(57)【要約】【課題】搭載チップ部品のショート不良及びオープン不良を回避し得る電子部品モジュールを提供すること。【解決手段】樹脂モールド部品２におけるモールド樹脂２１と外装樹脂４との熱膨張係数の相対的な関係に着目し、モールド樹脂２１の２５０℃における熱膨張係数αＡを２５０μｍ／℃≦αＡ≦４００μｍ／℃の範囲に設定し、外装樹脂４の２５０℃における熱膨張係数αＢを、７０μｍ／℃≦αＢ≦２００μｍ／℃の範囲に設定する。モールド樹脂２１及び外装樹脂４の弾性率、ガラス転移点を特定された範囲に設定してもよい。【選択図】図１
2011198994.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ部品と、樹脂モールド部品と、基板と、外装樹脂とを含む電子部品モジュールであって、
前記チップ部品は、基体の両端に付着された端子電極を有し、前記基板の一面上に実装され、前記端子電極が前記基板の一面に設けられた導体にハンダ付けされており、
前記樹脂モールド部品は、外面がモールド樹脂によって覆われ、前記チップ部品の実装された前記基板の前記一面に搭載されており、
前記基板は、前記一面とは反対側の他面に接続端子を有しており、
前記外装樹脂は、前記基板の前記一面側において、前記チップ部品及び前記樹脂モールド部品に密着して、これらを覆っており、
前記モールド樹脂は、２５０℃における熱膨張係数αＡが、
２５０μｍ／℃≦αＡ≦４００μｍ／℃
の範囲にあり、
前記外装樹脂は、２５０℃における熱膨張係数αＢが、
７０μｍ／℃≦αＢ≦２００μｍ／℃
の範囲にある、電子部品モジュール。
【請求項２】
チップ部品と、樹脂モールド部品と、基板と、外装樹脂とを含む電子部品モジュールであって、
前記チップ部品は、基体の両端に端子電極を有し、前記基板の一面上に実装され、前記端子電極が前記基板の一面に設けられた導体にハンダ付けされており、
前記樹脂モールド部品は、外面がモールド樹脂によって覆われ、前記チップ部品の実装された前記基板の前記一面に搭載されており、
前記基板は、前記一面とは反対側の他面に接続端子を有しており、
前記外装樹脂は、前記基板の前記一面側において、前記チップ部品及び前記樹脂モールド部品に密着して、これらを覆っており、
前記モールド樹脂は、２５０℃における弾性率βＡが、
２７ＭＰａ≦βＡ≦１５００ＭＰａ
の範囲にあり、
前記外装樹脂は、２５０℃における弾性率βＢが、
０ＭＰａ≦βＢ＜３ＭＰａ
の範囲にある、電子部品モジュール。
【請求項３】
チップ部品と、樹脂モールド部品と、基板と、外装樹脂とを含む電子部品モジュールであって、
前記チップ部品は、基体の両端に端子電極を有し、前記基板の一面上に実装され、前記端子電極が前記基板の一面に設けられた導体にハンダ付けされており、
前記樹脂モールド部品は、外面がモールド樹脂によって覆われ、前記チップ部品の実装された前記基板の前記一面に搭載されており、
前記基板は、前記一面とは反対側の他面に接続端子を有しており、
前記外装樹脂は、前記基板の前記一面側において、前記チップ部品及び前記樹脂モールド部品に密着して、これらを覆っており、
前記モールド樹脂は、ガラス転移点ＴｇＡが、
９５℃≦ＴｇＡ≦１６０℃
の範囲にあり、
前記外装樹脂は、ガラス転移点ＴｇＢが、
７８℃≦ＴｇＢ≦８２℃
の範囲にある、電子部品モジュール。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載された電子部品モジュールであって、
前記樹脂モールド部品は複数であり、そのうちの隣接する前記樹脂モールド部品は、互いに０．５ｍｍ〜２ｍｍの間隔をおいて配置されており、
前記チップ部品の少なくとも一つは、前記間隔内に配置され、前記樹脂モールド部品との間に、０．０５ｍｍ〜０．０８ｍｍの間隔を有している、
