(57)【要約】【課題】消費電流を低減し、二次電池の保管時間を長くすることが可能な保護回路及び保護方法を提供することを目的としている。【解決手段】二次電池１１０の温度検出素子と接続された温度検出用端子の電圧に基づき二次電池１１０の温度が所定の温度領域内となったことを検出するスタンバイ検出部３４０を有し、二次電池１１０の温度が所定領域内となったことが検出されると保護回路１００をスタンバイモードとする。【選択図】図１
2011015463.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
充放電可能な二次電池と負荷との間に接続されており、前記二次電池の保護を行う保護回路であって、
前記二次電池の温度を検出する温度検出素子と、
前記温度検出素子と接続された温度検出用端子を有する保護ＩＣと、を有し、
前記保護ＩＣは、
前記温度検出用端子の電圧に基づき前記二次電池の温度が所定の温度領域内となったことを検出するスタンバイ検出手段と、
前記スタンバイ検出手段により前記二次電池の温度が所定の温度領域内となったことが検出されたとき、当該保護ＩＣをスタンバイモードとするスタンバイ制御手段と、を有する保護回路。
【請求項２】
前記スタンバイ検出手段は、
前記二次電池の温度が高温領域内となったことを検出する高温スタンバイ検出手段を含み、
前記高温スタンバイ検出手段は、
前記温度検出用端子の電圧が、前記二次電池の温度が高温領域に達したことを検出する高温領域検出電圧よりも高い電圧に設定された高温スタンバイ検出電圧に達したとき、前記二次電池の温度が高温領域内となったことを検出する請求項１記載の保護回路。
【請求項３】
前記スタンバイ検出手段は、
前記二次電池の温度が低温領域内となったことを検出する低温スタンバイ検出手段を含み、
前記低温スタンバイ検出手段は、
前記温度検出用端子の電圧が、前記二次電池の温度が低温領域に達したことを検出する低温領域検出電圧よりも低い電圧に設定された低温スタンバイ検出電圧より低くなったとき、前記二次電池の温度が低温領域内となったことを検出する請求項１又は２記載の保護回路。
【請求項４】
前記スタンバイ制御手段により前記保護ＩＣがスタンバイモードとされたとき、前記二次電池温度検出素子へ流れる電流を遮断する遮断手段を有する請求項１ないし３の何れか一項に記載の保護回路。
【請求項５】
充放電可能な二次電池と負荷との間に接続されており、前記二次電池の保護を行う保護回路であって、
前記二次電池の温度を検出する温度検出素子と接続された温度検出用端子と、
前記温度検出用端子の電圧に基づき前記二次電池の温度が所定の温度領域内となったことを検出するスタンバイ検出手段と、
前記スタンバイ検出手段により前記二次電池の温度が所定の温度領域内となったことが検出されたとき、当該保護回路をスタンバイモードとするスタンバイ制御手段と、を有する保護回路。
【請求項６】
充放電可能な二次電池と負荷との間に接続されており、前記二次電池の温度を検出する温度検出素子に接続される温度検出用端子を有し、前記二次電池の保護を行う保護回路による保護方法であって、
前記温度検出用端子の電圧に基づき前記二次電池の温度が所定の温度領域内となったことを検出するスタンバイ検出手順と、
前記スタンバイ検出手順により前記二次電池の温度が所定の温度領域内となったことが検出されたとき、当該保護回路をスタンバイモードとするスタンバイ制御手順と、を有する保護方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、充放電可能な二次電池と負荷との間に接続されており、前記二次電池の保護を行う保護回路及び保護方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、リチウムイオン電池等の二次電池で駆動するデジタルカメラや携帯電話等の携帯機器が普及している。リチウムイオン電池等の二次電池は、使用時の安全性を確保するために保護回路が備えられた電池パックの形態で使用される（例えば特許文献１）。
