(57)【要約】【課題】配線構造を支持体の縁の近くに配置しなければならないという欠点を有していない、実装がしやすい新しい配線構造を見つけ、そのような構造を形成するための方法を提供すること。【解決手段】本発明は、少なくとも１つの穴が形成されている支持体（２００）を備える配線デバイスであり、穴は閉じた外形を形成する、キャビティ（２０３）によって形成される壁と、そのキャビティと連通する１つまたは複数のスロット（２０５ａ〜２０５ｂ、２１５ａ〜２１５ｂ）とを有し、スロットは支持体の主平面と非ゼロの角度をなす方向に延在し、複数の導電要素（２１４）は穴の少なくとも１つの壁に位置して穴部分を貫通し、導電要素はそれぞれ支持体のいずれかの側に配置されている導電性領域同士を接続することが意図されており、前記スロットの少なくとも１つは前記導電要素の２つを互いから隔てる配線デバイスに関する。【選択図】図９Ａ
2011097059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の重ね合わされた（１００、２００）基材および／または層（１００ａ、１００ｂ）によって形成された支持体を備える配線デバイスであって、少なくとも１つの穴が形成され、前記穴が、閉じられた外形を形成する、キャビティ（１０３、２０３、３０３）によって形成される壁と、前記キャビティと連通する１つまたは複数のスロット（１０５ａ〜１０５ｈ、２０５ａ〜２０５ｈ、２１５ａ〜２１５ｂ）とを有し、前記キャビティ（３０３）が、第１の基材（１００ａ）内に作製された第１の開口部と、第１の開口部と異なるセクションを持ち、第２の基材（１００ｂ）内に作製された第２の開口部とによって形成され、前記スロットが前記穴の長さの全部または一部にわたって延在し、１つまたは複数の導電要素（１０４ａ〜１０４ｈ、１１４ａ〜１１４ｂ、１１４、２１４、３１４）が、前記穴の少なくとも１つの壁上に位置して穴の部分を貫通し、前記導電要素が、それぞれ前記支持体のいずれかの側に配置されている導電性領域を互いに接続することが意図されている配線デバイス。
【請求項２】
前記スロットのうちの少なくとも１つは、前記導電要素のうちの２つを互いから隔てる請求項１に記載の配線デバイス。
【請求項３】
前記スロット（１１５ａ、１１５ｂ）のうちの１つの中に収納され、前記スロットに沿って延在する少なくとも１つの導電要素（１１４ａ、１１４ｂ）を備える請求項１または２に記載の配線デバイス。
【請求項４】
前記キャビティ（１０３）は、前記支持体（１００）の厚みを貫通する請求項１から３のいずれか一項に記載の配線デバイス。
【請求項５】
前記キャビティの底部は、ブラインドである請求項１から４のいずれか一項に記載の配線デバイス。
【請求項６】
前記スロット（２０５ａ、２０５ｂ）は、前記第１の開口部（２０５ａ）と連通し、前記基材内に形成された前記キャビティに沿って前記第２の基材（２００ｂ）内に形成された１つまたは複数の他のスロット（２１５ａ、２１５ｂ）は、前記第２の開口部（２０３ｂ）と連通する請求項１から５のいずれか一項に記載の配線デバイス。
【請求項７】
前記キャビティの前記壁は、導電性材料で覆われている請求項１から６のいずれか一項に記載の配線デバイス。
【請求項８】
支持体を貫通する導電性パッドを形成する工程と、
前記支持体の厚みの中にキャビティを形成して前記導電性パッドの一部を開いて取り除き、このときに前記パッドの前記他の部分が保持され、溝（１１５ａ、１１５ｂ）の中に収納された導電要素（１１４ａ、１１４ｂ）を形成する工程とを含む請求項１から７のいずれか一項に記載の配線デバイスを形成する方法。
【請求項９】
支持体の厚みにキャビティを形成する工程と、
導電性ベースが前記キャビティの前記壁を覆う領域を形成する工程と、
前記導電性材料を開くように、前記キャビティと連通する少なくとも１つのスロットを形成する工程とを含む請求項１から７のいずれか一項に記載の配線デバイスを形成する方法。
【請求項１０】
支持体の厚みにキャビティを形成し、前記キャビティと連通してその全部または一部に延在するスロットを形成する工程と、
前記スロットを前記キャビティから隔てるために、前記スロット内に犠牲材料の層を形成する工程と、
前記キャビティの前記壁に導電性層を形成する工程と、
犠牲材料の前記層を取り除き、前記スロットと前記キャビティとの間の前記導電性層の一部を取り除く工程とを含む請求項１から７のいずれか一項に記載の配線デバイスを形成する方法。
【請求項１１】
前記支持体の厚みにキャビティを形成する工程と、
前記キャビティと連通し、その全部または一部の上へ延在する少なくとも１つのスロットを形成する工程であって、前記スロットを前記支持体に平行な平面内で、前記スロットと前記キャビティとの間の接続部に狭隘部を持つ可変セクションを有するように作製する工程と、
前記壁の上、および前記スロットの一部の上に導電性材料の指向性堆積を実行する工程とを含む請求項１から７のいずれか一項に記載の配線デバイスを形成する方法。
【請求項１２】
支持体（１００、２００）を備える配線デバイスであって、少なくとも１つの穴が形成され、前記穴が、閉じられた外形を形成する、キャビティ（１０３、２０３、３０３）によって形成される壁と、前記キャビティと連通する１つまたは複数のスロット（１０５ａ〜１０５ｈ、２０５ａ〜２０５ｈ、２１５ａ〜２１５ｂ）とを有し、前記スロットは前記穴の長さの全部または一部にわたって延在し、１つまたは複数の導電要素は前記支持体（１０４ａ〜１０４ｈ、１１４ａ〜１１４ｂ、１１４、２１４、３１４）のいずれかの側部上に配置される導電性領域を互いに接続して前記キャビティの壁の少なくとも一部および前記スロットの一部のみを覆うことが意図されており、前記スロットは前記スロット内の接続要素と前記キャビティの前記導電要素との間の電気的不連続を確実にする配線デバイス。
【請求項１３】
前記キャビティ（１０３）は、前記支持体（１００）の厚みを貫通する請求項１２に記載の配線デバイス。
【請求項１４】
前記キャビティは、前記支持体（１００ａ）内に形成されるブラインドオリフィスによって形成されている請求項１２または１３に記載の配線デバイス。
【請求項１５】
前記支持体（１００）は、複数の重ね合わされた基材および／または層（１００ａ、１００ｂ）によって形成されている請求項１２から１４のいずれか一項に記載の配線デバイス。
【請求項１６】
前記キャビティ（３０３）は、第１の基材（１００ａ）内に作製された第１の開口部および前記第１の開口部と異なるセクションを持ち、第２の基材（１００ｂ）内に作製された第２の開口部によって形成されている請求項１５に記載の配線デバイス。
【請求項１７】
前記スロット（２０５ａ、２０５ｂ）は、前記第１の開口部（２０５ａ）と連通し、前記基材内に形成された前記キャビティに沿って前記第２の基材（２００ｂ）内に形成された１つまたは複数の他のスロット（２１５ａ、２１５ｂ）は、前記第２の開口部（２０３ｂ）と連通している請求項５に記載の配線デバイス。
