(57)【要約】【課題】ＰＬＣの有限なメモリー容量に対して、その有限メモリー容量を超えるデータ量のプロセスパラメータを、スループットの低下を伴わずに実行する成膜装置を提供する。【解決手段】本発明の成膜装置を制御するＰＬＣシステムは、プロセスレシピが作成されるとともに、作成されたプロセスレシピが格納される操作用コンピュータと、操作用コンピュータに格納されているプロセスレシピのうち、次に処理が実行されるプロセスパラメータが順次転送される次レイヤー領域Ｐ３と、次レイヤー領域Ｐ３に格納されているプロセスパラメータが順次転送されるレイヤー領域Ｐ２と、レイヤー領域Ｐ２に格納されているプロセスパラメータのうち、次に処理が実行されるコマンドが順次読み込まれるステップ実行領域Ｐ１とを有して構成されており、ステップ実行領域Ｐ１に格納されたコマンドを順次実行して成膜処理が行われる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＬＣによって制御される真空処理装置であって、
プロセスレシピが作成されるとともに、作成されたプロセスレシピが格納される操作用コンピュータと、
前記ＰＬＣのメモリー内に確保され、前記操作用コンピュータに格納されているプロセスレシピのうち、次に処理が実行されるプロセスパラメータが順次転送される次レイヤー領域と、
前記ＰＬＣのメモリー内に確保され、前記次レイヤー領域に格納されているプロセスパラメータが順次転送されるレイヤー領域と、
前記ＰＬＣのメモリー内に確保され、前記レイヤー領域に格納されているプロセスパラメータのうち、次に処理が実行されるコマンドが順次読み込まれるステップ実行領域と、を有して構成されるＰＬＣシステムを備えることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
プロセスレシピが作成されるとともに、作成されたプロセスレシピが格納される操作用コンピュータと、
プロセスレシピを読み込むメモリーを有するとともに、該メモリーに読み込まれたプロセスレシピに基づいて成膜処理の制御を行うＰＬＣと、を有して構成されるＰＬＣシステムを備え、
前記ＰＬＣは、前記ＰＬＣのメモリー内に確保され、前記操作用コンピュータに格納されているプロセスレシピのうち、次に処理が実行されるプロセスパラメータが順次転送される次レイヤー領域と、前記ＰＬＣのメモリー内に確保され、前記次レイヤー領域に格納されているプロセスパラメータが順次転送されるレイヤー領域と、前記ＰＬＣのメモリー内に確保され、前記レイヤー領域に格納されているプロセスパラメータのうち、次に処理が実行されるコマンドが順次読み込まれるステップ実行領域と、を有し、
前記ステップ実行領域に格納されたコマンドを順次実行して成膜処理が行われることを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
プロセスレシピに基づいて成膜処理の制御を行うＰＬＣのメモリー内に確保され、所定のメモリー領域に格納されているプロセスパラメータが順次転送される次レイヤー領域と、
前記ＰＬＣのメモリー内に確保され、前記次レイヤー領域に格納されているプロセスパラメータが順次転送されるレイヤー領域と、
前記ＰＬＣのメモリー内に確保され、前記レイヤー領域に格納されているプロセスパラメータのうち、次に処理が実行されるコマンドが順次読み込まれるステップ実行領域と、を有して構成されるＰＬＣシステムを備え、
前記ステップ実行領域に格納されたコマンドを順次実行して成膜処理が行われる成膜方法であって、
前記ＰＬＣシステムでのプロセスパラメータの処理は、
前記レイヤー領域に格納されているプロセスパラメータから、次に処理を実行するコマンドを前記ステップ実行領域に読み込むステップと、
前記ステップ実行領域に読み込まれたコマンドを実行するステップと、
前記レイヤー領域に次のコマンドが格納されているか否かを確認するステップと、
前記レイヤー領域に次のコマンドが格納されていない場合に、前記次レイヤー領域にプロセスパラメータが格納されているか否かを確認するステップと、
前記次レイヤー領域にプロセスパラメータが格納されている場合には、前記次レイヤー領域から前記レイヤー領域に次に処理するプロセスパラメータを転送する第１転送ステップと、を有し、
前記ステップ実行領域に読み込まれたコマンドの実行が終了するよりも前に、第１転送ステップが終了されることを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
