(57)【要約】【課題】厚膜導体層表面の平坦性を上げることで、耐硫化性を高めた素子搭載用基板を提供する。【解決手段】本発明の素子搭載用基板１０は、ＬＴＣＣ基板１の表面に素子接続用端子である厚膜導体層２が形成された構造を有する。厚膜導体層２は、ＡｇまたはＣｕを主体とする金属からなり、金属ペーストを印刷し焼成することにより形成されている。この厚膜導体層２は、表面がウェットブラスト処理により０．０２μｍ以下の表面粗さＲａに平坦化されている。この厚膜導体層２の上にＮｉ／Ａｕメッキ層３が形成され、厚膜導体層２の表面が隙間なく完全に覆われている。【選択図】図１
2011176301.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低温焼成セラミックス基板と、
前記低温焼成セラミックス基板の表面に形成された、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）を主体とする金属からなる厚膜導体層と、
前記厚膜導体層の上に形成された導電性金属のメッキ層を有し、
前記厚膜導体層は、ウェットブラスト処理により表面が平坦化されており、０．０２μｍ以下の表面粗さＲａを有することを特徴とする素子搭載用基板。
【請求項２】
前記導電性金属のメッキ層は、ニッケル（Ｎｉ）−金（Ａｕ）メッキ層であることを特徴とする請求項１記載の素子搭載用基板。
【請求項３】
ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる基板の表面に、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）を主体とする金属のペーストを印刷して導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンが形成された前記基板を焼成し、前記ガラスセラミックス組成物を焼結するとともに前記金属ペーストを焼成して、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）を主体とする金属からなる厚膜導体層を形成する工程と、
前記厚膜導体層に対してウェットブラスト処理を行い、該厚膜導体層の表面を０・０２μｍ以下の表面粗さＲａに平坦化する工程と、
前記ウェットブラスト処理により表面が平坦化された前記厚膜導体層の上に、ニッケル（Ｎｉ）−金（Ａｕ）メッキ層を形成する工程と
を備えることを特徴とする素子搭載用基板の製造方法。
【請求項４】
前記ウェットブラスト処理に使用される研磨材は、粒径が２５〜１５０μｍのセラミックス粉末であり、媒体は水であることを特徴とする請求項３記載の素子搭載用基板の製造方法。
【請求項５】
前記研磨材の混合比率は、前記研磨材と前記水との全量に対して２０〜６０体積％であることを特徴とする請求項４記載の素子搭載用基板の製造方法。
【請求項６】
前記ウェットブラスト処理において、前記研磨材と前記水とからなるブラスト液の圧力は、１．２〜１．８ｋｇ／ｃｍ２であることを特徴とする請求項４または５記載の素子搭載用基板の製造方法。
【請求項７】
前記ブラスト液を直径５〜１０ｍｍの噴射口を有するノズルから噴射する請求項６記載の素子搭載用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子搭載用基板とその製造方法に係り、特に、基板表面に形成された厚膜導体層表面の平坦性が高く、耐硫化性に優れた素子搭載用基板と、そのような基板を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高密度実装化や処理速度の高速化に伴い、低誘電率で低配線抵抗という優れた特徴を有する低温（同時）焼成セラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）の使用が拡大している。また、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子のような半導体素子を搭載するための基板として、ＬＴＣＣ基板の使用が検討されている。
【０００３】
ＬＴＣＣ基板は、通常のセラミックスの焼成温度より低い８００〜１０００℃程度の温度で焼成されるもので、ガラスとセラミックスフィラー（例えば、アルミナフィラーやジルコニアフィラー）とからなるグリーンシートを所定の枚数重ね合わせ、熱圧着により一体化した後焼成することにより作製される。
【０００４】
ＬＴＣＣ基板の表面には、銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）のような導体金属を主体とするペーストを印刷し焼成してなる厚膜導体層が形成されている。そして、このような厚膜導体層のうちで特に素子との接続がなされる端子部（電極）には、ワイヤボンディング性、密着強度、および耐候性を保つために、ニッケル（Ｎｉ）メッキと金（Ａｕ）メッキの積層メッキ（Ｎｉ／Ａｕメッキ）が施されている。このようなＮｉ／Ａｕメッキにより耐硫化性を付与し、厚膜導体層が空気中等の硫黄（Ｓ）分と反応して変色するのを防止している。
