、凹部又は空隙を有する蓋部材を固定する工程と、前記境界線に沿って前記集合基板及び前記蓋部材を切断し、前記集合基板から前記配線基板を形成すると同時に、前記蓋部材から前記半導体素子を覆う金属シールドを係合させる凹形状を有する掛け止め部材を形成する工程と、前記掛け止め部材に前記金属シールドを係合させる工程と、を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
この半導体装置及びその製造方法によれば、掛け止め部材に金属シールドを係合させて配線基板に金属シールドを取り付けるようにしたので、金属シールドと配線基板の間に十分な接触面積を確保できる。これにより、金属シールドの変形や、配線基板からの脱離が防止される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の一部を示す斜視図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態に係る金属シールドの斜視図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を説明する断面図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を説明する平面図である。
【図６】図６（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造に使用する蓋部材の第１の例を示す斜視図、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す蓋部材を切断したときに形成される掛け止め部材を示す斜視図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を説明する断面図である。
【図８】図８は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程における切断工程を説明する断面図である。
【図９】図９は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程における切断工程を説明する平面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程における金属シールドの取り付け工程を説明する図である。
【図１１】図１１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造に使用する蓋部材の第２の例を示す斜視図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す蓋部材を切断したときに形成される掛け止め部材を示す斜視図である。
【図１２】図１２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造に使用する蓋部材の第３の例を示す斜視図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す蓋部材を切断したときに形成される掛け止め部材を示す斜視図である。
【図１３】図１３（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造に使用する蓋部材の第４の例を示す斜視図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す蓋部材を切断したときに形成される掛け止め部材を示す斜視図である。
【図１４】図１４は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を説明する断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を説明する平面図である。
【図１７】図１７は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を説明する断面図である。
【図１８】図１８は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を説明する平面図である。
【図１９】図１９は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程における金属シールドの取り付け工程を説明する図である。
【図２０】図２０は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の変形例の製造工程における金属シールドの取り付け工程を説明する図である。
【図２１】図２１は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の斜視分解図である。
【図２２】図２２は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の掛け止め部材の斜視図である。
【図２３】図２３は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を説明する平面図である。
【図２４】図２４は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の分解斜視図である。
【図２５】図２５は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を説明する平面図である。
【図２６】図２６は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置の分解斜視図である。
