(57)【要約】【課題】検出感度が向上出来、再現性や歩留まりに優れる熱伝導度検出器を実現する。【解決手段】加熱したフィラメントにガスが接することにより発生するフィラメントの抵抗値の変化に基づきガスの熱伝導度を検出するように構成された熱伝導度検出器において、接合された基板内部に設けられた中空部と、前記基板に両端が支持されこの中空部に設けられたフィラメントと、前記基板に設けられ前記中空部に連通するガスの入出流路と、前記基板に設けられ前記フィラメントの途中をフィラメンの中心軸に直交する方向に変位させてフィラメントの発熱による熱膨張を吸収する初期引張力を付与する初期引張応力を付与する手段と、を具備したことを特徴とする熱伝導度検出器である。【選択図】図１
2011179851.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱したフィラメントにガスが接することにより発生するフィラメントの抵抗値の変化に基づきガスの熱伝導度を検出するように構成された熱伝導度検出器において、
接合された基板内部に設けられた中空部と、
前記基板に両端が支持されこの中空部に設けられたフィラメントと、
前記基板に設けられ前記中空部に連通するガスの入出流路と、
前記基板に設けられ前記フィラメントの途中をフィラメンの中心軸に直交する方向に変位させてフィラメントの発熱による熱膨張を吸収する初期引張力を付与する初期引張応力を付与する手段と、
を具備したことを特徴とする熱伝導度検出器。
【請求項２】
前記初期引張応力を付与する手段は、前記基板に設けられフィラメントの両端支持部の近傍の前記中空部に突出する突出部を具備したこと
を特徴とする請求項１記載の熱伝導検出器。
【請求項３】
前記フィラメントは、単結晶シリコンで形成されていること
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の熱伝導度検出器。
【請求項４】
前記ガスの入出口と前記フィラメントの電極は、前記接合された基板の一方に設けられていること
を特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の熱伝導度検出器。
【請求項５】
前記ガスの入出口は前記接合された基板の一方に設けられ、前記フィラメントの電極は前記接合された基板の他方に設けられていること
を特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の熱伝導度検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガスセンサの一種である熱伝導度検出器に関し、詳しくは、ガスクロマトグラフ用の熱伝導度検出器（ＴＣＤ：ｔｈｅｒｍａｌ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ガスセンサは、気体中に含まれる特定のガスに感応して、その濃度に応じて変化する電気信号を出力するものである。
このようなガスセンサの一種に、無機分析用のガスクロマトグラフの汎用的な検出器として用いられている熱伝導度検出器がある。
【０００３】
熱伝導度検出器は、ガスクロマトグラフの最も汎用的な検出器として用いられている。  ガスクロマトグラフはＨｅ、Ｈ2、Ｎ2、Ａｒなどのキャリアガスを流し、そこに計量されたサンプルガスを導入してカラムを通すことにより、サンプルガスを時間的に成分毎に分解し検出器で測定する。
出力するピークの出現時間で定性分析、ピーク面積で定量分析を行う。
熱伝導度検出器は出現する成分のガスとキャリアガスの熱伝導度の違いを電気信号に変換するものである。
【０００４】
図６は、非特許文献１に記載されている従来の熱伝導度検出器の一例を示す構成説明図である。
図において、アルミまたはステンレスのボディ１には、ほぼＭ字形のガスの流路２（以下流路２という）とほぼＷ字形のガスの流路３（以下流路３という）が上下方向に対向して両側辺の端部が連通するように形成されていて、Ｍ字形の山部分と対向するＷ字形の谷部分間にはそれぞれ流路２と３に連通するようにガスの流路４と５が形成されている。
【０００５】
これら流路４と５内には、それぞれコイル状の細いタングステン製のフィラメント６と７が配置され、これらフィラメント６と７の両端は気密端子で電気的に外部に取り出されている。
