(57)【要約】【課題】露光工程時におけるフォトマスクに付着したダスト等によりＰＤＰのパターンに断線などの欠陥が発生することを抑制し、且つ、大画面、高精細であっても均一なパターン幅を得ることを目的とする。【解決手段】少なくとも一方の基板に構造物を有したＰＤＰを複数製造するＰＤＰの製造方法であって、前記構造物の形成には、第１露光ステップと第２露光ステップを有し、第１露光ステップにおける露光位置と第２露光ステップにおける露光位置とのずれ量を測定するステップを有し、前記ずれ量から、次以降のプラズマディスプレイパネルの製造における前記第１露光ステップもしくは前記第２露光ステップの露光位置を補正することを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の基板に構造物を有したプラズマディスプレイパネルを複数製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記構造物の形成には、第１露光ステップと第２露光ステップを有し、
第１露光ステップにおける露光位置と第２露光ステップにおける露光位置とのずれ量を測定するステップを有し、
前記ずれ量から、次以降のプラズマディスプレイパネルの製造における前記第１露光ステップもしくは前記第２露光ステップの露光位置を補正することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記第１露光ステップにおいて露光する第１露光パターンと、前記第２露光ステップにおいて露光する第２露光パターンとには、異なる箇所が存在し、前記異なる箇所の位置から前記ずれ量を測定することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記構造物は、前記プラズマディスプレイパネルの放電に使用する電極であって、
前記第１露光ステップと前記第２露光ステップとは前記電極の断線補償をするために行うことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記第１露光ステップおよび前記第２露光ステップに使用するフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイパネル（以下、ＬＣＤと記す）やプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰは、ガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で蛍光体を励起して発光させることにより画像表示を行っている。
【０００３】
ＰＤＰには、大別して駆動方式ではＡＣ型とＤＣ型とがあり、放電形式では面放電型と対向放電型とがあるが、高精細化、大画面化および構造の簡素性に伴う製造の簡便性から、現状では、３電極構造の面放電型のＰＤＰが主流である。その構造は、ガラス等の基板上に、走査電極と維持電極とからなる表示電極と、それを覆う誘電体層と、さらにそれを覆う保護層とを有する前面板と、表示電極に対して直交する複数のアドレス電極と、それを覆う誘電体層と、誘電体層上の隔壁とを有する背面板とを対向配置させることにより、表示電極とアドレス電極との交差部に放電セルを形成し、且つ放電セル内に蛍光体層を備えたものである。
【０００４】
この構成においては、表示電極およびアドレス電極には、その形状および配設ピッチに精度が要求されることから、例えば、金属材料等のような導電性材料に、感光性材料を含有させた材料を基板全面に塗布、乾燥し、それを電極のパターンに露光する露光パターンを備えたフォトマスクにより露光し、その後、それを現像するという、いわゆるフォトリソグラフィ法によってパターニングすることで、所定の位置に所定形状の電極を形成する。
【０００５】
フォトリソグラフィ法においては、感光性材料としてネガ材を使用した場合、フォトマスクが備える露光パターンの露光部にダスト等が付着していると、その部分に対応する感光性材料が感光せず重合されなくなる。この場合、現像時にその部分が溶解し、「抜け」となってしまい、表示電極、アドレス電極の欠け・断線に至ってしまう。ここで、断線が発生してしまうと、断線発生箇所より給電方向下流側の画素に電力を供給することができず、ＰＤＰにおいては画像表示に支障が生じ、致命的な欠陥となる。