【０００５】
しかし、ＬＥＤ素子等を搭載するための基板においては、近年、耐硫化性の高さが求められており、ワイヤボンディング部に必要とされる従来からのメッキ厚（Ｎｉメッキ厚３〜５μｍ／Ａｕメッキ厚０．１〜０．３μｍ）では、ＪＩＳ−Ｃ−６００６８−２−４３に拠る硫化試験においてＮｉ／Ａｕメッキ部に黒色の変色が生じ、硫化試験に合格することができないという問題があった。
【０００６】
本発明者らの研究によれば、このようなＮｉ／Ａｕメッキ部の変色の原因は、表面に露出したＮｉメッキ層によって硫化ニッケルが生じることにあることがわかった。
すなわち、Ａｇ等の厚膜導体には粒界の空隙や表面の凹凸が存在するため、Ｎｉメッキ層を形成してもその空隙や表面の凹凸が残り、最上層のＡｕメッキを施しても完全にＮｉメッキ層を覆うことができないためＡｕメッキ層の下地層であるＮｉメッキ層が表面に露出することになる。そして、この露出したＮｉメッキ層と硫黄（Ｓ）分とが反応することで黒色の硫化ニッケルが発生したものと考えられる。
【０００７】
従来から、このような接続端子部（電極）の硫化（変色）を防止する技術として、Ｎｉメッキ層の上にシリコーン樹脂等による保護コートを施す方法や、厚膜導体層を構成する導体に使われるＡｇ粉末の粒径を小さくし、焼結性を良好にして粒界を残りにくくする方法や、メッキに代えてペースト印刷により厚膜Ａｕ層を形成したり、Ａｕメッキ層を厚くするなどの方法などが知られている。
【０００８】
しかしながら、Ａｇ粉末の粒径を小さくし、焼結性を良好にすると基板との焼成収縮のタイミングが合わなくなってしまい、基板が反ってしまう。また厚膜Ａｕ層を形成したり、Ａｕメッキ層を厚くするとコストが著しく上昇するという問題があった。
【０００９】
また、ＬＴＣＣ基板上に形成された導体層の表面を処理し、メッキ性を良好にする技術として、メッキ工程の前にＬＴＣＣ基板の表面に対してウェットブラスト処理を施し、導体層の表面に浮き出したガラスを除去する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１０】
しかしながらこの方法では、厚膜導体（Ａｇ）の粒界の空隙や表面の凹凸をなくし、耐硫化性を高めることはできなかった。すなわち、特許文献１には、ウェットブラスト処理の条件が詳細に記載されているわけではないが、ガラス除去のためのブラスト処理は、ガラスという固い物質を短時間のブラストで破砕し除去するものであり、そのような目的のためのブラスト処理条件では、導体（Ａｇ）粒子の隙間を埋めるとともに凹凸をなくし、導体層の表面を、通常の厚さのＡｕメッキ層でも完全に覆うことができる程度に平坦（平滑）にすることは困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特許第４０８９９０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、基板上に形成された厚膜導体層表面の平坦性を上げることで、耐硫化性を高めた素子搭載用基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の素子搭載用基板は、低温焼成セラミックス基板と、前記低温焼成セラミックス基板の表面に形成された、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）を主体とする金属からなる厚膜導体層と、前記厚膜導体層の上に形成された導電性金属のメッキ層を有し、前記厚膜導体層は、ウェットブラスト処理により表面が平坦化されており、０．０２μｍ以下の表面粗さＲａを有することを特徴とする。
【００１４】
前記導電性金属のメッキ層は、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層と金（Ａｕ）メッキ層が積層されたＮｉ−Ａｕメッキ層であることが好ましい。
【００１５】
本発明の素子搭載用基板の製造方法は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる基板の表面に、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）を主体とする金属のペーストを印刷して、導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンが形成された前記基板を焼成し、前記ガラスセラミックス組成物を焼結するとともに前記金属ペーストを焼成して、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）を主体とする金属からなる厚膜導体層を形成する工程と、前記厚膜導体層に対してウェットブラスト処理を行い、該厚膜導体層の表面を０．０２μｍ以下の表面粗さＲａに平坦化する工程と、前記ウェットブラスト処理により表面が平坦化された前記厚膜導体層の上に、ニッケル（Ｎｉ）−金（Ａｕ）メッキ層を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１６】
