(57)【要約】      （修正有）【課題】湾曲した主磁極から発生する磁束の近傍を近接場光のみで加熱する。【解決手段】スライダ２０基板側から順に、補助磁極３０、コイル３３、絶縁体３４、主磁極３２、磁気シールド３５および近接場光発生素子５０を形成している記録素子２１が、スライダ先端面に固定される。絶縁体はコイルがある箇所で隆起し、コイルがない箇所では所定の曲率を持って落ち込んだ形状となる。このような形状の絶縁体の上に主磁極を形成すると、湾曲した主磁極が出来る。さらに、近接場光発生素子はこのように湾曲した主磁極上に形成している。また、光導波路４から近接場光発生素子へ光束Ｌをカップリングさせる光カップリング部５０ｃが、近接場光発生素子の一部に備えられている。近接場光発生素子のディスクＤ側端面と光カップリング部は所定の距離ほど離間されるため、近接場光発生素子から発生する近接場光Ｒのみを、主磁極から発生する記録磁界に近接させる。【選択図】図４
2011198453.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
近接場光により一定方向に回転する磁気記録媒体を加熱すると共に、前記磁気記録媒体に対して記録磁界を与えることで磁化反転を生じさせ、情報を記録させる記録ヘッドであって、
前記磁気記録媒体の表面に対向配置されたスライダと、
前記スライダに設けられるものであるとともに前記記録磁界を発生するものであり、前記スライダの前記磁気記録媒体側の面に対して傾斜した主磁極と、
前記スライダに設けられるものであるとともに前記近接場光の生成に用いられる光束を供給する光供給部と、
前記光束による光エネルギーをプラズモン励起エネルギーに変換する光カップリング部と、
前記主磁極の側方に配置されるものであるとともに、前記プラズモン励起エネルギーのみを用いて前記近接場光を発生するものであり、前記スライダの前記磁気記録媒体側の面に対して傾斜した近接場光発生素子と
を備えることを特徴とする記録ヘッド。
【請求項２】
前記光供給部は、前記光束を前記磁気記録媒体に向けて曲げる光曲げ構造を備えることを特徴とする請求項１に記載の記録ヘッド。
【請求項３】
前記光供給部は、光導波路を備えることを特徴とする請求項１および請求項２のいずれかに記載の記録ヘッド。
【請求項４】
前記光供給部は、前記磁気記録媒体に向うにつれて前記光束のスポットサイズを絞り込むスポットサイズ変換器を備えることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の記録ヘッド。
【請求項５】
前記光供給部は、
前記スライダの前記磁気記録媒体側の面と反対側の面に備えられ、前記光束を出射する光源を備えることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の記録ヘッド。
【請求項６】
前記光源は、前記光カップリング部の側方に設けられることを特徴とする請求項５に記載の記録ヘッド。
【請求項７】
前記光供給部は、前記光束の光軸上に前記光カップリング部に向かって前記光束を集光させるレンズを備えることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の記録ヘッド。
【請求項８】
前記近接場光発生素子の前記磁気記録媒体側の面と前記光カップリング部が離間して設けられていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の記録ヘッド。
【請求項９】
前記光カップリング部は、前記光束の伝播方向に対して垂直に設けられることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の記録ヘッド。
【請求項１０】
前記光カップリング部は、前記光束の伝播方向に対して平行に設けられることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の記録ヘッド。
【請求項１１】
前記光カップリング部は、前記光束の伝播方向に対して所定の角度だけ傾けて設けられることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の記録ヘッド。
【請求項１２】
前記光カップリング部は、前記光束の伝播方向に対して所定の曲率を持って設けられることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の記録ヘッド。
【請求項１３】
前記近接場光発生素子は、前記磁気記録媒体へ向かって断面積が漸次減少するように形成されていることを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれかに記載の記録ヘッド。
【請求項１４】
前記近接場光発生素子は、傾斜した前記主磁極に沿って、傾斜して形成されていることを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれかに記載の記録ヘッド。
【請求項１５】
前記近接場光発生素子は、湾曲した前記主磁極に沿って、湾曲して形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の記録ヘッド。
【請求項１６】
請求項１から請求項１５のいずれかに記載の記録ヘッドと、前記記録媒体とを有する情報記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、局所的な近接場光を利用して磁気記録媒体に各種の情報を記録する記録ヘッドおよび該記録ヘッドを有する情報記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータ機器におけるハードディスクドライブ等の情報記録再生装置は、より大量かつ高密度情報の記録再生を行いたい等のニーズを受けて、さらなる高密度化が求められている。そのため、隣り合う磁区同士の影響や、熱揺らぎを最小限に抑えるために、保磁力の強いものを記録媒体として採用することが考えられている。そのため、記録媒体に情報を記録することが困難になっていた。
【０００３】
そこで、上述した不具合を解消するために、近接場光を利用して磁区を局所的に加熱して一時的に保磁力を低下させ、その間に記録媒体への書き込みを行う熱アシスト磁気記録方式の情報記録再生装置が考案され開発が進められている。
【０００４】
上述した熱アシスト磁気記録方式による記録ヘッドとしては、各種のものが提案されているが、その１つとして、近接場光を利用して加熱を行う近接場光ヘッドが知られている。
【０００５】
例えば特許文献１には、光ファイバからの光を反射して近接場光発生素子に向けさせる反射部、反射された光を一端側から他端側へ伝播させる光導波路、該光導波路先端に設置された近接場光発生素子、近接場光発生素子の近傍に主磁極が設けられた記録ヘッドが開示されている。近接場光発生素子は、ヘッド端面に向かって先細り形状を有しており、先端近傍では非常に強い電界強度を有する近接場光を発生可能であると開示されている。
