(57)【要約】【課題】表示品位の高い表示装置を提供する。【解決手段】本発明の表示装置は、第１画素電極２５Ｇと、第２画素電極２５Ｒと、第１信号線２７Ｇと、第２信号線２７Ｒとを備え、第１画素電極２５Ｇと第１信号線２７Ｇとの間に形成される容量が、第２画素電極２５Ｒと第２信号線２７Ｒとの間に形成される容量よりも小さい、もしくは、第１画素電極２５Ｇと第１画素電極２５Ｇを挟んで第１信号線２７Ｇに隣り合う信号線との間に形成される容量が、第２画素電極２５Ｒと第２画素電極２５Ｒを挟んで第２信号線２７Ｒに隣り合う信号線との間に形成される容量よりも小さい。【選択図】図３
2011013695.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックスの形態で配列された複数の画素を有する表示装置であって、
前記複数の画素に対応する複数の画素電極と、
前記複数の画素電極に、それぞれスイッチング素子を介して接続された複数の前記マトリックスの列方向に延びる信号線と、を備え、
前記複数の画素電極は、第１画素電極と第２画素電極を含み、
前記複数の信号線は、前記第１画素電極に接続された第１信号線と、前記第２画素電極に接続された第２信号線とを含み、
前記第１画素電極と前記第１信号線との間に形成される容量が、前記第２画素電極と前記第２信号線との間に形成される容量よりも小さい、
もしくは、前記第１画素電極と前記第１画素電極を挟んで前記第１信号線に隣り合う信号線との間に形成される容量が、前記第２画素電極と前記第２画素電極を挟んで前記第２信号線に隣り合う信号線との間に形成される容量よりも小さい、ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
マトリックスの形態で配列された複数の画素を有する表示装置であって、
前記複数の画素に対応する複数の画素電極と、
前記複数の画素電極に、それぞれスイッチング素子を介して接続された複数の前記マトリックスの列方向に延びる信号線と、を備え、
前記複数の画素電極は、第１画素電極と第２画素電極を含み、
前記複数の信号線は、前記第１画素電極に接続された第１信号線と、前記第２画素電極に接続された第２信号線とを含み、
前記第１画素電極と前記第１信号線との間に形成される容量を前記第１画素電極に対して形成される全容量で割った値が、前記第２画素電極と前記第２信号線との間に形成される容量を前記第２画素電極に対して形成される全容量で割った値よりも小さい、
もしくは、前記第１画素電極と前記第１画素電極を挟んで前記第１信号線に隣り合う信号線との間に形成される容量を前記第１画素電極に対して形成される全容量で割った値が、前記第２画素電極と前記第２画素電極を挟んで前記第２信号線に隣り合う信号線との間に形成される容量を前記第２画素電極に対して形成される全容量で割った値よりも小さい、ことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
前記複数の画素は、異なる複数の色を表示する画素を含み、前記第１画素電極のＸＹＺ色度表示におけるＹ値は前記第２画素電極のＹ値よりも大きい、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１画素電極を含む画素の開口率と、前記第２画素電極を含む画素の開口率とが、実質的に等しい、請求項１から３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の画素は、異なる複数の色を表示する画素を含んでおり、
前記複数の色の１繰り返し単位中に、前記第１画素電極と前記第２画素電極を含む、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１画素電極のＸＹＺ色度表示におけるＹ値は前記第２画素電極のＹ値よりも大きい、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記複数の色の１繰り返し単位中の全ての画素の開口率が、実質的に等しい、請求項５または６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記複数の色の１繰り返し単位中に含まれる画素の構造はｎ種類存在し、
前記画素の構造は、前記第ｍ（ｍ＝１〜ｎ)画素電極に対応する第ｍ画素構造を含み、
前記画素電極は、前記第ｍ画素構造が有する第ｍ画素電極を含み、
前記複数の信号線は、前記第ｍ画素電極に接続された第ｍ信号線を含み、
前記第ｍ画素電極と前記第ｍ信号線との間に形成される容量をＣｓｄ１（ｍ）、前記第ｍ画素電極と前記第ｍ画素電極を挟んで前記第ｍ信号線に隣り合う信号線との間に形成される容量をＣｓｄ２（ｍ）と定義したとき、
Ｃｓｄ１（１）＜Ｃｓｄ１（２）＝Ｃｓｄ１（３）＝・・・＝Ｃｓｄ１（ｎ）
もしくは、
Ｃｓｄ２（１）＜Ｃｓｄ２（２）＝Ｃｓｄ２（３）＝・・・＝Ｃｓｄ２（ｎ）
を満たす請求項５から７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１画素構造をもつ画素は、前記複数の色のうち、ＸＹＺ色度表示において最もＹ値の高い色に対応する画素である、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記複数の画素は、赤色を表示する赤画素と、緑色を表示する緑画素と、青色を表示する青画素からなり、前記第１画素構造をもつ画素は、前記緑画素の画素である、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記複数の画素は、赤色を表示する赤画素と、緑色を表示する緑画素と、青色を表示する青画素と、白色を表示する白画素からなり、第１画素構造をもつ画素は、前記白画素の画素である、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記ｍ（ｍ＝１〜ｎ）信号線の上方には所定の幅を有し、前記信号線と同じ方向に延びる第ｍブラックマトリックスが形成されており、
前記第ｍ信号線の中心線と前記第ｍブラックマトリックスの前記第ｍ画素電極側の端との間の距離をＤ１（ｍ）、前記第ｍ画素電極を挟んで前記第ｍ信号線に隣り合う信号線の中心線と、前記第ｍ画素電極を挟んで前記第ｍブラックマトリックスに隣りあうブラックマトリックスの前記第ｍ画素電極側の端との間の距離をＤ２（ｍ）としたとき、
Ｄ１（１）＞Ｄ１（２）＝Ｄ１（３）＝・・・＝Ｄ１（ｎ）
もしくは、
Ｄ２（１）＞Ｄ２（２）＝Ｄ２（３）＝・・・＝Ｄ２（ｎ）
を満たす、請求項８から１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記複数の色の１繰り返し単位中に含まれる画素の構造はｎ種類存在し、
前記画素の構造は、前記第ｍ（ｍ＝１〜ｎ）画素電極に対応する第ｍ画素構造を含み、
前記画素電極は、前記第ｍ画素構造が有する第ｍ画素電極を含み、
前記複数の信号線は、前記第ｍ画素電極に接続された第ｍ信号線を含み、
前記第ｍ画素電極と前記第ｍ信号線との間に形成される容量をＣｓｄ１（ｍ）、前記第ｍ画素電極と前記第ｍ画素電極を挟んで前記第ｍ信号線に隣り合う信号線との間に形成される容量をＣｓｄ２（ｍ）と定義したとき、
Ｃｓｄ１（１）≦Ｃｓｄ１（２）≦Ｃｓｄ１（３）≦・・・≦Ｃｓｄ１（ｎ）
もしくは、
Ｃｓｄ２（１）≦Ｃｓｄ２（２）≦Ｃｓｄ２（３）≦・・・≦Ｃｓｄ２（ｎ）
を満たす請求項５から７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第ｍ(ｍ＝１〜ｎ)画素構造をもつ画素が表示する色の、ＸＹＺ色度表示におけるＹ値をＹ（ｍ）としたとき、
Ｙ（１）＞Ｙ（２）＞Ｙ（３）＞・・・＞Ｙ（ｎ）
を満たす、請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記複数の画素は、赤色を表示する赤画素と、緑色を表示する緑画素と、青色を表示する青画素からなり、前記第１画素電極、前記第２画素電極、および前記第３画素電極は、それぞれ、前記緑画素の画素電極、前記赤画素の画素電極、および前記青画素の画素電極である、請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記複数の画素は、赤色を表示する赤画素と、緑色を表示する緑画素と、青色を表示する青画素と、白色を表示する白画素からなり、第１画素電極、前記第２画素電極、前記第３画素電極、および前記第４画素電極は、それぞれ、前記白画素の画素電極、前記緑画素の画素電極、前記赤画素の画素電極、および前記青画素の画素電極である、請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記ｍ（ｍ＝１〜ｎ）信号線の上方には所定の幅を有し、前記信号線と同じ方向に延びる第ｍブラックマトリックスが形成されており、
前記第ｍ信号線の中心線と前記第ｍブラックマトリックスの前記第ｍ画素電極側の端との間の距離をＤ１（ｍ）、前記第ｍ画素電極を挟んで前記第ｍ信号線に隣り合う信号線の中心線と、前記第ｍ画素電極を挟んで前記第ｍブラックマトリックスに隣りあうブラックマトリックスの前記第ｍ画素電極側の端との間の距離をＤ２（ｍ）としたとき、
Ｄ１（１）≧Ｄ１（２）≧Ｄ１（３）≧・・・≧Ｄ１（ｎ）
もしくは、
Ｄ２（１）≧Ｄ２（２）≧Ｄ２（３）≧・・・≧Ｄ２（ｎ）
を満たす、請求項１３から１６のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関し、少なくとも複数の画素を含む表示領域を用いて表示を行う表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
カラーテレビ、カラーモニター等のカラー表示装置は、通常、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色（ＲＧＢ３原色）を加法混色することにより色表現を行っている。カラー表示装置の各表示単位（本明細書では、「カラー表示画素」と呼ぶこともある。）は、ＲＧＢ３原色にそれぞれ対応する赤画素、緑画素、青画素を含んでおり、これら赤画素、緑画素、青画素の輝度をそれぞれ変化させることにより、多様な色が表現される。
【０００３】
各画素の輝度は、各画素の最小階調（例えば、階調０）から最大階調（例えば、階調２５５）までの範囲内で変化するが、ここでは、便宜上、画素の最小階調のときの画素の輝度を「０．０」と表し、画素の最大階調のときの画素の輝度を「１．０」と表す。画素の階調と輝度の関係は、例えば、γ＝２．２のガンマ曲線で表される。
【０００４】