【０００６】
そこで、上述のような断線の発生を抑制するために、同一の露光パターンを備える複数のフォトマスクを用いて、複数回露光を行うという方法がある。これによって、たとえ一方のフォトマスクに付着したダストによって欠け・断線部が発生したとしても、他方のフォトマスクを用いた露光によって、その箇所を露光して断線を補償することが可能となる（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
また上記の技術では、露光パターンの幅が異なる複数のフォトマスクを用いて、複数回露光を行うという方法がある。これは、ＰＤＰの構造物に断線などの欠陥が発生することを抑制し、且つ、構造物の反り上がり、剥がれなども抑制することが可能となるというものである（例えば、特許文献２、３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−２５０４６５号公報
【特許文献２】特開平１−２８１４４８号公報
【特許文献３】特開２００４−３４２３４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、ＬＣＤやＰＤＰに代表される薄型ディスプレイデバイスは、表示画面の大型化が進行している。このため、薄型ディスプレイデバイスの製造工程においては、一度の処理で複数のパターンを得られるように、一枚の大型基板に複数のパターンを一度に形成し、パターン完成後に単板に割断するようにして、工数低減によるコスト削減を実施している。
【００１０】
また一方で、地上デジタルテレビジョン放送などに呼応し高精細ディスプレイの需要が伸張しており、画素ピッチの小型化、構造パターンの細線化が進んでいる。
【００１１】
このため、上記表示電極のパターンを形成するための露光工程においても、高い精度が求められることになる。ところが、上述のように露光を複数回行うと、各々の露光工程で転写位置にずれが生じやすくなる。
【００１２】
従来技術においても、このような転写ずれを考慮し、例えば、メインパターンを有するフォトマスクと断線補償用にメインパターンより細いサブパターンを有するフォトマスクを用い、２回の露光を行う方法が採り入れられている。
【００１３】
しかし、基板とフォトマスクの大型化、および表示電極の高精細化に伴い、各々の露光工程で生じる位置ずれ量が拡大する傾向にある。断線補償用のサブパターンは、本来メインパターンに隠れるようメインパターンより所定量細く設計されているが、転写位置ずれが許容量を超える場合、メインパターンからサブパターンがはみ出し、所定のパターン幅を得ることができなくなる。
【００１４】
本発明は、これらの課題に鑑みてなされたものであり、ＰＤＰの表示電極パターンに断線などの欠陥なく、且つ、大画面、高精細であっても均一なパターン幅を有するＰＤＰを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の課題を解決するために本発明のＰＤＰの製造方法は、少なくとも一方の基板に構造物を有したＰＤＰを複数製造するＰＤＰの製造方法であって、構造物の形成には、第１露光ステップと第２露光ステップを有し、第１露光ステップにおける露光位置と第２露光ステップにおける露光位置とのずれ量を測定するステップを有し、ずれ量から、次以降のＰＤＰの製造における第１露光ステップもしくは第２露光ステップの露光位置を補正することを特徴とする。
【００１６】
また、第１露光ステップにおいて露光する第１露光パターンと、第２露光ステップにおいて露光する第２露光パターンとには、異なる箇所が存在し、異なる箇所の位置からずれ量を測定することが望ましい。構造物は、ＰＤＰの放電に使用する電極であって、第１露光ステップと第２露光ステップとは電極の断線補償をするために行うことが望ましい。
【００１７】
また、本発明のフォトマスクは第１露光ステップおよび第２露光ステップに使用するものである。
【００１８】
