(57)【要約】【課題】低消費電力で高い発光効率を有するプラズマディスプレイパネルを実現することを目的とする。【解決手段】走査電極５および維持電極６を間に放電ギャップを設けて複数本配列して設けかつ前記電極を覆うように誘電体層を形成するとともにその誘電体層上に保護層を形成した前面板を有するプラズマディスプレイパネルであって、前記走査電極５および維持電極６は、放電ギャップを介して対向する第１部分５１、６１と、この第１部分５１、６１から間隔をあけて平行に配置された第２部分５２、６２と、前記第１部分５１、６１と第２部分５２、６２とを接続する第３部分５３、６３とを備え、前記保護層９は、下地膜９１上に、金属酸化物からなる複数個の結晶粒子が凝集した凝集粒子９２と、金属酸化物からなる立方体形状の結晶粒子９３とを複数個付着させて構成したことを特徴とする。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に導電性の第１電極および第２電極を間に放電ギャップを設けて配置して表示電極を構成するとともにその表示電極を行方向に複数本配列して設けかつ基板上に形成した表示電極を覆うように誘電体層を形成するとともにその誘電体層上に保護層を形成した前面板と、この前面板に放電空間を形成するように対向配置されかつ前記表示電極と交差する方向にデータ電極を形成するとともに前記放電空間を区画する隔壁を設けた背面板とを有するプラズマディスプレイパネルであって、前記第１電極および第２電極は、放電ギャップを介して対向する第１部分と、この第１部分から間隔をあけて平行に配置された第２部分と、前記第１部分と第２部分とを接続しかつ前記放電セル毎に設けた第３部分とを備え、かつ前記保護層は、前記誘電体層上に下地膜を形成するとともに、その下地膜上に、金属酸化物からなる複数個の結晶粒子が凝集した凝集粒子と、金属酸化物からなる立方体形状の結晶粒子とを全面に亘って分布するように複数個付着させて構成したことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
凝集粒子は、平均粒径が０．９μｍ〜２μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
凝集粒子を構成する結晶粒子と立方体形状の結晶粒子とは、ＭｇＯの結晶粒子により構成したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
凝集粒子を構成する結晶粒子は多面体形状であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
下地膜はＭｇＯにより構成したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
基板に導電性の第１電極および第２電極を間に放電ギャップを設けて配置して表示電極を構成するとともにその表示電極を行方向に複数本配列して設けかつ基板上に形成した表示電極を覆うように誘電体層を形成するとともにその誘電体層上に保護層を形成した前面板と、この前面板に放電空間を形成するように対向配置されかつ前記表示電極と交差する方向にデータ電極を形成するとともに前記放電空間を区画する隔壁を設けた背面板とからなり、かつ複数の放電セルを備えたプラズマディスプレイパネルを有し、前記プラズマディスプレイパネルに対して、１フィールドを複数のサブフィールドにより構成するとともに、それぞれのサブフィールドに、発光させる放電セルを選択する書込み放電を発生させる書込み期間と、この書込み期間により選択された放電セルにおいて維持放電を発生させる維持期間とを設けて発光表示を行うプラズマディスプレイ装置であって、前記プラズマディスプレイパネルの前記第１電極および第２電極は、放電ギャップを介して対向する第１部分と、この第１部分から間隔をあけて平行に配置された第２部分と、前記第１部分と第２部分とを接続しかつ前記放電セル毎に設けた第３部分とを備え、かつ前記保護層は、前記誘電体層上に下地膜を形成するとともに、その下地膜上に、金属酸化物からなる複数個の結晶粒子が凝集した凝集粒子と、金属酸化物からなる立方体形状の結晶粒子とを全面に亘って分布するように複数個付着させて構成したことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示デバイスとしてのプラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと呼ぶ）は、高精細化、大画面化の実現が可能であることから、６５インチクラスのテレビなどが製品化されている。近年、ＰＤＰは従来のＮＴＳＣ方式に比べて走査線数が２倍以上のハイディフィニションテレビへの適用が進んでいるとともに、環境問題に配慮して鉛成分を含まないＰＤＰが要求されている。
【０００３】
ＰＤＰは、基本的には、前面板と背面板とで構成されている。前面板は、フロート法による硼硅酸ナトリウム系ガラスのガラス基板と、ガラス基板の一方の主面上に形成されたストライプ状の透明電極とバス電極とで構成される表示電極と、表示電極を覆ってコンデンサとしての働きをする誘電体層と、誘電体層上に形成された酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層とで構成されている。一方、背面板は、ガラス基板と、その一方の主面上に形成されたストライプ状のデータ電極と、データ電極を覆う下地誘電体層と、下地誘電体層上に形成された隔壁と、各隔壁間に形成された赤色、緑色および青色それぞれに発光する蛍光体層とで構成されている。
【０００４】
前面板と背面板とはその電極形成面側を対向させて気密封着され、隔壁によって仕切られた放電空間にＮｅ−Ｘｅの放電ガスが４００Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒの圧力で封入されている。ＰＤＰは、表示電極に映像信号電圧を選択的に印加することによって放電させ、その放電によって発生した紫外線が各色蛍光体層を励起して赤色、緑色、青色の発光をさせてカラー画像表示を実現している（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１２８４３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このようなＰＤＰにおいて、前面板の誘電体層上に形成される保護層は、放電によるイオン衝撃から誘電体層を保護すること、アドレス放電を発生させるための初期電子を放出することなどがあげられる。イオン衝撃から誘電体層を保護することは、放電電圧の上昇を防ぐ重要な役割であり、またアドレス放電を発生させるための初期電子を放出することは、画像のちらつきの原因となるアドレス放電ミスを防ぐ重要な役割である。
