(57)【要約】【課題】信頼性を向上させた発光素子を提供する。【解決手段】  本発明の発光素子は、光半導体層２と、光半導体層２の一方主面２Ａ上に設けられ、一方主面２Ａを露出させる複数の貫通孔５を有する絶縁層４と、貫通孔５内に設けられるとともに、光半導体層２と導通接続される複数の導電体７を有し、導電体７は対応する貫通孔５内で導電体７の融点より高い温度になることにより溶断され、光半導体層２と電気的に開放される電極層３と、を有する発光素子。【選択図】図３
2011159721.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体層と、
前記光半導体層の一方主面上に設けられ、前記一方主面を露出させる複数の貫通孔を有する絶縁層と、
前記貫通孔内に設けられるとともに、前記光半導体層と導通接続される複数の導電体を有し、前記導電体は対応する前記貫通孔内で当該導電体の融点より高い温度になることにより溶断され、前記光半導体層と電気的に開放される電極層と、を有する発光素子。
【請求項２】
前記導電体は、前記貫通孔より小さい体積である請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記絶縁層上に設けられ、前記電極層と電気的に接続された電極パッドを有する請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記光半導体層は、厚み方向に延在する転位を有する請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記光半導体層は、前記絶縁層が形成された前記光半導体層の主面に対して反対の他方主面に、前記転位と対応する位置に凸部を有する基板をさらに有する請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記導電体は、前記貫通孔内において前記光半導体層との接続箇所が前記光半導体層からの発光を反射する請求項１〜５のいずれかに記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、紫外光、青色光、緑色光等を発光する光半導体層から構成される発光素子の開発が行われている。そのような発光素子として、例えば特許文献１が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２７７３７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発光素子の開発において、光半導体層に電圧を印加すると光半導体層の特定箇所に電流が集中することがあり、光半導体層が発光しなくなるという問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、特定箇所に電流が集中しても発光させることができる光半導体層から構成される発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明にかかる発光素子は、光半導体層と、前記光半導体層の一方主面上に設けられ、前記一方主面を露出させる複数の貫通孔を有する絶縁層と、前記貫通孔内に設けられるとともに、前記光半導体層と導通接続される複数の導電体を有し、前記導電体は対応する前記貫通孔内で当該導電体の融点より高い温度になることにより溶断され、前記光半導体層と電気的に開放される電極層と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、電気的な信頼性を向上させた発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態にかかる発光素子を実装した発光装置を示す図であり、（ａ）は斜視した斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ´線で切断したときの断面に相当する。
【図２】本発明の実施形態にかかる発光素子の斜視図である。
【図３】図２に示す発光素子の断面図であり、図２のＢ−Ｂ´線で切断したときの断面に相当する。
【図４】本発明の実施形態にかかる発光素子の製造工程を示す発光素子の断面図である。
【図５】本発明の実施形態にかかる発光素子の製造工程を示す発光素子の断面図である。
【図６】本発明の実施形態にかかる発光素子の製造工程を示す発光素子の断面図である。
【図７】本発明の実施形態にかかる発光素子の製造工程を示す発光素子の断面図である。
【図８】本発明の実施形態にかかる発光素子の製造工程を示す発光素子の断面図である。
【図９】本発明の実施形態にかかる発光素子の製造工程を示す発光素子の断面図である。
【図１０】本発明の実施形態にかかる発光素子の製造工程を示す発光素子の断面図である。
