(57)【要約】【課題】露光工程において、光学系は徐々に汚染され、曇りが発生する。この曇りにより、露光に用いる紫外光が散乱し、迷光が発生する。フォトレジスト内にこの迷光が入ると、レチクルのパターンと重なって迷光が入射した領域が露光されるため、レチクルのパターンを正確にフォトレジストへ転写することが困難となる課題がある。【解決手段】レチクルブラインド１０７に光を照射し、レチクルブラインド１０７の開口部を通過した光束を得る。そしてステージ１１０に合焦させ、前記開口部と相似した形状を含む画像を得る。そして、この開口部と相似した画像の領域よりも広い範囲で光束の強度分布を測定する。そして、前記画像の領域の光強度と、それよりも外側の領域の光強度が、予め定められた割合以上の場合に、保守作業を行うことで、レチクル１０のパターンをフォトレジスト１１に対して正確に転写することを可能とする。【選択図】図４
2011198990.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影露光装置の迷光を測定する測定方法であって、
前記投影露光装置は、
光源と、
光源からの光を受ける開口部を備えた遮蔽物と、
前記開口部を通過して得られた光束を合焦するレンズと、
前記レンズで合焦された光束を、前記開口部と相似した形状を含む画像として投影するステージと、
を有する投影露光装置であって、
前記光源から発せられた光を、前記画像としてステージに投影する工程と、
前記画像の領域よりも広い範囲で前記光束の強度分布を測定する工程と、
を含むことを特徴とする投影露光装置の迷光を測定する測定方法。
【請求項２】
請求項１に記載の測定方法であって、
前記開口部の寸法は変更可能であり、前記開口部を最大寸法まで開口した状態で前記光束の強度を測定することを特徴とする投影露光装置の迷光を測定する測定方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の測定方法であって、前記光束の強度は一つの光量センサーを前記画像内外に移動させることで前記光束の強度分布を測定することを特徴とする投影露光装置の迷光を測定する測定方法。
【請求項４】
投影露光装置の露光方法であって、
前記投影露光装置は、
光源と、
光源からの光を受ける開口部を備えた遮蔽物と、
前記開口部を通過して得られた光束を合焦するレンズと、
前記レンズで合焦された光束を、前記開口部と相似した形状を含む画像として投影するステージと、
を有する投影露光装置であって、
前記光源から発せられた光を、前記画像としてステージに投影する工程を含み、
前記画像の領域の光強度に対する、前記画像の領域よりも外側の領域の光強度の割合が、予め定められた値未満であった場合に、前記光束が照射される範囲以下の転写領域を備えたレチクルを用いて露光することを特徴とする投影露光装置の露光方法。
【請求項５】
請求項４に記載の露光方法であって、
予め定められた前記割合は、水銀ランプのｉ線を光源に用いた場合には１０％、ＫｒＦエキシマレーザーを用いた場合には１％であることを特徴とする投影露光装置の露光方法。
【請求項６】
投影露光装置の保守方法であって、
前記投影露光装置は、
光源と、
光源からの光を受ける開口部を備えた遮蔽物と、
前記開口部を通過して得られた光束を合焦するレンズと、
前記レンズで合焦された光束を、前記開口部と相似した形状を含む画像として投影するステージと、
を有する投影露光装置であって、
前記光源から発せられた光を、前記画像としてステージに投影する工程を含み、
前記画像の領域の光強度に対する、前記画像の領域よりも外側の領域の光強度の割合が、予め定められた値以上であった場合に、保守作業を行うことを特徴とする投影露光装置の保守方法。
【請求項７】
請求項６に記載の保守方法であって、
予め定められた前記割合は、水銀ランプのｉ線を光源に用いた場合には１０％、ＫｒＦエキシマレーザーを用いた場合には１％であることを特徴とする投影露光装置の保守方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の保守方法であって、
前記保守方法は、水を用いて清掃した後、エタノールを用いて清掃し、乾燥させる工程を含むことを特徴とする投影露光装置の保守方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、投影露光装置の迷光を測定する測定方法、投影露光装置の露光方法、および投影露光装置の保守方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の形成には、ウェファーに重ねてフォトレジストを塗布し、乾燥させた後、露光することでパターン形成を行う工程が広く用いられている。ここで、フォトレジストを露光するための装置としては投影露光装置が広く用いられている。