【０００７】
保護層からの初期電子の放出数を増加させて画像のちらつきを低減するためには、たとえばＭｇＯにＳｉやＡｌを添加するなどの試みが行われている。
【０００８】
近年、テレビは高精細化が進んでおり、市場では低コスト・低消費電力・高輝度のフルＨＤ（ハイ・ディフィニション）（１９２０×１０８０画素：プログレッシブ表示）ＰＤＰが要求されている。保護層からの電子放出特性はＰＤＰの画質を決定するため、電子放出特性を制御することは非常に重要である。
【０００９】
本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、高精細で高輝度の表示性能を備え、かつ低消費電力のＰＤＰを実現することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明のＰＤＰは、基板に導電性の第１電極および第２電極を間に放電ギャップを設けて配置して表示電極を構成するとともにその表示電極を行方向に複数本配列して設けかつ基板上に形成した表示電極を覆うように誘電体層を形成するとともにその誘電体層上に保護層を形成した前面板と、この前面板に放電空間を形成するように対向配置されかつ前記表示電極と交差する方向にデータ電極を形成するとともに前記放電空間を区画する隔壁を設けた背面板とを有するＰＤＰであって、前記第１電極および第２電極は、放電ギャップを介して対向する第１部分と、この第１部分から間隔をあけて平行に配置された第２部分と、前記第１部分と第２部分とを接続しかつ前記放電セル毎に設けた第３部分とを備え、かつ前記保護層は、前記誘電体層上に下地膜を形成するとともに、その下地膜上に、金属酸化物からなる複数個の結晶粒子が凝集した凝集粒子と、金属酸化物からなる立方体形状の結晶粒子とを全面に亘って分布するように複数個付着させて構成したことを特徴とする。
【００１１】
また、プラズマディスプレイ装置は、基板に導電性の第１電極および第２電極を間に放電ギャップを設けて配置して表示電極を構成するとともにその表示電極を行方向に複数本配列して設けかつ基板上に形成した表示電極を覆うように誘電体層を形成するとともにその誘電体層上に保護層を形成した前面板と、この前面板に放電空間を形成するように対向配置されかつ前記表示電極と交差する方向にデータ電極を形成するとともに前記放電空間を区画する隔壁を設けた背面板とからなり、かつ複数の放電セルを備えたＰＤＰを有し、前記ＰＤＰに対して、１フィールドを複数のサブフィールドにより構成するとともに、それぞれのサブフィールドに、発光させる放電セルを選択する書込み放電を発生させる書込み期間と、この書込み期間により選択された放電セルにおいて維持放電を発生させる維持期間とを設けて発光表示を行うプラズマディスプレイ装置であって、前記ＰＤＰの前記第１電極および第２電極は、放電ギャップを介して対向する第１部分と、この第１部分から間隔をあけて平行に配置された第２部分と、前記第１部分と第２部分とを接続しかつ前記放電セル毎に設けた第３部分とを備え、かつ前記保護層は、前記誘電体層上に下地膜を形成するとともに、その下地膜上に、金属酸化物からなる複数個の結晶粒子が凝集した凝集粒子と、金属酸化物からなる立方体形状の結晶粒子とを全面に亘って分布するように複数個付着させて構成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
ＰＤＰにおいて、保護層に不純物を混在させることで電子放出特性を改善しようとする試みが行われているが、保護層に不純物を混在させ、電子放出特性を改善した場合、これと同時に保護層表面に電荷が蓄積され、メモリー機能として使用しようとする際の電荷が時間と共に減少する減衰率が大きくなってしまうため、これを抑えるための印加電圧を大きくする等の対策が必要になる。このように保護層の特性として、高い電子放出能を有すると共に、メモリー機能としての電荷の減衰率を小さくする、すなわち高い電荷保持特性を有するという、相反する二つの特性を併せ持たなければならないという課題があった。
【００１３】
本発明は、電子放出特性を改善するとともに、電荷保持特性も併せ持ち、高画質と、低コスト、低電圧を両立することのできるＰＤＰを提供することにより、低消費電力で高精細で高輝度の表示性能を備えたＰＤＰを実現することができる。
【００１４】
特に、本発明によれば、電子放出特性を改善することにより、ＰＤＰにおける放電遅れ特性を改善することができるとともに、維持放電時の維持放電電圧を低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施の形態によるＰＤＰを示す分解斜視図
【図２】同パネルの放電セル部分の構成を示す断面図
【図３】同パネルの電極配列図
【図４】同パネルの表示電極を構成する走査電極および維持電極とデータ電極と隔壁との配置関係を示す平面図
【図５】同パネルを用いたプラズマディスプレイ装置の全体構成を示すブロック図
【図６】パネルの各電極に印加する駆動電圧波形を示す波形図
【図７】同ＰＤＰの前面板の保護層部分を拡大して示す説明図
【図８】本発明によるＰＤＰにおいて、保護層の表面の粒子構造を示す模式図
【図９】同ＰＤＰの保護層において、凝集粒子を説明するための拡大図
【図１０】結晶粒子のカソードルミネッセンス測定結果を示す特性図
【図１１】本発明による効果を説明するために行った実験結果において、ＰＤＰにおける電子放出性能とＶｓｃｎ点灯電圧の検討結果を示す特性図
【図１２】本発明による効果を説明するために行った実験結果において、ＰＤＰの点灯時間と電子放出性能の関係を示す特性図
【図１３】本発明による効果を説明するために行った実験結果において、維持放電電圧を比較して示す特性図
【図１４】結晶粒子の粒径と電子放出性能の関係を示す特性図
【図１５】結晶粒子の粒径と隔壁の破損の発生率との関係を示す特性図
【図１６】本発明によるＰＤＰの製造方法において、保護層形成の工程を示す工程図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施の形態によるＰＤＰについて、図１〜図１６を用いて説明するが、本発明の実施の態様はこれに限定されるものではない。