【図１１】本発明の実施形態にかかる発光素子の製造工程を示す発光素子の断面図である。
【図１２】本発明の実施形態にかかる発光素子の製造工程を示す発光素子の断面図である。
【図１３】本発明の実施形態にかかる変形例１の発光素子の一部を拡大した断面図である。
【図１４】本発明の実施形態にかかる変形例２の発光素子の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に図面を参照して、本発明にかかる発光素子の実施形態について詳細に説明する。
【０００９】
本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変更を施すことができる。
【００１０】
＜発光装置の構造＞
図１（ａ）は本実施形態にかかる発光素子２０を実装した発光装置５０の斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す発光装置５０の断面図であり、図１（ａ）のＡ−Ａ´線で切断した時の断面に相当する。
【００１１】
発光装置５０は、図１（ｂ）に示すように、引き出し電極２５が設けられた実装基体２２と、実装基体２２上に実装された発光素子２０と、発光素子２０を被覆するモールド樹脂２１と、を有している。
【００１２】
実装基体２２は、実装基体２２の実装面２２Ａ上から引き出し面２２Ｂまで導通をとるための引き出し電極２５を有している。このような実装基体２２は、セラミック材料などを積層することにより形成することができる。
【００１３】
第１接合電極２３および第２接合電極２４は、それぞれ後述する発光素子２０の第１電極層１０および第２電極層６と引き出し電極２５との間に介在し、それぞれが電気的に接合するように設けられている。このような第１接合電極２３および第２接合電極２４は、例えばニッケル、アルミニウム、チタン、クロムなどの導電性材料などを用いることができる。
【００１４】
発光素子２０は、上述した第１接合電極２３および第２接合電極２４を介して電気的に引き出し電極２５と接続されて、実装面２２Ａ上に実装されている。本実施形態において発光素子２０は、基板１から発光した光を取り出すようにフリップチップ配置されている。
【００１５】
モールド樹脂２１は、実装基体２２に実装された発光素子２０を被覆するように、実装基体２２の開口部に充填されている。このように発光素子２０をモールド樹脂２１により被覆することで、電気的に周囲と絶縁させることができ、信頼性を向上させることができる。
【００１６】
［発光素子の構造］
このように形成された発光装置５０に実装される発光素子２０を、図面を参考にしつつ、以下に詳細に説明する。
【００１７】
図２は本実施形態にかかる発光素子２０の斜視図、図３は図２に示す発光素子２０の断
面図であり、図２のＢ−Ｂ´線で切断したときの断面に相当する。
【００１８】
発光素子２０は、図２および３に示すように、基板１と、基板１上に設けられた光半導体層２と、光半導体層２上に設けられ、複数の貫通孔５を有する絶縁層４と、貫通孔５内に露出する光半導体層２上に設けられた第２電極層６と、を有する。
【００１９】
基板１は、光半導体層２を成長させることが可能な材料を用いることができる。光半導体層２を成長させることが可能な材料としては、例えばサファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは酸化亜鉛などの結晶性材料を用いることができる。このような基板１は、例えば多角形や円形などの平面視形状に設定されている。また基板１は、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下の厚みに設定されている。基板１は、発光層２ｂで発光した光を発光層２ｂの第１半導体層２ａ側から取り出す場合は、基板１を除去することが可能な材料や透光性の材料を用いることができる。
【００２０】
さらに、基板１は主面１Ａに凸部１´を有している。このような凸部１´は、平面視形状が長方形や円形をなし、断面視形状が台形や四角形などの多角形をなしている。なお、凸部１´は、基板１の主面１Ａからの高さが例えば１μｍ以上５０μｍ以下に設定されている。
【００２１】
基板１上には、光半導体層２が設けられている。光半導体層２は、基板１の主面１Ａに形成された第１半導体層２ａと、第１半導体層２ａ上に形成された発光層２ｂと、発光層２ｂ上に形成された第２半導体層２ｃと、から構成されている。なお、光半導体層２は、全体の厚みが例えば１００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下に形成されている。
【００２２】