【図２７】図２７は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を説明する平面図である。
【図２８】図２８は、従来の半導体装置を示す断面図である。
【図２９】図２９は、別の従来の半導体装置を示す断面図である。
【図３０】図３０は、さらに別の半導体装置を示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、図面を参照して本発明の好ましい実施の形態を説明する。図面において、同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
（第１の実施の形態）
図１に、本実施の形態に係る半導体装置の断面図を示す。半導体装置１は、配線基板２を有し、配線基板２の一方の面２Ａ上には、電子部品として、半導体素子３と、受動部品４とが実装されている。さらに、配線基板２の一方の面２Ａ上には、導電性を有する掛け止め部材５が取り付けられている。半導体素子３と受動部品４は樹脂６に封止され、さらに樹脂６は金属シールド７で覆われている。また、配線基板２の他方の面２Ｂには、外部装置（不図示）に電気的に接続するための外部接続端子（ランド）８が格子状に形成されている。
【００１６】
半導体素子３は、信号の入出力などに用いられる電極が配線基板２に向け、フェイスダウンで金やハンダを用いた金属材料９を介して配線基板２に実装されている。半導体素子３と配線基板２の間に生じた隙間は、熱硬化接着剤１０で埋められている。熱硬化接着剤１０としては、例えば、エポキシ樹脂を用いても良い。
受動部品４としては、例えば、コンデンサや抵抗器、コイルなどがあげられ、配線基板２上に形成された導電性パターン１１の上にハンダ１２Ａを用いて接合されている。
【００１７】
樹脂６には、例えば、エポキシ樹脂が用いられる。図２（ａ）の斜視図に示すように、樹脂６の側面６Ｃは、配線基板２の側面２Ｃと面一になっている。さらに、樹脂６の側面６Ｃには、掛け止め部材５の一部が露出している。そして、樹脂６の上面６Ａの全体と、側面６Ｃの少なくとも一部を覆うように、金属シールド７が配線基板２の上方に配置されている。
【００１８】
掛け止め部材５は、四角形の配線基板２の外周部、より具体的には、配線基板２の４つの辺のそれぞれの略中央に１つずつ配置されており、配線基板２上の接地端子１３にハンダ１２Ｂを用いて接合されている。このような掛け止め部材５は、例えば、銅やステンレス、洋白から製造されている。
【００１９】
次に、掛け止め部材５について、図２（ｂ）を参照して説明する。なお、図２（ｂ）は、掛け止め部材５を配線基板の底面側から見た斜視図である。
掛け止め部材５は、配線基板２の一方の面２Ａに対して略垂直に延びる背面壁部５Ａを有し、背面壁部５Ａの両端のそれぞれには側壁部５Ｂが前方に屈曲して形成されている。さらに、背面壁部５Ａ及び一対の側壁部５Ｂのそれぞれの上端からは上壁部５Ｃが庇状に形成されている。これにより、掛け止め部材５は、底側と前方の一方のそれぞれが開放された凹形状を有している。掛け止め部材５の背面壁部５Ａ及び側壁部５Ｂのそれぞれの下端は、接地端子１３に電気的に接続される。また、背面壁部５Ａの内面は、配線基板２の外側に向けて配置される。これにより、上壁部５Ｃは、背面壁部５Ａ上端から配線基板２の外側に向けて突出し、かつ配線基板２と平行に配置される。
【００２０】
ここで、掛け止め部材５の上壁部５Ｃと配線基板２の間には間隙が形成される。さらに、上壁部５Ｃと側壁部５Ｂにより形成される開口の端面５Ｄは、樹脂６の側面６Ｃ及び配線基板２の側面２Ｃと面一になっている。そして、掛け止め部材５は、端面５Ｄを除いて外側から樹脂６で覆われているが、背面壁部５Ａ、側壁部５Ｂ及び上壁部５Ｃで区画される内部の空間２５には、樹脂６は注入されていない。
【００２１】
図１の側断面及び図３の斜視図に示すように、金属シールド７は、樹脂６の上面６Ａと側面６Ｃのそれぞれを覆うキャップ形状を有する。より具体的には、金属シールド７は、四角形の天井部７Ａと、天井部７Ａの各辺から下方に延びる４つの側部７Ｂとを有する。隣り合う側部７Ｂは、互いの境界部分が切り欠かれることで分離させられている。さらに、各側部７Ｂの下端部分は、内側に折り曲げられることで爪７Ｃを形成している。このような金属シールド７は、例えば、ステンレス、洋白などから製造される。なお、各側部７Ｂは、外力により湾曲可能になっている。
【００２２】
図１に示すように、この爪７Ｃは、掛け止め部材５で区画される空間２５に挿入され、掛け止め部材５の上壁部５Ｃに当接させられる。これにより、金属シールド７が掛け止め部材５を介して配線基板２に固定される。このため、爪７Ｃは、空間２５に挿入可能で、かつ金属シールド７を配線基板２に固定するのに必要な大きさに形成されている。
【００２３】
次に、図４から図１１を参照して半導体装置１の製造方法について説明する。
まず、図４及び図５に示す構造を得るまでの工程について説明する。なお、図４は、集合基板３１の断面図、図５は、集合基板３１を上から見た平面図である。
【００２４】
ガラスエポキシからなる集合基板３１内において隣接して区画される四角形の複数の配線基板形成領域３１Ａには、スルーホール３２と、接地端子１３を含む導電パターン１１などが形成されている。接地端子１３は、少なくとも、隣接する配線基板形成領域３１Ａを区画する四角形の各辺の中央に配置されている。
まず、集合基板３１の配線基板形成領域３１Ａ内のそれぞれにハンダ１２Ａを介して受動部品４を実装する。さらに、導電性を有する細長の蓋部材４１をハンダ１２Ｂにより集合基板３１の接地端子１３上に接続する。蓋部材４１は、後のダイシング工程で切断されて掛け止め部材５として使用される部材である。
【００２５】
