(57)【要約】【課題】ボンディングワイヤを用いた基板間の接続による高周波電気信号の伝達ロスを低減する。【解決手段】ケース本体２２の側面に固定された同軸コネクタ４１の中心ピン４１ａと、中継基板５０の伝送線路５１の中心ピン側である一方の端部５１ｂとの間が電気的に接続固定されている。中継基板５０の変調回路基板３０側の側部は、ケース本体２２の突出部２２ｂの上に固定された変調回路基板３０に重なり合い、その重なり合った部分で、伝送線路５１の他方の端部５１ａと変調回路基板３０の変調信号入力端子３１とが半田バンプ７５によって接続されている。中継基板５０は、同軸コネクタ４１の中心ピン４１ａと変調回路基板３０とによって支持されている。【選択図】図４
2011013646.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学効果を有する所定長の基板材からなり、該基板材の側部に形成された変調信号入力端子から入力された変調信号により変調された光を出射する変調回路基板（３０）と、
前記変調回路基板を収容するケース（２１）と、
前記変調信号を前記ケースの外部から与えるために、前記ケースの側面のうち、前記変調回路基板の前記側部に近い側面に固定された同軸コネクタ（４１〜４４）と、
前記ケース内で前記変調回路基板と前記同軸コネクタとの間に配置され、前記変調回路基板の前記変調信号入力端子と、前記同軸コネクタの中心ピンとの間を、パターン形成された伝送線路により接続する中継基板（５０）とを有する光変調器モジュールにおいて、
前記同軸コネクタの中心ピンと、前記中継基板の伝送線路の前記中心ピン側である一方の端部との間が、電気的に接続固定され、
前記中継基板の前記変調回路基板側の側部が前記変調回路基板に重なり合い、その重なり合った部分で、前記伝送線路の他方の端部と前記変調回路基板の変調信号入力端子とが半田接合材（７５）によって接続されており、
前記中継基板は、前記同軸コネクタの前記中心ピンと前記変調回路基板とによって支持されていることを特徴とする光変調器モジュール。
【請求項２】
前記中継基板の前記同軸コネクタ側の側部は前記同軸コネクタの前記中心ピンに重なり合い、その重なり合った部分で前記中心ピンと前記中継基板の伝送線路の一方の端部とが半田接合材（７５）によって接続されていることを特徴とする請求項１記載の光変調器モジュール。
【請求項３】
前記同軸コネクタの前記中心ピンに、可撓性接続材（６０、６５）が取り付けられており、該可撓性接続材を介して前記中心ピンと前記伝送線路の一方の端部とが接続されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の光変調器モジュール。
【請求項４】
電気光学効果を有する所定長の基板材からなり、該基板材の側部に形成された変調信号入力端子から入力された変調信号により変調された光を出射する変調回路基板（３０）と、
前記変調回路基板を収容するケース（２１）と、
前記変調信号を前記ケースの外部から与えるために、前記ケースの側面のうち、前記変調回路基板の前記側部に近い側面に固定された同軸コネクタ（４１〜４４）と、
前記ケース内で前記変調回路基板と前記同軸コネクタとの間に配置され、前記変調回路基板の前記変調信号入力端子と、前記同軸コネクタの中心ピンとの間を、パターン形成された伝送線路により接続する中継基板（５０）とを有する光変調器モジュールの製造方法であって、
前記同軸コネクタの中心ピンと、該中心ピン側である前記中継基板の伝送線路の一方の端部とを半田接続する段階と、
前記中継基板と前記変調回路基板とが重なり合った部分で、前記中継基板の伝送線路の他方の端部と前記変調回路基板の変調信号入力端子とが接続するように、前記変調回路基板の接続位置合わせを行い、当該位置が合った状態で前記変調回路基板を前記ケースにダイボンディングする段階と、
