(57)【要約】【課題】    ＣＮＴを用いて、低抵抗で柔軟性の高いフレキシブルバンプ構造体を提供する。【解決手段】    フレキシブルバンプ構造体を製造する方法は、複数の電極を有する電子部材の該電極のそれぞれにカーボンナノチューブ集合体を接続し、カーボンナノチューブ集合体を一方の電極とし、電解メッキ液中に対向電極と共に浸漬し、カーボンナノチューブ集合体の突出する端面に金属層を電解メッキする。【選択図】  図１−３
2011119539.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の電極を有する第１の電子部材と、
前記第１の電極それぞれに接続され、突出するカーボンナノチューブ集合体と、
前記カーボンナノチューブ集合体の突出する端面に形成された第１金属層と、
を有し、前記カーボンナノチューブ集合体の長さ方向中央部の少なくとも全長の１／２の長さ領域側面には金属層がないバンプ構造体。
【請求項２】
前記カーボンナノチューブ集合体の前記第１の電極側端面に形成された第２金属層をさらに有する請求項１記載のバンプ構造体。
【請求項３】
前記第１金属層に接続された複数の第２の電極を有する第２の電子部材をさらに有する請求項１又は２記載のバンプ構造体。
【請求項４】
前記第１の電子部材と前記第２の電子部材とが異なる熱膨張係数を有する請求項１〜３のいずれか１項記載のバンプ構造体。
【請求項５】
複数の第１の電極を有する第１の電子部材の前記第１の電極のそれぞれに接続されたカーボンナノチューブ集合体を形成し、
前記カーボンナノチューブ集合体を一方の電極とし、電解メッキ液中に対向電極と共に浸漬し、前記カーボンナノチューブ集合体の突出する端面に第１金属層を電解メッキする、
バンプ構造体の製造方法。
【請求項６】
複数の第２の電極を有する第２の電子部材を準備し、
前記カーボンナノチューブ集合体の突出する端面の前記第１金属層を前記第２の電子部材の前記第２の電極に接続する、
請求項５記載のバンプ構造体の製造方法。
【請求項７】
複数の第１の電極を有する第１の電子部材と、
前記第１の電極それぞれに接続され、突出するカーボンナノチューブ集合体と、
前記カーボンナノチューブ集合体の突出する端面に形成された第１金属層と、
を有し、前記カーボンナノチューブ集合体の長さ方向中央部の少なくとも全長の１／２の長さ領域側面には金属層がない電子機器。
【請求項８】
複数の第１の電極を有する第１の電子部材の前記第１の電極のそれぞれに接続されたカーボンナノチューブ集合体を形成し、
前記カーボンナノチューブ集合体を一方の電極とし、電解メッキ液中に対向電極と共に浸漬し、前記カーボンナノチューブ集合体の突出する端面に第１金属層を電解メッキする、
電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施例は、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いたバンプ構造体とその製造方法、電子機器とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は、炭素原子が並んだグラフェンシートを細長い円筒状に丸めた形状を有し、シート１枚からなるものを単層ナノチューブ、シート２枚以上からなるものを多層ナノチューブと呼ぶ。直径は最小０．４ｎｍ、単層で約４ｎｍ、多層で数十ｎｍに及ぶ。長さは成長条件によって広範囲で設定でき、例えば数十μｍとすることも容易である。ＣＮＴは、その軸方向に非常に高い電気伝導度と、高い熱伝導度を有し、柔軟性、耐熱性に優れる。ＣＮＴの伝導特性を高効率化するためには、カーボンナノチューブの方向を揃えた配向性カーボンナノチューブ集合体を用いることが好ましい。
【０００３】
