(57)【要約】【課題】放熱部材が固定された半導体素子を配線基板に超音波接合する際に、超音波振動の伝達性が向上し、接合性を高めることができ、しかも高い放熱特性を確保する。【解決手段】半導体チップ１は、配線基板１０に実装される実装面１ａと、実装面１ａに設けられ、ボンディングツール７による超音波振動の付与により配線基板１０の基板電極１１に接合される突起電極２とを有する。ヒートシンク４は、半導体チップ１を冷却するものであり、半導体チップ１の実装面１ａとは反対側の面１ｂに固定される基部５と、基部５から突出して設けられた筒状部６と、を有する。そして、筒状部６の開放端面６ａにボンディングツール７の先端面７ａが当接した際に、基部５、筒状部６及びボンディングツール７で囲まれた、真空に減圧可能な密閉空間９が形成される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板に実装される実装面を有する半導体素子と、前記半導体素子を冷却する放熱部材と、を備えた半導体装置において、
前記半導体素子は、前記実装面に設けられ、ボンディングツールによる超音波振動の付与により前記配線基板の基板電極に接合される突起電極を有し、
前記放熱部材は、前記半導体素子の前記実装面とは反対側の面に固定される基部と、前記基部から突出して設けられた筒状部と、を有し、
前記筒状部の開放端面に前記ボンディングツールの先端面が当接した際に、前記基部、前記筒状部及び前記ボンディングツールで囲まれた、真空に減圧可能な密閉空間が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記筒状部は、前記突起電極に相対して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記放熱部材は、前記筒状部の内側領域及び外側領域の少なくとも一方の領域に形成され、前記筒状部よりも低い高さの複数のリブを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
突起電極を有する半導体素子を備えた半導体装置を配線基板に実装する半導体装置の実装方法において、
基部と前記基部から突出する筒状部とを有する放熱部材を、前記半導体素子における前記突起電極が配置された実装面とは反対側の面に固定する固定工程と、
ボンディングツールの先端面を前記筒状部の開放端面に当接させて、前記基部、前記筒状部及び前記ボンディングツールで囲まれて形成される密閉空間を真空に減圧して前記放熱部材の前記筒状部を前記ボンディングツールに吸着保持させる吸着工程と、
前記ボンディングツールにより超音波振動を付与して、前記半導体素子の突起電極と前記配線基板の基板電極とを接合する接合工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超音波接合によって配線基板に実装される半導体素子を有する半導体装置及び半導体装置の実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の電極と配線基板の電極とを電気的に接続する半導体チップ実装方法において、高い信頼性が得られる接合方法として、荷重と超音波振動を付与することにより、接合面での金属拡散を促して金属接合される、超音波接合工法が知られている。通常、超音波接合工法では、真空吸着機構を備えたボンディングツールにより、半導体素子の回路が形成された実装面と反対側の面（以下、「裏面」と称す）を吸着保持した状態で基板電極に当接させ、荷重と超音波振動を付与することにより接合が行われる。そのため、シリコンが露出している半導体素子の裏面では、キズが発生しやすいという問題があったことから、半導体素子の裏面に、樹脂材料や金属材料で予め保護層を形成しておく方法が採られていた。
【０００３】
また近年では、高密度化および処理速度の高速化が要求される結果、半導体素子の動作時の発熱量は増加する傾向にあることから、機能低下を防ぐために、回路設計においては省電力化が進む一方で、半導体素子の実装構造においても放熱対策が求められている。
【０００４】
このような放熱対策として、配線基板に実装された後、半導体素子の裏面に、直接、棒状の放熱フィンを有する放熱部材であるヒートシンクを接着する構造が採られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３１１９７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来の半導体装置において、半導体素子を超音波接合工法で配線基板に接合した後、ヒートシンクを半導体素子に固定する第１の方法と、ヒートシンクを半導体素子に固定した後、半導体素子を超音波接合工法で配線基板に接合する第２の方法が考えられる。
