(57)【要約】【課題】表示素子の検査用回路の回路規模の増大を抑制しつつ、より広い電圧範囲で測定可能とし、素子の特性変化をより高い精度で検出することができる表示装置の提供。【解決手段】本発明に係る表示装置は、複数の表示素子と、前記各表示素子の電流と電圧の特性を検査する特性検査手段とを、備える表示装置であって、前記特性検査手段は、検査対象表示素子に検査用電流を供給する電流供給手段と、参照電圧を出力する参照電圧出力手段と、前記参照電圧出力手段より参照電圧が出力される毎に、該参照電圧に対する、前記検査対象表示素子の電圧の符号を検出する出力電圧検出手段と、前記参照電圧出力手段に、順次、前記符号に応じて、参照電圧を出力させるとともに、複数の前記符号に基づいて、前記検査対象表示素子の電圧の測定結果を取得する検査制御手段と、を含むことを特徴とする。【選択図】図４
2011112711.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流れる電流量を制御することにより表示が行われる複数の表示素子と、
前記各表示素子の電流と電圧の特性を検査する特性検査手段と、
前記表示素子に表示する表示データと、さらに、前記特性検査手段が検査する前記特性に基づいて、信号電圧を、前記表示素子に印加する表示制御手段とを、
備える表示装置であって、
前記特性検査手段は、
前記複数の表示素子のいずれかである検査対象表示素子に検査用電流を供給する電流供給手段と、
参照電圧を出力する参照電圧出力手段と、
前記参照電圧出力手段より参照電圧が出力される毎に、該参照電圧に対する、前記検査対象表示素子の電圧の符号を検出する出力電圧検出手段と、
前記参照電圧出力手段に、順次、前記符号に応じて、参照電圧を出力させるとともに、複数の前記符号に基づいて、前記検査対象表示素子の電圧の測定結果を取得する検査制御手段と、
を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置であって、
前記参照電圧出力手段は、
所定の第１基準電圧範囲を内分する第１参照電圧を生成する第１参照電圧出力手段、
を含み、
前記検査制御手段は、前記第１参照電圧出力手段が出力する第１参照電圧を、参照電圧として検出される複数の前記符号に基づいて、前記検査対象表示素子の電圧の第１測定結果を取得し、
前記参照電圧出力手段は、
該第１測定結果に基づいて決定される第２基準電圧範囲を内分する第２参照電圧を生成する第２参照電圧出力手段、
を、さらに含み、
前記検査制御手段は、前記第２参照電圧出力手段が出力する第２参照電圧を、参照電圧として検出される複数の前記符号に基づいて、前記検査対象表示素子の電圧の第２測定結果を取得し、該第２測定結果に基づいて、前記表示素子の電圧の前記測定結果を取得する、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の表示装置であって、
前記検査制御手段は、前記参照電圧出力手段に、
前記検査対象表示素子の前記第１測定結果に基づいて決定される前記第２基準電圧範囲を内分して第２参照電圧を出力させ、
さらに、該第２参照電圧を、参照電圧として検出される複数の前記符号に基づいて、他の検査対象表示素子の電圧の第２測定結果を取得し、該第２測定結果に基づいて、前記他の検査対象測定素子の電圧の前記測定結果を取得する、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項２乃至請求項３のいずれかに記載の表示装置であって、
前記検査対象表示素子の電圧の前記第１測定結果の精度は、前記第２基準電圧範囲に含まれる、
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特に、表示素子の特性変化を補正する制御を行うことにより、表示装置における表示品質の向上と表示装置の長寿命化に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は、例えば、表示素子に流れる電流量を制御することによって、表示を行っている。表示素子の特性は、素子によってもばらつきが存在する。また、素子の使用によっても経時劣化を生じ、特性が変化する。
【０００３】
例えば、表示装置によって、ある固定画像を表示し続けると、特定の表示素子のみ、経時劣化が生じてしまい、その表示素子の特性が変化し、表示装置に備えられた表示素子の中で、特性に差が生じてしまう。これにより、例えば、すべての表示素子に対して同じ輝度の表示を行おうとして、表示領域の表示素子すべてに、同じ制御を行うとすると、表示素子の特性の差により、表示輝度に差が生じてしまう。この表示輝度の差は、「焼付き現象」として、人間の目に認識されてしまう。それにより、表示装置の表示品質は低下し、表示装置の寿命を短くしてしまう。
【０００４】
この「焼付き現象」を抑制し、表示品質の低下を抑制する技術が、特許文献１に開示されている。特許技術１に開示の表示装置は、表示素子毎に、その表示素子の状態を検出し、その検出結果に基づいて、その劣化の程度に応じて、その素子に対する制御量を補正することにより、「焼付き現象」を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１０２４０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に開示の表示装置は、素子の劣化を検出する検出用回路を備え、表示素子を検出する際に、検査用電源より表示素子に電流を流し、表示素子に流れる電流量と両極間の電圧の特性を検査することにより、劣化の程度を検出している。その劣化の程度を、ＡＤ変換し、その素子に対する制御量を補正している。例えば、表示素子の電流と電圧の特性は、幅広い温度特性を持っている場合がある。このような特性の変動に加えて、劣化によっても、その特性は変動する。このような表示素子を備える表示装置の場合、表示素子の検査において、検査電圧範囲が広いことが要求される。
