(57)【要約】【課題】光の乱反射を抑制することができる、素子搭載用基板、半導体モジュール、光学モジュール及びカメラモジュールを提供する。【解決手段】半導体モジュールは、半導体素子１１を備えた下側の配線基板１０と、その半導体素子１１に対応した位置に開口部２１を有し、その開口部２１の周辺に実装部品搭載可能領域を有する上側の配線基板２０とが、半導体素子１１の周囲において複数のはんだボール３０により電気的に接続されており、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａ、開口部２１端面２０ｃ及び第２の主面２０ｂにかけて黒色の樹脂２６によって覆い、その樹脂２６の表面に凹凸を形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と、前記第１の主面に対向する第２の主面と、前記第１の主面から前記第２
の主面に至る端面と、を有する素子搭載用基板において、
前記第１の主面及び前記第２の主面には、前記端面を介して連続的に覆われた遮光性樹
脂が設けられていることを特徴とする素子搭載用基板。
【請求項２】
前記遮光性樹脂の表面のうち前記第１の主面側及び前記第２の主面側の表面には凹凸が
備えられていることを特徴とする請求項１に記載の素子搭載用基板。
【請求項３】
前記凹凸は、前記端面を覆った遮光性樹脂の表面にさらに設けられており、この端面に
設けられた凹凸の深さは、前記第１の主面及び前記第２の主面に設けられた前記凹凸の深
さよりも浅いことを特徴とする請求項２に記載の素子搭載用基板。
【請求項４】
前記第１の主面の接する前記遮光性樹脂の端面が前記第１の主面に対して傾きを有する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の素子搭載用基板。
【請求項５】
半導体素子を搭載した第１の配線基板と、
前記半導体素子に対応した位置に開口部を備えた第２の配線基板と、
前記第２の配線基板の第１の主表面から、前記開口部の前記第２の配線基板の端面を介して連続的に前記第２の配線基板の第２の主表面までを覆う遮光性樹脂と、
を備えることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項６】
前記遮光性樹脂の表面のうち前記第１の主面側及び前記第２の主面側の表面には凹凸が
備えられていることを特徴とする請求項５に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記第１の主面の接する前記遮光性樹脂の端面が前記第１の主面に対して傾きを有する請求項５または６に記載の半導体モジュール。
【請求項８】
受光または発光の機能を有する半導体素子を搭載した第１の配線基板と、
前記半導体素子に対応した位置に開口部を備えた第２の配線基板と、
前記第２の配線基板の第１の主表面から前記開口部の前記第２の配線基板の端面を介して前記第２の配線基板の第２の主表面までを覆う遮光性樹脂と、
前記第２の配線基板の前記第１の配線基板とは反対側に備えられている光学レンズと、を備えることを特徴とする光学モジュール。
【請求項９】
前記遮光性樹脂の表面のうち前記第１の主面側及び前記第２の主面側の表面には凹凸が
備えられていることを特徴とする請求項８に記載の光学モジュール。
【請求項１０】
前記凹凸は、前記端面を覆った遮光性樹脂の表面にさらに設けられており、この端面に
設けられた凹凸の深さは、前記第１の主面及び前記第２の主面に設けられた前記凹凸の深
さよりも浅いことを特徴とする請求項８または９に記載の光学モジュール。
【請求項１１】
前記第１の主面の接する前記遮光性樹脂の端面が前記第１の主面に対して傾きを有する請求項８乃至１０のいずれか１項に光学モジュール。
【請求項１２】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の素子搭載用基板、請求項５乃至７のうちいずれか１項に記載の半導体モジュール、または請求項８乃至１１のうちいずれか１項に記載の光学モジュールを備えたことを特徴とするカメラモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子搭載用基板、半導体モジュール、光学モジュールおよびカメラモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、ＰＤＡ、ＤＶＣ、ＤＳＣといったポータブルエレクトロニクス機器には、人物や風景を撮影できるカメラ機能が付加されるなどの高機能化が加速している。
