(57)【要約】【課題】  耐湿性の高い誘電体セラミックおよびその製造方法ならびにその誘電体セラミックを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】  本発明に係る誘電体セラミックの製造方法は、誘電体セラミック成分の粉末を含む第１の原料粉末を用意する工程と、アルカリ金属元素を含有する化合物を含む第２の原料粉末を用意する工程と、前記第１の原料粉末と前記第２の原料粉末とを成形して成形体を得る工程と、前記成形体とアルカリ金属元素を含む組成物とを同時に焼成する工程と、を備えることを特徴としている。【選択図】        図４
2011037673.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体セラミック成分の粉末を含む第１の原料粉末を用意する工程と、
アルカリ金属元素を含有する化合物を含む第２の原料粉末を用意する工程と、
前記第１の原料粉末と前記第２の原料粉末とを混合後に成形して成形体を得る工程と、
前記成形体とアルカリ金属元素を含む組成物とを同時に焼成する工程と、
を備える誘電体セラミックの製造方法。
【請求項２】
前記誘電体セラミック成分が一般式ＡＢＯ3で表されるペロブスカイト型化合物（ＡはＣａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも一種を含む。ＢはＺｒ、Ｔｉから選ばれる少なくとも一種を含む。）である、請求項１に記載の誘電体セラミックの製造方法。
【請求項３】
前記アルカリ金属元素がＬｉである、請求項１または２に記載の誘電体セラミックの製造方法。
【請求項４】
前記組成物が前記アルカリ金属元素を含む粉末である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の誘電体セラミックの製造方法。
【請求項５】
前記組成物がアルカリ金属元素を含むさやである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の誘電体セラミックの製造方法。
【請求項６】
誘電体セラミック成分を含む主成分と、アルカリ金属元素を含む副成分と、を含む組成を有する誘電体セラミックであって、
前記誘電体セラミックは、その表面近傍に前記アルカリ金属元素を含む二次相を形成しており、前記誘電体セラミックの表面近傍の断面における前記アルカリ金属元素を含む二次相の面積率が５０％以上である、誘電体セラミック。
【請求項７】
前記誘電体セラミック成分が一般式ＡＢＯ3で表されるペロブスカイト型化合物（ＡはＣａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも一種を含む。ＢはＺｒ、Ｔｉから選ばれる少なくとも一種を含む。）である、請求項６に記載の誘電体セラミック。
【請求項８】
前記アルカリ金属元素がＬｉである、請求項６または７に記載の誘電体セラミック。
【請求項９】
積層された複数の誘電体セラミック層と、前記複数のセラミック層間に配置された内部電極と、前記内部電極と電気的に接続される外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体セラミック層が請求項６〜８のいずれか１項に記載の誘電体セラミックによって形成されている、積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体セラミックおよびその製造方法に関する。さらに、誘電体セラミックを用いた積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、誘電体セラミックを用いた積層セラミックコンデンサには小型化・大容量化が求められている。そのため、誘電体セラミック層１層あたりの厚さが薄くなってきている。よって、これまで以上に高い信頼性が求められている。
【０００３】