特開２００５−２８５８２１号は基板上にＭｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｗの高融点金属及びＴｉのうちいずれかの金属、又はその金属酸化物からなる成長モード制御層と触媒層を順次形成し、熱ＣＶＤによりアセチレンガス等の炭素を含有するプロセスガスを供給し、下地と強く密着したカーボンナノチューブを成長することを提案する。
【０００４】
特開２００６−１０８３７７号は、導電体を覆う絶縁膜を貫通する開口を形成し、導電体表面に凹部を形成し、凹部側面も含む凹部表面に触媒層を形成し、数密度を増加させたカーボンナノチューブを成長することを提案する。
【０００５】
例えば、半導体集積回路装置においては、大規模集積化が進んでいる。大電流密度化等により、熱膨張も増加する傾向にある。半導体集積回路装置が回路基板に固定して接続されると、熱膨張の差は応力を発生させ、破壊の原因ともなる。半導体集積回路装置を、フレキシブルなＣＮＴを介して回路基板に接続すれば、熱膨張による応力を大幅に低減できるであろう。
【０００６】
ＣＮＴの成長温度は、一般的な化学気相堆積（ＣＶＤ）において６００℃以上である。半導体装置や電子部品は、６００℃以上の熱履歴に耐えられないものが多い。従って、半導体装置や電子部品の所望位置に直接ＣＮＴを成長することは困難な場合が多い。ＣＮＴを別の耐熱性基板上に成長させ、そのＣＮＴを半導体装置や電子部品の所望位置に転写して、接続部材を形成することになる。
【０００７】
特開２００４−２８１３８８号は、基礎基板表面に配向性のあるカーボンナノチューブ膜を作製し、電極基板表面に導電性バインダのパターンを形成し、カーボンナノチューブ膜の表面と導電性バインダの表面とを接着し、導電性バインダと接着した配向性のあるカーボンナノチューブ膜を残して基礎基板を剥離して、配向性カーボンナノチューブ膜を転写し、電界放出型冷陰極を製造する方法を提案する。
【０００８】
特開２００７−３１１７００号は、半導体チップの集積度が向上し、導電パッドの微細化が進むと、金属バンプを流れる電流密度が増大し、エレクトロマイグレーションにより、金属バンプを構成している金属原子が移動し易くなり、バンプの断線を引き起こす可能性、半田溶融接合の際に、半導体チップと実装基板が高温になり、実装後、半導体チップ及び実装基板が室温まで低下すると、半導体チップの熱膨張係数の１０倍以上の熱膨張係数を有する実装基板から半導体チップに圧縮応力が印加され、例えば、金属バンプ、半導体チップの低誘電率絶縁材料等が破壊される可能性を指摘する。半導体チップと実装基板の少なくとも一方のパッド上にカーボンナノチューブを形成し、押し当て機構により対向する導電パッドに押し当てる構造を提案する。カーボンナノチューブは、例えば成長用基板上に成長し、導電パッド上に塗布された導電性ペーストに押し込み、導電性ペーストを焼結後、成長用基板を引き離すことで、導電パッド上にカーボンナノチューブを固定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−２８５８２１号公報
【特許文献２】特開２００６−１０８３７７号公報
【特許文献３】特開２００４−２８１３８８号公報
【特許文献４】特開２００７−３１１７００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ＣＮＴを用いて、低抵抗で柔軟性の高いフレキシブルバンプ構造体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
実施例の第１の観点によれば、
複数の第１の電極を有する第１の電子部材と、
前記第１の電極それぞれに接続され、突出するカーボンナノチューブ集合体と、
前記カーボンナノチューブ集合体の突出する端面に形成された第１金属層と、