【０００７】
しかし、第１の方法では、半導体素子が傷つかないよう半導体素子の裏面に保護層を形成する必要があるので、半導体素子の裏面に保護層を介してヒートシンクを接着することとなり、熱伝導率が低下し、放熱特性が低下するといった問題が発生する。
【０００８】
また、第２の方法では、放熱フィンの構造上、ボンディングツールにより放熱フィンを吸着保持することが難しい。そのため、超音波接合を行う場合では、ボンディングツールは放熱フィンを十分に吸着固定することができないため、ボンディングツールと放熱フィンとの間で滑りが生じ、接合性の低下を招く恐れがあった。また、放熱フィンの上面に超音波振動を付与しても、放熱フィン自体が撓みやすいので、超音波振動が放熱フィンを介して伝わる過程で減衰してしまうために、接合面まで十分な超音波振動が伝達されず、その結果、接合性が低下する恐れがあった。
【０００９】
そこで、本発明は、放熱部材が固定された半導体素子を配線基板に超音波接合する際に、超音波振動の伝達性が向上し、接合性を高めることができ、しかも高い放熱特性が確保された半導体装置及び半導体装置の実装方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、配線基板に実装される実装面を有する半導体素子と、前記半導体素子を冷却する放熱部材と、を備えた半導体装置において、前記半導体素子は、前記実装面に設けられ、ボンディングツールによる超音波振動の付与により前記配線基板の基板電極に接合される突起電極を有し、前記放熱部材は、前記半導体素子の前記実装面とは反対側の面に固定される基部と、前記基部から突出して設けられた筒状部と、を有し、前記筒状部の開放端面に前記ボンディングツールの先端面が当接した際に、前記基部、前記筒状部及び前記ボンディングツールで囲まれた、真空に減圧可能な密閉空間が形成されることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明は、突起電極を有する半導体素子を備えた半導体装置を配線基板に実装する半導体装置の実装方法において、基部と前記基部から突出する筒状部とを有する放熱部材を、前記半導体素子における前記突起電極が配置された実装面とは反対側の面に固定する固定工程と、ボンディングツールの先端面を前記筒状部の開放端面に当接させて、前記基部、前記筒状部及び前記ボンディングツールで囲まれて形成される密閉空間を真空に減圧して前記放熱部材の前記筒状部を前記ボンディングツールに吸着保持させる吸着工程と、前記ボンディングツールにより超音波振動を付与して、前記半導体素子の突起電極と前記配線基板の基板電極とを接合する接合工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、基部、筒状部及びボンディングツールによって密閉空間が形成されるため、密閉空間が真空に減圧されることでボンディングツールに筒状部が吸着保持される保持力が高まる。したがって、ボンディングツールと筒状部との間で滑りが生じるのが抑制され、突起電極と基板電極との接合性が向上する。また、ボンディングツールによる超音波振動の付与により筒状部が撓むのが抑制され、超音波振動の伝達性が向上し、突起電極と基板電極との接合性が向上する。また、保護層を介さずに放熱部材が半導体素子に固定されるので、高い放熱性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の説明図であり、（ａ）は、半導体装置の平面図、（ｂ）は、半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の実装方法を説明するための図であり、（ａ）は、固定工程を説明するための図、（ｂ）は、吸着工程及び接合工程を説明するための図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の説明図であり、（ａ）は、半導体装置の平面図、（ｂ）は、半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る半導体装置の説明図であり、（ａ）は、半導体装置の平面図、（ｂ）は、半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の説明図であり、図１（ａ）は、半導体装置の平面図、図１（ｂ）は、半導体装置の断面図である。図１に示すように、半導体装置１００は、半導体素子としての半導体チップ１と、半導体チップ１にて発生した熱を放熱して冷却する放熱部材としてのヒートシンク４とを備えている。半導体チップ１は、配線基板１０に実装される実装面１ａと、実装面１ａとは反対側の面（以下、「裏面」という）１ｂとを有している。また、半導体チップ１は、実装面１ａに設けられた複数の突起電極２を有している。これら複数の突起電極２は、半導体チップ１の実装面１ａの周縁部に環状に配置されている。