プロセスレシピが作成されるとともに、作成されたプロセスレシピが格納される操作用コンピュータと、
プロセスレシピを読み込むメモリーを有するとともに、該メモリーに読み込まれたプロセスレシピに基づいて成膜処理の制御を行うＰＬＣと、を有して構成されるＰＬＣシステムを備え、
前記ＰＬＣは、前記ＰＬＣのメモリー内に確保され、前記操作用コンピュータに格納されているプロセスレシピのうち、次に処理が実行されるプロセスパラメータが順次転送される次レイヤー領域と、前記ＰＬＣのメモリー内に確保され、前記次レイヤー領域に格納されているプロセスパラメータが順次転送されるレイヤー領域と、前記ＰＬＣのメモリー内に確保され、前記レイヤー領域に格納されているプロセスパラメータのうち、次に処理が実行されるコマンドが順次読み込まれるステップ実行領域と、を有し、
前記ステップ実行領域に格納されたコマンドを順次実行して成膜処理が行われる成膜方法であって、
ＰＬＣシステムでのプロセスパラメータ処理は、
前記レイヤー領域に格納されているプロセスパラメータから、次に処理を実行するコマンドを前記ステップ実行領域に読み込むステップと、
前記ステップ実行領域に読み込まれたコマンドを実行するステップと、
前記レイヤー領域に次のコマンドが格納されているか否かを確認するステップと、
前記レイヤー領域に次のコマンドが格納されていない場合に、前記次レイヤー領域にプロセスパラメータが格納されているか否かを確認するステップと、
前記次レイヤー領域にプロセスパラメータが格納されていない場合に、前記操作用コンピュータにプロセスパラメータが格納されているか否かを確認するステップと、
前記操作用コンピュータ領域にプロセスパラメータが格納されている場合には、前記操作用コンピュータから前記次レイヤー領域に次に処理するプロセスパラメータを転送する第２転送ステップと、を有し、
前記ステップ実行領域に読み込まれたコマンドの実行が終了するよりも前に、前記第２転送ステップが終了されることを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
前記操作用コンピュータでは、処理が実行される繰り返し回数を任意のプロセスレシピに対して設定することができ、
繰返し回数が設定されたプロセスレシピの処理が終了したときは、前記第２転送ステップにおいて、前記操作用コンピュータから前記次レイヤー領域に繰返し回数が設定されたプロセスパラメータを設定された繰り返し回数転送することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記操作用コンピュータには、コマンドの一部が異なるだけのプロセスパラメータが格納されており、
プロセスレシピは、前記操作用コンピュータに格納されたプロセスパラメータから選択されることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空処理装置及びＰＬＣ（プログラムロジックコントローラ）システムでのパラメータ処理方法に係り、特に真空処理装置に搭載されたＰＬＣシステムでのパラメータ処理方法とそのようなパラメータ処理によって制御される真空処理装置に関する。具体的には、操作用コンピュータのＧＵＩ（グラフィック・ユーザ・インターフェース）上で作成されたプロセスパラメータ（プロセスレシピ）に基づいたＰＬＣ（プログラムロジックコントローラ）制御によって半導体デバイスなどを処理する真空処理装置および真空処理方法において、ＰＬＣをプロセスモジュールの制御に用いている複数ターゲットを搭載した処理室を有する真空処理装置（磁気ヘッド製造装置）及び、該真空処理装置に搭載されたＰＬＣシステムでのパラメータ処理方法に関する発明である。
【背景技術】
【０００２】
ＰＬＣシステムを用いた制御においては、ＰＬＣのメモリー領域をデバイスナンバー等と呼ばれる有限な数に分割して、さまざまな制御毎に割り当てて使用しているため、搭載されているメモリーの容量に応じてプロセスパラメータのパラメータを格納するデバイスナンバーの数は限定される。そのため、メモリーの容量が足りない場合には、フラッシュカード等のメモリーを増設して使用していた（例えば、特許文献１乃至４）。
【０００３】