【０００７】
表示装置において、高精度の補正を行うためには、広い検査電圧範囲による測定を行い、かつ、特性の変化を検出する際の精度を向上させるためには、検査用回路の回路規模が膨大に増加してしまう。しかし、特許文献１には、この回路規模増大の問題について示唆されていない。
【０００８】
本発明は、上記課題を鑑みて、表示素子の検査用回路の回路規模の増大を抑制しつつ、より広い電圧範囲で測定可能とし、素子の特性変化をより高い精度で検出することができる表示装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）上記課題を解決するために、本発明に係る表示装置は、流れる電流量を制御することにより表示が行われる複数の表示素子と、前記各表示素子の電流と電圧の特性を検査する特性検査手段と、前記表示素子に表示する表示データと、さらに、前記特性検査手段が検査する前記特性に基づいて、信号電圧を、前記表示素子に印加する表示制御手段とを、備える表示装置であって、前記特性検査手段は、前記複数の表示素子のいずれかである検査対象表示素子に検査用電流を供給する電流供給手段と、参照電圧を出力する参照電圧出力手段と、前記参照電圧出力手段より参照電圧が出力される毎に、該参照電圧に対する、前記検査対象表示素子の電圧の符号を検出する出力電圧検出手段と、前記参照電圧出力手段に、順次、前記符号に応じて、参照電圧を出力させるとともに、複数の前記符号に基づいて、前記検査対象表示素子の電圧の測定結果を取得する検査制御手段と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
（２）上記（１）に記載の表示装置であって、前記参照電圧出力手段は、所定の第１基準電圧範囲を内分する第１参照電圧を生成する第１参照電圧出力手段、を含み、前記検査制御手段は、前記第１参照電圧出力手段が出力する第１参照電圧を、参照電圧として検出される複数の前記符号に基づいて、前記検査対象表示素子の電圧の第１測定結果を取得し、前記参照電圧出力手段は、該第１測定結果に基づいて決定される第２基準電圧範囲を内分する第２参照電圧を生成する第２参照電圧出力手段、を、さらに含み、前記検査制御手段は、前記第２参照電圧出力手段が出力する第２参照電圧を、参照電圧として検出される複数の前記符号に基づいて、前記検査対象表示素子の電圧の第２測定結果を取得し、該第２測定結果に基づいて、前記表示素子の電圧の前記測定結果を取得してもよい。
【００１１】
（３）上記（２）に記載の表示装置であって、前記検査制御手段は、前記参照電圧出力手段に、前記検査対象表示素子の前記第１測定結果に基づいて決定される前記第２基準電圧範囲を内分して第２参照電圧を出力させ、さらに、該第２参照電圧を、参照電圧として検出される複数の前記符号に基づいて、他の検査対象表示素子の電圧の第２測定結果を取得し、該第２測定結果に基づいて、前記他の検査対象測定素子の電圧の前記測定結果を取得するとしてもよい。
【００１２】
（４）上記（２）または（３）に記載の表示装置であって、前記検査対象表示素子の電圧の前記第１測定結果の精度は、前記第２基準電圧範囲に含まれていてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、表示素子の検出用の回路規模の増大を抑制しつつ、より広い電圧範囲で測定可能とし、素子の特性変化をより高い精度で検出することができる表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置主要部の斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示に係る駆動システムを示す概略図である。
【図３】有機ＥＬ素子の表示及び特性検査の制御を示す概略回路図である。
【図４】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置に備えられた焼付き検出回路の回路図である。
【図５】焼付き検出回路の駆動の時間変化を示す図である。
【図６】焼付き検出回路の駆動の時間変化を示す図である。
【図７】参照電圧出力回路が参照電圧を生成する概要を示す図である。
【図８】焼付き現象が生じる場合の例を示す図である。
【図９】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の有機ＥＬ素子の電流と電圧の特性を示す図である。
【図１０】同一水平ライン上の有機ＥＬ素子の電圧を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施形態に係る表示装置について、有機ＥＬ表示装置を例に、図面に基づいて、以下に説明する。
【００１６】
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１主要部の斜視図である。図１に示す通り、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板２及び封止基板（図示せず）によって構成される有機ＥＬパネルを挟んで固定している上フレーム３及び下フレーム４と、駆動回路などの制御回路が備えられる回路基板６と、その回路基板６において生成された表示データをＴＦＴ基板２に伝送するフレキシブル基板５と、によって構成されている。また、回路基板６には、有機ＥＬパネルが画像を表示するために必要な電流及び電圧などが、電源回路より、フレキシブル基板５を介して供給される。
【００１７】
図２は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の表示に係る駆動システムを示す概略図である。表示制御部１０には、水平同期信号、垂直同期信号、データイネーブル信号、表示データ、同期クロック信号などの表示制御信号２１が入力される。表示制御部１０は、入力された表示制御信号２１に基づいて、データ線駆動回路１１に対して、データ線制御信号２２を、走査線駆動回路１２に走査線制御信号２３を、出力している。
