(57)【要約】【課題】有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】副画素毎にアノード電極の厚みを異ならせて形成し、単純な有機物積層構造によって下部反射電極の損傷を防止し、不良減少を介した品質向上及び材料費の低減を図ることができる有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法である。【選択図】図１
2011119238.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１副画素領域ないし第３副画素領域に離隔されて形成された第１アノード電極と、
前記第１アノード電極の上端部を覆うように、前記基板上に備わり、前記基板を露出させるクラッドと、
前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域の前記第１アノード電極上部に形成された第２アノード電極と、
前記第１副画素領域の前記第２アノード電極上部に形成された第３アノード電極と、を含むことを特徴とする有機発光ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記クラッドは、アクリル系有機化合物、ポリアミド、ポリイミドのうちから選択された少なくともいずれか一つによって形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項３】
前記第１アノード電極は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＺＯ、ＡＴＤ及びＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯのうちから選択された少なくともいずれか一つによって形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項４】
前記第２アノード電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうちから選択された少なくともいずれか一つによって形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項５】
前記第３アノード電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうちから選択された少なくともいずれか一つによって形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記第１副画素は、赤色副画素であり、前記第２副画素は、緑色副画素であり、前記第３副画素は、青色副画素であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項７】
基板の第１副画素領域ないし第３副画素領域に、第１アノード電極を離隔させて形成する段階と、
前記第１アノード電極の上端部を覆い、前記基板の一部を露出させるクラッドを形成する段階と、
前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域の前記第１アノード電極上部に、第２アノード電極を形成する段階と、
前記第１副画素領域の前記第２アノード電極上部に、第３アノード電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項８】
前記クラッドは、フォトリソグラフィ工程によって形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２アノード電極は、フォトリソグラフィ工程によって形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第３アノード電極は、フォトリソグラフィ工程によって形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記クラッドは、アクリル系有機化合物、ポリアミド、ポリイミドのうちから選択された少なくともいずれか一つによって形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１アノード電極は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＺＯ、ＡＴＤ及びＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯのうちから選択された少なくともいずれか一つによって形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２アノード電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうちから選択された少なくともいずれか一つによって形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第３アノード電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうちから選択された少なくともいずれか一つによって形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１副画素は、赤色副画素であり、前記第２