電子部品モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装型電子部品モジュールに関する。更に詳しくは、携帯電話等の移動体通信機器に用いられる電子部品モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電子部品モジュールは、その主要な用途である移動体通信機器から要請される高機能化、小型化及び薄型化に応えるべく、益々、高集積化される方向にあり、限られた形状の中に、多種の電子部品が高密度で混載されている。これらの電子部品には、チップ部品及び樹脂モールド部品が含まれている。チップ部品は、基体の両端に付着された端子電極を有し、基板の一面上に実装され、端子電極が基板の一面に設けられた導体にハンダ付けされている。樹脂モールド部品は、外面がモールド樹脂によって覆われ、チップ部品の実装された基板の一面に搭載され、ハンダ付されている。基板は、電子部品を搭載した一面とは反対側の他面に、導体に導通する接続端子を有しており、この接続端子を、マザーボードにハンダ付するようになっている。基板の一面側にはチップ部品及び樹脂モールド部品に密着して覆う外装樹脂が付着されている。このような電子部品モジュールは、例えば特許文献１に開示されている。
【０００３】
ところが、上述した電子部品モジュールを、移動体通信機器などのマザーボード上にハンダ付したとき、電子部品モジュールを構成するチップ部品の端子電極にハンダ不良が発生することがあった。このハンダ不良には、チップ部品の両端に備えられている端子電極間で、電極間距離を狭める方向にハンダが延びる不良モードと、端子電極に付着しているハンダが極端に減少する不良モード、及び、これらの不良が同時に現れる不良モードが含まれていることが確認された。
【０００４】
電極間距離を狭める方向にハンダが延びる不良モードは、最悪の場合には端子電極間ショート不良に至るものであり、端子電極に付着しているハンダが極端に減少する不良モードは、オープン不良を引き起こすものであるから、この種の電子部品モジュールにとって、その機能上、致命傷となりかねない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−９５６３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、搭載チップ部品のショート不良及びオープン不良を回避し得る電子部品モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決するため、本発明は、３つの態様に係る電子部品モジュールを開示する。これらの３つの態様は、個別的に満たしてもよいし、組み合わせてもよい。
【０００８】
第１の態様に係る電子部品モジュールは、チップ部品と、樹脂モールド部品と、基板と、外装樹脂とを含む。前記チップ部品は、基体の両端に付着された端子電極を有し、前記基板の一面上に実装され、前記端子電極が前記基板の一面に設けられた導体にハンダ付けされている。前記樹脂モールド部品は、外面がモールド樹脂によって覆われ、前記チップ部品の実装された前記基板の前記一面に搭載されている。前記基板は、前記一面とは反対側の他面に接続端子を有している。
【０００９】
前記外装樹脂は、前記基板の前記一面側において、前記チップ部品及び前記樹脂モールド部品に密着して、これらを覆っている。
【００１０】
上述した構成は、従来の電子部品モジュールでも見られるところである。ところが、前述したように、この構成の電子部品モジュールを、移動体通信機器などのマザーボード上にハンダ付したとき、電子部品モジュールを構成するチップ部品の端子電極にハンダ不良が発生することがあった。
【００１１】