【０００３】
こうした製品においては、搭載する半導体素子が光学素子であると、それの発光または受光部分に異物が載ってしまうことにより、良好な画像を得ることができないため、基板からの発塵を抑制するための防塵対策も要求されている。
【０００４】
また、本来、入射される光、あるいは発光する光が、カメラモジュール内で乱反射してしまい、良好な映像を得るという課題の解決が求められている。
【０００５】
従来のポータブルエレクトロニクス機器の一例であるカメラモジュールについて説明する。
【０００６】
図１２は、従来のカメラモジュールの構造を示す断面図である。
【０００７】
図１２に示すように、従来のカメラモジュール１０００は、プリント基板１１０、筐体１４０、鏡筒１４６及び円筒型本体１４５が結合された構造を有する。プリント基板１１０上には、ＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサ等の半導体素子１１１が接着剤（不図示）により取り付けられている。そしてワイヤボンディング１１４によって、半導体素子１１１の素子電極１１２とプリント基板１１０上の電極１１３とが電気的に接続されている。さらに、半導体素子１１１、素子電極１１２及び電極１１３を覆うようにプラスチック材質の筐体１４０が配置されている。
【０００８】
そして、その筐体１４０に、円筒型本体１４５と鏡筒１４６（筐体１４０）とが鏡筒１４６の内周面に設けられたネジ部の螺合によって結合している。
【０００９】
さらに、プリント基板１１０の上方の円筒型本体１４５に取り付けられたレンズ１４１と、プリント基板１１０の上面に取り付けられた半導体素子１１１との間にはＩＲカットフィルター１２２が結合されており、半導体素子１１１へ流入する過度な長波長の赤外線を遮断するようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−３０６３０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、携帯電話等のポータブルエレクトロニクス機器に搭載するカメラモジュールおいては、本来、入射される光、あるいは発光する光が、カメラモジュール内で乱反射してしまい、良好な映像を得ることができないという課題もあった。
【００１２】
また、半導体素子１１１、素子電極１１２及び電極１１３を覆うように形成された筐体１４０等には光を通すための開口部が設けられているが、その開口部はドリルによって形成するため、その端面はプリント基板材料の破片等が残っており、それが半導体素子の受光又は発光領域に落ちて本来の映像を得るという課題を解決することができなかった。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のある態様は、第１の主面と、前記第１の主面に対向する第２の主面と、前記第１の主面から前記第２の主面に至る端面と、を有する素子搭載用基板において、前記第１の主面及び前記第２の主面には、前記端面を介して連続的に覆われた遮光性樹脂が設けられている素子搭載用基板である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、光の乱反射を抑制することができる、素子搭載用基板、半導体モジュール、光学モジュール及びカメラモジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１に係る半導体モジュールの構造を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った実施の形態１に係る半導体モジュールの断面図である。
【図３】実施の形態１に係る半導体モジュールの上側の配線基板と下側の配線基板の構造を示す平面図である。
【図４】実施の形態１に係る半導体モジュールの製造方法を示す図である。
