(57)【要約】【課題】テープキャリア基板における導体配線の断線を防止できるようにする。【解決手段】半導体装置は、テープキャリア基板１における一方の端部上に形成され、複数の端子からなる出力端子部４と、テープキャリア基板における他方の端部の上に形成され、複数の端子からなる入力端子部３と、テープキャリア基板の上に形成され、出力端子部と接続された導体配線８ｂと、テープキャリア基板の上に形成され、入力端子部と接続された導体配線８ａと、テープキャリア基板の上に固着され、各導体配線と電気的に接続された半導体素子１５と、半導体素子を覆うように配置され、テープキャリア基板と接着された放熱材１０とを有している。テープキャリア基板は、出力端子部から半導体素子の接続部を含まない放熱材の接着領域までの少なくとも一部の厚さが、入力端子部から半導体素子の接続部を含む放熱材の接着領域までの厚さと比べて薄く形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープキャリア基板と、
前記テープキャリア基板における一方の端部の上に形成され、複数の端子からなる第１の端子部と、
前記テープキャリア基板における前記一方の端部と対向する他方の端部の上に形成され、複数の端子からなる第２の端子部と、
前記テープキャリア基板の上に形成され、前記第１の端子部と接続された第１の導体配線と、
前記テープキャリア基板の上に形成され、前記第２の端子部と接続された第２の導体配線と、
前記テープキャリア基板に固着され、前記第１の導体配線及び第２の導体配線と電気的に接続された半導体素子と、
前記半導体素子を覆うように配置され、前記テープキャリア基板と接着された放熱材とを備え、
前記テープキャリア基板は、前記第１の端子部から前記半導体素子の接続部を含まない前記放熱材の接着領域までの少なくとも一部の厚さが、前記第２の端子部から前記半導体素子の接続部を含む前記放熱材の接着領域までの厚さと比べて薄く形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記テープキャリア基板における前記第１の端子部から前記半導体素子の接続部を含まない前記放熱材の接着領域までの間には、少なくとも１つの開口部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記テープキャリア基板における前記第１の端子部及びその近傍の厚さは、前記第２の端子部から前記半導体素子の接続部を含む前記放熱材の接着領域までの厚さと同一であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記テープキャリア基板における前記第１の端子部から前記半導体素子の接続部を含まない前記放熱材の接着領域までの間には、少なくとも１つの開口部が形成されており、
前記テープキャリア基板の周縁部と前記開口部の周縁部の厚さは、前記第２の端子部から前記半導体素子の接続部を含む前記放熱材の接着領域までの厚さと同一であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記テープキャリア基板における前記半導体素子の接続部の厚さは、前記第１の端子部から前記半導体素子の接続部を含まない前記放熱材の接着領域までの前記少なくとも一部の厚さと同一であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記テープキャリア基板は、少なくとも１層のテープキャリア基材を含み、
前記テープキャリア基材における前記第２の端子部から前記半導体素子の接続部を含む前記放熱材の接着領域までは２層構造を有し、
前記テープキャリア基材における前記第１の端子部から前記半導体素子の接続部を含まない前記放熱材の接着領域までは１層構造であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記テープキャリア基材は、ポリイミドフィルムからなり、
前記テープキャリア基材における前記第１の端子部から前記半導体素子の接続部を含まない前記放熱材の接着領域までの厚さは、４μｍ以上且つ３５μｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テープキャリア基板を備えた半導体装置に関し、特にテープキャリア基板に実装された半導体素子を備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージの１つとして、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術が知られている。ＴＡＢ技術とは、テープ状の柔軟な基板であるテープキャリア基板の上に形成された導体配線（リード）と半導体素子（半導体チップ）に形成されたボンディングパッドとを重ね合わせ、導体配線（リード）と半導体素子の端子とをバンプ（突起電極）を介して電気的に接続する技術である。このＴＡＢ技術により製造された半導体装置（ＴＣＰ：Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）は、主に、フラットパネルディスプレイのパネルに実装される駆動用ドライバ装置として使用される。
