(57)【要約】【課題】  低コストで作製可能な電子部品用パッケージ、電子部品装置、及び電子部品用パッケージの製造方法を提供する。【解決手段】  開口部によって開口される空洞部を有する容器と、前記容器の壁部を貫通して前記容器の内外にわたって配設されるリードフレームと、電磁シールド構造を有し、前記容器の前記開口部に蓋をする蓋部とを有し、前記空洞部内に電子部品が配設される電子部品用パッケージであって、前記壁部の前記空洞部側の内壁に沿って、前記リードフレームのうちの所定電位のラインと前記開口部との間に形成される溝部と、前記溝部内で前記蓋部と前記所定電位のラインとを接続する導電部とを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部によって開口される空洞部を有する容器と、前記容器の壁部を貫通して前記容器の内外にわたって配設されるリードフレームと、電磁シールド構造を有し、前記容器の前記開口部に蓋をする蓋部とを有し、前記空洞部内に電子部品が配設される電子部品用パッケージであって、
前記壁部の前記空洞部側の内壁に沿って、前記リードフレームのうちの所定電位のラインと前記開口部との間に形成される溝部と、
前記溝部内で前記蓋部と前記所定電位のラインとを接続する導電部と
を含む、電子部品用パッケージ。
【請求項２】
前記導電部は、前記蓋部の前記開口部に接する面に付着された熱可塑性の導電性部材が軟化されて前記溝部内で前記蓋部と前記所定電位のラインを接続することによって形成される、請求項１に記載の電子部品用パッケージ。
【請求項３】
前記溝部は、前記開口部から前記所定電位のライン側にかけて傾斜している、請求項１又は２に記載の電子部品用パッケージ。
【請求項４】
前記溝部は、前記開口部から前記所定電位のライン側にかけて溝幅が狭くされる、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品用パッケージ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか記載の電子部品用パッケージと、
前記電子部品用パッケージの前記空洞部内に配設される電子部品と
を含む、電子部品装置。
【請求項６】
開口部によって開口される空洞部を有する容器と、前記容器の壁部を貫通して前記容器の内外にわたって配設されるリードフレームと、電磁シールド構造を有し、前記容器の前記開口部に蓋をする蓋部とを有し、前記空洞部内に電子部品が配設される電子部品用パッケージの製造方法であって、
前記壁部の前記空洞部側の内壁に沿って、前記リードフレームのうちの所定電位のラインと前記開口部との間に溝部を形成する工程と、
前記溝部内で前記蓋部と前記所定電位のラインとを導電部で接続する工程と
を含む、電子部品用パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記蓋部の下面の前記溝部に接する部分に熱可塑性の導電性部材を塗布する工程と、
前記導電性部材を軟化させる加熱工程と
をさらに含む、請求項６に記載の電子部品用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品用パッケージ、電子部品装置、及び電子部品用パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば、ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  Systems）技術等で作製された加速度センサや光スイッチ等の電子部品を収容した電子部品装置が様々な分野で用いられている。ＭＥＭＳ素子は、半導体製造工程によって作製される振動子を有する微小な電子部品であり、振動子の変位による静電容量等の物理量の変位を検出するため、電磁波等の外部ノイズから保護する必要がある。
【０００３】
図１は、従来の電子部品装置の断面構造を示す図である。図１には、一例として、加速度センサとして用いられる電子部品装置１を示す。この電子部品装置１は、ＭＥＭＳ素子２をセラミック製又は樹脂製のハウジング３の内部に収容し、ハウジング３に導電性のある蓋部４を被せて密封されている。
【０００４】
