(57)【要約】【課題】研磨量を高精度に制御してトレーリングエッジ幅を均一化することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】集積構造体１００における磁極先端部１３Ａおよび抵抗センサ１０３を一緒に途中まで研磨して、磁極先端部１３Ａのトレーリングエッジ（ＴＥ）幅Ｗ１および抵抗センサ１０３の高さＨ１を測定する。測定されたＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１を比較基準（ＴＥ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係）と比較して、目標高さＨＣを決定する。決定された目標高さＨＣに高さＨ１が到達するまで磁極先端部１３Ａおよび抵抗センサ１０３を一緒に研磨して、エアベアリング面４０を形成する。【選択図】図９
2011198395.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁極先端部および抵抗センサがそれぞれ２つ以上配列された集積構造体を形成し、
前記集積構造体における前記磁極先端部および前記抵抗センサを一緒に途中まで研磨し、
途中まで研磨された前記集積構造体における前記磁極先端部のトレーリングエッジ幅Ｗ１および前記抵抗センサの高さＨ１を測定し、
測定された前記トレーリングエッジ幅Ｗ１および前記高さＨ１を、比較基準であるトレーリングエッジ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係と比較して、目標高さＨＣを決定し、
決定された目標高さＨＣに高さＨ１が到達するまで、前記集積構造体における前記磁極先端部および前記抵抗センサを一緒に研磨して、エアベアリング面を形成する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記目標高さＨＣを決定する前に、前記トレーリングエッジ幅Ｗ２と前記高さＨ２との相関関係から、前記トレーリングエッジ幅Ｗ２が目標トレーリングエッジ幅ＷＣになるときの前記高さＨ２を前記目標高さＨＣとして設定する
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記集積構造体における前記磁極先端部および前記抵抗センサを研磨する前に、
磁極先端部および抵抗センサがそれぞれ２つ以上配列された他の集積構造体を形成し、
前記他の集積構造体における前記磁極先端部および前記抵抗センサを一緒に研磨し、
研磨された前記他の集積構造体における前記磁極先端部の前記トレーリングエッジ幅Ｗ２および前記抵抗センサの前記高さＨ２を測定し、
測定された前記トレーリングエッジ幅Ｗ２および前記高さＨ２から、それらの相関関係を取得する
ことを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記磁極先端部および前記抵抗センサごとに前記トレーリングエッジ幅Ｗ２および前記高さＨ２が異なるように、前記他の集積構造体を斜め研磨する
ことを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記目標高さＨＣを決定する前に、前記トレーリングエッジ幅Ｗ２と前記高さＨ２との相関関係を表す相関線Ｌ２を取得し、
前記目標高さＨＣを決定する際に、
前記トレーリングエッジ幅Ｗ１および前記高さＨ１を相関線Ｌ２と比較し、
前記トレーリングエッジ幅Ｗ１および前記高さＨ１により特定される座標上の点が前記相関線Ｌ２から外れているとき、その相関線Ｌ２と勾配が等しくなるように前記トレーリングエッジ幅Ｗ１と前記高さＨ１との相関関係を表す相関線Ｌ１を取得し、
前記相関線Ｌ１から、前記トレーリングエッジ幅Ｗ１が前記目標トレーリングエッジ幅ＷＣになるときの前記高さＨ１を前記目標高さＨＣとして再設定する
ことを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エアベアリング面にトレーリングエッジを有する磁極先端部を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、「記録媒体」という。）の面記録密度が増加していることに伴い、磁気記録ヘッドの性能向上が求められている。そこで、信号磁界の向きを記録媒体の記録面と交差する方向に設定する垂直磁気記録ヘッドが注目されている。線記録密度が高くなると共に、記録済みの記録媒体が熱揺らぎの影響を受けにくいからである。
【０００３】
垂直磁気記録ヘッドは、磁束発生用の薄膜コイルと共に、その薄膜コイルで発生した磁束を記録媒体へ導く主磁極層を備えている。この主磁極層は、記録トラック幅を規定する磁極先端部を含んでおり、その磁極先端部は、一端面（エアベアリング面）にトレーリングエッジを有している。垂直磁気記録ヘッドでは、磁極先端部のトレーリングエッジで実質的に記録処理が行われる。
【０００４】