【０００３】
図１０（ａ）及び（ｂ）は従来のテープキャリア基板に半導体素子が実装された半導体装置の平面構成及び断面構成を示している。
【０００４】
図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体装置１１１を構成するテープキャリア基板１０１は、例えば出力信号線が３８４本である、いわゆる３８４出力のプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称す。）仕様を満たし、１つの半導体素子１１５を実装可能である。
【０００５】
テープキャリア基板１０１は、ポリイミド等の有機樹脂材からなるテープキャリア基材１０２に設けられる。テープキャリア基板１０１には、１対の入力端子部１０３及び出力端子部１０４と、それぞれ複数の導体配線１０８ａ及び１０８ｂとが設けられている。
【０００６】
入力端子部１０３及び出力端子部１０４は、テープキャリア基材１０２の一方の面上に、該テープキャリア基材１０２の長手方向Ｌで対向するように設けられている。また、入力端子部３及び出力端子部４はそれぞれ、対応する導体配線１０８ａ及び導体配線１０８ｂと接続される端子群からなり、これらの端子群はテープキャリア基材１０２の幅方向Ｗに直線状となるように形成されている。
【０００７】
テープキャリア基材１０２には、半導体素子１１５を搭載するためのデバイスホール１０５と、長手方向Ｌに延び、外部から印加される応力を緩和する複数のスリット１０６と、半導体素子１１５と出力端子部１０３との間にＰＤＰパネルと該パネルを覆う筐体との間の隙間に収容可能とするために、テープキャリア基材１０２の折り曲げ部を開口したフレックス部１０７と、導体配線１０８ａ及び１０８ｂを覆う有機絶縁膜１１２とが形成されている。ここで、フレックス部１０７には、有機絶縁膜１１２が充填されている。
【０００８】
導体配線１０８ａ及び１０８ｂは、デバイスホール１０５内に突出して形成されるインナリード１１３ａ及び１１３ｂと電気的に接続されている。デバイスホール１０５に実装される半導体素子１１５は、その突起電極１１４とインナリード１１３ａ及び１１３ｂとを介して入力端子部１０３又は出力端子部１０４と電気的に接続される。半導体素子１１５の表面側、すなわち突起電極１１４が形成される側は、封止樹脂材１０９によってモールドされている。半導体素子１１５は、アルミニウムからなり凹部を有する金属板１１０によって周囲を覆われており、該凹部に配された導電性ペースト材１２２等を介して半導体素子１１５の放熱性を高めている。また、金属板１１０には、実装用のねじ孔が設けられている。
【０００９】
次に、以上のように構成された半導体装置１１１が実装されたＰＤＰについて説明する。図１１（ａ）は半導体装置１１１が実装されたＰＤＰの外観を示し、図１１（ｂ）は（ａ）の符号Ｋで示す一部分を拡大して示している。また、図１２は図１１（ｂ）の断面構成を示している。
【００１０】
図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＰＤＰを構成するガラスパネル１１６は、その後面に放熱シートを介して、ガラスパネル１１６とほぼ同一寸法のアルミシャーシ１１７が貼り付けられている。ガラスパネル１１６の前面には、半導体装置１１１の一方の面の一部が実装されている。アルミシャーシ１１７の裏面には、半導体装置１１１の一方の面の他の一部が実装されている。
【００１１】
図１２に示すように、アルミシャーシ１１７には、半導体装置１１１を実装するための突出部１１７ａが形成されている。突出部１１７ａにはねじ孔１１７ｂが設けられており、半導体装置１１１の金属板１１０は、アルミシャーシ１１７の突出部１１７ａのねじ孔１１７ｂに取り付けられるねじ１２０によって固定される。
【００１２】
このように、複数の半導体装置１１１は、テープキャリア基板１０１がフレックス部１０７で折り曲げられて、ガラスパネル１１６とアルミシャーシ１１７とに実装される。
【００１３】
以上説明したように、従来のテープキャリア基板は、断面コの字状の曲げ方向（長手方向）に発生する応力に加えて、パネルの幅方向に対して発生する応力をも緩和するために、長手方向の断面コの字状の角部にもスリットを設けている（例えば、特許文献１を参照。）。