蓋部材４１は、集合基板３１内の配線基板形成領域３１Ａの境界線となるダイシングライン３５を跨ぐ領域に、蓋部材４１の長手方向の中心線とダイシングライン３５の中心線とが一致するように配置される。また、ダイシングライン３５上において、蓋部材４１は、集合基板３１の縦方向及び横方向のそれぞれにおいて、等間隔で複数配置される。
【００２６】
ここで、図５及び図６（ａ）を参照して蓋部材４１の構成について説明する。
図６（ａ）は、蓋部材４１を底面側から見た斜視図である。蓋部材４１は、四角形の枠４２と、枠４２に一体に連なる上面部４３とを有し、底面側に開口部４４を有する凹部が設けられている。蓋部材４１は、例えば、銅やステンレス、洋白などをプレス加工や、切削加工することで製造される。蓋部材４１のサイズは、半導体装置１のサイズによっても異なるが、例えば、長さを約２．０ｍｍ、幅を約１．２ｍｍ、高さを約０．３ｍｍ、厚さを約０．１ｍｍにする。
【００２７】
蓋部材４１は、開口部４４を集合基板３１に向けて配置した後、枠４２の下端がハンダ１２Ｂで接地端子１３に接合される。これにより、開口部４４が集合基板３１で塞がれて、蓋部材４１の内部の空間４５が集合基板３１によって密閉される。
【００２８】
次に、集合基板３１の配線基板形成領域３１Ａ内の半導体素子実装領域に熱硬化接着剤１０を塗布する。その後、半導体素子実装領域に半導体素子３をフェイスダウンで取り付け、半導体素子３の下面のバンプを金属材料９を介して導電パターン１１に接続した後に、熱硬化接着材１０を熱硬化させる。
【００２９】
次に、図７の側断面図に示すように、半導体素子３、受動部品４及び蓋部材４１を覆う
ようにエポキシ樹脂を集合基板３１上に充填してから硬化させる。これにより、半導体素子３、受動部品４及び蓋部材４１が樹脂６で封止される。この際、蓋部材４１は、集合基板３１で密着しているので、内部の空間４５にエポキシ樹脂が流入することはない。
【００３０】
この後、図８の側断面図に示すように、ダイシングライン３５に沿って、樹脂６及び集合基板３１をブレード３６によって切断する。これにより、図９の平面図に示すように、集合基板３１が、半導体素子３等を搭載した複数の配線基板２に個片化される。ここで、ダイシングライン３５上には、蓋部材４１が配置されているので、集合基板３１を切断すると同時に蓋部材４１がブレード３６によって２つの部材に切断される。蓋部材４１の長手方向の中心線とダイシングライン３５の中心線がほぼ一致するように配置されていることにより、中心線を挟んで左右対称な形状を有する蓋部材４１は２つの同じ形状の部材に切断される。そして、底面から見た図６（ｂ）の斜視図に示すように、蓋部材４１が切断されることで２つに分割された部材のそれぞれが掛け止め部材５になり、掛け止め部材５は、配線基板２の各辺に沿って細長に配置される。
【００３１】
ここで、図２（ｂ）の掛け止め部材５の端面５Ｄは、ダイシング工程における蓋部材４１の切断面に相当する。同様に、図１に示す半導体素子３等を封止する樹脂６の側面６Ｃは、ダイシング工程における樹脂６の切断面に相当する。したがって、掛け止め部材５の端面５Ｄと、樹脂６の側面６Ｃとが面一になる。
さらに、配線基板２の側面２Ｃは、ダイシング工程における集合基板３１の切断面に相当する。このため、掛け止め部材５の端面５Ｄと、配線基板２の側面２Ｃとが面一になる。なお、蓋部材４１の中心がダイシングライン３５からずれていても、ダイシング時の切断面が掛け止め部材５の端面５Ｄになるので、端面５Ｄを樹脂６の側面６Ｃ及び配線基板２の側面２Ｃと面一にすることができる。
【００３２】
次に、図１０の側断面図に示すように、金属シールド７は、その側面７Ｂを外側に広げられながら、半導体素子３等を搭載させた配線基板２に上方から被せられる。これにより、金属シールド７の天井部７Ａが樹脂６の上面６Ａを覆うとともに、金属シールド７の側部７Ｂが樹脂６の側面６Ｃを覆う。
このとき、金属シールド７の側部７Ｂの爪７Ｃは、樹脂６から露出する掛け止め部材５の端面５Ｄの開口部を通して内部の空間２５内に侵入する。これにより、爪７Ｃが上壁部５Ｃに係合し、掛け止め部材５を介して金属シールド７が配線基板２に支持される。
掛け止め部材５が導電性を有し、かつ接地端子１３に接合されているので、金属シールド７が掛け止め部材５を介して接地端子１３に電気的に接続される。そして、このときの金属シールド７と配線基板２の係合面積は、爪７Ｃと掛け止め部材５の接触面積の合計に略等しくなる。
【００３３】
金属シールド７は、４つの爪７Ｃを用いて４つの掛け止め部材５に係合させられるので、配線基板２に対して強固に固定させることができる。また、金属シールド７は、掛け止め部材５及び樹脂６を覆うように配置されるので、金属シールド７の側部７Ｂが配線基板２より外側に配置される。そのはみ出し量は、側部７Ｂの厚さであるので半導体装置１を大型にすることはない。なお、金属シールド７の各側部７Ｂは、互いに分離されており、その下端部分を独立して弾性変形させられるので、金属シールド７は上方から掛け止め部材５に容易に係合させられる。
【００３４】
このように、半導体素子３等を樹脂６で封止した配線基板２に金属シールド７を上方から嵌め込んで固定させることで、半導体装置１の製造が完了する。また、半導体装置１では、金属シールド７の存在によって、半導体素子３などから発生したノイズが外部に放射されることが防止されると共に、外部からのノイズが内部に浸入することが防止される。
【００３５】
以上、説明したように、この実施の形態では、配線基板２の一方の面２Ａ上にハンダ１２Ｂで接合した掛け止め部材５に金属シールド７を機械的に係合させるように構成したので、金属シールド７を確実に配線基板２に取り付けることが可能になる。さらに、掛け止め部材５が配線基板２の各辺に沿って細長に延びるので、配線基板２と金属シールド７の接触面積を増大させることができ、かつ金属シールド７を４箇所でバランス良く支持することが可能になる。
