(57)【要約】【課題】使用後に絶縁材からの配線の剥離が容易な配線基板及びその製造方法、並びに配線基板の分解方法を提供する。【解決手段】本開示の配線基板１は、絶縁材１１と、絶縁材１１上に形成された配線１３と、絶縁材１１と配線１３との間に形成された金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を含む剥離層１２とを有する。金属炭酸塩は、例えば、炭酸マグネシウム、炭酸タリウム、炭酸銀、炭酸銅、炭酸鉛、炭酸亜鉛、炭酸鉄、又は炭酸コバルトである。金属炭酸水素塩は、例えば炭酸水素ナトリウム、又は炭酸水素カリウムである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁材と、
前記第１絶縁材上に形成された配線と、
前記第１絶縁材及び前記配線上に積層された第２絶縁材と、
前記第１絶縁材と前記配線の間、又は前記第２絶縁材と前記配線の間に形成された、炭酸マグネシウム、炭酸タリウム、炭酸銀、炭酸銅、炭酸鉛、炭酸亜鉛、炭酸鉄、若しくは炭酸コバルトからなる金属炭酸塩、又は、炭酸水素ナトリウム若しくは炭酸水素カリウムからなる金属炭酸水素塩を含む剥離層と、
を有する配線基板。
【請求項２】
絶縁材と、
前記絶縁材上に形成された配線と、
前記絶縁材と前記配線との間に形成された、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を含む剥離層と、
を有する配線基板。
【請求項３】
前記金属炭酸塩は、炭酸マグネシウム、炭酸タリウム、炭酸銀、炭酸銅、炭酸鉛、炭酸亜鉛、炭酸鉄、又は炭酸コバルトである、
請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記金属炭酸水素塩は、炭酸水素ナトリウム、又は炭酸水素カリウムである、
請求項２記載の配線基板。
【請求項５】
第１絶縁材と、
前記第１絶縁材上に形成された配線と、
前記第１絶縁材及び前記配線上に積層された第２絶縁材と、
前記第１絶縁材と前記配線の間、又は前記第２絶縁材と前記配線の間に形成された、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を含む剥離層と、
を有する配線基板。
【請求項６】
前記金属炭酸塩は、炭酸マグネシウム、炭酸タリウム、炭酸銀、炭酸銅、炭酸鉛、炭酸亜鉛、炭酸鉄、又は炭酸コバルトである、
請求項５記載の配線基板。
【請求項７】
前記金属炭酸水素塩は、炭酸水素ナトリウム、又は炭酸水素カリウムである、
請求項５記載の配線基板。
【請求項８】
絶縁材上に、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を含む剥離層を形成すること、
前記剥離層上に、配線を形成すること、
を有する配線基板の製造方法。
【請求項９】
絶縁材と、前記絶縁材上に形成された配線と、前記絶縁材と前記配線との間に形成された金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を含む剥離層とを有する配線基板を熱処理することにより前記剥離層を熱分解して、前記絶縁材から前記配線を剥離すること、
を有する配線基板の分解方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板及びその製造方法、並びに配線基板の分解方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、ＩＣカード等の各種の電子機器において、単層又は多層の配線基板が用いられ、これら配線基板の表面又は内部にはＩＣチップ等の電子素子が搭載されている。配線基板には、アルミニウム、銅等の金属が配線として使用されており、絶縁材と配線との密着性を向上させるための様々な提案がなされている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、世界的な環境意識の高まりとともに、配線基板を搭載した電子機器も環境ないしリサイクルに対する配慮が不可欠となってきている。このため、使用後の配線基板から配線を剥離して、配線金属を回収可能な配線基板が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２８１０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、配線基板を構成する配線又は絶縁材の表面には、通常、粗面化処理が施されており、これにより配線と絶縁材は強固に密着しており、絶縁材からの配線の剥離は非常に困難なものとなっている。さらに、絶縁材に一般に用いられるエポキシ樹脂やポリイミド樹脂は熱硬化性樹脂であり、融点をもたない。このため、絶縁材をそのまま加熱していくと炭化してしまうのみで、絶縁材から金属を剥離させることが非常に難しい。また、絶縁材として難燃性樹脂が用いられている配線基板では、熱処理により絶縁材から金属を剥離させることはさらに難しくなる。
【０００６】
そこで、使用後に絶縁材からの配線の剥離が容易な配線基板及びその製造方法、並びに配線基板の分解方法を提供することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示による配線基板は、絶縁材と、絶縁材上に形成された配線と、絶縁材と配線との間に形成された、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を含む剥離層とを有する。
