(57)【要約】【課題】ガスや水分による量子ドット蛍光体の劣化を防ぐことが可能な発光装置、発光モジュール及び照明装置を提供する。【解決手段】凹部６１ａを有する樹脂容器６１と、樹脂容器６１の凹部６１ａの内側に露出した状態で配置される導体部と、凹部６１ａの内側に設けられ、導体部と電気的に接続される発光素子６４と、この発光素子６４から出力される光に対する透光性を有し、凹部６１ａにおいて当該発光素子６４を封止する封止樹脂６５と、凹部６１ａにおいて封止樹脂６５上を覆って設けられ、エピスルフィド化合物とメルカプタン化合物の配合質量比が０．０２〜１．５の範囲とされた樹脂組成物に、さらに量子ドット蛍光体を含む組成からなるバリアコート膜６６と、が備えられる。【選択図】図３
2011198930.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部を有する樹脂容器と、
前記樹脂容器の前記凹部の内側に露出した状態で配置される導体部と、
前記凹部の内側に設けられ、前記導体部と電気的に接続される発光素子と、
前記発光素子から出力される光に対する透光性を有し、前記凹部において当該発光素子を封止する封止樹脂と、
前記凹部において前記封止樹脂上を覆って設けられ、下記一般式（１）で表されるエピスルフィド化合物と、ＳＨ基を１分子あたり２個以上有するメルカプタン化合物との反応物からなり、前記エピスルフィド化合物とメルカプタン化合物の配合質量比が０．０２〜１．５の範囲とされた樹脂組成物に、さらに量子ドット蛍光体を含む組成からなるバリアコート膜と、が備えられることを特徴とする発光装置。
{ただし、下記一般式（１）のｍ、ｎは、それぞれ、ｍが０〜４の整数であり、ｎが０〜１の整数である。}
【化１】
2011198930.tif 000007
【請求項２】
基板と、前記基板に取り付けられる複数の発光装置とを備え、
前記発光装置が請求項１に記載の発光装置であることを特徴とする発光モジュール。
【請求項３】
請求項２に記載の発光モジュールを搭載した照明装置。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、量子ドット蛍光体を含む樹脂組成物を用いた発光ダイオードを含む発光装置、発光モジュール及び照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光ダイオードを用いた発光デバイスの進歩が目覚しく、液晶のバックライト、大型ディスプレイの他、自動車のヘッドライトや室内外の照明器具にも採用されている。
特に、短波長光発光素子用の半導体材料としてＧａＮ系化合物半導体材料が注目を集めている。ＧａＮ系化合物半導体材料の発展により、短波長の光を得ることができたために、これを用いて蛍光体を励起してより多様な波長の光を得ることができるようになった。特に、白色の光を発光ダイオードによって得られるようになるには、ＧａＮ系化合物半導体が不可欠であった。
【０００３】
また、蛍光体としては、量子閉じ込め（ｑｕａｎｔｕｍ  ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）効果を示すナノ粒子蛍光体（以下、量子ドット蛍光体とも言う）が報告されている。特許文献１及び特許文献２には、量子ドット蛍光体をペーストマトリックスに分散させて発光ダイオードに利用することが記載されている。また、特許文献３には、感光性作用基を有する化合物で表面配位された半導体ナノ結晶が記載されている。
【０００４】
また、ＧａＮ系化合物半導体は、サファイア単結晶を始めとして、種々の酸化物やＩＩＩ−Ｖ族化合物を基板として、その上に有機金属気相化学反応法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）等によって形成される。
【０００５】
また、多くの場合、ＬＥＤのパッケージは樹脂によって封止される。例えば、良く知られた砲弾型と呼ばれるランプ形状のパッケージを始め、実装基盤にリフレクタを備えたトップパッケージと呼ばれるパッケージ、サイドビューと呼ばれる横に倒して使用されるパッケージ、あるいは、素子に樹脂を被せて成型して封止するサーフェイスマウントタイプと呼ばれるパッケージ等が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第６，５０１，０９１号明細書
【特許文献２】特表２００７−５３７８８６号公報
【特許文献３】特開２００５−１２８５３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、量子ドット蛍光体は、発光装置の使用環境下において存在するガスや水分に対する耐性が低いため、出力等が低下する等の場合があった。
【０００８】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、ガスや水分による量子ドット蛍光体の劣化を防ぐことが可能な発光装置、発光モジュール及び照明装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記問題を解決するために鋭意検討を行い、本発明を完成した。
即ち、本発明は以下に関する。
【００１０】
［１］  凹部を有する樹脂容器と、前記樹脂容器の前記凹部の内側に露出した状態で配置される導体部と、前記凹部の内側に設けられ、前記導体部と電気的に接続される発光素子と、前記発光素子から出力される光に対する透光性を有し、前記凹部において当該発光素子を封止する封止樹脂と、前記凹部において前記封止樹脂上を覆って設けられ、下記一般式（１）で表されるエピスルフィド化合物と、ＳＨ基を１分子あたり２個以上有するメルカプタン化合物との反応物からなり、前記エピスルフィド化合物とメルカプタン化合物の配合質量比が０．０２〜１．５の範囲とされた樹脂組成物に、さらに量子ドット蛍光体を含む組成からなるバリアコート膜と、が備えられることを特徴とする発光装置。
{ただし、下記一般式（１）のｍ、ｎは、それぞれ、ｍが０〜４の整数であり、ｎが０〜１の整数である。}
【化１】
2011198930.tif 000003
［２］  基板と、前記基板に取り付けられる複数の発光装置とを備え、前記発光装置が上記［１］に記載の発光装置であることを特徴とする発光モジュール。
［３］  上記［２］に記載の発光モジュールを搭載した照明装置。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の発光装置によれば、樹脂容器の凹部において、発光素子を封止する封止樹脂と、該封止樹脂上を覆う、量子ドット蛍光体を含む組成からなるバリアコート膜とが設けられ、このバリアコート膜を構成する樹脂組成物として、上記一般式（１）で表されるエピスルフィド化合物と、ＳＨ基を１分子あたり２個以上有するメルカプタン化合物との反応物からなり、前記エピスルフィド化合物とメルカプタン化合物の配合質量比が０．０２〜１．５からなる組成のものを用いることで、発光装置の内部への水分やガスの侵入を防止し、量子ドットの劣化を防止できるとともに、発光素子や導体部の劣化も防止できる。
【００１２】
また、本発明の発光モジュールは、上記本発明の発光装置が基板に取り付けられてなるものであり、さらに、本発明の照明装置は、上記本発明の発光モジュールが搭載されたものなので、水分やガス等が多い使用環境下においても、発光素子等が劣化することが無く、優れた発光特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の発光装置、発光モジュール及び照明装置の一例を模式的に説明する図であり、バックライト装置（照明装置）が用いられてなる液晶表示装置の全体構成を示す概略図である。
【図２】本発明の発光装置、発光モジュール及び照明装置の一例を模式的に説明する図であり、図１に示す液晶表示装置に備えられるバックライト装置（照明装置）の構造を示す概略図である。
【図３】本発明の発光装置の第１の実施の形態の構成を説明する模式図である。
【図４】本発明の発光装置の一例を模式的に説明する図であり、図３に示す発光装置の製造方法を説明するための概略図である。
【図５】本発明の発光装置の第２の実施の形態の構成を説明する模式図である。