Ｍ字形の谷部分にはガス入口のパイプ８が流路２に連通するように設けられ、Ｗ字形の山部分にはガス出口のパイプ９が流路３に連通するように設けられている。
なお、流路２と３の両側辺の穴径は他の部分よりも大きく形成されている。
【０００６】
このような構成において、パイプ８から入力されるガスは、流路２，３，４，５を通ってパイプ９から出力される。ここで、加熱したフィラメント６，７に接するガスの熱伝導度が変化するとフィラメント６，７の温度も変化し、抵抗値が変化する。これらフィラメント６，７の抵抗値の変化をブリッジ回路などで検出して出力する。
【０００７】
ガスクロマトグラフでは、カラムにＨｅ，Ｈ２，Ｎ２，Ａｒなどのキャリアガスを流すとともに、そこに計量されたサンプルガスを導入することにより、サンプルガスを時間的に各成分毎に分解し検出器で測定する。出力するピークの出現時間で定性分析を行い、ピーク面積で定量分析を行う。熱伝導度検出器は、出現する成分のガスとキャリアガスの熱伝導度の違いを電気信号に変換する。
【０００８】
しかし、図６の熱伝導度検出器は、流路２の形成にあたり、複雑な加工と高度な技術が必要であり、フィラメント３の固定にも高度な技術を必要とする。
そして、工程の多くが手作業であるため相当の作業時間を要し、費用もかかり量産には不向きであるという問題がある。
【０００９】
また、ボディ１が大きいため熱的に安定するまでに時間を要するという問題もあり、金属のフィラメント６，７の抵抗値が低いため、温度変化を検出するのが困難であるという問題もある。
さらに、設計変更などが容易に行えないという問題もある。
【００１０】
フィラメント６，７に熱を加えた場合において、熱膨張による撓みで感度変化し、（例えば、フィラメント６，７の温度上昇ΔＴ＝２００Ｋ）に上限がある。
フィラメント６，７とガスを介して熱が伝導する側壁との間隔が変化してしまうからである。
そして、フィラメント６，７が熱膨張によって伸びて側壁に付着するという問題がある。
【００１１】
次に、上記の、図６従来例の問題点を解決するものとして、ＭＥＭＳ技術を用いた２００９年１２月１日、本願出願人による出願の、先願に関わる出願番号２００９−２７３２６９号の熱伝導度検出器に付いて説明する。
【００１２】
以下、図面を用いて説明する。
図７は、先願に関わる熱伝導度検出器の一実施例を示す構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ断面図である。
【００１３】
図７において、基板１０はパイレックス（登録商標）ガラス基板やセラミック基板などで形成されたものであり、その表面にはフィラメント１１が設けられている。
フィラメント１１が設けられた基板１０の表面には凹部１０ａが形成され、凹部１０ａの底面の端部近傍には基板１０の裏面に貫通するように貫通穴１０ｂ，１０ｃが形成されている。
これらの貫通穴１０ｂ，１０ｃは、ガスの入力口および出力口として機能する。
【００１４】
貫通穴１０ｂ，１０ｃの外側には、基板１０の表面に設けられたフィラメント１１の裏面がそれぞれ露出するように貫通穴１０ｄ，１０ｅが設けられている。
これら貫通穴１０ｄ，１０ｅのフィラメント１１の露出部を含む内周面には、フィラメント１１の露出部を基板１０の裏面から外部に接続するための電極として機能する金属膜１２ａ，１２ｂが形成されている。
以下、これら金属膜１２ａ，１２ｂを電極ともいう。
【００１５】
基板１３は、フィラメント１１が設けられた基板１０の表面に重ね合わせるようにしてたとえば陽極接合により固着されているが、基板１０との対向面には基板１０の表面に形成された凹部１０ａとほぼ等しい大きさの凹部１３ａが形成されるとともに、その凹部１３ａの外周にはフィラメント１１全体を内包するようにフィラメント１１の厚さよりもやや深い段付部１３ｂ，１３ｃが形成されている。
【００１６】
これにより、基板１０の表面に設けられたフィラメント１１は、基板１３により密閉されることになる。
【００１７】
このように構成された、図７の先願に関わる熱伝導度検出器の動作を説明する。
電極１２ａ，１２ｂ間に電圧を印加するとフィラメント１１に電流が流れ、ジュール熱が発生する。フィラメント１１の上下に空間があるため、熱伝導による熱の逃げが小さく、フィラメント１１の温度は大きく上昇する。