本構成のＰＤＰおよびフォトマスクによって、第１露光ステップであるメインパターンの転写位置と第２露光ステップであるサブパターンの転写位置が独立して認識可能となり、メインパターンとサブパターンの転写位置ずれ量を確認することが可能となる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のＰＤＰによれば、メインパターンの転写位置とサブパターンの転写位置を相対的に補正することで、フォトマスクに付着したダスト等によりＰＤＰのパターンに断線などの欠陥が発生することを抑制し、且つ、大画面、高精細であっても均一なパターン幅を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態によるＰＤＰの概略構成の一例を示す断面斜視図
【図２】同ＰＤＰの製造方法におけるアドレス電極を形成する工程の概略の流れを示す図
【図３】同ＰＤＰの製造方法における第１フォトマスクと第２フォトマスクの開口パターンを模式的に示す平面図
【図４】位置ずれを模式的に示す図
【図５】本発明の基準位置マークと位置確認マークの例を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
（実施の形態）
まず、ＰＤＰの構造の一例について説明する。図１は、本発明の一実施の形態によるＰＤＰの製造方法により製造される、ＰＤＰの概略構成の一例を示す断面斜視図である。
【００２３】
ＰＤＰ１の前面板２は、平滑、透明且つ絶縁性の前面基板３の一主面上に形成した、走査電極４と維持電極５とからなる表示電極６と、隣接する表示電極６間に設けた遮光層７と、表示電極６と遮光層７とを覆う誘電体層８と、さらにその誘電体層８を覆う、例えばＭｇＯによる保護層９とを有する構造である。走査電極４と維持電極５は、電気抵抗の低減を目的として、透明電極に金属材料のような良導電性材料によるバス電極を積層した構造である。
【００２４】
背面板１０は、平滑、且つ絶縁性の背面基板１１の一主面上に形成したアドレス電極１２と、そのアドレス電極１２を覆う誘電体層１３と、誘電体層１３上の、隣り合うアドレス電極１２の間に相当する場所に位置する隔壁１４と、隔壁１４間の蛍光体層１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂとを有する構造である。
【００２５】
そして、前面板２と背面板１０とは、隔壁１４を挟んで、表示電極６とアドレス電極１２とが直交するように対向し、周囲を封着部材により封止した構成であり、前面板２と背面板１０との間に形成された放電空間１６には、放電ガスとして、例えばネオンとキセノンの混合ガスが封入されている。そして、放電空間１６の表示電極６とアドレス電極１２との交差部が放電セル（単位発光領域）として動作する。
【００２６】
次に、上述した構造のＰＤＰ１について、その製造方法を同じく図１を参照しながら説明する。前面板２は、前面基板３上にまず、走査電極４および維持電極５を例えばストライプ状に形成する。
【００２７】
具体的には、前面基板３上に透明電極の材料、例えばＩＴＯによる膜を、例えば電子ビーム蒸着法により形成し、さらにその上にレジストを、透明電極のパターンとして残るようにパターニングして形成した後、エッチングにより透明電極の材料による膜をエッチングし、その後、レジストを剥離することで、透明電極を形成する。なお、透明電極材料としてはＳｎＯ２等も用いることができる。
【００２８】
そして、上述のようにして形成した透明電極の上にバス電極を形成する。具体的には、黒色顔料、ガラスフリット（ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系やＢｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系等）、重合開始剤、光硬化性モノマー、有機溶剤を含む感光性黒色ペーストを用いスクリーン印刷法等によりガラス基板上に黒色電極膜を成膜した後、乾燥し、引き続き、スクリーン印刷法等により黒色電極膜の上にＡｇを材料に含有する導電性材料、ガラスフリット（ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系やＢｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系等）、重合開始剤、光硬化性モノマー、有機溶剤を含む感光性Ａｇペーストを用いて金属電極膜を成膜し、再度、乾燥する。
【００２９】
そしてその後、フォトリソグラフィ法によってパターニングし、焼成することで、バス電極を形成することができる。以上により、走査電極４および維持電極５からなる表示電極６を形成することができる。