【００１４】
特許文献１においては、テープキャリア基板の折り曲げのためのフレックス部において、導体配線と反対側の面を有機絶縁膜で覆っている。これに対し、テープキャリア基材を２層として、フレックス部のみをテープキャリア基材の１層として導体配線を支持することにより、導体配線への応力集中を低減でき、耐折り曲げ性を向上する構成も提示されている（例えば、特許文献２を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特許第２９７３７８２号公報
【特許文献２】特開２００８−２９８８２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、前記従来のテープキャリア基板に実装される半導体装置には以下のような問題がある。
【００１７】
すなわち、ＰＤＰでは、電源のオン状態又はオフ状態により、筐体内において非常に大きな温度変化が起こり、ガラスパネル１１６とアルミシャーシ１１７は、図１１（ａ）の各矢印に示す方向に熱膨張する。ガラスパネル１１６とアルミシャーシ１１７とは異種材料であるため、図１１（ｂ）に示すように、ガラスパネル１１６とアルミシャーシ１１７との間に熱膨張差が生じる。例えば、画面サイズが６５インチ相当（１インチは約２．５４ｃｍ）のＰＤＰでは、アルミシャーシ１１６とガラスパネル１１７との熱膨張差は約０．６ｍｍにもなる。
【００１８】
さらに、ガラスパネルとアルミシャーシに跨った状態で固定される半導体装置のテープキャリア基板には、パネルの幅方向に大きなストレスが加わり、テープキャリア基板はそのストレスによって撓む。この撓みによって発生した応力は、テープキャリア基板で断面コの字状部分となっているスリットの周辺部の導体配線に集中する。このため、ＰＤＰの電源のオン状態とオフ状態とが繰り返されることにより、すなわち、温度変化が繰り返されることにより、スリットの周辺部に位置する導体配線の断線が起こりやすくなる。
【００１９】
特に、現在、フラットパネルディスプレイ市場では、大画面化が急速に進んでいる。これに伴い、ガラスパネルとアルミシャーシとは大型化されて、熱膨張差がさらに大きくなる。従って、上記のストレスがより大きくなる傾向にあり、スリットの周辺部の導体配線の断線がより起こりやすくなる。
【００２０】
本発明は、前記の問題に鑑み、テープキャリア基板における導体配線の断線を防止できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
前記の目的を達成するため、本発明は、半導体装置を、テープキャリア基板を構成するテープキャリア基材の厚さを折り曲げ部のほぼ全面において他の部分よりも薄くする構成とする。
【００２２】
具体的に、本発明に係る半導体装置は、テープキャリア基板と、テープキャリア基板における一方の端部の上に形成され、複数の端子からなる第１の端子部と、テープキャリア基板における一方の端部と対向する他方の端部の上に形成され、複数の端子からなる第２の端子部と、テープキャリア基板の上に形成され、第１の端子部と接続された第１の導体配線と、テープキャリア基板の上に形成され、第２の端子部と接続された第２の導体配線と、テープキャリア基板に固着され、第１の導体配線及び第２の導体配線と電気的に接続された半導体素子と、半導体素子を覆うように配置され、テープキャリア基板と接着された放熱材とを備え、テープキャリア基板は、第１の端子部から半導体素子の接続部を含まない放熱材の接着領域までの少なくとも一部の厚さが、第２の端子部から半導体素子の接続部を含む放熱材の接着領域までの厚さと比べて薄く形成されている。
【００２３】
本発明の半導体装置によると、テープキャリア基板は、第１の端子部から半導体素子の接続部を含まない放熱材の接着領域までの少なくとも一部の厚さが、第２の端子部から半導体素子の接続部を含む放熱材の接着領域までの厚さと比べて薄く形成されている。このため、テープキャリア基板における第１の端子部から半導体素子の接続部を含まない放熱材の接着領域までの部位を、互いの組成が異なる構造体（パネル）に跨るように実装した場合に、構造体の熱膨張差により発生するストレスが該部位に印加されても、該部位の柔軟性によってストレスを緩和することができる。これにより、テープキャリア基板における各導体配線の断線を防止できる。
【００２４】
本発明の半導体装置において、テープキャリア基板における第１の端子部から半導体素子の接続部を含まない放熱材の接着領域までの間には、少なくとも１つの開口部が形成されていることが好ましい。
【００２５】