副画素は、緑色副画素であり、前記第３副画素は、青色副画素であることを特徴とする請求項７に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法に係り、さらに詳細には、下部反射電極の損傷を防止できる有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、有機電界発光素子（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅ）は、蛍光性有機化合物を電気的に励起させて発光させる自発光型ディスプレイであって、低い電圧で駆動が可能であり、薄型化が容易であり、光視野角、迅速な応答速度など、液晶表示装置において問題点として指摘された欠点を解決できる次世代ディスプレイとして注目されている。
【０００３】
有機電界発光素子は、アノード電極とカソード電極との間に、機能性薄膜形態の有機発光層が挿入されている構造であり、正極から正孔が注入され、負極で電子が注入され、有機発光層内で、電子と正孔とが結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が形成され、この励起子が発光再結合されつつ光を出す素子である。
【０００４】
有機電界発光素子は、基板方向に光を発光する背面発光型（ｂｏｔｔｏｍ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）と、基板の反対方向に光を発光する前面発光型（ｔｏｐ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）とに区分される。背面発光型有機電界発光素子は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路が内蔵された場合、ＴＦＴ回路が基板で占める広い面積によって、光が出てくる面積、すなわち、開口率に制約を受けるという短所がある。一方、前面発光型有機電界発光素子は、ＴＦＴ回路が占める面積に関係なしに、広い面積を発光領域に使用でき、開口率が高いという長所がある。
【０００５】
前面発光型有機発光素子の製作時、ＴＦＴ回路のソース電極またはドレイン電極と電気的に連結されるアノード電極の下部に、光抽出を高めるために、反射膜を形成する。しかし、反射膜とアノード電極及びカソード電極との微小共振効果（ｍｉｃｒｏ  ｃａｖｉｔｙ  ｅｆｆｅｃｔ）のために、正確なスペクトルの色が発光されずに、波長が分離（ｓｐｌｉｔ）されたり、色によっては、輝度と色座標とが変わりうる。そして、反射膜の湿式エッチング時に、反射膜に含まれる金属がエッチャント液滴の浸透などによって損傷されるという問題点がある。
【０００６】
また、前記微小共振による短所を補完するために、アノード電極とカソード電極との間の有機層にバッファ層（ｂｕｆｆｅｒ  ｌａｙｅｒ）を形成し、アノード電極とカソード電極との間の距離を調節することによって、適切な共振構造を形成するが、このとき、Ｒ（ｒｅｄ）、Ｇ（ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（ｂｌｕｅ）別に、異なる厚さを有するバッファ層を形成するためには、蒸着マスク（ｍａｓｋ）が追加されねばならず、有機材料の損失（ｌｏｓｓ）も増えることとなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、副画素別に、アノード電極の厚さが異なる有機発光ディスプレイを提供するものである。
【０００８】
本発明はまた、単純な有機物積層構造を利用し、下部反射電極の損傷を防止し、不良減少を介した品質向上及び材料費の低減を図ることができる有機発光ディスプレイを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の望ましい一実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、基板の第１副画素領域ないし第３副画素領域に離隔されて形成された第１アノード電極と、前記第１アノード電極の上端部を覆うように、前記基板上に備わり、前記基板を露出させるクラッドと、前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域の前記第１アノード電極上部に形成された第２アノード電極と、前記第１副画素領域の前記第２アノード電極上部に形成された第３アノード電極と、を含むことができる。
【００１０】
本発明の望ましい一実施形態による有機発光ディスプレイ装置の製造方法は、基板の第１副画素領域ないし第３副画素領域に、第１アノード電極を離隔させて形成する段階と、前記第１アノード電極の上端部を覆い、前記基板の一部を露出させるクラッドを形成する段階と、前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域の前記第１アノード電極上部に、第２アノード電極を形成する段階と、前記第１副画素領域の前記第２アノード電極上部に、第３アノード電極を形成する段階と、を含むことができる。
【００１１】
前記クラッド、第２アノード電極及び第３アノード電極は、フォトリソグラフィ工程によって形成されうる。
【００１２】
前記クラッドは、アクリル系有機化合物、ポリアミド、ポリイミドのうちから選択された少なくともいずれか一つによって形成されうる。
【００１３】