【００１８】
データ線駆動回路１１、走査線駆動回路１２、発光電圧供給回路１３などにより、表示領域１５にマトリクス状に配置された複数の画素回路が制御される。各画素回路は、データ線駆動回路１１とは、データ信号線２６を介して、また、走査線駆動回路１２とは、走査線２７を介して、接続されている。画素回路への表示データ書き込み時には、走査線駆動回路１２は、複数の走査線２７に対して、順に、ハイ電圧を印加する。ハイ電圧が印加された走査線２７に接続されている画素回路に対して、表示データの書き込みが行われ、このとき、データ線駆動回路１１は、これら画素回路それぞれに対して、対応するデータ信号線２６を介して、表示用制御電圧が供給される。これにより、画素回路に備えられた有機ＥＬ素子２０１（図示せず）の発光時に、有機ＥＬ素子２０１に流れる電流量が制御され、画像の表示が行われる。
【００１９】
また、表示制御部１０は、データ線駆動回路１１に対して、検出制御信号２４を、検出走査線駆動回路１４に対して、検出走査線制御信号２５を、出力している。データ線駆動回路１１には、特性検査手段である焼付き検出回路１００（図示せず）が備えられている。画素回路に表示データ書き込みも、画素回路の有機ＥＬ素子２０１に発光も、行わない期間である帰線期間（ブランキング期間）に、焼付き検出回路１００は、順に、各有機ＥＬ素子２０１の特性を検査し、素子の劣化の程度を検出している。
【００２０】
検出走査線駆動回路１４は、検出走査線２８を介して、検査対象となる有機ＥＬ素子２０１を対応するデータ信号線２６と接続する。焼付き検出回路１００は、対応するデータ信号線２６を介して、その有機ＥＬ素子２０１に電流を流し、素子の電圧を測定することにより、素子の電流と電圧の特性を取得する。
【００２１】
なお、図２には、表示制御部１０、及び、データ線駆動回路１１、走査線駆動回路１２、検出走査線駆動回路１４は、別個のものとして示されているが、これら全部もしくは一部が、同じＩＣに搭載されるなど、されていても良い。
【００２２】
図３は、有機ＥＬ素子２０１の表示及び特性検査の制御を示す概略回路図である。データ線駆動回路１１は、データ線制御電圧供給回路１０１と、前述の焼付き検出回路１００を備えている。また、データ線駆動回路１１に備えられたデータ線制御電圧供給回路１０１と、前述の焼付き検出回路１００は、それぞれ、スイッチング素子ＳＷＷ，ＳＷＴを介して、複数の画素回路と接続されている。なお、図３には、簡単のため、各画素回路には、有機ＥＬ素子２０１と、表示制御回路２０２と、制御スイッチング素子ＳＷＳが示されている。
【００２３】
画素回路へ表示データを書き込むデータ書込期間には、スイッチング素子ＳＷＷがオンされ、スイッチング素子ＳＷＴがオフされている。そして、データ書込み期間には、走査線駆動回路１２が、順に、走査線２７を介して、表示制御回路２０２に備えられるスイッチング素子（図示せず）をオンし、オンされた画素回路に対して、データ線制御電圧供給回路１０１により、データ信号線２６を介して、表示制御回路２０２に表示制御電圧が供給される。また、表示素子に発光を行う発光期間には、発光用電流供給回路（図示せず）より、画素回路の有機ＥＬ素子２０１に発光用電流が供給され、発光が行われる。
【００２４】
これに対して、画素回路の有機ＥＬ素子２０１の特性を検査する特性検査期間には、スイッチング素子ＳＷＷがオフされ、スイッチング素子ＳＷＴがオンされている。そして、検出走査線駆動回路１４は、検出走査線２８を介して、検査対象となる有機ＥＬ素子２０１の画素回路に備えられた制御スイッチング素子ＳＷＳをオンし、焼付き検出回路１００が、その有機ＥＬ素子２０１の特性を検査する。
【００２５】
焼付き検出回路１００は、電流源を備えており、対応するデータ信号線２６を介して、検査対象となる有機ＥＬ素子２０１に対して、所定の検査用電流を供給する。有機ＥＬ素子２０１のアノード電極は接地されているので、有機ＥＬ素子２０１のカソード電極の電圧を測定することにより、有機ＥＬ素子２０１の電流と電圧の特性を検査する。
【００２６】
図４は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１に備えられた焼付き検出回路１００の回路図である。焼付き検出回路１００は、対応する有機ＥＬ素子２０１に対して、検査用電流を供給するとともに、該有機ＥＬ素子２０１の電圧を、デジタル値に変換している。このＡＤ変換の構成として、出力電圧検出手段であるコンパレータ１０４のみによる逐次比較型（ＳＡＲ）ＡＤ変換回路であることを特徴としている。
【００２７】
図４に示す通り、焼付き検出回路１００は、参照電圧出力手段である参照電圧出力回路１０２と、電流供給手段である検査電流生成回路１０３と、出力電圧検出手段であるコンパレータ１０４と、検査制御手段であるロジック回路１０５と、検査電圧入力部１０６と、プリチャージ電圧生成回路１０７などを備えている。
【００２８】
コンパレータ１０４は、検査電圧入力部１０６に入力される検査対象となる有機ＥＬ素子２０１の電圧が、参照電圧出力回路１０２が出力する参照電圧ＶＲＥＦに対して、高いか低いかを比較し、符号として、ロジック回路１０５へ出力する。ロジック回路１０５は、この符号に基づいて、参照電圧出力回路１０２に対して、次に出力する参照電圧ＶＲＥＦを指示する。
【００２９】
参照電圧出力回路１０２は、指示に従い、新たな参照電圧ＶＲＥＦを出力し、コンパレータ１０４は、新たな符号をロジック回路１０５に出力する。これを繰り返すことにより、ロジック回路１０５は、これら複数の符号に基づいて、有機ＥＬ素子２０１の電圧を、デジタル値に変換することにより、測定結果を取得する。
【００３０】