【０００６】
特許文献２には、光源と、記録媒体に磁界を印加するための磁極と、光源からの光が照射されることにより近接場光を磁極近傍に発生させる散乱体を有し、光源からの光が照射される散乱体の面が記録媒体に垂直と成るように、磁極に接して形成されている記録ヘッドが開示されている。散乱体の受光面を記録層に対して垂直に配置した場合には、強力でコンパクトな光近接場を発生可能であると開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２００４７５号公報（図６）
【特許文献２】特開２００４−１５８０６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した従来の近接場光ヘッドには、以下の課題が残されていた。
特許文献１では、近接場光発生素子は、湾曲した主磁極上の被覆層平面に平行に設置された光導波路の先端に取り付けられている。スライダ基板側から順に補助磁極、コイル、被覆層、主磁極および近接場光発生素子を形成する場合、コイル上に覆われる被覆層は、コイルがある箇所で隆起し、コイルがない箇所では所定の曲率を持って落ち込んだ形状となる。このような形状の被覆層上に主磁極を形成すると、湾曲した主磁極が出来る。記録媒体側の端面では、主磁極と近接場光発生素子は被覆層ほど離隔して配置されるが、主磁極が湾曲するとその分だけ主磁極と近接場光発生素子の距離が離れてしまう。このため、光導波路の形状を主磁極の形状に合わせて湾曲させて、その光導波路の先端に近接場光発生素子を設ければ、主磁極と近接場光発生素子の距離を近づけることができる。
【０００９】
ところが、光導波路を湾曲させると、光導波路内で光束のエネルギーを大きく低減させることとなり、近接場光の強度を低減させることになる。
【００１０】
一方、特許文献２では、光を近接場光発生素子に垂直に照射している。近接場光発生素子が吸収できなかった光エネルギーは、反射や透過などの散乱光となる。このため、近接場光のみならず、当該散乱光も磁気記録媒体に照射されると、磁気記録媒体への全体的な照射領域が大きくなり、高密度に情報を記録させることができない。
【００１１】
そこで本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、その目的は、湾曲した主磁極から発生する記録磁界に近接場光を近接させ、かつ磁気記録媒体に近接場光のみを照射することができるとともに、それにより高密度記録を実現し、かつ製造プロセスが簡略化できる記録ヘッド及び情報記録再生装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記目的を達成するために、以下の手段を提案する。
本発明に係る熱アシスト磁気記録のための近接場光利用記録ヘッドは、近接場光により一定方向に回転する磁気記録媒体を加熱すると共に、磁気記録媒体に対して記録磁界を与えることで磁化反転を生じさせ、情報を記録させる記録ヘッドであって、磁気記録媒体の表面に対向配置されたスライダと、スライダに設けられるものであるとともに記録磁界を発生するものであり、スライダの磁気記録媒体側の面に対して傾斜した主磁極と、スライダに設けられるものであるとともに近接場光の生成に用いられる光束を供給する光供給部と、光束による光エネルギーをプラズモン励起エネルギーに変換する光カップリング部と、主磁極の側方に配置されるものであるとともに、プラズモン励起エネルギーのみを用いて前記近接場光を発生するものであり、スライダの磁気記録媒体側の面に対して傾斜した近接場光発生素子とを備えることを特徴とするものである。
【００１３】
この発明に係る記録ヘッドにおいては、近接場光発生素子で発生した近接場光と、記録素子で発生した記録磁界とを協働させた熱アシスト磁気記録方式により、回転する磁気記録媒体に対して情報の記録を行うことができる。
【００１４】
まず、スライダは、磁気記録媒体の表面に対向した状態で配置されている。例えば、スライダ先端面に記録素子が固定される。記録素子は、スライダ基板側から順に、補助磁極、コイル、絶縁体、主磁極および近接場光発生素子を形成している。ここで、絶縁体はコイルがある箇所で隆起し、コイルがない箇所では所定の曲率を持って落ち込んだ形状となる。このような形状の絶縁体の上に主磁極を形成すると、湾曲した主磁極が出来る。さらに、近接場光発生素子はこのように湾曲した主磁極上に形成している。また、導波路から近接場光発生素子へ光束をカップリングさせる光カップリング部が、近接場光発生素子の一部に備えられている。よって、近接場光発生素子から発生する近接場光のみを、主磁極から発生する記録磁界に近接させることができる。
【００１５】
ここで記録を行う場合、光束は近接場光発生素子上に設けられた光導波路内をディスク側へ向かって伝播する。スライダ先端側の光導波路内には近接場光発生素子とカップリングする光カップリング部が設けられている。
【００１６】
そのため、光束は光カップリング部で近接場光発生素子とカップリングし、近接場光発生素子の先端では近接場光を発生する。
【００１７】
すると磁気記録媒体は、この近接場光によって局所的に加熱されて一時的に保磁力が低下する。特に、近接場光発生素子を主磁極と共に湾曲させることで、近接場光を主磁極の近傍に発生させることができ、主磁極にできるだけ近い位置で磁気記録媒体の保磁力を低下させることができる。また、光束による光エネルギーをプラズモン励起エネルギーに変換することにより、光エネルギーを磁気記録媒体に照射させない。このため、磁気記録媒体のうち近接場光のサイズに対応した微小領域のみが加熱されることとなり、磁気記録媒体に書き込む情報の密度を向上させることができる。
【００１８】
さらに、近接場光発生素子の先端は、光カップリング部とある距離だけ離間されて設けられている。そのため、光束による光エネルギーを磁気記録媒体に伝えることなく、磁気記録媒体を近接場光のみで局所的に加熱することができる。よって、書き込みの信頼性を向上することができる。
【００１９】
また、主磁極に沿って近接場光発生素子を設置していることで、記録磁界が作用する範囲内に近接場光が加熱する領域を確実に入れることができる。従って、より確実に記録を行うことができる。
【００２０】
また、近接場光発生素子は湾曲した主磁極の上に形成している。このような構造にすることで、記録素子の作製プロセスが減り、大量生産時において作業時間の短縮やコスト削減を図ることができる。
【００２１】
本発明に係る光供給部は、スライダの磁気記録媒体側の面と反対側の面に備えられ、光束を出射する光源を備えることを特徴としても良い。これによれば、サスペンションの外部から光束を導波させる構成に比べ、ファイバなどの部品点数が減り、コストを減少させることが期待できる。また光源から光カップリング部までの間で光学的アライメント箇所が減り、光学的カップリング効率が高い構成となる。また同時に組立工程が減少するため、簡素に製造可能である。また、ファイバなどがないためヘッドの浮上に悪影響を及ぼし難く、浮上の安定性が高く、書き込みの信頼性が高い。