前記第１アノード電極は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）／Ａｇ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ＡＴＤ、ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯのうちから選択された少なくともいずれか一つによって形成されうる。
【００１４】
前記第２アノード電極及び前記第３アノード電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうちから選択された少なくともいずれか一つによって形成されうる。
【００１５】
前記第１副画素は、赤色副画素であり、前記第２副画素は、緑色副画素であり、前記第３副画素は、青色副画素でありうる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、副画素毎にＩＴＯ層を選択的に成膜することにより、アノード電極を副画素毎に異なる厚さで形成して副画素毎に共振のための厚みを制御するので、別途のバッファ層などを形成するための蒸着マスクの追加が必要ではない。
【００１７】
また本発明によれば、反射膜として機能するアノード電極のエッジ部に有機クラッドを形成することによって、その上に形成される透明酸化膜（例えば、ＩＴＯ層）の湿式エッチング時に、金属層の損傷、アノード電極へのエッチャント液滴浸透、電極損傷などの不良を抑制できる。従って、反射膜の損傷なしに、ＩＴＯ層のパターニングが可能であるので、不良減少を介した品質向上及び材料費の低減によって、生産性向上に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態による前面発光型有機発光ディスプレイ装置を概略的に図示する断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による前面発光型有機発光ディスプレイ装置を概略的に図示する断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による前面発光型有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に図示する断面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態による前面発光型有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に図示する断面図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態による前面発光型有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に図示する断面図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態による前面発光型有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に図示する断面図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態による前面発光型有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に図示する断面図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態による前面発光型有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に図示する断面図である。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態による前面発光型有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に図示する断面図である。
【図６Ａ】本発明の一実施形態による前面発光型有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に図示する断面図である。
【図６Ｂ】本発明の一実施形態による前面発光型有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に図示する断面図である。
【図６Ｃ】本発明の一実施形態による前面発光型有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に図示する断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による前面発光型有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に図示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の望ましい実施形態について、添付された図面を参照しつつ説明する。図面中の同じ構成要素については、たとえ他の図面上に表示されていても、可能な限り、同じ参照番号及び符号で示してあることに留意する必要がある。以下本発明について説明するが、関連した公知機能または構成に係わる具体的な説明が、本発明の要旨を必要以上に不明確にすると判断される場合には、その詳細な説明を省略するものとする。
