(57)【要約】      （修正有）【課題】低エネルギーで適切にワイヤを被接合用パッドに接合できるワイヤボンディング方法を提供する。【解決手段】ボール形成工程の後、ツール１００の先端部から引き出されているボール形状の引き出し部４０ａを、表面が粗化された粗化部材２００に押し付けて、引き出し部４０ａが粗化部材２００に押し付けられた部位から潰れるように塑性変形させることにより、引き出し部４０ａの表面のうち粗化部材２００に押し付けられた部位を粗化する粗化工程を行い、その後、引き出し部４０ａの表面のうち粗化された部位を、被接合用パッド２１に押し当ててボンディング工程を行う。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤ（４０）を被接合用パッド（２１）にワイヤボンディングする方法であって、
先端部から前記ワイヤ（４０）が引き出されるようになっているワイヤボンディング用のツール（１００）を用い、前記ツール（１００）の先端部から引き出された前記ワイヤ（４０）の引き出し部（４０ａ）を溶融させてボール形状とするボール形成工程と、
その後、前記ツール（１００）によって、前記被接合用パッド（２１）に前記引き出し部（４０ａ）を押し当て当該引き出し部（４０ａ）に超音波を印加することにより、前記被接合用パッド（２１）に前記引き出し部（４０ａ）を接合するボンディング工程と、を備えるワイヤボンディング方法において、
前記ボール形成工程の後、前記ボール形状の引き出し部（４０ａ）を、表面が粗化された粗化部材（２００）に押し付けて、当該引き出し部（４０ａ）が前記粗化部材（２００）に押し付けられた部位から潰れるように塑性変形させることにより、前記引き出し部（４０ａ）の表面のうち前記粗化部材（２００）に押し付けられた部位を粗化する粗化工程を行い、
その後、前記引き出し部（４０ａ）の表面のうち前記粗化された部位を、前記被接合用パッド（２１）に押し当てて前記ボンディング工程を行うことを特徴とするワイヤボンディング方法。
【請求項２】
前記ワイヤ（４０）は金よりなり、前記被接合用パッド（２１）はアルミニウムよりなるものであることを特徴とする請求項１に記載のワイヤボンディング方法。
【請求項３】
ワイヤボンディングによってワイヤ（４０）が接合される被接合用パッド（２１）を有し、前記被接合用パッド（２１）に前記ワイヤ（４０）が接合されてなる半導体装置であって、
表面がセラミックまたは樹脂よりなり且つ粗化された粗化部材（２００）が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記ワイヤ（４０）は金よりなり、前記被接合用パッド（２１）はアルミニウムよりなるものであることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイヤを被接合用パッドに接合するワイヤボンディング方法、および、ワイヤボンディングによってワイヤが接合される被接合用パッドを有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、金やＣｕなどよりなるワイヤを被接合用パッドにボンディングする場合、一般的なワイヤボンディング装置が用いられる。一般的なワイヤボンディング装置においては、ワイヤボンディング用のツールは、その先端部からワイヤが引き出されるようになっており、ワイヤの引き出しおよび引き回しを行えるようになっている。
【０００３】
そして、このツールの先端部から引き出されたワイヤの引き出し部を、放電などにより溶融させてボール形状とする。その後、ツールによって、被接合用パッドにボール形状の引き出し部を押し当て、当該引き出し部に超音波を印加することにより、当該パッドに引き出し部を接合する。これが１次ボンディングである。
【０００４】
こうして、被接合用パッドにワイヤを接合した後、別のパッドまでワイヤを引き回し、当該別のパッドにワイヤを押し付けて超音波を印加し、ワイヤを接合する。これが２次ボンディングである。こうして、２個のパッド間がワイヤにより結線される。
【０００５】
