(57)【要約】【課題】ウエハ切断線の視認性を確保し、かつ接着剤層を各チップに簡易に貼着する。【解決手段】ダイシングシート２１上にウエハ２０を載置する載置工程と、ウエハ２０を複数のチップ３０にダイシングするダイシング工程と、ダイシング工程の後に、ウエハ２０の表面に接着剤層３１を形成する接着剤層形成工程と、ウエハ２０が載置されたダイシングシート２１を伸張させることによりウエハ２０及び接着剤層３１を個片化するエクスパンド工程とを備える。【選択図】図１
2011119767.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシングシート上にウエハを載置する載置工程と、
上記ウエハを複数のチップにダイシングするダイシング工程と、
上記ダイシング工程の後に、上記ウエハの表面に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、
上記ウエハが載置された上記ダイシングシートを伸張させることにより上記ウエハ及び上記接着剤層を個片化するエクスパンド工程とを備えるウエハのダイシング方法。
【請求項２】
上記エクスパンド工程は、１０℃以下で行われるコールドエクスパンドである請求項１記載のウエハのダイシング方法。
【請求項３】
上記接着剤層形成工程は、接着フィルムを上記ウエハ表面に貼着することにより行う請求項１又は請求項２に記載のウエハのダイシング方法。
【請求項４】
上記接着フィルムは、絶縁性接着フィルム又は導電性粒子を含有する異方性導電接着フィルムである請求項３記載のウエハのダイシング方法。
【請求項５】
ダイシングシート上にウエハを載置する載置工程と、
上記ウエハを複数のチップにダイシングするダイシング工程と、
上記ダイシング工程の後に、上記ウエハの表面に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、
上記ウエハが載置された上記ダイシングシートを伸張させることにより上記ウエハ及び上記接着剤層を個片化するエクスパンド工程と、
上記個片化された上記ウエハを、上記接着剤層を介して基板の実装部に実装する実装工程とを備える実装方法。
【請求項６】
ダイシングシート上にウエハを載置する載置工程と、
上記ウエハを複数のチップにダイシングするダイシング工程と、
上記ダイシング工程の後に、上記ウエハの表面に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、
上記ウエハが載置された上記ダイシングシートを伸張させることにより上記ウエハ及び上記接着剤層を個片化するエクスパンド工程とを備える接着剤層付きチップの製造方法。
【請求項７】
請求項５記載の方法により製造された実装体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一面に接着剤層が貼着されてなる接着剤層付きチップを形成するウエハのダイシング方法、接着剤層付きチップを実装する実装方法、この接着剤層付きチップの製造方法、及び接着剤層付きチップが実装された実装体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路は、半導体集積回路を構成する基板に実装される半導体チップを半導体ウエハから切り出すダイシング工程と、切り出された半導体チップを基板に実装する実装工程とを経て製造されている。
【０００３】
ダイシング工程では、例えば、図７に示すようなダイシング装置１００が用いられている。ダイシング装置１００は、半導体ウエハ１０１がセットされる台座１０２と、半導体ウエハ１０１を切断するソーブレード１０３と、台座１０２上に設けられ半導体ウエハ１０１を保持する仮固定シート１０４と、仮固定シート１０４を伸張させるエクスパンドシート１０５と、台座１０２、ソーブレード１０３及びエクスパンドシート１０５を制御する制御部１０６とを備える。エクスパンドシート１０５は、台座１０２に真空吸着塔によって保持されると共に、上面に仮固定シート１０４が積層される。
【０００４】
制御部１０６は、所定のタイミングで台座１０２を所定角度だけ回転させるとともに、ソーブレード１０３を駆動させることにより、図８（ａ）に示すように、所定の方向に半導体ウエハ１０１を切断させる。また、制御部１０６は、図８（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１０１の切断後、エクスパンドシート１０５を伸張することにより、半導体ウエハ１０１を複数の半導体チップに個片化する。
