(57)【要約】      （修正有）【課題】回路基板と、この回路基板の表層に設けられた配線パターンに実装された電子部品と、これらを封止する絶縁性樹脂と、絶縁性樹脂の上に設けられた金属ペースト等からなる導電性樹脂層等から形成され、薄層であっても、優れたシールド効果が得られる回路モジュールを提供する。【解決手段】基板部１０３と、電子部品１０４と、これらを封止するモールド部１０２と、この断面に第１のダレ部１１０を伴って露出した上向内層配線１０７と、第２のダレ部１１１を伴って露出した下向内層配線１０９と、モールド部１０２の表面と、を覆うスパッタによる金属膜からなるシールド部１１２と、を、有するモジュール１０１であって、シールド部１１２は、少なくとも厚み０．０１μｍ以上０．５０μｍ以下の下地電極層１１６と、厚み０．１μｍ以上１０μｍ以下の銅を主体とする銅電極層１１７と、を有している。【選択図】図１
2011159786.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芯材にエポキシ樹脂を含浸した絶縁層と、銅箔の光沢面が上向きの上向内層配線と、光沢面が下向きの下向内層配線と、上面配線と、裏面配線と、を有する基板部と、
前記上面配線に実装された電子部品と、
この電子部品を前記基板部上でモールド封止するモールド部と、
この断面に第１のダレ部を伴って露出した前記上向内層配線と、第２のダレ部を伴って露出した前記下向内層配線と、前記封止部の表面と、を覆うスパッタによる金属膜と、を有するモジュールであって、
前記金属膜は、少なくとも厚み０．０１μｍ以上０．５０μｍ以下の下地電極層と、厚み０．１μｍ以上１０μｍ以下の銅を主体とする銅電極層と、を有しているモジュール。
【請求項２】
前記銅電極層の上に、厚み０．１μｍ以上１．０μｍ以下の表面電極層を設けた請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
少なくとも、
銅箔の光沢面が上向きの上向内層配線と、光沢面が下向きの下向内層配線と、上面配線と、裏面配線と、を有する基板部に、電子部品を実装する実装工程と、
前記電子部品を前記基板部上で樹脂モールドし、モールド構造体とする封止工程と、
前記モールド構造体を、ダイシング装置を用いて複数に切断する切断工程と、
前記切断工程で得られた切断品の５面を覆う金属膜を、スパッタで形成する金属膜工程と、
を有するモジュールの製造方法であって、
前記金属膜は、少なくとも厚み０．０１μｍ以上０．５０μｍ以下の下地電極層と、厚み０．１μｍ以上１０μｍ以下の銅を主体とする銅電極層と、一つのスパッタ装置の中で連続的に形成するモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話やパソコンの無線ＬＡＮ等に使われるモールド成型されたモジュールとその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来のモジュールについて、図７を用いて説明する。
【０００３】
図７は、従来のモジュールの断面図を示す。図７において、従来の回路モジュール１は、回路基板５と、この回路基板５の表層に設けられた配線パターン４に実装された、半導体チップや積層セラミックコンデンサ、角チップ抵抗器等の電子部品６と、これら電子部品６等を封止する絶縁性樹脂２と、絶縁性樹脂２の上に設けられた金属ペースト等からなる導電性樹脂層３等から形成されている。
【０００４】
そして、回路基板５に内蔵されたグランド層７と一部が、導電性樹脂層３に電気的に接続され、導電性樹脂層３を、シールドとしている。
【０００５】
なおこうしたモジュールとしては、以下の特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２８６９１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、従来の回路モジュール１において、充分なシールド効果が得られない場合があった。
【０００８】
特に、導電性樹脂層３は、導電粉を、絶縁性樹脂に分散させてなる導電性ペーストからなるため、回路基板５の側面に露出したグランド層７（例えば、グランド層７は、銅箔等からなる）の端面に塗布することになるため、導電性樹脂層３とグランド層７との接触抵抗（あるいは接続抵抗）が高く、更にグランド層７の露出面の酸化等の影響を受けやすい。
【０００９】
また導電性樹脂層３は、絶縁性樹脂に導電粉を分散させたものであるため、膜厚に比べてシート抵抗が高く、シールド性が膜厚の影響を受ける場合がある。
