(57)【要約】【課題】被成膜基板上の被転置領域に、成膜用基板上の有機化合物を含む薄膜を均一に転置する成膜方法を提供することを課題とする。また、有機化合物を含む層を、欠陥を生じることなく転置してＥＬ層を成膜し、発光素子を作製する方法を提供することを課題とする。【解決手段】上記目的を達成するために、第１の有機化合物を含む表面を有する第１の層を被成膜基板に形成し、第１の有機化合物を含む表面を有する第２の層を成膜用基板に形成し、第１の層の第１の有機化合物を含む表面と、第２の層の第１の有機化合物を含む表面と、を圧着する。さらに、被成膜基板と成膜用基板を互いに離して、成膜用基板から第２の層を被成膜基板の第１の層上に転置すればよい。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の有機化合物を含む表面を有する成膜可能な第１の層を被成膜基板上に設け、
第１の有機化合物を含む表面を有する成膜可能な第２の層を成膜用基板の少なくとも凸部上に設け、
前記第１の層の第１の有機化合物を含む表面と、前記第２の層の第１の有機化合物を含む表面と、を圧着し、
前記被成膜基板と前記成膜用基板を互いに離して、
前記第２の層を、前記成膜用基板の凸部から前記被成膜基板の第１の層上に転置する成膜方法。
【請求項２】
剥離性に優れた領域を前記凸部の少なくとも頂上部に有し、
前記離型性に優れた領域と第２の層との接着力が、第１の層と被成膜基板の接着力に比べて低い成膜用基板を用いる請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の成膜方法を用いた発光素子の作製方法。
【請求項４】
前記第１の有機化合物を含む表面を有する成膜可能な層が、電子受容性の材料を含む混合材料層である請求項３記載の発光素子の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に成膜可能な材料の成膜に用いる成膜方法、及びそれを使った発光素子の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電極間に発光性の有機化合物を含む発光層を挟持した発光素子は、薄く、軽量であり、入力信号に高速に応答でき、また、低電圧な直流電流により駆動できるなどの特性から、次世代の発光素子として注目されている。
【０００３】
また、有機化合物を含み電極間に挟持される発光層がそれぞれＲｅｄ（Ｒ）、Ｇｒｅｅｎ（Ｇ）、乃至Ｂｌｕｅ（Ｂ）に発光する３種類の発光素子をマトリクス状に設けた表示装置が提供されている。このような表示装置は、フルカラーの画像を表示でき、コントラストや画質に優れ、視野角が広く視認性が優れているという特徴を有している。
【０００４】
発光色が異なる有機化合物を含む発光層をマトリクス状に配置する方法として、マスク蒸着法（特許文献１）、インクジェット法（特許文献２）、レーザ転写法などが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２２７２７６号公報
【特許文献２】特開平１０−１２３７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、マスク蒸着法を用いて、正確な寸法で面状に広がる模様（パターン）を、有機化合物を含む層で形成することは、困難であり、大型基板に発光色が異なる有機化合物を含む発光層をマトリクス状に配置する場合に歩留まりの低下を生ずるという問題がある。また、インクジェット法は加工速度に問題があり、大型基板に適用するには加工時間がかかりすぎる問題がある。また、レーザ転写法は照射するレーザ光の強度によっては、素子の劣化を招く恐れがある。
【０００７】
そこで、有機化合物を含む薄膜で面状に広がる模様（パターン）を、正確な寸法で、短時間に、素子特性の劣化を招かない方法で、大型基板上に作製する技術が望まれている。
【０００８】
例えば、寸法の変化が少ない支持体上に、成膜したいパターンと概略同じ凸部を設けた成膜用基板を用い、当該凸部上に形成した有機化合物を含む薄膜を被成膜基板に接触して転置する方法（本明細書では接触転置法と呼ぶ）がある。
【０００９】
しかし、上記接触転置法を用いて素子を作製する場合、被成膜基板上の被転置領域に、成膜用基板上の有機化合物を含む薄膜の一部が転置しない、もしくは被転置領域と薄膜の間に不連続な界面が形成されるという問題があった。
【００１０】
本発明は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがってその目的は、成膜用基板上の有機化合物を含む薄膜を、被成膜基板上の被転置領域に欠損や不連続な界面を生じることなく、均一に転置する成膜方法を提供することを課題とする。また、有機化合物を含む層を、欠陥を生じることなく転置してＥＬ層を成膜し、発光素子を作製する方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、第１の有機化合物を含む表面を有する第１の層を被成膜基板に形成し、第１の有機化合物を含む表面を有する第２の層を成膜用基板に形成し、第１の層の第１の有機化合物を含む表面と、第２の層の第１の有機化合物を含む表面と、を圧着する。さらに、被成膜基板と成膜用基板を互いに離して、成膜用基板から第２の層を被成膜基板の第１の層上に転置すればよい。
【００１２】
第１の層の第１の有機化合物を含む表面と、第２の層の第１の有機化合物を含む表面は共に第１の有機化合物を含むため親和性が高く、互いに強く接着するため、欠損や不連続な界面を生じることなく転置できる。
【００１３】
すなわち、本発明の一態様は、第１の有機化合物を含む表面を有する成膜可能な第１の層を被成膜基板上に設け、第１の有機化合物を含む表面を有する成膜可能な第２の層を成膜用基板の凸部上に設け、第１の層の第１の有機化合物を含む表面と、第２の層の第１の有機化合物を含む表面と、を圧着し、被成膜基板と成膜用基板を互いに離して、成膜用基板の凸部から第２の層を被成膜基板の第１の層上に転置する成膜方法である。
【００１４】
また、本発明の一態様は、剥離性に優れた領域を前記凸部の少なくとも頂上部に有し、離型性に優れた領域と第２の層との接着力が、第１の層と被成膜基板の接着力に比べて低い成膜用基板を用いる上記成膜方法である。
【００１５】
また、本発明の一態様は、上記成膜方法を用いた発光素子の作製方法である。
【００１６】
また、本発明の一態様は、第１の有機化合物を含む表面を有する成膜可能な層が、電子受容性の材料を含む混合材料層である上記発光素子の作製方法である。
【００１７】
なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられた層を示すものとする。従って、発光物質である有機化合物を含み、電極間に挟まれた発光層はＥＬ層の一態様である。
【００１８】
また、本明細書において、物質Ａを他の物質Ｂからなるマトリクス中に分散する場合、マトリクスを構成する物質Ｂをホスト材料と呼び、マトリクス中に分散される物質Ａをゲスト材料と呼ぶものとする。なお、物質Ａ並びに物質Ｂは、それぞれ単一の物質であっても良いし、２種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。
【００１９】
なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、第１の層の第１の有機化合物を含む表面と、第２の層の第１の有機化合物を含む表面は共に第１の有機化合物を含むため親和性が高く、互いに強く接着するため、欠損や不連続な界面を生じることなく転置できる。
【００２１】
従って、被成膜基板上の被転置領域に、成膜用基板上の有機化合物を含む薄膜を均一に転置する成膜方法を提供できる。また、被成膜基板の第１の層と、当該第１の層上に転置された第２の層は良好に接合し、連続する層を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施の形態に係わる被成膜基板、並びに成膜用基板を説明する図。
【図２】実施の形態に係わる成膜方法を説明する図。
【図３】実施の形態に係わる成膜用基板を説明する図。
【図４】実施の形態に係わる発光素子を説明する図。
【図５】実施の形態に係わる発光素子の作製方法を説明する図。
【図６】実施の形態に係わる発光素子の作製方法を説明する図。
【図７】実施の形態に係わる成膜方法を用いて作製する発光装置を説明する図。
【図８】実施の形態に係わる成膜方法を用いて作製する発光装置を説明する図。
【図９】実施の形態に係わる成膜方法を用いて作製する発光装置を説明する図。
【図１０】実施の形態に係わる成膜方法を用いて作製する発光装置を搭載した電子機器。
【図１１】実施例に係わる成膜方法を用いて作製した積層膜。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００２４】
（実施の形態１）
本実施の形態では、被成膜基板上の第１の層に、成膜用基板上の第２の層を転置して成膜する成膜方法について説明する。なお、第１の層は成膜可能な層であり、表面に第１の有機化合物を含んでおり、第２の層は成膜可能な層であり、表面に第１の有機化合物を含んでいる。
【００２５】
被成膜基板１５０の構成は特に限定されないが、後に成膜される第１の層との接着力が高く、第１の層が剥がれにくい表面を有する構成が好ましい。また、被成膜基板１５０上に発光素子を形成する場合は、あらかじめ第１の電極を設けた構成が好適である。本実施の形態では被成膜基板に第１の層と接着力の高い下地層１１１を設けるものとし、その構成の断面を図１（Ａ）に示す。なお、下地層１１１は必ずしも設ける必要はない。
【００２６】
被成膜基板１５０の構成の一例について説明する。被成膜基板１５０は、第１の支持基板１００上に下地層１１１を有する。
【００２７】