【図６】実施例１及び比較例１の発光装置の寿命試験の結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の発光装置、発光モジュール及び照明装置の実施の形態について、図面を適宜参照しながら説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、発光装置、発光モジュール及び照明装置を説明する図面であって、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の寸法関係とは異なっていることがある。
【００１５】
［第１の実施形態］
図１は、本実施形態が適用される一例である液晶表示装置の全体構成を示す図である。この液晶表示装置は、液晶表示モジュール５０と、この液晶表示モジュール５０の背面側（図１では下部側）に設けられるバックライト装置（照明装置）１０とを備えている。
【００１６】
バックライト装置１０は、バックライトフレーム１１と、半導体発光素子がそれぞれに配列され、バックライトフレーム１１に収容される複数の発光モジュール１２とを備えている。また、バックライト装置１０は、光学フィルムの積層体として、面全体を均一な明るさとするために光を散乱・拡散させる板（またはフィルム）である拡散板１３と、前方への集光効果を持たせたプリズムシート１４、１５とを備えている。また、輝度を向上させるための拡散・反射型の輝度向上フィルム１６が、必要に応じて備えられる。
【００１７】
一方、液晶表示モジュール５０は、２枚のガラス基板により液晶が挟まれて構成される液晶パネル５１と、この液晶パネル５１の各々のガラス基板に積層され、光波の振動をある方向に制限するための偏光板５２、５３とを備えている。さらに、本液晶表示装置には、図示しない駆動用ＬＳＩ等の周辺部材も装着される。
【００１８】
液晶パネル５１は、図示しない各種構成要素を含んで構成されている。例えば、２枚のガラス基板に、図示しない表示電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のアクティブ素子、液晶、スペーサ、シール剤、配向膜、共通電極、保護膜、カラーフィルタ等を備えている。
【００１９】
図２は、本発明の照明装置の一例であるバックライト装置１０の構造を説明するための図である。ここで、図２（ａ）は、発光モジュール１２が装着されたバックライトフレーム１１を、図１に示す液晶表示モジュール５０側から見た上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＩＩＢ−ＩＩＢ断面図である。本実施の形態では、液晶表示モジュール５０の背面直下に光源を置く直下型のバックライト構造を採用している。そして、このバックライト構造では、液晶表示モジュール５０の背面の全体に対してほぼ均等に、発光素子を有する発光装置６０が配列されている。なお、本実施の形態で用いる発光装置６０は、一般的にＬＥＤパッケージと呼ばれるものである。
【００２０】
バックライトフレーム１１は、例えば、アルミニウムやマグネシウム、鉄、又はそれらを含む金属合金などからなる筐体構造を形成している。そして、その筐体構造の内側に、例えば、白色高反射の性能を有するポリエステルフィルム等が貼着され、リフレクタとしても機能するようになっている。この筐体構造としては、液晶表示モジュール５０の大きさに対応して設けられる背面部１１ａと、この背面部１１ａの四隅を囲う側面部１１ｂを備えている。そして、この背面部１１ａ上には放熱シート１８を設けることができる。
【００２１】
図２に示す例では、発光モジュール１２が複数（本例では８枚）設けられている。そして、各々の発光モジュール１２は、それぞれ複数（本例では１枚の発光モジュール１２に対して２本）のネジ１７により、放熱シート１８を介してバックライトフレーム１１に固定されている。
【００２２】
発光モジュール１２は、基板の一例としての配線基板２０と、この配線基板２０に実装される複数（この例では２８個）の発光装置６０とを備えている。なお、各々の発光装置６０は、後述する構成を備えることにより、それぞれが白色光を出力するように構成されている。
【００２３】
図３は、本発明の発光装置の一例であり、本実施形態で用いられる発光装置６０の構成を説明するための図である。ここで、図３（ａ）は発光装置６０の平面図を、図３（ｂ）は図３（ａ）のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線に対応する断面図を、それぞれ示している。
【００２４】
この発光装置６０は、凹部６１ａを有する樹脂容器６１と、樹脂容器６１の凹部６１ａの内側に露出した状態で配置され、樹脂容器６１と一体化したリードフレームからなるアノード用リード部６２（導体部）及びカソード用リード部６３（導体部）と、凹部６１ａの内側に設けられ、アノード用リード部６２及びカソード用リード部６３と電気的に接続される半導体発光素子（発光素子）６４と、この半導体発光素子６４から出力される光に対する透光性を有し、凹部６１ａにおいて当該発光素子６４を封止する封止樹脂６５と、量子ドット蛍光体を含む樹脂組成物からなるバリアコート膜６６とを備えている。なお、図３（ａ）においては、封止樹脂６５及びバリアコート層６６の記載を省略している。
【００２５】
樹脂容器６１は、アノード用リード部６２及びカソード用リード部６３を含む金属リード部に、白色顔料が含有された熱可塑性樹脂（以下の説明においては白色樹脂と呼ぶ）を射出成型することによって形成されている。
【００２６】
この樹脂容器６１を構成する白色樹脂は、可視光の光反射率が８５％以上であって９８％以下となるように白色顔料の含有率、粒径等が調整されている。言い換えると、樹脂容器６１の可視光の光吸収率が１５％未満とされている。白色顔料としては、亜鉛華、鉛白、リトポン、チタニア（酸化チタン）、酸化アルミニウム、沈降性硫酸バリウム及びバライト粉が挙げられる。特に酸化チタンを用いることが好ましい。チタニアは、他の白色顔料に比べて屈折率が高く、また、光吸収率が低いので、本実施形態の樹脂容器６１に好適に用いることができる。
【００２７】
また、製造工程でハンダリフロー等の温度が付与される工程が複数あるので、白色樹脂は、耐熱性も十分に考慮された材質が選定されている。この樹脂容器６１の基材となる樹脂としては、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリウレタン（ＰＵ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ＡＢＳ樹脂（ＡＢＳ）、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリアセタール樹脂（ＰＯＭ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ポリアミドや液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ポリスチレンなどが好適に使用される。ポリアミドには、例えば、ナイロン６、ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロン６６、ナイロン６１０、ナイロン４T、ナイロン６Ｔ、ナイロン６Ｉ、ナイロン９Ｔ、ナイロンＭ５Ｔ等のＰＰＡ（ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）類が挙げられる。本実施の形態では、ジアミンとイソフタル酸又はテレフタル酸との共重合体であるナイロン４Ｔ、ナイロン６Ｔ、ナイロン６Ｉ、ナイロン９Ｔ、ナイロンＭ５Ｔが特に好ましい。
【００２８】
樹脂容器６１に設けられる凹部６１ａは、円形状を有する底面７０と、底面７０の周縁から樹脂容器６１の上部側に向けて拡開するように立ち上がる壁面８０とを備えている。ここで、底面７０は、凹部６１ａに露出するアノード用リード部６２（導体部）及びカソード用リード部６３（導体部）と、アノード用リード部６２とカソード用リード部６３との間の隙間に露出する樹脂容器６１の白色樹脂とによって構成されている。ただし、底面７０の半分以上の領域が、アノード用リード部６２（導体部）とカソード用リード部６３（導体部）とによって占められている。一方、壁面８０は、樹脂容器６１を構成する白色樹脂によって構成されている。なお、底面７０の形状については、円形、矩形、楕円形、多角形の何れでもよい。また、壁面８０の形状は、円形、矩形、楕円形、多角形の何れでもよく、また、底面形状と同一でもよく、本実施形態のように異なっていてもよい。
【００２９】
