(57)【要約】【課題】本発明は多層セラミック基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】ビアホール１２０ａ及び該ビアホール１２０ａに充填された伝導性材料１２０ｂを含むビア１２０を介して層間接続をなして多層のセラミック層を積層してなるセラミック積層体１１０と、該ビアホール１２０ａの内壁に形成された接着補助層１３０と、該ビア１２０を介して互いに電気的に接続され、該セラミック積層体１１０の上面及び下面に各々配設されたパッド１６０ａ、１６０ｂとを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビアホール及び該ビアホールに充填された伝導性材料を含むビアを介して層間接続をなして多層のセラミック層を積層してなるセラミック積層体と、
前記ビアホールの内壁に形成された接着補助層と、
前記ビアを介して互いに電気的に接続され、前記セラミック積層体の上面及び下面に各々配設されたパッドと、
を含む多層セラミック基板。
【請求項２】
前記接着補助層は、Ｓｅ−Ｇｅカルコゲニド（Ｓｅ−Ｇｅ  chalcogenide）、チタン酸カリウム （potassium  titanate）、チタニウムオキシド（Titanium  oxide）、カーボン（carbon）、酸化マグネシウム、二酸化マンガン及び炭素ナノチューブからなる群より選ばれるいずれか一つを含む請求項１に記載の多層セラミック基板。
【請求項３】
前記ビアホールの内壁と前記接着補助層との間に配設された表面処理層を、さらに含む請求項１または２に記載の多層セラミック基板。
【請求項４】
グリーンシートにビアホールを形成するステップと、
前記ビアホールの内壁に接着補助層を形成するステップと、
前記接着補助層を含む前記ビアホールに伝導性材料を充填してビアを形成するステップと、
前記ビアを含む前記グリーンシート上に回路パターンを形成するステップと、
前記回路パターンと前記ビアを含む前記グリーンシートとを複数積層して、予備セラミック積層体を形成するステップと、
前記予備セラミック積層体を焼成してセラミック積層体を形成するステップと、
前記ビアを介して互いに電気的に接続され、前記セラミック積層体の上面及び下面に各々パッドを形成するステップと、
を含む多層セラミック基板の製造方法。
【請求項５】
前記接着補助層は、Ｓｅ−Ｇｅカルコゲニド（Ｓｅ−Ｇｅchalcogenide）、チタン酸カリウム（potassium  titanate）、チタニウムオキシド（Titanium  oxide）、カーボン（carbon）、酸化マグネシウム、二酸化マンガン及び炭素ナノチューブからなる群より選ばれるいずれか一つを含む誇求項４に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項６】
前記接着補助層を形成するステップは、
前記グリーンシート上に前記ビアホールと対応する開口部を有するマスクを提供するステップと、
前記マスクを利用して前記ビアホールの内壁に選択的に前記接着補助層を形成するステップと、
前記マスクを除去するステップと、
を含む請求項４または５に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項７】
前記接着補助層の形成方法は、噴射法、印刷法、物理的気相蒸着法及び化学的気相蒸着法からなる群より選ばれる少なくともいずれか一つである請求項４から６のうちいずれか１つに記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項８】
前記ビアホールを形成するステップと前記接着補助層を形成するステップとの間に、前記ビアホールの内壁に表面処理を行うステップをさらに含む請求項４から７のうちいずれか１つに記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項９】
前記表面処理は、レーザー処理、プラズマ処理及び化学的エッチング処理のうちのいずれか一つである請求項８に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１０】
前記設備セラミック積層体を形成するステップと前記セラミック積層体を形成するステップとの間に、前記予備セラミック積層体の上面及び下面に各々拘束層を形成するステップを、さらに含む請求項４から９のうちいずれか１つに記載の多層セラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層セラミック基板に関するものであって、ビアホールの内壁に接着補助層を備える多層セラミック基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子機器の技術発達に伴って機器自体が短小薄型に成っていて、部品の集積化は必須である。