ここで、このようなワイヤボンディング方法により、半導体装置の一面に設けられた被接合用パッドに対して１次ボンディングを行う場合に、ワイヤの引き出し部を被接合用パッドに押し当てたときの荷重によって、当該パッドや半導体装置がクラックなどのダメージを受けるという問題がある。
【０００６】
この問題は、たとえば半導体装置が、セル（素子）上に被接合用パッドを有する半導体チップや、民生品の超大規模集積回路などで使用されているＬｏｗ−ｋ層（低誘電率の層間絶縁膜材料）上に被接合用パッドが配置された半導体チップや、大容量メモリパッケージ等で用いられてきているオーバーハング構造を有する積層薄型チップ（たとえば厚みが５０μｍ以下）などである場合に顕著となる。
【０００７】
このような半導体装置のダメージを低減する方法として、従来では、被接合用パッドの表面を溝形状にして、低エネルギーでも十分な接合強度を得られるとする方法（特許文献１参照）や、被接合用パッドの下にダメージを低減する層を形成する方法（特許文献２参照）が提案されている。また、Ｃｕワイヤなどの硬いワイヤをボンディングする際のダメージに注力し、ワイヤを予め扁平体に変形させてボンディング部分の損傷を防止するという手法（特許文献３参照）が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平０１−１３８７６４号公報
【特許文献２】特開平０１−２５５２３４号公報
【特許文献３】特開平１０−１９９９１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１および特許文献２の方法は、いずれも被接合用パッド側にて対策を行ったものであり、当該パッドの種類によっては制約が生じたり、またパッド形成の工程数が増加することでコストが増加したりする等の問題がある。
【００１０】
また、上記特許文献３の方法は、ワイヤボンディング方法による対策であるが、通常のＡｕワイヤも含めて扁平体にするのみでは、ワイヤをパッドに接触させて超音波を印加するときに、パッド表面上をワイヤが横滑りしやすく、この横滑りによって超音波エネルギーの伝達効率が低下する。そのため、必要以上に大きな超音波エネルギーを印加しなければならなくなり、パッド等のダメージが同様に発生することが懸念される。
【００１１】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、低エネルギーで適切にワイヤを被接合用パッドに接合できるワイヤボンディング方法、および、そのようなワイヤボンディング方法によってワイヤを接合するのに適した半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明においては、ボール形成工程の後、ツール（１００）の先端部から引き出されているボール形状の引き出し部（４０ａ）を、表面が粗化された粗化部材（２００）に押し付けて、当該引き出し部（４０ａ）が粗化部材（２００）に押し付けられた部位から潰れるように塑性変形させることにより、引き出し部（４０ａ）の表面のうち粗化部材（２００）に押し付けられた部位を粗化する粗化工程を行い、その後、引き出し部（４０ａ）の表面のうち粗化された部位を、被接合用パッド（２１）に押し当ててボンディング工程を行うことを特徴とする。
【００１３】
それによれば、ボール形状の引き出し部（４０ａ）を粗化部材（２００）に荷重を加えて潰すように塑性変形させ、その表面を粗化することにより、引き出し部（４０ａ）における被接合用パッド（２１）との接合部の表面積が増加するとともに、当該接合部の表面には、引き出し部（４０ａ）の内部の部位が外部に生まれ出てなる新生面が適切に形成される。そして、引き出し部（４０ａ）における当該接合部の表面が粗化されているため、ボンディング時におけるワイヤ（４０）の横滑りが抑制され、超音波エネルギーが効率よく消費される。
【００１４】
よって、本発明のワイヤボンディング方法によれば、低エネルギーで適切にワイヤ（４０）を被接合用パッド（２１）に接合することができ、結果、被接合用パッド（２１）および当該パッド（２１）の下地へのダメージの軽減が図れる。
【００１５】