【００１８】
ガス入力用の貫通穴１０ｂからフィラメント１１の上下の空間に、図示しないガスクロマトグラフのカラムを介してキャリアガスおよび分離された被測定ガスを入力する。
これにより、被測定ガスの成分あるいは濃度によって時々変化する熱伝導度がフィラメント１１の抵抗値変化として認識出来る。
貫通穴１０ｂから入力されたガスは、貫通穴１０ｃから外部に出力される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１９】
【非特許文献１】前田  真人、他１名、「ガスクロマトグラフ用新形熱伝導度検出器」、横河技報、横河電機株式会社、１９８３年、vol.２７、No.１、p.２７−３２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
このような図７の先願に関わる熱伝導度検出器においては、以下の問題点がある。
フィラメントに熱を加えた場合において、熱膨張による撓みで感度変化し、（例えば、フィラメント１１の温度上昇ΔＴ＝２００Ｋ）に上限がある。
フィラメントとガスを介して熱が伝導する側壁との間隔が変化してしまうからである。
そして、図８に示す如く、フィラメント１１が座屈を起こし、側壁に付着Ａする。
【００２１】
本発明の目的は、上記の課題を解決するもので、検出感度が向上出来、再現性や歩留まりに優れる熱伝導度検出器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
このような課題を達成するために、本発明では、請求項１の熱伝導度検出器においては、
加熱したフィラメントにガスが接することにより発生するフィラメントの抵抗値の変化に基づきガスの熱伝導度を検出するように構成された熱伝導度検出器において、接合された基板内部に設けられた中空部と、前記基板に両端が支持されこの中空部に設けられたフィラメントと、
前記基板に設けられ前記中空部に連通するガスの入出流路と、
前記基板に設けられ前記フィラメントの途中をフィラメンの中心軸に直交する方向に変位させてフィラメントの発熱による熱膨張を吸収する初期引張力を付与する初期引張応力を付与する手段と、を具備したことを特徴とする。
【００２３】
本発明の請求項２の熱伝導度検出器においては、請求項１記載の熱伝導度検出器において、
前記初期引張応力を付与する手段は、前記基板に設けられフィラメントの両端支持部の近傍の前記中空部に突出する突出部を具備したことを特徴とする。
【００２４】
本発明の請求項３の熱伝導度検出器においては、請求項１又は請求項２記載の熱伝導度検出器において、
前記フィラメントは、単結晶シリコンで形成されていることを特徴とする。
ことを特徴とする。
【００２５】
本発明の請求項４の熱伝導度検出器においては、請求項１乃至請求項３の何れかに記載の熱伝導度検出器において、
前記ガスの入出口と前記フィラメントの電極は、前記接合された基板の一方に設けられていることを特徴とする。
【００２６】
本発明の請求項５の熱伝導度検出器においては、請求項１乃至請求項３の何れかに記載の熱伝導度検出器において、
前記ガスの入出口は前記接合された基板の一方に設けられ、前記フィラメントの電極は前記接合された基板の他方に設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の請求項１によれば、次のような効果がある。
半導体製造工程により作製出来るため、フィラメントの形状およびフィラメントと流路壁面との距離などが小さなバラつきでほぼ設計どおりに作製出来るとともに、必要に応じて、様々な条件の異なる流路およびフィラメントを具備した熱伝導度検出器を同時に作製出来る。
【００２８】
同時に一枚のウエハ内に熱伝導度検出器を複数個形成出来るため、１個当りの単価を低価格に出来、量産に適している熱伝導度検出器が得られる。
【００２９】
熱伝導度検出器のボディを小型化に出来るため、熱的に安定するまでの時間が短縮出来、配置場所や用途の制約が少なくなる熱伝導度検出器が得られる。
【００３０】
パッケージを必要としないため、パッケージ分のコストおよびパッケージに組み立てるコストを削減することが出来、低コストを実現出来る熱伝導度検出器が得られる。
【００３１】
基板材料の選択によっては、陽極接合による高信頼性シール構造を実現することが出来る熱伝導度検出器が得られる。