本発明の半導体装置において、テープキャリア基板における第１の端子部及びその近傍の厚さは、第２の端子部から半導体素子の接続部を含む放熱材の接着領域までの厚さと同一であってもよい。
【００２６】
また、本発明の半導体装置において、テープキャリア基板における第１の端子部から半導体素子の接続部を含まない放熱材の接着領域までの間には、少なくとも１つの開口部が形成されており、テープキャリア基板の周縁部と開口部の周縁部の厚さは、第２の端子部から半導体素子の接続部を含む放熱材の接着領域までの厚さと同一であってもよい。
【００２７】
また、本発明の半導体装置において、テープキャリア基板における半導体素子の接続部の厚さは、第１の端子部から半導体素子の接続部を含まない放熱材の接着領域までの少なくとも一部の厚さと同一であってもよい。
【００２８】
本発明の半導体装置において、テープキャリア基板は、少なくとも１層のテープキャリア基材を含み、テープキャリア基材における第２の端子部から半導体素子の接続部を含む放熱材の接着領域までは２層構造を有し、テープキャリア基材における第１の端子部から半導体素子の接続部を含まない放熱材の接着領域までは１層構造であってもよい。
【００２９】
この場合に、テープキャリア基材は、ポリイミドフィルムからなり、テープキャリア基材における第１の端子部から半導体素子の接続部を含まない放熱材の接着領域までの厚さは、４μｍ以上且つ３５μｍ以下であってもよい。
【発明の効果】
【００３０】
本発明に係る半導体装置によると、テープキャリア基板の撓みにより発生する応力を分散させることができるため、テープキャリア基板の導体配線の破断を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】（ａ）は本発明の一実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。（ｂ）は（ａ）のＩａ−Ｉａ線における断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の一実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示す平面図である。（ｂ）は（ａ）のIIａ−IIａ線における断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置をＰＤＰに実装した状態を示す部分的な断面図である。
【図４】ＰＤＰに実装された、従来の半導体装置にパネルの幅方向のストレスが印加されて撓みが発生した状態を実験結果に基づいて示した模式図である。
【図５】ＰＤＰに実装された、本発明の一実施形態に係る半導体装置にパネルの幅方向のストレスが印加され、その応力を吸収している状態を実験結果に基づいて示した模式図である。
【図６】本発明の一実施形態の第２変形例に係る半導体装置を示す平面図である。
【図７】（ａ）は図６のVIIａ−VIIａ線における断面図である。（ｂ）は図６のVIIｂ−VIIｂ線における断面図である。（ｃ）は図６のVIIｃ−VIIｃ線における断面図である。
【図８】（ａ）は本発明の一実施形態の第３変形例に係る半導体装置を示す平面図である。（ｂ）は（ａ）のVIIIａ−VIIIａ線における断面図である。
【図９】本発明の一実施形態の第３変形例に係る半導体装置をＰＤＰに実装した状態を示す部分的な断面図である。
【図１０】（ａ）は従来の半導体装置を示す平面図である。（ｂ）は（ａ）のＸａ−Ｘａ線における断面図である。
【図１１】（ａ）は従来のＰＤＰのガラスパネルとアルミシャーシとの間に熱膨張差が発生した状態を示す模式的な斜視図である。（ｂ）は（ａ）の符号Ｋで示す部分の拡大斜視図である。
【図１２】従来の半導体装置をＰＤＰに実装した状態を示す部分的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
（一実施形態）
本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３３】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＴＣＰである半導体装置１１は、例えば３８４出力のＰＤＰ仕様であって、テープキャリア基板１と、該テープキャリア基板１の一の面に実装された半導体素子（半導体チップ）１５とによって構成されている。
【００３４】
テープキャリア基板１は、それぞれが複数の導体配線８ａ及び８ｂと、テープキャリア基材２とから構成され、該テープキャリア基材２は、導体配線８ａ及び８ｂが形成される配線基材２ｂと、導体配線８ａ及び８ｂが形成されないベース基材２ａとの２層からなる。テープキャリア基板１には、互いに対向する端部に設けられた１対の入力端子部３及び出力端子部４と、複数の導体配線８ａ及び８ｂを覆う有機絶縁膜１２とが形成されている。また、配線基材２ｂにおける入力端子部３と出力端子部４の間の領域には複数のスリット６が長手方向Ｌにほぼ平行に設けられている。