【００１０】
本発明は、シールド層を薄層でも低いシート抵抗が得られる金属膜とし、この金属膜と、下地となるガラスエポキシ樹脂基板等との密着性を高めることで、高く安定したシールド効果が得られるモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明のモジュールは、芯材にエポキシ樹脂を含浸した絶縁層と、銅箔の光沢面が上向きの上向内層配線と、光沢面が下向きの下向内層配線と、上面配線と、裏面配線と、を有する基板部と、前記上面配線に実装された電子部品と、この電子部品を前記基板部上でモールド封止するモールド部と、この断面に第１のダレ部を伴って露出した前記上向内層配線と、第２のダレ部を伴って露出した前記下向内層配線と、前記封止部の表面と、を覆うスパッタによる金属膜と、を有するモジュールであって、前記金属膜は、少なくとも厚み０．０１μｍ以上０．５０μｍ以下の下地電極層と、厚み０．１μｍ以上１０μｍ以下の銅を主体とする銅電極層と、を有しているモジュールとする。
【発明の効果】
【００１２】
上記構成により本発明のモジュールの金属膜からなるシールド部は、少なくとも、下地となるガラスエポキシ樹脂基板等との密着性を高める下地電極層と、シールド効果の高い銅を主体とする銅電極層と、を有することで、薄層であっても、優れたシールド効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（Ａ）（Ｂ）は、共に本発明の実施例１におけるモジュールの断面図
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）は、共にモジュールの製造方法の一例を説明する断面図
【図３】（Ａ）（Ｂ）は、共に電子部品が実装された基板部を、ダイシング装置を用いて分割する様子を部分拡大して説明する断面図
【図４】発明者らが作成したモジュールのＳＥＭによる断面写真
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ図４の部分拡大写真
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ図５（Ａ）〜（Ｃ）の模式図
【図７】従来のモジュールの断面図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（実施例１）
以下、実施例１のモジュールについて図面を用いて説明する。図１（Ａ）（Ｂ）は、共に本発明の実施例１におけるモジュールの断面図である。
【００１５】
図１（Ａ）（Ｂ）において、１０１はモジュール、１０２はモールド部、１０３は基板部、１０４は電子部品、１０５は半田部、１０６は上面配線、１０７は上向内層配線、１０８は裏面配線、１０９は下向内層配線、１１０は第１のダレ部、１１１は第２のダレ部、１１２はシールド部、１１３は絶縁層、１１４は光沢面、１１５は粗面、１１６は下地電極層、１１７は銅電極層、１１８は表面電極層である。
【００１６】
ここで下地電極層１１６は、下地となる基板部１０３（例えば、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸してなるガラスエポキシ樹脂基板の断面）との密着性を高めるためのものであり、例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒを主体とする（望ましくはＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒのいずれかは５０ｗｔ％以上）である同一金属元素だけ、またはＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒの内１つ以上の元素と、他の金属元素の組み合わせ（合金であっても良い）とすることは有用である。Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒは、それぞれ基板部１０３（特に絶縁層となるエポキシ樹脂）に対する密着力が高い。なお下地電極層１１６の厚みは、０．０１μｍ以上０．５０μｍ以下が望ましい。０．０１μｍ未満の場合、下地との密着性が低下する場合がある。また厚みが０．５０μｍを超えると、コスト面で課題が発生する場合がある。
【００１７】
なお金属膜厚の測定は、断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察しても良いが、市販の金属膜厚計（例えば、金属元素特有の特性Ｘ線を用いた膜厚計が、メッキ膜厚の測定等に使われている）を使っても良い。