を有し、前記カーボンナノチューブ集合体の長さ方向中央部の少なくとも全長の１／２の長さ領域側面には金属層がないバンプ構造体
が提供される。
【００１２】
実施例の第２の観点によれば、
複数の第１の電極を有する第１の電子部材の前記第１の電極のそれぞれに接続されたカーボンナノチューブ集合体を形成し、
前記カーボンナノチューブ集合体を一方の電極とし、電解メッキ液中に対向電極と共に浸漬し、前記カーボンナノチューブ集合体の突出する端面に第１金属層を電解メッキする、
バンプ構造体の製造方法
が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
ＣＮＴバンプの両端面に金属膜を備えることで低抵抗を実現し、ＣＮＴバンプの側面には金属膜の形成を抑制することで柔軟性を確保する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１−１】と、
【図１−２】と、
【図１−３】図１Ａ〜１Ｌは、実施例による、ＬＳＩチップをプリント回路基板に接続した構造の製造方法を示す概略断面図である。
【図２】図２Ａ，２Ｂは、ＣＮＴバンプに金属層を電解メッキしたサンプルの写真、及び端面のみにメッキ層が形成する現象を考察した概略斜視図である。
【図３】図３Ａ〜３Ｂは、変形例による製造方法を示す概略断面図である。
【図４−１】と、
【図４−２】図４Ａ〜４Ｉは、予備実験による、ＬＳＩチップをプリント回路基板に接続した構造の製造プロセスを示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
半導体装置等の電子部品の電気的接続部品としてカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）バンプを用いる場合、ＣＮＴの軸方向両端を半導体装置等の電子部品に電気的に接続する必要がある。ＣＮＴは接着性を有さないため、銀ペーストのような導電性ペーストを用いて接合を形成するが、接触抵抗が大きくなる可能性がある。接触抵抗を低減して、低抵抗の電気的接触を形成するためにはＣＮＴ集合体の端面に金属をコーティングすることが望まれる。
【００１６】
まず、ＣＮＴ集合体の端面に金属(実験においては金を用いた)をコーティングして大規模集積回路（ＬＳＩ）チップを回路基板に接続する実験を行なった。
【００１７】
図４Ａに示すように、耐熱性基板１０１の上にＣＮＴ集合体１０２を成長させる。実験で用いた耐熱性基板はシリコン基板である。
【００１８】
図４Ｂに示すように、金属として金（Ａｕ）をＣＮＴ集合体１０２端面にスパッタリングし、金属層１０３を形成する。ＣＮＴ集合体１０２側面にも若干金属層１０３が形成される。
【００１９】
図４Ｃに示すように、電極１１１上に銀ペースト等の導電性ペースト１１２を形成したＬＳＩシリコンチップ１１０上方に、ＣＮＴ集合体１０２を下側にして耐熱性基板１０１を配置し、下降させ、ＣＮＴ集合体１０２を導電性ペースト１１２と接触させる。
【００２０】
図４Ｄに示すように、耐熱性基板１０１を押し込んで、ＣＮＴ集合体１０２と導電性ペースト１１２の接触を高める。この状態で、導電性ペースト１１２を硬化させる。電極１１１、導電性ペースト１１２とＣＮＴ集合体１０２とが結合される。
【００２１】
図４Ｅに示すように、耐熱性基板１０１を引き上げる。耐熱性基板１０１と共に、導電性ペースト１１２と結合していないＣＮＴ集合体１０２は引き上げられる。導電性ペースト１１２と結合しているＣＮＴ集合体１０２は、耐熱性基板１０１から剥離し、ＬＳＩチップ１１０上に残る。
【００２２】
