(57)【要約】      （修正有）【課題】ステルスダイシング法において、エキスパンドの際に発生する半導体ウエハの破片が飛散しにくい粘着シートを提供する。【解決手段】ステルスダイシング用粘着シート１０は、基材１と、その片面に形成された粘着剤層２とからなり、該粘着シート１０の粘着剤層２側から１００００Ｖの電圧を６０秒間印加したときの印加停止時の帯電圧が１０００Ｖ以下であり、印加停止時の帯電圧から該帯電圧の半分以下まで減衰する時間が１．０秒以下である。【選択図】図１
2011119549.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、その片面に形成された粘着剤層とからなるステルスダイシング用粘着シートであって、
該粘着シートの粘着剤層側から１００００Ｖの電圧を６０秒間印加したときの印加停止時の帯電圧が１０００Ｖ以下であり、
印加停止時の帯電圧から該帯電圧の半分以下まで減衰する時間が１．０秒以下であるステルスダイシング用粘着シート。
【請求項２】
該粘着シートの２３℃におけるヤング率が３０〜６００ＭＰａである請求項１に記載のステルスダイシング用粘着シート。
【請求項３】
表面に回路が形成された半導体ウエハにレーザー光を照射して、ウエハ内部に改質部を形成する工程、
該半導体ウエハの裏面に、請求項１または２に記載のステルスダイシング用粘着シートを貼付する工程、
該粘着シートのエキスパンドにより、該半導体ウエハを分割してチップ化する工程、及び
該半導体チップをピックアップする工程を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハの内部にレーザー光を集光し、粘着シートをエキスパンドして半導体ウエハを個片化する工程（ステルスダイシング）に用いる粘着シートに関する。また、該粘着シートを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハは表面に回路が形成された後、ウエハの裏面側に研削加工を施し、ウエハの厚さを調整する裏面研削工程およびウエハを所定のチップサイズに個片化するダイシング工程が行われる。
【０００３】
近年のＩＣカードの普及にともない、その構成部材である半導体チップの薄型化が進められている。このため、従来３５０μｍ程度の厚みであったウエハを、５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くすることが求められるようになった。
【０００４】
脆質部材であるウエハは、薄くなるにつれて、加工や運搬の際、破損する危険性が高くなる。このような極薄ウエハは、高速回転するダイシングブレードにより切断されると、半導体ウエハの特に裏面側にチッピング等が生じ、チップの抗折強度が著しく低下する。
【０００５】
このため、レーザー光を半導体ウエハの内部に照射して選択的に改質部を形成させながらダイシングラインを形成し改質部を起点としてウエハを割断する、いわゆるステルスダイシング法が提案されている（特許文献１）。ステルスダイシング法によれば、レーザー光を半導体ウエハの内部に照射して改質部を形成後、極薄の半導体ウエハを基材と粘着剤層とからなる粘着シートに貼付し、粘着シートをエキスパンドすることで、ダイシングラインに沿って半導体ウエハを分割（ダイシング）し、半導体チップを歩留まりよく生産することができる。
【０００６】
しかしながら、このようなステルスダイシング法において、従来のダイシング工程において用いられる粘着シート（ダイシングシート）がそのまま用いられてきた。これを使用すると、粘着シートをエキスパンドして半導体ウエハを分割する際に、静電気が発生し、ウエハの分割面から発生する破片がダイシングシートと静電的に反発して飛散する結果、半導体チップの表面に付着し、半導体装置の信頼性及び生産性を低下させるおそれがある。
【０００７】
また、近年、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）と呼ばれる複雑な回路を形成することが要望されている。ＭＥＭＳは三次元的な構造を有し、回路表面に窪みやチップ内に空洞が形成されることがある。ＭＥＭＳが形成された半導体ウエハを、ステルスダイシング法にてダイシングする場合には、ＭＥＭＳ表面に付着した破片を除去するために水洗浄すると、破片が回路表面の窪みやＭＥＭＳ内部の空洞に侵入するおそれがあり、破片の除去が困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第３７６２４０９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものである。すなわち、本発明は、ステルスダイシング法において、エキスパンドの際に発生する半導体ウエハの破片が飛散しにくい粘着シートを提供することを目的としている。また、該粘着シートを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下のとおりである。