そこで、第１の態様に係る本発明では、樹脂モールド部品におけるモールド樹脂と外装樹脂との熱膨張係数の相対的な関係に着目した。即ち、
前記モールド樹脂は、２５０℃における熱膨張係数αＡが、
２５０μｍ／℃≦αＡ≦４００μｍ／℃
の範囲にあり、
前記外装樹脂は、２５０℃における熱膨張係数αＢが、
７０μｍ／℃≦αＢ≦２００μｍ／℃
の範囲にある。
【００１２】
樹脂モールド部品におけるモールド樹脂と外装樹脂との熱膨張係数について、上述したような相対的な関係があると、外装樹脂とチップ部品との間に隙間が発生するのを回避することができる。従って、電子部品モジュールを、マザーボードに対してリフローハンダ付け処理をした場合でも、チップ部品にショート不良及びオープン不良を生じることがなくなる。
【００１３】
第２の態様に係る電子部品モジュールは、モールド樹脂及び外装樹脂の弾性率に着目したもので、
前記モールド樹脂は、２５０℃における弾性率βＡが、
２７ＭＰａ≦βＡ≦１５００ＭＰａ
の範囲にあり、
前記外装樹脂は、２５０℃における弾性率βＢが、
０ＭＰａ≦βＢ＜３ＭＰａ
の範囲にある。
【００１４】
この場合には、モールド樹脂の膨張を外装樹脂によって押さえつける作用が生まれるので、外装樹脂がチップ部品の外面から剥離して両者間に隙間が発生するのを回避することができる。
【００１５】
第３の態様に係る電子部品モジュールは、モールド樹脂と外装樹脂のガラス転移点Ｔｇに着目したもので、前記モールド樹脂は、ガラス転移点ＴｇＡが、
９５℃≦ＴｇＡ≦１６０℃
の範囲にあり、
前記外装樹脂は、ガラス転移点ＴｇＢが、
７８℃≦ＴｇＢ≦８２℃
の範囲にある。
【００１６】
この第３の態様においても、外装樹脂がチップ部品の外面から剥離して両者間に隙間が発生するのを回避することができる。
【００１７】
第１態様〜第３態様に係る条件を、個別的に満たしてもよいし、そのいくつかを組み合わせてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
以上述べたように、本発明によれば、搭載チップ部品のショート不良及びオープン不良を回避し得る電子部品モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る電子部品モジュールの部分断面図である。
【図２】図１に示した電子部品モジュールにおいて外装樹脂を省略した平面図である。
【図３】図１及び図２に示した電子部品モジュールをマザーボードに実装した状態を示す部分断面図である。
【図４】従来の電子部品モジュールの問題点を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１及び図２を参照すると、本発明に係る電子部品モジュールは、チップ部品１と、樹脂モールド部品２と、基板３と、外装樹脂４とを含む。チップ部品１は、基体１１の両端に付着された端子電極１２、１３を有し、基板３の一面上に実装され、端子電極１２、１３が基板３の一面に設けられた導体１４に、ハンダ１５によってハンダ付されている。
【００２１】
チップ部品１は、電子モジュールの種類、回路構成に応じて種々選択される。主なものは、チップ状セラミックコンデンサ、チップ状インダクタ、チップ状抵抗、又は、それらの複合部品などである。その個数及び配置位置なども種々変更される。
【００２２】
樹脂モールド部品２は、外面がモールド樹脂２１によって覆われ、チップ部品１の実装された基板３の一面に搭載されている。樹脂モールド部品２は、その内部に、回路素子２２を有しており、この回路要素２２の全体を、モールド樹脂２１によってモールドした構造になっている。回路要素２２は、半導体素子や、弾性表面波素子などであり、これらに対する応力緩和の観点から、モールド樹脂２１は比較的柔らかい合成樹脂で構成される。
【００２３】