【図５】実施の形態１に係る半導体モジュールの製造方法を示す図である。
【図６】実施の形態１に係る半導体モジュールの製造方法を示す図である。
【図７】実施の形態１に係る上側の配線基板に設けた樹脂の形状を示す図である。
【図８】実施の形態２に係るカメラモジュールに採用した断面形状を示す図である。
【図９】実施の形態３に係るカメラモジュールに採用した断面形状を示す図である。
【図１０】実施の形態３に係るカメラモジュールに採用した樹脂の端面の形状を示す要部拡大図である。
【図１１】変形例に係るカメラモジュールに採用した樹脂の端面の形状を示す要部拡大図である。
【図１２】従来の半導体モジュールを備えたカメラモジュールの構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１７】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１に係る半導体モジュール１の構造を示す平面図である。
【００１８】
半導体モジュール１は、下側の配線基板１０と上側の配線基板２０とを備えており、それらの配線基板１０、２０が接続導電部材の一例であるはんだボール３０によって電気的に接続されている。また、受動素子や駆動ＩＣ等のチップ部品２３が上側の配線基板２０の上面に搭載されている。半導体モジュール１は縦約１０ｍｍ×横約１０ｍｍの大きさである。
【００１９】
ここで、この下側の配線基板１０と上側の配線基板２０とが接続された断面構造につい図２に基づいて説明する。
【００２０】
図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿った半導体モジュールの断面図である。
【００２１】
図２に示すように、下側の配線基板１０と上側の配線基板２０とは接続導電部材であるはんだボール３０により電気的に接続されている。そのはんだボール３０は、上側の配線基板２０及び下側の配線基板１０の周囲近傍に配置されている。上側の配線基板２０は、はんだボール３０で接続される領域以外は凹部１７を有している。この凹部１７により下側の配線基板１０に搭載する半導体素子１１と上側の配線基板２０とが接触することによる配線の短絡を防止できる。
【００２２】
配線基板１０及び２０が接続される周辺の領域には、はんだボール３０が接続される第１の電極１６０及び第３の電極１６１が形成されている。その第１の電極１６０及び第３の電極１６１はその上層に形成されるフォトソルダーレジスト１８の開口部から露出している構造である。
【００２３】
ここで、上側の配線基板２０に設けられた開口部２１の周辺近傍の構造について説明する。
【００２４】
まず、上側の配線基板２０は、上側の配線基板２０の上側である第１の主面２０ａと、上側の配線基板２０の下側である第２の主面２０ｂとを備えている。開口部２１は、その第１の主面２０ａから第２の主面２０ｂに向かう貫通孔を設けることにより形成される。その貫通孔により貫通孔の側面２０ｃ、即ち開口部２１の端面２０ｃができる。
【００２５】
これらの第１の主面２０ａ、第２の主面２０ｂ及び端面２０ｃには黒色の樹脂２６（図３において黒色のハッチングで図示）が塗布されている。つまり、第１の主面２０ａ、第２の主面２０ｂのうち、開口部２１の周辺部と、端面２０ｃとを連続的に覆うように遮光性（特に、黒色）の樹脂２６が塗布されている。このように塗布されることにより、金属によって覆われた場合に比べ光を反射しにくいことから、光学モジュール等に用いた場合には乱反射を抑制することができる。樹脂２６の表面形状については後述する。
【００２６】
開口部２１は、後述のように、半導体素子１１の受光部１６に対応する位置を、例えばカッターやドリル、あるいはレーザによって上側の配線基板２０を切り抜くことにより形成される。しかし、開口部２１を形成した際に、その内面（開口部内の対向する面）の切り口には配線材料の切りくずや破片となる部分が生じてしまう。そうすると、半導体モジュール１を使用中にそれらが上側の配線基板２０の切り屑等として半導体素子１１上に落下し、例えば半導体素子１１に形成された発光面あるいは受光面を全面又は部分的に覆ってしまい、発光あるいは受光機能を著しく低下させてしまうことになる。
【００２７】