【００１８】
銅電極層１１７は、Ｃｕを主体とする（Ｃｕが９０ｗｔ％以上、望ましくは９５ｗｔ％以上含まれる）金属膜である（これは銅電極層に含まれるＣｕ元素の純度が９０ｗｔ％未満と、少ない場合、シート抵抗やシールド性が影響を受ける）。銅電極層１１７の厚みは、０．１μｍ以上１０．０μｍ以下が望ましい。０．１μｍ未満の場合、必要なシールド効果が得られない場合がある。厚みが１０．０μｍを超えると、コスト面で課題が発生する場合がある。
【００１９】
また必要に応じて、表面電極層１１８を設けても良い。表面電極層１１８は、例えば、銅電極層１１７の防錆層、あるいは酸化防止層として機能させることは有用である。例えば、表面電極層１１８を、ＮｉＣｕ合金とすることは有用である。なおＮｉ−Ｃｕの合金比率は、スパッタ装置にセットするターゲットの合金比率で調整できる。Ｃｕ割合を増やすほど抵抗値が下がり、Ｎｉ割合を増やすほど酸化防止効果が高くなるため、用途に応じて最適化すればよい。
【００２０】
また下地電極層１１６、銅電極層１１７、更には必要に応じて設ける表面電極層１１８は、一つのスパッタ装置で連続的に（例えば、真空を切ることなく。あるいは成膜中にサンプルを大気中に開放することなく）形成することが望ましい。１つのスパッタ装置（望ましくは、一つの真空チャンバーの中で）で、連続的に複数のターゲットを用いて金属膜をスパッタで蒸着することで、下地電極層１１６、銅電極層１１７、更には必要に応じて設ける表面電極層１１８との界面における抵抗値増加（例えば、空気中に露出することによる酸化層の形成）を防止できる。
【００２１】
図１（Ａ）は、モジュール１０１の断面図である。図１（Ａ）に示すように、モジュール１０１は、基板部１０３と、モールド部１０２と、これらを覆うスパッタで形成した金属膜からなるシールド部１１２と、を有している。
【００２２】
基板部１０３は、芯材（図示していない）にエポキシ樹脂（図示していない）を含浸してなる絶縁層１１３と、１層以上の上向内層配線１０７と、１層以上の下向内層配線１０９と、上面配線１０６と、裏面配線１０８とを、有している。
【００２３】
上面配線とは、基板部１０３の、モールド部１０２側、あるいはモールド部１０２に内蔵された電子部品１０４側の表面に設けた配線であり、電子部品１０４を、半田部１０５を介して実装する部分に相当する。
【００２４】
裏面配線１０８とは、基板部１０３の、モールド側でない部分であり、モジュール１０１を、他の回路基板（図示していない）やマザー基板（図示していない）に、実装するための配線である。
【００２５】
下向内層配線１０９とは、基板部１０３に内蔵された内層配線の１つであり、配線を構成する銅箔の光沢面１１４が下向（すなわち、裏面配線１０８側）であるものである。なお下向内層配線１０９の粗面１１５側は、上向（すなわち、モールド部１０２側、あるいはモールド部１０２に内蔵された電子部品１０４側、あるいは上面配線１０６側）となる。
【００２６】
下向内層配線１０９も、上向内層配線１０７も、共に基板部１０３に内蔵された内層配線の１つであり、上向内層配線１０７とは配線を構成する銅箔の光沢面１１４が上向（すなわち、モールド部１０２側、あるいはモールド部１０２に内蔵された電子部品１０４側、あるいは上面配線１０６側。なお上向とは便宜上の言葉であり、モールド側と呼んでも良い）であるものである。なお上向内層配線１０７の粗面１１５側は、下向（すなわち、裏面配線１０８側。なお下向とは便宜上の呼び名であって、モールド側でない側と呼んでも良い）となる。
【００２７】
なお、下向内層配線１０９も上向内層配線１０７も、共に片面が光沢面１１４、残り面が粗面１１５の、銅箔（片面光沢の銅箔と呼ばれることもある）を用いることが望ましい。これは光沢面１１４が露光時のパターン解像度に、粗面１１５側がエポキシ樹脂等の絶縁層１１３側との密着性に、それぞれ優れているからである。なお下向内層配線１０９も、上向内層配線１０７も、共に市販の片側光沢の銅箔を用いることができる。また市販の銅箔の、片面を光沢面１１４とし、残り面を粗面１１５とするには、市販の処理液、あるいは市販の粗化処理液を用いることが有用である。
【００２８】
図１（Ａ）において、シールド部１１２は、スパッタ装置（図示していない）を用いて、モジュール１０１の５面（即ち、天井面と４つの側面の合計５面）にシールド部１１２となる金属薄膜を形成している。スパッタ装置を用いることで、金属薄膜の薄層化（膜厚を１０μｍ以下、更には５μｍ以下、更には２μｍ以下）と、更に金属膜の低抵抗化が可能となる。