移動体通信機器に用いられる電子部品モジュールでは、樹脂モールド部品２は、一般には、複数であり、そのうちの隣接する樹脂モールド部品２は、互いに０．５ｍｍ〜２ｍｍの間隔Ｘ１をおいて配置されている。チップ部品１の少なくとも一つは、間隔Ｘ１の内部に配置され、樹脂モールド部品２との間に、０．０５ｍｍ〜０．０８ｍｍの間隔Ｘ２、Ｘ３を有しており、部品搭載間隔の縮小、及び、チップ部品１の小型化により、集積度の高度化が図られている。
【００２４】
基板３は、一面とは反対側の他面に接続端子３１を有している。基板３は、一般には、ＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミック基板）で構成される。
【００２５】
外装樹脂４は、基板３の前記一面側において、チップ部品１及び樹脂モールド部品２に密着して、これらを覆っている。
【００２６】
上述した構成は、従来の電子部品モジュールでも見られるところである。ところが、前述したように、この構成の電子部品モジュールを、移動体通信機器などのマザーボード上にハンダ付したとき、電子部品モジュールを構成するチップ部品１の端子電極１２、１３にハンダ不良が発生することがあった。その原因について、図４を参照して説明する。
【００２７】
図４を参照すると、電子部品モジュールＭは、マザーボード５の一面上に形成された導体パターン５１に対して、その接続端子３１が、ハンダ５２によってハンダ付されている。電子部品モジュールＭにおいて、基板３の一面には、チップ部品１と樹脂モールド部品２とが、高集積度で実装されており、外装樹脂４が、チップ部品１及び樹脂モールド部品２に密着してこれらを覆っている。この電子部品モジュールＭを、マザーボード５の導体パターン５１にハンダ５２によってハンダ付するに当たり、リフロー処理に付した場合、樹脂モールド部品２のモールド樹脂２１と外装樹脂４との間に、それらの熱膨張係数の違いに起因して熱応力差（Ｆ１−Ｆ２）が発生する。この熱応力差（Ｆ１−Ｆ２）により、外装樹脂４を押し上げるような熱応力が発生する。外装樹脂４は、チップ部品１の外面に密着しているが、上述した熱応力が密着力よりも大きくなると、外装樹脂４がチップ部品１の外面から剥離して両者間に隙間Ｇが発生する。
【００２８】
一方、リフロー熱処理により、端子電極１２、１３に付着しているハンダ１４が溶融する。この溶融したハンダ１４が、図４に図示するように、上述した隙間Ｇに流れ込み、ショート不良を発生する。また、外装樹脂４のチップ部品１への密着力が大きい場合には、熱応力によりチップ部品１が外装樹脂４に持ち上げられ、端子電極１２、１３の少なくとも一つが基板３より離されてしまい、オープン不良を発生する。
【００２９】
上述した問題を解決する一つの手段は、チップ部品１のハンダ付に用いられるハンダ１５の融点を、電子部品モジュールＭをマザーボード５にハンダ付する際のハンダ５２の融点よりも高くすることである。具体的には、電子部品モジュールＭをマザーボード５にハンダ付する際には２５０℃前後であるので、電子部品モジュールＭのチップ部品１や樹脂モールド部品２を、融点２５０℃以上のハンダ１５でハンダ付することである。
【００３０】
しかし、基板３上に混載されているチップ部品１及び樹脂モールド部品２は、電磁気的特性が異なる上に、温度特性、耐熱特性も互いに異なるものであり、ハンダ付による特性の熱的劣化、特性変動を回避するため、一般には、融点２２０℃前後のハンダ１５を用いてハンダ付される。これを、融点２５０℃以上でハンダ付すると、本来要求される特性を維持することができなくなる。
【００３１】
この問題を解決するため、第１の態様では、樹脂モールド部品２におけるモールド樹脂２１と外装樹脂４との熱膨張係数の相対的な関係に着目した。即ち、
モールド樹脂２１は、２５０℃における熱膨張係数αＡが、