そこで、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａから、開口部２１の端面２０ｃを覆い、さらに第２の主面２０ｂまでを覆うように樹脂２６を塗布した構造とする。
【００２８】
そうすることにより、上側の配線基板２０の開口部２１の端面２１ｃからプリント基板の切り屑が半導体素子に落下することが防止できる。
【００２９】
さらに、本願においては、樹脂２６の表面にブラスト材を照射することによって、樹脂２６の表面に凹凸を形成するため、半導体モジュールにおいて、外部から開口部２１を通過し半導体素子１１に至る光のうち、半導体素子１１に対して斜めから入射する光が乱反射する事を防止できるとともに、半導体素子１１から発せられる光のうち、斜め方向に進んで上側の配線基板２０に当たった光は乱反射することなく消滅させることができる。
【００３０】
ここで、図３（Ａ）及び（Ｂ）に、図１に示した半導体モジュールの上側の配線基板２０と下側の配線基板１０のそれぞれの平面図を示す。
【００３１】
まず、図３（Ａ）に示す上側の配線基板２０は、約８ｍｍ×約８ｍｍの概ね四角形状をしており、複数の配線層及び絶縁層からなるいわゆる多層配線層を有する配線基板である。そして、下側の配線基板１０に搭載した半導体素子１１に対応した位置に開口部２１を備えている。開口部２１の形状は、上側の配線基板２０の上側から見ると概ね「ロ」の字形状をしている。たとえば、下側の配線基板１０に搭載した半導体素子１１内に発光又は受光する機能部が設けられている場合、上側の配線基板２０側から開口部２１を覗いたときに、その発光又は受光する機能部が視認できる形状であればよい。具体的には、必ずしも「ロ」の字形状でなくてもよく、例えば円形状、楕円形状あるいは矩形状でもよい。なお、半導体素子１１の厚みは約１００μｍ〜約１５０μｍ程度である。
【００３２】
次に、図３（Ｂ）に示す下側の配線基板１０について説明する。
【００３３】
下側の配線基板１０は、複数の配線層及び絶縁層からなるいわゆる多層配線層を有する配線基板であり、前述の上側の配線基板２０の外周端部よりも大きい配線基板である。一例として、上側の配線基板２０の縦及び横の長さよりもそれぞれ２ｍｍ程度大きく、縦約１０ｍｍ、横約１０ｍｍ程度の大きさである。即ち、上側の配線基板２０の外周端部が下側の配線基板の１０の外周端部よりも内側にある構造である。このような構造を採ることにより、半導体モジュール１を後述のカメラモジュール（後述の図１２参照）に適用した場合に、筐体４０を支持する領域（庇部）として利用が可能である。また、下側の配線基板１０は、基材となる銅板１５を層内に備えており、それにより配線基板１０の剛性を維持することができる。下側の配線基板１０の表面には、開口部２１に対応した下側の配線基板１０のほぼ中央部に半導体素子１１を搭載している。その半導体素子１１は、接着樹脂によって下側の配線基板１０表面に接着されている。なお、半導体素子１１の具体例としては、受光素子であるＣＭＯＳセンサー、発光素子であるＬＥＤなどの光学素子や、集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳＩ）などの半導体チップが挙げられる。ＣＭＯＳセンサーあるいはＬＥＤなどの光学素子の場合には、その受光面または発光面が開口部２１の位置に対応するように配置される。
【００３４】
また、半導体素子１１の上表面には素子電極１２が形成されており、その素子電極１２と下側の配線基板１０の表面に設けられた電極１３とがボンディングワイヤ１４によって接続されることにより、下側の配線基板１０と半導体素子１１とが電気的に接続されている。
【００３５】
なお、半導体素子１１は、その素子電極１２が半導体素子１１の下面側に設けられた構造のものでも良く、その場合にはボンディングワイヤを用いることなく、下側の配線基板１０とはいわゆるフリップチップ実装によって電気的に接続されてもよい。
【００３６】
以上のような上側の配線基板２０と下側の配線基板１０とがはんだボール３０によって電気的に接続されている。
【００３７】
なお、その開口部２１の周辺（上側の配線基板２０の上面）には、例えば半導体モジュール１をカメラモジュールに採用した場合であれば、そのレンズを駆動するためのチップ部品２３（例えば、駆動ＩＣ、電源ＩＣ、抵抗や容量等の受動部品等のチップ部品）が配置されている。