図４Ｆに示すように、電極１１１、導電性ペースト１１２とＣＮＴ集合体１０２が結合し、上方に隆起する構造１０２ｂが得られる。突起電極をバンプと呼ぶので、この構造をＣＮＴバンプと呼ぶことがある。ＣＮＴバンプ１０２ｂの下端は、金属層１０３を介して導電性ペースト１１２、電極１１１に接続されている。密集したＣＮＴ集合体１０２から抜き出したＣＮＴバンプ１０２ｂ側面には、金属層１０３は殆ど形成されていない。ＣＮＴバンプ１０２ｂの上端をプリント回路基板に接続するために、ＣＮＴバンプ１０２ｂ端面に金属層を形成することが望まれる。ＣＮＴバンプ１０２ｂ以外の表面上にマスク１０４を形成する。
【００２３】
図４Ｇに示すように、ＣＮＴバンプ１０２ｂ上方から金属として金をスパッタリングする。ＣＮＴバンプ１０２ｂの上端から側面に金属層１０５が形成される。ＬＳＩチップ１１０上に堆積した金属層はマスク１０４と共に除去する。側面を金属層１０５で覆われたＣＮＴバンプ１０２ｂは柔軟性を大幅に低下させてしまう。
【００２４】
図４Ｈに示すように、プリント回路基板１２０上方に、ＣＮＴバンプ１０２ｂを下方にして、ＬＳＩチップ１１０を配置する。プリント回路基板１２０には複数の電極１２１が形成されており、電極１２１の上に導電性ペースト１２２を塗布してある。
【００２５】
図４Ｉに示すように、ＬＳＩチップ１１０を下降させ、ＣＮＴバンプ１０２ｂをその端面上の金属層１０５を介して導電性ペースト１２２、電極１２１に接続する。ＣＮＴバンプ１０２ｂがＬＳＩチップ１１０とプリント回路基板１２０とを電気的、機械的に接続する。ＣＮＴ集合体を接続端子として用いているが、ＣＮＴ集合体は金属層で覆われ、柔軟性は大幅に失われている。大きな応力緩和効果を望むことは困難である。
【００２６】
ある程度断面積の大きなＣＮＴ集合体であればほぼ端面にのみ金属層を形成することも可能であり、且つその中から選択的に取り出した小断面積のＣＮＴ集合体を転写すると、小断面積のＣＮＴ集合体の側面にはほぼ金属層が存在しない状態とすることができる。しかし、一旦小断面積としたＣＮＴ集合体の端面にのみ金属層を形成することは、スパッタリングや蒸着では極めて困難である。
【００２７】
本発明者らは、種々検討の結果、電解メッキによってＣＮＴ集合体の端面に金属層を形成することを試みた。
【００２８】
図１Ａ〜１Ｌは、実施例による、ＬＳＩチップをプリント回路基板に接続した構造の製造方法を示す概略断面図である。
【００２９】
図１Ａに示すように、シリコン基板１の表面上にＣＮＴ集合体２を成長する。以下、より詳細に説明する。シリコン基板１上に鉄（Ｆｅ）触媒金属膜６をスパッタリングで形成する。触媒金属膜６を形成した基板１上に、例えばホットフィラメントＣＶＤにより、触媒金属膜６を触媒として、カーボンナノチューブを成長する。基板１上にＣＮＴ集合体２が形成される。
【００３０】
カーボンナノチューブの成長条件は、例えば、原料ガスとしてアセチレン−アルゴン(混合比１：９)の混合ガスを用い、成膜室内の総ガス圧１ｋＰａ、ホットフィラメント温度１０００℃、成長時間２０分とする。これらの条件下で、層数３〜６層(平均４層程度)、直径４〜８ｎｍ(平均６ｎｍ程度)、長さ約８０μｍのカーボンナノチューブを成長することができる。条件を変更することにより、カーボンナノチューブの諸元を種々に設定することができる。
【００３１】
カーボンナノチューブの面密度は、確実な電気的接続を形成するために、また、ＣＮＴバンプ自身の抵抗を低抵抗化させるために、１×１０１０本／ｃｍ２以上が好ましい。カーボンナノチューブの長さは、対象とする電子部材の大きさ、印加され得る応力の大きさに合わせて、５０ｎｍ〜１ｍｍ、特に１００ｎｍ〜１００μｍ程度に設定することが好ましい。
【００３２】
図１Ｂに示すように、基板１上のＣＮＴ集合体２の１端に導電性ペースト７を接着し、リード８を接続する。ＣＮＴ集合体２は互いに絡まりあった構造であり、ＣＮＴ集合体２全体がリード８に電気的に接続される。