２５０μｍ／℃≦αＡ≦４００μｍ／℃
の範囲にあり、
外装樹脂４は、２５０℃における熱膨張係数αＢが、
７０μｍ／℃≦αＢ≦２００μｍ／℃
の範囲にある。
【００３２】
樹脂モールド部品２におけるモールド樹脂２１と外装樹脂４との熱膨張係数αＡ、αＢについて、上述したような相対的な関係があると、外装樹脂４を押し上げる熱応力を低減させ、外装樹脂４がチップ部品１の外面から剥離して両者間に隙間Ｇが発生するのを回避することができる。
【００３３】
従って、図３に図示するように、チップ部品１や樹脂モールド部品２を、融点２２０℃前後のハンダ１５でハンダ付した電子部品モジュールＭを、マザーボード５に対して２５０℃前後の温度でリフローハンダ付け処理をした場合でも、チップ部品１にショート不良及びオープン不良を生じることがなくなる。この点について、繰り返しリフロー試験データをあげて説明する。
【００３４】
＜試験１＞
樹脂モールド部品２のモールド樹脂２１として、２５０℃における熱膨張率αＡが、２５０μｍ／℃の樹脂（例えばエポキシ系）を用い、外装樹脂４として、２５０℃における熱膨張率αＢが、５０μｍ／℃、６０μｍ／℃、７０μｍ／℃、１００μｍ／℃、１５０μｍ／℃、２００μｍ／℃、２２０μｍ／℃と段階的に変えた７種の樹脂（例えばエポキシ系）を用いた電子部品モジュールのサンプルを、繰り返しリフロー試験に付した。樹脂モールド部品２は、ＳＡＷフィルタ（表面波弾性波フィルタ）であり、チップ部品１は、セラミック・チップコンデンサを含んでいる。
【００３５】
繰り返しリフロー試験に先立ち、その前処理として、加速吸湿処理を行った。加速吸湿処理に当たっては、１２５℃、２４時間の加熱処理を行った後、３０℃、６０％ＲＨの加湿環境に１９２時間曝した。試験に供されたサンプルの個数は、上述した７種のサンプル毎に１００個である。
【００３６】
この後、上述した各サンプルを、２５０℃に保たれたリフロー炉に各２０回繰り返し通炉し、ショート不良及びオープン不良を検査した。結果を表１に示してある。
【００３７】
表１
2011198994.tif 000003
【００３８】
＜試験２＞
樹脂モールド部品２のモールド樹脂２１として、２５０℃における熱膨張率αＡが、４００μｍ／℃のエポキシ系樹脂を用いたほかは、試験１と同様にして、ショート不良及びオープン不良を検査した。結果を表２に示してある。
【００３９】
表２ 
2011198994.tif 000004
【００４０】
表１、２を見ると明らかなように、モールド樹脂２１の２５０℃における熱膨張係数αＡが、２５０μｍ／℃≦αＡ≦４００μｍ／℃の範囲にあれば、外装樹脂４として、２５０℃における熱膨張係数αＢが、７０μｍ／℃≦αＢ≦２００μｍ／℃の範囲にあるものを用いれば、オープン不良も、ショート不良も発生しない。モールド樹脂２１の２５０℃における熱膨張係数αＡが、２５０μｍ／℃≦αＡ≦４００μｍ／℃の範囲にあっても、外装樹脂４として、２５０℃における熱膨張係数αＢが、７０μｍ／℃より小さい範囲では、オープン不良が発生し、２００μｍ／℃を超えるとショート不良を発生する。
【００４１】
次に、第２の態様に係る電子部品モジュールについて説明する。第２の態様に係る電子部品モジュールは、モールド樹脂２１及び外装樹脂４の弾性率に着目したもので、
モールド樹脂２１は、２５０℃における弾性率βＡが、
２７ＭＰａ≦βＡ≦１５００ＭＰａ
の範囲にあり、
外装樹脂４は、２５０℃における弾性率βＢが、
０ＭＰａ≦βＢ＜３ＭＰａ
の範囲にある。
【００４２】