【００３０】
次に、遮光層７を形成する。これは、感光性黒色ペーストをスクリーン印刷法等により成膜した後、フォトリソグラフィ法によってパターニングし、焼成することで形成することができる。なお、遮光層７は、バス電極の下地黒色層と同時に形成してもよい。また、黒色であるならペーストを用いた形成方法でなくとも良い。また、バス電極形成の前に形成しても良い。
【００３１】
次に、以上のようにして形成した表示電極６と遮光層７とを、誘電体層８で被覆する。誘電体層８は、鉛系のガラス材料を含むペーストを例えばスクリーン印刷で塗布、乾燥した後、焼成することによって形成する。
【００３２】
次に、誘電体層８を、保護層９で被覆する。保護層９は、例えばＭｇＯからなるものであり、蒸着やスパッタなどの成膜プロセスにより形成する。
【００３３】
一方、背面板１０は、背面基板１１上に、アドレス電極１２を、例えばストライプ状に形成する。具体的には、基板１１上に、アドレス電極１２の材料、例えば感光性Ａｇペーストを用い、スクリーン印刷法等により膜を形成し、その後、フォトリソグラフィ法などによってパターニングし、焼成することで形成することができる。
【００３４】
次に、以上のようにして形成したアドレス電極１２を、誘電体層１３により被覆する。誘電体層１３は、例えば、鉛系のガラス材料を含むペーストを、例えば、スクリーン印刷で塗布、乾燥した後、焼成することによって形成する。また、ペーストをスクリーン印刷する代わりに、成型されたフィルム状の誘電体層の前駆体をラミネートして焼成することによって形成しても良い。
【００３５】
次に、隔壁１４を例えば格子状に形成する。隔壁１４は、Ａｌ２Ｏ３等の骨材とガラスフリットとを主剤とする感光性ペーストを印刷法やダイコート法等により成膜し、フォトリソグラフィ法によりパターニングし、焼成することで形成することができる。または、例えば、鉛系のガラス材料を含むペーストを、例えば、スクリーン印刷法により所定のピッチで繰り返し塗布、乾燥した後、焼成することによって形成してもよい。
【００３６】
そして、隔壁１４と隔壁１４との間の溝には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各蛍光体粒子により構成される蛍光体層１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂを形成する。これは、各色の蛍光体粒子と有機バインダとからなるペースト状の蛍光体インキを塗布、乾燥し、これを４００℃〜５９０℃の温度で焼成して有機バインダを焼失させることによって、各蛍光体粒子が結着してなる蛍光体層１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂとして形成する。
【００３７】
以上のようにして作製した前面板２と背面板１０を、前面板２の表示電極６と背面板１０のアドレス電極１２が直交するように重ね合わせるとともに、周縁に封着用ガラス等の封着部材を介挿し、これを例えば４５０℃程度で１０〜２０分間焼成して形成した気密シール層（図示せず）により封着する。そして、一旦、放電空間１６内を高真空（例えば、１．１×１０−４Ｐａ）に排気した後、放電ガス（例えば、Ｈｅ−Ｘｅ系の不活性ガス）を封入することによってＰＤＰ１を作製する。
【００３８】
このように、ＰＤＰ１は大画面であると同時に、表示電極６、遮光層７、アドレス電極１２、隔壁１４などのＰＤＰ１の構造物には、形状および位置に対する精度が要求されるため、これら、ＰＤＰ１の構造物の形成方法としては、フォトリソグラフィ法が多く用いられている。
【００３９】
そこで、本発明によるＰＤＰ１の製造方法におけるフォトリソグラフィ法について、アドレス電極１２をＰＤＰの構造物の一例として、その形成工程を、本発明の特徴的な点である、露光での工程の流れを中心に、図を用いて説明する。
【００４０】
図２は、アドレス電極１２を形成する際の工程の概略の流れを示す図である。また、後述するように、アドレス電極１２を形成する工程では、第１露光ステップと第２露光ステップとを有し、それぞれの工程において異なるパターンを有した第１フォトマスクと第２フォトマスクとを用いる。図３は、第１フォトマスクと第２フォトマスクの開口パターンの相対関係を模式的に示すための部分拡大平面図であり、図３（ａ）は第１フォトマスクを示し、図３（ｂ）は第２フォトマスクを示す。