【０００３】
そして、投影露光装置の中でも、レチクル（光学マスク）の寸法を、１／５程度に縮小して露光する縮小露光装置が近年用いられてきている。縮小露光装置を用いることで、レチクルに付着した塵埃等の影響を低減することが可能となる（縮小比分だけ小さくなって結像されるため、塵埃の影響は、実効的にはこの場合、１／５に圧縮される）。
【０００４】
縮小露光装置を用いて露光を行う際には、短波長の紫外光を用いることで、回折を抑えることができ、より微細なパターンを形成することが可能となる。そのため、例えば水銀ランプのｉ線（波長３６５ｎｍ）や、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）に代表される紫外光が露光用の光源として好適に用いられている。
【０００５】
レチクルのパターンを正確にフォトレジストへ転写するためには、光源とウェファーとの間にある、縮小露光装置が備える光学系内での迷光発生を抑えることが重要な課題となる。迷光とは、正規の反射や屈折以外の原因によって生じる望ましくない光を意味し、例えば、レンズの汚れやキズによる散乱等によって発生する。
【０００６】
露光工程においては、紫外線により分解された物質が光学系に付着し、光学系は徐々に汚染され、曇りが発生する。この曇りにより、露光に用いる紫外光が散乱し、迷光が発生する。フォトレジストを露光する際、迷光が入ると、本来露光しない所が露光されるため、レチクルのパターンを正確にフォトレジストへ転写することが困難となる。
【０００７】
そのため、特許文献１に示されているように、ダミーウェファーにフォトレジストを塗布し、乾燥させた後、遮光層を備えるレチクルを用いて露光量を１ショット毎に変えながら露光した後現像し、迷光に伴うパターン形状の変化を、パターン計測装置を用いて測定することで、迷光の光量を測定する方法が知られている。この方法を用いることで、迷光の光量が転写不良を起こさない光量であるうちに、光学系を洗浄することで不良発生を抑制できると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−２７１９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記の方法を用いて迷光の光量を測定する場合、専用のレチクルを必要とするため、検査コストが高くなるという課題がある。また、モニター用のウェファーや、露光・現像工程を要し、さらにパターン計測装置を用いてパターン幅の測定を行うため、検査に時間がかかるという課題がある。また、パターン幅を変動させる要因としては、フォトレジストの厚さむらや、現像条件の揺らぎ、パターン計測装置の誤差等、複数の要因があるため、純粋に迷光の光量を測定することが難しいという課題がある。そのため、上記の方法を用いた場合、迷光の光量を定量化することが難しく、どの時点で洗浄や部品交換を行うべきかが不明確になるという課題がある。
また、パターン露光を行うため、迷光が当該パターン（光を遮る領域）と重なる光軸範囲で発生している場合、迷光量を過小評価してしまうという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり以下の形態または適用例として実現することが可能である。
なお、以下の説明における光強度とは、例えば照度（単位面積、単位時間あたりの光エネルギー）を意味し、単位はＪ／ｓｅｃ／ｃｍ2である。照度と露光時間の積が光量（露光量）で、単位はＪ／ｃｍ2である。したがって、照度と光量は、露光時間がわかれば、同一の測定方法で換算可能な関係にある。つまり、照度（光強度）を測定することと、光量を測定することは同じことを意味する。
【００１１】
［適用例１］本適用例にかかる測定方法は、投影露光装置の迷光を測定する測定方法であって、前記投影露光装置は、光源と、光源からの光を受ける開口部を備えた遮蔽物と、前記開口部を通過して得られた光束を合焦するレンズと、前記レンズで合焦された光束を、前記開口部と相似した形状を含む画像として投影するステージと、を有する投影露光装置であって、前記光源から発せられた光を、前記画像としてステージに投影する工程と、前記画像の領域よりも広い範囲で前記光束の強度分布を測定する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