【請求項１８】
ａ．前記支持体の厚みにキャビティを形成する工程と、
ｂ．前記キャビティと連通し、その全部または一部の上へ延在する少なくとも１つのスロットを形成する工程であって、前記スロットを前記支持体に平行な平面内で前記スロットと前記キャビティとの間の接続部に狭隘部を持つ可変セクションを有するように作製する工程と、
ｃ．前記壁の上、および前記スロットの一部の上に導電性材料の指向性堆積を実行する工程とを含む請求項１２から１７のいずれか一項に記載の配線デバイスを形成する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロエレクトロニクスおよびマイクロシステムの分野に関するものであり、より具体的には、「ウェハレベルパッケージング」（ＷＬＰ）工程と一般に呼ばれる工程、つまり、基本回路に切り分ける前にウェハ上に作製される集積回路パッケージを形成するための工程の実行時に特に作製される配線構造の分野に関する。
【０００２】
これは、支持体のいずれかの側に配置されている要素を互いに接続するために支持体内に形成されたキャビティ内に１つまたは複数のコンタクトライズ（ｃｏｎｔａｃｔ  ｒｉｓｅ）を有する改善された配線構造、さらにはそのような構造を製造するための方法を提供する。
【背景技術】
【０００３】
文献「Ｓｐｉｎ，  Ｓｐｒａｙ  ｃｏａｔｉｎｇ  ａｎｄ  Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｏｆ  ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ  ｆｏｒ  ＭＥＭＳ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ  −  Ａ  ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ」、Ｐｈａｍら、Ｄｅｌｆｔ  Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，  ＤＩＭＥＳでは、キャビティ内に配置されている導電性領域とキャビティの上に配置されている他の要素との間の接続を確立することを可能にする導電要素を備える、キャビティの傾斜壁上に形成されたコンタクトライズを含む配線構造を提示している。
【０００４】
コンタクトライズの形成は、キャビティの壁が垂直である場合に問題となる。
【０００５】
文献国際公開第０１／４５１７２号では、支持体の縁をソーイングしてスロットを作製し、次いで、金属材料を前記スロット内に堆積することによって形成される三次元配線構造を形成するための方法を提示している。
【０００６】
こうして形成される配線構造は、支持体の縁の近くに配置されなければならない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第０１／４５１７２号
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ｐｈａｍ、「Ｓｐｉｎ，  Ｓｐｒａｙ  ｃｏａｔｉｎｇ  ａｎｄ  Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｏｆ  ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ  ｆｏｒ  ＭＥＭＳ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ  −  Ａ  ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ」、Ｄｅｌｆｔ  Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，  ＤＩＭＥＳ
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
問題は、前述の欠点を有していない、実装がしやすい新しい配線構造を見つけ、そのような構造を形成するための方法を発見することである。
【００１０】
本発明は、第１に、少なくとも１つの穴が形成されている支持体を備える配線デバイスに関するものであり、穴は、閉じた外形を形成する、キャビティによって形成される壁と、そのキャビティと連通する１つまたは複数のスロットとを有し、スロットの少なくとも一部は穴に沿って延在し、デバイスは穴の少なくとも１つの壁に位置決めされ穴部分を貫通する１つまたは複数の導電要素を備え、導電要素はそれぞれ支持体のいずれかの側に配置されている導電性領域同士を接続することが意図されている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
考えられる１つの実施形態によれば、前記スロットのうちの少なくとも１つは、前記導電要素の２つを互いから隔てる。
【００１２】
考えられる１つの実施形態によれば、デバイスは、前記溝のうちの１つの中に収納され、前記スロットに沿って延在する少なくとも１つの導電要素を備えることができる。
【００１３】
キャビティは、支持体の厚みを貫通することができる。
【００１４】
１つの代替形態によれば、キャビティは、支持体内に形成されたブラインドオリフィスによって形成されうる。
【００１５】
支持体は、複数の基材および／または重ね合わせた層によって形成されうる。
【００１６】
キャビティは、第１の基材内に作製された第１の開口部および第１の開口部と異なるセクションを持ち、第２の基材内に作製された第２の開口部によって形成されうる。
【００１７】
スロットは、前記第１の開口部と連通し、１つまたは複数の他のスロットが第２の開口部と連通する前記基材内に形成されたキャビティに沿って第２の基材内に形成されうる。
【００１８】
キャビティの壁は、導電性材料で覆われうる。したがって、キャビティの周に、電磁波による混乱を防ぐ保護体を形成することが可能である。
【００１９】
本発明は、上記のような配線デバイスを製造するための方法にも関係し、この方法は、
−支持体を貫通する導電性パッドを形成する工程と、
−支持体の厚みの中にキャビティを形成して導電性パッドの一部を開いて取り除き、このときにパッドの他の部分が保持され、パッドの他の部分が溝の中に収納された導電要素を形成する工程とを含む。
【００２０】
本発明は、上記のような配線デバイスを製造するための方法にも関係し、この方法は、
−支持体の厚みにキャビティを形成する工程と、
−導電性ベースがキャビティの壁を覆う領域を形成する工程と、
−導電性材料を開くように、キャビティと連通する少なくとも１つのスロットを形成する工程とを含む。
【００２１】
本発明は、上記のような配線デバイスを製造するための方法にも関係し、この方法は、
−支持体の厚みにキャビティを形成し、前記キャビティと連通しその全部または一部の上へ延在するスロットを形成する工程と、
