(57)【要約】      （修正有）【課題】縦型チューブＡＬＤ（原子層堆積）装置を用いる成膜方法において、スループットや膜質の変化を回避しながら面内膜厚分布均一性を向上させる。【解決手段】複数枚のウエハを水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容した処理室内に、各ウエハに対応するように複数のガス供給孔が設けられた第１ノズルを介してＤＣＳ（ジクロロシラン＝ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガスを供給して各ウエハに成膜する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記ガス供給孔の位置を隣接する前記ウエハ間の中心位置よりも上方に対応する位置に配置することで、ウエハ面内膜厚分布をウエハ中央部膜厚がウエハ周辺部膜厚よりも厚い分布となるように制御するか、もしくは、前記ガス供給孔の位置を隣接する前記ウエハ間の中心位置よりも下方に対応する位置に配置することで、ウエハ面内膜厚分布をウエハ中央部膜厚がウエハ周辺部膜厚よりも薄い分布となるように制御する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板を水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容した処理室内に、第１ノズルを介して第１元素を含むガスを供給することで、前記各基板上に第１元素を含む第１の層を形成する工程と、
前記処理室内に第２ノズルを介して第２元素を含むガスを供給することで、前記第１の層を改質して第１元素および第２元素を含む第２の層を形成する工程と、
を１サイクルとして、このサイクルを１回以上行うことで、所定膜厚の前記第１元素および前記第２元素を含む薄膜を形成する工程を有し、
前記第１ノズルには、複数枚の前記基板の一枚一枚に対応するようにガス供給孔が設けられており、
前記ガス供給孔の位置を、隣接する前記基板間の中心位置よりも上方に対応する位置に配置することで、前記薄膜の前記基板面内における膜厚分布を、前記基板の中央部膜厚が前記基板の周辺部膜厚よりも厚い分布となるように制御するか、もしくは、前記ガス供給孔の位置を、隣接する基板間の中心位置よりも下方に対応する位置に配置することで、前記薄膜の前記基板面内における膜厚分布を、前記基板の中央部膜厚が前記基板の周辺部膜厚よりも薄い分布となるように制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記薄膜の基板面内における膜厚分布を、前記基板の中央部膜厚が前記基板の周辺部膜厚よりも厚い分布となるように制御する際、前記ガス供給孔の位置を、隣接する前記基板間の中心位置とそれよりも３ｍｍ上方の位置との間の領域に対応する位置に配置することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記薄膜の基板面内における膜厚分布を、前記基板の中央部膜厚が前記基板の周辺部膜厚よりも薄い分布となるように制御する際、前記ガス供給孔の位置を、隣接する前記基板間の中心位置とそれよりも３ｍｍ下方の位置との間の領域に対応する位置に配置することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、例えば、半導体素子を含む半導体集積回路装置（以下、ＩＣという）の製造方法に利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＩＣの製造方法としては、ＩＣを作り込む半導体ウエハ（以下、ウエハという）に窒化シリコン（ＳｉＮ）膜をＡＬＤ（Atomic Layer Deposition)法により形成する成膜工程が、複数枚（例えば、１００枚）のウエハを水平姿勢で垂直方向に多段に整列させた状態で処理室内に収容し、複数個（例えば、１００個）のガス供給孔がウエハと等間隔に配列されたノズルから処理ガスを各ウエハ上にそれぞれ供給するように構成されたものがある。例えば、特許文献１参照。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２８９１６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前述した成膜工程においては、ウエハ面内における膜厚分布がウエハの周辺部において厚くなりウエハの中央部で薄くなる傾向になるという問題点があった。
【０００５】
このような膜厚分布の不均一に対して、ガス流量や処理室内圧力等の処理条件（プロセスパラメータ）を種々に変化させることにより、ウエハ中央部の膜厚を厚くすることが考えられる。
しかし、このような対策では、スループットや膜質が変化してしまうという弊害が発生する。
【０００６】
本発明の目的は、スループットや膜質の変化を回避しつつ、基板面内膜厚分布均一性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、次の半導体装置の製造方法が提供される。
複数枚の基板を水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容した処理室内に、第１ノズルを介して第１元素を含むガスを供給することで、前記各基板上に第１元素を含む第１の層を形成する工程と、
前記処理室内に第２ノズルを介して第２元素を含むガスを供給することで、前記第１の層を改質して第１元素および第２元素を含む第２の層を形成する工程と、
を１サイクルとして、このサイクルを１回以上行うことで、所定膜厚の前記第１元素および前記第２元素を含む薄膜を形成する工程を有し、
前記第１ノズルには、複数枚の前記基板の一枚一枚に対応するようにガス供給孔が設けられており、
前記ガス供給孔の位置を、隣接する前記基板間の中心位置よりも上方に対応する位置に配置することで、前記薄膜の前記基板面内における膜厚分布を、前記基板の中央部膜厚が前記基板の周辺部膜厚よりも厚い分布となるように制御するか、もしくは、前記ガス供給孔の位置を、隣接する基板間の中心位置よりも下方に対応する位置に配置することで、前記薄膜の前記基板面内における膜厚分布を、前記基板の中央部膜厚が前記基板の周辺部膜厚よりも薄い分布となるように制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
