(57)【要約】【課題】配線パターンと絶縁層との密着性を向上することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】配線回路基板７０は、絶縁層１を備える。絶縁層１上に、複数の配線パターン７が形成される。各配線パターン７は、界面層２、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６を含む。界面層２、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６は、この順で絶縁層１上に積層される。界面層２は、硫酸を１８％の濃度（体積濃度）で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下となるように形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線パターンとを備え、
前記配線パターンは、前記絶縁層上に形成される界面層と、
前記界面層上に形成される導体層とを含み、
硫酸を１８％の濃度で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する前記界面層の電極電位が、−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下であることを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記導体層は、前記界面層上に形成されるニッケル−クロム合金からなる第１のシード層と、
前記第１のシード層上に形成される銅からなる第２のシード層と、
前記第２のシード層上に形成される銅からなる配線層とを含むことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
絶縁層上に界面層を形成する工程と、
前記界面層上に導体層を形成する工程と、
前記界面層および前記導体層をエッチング液を用いてエッチングすることにより配線パターンを形成する工程とを備え、
前記界面層を形成する工程において、硫酸を１８％の濃度で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下になるように前記界面層を形成することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記界面層を形成する工程は、硫酸を１８％の濃度で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下である材料を電極に用いて、前記絶縁層上にプラズマ処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項３記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記プラズマ処理を行う工程において、ステンレス、銅、ニッケル−クロム合金またはニッケルのうち少なくとも１つを電極に用いることを特徴とする請求項３または４記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記導体層を形成する工程は、
前記界面層上にニッケル−クロム合金からなる第１のシード層を形成する工程と、
前記第１のシード層上に銅からなる第２のシード層を形成する工程と、
前記第２のシード層上に電解めっきにより所定のパターンを有する銅からなる配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記配線パターンを形成する工程は、
前記配線層下を除く前記界面層および前記第１および第２のシード層の部分をエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項６記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、配線回路基板の製造等において、絶縁層上に金属層が形成された構造の基材が用いられる。このような基材の製造時には、絶縁層と金属層との密着性を向上させるために、減圧下でグロー放電を行うことによって絶縁層にプラズマ処理を行った後に、例えば真空蒸着により絶縁層上に金属層を形成する（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開１９９９−９２９１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の基材を用いて配線回路基板を製造する場合、例えば金属層上に電解めっきにより所定パターンを有する導体層を形成し、露出する金属層の部分をエッチング液を用いたエッチングにより除去する。それにより、金属層および導体層からなる配線パターンが形成される。しかしながら、金属層のエッチング時に、除去すべきでない金属層および導体層の一部がエッチング液に溶出し、配線パターンの側面下部が窪んだ状態になることがある。それにより、配線パターンと絶縁層との密着性が低下する。
【０００５】