【００１７】
まず、本発明の一実施の形態によるＰＤＰの全体構成について、図１〜図３を用いて説明する。
【００１８】
図１は本発明の一実施の形態によるＰＤＰにおいて、前面板と背面板とを分離した状態で示す分解斜視図、図２は前面板と背面板とを貼り合わせてパネルとしたときの放電セル構造を示す断面図である。この図１、図２に示すように、パネルは、ガラス製の前面板１と背面板２とを、その間に放電空間３を形成するように対向配置することにより構成されている。
【００１９】
前面板１は、ガラス製の基板４上に導電性の第１電極である走査電極５および第２電極である維持電極６を、間に放電ギャップを設けて互いに平行に配置して表示電極７を構成するとともに、その表示電極７を行方向に複数本配列して設け、そして前記走査電極５および維持電極６を覆うようにガラス材料からなる誘電体層８が形成され、その誘電体層８上にはＭｇＯからなる保護層９が形成されている。
【００２０】
前記走査電極５および維持電極６は、それぞれＩＴＯなどの透明電極を用いず、Ａｇからなる膜厚が約５μｍ程度の導電性電極のみから構成され、しかも走査電極５および維持電極６は、図２に示すように、少なくとも２層構造（図示のものは２層）とし、そして基板４側の下層５ａ、６ａは黒色系の金属酸化物を含有する材料により構成するとともに、上層５ｂ、６ｂは下層５ａ、６ａより比抵抗が小さくなるようにＡｇの含有量を増やした白色系の材料により構成することにより、基板４側の下層５ａ、６ａが上層５ｂ、６ｂより明度が低くなるように構成している。すなわち、走査電極５および維持電極６からなる表示電極７は、基板４側の表示面から見たとき前記走査電極５および維持電極６からなる表示電極７の明度が低くなるように構成することにより、前記表示電極７間に遮光部材が存在しない構成としている。
【００２１】
また、背面板２は、ガラス製の基板１０上に、ガラス材料からなる絶縁体層１１で覆われかつ列方向にストライプ状に配列したＡｇからなる複数本のデータ電極１２が設けられ、そして絶縁体層１１上には、前面板１と背面板２との間の放電空間３を放電セル毎に区画するためのガラス材料からなる井桁状の隔壁１３が設けられている。また、絶縁体層１１の表面および隔壁１３の側面には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂが設けられている。そして、走査電極５および維持電極６とデータ電極１２とが交差するように前面板１と背面板２とが対向配置され、前記走査電極５および維持電極６とデータ電極１２が交差する交差部分には、図３に示すように、放電セル１５が設けられている。また、放電空間３には、放電ガスとして、例えばネオンとキセノンの混合ガスが封入されている。なお、パネルの構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。
【００２２】
ここで、図２に示すように、放電セル１５を形成する井桁形状の隔壁１３は、データ電極１２に平行に形成された縦隔壁１３ａと、この縦隔壁１３ａに直交しかつ縦隔壁１３ａより高さが低くなるように形成した横隔壁１３ｂとから構成されている。また、この隔壁１３内に塗布して形成される蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂは、縦隔壁１３ａに沿ってストライプ状に青色蛍光体層１４Ｂ、赤色蛍光体層１４Ｒ、緑色蛍光体層１４Ｇの順に配列して形成されている。
【００２３】
図３はこの図１、図２に示すパネルの電極配列図である。行方向に長いｎ本の走査電極Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３・・・Ｙｎ（図１の５）およびｎ本の維持電極Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３・・・Ｘｎ（図１の６）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ａ１・・・Ａｍ（図１の１２）が配列されている。そして、１対の走査電極Ｙ１および維持電極Ｘ１と１つのデータ電極Ａ１とが交差した部分に放電セル１５が形成され、放電セル１５は放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。また、前記走査電極Ｙ１および維持電極Ｘ１は、図３に示すように、走査電極Ｙ１−維持電極Ｘ１−維持電極Ｘ２−走査電極Ｙ２・・・・の配列で繰り返すパターンで、前面板１に形成されている。そしてこれらの電極のそれぞれは、前面板１、背面板２の画像表示領域外の周辺端部に設けられた接続端子それぞれに接続されている。
【００２４】
次に、本発明のＰＤＰの表示電極７の構成について、さらに詳細に説明する。
【００２５】
上述したように、本発明のＰＤＰにおいては、前面板１の表示電極７を構成する走査電極５および維持電極６は、それぞれＩＴＯなどの透明電極を用いず、Ａｇなどの導電性材料からなる導電性電極のみにより構成している。図４に、表示電極７を構成する走査電極５および維持電極６と、データ電極１２と、隔壁１３との配置図を示している。
【００２６】
図４に示すように、表示電極７を構成する走査電極５および維持電極６は、それぞれ梯子型形状をしており、放電ギャップＭＧを介して対向する第１部分５１、６１と、この第１部分５１、６１から間隔をあけて平行に配置された第２部分５２、６２と、前記第１部分５１、６１と第２部分５２、６２とを接続しかつ前記放電セル１５毎に設けた第３部分５３、６３とを備えている。しかも、走査電極５および維持電極６において、前記第１部分５１、６１および第２部分５２、６２の幅をＬＬ、前記第３部分５３、６３の幅をＬｓとしたとき、前記隔壁１３の頂部の幅Ｌｒに対して、Ｌｒ≦ＬＬ＜Ｌｓとなるように構成している。また、走査電極５および維持電極６間の放電ギャップＭＧは９０μｍ〜１００μｍであり、また走査電極５および維持電極６それぞれの第１部分５１、６１と第２部分５２、６２との間のギャップＬＧは約８０μｍであり、隣接する放電セル１５間の非放電ギャップＩＰＧ（約２００μｍ）より小さくなるように形成されている。
【００２７】