導体部の一例としてのアノード用リード部６２及びカソード用リード部６３は、それぞれの一部が樹脂容器６１内に挟まれて保持されるとともに、他の一部が樹脂容器６１の外部に露出されており、半導体発光素子６４に電流を印加するための端子とされている。ここで、表面実装を前提とする場合には、図３に示す例のように、アノード用リード部６２及びカソード用リード部６３を、それぞれ樹脂容器６１の裏側に折り曲げて樹脂容器６１の底部にその先端を配設することが望ましい。
【００３０】
また、アノード用リード部６２及びカソード用リード部６３、即ちリードフレーム（金属導体）は、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度の厚みをもつ金属板であり、銅合金等の金属導体をベースとし、その表面には銀メッキが施されることによって銀メッキ層が形成されている。従って、凹部６１ａの底面７０には、金属導体であるアノード用リード部６２の一部（導体部）及びカソード用リード部６３の一部（導体部）の銀メッキ層が露出していることになる。なお、銀メッキ層は、一般的な銀メッキ条件によって形成されたものである。
【００３１】
半導体発光素子６４は、凹部６１ａの底面７０に露出するカソード用リード部６３上に、シリコン樹脂又はエポキシ樹脂からなるダイボンド剤等で接着され、固定されている。
この半導体発光素子６４は、ｎ型電極及びｐ型電極を有しており、ボンディングワイヤを介して、ｐ型電極がアノード用リード部６２に、ｎ型電極がカソード用リード部６３に、それぞれ接続されている。なお、本実施形態で用いた発光装置６０では、図３（ａ）に示すように、半導体発光素子６４が、円形状を有する底面７０のほぼ中央部に取り付けられている。
【００３２】
半導体発光素子６４は、波長領域に関し、何ら制限なく使用される。青色領域に主発光ピークを有する半導体発光素子を用いる場合には、例えば、４３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する半導体発光素子６４が使用できる。青色領域に主発光ピークを有する半導体発光素子６４を用いる場合には、公知なものが好ましく使用される。青色領域に主発光ピークを有する半導体発光素子６４としては、例えば、サファイア基板の上に形成されるＡｌＮからなるシード層と、シード層上に形成される下地層と、ＧａＮを主体とする積層半導体層とを少なくとも備えたものが例示できる。なお、積層半導体層は、基板側から下地層、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層の順に積層されて構成されたものが多い。
【００３３】
封止樹脂６５としては、例えば、可視領域において透明な各種樹脂を適宜適用して差し支えない。
封止樹脂６５としては、凹部６１ａを覆うように封止する硬化性樹脂と、これを硬化させる硬化剤と、さらに必要により配合される、例えば酸化防止剤、変色防止剤、光劣化防止剤、反応性希釈剤、無機充填剤、難燃剤、有機溶剤等を含むものがよい。
硬化性樹脂としては、主剤及び硬化剤と、主剤と硬化剤との硬化反応を促進する硬化反応促進剤を含む２液型硬化性樹脂が挙げられる。具体的には、例えば、硬化性シリコン樹脂、硬化性エポキシ樹脂、硬化性エポキシシリコン混成樹脂、硬化性アクリル樹脂、硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの中でも、硬化性シリコン樹脂、硬化性エポキシ樹脂が好ましい。
【００３４】
（硬化性シリコン樹脂）
硬化性シリコン樹脂としては、一般に、分子中にケイ素原子結合アルケニル基を有する化合物（主剤）と、分子中にケイ素原子結合水素原子を有する化合物（硬化剤）と、ヒドロシリル化反応触媒（硬化反応促進剤）とを含有してなる液状硬化性シリコン樹脂が好ましい。主剤としては、１分子中に、好ましくは２個〜６個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンが挙げられる。ケイ素原子の結合したアルケニル基は、オルガノポリシロキサン分子中、分子鎖末端にあっても、分子鎖非末端にあっても、あるいはその両方にあってもよい。また、オルガノポリシロキサンの構造は、特に限定されるものではなく、例えば、直鎖状、分岐鎖状、三次元網状、環状等のいずれであってもよいが、好ましくは三次元網状である。
硬化剤としては、ケイ素原子に結合した水素原子を１分子中に少なくとも２個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンが挙げられる。ケイ素原子に結合した水素原子は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン分子中、分子鎖末端にあっても、分子鎖非末端にあっても、あるいはその両方にあってもよい。また、オルガノハイドロジェンポリシロキサンの構造は、特に限定されるものではなく、例えば、直鎖状、分岐鎖状、三次元網状、環状等のいずれであってもよいが、好ましくは直鎖状または環状である。
【００３５】
硬化反応促進剤としては、主剤であるオルガノポリシロキサン中のケイ素原子に結合したアルケニル基と、硬化剤であるオルガノハイドロジェンポリシロキサン中のケイ素原子結合水素原子とのヒドロシリル化反応を促進するヒドロシリル化反応触媒が挙げられる。
ヒドロシリル化反応触媒としては、特に限定されず、従来公知のものが全て使用できる。例えば、白金黒、塩化第二白金、塩化白金酸、塩化白金酸と一価アルコールとの反応生成物、塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒；パラジウム系触媒、ロジウム系触媒等の白金族金属系触媒等が挙げられる。
【００３６】
（硬化性エポキシ樹脂）
硬化性エポキシ樹脂の主剤としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、室温（例えば、２５℃）で液状のものであれば使用可能である。具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ等のビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹脂等のトリフェノールアルカン型エポキシ樹脂；フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、シクロペンタジエン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの硬化性エポキシ樹脂は１種単独で又は２種以上混合して用いることができる。
【００３７】
硬化性エポキシ樹脂の硬化剤としては、例えば、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）等の脂肪族ポリアミン；ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）等の芳香族ポリアミン；ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジド等を含むポリアミン化合物；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物；無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等を含む酸無水物；ノボラック型フェノール樹脂、フェノールポリマー等のポリフェノール化合物；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテル等のポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネート等のイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂等の有機酸類等の重付加型の硬化剤；ベンジルジメチルアミン（ＢＤＭＡ）、２，４，６−トリスジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）等の３級アミン化合物；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（ＥＭＩ２４）等のイミダゾール化合物；ＢＦ３錯体等のルイス酸等の触媒型の硬化剤；レゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂；メチロール基含有尿素樹脂のような尿素樹脂；メチロール基含有メラミン樹脂のようなメラミン樹脂等の縮合型の硬化剤が挙げられる。これらの硬化剤は単独あるいは２種類以上組み合わせて使用することができる。