−スロットをキャビティから隔てるために、スロット内に犠牲材料の層を形成する工程と、
−キャビティの壁に導電性層を形成する工程と、
−犠牲材料の層を取り除き、スロットとキャビティとの間の導電性層の一部を取り除く工程とを含む。
【００２２】
本発明は、上記のような配線デバイスを製造するための方法にも関係し、この方法は、
−支持体の厚みにキャビティを形成する工程と、
−前記キャビティと連通し、その全部または一部の上へ延在する、支持体に平行な平面内でスロットとキャビティとの間の接続部に狭隘部を持つ可変セクションを有するように作製されている、少なくとも１つのスロットを形成する工程と、
−前記壁の上、およびスロットの一部の上に導電性材料の指向性堆積を実行する工程とを含む。
【００２３】
本発明は、添付の図面を参照しつつ、純粋に参考のため、また非制限的なものとして提供されている実施形態の説明を読むことでよりよく理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１Ａ】キャビティ内に作製されたコンタクトライズを備える、本発明による配線構造の第１の例を示す図である。
【図１Ｂ】キャビティ内に作製されたコンタクトライズを備える、本発明による配線構造の第１の例を示す図である。
【図２】キャビティを貫通し、キャビティ内で連通するトレンチを介して互いに電気的に絶縁されている導電要素を含む、本発明による配線構造の第２の例を示す図である。
【図３Ａ】接続要素が通るキャビティおよびスロットを備える、本発明による配線構造の第３の例を示す図である。
【図３Ｂ】接続要素が通るキャビティおよびスロットを備える、本発明による配線構造の第３の例を示す図である。
【図４Ａ】キャビティを貫通し、接続要素が備えられているキャビティに沿って形成されたスロットによって互いから絶縁されているコンタクトライズを備える、本発明による配線構造の第４の例を示す図である。
【図４Ｂ】キャビティを貫通し、接続要素が備えられているキャビティに沿って形成されたスロットによって互いから絶縁されているコンタクトライズを備える、本発明による配線構造の第４の例を示す図である。
【図５】本発明による配線構造の第５の例を示す図である。
【図６】コンタクトライズがキャビティの全面に形成される、本発明による配線構造の第６の例を示す図である。
【図７】キャビティの壁に突き当たって形成されるスロットを介してキャビティを貫通する導電要素から絶縁されている導電性材料で覆われたキャビティを備える本発明による配線構造の第７の例を示す図である。
【図８Ａ】キャビティが形成される２つの重ね合わされた基材で構成される支持体の一例を示す図である。
【図８Ｂ】キャビティが形成される２つの重ね合わされた基材で構成される支持体の一例を示す図である。
【図８Ｃ】キャビティが形成される２つの重ね合わされた基材で構成される支持体の一例を示す図である。
【図９Ａ】異なるセクションのいくつかの部分とともにキャビティ内に形成され、それぞれの部分がキャビティの壁に沿って形成されるスロットによって互いから絶縁されている導電性領域を含み、キャビティの一部の中に形成されたスロットは他の部分内に形成された他のスロットを持つトレンチを介して連通する、本発明による配線構造の他の例を示す図である。
【図９Ｂ】異なるセクションのいくつかの部分とともにキャビティ内に形成され、それぞれの部分がキャビティの壁に沿って形成されるスロットによって互いから絶縁されている導電性領域を含み、キャビティの一部の中に形成されたスロットは他の部分内に形成された他のスロットを持つトレンチを介して連通する、本発明による配線構造の他の例を示す図である。
【図１０Ａ】異なるセクションのいくつかの部分とともにキャビティ内に形成され、それぞれの部分がキャビティの壁に沿って形成されるスロットによって互いから絶縁されている導電性領域を含む、本発明による配線構造の他の例を示す図である。
【図１０Ｂ】異なるセクションのいくつかの部分とともにキャビティ内に形成され、それぞれの部分がキャビティの壁に沿って形成されるスロットによって互いから絶縁されている導電性領域を含む、本発明による配線構造の他の例を示す図である。
【図１１Ａ】ブラインドキャビティ内に形成された、本発明による配線構造の他の例を示す図である。
【図１１Ｂ】ブラインドキャビティ内に形成された、本発明による配線構造の他の例を示す図である。
【図１２Ａ】コンタクトライズがキャビティの周全体に設けられている、ブラインドキャビティ内に形成された、本発明による配線構造の他の例を示す図である。
【図１２Ｂ】コンタクトライズがキャビティの周全体に設けられている、ブラインドキャビティ内に形成された、本発明による配線構造の他の例を示す図である。
【図１３】ブラインドキャビティの底部に出現する配線ビアホールに接続され、ブラインドキャビティ内に形成された、本発明による配線構造の一例を示す図である。
【図１４】図１３に示されている配線構造の例の代替例を示す図である。
【図１５】異方性導電性薄膜が挟装される２つの重ね合わされた基材の形態で支持体内にブラインドキャビティが形成されている本発明による配線構造の他の例を示す図である。
【図１６】異方性導電性薄膜が挟装される２つの重ね合わされた基材の形態で支持体内にブラインドキャビティが形成されている本発明による配線構造の他の例を示す図である。
【図１７】異方性導電性薄膜が挟装される２つの重ね合わされた基材の形態で支持体内にブラインドキャビティが形成されている本発明による配線構造の他の例を示す図である。
【図１８Ａ】本発明による配線構造の実装を背景とする支持体内のキャビティの一実施形態を示す図である。
【図１８Ｂ】本発明による配線構造の実装を背景とする支持体内のキャビティの一実施形態を示す図である。
【図１９Ａ】本発明による配線構造の一実施形態を示す図である。
【図１９Ｂ】本発明による配線構造の一実施形態を示す図である。
【図２０】キャビティが中に形成される接着によって組み立てられた２つの基材によって形成された支持体を示す図である。
【図２１】キャビティが中に形成される接着によって組み立てられた２つの基材によって形成された支持体を示す図である。
【図２２Ａ】本発明による配線構造を形成するための方法の一例を示す図である。
【図２２Ｂ】本発明による配線構造を形成するための方法の一例を示す図である。
【図２２Ｃ】本発明による配線構造を形成するための方法の一例を示す図である。
【図２３Ａ】本発明による配線構造を形成するための方法の他の例を示す図である。
【図２３Ｂ】本発明による配線構造を形成するための方法の他の例を示す図である。
【図２４Ａ】本発明による配線構造を形成するための方法の他の例を示す図である。
【図２４Ｂ】本発明による配線構造を形成するための方法の他の例を示す図である。
【図２５Ａ】本発明による配線構造を形成するための方法の他の例を示す図である。