【００３３】
図１Ｃに示すように、電解メッキ液３０中に、ＣＮＴ集合体２と対向電極３１を対向させて浸漬し、リード８と対向電極３１間に電圧を印加して、例えば金（Ａｕ）の電解メッキを行う。例えば、メッキ液として、ミクロファブ６６０（日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース（株）製）を用い、メッキ液温を４０℃程度とし、印加する電圧は１Ｖ程度、電流密度は０．５Ａ／（ｄｍ）２程度、メッキ時間５分程度とする。
【００３４】
図１Ｄに示すように、ＣＮＴ集合体の端面上にメッキによる金属層３がコーティングされる。金属層３の厚さは、１μｍ〜１００μｍが好ましい。
【００３５】
図１Ｅに示すように、電極１１上に銀ペーストからなる転写ペースト１２を形成したＬＳＩチップ１０上方に、基板１を配置し、ＣＮＴ集合体２と電極１１、その上の導電性ペースト１２を対向させる。ＣＮＴ集合体２の先端面には金属層３が形成されている。
【００３６】
図１Ｆに示すように、基板１を降下させ、ＣＮＴ集合体２端面上の金属層３を導電性ペースト１２に押し込む。導電性ペースト１２を硬化し、電極１１、導電性ペースト１２とＣＮＴとを結合する。
【００３７】
図１Ｇに示すように、基板１を引き上げると、導電性ペースト１２と接着していないＣＮＴ集合体２は基板１と共に引き上げられる。導電性ペースト１２、電極１１と結合したＣＮＴ集合体２はＬＳＩチップ１０上に残る。
【００３８】
図１Ｇ，１Ｈに示すように、ＬＳＩチップ１０の電極１１上方にＣＮＴが突出するＣＮＴバンプ２ｂが形成される。次に、ＬＳＩチップ１０を回路基板に実装するため、ＣＮＴバンプ２ｂの端面に金属層を形成する。ＬＳＩチップ１０の電極は配線により相互に接続されているものも多い。
【００３９】
図１Ｈに示すように、必要に応じて、ＣＮＴバンプ２ｂにリード９を接続して、全てのＣＮＴバンプ２ｂに電源を接続できるようにする。
【００４０】
図１Ｉに示すように、電解メッキ液２１中に、ＣＮＴバンプ２ｂと対向電極２２を対向させて浸漬し、リード９と対向電極２２間に電圧を印加して、例えば金（Ａｕ）の電解メッキを行う。電解メッキの条件は、例えば、図１Ｃの電解メッキ同様である。メッキする金属層の厚さは、フリップチップボンディングする場合、１μｍ〜１００μｍとすることが好ましい。
【００４１】
図１Ｊに示すように、ＣＮＴバンプ２ｂの先端面にのみ金属層５が形成される。ＣＮＴバンプ２ｂの側面、特にその中央部(少なくとも長さの１／２以上の部分)には金属層が形成されていない。
【００４２】
図２Ａは、基板上の電極に平面形状が矩形のＣＮＴバンプを転写し、金（Ａｕ）の電解メッキを行ったサンプルの写真を示す。ＣＮＴバンプの端面にメッキ金属層が形成されていることが判る。ＣＮＴバンプの側面には、金属層は観察されない。ＣＮＴバンプの端面のみにメッキ層が形成される理由を考察した。
【００４３】
図２Ｂに示すように、ＣＮＴ集合体２は多数の導電性筒状体の集合である。ＣＮＴ集合体の端面は、筒状突起の集合であり、電界を印加すると突起部に電界集中が生じるであろう。電界メッキを行うと、電界集中した部分にのみ、選択的にメッキすることが可能になると考えられる。一旦形成されたメッキ層がＣＮＴ側面に沿って成長したとしても、ＣＮＴの長さ方向において少なくとも約１／２の領域はメッキされない、金属フリーの領域として残せることは確実と考えられる。
【００４４】
図１Ｋに示すように、プリント回路基板２０上方に、ＣＮＴバンプ２ｂを下に向けてＬＳＩチップ１０を配置し、ＣＮＴバンプ２ｂとプリント回路基板２０の接続位置の位置合わせを行なう。プリント回路基板２０上には電極２１が形成され、電極２１の上に金、又は半田のバンプ２２が形成されている。
【００４５】