（１）基材と、その片面に形成された粘着剤層とからなるステルスダイシング用粘着シートであって、
該粘着シートの粘着剤層側から１００００Ｖの電圧を６０秒間印加したときの印加停止時の帯電圧が１０００Ｖ以下であり、
印加停止時の帯電圧から該帯電圧の半分以下まで減衰する時間が１．０秒以下であるステルスダイシング用粘着シート。
【００１１】
（２）該粘着シートの２３℃におけるヤング率が３０〜６００ＭＰａである（１）に記載のステルスダイシング用粘着シート。
【００１２】
（３）表面に回路が形成された半導体ウエハにレーザー光を照射して、ウエハ内部に改質部を形成する工程、
該半導体ウエハの裏面に、（１）または（２）に記載のステルスダイシング用粘着シートを貼付する工程、
該粘着シートのエキスパンドにより、該半導体ウエハを分割してチップ化する工程、及び
該半導体チップをピックアップする工程を含む半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係るステルスダイシング用粘着シートによれば、粘着シートをエキスパンドして半導体ウエハを分割する際に発生する静電気を少なくすることができ、ウエハの分割面から発生する破片の飛散を抑制すると共に、半導体チップの表面に該破片が付着することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係るステルスダイシング用粘着シートの断面図を示す。
【図２】半導体ウエハの回路形成面の平面図を示す。
【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係るステルスダイシング用粘着シートについて、図面を参照しながら、具体的に説明する。図１に示すように、本発明に係るステルスダイシング用粘着シート１０は、基材１と、その片面に形成された粘着剤層２とからなる。
【００１６】
ステルスダイシング用粘着シート１０の粘着剤層２側から１００００Ｖの電圧を６０秒間印加したときの印加停止時の帯電圧は、１０００Ｖ以下であり、好ましくは５００Ｖ以下、さらに好ましくは１００Ｖ以下である。
【００１７】
また、印加停止時の帯電圧から該帯電圧の半分以下まで減衰する時間（半減期）は、１．０秒以下であり、好ましくは０．５秒以下、さらに好ましくは０．３秒以下である。
【００１８】
半導体ウエハ１１の内部に集光点を合わせてレーザー光が照射され、回路間を区画する仮想的な切断予定ライン１８に沿ってウエハ内部に改質部が形成される。次いで、半導体ウエハ１１はステルスダイシング用粘着シート１０の粘着剤層２に貼付される。その後、粘着シート１０はエキスパンドされ、半導体ウエハ１１はチップ化（ダイシング）される。粘着シート１０の物性が上記範囲にあることで、エキスパンド時（チップ分割時）に各チップに発生する静電気を少なくすることができるため、半導体ウエハの分割面から発生する破片が飛散することを抑制し、半導体チップの表面に該破片が付着することを抑制することができる。
【００１９】
粘着シート１０の２３℃におけるヤング率は、好ましくは３０〜６００ＭＰａ、さらに好ましくは５０〜３００ＭＰａ、特に好ましくは１００〜２００ＭＰａである。粘着シート１０の２３℃におけるヤング率が上記範囲にあることで、エキスパンド工程において、粘着シート１０を均一に延伸させることができる。一方、粘着シート１０の２３℃におけるヤング率が６００ＭＰａよりも大きいと、粘着シート１０のエキスパンドが困難となる。また、粘着シート１０の２３℃におけるヤング率が３０ＭＰａよりも小さいと、粘着シート１０が軟質となり、取扱いが困難である。
【００２０】
なお、粘着シート１０の粘着剤層２を、後述するエネルギー線硬化型粘着剤で形成した場合には、エネルギー線照射の前後で、粘着シートの帯電圧、帯電圧の半減期、粘着シートのヤング率が変化する場合がある。エキスパンド工程は、通常、エネルギー線照射前に行うが、エネルギー線照射後に行われることもある。したがって、本発明において規定する粘着シートの帯電圧、帯電圧の半減期、ヤング率は、通常、エネルギー線照射前の物性値であるが、エネルギー線照射後に上記物性値を満足する粘着シートも本発明の範囲に含まれる。また、特にエキスパンド工程において上記物性値を満足することが好ましい。
【００２１】