即ち、外装樹脂４を、モールド樹脂２１よりも硬いものによって構成する。その硬さの程度は、上述した数値範囲で表される。この場合には、モールド樹脂２１の膨張を外装樹脂４によって押さえつける作用が生まれるので、外装樹脂４がチップ部品１の外面から剥離して両者間に隙間が発生するのを回避することができる。従って、チップ部品１や樹脂モールド部品２を、融点２２０℃前後のハンダでハンダ付した電子部品モジュールを、マザーボードに対して２５０℃前後の温度でリフローハンダ付け処理をした場合でも、チップ部品１にショート不良及びオープン不良を生じることがなくなる。次に、繰り返しリフロー試験データをあげて説明する。
【００４３】
＜試験３＞
樹脂モールド部品２のモールド樹脂２１として、２５０℃における弾性率βＡが、２７ＭＰａの樹脂（例えばエポキシ系）を用い、外装樹脂４として、２５０℃における弾性率βＢが、それぞれ、０．３ＭＰａ、１．０ＭＰａ、２．３ＭＰａ、３．１ＭＰａである樹脂（例えばエポキシ系）を用いた４種の電子部品モジュールのサンプルを、繰り返しリフロー試験に付した。樹脂モールド部品２は、ＳＡＷフィルタ（表面波弾性波フィルタ）であり、チップ部品１は、セラミック・チップコンデンサを含んでいる。
【００４４】
繰り返しリフロー試験に先立ち、その前処理として、加速吸湿処理を行った。加速吸湿処理に当たっては、１２５℃、２４時間の加熱処理を行った後、３０℃、６０％ＲＨの加湿環境に１９２時間曝した。試験に供されたサンプルの個数は、上述した４種のサンプル毎に１００個である。
【００４５】
この後、上述した各サンプルを、２５０℃に保たれたリフロー炉に各２０回繰り返し通炉し、ショート不良及びオープン不良を検査した。結果を表３に示してある。弾性率及び熱膨張率は、全て、２５０℃の値である。さらに、弾性率及び熱膨張率は、以下の方法で測定した。まず、測定に使用する樹脂試料は、長さ７ｍｍ、幅７ｍｍ、厚さ１．２５ｍｍの形状に加工したものを予め準備した。測定装置は、動的粘弾性測定装置を用い、樹脂試料を装置の試料台に装着する。この状態で測定を開始するが、測定は樹脂試料へある一定の荷重を加え、その時の押し込み量を規定し、そこに温度を加えてながら、ある規定の周期で樹脂試料に発生した実荷重と樹脂試料の変形量を取り込む。その数値から弾性率と熱膨張率を算出した。測定は、次の条件で行った。樹脂試料へ加えた荷重は５Ｎ、押込み量２μｍ、取り込み周期１Ｈｚ、温度可変範囲３０〜２６０℃で実施した。
【００４６】
表３
2011198994.tif 000005
【００４７】
＜試験４＞
樹脂モールド部品２のモールド樹脂２１として、２５０℃における弾性率βＡが、１０７１ＭＰａの樹脂を用いたほかは、試験３と同様にして、ショート不良及びオープン不良を検査した。結果を表２に示してある。
【００４８】
表４
2011198994.tif 000006
【００４９】
＜試験５＞
樹脂モールド部品２のモールド樹脂２１として、２５０℃における弾性率βＡが、１４１２ＭＰａの樹脂を用いたほかは、試験３と同様にして、ショート不良及びオープン不良を検査した。結果を表５に示してある。
【００５０】
表５
2011198994.tif 000007
【００５１】
＜試験６＞
樹脂モールド部品２のモールド樹脂２１として、２５０℃における弾性率βＡが、１５３５ＭＰａの樹脂を用いたほかは、試験３と同様にして、ショート不良及びオープン不良を検査した。結果を表６に示してある。
【００５２】
表６
2011198994.tif 000008
【００５３】
表３〜表６を見ると明らかなように、モールド樹脂２１の２５０℃における弾性率βＡが、２７ＭＰａ≦βＡ≦１５００ＭＰａの範囲にあり、外装樹脂４の２５０℃における弾性率βＢが、０ＭＰａ≦βＢ＜３ＭＰａの範囲にあれば、チップ部品１にオープン不良、ショート不良は発生しない。モールド樹脂２１の２５０℃における弾性率βＡについて、２７ＭＰａよりも小さい領域についてのデータを採取しなかったのは、実際の電子部品モジュールでは、そのような弾性率のモールド樹脂を用いた樹脂モールド部品はないからである。