この半導体装置の製造方法によれば、基板面内膜厚分布均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面で示す図である。
【図２】本実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を図１のＡ−Ａ線断面図で示す図である。
【図３】本実施形態の処理シーケンスにおけるガス供給およびプラズマパワー供給のタイミングを示す図である。
【図４】比較例のノズル孔とウエハの位置関係を示す模式図である。
【図５】その位置関係による成膜の膜厚分布を示す分布図である。
【図６】本実施形態のノズル孔とウエハの位置関係を示す模式図である。
【図７】その位置関係による成膜の膜厚分布の変化を示す各分布図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１１】
図１に示されているように、処理炉２０２は加熱手段（加熱機構）としてのヒータ２０７を有する。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。なお、ヒータ２０７は、後述するようにガスを熱で活性化させる活性化機構としても機能する。
【００１２】
ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に反応容器（処理容器）を構成する反応管２０３が配設されている。反応管２０３は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管２０３の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
【００１３】
処理室２０１内における反応管２０３の下部には、第１ノズル２４９ａ、第２ノズル２４９ｄが反応管２０３を貫通するように設けられている。第１ノズル２４９ａ、第２ノズル２４９ｄには、第１ガス供給管２３２ａ、第２ガス供給管２３２ｄがそれぞれ接続されている。このように、反応管２０３には２本のノズル２４９ａ、２４９ｄと、２本のガス供給管２３２ａ、２３２ｄが設けられており、処理室２０１内へ複数種類、ここでは２種類のガスを供給することができるように構成されている。
【００１４】
第１ガス供給管２３２ａには上流方向から順に流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ、及び開閉弁であるバルブ２４３ａが設けられている。また、第１ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａよりも下流側には、第１不活性ガス供給管２３２ｅが接続されている。この第１不活性ガス供給管２３２ｅには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ２４１ｅ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｅが設けられている。また、第１ガス供給管２３２ａの先端部には、上述の第１ノズル２４９ａが接続されている。第１ノズル２４９ａは、反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間に、反応管２０３の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。第１ノズル２４９ａはＬ字型のロングノズルとして構成されている。第１ノズル２４９ａの側面にはガスを供給するガス供給孔２５０ａが設けられている。ガス供給孔２５０ａは反応管２０３の中心を向くように開口している。このガス供給孔２５０ａは、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。主に、第１ガス供給管２３２ａ、マスフローコントローラ２４１ａ、バルブ２４３ａ、第１ノズル２４９ａにより第１ガス供給系が構成される。また、主に、第１不活性ガス供給管２３２ｅ、マスフローコントローラ２４１ｅ、バルブ２４３ｅにより、第１不活性ガス供給系が構成される。
【００１５】
第２ガス供給管２３２ｄには上流方向から順に流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｄ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｄが設けられている。また、第２ガス供給管２３２ｄのバルブ２４３ｄよりも下流側には、第２不活性ガス供給管２３２ｈが接続されている。この第２不活性ガス供給管２３２ｈには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ２４１ｈ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｈが設けられている。また、第２ガス供給管２３２ｄの先端部には、上述の第２ノズル２４９ｄが接続されている。第２ノズル２４９ｄは、ガス分散空間であるバッファ室２３７内に設けられている。
【００１６】
バッファ室２３７は反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間に、反応管２０３内壁の下部より上部にわたる部分に、ウエハ２００の積載方向に沿って設けられている。バッファ室２３７のウエハ２００と隣接する壁の端部にはガスを供給するガス供給孔２５０ｅが設けられている。ガス供給孔２５０ｅは反応管２０３の中心を向くように開口している。このガス供給孔２５０ｅは、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
【００１７】
第２ノズル２４９ｄは、バッファ室２３７のガス供給孔２５０ｅが設けられた端部と反対側の端部に、反応管２０３の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。第２ノズル２４９ｄはＬ字型のロングノズルとして構成されている。第２ノズル２４９ｄの側面にはガスを供給するガス供給孔２５０ｄが設けられている。ガス供給孔２５０ｄはバッファ室２３７の中心を向くように開口している。このガス供給孔２５０ｄは、バッファ室２３７のガス供給孔２５０ｅと同様に、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられている。この複数のガス供給孔２５０ｄのそれぞれの開口面積は、バッファ室２３７内と処理室２０１内の差圧が小さい場合には、上流側（下部）から下流側（上部）まで、それぞれ同一の開口面積で同一の開口ピッチとするとよいが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって、それぞれ開口面積を大きくするか、開口ピッチを小さくするとよい。