【０００３】
部品の集積化のために、多数個のセラミックシートを積層して形成する多層セラミック基板が開発されている。このような多層セラミック基板は、耐熱性、耐摩耗性及び優秀な電気的特性を有しており、従来の印刷回路基板の代替品として多用されており、また、その需要が段々増加する趨勢である。
【０００４】
多層セラミック基板を製造するために、ビアを含むグリーンシートに対して積層／焼成工程を経てセラミック積層体を形成する。ここで、ビアはグリーンシートに形成されたビアホールに伝導性材料を充填して形成する。セラミック積層体を形成した後、該セラミック積層体の上面及び下面に各々ビアを介して互いに接続されたパッドを形成することによって、多層セラミック基板を製造することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、焼成工程にて伝導性材料がセラミックに比べて速く収縮されるため、ビアの内部に空隙が生じるようになる。該空隙によって、ビアの充填密度が低下して、多層セラミック基板の断線不良、電気的特性の低下及び信頼性の低下をもたらすという問題があった。
【０００６】
また、空隙により、ビアの収縮が増加することもある。この時、空隙の発生が不均一になるため、ビアの収縮率も領域別に異なることになる。そのため、ビア対ビアの収縮率の制御が不可能になって、ビアの位置精密度が低下し、微細パターン化の限界がある。
【０００７】
従って、本発明は上記の問題点に鑑みて成されたものであって、ビアホールの内壁に接着補助層を備え、該ビアホールの内壁と伝導性材料との間の吸着力及び密着力を向上させ、ビアの充填密度を向上させることができる多層セラミック基板及びその製造方法を提供することに、その目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を解決するために、本発明の一つの好適な実施形態による多層セラミック基板は、ビアホール及び該ビアホールに充填された伝導性材料を含むビアを介して層間接続をなして多層のセラミック層を積層してなるセラミック積層体と、前記ビアホールの内壁に形成された接着補助層と、前記ビアを介して互いに電気的に接続され、前記セラミック積層体の上面及び下面に各々配設されたパッドとを含むことができる。
【０００９】
ここで、前記接着補助層は、Ｓｅ−Ｇｅカルコゲニド（Ｓｅ−Ｇｅchalcogenide）、チタン酸カリウム（potassium  titanate）、チタニウムオキシド（Titanium  oxide）、カーボン（carbon）、酸化マグネシウム、二酸化マンガン及び炭素ナノチューブからなる群より選ばれるいずれか一つであってもよい。
【００１０】
また、前記ビアホールの内壁と前記接着補助層との間に配設された表面処理層を、さらに含むことができる。
【００１１】
本発明の他の好適な実施形態による多層セラミック基板の製造方法は、グリーンシートにビアホールを形成するステップと、前記ビアホールの内壁に接着補助層を形成するステップと、前記接着補助層を含む前記ビアホールに伝導性材料を充填してビアを形成するステップと、前記ビアを含む前記グリーンシート上に回路パターンを形成するステップと、前記回路パターン及び前記ビアを含む前記グリーンシートとを複数積層して、予備セラミック積層体を形成するステップと、前記予備セラミック積層体を焼成してセラミック積層体を形成するステップと、前記ビアを介して互いに電気的に接続され、前記セラミック積層体の上面及び下面に各々パッドを形成するステップとを含むことができる。
【００１２】
ここで、前記接着補助層は、Ｓｅ−Ｇｅカルコゲニド（Ｓｅ−Ｇｅchalcogenide）、チタン酸カリウム（potassium  titanate）、チタニウムオキシド（Titanium  oxide）、カーボン（carbon）、酸化マグネシウム、二酸化マンガン及び炭素ナノチューブからなる群より選ばれるいずれか一つであってもよい。
【００１３】
また、前記接着補助層を形成するステップは、前記グリーンシート上に前記ビアホールと対応する開口部を有するマスクを提供するステップと、前記マスクを利用して前記ビアホールの内壁に選択的に前記接着補助層を形成するステップと、前記マスクを除去するステップと、を含むことができる。
【００１４】
