(57)【要約】      （修正有）【課題】容易に組み付けることが可能なシールド部品を有する光トランシーバを提供する。【解決手段】光送信サブアセンブリ、光受信サブアセンブリ、シールド部材、及び、ベースを備え、シールド部材は、金属板を折り曲げることにより形成されており、一対の側壁部、中央壁部、第１の天井部、及び、第２の天井部を有し、中央壁部は、一対の側壁部の間に設けられており、断面Ｖ字状をなし、シールド部材は、一対の側壁部のうち一方、中央壁部、及び第１の天井部により第１の空間を画成し、一対の側壁部のうち他方、中央壁部、及び第２の天井部により第２の空間を画成し、ベースは、中央壁部の底部が当該ベースに突き当たるようにシールド部材を搭載し、第１の空間に収容するように光送信サブアセンブリを搭載し、及び、第２の空間に収容するように光受信サブアセンブリを搭載する。【選択図】図３
2011119533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気信号を受けて光信号を発生する光送信サブアセンブリと、
光信号を受けて電気信号を発生する光受信サブアセンブリと、
金属板を折り曲げて形成されたシールド部材であって、一対の側壁部と、該一対の側壁部の間に設けられており底部に向けて幅が狭くなるように形成された断面Ｖ字状の中央壁部と、該一対の側壁部のうち一方と該中央壁部の一対の上側端部のうち一方とを接続する第１の天井部と、該一対の側壁部のうち他方と該中央壁部の一対の上側端部のうち他方とを接続する第２の天井部と、を有し、前記一対の側壁部のうち前記一方、前記中央壁部、及び前記第１の天井部により第１の空間を画成し、前記一対の側壁部のうち前記他方、前記中央壁部、及び前記第２の天井部により第２の空間を画成する、該シールド部材と、
前記中央壁部の前記底部が突き当たるように前記シールド部材を搭載するベースであって、前記第１の空間に収容された前記光送信サブアセンブリ、及び、前記第２の空間に収容された前記光受信サブアセンブリを搭載する、該ベースと、
を備える光トランシーバ。
【請求項２】
前記光送信サブアセンブリに電気的に接続された第１の部分、及び、前記光受信サブアセンブリに電気的に接続された第２の部分を含む一縁部を有する回路基板を更に備え、
前記一縁部の前記第１の部分と前記第２の部分との間に切込みが形成されており、
前記一対の中央壁部は前記切込みを通過して前記ベースと接触している、
請求項１に記載の光トランシーバ。
【請求項３】
前記光送信サブアセンブリ、前記光受信サブアセンブリ、前記シールド部材、及び前記ベースを覆うように設けられたカバーを更に備えており、
前記第１の天板部及び前記第２の天板部は、前記カバーの内面に接触する弾性片を有している、
請求項１又は２に記載の光トランシーバ。
【請求項４】
前記中央壁部は、前記底部から上方へ延びるスリットにより分離された前方部及び後方部を含んでおり、
前記中央壁部の前記後方部が、前記切込みを通過して前記ベースと接触している、
請求項１〜３の何れか一項に記載の光トランシーバ。
【請求項５】
前記後方部に含まれる前記底部の少なくとも一部に、前後方向に延びるスリットが形成されている、請求項４の何れか一項に記載の光トランシーバ。
【請求項６】
前記中央壁部の前記底部の一部に、前後方向に延びるスリットが形成されている、請求項１〜３の何れか一項に記載の光トランシーバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光トランシーバに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光トランシーバは、外部からの光コネクタに対して光信号の送受を行い、光信号と電気信号との間の変換を行い、ホストシステムに対して電気信号の送受を行うものである。このような光トランシーバとしては、特許文献１に記載されたものが知られている。