【００３８】
また、光学フィルターの一例で近赤外光をカットするＩＲカットフィルター２２を開口部２１を覆うように設ける。光学フィルターとしては、他にも紫外線カットフィルターや偏光板などが挙げられる。なお、これらの光学フィルターは必要に応じて設ければよい。
【００３９】
また、はんだボール３０は、前述の図１及び図２に示すように、両配線基板１０及び２０の各辺に沿って「千鳥掛け状」に配列されている。即ち、下側の配線基板１０のある１辺に沿ったはんだボール３０に注目すると、はんだボール３０は、２列に並んでおり、一方の列のうちの隣接する２つのはんだボールの間に、他方の列のはんだボール３０が重なるように配列されている。
【００４０】
このように配列することにより、上側の配線基板２０及び下側の配線基板１０に、より多くの接続領域を効率よく確保することができるとともに、１列に配列した場合に比べて、外部からの不要な光が入ってくること又は外部に光が漏れ出すことを防止できる。
【００４１】
さらに、エポキシ樹脂などの接着樹脂に遮光材料を混合させたアンダーフィル３１によってそのはんだボール３０の周囲を覆い隣接するはんだボール３０間に充填することにより、下側の配線基板１０と上側の配線基板２０との間の接着力を強固なものとすることができるとともに、半導体モジュール１からの光の漏れあるいは外光の入射を防止できる。
【００４２】
以上のように、本願においては、「千鳥掛け状」に配置すること、はんだボール３０を覆うアンダーフィル樹脂が遮光性を有することを組み合わせることにより、はんだボールによる接続部から外部に必要な光を放出することや、逆にそこから不必要な光が入ってくることを防止できる。
【００４３】
このアンダーフィル３１は、図１及び図２（Ｂ）において斜線（左上から右下に向かった斜線）で示すように、両配線基板１０、２０の周囲に設けられる。その内側の端部は半導体素子１１を覆わない程度の位置に設けられている。下側の基板１０は上側の配線基板２０よりもはみ出した庇部があり、その部分にカメラモジュールの筐体を設ける場合には、アンダーフィル３１は、庇部には設けず、上側の配線基板２０の端部までしか設けない。
＜上側の配線基板の製造方法＞
以下に、上側の配線基板２０の製造方法について、図４〜図６に基づいて説明する。
【００４４】
まず、図４（Ａ）に示すように、縦約８ｍｍ×横約８ｍｍの大きさの上側の配線基板が複数個（同図においては１６個の場合を示している。さらに多くの上側の配線基板を設けていてもよい。）設けられた基材を準備する。
【００４５】
次に、図４（Ｂ）に示すように、上側の配線基板２０のほぼ中央付近に、ドリル５２を用いて開口部２１を形成する。この開口部２１の形成位置は必ずしも中央付近でなくてもよい。下側の配線基板１０に搭載する半導体素子が受光センサーの場合にはそのセンサー部の位置に対応した位置に形成すればよい。言い換えると、開口部２１の端面２０ｄがセンサー部と重畳しなければよい。
【００４６】
次に、図５（Ａ）に示すように、開口部２１を形成した上側の配線基板２０の表面に、スプレイノズル６０を用いて配線基板２０の上下面から液状の樹脂２６を塗布する。
【００４７】
液状の樹脂２６が噴出するノズル６０を上側の配線基板２０の上面２０ａ側及び下面２０ｃ側に配置し、そのノズル６０を左右に扇状に回動させながら、上側の配線基板２０を一方向に移動することにより、樹脂２６は、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａ、周囲の側面２０ｄ、第２の主面２０ｂ及び開口部２１の側面（端面）２０ｃの全面に塗布される。そして、加熱して樹脂２６の溶媒を蒸発させる。この樹脂２６は、感光性のエポキシ樹脂（ＰＳＲ：Photo Solder Resist）からなり、黒色の粉末が混入されて黒色を呈する。
【００４８】