ところで、積層セラミックコンデンサに用いられる内部電極の導電材料としては、コストの観点から、比較的安価な卑金属である銅を用いることが多くなってきている。そして、内部電極に銅を用いた場合には、セラミック自体を銅の融点未満で焼成する必要がある。そのため、例えば特許文献１では、（Ｃａ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3系セラミックに、アルカリ金属元素を少量添加する誘電体セラミックが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２８１４４０号公報
【発明の概要】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、特許文献１のような従来の構成の誘電体セラミックを用いた積層セラミックコンデンサで耐湿負荷試験を行うと、試験後に絶縁抵抗が劣化する不具合が発生した。また、誘電体中のアルカリ金属元素は焼成中に飛散するため、焼結助剤としての効果が低いという課題があった。
【０００７】
本発明者は、鋭意研究の結果、アルカリ金属元素の雰囲気中で焼成すると、成形体中から飛散するアルカリ金属元素の量が抑制されることを見出した。また、誘電体セラミック表面に二次相を偏析させ、誘電体セラミックの耐湿性が向上することを見出した。本発明は、上記の課題に鑑みなされたものであって、耐湿性の高い誘電体セラミックおよびその製造方法ならびにその誘電体セラミックを用いた積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る誘電体セラミックの製造方法は、誘電体セラミック成分の粉末を含む第１の原料粉末を用意する工程と、アルカリ金属元素を含有する化合物を含む第２の原料粉末を用意する工程と、前記第１の原料粉末と前記第２の原料粉末とを混合後に成形して成形体を得る工程と、前記成形体とアルカリ金属元素を含む組成物とを同時に焼成する工程と、を備えることを特徴としている。
【０００９】
本発明では、成形体とアルカリ金属元素を含む組成物とを同時に焼成することで、成形体中からのアルカリ金属元素の飛散を抑制する。そして、成形体中の焼結助剤の流動性を保ち、二次相をセラミック表面に偏析させる。誘電体セラミックの表面近傍の二次相がバリアとなって、耐湿負荷試験時の浸食を抑制する。その結果、耐湿負荷試験後の特性劣化を抑制することが可能である。
【００１０】
また本発明では、前記誘電体セラミック成分が一般式ＡＢＯ3で表されるペロブスカイト型化合物（ＡはＣａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも一種を含む。ＢはＺｒ、Ｔｉから選ばれる少なくとも一種を含む。）であることが好ましい。
【００１１】
（Ｃａ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3系セラミックを使用すると、高周波領域に低損失のコンデンサが得られるためである。
【００１２】
また本発明では、前記アルカリ金属元素がＬｉであることが好ましい。
【００１３】
焼結助剤としてＬｉを含む場合、内部電極に銅を用いた場合でも、信頼性の高いセラミックを得ることが可能となるためである。
【００１４】
また本発明では、前記組成物が前記アルカリ金属元素を含む粉末であることが好ましい。
【００１５】
この場合、焼成時に粉末中のアルカリ金属元素が飛散し、誘電体セラミック中のアルカリ金属の飛散を抑制し、焼結助剤の流動性を保つことで二次相を偏析させることができるためである。
【００１６】
また本発明では、前記組成物がアルカリ金属元素を含むさやであることが好ましい。
【００１７】
この場合、焼成時にさや中のアルカリ金属元素が飛散し、誘電体セラミック中のアルカリ金属の飛散を抑制し、焼結助剤の流動性を保つことで二次相を偏析させることができるためである。
【００１８】
また、本発明に係る誘電体セラミックは、誘電体セラミック成分を含む主成分と、アルカリ金属元素を含む副成分と、を含む組成を有する誘電体セラミックであって、前記誘電体セラミックは、その表面近傍に前記アルカリ金属元素を含む二次相を形成しており、前記誘電体セラミックの表面近傍の断面における前記アルカリ金属元素を含む二次相の面積率が５０％以上であることを特徴としている。
【００１９】