１つの表示単位において、すべての画素、すなわち、赤画素、緑画素、および青画素の全ての輝度が「０．０」であるとき、この表示単位によって表示される色は黒である。反対に、すべての画素の輝度が「１．０」であるとき、その表示単位によって表示される色は白である。
【０００５】
また、上述したようなＲＧＢ３原色による表示装置以外に、輝度を上昇させる・色表現の範囲を拡大するために、４色以上の色で表示をおこなう表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この表示装置は、液晶表示装置のカラー表示を、赤、緑、青に白色を加えた構成で表示をおこなうものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−６２８６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
現在、薄型カラー表示装置として、液晶表示装置、有機EL表示装置等の開発が盛んである。これらの表示装置における画素の駆動方式として、単純マトリックス方式およびアクティブマトリックス方式が用いられているが、より高品質のカラー表示を行うためには、残像が少なく、高いコントラストが得られるアクティブマトリックス方式を採用することが好ましい。
【０００８】
図１３は、アクティブマトリックス方式を用いたカラー表示装置におけるアクティブマトリックス基板の一部を、基板に垂直な方向から見た図である。ここでは、カラー表示装置として、アクティブマトリックス方式の液晶表示装置（ＬＣＤ）を例として用いている。なお、このＬＣＤはノーマリホワイトモード（液晶に対して電圧を印加しない時に白表示）を採用している。
【０００９】
この図に示すように、ＬＣＤ１００では、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板１０１の上に、走査線（ゲート線）１０２と信号線（データ線）１０４が互いに交差して配置されており、走査線１０２と信号線１０４とに囲まれたそれぞれの領域に、画素電極１０６が形成されている。画素電極１０６は、それぞれが１つの画素１０８に対応しており、マトリックス状に配置された複数の画素１０８がＬＣＤの表示領域を構成している。なお、本明細書では、隣接する２本の走査線の中心線と、隣接する２本の信号線の中心線で囲まれた領域を画素と呼ぶことにする。
【００１０】
図１４は、表示領域における任意の画素１０８Ａの構成を表した図である。アクティブマトリックス基板１０１の上部には、液晶層１１０を挟んで、対向電極１１２およびカラーフィルタ１１４を備えたカラーフィルタ基板１１６が配置されている。画素１０８Ａの画素電極１０６Ａと対向電極１１２との間の電位差に応じて、各画素における液晶の配向が制御され、これにより、各画素の光透過率が変化してカラー表示が行われる。カラーフィルタ基板１１６には、さらに光漏れを遮断するためのＢＭ（ブラックマトリックス）１１８が形成されている。ＢＭは、画素電極１０６Ａの上方に開口部１１９Ａを有しており、開口部１１９ＡからＴＦＴ基板上の配線による遮光部を除いた領域が画素１０８Ａにおける光透過領域となる。
【００１１】
画素１０８Ａにはスイッチング素子であるＴＦＴ１２０Ａが形成されており、ＴＦＴ１２０Ａのゲート１２２Ａは走査線１０２に、ソース１２４Ａは信号線１０４Ａに、ドレイン１２６Ａは画素電極１０６Ａに、それぞれ電気的に接続されている。なお、図１４に示すように、画素１０８Ａと同じ行（自段）における、画素１０８Ａの右側に隣接する画素１０８Ｂでは、ＴＦＴ１２０Ｂのゲート１２２Ｂは走査線１０２Ａに、ソース１２４Ｂは信号線１０４Ｂに、ドレイン１２６Ｂは画素電極１０６Ｂに、それぞれ電気的に接続されている。
【００１２】
なお、ＲＧＢ３原色によるカラー表示を行うＬＣＤでは、赤、緑、青の画素が、例えばゲート線に沿って連続して配置され、これら３画素により１つの表示単位が形成される。また、ＲＧＢＷの4色によるカラー表示を行うＬＣＤでは、赤、緑、青、白の画素が、例えば、ゲート線に沿って連続して配置され、これら４画素によって１つの表示単位が形成される。
【００１３】
ＴＦＴ１２０Ａのソース１２４Ａに接続された信号線１０４Ａと画素電極１０６Ａとの間には寄生容量Ｃｓｄ１が形成される。また、画素１０８Ａの隣の画素１０８Ｂの画素電極１０６Ｂに接続された信号線１０４Ｂと画素電極１０６Ａとの間には寄生容量Ｃｓｄ２が形成される。
【００１４】
ＬＣＤ１００で画像を表示する場合、走査線１０２および信号線１０４にそれぞれ走査信号および表示信号が、例えばライン反転駆動により供給される。なお、表示信号はフレーム毎に極性が反転するフレーム反転により供給される。
【００１５】
図１５は、ライン反転駆動による表示信号の極性を示した図である。この図に示すように、１フレームの中で、画素電極に対して正の電圧と負の電圧が、画素の行ごとに交互に供給される。ある画素の行における各画素電極に正の電圧が供給された場合、その行（自段）の次の行（次段）における各画素電極には負の電圧が供給される。
【００１６】
図１６は、ライン反転駆動を行った場合の画素電極（図１４の画素電極１０６Ａ）の電圧（ＴＦＴのドレイン電位）の波形を示す図である。この図に示すように、画素１０８ＡのＴＦＴ１２０Ａにゲート電位Ｖｇが供給され、ゲート１２２ＡがＯＮとなる。これにより、ソース１２４Ａ−ドレイン１２６Ａ間が導通し、ドレイン電位Ｖｄがソース電位Ｖｓ付近まで上昇する。その後、ゲート１２２ＡがＯＦＦとなると、維持されるべきドレイン電位Ｖｄが、フィードスルー電圧ΔＶｄだけ下がる。ここで、フィードスルー電圧ΔＶｄは、ゲート−ドレイン間容量Ｃｇｄ、液晶容量Ｃｌｃ、補助容量Ｃｃｓ、ゲート電圧の最大値と最小値との差Ｖｇｐｐを用いて次の式で決定される。
ΔＶｄ＝Ｃｇｄ／（Ｃｇｄ＋Ｃｌｃ＋Ｃｃｓ＋Ｃｓｄ）×Ｖｇｐｐ
【００１７】
その後、ドレイン電位Ｖｄはさらに、寄生容量Ｃｓｄ１およびＣｓｄ２の影響を受けて、ΔＶｓｄだけ変化する。ΔＶｓｄは信号電圧の変化量ΔVsを用いて次の式で決定される。
ΔＶｓｄ＝Ｃｓｄ／（Ｃｇｄ＋Ｃｌｃ＋Ｃｃｓ＋Ｃｓｄ）×ΔＶｓ
【００１８】
ライン反転駆動による表示においては、画素電極１０６Ａと画素電極１０６Ｂには同じ極性の電位があたえられるため、寄生容量Ｃｓｄ１とＣｓｄ２は互いに打ち消しあうことがなく、どちらもドレイン電位Ｖｄの変化を引き起こす原因となる。とくに、画素１０８Ａの上下の表示領域に、画素１０８Ａと比較して階調が高い表示がなされる場合、画素１０８Ａの画素電極１０６Ａの画像表示の１フレーム（Ｆ）におけるドレイン電位Ｖｄの実効値が大きくなる。これにより、表示画面上にシャドーイングと呼ばれる現象が発生する。
【００１９】
図１７は、ノーマリホワイトモードにおけるシャドーイングを説明する図である。この図は、ＬＣＤ１００の表示領域の中心部分に、例えば黒の四角形（領域Ａ）を表示したときの表示画面を表している。領域Ｂは領域Ａの上下（図１５の縦方向に沿う方向を上下方向とする）の表示領域であり、本来、領域Ａの左右の表示領域である領域Ｃと同様、領域Ａよりも明るい色（例えば薄い灰色）の表示がなされるべき領域である。しかし、上述した理由により、領域Ｂにおける画素のドレイン電位Ｖｄの実効値が大きくなり、結果として、領域Ｂの階調が下がり、領域Ｂにあたかも領域Ａに表示されている黒の四角形の影を映したかのような画像が現われてしまう。
【００２０】
上述のＬＣＤは、ノーマリホワイトモードを採用しているが、ノーマリブラックモード（電圧無印加時に黒表示）を採用した場合には、同じ理由により、例えば、白表示部分の上下部分の階調が上がり、シャドーイングが発生する。一般にライン反転駆動はこのようにシャドーイングが発生するものの、走査線の信号を適切に与えることにより消費電力を小さくすることが可能であり、例えば携帯電話やＰＤＡ等の分野で利用されている。
【００２１】
一方、上述したようなシャドーイングをなくすためには、ライン反転駆動の代わりにドット反転駆動を採用することが考えられる。図１８は、ドット反転駆動を説明する図である。図に示すように、ドット反転駆動では、行方向および列方向に隣接する画素には互いに異なる極性の信号電位が供給される。したがって、寄生容量Ｃｓｄ１およびＣｓｄ２がドレイン電位に与える影響は互いにキャンセルし合い、シャドーイング現象はほとんど発生しなくなる。従って、ドット反転は表示品位が重視される、例えばノートパソコン用、ＴＶ用液晶などの分野で広く利用されている。
【００２２】
しかしながら、ドット反転駆動を採用したとしても、「ブロック分かれ」という問題が残る。ＬＣＤのアクティブマトリックス基板を製造する場合、ガラス基板上にＴＦＴ、電極、信号線等が積層技術を用いて形成される。このとき、一枚のガラス基板上に全ての配線パターンを形成するのではなく、ガラス基板上の領域をいくつかのブロックに分けて、例えばステッパーを用いた露光を繰り返すことにより、ブロックごとに配線パターンを形成することがある。このとき、信号線と画素電極のアライメントにずれが発生し、完成したアクティブマトリックス基板上のブロック間で、信号線と画素電極との間の距離が異なるという問題が起こり得る。
【００２３】
このような基板を用いてＬＣＤを製作した場合、アライメントのずれが発生したブロックとそうでないブロックとの間で、あるいはアライメントのずれが発生したブロック相互で、同一色を表示すべき画素における画素電極の電位が互いに異なり、表示画面上で表示色の階調が異なる、いわゆる「ブロック分かれ」という現象が現われる。なお、ブロック分かれは、ドット反転方式の表示装置のみならず、ライン反転方式の表示装置でも発生する。また、ブロック分かれは、表示装置の各製作工程における、部分的な仕上がり具合の違いによっても発生し得る。
【００２４】
シャドーイング・ブロック分かれの対策として、寄生容量Ｃｓｄ・アライメントのずれや部分的な仕上がり具合の違いによるＣｓｄの変化量ΔＣｓｄを低減することが考えられる。しかし、寄生容量Ｃｓｄを低減した場合、一般的に開口率（透過率）の低下、歩留まりの低下、あるいは信号線の容量が大きくなることにより消費電力が増加するという問題がある。