図１Ｌに示すように、ＬＳＩチップを下降させ、ＣＮＴバンプ２ｂの先端金属層５をプリント回路基板２０のバンプ２２に押し当て、加熱してフリップチップ接合を形成する。このようにして、ＬＳＩチップと回路基板とがＣＮＴバンプを介して、電気的、機械的に接続されたフレキシブルバンプ構造体が得られる。
【００４６】
以上の実施例における記載は例示であり、種々変更可能である。
【００４７】
基板１はシリコン基板に限らず、ＣＮＴの成長温度に対して耐熱性を有するものであればよい。例えば、アルミナ(サファイア)基板、ＭｇＯ基板、ガラス基板、金属基板等を用いることができる。下地基板上に薄膜が形成されたものでもよい。例えば、厚さ３００ｎｍ程度の酸化シリコン膜が形成されたシリコン基板を用いることもできる。
【００４８】
基板１はＣＮＴ成長後にＣＮＴから剥離される。このため、ＣＮＴと接する面がＣＮＴから容易に剥離できる、またはＣＮＴに対して選択的にエッチングできる、材料で形成されていることが望ましい。また、ＣＮＴ成長温度において、変質しない材料であることが望ましい。
【００４９】
触媒金属は鉄に限定されるものではない。鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ）、これらのうち少なくとも１つを含む合金を用いることができる。触媒金属膜の成膜方法も、スパッタリング、蒸着、メッキなどから選択することができる。また、金属膜の代わりに、微分型静電分級器（differential mobility analyzer, DMA）等を用い、予めサイズを制御して作製した金属微粒子を用いることもできる。
【００５０】
カーボンナノチューブの成長方法はホットフィラメントＣＶＤの他、熱ＣＶＤ，リモートプラズマＣＶＤ等を用いることもできる。カーボンナノチューブは多層でも単層でもよい。カーボンナノチューブ成長用の炭素原料ガスとして、アセチレンの他、メタン、エチレン等の炭化水素類や、エタノール、メタノール等のアルコール類を用いることもできる。カーボンナノチューブの面密度、及び長さは用途によって選定し、特に限定されるものではない。
【００５１】
ＣＮＴ集合体の端面にコーティングする金属は、金（Ａｕ），ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ），これらの元素を含む合金などから選択できる。単層膜でも積層膜でもよい。
【００５２】
耐熱性基板上に成長したＣＮＴ集合体の開放端面に形成する金属層は、選択的に取り出すＣＮＴバンプの側面には形成されない。従って、メッキ以外の方法で金属層を形成してもよい。
【００５３】
図３Ａ−３Ｂは、変形例を示す断面図である。
【００５４】
図３Ａは、図１Ａ同様、耐熱性基板１上にＣＮＴ集合体２を成長した状態を示す。ＣＮＴの成長条件は、例えば図１Ａを参照して説明した条件と同様とすることができる。
【００５５】
図３Ｂは、ＣＮＴ集合体２の端面にスパッタリング、又は蒸着で金属層３を形成した状体を示す。ＣＮＴ集合体２の側面にも若干金属層３が形成される。
【００５６】
以下、実施例の図１Ｅ以下の工程を行う。ＬＳＩチップ１０上に転写したＣＮＴバンプの側面には金属層はない。実施例同様の結果を得ることができる。
【００５７】
以上、実施例に沿って説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、ＬＳＩチップにＣＮＴバンプを形成し、回路基板に接続する場合を説明したが、接続する対象はこれらに限らない。複数の第１の電極を有する第１の電子部材と、複数の第２の電極を有する第２の電子部材とを接続する電子機器の構造であればよい。熱膨張係数の大きく異なる電子部材の電気的接続に特に有用である。その他、種々の変更、置換、改良、組み合わせ等が可能であることは、当業者に自明であろう。