ここで、請求項２に記載の発明のように、ワイヤ（４０）は金よりなり、被接合用パッド（２１）はアルミニウムよりなるものが好ましい。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、ワイヤボンディングによってワイヤ（４０）が接合される被接合用パッド（２１）を有し、被接合用パッド（２１）にワイヤ（４０）が接合されてなる半導体装置であって、表面がセラミックまたは樹脂よりなり且つ粗化された粗化部材（２００）が設けられていることを特徴とする。
【００１７】
それによれば、ワイヤボンディングがなされる被接合用パッド（２１）が設けられている半導体装置自身に、粗化部材（２００）を設けているから、別途粗化部材を用意することなく、この粗化部材（２００）を用いて上記請求項１のワイヤボンディング方法が適切に行える。
【００１８】
よって、本発明によれば、低エネルギーで適切にワイヤ（４０）を被接合用パッド（２１）に接合できるワイヤボンディング方法によってワイヤ（４０）を接合するのに適した半導体装置を提供することができる。
【００１９】
この場合も、請求項４に記載の発明のように、ワイヤ（４０）は金よりなり、被接合用パッド（２１）はアルミニウムよりなるものが好ましい。
【００２０】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】（ａ）は本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略断面図であり、（ｂ）は（ａ）中の半導体チップにおけるワイヤ接合部の拡大図である。
【図２】第１実施形態に係るワイヤボンディング方法におけるボール形成工程、粗化工程を示す工程図である。
【図３】図３に続くワイヤボンディング方法を示す工程図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係るワイヤボンディング方法におけるボール形成工程、粗化工程を示す工程図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係るワイヤボンディング方法におけるボール形成工程、粗化工程を示す工程図である。
【図７】本発明の第５実施形態に係るワイヤボンディング方法における粗化工程を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２３】
（第１実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置Ｓ１の概略断面構成を示す図であり、図１（ｂ）は、（ａ）中の半導体チップ２０におけるワイヤ４０の接合部を拡大して示す図である。
【００２４】
本実施形態の半導体装置Ｓ１は、大きくは、基板１０と、基板１０の一面上に搭載された被接合用パッドとしての１次ボンディングパッド２１を有する半導体チップ２０と、基板１０の一面上に設けられた２次ボンディングパッド３０と、半導体チップ２０と２次ボンディングパッド３０とを結線するワイヤ４０とを備えて構成されている。
【００２５】
本実施形態では、基板１０は、半導体チップ２０を搭載できるものであればよく、たとえばセラミック基板、樹脂基板、あるいはリードフレーム、ヒートシンクなどの金属基板が挙げられる。半導体チップ２０は、ここではシリコン半導体などよりなるＩＣチップであり、はんだや導電性接着剤などの図示しないダイマウント材を介して基板１０の一面に接合され固定されている。
【００２６】
被接合用パッドとしての１次ボンディングパッド２１は、１次ボンディングされるパッドであり、ここでは、半導体チップ２０の表面に形成されたＡｌ（アルミニウム）よりなるパッドである。また、半導体チップ２０の内部には導電層などによるトランジスタなどの素子や当該素子を接続する内層配線等が形成されている。
【００２７】
また、２次ボンディングパッド３０は、基板１０の一面において半導体チップ２０の近傍に配置されている。この２次ボンディングパッド３０は、一般的なもので、たとえばＷ（タングステン）、Ｃｕ（銅）メッキ、Ａｕ（金）メッキよりなる各層が順次積層されることにより形成されたものである。
【００２８】