このように走査電極５および維持電極６において、第１部分５１、６１および第２部分５２、６２の幅をＬＬ、第３部分５３、６３の幅をＬｓとしたとき、隔壁１３の頂部の幅Ｌｒに対して、Ｌｒ≦ＬＬ＜Ｌｓとなるように構成することにより、隣接する放電セル１５間に遮光部材を設けなくても十分なコントラスト比を確保した表示性能を備えたパネルを安価に得ることが可能となる。すなわち、一般にＰＤＰにおいては、隔壁１３を構成する材料として比較的明度の高いガラス材料が使用されるため、隣接する放電セル１５の非放電ギャップＩＰＧ部分に遮光部材を配置することにより、十分なコントラスト比を確保する構造が採用されるが、本発明のように、表示面側から見たとき明度が低くなるように形成した表示電極７を構成する走査電極５および維持電極６は、放電ギャップＭＧを介して対向する第１部分５１、６１と、この第１部分５１、６１から間隔をあけて平行に配置された第２部分５２、６２と、前記第１部分５１、６１と第２部分５２、６２とを接続しかつ前記放電セル１５毎に設けた第３部分５３、６３とを備え、しかも走査電極５および維持電極６において、前記第１部分５１、６１および第２部分５２、６２の幅をＬＬ、前記第３部分５３、６３の幅をＬｓとしたとき、前記隔壁１３の頂部の幅Ｌｒに対して、Ｌｒ≦ＬＬ＜Ｌｓとなるように構成することにより、隣接する放電セル１５の非放電ギャップＩＰＧ部分に遮光部材を配置しなくても、遮光部材を配置した場合と同様に、十分なコントラスト比を確保した表示性能を備えたパネルを得ることが可能となる。
【００２８】
次に、上述したパネルを用いたプラズマディスプレイ装置の全体構成および駆動方法について説明する。
【００２９】
図５はプラズマディスプレイ装置の全体構成を示すブロック図である。このプラズマディスプレイ装置は、図１〜図３に示す構成のパネル２１、画像信号処理回路２２、データ電極駆動回路２３、走査電極駆動回路２４、維持電極駆動回路２５、タイミング発生回路２６および電源回路（図示せず）を備えている。また、データ電極駆動回路２３は、パネル２１のデータ電極１２の一端に接続され、かつ前記データ電極１２に電圧を供給するための半導体素子からなる複数のデータドライバを有している。前記データ電極１２は、数本づつのデータ電極１２で１ブロックとして複数のブロックに分割し、そのブロック単位で複数のデータドライバをパネル２１の下端部の電極引出部に接続して配置している。
【００３０】
図５において、画像信号処理回路２２は、画像信号ｓｉｇをサブフィールド毎の画像データに変換する。データ電極駆動回路２３はサブフィールド毎の画像データを各データ電極Ａ１〜Ａｍに対応する信号に変換し、各データ電極Ａ１〜Ａｍを駆動する。タイミング発生回路２６は水平同期信号Ｈおよび垂直同期信号Ｖをもとにして各種のタイミング信号を発生し、各駆動回路ブロックに供給している。走査電極駆動回路２４はタイミング信号にもとづいて走査電極Ｙ１〜Ｙｎに駆動電圧波形を供給し、維持電極駆動回路２５はタイミング信号にもとづいて維持電極Ｘ１〜Ｘｎに駆動電圧波形を供給する。なお、維持電極側は、パネル２１内、またはパネル２１外において共通に接続された後、その共通接続配線が維持電極駆動回路２５に接続されている。
【００３１】
次に、パネルを駆動するための駆動電圧波形とその動作について図６を用いて説明する。図６はパネルの各電極に印加する駆動電圧波形を示す図である。
【００３２】
本実施の形態によるＰＤＰにおいては、１フィールドを複数のサブフィールドに分割し、それぞれのサブフィールドは初期化期間、書込み期間、維持期間を有している。
【００３３】
第１サブフィールドの初期化期間では、データ電極Ａ１〜Ａｍおよび維持電極Ｘ１〜Ｘｎを０（Ｖ）に保持し、走査電極Ｙ１〜Ｙｎに対して放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ１（Ｖ）から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２（Ｖ）に向かって緩やかに上昇するランプ電圧を印加する。すると、すべての放電セルにおいて１回目の微弱な初期化放電を起こし、走査電極Ｙ１〜Ｙｎ上に負の壁電圧が蓄えられるとともに維持電極Ｘ１〜Ｘｎ上およびデータ電極Ａ１〜Ａｍ上に正の壁電圧が蓄えられる。ここで、電極上の壁電圧とは電極を覆う誘電体層や蛍光体層上等に蓄積した壁電荷により生じる電圧を指す。
【００３４】
その後、維持電極Ｘ１〜Ｘｎを正の電圧Ｖｈ（Ｖ）に保ち、走査電極Ｙ１〜Ｙｎに電圧Ｖｉ３（Ｖ）から電圧Ｖｉ４（Ｖ）に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加する。すると、すべての放電セルにおいて２回目の微弱な初期化放電を起こし、走査電極Ｙ１〜Ｙｎ上と維持電極Ｘ１〜Ｘｎ上との間の壁電圧が弱められ、データ電極Ａ１〜Ａｍ上の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。
【００３５】
続く書込み期間では、走査電極Ｙ１〜Ｙｎを一旦Ｖｒ（Ｖ）に保持する。次に、１行目の走査電極Ｙ１に負の走査パルス電圧Ｖａ（Ｖ）を印加するとともに、データ電極Ａ１〜Ａｍのうち１行目に表示すべき放電セルのデータ電極Ａｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄ（Ｖ）を印加する。このときデータ電極Ａｋと走査電極Ｙ１との交差部の電圧は、外部印加電圧（Ｖｄ−Ｖａ）（Ｖ）にデータ電極Ａｋ上の壁電圧と走査電極Ｙ１上の壁電圧とが加算されたものとなり、放電開始電圧を超える。そして、データ電極Ａｋと走査電極Ｙ１との間および維持電極Ｘ１と走査電極Ｙ１との間に書込み放電が起こり、この放電セルの走査電極Ｙ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極Ｘ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ａｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００３６】
このようにして、１行目に表示すべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧Ｖｄ（Ｖ）を印加しなかったデータ電極Ａ１〜Ａｍと走査電極Ｙ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、書込み期間が終了する。
【００３７】