垂直磁気記録ヘッドの製造工程では、製造効率を向上させるために、複数の垂直磁気記録ヘッドを一括製造している。具体的には、複数の垂直磁気記録ヘッドがマトリクス状に配列された集積構造体を形成したのち、その集積構造体を研磨（複数の磁極先端部を一括研磨）してエアベアリング面を形成している。なお、必要に応じて、集積構造体を列ごとに切断して複数のバー状の構造分離体に分離したのち、各構造分離体を研磨している。
【０００５】
この場合には、製造工程の途中でトラック幅を正確に知るために、ウェハの上に複数の薄膜コイルおよび主磁極層を形成する際に、それらと一緒にエアベアリング面の形成位置を示すための基準となる複数の指標部分を形成している（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１９０４３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
複数の磁極先端部を一括研磨する場合には、記録性能に大きな影響を及ぼすトレーリングエッジ幅を均一化するために、磁極先端部間における研磨量のばらつきを抑える必要がある。しかしながら、一括研磨工程では研磨量が磁極先端部ごとにばらつきやすいと共に、集積構造体を複数の構造分離体に分離する場合には研磨量が構造分離体ごとでもばらつきやすいため、トレーリングエッジ幅を均一化することは困難である。その上、記録密度が益々増加している近年の技術的状況を反映して、トレーリングエッジ幅は０．１μｍを下回るまで狭くなりつつあるため、研磨量を制御すること自体が困難になっている。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、研磨量を高精度に制御してトレーリングエッジ幅を均一化することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、以下の工程を行うようにしたものである。磁極先端部および抵抗センサがそれぞれ２つ以上配列された集積構造体を形成する。集積構造体における磁極先端部および抵抗センサを一緒に途中まで研磨する。途中まで研磨された集積構造体における磁極先端部のトレーリングエッジ幅Ｗ１および抵抗センサの高さＨ１を測定する。測定されたトレーリングエッジ幅Ｗ１および高さＨ１を比較基準であるトレーリングエッジ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係と比較して目標高さＨＣを決定する。決定された目標高さＨＣに高さＨ１が到達するまで集積構造体における磁極先端部および抵抗センサを一緒に研磨してエアベアリング面を形成する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、集積構造体における磁極先端部および抵抗センサを一緒に途中まで研磨してトレーリングエッジ幅Ｗ１および高さＨ１を測定し、そのトレーリングエッジ幅Ｗ１および高さＨ１を比較基準（トレーリングエッジ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係）と比較して目標高さＨＣを決定したのち、その目標高さＨＣに高さＨ１が到達するまで磁極先端部および抵抗センサを一緒に研磨してエアベアリング面を形成している。これにより、エアベアリング面における磁極先端部のトレーリングエッジ幅が高い確率で許容範囲内に入るため、研磨量を高精度に制御してトレーリングエッジ幅を均一化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための流れ図である。
【図２】図１に続く製造方法を説明するための流れ図である。
【図３】集積構造体の構成を表す平面図である。
【図４】図３に示した集積構造体の一部を拡大して表す平面図である。
【図５】図４に示したＶＡ−ＶＡおよびＶＢ−ＶＢに沿った集積構造体の断面図である。
【図６】主磁極層の構成を表す平面図である。
【図７】薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための平面図である。
【図８】図７に続く製造工程を説明するための平面図である。
【図９】図８に続く製造工程を説明するための平面図である。
【図１０】図９に続く製造工程を説明するための平面図である。
【図１１】トレーリングエッジ（ＴＥ）幅Ｗと高さＨとの間の相関を表す図である。
【図１２】ＴＥ幅Ｗと高さＨとの間の他の相関を表す図である。
【図１３】薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する変形例を説明するための平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１〜図１２は、本発明の一実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するためのものである。図１および図２は製造方法の流れ、図３〜図１０は製造工程の内容（平面構成および断面構成）、図１１および図１２はＴＥ幅Ｗと高さＨとの相関をそれぞれ表している。なお、図５（Ａ），（Ｂ）は、それぞれ図４に示したＶＡ−ＶＡ線およびＶＢ−ＶＢ線に沿った断面を示している。また、図５および図６に示した４０−４０線は、最終的にエアベアリング面４０（図９）となる位置を表している。
