(57)【要約】【課題】スイッチの動作時に半導体素子に印加されうるスパークを低減させ、電気的特性測定値の信頼性を向上させることができるプローブカード及びそれを備えるテスト装置を提供する。【解決手段】本発明によるプローブカードは、第１入力端と第１入力プローブピンとを接続する第１入力端ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）スイッチと、第１出力端と第１出力プローブピンとを接続する第１出力端ＭＥＭＳスイッチとを有し、前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチは、動作信号を受信する制御部と、前記第１入力端と前記第１入力プローブピンとを接続する接続部とを含み、前記第１出力端ＭＥＭＳスイッチは、動作信号を受信する制御部と、前記第１出力端と前記第１出力プローブピンとを接続する接続部とを含む。【選択図】      図３
2011112653.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１入力端と第１入力プローブピンとを接続する第１入力端ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）スイッチと、
第１出力端と第１出力プローブピンとを接続する第１出力端ＭＥＭＳスイッチとを有し、
前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチは、動作信号を受信する制御部と、前記第１入力端と前記第１入力プローブピンとを接続する接続部とを含み、
前記第１出力端ＭＥＭＳスイッチは、動作信号を受信する制御部と、前記第１出力端と前記第１出力プローブピンとを接続する接続部とを含むことを特徴とするプローブカード。
【請求項２】
前記第１入力プローブピンと前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチとの距離と、前記第１出力プローブピンと前記第１出力端ＭＥＭＳスイッチとの距離は、５０ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のプローブカード。
【請求項３】
前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチの制御部と前記第１出力端ＭＥＭＳスイッチの制御部は、互いに同じ動作信号を受信するように構成されることを特徴とする請求項１に記載のプローブカード。
【請求項４】
前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチと前記第１入力プローブピンとを接続する第１入力プローブＭＥＭＳスイッチと、
前記第１出力端ＭＥＭＳスイッチと前記第１出力プローブピンとを接続する第１出力プローブＭＥＭＳスイッチとをさらに有することを特徴とする請求項１に記載のプローブカード。
【請求項５】
第２入力端と第２入力プローブピンとを接続する第２入力端ＭＥＭＳスイッチと、
第２出力端と第２出力プローブピンとを接続する第２出力端ＭＥＭＳスイッチとをさらに有し、
前記第２入力端ＭＥＭＳスイッチは、動作信号を受信する制御部と、前記第２入力端と前記第２入力プローブピンとを接続する接続部とを含み、
前記第２出力端ＭＥＭＳスイッチは、動作信号を受信する制御部と、前記第２出力端と前記第２出力プローブピンとを接続する接続部とを含むことを特徴とする請求項１に記載のプローブカード。
【請求項６】
前記第１入力端は、パルス入力信号を受信するパルス入力端であり、
前記第２入力端は、ＤＣ（ｄｉｒｅｃｔ  ｃｕｒｒｅｎｔ）入力信号を受信するＤＣ入力端であり、
前記第１出力端は、パルス出力信号を伝送するパルス出力端であり、
前記第２出力端は、ＤＣ出力信号を伝送するＤＣ出力端であることを特徴とする請求項５に記載のプローブカード。
【請求項７】
前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチの前記制御部と前記第１出力端ＭＥＭＳスイッチの前記制御部とを接続する第１伝送ラインと、
前記第２入力端ＭＥＭＳスイッチの前記制御部と前記第２出力端ＭＥＭＳスイッチの前記制御部とを接続する第２伝送ラインとをさらに有し、
前記第１及び第２伝送ラインを通じて伝送される動作信号は、同時に前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチ及び前記第１出力端ＭＥＭＳスイッチをターンオンさせ、かつ前記第２入力端ＭＥＭＳスイッチ及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチをターンオフさせるか、又は、
同時に前記第２入力端ＭＥＭＳスイッチ及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチをターンオンさせ、かつ前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチ及び前記第１出力端ＭＥＭＳスイッチをターンオフさせることのうちの１つを行うことを特徴とする請求項６に記載のプローブカード。
【請求項８】
前記第１及び第２伝送ラインと接続され、前記第１伝送ライン又は第２伝送ラインの１つに前記動作信号を伝送するパワーソーススイッチをさらに有することを特徴とする請求項７に記載のプローブカード。
【請求項９】
前記パワーソーススイッチは、クロック信号によって前記第１伝送ライン又は第２伝送ラインの１つに前記動作信号を伝送するデマルチプレクサを含むことを特徴とする請求項８に記載のプローブカード。
【請求項１０】
複数の入力信号を受信するように構成される複数の入力端と、
前記複数の入力信号をウェーハの複数の入力パッドに伝送するように構成される複数の入力プローブピンと、
前記複数の入力端と複数の入力プローブＭＥＭＳスイッチとを接続する複数の入力端ＭＥＭＳスイッチとを有し、
前記複数の入力端ＭＥＭＳスイッチの各々は、動作信号を受信する制御部と、前記複数の入力端と前記複数の入力プローブＭＥＭＳスイッチとを接続する接続部とを含み、
前記複数の入力プローブＭＥＭＳスイッチの各々は、動作信号を受信する制御部と、前記複数の入力端ＭＥＭＳスイッチと前記複数の入力プローブピンとを接続する接続部とを含むことを特徴とするプローブカード。
【請求項１１】
複数の出力信号を伝送するように構成される複数の出力端と、
前記ウェーハの複数の出力パッドから前記複数の出力信号を受信するように構成される複数の出力プローブピンと、
前記複数の出力端と前記複数の出力プローブピンとを接続する出力端ＭＥＭＳスイッチとをさらに有し、
前記複数の出力端ＭＥＭＳスイッチの各々は、動作信号を受信する制御部と、前記複数の出力端と前記複数の出力プローブピンとを接続する接続部とを含むことを特徴とする請求項１０に記載のプローブカード。
【請求項１２】
前記複数の入力端ＭＥＭＳスイッチの各々の制御部と前記複数の出力端ＭＥＭＳスイッチの各々の制御部とを接続するように構成される複数の伝送ラインをさらに有し、
前記複数の伝送ラインの各々は、前記複数の入力端ＭＥＭＳスイッチの各々の制御部と前記複数の出力端ＭＥＭＳスイッチの各々の制御部とに動作信号を同時に伝送することを特徴とする請求項１１に記載のプローブカード。
【請求項１３】
複数の出力信号を伝送するように構成される複数の出力端と、
前記ウェーハの複数の出力パッドから前記複数の出力信号を受信するように構成される複数の出力プローブピンと、
前記複数の出力端と複数の出力プローブＭＥＭＳスイッチとを接続する複数の出力端ＭＥＭＳスイッチとをさらに有し、
前記複数の出力端ＭＥＭＳスイッチの各々は、動作信号を受信する制御部と、前記複数の出力端と前記複数の出力プローブＭＥＭＳスイッチとを接続する接続部とを含み、
前記複数の出力プローブＭＥＭＳスイッチの各々は、動作信号を受信する制御部と、前記複数の出力端ＭＥＭＳスイッチと前記複数の出力プローブピンとを接続する接続部とを含むことを特徴とする請求項１０に記載のプローブカード。
【請求項１４】
前記複数の入力プローブＭＥＭＳスイッチの各々の制御部と前記複数の出力プローブＭＥＭＳスイッチの各々の制御部とを接続するように構成される複数のプローブ伝送ラインをさらに有し、
前記複数のプローブ伝送ラインの各々は、前記複数の入力プローブＭＥＭＳスイッチの各々の制御部と前記複数の出力プローブＭＥＭＳスイッチの各々の制御部とに動作信号を同時に伝送することを特徴とする請求項１３に記載のプローブカード。
【請求項１５】
前記複数の入力端ＭＥＭＳスイッチの各々の制御部と前記複数の出力端ＭＥＭＳスイッチの各々の制御部とを接続するように構成される複数の伝送ラインをさらに有し、
前記複数の伝送ラインの各々は、前記複数の入力端ＭＥＭＳスイッチの各々の制御部と前記複数の出力端ＭＥＭＳスイッチの各々の制御部とに動作信号を同時に伝送することを特徴とする請求項１４に記載のプローブカード。
【請求項１６】
プローブカードを備えるテスト装置であって、
前記プローブカードは、第１入力端と第１入力プローブピンとを接続する第１入力端ＭＥＭＳスイッチと、
第１出力端と第１出力プローブピンとを接続する第１出力端ＭＥＭＳスイッチと、
第２入力端と第２入力プローブピンとを接続する第２入力端ＭＥＭＳスイッチと、
第２出力端と第２出力プローブピンとを接続する第２出力端ＭＥＭＳスイッチとを備えることを特徴とするテスト装置。
【請求項１７】
前記第１入力端にパルス入力信号を印加するように構成されるパルス生成器と、
前記第２入力端にＤＣ入力信号を印加するように構成されるソース測定ユニットと、
前記第１出力端からパルス出力信号を受信するように構成されるオシロスコープと、
前記第２出力端からＤＣ出力信号を受信するように構成される接地（ｇｒｏｕｎｄ  ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）とをさらに備えることを特徴とする請求項１６に記載のテスト装置。
【請求項１８】
前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチの制御部と前記第１出力端ＭＥＭＳスイッチの制御部とに第１動作信号を同時に印加するように構成される第１パワーソースと、
前記第２入力端ＭＥＭＳスイッチの制御部と前記第２出力端ＭＥＭＳスイッチの制御部とに第２動作信号を同時に印加するように構成される第２パワーソースと、
前記第１及び第２パワーソースを制御するように構成されるパワーソースコントローラとをさらに備え、
前記第２入力端ＭＥＭＳスイッチ及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチがオフ状態である時、前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチ及び第１出力端ＭＥＭＳスイッチがターンオンされ、