アルカリ金属元素を含む二次相の面積率が５０％以上の場合、セラミック表面の二次相がバリアとなって、耐湿負荷試験時の浸食を抑制する。その結果、耐湿負荷試験後の特性劣化を抑制することが可能である。
【００２０】
また、本発明では、前記誘電体セラミック成分が一般式ＡＢＯ3で表されるペロブスカイト型化合物（ＡはＣａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも一種を含む。ＢはＺｒ、Ｔｉから選ばれる少なくとも一種を含む。）であることが好ましい。
【００２１】
（Ｃａ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3系セラミックを使用すると、高周波領域で低損失のコンデンサが得られるためである。
【００２２】
また、本発明では、前記アルカリ金属元素がＬｉであることが好ましい。
【００２３】
焼結助剤としてＬｉを含む場合、内部電極に銅を用いた場合でも、信頼性の高いセラミックを得ることが可能となるためである。
【００２４】
また、本発明は、積層された複数の誘電体セラミック層と、前記複数のセラミック層間に配置された内部電極と、前記内部電極と電気的に接続される外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体セラミック層が本発明の誘電体セラミックによって形成されている積層セラミックコンデンサにも向けられる。
【００２５】
この場合、小型・大容量に優れ、かつ信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明は、成形体とアルカリ金属元素を含む組成物とを同時に焼成する。これにより、成形体中からのアルカリ金属元素の飛散を抑制して、二次相をセラミック表面に偏析させる。その結果、耐湿負荷試験後の特性劣化を抑制することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の積層セラミックコンデンサの断面図である。
【図２】さや詰め形態の図である。
【図３】本発明の組成物の図である。
【図４】本発明の誘電体セラミックのＳＥＭ写真である。（実験例１）
【発明を実施するための形態】
【００２８】
まず、本発明の誘電体セラミックの主要な用途である、積層セラミックコンデンサについて説明する。図１は、本発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサ１１の断面図である。
【００２９】
積層セラミックコンデンサ１１は、積層体１２を備えている。積層体１２は、積層される複数の誘電体セラミック層１３と、複数の誘電体セラミック層１３間の界面に沿って形成された複数の内部電極１４および１５とを備えている。内部電極１４および１５は、積層体１２の外表面にまで到達するように形成される。内部電極１４はセラミック積層体１２の一方の端面１６まで引き出される。また、内部電極１５はセラミック積層体２２の他方の端面１７まで引き出される。そして、セラミック積層体１２の内部において、誘電体セラミック層１３を介して静電容量を取得できるように交互に配置されている。
【００３０】
内部電極１４および１５の導電材料は、低コストである銅または銅合金の他、ニッケルまたはニッケル合金が好ましい。
【００３１】
前述した静電容量を取り出すため、セラミック積層体１２の外表面上であって、端面１６および１７上には、内部電極１４および１５のいずれか特定のものに電気的に接続されるように、外部電極１８および１９がそれぞれ形成されている。外部電極１８および１９に含まれる導電材料としては、内部電極１４および１５の場合と同じ導電材料を用いることができる。さらに、銀、パラジウム、銀−パラジウム合金等も用いることができる。
【００３２】
また、外部電極１８および１９上には、必要に応じて、ニッケル、銅等からなる第１のめっき層２０および２１がそれぞれ形成される。そして、その上には、はんだ、錫等からなる第２のめっき層２２および２３がそれぞれ形成される。
【００３３】
次に、積層セラミックコンデンサ１１の製造方法について説明する。
【００３４】
まず、誘電体セラミック成分の粉末を含む第１の原料粉末を用意する。
【００３５】