【００１４】
以下では、図３〜図１０に示したＸ軸方向およびＹ軸方向の寸法をそれぞれ幅および高さとし、図５におけるＺ軸方向の上側および下側をそれぞれトレーリング側およびリーディング側とする。また、エアベアリング面４０に近い側および遠い側をそれぞれ前側および後側とする。
【００１５】
ここで説明する薄膜磁気ヘッドは、例えば、再生処理および記録処理の双方を実行可能な複合型ヘッドである。
【００１６】
最初に、図３〜図６に示したように、複数の薄膜磁気ヘッドを一括製造するための集積構造体１００を形成する（図１：ステップＳ１０１）。
【００１７】
この集積構造体１００は、図３および図４に示したように、基体１０１の一面にヘッド構造１０２（磁極先端部１３Ａ）および抵抗センサ１０３がそれぞれ２つ以上配列されたものである。ヘッド構造１０２および抵抗センサ１０３の配列数、配列順および配列パターンなどの条件は、後述するようにヘッド構造１０２および抵抗センサ１０３を一緒に研磨できれば任意でよい。
【００１８】
ここでは、例えば、複数組のヘッド構造１０２および抵抗センサ１０３がマトリクス状（複数行×複数列）に配列されており、各列においてヘッド構造１０２および抵抗センサ１０３が交互に配置されている。なお、行は縦方向（Ｙ軸方向）の並び、列は横方向（Ｘ軸方向）の並びであり、それらの行数および列数は、任意である。
【００１９】
基体１０１は、例えば、アルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）などにより形成されたウェハである。
【００２０】
ヘッド構造１０２は、未だエアベアリング面４０が形成されていないことを除き、最終的に形成される薄膜磁気ヘッドと同様の構成を有している。詳細には、ヘッド構造１０２は、例えば、図５に示したように、基体１０１の上に、絶縁層１と、磁気抵抗効果（ＭＲ：magneto-resistive effect）を利用して再生処理を実行する再生ヘッド部５０Ａと、分離層８と、垂直磁気記録方式の記録処理を実行する記録ヘッド部５０Ｂと、オーバーコート層２３とがこの順に積層されたものである。
【００２１】
絶縁層１、分離層８およびオーバーコート層２３は、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ；以下、「アルミナ」という。）などにより形成されている。
【００２２】
再生ヘッド部５０Ａは、下部リードシールド層２と、シールドギャップ膜３と、上部リードシールド層３０とがこの順に積層されたものであり、そのシールドギャップ膜３には、再生素子（ＭＲ素子７）が埋設されている。下部リードシールド層２は、例えば、ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）などにより形成されており、そのニッケル鉄合金としては、例えば、ニッケルおよび鉄の含有量がそれぞれ８０重量％および２０重量％であるパーマロイ（商品名）などが挙げられる。上部リードシールド層３０は、非磁性層５を介して磁性層４，６が積層されたものである。磁性層４，６は、例えば、パーマロイなどにより形成されており、非磁性層５は、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）またはアルミナなどにより形成されている。シールドギャップ膜３は、例えば、アルミナなどにより形成されている。ＭＲ素子７は、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ：giant magneto-resistive effect）またはトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ：tunneling magneto-resistive effect）などを利用して動作する。
【００２３】
記録ヘッド部５０Ｂは、コイル絶縁層１０〜１２により埋設された薄膜コイル９と、絶縁層１４により周囲を埋設された主磁極層１３と、ギャップ層１５と、補助磁極層１６、ライトシールド層１７および埋込絶縁層１８と、コイル絶縁層１９，２１により埋設された薄膜コイル２０と、リターンヨーク層２２とがこの順に積層されたものである。薄膜コイル９，２０は、例えば、銅（Ｃｕ）などにより形成されており、バックギャップＢＧを中心として巻回された構造（スパイラル構造）を有している。コイル絶縁層１０，２１は、例えば、加熱時に流動性を示すフォトレジストまたはスピンオングラス（ＳＯＧ：Spin On Glass ）などにより形成されており、コイル絶縁層１１，１２，１９、絶縁層１４、ギャップ層１５および埋込絶縁層１８は、例えば、アルミナなどにより形成されている。主磁極層１３、補助磁極層１６、ライトシールド層１７およびリターンヨーク層２２は、例えば、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）または鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）などにより形成されている。補助磁極層１６は、主磁極層１３よりも後退していると共にそれに連結されている。ライトシールド層１７は、ギャップ層１５を介して主磁極層１３に対向している。リターンヨーク層２２は、前方でライトシールド層１７に連結されていると共に後方のバックギャップＢＧで補助磁極層１６に連結されている。