【００２９】
またシールド部１１２と、グランドとなる上向内層配線１０７や下向内層配線１０９との接続部（すなわち、基板部１０３の断面に露出した上向内層配線１０７や下向内層配線１０９）に、第１のダレ部１１０、第２のダレ部１１１を形成することで、上向内層配線１０７や下向内層配線１０９と、シールド部１１２との接続面積を広げることができ、シールド部１１２の抵抗値を小さくし、更にシールド性を高める効果が得られる。これはスパッタ装置によって、モジュール１０１の５面にシールド部１１２となる金属薄膜を設けた場合、モジュール１０１の側面の膜厚が、モジュール１０１の天井面の膜厚より薄くなりやすいためであり、第１のダレ部１１０、第２のダレ部１１１を形成することで、上向内層配線１０７や下向内層配線１０９と、シールド部１１２との接続面積を広げることができ、シールド部１１２の抵抗値を小さくし、更にシールド性を高める効果が得られる。
【００３０】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のシールド部１１２付近を部分拡大した断面図である。図１（Ｂ）に示すように、シールド部１１２は、少なくとも、下地電極層１１６と、銅電極層１１７と、を有していることが判る。また銅電極層１１７の上に、更に表面電極層１１８として、耐酸化性の優れた金属膜を形成することは有用である。また下地電極層１１６と銅電極層１１７、更に表面電極層１１８を、一つのスパッタ装置で（即ち、これら電極層間の界面が酸化しないように）連続的に形成することは有用である。
【００３１】
下向内層配線１０９の光沢面１１４側に第２のダレ部１１１を、上向内層配線１０７の光沢面１１４側に第１のダレ部１１０を形成している。このように第１のダレ部１１０、第２のダレ部１１１を形成することで、シールド部１１２（特に、下地電極層１１６）との接続面積が増加し、接続抵抗を小さくすることができる。
【００３２】
なお基板部１０３は、ガラス繊維１２２（例えば、ガラス織布やガラス不織布）やアラミド繊維（例えば、アラミド織布やガラス織布）にエポキシ樹脂を含浸してなるプリプレグを、１層以上の銅箔を内蔵するように、積層したものを用いる。こうした基板部１０３として、市販のガラスエポキシ樹脂基板（ガラエポ基板と呼ばれる場合もある）を用いても良い。
【００３３】
なお基板部１０３に用いる絶縁層１１３として、ガラス繊維１２２（例えば、ガラス織布やガラス不織布）をエポキシ樹脂で含浸、硬化してなるものを用いる以外に、アラミド繊維（例えば、アラミド織布やガラス織布）をエポキシ樹脂で含浸、硬化してなるものを用いても良い。
【００３４】
絶縁層１１３に、ガラス繊維１２２等の芯材を含むものを用いることで、モジュール１０１の下部（特に、前記下向内層配線１０９と前記裏面配線１０８との間の前記絶縁層１１３側の断面）に、溝（例えば、後述する図４の溝１２４）や、クラック（あるいは割れ）が発生した場合でも、クラック等の成長を芯材で制御することができるためである。またクラック等を溝（例えば、後述する図４の溝１２４）とした場合、絶縁層１１３に含まれる芯材が、絶縁層１１３に含まれるエポキシ樹脂が、溝から外部に欠落することを防止する。
【００３５】
なおモールド部１０２は、熱膨張係数等の調整用の無機フィラー１２３等を添加したエポキシ樹脂等からなる封止材を用いる。
【００３６】
上面配線１０６、上向内層配線１０７、下向内層配線１０９、裏面配線１０８等を構成する銅箔としては、電気銅や圧延銅を用いる。銅箔の厚みは、１２μｍ、１８μｍ、３６μｍ等を選ぶことで、その基板部１０３からの露出部（更には第１のダレ部１１０、第２のダレ部１１１）の形成が容易となる。
【００３７】
またシールド部１１２を構成する金属薄膜は、銅を主体としたもの、すなわち銅の含有率が７０ｗｔ％、望ましくは９０ｗｔ％のものとし、その厚みは０．１μｍ以上５．０μｍ以下が望ましい。銅の含有率が９０ｗｔ％未満の場合や、厚みが０．１μｍ未満の場合、電気抵抗が増加する場合がある。また厚みが５．０μｍを超えると、成膜時の残留応力等の影響を受ける場合がある。
【００３８】
なおシールド部１１２を構成する金属薄膜の防錆の目的で、ＮｉやＺｎ等の金属材料の添加、あるいは合金化は有用である。またシールド部１１２を複数の金属層とすることも有用である。この場合、最表層には防錆性に優れたＮｉ等の金属材料を用いることが望ましい。なお内層側には、銅を主体とすることが望ましいが、これは基板部１０３からの銅箔の露出部との接続抵抗を下げるのに有用な為である。また銅は、電気抵抗が低く、シールド性（ＥＭＩ及びＥＭＣ）に優れている。また内層側に、チタン等を用いることで、基板部１０３（あるいは絶縁層１１３）との密着性を高められる。