【０００８】
上記構成によれば、絶縁材と配線との間に形成された剥離層に含まれる金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩の熱分解温度以上に加熱すると、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩は熱分解し、絶縁材からの配線の剥離が容易になる。金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩は熱分解されて二酸化炭素が生じる。このため、絶縁材と配線との界面にガス空間が生じることとなり、絶縁材からの配線の剥離が容易となる。熱分解により生じるガスが、無害且つ不活性な二酸化炭素であることから、安全性を確保しつつ配線材料を回収することが可能となる。
【０００９】
例えば、金属炭酸塩は、炭酸マグネシウム、炭酸タリウム、炭酸銀、炭酸銅、炭酸鉛、炭酸亜鉛、炭酸鉄、又は炭酸コバルトである。これらの無機金属炭酸塩であれば、熱分解することが確認されている。
【００１０】
例えば、金属炭酸水素塩は、炭酸水素ナトリウム、又は炭酸水素カリウムである。これらの無機金属炭酸水素塩であれば、熱分解することが確認されている。
【００１１】
また、本開示による配線基板は、第１絶縁材と、第１絶縁材上に形成された配線と、第１絶縁材及び配線上に積層された第２絶縁材と、第１絶縁材と配線の間、又は第２絶縁材と配線の間に形成された、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を含む剥離層とを有する。
【００１２】
さらに、本開示による配線基板は、第１絶縁材と、第１絶縁材上に形成された配線と、第１絶縁材及び配線上に積層された第２絶縁材と、第１絶縁材と配線の間、又は第２絶縁材と配線の間に形成された、炭酸マグネシウム、炭酸タリウム、炭酸銀、炭酸銅、炭酸鉛、炭酸亜鉛、炭酸鉄、若しくは炭酸コバルトからなる金属炭酸塩、又は、炭酸水素ナトリウム若しくは炭酸水素カリウムからなる金属炭酸水素塩を含む剥離層とを有する。
【００１３】
また、本開示による配線基板の製造方法は、絶縁材上に、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を含む剥離層を形成すること、剥離層上に、配線を形成することを有する。
【００１４】
さらに、本開示による配線基板の分解方法は、絶縁材と、絶縁材上に形成された配線と、絶縁材と配線との間に形成された金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を含む剥離層とを有する配線基板を熱処理することにより剥離層を熱分解して、絶縁材から配線を剥離することを有する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態の配線基板を示す断面図である。
【図２】第１実施形態の配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図３】第１実施形態の配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】第１実施形態の配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】第２実施形態の配線基板を示す断面図である。
【図６】第２実施形態の配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図７】第２実施形態の配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図８】第２実施形態の配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図９】第２実施形態の配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図１０】第２実施形態の配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図１１】第２実施形態の配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図１２】第３実施形態の配線基板を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右などの位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本開示を説明するための例示であり、本開示をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本開示は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。
【００１７】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る配線基板１を示す断面図である。配線基板１は、絶縁材１１と、絶縁材１１上に形成された剥離層１２と、剥離層１２上に形成された配線１３とを有する。図示しない領域において、配線基板１の表面又は内部に、電子素子が搭載されている。