続く維持期間では、走査電極Ｙ１〜Ｙｎには第１の電圧として正の維持パルス電圧Ｖｓ（Ｖ）を、維持電極Ｘ１〜Ｘｎには第２の電圧として接地電位、すなわち０（Ｖ）をそれぞれ印加する。このとき書込み放電を起こした放電セルにおいては、走査電極Ｙｉ（ｉ＝１〜ｎ）上と維持電極Ｘｉ上との間の電圧は維持パルス電圧Ｖｓ（Ｖ）に走査電極Ｙｉ上の壁電圧と維持電極Ｘｉ上の壁電圧とが加算されたものとなり、放電開始電圧を超える。そして、走査電極Ｙｉと維持電極Ｘｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層が発光する。そして走査電極Ｙｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極Ｘｉ上に正の壁電圧が蓄積される。このときデータ電極Ａｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。
【００３８】
書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは、維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保持される。続いて、走査電極Ｙ１〜Ｙｎには第２の電圧である０（Ｖ）を、維持電極Ｘ１〜Ｘｎには第１の電圧である維持パルス電圧Ｖｓ（Ｖ）をそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極Ｘｉ上と走査電極Ｙｉ上との間の電圧が放電開始電圧を超えるので、再び維持電極Ｘｉと走査電極Ｙｉとの間に維持放電が起こり、維持電極Ｘｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極Ｙｉ上に正の壁電圧が蓄積される。
【００３９】
以降同様に、走査電極Ｙ１〜Ｙｎと維持電極Ｘ１〜Ｘｎとに交互に輝度重みに応じた数の維持パルスを印加することにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して行われる。こうして維持期間における維持動作が終了する。続くサブフィールドにおける初期化期間、書込み期間、維持期間の動作も第１サブフィールドにおける動作とほぼ同様のため、説明を省略する。
【００４０】
以上説明したように本発明のＰＤＰを用いたプラズマディスプレイ装置によれば、隣接する放電セル１５の非放電ギャップＩＰＧ部分に遮光部材を配置しなくても、遮光部材を配置した場合と同様に、十分なコントラスト比を確保した表示性能を備えたパネルを得ることが可能となり、これにより十分な表示性能を確保した上で、従来必要としていた構成部材を減らすことにより、工程数を削減することができるとともに、使用材料を減らすことができ、これにより安価なパネルを提供することができるという効果が得られる。
【００４１】
さらに、本発明においては、このようなプラズマディスプレイ装置において、ＰＤＰの電子放出特性を改善することにより、ＰＤＰにおける放電遅れ特性を改善することができるとともに、維持放電時の維持放電電圧を低下させることにより、低消費電力で高精細で高輝度の表示性能を備えた表示装置を提供するものであり、以下本発明の特徴とする構成について、詳細に説明する。
【００４２】
本発明によるＰＤＰにおいては、図７に示すように、保護層９は、前記誘電体層８上に、Ａｌを不純物として含有するＭｇＯからなる下地膜９１を形成するとともに、その下地膜９１上に、金属酸化物であるＭｇＯの結晶粒子９２ａに、この結晶粒子９２ａより粒径の小さい結晶粒子９２ｂが数個凝集した凝集粒子９２と、金属酸化物であるＭｇＯの立方体形状の結晶粒子９３とを離散的に散布させ、全面に亘って均一に分布するように複数個付着させることにより構成している。また、本発明においては、ＭｇＯの結晶粒子９２ａと結晶粒子９２ｂが数個凝集した凝集粒子９２において、結晶粒子９２ａは平均粒径が０．９μｍ〜２μｍの範囲の粒子であり、結晶粒子９２ａより平均粒径が小さいＭｇＯの結晶粒子９２ｂは平均粒径が０．３μｍ〜０．９μｍの範囲の粒子である。
【００４３】
図８は、本発明によるＰＤＰにおいて、実際の保護層９の表面の粒子構造を示す模式図であり、ＭｇＯからなる下地膜９１上に、ＭｇＯの多面体形状の結晶粒子９２ａに多面体形状の結晶粒子９２ｂが数個凝集した凝集粒子９２と、ＭｇＯの立方体形状の結晶粒子９３とが離散的に散布された状態で、付着していることを示している。また、ＭｇＯの立方体形状の結晶粒子９３には、２０００オングストロームの粒径サイズの粒子と、粒径が１００ｎｍ以下のナノ粒子サイズの粒子とが存在し、実際に作製したパネルを観察すると、ＭｇＯの立方体形状の結晶粒子９３どうしが凝集しているもの、ＭｇＯの多面体形状の結晶粒子９２ａまたは多面体形状の結晶粒子９２ｂ、あるいは多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂの凝集粒子９２に、ＭｇＯの立方体形状の結晶粒子９３が付着しているものが存在していた。さらに、ＭｇＯの多面体形状の結晶粒子９２ａは液相法により作製し、ＭｇＯの立方体形状の結晶粒子９３は気相法により作製している。
【００４４】
ここで、凝集粒子９２とは、図９に示すように、所定の一次粒径の結晶粒子９２ａ、９２ｂが凝集またはネッキングした状態のもので、固体として大きな結合力を持って結合しているのではなく、静電気やファンデルワールス力などによって複数の一次粒子が集合体の体をなしているもので、超音波などの外的刺激により、その一部または全部が一次粒子の状態になる程度で結合しているものである。凝集粒子９２の粒径としては、約１μｍ程度のもので、結晶粒子９２ａ、９２ｂとしては、１４面体や１２面体などの７面以上の面を持つ多面体形状を有する。また、このＭｇＯの結晶粒子９２ａ、９２ｂは、炭酸マグネシウムや水酸化マグネシウムなどのＭｇＯ前駆体の溶液を作製し、その溶液を焼成することにより生成する液相法により作製したもので、ＭｇＯの多面体形状の結晶粒子を得ることができる。この液相法による焼成温度や焼成雰囲気を制御することで、粒径を制御できる。一般的に、焼成温度は７００度程度から１５００度程度の範囲で選択できるが、焼成温度が比較的高い１０００度以上にすることで、一次粒径を０．３〜２μｍ程度に制御可能である。さらに、結晶粒子９２ａ、９２ｂは液相法により得られるもので、ＭｇＯ前駆体を加熱することにより得ることにより、生成過程において、複数個の一次粒子同士が凝集またはネッキングと呼ばれる現象により結合した凝集粒子９２を得ることができる。