【図２５Ｂ】本発明による配線構造を形成するための方法の他の例を示す図である。
【図２５Ｃ】本発明による配線構造を形成するための方法の他の例を示す図である。
【図２５Ｄ】本発明による配線構造を形成するための方法の他の例を示す図である。
【図２６】本発明による配線構造を形成するための方法の他の例を示す図である。
【図２７】本発明による配線構造を形成するための方法の他の例を示す図である。
【図２８Ａ】キャビティ内のコンタクトライズとともに配線構造を形成し、このような構造を撮像装置内に一体化するための方法の一例を示す図である。
【図２８Ｂ】キャビティ内のコンタクトライズとともに配線構造を形成し、このような構造を撮像装置内に一体化するための方法の一例を示す図である。
【図２９Ａ】キャビティ内のコンタクトライズとともに配線構造を形成し、このような構造を撮像装置内に一体化するための方法の一例を示す図である。
【図２９Ｂ】キャビティ内のコンタクトライズとともに配線構造を形成し、このような構造を撮像装置内に一体化するための方法の一例を示す図である。
【図３０Ａ】キャビティ内のコンタクトライズとともに配線構造を形成し、このような構造を撮像装置内に一体化するための方法の一例を示す図である。
【図３０Ｂ】キャビティ内のコンタクトライズとともに配線構造を形成し、このような構造を撮像装置内に一体化するための方法の一例を示す図である。
【図３０Ｃ】キャビティ内のコンタクトライズとともに配線構造を形成し、このような構造を撮像装置内に一体化するための方法の一例を示す図である。
【図３０Ｄ】キャビティ内のコンタクトライズとともに配線構造を形成し、このような構造を撮像装置内に一体化するための方法の一例を示す図である。
【図３０Ｅ】キャビティ内のコンタクトライズとともに配線構造を形成し、このような構造を撮像装置内に一体化するための方法の一例を示す図である。
【図３１】本発明による配線構造を形成することができるキャビティを備える光学デバイスの一例を示す図である。
【図３２】本発明による配線構造を形成することができるキャビティを備えるＭＥＭＳデバイスの一例を示す図である。
【図３３Ａ】水平方向トレンチの一実施形態の一例を示す図である。
【図３３Ｂ】水平方向トレンチの一実施形態の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
異なる図の同一の、類似の、または同等の部分には、ある図から次の図へと簡単に移行できるように同じ符号を付す。
【００２６】
図に示されている異なる部分は、図を判読しやすくするために必ずしも均等な縮尺を使用して示されてはいない。
【００２７】
本発明により実装される配線構造の第１の例は、図１Ａ〜１Ｂに示されている（図１Ａは構造を上面図で示しており、図１Ｂは構造を横断面図で示しており、切断面は図１Ａに示されている）。
【００２８】
構造は、例えば、層、または複数の層からなる１つのスタック、または基材、または複数の基材からなる１つのスタック、またはインターポーザの形態をとることができる支持体１００内に作製され、上面（図１Ａに示されている）と下面との間にある支持体の厚みを貫通するキャビティ１０３を備える。
【００２９】
支持体１００は、例えば、半導体材料、または絶縁材料、例えばガラスで作製することができる。
【００３０】
この配線構造を使用すると、支持体の下面と上面のいずれかの側に配置されている要素またはデバイスを接続することが可能になる。この配線構造は、支持材の中央領域内に作製することができる。
【００３１】
キャビティ１０３の垂直壁は、例えば、銅、アルミニウム、またはタングステン、またはポリシリコンなどの導電性材料１０６のベースを有する要素１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃで覆われている。
【００３２】
導電要素１０４ａおよび１０４ｂは、キャビティ１０３の垂直壁を覆うプレートの形態をとることができる（垂直方向は図に与えられている直交基準
【００３３】
【数１】
2011097059.tif 000003
のベクトル
【００３４】
【数２】
2011097059.tif 000004
に平行な方向として定義される）。
【００３５】
導電要素１０４ａ、１０４ｂは、キャビティ１０３と連通する、前記垂直壁のところに形成されるスロット１０５ａを介して互いに隔てられる一方で、他方のスロット１０５ｂは、導電要素１０４ｂおよび１０４ｃを隔てる。これらのスロット１０５ａ、１０５ｂは、垂直方向に延在し、この例では、キャビティ１０３の高さｈに対応する、支持体１００の厚さｅを貫通する。
【００３６】
スロット１０５ａ、１０５ｂおよび後者の部分と連通するキャビティ１０３は穴を形成し、その穴の垂直壁が閉じた外形を形成する。
【００３７】
スロット１０５ａ、１０５ｂおよびキャビティ１０３は、例えば、ＤＲＩＥ（深掘り反応性イオンエッチング）またはレーザエッチングなどのエッチングによって、同時にまたは連続的に形成することができる。
【００３８】
スロット１０５ａ、１０５ｂによって、導電要素１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃの間の電気的不連続を確実にすることが可能である。
【００３９】
したがって、導電要素１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃは、互いに接続されていないか、または互いに電気的に接続されていない。
【００４０】
この例では、導電要素１０４ｂの１つは、支持体１００の主平面に平行な支持体の上面の上に延在する導電性トラック１０７ｂによって伸長される（支持体の主平面は後者の部分を貫通し図に示されている平面
【００４１】
【数３】
2011097059.tif 000005
に平行な平面として定義される）。
【００４２】
貫通する導電要素１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃのそれぞれにより、支持体１００の上面上に、またはその上方に配置されているデバイスおよび支持体１００の下面の真下に、または下方に配置されている他のデバイスを接続することが可能になる。
【００４３】
一代替形態によれば（図２）、導電要素１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃは、支持体１００の上面上に延在する、導電性トラック１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃのそれぞれによって伸長されうる。
【００４４】
配線構造の他の例は、図３Ａ〜３Ｂに示されている。
【００４５】
他の例では、導線の形態の導電性材料のベースを有する垂直接続要素１１４ａ、１１４ｂは、スロット１０５ａ、１０５ｂ内にも配置され、支持体１００の厚みを貫通する。要素１１４ａ、１１４ｂは、スロット１０５ａ、１０５ｂのように、支持体の主平面に関して非ゼロの角度を形成し、この実施例では、支持体の主平面に対し垂直である。