【００５４】
更に、第３の態様に係る電子部品モジュールについて説明する。第３の態様に係る電子部品モジュールは、モールド樹脂２１と外装樹脂４のガラス転移点Ｔｇに着目したもので、モールド樹脂２１は、ガラス転移点ＴｇＡが、
９５℃≦ＴｇＡ≦１６０℃
の範囲にあり、
外装樹脂４は、ガラス転移点ＴｇＢが、
７８℃≦ＴｇＢ≦８２℃
の範囲にある。
【００５５】
この第３の態様においても、外装樹脂４がチップ部品１の外面から剥離して両者間に隙間が発生するのを回避することができる。従って、チップ部品１や樹脂モールド部品２を、融点２２０℃前後のハンダでハンダ付した電子部品モジュールを、マザーボードに対して２５０℃前後の温度でリフローハンダ付け処理をした場合でも、チップ部品１にショート不良及びオープン不良を生じることがなくなる。次に、繰り返しリフロー試験データをあげて説明する。
【００５６】
＜試験７＞
樹脂モールド部品２のモールド樹脂２１として、ガラス転移点ＴｇＡが９５℃である樹脂（例えばエポキシ系）を用い、外装樹脂４として、ガラス転移点ＴｇＢが、５１℃、７８℃、８２℃、１０６℃である樹脂を用いた４種の電子部品モジュールのサンプルを、繰り返しリフロー試験に付した。樹脂モールド部品２は、ＳＡＷフィルタ（表面波弾性波フィルタ）であり、チップ部品１は、セラミック・チップコンデンサを含んでいる。
【００５７】
試験の前処理として、加速吸湿処理を行った。加速吸湿処理に当たっては、１２５℃、２４時間の加熱処理を行った後、３０℃、６０％ＲＨの加湿環境に１９２時間曝した。試験に供されたサンプルの個数は、上述した４種のサンプル毎に１００個である。
【００５８】
この後、上述した各サンプルを、２５０℃に保たれたリフロー炉に各２０回繰り返し通炉し、ショート不良及びオープン不良を検査した。結果を表７に示してある。熱膨張率αＡ、αＢは、２５０℃のときの値である。
【００５９】
表７
2011198994.tif 000009
【００６０】
＜試験８＞
樹脂モールド部品２のモールド樹脂２１として、ガラス転移点が１２４℃の樹脂を用いたほかは、試験７と同様にして、ショート不良及びオープン不良を検査した。結果を表８に示してある。
【００６１】
表８ 
2011198994.tif 000010
【００６２】
＜試験９＞
樹脂モールド部品２のモールド樹脂２１として、ガラス転移点が１６０℃のエポキシ系樹脂を用いたほかは、試験７と同様にして、ショート不良及びオープン不良を検査した。結果を表９に示してある。
【００６３】
表９
2011198994.tif 000011
【００６４】
＜試験１０＞
樹脂モールド部品２のモールド樹脂２１として、ガラス転移点が１８６℃の樹脂を用いたほかは、試験７と同様にして、ショート不良及びオープン不良を検査した。結果を表１０に示してある。
【００６５】
表１０
2011198994.tif 000012
【００６６】
表７〜表１０を見ると明らかなように、モールド樹脂２１のガラス転移点ＴｇＡが、
９５℃≦ＴｇＡ≦１６０℃の範囲にあり、外装樹脂４のガラス転移点ＴｇＢが、
７８℃≦ＴｇＢ≦８２℃の範囲にあれば、チップ部品１にオープン不良、ショート不良は発生しない。
【００６７】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【符号の説明】
【００６８】
１                    チップ部品
２                    樹脂モールド部品
２１                    モールド樹脂
【図１】
2011198994.tif 000013
【図２】
2011198994.tif 000014
【図３】
2011198994.tif 000015
【図４】
2011198994.tif 000016