これによれば、画像外の光強度を検出することが可能となる。原理的には、画像外では光束は存在しないが、光源からステージの間の光学系の汚染により、迷光が発生し、この迷光が検出される。そのため、光学系の光路に付着した汚染による迷光の変化を直接測定することが可能となる。また、開口部全面の光を通過させるため、開口部全面における迷光を捉えることが可能となる。
【００１３】
これによれば、専用のレチクルや、モニター用のウェファー、およびその露光・現像・パターン計測が不要なため、測定にかかる時間を短縮し、コストを低減することが可能となる。また、フォトレジストの厚さむらや、現像条件の揺らぎ、パターン計測装置の誤差等の複数の要因がなくなるため、純粋に迷光の強度のみを測定することが可能となる。また、パターン露光を行なわないため、迷光がパターン（光を遮る領域）と重なる光軸範囲で発生して、迷光量を過小評価することもない。
【００１４】
［適用例２］上記適用例にかかる投影露光装置の迷光を測定する測定方法であって、前記開口部の寸法は変更可能であり、前記開口部を最大寸法まで開口した状態で前記光束の強度を測定することを特徴とする。
【００１５】
上記した測定方法によれば、最大寸法まで開口された状態での迷光を測定することができる。そのため、最も広い範囲での迷光強度を把握することが可能となる。
【００１６】
［適用例３］上記適用例にかかる投影露光装置の迷光を測定する測定方法であって、前記光束の強度は一つの光量センサーを前記画像内外に移動させることで前記光束の強度分布を測定することを特徴とする。
【００１７】
上記した測定方法によれば、同一の光量センサーを用いて測定するため、複数の光量センサーを用いる場合と比べ、光量センサー間のばらつきの影響を受けず、相対的に正確な光強度を測定することが可能となる。
【００１８】
［適用例４］本適用例にかかる露光方法は、投影露光装置の露光方法であって、前記投影露光装置は、光源と、光源からの光を受ける開口部を備えた遮蔽物と、前記開口部を通過して得られた光束を合焦するレンズと、前記レンズで合焦された光束を、前記開口部と相似した形状を含む画像として投影するステージと、を有する投影露光装置であって、前記光源から発せられた光を、前記画像としてステージに投影する工程を含み、前記画像の領域の光強度に対する、前記画像の領域よりも外側の領域の光強度の割合が、予め定められた値未満であった場合に、前記光束が照射される範囲以下の転写領域を備えたレチクルを用いて露光することを特徴とする。
【００１９】
これによれば、開口部はレチクルの転写領域と対応する領域を含んでいるため、レチクルの転写領域内での迷光強度が測定できる。そのため、迷光強度を把握した上で露光工程を行うことが可能となる。
【００２０】
［適用例５］上記適用例にかかる投影露光装置の露光方法であって、予め定められた前記割合は、水銀ランプのｉ線を光源に用いた場合には１０％、ＫｒＦエキシマレーザーを用いた場合には１％であることを特徴とする。
【００２１】
上記した露光方法によれば、経験的に、この割合の迷光が発生した場合に、迷光による不良が発生しているため、迷光がこの割合未満であれば、迷光により発生する不良を未然に防いで露光を行うことが可能となる。
【００２２】
［適用例６］本適用例にかかる保守方法は、投影露光装置の保守方法であって、前記投影露光装置は、光源と、光源からの光を受ける開口部を備えた遮蔽物と、前記開口部を通過して得られた光束を合焦するレンズと、前記レンズで合焦された光束を、前記開口部と相似した形状を含む画像として投影するステージと、を有する投影露光装置であって、前記光源から発せられた光を、前記画像としてステージに投影する工程を含み、前記画像の領域の光強度に対する、前記画像の領域よりも外側の領域の光強度の割合が、予め定められた値以上であった場合に、保守作業を行うことを特徴とする。
【００２３】
これによれば、予め定められた割合以上の迷光が測定により検出された場合に保守作業を行うことで、迷光により発生する不良を未然に防ぐことが可能となる。
【００２４】
［適用例７］上記適用例にかかる保守方法であって、予め定められた前記割合は、水銀ランプのｉ線を光源に用いた場合には１０％、ＫｒＦエキシマレーザーを用いた場合には１％であることを特徴とする。
【００２５】
上記した保守方法によれば、経験的に、この割合の迷光が発生した場合に、迷光による不良が発生しているため、この割合の迷光が発生した場合に保守を行うことで、迷光により発生する不良を未然に防ぐことが可能となる。
【００２６】