【００４６】
接続要素１１４ａ、１１４ｂは、スロット１０５ａ、１０５ｂの壁の一部を覆うのみである。
【００４７】
接続要素１１４ａ、１１４ｂは、支持体１００の上面上に延在する、導電性トラック１１７ａ、１１７ｂのそれぞれによって伸長される。
【００４８】
図４Ａ〜４Ｂに示されている例では、配線構造は、キャビティ１０３の壁上に導電要素１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃを、スロット内に接続要素１１４ａ、１１４ｂを備え、スロット内の接続要素１１４ａ、１１４ｂは、支持体の上面上に延在する導電性トラック１１７ａ、１１７ｂに接続されるが、導電要素１０４ｂは支持体上に載るトラック１０７ｂにも接続される。
【００４９】
接続要素１１４ａ、１１４ｂは、スロット１０５ａ、１０５ｂの一部のみを覆い、スロットの部分により、接続要素１１４ａ、１１４ｂと導電要素１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃとの間の電気的不連続を確実にすることが可能である。スロット１０５ａ、１０５ｂによって、導電要素１１４ａ、１１４ｂから接続要素１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃを分離し、電気的に絶縁することが可能になる。
【００５０】
図５の例では、すでに説明されている例に関して、導電要素１０４ａ、１０４ｃは、支持体１００の上面上に位置する導電性トラック１０７ａ、１０７ｃにも電気的に接続される。
【００５１】
垂直壁がそれぞれ導電要素で覆われているキャビティ１０３を有し、導電要素１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄ、１０４ｅ、１０４ｆ、１０４ｇ、１０４ｈがキャビティ１０３の全面に形成されている一連のスロット１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ、１０５ｅ、１０５ｆ、１０５ｇ、１０５ｈによって隔てられている、構造の一例が、図６に示されている。
【００５２】
キャビティ１０３内に形成される配線構造の他の例が、図７に例示されている。この例では、キャビティ１０３の垂直壁は、支持体１００の上面の一部も覆う、導電性領域１１４によって完全に覆われる。
【００５３】
キャビティ１０３の垂直壁上に形成されている接続要素１０４ｂは、キャビティ１０３と連通する垂直スロット１０５ａ、１０５ｂによって導電性領域１１４から隔てられ、接続を絶たれている。
【００５４】
接続要素１０４ｂは、支持体１００の上面上に延在する導電性トラック１０７ｂによって伸長される。
【００５５】
導電性材料で覆われていない支持領域は、導電性領域１１４から導電性トラック１０７ｂを隔てて、導電性領域１１４と導電性トラック１０７ｂが電気的に接続しないようにする。
【００５６】
図８Ａ〜８Ｃに例示されているように（図８Ｂは上面図に従ってデバイスを示しており、図８Ａおよび８Ｃは横断面図を示している）、本発明による配線構造は、支持体２００の厚さにおいて異なる寸法を有する複数の部分２０３ａ、２０３ｂによって形成されるキャビティ２０３内に形成されうる。
【００５７】
１つまたは複数のキャビティ２０３は、所定の寸法を有する、第１の部分２０３ａおよび第１の部分の延長部に置かれる第２の部分２０３ｂによって形成することができ、第２の部分は、支持体内に平行な平面内で、第１の部分２０３ａより小さい寸法を有し、第１の部分２０３ａおよび第２の部分２０３ｂは壁によって階段状縦断面を形成するように画定される。階段形状であるため、例えば、レンズを第１の部分２０３ａ内に収納し、電気的コンタクトライズを階段状キャビティに沿って対応させつつ、第２の部分２０３ｂを使用して撮像装置に対して位置決めすることも可能である。
【００５８】
考えられる一実施形態によれば、２つより多い段を備える階段状縦断面を形成することができる。
【００５９】
支持体２００は、場合によっては、例えば、接着剤で貼り合わせることができる、複数の層または複数の積層基材、例えば、２つの層２００ａ、２００ｂもしくは２つの基材２００ａ、２００ｂからなるものとしてよい。
【００６０】
このために、例えば、２つの基材２００ａ、２００ｂの間にグルーシーム２１１を入れることができる。
【００６１】
このグルーシーム２１１は、第１の場合によると、キャビティ２０３に到達できるように（図２０）、またはキャビティ２０３の壁に対して引き下がった配置をとるように（図２１）形成することができる。
【００６２】
第１の基材２００ａは、キャビティ２０３の第１の部分２０３ａと連通し、前記第１の部分２００ａの壁に形成される垂直スロット２０５ａ、２０５ｂを備えることができ、第２の基材２００ｂは、キャビティ２０３の第２の部分２０３ｂと連通し、前記第２の部分２０３ｂの壁内に形成される垂直スロット２１５ａ、２１５ｂを備える。
【００６３】
図９Ａ〜９Ｂにおいて、そのようなキャビティ２０３が形成されている支持体を備える配線構造の一例が示されている。
【００６４】
この構造では、第１の導電性領域２１４は、第１の基材２００ａの上面の一部、キャビティ２０３の第１の部分の２０３ａの垂直壁の一部、前記第１の部分２０３ａの底部に配置されている第２の基材２００ｂの上面の一部、さらにはキャビティ２０３の第２の部分２０３ｂの垂直壁の一部を覆う。
【００６５】
第１の導電性領域２１４から隔てられている第２の導電性領域２１６は、キャビティの第１の部分の１０３ａの垂直壁を覆う部分、前記第１の部分１０３ａの底部に配置されている第２の基材１００ｂの上面の一部、さらにはキャビティ１０３の第２の部分１０３ｂの垂直壁の一部に延在する、第１の基材１００ａの上面上に延在する導電性ストリップ１０７ｂによって形成される。
【００６６】
第１の導電性領域２１４および第２の導電性領域２１６は、第１の基材２００ａ、２００ｂ内に形成された垂直スロット２０５ａ、２０５ｂ、第２の基材２００ｂ上に形成され、スロット２０５ａ、２０５ｂと連通する水平トレンチ２０８ａ、２０８ｂ（水平方向は図に示されている直交基準
【００６７】
【数４】
2011097059.tif 000006
の平面
【００６８】
【数５】
2011097059.tif 000007
に平行な方向として定義される）、および第２の基材２００ｂ内に形成される垂直スロット２１５ａ、２１５ｂを介して互いに隔てられ電気的に絶縁される。スロット２０５ａ、２０５ｂ、２１５ａ、２１５ｂは、このキャビティと連通する。
【００６９】
水平トレンチ２０８ａ、２０８ｂの一実施形態の他の例は、図３３Ａ〜３３Ｂに示されている（図３３Ａでは支持体は導電性領域を持たないように示されている）。
