(57)【要約】【課題】従来の薄膜形成装置に比べて、薄膜を均一に形成することができる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】薄膜形成装置は、原料ガスおよび反応ガスが別々のタイミングで交互に供給されて、基板に薄膜を形成するための減圧した成膜空間を形成する成膜容器と、原料ガスおよび反応ガスを前記成膜容器に供給するガス供給ユニットと、を有する。ガス供給ユニットは、原料ガスおよび反応ガスの導入口から前記成膜空間に向けて流れるガス流路を屈曲させる少なくとも１つの衝立板が設けられている。【選択図】  図１
2011198897.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
基板に薄膜を形成するための減圧した成膜空間を形成し、前記成膜空間に原料ガスおよび反応ガスが別々のタイミングで交互に供給される成膜容器と、
原料ガスおよび反応ガスを前記成膜容器に供給するガス供給ユニットと、を有し、
前記ガス供給ユニットは、原料ガスおよび反応ガスの導入口から前記成膜空間に向けて流れるガス流路を屈曲させる少なくとも１つの衝立板が設けられている、ことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
前記ガス供給ユニットにおける前記導入口の原料ガスおよび反応ガスの流れる方向前方には、前記衝立板の壁面が位置するように、前記衝立板が設けられている、請求項１に記載の薄膜形成装置。
【請求項３】
前記ガス供給ユニットは、前記衝立板を一定の温度に保つヒータを備える、請求項１または２に記載の薄膜形成装置。
【請求項４】
基板を載置する基板ステージを有し、
前記ガス供給ユニットは、前記基板ステージの基板を載せる載置面に平行な方向に原料ガスおよび反応ガスを流し、
前記ガス供給ユニットは複数の衝立板を備え、複数の衝立板のうち前記成膜空間に最も近い衝立板は、複数のスリット孔が、前記基板ステージの前記載置面に対して垂直方向に延び、かつ、前記複数のスリット孔の配列方向は、前記載置面に平行である、請求項１に記載の薄膜形成装置。
【請求項５】
基板を載置する基板ステージを有し、
前記ガス供給ユニットは、前記基板ステージの基板を載せる載置面に平行な方向に原料ガスおよび反応ガスを流し、
前記成膜空間に面する前記ガス供給ユニットのガス吐出口は、前記載置面に平行な方向に延びるスリット状の開口部である、請求項１または２に記載の薄膜形成装置。
【請求項６】
前記ガス供給ユニットは複数の衝立板を備え、
原料ガスと反応ガスは、前記複数の衝立板の１つで区切られた互いに異なる空間に導入された後、前記衝立板の隙間を流れて、同じ流路を流れる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に薄膜を形成する薄膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、基板上に原子層単位で薄膜を形成する原子層成長法（以下、省略してＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法ともいう）が薄膜形成方法として注目されている。ＡＬＤ法は、形成しようとする膜を構成する元素を主成分とする２種類のガスを成膜対象基板上に交互に供給し、基板上に原子層単位で薄膜を形成することを複数回繰り返して所望厚さの膜を形成する薄膜形成技術である。例えば、基板上にＡｌ2Ｏ3膜を形成する場合、ＴＭＡ（Tri-Methyl Aluminum）からなる原料ガスとＯを含む酸化ガスが用いられる。また、基板上に窒化膜を形成する場合、酸化ガスの代わりに窒化ガスが用いられる。
【０００３】
ＡＬＤ法は、原料ガスを供給している間に１層あるいは数層の原料ガス成分だけが基板表面に吸着され、余分な原料ガスは成長に寄与しない、いわゆる成長の自己停止作用（セルフリミット機能）を利用する。
【０００４】