［適用例８］上記適用例にかかる保守方法であって、前記保守方法は、水を用いて清掃した後、エタノールを用いて清掃し、乾燥させる工程を含むことを特徴とする。
【００２７】
上記した保守方法によれば、人体に有害な物質を用いることなく、保守を行うことが可能となる。また、エタノールを用いて清掃し乾燥させることで、ウォーターマーク等の発生を抑えて乾燥させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本実施形態に係る露光装置の概略図。
【図２】レチクルに対するレチクルブラインドの位置を説明するための斜視概略図。
【図３】ステージに、基板に代えて光量センサーを搭載した状態を示す平面図。
【図４】迷光の測定および手順を示すフローチャート。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、相対光強度分布を示す相対光束強度マップ。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明を具体化した実施形態について、図面に基づいて説明する。図１は、本実施形態に係る露光装置の概略図である。
【００３０】
図１に示した露光装置１は、水銀ランプ１０１、楕円鏡１０２、シャッター１０３、反射鏡１０４、干渉フィルター１０５、フライアイレンズ１０６、遮蔽物としてのレチクルブラインド１０７、反射鏡１０８、コンデンサーレンズ１０９、投影光学部ＰＬ、結像面としてのステージ１１０を備えている。ここで、本図においては、露光装置１の構成要素に加え、レチクル１０、フォトレジスト１１、ウェファー１２、フォトレジスト１１とウェファー１２とを合わせた基板Ｗについても記載している。
【００３１】
ここで、楕円鏡１０２、シャッター１０３、反射鏡１０４、干渉フィルター１０５、フライアイレンズ１０６、反射鏡１０８、コンデンサーレンズ１０９、投影光学部ＰＬを以下、光学系と呼称する。
【００３２】
露光装置１は、マスクパターンが形成されたマスク（以下、レチクルと記載する）１０をコンデンサーレンズ１０９と投影光学部ＰＬとの間に搭載し、レチクル１０のマスクパターンを縮小して（例えば１／５程度）フォトレジスト１１が塗布されたウェファー１２（以下、合わせて基板Ｗと記載する）に転写するものである。
【００３３】
ここで水銀ランプ１０１は、露光用の発光源として機能しており、ｇ線（波長４３６ｎｍ）やｉ線（波長３６５ｎｍ）等の輝線を発光する。楕円鏡１０２は、楕円鏡１０２の焦点近傍に配置された水銀ランプ１０１から発光された光を１方向に収束させることで、光密度を向上させている。ここで、水銀ランプ１０１と楕円鏡１０２を合わせたものが光源として機能している。
【００３４】
シャッター１０３は、基板Ｗに供給される積分光量を制御すると共に、後述するステージ１１０の移動中での遮光を行う機能を備えている。反射鏡１０４は、光軸を変えて光学系を収めることで、露光装置１の小型化に寄与している。干渉フィルター１０５は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）を選択的に透過させる機能を備えている。干渉フィルター１０５は、水銀ランプ１０１に代えて単色性が高いＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）等を用いる場合には省略可能である。また、レーザー光は射出方向が揃っていることから、この場合には楕円鏡１０２も省略可能である。フライアイレンズ１０６は、コンデンサーレンズ１０９と合わせて、干渉フィルター１０５を透過した光の照度分布を均一にする機能を備えている。
【００３５】
レチクルブラインド１０７は、開口部の径を可変できるよう構成されており、開口部の径を制御することでレチクルブラインド１０７を通過する光束を絞る。そのため、レチクル１０にはレチクルブラインド１０７により狭められた光束が照射される。このように光を絞った光束を提供することで、レチクル１０の必要な部分にのみ光束が通過する。
【００３６】
反射鏡１０８は、反射鏡１０４と同様、光軸を変えて光学系を収めることで、露光装置１の小型化に寄与している。コンデンサーレンズ１０９は、上述したフライアイレンズ１０６と合わせて、干渉フィルター１０５を透過した光の照度分布を均一にする機能を備えている。投影光学部ＰＬは、物体面に配置されるレチクル１０のパターンを、像面に配置される基板Ｗに投影する。投影光学部ＰＬの投影倍率は１／Ｎに設定されている。本実施形態において、投影光学部ＰＬは投影倍率１／５の縮小系である。なお、投影光学部ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれであってもよい。また、投影光学部ＰＬは、光学特性の補正を行う図示せぬ結像特性制御装置を有しており、この結像特性制御装置を用いて投影光学部ＰＬの投影倍率や収差（像面湾曲、歪曲収差等）などの光学特性が調整される。