【００３６】
ここで、金属シールド７の爪７Ｃと掛け止め部材５の上壁部５Ｃとの係合方向は、爪７Ｃの上昇、すなわち金属シールド７の天井部７Ａに向う方向への移動を妨げる方向である。このため、金属シールド７が熱を受けて変形しようとした場合でも、爪７Ｃの上昇、すなわち金属シールド７の天井部７Ａが樹脂６から離れる方向への移動が妨げられるので、金属シールド７全体として変形と、これに起因する樹脂６からの剥離が抑制される。これにより、後の処理や、半導体装置１の使用時などに、金属シールド７が変形したり、配線基板２から脱離したりすることが防止される。
【００３７】
また、この実施の形態では、金属シールド７が、配線基板２の一方の面２Ａ側の内側で掛け止め部材５に係合させられるように構成したので、金属シールド７が配線基板２の他方の面２Ｂ側に突出することはない。これにより、半導体装置１を他の装置などに取り付ける際の取り付け高さを低くできる。
【００３８】
さらに、掛け止め部材５の端面５Ｄと、配線基板２の側面２Ｃを一致させるように構成したので、掛け止め部材５及び樹脂６を覆う金属シールド７の側部７Ｂが配線基板２より外側に突出させられる。これにより、金属シールド７の側部７Ｂを把持して半導体装置１をハンドリングすることが可能になる。配線基板２のみを把持する場合には、配線基板に応力が集中することがあるが、この実施の形態では、半導体装置１のハンドリング時に配線基板２に応力が集中することが防止される。
【００３９】
また、この実施の形態では、掛け止め部材５が最初に下面が開放された蓋部材４１として供給されるので、集合基板３１に接合したときに内部の空間４５を密閉することができる。このため、半導体素子３等を樹脂封止するときに、掛け止め部材５の内部に樹脂が流入することが防止される。さらに、掛け止め部材５は、配線基板２をダイシングにより個片化するときに、同時に形成されるので、製造工程を簡略化することができる。また、配線基板２を個片化するのと同時に、掛け止め部材５、配線基板２、及び樹脂６のそれぞれの端面５Ｄ、側面２Ｃ，６Ｃを一致させることができる。
【００４０】
なお、金属シールド７と掛け止め部材５の係合部分は、必要に応じてハンダで接合しても良い。この場合は、金属シールド７がさらに強固に配線基板２に対して固定される。
【００４１】
配線基板２に搭載される部品の種類や数、レイアウトは図１及び図５に限定されない。また、半導体素子３は、フェイスアップで配線基板２に実装しても良い。この場合は、半導体素子３側の電極と、配線基板２側の電極とを、図示を省略する金などの導電性ワイヤを用いて電気的に接続させる。さらに、配線基板２の他方の面２Ｂにおいて、平面状の外部接続端子８上にハンダバンプを設けて、ＢＧＡ（Ball Grid Array）を形成しても良い。
【００４２】
ここで、蓋部材の変形例について、図１１、図１２及び図１３を参照して説明する。なお、図１１、図１２及び図１３は、蓋部材及び掛け止め部材を底面側から見た斜視図である。
図１１（ａ）に示す蓋部材５１は、断面が半円形になっており、底面側に開口部５１Ａを有する凹部が設けられている。この蓋部材５１は、ダイシングライン３５を跨いで配置
され、開口部５１Ａが集合基板３１で密閉されるように接地端子１３にハンダ接合される。ダイシング工程では、集合基板３１が複数の配線基板２に個片化されるのと同時に、図１１（ｂ）に示すように、蓋部材５１が２つに切断されて掛け止め部材５２が２つずつ形成される。
【００４３】
掛け止め部材５２は、曲面からなる壁部５３と、この壁部５３の両端からＬ字状に屈曲した２つの側壁部５４とを有し、壁部５３及び側壁部５４の下端がハンダ１２Ｂで接地端子１３に接続される。壁部５３の内面は配線基板２の外側に向けて配置される。これにより、掛け止め部材５２は、壁部５３の上端部分を配線基板２の外側に向けて取り付けられる。
掛け止め部材５２を介して金属シールド７を配線基板２に支持させるときは、壁部５３及び側壁部５４で区画される空間５５内に金属シールド７の爪７Ｃを挿入させ、係合させる。
【００４４】
なお、蓋部材５１の断面形状は、切断線を中心にして左右対称の形状であれば良く、半円形に限定されない。例えば、楕円を半分にカットした断面や、その他の曲面形状であっても良い。また、蓋部材５１の断面形状は、台形や三角形であっても良い。そのような蓋部材５１を２つに切断したときに得られる掛け止め部材５２の断面は、それぞれ台形を２分した形状や、三角形を２分した形状になり、掛け止め部材５２によって区画される空間５５に金属シールド７の爪７Ｃが挿入され、係合させられる。
【００４５】
また、図１２（ａ）に示す蓋部材６１は、半球形で底面側に開口部６１Ａを有する凹部が設けられている。この蓋部材６１は、ダイシングライン３５を跨いで配置され、開口部６１Ａが集合基板３１で密閉されるように接地端子１３にハンダ接合される。ダイシング工程では、集合基板３１が切断されて複数の配線基板２に個片化されるのと同時に、図１２（ｂ）に示すように、蓋部材６１が２つに切断されて掛け止め部材６２が２つずつ形成される。
掛け止め部材６２は、曲面形状を有する壁部６３の下端がハンダ１２で接地端子１３に接続される。壁部６３の逆Ｕ字形の端面６２Ｃが配線基板２の外側に向けて取り付けられ、壁部６３によって区画される空間６４内に金属シールド７の爪７Ｃが挿入され、係合させられる。なお、蓋部材６１の断面形状は、半球形に限定されず、楕円球を半分にカットした断面や、その他の曲面形状であっても良い。
【００４６】