【００２４】
主磁極層１３は、例えば、図６に示したように、エアベアリング面４０となる側（４０−４０線に近い側）から後方に延在しており、前方から順に磁極先端部１３Ａ、中間部１３Ｂおよびヨーク部１３Ｃを含んでいる。磁極先端部１３Ａは、記録トラック幅を規定する先端部分であり、その幅は、Ｗ３からそれよりも大きなＷ４まで次第に広がっている。また、磁極先端部１３Ａの断面は、例えば、図５（Ａ）に示したように、トレーリング側の端縁（上端）の幅がリーディング側の端縁（下端）の幅よりも大きな逆台形状を有している。エアベアリング面４０が形成された薄膜磁気ヘッドでは、例えば、エアベアリング面４０における磁極先端部１３Ａの一端面の形状も逆台形状になる。中間部１３Ｂの幅は、Ｗ４からそれよりも大きなＷ５まで次第に広がっている。ヨーク部１３Ｂの幅は、Ｗ５よりも大きな一定幅Ｗ６であり、そのヨーク部１３Ｂの平面形状は、横長である。ただし、主磁極層１３の平面形状は、必ずしも上記した形状に限られない。
【００２５】
ヘッド構造１０２は、例えば、配線パターン１０４を介して電極パッド１０５に連結されている。配線パターン１０４および電極パッド１０５の数は、任意である。なお、図４では、図示内容を簡略化するために、ヘッド構造１０２については主要部（主磁極層１３）だけを示しており、以降でも同様である。
【００２６】
抵抗センサ１０３は、ヘッド構造１０２（磁極先端部１３Ａ）を研磨してエアベアリング面４０を形成する際に、その研磨処理の進行度を制御するために用いられる抵抗膜パターンである。研磨工程では、抵抗センサ１０３の寸法変化に応じて電気抵抗が変化するため、その電気抵抗の変化に基づいて研磨量が把握される。この抵抗センサ１０３は、磁極先端部１３Ａと同様に、エアベアリング面４０となる側から後方に延在している。
【００２７】
集積構造体１００は、例えば、後工程において、図４に示した破線Ｃ１，Ｃ２に沿って切断される。このため、磁極先端部１３Ａおよび抵抗センサ１０３は、列ごとに破線Ｃ１近傍に配置されている。破線Ｃ１，Ｃ２により画定される領域Ｒ１〜Ｒ３のうち、隣り合う領域Ｒ１，Ｒ２にそれぞれヘッド構造１０２および抵抗センサ１０３が配置されており、領域Ｒ３は、列を区切るための予備スペースである。なお、図４では図示を省略しているが、例えば、領域Ｒ２には、主磁極層１３の代わりに抵抗センサ１０３が形成されていることを除き、ヘッド構造１０２と同様の構成を有する積層構造体が形成されている。このため、抵抗センサ１０３は、例えば、主磁極層１３と同一階層に位置しており、その主磁極層１３と同様の材料により形成されている。
【００２８】
なお、集積構造体１００を形成する場合には、例えば、既存の薄膜プロセスを用いて、基体１０１の上に主磁極層１３および抵抗センサ１０３などの一連の構成要素を順に形成して積層させる。既存の薄膜プロセスとは、例えば、鍍金法またはスパッタリング法などの膜形成技術、フォトリソグラフィ法などのパターニング技術、ドライエッチング法またはウェットエッチング法などのエッチング技術、化学機械研磨（ＣＭＰ：chemical mechanical polishing ）法などの研磨技術であり、これら以外の技術でもよい。抵抗センサ１０３は、例えば、主磁極層１３と同一工程で形成される。なお、主磁極層１３が鍍金法により形成される場合には、抵抗センサ１０３は、鍍金膜を成長させるためのシード層と同一工程で形成されてもよい。
【００２９】
続いて、任意（例えば一番端）の列における破線Ｃ１に沿って集積構造体１００を切断して、図７に示したように、切断面１００Ｋ１を形成する。これにより、磁極先端部１３Ａおよび抵抗センサ１０３が切断面１００Ｋ１に沿って配置されるため、それらを一緒に研磨できるようになる。
【００３０】
続いて、エアベアリング面４０を形成するために、集積構造体１００の切断面１００Ｋ１を途中まで研磨（プレ研磨）する（図１：ステップＳ１０２）。これにより、磁極先端部１３Ａおよび抵抗センサ１０３が一緒にプレ研磨される。この場合には、研磨方法として、例えば、ＣＭＰ法などを用いる。この研磨方法の種類は、例えば、後述する研磨工程でも同様である。なお、「プレ研磨」とは、エアベアリング面４０の形成時点をもって全ての研磨工程を完了とする場合において、そのエアベアリング面４０の形成時点に未だ至っていない途中までの研磨を意味する。