【００３７】
ステージ１１０は、図示せぬ駆動機構（例えばリニアモーター）を備え、露光を行う光の光軸と交差する方向（本実施形態では直交した場合を示す）に基板Ｗを移動させ、レチクル１０に描かれたパターンを基板Ｗに転写させている。さらに、ステージ１１０は光軸方向にも移動可能に設けられ、θ方向（光軸回りの回転方向）にも移動可能に設けられている。
【００３８】
次に、露光装置１を用いて基板Ｗを露光する工程について説明する。前提条件として、ステージ１１０に投影された画像の領域の光強度に対する、迷光強度の割合が、ｉ線を用いた場合にはおおよそ１０％、ＫｒＦエキシマレーザーを用いた場合には１％未満となっているものとする。まず、シャッター１０３を閉じた状態で水銀ランプ１０１を点灯する。楕円鏡１０２は水銀ランプ１０１が発する光の方向を揃えて射出させるようになっている。次に、基板Ｗやレチクル１０の傾きを図示せぬステッピングモーター等を用いた補正装置により補正する。次に、レチクル１０の必要な部分に光を照射すべくレチクルブラインド１０７の開口を制御する。
【００３９】
ここで、レチクルブラインド１０７について説明する。図２は、レチクルに対するレチクルブラインドの位置を説明するための斜視概略図である。４枚の長方形のブラインド１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄにより構成されるレチクルブラインド１０７はフライアイレンズ１０６と反射鏡１０８との間に設けられている。４枚のブラインド１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄそれぞれは、レチクル１０の上下左右それぞれの辺に対して、光が照射される領域を絞っている。そして、隣接するブラインド１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄは、各々部分的に重なり合うよう可動性を備え、絞り量を変えられるよう構成されている。ここで、レチクル１０とレチクルブラインド１０７は光学的には重なっているが、機械的には離れている。図２においては、レチクル１０は点線で示している。
【００４０】
次に、最初のショット位置に基板Ｗが位置するようステージ１１０を移動する。ここまでの工程は順不同で行っても良い。次に、シャッター１０３を開き、水銀ランプ１０１から発せられた光を反射鏡１０４、干渉フィルター１０５、フライアイレンズ１０６、レチクルブラインド１０７、反射鏡１０８、コンデンサーレンズ１０９、レチクル１０、投影光学部ＰＬを通して基板Ｗに照射する。そして、照射光の総量がフォトレジスト１１の適正露光量（フォトレジスト１１の特性により定まる）に達した時点で、シャッター１０３を閉じる。次に、ステージ１１０を移動させて、次の領域を同様に露光していく。それを繰り返して、基板Ｗにおいて、露光すべき領域を全て露光した時点で露光工程が終了する。
【００４１】
この後、基板ＷをＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ：露光後焼きしめ工程）や、現像、ポストベーク等の工程を行うことで、レチクル１０に描かれたパターンは縮小されて基板Ｗに転写される。このようにしてレチクル１０上のパターンは基板Ｗに縮小投影される。ここで、光源としては水銀ランプに代えて、より波長の短いＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）等を用いることも好適である。最小線幅は凡そ露光波長に比例して小さくなるため、より高い密度を備えるパターンに対応していくことが可能となるからである。
【００４２】