第１の支持基板１００は膨張率の低い基板が望ましい。例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。線膨張率の範囲は１×１０−３／Ｋ以下、好ましい範囲は５×１０−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０−５／Ｋ以下である。膨張率を低く抑制すると、特に大型基板の寸法変化の絶対値が小さくなり、成膜位置のズレを少なくできる。
【００２８】
下地層１１１は後に成膜される第１の層との接着力が高い材料が好ましい。成膜される第１の層との接着力が高い材料としては、表面エネルギーが大きい材料をその例に挙げることができる。表面エネルギーが大きい材料としては金属、金属酸化物などをその例に挙げることができる。
【００２９】
下地層１１１は、種々の方法で成膜できる。例えば、抵抗加熱蒸着や電子ビーム（ＥＢ）蒸着等の真空蒸着法の他、スパッタリング法等で成膜できる。また、導電性の微粒子を含む分散液をスピンコート法や、インクジェット法で塗布して形成してもよく、ゾル−ゲル法などを応用して形成してもよい。また、下地層１１１を単層で形成しても、複数の層を積層して形成してもよい。
【００３０】
次に、成膜用基板２５０の構成を、図１（Ｂ）に断面を示して説明する。成膜用基板２５０は少なくとも凸部２１１を有し、凸部２１１は被成膜基板へ成膜するパターンと概略同じ大きさを有する。
【００３１】
第２の支持基板２００は第１の支持基板１００と同様に膨張率の低い基板が望ましい。凸部２１１を構成する材料は特に限定されないが、例えば、金属、金属酸化物、金属窒化物、有機物等を含む材料を用いることができる。また、凸部２１１の第２の支持基板２００からの高さは、好ましくは後に形成する第２の層より厚い膜厚を有する。具体的には凸部２１１の高さは、約３００ｎｍ〜３μｍ程度である。
【００３２】
また、凸部２１１は例えば島状またはストライプ状の形状を有する。凸部の形成方法としては、フォトリソグラフィ工程で形成したレジストマスクを用いて、膜状の凸部を構成する材料をエッチングして形成しても良い。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【００３３】
凸部２１１を構成する材料の具体例としては、アルミニウム、アルミニウムを含む合金、チタン、モリブデン、タングステン、銀、金、銅等を含む材料が挙げられる。また、酸化珪素、窒化珪素、カーボンブラック、黒鉛、ポリイミド、などを含む材料を用いてもよい。
【００３４】
次に、被成膜基板１５０に第１の層を設け、成膜用基板２５０に第２の層を設け、被成膜基板１５０上の第１の層上に第２の層を転置して成膜する方法について、工程順に図２を用いて説明する。
【００３５】
＜第１の工程＞
はじめに、被成膜基板１５０上に第１の層１５１を成膜する。被成膜基板１５０が下地層１１１を有する場合は、第１の層１５１を下地層１１１に接して形成する。
【００３６】
第１の層１５１は単層であっても積層された層であってもよいが、少なくとも第１の層１５１の被成膜基板１５０と接する側とは逆側に、第１の有機化合物を含む層１５１ａを有する。
【００３７】
第１の層１５１に用いることができる材料は、成膜用基板から被成膜基板へ転置して成膜可能であれば有機化合物、無機化合物にかかわらず、種々の材料を用いることができる。例えば有機化合物、金属、金属酸化物、金属窒化物、乃至ハロゲン化金属を含む材料の他、金属酸化物と有機化合物の混合材料等をその例に挙げることができる。また、発光素子のＥＬ層を形成する発光材料、キャリア輸送材料、キャリア注入材料、乃至電極材料を用いることができる。
【００３８】
また、第１の有機化合物を含む層１５１ａに用いることができる材料としては、有機化合物を含む材料であればよい。なお、第１の有機化合物を含む層１５１ａの膜厚は、３ｎｍ〜５００ｎｍであることが望ましい。
【００３９】
第１の層１５１は種々の方法で成膜できる。例えば、抵抗加熱蒸着や電子ビーム（ＥＢ）蒸着等の真空蒸着法の他、スパッタリング法であってもよい。また、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、又は印刷法等を用いてもよい。なお、以上の成膜法を複数組み合わせて第１の層１５１を形成してもよい。具体的には、スピンコート法で成膜した層に抵抗加熱法で別の層を積層して第１の層１５１を形成してもよい。
【００４０】
湿式法を用いる場合には、所望の蒸着材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整する。溶媒としては、第１の層を構成する材料を溶解、あるいは分散することができ、第１の層を構成する材料と反応せず、第１の層を形成する面を溶解しないものであれば特に限定されない。
【００４１】
例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減できる。
【００４２】
また、第１の層１５１は被成膜基板１５０を覆う層であっても良いし、島状やストライプ状の形状を有していても良い。第１の層１５１の形状を島状やストライプ状にする方法の例としては、シャドーマスク法やインクジェット法を挙げることができる。本工程を終えた被成膜基板１５０の断面図を図２（Ａ）に示す。
【００４３】
＜第２の工程＞
次いで、成膜用基板２５０の少なくとも凸部２１１上に第２の層２５１を成膜する。
【００４４】
第２の層２５１は単層であっても積層された層であってもよいが、少なくとも第２の層２５１の凸部２１１と接する側とは逆側に、第１の有機化合物を含む層２５１ａを有する。
【００４５】
第２の層２５１は、第１の層１５１に用いることができる材料を用いて形成する。また、第１の有機化合物を含む層２５１ａは、第１の有機化合物を含む層１５１ａと同じ材料を用いて形成する。なお、第２の層２５１は第１の層１５１と同様の方法を用いて形成できる。また、第１の有機化合物を含む層２５１ａの膜厚は、３ｎｍ〜５００ｎｍであることが望ましい。
【００４６】
また、第２の層２５１は成膜用基板２５０を覆う層であっても良いし、島状やストライプ状の形状を有していても良い。第２の層２５１の形状を島状やストライプ状にする場合は、前述の被成膜基板１５０上の第１の層１５１を島状やストライプ状に形成する方法と同様の方法を用いればよい。本工程を終えた構成の断面図を図２（Ｂ）に示す。
【００４７】
なお本実施の形態では、第１の層１５１を被成膜基板１５０に成膜する工程を第１の工程とし、第２の層を成膜用基板２５０に成膜する工程を第２の工程とし、この順番に説明するが、この順番は入れ替わっても、また同時に進めてもよい。二つの工程を別々に進めることにより、工程時間を短縮できる。
【００４８】
＜第３の工程＞
次いで、第１の層１５１と第２の層２５１を向かい合わせて圧着する。第１の層１５１の第１の有機化合物を含む層１５１ａと、第１の有機化合物を含む層２５１ａが互いに接する。第１の有機化合物を含む層１５１ａと第２の層２５１の第１の有機化合物を含む層２５１ａは共に第１の有機化合物を含むため親和性が高く、圧着により良好に接合して連続する層を形成する。
【００４９】
また、圧着する際に第１の層１５１と第２の層２５１を加熱すると、層間の接合がさらに良好なものになる。加熱方法としては、例えば被成膜基板１５０の支持基板１００側から加熱する。加熱温度は、第１の層１５１に含まれる材料が昇華しない温度とする。また好ましくは、加熱温度は第１の有機化合物を含む層１５１ａ、及び第１の有機化合物を含む層２５１ａのガラス転移点よりも高い温度とする。
【００５０】
なお、第１の工程、第２の工程、及び第３の工程を大気中で行うことができるが、減圧雰囲気で行う方が好ましい。減圧雰囲気は、成膜室内を排気手段により真空度が５×１０−３Ｐａ以下、好ましくは１０−４Ｐａ乃至１０−６Ｐａ程度の範囲になるように排気することで得られる。第１の工程、及び第２の工程を減圧雰囲気で行うことにより、膜中に不純物が混入する現象を抑制できる。また、第３の工程を減圧雰囲気で行うことにより、第１の層と第２の層の間に気体が残留する恐れがなくなり、両者の接合が良好なものとなる。
【００５１】
本工程を終えた構成の断面を図２（Ｃ）に示す。
【００５２】
＜第４の工程＞
次いで、第１の層１５１と第２の層２５１を介して接している被成膜基板１５０と成膜用基板２５０を離す。なお、被成膜基板１５０と第１の層１５１の接着力Ｆ１に比べ、第２の層と凸部２１１の接着力Ｆ２は弱いため、被成膜基板１５０から成膜用基板２５０を離すと、第２の層２５１は凸部２１１上から第１の層１５１上に転置される。なお、成膜工程を終えた凸部２１１は第２の層２５２を失い、露出する。この状態の断面図を図２（Ｄ）に示す。
【００５３】
本実施の形態の成膜方法によれば、成膜用基板上の有機化合物を含む薄膜を被成膜基板上の被転置領域に均一に転置して成膜する方法を提供できる。また、被成膜基板の第１の層と、当該第１の層上に転置された第２の層は、それぞれの表面に形成された第１の有機化合物を含む層同士が接合する。その結果、第１の有機化合物を含む層が連続する一つの層を形成し、接合にともなう界面の形成、及び当該界面が物性に与える影響が抑制される。
【００５４】
また、第１の有機化合物を含む層が連続する一つの層を形成するため、第１の層と第２の層は良く接着し、被成膜基板と成膜用基板を離しても、膜剥がれが生じない。
【００５５】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【００５６】
（実施の形態２）
本実施の形態では成膜用基板について説明する。本実施の形態で説明する成膜用基板は、第１の層の上に第２の層を転置して成膜する成膜方法に用いることができる。なお、第１の層は成膜可能な層であり、表面に第１の有機化合物を含み、また被成膜基板上に設けるものとする。また、第２の層は成膜可能な層であり、表面に第１の有機化合物を含み、成膜用基板上に設けるものとする。本実施の形態の成膜用基板の断面図を図３に例示する。
【００５７】
本実施の形態で説明する成膜用基板は凸部を有し、当該凸部の少なくとも頂上部は剥離性に優れた領域を有し、当該領域と接する第２の層が剥離しやすい構成を有する。
【００５８】