【００２５】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、表示品位の高い表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明の表示装置は、複数の画素を有する表示装置であって、前記複数の画素に対応する複数の画素電極と、前記複数の画素電極に、それぞれスイッチング素子を介して接続された複数の信号線とを備え、前記複数の画素電極は、第１画素電極と第２画素電極を含み、前記複数の信号線は、前記第１画素電極に接続された第１信号線と、前記第２画素電極に接続された第２信号線とを含み、前記第１画素電極の端と前記第１信号線の中心線との間の距離が、前記第２画素電極の端と前記第２信号線の中心線との間の距離よりも大きい、もしくは、前記第１画素電極の端と前記第１画素電極を挟んで前記第１信号線に隣り合う信号線の中心線との間の距離が、前記第２画素電極の端と前記第２画素電極を挟んで前記第２信号線に隣り合う信号線の中心線との間の距離よりも大きい。
【００２７】
本発明の表示装置は、複数の画素を有する表示装置であって、前記複数の画素に対応する複数の画素電極と、前記複数の画素電極に、それぞれスイッチング素子を介して接続された複数の信号線とを備え、前記複数の画素電極は、第１画素電極と第２画素電極を含み、前記複数の信号線は、前記第１画素電極に接続された第１信号線と、前記第２画素電極に接続された第２信号線とを含み、前記第１画素電極の前記第１信号線の側の下方にはシールド電極が形成されており、前記第２画素電極の前記第２信号線側の下方にはシールド電極が形成されていない、もしくは、前記第１画素電極の前記第１画素電極を挟んで前記第１信号線に隣り合う信号線側の下方にはシールド電極が形成されており、前記第２画素電極の前記第２画素電極を挟んで前記第２信号線に隣り合う信号線側の下方にはシールド電極が形成されていない。
【００２８】
本発明の表示装置は、複数の画素を有する表示装置であって、前記複数の画素に対応する複数の画素電極と、前記複数の画素電極に、それぞれスイッチング素子を介して接続された複数の信号線とを備え、前記複数の画素電極は、第１画素電極と第２画素電極を含み、前記複数の信号線は、前記第１画素電極に接続された第１信号線と、前記第２画素電極に接続された第２信号線とを含み、前記第１画素電極の前記第１信号線側の下方にあるシールド電極は前記第１画素電極からはみ出しており、前記第２画素電極の前記第２信号線側の下方にあるシールド電極は前記第２画素電極からはみ出していない、もしくは、前記第１画素電極の前記第１画素電極を挟んで前記第１信号線に隣り合う信号線側の下方にあるシールド電極は前記第１画素電極からはみ出しており、前記第２画素電極の前記第２画素電極を挟んで前記第２信号線に隣り合う信号線側の下方にあるシールド電極は前記第２画素電極からはみ出していない。
【００２９】
本発明の表示装置は、複数の画素を有する表示装置であって、前記複数の画素に対応する複数の画素電極と、前記複数の画素電極に、それぞれスイッチング素子を介して接続された複数の信号線とを備え、前記複数の画素電極は、第１画素電極と第２画素電極を含み、前記複数の信号線は、前記第１画素電極に接続された第１信号線と、前記第２画素電極に接続された第２信号線とを含み、前記第１画素電極の前記第１信号線側の下方にあるシールド電極は、走査線もしくは補助容量線と接続されており、前記第２画素電極の前記第２信号線側の下方にあるシールド電極は、走査線もしくは補助容量線と接続されていない、もしくは、前記第１画素電極の前記第１画素電極を挟んで前記第１信号線に隣り合う信号線側の下方にあるシールド電極は、走査線もしくは補助容量線と接続されており、前記第２画素電極の前記第２画素電極を挟んで前記第２信号線に隣り合う信号線側の下方にあるシールド電極は、走査線もしくは補助容量線と接続されていない。
【００３０】
ある実施形態において、前記複数の画素は、異なる複数の色を表示する画素を含み、前記第１画素電極のＸＹＺ色度表示におけるＹ値は前記第２画素電極のＹ値よりも大きい。
【００３１】
ある実施形態において、前記第１画素電極を含む画素の開口率と、前記第２画素電極を含む画素の開口率とは実質的に等しい。
【００３２】
ある実施形態において、前記複数の画素は、異なる複数の色を表示する画素を含んでおり、前記複数の色の１繰り返し単位中に、前記第１画素電極と前記第２画素電極を含む。
【００３３】
ある実施形態において、前記第１画素電極のＸＹＺ色度表示におけるＹ値は前記第２画素電極のＹ値よりも大きい。
【００３４】
ある実施形態において、前記複数の色の１繰り返し単位中の全ての画素の開口率は実質的に等しい。
【００３５】
ある実施形態において、前記複数の色の１繰り返し単位中に含まれる画素の構造は２種類存在し、前記画素の構造は、前記第１画素電極に対応する第１画素構造を含み、前記第１画素構造をもつ画素が表示する色は、前記複数の色の１繰り返し単位中に１色のみ存在する。
【００３６】
ある実施形態において、前記第１画素構造をもつ画素は、前記複数の色のうち、ＸＹＺ色度表示において最もＹ値の高い色に対応する画素である。
【００３７】
ある実施形態において、前記複数の画素は、赤色を表示する赤画素と、緑色を表示する緑画素と、青色を表示する青画素からなり、前記第１画素構造をもつ画素は、前記緑画素の画素である。
【００３８】
ある実施形態において、前記複数の画素は、赤色を表示する赤画素と、緑色を表示する緑画素と、青色を表示する青画素と、白色を表示する白画素からなり、前記第１画素構造をもつ画素は、前記白画素の画素である。
【００３９】
ある実施形態において、前記第１信号線の上方には所定の幅を有し前記第１信号線と同じ方向に延びる第１ブラックマトリックスが形成されており、前記第２信号線の上方には所定の幅を有し前記第２信号線と同じ方向に延びる第２ブラックマトリックスが形成されており、前記第１信号線の中心線と前記第１ブラックマトリックスの前記第１画素電極の側の端との間の距離をＤ１（１）、前記第２信号線の中心線と前記第２ブラックマトリックスの前記第２画素電極の側の端との間の距離をＤ１（２）、前記第１画素電極を挟んで前記第１信号線に隣り合う信号線の中心線と、前記第１画素電極を挟んで前記第１ブラックマトリックスに隣りあうブラックマトリックスの前記第１画素電極側の端との間の距離をＤ２（１）、前記第２画素電極を挟んで前記第２信号線に隣り合う信号線の中心線と、前記第２画素電極を挟んで前記第２ブラックマトリックスに隣りあうブラックマトリックスの前記第２画素電極側の端との間の距離をＤ２（２）としたとき、Ｄ１（１）＞Ｄ１（２）、もしくは、Ｄ２（１）＞Ｄ２（２）、を満たす。
【００４０】
ある実施形態において、前記複数の色の１繰り返し単位中に含まれる画素の構造は２種類存在し、前記画素の構造は、前記第１画素電極に対応する第１画素構造と、前記第２画素電極に対応する第２画素構造とを含み、前記第１画素構造をもつ画素が表示する色は、前記複数の色の１繰り返し単位中に２色以上存在する。
【００４１】
ある実施形態において、前記第１画素構造をもつ画素は、前記複数の色のうち、ＸＹＺ色度表示において最もＹ値の高い色に対応する画素を含む。
【００４２】
ある実施形態において、前記複数の画素は、赤色を表示する赤画素と、緑色を表示する緑画素と、青色を表示する青画素と、白色を表示する白画素からなり、前記第１画素構造をもつ画素は、前記白画素の画素、前記緑画素の画素である。
【００４３】
ある実施形態において、前記第１信号線の上方には所定の幅を有し前記第１信号線と同じ方向に延びる第１ブラックマトリックスが形成されており、前記第２信号線の上方には所定の幅を有し前記第２信号線と同じ方向に延びる第２ブラックマトリックスが形成されており、前記第１信号線の中心線と前記第１ブラックマトリックスの前記第１画素電極の側の端との間の距離をＤ１（１）、前記第２信号線の中心線と前記第２ブラックマトリックスの前記第２画素電極の側の端との間の距離をＤ１（２）、前記第１画素電極を挟んで前記第１信号線に隣り合う信号線の中心線と、前記第１画素電極を挟んで前記第１ブラックマトリックスに隣りあうブラックマトリックスの前記第１画素電極側の端との間の距離をＤ２（１）、前記第２画素電極を挟んで前記第２信号線に隣り合う信号線の中心線と、前記第２画素電極を挟んで前記第２ブラックマトリックスに隣りあうブラックマトリックスの前記第２画素電極側の端との間の距離をＤ２（２）としたとき、Ｄ１（１）＞Ｄ１（２）、もしくは、Ｄ２（１）＞Ｄ２（２）、を満たす。
【００４４】
本発明の表示装置は、マトリックスの形態で配列された複数の画素を有する表示装置であって、前記複数の画素に対応する複数の画素電極と、前記複数の画素電極に、それぞれスイッチング素子を介して接続された複数の前記マトリックスの列方向に延びる信号線とを備え、前記複数の画素電極は、第１画素電極と第２画素電極を含み、前記複数の信号線は、前記第１画素電極に接続された第１信号線と、前記第２画素電極に接続された第２信号線とを含み、前記第１画素電極と前記第１信号線との間に形成される容量が、前記第２画素電極と前記第２信号線との間に形成される容量よりも小さい、もしくは、前記第１画素電極と前記第１画素電極を挟んで前記第１信号線に隣り合う信号線との間に形成される容量が、前記第２画素電極と前記第２画素電極を挟んで前記第２信号線に隣り合う信号線との間に形成される容量よりも小さい。
【００４５】
本発明の表示装置はマトリックスの形態で配列された複数の画素を有する表示装置であって、前記複数の画素に対応する複数の画素電極と、前記複数の画素電極に、それぞれスイッチング素子を介して接続された複数の前記マトリックスの列方向に延びる信号線とを備え、前記複数の画素電極は、第１画素電極と第２画素電極を含み、前記複数の信号線は、前記第１画素電極に接続された第１信号線と、前記第２画素電極に接続された第２信号線とを含み、前記第１画素電極と前記第１信号線との間に形成される容量を前記第１画素電極に対して形成される全容量で割った値が、前記第２画素電極と前記第２信号線との間に形成される容量を前記第２画素電極に対して形成される全容量で割った値よりも小さい、もしくは、前記第１画素電極と前記第１画素電極を挟んで前記第１信号線に隣り合う信号線との間に形成される容量を前記第１画素電極に対して形成される全容量で割った値が、前記第２画素電極と前記第２画素電極を挟んで前記第２信号線に隣り合う信号線との間に形成される容量を前記第２画素電極に対して形成される全容量で割った値よりも小さい。
【００４６】
ある実施形態において、前記複数の画素は、異なる複数の色を表示する画素を含み、前記第１画素電極のＸＹＺ色度表示におけるＹ値は前記第２画素電極のＹ値よりも大きい。
【００４７】
ある実施形態において、前記第１画素電極を含む画素の開口率と、前記第２画素電極を含む画素の開口率とは実質的に等しい。
【００４８】
ある実施形態において、前記複数の画素は、異なる複数の色を表示する画素を含んでおり、前記複数の色の１繰り返し単位中に、前記第１画素電極と前記第２画素電極を含む。