【００２２】
本発明に係る光源は、光カップリング部の側方に設けられることを特徴としても良い。これによれば、レーザ光源から光束を出射後、直接光カップリング部へ入射可能であるため部品点数が減り、安価に製造可能である。また、光学的アライメントに関しては、レーザ光源の出射点と近接場光発生素子の光カップリング部のアライメントのみとなるため、アライメントによる光束伝播損失が減少する。また同時に組立工程が減少するため、簡素に製造可能であり、コスト低減が期待される。
【００２３】
また、光供給部は、光束の光軸上に光カップリング部に向かって光束を集光させるレンズを備えることを特徴としても良い。これによれば、光束の自由伝播と集光レンズによって光束を光カップリング部に伝播可能となる。透明媒質および集光レンズは、それぞれ屈折率が異なる材質を用いればよいためフォトリソグラフィー技術を用いて製造でき、大量生産に向いている。
【００２４】
上述したように、本発明に係る記録ヘッドによれば、主磁極近傍に近接場光を発生させることができ、書き込みの信頼性を向上することができる。しかも、作製プロセスが減るため、作業時間の短縮や費用削減を図ることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係る磁気ヘッドによれば、湾曲した主磁極に局所的な近接場光を近接することができ、広範囲の加熱を防ぐことで書き込みの信頼性を向上できる。また、製造プロセスを簡略化することで加工コストおよび製造コストが低減し、製造の効率化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明に係る記録ヘッドを有する情報記録再生装置の第１実施形態を示す構成図である。
【図２】図１に示す記録ヘッドの拡大断面図である。
【図３】図２に示す記録ヘッドを、ディスク面側から見た図である。
【図４】図２に示す記録ヘッドの流出端側の側面を拡大した断面図であり、近接場光発生素子から発生した近接場光を同時に示した図である。
【図５】図４に示すスポットサイズ変換器のコアを矢印Ａ方向から、再生素子とクラッドを透過して見た図である。
【図６】図４に示すスポットサイズ変換器および近接場光発生素子を端面側から見た図である。
【図７】図４に示す近接場光発生素子の断面図を拡大した図である。
【図８】図４の第２の構成例を示す図である。
【図９】図８に示すスポットサイズ変換器のコアを矢印Ａ方向から、再生素子とクラッドを透過して見た図である。
【図１０】図８に示すスポットサイズ変換器および近接場光発生素子を端面側から見た図である。
【図１１】図８に示す近接場光発生素子の断面図を拡大した図である。
【図１２】図４の第３の構成例を示す図である。
【図１３】図１２に示すスポットサイズ変換器のコアを矢印Ａ方向から、再生素子とクラッドを透過して見た図である。
【図１４】図１２に示すスポットサイズ変換器および近接場光発生素子を端面側から見た図である。
【図１５】図４の第４の構成例を示す図である。
【図１６】図４の第５の構成例を示す図である。
【図１７】図４の第６の構成例を示す図である。
【図１８】図４の第７の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
（第１実施形態）
以下、本発明に係る記録ヘッド及び情報記録再生装置の第１実施形態を、図１から図６を参照して説明する。なお、本実施形態の情報記録再生装置１は、垂直記録層を有するディスク（磁気記録媒体）Ｄに対して、垂直記録方式で書き込みを行う装置である。また、本実施形態では、ディスクＤが回転する空気の流れを利用して記録ヘッド２を浮かせた空気浮上タイプを例に挙げて説明する。
【００２８】
本実施形態の情報記録再生装置１は、図１に示すように、後述する湾曲した近接場光発生素子５０を有する記録ヘッド２と、ディスク面（磁気記録媒体の表面）Ｄ１に平行なＸＹ方向に移動可能とされ、ディスク面Ｄ１に平行で且つ互いに直交する２軸（Ｘ軸、Ｙ軸）回りに回動自在な状態で記録ヘッド２を先端側で支持するサスペンション３と、光導波路（光束導入手段）４の基端側から該光導波路４に対して光束Ｌを入射させる光信号コントローラ５と、サスペンション３の基端側を支持すると共に、該サスペンション３をディスク面Ｄ１に平行なＸＹ方向に向けてスキャン移動させるアクチュエータ６と、ディスクＤを一定方向に回転させるスピンドルモータ（回転駆動部）７と、後述する記録素子２１及び光信号コントローラ５の作動を制御する制御部８と、これら各構成品を内部に収容するハウジング９とを備えている。
【００２９】
ハウジング９は、アルミニウム等の金属材料により、上面視四角形状に形成されていると共に、内側に各構成品を収容する凹部９ａが形成されている。また、このハウジング９には、凹部９ａの開口を塞ぐように図示しない蓋が着脱可能に固定されるようになっている。
【００３０】
凹部９ａの略中心には、上記スピンドルモータ７が取り付けられており、該スピンドルモータ７に中心孔を嵌め込むことでディスクＤが着脱自在に固定される。凹部９ａの隅角部には、上記アクチュエータ６が取り付けられている。このアクチュエータ６には、軸受１０を介してキャリッジ１１が取り付けられており、該キャリッジ１１の先端にサスペンション３が取り付けられている。そして、キャリッジ１１及びサスペンション３は、アクチュエータ６の駆動によって共に上記ＸＹ方向に移動可能とされている。
【００３１】
なお、キャリッジ１１及びサスペンション３は、ディスクＤの回転停止時にアクチュエータ６の駆動によって、ディスクＤ上から退避するようになっている。また、記録ヘッド２とサスペンション３とで、ヘッドジンバルアセンブリ１２を構成している。また、光信号コントローラ５は、アクチュエータ６に隣接するように凹部９ａ内に取り付けられている。そして、このアクチュエータ６に隣接して、上記制御部８が取り付けられている。
【００３２】
上記記録ヘッド２は、光束Ｌと近接場光発生素子５０を光学的にカップリングさせ生成した近接場光Ｒにより回転するディスクＤを加熱すると共に、ディスクＤに対して垂直方向の記録磁界を与えることで磁化反転を生じさせ、情報を記録させるものである。
【００３３】
この記録ヘッド２は、図２及び図３に示すように、ディスク面Ｄ１から所定距離Ｈだけ浮上した状態でディスクＤに対向配置され、ディスク面Ｄ１に対向する対向面２０ａを有するスライダ２０と、該スライダ２０の先端面（以降、流入端側の側面と表現する）に固定された記録素子２１と、該記録素子２１に隣接して固定されたスポットサイズ変換器２２と、該スポットサイズ変換器２２の後述するコア４０内に光信号コントローラ５からの光束Ｌを導入する光導波路４とを備えている。また、本実施形態の記録ヘッド２は、スポットサイズ変換器２２に隣接して固定された再生素子２３を備えている。