本発明の目的は、配線パターンと絶縁層との密着性を向上させることが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、絶縁層と、絶縁層上に形成された配線パターンとを備え、配線パターンは、絶縁層上に形成される界面層と、界面層上に形成される導体層とを含み、硫酸を１８％の濃度で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する界面層の電極電位が、−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下であるものである。
【０００７】
その配線回路基板においては、絶縁層上に界面層および導体層を含む配線パターンが形成される。この場合、硫酸を１８％の濃度で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下となるような界面層が形成される。
【０００８】
それにより、配線回路基板の製造時において、エッチング液を用いたエッチングにより配線パターンが形成される場合に、配線パターンの側面部分が過剰にエッチング液に溶出することを防止することができる。その結果、絶縁層と配線パターンとの密着性を向上させることができる。
【０００９】
（２）導体層は、界面層上に形成されるニッケル−クロム合金からなる第１のシード層と、第１のシード層上に形成される銅からなる第２のシード層と、第２のシード層上に形成される銅からなる配線層とを含んでもよい。
【００１０】
この場合、配線回路基板の製造時において、エッチング液を用いたエッチングにより第２のシード層、第１のシード層および界面層の不要な部分が除去される場合に、除去すべき第２のシード層、第１のシード層および界面層の部分のエッチングよりも配線パターンの側面部分のエッチングが優先的に進行することを防止することができる。それにより、配線パターンの側面部分が過剰にエッチング液に溶出することを防止することができる。その結果、絶縁層と配線パターンとの密着性を向上させることができる。
【００１１】
（３）第２の発明に係る配線回路基板は、絶縁層上に界面層を形成する工程と、界面層上に導体層を形成する工程と、界面層および導体層をエッチング液を用いてエッチングすることにより配線パターンを形成する工程とを備え、界面層を形成する工程において、硫酸を１８％の濃度で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下になるように界面層を形成するものである。
【００１２】
その製造方法においては、絶縁層上に界面層が形成される。この場合、硫酸を１８％の体積濃度で含むとともに塩酸を１０％の体積濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下になるように界面層が形成される。続いて、界面層上に導体層が形成され、界面層および導体層がエッチング液によってエッチングされることにより、配線パターンが形成される。
【００１３】
この場合、導体層のエッチング時に、配線パターンの側面部分が過剰にエッチング液に溶出することを防止することができる。その結果、絶縁層と配線パターンとの密着性を向上させることができる。
【００１４】
（４）界面層を形成する工程は、硫酸を１８％の濃度で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下である材料を電極に用いて、絶縁層上にプラズマ処理を行う工程を含んでもよい。
【００１５】
この場合、電極に用いられる材料の一部がスパッタリングされて絶縁層上に堆積することにより、界面層が形成される。それにより、硫酸を１８％の体積濃度で含むとともに塩酸を１０％の体積濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下となるように界面層を容易に形成することができる。
【００１６】
（５）プラズマ処理を行う工程において、ステンレス、銅、ニッケル−クロム合金またはニッケルのうち少なくとも１つを電極に用いてもよい。
【００１７】
この場合、ステンレス、銅、ニッケル−クロム合金およびニッケルは、硫酸を１８％の体積濃度で含むとともに塩酸を１０％の体積濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下である。そのため、プラズマ処理時の電極に、ステンレス、銅、ニッケル−クロム合金およびニッケルのうち少なくとも１つを用いることにより、硫酸を１８％の体積濃度で含むとともに塩酸を１０％の体積濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下となるように界面層を容易に形成することができる。
【００１８】
（６）導体層を形成する工程は、界面層上にニッケル−クロム合金からなる第１のシード層を形成する工程と、第１のシード層上に銅からなる第２のシード層を形成する工程と、第２のシード層上に電解めっきにより所定のパターンを有する銅からなる配線層を形成する工程とを含んでもよい。
【００１９】
この場合、第２のシード層、第１のシード層および界面層の不要な部分がエッチング液を用いたエッチングにより除去される。その場合に、除去すべき第２のシード層、第１のシード層および界面層の部分のエッチングよりも配線パターンの側面部分のエッチングが優先的に進行することが防止される。それにより、配線パターンの側面部分が過剰にエッチング液に溶出することが防止される。その結果、絶縁層と配線パターンとの密着性を向上させることができる。