そのために、最初に、炭酸塩等のＡを含む化合物（Ａは、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも一種）と、酸化物等のＢを含む化合物（Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒから選ばれる少なくとも一種）とを用意する。そして、Ａを含む化合物とＢを含む化合物とを、各々所望量を持って混合し、大気中において仮焼することで反応させ、粉砕することによって、第１の原料粉末を得る。
【００３６】
次に、アルカリ金属元素を含有する化合物を含む第２の原料粉末を同様に用意する。
【００３７】
第１の原料粉末および第２の原料粉末を得るための出発材料の形態としては、前述した酸化物や炭酸塩以外に、硝酸塩、水酸化物、有機酸塩、アルコキシド、キレート化合物等を、合成反応の形態に応じて適宜用いることができる。
【００３８】
また、第１の原料粉末および第２の原料粉末を得る方法は、前述した混合粉体を仮焼する方法以外に、水熱合成法、共沈法、アルカリ加水分解法等の湿式法を用いることができる。
【００３９】
そして、第１の原料粉末と第２の原料粉末とを混合後に成形して成形体を得る。
【００４０】
まず、第１の原料粉末と第２の原料粉末とに有機バインダおよび溶剤を添加し、混合することによって、スラリーを作製する。このスラリーを用いて、誘電体セラミック層１３となるセラミックグリーンシートを作製する。
【００４１】
次に、特定のセラミックグリーンシート上に、内部電極１４、１５となるべき導電性ペースト膜を形成する。この導電性ペースト膜は、銅もしくは銅合金、またはニッケルもしくはニッケル合金のような卑金属が好ましい。導電性ペースト膜は例えばスクリーン印刷の他、蒸着法等によって形成される。
【００４２】
次に、導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートと、導電性ペースト膜を形成されていないセラミックグリーンシートを適宜複数枚積層し、圧着した後、必要に応じてカットすることによって、積層体１２となるべき成形体を得る。この成形体において導電性ペースト膜は、その端縁をいずれかの端面に露出させている。
【００４３】
次に、アルカリ金属元素を含む組成物を用意する。組成物は、アルカリ金属元素を含む粉末や、アルカリ金属元素を含むさやが挙げられる。
【００４４】
次に、得られた成形体を焼成する。本発明では、アルカリ金属元素を含む組成物を成形体の周囲に配置する。そして、成形体とアルカリ金属元素を含む組成物とを同時に焼成する。組成物中に含まれているアルカリ金属元素が、焼成中に飛散して、成形体の周囲をアルカリ金属元素の雰囲気にする。そのため、成形体中に含まれるアルカリ金属元素の飛散を抑制することができる。
【００４５】
成形体を焼成することにより、図１に示すような積層体１２が得られる。積層体１２では、前述のセラミックグリーンシートが誘電体セラミック層１３を構成し、導電性ペースト膜が内部電極１４または１５を構成する。
【００４６】
そして、内部電極１４および１５の露出した各端縁にそれぞれ電気的に接続されるように、積層体１２の端面１６および１７上に、それぞれ外部電極１８および１９を形成する。外部電極１８および１９は、通常、前述した導電性金属の粉末を含むペーストを、焼成後の積層体１２の外表面上に塗布し、焼き付けることによって形成される。また、成形体の外表面上に塗布し、積層体１２を得るための焼成と同時に焼き付けることによって形成しても良い。
【００４７】
その後、外部電極１８および１９上に、ニッケル、銅等のめっきを施し、第１のめっき層２０および２１を形成する。そして、この第１のめっき層２０および２１上に、はんだ、錫等のめっきを施し、第２のめっき層２２および２３を形成する。
【００４８】
以上のように、積層セラミックコンデンサ１１が完成する。
【００４９】
なお、誘電体セラミックの原料粉末の作製や、その他の積層セラミックコンデンサ１１の製造工程のいずれかの段階において、Ａｌ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｎ等が不純物として混入する可能性があるが、これら不純物の混入は、積層セラミックコンデンサ１１の電気特性上、問題となることはない。