前記中継基板と前記変調回路基板の重なり合った部分で、前記中継基板の伝送線路の他方の端部と、前記変調回路基板の変調信号入力端子とを半田接合材を用いて連結する段階とを含むことを特徴とする光変調器モジュールの製造方法。
【請求項５】
電気光学効果を有する所定長の基板材からなり、該基板材の側部に形成された変調信号入力端子から入力された変調信号により変調された光を出射する変調回路基板（３０）と、
前記変調回路基板を収容するケース（２１）と、
前記変調信号を前記ケースの外部から与えるために、前記ケースの側面のうち、前記変調回路基板の前記側部に近い側面に固定された同軸コネクタ（４１〜４４）と、
前記ケース内で前記変調回路基板と前記同軸コネクタとの間に配置され、前記変調回路基板の前記変調信号入力端子と、前記同軸コネクタの中心ピンとの間を、パターン形成された伝送線路により接続する中継基板（５０）とを有する光変調器モジュールの製造方法であって、
前記中継基板が前記同軸コネクタの中心ピンと前記変調回路基板のそれぞれと重なり合った部分で接続するように、前記変調回路基板の位置合わせを行い、当該位置が合った状態で、前記変調回路基板を前記ケースにダイボンディングする段階と、
前記中継基板が前記同軸コネクタの中心ピンと前記変調回路基板のそれぞれと重なり合った部分で、前記中継基板の伝送線路の一方の端部と前記同軸コネクタの中心ピンとを半田接合材を用いて連結するとともに、前記中継基板の伝送線路の他方の端部と前記変調回路基板の変調信号入力端子とを半田接合材を用いて連結する段階とを含むことを特徴とする光変調器モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光変調器モジュールのケース側面に固定されたコネクタから中継基板を介して変調回路基板に伝達させる高周波の変調信号の伝達ロスを改善するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
光変調器モジュールは、一般的に、印加する電界により屈折率が変化する電気光学効果を示すＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ２等の結晶から切り出した基板に、ＩＣ技術を用いて光導波路と電界印加のための電極を形成した変調回路基板をケース内に有しており、ケース外部から変調回路基板の一端側へ入力された光の強度を、変調信号によって変調して他端側から出力し、ケース外部へ出力している。
【０００３】
変調回路基板は、入力された光を複数の光導波路に分岐し、その分岐された導波路の少なくとも一つの屈折率を変調信号に応じて変化させて、その導波路を通過する光の位相を変化させ、複数の導波路を通過した光を合波することで、合波した光の強度を変調するように構成されている。
【０００４】
したがって、この導波路上の光の位相を大きく変化させるために、長い導波路が必要となり、それに応じて基板の外形を必要最小限度の大きさにすると、必然的にその幅に対して長さの比大きい、即ち細長い形状となり、変調信号を入力するためのパターンの端部は、比較的狭い間隔（例えば１ｍｍ以下）で、基板の側縁に形成されていることが多い。
【０００５】
これに対し、高周波の変調信号の供給には、一般的にケースの側部に並べて固定した同軸コネクタを介して行うが、そのような用途に使用される同軸コネクタの外形は最小でも数ｍｍあり、同軸コネクタの中心ピンの間隔は、変調回路基板のエッジに引き出される変調信号入力パターンの端の間隔より格段に大きい。
【０００６】
このような事情から、従来の光変調器モジュールは、図１４、図１５に示すように、有底箱状で上方が開口した横長のケース本体２と、そのケース本体２の開口を塞ぐカバー３とからなるケース１を有し、ケース本体２の底から突出する突出部２ｂ上に変調回路基板４が固定されている。
【０００７】