【００３５】
テープキャリア基材２における入力端子部３から素子搭載領域Ｍを含む領域であって、金属からなる放熱板１０の接着材１９による固定部までの領域Ｂは、それぞれポリイミド等からなるベース基材２ａと配線基材２ｂとの２層で構成される。一方、テープキャリア基材２における出力端子部４から素子搭載領域Ｍを含まない放熱板１０の接着材１９による固定部までの領域Ｓは、配線基材２ｂの１層で構成される。
【００３６】
一対の入力端子部３及び出力端子部４は、それぞれテープキャリア基材２における配線基材２ｂの上にテープキャリア基材２の幅方向Ｗに直線状に配列された端子群からなり、テープキャリア基材２の長手方向Ｌで互いに平行に設けられている。さらに、入力端子部３及び出力端子部４はそれぞれ、対応する導体配線８ａ及び８ｂと電気的に接続されている。
【００３７】
導体配線８ａ及び８ｂは、テープキャリア基材２を下地層として、テープキャリア基材２における配線基材２ｂの上に形成されており、例えば銅からなる。また、導体配線８ａ及び８ｂは、素子搭載領域Ｍに形成されているインナリード１３ａ及び１３ｂと電気的に接続されており、インナリード１３ａ及び１３ｂを介して素子搭載領域Ｍに実装された半導体素子１５と入力端子部３又は出力端子部４とを接続する。具体的には、導体配線８ａは、入力端子部３から素子搭載領域Ｍに向かって形成されており、インナリード１３ａを介して実装される半導体素子１５と入力端子部３とを電気的に接続する。一方、導体配線８ｂは、出力端子部４から素子搭載領域Ｍに向かって形成されており、インナリード１３ｂを介して実装される半導体素子１５と出力端子部４とを電気的に接続する。
【００３８】
有機絶縁膜１２は、配線基材２ｂの一方の面上に設けられた導体配線８ａ及び８ｂを覆うように形成されている。該有機絶縁膜１２は、例えばポリイミド又はエポキシ等からなる。
【００３９】
半導体素子１５は、例えば平面長方形状に形成されており、その長辺がテープキャリア基材２の幅方向Ｗにほぼ平行となるように素子搭載領域Ｍに固着される。半導体素子１５の表面には、複数の端子（図示せず）が形成されており、該端子と導体配線８ａ及び８ｂの各インナリード１３ａ及び１３ｂとは突起電極１４を介して電気的に接続される。また、半導体素子１５の表面側、すなわち突起電極１４が配置される側は、封止樹脂材９によってモールドされている。具体的には、半導体素子１５の表面、突起電極１４並びにインナリード１３ａ及び１３ｂが封止樹脂材９によって覆われている。
【００４０】
放熱板１０には、ねじ孔１０ａと凹部とが形成され、例えばアルミニウムからなる。放熱板１０の凹部には、テープキャリア基板１に実装された半導体素子１５が凹部の壁面及び底面と間隔をおいて嵌め込まれる。放熱板１０の凹部の底面上には、半導体素子１５の裏面（突起電極１４とは反対側の面）との間にシリコーン樹脂材又は導電性ペースト材からなる熱伝導性材料２２が充填されている。放熱板１０は、充填された熱伝導性材料２２を介して、半導体素子１５の裏面と接触する。また、放熱板１０は、テープキャリア基板１と対向する面が少なくとも平坦であり、その平坦な面とテープキャリア基板１との間に配置された両面テープ等の接着材１９を介してテープキャリア基板１と接着される。
【００４１】
以下に、半導体装置１１の製造方法の一例について説明する。具体的には、テープキャリア基板１に半導体素子１５が実装されて、半導体装置１１が製造されるまでを説明する。
【００４２】
まず、半導体素子１５の上面に形成されている突起電極１４と、テープキャリア基材２の素子搭載領域Ｍに形成されたインナリード１３ａ及び１３ｂとをボンディングツールによって熱圧着することにより、突起電極１４と各インナリード１３ａ及び１３ｂとに金属接合を形成する。
【００４３】
次に、半導体素子１５並びにインナリード１３ａ及び１３ｂを外力、湿気及び汚染物質等から電気的及び物理的に保護されるように、半導体素子１５の表面、突起電極１４並びにインナリード１３ａ及び１３ｂに封止樹脂材９をポッティングする。ポッティングの後に、封止樹脂材９を加熱して硬化する。
【００４４】
次に、テープキャリア基板１を所定の形状に打ち抜く。
【００４５】
次に、打ち抜かれたテープキャリア基板１に実装された半導体素子１５を放熱板１０の凹部に嵌め込む。前述したように、放熱板１０の凹部にはその底面に、熱伝導性材料２２があらかじめ充填されている。このため、凹部に嵌め込まれた半導体素子１５は、充填されている熱伝導性材料２２を介して放熱板１０と接触する。さらに、放熱板１０をそのテープキャリア基板１との対向面と接着材１９を介してテープキャリア基板１と接着する。