硬化剤の含有量は、特に限定されないが、通常、液状硬化性樹脂組成物全体の０．１質量％〜３０質量％、好ましくは、５質量％〜１５質量％の範囲で適宜選択される。
【００３８】
硬化性エポキシ樹脂の硬化反応促進剤としては、例えば、イミダゾール化合物、アミン化合物、トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッドボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイルオキシボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフチルオキシボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート；ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物等が挙げられる。これらの中でも、イミダゾール化合物と、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物とが好ましい。
【００３９】
バリアコート膜６６は、凹部６１ａ内において封止樹脂６５の上を覆って設けられ、半導体発光素子６４が発する光を吸収してより長波長の光を発する二種類以上の量子ドット蛍光体６６ａと、量子ドット蛍光体６６ａを均一に分散させた状態で含有する透明樹脂６６ｂとから構成されている。この例において、量子ドット蛍光体６６ａは、半導体発光素子６４が発する青色光を吸収して緑色光を発する緑色蛍光体と、半導体発光素子６４が発する青色光を吸収して赤色光を発する赤色蛍光体とを含んでいる。なお、赤色蛍光体は、緑色蛍光体が発する光でも励起されるので、緑および赤の蛍光体の比率により、発光装置６０から出力される光の色度の動きは非常に複雑に変化する。このような色度の調節には、半導体発光素子６４の発光波長と、緑および赤の蛍光体の比率と、バリアコート膜６６における蛍光体の濃度と、バリアコート膜６６の上面すなわち光が出射される出射面６６ｃの形状とが関係する。
【００４０】
この発光装置６０においては、半導体発光素子６４が発する青色光と、量子ドット蛍光体６６ａに含まれる緑色蛍光体が発する緑色光と、同じく量子ドット蛍光体６６ａに含まれる赤色蛍光体が発する赤色光とによって、青、緑、赤の３原色が揃う。このため、バリアコート膜６６の出射面６６ｃからは、白色光が出射されるようになっている。液晶表示装置のバックライトとしてこの白色光を使った場合の色再現範囲は、半導体発光素子６４の主発光ピークの波長および半値幅と、量子ドット蛍光体６６ａの発光ピークの波長および半値幅とで決まる。
【００４１】
（量子ドット蛍光体）
本実施形態の発光装置６０において、バリアコート膜６６をなす樹脂組成物は、液状硬化性の樹脂組成物であり、量子ドット蛍光体と、特定の化学構造を有する液状硬化性樹脂とを含むものである。
このような樹脂組成物に含まれる量子ドット蛍光体は、その粒径が１ｎｍ〜１０００ｎｍを指し、数十ｎｍ以下の場合は、量子効果を発現する蛍光体である。量子ドット蛍光体の粒径は、さらに好ましくは２〜１００ｎｍの範囲内が良い。
【００４２】
量子ドット蛍光体の構造は、無機蛍光体コア及びこの無機蛍光体の表面に配位した炭化水素基から構成され、場合によっては、炭化水素基の結合を促進させる無機物質からなるシェルがコアの表面に被覆されている。
【００４３】
（無機蛍光体）
無機蛍光体としては、例えば、ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体のナノ結晶、ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体のナノ結晶等が挙げられる。また、これらのナノ結晶の形態は特に限定されず、例えば、ＩｎＰナノ結晶のコア部分に、ＺｎＳ／ＺｎＯ等からなるシェル部分が被覆されたコア・シェル（ｃｏｒｅ−ｓｈｅｌｌ）構造を有する結晶、またはコア・シェルの境が明確でなくグラジエント（ｇｒａｄｉｅｎｔ）に組成が変化する構造を有する結晶、あるいは同一の結晶内に２種以上の化合物結晶が部分的に分けられて存在する混合結晶；２種以上のナノ結晶化合物の合金等が挙げられる。
化合物半導体の具体例としては、二元系では、ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体として、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ等が挙げられる。また、ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体としては、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ等が挙げられる。
【００４４】
化合物半導体のより詳細な具体例としては、周期表の２族からの第１元素と、周期表の１６族からの第２元素とからなり、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むＩＩＡ−ＶＩＢ（２−１６）材料であってもよく、ナノ粒子材料としては、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、ＢａＴｅを含むが、本発明ではこれらに限定されない。
【００４５】
また、化合物半導体のより詳細な具体例としては、周期表の１２族からの第１元素と、周期表の１６族からの第２元素とからなり、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むＩＩＢ−ＶＩＢ（１２−１６）材料であってもよく、ナノ粒子材料としては、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅを含むが、本発明ではこれらに限定されない。
【００４６】
また、化合物半導体のより詳細な具体例として、周期表の１２族からの第１元素と、周期表の１５族からの第２元素とからなり、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むＩＩ−Ｖ材料であってもよく、ナノ粒子材料としては、Ｚｎ３Ｐ２、Ｚｎ３Ａｓ２、Ｃｄ３ Ｐ２、Ｃｄ３Ａｓ２、Ｃｄ３Ｎ２、Ｚｎ３Ｎ２を含むが、本発明ではこれらに限定されない。
【００４７】
また、化合物半導体のより詳細な具体例として、周期表の１３族からの第１元素と、周期表の１５族からの第２元素とからなり、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むＩＩＩ−Ｖ材料であってもよく、ナノ粒子材料は、ＢＰ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ；ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ；ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＮ、ＢＮを含むが、本発明ではこれらに限定されない。
【００４８】
また、化合物半導体のより詳細な具体例として、周期表の１３族からの第１元素と、周期表の１６族からの第２元素とからなり、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むＩＩＩ−ＩＶ材料であってもよく、ナノ粒子材料は、Ｂ４Ｃ、Ａｌ４Ｃ３、Ｇａ４Ｃを含むが、本発明ではこれらに限定されない。
【００４９】
また、化合物半導体のより詳細な具体例として、周期表の１３族からの第１元素と、周期表の１６族からの第２元素とからなり、また、三元及び四元材料を含むＩＩＩ−ＶＩ材料であってもよく、ナノ粒子材料としては、Ａｌ２Ｓ３、Ａｌ２Ｓｅ３、Ａｌ２Ｔｅ３、Ｇａ２Ｓ３、Ｇａ２Ｓｅ３、ＧｅＴｅ；Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｇａ２Ｔｅ３、Ｉｎ２ Ｔｅ３、ＩｎＴｅを含むが、本発明ではこれらに限定されない。
【００５０】