検査電流生成回路１０３は、検査対象となる有機ＥＬ素子２０１に、素子の特性を検査するために供給する検査用電流を生成する。また、短期間に、その有機ＥＬ素子２０１に流れる電流が短時間で安定化するために、事前にその有機ＥＬ素子２０１に電圧を印加して充電を行うプリチャージが望ましい。プリチャージを行うために、その有機ＥＬ素子２０１に供給するプリチャージ電圧を生成するのが、プリチャージ電圧生成回路１０７である。参照電圧出力回路１０２は、検査電流生成回路１０３及びプリチャージ電圧生成回路１０７に対してもその基準電圧を供給する。
【００３１】
参照電圧出力回路１０２には、第１参照電圧出力回路１０２Ａと第２参照電圧出力回路１０２Ｂが備えられている。第１参照電圧出力回路１０２Ａは、所定の基準電圧範囲である第１基準電圧範囲を抵抗により内分することにより、例えば１００ｍＶの粗い精度で、第１参照電圧を生成する。第１参照電圧出力回路１０２Ａは、複数の第１参照電圧より選択して出力することにより、コンパレータ１０４に対して第１参照電圧ＶＲ＿Ａを出力するとともに、後述する第２参照電圧出力回路１０２Ｂに対しては、分解能制御の基準となる３．２Ｖの基準電圧Ｖ３２と、第２参照電圧出力回路１０２Ｂが出力する第２参照電圧ＶＲ＿Ｄの基準電圧範囲の中心値となる基準電圧ＶＡＤＳＥＬとを、プリチャージ電圧生成回路１０７に対しては、プリチャージ電圧の基準電圧ＶＰＣを、検査電流生成回路１０３に対しては、検査電流を生成する電源電圧となる１．６Ｖの基準電圧Ｖ１６を、出力する。
【００３２】
第２参照電圧出力回路１０２Ｂは、第１参照電圧出力回路１０２Ａより供給される基準電圧Ｖ３２，ＶＡＤＳＥＬより、第２基準電圧範囲の最低基準電圧ＶＢＴＭと最高基準電圧ＶＴＯＰを生成し、この第２基準電圧範囲を抵抗により内分することにより、例えば５ｍＶの微細な精度で、第２参照電圧ＶＲ＿Ｄを生成する。第２参照電圧出力回路１０２Ｂは、複数の第２参照電圧より選択して出力することにより、コンパレータ１０４に対して第２参照電圧ＶＲ＿Ｄを出力する。
【００３３】
検査電圧入力部１０６は、ローパスフィルターＬＰＦを備え、高周波領域のノイズを除去している。また、必要に応じて、１個または２個のボルテージフォロワー回路に接続される。２個のボルテージフォロワー回路によって、サンプルホールド回路となっている。
【００３４】
ロジック回路１０５には、コンパレータ１０４より入力される符号の他に、検査イネーブル信号ＥＮ、プリチャージ信号ＰＣ、周期クロックＣＬＫが、入力される。ロジック回路１０５は、参照電圧ＶＲＥＦとして、第１参照電圧出力回路１０２Ａが生成する第１参照電圧ＶＲ＿Ａと、第２参照電圧出力回路１０２Ｂが生成する第２参照電圧ＶＲ＿Ｄのいずれかを、参照電圧ＶＲＥＦとして選択する。そして、前述の通り、コンパレータ１０４より入力される符号に基づいて、参照電圧出力回路１０２に、次の参照電圧ＶＲＥＦを出力するよう、指示する。さらに、これら複数の符号に基づいて、検査対象となる有機ＥＬ素子２０１の電圧を、デジタル値に変換して、出力する。
【００３５】
図５は、焼付き検出回路１００の駆動の時間変化を示す図である。前述の通り、有機ＥＬ素子２０１の特性検査は、１画面表示期間のうち、データ書込み期間でも、発光期間でもない期間である帰線期間（ブランキング期間）に行われる。１画面表示期間の帰線期間では、表示領域１５に備えられたすべての有機ＥＬ素子２０１の特性を検査することは出来ないので、各帰線期間に、順に、一部の有機ＥＬ素子２０１について、検査を行うこととなる。なお、データ書き込み期間や発光期間に素子の特性を検査してもよいが、ここでは、表示データを書込む時間が減ったり、表示用制御電圧が変動してしまうなどの点を考慮して、帰線期間に検査を行うものとしている。
【００３６】
帰線期間になり、素子の特性検査が可能になると、検査イネーブル信号ＥＮは、ロー電圧からハイ電圧になり、焼付き検出回路１００が立ち上がる。焼付き検出回路１００は、周期的に、有機ＥＬ素子２０１の特性検査を行うが、各測定サイクルの開始を示す信号が、プリチャージ信号ＰＣである。プリチャージ信号ＰＣが立ち上がることにより、検査対象となる有機ＥＬ素子２０１に対して、プリチャージ電圧生成回路１０７がプリチャージ電圧を供給し、その有機ＥＬ素子２０１の充電を行い、次に、プリチャージ信号ＰＣが立ち上がるまでに、逐次比較をして１回の測定を行う。ここで、プリチャージ信号ＰＣの周期を、測定期間とし、ある帰線期間における測定期間を、順に、第１測定期間、第２測定期間、第３測定期間とする。
【００３７】
ここで、測定には、第１参照電圧出力回路１０２Ａが出力する第１参照電圧による粗い精度の測定である第１測定と、第２参照電圧出力回路１０２Ｂが出力する第２参照電圧による微細な精度の測定である第２測定がある。
【００３８】
測定判別信号ＲＥＦは、第１測定を行うときにハイ電圧となり、第２測定を行うときにはロー電圧である。ここでは、ある帰線期間において、測定判別信号ＲＥＦは、第１測定期間のみハイ電圧となり、それ以外の期間は、ロー電圧となっている。すなわち、ある帰線期間において、第１期間のみ、第１測定を行い、それ以外の期間は、すべて第２測定を行うことを示している。
【００３９】
ここで、ある帰線期間において、最初に検査を行う有機ＥＬ素子２０１を第１画素の有機ＥＬ素子２０１とする。第１測定期間には、第１画素の有機ＥＬ素子２０１に対して、第１測定を行う。これを、第１測定期間に行う測定は、第１画素に対する第１測定として、１（Ｒｅｆ）として、検査種別ＴＥＳＴに示されている。第１画素の第１測定の測定結果である第１測定結果ＡＲＥＡに基づいて、第２参照電圧出力回路１０２Ｂの第２基準電圧範囲が決定される。
【００４０】
第２測定期間には、第１画素の有機ＥＬ素子２０１に対して、この第２基準電圧範囲の中で微細な精度の測定である第２測定を行う。これを、第２測定期間に行う測定は、第１画素に対する第２測定として、１（Ｓｌａｖｅ）として、検査種別ＴＥＳＴに示されている。ロジック回路１０５は、第２測定の測定結果である第２測定結果ＤＥＴＡＩＬを取得し、これを、第１画素の有機ＥＬ素子２０１の測定結果とする。