【００３１】
続いて、プレ研磨された集積構造体１００における磁極先端部１３ＡのＴＥ幅Ｗ１および抵抗センサ１０３の高さＨ１を測定する（図１：ステップＳ１０３）。この「ＴＥ幅」は、磁極先端部１３Ａの端面（研磨面）におけるトレーリングエッジの幅である。この場合には、全ての磁極先端部１３Ａおよび抵抗センサ１０３についてＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１を測定してもよいし、一部の磁極先端部１３Ａおよび抵抗センサ１０３だけについてＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１を測定してもよい。このことは、後述するＴＥ幅Ｗ２および高さＨ２を測定する場合でも同様である。ここでは、例えば、１つずつの磁極先端部１３Ａおよび抵抗センサ１０３についてＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１を測定する。
【００３２】
ＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１を測定する場合には、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）または深紫外線顕微鏡（ＤＵＶ：Deep Ultraviolet Microscope ）などを用いてプレ研磨後の磁極先端部１３Ａおよび抵抗センサを観察しながらＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１を実測する。このことは、例えば、後述するＴＥ幅Ｗ２および高さＨ２を測定する場合でも同様である。
【００３３】
続いて、測定されたＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１を、エアベアリング面４０の形成時においてＴＥ幅Ｗ１を目標ＴＥ幅ＷＣにするための比較基準であるＴＥ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係と比較する（図１：ステップＳ１０４）。
【００３４】
このＴＥ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係は、エアベアリング面４０を形成するためにＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１を測定しながら現在行っている（研磨途中である）研磨処理の終了時点を高精度に見極める（目標高さＨＣを決定する）ために、あらかじめ準備しておいた比較対象である。
【００３５】
ここで、ＴＥ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係の準備手順は、例えば、以下の通りである。
【００３６】
最初に、図８に示したように、ＴＥ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係を調べるための他の集積構造体２００を形成する（図２：ステップＳ２０１）。この他の集積構造体２００は、例えば、ＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１を測定するために用いる集積構造体１００（図３〜図６）と同様の構成を有しており、ヘッド構造１０２（磁極先端部１３Ａ）および抵抗センサ１０３をそれぞれ２つ以上備えている。
【００３７】
続いて、集積構造体１００を切断した場合（図７）と同様に他の集積構造体２００を破線Ｃ１に沿って切断し、その他の集積構造体２００（磁極先端部１３Ａおよび抵抗センサ１０３）の切断面２００Ｋ１を研磨したのち（図２：ステップＳ２０２）、研磨された磁極先端部１３ＡのＴＥ幅Ｗ２および抵抗センサ１０３の高さＨ２を測定する（図２：ステップＳ２０３）。
【００３８】
この場合には、ＴＥ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係を調べることができるようにするために、異なる研磨量において複数のＴＥ幅Ｗ２および高さＨ２を測定することが好ましい。このように複数のＴＥ幅Ｗ２および高さＨ２を測定するためには、研磨後にＴＥ幅Ｗ２および高さＨ２を測定する工程を複数回繰り返してもよいが、中でも、図８に示したように、磁極先端部１３Ａおよび抵抗センサ１０３ごとにＴＥ幅Ｗ２および高さＨ２が異なるように他の集積構造体２００を斜め研磨することが好ましい。研磨工程を複数回繰り返さなくても、１回の研磨工程だけで異なる研磨量における複数のＴＥ幅Ｗ２および高さＨ２を測定できるからである。
【００３９】