【００１６】
半導体チップ１は、材質がＳｉ又はＧａＡｓから構成され、実装面１ａに回路が形成されている。突起電極２は、材質がＡｕで構成されるが、Ｃｕ又ははんだなどの他の導電材料であってもよい。この突起電極２は、めっき又はワイヤボンディング法により形成されている。
【００１７】
ヒートシンク４は、平板形状の基部５と、基部５から突出する一定の高さｈ１の筒状部６とを有している。つまり、筒状部６の開放端面６ａは、平坦な面に形成されている。このヒートシンク４の基部５は、半導体チップ１の裏面１ｂに接着剤３で固定されている。なお、この筒状部６の形状は、外周が平面視四角形で、内周が外周よりも小さい平面視四角形であり、幅の厚みが、高さ方向に一定に形成されている。この筒状部６は、放熱フィンを兼ねており、基部５から突出して外気に触れる接触面積を増大させている。本第１実施形態では、筒状部６を形成することで、筒状部６の内周面６ｂ、及び基部５における筒状部６が突出して設けられた側の面５ａの筒状部６で囲われた領域を内面とする凹部が形成されたこととなる。
【００１８】
半導体チップ１とヒートシンク４との間に介在する接着剤３は、例えばエポキシ系の熱硬化性の接着剤が使用される。この接着剤３は、放熱特性を高める目的から、熱伝導性に優れた材料を使用するので、はんだ若しくは高熱伝導性の粒子を含有するペースト又はフィルムを用いることが好ましい。なお、接着剤３に樹脂を使用する際には、超音波接合時の加熱温度よりも、硬化後のガラス転移点が高い樹脂材料を用いることによって、加熱により樹脂が軟化するのを防げるので、超音波振動の伝達性を低下させることなく接合することができる。具体的には、１５０℃の加熱温度で超音波接合を行う場合、ガラス転移点が１６０℃以上のエポキシ系の樹脂を用いることが好ましいが、加熱温度が低い場合、例えば１００℃以下で接合する場合は、これに限らず、アクリル系の樹脂を用いてもよい。従って、はんだを用いる場合は、その融点が接合温度よりも高い方が好ましい。
【００１９】
ヒートシンク４は、熱伝導性および加工性に優れているＡｌなどの金属材料が使用されるが、高熱伝導性と低熱膨張性を考慮する場合は、これに限らず、例えばセラミックなど、他の材料を用いてもよい。このヒートシンク４のサイズは、表面積が大きく、半導体チップ１との接着面積が広いほど、半導体チップ１の発熱をより効率的に放熱することができるので、半導体チップ１の裏面１ｂ全体を覆う大きさであることが好ましい。例えば、半導体チップ１の大きさが一辺１０ｍｍの正方形形状である場合、大きさが一辺１１ｍｍ以上の正方形形状のヒートシンク４を用いるとよい。
【００２０】
次に、図２を参照しながら、半導体装置１００の実装について詳細に説明する。図２は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１００の実装方法を説明するための図である。なお、半導体装置１００の実装とは、ヒートシンク４付きの半導体チップ１を配線基板１０に実装することであり、以下、実装工程を順に説明する。
【００２１】
まず、図２（ａ）に示すように、半導体チップ１の裏面１ｂに熱硬化性の接着剤３が塗布され、ヒートシンク４の基部５における筒状部６が突出して設けられた側の面５ａとは反対側の面５ｂを接着剤３に接触させる。そして、加熱処理を行って、接着剤３を熱硬化させる。これにより、ヒートシンク４の基部５が、半導体チップ１における裏面１ｂに接着により固定される（固定工程）。このように、保護層を介さずにヒートシンク４が半導体チップ１に固定されるので、高い放熱性を確保することができる。
【００２２】
次に、図２（ｂ）に示すように、半導体装置１００を超音波実装装置のボンディングツール７に真空吸着させる吸着工程について説明する。ボンディングツール７は、半導体装置を真空吸着により吸着保持するものである。ボンディングツール７には、先端面７ａに通じる排気流路となる吸着ノズル８が形成されている。そして、吸着ノズル８の排気方向下流には、不図示の真空ポンプが接続されている。なお、このボンディングツール７は、図２（ｂ）中、左右方向（配線基板１０に水平な方向である矢印Ｘ方向）に超音波振動されるように構成され、また、下方向（配線基板１０に垂直な方向である矢印Ｙ方向）に荷重が付与されるように構成されている。
