(57)【要約】【課題】インライン化されたリソグラフィ工程における半導体装置の製造システム及び製造方法における生産性向上を図ることを課題とする。【解決手段】カセットＥからのウエハをインライン化した半導体装置の製造システムでリソグラフィ処理する場合、１枚目のウエハは塗布装置Ａを素通りさせ、直接露光装置Ｂに投入し最適化アライメト作業がなされる。本作業となる２枚目以降のウエハは順次、塗布装置Ａに投入され１枚目のウエハの最適化アライメト作業と並行して塗布処理が行われる。露光装置Ｂの最適化アライメト作業条件が決定した後に２枚目のウエハを露光装置Ｂに投入する。露光装置Ｂの最適化アライメト作業条件は２枚目のウエハにフィードバックされるので２枚目のウエハの露光処理時間の短縮が図れる。１枚目のウエハはＸ枚目の最後のウエハに連続して処理される。【選択図】図３
2011176048.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布装置、露光装置、及び現像装置をインラインで連結して複数のウエハを連続処理する半導体装置の製造システムであって、
前記複数のウエハの内の１枚目のウエハにレジスト膜を塗布することなく前記露光装置に投入して露光条件を出す作業と、前記複数のウエハの内の２枚目以降のウエハを前記塗布装置に投入して塗布処理をする作業と、を並行して行うことを特徴とする半導体装置の製造システム。
【請求項２】
前記露光条件は、前記複数のウエハの共通のアライメント作業条件であり、
前記露光条件が決定した後で前記２枚目以降のウエハを前記露光装置に投入することにより、前記１枚目のウエハで決定した前記露光条件を前記２枚目以降のウエハの露光処理に適用することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造システム。
【請求項３】
前記露光条件を出す作業が終了した前記１枚目のウエハは、前記２枚目以降のウエハの前記塗布装置、前記露光装置、及び前記現像装置での各処理に連続して、前記２枚目以降のウエハと同様の前記各処理がなされることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造システム。
【請求項４】
複数のウエハへの、塗布処理、露光処理、及び現像処理をインラインで連続して行う半導体装置の製造方法であって、
前記露光処理を行う工程では、前記複数のウエハの内の１枚目のウエハは、前記塗布処理によるレジスト膜の塗布を行うことなく、前記露光処理に適用する露光条件を出す処理がなされ、その後、前記塗布処理によるレジスト膜の塗布を行った前記複数のウエハの内の２枚目以降のウエハの前記露光処理が為されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記露光条件は、前記複数のウエハの共通のアライメント作業条件であり、前記露光処理を行う工程では、前記１枚目のウエハで決定した露光条件を前記２枚目以降のウエハの露光処理に適用することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記露光条件を出す処理が終了した前記１枚目のウエハは、前記２枚目以降のウエハの前記塗布処理、前記露光処理、及び前記現像処理の各処理に連続して、前記２枚目以降のウエハと同様の前記各処理がなされることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造システム及び半導体装置の製造方法に関し、特に半導体装置の製造工程のうち、インライン方式のリソグラフィ工程に適用される半導体装置の製造システム及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ工程は、ウエハにレジスト膜を塗布する塗布工程、レジスト膜を塗布したウエハ上にレチクル上に形成されたパターンを転写する露光工程、露光されたウエハを現像してウエハ上にレチクルに形成されたパターンと同一のパターンをレジスト膜で形成する現像工程から構成される。
【０００３】
近年では、リソグラフィ工程に歩留まり面、生産性の面の双方からの利点が大きいということで塗布工程、露光工程、現像工程をインライン化して連続処理するのが一般的になってきた。