さらに、図１３（ａ）に示す蓋部材７１は、内部に空間７２が形成された直方体形を有する。この蓋部材７１は、ダイシングライン３５を跨いで配置され、接地端子１３にハンダ接合される。ダイシング工程では、集合基板３１が切断されて複数の配線基板２に個片化されると同時に、図１３（ｂ）に示すように、蓋部材７１が２つに切断されて掛け止め部材７３が２つずつ形成される。
掛け止め部材７３は、底部７４と、背面壁部７５と、２つの側壁部７６と、上壁部７７とを有し、底部７４がハンダ１２で接地端子１３に接続されている。背面壁部７５の内面は配線基板２の外側に向けて取り付けられることで、上壁部７７が配線基板２の外側に向けて配置される。掛け止め部材７３の各壁部７４〜７７によって形成される空間７８に金属シールド７の爪７Ｃが挿入され、係合させられる。
【００４７】
なお、図１１（ａ）、図１２（ａ）、図１３（ａ）のそれぞれに示す蓋部材５１，６１、７１の切断面は、配線基板２及び樹脂６の切断面に一致するので、各掛け止め部材５２，６２，７３の端面５２Ｃ，６２Ｃ，７３Ｃが配線基板２及び樹脂６のそれぞれの側面２Ｃ，６Ｃと面一になる。
また、図１１（ａ）及び図１２（ａ）に示す蓋部材５１，６１において、図１３（ａ）と同様の底部７４を設けると、製造過程で樹脂６が空間５５，６４に流入することをより
確実に防止できる。また、接地端子１３との接合面積を増やしてハンダ接合が強固になる。
【００４８】
（第２の実施の形態）
図１４から図２０を参照して、第２の実施の形態について説明する。この実施の形態は、半導体素子等が樹脂で封止されないタイプの半導体装置に関する。
図１４の断面図に示すように、半導体装置８１には、配線基板２の一方の面２Ａ上に半導体素子３と、コンデンサや抵抗器、コイルなどの受動部品４と、導電性を有する掛け止め部材５が搭載されている。半導体素子３及び受動部品４を覆う金属シールド７は、第１の実施の形態と同様にして、掛け止め部材５に係合させられている。また、配線基板２の他方の面２Ｂには、外部接続端子８によるＬＧＡが形成されている。
【００４９】
ここで、半導体装置８１は、半導体素子３及び受動部品４と、金属シールド７の間に樹脂が封止されない中空構造になっている。このため、掛け止め部材５と配線基板２のハンダ１２Ｂによる接合部分の少なくとも一部は熱硬化接着剤８２で覆われている。
【００５０】
次に、図１５から図１９を参照して、この半導体装置８１の製造方法について説明する。
まず、図１５及び図１６に示す構造を得るまでの工程について説明する。なお、図１５、図１６は、それぞれ半導体素子３、受動部品４等が搭載された集合基板３１を側方から見た断面図と上方からみた平面図である。
最初に、エポキシ樹脂などから形成された集合基板３１の配線基板形成領域３１Ａに、スルーホール３２と、接地端子１３を含む導電性パターン１１が形成される。この後、集合基板３１の配線基板形成領域３１Ａに、半導体素子３が金属材料９を用いてフェイスダウンで実装される。また、受動部品４と、導電性を有する細長の蓋部材４１が、それぞれ集合基板３１の所定位置にハンダ１２Ａ，１２Ｂを用いて接合される。蓋部材４１は、開口部４４が集合基板３１によって密閉されるように取り付けられる。
【００５１】
さらに、半導体素子３と配線基板２の間の隙間にエポキシ樹脂を用いた熱硬化接着剤１０が塗布され、半導体素子３を導電パターン１１に接続した後に熱硬化接着剤１０が熱硬化させられる。
また、掛け止め部材５と配線基板２を接合するハンダ１２Ｂを覆うように、熱硬化接着剤８２が塗布され、その後に熱硬化接着剤８２が硬化される。なお、熱硬化接着剤１０，８２は、同じ接着剤であっても良いし、異なる接着剤でも良い。また、熱硬化接着剤１０，８２は、同じ製造工程で塗布及び硬化させても良い。これにより、蓋部材４１と配線基板２の接合部分が補強、及び保護される。なお、蓋部材４１は、長手方向の中心線とダイシングライン３５の中心線とが一致するように配置される。
【００５２】
ここで、蓋部材４１は、後の工程で掛け止め部材５になる。蓋部材４１の形状やサイズ、材料は、第１の実施の形態と同じである。
【００５３】
この後、図１７及び図１８に示すように、ダイシングライン３５に沿って、集合基板３１を切断する。これにより、集合基板３１が、半導体素子３等を搭載した複数の配線基板２に個片化される。ここで、ダイシングライン３５上には、蓋部材４１が配置されているので、集合基板３１を個片化するときに、同時に蓋部材４１が切断され、２つの掛け止め部材５が形成される。このとき、掛け止め部材５は、配線基板２の各辺に沿って細長に延び、その端面５Ｄと、配線基板２の側面２Ｃとが面一になる。
【００５４】
次に、図１９に示すように、金属シールド７が、その側面７Ｂを外側に広げられながら、半導体素子３等を搭載させた配線基板２に上方から被せられる。これにより、金属シー
ルド７の側部７Ｂの爪７Ｃが、掛け止め部材５の端面５Ｄの開口部を通して空間２５に浸入し、金属シールド７が掛け止め部材５を介して配線基板２に支持される。掛け止め部材５が導電性を有し、かつ接地端子１３に接合されているので、金属シールド７が掛け止め部材５を介して接地端子１３に電気的に接続される。このときの金属シールド７と配線基板２の接合面積は、爪７Ｃと掛け止め部材５の接触面積の合計に略等しくなる。
金属シールド７は、掛け止め部材５を覆うように配置されるので、その側部が配線基板２より外側に配置され、金属シールド７と配線基板２とで形成される空間内に、半導体素子３及び受動部品４が収容される。
【００５５】
このように、半導体素子３等を搭載させた配線基板２に金属シールド７を上方から嵌め込んで固定させることで、半導体装置１の製造が完了する。
【００５６】