そして、１次ボンディングパッド２１と２次ボンディングパッド３０とが、ワイヤ４０を介して結線されており、このワイヤ４０を介して半導体チップ２０と基板１０とが電気的に接続されている。このワイヤ４０は、後述するボールボンディング法によるワイヤボンディングにより形成されたものであり、ＡｕやＣｕよりなる。
【００２９】
なお、このワイヤ４０で結線された両パッド２１、３０は１組であってもよいが、本実施形態では、典型的なものと同様、両パッド２１、３０の複数の組が存在し、各組においてワイヤ４０による接続がなされている。
【００３０】
本実施形態の半導体装置Ｓ１は、基板１０の一面に、半導体チップ２０を搭載・固定した後、半導体チップ２０の１次ボンディングパッド２１と２次ボンディングパッド３０とを、ボールボンディング法によるワイヤボンディングによって結線することにより製造される。
【００３１】
ここで、上述したように、半導体チップ２０の内部には導電層などによるトランジスタなどの素子や当該素子を接続する内層配線等が形成されており、これらを下地として、半導体チップ２０の表面に１次ボンディングパッド２１が形成されている。
【００３２】
そのため、１次ボンディングパッド２１へのワイヤ４０の接続においては、当該ワイヤ４０に加える荷重を小さくして、当該パッド２１およびその下地へのダメージを極力回避することが必要となる。本実施形態のワイヤボンディング方法は、このような点を考慮して工夫されたものである。
【００３３】
次に、本実施形態のワイヤ４０の形成方法すなわちワイヤボンディング方法について、図２、図３を参照して述べる。図２は、本ワイヤボンディング方法におけるボール形成工程、粗化工程を示す工程図であり、図３は、図２に続く工程図であり、当該粗化工程以降の工程を示している。
【００３４】
ここでは、被接合用パッドである半導体チップ２０の１次ボンディングパッド２１を、ボールボンディングが行われる１次ボンディング側とし、２次ボンディングパッド３０をウェッジボンディングが行われる２次ボンディング側として、これら両ボンディングパッド２１、３０がワイヤボンディングされる。
【００３５】
なお、本実施形態におけるワイヤボンディング装置は、この種の一般的なワイヤボンディングを行うことのできる装置であり、超音波などにより振動する図示しないホーンに対して図２、図３に示されるツール１００を取り付けたものである。
【００３６】
そして、このツール１００は当該ホーンによって移動・振動させられる。また、ツール１００は、内部から先端部１０２まで貫通し先端部１０２に開口する内孔１０１を有しており、その内孔１０１にワイヤ４０を挿入して当該ワイヤ４０を保持するとともに、ツール１００の先端部１０２にワイヤ４０を引き出すものである。
【００３７】
まず、図２（ａ）に示されるように、ツール１００の内孔１０１に挿入されたワイヤ４０において、ツール１００の先端部１０２から引き出されたワイヤ４０の引き出し部４０ａを、たとえば水素トーチの火炎や放電スパークなどによって溶融させ、当該引き出し部４０ａをボール形状とする。これがボール形成工程である。
【００３８】
このボール形成工程の後、図２（ｂ）、（ｃ）に示される粗化工程を行う。この粗化工程では、まず図２（ｂ）に示されるように、ボール形状の引き出し部４０ａを、表面が粗化された粗化部材２００に押し付けて、当該引き出し部４０ａが粗化部材２００に押し付けられた部位から潰れるように、当該引き出し部４０ａを塑性変形させる。
【００３９】
その後、図２（ｃ）に示されるように、粗化部材２００からワイヤ４０の引き出し部４０ａを引き離す。それにより、引き出し部４０ａの表面のうち粗化部材２００に押し付けられた部位が粗化される。
【００４０】
この粗化部材２００は、本実施形態のワイヤボンディング装置の適所に設けられるものである。具体的には、セラミックや樹脂よりなる部材であり、その表面が粗化されたものである。ここで、限定するものではないが、セラミックとしてはたとえばアルミナなどが挙げられ、樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂などが挙げられる。
【００４１】