【００３４】
上記スライダ２０は、石英ガラス等の光透過性材料や、ＡｌＴｉＣ（アルチック）等のセラミック等によって直方体状に形成されている。このスライダ２０は、対向面２０ａをディスクＤ側にした状態で、ジンバル部２４を介してサスペンション３の先端にぶら下がるように支持されている。このジンバル部２４は、ディスク面Ｄ１に平行で且つ互いに直交する２軸（Ｘ軸、Ｙ軸）回りにのみ変位するように動きが規制された部品である。これによりスライダ２０は、上述したようにディスク面Ｄ１に平行で且つ互いに直交する２軸（Ｘ軸、Ｙ軸）回りに回動自在とされている。
【００３５】
スライダ２０の対向面２０ａには、回転するディスクＤによって生じた空気流の粘性から、浮上するための圧力を発生させる凸条部２０ｂが形成されている。本実施形態では、レール状に並ぶように、長手方向に沿って延びた凸条部２０ｂを２つ形成している場合を例にしている。但し、この場合に限定されるものではなく、スライダ２０をディスク面Ｄ１から離そうとする正圧とスライダ２０をディスク面Ｄ１に引き付けようとする負圧とを調整して、スライダ２０を最適な状態で浮上させるように設計されていれば、どのような凹凸形状でも構わない。なお、この凸条部２０ｂの表面はＡＢＳ（Air Bearing Surface）と呼ばれる面とされている。
【００３６】
スライダ２０は、この２つの凸条部２０ｂによってディスク面Ｄ１から浮上する力を受けている。また、サスペンション３は、ディスク面Ｄ１に垂直なＺ方向に撓むようになっており、スライダ２０の浮上力を吸収している。つまり、スライダ２０は、浮上した際にサスペンション３によってディスク面Ｄ１側に押さえ付けられる力を受けている。よってスライダ２０は、この両者の力のバランスによって、上述したようにディスク面Ｄ１から所定距離Ｈ離間した状態で浮上するようになっている。しかもスライダ２０は、ジンバル部２４によってＸ軸回り及びＹ軸回りに回動するようになっているので、常に姿勢が安定した状態で浮上するようになっている。
【００３７】
なお、ディスクＤの回転に伴って生じる空気流は、スライダ２０の流入端側（サスペンション３の基端側）から流入した後、ＡＢＳに沿って流れ、スライダ２０の流出端側（サスペンション３の先端側）から抜けている。
【００３８】
図４は記録ヘッド２の断面図である。記録ヘッド２は、光導波路４、スライダ２０、スライダ２０に接する記録素子２１、スポットサイズ変換器２２およびスポットサイズ変換器２２に隣接した再生素子２３から構成される。
【００３９】
光導波路４は、コア４ａおよびクラッド４ｂから構成され、コア４ａよりも屈折率の低い材料をクラッド４ｂに用いることによって、光束Ｌをコア４ａ中に閉じ込めることができる。このような構造の光導波路４をスライダ２０と平行に設置する。
【００４０】
記録素子２１は、スポットサイズ変換器２２とスライダ２０に挟まれるよう設置される。記録素子２１は、湾曲した主磁極３２とディスクＤ面に対し垂直な補助磁極３０、磁気回路３１、コイル３３および近接場光発生素子５０から構成される。補助磁極３０はスライダ２０と端面で接触するように配置され、補助磁極３０からスポットサイズ変換器２２の方向へ向かって、磁気回路３１、磁気回路３１を中心として螺旋状に巻かれたコイル３３、主磁極３２の順に配置される。補助磁極３０、主磁極３２及び磁気回路３１は、磁束密度が高い高飽和磁束密度（Ｂｓ）材料（例えば、ＣｏＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金等）により形成されている。また、コイル３３は、ショートしないように、隣り合うコイル３３間、磁気回路３１との間、補助磁極３０、主磁極３２との間に隙間が空くように配置されており、この状態で絶縁体３４によってモールドされている。絶縁体３４はコイル３３上を覆うように形成されるが、この時絶縁体３４はコイル３３の上で盛り上がり、コイル３３がない部分はある曲率を持って落ち込む。主磁極３２はそのようにしてできた絶縁体３４に沿って湾曲している。さらにその上に磁気シールド層３５を形成し、湾曲した磁気シールド層の頂点から書き込みを行うディスクＤ側にかけて、磁気シールド層３５に沿うように近接場光発生素子５０を形成する。近接場光発生素子５０の先端露出部５０ａは、近接場光発生素子５０がわずかにディスクＤ側に露出した部分であり、磁気シールド層３５を介して主磁極３２と近接するよう設置されている。記録素子２１がスポットサイズ変換器２２と接している面は、磁気シールド層３５上に設置したクラッド４１および近接場光発生素子５０がスポットサイズ変換器２２と接触、または近接している光カップリング部５０ｃから構成される。
【００４１】
光カップリング部５０ｃは、後述する光束集光部４０ｂのディスクＤ側の先端部分に到達した光束を用いて、光束による光エネルギーをプラズモン励起エネルギーのみに変換するものである。近接場光発生素子５０は、主磁極３２の側方に配置されるものであるとともに、変換されたプラズモン励起エネルギーを用いて近接場光を発生するものであり、湾曲した形状を有している。
【００４２】
本実施形態における近接場光発生素子５０は、光カップリング部５０ｃにおいて、湾曲した近接場光発生素子５０の頂点からディスクＤにかけて所定の面積だけスポットサイズ変換器２２に接触し、平面を形成している。また、光カップリング部５０ｃと記録素子２１のスポットサイズ変換器２２側に配置されたクラッド４１は、面一になるように設計されている。
【００４３】
磁気回路３１及びコイル３３は、全体として電磁石を構成している。なお、近接場光発生素子５０の先端露出部５０ａ、主磁極３２及び補助磁極３０は、ディスクＤに対向する端面がスライダ２０の凸条部２０ｂと面一となるように設計されている。
【００４４】
スポットサイズ変換器２２は、クラッド４１と、多面体のコア４０から構成される。スポットサイズ変換器２２は、コア４０の屈折率がクラッド４１に比べ高いため、光束Ｌをコア４０内に捕捉できる。コア４０は、ディスクＤに向けて光束Ｌを絞り込むものであり、本実施形態では、光束Ｌを９０度反射させる反射面４０ａ、光束Ｌのスポット径を漸次減少させる光束集光部４０ｂを有する。
【００４５】
光束集光部４０ｂの一つの側面は記録素子２１のクラッド４１および近接場光発生素子５０の光カップリング部５０ｃと平面で接触するように配置される。光束集光部４０ｂのディスクＤ側先端部では、記録素子２１側の側面において近接場光発生素子５０の光カップリング部５０ｃと接している。また、光導波路のコア４ａから伝播した光束Ｌはスポットサイズ変換器２２の後述する反射面４０ａで反射できるように配置されている。クラッド４１で覆われたディスクＤ側の端面は、記録素子２１およびスライダ２０のディスクＤ側端面と面一になるように設計されている。
【００４６】