また、化合物半導体のより詳細な具体例として、周期表の１４族からの第１元素と、周期表の１６族からの第２元素とからなり、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むＩＶ−ＶＩ材料であってもよく、ナノ粒子材料は、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、Ｓｂ ２Ｔｅ３、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅを含むが、本発明ではこれらに限定されない。
【００５１】
本発明においては、周期表の遷移金属における任意の族からの第１元素と、周期表のｄ−ブロック元素の任意の族からの第２元素とからなり、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むナノ粒子材料であってもよく、ナノ粒子材料は、ＮｉＳ、ＣｒＳ、ＣｕＩｎＳ２を含むが、これには限定されない。
なお、本明細書中において、ドープナノ粒子という用語を用いることがあるが、これは上記のナノ粒子、及び１以上の主族又は希土類元素を含むドーパントを指す。これは、多くの場合、Ｍｎ＋ でドープされたＺｎＳナノ粒子のような、マンガンを有する硫化亜鉛のような遷移金属又は希土類元素であるが、これには限定されない。
【００５２】
また、三元系（三元相）の無機蛍光体は、前述したような族から選ばれた３つ元素を組成物であり、例えば、(ＺｎｘＣｄｘ−１Ｓ)ｍＬｎナノ結晶(Ｌはキャッピング剤である)で表すことができる。
また、四元系（四元相）の無機蛍光体は、前述したような族から選ばれた４つ元素を組成物であり、例えば、(ＺｎｘＣｄｘ−１ＳｙＳｅｙ−１)ｍＬｎナノ結晶(Ｌはキャッピング剤である)で表すことができる。
【００５３】
これらの三元系や四元系としては、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＰＡｓ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＰＡｓ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＰＡｓ、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＰＡｓ等が挙げられる。
【００５４】
本実施形態で使用する無機蛍光体の調製方法は、特に限定されないが、例えば、金属前駆体を用いる化学的湿式方法による調製方法が挙げられ、具体的には、所定の金属前駆体を、分散剤の存在下又は分散剤の非存在下において有機溶媒に加えて、一定の温度で結晶を成長させる方法で製造することができる。
【００５５】
（炭化水素基）
次に、無機蛍光体の表面に配位する炭化水素基としては、炭素数２〜炭素数３０、好ましくは炭素数４〜炭素数２０の直鎖構造又は分岐構造を有する脂肪族炭化水素基が挙げられる。
【００５６】
無機蛍光体の表面に配位する炭化水素基は、無機蛍光体に配位するための官能基を有する。このような官能基としては、例えば、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトリル基、水酸基、エーテル基、カルボニル基、スルフォニル基、ホスフォニル基等が挙げられ、これらの中でも、カルボキシル基が好ましい。
なお、炭化水素基は、無機蛍光体に配位するための官能基以外に、炭化水素基の中間又は末端に、さらに官能基を有する場合がある。このような官能基としては、例えば、ニトリル基、カルボキシル基、ハロゲン基、ハロゲン化アルキル基、アミノ基、芳香族炭化水素基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシル基、炭素−炭素二重結合等が挙げられる。
【００５７】
（量子ドット蛍光体の調製方法）
本実施形態で使用する量子ドット蛍光体は、所望の化合物半導体のナノ結晶が得られる金属前駆体を用いてナノ結晶を製造した後、次いで、これをさらに有機溶媒に分散させる。
そして、ナノ結晶を所定の反応性化合物によって処理することにより、無機蛍光体の表面に炭化水素基が配位した構造を有する量子ドット蛍光体を調製することができる。
処理方法としては特に制限されず、例えば、ナノ結晶の分散液を反応性化合物の存在下に還流させる方法が挙げられる。
【００５８】
本実施の形態で使用する量子ドット蛍光体において、無機蛍光体に配位する炭化水素基の量は特に限定されないが、通常、無機蛍光体１粒子に対し、炭化水素基２モル〜２００モル、好ましくは３モル〜１００モルである。
無機蛍光体に配位する炭化水素基の量が過度に少ないと、蛍光体粒子が凝縮しやすくなるうえに、樹脂組成物との反応点が少なくなり、無機蛍光体の安定性が低下する傾向がある。
また、無機蛍光体に配位する炭化水素基の量が過度に多いと、無機蛍光体に配位できない過剰の炭化水素基が存在するようになり、バリアコート層をなす樹脂組成物の性能低下を引き起こしやすくなる傾向がある。
【００５９】
一方、バリアコート膜６６を構成する透明樹脂６６ｂとしては、ガスや水分によるＬＥＤチップやリードの劣化を防ぐことが可能な下記の樹脂組成物からなる樹脂が使用される。
即ち、下記一般式（１）で表されるエピスルフィド化合物と、ＳＨ基を１分子あたり２個以上有するメルカプタン化合物とからなり、前記エピスルフィド化合物中のエピスルフィド基の総計のモル数に対する前記メルカプタン化合物中のＳＨ基の総計のモル数が０．０２〜１．５からなる樹脂組成物が使用される（なお、本明細書においては、この樹脂組成物をチオエポキシ基を有する樹脂組成物と記載することがある）。
【００６０】
【化２】
2011198930.tif 000004
【００６１】
なお、上記一般式（１）のｍ、ｎはそれぞれ、ｍが０〜４の整数であり、ｎが０〜１の整数であることが好ましい。上述の樹脂は、可視領域において透明な樹脂として有益である。
【００６２】
上記一般式（１）で表されるエピスルフィド化合物は、例えばビス（β−エピチオプロピル）スルフィド（ｎ＝０）またはビス（β−エピチオプロピル）ジスルフィド（ｎ＝１、ｍ＝０）等である。
【００６３】
また、チオエポキシを一部補完する目的でエポキシ化合物を用いることも出来る。このような化合物としては、例えば、ジャパンエポキシレジン（株）製の商品名エピコート８０６、８２８、８３４、１００２、１００４等のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン（株）製の商品名エピコート８０６、８０７、４００５Ｐ、東都化成（株）製の商品名ＹＤＦ−１７０等のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン（株）製の商品名エピコートＹＸ−８０００、ＹＸ−８０３４等の水添エポキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン（株）製の商品名エピコート１５２、１５４、日本化薬（株）製の商品名ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製の商品名ＤＥＮ−４３８等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂、日本化薬（株）製の商品名ＥＯＣＮ−１２５Ｓ、１０３Ｓ、１０４Ｓ等のｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン（株）製の商品名エピコートＹＸ−４０００，ＹＬ−６６４０等のビフェニル型エポキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン（株）製の商品名エピコート１０３１Ｓ、ナガセ化成（株）製の商品名デナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、Ｅ−４１１、ＥＸ−３２１等の多官能エポキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン（株）製の商品名エピコート６０４、東都化成（株）製の商品名ＹＨ−４３４、三菱ガス化学（株）製の商品名ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、日本化薬（株）製の商品名ＧＡＮ、住友化学（株）製の商品名ＥＬＭ−１２０等のアミン型エポキシ樹脂、ダイセル化学工業（株）製のセロキサイド２０２１P等の脂環式エポキシ樹脂等が挙げられ、これらを単独で又は２種類以上組み合わせて使用することができる。
