(57)【要約】【課題】信頼性に優れた積層電子部品を得るための、導電率が高く転写性の良い転写用電極を提供することを目的とするものである。【解決手段】ベース基板１１上に設けたレジストパターン１３の開口部１２にメッキにより形成した転写用導体１４であって、転写用導体１４のベース基板１１に接する部分の角部を曲面状としたものであり、このようにすることにより積層電子部品に用いた場合デラミネーションの発生を抑制することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板上に設けたレジストパターンの開口部にメッキにより形成した転写用導体であって、前記転写用導体の前記ベース基板に接する部分の角部を曲面状とした転写用導体。
【請求項２】
前記角部の曲率半径を前記レジストパターンの厚さの１／１０以上に大きくした請求項１記載の転写用導体。
【請求項３】
ベース基板の第１面に第１のレジストを塗布し露光現像することにより所定の開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、前記第１面に前記第１のレジストよりも粘度の低い第２のレジストを塗布する工程と、前記開口部の中央部分の前記第２のレジストを除去する工程と、前記ベース基板を電解メッキ槽に入れて電解メッキすることにより前記開口部に転写用導体を形成する工程と、を備えた転写用導体の製造方法。
【請求項４】
前記転写用導体が前記ベース基板と接触している幅をＡ、前記開口部での最大幅をＷとした時に、Ａ／Ｗを０．３３〜０．９３とした請求項３記載の転写用導体の製造方法。
【請求項５】
前記第２のレジストに撥水性を有する樹脂を用いた請求項３または請求項４記載の転写用導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種積層型電子部品に用いられる転写用導体およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年機器の小型化に伴って、積層電子部品が多く使われるようになってきているが、大電流に対応できるように直流抵抗を低減することが強く求められている。このためメッキにより形成した電極パターンを転写することによって内部電極に用いる方法が提案されている。
【０００３】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２２７０４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来は、図３のように、ベース基板１に所定のレジストパターン３を形成し、その開口部２に銀からなる転写用導体４を電解メッキにより形成し、これを転写することで電極パターンを形成していた。しかしながら、このようにして転写用導体を形成した場合、レジストパターンに囲まれた領域、すなわち図３でベース基板に接する部分の断面形状が角型となり、この転写用導体を被転写シートに転写して積層したときに、転写用導体と被転写シートとの間が十分に埋まりきらず、焼成して積層電子部品を構成しても、デラミネーションが発生しやすい等信頼性に課題があった。
【０００６】
また転写するためには転写用導体をレジストパターンから突出させておく必要があり、転写用導体をメッキにより形成しようとすると、レジストパターンよりも厚くなったときに周辺方向に広がり、図３のようなきのこ状の断面となる。このようにきのこ状断面になると、コイル電極のような周回パターンを作る場合等には、電極間でショートしないようにその電極間隔を大きくとる必要があり、小型化した場合十分なインダクタ値を得るのが難しくなる。さらに電極幅に対する電極厚さが大きなアスペクト比の大きな電極を形成しようとすると、レジストパターンと転写用導体の摩擦抵抗が大きくなり、転写性に問題が生じてくる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は上記課題を解決するために、ベース基板上に設けたレジストパターンの開口部にメッキにより形成した転写用導体であって、転写用導体のベース基板に接する部分の角部を曲面状としたものである。
【発明の効果】
【０００８】
上記構成により、メッキにより形成した転写用導体を積層しても、デラミネーションを抑制することができ、性能および信頼性に優れた積層電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施の形態における転写用導体の断面図
【図２】本発明の一実施の形態における転写用導体の製造方法を示す図
【図３】従来の転写用導体の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は、本発明の一実施の形態における転写用導体の断面図であり、水平方向に伸びる転写用導体に対して、その延伸方向に対して垂直な面で切った断面図である。図１では、表面にニッケルメッキを施したステンレス板（ＳＵＳ４３０等）からなるベース基板１１の上面に、開口部１２を有するレジストパターン１３を形成し、開口部１２に電解メッキにより、Ａｇからなる転写用導体１４を形成したものである。ここでレジストパターン１３はフォトレジスト層を形成し、露光、現像することにより所定の開口部１２を形成したものであり、その厚さを約３５μｍとしている。
【００１１】
このようにして形成された転写用導体１４は、フェライトシート等からなる被転写体に押し付けられることにより、被転写体にもぐりこみ、ベース基板１１を引き離した時に転写用導体１４だけが被転写体に残り、結果として被転写体に転写用導体１４を形成した状態にすることができる。このようにしてできたシートを積層して加圧、焼成することにより積層電子部品を得ることができる。
【００１２】