斜め研磨とは、切断面２００Ｋ１に対して研磨面（研磨後の切断面２００Ｋ１）が傾くように意図的に研磨することを意味する。詳細には、本来であれば、全ての抵抗センサ１０３の高さＨ２を等しくするために、列方向の一端に位置する抵抗センサ１０３の高さＨ２と他端に位置する抵抗センサ１０３の高さＨ２とが等しくなるように、複数の抵抗センサ１０３に対する研磨量を均一化したいはずである。なぜなら、一端の抵抗センサ１０３の高さＨ２と他端の抵抗センサ１０３の高さＨ２とが等しくなれば、それらの間に位置する他の抵抗センサ１０３の高さＨ２も等しくなるため、全ての抵抗センサ１０３の高さＨ２が等しくなるはずだからである。これに対して、斜め研磨では、一端の抵抗センサ１０３の高さＨ２と他端の抵抗センサ１０３の高さＨ２とが異なるように、複数の抵抗センサ１０３に対する研磨量を意図的にばらつかせる。これにより、高さＨ２は、一端の抵抗センサ１０３から他端の抵抗センサ１０３に向かって次第に変化することになる。
【００４０】
最後に、測定されたＴＥ幅Ｗ２および高さＨ２から、それらの相関関係を取得する（図２：ステップＳ２０４）。この相関関係は、高さＨ２がある値のときにＴＥ幅Ｗ２がどのような値になるかを導き出すことができる関係である。この相関関係としては、例えば、グラフまたは表などが挙げられるが、これらに限られない。
【００４１】
中でも、高さＨ２の値からそれに対応するＴＥ幅Ｗ２の値を簡単に導き出すために、相関関係としてグラフを作成することが好ましい。詳細には、説明を簡単にするために、例えば、図８に示したように、列方向に４組のヘッド構造１０２および抵抗センサ１０３が配列されているとして、他の集積構造体２００を斜め研磨したのち、各磁極先端部分１３ＡのＴＥ幅Ｗ２および各抵抗センサ１０３の高さＨ２を測定する。これにより、一端の組から他端の組に向かって順に、ＴＥ幅Ｗ２としてＷ２１〜Ｗ２４（Ｗ２１＞Ｗ２２＞Ｗ２３＞Ｗ２４）が得られると共に、それに応じて高さＨ２としてＨ２１〜Ｈ２４（Ｈ２１＜Ｈ２２＜Ｈ２３＜Ｈ２４）が得られる。
【００４２】
この測定結果から、図１１に示したように、ＴＥ幅Ｗ２１〜Ｗ２４および高さＨ２１〜Ｈ２４により特定される座標上の点Ａ〜Ｄをグラフ上にプロットして、それらの点Ａ〜Ｄを通る相関線Ｌ２を求める。この相関線Ｌ２は、ＴＥ幅Ｗ（Ｗ２）と高さＨ（Ｈ２）との対応関係を表しており、一方の値が分かれば他方の値が分かるという関係にある。ここでは、例えば、相関線Ｌ２がＴＥ幅Ｗ２と高さＨ２との比例関係を表す直線である。ただし、相関線Ｌ２は、ＴＥ幅Ｗ２および高さＨ２の値に応じて、曲線でもよいし、直線と曲線とが混在した線でもよい。
【００４３】
ＴＥ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係（相関線Ｌ２）を準備した場合には、その相関関係から、ＴＥ幅Ｗ２が目標ＴＥ幅ＷＣになるときの高さＨ２を目標高さＨＣとして設定（仮決定）しておく（図２：ステップＳ２０５）。具体的には、相関線Ｌ２からＴＥ幅Ｗ２が目標ＴＥ幅ＷＣになる座標上の点Ｅを特定し、その点Ｅに対応する高さＨ２を目標高さＨＣとする。目標ＴＥ幅ＷＣおよび目標高さＨＣは、最終的な目標であるＴＥ幅Ｗおよび高さＨである。なお、ここで設定した目標高さＨＣを「仮決定」と呼んでいるのは、後工程において目標高さＨＣが再設定される可能性があるからである。
【００４４】
図１１に示した網掛けの範囲は、目標ＴＥ幅ＷＣ±αを表す範囲であり、その目標ＴＥ幅ＷＣに製造誤差（±α）を加味した許容範囲を表している。このため、目標ＴＥ幅ＷＣは、許容範囲の中心値に該当する。相関線Ｌ２によれば、最終的に（エアベアリング面４０の形成時点において）目標ＴＥ幅ＷＣを得るためには、目標高さＨＣに到達するまで研磨処理を行えばよいことになる。
【００４５】
なお、ＴＥ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係を取得するために用いる他の集積構造体２００の数は、１つだけでもよいし、２つ以上でもよい。この場合には、例えば、他の集積構造体２００を複数準備し、他の集積構造体２００ごとに研磨量を変化させてＴＥ幅Ｗ２および高さＨ２を測定してもよい。また、ＴＥ幅Ｗ２および高さＨ２がばらついているため、相関線Ｌ２を正確に求めることができなかった場合などには、２つ以上の他の集積構造体２００を用いて相関線Ｌ２を求め直してもよい。
【００４６】
また、ＴＥ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係を取得するために用いる他の集積構造体２００（図８）は、ＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１を測定するために用いる集積構造体１００（図４）と同一ロットでもよいし、別ロットでもよい。「同一ロット」とは、共通の基体１０１の上に形成されている集積構造体１００同士の関係を意味し、「別ロット」とは、異なる基体１０１の上に形成されている集積構造体１００同士の関係を意味する。同一ロットとする場合には、基体１０１の上に集積構造体１００と一緒に形成されている他の列の集積構造体１００を他の集積構造体２００として用いる。一方、「別ロット」とする場合には、集積構造体１００が形成されている基体１０１とは異なる他の基体１０１の上に形成されている集積構造体１００を他の集積構造体２００として用いる。