さらに光半導体層２は、基板１の凸部１´上に光半導体層２の厚み方向に延在する転位３を有している。転位３は、光半導体層２の結晶格子がずれることで形成され、結晶格子のずれ方としては例えば刃状やらせん状がある。このような結晶格子のずれは、光半導体層２と基板１とが異なる格子定数を有することにより起こりやすくなる。また、このような転位３は、光半導体層２のバルク抵抗より小さい電気抵抗を有している。
【００２３】
光半導体層２は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体を用いることができる。ＩＩＩ−Ｖ族半導体としては、ＩＩＩ族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素などを例示することができる。ＩＩＩ族窒化物半導体としては、ボロン、アルミニウム、ガリウムまたはインジウムのうち少なくとも１つの窒化物からなる混晶を用いることができ、例えば窒化ガリウムを用いることができる。なお、ＩＩＩ−Ｖ族半導体以外には、例えばダイアモンド、酸化亜鉛を用いることができる。
【００２４】
第１半導体層２ａと第２半導体層２ｃは、多数キャリアが電子か正孔となることにより逆の導電型を呈する。半導体層に導電型を付与する方法としては、例えばマグネシウムやシリコンを不純物として混ぜる方法を用いることができる。
【００２５】
発光層２ｂは、第１半導体層２ａと第２半導体層２ｃとの間に設けられている。発光層２ｂは、禁制帯幅の広い障壁層と禁制帯幅の狭い井戸層とからなる量子井戸構造が複数回（例えば、２回以上１０回以下）繰り返し規則的に積層された多層量子井戸構造（ＭＱＷ）を用いることができる。
【００２６】
障壁層と井戸層としては、インジウムとガリウムの窒化物からなる混晶においてインジウムとガリウムの組成比を調整したものを用いることができる。このような材料を用いた場合、障壁層および井戸層は例えば２ｎｍ以上２０ｎｍ以下に設定することができ、発光層２ｂ全体の厚みは例えば２５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下に設定される。このように構成さ
れた発光層２ｂでは、例えば３５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長の光を発光する。なお、光半導体層２の各層の屈折率は、例えば、１．７０以上２．７０以下に設定される。
【００２７】
絶縁層４は、光半導体層２の主面２Ａ上に形成されている。このような絶縁層４は、平面視形状が例えば第２半導体層２ｃと同じ多角形状により形成されている。また、絶縁層４の材料としては、例えば酸化シリコンや窒化シリコンなどの絶縁材料を用いることができる。なお、このような絶縁層４の厚みは、例えば１μｍ以上２００μｍ以下に設定することができる。
【００２８】
さらに絶縁層４は、光半導体層２の主面２Ａが露出するように複数の貫通孔５が形成されている。複数の貫通孔５は、光半導体層２の主面２Ａが複数箇所にわたって露出するように設けられている。このような貫通孔５は、平面透視して、基板１の凸部１´と重なる位置に形成されている。貫通孔５は、円柱形状をなしており、平面視して直径は例えば１μｍ以上１０μｍ以下に設定することができる。なお、貫通孔５の断面形状としては、円錐台や四角錘台などの錘台形状や四角柱などの柱形状を用いることができる。
【００２９】
第１電極層１０は第１半導体層上に、第２電極層６は第２半導体層上および絶縁層４上に、設けられている。このような２つの電極層により、光半導体層２に電圧が印加される。かかる２つの電極層の材料としては、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、インジウム、錫、モリブデン、銀、金、ニオブ、タンタル、バナジウム、白金、鉛またはベリリウムなどの金属や、酸化錫、酸化インジウムまたは酸化インジウム錫などの酸化物や、金−シリコン合金、金−ゲルマニウム合金、金−亜鉛合金または金−ベリリウム合金などの合金膜を好適に用いることができる。また、このような電極層は、それぞれ上記材質の中から選択した複数の層を積層しても構わない。
【００３０】
第２電極層６は、貫通孔５内に露出した光半導体層２の第２半導体層２ｃ上に設けられた導電体７と、導電体７と電気的に接続され、絶縁層４上に設けられた電極パッド８と、を有している。以下の説明において、導電体７、電極パッド８を第２電極層６と総称することがある。
【００３１】
導電体７は、貫通孔５内で露出する第２半導体層２ｃの主面２Ａ上に形成されている。このような導電体７は、第２半導体層２ｃと電気的に導通接続されている。導電体７としては、第２半導体層２ｃ、絶縁層４および電極パッド８より融点の低い材料を用いることができ、導電体７の融点は、例えば５０℃以上４００℃以下に設定することができる。また導電体７は、第２半導体層２ｃ、絶縁層４および電極パッド８より大きい電気抵抗を有することが好ましい。このような材料としては、例えば金とスズの合金（融点１００℃以上３５０℃以下）、鉛とスズの合金（融点５０℃以上２５０℃以下）、インジウム（融点１２０℃以上２００℃以下）、亜鉛（融点４００℃以上４４０℃以下）およびアルミニウム（融点６５０℃以上６９０℃以下）などを含む金属を用いることができる。