剥離性に優れた領域を形成する方法としては、当該領域に剥離層を設ける方法、または当該領域を剥離し易い材料で形成する方法などが挙げられる。
【００５９】
剥離層を設ける方法としては、例えば離型剤のような不揮発性のオイル、具体的にはシリコーンオイルなどを成膜用基板に塗布して用いてもよい。
【００６０】
また、剥離し易い材料としては、表面エネルギーが小さい材料を選択して用いればよい。例えば、表面エネルギーが第１の有機化合物を含む層よりも小さい材料を選択して用いればよい。凸部の少なくとも頂上部の表面エネルギーを第１の有機化合物を含む層よりも小さくすることで、第２の層と頂上部が接着する力が、第２の層の表面に形成された第１の有機化合物を含む層とその下地となる層が接着する力に比べて弱くなる。
【００６１】
具体的には、ポリテトラフルオロエチレンを含む層や、トリフルオロメチル基で修飾した表面を成膜用基板の凸部に設ければよい。
【００６２】
成膜用基板の一例を、図３（Ａ）を用いて説明する。成膜用基板２５０Ａは、第２の支持基板２００Ａ上に凸部２２０Ａを有する。凸部２２０Ａを含む当該成膜用基板２５０Ａの表面は剥離性に優れた材料を用いて形成されている。
【００６３】
凸部２２０Ａの作製方法としては、第２の支持基板２００Ａに例えばポリテトラフルオロエチレンなど表面エネルギーが小さい層を形成後、レジストマスクを用いて表面エネルギーが小さい層をエッチングして凸状にすればよい。また、第２の支持基板２００Ａ上に凸部を形成したのち、表面改質剤により凸部の表面に剥離性を付与して凸部２２０Ａを形成してもよい。
【００６４】
また、成膜用基板の他の構成を、図３（Ｂ）を用いて説明する。成膜用基板２５０Ｂは、第２の支持基板２００Ｂ上に凸部２２０Ｂを有する。凸部２２０Ｂは剥離性に優れた材料を用いて形成され、成膜用基板２５０Ｂは凸部２２０Ｂより表面エネルギーが高く、剥離性が劣る材料で形成されている。従って、第２の層と凸部２２０Ｂの接着力に比べ、第２の層と凸部２２０Ｂ以外の表面の接着力は大きくなる。このような構成とすることで、第２の層が凸部２２０Ｂ以外の表面から剥がれ落ちてしまう等の障害が起こりにくい。
【００６５】
凸部２２０Ｂの作製方法としては、例えば第２の支持基板２００Ｂに表面エネルギーが小さい層を形成後、レジストマスクを用いて表面エネルギーが小さい層をエッチングして除去し、凸状に残せばよい。また、第２の支持基板２００Ｂ上に凸部を形成したのち、表面改質剤により凸部の表面にのみ剥離性を付与して凸部２２０Ｂを形成してもよい。
【００６６】
また、成膜用基板の他の構成を、図３（Ｃ）を用いて説明する。成膜用基板２５０Ｃは、第２の支持基板２００Ｃ上に凸部２２０Ｃを有する。凸部２２０Ｃの頂上部２２０Ｃ＿１は表面エネルギーが低く剥離性に優れた材料を用いて形成され、凸部２２０Ｃの稜線部２２０Ｃ＿２は頂上部２２０Ｃ＿１より表面エネルギーが高く、剥離性が劣る材料で形成されている。
【００６７】
頂上部２２０Ｃ＿１は剥離性に優れ、稜線部２２０Ｃ＿２の表面は剥離性が劣るため、成膜用基板に形成した第２の層は頂上部２２０Ｃ＿１と稜線部２２０Ｃ＿２の間で解裂し、明瞭な輪郭をもって頂上部２２０Ｃ＿１近傍から剥離する。
【００６８】
凸部２２０Ｃの作製方法としては、例えば第２の支持基板２００Ｃに接して表面エネルギーが大きい層を形成し、その上に表面エネルギーが小さい層を積層する。その後、レジストマスクを用いて当該積層膜をエッチングして凸状に形成すればよい。また、第２の支持基板２００Ｃ上に凸部を形成したのち、表面改質剤を用いて凸部の頂上部のみに剥離性を付与してもよい。
【００６９】
また剥離性に優れた領域を形成する材料として、ガス発生物質を含む層を用いて形成してもよい。なお、ガス発生物質は熱により分解し、気体（ガス）を発生する物質である。ガス発生層に用いることができる材料としては、例えばトリニトロトルエンなど挙げることができる。
【００７０】
次にガス発生物質を含む層を凸部２２０Ｃの頂上部２２０Ｃ＿１に適用する場合について説明する。凸部２２０Ｃと第２の層に挟まれ、ガス発生物質を含む層で作られた頂上部２２０Ｃ＿１は加熱により分解し、凸部２２０Ｃと第２の層の間にガスを発生する。その結果、第２の層を凸部２２０Ｃから剥離できる。
【００７１】
なお、本実施の形態の成膜用基板が有する凸部は被成膜基板へ成膜するパターンと概略同じ大きさを有する。また、凸部は例えば島状またはストライプ状の形状を有していてもよい。また、凸部の第２の支持基板からの高さは、好ましくは後に形成する第２の層より厚い膜厚を有する。具体的には凸部の高さは、約３００ｎｍ〜３μｍ程度である。なお、上述したいずれの成膜用基板であっても第２の支持基板は第１の支持基板と同様に、膨張率の低い基板が望ましい。
【００７２】
上述した成膜用基板は、実施の形態１で説明した成膜方法に適用できる。上述した成膜用基板を実施の形態１で説明した成膜方法に用いることにより、成膜可能な第１の層の第１の有機化合物を含む表面に、成膜可能な第２の層の第１の有機化合物を含む層を形成できる。なお、第１の層は被成膜基板に設けられており、第２の層は成膜用基板に設けられているものとする。
【００７３】
本実施の形態の成膜用基板を用いた成膜方法によれば、成膜用基板上の有機化合物を含む薄膜を被成膜基板上の被転置領域に均一に転置して成膜する方法を提供できる。また、被成膜基板の第１の層と、当該第１の層上に転置された第２の層は、それぞれの表面に形成された第１の有機化合物を含む層同士が接合する。その結果、第１の有機化合物を含む層が連続する一つの層を形成し、接合にともなう界面の形成、及び当該界面が物性に与える影響が抑制される。
【００７４】
また、第１の有機化合物を含む層が連続する一つの層を形成するため、第１の層と第２の層は良く接着し、被成膜基板と成膜用基板を離しても、膜剥がれが生じない。
【００７５】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【００７６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、第１の電極上に形成した第１の層上に、第２の層を転置してＥＬ層を形成し、該ＥＬ層上に第２の電極を形成して発光素子を作製する方法について、図４を用いて説明する。なお、実施の形態１で説明した成膜方法と重複する部分については実施の形態１の説明を援用し、差異のある部分について詳細に説明するものとする。
【００７７】
ＥＬ層を一対の電極の間に有する発光素子の構成について、図４を用いて説明する。
【００７８】
図４（Ａ）に示す発光素子の一態様は、支持基板３００上に第１の電極３０１、第２の電極３０２、及びＥＬ層３０３を有する。第１の電極３０１及び第２の電極３０２のいずれか一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。陽極から注入される正孔及び陰極から注入される電子がＥＬ層３０３で再結合して、発光を得る。なお、ＥＬ層３０３は少なくとも発光材料を含む。
【００７９】
図４（Ｂ）に示す発光素子の一態様は、ＥＬ層３０３が複数の層で構成されている。例えば、第１の電極３０１側から正孔注入層３１１、正孔輸送層３１２、発光材料を含む発光層３１３、電子輸送層３１４、及び電子注入層３１５が順次設けられている。なお、ＥＬ層３０３は少なくとも発光層３１３を有していればよく、他の層を全て設ける必要はなく、必要に応じて適宜選択して設ければ良い。
【００８０】
また、図４（Ｂ）では、第１の電極３０１を陽極として機能する電極とし、支持基板３００側に設けた構成について説明したが、第１の電極３０１を陰極として機能する電極とし、支持基板３００側に設ける構成としてもよい。
【００８１】
図４（Ａ）又は（Ｂ）で例示する発光素子において、ＥＬ層３０３で得られた発光は、第１の電極３０１または第２の電極３０２のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極３０１または第２の電極３０２のいずれか一方または両方は、発光層が発する光を透過する電極を用いて形成する。第１の電極３０１のみが発光層が発する光を透過する電極である場合、光は第１の電極３０１を通って支持基板３００側から取り出される。また、第２の電極３０２のみが発光層が発する光を透過する電極である場合、光は第２の電極３０２を通って支持基板３００と逆側から取り出される。第１の電極３０１及び第２の電極３０２がいずれも発光層が発する光を透過する電極である場合、光は第１の電極３０１及び第２の電極３０２を通って、支持基板３００側及び支持基板３００と逆側の両方から取り出される。
【００８２】
次に、実施の形態１で説明した成膜方法を用いて上述の発光素子を作製する方法について説明する。
【００８３】
本実施の形態では、被成膜基板上に設けた第１の電極に接してＥＬ層の一部を含む第１の層を形成する。また、第１の層に連続するＥＬ層の一部を含む第２の層を成膜用基板に形成する。なお、第１の層と第２の層はそれぞれ第１の有機化合物を含む表面を有する。次いで、第１の層の第１の有機化合物を含む表面と、第２の層の第１の有機化合物を含む表面とを接して、第１の層に第２の層を転置してＥＬ層の少なくとも一部を成膜する方法である。
【００８４】
言い換えると、発光素子を構成するＥＬ層の少なくとも一部を厚み方向に分けて、被成膜基板、及び成膜用基板にそれぞれ形成し、次いで被成膜基板上に形成された一部のＥＬ層上に成膜用基板上に形成された一部のＥＬ層を転置してＥＬ層の少なくとも一部を成膜する方法である。
【００８５】
また、被成膜基板上に形成された一部のＥＬ層を第１の層、成膜用基板上に形成された一部のＥＬ層を第２の層とすると、第１の層と第２の層は連続するＥＬ層の一部であって、第２の層の表面は第１の層の表面と同じ有機化合物を含み、第２の層の表面を第１の層の表面に接して、第１の層上に第２の層を転置してＥＬ層の少なくとも一部を成膜する方法である。なお、被成膜基板上に形成する一部のＥＬ層、及び成膜用基板上に形成する一部のＥＬ層は、ＥＬ層を構成するどの層を厚み方向に分けたものであってもよい。
【００８６】