特許文献１で用いられているような従来の方法によれば、例えば図９のようなプロセスパラメータをＰＬＣにて実行する場合、操作用コンピュータ（ＰＣ）のＧＵＩで作成されたプロセスパラメータをＰＬＣに転送を行う必要があるものの、その際に転送可能なデータ量には上限が設定されていた。すなわち、データ量はステップ数（Ｒ１）とパラメータ数（Ｒ２）の積で決定され、プロセスパラメータによってはＰＬＣのメモリー以上のデータ量になる場合があるため、常にＰＬＣのメモリー容量を上回らないように制御する必要があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１６４３１１号公報
【特許文献２】特開２００９−０３２２９３号公報
【特許文献３】特開２００４−２４１６２８号公報
【特許文献４】特開２００９−１２３２１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＰＬＣのメモリー容量を超えるデータ量のプロセスパラメータを実行する場合には、図９に示すようにメモリー容量を超えないデータ量のプロセスパラメータ実行後に後続のプロセスパラメータをＰＬＣのメモリーに転送（図１０のステップ１０５）していた。この場合には、メモリー転送時のプロセスパラメータの処理にタイムラグが生じることになり、データ処理の時間が遅くなるという問題があった。
【０００６】
一方、増設したメモリーとＰＬＣメモリーとの間でやりとりする場合は、増設メモリーとＰＬＣメモリーの間でのデータ転送時間が上乗せされるため、増設メモリーを使用しなかった場合に比べてデータ処理の時間が遅くなるという問題があった。
【０００７】
このため、複数ターゲットを搭載したＰＬＣで制御されるスパッタ装置において、選択可能な材料を数十〜数百の積層膜の成膜を必要とするプロセスを実行する場合などには、ＰＬＣ内でのデータ処理に時間がかかり、スループットが低下するおそれがあった。
【０００８】
本発明の目的は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、ＰＬＣの有限なメモリー容量に対して、その有限メモリー容量を超えるデータ量のプロセスパラメータを、スループットの低下を伴わずに実行する真空処理装置及びこの真空処理装置でのＰＬＣでのパラメータ処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る真空処理装置は、ＰＬＣによって制御される真空処理装置であって、プロセスレシピが作成されるとともに、作成されたプロセスレシピが格納される操作用コンピュータと、ＰＬＣのメモリー内に確保され、操作用コンピュータに格納されているプロセスレシピのうち、次に処理が実行されるプロセスパラメータが順次転送される次レイヤー領域と、ＰＬＣのメモリー内に確保され、次レイヤー領域に格納されているプロセスパラメータが順次転送されるレイヤー領域と、ＰＬＣのメモリー内に確保され、レイヤー領域に格納されているプロセスパラメータのうち、次に処理が実行されるコマンドが順次読み込まれるステップ実行領域と、を有して構成されるＰＬＣシステムを備えることを特徴とする。
【００１０】
あるいは、本発明に係る成膜方法は、プロセスレシピが作成されるとともに、作成された  プロセスレシピが格納される操作用コンピュータと、プロセスレシピを読み込むメモリーを有するとともに、メモリーに読み込まれたプロセスレシピに基づいて成膜処理の制御を行うＰＬＣと、を有して構成されるＰＬＣシステムを備え、ＰＬＣは、ＰＬＣのメモリー内に確保され、操作用コンピュータに格納されているプロセスレシピのうち、次に処理が実行されるプロセスパラメータが順次転送される次レイヤー領域と、ＰＬＣのメモリー内に確保され、次レイヤー領域に格納されているプロセスパラメータが順次転送されるレイヤー領域と、ＰＬＣのメモリー内に確保され、レイヤー領域に格納されているプロセスパラメータのうち、次に処理が実行されるコマンドが順次読み込まれるステップ実行領域と、を有し、ステップ実行領域に格納されたコマンドを順次実行して成膜処理が行われることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように本発明は操作用コンピュータのＧＵＩで作成されるプロセスパラメータを分割作成させ、その分割されたデータごとにＰＬＣに転送を行う。