【００３２】
ガス分析を行うのにあたり、フィラメントへの通電を高速にＯＮ／ＯＦＦする必要があり、フィラメント１１からの速やかな熱の逃げも重要となるが、電極を経由して速やかに熱を逃がすことが出来、高速ＯＮ／ＯＦＦを実現出来る熱伝導度検出器が得られる。
【００３３】
基板に設けられ、フィラメントの途中をフィラメントの中心軸に直交する方向に変位させてフィラメントの発熱による熱膨張を吸収する初期引張応力を付与する初期引張応力を付与する手段が設けられたので、フィラメントを動作温度で発生する熱膨張を吸収する初期引張応力を機械的に与える構造とすることで、動作温度での熱膨張による撓みが発生せず、しかも動作温度を上げて熱伝導度の検出感度を向上出来る。さらに、基板の接合後に別途初期引張応力をフィラメントに与える方法よりも簡易な作製方法であり、再現性や歩留まりが向上された熱伝導度検出器が得られる。
【００３４】
本発明の請求項２によれば、次のような効果がある。
初期引張応力を付与する手段は、基板に設けられ、フィラメントの両端支持部の近傍の中空部に突出する突出部が設けられたので、簡潔な構成となり、製造コストが低減出来る熱伝導度検出器が得られる。フィラメントは、フィラメントの両端支持部の近傍において突出部と接するために、発熱に寄与する長さが確保できる。
初期引張応力は、突出部と初期ギャップの寸法精度で機械的に決定されるために、再現性や歩留まりが向上された熱伝導度検出器が得られる。
【００３５】
本発明の請求項３によれば、次のような効果がある。
フィラメントの材料として、単結晶シリコンを使用しているため、完全弾性体で変形に強く、フィラメントの断面積を小さくすることが出来ることで抵抗値を高くしてブリッジ回路の電圧を上げることが出来、任意のガスの熱伝導度を検出する感度が向上した熱伝導度検出器が得られる。
【００３６】
本発明の請求項４によれば、次のような効果がある。
ガスの入出口とフィラメントの電極は、接合された基板の一方に設けられているので、基板の一方を重点的に製作すれば良く、製造コストが低減出来る熱伝導度検出器が得られる。ガスの入出口の接続部および電極接続部を同時に組み付けることが可能になる。
【００３７】
本発明の請求項５によれば、次のような効果がある。
ガスの入出口は、接合された基板の一方に設けられ、フィラメントの電極は、接合された基板の他方に設けられているので、全体構造が単純化出来る熱伝導度検出器が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施例の要部構成説明図である。
【図２】図１の動作説明図である。
【図３】図１の動作説明図である。
【図４】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
【図５】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
【図６】従来より一般に使用されている他の従来例の要部構成説明図である。
【図７】先願に関わる熱伝導度検出器の要部構成説明図である。
【図８】図７の動作説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
図１は本発明の一実施例の要部構成説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ断面図、図２は図１の動作説明図、図３は図１の動作説明図である。
図において、図７と同一記号の構成は同一機能を表す。
以下、図７との相違部分のみ説明する。
【００４０】
図１において、基板１０と基板１３に作製された凹部１０ａおよび凹部１３ａの中にフィラメント１１が配置され、電極取り出し用の貫通孔１０ｅおよび貫通孔１０ｄに形成された電極１２ａおよび電極１２ｂによって外部と電気的に接続されている。
電極部近傍の段付部１３ｂと１３ｃは、凹部１０ａおよび凹部１３ａのギャップより狭くなっている。
【００４１】
測定対象のガスは、貫通孔１０ｃから凹部１０ａおよび凹部１３ａ、貫通孔１０ｂを通って検出器に流れている。
フィラメント１１は、基板１０と基板１３を接合すると同時に２箇所の基板１３からの突出部２１，２２によって張力を与えられる。
初期引張応力を付与する手段２０は、この場合は、突出部２１，２２を有する。