【００１８】
絶縁材１１は、例えば樹脂絶縁材又は無機絶縁材からなる。樹脂絶縁材として、例えばガラスエポキシ樹脂、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニール、ポリエチレン、アミラン又はポリプロピレン等を用いることができる。また、無機絶縁材として、窒化珪素、二酸化ケイ素等を用いることができる。
【００１９】
剥離層１２は、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を含み、例えば金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩からなる。金属炭酸塩の中で所定の温度で熱分解するものとして、例えば、炭酸マグネシウム（熱分解温度：６００℃）、炭酸タリウム（熱分解温度：２７２℃）、炭酸銀（熱分解温度：２２０℃）、炭酸銅（熱分解温度：２２０℃）、炭酸鉛（熱分解温度：３１５℃）、炭酸亜鉛（熱分解温度：１５０℃）、炭酸鉄（熱分解温度：２００℃）、炭酸コバルト（熱分解温度：３５０℃）が挙げられる。また、金属炭酸水素塩の中で所定の温度で熱分解するものとして、例えば、炭酸水素ナトリウム（熱分解温度：２７０℃）、炭酸水素カリウム（熱分解温度：１００〜２００℃）が挙げられる。
【００２０】
例えば、配線基板の製造において使用されるリフロー温度（２６０℃程度）への耐熱性を備える金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩として、炭酸タリウム、炭酸マグネシウム、炭酸鉛及び炭酸コバルト、炭酸鉄、炭酸水素ナトリウムが挙げられる。耐熱性を高める観点からは、炭酸マグネシウムを用いることができる。
【００２１】
配線１３は、金属又は合金であればよく、例えば銅が使用される。ただし、銅以外にも、アルミニウム、白金、金、銀、パラジウム、スズ、ニッケル、クロム等を用いてもよい。
【００２２】
配線１３として、金属箔を用いてもよい。この場合には、例えば、銅、アルミニウム、白金、金、銀、スズ、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、真鍮、ジュラルミン、あるいはステンレス等からなる金属箔が用いられる。金属箔の厚さは、例えば２００μｍ以下である。
【００２３】
配線基板１の表面又は内部に搭載された電子素子として、例えばキャパシタ、抵抗素子等の受動素子、ＩＣチップ等の能動素子が挙げられる。あるいは、このような電子素子として、ＣＣＤセンサ、ＣＭＯＳセンサ等の撮像素子、液晶表示素子等の表示素子が用いられる。
【００２４】
次に、上記の配線基板の製造方法について、図２〜図４を参照して説明する。まず、図２に示すように、絶縁材１１を用意する。例えば、絶縁材１１として、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ、又はポリイミド等の樹脂フィルムを用いる。
【００２５】
次に、図３に示すように、絶縁材１１上に、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を含む剥離層１２を形成する。例えば、炭酸マグネシウムなどの無機金属炭酸塩の粉体を水等の溶媒に分散して塗布し、乾燥する。用いる粉体は無機金属炭酸塩そのものでもよいが、噴霧乾燥法のような方法で無機金属炭酸塩の表面をエポキシ樹脂やポリイミド等の樹脂により覆ってマイクロカプセル化したものでもよい。炭酸マグネシウムの粉体として、日鉄鉱業製のチューブ状マイクロ粉体を用いることができる。
【００２６】
次に、図４に示すように、剥離層１２上に金属層１３ａを形成する。例えば、剥離層１２上に、銅箔を熱圧着する。剥離層１２への銅箔の密着性を向上させるため、例えば、表面を粗面化処理した銅箔を用いてもよい。あるいは、剥離層１２の表面をエッチング等により粗面化してもよい。金属層１３ａの形成方法として、金属箔の熱圧着以外にも、例えば無電解めっき法やスパッタリング法を用いてもよい。
【００２７】
次に、金属層１３ａをパターニングすることにより、配線１３を形成する（図１参照）。例えば、金属層１３ａ上にレジストを塗布し、レジストを露光、現像してレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した金属層１３ａをエッチングし、最後にレジストパターンを除去する。なお、配線１３のパターン形成方法は、上記のサブトラクト法（金属層の不要な部分を除去して必要な部分を残し配線を形成する方法）に限定されず、例えばアディティブ法を用いてもよい。アディティブ法を用いた場合、例えば、剥離層１２上にレジストを塗布し、レジストを露光、現像してレジストパターンを形成し、全面に金属層をめっきし、レジストパターン及び当該レジストパターン上に堆積した金属層を除去すればよい。
【００２８】
図示はしないが、例えば、配線基板１の表面に、ＩＣチップ等の電子素子が搭載される。例えば、ＩＣチップの端子面と配線基板１との間に異方性導電膜を介在させた状態で、両者を熱圧着することにより、配線基板１上にフェースダウン（チップの端子面を配線基板側に向けて搭載すること）でＩＣチップを搭載する。あるいは、配線基板１上にフェースアップ（チップの端子面の裏面を配線基板に向けて搭載すること）でＩＣチップを搭載してもよい。この場合には、例えば、接着剤によりＩＣチップの端子面の裏面を配線基板１上に固着し、ＩＣチップの端子面と配線基板１とをワイヤボンディングにより電気的に接続すればよい。