【００３９】
以上のように、芯材にエポキシ樹脂を含浸した絶縁層１１３と、銅箔の光沢面１１４が上向きの上向内層配線１０７と、光沢面１１４が下向きの下向内層配線１０９と、上面配線１０６と、裏面配線１０８と、を有する基板部１０３と、前記上面配線１０６に実装された電子部品１０４と、この電子部品１０４を前記基板部１０３上でモールド封止するモールド部１０２と、この断面に第１のダレ部１１０を伴って露出した前記上向内層配線１０７と、第２のダレ部１１１を伴って露出した前記下向内層配線１０９と、前記封止部の表面と、を覆うスパッタによる金属膜と、を、有するモジュール１０１であって、前記金属膜となるシールド部１１２は、少なくとも厚み０．０１μｍ以上０．５０μｍ以下の下地電極層１１６と、厚み０．１μｍ以上１０μｍ以下の銅を主体とする銅電極層１１７と、を有しているモジュール１０１とすることで、金属膜と、グランドとなる内層配線との間の接続抵抗を小さくし、シールド効果を高めることができる。
【００４０】
（実施例２）
次に、実施例２として、実施例１で説明したモジュール１０１の製造方法の一例について、図２から図３を用いて説明する。
【００４１】
図２（Ａ）〜（Ｅ）は、共にモジュール１０１の製造方法の一例を説明する断面図である。１１９は矢印、１２０は接着層であり、例えばダイシングテープとして市販されているものを使うことが有用である。１２１はダイシング溝であり、ダイシングによって形成された分割溝（あるいは切断溝）に相当する。
【００４２】
図２（Ａ）の矢印１１９に示すように、基板部１０３に電子部品１０４を実装する。なおガラスエポキシ樹脂基板等からなる１枚の大きな基板部１０３の上に、複数個の電子部品１０４を実装し、後で切断し、複数個のモジュール１０１とすることは有用である（図示していない）。
【００４３】
図２（Ｂ）は、電子部品１０４を基板部１０３に実装した様子を示す断面図である。なお実装方法は半田（図示していない）に限定する必要は無い。
【００４４】
図２（Ｃ）は、電子部品１０４が実装された基板部１０３に、モールド部１０２を形成する様子を示す断面図である。モールド部１０２は、市販のモールド材料（例えば、エポキシ樹脂に熱膨張係数調整用のセラミックフィラー１２３等を添加したもの）を使うことができる。またモールドには、金型やプレス、加熱装置（これらは図示していない）を用いることは有用である。
【００４５】
またこうして得たサンプルを、図２（Ｃ）に示すように、接着層１２０の上に固定することで、ダイシング装置（図示していない）による分割（あるいは切断）が容易となる。
【００４６】
図２（Ｄ）は、図２（Ｃ）で作成したサンプルを、ダイシング装置によって所定寸法に分割する様子を示す断面図である。
【００４７】
図２（Ｅ）は、図２（Ｄ）で得たサンプルの表面に、スパッタ装置（図示していない）を用いて、シールド部１１２となる金属膜を形成する様子を説明する断面図である。なおシールド部となる金属膜は、一つのスパッタ装置を用いて連続的に成膜することが望ましい。なお電子ビームを使った真空蒸着法より、スパッタ装置の方が下地との密着性が高く、また細部への金属膜の回り込み性に優れている。
【００４８】
なお図２（Ｄ）から図２（Ｅ）の状態において、個別に分割されたサンプルを、別の接着層１２０に張り替えても良い。
【００４９】
なお図２（Ａ）〜（Ｅ）において、基板部１０３の表面に形成された、電子部品１０４実装用の上面配線１０６や、裏面配線１０８、上向内層配線１０７や下向内層配線１０９、あるいはソルダーレジスト等は図示していない。
【００５０】
なお図２に示すように、１枚の基板部１０３に、複数個の電子部品１０４を実装し、これら全体を一度にモールド用の封止材で覆い、１つの大きな封止構造体とし、この封止構造体（例えば、図２（Ｃ））を、ダイシング装置等で、複数に分割（あるいは切断）することで、個々のモジュール１０１とすることは有用である。
【００５１】
次に、図３を用いて更に詳しく説明する。図３（Ａ）（Ｂ）は、共に電子部品１０４が実装された基板部１０３を、ダイシング装置を用いて分割する様子を部分拡大して説明する断面図である。図３（Ａ）はダイシングする前、図３（Ｂ）はダイシングした後の状態をそれぞれ示す。
【００５２】