【００３２】
このような導電体７は、流れる電流の量と電気抵抗に比例して温度が高くなる。そのため、導電体７に一定の電流が流れると、導電体７の温度が融点を超えるようになる。その結果、光半導体層２と電極パッド８とを電気的に接続していた導電体７が溶断される。
【００３３】
具体的には、光半導体層２に電圧を印加することによって、光半導体層２の特定箇所に０．０１Ａ以上０．２０Ａ以下の電流が特定箇所に集中して流れる場合、導電体７は電気抵抗に比例して５０℃以上４００℃以下の温度を有するようになる。これにより、導電体７は、融点より高い温度となることによって溶解される。
【００３４】
ここで溶断とは、導電体７が溶解されることにより、光半導体層２と電極パッド８とが
電気的に開放されることをいう。より具体的には、導電体７の温度が融点を超えた結果、導電体７が溶解されて液体となり、このように液体となった導電体７が貫通孔５内で電極パッド８若しくは光半導体層２のどちらか一方に偏ることより、光半導体層２と電極パッド８とが電気的に開放される。かかる開放によって、導電体７には電流が流れなくなり、導電体７の温度上昇が止まるとともに導電体７が貫通孔５内で凝固される。また、導電体７の温度上昇が止まることにより、その周囲の温度上昇も止まる。その結果、導電体７を取り囲む絶縁層４と光半導体層２の融点まで、温度上昇が生じることがなく、温度上昇が生じた導電体７のみを融解させることができる。以下の説明において、導電体７が溶断される電流を溶断電流と称することがある。
【００３５】
溶断電流は、導電体７を溶解させつつ、第２半導体層２ｃ、絶縁層４および電極パッド８が溶解しない大きさに設定される。これにより、溶断電流が第２電極層６に流れた場合に、第２半導体層２ｃ、絶縁層４および電極パッド８が溶解させることなく、導電体７を溶断させることができる。また導電体７は、第２半導体層２ｃ、絶縁層４および電極パッド８の材料と近い融点を有している場合であっても、これらの材料より大きい電気抵抗を有する材料で形成することにより、溶断電流で導電体７の温度を早く上昇させることができる。さらに、導電体７は絶縁層４に囲まれた貫通孔７内に形成されていることから、導電体７で発生した熱が放熱されにくく、導電体７の温度をより上昇させやすい構成となっている。
【００３６】
さらに導電体７は、貫通孔５より小さい体積となるように設けられている。これにより、溶解して液体となった導電体７が貫通孔５より小さい体積となるため、光半導体層２側もしくは電極パッド８側の一方のみに溜まるようになる。その結果、より確実に第２半導体層２ｃと電極パッド８とを電気的および物理的に分離することができる。なお貫通孔５の体積は、貫通孔５の内容積を指す。
【００３７】
本実施形態においては、平面透視して基板１の凸部１´と重なる位置に貫通孔５および導電体７が配置されている。そのため、転位３が多く延在しやすい位置に導電体７を配置することができ、転位３を介して形成される短絡パスに電流が集中した場合でも、かかる短絡パスの一部をなしている導電体７のみが溶断される。このように短絡パスの一部をなしていた導電体７のみが溶断されることにより、特定箇所に電流が集中しにくくなるため、その他の導電体７を介して電流を流し続けることができ、光半導体層２を発光させ続けることができ、発光素子２０の信頼性を向上させることができる。
【００３８】
さらに導電体７は、光半導体層２との接続箇所に反射部９を有している。反射部９は、発光層２ｂで発光した光が反射する材料により形成されている。反射部９の材料としては、例えば銀やアルミニウムなど金属を用いることができる。
【００３９】
反射部９を光半導体層２上に有することにより、発光層２ｂで発光した光のうち第２半導体層２ｃに進む光を基板１側へ反射させることができる。そのため、発光層２ｂで発光した光を基板１側から取り出す場合、発光素子２０の光取出し効率を向上させることができる。このように導電体７と反射部９とを別の材料で形成することにより、導電体７として溶断電流を小さくする材料を用いつつ、反射部９として反射特性の高い材料を用いることができる。これにより発光素子２０は、光取出し効率を向上させつつ、所望の溶断電流で導電体７を溶断させることができる。
【００４０】
上述では、基板１に凸部１´を形成して転位３が多く延在しやすい位置を特定した場合について説明したが、光半導体層２に転位３が不規則に延在していてもよい。かかる場合、光半導体層２上に絶縁層４および第２電極層６を設けることにより、不規則に延在する転位３により短絡パスが形成されたとしても導電体７で溶断されて電気的に開放される。