そして、この変調回路基板４の変調信号入力端子５〜８が設けられている側のケース１の側面１ａに複数（この場合４つ）の同軸コネクタ９〜１２が一列に固定され、変調回路基板４と同軸コネクタ９〜１２の間に中継基板１３が配置されている。この中継基板１３は、ケース本体２の底に固定された緩衝体１９の上に固定されている。
【０００８】
中継基板１３は、緩衝体１９の上に固定された状態で、その表面に形成された複数の伝送線路（例えばマイクロストリップ線路）１４〜１７の一端側を同軸コネクタ９〜１２の各中心ピン９ａ〜１２ａにそれぞれ半田７０により接続され、伝送線路１４〜１７の他端側と変調回路基板４の変調信号入力端子５〜８との間がボンディングワイヤ１８によりそれぞれ接続されている。
【０００９】
変調回路基板４とケース本体２とは熱膨張係数が近く構成され、緩衝体１９はケース本体２と中継基板１３との熱膨張係数の中間値をもっていて、ケース本体２と中継基板１３との熱膨張係数の差による歪を抑制している。
【００１０】
なお、電気光学効果を有する素子により光変調を行う光モジュールのうち、同軸コネクタから中継基板を介して素子に信号を与える基本的な技術については、次の特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００３−２３３０４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上記のような構成にあっては、ボンディングワイヤ１８にて高周波電気信号の伝達ロスが発生していた。また、細くて長いボンディングワイヤ１８は、伝達特性が一定とならず、安定生産の妨げとなっている。また、接続端子の大きさの制限から、複数本のワイヤで接続することも困難であった。
【００１３】
本発明は、この問題を解決し、高周波電気信号の伝達ロスを低減できる光変調器モジュールおよびその製造方法を提供することを特徴としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記目的を達成するために、本発明の請求項１の光変調器モジュールは、
電気光学効果を有する所定長の基板材からなり、該基板材の側部に形成された変調信号入力端子から入力された変調信号により変調された光を出射する変調回路基板（３０）と、
前記変調回路基板を収容するケース（２１）と、
前記変調信号を前記ケースの外部から与えるために、前記ケースの側面のうち、前記変調回路基板の前記側部に近い側面に固定された同軸コネクタ（４１〜４４）と、
前記ケース内で前記変調回路基板と前記同軸コネクタとの間に配置され、前記変調回路基板の前記変調信号入力端子と、前記同軸コネクタの中心ピンとの間を、パターン形成された伝送線路により接続する中継基板（５０）とを有する光変調器モジュールにおいて、
前記同軸コネクタの中心ピンと、前記中継基板の伝送線路の前記中心ピン側である一方の端部との間が、電気的に接続固定され、
前記中継基板の前記変調回路基板側の側部が前記変調回路基板に重なり合い、その重なり合った部分で、前記伝送線路の他方の端部と前記変調回路基板の変調信号入力端子とが半田接合材（７５）によって接続されており、
前記中継基板は、前記同軸コネクタの前記中心ピンと前記変調回路基板とによって支持されていることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の請求項２の光変調器モジュールは、請求項１記載の光変調器モジュールにおいて、
前記中継基板の前記同軸コネクタ側の側部は前記同軸コネクタの前記中心ピンに重なり合い、その重なり合った部分で前記中心ピンと前記中継基板の伝送線路の一方の端部とが半田接合材（７５）によって接続されていることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の請求項３の光変調器モジュールは、請求項１または請求項２記載の光変調器モジュールにおいて、