【００４５】
一方、ＭｇＯの立方体形状の結晶粒子９３は、マグネシウムを沸点以上に加熱してマグネシウム蒸気を発生させ、気相酸化する気相法により得られるもので、粒径が２０００オングストローム以上（ＢＥＴ法による測定結果）の立方体形状の単結晶構造を有する結晶粒子や、結晶体が互いに嵌り込んだ多重結晶構造のものが得られる。例えば、この気相法によるマグネシウム粉末の合成方法については、学会誌「材料」の第３６巻  第４１０号の「気相法によるマグネシア粉末の合成とその性質」などで知られている。
【００４６】
なお、平均粒径が２０００オングストローム以上の大きな粒径の立方体形状の単結晶構造の結晶粒子を形成する場合には、マグネシウム蒸気を発生させる際の加熱温度を高くし、マグネシウムと酸素が反応する火炎の長さを長くすることにより、この火炎と周囲との温度差が大きくなることによって、粒径の大きい気相法によるＭｇＯの結晶粒子が得られる。
【００４７】
また、これらのＭｇＯの多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂが数個凝集した凝集粒子９２と、ＭｇＯの立方体形状の結晶粒子９３について、電子線の照射によって励起されてカソードルミネッセンス（ＣＬ）発光を行うＣＬ発光特性を測定したところ、図１０に示すような特性を有していた。図１０において、細い実線で示す特性のものがＭｇＯの多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂのＣＬ発光の特性、すなわち凝集粒子９２のＣＬ発光の特性であり、太い実線で示す特性のものがＭｇＯの立方体形状の結晶粒子９３のＣＬ発光の特性である。
【００４８】
図１０に示すように、ＭｇＯの多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂが数個凝集した凝集粒子９２は、電子線の照射によって励起されて波長２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、特に波長２３０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の波長領域にピークを有するＣＬ発光を行う特性であり、ＭｇＯの立方体形状の結晶粒子９３は、ＣＬ発光の特性が波長２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長領域に発光のピークを有さない特性で、電子線の照射によって励起されて波長４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長領域にピークを有するＣＬ発光を行う特性である。すなわち、ＭｇＯからなる下地膜９１上に付着させた、ＭｇＯの多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂが数個凝集した凝集粒子９２と、ＭｇＯの立方体形状の結晶粒子９３とは、上述したＣＬ発光のピーク波長に対応したエネルギー準位を有するものとなる。
【００４９】
次に、本発明による保護層を有するＰＤＰの効果を確認するために行った実験結果について説明する。
【００５０】
まず、構成の異なる保護層を有するＰＤＰを試作した。試作品１は、ＭｇＯによる保護層のみを形成したＰＤＰ、試作品２は、Ａｌ，Ｓｉなどの不純物をドープしたＭｇＯによる保護層を形成したＰＤＰ、試作品３は、ＭｇＯによる保護層上に金属酸化物からなる結晶粒子の一次粒子のみを散布し、付着させたＰＤＰ、試作品４は、ＭｇＯによる下地膜上に、同等の粒径を有するＭｇＯの結晶粒子同士を凝集させた凝集粒子９２を全面に亘ってほぼ均一に分布するように付着させたＰＤＰ、試作品５は、本発明品であり、ＭｇＯによる下地膜上に、平均粒径が０．９μｍ〜２μｍの範囲にあるＭｇＯの結晶粒子９２ａの周囲に、前記結晶粒子９２ａよりも小さい粒径を有するＭｇＯの結晶粒子９２ｂが凝集した多面体形状の凝集粒子９２と、立方体形状のＭｇＯの結晶粒子９３とを全面に亘ってほぼ均一に分布するように付着させたＰＤＰである。
【００５１】
これらの５種類の保護層の構成を有するＰＤＰについて、その電子放出性能と電荷保持性能を調べた。
【００５２】
なお、電子放出性能は、大きいほど電子放出量が多いことを示す数値で、放電の表面状態及びガス種とその状態によって定まる初期電子放出量をもって表現する。初期電子放出量については表面にイオン或いは電子ビームを照射して表面から放出される電子電流量を測定する方法で測定できるが、パネルの前面板表面の評価を非破壊で実施することは困難を伴う。そこで、ここでは、特開２００７−４８７３３号公報に記載されているように、放電時の遅れ時間のうち、統計遅れ時間と呼ばれる放電の発生しやすさの目安となる数値を測定し、その逆数を積分することで、初期電子の放出量と線形に対応する数値になるため、ここではこの数値を用いて評価している。この放電時の遅れ時間とは、パルスの立ち上がりから放電が遅れて行われる放電遅れの時間を意味し、放電遅れは、放電が開始される際にトリガーとなる初期電子が保護層表面から放電空間中に放出されにくいことが主要な要因として考えられている。
【００５３】
また、電荷保持性能は、その指標として、ＰＤＰとして作製した場合に電荷放出現象を抑えるために必要とする、走査電極に印加する電圧（以下Ｖｓｃｎ点灯電圧と呼称する）の電圧値を用いた。すなわち、Ｖｓｃｎ点灯電圧の低い方が電荷保持能力が高いことを示す。このことは、ＰＤＰのパネル設計上でも低電圧で駆動できるため、電源や各電気部品として、耐圧および容量の小さい部品を使用することが可能となる。現状の製品において、走査電圧を順次パネルに印加するためのＭＯＳＦＥＴなどの半導体スイッチング素子には、耐圧１５０Ｖ程度の素子が使用されており、Ｖｓｃｎ点灯電圧としては、温度による変動を考慮し、１２０Ｖ以下に抑えるのが望ましい。
【００５４】
これらの電子放出性能と電荷保持性能について調べた結果を図１１に示している。この図１１から明らかなように、ＭｇＯによる下地膜上にＭｇＯの結晶粒子を凝集させた凝集粒子を散布し、全面に亘ってほぼ均一に分布するように付着させた試作品４、５は、電荷保持性能の評価において、Ｖｓｃｎ点灯電圧を１２０Ｖ以下にすることができ、しかも電子放出性能は６以上の良好な特性を得ることができる。