前記ウェットブラスト処理に使用される研磨材は、粒径が２５〜１５０μｍのセラミックス粉末であり、媒体は水であることが好ましい。また、前記研磨材の混合比率は、前記研磨材と前記水との全量に対して２０〜６０体積％であることが好ましい。さらに、前記ウェットブラスト処理において、前記研磨材と前記水とからなるブラスト液は、直径５〜１０ｍｍの噴射口を有するノズルから、その圧力が１．２〜１．８ｋｇ／ｃｍ２で噴射されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、低温焼成セラミックス基板の表面に形成された銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）等の金属からなる厚膜導体層が、ウェットブラスト処理により平坦化（平滑化）され、厚膜導体（Ａｇ）粒子の隙間が埋められて表面粗さＲａが０．０２μｍ以下に調整されているので、メッキ性が良好であり、通常の厚さのＡｕメッキ層でも厚膜導体表面を完全に覆うことができる。したがって、耐硫化性に優れた素子搭載用基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の素子搭載用基板の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の素子搭載用基板の他の例を示す断面図である。
【図３】本発明の素子搭載用基板の第３の例を示す断面図である。
【図４】本発明の素子搭載用基板の第４の例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２０】
図１〜図４は、それぞれ本発明の素子搭載用基板１０を示す断面図である。素子搭載用基板１０は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなる低温焼成セラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）１を有しており、一方の主面（図中上面）がＬＥＤ素子のような素子（半導体素子）が搭載される搭載面１ａとなっている。ＬＴＣＣ基板１の形状、厚さ、大きさ等は特に制限されない。ＬＴＣＣ基板１は、図１および図２に示すように、平面状のものでもよいし、図３および図４に示すように、基板端部に側壁１ｂが設けられ、キャビティ内に搭載面１ａが形成された形状のものでもよい。また、ＬＴＣＣ基板１を構成するガラスセラミックス組成物の焼結体の原料組成、焼結条件等については、後述する製造方法において説明する。
【００２１】
ＬＴＣＣ基板１の搭載面１ａには、ＬＥＤ素子等の素子と電気的に接続される接続端子（電極）である厚膜導体層２が形成されている。厚膜導体層２は、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）を主体とする導体金属から構成されており、後述するように、導体金属のペーストをスクリーン印刷等で印刷し焼成することにより形成されている。厚膜導体層２は、図１および図３に示すように、搭載面１ａと同一の高さに形成することができる。また、図２および図４に示すように、搭載面１ａに凹部１ｃを形成し、凹部１ｃ内（底面）に厚膜導体層２を形成してもよい。これらの厚膜導体層２は、表面がウェットブラスト処理により平坦化（平滑化）されており、０．０２μｍ以下の表面粗さＲａを有している。また、このように表面が平坦化された厚膜導体層２の上に、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層とその上に形成された金（Ａｕ）メッキ層との積層構造を有するＮｉ／Ａｕメッキ層３が形成されており、厚膜導体層２の表面が隙間なく完全に覆われている。厚膜導体層２の表面粗さＲａが０．０２μｍを超える場合には、Ｎｉ／Ａｕメッキ層３によって厚膜導体層２の表面を完全に覆うことが難しく、耐硫化性が不十分となる。厚膜導体層３の表面粗さＲａは０．０１μｍ以下であることがより好ましい。
【００２２】
ＬＴＣＣ基板１の搭載面１ａと反対側の主面である非搭載面１ｂにも、外部接続用の端子（電極）として厚膜導体層２を形成することができる。このような構造では、非搭載面１ｂに形成された厚膜導体層２の表面も、搭載面１ａに形成された厚膜導体層３と同様に、ウェットブラスト処理により平坦化することが好ましい。すなわち、非搭載面１ｂに形成された厚膜導体層２も、０．０２μｍ以下の表面粗さＲａを有するようにウェットブラスト処理により平坦化されており、その上にＮｉ／Ａｕメッキ層３が形成され厚膜導体層２の表面が隙間なく完全に覆われた構造とすることが好ましい。なお、図中符号４は、搭載面１ａの素子接続用端子と非搭載面１ｂの外部接続用端子とを電気的に接続する貫通導体部を示す。
【００２３】