以上、説明したように、この実施の形態では、半導体素子３や受動部品４を樹脂で封止しないタイプの半導体装置８１において、第１の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００５７】
なお、半導体装置８１は、図１１（ｂ）、図１２（ｂ）、図１３（ｂ）に示す掛け止め部材５２，６２，７３及び、図１１（ａ）、図１２（ａ）、図１３（ａ）に示す蓋部材５１，６１，７１を用いて構成及び製造しても良い。
【００５８】
ここで、この実施の形態の変形例について説明する。
集合基板３１に受動部品４等を実装する際に、蓋部材４１の代わりに、掛け止め部材５を直接に実装しても良い。このとき、掛け止め部材５は、端面５Ｄが配線基板２の側面２Ｃと面一になるように接地端子１３にハンダ１２Ｂで接合される。この場合、後のダイシング工程では、掛け止め部材５を切断することなく、集合基板３１のみが切断される。
また、集合基板３１に掛け止め部材５を直接に実装する場合は、図１４に示す向きと同じ向きで、かつ掛け止め部材５の端面５Ｄが配線基板２の側面２Ｃより内側に配置されるように実装しても良い。
【００５９】
さらに、図２０に示す半導体装置８１のように、掛け止め部材５の凹部を配線基板２の中央に向けて実装しても良い。このときに、掛け止め部材５は、背面壁部５Ａの内面が配線基板２の内側に向けて配置される。これにより、上壁部５Ｃが背面壁部５Ａから配線基板２の内側に向けて突出し、かつ配線基板２と平行に配置される。これに対応して、掛け止め部材５に係合させられる金属シールド８５は、側部８５Ｂに外側に突出する爪７Ｃが形成される。
【００６０】
また、掛け止め部材５を凸形状にし、これに係合させる凹部を金属シールド７に形成しても良い。
この半導体装置８１は、樹脂による封止を行わないので、掛け止め部材５は側壁部５Ｂを有しない構成にすることもできる。この場合の蓋部材４１は、２つの掛け止め部材５を連結させた形状になる。
【００６１】
（第３の実施の形態）
図２１及び図２２を参照して、第３の実施の形態について説明する。この実施の形態に係る半導体装置は、掛け止め部材の配置が第１の実施の形態と異なる。
図２１の分解斜視図に示すように、半導体装置９１は、配線基板２の外周部に掛け止め部材９２が設けられている。掛け止め部材９２は、配線基板２の４つの角に１つずつ設けられ、その各々が配線基板２上の接地端子１３にハンダ１２Ｂで接合されている。
【００６２】
上から見た図２２の斜視図に示すように、掛け止め部材９２は、９０°に屈曲させられた背面壁部９３Ａと、背面壁部９３Ａの上端から屈曲して伸びる上壁部９３Ｂとを有する
。この掛け止め部材９２は、背面壁部９３Ａの内面が配線基板２の外側に向けて配置される。これにより、上壁部９３Ｂが背面壁部９３Ａから配線基板２の外側に向けて突出し、かつ配線基板２と平行に配置される。そして、このような掛け止め部材９２によって区画される空間には、金属シールド９４のアーム９５の下端に形成された爪７Ｃが挿入され、係合させられている。
【００６３】
図２１に示すように、金属シールド９４は、天井部９４Ａと、天井部９４Ａの各辺から下方に延びる４つの側部９４Ｂとを有する。さらに、天井部９４Ａの４つの角からは、４つのアーム９５が下向きに延びている。各アーム９５と壁部９４Ｂの間は、天井部９４Ａ側の一部を除いて切り欠かれており、アーム９５を弾性的に変形させることが可能になっている。なお、側部９４Ｂは、アーム９５の長さより短くなっているが、アーム９５の長さと略同じでも良い。
【００６４】
次に、図２１及び図２３を主に参照して、半導体装置９１を製造工程について説明する。なお、図２３は、集合基板３１を上方から見た平面図である。
最初に、集合基板３１の配線基板形成領域３１Ａに、半導体素子３と、受動部品４と、蓋部材９７とを、ハンダ１２Ａ，１２Ｂ等を用いて実装する。蓋部材９７は、図６（ａ）に示す蓋部材４１と長さが異なるものの、同様の構成を有する。なお、蓋部材９７は、平面視で略正方形のものが用いられているが、その他の形状であっても良い。
蓋部材９７は、集合基板３１内の配線基板形成領域３１Ａの境界にあるダイシングライン３５が交差する位置に合わせて１つずつ、開口部を集合基板３１で塞ぐように、ハンダ１２Ｂで接地端子１３に接合される。なお、接地端子１３は、蓋部材９７の配置に対応して、配線基板形成領域３１Ａの４つの角のそれぞれを跨いで配置されている。
【００６５】
続いて、半導体素子３及び受動部品４、並びに蓋部材９７を樹脂封止した後、集合基板３１をダイシングライン３５に沿ってダイシングすると、集合基板３１が切断されて複数の配線基板２に個片化される。これと同時に、直交する２つのダイシングライン３５のそれぞれに対して対称な形状を有する蓋部材９７がダイシングライン３５に沿って４つの部材に切断される。これら切断された部材のそれぞれが、掛け止め部材９２になる。掛け止め部材９２は、配線基板２の各角に１つずつ配置され、掛け止め部材９２の端面９２Ｃと、配線基板２の側面２Ｃ及び樹脂６の側面６Ｃとが面一になる。
【００６６】
金属シールド９４を上方から供給し、樹脂６の上面６Ａ及び側面６Ｃを覆い、かつ４つのアーム９５のそれぞれの爪７Ｃを対応して配置されている掛け止め部材９２に係合させると、半導体素子３等を実装した配線基板２に金属シールド９４が取り付けられ、半導体装置９１の製造が完了する。
【００６７】
この実施の形態では、掛け止め部材９２を配線基板２の４つの角のそれぞれに１つずつ配置したので、金属シールド９４を４箇所でバランス良く支持することが可能になる。アーム９５が天井部９４Ａの４つの角からそれぞれ延びており、そのそれぞれが掛け止め部材９２に係合させられるので、金属シールド９４の天井部９４Ａの角部の変形を防止できる。その他の効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００６８】