このようなステルスダイシング用粘着シート１０は、図１に示すように、たとえば基材１の片面に粘着剤層２を形成して得られる。基材１は帯電防止処理された樹脂フィルムであることが好ましい。樹脂フィルムとしては、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルム、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）フィルム、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルム等のポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリウレタンフィルム、ポリウレタンアクリレートフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、およびその水添加物または変性物等からなるフィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルム、共重合体フィルムも用いられ、中でもエキスパンド性を考慮すると、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、ポリ塩化ビニルフィルムが好ましい。上記の樹脂フィルムは１種単独でもよいし、さらにこれらを２種類以上組み合わせた複合フィルムであってもよい。
【００２２】
上記の樹脂フィルムを帯電防止処理する方法としては、イオン性界面活性剤や非イオン性界面活性剤を樹脂中に練り込む方法や、帯電防止性能を有するコート剤を樹脂フィルム表面に塗布する方法が好ましい。イオン性界面活性剤としては、脂肪酸ナトリウム、モノアルキル硫酸塩等の陰イオン性界面活性剤、アルキルトリメチルアンモニウム塩、ジアルキルジメチルアンモニウム塩等の陽イオン性界面活性剤、アルキルアミノ脂肪酸ナトリウム等の両イオン性界面活性剤等が、非イオン性界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、アルキルモノグリセリルエーテル等が、また帯電防止性能を有するコート剤としては、ポリピロールやポリチオール等が挙げられる。
【００２３】
また、後述するように、粘着剤層２を紫外線硬化型粘着剤で形成し、粘着剤を硬化するために照射するエネルギー線として紫外線を用いる場合には、紫外線に対して透明である基材が好ましい。なお、エネルギー線として電子線を用いる場合には透明である必要はない。上記のフィルムの他、これらを着色した透明フィルム、不透明フィルム等を用いることができる。
【００２４】
また、基材１の上面、すなわち粘着剤層２が設けられる側の基材表面には粘着剤との密着性を向上するために、コロナ処理を施したり、プライマー層を設けてもよい。また、粘着剤層２とは反対面に各種の塗膜を塗工してもよい。粘着シート１０は、上記のような基材１上に粘着剤層２を設けることで製造される。基材１の厚みは、好ましくは４０〜９０μｍ、さらに好ましくは５０〜８０μｍの範囲にある。基材１として、帯電防止処理された樹脂フィルムを使用することにより、粘着シート１０全体の帯電防止性能が優れたものとなる。
【００２５】
粘着剤層２は、従来より公知の種々の粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。エネルギー線硬化（紫外線硬化、電子線硬化等）型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。
【００２６】
粘着剤層２をエネルギー線硬化型粘着剤で形成する場合、エネルギー線硬化型粘着成分と必要に応じ光重合開始剤とを配合した粘着剤組成物を用いて、粘着剤層を形成する。さらに、上記粘着剤組成物には、各種物性を改良するため、必要に応じ、その他の成分（架橋剤、帯電防止剤等）が含まれていてもよい。架橋剤としては、有機多価イソシアナート化合物、有機多価エポキシ化合物、有機多価イミン化合物等が挙げられる。また、帯電防止剤としては、アニオン性、カチオン性、非イオン性、ないし両イオン性の一般に公知の活性剤等が挙げられる。帯電防止剤は、粘着剤組成物中に好ましくは０．０５〜５０重量％、さらに好ましくは１〜２０重量％の範囲の量で用いられることが好ましい。以下、エネルギー線硬化型粘着成分について、アクリル系粘着剤を例として具体的に説明する。
【００２７】
エネルギー線硬化型粘着成分は、粘着剤組成物に十分な粘着性および造膜性（シート加工性）を付与するためにアクリル重合体（Ａ）を含有し、またエネルギー線硬化性化合物（Ｂ）を含有する。エネルギー線硬化性化合物（Ｂ）は、またエネルギー線重合性基を含み、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化し、粘着剤組成物の粘着力を低下させる機能を有する。また、上記成分（Ａ）および（Ｂ）の性質を兼ね備えるものとして、主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなるエネルギー線硬化型粘着性重合体（以下、成分（ＡＢ）と記載する場合がある）を用いてもよい。このようなエネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）は、粘着性とエネルギー線硬化性とを兼ね備える性質を有する。