前記同軸コネクタの前記中心ピンに、可撓性接続材（６０、６５）が取り付けられており、該可撓性接続材を介して前記中心ピンと前記伝送線路の一方の端部とが接続されていることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の請求項４の光変調器モジュールの製造方法は、
電気光学効果を有する所定長の基板材からなり、該基板材の側部に形成された変調信号入力端子から入力された変調信号により変調された光を出射する変調回路基板（３０）と、
前記変調回路基板を収容するケース（２１）と、
前記変調信号を前記ケースの外部から与えるために、前記ケースの側面のうち、前記変調回路基板の前記側部に近い側面に固定された同軸コネクタ（４１〜４４）と、
前記ケース内で前記変調回路基板と前記同軸コネクタとの間に配置され、前記変調回路基板の前記変調信号入力端子と、前記同軸コネクタの中心ピンとの間を、パターン形成された伝送線路により接続する中継基板（５０）とを有する光変調器モジュールの製造方法であって、
前記同軸コネクタの中心ピンと、該中心ピン側である前記中継基板の伝送線路の一方の端部とを半田接続する段階と、
前記中継基板と前記変調回路基板とが重なり合った部分で、前記中継基板の伝送線路の他方の端部と前記変調回路基板の変調信号入力端子とが接続するように、前記変調回路基板の接続位置合わせを行い、当該位置が合った状態で前記変調回路基板を前記ケースにダイボンディングする段階と、
前記中継基板と前記変調回路基板の重なり合った部分で、前記中継基板の伝送線路の他方の端部と、前記変調回路基板の変調信号入力端子とを半田接合材を用いて連結する段階とを含むことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の請求項５の光変調器モジュールの製造方法は、
電気光学効果を有する所定長の基板材からなり、該基板材の側部に形成された変調信号入力端子から入力された変調信号により変調された光を出射する変調回路基板（３０）と、
前記変調回路基板を収容するケース（２１）と、
前記変調信号を前記ケースの外部から与えるために、前記ケースの側面のうち、前記変調回路基板の前記側部に近い側面に固定された同軸コネクタ（４１〜４４）と、
前記ケース内で前記変調回路基板と前記同軸コネクタとの間に配置され、前記変調回路基板の前記変調信号入力端子と、前記同軸コネクタの中心ピンとの間を、パターン形成された伝送線路により接続する中継基板（５０）とを有する光変調器モジュールの製造方法であって、
前記中継基板が前記同軸コネクタの中心ピンと前記変調回路基板のそれぞれと重なり合った部分で接続するように、前記変調回路基板の位置合わせを行い、当該位置が合った状態で、前記変調回路基板を前記ケースにダイボンディングする段階と、
前記中継基板が前記同軸コネクタの中心ピンと前記変調回路基板のそれぞれと重なり合った部分で、前記中継基板の伝送線路の一方の端部と前記同軸コネクタの中心ピンとを半田接合材を用いて連結するとともに、前記中継基板の伝送線路の他方の端部と前記変調回路基板の変調信号入力端子とを半田接合材を用いて連結する段階とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
このように、本発明の光変調器モジュールは、同軸コネクタの中心ピンと、中継基板の伝送線路の中心ピン側である一方の端部との間が電気的に接続固定され、中継基板の変調回路基板側の側部が変調回路基板に重なり合い、その重なり合った部分で、伝送線路の他方の端部と変調回路基板の変調信号入力端子とが半田接合材によって接続されている構造なので、従来のようなボンディングワイヤを用いた基板間の接続が不要となり、高周波電気信号の伝達ロスを低減できる。
【００２０】
また、中継基板は、同軸コネクタの中心ピンと変調回路基板とによって支持されているので、ケース内部でケースに対して非接触状態で支持することができ、緩衝体を省略することができ、低コスト化できる。
【００２１】
