(57)【要約】【課題】耐熱温度の低い電子部品と発熱する電子部品を２段にかつ分離配置して高密度実装した統合モジュールを小型化できる技術を提供する。【解決手段】耐熱温度の低い集積チップ部品６８が搭載された上層のモジュール基板６６と、発熱を伴う半導体チップＩＣ１、単体チップ部品５４および集積チップ部品５５が搭載された下層のモジュール基板５１とを、導電性の複数の接続部材６５を介して電気的かつ機械的に接続し、これらをモールド樹脂５６で一括封止した状況下において、モジュール基板５１、６６の側面およびモールド樹脂５６の表面（上面および側面）にＣｕめっき膜およびＮｉめっき膜との積層膜からなるシールド層ＳＬを形成して、電磁波シールド構造を実現する。【選択図】図２
2011198866.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内層用配線の一部の配線層をグランド配線として用いる第１の回路基板と、
前記第１の回路基板の第１の部品搭載面に搭載された複数の第１の実装部品と、
前記第１の回路基板の前記第１の部品搭載面上に積層された第２の回路基板と、
前記第２の回路基板の第２の部品搭載面に搭載された複数の第２の実装部品と、
前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とを機械的かつ電気的に接続する複数の接続部材と、
前記第１の回路基板、前記第２の回路基板、前記複数の第１の実装部品、および前記複数の第２の実装部品を一括封止する第１の樹脂とを有し、
前記複数の第１の実装部品には発熱する第１部品を含み、前記複数の第２の実装部品には前記第１部品の発熱の影響で特性が変わる第２部品を含み、前記第１部品と前記第２部品とは熱的に分離して配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記複数の接続部材の各々は、柱状金属、銅もしくは樹脂をコアとするはんだボール、平面網目状の金属、多孔質金属、ばね機構を備え前記第１の回路基板もしくは前記第２の回路基板の少なくとも一方に挿入されて前記ばね機構で固定される第１のピン、または前記第１の回路基板もしくは前記第２の回路基板の少なくとも一方に挿入されてはんだで固定される第２のピンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記グランド配線と電気的に接続され、前記第１の回路基板、前記第２の回路基板、前記複数の第１の実装部品、および前記複数の第２の実装部品を外部からの電磁波からシールドするシールド部材を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、
前記複数の第１の実装部品および前記複数の第２の実装部品は、１つ以上の半導体チップおよび１つ以上のチップ部品からなり、
前記半導体チップは、表面と、前記表面とは反対側の裏面とを有し、前記表面に前記第１の回路基板もしくは前記第２の回路基板と接続する複数の突起電極が形成され、
前記半導体チップは、前記表面が前記第１の回路基板もしくは前記第２の回路基板と対向するように搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、
前記複数の第１の実装部品および前記複数の第２の実装部品は、１つ以上の半導体チップおよび１つ以上のチップ部品からなり、
前記半導体チップは、表面と、前記表面とは反対側の裏面とを有し、前記裏面が前記第１の回路基板もしくは前記第２の回路基板と対向するように搭載され、
前記半導体チップと前記第１の回路基板もしくは前記第２の回路基板とを電気的に接続する複数のワイヤを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
内層用配線の一部の配線層をグランド配線として用いる第１の回路基板と、
前記第１の回路基板の第１の部品搭載面に搭載された複数の第１の実装部品と、
前記第１の回路基板上に積層された第２の回路基板と、
前記第２の回路基板の第２の部品搭載面に搭載された複数の第２の実装部品と、
前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とを機械的かつ電気的に接続する複数の接続部材とを有し、
前記複数の第１の実装部品には発熱する第１部品を含み、前記複数の第２の実装部品には前記第１部品の発熱の影響で特性が変わる第２部品を含み、前記第１部品と前記第２部品とは熱的に分離して配置され、
前記複数の第１の実装部品および前記複数の第２の実装部品は、１つ以上の半導体チップおよび１つ以上のチップ部品からなり、
前記半導体チップは、表面に前記第１の回路基板もしくは前記第２の回路基板と接続する複数の突起電極を有し、
前記半導体チップは、前記表面が前記第１の回路基板もしくは前記第２の回路基板と対向するように搭載され、
前記半導体チップと、前記第１の回路基板もしくは前記第２の回路基板との間は、第２の樹脂で封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、
前記グランド配線と電気的に接続され、前記第１の回路基板、前記第２の回路基板、前記複数の第１の実装部品、および前記複数の第２の実装部品を外部からの電磁波からシールドするシールド部材を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１の回路基板と、
前記第１の回路基板の第１の部品搭載面に搭載された複数の第１の実装部品と、
前記第１の回路基板の前記第１の部品搭載面上に積層され、内層用配線の一部の配線層をグランド配線として用いる第２の回路基板と、
前記第２の回路基板の第２の部品搭載面に搭載された複数の第２の実装部品と、
前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とを機械的かつ電気的に接続する複数の接続部材と、
前記第１の回路基板、前記第２の回路基板、前記複数の第１の実装部品、および前記複数の第２の実装部品を一括封止する第１の樹脂とを有し、
前記複数の第１の実装部品には発熱する第１部品を含み、前記複数の第２の実装部品には前記第１部品の発熱の影響で特性が変わる第２部品を含み、前記第１部品と前記第２部品とは熱的に分離して配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置において、
前記グランド配線と電気的に接続され、前記第１の回路基板、前記第２の回路基板、前記複数の第１の実装部品、および前記複数の第２の実装部品を外部からの電磁波からシールドするシールド部材を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
第１の回路基板と、
前記第１の回路基板の第１の部品搭載面に搭載された複数の第１の実装部品と、
前記第１の回路基板上に積層され、内層用配線の一部の配線層をグランド配線として用いる第２の回路基板と、
前記第２の回路基板の第２の部品搭載面に搭載された複数の第２の実装部品と、
前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とを機械的かつ電気的に接続する複数の接続部材とを有し、
前記複数の第１の実装部品には発熱する第１部品を含み、前記複数の第２の実装部品には前記第１部品の発熱の影響で特性が変わる第２部品を含み、前記第１部品と前記第２部品とは熱的に分離して配置され、
前記複数の第１の実装部品および前記複数の第２の実装部品は、１つ以上の半導体チップおよび１つ以上のチップ部品からなり、
前記半導体チップは、表面に前記第１の回路基板もしくは前記第２の回路基板と接続する複数の突起電極を有し、
前記半導体チップは、前記表面が前記第１の回路基板もしくは前記第２の回路基板と対向するように搭載され、
前記半導体チップと、前記第１の回路基板もしくは前記第２の回路基板との間は、第２の樹脂で封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
（ａ）内層用配線の一部の配線層がグランド配線として用いられ、放熱用のビアもしくは放熱用の金属体もしくは放熱用の金属コア層のどれかひとつ以上の構造が第１の回路基板に形成され、複数区画された第１の基板母体を用意する工程、
（ｂ）前記第１の回路基板の第１の部品搭載面に複数の第１の実装部品を搭載する工程、
（ｃ）前記第１の回路基板と平面外形が同一の第２の回路基板が複数区画された第２の基板母体を用意する工程、
（ｄ）前記第２の回路基板の第２の部品搭載面に複数の第２の実装部品を搭載する工程、
（ｅ）前記（ｂ）工程後、かつ前記（ｄ）工程後、前記第１の回路基板の前記第１の部品搭載面上に前記第２の回路基板が積層されるように、複数の接続部材を介して前記第１の基板母体と前記第２の基板母体とを機械的かつ電気的に接続する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程後、前記第１の基板母体、前記第２の基板母体、前記複数の第１の実装部品、および前記複数の第２の実装部品を第１の樹脂で一括封止する工程、
（ｇ）前記第１の樹脂、前記第１の基板母体および前記第２の基板母体を、前記第１の回路基板および前記第２の回路基板の外形に沿ってダイシングし、前記第１の基板母体のみは厚さ方向の途中までのダイシングとすることで、側面に前記グランド配線が露出した溝を形成する工程、