図５（Ｂ）に示すように、開口部２１の周辺（第１の主面２０ａ、第２の主面２０ｂ及び端面２０ｃ）に樹脂２６が残るように、その他の領域の樹脂２６を除去する。それは、たとえば光を遮るフォトマスク（不図示）を接触させて、樹脂２６を残す開口部２１の周辺の領域のみを覆い、露光し、フォトマスクをはずして現像を行うことにより、開口部２１の周辺に樹脂２６を残すことが可能である。なお、樹脂２６は全面に形成されても良い。樹脂２６の厚みは、第１の主面２０ａが約４５μｍ〜約５５μｍ、第２の主面２０ｂが約３５μｍ〜約４０μｍ、端面２０ｃの頂部が約４５μｍ〜約８０μｍである。
【００４９】
そして、図６に示すように、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａ側及び第２の主面２０ｂ側からウェットブラスト処理５０を行い、樹脂２６の表面に凹凸２６ａを形成する。ウェットブラスト処理は、たとえば１２００番程度の粗さのブラスト材を約０．２Ｍｐａ程度の圧力で配線基板２０の樹脂２６に対して噴射することで行われる。
【００５０】
ここで、この凹凸２６ａの形状について図７を用いて説明する。
【００５１】
図７はウェットブラスト処理を施す前後の上側の配線基板２０の開口部２１近傍の一部の樹脂表面の形状を示したものである。
【００５２】
同図（Ａ）はウェットブラスト処理前の形状を示し、同図（Ｂ）はウェットブラスト処理後の形状を示している。
【００５３】
樹脂２６を塗布した後は、図７（Ａ）に示すように、開口部２１の周辺に樹脂２６が形成されている。この樹脂２６自体も表面が平坦ではなくある程度うねった凹凸形状を有している。その樹脂２６表面にウェットブラスト処理を施すと、同図（Ｂ）に示すように、樹脂２６の表面に凹凸２６ａが形成される。
【００５４】
このとき、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａ側及び第２の主面２０ｂ側に形成された樹脂２６の表面の凹凸２６ａの高低差は、端面２０ｃ側の頂点２６ｃに形成された樹脂２６の表面の凹凸の高低差に比べて大きい。それは、ウェットブラスト処理を第１の主面２０ａ側及び第２の主面２０ｂ側から行うため、第１の主面２０ａ側及び第２の主面２０ｂ側の樹脂２６の表面に対してほぼ垂直にブラスト材が表面に当たるため、凹凸の高低差が大きくなるのである。これに対して、端面２０ｃ側にはブラスト材はほぼ端面２０ｃに対して平行にしか当たらないので、樹脂表面にはウェットブラスト処理ではほとんど凹凸が形成されず、もともとの樹脂２６表面のうねり分の凹凸程度である。
【００５５】
このように、切り屑が最も発光または受光機能を有する半導体素子または受動素子などの回路素子に落ちて影響を及ぼしやすい端面２０ｃに設けられた凹凸の深さは、第１の主面２０ａ及び第２の主面２０ｂに設けられた凹凸の深さよりも浅くできるので、端面２０ｃからの樹脂２６の切り屑等が発生しにくいことから、発光または受光機能を有する回路素子への切り屑等による光の遮蔽を防止することができる。
【００５６】
このようにして、上側の配線基板２０の開口部２１周辺に形成した樹脂２６の表面に凹凸２６ａを形成する。
【００５７】
（実施の形態２）
次に、本願の半導体モジュールをカメラモジュールに用いた場合について、図８に基づいて説明する。
【００５８】
図８は、本願の半導体モジュールをカメラモジュールに用いた断面図を示すものである。
【００５９】
前述のとおり、銅板１５を基材とする下側の配線基板１０の上表面に、接着材によりＣＭＯＳセンサー１１が、開口部２１からの光を受光できるように固定されている。ＣＭＯＳセンサー１１の素子電極１２と下側の配線基板１０の電極１３がボンディングワイヤ１４によって電気的に接続されている。
【００６０】
上側の配線基板２０は、その周辺のはんだボール３０を介して下側の配線基板１０と接続されている。また、開口部２１の周辺の領域には、後述のレンズ４１を駆動する駆動ＩＣや受動素子（抵抗、容量等）が配置されている。レンズのみならず、ＣＭＯＳセンサーを駆動するチップ等も配置することができる。
【００６１】
イメージセンサ１１へ流入する過度な長波長の赤外線を遮断するように、レンズ４１とＣＭＯＳセンサー１１との間には、開口部２１を覆うようにＩＲカットフィルター２２が配置されている。
【００６２】
接続部に設けられたはんだボール３０は遮光材料が混入されたアンダーフィル剤３１で覆われているので、接続部から外光が入ってくることを防止できる。このとき、アンダーフィル剤は図８ではＣＭＯＳセンサー１１の端部を覆っていないが、ボンディングワイヤ１４及び素子電極１２をも含んで、センサー部の近傍まで覆っても良く、そうすることによりさらに接続部からの外光の入り込みを防止できる。