【００４１】
第３測定期間には、次の画素である第２画素の有機ＥＬ素子２０１に対して、特性検査を行う。しかし、前述の通り、第３測定期間に、測定判別信号ＲＥＦはロー電圧であり、第３測定期間において、第２画素の有機ＥＬ素子２０１に対しては、第１測定ではなく、第２測定を行う。よって、第３測定期間に行う測定は、第２画素に対する第２測定として、２（Ｓｌａｖｅ）として、検査種別ＴＥＳＴに示されている。第２測定に必要となる第２参照電圧出力回路１０２Ｂの第２基準電圧範囲は、第１測定期間における第１画素の第１測定結果ＡＲＥＡによって決定される電圧範囲を適用する。ロジック回路１０５は、同様に、第２画素の第２測定結果ＤＥＴＡＩＬを取得し、これを、第２画素の有機ＥＬ素子２０１の測定結果とする。
【００４２】
第４測定期間以降も、同様に、第３画素、第４画素と、順に、第２測定を行うので、３（Ｓｌａｖｅ）、４（Ｓｌａｖｅ）として、検査種別ＴＥＳＴに示されている。ある帰線期間において、特性検査出来る有機ＥＬ素子２０１の数をｎ個とすると、ある帰線期間の終了が近づくのに応じて、第ｎ画素の特性検査が終了し、検査イネーブル信号ＥＮは、ハイ電圧からロー電圧になり、焼付き検出回路１００はオフされる。前述の通り、第ｎ画素の測定は限りがある。次の帰線期間において、次の画素である第（ｎ＋１）画素の特性検査から始まるが、前述の通り、第１期間に、第（ｎ＋１）画素の第１測定を行い、第２期間以降は、順に、第（ｎ＋１）画素、第（ｎ＋２）画素の第２測定を行い、それらを測定結果とする。
【００４３】
図６は、焼付き検出回路１００の駆動の時間変化を示す図である。図６は、１測定期間についての時間変化を示している。前述の通り、１測定期間は、１回の測定を行う期間であり、プリチャージ信号ＰＣが立ち上がってから、次に、プリチャージ信号ＰＣが立ち上がるまでの期間である。１測定期間には、周期クロックＣＬＫの３０周期に相当している。１測定期間において、順に、第１周期クロック、第２周期クロック、とする。
【００４４】
第１周期クロックに、プリチャージ信号ＰＣが立ち上がり、前述の通り、プリチャージ電圧生成回路１０７が、検査対象となる有機ＥＬ素子２０１に、プリチャージ電圧を供給し、その有機ＥＬ素子２０１の充電を行う。
【００４５】
１回の測定において、周期クロック毎に、参照電圧出力回路１０２が参照電圧を出力し、コンパレータ１０４が符号の検出を行い、ロジック回路１０５に、その符号を出力している。第１測定において、５回の逐次比較を行い、その結果を第１測定結果ＡＲＥＡとして取得している。これらを、順に、第１比較、第２比較、第３比較、・・・とする。参照電圧に対して、検査対象となる有機ＥＬ素子２０１の電圧がハイ電圧であるならば、符号を０とし、ロー電圧であるならば、符号を１とする。５回の逐次比較の結果、５個の符号が得られ、それにより、５ｂｉｔのデジタル値が第１測定結果ＡＲＥＡとして得られる。
【００４６】
図６では、第１比較の符号をＡＲＥＡ０と、第２比較の符号をＡＲＥＡ１としている。第３比較以降も同様であり、第５比較がＡＲＥＡ４として記されている。プリチャージが終了すると、第２２周期クロックには、前記５個の符号をすべて０にリセットする。図６には、ＲＥＳＥＴとして記されている。
【００４７】
【表１】
2011112711.tif 000003
【００４８】
表１は、第１測定に用いる第１基準電圧範囲の第１参照電圧ＶＲ＿Ａと、それぞれに対応する第１測定結果ＡＲＥＡの５ｂｉｔのデジタル値を示す表である。５ｂｉｔのデジタル値の各位は、大きい位から順に、ＡＲＥＡ０、ＡＲＥＡ１、・・・ＡＲＥＡ４と記されている。ここでは、第１基準電圧範囲の最高基準電圧ＶＤＨをＶＤＨ＝５．３Ｖとし、最低基準電圧を２．５Ｖとする。精度を１００ｍＶとすると、最低基準電圧と最高基準電圧を含め、第１基準電圧範囲を抵抗により内分することにより、２．５Ｖから５．３Ｖを１００ｍＶ間隔で、２９個の第１参照電圧ＶＲ＿Ａを生成することが出来る。２．５Ｖ、２．６Ｖ、２．７Ｖ・・・と順に、５ｂｉｔのデジタル値を、０００００、００００１、００００２・・・と割り当てられて、５．２Ｖは１１０１１となる。
【００４９】
前述の通り、第１測定においては、５回の逐次比較を行う。図６にＡＲＥＡ０として示す通り、第１比較は、第２３周期クロックに行われる。このとき、ロジック回路１０５は、参照電圧出力回路１０２に対して、第１比較における第１参照電圧ＶＲ＿Ａとして、第１基準電圧範囲のほぼ中間値であるデジタル値が１００００に対応する４．１Ｖを出力するよう指示する。図６に示す通り、第１比較が行われる第２３周期クロックに、ＡＲＥＡ０がハイ電圧、すなわち、１となっている。ＡＲＥＡ１からＡＲＥＡ４はロー電圧、すなわち、０となっている。
【００５０】
コンパレータ１０４は、第１比較において、検査対象となる有機ＥＬ素子２０１の電圧である検査電圧が、第１参照電圧ＶＲ＿Ａである４．１Ｖより高い場合は、符号を０と、低い場合は、符号を１と検出し、この符号をロジック回路１０５に出力する。そして、この符号の値が、デジタル値の最上位であるＡＲＥＡ０の値となる。図５及び図６に示す通り、この値が、第１測定期間の第２４周期以降、その後の測定期間においても、維持される。図５には、この確定した値をＤ０として記している。
【００５１】
第１比較の符号であるＡＲＥＡ０が１であるとは、検査電圧が第１基準電圧範囲内にある、すなわち、オーバーフローはないと仮定すると、検査電圧は、４．１Ｖ以上５．３Ｖ以下にあることを示している。第２比較は、第２４周期クロックに行われる。このとき、ロジック回路１０５は、参照電圧出力回路１０２に対して、第２比較における第１参照電圧ＶＲ＿Ａとして、この電圧範囲のほぼ中間値であるデジタル値が１１０００に対応する４．９Ｖを出力するよう指示する。第１比較と同様に、コンパレータ１０４は、符号を検出し、ロジック回路１０５に出力し、この符号の値が、ＡＲＥＡ１の値となる。