【００４１】
まず、図２（ａ）に示すように、アドレス電極１２の材料となるＡｇ材料を有する感光性Ａｇペーストを用い、これをスクリーン印刷法等により背面基板１１に均一に塗布することで、感光性Ａｇペースト膜２１を形成する。
【００４２】
次に、図２（ｂ）に示すように、開口部２２ａを備える第１フォトマスク２２を、所定の位置に位置合わせして設置する。ここで、図３に示すように、第１フォトマスク２２における開口部２２ａの開口幅Ｗ１は、コリメーション半角、デクリネーション角度による転写パターンのぼけを考慮し、アドレス電極１２パターン幅を所望のパターン幅Ｗに形成し得るよう、補正値αを加え補正している。すなわちＷ＝Ｗ１＋αである。
【００４３】
この状態で、図２（ｃ）に示すように、感光性Ａｇペースト膜２１に対する第１露光ステップを行う。具体的には、超高圧水銀ランプによる紫外線２３を照射する。この露光により、図２（ｃ）に示すように、アドレス電極１２のパターンのメインパターン３１が露光される。
【００４４】
次に、図２（ｄ）に示すように、開口部２４ａを備える第２フォトマスク２４を、所定の位置に位置合わせして設置する。ここで、図３に示すように、第２フォトマスク２４における開口部２４ａの開口幅Ｗ２は、第１フォトマスク２２における開口部２２ａの開口幅Ｗ１に対して、第１フォトマスク２２と第２フォトマスク２４の転写位置誤差Ｄｔを考慮し小さく形成している。
【００４５】
そして、この状態で、図２（ｅ）に示すように、超高圧水銀ランプによる紫外線２３を照射し、感光性Ａｇペースト膜２１に対する第２露光ステップを行う。この露光により、図２（ｅ）に示すように、第１露光ステップによるメインパターン３１に重複させた状態で、アドレス電極１２のサブパターン３２が露光される。
【００４６】
そして以上のようにして、アドレス電極１２のパターンを露光した感光性Ａｇペースト膜２１に対して現像を行うことで、感光性Ａｇペースト膜２１をアドレス電極１２のパターンに形成することができ、それを焼成することでアドレス電極１２のパターニングが完成する。
【００４７】
ここで、第１フォトマスク２２および第２フォトマスク２４に、それぞれダストが付着していたとしても、感光性Ａｇペースト膜２１に対する相対位置が一致する確率は非常に小さい。具体的には、４０インチクラスのＰＤＰの製造に用いられるフォトマスク上に直径１００μｍの円状の異物が１００個程度付着したとき、第１フォトマスクと第２フォトマスクとで付着した異物の位置が一致する確率は０．１％程度以下となる。すなわち、フォトマスクの交換毎に露光を行う場合、感光性Ａｇペースト膜２１に対してフォトマスクの交換によってでも同じ箇所にダストが位置するという確率は非常に小さく、したがって、フォトマスクの交換を行って、その交換毎に露光を行えば、フォトマスクに付着したダストにより露光が遮られ未露光となり断線してしまうという領域を、大幅に抑制することが可能となる。
【００４８】
したがって、上述したような２回露光によりパターン中に形成された、第１の露光によるメインパターン３１と、第２の露光によるサブパターン３２とが重複する２回露光の領域は、フォトマスクへのダストの付着に関わらず１回は露光される確率が非常に高まるため、これにより、アドレス電極１２のパターンは、最悪でも、上述した二回露光の領域の存在により、断線に至る確率は非常に小さくなる。
【００４９】
ここで、アドレス電極１２のメインパターン３１とサブパターン３２のずれについて説明する。図４は第１フォトマスク２２により転写されるメインパターン３１と第２フォトマスク２４により転写されるサブパターン３２の位置ずれを模式的に示す図である。
【００５０】
前述のように、図３に示す第１フォトマスク２２により転写されるメインパターン３１と第２フォトマスク２４により転写されるサブパターン３２とには、第１露光ステップと第２露光ステップとで露光される領域の位置ずれ量Ｄｔが生じる。位置ずれ量Ｄｔは第１フォトマスク２２と第２フォトマスク２４の寸法精度、或いは、製造工程の温度変動などに起因する平均的なずれ成分Ｄｓと、それぞれのフォトマスクの位置合わせ誤差などに起因するばらつき成分Ｄ１（第１フォトマスクの位置ずれ起因）、Ｄ２（第２フォトマスクの位置ずれ起因）に分類される。すなわちＤｔ＝Ｄｓ＋Ｄ１＋Ｄ２である。