【００２８】
アクリル重合体（Ａ）としては、従来公知のアクリル重合体を用いることができる。アクリル重合体（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万〜２００万であることが好ましく、１０万〜１５０万であることがより好ましい。また、アクリル重合体（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは−７０〜３０℃、さらに好ましくは−６０〜２０℃の範囲にある。
【００２９】
上記アクリル重合体（Ａ）を構成するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が１〜１８であるアルキル（メタ）アクリレート、例えばメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられ；環状骨格を有する（メタ）アクリレート、例えばシクロアルキル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、イミドアクリレートなどが挙げられ；水酸基を有する２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどが挙げられ、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレートなどが挙げられる。また、上記アクリル重合体（Ａ）は、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン、ビニルアセテートなどが共重合されたアクリル共重合体であることが好ましい。
【００３０】
エネルギー線硬化性化合物（Ｂ）は、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物である。このエネルギー線重合性化合物の例としては、エネルギー線重合性基を有する低分子量化合物（単官能、多官能のモノマーおよびオリゴマー）があげられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート、イソボルニルアクリレートなどの環状脂肪族骨格含有アクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、イタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が用いられる。このような化合物は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、通常は、分子量が１００〜３００００、好ましくは３００〜１００００程度である。
【００３１】
一般的には成分（Ａ）１００重量部に対して、成分（Ｂ）は１０〜４００重量部、好ましくは３０〜３５０重量部程度の割合で用いられる。
【００３２】
上記成分（Ａ）および（Ｂ）の性質を兼ね備えるエネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）は、主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなる。
【００３３】
エネルギー線硬化型粘着性重合体の主骨格は特に限定はされず、粘着剤として汎用されているアクリル共重合体であってもよく、またエステル型、エーテル型の何れであっても良いが、合成および粘着物性の制御が容易であることから、アクリル共重合体を主骨格とすることが特に好ましい。
【００３４】
エネルギー線硬化型粘着性重合体の主鎖または側鎖に結合するエネルギー線重合性基は、たとえばエネルギー線重合性の炭素−炭素二重結合を含む基であり、具体的には（メタ）アクリロイル基等を例示することができる。エネルギー線重合性基は、アルキレン基、アルキレンオキシ基、ポリアルキレンオキシ基を介してエネルギー線硬化型粘着性重合体に結合していてもよい。
【００３５】
エネルギー線重合性基が結合されたエネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万〜２００万であることが好ましく、１０万〜１５０万であることがより好ましい。また、エネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは−７０〜３０℃、より好ましくは−６０〜１０℃の範囲にある。