なお、ＥＬ層は単層であっても、複数の層が積層された構成であっても良い。従って、第１の層、及び第２の層も単層であっても、複数の層が積層された構成であってもよい。また、第１の層上に第２の層を転置して、発光素子のＥＬ層が完成する必要はなく、転置後の第２の層上に別の層を成膜してＥＬ層を完成するものであってもよい。なお、第２の層上に別の層を成膜する成膜方法は特に限定されず、既知の方法を用いても、本発明の一態様の成膜方法を適用してもよい。
【００８７】
また、第２の層が第２の電極を含んでいてもよく、その場合は、第１の層上に第２の層を転置して成膜することによって、ＥＬ層のみならず第２の電極も形成されることになる。
【００８８】
ＥＬ層の一部を第１の層として被成膜基板側に形成し、第１の層に連続するＥＬ層の一部を第２の層として成膜用基板側に形成し、第１の層上に第２の層を転置してＥＬ層を成膜する方法の一例を、図５を用いて説明する。なお、図５に例示する作製方法により、図４（Ｂ）に例示する発光素子を作製できる。
【００８９】
第１の層３０４が形成された被成膜基板３５０、及び第２の層３０５が形成された成膜用基板２５０の一部を、図５（Ａ）に模式的に示す。
【００９０】
被成膜基板３５０は支持基板３００上に第１の電極３０１を有する。また、第１の電極３０１上に第１の層３０４が形成されている。第１の層３０４はＥＬ層３０３の一部であり、具体的には正孔注入層の一部３１１ａが形成されている。本実施の形態では、第１の層３０４を単層としたが、複数の層を積層した構成としてもよい。
【００９１】
成膜用基板２５０は凸部２１１と、凸部２１１を含む表面に第２の層３０５が形成されている。第２の層３０５はＥＬ層３０３の一部であり、凸部２１１と接する側から、電子注入層３１５、電子輸送層３１４、発光層３１３、正孔輸送層３１２、及び正孔注入層３１１の一部３１１ｂが積層された構成を有する。
【００９２】
次に、被成膜基板３５０と成膜用基板２５０を向かい合わせ、正孔注入層３１１の一部３１１ａと正孔注入層３１１の一部３１１ｂを圧着し、被成膜基板３５０と成膜用基板２５０を離して被成膜基板３５０の第１の層３０４上に第２の層３０５を転置して成膜する。この段階の断面図を図５（Ｂ）に示す。正孔輸送層の一部３１１ａと３１１ｂは、圧着により互いに接合し、正孔注入層３１１となる。正孔輸送層の一部３１１ａと３１１ｂは互いに同じ有機化合物を含むため、互いの親和性が高く、圧着により良好に接合し、連続する層を形成する。なおこの段階で第１の層３０４と第２の層３０５が接合し、ＥＬ層３０３が形成される。
【００９３】
次いで、第２の電極３０２をＥＬ層３０３上に成膜して、第１の電極３０１と第２の電極３０２の間にＥＬ層３０３を挟持する発光素子を形成することができる。この段階の断面図を図５（Ｃ）に示す。
【００９４】
図５に例示するＥＬ素子の作製方法に適用できる被成膜基板の支持基板３００、当該被成膜基板上の第１の電極３０１、当該第１の電極上の第１の層３０４、成膜基板上の第２の層３０５、並びに第２の電極３０２について、具体例を挙げて以下に説明する。
【００９５】
被成膜基板を構成する支持基板３００は、絶縁表面を有する基板または絶縁基板を適用する。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板又はサファイヤ基板等を用いることができる。
【００９６】
第１の電極３０１及び第２の電極３０２は、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
【００９７】
これらの材料は、通常スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。その他、ゾル−ゲル法などを応用して、インクジェット法、スピンコート法などにより作製しても良い。
【００９８】
また、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムを含む合金等を用いることができる。その他、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、及びマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金（アルミニウム、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとリチウムの合金）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属及びこれらを含む合金等を用いることもできる。
【００９９】
アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法、スパッタリング法を用いて形成することができる。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。また、第１の電極３０１及び第２の電極３０２は、単層膜に限らず、積層膜で形成することもできる。
【０１００】
なお、ＥＬ層３０３で発光する光を発光素子の外部に取り出すため、第１の電極３０１または第２の電極３０２のいずれか一方、または両方を、光が通過するように形成する。例えば、インジウム錫酸化物等の可視光に対する透光性を有する導電材料を用いて形成するか、或いは、銀、アルミニウム等を数ｎｍ乃至数十ｎｍの厚さとなるように形成する。また、膜厚を薄くした銀、アルミニウムなどの金属薄膜と、ＩＴＯ膜等の可視光に対する透光性を有する導電材料を用いた薄膜との積層構造とすることもできる。
【０１０１】
正孔注入層３１１としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。
【０１０２】
また、正孔注入層３１１として、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層を用いることができる。正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、キャリア密度が高く、正孔注入性に優れている。また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層を、陽極として機能する電極に接する正孔注入層として用いることにより、陽極として機能する電極材料の仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。
【０１０３】
正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層は、例えば、正孔輸送性の高い物質を含む層と電子受容性を示す物質を含む層とを積層することにより形成することができる。
【０１０４】
正孔注入層３１１に用いる電子受容性を示す物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族から第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０１０５】
正孔注入層３１１に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、オリゴマー、デンドリマー、ポリマーなど、種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いても良い。以下では、正孔注入層３１１に用いることのできる正孔の輸送性の高い物質を具体的に列挙する。
【０１０６】
正孔注入層３１１に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等を用いることができる。また、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。
【０１０７】
正孔注入層３１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。
【０１０８】
また、正孔注入層３１１に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチル−アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
【０１０９】
なお、正孔注入層３１１に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していても良い。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
【０１１０】
また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、正孔注入性だけでなく、正孔輸送性も優れているため、上述した正孔注入層３１１を正孔輸送層として用いても良い。
【０１１１】
また、正孔輸送層３１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いても良い。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしても良い。
【０１１２】
発光層３１３は発光物質を含む層であり、発光物質としては燐光性の発光化合物、及び蛍光性化合物を用いることができる。発光物質としては以下に示す燐光性化合物を用いることができる。ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（アセチルアセトナート）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））などが挙げられる。
【０１１３】
また、発光物質としては、以下に示す蛍光性化合物を用いることができる。例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、９，１０−ジフェニル−２−［Ｎ−フェニル−Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミノ］アントラセン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。