前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチ及び第１出力端ＭＥＭＳスイッチがオフ状態である時、前記第２入力端ＭＥＭＳスイッチ及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチがターンオンされることを特徴とする請求項１６に記載のテスト装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカード及びそれを備えるテスト装置に関し、特に、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）スイッチを備えるプローブカード及びそれを備えるテスト装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程を通じてウェーハ上に半導体素子が形成された後、それぞれの半導体素子に対する電気的特性テストが行われる。
電気的特性テストは、ウェーハ上の半導体素子に電気的信号を印加しつつ、印加された電気的信号から伝送される信号を感知して不良を判断するプローブカードを通じて行われる。
【０００３】
従来のプローブカードでは半導体素子に電気的信号を印加するのに機械的スイッチを用いてきたが、スイッチング動作が行われる時、機械的スイッチにより発生する電圧で半導体素子にダメージを与えたり、テストの測定の信頼性を劣化させるという問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、本発明は上記従来のプローブカードにおける問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、スイッチの動作時に半導体素子に印加されうるスパークを低減させ、電気的特性測定値の信頼性を向上させることができるプローブカード及びそれを備えるテスト装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するためになされた本発明によるプローブカードは、第１入力端と第１入力プローブピンとを接続する第１入力端ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）スイッチと、第１出力端と第１出力プローブピンとを接続する第１出力端ＭＥＭＳスイッチとを有し、前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチは、動作信号を受信する制御部と、前記第１入力端と前記第１入力プローブピンとを接続する接続部とを含み、前記第１出力端ＭＥＭＳスイッチは、動作信号を受信する制御部と、前記第１出力端と前記第１出力プローブピンとを接続する接続部とを含むことを特徴とする。
【０００６】
前記第１入力プローブピンと前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチとの距離と、前記第１出力プローブピンと前記第１出力端ＭＥＭＳスイッチとの距離は、約５０ｃｍ以下であることが好ましい。
前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチの前記制御部と前記第１出力端ＭＥＭＳスイッチの前記制御部は、互いに同じ動作信号を受信するように構成されることが好ましい。
前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチと前記第１入力プローブピンとを接続する第１入力プローブＭＥＭＳスイッチと、前記第１出力端ＭＥＭＳスイッチと前記第１出力プローブピンとを接続する第１出力プローブＭＥＭＳスイッチとをさらに有することが好ましい。
第２入力端と第２入力プローブピンとを接続する第２入力端ＭＥＭＳスイッチと、第２出力端と第２出力プローブピンとを接続する第２出力端ＭＥＭＳスイッチとをさらに有し、前記第２入力端ＭＥＭＳスイッチは、動作信号を受信する制御部と、前記第２入力端と前記第２入力プローブピンとを接続する接続部とを含み、前記第２出力端ＭＥＭＳスイッチは、動作信号を受信する制御部と、前記第２出力端と前記第２出力プローブピンとを接続する接続部とを含むことが好ましい。
【０００７】
前記第１入力端は、パルス入力信号を受信するパルス入力端であり、前記第２入力端は、ＤＣ（ｄｉｒｅｃｔ  ｃｕｒｒｅｎｔ）入力信号を受信するＤＣ入力端であり、前記第１出力端は、パルス出力信号を伝送するパルス出力端であり、前記第２出力端は、ＤＣ出力信号を伝送するＤＣ出力端であることが好ましい。
前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチの前記制御部と前記第１出力端ＭＥＭＳスイッチの前記制御部とを接続する第１伝送ラインと、前記第２入力端ＭＥＭＳスイッチの前記制御部と前記第２出力端ＭＥＭＳスイッチの前記制御部とを接続する第２伝送ラインとをさらに有し、前記第１及び第２伝送ラインを通じて伝送される動作信号は、同時に前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチ及び前記第１出力端ＭＥＭＳスイッチをターンオンさせ、かつ前記第２入力端ＭＥＭＳスイッチ及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチをターンオフさせるか、又は、同時に前記第２入力端ＭＥＭＳスイッチ及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチをターンオンさせ、かつ前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチ及び前記第１出力端ＭＥＭＳスイッチをターンオフさせることのうちの１つを行うことが好ましい。
前記第１及び第２伝送ラインと接続され、前記第１伝送ライン又は第２伝送ラインの１つに前記動作信号を伝送するパワーソーススイッチをさらに有することが好ましい。
前記パワーソーススイッチは、クロック信号によって前記第１伝送ライン又は第２伝送ラインの１つに前記動作信号を伝送するデマルチプレクサを含むことが好ましい。
【０００８】
また、上記目的を達成するためになされた本発明によるプローブカードは、複数の入力信号を受信するように構成される複数の入力端と、前記複数の入力信号をウェーハの複数の入力パッドに伝送するように構成される複数の入力プローブピンと、前記複数の入力端と複数の入力プローブＭＥＭＳスイッチとを接続する複数の入力端ＭＥＭＳスイッチとを有し、前記複数の入力端ＭＥＭＳスイッチの各々は、動作信号を受信する制御部と、前記複数の入力端と前記複数の入力プローブＭＥＭＳスイッチとを接続する接続部とを含み、前記複数の入力プローブＭＥＭＳスイッチの各々は、動作信号を受信する制御部と、前記複数の入力端ＭＥＭＳスイッチと前記複数の入力プローブピンとを接続する接続部とを含むことを特徴とする。
【０００９】
複数の出力信号を伝送するように構成される複数の出力端と、前記ウェーハの複数の出力パッドから前記複数の出力信号を受信するように構成される複数の出力プローブピンと、前記複数の出力端と前記複数の出力プローブピンとを接続する出力端ＭＥＭＳスイッチとをさらに有し、前記複数の出力端ＭＥＭＳスイッチの各々は、動作信号を受信する制御部と、前記複数の出力端と前記複数の出力プローブピンとを接続する接続部とを含むことが好ましい。
前記複数の入力端ＭＥＭＳスイッチの各々の制御部と前記複数の出力端ＭＥＭＳスイッチの各々の制御部とを接続するように構成される複数の伝送ラインをさらに有し、前記複数の伝送ラインの各々は、前記複数の入力端ＭＥＭＳスイッチの各々の制御部と前記複数の出力端ＭＥＭＳスイッチの各々の制御部とに動作信号を同時に伝送することが好ましい。
複数の出力信号を伝送するように構成される複数の出力端と、前記ウェーハの複数の出力パッドから前記複数の出力信号を受信するように構成される複数の出力プローブピンと、前記複数の出力端と複数の出力プローブＭＥＭＳスイッチとを接続する複数の出力端ＭＥＭＳスイッチとをさらに有し、前記複数の出力端ＭＥＭＳスイッチの各々は、動作信号を受信する制御部と、前記複数の出力端と前記複数の出力プローブＭＥＭＳスイッチとを接続する接続部とを含み、前記複数の出力プローブＭＥＭＳスイッチの各々は、動作信号を受信する制御部と、前記複数の出力端ＭＥＭＳスイッチと前記複数の出力プローブピンとを接続する接続部とを含むことが好ましい。
前記複数の入力プローブＭＥＭＳスイッチの各々の制御部と前記複数の出力プローブＭＥＭＳスイッチの各々の制御部とを接続するように構成される複数のプローブ伝送ラインをさらに有し、前記複数のプローブ伝送ラインの各々は、前記複数の入力プローブＭＥＭＳスイッチの各々の制御部と前記複数の出力プローブＭＥＭＳスイッチの各々の制御部とに動作信号を同時に伝送することが好ましい。
前記複数の入力端ＭＥＭＳスイッチの各々の制御部と前記複数の出力端ＭＥＭＳスイッチの各々の制御部とを接続するように構成される複数の伝送ラインをさらに有し、前記複数の伝送ラインの各々は、前記複数の入力端ＭＥＭＳスイッチの各々の制御部と前記複数の出力端ＭＥＭＳスイッチの各々の制御部とに動作信号を同時に伝送することが好ましい。
【００１０】
上記目的を達成するためになされた本発明によるテスト装置は、プローブカードを備えるテスト装置であって、前記プローブカードは、第１入力端と第１入力プローブピンとを接続する第１入力端ＭＥＭＳスイッチと、第１出力端と第１出力プローブピンとを接続する第１出力端ＭＥＭＳスイッチと、第２入力端と第２入力プローブピンとを接続する第２入力端ＭＥＭＳスイッチと、第２出力端と第２出力プローブピンとを接続する第２出力端ＭＥＭＳスイッチとを備えることを特徴とする。
【００１１】
前記第１入力端にパルス入力信号を印加するように構成されるパルス生成器と、前記第２入力端にＤＣ入力信号を印加するように構成されるソース測定ユニットと、前記第１出力端からパルス出力信号を受信するように構成されるオシロスコープと、前記第２出力端からＤＣ出力信号を受信するように構成される接地（ｇｒｏｕｎｄ  ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）とをさらに備えることが好ましい。
前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチの制御部と前記第１出力端ＭＥＭＳスイッチの制御部とに第１動作信号を同時に印加するように構成される第１パワーソースと、前記第２入力端ＭＥＭＳスイッチの制御部と前記第２出力端ＭＥＭＳスイッチの制御部とに第２動作信号を同時に印加するように構成される第２パワーソースと、前記第１及び第２パワーソースを制御するように構成されるパワーソースコントローラとをさらに備え、前記第２入力端ＭＥＭＳスイッチ及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチがオフ状態である時、前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチ及び第１出力端ＭＥＭＳスイッチがターンオンされ、前記第１入力端ＭＥＭＳスイッチ及び第１出力端ＭＥＭＳスイッチがオフ状態である時、前記第２入力端ＭＥＭＳスイッチ及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチがターンオンされることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係るプローブカード及びそれを備えるテスト装置によれば、ＭＥＭＳスイッチとプローブピンとを同じプローブカード内に形成することによって、ＭＥＭＳスイッチとプローブピンとの距離を最小化できる。したがって、スイッチ動作時に発生するスパークを０．１Ｖ以下に低減させることができる。従って、半導体素子に印加されるスパークも減少して素子の損傷を防止でき、電気的特性測定値及び検査信頼性を向上させることができるという効果がある。