ＭＥＭＳ素子２は、加速度を受けると振動子が変位し、これにより静電容量が変化する。このような静電容量の変化を検出し、加速度の変化を表す信号として外部に取り出すため、ＭＥＭＳ素子２にはリードフレーム５が接続されている。
【０００５】
リードフレーム５は、ハウジング３の側壁を貫通するように設けられており、ハウジング３の内側でワイヤ６を介してＭＥＭＳ素子２に接続され、ＭＥＭＳ素子２で検出された静電容量の変化をハウジング３の外部に取り出せるように構成されている。
【０００６】
このような電子部品装置１において、ＭＥＭＳ素子２を外部の電磁ノイズ等から保護するために、ハウジング３の側壁を深さ方向に貫通するビアホール内にビア７を形成し、このビア７を介して蓋部４をリードフレーム５のうちのＧＮＤ電位のラインに接続していた。このように蓋部４をＧＮＤ電位に保持することにより、ＭＥＭＳ素子２は、主に蓋部４の方向の電磁ノイズから保護されていた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３０８２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のような構造の電子部品装置は、蓋部をＧＮＤ電位に保持するために、ハウジングの側壁を深さ方向に貫通するビアホールを形成し、このビアホールの内部に配設された導電性部材で構成されるビアを通じて蓋部とリードフレームのＧＮＤラインとを接続していた。
【０００９】
しかしながら、ビアホールとビアを作製するためには、ハウジングを加工する工程が必要となるため、電子部品装置のコストアップに繋がっていた。特に、セラミック製のハウジングは、シート状の部材を積層することによってハウジングを作製するため、積層するシート状の部材の各々にビアホール用の開口部を形成し、積層して焼結した後にビアを形成する必要があるため、製造コストが嵩んでいた。
【００１０】
そこで、本発明は、低コストで作製可能な電子部品用パッケージ、電子部品装置、及び電子部品用パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一局面の電子部品用パッケージは、開口部によって開口される空洞部を有する容器と、前記容器の壁部を貫通して前記容器の内外にわたって配設されるリードフレームと、電磁シールド構造を有し、前記容器の前記開口部に蓋をする蓋部とを有し、前記空洞部内に電子部品が配設される電子部品用パッケージであって、前記壁部の前記空洞部側の内壁に沿って、前記リードフレームのうちの所定電位のラインと前記開口部との間に形成される溝部と、前記溝部内で前記蓋部と前記所定電位のラインとを接続する導電部とを含む。
【００１２】
また、前記導電部は、前記蓋部の前記開口部に接する面に付着された熱可塑性の導電性部材が軟化されて前記溝部内で前記蓋部と前記所定電位のラインを接続することによって形成されてもよい。
【００１３】
また、前記溝部は、前記開口部から前記所定電位のライン側にかけて傾斜していてもよい。
【００１４】
また、前記溝部は、前記開口部から前記所定電位のライン側にかけて溝幅が狭くされてもよい。
【００１５】
本発明の一局面の電子部品装置は、前記いずれか記載の電子部品用パッケージと、前記電子部品用パッケージの前記空洞部内に配設される電子部品とを含む。
【００１６】
本発明の一局面の電子部品用パッケージの製造方法は、開口部によって開口される空洞部を有する容器と、前記容器の壁部を貫通して前記容器の内外にわたって配設されるリードフレームと、電磁シールド構造を有し、前記容器の前記開口部に蓋をする蓋部とを有し、前記空洞部内に電子部品が配設される電子部品用パッケージの製造方法であって、前記壁部の前記空洞部側の内壁に沿って、前記リードフレームのうちの所定電位のラインと前記開口部との間に溝部を形成する工程と、前記溝部内で前記蓋部と前記所定電位のラインとを導電部で接続する工程とを含む。
【００１７】
また、前記蓋部の下面の前記溝部に接する部分に熱可塑性の導電性部材を塗布する工程と、前記導電性部材を軟化させる加熱工程とをさらに含んでもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、低コストで作製可能な電子部品用パッケージ、電子部品装置、及び電子部品用パッケージの製造方法を提供できるという特有の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】従来の電子部品装置の断面構造を示す図である。