図５は、スポットサイズ変換器２２の光束集光部４０ｂを図４に示す矢印Ａ方向から、再生素子２３とクラッド４１を透過して見た図である。スポットサイズ変換器２２の光束集光部４０ｂは３つの側面を有するように形成されており、そのうちの1つの側面が記録素子２１と対向するように設置している。また、光導波路４からコア４０内に導入された光束Ｌが反射面４０ａの略中心に入射するように、スポットサイズ変換器２２及びコア４ａの位置関係が調整されている。光束集光部４０ｂの断面形状は三つの辺を有している三角形状となり、ディスクＤ側へ向かうにつれて断面積が減少していく。なお、コア４０のディスクＤ側の先端において、所定の面積ほど露出した近接場光発生素子５０の光カップリング部５０ｃとコア４０とが接触している。
【００４７】
図６はスポットサイズ変換器２２のコア４０および近接場光発生素子５０をディスクＤ側から見た図である。コア４０の先端は三角形状をしており、記録素子２１側の1つの辺で近接場光発生素子５０の端面５０ｃと接している。近接場光発生素子５０は主磁極３２に沿って湾曲しているため、ディスクＤ側から見ると、コア４０と接していない２つの辺は内側に湾曲しているように形成される。コア４０の先端および近接場光発生素子５０はクラッド４１に覆われているが、近接場光発生素子５０の先端露出部５０ａのみディスクＤ側に露出する。
【００４８】
図７は図４で示された近接場光発生素子５０の先端部分の拡大図である。スライダ２０側から順に主磁極３２、磁気シールド３５、近接場光発生素子５０、クラッド４１が形成されている。近接場光発生素子５０のディスクＤ側へ露出した部分である先端露出部５０ａは、主磁極３２側で鋭い角部が形成されている。
【００４９】
次に、このように構成された記録ヘッド２により、ディスクＤに各種の情報を記録再生する場合について以下に説明する。
【００５０】
本実施形態において、情報の記録を行う場合、局所的な近接場光Ｒと記録磁界とを組み合わせた熱アシスト磁気記録方式により情報の記録を行う。
【００５１】
まず、局所的な近接場光Ｒの発生原理について説明する。光信号コントローラ５は、制御部８からの指示を受けて光束Ｌを光導波路４の基端側から入射させる。入射した光束Ｌは、光導波路４のコア４ａ内を先端側に向かって進み、スポットサイズ変換器２２の反射面４０ａで反射されて向きが９０度変わる。即ち、導入方向とは異なる方向に光束Ｌの向きが変化する。そして、向きが変わった光束Ｌは、ディスクＤ側に位置する他端側に向かって光束集光部４０ｂを伝播する。
【００５２】
この際、光束集光部４０ｂは、ディスクＤに近づくにつれ、断面積が徐々に減少するように絞り成形されている。そのため、光束Ｌはこの光束集光部４０ｂを通過する際に、側面で反射を繰り返しながら徐々に集光されてコア４０の内部を伝播していく。特に、コア４０の側面にはクラッド４１が密着しているので、コア４０の外部に光が漏れることはない。よって、導入された光束Ｌを無駄にすることなく絞りながら他端側に伝播させることができる。
【００５３】
そのため光束Ｌは、光束集光部４０ｂの他端側に達した時点で絞り込まれてスポットサイズが小さくなる。つまり光束集光部４０ｂは、導入された光束Ｌのスポットサイズを、直径が最大直線長さＬ１と同等である約１μｍ程度の小さいサイズに絞り込むことができる。
【００５４】
近接場光発生素子５０の光カップリング部５０ｃにおいて、図５に示すように、絞られた光束Ｌが近接場光発生素子５０と接触する。光カップリング部５０ｃから近接場光発生素子５０のディスクＤ側の先端露出部５０ａまでの伝播は、金属表面の電子の振動になり、ディスクＤに到達する光スポットサイズは近接場光発生素子５０の幅に従って小さくなる。近接場光発生素子５０の幅は、図６に示すように先端露出部５０ａで最小となり、先端露出部５０ａは局所的な近接場光Ｒを発生させる。さらに、図７に示すように、近接場光発生素子５０は先端露出部５０ａにおいてスライダ２０側で、鋭い角部が形成されている。鋭い角部は強い近接場光Ｒを発生させることが可能であると考えられ、主磁極３２と近接した位置に強い近接場光Ｒが発生可能である。
【００５５】
ディスクＤは、この近接場光Ｒによって加熱され、一時的に保磁力が低下する。特に、近接場光発生素子５０を主磁極３２に沿って湾曲させることで、主磁極３２近傍に近接場光Ｒを発生でき、主磁極３２にできるだけ近い位置でディスクＤの保磁力を低下させることができる。
【００５６】
一方、磁界の発生について説明する。制御部８によってコイル３３に電流が供給されると、電磁石の原理により電流磁界が磁気回路３１内に磁界を発生させるので、主磁極３２と補助磁極３０との間にディスクＤに対して垂直方向の記録磁界を発生させることができる。すると、主磁極３２側から発生した磁束が、ディスクＤの垂直記録層を真直ぐ通り抜け、垂直記録層の磁化を反転させるが、補助磁極３０に戻るときには磁化の方向に影響を与えることはない。これは、ディスクＤ面に対向する補助磁極３０の面積が、主磁極３２よりも大きいので磁束密度が大きく磁化を反転させるほどの力が生じないためである。つまり、主磁極３２側でのみ記録を行うことができる。
【００５７】
その結果、近接場光Ｒと両磁極３０、３２で発生した記録磁界とを協働させた熱アシスト磁気記録方式により情報の記録を行うことができる。また、光束集光部４０ｂのディスクＤ側の先端部分に到達した光束を用いて、光束による光エネルギーをプラズモン励起エネルギーのみに変換することにより、光エネルギーをディスクＤに照射させない。このため、ディスクＤのうち近接場光のサイズに対応した微小領域のみが加熱されることとなり、ディスクＤに書き込む情報の密度を向上させることができる。しかも垂直記録方式で記録を行うので、熱揺らぎ現象等の影響を受け難く、安定した記録を行うことができる。よって、書き込みの信頼性を高めることができる。
【００５８】
特に、主磁極３２と近接場光発生素子５０を共に湾曲させることで、この近傍でディスクＤの保磁力を低下させることができ、記録磁界が局所的に作用する位置に加熱温度のピーク位置を入れることができる。また、本実施形態では、伝播光である光束Ｌと金属表面に局在化させた近接場光Ｒをある距離ほど離間させることで、伝播光による広範囲領域の加熱を避け、近接場光Ｒによって局所的な領域のみを加熱させることが可能である。従って、確実に記録を行うことができ、信頼性の向上化を図ることができると共に高密度記録化を図ることができる。
【００５９】
次に、ディスクＤに記録された情報を再生する場合には、スポットサイズ変換器２２に隣接して固定されている再生素子２３が、ディスクＤの垂直記録層から漏れ出ている磁界を受けて、その大きさに応じて電気抵抗が変化する。よって、再生素子２３の電圧が変化する。これにより制御部８は、ディスクＤから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することができる。そして制御部８は、この電圧の変化から信号の再生を行うことで、情報の再生を行うことができる。
【００６０】