つまり、粗化部材２００は、ワイヤ４０よりも硬く、金や銅などのボールボンディング用のワイヤ４０を押しつけたときに、当該ワイヤ４０との密着性が小さいセラミックや樹脂によって表面が形成されたものが好ましい。また、粗化部材２００としては、表面がセラミックまたは樹脂よりなり、粗化されたものであればよく、たとえば中身が金属などであって、粗化されたセラミックまたは樹脂の膜が当該金属表面にコーティングされたものであってもよい。
【００４２】
また、粗化部材２００の表面を粗化する方法としては、たとえばセラミックの場合には、焼結の度合を制御することでセラミックの粒子形状を表面にむき出しとする方法が挙げられる。それ以外にも、セラミックおよび樹脂の両方の場合については、サンドブラスト、研磨あるいはエッチング等による粗化が挙げられる。
【００４３】
ここでは、図２に示されるように、粗化部材２００においてワイヤ４０の引き出し部４０ａが押し付けられる表面は、平坦面であり、この平坦な表面が粗化されたものである。それゆえ、引き出し部４０ａのうち粗化された表面は、ボールの一部が潰れた面として構成されている。
【００４４】
こうして粗化工程を行った後、図３（ａ）に示されるように、引き出し部４０ａの表面のうち粗化された部位を、被接合用パッドとしての１次ボンディングパッド２１に押し当ててボンディング工程を行う。
【００４５】
このボンディング工程は１次ボンディング工程であり、この工程では、具体的には、図３（ａ）に示されるように、ツール１００によって、このワイヤ４０の引き出し部４０ａを半導体チップ２０の１次ボンディングパッド２１に荷重を加えて押し当てて、図３（ａ）中の矢印Ｙに示されるように、両部材２１、４０の接合界面と平行な方向に、超音波振動を加え、必要に応じて熱も加えながら接合し、１次ボンディングを行う。
【００４６】
その後、ツール１００によって、ツール１００の先端部１０２からワイヤ４０を引き出しながら、ワイヤ４０を２次ボンディングパッド３０まで引き回す（図３（ｂ）、（ｃ）参照）。
【００４７】
次に、２次ボンディングパッド３０まで引き回されたワイヤ４０を、ツール１００の先端部１０２にて２次ボンディングパッド３０に押しつけて、図３（ｃ）中の矢印Ｙに示されるように、両部材３０、４０の接合界面と平行な方向に、超音波振動を加えながら接合し、２次ボンディングを行う。これが２次ボンディング工程である。
【００４８】
そして、図３（ｄ）の矢印に示す順に、ツール１００を上方へ移動させ、２次ボンディングパッド３０からワイヤ４０を切り離す。以上のように、ボール形成工程、粗化工程、１次ボンディング工程、２次ボンディング工程、および、ワイヤ４０の切り離しが、本ワイヤボンディング方法の一連のサイクルである。
【００４９】
この一連のサイクルにおいて１組の１次ボンディングパッド２１と２次ボンディングパッド３０とをワイヤ４０で結線し、ワイヤ４０の切り離しを行った後、別の組の両パッド２１、３０をボンディングするために、再び、ボール形成工程を行い、次のサイクルを開始するのである。
【００５０】
そして、本実施形態では、この一連のサイクルを、ワイヤ４０の接続が必要な各パッド２１、３０の数だけ繰り返す。そして、このサイクルを複数回繰り返すことにより、半導体チップ２０上の複数個の１次ボンディングパッド２１と基板１０上の２次ボンディングパッド３０とが、ワイヤ４０を介して接続されるのである。
【００５１】
ところで、本実施形態のワイヤボンディング方法によれば、ボール形状の引き出し部４０ａを粗化部材２００に荷重を加えて潰すように塑性変形させ、その表面を粗化することにより、引き出し部４０ａにおける１次ボンディングパッド２１との接合部の表面積が増加するとともに、当該接合部の表面には、引き出し部４０ａの内部の部位が外部に生まれ出てなる新生面が適切に形成される。
【００５２】
たとえば、上記従来の特許文献３のようにワイヤを扁平体にするだけでも、その塑性変形により新生面は形成されるが、さらに本実施形態のように、ワイヤ４０における引き出し部４０ａの表面を粗化させるようにすれば、ボール形状とされた後に引き出し部４０ａの表面に存在する酸化膜等の不要な被膜が、当該粗化によって破壊され、新生面が現れやすくなる。