また、前記接着補助層の形成方法は、噴射法、印刷法、物理的気相蒸着法及び化学的気相蒸着法からなる群より選ばれる少なくともいずれか一つであってもよい。
【００１５】
また、前記ビアホールを形成するステップと前記接着補助層を形成するステップとの間に、前記ビアホールの内壁に表面処理を行うステップをさらに含むことができる。
【００１６】
また、前記表面処理は、レーザー処理、プラズマ処理及び化学的エッチング処理のうちのいずれか一つであってもよい。
【００１７】
また、前記予備セラミック積層体を形成するステップと前記セラミック積層体を形成するステップとの間に、前記予備セラミック積層体の上面及び下面に各々拘束層を形成するステップをさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の多層セラミック基板は、接着補助層を備えてビアの充填密度を向上させることができ、ビア対ビア間の高精密収縮制御が可能で、微細パターン化を実現することができる。
【００１９】
また、本発明の多層セラミック基板は、ビア充填密度を十分に確保して、多層セラミック基板の電気的特性が低下して引き起こされる断線不良を防止することができる。
【００２０】
また、本発明の多層セラミック基板は、充分なビア充填密度によって、高温高湿、低温高温にて熱衝撃テストで多層セラミック基板の劣化を改善して、信頼性、耐久性及び長寿命を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１の実施形態による多層セラミック基板の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態による多層セラミック基板の製造方法を示す断面図である。
【図３】同じく、多層セラミック基板の製造方法を示す断面図である。
【図４】同じく、多層セラミック基板の製造方法を示す断面図である。
【図５】同じく、多層セラミック基板の製造方法を示す断面図である。
【図６】同じく、多層セラミック基板の製造方法を示す断面図である。
【図７】同じく、多層セラミック基板の製造方法を示す断面図である。
【図８】同じく、多層セラミック基板の製造方法を示す断面図である。
【図９】接着補助層を形成しないビアの断面写真である。
【図１０】接着補助層を形成したビアの断面写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の好適な実施の形態は図面を参考にして詳細に説明する。次に示される各実施の形態は当業者にとって本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために例として挙げられるものである。従って、本発明は以下示している各実施の形態に限定されることなく他の形態で具体化されることができる。そして、図面において、装置の大きさ及び厚さなどは便宜上誇張して表現されることができる。明細書全体に亘って同一の参照符号は同一の構成要素を示している。
【００２３】
図１は、本発明の第１の実施形態による多層セラミック基板の断面図である。
【００２４】
図１を参照して、本発明の第１の実施形態による多層セラミック基板は、セラミック積層体１１０、接着補助層１３０、及びパッド１６０ａ、１６０ｂを含むことができる。
【００２５】
セラミック積層体１１０は、多層に積層されたセラミック層１１１を含むことができる。各セラミック層１１１はビアホール１２０ａ及び該ビアホール１２０ａの内部に充填された伝導性材料１２０ｂを備えるビア１２０を含むことができる。ここで、伝導性材料の例には、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｗ、Ｓｎ等が挙げられる。ここで、ビア１２０を介して多層に積層されたセラミック層１１１は、層間接続をなすことができる。
【００２６】
接着補助層１３０は、ビアホール１２０ａの内壁と該ビアホール１２０ａに充填された伝導性材料１２０ｂとの間に配設されることができる。接着補助層１３０は、ビアホール１２０ａの内壁、即ちセラミック層１１１と伝導性材料１２０ｂとの間の吸着性及び密着力を向上させ、焼成工程にて収縮率差によってセラミック層１１１から伝導性材料１２０ｂが分離されて発生する空隙の発生を防止することができる。即ち、接着補助層１３０はビア１２０の充填密度を向上させることができる。
【００２７】