【０００４】
特に、化学増幅型レジストを使用するＫｒＦエキシマレーザー露光装置を含む製造ラインでは、レジスト塗布から現像までの時間及び雰囲気を厳密に管理しないと形状が不安定になりレジスト線幅が変化し歩留まり上、大きな影響を与えることになる。そこでリソグラフィ工程のインライン化は必須の条件になっている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−４５１３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
インライン化したリソグラフィ工程においては、特許文献１に示す歩留まり対策に加えて、装置全体の生産効率を向上させるという問題も大きな課題となる。その場合、塗布工程、露光工程、現像工程それぞれを更に細かく、それぞれの作業工程ごとに分けて、それぞれの作業ごとに無駄な作業を廃止すると共にインラインとしての全体の生産効率が上がるような製造システム及び製造方法を構築する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体装置の製造システムは、塗布装置、露光装置、及び現像装置をインラインで連結して複数のウエハを連続処理する半導体装置の製造システムであって、複数のウエハの内の１枚目のウエハにレジスト膜を塗布することなく露光装置に投入して露光条件を出す作業と、複数のウエハの内の２枚目以降のウエハを塗布装置に投入して塗布処理をする作業と、を並行して行うことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、複数のウエハへの、塗布処理、露光処理、及び現像処理をインラインで連続して行う半導体装置の製造方法であって、露光処理を行う工程では、複数のウエハの内の１枚目のウエハは、塗布処理によるレジスト膜の塗布を行うことなく、露光処理に適用する露光条件を出す処理がなされ、その後、塗布処理によるレジスト膜の塗布を行った複数のウエハの内の２枚目以降のウエハの露光処理が為されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る半導体装置の製造システム及び製造方法によれば、インライン化したリソグラフィ工程におけるロット処理時間の短縮が図れ、装置全体の生産効率を向上させる事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態及び第２の実施形態におけるインライン化されたリソグラフィ工程における半導体装置の製造システムの概要を示す平面図である。
【図２】リソグラフィ工程の半導体装置の製造システムにおける一般的な工程フローを示す図面である。
【図３】本発明の第１の実施形態におけるインライン化されたリソグラフィ工程における半導体装置の製造システム及び製造方法によるウエハの処理手順を示す図面である。
【図４】従来の半導体装置のインライン化されたリソグラフィ工程における半導体装置の製造システムでのウエハの処理手順を示す図面である。
【図５】本発明の第２の実施形態におけるインライン化されたリソグラフィ工程における半導体装置の製造システム及び製造方法によるウエハの処理手順を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
〔第１の実施形態〕
本発明の半導体装置の製造システム及び製造方法についての第１の実施の形態について、以下に図面に基づいて説明する。図１は本実施形態におけるインライン化されたリソグラフィ工程における半導体装置の製造システムの概要を示す図面である。また、図２はリソグラフィ工程の半導体装置の製造システムにおける一般的な工程フローを示す図面である。図３は本実施形態におけるインライン化されたリソグラフィ工程における半導体装置の製造システム及び製造方法によるウエハの処理手順を示す図面である。図４は従来の半導体装置のインライン化されたリソグラフィ工程における製造システムでのウエハの処理手順を示す図面である。
【００１２】