このようにして基板Ｗを処理する工程では、光学系は紫外光に晒される。また、露光装置１の内部には、微量ではあるがＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）やアンモニア等の化学物質が存在している。これらの化学物質は紫外光によりラジカル化し、このラジカルにより、酸化珪素等の固形物が発生する。この固形物が光学系を構成するレンズ等の表面に付着することで光学系が汚染され、曇りが発生する。この曇りにより、露光に用いる紫外光が散乱し、迷光が発生する。フォトレジスト１１に露光する際、迷光が入ると、本来露光しない所が露光されるため、レチクル１０のパターンを正確にフォトレジスト１１へ転写することが困難となる。そのため、定期的にステージ１１０に投影された画像の領域の光強度と、迷光強度を測定し、レチクル１０のパターンを正確にフォトレジスト１１へ転写できる状態に保つことが好適となる。この場合、レチクルブラインド１０７をレチクル１０の転写領域以上に開けて、後述する測定方法を用いてステージ１１０に投影された画像の領域の光強度と、迷光強度を測定し、規定の割合（例えば水銀ランプのｉ線なら１０％程度）未満であることを確認した後に露光工程を行う露光方法を用いることが好ましい。そのためには、ステージ１１０に投影された画像の領域の光強度と、迷光強度を数値として検出することが好ましい。規定の割合は、フォトレジスト１１のＡＢＣパラメーターによっても変動するため、フォトレジスト毎に決めておくことが好ましい。
【００４３】
そこで、ステージ１１０に投影された画像の領域の光強度と、迷光強度を数値として測定する構成について説明する。図３は、ステージ１１０に、基板に代えて光量センサー１１２を搭載した状態を示す平面図である。この状態でステージ１１０に投影された画像１３の光強度と、迷光強度の測定が行われる。光量センサー１１２は、ステージ１１０に搭載され、ステージ１１０と同期して、光と交差する方向（本実施形態では光と直交する方向）に移動する。画像１３の光強度と、迷光強度の測定は、レチクル１０と基板Ｗを（図１参照）を外した状態で行われる。
【００４４】
図４は、図３の構成を備えた場合での、露光装置１における画像１３の光強度と、迷光強度の測定および保守工程を行う手順を示すフローチャートである。以下、このフローチャートに従って説明する。なお、この測定は、レチクル１０、基板Ｗを外して行う。
【００４５】
まず、ステップ１として、レチクルブラインド１０７をレチクル１０を用いた場合の開度以上に広げる。この工程によって、レチクル１０の開口部以上の領域に対して迷光を測定することができ、より広範囲での迷光強度が保証可能となる。また、この場合、レチクルブラインド１０７の最大開度に設定することも好ましく、このように設定することで、露光装置１が扱いうる全てのレチクル１０に対して迷光の最大値を保証することが可能となる。
【００４６】
次に、ステップ２として、シャッター１０３を開ける。この工程によって光源からの光が開口部を備えた遮蔽物としてのレチクルブラインド１０７に照射される。そして、コンデンサーレンズ１０９、投影光学部ＰＬによりレチクルブラインド１０７の開口部に対応する光束が合焦され、ステージ１１０にレチクルブラインド１０７の開口部と相似形をなす画像１３が投影される。なお、この場合、結像面は光量センサー１１２の厚み分を補正して焦点を合わせられていることが好適である。
【００４７】
次に、ステップ３として、ステージ１１０を、光軸と交差する方向（本実施形態では光軸と直交する方向）に移動させることで光量センサー１１２を動かし画像１３の領域の光強度分布を測定する。この際に、レチクルブラインド１０７で遮光された画像１３よりも外側の領域の光強度（迷光強度）についても測定を行う。つまり、一つの光量センサー１１２を画像１３の内外に移動させて測定する。
【００４８】
次に、ステップ４として、相対光束強度マップを作成する。図５（ａ）、（ｂ）は、相対光強度分布を示す相対光束強度マップである。相対光束強度マップとしては、図５（ａ）に示すように、初期値ではレチクルブラインド１０７で囲われた開口部が転写された画像１３内では１００％、レチクルブラインド１０７が転写された領域では０％の光相対強度を示す。ここで、投影光学部ＰＬを含む光学系を曇らせる物質が付着した場合には、この物質起因の乱反射により、レチクルブラインド１０７が転写された領域に迷光が生じ、図５（ｂ）のように、この迷光が測定により検出される。
【００４９】
次に、ステップ５として、画像１３の光強度と迷光強度の割合を予め定められた基準値と比較し、その割合が基準値以上の値となった場合に、投影光学部ＰＬを含む光学系を洗浄・交換する。洗浄には、例えば水（純水が好ましい）を含ませたウェスを用いて清浄化し、次に乾燥むらの発生を抑えるため、エタノールを含ませたウェスで水とエタノールを置換した後、乾燥させる工程を用いることが好適である。また、投影光学部ＰＬを含む光学系を構成する部材の汚染状況が甚だしく、洗浄による清浄化が困難な場合には、汚染された部材を交換することで対応しても良い。ここで、画像１３の光強度と迷光強度の割合の基準値としてはフォトレジスト１１の特性にも依存するが、ｉ線を用いた場合にはおおよそ１０％、ＫｒＦエキシマレーザーを用いた場合には１％程度を基準とすることが好適である。