【００７０】
この他の例では、導電性領域２１８ａは、トレンチに沿って延在し、後者の部分に沿って延在する導電性領域を含む。
【００７１】
トレンチ２０８ａ、２０８ｂは、口部が底部より小さくなるように形成することができる。
【００７２】
これにより、トレンチの底部の一部のみを覆う導電性領域２１８ａ、２１８ｂを形成することが可能になる。
【００７３】
これらの領域２１８ａ、２１８ｂは、実際には、金属堆積によって作製することができ、金属はトレンチの底部の一部にトレンチ２０８ａ、２０８ｂの形状によるシャドウ効果によってのみ堆積される。
【００７４】
すでに説明されている例の一代替形態によれば（図１０Ａ〜１０Ｂ）、第２の基材２００ｂ内に形成された、水平トレンチ２０５ａ、２０５ｂは、導電性材料で覆われず、露出している第２の基材２００ｂの領域２０６ａ、２０６ｂで置き換えられる。
【００７５】
「ブラインド」キャビティ３０３を持つ配線構造も、実現することができる（図１１Ａおよび１１Ｂ）。
【００７６】
この場合、キャビティ３０３は、第２の基材２００ｂの上に載る、第１の基材２００ａの厚みに形成することができ、キャビティ３０３は第１の基材２００ａの厚みを貫通し、第２の基材２００ｂのところにあり、その上面によって形成されうる底部を有する。
【００７７】
第１の基材２００ａの上面の一部、キャビティの壁の一部、さらには第２の基材２００ｂの上面は、導電性領域３１４で覆われる。
【００７８】
金属トラック２０７ｂは、第１の基材２００ａの上面、キャビティ３０３の壁、および第２の基材２００ｂの上面上に延在する。
【００７９】
この金属トラック２０７ｂは、キャビティの壁内に形成されるスロット１０５ａ、１０５ｂ、さらには金属材料によって覆われていない基材１００ａ、１００ｂの領域を介して導電性領域３１４から隔てられ、電気的に絶縁されている。
【００８０】
ブラインドキャビティを備える配線構造の他の例は、図１２Ａ〜１２Ｂに示されている。スロット２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃ、２０５ｄ、２０５ｅ、２０５ｆ、２０５ｇ、２０５ｈは、キャビティの全面に形成され、これらは導電要素３０７ａ、３０７ｂ、３０７ｃ、３０７ｄ、３０７ｅ、３０７ｆ、３０７ｇ、３０７ｈ同士を電気的に絶縁し、それぞれ第１の基材２００ａの上に延在する導電性トラック、キャビティの一つの壁を覆う導電性領域、および第２の基材２００ｂ上でキャビティ３０３の底部に延在する別の導電性トラックによって形成される。
【００８１】
考えられる一実施形態によれば、導電要素３０７ａ、３０７ｂ、３０７ｃ、３０７ｄ、３０７ｅ、３０７ｆ、３０７ｇ、３０７ｈは、第２の基材１００ｂを貫通するビアホール３１７に接続できる（図１３）。
【００８２】
この構造の代替形態は、図１４に示されており、第１の基材１００ａ上に延在する導電性ストリップ、キャビティの壁を覆う導電性領域、および第２の基材１００ｂと第１の基材との間に配置される他の導電性ストリップによってそれぞれ形成される導電要素４０７ｈ、４０７ｄを備え、前記他の導電性ストリップはビアホール３１７に接続されている。
【００８３】
図１５、１６、１７の構造の例では、誘電体材料３５２の層内の金属トラック３５１によって形成される配線領域３５０は、第１の基材１００ａと第２の基材１００ｂとの間に設けられ、これにより、第１の基材１００ａの導電要素３０７ｈ、３０７ｄと第２の基材１００ｂの他の導電要素、例えば、第２の基材１００ｂを貫通するビアホール３１７（図１５）または第２の基材１００ｂ上に配置されている金属領域３１８（図１６）または第２の基材１００ｂの２面の一部を覆う金属領域３１９、さらには第２の基材１００ｂを貫通する開口部の壁（図１７）の間の接続を確立することが可能になる。
【００８４】
図１８Ａおよび１８Ｂに示されているように、すでに説明されている配線構造のキャビティは、基材１００ａおよび１００ｂが組み立てられ、接続された後に形成することができる。
【００８５】
図１９Ａ〜１９Ｂは、ブラインドキャビティ３０３の底部および壁が金属層４１６で覆われ、その金属層のところに第１の基材１００ａ上に配置されている金属ストリップ４０７ａ、４０７ｂ、４０７ｃ、４０７ｄ、４０７ｅ、４０７ｆ、４０７ｇ、４０７ｈが形成される、配線構造の一実施形態の一例を示している。
【００８６】
キャビティ３０３の全面に形成され、それと連通する垂直スロット２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃ、２０５ｄ、２０５ｅ、２０５ｆ、２０５ｇ、２０５ｈは、基材に対し直交する方向で金属層の領域を互いから絶縁する（図１９Ａ）。
【００８７】
次いで、金属領域４１６の一部は、キャビティ３０３の底部から除去される。
【００８８】
除去は、キャビティ３０３の対向する壁上で互いと向かい合って配置される溝の間で金属層４１６が除去されるように行うことができる。
【００８９】
本発明による配線構造に設けられた絶縁スロットを備えるキャビティを形成するための方法の一例が図２２Ａ〜２２Ｃに示されている。
【００９０】
パッド１０１ａ、１０１ｂは、支持体１００の厚みに最初に形成され、これは、１つの層、または層のスタック、または基材の形態とすることができる（図２２Ａ）。
【００９１】
パッド１０１ａ、１０１ｂは、例えば、銅、アルミニウム、またはタングステンなどの金属材料、またはポリシリコンのベースを備える導電性パッドとすることができる。これらのパッドは、これらを囲む誘電体材料の厚みを通して絶縁されているビアホールとすることができる。
【００９２】
次いで、キャビティ１０３が、支持体１００を貫通するように形成される。
【００９３】
キャビティ１０３は、導電性パッド１０１ａ、１０１ｂの一部が位置する支持体の一部を貫通し、導電性パッド１０１ａ、１０１ｂの一部を開いて、取り除くように作製される（図２２Ｂ）。
【００９４】
図２３Ａ〜２３Ｂの製造方法の例では、導電性パッド２０１ａ、２０１ｂは、最初に支持体の中にかなりのサイズで形成される（図２３Ａ）。
【００９５】
次いで、キャビティ１０３は、支持体１００および導電性パッド２０１ａ、２０１ｂが配置されている領域を貫通するように形成され、これにより、導電性パッドの部分のかなりの部分を開いて取り除き、他の部分をキャビティ１０３の側面に当たるように保持する（図２３Ｂ）。
【００９６】
他の例示的な方法によれば、最初に、支持体１００を通り抜けるキャビティ１０３を形成し、次いで、導電性材料の領域１０８を使用してキャビティの壁を覆うようにすることが可能である（図２４Ａ）。
【００９７】
支持体１００が、半導体材料のベースを有している場合、絶縁層（図示せず）を、キャビティの垂直壁上にあらかじめ堆積しておくことができる。
【００９８】