【００２０】
また、ある部分がある構成要素を「含む」というときは、それは、特に記載がない限り、他の構成要素を除外するものではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【００２１】
図１及び図２は、本発明の一実施形態による前面発光型有機発光ディスプレイ装置を概略的に図示する断面図である。
【００２２】
図１を参照すれば、本発明の前面発光型有機発光ディスプレイ装置は、基板１００と、基板１００に形成された赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の副画素領域とを含む。
【００２３】
基板１００は、ガラス材によって形成されうるが、必ずしもそれに限定されるものではなく、プラスチック材、金属材なども適用可能である。この基板１００上には、図面に図示していないが、表面を平坦化し、かつ基板からの不純物拡散を防止できるように、別途の絶縁膜がさらに形成されうる。この基板１００は、透明な基板が使われうるが、必ずしもそれに限定されるものではなく、不透明な基板を使用できることは、言うまでもない。
【００２４】
前記基板１００の上部には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の副画素領域に対応し、多層構造のアノード電極３００Ａ，３００Ｂ及び３００Ｃが互いに離隔されて形成される。アノード電極３００Ａ，３００Ｂ及び３００Ｃは、副画素領域別に全体厚が異なって形成される。赤色副画素（Ｒ）は、第１アノード電極３０１、第２アノード電極３０２及び第３アノード電極３０３を具備し、緑色副画素（Ｇ）は、第１アノード電極３０１及び第２アノード電極３０２を具備し、青色副画素（Ｂ）は、第１アノード電極３０１を具備する。各副画素の第１アノード電極３０１の両端には、有機絶縁膜３０５が備わる。
【００２５】
前記アノード電極３００Ａ，３００Ｂ及び３００Ｃ間には、前記アノード電極３００Ａ，３００Ｂ及び３００Ｃの表面一部を露出させる開口を有する画素定義膜５００が備わる。
【００２６】
前記露出されたアノード電極３００Ａ，３００Ｂ及び３００Ｃの上部に、少なくとも発光層を有する有機膜３２０を形成する。前記有機膜３２０の上部には、前記アノード電極３００Ａ，３００Ｂ及び３００Ｃに対向するカソード電極３４０が形成される。
【００２７】
前記基板１００の上部には、図２に図示されているように、前記アノード電極３００Ａ，３００Ｂ及び３００Ｃと電気的に連結される駆動回路（薄膜トランジスタ（ＴＦＴ））１２０を含むことができる。
【００２８】
図２を参照すれば、基板１００の上面には、不純物イオンが拡散することを防止し、水分や外気の浸透を防止し、表面を平坦化するためのバリヤ層及び／またはバッファ層のような絶縁層１１２が形成されうる。
【００２９】
前記絶縁層１１２上に、ＴＦＴの活性層１２１が半導体材料によって形成され、これを覆うように、ゲート絶縁膜１１３が形成される。活性層１２１にはアモルファス・シリコンまたはポリシリコンのような無機半導体や有機半導体が使われ、ソース／ドレイン領域とそれらとの間のチャンネル領域を有する。
【００３０】
活性層１２１はポリシリコンによって形成され、この場合、所定領域が不純物でドーピングされてもよい。活性層１２１がポリシリコンではないアモルファス・シリコンによって形成されてもよいことは言うまでもなく、さらに、ペンタセンのような多様な有機半導体物質によって形成されてもよい。活性層１２１がポリシリコンによって形成される場合、アモルファス・シリコンを形成し、これを結晶化させてポリシリコンに変化させるが、このような結晶化方法としては、ＲＴＡ（ｒａｐｉｄ  ｔｈｅｒｍａｌ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）工程、ＳＰＣ法（ｓｏｌｉｄ  ｐｈａｓｅ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＥＬＡ法（ｅｘｃｉｍｅｒ  ｌａｓｅｒ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）、ＭＩＣ（ｍｅｔａｌ  ｉｎｄｕｃｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＭＩＬＣ法（ｍｅｔａｌ  ｉｎｄｕｃｅｄ  ｌａｔｅｒａｌ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）またはＳＬＳ法（ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ  ｌａｔｅｒａｌ  ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）のような多様な方法が適用されうる。
【００３１】
ゲート絶縁膜１１３は、半導体層１２１とゲート電極１２３とを絶縁するために備わる。ゲート絶縁膜１１３は、シリコン酸化物またはシリコン窒化物のような絶縁性物質によって形成され、これ以外にも、絶縁性有機物などで形成されうることは、言うまでもない。
【００３２】
ゲート絶縁膜１１３上には、ゲート電極１２３が備わり、これを覆うように、層間絶縁膜１１４が形成される。そして、層間絶縁膜１１４上には、ソース／ドレイン電極１２５が、コンタクトホール１２７を介して活性層１２１と連結される。