（ｈ）前記溝の側壁および前記第１の樹脂を覆い、前記グランド配線と接するように金属のシールド部材を形成する工程、
（ｉ）前記（ｈ）工程後、前記溝に沿って残りの前記第１の基板母体をダイシングし、個々の半導体装置に個片化する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
前記シールド部材は、めっき法にて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の接続部材は、多孔質金属から形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
（ａ）内層用配線の一部の配線層がグランド配線として用いられ、放熱用のビアもしくは放熱用の金属体もしくは放熱用の金属コア層のどれかひとつ以上の構造が第１の回路基板に形成され、複数区画された第１の基板母体を用意する工程、
（ｂ）前記第１の回路基板の第１の部品搭載面に複数の第１の実装部品を搭載する工程、
（ｃ）前記第１の回路基板と平面外形が同一の第２の回路基板が複数区画された第２の基板母体を用意する工程、
（ｄ）前記第２の回路基板の第２の部品搭載面に複数の第２の実装部品を搭載する工程、
（ｅ）前記（ｂ）工程後、かつ前記（ｄ）工程後、前記第１の回路基板の前記第１の部品搭載面上に前記第２の回路基板が積層されるように、複数の接続部材を介して前記第１の基板母体と前記第２の基板母体とを機械的かつ電気的に接続する工程、
（ｆ）前記第１の基板母体および前記第２の基板母体を、前記第１の回路基板および前記第２の回路基板の外形に沿ってダイシングし、個々の半導体装置に個片化する工程、
（ｇ）前記個々の半導体装置の側面および上面を覆い、前記グランド配線と電気的に接続するキャップ形状のシールド部材を前記個々の半導体装置に取り付ける工程、
を含み、
前記複数の第１の実装部品および前記複数の第２の実装部品は、１つ以上の半導体チップおよび１つ以上のチップ部品からなり、
前記半導体チップは、表面に前記第１の回路基板もしくは前記第２の回路基板と接続する複数の突起電極を有し、
前記半導体チップは、前記表面が前記第１の回路基板もしくは前記第２の回路基板と対向するように搭載され、
前記（ｂ）工程および前記（ｄ）工程では、前記半導体チップと、前記第１の回路基板もしくは前記第２の回路基板との間を第２の樹脂で封止し、
前記シールド部材は、前記個々の半導体装置の側面に接する突起を有し、前記突起は前記個々の半導体装置の側面に露出した前記グランド配線と接することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、特に、高周波パワーアンプモジュール、およびその高周波パワーアンプモジュールを実装基板（マザーボード）に搭載した半導体装置およびその製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特開２００５−２１７３４８号公報（特許文献１）は、３次元的に他の電子部品を実装した第１の回路基板および第２の回路基板を積層する接続部材で、窪み部と枠部を有し、窪み部に電子部品を搭載すると共に他の電子部品からの引き出し配線を設け、枠部の上下面に第１の回路基板と第２の回路基板とを接続するためのランド部が形成された中継基板を介して立体的に接続された構造の回路モジュールを開示している。
【０００３】
特開平６-１３５４１号公報（特許文献２）は、積層可能な３次元マルチチップ・モジュールにおいて、上方および下方のチップ・キャリヤを、その基板周辺に配置され、かつ基板上下に搭載されたはんだボール同士で接続する構造を開示し、下段のチップのふたを利用して、デバイスを封止する構造を開示している。また、ふたの高さは、キャリヤのレベル間の自然なスタンドオフ凸起の役目をして、接合の耐久寿命を最大限に伸ばす砂時計形状のはんだ接合の働きの相互接続構造を開示している。
【０００４】
特開２００４−１７２１７６号公報（特許文献３）は、基板上に配置された複数の部品を被覆する絶縁層と、絶縁層から露呈された状態で基板上に設けられた接地用電極と、絶縁層の外側に形成され接地用電極に接続されたシールド層とを具備し、基板とシールド層の端面が同一平面上に位置する回路モジュールを開示している。
【０００５】
特開２００６−２８６９１５号公報（特許文献４）は、配線パターンとグランド層とを備えた回路基板と、回路基板の実装面上に実装される電子部品群と、電子部品群を封止する絶縁性樹脂層と、絶縁性樹脂層の表面に形成されフレーク状の金属を含めて構成された導電性樹脂層とを具備する回路モジュールを開示している。
【０００６】
特開２００５−１０９３０６号公報（特許文献５）は、グランドパターンを有する回路基板と、回路基板の上面に実装した電子部品からなる実装部品と、実装部品を封止する無機質フィラーを含有するエポキシ樹脂からなる封止体と、封止体の表面に形成されグランドパターンに接地された電磁波シールド層（無電解銅めっき層、電解銅めっき層および被膜層）とからなる電子部品パッケージを開示している。
【０００７】
特開２００５−３３３０４７号公報（特許文献６）は、基板上に複数形成された部品実装済みユニットを絶縁樹脂でモールドし硬化させた後、基板の中ほどの深さの溝を格子状に加工し、さらにめっきの表層を形成した後に、基板の厚みの残りの部分を除去して単体モジュールとする回路部品内蔵モジュールの製造方法を開示している。
【０００８】
特開２００４−８８０２１号公報（特許文献７）は、実装する基板の面積を縮小する目的と部品間の放熱性を確保するために、基板の片面に実装された部品とその裏側に発熱する部品を配置し、消費電力の大きい（発熱する）部品の背面を放熱板に設置した３次元実装モジュールの製造方法を開示している。
【０００９】
特開２００５−３４０６４２号公報（特許文献８）は、発熱部品による特性の変動がなく、薄型化を図る目的で、発熱部品を配置しその反対の面には高い温度で特性に大きな影響をうける特性変動部品が配置されている基板上で、その発熱部品と特性変動部品との間には空隙部が設けられ、その空隙部には回路基板よりも熱伝導率が低い特徴をもつ電子回路ユニットの製造方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−２１７３４８号公報
【特許文献２】特開平６-１３５４１号公報
【特許文献３】特開２００４−１７２１７６号公報
【特許文献４】特開２００６−２８６９１５号公報
【特許文献５】特開２００５−１０９３０６号公報
【特許文献６】特開２００５−３３３０４７号公報
【特許文献７】特開２００４−８８０２１号公報
【特許文献８】特開２００５−３４０６４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
現在、携帯電話等の移動体通信機器の実装基板に搭載される部品は、高周波モジュール、フロントエンドモジュール、送受信の通信モジュール、および電源モジュール等の機能ブロック毎に、エリアを分けて搭載されていて、それぞれの必要に応じて、金属の電磁波シールドが施されている。
【００１２】
本発明者らは、例えば、高周波モジュール、フィルターを含むフロントエンドモジュール、送受信の通信モジュールの各機能を、一つに機能統合した上で、平面に２つ以上並べて実装していた２個以上のモジュールをさらに１つのモジュールに統合し、発熱する部品と熱に弱い部品の熱的分離構造を確保しつつ統合前よりもさらに小型化を図るための高密度実装を行うことのできる技術について検討している。
【００１３】
本発明の目的は、複数のモジュールを高密度実装した統合モジュールを小型化できる技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１６】
（１）本発明による半導体装置は、
内層用配線の一部の配線層をグランド配線として用いる第１の回路基板と、
前記第１の回路基板の第１の部品搭載面に搭載された複数の第１の実装部品と、
前記第１の回路基板の前記第１の部品搭載面上に積層された第２の回路基板と、
前記第２の回路基板の第２の部品搭載面に搭載された複数の第２の実装部品と、
前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とを機械的かつ電気的に接続する複数の接続部材と、
前記第１の回路基板、前記第２の回路基板、前記複数の第１の実装部品、および前記複数の第２の実装部品を一括封止する第１の樹脂とを有し、
前記複数の第１の実装部品には発熱する第１部品を含み、前記複数の第２の実装部品には前記第１部品の発熱の影響で特性が変わる第２部品を含み、前記第１部品と前記第２部品とは熱的に分離して配置されている。
【００１７】
（２）本発明による半導体装置の製造方法は、
（ａ）内層用配線の一部の配線層がグランド配線として用いられ、放熱用のビアもしくは放熱用の金属体もしくは放熱用の金属コア層のどれかひとつ以上の構造が第１の回路基板に形成され、複数区画された第１の基板母体を用意する工程、
（ｂ）前記第１の回路基板の第１の部品搭載面に複数の第１の実装部品を搭載する工程、
（ｃ）前記第１の回路基板と平面外形が同一の第２の回路基板が複数区画された第２の基板母体を用意する工程、