本発明の素子搭載用基板１０においては、ＬＴＣＣ基板１の表面に形成された銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）等の金属からなる厚膜導体層２が、ウェットブラスト処理により表面粗さＲａが０．０２μｍ以下に平坦化されており、その上にＮｉ／Ａｕメッキ層３が形成されて、厚膜導体層２の表面が隙間なく完全に覆われているので、硫化試験において変色が生じることがなく、耐硫化性に優れている。
【００２４】
本発明の素子搭載用基板１は、以下に示すようにして製造することができる。
【００２５】
［グリーンシートの形成］
まず、グリーンシートを形成する。グリーンシートは、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで形成することができる。
【００２６】
ガラス粉末は、必ずしも限定されるものではないものの、ガラス転移点（Ｔｇ）が５５０℃以上７００℃以下のものが好ましい。ガラス転移点（Ｔｇ）が５５０℃未満の場合には、後述する脱脂が困難となるおそれがあり、７００℃を超える場合には、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。
【００２７】
ガラス粉末としては、例えばＳｉＯ２を５７〜６５ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３を１３〜１８ｍｏｌ％、ＣａＯを９〜２３ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３を３〜８ｍｏｌ％、Ｋ２ＯおよびＮａ２Ｏから選ばれる少なくとも一方を合計で０．５〜６ｍｏｌ％含有するガラスの粉末が用いられる。ガラス粉末の５０％粒径（Ｄ５０）は０．５μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。ガラス粉末のＤ５０が０．５μｍ未満の場合には、ガラス粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難となるばかりでなく、均一に分散させることが困難となる。一方、Ｄ５０が２μｍを超える場合には、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。なお、本明細書において、粒径はレーザ回折・散乱法により得られるものである。
【００２８】
セラミックスフィラーとしては、従来からＬＴＣＣ基板の製造に用いられるものを用いることができる。例えば、アルミナ粉末、ジルコニア粉末、アルミナ粉末とジルコニア粉末との混合物等を好適に用いることができる。セラミックスフィラーのＤ５０は、０．５μｍ以上４μｍ以下であることが好ましい。
【００２９】
このようなガラス粉末とセラミックスフィラーとを、例えばガラス粉末が３０質量％以上５０質量％以下、セラミックスフィラーが５０質量％以上７０質量％以下となるように配合し混合することによりガラスセラミックス組成物を得ることができ、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加することによりスラリーを得ることができる。
【００３０】
バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に用いることができる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を用いることができる。また、溶剤としては、トルエン、キシレン、ブタノール等の芳香族系またはアルコール系の有機溶剤を用いることができる。さらに、分散剤やレべリング剤を併用することも可能である。
【００３１】
こうして形成されたグリーンシートを、打抜き型あるいはパンチングマシーンを使用して所定の寸法角に切断し、同時に所定位置に層間接続用のビアホールを打抜き形成することができる。
【００３２】
［金属ペーストの印刷］
グリーンシートの表面に、導体金属のペーストをスクリーン印刷等の方法で印刷することにより、未焼成の導体パターンを形成する。また、前記した層間接続用のビアホール内に導体金属のペーストを充填することによって、未焼成の層間接続部を形成する。導体金属のペーストとしては、例えば銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）を主成分とする金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを用いる。金属粉末としては、銀（Ａｇ）粉末、銀とパラジウムとの混合粉末、銀と白金との混合粉末等が好ましく用いられる。なお、本発明においては、グリーンシートに含まれるガラス成分により導体金属と基板との接着力を十分に確保することができるので、導体金属の電気抵抗（抵抗値）を上げないために、ガラスフリットが配合されていない金属ペーストを使用することが好ましい。
【００３３】
［グリーンシートの積層および焼成］