【００２９】
上記の本実施形態の配線基板では、使用後に剥離層１２に含まれる金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩の熱分解温度以上に加熱すると、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩が熱分解して二酸化炭素を発生する。このように絶縁材１１と配線１３との間にガス空間が生じることにより、絶縁材１１に対する配線１３の密着強度を大幅に低下させることができ、絶縁材１１からの配線１３の剥離を容易にすることができる。
【００３０】
この剥離層１２の材料として、リサイクル時の熱処理温度よりも低い熱分解温度をもつ金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を選択すればよい。例えば、熱処理温度が６００℃以上であれば、剥離層１２として炭酸マグネシウムを用いることができる。この場合には、配線基板１から電子素子を分離した後、６００℃以上の温度で加熱すると、絶縁材１１と配線１３との間に二酸化炭素が発生し、高温のために二酸化炭素が膨張することにより、絶縁材１１と配線１３とを引き剥がすようなガス圧力が生じる。このため、加熱処理後又は加熱処理を行ないながら、絶縁材１１から配線１３を剥離することができ、絶縁材を主成分とする廃棄物成分と、配線金属材料を主成分とする廃棄物成分とに分離することができ、その後の回収処理を容易かつ経済的にすることができる。ただし、本開示はリサイクル方法に限定されない。
【００３１】
以上のように、本実施形態に係る配線基板によれば、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を含む剥離層１２の存在により、配線基板のリサイクル又は廃棄処理における金属回収処理の効率向上に資することができる。剥離層１２は、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩をコーティングするのみで形成できることから、リサイクルのためのコストを増大させることもない。
【００３２】
また、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩が熱分解により発生するガスは、無害な二酸化炭素であることから、リサイクル時の安全性の高い配線基板を提供できる。また、比較的耐熱性の高い炭酸マグネシウム（熱分解温度：６００℃）を用いることにより、通常の使用時において耐熱性が高く信頼性を向上させた配線基板を提供できる。
【００３３】
（第２実施形態）
第２実施形態は、２層以上の配線をもつ配線基板に関する。図５は、第２実施形態に係る配線基板２を示す断面図である。配線基板２は、絶縁材１１，２１，３１の積層体を含む。絶縁材１１の両面には剥離層１２，１４が形成されている。剥離層１２上には配線１３が形成され、剥離層１４上には配線１５が形成されている。絶縁材１１には、絶縁材１１の両面の配線１３と配線１５とを接続するためのビア１７が貫通形成されている。一方、絶縁材２１の両面には剥離層２２，２４が形成されている。剥離層２２上には配線２３が形成され、剥離層２４上には配線２５が形成されている。絶縁材２１には、絶縁材２１の両面の配線２３と配線２５とを接続するためのビア２７が貫通形成されている。絶縁材２１及び絶縁材１１は、絶縁材３１を介在させて接着されている。絶縁材２１に形成された配線２３と、絶縁材１１に形成された配線１５とを接続するためのビア４１が絶縁材１１，２１，３１を貫通して形成されている。図示しない領域において、配線基板２の表面又は内部に、電子素子が搭載されている。
【００３４】
図５に示す配線基板２は、絶縁材（第１絶縁材）１１と、絶縁材１１上に形成された配線１３と、絶縁材１１及び配線１３上に積層された絶縁材（第２絶縁材）３１と、絶縁材１１と配線１３の間に形成された、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を含む剥離層１２とを備える。
【００３５】
絶縁材１１，２１，３１の材料は、例えば樹脂絶縁材又は無機絶縁材からなり、第１実施形態の絶縁材１１として例示したものを用いることができる。また、剥離層１２，１４，２２，２４は、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を含み、第１実施形態の金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩として例示したものを用いることができる。さらに、配線１３，１５，２３，２５は、金属又は合金であればよく、例えば第１実施形態の配線１３として例示したものを用いることができる。配線基板２の表面又は内部に搭載された電子素子として、例えば第１実施形態において例示したものを用いることができる。
【００３６】
次に、上記の配線基板の製造方法について、図６〜図１１を参照して説明する。まず、絶縁材１１の両面に剥離層１２、１４を形成し、剥離層１２，１４上に配線１３，１５を形成する。各剥離層及び配線の形成方法は、第１実施形態で例示したものを用いることができる。