【０００５】
個片化された各半導体チップ１１０は、図９（ａ）に示すように、フィルム状あるいはペースト状の接着剤層１１１を介して、半導体集積回路の基板１１２に実装される。接着剤層１１１は、バインダー樹脂中に導電性粒子を分散させて形成された異方性導電接着フィルムや導電性接着ペースト、あるいは導電性粒子を含まない絶縁性接着フィルムや絶縁性接着ペーストが用いられる。
【０００６】
接着剤層１１１は、予め基板１１２の実装部に設けられる。そして、個片化された各半導体チップ１１０は、接着剤層１１１上に配置された後、図９（ｂ）に示すように、加熱ボンダー１１３によって所定の温度、圧力、時間だけ加熱押圧される。これにより、接着剤層１１１のバインダー樹脂が溶融し、対向する半導体チップ１１０及び基板１１２の各電極間から流出すると共に導電性粒子が挟持される。この状態でバインダー樹脂が硬化することにより、半導体チップ１１０は、基板１１２の実装部との導通が図られるとともに、基板１１２に接続される。
【０００７】
なお、接着剤層１１１として、絶縁性接着フィルムや絶縁性接着ペーストを用いた場合には、半導体チップ１１０に設けられたバンプ電極が基板１１２の電極と当接することにより導通が図られる。
【０００８】
ところで、上述した半導体集積回路の製造方法においては、複数のサイズで形成される半導体チップ１１０に応じて、複数のサイズで接着剤層１１１を形成し基板１１２上に配置する必要がある。このため同一基板上に複数のサイズの半導体チップ１１０を実装する場合などでは、一律に機械によって各種サイズの接着剤層１１１を配置することが困難であり、製造工数やタクトタイムが増加する。
【０００９】
また、各種半導体チップ１１０のサイズに応じて導電性接着フィルムを形成することや、各種半導体チップ１１０のサイズに応じて導電性接着フィルムを切断することは、製造コストの増加や、切断による廃棄ロスが生じてしまう。
【００１０】
そこで、図１０に示すように、半導体ウエハ１０１の切断に先立って、予め半導体ウエハ１０１の表面に接着剤層１１１となる接着フィルム１１５を貼着する工法も提案されている。かかる工法によれば、接着フィルム１１５を複数の半導体素子が形成された半導体ウエハ１０１表面に接着した後、ダイシングにより接着フィルム１１５及び半導体チップ１１０を一括して個片化する。これにより、半導体チップ１１０の大きさに合わせた接着フィルム１１５を用意し、それを基板１１２上に供給する必要がなく、また実装コストの削減が図られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００８−１３０７００号公報
【特許文献２】特階２００１−２３７２６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、ダイシングにより接着剤層１１１及び半導体チップ１１０を一括して個片化する工法では、接着剤層１１１として異方性導電接着フィルムや異方性導電接着ペーストを用いた場合、バインダー樹脂中に分散されている導電性粒子が接着剤層１１１の視認性を著しく悪化させてしまい、接着剤層１１１を通じて半導体ウエハ１０１の表面に設けられたスクライブラインを視認することが困難となってしまう。
【００１３】
また、異方性導電接着フィルムや絶縁性接着フィルムなどの半導体実装用の樹脂は、線膨張係数を下げるために、フィラーを添加することが必須となっている。しかし、このフィラーが接着剤層１１１の視認性を更に悪化させている。また、通常、フィラーにはシリカが用いられているが、シリカの添加量を減らしたり、シリカよりも視認性を悪化させないアルミナ等のフィラーを添加したりすることで接着剤層１１１の視認性を改善することはできるが、線膨張係数を下げる効果が不十分となり、基板１１２と半導体チップ１１０との導通信頼性が低くなってしまう。
【００１４】