【図２】実施の形態１の電子部品装置１０の断面構造を示す図である。
【図３】実施の形態１の電子部品装置１０の製造方法を示す図である。
【図４】実施の形態１の電子部品装置１０の製造方法を示す図である。
【図５】実施の形態２の電子部品装置２０の断面構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の電子部品用パッケージ、電子部品装置、及び電子部品用パッケージの製造方法を適用した実施の形態について説明する。
【００２１】
［実施の形態１］
図２は、実施の形態１の電子部品装置を示す図であり、（Ａ）は製造段階における平面図、（Ｂ）は完成状態を示す平面図、（Ｃ）は製造段階における断面構造を示す図、（Ｄ）は完成状態の断面構造を示す図である。図２（Ｃ）、（Ｄ）の断面構造は、図２（Ａ）、（Ｂ）における矢視Ａ−Ａ’断面に相当する。
【００２２】
実施の形態１では、一例として、車両のヨーレートセンサとして用いられる電子部品装置１０を示す。
【００２３】
実施の形態１の電子部品装置１０は、加速度を検出するためのＭＥＭＳ素子２をハウジング３の内部に収容し、ハウジング３に導電性材料で構成される蓋部４を被せて密封したものである。
【００２４】
ハウジング３は、平面視矩形状の直方体状の樹脂製の容器であり、図２（Ａ）に示すように、上面側が開口部３Ａによって開口され、図２（Ｃ）に示すように、開口部３Ａに連通する空洞部３Ｂを有する。空洞部３Ｂは、直方体状に形成されている。
【００２５】
また、ハウジング３の側壁３Ｃには、リードフレーム５が貫通して配設されている。リードフレーム５は、樹脂製のハウジング３を一体成形する際に壁部３Ｃを貫通してハウジング３の内外にわたるように配設されており、リードフレーム５と側壁３Ｃとは、密着的に封止されている。このようなハウジング３は、例えば、トランスファーモールド用の金型に樹脂材料を流し込むことにより、リードフレーム５と一体的に成形される。
【００２６】
ここで、ハウジング３の外寸は、例えば、平面視で縦×横が１０ｍｍ×１０ｍｍ、高さが５〜６ｍｍ程度である。空洞部３Ｂの寸法は、例えば、平面視で縦×横が７〜８ｍｍ×７〜８ｍｍ、深さは３〜５ｍｍ程度である。壁部３Ｃの厚さは、例えば、１〜２ｍｍ程度である。
【００２７】
また、ＭＥＭＳ素子２は、例えば、平面視で４〜５ｍｍ角の正方形であり、厚さは、例えば、０．５〜１ｍｍ程度である。
【００２８】
リードフレーム５は、例えば、鉄系又は銅系の合金製であり、ＧＮＤ電位に保持されるＧＮＤライン５Ａ、電源ライン５Ｂ、及び信号ライン５Ｃが互いに絶縁された状態で積層された多層リードフレームである。リードフレーム５は、電源ライン５Ｂを通じてＭＥＭＳ素子２に電力供給を行うとともに、信号ライン５Ｃが外部の演算処理装置に接続されており、ＭＥＭＳ素子２で静電容量の変位として検出された加速度を表す信号を外部の演算処理装置に受け渡すための信号線として機能する。
【００２９】
ハウジング３の側壁３Ｃには、内壁面に沿って溝部３Ｄが形成されている。この溝部３Ｄは、ＧＮＤライン５Ａの上部に位置する部分の側壁３Ｃの内壁面に沿って、開口部３Ａから空洞部３Ｂの底部に向かって形成されており、ＧＮＤライン５Ａに到達している。
【００３０】
実施の形態１の電子部品装置１０では、蓋部４を開口部３Ａに被せる際に、溝部３Ｄ内に導電性樹脂を充填することにより、ＧＮＤライン５Ａと蓋部４を電気的に接続し、蓋部４をＧＮＤ電位に保持する。
【００３１】
溝部３Ｄ内への導電性樹脂の充填は、図２（Ｃ）に示すように、蓋部４の下面４Ａに熱可塑性の導電性樹脂１１を塗布しておき、蓋部４を開口部３Ａに被せる際に熱処理を行って導電性樹脂１１を軟化させることによって行われる。溝部３Ｄ内の導電性樹脂は、導電部１２となる。
【００３２】
実施の形態１の電子部品装置１０では、このように導電性樹脂１１を軟化させて溝部３Ｄ内に充填させるため、図２（Ｃ）に示すように、ハウジング３の溝部３Ｄは開口部３Ａ側からＧＮＤライン５Ａに到達する側にかけて傾斜を有する。図２（Ｃ）には、壁部３Ｃの内壁も傾斜を有する構造を示す。