また、請求項２のように、中継基板の同軸コネクタ側の側部は、変調回路基板と重なる方の面側で同軸コネクタの中心ピンに重なり合い、その重なり合った部分で中心ピンと中継基板の伝送線路の一方の端部とが半田接合材によって接続されている構造の場合には、中継基板の一方の面に対する半田接合材の接続処理で、同軸コネクタおよび変調回路基板への接続を行うことができ、容易に製造できる。
【００２２】
また、請求項３のように、同軸コネクタの中心ピンに、可撓性接続材を取り付け、その可撓性接続材を介して中心ピンと伝送線路の一方の端部とを接続するようにした場合には、ケースに固定された同軸コネクタと中継基板との間に生じる歪を可撓性接続材が吸収して、中継基板の損傷を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１の実施形態の平面図
【図２】本発明の第１の実施形態の側面図
【図３】本発明の第１の実施形態の要部拡大平面図
【図４】本発明の第１の実施形態の要部拡大側面図
【図５】本発明の第２の実施形態の平面図
【図６】本発明の第２の実施形態の要部拡大側面図
【図７】同軸コネクタの中心ピンに取り付ける可撓性接続材の一例を示す図
【図８】図７の可撓性接続材を第１の実施形態に適用した場合の要部拡大平面図
【図９】図７の可撓性接続材を第１の実施形態に適用した場合の要部拡大側面図
【図１０】図７の可撓性接続材を第２の実施形態に適用した場合の要部拡大側面図
【図１１】可撓性接続材の変形例を示す図
【図１２】可撓性接続材の変形例を示す図
【図１３】中心ピンに対する摺動機能を持たない可撓性接続材を第１の実施形態に適用した場合の要部拡大側面図
【図１４】従来装置の構造を示す図
【図１５】従来装置の構造の要部拡大側面図
【発明を実施するための形態】
【００２４】
（第１の実施形態）
以下、図面に基づいて本発明の第１の実施の形態を説明する。
図１〜図４は、本発明を適用した光変調器モジュール２０の構造を示している。
【００２５】
この光変調器モジュール２０のケース２１は、上面が開口された有底の矩形箱型のケース本体２２と、ケース本体２２の上面を塞ぐカバー２３とにより構成されている。
【００２６】
ケース２１の内部には横長矩形の変調回路基板３０が収容されている。
変調回路基板３０は、前記したように、印加する電界により屈折率が変化する電気光学効果を示すＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ２等の結晶から切り出した基板材に、ＩＣ技術を用いて光導波路、電界印加のための電極、およびその電極に変調信号を伝達するための配線が形成されている。
【００２７】
この変調回路基板３０は、入射光を複数の光導波路に分岐し、その少なくとも一つの光導波路の屈折率を変調信号により変化させて、複数の光導波路を導波した光を合波して得られた光の強度を変調する構造を有している。なお、この実施例ではＤＱＰＳＫ型の光変調器で説明している。
【００２８】
この実施例では、変調回路基板３０の光導波路、電極、変調信号伝達用の配線については図示せず、発明の要旨に関わる複数（変調形式や回路構成によっては一つでもよい）の変調信号入力端子３１〜３４についてのみ示す。なお、これら４つの変調信号入力端子３１〜３４は、変調回路基板３０の一端側に近い側部に、比較的狭い間隔（例えば１ｍｍ以下）で形成されている。
【００２９】
また、変調回路基板３０はケース本体２２の底面から上方に突出する突出部２２ｂ上に支持されている。変調回路基板３０とケース２１との熱膨張係数はほぼ等しい。
【００３０】
また、ケース本体２２の両端には、それぞれ光ファイバ２７、２８が引き込まれており、光ファイバ２７から入射された光が変調回路基板３０の一端側に入射され、変調回路基板３０の他端側から出射された変調光が光ファイバ２８へ出射される。
【００３１】