【００１８】
本実施形態においては、第２ノズル２４９ｄのガス供給孔２５０ｄのそれぞれの開口面積や開口ピッチを、上流側から下流側にかけて上述のように調節することで、まず、ガス供給孔２５０ｄのそれぞれから、流速の差はあるものの、流量がほぼ同量であるガスを噴出させる。そしてこのガス供給孔２５０ｄのそれぞれから噴出するガスを、一旦、バッファ室２３７内に導入し、バッファ室２３７内においてガスの流速差の均一化を行うこととした。
【００１９】
すなわち、第２ノズル２４９ｄのガス供給孔２５０ｄのそれぞれよりバッファ室２３７内に噴出したガスはバッファ室２３７内で各ガスの粒子速度が緩和された後、バッファ室２３７のガス供給孔２５０ｅより処理室２０１内に噴出する。これにより、第２ノズル２４９ｄのガス供給孔２５０ｄのそれぞれよりバッファ室２３７内に噴出したガスは、バッファ室２３７のガス供給孔２５０ｅのそれぞれより処理室２０１内に噴出する際には、均一な流量と流速とを有するガスとなる。
【００２０】
主に、第２ガス供給管２３２ｄ、マスフローコントローラ２４１ｄ、バルブ２４３ｄ、第２ノズル２４９ｄ、バッファ室２３７により第２ガス供給系が構成される。また、主に、第２不活性ガス供給管２３２ｈ、マスフローコントローラ２４１ｈ、バルブ２４３ｈにより第２不活性ガス供給系が構成される。
【００２１】
第１ガス供給管２３２ａからは、例えば、シリコン原料ガス、すなわちシリコン（Ｓｉ）を含むガス（シリコン含有ガス）が、マスフローコントローラ２４１ａ、バルブ２４３ａ、第１ノズル２４９ａを介して処理室２０１内に供給される。シリコン含有ガスとしては、例えばジクロロシラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、略称：ＤＣＳ）ガスを用いることができる。
【００２２】
第２ガス供給管２３２ｄからは、例えば窒素（Ｎ）を含むガス（窒素含有ガス）が、マスフローコントローラ２４１ｄ、バルブ２４３ｄ、第２ノズル２４９ｄ、バッファ室２３７を介して処理室２０１内に供給される。窒素含有ガスとしては、例えばアンモニア（ＮＨ3 ）ガスを用いることができる。
【００２３】
不活性ガス供給管２３２ｅ、２３２ｈからは、例えば窒素（Ｎ2 ）ガスが、それぞれマスフローコントローラ２４１ｅ、２４１ｈ、バルブ２４３ｅ、２４３ｈ、ガス供給管２３２ａ、２３２ｄ、ガスノズル２４９ａ、２４９ｄ、バッファ室２３７を介して処理室２０１内に供給される。
【００２４】
なお、例えば各ガス供給管から上述のようなガスをそれぞれ流す場合、第１ガス供給系により原料ガス供給系、すなわちシリコン含有ガス供給系（シラン系ガス供給系）が構成される。また、第２ガス供給系により窒素含有ガス供給系が構成される。
【００２５】
バッファ室２３７内には、図２に示すように、細長い構造を有する第１の電極である第１の棒状電極２６９及び第２の電極である第２の棒状電極２７０が、反応管２０３の下部より上部にわたりウエハ２００の積層方向に沿って配設されている。第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０のそれぞれは、第２ノズル２４９ｄと平行に設けられている。第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０のそれぞれは、上部より下部にわたって各電極を保護する保護管である電極保護管２７５により覆われることで保護されている。この第１の棒状電極２６９又は第２の棒状電極２７０のいずれか一方は整合器２７２を介して高周波電源２７３に接続され、他方は基準電位であるアースに接続されている。この結果、第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間のプラズマ生成領域２２４にプラズマが生成される。主に、第１の棒状電極２６９、第２の棒状電極２７０、電極保護管２７５、整合器２７２、高周波電源２７３によりプラズマ発生器（プラズマ発生部）としてのプラズマ源が構成される。なお、プラズマ源は、後述するようにガスをプラズマで活性化させる活性化機構として機能する。
【００２６】
電極保護管２７５は、第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０のそれぞれをバッファ室２３７の雰囲気と隔離した状態でバッファ室２３７内に挿入できる構造となっている。ここで、電極保護管２７５の内部は外気（大気）と同一雰囲気であると、電極保護管２７５にそれぞれ挿入された第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０はヒータ２０７による熱で酸化されてしまう。そこで、電極保護管２７５の内部には窒素などの不活性ガスを充填あるいはパージし、酸素濃度を充分低く抑えて第１の棒状電極２６９又は第２の棒状電極２７０の酸化を防止するための不活性ガスパージ機構が設けられている。
【００２７】
反応管２０３には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４５および圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Auto Pressure Controller）バルブ２４４を介して真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。なお、ＡＰＣバルブ２４４は弁を開閉して処理室２０１内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４４、真空ポンプ２４６、圧力センサ２４５により排気系が構成される。
【００２８】