【００３７】
次に、図６に示すように、絶縁材１１にビアホール１６を形成する。ビアホール１６の形成方法として、例えば、ドリルを用いた加工方法、レーザを用いた加工方法、リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いた加工方法を用いることができる。
【００３８】
次に、図７に示すように、ビアホール１６を導体で埋め込むことにより、ビア１７を形成する。導体の埋め込み方法としては、無電解めっき、導体ペーストを用いることができる。以上により、絶縁材１１と、絶縁材１１の両面に剥離層１２，１４を介して形成された配線１３，１５と、絶縁材１１を貫通するビア１７とを有する基材１０が形成される。
【００３９】
次に、図８に示すように、絶縁材２１と、絶縁材２１の両面に剥離層２２，２４を介して形成された配線２３，２５と、絶縁材２１を貫通するビア２７とを有する基材２０を形成する。基材２０の形成方法は、基材１０の形成方法と同様である。
【００４０】
次に、図９に示すように、絶縁材３１を介在させた状態で、２つの基材１０，２０を熱圧着する。これにより、図１０に示すように、絶縁材１１上に絶縁材３１及び絶縁材２１が積層された構造体が形成される。例えば、絶縁材３１として、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグを用いる。熱圧着することにより、半硬化状態のプリプレグが硬化して、２つの基材１０，２０が強固に密着する。
【００４１】
次に、図１１に示すように、絶縁材１１，２１，３１を貫通するビアホール４０を形成する。ビアホール４０の形成方法として、例えば、ドリルを用いた加工方法、レーザを用いた加工方法、リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いた加工方法を用いることができる。
【００４２】
次に、ビアホール４０を導体で埋め込むことにより、ビア４１を形成する（図５参照）。導体の埋め込み方法としては、無電解めっき、導体ペーストを用いることができる。これにより、配線基板２の一方面側の配線２３と、他方面側の配線１５とを接続するビア４１が形成される。
【００４３】
図示はしないが、例えば、配線基板２の表面に、ＩＣチップ等の電子素子が搭載される。電子素子の搭載方法は、第１実施形態で説明したとおりである。
【００４４】
上記の本実施形態の多層の配線基板２では、使用後に剥離層１２，１４，２２，２４に含まれる金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩の熱分解温度以上に加熱すると、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩が熱分解して二酸化炭素を発生する。このように絶縁材１１と配線１３，１５との間及び絶縁材２１と配線２３，２５との間にガス空間が介在することにより、絶縁材１１，２１に対する配線１３，１５，２３，２５の密着強度を大幅に低下させることができ、絶縁材からの配線の剥離を容易にすることができる。
【００４５】
以上のように、本実施形態に係る配線基板によれば、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を含む剥離層の存在により、多層配線基板のリサイクル又は廃棄処理における金属回収処理の効率向上に資することができる。また、第１実施形態で説明したとおり、コスト、安全性、耐熱性の面で優れた配線基板を提供できる。
【００４６】
（第３実施形態）
第３実施形態は、第２実施形態の変形態様に関する。図１２は、第３実施形態に係る配線基板３を示す断面図である。第３実施形態の配線基板は、配線１３と絶縁材３１との間に剥離層３２が形成され、配線２５と絶縁材３１との間に剥離層３３が形成されている点を除いて、第２実施形態の配線基板と同じである。
【００４７】
絶縁材１１，２１，３１は、例えば樹脂絶縁材又は無機絶縁材からなり、樹脂絶縁材又は無機絶縁材として、第１実施形態において例示したものを用いることができる。また、剥離層１２，１４，２２，２４，３２，３３は、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を含み、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩として、第１実施形態において例示したものを用いることができる。さらに、配線１３，１５，２３，２５は、金属又は合金であればよく、金属又は合金として、例えば第１実施形態において例示したものを用いることができる。配線基板３の表面又は内部に搭載された電子素子として、例えば第１実施形態において例示したものを用いることができる。
【００４８】
上記の配線基板の製造方法は、図９に示す工程において、絶縁材３１の両面に予め剥離層３２，３３を形成する点を除いて、第２実施形態で示した製造方法と同じである。剥離層の形成方法として、第１実施形態で例示したものを用いることができる。
【００４９】