【００２０】
（７）配線パターンを形成する工程は、配線層下を除く界面層および第１および第２のシード層の部分をエッチングする工程を含んでもよい。
【００２１】
この場合、除去すべき第２のシード層、第１のシード層および界面層の部分のエッチングよりも配線パターンの側面部分のエッチングが優先的に進行することが防止される。それにより、配線パターンの側面部分が過剰にエッチング液に溶出することが防止される。その結果、絶縁層と配線パターンとの密着性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、配線パターンの側面部分が過剰にエッチング液に溶出することが防止される。その結果、絶縁層と配線パターンとの密着性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の模式的断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。
【図４】膜形成装置の構成を示す図である。
【図５】除去すべきでない部分が過剰に溶出した配線パターンの例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００２５】
（１）配線回路基板の構造
図１は、本実施の形態に係る配線回路基板の模式的断面図である。図１に示すように、配線回路基板７０は、絶縁層１を備える。絶縁層１の材料としては、例えばポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル、液晶ポリマ、ポリエーテルサルフォンもしくはノルボルネン等の高分子フィルムが用いられる。絶縁層１の厚みは、例えば１μｍ以上１００μｍ以下であり、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００２６】
絶縁層１上に、複数の配線パターン７が形成される。各配線パターン７は、界面層２、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６を含む。界面層２、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６は、この順で絶縁層１上に積層される。第１のシード層３は、例えばニッケル−クロム合金からなり、第２のシード層４および配線層６は、例えば銅からなる。
【００２７】
なお、第１のシード層３の材料として、ニッケル−クロム合金の代わりに、例えばニッケル、クロム、モリブデンまたは亜鉛等の金属、もしくはこれらの金属を含む合金を用いてもよい。第２のシード層４の材料として、銅の代わりに、例えばアルミニウムまたは銀等の金属、もしくはこれらの金属を含む合金を用いてもよい。配線層６の材料として、銅の代わりに、例えば銀またはスズ等の金属、もしくはこれらの金属を含む合金を用いてもよい。
【００２８】
界面層２の厚みは、例えば０ｎｍより大きく５０ｎｍ以下であり、０ｎｍより大きく１０ｎｍ以下であることが好ましい。第１のシード層３の厚みは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。第２のシード層４の厚みは、例えば５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。配線層６の厚みは、例えば１μｍ以上１００μｍ以下であり、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。なお、絶縁層１の下面に、例えばステンレスからなる金属層が設けられてもよい。
【００２９】
ここで、本発明者は、後述する実験および検討から界面層２が特定の範囲内の電極電位を有する場合に配線パターンの側面部分の過剰なエッチングが防止されることを見出した。そこで、本実施の形態では、界面層２が特定の範囲内の電極電位を有するように形成される。具体的には、界面層２は、硫酸を１８％の濃度（体積濃度）で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下となるように形成される。このような電極電位を有する界面層２は、ステンレス、銅、ニッケル−クロム合金またはニッケル等の材料を用いて形成することができる。
【００３０】
（２）配線回路基板の製造方法
以下、本実施の形態に係る配線回路基板７０の製造方法について説明する。図２および図３は、本実施の形態に係る配線回路基板７０の製造方法を示す模式的工程断面図である。なお、図２および図３に示す製造方法では、複数の配線回路基板７０が一体的に形成され、最終的にそれらが分離される。
【００３１】
図２（ａ）に示すように、例えばポリイミドからなる長尺状の絶縁層１を用意する。この場合、絶縁層１の一面（図２（ａ）において下面）に例えばステンレスからなる金属層が形成された基材を用いてもよい。
【００３２】
次に、図２（ｂ）に示すように、絶縁層１上に界面層２、第１のシード層３および第２のシード層４をこの順に形成する。界面層２、第１のシード層３および第２のシード層４の形成工程の詳細については後述する。
【００３３】
次に、図２（ｃ）に示すように、第２のシード層４上にドライフィルム等をラミネートし、露光および現像することにより、後工程で形成される配線パターンとは逆パターンを有するめっきレジスト５を形成する。