なお、掛け止め部材９２の配置数は、４つ限定されずに、３つ又は２つでも良い。掛け止め部材９２を２つのみ配置するときは、配線基板２の対角線上に、電子部品（半導体素子３）を挟むように、掛け止め部材９２を１つずつ配置すると、バランス良く金属シールド９４を支持できる。また、掛け止め部材９２は、隣り合う２つの角に１つずつ配置しても良い。
また、この半導体装置９１では、図１１（ａ）、図１２（ａ）、図１３（ａ）に示す蓋部材５１，６１，７１を用いることが可能である。また、この実施の形態は、半導体素子
３や受動部品４を樹脂で封止しないタイプにも適用できる。
【００６９】
（第４の実施の形態）
図２４及び図２５を参照して、第４の実施の形態について説明する。この実施の形態に係る半導体装置は、掛け止め部材の配置が第１の実施の形態と異なる。なお、図２４は、半導体装置の分解斜視図であり、図２５は、集合基板を上方からみた平面図である。
図２４に示すように、半導体装置１０１は、配線基板２の外周部に掛け止め部材５が設けられている。掛け止め部材５は、配線基板２の４つ辺のうちの３つの辺の略中央に相当する位置に１つずつ配置されており、その各々が配線基板２上の接地端子１３にハンダ１２で接合されている。
【００７０】
金属シールド１０２は、天井部１０２Ａを有し、天井部１０２Ａの各辺のうちの３つ辺からは側部１０２Ｂが下方に向けて延びている。３つ側部１０２Ｂは、配線基板２側の３つの掛け止め部材５の配置に対応した位置のそれぞれに設けられており、それぞれの下端には、爪７Ｃが形成されている。
【００７１】
図２５に示すように、半導体装置９１を製造するときは、最初に集合基板３１の配線基板形成領域３１Ａに、半導体素子３と、受動部品４と、蓋部材４１とを、ハンダ１２Ａ，１２Ｂ等を用いて実装する。蓋部材４１は、集合基板３１のダイシングライン３５を跨いで、かつ底面側の開口部４４を配線基板２で塞ぐように、３箇所ずつ配置される。図２５の例では、蓋部材４１は、１つの半導体素子３をダイシングライン３５に沿って囲むように３つずつ配置される。なお、蓋部材４１は、平面視で略正方形のものが用いられているが、図１１から図１３に示すような形状であっても良い。
【００７２】
次に、半導体素子３及び受動部品４、並びに蓋部材４１を樹脂封止した後、集合基板３１をダイシングする。集合基板３１が切断されて複数の配線基板２に個片化されると同時に、蓋部材４１が切断される。蓋部材４１は、長手方向の中心線とダイシングライン３５の中心線が一致するように配置され、中心線を挟んで左右対称な形状を有することから、２つの同じ形状の部材に切断される。そして、これら切断された部材のそれぞれが、掛け止め部材５になる。
【００７３】
金属シールド１０２は、側部１０２Ｂが形成されずに開放されている側部から樹脂６に向ってスライドさせ、掛け止め部材５に係合させられる。スライド方向に平行に配置された１組の爪７Ｃは、広げられ、樹脂６を乗り越えて移動し、樹脂６の側部６Ｃに開口している掛け止め部材５に係合する。これにより、半導体素子３等を実装した配線基板２に金属シールド１０２が取り付けられ、半導体装置１０１の製造が完了する。
【００７４】
この実施の形態では、掛け止め部材５を配線基板２の３箇所に配置したので、金属シールド１０２を側方からスライドさせて係合させることができる。その他の効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００７５】
なお、掛け止め部材５は、配線基板２に２つのみ配置しても良い。この場合、配線基板２上の半導体素子３を挟むように、掛け止め部材５を１つずつ配置すると、バランス良く金属シールド１０２を支持できる。
また、この半導体装置１０１では、図１１（ａ）、図１２（ａ）、図１３（ａ）に示す蓋部材５１，６１，７１を用いることが可能である。また、この実施の形態は、半導体素子３や受動部品４を樹脂で封止しないタイプにも適用できる。
【００７６】
（第５の実施の形態）
図２６及び図２７を参照して、第５の実施の形態について説明する。この実施の形態に
係る半導体装置は、掛け止め部材の配置が第１の実施の形態と異なる。なお、図２６は、半導体装置の分解斜視図であり、図２７は、集合基板を上方からみた平面図である。
図２６の分解斜視図に示すように、半導体装置１１１は、配線基板２の外周部に掛け止め部材１１２が設けられている。掛け止め部材１１２は、配線基板２の対向する２つの辺の全長にわたって１つずつ配置されており、配線基板２の接地端子１３に電気的に接続された背面壁部１１３Ａから上壁部１１３Ｂが伸びている。そして、背面壁部１１３Ａの内面が配線基板２の外側に向けて配置されることで、上壁部１１３Ｂが背面壁部１１３Ａから配線基板２の外側に向けて突出し、かつ配線基板２と平行に配置される。
【００７７】
この掛け止め部材１１２に係合させられる金属シールド１１４は、天井部１１４Ａから２つの側部１１４Ｂが対向して下向きに延び、２つの側部１１４Ｂのそれぞれの先端に爪７Ｃが形成されている。２つの側部１１４Ｂは、配線基板２側の２つの掛け止め部材１１２の配置に対応した位置に１つずつ設けられている。
【００７８】
図２７に示すように、半導体装置１１１を製造するときは、最初に集合基板３１の配線基板形成領域３１Ａに、半導体素子３と、受動部品４と、蓋部材１２１とを、ハンダ１２Ａ，１２Ｂを用いて実装する。蓋部材１２１は、図６に示す蓋部材４１と長さが異なるだけで、同じ構成及び同じ材料から製造される。蓋部材１２１は、集合基板３１のダイシングライン３５を跨ぐように、かつ蓋部材１２１の底面側の開口部を配線基板２で塞ぐように複数配置される。なお、蓋部材１２１は、平面視で長方形のものが用いられているが、その他の形状であっても良い。