図３（Ａ）に示すように、基板部１０３は、１層以上の上向内層配線１０７と、１層以上の下向内層配線１０９と、これらを層間接続する複数の絶縁層１１３と、を有している。なお図３（Ａ）（Ｂ）において、基板部１０３の表面に設けた上面配線１０６や裏面配線１０８、ソルダーレジスト１２２、複数の内層間を層間接続するビア部分等は、図示していない。
【００５３】
図３（Ａ）において、上向内層配線１０７は、基板部１０３の上側に設けた上面配線１０６側（上面配線１０６は図示していない）に、その光沢面１１４を向けた状態で１層以上が、下向内層配線１０９は、基板部１０３の下側に設けた裏面配線１０８側（裏面配線１０８は図示していない）に、その光沢面１１４を向けた状態で、１層以上が、それぞれ内蔵されているが、これは図３（Ｂ）に示すように、下向内層配線１０９と裏面配線１０８との間の絶縁層１１３側の断面に設けた溝１２４を利用して、第１のダレ部１１０より第２のダレ部１１１を大きくするためである。
【００５４】
図３（Ｂ）は、ダイシングした後の状態を示す。図３（Ａ）に示すように、ダイシング装置の回転刃（図示していない）を矢印１１９に示すように、基板部１０３に当てて、ダイシング溝１２１を形成する。
【００５５】
図３（Ｂ）において、第１のダレ部１１０とは、上向内層配線１０７の光沢面１１４に発生させたダレ部である。ここでダレ部とは、ダイシングの回転刃の回転に伴い、銅箔の一部がダレ部（あるいは一種のバリ部）となった部分である。
【００５６】
図３（Ｂ）に示すように、基板部１０３の中央部より上（すなわち上面配線１０６側）に、上向内層配線１０７を設けることで、上向内層配線１０７に発生する第１のダレ部１１０を、上向内層配線１０７の粗面１１５側に発生したダレ部（図示していない）より大きくすることができる。このように、上向内層配線１０７の光沢面１１４側に設けた第１のダレ部１１０を、粗面１１５側に設けたダレ部（図示していない）より大きくすることで、上向内層配線１０７と絶縁層１１３との密着性を高めながらも、上向内層配線１０７の断面部分（この断面部分には、第１のダレ部１１０も含む）と、シールド部１１２との密着面積を大きくすることができる。
【００５７】
また図３（Ｂ）に示すように、基板部１０３の中央部より下（すなわち裏面配線１０８側）に、下向内層配線１０９を設けることで、下向内層配線１０９の光沢面１１４側に発生させた第２のダレ部１１１を、下向内層配線１０９の粗面１１５側に発生したダレ部（図示していない）や、上向内層配線１０７の粗面１１５側に発生したダレ部（図示していない）や、上向内層配線１０７の光沢面１１４側に設けた第１のダレ部１１０より、大きくすることができる。このように、下向内層配線１０９の光沢面１１４側に設けた第２のダレ部１１１を、これらダレ部より、より大きくすることで、下向内層配線１０９とシールド部１１２との密着面積を大きくすることができる。これは、スパッタでシールド部１１２を形成した場合、基板部１０３の上側（即ち上面配線１０６側、あるいはモールド部１０２側）より下側（即ち裏面配線側）が、その金属膜厚が薄くなり、シート抵抗が増加する課題の解決に有用である。
【００５８】
以上のように、少なくとも、銅箔の光沢面１１４が上向きの上向内層配線１０７と、光沢面１１４が下向きの下向内層配線１０９と、上面配線１０６と、裏面配線１０８と、を有する回路基板（あるいは基板部１０３）に、電子部品１０４を実装する実装工程と、前記電子部品１０４を前記基板部１０３上で樹脂モールドし、モールド構造体とする封止工程と、前記モールド構造体を、ダイシング装置を用いて複数に切断する切断工程と、この切断工程で得られた切断品の５面を覆う金属膜を、スパッタで形成する金属膜工程と、を有するモジュール１０１の製造方法であって、前記金属膜は、少なくとも厚み０．０１μｍ以上０．５０μｍ以下の下地電極層１１６と、厚み０．１μｍ以上１０μｍ以下の銅を主体とする銅電極層１１７と、一つのスパッタ装置の中で連続的に形成するモジュール１０１の製造方法とすることで、シールド性の高いモジュール１０１を製造することができる。
【００５９】
なお溝１２４を利用することで、第２のダレ部１１１が第１のダレ部１１０より大きいことは、金属膜からなるシールド部１１２と、グランドとなる内層配線との間の接続抵抗を小さくし、シールド効果を高めることに、有用となる。
【００６０】
なお溝１２４の内部に、シールド部１１２の一部が入っても良いが、溝１２４を、シールド部１１２となる金属膜が充填する必要は無い。
【００６１】
（実施例３）
実施例３を用いて、実施例１や実施例２で説明したモジュール１０１の発明者らによる試作品の一例について説明する。
【００６２】