【００６３】
上側と下側の配線基板１０、２０からなる半導体モジュール１の上側には、カメラのレンズを支持する筐体４０が結合している。筐体４０は、外光（風景、人物などの映像）を集光するレンズ４１とそのレンズ４１の焦点を調整するために上下に移動できる可動部４２と、外光を取り込む開口部４３とを備えている。
【００６４】
また、上側の配線基板２０は下側の配線基板１０よりも面積が小さく、上側の配線基板２０の外周端部は全周囲において下側の配線基板１０の外周端部よりも内側にある。即ち、下側の配線基板１０が上側の配線基板２０よりも外方向に突出しているので下側の配線基板１０には、筐体４０を支持する支持領域（庇部）４４が存在する。その支持領域４４において筐体４０と半導体モジュール１とが、接着剤、あるいは上側の配線基板２０又は筐体４０の内周面にネジ部を設けその螺合によって固着される。
【００６５】
以上のように、本願の半導体モジュールはカメラモジュールに採用することができる。
【００６６】
このように、本願の半導体モジュールをカメラモジュールに採用した場合にも、上側の配線基板２０の開口部２１の周辺には、上側の配線基板２０の上側面２０ａ、開口部２１の端面２０ｄ及び上側の配線基板２０の下側面２０ｃを黒色の樹脂２６によって覆うことにより、開口部２１の端面２０ｄからのプリント基板材料の切り屑等がイメージセンサ１１のセンサ部に落ちることが防止できるので、良好な映像を得ることができる。
【００６７】
また、カメラモジュールの場合、外部から入ってきた光（映像）には開口部２１を通過しない光と開口部２１を通過する光とがある。一方の開口部２１を通過しない光は、筐体４０の内部で反射を繰り返すことになる。しかし、上側の配線基板２０の上側の面２０ａの樹脂２６表面の凹凸により乱反射が抑制されることから、開口部２１を通過しにくくすることができる。
【００６８】
また、開口部２１を通過した光は、イメージセンサ１１に到達する光と、その他の箇所（下側の配線基板１０と、はんだボール３０と、上側の配線基板２０とによって構成される空間内）に至る光とがある。このその他の箇所に至る光は空間内の各所にて反射を繰り返して凹凸を有する樹脂２６の表面にも至る。その際、表面の凹凸２６により乱反射することを抑制できるので、本来イメージセンサに入射されるべきではない光（映像）が入射することを抑制できる。そのため、良好な映像を再現することができる。
【００６９】
これに対して、従来のカメラモジュールにおいては、開口部の端面の切り屑等がセンサ部に落下して本来の光（映像）を得ることができなかったが、本願のような構成を採ることにより、上述のように、本来の光（映像）を得ることができるようになった。
【００７０】
なお、従来の構造においては、レンズを駆動するための駆動ＩＣや受動素子を配線基板１０と筐体４０とによって形成される空間内に平面的に並べて配置する必要があったため面積が大きくなっていた。しかしながら、上述のように、本願の半導体モジュールをカメラモジュールに採用することにより、小型化したカメラモジュールを得ることができる。即ち、レンズを駆動するための駆動ＩＣや受動素子を上側の配線基板２０の開口部２１周辺に配置することができるための小型化が可能となる。
【００７１】
なお、上述の図８において封止樹脂２８０で上側の配線基板２０を覆った構造を示したが、その封止樹脂２８０は必要に応じて設けるものである。封止樹脂を設けると、チップ部品２３を保護することができ、設けない場合にはその封止樹脂の分だけ軽量化を図ることができる。
【００７２】
また、本願の半導体モジュールにおいては、上側の配線基板２０の外周端部は下側の配線基板１０の外周端部よりも内側にあるか、あるいは上側及び下側の配線基板の外周端部面が同一面であってもよい。
【００７３】
（実施の形態３）
図９は、カメラモジュールに採用した断面形状を示す図である。図１０は、実施の形態３に係るカメラモジュールに採用した樹脂２６の端面２７の形状を示す要部拡大図である。実施の形態３のカメラモジュールの基本的な構成は、実施の形態２のカメラモジュールと同様である。実施の形態３のカメラモジュールについて、実施の形態２のカメラモジュールと同様な構成に関する説明を適宜省略する。