【０００３】
特許文献１に記載の光トランシーバは、光送信サブアセンブリ、光受信サブアセンブリ、回路基板、及び、二つの導電性ブラケットを備えている。光送信サブアセンブリは、半導体レーザを有しており、回路基板から電気信号を受けて光信号を発生する。光受信サブアセンブリは、フォトダイオードを有しており、光信号を受けて電気信号を発生し、当該電気信号を回路基板に出力する。光送信サブアセンブリ及び光受信サブアセンブリのそれぞれは、リードピンを有している。これらリードピンは、回路基板の前方縁部に接続されている。
【０００４】
また、二つのブラケットはそれぞれ、半円筒形の本体と、当該本体から突出する２本の脚部を有している。一方のブラケットの本体は、光送信サブアセンブリのリードピンを覆っており、他方のブラケットの本体は、光受信サブアセンブリのリードピンを覆っている。また、ブラケットの脚部は、回路基板上のグランド電位に接続されている。これらブラケットは、送信信号と受信信号の間のクロストークを防止するよう、光送信サブアセンブリ及び光受信サブアセンブリをシールドしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１０７２９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の光トランシーバでは、サイズの小さな二つのブラケットを用いる必要があり、また、当該ブラケットは、回路基板に半田付けされるまで、固定されない。
【０００７】
本発明は、容易に組み付けることが可能なシールド部品を有する光トランシーバを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の光トランシーバは、光送信サブアセンブリ、光受信サブアセンブリ、シールド部材、及び、ベースを備えている。光送信サブアセンブリは、電気信号を受けて光信号を発生する。光受信サブアセンブリは、光信号を受けて電気信号を発生する。シールド部材は、金属板を折り曲げることにより形成されている。シールド部材は、一対の側壁部、中央壁部、第１の天井部、及び、第２の天井部を有する。中央壁部は、一対の側壁部の間に設けられており、断面Ｖ字状をなしており、底部に向けて幅が狭くなるように構成されている。第１の天井部は、一対の側壁部のうち一方と中央壁部の一対の上側端部のうち一方とを接続する。第２の天井部は、一対の側壁部のうち他方と中央壁部の一対の上側端部のうち他方とを接続する。シールド部材は、一対の側壁部のうち一方、中央壁部、及び第１の天井部により第１の空間を画成し、一対の側壁部のうち他方、中央壁部、及び第２の天井部により第２の空間を画成している。ベースは、中央壁部の底部が当該ベースに突き当たるようにシールド部材を搭載する。ベースは、第１の空間に収容するように光送信サブアセンブリを搭載し、及び、第２の空間に収容するように光受信サブアセンブリを搭載する。
【０００９】
本光トランシーバでは、シールド部材をベース上に搭載することで、シールド部材の中央壁部が光送信サブアセンブリと光受信サブアセンブリの間を通って、フレームグランドを構成するベースに当接する。したがって、半田付け等の工程無しに、光送信サブアセンブリと光受信サブアセンブリとの間のクロストークを抑制することができる。また、一対の側壁部、中央壁部、第１の天井部、及び、第２の天井部を有するシールド部材は、略Ｍ字の断面形状を有するので、半田付け等を行わなくてもベース上に安定して搭載することができる。したがって、シールド部材を容易に組み付けることができる。
【００１０】
本発明の光トランシーバは、回路基板を更に備え得る。回路基板は、光送信サブアセンブリに電気的に接続された第１の部分、及び、受信サブアセンブリに電気的に接続された第２の部分を含む一縁部を有し得る。この一縁部の第１の部分と第２の部分との間には、切込みが形成されている。一対の中央壁部は、切込みを通過してベースと接触することが好適である。この構成によれば、第１の部分と第２の部分をシールド部材により分離することができる。即ち、回路基板上の送信部分と受信部分とを分離することができる。したがって、より好適にクロストークを抑制することができる。