そしてプロセスパラメータがなくなる前に次のプロセスパラメータを要求し、操作用コンピュータより転送してもらうことによって限られたＰＬＣのメモリー内でプロセスパラメータを連続して途切れさせることなく、実行させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係るデバイス製造装置の模式図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るデバイス製造装置に取り付けられたプロセスモジュールの断面模式図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るデバイス製造装置によって作製される多層膜を例示した断面模式図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る用語の関係を説明する関係図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る分割されたプロセスパラメータの操作用コンピュータでの作成画面の一例を示す説明図である。
【図６】本発明の一実施形態に係るＰＬＣ内有限メモリーと操作用コンピュータで作成されたプロセスパラメータの関係を示す模式図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る操作用コンピュータとＰＬＣ間におけるプロセスパラメータデータのやり取りを示すフローチャートである。
【図８】本発明の一実施形態に係る分類毎に分けられたプロセスパラメータの操作用コンピュータでの作成画面の一例を示す説明図である。
【図９】従来の一般的なステップ構造のプロセスパラメータを示す説明図である。
【図１０】従来の操作用コンピュータとＰＬＣの間におけるプロセスパラメータデータのやり取りを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の各実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下に説明する部材、配置等は発明を具体化した一例であって本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨に沿って各種改変することができることは勿論である。
【００１４】
本明細書中においては、図４の説明で記載するように、プロセスパラメータはプロセスレシピを分割したものであり、プロセスレシピ内のプロセスパラメータはその処理が実行される順番にレイヤー１、レイヤー２・・・レイヤーｎと呼ぶこととした。プロセスパラメータは多数のステップ（コマンド）から構成されているものとする。特に、特許請求の範囲の記載では、プロセスパラメータを構成する各ステップを「コマンド」として記載した。
【００１５】
なお、本願明細書中では、真空処理装置として、磁気ヘッドなどの半導体デバイスを作製するための磁気ヘッド製造装置（デバイス製造装置）を例に挙げて説明するが本発明はこれに限定されるものではない。例えば、メモリーやメディア用の多層膜を成膜する成膜装置や、反応性ＰＶＤ装置に用いる反応ガスやＣＶＤ装置に使用される原料ガス供給装置、若しくはアッシング装置やドライエッチング装置などのガス供給装置にも好適に適用することができる。
【００１６】
図１〜８は本発明の一実施形態について説明した図である。図１はデバイス製造装置の模式図、図２はデバイス製造装置に取り付けられたプロセスモジュールの断面模式図、図３はデバイス製造装置によって作製される多層膜を例示した断面模式図、図４は用語の関係を説明する関係図、図５は分割されたプロセスパラメータの操作用コンピュータＰＣでの作成画面（ＧＵＩ）の一例を示す説明図、図６はＰＬＣ内有限メモリー（メモリー）と操作用コンピュータで作成されたプロセスパラメータの関係を示す模式図、図７は操作用コンピュータとＰＬＣ間におけるプロセスパラメータデータのやり取りを示すフローチャート、図８は分類毎に分けられたプロセスパラメータの操作用コンピュータＰＣでの作成画面（ＧＵＩ）の一例を示す説明図である。なお、図面の煩雑化を防ぐため一部を除いて本発明と直接の関係がない構成を省略している。
【００１７】
図１に示すデバイス製造装置（真空処理装置）は、トランスファーモジュールＴＭにプロセスモジュールＰＭ（ＰＭ、ＰＭ４，ＰＭ７）、ロードロック室ＬＬが連結されて構成されている。トランスファーモジュールＴＭには必要に応じて基板搬送用のロボットが配設されており、ロードロック室ＬＬは、ロードポートＣ１，Ｃ２が片側に連結されたフロントエンドモジュールＥＦＥＭに接続されている。基板（被処理部材）はロードポートＣ１，Ｃ２、フロントエンドモジュールＥＦＥＭ、ロードロック室ＬＬ及びトランスファーモジュールＴＭを介して各プロセスモジュールＰＭに搬送される。