なお、光束による光エネルギーをプラズモン励起エネルギーに変換せずに、光束を近接場光発生素子５０にそのまま照射した場合には、近接場光発生素子５０によって散乱した散乱光がディスクＤに照射されることになる。この散乱光がディスクＤに熱を与えることになると、折角、近接場光によりスポット径の局在化を図ったとしても、当該散乱光により全体のスポット径が大きくなってしまう。ところが、本発明では、光束による光エネルギーをプラズモン励起エネルギーのみに一旦変換するため、上述した散乱光がディスクＤに照射されることがなくなり、近接場光のみによるスポット径の局在化を確実に行うことができる。その一方で、近接場光発生素子５０のディスクＤ側の先端部分を主磁極３２に近接させるために、近接場光発生素子５０を主磁極３２に沿って湾曲させている。これにより、光束集光部４０ｂのディスクＤ側の先端部分から、近接場光発生素子５０のディスクＤ側の先端部分までの距離が長くなり、近接場光の強度を低減させるように見える。しかし、光束集光部４０ｂの先端部分と近接場光発生素子５０の先端部分との間はプラズモン励起エネルギーにより伝播されることとなるため、近接場光の強度を低減させないようにすることができる。また主磁極３２に沿って光導波路を湾曲させずに、近接場光発生素子５０及び光カップリング部５０ｃを用いて光束による光エネルギーをプラズモン励起エネルギーに変換しているため、光導波路を湾曲させる構成よりもエネルギーロスを増大させないようにすることができる。以上により、本発明によれば、湾曲した主磁極３２の隣に近接場光発生素子５０が備えられた構成において、スポット径の局在化を確実に行うことができるとともに、近接場光の強度を低減させないようにすることができる。
【００６１】
なお、本実施形態では、主磁極３２及び近接場光発生素子５０が湾曲した形状を有しているが、それらがスライダ２０のディスクＤ側の面に対して斜めに傾斜していればよく、斜めにかつ直線状に形成されていてもよいのは勿論のことである。
【００６２】
（第２実施形態）
以下、本発明に係る第２実施形態について図８から図１１を参照して説明する。第１実施形態と同一箇所については同一符号を付して詳細な説明を省略する。本実施形態が第１実施形態と異なる点は、近接場光発生素子の形状と、スポットサイズ変換器から近接場光発生素子へカップリングを行う光カップリング部の位置が異なる点である。
【００６３】
図８は第２実施形態に係る記録ヘッド２の断面図である。湾曲した主磁極３２上に磁気シールド層３５を介して形成された近接場光発生素子６０は、スポットサイズ変換器２２の磁気記録媒体側の端面と光カップリング部６０ｃを介して接続される。また、近接場光発生素子６０はディスクＤへ向かって、その断面積が漸次減少するように設計されている。本実施形態では近接場光発生素子６０はディスクＤへ向かって幅方向のみならず、高さ方向も漸次減少するように形成されている。
【００６４】
図９は、スポットサイズ変換器２２の光束集光部４０ｂを図８に示す矢印Ａ方向から再生素子とクラッドを透過して見た図である。近接場光発生素子５０は、光カップリング部６０ｃを介しスポットサイズ変換器２２のコア４０のディスクＤ側端面と接続されている。
【００６５】
図１０はスポットサイズ変換器２２のコア４０および近接場光発生素子部６０をディスクＤ側から見た図である。コア４０の先端面４０ｃは三角形状を有しており、近接場光発生素子部６０の光カップリング部６０ｃは先端面４０ｃの三角形状を覆うように半円状に形成されている。コア４０の先端面４０ｃおよび近接場光発生素子部６０はクラッド４１に覆われているが、近接場光発生素子６０の先端露出部６０ａのみディスクＤ側に露出する。
【００６６】
図１１は図８で示された近接場光発生素子６０の先端部分の拡大図である。近接場光発生素子６０のディスクＤ側へ露出した部分である先端露出部６０ａは、上部クラッド４１側と比較すると主磁極３２側でより鋭く尖った角部６０ｂが形成されている。
【００６７】
近接場光発生素子６０が近接場光Ｒを発生させる動作原理について説明する。光導波路４に導入された光束Ｌは、反射面４０ａにおいて、方向を９０度変えられ、光束集光部４０ｂ内を伝播し、光束集光部４０ｂの他端側に達した時点で約１μｍ程度の小さいサイズに絞り込まれる。その後、絞り込まれた光束Ｌは近接場光発生素子６０の端面である光カップリング部６０ｃに対して垂直に照射される。光カップリング部６０ｃは、絞り込まれた光束Ｌの断面積よりもわずかに大きくなるように設けられており、光束ＬがディスクＤ側へ漏出することを防ぐことができる。照射された光束Ｌは光カップリング部６０ｃにおいて、表面プラズモンに変換される。近接場光発生素子６０は、断面積がディスクＤに向かって漸次減少するように設計されているため、先端に向かって表面プラズモンは強度を増し、先端露出部６０ａにおいて表面プラズモンの強度は最大になる。また先端露出部６０ａの鋭く尖った主磁極３２側の角部６０ｂでは、表面プラズモンがさらに増強され、主磁極３２の近傍に強い近接場光Ｒを発生させることができる。
【００６８】
本実施の形態によっても、第１実施形態と同様の効果を実現することができる。本実施形態の構成では、近接場光発生素子の光カップリング部に光束を垂直に当てることでカップリング効率を上げ、かつ表面プラズモンに変換できなかった光束によるディスク加熱を避けることができ、さらに近接場光発生素子の断面積をディスクに向かって漸次減少させることによる表面プラズモン増強効果が得られ、より少ないエネルギーで局所的にディスクを加熱することが可能となる。
【００６９】
（第３実施形態）
以下、本発明に係る第３実施形態について図１２から図１４を参照して説明する。第１実施形態および第２実施形態と同一箇所については同一符号を付して詳細な説明を省略する。本実施形態が第１実施形態および第２実施形態と異なる点は、スライダに対し平行に伝播してきた光束の方向を９０度反射させるミラー面を持ち、近接場光発生素子の形状および近接場光発生素子へカップリングを行う光カップリング部の位置が異なる点である。
【００７０】
図１２は第３実施形態に係る記録ヘッド２の断面図である。近接場光発生素子７０は、記録素子２１の上部から下部へ向かって、湾曲した主磁極３２上の磁気シールド層３５に滑らかに沿って設けられる。また、近接場光発生素子７０はディスクＤへ向かって、その断面積が漸次減少するように設計されている。ミラー面８０はスライダ２０に平行に設置された光導波路４に対して４５度の傾斜を持つように設置される。
【００７１】
図１３はミラー面８０を図８に示す矢印Ａ方向から再生素子２３とクラッド４１を透過して見た図である。光導波路４のコア４ａの中心と円形のミラー面８０の中心が一致するようにミラー面８０は設置される。近接場光発生素子７０はその幅がディスクＤに向かって減少していくよう設計されている。
【００７２】