また、スイッチング速度が１０μｓ未満のＭＥＭＳスイッチでスイッチング動作を行うので、スイッチング時間の損失を防止できる。したがってスイッチングによる信号のリップル（ｒｉｐｐｌｅ）を防止でき、スイッチングの過度期で電流と電圧との重畳により発生しうるスイッチング損失を防止できるという効果がある。
また、寿命が１億サイクル以上のＭＥＭＳスイッチを利用するので、スイッチのメンテナンスコストを低減できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施形態によるプローブカード及びそれを備えるテスト装置を示す概略図である。
【図２】本発明の第２の実施形態によるプローブカード及びそれを備えるテスト装置を示す概略図である。
【図３】本発明の第３の実施形態によるプローブカード及びそれを備えるテスト装置を示す概略図である。
【図４】本発明の第４の実施形態によるプローブカード及びそれを備えるテスト装置を示す概略図である。
【図５】本発明の第１の実施形態によるプローブカードを備えるテスト装置を用いた抵抗性の半導体素子のテスト方法を説明するためのフローチャートである。
【図６】本発明の第１の実施形態によるプローブカードを備えるテスト装置を用いた抵抗性の半導体素子のさらに詳細なテスト方法を説明するためのフローチャートである。
【図７】本発明の第３の実施形態によるプローブカードを備えるテスト装置を用いた抵抗性の半導体素子のテスト方法を説明するためのフローチャートである。
【図８】本発明の第３の実施形態によるプローブカードを備えるテスト装置を用いた抵抗性の半導体素子の他の実施例によるテスト方法を説明するためのフローチャートである。
【図９】（ａ）は既存のテスト装置を使用して測定した抵抗性の半導体素子の電流−抵抗特性を示すグラフであり、（ｂ）は本発明の実施形態によるプローブカードを備えるテスト装置を使用して測定した抵抗性の半導体素子の電流−抵抗特性を示すグラフである。
【図１０】（ａ）は本発明の一実施形態によるプローブカード内のＭＥＭＳスイッチを示す概略断面図であり、（ｂ）は本発明の他の実施形態によるプローブカード内のＭＥＭＳスイッチを示す概略断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に、本発明に係るプローブカード及びそれを備えるテスト装置を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【００１５】
以下、本発明の実施形態は、本発明の理想的な実施形態を概略的に図示する図面を参照して説明する。図面において、例えば、製造技術及び／または公差によって、図示された形状の変形が予想されうる。したがって、本発明の実施形態は、本明細書に図示された領域の特定形状に制限されると解釈されてはならず、例えば、製造上招来される形状の変化を含むべきである。
【００１６】
図１は、発明の第１の実施形態によるプローブカード１Ａ及びこれを含むテスト装置２Ａを示す概略図である。
図１を参照すると、プローブカード１Ａは、第１及び第２入力端１０ａ、１０ｂ、第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂ、入力プローブピン５０、出力プローブピン６０、第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂ、第１及び第２出力端１００ａ、１００ｂ、及び第１及び第２伝達ライン１１０ａ、１１０ｂを備える。
【００１７】
入力プローブピン５０、出力プローブピン６０、第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂ、及び第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂは、同じプローブカード１Ａ内に形成される。しかし、これに限定されるものではなく、一例として、入力プローブピン５０、出力プローブピン６０、第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂ、及び第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂは、相異なるプローブカード（図示せず）内に形成することも可能である。
本実施形態に示した入力端、入力端ＭＥＭＳスイッチ、出力端ＭＥＭＳスイッチ、出力端はいずれも２つであるが、これらの数は制限されず、単数であっても、３つ以上の複数であってもよい。
【００１８】
第１及び第２入力端１０ａ、１０ｂは複数であり得、それぞれが入力信号を受信できる。第１入力端１０ａは第１入力信号を受信することができ、第２入力端１０ｂは第２入力信号を受信することができる。第１入力端１０ａはパルス入力端であり、第１入力信号はパルス入力信号でありうる。第２入力端１０ｂはＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）入力端であり、第２入力信号はＤＣ入力信号でありうる。第１及び第２入力端１０ａ、１０ｂに受信されうる入力信号が、パルス入力信号及びＤＣ入力信号に限定されないということは明らかである。
【００１９】
第１入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａは、第１入力端１０ａと入力プローブピン５０との間に位置し、第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ｂは、第２入力端１０ｂと入力プローブピン５０との間に位置する。第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂは、それぞれが第１及び第２入力端１０ａ、１０ｂと入力プローブピン５０とを電気的に接続する機能を行える。
第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂは、動作信号を受信する制御部５、及び第１及び第２入力端１０ａ、１０ｂと入力プローブピン５０とを電気的に接続させる接続部６を各々備える。
【００２０】
入力プローブピン５０は、その一端が第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂと接続され、他端がウェーハ５００の入力パッド５１０と電気的に接続され得る。入力プローブピン５０は、第１及び第２入力端１０ａ、１０ｂから第１及び第２入力信号を受信でき、受信された第１及び第２入力信号をウェーハ５００の入力パッド５１０に伝達できる。入力プローブピン５０と第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂとの距離は、それぞれ０．１ｃｍ〜５０ｃｍでありうる。
【００２１】
第１及び第２出力端１００ａ、１００ｂは複数であり得、それぞれが出力信号を送信できる。第１出力端１００ａは第１出力信号を送信でき、第２出力端１００ｂは第２出力信号を送信できる。第１出力端１００ａはパルス出力端であり、第１出力信号はパルス出力信号でありうる。第２出力端１００ｂはＤＣ出力端であり、第２出力信号はＤＣ出力信号でありうる。第１及び第２出力端１００ａ、１００ｂから送信されうる出力信号は、パルス出力信号及びＤＣ出力信号に限定されないということは明らかである。
【００２２】
第１出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａは、第１出力端１００ａと出力プローブピン６０との間に位置し、第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ｂは、第２出力端１００ｂと出力プローブピン６０との間に位置する。第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂは、第１及び第２出力端１００ａ、１００ｂと出力プローブピン６０とを電気的に接続する機能を行える。第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂは、動作信号を受信する制御部５、及び第１及び第２出力端１００ａ、１００ｂと出力プローブピン６０とを電気的に接続させる接続部６を備える。
【００２３】
出力プローブピン６０は、その一端が第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂと接続され、他端がウェーハ５００の出力パッド５２０と電気的に接続され得る。出力プローブピン６０は、出力パッド５２０から出力信号を受信することができ、受信された出力信号を第１及び第２出力端１００ａ、１００ｂに伝達できる。出力プローブピン６０と第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂとの距離は、０．１ｃｍ〜５０ｃｍでありうる。
【００２４】
第１及び第２伝達ライン１１０ａ、１１０ｂは、それぞれが第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂの制御部５と第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂの制御部５とを電気的に接続させる。この時、第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂの制御部５及び第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂの制御部５は、同じ動作信号を受信するので、第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂ及び第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂのターンオン動作及びターンオフ動作が同時に行われうる。
【００２５】
例えば、第１入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａの制御部５と第１出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａの制御部５とが電気的に接続される。さらに具体的には、第１入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａの制御部５と第１出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａの制御部５とは第１伝達ライン１１０ａを通じて電気的に接続される。この時、第１伝達ライン１１０ａは、第１入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａの制御部５と第１出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａの制御部５とに動作信号を同時に伝達できる。したがって、第１入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａと第１出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａとは、同時にターンオン及びターンオフされうる。