【００４７】
さらに、ＴＥ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係を取得した場合には、その相関関係を他の集積構造体２００と同一ロットの集積構造体１００だけに適用してもよいし、別ロットの１または２以上の集積構造体１００まで適用してもよい。この場合には、２つ以上の相関関係を取得して適宜適用してもよい。
【００４８】
以上をもって、ＴＥ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係の準備手順に関する説明を終了する。
【００４９】
ＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１をＴＥ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係（相関線Ｌ２）と比較する場合には、ＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１が相関線Ｌ２から外れているかどうかを判定する（図１：ステップＳ１０５）。具体的には、図１２に示したように、ＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１により特定される座標上の点（Ｗ１，Ｈ１）が点Ａ〜Ｄと同様に相関線Ｌ２の上に位置するかどうかを調べる。
【００５０】
ＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１が相関線Ｌ２から外れていない場合（図１：ステップＳ１０５Ｎ）には、既に設定されている目標高さＨＣを再設定せずに最終的な目標高さＨＣとして決定したのち、高さＨ１が目標高さＨＣに到達するまで集積構造体１００を研磨してエアベアリング面４０を形成する。
【００５１】
一方、ＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１が相関線Ｌ２から外れている場合（図１：ステップＳ１０５Ｙ）には、そのＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１について相関線Ｌ２と同様の相関関係が成立する（相関線Ｌ２と勾配が等しくなる）ように、ＴＥ幅Ｗ１と高さＨ１との相関関係を表す相関線Ｌ１を取得する（図１：ステップＳ１０６）。
【００５２】
具体的には、図１２に示したように、ＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１により特定される座標上の点Ｆが相関線Ｌ２から外れている場合には、その点Ｆを通るように相関線Ｌ２を平行にシフトさせて相関線Ｌ１とする。この相関線Ｌ１は、他の集積構造体２００を研磨して導き出されたＴＥ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係を、集積構造体１００を研磨して測定されたＴＥ幅Ｗ１と高さＨ１との関係に反映させたものである。
【００５３】
続いて、相関線Ｌ１から、ＴＥ幅Ｗ１が目標ＴＥ幅ＷＣになるときの高さＨ１を目標高さＨＣとして再設定（決定）する（図１：ステップＳ１０７）。これにより、目標高さＨＣが最終決定される。
【００５４】
具体的には、図１２に示したように、ＴＥ幅Ｗ１が目標ＴＥ幅ＷＣになる相関線Ｌ１の上の点Ｇを特定して、その点Ｇに対応する高さＨ１を新たな目標高さＨＣとして再設定する。このように再設定された目標高さＨＣは、集積構造体１００を研磨して測定されたＴＥ幅Ｗ１と高さＨ１との相関関係を加味して、他の集積構造体２００を研磨して導き出されたＴＥ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係から仮決定された目標高さＨＣを補正したものである。
【００５５】
最後に、決定された目標高さＨＣに高さＨ１が到達するまで集積構造体１００（磁極先端部１３Ａおよび抵抗センサ１０３）を研磨（本研磨）して、図９に示したように、エアベアリング面４０を形成する（図１：ステップＳ１０８）。この場合には、ＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１を測定した１組の磁極先端部１３Ａおよび抵抗センサ１０３で高さＨ１が目標高さＨＣになれば、ＴＥ幅Ｗ１も目標ＴＥ幅ＷＣになるはずである。これに伴い、他の組の磁極先端部１３Ａおよび抵抗センサ１０３でも、ＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１がそれぞれ目標ＴＥ幅ＷＣおよび目標高さＨＣに近づくため、そのＴＥ幅Ｗ１が高い確率で許容範囲内（ＷＣ±α）に入るはずである。なお、「本研磨」とは、プレ研磨ののち、エアベアリング面４０の形成完了に至るまでの研磨を意味する。
【００５６】
集積構造体１００を本研磨する場合には、必要に応じて、アクチュエータなどを用いて集積構造体１００（切断面１００Ｋ１）の任意箇所（一部または全部）を押したり引いたりしながら研磨処理を行ってもよい。これにより、研磨量を微調整できる。