【０００３】
図６は、従来の保護回路を説明する図である。従来の保護回路１０は、二次電池１１と負荷１２との間に接続されている。保護回路１０は、保護ＩＣ２０、二次電池１１の温度を検出する温度検出素子であるサーミスタＲ１、二次電池１１からの放電を制御する放電制御用トランジスタＭ１、二次電池１１への充電を制御する充電制御用トランジスタＭ２を有する。
【０００４】
保護回路１０では、図７に示すように、二次電池１１の温度が上昇してサーミスタＲ１と接続されたＶＴＨ端子の電圧が電池温度検出電圧に達すると、保護ＩＣ２０のＣｏｕｔ端子からトランジスタＭ２をオフさせる信号が出力され、二次電池１１への充電を禁止する。図７は、従来の保護回路の動作の一例を説明する図である。
【０００５】
また保護回路１０は、図８に示すように、サーミスタＲ１により検出された二次電池１１の温度が上昇すると、過充電検出電圧を下げる機能も有する。図８は、従来の保護回路の動作の別の例を説明する図である。図８の例では、二次電池１１の温度が上昇して高温領域に入ると過充電検出電圧を４．２７５Ｖから４．０Ｖに下げ、二次電池１１の温度が低下して通常領域に入ると過充電検出電圧を４．０Ｖから４．２７５Ｖへ上げている。
【０００６】
この場合従来の保護回路１０では、二次電池１１の温度が高温又は低温となったときに異常を検出し、充電を禁止する等の保護動作を行う。また保護回路１０では、二次電池１１が過放電となった場合にも、過放電を検出してトランジスタＭ１をオフとする保護動作を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−５５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記従来の保護回路１０では、二次電池１１の温度が通常動作の温度領域内にある場合には、特別な保護動作は行わない。このため二次電池１１の温度が通常動作の温度領域内にある場合はサーミスタＲ１に電流が流れ、保護回路１０で二次電池１１の容量が消費される。その結果、例えば保護回路１０が実装された電池パックを搭載した機器本体が未使用のまま倉庫等に保管されている状態でも、二次電池１１の容量が消費され、機器本体の保管中に二次電池１１の残量が低下してしまう。
【０００９】
本発明は、上記事情を鑑みてこれを解決すべくなされたものであり、消費電流を低減し、二次電池の保管時間を長くすることが可能な保護回路及び保護方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記目的を達成するために、以下の如き構成を採用した。
【００１１】
充放電可能な二次電池（１１０）と負荷（１２０）との間に接続されており、前記二次電池（１１０）の保護を行う保護回路（１００）であって、
前記二次電池（１１０）の温度を検出する温度検出素子（Ｒｓ）と、
前記温度検出素子（Ｒｓ）と接続された温度検出用端子（ＶＴＨ）を有する保護ＩＣ（２００）と、を有し、
前記保護ＩＣ（２００）は、
前記温度検出用端子（ＶＴＨ）の電圧に基づき前記二次電池（１１０）の温度が所定の温度領域内となったことを検出するスタンバイ検出手段（３４０）と、
前記スタンバイ検出手段（３４０）により前記二次電（１１０）池の温度が所定の温度領域内となったことが検出されたとき、当該保護ＩＣ（２００）をスタンバイモードとするスタンバイ制御手段（３０１）と、を有する構成とした。