【００３６】
エネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）は、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を含有するアクリル粘着性重合体と、該官能基と反応する置換基とエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を１分子毎に１〜５個を有する重合性基含有化合物とを反応させて得られる。アクリル粘着性重合体は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を有する（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体と、前述した成分（Ａ）を構成するモノマーとからなる共重合体であることが好ましい。また、該重合性基含有化合物としては、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート；（メタ）アクリル酸等が挙げられる。
【００３７】
上記のようなアクリル重合体（Ａ）およびエネルギー線硬化性化合物（Ｂ）又は、エネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）を含むエネルギー線硬化型粘着成分は、エネルギー線照射により硬化する。エネルギー線としては、具体的には、紫外線、電子線等が用いられる。
【００３８】
光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、２,４,６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどが例示できる。エネルギー線として紫外線を用いる場合に、光重合開始剤を配合することにより照射時間、照射量を少なくすることができる。
【００３９】
粘着剤層２の厚みは、好ましくは３〜３０μｍ、さらに好ましくは５〜１５μｍの範囲である。粘着剤層２の厚みが上記範囲にあることで、半導体ウエハを良好に保持し、エキスパンドの際にチップやリングフレームが脱落することを防止することができる。また、半導体チップのピックアップ工程を良好に行うことができる。
【００４０】
また、粘着剤層２には、その使用前に粘着剤層を保護するために剥離シートが積層されていてもよい。剥離シートは、特に限定されるものではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂からなるフィルムまたはそれらの発泡フィルムや、グラシン紙、コート紙、ラミネート紙等の紙に、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル基含有カルバメート等の剥離剤で剥離処理したものを使用することができる。
【００４１】
基材１の表面に粘着剤層２を設ける方法は、剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布し形成した粘着剤層２を基材１の表面に転写しても構わないし、基材１の表面に直接塗布して粘着剤層２を形成しても構わない。
【００４２】
次に、本発明に係る粘着シート１０を用いる半導体装置の製造方法について説明する。本発明に係る半導体装置の製造方法について、表面に回路１３が形成された半導体ウエハ１１をチップ化する場合を例にとり説明する。図２に、表面に回路１３が形成された半導体ウエハ１１の回路面側の平面図を示す。なお、切断予定ライン１８は、各回路１３間を区画する仮想的なラインである。
【００４３】
半導体ウエハ１１はシリコンウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。ウエハ表面への回路１３の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。半導体ウエハの回路形成工程において、所定の回路１３が形成される。回路１３は、ウエハ１１の内周部１４表面に格子状に形成される。ウエハ１１の研削前の厚みは特に限定されないが、通常は５００〜１０００μｍ程度である。また、回路１３は、前述したＭＥＭＳのような複雑な形状を有する回路であってもよい。特に回路１３がＭＥＭＳの場合、回路表面の窪みやＭＥＭＳ内部の空洞に侵入した破片の除去が困難であるため、本発明の粘着シート１０を用いることによりウエハ１１の分割面から発生する破片の飛散を抑制すると共に、回路表面の窪みやＭＥＭＳ内部の空洞に破片が侵入することを抑制することができる。
【００４４】