【００５８】
以下、本発明の特徴を付記する。
【００５９】
（付記１）
複数の第１の電極を有する第１の電子部材と、
前記第１の電極それぞれに接続され、突出するカーボンナノチューブ集合体と、
前記カーボンナノチューブ集合体の突出する端面に形成された第１金属層と、
を有し、前記カーボンナノチューブ集合体の長さ方向中央部の少なくとも全長の１／２の長さ領域側面には金属層がないバンプ構造体。
【００６０】
（付記２）
前記カーボンナノチューブ集合体の前記第１の電極側端面に形成された第２金属層をさらに有する付記１記載のバンプ構造体。
【００６１】
（付記３）
前記第１金属層に接続された複数の第２の電極を有する第２の電子部材をさらに有する付記１又は２記載のバンプ構造体。
【００６２】
（付記４）
前記第１の電子部材と前記第２の電子部材とが異なる熱膨張係数を有する付記１〜３のいずれか１項記載のバンプ構造体。
【００６３】
(付記５)  
前記第２の電極と前記第１金属層との間に接続されたバンプをさらに有する付記１〜４のいずれか１項記載のバンプ構造体。
【００６４】
（付記６）
複数の第１の電極を有する第１の電子部材の前記第１の電極のそれぞれに接続されたカーボンナノチューブ集合体を形成し、
前記カーボンナノチューブ集合体を一方の電極とし、電解メッキ液中に対向電極と共に浸漬し、前記カーボンナノチューブ集合体の突出する端面に第１金属層を電解メッキする、
バンプ構造体の製造方法。
【００６５】
（付記７）
複数の第２の電極を有する第２の電子部材を準備し、
前記カーボンナノチューブ集合体の突出する端面の前記第１金属層を前記第２の電子部材の前記第２の電極に接続する、
付記６記載のバンプ構造体の製造方法。
【００６６】
（付記８）  
前記第２の電子部材が前記第２の電極上にバンプを備え、
前記第１金属層を前記第２の電子部材の前記第２の電極に接続する際、前記第１金属層を前記第２の電子部材の前記バンプに押し当て、フリップチップボンディングする、
付記７記載のバンプ構造体の製造方法。
【００６７】
（付記９）
複数の第１の電極を有する第１の電子部材と、
前記第１の電極それぞれに接続され、突出するカーボンナノチューブ集合体と、
前記カーボンナノチューブ集合体の突出する端面に形成された第１金属層と、
を有し、前記カーボンナノチューブ集合体の長さ方向中央部の少なくとも全長の１／２の長さ領域側面には金属層がない電子機器。
【００６８】
（付記１０）
複数の第１の電極を有する第１の電子部材の前記第１の電極のそれぞれに接続されたカーボンナノチューブ集合体を形成し、
前記カーボンナノチューブ集合体を一方の電極とし、電解メッキ液中に対向電極と共に浸漬し、前記カーボンナノチューブ集合体の突出する端面に第１金属層を電解メッキする、
電子機器の製造方法。
【符号の説明】
【００６９】
１，１０１      耐熱性基板、
２，１０２      ＣＮＴ集合体、
２ｂ、１０２ｂ    ＣＮＴバンプ、
３，１０３        金属層、
５，１０５        金属層、
８，９            リード、
１０，１１０      ＬＳＩチップ、
２０，１２０      プリント回路基板、
３０              電解メッキ液、
【図１−１】
2011119539.tif 000003
【図１−２】
2011119539.tif 000004
【図１−３】
2011119539.tif 000005
【図３】
2011119539.tif 000006
【図４−１】
2011119539.tif 000007
【図４−２】
2011119539.tif 000008
【図２】
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