【００３３】
また、実施の形態１の電子部品装置１０では、軟化した導電性樹脂１１をＧＮＤライン５Ａから開口部３Ａにかけて深さ方向に途切れずに分布させるために、図２（Ａ）に示すように、溝部３Ｄの幅は、開口部３Ａ側からＧＮＤライン５Ａとの接続側にかけて、徐々に狭くなるように構成されている。
【００３４】
なお、ここでは、ハウジング３の溝部３Ｄは開口部３Ａ側からＧＮＤライン５Ａに到達する側にかけて傾斜を有する形態、及び、溝部３Ｄの幅が開口部３Ａ側からＧＮＤライン５Ａとの接続側にかけて徐々に狭くなる形態について説明するが、溝部３Ｄは傾斜を有しないように（例えば垂直に）形成されていてもよく、また、溝部３Ｄの幅は一定であってもよい。
【００３５】
なお、実施の形態１の電子部品装置１０に含まれる要素のうち、ハウジング３、蓋部４、リードフレーム５、及び導電部１２は、実施の形態１の電子部品用パッケージを構成する。
【００３６】
また、図２には、説明の便宜上、１本のＧＮＤライン５Ａ、１本の電源ライン５Ｂ、及び８本の信号ライン５Ｃを示すが、リードフレーム５に含まれるＧＮＤライン５Ａ、電源ライン５Ｂ、及び信号ライン５Ｃの総数は、ここに示す数に限られるものではない。リードフレーム５に含まれる各ラインの数は、ＭＥＭＳ素子２の種類や性能等によって異なり、例えば、４８本や９２本等、あるいはそれ以上の本数のものもある。このようなリードフレーム５は、例えば、化学薬品を用いたエッチング処理によって金属板を加工する方法、又は、金型を用いて、プレス加工により金属板を加工する方法によって作製することができる。
【００３７】
ＭＥＭＳ素子２は、半導体製造工程によって作製される電子部品であり、振動子と圧電素子とを含む。互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を含むＸ−Ｙ−Ｚ座標系において、圧電素子によって振動子がＸ軸方向に励振された状態で、振動子がＺ軸（スピン軸）を回転軸として回転すると、Ｙ軸方向にコリオリ力が発生する。このコリオリ力は、振動子を介して、圧電素子を押圧する。これにより、圧電素子がコリオリ力に応じた電気信号を出力するので、角速度を検出できる。なお、ＭＥＭＳ素子２は、例えば、多結晶シリコン製である。
【００３８】
ＭＥＭＳ素子２は、ハウジング３の空洞部３Ｂの底部に接着剤１３で固定され、ワイヤ６Ａ、６Ｂ、６Ｃを介してリードフレーム５のＧＮＤライン５Ａ、電源ライン５Ｂ、及び信号ライン５Ｃにそれぞれ接続されている。接着剤１３としては、例えば、銀ペーストを用いることができる。
【００３９】
蓋部４は、平面視でハウジング３の開口部３Ａを覆うことができる大きさを有し、例えば、導電性材料（典型的には、金属）で形成されていればよい。蓋部４の寸法は、例えば、平面視で縦×横が７〜８ｍｍ×７〜８ｍｍ、厚さが１ｍｍ程度であればよく、平面視における寸法は、ハウジング３の寸法と揃えられていることが好ましい。
【００４０】
蓋部４は、ＧＮＤ用のワイヤ６Ａに接続されることにより、ＭＥＭＳ素子２を電磁ノイズ等から保護するためのシールド構造を有する（すなわち、静電シールドとして機能する）とともに、ハウジング３を密封することによって異物等の混入を抑制するための部材である。
【００４１】
なお、ここでは、蓋部４が導電性材料で構成される形態について説明するが、蓋部４は全体が導電性材料で構成される必要はなく、例えば、ガラス板の底面にＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）膜のような導電性膜が形成された部材であってもよい。ＩＴＯ膜のような導電性膜は、例えば、ガラス板の表面にスパッタリング法等によって成膜することができる。
【００４２】
ワイヤ６Ａ、６Ｂ、６Ｃは、ワイヤボンディングによってＭＥＭＳ素子２とリードフレーム５の間にわたされる金属線であり、例えば、金で構成される。ワイヤ６Ａ、６Ｂ、６Ｃの太さは、例えば、３０μｍ程度である。
【００４３】