【００４９】
ある実施形態において、前記第１画素電極のＸＹＺ色度表示におけるＹ値は前記第２画素電極のＹ値よりも大きい。
【００５０】
ある実施形態において、前記複数の色の１繰り返し単位中の全ての画素の開口率が、実質的に等しい。
【００５１】
ある実施形態において、前記複数の色の１繰り返し単位中に含まれる画素の構造はｎ種類存在し、前記画素の構造は、前記第ｍ（ｍ＝１〜ｎ)画素電極に対応する第ｍ画素構造を含み、前記画素電極は、前記第ｍ画素構造が有する第ｍ画素電極を含み、前記複数の信号線は、前記第ｍ画素電極に接続された第ｍ信号線を含み、前記第ｍ画素電極と前記第ｍ信号線との間に形成される容量をＣｓｄ１（ｍ）、前記第ｍ画素電極と前記第ｍ画素電極を挟んで前記第ｍ信号線に隣り合う信号線との間に形成される容量をＣｓｄ２（ｍ）と定義したとき、
Ｃｓｄ１（１）＜Ｃｓｄ１（２）＝Ｃｓｄ１（３）＝・・・＝Ｃｓｄ１（ｎ）
もしくは、
Ｃｓｄ２（１）＜Ｃｓｄ２（２）＝Ｃｓｄ２（３）＝・・・＝Ｃｓｄ２（ｎ）
を満たす。
【００５２】
ある実施形態において、前記第１画素構造をもつ画素は、前記複数の色のうち、ＸＹＺ色度表示において最もＹ値の高い色に対応する画素である。
【００５３】
ある実施形態において、前記複数の画素は、赤色を表示する赤画素と、緑色を表示する緑画素と、青色を表示する青画素からなり、前記第１画素構造をもつ画素は、前記緑画素の画素である。
【００５４】
ある実施形態において、前記複数の画素は、赤色を表示する赤画素と、緑色を表示する緑画素と、青色を表示する青画素と、白色を表示する白画素からなり、第１画素構造をもつ画素は、前記白画素の画素である。
【００５５】
ある実施形態においては、前記ｍ（ｍ＝１〜ｎ）信号線の上方には所定の幅を有し、前記信号線と同じ方向に延びる第ｍブラックマトリックスが形成されており、前記第ｍ信号線の中心線と前記第ｍブラックマトリックスの前記第ｍ画素電極側の端との間の距離をＤ１（ｍ）、前記第ｍ画素電極を挟んで前記第ｍ信号線に隣り合う信号線の中心線と、前記第ｍ画素電極を挟んで前記第ｍブラックマトリックスに隣りあうブラックマトリックスの前記第ｍ画素電極側の端との間の距離をＤ２（ｍ）としたとき、
Ｄ１（１）＞Ｄ１（２）＝Ｄ１（３）＝・・・＝Ｄ１（ｎ）
もしくは、
Ｄ２（１）＞Ｄ２（２）＝Ｄ２（３）＝・・・＝Ｄ２（ｎ）
を満たす。
【００５６】
ある実施形態においては、前記複数の色の１繰り返し単位中に含まれる画素の構造はｎ種類存在し、前記画素の構造は、前記第ｍ（ｍ＝１〜ｎ）画素電極に対応する第ｍ画素構造を含み、前記画素電極は、前記第ｍ画素構造が有する第ｍ画素電極を含み、前記複数の信号線は、前記第ｍ画素電極に接続された第ｍ信号線を含み、前記第ｍ画素電極と前記第ｍ信号線との間に形成される容量をＣｓｄ１（ｍ）、前記第ｍ画素電極と前記第ｍ画素電極を挟んで前記第ｍ信号線に隣り合う信号線との間に形成される容量をＣｓｄ２（ｍ）と定義したとき、
Ｃｓｄ１（１）≦Ｃｓｄ１（２）≦Ｃｓｄ１（３）≦・・・≦Ｃｓｄ１（ｎ）
もしくは、
Ｃｓｄ２（１）≦Ｃｓｄ２（２）≦Ｃｓｄ２（３）≦・・・≦Ｃｓｄ２（ｎ）
を満たす。
【００５７】
ある実施形態においては、前記第ｍ(ｍ＝１〜ｎ)画素構造をもつ画素が表示する色の、ＸＹＺ色度表示におけるＹ値をＹ（ｍ）としたとき、
Ｙ（１）＞Ｙ（２）＞Ｙ（３）＞・・・＞Ｙ（ｎ）
を満たす。
【００５８】
ある実施形態において、前記複数の画素は、赤色を表示する赤画素と、緑色を表示する緑画素と、青色を表示する青画素からなり、前記第１画素電極、前記第２画素電極、および前記第３画素電極は、それぞれ、前記緑画素の画素電極、前記赤画素の画素電極、および前記青画素の画素電極である。
【００５９】
ある実施形態において、前記複数の画素は、赤色を表示する赤画素と、緑色を表示する緑画素と、青色を表示する青画素と、白色を表示する白画素からなり、第１画素電極、前記第２画素電極、前記第３画素電極、および前記第４画素電極は、それぞれ、前記白画素の画素電極、前記緑画素の画素電極、前記赤画素の画素電極、および前記青画素の画素電極である。
【００６０】
ある実施形態において、前記ｍ（ｍ＝１〜ｎ）信号線の上方には所定の幅を有し、前記信号線と同じ方向に延びる第ｍブラックマトリックスが形成されており、前記第ｍ信号線の中心線と前記第ｍブラックマトリックスの前記第ｍ画素電極側の端との間の距離をＤ１（ｍ）、前記第ｍ画素電極を挟んで前記第ｍ信号線に隣り合う信号線の中心線と、前記第ｍ画素電極を挟んで前記第ｍブラックマトリックスに隣りあうブラックマトリックスの前記第ｍ画素電極側の端との間の距離をＤ２（ｍ）としたとき、
Ｄ１（１）≧Ｄ１（２）≧Ｄ１（３）≧・・・≧Ｄ１（ｎ）
もしくは、
Ｄ２（１）≧Ｄ２（２）≧Ｄ２（３）≧・・・≧Ｄ２（ｎ）
を満たす。
【００６１】
本発明のカラーフィルタ基板は、複数の画素によって構成される表示領域を備えた表示装置のカラーフィルタ基板であって、前記複数の画素にそれぞれ対応する複数の画素領域と、前記複数の画素領域の境界線上に形成された複数のブラックマトリックスとを備え、前記複数の画素領域は、異なる複数の色を表示する画素領域を含み、前記異なる複数の色の１繰り返し単位中において、前記複数のブラックマトリックスは、第１ブラックマトリックスと第２ブラックマトリックスを含み、第１ブラックマトリックスの幅が、第２ブラックマトリックスの幅よりも広い。
【００６２】
ある実施形態では、前記異なる複数の色の１繰り返し単位中において、前記異なる複数の色の中で最も輝度の高い色の画素領域が、前記第１ブラックマトリックスに隣接する。
【００６３】
ある実施形態では、前記異なる複数の色の１繰り返し単位中において、前記複数の画素領域の全ての開口率が、実質的に等しい。
【発明の効果】
【００６４】
本発明によれば、表示品位の高い表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】実施形態１の表示装置を示す断面図である。
【図２】実施形態１の表示装置における電極層の配線構造を模式的に表した図である。
【図３】実施形態１のカラー表示画素を示す図であり、（ａ）はカラー表示画素を模式的に表した平面図、（ｂ）はカラー表示画素における信号線、画素電極、ＣＦ、およびＢＭの構成を表した断面図である。
【図４】実施形態２のカラー表示画素を示す図であり、（ａ）はカラー表示画素を模式的に表した平面図、（ｂ）はカラー表示画素における信号線、画素電極、ＣＦ、およびＢＭの構成を表した断面図である。
【図５】実施形態３のカラー表示画素を示す図であり、（ａ）はカラー表示画素を模式的に表した平面図、（ｂ）はカラー表示画素における信号線、画素電極、ＣＦ、およびＢＭの構成を表した断面図である。
【図６】実施形態４のカラー表示画素を模式的に表した平面図である。
【図７】実施形態５のカラー表示画素を示す図であり、（ａ）はカラー表示画素を模式的に表した平面図、（ｂ）はカラー表示画素における信号線、画素電極、およびシールド電極の構成を表した断面図である。
【図８】実施形態５の変形例を表した図であり、（ａ）は第１変形例のカラー表示画素を模式的に表した平面図、（ｂ）は第２変形例のカラー表示画素を模式的に表した平面図である。
【図９】実施形態６のカラー表示画素を示す図であり、（ａ）は実施形態６のカラー表示画素を模式的に表した平面図、（ｂ）は実施形態６の第１変形例のカラー表示画素を模式的に表した平面図、（ｃ）は第２変形例のカラー表示画素を模式的に表した平面図である。
【図１０】実施形態７のカラー表示画素を模式的に表した平面図である。
【図１１】実施形態７に適用され得る特殊な極性反転駆動を説明する図であり、（ａ）はソースドライバ出力と信号線との関係を示した図、（ｂ）は信号線に供給される信号を示した図である。
【図１２】実施形態およびその変形例によって得られる効果を説明するための図であり、（ａ）はシャドーイング率・ブロック分かれレベルに対する開口率を示した図、（ｂ）は特殊な極性反転駆動を用いた場合のシャドーイングの低減率を示した図である。
【図１３】表示装置におけるアクティブマトリックス基板の一部を表した平面図である。
【図１４】表示装置の表示領域における１つの画素の構成を表した図である。
【図１５】表示装置における、ライン反転駆動による表示信号の極性を示した図である。
【図１６】ライン反転駆動を行った場合の画素電極の電位を示す図である。
【図１７】シャドーイングを説明するための図である。
【図１８】従来の表示装置における、ドット反転駆動による表示信号の極性を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００６６】
（実施形態１）
以下、図面を参照しながら、本発明による表示装置の第１の実施形態を説明する。
【００６７】
図１は、本実施形態の表示装置１０の模式的な断面形状を表している。表示装置１０は、アクティブマトリックス方式によるＴＮ型の液晶表示装置（ＬＣＤ）であり、ノーマリホワイトモードを採用したＳＨＡ（Ｓｕｐｅｒ  Ｈｉｇｈ  Ａｐａｒｔｕｒｅ）タイプの液晶表示装置である。表示装置１０は、図１に示すように、偏光板１１、アクティブマトリックス基板１２、カラーフィルタ基板（ＣＦ基板）１４、偏光板１５、およびアクティブマトリックス基板１２とＣＦ基板１４との間に封入された液晶を含む液晶層１６を備えている。
【００６８】
アクティブマトリックス基板１２は、ガラス基板２２、電極層２３、配向膜２４を備えており、電極層２３は、画素電極２５、ＴＦＴ２６（図２に図示）、信号線２７、および走査線２８（図２に図示）を含んでいる。ＣＦ基板１４は、ガラス基板３２、カラーフィルタ層（ＣＦ層）３３、透明電極３４、および配向膜３５を備えており、ＣＦ層３３は、赤色カラーフィルタ（赤ＣＦ）３６Ｒ、緑色カラーフィルタ（緑ＣＦ）３６Ｇ、青色カラーフィルタ（青ＣＦ）３６Ｂ、およびブラックマトリックス（ＢＭ）３９を含んでいる。
【００６９】
図２は、表示装置１０の電極層２３の配線構造を模式的に表した図である。図に示すように、電極層２３において、複数の信号線２７と走査線２８は互いに交差して配置され、信号線２７と走査線２８に囲まれた領域に画素電極２５がマトリックス状に配置されている。
【００７０】
走査線２８には、走査駆動回路から線順次方式で走査信号が供給され、信号線２７には、画素電極２５のそれぞれに供給すべき表示信号が信号駆動回路から供給される。画素電極２５は、信号線２７からの供給された信号を保持する信号蓄積コンデンサとしての役割を有する。各画素の液晶１３は、画素電極２５に蓄積された信号によって、次のフレームの走査時まで励起される。
【００７１】