【００５５】
すなわち、一般的にはＰＤＰの保護層の電子放出能力と電荷保持能力は相反する。例えば、保護層の製膜条件を変更したり、また、保護層中にＡｌやＳｉ、Ｂａなどの不純物をドーピングして製膜することにより、電子放出性能を向上することは可能であるが、副作用としてＶｓｃｎ点灯電圧も上昇してしまう。
【００５６】
本発明による保護層を形成したＰＤＰにおいては、電子放出能力としては、６以上の特性で、電荷保持能力としてはＶｓｃｎ点灯電圧が１２０Ｖ以下のものを得ることができ、高精細化により走査線数が増加し、かつセルサイズが小さくなる傾向にある、ＰＤＰの保護層に対しては、電子放出能力と電荷保持能力の両方を満足させることができる。
【００５７】
ここで、保護層の電子放出性能の経時変化について検討した結果について述べる。ＰＤＰの長寿命化のためには、保護層の電子放出性能が経時的に劣化しないことが要求される。
【００５８】
図１１において良好な特性を得た試作品４、５の電子放出性能の経時劣化を調べた結果として、ＰＤＰの点灯時間に対する電子放出性能の推移を図１２に示している。この図１２から明らかなように、ＭｇＯによる下地膜上に、平均粒径が０．９μｍ〜２μｍの範囲にあるＭｇＯの結晶粒子９２ａの周囲に、前記結晶粒子９２ａよりも小さい粒径を有するＭｇＯの結晶粒子９２ｂが凝集した多面体形状の凝集粒子９２と、立方体形状のＭｇＯの結晶粒子９３とを全面に亘ってほぼ均一に分布するように付着させた本発明品である試作品５は、試作品４よりも、電子放出性能の経時劣化が少ないことがわかる。
【００５９】
この理由としては、試作品４では、ＰＤＰセル内での放電で発生するイオンが保護層に衝撃を与えることで、凝集粒子が剥離したためと考える。一方、本発明品の試作品５では、平均粒径が０．９μｍ〜２μｍの範囲にある結晶粒子の周囲に、前記粒子よりも小さい結晶粒径を有する粒子が凝集することで、小さい粒径を有する結晶粒子は表面積が大きいため、下地膜との接着性を高めており、イオン衝撃により凝集粒子が剥離することが少ないためと考える。
【００６０】
本発明による保護層を形成したＰＤＰにおいては、電子放出能力としては、６以上の特性で、電荷保持能力としてはＶｓｃｎ点灯電圧が１２０Ｖ以下のものを得ることができ、高精細化により走査線数が増加し、かつセルサイズが小さくなる傾向にある、ＰＤＰの保護層として、電子放出能力と電荷保持能力の両方を満足させることができる上、さらに電子放出性能の経時劣化が小さいため、長期にわたって安定した画質を得ることができる。
【００６１】
次に、本発明において、ＣＬ発光特性の異なる、多面体形状の結晶粒子と立方体形状の結晶粒子とを付着させた本発明による保護層を有するＰＤＰの効果を確認するために、次の試作品を作製し、維持放電電圧を調べた結果を図１３に示している。試作品ＡはＭｇＯによる下地膜９１上に２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長領域にＣＬ発光のピークを有するＭｇＯの結晶粒子９２ａ、９２ｂからなる凝集粒子９２のみを散布し、付着させたＰＤＰで、試作品Ｂ、Ｃは、ＭｇＯによる下地膜上に平均粒径が０．９μｍ〜２μｍの範囲にあるＭｇＯの多面体形状の結晶粒子９２ａの周囲に、前記結晶粒子９２ａよりも小さい粒径を有するＭｇＯの多面体形状の結晶粒子９２ｂが凝集した凝集粒子９２と、立方体形状のＭｇＯの結晶粒子９３とを全面に亘ってほぼ均一に分布するように付着させた本発明品によるＰＤＰである。なお、試作品Ｂと試作品Ｃは、誘電体層８の比誘電率εを変更した試作品で、試作品Ｂは誘電体層８の比誘電率εを９．７程度としたもので、試作品Ｃは誘電体層８の比誘電率εを７としたものである。被覆率については、いずれも２０％以下の１３％程度としたものである。
【００６２】
図１３から明らかなように、本発明品である試作品Ｂ、Ｃは、試作品Ａに対して維持放電電圧を低下させることができることが判明した。すなわち、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長領域にピークを有するＣＬ発光を行う特性のＭｇＯの多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂの凝集粒子９２と、４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長領域にピークを有するＣＬ発光を行う特性のＭｇＯの立方体形状の結晶粒子９３とを付着させた保護層を有するＰＤＰは、維持放電電圧を低下させることができ、ＰＤＰの低消費電力化を図ることができる。さらに、試作品Ｂ、Ｃの特性から明らかなように、本発明において、誘電体層８の比誘電率εを小さくした方が、より維持放電電圧を低下させることができ、特に本発明者らの実験によれば、誘電体層８の比誘電率εを７以下とすることにより、より顕著に効果が得られることがわかった。
【００６３】
次に、本発明によるＰＤＰの保護層に用いた結晶粒子の粒径について説明する。なお、以下の説明において、粒径とは平均粒径を意味し、平均粒径とは、体積累積平均径（Ｄ５０）のことを意味している。
【００６４】
図１４は、本発明による保護層において、ＭｇＯの結晶粒子の粒径を変化させて電子放出性能を調べた実験結果を示すものである。なお、図１４において、ＭｇＯの結晶粒子の粒径は、結晶粒子をＳＥＭ観察することで測長した。
【００６５】
この図１４に示すように、粒径が０．３μｍ程度に小さくなると、電子放出性能が低くなり、ほぼ０．９μｍ以上であれば、高い電子放出性能が得られることがわかる。
【００６６】
ところで、放電セル内での電子放出数を増加させるためには、保護層上の単位面積当たりの結晶粒子数は多い方が望ましいが、本発明者らの実験によれば、前面板の保護層と密接に接触する背面板の隔壁の頂部に相当する部分に結晶粒子が存在することで、隔壁の頂部を破損させ、その材料が蛍光体の上に乗るなどによって、該当するセルが正常に点灯消灯しなくなる現象が発生することがわかった。この隔壁破損の現象は、結晶粒子が隔壁頂部に対応する部分に存在しなければ発生しにくいことから、付着させる結晶粒子数が多くなれば、隔壁の破損発生確率が高くなる。
【００６７】
図１５は、本発明のＰＤＰにおいて、単位面積当たりに粒径の異なる同じ数の結晶粒子を散布し、隔壁破損の関係を実験した結果を示す図である。
【００６８】