（ｄ）前記第２の回路基板の第２の部品搭載面に複数の第２の実装部品を搭載する工程、
（ｅ）前記（ｂ）工程後、かつ前記（ｄ）工程後、前記第１の回路基板の前記第１の部品搭載面上に前記第２の回路基板が積層されるように、複数の接続部材を介して前記第１の基板母体と前記第２の基板母体とを機械的かつ電気的に接続する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程後、前記第１の基板母体、前記第２の基板母体、前記複数の第１の実装部品、および前記複数の第２の実装部品を第１の樹脂で一括封止する工程、
（ｇ）前記第１の樹脂、前記第１の基板母体および前記第２の基板母体を、前記第１の回路基板および前記第２の回路基板の外形に沿ってダイシングし、前記第１の基板母体のみは厚さ方向の途中までのダイシングとすることで、側面に前記グランド配線が露出した溝を形成する工程、
（ｈ）前記溝の側壁および前記第１の樹脂を覆い、前記グランド配線と接するように金属のシールド部材を形成する工程、
（ｉ）前記（ｈ）工程後、前記溝に沿って残りの前記第１の基板母体をダイシングし、個々の半導体装置に個片化する工程、
を含む。
【発明の効果】
【００１８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１９】
複数のモジュールを高密度実装した統合モジュールを小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置を有するデジタル携帯電話機に用いる高周波モジュール内の電力増幅器の回路の一例を示す回路図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体装置を有するデジタル携帯電話機における高周波モジュールの１次実装の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態である半導体装置におけるモジュール基板と上下層のモジュール基板を接続する接続部材との位置関係を説明する平面図である。
【図４】本発明の一実施の形態である半導体装置におけるモジュール基板と上下層のモジュール基板を接続する接続部材との位置関係を説明する平面図である。
【図５】本発明の一実施の形態である半導体装置におけるモジュール基板と上下層のモジュール基板を接続する接続部材との位置関係を説明する平面図である。
【図６】本発明の一実施の形態である半導体装置におけるモジュール基板と比較して、１枚のモジュール基板上に同じ半導体チップおよびチップ部品を搭載した場合の、モジュール基板の面積の広がりを示す説明図である。
【図７】本発明の一実施の形態である半導体装置における上下層のモジュール基板を接続する接続部材を説明する要部断面図である。
【図８】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程の一部を説明するフローチャートである。
【図９】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程を説明する要部断面図である。
【図１０】図９に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１１】図１０に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１２】図１１に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１３】図１２に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１４】図１３に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１５】本発明の他の実施の形態である半導体装置を有するデジタル携帯電話機における高周波モジュールの１次実装の一例を示す断面図である。
【図１６】本発明の他の実施の形態である半導体装置を有するデジタル携帯電話機における高周波モジュールの１次実装の一例を示す断面図である。
【図１７】本発明の他の実施の形態である半導体装置を有するデジタル携帯電話機における高周波モジュールの１次実装の一例を示す断面図である。
【図１８】本発明の他の実施の形態である半導体装置を有するデジタル携帯電話機における高周波モジュールの放熱構造の一例を示す断面図である。
【図１９】本発明の他の実施の形態である半導体装置を有するデジタル携帯電話機における高周波モジュールの放熱構造の一例を示す断面図である。
【図２０】本発明の他の実施の形態である半導体装置を有するデジタル携帯電話機における高周波モジュールの放熱構造の一例を示す断面図である。
【図２１】本発明の他の実施の形態である半導体装置を有するデジタル携帯電話機における高周波モジュールの熱を携帯電話の筐体に逃がす放熱構造の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の実施の形態を詳細に説明する前に、以下の実施の形態における用語の意味を説明すると次の通りである。
【００２２】
ＧＳＭ（Global System for Mobile Communication）は、デジタル携帯電話に使用されている無線通信方式の１つまたは規格をいう。ＧＳＭには、使用する電波の周波数帯が３つあり、９００ＭＨｚ帯をＧＳＭ９００または単にＧＳＭ、１８００ＭＨｚ帯をＧＳＭ１８００、ＤＣＳ（Digital Cellular System）１８００またはＰＣＮ（Personal Communication Network）と言い、１９００ＭＨｚ帯をＧＳＭ１９００、ＤＣＳ１９００またはＰＣＳ（Personal Communication Services）と言う。なお、ＧＳＭ１９００は主に北米で使用されている。北米ではその他に８５０ＭＨｚ帯のＧＳＭ８５０を使用する場合もある。また、Ｗ-ＣＤＭＡ（Wideband Code Division Multiple Access）はＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunications System）や３Ｇ（3rd Generation）といわれる場合が多いが、８５０ＭＨｚ帯、９００ＭＨｚ帯、１９００ＭＨｚ帯の周波数帯が使用される。
【００２３】
以上のように、ＧＳＭ方式携帯電話ネットワークの使用周波数帯域（バンド）は、８５０ＭＨｚ帯、９００ＭＨｚ帯、１８００ＭＨｚ帯、１９００ＭＨｚ帯の４種類がある。高周波モジュールのうち、これら４種類すべてに対応したクァッド（Quad）バンド品、３種類の帯域に対応したトリプル（Triple）バンド品と呼ぶ。ＧＭＳＫ（Gaussian filtered Minimum Shift Keying）変調方式は、音声信号の通信に用いる方式で搬送波の位相を送信データに応じて位相シフトする方式である。また、ＥＤＧＥ（Enhanced Data GSM Environment）変調方式は、データ通信に用いる方式でＧＭＳＫ変調の位相シフトにさらに振幅シフトを加えた方式である。
【００２４】
また、以下の実施の形態においては、１つのモジュール基板上に搭載される複数の表面実装部品のうち、１つのチップ基板上に１つまたは複数個の能動素子が形成されるチップを半導体チップと呼び、１つのチップ基板上に受動素子、例えばコンデンサ、インダクタまたはレジスタ等が形成されるチップをチップ部品と呼ぶ。さらに、１つのチップ基板上に１個の受動素子が形成されるチップを単体チップ部品と呼び、１つのチップ基板に複数個の受動素子が形成されるチップを集積チップ部品と呼び、両者を区別する必要のある場合は、集積チップ部品または単体チップ部品と記載する。
【００２５】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００２６】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。
【００２７】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、実施例等において構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。
【００２８】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２９】
また、材料等について言及するときは、特にそうでない旨明記したとき、または、原理的または状況的にそうでないときを除き、特定した材料は主要な材料であって、副次的要素、添加物、付加要素等を排除するものではない。例えば、シリコン部材は特に明示した場合等を除き、純粋なシリコンの場合だけでなく、添加不純物、シリコンを主要な要素とする２元、３元等の合金（例えばＳｉＧｅ）等を含むものとする。
【００３０】
また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００３１】
また、本実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするために部分的にハッチングを付す場合がある。
【００３２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００３３】
（実施の形態１）