【００１１】
本発明の光トランシーバは、送信サブアセンブリ、光受信サブアセンブリ、シールド部材、及びベースを覆うように設けられたカバーを更に備え得る。第１の天板部及び第２の天板部は、カバーの内面に接触する弾性片を有することが好適である。本構成により、中央壁部の底部をより確実にベースに接触させることができる。
【００１２】
本発明の光トランシーバにおいては、中央壁部は、底部から上方へ延びるスリットにより分離された前方部及び後方部を含んでおり、中央壁部の後方部が、回路基板の切込みを通過してベースと接触していることが好適である。このスリットにより、回路基板の切込みを通過した中央壁部が回路基板に与える力を低減することが可能である。
【００１３】
本発明の光トランシーバにおいては、中央壁部の底部の一部、又は、後方部に含まれる底部の少なくとも一部に、前後方向に延びるスリットが形成されていることが好適である。このスリットによっても、回路基板の切込みを通過した中央壁部が回路基板に与える力を低減することが可能である。
【発明の効果】
【００１４】
以上説明したように、本発明によれば、容易に組み付けることが可能なシールド部品を有する光トランシーバが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】一実施形態に係る光トランシーバの斜視図である。
【図２】図１に示す光トランシーバを部分的に分解した状態を示す斜視図である。
【図３】図１に示す光トランシーバを部分的に分解した状態を示す斜視図である。
【図４】一実施形態の回路基板を示す平面図である。
【図５】一実施形態に係るシールド部材の斜視図である。
【図６】図５に示すシールド部材を後方から見た平面図である。
【図７】一実施形態の光トランシーバの断面図である。
【図８】一実施形態の光トランシーバの組立方法の一工程を示す図である。
【図９】別の実施形態の光トランシーバの断面図である。
【図１０】別の実施形態に係る回路基板の平面図である。
【図１１】別の実施形態に係る光トランシーバの断面図である。
【図１２】別の実施形態に係る光トランシーバの断面図である。
【図１３】別の実施形態に係る光トランシーバの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００１７】
図１は、一実施形態に係る光トランシーバの斜視図である。図２及び図３は、は、図１に示す光トランシーバを部分的に分解した状態を示す斜視図である。図２は、カバーを取り除き、シールド部材を取り付ける前の光トランシーバの状態を示している。図３は、カバーを取り除き、シールド部材を取り付けた状態の光トランシーバを示している。
【００１８】
図１〜図３に示す光トランシーバ１０は、光送信サブアセンブリ（ＴＯＳＡ）１２、光受信サブアセンブリ（ＲＯＳＡ）１４、シールド部材１６、及び、ベース１８を備えている。また、光トランシーバ１０は、レセプタクル２０、シールド部材２２、回路基板２４、及びカバー２６を備え得る。なお、本説明においては、ベース１８に対してシールド部材１６が位置する方向を「上」といい、その逆方向を「下」ということがある。また、回路基板２４に対してレセプタクル２０が位置する方向を「前」、その逆方向を「後」ということがある。
【００１９】
ＴＯＳＡ  １２は、電気信号を受けて光信号を発生するユニットである。ＴＯＳＡ  １２は、例えば、半導体レーザを有し得る。また、ＴＯＳＡ  １２は、半導体レーザを収容するハウジング、及び、外部からの光コネクタのフェルールを保持して当該ＴＯＳＡ  １２とフェルール内の光ファイバとを光結合するためのスリーブを有し得る。ハウジングは、当該ハウジングのステムから延び出すリードピン１２ａを含み得る。リードピン１２ａは、回路基板２４に電気的に接続されている。