ＡＬＤ法は、一般的なＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法と比較して高い段差被覆性と膜厚制御性を併せ持ち、メモリ素子のキャパシタや、「high-kゲート」と呼ばれる絶縁膜の形成への実用化が期待されている。また、３００℃程度の低温で絶縁膜が形成可能であるため、液晶ディスプレイなどのように、ガラス基板を用いる表示装置の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の形成への適用なども期待されている。
【０００５】
このＡＬＤ法において、例えば、原料ガスあるいは反応ガス等の成膜ガスを成膜空間に供給するとき、成膜ガスが基板の面に平行な方向から基板に向けて流れるように成膜ガスを供給する。あるいは、成膜ガスが基板の垂直上方に設けたシャワーヘッドから基板に向けて流れるように成膜ガスを供給する。
成膜ガスを基板の面に平行な方向に流す方式は、下記特許文献１に記載されている。シャワーヘッドを用いる方式は、例えば、下記特許文献２に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２０６３１２号公報
【特許文献２】特開２００９−１９１３１１号公報
【０００７】
このようなＡＬＤ法により、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで薄膜を埋め込むことが可能となる。
しかし、上記シャワーヘッドを用いてガスを供給する方式の場合、薄膜を形成しようとする基板のサイズに合わせたシャワーヘッドが必要になる。基板のサイズが大きくなるにつれて、シャワーヘッド内にあるガスは抜け難くなり、この結果、反応生成物が得られる気相反応が起き易くなる。
一方、基板の面に平行な方向に成膜ガスを流す方式の場合、基板上のガス供給側とガス排気側とでは、形成される膜厚および膜質が異なる膜の不均一性が起きる場合がある。
【０００８】
図６には、ＡＬＤにより薄膜を形成する薄膜形成装置１００の一例が示されている。
薄膜形成装置１００は、成膜容器１０２と、原料ガス供給部１０４、反応ガス供給部１０６と、基板ステージ１０８と、加熱ヒータ１１０と、昇降機構１１２と、排気部１１４．１１６と、を有する。
原料ガス供給部１０４から供給されたＴＭＡのガスの成分が、成膜容器１０２の成膜空間内で、基板ステージ１０８に載置され加熱ヒータ１１０で加熱された基板に吸着される。成膜容器１０２の成膜空間は、排気部１１４，１１６により減圧状態になっている。
また、反応ガス供給部１０４から成膜容器１０２内に反応ガスである酸化ガスが基板の面に平行な方向に向けて供給される。酸化ガスは、加熱ヒータ１１０で加熱された基板の近くで加熱され、その一部は活性酸素となり、基板に吸着されているＴＭＡの成分と反応して、酸化アルミニウムの薄膜が形成される。
酸化アルミニウムの薄膜の形成に寄与しない余分なＴＭＡのガスおよび酸化ガスあるいは酸素ラジカルは、排気管を介して排気部１１６から排出される。
しかし、基板に形成される薄膜の厚さは、原料ガス供給側程厚くなり、膜質も、排気部１１６側とで異なる場合がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明は、薄膜を形成する際、従来の薄膜形成装置に比べて、薄膜を均一に形成することができる薄膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
基板に薄膜を形成するための減圧した成膜空間を形成し、前記成膜空間に原料ガスおよび反応ガスが別々のタイミングで交互に供給される成膜容器と、
原料ガスおよび反応ガスを前記成膜容器に供給するガス供給ユニットと、を有し、
前記ガス供給ユニットは、原料ガスおよび反応ガスの導入口から前記成膜空間に向けて流れるガス流路を屈曲させる少なくとも１つの衝立板が設けられている、ことを特徴とする。
【００１１】
前記ガス供給ユニットにおける前記導入口の原料ガスおよび反応ガスの流れる方向前方には、前記衝立板の壁面が位置するように、前記衝立板が設けられている、ことが好ましい。
【００１２】
前記ガス供給ユニットは、前記衝立板を一定の温度に保つヒータを備える、ことが好ましい。