【００１８】
図２に示すプロセスモジュールＰＭは、真空容器内にスパッタリングカソードＴ１〜Ｔ４と基板保持台Ｔ７を備えている。それぞれのスパッタリングカソードＴ１〜Ｔ４には成膜材料からなるスパッタリングターゲットが備えられており、基板保持台Ｔ７には被成膜部材（基板Ｔ６）を配置することができる。また、真空容器は、プロセスガスなどを導入するための不図示のガス導入機構やプロセスガスや不純物ガスを排気するための排気機構を備えている。
【００１９】
図３にデバイス製造装置によって作製される多層膜を例示した断面模式図を示す。基板Ｔ６の上に、各種の成膜層（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３・・Ｌｎ，Ｌｎ＋１）が積層されて多層膜が構成されている。それぞれの成膜層（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３・・Ｌｎ，Ｌｎ＋１）は、例えば異なる組成から構成されており、それぞれ異なるカソードやプロセスモジュール（ＰＭ，ＰＭ３，ＰＭ４など）によって成膜される。
【００２０】
ここで、図４に基づいて本明細書中での用語の意味について説明する。
「プロセスレシピ」（図１０中Ａ４）は１つのプロセスモジュールＰＭ内で基板上に積層される多層膜全ての成膜条件のデータであり、プロセスパラメータの集合である。言い換えると、プロセスパラメータはプロセスレシピを分割したものである。なお、プロセスレシピ内のプロセスパラメータを処理する順番にレイヤー１、レイヤー２・・・レイヤーｎと呼ぶ。
【００２１】
「プロセスパラメータ」は成膜層ごとの成膜条件が入力されたプログラムであり、パラメータ（図４中Ａ１）として表された設定可能な項目数と、ステップ（図４中Ａ２）として表された項目数の集合体から構成されている。なお、ステップは図６のフローチャート中では「コマンド」として記載した。成膜処理はプロセスパラメータ内のステップ（コマンド）を順番に実行することで行われる。
【００２２】
プロセスパラメータに基づいて成膜処理などの制御が行われる。例えば、基板にスパッタリングを行う制御では、成膜室にガスを導入するタイミングや、ガス導入圧力・時間、又は、カソードに電力を印加するタイミングがステップ（コマンド）として設定されており、ＰＬＣを介してＭＦＣやカソード接続された電源の入出力制御などが行われる。
【００２３】
図５（ａ），（ｂ）はプロセスパラメータの操作用コンピュータＰＣでの作成画面（ＧＵＩ）の一例を示す説明図である。成膜処理が行われるプロセスモジュール毎の各成膜層のプロセスパラメータを設定している。例えば、プロセスモジュールＰＭ３で成膜処理される成膜層１のプロセスパラメータは、ｘステップのプロセス数から構成されるパラメータであり、それぞれのステップにおいて、時間（例えば、処理時間）、Ｈｅａｔ（処理温度）、ｐｏｗｅｒ（カソードへの印加電力）、Ｇａｓ（導入ガスの種類、量）、回転数（基板保持台の回転数）などのパラメータが逐一設定されている。なお、操作用コンピュータＰＣは、演算装置、ストレージ装置、入出力装置（例えばＧＵＩ、Ｉ／Ｏ）などを有し、ＰＬＣと接続された公知のコンピュータである。
【００２４】
図５に基づいてプロセスパラメータについて説明する。
ターゲット種毎といった分類別でのプロセスパラメータの管理が可能な構造になっており、複数ターゲットが配置されたスパッタ装置内で成膜される積層膜のプロセスパラメータ作成を容易にできる構成となっている。
【００２５】
例えば、材料Ａ、Ｂ、Ｃ、Ａ、Ｄ、Ｅを順番に積層する場合、すなわちターゲット種毎に成膜層を積層する場合、積層する成膜層ごとの成膜条件が入力されたプロセスパラメータによって途切れなくデバイス製造装置の制御が実施される。例えば、材料Ａの成膜処理にはプロセスパラメータＮｏ．１、材料Ｂの成膜処理にはプロセスパラメータＮｏ．５・・・等、成膜層ごとにプロセスパラメータが作成され、分割管理されている。このため、パラメータ作成時はこれらプロセスパラメータの組み合わせを変更するのみで積層順を変更することができる。
【００２６】