さらに、ソーブレード１０３によるダイシングには、切断箇所に水を吹き付けながらダイシングを行うことから、水による接着剤層１１１の製品寿命や性能の劣化が懸念される。また、ダイシングの際に発生する切り粉や塵埃が接着剤層１１１に付着することによる接続不良の危険もある。また、かかる水や切り粉等による悪影響を抑えるために、接着剤層１１１に透明なカバーフィルムを貼り付けることも提案されているが、ダイシング後に個片化された半導体チップ１１０の接着剤層１１１よりカバーフィルムを剥離することは困難且つ煩雑となる。
【００１５】
そこで、本発明は、ダイシング工程におけるスクライブラインの視認性を悪化させることなく、また接着剤層１１１を個々の半導体チップ１１０に簡易に貼着することができるウエハのダイシング方法、実装方法、接着剤層付きチップの製造方法、実装体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上述した課題を解決するために、本発明に係るウエハのダイシング方法は、ダイシングシート上にウエハを載置する載置工程と、上記ウエハを複数のチップにダイシングするダイシング工程と、上記ダイシング工程の後に、上記ウエハの表面に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、上記ウエハが載置された上記ダイシングシートを伸張させることにより上記ウエハ及び上記接着剤層を個片化するエクスパンド工程とを備えるものである。
【００１７】
また、本発明に係る実装方法は、ダイシングシート上にウエハを載置する載置工程と、上記ウエハを複数のチップにダイシングするダイシング工程と、上記ダイシング工程の後に、上記ウエハの表面に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、上記ウエハが載置された上記ダイシングシートを伸張させることにより上記ウエハ及び上記接着剤層を個片化するエクスパンド工程と、上記個片化された上記ウエハを、上記接着剤層を介して基板の実装部に実装する実装工程とを備えるものである。
【００１８】
また、本発明に係る接着剤層付きチップの製造方法は、ダイシングシート上にウエハを載置する載置工程と、上記ウエハを複数のチップにダイシングするダイシング工程と、上記ダイシング工程の後に、上記ウエハの表面に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、上記ウエハが載置された上記ダイシングシートを伸張させることにより上記ウエハ及び上記接着剤層を個片化するエクスパンド工程とを備えるものである。
【００１９】
また、本発明に係る実装体は、上記記載の方法により製造されたものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ウエハのダイシング後に接着面に接着剤層が形成される。したがって、ウエハは、接着剤層がスクライブラインの視認性を損なうことがなく、確実に所定のダイシング処理を行うことができる。また、接着剤層は、ダイシング工程において発生する切り粉や塵埃、ノズルより供給される水等の影響を受けることがなく、製品寿命の劣化もなく、また導通信頼性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施の形態に係るウエハのダイシング方法の工程を示す図である。
【図２】本実施の形態に用いることができるダイシング装置を示す側面図である。
【図３】載置工程及びダイシング工程を示す側面図である。
【図４】接着剤層形成工程を示す側面図である。
【図５】エクスパンド工程を示す側面図である。
【図６】半導体チップの実装工程を示す側面図である。
【図７】ダイシング装置を示す斜視図である。
【図８】ウエハのダイシング工程及びエクスパンド工程を示す平面図である。
【図９】従来の半導体チップの実装工程を示す側面図であり、（ａ）は接着フィルム及び半導体チップの配置工程、（ｂ）は加熱ボンダーによる接着工程を示す。
【図１０】接着フィルム付きウエハを切断する工程を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明が適用されたウエハのダイシング方法、実装方法、接着剤層付きチップの製造方法、実装体について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