先ず、図１により、本実施形態に係る半導体装置の製造システムの構成について概略を説明する。本実施形態における半導体装置の製造システムは、リソグラフィ工程の処理装置であり、作業対象ウエハが複数枚その溝に収納され、また全てのリソグラフィ作業が終了したウエハを再び回収するカセットＥを載置するローダ・アンローダ装置Ｄと、カセットＥから連続して排出されるウエハにレジスト膜を塗布する塗布装置Ａと、レジスト膜が塗布されたウエハ上からレチクルパターンを介して露光する露光装置Ｂと、露光されたウエハを現像する現像装置Ｃが各装置間を連結する搬送システムＦによりインラインで構築されている。製造システム全体の動作は不図示のシステム全体をコントロールするコントロール装置によって制御管理されている。
【００１３】
図２により、各上記装置の中での細かい製造工程フローについて説明する。ローダ・アンローダ装置Ｄには、工程間搬送装置により搬送されてきた複数枚のウエハがその溝に収納された不図示のカセットＥが載置される。収納されたウエハの枚数は数枚から２４枚と機種により異なる。カセットＥには、例えば２５本の溝が形成される。なお、カセットの溝数は２５本に限定されるものではなくその他の溝数（例えば、３００ｍｍφウエハでは１３本）でも良い。カセットＥからはインラインシステム全体をコントロールするコントロール装置からの指令に基づき、ウエハが順次塗布装置Ａに投入される。
【００１４】
塗布装置Ａは、数工程から構成される。例えば、塗布前ウエハ温度コントロールユニットａ１、ＢＡＲＣ（Ｂｏｔｔｏｎ  Ａｎｔｉ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  Ｃｏａｔｉｎｇ）ユニットａ２、ＢＡＲＣ後ベーキングユニットａ３、レジスト塗布ユニットａ４、レジスト塗布後ベーキングユニットａ５等から構成される。ＢＡＲＣの代わりに密着性向上材としてＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）が塗布される場合もある。
【００１５】
レジスト膜が塗布されたウエハは次に露光装置Ｂに投入される。露光装置Ｂに投入されたウエハは先ずレチクルパターンの合わせマークとウエハに形成されている合わせマークとの位置あわせ、即ちアライメント作業に係属する。アライメント作業はウエハ下地とレチクルパターンとのアライメント作業ｂ１が行われ、その後ウエハでのレベリング、ＦＯＣＵＳ調整等のアライメント作業ｂ２が行なわれ、複数枚のウエハ（同一ロットのウエハ）に対する共通の最適化アライメント作業（ｂ１＋ｂ２）条件が定まる。アライメント作業が終了するとショットごとにＫｒＦエキシマレーザ光等によりレチクルパターンを介してウエハ上への露光作業ｂ３が行われる。この露光により、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤から酸が発生する。
【００１６】
露光作業が終了したウエハは次に現像装置Ｃに投入される。現像装置Ｃでは、先ずベーキングユニットｃ１にて、露光により発生した酸を化学増幅型レジストに含まれる溶解抑止剤と反応させ、それを分解させアルカリ性現像液に不要な構造に変化させるためＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）処理が為される。次に、現像ユニットｃ２により、ＫｒＦエキシマレーザ光等で露光されたレジスト膜を現像液で溶解して、ウエハ上の露光されない部分にレジストパターンを形成する。その後、ベーキングユニットｃ３でポストベーキングされたウエハはローダ・アンローダ装置Ｄの不図示のカセットＥに再度収納されリソグラフィ工程のインライン作業は終了する。塗布処理、露光処理、現像処理の一連の処理をリソグラフィ処理と称する。
【００１７】
以下に、上記半導体装置の製造システムを使用した本実施形態の特徴について図３に基づいて説明する。図３には、インラインリソグラフィ工程の各装置を作業処理内容で表示している。各装置での各ウエハに対する作業処理は、前述したコントロール装置によって制御管理される。なお、インラインリソグラフィ工程の各装置の内、少なくとも塗布装置Ａ及び露光装置Ｂは作業中の仕掛かりウエハが存在しない待機状態である。
【００１８】