【００５２】
同様に、ＡＲＥＡ０が０であるとは、検査電圧は、２．５Ｖ以上４．１Ｖ未満にあることを示している。第２４周期クロックに行われる第２比較において、第１参照電圧ＶＲ＿Ａは、デジタル値が０１０００に対応する３．３Ｖとなる。
【００５３】
このように逐次比較を繰り返し、第２７周期クロックに第５比較が行われ、第１測定におけるすべての逐次比較を終了し、５回の逐次比較により、それら５個の符号、すなわち、ＡＲＥＡ０からＡＲＥＡ４までの値を、第１測定結果ＡＲＥＡとして、ロジック回路１０５が取得する。
【００５４】
例えば、第１測定結果ＡＲＥＡが０１１１１であるとき、このデジタル値に対応する第１参照電圧ＶＲ＿Ａは、４．０Ｖであり、第１測定結果ＡＲＥＡから、検査電圧は、４．０Ｖ以上４．１Ｖ未満の電圧範囲にあることを示している。各デジタル値に対応した電圧範囲は、表１に、ＡＲＥＡ範囲の最低電圧（Ｍｉｎ）と最高電圧（Ｍａｘ）として示されている。
【００５５】
第１測定結果ＡＲＥＡに基づいて、第２基準電圧範囲が決定される。第２基準電圧範囲の中心値となる基準電圧ＶＡＤＳＥＬが、表１に示されている。基準電圧ＶＡＤＳＥＬは、第１測定結果から定まる検査電圧の電圧範囲の中間値である。例えば、第１測定結果ＡＲＥＡが０１１１１であるとき、検査電圧の電圧範囲は、４．０Ｖ以上４．１未満であり、この電圧範囲の中間値である４．０５Ｖが基準電圧ＶＡＤＳＥＬとなる。
【００５６】
なお、第１比較乃至第３比較の測定結果が、１１１となる場合、検査電圧は、第１基準電圧範囲の最高基準電圧ＶＤＨ＝５．３Ｖよりも高いことを意味し、オーバーフローしていることとなる。このとき、基準電圧ＶＡＤＳＥＬを、エラー値となる。同様に、第１測定結果ＡＲＥＡが、０００００となる場合、検査電圧は、２．６Ｖ未満にあることを意味する。この場合、オーバーフローをしている場合もあり得るが、ここでは、基準電圧ＶＡＤＳＥＬを、２．５５Ｖとする。
【００５７】
図４に示す通り、第１参照電圧出力回路１０２Ａは、ロジック回路１０５が取得した第１測定結果ＡＲＥＡに基づいて決定される基準電圧ＶＡＤＳＥＬを、第２参照電圧出力回路１０２Ｂに出力する。第２参照電圧出力回路１０２Ｂは、入力される基準電圧ＶＡＤＳＥＬにより、第２基準電圧範囲の最低基準電圧ＶＢＴＭと最高基準電圧ＶＴＯＰを生成する。
【００５８】
【表２】
2011112711.tif 000004
【００５９】
表２は、第２基準電圧範囲を決定する設定電圧を示す表である。前述の通り、第２参照電圧出力回路１０２Ｂに、第１参照電圧出力回路１０２Ａより３．２Ｖの基準電圧Ｖ３２が入力される。また、第２参照電圧出力回路１０２Ｂは、この固定電圧である３．２Ｖを、内分して基準電圧ＶＤＬＴを生成し、固定電圧である３．２Ｖとの差分電圧Ｖ３２−ＶＤＬＴにより、第２基準電圧範囲が決定される。この差分電圧Ｖ３２−ＶＤＬＴは、第２基準電圧範囲の中間値である基準電圧ＶＡＤＳＥＬと、最低基準電圧ＶＢＴＭ若しくは最高基準電圧ＶＴＯＰとの電圧差である。すなわち、ＶＴＯＰ＝ＶＡＤＳＥＬ＋（Ｖ３２−ＶＤＬＴ），ＶＢＴＭ＝ＶＡＤＳＥＬ−（Ｖ３２−ＶＤＬＴ）が成り立つ。これら数式を（式１）とする。
【００６０】
第２参照電圧出力回路１０２Ｂで生成される基準電圧ＶＤＬＴは、ここでは、４ｂｉｔの制御デジタル値ＳＩＫＩによって決定される。例えば、制御デジタル値ＳＩＫＩ＝０１００であるとき、基準電圧ＶＤＬＴ＝３．０４Ｖであり、差分電圧Ｖ３２−ＶＤＬＴ＝１６０ｍＶである。このとき、第２参照電圧の電圧間隔となるＡＤ分解能は５．０ｍＶとなっている。なお、ＡＤ分解能は、第２測定における測定の精度と言ってもよい。
【００６１】
なお、制御デジタル値ＳＩＫＩは、事前より所定の値に設定されていてもよいし、ロジック回路１０５が、第１測定結果ＡＲＥＡに応じて、制御デジタル値ＳＩＫＩの値を決定するとしてもよい。後述する通り、補正データとして、２個の有機ＥＬ素子２０１の測定結果の差分を取る場合、その差分の値の確からしさは、ＡＤ分解能の２倍となる。これをしきい値として、補正データの確からしさの目安となっている。
【００６２】
図４に示す通り、第２参照電圧出力回路１０２Ｂは、このようにして生成された第２基準電圧範囲を抵抗により内分することにより、最低基準電圧ＶＢＴＭと最高基準電圧ＶＴＯＰを含め、第２参照電圧ＶＲ＿Ｄを生成する。例えば、基準電圧ＶＡＤＳＥＬが４．０５Ｖであり、制御デジタル値ＳＩＫＩが０１００である場合、上記の数式（式１）により、最低基準電圧ＶＢＴＭは３．８９０Ｖ、最高基準電圧ＶＴＯＰは４．２１０Ｖとなる。このとき、３．８９０Ｖから４．２１０Ｖを５．０ｍＶ間隔で、６５個の第２参照電圧を生成することが出来る。すなわち、差分電圧Ｖ３２−ＶＤＬＴは、ＡＤ分解能５．０ｍＶを３２倍した１６０ｍＶとなっている。
【００６３】
第１測定結果ＡＲＥＡが０１１１１であるとき、検査電圧は、４．０Ｖ以上４．１Ｖ未満の電圧範囲にあることを示している。これに対して、第２基準電圧範囲は、最低基準電圧ＶＢＴＭは３．８９０Ｖ、最高基準電圧ＶＴＯＰは４．２１０Ｖと、第１測定の測定結果より取得される検査電圧の電圧範囲よりも大きくなっている。すなわち、第２基準電圧範囲は、第１測定の測定結果の精度よりも、高範囲に設定されている。これにより、第２測定において、オーバーフローを起こすことを抑制しているとともに、前述の通り、図５及び図６に示す通り、第１画素の第１測定で得られた測定結果に基づいて決定される第２基準電圧範囲より、他の画素の第２測定を行うことが出来る。
【００６４】