図１に示すように、本実施の形態に係るウエハのダイシング方法は、載置工程と、ダイシング工程と、接着剤層形成工程と、エクスパンド工程とを有する。本実施の形態に係るウエハのダイシング方法は、例えば図２に示すダイシング装置１を用いて行うことができる。
【００２４】
［ダイシング装置１］
ダイシング装置１は、ウエハ２０を保持した治具２２が載置されるチャックテーブル２と、チャックテーブル２の位置を調整するアライメントステージ３と、ウエハ２０のスクライブラインを視認するための撮像部４と、ウエハ２０のダイシングを行う切削部５と、ダイシング部分に水を供給するノズル６と、装置全体を制御する制御部７とを備える。
【００２５】
チャックテーブル２は、例えば、図示しない減圧装置により治具２２を吸引、固定する。アライメントステージ３は、制御部７の指示に基づいて、チャックテーブル２を図２中ｘ方向およびｙ方向に移動させる。
【００２６】
撮像部４は、例えば、赤外線カメラで構成され、ウエハ２０の表面、すなわち、ウエハ２０の接着面２０ａで反射した光を受光する光学系と、光学系が捉えた像を撮像する撮像素子とを有する。撮像部４は、例えば、ウエハ２０の接着面２０ａあるいは載置面２０ｂ側から光を照射し、ウエハ２０の接着面２０ａからの反射光あるいはウエハ２０を透過した透過光を受光することにより、ウエハ２０の接着面２０ａの画像を撮像する。そして、撮像部４は、撮像した画像の情報を制御部７に送信する。
【００２７】
切削部５は、制御部７の指示に基づいて、ウエハ２０を切削する。切削部５は、例えば、ウエハ２０を切削するブレード８を有する。切削部５は、回転するブレード８をウエハ２０のスクライブラインに沿って押圧して、ウエハ２０を切削する。ノズル６は、制御部７の指示に基づいて、ブレード８によるダイシング部分に水を供給する。
【００２８】
制御部７は、撮像部４が撮影した画像を処理する画像処理部９と、画像処理部９からウエハ２０のスクライブラインに関する情報を受けとりアライメントステージ３及び切削部５を駆動する駆動部１０と、切削部５のダイシング動作に応じてノズル６からダイシング部分に水を供給させるノズル制御部１１とを有する。
【００２９】
［載置工程］
次いで、図３を参照してダイシング装置１のチャックテーブル２にウエハ２０を載置する載置工程について説明する。ウエハ２０は、ダイシング装置１によって複数の半導体チップ３０に個片化されるものであり、例えばシリコンウエハ等の半導体ウエハが挙げられる。ウエハ２０は、一方の表面を半導体チップ３０に個片化されたときに接着剤層３１を介して基板３３の実装部に形成された基板電極３４と導通接続される接着面２０ａとし、他方の面をダイシングテープ２１に貼着されることにより治具２２に固定される載置面２０ｂとする。ウエハ２０の接着面２０ａは、スクライブライン２５によって区分される各半導体チップ３０毎に、基板３３側の電極と導通接続されるチップ電極３２が設けられている。
【００３０】
ウエハ２０を固定する治具２２は、例えば、ウエハ２０の直径よりも大きな直径を有するリング状又は枠状のフレーム２３と、フレーム２３に貼り付けられたダイシングテープ２１とを備えている。フレーム２３は、チャックテーブル２の指示によって図２中ｘ方向及びｙ方向にエクスパンド可能に設けられている。
【００３１】
ダイシングテープ２１は、ウエハ２０の載置面２０ｂが貼り付けられるものであり、ダイシング工程においてウエハ２０を固定すると共に、半導体チップ３０に分割された各チップのチップ飛びなどを防止するものである。また、ダイシングテープ２１は、エクスパンド性を有し、ダイシングされたウエハ２０を複数の半導体チップ３０に個片化させるものである。
【００３２】
ダイシングテープ２１は、例えば、フレーム２３の一方の面の側に貼り付けられ、フレーム２３の内側に展張されている。ダイシングテープ２１としては、例えば、紫外線を照射することにより剥離力が小さくなる粘着フィルムが用いられる。これにより、ダイシングテープ２１は、ウエハ２０が複数の半導体チップ３０に個片化された後、紫外線が照射されることで、個々の半導体チップ３０をピックアップするときに半導体チップ３０を容易に分離することができる。
【００３３】
載置工程では、ダイシングテープ２１に、ウエハ２０が、例えば、治具２２の一方の面の中央部に貼り付けられる。
【００３４】
［ダイシング工程］