接着補助層１３０は、セラミック層１１１と伝導性材料１２０ｂとの間の吸着性及び密着力親和性の優秀な不導体材料からなることができる。該不導体材料の例には、Ｓｅ−Ｇｅカルコゲニド（Ｓｅ−Ｇｅ  chalcogenide）、チタン酸カリウム（potassium  titanate）、チタニウムオキシド（Titanium  oxide）、カーボン（carbon）、酸化マグネシウム、二酸化マンガン、炭素ナノチューブ等が挙げられる。
【００２８】
加えて、ビアホール１２０ａの内壁に、伝導性材料１２０ｂの接着力を増大させるための表面処理層１４０が配設されることができる。該表面処理層１４０は、表面粗さを有することによって、ビアホール１２０ａ内壁の表面的を増大させることができる。即ち、表面処理層１４０はビアホール１２０ａの内壁と伝導性材料１２０ｂとの間の接着面積を増大させ、伝導性材料１２０ｂの接着力を増大させることができる。該接着補助層１３０は、ビアホール１２０ａ内壁の表面粗さによって形成されることができる。
【００２９】
また、表面処理層１４０は、ビアホール１２０ａ内壁と接着補助層１３０との間の接着力を増大させると共に、ビアホール１２０ａの内壁から接着補助層１３０の分離を防止することができる。
【００３０】
これにより、焼成工程にてビア１２０の内部に空隙が発生するのを防止し、ビア対ビアの収縮率制御が可能で、微細パターン化を実現することができる。
【００３１】
また、ビア１２０の充填密度を十分に確保し、多層セラミック基板の電気的特性の低下及び層間接続の断線不良を防止し、耐久性及び長寿命の基板として活用され得る。また、高温高湿、低温高湿における熱衝撃テストでの多層セラミック基板の劣化を改善でき、信頼性を確保することができる。
【００３２】
セラミック積層体１１０の内部は、ビア１２０と電気的に接続された回路パターン１５０をさらに備え、ビア１２０と共に層間接続をなすことができる。
【００３３】
パッド１６０ａ、１６０ｂはビア１２０と電気的に接続され、セラミック積層体１１０の上面及び下面に各々配設された第１及び第２のパッド１６０ａ、１６０ｂを含むことができる。
【００３４】
パッド１６０ａ、１６０ｂは、導電性材料、例えばＣｕ、Ｎｉ、及びＡｕのうちのいずれか一つの単一層、または、Ｃｕ、Ｎｉ、及びＡｕが順次に積層された多層の導電パターンを含むことができる。
【００３５】
セラミック積層体１１０の上面に配設された第１のパッド１６０ａは、電子部品、例えば受動素子や半導体ＩＣチップと電気的に接続していてもよい。または、多層セラミック基板がプローブ基板を形成するに用いられる場合、第１のパッド１６０ａは検査信号をフィードバックする印刷回路基板と電気的に接続されてもよい。
【００３６】
また、セラミック積層体１１０の下面に配設された第２のパッド１６０ｂは、外部回路部、例えばメインボードと電気的に接続してもよい。または、多層セラミック基板がプローブ基板を形成するに用いられる場合、検査対象である半導体素子と電気的に接触されるプローブピンと電気的に接触され得る。
【００３７】
したがって、本発明の第１の実施形態のように、空隙の発生を抑制してビアの充填密度を改善することによって、多層セラミック基板の電気的特性、耐久性及び信頼性を確保することができる。
【００３８】
また、本発明の第１の実施形態において、セラミック積層体は４個のセラミック層が積層されたこととして示したが、これは説明の便宜上、４個のセラミック層として示しただけであり、これに限定されるのではない。
【００３９】
以下、図２〜図８を参照して、本発明の第２の実施形態による多層セラミック基板の製造方法を詳細に説明するようにする。
【００４０】
図２〜図８は各々、本発明の第２の実施形態による多層セラミック基板の製造方法を示す断面図である。
【００４１】
図２を参照して、多層セラミック基板を製造するために、まずグリーンシート１１１ａにビアホール１２０ａを形成する。該グリーンシート１１１ａはセラミック粉末、バインダー、溶媒及び添加剤を含むスラリーをフィルム上に塗布及び乾燥工程によって形成することができる。また、ビアホール１２０ａはグリーンシート１１１ａを貫通する打ち抜き工程によって形成することができる。しかしながら、本発明の実施形態において、ビアホールの形成方法に限定するのではなく、通常の技術を十分に利用してもよい。
【００４２】
図３を参照して、ビアホール１２０ａを含むグリーンシート１１１ａ上にビアホール１２０ａと対応する開口部を有する第１のマスク（Ｍ１）を提供する。このとき、第１のマスク（Ｍ１）はビアホール１２０ａの内壁を露出している。
【００４３】