【００７９】
次に、半導体素子３及び受動部品４、並びに蓋部材１２１を樹脂封止した後、集合基板３１をダイシングする。集合基板３１が複数の配線基板２に個片化されると同時に、蓋部材１２１が切断される。蓋部材１２は、長手方向の中心線とダイシングライン３５の中心線が一致するように配置され、中心線を挟んで左右対称な形状を有することから、２つの同じ形状の部材に切断される。そして、これら切断された部材のそれぞれが、掛け止め部材１１２になる。
掛け止め部材１１２は、配線基板２の辺に平行に、かつその全長にわたって延びる。さらに、掛け止め部材１１２の端面１１２Ｃと、配線基板２の側面２Ｃ及び樹脂６の側面６Ｃとが面一になる。
【００８０】
金属シールド１１４は、側部１１４Ｂが形成されずに開放されている面から樹脂６に向けてスライドさせる。スライド方向に平行に配置された１組の爪７Ｃが、樹脂６の側部６Ｃに開口している掛け止め部材１１２に係合させられる。これにより、半導体素子３等を実装した配線基板２に金属シールド１１４が取り付けられ、半導体装置１１１の製造が完了する。
【００８１】
この実施の形態では、掛け止め部材１１２を配線基板２の２箇所に配置したので、金属シールド１１４を側方からスライドさせて係合させることができる。その他の効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００８２】
なお、掛け止め部材１１２は、配線基板２の角のみに設けても良い。この場合に、掛け止め部材１１２の数は、２つ以上であることが好ましい。
また、この半導体装置１１１では、図１１（ａ）、図１２（ａ）、図１３（ａ）に示す蓋部材５１，６１，７１を用いることが可能である。また、この実施の形態は、半導体素子３や受動部品４を樹脂で封止しないタイプにも適用できる。
【００８３】
ここで挙げた全ての例および条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明および概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例お
よび条件に限定することなく解釈するものであり、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施の形態を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換および変形を施すことができる。
【００８４】
以下に、実施の形態をさらに付記する。
（付記１）  配線基板と、前記配線基板の一方の面の上に実装された半導体素子と、前記半導体素子を覆う金属シールドと、前記配線基板の前記一方の面に形成された接地端子と、前記接地端子に電気的に接続されると共に、前記一方の面の上で前記金属シールドに係合する掛け止め部材と、を含む半導体装置。
（付記２）  前記金属シールドは、内側、外側のいずれかに折り曲げられた爪を有し、
前記掛け止め部材は、前記爪に係合する壁部を有する付記１に記載の半導体装置。
（付記３）  前記掛け止め部材は、前記爪を挿入する空間を有する付記２に記載の半導体装置。
（付記４）  前記掛け止め部材の側面と、前記配線基板の側面とが面一である付記１から付記３のいずれか一項に記載の半導体装置。
（付記５）  前記半導体素子を覆う樹脂を有し、前記樹脂の側面と、前記掛け止め部材の側面とが面一である付記４に記載の半導体装置。
（付記６）  前記掛け止め部材は、四角形の前記配線基板の辺又は角の対向位置に配置されている付記１乃至付記５のいずれか一項に記載の半導体装置。
（付記７）  前記掛け止め部材は、矩形の前記配線基板の辺の略中央、又は角に、前記半導体素子を挟むように少なくとも２つ配置されている付記１乃至付記５のいずれか一項に記載の半導体装置。
（付記８）  配線基板を複数隣接して形成する領域を有する集合基板に半導体素子を実装する工程と、前記集合基板上で隣り合う前記配線基板の領域の境界線上に、凹部又は空隙を有する蓋部材を固定する工程と、前記境界線に沿って前記集合基板及び前記蓋部材を切断し、前記集合基板から前記配線基板を形成すると同時に、前記蓋部材から前記半導体素子を覆う金属シールドを係合させる凹形状を有する掛け止め部材を形成する工程と、前記掛け止め部材に前記金属シールドを係合させる工程と、を含む半導体装置の製造方法。
（付記９）  前記凹部を有する前記蓋部材は、前記凹部が前記集合基板で密閉される向きに固定される付記８に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１０）  前記蓋部材を切断して前記掛け止め部材を形成する工程は、前記配線基板の側面と前記掛け止め部材の側面を面一にすることを含む付記８又は付記９に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００８５】
１，８１，９１，１０１，１１１  半導体装置
２  配線基板
２Ａ  一方の面
２Ｃ  側面
３  半導体素子
５，５２，６２，７３，９２，１１２  掛け止め部材
５Ｄ，５２Ｃ，６２Ｃ，７３Ｃ，９２Ｃ，１１２Ｃ  端面
６  樹脂
６Ｃ  側面
７，８５，９４，１１４  金属シールド
７Ｃ  爪
２３，７７，９４，１１３Ｂ  上壁部
３５  ダイシングライン（境界線）
４１，５１，６１，７１，１２１  蓋部材
４４，５１Ａ，６１Ａ  開口部
５５  空間
６３  壁部
７２  空間（空隙）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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