【００２６】
同様に、第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ｂの制御部と第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ｂの制御部５とが電気的に接続され、第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ｂの制御部５と第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ｂの制御部５とは、第２伝達ライン１１０ｂを通じて電気的に接続される。この時、第２伝達ライン１１０ｂは、第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ｂの制御部５と第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ｂの制御部５とに動作信号を同時に伝達できる。したがって、第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ｂと第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ｂとは、同時にターンオン及びターンオフされうる。
【００２７】
テスト装置２Ａは、プローブカード１Ａを備えることができ、それ以外に、第１及び第２入力信号印加部２１０ａ、２１０ｂ、第１及び第２出力信号受信部２２０ａ、２２０ｂ、第１及び第２電源２３０ａ、２３０ｂ、第１電源コントローラ２４０ａをさらに備える。
【００２８】
第１入力信号印加部２１０ａは、第１入力端１０ａに第１入力信号を印加し、第２入力信号印加部２１０ｂは、第２入力端１０ｂに第２入力信号を印加する。第１入力信号印加部２１０ａは、パルス生成器であり、第１入力端１０ａは、パルス入力端でありうる。
第２入力信号印加部２１０ｂは、ソース測定ユニット（Ｓｏｕｒｃｅ  Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ  Ｕｎｉｔ：以下、ＳＭＵ）であり、第２入力端１０ｂは、ＤＣ入力端でありうる。第１入力信号は、パルス入力信号であり、第２入力信号は、ＤＣ入力信号でありうる。
【００２９】
この場合、例えば、第１入力信号印加部（パルス生成器）２１０ａは、プローブカード１Ａ内の第１入力端（パルス入力端）１０ａと電気的に接続され、第１入力信号印加部（パルス生成器）２１０ａは、パルス入力信号を第１入力端（パルス入力端）１０ａに印加する。第２入力信号印加部（ＳＭＵ）２１０ｂは、プローブカード１Ａ内の第２入力端（ＤＣ入力端）１０ｂと電気的に接続され、第２入力信号印加部（ＳＭＵ）２１０ｂは、ＤＣ入力信号を第２入力端（ＤＣ入力端）１０ｂに印加する。第１及び第２入力信号印加部２１０ａ、２１０ｂが、パルス生成器及びＳＭＵに限定されないということは明らかである。
【００３０】
第１出力信号受信部２２０ａは、第１出力端１００ａから第１出力信号を受信し、第２出力信号受信部２２０ｂは、第２出力端１００ｂから第２出力信号を受信することができる。第１出力信号受信部２２０ａは、オシロスコープであり、第１出力端１００ａは、パルス出力端でありうる。第２出力信号受信部２２０ｂは、接地（ｇｒｏｕｎｄ  ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）で具現され、第２出力端１００ｂは、ＤＣ出力端でありうる。第１出力信号はパルス出力信号であり、第２出力信号はＤＣ出力信号でありうる。
【００３１】
この場合、例えば、第１出力信号受信部（オシロスコープ）２２０ａは、プローブカード１Ａ内の第１出力端（パルス出力端）１００ａと電気的に接続され、第１出力端（パルス出力端）１００ａから送信されたパルス出力信号を受信する。第２出力信号受信部（接地）２２０ｂは、プローブカード１Ａ内の第２出力端（ＤＣ出力端）１００ｂと電気的に接続され、第２出力端（ＤＣ出力端）１００ｂから送信されたＤＣ出力信号を受信する。第１及び第２出力信号受信部２２０ａ、２２０ｂがオシロスコープ及びグラウンドに限定されないということは明らかである。
【００３２】
第１及び第２電源２３０ａ、２３０ｂは、第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂの制御部５、及び第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂの制御部５に、動作信号を同時に印加する。さらに具体的には、第１及び第２電源２３０ａ、２３０ｂは、プローブカード１Ａ内の伝達ライン１１０ａ、１１０ｂと電気的に接続されて、第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂの制御部５、及び第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂの制御部５に、動作信号を同時に印加する。
【００３３】
例えば、第１電源２３０ａは、第１伝達ライン１１０ａと電気的に接続されて、第１入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａの制御部５、及び第１出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａの制御部５に、第１動作信号を同時に印加する。したがって、第１入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ及び第１出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａが、同時にターンオン及びターンオフされうる。
【００３４】
第２電源２３０ｂは、第２伝達ライン１１０ｂと電気的に接続されて、第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ｂの制御部５、及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ｂの制御部５に、第２動作信号を同時に印加する。したがって、第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ｂ及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ｂが、同時にターンオン及びターンオフされうる。
【００３５】
第１電源コントローラ２４０ａは、第１電源２３０ａ及び第２電源２３０ｂと電気的に接続される。第１電源コントローラ２４０ａは、第１電源２３０ａ及び第２電源２３０ｂが交互に動作するように、第１電源２３０ａ及び第２電源２３０ｂを制御する。
したがって、第１入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ及び第１出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａが同時にターンオンする場合、第１電源コントローラ２４０ａにより、第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ｂ及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ｂが同時にターンオフされる。
【００３６】
同様に、第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ｂ及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ｂが同時にターンオンする場合、第１電源コントローラ２４０ａにより、第１入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ及び第１出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａが同時にターンオフされる。
【００３７】
図２は、本発明の第２の実施形態によるプローブカード１Ｂ、及びこれを備えるテスト装置２Ｂを示す概略図である。
本実施形態によるプローブカード１Ｂ及びテスト装置２Ｂは、図１のプローブカード１Ａ及びテスト装置２Ａの変形された例である。以下、重なる説明は省略する。
【００３８】
図２を参照すると、プローブカード１Ｂは、パワーソーススイッチ２５０をさらに備えることができる。パワーソーススイッチ２５０は、第１伝達ライン１１０ａ及び第２伝達ライン１１０ｂと電源２３０との間に配置される。
パワーソーススイッチ２５０は、電源２３０と接続されて、電源２３０から印加された動作信号を、第１伝達ライン１１０ａ及び第２伝達ライン１１０ｂのうちいずれか１つのみに伝達できる。図２の場合、パワーソーススイッチ２５０がプローブカード１Ｂ内に形成される構造であるが、パワーソーススイッチ２５０は、プローブカード１Ｂ以外、すなわち、テスト装置２Ｂ内に形成することも可能である。
【００３９】
例えば、パワーソーススイッチ２５０は、デマルチプレクサで具現されうる。
パワーソーススイッチ（デマルチプレクサ）２５０は、電源２３０から印加された動作信号を入力して、クロック信号ＣＬＫによって動作信号を、第１伝達ライン１１０ａ及び第２伝達ライン１１０ｂのうちいずれか１つのみに伝える。さらに具体的には、パワーソーススイッチ（デマルチプレクサ）２５０で受信したクロック信号ＣＬＫが‘１’または‘ハイ（ｈｉｇｈ）’の場合、電源２３０の動作信号は第１伝達ライン１１０ａに印加され、デマルチプレクサ２５０で受信したクロック信号ＣＬＫが‘０’または‘ロー（ｌｏｗ）’の場合、電源２３０の動作信号は第２伝達ライン１１０ｂに印加される。パワーソーススイッチ２５０はデマルチプレクサに限定されず、デマルチプレクサと同一または類似した機能を行うような等価回路で具現できる。
【００４０】
図３は、本発明の第３の実施形態によるプローブカード１Ｃ及びこれを備えるテスト装置２Ｃを示す概略図である。
本実施形態によるプローブカード及びテスト装置は、図１のプローブカード１Ａ及びテスト装置２Ａの変形された例である。以下、重なる説明は省略する。
【００４１】
図３を参照すると、プローブカード１Ｃは、第１及び第２入力端１０ａ、１０ｂ、第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂ、第１連結部３０、第１〜第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、第１〜第３入力プローブピン５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、第１〜第３出力プローブピン６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、第１〜第３出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ａ、７０ｂ、７０ｃ、第２連結部８０、第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂ、第１及び第２出力端１００ａ、１００ｂ、第１及び第２伝達ライン１１０ａ、１１０ｂ、Ａ〜Ｃプローブ伝達ライン１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃを備える。