【００２０】
ＲＯＳＡ  １４は、光信号を受けて電気信号を発生するユニットである。ＲＯＳＡ  １４は、例えば、フォトダイオードを有し得る。また、ＲＯＳＡ  １４は、フォトダイオードを収容するハウジング、及び、外部からの光コネクタのフェルールを保持して当該ＲＯＳＡ  １４とフェルール内の光ファイバとを光結合するためのスリーブを有し得る。ハウジングは、当該ハウジングのステムから延び出すリードピン１４ａを含み得る。リードピン１４ａは、回路基板２４に電気的に接続されている。
【００２１】
レセプタクル２０は、外部からの光コネクタを受容して当該光コネクタとＴＯＳＡ  １２及びＲＯＳＡ  １４とを光結合するための部品である。レセプタクル２０は、前後方向に延びる二つの空間を画成しており、一方の空間にＴＯＳＡ  １２のスリーブを収容し、他方の空間にＲＯＳＡ  １４のスリーブを収容する。光コネクタは、これら二つの空間内にレセプタクル２０の前方から挿入されることにより、ＴＯＳＡ  １２及びＲＯＳＡ  １４と光結合される。
【００２２】
一実施形態では、レセプタクル２０の外周をトレースするように導電性のシールド部材２２が設けられていることが好適である。シールド部材２２は、レセプタクル２０とカバー２６との隙間といったレセプタクルに２０に関連する隙間に起因する電磁雑音を防止することができる。
【００２３】
図４は、一実施形態の回路基板を示す平面図である。図２及び図４に示すように、回路基板２４は、その前側の一縁部２４ａにおいてＴＯＳＡ  １２、及びＲＯＳＡ  １４と電気的に結合されている。また、回路基板２４は、その後側の縁部２４ｂにホストシステムの電気コネクタと係合する電気プラグを提供している。
【００２４】
一実施形態では、回路基板２４の一縁部２４ａは、その幅方向の中央に設けられた切込み２４ｃにより、第１の部分２４ｄ及び第２の部分２４ｅに分離されている。第１の部分２４ｄには、ＴＯＳＡ  １２のリードピン１２ａが接続されており、第２の部分２４ｅには、ＲＯＳＡ  １４のリードピン１４ａが接続されている。
【００２５】
図２及び図３に示すように、ＴＯＳＡ  １２、ＲＯＳＡ  １４、及び、回路基板２４は、ベース１８上に搭載されている。ベース１８は、金属板から構成された部品であり、金属板に対する切断及び折曲加工のみで形成されている。
【００２６】
ベース１８は、一対の側壁１８ａを有している。一対の側壁１８ａは、ベース１８の底面１８ｄ（図７参照）の幅方向の両縁から当該ベース１８を構成する金属板を上方へ折り曲げることにより形成されている。回路基板２４は、一対の側壁１８ａの頂部１８ｃに搭載されている。また、一対の側壁１８ａは、それらの頂部の面積を増大させるために、当該一対の側壁１８ａを構成する金属板の一部を内側に折り曲げることにより、構成されている。
【００２７】
また、一対の側壁１８ａの前方部分１８ｂは、当該一対の側壁１８ａの長手方向（前後方向）における中央部よりも、高く形成されている。さらに、一対の側壁１８ａの前方部分１８ｂ間の間隔は、一対の側壁１８ａの中央部間の間隔よりも広くなっている。即ち、一対の側壁１８ａの前方部分１８ｂは、一対の側壁１８ａの頂部１８ｃと同じ高さの位置から上側の部分において、シールド部材１６を構成する金属板の厚みに実質的に相当する分だけ、一対の側壁１８ａの中央部よりも外側に張り出している。したがって、前方部分１８ｂは、段部を有している。
【００２８】
かかるベース１８上には、シールド部材１６も搭載される。図５は、一実施形態に係るシールド部材の斜視図である。図６は、図５に示すシールド部材を後方から見た平面図である。図５及び図６に示すシールド部材１６は、一枚の金属板に対する切断及び折曲加工のみで形成され得る。