【００４６】
以上のように、半導体装置１１は、テープキャリア基板１に半導体素子１５が実装され、さらに放熱板１０を貼り付けられて製造される。
【００４７】
（一実施形態の第１変形例）
本実施形態においては、素子実装領域Ｍがベース基板２ａと配線基板２ｂとの２層で構成されている。このため、ボンディングツールによる熱圧着時にインナリード１３ａ及び１３ｂが配線基板２ｂ側に沈み込んで、金属接合の強度が十分に得られなくなることが考えられる。この場合は、第１変形例として、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、ベース基材２ａにおける素子実装領域Ｍを開口して  配線基板２ｂのみの１層で構成する。これにより、突起電極１４と各インナリード１３ａ及び１３ｂとは良好な金属接合を得ることができるようになる。
【００４８】
ところで、以上のように構成された半導体装置１１は、テープキャリア基板１の柔軟な配線基材２ｂの１層部分により、長手方向Ｌに沿ってＲ状（アーチ状）に曲げた状態でＰＤＰに容易に実装できる。実装された半導体装置１１は、温度変化によりパネルの幅方向、すなわちテープキャリア基材２の幅方向Ｗに発生する応力が加わる。しかしながら、本実施形態及びその変形例においては、テープキャリア基板１におけるテープキャリア基材２を、スリット６のみではなく柔軟な配線基材２ｂのみの１層で構成することにより、印加される応力を緩和する。
【００４９】
ここで、半導体装置１１がテープキャリア基板１を用いて構成されるＰＤＰの駆動用ドライバ装置である場合には、図３に示すように、ＰＤＰのガラスパネル１６とアルミシャーシ１７とに跨った状態で固定される。このとき、テープキャリア基板１に撓みが発生した場合でも、テープキャリア基材２（導体配線８ａ及び８ｂ）への応力集中を防ぐことができる。すなわち、従来、テープキャリア基材２の厚さは、５０μｍ〜７５μｍとしていたが、本実施形態においては、配線基材２ｂの厚さを３μｍ以上且つ３５μｍ以下程度、より好ましくは４μｍ以上且つ２９μｍ以下程度とすることにより、その柔軟性が向上する。このため、テープキャリア基板１の撓みにより発生する応力は、１層の配線基材２ｂで十分に吸収することができる。従って、テープキャリア基板１に撓みが発生した場合でも、導体配線８ａ及び８ｂの断線を防ぐことができる。
【００５０】
なお、本実施形態においては、入力端子部３から素子搭載領域Ｍを含む放熱板１０の接着材１９による固定部までの領域Ｂをベース基材２ａと配線基材２ｂとの２層によって構成している。これにより、ＰＤＰの電源回路のコネクタと接続するために必要な厚さを確保することができる。また、素子搭載領域Ｍの周辺部においてもベース基材２ａと配線基材２ｂとの２層によって構成されるため、テープキャリア基材２の剛性は確保される。従って、テープキャリア基板１に放熱板１０を接着する際には、半導体素子１５が放熱板１０の凹部に充填された熱伝導性材料２２を所定の厚さにまで押し広ることができる。これにより、半導体素子１５から熱伝導性材料２２を介して放熱板１０までの放熱経路が確実に形成される。
【００５１】
次に、以上のように構成された半導体装置１１が実装されたＰＤＰについて図３を用いて説明する。
【００５２】
ガラスパネル１６は、ＰＤＰのパネルを構成し、その後面に放熱シート（図示せず）を介して、ガラスパネル１６とほぼ同一寸法のアルミシャーシ１７が貼り付けられる。このような放熱構造とするのは、近年、ＰＤＰにおいては、高電圧駆動のためパネル及び電源等の周辺部品の発熱量が非常に大きくなってきているからである。また、ガラスパネル１６の前面には、半導体装置１１の一方の面、例えば放熱板１０を内側にしてその一部が実装される。
【００５３】
アルミシャーシ１７は、ガラスパネル１６の後面側の面に半導体装置１１の一方の面の他の一部が実装されている。アルミシャーシ１７は、ＰＤＰに映像を出力するための中心的な役割を担っており、半導体装置１１に加え、図示はしていないが電源回路及び信号制御用の回路基板が取り付けられている。さらに、アルミシャーシ１７は、半導体装置１１を実装するための突出部１７ａを有しており、該突出部１７ａには、ねじ孔１７ｂが設けられている。アルミシャーシ１７には、突出部１７ａのねじ孔１７ｂに取り付けられるねじ２０によって、半導体装置１１における放熱板１０が固定される。
【００５４】