図４は、発明者らが作成したモジュール１０１のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）による断面写真の一例である。図４において、１２２はガラス繊維、１２３はフィラー、１２４は溝、１２５はソルダーレジストである。図４において、上面配線、裏面配線、電子部品１０４、モールド部１０２等は図示していない。
【００６３】
図４に示すように、モジュール１０１は、芯材（例えばガラス繊維１２２）にエポキシ樹脂を含浸した絶縁層１１３と、銅箔の光沢面１１４が上向きの上向内層配線１０７と、光沢面１１４が下向きの下向内層配線１０９と、上面配線１０６と、裏面配線１０８と、を有する基板部１０３と、前記上面配線１０６に実装された電子部品１０４（図示していない）と、この電子部品１０４を前記基板部１０３上でモールド封止するモールド部１０２（図示していない）と、この断面に第１のダレ部１１０を伴って露出した前記上向内層配線１０７と、第２のダレ部１１１を伴って露出した前記下向内層配線１０９と、前記封止部の表面と、を覆うスパッタによる金属膜と、を有している。
【００６４】
そして、モジュール１０１を構成する絶縁層１１３の側面に溝１２４を設け、この溝１２４に、下向内層配線１０９の一部を充填することで、第２のダレ部１１１を大きくしている。更に下向内層配線１０９と裏面配線１０８との間の絶縁層１１３の断面に、複数の溝１２４を設けることで、第１のダレ部１１０より第２のダレ部１１１を大きく形成することは有用である。これは、スパッタでシールド部１１２となる金属膜を形成した場合、下側（即ち裏面配線１０８側）ほど、シールド部１１２の厚みが薄くなり、シールド部１１２のシート抵抗が増加するため、グランドとなる銅箔との接続が難しくなるためである。
【００６５】
図４において、倍率は２００倍であり、Ｈ型のスケールが１００μｍの長さを示している。
【００６６】
なお、溝１２４の深さは１０μｍ以上（望ましくは２０μｍ以上）、３００μｍ以下（望ましくは２００μｍ以下、更には１００μｍ以下）とする。また溝１２４の長さは１００μｍ以上（望ましくは２００μｍ以下）、モジュールの幅以下（あるいは５ｍｍ以下）とする。また溝１２４の幅は５μｍ以上（望ましくは１０μｍ以上）、２００μｍ以下（望ましくは１００μｍ以下）である。溝１２４の形状が、これらの範囲に入らない場合は、溝１２４のアンカー効果が低下する場合がある。なお溝１２４の形状は、複数個が組み合わされた形状、例えば「熊手状」、あるいは「罅割れ形状」であっても良い。溝１２４の形状を複雑な形状とすることで、この溝１２４に銅箔の一部を充填しやすくなり、また絶縁層１１３（あるいは基板部１０３）、との密着性（あるいはアンカー効果）を高める効果が得られる。
【００６７】
図５（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ図４の部分拡大写真である。図５（Ａ）は、図４に示した上向内層配線１０７と、シールド部１１２との接続部分の拡大図である。図５（Ａ）に示すように、上向内層配線１０７の光沢面１１４側に第１のダレ部１１０を設けることで、上向内層配線１０７と、シールド部１１２となる金属膜との密着面積を増加させ、互いの密着強度や接触抵抗を小さくできる。なお上向内層配線１０７の粗面１１５側に、ダレ部（番号は付与していない）を設けても良いが、このダレ部の大きさは、粗面１１５程度に抑えることが望ましい。これは第１のダレ部１１０が、上向内層配線１０７の光沢面１１４側と、この光沢面１１４側に接した絶縁層１１３との密着の低さを利用するためである。
【００６８】
図５（Ｂ）は、図４に示した下向内層配線１０９と、シールド部１１２との接続部分の拡大図である。図５（Ｂ）に示すように、下向内層配線１０９の光沢面１１４側に第２のダレ部１１１を設けることで、下向内層配線１０９と、シールド部１１２となる金属膜との密着面積を増加させ、互いの密着強度や接触抵抗を小さくできる。なお下向内層配線１０９の粗面１１５側に、ダレ部（番号は付与していない）を設けても良いが、このダレ部の大きさは、粗面１１５程度に抑えることが望ましい。これは第２のダレ部１１１が、下向内層配線１０９の光沢面１１４側と、この光沢面１１４側に接した絶縁層１１３との密着の低さを利用するためである。
【００６９】
また溝１２４を設け、この溝１２４の一部に、下向内層配線１０９の一部を第２のダレ部１１１として充填することは有用である。
【００７０】
なお図５（Ｂ）に示すように、溝１２４を、一種のクラック（あるいは割れ）を利用した場合であっても、絶縁層１１３に内蔵されたガラス繊維１２２によって、それ以上の成長が抑制されるので、信頼性等に影響を与えることはない。