第１のマスク（Ｍ１）を含むグリーンシート１１１ａ上に表面処理を行って、ビアホール１２０ａの内壁に表面処理層１４０を選択的に形成することができる。該表面処理の例には、レーザー処理、プラズマ処理、化学的エッチング処理等が挙げられる。これにより、表面処理層１４０は表面粗さを有することができ、後述のビアホール１２０ａ内壁と伝導性材料１２０ｂとの間の接着力を増大させることができる。加えて、表面処理層１４０はビアホール１２０ａ内壁と接着補助層１３０との間の接着力を増大させると共に、ビアホール１２０ａ内壁からの接着補助層１３０の分離を防止することができる。
【００４４】
本発明の実施形態において、表面処理層１４０はビアホール１２０ａ内壁のみに形成されることとして示したが、回路パターン１５０の形成されるグリーンシート１１１ａ上にも形成することができる。そのため、回路パターン１５０とグリーンシート１１１ａとの間の接着力を増大させることができる。
【００４５】
図４を参照して、ビアホール１２０ａの内壁に選択的に接着補助層１３０を形成する。該接着補助層１３０を形成するために、ビアホール１２０ａと対応する開口部を有する第２のマスク（Ｍ２）を配設する。ここで、第２のマスク（Ｍ２）はビアホールと対応する開口部を有することができる。即ち、第２のマスク（Ｍ２）はビアホール１２０ａの内壁を露出している。ここで、第２のマスク（Ｍ２）は表面処理層１４０を形成するための第１のマスクをそのまま利用してもよい。また、第２のマスク（Ｍ２）の他の例には、グリーンシート１１１ａ上に形成されたフォトレジストパターンを利用してもよい。
【００４６】
第２のマスク（Ｍ２）を含むグリーンシート１１１ａ上に不導体材料を噴射したりまたは蒸着して、ビアホール１２０ａの内壁に選択的に接着補助層１３０を形成することができる。
【００４７】
ここで、不導体材料の例には、Ｓｅ−Ｇｅカルコゲニド（Ｓｅ−Ｇｅchalcogenide）、チタン酸カリウム（potassium  titanate）、チタニウムオキシド（Titanium  oxide）、カーボン（carbon）、酸化マグネシウム、二酸化マンガン、炭素ナノチューブからなる群より選ばれるいずれか一つが挙げられる。ここで、不導体材料にＳｅ−Ｇｅカルコゲニド（Ｓｅ−Ｇｅchalcogenide）が用いられる場合、Ｓｅ：Ｇｅの組成比は４:６を有することができる。これは、伝導性材料間の接着力が最も優れるためである。
【００４８】
ここで、不導体材料を噴射する方法の例には、エアロゾル噴射法、スピンコーティング法、プラズマ溶融噴射法、レーザーインクジェット噴射法などが挙げられる。該不導体材料は、溶媒及び添加剤をさらに含む液状の形態を有してもよい。
【００４９】
また、不導体材料を蒸着する方法の例には、物理的気相蒸着法及び化学的気相蒸着法が挙げられる。該物理的気相蒸着法の例として、スパッタリング法、Ｅ-ｂｅａｍ法などが挙げられる。
【００５０】
また、ビアホール１２０ａの内壁に選択的に接着補助層を形成する他の方法の例として、インプリンティング法のような印刷法が挙げられる。
【００５１】
接着補助層１３０は、表面処理層１４０の表面粗さによって形成されることができる。該接着補助層１３０は、表面処理層１４０を平坦化させない程度のものなら、如何なる厚さで形成されてもよい。
【００５２】
図５を参照して、第２のマスク（Ｍ２）を除去した後、接着補助層１３０を含むビアホール１２０ａの内壁に伝導性材料１２０ｂを充填してビア１２０を形成する。
【００５３】
ここで、伝導性材料１２０ｂはペースト形状であってもよい。該伝導性材料の例には、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｗ、Ｓｎ等が挙げられる。
【００５４】
また、伝導性材料の充填方法の例には、スクリーン印刷法が挙げられる。
【００５５】
続いて、ビア１２０を含むグリーンシート１１１ａ上に回路パターン１５０を形成する。該回路パターン１５０はグリーンシート１１１ａ上に導電性ペーストを印刷して形成することができる。ここで、ビア１２０と回路パターン１５０とは互いに電気的に接続されてもよい。
【００５６】
図６を参照して、前述のように、接着補助層１３０、ビア１２０及び回路パターン１５０を含むグリーンシート１１１ａを複数形成する。
【００５７】
続いて、回路パターン１５０とビア１２０を含むグリーンシート１１１ａとを複数積層して、予備セラミック積層体１１０ａを形成することができる。
【００５８】
加えて、予備セラミック積層体１１０ａの上下面に各々拘束層１７０をさらに形成することができる。該拘束層１７０は後続工程である予備セラミック積層体１１０ａを焼成する工程において予備セラミック積層体１１０ａのＺ軸方向の収縮を防止する働きを果たす。
【００５９】