図１４は近接場光発生素子７０、光カップリング部７０ｃおよびミラー面８０をディスクＤ側から見た図である。円形のミラー面８０より所定の面積ほど大きい光カップリング部７０ｃを有し、ミラー面８０を覆うように半円状に形成されている。ここで、螺旋状のコイル３３を覆った絶縁体３４はコイル３３がある部分で盛り上がり、コイル３３がない部分では落ち込む。そのため端面において２箇所の凸部が形成される。近接場光発生素子７０はこのような２箇所の凸部を有する磁気シールド層３５の上に形成される。近接場光発生素子７０はディスクＤ側へ向かってその断面積が漸次減少するように設計され、先端露出部７０ａのみディスクＤ側に露出する。
【００７３】
近接場光発生素子７０が近接場光Ｒを発生させる動作原理について説明する。光導波路４から入射された光束Ｌはコア４ａ内を伝播し、ミラー面８０で９０度方向を変えられる。方向を変えられた光束Ｌは、その直後に近接場光発生素子７０の光カップリング部７０ｃに垂直に照射する。光カップリング部７０ｃは、光束Ｌの断面積よりもわずかに大きくなるように設けられており、光束ＬがディスクＤ側へ漏出することを防ぐことができる。照射された光束Ｌは光カップリング部７０ｃにおいて、表面プラズモンに変換される。近接場光発生素子７０は、断面積がディスクＤに向かって漸次減少するように設計されているため、先端に向かって表面プラズモンは強度を増し、先端露出部７０ａにおいて表面プラズモンの強度は最大になる。ここで、近接場光発生素子７０は磁気シールド層３５上に滑らかに形成されているため角部が無く、先端露出部７０ａ以外の地点で表面プラズモンが最大になることはない。そのため、先端露出部７０ａにおいてのみ増強された近接場光Ｒが発生する。
【００７４】
本実施の形態によっても、第１実施形態および第２実施形態と同様の効果を実現することができる。本実施形態の構成では、スポットサイズ変換器がないため、光束がスポットサイズ変換器を伝播することで発生する損失を無くし、さらに光カップリング部と近接場光発生地点を大きく離間させることで、近接場光のみによってディスクを加熱することが可能となる。また主磁極上に形成された磁気シールド層に沿って近接場光発生素子を設けるため、作製プロセスの簡略化が図れ、さらにスポットサイズ変換器にかかる費用の削減が可能となる。
【００７５】
（第４実施形態）
以下、本発明に係る第４実施形態について図１５を参照して説明する。第１実施形態、第２実施形態および第３実施形態と同一箇所については同一符号を付して詳細な説明を省略する。本実施形態が第１実施形態、第２実施形態および第３実施形態と異なる点は、光源がスライダの上部に備えられている点である。
【００７６】
図１５は第４実施形態に係る記録ヘッド２の断面図である。スライダ２０の上部に接着層１０２を介して直方体形状のレーザ支持基板１０１が固定されている。寸法については特に限定しない。レーザ支持基板１０１の端面には接着層１０２を介してレーザ光源１００が備えられる。レーザ支持基板１０１は、剛性が確保されれば材質は特に限定しないが、アルティック（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）等を用いれば良い。また、接着層１０２は、レーザ支持基板１０１およびスライダ２０が固定できれば特に限定しないが、ＵＶ硬化接着液や半田付け等用いれば良い。レーザ光源１００の大きさは任意である。例えば通常用いられる典型的な大きさは、幅２５０μｍ×長さ（奥行き）３５０μｍ×厚み６５μｍ程度であり、このような寸法のレーザ光源１００を搭載することも可能である。また、レーザ光源１００は、光源であれば特に限定しないが、例えば、レーザダイオード、ＬＥＤ等の他の発光素子でも良い。
【００７７】
本実施形態の動作原理について説明する。スライダ２０に隣接されたレーザ光源１００から出射された光束Ｌは、スポットサイズ変換器２２のコア４０の端面に入射する。具体的には光束Ｌのピーク値がコア４０の中心位置に配置されるようにアライメントを行った後、レーザ光源１００が接続されたレーザ支持基板１０１をスライダ２０上部に固定すると良い。また、レーザ出射点１１０からコア４０までの光束Ｌの伝播距離は、無くすあるいは極力短くすると良い。この距離は接着層１０２の厚みによって制御可能である。また、この距離内にコア４０と同等の屈折率を有するオイル等を介在させても構わない。コア４０へ光束Ｌが入射した後は、第１から第３実施形態と同様の原理で近接場光Ｒを発生する。
【００７８】
本実施形態によれば、サスペンションの外部から光束を導波させる構成に比べ、ファイバなどの部品点数が減り、コストを減少させることが期待できる。また光源から光カップリング部までの間で光学的アライメント箇所が減り、光学的カップリング効率が高い構成となる。また同時に組立工程が減少するため、簡素に製造可能である。また、ファイバなどがないためヘッドの浮上に悪影響を及ぼし難く、浮上の安定性が高い。
【００７９】
（第５実施形態）
以下、本発明に係る第５実施形態について図１６を参照して説明する。第１実施形態から第４実施形態と同一箇所については同一符号を付して詳細な説明を省略する。本実施形態が第１実施形態から第４実施形態と異なる点は、光源から出射された光束が、透明媒体内に設置された集光レンズを介して光カップリング部に入射される点である。
【００８０】
図１６は第５実施形態に係る記録ヘッド２の断面図である。スライダ２０の上部に接着層１０２を介して直方体形状のレーザ支持基板１０１が固定されている。寸法については特に限定しない。レーザ支持基板１０１の端面には接着層１０２を介してレーザ光源１００が備えられる。レーザ光源１００は、光束Ｌが光カップリング部５０ｃの平面に対して所定角度傾いた状態で入射できるよう、レーザ光源１００の上部平面がスライダ２０の上部平面に対してある傾きθを有して設置される。傾きθは、光束Ｌと光カップリング部５０ｃのカップリング効率によって決定でき、ディスクＤを加熱させるのに十分な近接場光Ｒが発生する時のカップリング効率が確保できる角度であれば良い。ここで、レーザ光源１００は、それ自体が図のようにスライダ上部平面に対してある傾きθで傾いて設置する必要はなく、出射する光束Ｌがスライダ上部平面に対してある傾きθを有すればよい。次に、出射点１１０から光カップリング部５０ｃまでの同一光軸上の透明媒質１３０内に集光レンズ１２０は設置される。集光レンズは適当な曲率を有し、カップリング部において光束Ｌのスポットサイズが最小となるように決定すれば良い。ここで、透明媒質１３０および集光レンズ１２０は異なる屈折率を持つ材料であれば良い。例えばＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5など用いれば良い。
【００８１】
本実施形態の動作原理について説明する。レーザ光源１００から出射された光束Ｌは、透明媒質１３０内を自由伝播し、出射点から光カップリング部５０ｃの中間地点に設置される集光レンズ１２０によって集光する。光束Ｌは光カップリング部５０ｃに到達する時点で光束Ｌのスポットサイズが最小になるように集光する。この後、第１から第４実施形態と同様の原理で近接場光Ｒが発生する。