【０１１４】
発光物質を分散する有機化合物としては、発光物質が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光物質が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。
【０１１５】
発光層３１３は有機化合物に発光物質を分散して構成した層を用いることもできる。発光物質を分散する有機化合物としては、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複素環化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、９，１０−ジフェニル−２−［Ｎ−フェニル−Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミノ］アントラセン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）などを挙げることができる。
【０１１６】
なお、発光層３１３に含まれる成膜材料として、発光物質を分散させる有機化合物を２種類以上用いても良いし、有機化合物に分散される発光物質を２種類以上用いても良い。また、２種類以上の発光物質を分散させる有機化合物と２種類以上の発光物質を用いても良い。
【０１１７】
電子輸送層３１４は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ０１）バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしても良い。
【０１１８】
また、電子注入層３１５としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のようなアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものを用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み合わせた層を用いることは、第２の電極３０２からの電子注入が効率良く起こるためより好ましい。
【０１１９】
なお、ＥＬ層３０３を構成する各層を成膜用基板または被成膜基板上に成膜する方法は、乾式法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。また、湿式法としては、インクジェット法またはスピンコート法などが挙げられる。また、実施の形態１で示した成膜方法を適用してもよく、各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。また、他の成膜方法と組み合わせても良い。
【０１２０】
以上の工程をもって作製される発光素子は、被成膜基板の第１の層と当該第１の層上に転置された第２の層が、連続する第１の有機化合物を含む層を介して良好に接合される。第１の層と第２の層が連続する第１の有機化合物を含む層を介して接合しているため、発光素子を流れるキャリアを阻害しない。その結果、良好な発光素子を提供できる。
【０１２１】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１２２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、種類が異なる複数の第２の層を同一基板上の第１の層上に転置して成膜し、種類が異なる発光素子を複数個作製する方法について説明する。また、第１の層は被成膜基板の第１の電極上に設けられたＥＬ層の一部であり、第２の層は第１の層に連続し、かつ種類が異なるＥＬ層の一部である。
【０１２３】
なお、本実施の形態では同一基板上に、三種類の発光素子を作製し、当該三種類の発光素子の第１の電極と第２の電極は、図６に示す様にそれぞれ最適化された距離で配置され、微小共振器（マイクロキャビティともいう）を構成する場合について説明する。第１の電極と第２の電極が微小共振器を構成する発光素子はスペクトルの幅が狭く、鮮やかな発光色を呈する。
【０１２４】
被成膜基板３５０上の第１の電極（３０１Ｒ、３０１Ｇ、及び３０１Ｂ）に半反射性、半透過性の電極を用い、第２の電極に反射電極を用いる。また、第１の電極と第２の電極の間の距離、すなわちＥＬ層の厚みを、ＥＬ層が発する発光波長に合わせて調整する。例えば、青色の発光素子のＥＬ層に比べて緑色の発光素子のＥＬ層の厚みを厚くし、緑色の発光素子のＥＬ層に比べて赤色の発光素子のＥＬ層の厚みを厚く形成する。
【０１２５】
本実施の形態で例示する成膜方法は、同一基板上に厚みが異なるＥＬ層を容易に形成することができ、微小共振器構造を作製する方法として好適である。具体的には、第１の層を一定の厚みで被成膜基板に形成し、発光色ごとに厚みが異なる第２の層を複数の成膜基板に作り分けて形成し、複数の成膜基板を用いて当該第１の被成膜基板の第１の層上に、複数の第２の層を転置して成膜することによって、被成膜基板上に厚みが異なるＥＬ層を形成できる。
【０１２６】
なお、微小共振器構造を作製するために、ＥＬ層の厚みを変えると、発光素子の駆動電圧に影響を与える場合が多い。従って、駆動電圧に影響を与え難い層を選択し、その厚みを変えてＥＬ層全体の厚みを変える構成が好ましい。特に、有機化合物と電子受容性の材料を含む正孔注入層は、その厚みを変えても駆動電圧に影響を与え難い性質を有するため、ＥＬ層の厚みを調整する層として好適である。
【０１２７】
本実施の形態で用いる被成膜基板３５０、及び成膜用基板（２５０Ｒ、２５０Ｇ、及び２５０Ｂ）の構成を、図６（Ａ）に断面図を用いて示す。なお説明の便宜上、３つの異なる成膜用基板（２５０Ｒ、２５０Ｇ、及び２５０Ｂ）を図６（Ａ）に隣り合って配置して、図示しているが、実際は３つの成膜基板のうちいずれか一つを被成膜基板に対峙して成膜する。
【０１２８】
また、成膜用基板２５０Ｒには赤色（Ｒ）の光を発するＥＬ層を形成する第２の層３０５Ｒが、成膜用基板２５０Ｇには緑色（Ｇ）の光を発するＥＬ層を形成する第２の層３０５Ｇが、成膜用基板２５０Ｂには青色（Ｂ）の光を発するＥＬ層を形成する第２の層３０５Ｂが、それぞれ設けられている。
【０１２９】
次に、被成膜基板３５０、及び第１の成膜用基板２５０Ｒ、第２の成膜用基板２５０Ｇ、及び第３の成膜用基板２５０Ｂの詳細な構成を説明する。
【０１３０】
被成膜基板３５０の構成は、第１の支持基板３００上に、複数の第１の電極（３０１Ｒ、３０１Ｇ、及び３０１Ｂ）、及びそれぞれの第１の電極の端部を覆う隔壁３２０を有する。また、同じ厚みの第１の層３０４が第１の電極（３０１Ｒ、３０１Ｇ、及び３０１Ｂ）を覆っている。
【０１３１】
第１の電極は、例えば島状あるいはストライプ状に形成され、端部は隔壁３２０で覆われている。なお、第１の電極としては、例えば実施の形態３に例示する電極材料を適用できる。第１の電極３０１の厚みとしては、約１〜５００ｎｍが好ましい。
【０１３２】
隔壁３２０は絶縁物からなる。第１の電極層の端部を覆う隔壁３２０によって、第１の電極の端部と第２の電極の短絡を防ぐ。なお、発光素子は、隔壁３２０と重ならない第１の電極の領域と重なる部分が発光する。
【０１３３】
第１の層３０４は被成膜基板３５０上に成膜される。本実施の形態の第１の層３０４は実施の形態３と同様に正孔注入層３１１を厚み方向に二つに分けた一方である。なお、第１の層３０４としては、例えば正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層を用いることができる。
【０１３４】
第１の成膜用基板２５０Ｒ、第２の成膜用基板２５０Ｇ、及び第３の成膜用基板２５０Ｂは、凸部の配置が異なる場合がある他は、同じ構成を有する。
【０１３５】
成膜用基板２５０Ｒの構成は、第２の支持基板２００Ｒ上に凸部を有する。凸部は稜線部２１１ｂ上に頂上部２１１ａを有する。頂上部２１１ａは、稜線部２１１ｂより表面エネルギーが低い材料を用いて形成する。従って、成膜用基板２５０Ｒ上に成膜した第２の層３０５Ｒは、頂上部２１１ａから剥離し易い。
【０１３６】
被成膜基板に対峙する頂上部２１１ａの表面は、被成膜基板３５０の隔壁３２０に覆われていない第１の電極の領域より小さいか、概ね同じ大きさを有する。頂上部２１１ａの大きさが大き過ぎると、第１の層３０４と、頂上部２１１ａ上の第２の層３０５Ｒが密着できず、良好に接合しない。
【０１３７】
第２の層３０５Ｒは成膜用基板２５０Ｒ上に成膜される。本実施の形態で例示する第２の層３０５Ｒは実施の形態３と同様に、成膜用基板２５０Ｒ側から、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、及び正孔注入層の一部３１１ｂが積層されている。正孔注入層の一部３１１ｂは正孔注入層３１１を厚み方向に二つに分けた他方であり、第１の層３０４と同じ有機化合物を含み、被成膜基板の第１の層３０４に接する第２の層３０５Ｒの表面である。また、第２の層３０５Ｒは赤色に発光する発光層を有する。
【０１３８】
第２の層３０５Ｒの厚みは、第１の層３０４と合わせて第１の電極と第２の電極が微小共振器を構成するように最適化されており、具体的には、正孔注入層の一部３１１ｂ＿Ｒの厚みを用いて調整されている。特に、有機化合物と電子受容性の材料を含む混合材料層を含む正孔注入層は、厚みを変えても発光素子の駆動電圧に与える影響が少ないため好適である。
【０１３９】
なお、第２の層３０５Ｇの厚みは正孔注入層の一部３１１ｂ＿Ｇの厚みを用いて調整され、第３の層３０５Ｂの厚みは正孔注入層の一部３１１ｂ＿Ｂの厚みを用いて調整されている。第２の層３０５Ｒは成膜用基板２５０Ｒに、第２の層３０５Ｇは成膜用基板２５０Ｇに、第２の層３０５Ｂは成膜用基板２５０Ｂにそれぞれ別個独立に形成するため、厚みを変え容易に成膜できる。また、第２の層３０５Ｇは緑色に発光する発光層を有し、第２の層３０５Ｂは青色に発光する発光層を有する。
【０１４０】