ＭＥＭＳ素子２のＧＮＤ端子とリードフレーム５のＧＮＤライン５Ａとを接続するワイヤ６Ａ、ＭＥＭＳ素子２の信号端子とリードフレーム５の電源ライン５Ｂとを接続するワイヤ６Ｂ、及び、ＭＥＭＳ素子２の信号端子とリードフレーム５の信号ライン５Ｃとを接続するワイヤ６Ｃの長さは、ハウジング３の開口部３Ａに蓋部４を被せたときに、蓋部４の下面４Ａに接触しないように十分に短い長さに設定されている。
【００４４】
以上のような実施の形態１の電子部品装置１０では、静電容量素子としてのＭＥＭＳ素子２で検出される静電容量の変位は、ワイヤ６Ａ、６Ｃを介して、ＧＮＤ電位に対する信号電位の変位として検出される。
【００４５】
次に、図３及び図４を用いて実施の形態１の電子部品装置１０の製造方法について説明する。
【００４６】
図３及び図４は、実施の形態１の電子部品装置１０の製造方法を示す図である。図３（Ａ１）は、製造段階における平面図、図３（Ａ２）は（Ａ１）におけるＡ−Ａ’矢視断面図、図３（Ｂ１）は製造段階における平面図、図３（Ｂ２）は（Ｂ１）におけるＡ−Ａ’矢視断面図である。また、図４（Ａ１）は製造段階における平面透視図、図４（Ａ２）は（Ａ１）におけるＡ−Ａ’矢視断面図、図４（Ｂ１）は製造段階における平面図、図４（Ｂ２）は（Ｂ１）におけるＡ−Ａ’矢視断面図、図４（Ｃ）は完成状態における断面図を示す。
【００４７】
まず、図３（Ａ１）、（Ａ２）に示すように、ハウジング３とリードフレーム５を一体的にモールド成形する。このモールド成形は、トランスファーモールド用の金型（図示せず）に樹脂材料を流し込むことによって行われる。
【００４８】
ハウジング３は、開口部３Ａ、空洞部３Ｂ、側壁３Ｃ、及び溝部３Ｄを有する直方体状の容器であるため、トランスファーモールド用の金型は、これらをリードフレーム５と一体的に形成できる金型であればよい。
【００４９】
完成したハウジング３の側壁３Ｃの上面（矩形環状の部分）には、例えば、シート状の接着剤１４を貼着しておけばよい。後に、蓋部４を取り付けるためである。
【００５０】
なお、リードフレーム５は、例えば、化学薬品を用いたエッチング処理によって金属板を加工する方法、又は、金型を用いて、プレス加工により金属板を加工する方法によって予め作製しておけばよい。
【００５１】
また、ハウジング３がセラミック製である場合は、図３（Ａ２）に示すハウジング３を高さ方向に複数層に分け、各々の層を積層することによってハウジング３を形成すればよい。このときに各層を作製するための型は、開口部３Ａ、空洞部３Ｂ、側壁３Ｃ、及び溝部３Ｄを一体的に形成できるように構成されていればよい。
【００５２】
次に、図３（Ｂ１）、（Ｂ２）に示すように、ＭＥＭＳ素子２を空洞部３Ｂの底部に接着し、ワイヤボンディングを行う。ＭＥＭＳ素子２のＧＮＤ端子とリードフレーム５のＧＮＤライン５Ａとを接続するワイヤ６Ａ、ＭＥＭＳ素子２の信号端子とリードフレーム５の電源ライン５Ｂとを接続するワイヤ６Ｂ、及び、ＭＥＭＳ素子２の信号端子とリードフレーム５の信号ライン５Ｃとを接続するワイヤ６Ｃをボンディングすればよい。
【００５３】
次に、図４（Ａ１）、（Ａ２）に示すように、蓋部４の下面４Ａに熱可塑性の導電性樹脂１１を塗布し、開口部３Ａの上で位置合わせをする。ここで、導電性樹脂１１は、図４（Ａ１）に透視的に示すように、溝部３Ｄの上に位置する部分にだけ塗布すればよい。
【００５４】
導電性樹脂１１としては、例えば、テクノアルファ社製の熱可塑性導電性接着剤ＳＴＡＹＳＴＩＫ（品番：１０１、ペーストタイプ）を用いることができる。塗布する導電性樹脂１１の量は、溝部３Ｄの容量に合わせて適宜調節すればよい。
【００５５】
次に、図４（Ｂ１）、（Ｂ２）に示すように、蓋部４をハウジング３に取り付ける。蓋部４は、図３（Ａ）に示す側壁３Ｃの上面に貼着された接着剤１４によってハウジング３に固定される。なお、この状態では、蓋部４の下面４Ａに塗布された導電性樹脂１１は、軟化しておらず、溝部３Ｄの内部は空であり、蓋部４とＧＮＤライン５Ａとは接合されていない。
【００５６】
最後に、図４（Ｂ１）、（Ｂ２）に示す状態の電子部品装置１０に対して加熱処理を行う。例えば、軟化する温度が２８０℃の導電性樹脂１１を用いた場合には、ベーク炉で２８０〜３００℃程度に加熱すればよい。
【００５７】