治具２２にウエハ２０が固定されると、ウエハ２０を切断するスクライブライン２５を確定するために、撮像部４によるウエハ２０の接着面２０ａの撮像が行われる。撮像は、撮像部４と対峙するウエハ２０の接着面２０ａ側から光を照射して接着面２０ａからの反射光を撮像部４によって受光することにより行うことができる。また、撮像は、チャックテーブル２からウエハ２０の載置面２０ｂに向かってウエハ２０の接着面２０ａまで透過する光を照射し、この透過光を撮像部４によって受光してもよい。
【００３５】
撮像部４は、撮像した画像情報を制御部７に送信する。制御部７は、画像処理部９によりこの画像情報から所定のスクライブライン２５を決定する。そして、制御部７は、駆動部１０が画像処理部９によって決定されたスクライブライン２５に沿ってウエハ２０を切断するようにアライメントステージ３及び切削部５を駆動する。
【００３６】
例えば、スクライブライン２５に沿ってウエハ２０を図２中ｘ方向に分割する場合、駆動部１０は、アライメントステージ３を駆動してスクライブライン２５の一端がブレード８の下方に位置するようにチャックテーブル２を移動させる。次いで、駆動部１０は、切削部５を駆動して、ブレード８を回転させた状態で切削部５を降下させ、ブレード８によってウエハ２０を切削する。続いて、駆動部１０は、アライメントステージ３を駆動して、ウエハ２０をｘ方向に移動させていく。
【００３７】
このように、ダイシング工程では、スクライブライン２５に沿ってウエハ２０を所定方向に切断することで、複数の半導体チップ３０に分割することができる。このとき、ウエハ２０は、載置面２０ｂがダイシングテープ２１に貼着されているため、複数の半導体チップ３０に分割された各チップのチップ飛びもなく、円盤状に保持されている。
【００３８】
なお、ダイシング工程では、ノズル制御部１１によって、ノズル６よりダイシング部分に水が供給される。
【００３９】
［接着剤層形成工程］
次いで、図４に示すように、ウエハ２０の接着面２０ａに接着剤層３１が形成される。接着剤層３１は、バインダー樹脂中に導電性粒子を分散させて形成された異方性導電接着フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）や導電性接着ペースト、あるいは導電性粒子を含まない絶縁性接着フィルム（ＮＣＦ：Non Particle Conductive Film）や絶縁性接着ペースト、ＡＣＦとＮＣＦとを積層したものなどを用いて形成される。なお、接着剤層として、導電性接着ペーストや絶縁性接着ペーストを用いる場合、ウエハ２０の接着面２０ａに積層する前に、予め導電性接着ペーストや絶縁性接着ペーストを１００℃程度に加熱することによりＢステージ化しておく。
【００４０】
接着剤層３１は、例えば、膜形成樹脂、液状硬化成分及び硬化剤を含んでいる。また、接着剤層３１は、例えば、各種ゴム成分、柔軟剤、各種フィラー類等の添加剤を含んでいてもよい。
【００４１】
膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂を例示できる。膜形成樹脂は、材料の入手の容易さ及び接続信頼性の観点から、フェノキシ樹脂を含むことが好ましい。液状硬化成分としては、液状エポキシ樹脂、アクリレートを例示できる。液状硬化成分は、接続信頼性及び硬化物の安定性の観点から、２以上の官能基を有することが好ましい。硬化剤としては、液状硬化成分が液状エポキシ樹脂の場合は、イミダゾール、アミン類、スルホニウム塩、オニウム塩、フェノール類を例示できる。液状硬化成分がアクリレートの場合には、硬化剤として有機過酸化物を例示できる。
【００４２】
異方性導電接着フィルムや導電性接着ペーストに含有される導電性粒子としては、異方性導電フィルムにおいて使用されている公知の何れの導電性粒子を挙げることができ、例えば、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀、金等の各種金属や金属合金の粒子、金属酸化物、カーボン、グラファイト、ガラス、セラミック、プラスチック等の粒子の表面に金属をコートしたもの、或いは、これらの粒子の表面に更に絶縁薄膜をコートしたもの等が挙げられる。樹脂粒子の表面に金属をコートしたものである場合、樹脂粒子としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン（ＡＳ）樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の粒子を挙げることができる。