【００５１】
従来は、Ｄｔが不明確であり、線幅不良となるＰＤＰを大量に生産する結果となっていた。これに対し本発明の実施の形態では、この位置ずれ量Ｄｔによるパターン幅精度悪化を抑制するために、まず第２フォトマスク２４の開口部２４ａの開口幅Ｗ２は、第１フォトマスク２２の開口部２２ａの開口幅Ｗ１よりＤｔだけ小さい設計としている。すなわちＷ１＝Ｗ２＋２Ｄｔである。
【００５２】
ここで、ずれ量の測定について説明する。図５は、基準位置マーク４１ａおよび位置確認マーク４２ａと、各々の転写パターンを示す図である。第１フォトマスク２２に基準位置マーク４１ａを配置し、第２フォトマスク２４に位置確認マーク４２ａを配置し、第１フォトマスク２２により転写されるメインパターンと第２フォトマスク２４により転写されるサブパターンの位置ずれ量を複数回測定する。
【００５３】
図５（ａ）に示す基準位置マーク４１ａと図５（ｂ）に示す位置確認マーク４２ａは、それぞれ図５（ｃ）に示す背面基板１１上に形成されたアドレス電極層に転写された転写パターン４１ｂと転写パターン４２ｂが位置ずれ測定装置の同一視野内で確認できるよう極近接、または重なり合った状態となるように配置する。
【００５４】
また、第１フォトマスク２２に配置する基準位置マーク４１ａと第２フォトマスク２４に配置する位置確認マーク４２ａは、アドレス電極のパターン形成の障害となることを避けるため、それぞれのフォトマスクの外縁部に複数個、少なくとも２個以上設ける。
【００５５】
複数の基準位置マーク４１ａが転写された転写パターン４１ｂから導出される第１フォトマスク２２によるメインパターンの重心位置と、複数の位置確認マーク４２ａが転写された転写パターン４２ｂから導出される第２フォトマスク２４によるサブパターンの重心位置とを比較することで、基準位置マーク４２ａの転写パターン４２ｂと位置確認マーク４２ａの転写パターン４２ｂとの平均的な位置ずれ量Ｄｓを測定することが可能となる。
【００５６】
本実施の形態では基準位置マーク４１ａと位置確認マーク４２ａをそれぞれ４個ずつ、それぞれのフォトマスクの外縁部に設けている。
【００５７】
上記の測定方法により算出した位置ずれ量Ｄｓを用いて、次以降に製造されるＰＤＰ１の第２露光ステップにおける第２フォトマスク２４の位置をＤｓだけオフセットすることで、メインパターン３１とサブパターン３２の位置ずれ量を補正することができる。
【００５８】
この手法により、フィードバック後の製品は位置ずれ量Ｄｓが限りなく０に近付くこととなり、位置ずれ量ＤｔはＤｔ≒Ｄ１＋Ｄ２へと縮小し、フォトマスクの開口幅Ｗ２はＤｓだけ拡幅でき、断線補償効果も上がる。
【００５９】
以上は、ＰＤＰの構造物の一例としてアドレス電極１２を例として説明したが、表示電極６、遮光層７、アドレス電極１２、隔壁１４など、フォトリソグラフィ法を用いて形成するＰＤＰ１の構造物に対しても同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
以上のように、本発明のＰＤＰは、メインパターンの転写位置とサブパターンの転写位置を補正することで、フォトマスクに付着したダスト等によりＰＤＰのパターンに断線などの欠陥が発生することを抑制し、且つ、大画面、高精細であっても均一なパターン幅を得ることが可能になるので、ＰＤＰとして有用である。
【符号の説明】
【００６１】
１  ＰＤＰ
２  前面板
３  前面基板
４  走査電極
５  維持電極
６  表示電極
７  遮光層
８  誘電体層
９  保護層
１０  背面板
１１  背面基板
１２  アドレス電極
１３  誘電体層
１４  隔壁
１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ  蛍光体層
１６  放電空間
２１  感光性Ａｇペースト膜
２２  第１フォトマスク
２２ａ  開口部
２３  紫外線
２４  第２フォトマスク
２４ａ  開口部
３１  メインパターン
３２  サブパターン
４１ａ  基準位置マーク
４１ｂ  転写パターン
４２ａ  位置確認マーク
４２ｂ  転写パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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