【００２９】
シールド部材１６は、一対の側壁部１６ａ、中央壁部１６ｂ、第１の天井部１６ｃ、及び第２の天井部１６ｄを有している。一対の側壁部１６ａは、平板状の部分であり、前後方向に延びている。一対の側壁部１６ａは、前方脚部１６ｊ及び後方脚部１６ｋを有している。前方脚部１６ｊは、後方脚部１６ｋより前側に設けられている。前方脚部１６ｊ及び後方脚部１６ｋは、側壁部１６ａの他の部分の下縁よりも下方に突き出ている。前方脚部１６ｊの上下方向の長さは、後方脚部１６ｋの同方向の長さよりも短くなっている。
【００３０】
中央壁部１６ｂは、一対の側壁部１６ａの間に設けられている。中央壁部１６ｂは、互いに対面する二つの平板部１６ｈ及び１６ｉと、底部１６ｍとを含んでいる。一実施形態では、中央壁部１６ｂは、前方部１６ｅ及び後方部１６ｆを含んでいる。前方部１６ｅと後方部１６ｆは、中央壁部１６ｂの下端から上方へ延びるスリット１６ｇにより分離されている。このスリット１６ｇにより、中央壁部１６ｂが回路基板２４の切込み２４ｃに挿入された際に中央壁部１６ｂが回路基板２４に与える力を、当該力が過大なものとならないように、低減することができる。
【００３１】
前方部１６ｅは、スリット１６ｇにより分離された前側の平板部１６ｈ及び１６ｉと底部１６ｍとを含んでおり、略矩形の断面形状をなしている。後方部１６ｆは、スリット１６ｇにより分離された後側の平板部１６ｈ及び１６ｉと底部１６ｍとを含んでいる。この後方部１６ｆは略Ｖ字の断面形状をなしている。
【００３２】
第１の天井部１６ｃは、平板部１６ｈの上側端部と一方の側壁部１６ａの上側端部とを接続している。また、第２の天井部１６ｄは、平板部１６ｉの上側端部と他方の側壁部１６ａの上側端部とを接続している。
【００３３】
一実施形態においては、第１の天井部１６ｃは弾性部位１６ｐを有しており、第２の天井部１６ｄは弾性部位１６ｑを有している。弾性部位１６ｐは、第１の天井部１６ｃに前後方向に延びる平行な一対の切込みを形成し、当該一対の切込みの間の金属板を上方に突出させることにより、形成される。また、弾性部位１６ｑも第２の天井部１６ｄに対して同様に形成することができる。
【００３４】
シールド部材１６は、一方の側壁部１６ａ、中央壁部１６ｂ、及び第１の天井部１６ｃにより、前後方向に延びる第１の空間Ｓ１を画成する。また、シールド部材１６は、他方の側壁部１６ａ、中央壁部１６ｂ、及び第２の天井部１６ｄにより、前後方向に延びる第２の空間Ｓ２を画成する。
【００３５】
かかる構成のシールド部材１６は、図２及び図３に示すように、ベース１８上に搭載される。図７は、一実施形態の光トランシーバの断面図であり、回路基板の切込みが存在する位置から前方を見た状態を示している。以下、図２、３、及び７を参照する。シールド部材１６は、第１の空間Ｓ１にＴＯＳＡ  １２を収容し、第２の空間Ｓ２にＲＯＳＡ  １４を収容するように、ベース１８上に搭載される。
【００３６】
一実施形態では、回路基板２４の前側の一縁部２４ａの幅方向の両端に、切り欠き部２４ｆが形成されている。シールド部材１６がベース１８上に搭載されると、シールド部材１６の後方脚部１６ｋは切り欠き部２４ｆに挿入される。このとき、後方脚部１６ｋの後方端面は切り欠き部２４ｆを画成する回路基板２４の端面に接する。また、後方脚部１６ｋの底面は、ベース１８の側壁１８ａの頂部１８ｃに当接する。一方、前方脚部１６ｊは、側壁１８ａの前方部分１８ｂの上述した段部に突き当たる。また、シールド部材１６の前端は、シールド部材２２を介してレセプタクル２０の後端に突き当たる。
【００３７】
また、シールド部材１６の中央壁部１６ｂの底部１６ｍは、ベース１８の底面１８ｄに当接する。一実施形態では、底面１８ｄにはリブ１８ｅが形成されており、底部１６ｍは、リブ１８ｅに当接する。なお、リブ１８ｅは、金属板製のシールド部材１６の長手方向の強度を増すために設けることができる
【００３８】