【００５０】
積層セラミックコンデンサ１１中の誘電体セラミックは、誘電体セラミック成分を含む主成分と、アルカリ金属元素を含む副成分とを含む組成を有する。そして、前記誘電体セラミック成分は、一般式ＡＢＯ3で表されるペロブスカイト型化合物（ＡはＣａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも一種を含む。ＢはＺｒ、Ｔｉから選ばれる少なくとも一種を含む。）が好ましい。
【００５１】
このような焼成方法で得られた誘電体セラミックは、その表面近傍にアルカリ金属元素を含む二次相を形成している。そして、誘電体セラミックの表面近傍の断面をみた場合に、アルカリ金属元素を含む二次相の面積率が５０％以上になる。
【００５２】
二次相は、誘電体セラミックの表面近傍に形成される。表面近傍とは、誘電体セラミック表面から、積層セラミックコンデンサの全体の厚さの１％の距離まで内側に入った領域をいう。
【００５３】
アルカリ金属元素の分散状態は、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ（飛行時間型二次イオン質量分析装置）によって確認することができる。同時に、ＳＥＭの反射電子像で二次相の存在位置を確認する。これらの結果を照らし合わせて、アルカリ金属元素を含有する二次相の存在位置を特定して、視野全体に対する面積率を算出することができる。
【００５４】
［実験例１］
本実験例において、誘電体セラミックを用いた積層セラミックコンデンサを作製した。
【００５５】
まず、誘電体セラミック成分を含む粉末を含む第１の原料粉末を用意した。具体的には、純度９９％以上のＣａＣＯ3，ＳｒＣＯ3，ＢａＣＯ3，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2を準備した。そして、所定の組成になるように秤量した後、ボールミルにより湿式混合し、乾燥、解砕した。そして、この粉末を大気中で１０００〜１２００℃で仮焼した後、解砕して、第１の原料粉末を得た。
【００５６】
次に、アルカリ金属元素を含有するガラスを含む第２の原料粉末を用意した。具体的には、ＳｉＯ2、ＭｎＣＯ3、Ｓｉ−Ｂ−Ａ−ＡＥ系ガラス（Ａ；Ｌｉ、Ｎａ、Ｋから選ばれる少なくとも１種、ＡＥ；Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａから選ばれる少なくとも１種）を準備した。Ｓｉ−Ｂ−Ａ−ＡＥ系ガラスは、純度９９％以上のＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3、Ｌｉ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、Ｋ2ＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＢａＣＯ3、ＭｇＣＯ3を混合し、大気中で１０００℃まで加熱した後、急冷し、粉砕することで得た。
【００５７】
そして、第１の原料粉末と第２の原料粉末とを混合した。具体的には、第１の原料粉末と第２の原料粉末とを１００（Ｃａ0.95Ｓｒ0.05）1.000（Ｚｒ0.94Ｔｉ0.05Ｈｆ0.01）Ｏ3＋１０．０Ｍｎ＋５．０Ｓｉとなるように秤量した後、ボールミルにより湿式混合し、その後、乾燥、解砕した。なお、ガラスの添加量は、ガラス以外の重量に対して、５．０ｗｔ％の割合になるようにした。
【００５８】
そして、混合した第１の原料粉末と第２の原料粉末とに、ポリビニルブチラール系バインダおよびトルエン、エタノール等の有機溶剤を加えてボールミルにより湿式混合し、スラリーを調製した。このスラリーを用いてセラミックグリーンシートを形成した。そして、セラミックグリーンシート上に、銅を主成分とする導電性ペースト膜をスクリーン印刷にて形成した。そして、導電性ペースト膜を形成したセラミックグリーンシートと、導電性ペースト膜を形成していないセラミックグリーンシートを複数枚積層、圧着後カットして、成形体を得た。
【００５９】