本実施の形態１では、例えばＤＣＳ１８００とＷ−ＣＤＭＡ方式のマルチモードのネットワークを利用して情報を伝送するデジタル携帯電話（移動通信機器）に本願発明を適用した場合について説明する。
【００３４】
本実施の形態によるデジタル携帯電話のシステムの構成の一例を説明する。本実施の形態は、電力増幅器、信号電波の送受信用のアンテナ、フロントエンド装置、音声信号をベースバンド信号に変換したり、受信信号を音声信号に変換したり、変調方式切換信号やバンド切換信号を生成したりするベースバンド回路、受信信号をダウンコンバートして復調し、ベースバンド信号を生成したり、送信信号を変調したりする変復調用回路、受信信号からノイズや妨害波を除去するフィルターを有する装置に適用できる。
【００３５】
なお、スイッチ回路の切換信号はベースバンド回路から供給される。ベースバンド回路は、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）やマイクロプロセッサ、半導体メモリ等の複数の半導体集積回路で構成されている。
【００３６】
図１に、高周波モジュール内の電力増幅器の回路の一例を示す。
【００３７】
高周波モジュール１００内の電力増幅器１０３は、例えばＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００、ＧＳＭ１８００、ＧＳＭ１９００の４つの周波数帯が使用可能（マルチモード方式）であり、それぞれの周波数帯でＧＭＳＫ変調方式とＥＤＧＥ変調方式との２つの通信方式を使用可能とする。
【００３８】
この電力増幅器１０３は、ＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００用の電力増幅回路１０４と、ＧＳＭ１８００とＧＳＭ１９００（ＤＣＳ１８００）用の電力増幅回路１０５と、それら電力増幅回路１０４、１０５の増幅動作の制御や補正等を行う周辺回路とを有している。電力増幅回路１０４、１０５は、それぞれの増幅段を有している。本実施の形態１では、このような電力増幅回路１０４、１０５を構成する素子が１つの発熱を伴う半導体チップＩＣ１内に設けられている。
【００３９】
本実施の形態の装置に関して、ハイバンド入力端子１０１およびロウバンド入力端子１０２から入った信号は、電力増幅器１０３内部の電力増幅回路１０４と１０５により増幅され、スイッチ１０６、１０７を通り、それぞれの信号は、ＢＡＮＤ１／ＢＡＮＤ４用フィルター１０８、ＢＡＮＤ２：ＧＳＭ１９００ＭＨｚ帯用フィルター１０９、ＢＡＮＤ５：ＧＳＭ８５０ＭＨｚ帯用フィルター１１０、ＢＡＮＤ８：ＧＳＭ９００ＭＨｚ帯用フィルター１１１、ＤＣＳ１８００ＭＨｚ帯およびＰＣＳ１９００ＭＨｚ帯用フィルター１１２、ＧＳＭ８５０ＭＨｚ帯用およびＧＳＭ９００ＭＨｚ帯用フィルター１１３を通って、スイッチ１１５、１１６により切り替えられ、ＧＳＭ１８００ＭＨｚ帯用の場合はフィルター１１４を通って、それぞれの出力端子、ＧＳＭ１８００ＭＨｚ帯用出力端子１１７、ＢＡＮＤ１／ＢＡＮＤ４：１９００ＭＨｚ／２０００ＭＨｚ帯用出力端子１１８、ＢＡＮＤ２：ＧＳＭ１９００ＭＨｚ帯用出力端子１１９、ＢＡＮＤ５：ＧＳＭ８５０ＭＨｚ帯用出力端子１２０、ＢＡＮＤ８：ＧＳＭ９００ＭＨｚ帯用出力端子１２１に出力される。
【００４０】
周辺回路は、制御回路と、増幅段にバイアス電圧を印加するバイアス回路等を有している。本実施の形態１では、電源制御回路が、電力増幅器１０３外部のベースバンド回路から供給される出力レベル指定信号に基づいて第１電源電圧を生成すると、バイアス電圧生成回路が電源制御回路で生成された電源電圧に基づいて制御電圧を生成するようになっている。ベースバンド回路は、出力レベル指定信号を生成する回路である。この出力レベル指定信号は、電力増幅回路１０４、１０５の出力レベルを指定する信号で、携帯電話と基地局との間の距離、すなわち、電波の強弱に応じた出力レベルに基づいて生成されるようになっている。本実施の形態１では、このような周辺回路を構成する素子も１つの発熱を伴う半導体チップＩＣ１内に設けられている。
【００４１】
次に、電力増幅器１０３を構成する各種素子のうち、代表的な素子について説明する。電力増幅回路１０４、１０５をＬＤＭＯＳＦＥＴ（laterally diffused Metal Oxide Semiconductor）で構成した電力増幅器１０３は、発熱を伴う半導体チップＩＣ１に形成される。なお、本実施の形態１では、電力増幅回路をＬＤＭＯＳＦＥＴで構成したが、これに限定されるものではなく、例えば、ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ：Hetero-junction Bipolar Transistor）で構成することもできる。
【００４２】
電力増幅器１０３が形成された発熱を伴う半導体チップＩＣ１は、その主面を下側に向けた状態（フェイスダウン）でモジュール基板上に搭載され、この発熱を伴う半導体チップＩＣ１の外部用端子とモジュール基板の部品搭載面に形成された基板側端子とは接合材、例えばはんだからなるバンプ電極ＢＥによって電気的に接続されている。
【００４３】
次に、表面実装部品をモジュール基板上に搭載した１次実装後のモジュールＭＡの構成を説明する。図２は、本実施の形態１によるモジュールＭＡの１次実装の一例を示す要部断面図である。ここでは、前述したフロントエンド装置１および電力増幅器ＰＭを１つのモジュールＭＡに組み立てた構成となっているが、これに限定されないことは言うまでもない。例えば、フロントエンド装置１と電力増幅器ＰＭとを別々の高周波モジュールとして構成してもよい。また、ここでは、増幅段をＬＤＭＯＳＦＥＴで構成した電力増幅器ＰＭを有する発熱を伴う半導体チップＩＣ１を例に挙げて説明するが、増幅段をＨＢＴで構成した電力増幅器を有する半導体チップを用いてもよい。
【００４４】
図２に示すように、モジュールＭＡは、例えば複数枚の絶縁体板を積層して一体化した多層配線構造を有するＰＣＢ（Printed Circuit Board）をモジュール基板５１としている。モジュール基板５１の部品搭載面には、例えば銅（Ｃｕ）膜からなる基板側端子５２および配線等がパターン形成されており、裏面には、例えばＣｕ膜からなる電極５３Ｇ、５３Ｓがパターン形成されている。
【００４５】
図２には、モジュール基板５１の部品搭載面に搭載される表面実装部品として、能動素子が形成された発熱を伴う半導体チップＩＣ１と、１つのチップ基板上に１個の受動素子が形成された単体チップ部品５４と、１つのチップ基板上に複数個の受動素子が形成された集積チップ部品５５とを例示している。発熱を伴う半導体チップＩＣ１には、前述した電力増幅器ＰＭが形成されている。発熱を伴う半導体チップＩＣ１の主面に形成された複数の外部用端子は、これに対応するモジュール基板５１の基板側端子５２と接合材により接続されている。ここでは、接合材に、バンプ電極ＢＥを用いる。また、発熱を伴う半導体チップＩＣ１とモジュール基板５１との間には、アンダーフィル樹脂ＵＦが充填され封止されている。
【００４６】
さらに、これら表面実装部品は高弾性の封止用のモールド樹脂５６によって覆われている。モールド樹脂５６は、例えば高弾性エポキシの樹脂であり、その弾性率の許容範囲は、１８０℃以上の温度において、２ＧＰａ以上であることが好ましい。
【００４７】
発熱を伴う半導体チップＩＣ１は、その素子形成面に形成されたバンプ電極ＢＥがモジュール基板５１の部品搭載面に形成されたチップ搭載用の基板側端子５２と接合されることで、モジュール基板５１上に固定されている。
【００４８】
発熱を伴う半導体チップＩＣ１に形成されたバンプ電極ＢＥのうち、ソース電極４０と電気的に接続するものは、モジュール基板５１の部品搭載面から裏面へ貫通して形成された複数の放熱ビア５８内の導電性材料を通じてモジュール基板５１の裏面に形成された電極５３Ｇと電気的かつ熱的に接合されている。この電極５３Ｇには基準電位（例えば接地電位ＧＮＤで０Ｖ程度）が供給される。すなわち、モジュール基板５１の裏面の電極５３Ｇに供給された基準電位は、放熱ビア５８および基板側端子５２を通じて発熱を伴う半導体チップＩＣ１の裏面に供給されるようになっている。また、逆に発熱を伴う半導体チップＩＣ１の動作時に発生した熱は、発熱を伴う半導体チップＩＣ１の素子形成面から基板側端子５２および放熱ビア５８を通じてモジュール基板５１の裏面の電極５３Ｇに伝わり放散されるようになっている。モジュール基板５１の裏面に形成された外周近傍の電極５３Ｓは、信号用の電極を示している。
【００４９】
単体チップ部品５４は、例えばコンデンサ、インダクタ、レジスタまたはフェライトビーズ等の受動素子が１つのチップ基板上に形成された表面実装部品である。フェライドビーズとは、フェライト素子の中に通電用の内部電極を埋め込んだ構造をしており、フェライトが磁性体として働くことで電磁妨害（ＥＭＩ：Electromagnetic Interference）ノイズの元となる高周波電流成分を吸収する素子である。単体チップ部品５４は、その裏面をモジュール基板５１の部品搭載面に対向させてモジュール基板５１上に搭載されており、単体チップ部品５４の両端に形成された接続端子が、はんだを介してモジュール基板５１の部品搭載面に形成された基板側端子５２とはんだ接続されている。このはんだ接続には、Ｐｂを含まないＰｂフリーはんだ、例えばＳｎ−３銀（Ａｇ）はんだを用いる。単体チップ部品５４の裏面とモジュール基板５１の部品搭載面との距離は、例えば１０μｍ程度であるが、この隙間には封止用の樹脂５６がボイドを形成することなく充填されている。