反応管２０３の下方には、反応管２０３の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は反応管２０３の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には反応管２０３の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０が設けられている。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通して、後述するボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は反応管２０３の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１内に対し搬入搬出することが可能となっている。
【００２９】
基板支持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に支持するように構成されている。なおボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる断熱部材２１８が設けられており、ヒータ２０７からの熱がシールキャップ２１９側に伝わりにくくなるよう構成されている。なお、断熱部材２１８は、石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる複数枚の断熱板と、これらを水平姿勢で多段に支持する断熱板ホルダとにより構成してもよい。
【００３０】
反応管２０３内には温度検出器としての温度センサ２６３が設置されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合を調整することで、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。温度センサ２６３は、ノズル２４９ａ、２４９ｄと同様にＬ字型に構成されており、反応管２０３の内壁に沿って設けられている。
【００３１】
制御部（制御手段）であるコントローラ１２１は、マスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｄ、２４１ｅ、２４１ｈ、バルブ２４３ａ、２４３ｄ、２４３ｅ、２４３ｈ、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４４、真空ポンプ２４６、ヒータ２０７、温度センサ２６３、ボート回転機構２６７、ボートエレベータ１１５、高周波電源２７３、整合器２７２等に接続されている。コントローラ１２１により、マスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｄ、２４１ｅ、２４１ｈによる各種ガスの流量調整動作、バルブ２４３ａ、２４３ｄ、２４３ｅ、２４３ｈの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４４の開閉及び圧力センサ２４５に基づく圧力調整動作、温度センサ２６３に基づくヒータ２０７の温度調整動作、真空ポンプ２４６の起動・停止、ボート回転機構２６７の回転速度調節動作、ボートエレベータ１１５の昇降動作等の制御や、高周波電源２７３の電力供給制御、整合器２７２によるインピーダンス制御が行われる。
【００３２】
次に、上述の基板処理装置の処理炉を用いて半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜を成膜する処理シーケンス例について説明する。
尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。
【００３３】
まず、本実施形態の処理シーケンスについて説明する。
図３は、本実施形態の処理シーケンスにおけるガス供給およびプラズマパワー供給のタイミング図である。
【００３４】
本実施形態の処理シーケンスでは、ウエハ２００を収容した処理容器内に第１元素を含むガス（第１元素含有ガス）を供給することで、ウエハ２００上に第１元素を含む第１の層を形成する工程と、
処理容器内に第２元素を含むガス（第２元素含有ガス）を供給することで、第１の層を改質して第１元素および第２元素を含む第２の層を形成する工程と、
を１サイクルとして、このサイクルを少なくとも１回以上行うことで、所定膜厚の第１元素および第２元素を含む薄膜を形成する。
【００３５】
第１の層を形成する工程は、ＣＶＤ反応が生じる条件下で行う。このときウエハ２００上に１原子層未満から数原子層程度の第１元素を含む第１の層として第１元素層を形成する。第１の層は第１元素含有ガスの吸着層であってもよい。なお、第１元素としては、それ単独で固体となる元素を用いるのがよい。ここで、第１元素層とは、第１元素により構成される連続的な層の他、不連続な層や、これらが重なってできる薄膜をも含む総称である。なお、第１元素により構成される連続的な層を薄膜という場合もある。また、第１元素含有ガスの吸着層とは第１元素含有ガスのガス分子の連続的な化学吸着層の他、不連続な化学吸着層をも含む。なお、１原子層未満の層とは不連続に形成される原子層のことを意味している。第１元素含有ガスが自己分解する条件下ではウエハ２００上に第１元素が堆積することで第１元素層が形成される。第１元素含有ガスが自己分解しない条件下では、ウエハ２００上に第１元素含有ガスが吸着することで第１元素含有ガスの吸着層が形成される。なお、ウエハ２００上に第１元素含有ガスの吸着層を形成するよりも、ウエハ２００上に第１元素層を形成する方が、成膜レートを高くすることができ好ましい。
【００３６】
第２の層を形成する工程では、第２元素含有ガスをプラズマまたは熱で活性化させて供給することで、第１の層の一部と第２元素含有ガスとを反応させて、第１の層を改質して第１元素および第２元素を含む第２の層を形成する。例えば第１の層を形成する工程で数原子層の第１元素を含む第１の層を形成した場合は、その表面層の一部と第２元素含有ガスとを反応させてもよいし、その表面層全体と第２元素含有ガスとを反応させてもよい。また、数原子層の第１元素を含む第１の層の表面層から下の数層と第２元素含有ガスとを反応させてもよい。なお、第２元素としては、それ単独では固体とはならない元素を用いるのがよい。第２元素含有ガスはプラズマで活性化させて供給してもよいし、熱で活性化させて供給してもよい。図３は第２元素含有ガスをプラズマで活性化させて供給する例を示している。なお、第２元素含有ガスは熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、改質をソフトに行うことができる。
【００３７】