信号線２７、走査線２８、画素電極２５は、ＴＦＴ２６のソース、ゲート、ドレインにそれぞれ接続されており、ＴＦＴ２６は、走査線２８からの信号をゲート信号として、信号線２７と画素電極２５との間の信号のＯＮ−ＯＦＦを切り替えるスイッチング素子としての機能を有する。
【００７２】
図３（ａ）は、表示装置１０の表示領域における表示単位（カラー表示画素）を模式的に表した平面図である。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示した信号線２７、画素電極２５、赤ＣＦ３６Ｒ、緑ＣＦ３６Ｇ、青ＣＦ３６Ｂ、およびＢＭ３９を、基板の面に平行な方向から（図３（ａ）の紙面手前方向から）見た断面図である。これら図では、上述した構成要素のうち、画素電極２５、信号線２７、走査線２８、赤ＣＦ３６Ｒ、緑ＣＦ３６Ｇ、青ＣＦ３６Ｂ、ブラックマトリックス３９以外の構成要素については、図示を省略している。
【００７３】
なお、赤、緑、青を表示するための画素を、それぞれ、赤画素Ｒ、緑画素Ｇ、青画素Ｂと呼ぶ。また、赤画素Ｒ、緑画素Ｇ、青画素Ｂに含まれる画素電極２５を、それぞれ、赤画素電極２５Ｒ、緑画素電極２５Ｇ、青画素電極２５Ｂと呼び、赤画素電極２５Ｒ、緑画素電極２５Ｇ、青画素電極２５Ｂに信号を供給する信号線２７を、それぞれ、赤信号線２７Ｒ、緑信号線２７Ｇ、青信号線２７Ｂと呼ぶ。
【００７４】
図３の（ａ）および（ｂ）に示すように、１つのカラー表示画素は、赤画素Ｒ、緑画素Ｇ、および青画素Ｂによって構成される。このようなカラー表示画素が行方向および列方向に連続的に配置されて表示画面を形成している。なお、本実施形態のＬＣＤは、ＳＨＡタイプのＬＣＤであるので、信号線２７および走査線２８が、隣接する画素電極２５の周辺部と重なるように形成されている。
【００７５】
赤信号線２７Ｒは、その少なくとも一部が赤画素電極２５Ｒと赤画素電極２５Ｒの左側に形成された青画素電極２５Ｂとの間を延びるように、緑信号線２７Ｇは、その少なくとも一部が、緑画素電極２５Ｇとその左側に形成された赤画素電極２５Ｒとの間を延びるように、また、青信号線２７Ｂは、少なくともその一部が、青画素電極２５Ｂとその左側に形成された緑画素電極２５Ｇとの間を延びるように、それぞれ配置されている。
【００７６】
緑画素電極２５Ｇと緑信号線２７Ｇとの間の距離は、赤画素電極２５Ｒと緑信号線２７Ｇとの間の距離よりも大きく、緑画素電極２５Ｇと青信号線２７Ｂとの間の距離は、青画素電極２５Ｂと青信号線２７Ｂとの間の距離よりも大きくなっている。このように、緑画素電極２５Ｇとそれに隣接する緑信号線２７Ｇおよび青信号線２７Ｂとの間の距離を、他の色の画素電極２５とそれに隣接する信号線２７との間の距離よりも大きくすることにより、緑画素電極２５Ｇと緑信号線２７Ｇとの間に発生する寄生容量Ｃｓｄ１（Ｇ）を、赤画素電極２５Ｒと赤信号線２７Ｒとの間に発生する寄生容量Ｃｓｄ１（Ｒ）、青画素電極２５Ｂと青信号線２７Ｂとの間に発生する寄生容量Ｃｓｄ１（Ｂ）よりも小さくすることができる。
Ｃｓｄ１（Ｇ）  ＜  Ｃｓｄ１（Ｒ）、Ｃｓｄ１（Ｂ）
【００７７】
さらに、緑画素電極２５Ｇと青信号線２７Ｂとの間に発生する寄生容量Ｃｓｄ２（Ｇ）は、青画素電極２５Ｂと赤信号線２７Ｒとの間に発生する寄生容量Ｃｓｄ２（Ｂ）赤画素電極２５Ｂと緑信号線２７Ｇとの間に発生する寄生容量Ｃｓｄ２（Ｒ）よりも小さい。
Ｃｓｄ２（Ｇ）  ＜  Ｃｓｄ２（Ｂ）、Ｃｓｄ２（Ｒ）
【００７８】
このように、緑画素電極２５Ｇと信号線２７との間に発生する寄生容量Ｃｓｄは、他の色の画素電極と信号線２７との間に発生する寄生容量Ｃｓｄよりも小さくなる。したがって、ライン反転駆動において画像を表示するとき、緑画素電極２５Ｇの電位（ドレイン電位Ｖｄ）は、赤画素電極２５Ｒや青画素電極２５Ｂに比べて、寄生容量Ｃｓｄの影響を受けにくくなり、寄生容量Ｃｓｄに起因するドレイン電位の変化量ΔＶｓｄ＝Ｃｓｄ／（Ｃｇｄ＋Ｃｌｃ＋Ｃｃｓ＋Ｃｓｄ）×ΔＶｓを小さく抑えることができる。
【００７９】
ドット反転駆動の場合、全色それぞれＣｓｄ１＝Ｃｓｄ２とすることがさらに望ましい。この場合、Ｃｓｄ１およびＣｓｄ２がドレイン電位に与える影響は互いにキャンセルし合い、シャドーイングの発生を抑制できる。
【００８０】
赤、緑、青、のなかで、ＸＹＺ色度表示において最もＹ値の高い色は緑である。上述の構成により、ＲＧＢ表示において、最も明度の高い（最もＹ値が高い、あるいは最も色味の少ない）緑に対する明度の変化量を、他の色に対する明度の変化量よりも少なくすることができる。これにより、特にライン反転駆動においてシャドーイングが発生しにくい（あるいは、シャドーイングの発生が目立たない）表示が可能となる。
【００８１】
また、表示装置の製造工程におけるアライメントずれ等によって、ブロック間で配線間隔の違い等が発生したときの各色のＣｓｄの変化量ΔＣｓｄは次式のような関係にある。
ΔＣｓｄ１（Ｇ）＜ΔＣｓｄ１（Ｒ）、ΔＣｓｄ１（Ｂ）
ΔＣｓｄ２（Ｇ）＜ΔＣｓｄ２（Ｒ）、ΔＣｓｄ２（Ｂ）
【００８２】
ＲＧＢ表示において、最も明度の高い緑に対する明度の変化量を、他の色に対する明度の変化量よりも少なくすることができ、表示画面上におけるブロック間の明度あるいは色調の違いを抑えることができる。したがって、特にドット反転駆動において、ブロック分かれの極めて少ない（極めて目立たない）表示が可能となる。
【００８３】
なお、各色の画素におけるフィードスルー電圧ΔＶｄは、補助容量用電極の幅を調整することなどにより、同等とすることが好ましい。
【００８４】
図３（ａ）および（ｂ）に示すように、赤ＣＦ３６Ｒと緑ＣＦ３６Ｇとの間、緑ＣＦ３６Ｇと青ＣＦ３６Ｂとの間、青ＣＦ３６Ｂと赤ＣＦ３６Ｒとの間には、それぞれＢＭ３９が形成されている。一方、赤ＣＦ３６Ｒと緑ＣＦ３６Ｇとの間（緑信号線２７Ｇの上方）に形成されるＢＭ３９の幅の中心は、緑信号線２７Ｇの中心線よりも緑ＣＦ３６Ｇ（緑画素電極２５Ｇ側）寄りに位置する。また、緑ＣＦ３６Ｇと青ＣＦ３６Ｂとの間（信号線２７Ｂの上方）に形成されるＢＭ３９の幅の中心も、青信号線２７Ｂの中心よりも緑ＣＦ３６Ｇ（緑画素電極２５Ｇ側）寄りに位置する。なお、緑信号線２７Ｇおよび青信号線２７Ｂのそれぞれ上方に位置するＢＭ３９の幅は、赤信号線２７Ｒの上方に位置するＢＭ３９の幅よりも大きい。
【００８５】
本実施形態では、赤画素、緑画素、および青画素の各色の開口率は実質的に等しくしている。したがって、表示装置の表示領域における開口率、および画像表現における表現範囲を大きく維持したまま、シャドーイング及びブロック分かれの発生を極めて抑えることが可能となる。
【００８６】
緑画素、赤画素、青画素のそれぞれに対して発生する寄生容量Ｃｓｄ（Ｇ）、Ｃｓｄ（Ｒ）、Ｃｓｄ（Ｂ）の関係を次のようにすることも本実施形態の変形例の１つである。
Ｃｓｄ（Ｇ）≦Ｃｓｄ（Ｒ）≦Ｃｓｄ（Ｂ）
【００８７】
赤、緑、青のなかで、赤は２番目にＹ値（あるいは明度）が高い色である。よって、本変形例によれば、よりＹ値の高い色に対する寄生容量Ｃｓｄをより小さくすることができる。これによっても、大きな開口率を有した上で、シャドーイングやブロック分かれが低減された表示装置を実現することができる。なお、赤画素、緑画素、青画素の配列順は、図３に示すものに限られることはなく、これらの画素を他の順番で配列させてもよい。
【００８８】
また緑画素電極２５Ｇと緑信号線２７Ｇ及び青信号線２７Ｂとの間の距離を小さくすることも、本実施形態の変形例の一つである。この場合、実施形態１よりも開口率の低下を抑えることができる。
【００８９】
シャドーイング（縦シャドー）およびブロック分かれの発生を抑えるためには、全ての画素において寄生容量を小さくすることが考えられる。しかし、この場合、全ての信号線と画素電極との距離が広がり、画素電極間の距離も大きくなってしまう。そのため、開口率が大きく低下し、透過率も大きく減少してしまう。上述した実施形態１およびその変形例による液晶表示装置によれば、シャドーイングおよびブロック分かれに影響の大きい、輝度の高い色のみ寄生容量を下げることができる。したがって、透過率の低下を抑えた上で、シャドーイングおよびブロック分かれを効果的に低減させることができる。
【００９０】
（実施形態２）
次に、本発明による表示装置の第２の実施形態を説明する。
【００９１】
図４（ａ）は、実施形態２におけるカラー表示画素を模式的に表した平面図である。また、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示した信号線２７、画素電極２５、赤ＣＦ３６Ｒ、緑ＣＦ３６Ｇ、青ＣＦ３６Ｂ、およびＢＭ３９を、基板の面に平行な方向から見た断面図である。
【００９２】
これらの図に示すように、本実施形態では、緑画素電極２５Ｇと緑信号線２７Ｇとの距離が、赤画素電極２５Ｒと赤信号線２７Ｒとの距離よりも大きく、また青画素電極２５Ｂと青信号線２７Ｂとの距離よりも大きい。緑画素電極２５Ｇと青信号線２７Ｂとの距離は、赤画素電極２５Ｒと緑信号線２７Ｇとの距離、および青画素電極２５Ｂと赤信号線２７Ｒとの距離と同じである。それ以外の構成要素の配置は、実施形態１と同じである。
【００９３】
なお、緑画素電極２５Ｇと緑信号線２７Ｇとの距離を、赤画素電極２５Ｒと赤信号線２７Ｒとの距離、および青画素電極２５Ｂと青信号線２７Ｂとの距離と同じとし、緑画素電極２５Ｇと青信号線２７Ｂとの距離を、赤画素電極２５Ｒと緑信号線２７Ｇとの距離、および青画素電極２５Ｂと赤信号線２７Ｒとの距離よりも大きくしてもよい。
【００９４】
画素電極と信号線との間に発生する寄生容量の大小関係は、実施形態１と同様、
Ｃｓｄ１（Ｇ）  ＜  Ｃｓｄ１（Ｒ）、Ｃｓｄ１（Ｂ）
Ｃｓｄ２（Ｇ）  ＝  Ｃｓｄ２（Ｒ）、Ｃｓｄ２（Ｂ）
もしくは
Ｃｓｄ１（Ｇ）  ＝  Ｃｓｄ１（Ｒ）、Ｃｓｄ１（Ｂ）
Ｃｓｄ２（Ｇ）  ＜  Ｃｓｄ２（Ｂ）、Ｃｓｄ２（Ｒ）
のどちらか一方のみが成立する。
【００９５】
このような形態では、緑画素電極２５Ｇとそれに隣接する信号線との間に発生する容量を片側のみ、他の色の画素電極とそれに隣接する信号線との間に発生する容量よりも小さく抑えることができる。なお、本実施形態においても、各色の開口率は、実質的に等しくしている。
【００９６】
本実施形態によっても、表示領域における開口率、および画像表現における表現範囲を大きく維持したまま、シャドーイング及びブロック分かれの発生を抑えることが可能となる。なお、実施形態２では、実施形態１に比べて表示領域の開口率の低減をさらに抑えることができる。
【００９７】