【００６４】
エポキシ樹脂は、一般に、チオエポキシよりは相当に安価であり、また、ガラス転移温度を上げる効果もあるが、使用量が多くなると肝心の酸素や硫化水素ガスのバリア性が悪くなってしまうため、チオエポキシ樹脂とエポキシ樹脂を配合後の割合で、等質量以下、好ましくは５０質量%以下、更に好ましくは２０質量%以下に留めるべきである。
【００６５】
また、ＳＨ基を１分子あたりで２個以上有するメルカプタン化合物の例としては、メタンジチオール、メタントリチオール、１，２−ジメルカプトエタン、ビス（２−メルカプトエチル）スルフィド、ビス（２−メルカプトエチルエーテル）、ビス（２，３−ジメルカプトプロピル）スルフィド、１，２，３−トリメルカプトプロパン、２−メルカプトメチル−１，３−ジメルカプトプロパン、２−メルカプトメチル−１，５−ジメルカプト−３−チアペンタン、４−メルカプトメチル−１，８−ジメルカプト−３，６−ジチアオクタン、２，４−ビス（メルカプトメチル）−１，５−ジメルカプト−３−チアペンタン、４，８−ビス（メルカプトメチル）−１，１１−ジメルカプト−３，６，９−トリチアウンデカン、４，７−ビス（メルカプトメチル）−１，１１−ジメルカプト−３，６，９−トリチアウンデカン、５，７−ビス（メルカプトメチル）−１，１１−ジメルカプト−３，６，９−トリチアウンデカン、３，５−ビス（メルカプトメチルチオ）−１，７−ジメルカプト−２，６−ジチアヘプタン、１，２，７−トリメルカプト−４，６−ジチアヘプタン、１，２，９−トリメルカプト−４，６，８−トリチアノナン、１，２，６，７−テトラメルカプト−４−チアヘプタン、１，２，８，９−テトラメルカプト−４，６−ジチアノナン、１，２，１０，１１−テトラメルカプト−４，６，８−トリチアウンデカン、１，２，１２，１３−テトラメルカプト−４，６，８，１０−テトラチアトリデカン、エチレングリコールビス（チオグリコレート）、トリメチロールプロパントリス（チオグリコレート）、ペンタエリスリトールテトラキス（チオグリコレート）、エチレングリコールビス（３−メルカプトプロピオネート）、トリメチロールプロパントリ（３−メルカプトプロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオネート）、エチレングリコールビス（３−メルカプトブタノエート）、トリメチロールプロパントリ（３−メルカプトブタノエート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトブタノエート）、テトラキス（メルカプトメチル）メタン、テトラキス（４−メルカプト−２−チアブチル）メタン、テトラキス（７−メルカプト−２，５−ジチアヘプチル）メタン、２，５−ビス（メルカプトメチル）−１，４−ジチアン、ビス（４−メルカプトフェニル）スルフィド、ビス（４−メルカプトメチルフェニル）メタン、２，２−ビス（４−メルカプトメチルフェニル）プロパン、ビス（４−メルカプトメチルフェニル）エーテル、ビス（４−メルカプトメチルフェニル）スルフィド等が挙げられるが、トリメチロールプロパントリス（チオグリコレート）、ペンタエリスリトールテトラキス（チオグリコレート）、トリメチロールプロパントリ（３−メルカプトプロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオネート）、トリメチロールプロパントリ（３−メルカプトブタノエート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトブタノエート）が特に好ましい。
【００６６】
エピスルフィド基とエポキシ基を持つ化合物を合せた総量に対してのＳＨ基を持つ化合物の総量の質量比の下限としては、０．０２以上、好ましくは０．１以上、さらには０．２以上が特に好ましい。質量比が下限値を大幅に下回ると、硬化速度が遅くなり、好ましくない。また、上限値については、１．５以下、好ましくは１以下、さらには０．８以下が特に好ましい。また、配合質量比としては、０．０２〜１．５の範囲が好ましい。この質量比が上限値を超えると、硬化樹脂が柔らなくなるので好ましくない。
また、上記一般式（２）のｍが４を超えると可撓性が低下するので好ましくなく、ｎが１を超えるとガラス転移温度があまりに低下するので好ましくない。
【００６７】
また、バリアコート膜６６には、白色光を出射させる出射面６６ｃが設けられている。この例では、図３（ｂ）に示すように、樹脂容器６１の上部側、即ち凹部６１ａの開口部側に出射面６６ｃが形成されている。
この発光装置６０においては、図３（ｂ）に示すように、好ましくは出射面６６ｃの中央部が樹脂容器６１の上面よりも凹んでおり、その凹み量ｄが上面から−２０μｍ〜−１００μｍの範囲に設定されているのが特に好ましい。凹み量ｄは、樹脂容器６１の開口端の高さと、出射面６６ｃの最低高さとの差になる。なお、ここでは、樹脂容器６１の開口端の高さを基準（０）としたとき、半導体発光素子６４に近づく側をマイナス（−）としている。
【００６８】
従って、凹み量ｄが上面から−２０μｍ〜−１００μｍの範囲とは、樹脂容器６１の開口端の高さを０μｍとしたときに、出射面６６ｃの最低高さが上面よりも２０μｍ〜１００μｍの範囲で半導体発光素子６４側に位置していることを意味する。この凹み量ｄは、レーザ変位計（たとえばオムロン製  ＺＳＨＬＤ２）で測定することができる。
【００６９】
本発明においてバリアコート膜６６に使用される、上記一般式（１）で表される、エピスルフィド化合物とＳＨ基を１分子あたり２個以上有するメルカプタン化合物とからなる樹脂組成物は、少なくとも水蒸気透過率は、透湿度で５（ｇ／ｍ２・２４時間）以下、好ましくは１（ｇ／ｍ２・２４時間）以下、さらに望ましくは０．５（ｇ／ｍ２・２４時間）以下のバリア性能を有する。
また、上記一般式（１）で表される、エピスルフィド化合物とＳＨ基を１分子あたり２個以上有するメルカプタン化合物とからなる樹脂組成物は、少なくとも酸素透過率が、５０００（ｃｍ３）／ｍ２／２４ｈ／ａｔｍ）以下、好ましくは２０００（ｃｍ３）／ｍ２／２４ｈ／ａｔｍ）以下、さらに望ましくは５００（ｃｍ３）／ｍ２／２４ｈ／ａｔｍ）以下のバリア性能を有する。
また、本発明において、上記樹脂組成物は、硫化水素に対しても高いバリア性能を有する。
【００７０】
このように、本発明において形成される上記樹脂組成物からなるバリアコート膜６６は、水、酸素または硫化水素に対し高いガスバリア性を有し、パッケージ内部への侵入を防止することができる。これにより、水、酸素、硫化水素等が、凹部６１ａの底面７０に露出するアノード用リード部６２（導体部）、カソード用リード部６３（導体部）及び半導体発光素子６４まで達するおそれがない。なお、水蒸気、酸素及び硫化水素等のガス透過率測定は、例えば、ＪＩＳ  Ｋ７１２６のガスクロ法に準じて容易に測定することができる。
【００７１】
また、本発明において、バリアコート膜６６の厚みは１〜３０００μｍの範囲が好ましく、１０〜２０００μｍの範囲がより好ましく、５０〜１０００μｍの範囲が最も好ましい。バリアコート膜６６の厚みが上記下限値以上であれば、水、酸素、硫化水素等の透過を防止することができる。また、バリアコート膜６６の厚みが上記上限値以下であれば、白色光を吸収することがなく、発光装置６０の出力を高められる。
【００７２】
次に、図３に示す発光装置６０の発光動作について説明する。
アノード用リード部６２を正極とし、カソード用リード部６３を負極として半導体発光素子６４に電流を流すと、半導体発光素子６４は所定の光を出力する。例えば、半導体発光素子６４に青色光を発光する半導体発光素子を用いた場合、半導体発光素子６４から出力された青色光は、封止樹脂６５及びバリアコート膜６６内を進行し、直接あるいは底面７０や壁面８０で反射した後に出射面６６ｃから外部に出射される。但し、出射面６６ｃに向かう光の一部は、出射面６６ｃで反射し、再びバリアコート膜６６及び封止樹脂６５内を進行する。この間、バリアコート膜６６内において、青色光の一部は量子ドット蛍光体６６ａによって緑色光および赤色光に変換され、変換された緑色光及び赤色光は、直接あるいは底面７０や壁面８０で反射した後、青色光と共に出射面６６ｃから外部に出射される。したがって、出射面６６ｃからは、青色光、緑色光及び赤色光を含む白色光が出射されることになる。
【００７３】
では続いて、図４を参照しながら、図３に示す発光装置６０の製造方法について説明する。