【００５０】
なお、単体チップ部品５４のはんだ接続で用いるはんだ材料としてＰｂフリーはんだを用いるとしたが、はんだ材料は、これに限定されるものではなく種々変更可能であり、例えばＰｂを含むＳｎ（以下、Ｐｂ−Ｓｎはんだと記す）を用いてもよい。しかし、欧州におけるＰｂ規制を考慮するとＰｂフリーはんだが好ましい。
【００５１】
集積チップ部品５５は、例えばロウパスフィルター等の受動素子が１つのチップ基板上に複数個形成された表面実装部品である。集積チップ部品５５は、その主面をモジュール基板５１の部品搭載面に対向させてモジュール基板５１にフリップチップ接続されており、集積チップ部品５５の主面に形成された接続端子が、バンプ電極ＢＥを介してモジュール基板５１の部品搭載面に形成された基板側端子５２と接続されている。集積チップ部品５５の主面とモジュール基板５１の部品搭載面と間には、アンダーフィル樹脂ＵＦが充填され封止されている。
【００５２】
モジュール基板５１は、コア材６０と、コア材６０の上下を挟むプリプレグ６１と呼ばれる絶縁材料とによって構成されている。コア材６０の上下には内層用Ｃｕ膜６２（２層目配線Ｌａｙｅｒ２および３層目配線Ｌａｙｅｒ３）がパターン形成されており、これら内層用Ｃｕ膜６２が上記プリプレグ６１によって挟まれている。また、２層目配線Ｌａｙｅｒ２と３層目配線Ｌａｙｅｒ３との間は、コア材６０に形成されたスルーホール５８ａの側壁に形成された導体膜を介して電気的に接続されている。
【００５３】
モジュール基板５１の部品搭載面側のコア材６０とプリプレグ６１との間には、内層用Ｃｕ膜６２の配線パターン（２層目配線Ｌａｙｅｒ２）が形成されている。モジュール基板５１の裏面側のコア材６０とプリプレグ６１との間には、内層用Ｃｕ膜６２の配線パターン（３層目配線Ｌａｙｅｒ３）が形成されている。内層用Ｃｕ膜６２の厚さは、例えば０.０２ｍｍ程度、プリプレグ６１の厚さは、例えば０.０６ｍｍ程度である。
【００５４】
さらに、部品搭載面側のプリプレグ６１の外面には、前述した基板側端子５２および配線等の外層用Ｃｕ膜６３の配線パターン（１層目配線Ｌａｙｅｒ１）がプリプレグ６１に密着してパターン形成されている。部品搭載面には、表面実装部品、例えば発熱を伴う半導体チップＩＣ１およびチップ部品６４（前述した単体チップ５４および集積チップ部品５５を含む）が搭載されている。裏面側のプリプレグ６１の外面には、前述した電極５３Ｇ、５３Ｓの外層用Ｃｕ膜（４層目配線Ｌａｙｅｒ４）がプリプレグ６１に密着してパターン形成されている。
【００５５】
モジュール基板５１の裏面側のプリプレグ６１の外側には、外層用Ｃｕ膜６３の配線パターン（４層目配線Ｌａｙｅｒ４）が形成されている。外層用Ｃｕ膜６３の厚さは、例えば０.０２ｍｍ程度である。
【００５６】
外層用Ｃｕ膜６３の表面には、例えばＮｉ層およびＡｕ層が下層から順にめっき法により形成された積層構造のめっき膜が形成されている。さらに、発熱を伴う半導体チップＩＣ１またはチップ部品６４などの表面実装部品が実装される領域を除いて、外層用Ｃｕ膜６３上はソルダーレジスト（図示は省略）により覆われている。ソルダーレジストの厚さは、例えば０.０２５〜０.０５ｍｍ程度である。
【００５７】
コア材６０の上下に位置する２層の内層用Ｃｕ膜６２との間（２層目配線Ｌａｙｅｒ２と３層目配線Ｌａｙｅｒ３との間）、または内層用Ｃｕ膜６２と外層用Ｃｕ膜６３との間（１層目配線Ｌａｙｅｒ１と２層目配線Ｌａｙｅｒ２との間または３層目配線Ｌａｙｅｒ３と４層目配線Ｌａｙｅｒ４との間）は、コア材６０またはプリプレグ６１を貫通するＣｕ膜が埋め込まれた放熱ビア５８を介して電気的に接続されている。コア材６０、プリプレグ６１およびソルダーレジストは、例えばエポキシなどの樹脂からなる。
【００５８】
また、２層目配線Ｌａｙｅｒ２の一部（内層用Ｃｕ膜６２Ａで図示する部分）は、コア材６０の外周まで形成されており、後述するシールド層ＳＬと電気的に接続している。シールド層ＳＬと電気的に接続されたこの内層用Ｃｕ膜６２、６２Ａはグランド配線であり、コア材６０およびプリプレグ６１に形成された放熱ビア５８を介して裏面側のプリプレグ６１の外側に形成された外層用Ｃｕ膜６３の配線パターン（４層目配線Ｌａｙｅｒ４）と電気的に接続されている。
【００５９】
モジュール基板５１上には、導電性の接続部材６５を介してモジュール基板６６が積層されている。なお、接続部材６５の材質および構造については、後述する。モジュール基板６６は、モジュール基板５１におけるコア材６１と同様のコア材から形成されており、モジュール基板５１と対向する裏面と、その裏面とは反対側の部品搭載面とを有している。モジュール基板６６の部品搭載面および裏面には、モジュール基板５１における基板側端子５２および配線等と同様の基板側端子６７が形成されている。接続部材６５の一端は、モジュール基板５１の部品搭載面の基板側端子５２に接続され、他端はモジュール基板６６の裏面の基板側端子６７に接続されており、接続部材６５を介してモジュール基板５１とモジュール基板６６とが電気的に接続された構造となっている。すなわち、モジュール基板５１とモジュール基板６６との間では、接続部材６５を通して各種信号のやり取りや、電源電位および基準電位等の供給が行われることになる。また、前述のモールド樹脂５６は、モジュール基板５１（発熱を伴う半導体チップＩＣ１、単体チップ部品５４および集積チップ部品５５）とモジュール基板６６との間を埋め尽くすように充填されているので、モジュール基板６６に作用する荷重や応力によってモジュール基板６６に反りが生じてしまうことを防止できる構造となっている。
【００６０】
本実施の形態１では、モジュール基板６６の部品搭載面に搭載される表面実装部品として、１つのチップ基板上に複数個の受動素子が形成された耐熱温度の低い集積チップ部品６８を例示する。耐熱温度の低い集積チップ部品６８の各々には、例えばＳＡＷ（Surface Acoustic Wave；弾性表面波）フィルターが形成されている。
【００６１】
モジュール基板６６の部品搭載面に搭載された耐熱温度の低い集積チップ部品６８は、前述の発熱を伴う半導体チップＩＣ１の熱による素子の変形を受けないように配置されモールド樹脂５６で覆われている。モジュール基板５１とモジュール基板６６との間に充填されたモールド樹脂５６と、モジュール基板６６の部品搭載面（耐熱温度の低い集積チップ部品６８）を覆うモールド樹脂５６とは、同一工程で形成されるが、詳細は後述する。
【００６２】
モジュール基板５１の側面の一部、モジュール基板６６の側面、およびモールド樹脂５６の表面（上面および側面）には、シールド層ＳＬが形成されている。
【００６３】
シールド層ＳＬは、無電解めっき法により形成される。無電解めっき法は、外部電源を用いることなく、触媒活性な面に選択的にめっき膜を析出させることができる。例えば「めっき教本  電気鍍金研究会編、１９８６年日刊工業新聞社発行」に記載されているように、自己触媒型無電解Ｃｕめっき法では、還元剤の酸化反応によってＣｕの析出反応が継続する。また、Ｐｄを含む活性化液で処理することにより、モールド樹脂のような非導電体にも、複雑な形状の部分であっても、均一にめっき膜を形成することができる。従って、モジュールＭＡに実装された表面実装部品を封止するモールド樹脂５６の表面（上面および側面）にも、無電解めっき法により均一なシールド層ＳＬを形成することができる。これにより、必要最小限の金属材料によって、所望のシールド効果を得ることができるので、製品の低コスト化に利点がある。
【００６４】
本実施の形態１では、シールド層ＳＬを無電解めっき法により形成された電磁波の遮蔽機能を有する第１の膜、例えばＣｕ膜と、そのＣｕ膜上に無電解めっき法により形成された防触機能を有する第２の膜、例えばＮｉ膜との積層膜により構成する。
【００６５】
次に、上記モジュール基板５１、６６と、接続部材６５との平面での接続位置について、図３〜図６を用いて説明する。図３はモジュール下段を上から見た平面図である。図４はモジュール上段を上から見た平面図である。なお、図３は、モジュール基板６６と接続部材６５の平面での接続位置を示し、図５は、図３および図４のレイアウトを重ね合わせたものを図示しており、図６では、レイアウトを見やすくするために、モジュール基板６６の部品搭載面に実装された耐熱温度の低い集積チップ部品６８にハッチングを付して示している。また、図６に、本実施の形態１のモジュールＭＡと比較して、１枚のモジュール基板上にモジュールＭＡと同じ半導体チップおよびチップ部品を搭載した場合の、モジュール基板の面積の広がりを示す。
【００６６】
図３に示すように、接続部材６５は、モジュール基板５１の部品搭載面において、発熱を伴う半導体チップＩＣ１、単体チップ部品５４および集積チップ部品５５と重ならない位置に取り付けられる。一方、図４に示すように、接続部材６５は、モジュール基板６６へは裏面で接続するため、モジュール基板６６の部品搭載面に実装された耐熱温度の低い集積チップ部品６８と平面で重なる位置でも取り付けられる構成となっている。それにより、モジュール基板５１、６６の面積を小型化できるので、モジュールＭＡについても面積の小型化が可能となる。また、図６に示すように、上層のモジュール基板６６の部品実装面に実装された耐熱温度の低い集積チップ部品６８は、下層の発熱を伴う半導体チップＩＣ１、単体チップ部品５４および集積チップ部品５５と平面で重なる位置でも配置できる。それにより、モジュール基板５１、６６の面積をさらに小型化できるようになる。