【００１２】
また本発明の保護回路において、前記スタンバイ検出手段（３４０）は、
前記二次電池（１１０）の温度が高温領域内となったことを検出する高温スタンバイ検出手段（３４０ａ）を含み、
前記高温スタンバイ検出手段（３４０ａ）は、
前記温度検出用端子（ＶＴＨ）の電圧が、前記二次電池（１１０）の温度が高温領域に達したことを検出する高温領域検出電圧（Ｖａ）よりも高い電圧に設定された高温スタンバイ検出電圧（Ｖｔｈ１）に達したとき、前記二次電池（１１０）の温度が高温領域内となったことを検出する構成とした。
【００１３】
また本発明の保護回路において、前記スタンバイ検出手段（３４０）は、
前記二次電池（１１０）の温度が低温領域内となったことを検出する低温スタンバイ検出手段（３４０ｂ）を含み、
前記低温スタンバイ検出手段（３４０ｂ）は、
前記温度検出用端子（ＶＴＨ）の電圧が、前記二次電池（１１０）の温度が低温領域に達したことを検出する低温領域検出電圧（Ｖｂ）よりも低い電圧に設定された低温スタンバイ検出電圧（Ｖｔｈ２）より低くなったとき、前記二次電池（１１０）の温度が低温領域内となったことを検出する構成とした。
【００１４】
また本発明の保護回路は、前記スタンバイ制御手段（３０１）により前記保護ＩＣ（２００）がスタンバイモードとされたとき、前記温度検出素子（Ｒｓ）へ流れる電流を遮断する遮断手段（Ｍ３０）を有する構成とした。
【００１５】
充放電可能な二次電池（１１０）と負荷（１２０）との間に接続されており、前記二次電池（１１０）の保護を行う保護回路（２００）であって、
前記二次電池（１１０）の温度を検出する温度検出素子（Ｒｓ）と接続された温度検出用端子（ＶＴＨ）と、
前記温度検出用端子（ＶＴＨ）の電圧に基づき前記二次電池（１１０）の温度が所定の温度領域内となったことを検出するスタンバイ検出手段（３４０）と、
前記スタンバイ検出手段（３４０）により前記二次電池（１１０）の温度が所定の温度領域内となったことが検出されたとき、当該保護回路（２００）をスタンバイモードとするスタンバイ制御手段（３０１）と、を有する構成とした。
【００１６】
本発明は、充放電可能な二次電池（１１０）と負荷（１２０）との間に接続されており、前記二次電池（１１０）の温度を検出する温度検出素子（Ｒｓ）に接続される温度検出用端子（ＶＴＨ）を有し、前記二次電池（１１０）の保護を行う保護回路（２００）による保護方法であって、
前記温度検出用端子（ＶＴＨ）の電圧に基づき前記二次電池（１１０）の温度が所定の温度領域内となったことを検出するスタンバイ検出手順と、
前記スタンバイ検出手順により前記二次電池（１１０）の温度が所定の温度領域内となったことが検出されたとき、当該保護回路（２００）をスタンバイモードとするスタンバイ制御手順と、を有する方法とした。
【００１７】
なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示の態様に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、消費電流を低減し、二次電池の保管時間を長くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第一の実施形態の保護回路を説明する図である。
【図２】第一の実施形態のスタンバイ検出部を説明する図である。
【図３】第一の実施形態の保護回路の動作を説明する図である。
【図４】第二の実施形態のスタンバイ検出部を説明する図である。
【図５】第二の実施形態の保護回路の動作を説明する図である。
【図６】従来の保護回路を説明する図である。
【図７】従来の保護回路の動作の一例を説明する図である。