【００７４】
図１０に示すように、実施の形態３のカメラモジュールでは、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａと接する樹脂２６の端面２７の上方部分が開口部２１とは反対側にせり出した構造となっている。本実施の形態では、樹脂２６より外側に位置する上側の配線基板２０の第１の主面２０ａと樹脂２６の端面２７とがなす角度Θが９０°未満であり、好ましくは、４５°から５５°である。また、本実施の形態では、ＩＲカットフィルター２２の周縁部分が樹脂２６の端面２７の上端よりも外側に位置している（図９参照）。これにより、ＩＲカットフィルター２２、樹脂２６の端面２７、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａで囲まれた領域が形成されている。
【００７５】
このように、樹脂２６の端面２７が逆テーパ状となった構造を採用することにより、樹脂２６の端面２７と上側の配線基板２０の第１の主面２０ａとの間の隙間にダスト３００が捕らえられる。当該ダスト３００の大きさは、半導体素子１１の受光面または発光面のセルサイズ以上であり、具体的には、１．４μｍ以上の大きさである。ダスト３００は、ＩＲカットフィルター２２を上側の配線基板２０の第１の主面２０ａに搭載する前に発生した異物であり、具体的には、上側の配線基板２０をダイシングにより個片化する際に発生し、洗浄工程で除去しきれずに残った破片、開口部２１を覆うようにＩＲカットフィルター２２を上側の配線基板２０の第１の主面２０ａに接着する際に発生する塵などである。
【００７６】
また、本実施の形態では、ＩＲカットフィルター２２、樹脂２６の端面２７、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａで囲まれた領域がポケット状に形成されているため、この領域にダスト３００が溜まりやすくなっており、一度捕らえられたダスト３００が放出されにくくなっている。
【００７７】
本実施の形態のような、樹脂２６の端面２７の逆テーパ形状は、図５（Ｂ）で説明した露光、現像過程で得ることができる。すなわち、樹脂２６は遮光性が高いため、露光により感光する部分が上側の配線基板２０の第１の主面２０ａに近くなるほど、開口部２１の側にずれる。これにより、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａに接する樹脂２６の端面２７の上端部分が開口部２１とは反対側にせり出した逆テーパ構造が得られる。
【００７８】
図１１は、変形例に係るカメラモジュールに採用した樹脂２６の端面２７の形状を示す要部拡大図である。実施の形態３では、樹脂２６の端面２７が逆テーパ構造となっているが、図１１に示すように、Θが９０°より大きい形状、すなわち樹脂２６の端面２７がテーパ状であり、かつ、ＩＲカットフィルター２２の周縁部分が樹脂２６の端面２７の上端よりも外側に位置していてもよい。これによれば、樹脂２６の端面２７とＩＲカットフィルター２２の下面との間の隙間にダスト３００が捕らえられる。さらに、ＩＲカットフィルター２２、樹脂２６の端面、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａで囲まれたポケット状の領域にダスト３００を溜まりやすくすることができ、一度捕らえられたダスト３００が放出されにくくなっている。
【符号の説明】
【００７９】
１  半導体モジュール、１０  下側の配線基板、１１  半導体素子、１５  基材、１６  受光部、１７  凹部、２０  上側の配線基板、２１  開口部、２２  ＩＲカットフィルター、２３  受動部品、２６  樹脂、３０  はんだボール、３１  アンダーフィル、４０  筐体、４１  レンズ、１６０  第１の電極、１６１  第２の電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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