次に、第１の層３０４上に第１の成膜用基板２５０Ｒを用いて第２の層３０５Ｒを転置し、第２の成膜用基板２５０Ｇを用いて第２の層３０５Ｇを転置し、第３の成膜用基板２５０Ｂを用いて第２の層３０５Ｂを転置して、３種類のＥＬ層を形成する方法について、第２の層３０５Ｒを形成する場合を中心に説明する。
【０１４１】
第２の層３０５Ｒを転置する工程では、被成膜基板３５０の第１の電極３０１Ｒに、成膜用基板２５０Ｒの凸部が重なるように、位置あわせをする。位置あわせは、例えば被成膜基板３５０、及び成膜用基板２５０Ｒにそれぞれ位置あわせ用マーカを設け、当該マーカを用いて位置あわせをすればよい。
【０１４２】
次いで、被成膜基板３５０と成膜用基板２５０Ｒを圧着し、第１の電極３０１Ｒ上の第１の層３０４と凸部の頂上部２１１ａに接して形成された第２の層３０５Ｒを接合する。第１の層３０４と第２の層３０５Ｒが接する表面は共に同じ有機化合物を含む正孔輸送層であるため、親和性が高い。その結果、連続する一つの正孔輸送層が形成され、接合にともなう界面の形成、及び当該界面が物性に与える影響が抑制される。この状態の断面図を図６（Ｂ）に示す。
【０１４３】
次に、第１の層３０４と第２の層３０５を介して接している被成膜基板３５０と成膜用基板２５０Ｒを離す。成膜用基板２５０Ｒの頂上部２１１ａと第２の層３０５Ｒの接着力は弱いため、頂上部２１１ａから第２の層３０５Ｒは剥離し、第１の層３０４上に転置される。以上の工程を経て赤色に発光するＥＬ層の一部が形成される。この状態の断面図を図６（Ｃ）に示す。
【０１４４】
第２の層３０５Ｇを転置する工程では、被成膜基板３５０の第１の電極３０１Ｇ上の第１の層３０４と凸部の頂上部に接して形成された第２の層３０５Ｇを転置して成膜する。また、第２の層３０５Ｂを転置する工程では、被成膜基板３５０の第１の電極３０１Ｂ上の第１の層３０４と凸部の頂上部に接して形成された第２の層３０５Ｂを転置して成膜する。
【０１４５】
以上の工程を経て、同一の被成膜基板３５０上に赤色に発光するＥＬ層３０３Ｒ、緑色に発光するＥＬ層３０３Ｇ、並びに青色に発光するＥＬ層３０３Ｂを形成できる。
【０１４６】
次に、被成膜基板３５０の第１の電極上に形成したＥＬ層（３０３Ｒ、３０３Ｇ、及び３０３Ｂ）に接して、第２の電極３０２を、真空蒸着法などを用いて形成する。以上の工程を以て、第１の電極３０１と第２の電極３０２の間に、ＥＬ層（３０３Ｒ、３０３Ｇ、乃至３０３Ｂ）を挟持する発光素子を作製できる。この状態の断面図を図６（Ｄ）に示す。
【０１４７】
以上の工程をもって作製される発光素子は、被成膜基板の第１の層と当該第１の層上に転置された第２の層が、連続する第１の有機化合物を含む層を介して良好に接合される。第１の層と第２の層が連続する第１の有機化合物を含む層を介して接合しているため、発光素子を流れるキャリアを阻害しない。その結果、良好な発光素子を提供できる。
【０１４８】
また、本実施の形態で例示した発光素子の作製方法によれば、厚みの異なるＥＬ層を有する発光素子を同一基板上に容易に作成することができる。
【０１４９】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１５０】
（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態４で説明した発光素子を用いて形成される発光装置について説明する。
【０１５１】
まず、パッシブマトリクス型の発光装置について、図７、図８を用いて説明することとする。
【０１５２】
パッシブマトリクス型（単純マトリクス型ともいう）の発光装置は、ストライプ状（帯状）に並列された複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極とが互いに直交するように設けられており、その交差部に発光層が挟まれた構造となっている。従って、選択された（電圧が印加された）陽極と選択された陰極との交点にあたる画素が点灯することになる。
【０１５３】
図７（Ａ）は、封止前における画素部の上面図を示す図であり、図７（Ａ）中の鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図７（Ｂ）であり、鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図が図７（Ｃ）である。
【０１５４】
基板１１０１上には、下地絶縁層として絶縁層１１０４を形成する。なお、下地絶縁層が必要でなければ特に形成しなくともよい。絶縁層１１０４上には、ストライプ状に複数の第１の電極１１１３が等間隔で配置されている。また、第１の電極１１１３上には、各画素に対応する開口部を有する隔壁１１１４が設けられ、開口部を有する隔壁１１１４は絶縁材料（感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜））で構成されている。なお、各画素に対応する開口部が発光領域１１２１となる。
【０１５５】
開口部を有する隔壁１１１４上に、第１の電極１１１３と交差する互いに平行な複数の逆テーパ状の隔壁１１２２が設けられる。逆テーパ状の隔壁１１２２はフォトリソグラフィ法に従い、未露光部分が残存するポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエッチングされるように露光量または現像時間を調節することによって形成する。
【０１５６】
開口部を有する隔壁１１１４及び逆テーパ状の隔壁１１２２を合わせた高さは、ＥＬ層及び第２の電極１１１６の膜厚より大きくなるように設定する。これにより、複数の領域に分離されたＥＬ層、具体的には赤色発光を示す材料で形成されたＥＬ層（Ｒ）（１１１５Ｒ）、緑色発光を示す材料で形成されたＥＬ層（Ｇ）（１１１５Ｇ）、青色発光を示す材料で形成されたＥＬ層（Ｂ）（１１１５Ｂ）と、第２の電極１１１６とが形成される。なお、複数に分離された領域は、それぞれ電気的に独立している。
【０１５７】
第２の電極１１１６は、第１の電極１１１３と交差する方向に伸長する互いに平行なストライプ状の電極である。なお、逆テーパ状の隔壁１１２２上にもＥＬ層及び第２の電極１１１６を形成する導電層の一部が形成されるが、ＥＬ層（Ｒ）（１１１５Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）（１１１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（１１１５Ｂ）、及び第２の電極１１１６とは分断されている。なお、本実施の形態におけるＥＬ層は、少なくとも発光層を含む層であって、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、又は電子注入層等を含んでいてもよい。
【０１５８】
ここでは、ＥＬ層（Ｒ）（１１１５Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）（１１１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（１１１５Ｂ）を選択的に形成し、３種類（赤（Ｒ）、青（Ｇ）、緑（Ｂ））の発光が得られるフルカラー表示可能な発光装置を形成する例を示している。なお、ＥＬ層（Ｒ）（１１１５Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）（１１１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（１１１５Ｂ）は、それぞれ互いに平行なストライプパターンで形成されている。これらのＥＬ層を形成するには、上記実施の形態１および実施の形態２に示す成膜方法を適用すればよい。
【０１５９】
また、必要であれば、封止缶や封止のためのガラス基板などの封止材を用いて封止する。ここでは、封止基板としてガラス基板を用い、シール材などの接着材を用いて基板と封止基板とを貼り合わせ、シール材などの接着材で囲まれた空間を密閉なものとしている。密閉された空間には、充填材や、乾燥した不活性ガスを充填する。また、発光装置の信頼性を向上させるために、基板と封止材との間に乾燥材などを封入してもよい。乾燥材によって微量な水分が除去され、十分乾燥される。また、乾燥材としては、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることが可能である。なお、他の乾燥材として、ゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。
【０１６０】
ただし、発光素子を覆って接する封止材が設けられ、十分に外気と遮断されている場合には、乾燥材は、特に設けなくともよい。
【０１６１】
次に、図７に示したパッシブマトリクス型の発光装置にＦＰＣなどを実装した場合の上面図を図８に示す。
【０１６２】
図８において、画像表示を構成する画素部は、走査線群とデータ線群が互いに直交するように交差している。
【０１６３】
ここで、図７における第１の電極１１１３が、図８の走査線１２０３に相当し、図７における第２の電極１１１６が、図８のデータ線１２０２に相当し、逆テーパ状の隔壁１１２２が隔壁１２０４に相当する。データ線１２０２と走査線１２０３の間にはＥＬ層が挟まれており、領域１２０５で示される交差部が画素１つ分となる。
【０１６４】
なお、走査線１２０３は配線端で接続配線１２０８と電気的に接続され、接続配線１２０８が入力端子１２０７を介してＦＰＣ１２０９ｂに接続される。また、データ線は入力端子１２０６を介してＦＰＣ１２０９ａに接続される。
【０１６５】
また、必要であれば、射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０１６６】
なお、図８では、駆動回路を基板上に設けない例を示したが、特に限定されず、基板上に駆動回路を有するＩＣチップを実装させてもよい。
【０１６７】