【００３４】
次に、図２（ｄ）に示すように、露出する第２のシード層４の部分上に電解めっきにより例えば銅からなる配線層６を形成する。次に、図３（ｅ）に示すように、めっきレジスト５を剥離等により除去する。
【００３５】
続いて、図３（ｆ）に示すように、配線層６の下の領域を除いて第２のシード層４、第１のシード層３および界面層２をエッチング液を用いて順に除去する。エッチング液としては、硫酸過水、硝酸過水、過酸化ナトリウムまたはフェリシアン化カリウム等が用いられる。これにより、界面層２、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６からなる配線パターン７が形成される。
【００３６】
このようにして、複数の配線回路基板７０が一体的に形成される。その後、絶縁層１が所定の形状に切断されることにより、複数の配線回路基板７０が互いに分離される。
【００３７】
（３）界面層、第１のシード層および第２のシード層の形成工程
以下、界面層２、第１のシード層３および第２のシード層４の形成工程（図２（ｂ）の工程）について詳細に説明する。界面層２、第１のシード層３および第２のシード層４は、以下に示す膜形成装置において形成される。図４は、膜形成装置の構成の一例を示す図である。
【００３８】
図４に示すように、膜形成装置１００は、真空チャンバ９０を備える。図示しない真空ポンプにより、真空チャンバ９０内の排気が行われる。真空チャンバ９０内に、電極ローラ８６、プラズマ用電極８７、スパッタ蒸着用電極８８，８９、ロール軸８０，８５および案内ローラ８１〜８４が設けられる。
【００３９】
ロール軸８０，８５に、長尺状の絶縁層１の一端部および他端部がそれぞれ巻回される。ロール軸８０とロール軸８５との間に電極ローラ８６が配置される。ロール軸８０と電極ローラ８６との間に案内ローラ８１，８２が配置され、ロール軸８５と電極ローラ８６との間に案内ローラ８３，８４が配置される。
【００４０】
絶縁層１は、電極ローラ８６の外周面に沿うように配置される。絶縁層１は、電極ローラ８６とロール軸８０との間で案内ローラ８１，８２により保持および搬送され、電極ローラ８６とロール軸８５との間で案内ローラ８３，８４により保持および搬送される。
【００４１】
電極ローラ８６の外周面に対向するように、プラズマ用電極８７およびスパッタ蒸着用電極８８，８９がそれぞれ配置される。プラズマ用電極８７には、マッチング回路９１を介して高周波電源９２が接続される。プラズマ用電極８７の放電面には、インゴット８７ａが装着される。
【００４２】
本実施の形態においては、インゴット８７ａの材料として、硫酸を１８％の濃度で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下である材料を用いることが好ましい。このような材料として、例えばステンレス、銅、ニッケル−クロム合金またはニッケル等がある。
【００４３】
スパッタ蒸着用電極８８，８９には、直流電源９３，９４がそれぞれ接続される。スパッタ蒸着用電極８８には、例えば銅からなるインゴット８８ａがスパッタリングのターゲットとして装着される。
【００４４】
スパッタ蒸着用電極８９には、例えばニッケル−クロム合金からなるインゴット８９ａがスパッタリングのターゲットとして装着される。
【００４５】
スパッタ蒸着用電極８８，８９としては、例えばプレーナマグネトロン型のカソード電極が用いられる。その場合、通常の直流スパッタリングまたは高周波スパッタリングを行う場合に比べて蒸着速度が高いマグネトロン型の直流スパッタリングを行うことができる。
【００４６】
続いて、膜形成装置１００の動作について説明する。まず、真空ポンプ（図示せず）により、真空チャンバ９０内が排気される。続いて、真空チャンバ９０内に例えば窒素および酸素の混合ガスが、後述のプラズマ処理のための放電ガスとして導入される。
【００４７】
その状態で、ロール軸８０から送り出された絶縁層１が、案内ローラ８１，８２により電極ローラ８６に案内される。電極ローラ８６の外周面上において、プラズマ用電極８７により絶縁層１にプラズマ処理が行われる。この場合、インゴット８７ａの一部がスパッタリングされて絶縁層１上に堆積する。それにより、図２（ｂ）に示すように、絶縁層１上にインゴット８７ａの材料からなる界面層２が形成される。
【００４８】
ここで、プラズマ処理の条件は、硫酸を１８％の濃度で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する界面層２の電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下となるように調整する。プラズマ処理が行われた絶縁層１は、案内ローラ８３，８４によりロール軸８５に案内されるとともにロール軸８５により巻き取られる。
【００４９】
絶縁層１の全体にプラズマ処理が行われると、真空チャンバ９０内の雰囲気が窒素および酸素の混合ガスから例えばアルゴンガスに置換される。なお、アルゴンガスの代わりにヘリウム、ネオン、キセノンまたはクリプトン等を用いてもよい。その状態で、ロール軸８５からプラズマ処理後の絶縁層１が送り出される。その絶縁層１は、案内ローラ８４，８３により電極ローラ８６に案内される。続いて、電極ローラ８６とスパッタ蒸着用電極８９との間において、スパッタリングによってニッケル−クロム合金（インゴット８９ａの材料）からなる第１のシード層３が界面層２上に形成される。