裏面研削時には、表面の回路１３を保護するために回路面に、表面保護シートと呼ばれる粘着シートを貼付する。裏面研削は、ウエハ１１の回路面側（すなわち表面保護シート側）をチャックテーブル等により固定し、回路１３が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。この結果、研削後の半導体ウエハ１１の厚みは特に限定されないが、通常５０〜２００μｍ程度になる。裏面研削工程の後、研削によってウエハ裏面に生成した破砕層を除去する工程が行われてもよい。
【００４５】
裏面研削工程に続いて、必要に応じ裏面にエッチング処理などの発熱を伴う加工処理や、裏面への金属膜の蒸着、有機膜の焼き付けのように高温で行われる処理を施してもよい。なお、高温での処理を行う場合には、通常、表面保護シートを剥離した後に、裏面への処理を行う。
【００４６】
裏面研削後、ウエハ１１の裏面側からウエハ１１内部にレーザー光を照射する。レーザー光はレーザー光源より照射される。レーザー光源は、波長及び位相が揃った光を発生させる装置であり、レーザー光の種類としては、パルスレーザー光を発生するＮｄ−ＹＡＧレーザー、Ｎｄ−ＹＶＯレーザー、Ｎｄ−ＹＬＦレーザー、チタンサファイアレーザーなど多光子吸収を起こすものを挙げることができる。レーザー光の波長は、８００〜１１００ｎｍが好ましく、１０６４ｎｍがさらに好ましい。
【００４７】
レーザー光はウエハ内部に照射され、切断予定ライン１８に沿ってウエハ内部に改質部が形成される。ひとつの切断予定ラインをレーザー光が走査する回数は１回であっても複数回であってもよい。好ましくは、レーザー光の照射位置と、回路間の切断予定ライン１８の位置をモニターし、レーザー光の位置合わせを行いながら、レーザー光の照射を行う。
【００４８】
改質部形成後、図３に示すように、ウエハ１１の裏面に本発明に係るステルスダイシング用粘着シート１０の粘着剤層２を貼付し、ウエハ１１のダイシングを行う。なお、表面保護シートがウエハ表面に貼付されている場合には、粘着シート１０の貼付前または貼付後に表面保護シートを剥離する。粘着シート１０のウエハ裏面への貼付は、マウンターと呼ばれる装置により行われるのが一般的だが特に限定はされない。
【００４９】
レーザー光照射によりウエハ内部に改質部を形成した後、エキスパンドを行うと、粘着シート１０は伸長し、半導体ウエハ１１は、ウエハ内部の改質部を起点として個々のチップ１２に切断分離される。また、エキスパンドと同時に粘着シート１０を基材１側から治具等を用いてひっかくようにして、粘着シート１０を伸長しウエハ１１をチップ１２に切断分離することもできる。エキスパンドは、５〜６００ｍｍ／分の速度で行うことが好ましい。その後、チップ１２はピックアップされ、ボンディング工程を経て半導体装置が製造される。なお、粘着剤層２をエネルギー線硬化型粘着剤で形成した場合は、ピックアップ工程の前にエネルギー線を照射することが好ましい。
【００５０】
以上、本発明のステルスダイシング用粘着シート１０の使用例について説明したが、本発明のステルスダイシング用粘着シート１０は、通常の半導体ウエハ、ガラス基板、セラミック基板、ＦＰＣ等の有機材料基板、又は精密部品等の金属材料などの種々の物品のダイシングに使用することができる。
【実施例】
【００５１】
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５２】
＜ステルスダイシング条件＞
下記シリコンウエハの裏面側から、シリコンウエハ内部に下記の条件でレーザー光を照射した。次いで、シリコンウエハ裏面に実施例又は比較例の粘着シートを貼付し、リングフレームに固定した。その後、粘着シートをエキスパンドし、シリコンウエハをチップ化した。なお、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前に粘着シートをエキスパンドした。
・装置                ：Ｎｄ−ＹＡＧレーザー
・波長                ：１０６４ｎｍ
・繰り返し周波数      ：１００ｋＨｚ
・パルス幅            ：３０ｎｍ
・カット速度          ：１００ｍｍ／秒
・ウエハ材質          ：シリコン
・ウエハ厚            ：１００μｍ
・ウエハサイズ        ：５０ｍｍ×５０ｍｍ（正方形）
・粘着シートサイズ    ：約２０７ｍｍφ
・カットチップサイズ  ：５ｍｍ×５ｍｍ
【００５３】
＜粘着シートのヤング率＞
粘着シートのヤング率は、万能引張試験機（オリエンテック社製テンシロンＲＴＡ−Ｔ−２Ｍ）を用いて、ＪＩＳ  Ｋ７１６１：１９９４に準拠して、２３℃、湿度５０％の環境下において引張速度２００ｍｍ／分で測定した。なお、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前の粘着シートのヤング率を測定した。