転写用導体１４を形成した被転写体にさらに別のシートを積層したときに、転写用導体１４の頭部（図１では底部）が角張っていると転写用導体１４の回りにシートの材料が十分に回りきらず、ここにできた隙間が、最終製品におけるデラミネーションの原因になってしまう場合がある。これに対し本実施の形態では、転写用導体１４のベース基板１１に接する部分（図１では底部）の角部を曲率半径が約４μｍの曲面状としているため、積層したシートの材料を転写用導体１４の回りに十分に回り込ませることができ、デラミネーションの発生を抑制することができる。この曲率半径は大きい方がデラミネーションの抑制には好ましいが、レジストパターン１３の厚さの１／１０以上にすることにより、その効果を発揮することができる。
【００１３】
次に、本発明の一実施の形態における転写用導体の製造方法について説明する。
【００１４】
まず図２（ａ）に示すように、可撓性を有するステンレス板（ＳＵＳ４３０等）からなるベース基板１１の上面に粘度約３０００ｍＰａ・ｓのエポキシ系樹脂を用いたフォトレジスト層を形成し、露光、現像することにより所定の開口部１２を有するレジストパターン１３を形成し、加熱してレジストパターン１３を硬化させる。このとき開口部１２の幅を約８０μｍ、レジストパターン１３の厚さを約３５μｍとしておく。
【００１５】
次にベース基板１１を粘度約１００ｍＰａ・ｓのフッ素系樹脂にディップすることにより、ベース基板１１の上面に塗布し、熱硬化することによりベース基板１１の上面に第２のレジスト１５を形成し、図２（ｂ）のようになる。このとき開口部１２の底部は、フッ素系樹脂の表面張力により中央部は薄く、角部にＲがついた形状となる。
【００１６】
次にベース基板１１を真空装置に入れ、酸素プラズマでアッシングすることにより、フッ素系樹脂の一部を除去し、図２（ｃ）のように開口部の中央部のみがベース基板１１が露出しているようにする。第２のレジスト１５の形状が、開口部の中央部で薄く、またプラズマアッシングしたとき、プラズマが開口部の中心部に集まりやすいため、中央部付近のエッチング速度が速くなる。そのためまず中央部が露出するようになり、この状態でプラズマアッシングを停止する。このようにすることにより第２のレジスト１５の形状は、開口部の中心部でベース基板１１が露出し、角部にＲがついたものとなる。ここでベース基板１１が露出している幅を約６０μｍ、角部の曲率半径を約４μｍとする。
【００１７】
次にベース基板１１を電解メッキ槽に入れ、電流を流すことにより開口部１２にＡｇからなる転写用導体１４を形成する。このときメッキ液にはシアン化合物を含まないノンシアンＡｇめっき浴を用い、電流密度を０．４４Ａ／ｄｍ2とする。このようにするとベース基板１１が露出している部分からメッキが成長し、図２において上方、および水平方向に成長していき、転写用導体１４の厚さが、レジストパターン１３の厚さになった状態では図２（ｄ）のように、中央が盛り上がった形状となる。
【００１８】
さらにメッキを継続し、転写用導体１４がレジストパターン１３の頂部より約１０μｍ突出したところでメッキを終了し、図２（ｅ）のようになる。
【００１９】
通常レジストパターンの厚さよりも厚いメッキ層を形成しようとすると、メッキ層は厚さ方向だけでなく、水平方向にも広がって形成されるため、図３のようにレジストパターンより上の部分が広がったきのこ状の電極となる。このようにきのこ状断面になると、コイル電極のような周回パターンを作る場合等には、電極間でショートしないようにその電極間隔を大きくとる必要があり、小型化した場合十分なインダクタ値を得るのが難しくなる。これに対し本実施の形態では、メッキを開始させる部分の幅を開口部の幅よりも狭くしているため、中央部からメッキが形成され、レジストパターンよりも厚く転写用導体を形成しても、従来に比べてその幅が開口部の幅よりも広がらないため、高密度で転写用導体のパターンを形成することができ、積層電子部品の小型化、高性能化を達成することができる。
【００２０】
なお、ベース基板１１が露出している幅、すなわち転写用導体１４がベース基板１１と接触している幅は、広すぎると転写用導体１４の角部のＲが小さくなり、狭すぎるとメッキの成長にバラツキが出やすいため、転写用導体１４がベース基板１１と接触している幅をＡ、開口部１２での最大幅をＷとしたとき、Ａ／Ｗを０．３３〜０．９３の範囲にすることが望ましい。
【００２１】
さらに、本実施の形態では第２のレジスト１５にフッ素系樹脂を用いているため、撥水性と離型性がある。したがってメッキはベース基板１１の露出部分から成長して開口部１２全体に広がっていくが、開口部１２の側壁部は第２のレジスト１５によって覆われていて撥水性と離型性があるため転写用導体１４は第２のレジスト１５に密着しない。従来の構成ではアスペクト比の大きな電極を形成しようとすると、レジストパターンと転写用導体の摩擦抵抗が大きくなり、転写性に問題が生じてくるが、本実施の形態ではレジストパターンと転写用導体との間にほとんど摩擦が生じないため、転写性を向上させることができる。
【００２２】
なお、本実施の形態では第２のレジストの一部を除去するのにプラズマアッシングを用いたが、レーザにより中央部のみ第２のレジストを除去しても良い。レーザを用いることにより、ベース基板が露出している幅を安定させることができるため、メッキの成長速度を安定化することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２３】
本発明に係る転写用導体およびその製造方法は、信頼性、および量産性を向上させることができ、産業上有用なものとなる。
【符号の説明】
【００２４】
１１  ベース基板
１２  開口部
１３  レジストパターン
１４  転写用導体
１５  第２のレジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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