このように、シールド部材１６は、上下方向には、一対の側壁部１６ａと中央壁部１６ｂの３点でベース１８により支持される。また、幅方向においては、シールド部材１６は、一対の前方部分１８ｂにより一対の側壁部１６ａが狭持されることにより、位置決めされる。また、前後方向においては、シールド部材１６は、回路基板２４の前側の端面に接し、シールド部材２２を介してレセプタクル２０の後端に接することにより、位置決めされる。
【００３９】
また、一実施形態では、シールド部材１６がベース１８上に搭載されると、当該シールド部材１６の中央壁部１６ｂの後方部１６ｆが、回路基板２４の切込み２４ｃを通過する。一実施形態においては、シールド部材１６の中央壁部１６ｂの後方部１６ｆにおける底部１６ｍに、前後方向に延びるスリット１６ｎが設けられている。このスリット１６ｎは、後方部１６ｆの底部１６ｍの長手方向の全体に設けられていてもよく、当該底部１６ｍの長手方向の一部に設けられていてもよい。このスリット１６ｎにより、中央壁部１６ｂの後方部１６ｆが回路基板２４の切込み２４ｃに挿入された際に、当該後方部１６ｆが回路基板２４に与える力を、当該力が過大にならないように、低減することができる。
【００４０】
図１に戻り、カバー２６は、前後方向に延びる空間を画成しており、当該空間の内部に、シールド部材１６、ベース１８、及び、回路基板２４を収容する。カバー２６は、レセプタクル２０に係合されることにより、固定される。
【００４１】
一実施形態では、カバー２６がシールド部材１６を覆うと、シールド部材１６の弾性部位１６ｐ及び１６ｑがカバー２６の内面に接触し、当該内面によって弾性部位１６ｐ及び１６ｑが付勢される。これにより、シールド部材１６の底部１６ｍがベース１８の底面１８ｄに押しつけられ、シールド部材１６の底部１６ｍがベース１８の底面１８ｄに確実に接触するようになる。
【００４２】
以下、上述した光トランシーバ１０の組立方法について説明する。この組立て方法では、まず、ＴＯＳＡ  １２のリードピン１２ａ及びＲＯＳＡ  １４のリードピン１４ａを、回路基板２４に対して半田付けする。半田付けの後、図２に示すように、回路基板２４をベース１８上に搭載する。そして、図３に示すように、シールド部材１６を、ベース１８上に搭載する。最後に、図８に示すように、カバー２６を、シールド部材１６、ベース１８、及び、回路基板２４を覆うように、後方から前方に移動させ、当該カバー２６をレセプタクル２０に係合させる。以上により、光トランシーバ１０が完成する。
【００４３】
以上説明した光トランシーバ１０によれば、シールド部材１６をベース１８上に搭載することで、当該シールド部材１６の中央壁部１６ｂがＴＯＳＡ  １２とＲＯＳＡ  １４の間を通ってフレームグランドであるベース１８に当接する。したがって、半田付け等の工程無しに、ＴＯＳＡ  １２とＲＯＳＡ  １４との間に電磁的なシールドを設けることができる。さらに、中央壁部１６ｂは、Ｖ字状の断面を有する二重構造を有するので、ＴＯＳＡ  １２とＲＯＳＡ  １４とをより効果的に電磁的に分離することが可能である。
【００４４】
また、シールド部材１６は、第１の空間Ｓ１にＴＯＳＡ  １２を収容し、第２の空間Ｓ２にＲＯＳＡ  １４を収容することにより、ＴＯＳＡ  １２及びＲＯＳＡ  １４の周面を全長にわたって覆っている。これにより、ＴＯＳＡ  １２及びＲＯＳＡ  １４への電磁波の空間伝搬を防ぐことが可能である。
【００４５】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。以下、本発明の変形態様について、上述した光トランシーバ１０と異なる点を説明する。
【００４６】