【００６７】
ここで、図６に、１枚のモジュール基板上にすべての発熱を伴う半導体チップＩＣ１、単体チップ部品５４および集積チップ部品５５、耐熱温度の低い集積チップ部品６８を実装した場合に、モジュール基板５１、６６よりも広がる領域をＥＡで示す（破線で図示）。このように、本実施の形態１のジュールＭＡのように、モジュール基板５１、６６による積層構造とした場合には、モジュール基板を１枚だけとした場合より、モジュールＭＡの面積を「５８％程度」と大幅に小型化することができる。
【００６８】
ここで、発熱を伴う半導体チップＩＣ１を耐熱温度の低い集積チップ部品６８の上に重なるように第２層目に配置すると、モジュール稼動時には、発熱を伴う半導体チップＩＣ１の熱の影響で、耐熱温度の低い集積チップ部品６８の温度は自身の耐熱温度以上になり、その性能がでないもしくは作動しない。それを避けるために、図５に示すように、発熱を伴う半導体チップＩＣ１の配置に対して、耐熱温度の低い集積チップ部品６８を上の段の反対側熱的に離して配置することで、熱分離とモジュールの小型を同時に達成できる。
【００６９】
次に、上記接続部材６５の構造および材質の種々の例について、図７を用いて説明する。
【００７０】
まず、図７に示すように、接続部材６５として、たとえば銅（Ｃｕ）等の金属から形成された柱状の接続部材６５を例示する。このような柱状の接続部材６５は、はんだ６５Ａにより両端がそれぞれモジュール基板５１の基板側端子５２およびモジュール基板６６の基板側端子６７に接続されている。はんだ６５Ａとしては、Ｓｎ−３銀（Ａｇ）−０.５Ｃｕはんだ等のＰｂを含まないＰｂフリーはんだを例示することができる。このような柱状の金属からなる接続部材６５は、接続部材６５自体の製造コストが安価であり、はんだ６５Ａによるモジュール基板５１、６６（基板側端子５２、６７）への接続工程も容易であるという利点を有する。
【００７１】
この接続部材６５としては、柱状の金属の他に、銅もしくは樹脂をコアとするはんだボール、平面網目状の金属、多孔質金属、ばね機構を備え回路基板に挿入されてばね機構で固定されるピン、または回路基板に挿入されてはんだで固定されるピンなども用いることができる。
【００７２】
次に、本実施の形態１のモジュールＭＡの製造工程の一例を図８〜図１４を用いて工程順に説明する。ここでは、接続部材６５として、柱状の接続部材６５（図７参照）を用いた例で説明する。図８はモジュールＭＡの製造工程を説明するフローチャート、図９〜図１４は３つのモジュール領域を示す製造工程中の要部断面図である。
【００７３】
まず、図９に示すように、前述のモジュール基板５１となる領域（以下、モジュール領域と記す）が複数区画された基板母体５１Ａを用意する。また、図１０に示すように、前述のモジュール基板６６となる領域（以下、モジュール領域と記す）が複数区画された基板母体６６Ａを用意する。この基板母体５１Ａ、６６Ａは、複数（例えば８０個程度）のモジュール領域が区画ラインによって区画形成された多数個取り基板であり、モジュール領域が８０個形成されている場合には、一例として、その大きさは９０ｍｍ×７５ｍｍ程度、厚さは０.４ｍｍ程度である。
【００７４】
次に、基板母体５１Ａにおいて、発熱を伴う半導体チップＩＣ１、単体チップ部品５４および集積チップ部品５５が接続される外層用Ｃｕ配線６３（基板側端子５２（図２参照））上にはんだペーストを印刷した後、発熱を伴う半導体チップＩＣ１、単体チップ部品５４および集積チップ部品５５を所定の外層用Ｃｕ配線６３上に配置する。この時、発熱を伴う半導体チップＩＣ１および集積チップ部品５５は、素子形成面に形成されたバンプ電極ＢＥが外層用Ｃｕ配線６３と対向するように配置される。続いて、リフロー加熱およびフラックス洗浄を行い、はんだを溶かすことによって、上記発熱を伴う半導体チップＩＣ１、単体チップ部品５４および集積チップ部品５５を一括してはんだ接続する（工程Ｓ１）。同様に、基板母体６６Ａにおいては、耐熱温度の低い集積チップ部品６８が接続される基板側端子６７上にはんだペーストを印刷した後、耐熱温度の低い集積チップ部品６８を所定の基板側端子６７上に配置する。続いて、リフロー加熱およびフラックス洗浄を行い、はんだを溶かすことによって、耐熱温度の低い集積チップ部品６８を一括してはんだ接続する（工程Ｓ２）。ここでは、はんだペーストを用いる例について説明したが、はんだペーストに代えて金属フレーク入りの接着材ペーストを用いることもできる。
【００７５】
次に、図１１に示すように、基板母体５１Ａにおいて、接続部材６５が接続される基板側端子５２上にはんだペーストを印刷した後、接続部材６５を所定の基板側端子５２上に配置する。続いて、リフロー加熱およびフラックス洗浄を行い、はんだを溶かすことによって、複数の接続部材６５を一括して基板側端子５２にはんだ接続する。次いで、基板母体６６Ａにおいて、接続部材６５が接続される基板側端子６７上にはんだペーストを印刷した後、基板母体５１Ａに接続された複数の接続部材６５の他端を、所定の基板側端子６７上に配置する。続いて、リフロー加熱およびフラックス洗浄を行い、はんだを溶かすことによって、複数の接続部材６５を一括して基板側端子６７にはんだ接続する。ここまでの工程により、基板母体５１Ａと基板母体６６Ａとを、複数の接続部材６５を介して積層した構造を形成することができる（工程Ｓ３）。
【００７６】
次に、図１２に示すように、基板母体５１Ａ、６６Ａの部品搭載面（発熱を伴う半導体チップＩＣ１、単体チップ部品５４および集積チップ部品５５、耐熱温度の低い集積チップ部品６８を含む）をモールド樹脂５６によって封止するトランスファーモールドを行う（工程Ｓ４）。まず、モールド装置の上金型を上げて、基板母体５１Ａと基板母体６６Ａとが積層された構造体を下金型に設置する。その後、上金型を下げて、その構造体を固定する。上金型には、上金型と下金型との間の成型金型内の空気および樹脂を外部へ送り出すためのエアベントが設けられている。続いて、成型金型内を強制的に、例えば１Ｔｏｒｒ以下に減圧した後、樹脂タブレットをプレヒータで加熱し、樹脂粘度を下げてから液状化したモールド樹脂５６を成型金型内へ圧送する。モールド樹脂５６は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂が用いられる。続いて、成型金型内に充填された封止用樹脂を重合反応により硬化させた後、上金型と下金型とを開けて、モールド樹脂５６で覆われた前記構造体を取り出す。その後、不要な封止用のモールド樹脂５６を除去し、さらに、ベーク処理を行って重合反応を完成させることにより、基板母体５１Ａ、６６Ａの部品搭載面がモールド樹脂５６により封止される。
【００７７】
このように、成型金型内を減圧した後にモールド樹脂５６を投入することにより、モールド樹脂５６の流動性を図ることができるので、狭い隙間、例えば単体チップ部品５４の裏面と基板母体５１Ａの部品搭載面との隙間（１０μｍ程度）および集積チップ部品５５の主面と基板母体５１Ａの部品搭載面との隙間（１０〜２０μｍ程度）に、ボイドの形成を防いでモールド樹脂５６を充填することができる。その結果、次に説明するモジュールＭＡの組み立て時に、例えば２６０℃程度の温度の熱が加えられてＰｂフリーはんだの半溶融が生じても、Ｐｂフリーはんだのフラッシュ状の流れを防ぐことができるので、例えば単体チップ部品５４の両端の接続端子間または集積チップ部品５５の主面の接続端子間が繋がることはなく、短絡を回避することができる。
【００７８】
次に、図１３に示すように、モールド樹脂５６および基板母体５１Ａ、６６Ａをダイシングライン（前述の区画ラインに相当）に沿って、ダイシングカッターを用いてハーフダイシング形成する（工程Ｓ５）。ハーフダイシングとは、完全にモールド樹脂５６および基板母体５１Ａ、６６Ａを切断せずに、下層の基板母体５１Ａに設けられたグランド配線の一部である内層用Ｃｕ膜６２Ａに到達するまでの深さに切り込み７２を入れる切断のことであり、内層用Ｃｕ膜６２Ａよりも下の部分は繋がったままである。このグランド配線として用いる内層用Ｃｕ膜６２Ａは基板母体５１Ａの部品搭載面に近い２層目配線にある。
【００７９】
その後、モジュール領域単位でモールド樹脂５６の上面に、例えば商標、品名、ロット番号などを捺印する。
【００８０】
次に、図１４に示すように、無電解めっき法により、切り込み７２の部分に露出した内層用Ｃｕ膜６２Ａおよびモールド樹脂５６の表面（上面および側面）を覆うようにシールド層ＳＬを形成する（工程Ｓ６）。以下に、シールド層ＳＬの成膜工程を順を追って説明する。
（１）プリエッチングプロセスとして、７０℃の水酸化ナトリウム（２０ｇ／Ｌ）と有機溶剤（５００ｇ／Ｌ）との混合溶液に５分浸漬し、その後水洗する。
（２）過マンガン酸塩エッチングプロセスとして、８０℃の過マンガン酸カリウム（５０ｇ／Ｌ）と水酸化ナトリウム（２０ｇ／Ｌ）との混合溶液に５分浸漬し、その後水洗する。