なお、シャドーイング（縦シャドー）およびブロック分かれの発生を抑えるためには、全ての画素において寄生容量を小さくすることが考えられる。しかし、この場合、全ての信号線と画素電極との距離が広がり、画素電極間の距離も大きくなってしまう。そのため、開口率が大きく低下し、透過率も大きく減少してしまう。上述した実施形態２の液晶表示装置によれば、シャドーイングおよびブロック分かれに影響の大きい、輝度の高い色のみ寄生容量を下げることができる。したがって、透過率の低下を抑えた上で、シャドーイングおよびブロック分かれを効果的に低減させることができる。
【００９８】
（実施形態３）
次に、本発明による表示装置の第３の実施形態を説明する。
【００９９】
図５（ａ）は、実施形態３におけるカラー表示画素を模式的に表した平面図である。また、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示した信号線２７、画素電極２５、赤ＣＦ３６Ｒ、緑ＣＦ３６Ｇ、青ＣＦ３６Ｂ、およびＢＭ３９を、基板の面に平行な方向から見た断面図である。
【０１００】
上述の実施形態１、２は、ＳＨＡタイプのＬＣＤによる実施形態であったが、実施形態３のＬＣＤは非ＳＨＡタイプのＬＣＤによる実施形態である。よって、表示装置に垂直な方向から見た場合、信号線２７および走査線２８は画素電極２５に重なっていない。また、一般的に画素電極と走査線が重なっておらず、その間を遮光するための、横方向のブラックマトリックスが必要である。
【０１０１】
本実施形態では、緑画素電極２５Ｇと緑信号線２７Ｇとの間の距離は、例えば赤画素電極２５Ｒと赤信号線２７Ｒとの間の距離よりも大きく、緑画素電極２５Ｇと青信号線２７Ｂとの間の距離は、青画素電極２５Ｂと赤信号線２７Ｒとの間の距離よりも大きい。したがって、画素電極と信号線との間に発生する寄生容量の大小関係は、実施形態１と同様、次のようになる。
Ｃｓｄ１（Ｇ）  ＜  Ｃｓｄ１（Ｒ）、Ｃｓｄ１（Ｂ）
Ｃｓｄ２（Ｇ）  ＜  Ｃｓｄ２（Ｂ）、Ｃｓｄ２（Ｒ）
【０１０２】
このような形態によっても、緑画素電極２５Ｇとそれに隣接する信号線との間に発生する容量を、他の色の画素電極とそれに隣接する信号線との間に発生する容量よりも小さくすることができる。なお、本実施形態においても各色の開口率は、実質的に等しい。
【０１０３】
本実施形態によれば、シャドーイング及びブロック分かれの発生を抑えることが可能となる。
【０１０４】
ドット反転駆動の場合、全色それぞれＣｓｄ１＝Ｃｓｄ２とすることがさらに望ましい。この場合、Ｃｓｄ１およびＣｓｄ２がドレイン電位に与える影響は互いにキャンセルし合い、シャドーイングの発生を抑制できる。
【０１０５】
シャドーイング（縦シャドー）およびブロック分かれの発生を抑えるためには、全ての画素において寄生容量を小さくすることが考えられる。しかし、この場合、全ての信号線と画素電極との距離が広がり、画素電極間の距離も大きくなってしまう。そのため、開口率が大きく低下し、透過率も大きく減少してしまう。上述した実施形態３の液晶表示装置によれば、シャドーイングおよびブロック分かれに影響の大きい、輝度の高い色のみ寄生容量を下げることができる。したがって、透過率の低下を抑えた上で、シャドーイングおよびブロック分かれを効果的に低減させることができる。
【０１０６】
なお、本実施形態では、緑画素電極２５Ｇと緑信号線２７Ｇとの間の距離を、赤画素電極２５Ｒと赤信号線２７Ｒとの間の距離よりも大きくし、緑画素電極２５Ｇと青信号線２７Ｂとの間の距離を、青画素電極２５Ｂと赤信号線２７Ｒとの間の距離よりも大きくしたが、緑画素電極２５Ｇと緑信号線２７Ｇとの間の距離のみを、赤画素電極２５Ｒと赤信号線２７Ｒとの間の距離よりも大きくし、緑画素電極２５Ｇと青信号線２７Ｂとの間の距離は、青画素電極２５Ｂと赤信号線２７Ｒとの間の距離と同じにしてもよい。
【０１０７】
また、緑画素電極２５Ｇと青信号線２７Ｂとの間の距離のみを、青画素電極２５Ｂと赤信号線２７Ｒとの間の距離よりも大きくし、緑画素電極２５Ｇと緑信号線２７Ｇとの間の距離は、赤画素電極２５Ｒと赤信号線２７Ｒとの間の距離と同じにしてもよい。
【０１０８】
（実施形態４）
次に、本発明による表示装置の第４の実施形態を説明する。
【０１０９】
図６は、実施形態４におけるカラー表示画素を模式的に表した図である。なおこの図には、画素電極２５と信号線２７のみを表すこととし、走査線２８やＣＦ層３３の構成は図示を省略している。
【０１１０】
図に示すように、本実施形態では、赤信号線２７Ｒに複線構造を適用している。それ以外の点は実施形態１の構成と同じである。複線構造の赤信号線２７Ｒの複線の中心は、赤画素電極２５Ｒと青画素電極２５Ｂの間隙の中心に位置する。緑画素電極２５Ｇと緑信号線２７Ｇとの間の距離は、赤画素電極２５Ｒと緑信号線２７Ｇとの間の距離よりも大きく、また、緑画素電極２５Ｇと青信号線２７Ｂとの間の距離は、青画素電極２５Ｂと青信号線２７Ｂとの間の距離よりも大きくなっている。したがって、画素電極と信号線との間に発生する寄生容量の大小関係は、次のようになる。
Ｃｓｄ１（Ｇ）  ＜  Ｃｓｄ１（Ｒ）、Ｃｓｄ２（Ｒ）、Ｃｓｄ１（Ｂ）、Ｃｓｄ２（Ｂ）
Ｃｓｄ２（Ｇ）  ＜  Ｃｓｄ１（Ｂ）、Ｃｓｄ２（Ｂ）、Ｃｓｄ１（Ｒ）、Ｃｓｄ２（Ｒ）
【０１１１】
このような形態によっても、緑画素電極２５Ｇとそれに隣接する信号線との間に発生する容量を、他の色の画素電極とそれに隣接する信号線との間に発生する容量よりも小さくすることができ、シャドーイング及びブロック分かれの発生を抑えることができる。
【０１１２】
なお、複線構造の信号線は、単線構造に比べて、表示装置の製造工程において発生するアライメントずれによる、寄生容量Ｃｓｄのばらつきの影響を小さく抑えることができる。本実施形態では、緑画素電極２５Ｇの両側には、アライメントずれの影響を受け易い単線の信号線を用いているが、これらの信号線と緑画素電極との間に発生する寄生容量は小さいので、アライメントずれが緑表示の輝度変化に与える影響は小さい。
【０１１３】
また、赤画素電極２５Ｒ、青画素電極２５Ｂは左右で信号線の形状が異なるが、ドット反転駆動の場合、Ｃｓｄ１＝Ｃｓｄ２とすることが好ましい。
【０１１４】
なお、ドット反転駆動の場合、全色それぞれＣｓｄ１＝Ｃｓｄ２とすることがさらに望ましい。この場合、Ｃｓｄ１およびＣｓｄ２がドレイン電位に与える影響は互いにキャンセルし合い、シャドーイングの発生を抑制できる。
【０１１５】
シャドーイング（縦シャドー）およびブロック分かれの発生を抑えるためには、全ての画素において寄生容量を小さくすることが考えられる。しかし、この場合、全ての信号線と画素電極との距離が広がり、画素電極間の距離も大きくなってしまう。そのため、開口率が大きく低下し、透過率も大きく減少してしまう。上述した実施形態４の液晶表示装置によれば、シャドーイングおよびブロック分かれに影響の大きい、輝度の高い色のみ寄生容量を下げることができる。したがって、透過率の低下を抑えた上で、シャドーイングおよびブロック分かれを効果的に低減させることができる。
【０１１６】
なお、本実施形態では、緑信号線２７Ｇと青信号線２７Ｂの両方を単線構造としたが、これらの一方を、赤信号線２７Ｒと同様の複線構造としてもよい。
【０１１７】
（実施形態５）
次に、本発明による表示装置の第５の実施形態を説明する。
【０１１８】
図７（ａ）は、実施形態５におけるカラー表示画素を模式的に表した平面図である。図に示すように、本実施形態のＬＣＤは、緑画素電極２５Ｇの両端部に配置されたシールド電極５０を備えている。ここでシールド電極とは、信号線・画素電極の間、もしくは画素電極に少なくとも一部が重なって配置されている導電体であり、走査線・補助容量用電極と同時に形成される。赤信号線２７Ｒ、緑信号線２７Ｇ、青信号線２７Ｂは、それぞれ信号線の中心が、赤画素電極２５Ｒと青画素電極２５Ｂとの間、緑画素電極２５Ｇと赤画素電極２５Ｒとの間、青画素電極２５Ｂと緑画素電極２５Ｇとの間に位置するように配置されている。
【０１１９】
図７（ｂ）は、図７（ａ）に示した信号線２７、画素電極２５、およびシールド電極５０を、基板の面に平行な方向から見た断面図である。アクティブマトリックス基板１２を断面方向から見た場合、シールド電極５０は、信号線２７が形成された層よりも下側に位置している。
【０１２０】
シールド電極により、緑画素電極２５Ｇと緑信号線２７Ｇとの間に形成される寄生容量Ｃｓｄ１（Ｇ）は、例えば赤画素電極２５Ｒと赤信号線２７Ｒとの間に形成される寄生容量Ｃｓｄ１（Ｒ）よりも小さく、緑画素電極２５Ｇと青信号線２７Ｂとの間に形成される寄生容量Ｃｓｄ２（Ｇ）は、例えば青画素電極２５Ｂと赤信号線２７Ｒとの間に形成される寄生容量Ｃｓｄ２（Ｂ）よりも小さい。画素電極と信号線との間に発生する寄生容量の大小関係は、実施形態１と同様、次のようになる。
Ｃｓｄ１（Ｇ）  ＜  Ｃｓｄ１（Ｒ）、Ｃｓｄ１（Ｂ）
Ｃｓｄ２（Ｇ）  ＜  Ｃｓｄ２（Ｂ）、Ｃｓｄ２（Ｒ）
【０１２１】
このような形態によっても、緑画素電極２５Ｇとそれに隣接する信号線との間に発生する容量を、他の色の画素電極とそれに隣接する信号線との間に発生する容量よりも小さくすることができ、シャドーイング及びブロック分かれの発生を抑えることができる。なお、１つのシールド電極５０を、緑画素電極２５Ｇの片方の端部に形成することもあり得る。
【０１２２】
以下、本実施形態の変形例を説明する。
【０１２３】
図８（ａ）は、実施形態５の第１の変形例におけるカラー表示画素を模式的に表した平面図である。図に示すように、変形例は、赤画素電極２５Ｒ、緑画素電極２５Ｇ、青画素電極２５Ｂのそれぞれの両端部にシールド電極５０が配置されている。各シールド電極５０は、実施形態５と同様、信号線２７が形成された層よりも下側に位置している。
【０１２４】
本変形例では、図に示すように、緑画素電極２５Ｇの両端に配置されたシールド電極５０が緑画素電極２５Ｇからはみ出しているのに対し、赤画素電極２５Ｒの両端に配置されたシールド電極５０と青画素電極２５Ｂの両端に配置されたシールド電極５０はそれぞれ赤画素電極２５Ｒ、青色電極２５Ｂからはみだしていない。
【０１２５】
図８（ｂ）は、実施形態５の第２の変形例におけるカラー表示画素を模式的に表した平面図である。この変形例は、図に示すように、緑画素電極２５Ｇの両端に配置されたシールド電極５０が隣接する緑信号線２７Ｇ、青信号線２７Ｂまで覆っているのに対し、赤画素電極２５Ｒの両端に配置されたシールド電極５０と青画素電極２５Ｂの両端に配置されたシールド電極５０は隣接する信号線まで達していない。
【０１２６】