そして、成形体を２００℃〜８００℃の温度で加熱してバインダを燃焼させた後、９５０℃〜１０００℃で焼成し、積層体を得た。
【００６０】
次に、積層体をバレルすることで端面に内部電極を露出させた。そして、外部電極となる銅ペーストを塗布した。銅ペーストを乾燥させた後、７００〜９００℃で、中性または還元雰囲気で外部電極を焼き付けた。
【００６１】
続いて、バレルめっき法で外部電極上にＮｉめっき層を形成した。その後、同様にＳｎめっき層を形成した。
【００６２】
このようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅０．３ｍｍ、長さ０．６ｍｍ、厚さ０．３ｍｍである。また、１層あたりの誘電体セラミック層の厚さは３μｍであった。また、有効誘電体セラミック層の層数は１０層であった。
【００６３】
本実験例では、焼成温度、さや詰め形態、組成物の有無により、条件１〜８の試料を作製した。実験条件とその結果を表１に示す。
【００６４】
焼成時における成形体のさや詰め形態は、図２のようにした。図２（ａ）はバラ積みの図である。バラ積みでは、全ての成形体３１がさや３２と接しており、成形体３１とさや３２との間に別の成形体を挟まないように配置されている。また、図２（ｂ）は山積みの図である。山積みでは、成形体３１同士が折り重なって配置されている。さやは約５０ｍｍ×５０ｍｍのさやを用いた。そして、バラ積みの場合、成形体を約５００〜７５０個配置した。また、山積みの場合、成形体を 約２０００〜３０００個配置した。
【００６５】
図３は組成物の図である。図３（ａ）は、組成物であるアルカリ金属元素を含む粉末３３がさやに配置されている例である。組成物である粉末３３は、さや３２上の成形体３１を取り囲むように配置されている。本実験例では、Ｌｉ2ＣＯ3の酸化物の粉末を成形体の周囲に約３〜５ｇ配置した。また、図３（ｂ）は、組成物がアルカリ金属元素を含むさやの例である。含有さや３４はさや中にＬｉが含まれている。本実験例では、約１．０ｗｔ％のＬｉ2ＣＯ3溶液にさやを含浸して作製した。
【００６６】
表１の条件で積層セラミックコンデンサを焼成した後、二つの測定を行った。
【００６７】
第一に、以下のように表面近傍のアルカリ金属元素を含む二次相の面積率を算出した。
【００６８】
まず、誘電体セラミック層の断面が現れるように積層セラミックコンデンサを研磨した。そして、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析でアルカリ金属元素の分散状態を確認した。分析前にＢｉイオンを照射して、表面の汚染を除去した。なお、分析条件は、照射一次イオンにＢｉ32+を用いて、一次イオン加速電圧を２５ｋＶとした。そして、バンチャー電圧を、イオン像測定時に０Ｖ、質量スペクトル測定時に２２１０Ｖとした。
【００６９】
同時に、ＳＥＭの反射電子像で二次相を観察した。そして、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析の結果と合わせて、アルカリ金属元素を含む二次相の位置を特定した。そして、前記誘電体セラミックの表面近傍の断面における、視野全体に対するアルカリ金属を含む二次相の面積率を算出した。視野は、２μｍ×２μｍの一視野を確認した。
【００７０】
第二に、得られた積層セラミックコンデンサの加速耐湿負荷試験（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｏｋｅｒ  Ｂｉａｓ  Ｔｅｓｔ；ＰＣＢＴ）を行った。試験条件は、温度１２１℃、湿度１００％ＲＨ、気圧２ａｔｍ、印加電圧５０Ｖ、試料数７２個とした。そして、１０００時間経過後の絶縁抵抗値が１０6Ω以下になった試料数を劣化試料数としてカウントした。
【００７１】
【表１】
2011037673.tif 000003
【００７２】
表１より、Ｌｉを含む組成物と同時に焼成している条件１〜５では、誘電体セラミックの断面における、Ｌｉを含む二次相の面積率が５０％以上である。また、ＰＣＢＴ試験後に絶縁抵抗が劣化する試料は発生していないことが分かる。
【００７３】
図４に、条件２の積層体断面のＳＥＭ写真を示す。誘電体セラミックの表面近傍に、二次相が形成されていることが分かる。