【００２３】
この吸着工程において、まず、ボンディングツール７の先端面７ａを筒状部６の開放端面６ａに当接させることで、筒状部６の内周面６ｂ、基部５の面５ａ及びボンディングツール７の先端面７ａで囲まれた密閉空間９が形成される。つまり、筒状部６の開放端面６ａは、ボンディングツール７の先端面７ａの形状に合わせた形状、本第１実施形態では、ボンディングツール７の先端面７ａが平坦面状であるので、筒状部６の開放端面６ａは、平坦面状に形成されている。
【００２４】
このとき、ボンディングツール７の吸着ノズル８を密閉空間９に臨ませることで、密閉空間９の空気が吸着ノズル８を通じて排出可能となっている。従って、筒状部６の開放端面６ａにボンディングツール７の先端面７ａを当接させて真空ポンプを稼動させることにより、密閉空間９に外気がリークすることなく、密閉空間９を真空に減圧可能となる。そして、密閉空間９を真空に減圧することで、ボンディングツール７の先端面７ａに筒状部６が吸着保持される。このように、密閉空間９を減圧した際に、密閉空間９にエアリークするのを防ぐことができるので、筒状部６の吸着保持力を高めることができる。この吸着工程にて、半導体チップ１がボンディングツール７にフェースダウンで吸着保持される。
【００２５】
次に、ボンディングツール７を矢印Ｙ方向に下降させ、配線基板１０上に設けられた基板電極１１と、突起電極２とを当接させた状態で矢印Ｙ方向に荷重を付与し、さらに、矢印Ｘ方向に超音波振動を付与する。これにより、基板電極１１と突起電極２との接触面において金属拡散による接合が行われ、半導体チップ１と配線基板１０とが電気的に接続される（接合工程）。
【００２６】
以上、吸着工程にて筒状部６が強固に吸着保持されているので、接合工程においてボンディングツール７と筒状部６との間で滑りが生じるのが抑制され、突起電極２と基板電極１１との接合性が向上する。また、筒状部６を形成したので、棒状とした場合よりも、ボンディングツール７による超音波振動の付与により筒状部６が撓むのが抑制され、超音波振動の伝達性が向上し、突起電極２と基板電極１１との接合性が向上する。
【００２７】
なお、接合の際に、半導体チップ１および配線基板１０を加熱する方法や、予め基板電極１１にプラズマ洗浄を行う方法を併用することによって、接合面での金属拡散を促進し、より接合性を高めることができる。さらに、接合性を効果的に高める方法として、突起電極２が配置される上面の領域を覆うように接着剤３を形成しておくことで、突起電極２に付与される荷重の伝達効率を高めることができるので、より確実な接合性を得ることができる。
【００２８】
ここで、筒状部６の外形サイズは、真空吸着時にエアリークを生じさせないように、基部５とボンディングツール７によって密閉空間９を形成するため、少なくとも吸着ノズル８を覆う大きさに形成されている。この筒状部６が大きい程、真空吸着が行われる領域が増え、吸着固定力を高めることができるので、本第１実施形態では、筒状部６は、半導体チップ１の実装面１ａの周縁部に相対する筒形状に形成されている。これにより、吸着工程にてより強固に筒状部６が吸着保持されるので、接合工程において突起電極２と基板電極１１との接合性が向上する。
【００２９】
また、ボンディングツール７から付与された荷重は、ボンディングツール７と当接する筒状部６を介して伝達されるので、筒状部６の直下において最も伝わりやすい。従って、筒状部６は、複数の突起電極２に相対するように形成されている。つまり、本第１実施形態では、複数の突起電極２が環状に配置されているので、筒状部６は、環状に配置された複数の突起電極２に相対するように環状に形成されている。換言すると、突起電極２が配置される領域の上面において、この領域を覆うように筒状部６を形成されている。これにより、荷重の伝達性を高めることができるので、突起電極２と基板電極１１とを、安定的かつ、より確実に接合させることができる。
【００３０】
なお、突起電極２が熱伝導用あるいは補強用として、電気的に機能を持たないダミーバンプを含む場合には、ダミーバンプを除いた、突起電極２の上面のみを覆うように、筒状部６を形成しても、上記と同様の効果を得ることができる。
【００３１】