【００７１】
図５（Ｃ）は、図４に示したスケールを拡大したものであり、Ｈ型のスケールが１００μｍを示している。図５に示すように、溝１２４の最大長さは２００μｍ以下（望ましくは１００μｍ以下）、溝１２４の厚み（あるいは高さ）は、５０μｍ以下（望ましくは３０μｍ以下）が望ましい。溝１２４の最大長さが２００μｍを超え、あるいは厚みが５０μｍを超えた場合、ガラス繊維１２２による抑制効果が低下する場合がある。
【００７２】
図６（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ図５（Ａ）〜（Ｃ）の模式図である。
【００７３】
図６（Ａ）は、図５（Ａ）に示した上向内層配線１０７と、シールド部１１２との接続部分の模式図である。図６（Ａ）に示すように、上向内層配線１０７の光沢面１１４側に第１のダレ部１１０を設けることで、上向内層配線１０７と、シールド部１１２となる金属膜との密着面積を増加させ、互いの密着強度や接触抵抗を小さくできる。なお上向内層配線１０７の粗面１１５側に、ダレ部（番号は付与していない）を設けても良いが、このダレ部の大きさは、粗面１１５程度に抑えることが望ましい。これは第１のダレ部１１０が、上向内層配線１０７の光沢面１１４側と、この光沢面１１４側に接した絶縁層１１３との密着の低さを利用するためである。
【００７４】
図６（Ｂ）は、図５（Ｂ）に示した下向内層配線１０９と、シールド部１１２との接続部分の模式図である。図６（Ｂ）に示すように、下向内層配線１０９の光沢面１１４側に第２のダレ部１１１を設けることで、下向内層配線１０９と、シールド部１１２となる金属膜との密着面積を増加させ、互いの密着強度や接触抵抗を小さくできる。なお下向内層配線１０９の粗面１１５側に、ダレ部（番号は付与していない）を設けても良いが、このダレ部の大きさは、粗面１１５程度に抑えることが望ましい。これは第２のダレ部１１１が、下向内層配線１０９の光沢面１１４側と、この光沢面１１４側に接した絶縁層１１３との密着の低さを利用するためである。
【００７５】
また溝１２４を設け、この溝１２４の一部に、下向内層配線１０９の一部を第２のダレ部１１１として充填することは有用である。
【００７６】
なお図６（Ｂ）に示すように、溝１２４を、一種のクラック（あるいは割れ）を利用した場合であっても、絶縁層１１３に内蔵されたガラス繊維１２２によって、それ以上の成長が抑制されるので、信頼性等に影響を与えることはない。
【００７７】
図６（Ｃ）は、図５（Ｃ）に示したスケールを拡大したものであり、Ｈ型のスケールが１００μｍを示している。図６（Ｃ）の矢印１１９示すように、溝１２４の最大長さは２００μｍ以下（望ましくは１００μｍ以下）、溝１２４の厚み（あるいは高さ）は、５０μｍ以下（望ましくは３０μｍ以下）が望ましい。溝１２４の最大長さが２００μｍを超え、あるいは厚みが５０μｍを超えた場合、ガラス繊維１２２による抑制効果が低下する場合がある。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明のモジュール及びその製造方法は、シールド部となるスパッタで形成した金属膜と、モジュールのグランド電極となる下向内層配線との接続安定性を高めることができ、基板部からの漏洩ノイズを効果的に低減することで、ＥＭＩやＥＭＣ特性に優れたモジュールであり、電子機器の小型化、高密度実装、更には狭隣接実装を実現することができる。
【符号の説明】
【００７９】
１０１  モジュール
１０２  モールド部
１０３  基板部
１０４  電子部品
１０５  半田部
１０６  上面配線
１０７  上向内層配線
１０８  裏面配線
１０９  下向内層配線
１１０  第１のダレ部
１１１  第２のダレ部
１１２  シールド部
１１３  絶縁層
１１４  光沢面
１１５  粗面
１１６  下地電極層
１１７  銅電極層
１１８  表面電極層
１１９  矢印
１２０  接着層
１２１  ダイシング溝
１２２  ガラス繊維
１２３  フィラー
１２４  溝
１２５  ソルダーレジスト
【図１】
2011159786.tif 000003
【図２】
2011159786.tif 000004
【図３】
2011159786.tif 000005
【図６】
2011159786.tif 000006
【図７】
2011159786.tif 000007
【図４】
2011159786.tif 000008
【図５】
2011159786.tif 000009