【００４２】
第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂ、第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂ、第１〜第３入力プローブピン５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、第１〜第３出力プローブピン６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、第１〜第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、第１〜第３出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ａ、７０ｂ、７０ｃは、互いに同じプローブカード１Ａ、または相異なるプローブカード（図示せず）内で形成されうる。
【００４３】
本実施形態に示した入力端、入力端ＭＥＭＳスイッチ、出力端ＭＥＭＳスイッチ、出力端はいずれも２つであるが、これらの数に制限されず、１であっても、３つ以上であってもよい。同様に、本実施形態に示した入力プローブＭＥＭＳスイッチ、入力プローブピン、入力パッド、出力パッド、出力プローブピン、出力プローブＭＥＭＳスイッチの数はいずれも３つであるが、これらの数に制限されず、１つまたは２つであっても、４つ以上であってもよい。
【００４４】
第１入力端１０ａは、第１入力信号を受信でき、第２入力端１０ｂは、第２入力信号を受信できる。第１入力端１０ａは、パルス入力端であり、第１入力信号は、パルス入力信号でありうる。第２入力端１０ｂは、ＤＣ入力端であり、第２入力信号は、ＤＣ信号でありうる。第１及び第２入力端１０ａ、１０ｂに受信されうる入力信号が、パルス入力信号及びＤＣ入力信号に限定されないということは、前述した通りである。
【００４５】
第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂは、第１及び第２入力端１０ａ、１０ｂと第１連結部３０との間に位置する。さらに具体的には、第１入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａは、第１入力端１０ａと第１連結部３０との間に位置し、第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ｂは、第２入力端１０ｂと第１連結部３０との間に位置する。第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂと第１〜第３入力プローブピン５０ａ、５０ｂ、５０ｃとの距離は、０．１ｃｍ〜５０ｃｍでありうる。第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂのそれぞれは、動作信号を受信する制御部５、及びそれぞれの入力端１０ａ、１０ｂと第１連結部３０とを電気的に接続させる接続部６を備える。
【００４６】
第１〜第３入力プローブピン５０ａ、５０ｂ、５０ｃは、その一端が第１〜第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａ、４０ｂ、４０ｃと接続され、他端がウェーハ５００の第１〜第３入力パッド５１０ａ、５１０ｂ、５１０ｃと電気的に接続されうる。
【００４７】
第１〜第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａ、４０ｂ、４０ｃは、第１〜第３入力プローブピン５０ａ、５０ｂ、５０ｃと第１連結部３０との間にそれぞれ位置する。第１〜第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａ、４０ｂ、４０ｃと、第１〜第３入力プローブピン５０ａ、５０ｂ、５０ｃとの距離は、それぞれ０．１ｃｍ〜５０ｃｍでありうる。
第１〜第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａ、４０ｂ、４０ｃのそれぞれは、動作信号を受信する制御部５、及び第１から第３入力パッド５１０ａ、５１０ｂ、５１０ｃと第１連結部３０とを電気的に接続させる接続部６を備える。
【００４８】
第１及び第２出力端１００ａ、１００ｂは、出力信号を伝送する。第１出力端１００ａは、第１出力信号を伝送し、第２出力端１００ｂは、第２出力信号を伝送する。第１出力端１００ａは、パルス出力端であり、第１出力信号は、パルス出力信号でありうる。第２出力端１００ｂは、ＤＣ出力端であり、第２出力信号は、ＤＣ出力信号でありうる。第１及び第２出力端１００ａ、１００ｂが伝送できる入力信号は、パルス入力信号及びＤＣ入力信号に限定されないということは、前述した通りである。
【００４９】
第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂは、第１及び第２出力端１００ａ、１００ｂと第２連結部８０との間に位置する。さらに具体的には、第１出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａは、第１出力端１００ａと第２連結部８０との間に位置し、第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ｂは、第２出力端１００ｂと第２連結部８０との間に位置する。
【００５０】
第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂと第１〜第３出力プローブピン６０ａ、６０ｂ、６０ｃとの距離は、０．１ｃｍ〜５０ｃｍでありうる。第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂは、動作信号を受信する制御部５、及び第１及び第２出力端１００ａ、１００ｂと第２連結部８０とを電気的に接続させる接続部６を備える。
【００５１】
第１〜第３出力プローブピン６０ａ、６０ｂ、６０ｃのそれぞれは、その一端が第１〜第３出力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａ、４０ｂ、４０ｃと接続され、他端がウェーハ５００の第１〜第３出力パッド５２０ａ、５２０ｂ、５２０ｃと電気的に接続される。
【００５２】
第１〜第３出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ａ、７０ｂ、７０ｃは、第１〜第３出力プローブピン６０ａ、６０ｂ、６０ｃと第２連結部８０との間に位置する。出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ａ、７０ｂ、７０ｃと出力プローブピン６０ａ、６０ｂ、６０ｃとの距離は、０．１ｃｍ〜５０ｃｍでありうる。第１〜第３出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ａ、７０ｂ、７０ｃは、動作信号を受信する制御部５、及び第１〜第３出力パッド５２０ａ、５２０ｂ、５２０ｃと第２連結部８０とを電気的に接続させる接続部６を備える。
【００５３】
第１及び第２伝達ライン１１０ａ、１１０ｂは、第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂの制御部５、及び第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂの制御部５と電気的に接続される。さらに具体的には、第１伝達ライン１１０ａは、第１入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ及び第１出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａと電気的に接続され、第２伝達ライン１１０ｂは、第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ｂ及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ｂと電気的に接続される。
【００５４】
Ａ〜Ｃプローブ伝達ライン１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃは、第１〜第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａ、４０ｂ、４０ｃの制御部５、及び第１〜第３出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ａ、７０ｂ、７０ｃの制御部５と電気的に接続される。
さらに具体的には、Ａプローブ伝達ライン１１５ａは、第１入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａの制御部５、及び第１出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ａの制御部５と電気的に接続され、Ｂプローブ伝達ライン１１５ｂは、第２入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ｂの制御部５、及び第２出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ｂの制御部５と電気的に接続される。同様に、Ｃプローブ伝達ライン１１５ｃは、第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ｃの制御部５、及び第３出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ｃの制御部５と電気的に接続される。
【００５５】
テスト装置２Ｃは、プローブカード１Ｃを備え、それ以外に第１及び第２入力信号印加部２１０ａ、２１０ｂ、第１及び第２出力信号受信部２２０ａ、２２０ｂ、第１及び第２電源２３０ａ、２３０ｂ、Ａ〜Ｃ電源２３５ａ、２３５ｂ、２３５ｃ、第１電源コントローラ２４０ａ及び第２電源コントローラ２４０ｂをさらに備える。
【００５６】
第１及び第２入力信号印加部２１０ａ、２１０ｂは、第１及び第２入力端１０ａ、１０ｂに入力信号を印加する。第１入力信号印加部２１０ａは、パルス生成器であり、第２入力信号印加部２１０ｂは、ＳＭＵでありうる。この場合、第１入力信号印加部（パルス生成器）２１０ａは、第１入力端（パルス入力端）１０ａにパルス入力信号を印加し、第２入力信号印加部（ＳＭＵ）２１０ｂは、第２入力端（ＤＣ入力端）１０ｂにＤＣ入力信号を印加する。
【００５７】
第１及び第２出力信号受信部２２０ａ、２２０ｂは、第１及び第２出力端１００ａ、１００ｂからの出力信号を受信する。例えば、第１出力信号受信部２２０ａは、オシロスコープであり、第２出力信号受信部２２０ｂは、接地でありうる。この場合、第１出力信号受信部（オシロスコープ）２２０ａは、第１出力端（パルス出力端）１００ａからパルス出力信号を受信し、第２出力信号受信部（接地）２２０ｂは、第２出力端（ＤＣ出力端）１００ｂからＤＣ出力信号を受信する。
【００５８】
第１及び第２電源２３０ａ、２３０ｂは、第１及び第２伝達ライン１１０ａ、１１０ｂと電気的に接続されて、第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ、２０ｂの制御部５、及び第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂの制御部５にそれぞれ動作信号を印加する。