【００４２】
ここで、フィラメント１１に張力を与える固定方法を図２に示す。
長さＬのフィラメント１１にδＴの温度上昇を与えると、フィラメント１１の材料のもつ熱膨張率αによって伸びδＬが発生する。
このとき、伸びδＬは下記の式（１）によって与えられる。フィラメントの両端からＬ／４の位置にフレットを設置した場合、この伸びδＬ相当の変位ｈ  は、Ｌ  ＞＞ｈ  の場合は、式（２）で近似できる。
【００４３】
δＬ＝Ｌ・α・δＴ  ・・・・式（１）
ｈ＝√｛（L／４＋δL／２）２−（L／４）２｝・・・・式（２）  
このδＬに相当する変位ｈをフィラメントに与えて固定すると、フィラメント温度がδＴだけ上昇しても、伸びが吸収されて座屈が発生することがない。
したがって、フィラメント温度がδＴまで上昇する温度範囲において、フィラメントと側壁のギャップが一定値のまま保持されることになる。
【００４４】
例えば、長さ１ｍｍのシリコン（α=４×１０-6/Ｋ）に温度上昇δＴ=５００Ｋを与えると、伸びが約２μｍとなり、この伸びを打ち消すためには初期状態で変位ｈを２２．４μｍ与えればいい。
図１のフィラメントの張力は、基板１０と基板１３の接合時に、突出部２１，２２がフィラメント１１を押し下げることによって発生し、その状態で保持されることになる。
【００４５】
接合例を図３に示す。なお、流路と電極は省略する。
接合後に、設計値のギャップｄとなるように初期ギャップｄ０を掘り下げた基板に配置されたフィラメント１１は、突出部２１，２２によって押し下げられて接合することで、図３（ａ）から図３（ｂ）の状態になる。
このとき、フィラメント１１の上下ギャップは設計値のギャップｄとなっている。
【００４６】
図１の構成を同一基板内に４個配置して１チップにすることで、図６従来例のようにフィラメント４本でブリッジ回路を構成する熱伝導検出器となる（図示せず）。
また、突出部２１，２２は熱接地として作用し、フィラメント１１が発熱する有効長さは、設計値のフィラメント長さＬ１となる。
【００４７】
この結果、
半導体製造工程により作製出来るため、フィラメント１１の形状およびフィラメント１１と流路壁面との距離などが小さなバラつきで、ほぼ設計どおりに作製出来るとともに、必要に応じて、様々な条件の異なる流路およびフィラメント１１を具備した熱伝導度検出器を同時に作製出来る。
【００４８】
同時に一枚のウエハ内に熱伝導度検出器を複数個形成出来るため、１個当りの単価を低価格に出来、量産に適している熱伝導度検出器が得られる。
【００４９】
熱伝導度検出器のボディを小型化に出来るため、熱的に安定するまでの時間が短縮出来、配置場所や用途の制約が少なくなる熱伝導度検出器が得られる。
【００５０】
パッケージを必要としないため、パッケージ分のコストおよびパッケージに組み立てるコストを削減することが出来、低コストを実現出来る熱伝導度検出器が得られる。
【００５１】
基板材料の選択によっては、陽極接合による高信頼性シール構造を実現することが出来る熱伝導度検出器が得られる。
【００５２】
ガス分析を行うのにあたり、フィラメント１１への通電を高速にＯＮ／ＯＦＦする必要があり、フィラメント１１からの速やかな熱の逃げも重要となるが、電極１２ａ，１２ｂを経由して速やかに熱を逃がすことが出来、高速ＯＮ／ＯＦＦを実現出来る熱伝導度検出器が得られる。
【００５３】
基板１０，１３に設けられ、フィラメント１１の途中をフィラメント１１の中心軸に直交する方向に変位させてフィラメント１１の発熱によるに熱膨張を吸収する初期引張応力を付与する初期引張応力を付与する手段２０が設けられたので、フィラメント１１を動作温度で発生する熱膨張を吸収する初期引張応力を機械的に与える構造とすることで、動作温度での熱膨張による撓みが発生せず、しかも動作温度を上げて熱伝導度の検出感度を向上出来る。さらに、基板１０，１３の接合後に別途初期引張応力をフィラメントに与える方法よりも簡易な作製方法であり、再現性や歩留まりが向上された熱伝導度検出器が得られる。
【００５４】
初期引張応力を付与する手段２０は、基板１０，１３に設けられ、フィラメントの両端支持部の近傍の中空部１０ａ，１３ａに突出する突出部２１，２２が設けられたので、簡潔な構成となり、製造コストが低減出来る熱伝導度検出器が得られる。フィラメント１１は、フィラメント１１の両端支持部の近傍において突出部２１，２２と接するために、発熱に寄与する長さが確保できる。