（３）中和プロセスとして、５０℃のヒドロキシルアミン（２０ｇ／Ｌ）と濃硫酸（５０ｍｌ／Ｌ）との混合溶液に５分浸漬し、その後水洗する。
（４）コンディショニングプロセスとして、６０℃のエタノールアミン（２０ｇ／Ｌ）に５分浸漬し、その後水洗する。
（５）ソフトエッチングプロセスとして、２５℃の過硫酸ナトリウム（１５０ｇ／Ｌ）と濃硫酸（１０ｍｌ／Ｌ）との混合溶液に２分浸漬し、その後水洗する。
（６）予備浸漬プロセスとして、室温の濃塩酸（３００ｍｌ／Ｌ）に１分浸漬し、その後水洗する。
（７）触媒化として、２５℃の濃硫酸（３００ｍｌ／Ｌ）と塩化パラジウム（１７０ｍｇ／Ｌ）と塩化第一スズ（１０ｇ／Ｌ）との混合溶液に３分浸漬し、その後水洗する。
（８）促進化として、２５℃の濃硫酸（５０ｍｌ／Ｌ）とヒドラジン（０．５ｇ／Ｌ）との混合溶液に５分浸漬し、その後水洗する。
（９）無電解Ｃｕめっきとして、７０℃の硫酸銅（１０ｇ／Ｌ）とＥＤＴＡ２Ｎａ（エチレンジアミン四酢酸ナトリウム）（３０ｇ／Ｌ）と３７％ホルムアルデヒド（３ｍｌ／Ｌ）と安定剤（ビピリジンなど）（若干）とポリエチレングリコールとの混合溶液を水酸化ナトリウムでｐＨ１２．２に調整しためっき浴に４５分〜１５０分浸漬し、その後水洗する。
（１０）ソフトエッチングプロセスとして、２５℃の過酸化ナトリウム（１５０ｇ／Ｌ）と濃硫酸（１０ｍｌ／Ｌ）との混合溶液に２分浸漬し、その後水洗する。
（１１）活性化プロセスとして、室温の濃硫酸（１００ｍｌ／Ｌ）に２分浸漬し、その後水洗する。
（１２）触媒化プロセスとして、２５℃の塩化パラジウム（１７０ｍｇ／Ｌ）と濃塩酸（１ｍｌ／Ｌ）と添加剤（銅塩など）との混合溶液に５分浸漬し、その後水洗する。
（１３）アルカリ性無電解Ｎｉめっきとして、９０℃の硫酸ニッケル２６ｇ／Ｌとクエン酸ナトリウム（６０ｇ／Ｌ）と次亜リン酸ナトリウム（２１ｇ／Ｌ）とほう酸（３０ｇ／Ｌ）との混合溶液（ｐＨ８〜９に水酸化ナトリウムで調整）に５〜１８分浸漬し、その後水洗し、さらに１５０℃で６０分の乾燥を行う。
【００８１】
各工程での水洗では、流水洗浄を２分と純水での流水洗浄を２分行う。この成膜工程により、Ｃｕめっき膜とＮｉめっき膜との積層膜からなるシールド層ＳＬが形成される。その後１５０℃で１時間加熱する。この加熱工程で、シールド層ＳＬを形成した直後のＮｉめっき膜に見られる水素が抜ける穴がふさがれ、微小な結晶粒がつながり粗大化することで、滑らかな表面のＮｉめっき膜が形成され、さらに、通気性を有する構造であるマイクロチャンネルクラックが形成される。Ｃｕめっき膜は電磁波の遮蔽機能を有し、Ｎｉめっき膜は防触機能を有している。また、Ｎｉめっき膜は、熱処理による表面の結晶構造の変化により耐食性が向上する。Ｃｕめっき膜の厚さは、例えば２〜１０μｍが適切な範囲と考えられる（他の条件によってはこの範囲に限定されないことはもとよりである）。また、量産に適した範囲としては２．５〜４μｍを中心値とする周辺範囲が最も好適と考えられる。Ｎｉめっき膜の厚さは、例えば０．１〜０．３μｍが適切な範囲と考えられる（他の条件によってはこの範囲に限定されないことはもとよりである）。また、量産に適した範囲としては０．２５μｍを中心値とする周辺範囲が最も好適と考えられる。シールド層ＳＬには粒界に沿ってランダムにマイクロチャンネルクラックが形成されるが、このマイクロチャンネルクラックのＮｉめっき膜の表面での幅は、例えば１００ｎｍ以下が適切な範囲と考えられる（他の条件によってはこの範囲に限定されないことはもとよりである）。また、量産に適した範囲としては１〜６０ｎｍが考えられるが、さらに３０ｎｍの間を中心値とする周辺範囲が最も好適と考えられる。リフロー工程を考慮した２６０℃まで加熱すると、マイクロチャンネルクラックの幅は拡がるが、その幅は１００ｎｍ以下である。Ｃｕめっき膜でのクラック幅は、Ｎｉめっき膜の表面での幅よりも小さい。
【００８２】
次に、切り込み７２の部分の下の基板母体５１Ａをさらに切断して、個々のモジュールＭＡに分離する（工程Ｓ７）。次いで、製品規格に照らした項目でモジュールＭＡの電気的特性を測定し、モジュールＭＡを選別し（工程Ｓ８）、その後、良品のモジュールＭＡを梱包する（工程Ｓ９）。
【００８３】
次に、モジュールＭＡの実装工程について説明する。
【００８４】
前述のように、モジュール基板５１の裏面には、マザーボードに実装可能なように、半田接続用の電極５３Ｇ、５３Ｓが形成されている。まず、マザーボードにはんだペーストを印刷する。続いて、モジュールＭＡをマザーボード上に配置した後、例えば２５０℃以上の温度でリフロー加熱を行い、はんだを介してモジュールＭＡをマザーボード６６上に実装する。その後、電気的特性のテストを行い、実装完成となる。
【００８５】
なお、本実施の形態では、モジュール基板５１に搭載された表面実装部品を高弾性のモールド樹脂５６によって覆った場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば低弾性の樹脂、例えばシリコン樹脂を用いることも可能である。
【００８６】
また、ＧＳＭ９００とＧＳＭ１８００の２つの周波数帯の電波を取り扱うことが可能なデュアルバンド方式に適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えばＧＳＭ９００、ＧＳＭ１８００およびＧＳＭ１９００との３つの周波数帯の電波を取り扱うことが可能なトリプルバンド方式に適用しても良い。また、８００ＭＨｚ帯、８５０ＭＨｚ帯でも対応できる。
【００８７】
このように、本実施の形態によれば、例えばデジタル携帯電話のシステムにおいて、電磁波を発生する表面実装部品、例えば電力増幅器ＰＭが形成された発熱を伴う半導体チップＩＣ１をモジュールＭＡが備えていても、表面実装部品を覆うモールド樹脂５６の表面（上面および側面）に無電解めっき法によりＣｕ／Ｎｉ積層膜からなるシールド層ＳＬを形成し、このシールド層ＳＬとグランド配線とを電気的に接続して十分な電磁波シールド効果を持たせることにより、電力増幅器ＰＭから発生する電磁波をそのシールド層ＳＬで遮蔽することができる。
【００８８】
また、無電解めっき法により形成されたＣｕ／Ｎｉ積層膜からなるシールド層ＳＬでは、１００ｎｍ以下（代表的には１〜６０ｎｍ）の幅のマイクロチャンネルクラックが結晶粒界に沿って形成され、そのマイクロチャンネルクラックはシールド層ＳＬの表面からモールド樹脂５６にまで通じている。従って、モールド樹脂５６に含まれる水分、モジュール基板５１に含まれる水分またはモジュール基板５１とモールド樹脂５６との界面に侵入した水分等がリフロー加熱などによって水蒸気となっても、その水蒸気は上記マイクロチャンネルクラックを通って、モジュールＭＡの外部へ排出することができる。その結果、リフロー加熱などで水分が気化しても体積膨張が起こらないので、シールド層ＳＬの剥離を防ぐことができる。
【００８９】
また、Ｃｕ／Ｎｉ積層膜からなるシールド層ＳＬを無電解めっき法により形成することにより、延展性の良いシールド層ＳＬを得ることができる。その結果、シールド層ＳＬの線膨張係数とその他の部品材料の線膨張係数とが互いに異なり、モジュールＭＡのリフロー加熱時や実稼働時に変形が生じても、応力集中によるシールド層ＳＬの破壊や亀裂などの発生を抑制することができる。これらのことから、電磁波シールド効果とリフロー加熱に対する高信頼性とを有するモジュールＭＡを提供することができる。
【００９０】
また、本構造図の実施の形態で、ハイパワーアンプモジュールを動作させ、定常状態になった場合の、モジュール全体の熱シミュレーションを行ったところ、耐熱温度の低い集積チップ部品６８は耐熱温度以下になることを確認をしている（例えば、ハイパワーアンプモジュールを動作温度とＳＡＷフィルターの間は約２０℃の熱分離をとることができる）。
【００９１】
（実施の形態２）
次に、図１５を用いて、本実施の形態２のモジュールＭＡを説明する。
【００９２】
図１５に示すように、本実施の形態２のモジュールＭＡは、基板側端子６７の一部（基板側端子６７Ａとして図示）がモジュール基板６６の外周まで形成されており、シールド層ＳＬと電気的に接続している。シールド層ＳＬと電気的に接続されたこの基板側端子６７Ａはグランド配線である。  上記のような構成の本実施の形態２のモジュールＭＡによっても、前記実施の形態１のモジュールＭＡと同様の効果を得ることができる。
【００９３】
（実施の形態３）
次に、図１６を用いて、本実施の形態３のモジュールＭＡを説明する。
【００９４】
図１６示すように、本実施の形態３のモジュールＭＡは、モールド樹脂５６による封止と、シールド層ＳＬによる電磁波シールド構造を省略し、金属キャップＭＣＡＰを用いた封止構造および電磁波シールド構造としている。モジュール基板５１の側面には、グランド配線である内層用Ｃｕ膜６２Ａと接続するＣｕ膜７３が形成されている。また、金属キャップＭＣＡＰには、金属キャップＭＣＡＰをモジュール基板５１、６６からなる構造体に嵌め込んだ際に、モジュール基板５１の側面のＣｕ膜７３と接する突起７４が形成されており、この突起７４がグランド配線と電気的に接続しているＣｕ膜７３と接することによって、金属キャップＭＣＡＰによる電磁波シールド構造を実現している。
【００９５】