【００１３】
さらに、薄膜形成装置は、基板を載置する基板ステージを有し、
前記ガス供給ユニットは、前記基板ステージの基板を載せる載置面に平行な方向に原料ガスおよび反応ガスを流し、
前記ガス供給ユニットは複数の衝立板を備え、複数の衝立板のうち前記成膜空間に最も近い衝立板は、複数のスリット孔が、前記基板ステージの前記載置面に対して垂直方向に延び、かつ、前記複数のスリット孔の配列方向は、前記載置面に平行である、ことが好ましい。
【００１４】
さらに、薄膜形成装置は、基板を載置する基板ステージを有し、
前記ガス供給ユニットは、前記基板ステージの基板を載せる載置面に平行な方向に原料ガスおよび反応ガスを流し、
前記成膜空間に面する前記ガス供給ユニットのガス吐出口は、前記載置面に平行な方向に延びるスリット状の開口部である、ことも同様に好ましい。
【００１５】
また、前記ガス供給ユニットは複数の衝立板を備え、
原料ガスと反応ガスは、前記複数の衝立板の１つで区切られた互いに異なる空間に導入された後、前記衝立板の隙間を流れて、同じ流路を流れる、ことが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
上述の薄膜形成装置によれば、従来の薄膜形成装置に比べて、薄膜を均一に形成することができる。
また、成膜容器から原料ガスの供給側に設けられる制御バルブ等へのガスの逆流を防止し、制御バルブへの膜の形成および堆積を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の薄膜形成装置の一実施形態であるＡＬＤ装置の構成を説明する図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、図１に示すＡＬＤ装置に設けられる原料ガス供給ユニットを説明する図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、図２に示す原料ガス供給ユニットの衝立板を説明する図である。
【図４】（ａ）は、従来の薄膜形成装置による薄膜の形勢を説明する図であり、（ｂ）は、薄膜の測定位置を説明する図であり、（ｃ）は、薄膜の厚さの測定結果を説明する図である。
【図５】図１に示す実施形態と異なる実施形態の原料ガス供給ユニットの構成を説明する図である。
【図６】従来の薄膜形成装置を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の薄膜形成装置および薄膜形成方法について詳細に説明する。
図１は、本実施形態のＡＬＤ装置の概略の構成を示す図である。
図１に示すＡＬＤ装置１０は、形成しようとする膜を構成する元素を主成分とする２種類の成膜ガス（原料ガスおよび反応ガス）を成膜対象の基板１１上に交互に供給する。その時、反応活性を高めるために加熱された反応ガスを用いて基板１１上に原子層単位で原料ガスの酸化膜を形成する。上記処理を１サイクルとして、処理を複数サイクル、例えば１００サイクル程度繰り返すことにより所望厚さの薄膜が形成される。なお、反応ガスとして、酸化ガスやオゾンガス等の酸化ガスや、窒素ガス等の窒化ガスが用いられる。
【００１９】
ＡＬＤ装置１０は、成膜容器１２と、原料ガス供給源１４と、反応ガス供給源１６と、排気部１８，２０と、基板ステージ２２と、リフトピン２４と、昇降機構２６と、を主に有する。以下、ＴＭＡを原料ガスとし、酸化ガスを反応ガスとして、基板１１上にアルミニウムの金属酸化膜を形成する場合を例に挙げて説明するが、窒化膜の場合も同様である。
【００２０】
成膜容器１２内の成膜空間３０には、基板ステージ２２と、加熱ヒータ３２と、が設けられている。基板ステージ２２は、成膜空間３０の下方に設けられ、加熱ヒータ３２は、基板ステージ２２の下方の部分に設けられている。
基板１１は、基板ステージ２２を貫通して成膜容器１２の外側から立設するリフトピン２４にて支持される。また、成膜中の基板１１は基板ステージ２２に載置される。リフトピン２４は、基板１１の交換のために昇降機構２６によって上下方向に昇降可能になっている。