また、別の例として材料Ａの層と材料Ｂの層を繰り返して１００層成膜する場合、１００層の成膜層それぞれのプロセスパラメータを作成せずに、２層分のみのプロセスパラメータ（材料ＡのレイヤーＡと材料ＢのレイヤーＢ）を作成し、開始レイヤーのプロセスパラメータ（図５中Ｒ１２）、終了レイヤーのプロセスパラメータ（図５中Ｒ１３）及び繰返し回数（図５中Ｒ１４）を設定することにより、容易に多層の積層膜を形成するプロセスレシピの作成が可能となっている。
【００２７】
なお、従来は、同一のプロセスパラメータ（図５中Ｒ１８に相当）内で、ステップのパラメータを材料毎に変更していたため、積層順が入れ替わると関連したステップも順序を変えてプロセスパラメータを再構築する必要があった。
【００２８】
図６は、ＰＬＣ内の有限メモリーと操作用コンピュータＰＣで作成されたプロセスパラメータの関係を示す模式図である。
操作用コンピュータＰＣは成膜する積層膜の全てのプロセスパラメータ（プロセスレシピ）を格納できるメモリー領域（操作用コンピュータ領域）を有しており、操作用コンピュータ領域には全てのプロセスレシピが格納されている状態である。一方、ＰＬＣ内メモリー（メモリー）の所定の領域（メモリー領域）にはステップ実行領域（図６中Ｐ１）、レイヤー領域（図６中Ｐ２）、次レイヤー領域（図６中Ｐ３）の３つ領域が確保されている。
【００２９】
ステップ実行領域（Ｐ１）はプロセスパラメータ内、各レイヤー内の１つのステップ（図７中ではコマンド）を実行するために用意された領域であり、ステップが進んでいくにつれてレイヤー領域（Ｐ２）から該当ステップのデータを順次読み込んで実行（順次実行）する。
レイヤー領域（Ｐ２）の最終ステップがステップ実行領域（Ｐ１）へ転送されると、レイヤー領域（Ｐ２）は必要なくなるので次レイヤー領域（Ｐ３）からプロセスパラメータがレイヤー領域（Ｐ２）に転送される。
【００３０】
次レイヤー領域（Ｐ３）が空になったその時点でＰＬＣは操作用コンピュータＰＣに対し、次レイヤーの転送を要求し、データを受信する。
ステップ領域（Ｐ１）、レイヤー領域（Ｐ２）、次レイヤー領域（Ｐ３）及び操作用コンピュータＰＣを有してＰＬＣシステムが構成されている。
【００３１】
図７は、図６に示した操作用コンピュータＰＣとＰＬＣ間におけるプロセスパラメータデータのやり取りのフローチャートを示したものである。
成膜プロセスを開始（Ｓｔｅｐ１）すると、ＰＬＣのレイヤー領域Ｐ２から処理するプロセスパラメータの該当処理ステップ（以下、コマンドとする）をステップ実効領域Ｐ１に読み込む（Ｓｔｅｐ２）。
【００３２】
一つ前に読み込んだコマンドの処理が終わり次第（Ｓｔｅｐ３）、Ｓｔｅｐ２で読み込んだコマンドによる処理を行う（Ｓｔｅｐ４）。Ｓｔｅｐ４の処理中に次コマンドがレイヤー領域Ｐ２に格納されているか否かを判断して（Ｓｔｅｐ５）、コマンドがレイヤー領域Ｐ２にある場合は（Ｓｔｅｐ５：Ｙｅｓ）、Ｓｔｅｐ２にもどる。レイヤー領域Ｐ２に格納されているプロセスパラメータの各コマンドは、上記Ｓｔｅｐ２〜Ｓｔｅｐ５までを繰り返して実行される。
【００３３】
次処理のコマンドがレイヤー領域Ｐ２にない場合は（Ｓｔｅｐ５：Ｎｏ）、次レイヤー領域Ｐ３に次のプロセスパラメータ（図７中はＰパラメータ）が格納されているか否か判断する（Ｓｔｅｐ６）。次レイヤー領域Ｐ３にプロセスパラメータ格納されている場合は（Ｓｔｅｐ６：Ｙｅｓ）、次のプロセスパラメータをレイヤー領域Ｐ２に転送（第１転送ステップ）し（Ｓｔｅｐ７）、Ｓｔｅｐ５へ戻る。次レイヤー領域Ｐ３に格納されていない場合は（Ｓｔｅｐ６：Ｎｏ）、操作用コンピュータに次のプロセスパラメータが格納されているか否か判断する（Ｓｔｅｐ８）。
【００３４】
操作用コンピュータに格納されている場合は（Ｓｔｅｐ８：Ｙｅｓ）、次のプロセスパラメータを次レイヤー領域Ｐ３に転送（第２転送ステップ）し（Ｓｔｅｐ９）、Ｓｔｅｐ６に戻る。操作用コンピュータに格納されていない場合は（Ｓｔｅｐ９：Ｎｏ）、Ｓｔｅｐ４でのコマンドの処理の終了を確認後（Ｓｔｅｐ１０：Ｙｅｓ）、成膜プロセスを終える。
【００３５】
なお、処理が終了したプロセスパラメータに２以上の繰返し回数が設定されているときは、設定された繰り返し回数分、操作用コンピュータから次レイヤー領域Ｐ３に当該プロセスパラメータが順次転送（繰り返し転送）されることになる。繰返し回数が、開始レイヤーのプロセスパラメータと終了レイヤーのプロセスパラメータ（任意のプロセスレシピ）として設定されている場合には、開始レイヤーのプロセスパラメータから終了レイヤーのプロセスパラメータまでのプロセスパラメータが順番に、操作用コンピュータから次レイヤー領域Ｐ３に、設定された繰り返し回数転送されることになる。