未焼成の導体パターンが形成されたグリーンシートを、位置合わせしつつ複数枚重ねて加熱および加圧して一体化した後、５００℃以上６００℃以下の温度で加熱することにより、グリーンシートに含まれる樹脂等のバインダーを分解・除去する脱脂を行う。その後、さらに８００〜１０００℃程度の温度で加熱し、グリーンシートを構成するガラスセラミックス組成物を焼成する。この焼成により、ガラスセラミックス基板内部および表面（表裏面）に形成された金属ペーストも同時に焼成され、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）を主体とする金属からなる厚膜導体層が形成される。
【００３４】
［ウェット（湿式）ブラスト処理］
ガラスセラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）の表面に形成された厚膜導体層に対して、ウェットブラスト処理を行う。すなわち、研磨材（ブラスト粉末）を液体媒体（例えば水）と混合してなるブラスト液を、高圧で厚膜導体層に噴射する（吹き付ける）。このウェットブラスト処理により、導体粒子の隙間を埋め、厚膜導体層の表面を平坦化（平滑化）する。研磨材の粒径やブラスト液の噴射速度、噴射圧力、処理時間等を調整することで、処理後の厚膜導体層の表面粗さＲａを０．０２μｍ以下にすることができる。
【００３５】
研磨材としては、例えばアルミナまたはジルコニア等のセラミック粉末を使用することができる。ブラストの効率を上げるため、アルミナ粉末の破砕粉の使用が好ましい。研磨材の粒径は、２５〜１５０μｍの範囲とすることが好ましい。研磨材の粒径が２５μｍ未満では、ＬＴＣＣ基板の切断用溝等に研磨材が入り込んでしまい、異物となって素子の搭載を阻害するおそれがある。一方、研磨材の粒径が１５０μｍを超える場合には、素子の搭載部であるキャビティ壁面付近の厚膜導体層を効率よくブラストすることができない。研磨材の５０％粒径（Ｄ５０）は８０〜１００μｍの範囲が好ましい。より好ましいＤ５０は９０μｍである。
【００３６】
研磨材（ブラスト粉末）と液体媒体（例えば水）との混合比率は、研磨材がブラスト液全体の２０〜６０体積％とする。研磨材の混合比率が２０体積％未満では、ウェットブラストの効率が著しく低くなり、厚膜導体層の表面を十分に平坦化することができない。一方、研磨材の比率が６０体積％を超えると、ブラスト液の粘度が高くなりすぎてかえってブラスト効率が低下する。最も好ましい混合比率は、研磨材が４０体積％、水が６０体積％の比率である。
【００３７】
また、このような比率で混合されたブラスト液を噴射する圧力は、ボロンカーバイド製ノズルの噴射口が直径８ｍｍのとき、１．２〜１．８ｋｇ／ｃｍ２とすることが好ましい。ブラスト液の噴射圧力が１．２ｋｇ／ｃｍ２未満では、厚膜導体層の表面に浮き出したガラスの除去には効果が認められるが、厚膜導体層の表面粗さＲａが０．０２μｍ以下になるような十分な平坦化を行なうことはできない。したがって、良好な耐硫化性を付与することができない。ブラスト液の噴射圧力が１．８ｋｇ／ｃｍ２を超えると、厚膜導体層の表面にブラスト材であるアルミナ粉末が付着してしまい、表面を平坦化する効果が小さくなる。
【００３８】
また、ボロンカーバイド製ノズルの噴射口の直径は、５〜１０ｍｍのものが使用できる。前記噴射口の直径が５ｍｍ未満では、流速が速くなりすぎて厚膜導体層のみならず、ガラスセラミックス基板上のガラスを多量に除去して、強度を低下させたり、厚膜導体層の表面にブラスト材であるアルミナ粉末が付着したりして、表面を平坦化するする効果が小さくなる。１０ｍｍ超では、厚膜導体層の表面に浮き出したガラスの除去には効果が認められるが、厚膜導体層の表面粗さＲａが０．０２μｍ以下になるような十分な平坦化を行うことが難しくなる。
【００３９】
ウェットブラスト工程では、ベルトコンベアで連続的に搬送されるＬＴＣＣ基板の厚膜導体層に向けて、搬送面より５ｃｍ程度上に配置されたボロンカーバイド製ノズルの噴射口からブラスト液を噴射する方法を採ることができる。コンベアの搬送速度は１〜１．５ｍ／分とすることが好ましい。搬送速度が１ｍ／分未満では、厚膜導体層にブラスト材であるアルミナ粉末が付着してしまい、表面を平坦化する効果が小さい。搬送速度が１．５ｍ／分を超えると、ブラストの効果が小さく、硫化防止に十分な平坦化を行なうことはできない。
【００４０】
［メッキ工程］
ウェットブラスト処理により、表面粗さＲａが０．０２μｍ以下に平坦化された厚膜導体層の上に、Ｎｉメッキを行った後Ａｕメッキを行い、Ｎｉ／Ａｕメッキ層を形成する。Ｎｉメッキは、例えばスルファミン酸ニッケル浴を使用して電界メッキによって５〜１０μｍの厚みに形成される。金メッキは、例えばシアン化金カリウム浴を使用して電界メッキによって０．２〜０．５μｍの厚みに形成することができる。
【００４１】
前工程で下層の厚膜導体層にウェットブラスト処理が施され、導体（例えばＡｇ）粒子の隙間が埋められ凹凸が均されて、表面粗さＲａが０．０２μｍ以下に平坦化されているので、前記した厚さのＮｉ／Ａｕメッキ層により厚膜導体層の上を完全に覆うことができる。したがって、Ｎｉメッキ層が露出することがなく、耐硫化性に優れており、Ｎｉ／Ａｕメッキ層の上にシリコーン樹脂等の保護コートを被覆しなくても、ＪＩＳ−Ｃ−６００６８−２−４３に準拠する硫化試験において、Ａｕメッキ膜表面に硫化ニッケルの析出による黒色欠点のないＡｕメッキ膜を得ることができる。