図７は、参照電圧出力回路１０２が参照電圧を生成する概要を示す図である。図７（ａ）は、第１参照電圧出力回路１０２Ａが生成する第１参照電圧ＶＲ＿Ａを示している。前述の通り、第１基準電圧範囲を内分することにより、２．５Ｖから５．３Ｖまで１００ｍＶ間隔で、２９個の第１参照電圧を生成することが出来る。これら第１参照電圧のいずれかを参照電圧として測定する第１測定により、第１測定結果ＡＲＥＡが取得される。図７（ｂ）は、第１測定結果ＡＲＥＡと基準電圧ＶＡＤＥＳＬの関係を示している。前述の通り、第１測定結果ＡＲＥＡが０１１１１の場合、検査電圧は、４．０Ｖ以上４．１Ｖ未満の電圧範囲にあることを意味している。基準電圧ＶＡＤＥＳＬは、この電圧範囲の中間値である４．０５Ｖとなる。図７（ｃ）は、第２参照電圧出力回路１０２Ｂが生成する第２参照電圧ＶＲ＿Ｄを示している。ここでは、制御デジタル値ＳＩＫＩが０１００の場合、すなわち、第２測定における測定の精度となるＡＤ分解能が５．０ｍＶの場合について示されている。前述の通り、第２基準電圧範囲は、中間値が基準電圧ＶＡＤＥＳＬとなる４．０５Ｖであり、最低基準電圧ＶＢＴＭは３．８９０Ｖ、最高基準電圧ＶＴＯＰは４．２１０Ｖとなっている。第２基準電圧範囲を内分することにより、３．８９０Ｖから４．２１０Ｖまで５．０ｍＶ感覚で、６５個の第２参照電圧を生成することが出来る。
【００６５】
これら第２参照電圧ＶＲ＿Ｄのいずれかを参照電圧として第２測定が行われる。第２測定について、図５及び図６を用いて説明する。前述の通り、例えば、第２測定期間には、第１画素の第２測定が行われ、図５の検査種別ＴＥＳＴには、１（Ｓｌａｖｅ）と記されている。第１測定の場合と同様に、第２測定においても、第１周期クロックより、プリチャージを行っている。
【００６６】
第２測定において、６回の逐次比較を行い、その結果を第２測定結果ＤＥＴＡＩＬとして取得している。第１測定と同様に、これらを第１比較、第２比較、第３比較、・・・とする。６階の逐次比較の結果、６個の符号が得られ、これにより、６ｂｉｔのデジタル値が第２測定結果ＤＥＴＡＩＬとして得られる。図５及び図６には、第１測定と同様に、第２３周期クロックに第１比較が行われた後、その符号が確定し、その後、順に、逐次比較とその符号が確定していく。第１比較の符号をＤＥＴＡＩＬ０、第２比較の符号をＤＥＴＡＩＬ１とし、順に、第６比較の符号をＤＥＴＡＩＬ５としている。よって、第２８周期クロックに第６比較が行われ、第２測定が終了する。
【００６７】
前述の通り、第３測定期間には、第２画素の測定を行うが、第２画素については、第１測定は行わず、第１画素の第１測定結果ＡＲＥＡを用いて測定を行っている。それゆえ、第２測定期間以降、第１測定結果ＡＲＥＡの値は一定となっている。これに対して、第２測定以降、各画素について第２測定を行っているので、第２測定結果ＤＥＴＡＩＬは、ある測定期間において、第２測定結果ＤＥＴＡＩＬが確定後、次の測定期間の第２２周期クロックに、第２測定結果ＤＥＴＡＩＬの値は、すべて０にリセットされ、次の画素に対して第２測定が行われる。
【００６８】
以上が、本発明に係る焼付き検出回路１００の構成と駆動である。以下、焼付き検出回路１００によって、有機ＥＬ素子２０１の特性を検査し、その特性に基づく補正方法について説明する。
【００６９】
図８は、焼付き現象が生じる場合の例を示す図である。図８（ａ）は、表示領域の一部を固定表示３０３をし、その他の部分を黒表示３０１している場合を示している。固定表示３０３を長時間行うことにより、固定表示３０３を表示している有機ＥＬ素子２０１に経時劣化が生じることとなる。図８（ｂ）は、固定表示を長時間行った後に、表示領域全体を白表示する場合を示している。固定表示３０３を表示している有機ＥＬ素子２０１が劣化により特性が変化したことにより、表示領域全体に、同じ輝度で白表示３０２を行う場合であっても、固定表示３０３を行っていた有機ＥＬ素子２０１には輝度の低下が生じてしまい、それにより、焼付きパターン３０４として、人間の目に観測されることとなる。焼付き検出回路１００が、順に、表示領域の有機ＥＬ素子２０１を検査していく。ここでは、図８（ｂ）に示す同一水平ライン３０５に並ぶ画素の有機ＥＬ素子２０１について、焼付き検出回路１００が、特性検査を行う場合について説明する。
【００７０】
図９は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の有機ＥＬ素子２０１の電流と電圧の特性を示す図である。図の縦軸は、素子に流れる電流で、横軸は、素子の両極間の電圧を示している。また、正常素子３０６の特性を実線の曲線で、劣化素子３０７の特性を破線の曲線で、示している。劣化素子３０７の特性は、正常素子３０６の特性と比べて、図に示す曲線の傾きが小さくなっている。それゆえ、正常素子３０６と劣化素子３０７に定電流３１０を流す場合、正常素子３０６の電圧３０８と比して、劣化素子３０７の電圧３０９は高くなる。
【００７１】
図１０は、図８（ｂ）に示す同一水平ライン３０５上の有機ＥＬ素子２０１の電圧を示す図である。図の縦軸は、有機ＥＬ素子２０１に検査用電流である定電流３１０を流すときの、有機ＥＬ素子２０１の電圧を示している。図の横軸は、同一水平ライン３０５上の有機ＥＬ素子２０１の位置を示している。
【００７２】
図８（ｂ）に示す同一水平ライン３０５の左側は、正常素子３０６であり、素子の電圧も、正常素子３０６の電圧３０８で一定である。これに対して、同一水平ライン３０５の右側には、劣化素子３０７が点在しており、劣化素子３０７の電圧３０９に変化しているのが観測されている。ここでは、簡単のため、固定表示３０３としているので、素子の劣化の程度も一定であるので、図１０に示す有機ＥＬ素子２０１の電圧も、正常素子３０６の電圧３０８と、劣化素子３０７の電圧３０９と、２値のみを取っている例である。しかし、実際には、経時劣化の度合いによって、検査される電圧は変化する。
【００７３】
焼付き検出回路１００に備えられるロジック回路は、検査対象となる有機ＥＬ素子２０１について第２測定を行い、第２測定結果ＤＥＴＡＩＬを取得している。第１測定結果ＡＲＥＡと第２測定結果ＤＥＴＡＩＬより、その有機ＥＬ素子２０１の電圧の測定結果としている。