【００５０】
次に、ステップ６として、レチクルブラインド１０７をレチクル１０の開口部よりも広い領域、またはレチクルブラインド１０７の最大開度に設定した状態で画像１３の光強度と迷光強度を測定し、画像１３の光強度に対する迷光強度の割合が予め定められた基準値未満であることを確認する。その後、露光装置１において、光量センサーに変えて基板Ｗを搭載し、レチクル１０をコンデンサーレンズ１０９と投影光学部ＰＬとの間に搭載し、基板Ｗを露光する工程を続けることで、迷光強度の割合を把握した上で露光が行える露光方法を提供することが可能となる。
【００５１】
以上の工程を行うことで、露光装置１の保守を必要かつ十分な頻度で行うことができる。また、縮小光学レンズの保守作業を終えた後、ステップ１からステップ５を再度行うことも好適であり、迷光が減少していることを確認することが可能となる。このステップを行う場合の流れを、図４では点線で示している。
【００５２】
以下、本実施形態における効果について説明する。
【００５３】
迷光強度を光量センサー１１２を用いて直接測定するため、専用のレチクル等を必要としない。そのため、測定にかかるコストを低減することが可能となる。さらに、光量センサー１１２として、露光装置１に付随している光量測定センサーを用いた場合、費用を発生させることなく測定を行うことが可能となる。
【００５４】
専用のパターンを備えたレチクルを用い、モニター用のウェファーを露光・現像し、さらにパターン計測装置を用いてパターン幅の測定を行う方法と比べ、測定にかかる時間を短縮することが可能となる。
【００５５】
専用のパターンを備えたレチクルを用い、モニター用のウェファーを露光・現像し、さらにパターン計測装置を用いてパターン幅の測定を行う方法では、フォトレジストの厚さむらや、現像条件の揺らぎ、パターン計測装置の誤差等、複数の要因があるため、純粋に迷光の強度を測定することが難しいが、本実施形態の測定方法を用いることで、これらの要因を取り去り、純粋に迷光の強度のみを測定することが可能となる。
【００５６】
単独の光量センサー１１２を走査して迷光の強度を測定するため、複数個の光量センサーを用いた場合に発生する光量センサー間の感度むらの影響を排除して迷光強度を測定することが可能となる。
【００５７】
レチクルブラインド１０７の開度を最大とした場合、最も迷光強度が大きい場合について測定することが可能となり、露光装置１が扱いうる全てのレチクル１０に対して迷光強度を保証することが可能となる。
【００５８】
レチクルブラインド１０７の開度をレチクル１０の開口部と揃えた場合、当該レチクル１０に対して生じる迷光強度を測定することが可能となり、過剰品質とならない状態で迷光強度を保証しうる露光方法を提供することが可能となる。
【００５９】
フォトレジスト１１の特性にも依存するが、画像１３の光強度に対する迷光強度の割合が、ｉ線を用いた場合にはおおよそ１０％、ＫｒＦエキシマレーザーを用いた場合には１％程度に達すると、不良が発生する。そこで、画像１３の光強度に対する迷光強度の割合が上記した値に達した場合に光学系を保守・整備することで、迷光による不良発生を抑えることが可能となる。
【００６０】
洗浄方法として、純水を含ませたウェスを用いて清浄化し、次に乾燥むらの発生を抑えるため、エタノールを含ませたウェスで純水とエタノールを置換した後、乾燥させる工程を用いることで、毒性のある物質を用いることなく洗浄でき、保守作業を安全に行うことが可能となる。
【００６１】
相対光強度分布を示す相対光束強度マップを形成することで、迷光強度を平均化させずに、最大量を抽出できる。そのため、迷光による不良発生（迷光強度が最大のところで発生する）を抑制（防止）することが可能となる。
【符号の説明】
【００６２】
Ｗ…基板、１…露光装置、１０…レチクル、１１…フォトレジスト、１２…ウェファー、１３…画像、１７Ａ…ブラインド、１７Ｂ…ブラインド、１７Ｃ…ブラインド、１７Ｄ…ブラインド、１０１…水銀ランプ、１０２…楕円鏡、１０３…シャッター、１０４…反射鏡、１０５…干渉フィルター、１０６…フライアイレンズ、１０７…レチクルブラインド、１０８…反射鏡、１０９…コンデンサーレンズ、１１０…ステージ、１１２…光量センサー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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