【実施例】
【００４２】
以下に、本発明の実施例を説明する。なお本発明はこれら実施例に限定されるものではない。以下に説明する方法で、図１に示す構造の素子搭載用基板１０を作製した。
【００４３】
まず、素子搭載用基板１０を作製するための本体用グリーンシートを作製した。本体用グリーンシートは、ＳｉＯ２が６０．４ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３が１５．６ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３が６ｍｏｌ％、ＣａＯが１５ｍｏｌ％、Ｋ２Ｏが１ｍｏｌ％、Ｎａ２Ｏが２ｍｏｌ％となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて１６００℃で６０分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより４０時間粉砕して基板本体用ガラス粉末を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
【００４４】
この基板本体用ガラス粉末が４０質量％、アルミナフィラー（昭和電工社製、商品名：ＡＬ−４５Ｈ）が６０質量％となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を製造した。このガラスセラミックス組成物５０ｇに、有機溶剤（トルエン、キシレン、２−プロパノール、２−ブタノールを質量比４：２：２：１で混合したもの）１５ｇ、可塑剤（フタル酸ジ−２−エチルヘキシル）２．５ｇ、バインダーとしてのポリビニルブチラール（デンカ社製、商品名：ＰＶＫ＃３０００Ｋ）５ｇ、さらに分散剤（ビックケミー社製、商品名：ＢＹＫ１８０）０．５ｇを配合し、混合してスラリーを調製した。
【００４５】
このスラリーをＰＥＴフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させ、焼成後の厚さが０．１５ｍｍとなる本体用グリーンシートを製造した。
【００４６】
一方、導電性粉末（大研化学工業社製、商品名：Ｓ４００−２）に、ビヒクルとしてのエチルセルロースを質量比９０：１０の割合で配合し、固形分が８７質量％となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で１時間混練を行い、さらに三本ロールにて３回分散を行って金属ペーストを製造した。
【００４７】
本体用グリーンシートの未焼成貫通導体に相当する部分に孔空け機を用いて直径０．３ｍｍの貫通孔を形成し、スクリーン印刷法により金属ペーストを充填して未焼成貫通導体ペースト層を形成すると共に、未焼成厚膜導体層を形成して、厚膜導体層付き本体用グリーンシートを得た。
【００４８】
上記で得られた厚膜導体層付き本体用グリーンシートを、５５０℃で５時間保持して脱脂を行い、さらに８７０℃で３０分間保持して焼成を行って試験用の素子搭載用基板１０を製造した。
【００４９】
素子搭載用基板１０における２に相当する厚膜導体層に以下の条件でウェットブラスト処理を施した。
【００５０】
研磨材（ブラスト粉末）と液体媒体（水）との混合比率は、研磨材がブラスト液全体の４０体積％とした。さらにこのような比率で混合されたブラスト液を噴射する圧力は、１．５ｋｇ／ｃｍ２とし、ベルトコンベアで連続的に搬送させながら厚膜導体層に向けて、搬送面より５ｃｍ上に配置されたボロンカーバイド製ノズルの直径８ｍｍの噴射口からブラスト液を噴射することにより、厚膜導体層の表面粗さＲａが０．０１μｍの厚膜導体表面を得た。尚、ベルトコンベアの搬送速度は１．２ｍ／分とした。
【００５１】
得られた厚膜導体表面にスルファミン酸ニッケル浴を用いた電界メッキによって７μｍのＮｉメッキ膜を形成し、その表面にシアン化金カリウム浴を用いた電界メッキによって０．３μｍの厚みのＡｕメッキ膜を形成した。こうして得られた素子搭載用基板１０をＪＩＳ−Ｃ−６００６８−２−４３に準拠する硫化試験において１００時間暴露させたところ、Ａｕメッキ膜表面に硫化ニッケルの析出による黒色欠点のないＡｕメッキ膜を得ることができた。
【００５２】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の変更を行うことができることは明らかである。
【符号の説明】
【００５３】
１…低温焼成セラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）
２…厚膜導体層
３…Ｎｉ／Ａｕメッキ層
４…貫通導体部
１０…素子搭載用基板
【図１】
2011176301.tif 000003
【図２】
2011176301.tif 000004
【図３】
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【図４】
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