【図８】従来の保護回路の動作の別の例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明では、二次電池の温度検出素子と接続された温度検出用端子の電圧に基づき二次電池の温度が所定の温度領域内となったことを検出する検出手段を有し、二次電池の温度が所定領域内となったことが検出されると保護回路をスタンバイモードとする。
（第一の実施形態）
以下に図面を参照して本発明の第一の実施形態について説明する。図１は、第一の実施形態の保護回路を説明する図である。
【００２１】
本実施形態の保護回路１００は、二次電池１１０と負荷１２０との間に接続されている。本実施形態の保護回路１００は、Ｂ＋端子、Ｂ−端子、Ｐ＋端子、Ｐ−端子、ＶＴ端子を有する。また本実施形態の保護回路１００は、保護ＩＣ２００、抵抗Ｒ１０、Ｒ２０、Ｒ３０、コンデンサＣ１０、Ｃ２０、Ｃ３０、サーミスタＲｓ、トランジスタＭ１０、Ｍ２０を有する。
【００２２】
保護ＩＣ２００は、ＶＤＤ端子、ＶＴＨ端子、ＶＳＳＴ端子、ＶＳＳ端子、ＤＯＵＴ端子、ＣＯＵＴ端子、Ｖ−端子を有する。また保護ＩＣ２００は、高温領域検出部２１０、低温領域検出部２２０、過充電検出部２３０、過放電検出部２４０、充電過電流検出部２５０、放電過放電検出部２６０、発振器２７０、カウンタ２８０、論理回路２９０、論理回路３００、レベルシフト回路３１０、遅延回路３２０、短絡回路３３０、スタンバイ検出部３４０、トランジスタＭ３０を有する。
【００２３】
本実施形態の保護回路１００において、Ｂ＋端子は二次電池１１０の正極に接続され、Ｂ−端子は二次電池１１０の負極と接続される。Ｐ＋端子は負荷１２０の正極に接続され、Ｐ−端子は負荷１２０の負極と接続される。抵抗Ｒ１０とコンデンサＣ１０とは、Ｂ＋端子とＢ−端子との間で直列に接続されており、抵抗Ｒ１０とコンデンサＣ１０との接続点は、ＶＤＤ端子と接続されている。
【００２４】
コンデンサＣ２０は、Ｂ＋端子とＶＴ端子の間に接続されている。ＶＴ端子は、ＶＴＨ端子と接続されている。サーミスタＲｓと抵抗Ｒ２０とは、Ｂ＋端子とＶＳＳＴ端子との間に直列に接続されている。またサーミスタＲｓと抵抗Ｒ２０との接続点はＶＴＨ端子と接続されており、ＶＴＨ端子は二次電池１１０の温度検出用端子として使用される。コンデンサＣ３０はＰ＋端子とＰ−端子との間に接続されている。抵抗Ｒ３０は、Ｖ−端子とＰ−端子との間に接続されている。
【００２５】
トランジスタＭ１０とトランジスタＭ２０とは、Ｂ−端子とＰ−端子との間に直列に接続されている。ＶＳＳ端子はＢ−端子と接続されている。
【００２６】
本実施形態の保護ＩＣ２００において、高温領域検出部２１０は、ＶＴＨ端子の電圧を監視して二次電池１１０の温度が高温領域に達したか否かを判断する。低温領域検出部２２０は、ＶＴＨ端子の電圧を監視して二次電池１１０の温度が低温領域に達したか否かを判断する。尚本実施形態では、例えば二次電池１１０の温度が４５℃より高くなったとき高温領域に達したものと判断し、二次電池１１０の温度が０℃未満となったとき低温領域に達したものと判断する。この場合、０℃以上４５℃以下が通常温度領域となる。
【００２７】
過充電検出部２３０は、ＶＤＤ端子の電圧を監視して二次電池１１０の過充電を検出する。過放電検出部２４０は、ＶＤＤ端子の電圧を監視して二次電池１１０の過放電を検出する。充電過電流検出部２５０、充電時の過電流を検出する。放電過電流検出部２６０は、放電時の過電流を検出する。発振器２７０は、保護ＩＣ２００内の各部へクロックを供給する。カウンタ２８０は、遅延時間のカウント等を行う。
【００２８】
論理回路２９０は、高温領域検出部２１０、低温領域検出部２２０、過充電検出部２３０、充電過電流検出部２５０から検出信号を受けて、充電制御用スイッチ素子であるトランジスタＭ２０のオン／オフを制御する。