初期引張応力は、突出部２１，２２と初期ギャップｄ０の寸法精度で機械的に決定されるために、再現性や歩留まりが向上された熱伝導度検出器が得られる。
【００５５】
フィラメント１１の材料として、単結晶シリコンを使用しているため、完全弾性体で変形に強く、フィラメント１１の断面積を小さくすることが出来ることで抵抗値を高くしてブリッジ回路の電圧を上げることが出来、容易に任意のガスの熱伝導度を検出する感度が向上した熱伝導度検出器が得られる。
【００５６】
ガスの入出口とフィラメント１１の電極１２ａ，１２ｂは、接合された基板１０，１３の一方に設けられているので、基板１０，１３の一方を重点的に製作すれば良く、製造コストが低減出来る熱伝導度検出器が得られる。ガスの入出口の接続部および電極接続部を同時に組み付けることが可能になる。
【００５７】
ガスの入出口は、接合された基板１０，１３の一方に設けられ、フィラメント１１の電極１２ａ，１２ｂは、接合された基板１０，１３の他方に設けられているので、全体構造が単純化出来る熱伝導度検出器が得られる
【００５８】
図４は、本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
図４は、貫通孔１０ｃと貫通孔１０ｂを基板１３側に形成した構成図を示す。
【００５９】
なお、ガス導入出口を基板１０側または基板１３側に形成する構成、もしくは導入口と導出口を同一の基板に形成しない構成と、フィラメント１１に張力を与える突出部２１，２２を基板１０側または基板１３側に形成する構成の組み合わせは、いずれでも良いことは勿論である。
【００６０】
図５は、本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
図６と共通する部分には同一の符号を付けている。
図５は、図６のガスの流路２，３，４，５やフィラメント６，７を半導体製造工程により作製したものである。
【００６１】
ガスが、ガス導入口８から熱伝導検出器に導入され、各流路にガスが分流してガス導出口９から排出される。
フィラメント６が配置される流路４の他に、流路断面積が大きい流路２および３を配置することで、熱伝導検出器の圧力損失を抑えつつ、フィラメント６が配置される流路４の流路断面積を小さくして熱伝導度の検出感度を向上する構成となっている。
また、フィラメント７もフィラメント６と並列に並べられ、流路５にフィラメント７は構成されている。
なお、初期変形を与える構造は図示していない。
【００６２】
図５の構成によれば、フィラメント６，７の形状およびフィラメント６，７と流路壁面との距離などが設計どおり高精度に作製できる。
また、各ガス流路における分流の比率なども容易に設計できる。
また、本発明はフィラメントを基板１０、１３で挟む構造をしている。
【００６３】
なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。
したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。
【符号の説明】
【００６４】
１      ボディ
２      流路
３      流路
４      流路
５      流路
６      フィラメント
７      フィラメント
８      パイプ
９      パイプ
１０    基板
１０ａ  凹部
１０ｂ  貫通孔
１０ｃ  貫通孔
１０ｄ  貫通孔
１０ｅ  貫通孔
１１    フィラメント
１２ａ  電極
１２ｂ  電極
１３    基板
１３ａ  凹部
１３ｂ  段付部
１３ｃ  段付部
２０    初期引張応力を付与する手段
２１    突出部
２２    突出部
【図１】
2011179851.tif 000003
【図２】
2011179851.tif 000004
【図３】
2011179851.tif 000005
【図４】
2011179851.tif 000006
【図５】
2011179851.tif 000007
【図６】
2011179851.tif 000008
【図７】
2011179851.tif 000009
【図８】
2011179851.tif 000010