【００３３】
ゲート電極１２３は、多様な導電性物質によって形成されうる。例えばＭｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、ＭｏＷまたはＡｕなどの物質によって形成され、その場合にも、単一層だけではなく、複層形状によって形成することができるような多様な変形が可能である。
【００３４】
層間絶縁膜１１４は、シリコン酸化物またはシリコン窒化物のような絶縁性物質によって形成され、これ以外にも、絶縁性有機物などで形成されうることは、言うまでもない。前記層間絶縁膜１１４とゲート絶縁膜１１３とを選択的に除去し、ソース／ドレイン領域が露出されるコンタクトホール１２７を形成できる。そして、前記コンタクトホール１２７が埋め込まれるように、層間絶縁膜１１４上に、前述のゲート電極１２３用物質で、単一層または複層の形状に、ソース／ドレイン電極１２５を形成する。
【００３５】
ソース／ドレイン電極１２５の上部には、平坦化膜１１５が備わり、下部のＴＦＴを保護して平坦化させる。平坦化膜１１５は、多様な形態に構成されうるが、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）またはアクリルのような有機物、またはＳｉＮｘのような無機物によって形成されうる。また、平坦化膜１１５は、単層にも形成され、二重あるいは多重層にも形成されるなど、多様な変形が可能である。
【００３６】
前記平坦化膜１１５の上部には、前記アノード電極３００Ａ，３００Ｂ及び３００Ｃが形成され、前記アノード電極３００Ａ，３００Ｂ及び３００Ｃは、ビアホ―ル１３０を介して、ソース／ドレイン電極１２５と電気的に連結される。
【００３７】
前述のようなＴＦＴの層構造は、必ずしもそれに限定されるものではなく、多様な構造のＴＦＴがいずれも適用可能である。
【００３８】
図３ないし図７は、本発明の一実施形態による前面発光型有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に図示する断面図である。以下、基板１００上部に備わるＴＦＴの製造過程は、省略する。
【００３９】
図３を参照すれば、基板１００上に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の副画素別に、第１アノード電極３０１を形成する。前記第１アノード電極３０１は、金属層と、前記金属層上下部の伝導性酸化膜とによる多層構造であり、前記第１アノード電極３０１は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）／Ａｇ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＤ（ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ）、ＩＴＯ／ＡＰＣ（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金）／ＩＴＯ、及びその等価物のうちから選択された少なくともいずれか一つによって形成されうる。第１アノード電極３０１は、金属層を含むことによって、反射膜としての役割を行う。よって、本発明では、第１アノード電極３０１を、反射膜または反射電極と混用して使用する。本実施形態では、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ多層伝導膜である第１アノード電極３０１が形成される。第１アノード電極３０１は、真空蒸着、またはスパッタリングによって、各層が順に積層された後、フォトリソグラフィ法によって、同時にエッチング及びパターニングされうる。エッチャントは、硝酸または酢酸を含むことができる。
【００４０】
図４Ａないし図４Ｃを参照すれば、第１アノード電極３０１の上部に、フォトリソグラフィ工程によって、クラッド３０５が形成される。前記クラッド３０５は、第１アノード電極３０１の上端部及び側面を覆い、前記第１アノード電極３０１の一部（前記上端部を除外した部分）と前記基板１００の一部とを露出させる。
【００４１】
図４Ａを参照すれば、第１アノード電極３０１が形成された基板１００全面に、絶縁膜３０５Ａが真空蒸着またはスパッタリングによって形成される。絶縁膜３０５Ａは、アクリル系有機化合物、ポリアミド、ポリイミドなどの有機絶縁物質のうち一つでありうる。図４Ｂを参照すれば、この絶縁膜３０５Ａを覆うように、基板１００上部に、フォトレジストを塗布する。フォトレジストが塗布された絶縁膜３０５Ａを、フォトマスク（図示せず）を介して露光及び現像し、第１アノード電極３０１の上端部に、フォトレジスト・パターン５０１を形成する。図４Ｃを参照すれば、フォトレジスト・パターン５０１をマスクとして使用し、絶縁膜３０５Ａをエッチングし、フォトレジスト・パターン５０１が形成されていない絶縁膜３０５Ａを除去する。エッチングは、湿式エッチングが使われうる。エッチャントは、硝酸または酢酸を含むことができる。その後、ストリッパ（ｓｔｒｉｐｐｅｒ）を利用し、絶縁膜３０５Ａの上部に残存するフォトレジスト・パターン５０１を除去する。これにより、赤色副画素（Ｒ）領域、緑色副画素（Ｇ）領域、及び青色副画素（Ｂ）領域の第１アノード電極３０１の上端部に、クラッド３０５が形成される。