すなわち、半導体装置１１は、一方の面である導体配線８ａ及び８ｂが形成されている面とガラスパネル１６の前面とを対向させて、その出力端子部４がガラスパネル１６の前面に実装される。また、半導体装置１１は、そのテープキャリア基板１がＲ状に曲げられて、一方の面にある入力端子部３がアルミシャーシ１７に固定される。このようにして実装された半導体装置１１は、ＰＤＰを構成するパネルと該パネルを覆う筐体（図示せず）との間の隙間に収納される。
【００５５】
より詳細には、半導体装置１１は、出力端子部４がガラスパネル１６の前面にＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）によって熱圧着される。これにより、導体配線８ｂが出力端子部４を介してガラスパネル１６と電気的に接続される。半導体装置１１は、テープキャリア基板１がＲ状に曲げられた上で、入力端子部３及び半導体素子１５がアルミシャーシ１７に実装される。ここで、半導体装置１１は、放熱板１０を介してアルミシャーシ１７に固定される。これは、半導体装置１１における半導体素子１５の放熱を速やかに行わせるためであり、例えばアルミニウムからなる放熱板１０をアルミシャーシ１７と接触させることにより、半導体素子１５が発する熱をアルミシャーシ１７に容易に放熱させることができる。このように、テープキャリア基板１は、放熱板１０のねじ孔１０ａに通されたねじ２０によって、アルミシャーシ１７に固定される。
【００５６】
以上のようにして、半導体装置１１はＰＤＰに実装される。
【００５７】
次に、ＰＤＰに実装された半導体装置１１にパネルの幅方向のストレスが加えられた場合の応力について説明する。具体的には、半導体装置１１にパネルの幅方向のストレスが加えられ、テープキャリア基板１が撓んだ状態において、テープキャリア基板１に発生する応力について図面を参照しながら説明する。
【００５８】
図４はＰＤＰに実装された、従来の半導体装置１１１に対して、パネルの幅方向のストレスが加えられて撓みが発生した状態を実験結果に基づいて示している。すなわち、パネルの幅方向のストレスが従来の半導体装置１１１に加えられ、撓みが発生した変位後の状態を示している。図４に示すように、従来の半導体装置１１１のスリット１０６のエッジの周辺には応力集中が起こっているのが分かる。
【００５９】
これに対し、図５はＰＤＰに実装された、本実施形態に係る半導体装置に対して、パネルの幅方向のストレスが加えられ、その応力を吸収している状態を実験結果に基づいて示している。すなわち、パネルの幅方向の右方向又は左方向のストレスが半導体装置１１に加えられ、撓みが発生した状態である。しかしながら、図５に示すように、本実施形態においては、テープキャリア基材２におけるガラスパネル１６とアルミシャーシ１７とに跨った部分を配線基材２ｂのみの１層とし、且つ配線基材２ｂの厚さを薄く形成している。これにより、配線基材２ｂにおける柔軟性が向上して、印加された応力を吸収していることが分かる。
【００６０】
このように、本実施形態に係る半導体装置１１は、テープキャリア基材２におけるガラスパネル１６とアルミシャーシ１７とに跨った部分を配線基材２ｂのみの１層とし且つその厚さを薄くすることにより、テープキャリア基材２の柔軟性を向上させている。これにより、半導体装置１１にパネルの幅方向のストレスが加えられた場合でも、柔軟性を持たせることにより、発生した応力を吸収することができる。従って、テープキャリア基板１に撓みが発生した場合でも、導体配線８ａ及び８ｂの断線を防ぐことができる。
【００６１】
以上、本実施形態によると、テープキャリア基板１の撓みにより発生する応力を分散させ、テープキャリア基板１の導体配線８ａ及び８ｂの破断を防止することができるテープキャリア基板１及びそれを備えた半導体装置１１を実現することができる。
【００６２】
なお、本実施形態に係るテープキャリア基板１及びそれを備えた半導体装置１１は、スリット６のみでなく、ガラスパネル１６とアルミシャーシ１７とに跨った部分の配線基材２ｂの厚さを薄く形成している。
【００６３】
これにより、パネルの幅方向のストレスが加えられても、テープキャリア基板１の柔軟な部分で応力を吸収することができる。このため、テープキャリア基板１に撓みが発生した場合でも、導体配線８ａ及び８ｂの断線を防止することができる。従って、ＰＤＰとその駆動用ドライバとして用いられる半導体装置１１との接続信頼性を飛躍的に向上させることができる。
【００６４】
（一実施形態の第２変形例）
以下、一実施形態の第２変形例について図６及び図７を参照しながら説明する。
【００６５】
図６及び図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、第２変形例に係る半導体装置１１は、テープキャリア基材２における周縁部Ｎ１とスリット６の周縁部Ｎ２とを、ベース基材２ａと配線基材２ｂとの２層構造としている。
【００６６】