【００５３】
また、被接合用パッドである１次ボンディングパッド２１はアルミニウム等よりなるため、ワイヤ４０との接合前においては、その表面にも酸化膜等の不要な膜が存在することが多い。これについては、粗化された引き出し部４０ａを１次ボンディングパッド２１に押し付けたとき、当該引き出し部４０ａにおける粗化された面の凹凸によって、１次ボンディングパッド２１の表面の不要な膜が破壊されるので、１次ボンディングパッド２１の表面にも当該パッド２１の新生面が形成されやすくなる。
【００５４】
つまり、本実施形態のワイヤボンディング方法によれば、ワイヤ４０側および１次ボンディングパッド２１側の両方において新生面が形成されやすく、それによって互いに新生面同士が接合されるようになるため、接合性の向上が実現できるのである。
【００５５】
そして、引き出し部４０ａにおける当該接合部の表面が粗化されているため、ボンディング時におけるワイヤ４０の横滑り、すなわちパッド２１とワイヤ４０との接合界面に平行な方向への滑りが抑制され、超音波エネルギーが効率よく消費される。
【００５６】
よって、本実施形態のワイヤボンディング方法によれば、低エネルギーで適切にワイヤ４０を被接合用パッド２１に接合することができ、結果、被接合用パッド２１および当該パッド２１の下地へのダメージの軽減が図れる。また、本方法によれば、低荷重でボンディングできるため、Ｃｕなどの硬い金属系ワイヤによっても、低ダメージでボンディングが可能となる。
【００５７】
（第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置Ｓ２の概略断面構成を示す図である。本実施形態の半導体装置Ｓ２は、上記第１実施形態の半導体装置Ｓ１に比べて、さらに粗化部材２００を備えたことが相違するものである。
【００５８】
本実施形態の半導体装置Ｓ２も、ワイヤボンディングによってワイヤ４０が接合される被接合用パッドとしての１次ボンディングパッド２１を半導体チップ２０に有しており、基板１０上に２次ボンディングパッド３０を有し、これら両パッド２１、３０が上記第１実施形態と同様のワイヤボンディング方法によって形成されたワイヤ４０を介して接続されたものである。
【００５９】
ここで、本半導体装置Ｓ２においては、基板１０の一面に、その表面がセラミックまたは樹脂よりなり且つ粗化された粗化部材２００が設けられている。この粗化部材２００は、上記第１実施形態と同様のものであり、ここでは、基板２００の一面に対して、接着やろう付けなどにより接合・固定されている。
【００６０】
本実施形態によれば、被接合用パッドである１次ボンディングパッド２１が設けられている半導体装置Ｓ２自身に、粗化部材２００を設けているから、上記第１実施形態のように、ワイヤボンディング装置などに別途粗化部材を用意することなく、この半導体装置Ｓ２の粗化部材２００を用いて上記第１実施形態と同様のワイヤボンディング方法が適切に行える。
【００６１】
よって、本実施形態によれば、低エネルギーで適切にワイヤ４０を被接合用パッド２１に接合できるワイヤボンディング方法によって、ワイヤ４０を接合するのに適した半導体装置Ｓ２が提供される。
【００６２】
（第３実施形態）
図５は、本発明の第３実施形態に係るワイヤボンディング方法におけるボール形成工程、粗化工程を示す工程図である。本実施形態のワイヤボンディング方法は、上記第１実施形態のワイヤボンディング方法において粗化部材２００の形状を変更したものである。
【００６３】
上記第１実施形態の粗化部材２００は、上記図２に示されるように、ワイヤ４０の引き出し部４０ａが押し付けられる面が平坦な粗化面であったが、図５に示されるように、本方法における粗化部材２００は、円錐状に凹んだ凹部２０１を有し、この凹部２０１の内面が粗化面とされている。
【００６４】
そして、ボール形成工程によってボール形状とされたワイヤ４０の引き出し部４０ａは（図５（ａ）参照）、粗化工程では、図５（ｂ）に示されるように、この凹部２０１に押し付けられ、凹部２０１の形状にならって塑性変形する。それゆえ、図５（ｃ）に示されるように、粗化された引き出し部４０ａの部分は円錐状の突起形状となり、その円錐の側面が粗化された面とされる。