拘束層１７０を形成する方法の例として、セラミック粉末、バインダー及び溶媒を含むスラリーを予備セラミック積層体上に塗布して形成することができる。ここで、セラミック粉末材料の例にはアルミナが挙げられる。
【００６０】
図７を参照して、予備セラミック積層体１１０ａを焼成してセラミック積層体１１０を形成することができる。ここで、セラミックが伝導性材料に比べて速く収縮されても、接着補助層１３０によりビアホール１２０ａ内壁と伝導性材料１２０ｂとは優れた接着力を有し、ビアの内部に空隙が発生するのを防止することができる。
【００６１】
図８を参照して、拘束層１７０を形成した場合、該拘束層１７０を除去する。加えて、拘束層１７０を除去した後、セラミック積層体１１０の平坦化のために研磨工程をさらに行うことができる。
【００６２】
続いて、セラミック積層体１１０の上面及び下面に各々パッド１６０ａ、１６０ｂを形成することができる。ここで、上下面に各々形成されたパッド１６０ａ、１６０ｂ間はビアを介して互いに電気的に接続されてもよい。
【００６３】
パッド１６０ａ、１６０ｂを形成する方法の例には、まずメッキシードの役割をするメッキシードパターンを形成する。該メッキシードパターンはメッキシード層を形成した後、フォトリソグラフィー法などのエッチング工程によって形成されてもよい。続いて、該メッキシードパターンを利用したメッキ工程によってパッド１６０ａ、１６０ｂを形成することができる。ここで、パッド１６０ａ、１６０ｂは、Ｃｕ、Ｎｉ及びＡｕのうちのいずれか一つからなる単一層、または、Ｃｕ、Ｎｉ及びＡｕが順次にメッキされた多層によって形成された導電パターンによって形成されることができる。
【００６４】
ここで、パッド１６０ａ、１６０ｂはメッキ工程によって形成されることとして示したがこれに限定されるのではなく、導電性ペーストを印刷して形成してもよい。
【００６５】
したがって、本発明の実施形態のように、ビアホールの内壁に選択的に接着補助層を形成し、焼成工程にて空隙発生によるビアの充填密度の低下を防止することができた。
【００６６】
以下、図９及び図１０は、接着補助層の形成可否によるビアの充填状態を観察した写真である。
【００６７】
図９は、接着補助層を形成しないビアの断面写真である。
【００６８】
図１０は、接着補助層を形成したビアの断面写真である。
【００６９】
図９のように、接着補助層を形成しない場合、ビアの内部に空隙（Ｖ）が形成される一方、図１０のように、Ｓｅ−Ｇｅカルコゲニドからなる接着補助層（Ａ）を形成する場合、ビア内部に空隙が形成されなかった。
【００７０】
また、ビアの充填密度、即ちビアホール内部の表面的対比伝導性材料の充填量は接着補助層を形成しなかった場合に７１％であったが、接着補助層を形成する場合には９５％であった。即ち、接着補助層を形成することによって、ビアの充填密度が向上するのを確認することができた。
【００７１】
また、ビア対ビアの収縮率を調べた。該ビア対ビアの収縮率は、隣のビアとの距離を焼成前後において測定して換算した値である。ここで、５個のサンプルを検査した結果、平均的に接着補助層を形成しなかった場合には収縮率が０．３３％であったが、接着補助層を形成する場合には収縮率が０．０８%であった。即ち、接着補助層を形成することによって、ビアの収縮率を減らすことができた。これにより、ビア対ビアの収縮制御が可能で、微細パターン化が可能になる。
【００７２】
また、セラミック積層体の上下面に各々配設されたパッド間の接点抵抗を環境変によって測定した。該環境変化は、温度８５℃、湿度８５％の高温高湿にて２４０時間の間であり、この状態において露出前後の接点抵抗を測定した。
【００７３】
ここで、接点抵抗の初期には２．０８であったが、変化された環境に露出した後、接着補助層を形成しなかった場合、３．８９に増加し、接着補助層を形成した場合、２．１８に増加した。即ち、接着補助層を形成することによって、環境変化による接点抵抗の変化量を減らすことができ、多層セラミック基板の信頼性を向上させることができた。
【００７４】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００７５】
１１０  セラミック積層体
１１１  セラミック層
１２０  ビア
１３０  接着補助層
１４０  表面処理層
１５０  回路パターン
１６０ａ  第１のパッド
１６０ｂ  第２のパッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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