以下、本実施形態の処理シーケンスを具体的に説明する。なお、ここでは、第１元素をシリコン（Ｓｉ）、第２元素を窒素（Ｎ）とし、第１元素含有ガスとしてシリコン含有ガスであるＤＣＳガスを、第２元素含有ガスとして窒素含有ガスであるＮＨ3 ガスを用い、図３のシーケンスにより、基板上に絶縁膜としてシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を形成する例について説明する。なお、この例では、第１ガス供給系によりシリコン含有ガス供給系（第１元素含有ガス供給系）が構成され、第２ガス供給系により窒素含有ガス供給系（第２元素含有ガス供給系）が構成される。
【００３８】
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図１に示されているように、複数枚のウエハ２００を支持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内に搬入（ボートロード）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０を介して反応管２０３の下端をシールした状態となる。
【００３９】
処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空ポンプ２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力に基づきＡＰＣバルブ２４４が、フィードバック制御される（圧力調整）。また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０７によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合がフィードバック制御される（温度調整）。続いて、回転機構２６７により、ボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転される（ウエハ回転）。その後、後述する２つのステップを順次実行する。
【００４０】
［ステップ１］
第１ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａ開き、第１ガス供給管２３２ａ内にＤＣＳガスを流す。第１ガス供給管２３２ａ内を流れたＤＣＳガスは、マスフローコントローラ２４１ａにより流量調整される。流量調整されたＤＣＳガスは第１ノズル２４９ａのガス供給孔２５０ａから処理室２０１内に供給されつつガス排気管２３１から排気される。このとき、同時にバルブ２４３ｈを開き、不活性ガス供給管２３２ｈ内にＮ2 ガス等の不活性ガスを流す。不活性ガス供給管２３２ｈ内を流れたＮ2 ガスは、マスフローコントローラ２４１ｈにより流量調整される。流量調整されたＮ2 ガスは第２ノズル２４９ｄのガス供給孔２５０ｄを通してバッファ室２３７のガス供給孔２５０ｅから処理室２０１内に供給されつつガス排気管２３１から排気される。
【００４１】
このとき、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して処理室２０１内の圧力を、例えば１０〜１０００Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ａで制御するＤＣＳガスの供給流量は、例えば１０〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。ＤＣＳガスをウエハ２００に晒す時間、すなわちガス供給時間（照射時間）は、例えば２〜１２０秒間の範囲内の時間とする。このときヒータ２０７の温度は、処理室２０１内でＣＶＤ反応が生じる程度の温度、すなわちウエハ２００の温度が、例えば３００〜６５０℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。なお、ウエハ２００の温度が３００℃未満となるとウエハ２００上にＤＣＳが吸着しにくくなる。また、ウエハ２００の温度が６５０℃を超えるとＣＶＤ反応が強くなり、均一性が悪化しやすくなる。よって、ウエハ２００の温度は３００〜６５０℃の範囲内の温度とするのが好ましい。
【００４２】
ＤＣＳガスの供給により、ウエハ２００表面の下地膜上に、第１元素としてのシリコンを含む第１の層が形成される。すなわち、ウエハ２００上（下地膜上）に１原子層未満から数原子層のシリコン含有層としてのシリコン層（Ｓｉ層）が形成される。シリコン含有層はＤＣＳの化学吸着層であってもよい。なお、シリコンは、それ単独で固体となる元素である。ここでシリコン層とはシリコンにより構成される連続的な層の他、不連続な層やこれらが重なってできる薄膜をも含む。なお、シリコンにより構成される連続的な層を薄膜という場合もある。また、ＤＣＳの化学吸着層とはＤＣＳ分子の連続的な化学吸着層の他、不連続な化学吸着層をも含む。なお、ウエハ２００上に形成されるシリコン含有層の厚さが数原子層を超えると、後述するステップ２での窒化の作用がシリコン含有層の全体に届かなくなる。また、ウエハ２００上に形成可能なシリコン含有層の最小値は１原子層未満である。よって、シリコン含有層の厚さは１原子層未満から数原子層とするのが好ましい。なお、ＤＣＳガスが自己分解する条件下では、ウエハ２００上にシリコンが堆積することでシリコン層が形成され、ＤＣＳガスが自己分解しない条件下では、ウエハ２００上にＤＣＳが化学吸着することでＤＣＳの化学吸着層が形成される。なお、ウエハ２００上にＤＣＳの化学吸着層を形成するよりも、ウエハ２００上にシリコン層を形成する方が、成膜レートを高くすることができ好ましい。
【００４３】
シリコン含有層が形成された後、バルブ２４３ａを閉じ、ＤＣＳガスの供給を停止する。このとき、ガス排気管２３１のＡＰＣバルブ２４４は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のＤＣＳガスを処理室２０１内から排除する。なお、この時バルブ２４３ｈは開いたままとして、Ｎ2 ガスの処理室２０１内への供給を維持する。これにより、処理室２０１内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のＤＣＳガスを処理室２０１内から排除する効果を高める。
【００４４】