さらに具体的には、第１電源２３０ａは、第１伝達ライン１１０ａを通じて、第１入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａの制御部５、及び第１出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａの制御部５に動作信号を印加する。同様に、第２電源２３０ｂは、第２伝達ライン１１０ｂを通じて、第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ｂの制御部５、及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ｂの制御部５に動作信号を印加する。
【００５９】
Ａ〜Ｃ電源２３５ａ、２３５ｂ、２３５ｃは、Ａ〜Ｃプローブ伝達ライン１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃと電気的に接続されて、第１〜第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａ、４０ｂ、４０ｃの制御部５、及び第１〜第３出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ａ、７０ｂ、７０ｃの制御部５に、それぞれ動作信号を印加する。
さらに具体的には、Ａ電源２３５ａは、Ａプローブ伝達ライン１１５ａを通じて、第１入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａの制御部５、及び第１出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ａの制御部５に動作信号を印加する。また、Ｂ電源２３５ｂは、Ｂプローブ伝達ライン１１５ｂを通じて、第２入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ｂの制御部５、及び第２出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ｂの制御部５に動作信号を印加する。同様に、Ｃ電源２３５ｃは、Ｃプローブ伝達ライン１１５ｃを通じて、第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ｃの制御部５、及び第３出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ｃの制御部５に動作信号を印加する。
【００６０】
第１電源コントローラ２４０ａは、第１及び第２電源２３０ａ、２３０ｂと電気的に接続される。第１電源コントローラ２４０ａは、第１電源２３０ａ及び第２電源２３０ｂが交互に動作するように、第１電源２３０ａ及び第２電源２３０ｂを制御する。
したがって、第１入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ及び第１出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａが同時にターンオンする場合、第１電源コントローラ２４０ａにより、第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ｂ及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ｂが同時にターンオフされる。
同様に、第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ｂ及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ｂが同時にターンオンする場合、第１電源コントローラ２４０ａにより、第１入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ及び第１出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａが同時にターンオフされる。
【００６１】
第２電源コントローラ２４０ｂは、Ａ〜Ｃ電源２３５ａ、２３５ｂ、２３５ｃと電気的に接続される。第２電源コントローラ２４０ｂは、Ａ〜Ｃ電源２３５ａ、２３５ｂ、２３５ｃが交互に動作するように、Ａ〜Ｃ電源２３５ａ、２３５ｂ、２３５ｃを制御する。
したがって、第１入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａ及び第１出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ａが同時にターンオンする場合、残りの第２及び第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ｂ、４０ｃ及び第２及び第３出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ｂ、７０ｃは、同時にターンオフされる。また、第２入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ｂ及び第２出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ｂが同時にターンオンする場合、残りの第１及び第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａ、４０ｃ、及び第１及び第３出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ａ、７０ｃは同時にターンオフされる。同様に、第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ｃ及び第３出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ｃが同時にターンオンする場合、残りの第１及び第２入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａ、４０ｂ、及び第１及び第２出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ａ、７０ｂは同時にターンオフされる。
【００６２】
図面には示していないが、図２と同様に、第１パワーソーススイッチ（図２の符号２５０）をプローブカード１Ｃ内、又はテスト装置２Ｃに配置することによって、第１及び第２電源２３０ａ、２３０ｂの代わりに、１つの電源だけで第１及び第２伝達ライン１１０ａ、１１０ｂに動作信号を交互に印加できる。第１パワーソーススイッチが第１デマルチプレクサで具現される場合、第１デマルチプレクサは、（１  ｔｏ  ｌｏｇ２Ｎ）デマルチプレクサでありうる。
【００６３】
また、第２パワーソーススイッチ（図示せず）を、プローブカード１Ｃ内、又はテスト装置２Ｃに配置することによって、Ａ〜Ｃ電源２３５ａ、２３５ｂ、２３５ｃの代わりに、１つの電源だけでＡ〜Ｃプローブ伝達ライン１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃに動作信号を交互に印加できる。第２パワーソーススイッチが第２デマルチプレクサで具現される場合、第２デマルチプレクサは、（１  ｔｏ  ｌｏｇ２Ｍ）デマルチプレクサでありうる。
【００６４】
図４は、本発明の第４の実施形態によるプローブカード１Ｄ及びこれを含むテスト装置２Ｄを示す概略図である。
本実施形態によるプローブカード及びテスト装置は、図３のプローブカード１Ｃ及びテスト装置２Ｃの変形された例である。以下、重なる説明は省略する。
【００６５】
図４を参照すると、第１〜第３入力パッド５１０ａ、５１０ｂ、５１０ｃの数は３つである一方、出力パッド５２０は共通出力パッドであって、１つでありうる。この場合、第１〜第３入力プローブピン５０ａ、５０ｂ、５０ｃの数は３つであり、出力プローブピン６０は１つである。したがって、出力プローブピン６０は、その一端が第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａ、９０ｂと接続され、他端がウェーハ５００の共通出力パッド５２０と電気的に接続される。
【００６６】
Ａ〜Ｃプローブ伝達ライン１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃは、第１〜第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａ、４０ｂ、４０ｃの制御部５と電気的に接続される。さらに具体的には、Ａプローブ伝達ライン１１５ａは、第１入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａの制御部５と電気的に接続され、Ｂプローブ伝達ライン１１５ｂは、第２入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ｂの制御部５と電気的に接続される。同様に、Ｃプローブ伝達ライン１１５ｃは、第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ｃの制御部５と電気的に接続される。
【００６７】
Ａ〜Ｃ電源２３５ａ、２３５ｂ、２３５ｃは、Ａ〜Ｃプローブ伝達ライン１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃと電気的に接続されて、第１〜第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａ、４０ｂ、４０ｃの制御部５に動作信号を印加する。さらに具体的には、Ａ電源２３５ａは、Ａプローブ伝達ライン１１５ａを通じて、第１入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａの制御部５に動作信号を印加する。また、Ｂ電源２３５ｂは、Ｂプローブ伝達ライン１１５ｂを通じて、第２入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ｂの制御部５に動作信号を印加する。同様に、Ｃ電源２３５ｃは、Ｃプローブ伝達ライン１１５ｃを通じて、第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ｃの制御部５に動作信号を印加する。
【００６８】
第２電源コントローラ２４０ｂは、Ａ〜Ｃ電源２３５ａ、２３５ｂ、２３５ｃと電気的に接続される。第２電源コントローラ２４０ｂは、Ａ〜Ｃ電源２３５ａ、２３５ｂ、２３５ｃが交互に動作するように、Ａ〜Ｃ電源２３５ａ、２３５ｂ、２３５ｃを制御する。
したがって、第１入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａがターンオンする場合、残りの第２及び第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ｂ、４０ｃはターンオフされる。同様に、第２入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ｂがターンオンする場合、残りの第１及び第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａ、４０ｃはターンオフされる。また、第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ｃがターンオンする場合、残りの第１及び第２入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａ、４０ｂはターンオフされる。