【００５０】
次いで、電極ローラ８６とスパッタ蒸着用電極８８との間において、スパッタリングによって銅（インゴット８８ａの材料）からなる第２のシード層４が第１のシード層３上に形成される。このようにして、絶縁層１上に界面層２、第１のシード層３および第２のシード層４が順に形成される。
【００５１】
（３）配線パターンのエッチング
上記の膜形成装置１００におけるプラズマ処理の条件によっては、その後のエッチング工程（図３（ｆ）の工程）において、除去すべきでない配線パターン７の部分が過剰にエッチング液に溶出することがある。
【００５２】
図５は、除去すべきでない部分が過剰に溶出した配線パターン７の例を示す模式的断面図である。図５に示すように、配線パターン７の側面下部がエッチング液中に過剰に溶出し、配線パターン７の下端部の幅が上端部の幅よりも小さくなる。この場合、絶縁層１と配線パターン７との密着性が低下するので、配線パターン７が絶縁層１から剥離する可能性がある。
【００５３】
このような現象が生じる理由として、プラズマ処理の条件によって、界面層２の電位が高くなることが考えられる。その場合、界面層２に近い部分ほどエッチングが進行しにくくなる。そのため、第２のシード層４をエッチングする際に、配線パターン７の配線層６の側面部分のエッチングが優先的に進行し、第１のシード層３をエッチングする際に、配線パターン７の第２のシード層４の側面部分のエッチングが優先的に進行し、界面層２をエッチングする際に、配線パターン７の第１のシード層３の側面部分のエッチングが優先的に進行する。このようにして、配線パターン７の側面部分が過剰にエッチングされる。
【００５４】
（４）効果
本実施の形態に係る配線回路基板７０においては、硫酸を１８％の濃度で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下となるように界面層２が形成される。
【００５５】
この場合、除去すべき界面層２、第１および第２のシード層３，４の部分のエッチングよりも、配線パターン７の側面部分のエッチングが優先的に進行することが防止される。それにより、配線パターン７の側面部分が過剰にエッチング液に溶出することが防止される。その結果、絶縁層１と配線パターン７との密着性を十分に確保することができる。
【００５６】
（５）実施例１〜４および比較例１〜２
（５−１）実施例１
実施例１として、次の条件で配線回路基板７０を作製した。
【００５７】
まず、ポリイミドからなる絶縁層１の一面にステンレスからなる金属層が形成された２層基材を用意し、上記の膜形成装置１００において、絶縁層１上に、界面層２、第１および第２のシード層３，４を形成した。
【００５８】
この場合、インゴット８７ａ，８９ａの材料として、ニッケルおよびクロムを８０：２０の割合で含むニッケル−クロム合金（ＮｉＣｒ）を用い、インゴット８８ａの材料として、銅を用いた。
【００５９】
窒素（Ｎ２）および酸素（Ｏ２）を９７：３の割合で含む混合ガスを放電ガスとして真空チャンバ９０内に導入し、真空チャンバ９０内の気圧を１０−１Ｐａに維持した状態で、絶縁層１にプラズマ処理を施した。それにより、絶縁層１上にニッケル−クロム合金からなる界面層２が形成された。
【００６０】
なお、１３．５６ＭＨｚの高周波電源９２を用い、プラズマ処理時の積算電力密度を２０Ｗ・ｓ／ｃｍ２とした。ここで、積算電力密度とは、プラズマ用電極８７に供給される電力とプラズマ処理時間との積をプラズマ用電極８７の放電面の面積で除算することにより得られる値をいう。
【００６１】
次に、アルゴンガスを真空チェンバ９０内に導入し、真空チャンバ９０内の気圧を７．８×１０−２Ｐａに低下させ、スパッタリングにより界面層２上にニッケル−クロム合金からなる第１のシード層３および銅からなる第２のシード層４を順に形成した。なお、第１のシード層３の厚みを２０ｎｍとし、第２のシード層４の厚みを７５ｎｍとした。
【００６２】
その後、図２（ｃ）〜図３（ｆ）に示したように、第２のシード層４上に電解めっきにより配線層６を形成し、配線層６の下の領域を除いて第２のシード層４、第１のシード層３および界面層２をエッチング液を用いて除去することにより、界面層２、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６からなる配線パターン７を形成した。
【００６３】
なお、配線層６の材料として銅を用い、配線層６の厚みを１０μｍとした。また、エッチング液として奥野製薬株式会社製トップリップおよび日本化薬株式会社製フリッカーＮＬＢを用いた。
【００６４】
その後、複数の配線回路基板７０を互いに分離することにより、実施例１の配線回路基板７０を得た。
【００６５】
（５−２）実施例２
インゴット８７ａの材料としてニッケル−クロム合金の代わりにニッケル（Ｎｉ）を用い、プラズマ処理のための放電ガスとして窒素および酸素の混合ガスの代わりに窒素ガス（Ｎ２）を用いた点を除いて、上記実施例１と同様に配線回路基板７０を作製した。
【００６６】
（５−３）実施例３
プラズマ処理のための放電ガスとして窒素および酸素の混合ガスの代わりに窒素ガス（Ｎ２）を用いた点を除いて、上記実施例１と同様に配線回路基板７０を作製した。
【００６７】
（５−４）実施例４