上記Ｃｕ膜７３は、モジュール基板６６の側面に設けてもよく、その場合には、モジュール基板６６に前記実施の形態２で説明したグランド配線である基板側端子６７Ａを設けて、その基板側端子６７ＡとＣｕ膜７３とが接続する構成とする。このような構成の場合でも、金属キャップＭＣＡＰをモジュール基板５１、６６からなる構造体に嵌め込んだ際に、金属キャップＭＣＡＰの突起７４がモジュール基板６６の側面のＣｕ膜７３と接する位置で、突起７４を形成しておく。
【００９６】
上記のような本実施の形態３のモジュールＭＡによれば、モールド樹脂５６を省略した構成となるので、モジュールＭＡの製造工程を簡略化することができる。また、金属キャップＭＣＡＰを嵌め込むことによって電磁波シールド構造を実現しているので、無電解めっきによってシールド層ＳＬを形成する場合に比べて、容易かつ簡略に電磁波シールド構造を実現することが可能となる。
【００９７】
上記のような構成の本実施の形態３のモジュールＭＡによっても、前記実施の形態１、２のモジュールＭＡと同様の効果を得ることができる。
【００９８】
（実施の形態４）
次に、図１７を用いて、本実施の形態４のモジュールＭＡを説明する。
【００９９】
図１７に示すように、本実施の形態４のモジュールＭＡは、発熱を伴う半導体チップＩＣ１が裏面をモジュール基板５５に対向させた状態でモジュール基板５５に搭載され、ＤＡＦ（Die Attach Film）等の接着材７５によって所定の基板側端子５２に固定されている。また、発熱を伴う半導体チップＩＣ１の主面（素子形成面）に形成された複数の外部用端子は、これに対応するモジュール基板５１の基板側端子５２と接合材により接続されている。ここでは、接合材に、Ａｕの細線からなるボンディングワイヤＢＷを用いる。
【０１００】
また、発熱を伴う半導体チップＩＣ１にボンディングワイヤＢＷを用いているため、全ての基板側端子５２の表面にはめっき膜が形成されている。めっき膜は、例えば下層から順にＮｉ層およびＡｕ層がめっき法により形成された積層膜からなる。従って、単体チップ部品５４は、その接続端子においてめっき膜とはんだ接続され、集積チップ部品５５は、その接続端子においてめっき膜と接続されるとともに、発熱を伴う半導体チップＩＣ１の主面に形成された外部用端子に接続するボンディングワイヤＢＷは、基板側端子５２の表面のめっき膜と接続されている。
【０１０１】
上記以外の本実施の形態４のモジュールＭＡの構成は、前記実施の形態１のモジュールＭＡとほぼ同様である。
【０１０２】
上記のような構成の本実施の形態４のモジュールＭＡによっても、前記実施の形態１のモジュールＭＡと同様の効果を得ることができる。
【０１０３】
（実施の形態５）
次に、図１８を用いて、本実施の形態５のモジュールＭＡを説明する。
【０１０４】
図１８に示すように、本実施の形態５のモジュールＭＡは、発熱を伴う半導体チップＩＣ１が接続されている下のモジュール基板５１のスルーホール形成エリアに放熱用金属７６を埋め込む。これにより、発熱を伴う半導体チップＩＣ１で発生した熱は効率よく基板に拡散し、放熱用金属７６部分を携帯電話のマザーボードにはんだや放熱シートなどの放熱部材で接続することで、良好な熱分離効果を得ることができる。
【０１０５】
上記以外の本実施の形態５のモジュールＭＡの構成は、前記実施の形態１のモジュールＭＡとほぼ同様である。
【０１０６】
上記のような構成の本実施の形態５のモジュールＭＡによっても、前記実施の形態１のモジュールＭＡと同様の効果を得ることができる。
【０１０７】
（実施の形態６）
次に、図１９を用いて、本実施の形態６のモジュールＭＡを説明する。
【０１０８】
図１９に示すように、本実施の形態６のモジュールＭＡは、発熱を伴う半導体チップＩＣ１が接続されている下のモジュール基板５１のスルーホール形成エリアに放熱用金属７６を埋め込む。これにより、発熱を伴う半導体チップＩＣ１で発生した熱は効率よく基板に拡散し、放熱用金属７６部分を携帯電話のマザーボードにはんだや放熱シートなどの放熱部材で接続することで、良好な熱分離効果を得ることができる。
【０１０９】
加えて、発熱を伴う半導体チップＩＣ１の上に一層以上の放熱用部材７８を、接着、はんだ固着、接触等の方法で配置する。より一層の効果を持たせるには、発熱を伴う半導体チップＩＣ１の上部分の放熱用部材７８の上に、さらに放熱用部材７９を接着、はんだ固着、接触等の方法で配置して、フィルターに影響が出ない範囲で熱を拡散させることで良好な熱分離効果を得ることができる。本構造は、放熱用部材７８のみの構造でもよいし、放熱用部材７８の上に放熱用部材７９を併用してもよい。
【０１１０】
上記以外の本実施の形態６のモジュールＭＡの構成は、前記実施の形態５のモジュールＭＡとほぼ同様である。
【０１１１】
上記のような構成の本実施の形態６のモジュールＭＡによっても、前記実施の形態１のモジュールＭＡと同様の効果を得ることができる。
【０１１２】
（実施の形態７）
次に、図２０を用いて、本実施の形態７のモジュールＭＡを説明する。
【０１１３】
図２０に示すように、本実施の形態７のモジュールＭＡは、発熱を伴う半導体チップＩＣ１が接続されている下のモジュール基板５１のスルーホール形成エリアに放熱用金属７６を埋め込む。これにより、発熱を伴う半導体チップＩＣ１で発生した熱は効率よく基板に拡散し、放熱用金属７６部分を携帯電話のマザーボードにはんだや放熱シートなどの放熱部材で接続することで、良好な熱分離効果を得ることができる。
【０１１４】
加えて、発熱を伴う半導体チップＩＣ１の上に一層以上の放熱用部材７８を、接着、はんだ固着、接触等の方法で配置する。より一層の効果を持たせるために、モジュール外側かつ上部分（端部や側面にあってもよい）に放熱用部材８０を接着、はんだ固着、接触等の方法で配置して、フィルターに影響が出ない範囲で熱を拡散させることで良好な熱分離効果を得ることができる。
【０１１５】
上記以外の本実施の形態７のモジュールＭＡの構成は、前記実施の形態６のモジュールＭＡとほぼ同様である。
【０１１６】
上記のような構成の本実施の形態７のモジュールＭＡによっても、前記実施の形態１のモジュールＭＡと同様の効果を得ることができる。
【０１１７】
（実施の形態８）
次に、図２１を用いて、本実施の形態８のモジュールＭＡを説明する。
【０１１８】
図２１に示すように、本実施の形態８のモジュールＭＡは、発熱を伴う半導体チップＩＣ１が接続されている下のモジュール基板５１のスルーホール形成エリアに放熱用金属７６を埋め込む。これにより、発熱を伴う半導体チップＩＣ１で発生した熱は効率よく基板に拡散し、放熱用金属７６部分を携帯電話のマザーボードにはんだや放熱シートなどの放熱部材で接続することで、良好な熱分離効果を得ることができる。
【０１１９】
加えて、発熱を伴う半導体チップＩＣ１の上に一層以上の放熱用部材７８を、接着、はんだ固着、接触等の方法で配置する。より一層の効果を持たせるために、モジュール外側かつ上部分（端部や側面にあってもよい）に放熱用部材８０を接着、はんだ固着、接触等の方法で配置する。さらに、その放熱用部材８０を接着、はんだ固着、接触等の方法で携帯電話の筐体８１の一部に配置（接触、接着、接続）して、フィルターに影響が出ない範囲で熱を拡散させることで良好な熱分離効果を得ることができる。
【０１２０】
上記以外の本実施の形態８のモジュールＭＡの構成は、前記実施の形態６のモジュールＭＡとほぼ同様である。
【０１２１】
上記のような構成の本実施の形態８のモジュールＭＡによっても、前記実施の形態１のモジュールＭＡと同様の効果を得ることができる。
【０１２２】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
本発明の半導体装置およびその製造方法は、複数の半導体チップおよびチップ部品が搭載された構造の半導体装置およびその製造工程に適用することができる。
【符号の説明】
【０１２４】
５１  モジュール基板
５１Ａ  基板母体
５２  基板側端子
５３Ｇ、５３Ｓ  電極
５４  単体チップ部品
５５  集積チップ部品
５６  モールド樹脂
５８  放熱ビア
６０  コア材
６１  プリプレグ
６２、６２Ａ  内層用Ｃｕ膜
６３  外層用Ｃｕ膜
６４  チップ部品
６５  接続部材
６５Ａ  はんだ
６６  モジュール基板
６６Ａ  基板母体
６７  基板側端子
６７Ａ  基板側端子
６８  耐熱温度の低い集積チップ部品
７０  挿入孔
７１  貫通孔
７２  切り込み
７３  Ｃｕ膜
７４  突起
７５  接着材
７６  放熱用金属
７８  放熱用部材
７９  パッケージ内部の放熱用部材
８０  パッケージ外部の放熱用部材
８１  携帯電話の筐体
１００  高周波モジュール
１０１  ハイバンド入力端子
１０２  ロウバンド入力端子
１０３  電力増幅器
１０４、１０５  電力増幅回路
１０６、１０７、１１５、１１６  スイッチ
１０８、１０９、１１０、１１１、１１２、１１３、１１４  フィルター
１１７、１１８、１１９、１２０、１２１  出力端子
ＢＥ  バンプ電極
ＢＷ  ボンディングワイヤ
ＩＣ１  半導体チップ
Ｌａｙｅｒ１  １層目配線
Ｌａｙｅｒ２  ２層目配線
Ｌａｙｅｒ３  ３層目配線
Ｌａｙｅｒ４  ４層目配線
ＭＡ  モジュール
ＳＬ  シールド層
ＵＦ  アンダーフィル樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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