【００４３】
なお、異方性導電接着フィルムや絶縁性接着フィルムは、取り扱いの容易さ、保存安定性等の見地から、剥離処理が施されたＰＥＴ等の剥離フィルム上に塗布形成される。異方性導電接着フィルムや絶縁性接着フィルムは、ウエハ２０の接着面２０ａには剥離フィルムが設けられた面と反対側の面が貼着される。また、異方性導電接着フィルムや絶縁性接着フィルムの形状は、ウエハ２０と同一形状の例えば円形状に形成される。
【００４４】
接着剤層の形成工程では、ウエハ２０の接着面２０ａに異方性導電接着フィルムや絶縁性接着フィルムが配置される。次いで、図示しない加熱ボンダーによって、剥離フィルムの上から異方性導電接着フィルムや絶縁性接着フィルムに流動性が生じるが本硬化は生じない程度の所定の温度、圧力、時間で加熱押圧される。これによりウエハ２０は、接着面２０ａに異方性導電接着フィルムや絶縁性接着フィルムからなる接着剤層３１が形成される。接着剤層３１の形成後、剥離フィルムは剥離される。
【００４５】
なお、加熱ボンダーは、ウエハ２０との間にシリコーンゴム等の弾性体を介在して加熱押圧してもよい。弾性体を介在させることにより、加熱ボンダーは、ウエハ２０の全面に亘って均等に圧力をかけることができる。
【００４６】
［エクスパンド工程］
次いで、図５に示すように、ウエハ２０をエクスパンドすることにより各半導体チップ３０毎に個片化する。このエクスパンド工程では、チャックテーブル２の指示によってダイシングテープ２１が図２中ｘ方向及びｙ方向に亘って水平方向に伸張される。これにより、ウエハ２０は、スクライブライン２５に沿って分割された複数の半導体チップ３０毎に個片化される。
【００４７】
このとき、ウエハ２０の接着面２０ａに形成された接着剤層３１は、ウエハ２０が個々の半導体チップ３０に個片化されると同時に、エクスパンドによる応力によりスクライブライン２５に沿って半導体チップ３０と同形状に切断される。したがって、エクスパンド工程により、接着剤層３１が形成されたウエハ２０は、基板３３への実装面に接着剤層３１が設けられた複数の半導体チップ３０毎に個片化される。
【００４８】
その後、ダイシングテープ２１に紫外線を照射するなどにより粘着力を減じさせた後、各接着剤層３１付き半導体チップ３０を引っ張ることで、ダイシングテープ２１より剥離する。これにより、接着剤層３１が形成されたウエハ２０より、複数の接着剤層３１付き半導体チップ３０が形成される。この接着剤層３１付き半導体チップ３０は、ウエハ２０の接着面２０ａであった面が、基板３３の基板電極３４と導通接続されるチップ電極３２が形成された接着面３０ａとなり、この載置面３０ａに接着剤層３１が形成されている。
【００４９】
なお、半導体チップ３０は、接着剤層３１として絶縁性接着フィルムを用いる場合には、チップ電極３２として、バンプ電極を形成してもよい。
【００５０】
このように、本実施の形態に係るウエハのダイシング方法及び接着剤層付き半導体チップの製造方法によれば、ウエハ２０のダイシング後に接着面２０ａに接着剤層３１が形成される。したがって、ウエハ２０は、接着剤層３１がスクライブライン２５の視認性を損なうことがなく、確実に所定のダイシング処理を行うことができる。また、接着剤層３１は、ダイシング工程において発生する切り粉や塵埃、ノズル６より供給される水等の影響を受けることがなく、製品寿命の劣化もなく、また導通信頼性を確保することができる。
【００５１】
また、本実施の形態に係るウエハのダイシング方法及び接着剤層付き半導体チップの製造方法によれば、ウエハ２０のダイシング工程までは、従来の工法を用いることができ、製造設備や製造工程の大きな変更を伴うことなく導入できる。また、ダイシング工程の後に接着剤層を形成するため、接着剤層３１の材料として、視認性の低い導電性接着フィルムやフィラー充填量の多い絶縁性接着フィルムを用いることができ、接着剤層３１の線膨張係数を降下させることができる。
【００５２】
［実装工程］
ダイシングテープ２１よりピックアップされた接着剤層３１付き半導体チップ３０は、図６に示すように、接着剤層３１を介して半導体集積回路を構成する基板３３に実装される。基板３３は、例えばリジット基板やフレキシブル基板であり、半導体チップ３０が実装される実装部には、半導体チップ３０の接着面３０ａに形成されたチップ電極３２と導通接続される基板電極３４が形成されている。