インゴット８７ａの材料としてニッケル−クロム合金の代わりにステンレス（ＳＵＳ３０４）を用い、プラズマ処理のための放電ガスとして窒素および酸素の混合ガスの代わりに窒素ガス（Ｎ２）を用いた点を除いて、上記実施例１と同様に配線回路基板７０を作製した。
【００６８】
（５−５）比較例１
インゴット８７ａの材料としてニッケル−クロム合金の代わりにジルコニウム（Ｚｒ）を用い、プラズマ処理のための放電ガスとして窒素および酸素の混合ガスの代わりに窒素ガス（Ｎ２）を用いた点を除いて、上記実施例１と同様に配線回路基板７０を作製した。
【００６９】
（５−６）比較例２
インゴット８７ａの材料としてニッケル−クロム合金の代わりにクロム（Ｃｒ）を用い、プラズマ処理のための放電ガスとして窒素および酸素の混合ガスの代わりに窒素ガス（Ｎ２）を用いた点を除いて、上記実施例１と同様に配線回路基板７０を作製した。
【００７０】
（５−７）配線パターンのサイドエッチングの有無および界面層の対飽和カロメル電極電位
実施例１〜４および比較例１，２の配線回路基板７０において、配線パターン７の側面部分のエッチング（以下、サイドエッチングと呼ぶ）の有無をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いて調べた。
【００７１】
また、実施例１〜４および比較例１，２の配線回路基板７０の界面層２の電極電位を調べた。この場合、基準電極として飽和カロメル電極を用いた。具体的には、配線層６の表面のみが露出するように各配線回路基板７０の配線パターン７をマスキングした。その状態で、硫酸を１８％の濃度で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中に各配線回路基板７０を飽和カロメル電極とともに挿入した。
【００７２】
そして、飽和カロメル電極に対する配線パターン７の電位をデータロガーにより所定時間計測した。この場合、配線層６、第２のシード層４、第１のシード層３および界面層２が順に混合水溶液中に溶出して消失するため、配線層６、第２のシード層４、第１のシード層３、界面層２および絶縁層１の電位が順に得られる。
【００７３】
本例では、第１のシード層３（ニッケルークロム合金）の電位が計測されてから、絶縁層１（ポリイミド）の電位が計測されるまでの計測値の極値を界面層２の電位とした。
【００７４】
（５−８）評価
表１は、実施例１〜４および比較例１，２の配線回路基板７０におけるプラズマ処理の条件、飽和カロメル電極に対する界面層２の電極電位、および配線パターン７のサイドエッチングの有無を示した表である。
【００７５】
【表１】
2011119599.tif 000003
【００７６】
表１に示すように、実施例１〜４の配線回路基板７０においては、飽和カロメル電極に対する界面層２の電極電位が、−０．２８〜０．０１Ｖであった。また、配線パターン７の側面部分がエッチングされていなかった。
【００７７】
一方、比較例１の配線回路基板７０においては、飽和カロメル電極に対する界面層２の電極電位が、０．１１Ｖであった。また、配線パターン７の第２のシード層４および配線層６の側面部分が過剰にエッチングされていた。
【００７８】
比較例２の配線回路基板７０においては、飽和カロメル電極に対する界面層２の電位が、−０．４Ｖであった。また、配線パターン７の第１のシード層３の側面部分が過剰にエッチングされていた。
【００７９】
以上のことから、硫酸を１８％の濃度で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下となるような界面層２が形成されることにより、配線パターン７の側面部分が過剰にエッチングされることが防止され、配線パターン７と絶縁層１との密着性が向上されることがわかった。
【００８０】
（６）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００８１】
上記実施の形態においては、絶縁層１が絶縁層の例であり、配線パターン７が配線パターンの例であり、界面層２が界面層の例であり、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６が導体層の例であり、第１のシード層３が第１のシード層の例であり、第２のシード層４が第２のシード層の例であり、配線層６が配線層の例である。
【００８２】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明は、種々の配線回路基板に有効に利用できる。
【符号の説明】
【００８４】
１  絶縁層
２  界面層
３  第１のシード層
４  第２のシード層
５  めっきレジスト
６  配線層
７  配線パターン
７０  配線回路基板
８０，８５  ロール軸
８１，８２，８３，８４  案内ロール
８６  電極ローラ
８７  プラズマ用電極
８８，８９  マグネトロンスパッタ電極
９０  真空チャンバ
９１  マッチング回路
９２  高周波電源
９３，９４  直流電源
１００  膜形成装置
【図１】
2011119599.tif 000004
【図２】
2011119599.tif 000005
【図３】
2011119599.tif 000006
【図４】
2011119599.tif 000007
【図５】
2011119599.tif 000008