前記したように、変調回路基板は、入力された光を複数の光導波路に分岐し、その分岐された導波路の少なくとも一つの屈折率を変調信号に応じて変化させて、その導波路を通過する光の位相を変化させ、複数の導波路を通過した光を合波することで、合波した光の強度を変調するように構成されている。
【００３２】
この実施例では、ケース本体２２の長手方向に沿った一方の側板２２ａに、ケース外部から変調信号を入力するための４つの同軸コネクタ４１〜４４が長手方向に沿って所定間隔で一列に取り付けられている。そして、変調信号を入力するための配線パターンの端部としての変調信号入力端子３１〜３４が、同軸コネクタ４１〜４４寄りの変調回路基板側縁に形成されている。また、変調信号は１つの場所から入力した方が線路設計上好適であるため、通常、変調信号入力端子３１〜３４は、狭い間隔で変調回路基板側縁に形成されている。
【００３３】
そして、変調回路基板３０と同軸コネクタ４１〜４４の間に、その間を中継するための中継基板５０が配置されている。
【００３４】
図３、図４は、この中継基板５０と、同軸コネクタ４１〜４４および変調回路基板３０との間の接続構造を拡大して示すものである。
【００３５】
これらの図に示すように、中継基板５０は横長矩形の所定誘電率の基板材からなり、同軸コネクタ４１〜４４寄りの端部は、中心ピン４１ａ〜４４ａの下部に近接するように延び、変調回路基板３０寄りの端部は、その変調回路基板３０の各変調信号入力端子３１〜３４が設けられている部分と重なり合うように形成されている。
【００３６】
中継基板５０には、その上面５０ａから下面５０ｂにかけて、例えばマイクロストリップ線路やコプレーナ線路により構成された長さが等しい４本の伝送線路５１〜５４がパターン形成されている。
【００３７】
伝送線路５１〜５４の一端側５１ａ〜５４ａは、中継基板５０の下面５０ｂ側で、変調回路基板３０の各変調信号入力端子３１〜３４とそれぞれ重なり合う位置に形成され、半田接合材としての半田バンプ７５を介して電気的に且つ物理的に接続されている。
【００３８】
この下面５０ｂの伝送線路５１〜５４は、下面５０ｂ側から中継基板５０を上下に貫通するスルーホール５１ｃ〜５４ｃ（５２ｃ〜５４ｃは図示せず）を介して中継基板５０の上面５０ａ側へ連続し、他端５１ｂ〜５４ｂが、同軸コネクタ４１〜４４の各中心ピン４１ａ〜４４ａと重なり合う位置まで延びている。
【００３９】
伝送線路５１〜５４の他端５１ｂ〜５４ｂと同軸コネクタ４１〜４４の各中心ピン４１ａ〜４４ａとの間は、通常の半田７０による半田付けによって電気的および物理的に接続されている。
【００４０】
なお、図１、図３で符号３８、３９は、互いに重なり合った面にそれぞれ形成されているために目視できない変調回路基板３０の各変調信号入力端子３１〜３４と、中継基板５０の伝送線路５１〜５４の一端５１ａ〜５４ａとを正確に重なり合うように位置決めするためのマークであり、変調回路基板３０側のマーク３８と、中継基板５０側のマーク３９の先端位置が一致したとき、変調信号入力端子３１〜３４と伝送線路５１〜５４の一端５１ａ〜５４ａとがそれぞれ一致するような位置に予め印刷されている。
【００４１】
なお、このようなマークを用いなくても変調回路基板３０と中継基板５０との相対的な位置合わせが可能な治具（例えば基板のエッジ同士の位置を決める治具等）を用いれば、変調信号入力端子３１〜３４と伝送線路５１〜５４の一端５１ａ〜５４ａとをそれぞれ一致させることが可能である。
【００４２】
上記構造の光変調器モジュール２０は、以下の工程により製造可能である。
【００４３】
（１）同軸コネクタ４１〜４４の各中心ピン４１ａ〜４４ａと中継基板５０の伝送線路５１〜５４の他端５１ｂ〜５４ｂとの間を半田７０により接続固定する。
【００４４】
（２）中継基板５０の伝送線路５１〜５４の一端５１ａ〜５４ａと変調回路基板３０の各変調信号入力端子３１〜３４とが重なり合うように変調回路基板３０を位置決めして突出部２２ａに固定（ダイボンディング）する。
【００４５】