この図１５から明らかなように、結晶粒子径が２．５μｍ程度に大きくなると、隔壁破損の確率が急激に高くなるが、２．５μｍより小さい結晶粒子径であれば、隔壁破損の確率は比較的小さく抑えることができることがわかる。
【００６９】
以上の結果に基づくと、本発明のＰＤＰにおける保護層においては、凝集粒子として、粒径が０．９μｍ以上２．５μｍ以下のものが望ましいと考えられるが、ＰＤＰとして実際に量産する場合には、結晶粒子の製造上でのばらつきや保護層を形成する場合の製造上でのばらつきを考慮する必要がある。
【００７０】
このような製造上でのばらつきなどの要因を考慮するために、粒径分布の異なる結晶粒子を用いて実験を行った結果、平均粒径が０．９μｍ〜２μｍの範囲にある凝集粒子を使用すれば、上述した本発明の効果を安定的に得られることがわかった。
【００７１】
次に、本発明によるＰＤＰにおいて、保護層を形成する製造工程について、図１６を用いて説明する。
【００７２】
図１６に示すように、誘電体層８を形成する誘電体層形成工程Ａ１を行った後、次の下地膜蒸着工程Ａ２において、Ａｌを含むＭｇＯの焼結体を原材料とした真空蒸着法によって、ＭｇＯからなる下地膜を誘電体層８上に形成する。
【００７３】
その後、下地膜蒸着工程Ａ２において形成した未焼成の下地膜上に、複数個の多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂと、複数個の立方体形状の結晶粒子９３とを離散的に付着させる工程を行う。
【００７４】
この工程においては、まず、所定の粒径分布を持つ多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂを溶媒に混合した結晶粒子ペーストと、立方体形状の結晶粒子９３を溶媒に混合した結晶粒子ペーストとを別々に準備し、その後２種類の結晶粒子ペーストを混合して、多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂと結晶粒子９３とを溶媒に混合した混合結晶粒子ペーストを作製し、結晶粒子ペースト塗布工程Ａ３において、その混合結晶粒子ペーストを下地膜上に塗布して平均膜厚８μｍ〜２０μｍの結晶粒子ペースト膜を形成する。なお、結晶粒子ペーストを下地膜上に塗布する方法として、スクリーン印刷法、スプレー法、スピンコート法、ダイコート法、スリットコート法等も用いることができる。
【００７５】
ここで、結晶粒子ペーストの作製に使用する溶媒の一例としては、ＭｇＯの下地膜９１や結晶粒子９２ａ、９２ｂ、９３との親和性が高く、かつ次工程の乾燥工程Ａ４での蒸発除去を容易にするため蒸気圧が常温で数十Ｐａ程度と比較的高いものが適しており、例えばメチルメトキシブタノール、テルピネオール、プロピレングリコール、ベンジルアルコールなどの有機溶剤単体もしくはそれらの混合溶媒が用いられる。これらの溶媒を用いたペーストの粘度は数ｍＰａＳ〜数十ｍＰａＳである。
【００７６】
混合結晶粒子ペーストを下地膜上に塗布した基板は、直ちに乾燥工程Ａ４に移され、減圧乾燥される。結晶粒子ペーストは真空チャンバ内で数十秒以内で急速に乾燥されるため、加熱乾燥で顕著に見られる結晶粒子ペーストの対流が発生しないため、結晶粒子が偏ることなく均等に下地膜９１上に付着される。なお、この乾燥工程Ａ４における乾燥方法としては、凝集・結晶粒子ペーストを作製する際に使用する溶媒などに応じて、加熱乾燥方法を用いてもよい。
【００７７】
その後、下地膜蒸着工程Ａ２において形成した未焼成の下地膜と、結晶粒子ペースト膜を形成する結晶粒子ペースト塗布工程Ａ３において形成し、乾燥工程Ａ４を実施した結晶粒子ペースト膜とを、保護層焼成工程Ａ５において、数百度の温度で同時に焼成を行い、結晶粒子ペースト膜に残っている溶剤や樹脂成分を除去することにより、下地膜９１上に複数個の多面体形状の結晶粒子９２ａ、９２ｂと、立方体形状の結晶粒子９３とを付着させた保護層９を形成することができる。
【００７８】
この方法によれば、下地膜９１に複数個の結晶粒子９２ａ、９２ｂと結晶粒子９３とを全面に亘って均一に分布するように付着させることが可能である。
【００７９】
なお、このような方法以外にも、溶媒などを用いずに、粒子群を直接ガスなどと共に吹き付ける方法や、単純に重力を用いて散布する方法などを用いてもよい。
【００８０】
なお、以上の説明では、保護層として、ＭｇＯを例に挙げたが、下地に要求される性能はあくまでイオン衝撃から誘電体を守るための高い耐スパッタ性能を有することであり、高い電荷保持能力、すなわちあまり電子放出性能が高くなくてもよい。従来のＰＤＰでは、一定以上の電子放出性能と耐スパッタ性能という二つを両立させるため、ＭｇＯを主成分とした保護層を形成する場合が非常に多かったのであるが、電子放出性能が金属酸化物単結晶粒子によって支配的に制御される構成を取るため、ＭｇＯである必要は全くなく、Ａｌ2Ｏ3等の耐衝撃性に優れる他の材料を用いても全く構わない。
【００８１】
また、本実施の形態では、単結晶粒子としてＭｇＯ粒子を用いて説明したが、この他の単結晶粒子でも、ＭｇＯ同様に高い電子放出性能を持つＳｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ａｌ等の金属の酸化物による結晶粒子を用いても同様の効果を得ることができるため、粒子種としてはＭｇＯに限定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
以上のように本発明は、高精細で高輝度の表示性能を備え、かつ低消費電力のＰＤＰを実現する上で有用な発明である。
【符号の説明】
【００８３】
１  前面板
２  背面板
３  放電空間
４、１０  基板
５  走査電極
５ａ、６ａ  下層
５ｂ、６ｂ  上層
６  維持電極
７  表示電極
８  誘電体層
９  保護層
１１  絶縁体層
１２  データ電極
１３  隔壁
１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ  蛍光体層
１５  放電セル
５１、６１  第１部分
５２、６２  第２部分
５３、６３  第３部分
９１  下地膜
９２  凝集粒子
９２ａ、９２ｂ、９３  結晶粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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