【００２９】
論理回路３００は、過放電検出部２４０、放電過電流検出部２６０から検出信号を受けて、放電制御用のスイッチ素子であるトランジスタＭ１０のオン／オフを制御する。また論理回路３００はスタンバイ制御部３０１を有し、スタンバイ検出部３４０の検出結果に基づき保護ＩＣ２００をスタンバイモードとする。尚本実施形態のスタンバイ制御部３０１によるスタンバイモードとは、保護ＩＣ２００内の回路全てをスタンバイモードとする。
【００３０】
レベルシフト回路３１０は、論理回路２９０から出力された信号を、トランジスタＭ２０をオン／オフできるレベルの信号へレベルシフトさせる。遅延回路３１０は、遅延時間を発生させる。短絡回路３３０は、Ｐ＋端子とＰ−端子との間に過大負荷が接続されたことを検出し、二次電池１１０と過大負荷とを短絡させる。
【００３１】
スタンバイ検出部３４０は、温度検出用端子であるＶＴＨ端子の電圧を監視し、ＶＴＨ端子の電圧に基づき、二次電池１１０の温度が高温領域内の温度になったか否かを検出する。本実施形態のスタンバイ検出部３４０は、ＶＨＴ端子の電圧が所定の閾値電圧（以下、スタンバイ検出電圧）を超えたか否かを検出する。本実施形態のスタンバイ検出電圧とは、高温領域検出電圧よりも高い電圧であり、予め設定された電圧である。スタンバイ検出部３４０の詳細は後述する。
【００３２】
高温領域検出電圧とは、二次電池１１０の温度が高温領域となったことを検出する際の閾値となる電圧である。例えば高温領域検出電圧を電圧Ｖａとした場合、高温領域検出部２１０は、ＶＴＨ端子の電圧がＶａとなったとき二次電池１１０の温度が高温領域に達したものと検出する。
【００３３】
トランジスタＭ３０は、ＮＭＯＳトランジスタであり、ドレインがＶＳＳＴ端子に接続され、ソースが接地され、ゲートが論理回路３００と接続されている。本実施形態のトランジスタＭ３０は、サーミスタＲｓに流れる電流を遮断するための遮断手段である。保護回路１００では、トランジスタＭ３０をオフすることでサーミスタＲｓに流れる電流が遮断される。本実施形態のトランジスタＭ３０は、スタンバイ制御部３０１により保護ＩＣ２００がスタンバイモードとされたときにオフされる。
【００３４】
本実施形態では、ＶＴＨ端子の電圧が、スタンバイ検出電圧を超えたとき、スタンバイ制御部３０１により保護ＩＣ２００をスタンバイモードとする。本実施形態では、スタンバイ検出電圧は、二次電池２１０の温度が高温領域となったことを検出する電圧である高温領域検出電圧よりも高い電圧である。よって本実施形態では、スタンバイ検出部３４０により、二次電池１１０の温度が高温領域内に入ったことが検出される。
【００３５】
保護ＩＣ２００がスタンバイモードになると、トランジスタＭ３０はオフされて、サーミスタＲｓに流れる電流は遮断される。
【００３６】
本実施形態では、この構成により、二次電池１１０の温度が高温領域内に入った場合に、サーミスタＲｓに流れる電流を遮断し、且つ保護ＩＣ２００を低消費電流のスタンバイモードとすることができる。よって本実施形態では、消費電流を低減し、二次電池の使用可能時間を長くすることができる。
【００３７】
以下に図２を参照して本実施形態のスタンバイ検出部３４０の詳細を説明する。図２は、第一の実施形態のスタンバイ検出部を説明する図である。
【００３８】
本実施形態のスタンバイ検出部３４０は、トランジスタＭ４０、電流源３４１、インバータ３４２を有する。トランジスタＭ４０は、ＰＭＯＳトランジスタである。トランジスタＭ４０のゲートには、ＶＴＨ端子が接続されている。トランジスタＭ４０のソースは、ＶＤＤ端子と接続されており、ドレインは電流源３４１の一端と接続されている。電流源３４１の他端は接地されている。