その後、クラッド３０５は、ＵＶ（ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）照射または加熱によって、硬化される。クラッド３０５は、第１アノード電極３０１の上端部を覆うように薄く形成され、もしもクラッド３０５が画素定義膜を兼ねる場合には、副画素間の損傷を防止できるように、約２μｍ厚に形成されることが望ましい。前記クラッド３０５は、後述する第２アノード電極３０２と第３アノード電極３０３との湿式エッチング時、第１アノード電極３０１の金属層の損傷を防止する。クラッド３０５は、湿式エッチング時に、第１アノード電極３０１へのエッチャント滴の浸透や電極損傷不良による損傷もまた抑制できる。従って、第１アノード電極３０１の損傷なしに、透明伝導層である第２アノード電極３０２と第３アノード電極３０３とのパターニングが可能なので、生産性向上に寄与できる。
【００４２】
図５Ａないし図５Ｃを参照すれば、前記クラッド３０５が形成された第１アノード電極３０１の上部に、フォトリソグラフィ工程によって、第２アノード電極３０２が形成される。前記第２アノード電極３０２は、赤色副画素（Ｒ）領域と緑色副画素（Ｇ）領域にだけ形成される。
【００４３】
図５Ａを参照すれば、第１アノード電極３０１及びクラッド３０５を覆うように、基板１００全面に、蒸着またはスパッタリングによって、透明伝導層３０２Ａを形成する。前記透明伝導層３０２Ａは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの伝導物でありうる。図５Ｂを参照すれば、この透明伝導層３０２Ａを覆うように、基板１００の上部に、フォトレジストを塗布する。フォトレジストが塗布された透明伝導層３０２Ａを、フォトマスク（図示せず）を介して露光及び現像し、赤色副画素（Ｒ）領域の第１アノード電極３０１と、緑色副画素（Ｇ）領域の第１アノード電極３０１との上部に、フォトレジスト・パターン５０３を形成する。図５Ｃを参照すれば、フォトレジスト・パターン５０３をマスクとして使用し、透明伝導層３０２Ａをエッチングし、フォトレジスト・パターン５０３が形成されていない透明伝導層３０２Ａを除去する。エッチングは、湿式エッチングが使われうる。エッチャントは、硝酸または酢酸を含むことができる。その後、ストリッパを利用し、透明伝導層３０２Ａ上に残存するフォトレジスト・パターン５０３を除去する。これにより、赤色副画素（Ｒ）領域の第１アノード電極３０１と、緑色副画素（Ｇ）領域の第１アノード電極３０１との上部に、第２アノード電極３０２が形成される。その後、第２アノード電極３０２は、ＵＶ照射または加熱によって硬化される。
【００４４】
図６Ａないし図６Ｃを参照すれば、前記第２アノード電極３０２の上部に、フォトリソグラフィ工程によって、第３アノード電極３０２が形成される。前記第３アノード電極３０２は、赤色副画素（Ｒ）領域にだけ形成される。
【００４５】
図６Ａを参照すれば、青色副画素（Ｂ）領域の第１アノード電極３０１、赤色副画素（Ｒ）領域並びに緑色副画素（Ｇ）領域の第２アノード電極３０２、及びクラッド３０５を覆うように、基板１００全面に、蒸着またはスパッタリングによって透明伝導層３０３Ａを形成する。前記透明伝導層３０３Ａは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの伝導物でありうる。図６Ｂを参照すれば、この透明伝導層３０３Ａを覆うように、基板１００の上部にフォトレジストを塗布する。フォトレジストが塗布された透明伝導層３０３Ａを、フォトマスク（図示せず）を介して露光及び現像し、赤色副画素（Ｒ）領域の第２アノード電極３０２の上部に、フォトレジスト・パターン５０５を形成する。図６Ｃを参照すれば、フォトレジスト・パターン５０５をマスクとして使用し、透明伝導層３０３Ａをエッチングし、フォトレジスト・パターン５０５が形成されていない透明伝導層３０３Ａを除去する。エッチングは、湿式エッチングが使われうる。エッチャントは、硝酸または酢酸を含むことができる。その後、ストリッパを利用し、透明伝導層３０３Ａに残存するフォトレジスト・パターン５０５を除去する。これにより、赤色副画素（Ｒ）領域の第２アノード電極３０２の上部に、第３アノード電極３０３が形成される。その後、第３アノード電極３０３は、ＵＶ照射または加熱によって硬化される。
【００４６】
図４Ａないし図６Ｃの製造工程によって、赤色副画素（Ｒ）領域では、３層のアノード電極３００Ａが形成され、緑色副画素（Ｇ）領域では、２層のアノード電極３００Ｂが形成され、青色副画素（Ｂ）領域では、１層のアノード電極３００Ｃが形成される。従って、アノード電極３００Ａ，３００Ｂ及び３００Ｃは、副画素別に異なる多層構造を有することによって、副画素別に厚み制御が可能になる。また、第１アノード電極３０１ないし第３アノード電極３０３の厚みは、互いに同一にする必要はなく、各副画素の光抽出を効率的に達成できる最適厚になるように、異なって成膜されうる。これは、各層の成膜時間を調整することによってなされうる。
【００４７】