まず、アノード用リード部６２及びカソード用リード部６３を一体化したリードフレームに、白色樹脂を射出成形して、凹部６１ａを有する樹脂容器６１を形成する。
樹脂容器６１の凹部６１ａの底面７０に露出するカソード用リード部６３上に半導体発光素子６４を接着固定し、ボンディングワイヤによって半導体発光素子６４のｐ型電極及びｎ型電極と、対応するアノード用リード部６２及びカソード用リード部６３とを、それぞれ接続する。
【００７４】
次に、凹部６１ａに封止樹脂６５を形成する際は、硬化性樹脂や硬化剤の他、必要に応じて酸化防止剤、変色防止剤、光劣化防止剤、反応性希釈剤、無機充填剤、難燃剤、有機溶剤等を配合した混合樹脂Ｓを充填する。この際、半導体発光素子６４及びボンディングワイヤを混合樹脂Ｓで覆うとともに、この混合樹脂Ｓの液面Ｒ1を、樹脂容器６１の上面６１ｂよりも若干低い位置に設定する。
なお、封止樹脂６５には、量子ドット蛍光体６６ａが含有されていてもよく、または含有されていなくともよい。
【００７５】
樹脂容器６１の凹部６１ａへの混合樹脂Ｓの充填は、ペーストの吐出装置を用いたポッディング法によって行えば良い。この吐出装置は、混合樹脂Ｓを吐出する吐出ノズルＮと、図示しない制御部とを具備して構成されている。
【００７６】
混合樹脂Ｓは、真密度が３ｇ／ｃｍ3以上４．７ｇ／ｃｍ3以下の範囲が好ましい。さらに、混合樹脂Ｓは、粘度が４０００ｃＰ〜１５０００ｃＰの範囲に調整されてなるものが好ましい。
【００７７】
なお、混合樹脂Ｓの注入量は、注入圧力によって制御される。液面Ｒ1の高さは、上述したレーザ変位計（例えば、オムロン社製：ＺＳＨＬＤ２）で制御することができる。また、注入後の硬化熱処理をする前に液面Ｒ1の高さを測定し、後述のバリアコート膜６６の形成領域を考慮しながら、液面Ｒ1の高さを、凹部６１ａの上面６１ｂよりも低い位置に設定すれば良い。
【００７８】
次に、混合樹脂Ｓを硬化させて封止樹脂６５を形成する。硬化処理は、例えば、加熱処理等によって行えばよい。その後、リードフレームをアノード用リード部６２及びカソード用リード部６３に分離するための切断処理並びにリードフレームの折り曲げ処理を行なう。
【００７９】
次に、凹部６１ａに形成された封止樹脂６５の上に、さらに、バリアコート膜６６を形成するため、まず、量子ドット蛍光体６６ａと未硬化状態の透明樹脂６６ｂとを含む混合樹脂ペーストＲを充填する。この際、混合樹脂ペーストＲの液面Ｒ２を樹脂容器６１の上面６１ｂよりも凹ませ、その凹み量ｄを上面６１ｂから−２０μｍ〜−１００μｍの範囲に設定する。例えば図４に示す例では、液面Ｒ２の中心部Ａ２の高さと液面Ｒ２の端部Ｂ２の高さとの差を２０μｍ〜１００μｍの範囲にする。
【００８０】
混合樹脂ペーストＲは、混合樹脂Ｓと同様、真密度を３ｇ／ｃｍ3以上４．７ｇ／ｃｍ3以下の範囲とすることが好ましい。さらに、混合樹脂ペーストＲは、量子ドット蛍光体６６ａが、未硬化状態の透明樹脂６６ｂに混合されてなるものが好ましく、粘度が４０００ｃＰ〜１５０００ｃＰの範囲に調整されてなるものがさらに好ましい。
【００８１】
なお、混合樹脂ペーストＲの注入量は、上記混合樹脂Ｓと同様に注入圧力によって制御され、液面Ｒ２の高さは上述したレーザ変位計によって制御できる。また、混合樹脂ペーストＲを注入した後の硬化熱処理を行う前に液面Ｒ２の高さを測定し、その位置が凹部６１ａの端部Ｂ２同士を結んだ中点から−２０μｍ〜−１００μｍに入るように注入圧力を制御すればよい。
【００８２】
次に、混合樹脂ペーストＲを、上記混合樹脂Ｓと同様に、加熱処理等の方法によって硬化させ、バリアコート膜６６を形成することにより、図３（ａ）、（ｂ）に例示するような発光装置６０が得られる。
【００８３】
［第２の実施形態］
図５は、本実施形態が適用される一例である発光装置６０Ａの構成を説明するための図である。ここで、図５（ａ）は発光装置６０の上面図を、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＶＢ−ＶＢ断面図を、それぞれ示している。
【００８４】
この発光装置６０Ａの基本構成は、上記第１の実施形態で用いた発光装置６０とほぼ同様である。但し、リードフレームが４個の金属リード部、具体的には、第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃ、及びカソード用リード部６３によって構成されている点が、上記第１の実施形態の発光装置６０とは異なる。また、これに伴って、樹脂容器６１の凹部６１ａの底面７０に、第１アノード用リード部６２ａ（導体部）、第２アノード用リード部６２ｂ（導体部）、第３アノード用リード部６２ｃ（導体部）、及びカソード用リード部６３（導体部）が露出している点が、上述の発光装置６０とは異なる。なお、これら第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃ及びカソード用リード部６３の各表面には、上記第１の実施形態と同様に、光沢度が０．３〜１．０、より好ましくは０．５〜０．７の範囲に収まる銀メッキが施されている。
【００８５】
さらに、この発光装置６０Ａは、３個の半導体発光素子、即ち、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、および第３半導体発光素子６４ｃを備えている点が、上述の発光装置６０とは異なる。なお、第１半導体発光素子６４ａは凹部６１ａの底面７０に露出する第１アノード用リード部６２ａに、第２半導体発光素子６４ｂは凹部６１ａの底面７０に露出する第２アノード用リード部６２ｂに、第３半導体発光素子６４ｃは凹部６１ａの底面７０に露出する第３アノード用リード部６２ｃに、それぞれ取り付けられる。そして、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、及び第３半導体発光素子６４ｃは、上記第１の実施形態で用いた半導体発光素子６４と同様の構成を有しており、それぞれが青色光を出射するようになっている。
【００８６】
また、この発光装置６０Ａでは、第１半導体発光素子６４ａのｐ型電極が第１アノード用リード部６２ａに、第２半導体発光素子６４ｂのｐ型電極が第２アノード用リード部６２ｂに、第３半導体発光素子６４ｃのｐ型電極が第３アノード用リード部６２ｃに、それぞれボンディングワイヤを介して接続されている。一方、これら第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、及び第３半導体発光素子６４ｃのそれぞれに設けられたｎ型電極は、共通のカソード用リード部６３に接続されている。従って、この発光装置６０Ａにおいて、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、及び第３半導体発光素子６４ｃは、並列に接続されていることになる。
【００８７】
さらに、この発光装置６０Ａでは、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、及び第３半導体発光素子６４ｃが、円形状を有する底面７０の中央部からずれた位置にそれぞれ配置されている。
【００８８】
上述のような第１〜第２の実施形態においては、発光装置６０、６０Ａを用いて構成した発光モジュール１２を、液晶表示装置のバックライト装置１０に適用する例について説明を行ったが、これに限られるものではない。例えば、発光モジュール１２をシェード等と組み合わせることにより、空間や物体などを照明する照明装置として利用することもできる。
【００８９】
また、上述した発光装置６０、６０Ａを、例えば、信号機、スキャナの光源装置、プリンタの露光装置、車載用の照明機器、ＬＥＤのドットマトリクスを用いたＬＥＤディスプレイ装置等にも適用することができる。
【００９０】
また、上記第１〜第２の実施形態においては、青色光を出力する半導体発光素子６４（第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、第３半導体発光素子６４ｃ）と、青色光を緑色光に変換する量子ドット蛍光体及び青色光を赤色光に変換する量子ドット蛍光体とを用いて、白色光を出力する例について説明を行ったが、これに限られるものではない。即ち、半導体発光素子６４の発光色（発光波長）については適宜選定して差し支えなく、また、量子ドット蛍光体についても適宜選定して差し支えない。そして、本発明においては、発光装置６０、６０Ａが必ずしも量子ドット蛍光体を含んでいる必要はなく、半導体発光素子６４（第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、第３半導体発光素子６４ｃ）からの発光光をそのまま出力するものであってもよい。