【００６９】
図５は、本発明の第１の実施形態によるプローブカードを備えるテスト装置を用いた抵抗性の半導体素子のテスト方法６００を説明するためのフローチャートである。
本例では、テスト方法が、図１に開示されたテスト装置を利用して行われる場合を例示する。
【００７０】
図１及び図５を参照すると、テスト装置２Ａの第１電源コントローラ２４０ａは、第１電源２３０ａが動作信号を生成するように制御する（ステップＳ６１０）。
生成された動作信号は第１伝達ライン１１０ａに印加され、したがって、第１入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ及び第１出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａが同時にターンオンされる。この場合、第１電源コントローラ２４０ａにより第２電源２３０ｂの動作信号が生成されないので、第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ｂ及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ｂは、ターンオフ状態である。
【００７１】
次に、第１入力信号印加部（パルス生成器）２１０ａはパルス入力信号を生成する（ステップＳ６２０）。
入力プローブピン５０は、パルス入力信号を入力パッド５１０に伝達する（ステップＳ６３０）。
入力パッド５１０に伝えられたパルス入力信号は、ウェーハ５００内の半導体素子（図示せず）によりパルス出力信号に変換されて、出力パッド５２０に伝えられる。
【００７２】
出力パッド５２０と電気的に接続された出力プローブピン６０は、パルス出力信号を第１出力信号受信部（オシロスコープ）２２０ａに伝達する（ステップＳ６４０）。
第１出力信号受信部（オシロスコープ）２２０ａは、パルス入力信号及びパルス出力信号に基づいて電流を測定する（ステップＳ６５０）。
【００７３】
次に、第１電源コントローラ２４０ａは、第２電源２３０ｂが動作信号を生成するように制御する（ステップＳ６６０）。
生成された動作信号は第２伝達ライン１１０ｂに印加され、したがって、第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ｂ及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ｂが同時にターンオンされる。この場合、第１電源コントローラ２４０ａにより第１電源２３０ａの動作信号が生成されないので、第１入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ及び第１出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａは、ターンオフ状態である。
【００７４】
次に、第２入力信号印加部（ＳＭＵ）２１０ｂは、ＤＣ入力信号を生成する（ステップＳ６７０）。
入力プローブピン５０は、ＤＣ入力信号を入力パッド５１０に伝達する（ステップＳ６８０）。
入力パッド５１０に伝えられたＤＣ入力信号は、ウェーハ５００内の半導体素子（図示せず）によりＤＣ出力信号に変換されて、出力パッド５２０に伝えられる。
【００７５】
出力パッド５２０と電気的に接続された出力プローブピン６０は、ＤＣ出力信号を第２出力信号受信部（接地）２２０ｂに伝達する（ステップＳ６９０）。
第２入力信号印加部（ＳＭＵ）２１０ｂは、ＤＣ入力信号及びＤＣ出力信号に基づいて半導体素子の抵抗を測定する（ステップＳ７００）。
【００７６】
図６は、本発明の第１の実施形態によるプローブカードを備えるテスト装置を用いた抵抗性の半導体素子のさらに詳細なテスト方法７００を説明するためのフローチャートである。
本実施形態によるテスト方法は、図５のテスト方法をさらに詳細に示すものである。
【００７７】
図５で説明したテスト方法は、パルス信号及びＤＣ信号による電流及び抵抗特性の測定による、半導体素子のテスト方法を示したものであるが、図６で説明するテスト方法は、図５で説明したテスト方法よりさらに詳細であり、素子のＳＥＴプログラム後のＳＥＴ電流及びＳＥＴ抵抗と、ＲＥＳＥＴプログラム後のＲＥＳＥＴ電流及びＲＥＳＥＴ抵抗との測定によるテスト方法を示すものである。以下、図５及び図６で重なる説明は省略する。
【００７８】
図１、図５及び図６を参照すると、抵抗性の半導体素子のテストのために、高周波信号による半導体素子の電流及び抵抗特性が測定される。テスト方法７００は、ＳＥＴプログラム後の電流及び抵抗を測定するステップ、及びＲＥＳＥＴプログラム後の電流及び抵抗を測定するステップを含む。
【００７９】
ＳＥＴプログラム後の電流を測定するために、まず、最初の測定値（例えば、Ｋ＝１）をセットし（ステップＳ６１０ａ）、
次に、第１電源２３０ａが動作信号を生成し（ステップＳ６２０ａ）、
第１伝達ライン１１０ａに動作信号が印加されれば、第１入力信号印加部（パルス生成器）２１０ａは、最初のＳＥＴパルス入力信号を生成する（ステップＳ６３０ａ）。
【００８０】
次に、最初のＳＥＴパルス入力信号は、入力プローブピン５０及び入力パッド５１０を通じて半導体素子（図示せず）に伝えられ（ステップＳ６３０ａ）、そして、最初のＳＥＴパルス入力信号は、最初のＳＥＴパルス出力信号に変換されて出力パッド５２０、出力プローブピン６０、及び第１出力信号受信部（オシロスコープ）２２０ａに伝えられる。第１出力信号受信部（オシロスコープ）２２０ａは、最初のＳＥＴパルス入力信号及び最初のＳＥＴパルス出力信号に基づいて、最初のＳＥＴ電流を測定する（ステップＳ６５０ａ）。
【００８１】
ＳＥＴプログラム後の抵抗を測定するために、まず、第２電源２３０ｂが動作信号を生成し（ステップＳ６６０ａ）、
第２伝達ライン１１０ｂに動作信号が印加されれば、第２入力信号印加部（ＳＭＵ）２１０ｂは、最初のＳＥＴ  ＤＣ入力信号を生成する（ステップＳ６７０ａ）。
次に、最初のＳＥＴ  ＤＣ入力信号は、入力プローブピン５０及び入力パッド５１０を通じて半導体素子（図示せず）に伝えられ（ステップＳ６８０ａ）、そして、最初のＳＥＴ  ＤＣ入力信号は、最初のＳＥＴ  ＤＣ出力信号に変換されて、出力パッド５２０、出力プローブピン６０、及び第２出力信号受信部（接地）２２０ｂに伝えられる（ステップＳ６９０ａ）。
【００８２】
第２入力信号印加部（ＳＭＵ）２１０ｂは、最初のＳＥＴ  ＤＣ入力信号と最初のＳＥＴ  ＤＣ出力信号とに基づいて、最初のＳＥＴ抵抗を測定する（ステップＳ７００ａ）。
ＲＥＳＥＴプログラム後の電流を測定するために、第１電源２３０ａが動作信号を生成し（ステップＳ６１０ｂ）、
第１伝達ライン１１０ａに動作信号が印加されれば、第１入力信号印加部（パルス生成器）２１０ａは、最初のＲＥＳＥＴパルス入力信号を生成する（ステップＳ６２０ｂ）。
【００８３】
次に、最初のＲＥＳＥＴパルス入力信号は、入力プローブピン５０及び入力パッド５１０を通じて半導体素子に伝えられ（ステップＳ６３０ｂ）、そして、最初のＲＥＳＥＴパルス入力信号は、最初のＲＥＳＥＴパルス出力信号に変換されて、出力パッド５２０、出力プローブピン６０、及び第１出力信号受信部（オシロスコープ）２２０ａに伝えられる（ステップＳ６４０ｂ）。第１出力信号受信部（オシロスコープ）２２０ａは、最初のＲＥＳＥＴパルス入力信号と最初のＲＥＳＥＴパルス出力信号とに基づいて、最初のＲＥＳＥＴ電流を測定する（ステップＳ６５０ｂ）。
【００８４】
ＲＥＳＥＴプログラム後の抵抗を測定するために、まず、第２電源２３０ｂが動作信号を生成し（ステップＳ６６０ｂ）、
第２伝達ライン１１０ｂに動作信号が印加されれば、第２入力信号印加部（ＳＭＵ）２１０ｂは、最初のＲＥＳＥＴ  ＤＣ入力信号を生成する（ステップＳ６７０ｂ）。
【００８５】
次に、最初のＲＥＳＥＴ  ＤＣ入力信号は、入力プローブピン５０及び入力パッド５１０を通じて半導体素子に伝えられ（ステップＳ６８０ｂ）、そして、最初のＲＥＳＥＴ  ＤＣ入力信号は、最初のＲＥＳＥＴ  ＤＣ出力信号に変換されて、出力パッド５２０、出力プローブピン６０、及び第２出力信号受信部（接地）２２０ｂに伝えられる（ステップＳ６９０ｂ）。第２入力信号印加部（ＳＭＵ）２１０ｂは、最初のＲＥＳＥＴ  ＤＣ入力信号と最初のＲＥＳＥＴ  ＤＣ出力信号とに基づいて、最初のＲＥＳＥＴ抵抗を測定する（ステップＳ７００ｂ）。
【００８６】
上述したプロセスを通じて、最初のＳＥＴ電流、最初のＳＥＴ抵抗、最初のＲＥＳＥＴ電流、及び最初のＲＥＳＥＴ抵抗を測定する。上述したステップを繰り返して、すなわち、Ｋ値を増加させつつ２番目〜Ｋ番目のＳＥＴ電流、ＳＥＴ抵抗、ＲＥＳＥＴ電流及びＲＥＳＥＴ抵抗を測定する。
上述したプロセスを通じて測定されたＳＥＴ電流、ＳＥＴ抵抗、ＲＥＳＥＴ電流、ＲＥＳＥＴ電流が、それぞれサンプリングしようとする測定値の数と一致すれば、すなわち、“Ｋ＝サンプリング数”の場合にプロセスが終了する。
【００８７】
図７は、本発明の第３の実施形態によるプローブカードを備えるテスト装置を用いた抵抗性の半導体素子のテスト方法８００を説明するためのフローチャートである。
本実施形態によるテスト方法は、図３に開示したテスト装置を利用して行う。
【００８８】
図３及び図７を参照すると、まず、第２電源コントローラ２４０ｂは、Ａ電源２３５ａが動作信号を生成するように制御する（ステップＳ８１０）。
生成された動作信号は、Ａプローブ伝達ライン１１５ａに印加され、したがって、第１入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ａ及び第１出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ａが、同時にターンオンされる。したがって、第１連結部３０と第１入力プローブピン５０ａ、及び第２連結部８０と第１出力プローブピン６０ａが電気的に接続される。
【００８９】
次に、第１入力パッド５１０ａと第１出力パッド５２０ａ間の半導体素子（図示せず）の電流及び抵抗特性を測定する（ステップＳ８２０）。
さらに具体的には、第１電源２３０ａが動作信号を第１伝達ライン１１０ａに印加し、第１入力信号印加部（パルス生成器）２１０ａと第１出力信号受信部（オシロスコープ）２２０ａとを利用して、第１入力パッド５１０ａと第１出力パッド５２０ａ間の半導体素子（図示せず）の最初〜Ｋ番目のＳＥＴ電流及びＲＥＳＥＴ電流を測定する。また、第２電源２３０ｂが第２伝達ライン１１０ｂに動作信号を印加し、第２入力信号印加部（ＳＭＵ）２１０ｂを利用して、第１入力パッド５１０ａと第１出力パッド５２０ａ間の半導体素子（図示せず）の最初〜Ｋ番目のＳＥＴ抵抗及びＲＥＳＥＴ抵抗を測定する。
【００９０】
次に、第２電源コントローラ２４０ｂは、Ｂ電源２３５ｂが動作信号を生成するように制御する（ステップＳ８３０）。