【００５４】
＜粘着シートの帯電圧及び帯電圧半減期＞
実施例及び比較例で得られた粘着シートを４０ｍｍ×４０ｍｍのサイズにカットし、２３℃、湿度５０％の環境下で２４時間以上調湿後、帯電圧測定装置（シシド静電気社製  ＳＴＡＴＩＣ  ＨＯＮＥＳＴＭＥＴＥＲ）のターンテーブル上に粘着剤層面を上にして設置した。１３００ｒｐｍで回転させながら、粘着剤層側から１００００Ｖの電圧を６０秒間印加し、印加停止時の帯電圧を測定した。また、帯電圧が半分以下まで減衰する時間（帯電圧半減期）を測定した。なお、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前の粘着シートの帯電圧及び帯電圧半減期を測定した。
【００５５】
＜チップ分割率＞
上記のステルスダイシング条件で、シリコンウエハの内部に改質部を形成後、ウエハに実施例又は比較例の粘着シートと８インチウエハ用のリングフレームとを貼付し、エキスパンド装置（ディスコ社製、ＤＤＳ２０１０）を用いて、３００ｍｍ／分、１０ｍｍ引き落としの条件で粘着シートをエキスパンドし、ウエハをチップ化した。カットチップサイズにチップ化されたチップの数（完全に個片化されたチップの数）を目視にて数え、ウエハ上に想定された全チップ数（仮想チップの合計数）に対するチップ分割率を算出した。チップ分割率が９８％以上を「良好」、９８％未満を「不良」とした。なお、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前に粘着シートをエキスパンドした。
【００５６】
＜破片飛散防止性＞
デジタル顕微鏡（キーエンス製、倍率：５００倍）を用いて、半導体チップの表面に付着した破片（パーティクル）の個数を数えた。１０チップ分の破片の個数を数え、１チップ当たりの平均が０．５個未満の時を「非常に良好」、３個未満の時を「良好」、３個以上の時を「不良」とした。なお、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前の粘着シートの破片飛散防止性を評価した。
【００５７】
＜粘着剤層の貯蔵弾性率（Ｇ’）＞
実施例および比較例について、シリコーン剥離処理を行った２枚のポリエチレンテレフタレートフィルム（剥離フィルム）で挟まれた粘着剤層を得た。片方の剥離フィルムを剥がし、粘着剤層が重なるように積層を繰り返し、厚みが３ｍｍの粘着剤層を得た。直径８ｍｍの円柱形に型抜きして弾性率測定用の試料を作製した。両側の剥離フィルムを剥がし、この試料の捻り剪断法による周波数１Ｈｚ、温度２３℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）を、粘弾性測定装置（ＲＨＥＯＭＥＴＲＩＣ社製ＤＹＮＡＭＩＣ  ＡＮＡＬＹＺＥＲ ＲＤＡ−II）を用いて測定した。なお、エネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前の粘着剤層の貯蔵弾性率（Ｇ’）を測定した。
【００５８】
（実施例１）
アクリル共重合体（２−エチルヘキシルアクリレート／酢酸ビニル／アクリル酸／メチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート＝１８．５／７５／１／５／０．５（質量比）、Ｍｗ＝６０万、Ｔｇ＝５℃）１００重量部に対し、エネルギー線硬化性化合物として２官能ウレタンアクリレートオリゴマー（Ｍｗ＝８０００）６０重量部、６官能ウレタンアクリレートオリゴマー（Ｍｗ＝２０００）６０重量部を配合したエネルギー線硬化型粘着成分に、光重合開始剤（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製「イルガキュア１８４」）３重量部及び多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）３重量部を配合（すべて固形分換算による配合比）し、粘着剤組成物とした。
【００５９】
剥離フィルム（リンテック社製  ＳＰ−ＰＥＴ３８１１（Ｓ））に、上記粘着剤組成物を塗布した後に、乾燥（オーブンにて１００℃、１分間）させ、厚み１０μｍの粘着剤層を作製した。次いで、基材として、厚さ８０μｍの帯電防止剤混練ポリ塩化ビニルフィルム（ヤング率＝１５０ＭＰａ）を用い、粘着剤層を転写し、ステルスダイシング用粘着シートを得た。得られた粘着シートにおける粘着剤層の貯蔵弾性率（Ｇ’）は、０．２１ＭＰａであった。この粘着シートについて、「粘着シートのヤング率」及び「粘着シートの帯電圧及び帯電圧半減期」を測定し、「チップ分割率」及び「破片飛散防止性」を評価した。結果を表１に示す。
【００６０】
（実施例２）