ＡＬＤ装置１０は、加熱ヒータ３２により基板１１を２５０℃程度に加熱した状態で、薄膜を形成する、いわゆる熱ＡＬＤ装置である。
【００２１】
成膜容器１２の左側側壁には、原料ガス、反応ガスを成膜空間３０内に供給する、原料ガス供給源１４と反応ガス供給源１６とが設けられている。
原料ガス供給源１４は、原料ガスであるＴＭＡのガスを、供給管１４ａを介して、成膜空間３０に供給する。原料ガスの供給は、制御バルブ１４ｂにより制御される。原料ガスの成膜空間３０への供給により、基板１１上にＴＭＡの成分が吸着される。
反応ガス供給源１６は、反応ガスである酸化ガスを、供給管１６ａを介して、成膜空間３０に供給する。酸化ガスの供給は、制御バルブ１６ｂにより制御される。酸化ガスの供給は、ＴＭＡのガスの供給が停止されているときに行われる。すなわち、ＴＭＡのガスと酸化ガスは、交互に成膜空間３０に供給される。酸化ガスは、成膜空間３０の基板１１近傍で高温状態になり、酸化ガスの一部分が活性酸素となり、この活性酸素が基板１１に吸着されているＴＭＡの成分と反応を起こして、金属酸化膜からなる薄膜を形成する。
また、成膜空間３０には、ＴＭＡの原料ガスと酸化ガスである反応ガスの供給が交互に行われる間隙に、図示されないパージガス供給部から窒素ガス等の不活性ガスがパージガスとして成膜空間３０に供給される。これにより、ＴＭＡのガスと酸化ガスとの入れ替えが効率よく行われる。
原料ガスの成膜空間３０への供給と、反応ガスの成膜空間３０への供給は、いずれも、ガス供給ユニット３４を介して行われる。ガス供給ユニット３４については後述する。
【００２２】
薄膜の形成は、原子層単位で行われるので、ＴＭＡの基板１１上への吸着およびＴＭＡの活性酸素との反応は極めて短時間に行われる。例えば、ＴＭＡと活性酸素との反応は、例えば数ｍ秒で行われる。その際、この反応が基板１１全体でまんべんなく行われるように、例えば１秒程度、酸化ガスが基板１１上に流される。ＴＭＡのガスと酸化ガスの供給を交互に１００回程度行うことにより、数ｎｍ〜数１０ｎｍ等の薄膜を形成することができる。
【００２３】
このような成膜容器１２は、排気部１８，２０によるＴＭＡのガス、酸化ガス、パージガス等の排気により、成膜空間３０は、所定の真空度（例えば、１０Ｐａ〜１００Ｐａ、あるいは数Ｐａ〜数１００Ｐａ）程度の真空度に常時維持される。排気部１８は、成膜容器１２内の、基板ステージ２２の下方の床面に設けられた排気口から延びる排気管とポンプを有する。排気管は、成膜容器１２内の下部空間と接続されている。
排気部２０は、成膜容器１２内の図中右側面に設けられた排気口から延びる排気管とポンプを有する。排気管は、成膜空間３０と接続されている。
【００２４】
図２（ａ），（ｂ）は、ＴＭＡのガスおよび酸化ガスを成膜空間３０に供給するガス供給ユニット３４を説明する図である。図２（ｂ）では、内部構造がわかるように、側壁を除去して示している。
ガス供給ユニット３４は、内部空間３６を有するようにボックス形状の容器を成し、ガス供給ユニット３４の反応ガスの導入口から突出した管３４ａは、継手部材３４ｂを介して、供給管１６ａと接続されている。図示されないが、ガス供給ユニット３４の裏面側でも、ガス供給ユニット３４から突出した管は、継手部材を介して、供給管１４ａと接続されている。
ガス供給ユニット３４の本体部分は、四方が壁面で囲まれた内部空間が複数の衝立板で仕切られて、原料ガスであるＴＭＡのガスおよび反応ガスである酸化ガスの流路が屈曲するように構成されている。
ガス供給ユニット３４には、後述する金属製の衝立板３８を一定の温度に保つための加熱ヒータ３７が設けられている。衝立板３８を一定の温度、例えば７５℃以上にするのは、原料ガスであるＴＭＡのガスが衝立板３８にぶつかったとき、冷やされて凝縮されないようにするためである。
【００２５】
図２（ｂ）は、ガス供給ユニット３４の内部構造を示す分解斜視図である。
ガス供給ユニット３４の内部空間３６には、複数の衝立板３８が設けられ、複数の部屋が形成されている。複数の衝立板３８は、原料ガスおよび反応ガスの導入口から成膜空間３０に向けて流れるガス流路を屈曲させるように、ガス供給ユニット３４の壁面から、あるいは、他の衝立板３８から立設している。