【００７４】
一方、アルカリ金属元素を含む組成物を同時に焼成していない条件６〜８では、ＰＣＢＴ後に絶縁抵抗が劣化する試料が発生した。
【００７５】
条件８では、バラ積みされており、Ｌｉ雰囲気があまり形成されていないため、成形体中のガラスからＬｉが飛散する。これにより、ガラスの粘度が上がり、焼成時にガラスが流動しにくくなるため、成形体表面にガラスの二次相が形成されない。このため、ＰＣＢＴ試験中に水分が粒界へ浸入し、絶縁抵抗が劣化した試料が７２個中６８個発生した。
【００７６】
条件６、７では、条件８よりは焼成時のＬｉ雰囲気が形成されており、二次相は形成されている。しかし、Ｌｉ雰囲気が十分ではないため、やはり絶縁抵抗が劣化する試料が発生した。
【００７７】
［実験例２］
実験例２では、Ｂａ−Ｎｄ−Ｔｉ−Ｏ系の誘電体セラミック成分を主成分とする誘電体セラミックの積層セラミックコンデンサを作製した。
【００７８】
まず、誘電体セラミック成分を含む粉末を含む第１の原料粉末を用意した。具体的には、純度９９％以上のＢａＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｎｄ2Ｏ3を準備した。そして、実験例１と同様の方法で、第１の原料粉末を得た。
【００７９】
次に、アルカリ金属元素を含有する第２の原料粉末を用意した。具体的には、ＭｎＣＯ3、Ｓｉ−Ｂ−Ａ−ＡＥ系ガラスを準備した。
【００８０】
そして、第１の原料粉末と第２の原料粉末とを５．０ＢａＯ−２５．０Ｎｄ2Ｏ3−７０．０ＴｉＯ2＋５．０Ｍｎ）となるように秤量した後、実験例１と同様の方法でスラリーを調製した。Ｓｉ−Ｂ−Ａ−ＡＥ系ガラスの添加量は、ガラス以外の重量に対して、１０．０ｗｔ％の割合になるようにした。
【００８１】
その後、実施例１と同様の方法で条件９の試料を作製した。そして、条件９の試料について、実験例１と同じ評価を行った。実験条件とその結果を表２に示す。
【００８２】
【表２】
2011037673.tif 000004
【００８３】
表２より、Ｌｉを含む組成物と同時に焼成している条件９では、誘電体セラミックの断面における、Ｌｉを含む二次相の面積率が８７．７％である。また、ＰＣＢＴ試験後に絶縁抵抗が劣化する試料は発生していないことが分かる。
【００８４】
［実験例３］
実験例２では、Ｍｇ2ＳｉＯ4系の誘電体セラミック成分を主成分とする誘電体セラミックの積層セラミックコンデンサを作製した。
【００８５】
まず、誘電体セラミック成分を含む粉末を含む第１の原料粉末を用意した。具体的には、純度９９％以上のＭｇＣＯ3、ＳｉＯ2を準備した。そして、実験例１と同様の方法で、第１の原料粉末を得た。
【００８６】
次に、アルカリ金属元素を含有する第２の原料粉末を用意した。具体的には、Ｓｉ−Ｂ−Ａ−ＡＥ系ガラスを準備した。
【００８７】
そして、第１の原料粉末と第２の原料粉末とをＭｇ2ＳｉＯ4となるように秤量した後、実験例１と同様の方法でスラリーを調製した。Ｓｉ−Ｂ−Ａ−ＡＥ系ガラスの添加量は、ガラス以外の重量に対して、１０．０ｗｔ％の割合になるようにした。
【００８８】
その後、実施例１と同様の方法で条件１０の試料を作製した。そして、条件１０の試料について、実験例１と同じ評価を行った。実験条件とその結果を表３に示す。
【００８９】
【表３】
2011037673.tif 000005
【００９０】
表３より、Ｌｉを含む組成物と同時に焼成している条件１０では、誘電体セラミックの断面における、Ｌｉを含む二次相の面積率が８４．３％である。また、ＰＣＢＴ試験後に絶縁抵抗が劣化する試料は発生していないことが分かる。
【符号の説明】
【００９１】
１１  積層セラミックコンデンサ
１２  積層体
１３  誘電体セラミック層
１４，１５  内部電極
１６，１７  端面
１８，１９  外部電極
２０，２１  第１のめっき層
２２，２３  第２のめっき層
３１  成形体
３２  さや
３３  粉末
３４  含有さや
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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