図９は、別の実施形態の光トランシーバの断面図であり、図７と同様の断面を示している。図９に示す光トランシーバ１０Ａでは、第１の天井部１６ｃとＴＯＳＡ  １２のハウジングのステムとの間に放熱シート３０ａを設け、第２の天井部１６ｄとＲＯＳＡ  １４のハウジングのステムとの間に放熱シート３０ｂを設けている。また、ベース１８の底面１８ｄとＴＯＳＡ  １２のハウジングのステムとの間に放熱シート３０ｃを設け、ベース１８の底面１８ｄとＲＯＳＡ  １４のハウジングのステムとの間に放熱シート３０ｄを設けることもできる。
【００４７】
ここで、シールド部材１６を備えない従来の光トランシーバでは、ＴＯＳＡ及びＲＯＳＡそれぞれとカバーとの間に放熱シートを設けることにより、ＴＯＳＡ及びＲＯＳＡからカバーまでの放熱経路が確保されている。しかしながら、後方から前方へスライドすることによりカバーが装着されるので、従来の光トランシーバでは放熱シートがこのスライド動作を阻害することがある。一方、光トランシーバ１０Ａでは、放熱シートとカバー２６との間にシールド部材１６が介在するので、放熱シートがカバー２６のスライド動作を阻害することがない。
【００４８】
図１０は、別の実施形態に係る回路基板の平面図である。また、図１１は、別の実施形態に係る光トランシーバの断面図であり、図７と同様の断面を示している。図１１に示す光トランシーバ１０Ｂは、図１０に示す回路基板２４Ｂを備えている。この回路基板２４Ｂは、切込み２４ｃを画成する当該回路基板２４Ｂの縁部に沿ってフレームグランドを構成する電極層を有している点で、回路基板２４と異なっている。
【００４９】
光トランシーバ１０Ｂでは、カバー２６により弾性部位１６ｐ及び１６ｑが下方へ付勢されることにより、シールド部材１６の底部１６ｍがベース１８の底面１８ｄに押しつけられる。これにより、シールド部材１６の中央壁部１６ｂの二つの平板部１６ｈ及び１６ｉに、両平板部間の間隔が広がる方向への力が加わる。その結果、中央壁部１６ｂが電極層２４ｇに確実に接触する。したがって、光トランシーバ１０Ｂによれば、回路基板２４に設けられたフレームグランドへのシールド部材１６への接触を確保することができる。
【００５０】
図１２は、別の実施形態に係る光トランシーバの断面図であり、図７と同様の断面を示している。図１２に示す光トランシーバ１０Ｃでは、回路基板上にフレームグランドを構成する電極層２４ｈが設けられている。また、シールド部材１６の底部１６ｍは、ベース１８の底面１８ｄではなく、電極層２４ｈに接している。
【００５１】
図１３は、別の実施形態に係る光トランシーバの断面図であり、図７と同様の断面を示している。図１３に示す光トランシーバ１０Ｄは、回路基板における電極層２４ｇの構成が光トランシーバ１０Ｂにおける電極層と異なっている。即ち、光トランシーバ１０Ｄでは、電極層２４ｇは、切込み２４ｃを画成する回路基板の縁部に沿い、当該縁部から当該回路基板の内層を形成するよう回路基板の内部を通過し、回路基板の送信側の縁部にまで設けられている。ここで、「回路基板の送信側」とは、ＲＯＳＡ  １４に対してＴＯＳＡ  １２が設けられている側の回路基板の部分である。この光トランシーバ１０Ｄによれば、回路基板の送信側を囲むように、フレームグランドを設けることができる。
【符号の説明】
【００５２】
１０…光トランシーバ、１２…光送信サブアセンブリ（ＴＯＳＡ）、１４…光受信サブアセンブリ（ＲＯＳＡ）、１６…シールド板、１６ａ…側壁部、１６ｂ…中央壁部、１６ｃ…第１の天井部、１６ｄ…第２の天井部、１６ｅ…前方部、１６ｆ…後方部、１６ｇ…スリット、１６ｍ…底部、１６ｎ…スリット、１８…ベース、１８ａ…側壁、１８ｂ…前方部分、１８ｃ…頂部、１８ｄ…底面、２０…レセプタクル、２２…シールド部材、２４…回路基板、２４ａ…一縁部（前側の縁部）、２４ｃ…切込み、２４ｄ…第１の部分、２４ｅ…第２の部分、２６…カバー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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