第１の変形例および第２の変形例においても、緑画素電極２５Ｇと緑信号線２７Ｇとの間に形成される寄生容量Ｃｓｄ１（Ｇ）は、例えば赤画素電極２５Ｒと赤信号線２７Ｒとの間に形成される寄生容量Ｃｓｄ１（Ｒ）よりも小さく、緑画素電極２５Ｇと青信号線２７Ｂとの間に形成される寄生容量Ｃｓｄ２（Ｇ）は、例えば青画素電極２５Ｂと赤信号線２７Ｒとの間に形成される寄生容量Ｃｓｄ２（Ｂ）よりも小さい。画素電極と信号線との間に発生する寄生容量の大小関係は、上述の実施形態と同様である。
【０１２７】
このような変形例によっても、緑画素電極２５Ｇとそれに隣接する信号線との間に発生する容量を、他の色の画素電極とそれに隣接する信号線との間に発生する容量よりも小さくすることができ、シャドーイング及びブロック分かれの発生を抑えることができる。
【０１２８】
なお、ドット反転駆動の場合、全色それぞれＣｓｄ１＝Ｃｓｄ２とすることがさらに望ましい。この場合、Ｃｓｄ１およびＣｓｄ２がドレイン電位に与える影響は互いにキャンセルし合い、シャドーイングの発生を抑制できる。
【０１２９】
シャドーイング（縦シャドー）およびブロック分かれの発生を抑えるためには、全ての画素において寄生容量を小さくすることが考えられる。しかし、この場合、シールド電極を実施形態５およびその変形例に示すように配置することにより、信号線の容量が増大し、また歩留まりが低下する。実施形態５およびその変形例による液晶表示装置によれば、シャドーイングおよびブロック分かれに影響の大きい、輝度の高い色のみ寄生容量を下げることができる。したがって、信号線の容量の増大や歩留まりの低下を抑えた上で、シャドーイングおよびブロック分かれを効果的に低減させることができる。
【０１３０】
（実施形態６）
次に、本発明による表示装置の第６の実施形態を説明する。
【０１３１】
図９（ａ）は、実施形態６におけるカラー表示画素を模式的に表した平面図である。図に示すように、本変形例のＬＣＤでは、緑画素電極２５Ｇの両端に配置された補助容量用電極５５をシールド電極５０としているのに対し、赤画素電極２５Ｒの両端に配置されたシールド電極５０と、青画素電極２５Ｂの両端に配置されたシールド電極５０は浮島状となっている。なお、補助容量用電極５５と繋がったシールド電極５０は、本実施形態では、補助容量用電極５５から上に伸びる形に形成されているが（角型）、上下に延びる形（Ｈ型）に形成しても良い。
【０１３２】
図９（ｂ）は、実施形態６の第１の変形例におけるカラー表示画素を模式的に表した平面図である。図に示すように、緑画素電極２５Ｇの片側のシールド電極５０だけ補助容量用電極５５とつながっており、他方は他色と同様浮島状となっている。なお、緑画素電極２５Ｇの片側で補助容量用電極５５と繋がったシールド電極５０は、本実施形態でも、補助容量用電極５５から上に伸びる形に形成されているが（角型）、上下に延びる形に形成しても良い。
【０１３３】
図９（ｃ）は、実施形態６の第２の変形例におけるカラー表示画素を模式的に表した平面図である。図に示すように、実施形態６で補助容量用電極５５をシールド電極５０としているのに対し、本変形例では走査線２８をシールド電極５０としている。
【０１３４】
上述の、実施形態６およびその第１、第２変形例では、緑画素電極２５Ｇと緑信号線２７Ｇおよび青信号線２７Ｂとの間に、シールド電極５０、補助容量用電極５５、あるいは走査線２８の延長部が形成される。したがって、緑画素電極２５Ｇと緑信号線２７Ｇとの間に形成される寄生容量Ｃｓｄ１（Ｇ）は、例えば赤画素電極２５Ｒと赤信号線２７Ｒとの間に形成される寄生容量Ｃｓｄ１（Ｒ）よりも小さく、緑画素電極２５Ｇと青信号線２７Ｂとの間に形成される寄生容量Ｃｓｄ２（Ｇ）は、例えば青画素電極２５Ｂと赤信号線２７Ｒとの間に形成される寄生容量Ｃｓｄ２（Ｂ）よりも小さい。画素電極と信号線との間に発生する寄生容量の大小関係は、上述の実施形態と同様である。
【０１３５】
よって、緑画素電極２５Ｇとそれに隣接する信号線との間に発生する容量を、他の色の画素電極とそれに隣接する信号線との間に発生する容量よりも小さくすることができ、シャドーイング及びブロック分かれの発生を抑えることができる。
【０１３６】
なお、ドット反転駆動の場合、全色それぞれＣｓｄ１＝Ｃｓｄ２とすることがさらに望ましい。この場合、Ｃｓｄ１およびＣｓｄ２がドレイン電位に与える影響は互いにキャンセルし合い、シャドーイングの発生を抑制できる。
【０１３７】
シャドーイング（縦シャドー）およびブロック分かれの発生を抑えるためには、全ての画素において寄生容量を小さくすることが考えられる。しかし、この場合、以下の理由で信号線の容量が大きくなり、また歩留まりが低下する。
【０１３８】
シールド電極５０が走査線２８や補助容量用電極５５と繋がっている場合は、シールド電極５０に安定した電位が供給されるため、シールド電極が浮島状に形成される場合と比較して信号線の容量が大きくなる。よって、全色の画素における寄生容量を下げるために、全画素のシールド電極を走査線等と接続した場合には、信号線全体の容量が非常に大きくなる。しかし、上述したシールド電極５０を用いた実施形態では、シールド電極５０は、輝度の高い一色の画素のみにおいて、走査線２８や補助容量用電極５５と繋がっているため、他の画素に隣接する信号線の容量は小さく維持できるというメリットがある。
【０１３９】
シールド電極５０を走査線２８や補助容量用電極５５と繋げない場合は、シールド電極５０には信号は入力されない。したがって、仮にシールド電極５０と他の部位との間でリークが発生したとしても、問題は少なく、製造上の歩留まりが高くなる。一方、シールド電極５０が走査線２８や補助容量用電極５５と繋がっている場合はリークが問題となり、歩留まりが低くなる。よって、全色の画素における寄生容量を下げるために、全画素のシールド電極を走査線等と接続した場合には、歩留まりが非常に低下する。しかし、上述したシールド電極５０を用いた実施形態では、シールド電極５０は、輝度の高い一色の画素のみにおいて、走査線２８や補助容量用電極５５と繋がっているため、他の画素においては歩留まりを高く維持できるというメリットがある。
【０１４０】
実施形態６およびその変形例による液晶表示装置によれば、シャドーイングおよびブロック分かれに影響の大きい、輝度の高い色のみ寄生容量を下げることができる。したがって、信号線の容量の増大や歩留まりの低下を抑えた上で、シャドーイングおよびブロック分かれを効果的に低減させることができる。
【０１４１】
（実施形態７）
次に、本発明による表示装置の第７の実施形態を説明する。
【０１４２】
実施形態７のＬＣＤは、図１および２に示したＬＣＤの３原色によるカラー表示画素を、赤、緑、青、白の４色によるカラー表示画素に置き換えたものである。実施形態７の白画素の構成（ＣＦ、ＢＭ、信号線、走査線等の配置を含む）は、実施形態１の緑画素の構成と同じであり、実施形態７の赤画素、緑画素、青画素の構成は、実施形態１の赤画素および青画素の構成と同じである。
【０１４３】
図１０は、実施形態７におけるカラー表示画素を模式的に表した図である。なお、この図には、画素電極２５と信号線２７のみを表すこととし、走査線２８やＣＦ層３３の構成は図示を省略している。
【０１４４】
図に示すように、実施形態７のカラー表示画素は、赤画素電極２５Ｒ、緑画素電極２５Ｇ、青画素電極２５Ｂ、白画素電極２５Ｗ、赤信号線２７Ｒ、緑信号線２７Ｇ、青信号線２７Ｂ、及び白信号線２７Ｗを含んでいる。白信号線２７Ｗは、その少なくとも一部が白画素電極２５Ｗと青画素電極２５Ｂとの間を延びるように、また、赤信号線２７Ｒは、その少なくとも一部が赤画素電極２５Ｒと白画素電極２５Ｗとの間を延びるように、それぞれ配置されている。緑信号線２７Ｇは、その中心が、緑画素電極２５Ｇと赤画素電極２５Ｒとの間隙の中心に位置するように、また、青信号線２７Ｂは、その中心が、青画素電極２５Ｂと緑画素電極２５Ｇとの間隙の中心に位置するように、それぞれ配置されている。
【０１４５】
白画素電極２５Ｗと白信号線２７Ｗとの間の距離は、青画素電極２５Ｂと白信号線２７Ｗとの間の距離よりも大きく、白画素電極２５Ｗと赤信号線２７Ｒとの間の距離は、赤画素電極２５Ｒと赤信号線２７Ｒとの間の距離よりも大きくなっている。このように、白画素電極２５Ｗとそれに隣接する白信号線２７Ｗおよび赤信号線２７Ｒとの間の距離を、他の色の画素電極２５とそれに隣接する信号線２７との間の距離よりも大きくすることにより、白画素電極２５Ｗと白信号線２７Ｗとの間に発生する寄生容量Ｃｓｄ１（Ｗ）を、青画素電極２５Ｂと青信号線２７Ｂとの間に発生する寄生容量Ｃｓｄ１（Ｂ）などよりも小さくすることができる。
【０１４６】
寄生容量Ｃｓｄ１（Ｗ）と他の寄生容量Ｃｓｄとの関係は、次のとおりである。
Ｃｓｄ１（Ｗ）  ＜  Ｃｓｄ１（Ｒ）、Ｃｓｄ１（Ｇ）、Ｃｓｄ１（Ｂ）
【０１４７】
また、白画素電極２５Ｗと赤信号線２７Ｒとの間に発生する寄生容量Ｃｓｄ２（Ｗ）と他の寄生容量Ｃｓｄとの関係は、次のとおりである。
Ｃｓｄ２（Ｗ）  ＜  Ｃｓｄ２（Ｒ）、Ｃｓｄ２（Ｇ）、Ｃｓｄ２（Ｂ）
【０１４８】
このように、白画素電極２５Ｗと信号線２７との間に発生する寄生容量Ｃｓｄは、他の色の画素電極と信号線との間に発生する寄生容量Ｃｓｄよりも小さくなる。したがって、画像を表示するとき、白画素電極２５Ｗの電位（ドレイン電位Ｖｄ）は、赤画素電極２５Ｒ、緑画素電極２５Ｇ、青画素電極２５Ｂに比べて、寄生容量Ｃｓｄの影響を受けにくくなり、寄生容量Ｃｓｄに起因するドレイン電位の変化量ΔＶｓｄを小さく抑えることができる。
【０１４９】
白、赤、緑、青、のなかで、ＸＹＺ色度表示において最もＹ値の高い色は白である。上述の構成により、ＲＧＢＷ表示において、最も明度の高い（最もＹ値が高い、あるいは最も色味の少ない）白に対する明度の変化量を、他の色に対する明度の変化量よりも少なくすることができる。これにより、シャドーイングが発生しにくい（あるいは、シャドーイングの発生が目立たない）表示が可能となる。また、ブロック分かれの極めて少ない（極めて目立たない）表示が可能となる。
【０１５０】
本実施形態の白画素の構成には、実施形態１〜６およびその変形例における緑画素の構成を適用することもできる。また、本実施形態の赤画素、青画素、緑画素の構成には、実施形態１〜６およびその変形例における赤画素および青画素の構成を適用することもできる。
【０１５１】
なお、本実施形態の変形例の１つとして、白画素、緑画素、赤画素、青画素のそれぞれに対して発生する寄生容量Ｃｓｄ（Ｗ）、Ｃｓｄ（Ｇ）、Ｃｓｄ（Ｒ）、Ｃｓｄ（Ｂ）の関係を、次のようにしてもよい。
Ｃｓｄ（Ｗ）  ≦  Ｃｓｄ（Ｇ）  ≦  Ｃｓｄ（Ｒ）、Ｃｓｄ（Ｂ）
あるいは、
Ｃｓｄ（Ｗ）  ≦  Ｃｓｄ（Ｇ）  ≦  Ｃｓｄ（Ｒ）  ≦  Ｃｓｄ（Ｂ）
【０１５２】