【００２６】
具体的には、ＴＭＡのガスおよび酸化ガスの導入口から順に、衝立板３８ａ〜３８ｄが後述する衝立板３８ｅ上に設けられている。図２（ｂ）では、反応ガスである酸化ガスの導入口３５が示されている。衝立板３８ａ，３８ｂは、衝立板３８ｅの下面から下方に設けられ、衝立板３８ｃ，３８ｄは、衝立板３８ｅの上面から上方に設けられる。衝立板３８ａ〜３８ｄの先端は、いずれもガス供給ユニット３４の内壁面（天井面及び床面）と接触せず、衝立板３８ａ〜３８ｄの先端とガス供給ユニット３４の内壁面との間に空隙ができている。この空隙は、導入口から供給されたＴＭＡのガスおよび酸化ガスが屈曲して流れる流路の一部となっている。
【００２７】
衝立板３８ｅは、後述する衝立板３８ｆ、３８ｇ，３８ｈに対して垂直方向に設けられている。衝立板３８ｆ、３８ｇ，３８ｈは、ガス供給ユニット３４の内壁面に対して垂直に立設しているので、衝立板３８ｅは、ガス供給ユニット３４の内壁面に平行に設けられ、衝立板３８ｆ、３８ｇ，３８ｈで区切られる導入口側の内部空間を上下方向に２分している。このように、衝立板３８ｅが内部空間を上下方向で２分するのは、上方から導入される酸化ガスと下方から導入されるＴＭＡのガスを導入時に分離するためである。酸化ガスとＴＭＡのガスを導入時に分離することにより、ＴＭＡガスが凝縮して液体が壁面に付着しても、酸化ガスと反応する機会は殆どないため、反応生成物は生成されない。
なお、ガス供給ユニット３４における導入口を通る原料ガスおよび反応ガスの流れる方向前方には、衝立板３８ｅの壁面が位置するように、衝立板３８ｅが設けられている。このように衝立板３８ｅを配置するのは、導入口から導入された原料ガスおよび酸化ガスの流れを一度停留させるためである。
【００２８】
衝立板３８ｆ，３８ｇ，３８ｈは、ガス供給ユニット３４の内壁面から垂直に立設している。衝立板３８ｆ，３８ｇ，３８ｈは、一方向に一列に配列されており、衝立板３８ｆと衝立板３８ｇの間、および衝立板３８ｇと衝立板３８ｈとの間に隙間が設けられ、スリット状の細孔が形成されている。この細孔は、衝立板３８ｅで上下方向に区切られた２つの内部空間に供給されるガスの流路となって、衝立板３８ｆ，３８ｇ，３８ｈと、後述する衝立板３８ｉとの間の内部空間を作る。この内部空間は、ＴＭＡのガスおよび酸化ガスの流路として共用される。このように、ＴＭＡのガスおよび酸化ガスの流路として共用できるのは、すでにＴＭＡガスのうち減圧雰囲気内で凝縮されるべき分は凝縮されているので、衝立板３８ｉにＴＭＡの液が付着することはないからである。
【００２９】
衝立板３８ｉは、ガス供給ユニット３４の内壁面（床面）から垂直に立設している。衝立板３８ｉの先端は、ガス供給ユニット３４の内壁面（天井面）と接触せず、衝立板３８ｉの先端とガス供給ユニット３４の内壁面（天井面）との間に隙間が形成される。この隙間は、ＴＭＡのガスおよび酸化ガスの流路として共用される。このように、ＴＭＡのガスおよび酸化ガスの流路として共用できるのは、すでにＴＭＡガスのうち減圧雰囲気内で凝縮されるべき分は凝縮されているので、衝立板３８ｉにＴＭＡの液が付着することはないからである。
【００３０】
衝立板３８ｊは、ガス供給ユニット３４の内壁面（天井面）から下方に向かって垂直に設けられている。衝立板３８ｊの先端は、ガス供給ユニット３４の内壁面（床面）と接触せず、衝立板３８ｊの先端とガス供給ユニット３４の内壁面（床面）との間に隙間が形成される。この隙間は、ＴＭＡのガスおよび酸化ガスの流路であり、成膜空間３０への吐出口として共用される。このように、ＴＭＡのガスおよび酸化ガスの流路として共用できるのは、すでにＴＭＡガスのうち減圧雰囲気内で凝縮されるべき分は凝縮されているので、衝立板３８ｉにＴＭＡの液が付着することはないからである。
【００３１】
このように、衝立板３８ｆ，３８ｇ，３８ｈを１つの衝立板としてみたとき、複数のスリット孔が、基板ステージ２２の載置面に対して垂直方向に延び、かつ、この複数のスリット孔の配列方向は、載置面に平行である。これにより、衝立板３８ｆ，３８ｇ，３８ｈの間のスリット孔から流れるガスを、成膜空間３０の幅一杯に流すことができる。