【００３６】
このようにあらかじめ分割された次レイヤーのプロセスパラメータをプロセス実行中に指定領域に転送することを（図６、図７）繰り返すことでプロセレシピが途切れなく実行させることを可能にしている。
【００３７】
ここで、図８に基づいてプロセスレシピの他の作成方法について説明する。
図８は、あらかじめ分類しておいたプロセスパラメータの中から成膜条件に応じて必要なプロセスパラメータを選択してプロセスレシピを作成する方法について示したものである。機能や材料などの分類毎に、ステップの一部が異なるだけのプロセスパラメータを集めて操作用コンピュータに格納してある。
【００３８】
そのため、プロセスパラメータの一部のステップを書き換える必要があるときは、各分類に格納されたプロセスパラメータの中から最適なプロセスパラメータを選択してプロセスレシピを作成することができる。従って、膨大な数の近似した内容のプロセスパラメータの複雑な管理を簡略化することができる。
【００３９】
図８でのターゲット材料毎の分類の具体例として、例えば、Ｔ−Ｓ距離（ターゲットと基板間の距離）の違いに応じて各ステップを最適化したプロセスパラメータを集めたものや、ホルダ回転数や基板温度の違いに応じて各ステップを最適化したプロセスパラメータを集めたものが考えられる。機能毎の分類の具体例として、成膜条件が変更されても使用されるものであり、例えば、着火準備作業工程やガス抜き作業工程に関するプロセスパラメータが考えられる。
【００４０】
以上のように本発明は操作用コンピュータで作成されるプロセスレシピをプロセスパラメータとして分割して管理し、その分割されたプロセスパラメータごとにＰＬＣに順次転送し実行する。そして実行しているプロセスパラメータがなくなる前に次のプロセスパラメータを要求し、操作用コンピュータより転送してもらうことによって限られたＰＬＣのメモリー内でプロセスパラメータ（プロセスレシピ）を連続して途切れさせることなく、実行させることが可能になる。
【００４１】
このことにより、複数ターゲットを搭載した処理室で被処理体に対し、積層膜（図３）を決まったプロセスレシピに基づいた処理で成膜しようとした場合、個々のプロセスパラメータを作成すれば、ＰＬＣのメモリーの容量に無関係に積層膜を生成することができる。
【００４２】
また、プロセスレシピ作成を分割して行うことにより、プロセスレシピ作成の簡略化及び管理の効率が飛躍的に向上する。決まった積層を繰り返し、数百層もの成膜が必要な場合は繰り返し設定を行うことでプロセスレシピの設定作業を簡略化することができる。
【符号の説明】
【００４３】
ＰＭ，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ５，ＰＭ７  プロセスモジュール
Ｃ１，Ｃ２  ロードポート
ＴＭ  トランスファーモジュール
ＬＬ−Ａ，ＬＬ−Ｂ  ロードロック
ＥＦＥＭ  エキュップメント・フロント・エンド・モジュール
Ｒ１  プロセスパラメータのステップの数
Ｒ２  プロセスパラメータのパラメータの数
Ｒ１１  分割られたプロセスレシピ
Ｒ１２  繰り返し設定の開始ステップNo.と開始レイヤーNo.
Ｒ１３  繰り返し設定の終了ステップNo.と終了レイヤーNo.
Ｒ１４  繰り返し設定の繰り返し回数
Ｒ１５  分割されたプロセスパラメータのステップ数
Ｒ１６  分割されたプロセスパラメータのパラメータ数
Ｒ１７  分割されたプロセスパラメータのレイヤー数
Ｒ１８  プロセスパラメータ
Ｔ１，Ｔ２、Ｔ３，Ｔ４  スパッタリングカソード
Ｔ６  基板
Ｔ７  基板保持台
Ｐ１  ステップ実行領域
Ｐ２  レイヤー領域
Ｐ３  次レイヤー領域
ＰＣ  操作用コンピュータ
【図１】
2011159279.tif 000003
【図２】
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【図３】
2011159279.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011159279.tif 000009
【図８】
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【図９】
2011159279.tif 000011
【図１０】
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