シリコン含有ガスとしては、ＤＣＳガスの他、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ4 、略称：ＴＣＳ）ガス、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ2 Ｃｌ6 、略称：ＨＣＤ）ガス、モノシラン（ＳｉＨ4 ）ガス等の無機原料だけでなく、アミノシラン系のテトラキスジメチルアミノシラン（Ｓｉ（Ｎ（ＣＨ3 ）2 ）4 、略称：４ＤＭＡＳ）ガス、トリスジメチルアミノシラン（Ｓｉ（Ｎ（ＣＨ3 ）2 ）3 Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）ガス、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ（Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ）2 Ｈ2 、略称：２ＤＥＡＳ）ガス、ビスターシャリーブチルアミノシラン（ＳｉＨ2 （ＮＨ（Ｃ4 Ｈ9 ））2 、略称：ＢＴＢＡＳ）ガスなどの有機原料を用いてもよい。不活性ガスとしては、Ｎ2 ガスの他、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いてもよい。
【００４５】
［ステップ２] 
処理室２０１内の残留ガスを除去した後、第２ガス供給管２３２ｄのバルブ２４３ｄを開き、第２ガス供給管２３２ｄ内にＮＨ3 ガスを流す。第２ガス供給管２３２ｄ内を流れたＮＨ3 ガスは、マスフローコントローラ２４１ｄにより流量調整される。流量調整されたＮＨ3 ガスは第２ノズル２４９ｄのガス供給孔２５０ｄからバッファ室２３７内に供給される。このとき、第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を印加することで、バッファ室２３７内に供給されたＮＨ3 ガスはプラズマ励起され、活性種としてガス供給孔２５０ｅから処理室２０１内に供給されつつガス排気管２３１から排気される。この時同時にバルブ２４３ｅを開き、不活性ガス供給管２３２ｅ内にＮ2 ガスを流す。Ｎ2 ガスは第１ノズル２４９ａのガス供給孔２５０ａから処理室２０１内に供給されつつガス排気管２３１から排気される。
【００４６】
ＮＨ3 ガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して処理室２０１内の圧力を、例えば１０〜１００Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ｄで制御するＮＨ3 ガスの供給流量は、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。ＮＨ3 ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種にウエハ２００を晒す時間、すなわちガス供給時間（照射時間）は、例えば２〜１２０秒間の範囲内の時間とする。このときのヒータ２０７の温度は、ステップ１と同様、ウエハ２００の温度が３００〜６５０℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。なお、高周波電源２７３から第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間に印加する高周波電力は、例えば５０〜１０００Ｗの範囲内の電力となるように設定する。ＮＨ3 ガスは反応温度が高く、上記のようなウエハ温度、処理室内圧力では反応しづらいので、プラズマ励起することにより活性種としてから流すようにしており、このためウエハ２００の温度は上述のように設定した低い温度範囲のままでよい。また、ＮＨ3 ガスを供給する際にプラズマ励起せず、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して処理室２０１内の圧力を例えば５０〜３０００Ｐａの範囲内の圧力とすることで、ＮＨ3 ガスをノンプラズマで熱的に活性化することも可能である。なお、ＮＨ3 ガスは熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する窒化をソフトに行うことができる。
【００４７】
このとき、処理室２０１内に流しているガスはＮＨ3 ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種、もしくは処理室２０１内圧力を高くすることで熱的に活性化されたＮＨ3 ガスであり、処理室２０１内にはＤＣＳガスは流していない。したがって、ＮＨ3 ガスは気相反応を起こすことはなく、活性種となった、もしくは活性化されたＮＨ3 ガスは、ステップ１でウエハ２００上に形成された第１の層としてのシリコン含有層と反応する。これによりシリコン含有層は窒化されて、シリコン（第１元素）および窒素（第２元素）を含む第２の層、すなわち、シリコン窒化層（ＳｉＮ層）へと改質される。
【００４８】
その後、第２ガス供給管２３２ｄのバルブ２４３ｄを閉じて、ＮＨ3 ガスの供給を停止する。このとき、ガス排気管２３１のＡＰＣバルブ２４４は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくは窒化に寄与した後のＮＨ3 ガスを処理室２０１内から排除する。なお、この時バルブ２４３ｅは開いたままとして、Ｎ2 ガスの処理室２０１内への供給を維持する。これにより、処理室２０１内に残留する未反応もしくは窒化に寄与した後のＮＨ3 ガスを処理室２０１内から排除する効果を高める。
【００４９】
窒素含有ガスとしては、ＮＨ3 ガスをプラズマや熱で励起したガス以外に、Ｎ2 ガス、ＮＦ3 ガス、Ｎ3 Ｈ8 ガス等をプラズマや熱で励起したガスを用いてもよく、これらのガスをＡｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスで希釈したガスをプラズマや熱で励起して用いてもよい。
【００５０】
上述したステップ１〜２を１サイクルとして、このサイクルを少なくとも１回以上行うことにより、ウエハ２００上に所定膜厚のシリコン（第１元素）および窒素（第２元素）を含む薄膜、すなわち、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
【００５１】
所定膜厚のシリコン窒化膜を形成する成膜処理がなされると、Ｎ2 等の不活性ガスが処理室２０１内へ供給されつつ排気されることで処理室２０１内が不活性ガスでパージされる（ガスパージ）。その後、処理室２０１内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。