本実施形態の特徴はローダ・アンローダ装置Ｄ上のカセットＥに収納されたＸ枚のウエハのリソグラフィ処理を開始する場合、後述のように塗布装置Ａに投入された最初のウエハが塗布処理を終了するのに相当の時間がかかるため、その間、無負荷状態で停止している露光装置Ｂにダミーウエハとして１枚目のウエハをレジスト無しで直接投入し、２枚目以降のウエハが露光装置Ｂに投入される前に当該露光装置Ｂの最適化アライメント作業条件を決定し、２枚目以降のウエハの該露光装置Ｂ内での最適化アライメント作業を不要とするところにある。
【００１９】
各ウエハに対するインラインリソグラフィ工程での作業手順は以下の如くである。先ず、ローダ・アンローダ装置Ｄ上にＸ枚のウエハが収納されたカセットＥを載置する。次に、同図に示すように、カセットＥの中から１枚目のウエハを抜き出し、塗布装置Ａを素通りさせてレジスト膜の塗布をすることなく露光装置Ｂに直接投入する。次に該１枚目のウエハに対して露光装置Ｂ内で最適化アライメント作業（ｂ１＋ｂ２）のみを行う。これにより同一ロット、同一工程からなる２枚目以降のウエハに対する露光装置Ｂの最適化アライメント作業条件が決定される。最適化アライメント作業時間は所定の時間Ｔ１になる（例えば数分程度）。なお、露光作業ｂ３は行わない。
【００２０】
なお、レジスト膜を塗布していないウエハで露光装置Ｂの最適化アライメント作業ができる理由は、ＫｒＦエキシマレーザ光やＡｒＦエキシマレーザ光による露光工程で用いられるレジスト膜は、最適化アライメント作業に用いる光源（ＨｅＮｅ光）の波長帯に対する光に対する透明性が高いので、レジスト膜を塗布したウエハと同様に条件出しを行う事が可能となっているからである。
【００２１】
最適化アライメント作業（ｂ１＋ｂ２）が終了した該１枚目のウエハは次工程の現像処理工程に投入されることなく、直接、元のカセットＥに収納される。同図では、カセットＥに戻ってきた１枚目のウエハはＸ枚目のウエハの下の溝に収納されるように記載しているが、元の１番目の溝に戻しても良い。
【００２２】
２枚目以降のウエハは順次塗布装置Ａに投入され塗布処理される。２枚目のウエハの
塗布装置Ａへの投入時期は塗布装置Ａを構成する個々の装置の調整等が終了した時点となる。３枚目のウエハは２枚目のウエハが塗布装置Ａ内の所定の工程に進んだ段階でインラインリソグラフィ工程の全体のスループットを考慮したシーケンスに従って塗布装置Ａに投入される。４枚目以降も同様のシーケンスに従って塗布装置Ａに投入される。
【００２３】
塗布装置Ａに投入された２枚目以降のウエハは、順次、塗布前ウエハ温度コントロールユニットａ１、ＢＡＲＣユニットａ２、ＢＡＲＣ後ベーキングユニットａ３、レジスト塗布ユニットａ４、レジスト塗布後ベーキングユニットａ５に仕掛かる。前記各ユニットでの処理が終了すると塗布処理工程の作業が終了する。この一連の各ユニットでの塗布処理を終了するのに要する塗布処理時間Ｔ３は熱処理工程が多いこともあり相当長い時間となる（例えば１５分前後）。
【００２４】
その後、２枚目のウエハを先頭に順次露光装置Ｂに投入され露光処理される。露光装置Ｂにおける最適化アライメント作業条件が既に１枚目のウエハによるアライメント作業で決定されているため、瞬時に２枚目以降のウエハに対する露光装置Ｂの最適化アライメント作業が終了した状態になり、必要に応じ短時間の微調整アライメント作業時間Ｔ２の後、直ちに露光作業ｂ３がなされる。微調整アライメント作業時間Ｔ２は最適化アライメント作業時間Ｔ１に比べ格段に短く通常無視できる。
【００２５】
露光処理が終了すると、次にウエハは現像装置Ｃに投入され現像処理がなされる。現像装置Ｃの各構成ユニットであるベーキングユニットｃ１、現像ユニットｃ２、ベーキングウニットｃ３に２枚目以降のウエハは順次に仕掛かり、現像処理が終了したウエハはローダ・アンローダ装置Ｄ上のカセットＥの各溝に再度収納される。なお、ローダ・アンローダ装置Ｄに２個のカセットＥを用意して、最初にウエハが収納されたカセットＥと現像後に戻るウエハを収納するカセットＥを別のものにしても良い。
【００２６】
最適化アライメント作業時間Ｔ１の決定に使用され、再度ローダ・アンローダ装置Ｄ上のカセットＥに収納されていた１枚目のウエハはＸ枚目のウエハに連続して塗布装置Ａに投入され塗布処理され、次に露光装置Ｂに投入され露光処理され、最後に現像装置Ｃに投入され現像処理され、その後ローダ・アンローダ装置Ｄ上のカセットＥに再度収納され、最終的に全てのウエハＸ枚のリソグラフィ処理は終了する。この場合も、露光装置Ｂ内の露光処理の内、最適化アライメント作業が必要ないのは言うまでも無く、Ｘ枚すべてのウエハが最適化アライメント作業を必要としない。