また、突起電極２の中心と筒状部６の幅方向に対する中心とが、平面視同じ位置になるように、筒状部６を形成することにより、突起電極２と基板電極１１との接合面に対して、荷重が均一に分布しやすくなり、より接合性を高めることが可能になる。
【００３２】
また、ヒートシンク４の面５ｂには、半導体チップ１と接着される領域において、貫通穴が設けられていないので、接着面への湿気の浸入を抑制することができる。これにより、半導体チップ１とヒートシンク４との間で挟まれる接着剤３の劣化が抑制されるとともに、接着層における空気の浸入を防止できるので、放熱特性の低下を防ぐことができる。
【００３３】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係る半導体装置１００Ａについて、図３を参照しながら説明する。なお、上記第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付して説明を省略する。図３は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置１００Ａの説明図であり、図３（ａ）は、半導体装置１００Ａの平面図、図３（ｂ）は、半導体装置１００Ａの断面図である。本第２実施形態では、半導体装置１００Ａの実装方法は上記第１実施形態と同様であり、ヒートシンク４Ａの構成が上記第１実施形態と異なる。図２に示すように、半導体装置１００Ａは、半導体素子としての半導体チップ１と、半導体チップ１にて発生した熱を放熱して冷却する放熱部材としてのヒートシンク４Ａとを備えている。
【００３４】
ヒートシンク４Ａは、平板形状の基部５と、基部５から突出する一定の高さｈ１の筒状部６Ａとを有している。つまり、筒状部６Ａの開放端面６ａは、平坦な面に形成されている。なお、この筒状部６Ａの形状は、外周が平面視四角形で、内周が外周よりも小さい平面視円形であり、幅の厚みが、高さ方向上部から下部に向かって幅広に形成されている。この筒状部６Ａは、放熱フィンを兼ねており、基部５から突出して外気に触れる接触面積を増大させている。本第２実施形態では、筒状部６Ａの内側領域が湾曲面１２に形成されているので、この湾曲面１２は、筒状部６Ａの内周面でもあり、基部５における筒状部６Ａが突出して設けられた側の面の一部でもある。この筒状部６Ａの内側領域が湾曲面１２に形成されているので、ヒートシンク４Ａに凹部が形成されたこととなる。
【００３５】
この湾曲面１２は球面に形成されている。これにより、基部５、筒状部６及びボンディングツール７によって形成される密閉空間を真空に減圧する際に、湾曲面１２において真空圧を均一に分布させることができる。したがって、吸着圧力を高めた場合でも、ヒートシンク４Ａの変形が抑制される。例えば、ヒートシンク４Ａの厚さが１ｍｍで、大きさが一辺１１ｍｍの正方形形状である場合、ヒートシンク４Ａの湾曲面１２は、底部に０．２ｍｍの厚さが残されるように、半径が１２ｍｍ程度の球面に形成される。この球面によって、ヒートシンク４Ａの上面では直径が９ｍｍ程度の円が形成されるが、この円はヒートシンク４の上面で中央部に配置され、さらに、この円の外側領域においては、最も狭い部分で、幅が１ｍｍ程度となる筒状部６Ａが形成される。その結果、吸着圧力を高めた場合でも、ヒートシンク４Ａの変形によって、ボンディングツール７と筒状部６Ａとの間において、隙間を生じることがないので、外気のエアリークによる吸着固定力の低下を防止できる。したがって、超音波振動が接合部に伝わりやすくなるので、接合性の低下を防ぐことができる。
【００３６】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態に係る半導体装置１００Ｂについて、図４を参照しながら説明する。なお、上記第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付して説明を省略する。図４は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置１００Ｂの説明図であり、図４（ａ）は、半導体装置１００Ｂの平面図、図４（ｂ）は、半導体装置１００Ｂの断面図である。本第３実施形態では、半導体装置１００Ｂの実装方法は上記第１実施形態と同様であり、ヒートシンク４Ｂの構成が上記第１，第２実施形態と異なる。図４に示すように、半導体装置１００Ｂは、半導体素子としての半導体チップ１と、半導体チップ１にて発生した熱を放熱して冷却する放熱部材としてのヒートシンク４Ｂとを備えている。
【００３７】