また、衝立板３８ｉにより形成される吐出口は、基板ステージ２２の載置面に平行な方向に延びるスリット状の開口部であるので、基板１１の幅一杯に略均一にガスを流すことができる。
【００３２】
図３（ａ）は、導入口の側から成膜空間３０側を見たときの衝立板３８ａ〜３８ｈの様子と、形成されるスリット状の細孔（図中の白色領域）を示す。図中上方から導入される、反応ガスである酸化ガス、および図中下方から導入される原料ガスであるＴＭＡガスの流れが矢印で示されている。
また、図３（ｂ）は、衝立板３８ｆ，３８ｇ，３８ｈと衝立板３８ｉとの間の内部空間を、成膜空間３０側に見たときの、衝立板３８ｉにより形成されるスリット状の細孔（図中の白色領域）を示す。
また、図３（ｃ）は、衝立板３８ｉと衝立板３８ｊとの間の内部空間を、成膜空間３０側に見たときの、衝立板３８ｊにより形成されるスリット状の細孔（図中の白色領域）を示す。
【００３３】
以上のように、ガス供給ユニット３４は、複数の衝立板を設けることにより、ＴＭＡのガスおよび反応ガスの流路は屈曲している。このように、流路を屈曲させるのは、ＴＭＡのガスおよび酸化ガスの流速を可能な限り抑制して、ガスの拡散に近い速度で流れるようにすることが、形成される薄膜の均一性を向上する点で好ましいからである。後述するように、本発明のガス供給ユニット３４を用いて形成される薄膜は、従来のシャワーヘッドを用いてガスが供給される場合に比べて、形成される膜厚の分布は均一に近いことがわかる。
【００３４】
〔実施例〕
本発明の薄膜形成装置の効果を確かめるために、基板に薄膜を形成した（実施例）。
図４（ａ）は、従来のシャワーヘッドを用いて、原料ガスであるＴＭＡのガスおよび反応ガスであるオゾンガスを用いて、基板に薄膜を形成する例（従来例）を示す。この例では、シャワーヘッドを、基板ステージの基板の載置面に平行な方向にガスが流れるように配置した。
基板は、実施例および従来例ともに円形状のシリコン基板（６インチウェハ）にアルミ酸化膜を形成した。
基板温度は２５０℃とし、１回のＴＭＡのガスの供給量を０．５ｍｇとし、ＴＭＡのガスの供給、ＴＭＡのガスの排気、オゾンガスの供給、オゾンガスの排気の１回の処理時間を８．５秒として、１００回繰り返した。
図４（ｂ）は、形成された膜厚を測定する３箇所を示す。地点１は、ガスの流れの上流側（ガス供給側）に位置し、地点３は、ガスの流れの下流側（排気側）に位置する。
図４（ｃ）は、上記実施例と従来例における測定結果である、薄膜の膜厚分布を示している。図からわかるように、従来例では、上流側程膜は厚く、下流側程膜は薄いのに対して、実施例では、略均一な厚さの薄膜が形成されていることがわかる。
これより、本発明の効果は明らかである。
【００３５】
なお、本実施形態は、衝立板３８を図２（ｂ）に示すように配置したが、この配置に限定されるわけではない。衝立板３８により、原料ガスおよび反応ガスの流路が屈曲するように衝立板を配置すれば、どのような配置であってもよい。例えば、図５に示すガス供給ユニット３４’のように、衝立板３８を配置することができる。図５は、衝立板３８の配置を線図で表した上面図である。衝立板３８は、いずれもガス供給ユニット３４’の内壁面（床面）から立設し、衝立板３８に隙間が設けられることにより、ガスの流路が屈曲している。
このような流路においても、ガス供給ユニット３４’における導入口の原料ガスおよび反応ガスの流れる方向前方には、衝立板３８の壁面が位置するように、衝立板３８が設けられている。
【００３６】
以上、本発明の薄膜形成装置について詳細に説明したが、本発明の薄膜形成装置および薄膜形成方法は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００３７】
１０  ＡＬＤ装置
１１  基板
１２  成膜容器
１４  原料ガス供給源
１６  反応ガス供給源
１８，２０  排気部
２２  基板ステージ
２４  リフトピン
２６  昇降機構
３０  成膜空間
３２，３７  加熱ヒータ
３４  ガス供給ユニット
３４ａ  管
３４ｂ  継手部材