アクリル共重合体（ブチルアクリレート／アクリル酸＝９１／９（質量比）、Ｍｗ＝６０万、Ｔｇ＝−３８℃）１００重量部に対し、エネルギー線硬化性化合物として３官能ウレタンアクリレートオリゴマー（Ｍｗ＝４０００）１２４重量部を配合したエネルギー線硬化型粘着成分に、光重合開始剤（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製「イルガキュア１８４」）３重量部及び多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）２．２重量部を配合（すべて固形分換算による配合比）し、粘着剤組成物とした。
【００６１】
基材として、帯電防止コート（ポリピロール）を基材片面に塗布した厚さ８０μｍのエチレン・メタクリル酸共重合体フィルム（ヤング率＝１２０ＭＰａ）を用い、粘着剤層を基材の帯電防止コート塗布面に転写した以外は、実施例１と同様にしてステルスダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。なお、得られた粘着シートにおける粘着剤層の貯蔵弾性率（Ｇ’）は、０．０８ＭＰａであった。結果を表１に示す。
【００６２】
（実施例３）
基材を、帯電防止コート（ポリピロール）を基材両面に塗布した厚さ８０μｍのエチレン・メタクリル酸共重合体フィルム（ヤング率＝１２０ＭＰａ）を用い、粘着剤層を基材の片面に転写した以外は、実施例２と同様にしてステルスダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。結果を表１に示す。
【００６３】
（実施例４）
アクリル共重合体（ブチルアクリレート／アクリル酸＝９１／９（質量比）、Ｍｗ＝６０万、Ｔｇ＝−３８℃）１００重量部に対し、エネルギー線硬化性化合物として３官能ウレタンアクリレートオリゴマー（Ｍｗ＝４０００）１２４重量部を配合したエネルギー線硬化型粘着成分に、光重合開始剤（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製「イルガキュア１８４」）３重量部及び多価イソシアナート化合物（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ）２．２重量部、及び帯電防止剤として４級アルキルアンモニウム１０重量部を配合（すべて固形分換算による配合比）し、粘着剤組成物とした以外は、実施例３と同様にしてステルスダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。なお、得られた粘着シートにおける粘着剤層の貯蔵弾性率（Ｇ’）は０．０９ＭＰａであった。結果を表１に示す。
【００６４】
（比較例１）
基材として、帯電防止処理していない厚さ８０μｍのポリ塩化ビニルフィルム（ヤング率＝２８０ＭＰａ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてステルスダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。なお、得られた粘着シートにおける粘着剤層の貯蔵弾性率（Ｇ’）は、０．２１ＭＰａであった。結果を表１に示す。
【００６５】
（比較例２）
基材として、帯電防止処理していない厚さ８０μｍのエチレン・メタクリル酸共重合体フィルム（ヤング率＝１２０ＭＰａ）を用いた以外は、実施例２と同様にしてステルスダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。なお、得られた粘着シートにおける粘着剤層の貯蔵弾性率（Ｇ’）は、０．０８ＭＰａであった。結果を表１に示す。
【００６６】
（比較例３）
基材として、帯電防止処理していない厚さ８０μｍのエチレン・メタクリル酸共重合体フィルム（ヤング率＝１２０ＭＰａ）を用いた以外は、実施例４と同様にしてステルスダイシング用粘着シートを得、測定及び評価を行った。なお、得られた粘着シートにおける粘着剤層の貯蔵弾性率（Ｇ’）は、０．０９ＭＰａであった。結果を表１に示す。
【００６７】
【表１】
2011119549.tif 000003
【００６８】
実施例１〜４のステルスダイシング用粘着シートは、チップ分割率及び破片飛散防止性ともに良好であった。特に、実施例１及び４は、帯電圧が低い（１００Ｖ以下である）ため、破片飛散防止性が非常に良好であった。
【符号の説明】
【００６９】
１…基材
２…粘着剤層
１０…ステルスダイシング用粘着シート
１１…半導体ウエハ
１２…半導体チップ
１３…回路
１８…切断予定ライン（仮想）
【図１】
2011119549.tif 000004
【図２】
2011119549.tif 000005
【図３】
2011119549.tif 000006