（３）中継基板５０の伝送線路５１〜５４の一端５１ａ〜５４ａと変調回路基板３０の各変調信号入力端子３１〜３４との間に予め半田バンプ７５を加圧、加熱して半田バンプ７５を融解させて接合固定する。
【００４６】
また、以下の方法で製造することも可能である。
【００４７】
（１）中継基板５０と変調回路基板３０とを単体同士で伝送線路５１〜５４の一端５１ａ〜５４ａと各変調信号入力端子３１〜３４とが重なり合うように位置決めして半田バンプ７５によって接合固定する。
【００４８】
（２）中継基板５０の伝送線路５１〜５４の他端５１ｂ〜５４ｂと同軸コネクタ４１〜４４の各中心ピン４１ａ〜４４ａの位置が合う状態にして、変調回路基板３０を突出部２２ａに固定（ダイボンディング）する。
【００４９】
（３）中継基板５０の伝送線路５１〜５４の他端５１ｂ〜５４ｂと同軸コネクタ４１〜４４の各中心ピン４１ａ〜４４ａを半田７０で接続固定する。
【００５０】
いずれの製法であっても、半田バンプ７５は、組立前に各変調信号入力端子３１〜３４の上面と伝送線路５１〜５４の一端５１ａ〜５４ａの表面（５０ｂ側）のいずれかもしくは双方に設けておけばよい。
【００５１】
なお、ここでは半田接合材として半田バンプ７５を用いた例を示したが、半田接合材として半田ペレット、半田クリーム、導電性ペーストを用いてもよい。これらを用いる場合には変調回路基板３０の表面に設けておく。
【００５２】
上記のように構成された光変調器モジュール２０では、同軸コネクタ４１〜４４の中心ピン４１ａ〜４４ａと、中継基板５０の伝送線路５１〜５４の中心ピン側である一方の端部５１ｂ〜５４ｂとの間が電気的に接続固定され、中継基板５０の変調回路基板３０側の側部が変調回路基板３０に重なり合い、その重なり合った部分で、伝送線路５１〜５４の他方の端部５１ａ〜５４ａと変調回路基板３０の変調信号入力端子３１〜３４とが半田接合材によって接続されている構造なので、従来のようなボンディングワイヤを用いた基板間の接続が不要となり、高周波電気信号の伝達ロスを低減できる。
【００５３】
また、中継基板５０は、同軸コネクタ４１〜４４の中心ピンと変調回路基板３０とによって支持されているので、ケース内部でケースに対して非接触状態で支持することができ、緩衝体を省略することができ、低コスト化できる。
【００５４】
（第２の実施形態）
上記した第１の実施形態では、中継基板５０の伝送線路５１〜５４と同軸コネクタ４１〜４４の半田接続を、中継基板５０の上面５０ａ側で行う場合について説明したが、図５、図６に示すように、中継基板５０の伝送線路５１〜５４と同軸コネクタ４１〜４４の半田接続を、半田接合材としての半田バンプ７５を用いて、中継基板５０の下面５０ｂ側で行うこともできる。
【００５５】
この場合、中継基板５０の取付け位置が最適位置となる場所にて、変調回路基板３０を突出部２２ａに固定（ダイボンディング）した後、中継基板５０の下面５０ｂに形成された伝送線路５１〜５４の一方の端部と同軸コネクタ４１〜４４の間、および伝送線路５１〜５４の他方の端部と変調回路基板３０の変調信号入力端子３１〜３４の間を半田バンプ７５により接合固定する。
【００５６】
この第２の実施形態の構造では、中継基板５０の伝送線路５１〜５４を単一面に形成することができ、中継基板５０自体がシンプルに形成でき、しかもその単一面だけの半田接合作業で済むので工数も短縮できる。
【００５７】
（第３の実施形態）
上記実施形態では、同軸コネクタ４１〜４４の各中心ピン４１ａ〜４４ａと中継基板５０の伝送線路５１〜５４の端部との間を直接的に半田固定していたが、本実施形態では可撓性接続材を介して接続している。可撓性接続材は、応力による位置変動を自身の変形によって吸収して被取り付け部材間の電気的接続を維持し、また、中継基板５０の伝送線路５１〜５４の剥がれを防ぎ、さらに、中継基板５０の割れを防ぐ機能を持っており、ケース２１に固定されたコネクタ４１〜４４と中継基板５０との間に生じる歪を吸収させて、基板の損傷を防ぐこともできる。
【００５８】