３５  導入口
３６  内部空間
３８，３８ａ〜３８ｊ  衝立板
【図１】
2011198897.tif 000003
【図２】
2011198897.tif 000004
【図３】
2011198897.tif 000005
【図４】
2011198897.tif 000006
【図５】
2011198897.tif 000007
【図６】
2011198897.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月6日(2011.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
基板に薄膜を形成するための減圧した成膜空間を形成し、前記成膜空間に原料ガスおよび反応ガスが別々のタイミングで交互に供給される成膜容器と、
原料ガスおよび反応ガスを前記成膜容器に供給するガス供給ユニットと、を有し、
前記ガス供給ユニットには、原料ガスおよび反応ガスの導入口から前記成膜空間に向けて流れるガス流路を屈曲させる少なくとも１つの衝立板が設けられ、
前記ガス供給ユニットは、前記衝立板を一定の温度に保つヒータを備える、ことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
前記ガス供給ユニットにおける前記導入口の原料ガスおよび反応ガスの流れる方向前方には、前記衝立板の壁面が位置するように、前記衝立板が設けられている、請求項１に記載の薄膜形成装置。
【請求項３】
基板を載置する基板ステージを有し、
前記ガス供給ユニットは、前記基板ステージの基板を載せる載置面に平行な方向に原料ガスおよび反応ガスを流し、
前記ガス供給ユニットは複数の衝立板を備え、複数の衝立板のうち前記成膜空間に最も近い衝立板は、複数のスリット孔が、前記基板ステージの前記載置面に対して垂直方向に延び、かつ、前記複数のスリット孔の配列方向は、前記載置面に平行である、請求項１に記載の薄膜形成装置。
【請求項４】
基板を載置する基板ステージを有し、
前記ガス供給ユニットは、前記基板ステージの基板を載せる載置面に平行な方向に原料ガスおよび反応ガスを流し、
前記成膜空間に面する前記ガス供給ユニットのガス吐出口は、前記載置面に平行な方向に延びるスリット状の開口部である、請求項１または２に記載の薄膜形成装置。
【請求項５】
前記ガス供給ユニットは複数の衝立板を備え、
原料ガスと反応ガスは、前記複数の衝立板のうち第１衝立板で区切られた互いに異なる空間に導入された後、前記複数の衝立板のうちの少なくとも２つの衝立板であって、前記互いに異なる空間から１つの共通した空間に繋がるように、前記互いに異なる空間と前記１つの共通した空間とを画する少なくとも２つの第２衝立板の間に設けられた隙間を流れて、同じ流路を流れる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一態様は、  基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
基板に薄膜を形成するための減圧した成膜空間を形成し、前記成膜空間に原料ガスおよび反応ガスが別々のタイミングで交互に供給される成膜容器と、
原料ガスおよび反応ガスを前記成膜容器に供給するガス供給ユニットと、を有し、
前記ガス供給ユニットには、原料ガスおよび反応ガスの導入口から前記成膜空間に向けて流れるガス流路を屈曲させる少なくとも１つの衝立板が設けられ、
前記ガス供給ユニットは、前記衝立板を一定の温度に保つヒータを備える、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記ガス供給ユニットは複数の衝立板を備え、
原料ガスと反応ガスは、前記複数の衝立板のうち第１衝立板で区切られた互いに異なる空間に導入された後、前記複数の衝立板のうちの少なくとも２つの衝立板であって、前記互いに異なる空間から１つの共通した空間に繋がるように、前記互いに異なる空間と前記１つの共通した空間とを画する少なくとも２つの第２衝立板の間に設けられた隙間を流れて、同じ流路を流れる、ことが好ましい。