【００５２】
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、反応管２０３の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ２００がボート２１７に支持された状態で反応管２０３の下端から反応管２０３の外部に搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済ウエハ２００はボート２１７より取出される（ウエハディスチャージ）。
【００５３】
なお、ここでは本実施形態の処理シーケンスの具体例として、第１元素含有ガス、第２元素含有ガスとしてシリコン含有ガス、窒素含有ガスをそれぞれ用い、ＳｉＮ膜を形成する例について説明したが、本発明は上述の具体例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００５４】
例えば、第１元素含有ガス、第２元素含有ガスとしてアルミニウム含有ガス、窒素含有ガスをそれぞれ用い、アルミニウム窒化膜（ＡｌＮ膜）を形成する場合や、第１元素含有ガス、第２元素含有ガスとしてチタン含有ガス、窒素含有ガスをそれぞれ用い、チタン窒化膜（ＴｉＮ膜）を形成する場合や、第１元素含有ガス、第２元素含有ガスとしてボロン含有ガス、窒素含有ガスをそれぞれ用い、ボロン窒化膜（ＢＮ膜）を形成する場合等にも適用することができる。また、例えば、第１元素含有ガス、第２元素含有ガスとしてシリコン含有ガス、酸素含有ガスをそれぞれ用い、シリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）を形成する場合や、第１元素含有ガス、第２元素含有ガスとしてアルミニウム含有ガス、酸素含有ガスをそれぞれ用い、アルミニウム酸化膜（ＡｌＯ膜）を形成する場合や、第１元素含有ガス、第２元素含有ガスとしてチタン含有ガス、酸素含有ガスをそれぞれ用い、チタン酸化膜（ＴｉＯ膜）を形成する場合等にも適用することができる。また、例えば、第１元素含有ガス、第２元素含有ガスとしてシリコン含有ガス、炭素含有ガスをそれぞれ用い、シリコン炭化膜（ＳｉＣ膜）を形成する場合等にも適用することができる。
【００５５】
なお、アルミニウム含有ガスとしては、例えばトリメチルアルミニウム（Ａｌ( ＣＨ3 ) 3 、略称：ＴＭＡ）ガスを用いることができる。チタン含有ガスとしては、例えば四塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）ガスやテトラキスジメチルアミノチタン（Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］4、略称：ＴＤＭＡＴ）ガスを用いることができる。硼素含有ガスとしては、例えば三塩化硼素（ＢＣｌ3 ）ガスやジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）ガスを用いることができる。炭素含有ガスとしては、例えばプロピレン（Ｃ3 Ｈ6 ）ガスやエチレン（Ｃ2 Ｈ4 ）ガスを用いることができる。酸素含有ガスとしては、例えば酸素（Ｏ2 ）ガス、オゾン（Ｏ3 ）ガス、一酸化窒素（ＮＯ）ガス、亜酸化窒素（Ｎ2 Ｏ）ガス、水蒸気（Ｈ2 Ｏ）を用いることができる。
【００５６】
以上のように、本実施形態の処理シーケンスでは、第１元素としては、例えばシリコン（Ｓｉ）や硼素（Ｂ）等の半導体元素や、アルミニウム（Ａｌ）やチタン（Ｔｉ）等の金属元素を用いることができ、第２元素としては、窒素（Ｎ）や炭素（Ｃ）や酸素（Ｏ）等の元素を用いることができる。
【００５７】
ところで、以上の縦型処理炉においては、ガス供給孔とウエハとの位置関係によってウエハ面内膜厚分布均一性の低下を引き起こす場合があることが、本発明者によって究明された。
例えば、図４に示されているように、ＤＣＳガスを供給する第１ノズル２４９ａのガス供給孔（以下、ノズル孔という）２５０ａ、２５０ａ間ピッチが７．７ｍｍであって、ボート２１７上のウエハ２００、２００間ピッチが７．７ｍｍであり、ノズル孔２５０ａがウエハ間中心よりも下方に位置する場合には、図５に示されているように、ウエハ面内膜厚分布はウエハ周辺部で厚く、ウエハ中央部で薄くなる。
そこで、本実施形態においては、ノズル孔の位置をウエハ間に対して、当該中心から−３ｍｍ〜＋３ｍｍの位置に設定することにより、ウエハ面内膜厚分布を制御するものとした。
なお、ノズル孔の位置をウエハ間の中心から３ｍｍよりも上方もしくは下方の位置に設定すると、ノズル孔の位置がウエハの裏面もしくは表面に近づき過ぎることとなり、ウエハ面内膜厚分布の制御が難しくなってしまう。よって、ノズル孔の位置はウエハ間の中心から−３ｍｍ〜＋３ｍｍの領域に設定するのが好ましい。なお、図６ではノズル孔の位置をウエハ間に対して、当該中心から−１．４ｍｍ〜＋１．４ｍｍの位置に設定している。
【００５８】
図６に示されているように、製品ウエハ１００枚を処理する場合においては、ＤＣＳガスを供給するノズル孔２５０ａ、２５０ａ間ピッチは７．７ｍｍである。これに対して、１２５枚のウエハ２００を積載する場合には、ボート２１７上のウエハ２００、２００間ピッチは６．３ｍｍである。
このピッチの差を利用することにより、ノズル孔２５０ａとウエハ２００との位置関係を、例えば、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のように、変化させることができる。図６において、（ａ）はノズル孔がウエハ間の中心よりも下方に位置する場合、（ｂ）はノズル孔がウエハ間の中心に位置する場合、（ｃ）はノズル孔がウエハ間の中心よりも上方に位置する場合、である。
【００５９】
図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のそれぞれの場合におけるウエハ面内膜厚分布を示す各分布図である。
図７（ａ）においては、ウエハ面内膜厚分布がウエハ周辺部で厚く、ウエハ中央部で薄くなる傾向が示されている。
図７（ｂ）においては、ウエハ面内膜厚分布がウエハ周辺部でやや薄く、ウエハ中央部で厚くなる傾向が示されている。
図７（ｃ）においては、ウエハ面内膜厚分布がウエハ周辺部で薄く、ウエハ中央部で厚くなる傾向が示されている。