また、ＩＣチップを実装させる場合、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣ、走査線側ＩＣをＣＯＧ方式によりそれぞれ実装する。ＣＯＧ方式以外の実装技術としてＴＣＰやワイヤボンディング方式を用いて実装してもよい。ＴＣＰはＴＡＢテープにＩＣを実装したものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の配線に接続してＩＣを実装する。データ線側ＩＣ、および走査線側ＩＣは、シリコン基板を用いたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチック基板上にＴＦＴで駆動回路を形成したものであってもよい。また、片側に一つのＩＣを設けた例を説明しているが、片側に複数個に分割して設けても構わない。
【０１６８】
次に、アクティブマトリクス型の発光装置の例について、図９を用いて説明する。なお、図９（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板１３１０上に設けられた画素部１３０２と、駆動回路部１３０１（ソース側駆動回路）と、駆動回路部１３０３（ゲート側駆動回路）と、を有する。画素部１３０２、駆動回路部１３０１、及び駆動回路部１３０３は、シール材１３０５によって、素子基板１３１０と封止基板１３０４との間に封止されている。
【０１６９】
また、素子基板１３１０上には、駆動回路部１３０１、及び駆動回路部１３０３に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線１３０８が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ１３０９（フレキシブルプリントサーキット）を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１７０】
次に、断面構造について図９（Ｂ）を用いて説明する。素子基板１３１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース側駆動回路である駆動回路部１３０１と、画素部１３０２が示されている。
【０１７１】
駆動回路部１３０１はｎチャネル型ＴＦＴ１３２３とｐチャネル型ＴＦＴ１３２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。
【０１７２】
また、画素部１３０２はスイッチング用ＴＦＴ１３１１と、電流制御用ＴＦＴ１３１２と電流制御用ＴＦＴ１３１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極１３１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極１３１３の端部を覆って絶縁物１３１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。
【０１７３】
また、上層に積層形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物１３１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物１３１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物１３１４の上端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１３１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸窒化シリコン等、の両者を使用することができる。
【０１７４】
第１の電極１３１３上には、ＥＬ層１３００及び第２の電極１３１６が積層形成されている。なお、第１の電極１３１３をＩＴＯ膜とし、第１の電極１３１３と接続する電流制御用ＴＦＴ１３１２の配線として窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層膜、或いは窒化チタン膜、アルミニウムを主成分とする膜、窒化チタン膜との積層膜を適用すると、配線としての抵抗も低く、ＩＴＯ膜との良好なオーミックコンタクトがとれる。なお、ここでは図示しないが、第２の電極１３１６は外部入力端子であるＦＰＣ１３０９に電気的に接続されている。
【０１７５】
ＥＬ層１３００は、少なくとも発光層が設けられており、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層又は電子注入層を適宜設ける構成とする。第１の電極１３１３、ＥＬ層１３００及び第２の電極１３１６との積層構造で、発光素子１３１５が形成されている。
【０１７６】
また、図９（Ｂ）に示す断面図では発光素子１３１５を１つのみ図示しているが、画素部１３０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部１３０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。
【０１７７】
さらにシール材１３０５で封止基板１３０４を素子基板１３１０と貼り合わせることにより、素子基板１３１０、封止基板１３０４、およびシール材１３０５で囲まれた空間１３０７に発光素子１３１５が備えられた構造になっている。なお、空間１３０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１３０５で充填される構成も含むものとする。
【０１７８】
なお、シール材１３０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板１３０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１７９】
以上のようにして、上記実施の形態を適用して発光装置を得ることができる。アクティブマトリクス型の発光装置は、ＴＦＴを作製するため、１枚あたりの製造コストが高くなりやすいが、上記実施の形態を適用することで、発光素子を形成する際の材料のロスを大幅に低減させることが可能である。よって、製造コストの低減を図ることができる。
【０１８０】
また、上記実施の形態を適用することで、発光素子を構成するＥＬ層を容易に形成することができると共に、発光素子を有する発光装置を容易に作製することができる。また、平坦でムラのない膜の成膜や微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができる。また、被成膜基板と成膜用基板を圧着するだけで成膜が可能なことからタクト時間の短縮が可能となり、発光装置の製造コストを低減させることができる。
【０１８１】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができることとする。
【０１８２】
（実施の形態６）
本実施の形態では、上記実施の形態を適用して作製した発光装置を用いて完成させた様々な電子機器について、図１０を用いて説明する。
【０１８３】
本実施の形態に係る発光装置を適用した電子機器として、テレビジョン、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）、照明器具などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図１０に示す。
【０１８４】
図１０（Ａ）は表示装置であり、筐体８００１、支持台８００２、表示部８００３、スピーカー部８００４、ビデオ入力端子８００５等を含む。上記実施の形態を用いて形成される発光装置をその表示部８００３に用いることができる。なお、表示装置は、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用装置が含まれる。本実施の形態を適用することで、主に発光装置の成膜工程において正確な寸法で面状に広がる模様（パターン）を、有機化合物を含む層で形成すること、および製造効率向上を図ることができるので、表示装置の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な表示装置を提供することができる。
【０１８５】
図１０（Ｂ）はコンピュータであり、筐体８１０２、表示部８１０３、キーボード８１０４、外部接続ポート８１０５、ポインティングデバイス８１０６等を含む。なお、コンピュータは、上記実施の形態を用いて形成される発光装置をその表示部８１０３に用いることにより作製される。本実施の形態を適用することで、主に発光装置の成膜工程において正確な寸法で面状に広がる模様（パターン）を、有機化合物を含む層で形成すること、および製造効率向上を図ることができるので、コンピュータの製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価なコンピュータを提供することができる。
【０１８６】
図１０（Ｃ）はビデオカメラであり、表示部８２０２、外部接続ポート８２０４、リモコン受信部８２０５、受像部８２０６、操作キー８２０９等を含む。なお、ビデオカメラは、上記実施の形態を用いて形成される発光装置をその表示部８２０２に用いることにより作製される。本実施の形態を適用することで、主に発光装置の成膜工程におけるにおいて正確な寸法で面状に広がる模様（パターン）を、有機化合物を含む層で形成すること、および製造効率向上を図ることができるので、ビデオカメラの製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価なビデオカメラを提供することができる。
【０１８７】
図１０（Ｄ）は携帯電話であり、表示部８４０３、音声入力部８４０４、音声出力部８４０５、操作キー８４０６、外部接続ポート８４０７等を含む。なお、携帯電話は、上記実施の形態を用いて形成される発光装置をその表示部８４０３に用いることにより作製される。また、赤外線通信機能、テレビ受信機能等を備えた携帯電話としてもよい。本実施の形態を適用することで、主に発光装置の成膜工程におけるにおいて正確な寸法で面状に広がる模様（パターン）を、有機化合物を含む層で形成すること、および製造効率向上を図ることができるので、携帯電話の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な携帯電話を提供することができる。