【００３９】
トランジスタＭ４０のドレインと電流源３４１との接続点Ａは、インバータ３４２の入力端子と接続されている。インバータ３４２の出力端子は、論理回路３００と接続されており、インバータ３４２の出力信号がスタンバイ制御部３０１へ供給される。
【００４０】
本実施形態のスタンバイ検出部３４０は、接続点Ａの電圧が後述するスタンバイ検出電圧Ｖｔｈ１となったとき、インバータ３４２の出力が反転するように設計されている。
【００４１】
例えば本実施形態のスタンバイ検出部３４０は、ＶＴＨ端子の電圧がスタンバイ検出電圧Ｖｔｈ１に達していない場合、トランジスタＭ４０はオンであり接続点Ａの電圧はハイレベル（以下、Ｈレベル）である。よってインバータ３４２からはローレベル（以下、Ｌレベル）の信号が出力される。またスタンバイ検出部３４０では、ＶＴＨ端子の電圧がスタンバイ検出電圧Ｖｔｈ１に達すると、トランジスタＭ４０がオフされて接続点Ａの電圧はＬレベルとなる。よってインバータ３４２からの出力はＬレベルからＨレベルへ反転する。
【００４２】
本実施形態のスタンバイ制御部３０１は、スタンバイ検出部３４０の出力が反転したとき、保護ＩＣ２００をスタンバイモードとする。
【００４３】
以下に図３を参照して本実施形態の保護回路１００の動作を説明する。図３は、第一の実施形態の保護回路の動作を説明する図である。
【００４４】
本実施形態の保護回路１００において、二次電池１１０の温度が上昇してＶＴＨ端子の電圧が高温領域を検出する高温領域検出電圧Ｖａを超えると、論理回路２９０は、Ｃｏｕｔ端子からトランジスタＭ１０をオフさせる信号を出力し、充電器（図示せず）からの充電を禁止する。
【００４５】
さらに二次電池１１０の温度が上昇し、ＶＴＨ端子の電圧がスタンバイ検出電圧Ｖｔｈ１に達すると、スタンバイ検出部３４０の出力は反転する。スタンバイ制御部３０１は、スタンバイ検出部３４０の出力の反転を検出して、保護ＩＣ２００をスタンバイモードとする。
【００４６】
保護ＩＣ２００がスタンバイモードとされると、トランジスタＭ３０はオフされるため、ＶＳＳＴ端子には電流が流れず、サーミスタＲｓへ流れる電流も遮断される。
【００４７】
本実施形態では、保護ＩＣ２００のスタンバイモードからの復帰は、充電器の接続によりＶ−端子が充電器接続検出電圧以下になったときに行う。
【００４８】
このように本実施形態では、期間Ｔ３０の間保護ＩＣ２００全体がスタンバイモードとなる。このため本実施形態によれば、期間Ｔ３０の間はサーミスタＲｓに流れる電流を遮断し、且つ保護ＩＣ２００全体の消費電流を低減させることができる。よって本実施形態によれば、消費電流を低減し、二次電池の保管時間を長くすることができる。
【００４９】
（第二の実施形態）
以下に図面を参照して本発明の第二の実施形態について説明する。本発明の第二の実施形態では、ＶＴＨ端子の電圧が低温領域検出電圧を下回った場合も保護ＩＣをスタンバイモードとする点のみ第一の実施形態と相違する。よって以下の第二の実施形態の説明では、第一の実施形態と同様の機能構成を有するものには第一の実施形態の説明で用いた符号と同様の符号を付与し、その説明を省略する。
【００５０】
図４は、第二の実施形態のスタンバイ検出部を説明する図である。
【００５１】
本実施形態のスタンバイ検出部３４０Ａは、高温スタンバイ検出部３４０ａと低温スタンバイ検出部３４０ｂと、ＯＲ回路３４５を有する。高温スタンバイ検出部３４０ａは、ＶＴＨ端子の電圧が高温領域検出電圧Ｖａよりも高い値に設定されたスタンバイ検出電圧Ｖｔｈ１に達したことを検出するものであり、第一の実施形態のスタンバイ検出部３４０と同様である。