【００８２】
本実施形態によれば、光束の自由伝播と集光レンズによって光束を光カップリング部に伝播可能となる。透明媒質および集光レンズは、それぞれ屈折率が異なる材質を用いればよいためフォトリソグラフィー技術を用いて製造でき、大量生産に向いている。
【００８３】
（第６実施形態）
以下、本発明に係る第６実施形態について図１７を参照して説明する。第１実施形態から第５実施形態と同一箇所については同一符号を付して詳細な説明を省略する。本実施形態が第１実施形態から第５実施形態と異なる点は、光源から出射された光束が、透明媒体の表面に形成された集光レンズを介して光カップリング部に入射される点である。
【００８４】
図１７は第６実施形態に係る記録ヘッド２の断面図である。スライダ２０の上部に接着層１０２を介して直方体形状のレーザ支持基板１０１が固定されている。レーザ支持基板１０１の端面には接着層１０２を介してレーザ光源１００が備えられる。レーザ光源１００は、第５実施形態と同様に、スライダ上部平面に対してある傾きθを有して設置される。集光レンズ１２０は透明媒質１３０の上部にある曲率を持って形成される。曲率はカップリング部において、光束Ｌのスポットサイズが最小となるように決定すれば良い。
【００８５】
本実施形態の動作原理について説明する。レーザ光源１００から出射された光束Ｌは透明媒質１３０の光束Ｌの入射側界面に形成された集光レンズ１２０によって集光し、透明媒質１３０内を伝播する。光束Ｌは、光カップリング部５０ｃに到達する時点でその光束Ｌのスポットサイズが最小になるように集光する。その後、第１から第５実施形態と同様の原理で近接場光Ｒが発生する。
【００８６】
本実施形態によれば、異なる屈折率を用いて集光レンズを作る必要がなくなり、簡素にプロセスで作製可能となる。
【００８７】
（第７実施形態）
以下、本発明に係る第７実施形態について図１８を参照して説明する。第１実施形態から第６実施形態と同一箇所については同一符号を付して詳細な説明を省略する。本実施形態が第１実施形態から第５実施形態と異なる点は、光源から出射された光束が、光カップリング部に直接入射される点である。
【００８８】
図１８は第７実施形態に係る記録ヘッド２の断面図である。スライダ２０の図中左側端面に再生素子２３が備えられ、図中左側へ向かって補助磁極３０、絶縁体３４、コイル３３、主磁極３２、磁気シールド層３５、近接場光発生素子５０、クラッド４１の順に配置される。スライダ２０の上部には接着層１０２を介して直方体形状のレーザ支持基板１０１が固定されている。レーザ支持基板１０１の端面にはレーザ支持構造体１０３が備えられる。レーザ支持構造体１０３は断面が長方形を有しており、一端はスライダ端面に接続され、他端側は記録素子２１の図中左側端面に沿うように配置され、Ｌ字構造となっている。ただし、断面形状と構造については特に限定せず、レーザ支持構造体１０３の他端が記録素子２１の図中左側端面に配置できれば良い。レーザ支持構造体１０３の材質は、特に限定はしないが、アルティック（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）等を用いれば良い。レーザ支持構造体１０３の他端には、レーザ光源１００が備えられる。レーザ光源１００は、記録素子２１の図中左側端面に接するように固定される。この時、レーザ光源１００の出射点１１０と光カップリング部５０ｃは、極力近接させ設置される。また、レーザ光源１００の寸法は、出来るだけ薄型のレーザ光源１００を用いるのが理想的であり、幅２５０μｍ×長さ（奥行き）３５０μｍ×厚み２０μｍ程度が望ましい。
【００８９】
本実施形態の動作原理について説明する。記録素子２１の図中左側端面に固定されたレーザ光源１００から光束Ｌは出射し、光カップリング部５０ｃへ照射する。その後、第１から第６実施形態と同様の原理で近接場光Ｒが発生する。
【００９０】
本実施形態によれば、レーザ光源から光束を出射後、直接光カップリング部へ入射可能であるため部品点数が減り、安価に製造可能である。また、光学的アライメントに関しては、レーザ光源の出射点と近接場光発生素子の光カップリング部のアライメントのみとなるため、アライメントによる光束伝播損失が減少する。また同時に組立工程が減少するため、簡素に製造可能であり、コスト低減が期待される。
【００９１】
なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、上述した実施形態で挙げた構成等はほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。また、上述した各実施形態を適宜組み合わせて採用することも可能である。
【符号の説明】
【００９２】
Ｄ  ディスク（磁気記録媒体）
Ｌ  光束
Ｒ  近接場光
θ  傾き
１  情報記録再生装置
２  記録ヘッド
３  サスペンション
４  光導波路
５  光信号コントローラ
６  アクチュエータ
７  スピンドルモータ（回転駆動部）
８  制御部
９  ハウジング
１０  軸受
１１  キャリッジ
１２  ヘッドジンバルアセンブリ
２０  スライダ
２１  記録素子
２２  スポットサイズ変換器
２３  再生素子
２４  ジンバル部
３０  補助磁極
３１  磁気回路
３２  主磁極
３３  コイル
３４  絶縁体
３５  磁気シールド層
４０  コア
４０ａ  反射面
４０ｂ  光束集光部
４０ｃ  コア４０の先端面
４１  クラッド
５０、６０、７０  近接場光発生素子
５０ａ、６０ａ、７０ａ  先端露出部
５０ｃ、６０ｃ、７０ｃ  光カップリング部
６０ｂ  主磁極側角部
８０  ミラー面
１００  レーザ光源
１０１  レーザ支持基板
１０２  接着層
１０３  レーザ支持構造体
１１０  レーザ出射点
１２０  集光レンズ
１３０  透明媒質
【図１】
2011198453.tif 000003
【図２】
2011198453.tif 000004
【図３】
2011198453.tif 000005
【図４】
2011198453.tif 000006
【図５】
2011198453.tif 000007
【図６】
2011198453.tif 000008
【図７】
2011198453.tif 000009
【図８】
2011198453.tif 000010
【図９】
2011198453.tif 000011
【図１０】
2011198453.tif 000012
【図１１】
2011198453.tif 000013
【図１２】
2011198453.tif 000014
【図１３】
2011198453.tif 000015
【図１４】
2011198453.tif 000016
【図１５】
2011198453.tif 000017
【図１６】
2011198453.tif 000018
【図１７】
2011198453.tif 000019
【図１８】
2011198453.tif 000020