生成された動作信号はＢプローブ伝達ライン１１５ｂに印加され、したがって、第２入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ｂ及び第２出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ｂが同時にターンオンされる。したがって、第１連結部３０と第２入力プローブピン５０ｂ、及び第２連結部８０と第２出力プローブピン６０ｂとが電気的に接続される。
【００９１】
次に、第２入力パッド５１０ｂと第２出力パッド５２０ｂ間の半導体素子（図示せず）の電流及び抵抗特性を測定する（ステップＳ８４０）。
さらに具体的には、第１電源２３０ａが動作信号を第１伝達ライン１１０ａに印加し、第１入力信号印加部（パルス生成器）２１０ａと第１出力信号受信部（オシロスコープ）２２０ａとを利用して、第２入力パッド５１０ｂと第２出力パッド５２０ｂ間の半導体素子（図示せず）の最初〜Ｋ番目のＳＥＴ電流及びＲＥＳＥＴ電流を測定する。また、第２電源２３０ｂが第２伝達ライン１１０ｂに動作信号を印加し、第２入力信号印加部（ＳＭＵ）２１０ｂを利用して、第２入力パッド５１０ｂと第２出力パッド５２０ｂ間の半導体素子（図示せず）の最初〜Ｋ番目のＳＥＴ抵抗及びＲＥＳＥＴ抵抗を測定する。
【００９２】
次に、第２電源コントローラ２４０ｂは、Ｃ電源２３５ｃが動作信号を生成するように制御する（ステップＳ８５０）。
生成された動作信号はＣプローブ伝達ライン１１５ｃに印加され、したがって、第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ４０ｃ及び第３出力プローブＭＥＭＳスイッチ７０ｃが、同時にターンオンされる。したがって、第１連結部３０と第３入力プローブピン５０ｃ、及び第２連結部８０と第３出力プローブピン６０ｃとが電気的に接続される。
【００９３】
次に、第３入力パッド５１０ｃと第３出力パッド５２０ｃ間の半導体素子（図示せず）の電流及び抵抗特性を測定する（ステップＳ８６０）。
さらに具体的には、第１電源２３０ａが動作信号を第１伝達ライン１１０ａに印加し、第１入力信号印加部（パルス生成器）２１０ａと第１出力信号受信部（オシロスコープ）２２０ａとを利用して、第３入力パッド５１０ｃと第３出力パッド５２０ｃ間の半導体素子（図示せず）の最初〜Ｋ番目のＳＥＴ電流及びＲＥＳＥＴ電流を測定する。また、第２電源２３０ｂが第２伝達ライン１１０ｂに動作信号を印加し、第２入力信号印加部（ＳＭＵ）２１０ｂを利用して、第３入力パッド５１０ｃと第３出力パッド５２０ｃ間の半導体素子（図示せず）の最初〜Ｋ番目のＳＥＴ抵抗及びＲＥＳＥＴ抵抗を測定する。
【００９４】
図８は、本発明の第３の実施形態によるプローブカードを備えるテスト装置を用いた抵抗性の半導体素子の他の実施例によるテスト方法９００を説明するためのフローチャートである。
本実施形態によるテスト方法は、図３に開示したテスト装置を利用して行われる。
【００９５】
図３及び図８を参照すると、まず、第１電源コントローラ２４０ａは、第１電源２３０ａが動作信号を生成するように制御する（ステップＳ９１０）。
生成された動作信号は第１伝達ライン１１０ａに印加され、したがって、第１入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ａ及び第１出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ａが同時にターンオンされる。したがって、第１連結部３０と第１入力端（パルス入力端）１０ａ、及び第２連結部８０と第１出力端（パルス出力端）１００ａとが電気的に接続される。
【００９６】
次に、第１〜第３入力パッド５１０ａ、５１０ｂ、５１０ｃと第１〜第３出力パッド５２０ａ、５２０ｂ、５２０ｃ間の半導体素子（図示せず）の電流特性が測定される（ステップＳ９２０）。
さらに具体的には、Ａ電源２３５ａが動作信号をＡプローブ伝達ライン１１５ａに印加し、第１入力信号印加部（パルス生成器）２１０ａと第１出力信号受信部（オシロスコープ）２２０ａとを利用して、第１入力パッド５１０ａと第１出力パッド５２０ａ間の半導体素子（図示せず）の最初〜Ｋ番目のＳＥＴ電流及びＲＥＳＥＴ電流を測定する。
次に、Ｂ電源２３５ｂが動作信号をＢプローブ伝達ライン１１５ｂに印加し、第１入力信号印加部（パルス生成器）２１０ａと第１出力信号受信部（オシロスコープ）２２０ａとを利用して、第２入力パッド５１０ｂと第２出力パッド５２０ｂ間の半導体素子（図示せず）の最初〜Ｋ番目のＳＥＴ電流及びＲＥＳＥＴ電流を測定する。
同様に、Ｃ電源２３５ｃが動作信号をＣプローブ伝達ライン１１５ｃに印加し、第１入力信号印加部（パルス生成器）２１０ａと第１出力信号受信部（オシロスコープ）２２０ａとを利用して、第３入力パッド５１０ｃと第３出力パッド５２０ｃ間の半導体素子の最初〜Ｋ番目のＳＥＴ電流及びＲＥＳＥＴ電流を測定する。
【００９７】
次に、第１電源コントローラは、第２電源が動作信号を生成するように制御する（ステップＳ９３０）。
生成された動作信号は第２伝達ライン１１０ｂに印加され、したがって、第２入力端ＭＥＭＳスイッチ２０ｂ及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ９０ｂが同時にターンオンされる。したがって第１連結部３０と第２入力端（ＤＣ入力端）１０ｂ、及び第２連結部８０と第２出力端（ＤＣ出力端）１００ｂが電気的に接続される。
【００９８】
さらに具体的には、Ａ電源２３５ａが動作信号をＡプローブ伝達ライン１１５ａに印加し、第２入力信号印加部（ＳＭＵ）２１０ｂを利用して、第１入力パッド５１０ａと第１出力パッド５２０ａ間の半導体素子（図示せず）の最初〜Ｋ番目のＳＥＴ抵抗及びＲＥＳＥＴ抵抗を測定する。
次に、Ｂ電源２３５ｂが動作信号をＢプローブ伝達ライン１１５ｂに印加し、第２入力信号印加部（ＳＭＵ）２１０ｂを利用して、第２入力パッド５１０ｂと第２出力パッド５２０ｂ間の半導体素子（図示せず）の最初〜Ｋ番目のＳＥＴ抵抗及びＲＥＳＥＴ抵抗を測定する。
同様に、Ｃ電源２３５ｃが動作信号をＣプローブ伝達ライン１１５ｃに印加し、第２入力信号印加部（ＳＭＵ）２１０ｃを利用して、第３入力パッド５１０ｃと第３出力パッド５２０ｃ間の半導体素子（図示せず）の最初〜Ｋ番目のＳＥＴ抵抗及びＲＥＳＥＴ抵抗を測定する。
【００９９】
したがって、抵抗性の半導体素子の数が複数であるとしても、半導体素子の数と同じ数のプローブピンを接続させ、かかるプローブピンそれぞれと接続したプローブＭＥＭＳスイッチを通じて、順次に半導体素子にテストを行える。
すなわち、プローブカードの入れ替えなしに、複数の半導体素子のＳＥＴ抵抗、ＲＥＳＥＴ抵抗、ＳＥＴ電流、及びＲＥＳＥＴ電流を測定できる。
【０１００】
図９の（ａ）は、既存のテスト装置を使用して測定した抵抗性の半導体素子の電流−抵抗特性を示すグラフであり、図９の（ｂ）は、本発明の実施形態によるプローブカードを備えるテスト装置を使用して測定した抵抗性の半導体素子の電流−抵抗特性を示すグラフである。
【０１０１】
図９（ａ）及び（ｂ）を参照すると、ＳＥＴ電流の変化による１〜Ｋ番目のＳＥＴ抵抗、及びＲＥＳＥＴ電流の変化による、１〜Ｋ番目のＲＥＳＥＴ抵抗を測定している。
既存のテスト装置の場合には機械的なスイッチを使用し、パッドとプローブピンとの距離が約１ｍ以上と遠く、スイッチング動作時に１．５Ｖ以上のスパークが発生する。
これは、半導体素子の損傷を引き起こしたり、あるいは、測定の信頼性が低下するという問題がある。一方、本発明のテスト装置ではＭＥＭＳスイッチを使用し、パッドとプローブピンとの距離が５０ｃｍ以下と近いため、スイッチング動作時に０．１Ｖ以下のスパークのみ発生する。したがって、半導体素子の損傷を防止でき、あるいは、測定の信頼性を向上させることができる。
【０１０２】
図１０（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施形態によるプローブカード内のＭＥＭＳスイッチを示す概略断面図である。
図１０（ａ）は、ＭＥＭＳスイッチを、圧電素子７を使用して具現したものであり、図１０（ｂ）は、ＭＥＭＳスイッチを、コイル４を使用して具現したものである。
【０１０３】
図１０（ａ）及び（ｂ）を参照すると、ＭＥＭＳスイッチは、動作信号を受信する制御部５、及び第１端子と第２端子とを電気的に接続させる接続部６を備える。
図１０（ａ）の場合、制御部５に動作信号が印加されれば、制御部５と連結した圧電素子７の物理的特性が変化して、例えば、下方に曲がる。したがって、圧電素子７と連結された第１端子８は、圧電素子７が曲がる方向に沿って下方に曲がり、接続部６と電気的に接続される。したがって、第１端子８と第２端子９とは、接続部６を通じて電気的に接続される。
図１０（ｂ）の場合、制御部５に動作信号が印加されれば、制御部５と連結したコイル４は、磁束による引力を発生させる。前記引力により、第１端子８と第２端子９とは下方に曲がり、接続部６と電気的に接続される。したがって、第１端子８と第２端子９とは、接続部６を通じて電気的に接続される。
【０１０４】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
本発明は、半導体素子等のテスト装置関連の技術分野に好適に利用される。
【符号の説明】
【０１０６】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ    プローブカード
２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ    テスト装置
５    制御部
６    接続部
１０ａ、１０ｂ    第１及び第２入力端
２０ａ、２０ｂ    第１及び第２入力端ＭＥＭＳスイッチ
３０    第１連結部
４０ａ、４０ｂ、４０ｃ    第１〜第３入力プローブＭＥＭＳスイッチ
５０    入力プローブピン
５０ａ、５０ｂ、５０ｃ    第１〜第３入力プローブピン
６０    出力プローブピン
６０ａ、６０ｂ、６０ｃ    第１〜第３出力プローブピン
７０ａ、７０ｂ、７０ｃ    第１〜第３出力プローブＭＥＭＳスイッチ
８０    第２連結部
９０ａ、９０ｂ    第１及び第２出力端ＭＥＭＳスイッチ
１００ａ、１００ｂ    第１及び第２出力端
１１０ａ、１１０ｂ    第１及び第２伝達ライン
１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ    Ａ〜Ｃプローブ伝達ライン
２１０ａ、２１０ｂ    第１及び第２入力信号印加部
２２０ａ、２２０ｂ    第１及び第２出力信号受信部
２３０ａ、２３０ｂ    第１及び第２電源
２３５ａ、２３５ｂ、２３５ｃ    Ａ〜Ｃ電源
２４０ａ    第１電源コントローラ
２４０ｂ    第２電源コントローラ
５００    ウェーハ
５１０ａ、５１０ｂ、５１０ｃ    第１〜第３入力パッド
５２０ａ、５２０ｂ、５２０ｃ    第１〜第３出力パッド
【図１】
2011112653.tif 000003
【図２】
2011112653.tif 000004
【図３】
2011112653.tif 000005
【図４】
2011112653.tif 000006
【図５】
2011112653.tif 000007
【図６】
2011112653.tif 000008
【図７】
2011112653.tif 000009
【図８】
2011112653.tif 000010
【図９】
2011112653.tif 000011
【図１０】
2011112653.tif 000012