この加熱処理により、図４（Ｃ）に示すように、蓋部４の下面４Ａに塗布された導電性樹脂１１が軟化し、溝部３Ｄの内部に流入する。加熱を続けることにより、導電性樹脂１１は、溝部３Ｄ内を充填し、ＧＮＤライン５Ａにまで到達する。これにより、溝部３Ｄ内は、導電部１２によって充填され、蓋部４はＧＮＤライン５Ａと導電部１２によって電気的に接続されてＧＮＤ電位に保持される。
【００５８】
以上のように、実施の形態１の電子部品装置１０は、ハウジング３と一体成形される溝部３Ｄ内に導電性樹脂１１を流し込んで作製される導電部１２によって蓋部４とＧＮＤライン５Ａを接続することができる。
【００５９】
このため、従来のようにハウジング３をトランスファーモールドで成形した後に、側壁３Ｃにビアホール及びビア７（図１参照）を作製することなく、蓋部４をＧＮＤ電位に保持することができる。
【００６０】
従来のように、ビアホールとビア７（図１参照）を作製するためには、ハウジング３を一体成形する工程とは別にハウジング３を加工する２つの工程が必要であり、この２つの工程は電子部品装置のコストアップに繋がっていた。特に、ハウジング３がセラミック製である場合は、シート状の部材を積層することによってハウジング３を作製するため、積層するシート状の部材の各々にビアホール用の開口部を形成し、積層して焼結した後にビア７を形成する必要があるため、製造コストが嵩んでいた。
【００６１】
これに対して、実施の形態１の電子部品装置１０は、ハウジング３の側壁３Ｃの内壁の表面に一体成形される溝部３Ｄ内に導電性樹脂１１を熱処理によって流入させるだけで蓋部４とＧＮＤライン５Ａとを（導電部１２によって）電気的に接続することができるので、大幅に簡略化された製造方法によって製造することが可能である。このため、実施の形態１の電子部品装置１０は、製造コストを大幅に削減することができる。
【００６２】
以上、実施の形態１によれば、従来のようにビアホール及びビアを作製することなく、ハウジング３と一体成形される溝部３Ｄ内に導電性樹脂１１を流入させることによって蓋部４をＧＮＤ電位に保持することができ、ＭＥＭＳ素子２の静電シールドを確保しつつ、大幅にコストダウンを図った電子部品装置１０を提供することができる。
【００６３】
また、容易な製造工程で静電シールドを実現できるので、ＭＥＭＳ素子２に静電気等が帯電することを抑制でき、ＭＥＭＳ素子２の特性変動を抑制した安価な電子部品装置用パッケージ、及び電子部品装置を提供することができる。
【００６４】
特に、ＨＶ（Hybrid  Vehicle）やＥＶ（Electric  Vehicle）のように、スイッチング素子でモータ等の電動機を駆動する環境で用いる場合には、スイッチングノイズのような電磁ノイズの対策が必要になる。実施の形態１では、このような環境下でも利用することのできる電子部品装置用パッケージ、及び電子部品装置１０を低コストで提供することができる。
【００６５】
なお、以上では、電子部品としてのＭＥＭＳ素子２を含み、このＭＥＭＳ素子２を加速度センサとして用いるヨーレートセンサとしての電子部品装置１０について説明したが、電子部品はＭＥＭＳに限らず、電磁ノイズからのシールドが必要なものであればよい。また、内部に配設される電子部品の機能により、電子部品装置１０はヨーレートセンサ以外の装置として利用され得る。
【００６６】
また、以上では、ハウジング３が樹脂製である形態について説明したが、ハウジング３は、セラミック製であってもよい。
【００６７】
また、以上では、ハウジング３内にＭＥＭＳ素子２が配設される形態について説明したが、ハウジング３内には、例えば、加速度センサとしてのＭＥＭＳ素子２に加えて、ＭＥＭＳ素子２で検出された加速度を表す信号を処理するＩＣ（Integrated  Circuit）チップが配設されてもよい。
【００６８】
［実施の形態２］
図５は、実施の形態２の電子部品装置を示す図であり、（Ａ）は製造段階における平面図、（Ｂ）は製造段階における断面構造を示す図、（Ｃ）は完成状態の断面構造を示す図である。図５（Ｂ）、（Ｃ）の断面構造は、図５（Ａ）における矢視Ａ−Ａ’断面に相当する。なお、完成後の平面図は、図２（Ｂ）に示す実施の形態１の電子部品装置１０と同一であるため省略する。
【００６９】
実施の形態１では、金属製の蓋部４を静電シールドとして機能させるために、リードフレーム５の所定電位のフレームとしてのＧＮＤライン５Ａに接続されるワイヤ６Ａを介して、蓋部４が所定電位としてのＧＮＤ電位に保持される形態について説明した。