【００５３】
半導体チップ３０は、例えば図６に示す実装装置４０を用いて実装することができる。実装装置４０は、基板３３が載置されるステージ４１と、ステージ４１と対向して支持され半導体チップ３０を基板３３に加熱押圧する加熱ボンダー４２とを有する。加熱ボンダー４２は、シリコンラバーのエラストマーなどの弾性体からなる押圧部材４３が取り付けられ、この押圧部材４３によって半導体チップ３０を加熱押圧する。
【００５４】
実装工程では、まず、ステージ４１に載置された基板３３上に複数の接着剤層３１付き半導体チップ３０が仮搭載される。このとき、接着剤層３１付き半導体チップ３０は、接着剤層３１が設けられた接着面３０ａが基板３３に向けて仮搭載される。また、接着剤層３１付き半導体チップ３０は、接着面３０ａに形成されたチップ電極３２と、基板３３に設けられた基板電極３４とが対向するように位置合わせされて仮搭載される。
【００５５】
次いで、実装装置４０は、加熱ボンダー４２を下降させ、押圧部材４３で接着剤層３１付き半導体チップ３０を基板３３へ加熱押圧する。このとき、例えば、ＥＢＳ（Elasticity Bonding System）工法と呼ばれる基板３３全体を弾性体で覆った状態で押圧する方法によれば、同一基板上に複数仮搭載された半導体チップ３０を一括して圧着することができる。
【００５６】
加熱ボンダー４２によって、所定の温度、圧力、時間で加熱押圧されることにより、接着剤層３１は、バインダー樹脂が流動し、導電性粒子がチップ電極３２と基板電極３４との間に挟持されるとともに、この状態で熱硬化する。これにより、半導体チップ３０のチップ電極３２が基板３３の基板電極３４と電気的、機械的に接続された実装体が形成される。
【００５７】
ここで、本実施の形態に係る実装方法、及び実装体によれば、上述したように、ウエハ２０のダイシング後に接着面２０ａに接着剤層３１が形成されることから、接着剤層３１は、ダイシング工程において発生する切り粉や塵埃、ノズル６より供給される水等の影響を受けることがなく、半導体チップ３０が実装された実装体の製品寿命の劣化もなく、また長期に亘る導通信頼性を確保することができる。
【００５８】
［コールドエクスパンド］
また、上述したエクスパンド工程において、１０℃以下に冷却した環境下で行うと、異方性導電接着フィルムや絶縁性接着フィルムといった接着剤層３１は、低温のため伸縮性が低くなっている（コールドエクスパンド）。したがって、かかる低温環境下でエクスパンド工程を実施することにより、ウエハ２０の接着面２０ａに形成された接着剤層３１は、より確実にスクライブライン２５に沿って半導体チップ３０と同形状に切断される。
【００５９】
［その他］
なお、上記実施形態では、押圧部材４３にエラストマーなどの弾性体を用いて、複数の接着剤層３１付き半導体チップ３０を基板３３に一括して実装する場合について説明した。しかし、基板３３に接着剤層３１付き半導体チップ３０を実装する方法は、これに限定されない。例えば、エラストマーなどの弾性体を用いずに、接着剤層３１付き半導体チップ３０を基板３３に実装してもよい。また、複数の接着剤層３１付き半導体チップ３０を、１つずつ基板３３に実装してもよい。
【００６０】
また、加熱ボンダー４２は、セラミックや金属等の硬質ヘッド、あるいは超音波ヘッドを用いて形成してもよい。
【符号の説明】
【００６１】
１  ダイシング装置、２  チャックテーブル、３  アライメントステージ、４  撮像部、５  切削部、６  ノズル、７  制御部、８  ブレード、９  画像処理部、１０  駆動部、１１  ノズル制御部、２０  ウエハ、２０ａ  接着面、２０ｂ  載置面、２２  治具、２３  フレーム、３０  半導体チップ、３０ａ  接着面、３１  接着剤層、３２  チップ電極、３３  基板、３４  基板電極、４０  実装装置、４１  ステージ、４２  加熱ボンダー、４３  押圧部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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