ヒートシンク４Ｂは、平板形状の基部５と、基部５から突出する一定の高さｈ１の筒状部６とを有している。つまり、筒状部６の開放端面６ａは、平坦な面に形成されている。なお、この筒状部６の形状は、外周が平面視四角形で、内周が外周よりも小さい平面視四角形であり、幅の厚みが、高さ方向に一定に形成されている。この筒状部６は、放熱フィンを兼ねており、基部５から突出して外気に触れる接触面積を増大させている。本第３実施形態では、筒状部６を形成することで、筒状部６の内周面６ｂ、及び基部５における筒状部６が突出して設けられた側の面５ａの筒状部６で囲われた領域を内面とする凹部が形成されたこととなる。
【００３８】
更に、本第３実施形態では、ヒートシンク４Ｂは、筒状部６の内側領域に形成され、筒状部６よりも低い高さｈ２の複数のリブ（第１のリブ）１３を有している。具体的に説明すると、各リブ１３は、基部５の面５ａから突出して形成されている。そして、複数のリブ１３は、格子状をなすように配置されている。また、各リブ１３の端部は、筒状部６の内周面６ｂに接続されている。つまり、各リブ１３は、筒状部６に直交するように配置されている。また、本第３実施形態では、ヒートシンク４Ｂは、筒状部６の外側領域に形成され、筒状部６の外周面６ｃに接続される複数のリブ（第２のリブ）１４を有している。各リブ１４は、筒状部６に対して直交して配置されている。また、各リブ１４は、リブ１３と揃うように、相対して配置されている。リブ１４の高さはリブ１３と同一である。つまり、リブ１３，１４の高さは、ヒートシンク４を保持する際に、ボンディングツール７とリブ１３，１４が当接することで真空吸着の妨げとならないよう、筒状部６よりも低い高さに設定されている。これらリブ１３，１４は、放熱フィンも兼ねており、基部５から突出して外気に触れる接触面積を増大させている。
【００３９】
以上、本第３実施形態によれば、ボンディングツール７によって荷重と超音波振動が付与される際に、リブ１３，１４で筒状部６の撓みが抑制され、補強されているので、接合部に超音波振動を効率良く伝えることができ、高い接合性を得ることができる。例えば、ヒートシンク４Ｂの面内において形成されるリブ１３，１４の幅は０．５〜１ｍｍである場合、１〜１．５ｍｍの間隔で、格子状をなすように配置される。筒状部６の高さは１ｍｍ程度であり、幅は０．５〜１．５ｍｍ程度である。また、筒状部６の内側領域において、格子状に形成されたリブ１３，１４の高さは０．６〜０．９ｍｍ程度である。このように複数のリブ１３，１４を形成したので、基部５と筒状部６とボンディングツール７により形成される密閉空間を広くしても、リブ１３，１４により筒状部６が補強されているので、筒状部６の撓みが効果的に抑制される。したがって、吸着固定力が向上し、超音波振動の伝達性が高まるので、より確実な接合性を得ることができる。
【００４０】
なお、ヒートシンク４Ｂの基部５上に形成される複数のリブ１３，１４は、上述のように、筒状部６の補強機能を高めるためのものであり、内側領域又は外側領域の片方で補強機能が満足される場合は、どちらか一方のリブ１３又は１４のみを形成しても構わない。また、ヒートシンク４Ｂに形成されるリブ１３，１４の数を増やすことで、ヒートシンク４の表面積が増加するので、より高い放熱特性を確保することが可能になる。
【００４１】
なお、上記実施の形態に基づいて本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、種々の形態に対して適用可能である。上記実施形態では、ヒートシンクの筒状部の外形を平面視正方形状に形成したが、これに限定するものではなく、平面視多角形や円筒形等、種々の筒形状に形成することが可能である。また、筒状部が１つの場合について説明したが、これに限定するものではなく、吸着ノズルの数に応じて、筒状の筒状部が複数の場合であってもよい。また、筒状部、基部及びボンディングツールで密閉空間を形成して筒状部をボンディングツールに吸着可能であれば、筒状部のサイズは任意に設定することができる。
【符号の説明】
【００４２】
１  半導体チップ（半導体素子）
２  突起電極
４，４Ａ，４Ｂ  ヒートシンク（放熱部材）
５  基部
６，６Ａ筒状部
６ａ  開放端面
７  ボンディングツール
７ａ  先端面
９  密閉空間
１０  配線基板
１１  基板電極
１００，１００Ａ，１００Ｂ  半導体装置
【図１】
2011198926.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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