白、赤、緑、青のなかで、緑は２番目にＹ値（あるいは明度）が高い色であり、赤は３番目にＹ値が高い色である。よって、本変形例によれば、よりＹ値の高い色に対する寄生容量Ｃｓｄをより小さくすることができる。これによっても、大きな開口率を有した上で、シャドーイングやブロック分かれが低減された表示装置を実現することができる。なお、白画素、赤画素、緑画素、青画素の配列順は、図１０に示すものに限られることはなく、これらの画素を他の順番で配列させてもよい。
【０１５３】
次に、実施形態７に適用されうる特殊な極性反転駆動について説明する。この、特殊な極性反転駆動は、図１５を用いて説明したライン反転駆動や、図１８を用いて説明したドット反転駆動と異なる駆動である。なお、特殊な極性反転駆動を用いた表示装置に関する発明は、本願発明者による特願２００５−３４４９１４に詳しく記載されている。
【０１５４】
図１１（ａ）は特殊な極性反転駆動を説明するための図であり、図１１（ｂ）は、各信号線２７に供給される信号の極性を表した図である。特殊な極性反転駆動では、図１１（ａ）の上部に示すように、ソースドライバ（信号駆動回路）から信号線２７に対して、１ラインにおいて信号線毎に交互に極性が異なる信号が供給される（ソースドライバの出力時において、任意の隣り合う信号線には、互いに逆の極性の信号が供給される）。これは、ドット反転の信号供給方法と同じであり、ソースドライバには従来のドット反転で用いられた回路が用いられ得る。
【０１５５】
しかし、信号線２７は、ソースドライバと表示領域との間で、その一部が交差するように配置されており、その結果、表示領域において、白信号線２７Ｗとその隣の赤信号線２７Ｒには、同極性の信号が供給される。なお、白信号線２７Ｗとその隣の青信号線２７Ｂ、青信号線２７Ｂとその隣の緑信号線２７Ｇ、緑信号線２７Ｇとその隣の赤信号線２７Ｒには、それぞれ、異なる極性の信号が供給される。
【０１５６】
よって、赤画素電極２５Ｒ、緑画素電極２５Ｇ、および青画素電極２５Ｂのそれぞれに隣接する２本の信号線には、互いに逆極性の信号が流れるため、赤画素、緑画素、および青画素は、シャドーイングはほとんど発生しない。ただし、白画素電極２５Ｗに隣接する２本の信号線には、同極性の信号が流れるため、白画素はシャドーイングの原因となり得る。しかし、実施形態７では、上述のように、白画素電極２５Ｗにおいて発生する寄生容量Ｃｓｄ（Ｗ）が小さいため、白画素電極も、ほとんどシャドーイングは発生しない。なお、寄生容量Ｃｓｄ（Ｗ）が小さいことにより、ブロック分かれの発生も少ない。
【０１５７】
したがって、上述した特殊な極性反転駆動を実施形態７に適用することによって、シャドーイングの発生が極めて抑えられるとともに、ブロック分かれの発生も抑えられた表示装置を実現することが可能となる。
【０１５８】
上述の実施形態、およびその変形例によれば、高い開口率を有し、シャドーイングやブロック分かれの発生が少ない、高品質の表示が可能なＬＣＤが提供される。
【０１５９】
なお、ドット反転駆動の場合、全色それぞれＣｓｄ１＝Ｃｓｄ２とすることがさらに望ましい。この場合、Ｃｓｄ１およびＣｓｄ２がドレイン電位に与える影響は互いにキャンセルし合い、シャドーイングの発生を抑制できる。
【０１６０】
シャドーイング（縦シャドー）およびブロック分かれの発生を抑えるためには、全ての画素において寄生容量を小さくすることが考えられる。しかし、この場合、開口率が大きく低下し、透過率も大きく減少してしまう。上述した実施形態７の液晶表示装置によれば、シャドーイングおよびブロック分かれに影響の大きい、輝度の高い色のみ寄生容量を下げることができる。したがって、透過率の低下を抑えた上で、シャドーイングおよびブロック分かれを効果的に低減させることができる。
【０１６１】
（実施形態８）
次に、本発明による表示装置の第８の実施形態を説明する。
【０１６２】
実施形態８のＬＣＤは、実施形態７の、赤、緑、青、白の４色によるカラー表示画素を、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、黄（Ｙ）の４色によるカラー表示画素に置き換えたものである。実施形態７の白画素の構成（ＣＦ、ＢＭ、信号線、走査線等の配置を含む）は、本実施形態の黄画素の構成と同じであり、実施形態７の赤画素、緑画素、青画素の構成は、本実施形態の赤画素、緑画素、青画素の構成と同じである。その他の構成は実施形態７と同じである。
【０１６３】
また、実施形態８のＬＣＤは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、シアン（Ｃ）、黄（Ｙ）の５色によるカラー表示画素を用いてもよい。この場合も、黄画素の構成は、実施形態７の白画素の構成（ＣＦ、ＢＭ、信号線、走査線等の配置を含む）と同じであり、実施形態７の赤画素、緑画素、青画素の構成は、本実施形態の赤画素、緑画素、青画素、シアン画素の構成と同じとなる。その他の構成は実施形態７と同じである。
【０１６４】
さらに、実施形態８のＬＣＤは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、黄（Ｙ）の６色によるカラー表示画素を用いてもよい。この場合も、黄画素の構成は、実施形態７の白画素の構成（ＣＦ、ＢＭ、信号線、走査線等の配置を含む）と同じであり、実施形態７の赤画素、緑画素、青画素の構成は、本実施形態の赤画素、緑画素、青画素、シアン画素、マゼンタ画素の構成と同じとなる。その他の構成は実施形態７と同じである。
【０１６５】
これら６色に白を含めた７色の、単色輝度（Ｙ値）の順番は、大きいものから順に、白（Ｗ）、黄（Ｙ）、シアン（Ｃ）、緑（Ｇ）、マゼンタ（Ｍ）、赤（Ｒ）、青（Ｂ）となる。実施形態７では、カラー表示画素に含まれる４〜６色の色画素のうち、最も輝度の高い色の画素（実施形態７では白画素）に発生する寄生容量が最も小さくなるように設定される。よって、白に対する明度の変化量を、他の色に対する明度の変化量よりも少なくすることができる。これにより、シャドーイングが発生しにくい（あるいは、シャドーイングの発生が目立たない）表示が可能となると同時に、ブロック分かれの極めて少ない（極めて目立たない）表示が可能となる。
【０１６６】
本実施形態の黄画素の構成には、実施形態１〜６およびその変形例における緑画素の構成、さらに実施形態７およびその変形例の構成を適用することもできる。また、本実施形態の黄画素以外の画素の構成には、実施形態１〜６およびその変形例における赤画素および青画素の構成を適用することができ、実施形態７およびその変形例における黄画素以外の画素の構成も適用できる。
【０１６７】
なお、本実施形態でも、ドット反転駆動の場合、全色それぞれＣｓｄ１＝Ｃｓｄ２とすることがさらに望ましい。この場合、Ｃｓｄ１およびＣｓｄ２がドレイン電位に与える影響は互いにキャンセルし合い、シャドーイングの発生を抑制できる。
【０１６８】
シャドーイング（縦シャドー）およびブロック分かれの発生を抑えるためには、全ての画素において寄生容量を小さくすることが考えられる。しかし、この場合、開口率が大きく低下し、透過率も大きく減少してしまう。上述した実施形態８の液晶表示装置によれば、シャドーイングおよびブロック分かれに影響の大きい、輝度の高い色のみ寄生容量を下げることができる。したがって、透過率の低下を抑えた上で、シャドーイングおよびブロック分かれを効果的に低減させることができる。
【０１６９】
図１２は、上述の実施形態、およびその変形例によって得られる効果を説明するための図である。
【０１７０】
図１２（a）は、ＲＧＢ画素を備えたＬＣＤに対して、全色Ｃｓｄを低減させた場合、
緑画素のみＣｓｄを低減した場合における開口率を表したグラフを示している。グラフの横軸は、ライン反転駆動時のシャドーイング率、ドット反転駆動時のブロック分かれレベルのＣｓｄ低減前との比を示しており、縦軸は開口率のＣｓｄ低減前との比を示している。図に示すように、両グラフでシャドーイング率・ブロック分かれレベルが同じとき、緑画素のみＣｓｄを低減した方がより大きい開口率が得られている。
【０１７１】
図１２（ｂ）は、ＲＧＢＷ画素を備えたＬＣＤに対して、上述の特殊な極性反転駆動を適用した場合のシャドーイングのレベルを表したグラフを示している。グラフの横軸は、Ｃｓｄ（Ｗ）とＣｓｄ（Ｒ）、Ｃｓｄ（Ｇ）あるいはＣｓｄ（Ｂ）との比を示しており、縦軸はシャドーイング率（ＲＧＢＷ画素の全てにおけるＣｓｄが同等である場合のシャドーイングレベルに対する比）を示している。なお、ここでは、赤画素、青画素、および緑画素のＣｓｄは同等としている。図に示すように、白画素電極に対する寄生容量Ｃｓｄ（Ｗ）のみを、赤画素電極に対する寄生容量Ｃｓｄ（Ｒ）、青画素電極に対する寄生容量Ｃｓｄ（Ｂ）、あるいは緑画素電極に対する寄生容量Ｃｓｄ（Ｇ）よりも小さくするにつれて、シャドーイングのレベルが急激に下がる。
【０１７２】
上述した説明では、表示装置の一例としてＳＨＡタイプの液晶表示パネルを例示して説明したが、本発明の表示装置はこれに限定されない。ＳＨＡタイプ以外の液晶表示装置であってもよく、また、ＡＳＭモード、ＭＶＡモード、ＩＰＳモードなど他のタイプの液晶表示装置であってもよい。また、本発明の表示装置は、液晶表示装置にも、ＴＦＴ表示装置にも限定されることはなく、画素電極の保持電圧が画素電極と配線との間の寄生容量Ｃｓｄに影響を受けるタイプの表示装置であれば、本発明の表示装置に含められ得る。
【産業上の利用可能性】
【０１７３】
本発明によれば、表示品位の高い表示装置が提供される。本発明による表示装置は、種々の表示装置に好適に用いられ、例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置など、画素ごとにスイッチング素子を有して極性反転駆動を行う表示装置に好適に用いられる。
【符号の説明】
【０１７４】
１０    表示装置
１１、１５    偏光板
１２    アクティブマトリックス基板
１４    ＣＦ基板
１６    液晶層
２２、３２    ガラス基板
２３    電極層
２４    配向膜
２５    画素電極
２６    ＴＦＴ
２７    信号線
２８    走査線
３３    ＣＦ層
３４    透明電極
３５    配向膜
３６Ｒ    赤色カラーフィルタ
３６Ｇ    緑色カラーフィルタ
３６Ｂ    青色カラーフィルタ
３９    ブラックマトリックス（ＢＭ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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