【００６５】
そして、続く１次ボンディング工程では、この引き出し部４０ａにおける円錐状の突起部分を、その先端部側から１次ボンディングパッド２１に押し付け、当該突起部分を潰しながらボンディングを行う。その後は、上記同様に２次ボンディング工程を行う。
【００６６】
このように、本実施形態のボンディング方法によれば、粗化工程において、引き出し部４０ａの変形が上記第１実施形態に比べて、より大きいものとなるので、新生面もより出やすくなることが期待される。なお、本実施形態の粗化部材２００は、ワイヤボンディング装置に備えられたものに限らず、上記第２実施形態のように半導体装置に備えられたものであってもよい。
【００６７】
（第４実施形態）
図６は、本発明の第４実施形態に係るワイヤボンディング方法におけるボール形成工程、粗化工程を示す工程図である。本実施形態のワイヤボンディング方法は、上記第１実施形態のワイヤボンディング方法において粗化工程の後であって１次ボンディング工程の前に、ワイヤ４０の引き出し部４０ａに活性化処理を施すものである。
【００６８】
本実施形態では、ボール形成工程（図６（ａ）参照）、粗化工程（図６（ｂ）参照）によって、粗化された引き出し部４０ａの当該粗化面に対して、さらに、プラズマ照射やスパッタリングを行ってクリーニングすることにより、当該粗化面を清浄化する。この清浄化により、さらに新生面を多く出すことが可能となる。
【００６９】
その後は、本実施形態においても、１次ボンディング工程、２次ボンディング工程を行えばよい。なお、本実施形態の活性化処理工程は、上記第１実施形態に限らず、上記第２実施形態および上記第３実施形態に対して組み合わせて適用してもよい。
【００７０】
（第５実施形態）
図７は、本発明の第５実施形態に係るワイヤボンディング方法における粗化工程を示す工程図である。本実施形態の粗化工程は、ワイヤ４０の引き出し部４０ａが押し付けられた後の粗化部材２００をクリーニングして、常に異物や汚れ等が付着していないクリーンな粗化部材２００とするものである。
【００７１】
図７（ａ）では、粗化部材２００を連続した環状のベルトとして構成し、電動のローラなどで一方向へ回転させるようにする。そして、このベルトとしての粗化部材２００の外周面を粗化面とし、押し付け箇所２００ａを通る粗化部材２００に対して、図７（ｃ）に示されるように、引き出し部４０ａを押し付けて粗化する。
【００７２】
一方、粗化部材２００の外周面のうち引き出し部４０ａが押し付けられた部分は、上記回転によってクリーニング箇所２００ｂまで移動し、そこでクリーニング装置３００によって清掃される。具体的には、空気の吹き付け・吸引や水洗・乾燥などによりクリーニングされ、図７（ｄ）に示されるように、表面の汚れや異物が除去される。
【００７３】
なお、このワイヤ４０の引き出し部４０ａの押し付け、クリーニングは、図７（ｂ）に示されるように、粗化部材２００を左右方向に移動させることにより行ってもよい。この場合、たとえば左側を押し付け箇所２００ａとし、右側をクリーニングアイランド箇所２００ｂとして、粗化部材２００を移動させればよい。
【００７４】
本実施形態によれば、複数のワイヤ４０のボンディングを行うときに、粗化部材２００を常にクリーンな状態に保持しつつ、連続して粗化工程を行うことができるので、効率的である。
【００７５】
（他の実施形態）
なお、本ワイヤボンディング方法は、上述したような半導体チップ２０の被接合用パッド２１と基板１０上のパッド３０とを接続する場合に限定するものではなく、たとえば異なる半導体チップのパッド同士、あるいは、異なる基板のパッド同士、さらには同一基板における異なるパッド間の接続などにも適用できることはもちろんである。
【符号の説明】
【００７６】
２１    被接合用パッドとしての１次ボンディングパッド
４０    ワイヤ
４０ａ  ワイヤの引き出し部
２００  粗化部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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