図７を参照すれば、アノード電極３００Ａ，３００Ｂ及び３００Ｃが形成された基板１００全体にわたって、画素定義膜５００を蒸着する。前記画素定義膜５００は、単位画素部を定義する絶縁膜である。前記画素定義膜５００は、有機物、無機物、または有無機物の複合多層構造で形成されうる。無機物としては、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物などの無機物のうちから選択された物質を使用できる。有機物としては、前記クラッド３０５と同じ物質であり、例えば、アクリル系有機化合物、ポリアミド、ポリイミドなどの有機絶縁物質のうち一つでありうる。前記画素定義膜５００をエッチングし、前記アノード電極３００Ａ，３００Ｂ及び３００Ｃの一部を露出させて開口部を形成する。本実施形態では、クラッド３０５と別途に、画素定義膜５００を形成する構造を図示したが、前記クラッド３０５が、画素定義膜５００の役割を果たすように形成されもする。その場合、別途の画素定義膜５００の製造工程が省略されうる。
【００４８】
その後、図１に図示されているように、前記アノード電極３００Ａ，３００Ｂ及び３００Ｃの開口部内に、有機膜層３２０が形成される。前記有機膜層３２０は、少なくとも有機発光層（ＥＭＬ：ｅｍｉｓｓｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）を含み、それ以外に、正孔注入層（ＨＩＬ：ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（ＨＴＬ：ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）のうちいずれか１層以上の層をさらに含むことができる。
【００４９】
有機膜層３２０は、低分子または高分子の有機物で備わりうる。低分子有機物を使用する場合、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層などが、単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを始めとして多様に適用可能である。かような低分子有機層は、真空中で有機物を加熱して蒸着する方式で形成されうるが、そのうち発光層の形成は、画素に対応するように、所定パターンのスリットが備わったマスクを介在させて、カラー別に順に蒸着して形成できる。高分子有機物の場合には、おおむね正孔輸送層及び発光層で備わった構造を有することができ、このとき、前記正孔輸送層として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）を使用し、発光層として、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系及びポリフルオレン系などの高分子有機物質を使用し、これをスクリーン印刷やインクジェット印刷の方法などで形成できる。前記のような有機膜層３２０は、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な実施形態が適用されうることは、言うまでもない。
【００５０】
次に、前記有機膜層３２０を含んだ基板全面上に、カソード電極３４０を形成する。前記カソード電極３４０は、前記画素定義膜５００の開口部で、アノード電極３００Ａ，３００Ｂ及び３００Ｃに対向し、前面発光のために透明電極によって形成される。カソード電極３４０は、仕事関数が小さい金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びそれらの化合物を蒸着した後、その上に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明導電物質で、補助電極層やバス電極ラインを形成できる。
【００５１】
本発明は、図面に図示された一実施形態を参考として説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、当分野で当業者であるならば、それらから多様な変形及び実施形態の変形が可能であるということを理解することができるであろう。よって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まるものである。
【符号の説明】
【００５２】
１００  基板
１１２，３０５Ａ  絶縁層
１１３  ゲート絶縁膜
１１４  層間絶縁膜
１１５  平坦化膜
１２０  駆動回路（ＴＦＴ）
１２１  半導体層
１２３  ゲート電極
１２５  ソース／ドレイン電極
１２７  コンタクトホール
１３０  ビアホール
３００Ａ，３００Ｂ，３００Ｃ  アノード電極
３０１  第１アノード電極
３０２  第２アノード電極
３０２Ａ  透明伝導層
３０３  第３アノード電極
３０５  クラッド
３０５Ａ  絶縁膜
３２０  有機膜
３４０  カソード電極
５００  画素定義膜
５０１，５０３，５０５  フォトレジスト・パターン
【図１】
2011119238.tif 000003
【図２】
2011119238.tif 000004
【図３】
2011119238.tif 000005
【図４Ａ】
2011119238.tif 000006
【図４Ｂ】
2011119238.tif 000007
【図４Ｃ】
2011119238.tif 000008
【図５Ａ】
2011119238.tif 000009
【図５Ｂ】
2011119238.tif 000010
【図５Ｃ】
2011119238.tif 000011
【図６Ａ】
2011119238.tif 000012
【図６Ｂ】
2011119238.tif 000013
【図６Ｃ】
2011119238.tif 000014
【図７】
2011119238.tif 000015