図７は、この可撓性接続材の一例としてのスライディングコンタクト６０を示している。スライディングコンタクト６０は、金属板のプレス加工により構成されたものであり、その一端側には摺動接触部６１が形成され、他端側には半田付け部６２が形成されている。
【００５９】
摺動接触部６１は、同軸コネクタ４１〜４４の各中心ピン４１ａ〜４４ａに対して摺動自在な状態でその外周部に接触するものであり、この実施形態では、中心ピン４１ａ〜４４ａの円柱形状に対応して、中心ピン４１ａ〜４４ａの外径より小さい内径の円筒形で、中心ピンを受け入れたときにその内径が拡大するように側壁がスリット６１ａにより不連続に形成されている（所謂すり割り円筒形）。
【００６０】
また、半田付け部６２は、その先端側を中継基板５０の伝送路５１〜５４の端部に半田付けするためのものであり、摺動接触部６１の軸方向Ａと直交する方向（Ｂ、Ｃ）の力を受けて撓むような幅に形成されている。
【００６１】
このスライディングコンタクト６０を前記した第１の実施形態に適用する場合、図８、図９に示しているように、摺動接触部６１に同軸コネクタ４１〜４４の中心ピン４１ａ〜４４ａを嵌入させ、半田付け部６２の先端部分を中継基板５０の伝送線路５１〜５４の他端部に対して半田７０で接続固定して用いる。
【００６２】
上記スライディングコンタクト６０を介して同軸コネクタ４１〜４４の各中心ピン４１ａ〜４４ａと中継基板５０の伝送線路５１〜５４の他端側との間を接続した場合、温度変化によって、中心ピン４１ａ〜４４ａの間隔が中継基板５０の伝送線路５１〜５４の他端側の間隔に対して相対的に変化し、それによる力が中継基板５０へ加わるが、スライディングコンタクト６０の摺動接触部６１の軸方向Ａに沿った移動とそれに直交する方向Ｂ、Ｃへの撓みにより、中継基板５０への力の伝達を阻止するので、中継基板５０の損傷を防止することができる。
【００６３】
なお、ここではスライディングコンタクト６０を前記第１の実施形態に適用した例を示したが、図１０に示すように、前記第２の実施形態にスライディングコンタクト６０を適用し、中継基板５０の下面５０ｂ側に形成された伝送線路５１の端部５１ｂとスライディングコンタクト６０の半田付け部６２の先端との間を半田バンプ７５により接合固定してもよい。
【００６４】
また、前記したスライディングコンタクト６０の半田付け部６２はほぼ一定の幅であったが、図１１に示すように、半田付け部６２よりさらに幅の狭く（断面積の小さい）撓みやすいヒンジ部６３を設けることで、さらにその可撓性が大きくなり、より大きな歪にも対応できる。
【００６５】
また、中継基板５０との位置合わせを容易にするために、例えば、図１２のように、半田付け部６２をより細く形成するとともに、中継基板５０の伝送線路５１〜５４の端部５１ｂ〜５４ｂにＶ字の溝５１ｅ〜５４ｅを形成し、この溝５１ｅ〜５４ｅに、接続部材６０の半田付け部６２を受け入れることで位置決めし半田付けすることも可能である。
【００６６】
また可撓性接続材は、上記のように摺動性をもつスライディングコンタクト６０に限らない。例えば、最も単純には、図１３に示すような可撓性のある金属の線状材、板状材による可撓性接続材６５も使用できる。
【符号の説明】
【００６７】
２０……光変調器モジュール、２１……ケース、２２……ケース本体、２３……カバー、２７、２８……光ファイバ、３０……変調回路基板、３１〜３４……変調信号入力端子、３８、３９……マーク、４１〜４４……同軸コネクタ、４１ａ〜４４ａ……中心ピン、５０……中継基板、５１〜５４……伝送線路、６０……スライディングコンタクト、６１……摺動接触部、６２……半田付け部、６３……ヒンジ部、６５……可撓性接続材、７０……半田、７５……半田バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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