【実施例】
【００９１】
次に、本発明の発光装置、発光モジュール及び照明装置を、実施例及び比較例を示してより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。また、本実施例においては、図１〜５を適宜参照しながら説明する。
【００９２】
下記表１は、実施例及び比較例に用いた各試料とその構成との関係を示す。本実施例における実験では、寸法の異なる３種類の樹脂容器６１を用意した。ここで、第１の樹脂容器６１（Ｔｙｐｅ １と呼ぶ）は、上面における縦横の大きさが３．５ｍｍ×２．８ｍｍであり、第２の樹脂容器６１（Ｔｙｐｅ ２）は、上面における縦横の大きさが５．０ｍｍ×５．５ｍｍであるものを使用した。また、Ｔｙｐｅ １〜Ｔｙｐｅ ２の樹脂容器６１を構成する白色樹脂の、可視領域におけるそれぞれ光吸収率は７％である。なお、Ｔｙｐｅ １の樹脂容器６１を有する発光装置６０は、図３に示すような構造を有しており、１個の半導体発光素子６４が搭載されている。一方、Ｔｙｐｅ ２の樹脂容器６１を有する発光装置６０は、図５に示した構造を有しており、３個の半導体発光素子６４（第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、第３半導体発光素子６４ｃ）が搭載されている。
【００９３】
発光装置６０を製造する方法は、上述した実施形態に準じた。
まず、アノード用リード部６２及びカソード用リード部６３を一体化したリードフレームに、白色樹脂を射出成形して、凹部６１ａを有する樹脂容器６１を形成した。次いで、樹脂容器６１の凹部６１ａの底面７０に露出するカソード用リード部６３上に、半導体発光素子６４を、ダイアタッチペーストを用いてダイボンディングを行い、１５０℃で２時間加熱して硬化させたのち、金線を用いてワイヤボンディングを行い、半導体発光素子６４のｐ型電極及びｎ型電極と、対応するアノード用リード部６２及びカソード用リード部６３とを、それぞれ接続した。なお、半導体発光素子６４は、国際公開２００８−０８７９３０号公報に記載の方法に準じて作製したものを用いた。
【００９４】
そして、Ｔｙｐｅ１の樹脂容器６１に１つの半導体発光素子６４を搭載し、またＴｙｐｅ１の樹脂容器６１に３つの半導体発光素子６４（第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、第３半導体発光素子６４ｃ）を並列に搭載したものを作製した。
【００９５】
次に、凹部６１ａに、量子ドット蛍光体６６ａと未硬化状態の封止樹脂６５とを含む混合樹脂ペーストＳを充填した。その際、半導体発光素子６４およびボンディングワイヤを混合樹脂ペーストＳによって覆うとともに、混合樹脂ペーストＳの液面Ｒ1を樹脂容器６１の上面６１ｂよりも凹ませ、その凹み量ｄを、上面６１ｂから−２０μｍ〜−１００μｍの範囲に設定した。また、液面Ｒ1の中心部Ａ1の高さと液面Ｒ1の端部Ｂ1の高さとの差を５０μｍとした。その後、混合樹脂ペーストＲを加熱により硬化させて封止樹脂６５とした。
【００９６】
［実施例１］（量子ドット蛍光体を含む液状硬化性の樹脂組成物からなるバリアコート膜を備える発光装置）
まず、下記表１に示すエピスルフィド化合物とメルカプタン化合物を所定の比率で混合し、この混合物を、信越化学工業（株）製ＳＣＲ−１０１１樹脂からなる封止樹脂６５の上に積層し、加熱して硬化した。このようにしてバリアコート層６６を形成した。
【００９７】
そして、チオエポキシ基を有する樹脂組成物として、下記表１に記載の組成比を有する樹脂組成物を準備し、脱気後、炭化水素基が表面に配位した無機蛍光体に配位させたナノ粒子蛍光体０．５ｍｌ（固形分１８．４ｍｇ／ｍｌ；トルエン溶液）を加え、均一になるよう混合した。なお、ナノ粒子蛍光体の分子構造としては、コアシェル構造を有し、コアがＩｎＰ、シェルがＺｎＳであるナノ粒子を、コアの直径２．１ｎｍのものと３．３ｎｍのものを２種類混合して用いた。
次いで、再びシーラムキャップで栓をした後、減圧装置を用いて蛍光体の溶媒であるトルエンを室温下で除去した。以上の操作により、ナノ粒子蛍光体を含む液状硬化性の樹脂組成物を調製した。
【００９８】
このように調製したナノ粒子蛍光体を含む液状硬化性の樹脂組成物（量子ドット濃度；２質量％）を、図３に示すような、凹部内に設けられた封止樹脂の上に注入した後、オーブン中において３０℃で７時間、１００℃で１時間処理して硬化させた。
このようにして得られた発光装置を、空気中、室温下の発光試験条件で発光させながら照度の変化を調べる寿命試験を実施したところ、図６のように６００時間経過後であっても、初期照度１６００Ｌｕｘから照度が殆ど低下しなかった（６００時間後の維持率９１％）。
【００９９】
［比較例１］（公知な封止樹脂のみで半導体発光素子が封止された発光装置）
実施例１に記載のチオエポキシ基を有する樹脂組成物の代わりに、信越化学工業株式会社製シリコン樹脂ＬＰＳ−３４１２を用い、硬化条件を７０℃で７時間、１５０℃で４時間に変更した点を除き、実施例1と同様に発光装置を製造した。比較例１で得られた発光装置を、所定の発光条件で発光させながら寿命試験を実施したところ、図６のグラフに示すように、時間の経過とともに急激な速度で初期照度１６００Ｌｕｘからの照度が著しく低下し、非常に好ましくない結果となった。
【０１００】
［実施例２〜１０］
下記表１に、実施例２〜１０に用いた各試料とその構成との関係を示す。
本実施例においては、表１中の実施例１に記載のチオエポキシ基を有する樹脂組成物の代わりに、表１中の実施例２〜１０に記載のチオエポキシ基を有する樹脂組成物を使用した以外は、実施例１と同様にサンプル作製を実施した。また、各種液状硬化性の樹脂組成物における量子ドット濃度は、全て２質量％とした。
【０１０１】
上記手順で得られた各々の発光装置に対し、定格通電電流２０ｍＡを通電したところ、発光出力（Ｐｏ）は１７〜２０ｍＷの範囲を示した。
また、表２に記載のように、各実施例において使用したバリアコート膜に対する水蒸気及び酸素のガス透過率測定を、ＪＩＳ  Ｋ７１２６のガスクロ法に準じて、ガス透過率測定装置（ＧＴＲテック株式会社製ＧＴＲ−３０ＸＡＳＤ型）を用いて測定し、結果を表２に示した。この結果、実施例１〜７で用いられた封止樹脂の水蒸気透過率［ｇ／ｍ２・２４時間］は、０．２（ｇ／ｍ２・２４時間）以下であり、酸素透過率［ｃｍ３／ｍ２／２４ｈ／ａｔｍ］は５００（ｃｍ３／ｍ２／２４ｈ／ａｔｍ）以下であった。
【０１０２】
【表１】
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【０１０３】
【表２】
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【０１０４】
上記実施例の結果により、本発明の発光装置が、ガスや水分による量子ドット蛍光体の劣化を防ぐことが可能であり、発光特性に優れていることが確認できた。また、このような本発明の発光装置を用いて発光モジュールを構成し、さらに、この発光モジュールを用いた照明装置を構成した場合には、発光装置が劣化することなく、発光特性に優れた発光モジュール並びに照明装置が得られることが明らかである。
【符号の説明】
【０１０５】
１０…バックライト装置（照明装置）、１２…発光モジュール、５０…液晶表示モジュール、５１…液晶パネル、６０、６０Ａ…発光装置、６１…樹脂容器、６１ａ…凹部、６１ｂ…上面、６２…アノード用リード部（導体部）、６２ａ…第１アノード用リード部（導体部）、６２ｂ…第２アノード用リード部（導体部）、６２ｃ…第３アノード用リード部（導体部）、６３…カソード用リード部、６４…半導体発光素子（発光素子）、６４ａ…第１半導体発光素子（発光素子）、６４ｂ…第２半導体発光素子（発光素子）、６４ｃ…第３半導体発光素子（発光素子）、６５…封止樹脂、６６…バリアコート膜、６６ａ…量子ドット蛍光体、６６ｂ…透明樹脂、６６ｃ…出射面、７０…底面、８０…壁面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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