【００５７】
こののち、エアベアリング面４０が形成された集積構造体１００を破線Ｃ１，Ｃ２に沿って切断して、図１０に示したように、磁気ヘッドスライダ３００を得る。各磁気ヘッドスライダ３００は、エアベアリング面４０が形成された薄膜磁気ヘッドを含んでいる。
【００５８】
なお、上記した磁気ヘッドスライダ３００の形成手順を集積構造体１００の列ごとに繰り返すことにより、他の列からも同様に磁気ヘッドスライダ３００を得ることができる。
【００５９】
この薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、集積構造体１００における磁極先端部１３Ａおよび抵抗センサ１０３を一緒にプレ研磨してＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１を測定し、そのＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１を比較基準（ＴＥ幅Ｗ２と高さＨ２との相関関係）と比較して目標高さＨＣを決定したのち、その目標高さＨＣに高さＨ１が到達するまで磁極先端部１３Ａおよび抵抗センサ１０３を本研磨してエアベアリング面４０を形成している。
【００６０】
この場合には、他の集積構造体２００を研磨して測定されたＴＥ幅Ｗ２および高さＨ２から、それらの間に成立する基礎的な相関関係（例えば相関線Ｌ２）が取得されるため、高さＨを測定することで、それに対応するＴＥ幅Ｗが正確に把握される。しかも、集積構造体１００を研磨して測定されたＴＥ幅Ｗ１および高さＨ１から、集積構造体１００と他の集積構造体２００との個体差に起因する誤差が補正された新たな相関関係（例えば相関Ｌ１）が取得されると共に、その個体差を反映した目標高さＨＣが再設定される。これにより、抵抗センサ１０３の高さＨ１が再設定後の目標高さＨＣになるまで集積構造体１００を研磨することで、エアベアリング面４０における磁極先端部１３ＡのＴＥ幅Ｗ１が高い確率で許容範囲内（ＷＣ±α）に入る。
【００６１】
よって、集積構造体１００における磁極先端部１３Ａおよび抵抗センサ１０３を一括研磨して複数の薄膜磁気ヘッドを一括製造する場合に、研磨量を高精度に制御してＴＥ幅を均一化することができると共に、それに応じて実効記録幅（ＭＷＷ：Magnetic Write Width）も均一化することができる。この場合には、主磁極層１３に関する他の寸法、例えば磁極先端部１３Ａの高さ（いわゆるネックハイト）なども均一化することができる。
【００６２】
なお、図４、図７、図９および図１０に示したように、集積構造体１００を研磨してエアベアリング面４０を形成したのち、その集積構造体１００を列ごとに切断したが、これに限られない。例えば、図１３に示したように、集積構造体１００を列ごとに切断して１または２以上のバー状の構造分離体４００（切断面１００Ｋ１，１００Ｋ２）を形成したのち、各構造分離体４００を研磨してエアベアリング面４０を形成してもよい。この場合においても、集積構造体１００を研磨してエアベアリング面４０を形成した場合と同様の効果を得ることができる。
【００６３】
また、磁極先端部１３ＡのＴＥ幅Ｗを制御するための抵抗センサ１０３だけを用いるようにしたが、これに限られず、他の寸法を制御するための抵抗センサを併用してもよい。このような抵抗センサとしては、例えば、磁極先端部１３Ａの高さ（ネックハイト）またはＭＲ素子７の高さ（ＭＲハイト）を制御するための抵抗センサなどが挙げられる。これらの抵抗センサは、例えば、抵抗センサ１０３と同様に、制御対象物と同一階層に同一工程で形成されると共に、エアベアリング面４０を形成するための研磨工程において制御対象物と一緒に研磨される。この制御対象物は、ネックハイト用の抵抗センサについては磁極先端部１３Ａであり、ＭＲハイト用の抵抗センサについてはＭＲ素子７である。
【００６４】
以上、実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は実施形態で説明した態様に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を複合型ヘッドの製造方法に適用したが、これに限られず、再生ヘッド部を備えていない記録専用ヘッドに適用してもよい。また、例えば、本発明の薄膜ヘッドの製造方法を垂直磁気記録ヘッドに適用したが、これに限られず、長手磁気記録ヘッドに適用してもよい。
【符号の説明】
【００６５】
１３…主磁極層、１３Ａ…磁極先端部、１００、１０１…基体、１０２…ヘッド構造、１０３…抵抗センサ、２００…他の集積構造体、３００…磁気ヘッドスライダ、４００…構造分離体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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