この場合、テープキャリア基材２におけるガラスパネル１６とアルミシャーシ１７とに跨った部分の配線基材２ｂを薄くすることにより、テープキャリア基板１の変形、又は半導体装置１１の取り付け作業時の過度な応力によるテープキャリア基板１の破れ等に対しても、その品質を維持することができる。すなわち、導体配線８ｂへの応力を分散させ、導体配線８ｂの断線を防ぐことができるという効果を奏する。
【００６７】
（一実施形態の第３変形例）
ここで、図８（ａ）及び（ｂ）並びに図９に一実施形態の第３変形例を示す。図８（ａ）及び（ｂ）並びに図９に示すように、本変形例においては、テープキャリア基材２を、入力端子部３から素子搭載領域を含む放熱板１０の接着材１９による固定部までの領域Ｂに加え、出力端子部４の近傍部分においてもベース基材２ａと配線基材２ｂとの２層構造とする。
【００６８】
この構成により、半導体装置１１を例えばガラスパネル１６に実装する際に、テープキャリア基板１が変形して生じる端子の位置ずれによる接続不良を防ぐことができる。すなわち、出力端子４とパネルの端子とを精度良く位置合わせすることが可能となる。
【００６９】
なお、上記の一実施形態及び各変形例においては、出力端子部４と放熱板１０との間を１層の配線基材２ｂにより構成したが、これとは逆に、入力端子部３と放熱板１０（半導体素子１５）との間隔が、出力端子部４と放熱板１０との間隔よりも大きい場合には、入力端子部３と放熱板１０との間を１層の配線基材２ｂにより構成してもよい。
【００７０】
また、上記の一実施形態及び各変形例は、ＴＡＢ技術によるＴＣＰ型半導体装置に限られず、デバイスホールを持たないＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）型の半導体装置についても同様の効果を得ることができる。
【００７１】
このように、本実施形態及びその変形例によると、テープキャリア基板１の撓みにより発生する応力を分散させて、該テープキャリア基板１の導体配線８ａ及び８ｂの破断を防止することができるテープキャリア基板１及びそれを備えた半導体装置１１を実現することができる。
【００７２】
具体的には、例えばＰＤＰのガラスパネル１６とアルミシャーシ１７とに跨った状態で実装される駆動用ドライバ装置におけるテープキャリア基板１の撓みにより発生する応力を分散させることができる。従って、ＰＤＰの電源のオン状態及びオフ状態が繰り返されて、ＰＤＰの筐体内に大きな温度変化が繰り返し起こったとしても、テープキャリア基板１の導体配線８ａ及び８ｂが断線することを防止でき、高品質なテープキャリア基板１及び半導体装置１１を得ることが可能となる。
【００７３】
以上、本発明に係るテープキャリア基板１及びそれを備えた半導体装置１１について、一実施形態に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されない。すなわち、本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種の変形や、異なる実施形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も本発明の範囲内に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明に係る半導体装置は、テープキャリア基板の撓みにより発生する応力を分散させることができることから、テープキャリア基板の導体配線の破断を防止することができ、テープキャリア基板に半導体素子を曲げた状態で実装する半導体装置等に有用である。
【符号の説明】
【００７５】
１      テープキャリア基板
２      テープキャリア基材
２ａ    ベース基材
２ｂ    配線基材
３      入力端子部
４      出力端子部
６      スリット
８ａ    導体配線
８ｂ    導体配線
９      封止樹脂材
１０    放熱板
１０ａ  ねじ孔
１１    半導体装置
１２    有機絶縁膜
１３ａ  インナリード
１３ｂ  インナリード
１４    突起電極
１５    半導体素子
１６    ガラスパネル
１７    アルミシャーシ
１７ａ  突出部
１７ｂ  ねじ孔
１９    接着材
２０    ねじ
２２    熱伝導性材料
Ｌ      長手方向
Ｗ      幅方向
Ｍ      素子搭載領域
Ｎ１    テープキャリア基材の周縁部
Ｎ２    スリットの周縁部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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