【００７０】
これに対して、実施の形態２の電子部品装置２０は、蓋部４を静電シールドとして機能させるために、リードフレーム５の所定電位のフレームとしての電源ライン５Ｂに接続されるワイヤ６Ｂを介して、蓋部４が所定電位としての電源電圧に保持される点が実施の形態１と異なる。以下、同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００７１】
図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ハウジング２３の側壁２３Ｃには、開口部２３Ａからリードフレーム５の電源ライン５Ｂに到達するように溝部２３Ｄが形成されている。
【００７２】
また、図５（Ｃ）に示すように、溝部２３Ｄ内には、導電性樹脂２１を加熱処理することによって軟化させて形成される導電部２２が充填されている。
【００７３】
実施の形態２の電子部品装置２０では、蓋部４は、導電部２２によって電源ライン５Ｂに接続されることにより、電源電圧に保持される。このような実施の形態２の電子部品装置２０の製造方法は、溝部２３Ｄを形成する場所が異なるだけで、実施の形態１の電子部品装置１０の製造方法と基本的に同一である。すなわち、蓋部４の下面４Ａに塗布された導電性樹脂２１が加熱処理で軟化され、溝部２３Ｄ内に流入することによって、蓋部４と電源ライン５Ｂとが電気的に接続される。
【００７４】
実施の形態２によれば、蓋部４が電源電圧に保持されることにより、静電シールドとして機能し、電磁ノイズからＭＥＭＳ素子２を保護することができる。
【００７５】
このような実施の形態２の電子部品装置２０は、従来のようにビアホール及びビアを作製することなく、実施の形態１の電子部品装置１０と同様に、ハウジング２３と一体成形される溝部２３Ｄ内に導電性樹脂２１を流入させることによって蓋部４を電源電位に保持することができる。これにより、ＭＥＭＳ素子２の静電シールドを確保しつつ、大幅にコストダウンを図った電子部品装置２０を提供することができる。
【００７６】
また、容易な製造工程で静電シールドを実現できるので、ＭＥＭＳ素子２に静電気等が帯電することを抑制でき、ＭＥＭＳ素子２の特性変動を抑制した安価な電子部品装置用パッケージ、及び電子部品装置２０を提供することができる。
【００７７】
特に、ＨＶやＥＶのように、スイッチング素子でモータ等の電動機を駆動する環境で用いる場合には、スイッチングノイズのような電磁ノイズの対策が必要になる。実施の形態２では、このような環境下でも利用することのできる電子部品装置用パッケージ、及び電子部品装置２０を低コストで提供することができる。
【００７８】
なお、以上では、ハウジング２３の側壁２３Ｃには、開口部２３Ａからリードフレーム５の電源ライン５Ｂに到達するように溝部２３Ｄが形成され、蓋部４は、導電部２２によって電源ライン５Ｂに接続されることにより、電源電圧に保持される形態について説明した。しかしながら、ハウジング２３の側壁２３Ｃには、開口部２３Ａからリードフレーム５の信号ライン５Ｃに到達するように溝部２３Ｄが形成されていてもよい。この場合は、蓋部４は、導電部２２によって信号ライン５Ｃに接続されることにより、信号と同一の電圧に保持される。
【００７９】
以上、本発明の例示的な実施の形態の電子部品用パッケージ、電子部品装置、及び電子部品用パッケージについて説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【００８０】
２  ＭＥＭＳ素子
３  ハウジング
３Ａ  開口部
３Ｂ  空洞部
３Ｃ、２３Ｃ  側壁
３Ｄ、２３Ｄ  溝部
４  蓋部
４Ａ  下面
５  リードフレーム
５Ａ  ＧＮＤライン
５Ｂ  電源ライン
５Ｃ  信号ライン
６Ａ、６Ｂ、６Ｃ  ワイヤ
１０、２０  電子部品装置
１１、２１  導電性樹脂
１２、２２  導電部
１３、１４  接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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