次いで、スロット１０５ａ、１０５ｂが、キャビティの少なくとも１つの垂直壁のレベルに形成され、スロット１０５ａ、１０５ｂはキャビティ１０３と連通する。
【００９９】
スロット１０５ａ、１０５ｂは、導電性材料の領域１０８の一部を取り除くようにして作製される。
【０１００】
除去後、キャビティ１０３の壁の一部を覆う第１の導電性領域１０８ａは、スロット１０５ａ、１０５ｂを介して、キャビティ１０３の壁の一部を覆う導電性領域１０８ａから隔てられる（図２４Ｂ）。
【０１０１】
他の例示的な方法によれば、キャビティ１０３およびスロット１０５ａ、１０５ｂは、同時に、または順に、支持体１００内に形成される（図２５Ａ）。
【０１０２】
次いで、犠牲材料１０９の層がスロット１０５ａ、１０５ｂ内に、またはスロット１０５ａ、１０５ｂの壁に堆積され、犠牲材料１０９はキャビティ１０３とスロット１０５ａ、１０５ｂとの間に仕切りを形成するように分散される（図２５Ｂ）。
【０１０３】
犠牲材料１０９の層は、キャビティ１０３内に突き出るように形成することができる。
【０１０４】
犠牲材料１０９は、例えば、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４とすることができる。
【０１０５】
次いで、導電性材料１０８の層は、キャビティ１０３の壁を覆い、犠牲材料１０９を覆うように堆積される。
【０１０６】
材料は、例えば、ＰＶＤ（物理的気相成長法）によって堆積することができる。
【０１０７】
導電性材料１０８の厚さは、キャビティ１０３内に突き出ている犠牲材料１０９の層の厚さより小さくなるようにすることができる（図２５Ｃ）。次いで、犠牲材料１０９の層が取り除かれ、これによって、例えば湿式化学エッチングによりスロット１０５ａ、１０５ｂに対向する導電性材料１０８が除去される。
【０１０８】
この除去の終わりに、導電性領域１０８は、互いに接続されていない、スロット１０５ａ、１０５ｂを使用して隔てられている２つの別々の導電性部分１０８ａおよび１０８ｂの形態をとる（図２５Ｄ）。
【０１０９】
配線構造を製造するための方法の一例は、図２６および２７に示されている。
【０１１０】
この例では、支持体１００において、キャビティ１０３は、支持体１００を通り抜けるように作製され、また少なくとも１つの垂直スロット１０５が支持体１００の厚み内に延在し、キャビティ１０３と連通する。
【０１１１】
スロットは、例えば、矩形（図２６）または卵形（図２７）のセクションを備えることができる。
【０１１２】
キャビティ１０３の壁１０４の部分１０６ａ、１０６ｂは、キャビティの部分とスロット１０５との間に仕切りを形成する。
【０１１３】
次いで、キャビティの壁およびスロット１０５の一部を覆うように金属堆積１０８が行われる。部分１０６ａ、１０６ｂは、キャビティの壁１０４およびスロット１０５上の金属堆積が不連続領域を形成するように、スロット一面への堆積を妨げる。
【０１１４】
金属堆積は、いわゆる「指向性」堆積としてよく、この場合、材料は、支持体の主平面に対して所定の角度に沿って施される（支持体の主平面は後者を通過し、図面内に示されている直交基準
【０１１５】
【数６】
2011097059.tif 000008
の平面
【０１１６】
【数７】
2011097059.tif 000009
に平行である）。
【０１１７】
シャドウ効果によって、部分１０６ａ、１０６ｂは、スロットの周囲に金属堆積が生じるのを妨げる。
【０１１８】
したがって、金属堆積の間に前記壁上に形成された導電要素１０４ａおよび１０４ｃから切り離されている、スロットに沿った接続要素１０４ｂを形成することが可能である。
【０１１９】
配線構造を形成するための方法の他の例は、図２８Ａ〜２８Ｂおよび２９Ａ〜２９Ｂに示されている（図２８Ａ〜２８Ｂは上面図を示しており、図２９Ａ〜２９Ｂは横断面図を示しており、切断面は図２８Ａ〜２８Ｂに示されている）。
【０１２０】
配線構造は、支持体２００から作製することができ、場合によっては、例えば、グルーシーム２１１を使用して、接着剤で貼り合わせることができる、複数の層または複数の積層基材、例えば、２つの層２００ａ、２００ｂもしくは２つの基材２００ａ、２００ｂからなるものとしてよい。
【０１２１】
ブラインドオリフィスの形態のキャビティ３０３が、第１の基材２００ａ内に設けられる。垂直スロット１０５ａ、１０５ｂ、つまり支持体２００の主平面に直交する垂直スロットが、キャビティの壁に形成されており、それと連通している。グルーシーム２１１の一部は、キャビティ３０３によって露出されている。
【０１２２】
この実施形態では、第１の基材２００ａは、後面、つまり、第２の基材２００ｂの向かい側に配置されている面上に少なくとも１つの金属トラック４０４を備える（図２８Ａおよび２９Ａ）。
【０１２３】
次いで、犠牲材料をスロット１０５ａ、１０５ｂ内に堆積し、次いで、金属材料４１４をキャビティ３０３内と、支持体３００上に堆積する。
【０１２４】
次いで、犠牲材料を取り除き、次いで、パターンを金属材料に、例えば、支持体の上面上の金属トラック４１７ａに接続されている、キャビティ３０３の壁を覆う金属領域４１５内に形成する。
【０１２５】
この工程の結果、やはりスロットで金属領域４１５から隔てられている他の金属領域４１６が形成され、スロット１０５ａ、１０５ｂの間に配置されているキャビティの壁部分が覆われ、支持体の上面上に形成されている他の金属トラック４１７ｂによって伸長される（図２８Ｂおよび２９Ｂ）。
【０１２６】
形成されたばかりのキャビティを備える配線構造は、他のデバイスと一体化されるか、または一緒に組み立てられうる。
【０１２７】
図３０Ａ〜３０Ｅは、そのような配線構造を含む撮像装置デバイスを作製するための方法を示している。
【０１２８】
この方法は、すでに形成されている構造から行うことができる（図２８Ｂのデバイスを断面図Ｃ’Ｃで示している図３０Ａに関して説明されている）。
【０１２９】
次いで、第２の支持体２００ｂを貫通する１つまたは複数のビアホール４３０を形成し、さらには第２の支持体２００ｂ上に１つまたは複数の接続パッド４３２が形成され、パッド４３２はビアホールに接続する（図３０Ｂ）。
【０１３０】
次いで、光学コンポーネントＣ、例えば、固定焦点レンズ、平行板、または可変焦点デバイスをキャビティ３０３内に配置し、前記キャビティ内に形成されている導電性領域４１５に接続する（図３０Ｃ）。
【０１３１】
次いで、撮像装置基材を第１の基材２００ａの上面に取り付け、撮像装置基材を組み立てて、第１の基材２００ａの上面に形成された金属トラック４１７ａ、４１７ｂに接続する（図３０Ｄ）。
【０１３２】
次いで、光学コンポーネントＣの向かい側の第２の基材２００ｂに開口部を形成する（図３０Ｅ）。
【０１３３】
本発明に従って実装されたキャビティを備える配線構造は、例えば、慣性センサ、加速度計、またはジャイロメータなどのＭＥＭＳコンポーネントの分野に応用することができる（図３１）。
【０１３４】