【００５２】
低温スタンバイ検出部３４０ｂは、ＶＴＨ端子の電圧が低温領域検出電圧Ｖｂよりも低い値に設定されたスタンバイ検出電圧Ｖｔｈ２に達したことを検出する。
【００５３】
本実施形態のスタンバイ検出部３４０Ａは、ＶＴＨ端子の電圧がスタンバイ検出電圧Ｖｔｈ１に達した場合と、ＶＴＨ端子の電圧がスタンバイ検出電圧Ｖｔｈ２を下回った場合に、出力が反転する。
【００５４】
すなわち本実施形態のスタンバイ検出部３４０Ａは、ＶＴＨ端子の電圧に基づき、二次電池１１０の温度が高温領域又は低温領域の何れか一方の範囲内に入ったことを検出する。
【００５５】
尚低温領域検出電圧Ｖｂとは、二次電池１１０の温度が低温領域となったことを検出する際の閾値となる電圧である。例えば低温領域検出電圧を電圧Ｖｂとした場合、低温領域検出部２２０は、ＶＴＨ端子の電圧が電圧Ｖｂとなったとき二次電池１１０の温度が低温領域に達したものと検出する。
【００５６】
低温スタンバイ検出部３４０ｂは、トランジスタＭ５０、電流源３４３、インバータ３４４を有する。トランジスタＭ５０はＮＭＯＳトランジスタである。トランジスタＭ５０のゲートはＶＴＨ端子と接続されている。トランジスタＭ５０のドレインは電流源３４３の一端と接続されており、トランジスタＭ５０のソースは接地されている。電流源３４３の他端はＶＤＤ端子と接続されている。トランジスタＭ５０と電流源３４３との接続点Ｂは、インバータ３４４の入力端子と接続されている。
【００５７】
ＯＲ回路３４５の一方の入力にはインバータ３４２の出力が供給され、ＯＲ回路３４５の他方の入力にはインバータ３４４の出力が供給される。ＯＲ回路３４５の出力は、スタンバイ検出部３４０Ａの出力として論理回路３００へ供給される。
【００５８】
以下に図５は、第二の実施形態の保護回路の動作を説明する図である。期間Ｔ３０の動作は、第一の実施形態で説明した通りである。
【００５９】
二次電池１１０の温度が低下し、ＶＴＨ端子の電圧が低下して低温領域検出電圧Ｖｂを下回ると、論理回路３００はトランジスタＭ１０をオフさせて充電を禁止する。その後ＶＴＨ端子の電圧がさらに低下してスタンバイ検出電圧Ｖｔｈ２を下回ると、スタンバイ検出部３４０Ａの出力が反転する。スタンバイ検出部３４０Ａの出力が反転すると、スタンバイ制御部３０１は、保護ＩＣ２００をスタンバイモードとする。
【００６０】
保護ＩＣ２００がスタンバイモードとされると、トランジスタＭ３０がオフされてサーミスタＲｓに流れる電流が遮断される。
【００６１】
以上、各実施形態に基づき本発明の説明を行ってきたが、上記実施形態に示した要件に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の主旨をそこなわない範囲で変更することができ、その応用形態に応じて適切に定めることができる。
【符号の説明】
【００６２】
１００  保護回路
１１０  二次電池
２００  保護ＩＣ
２１０  高温領域検出部
２２０  低温領域検出部
２３０  過放電検出部
２４０  過放電検出部
２５０  充電過電流検出部
２６０  放電過放電検出部
２７０  発振器
２９０、３００  論理回路
３０１  スタンバイ制御部
３４０、３４０Ａ  スタンバイ検出部
【図１】
2011015463.tif 000003
【図２】
2011015463.tif 000004
【図３】
2011015463.tif 000005
【図４】
2011015463.tif 000006
【図５】
2011015463.tif 000007
【図６】
2011015463.tif 000008
【図７】
2011015463.tif 000009
【図８】
2011015463.tif 000010