そのため、転位３の位置によらず光半導体層２を発光させることができることから、転位３の位置を制御する必要がない。そのため、基板１に凸部１´を設ける必要がなくなり、発光素子２０の生産性を向上させることができる。このことから転位３を介さずに形成される短絡パスであっても本発明の効果を奏するものである。
【００４１】
一方、第２電極層が光半導体層の第２半導体層上の全体に形成されている場合、光半導体層に電圧を印加する第１電極層および第２電極層の間に短絡パスが形成されると、光半導体層に流れる電流の大部分が短絡パスに流れるようになり光半導体層がほとんど発光しなくなる。そのため、かかる光半導体層、第１電極層および第２電極層で構成された発光素子は安定して発光させにくく、信頼性の低下を招きやすい。
【００４２】
［発光素子の製造方法］
次に、発光素子２０の製造方法を説明する。図４から図１２は、発光素子２０の製造方法を説明するための断面図であり、図２に示す発光素子２０のＡ―Ａ´線における断面に相当する部分を示している。
【００４３】
（光半導体層準備工程）
図４に示すように、主面１Ａに凸部１´を有する基板１を準備する。凸部１´は例えばエッチングなどによって形成することができる。基板１としては、サファイア、二ホウ化ジルコニウム、窒化ガリウムなど結晶性材料を用いることができ、かかる結晶性材料の単結晶を所望の形状に切断することにより準備される。なお、凸部１´の主面１Ａからの高さは、例えば１μｍ以上５０μｍ以下に設定することができ、かかる凸部１´の高さはエッチングする深さによって変化させることができる。
【００４４】
次に、図５に示すように、光半導体層２を、凸部１´を有する基板１上に横方向成長させる。光半導体層２を横方向成長させる方法としては、それぞれの層において組成比、成長温度および成長圧力などの成長条件を調整すればよい。このように成長条件を調整することにより、第１半導体層２ａの成長速度を基板１の主面１Ａに対する垂直方向と水平方向とで制御することができ、第１半導体層２ａを横方向成長させることができる。なお、光半導体層２すなわち第１半導体層２ａ、発光層２ｂおよび第２半導体層２ｃを成長させる方法として、有機金属気相成長法、分子線エピタキシー法、ハイドライド気相成長法またはパルスレーザデポジション法などを用いることができる。
【００４５】
このように第１半導体層２ａを横方向成長させることにより、発光層２ｂにまで延在する転位３の数および位置を制御しつつ成長速度を早めることができ、光半導体層２の生産性を向上させることができる。このように基板１に凹凸を形成して横方向成長させた場合には、発光層２ｂにまで延在する転位３が凸部上に存在しやすくなる。
【００４６】
（第２電極層形成工程）
次に、図６〜８に示すように、光半導体層２の第２半導体層２ｃの主面２Ａに、絶縁層３を形成する。
【００４７】
まず図６に示すように、光半導体層２の主面２Ａ上に、絶縁材料からなる絶縁膜１１を形成する。絶縁膜１１は、酸化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁材料を用いることができる。絶縁膜１１を第２半導体層２ｃ上に形成する方法としては、例えばスピンコート法、スパッタ法または蒸着法などの物理的な積層方法により形成することができる。このように例示した積層方法の中でもスピンコート法を用いた場合には、均一な膜を短時間で成膜することができるため、絶縁膜１１の形成時間を短縮することができ、生産性を向上させることができる。絶縁膜１１の厚みとしては、例えば１μｍ以上２００μｍ以下に設定することができる。
【００４８】
その後、図７に示すように、絶縁膜１１に貫通孔５を形成するために、一部が露出する露出部１５´を有するようにマスクパターン１５を形成する。このような露出部１５´は、平面透視して基板１の凸部１´と重なる位置に設けられている。マスクパターン１５の厚みは、絶縁膜１１のエッチング量との比率により適宜設定することができる。
【００４９】
次に、図８に示すように、露出部１５´で露出した絶縁膜１１を、厚み方向にエッチングして絶縁膜１１の一部を除去することにより、貫通孔５を形成する。エッチングの中でも、ウエットエッチングを用いた場合には、サイドエッチにより貫通孔５の側面を第２半導体層２ｃの主面２Ａに対して傾斜させることができる。その後、マスクパターン１５を除去することにより、貫通孔５を平面透視して基板１の凸部１´と重なる位置に設けることができる。なお、絶縁膜１１の一部を除去する方法として、レーザ加工を用いてもよい。
【００５０】