図３２は、撮像装置基材上に焦点を合わせる、キャビティ３０３の上部に設定されている能動的光学要素５００からなるユニタリカメラの一例を示している。
【０１３５】
コンタクトライズは、前記能動的光学要素に給電するためにキャビティ３０３内に実装される。
【符号の説明】
【０１３６】
Ｃ  光学コンポーネント
１００  支持体
１００ａ  第１の基材
１００ｂ  第２の基材
１０１ａ、１０１ｂ  導電性パッド
１０３  キャビティ
１０３ａ  第１の部分
１０３ｂ  第２の部分
１０４  壁
１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄ、１０４ｅ、１０４ｆ、１０４ｇ、１０４ｈ  要素
１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ、１０５ｅ、１０５ｆ、１０５ｇ、１０５ｈ  スロット
１０６  導電性材料
１０６ａ、１０６ｂ  部分
１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ  導電性トラック
１０８  導電性材料の領域
１０８ａ  導電性領域
１０９  犠牲材料
１１４  導電性領域
１１４ａ、１１４ｂ  接続要素
１１７ａ、１１７ｂ  導電性トラック
２００  支持体
２００ａ、２００ｂ  層もしくは基材
２０１ａ、２０１ｂ  導電性パッド
２０３  キャビティ
２０３ａ、２０３ｂ  部分
２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃ、２０５ｄ、２０５ｅ、２０５ｆ、２０５ｇ、２０５ｈ  垂直スロット
２０６ａ、２０６ｂ  領域
２０７ｂ  金属トラック
２０８ａ、２０８ｂ  水平トレンチ
２１１  グルーシーム
２１４  第１の導電性領域
２１５ａ、２１５ｂ  垂直スロット
２１６  第２の導電性領域
２１８ａ、２１８ｂ  導電性領域
３００  支持体
３０３  キャビティ
３０７ａ、３０７ｂ、３０７ｃ、３０７ｄ、３０７ｅ、３０７ｆ、３０７ｇ、３０７ｈ  導電要素
３１４  導電性領域
３１７  ビアホール
３１８  金属領域
３１９  金属領域
３５０  配線領域
３５２  誘電体材料
３５１  金属トラック
４０７ａ、４０７ｂ、４０７ｃ、４０７ｄ、４０７ｅ、４０７ｆ、４０７ｇ、４０７ｈ  金属ストリップ
４１４  金属材料
４１５  金属領域
４１６  金属層
４１７ａ  金属トラック
４１７ｂ  金属トラック
４３０  ビアホール
４３２  接続パッド
５００  能動的光学要素
【図１Ａ】
2011097059.tif 000010
【図１Ｂ】
2011097059.tif 000011
【図２】
2011097059.tif 000012
【図３Ａ】
2011097059.tif 000013
【図３Ｂ】
2011097059.tif 000014
【図４Ａ】
2011097059.tif 000015
【図４Ｂ】
2011097059.tif 000016
【図５】
2011097059.tif 000017
【図６】
2011097059.tif 000018
【図７】
2011097059.tif 000019
【図８Ａ】
2011097059.tif 000020
【図８Ｂ】
2011097059.tif 000021
【図８Ｃ】
2011097059.tif 000022
【図９Ａ】
2011097059.tif 000023
【図９Ｂ】
2011097059.tif 000024
【図１０Ａ】
2011097059.tif 000025
【図１０Ｂ】
2011097059.tif 000026
【図１１Ａ】
2011097059.tif 000027
【図１１Ｂ】
2011097059.tif 000028
【図１２Ａ】
2011097059.tif 000029
【図１２Ｂ】
2011097059.tif 000030
【図１３】
2011097059.tif 000031
【図１４】
2011097059.tif 000032
【図１５】
2011097059.tif 000033
【図１６】
2011097059.tif 000034
【図１７】
2011097059.tif 000035
【図１８Ａ】
2011097059.tif 000036
【図１８Ｂ】
2011097059.tif 000037
【図１９Ａ】
2011097059.tif 000038
【図１９Ｂ】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２２Ｃ】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２５Ａ】
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【図２５Ｂ】
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【図２５Ｃ】
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【図２５Ｄ】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８Ａ】
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【図２８Ｂ】
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【図２９Ａ】
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【図２９Ｂ】
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【図３０Ａ】
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【図３０Ｂ】
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【図３０Ｃ】
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【図３０Ｄ】
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【図３０Ｅ】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３Ａ】
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【図３３Ｂ】
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【外国語明細書】
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