【０１８８】
図１０（Ｅ）は卓上照明器具であり、照明部８３０１、傘８３０２、可変アーム８３０３、電源８３０５等を含む。なお、卓上照明器具は、上記実施の形態を用いて形成される発光装置を照明部８３０１に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。本実施の形態を適用することで、主に発光装置の成膜工程におけるにおいて正確な寸法で面状に広がる模様（パターン）を、有機化合物を含む層で形成すること、および製造効率向上を図ることができるので、卓上照明器具の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な卓上照明器具を提供することができる。
【０１８９】
以上のようにして、上記実施の形態に係る発光装置を適用して電子機器や照明器具を得ることができる。上記実施の形態に係る発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０１９０】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができることとする。
【実施例１】
【０１９１】
本実施例では、発光素子の作製例について説明する。本実施例で用いた材料の構造式を以下に示す。
【０１９２】
【化１】
2011198701.tif 000003
【０１９３】
被成膜基板の作製方法を説明する。被成膜基板はガラス基板を支持基板とし第１の電極を有する。第１の電極はスパッタリング法で成膜した１１０ｎｍの膜厚の珪素若しくは酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズからなる。
【０１９４】
次に第１の層を形成した。第１の電極が形成された面が下方となるように、被成膜基板を真空蒸着装置内の成膜室に設けられた基板ホルダーに固定し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、正孔輸送性の高い物質である４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）と、アクセプター性物質である酸化モリブデン（ＶＩ）とを共蒸着することにより、ＥＬ層に含まれる正孔注入層の一部となる第１の層を形成した。その膜厚は５ｎｍとし、ＮＰＢと酸化モリブデン（ＶＩ）との比率は、重量比で４：１（＝ＮＰＢ：酸化モリブデン）となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。
【０１９５】
成膜用基板の作製方法を説明する。ガラス基板上に膜厚６００ｎｍのチタン膜を用いて１５８μｍ幅の凸部を、２６２μｍの間隔を空けて形成し、成膜用基板の凸部を含む表面に離型剤としてシリコーンオイル（信越化学社製）を塗布したものを成膜用基板として用いた。
【０１９６】
次に第２の層を形成した。第２の層は成膜用基板の凸部を覆う離型剤に接する側から順に、第２の電極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、及び正孔注入層の一部を有する。
【０１９７】
離型剤が塗布された面が下方となるように、成膜用基板を真空蒸着装置内の成膜室に設けられた基板ホルダーに固定し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、抵抗加熱による蒸着法により第２の電極としてアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように成膜し、次いで電子注入層としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ程度形成した。
【０１９８】
次に、抵抗加熱による蒸着法により、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、続いて同じく抵抗加熱による蒸着法により、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）を１０ｎｍの膜厚となるように成膜して電子輸送層を形成した。
【０１９９】
次に、９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）と９，１０−ジフェニル−２−［Ｎ−フェニル−Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミノ］アントラセン（略称：２ＰＣＡＰＡ）を重量比でＣｚＰＡ：２ＰＣＡＰＡ＝１：０．０５となるように共蒸着して発光層を形成した。ＣｚＰＡは電子輸送性を有する物質であり、２ＰＣＡＰＡは緑色の発光を呈する物質である。膜厚は３０ｎｍとした。
【０２００】
次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、ＮＰＢを１０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層を形成した。
【０２０１】
次に、ＮＰＢとアクセプター性物質である酸化モリブデン（ＶＩ）とを共蒸着することにより、正孔注入層の一部を形成した。その膜厚は５０ｎｍとし、ＮＰＢと酸化モリブデン（ＶＩ）との比率は、重量比で４：１（＝ＮＰＢ：酸化モリブデン）となるように調節した。
【０２０２】
次に、被成膜基板上の第１の層と成膜用基板の第２の層を向かい合わせて圧着した。第１の層と第２の層は、ＮＰＢとアクセプター性物質である酸化モリブデン（ＶＩ）とが共蒸着された正孔注入層の一部を表面に有するため、親和性が高く、圧着により良好に接合して連続する層を形成した。
【０２０３】
次いで、被成膜基板と成膜用基板を離し、第１の層上に第２の層を転置して成膜した。以上の方法で作製した発光素子を、顕微鏡を用いて観察した結果を図１１に示す。転置して成膜したＥＬ素子は１５８μｍの幅で、２６２μｍの間隔で形成され、成膜用基板の凸部と同様の幅、同様の間隔であった。
【０２０４】
このように、被成膜基板上の第１の層と成膜用基板上の第２の層の密着性が増し、成膜基板と被成膜基板を引きはがす際に膜剥がれが生じることなく、連続したＥＬ層を被成膜基板上に転置することができる。また、本実施例で例示した発光素子の作製方法によれば、微細な形状のＥＬ層を容易に作製できる。
【符号の説明】
【０２０５】
１００    支持基板
１０５    材料層
１１１    下地層
１５０    被成膜基板
１５１    層
１５１ａ    層
２００    支持基板
２００Ａ    支持基板
２００Ｂ    支持基板
２００Ｃ    支持基板
２００Ｒ    支持基板
２１１    凸部
２１１ａ    頂上部
２１１ｂ    稜線部
２１５    層
２２０Ａ    凸部
２２０Ｂ    凸部
２２０Ｃ    凸部
２２０Ｃ＿１    頂上部
２２０Ｃ＿２    稜線部
２５０    成膜用基板
２５０Ａ    成膜用基板
２５０Ｂ    成膜用基板
２５０Ｃ    成膜用基板
２５０Ｇ    成膜用基板
２５０Ｒ    成膜用基板
２５１    層
２５１ａ    層
２５２    層
３００    支持基板
３０１    電極
３０１Ｂ    電極
３０１Ｇ    電極
３０１Ｒ    電極
３０２    電極
３０３    ＥＬ層
３０３Ｂ    ＥＬ層
３０３Ｇ    ＥＬ層
３０３Ｒ    ＥＬ層
３０４    層
３０５    層
３０５Ｂ    層
３０５Ｇ    層
３０５Ｒ    層
３０８    ＥＬ層
３１１    正孔注入層
３１１ａ    正孔注入層の一部
３１１ｂ    正孔注入層の一部
３１２    正孔輸送層
３１３    発光層
３１４    電子輸送層
３１５    電子注入層
３２０    隔壁
３５０    被成膜基板
１１０１    基板
１１０４    絶縁層
１１１３    電極
１１１４    隔壁
１１１６    電極
１１２１    発光領域
１１２２    隔壁
１２０２    データ線
１２０３    走査線
１２０４    隔壁
１２０５    領域
１２０６    入力端子
１２０７    入力端子
１２０８    接続配線
１２０９ａ    ＦＰＣ
１２０９ｂ    ＦＰＣ
１３００    ＥＬ層
１３０１    駆動回路部
１３０２    画素部
１３０３    駆動回路部
１３０４    封止基板
１３０５    シール材
１３０７    空間
１３０８    配線
１３０９    ＦＰＣ
１３１０    素子基板
１３１１    スイッチング用ＴＦＴ
１３１２    電流制御用ＴＦＴ
１３１３    電極
１３１４    絶縁物
１３１５    発光素子
１３１６    電極
１３２３    ｎチャネル型ＴＦＴ
１３２４    ｐチャネル型ＴＦＴ
８００１    筐体
８００２    支持台
８００３    表示部
８００４    スピーカー部
８００５    ビデオ入力端子
８１０２    筐体
８１０３    表示部
８１０４    キーボード
８１０５    外部接続ポート
８１０６    ポインティングデバイス
８２０２    表示部
８２０４    外部接続ポート
８２０５    リモコン受信部
８２０６    受像部
８２０９    操作キー
８３０１    照明部
８３０２    傘
８３０３    可変アーム
８３０５    電源
８４０３    表示部
８４０４    音声入力部
８４０５    音声出力部
８４０６    操作キー
８４０７    外部接続ポート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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