次に、貫通孔５内に露出する第２半導体層２ｃ上に、反射部９および導電体７を形成する。まず、貫通孔５内の第２半導体層２ｃ上に光半導体層２で発光した光を反射する材料に積層することにより反射部９を形成する。このような材料を、スパッタ法や蒸着法などにより形成してパターニングすればよい。なお、反射部９の厚みは、例えば貫通孔５の厚みの５％以上４０％以下に設定することができる。
【００５１】
さらに、このような反射部９上に導電体７が形成されている。導電体７は、絶縁層４、第２半導体層２ｃおよびこの後形成されるパッド電極８より小さい融点を有する材料により形成されている。このような材料をスパッタ法や蒸着法などを用いて、導電体７を形成してパターニングすればよい。また、第２半導体層２ｃと比べて融点の低い材料を導電体７として用いる場合には、印刷技術を利用して形成してもよい。
【００５２】
電極パッド８は、絶縁層３および導電体７上に形成される。電極パッド８は、板状の金属を導電体７に当接させて熱高周波加熱することにより、導電体７と導通するように接合される。このような電極パッド８としては、例えば金やアルミニウムなどの材料を用いることができる。電極パッド８の厚みは、例えば１μｍ以上２０μｍ以下に設定することができる。
【００５３】
（第１電極層形成工程）
第１電極層１０を設けるために、電極層用溝１７を光半導体層２に形成する。具体的には、図１２に示すように、絶縁膜１１、第２半導体層２ｃ、発光層２ｂおよび第１半導体層２ａの一部まで順に絶縁膜１１の上面からエッチング法などを用いて電極用溝１５を形成する。その後、電極用溝１５の底面すなわち第１半導体層２ａの露出部に、第１半導体層２ａと電気的に接続される第１電極層１０が形成される。
【００５４】
上述の説明では、マスクパターン１５を絶縁膜１１のエッチング後、除去する場合について説明したが、マスクパターン１５を除去せずに反射部９および導電体５を形成しても構わない。このようにマスクパターン１５を残したまま反射部９および導電体５を形成することにより、工程数を減らすことができ、生産性を向上させることができる。
【００５５】
（変形例１）
図１３は上述した実施形態にかかる発光素子２０の変形例１を示す拡大断面図である。上述の実施形態にかかる発光素子２０と重複する部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００５６】
本変形例１にかかる発光素子２０は、貫通孔５が円錘台となすように形成されている。
円錘台をなす貫通孔５は、上面より面積の大きい底面が電極パッド８側に配置されている。貫通孔５をこのような構成とすることより、導電体７が溶解して液体となった場合、発光素子２０がフリップチップ配置されているため、かかる液体を断面積の大きい部分に収容することができる。そのため、より確実に第２半導体層２ｃと電極パッド８とを電気的に開放させることができ、より高い精度で導電体７を溶断させることができる。
【００５７】
貫通孔５は、上述した上面より面積の大きい底面が電極パッド８側に配置される場合に限定されるものではなく、かかる底面が第２半導体層２ｃ側に配置されていてもよい。なお貫通孔５は、絶縁層４の厚みの一方向へ向かうにつれて第２半導体層２の主面２Ａと平行な断面積が大きくなるように形成されていればよい。
【００５８】
（変形例２）
図１４は上述した実施形態にかかる発光素子２０の変形例２を示す断面図であり、図２のＢ−Ｂ´線で切断した断面に相当する。上述の実施形態にかかる発光素子２０と重複する部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００５９】
本変形例２にかかる発光素子２０は、絶縁層４が第１絶縁層１８と第２絶縁層１９とから構成されている。また貫通孔５は、第１絶縁層１８に設けられた第１貫通孔１２と第２絶縁層１９に設けられた第２貫通孔１３とから構成されている。絶縁層４をこのような構成とすることで、反射部９が形成される第１貫通孔１８と導電体７が形成されている第２貫通孔１９との形状を容易に変化させることができる。
【符号の説明】
【００６０】
１  基板
２  光半導体層
２ａ  第１半導体層
２ｂ  発光層
２ｃ  第２半導体層
３  転位
４  絶縁層
５  貫通孔
６  第２電極層
７  導電体
８  電極パッド
９  反射部
１０  第１電極層
１１  絶縁膜
１２  第１貫通孔
１３  第２貫通孔
１５  マスクパターン
１５´  露出部
１７  電極層用溝
１８  第１絶縁層
１９  第２絶縁層
２０  発光素子
２１  モールド樹脂
２２  実装基体
２３  第１接合電極
２４  第２接合電極
２５  引き出し電極
５０  発光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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