【００２７】
図４に示すように、従来例ではローダ・アンローダ装置Ｄ上のカセットＥから引き出された１枚目のウエハから連続してＸ枚目まで、塗布装置Ａに投入され塗布処理が為され、露光装置Ｂに投入され露光処理が為され、最後に現像装置Ｃに投入され現像処理される。その後ローダ・アンローダ装置Ｄ上のカセットＥに再度収納される。本実施形態と異なり、最初のウエハは、それ自身で露光装置Ｂでの露光処理において最適化アライメント作業が必要になり、最適化アライメント作業時間Ｔ１が必須となる。
【００２８】
それに対して、本実施形態では、前述の例で示すように本作業の最初のウエハに相当する２枚目のウエハの塗布処理時間Ｔ３は、通常最適化アライメント作業時間Ｔ１より数倍長いので、２枚目のウエハが塗布処理を終了した時点で１枚目のウエハによる露光装置Ｂでの最適アライメント作業が既に終了している。従って、決定済みの露光装置Ｂの最適アライメント作業条件をそのまま適用できる２枚目のウエハの露光処理時間は従来に比し最適化アライメント作業時間Ｔ１分だけ短縮される。
【００２９】
その結果、本実施形態におけるＸ枚全てのウエハのリソグラフィ処理に要する時間と従来例のＸ枚全てのウエハのリソグラフィ処理に要する時間を比較した場合、従来の場合の最初のウエハである１枚目のウエハが最適化アライメント作業時間Ｔ１を要するのに対して、本実施形態では最初のウエハである２枚目のウエハは、１枚目のウエハで露光装置Ｂの最適化アライメント作業条件がすでに決定しているので、改めて最適化アライメント作業をする必要がなく最適化アライメント作業時間Ｔ１を要しない点で異なる。即ち、本実施形態の方がＴ１だけ総リソグラフィ処理時間が短くなる。
【００３０】
また、本実施形態では全てのウエハの露光処理時間が同じになるのに対して、従来例では１枚目のウエハの露光処理時間と２枚目以降のウエハの露光処理時間が異なる。即ち、１枚目のウエハの露光処理時間が、２枚目以降のウエハの露光処理時間に比べて最適化アライメント作業時間Ｔ１を必要とすることで格段に大きくなる（例えば５倍程度）。従って、リソグラフィシステム全体のスループット向上のための作業シーケンスの組み立てが、ボトルネックとなる露光処理工程ですべてのウエハの露光処理時間が同じ本実施形態の方が容易となる。
【００３１】
但し、２枚目のウエハの塗布処理時間Ｔ３が最適化アライメント作業時間Ｔ１より短い特殊な場合があれば、塗布処理が終了したあともＴ１−Ｔ３の間最初のウエハは露光装置Ｂの前で待機することになる。従って、この場合は、Ｔ１ではなくＴ１よりは短いＴ１−（Ｔ１−Ｔ３）＝Ｔ３だけ従来に比して最適化アライメント作業時間が短くなる効果を発揮する。
【００３２】
例えば液浸露光装置では露光条件出しまでの準備、及びその後の処理に相当の時間を要しておりＴ１がＴ３より長くなることがある。このような場合でも、塗布装置Ａのメンテナンス作業等時間Ｔ４がかかり、Ｔ４＋Ｔ３がＴ１より大きくなる場合は、従来に比し最適化アライメント作業時間Ｔ１分だけ、総リソグラフィ処理時間が短くなる効果を発揮する。
【００３３】
また、同一カセットＥ内の１枚目のウエハをレジスト塗布無しで露光装置Ｂに投入し、最適化アライメント作業を行うことから以下のような利点を得ることもできる。即ち、２枚目以降のウエハと同じ状態のウエハである本番ウエハを用いて最適化アライメント作業を行うので、例えば、ウエハの反り状態などのパラメータを含めて最適化アライメント作業に反映させる事ができ、別ロットや別機種でのウエハ等のように本番ウエハと同一の作業履歴を経ていないウエハを用いて行った最適化アライメント作業条件をフィードバックするよりも、最適化アライメント作業を高精度に行う事ができる。
【００３４】
上記効果はＤＲＡＭ等の様に１機種で大量生産する製造ラインにおいても効果が発揮されるが、顧客の多様な要求に迅速に対応せざるを得ない多品種少量生産ラインにおいてはさらに大きな効果を発揮する。顧客の必要な分だけ在庫ロス無く、タイミングよく出荷する付加価値の高い生産ラインを運用するためには、ウエハの大口径化が進む中、場合によっては１機種数枚程度から構成される多数のロットを効率よく処理する必要がある。