これらの分布図によれば、ノズル孔とウエハの位置関係が変化することにより、ウエハ面内膜厚分布も変化することが、判る。
【００６０】
この結果から、ノズル孔を多段に積載されたウエハ間の中心から下方に変更させることにより、ウエハ面内膜厚分布を「凹型：ウエハ中心部の膜厚が薄い分布」に変化させることが可能となることが分かる。また、ノズル孔をウエハ間の中心から上方に変更させることにより、ウエハ面内膜厚分布を「凸型：ウエハ中心部の膜厚が厚い分布」に変化させることが可能となることが分かる。
ノズル孔とウエハの位置関係を変更することにより、ウエハ面内膜厚分布が変化するメカニズムは、次のように考えられる。
1)  ノズル孔を積層されたウエハ間の中心より下方に配置した場合（図６（ａ）の場合）には、ノズル孔から噴出したガスは、ウエハ表面の影響をより強く受ける。
ウエハ表面の影響をより強く受けるため、ガスの流速は遅くなり、ガスは短時間ではウエハ中央部分まで届かなくなる。
そのため、ガスはウエハ周辺にて吸着、消費されて成膜に寄与することになり、ウエハ周辺部の膜厚が厚く、中央部の膜厚が薄くなる。
2)  一方、ノズル孔を積層されたウエハ間の中心より上方に配置した場合（図６（ｃ）の場合）には、ノズル孔から噴出したガスは、ウエハ表面の影響を受けにくくなる。
それにより、図６（ａ）の場合とは逆にウエハ中央部までガスが届きやすくなり、ウエハ中央部分でのガス吸着、消費が増えて、ウエハ中央部の膜厚が厚くなる傾向が現れる。
さらには、一段上のウエハ裏面周辺部にてガスが消費されるため、ウエハ周辺部と中央部でのガス濃度の差が小さくなることも考えられ、これにより、ウエハ周辺部に比べて中央部の膜厚が厚くなりやすい状況が作られることも考えられる。
【００６１】
以上のようなノズル孔とウエハの位置関係を変更することにより、ウエハ面内膜厚分布が変化することを利用すれば、以下のような利点がある。
【００６２】
（１）ノズル孔とウエハ位置関係を調節することによって膜厚分布がフラットに近くなるようにして、ウエハ面内の均一性が良くなるように制御することが可能となる。
【００６３】
（２）下地にパターンがついているウエハ上、特に、アスペクト比が大きく実効的な表面積が大きなウエハ上に成膜する場合のように、ウエハ周辺部にてガスが消費されてしまいウエハ中央部分の膜厚が薄くなってしまう（一般に、ローディング効果と呼ばれている）場合では、ノズル孔とウエハの位置関係を、膜厚分布が凸型になるように調節しておくことによって、均一な膜を成膜することができる。
【００６４】
（３）ＳｉＮ膜のウエットエッチングレートあるいはドライエッチングレートがウエハ周辺部で遅く中央部で早いという関係を持つならば、ノズル孔とウエハの位置関係を、膜厚分布が凸型になるように調節しておくことにより、エッチング後の膜厚を均一にすることができる。
【００６５】
（４）前記（３）の場合とは逆に、ＳｉＮ膜のウエットエッチングレートあるいはドライエッチングレートがウエハ周辺部で早く中央部で遅いという関係を持つならば、ノズル孔とウエハの位置関係を、膜厚分布が凹型になるように調節しておくことにより、エッチング後の膜厚を均一にすることができる。
【００６６】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００６７】
例えば、処理ガスは、ＤＣＳガスを使用するに限らない。
【００６８】
ガス供給孔間ピッチは７．７ｍｍに限らないし、基板間ピッチも６．３ｍｍに限らない。
【００６９】
前記実施形態ではバッチ式縦形ホットウオール形リモートプラズマ装置を使用した成膜工程について説明したが、本発明は、その他の成膜装置を使用した成膜工程を含む半導体装置の製造方法全般に適用することができる。
【００７０】
前記実施形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、磁気ディスク、コンパクトディスクおよび光学ディスク等であってもよい。
【００７１】
以下に、本発明の好ましい態様を付記する。
本発明の一態様によれば、次の半導体装置の製造方法が提供される。
複数枚の基板を水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容した処理室内に、第１ノズルを介して第１元素を含むガスを供給することで、前記各基板上に第１元素を含む第１の層を形成する工程と、
前記処理室内に第２ノズルを介して第２元素を含むガスを供給することで、前記第１の層を改質して第１元素および第２元素を含む第２の層を形成する工程と、
を１サイクルとして、このサイクルを１回以上行うことで、所定膜厚の前記第１元素および前記第２元素を含む薄膜を形成する工程を有し、
前記第１ノズルには、複数枚の前記基板の一枚一枚に対応するようにガス供給孔が設けられており、
前記ガス供給孔の位置を、隣接する前記基板間の中心位置よりも上方に対応する位置に配置することで、前記薄膜の前記基板面内における膜厚分布を、前記基板の中央部膜厚が前記基板の周辺部膜厚よりも厚い分布となるように制御するか、もしくは、前記ガス供給孔の位置を、隣接する基板間の中心位置よりも下方に対応する位置に配置することで、前記薄膜の前記基板面内における膜厚分布を、前記基板の中央部膜厚が前記基板の周辺部膜厚よりも薄い分布となるように制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
好ましくは、前記薄膜の基板面内における膜厚分布を、前記基板の中央部膜厚が前記基板の周辺部膜厚よりも厚い分布となるように制御する際、前記ガス供給孔の位置を、隣接する前記基板間の中心位置とそれよりも３ｍｍ上方の位置との間の領域に対応する位置に配置する。
また好ましくは、前記薄膜の基板面内における膜厚分布を、前記基板の中央部膜厚が前記基板の周辺部膜厚よりも薄い分布となるように制御する際、前記ガス供給孔の位置を、隣接する前記基板間の中心位置とそれよりも３ｍｍ下方の位置との間の領域に対応する位置に配置する。
【符号の説明】
【００７２】
２００    ウエハ
２０１    処理室
２１７    ボート
２４９ａ  第１ノズル
２５０ａ  ノズル孔（ガス供給孔）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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