【００７４】
順に検査される有機ＥＬ素子の測定結果により、例えば、補正データとして、記憶される。例えば、同一水平ライン上を順に検査する場合、同一水平ライン上の隣り合う有機ＥＬ素子２０１の測定結果の差分を、補正データとしてもよい。
【００７５】
【表３】
2011112711.tif 000005
【００７６】
表３は、３ｂｉｔの補正データｄｃｔ＿ｄａｔａを示している。第ｎ画素の第２測定結果ＤＥＴＡＩＬ（ｎ）と、第（ｎ＋１）画素の第２測定結果ＤＥＴＡＩＬ（ｎ＋１）の差分は、ＤＥＴＡＩＬ（ｎ＋１）−ＤＥＴＡＩＬ（ｎ）と、計算される。表３に示す通り、ここでは、この差分の値が補正データｄｃｔ＿ｄａｔａとされている。また、差分が大きい場合、すなわち、差分が−３以下や３以上であるときは、補正データｄｃｔ＿ｄａｔａは、それぞれ、０００と１１０としている。第１測定及び第２測定でオーバーフローが生じた場合は、補正データｄｃｔ＿ｄａｔａは、エラーとして、１１１とされる。
【００７７】
以上、隣り合う画素の測定結果の差分を補正データとする場合について説明したが、補正データは、これに限られない。例えば、ある同一水平ラインにおいて、測定結果の最大値と最小値を記録して、この差を補正データとして、補正に利用することも出来る。また、各画素の測定結果を、画素の位置情報とともに記憶することにより、微細な補正をすることも出来る。記憶メモリに対する回路規模の増大と、補正の正確性とを鑑みて、適正な補正方法を選択すればよい。また、ここでは、同一水平ライン上の画素について比較を行っているが、縦方向に並ぶ画素の比較であっても、その他、離れて位置する２個の画素の比較であってもよいのは言うまでもない。
【００７８】
本発明に係る焼付き検出回路１００の特徴は、１つのコンパレータ１０４を用いて、逐次比較を行うことにより、異なるコンパレータ１０４の間にオフセットが生じる問題が生じていない。また、１つのコンパレータ１０４を用いて、第１参照電圧と第２参照電圧の２つの精度の測定を可能としている。これらにより、回路規模の増大を抑制しつつ、より広い電圧範囲で測定可能とし、素子の特性変化をより高い精度で検出することが出来る。
【００７９】
なお、有機ＥＬ素子２０１の電流と電圧の特性の変化は、素子の劣化の程度に依存するよりも、温度の変化に大きく依存している。それゆえ、広い電圧範囲における測定が可能となる必要があるとともに、同じ温度条件において、素子の劣化による特性の変化は小さい。それゆえ、本実施形態に係る焼付き検出回路１００が、有機ＥＬ素子２０１の特性検査を行う際、図５に示す通り、第１画素に対してのみ第１測定を行い、その測定結果に基づいて定まる第２基準電圧範囲を用いて、第２画素以降は、第１測定を行うことなく、第２測定を行っている。
【００８０】
しかし、異なる素子における特性の違いが大きい場合は、各画素ごとに、第１測定と第２測定の両方を行う場合もあり得る。逆に、異なる素子における特性の違いが小さい場合は、帰線期間ごとに、第１測定を行う必要はなく、一度、行った第１測定に基づいて定まる第２基準電圧範囲を用いて、その後も、第２測定のみ行うとしてもよい。すなわち、素子の特性に応じて、測定の精度と効率を考慮して、選択すればよい。
【００８１】
さらに、本実施形態に係る焼付き検出回路１００において、参照電圧出力回路１０２は、第１参照電圧を出力する第１参照電圧出力回路１０２Ａと、第２参照電圧を出力する第２参照電圧出力回路１０２Ｂを備えているが、さらに、異なる精度の参照電圧を出力する別個の参照電圧出力回路を備えていてもよい。検査電圧の想定される電圧範囲と、必要な測定精度とを考慮して、回路設計を行えばよい。
【００８２】
なお、本発明に係る表示装置として、有機ＥＬ表示装置を例に説明したが、有機ＥＬ表示装置に限定されることはなく、例えば、他の自発光素子による表示装置、また、液晶表示装置など他に光源を有する表示装置に対しても、本発明が適用出来るのは言うまでもない。
【符号の説明】
【００８３】
１  有機ＥＬ表示装置、２  ＴＦＴ基板、３  上フレーム、４  下フレーム、５  フレキシブル基板、６  回路基板、１０  表示制御部、１１  データ線駆動回路、１２  走査線駆動回路、１３  発光電圧供給回路、１４  検出走査線駆動回路、１５  表示領域、２１  表示制御信号、２２  データ線制御信号、２３  走査線制御信号、２４  検出制御信号、２５  検出走査線制御信号、２６  データ信号線、２７  走査線、２８  検出走査線、１００  焼付き検出回路、１０１  データ線制御電圧供給回路、１０２  参照電圧出力回路、１０２Ａ  第１参照電圧出力回路、１０２Ｂ  第２参照電圧出力回路、１０３  検査電流生成回路、１０４  コンパレータ、１０５  ロジック回路、１０６  検査電圧入力部、１０７  プリチャージ電圧生成回路、２０１  有機ＥＬ素子、２０２  表示制御回路、３０１  黒表示、３０２  白表示、３０３  固定表示、３０４  焼付きパターン、３０５  同一水平ライン、３０６  正常素子、３０７  劣化素子、ＡＲＥＡ  第１測定結果、ＣＬＫ  周期クロック、ＤＥＴＡＩＬ  第２測定結果、ＥＮ  検査イネーブル信号、ＬＰＦ  ローパスフィルター、ＰＣ  プリチャージ信号、ＳＩＫＩ  制御デジタル値、ＳＷＳ  制御スイッチング素子、ＳＷＴ，ＳＷＷ  スイッチング素子、ＴＥＳＴ  検査種別。
【図１】
2011112711.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2011112711.tif 000012
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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