【００３５】
ＣＶＤ工程や熱処理工程等の場合は機種が異なっても処理条件が同じであれば多機種をまとめて処理する事ができる。しかし、レチクルパターンが異なるリソグラフィ工程においては機種が換わるたびにレチクルの交換や塗布条件等の調整が必要になり、その都度、１枚目のウエハのアライメント作業時間が２枚目以降より長くなり、その分だけリソグラフィ処理時間を増加させることになる。半導体装置の高機能化と共にマスク枚数も増加する傾向があり、各レイヤー毎に１枚目のウエハのアライメント作業時間が２枚目より長くなり更に大きなロスが重畳される。
【００３６】
〔第２の実施形態〕
本発明の第２の実施形態について図５に基づいて説明する。第１の実施形態との相違点は同図に示すように１枚目のレジスト塗布無しのウエハが露光装置Ｂにおいて最適化アライメント作業を終了した後、現像装置Ｃを経由してからローダ・アンローダ装置Ｄ上のカセットＥに戻っている点である。従って、カセットＥに収納されているＸ枚のウエハ全てのリソグラフィ処理に要する時間が、従来に比し、最適化アライメント作業時間Ｔ１等だけ短くなる効果は第１の実施形態と変わらない。更に以下に示す効果もある。
【００３７】
本実施形態におけるウエハの処理方法も１枚目のウエハを除いて第１の実施形態と同じである。第１の実施形態と異なる処理方法となる１枚目のウエハの処理方法についてのみ同図に基づいて、その利点も含め説明する。先ず、ローダ・アンローダ装置Ｄ上にＸ枚のウエハが収納されたカセットＥを載置する。次に、カセットＥの中から１枚目のウエハを抜き出し、塗布装置Ａを素通りさせてレジスト膜の塗布をすることなく露光装置Ｂに直接投入する。次に該１枚目のウエハに対して露光装置Ｂ内で最適化アライメント作業（ｂ１＋ｂ２）のみを行う。これにより同一ロット、同一工程からなる２枚目以降のウエハに対する露光装置Ｂの最適化アライメント作業条件が決定される。最適化アライメント作業時間は所定の時間Ｔ１になる（例えば数分程度）。なお、露光作業ｂ３は行わない。
【００３８】
次に、露光装置Ｂから排出したウエハを現像装置Ｂに投入し、実際に現像処理を行うことで、現像装置内でのウエハ全体の流れが従来と同じようになり、各装置を用いた製造システム全体のシーケンスが組みやすくなる。また、１枚目のウエハの現像装置Ｃへの搬入に際して、現像工程でのステージの温度の安定化や、現像液のプリディスペンスを事前に行えるので、その後のウエハ処理との間で製造バラツキの低減ができる。
【００３９】
更に、現像装置Ｃで熱処理やスピン乾燥処理等の現像処理を行うことによりウエハの表面状態を改善する事が可能になる。特に表面状態の改善を要する液浸露光装置の場合重要になる。即ち、液浸露光装置では、ウエハ表面に純水を接触した状態で最適化アライメント作業を含めた露光処理を行うので、その後にレジスト膜を塗布する本実施形態の場合必須の作業となる。
【００４０】
本発明は、上述の如く露光装置Ｂを使用する半導体製造ラインで効果を発揮するが、特に、マスク枚数が多く、多品種少量生産によりウエハを処理し付加価値を確保する製造ラインに対してさらに大きな効果を発揮する。また、上記発明はリソグラフィ工程に限らず、技術的思想が同一であれば他の工程にも適用できるし、ＬＣＤ装置等の半導体装置以外の製造システムにも適用できることは言うまでも無い。
【符号の説明】
【００４１】
Ａ  塗布装置    Ｂ  露光装置    Ｃ  現像装置    Ｄ  ローダ・アンローダ装置
Ｅ  カセット    Ｆ  搬送システム    ａ１  塗布前ウエハ温度コントロールユニット
ａ２  ＢＡＲＣユニット    ａ３  ＢＡＲＣ後ベーキングユニット    
ａ４  レジスト塗布ユニット    ａ５  レジストベーキングユニット    
ｂ１  アライメント作業    ｂ２  アライメント作業    ｂ３  露光作業    
ｃ１  ベーキングユニット（ＰＥＢ）    ｃ２  レジスト現像ユニット    
ｃ３  ベーキングユニット
【図１】
2011176048.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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