上記の本実施形態の多層の配線基板３では、使用後に剥離層１２，１４，２２，２４，３２，３３に含まれる金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩の熱分解温度以上に加熱すると、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩が熱分解して二酸化炭素を発生する。このように絶縁材１１と配線１３，１５との間、絶縁材２１と配線２３，２５との間、及び絶縁材３１と配線１３，２５との間にガス空間が介在することにより、絶縁材１１，２１，３１に対する配線１３，１５，２３，２５の密着強度を大幅に低下させることができ、絶縁材からの配線の剥離を容易にすることができる。
【００５０】
以上のように、本実施形態に係る配線基板によれば、金属炭酸塩又は金属炭酸水素塩を含む剥離層の存在により、多層配線基板のリサイクル又は廃棄処理における金属回収処理の効率向上に資することができる。また、第１実施形態で説明したとおり、コスト、安全性、耐熱性の面で優れた配線基板を提供できる。
【００５１】
なお、上述したとおり、本開示は、上記の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない限度において様々な変形が可能である。例えば、第３実施形態では、絶縁材（第１絶縁材）１１と配線１３の間、及び絶縁材（第２絶縁材）３１と配線１３の間に剥離層１２，３２が形成されている例について説明したが、絶縁材１１と配線１３の間、又は絶縁材３１と配線１３の間のいずれかのみに剥離層が形成されていてもよい。絶縁材２１と絶縁材３１との間の剥離層２４，３３についても同様である。なお、当業者にとっては、明細書、請求の範囲、または図面のどれであるかにかかわらず複数の選択的な用語を提示している択一的な単語や句は実質的にすべて、その用語のうちどれか一つ、用語のいずれか、または両方の用語を含む可能性が意図されていると理解されるべきことが理解される。例えば、「Ａ又はＢ」という句は、「Ａ」または「Ｂ」または「Ａ及びＢ」の可能性が含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本開示の配線基板は、ほとんど全ての電子機器に利用することができる。例えば、携帯電話、ＩＣカード、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、カーナビゲーション、ゲーム機、デジタルカメラ、ＤＶＤプレイヤー、ＣＤプレイヤー、電子手帳、電子辞書、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末、ビデオカメラ、プリンター等の電子機器に適用することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１…配線基板、１０…基材、１１…絶縁材、１２，１４…剥離層、１３，１５…配線、１３ａ…金属層、１６…ビアホール、１７…ビア、２０…基材、２１…絶縁材、２２，２４…剥離層、２３，２５…配線、２６…ビアホール、２７…ビア、３１…絶縁材、３２，３…剥離層、４０…ビアホール、４１…ビア。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2011176076.tif 000011
【図１０】
2011176076.tif 000012
【図１１】
2011176076.tif 000013
【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】平成22年7月7日(2010.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁材と、
前記第１絶縁材上に形成された配線と、
前記第１絶縁材及び前記配線上に積層された第２絶縁材と、
前記第１絶縁材と前記配線の間、又は前記第２絶縁材と前記配線の間に形成された、炭酸マグネシウム、炭酸タリウム、炭酸銀、炭酸銅、炭酸鉛、炭酸亜鉛、炭酸鉄、若しくは炭酸コバルトからなる金属炭酸塩を熱分解材料として含む剥離層と、
を有する配線基板。
【請求項２】
絶縁材と、
前記絶縁材上に形成された配線と、
前記絶縁材と前記配線との間に形成された、金属炭酸塩を熱分解材料として含む剥離層と、
を有する配線基板。
【請求項３】
前記金属炭酸塩は、炭酸マグネシウム、炭酸タリウム、炭酸銀、炭酸銅、炭酸鉛、炭酸亜鉛、炭酸鉄、又は炭酸コバルトである、
請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
第１絶縁材と、
前記第１絶縁材上に形成された配線と、
前記第１絶縁材及び前記配線上に積層された第２絶縁材と、
前記第１絶縁材と前記配線の間、又は前記第２絶縁材と前記配線の間に形成された、金属炭酸塩を熱分解材料として含む剥離層と、
を有する配線基板。
【請求項５】
前記金属炭酸塩は、炭酸マグネシウム、炭酸タリウム、炭酸銀、炭酸銅、炭酸鉛、炭酸亜鉛、炭酸鉄、又は炭酸コバルトである、
請求項４記載の配線基板。
【請求項６】
絶縁材上に、金属炭酸塩を熱分解材料として含む剥離層を形成すること、
前記剥離層上に、配線を形成すること、
を有する配線基板の製造方法。
【請求項７】
絶縁材と、前記絶縁材上に形成された配線と、前記絶縁材と前記配線との間に形成された金属炭酸塩を熱分解材料として含む剥離層とを有する配線基板を熱処理することにより前記剥離層を熱分解して、前記絶縁材から前記配線を剥離すること、
を有する配線基板の分解方法。